(57)【要約】  本発明の種々の実施形態は、電気部品とワイヤとの間に位置合わせ不良があっても、ワイヤとアドレスワイヤとを仲介して結びつけるクロスバーアレイ設計を対象とする。一実施形態では、ナノスケールデバイスは、２つ以上のワイヤ(1501〜1511)から成る第１の層、及び第１の層に重なる、２つ以上のアドレスワイヤ(1512〜1523)から成る第２の層から構成され得る。また、ナノスケールデバイスは、第１の層と第２の層との間に配置される中間層(704〜804)も含むことができる。１つ又は複数の電気部品パターンが第１の層及び第２の層と位置合わせされるように、２つ以上の冗長な電気部品パターン(1400)が中間層内に製作され得る。【選択図】図１
2009515341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤとアドレスワイヤとを仲介して結びつけるデバイスであって、
２つ又はそれより多いワイヤ（1501〜1511）から成る第１の層と、
２つ又はそれより多いアドレスワイヤ（1512〜1523）から成り、前記第１の層に重なる第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に配置される中間層（704、804）と、
前記中間層内に形成される２つ又はそれより多い冗長な電気部品パターン（1400）とを含み、前記電気部品パターンのうちの１つ又は複数が前記第１の層及び前記第２の層と位置合わせされる、デバイス。
【請求項２】
２つ又はそれより多い実質的に平行なワイヤ（1512〜1523）から成る前記第１の層に重なる実質的に平行な前記アドレスワイヤ（1501〜1511）が、前記第１の層内の前記ワイヤに対してほぼ垂直である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
１つ又は複数の前記ワイヤ（1501〜1511）の数が、
付加的なナノワイヤの数＝Δｘ／（Ｐ／２）
だけ増加し、ここで、Δｘがアドレス指定パターンの許容量であり、Ｐがワイヤピッチである、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記１つ又は複数のワイヤ（1501〜1511）が、ナノスケール、サブマイクロスケール、マイクロスケール又はそれよりも大きな寸法のワイヤとすることができ、導体材料又は半導体材料から構成され得る、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記アドレスワイヤ（1512〜1523）が、ナノスケール、サブマイクロスケール、マイクロスケール又はそれよりも大きな寸法のワイヤとすることができ、導体材料又は半導体材料から構成され得る、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
クロスバーアレイ内のワイヤをアドレス指定するための方法であって、
２つ又はそれより多いワイヤ（1501〜1511）から成る第１の層、及び前記ワイヤの第１の層に重なる２つ又はそれより多いアドレスワイヤ（1512〜1523）から成る第２の層を準備し、
前記第１の層及び前記第２の層の前記ワイヤを相互接続する有限数の冗長な電気部品パターン位置合わせを決定し、前記位置合わせのそれぞれが、１組のアドレス（1526、1626、1726、1826）に対応し、
前記アドレスの組（1526、1626、1726、1826）から、２つ又はそれより多い異なる組のアドレスのうちのアドレスと重複するアドレスを有するアドレスの組を選択し、
前記重複する組のアドレスを試験して、前記第１の層の前記ワイヤをアドレス指定するために使用され得る前記１組のアドレスを決定することを含む、方法。
【請求項７】
前記第１の層（1501〜1511）に重なる前記第２の層（1512〜1523）が、前記第１の層の前記ワイヤに対してほぼ垂直に向けられたワイヤの第２の層をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の層（1501〜1511）及び前記第２の層（1512〜1523）が、導体材料又は半導体材料から構成され得る、ナノスケール、サブマイクロスケール、マイクロスケール又はそれよりも大きな寸法のワイヤをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記重複する組のアドレスが、他の組のアドレス内のアドレスのアドレス接頭部と一致するアドレス接頭部（1901）と、他の組のアドレス内のアドレスのアドレス接尾部と一致するアドレス接尾部（1902）とを有するアドレスをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
或る特定の組のアドレスを前記試験することが、前記特定の組のアドレス内の論理アドレスに対応する前記第２の層の前記アドレスワイヤに電圧を印加して、前記第１の層内の対応するワイヤの電圧を測定することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイスに関し、より詳細には、ワイヤを、重なるアドレスワイヤと相互接続する電気部品とワイヤとの間の位置合わせ不良を許容するクロスバーアレイの設計、及びワイヤアドレス指定方法に関する。
【０００２】
発明の背景
過去５０年間に、エレクトロニクス及びコンピューティング産業は、トランジスタ及び信号ワイヤのような基本的な電子部品のサイズを絶えず小さくすることによって、さらには、それに応じて、プロセッサ及び電子メモリチップを含む、集積回路の部品密度を絶えず高めることによって、絶えず進歩してきた。しかしながら、最終的には、フォトリソグラフィ法に基づく半導体回路製造技術において、根本的な部品サイズ限界に達するものと予想される。例えば、部品のサイズが紫外光の解像限界（即ち、約１９３ｎｍの波長）未満まで小さくなると、次世代のリソグラフィのような、フォトリソグラフィ技術を用いて、さらに小さな部品を作り出すために、技術的にはるかに要求が厳しい技術が用いられる必要がある。新たな技術を用いるために、高額な半導体製造設備を再構築することが必要とされることもある。また、多くの新たな障害に直面することも予想される。例えば、初期の半導体の表面上に既に製造されている部品に対して、各ステップにおいて用いられるマスクを正確に位置合わせしながら、一連のフォトリソグラフィのステップを通じて、半導体デバイスを製造する必要がある。部品サイズが小さくなると、正確に位置合わせするのが益々難しくなり、費用がかかるようになる。別の例として、半導体表面上に製造される部品のサイズが小さくなると、或る特定のタイプの欠陥が半導体表面にランダムに分布する結果として半導体デバイスに欠陥が生じる確率が高くなる可能性があり、結果として、製造中に欠陥のあるデバイスの割合が増えて、それに応じて、有用な製造物の歩留まりが低下する。最終的には、分子スケールの距離においてのみ生じる種々の量子効果によって、半導体内に部品を製造する現在の手法が全く役に立たなくなる可能性もある。
【０００３】
これらの問題を考慮して、研究者及び開発者は、代替の技術を用いて、サブマイクロスケール及びナノスケールの電子デバイスを製造することに、かなりの研究努力を費やしている。ナノスケール電子デバイスは一般に、１００ナノメートル未満の幅を有するナノスケール信号ワイヤと、１００ナノメートル未満の寸法を有するナノスケール部品とを利用する。さらに高密度に製造されるナノスケール電子デバイスは、５０ナノメートル未満、又は特定のタイプのデバイスでは、１０ナノメートル未満の幅及び寸法をそれぞれ有する、ナノスケール信号ワイヤ及びナノスケール部品を利用することができる。
【０００４】
一般的なナノワイヤ技術が開発されているが、ナノワイヤ技術を利用して、既存のタイプの回路及び構造を小型化することは、必ずしも簡単ではない。はるかに大きな現在の回路と同様の、小型化されたナノワイヤ回路を単調に構成することはできるかもしれないが、現在の技術を用いて、そのような小型化された回路を製造することは、実用的ではなく、不可能であることも多い。そのように単純に小型化される回路を都合よく製造できたとしても、ナノスケール部品を組み合わせる結果として、部品密度がはるかに高くなると、その回路によって生成される廃熱を除去することに関して、大きく異なる方法が必要とされる。さらに、ナノスケール寸法では、物質の電子物性が劇的に変化することがあるので、比較的簡単で、よく知られている回路及びサブシステムであっても、ナノスケール寸法で製造するには、異なるタイプの手法及び物質を利用することが必要になることがある。従って、ナノワイヤを用いて、ナノスケール寸法において有用な回路及び構造を開発し、製造するには、新たな実施方法及び技術を用いる必要がある。
【０００５】
重なり合うナノワイヤとアドレスワイヤとの間の間隙に導体、トランジスタ、抵抗器、ダイオード及び他の部品のような簡単な電子部品を選択的に製造することによって、マルチプレクサ／デマルチプレクサのようなナノスケール電子デバイスを製造するために、ナノワイヤ技術が開発されてきた。しかしながら、マルチプレクサ／デマルチプレクサ及びロジックアレイの製造中に、多数の電気部品がナノワイヤと位置合わせされないことがある。結果として、電気部品を介して、重なるアドレスワイヤとの接続を確立することができないので、或る特定のナノワイヤをアドレス指定できないことがある。これらのシステムの設計者、製造者及び使用者は、ナノワイヤ及びアドレスワイヤが重なり合う場所における電気部品の位置合わせ不良を許容することができるマルチプレクサ／デマルチプレクサ及びロジックアレイの設計が必要であることを認識している。
【０００６】
発明の概要
本発明の種々の実施形態は、電気部品とワイヤとの間に位置合わせ不良があるにもかかわらず、ワイヤとアドレスワイヤとを仲介して結びつけるクロスバーアレイ設計を対象とする。一実施形態では、ナノスケールデバイスは、２つ又は２つより多いナノワイヤから成る第１の層、及び第１の層を覆う、２つ又は２つより多いアドレスワイヤから成る第２の層から構成され得る。また、当該ナノスケールデバイスは、第１の層と第２の層との間に配置される中間層も含むことができる。１つ又は複数の電気部品パターンが第１の層及び第２の層と位置合わせされるように、２つ又は２つより多い冗長な電気部品パターンが中間層内に形成され得る。
