(57)【要約】  本発明は基板を洗浄するための方法、装置及びシステムを提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出し、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。多数のその他の態様が開示される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置と、
制御装置に連結されたノズルとを含み、
制御装置はノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されており、
制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出すように適合されている基板を洗浄するための装置。
【請求項２】
制御装置は、ノズルへの流量を調節するように適合されている請求項１記載の装置。  
【請求項３】
制御装置は、基板からのノズルの高さを調節するように適合されている請求項１記載の装置。  
【請求項４】
制御装置は、ノズルへの流量と基板からのノズルの高さを調節して、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている請求項１記載の装置。  
【請求項５】
ノズルは、平坦な流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１記載の装置。  
【請求項６】
ノズルは、円形の流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１記載の装置。  
【請求項７】
ノズルは、楕円形の流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１記載の装置。
【請求項８】
制御装置に連結された第１流体供給源と、制御装置に連結された第２流体供給源を更に含む請求項１記載の装置。
【請求項９】
第１流体供給源が液体を供給し、第２流体供給源が気体を供給する請求項８記載の装置。
【請求項１０】
ノズルが、ノズル外部で液体と気体とを混合するように適合されている請求項９記載の装置。  
【請求項１１】
ノズルが、ノズル内部で液体と気体とを混合するように適合されている請求項９記載の装置。
【請求項１２】
洗浄中に、流体を直接的に基板に供給するように適合された第３の流体供給源を更に含む請求項９記載の装置。
【請求項１３】
ノズルを基板上で動かして掃引運動させるように適合されたアクチュエータを更に含む請求項１記載の装置。  
【請求項１４】
基板を支持し及び回転させるように適合された支持プレートを更に含む請求項１記載の装置。
【請求項１５】
第１流体供給源と、
第２流体供給源と、
第１流体供給源に連結された第１流量制御装置と、
第２流体供給源に連結された第２流量制御装置と、
第１及び第２流量制御装置に連結された主制御装置と、
第１及び第２流量制御装置に連結され、第１及び第２流体を受け取り、第１及び第２流体の混合物を分注するように適合されたノズルと、
ノズルと主制御装置に連結されたアクチュエータと、
ノズル下で基板を回転するように配置された基板支持体とを含み、
主制御装置は、第１及び第２流量制御装置を調節してノズルを通過する流体の流量を制御するように適合されており、
主制御装置は、アクチュエータを調節してノズルと基板支持体上の基板との間の距離を制御するように適合されている基板を洗浄するためのシステム。
【請求項１６】
第１流体供給源が液体を供給し、第２流体供給源が気体を供給する請求項１５記載のシステム。
【請求項１７】
ノズルが、ノズル外部で液体と気体とを混合するように適合されている請求項１６記載の装置。  
【請求項１８】
ノズルが、ノズル内部で液体と気体とを混合するように適合されている請求項１６記載の装置。
【請求項１９】
洗浄中に、流体を直接的に基板に供給するように適合された第３の流体供給源を更に含む請求項１６記載の装置。
【請求項２０】
ノズルは、平坦な流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１５記載のシステム。  
【請求項２１】
ノズルは、円形の流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１５記載のシステム。
【請求項２２】
