(57)【要約】主として一方向だけに物質粒子を加速するための手段を含む、物質粒子加速を用いた推進デバイス。前記手段は、エネルギー源と、加速される物質粒子を収容する筐体とを含み、前記筐体は、前記エネルギー源からパワー供給される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の加速を用いた推進デバイスであって、
主として一方向だけに物質粒子を加速するための手段を含み、
前記手段は、エネルギー源と、加速される物質粒子を収容する筐体とを含み、
前記筐体は、前記エネルギー源からパワー供給されることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記物質粒子は、特に、電子、陽子、中性子、及び／又はイオンである請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記筐体は、少なくとも超伝導体を含む請求項１または２記載のデバイス。
【請求項４】
前記手段は、少なくとも１つの超伝導体をその臨界温度より低い温度に冷却するための冷却クライオスタットをさらに含む請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
前記筐体は、僅かに異なる化学組成および臨界温度を有する複数の層からなる超伝導材料を含み、動作温度において、１つ又は複数の部分超伝導状態の遷移ゾーン、１つ又は複数の超伝導ゾーンおよび１つ又は複数の伝導ゾーンを得るようにした請求項３または４記載のデバイス。
【請求項６】
前記筐体は、遷移ゾーン（Ｚｔ）によって分離された、超伝導体材料からなる第１層および第２層（Ｓ１，Ｓ２）を含み、第２層（Ｓ２）の臨界温度は第１層（Ｓ１）の臨界温度より低く、遷移ゾーン（Ｚｔ）の臨界温度は超伝導材料からなる第１層（Ｓ１）の臨界温度と第２層（Ｓ２）の臨界温度との間にあり、その結果、動作温度において、第１層（Ｓ１）は超伝導状態になり、第２層（Ｓ２）は超伝導状態でなく、遷移ゾーン（Ｚｔ）は部分超伝導状態になるようにした請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
前記筐体は、伝導性でなく、気密性であって、容易にイオン化可能なガスを収容する請求項１または２記載のデバイス。
【請求項８】
前記筐体は、電圧発生器によってパワー供給されてイオン放電を供給し、イオンは、適切な電磁界によって前記筐体の内部で加速されるようにした請求項７記載のデバイス。
【請求項９】
前記エネルギー源は、連続的あるいはパルス状である請求項１〜８のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
該デバイスからある距離で、接触なしで何れかの物質の押し加速度を生成するようにし、
前記加速度は、重力加速度の性質を有し、前記デバイス内部に閉じ込められた物質粒子の加速を用いて人為的に得られるものであるデバイスの使用。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
前記デバイス自体の自動推進加速度を生成するようにし、
前記加速度は、前記デバイス内部に閉じ込められた物質粒子の加速を用いて人為的に得られるものであるデバイスの使用。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
推進流から、デバイスからある距離で電気エネルギーを発生するするようにしたデバイスの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物質粒子加速を用いた推進デバイスおよびその応用に関し、特に、ある距離から接触なしで、物質の押し加速を生成するために用いられるデバイスに関する。一定の条件では、これらのデバイスは自らを推進する。この押し加速及び／又はこの自動推進加速は、実験的に証明した相互作用の自然量子エレメントの非等方性空間分布によって得られるもので、この自然量子エレメントは、創作者(creator)によって「ユニバーソン(Universon)」と称されている。前記非等方性は、本発明により人為的に得られる。本発明は、こうしたデバイスを用いた全ての応用に拡張される。
【背景技術】
【０００２】
本発明の原則は、自然重力の科学的研究の結果を用いて、幾つかの実験的に観測された偏差(anomaly)を説明しようとするものである。本発明の創作者は、１９８０年以来、相互作用が、動的インパルスの量子運び人(bearer)の定量化された自然の流れ(flux)、即ち、１９８３年以来、著者が理論の第１回原稿で「ユニバーソン(Universon)」と命名したものによって生ずるという仮説から、物理の重力理論を実際に有効に組み立てた。ユニバーソンは、物質と弱く相互作用する重力量子エレメントである。ユニバーソンは、この理論において慣性および重力の原因となる。
【０００３】
この理論は、１９８８年１２月１５日に最初に発表された。そして、この発表は１９９１年１０月に更新された。
【０００４】
ユニバーソン理論は、１９９２年９月２８日に米国ワシントンＤＣで、国際宇宙連合(ＩＡＦ：International Astronautical Federation)の第４３回会議において公式に発表された。そして、１９９３年２月にパリのフランス国防総局(French National Defence General Secretariat)によって開催された会議で発表された。次の年、ニューヨーク市で米国航空宇宙学会（ＡＩＡＡ）によって開催された国際会議において、将来の星間空間ミッションの推進力について発表された。
【０００５】
そして、この物理理論は、２００３年１０月、発明著者により、"Editions du Rocher"の編集によるフランス語本"Gravitation, les Universons, energie du futur"において発表された(ISBN 2 268 0489)。
【０００６】
この理論はまた、２００４年から、インターネットサイトwww.universons.eu, www.universons.org, www.universons.comにおいて英語とフランス語で電子出版されている。
【０００７】
ユニバーソン理論により、創作者は、長期に渡って実際に観測され、以前は説明されていない新しい事実を予測することが可能になった。例えば、宇宙膨張によって生ずる宇宙加速度の存在、任意の材料物体の１つに加えられる加速度など。
【０００８】
この宇宙加速度は、ハッブル定数Ｈと光速度ｃの積Ｈｃに等しい。
【０００９】
この極めて弱い加速度（約８×１０−８ｍ／ｓ２の大きさ）は、惑星間宇宙探査ロケットの軌道を修正する。それは、幾つかの宇宙ミッションの軌道グラフによって確認されており、ＮＡＳＡによる基礎研究刊行物から知られている。
【００１０】
この同じ宇宙加速度Ｈｃは、例えば、銀河や銀河団などの大きな宇宙天文構造の内側において、低い加速度レベルで重力を強く修正する結果をもたらす。これらの現象もまた実際に観測されており、これらの観測は基礎研究刊行物において天文学者により発表されている。従って、ユニバーソン理論は、自然事実の表現であると思われる。
【００１１】
ユニバーソン理論により、発明創作者は、重力加速度に類似した加速度を作成する幾つかの手段、フィンランドとロシアで幸運にも実際に観測された幾つかの効果を生成できる手段を想像することが可能になる。観測は、理解されたり適正に解釈されることなく、そのまま発表されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明は、実験的に確認され、その実験的確認とともに科学界に公式に発表されたこの理論の直接的応用である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
よって、本発明の目的は、主として一方向だけに物質粒子を加速するための手段を含む粒子の加速を用いた推進デバイスであり、前記手段は、エネルギー源と、加速される物質粒子を収容する筐体(enclosure)とを含み、前記筐体は、前記エネルギー源からパワー供給される。
【００１４】
好ましくは、前記物質粒子は、特に、電子、陽子、中性子、及び／又はイオンである。
【００１５】
第１実施形態によれば、前記筐体は、少なくとも超伝導体を含む。
【００１６】
好ましくは、前記手段は、少なくとも１つの超伝導体をその臨界温度より低い温度に冷却するための冷却クライオスタット(cryostat)をさらに含む。
【００１７】
好ましくは、前記筐体は、僅かに異なる化学組成および臨界温度を有する複数の層からなる超伝導材料を含み、動作(functioning)温度において、１つ又は複数の部分超伝導状態の遷移ゾーン、１つ又は複数の超伝導ゾーンおよび１つ又は複数の伝導ゾーンを得ている。
【００１８】
好ましくは、前記筐体は、遷移ゾーンによって分離された、超伝導体材料からなる第１層および第２層を含み、第２層の臨界温度は第１層の臨界温度より低く、遷移ゾーンの臨界温度は超伝導材料からなる第１層の臨界温度と第２層の臨界温度との間にあり、その結果、動作温度において、第１層は超伝導状態になり、第２層は超伝導状態でなく、遷移ゾーンは部分超伝導状態になる。
【００１９】
第２実施形態によれば、前記筐体は、伝導性でなく、気密性であって、容易にイオン化可能なガスを収容する。
【００２０】
好ましくは、前記筐体は、電圧発生器によってパワー供給されてイオン放電を供給し、イオンは、適切な電磁界によって前記筐体の内部で加速される。
【００２１】
好ましくは、前記エネルギー源は、連続的あるいはパルス状である。
【００２２】
本発明はまた、目的として、前述したように、ある距離で接触なしで何れかの物質の押し加速度を生成するデバイスの使用を有し、前記加速度は重力加速度の性質を有し、前記加速度は物質粒子加速を用いて人為的に得られるものであり、これらの加速される物質粒子は前記デバイス内部に閉じ込められたままである。
【００２３】
本発明はまた、目的として、前述したように、前記デバイス自体の自動推進加速度を生成するデバイスの使用を有し、前記加速度は物質粒子加速を用いて人為的に得られるものであり、これらの加速された物質粒子は前記デバイス内部に閉じ込められたままである。
【００２４】
本発明はまた、目的として、前述したように、推進流(flux)を用いて、ある距離で電気エネルギーを発生するデバイスの使用を有する。
【００２５】
本発明のこれらの他の特徴および利点は、非限定的な例を示す添付図面を参照して、下記詳細な説明においてより明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（本発明の一般原理）
本発明の動作を理解するために、２つの自然力、即ち、慣性力と重力の存在について言及する必要がある。
【００２７】
慣性力Ｆｉは、物質の質量が加速された場合に現れる。物質の質量を移動するのを覆すような抵抗力が実際に存在する。ニュートン法則により、我々は、加速度Ａを質量Ｍに伝達するために印加される力Ｆｉを知ることができる。この力は、関係Ｆｉ＝ＭＡによって表現される。
【００２８】
重力Ｆｇは、２つの物質の質量Ｍ，Ｍ’が距離Ｄで存在する場合に現れる。ニュートンは、次の万有引力の法則も示した。
【００２９】
【数１】
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【００３０】
ここで、重力定数Ｇは、実際、２つの質量の加速度の原因となる自然量子の流れを測定する手段であり、これを我々は重力と称し、物質と相互作用する方法である。
【００３１】
我々は、最初に、慣性力および重力が両方とも同一自然現象の結果、即ち、物質が加速された場合、加速の原因がどのようなものであっても、物質と相互作用するユニバーソン(Universon)の非等方性分布の存在であることを理解する必要がある。
【００３２】
この理論は、物質の素粒子によって連続的に捕捉され再放射される、動的インパルスの量子運び人(bearer)の自然で等方性の流れが存在することを実際に前提としている。これらは、そのインパルスを物質と交換する。従って、各基本物質粒子についてのユニバーソンの入射流れおよび出射流れとなるであろう。
【００３３】