【０００７】
発明の詳細な説明
以下に説明されるように、クロスバーアレイは、マルチプレクサ／デマルチプレクサ及びロジックアレイのような電子デバイスを構成するために使用され得る多数の新たに出現した電子工学的な構成媒体のうちの１つを表す。クロスバーアレイは一般に、ワイヤの層と、直交して重なるアドレスワイヤ層と、或る特定の重なり合う場所においてアドレスワイヤをワイヤに接続する電気部品のパターンを有する中間層とから構成される。しかしながら、製造中に、多数の電気部品がワイヤと位置合わせされないことがあるので、或る特定のワイヤがアドレス指定できないことがある。本発明の種々の実施形態は、２組以上のアドレスワイヤと、ずらして配置された２つ以上の冗長な電気部品パターンとを利用するクロスバーアレイ設計に向けられる。冗長な電気部品パターンはそれぞれ、他の電気部品パターンの場所に対してずらして配置され、そのため、２つの電気部品パターンは、ワイヤと同じ位置合わせ（アライメント）を有さない。この結果、所望の数のワイヤを、１つ又は複数の冗長な電気部品パターンによってアドレス指定することができる確率が高くなる。さらに、ワイヤ及びアドレスワイヤの重なり合う層を接続する冗長な電気部品パターンは、ワイヤをアドレス指定するためにそれぞれ使用され得る複数の組のワイヤアドレスに関連付けられる。本発明は、以下の２つのサブセクション、即ち（１）クロスバーアレイの概説、及び（２）本発明の実施形態において、以下に説明される。
【０００８】
クロスバーアレイの概説
電子デバイスを製造するための比較的新しく、有望な技術は、ナノワイヤクロスバーを含む。図１は、ナノワイヤクロスバーを示す。図１では、概ね平行なナノワイヤ１０２から成る第１の層の上には、第１の層１０２のナノワイヤに対して向きが概ね垂直である、概ね平行なナノワイヤ１０４から成る第２の層が重なるが、層間の配向角は変えてもよい。ナノワイヤの２つの層は格子、即ちクロスバーを形成し、第２の層１０４の各ナノワイヤは第１の層１０２の全てのナノワイヤの上に重なり、２つのナノワイヤ間の最も近い接点を表すナノワイヤ交差部において、第１の層１０２の各ナノワイヤと密接に接触する。図１の個々のナノワイヤは円形の断面を有するように示されるが、ナノワイヤは、正方形、長方形、楕円形又はさらに複雑な断面を有することもできる。また、ナノワイヤは、多くの異なる幅又は直径、及びアスペクト比又は偏心率を有することができる。用語「ナノワイヤクロスバー」は、ナノワイヤに加えて、サブマイクロスケール、マイクロスケール、又はさらに大きな寸法を有するワイヤから成る１つ又は複数の層を有するクロスバーを指すことがある。
【０００９】
ナノワイヤは、機械的なナノプリンティング技術のようなリソグラフィを用いて製造され得る。代案として、ナノワイヤは、化学的に合成されることができ、１つ又はいくつかの工程ステップにおいてナノワイヤの層として堆積され得る。また、ナノワイヤを製造するための他の代替の技術が使用されてもよい。従って、図１に示されるような、第１の層及び第２の層を含む２層ナノワイヤクロスバーは、多くの比較的簡単な工程のうちのいずれかによって製造され得る。金属及び半導体物質から、これらのタイプの物質の組み合わせから、及び他のタイプの物質から、多くの異なるタイプの導電性及び半導電性ナノワイヤを化学的に合成することができる。ナノワイヤを電気回路に組み込むために、様々な異なる方法を通じて、ナノワイヤクロスバーをマイクロスケールのアドレスワイヤリード又は他の電子リードに接続することができる。
【００１０】
ナノワイヤクロスバーを用いて、トランジスタ、ダイオード、抵抗器及び他のよく知られている基本的な電子部品のような、ナノスケール電子部品のアレイを形成することができる。図２は、ナノワイヤクロスバー内の２つの連続した層のナノワイヤ２０２及び２０４を相互接続するナノワイヤ接合部を示す。ナノワイヤ接合部は、２つのナノワイヤ２０２と２０４との間の物理的な接触を伴うことも、伴わないこともあることに留意されたい。図２に示されるように、２つのナノワイヤは、それらの重なり合う場所において物理的に接触していないが、それらの間の間隙が少数の分子２０６〜２０９によって埋められる。多種多様な目的のために、様々な異なるタイプの分子がナノワイヤ接合部に導入され得る。多くの場合に、種々の目的のために、ナノワイヤ接合部を形成するナノワイヤに種々の電圧レベル又は電流レベルを印加することによって、ナノワイヤ接合部の分子にアクセスすることができる。図２のナノワイヤ接合部を埋める分子は、様々な異なる量子状態を有することがあり、それらの量子状態において、分子は、抵抗性、半導体のような特性、又は導電性の電気的特性を示す。ナノワイヤ接合部によって相互接続される２つのナノワイヤ間に流れる電流は、分子の相対的に低いエネルギーの占有されない量子状態を通じて電子の量子力学的トンネル現象が生じる結果として、ナノワイヤ接合部の両端の電圧の非線形関数になることができる。分子の量子状態、及び量子状態の相対的なエネルギーは、交差部を形成するナノワイヤに差動電流又は差動電圧を印加することによって制御され得る。例えば、分子は、還元状態において導電性になることができ、酸化状態において絶縁体として働くことができ、酸化還元反応は、分子がどの量子状態にあるかを決定する電圧レベルによって制御される。
【００１１】
一般に、ナノワイヤ接合部は異方性であり、電気的特性を含む物理的特性に関して極性又は方向を有する。この異方性は、ナノワイヤクロスバーの２つの層内のナノワイヤの様々な化学的特性及び／又は物理的特性から生じることがあり、ナノワイヤ接合部分子の非対称性、及びナノワイヤ層に対するナノワイヤ接合部分子の一様な向きから生じることがあり、及びナノワイヤの特性の違い、並びにナノワイヤ接合部分子の非対称性の両方から生じることがある。ナノワイヤ接合部が極性を有することができるという事実によって、ナノワイヤ接合部に正及び負の電圧を印加することによりナノワイヤ接合部の特性を制御し、ナノワイヤ接合部内で順方向及び逆方向電流を導出することが可能になる。
【００１２】
図２に示されるように、ナノワイヤは、外側コーティング２１０及び２１２のような外側コーティングを含むことができる。外側コーティングは、ナノワイヤを互いに絶縁するための役割を果たすことができ、ナノワイヤが互いに接触するように配置される場合に、ナノワイヤ接合部を埋める役割を果たす分子を構成することができ、及び／又は選択的に活性化して半導体ナノワイヤをドープすることができる変調ドーパント層としての役割を果たすことができる。ｐ型及びｎ型両方の変調ドーパントコーティングが開発されている。他の応用形態では、重なり合うナノワイヤ間のナノワイヤ接合部を埋める分子は、ナノワイヤ層間に形成される、「中間層」と呼ばれる別個の層として導入され得る。場合によっては、ナノワイヤ接合部分子の状態変化は、可逆的でないこともある。例えば、ナノワイヤ接合部分子は最初に抵抗性であり、相対的に高い電圧を印加することによって、導電性になることができる。他の場合には、ナノワイヤ接合部分子は導電性であるが、非常に高い電圧レベルを印加することによって、ナノワイヤ接合部の近くにあるナノワイヤの部分と共に、分子が不可逆的に損傷を受けることがあり、結果として、２つのナノワイヤ間の導電性が途絶されて、それらの間の電気接続が遮断されることになる。さらに別の場合には、ナノワイヤ接合部分子は、１つの状態から別の状態に、及び元の状態に可逆的に移行することができ、そのため、ナノワイヤ接合部において構成されたナノスケール電気部品が、選択されたナノワイヤ接合部に差動電圧を印加することによって、再構成される、即ちプログラムされ得る。
【００１３】
構成され得る１つのタイプのナノワイヤ接合部は、開閉することができるスイッチと直列に接続されている抵抗器であるかのように挙動する。そのスイッチが閉じる際、ナノワイヤ接合部分子は、そのナノワイヤ接合部において重なり合うナノワイヤを接続する。そのスイッチが開く際、ナノワイヤ接合部を埋めるナノワイヤ接合部分子は、電流に影響を及ぼさない。
【００１４】
ナノワイヤ接合部は、電気的に、光学的に、機械的に、又は他の手段によって構成され得る。図３は、２層ナノワイヤクロスバーから再構成可能なナノスケール電気部品のネットワークを構成する１つの実現可能な手法を示す。図３Ａ〜図３Ｄでは、小さな３×３ナノワイヤクロスバーが示されており、９個全てのナノワイヤ接合部にある円は、ナノワイヤ接合部分子の状態を示す。図３Ａ〜図３Ｄにおいて、「１」とラベル表示された１つの状態では、ナノワイヤ接合部分子は、或る特定の半導体特性、又は導電特性を有することができ、一方、図３Ａ〜図３Ｄにおいて「２」とラベル表示された第２の状態では、ナノワイヤ接合部分子は異なる特性を有することができる。最初に、図３Ａに示されるように、ナノワイヤクロスバー３００のナノワイヤ接合部の状態は、「２」とラベル表示された状態にある。次に、図３Ｂに示されるように、状態「１」を有するようにナノワイヤ接合部を構成、即ちプログラムするために、ナノワイヤ接合部を形成するナノワイヤに書込み電圧、即ち構成電圧を印加することによって、各ナノワイヤ接合部に一意にアクセスすることができる。例えば、図３Ｂでは、第１の書込み電圧ｖｗ’を水平ナノワイヤ３０２に印加し、第２の書込み電圧ｖｗ’’を垂直ナノワイヤ３０４に印加して、ナノワイヤ接合部３０６の状態を「２」から「１」に変化させる。個々のナノワイヤ接合部を、図３Ｂに示されるステップに類似したステップを通じて構成することができ、結果として、最終的には、図３Ｃに示されるように、ナノスケール部品ネットワークが完全に構成される。図３Ｃでは、書込み電圧を選択的に印加することによって、ナノワイヤクロスバーの中で下方に傾いた対角線を形成するナノワイヤ接合部３０６、３０８及び３１０の状態が構成されていることに留意されたい。最後に、図３Ｄに示されるように、ナノスケール電気部品ネットワークは、集積回路の一部として使用され得る。入力電圧ｖｉ’、ｖｉ’’及びｖｉ’’’を、入力３１２として、ナノスケール電気部品格子に印加することができ、集積回路の一部を表すナノスケール電子部品ネットワークの動作の結果として、出力電圧ｖｏ’、ｖｏ’’及びｖｏ’’’３１４を入手することができる。一般に、入力電圧ｖｉ’、ｖｉ’’、ｖｉ’’’及び出力電圧ｖｏ’、ｖｏ’’、ｖｏ’’’は、書込み電圧ｖｗに比べて、相対的に低い大きさを有する。ナノワイヤのタイプ、半導体ナノワイヤの場合に用いられるドーパントのタイプ、及びナノワイヤクロスバーにおいて用いられるナノワイヤ接合部分子のタイプに応じて、異なるけれども類似した多くの構成プロセスを用いて、ナノワイヤをベースにする電気部品のネットワークへとナノワイヤクロスバーを構成することができる。図３の例は、ナノワイヤクロスバーを電子回路の有用な部分として構成することができる一般的なプロセスを例示することを意図している。
