(57)【要約】ＭＥＭＳデバイスのための支持構造、およびその方法  ドーパント材料を選択的に拡散された犠牲材料で形成された、または選択的に酸化された金属犠牲材料で形成された支持構造を有する微小電気機械システムデバイス。該微小電気機械システムデバイスは、電極を上に形成された基板を含む。別の電極が、キャビティによって第一の電極から分離され、移動可能層を形成する。該移動可能層は、拡散された、または酸化された犠牲材料で形成された支持構造によって支持される。
2009503564.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システムデバイスを作成する方法であって
第一の電極が上に形成された基板を提供することと、
前記第一の電極層の上に金属犠牲材料を形成し、前記犠牲材料の一部を酸化することによって、前記デバイスの少なくとも１つの支持構造を形成することと、
前記少なくとも１つの支持構造を形成した後、前記犠牲材料の上に移動可能層を形成することと、
前記基板と前記移動可能層との間にキャビティを形成することと、
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記移動可能層を形成した後に、前記犠牲材料の非酸化部分を選択的に除去することを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記選択的に除去することは、前記犠牲材料の非酸化部分を、フッ素源、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ3ＰＯ4、Ｃｌ2プラズマ、およびＰＡＮ（リン酸・酢酸・硝酸）エッチャントよりなる群から選択されるエッチャントでエッチングすることを含む、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記選択的に除去することは、前記犠牲材料の非酸化部分をＸｅＦ2でエッチングすることを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化することは、前記犠牲材料のマスクで覆われていない部分を酸化する前に、前記犠牲材料の一部をマスクで覆うことを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記酸化することは、前記犠牲材料の一部を陽極酸化することを含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記陽極酸化することは、前記犠牲材料のマスクで覆われていない部分を陽極酸化する前に、前記犠牲材料の一部をマスクで覆うことを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属は、アルミニウムを含む、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属は、アルミニウム、マグネシウム、タンタル、チタン、およびモリブデンよりなる群から選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記機械層を形成した後に、プラズマエッチングによって前記犠牲材料の非酸化部分を選択的に除去することを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記移動可能層を移動可能にすることを可能にする、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、インターフェロメトリックモジュレータである、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記移動可能層は、ミラー層を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成されるプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、更に、前記ディスプレイに少なくとも１つの信号を送信するように構成されるドライバ回路を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、更に、前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部を送信するように構成されるコントローラを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、更に、前記プロセッサに前記画像データを送信するように構成される画像ソースモジュールを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記画像ソースモジュールは、レシーバ、トランシーバ、およびトランスミッタの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の方法であって、
前記微小電気機械システムデバイスは、更に、入力データを受信して、前記入力データを前記プロセッサに伝達するように構成される入力デバイスを含む、方法。
【請求項２０】
基板と、
前記基板の上に形成された第一の電極と、
前記第一の電極の上に形成された層であって、金属で形成された犠牲部分と、前記金属の酸化物である支持部分と、を含む層と、
前記層の上の移動可能層と、
を備えるリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２１】
前記移動可能層は、電極を含む、請求項２０に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２２】
前記移動可能層は、ミラー層を含む、請求項２０に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２３】