正確には、この理論は、加速された物質粒子からその加速Ａの方向に、下記式（１）に示す立体角Ωの内側だけに出てくるユニバーソンの流れが反対方向のものより常に大きいことを論証しており、ここでユニバーソンは再放射されることはない。この表現において、τは、物質による自然ユニバーソンの捕捉期間であり、ｃは、光の速度である。
【００３４】
【数２】
2009526943.tif 000004
【００３５】
これらのパラメータは、明らかに次の値を有する。
τ＝５．５８×１０１４  秒
ｃ＝３×１０８  ｍ／ｓ
【００３６】
従って、我々は、物質加速度値Ａがどのようなものであっても、ユニバーソンの非等方性の出射流れの放射立体角Ωが、常に極めて小さい値を有することを観測できる。
【００３７】
本発明は、理論の対称性、故に、全く逆の人為的な現象、即ち、デバイスがそれを通過するユニバーソンの自然の流れの人為的非等方性を作成することを用いている。ユニバーソンの非等方性流れΦは、極めて指向性があり、人為的に作成され、その性質がどのようなものであっても、物質へ押し加速を作用できる流れであり、放射された非等方性流れの伝搬方向とは反対方向に、ユニバーソン放射デバイスを自動推進できる。
【００３８】
（本発明の科学的根拠）
ここで説明する自然現象は、古典物理の妥当性の限界に接近した挙動を有するように見え、ここでは量子物理の使用が正当化されるであろう、しかしながら、説明を簡素化するために、ここでは古典物理を用いることにする。
【００３９】
一例として、電界Ｅによって加速され、帯電した物質粒子ビームによって放射されるユニバーソンの非等方性流れΦを決定しよう。ここで、Ｅｕは、１つのユニバーソンの適切なエネルギーであり、ジュール（Ｊ）で表される。Ｅｕ＝８．５×１０２１  Ｊ。τは、物質による１つのユニバーソンの捕捉時間であり、単位は秒である。τ＝５．５８×１０１４  秒。
【００４０】
これらの基本パラメータの値は、確立していることに留意すべきであり、Ｅｕは、独自の経験の結果からであり、τは、既知の量子波現象に基づく。これらの値は、他の実験によって確認され、より精度良く測定されるべきものである。正確には、本発明は、実験室での直接の実験法を可能にし、ユニバーソン理論の予測を点検するために行われる新しい実験を可能にする目的をも有する。これは、天文学および宇宙科学の観測による確認から以前に得られている、この理論の基本パラメータの値を直接測定する可能性を与えることになる。
【００４１】
ここで、ｃは、光の速度で、メートル／秒で表され、ｃ＝３×１０８  ｍ／ｓ。ｅは、加速される物質粒子の電荷で、クーロン（Ｃ）で表され、ｅ＝−１．６０２×１０１９  Ｃ。ｍは、物質粒子の質量で、単位はキログラムであり、電子では、ｍ＝９．１１×１０３１  ｋｇ。Ｅは、加速電界であり、ボルト／メートルで表される。Ａｐは、物質粒子の加速度（ｍ／ｓ２）。Ωは、ユニバーソンが、各加速される物質粒子によって加速方向に、より大きな流れ強度で再放射される立体角（ステラジアン）。ｎは、時間τの間に、粒子によって捕捉または再放射されるユニバーソンの数。Ｎは、１秒間に、粒子によって捕捉または再放射されるユニバーソンの数。Ｆｓは、単一の加速物質粒子によって立体角Ωの内側に再放射される準単一指向性の流れ（ユニバーソン／秒）。Φは、全ての加速物質粒子によって立体角Ωの内側に再放射される準単一指向性の流れ合計（ユニバーソン／秒）。最後に、Ｉは、加速される荷電粒子の流れ（アンペア）。
【００４２】
ユニバーソン理論は、自然の等方性流れより大きいユニバーソンの流れが、任意の加速された物質粒子によって加速方向に立体角Ωに再放射されることを論証する。
【００４３】
【数３】
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【００４４】
ユニバーソン理論はまた、時間τの間に、適当な質量ｍの各物質粒子が、下記の式で与えられるｎ個のユニバーソンを捕捉する。
【００４５】
【数４】
2009526943.tif 000006
【００４６】
従って、物質粒子によって、４πステラジアン内に毎秒再放射されるユニバーソンの合計数Ｎは、下記の式で与えられる。
【００４７】
【数５】
2009526943.tif 000007
【００４８】
その結果、立体角Ωにおいて、静止している単一物質粒子によって毎秒再放射されるユニバーソンの数Ｎｕは、下記の式で与えられる。
【００４９】
【数６】
2009526943.tif 000008
【００５０】
一方、我々は、加速方向において、加速された物質粒子によって再放射されるユニバーソンの非等方性の流れＦｓが、物質粒子が加速されていない場合に立体角Ωに正常に再放射されるものより２倍大きいことを証明している。従って、単一の加速粒子については、下記の式で与えられる。
【００５１】
【数７】
2009526943.tif 000009
【００５２】
そこで、式（２）を考慮する。
【００５３】
【数８】
2009526943.tif 000010
【００５４】
一方、印加された電界Ｅによって生ずる荷電物質粒子の加速度Ａｐは、下記の伝統的表現から既知である。
【００５５】
【数９】
2009526943.tif 000011
【００５６】
従って、結果は、明らかに次のようになる。
【００５７】
【数１０】
2009526943.tif 000012
【００５８】
Ｆｓは、外部電界Ｅによって加速された単一の荷電物質粒子によって再放射される非等方性の流れであることを思いだそう。ここで、我々は、加速物質粒子の適当な質量ｍが、普通の直観に反して、再放射されるユニバーソンの非等方性の流れの強度に影響を与えないことを観測する。
【００５９】
この事実は、大きな重要性を持つ。発明デバイスの内部で加速する荷電物質粒子として、電子および陽子を選択することが可能なためであり、しかも、我々は、より重い荷電粒子（イオン）の加速を選択することに関心がある。個々の電荷ｅが電子１個より大きくできるからである。
【００６０】
実際、二価電離イオンの加速の場合、式（９）の電荷ｅが２倍になり、流れＦｓも２倍になる。
【００６１】
そこで、我々が単一の荷電加速物質粒子だけでなく、毎秒、多数の加速物質粒子を有する場合、これは強度Ｉアンペアの電流を意味し、加速物質粒子の流れによって生ずるユニバーソンの非等方性の流れ合計Φは、次式（１０）と関連することになる。
【００６２】
１アンペア＝１／ｅ＝毎秒６．２４×１０１８個の荷電粒子ｅ  …（１０）
【００６３】
従って、次のようになる。
【００６４】
【数１１】
2009526943.tif 000013
【００６５】
我々は、式（１１）のパラメータのうち３つが未知である。そこで、電子または陽子あるいは単に電離したイオンの流れＩについて、次式が得られる。
【００６６】
【数１２】
2009526943.tif 000014
【００６７】
これは、電子または陽子あるいは単に電離したイオンだけが一定の電界によって加速される場合、発明デバイスによって放射されるユニバーソンの非等方性の流れの強度が、電流Ｉに比例し、電界Ｅにも比例することを意味する。
【００６８】
一方、式（１２）は、幾つかの暗示的な仮説を含む。実際、この式は、粒子が、実際には、同じ方向の一定の加速度に服従している場合（加速粒子が相対論的ではなく、平均の一定速度を有していない場合のみ）有効なだけである。
【００６９】
（放射されたユニバーソンの流れによる放射デバイスの自動推進）
我々の結果は、物質が、永久に、自然のユニバーソンを捕捉し再放射することを述べている。
【００７０】
物質が静止または一定速度で移動している場合、ユニバーソンの捕捉および再放射は等方性である。その結果、各ユニバーソンと物質との間で両方向に交換される量子運動量は等しく、しかも等方性である。これらの合計は、巨視的には平均でゼロである。
【００７１】
しかしながら、物質が加速されている場合、これらの運動量は等方的ではなく、巨視的な平均結果はゼロではない。それが、正確には、慣性力の原因となる（重力の原因でもある）現象であるように見える。
【００７２】
本発明の推進デバイスの特定の場合、デバイス自体は外部の力によって加速されるものでないが、電磁プロセスによって加速される、一定に帯電した本デバイスの物質粒子である。しかし、この加速の結果は、完全なデバイスによって放射されるユニバーソンの非等方性の流れΦであり、これらの放射されたユニバーソンは光速度でデバイスから出てくる。
【００７３】
まず第１に、このユニバーソン放射は、加速された物質粒子から、再放射されたユニバーソンへの運動インパルス移送が伴う。このインパルスは、自然の等方性ユニバーソンのインパルスによって補償されない。
【００７４】
その結果、放射デバイスは、非等方性の放射流れの反対方向に押される。
【００７５】
第２に、放射された非等方性の流れΦは、極めて集束している。その空間拡張が、常に極端に小さい立体角Ωに制限されるためである。従って、この非等方性の流れは、その軌道に沿って介在する材料障害物がどのようなものであっても、極めて長距離に、照射された物質を押すことができる。
【００７６】
実際、等方性の流れΦの軌道に沿った何れの物質も押される。
【００７７】
現実には、それは、自然で等方性のユニバーソンの流れであり、物質と人為的な非等方性のユニバーソンの流れとの間の力学的相互作用の主要なエネルギー源である。自然で等方性の流れの適切なエネルギーは、巨大であり、無尽蔵であり、宇宙のどこでも利用可能である。
【００７８】
例えば、銀河は、宇宙の主要な構造であり、それは、星の軌道運動エネルギーは、重力ポテンシャルエネルギーよりはるかに大きいという現象の結果である。
【００７９】
式（１２）での電子の加速に基づいて例を挙げると、Ｅ＝１００００００Ｖ／ｍ、電流Ｉ＝１００００アンペアである場合、この電流によって再放射されるユニバーソンの非等方性の流れは、Φ＝３．５２×１０３８（ユニバーソン／秒）になろう。
【００８０】
これは、相当な流れである。
【００８１】
実際、各ユニバーソンの流れΦは、適切なインパルスＥｕ／ｃを有し、放射デバイスによってユニバーソンへ移送される。従って、それは合計インパルスである。
【００８２】
【数１３】
2009526943.tif 000015
【００８３】
これは、流れを放射するデバイスによって移送される。
【００８４】
一方、このデバイスが合計質量Ｍを有する場合、それは加速度Ａｍで加速されるはずである。
【００８５】
【数１４】
2009526943.tif 000016
【００８６】
例として、Ｅ＝１００００００Ｖ／ｍ、Ｉ＝１００００アンペア、Ｍ＝１０００ｋｇを考えた場合、デバイス加速度は、１００万ｇになろう。
【００８７】
しかしながら、こうした例は非現実的である。非等方性のユニバーソンの流れΦは、物質粒子を加速することが可能な極く短時間に放射されるのみだからである。加速された粒子が一定の速度を獲得したり、相対論的になると、再放射されたユニバーソンの流れの非等方性はもはや存在しなくなり、前回の例において質量Ｍの推進力は存在しない。
【００８８】
その結果、粒子の加速を用いることによってユニバーソンを放射する放射デバイスは、極めて短い連続したインパルスとともに使用するのが良いはずである。明らかに、デバイスの変形例は、時間中に物質粒子の可変加速度、あるいは異なる荷電粒子の連続的な加速を使用することができる。
【００８９】
（非等方性ユニバーソンの流れの遠隔物質への作用）
同様にして、放射された非等方性の流れΦの各ユニバーソンが、何れかの物質粒子と相互作用して、この粒子にインパルスＥｕ／ｃ＝２．８３×１０２９ｋｇ・ｍ／ｓを移送する。ここで、ユニバーソンが物質粒子に捕捉されることを条件としている。式（１４）の積Φ・Ｅｕ／ｃは、単位ｋｇ・ｍ／ｓ２で表される。流れΦが、ユニバーソン／秒で表されるからである。従って、この積は力(force)である。
【００９０】
非等方性ユニバーソンの流れによって照射された物質は、加速される。
【００９１】
非等方性ユニバーソンの流れの全てユニバーソンが、照射された物質によって捕捉されるという仮説において、この加速度は膨大になるであろう。
【００９２】
実際、我々が前回の例をΦ＝３．５２×１０３８（ユニバーソン／秒）で追試した場合、我々は、この流れによって照射された何れの物質にも作用する力が、１００億ニュートンに等しくなることを観測する。これは、明らかに途方もない仮説である。