【００１５】
ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤ接合部を、ナノワイヤ及びナノワイヤ接合部を埋める分子の化学的特性に応じて種々の技術において構成して、多種多様な異なる簡単な電子部品を形成することができる。重なり合うナノワイヤを相互接続する電気部品を保持するための穴を、ナノインプリントリソグラフィ、極紫外線リソグラフィ、又は電子ビームイオンビームリソグラフィのようなリソグラフィ法を用いて、ナノワイヤの重なり合う層間にある中間層に製作することができる。図４は、ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤ接合部において構成され得る多数の簡単な電気部品を概略的に示す。ナノワイヤ接合部は、（１）図４Ａに示されるように、２つのナノワイヤ間の単純な導電性接続、（２）図４Ｂに示されるように、２つのナノワイヤ間で１つの方向にだけ電流を流すダイオード、（３）図４Ｃに示されるように、種々の構成電圧を印加することによって構成することができる抵抗の大きさを有する抵抗器、（４）図４Ｄに示されるように、ｎ型電界効果トランジスタ（「ｎＦＥＴ」）、（５）図４Ｅに示されるように、ｐ型電界効果トランジスタ（「ｐＦＥＴ」）、及び（６）図４Ｆに示されるように、各ナノワイヤに関連付けられる電圧及び電流が互いから完全に独立している、２つの導電性ナノワイヤの重なりに相当することができる。
【００１６】
ｎＦＥＴ電気部品及びｐＦＥＴ電気部品は、スイッチ動作を実行し、その動作は、ゲートワイヤに印加される信号レベルにより制御され、ソース／ドレインワイヤをイネーブル又はディスエーブルにすることができる。ソース／ドレインワイヤをイネーブルにすることによって、ｎＦＥＴ電気部品又はｐＦＥＴ電気部品を越えて電流が流れることが可能になり、ソース／ドレインワイヤがディスエーブルにされると、ｎＦＥＴ電気部品又はｐＦＥＴ電気部品を越えて電流が流れることができない。しかしながら、ｎＦＥＴ及びｐＦＥＴは、ゲートワイヤに印加される信号レベルに基づいて、反対の挙動を示す。図４Ｄに示されるｎＦＥＴの場合には、ゲートナノワイヤ４０２上の相対的に低い信号によって、ｎＦＥＴがソース／ドレインナノワイヤ４０４をディスエーブルにし、一方、ゲートナノワイヤ４０２上の相対的に高い信号によって、ｎＦＥＴがソース／ドレインナノワイヤ４０４をイネーブルにする。対照的に、図４Ｅに示されるｐＦＥＴの場合には、ゲートナノワイヤ４０６上の相対的に低い信号によって、ｐＦＥＴがソース／ドレインナノワイヤ４０８をイネーブルにし、ゲートナノワイヤ４０６上の相対的に高い信号によって、ｐＦＥＴがソース／ドレインナノワイヤ４０８をディスエーブルにする。また、電気部品は絶縁体として構成されることもでき、本質的にその電気部品において、重なり合う両方のナノワイヤに対する導通を遮断することもできることに留意されたい。
【００１７】
従って、図１〜図４に関連して上述されたように、２次元ナノワイヤクロスバーを製作し、その後、電気部品のネットワークとして構成することができる。また、留意すべきは、ナノワイヤ接合部は、２つの単一のナノワイヤのナノワイヤ接合部を含むことが図４Ａ〜図４Ｆに示されるが、合わせて単一の導電性素子を構成する、ナノワイヤクロスバーの第１の層内の多数のナノワイヤと、合わせて第２の導電性素子を構成する、第２のナノワイヤ層内の複数のナノワイヤとの間に多数のナノワイヤ接合部を含むこともできる。
【００１８】
ナノワイヤ接合部の構成可能な電気抵抗は、或る特定のタイプのナノワイヤ接合部の重要で、特別な特性である。ナノワイヤ接合部のために、或る特定の分子が用いられる場合、ナノワイヤ接合部に相対的に大きな正の電圧を印加することによって、最初に相対的に高いナノワイヤ接合部の抵抗を下げることができる。ナノワイヤ接合部の抵抗は、ナノワイヤ接合部に印加される最も高い電圧の大きさの関数とすることができる。ナノワイヤ接合部に印加される正の電圧を高くしていくと、ナノワイヤ接合部の抵抗をさらに下げることができる。正の電圧を印加することによって達成される相対的に低い抵抗状態は、十分に高い負の電圧を印加することによって逆にすることができる。従って、ナノワイヤ接合部を形成する分子のタイプに応じて、ナノワイヤ接合部の電気抵抗を構成することができるだけでなく、電気抵抗を再構成することもできる。
【００１９】
用語「信号」は、電圧及び電流のような、ナノワイヤクロスバーワイヤによって伝送される、検出可能な低い、又は高い物理量を意味することがあることに留意されたい。用語「低い」及び「高い」は一般的に、信号に関連付けられる値の範囲を意味している。例えば、無信号と信号しきい値との間の範囲にある信号は「低い信号」と呼ばれ、信号しきい値よりも高い任意の信号は、「高い信号」と呼ばれる。低い信号は、ビット値「０」によって表され、高い信号は、ビット値「１」によって表される。
【００２０】
特に有用なタイプのナノワイヤクロスバーは、マルチプレクサ／デマルチプレクサである。マルチプレクサ／デマルチプレクサを用いて、ナノワイヤをアドレス指定することができる。図５Ａ〜図６Ｂは、ダイオード／抵抗器ロジックを利用する、２つのタイプの例示的なナノワイヤクロスバーのマルチプレクサ／デマルチプレクサを示す。図５Ａ及び図６Ａの両方において、図５Ａの垂直バー５０１〜５０８のような垂直バーは、概ね平行なナノワイヤから成る第１の層を表し、一方、図５Ａの水平バー５０９〜５１４のような水平バーは、概ね平行な水平アドレスワイヤから成る第２の重なる層を表す。ナノワイヤ５０１〜５０８は、或るナノワイヤ上の点と、次のナノワイヤ上の対応する点との間の距離が同じになるように、周期的な間隔を有する。ナノワイヤの周期的な間隔は、「ピッチ」と呼ばれ、Ｐによって表される。図５Ａ及び図６Ａの両方のアドレスワイヤは、ナノスケール、サブマイクロスケール、マイクロスケール又はそれよりも大きな寸法を有することができ、導体材料又は半導体材料から構成され得ることに留意されたい。図５Ａの影付き長方形５１５のような影付き長方形は、アドレスワイヤとナノワイヤとを相互接続する電気部品を表す。その電気部品は、図４Ａ〜図４Ｆに関連して上述されたような、抵抗器、導電性リンク、ダイオード又はＦＥＴとすることができる。
【００２１】
図５Ａは、例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す。図５Ａでは、選択されたナノワイヤ接合部において、電気部品のパターンが製作される。その電気部品パターンは、各ナノワイヤが６つのアドレスワイヤのうちの３つと一意に相互接続されるのを確実にする。例えば、電気部品５１５〜５１７は、ナノワイヤ５０７を、アドレスワイヤ５１０、５１２及び５１３とそれぞれ相互接続し、他のナノワイヤはいずれも、３つ全てのアドレスワイヤ５１０、５１２及び５１３には相互接続されない。３つのアドレスワイヤを介して３つの高い信号を受信するナノワイヤは、「アドレス指定される」と言われ、ビット値「１」を表す結果としての信号を有する。残りのナノワイヤはビット値「０」を割り当てられる。例えば、アドレスワイヤ５１０、５１２及び５１３が高い信号を伝送する場合には、ナノワイヤ５０７は、３つの別個の高い信号を受信する唯一のナノワイヤであり、それゆえ、ナノワイヤ５０７はビット値「１」を伝送し、残りのナノワイヤはビット値「０」を伝送する。
【００２２】
ナノワイヤ５０１〜５０８はそれぞれ、Ａ１Ａ２Ａ３によって表される一意の３ビット２進符号アドレスを有する。ただし、Ａ１、Ａ２及びＡ３はそれぞれ、別個の高い入力信号、又は低い入力信号を表す。入力線５１８〜５２０は、入力信号Ａ１、Ａ２及びＡ３をアドレスワイヤ５０９〜５１４に伝送する。入力線５１８〜５２０はそれぞれ一対のアドレスワイヤに分岐することに留意されたい。分岐するアドレスワイヤに入力線を接続することによって、少数の入力線を用いて、多数のナノワイヤをアドレス指定することができる。例えば、図５Ａでは、３つの入力線を用いて、８つのナノワイヤがアドレス指定される。入力線５１８は一対のアドレスワイヤ５０９及び５１０に分岐する。各対の一方のアドレスワイヤは、その対の他方のアドレスワイヤに対して反転される。例えば、ＮＯＴゲート５２１が入力信号Ａ１を、アドレスワイヤ５０９で伝送されるバーＡ１に反転し、一方、信号Ａ１はアドレスワイヤ５１０で伝送される。
【００２３】
図５Ａでは、各ナノワイヤは、高い入力信号及び低い入力信号Ａ１、Ａ２及びＡ３の固有のパターンに従ってアドレス指定される。その電気部品パターンは、各ナノワイヤを３つのアドレスワイヤの一意の組と相互接続することによって、２つのナノワイヤが同一のアドレスを有さないことを確実にする。例えば、入力信号Ａ１、Ａ２及びＡ３がそれぞれ、高い信号、高い信号及び低い信号を供給する場合には、アドレスワイヤ５１０、５１２及び５１３が、電気部品５１５〜５１７を介して、ナノワイヤ５０７に高い信号を伝送する。ナノワイヤ５０７は、アドレスワイヤ５１０、５１２及び５１３と相互接続される唯一のナノワイヤであり、それゆえ、３つの高い信号を受信する唯一のナノワイヤである。ナノワイヤ５０７の３ビット２進符号アドレスは「１１０」である。図５Ｂは、ナノワイヤ５０１〜５０８に関連付けられる３ビットアドレスを要約する表を示す。