ノズルは、楕円形の流体噴射流パターンを作り出すように適合されている請求項１５記載のシステム。
【請求項２３】
ノズルの操作パラメータを調節して均一な流体噴射流パターンを作り出し、
この均一な流体噴射流パターンを用いて基板を洗浄することを含む、基板の洗浄方法。
【請求項２４】
ノズルの操作パラメータ調節が、ノズルへの流量を調節することを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
ノズルの操作パラメータ調節が、基板からのノズルの高さを調節することを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
ノズルの操作パラメータ調節が、ノズルへの流量と基板からのノズルの高さを調節することで、所定の割合の液滴が所定のサイズ範囲内におさめることを含む請求項２３記載の方法。
【請求項２７】
第１流体と第２流体をノズルに供給することを更に含み、第１流体が液体であり第２流体が気体である請求項２３記載の方法。
【請求項２８】
ノズル外部で液体と気体とを混合することを更に含む請求項２７記載の方法。  
【請求項２９】
第三の流体を直接的に基板に適用することを更に含む請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
ノズルによって流体が分注される際に、ノズルを基板上で掃引することを更に含む請求項２３記載の方法。
【請求項３１】
ノズルによって流体が分注される際に、基板をノズル下で回転させることを更に含む請求項２３記載の方法。
【請求項３２】
ノズルへの流量と基板からのノズルの高さを調節して均一な流体噴射流パターンを形成することを含み、流体噴射流パターン中の所定の割合の液滴が所定のサイズ範囲内にあり、
この均一な流体噴射流パターンを基板上で掃引して基板を洗浄し、
基板を回転させることを含む基板の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【優先権の主張】
【０００１】
本出願は、２００６年３月２４日に「基板を洗浄するための方法及び装置」の名称で出願された米国特許仮出願第６０／７８５９２１号（整理番号第１０８４１／Ｌ）に基づく優先権を主張する。この出願は引用により本明細書に全体的に一体化される。
【発明の分野】
【０００２】
本発明は半導体基板を洗浄するための方法及び装置に係り、特に、基板洗浄で使用するジェット噴射流に関する。
【背景】
【０００３】
半導体デバイスの製造過程において、基板の洗浄は重要な工程である。基板が正しく洗浄されないと、基板上に形成された１つ以上のデバイスが損傷される場合がある。この結果、不適切な洗浄により、半導体デバイスの生産量に悪影響がでることがある。このため、半導体デバイス製造中に基板を信頼性高くかつ効率的に洗浄するための改善された方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００４】
一部の態様において、本発明は基板を洗浄するための方法を提供し、本方法はノズルの操作パラメータを調節して均一な流体噴射流パターンを作り出し、この均一な流体噴射流パターンを用いて基板を洗浄することを含む。
【０００５】
その他態様において、本発明は基板の洗浄方法を提供し、本方法は第１流体と第２流体とをノズルに供給し、第１流体と第２流体のノズルへの流量を調節し、基板からのノズルの高さを調節することを含み、流量とノズル高さを調節することで、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内で有する均一な流体噴射流パターンが得られ、本方法は更に基板上でこの均一な流体噴射流パターンを掃引して基板を洗浄し、基板を回転させることを含む。
【０００６】
更に、別の態様において、本発明は基板の洗浄装置を提供し、本装置は制御装置と、制御装置に連結されたノズルとを含む。制御装置は、ノズルを方向付けして均一な流体噴射流パターンを基板上に分注するように適合されている。制御装置は、ノズルの少なくとも１つの操作パラメータを調節することで、この均一な流体噴射流パターンを作り出すように適合されている。
【０００７】