【００９３】
しかしながら、我々が、物質が、それを横切る１００万個のユニバーソン当たり、流れのうち１個だけのユニバーソンを捕捉するというより控えめな仮説を採用した場合、この流れによって照射される何れの物質にも作用する力は、１０００ニュートンに等しく、依然として極めて強いであろう。
【００９４】
一方、これは、現在までに得られた実験結果で測定された力の大きさのオーダーである（２３グラムのデバイスで５５０００ニュートン）。
【００９５】
実際、捕捉される非等方性流れのユニバーソンの割合は、照射された物質の質量に理論的には比例する。この質量は、必ずしも物質本体の合計質量ではない。非等方性流れは、かなり小さい立体角Ωの内側だけで伝搬するからである。
【００９６】
自然で非等方性のユニバーソンの流れの部分捕捉に関して、この理論は、物質によるユニバーソンの「特定捕捉断面積Ｓ」を定義している。我々は、捕捉時間τの前回の決定から、Ｓを評価した。この理論は、既知の万有重力定数Ｇが次式で与えられることを証明しているからである。
【００９７】
【数１５】
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【００９８】
しかしながら、重力について有効である特定捕捉断面積Ｓの値が、極めて強く集束した人為的なユニバーソンの流れについて同じであることは証明されていない。これはここでのケースである。
【００９９】
それでも、この理論は、捕捉されたユニバーソンの数は、物質の質量に比例することを予測している。こうした条件では、非等方性のユニバーソンの流れによって照射された物質に作用する力ではなく、一定の加速度である。
【０１００】
そして、これは、まさに実験結果を明らかにするものである。
【０１０１】
発明デバイスの使用により、我々は、実際に捕捉されて、介在する物質を押す、極めて指向性のある放射流れのユニバーソンの割合を測定することが可能になる。
【０１０２】
それでも、この事実は、既に実験的に証明されている。
【０１０３】
（発明原理の実験的証拠）
基礎研究の枠内で行われ、物質の素粒子が極めて強く加速された種々の科学実験は、全く幸運に、実験からの理論的な事前予測なしで、幸運にも遠方に位置している物質物体の、ある距離から粒子加速の軸に沿った押し加速を明らかにした。実際、この物質は、加速された粒子によって放射された非等方性のユニバーソンの流れによって照射された。例えば、我々は、２００５年、オーストラリアにおいて、欧州宇宙機関（ＥＳＡ）および米国空軍のスポンサーでマーチン(Martin Tajmar)と彼の同僚によって実施、発表された実験を参照できる。
【０１０４】
我々はまた、２００２年、モスクワ化学会で、E. Podkletnovにより実施、発表された幸運な実験を参照できる。
【０１０５】
自然で非等方性のユニバーソンの流れによって現実に照射された遠隔物質の同じ加速現象についての観測に対応した、幾つかの自然の事実も観測された。例えば、１９９７年の日食の際、中国において、Unnikrishnan等による超高感度重力計によって供給された信号の観測。
【０１０６】
（非等方性ユニバーソンの流れによって生ずる物理的効果）
理論的予測は、非等方性のユニバーソンの流れと異なる種類の物質との相互作用が、下記の現象の原因であることを明らかにする。
【０１０７】
真空中と任意の種類の物質内での、偏差なしの光速度での非等方性流れの伝搬。
【０１０８】
吸収や減衰無しで、非等方性流れによる物質の横断。
【０１０９】
流れ伝搬方向に、非等方性流れによって照射された任意の物質の加速。加速度の値は、照射された物質の質量および性質から独立している。
【０１１０】
その伝搬の際、非等方性流れの極めて小さい角度分散。これは、天文学的距離に渡って、非等方性流れと物質との相互作用に、相当な範囲を与える。
【０１１１】
流れの伝搬方向の反対方向への、人為的な非等方性のユニバーソンの流れの放射デバイスの自動推進。
【０１１２】
非等方性流れによって照射された、導体内部での自由電子の加速。電子の変位は、電流である。加速された自由電子に移送されるエネルギーは、膨大な量のエネルギーを運搬し、人間スケールでは無尽蔵である自然で非等方性のユニバーソンの流れから差し引かれる。非等方性流れエネルギーの電気エネルギーでの部分的な直接変換は、理論的には、非等方性流れ強度の減衰なしで行われ、自由電子を加速できる。
【０１１３】
非等方性のユニバーソンの流れによって照射された、何れの絶縁体材料における原子内電子の軌道の歪み。これは電界の生成に対応する。この効果は、細胞膜の両側において電解質中の異なるイオン濃度によって生ずる自然分極を有する有機細胞膜を消極することが可能になる。反対に、この現象は、ある細胞膜を分極させることができるであろう。
【０１１４】
例えば、非等方性のユニバーソンの流れとフォトンとの相互作用などの他の効果も理論的に予測されている。
【０１１５】
これらの効果の一部は、ユニバーソン理論計算から予測され、過去１５年間に種々の実験によって、本発明、即ち、ユニバーソン理論とは何ら関係のない実験から幸運にも実際に観測されている。実験は、観測事実を説明することができなかった。しかしながら、これらの実験者はこれらの結果を発表し、幸運に観測された効果を説明できる人為的要素がないことを全て確かめている。
【０１１６】
これら全ての効果は、明らかに、多くの応用を発生することが可能である。但し、これらの起源が決定されることを条件とし、そして、明らかに、我々が現在、発明創作者によって「非等方性のユニバーソンの流れ」と称される、推進流れを人為的に特異的に確実に再現可能なように、どのように生成するか知ることを条件とする。こうした推進流れの人為的生成のための手段は、本発明の目的である。
【０１１７】
極めて多数の応用のため、デバイス自動推進力または物質の遠隔押し加速が、これらの強度に応じて使用可能である。
【０１１８】
本発明はまた、自然重力の原因である自然流から発せられる、非等方性のユニバーソンの流れを生成する何らかの人為的デバイスを用いた、応用の集団に関する。
【０１１９】
（本発明による直接発電の科学的根拠）
我々は、以前に、非等方性のユニバーソンの流れが、照射した物質を加速することを示している。この効果は、単に、それ自体を物質の素粒子レベルで現実に証明する慣性現象である。
【０１２０】
従って、非等方性流れによって照射された導体材料において、前記材料が静止状態に維持される場合、その内部自由電子は加速されている。流れの伝搬方向に沿った、内部自由電子の変位は、電流である。そのため、推進流によって生ずる力学エネルギーから電気エネルギーへの直接変換の可能性が存在する。これは、実験的に確認されている。
【０１２１】
照射された物質が超伝導体である場合、エネルギー変換は、極めて小さなエネルギー損失で行われる。この原理は、図１０の概略図で図示しており、超伝導体Ｓには、集束した非等方性のユニバーソンの流れΦが横断している。流れに押された電流は、電極ｅ＋，ｅ−に接続された、ユーザ電荷Ｕに電力供給している。このシステムは、本発明と別異のものでなく、詳述する本発明の増幅機能の反対の特定応用に過ぎない。
【０１２２】
しかしながら、我々は、長い間、重力に対する障害物が無いことを熟知しており、実験結果はこの事実を明白に確認している。
【０１２３】
従って、前述のエネルギー変換システムでは、エネルギーの非等方性のユニバーソンの流れの強度は、流入する流れの強度と厳密に等しい。このエネルギー変換方法の理論は、それが、電子に移送される力学エネルギー源である、加速電子との相互作用を経由した自然のユニバーソン流れであることを証明する。その結果、入射する非等方性のユニバーソンの流れは吸収されず、ユニバーソンの時間的分布において僅かに変更されるに過ぎない。従って、出射する非等方性流れは、入射流れと比べてほとんど集束していない。そして、自然の非等方性のユニバーソンの流れのエネルギーもまた、このプロセスでほとんど変更されない。
【０１２４】
しかし、この理論は、同じ非等方性のユニバーソンの流れを使用して、連続的に整列した変換システム内部で電気エネルギーを発生し、生成される全体の電気エネルギーを増加させることが可能であることを証明する。この理論は、非等方性のユニバーソンの流れの特性の連続的な変更が極めて小さく、そして、これが少なくとも理論的に、自然重力の原因である、自然の非等方性のユニバーソンの流れから人為的なエネルギーを取り出す有望な方法であることを証明する。
【０１２５】
（本発明の機能的原理）
自然のユニバーソンは、空間の全方向に光速度で進行して、時には物質の素粒子によってごく短時間に捕捉され、そして、エネルギーを失うことなく再放射されることにより、物質と僅かに相互作用する。
【０１２６】
従って、本発明の目的は、この自然流れの局所的な非等方性を人為的に獲得することによって、この自然のユニバーソン流れのエネルギーを使用することであり、これにより推進力を生成し、多くの革新的な応用を可能にする。
【０１２７】
人為的な非等方性のユニバーソンの流れの生成は、電子、中性子、陽子、あるいは自然原子から種々のイオン化方法によって得られる正イオンや負イオンなどの物質の素粒子の強い加速を必要とする。
【０１２８】
例として、我々は、ここでは、非等方性のユニバーソンの流れを人為的に生成すること、ある距離から物質を加速すること、そして、デバイス自体の推進力を生成することが可能な３つのタイプの技術的方法を説明している。我々は、幾つかの変形例を説明し、これらのタイプの１つについて詳細を提案している。
【０１２９】
しかしながら、本発明から特定の応用のための他の類似したデバイスを想像することは容易であることは明らかである。
【０１３０】
（実現化の第１モード）
実現化の第１モードは、特別の超伝導材料物体の内部で、任意の想定可能な電磁プロセスによる電子の加速を使用している。
【０１３１】
このデバイスの原理を理解するために、原子核Ｎの周りの単一電子の運動を表す図１を検討することが適切である。原子は、一定の外部電界Ｅを受けている。電子は、図１において、その軌道の２つの特定の瞬間で表している。一定の外部電界Ｅでは、電子は電界によって加速される。電界加速は、核Ｎによって生ずる加速に対してベクトル的に加算する。加速度Ａは、負に帯電した電子については電界Ｅの方向と反対になる。
【０１３２】
一定の外部電界により、我々は電子軌道の重要な変形を観測し、それは、図１のように、楕円になる。
【０１３３】
従って、電子が図１の右側に位置する場合、一定の外部電界Ｅによって加速され、この加速度Ａは電界の反対方向に向いており、図１では下向きになる。
【０１３４】
そのため、加速された電子は、その加速方向に立体角Ω１でユニバーソンの大きな流れを再放射し、空間の他の方向より大きい再放射の流れになる。
【０１３５】
軌道の後半分では、電子は、図１の左側で上昇側にある。その速度は、前の位置と同じであるが、異なる向きで、明らかに反対方向に向いている。電子が一定の外部電界Ｅの方向に動くと、減速される。ここでは、電子に作用する単なる加速度Ａが存在している。この加速度は、電子の基準座標系(reference frame)において、電子の速度と反対方向に向いている。
【０１３６】
しかしながら、外部観測者の基準座標系では、左側で電子に作用する加速度Ａは、電子の右側位置の前の加速度Ａと全く同じ向きを有する。
【０１３７】
電子は、一定の外部電界Ｅを受けており、軌道上の位置がどこであっても、実際には、電界によって同じ方向に常に加速されている。その結果、電子は、常に、より強い非等方性のユニバーソンの流れを立体角Ω２で再放射している。
【０１３８】
ここで、電子が、常に、一定と思われる外部電界の方向と反対方向に、増加したユニバーソンの流れを再放射することは明らかである。この同じ現象は、電界Ｅを受ける物質の全原子の全電子について繰り返される。そして、強度は、電界を受ける原子の数が大きいほど大きくなり、原子当たりの電子の数が大きいほど大きくなり、核に対する電子の結合エネルギーが弱いほど、大きくなる。
【０１３９】