【００２４】
図５Ｃは、図５Ａに示されるマルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図を示す。図５Ｃでは、中間層５２２が、アドレスワイヤの層をナノワイヤの層から分離する。電気部品が、下にあるナノワイヤと位置合わせされ、接触していることに留意されたい。例えば、ナノワイヤ５０７及びアドレスワイヤ５１２を埋めるナノワイヤ接合部において中間層５２２に配置される電気部品５１６は、ナノワイヤ５０７と位置合わせされ、ナノワイヤ５０７及びアドレスワイヤ５１２を相互接続する。
【００２５】
一般に、図５Ａに示される２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのような２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサは、ｎ個の入力線を用いて、２ｎ個のナノワイヤを一意にアドレス指定する。この結果、２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサは、多数の構成要素（部品）を有する回路への効率的なインターフェースを提供する。例えば、図５Ａに関連して上述されたマルチプレクサ／デマルチプレクサは、３つの外部入力線だけを用いて、８（２３）個のナノワイヤをアドレス指定する。
【００２６】
図６Ａ及び図６Ｂは、ダイオード／抵抗器ロジックを利用する、Ｍビット、Ｎホット符号に従って設計される例示的なマルチプレクサ／デマルチプレクサ（「ＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサ」）を示す。数Ｍは、アドレスワイヤの全数及び各ナノワイヤをアドレス指定するために用いられるビットの数を表し、数Ｎは、各ナノワイヤと相互接続されるＭ個のアドレスワイヤの数を表す。例えば、図６では、ナノワイヤ６０１〜６０６はそれぞれ、４つのアドレスワイヤ６０７〜６１０のうちの２つに相互接続される。こうして、各ナノワイヤは、４ビット２ホット符号アドレスを有する。その電気部品パターンは、２つのナノワイヤが、同一のアドレスワイヤ対に相互接続されないことを確実にする。例えば、電気部品６１１及び６１２は、ナノワイヤ６０６を、アドレスワイヤ６０９及び６１０と相互接続し、他のナノワイヤはアドレスワイヤ６０９及び６１０の両方に相互接続されない。ＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサ内のナノワイヤは、Ｎ個の相互接続されたアドレスワイヤに高い信号を送ることによってアドレス指定される。例えば、入力信号Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４がそれぞれ、低い信号、低い信号、高い信号及び高い信号である場合には、アドレスワイヤ６０９及び６１０は電気部品６１１及び６１２に２つの高い信号を送り、それゆえ、低い信号、低い信号、高い信号及び高い信号から成る入力信号、即ち「００１１」は、ナノワイヤ６０６、即ち、アドレスワイヤ６０９及び６１０の両方と相互接続される唯一のナノワイヤをアドレス指定する。図６Ｂは、ナノワイヤ６０１〜６０６に関連する４ビット２ホット符号アドレスを要約する表を示す。
【００２７】
本発明の実施形態
本発明の種々の実施形態が、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤクロスバーに関連して以下に説明される。しかしながら、本発明は、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤクロスバーには限定されず、磁気回路及び半導体をベースにする回路に用いられるワイヤのような、任意の寸法のワイヤ及びアドレスワイヤを有するロジックアレイ等の任意の種類のクロスバーアレイにおいて、製造時の位置合わせ不良を許容するために使用され得る。
【００２８】
クロスバーアレイの製造中に、電気部品パターンとナノワイヤとの位置合わせ不良に起因して、電気部品のうちの１つ又は複数が、特定のナノワイヤ及びアドレスワイヤと相互接続されないことがある。この結果、或る特定のナノワイヤが、アドレス指定できないことがある。ナノワイヤの幅は電気部品の幅と概ね同じであるので、位置合わせ不良は、電気部品とナノワイヤとの間で生じる可能性がより高い。アドレスワイヤ幅は典型的には電気部品幅よりもはるかに大きいので、電気部品は典型的には、重なるアドレスワイヤとの位置合わせ不良は生じない。以下に説明される、図面において表される電気部品はナノワイヤ幅よりも小さく見えることに留意されたい。しかしながら、本発明は、ナノワイヤの幅よりも小さい電気部品か、又はナノワイヤの幅よりも大きい電気部品を有するクロスバーアレイに適用され得る。
【００２９】
図７Ａは、ナノワイヤとの位置合わせ不良がある電気部品を有する、例示的な機能しない２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す。図７Ａでは、電気部品がナノワイヤ接合部に製作されないので、電気部品パターンの電気部品は、ナノワイヤを、重なるアドレスワイヤと相互接続することができない。この結果、ナノワイヤをアドレス指定することができない。例えば、電気部品７０１は、ナノワイヤ７０２と接触していないので、ナノワイヤ７０２を、重なるアドレスワイヤ７０３と相互接続しない。実際には、ナノワイヤ７０２は、いずれのアドレスワイヤとも相互接続されない。従って、ナノワイヤ７０２はアドレス指定することができない。図７Ｂは、図７Ａに示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図を示す。電気部品は、ナノワイヤを、アドレスワイヤ７０３と相互接続しない。例えば、中間層７０４に配置される電気部品７０１は、ナノワイヤ７０２を、アドレスワイヤ７０３と相互接続しない。
【００３０】
ナノワイヤを、重なるアドレスワイヤと相互接続するために、電気部品とナノワイヤが完全に重なり合う必要はない。マルチプレクサ／デマルチプレクサの製造中に、電気部品は、ナノワイヤを、重なるアドレスワイヤと相互接続するのに十分に接触していることもある。図８Ａは、ナノワイヤとの位置合わせ不良がある電気部品を有するが、機能する例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示しており、図７Ａ及び図７Ｂに示される例示的なマルチプレクサ／デマルチプレクサとは異なり、ナノワイヤ接合部に製作される電気部品は、ナノワイヤを、重なるアドレスワイヤと相互接続するのに十分に、ナノワイヤ及び重なるアドレスワイヤの両方と接触している。例えば、図８Ａでは、電気部品８０１は、ナノワイヤ８０２と完全には位置合わせされていないが、それにも関わらず、ナノワイヤ８０２を、重なるアドレスワイヤ８０３と相互接続する。図８Ｂは、図８Ａに示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図を示す。電気部品が、ナノワイヤを、重なるアドレスワイヤ８０３と相互接続する。例えば、中間層８０４に配置される電気部品８０１は、ナノワイヤ８０２を、アドレスワイヤ８０３と相互接続する。
【００３１】
本発明の一実施形態では、「アドレス指定パターン」と呼ばれる、２つ以上のずらして配置される２つ以上の冗長な電気部品パターンを用いて、ナノワイヤと、重なるアドレスワイヤとの間に十分な数の相互接続が確立される。アドレス指定パターンが、所望の数のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤと位置合わせされる可能性を高めるために、ナノワイヤの数を増やすことによって、ナノワイヤ領域のサイズを拡大することができる。図９Ａ〜図９Ｂは、アドレス指定パターンを収容するマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤ領域の拡大を示す。図９Ａは、アドレス指定パターン境界９０１を示し、それは実線によって画定されており、破線によって画定されるナノワイヤ領域９０２と位置合わせされていない。最大位置合わせ誤差Δｘは、アドレス指定パターンの中心９０４と、ナノワイヤ領域の中心９０５との間の距離に関する上限である。図９Ｂでは、ナノワイヤ領域９０２が、付加的なナノワイヤを導入して、拡大されたナノワイヤ領域９０６を形成することによって拡大される。電気部品パターンとナノワイヤ領域との間に、同じ最大位置合わせ誤差Δｘがあるにもかかわらず、拡大されたナノワイヤ領域９０６は十分にアドレス指定パターン境界９０１を収容することに留意されたい。
【００３２】
ナノワイヤ領域を拡大するために必要とされる付加的なナノワイヤの数は、以下の式によって求められ得る。即ち、
付加的なナノワイヤの数＝Δｘ／（Ｐ／２）
例えば、ピッチが６０ｎｍの１２８本のアドレス指定可能なナノワイヤを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサが必要とされ、最大位置合わせ誤差が５００ｎｍである場合には、さらに１７本のナノワイヤを追加して、最大の位置合わせ不良にも関わらず、ナノワイヤ領域を十分に網羅する１４５本のナノワイヤを有するナノワイヤ領域を与えることができる。
【００３３】
