(57)【要約】  低損失の結晶品質導波路の形成方法を提供する。本発明の方法は、基板を提供することと、前記基板上に誘電体層を形成することとを包含する。チャネルは、前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層、Ｇｅ層またはＳｉＧｅ層の選択成長は、前記チャネルを画定する領域内で行われる。更に、前記方法は、導波路を規定温度範囲で熱アニールすることも包含する。
2009503614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低損失の結晶品質導波路の形成方法であって、
基板を提供することと、
前記基板上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによってチャネルを形成することと、
前記チャネルを画定する領域内にＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層を選択成長することと、
前記導波路を規定温度範囲で熱アニールすることと
を含む方法。
【請求項２】
前記基板がＳｉを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
低損失の結晶品質導波路であって、前記導波路が、
基板と、
前記基板上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成されるチャネルと、
前記チャネルを画定する領域内で選択成長されるＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層と
を含み、前記導波路が規定温度範囲でアニールされることを特徴とする、低損失の結晶品質導波路。
【請求項１２】
前記基板がＳｉを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１９】
前記温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項２０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項２１】
フォトニック結晶構造であって、前記フォトニック結晶構造が、
基板と、
前記基板上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される穴の配列と、
前記穴の中で行なわれるＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長と
を含み、前記フォトニック結晶が規定温度範囲でアニールされることを特徴とする、フォトニック結晶構造。
【請求項２２】
前記基板がＳｉを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項２９】
前記温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項３０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項２１に記載のフォトニック結晶。
【請求項３１】
フォトニック結晶の形成方法であって、
基板を提供する工程と、
前記基板上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって穴の配列を形成する工程と、
前記穴を画定する領域内にＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層を選択成長する工程と、
前記導波路を規定温度範囲で熱アニールする工程と
を含む方法。
【請求項３２】
前記基板がＳｉを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】
前記温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
前記チャネルが屈曲形状、テーパ形状、リング形状、またはマイクロリング形状を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４２】
前記チャネルが屈曲形状、テーパ形状、リング形状、またはマイクロリング形状を構成する、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
優先権情報
本出願は、２００５年８月１日出願の有用特許出願番号１１／１９４，８０５からの優先権を主張するものであり、前記特許出願の全内容を参照として本明細書に組み込む。
【０００２】
本発明は、光集積回路および遠赤外用途のためのＧｅまたはＳｉＧｅ導波路の技術分野に関し、特に、エッチングによる側壁での散乱損失がない、低損失の結晶品質導波路およびフォトニック結晶構造を作製することに関する。
【背景技術】
【０００３】
ＧｅまたはＳｉＧｅ／Ｓｉ導波路を製造するときに言及される場合が多い導波路構造には、２つの構造：チャネル導波路とリッジ導波路がある。これら導波路構造は、更に、屈曲形状、リング形状、マイクロディスク形状、またはテーパ形状にもなっている。これらの一つの代表的な製造方法は、より高屈折率の材料（コア）であって、その屈折率が周囲材料よりも高いものを堆積することと、次にこの材料をチャネル（深いエッチ）またはリッジ（浅いエッチ）構造にエッチングした後、周囲材料を堆積することとを包含する。例えば、半導体レーザは、一般に、リッジ導波路構造を有する。
【０００４】
エッチングプロセスによって、通常、導波路の寸法が規定される。エッチングによる課題の一つは、凹凸の多い側壁が形成されることであり、これは散乱損失の原因となる。コア材料内での伝播波長に近いかまたはそれよりも短い寸法を有する高屈折率差光導波路では、大量の散乱損失（＞１０ｄＢ／ｃｍ）があり、このことが、導波路に利用される寸法が小さくなるにつれて、ますます難題となる。
【０００５】
このことは、Ｇｅ系導波路では極めて深刻な問題となる。というのも、Ｇｅの屈折率は最も高いものの一つであって（約４．０）、これは、Ｓｉ導波路などの従来の材料よりも更に小さな寸法を要するためである。最先端の高屈折率差Ｓｉ導波路は、あらゆる平坦化処理前には約１０ｄＢ／ｃｍの損失を有し、この場合、ＲＭＳ荒さは５ｎｍを超える。この荒さは、光が通過すると、必然的に更に多くの損失を生じさせる。高いＧｅ含有量を有するＳｉＧｅの場合、標準的なドライエッチングプロセスで製造される側壁は、非常に凹凸が多く（ＲＭＳ荒さ約１０ｎｍ）、約２０ｄＢ／ｃｍの損失をもたらすことが分かった。もう一つの課題は、光電子集積回路における複雑な層状化であり、この場合、光電子集積回路では、電子回路と光回路が異なる層内で一緒に作動する。このことは、層の数を減らすかまたはこれら双方の回路を同一層上で機能させようとすることができれば、非常に便利である。
【０００６】