しかしながら、伝統的な電気的に中性な材料は、外部電界中に置いた場合、非等方性のユニバーソンの流れを放射しない。これは、図１において、原子核Ｎの陽子に何が生ずるかを表現するのを省いているからである。実際には、陽子は、電子と同じ電荷を有するが、反対の符号である。従って、陽子も電界Ｅによって加速されるが、電子加速と反対方向である。
【０１４０】
そのため、伝統的な中性材料片では、陽子も電界によって加速され、核内部で極めて小さい軌道運動を有する。これは、電子の１つとは反対である。加速された陽子も非等方性のユニバーソンの流れを、電子によって再放射される流れと反対方向に放射する。
【０１４１】
荷電粒子によって放射される２つの非等方性流れは、全く同じ強度を有し、反対方向に放射され、巨視的な結果は厳密にゼロである。
【０１４２】
それでも、我々は、電子の加速のみから得られる非等方性のユニバーソンの流れのかなりの強度を理論的に示した。
【０１４３】
これは、まさに、図２のデバイスで用いられる本原理である。
【０１４４】
図２は、キャパシタの周期的放電によって得られるパルス状の加速電界を用いた、発明デバイスの一変形例の原理を概略図の一例を示す。スイッチ（一般には、電子スイッチ）が左側に切り替わった場合、最初に、キャパシタＣがＤＣ発生器Ｇによって充電される。そして、キャパシタが充電されると、スイッチが右側に切り替わって、キャパシタは、非ゼロの厚さを持つ遷移層Ｚｔによって分離された２つの超伝導層Ｓ１，Ｓ２からなる特別の超伝導材料Ｓに放電する。材料全体は、超伝導層Ｓ１の臨界温度より低く、層Ｓ２の臨界温度を超える温度に、予め冷却されている。Ｓ１の臨界温度は、Ｓ２の臨界温度より高い。Ｚｔの臨界温度は、Ｓ１のものとＳ２のものとの中間である。これらの性質は、３つの層の材料の僅かに異なる化学組成によって得られる。従って、デバイスの機能温度では、層Ｓ１が超伝導状態になり、層Ｓ２は伝導状態になる。層Ｚｔは、「部分的な」超伝導状態である（その結晶の一部は超伝導であり、他はそうでない）。図２において、超伝導材料のための伝統的な冷却クライオスタットは表記していない。
【０１４５】
極めて強い電子の流れは、図２の上部から底部へ、薄い導電性電極ｅ−から薄い導電性電極ｅ＋へとデバイスを通過する。強い電界のため、これらの電子はこれらの経路に沿ったどこででも極めて強い加速を受ける。電流強度は、キャパシタＣの放電中に変化する。
【０１４６】
充分な臨界温度を有する超伝導材料の使用は、Ｓ１において内部電気抵抗をほぼゼロにするために、不可欠である。この用心が無いと、電界が導電性材料の内部に存在して、この電界が原子の陽子を加速し、加速された陽子が、電子の加速によって放射される流れから引き算された非等方性のユニバーソンの流れを放射するであろう。非超伝導層Ｓ２は、同じ強度で反対方向の２つの非等方性のユニバーソンの流れを放射する。これらの流れの一方は、電子の加速によって放射され、他方は陽子の加速によって放射される。Ｓ２の電子によって放射されるユニバーソンの流れは、図２の方向Φに進行する。これは、層Ｓ１の方向に放射されることを意味する。
【０１４７】
完全な超伝導体の内部では、電気抵抗が厳密にゼロであり、層Ｓ１の内部を進行する強い電子の流れは、この層を横断する電圧降下を生じさせない。その結果、電界は、デバイスの層Ｓ１の内部において厳密にゼロである。
【０１４８】
従って、超伝導体Ｓ１の陽子は、ゼロ電界によって加速されず、非等方性のユニバーソンの流れを放射しない。
【０１４９】
当然、この同じ性質は、強い流れの電子にも適用することができ、電界の不存在では、電界中の電子の加速によって生ずるような非等方性のユニバーソンの流れを放射しないはずである。
【０１５０】
遷移層Ｚｔの内部に存在する現象は、導体内部と超伝導体内部との間で徐々に中間的になる。しかしながら、巨視的には、この層は、ゼロ電気抵抗を有しておらず、電界はゼロでなく、幾つかの電子および陽子がこの層内で加速される。非等方性のユニバーソンの流れが、加速された電子によって図２の方向Φ、即ち、超伝導層Ｓ１の方向に放射される。
【０１５１】
従って、超伝導層Ｓ１では、強い電子の流れと、他の２つの層の内部で電子の加速によって生ずる非等方性のユニバーソンの流れが同時に横断する。流れの一部が、伝導層Ｓ２から到来し、おそらくより強い他の部分は、層Ｚｔから到来する。電界が超伝導層Ｓ１の内部でゼロであるにも拘わらず、強い流れの電子は、流れ方向に伝搬する非等方性のユニバーソンの流れによって、この層の内部で強く加速される。
【０１５２】
偶然の量子統計現象が層Ｚｔで発生し、ある結晶が超伝導状態で、他はそうでないことを理解すべきである。従って、結晶間での電子の跳びは、普通の平均方向への非ゼロの巨視的加速に対応しているが、ほぼ全ての方向に向いた陽子の加速が巨視的なゼロ効果をもたらす。
【０１５３】
適当な質量を有する電子は、物質の全ての素粒子として、加速された場合、自然の流れのユニバーソンを非等方的に捕捉し再放射する。従って、極めて集束し、極めて強く、レーザビーム光よりもあまり発散せずに、電子の加速方向に、非等方性のユニバーソンの流れΦが存在する。この流れΦは、明らかに、キャパシタＣの連続的な放電のリズムでパルス化される。
【０１５４】
図２のデバイスは、自動推進力がある。推進力は、流れΦの伝搬方向とは反対方向に存在する。さらに、非等方性流れΦの軸に沿って位置する任意の質量の物質が、流れの伝搬方向に加速される。この物質の加速は、性質が重力の加速と類似している。
【０１５５】
この加速は、放射流れの角度分散がとても小さいため、放射デバイスから極めて大きな距離であっても観測できる。この加速は、電子加速と厳密に依存しており、同じ原理を用いて、放射デバイスの多くの変形例において使用できる。
【０１５６】
観測される遠隔物質加速は、実験的に証明されている。それは、全て重力相互作用加速の特性を有する。このことは、それが無限の範囲を有し、加速が、材料の性質および質量から独立しており、その伝搬方向に沿って配置された任意の物質障害物に対して感受性がないことを意味する。
【０１５７】
このタイプのデバイスを構築するために用いられる超伝導材料のサイズ、形状および内部構造に依存して、そして、流れ強度および放電期間に依存して、デバイスによって放射される非等方性のユニバーソンの流れΦは、大体は強く、大体は集束している。従って、放射されたユニバーソンの流れを、強度、パルス幅、向きについて変調して、推進加速度を変調することが可能である。
【０１５８】
それを臨界温度より下に冷却する前に、これらのあるタイプの特定のデバイスでは、超伝導層は、ソレノイドや磁石を用いて得られる強い磁界を受けることができる。これは、該デバイスおよび放射された非等方性のユニバーソンの流れに対して、強度および発散のある特定の性質を供与する。
【０１５９】
このデバイスは、極めて大きな距離での情報伝達のために使用可能である（それは重力波を放射するからである）。
【０１６０】
超伝導材料を用いたデバイスは、小型化が可能であり、例えば、体内探査、マイクロ手術、分子生物学手術、ナノテクノロジ等において、ある距離から接触なしで極めて小さな質量の物質を操作できる。
【０１６１】
しかし、デバイスはまた、多くの個別モジュールで覆われた平坦または湾曲した冷壁(cold wall)を用いて極めて大きくすることもでき、例えば、輸送機関(vehicle)を推進させることができる。
【０１６２】
加速された電子の軌道を逸脱させる集束または発散デバイスを使用することも可能であり、説明した２種類の推進効果の原因となる放射された非等方性のユニバーソンの流れを収束、発散または逸脱させることができる。これは、ある応用のために必要な押しを修正するために使用できる。
【０１６３】
（電子の加速が周期的である、実現化の第１モードの変形例）
電子の加速方法は、超伝導層において、電子の速度を時間に対して可変にするように選択する必要があり、放射された非等方性のユニバーソンの流れを取得している。従って、例えば、図３の概略図のプロセスにおいて、高周波磁界によって得られる電子の加速は、磁界周波数の二乗に比例した電子加速を発生させることが可能であり、そのため巨視的な押しは、この性質を有する。
【０１６４】
このタイプのデバイスでは、強力な交流電流発生器Ｇが、層Ｓ１の臨界温度より低く冷却されている複合超伝導材料Ｓ１＋Ｓ２＋Ｚｔの電極ｅに接続される。図３では、クライオスタットは表記していない。
【０１６５】
放射される非等方性のユニバーソンの流れΦは、層Ｚｔの境界で、一方向および他方向に交互に配向しているが、層Ｓ１による流れの増幅現象は一方向のみに活性である。その結果、放射される流れは、推進力を放射デバイスに作用し、明らかに、長い距離で物質を加速することが可能である。
【０１６６】
これらのタイプのデバイスは、電荷の極めて低いインピーダンスのため、一般に、誘導(induction)によって電力供給され、誘導トランスの２次巻線はデバイス自体の材料である。
【０１６７】
この種のデバイスの興味の１つは、強度が電力発生器の周波数およびその出力電流によって制御される非等方性のユニバーソンの流れが得られる可能性である。
【０１６８】
実際、デバイスの遷移層Ｚｔを交互に横断する電子を想定した場合、我々は、概念的に電界による陽子の非対称加速を伴う図１のケースに帰着する。
【０１６９】
超伝導体中で電子を加速するような、これらの動作原理による前記タイプまたは類似のタイプのデバイスの全ての変形例は、これらの目的がエネルギー加速物質の流れを生成または増幅したり、及び／又はデバイス自体を推進することである限り、本発明の一部である。
【０１７０】
こうしたデバイスを構築するために使用するのに許容される特定の超伝導材料の例は、後述する。
【０１７１】
我々は、発明デバイスの幾つかの変形例を調査するのを続けよう。
【０１７２】
（ジョセフソン効果の変形例）
図２のデバイスにおいて、遷移層Ｚｔを、極めて薄い絶縁材料層と置換することが可能である。この層は、２つの超伝導材料の間に位置する。
【０１７３】
この種のデバイスは、ジョセフソン接合のように見える。電界は、絶縁層内部に集束される。しかしながら、幾つかの電子は、トンネル効果によってこのバリアを飛び越すことが可能であり、これらは強く加速される。超伝導層Ｓ１は、前の変形例で有したような流れ増幅の役割を果たす。この新しい変形例は、本発明の一部である。最大推進流を放射するように最適化されており、こうした接合の通常の用法ではないからである。
【０１７４】
（非等方性のユニバーソンの流れの放射および増幅する変形デバイスの縦続接続）
前述したデバイス、例えば、図２に示した、固定した方向の電界を用いたものでは、超伝導層Ｓ１は、非等方性のユニバーソンの流れのための増幅器の役割を果たす。実際、この層内部を進行する自由電子は、遷移層Ｚｔから発散する非等方性流れの一吹きによって照射され、これらのユニバーソンの一吹きが流れの伝搬方向に強く押すことによって、電子を加速する。この同じ原理から、増幅器を、図４の概略的に描いた原理に基づいて、到来する非等方性のユニバーソンの流れの強度を増幅することが可能なデバイスだけにすることが可能である。
【０１７５】
この増幅器は、超伝導体Ｓが特定の層を有していない点を除いて、図２のデバイスに似ている。それは、可能な限り完全であり、その臨界温度より低い温度で使用される。
【０１７６】
図４では、超伝導体のための伝統的なクライオスタットは表記していない。
【０１７７】
こうした増幅器デバイスにおいて、入力され集束した非等方性のユニバーソンの流れΦ１が増幅され、デバイスの出力側で放射される流れΦ２が、同じ伝搬方向で、ずっとより大きな強度を有する。
【０１７８】
明らかに、Φ１の一吹きとデバイスのパルス電力供給とは、流れの伝搬遅延および、完全超伝導体Ｓ内部での増幅電流の確立時間を考慮すると、完全に同期する必要がある。
【０１７９】
同期増幅器の縦続接続(cascade)を製作することが可能であり、必要な電力を分配することによって、必要な強度の最終的な推進流れを得ている。
【０１８０】
図３に示すタイプの、交流電源を用いた放射器の変形例デバイスとともに、増幅器変形例デバイスを使用することも可能である。
【０１８１】
放射器デバイスおよび増幅器変形例の縦続接続も回転アームの先端に搭載可能であり、回転運動が必要な応用全てを網羅することができる。
【０１８２】