アドレス指定パターンの冗長な電気部品パターンは、２つの電気部品パターンがナノワイヤと同じ位置合わせ（アライメント）を有することがないように、ずらして配置される。この結果、マルチプレクサ／デマルチプレクサの製造中に、複製の電気部品パターンのうちの少なくとも１つがナノワイヤと位置合わせされる可能性が高くなる。図１０Ａは、本発明の一実施形態を表すアドレス指定パターン例を示す。図１０Ａでは、アドレス指定パターン１０００が、破線の枠１００１及び１００２によって特定される２つの冗長な電気部品パターンから構成される。図１０Ｂは、図１０Ａに示されるアドレス指定パターンの、ナノワイヤ１００３〜１０１０のうちの３つに対する位置合わせ例を示す。図１０Ｂでは、電気部品パターン１００２が、電気部品パターン１００１の場所に対して、ピッチの半分だけずらして配置される。電気部品パターン１００１の電気部品はナノワイヤ１００５〜１００７と位置合わせされ、一方、電気部品パターン１００２の電気部品はいずれもナノワイヤと位置合わせされないことに留意されたい。例えば、電気部品パターン１００１の電気部品１０１１はナノワイヤ１００５と位置合わせされるが、電気部品パターン１００２の電気部品１０１２は、ナノワイヤ１００５又はナノワイヤ１００６のいずれとも位置合わせされない。
【００３４】
２組以上の電気部品パターンから構成されるアドレス指定パターンを用いてマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する結果として、アドレス指定パターンとマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの位置合わせがわからなくなることがある。この結果、個々のナノワイヤのアドレスを決定するために、多数のナノワイヤアドレスを試験することが必要になることもある。しかしながら、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤのアドレスを決定するために必要とされるナノワイヤアドレスの数を減らすために、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの有限数の典型的なアドレス指定パターンの位置合わせを予め求めることができる。以下の説明及び添付の図１１〜図１３Ｄは、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤの未知のアドレスを決定するために、有限数の典型的な位置合わせしか必要としないことに関する説明を提供する。
【００３５】
マルチプレクサ／デマルチプレクサの製造中に、１つのアドレス指定パターンが、１組のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤに対して有することができる位置合わせの数は無限である。しかしながら、無限の数の位置合わせは、ナノワイヤピッチに等しい周期で繰り返される。図１１は、図１０Ａに示されるアドレス指定パターンが１組のナノワイヤ１１０１〜１１０８に対して有することができる無限の数の位置合わせのうちの３つを示す。図１１では、アドレス指定パターン１０００は、破線１１１０及び１１１１によって画定される範囲１１０９にわたって、ナノワイヤ１１０３〜１１０６との無限の数の位置合わせを有することができる。方向を示す矢印１１１２〜１１１４は、アドレス指定パターン１０００が境界１１１０から境界１１１１にシフトすることを示す。アドレス指定パターン１０００が１組のナノワイヤに対して有することができる無限の数の取り得る位置合わせは、周期的であることに留意されたい。例えば、アドレス指定パターン１０００は、ナノワイヤ１１０４〜１１０７に対して、無限の数の同一の位置合わせを有する。
【００３６】
図８Ａ及び図８Ｂに関連して上述されたように、電気部品は、ナノワイヤと、重なるアドレスワイヤとの間の相互接続を確立するために、ナノワイヤと完全に位置合わせされる必要はないので、無限の数の位置合わせを、有限数の位置合わせに減らすことができる。図１２Ａ〜図１２Ｃは、図１０Ｂに示されるアドレス指定パターンが３つのナノワイヤに対して有することができる無限に多くの取り得る位置合わせのうちの３つを示す。図１２Ａ〜図１２Ｃでは、方向を示す矢印１２０９は、アドレス指定パターン１０００がナノワイヤ１２０３〜１２０５と無限の数の位置合わせを有することができる範囲を特定する。図１２Ａでは、アドレス指定パターン１０００は、範囲１２０９の左側境界に接している。図１２Ｂでは、アドレス指定パターン１０００は、範囲１２０９の中央に位置する。図１２Ｃでは、アドレス指定パターン１０００は、範囲１２０９の右側境界に接している。全部で３つの位置合わせが、ナノワイヤ１２０３〜１２０５に接続される同じ電気部品という結果になることに留意されたい。この結果、図１２Ｂに示されるアドレス指定パターンの位置合わせのような、単一のアドレス指定パターンの位置合わせを用いて、図１２Ａ及び図１２Ｃに示される位置合わせ間の範囲にある全ての取り得る位置合わせを表すことができる。図１２Ｂに示される位置合わせは、「典型的な位置合わせ」と呼ばれる。
【００３７】
１つのアドレス指定パターンが１組のナノワイヤに対して有することができる無限に多くの取り得る位置合わせから生じる典型的な位置合わせは、多くても４つしかない。図１３Ａ〜図１３Ｄは、図１０Ａに示されたアドレス指定パターンがナノワイヤに対して有することができる４つの典型的な位置合わせを示す。図１３Ａでは、電気部品パターン１００１の電気部品は、ナノワイヤ１３０３〜１３０５と位置合わせされ、一方、電気部品パターン１００２の電気部品はいずれのナノワイヤとも位置合わせされない。図１３Ｂでは、電気部品パターン１００１の電気部品はナノワイヤ１３０３〜１３０５と位置合わせされ、電気部品パターン１００２の電気部品はナノワイヤ１３０４〜１３０６と位置合わせされる。図１３Ｃでは、電気部品パターン１００１の電気部品はいずれもナノワイヤと位置合わせされないが、電気部品パターン１００２の電気部品はナノワイヤ１３０４〜１３０６と位置合わせされる。図１３Ｄでは、電気部品パターン１００１及び電気部品パターン１００２の両方の電気部品が、ナノワイヤ１３０４〜１３０６と位置合わせされる。
【００３８】
図１４〜図１８は、有限数のナノワイヤアドレスを決定するために本発明を仮定的に適用することを示しており、それらのナノワイヤアドレスを用いて、本発明の一実施形態によるマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤアドレスを決定することができる。図１４は、図１５〜図１８に示される４つの典型的なマルチプレクサ／デマルチプレクサの位置合わせ例を製作するために用いられる１つのアドレス指定パターン例を示す。図１４では、アドレス指定部品パターン１４００は、破線の枠１４０１によって特定され、セット１と呼ばれる第１の電気部品パターン、及び破線の枠１４０２によって特定され、セット２と呼ばれる第２の冗長な電気部品パターンから構成される。セット２の電気部品パターン内の部品の相対的な場所は、セット１の電気部品パターン内の場所と同一であるが、セット２の電気部品パターン内の部品は、セット１の電気部品パターンの右に、図１５〜図１８において以下に説明される、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤのピッチの半分、即ちＰ／２だけずらして配置される。例えば、セット１の電気部品の行１４０３内の電気部品は、セット２の電気部品の行１４０４内の電気部品と同一の電気部品配列を有し、同一の電気部品間隔を有するが、電気部品の行１４０４内の電気部品は、電気部品の行１４０３内の電気部品の右にピッチの約半分だけずらして配置される。ずらされる度合い、即ち、セット１及びセット２の対応する電気部品間の距離は、種々の実施形態において異ならせることができる。
【００３９】
図１５〜図１８は、図１４に示されるアドレス指定パターンと、２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの４つの典型的な位置合わせを示しており、典型的な位置合わせはそれぞれ、本発明の一実施形態を表す。図１５〜図１８では、マルチプレクサ／デマルチプレクサは、図１５のナノワイヤ１５０１〜１５１１のような１組のナノワイヤと、図１５のアドレスワイヤ１５１２〜１５１７のような第１の組のアドレスワイヤと、図１５のアドレスワイヤ１５１８〜１５２３のような第２の組のアドレスワイヤとを含む。図１５〜図１８では、マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤ幅はピッチの半分、即ちＰ／２であり、電気部品の幅はピッチの約３分の１、即ちＰ／３であることに留意されたい。図１４に関連して上述された、アドレス指定パターン１４００は、８つのナノワイヤにアドレスを提供する。２組のアドレスワイヤ及び２つの電気部品パターンを用いることによって、８つのナノワイヤをアドレス指定するために必要とされるビットの数は２倍になることにも留意されたい。例えば、図５Ａ及び図５Ｂに関連して上述されたように、３ビットアドレスを用いて、８つのナノワイヤをそれぞれ、一意にアドレス指定するのではなく、８つのナノワイヤをそれぞれ、一意にアドレス指定するのには６ビットアドレスが必要とされる。
【００４０】
図１５は、図１４に示されるアドレス指定パターンの第１の典型的な位置合わせを示す。図１５では、セット１の電気部品のいずれもナノワイヤ１５０１〜１５１１を、アドレスワイヤ１５１２〜１５１７と相互接続しない。例えば、電気部品１５２４は、アドレスワイヤ１５１２をナノワイヤ１５０１又は１５０２のいずれとも相互接続しないセット１の電気部品である。対照的に、セット２の電気部品は全て、ナノワイヤ１５０２〜１５０９を、アドレスワイヤ１５１８〜１５２３と相互接続する。例えば、電気部品１５２５は、ナノワイヤ１５０２を、アドレスワイヤ１５１８と相互接続する。この結果、ナノワイヤ１５０２〜１５０９は、セット２の電気部品パターンに従って、一意にアドレス指定される。アドレス指定パターン１４００は、ナノワイヤ１５０１〜１５１１によって占有される領域の幅よりも狭い幅を有するので、或る一定の数のナノワイヤはアドレス指定できないことに留意されたい。例えば、ナノワイヤ１５０１、１５１０及び１５１１はアドレス指定することができない。表１５２６は、各アドレス指定可能ナノワイヤの６ビット１組の２値アドレスを要約する。アドレス指定可能ナノワイヤの場合、各６ビットアドレスは、ナノワイヤと相互接続されないアドレスワイヤを表す変数を含む。変数ｘ１は、アドレスワイヤ対１５１２及び１５１３を表し、変数ｘ２は、アドレスワイヤ対１５１４及び１５１５を表し、変数ｘ３は、アドレスワイヤ対１５１６及び１５１７を表す。ナノワイヤ１５０２〜１５０９がそれぞれ一意の６ビットアドレスを有するのを確実にするために、変数ｘ１、ｘ２及びｘ３は、ビット値「０」及び「１」の任意の組み合わせを割り当てられることができる。例えば、ナノワイヤ１５０４は、以下の６ビットアドレス、即ち「０００  １１１」、「００１  １１１」、「０１０  １１１」、「１００  １１１」、「１０１  １１１」、「１１０  １１１」、「０１１  １１１」又は「１１１  １１１」のいずれかによってアドレス指定され得る。