高屈折率差機構は、更に、フォトニック結晶構造にも適している。フォトニック結晶構造は、最近、その独自の特性に起因して、益々関心が高まっている。しかしながら、最新の情報で実証されたフォトニック結晶構造は、理論的には損失はないはずであるが、未だに相当な損失に悩まされている。これもまた、ドライエッチングプロセスによってもたらされるフォトニック構造の側壁の荒さが原因である。そのため、側壁の荒さ問題が解決できれば、フォトニック構造の性能を大きく改善することができる。
【０００７】
【特許文献１】仏国特許発明第２８４０１４５号明細書
【特許文献２】欧州特許第０３３６８３０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
Ｇｅ／Ｓｉ材料はまた、波長が２μｍを越えると全く吸収がないため、重要な遠赤外光学材料（波長８〜１２μｍおよび３〜５μｍ）の一つでもあり、また赤外レンズ用の主要材料でもある。光集積回路が赤外用途に参入しているという事実を踏まえると、赤外用途のための低損失の導波路を製造する必要もある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様によれば、低損失の結晶品質導波路が提供される。この導波路には、基板と、この基板上に形成される誘電体層とが包含される。チャネルは、前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長は、前記チャネルを画定する領域内で行われる。導波路を規定温度範囲でアニールして、結晶品質を改善する。
【００１０】
本発明の別の態様によれば、フォトニック結晶構造が提供される。フォトニック構造には、基板と、基板上に形成される誘電体層とが包含される。穴の配列は、前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長は、これらの穴の中で行われる。フォトニック結晶構造を規定温度範囲でアニールして、結晶品質を改善する。
【００１１】
本発明の別の態様によれば、低損失の結晶品質導波路を形成する方法が提供される。この方法は、基板を提供することと、この基板上に誘電体層を形成することとを包含する。チャネルは、前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長は、前記チャネルを画定する領域内で行われる。更に、この方法には、規定温度範囲で導波路を熱アニールして結晶品質を改善することが包含される。化学機械的研磨（ＣＭＰ）プロセスを提供して、ＳｉＧｅの過剰成長部分を必要に応じて平坦化することができる。
【００１２】
本発明の別の態様によれば、フォトニック結晶構造の形成方法が提供される。この方法は、基板を提供することと、この基板上に誘電体層を形成することとを包含する。穴の配列は、前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長は、これらの穴の中で行われる。このフォトニック結晶を規定温度範囲でアニールして、結晶品質を改善する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、選択成長によって低損失の結晶品質導波路を作製する本発明の技術を含み、この場合、エッチングによる側壁の散乱損失がない。コアの構想は、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｉＧｅ導波路を、ＳｉＯ2で囲まれた小さなＳｉ領域上に直接成長させることである。すなわち、ＧｅまたはＳｉＧｅはＳｉＯ2の上部には成長できないためである。
【００１４】
図１は、コア材料内での伝播波長（この場合はλ＝１．５５μｍ）よりも小さな寸法を有する導波路構造のモード特性を示している。この寸法では、側壁の荒さに起因する光の散乱が極めて顕著となる。これには、直面している制約と、導波路構造をこの範囲で効率よく作動させるようにするのが如何に困難であるかとが示されている。
【００１５】
図２Ａ〜２Ｄは、本発明による以下の工程を表す概略図である。図２Ａに示すように、Ｓｉ基板４が提供され、そしてそのＳｉ基板４の上にＳｉＯ2層２が形成または堆積される。ＳｉＯ2以外の材料、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、窒化物（ＳｉxＮy）、酸窒化物（ＳｉＯxＮy）、または同様の特性を有する任意のその他の材料も本発明に従って使用できることに留意する。チャネル６は、図２Ｂに示すように、前記層２をエッチングすることによって形成される。Ｓｉ層またはＳｉＧｅ層８の選択成長は、チャネル６を画定する領域内で行われる。ＵＨＣＶＤまたはＬＰＣＶＤの利用は、図２Ｃに示すように、Ｓｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層８のいずれかを成長させるために役立たせることができる。ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を用いて、図２Ｄに示すように、上部クラッド１０を形成することができる。この工程は必須ではないことに留意する。その後、ウェファ全体は、７００〜９００℃の間の規定温度範囲で熱アニールされる。過剰成長したＳｉＧｅ（誘電体層の表面を越える部分）は、必要に応じて、ＣＭＰプロセスによって除去することができる。
【００１６】
マイクロディスク／リング（micro disk/ring）共振器１２もまた、同じ技術を用いて導波路付近に選択成長させることができる。この場合、図３Ａに示すように、円／ドーナツ型の開口部を酸化物／窒化物／酸窒化物の層を貫いて開口、エッチングすることができ、そして図３Ｂに示すように、ＳｉＧｅディスク／リング１４を前記円／ドーナツ型の中に選択成長することもできる。屈曲形状またはテーパ形状などのその他の構造も同様の方法で実現可能である。
【００１７】
同様の方法を適用して、図４Ａ〜４Ｂに模式的に示すようなフォトニック結晶構造を形成することも可能である。この場合、図４Ａに示すように、穴の配列１６は、Ｓｉ基板２４上に形成された酸化物／窒化物／酸窒化物の層１８を貫いて開口、エッチングすることができる。Ｓｉ、Ｇｅ、またはＳｉＧｅ材料２０は、図２Ａ〜２Ｄで説明した技術を用いて、これらの穴１８の中に選択成長させることが可能である。この方法では、高屈折率差（Δｎ＞２）のフォトニック結晶構造２２を得ることができる。
【００１８】
本発明の技術の利点は、シングルモード寸法を有する非常に狭い導波路を形成することにあり、ここで、前記シングルモード寸法は、従来のＣＭＯＳ加工が９０ｎｍ程度の狭い酸化物の溝をエッチングすることができることから、容易に実現可能である。ＧｅまたはＳｉＧｅ導波路／共振器の側壁は、極めて平滑であり得る。というのも、この側壁は結晶面のファセットから構成されるためである（エッチングされた導波路の場合の荒さ５〜１０ｎｍに比べて、ＲＭＳ荒さ１〜２ｎｍ）。一例として、図５には、平滑な側面構造を有する溝の中に成長したＳｉＧｅの断面を示している。これは、導波路／共振器構造および高指数集積回路での損失を低減するのに極めて重要である。