明らかに、非等方性のユニバーソンの流れを増幅するための増幅器デバイスは、本発明の変形例に過ぎず、本発明の一部である。それは、他のタイプの推進流放射器を用いて、単独あるいは縦続接続の内部で使用できる。
【０１８３】
（推進流放射器からある距離で用いられる電気エネルギー発生デバイス）
図４に示す、非等方性のユニバーソンの流れ増幅器は、全体として裏返し可能である。これは、このデバイスが電気で電力供給されない場合、入力される非等方性流れが自由電子を押して、発電機を得ることを意味する。明らかに、この動作モードでは、入力流れは増幅されず、出力流れは、入力流れと同じ強度を有する。自由電子に対してエネルギーを伝達するのは、自然の非等方性のユニバーソンの流れである。このデバイスは、前述した増幅器と異なる。そして、本発明の一部でもある。
【０１８４】
とにかく、この変形例デバイスを、キャパシタおよびスイッチが抑圧されている図１０の原理説明に従って簡単な方法で発電機として使用することが可能である。発電応用は、増幅器バージョンと比べて、電圧極性を反転させることに留意する。図１０では、超伝導体のための冷却クライオスタットは表記していない。
【０１８５】
（放射器デバイスの一変形例の詳細な説明）
高温超伝導材料が、１９８６年、遷移（または臨界）温度が１００ケルビンより低いＬａＢａＣｕＯセラミックをベースとして、J.G. BerdnozおよびK.A. Muellerによって考案された（ノーベル賞１９８７年）。後に、ランタンの代わりにイットリウムの使用が推奨された。そして、他の高温超伝導材料が発見されており、これらの大部分がここで説明したデバイスに使用可能である。この種のセラミック材料を用いて、前述したような発明デバイスが超伝導体を用いたバージョンにおいて製作できる。しかし、明らかに、他の材料も適切である。
【０１８６】
最終的に使用可能な超伝導材料のここでの説明は、図２、図３、図４に例として示した、非等方性のユニバーソンの流れ放射器および最初のタイプの増幅器の幾つかの変形例において、発明デバイスのこの変形例において使用される技術のタイプを理解し、そして、本発明によって課される特別の用心を理解するために、行われている。
【０１８７】
第１モードまたは実現物のデバイスで使用される超伝導材料は、一般に（必ずしも、例えば、流れ増幅器が製作される場合ではない）、両方とも同じ結晶構造である超伝導体材料および常伝導体材料の層において、密着アセンブリである。従って、遷移ゾーンによって分離された、少なくとも２つの層が用いられる、
【０１８８】
超伝導体材料技術の現実の状態では、強い電流下で液体窒素を収容したクライオスタットを用いた臨界温度が得られる高温超伝導体材料を使用することに関心がある。しかしながら、極めて高い電流密度を伴う機能は、液体ヘリウムまたは少なくともその蒸気の使用を課す。伝統的なクライオスタットはここでは説明していないが、明らかに、それは不可欠であり、その温度分離及び／又は安定化は多大な世話を受けるにふさわしい。
【０１８９】
例えば、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ（多くの専門家によって、Ｙ１２３と称される）などのイットリウム、バリウム、銅、酸素からなる焼結セラミックは、使用可能な超伝導材料の一例をなす。この混合物は、微量のＣｅとＡｇとを含有することがあり、ある応用にとって興味深い性質を供与する。これは超伝導層を構成する。
【０１９０】
必要ならば、同じ構造の導電性材料層は、一般に、伝統的な式：Ｙ１−ｘＴｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙに従って微量の希土類元素（Ｔｒ）が追加された同じ基本元素で構成される。Ｃｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｐｍ，Ｔｂなどの希土類元素が使用できる。
【０１９１】
遷移層は、非等方性のユニバーソンの流れの放射器を製作するのに必要であり、しばしば単に前の２つの材料の段階的混合物であり、あるいは熱処理の際に自動的に得られる。
【０１９２】
このタイプの材料は、温度、温度上昇および下降速度、基本物質の純度の厳密な条件で、例えば、情報目的のためにだけ説明した、下記の公開(public domain)手順を用いる。
【０１９３】
プロセスは、微細に粉砕された、イットリウム酸化物、銅酸化物、炭酸バリウム（Ｙ２Ｏ３，ＣｕＯ，ＢａＣＯ３）のパウダー（約１ミクロンサイズ）からスタートする。
【０１９４】
これらの物質は、極めて高い純度である必要があり、これらの粉砕および後の操作は、何れの汚染物質を持ち込んではならない。これは極めて重要である。
【０１９５】
そして、製造手順は、下記の操作からなる。焼成、最初に酸素雰囲気下でアニール、粉砕、押圧、最後の焼成、最後の酸素アニール。これらの操作は、最終的に繰り返される。
【０１９６】
従って、最初のステップでは、前述のパウダーが微細に粉砕され、揮発性溶媒、例えば、純粋アルコール中に２または３時間均質に混合され、そして、溶媒を蒸発させる。
【０１９７】
炭酸バリウムの人への有毒性について特別の用心を考慮する必要がある。一定のユーザはドライ混合手順を用いるが、その結果は偶然に依存する。
【０１９８】
パウダー混合の焼成ステップは、炉内の空気雰囲気で、２０〜２４時間、９３０〜９７０℃の温度で行える（９５０℃で焼成するのがベターのようである）。焼成中、パウダーを収容するため、アルミナや磁器からなるモールドを用いる。
【０１９９】
焼成方法の変形例では、８３０℃の熱処理のため、８時間、低圧酸素雰囲気（２〜４ミリバール）で、混合したパウダーを誘導炉に置く。これは、Balachandran (1989)とLindemer (1991)によって説明された手順である。
【０２００】
焼成手順の両変形例では、問題は、材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．５の基本構造を得ることであり、バリウムと結合した炭素を除去することである。
【０２０１】
そして、酸素雰囲気アニールの次のステップでは、焼成後に得られた均一なグレー色を持つ多孔質で密度が高い材料ブロックが、最初に極めて微細に粉砕され、そして、アルミナモールド内に置いて、５００℃まで徐々に加熱し、そこでは炉内での弱い酸素フローをスタートさせる。
【０２０２】
そして、炉の温度を９２５／９７５℃に達するまで徐々に増加させて、同じ酸素フローで、１８時間、一定に保つ。
【０２０３】
１０５０℃より高い炉の温度は、材料を破壊することがある。
【０２０４】
炉の冷却は、極めてゆっくりとする必要があり、酸素フローを停止して、４００℃までは１００℃／時間を超えないようにする。そして、温度降下速度は、２００℃／時間を超えないようにする必要がある。
【０２０５】
従って、全体の冷却は、約７．５時間を要し、こうした温度傾斜を想定して巧みに製作された炉温度レギュレータの使用が好ましい。
【０２０６】
最初のアニールステップの変形例では、焼成後に得られた均一なグレー色を持つ多孔質で高い密度のＹＢａ２Ｃｕ３Ｏｘ材料ブロックが最初に極めて微細に粉砕され、そして、低圧応力で「ペレット」に押圧する。そして、空気雰囲気を持つ炉内でペレットを１０５０℃で、極めてゆっくりとした温度上昇で１０時間加熱する。そして、ペレットを、４時間で１０１０℃になるように極めてゆっくり冷却する。そして、冷却は、２５時間で９６０℃まで続ける。最後に、１０時間後に、周囲温度に到達する。これは、Murahami (1992)とNarki (2000)によって説明された、ＭＴＧと称する変形例の手順である。
【０２０７】
次のステップでは、得られたペレット（あるいは多かれ少なかれ凝集したパウダー）が、ボールミル、あるいは乳鉢と乳棒で粉砕される。注意深い粉砕によって、最終的にはふるい分けによって、約３０ミクロンより小さい粉粒が次のステップに維持される。この操作において、パウダー中の不純物、特に、ミル、乳棒、ふるいから由来する微量の磁気材料の導入を回避することが特に重要である。
【０２０８】
この操作で得られたパウダーが未熟な粉粒を含む場合、同じプロセスによって酸素雰囲気でのアニール繰り返しが必要である。
【０２０９】
デバイスの２つの主要な層に必要な２つのタイプの材料、超伝導材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７．５および伝導材料Ｙ１−ｘＴｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙについては、同じ手順を別々に用いる。その結果、両材料は微細パウダーの形態で得られる。
【０２１０】
微量の希土類を含有する伝導材料は、選択した希土類の異なる割合で製造され、より好都合な遷移ゾーンを作る。
【０２１１】
手順の次のステップは、異なるパウダーの集成および押圧である。異なる層は、モールド内で同時に冷間押圧される。各パウダーは、最終的に、揮発性バインダ（例えば、ポリビニルアルコールや蒸留水）を用いて混合される。最初に、伝導材料Ｙ１−ｘＴｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙパウダーは、最終デバイスの将来厚さ全体の約３０％の厚さでモールド内に配置される。そして、伝導層が適度に押圧される。
【０２１２】
この伝導層の上に、最終的には、希土類の減少する割合ｘのＹ１−ｘＴｒｘＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙからなる幾つかの薄いパウダー層で構成される遷移層が作られる。これは、遷移層を作るものである。
【０２１３】
そして、最終には、前述の層の上に、ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７．５材料からなる超伝導層として、残りのパウダー（全体厚さの約７０％）が導入される。モールドの直径および超伝導材料の厚さは、デバイスによって放射されるユニバーソンの押し流れ（その性能）を決定するようになる。
【０２１４】
そして、層は、モールド内で堅固に押圧される（少なくとも５０ＭＰａ圧力下）。
【０２１５】
そして、最終の焼結および酸素雰囲気下の炉内でのアニールのために、押圧されたパウダーケーキをモールドから注意深く取り出すことが必要である。
【０２１６】
別個に得られ、約１立方ミリメートルの体積を有するＳｍ１２３の結晶を用いて、押圧ケーキの超伝導材料の端部に種をまくことに関心がある（これは義務ではない）。
【０２１７】
これらは約１５ｍｍだけ間隔をあけており、最終の調理のときパウダーの結晶化の開始を促進する。これらの立方体シードが、Todt (1997)とChan-Joog-Kim (2000)によって説明された核生成および遅い成長のプロセスによって得られる。
【０２１８】
Ｓｍ１２３のシードを有し、または有しない押圧ケーキは、ＯＣＭＴＧ手順（配向した結晶構造を得るために）によって、１％酸素の雰囲気で熱処理される。この熱処理は、成長が等方性である温度で、等温融合による超伝導材料の結晶成長を起動する。この極めて繊細な手順により、極めてゆっくりとした冷却で、６５時間の代わりに約７時間で、必要な材料構造を得ることが可能になる。
【０２１９】
結晶成長は、遷移層に達するのを回避するために、注意深く監視する必要がある。これは、超伝導層と伝導層との間の化学相互作用によって、デバイスによる非等方性のユニバーソンの流れの放射特性を破壊することに敏感なためである。
【０２２０】
このリスクを回避するには、変形例として、より簡単な焼結方法が使用できる。
【０２２１】
即ち、押圧ケーキは、９５０℃と１０００℃の間で１８時間、加熱される。炉が極めて良好に温度制御されている場合は、１０００℃の温度が好ましい。１０００℃を超えると、材料を破壊するリスクがある（アルミナモールドへ結合する）。しかし、９５０℃より低いと、セラミックが悲惨なクラックを有することがある。
【０２２２】
これらの全て処理において、特に、９００℃と３００℃の間で、極めてゆっくりとした冷却が酸素の飽和雰囲気で行われる。冷却速度は、安定化する必要があり、特に、７５０℃と４００℃の間では、１００℃／時間より大きくすべきでない。この温度範囲では、よりゆっくりとした冷却が好ましい。