【００４１】
図１６は、図１４に示されたアドレス指定パターンの第２の典型的な位置合わせを示す。図１６では、セット１及びセット２の両方の電気部品が、アドレスワイヤ１６１２〜１６２３を、ナノワイヤ１６０２〜１６０９と相互接続する。例えば、電気部品１６２４は、アドレスワイヤ１６１２を、ナノワイヤ１６０２と相互接続するセット１の電気部品であり、電気部品１６２５は、アドレスワイヤ１６１２を、ナノワイヤ１６０２と相互接続するセット２の電気部品である。表１６２６は、各アドレス指定可能ナノワイヤに関連付けられる１組のアドレスを要約する。例えば、ナノワイヤ１６０４は６ビットアドレス「１１１  １１１」を有する。
【００４２】
図１７は、図１４に示されたアドレス指定パターンの第３の典型的な位置合わせを示す。図１７では、セット１の電気部品が、アドレスワイヤ１７１２〜１７１７を、ナノワイヤ１７０２〜１７０９と相互接続する。例えば、電気部品１７２４は、アドレスワイヤ１７１２を、ナノワイヤ１７０２と相互接続するセット１の電気部品である。対照的に、セット２の電気部品は、アドレスワイヤ１７１８〜１７２３を、ナノワイヤ１７０１〜１７１１と相互接続しない。例えば、電気部品１７２５は、アドレスワイヤ１７１８を、ナノワイヤ１７０２又はナノワイヤ１７０３のいずれとも相互接続しないセット２の電気部品である。この結果、ナノワイヤ１７０２〜１７０９に関連付けられる６ビットアドレスは、セット１の電気部品パターンによって決定される。表１７２６は、各ナノワイヤの１組の６ビット２進符号アドレスを要約する。変数ｙ１、ｙ２及びｙ３は、ナノワイヤと相互接続しないアドレスワイヤ対を表す。変数ｙ１は、アドレスワイヤ対１７１８及び１７１９を表し、変数ｙ２は、アドレスワイヤ対１７２０及び１７２１を表し、変数ｙ３は、アドレスワイヤ対１７２２及び１７２３を表す。ナノワイヤ１７０２〜１７０９がそれぞれ一意の６ビットアドレスを有するのを確実にするために、変数ｙ１、ｙ２及びｙ３は、ビット値「０」及び「１」の任意の組み合わせを割り当てられることができる。例えば、ナノワイヤ１７０４は、以下の６ビットアドレス、即ち「１１１  ０００」、「１１１  ００１」、「１１１  ０１０」、「１１１  １００」、「１０１  ０１１」、「１１１  １０１」、「１１１  １１０」又は「１１１  １１１」のいずれかによってアドレス指定され得る。
【００４３】
図１８は、図１４に示されたアドレス指定パターンの第４の典型的な位置合わせを示す。図１８では、セット１及びセット２の電気部品が、アドレスワイヤ１８１２〜１８２３を、ナノワイヤ１８０２〜１８１０と相互接続する。図１５〜図１７に示される、セット１及びセット２の電気部品パターンの配置により、１１本のナノワイヤのうち８つがアドレス指定される結果になることに留意されたい。しかしながら、図１８のセット１及びセット２の配置によって、９つのナノワイヤ１８０２〜１８１０をアドレス指定することが可能になる。表１８２４は、各ナノワイヤの１組の６ビット２進符号アドレスを要約する。また、ナノワイヤ１００２及びナノワイヤ１０１０の場合に可変のビット値があることにも留意されたい。
【００４４】
図１９は、図１５〜図１８に示された表を示しており、各表は、仮定上のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤをアドレス指定するために使用され得る１組のアドレスを表示する。表１６２６の１組のアドレスにおけるナノワイヤアドレスは、表１７２６に表示されるアドレス内の３ビット接頭部と一致又は重複する３ビット接頭部を有し、且つ表１５２６に表示されるアドレスの３ビット接尾部と一致又は重複する３ビット接尾部を有するので、方向を示す矢印１９０１及び１９０２は、ナノワイヤ１６０２〜１６０９の１組のナノワイヤアドレスを用いて、ナノワイヤ１７０２〜１７０９をアドレス指定することができ、且つナノワイヤ１５０２〜１５０９をアドレス指定することができることを示す。例えば、ナノワイヤ１７０４のアドレスでは接頭部として、ナノワイヤ１５０４のアドレスでは接尾部として、同一の３ビットパターンが生じるので、表１６２６において、ナノワイヤ１６０４の６ビットアドレスを用いて、ナノワイヤ１７０４又は１５０４をアドレス指定することができる。同様に、方向を示す矢印１９０３は、ナノワイヤ１８０２〜１８０９のアドレスを用いてナノワイヤ１７０２〜１７０９をアドレス指定することができることを示し、方向を示す矢印１９０４は、ナノワイヤ１８０３〜１８１０のアドレスを用いて、ナノワイヤ１５０２〜１５０９をアドレス指定することができることを示す。この結果、表１６２６及び表１８２４において特定されるアドレスの組を別個に試験して、図１４に関連して上述されたアドレス指定パターン１４００を用いるマルチプレクサ／デマルチプレクサ内の８本のナノワイヤの６ビットアドレスを決定することができる。例えば、図１４に示されたアドレス指定パターン１４００で製作されるマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤアドレスはわからないことがある。しかしながら、図１９に関連して上述された結果は、ナノワイヤアドレスが、表１６２６内のナノワイヤ１６０２〜１６０９に関連付けられるアドレスであるか、表１８２４内のナノワイヤ１８０２〜１８０９に関連付けられるアドレスであるか、又は表１８２４内のナノワイヤ１８０３〜１８１０に関連付けられるアドレスであることを示す。この結果、表１６２６及び表１８２４内のアドレスに対応する高電圧及び低電圧パターンを、アドレスワイヤに別個に適用し、ナノワイヤの電圧を測定して、表１６２６及び表１８２４に表示されたアドレスのうちのいずれが正しいかを判定することができる。
【００４５】
図１５〜図１８に関連して上述された、４つのアドレス指定パターン位置合わせのうちの１つによって表される位置合わせを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率は、電気部品の幅に対するナノワイヤの幅の比に依存する。図２０は、ナノワイヤの幅がピッチの約半分に等しく、且つ電気部品の幅がピッチの約３分の１に等しい場合に、図１５〜図１８に関連して上述された４つの典型的な位置合わせのうちの１つによって表されるマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率を示す。図２０、及び以下に説明される図２１では、各Ｖ字形部分にラベル表示された数字「１」、「２」、「３」及び「４」はそれぞれ、図１５〜図１８に関連して上述された典型的なアドレス指定パターン位置合わせを表しており、円板の表面積は、「１．０」の確率を表す。図２０及び図２１において、各Ｖ字形部分によって表される表面積の部分は、４つの位置合わせのうちの１つによって表される特定のアドレス指定パターン位置合わせを製作する確率を表す。Ｖ字形部分２００１及び２００２はそれぞれ、全表面積の６分の１であり、Ｖ字形部分２００３及び２００４はそれぞれ全表面積の３分の１である。従って、図１５及び図１７に示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサによって表されるアドレス指定パターン位置合わせのいずれかを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率は約６分の１（０．１６７）であり、図１６及び図１８に示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサによって表されるアドレス指定パターン位置合わせのいずれかを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率は約３分の１（０．３３３）である。
【００４６】
図２１は、ナノワイヤの幅及び電気部品の幅がピッチの約３分の１に等しい場合に、図１５〜図１８に関連して上述された４つの典型的な位置合わせのような、４つの典型的な位置合わせのうちの１つによって表されるマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率を示す。Ｖ字形部分２１０１及び２１０２はそれぞれ、全表面積の３分の１であり、Ｖ字形部分２１０３及び２１０４はそれぞれ、全表面積の６分の１である。従って、図１５及び図１７に示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサによって表されるアドレス指定パターン位置合わせのいずれかを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率は約６分の１（０．３３３）であり、図１６及び図１８に示されたマルチプレクサ／デマルチプレクサによって表されるアドレス指定パターン位置合わせのいずれかを有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する確率は約３分の１（０．１６７）である。図２０に関連して上述されたように、ナノワイヤの幅をピッチの３分の１まで縮小することによって、第１、第２、第３及び第４のアドレス指定パターンを製作する確率が、ピッチの半分に等しいナノワイヤ幅を有するマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作する場合の逆になることに留意されたい。