更に、別のその他の態様において、本発明は基板の洗浄システムを提供し、本システムは第１流体供給源と、第２流体供給源と、第１流体供給源に連結された第１流量制御装置と、第２流体供給源に連結された第２流量制御装置と、第１及び第２流量制御装置に連結された主制御装置と、第１及び第２流量制御装置に連結され、第１及び第２流体を受け取り、第１及び第２流体の混合物を分注するように適合されたノズルと、ノズルと主制御装置に連結されたアクチュエータと、ノズル下で基板を回転するように配置された基板支持体とを含む。主制御装置は、第１及び第２流量制御装置を調節してノズルを通過する流体の流量を制御するように適合されている。主制御装置は、アクチュエータを調節してノズルと基板支持体上の基板との間の距離を制御するように適合されている。また、主制御装置は、第１及び第２流量制御装置とアクチュエータとを調節して、所定の割合の液滴を所定のサイズ範囲内におさめるように適合されている。
【０００８】
本発明のその他の構成及び態様は、以下の詳細な説明、特許請求の範囲及び添付図面から十分に明らかとなる。
【詳細な説明】
【０００９】
本発明により、半導体デバイス製造中に基板を洗浄するための改善された方法及び装置を提供する。例えば、本方法及び装置は、洗浄中に基板表面に均一性の高いジェット噴射流を供給する。以下にて説明するように、このような均一性の高いジェット噴射流により、基板表面から粒子がより効率的に除去され、基板洗浄が改善される。
【００１０】
少なくとも１つの実施形態において、均一性の高いジェット噴射流の所定の割合の液滴は、所定のサイズ範囲内にある。更に、均一性の高いジェット噴射流の所定の割合の液滴は、ジェット噴射流の平均速度の所定公差内にある。例えば、ジェット噴射流中の約９７％の液滴の直径が約１から約２５ミクロン、より好ましくは約１０から約２２ミクロンであり、約９５％の液滴が液滴の平均速度の＋／−約５％以内にある。例としての平均速度は約３０から約１００メートル／秒、より好ましくは約７０メートル／秒である。
【００１１】
均一性の高いジェット噴射流を達成するために、１つ以上の噴射流ノズルパラメータを調節してもよい。例えば、噴射流ノズルへの流体流量及び／又は噴射流ノズルと基板との間の距離を調節して、均一性の高いジェット噴射流を作り出すことができる。このような均一性の高いジェット噴射流により、洗浄中に基板から粒子（例えば、汚染物質）を除去する効率が改善される。これに加え又はそれに代わり、均一性の高いジェット噴射流により、基板及び／又はその上に形成されたデバイスへの損傷が、基板のより効率的な洗浄により軽減される及び／又はなくなる。
【００１２】
図１は本発明の実施形態による、基板を洗浄するためのシステム１０１を図示している。基板は、例えば、半導体ウェハ、フラットパネルディスプレイ用のガラス板等である。
【００１３】
図１を参照するが、システム１は制御装置１０３を含み、制御装置はノズル１０５に連結され、ノズル１０５を用いて噴射流パターンを基板１１９の表面に噴射するように適合されている。噴射流パターンは分岐噴射流角度θで噴射流され、一部の実施形態において、（より大きい又はより小さい噴射流角度θを使用することもできるが）噴射流角度θは約５０°、約６０°又は約９０°である。
【００１４】
少なくとも１つの実施形態において、ノズル１０５は空気ミスト噴射流ノズル、例えばイリノイ州ウィートンのスプレーイングシステム社（Ｓｐｒａｙｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  Ｃｏ．）製のエクスターナルミックス（Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｍｉｘ）を装備したモデル１／８ＪＪ高容量噴射流設備又はインターナルミックス（Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｍｉｘ）を装備したクイックミスト圧力噴射流設備である。上記の噴射流ノズルの双方により、平坦な断面の噴射流パターンを有する分岐ジェット噴射流が得られる。その他のタイプのノズルを使用してもよい。このような実施形態において、加速管は不要であることに留意する必要がある。
【００１５】
図１を参照すると、制御装置１０３はノズル１０５の第１流入口１０７に連結されている。更に、制御装置１０３はノズル１０５の第２流入口１０９に連結されている。制御装置１０３は、１つ以上の流体（例えば、気体又は液体）をノズル１０５へと所定の流量で供給するように適合されているため、ノズル１０５から所望の均一な噴射流パターン１１１が基板表面１１７へと噴射される。例えば、制御装置１０３により、脱イオン化水（ＤＩＷ）等の第１流体が第１流入口１０７へと所定の流量で送られ、Ｎ２等の第２の流体が第２流入口１０９へと所定の流量（又は圧力）で供給される。