前記支持部分は、フッ素源、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ3ＰＯ4、Ｃｌ2プラズマ、およびＰＡＮ（リン酸・酢酸・硝酸）エッチャントよりなる群から選択されるエッチャントに対して耐性で
ある、請求項２０に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２４】
前記犠牲部分は、フッ素源、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ3ＰＯ4、Ｃｌ2プラズマ、およびＰＡＮ（リン酸・酢酸・硝酸）エッチャントよりなる群から選択されるエッチャントによってエッチングすることができる、請求項２３に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２５】
前記第一の電極と前記移動可能層との間に少なくとも一部を配置された第二の電極層を更に備える、請求項２０に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２６】
前記移動可能層は、第二の電極層に取り付けられた機械層を含む、請求項２５に記載のリリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイス。
【請求項２７】
微小電気機械システムデバイスを作成する方法であって、
第一の電極層が上に形成された基板を提供することと、
前記第一の電極層の上に犠牲材料を形成し、前記犠牲材料の選択部分を陽極酸化することによって、少なくとも１つの支持構造を形成することと、
前記第一の電極層と第二の電極層との間にキャビティを形成することと、
を備える方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法であって、更に、
前記犠牲材料の上に前記第二の電極層を形成する前に、前記第一の電極層の上に前記犠牲材料をデポジションすることを備え、
前記キャビティを形成することは、前記第二の電極層を形成した後に、非陽極酸化部分内の前記犠牲材料を選択的に除去することを含む、方法。
【請求項２９】
請求項２７に記載の方法であって、
前記犠牲材料は、アルミニウム、タンタル、チタン、およびモリブデンよりなる群から選択される金属を含む、方法。
【請求項３０】
請求項２７に記載の方法であって、
前記犠牲材料は、モリブデンを含む、方法。
【請求項３１】
請求項２７に記載の方法であって、
前記犠牲材料は、シリコンを含む、方法。
【請求項３２】
請求項２７に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記犠牲材料の非陽極酸化部分を、フッ素源、ＮＨ4ＯＨ、Ｈ3ＰＯ4、Ｃｌ2プラズマ、およびＰＡＮ（リン酸・酢酸・硝酸）エッチャントよりなる群から選択されるエッチャントでエッチングすることを含む、方法。
【請求項３３】
請求項２７に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記犠牲材料の非陽極酸化部分をＸｅＦ2でエッチングすることを含む、方法。
【請求項３４】
請求項２７に記載の方法であって、
前記キャビティを形成することは、前記犠牲材料の前記選択部分を陽極酸化する前に、前記犠牲材料の一部をマスクで覆うことを含み、前記選択部分は、前記犠牲材料のマスク
で覆われていない部分である、方法。
【請求項３５】
請求項２７に記載の方法であって、
前記微小電気機械デバイスは、インターフェロメトリックモジュレータである、方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記第二の電極層は、ミラー層を含む、方法。
【請求項３７】
インターフェロメトリックモジュレータデバイスを作成する方法であって、
第一の電極層が上に形成された基板を提供することと、
前記第一の電極層の上に犠牲材料をデポジションすることと、
前記犠牲材料内へとドーパント材料を選択的に拡散させることによって、前記デバイスの少なくとも１つの支持構造を形成することと、
を備える方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載の方法であって、更に、
前記少なくとも１つの支持構造を形成した後に、前記犠牲材料の上に移動可能層を形成することと、
前記基板と前記移動可能層との間にキャビティを形成することと、
を備える方法。
【請求項３９】
請求項３７に記載の方法であって、
前記基板は、サファイアおよび石英よりなる群から選択される材料を含む、方法。
【請求項４０】
請求項３７に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの支持構造を形成することは、前記犠牲材料の上に前記ドーパント材料をパターン形成することを含む、方法。
【請求項４１】
請求項４０に記載の方法であって、
前記パターン形成することは、
前記犠牲材料の上に前記ドーパント材料をデポジションすることと、
前記ドーパント材料を選択的にエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項４２】
請求項４０に記載の方法であって、
前記パターン形成することは、
前記第一の電極層をマスクで覆うことと、
マスクで覆った後に、前記犠牲材料の上に前記ドーパント材料をデポジションすることと、
を含む、方法。
【請求項４３】
請求項３７に記載の方法であって、
前記選択的に拡散することは、前記デバイスを少なくとも６００℃の温度に曝すことを含む、方法。
【請求項４４】
請求項３７に記載の方法であって、