【００１９】
本発明は、本発明の幾つかの好ましい実施形態について示しかつ説明してきたが、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、その形態および詳細に対する様々な変更、省略および追加を本明細書において行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】コア材料内での伝播波長よりも小さなコア寸法を有する導波路構造のモード特性を表すグラフである。
【図２Ａ】本発明による上記工程を表す概略図である。
【図２Ｂ】本発明による上記工程を表す概略図である。
【図２Ｃ】本発明による上記工程を表す概略図である。
【図２Ｄ】本発明による上記工程を表す概略図である。
【図３Ａ】本発明に従って形成されたマイクロディスク／リング共振器を表す概略図である。
【図３Ｂ】本発明に従って形成されたマイクロディスク／リング共振器を表す概略図である。
【図４Ａ】本発明に従って形成された欠陥モードを有するフォトニック結晶構造を表す概略図である。
【図４Ｂ】本発明に従って形成された欠陥モードを有するフォトニック結晶構造を表す概略図である。
【図５】本発明による、ＳｉＯ2に開けた溝の中に成長させたＳｉＧｅ導波路の断面ＳＥＭ写真である。
【図２Ａ】
2009503614.tif 000003
【図２Ｂ】
2009503614.tif 000004
【図２Ｃ】
2009503614.tif 000005
【図２Ｄ】
2009503614.tif 000006
【図３Ａ】
2009503614.tif 000007
【図３Ｂ】
2009503614.tif 000008
【図４Ａ】
2009503614.tif 000009
【図４Ｂ】
2009503614.tif 000010
【図１】
2009503614.tif 000011
【図５】
2009503614.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低損失の結晶品質導波路の形成方法であって、
基板上に誘電体層を形成することと、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによってチャネルを形成することと、
前記チャネルを画定する領域内にＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層を選択成長することと、
これらの層を規定温度範囲で熱アニールすることと
を含む方法。
【請求項２】
前記基板がＳｉを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記規定温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
低損失の結晶品質導波路であって、
基板と、
前記基板上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成されるチャネルと、
前記チャネルを画定する領域内で選択成長されるＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層と
を含み、
これらの層が規定温度範囲でアニールされたものであることを特徴とする低損失の結晶品質導波路。
【請求項１２】
前記基板がＳｉを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項１９】
前記規定温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項２０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【請求項２１】
フォトニック結晶構造であって、
基板と、
前記基板上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって形成される穴の配列と、
前記穴の中で行なわれるＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層の選択成長と
を含み、これらの層が規定温度範囲でアニールされたものであることを特徴とするフォトニック結晶構造。
【請求項２２】
前記基板がＳｉを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項２９】
前記規定温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項３０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項２１に記載のフォトニック結晶構造。
【請求項３１】
フォトニック結晶の形成方法であって、
基板上に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の一部をエッチングすることによって穴の配列を形成する工程と、
前記穴を画定する領域内にＳｉ層、Ｇｅ層、またはＳｉＧｅ層を選択成長する工程と、
これらの積層体を規定温度範囲で熱アニールする工程と
を含む方法。
【請求項３２】
前記基板がＳｉを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記誘電体層が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記誘電体層が窒化物（ＳｉxＮy）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記誘電体層が酸窒化物（ＳｉＯxＮy）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】
前記誘電体層が二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
前記選択成長がＵＨＣＶＤを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記選択成長がＬＰＣＶＤを含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３９】
前記規定温度範囲が７００〜９００℃の間である、請求項３１に記載の方法。
【請求項４０】
ＳｉＧｅよりも低屈折率の材料を含む上部クラッドを更に含んで成る、請求項３１に記載の方法。
【請求項４１】
前記チャネルが屈曲形状、テーパ形状、リング形状、またはマイクロリング形状を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４２】
前記チャネルが屈曲形状、テーパ形状、リング形状、またはマイクロリング形状を構成する、請求項１１に記載の低損失の結晶品質導波路。
【国際調査報告】
2009503614.tif 000013
2009503614.tif 000014
2009503614.tif 000015