【００１６】
一部の実施形態においては、制御装置１０３は、ノズル１０５の第１流入口１０７へと流れる流体の流れを制御するための第１流量制御装置１１３と、ノズル１０５の第２流入口へと流れる流体の流れを制御するための第２流量制御装置１１５とを含む及び／又は別の方法で制御している。例えば、第１及び第２流量制御装置１１３、１１５は弁、質量流量制御装置（マスフローコントローラ）等である。
【００１７】
上述したように、ノズル１０５は内部混合を採用してもよく、ノズル１０５の第１及び第２流入口１０７と１０９へと流れ込む流体はノズル１０５内で混合されて、ミスト化された噴射流となる。或いは、ノズル１０５は外部混合を採用してもよく、ノズル１０５の第１流入口１０７へと流れ込む流体は、ノズル１０５の第２流入口１０９へと流れ込む流体と、これらの流体がノズル１０５を通過してから混合されてミスト化された噴射流となる（例えば、流入してきた流体は、ノズル１０５を通過した後に合流して混合される）。例えば、外部混合又は内部混合を採用した慣用の分岐空気ミスト化ノズルを使用する（ノズルの磨耗が回避されることから、外部混合式ノズルではノズル寿命が延び、従って本発明の一部の実施形態において好ましい）。
【００１８】
１つ以上の流体をノズル１０５に供給することに加えて、又はその代案として、制御装置１０３は、洗浄対象である基板１１９の表面１１７からのノズル距離（ｄ）を調節するように適合されているため、ノズル１０５により所望の均一な噴射流パターン１１１が得られる。更に、制御装置１０３は、洗浄中、ノズル１０５を基板１１９の表面１１７全体に亘って（例えば、１つ以上のモータ、親ネジ等（図示せず）により）移動させる又は掃引するように適合されている。これに加えて又はその代案として、基板１１９をノズル１０５に相対して動かしてもよい。このようにして、流体噴射流パターン１１１をノズル１０５から基板１１９の表面１１７の所望の部位（例えば、表面１１７全体）へと分注する。
【００１９】
図１に図示の実施形態においては、１つの制御装置１０３を用いて１つ以上の流体をノズル１０５に供給し、ノズル距離ｄを調節し、ノズル１０５を基板１１９の表面１１７全体に亘って動かしている。一部の実施形態においては、異なる制御装置を用いてノズル距離ｄを調節し及び／又は、洗浄中、基板１１９の表面１１７全体に亘ってノズル１０５を移動させる。
【００２０】
加えて、システム１０１は、洗浄中に基板１１９の表面１１７に流体を供給するように適合された追加の流体供給源１２１を含む。例えば、追加の流体供給源１２１は、洗浄中、第２の脱イオン化すすぎ液又は化学物質媒体として機能し得る脱イオン化水又は化学薬品溶液を表面１１７へと供給するように適合されている。
【００２１】
システム１０１は、基板１１９を支持するように適合された支持体１２３を含む。加えて、システム１０１は昇降ピン１２５を含む及び／又は昇降ピンに連結されており、昇降ピンは、洗浄中に基板１１９を回転させるだけでなく、基板１１９を支持体１２３から上下させるように適合されている。少なくとも１つの実施形態において、４つの昇降ピンを使用してもよい。より少ない又は多い数の昇降ピンを使用してもよい。
【００２２】
一部の実施形態においては、プレート（例えば、支持体１２３）を基板１１９の裏面（例えば、下面）に向かって移動させる際に、固定された支持ピンを用いることで、プレート１２３と基板１１９との間に小さな間隙を形成する。この間隙に脱イオン化水及び／又は１つ以上の化学薬品を充填して、基板１１９の裏面を洗浄してもよい。少なくとも１つの実施形態において、プレート１２３はメガソニック振動子を含み、このメガソニック振動子は間隙内の流体にメガソニックエネルギーを送って基板の裏面を洗浄する及び／又は基板１１９にメガソニクパワーを結合する。
【００２３】