前記犠牲材料は、シリコンを含み、前記ドーパント材料は、酸素、アルミニウム、亜鉛、銅、金、プラチナ、およびナトリウムよりなる群から選択される材料を含む、方法。
【請求項４５】
請求項４１に記載の方法であって、
前記ドーパント材料は、選択エッチングに使用されるエッチャントに対して耐性の材料を含む、方法。
【請求項４６】
請求項３７に記載の方法であって、
前記ドーパント材料は、固体である、方法。
【請求項４７】
リリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイスであって、
基板と、
前記基板の上に形成された第一の電極と、
前記第一の電極の上に形成された層であって、材料で形成された犠牲部分と、ドーパント材料をドーピングされた前記材料を含む支持部分と、を含む層と、
前記層の上の移動可能層と、
を備えるデバイス。
【請求項４８】
請求項４７に記載のデバイスであって、
前記基板は、サファイアおよび石英よりなる群から選択される材料を含む、デバイス。
【請求項４９】
請求項４７に記載のデバイスであって、
前記ドーパント材料は、固体である、デバイス。
【請求項５０】
請求項４７に記載のデバイスであって、
前記犠牲材料の前記材料は、前記支持部分に対して選択的にエッチング可能である、デバイス。
【請求項５１】
インターフェロメトリックモジュレータデバイスを作成する方法であって、
第一の電極層が上に形成された基板を提供することと、
前記第一の電極層の上に犠牲材料をデポジションすることと、
前記犠牲材料内へとイオンを選択的に注入し、前記犠牲材料の注入部分をレーザーを使用してアニールすることによって、前記デバイスの少なくとも１つの支持構造を形成することと、
を備える方法。
【請求項５２】
請求項５１に記載の方法であって、更に、
前記少なくとも１つの支持構造を形成する前に、前記犠牲材料の上に、パターン形成されたマスクを形成することを備える方法。
【請求項５３】
請求項５１に記載の方法であって、
前記イオンは、酸素イオンを含む、方法。
【請求項５４】
請求項５１に記載の方法であって、
前記イオンは、炭素イオンを含む、方法。
【請求項５５】
請求項５１に記載の方法であって、
前記イオンは、窒素イオンを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
＜関連出願の相互参照＞
本出願は、２００５年７月２２日出願の米国仮出願第６０／７０２，０８０号および２００５年８月１９日出願の米国仮出願第６０／７１０，０１９号の利益を受けることを主張する。
【０００２】
＜背景＞
本発明の分野は、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関する。より具体的には、本発明の分野は、インターフェロメトリックモジュレータと、移動層に対する支持を有するこのようなインターフェロメトリックモジュレータを製造する方法と、に関する。
【０００３】
＜関連技術の説明＞
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、微小機械要素、アクチュエータ、および電子機器を含む。微小機械要素は、デポジションプロセス、エッチングプロセス、および／またはその他のマイクロマシニングプロセスであって、基板および／またはデポジションされた材料層を部分的にエッチング除去するかまたは層を追加するかによって電気デバイスおよび電気機械デバイスを形成するマイクロマシニングプロセスを使用して作成することができる。ＭＥＭＳデバイスの１つのタイプは、インターフェロメトリックモジュレータ（干渉型変調器）と称される。本明細書において使用されるインターフェロメトリックモジュレータまたはインターフェロメトリック光モジュレータという用語は、光干渉の原理を使用して光を選択的に吸収するおよび／または反射させるデバイスを意味する。特定の実施形態において、インターフェロメトリックモジュレータは、一対の伝導板を備えてよく、それらの板の一方または両方は、全体もしくは一部が透明および／もしくは反射性であってよく且つ適切な電気信号の印加によって相対運動することができる。具体的な一実施形態において、一方の板は、基板上にデポジションされた静止層を備えてよく、他方の板は、エアギャップによって静止層から分離された金属膜を備えてよい。本明細書において更に詳述されるように、他方の板に対する一方の板の位置は、インターフェロメトリックモジュレータに入射する光の光干渉を変化させることができる。このようなデバイスは、非常に広範な用途を有しており、当該分野においては、これらのタイプのデバイスの特徴を既存製品の改良およびまだ開発されていない新製品の製造に生かせるように、これらのタイプのデバイスの特性を利用および／または変更することが有益だと考えられる。
【０００４】
＜特定の実施形態の概要＞
本発明のシステム、方法、およびデバイスは、その各々がいくつかの態様を有しており、そのいずれの一態様も、その望ましい属性に対する役割を単独で任っているわけではない。以下では、それらのより顕著な特徴について、本発明の範囲を限定することなく概説する。この記述を考慮に入れ、とりわけ、「特定の実施形態の詳細な説明」と題されたセクションを読了すれば、本発明の特徴が他のディスプレイデバイスに対してどのような利点を有するかを理解できるであろう。
【０００５】
一実施形態は、微小電気機械システムデバイスを作成する方法を提供する。基板が、提供される。基板の上に、第一の電極が形成される。第一の電極層の上に形成された金属犠牲材料の一部を酸化することとによって、デバイスの少なくとも１つの支持構造が形成される。少なくとも１つの支持構造が形成された後、犠牲材料の上に移動可能層が形成される。移動可能層が形成された後、基板と移動可能層との間にキャビティが形成される。
【０００６】