【００４７】
代替の実施形態では、本発明を用いて、ＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤをアドレス指定することができる。図２２は、図２３〜図２６に示される４つの例示的な典型的なマルチプレクサ／デマルチプレクサ位置合わせを製作するために用いられるアドレス指定パターンの例を示す。図２２では、アドレス指定部品パターン２２００は、破線の枠２２０１によって特定され、セット３と呼ばれる第１の電気部品パターン、及び破線の枠２２０２によって特定され、セット４と呼ばれる第２の冗長な電気部品パターンから構成される。セット４の電気部品パターンは、図２３〜図２６において以下に説明されるように、ナノワイヤピッチの半分、即ちＰ／２だけ、セット３の電気部品パターンの右にずらして配置される。ずらして配置される度合い、即ちセット３及びセット４の対応する電気部品間の距離は、種々の実施形態において異ならせることができることに留意されたい。
【００４８】
図２３〜図２６は、図２２に示されたアドレス指定パターンとＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの４つの典型的な位置合わせを示しており、典型的なアドレス指定パターン位置合わせはそれぞれ、本発明の一実施形態を表す。図２３〜図２６において、ずらして配置される２つの冗長な電気部品パターンはセット３及びセット４とラベル表示される。
【００４９】
図２３は、セット３及びセット４の電気部品パターンとマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの第１の典型的なアドレス指定パターン位置合わせを示す。セット３の電気部品は、アドレスワイヤ２３１１〜２３１４を、ナノワイヤ２３０１〜２３１０と相互接続しないが、セット４の電気部品は、アドレスワイヤ２３１５〜２３１８を、ナノワイヤ２３０２〜２３０７と相互接続する。表２３１９は、各アドレス指定可能ナノワイヤに関連付けられる８ビット４ホット符号の１組のアドレスを要約する。変数ｘ１、ｘ２、ｘ３及びｘ４はそれぞれ、接続されないアドレスワイヤ２３１１〜２３１４に対応する。例えば、ナノワイヤ２３０４は、以下のアドレス、即ち「００１１  ００１１」、「０１１０  ００１１」、「１１００  ００１１」、「０１０１  ００１１」、「１０１０  ００１１」及び「１００１  ００１１」のうちのいずれか１つによってアドレス指定され得る。アドレス指定するために利用することができるナノワイヤの数は、必要とされる、一意にアドレス指定されるナノワイヤの数よりも多いので、或る一定の数のナノワイヤはアドレス指定できないナノワイヤであることに留意されたい。例えば、ナノワイヤ２３０１、２３０８〜２３１０はアドレス指定できないナノワイヤである。
【００５０】
図２４は、セット３及びセット４の電気部品パターンとマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの第２の典型的なアドレス指定パターン位置合わせを示す。セット３及びセット４の両方の電気部品が、アドレスワイヤ２４１１〜２４１８を、ナノワイヤ２４０２〜２４０７と相互接続する。表２４１９は、１組の８ビット４ホット符号アドレスを要約する。
【００５１】
図２５は、セット３及びセット４の電気部品パターンとマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの第３の典型的なアドレス指定パターン位置合わせを示す。セット３の電気部品は、ナノワイヤ２５０２〜２５０７を、アドレスワイヤ２５１１〜２５１４と相互接続し、セット４の電気部品は、アドレスワイヤ２５１５〜２５１８を、ナノワイヤのいずれとも相互接続しない。表２５１９は、ナノワイヤ２５０２〜２５０７に関連付けられる８ビット４ホット符号の１組のアドレスを要約する。変数ｙ１、ｙ２、ｙ３及びｙ４はそれぞれ、接続されないアドレスワイヤ２５１１〜２５１４を表すビットの代わりに用いられる。例えば、ナノワイヤ２５０５は、以下のアドレス、即ち「１００１  ００１１」、「１００１  ０１１０」、「１００１  １１００」、「１００１  ０１０１」、「１００１  １０１０」及び「１００１  １００１」のうちのいずれか１つによってアドレス指定され得る。
【００５２】
図２６は、セット３及びセット４の電気部品パターンとマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの第４の典型的なアドレス指定パターン位置合わせを示す。セット３及びセット４の電気部品が、アドレスワイヤ２６１１〜２６１８を、ナノワイヤ２６０２〜２６０８と相互接続する。表２６１９は、アドレス指定可能ナノワイヤ２６０２〜２６０８の８ビット４ホット符号の１組のアドレスを要約する。
【００５３】
図２７は、仮定上のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤをアドレス指定するために使用され得る、図２３〜図２６に示された８ビットアドレスの表を示す。方向を示す矢印２７０１及び２７０２は、ナノワイヤ２４０２〜２４０７のナノワイヤアドレスが、ナノワイヤ２５０２〜２５０７をアドレス指定するために使用されることができ、且つナノワイヤ２３０２〜２３０７をアドレス指定するために使用され得ることを示す。例えば、表２４１９において、ナノワイヤ２４０４の８ビットアドレスは、ナノワイヤ２５０４と同じ４ビット接頭部を有し、ナノワイヤ２３０４と同じ４ビット接尾部を有するので、ナノワイヤ２４０４の８ビットアドレスを用いて、ナノワイヤ２５０４又は２３０４をアドレス指定することができる。同様に、方向を示す矢印２７０３は、ナノワイヤ２６０２〜２６０７のアドレスを用いて、ナノワイヤ２５０２〜２５０７をアドレス指定することができることを示し、方向を示す矢印２７０４は、ナノワイヤ２６０３〜２６０８のアドレスを用いて、ナノワイヤ２３０２〜２３０７をアドレス指定することができることを示す。この結果、図２３〜図２６に関連して上述されたようなマルチプレクサ／デマルチプレクサを製作することは、ナノワイヤのうちの８つの８ビットアドレスを決定するために、２組のアドレスしか必要とされないことを示す。
【００５４】
本発明は特定の実施形態に関して説明されてきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されることは意図していない。本発明の思想内にある修正が、当業者には明らかであろう。例えば、代替の実施形態では、１つのアドレス指定パターンを含む２つ以上の電気部品パターンが、異なる電気部品構成を有することができる。代替の実施形態では、電気部品のランダムな分布を用いて、１つのアドレス指定パターンを含む、ずらして配置される２つ以上の冗長な電気部品パターンを製作することができる。
【００５５】
上記の説明は、本発明を完全に理解してもらうために、説明の便宜上、特定の用語を用いてきた。しかしながら、本発明を実施するために、特定の細部が不要であることは当業者には明らかであろう。本発明の具体的な実施形態に関する上記の説明は、例示し、説明するために提示される。これらの説明は、本発明を網羅的にすることや、本発明を開示されたそのものずばりの形態に限定することは意図していない。上記の教示に鑑みて、多くの修正及び変更が可能であることは明らかである。これらの実施形態は、本発明の原理及びその実際の応用形態を最もわかりやすく説明し、それにより、当業者が、検討される具体的な用途に合わせて、本発明及び種々の実施形態に種々の変更を加えて最大限に利用できるようにするために図示及び説明される。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその等価物によって定められることが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】ナノワイヤクロスバーを示す図である。
【図２】２つの概ね直交するナノワイヤ間のナノワイヤ接合部を示す図である。
【図３Ａ】２層ナノワイヤクロスバーからナノスケール電気部品のネットワークを構成するための多くの実現可能な手法のうちの１つを示す図である。
【図３Ｂ】２層ナノワイヤクロスバーからナノスケール電気部品のネットワークを構成するための多くの実現可能な手法のうちの１つを示す図である。
【図３Ｃ】２層ナノワイヤクロスバーからナノスケール電気部品のネットワークを構成するための多くの実現可能な手法のうちの１つを示す図である。
【図３Ｄ】２層ナノワイヤクロスバーからナノスケール電気部品のネットワークを構成するための多くの実現可能な手法のうちの１つを示す図である。
【図４Ａ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図４Ｂ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図４Ｃ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図４Ｄ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図４Ｅ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図４Ｆ】ナノワイヤクロスバー内のナノワイヤのナノワイヤ接合部においてプログラムされ得る多くの簡単な電気部品のうちの１つを示す概略図である。
【図５Ａ】ダイオード／抵抗器ロジックを利用する例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図５Ｂ】ダイオード／抵抗器ロジックを利用する例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図５Ｃ】図５Ａに示される２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図である。