制御装置１０３を用いて流体流れを調節し（例えば、最適化し）、ノズル１０５によって作り出される噴射流パターン１１１を微調整し、均一性の高い噴射流（例えば、ジェット噴射流）を形成する及び／又は噴射流の移動距離を決定すするところの基板・ノズル間の間隔ｄを調節して（例えば、距離を短縮して）、均一性の高い噴射流を形成する。上述したように流量及び／又は基板・ノズル間隔を調節することで、ノズル１０５によって得られる噴射流パターン１１１がより均一な液滴サイズを含む及び／又はより均一な速度分布を有することになる。更に、基板表面１１７に噴射される噴射流の速度を上昇させてもよい。このようにして、本発明の方法及び装置により、慣用の洗浄システムと比較すると、均一性のより高いジェット噴射流が基板に噴射される。例えば、より均一なジェット噴射流はより小さく速い液を含み、これにより、洗浄中に、脆い特徴部（例えば、基板１１９上に形成されたトランジスタ）に損傷を与えることなく粒子除去効率（ＰＲＥ）が上昇する。この結果、本方法及び装置は、湿式洗浄処理において、半導体デバイス製造中に損傷を与えることなく、市販の分岐噴射流ノズルを用いかつ微調節して、粒子（例えば、汚染物質）を基板表面１１７から積極的に除去することができる。
【００２４】
更なる実施例として、制御装置１０３を用いて、外部混合ノズルの場合は、ノズル１０５にＮ２ガスを流量約２０から約１８０立方フィート／時間（ＳＣＦＨ）、好ましくは約１６０ＳＣＦＨ、圧力約７０ｐｓｉで、内部混合ノズルについては流量約５６ＳＣＦＨ、圧力約５０ｐｓｉで供給する。また、制御装置１０３は、ノズル１０５に水を流量約１００から約２００ｍｌ／分、圧力約２５から約３０ｐｓｉで送り、ノズル１０５から均一の高い流体ジェット噴射流を作り出してもよい。
【００２５】
それに加え又は代案として、制御装置１０３を用いて、ノズル１０５と基板表面１１７との間の高さ（ｄ）を約４インチ以下（例えば、約１００ｍｍ以下）、外部混合ノズルの場合は好ましくは約２５ｍｍ、内部混合ノズルの場合は好ましくは約１６ｍｍに調節し、均一の高い流体ジェット噴射流１１１を作り出してもよい（例えば、慣用のシステムで作り出された噴射流と比較すると、より均一な液滴サイズと速度分布を備えた高速ジェット噴射流）。対照として、対象としている用途におけるこのようなノズルの公称の間隔は、６インチを超える
【００２６】
ある例示的な実施形態においては、ジェット噴射流中の約９７％の液滴の直径は約１から約２５ミクロン、より好ましくは直径約１０から約２２ミクロンであり、液滴の約９５％が液滴の平均速度の＋／−５％前後内におさまっている（例えば、約３０から約１００メートル／秒、より好ましくは約７０メートル／秒）。但し、上記記載のパーセント割合、サイズ範囲、平均速度範囲及び公差は例であって、より大きい又は小さいパーセント割合、サイズ範囲、平均速度範囲及び／又は公差を用いてもよい。このような噴射流の小さく速い液滴により、洗浄中、脆いデバイス特徴部を損傷することなく、粒子除去効率を上げることができる。
【００２７】
一部の実施形態においては、上述したような基板洗浄中に、基板１１９を適当な速度、（より速い又は遅い回転速度も使用し得るが）例えば約７５０ｒｐｍで回転させる。これに加え又は代案として、基板洗浄中、脱イオン化水及び／又は化学薬品溶液である第２の流体すすぎ液流（例えば、約８００から約２０００ｍｌ／分の範囲内）を基板１１９上に注ぐ（例えば、追加の流体供給源１２１から）。例えば、第２のすすぎ液は基板１１９の中心点つまり軸ｘから約２０ｍｍはずれた位置に分注される（又はその他の適した位置）。更に、制御装置１０３により、ノズル１０５によって得られる均一の高い噴射流パターン１１１は前後に掃引される（例えば、基板端部から基板中心部へと。又はその反対）。例えば、ノズル１０５は、具体的に設計された掃引プロファイルでもって、１分間あたり２回前後の掃引速度で掃引され、基板表面１１７（例えば、基板１１９の全表面領域）は噴射流１１１に均一に曝露される。その他のＤＩＷ又は化学的すすぎ液流量及び／又はノズル掃引速度を使用してもよい。
【００２８】
本発明の方法及び装置を使用することにより、流体流量及び／又は基板・ノズル間隔を調節して、慣用のシステムによって得られる噴射流パターンと比較するとより小さな噴射流パターン（例えば、基板との接触点において約５ｍｍ未満）とより速い液滴を含む、均一性の高いジェット噴射流が作り出される。均一性の高いジェット噴射流パターン１１１により、基板１１９上の脆い特徴部に損傷を与えることなく、高い効率で粒子（例えば、汚染物質）を除去することができる。用いる流体流量及び／又はノズル・基板間距離ｄを介してシステム１０１を湿式洗浄用途に応じて微調整することで、より高い割合又は低い割合の粒子を除去することができる。均一性の高いジェット噴射流パターン１１１は、ノズル・基板間隔ｄに基づいた、狭い運動エネルギー分布（例えば、約０．１エネルギー／液滴から約１．６エネルギー／液滴）と調節可能なピークエネルギー（例えば、約０．８エネルギー／液滴）を有している。その他のエネルギー分布及び／又はピークエネルギーを用いてもよい。