【０２２３】
これらの全て熱処理において、温度上昇速度は、３００℃／時間より大きくすべきでなく、１５０℃／時間の速度が好ましい。
【０２２４】
酸素フローは、不純物を持ち込むべきでない。炉を飽和酸素雰囲気に保つことは、重大である。炉が気密性であれば、数ミリリットル／分の酸素フローで充分である。
【０２２５】
酸素雰囲気でのアニール操作を何回も繰り返すことが可能である。これは、一般には、セラミックの超伝導特性を改善する。
【０２２６】
超伝導層について配向結晶化の繊細な温度操作（ＯＣＭＴＧ）を回避することが可能である。これは、プロセスによって大きな材料ブロック（１００ｍｍより大きい直径）に課せられる機械的条件により、欠陥（クラック）を生成するのが敏感である。これは、ペレットの粉砕後、セラミックの焼結用のパウダーを押圧するために、より大きな粉粒の混合物：０．４〜０．５ｍｍサイズの粉粒が約５５％、０．１ｍｍサイズの粉粒が約３０％、残りが２０ミクロン未満の粉粒、を選択することである。
【０２２７】
前述のように、混合、乾燥し、層をモールド中に置いた後、集成物を１２０ＭＰａまでより強く押圧し、押圧ケーキを９３０℃１２時間焼いて、周囲温度までの冷却は極めてゆっくりとする。
【０２２８】
この簡素化したプロセスによって得られた材料は、より低い放射性能を有するが、クラックが無い点が極めて重要である。セラミックでのクラックの存在下では、非等方性のユニバーソンの流れの放射は、一般には不可能であるためである。
【０２２９】
そして、材料は極めて硬いことから、セラミックは、ダイヤモンドツールを用いてデバイスの最終寸法に切断される。切断は、最終的に、外部超伝導面に、Ｓｍ１２３からなる約０．３ｍｍ厚さの薄い層を残すことによって開始する。
【０２３０】
製造手順は、得られた最終セラミックロッドの放射または増幅特性を測定することによって終了する。
【０２３１】
非等方性のユニバーソンの流れの放射器および増幅器デバイスの集合形態での実現化は、大きなセラミックから小さいロッドを切断し、必要に応じてこれらの特性をペアリングすることによって得られる。
【０２３２】
最終材料は、湿度に敏感であるため、極めて乾燥した環境に保管する必要がある。
【０２３３】
（材料内部でトラップされた磁界の使用）
こうした材料の超伝導性の正確な科学的理由は、未だ議論されているが、１つの層での充分な超伝導性が無いと、非等方性のユニバーソンの流れの放射は存在しないことは、実験的に明らかである。
【０２３４】
実際、この層において加速電子の極めて強い流れの循環が、材料内で強い電界を生成しないことが必要である。層におけるこの電界による陽子の加速が、ユニバーソンの再放射の非等方性をキャンセルするためである。
【０２３５】
その冷却の際に、超伝導材料の内部にトラップされた強力な永久磁界の追加は、放射されるユニバーソンの流れの強度を増加させることが可能であろう（おそらく、電子のより大きな加速が可能になるため）。この磁界は、軸が電流フロー方向である小型のソレノイドを用いて得られる。永久ネオジム磁石は他の解決法である。
【０２３６】
（本発明の超伝導デバイス変形例の電力供給）
超伝導材料（例えば、前述したＹ１２３材料）からなる３つの層からなり、非等方性のユニバーソンの流れを放射するデバイスを有するために、Ｓ１層を、強い電流について決定されるその臨界温度下に冷却する必要がある（一般に、７０〜８０ケルビン付近）。クライオスタットは、一般には、液体窒素、液体ヘリウム及び／又はこれらの蒸気を収容し、大きな電力下で適正な機能温度およびその安定化を得ている。低電力デバイスは、９３ケルビンより下で正しく動作し始めることが可能である。超伝導材料技術の確実な進化は、より高い動作温度の使用を可能にするであろう。
【０２３７】
デバイスの適正な温度が確立されると、デバイスの出力超伝導層面に対して垂直に、材料内部において電子を強く加速する必要がある。
【０２３８】
デバイス内部での電子の循環は、３つのセラミック層Ｙ１２３の端部に接合された金属電極（例えば、インジウム）を用いて、これらの接合電極間に電圧を印加することによって得られる。
【０２３９】
印加電圧がＤＣである場合、超伝導層端部が正である必要があり、デバイスは、好ましくは反復インパルスによって使用される。
【０２４０】
この場合、図２の例のように、キャパシタの繰り返し放電が、デバイスに電力供給するために一般に用いられる。この例において、デバイスは、自動推進であり、非等方性のユニバーソンの流れパルスはセラミックの正端部によって放射され、推進力が反対方向になる。
【０２４１】
しかしながら、高周波の交流電圧を用いることによって、超伝導デバイスにおいて電子を加速することも可能である。これは、ターミナル電極に接続された、極めて低い出力インピーダンスを有する高出力ＡＣ発電機を用いる。あるいは、誘導トランスを使用することが可能であり、より良い解決法であるが、必ずしも実施は簡単でない。
【０２４２】
ＡＣ電力供給のこの特別な場合、電子の加速は交流的であり、最大加速度は電子の流れの周波数の二乗に比例する。従って、デバイスによって放射される非等方性のユニバーソンの流れの強度も、電子の流れの周波数の二乗に比例する。しかしながら、流れは、超伝導層Ｓ１によって一方向にのみ増幅され、主として、ある距離での物質をこの方向にのみ加速することができる。自動推進効果も、流れ強度が非対称であることから存在する。
【０２４３】
検討した応用のタイプは、必要な推進性能に従って、デバイス内部で電子を加速するための使用にとってより適切な解決法を規定する。
【０２４４】
ＡＣ発電機によって電力供給されるデバイスは、限定された電磁界の超伝導材料への侵入深さを考慮するように考案される。これは、こうしたデバイスが、共通の３つのセラミック層から切断された、小さいロッドの集合構成を都合よく使用するからである。
【０２４５】
極めて詳細ではあるが、超伝導材料を用いたデバイスの電力供給は、電子技術者によく知られた伝統的な回路を使用する。従って、これらの電力供給については、パルス放電用の電子スイッチ（図２に示したスイッチ）などと同様に、ここでは説明していない。
【０２４６】
（高強度の流れのための集束および発散デバイスの集合体）
発明の放射／推進デバイス、または増幅デバイスとの縦続接続は、小型化、並列の組合せ、同期化、放射パワーの変調がそれぞれ可能である。これは、例えば、移動機関の背面を覆うことで、環境への影響が小さく、単位表面積当りの遠隔物質の押しが極めて小さいために生物にとってリスクにならない、大きな直径の平均の非等方性のユニバーソンの流れを用いた新しい調整可能な推進システムが得られる。
【０２４７】
超伝導材料を用いた放射／増幅デバイスの前述した変形例であって、図６、図７、図８の概略図に従って集合形態に組み立てられたものに基づいた例を説明する。この例において、超伝導材料技術の３層をそれぞれ用いた多数のデバイスによって、１平方メートルの表面が覆われている。各個別デバイスは、１平方センチメートルの出力面を有する。前記図面は、デバイスモジュール（Ｍ）と、関連したクライオスタット（ＣＲＹ）と、電力供給発電機（Ｇ）を示す。熱絶縁体は（ＩＴ）である。
【０２４８】
これらの図６、図７、図８で例として示した集合体は全て、極めてコンパクトで、容易に熱絶縁できるという利点を有する。
【０２４９】
従って、集合体の全てのデバイスの冷却は、特に、我々が示すような伝統的な状況でデバイスモジュールが高い電力レベルで電力供給されない応用において、低温液体の最小限の使用で得られる。こうした集合体の使用は、多くの動作上の応用において最良の解決法になる。
【０２５０】
半導体材料を用いた、１平方センチメートルの個々のセクションを有する放射デバイスは、これらが、流れ軸に沿って配置された物体が５×１０３ｍ／ｓ２で加速されるような強度で、非等方性のユニバーソンの流れを放射することができ、もう少し強力な条件では、実験上の加速度は４０倍大きいことを実験的に証明している。これらは、この技術により既に獲得した最低限のものである。
【０２５１】
そのため、集合体の各モジュールが作用する物質への遠隔押し力は、地球重力の０．０５％のオーダーである。こうした加速度は、人間を含む生物に何ら重大性を有しない。それは、１６００メートル上昇についての重力変化と等価であるためである。この加速度レベルは、環境にとっても重大性を有しない。４０倍大きい加速度は、通常の重力の２％に過ぎず、何らの重大性を伴わない効果である。
【０２５２】
しかしながら、集合体の平方メートル当り、このタイプのモジュールを１万個程度集合させることが可能である。従って、こうした集合体によって放射される流れは、小さな物質片に集束した場合、地球重力加速度の５倍である５０ｍ／ｓ２でそれを加速するであろう。
【０２５３】
より強力な条件で使用する集合体デバイスの場合、先の集束集合体による物質の加速度は、地球重力加速度の約２００倍になるであろう！。
【０２５４】
我々は、例えば、図７に示すタイプのパラボラ集合体を用いた、極めて小さいゾーンに集束したこうした強い流れが、極めて数多くの新しい応用を可能にするであろうことを理解する。
【０２５５】
実験結果を考慮すると、平方メートルより小さな表面を備え、集束する集合体形態のこうした発明デバイスの連携は、物理的接触無しで、異なる種類の材料物体を探査したり、操作する必要性がある分野に応用することが既に可能である。例えば、非侵襲手術、特に胎児において、歯口腔病学において、マイクロ操作または全タイプの工業的探査について、汚染状況において、生物学の分野において、ナノテクノロジー、地球物理学や考古学などでの細心の作業について応用可能である。
【０２５６】
移動機関の推進のための発明デバイスの集合体の応用では、図８に示すような発散タイプの集合体を使用することに関心がある。これは、推進流れによつて照射される物質の加速度の値を減少させるためのものである。この種類の集合体は、推進力のレベルで負の作用を有していないが、物質の加速度はその環境では極めて小さく、発散効果のため、集合体への距離が増加するにつれて減少する。
【０２５７】
約１平方センチメートルのセクションのデバイスは、短いパルスによって電力供給された場合、数万ニュートンの推進力を実験的に証明している。従って、大型の集合体の合計推進力は、膨大になるはずである。しかしながら、自然で特定のユニバーソン／物質相互作用の断面積の低い値に起因して、先に例として示したように、その環境での効果は極めて低い。
【０２５８】
実験の外挿法を用いて、地上車両推進の応用について、集合体デバイスを大きな出力レベルで使用し、充分な推進力を得ることが必要であるとは思われない。極めて大きな表面集合体を使用するも必要であるとは思われない。例えば、ロータの無い、推進力のある非等方性のユニバーソンの流れの観測可能な効果の無い、静かなヘリコプタを製作するには、約１平方メートルの集合体が理論的に充分であると思われる。
【０２５９】
これらの例は、非等方性のユニバーソンの流れを放射するデバイス集合体の可能性を明らかにしている。
【０２６０】
図９は、超伝導材料からなる３つの層を用いた、コンパクトな放射デバイスの変形例の概略図を示す。この種類のモジュールは、集合体として容易に使用可能である。この図において、キャパシタＣＯＮＤが放射デバイスＳの周りにコイル状に巻かれており、スイッチはサイリスタＴＨＹであり、モジュールに組み込まれている。銅の底板Ｓｃが、この集積デバイスに都合良く取り付けられる。
【０２６１】
他のコンパクトな変形例は、図示していないが、サイリスタの軸に沿って、その上に配置されたキャパシタを使用し、コンパクトなモジュールのセクションを最小限に低減し、集合体によって放射される合計流れを増加させている。
【０２６２】
実現化のモードの例を探査するのを続けよう。
【０２６３】
（実現化の第２モード）
発明デバイスの実現化の第２モードの典型例は、電子より大きな質量を持つ物質粒子の加速を用いて、非等方性のユニバーソンの流れを放射している。例えば、それは、陽子（イオン化した水素原子）あるいは陽子より大きい質量の正または負のイオンを加速する。
【０２６４】