【図６Ａ】ダイオード／抵抗器ロジックを利用する、Ｍビット、Ｎホット符号に従って設計される例示的なマルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図６Ｂ】ダイオード／抵抗器ロジックを利用する、Ｍビット、Ｎホット符号に従って設計される例示的なマルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図７Ａ】ナノワイヤとの位置合わせ不良がある電気部品を有する、機能しない例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図７Ｂ】図７Ａに示されるマルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図である。
【図８Ａ】ナノワイヤとの位置合わせ不良がある電気部品を有するが、機能を果たす例示的な２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサを示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａに示されるマルチプレクサ／デマルチプレクサの断面図である。
【図９Ａ】２つ以上の冗長な電気部品パターンを収容するためのマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤ領域の拡大を示す図である。
【図９Ｂ】２つ以上の冗長な電気部品パターンを収容するためのマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤ領域の拡大を示す図である。
【図１０Ａ】本発明の一実施形態を表すアドレス指定パターン例を示す図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンと８つのナノワイヤのうちの３つとの位置合わせ例を示す図である。
【図１１】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンが１組のナノワイヤに対して有することができる無限の数の位置合わせのうちの３つを示す図である。
【図１２Ａ】図１０Ｂに示されるアドレス指定パターンが３つのナノワイヤに対して有することができる無限に多くの取り得る位置合わせのうちの１つを示す図である。
【図１２Ｂ】図１０Ｂに示されるアドレス指定パターンが３つのナノワイヤに対して有することができる無限に多くの取り得る位置合わせのうちの１つを示す図である。
【図１２Ｃ】図１０Ｂに示されるアドレス指定パターンが３つのナノワイヤに対して有することができる無限に多くの取り得る位置合わせのうちの１つを示す図である。
【図１３Ａ】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンがナノワイヤに対して有することができる典型的な位置合わせを示す図である。
【図１３Ｂ】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンがナノワイヤに対して有することができる典型的な位置合わせを示す図である。
【図１３Ｃ】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンがナノワイヤに対して有することができる典型的な位置合わせを示す図である。
【図１３Ｄ】図１０Ａに示されるアドレス指定パターンがナノワイヤに対して有することができる典型的な位置合わせを示す図である。
【図１４】図１５〜図１８に示される４つの例示的な典型的なマルチプレクサ／デマルチプレクサの位置合わせを形成するために用いられるアドレス指定パターン例を示す図である。
【図１５】本発明の一実施形態を表す、図１４に示されるアドレス指定パターンと２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図１６】本発明の一実施形態を表す、図１４に示されるアドレス指定パターンと２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図１７】本発明の一実施形態を表す、図１４に示されるアドレス指定パターンと２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図１８】本発明の一実施形態を表す、図１４に示されるアドレス指定パターンと２進符号マルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図１９】仮定上のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤをアドレス指定するために使用され得る、図１５〜図１８に示される６ビットアドレスの表である。
【図２０】ナノワイヤ幅がナノワイヤ間隔の周期の約半分に等しく、且つ電気部品の幅がナノワイヤ間隔の周期の約３分の１に等しい場合に、図１５〜図１８に関連して上述された４つの典型的な位置合わせのうちの１つによって提供されるマルチプレクサ／デマルチプレクサを形成する確率を示す図である。
【図２１】ナノワイヤ幅及び電気部品の幅がナノワイヤ間隔の周期の約３分の１に等しい場合に、図１５〜図１８に関連して上述された４つの典型的な位置合わせのような、４つの典型的な位置合わせのうちの１つによって提供されるマルチプレクサ／デマルチプレクサを形成する確率を示す図である。
【図２２】図２３〜図２６に示される４つの例示的な典型的なマルチプレクサ／デマルチプレクサの位置合わせを形成するために用いられるアドレス指定パターン例を示す図である。
【図２３】本発明の一実施形態を表す、図２２に示されるアドレス指定パターンとＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図２４】本発明の一実施形態を表す、図２２に示されるアドレス指定パターンとＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図２５】本発明の一実施形態を表す、図２２に示されるアドレス指定パターンとＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図２６】本発明の一実施形態を表す、図２２に示されるアドレス指定パターンとＭＮＨマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤとの１つの典型的な位置合わせを示す図である。
【図２７】仮定上のマルチプレクサ／デマルチプレクサのナノワイヤをアドレス指定するために使用され得る、図２３〜図２６に示される８ビットアドレスの表である。
【図１】
2009515341.tif 000003
【図２】
2009515341.tif 000004
【図３Ａ】
2009515341.tif 000005
【図３Ｂ】
2009515341.tif 000006
【図３Ｃ】
2009515341.tif 000007
【図３Ｄ】
2009515341.tif 000008
【図４Ａ】
2009515341.tif 000009
【図４Ｂ】
2009515341.tif 000010
【図４Ｃ】
2009515341.tif 000011
【図４Ｄ】
2009515341.tif 000012
【図４Ｅ】
2009515341.tif 000013
【図４Ｆ】
2009515341.tif 000014
【図５Ａ】
2009515341.tif 000015
【図５Ｂ】
2009515341.tif 000016
【図５Ｃ】
2009515341.tif 000017
【図６Ａ】
2009515341.tif 000018
【図６Ｂ】
2009515341.tif 000019
【図７Ａ】
2009515341.tif 000020
【図７Ｂ】
2009515341.tif 000021
【図８Ａ】
2009515341.tif 000022
【図８Ｂ】
2009515341.tif 000023
【図９Ａ】
2009515341.tif 000024
【図９Ｂ】
2009515341.tif 000025
【図１０Ａ】
2009515341.tif 000026
【図１０Ｂ】
2009515341.tif 000027
【図１１】
2009515341.tif 000028
【図１２Ａ】
2009515341.tif 000029
【図１２Ｂ】
2009515341.tif 000030
【図１２Ｃ】
2009515341.tif 000031
【図１３Ａ】
2009515341.tif 000032
【図１３Ｂ】
2009515341.tif 000033
【図１３Ｃ】
2009515341.tif 000034
【図１３Ｄ】
2009515341.tif 000035
【図１４】
2009515341.tif 000036
【図１５】
2009515341.tif 000037
【図１６】
2009515341.tif 000038
【図１７】
2009515341.tif 000039
【図１８】
2009515341.tif 000040
【図１９】
2009515341.tif 000041
【図２０】
2009515341.tif 000042
【図２１】
2009515341.tif 000043
【図２２】
2009515341.tif 000044
【図２３】
2009515341.tif 000045
【図２４】
2009515341.tif 000046
【図２５】
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【図２６】
2009515341.tif 000048
【図２７】
2009515341.tif 000049
【国際調査報告】
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