【００２９】
図２Ａ−Ｃは、基板洗浄中に、本発明の実施形態による図１のシステムによって採用し得る噴射流パターン例を図示したものである。図２Ａ−Ｃを参照すると、ノズル１０５によって得られた均一性の高い噴射流パターン１１１は、図２Ａの参照番号２０３によって示されるように平坦（例えば、矩形又はその他の形状）、図２Ｂの参照番号２０５によって示されるように円形、又は図２Ｃの参照番号２０７によって示されるように楕円形である。しかしながら、別の形状の噴射流パターンを形成してもよい。
【００３０】
図３は、本発明の実施形態による図１のシステム１０１によって得られる噴射流パターン３０１の方向例を図示している。図３を参照するが、基板洗浄中、ノズル噴射流パターン３０１は、噴射流パターン３０１の掃引長さｌが基板１１９のＹ軸と一致して、これに沿って噴射流パターンが掃引されるように方向付けされている。一部の実施形態においては、掃引長さｌは約３０ｍｍであるが、その他の掃引長さを用いてもよい。例えば、実施形態によっては、掃引長さｌはノズル・基板間距離により調節可能である。Ｙ軸は洗浄対象である基板１１９の半径方向に沿っている。その他の方向及び掃引方向を用いてもよい。
【００３１】
上記の記載は、本発明の例示的な実施形態のみを開示している。本発明の範囲内に含まれる、上記で開示の装置及び方法に改変を加えたものは、当業者によって容易に理解することができる。例えば、純粋な脱イオン化水、ＣＯ２溶解脱イオン化水、Ｏ３溶解脱イオン化水、超希釈（例えば、１ｐｐｍ）ＮＨ３脱イオン化水及び／又はその他の薬剤含有脱イオン化水、又は別の洗浄剤の液体流をノズル１０５を介して基板に供給してもよい。
【００３２】
ある例示的な実施形態においては、約９５ｍｍのノズル・基板間距離の場合、ノズル１０５からの噴射流によるすすぎを伴わないと、追加の流体供給源１２１（図１）からの脱イオン化水流だけ又は追加の流体供給源１２１からの化学洗浄溶液流では、５０％を超える粒子除去効率は達成できない。しかしながら、ノズル１０５からの噴射流によるすすぎを追加の流体供給源１２１からの化学溶液流と組み合わせると、粒子除去効率を約９５％に押し上げることが可能である。
【００３３】
一部の実施形態において、追加の流体供給源１２１だけからの脱イオン化水噴射流でのすすぎによる粒子除去効率は、ノズル・基板間距離を上げると、指数関数的に低下する。同じ噴射流をノズル１０５から流すと、距離を損傷が起こる範囲から損傷が起こらない範囲にあわせることが可能である。
【００３４】
図１に図示されるような噴射すすぎ流での洗浄中、基板回転速度を調節して、基板表面最上部の液状媒体の膜の厚さを制御することが可能である。媒体膜が厚いと、基板表面上の破損し易い特徴部の追加のクッション保護材として働く及び／又は基板表面から粒子がより良好に追い出される。媒体膜が薄いと、ノズル１０５からの高速の水滴によって基板表面はより高いエネルギー衝突に曝され、粒子除去小効率が上昇する。
【００３５】
従って、本発明をその例示的な実施形態に関連させて開示してきたが、特許請求の範囲に定められるように、その他の実施形態も本発明の精神と範囲内に含まれ得ると理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態による基板を洗浄するためのシステムを示す図である。
【図２Ａ】〜
【図２Ｃ】本発明の実施形態よる、基板を洗浄する際に、図１のシステムにより得られる例示的な噴射流パターンを示す図である。
【図３】本発明の実施形態による図１のシステムによって得られる噴射流パターンの例示的な方向を示す図である。
【図１】
2009530865.tif 000003
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2009530865.tif 000005
【図２Ｃ】
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【図３】
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【国際調査報告】
2009530865.tif 000008