この第２タイプのデバイスの機能原理は、前回のものと同じである。これは、非等方性のユニバーソンの流れは、電磁界によって強く加速された荷電粒子によって放射されることを意味する。加速粒子の電荷は、電子の１個と少なくとも等しいか、あるいはそれより大きい。部分真空での粒子のコースが超伝導セラミックの粒の内部より長いからであり、この種類のデバイス（図５に示す）は、電子を加速する超伝導材料タイプのデバイスよりずっと強力な非等方性のユニバーソンの流れを放射することができる。
【０２６５】
図５の例では、負のイオンが、気密で絶縁性の筐体の中に閉じ込められた希薄なガスの内部において周期的放電によって加速される。
【０２６６】
正イオンを加速するデバイスが、明らかに、同じ原理で構築可能である。
【０２６７】
高電圧を供給するＤＣ発生器Ｇが、容易にイオン化するガスとともに部分真空が存在する放電筐体に、周期的に電力供給している。電子の負のエミッタｅと正のコレクタｃとの間に、負のイオンの周期的な雪崩(avalanche)が存在する。
【０２６８】
種々の伝統的な手段が、エミッタｅのレベルでガスのイオン化を促進したり、正イオン加速の場合は、原子から取り出された電子を捕獲するために使用できる。例えば、呼び(priming)電極、放射性元素によって放射される粒子の流れ、電子衝撃(bombardment)などである。
【０２６９】
前のタイプの超伝導デバイスをガス筐体の内側または外側に配置し、カソードとして使用することも可能である。それは電子を加速し、強い非等方性のユニバーソンの流れを放射するからである。２つのタイプのパルス化デバイスが同期するであろう。
【０２７０】
電力供給された放電筐体は、非等方性のユニバーソンの流れの増幅器を構成し、そのパルス電力と同期した他のタイプの放射デバイスとともに使用可能である。
【０２７１】
この種の実施において、筐体の内側に位置する３層の超伝導デバイスは、電子を放射し、増幅される流れも放射する効率的なカソードを構成するであろう。そのため、それは、筐体内で負イオンの加速を使用する必要があろう。
【０２７２】
多くの場合、筐体は、内部電極を含む必要があり、より好ましくは、１つ又は幾つかの外部ソレノイド（図５のＢで示す）を含み、これは狭いビームでの加速イオンの放電を可能な限り小さく集中させ、その軌道を一つ放電から次の放電へと再現できるようにすることを想定している。このタイプのデバイスによって生成される非等方性のユニバーソンの流れは、イオンビーム理論で説明したように、イオンビームの直径を有する。
【０２７３】
前述と同じプロセスにより、高電圧による荷電粒子の加速は、集中した非等方性のユニバーソンの流れを各加速イオンの加速方向に放射する。流れは、筐体イオンコレクタの方向に放射される。前述のように、この流れは、照射された任意の物質を加速して、全体の放射デバイス自体を推進することが可能である。デバイスは、小型化でき、前述したように、移動機関の推進のために、集合体の内側に多くの複製品として使用可能である。
【０２７４】
このタイプのデバイスは、そのサイズ、パワー、パルス周波数に従って、電子の加速を用いた超伝導タイプのデバイスより大きな加速度値を用いた全てのタイプの応用に適応させることができる。イオン化させ、強い放電を生成するガスの賢明な選択により、推進流れの強度を増加させることができる。
【０２７５】
発明の実現化のこの第２モードの１つの利点は、超伝導デバイスが内部で使用していない場合、低温冷却を用いる必要がない点である。
【０２７６】
放電筐体は、例えば、アルゴン、水銀蒸気、最終的にはヘリウムなど、大きな原子質量を持ち、約１パスカルの圧力で容易にイオン化するガスを含む。圧力は、イオンビームのサイズに依存し、電源の電流の強さおよび電圧にも依存する。加速イオンの自由経路の大きさのオーダーは、エミッタをデバイスのコレクタから分離する距離と等しく、中性ガス原子とのイオンの衝突がイオンの加速を損なわないようにすべきである。
【０２７７】
放電チャンバは、正イオンの加速を用いた場合、生成されたイオンの加速が、反対方向の電子の加速と共軸(colinear)でないことを想定しており、正イオンを、何処かへ行ってしまう少なくとも１つの電子を取り出す手段にしている。
【０２７８】
これは、コレクタおよびエミッタが、正イオンおよび負イオンを加速するシステム内で同じ幾何形状を有していないからである。
【０２７９】
イオン化は、極めて集中し、極めて強い局所的な電界を生成するエミッタり幾何形状によって促進される。図５の概略図のように、例えば、鋭い金属ワイヤを用いている。筐体は、冷却したソレノイドＢによって包囲することができ、大きなＤＣ電流が、イオンビーム軸で１テスラのオーダーまたはそれ以上の強い軸方向磁界を生成する。磁界の目的は、ビームの集束を維持することであり、コレクタを常に同じ場所にする必要がある。実際には、同じ電荷を有するイオンは互いに反発しており、磁界がない場合、イオンビームは発散するであろう。イオンビームが極めて集束したままであることは、非常に重要である。
【０２８０】
イオン化チャンバのエミッタおよびコレクタは、これらの表面で極めて局所化した多くの放電を維持できる材料で製作される。各放電につき、１０〜１００マイクロ秒間で１０キロアンペアより多い電流が典型的な例である。このタイプのデバイスの動作は、極めて高電圧電源を必要とする。そのため、コレクタは、人間の保護を考慮すべき強力なＸ線ビームを放射する。
【０２８１】
こうしたタイプのデバイスは、幸運にも実験されていることに留意すべきである。それは、極めて短く、再現性よく、地球重力加速度の１万倍より大きい遠隔物質の加速を生成している。幸運な実験者は、幸運な観測された遠隔物質の加速の原因を、理解したり説明することはできなかった。充分な理論的バックグランドを欠いていたためである。しかし、これは、明らかに、科学目的で、実際の発明とは独立して、数百万ボルトで負イオンを加速するこの実験において、加速されたイオンビームによって放射された、強力な非等方性のユニバーソンの流れの物理的効果の１つであった。
【０２８２】
このとき得られたユニバーソンビームは、イオンコレクタの軸で一方向のもので、その境界は急であり、ビームは非発散のものだった。これらは、理論で予測されるように、非等方性のユニバーソンの流れの明らかな痕跡である。
【０２８３】
このタイプの放射デバイスは、適正に冷却することを条件として、パルス化した形態の代わりに、連続した形態で使用可能である。パルス化モードでの使用は、電圧および磁界が短く印加され、規則正しく繰り返されることから、熱的にはかなり容易である。
【０２８４】
出力流れのパワーを増加させるように正しく整列し同期することを条件として、発明デバイスのこうした変形例を用いて、放射器および増幅器の縦続接続を構成することが可能である。
【０２８５】
全体デバイスおよびその付属品は、放射されたＸ線、電磁放射および強い電界を吸収する厚い筐体の中に閉じ込める必要があり、これらの吸収層全てが、放射されたユニバーソンビームに対して完全に透明であるからである。
【０２８６】
（発明デバイスの他の変形例）
他のタイプの推進流れ放射器が、同じ原理に基づいて製作可能である。これらは全て、任意の適当な質量の物質の中性粒子または荷電粒子を強く加速する点を共通に備える。
【０２８７】
例えば、電磁界によって加速されたアルファ粒子を放射する放射性元素を使用できる。
【０２８８】
発明デバイスの種々のタイプまたは変形例の種々の組合せは、非等方性のユニバーソンの流れの放射機能または増幅機能の点で、本発明の全部である。
【０２８９】
連続パルスによる動作は必然ではなく、これは一例に過ぎない。代替の連続動作する類似システムもまた、本発明特許の一部である。
【０２９０】
これら全てのデバイスは、共通して、ある距離から物質を加速するのに必要な方向、あるいはデバイスの自動推進力の反対方向に、物質粒子を強く加速（または減速）する。加速された粒子へのユニバーソンの反応により、発明デバイスは、一般に、一方向だけに放射される場合、放射流れの反対方向に推進される。
【０２９１】
この共通の原理から、発明デバイスは、多くの可能性のある変形例を有する。
【０２９２】
（発明デバイスの予想される応用）
本発明は、多くの応用をもたらすであろう。それは、実際には、重力加速の物理特性を有する、照射された物質の人為的な押し加速を、ある距離で、接触なしで、有害な影響なしで生成できる種々の技術的デバイスの実現化および使用に関する。発明デバイスによって放射される非等方性のユニバーソンの流れΦの軸に沿って位置する任意の質量物質が、その流れによって加速される。この加速は、重力加速と類似している。
【０２９３】
この加速は、放射された非等方性流れの角度発散が極めて小さいため、準無限範囲を有する。
【０２９４】
さらに、加速する流れは、その伝搬軸に沿って置かれたどのような材料障害物に対して、全く感受性がない。そして、放射された非等方性のユニバーソンの流れによって照射された物体により持続される加速は、その適当な質量から独立しており、まさに、これは重力の場合と同様である。
【０２９５】
さらに、非等方性のユニバーソンの流れは、放射するデバイス自体を、放射流れの伝搬方向に反対の方向に推進する。従って、本発明の技術的および工業的応用は、多数の分野例えば、宇宙技術、内科、外科、薬学、生物学、家事、食品処理業、地球物理学、芸術などの分野を含む、推進および輸送、機械、通信、エネルギーなどに関係している。
【０２９６】
これらの応用は、非等方性のユニバーソンの流れの放射器の技術の改善や、同じ一般原理に基づく新しいタイプのデバイスの開発とともに、量的に発展するであろう。
【０２９７】
これらは、おそらく低パワー放射流で満足する応用から始まって、長期間で、極めて強力な非等方性のユニバーソンの流れを必要するものを含むようになろう。
【０２９８】
実際に、下記の幾つかの応用例を、徹底的ではないが、検討することができる。しかし、必要なパワーレベルや時系列の出現について何ら考慮していないこれらの応用例は、一般的な分野で提示したに過ぎない。
【０２９９】
（推進および輸送の分野での応用）
地上、鉄道、海上、航空（ロータなしヘリコプタを含む）、そして宇宙移動機関などの類の移動機関の推進。実際、非等方性のユニバーソンの流れを連続的またはパルスで放射する発明デバイスのバージョンでは、放射流れが、放射デバイスを流れの放射方向と反対方向に推進し、そのため該デバイスを含む移動機関も推進される。
【０３００】
発明デバイスは、調整可能な「人工重力」を生成することができ、例えば、宇宙移動機関内部で無重力条件において乗組員にとって必要であると考えられ、対応する生理学的結果を回避している。
【０３０１】
これらのデバイスによって推進される移動機関の極めて革新的な特徴の１つは、乗組員への不快感なして、相当な推進加速度の使用が可能であることである。実際、デバイスは、ある距離で物質を推進して加速することが可能である。この遠隔加速は、全ての物質素粒子、移動機関、そして乗組員のレベルで作用する。この場合、推進システムの適応した構成を用いて、慣性の影響、および人体にとって許容される移動機関の加速限界は存在し得ない。
【０３０２】
これは、この技術が成熟した場合、こうした移動機関が、急なストップ、鋭いターン、眩惑的なスタートなど、伝統的な推進手段では実現できない軌道を採用することが可能になることを意味する。
【０３０３】
移動機関の高い加速度に関する将来の長期的な実績は、星間探査ミッションを意味する相対論速度ミッションなど、新しい宇宙の展望を切り開くことが可能になるであろう。
【０３０４】
宇宙発射のコストは、地球圏外材料の輸送を活用できるまでかなり減少するであろう。これは、限界ある地球の天然資源（例えば、化石資源）の問題を解決することに寄与するであろう。太陽系惑星は、実際、種々の資源が豊富である。
【０３０５】
このタイプの推進力を用いた移動機関は、ヘリコプタ、航空機、宇宙移動機関、ボート、必要ならば、潜水艦など、多くのタイプの移動機関の能力を同時に有することができるであろう。この種類の推進は、全ての条件で動作可能である。
【０３０６】
発明デバイスを用いて、マイクロ重力の局所的状態を地上や地球上に生成することが可能になり、対応する応用が地球上で実現でき、これらの応用のために宇宙へ行く必要がない。
【０３０７】
（機械分野での応用）
発明デバイスは、クレーンやヘリコプタを用いたときのように、接触なしでケーブルなしで、任意の質量を持ち上げることを可能にする。
【０３０８】
発明デバイスは、何れの性質の車両のように、車載の推進システムなしで、可動物を、そこから極めて遠い距離で押すことが可能である。発明デバイスによって放射される推進流れは、実際、地球を含む何れのタイプの障害物に対して感受性がないが、強度および発散が調整可能である。
【０３０９】
発明デバイスは、既に説明した全ての応用について、軸を回転させる（回転モータを得る）ことが可能であり、回転システムが必要になるが、発明デバイスは、環境への汚染物放出から免がれる。
【０３１０】
発明デバイスは、全ての形態、例えば、深い井戸を掘るためや大きな質量の造園機械を移動させるためのジャッキと置換したり、極めて難しい湿地上で車輪や無限軌道の付着を要求する必要なしで、農業機械と置換したりするために、機械エネルギーを生成することが可能である。
【０３１１】
発明デバイスは、エレクトロニクス、生物学、薬学、ナノテクノロジの技術において、非接触のマイクロ操作を可能にする。非接触の混合器、プレス、攪拌器の製造は、多くの産業にとって重要な応用の例である。これらは、極めて高いパワーの放射流れを必要とせず、おそらく速やかに開発されるであろう。
【０３１２】
（通信分野での応用）
発明デバイスを用いて、放射流れ経路に沿った障害物が何であろと、極めて遠距離で情報を伝達することが可能である。通信方向は、極めて正確であり、放射流れから外れて受信できない。
【０３１３】
この種類の通信は極めて革新的である。
【０３１４】
（エネルギー分野での応用）
発明デバイスは、伝統的な発電機を回転させることが可能である。
【０３１５】
発明デバイスはまた、導体内部または超伝導体内部で荷電粒子を押すことによって、電気エネルギーを直接発生することができる。このことは、本発明の特別に有望な応用を構成する。発明デバイスは、完全に反転可能である。これは、このデバイスの１つに作用する非等方性のユニバーソンの流れが、流れによって誘導される加速により、デバイス内部における電子の変位に起因した直接エネルギー変換によって、強い電流を生成することを意味する。超伝導体内部では、エネルギーは、損失無しで発生するであろう。
【０３１６】
従って、理論的には、これらの発明デバイスから電気エネルギーを発生することは可能であると考えられ、非等方性のユニバーソンの流れから由来する主要エネルギーは、重力の原因となる。
【０３１７】
電気エネルギーの発生は、例えば、図１０の図面によって図式化されたデバイスによって得られる。入力される非等方性のユニバーソンの流れΦが、材料内部に存在する自由電子の加速度を生成する超伝導材料Ｓを通って送られる。ユーザ電荷Ｕは、デバイスの電極ｅ−とｅ＋に接続される。このタイプの発電機は、図４で図示した増幅現象の対称な性質を用いている。
【０３１８】
しかしながら、図１０の発電機では、入力される非等方性のユニバーソンの流れおよび出力される流れは、同じ強度を有する。これにより、同じ流れを用いて、他の同じタイプの発電機を縦続接続で追加することが可能になり、必要に応じて、発生する電力を増加させるができる。これは、入力流れが何れの材料障害物によって吸収されないためである。
【０３１９】
このシステムの主要なエネルギー源は、自然の非等方性のユニバーソンの流れであり、これは、発明デバイスの内部において加速された電子に作用し、これら自体の慣性質量を表すものである。こうしたシステムの機能は、タービン発電機に作用する滝との類似性によって理解でき、ここで、主要エネルギーは、重力による水分子の一定の加速度である。そして、重力は、一定の非等方性のユニバーソンの流れである。
【０３２０】
超伝導デバイスの内部では、電子は滝の水分子の役割を果たし、これらの運動は電流である。不可欠であるクライオスタットは、図１０には示していない。
【０３２１】
地政学の観点では、この無尽蔵で汚染無しのエネルギーは、第三世界の国々の共同開発を可能にすることよって、世界の調和にとって好都合であるであろう。それは、地球人々のエネルギー上および経済上の均衡を再確立するのにも寄与するであろう。これは、廃棄物なしの、気象および生態系への影響を乱用することのないエネルギー源であるからである。それは、どこででも利用可能であろう。
【０３２２】
（環境の保存）
非等方性のユニバーソンの流れの活動は、発明デバイスからある距離では、静かで非汚染のものである。これにより、地球環境を保存し、化石資源の騒々しい汚染性の燃焼によって生ずるその劣化を相当に低減することが可能になり、化学産業において、これらのより賢明な使用および困難な代用を留保することが可能になるであろう。しかしながら、環境保護が進展するのは、本発明の全て産業応用によるものであろう。
【０３２３】
（健康分野での応用）
本発明は、内科、外科、生理学、生物学の分野において多くの応用をもたらすであろう。
【０３２４】
これらの応用は、おそらく産業化される最初のものであろう。それは、大きく永久の加速度を必要しないため、これらの実行可能性のためであり、極めて繊細な分野における実施でのこれらのインパクトのためである。
【０３２５】
発明デバイスの適切な使用、特に、図７に示したような集束する集合体のバージョンにおいて、種々の組織で障害物を通じて、非攻撃的な動作で、乱用や有害な影響なしで、ある距離での正確な動作を可能にする。
【０３２６】
従って、本発明は、新しい非侵襲の身体内治療および調査を可能にする。
【０３２７】
例えば、開腹なしで非接触のマイクロ手術を可能にするであろう。
【０３２８】
他の例として、心臓動脈や大脳動脈などの臓器または導管のダクトを解放することを可能にする。同様に、泌尿器、胆臓、気管支など、非導管系の臓器ダクトを解放することを可能にする。
【０３２９】
それはまた、ある距離から非接触で乱用の影響なしで、腫瘍、血栓、結石など破壊することに寄与するであろう。
【０３３０】
健康の分野において、発明デバイスの他の可能性ある応用は、ある距離から非接触で、身体内デバイスや、エンドプロテーゼ(endo-protheses)などの治療性質のもの、内部空洞の探査および調査のためのデバイスの導入および案内を可能にするであろう。また、発明デバイスの可能性ある使用は、ある距離から非接触で心臓ポンプや他の種類の機器を活性化するものである。
【０３３１】
本発明の応用は、健康の分野で、内科および外科の専門家の準完全性に関する。これらの応用は、出産前と胎児期を含む全年齢の患者にとって応用可能である。これらは、治療分野、そして調査分野において開発可能である。
【０３３２】
（他の全体として革新的な応用）
本発明は、人為的な非等方性のユニバーソンの流れの特定の物理的効果と関連し、実験的に証明された、新しい認識した応用も可能にする。例えば、ある距離から非接触での、電解質などの膜の電気的性質の修正である。これらの効果により、発明デバイスは、生理学的効果、物理化学的効果、薬理学的性質に介入することが可能になる。例えば、何れの化学薬品の使用なしで、麻酔を誘発させる。あるいは、他の例では、ある距離から電池の電圧を変更する。こうした効果は、幸運にも観測され、実験的に証明されている。
【０３３３】
本発明は、ある実現化モードおよびある特定の応用を参照しながら説明したが、使用者は、添付請求項によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、任意の修正または有用な適合を導入できると理解されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０３３４】
【図１】原子における一定の外部電界Ｅによる電子の加速を示す。
【図２】電気パルスによってパワー供給される、超伝導材料からなる幾つかの層を用いたデバイスの一例を示す（クライオスタットは表示していない）。
【図３】交流によってパワー供給される、超伝導層を用いたデバイスの変形例を示す（クライオスタットは表示していない）。
【図４】電気パルスによってパワー供給され、増幅器だけのバージョンで超伝導材料からなる幾つかの層を用いたデバイスの変形例を示す（クライオスタットは表示していない）。
【図５】連続的または連続的な電気パルスによりパワー供給され、気密性で絶縁性の筐体に収容された低圧ガス中のイオンの加速を用いた放射増幅デバイスの一例を示す（この例では負のイオンが加速される）。
【図６】より広い推進流を得るように配置された、放射／推進デバイスの平坦なモザイク構造の一例を示す。
【図７】放射された推進流の集束効果を得るように配置された、放射／推進デバイスの湾曲凹型のモザイク構造の一例を示す。
【図８】放射された推進流の発散効果を得るように配置された、放射／推進デバイスの湾曲凸型のモザイク構造の一例を示す。
【図９】３つの超伝導体層を備えたコンパクトなデバイスモジュールの一例を示す。
【図１０】発電モジュールとしての応用の概略図の一例を示す（クライオスタットは表示していない）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の加速を用いた推進デバイスであって、
主として一方向だけに物質粒子を加速するための手段を含み、
前記手段は、エネルギー源と、加速される物質粒子を収容する筐体とを含み、
前記筐体は、前記エネルギー源からパワー供給され、
前記加速される物質粒子は、前記デバイスの内部に閉じ込められたままであることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記物質粒子は、特に、電子、陽子、中性子、及び／又はイオンである請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記筐体は、少なくとも超伝導体を含む請求項１または２記載のデバイス。
【請求項４】
前記手段は、少なくとも１つの超伝導体をその臨界温度より低い温度に冷却するための冷却クライオスタットをさらに含む請求項３記載のデバイス。
【請求項５】
前記筐体は、僅かに異なる化学組成および臨界温度を有する複数の層からなる超伝導材料を含み、動作温度において、１つ又は複数の部分超伝導状態の遷移ゾーン、１つ又は複数の超伝導ゾーンおよび１つ又は複数の伝導ゾーンを得るようにした請求項３または４記載のデバイス。
【請求項６】
前記筐体は、遷移ゾーン（Ｚｔ）によって分離された、超伝導体材料からなる第１層および第２層（Ｓ１，Ｓ２）を含み、第２層（Ｓ２）の臨界温度は第１層（Ｓ１）の臨界温度より低く、遷移ゾーン（Ｚｔ）の臨界温度は超伝導材料からなる第１層（Ｓ１）の臨界温度と第２層（Ｓ２）の臨界温度との間にあり、その結果、動作温度において、第１層（Ｓ１）は超伝導状態になり、第２層（Ｓ２）は超伝導状態でなく、遷移ゾーン（Ｚｔ）は部分超伝導状態になるようにした請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
前記筐体は、伝導性でなく、気密性であって、容易にイオン化可能なガスを収容する請求項１または２記載のデバイス。
【請求項８】
前記筐体は、電圧発生器によってパワー供給されてイオン放電を供給し、イオンは、適切な電磁界によって前記筐体の内部で加速されるようにした請求項７記載のデバイス。
【請求項９】
前記エネルギー源は、連続的あるいはパルス状である請求項１〜８のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
該デバイスからある距離で、接触なしで何れかの物質の押し加速度を生成するようにし、
前記加速度は、重力加速度の性質を有し、前記デバイス内部に閉じ込められた物質粒子の加速を用いて人為的に得られるものであるデバイスの使用。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
前記デバイス自体の自動推進加速度を生成するようにし、
前記加速度は、前記デバイス内部に閉じ込められた物質粒子の加速を用いて人為的に得られるものであるデバイスの使用。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載のデバイスの使用であって、
推進流から、デバイスからある距離で電気エネルギーを発生するするようにしたデバイスの使用。
【国際調査報告】
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