別の一実施形態にしたがって、リリースされていないインターフェロメトリックモジュ
レータデバイスが提供される。リリースされていないインターフェロメトリックモジュレータデバイスは、基板と、基板の上に形成された第一の電極と、第一の電極の上に形成された層と、層の上の移動可能層と、を含む。上記の層は、金属で形成された犠牲部分と、支持部分とを含む。支持部分は、上記の金属の酸化物である。
【０００７】
更に別の一実施形態にしたがって、微小電気機械システムデバイスを作成するための方法が提供される。基板が、提供される。基板は、第一の電極層を上に形成される。第一の電極層の上に形成された犠牲材料の選択部分を陽極酸化することによって、少なくとも１つの支持構造が形成される。第一の電極層と第二の電極層との間に、キャビティが形成される。
【０００８】
別の一実施形態にしたがって、インターフェロメトリックモジュレータデバイスを作成するための方法が提供される。基板が、提供される。基板の上に、第一の電極層が形成される。第一の電極層の上に、犠牲材料がデポジションされる。ドーパント材料を犠牲材料内へと選択的に拡散させることによって、デバイスの少なくとも１つの支持構造が形成される。
【０００９】
本発明のこれらのおよびその他の態様は、以下の説明、および本発明の限定ではなく例示を意図した添付の図面（縮尺通りではない）から、容易に明らかになる。
【００１０】
＜特定の実施形態の詳細な説明＞
以下の詳細な説明は、本発明の特定の具体的実施形態に関する。しかしながら、本発明は、多くの異なるかたちで実現することができる。この説明では、図面が参照され、図中、類似の構成要素は一貫して類似の符号を使用して示される。以下の説明から明らかなように、これらの実施形態は、動いているもの（例：ビデオ）であれ静止しているもの（例：静止画像）であれ、テキスト形式であれ映像形式であれ、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実現可能である。より具体的には、これらの実施形態は、携帯電話、ワイヤレス機器、携帯情報端末（ＰＤＡ）、手持ちサイズの、すなわち携帯用のコンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビ用モニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータ用モニタ、自動車用ディスプレイ（例：走行距離計等など）、コックピットのコントロールパネルおよび／もしくはディスプレイ、カメラ視野のディスプレイ（例：車の後方確認用カメラのディスプレイ）、電子写真、電光の掲示板もしくはサイン、プロジェクタ、建造物、パッケージング、ならびに美的構造物（例：宝石への画像のディスプレイ）を非限定的に含む、様々な電子デバイスにおいて実現可能である、またはそのような電子デバイスに関連付けることが可能であると考えられる。また、本明細書において説明されるものと類似の構造のＭＥＭＳデバイスを、電子的切り替えデバイスなどの非ディスプレイ用途に使用することも可能である。
【００１１】
好ましい実施形態にしたがうと、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、酸化金属の犠牲材料で形成された支持構造（例えば柱）を提供される。いくつかの実施形態にしたがうと、犠牲材料は、金属またはシリコンを含んでよく、支持構造を形成するために選択的に陽極酸化される。他の実施形態にしたがうと、支持構造を形成するために、犠牲材料内へとドーパント材料が選択的に拡散される。
【００１２】
インターフェロメトリックＭＥＭＳディスプレイ素子を含むインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態が、図１に示されている。これらのデバイスにおいて、ピクセルは、明るい状態または暗い状態のいずれかにある。明るい（「オン」または「開」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光の大半をユーザへと反射させる。暗い（「オフ」または「閉」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光
をほとんどユーザへと反射させない。「オン」状態および「オフ」状態における光反射特性は、実施形態に応じて逆転可能である。ＭＥＭＳピクセルは、主に選択された色で反射するように構成することができる。これは、白黒に加えてカラーの表示を可能にする。
【００１３】
図１は、ビジュアルディスプレイの一連のピクセルのなかの２つの隣接するピクセルを示した等角図である。図中、各ピクセルは、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを含む。実施形態によっては、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイは、これらのインターフェロメトリックモジュレータの行列からなる配列を含む。各インターフェロメトリックモジュレータは、少なくとも１つの可変次元を伴う共振光ギャップを形成するために、互いから可変で且つ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含む。１つの実施形態において、反射層の一方は、２つの位置の間で移動可能である。本明細書において解放位置と称される第一の位置では、この移動可能層は、固定の部分反射層から比較的大きな距離を隔てて配置されている。本明細書において作動位置と称される第二の位置では、この移動可能層は、部分反射層に対してより近くに隣接して配置されている。これらの２層から反射される入射光は、移動可能な反射層の位置に応じて建設的または相殺的に干渉することによって、ピクセル毎に全反射または非反射のいずれかの状態を生じる。
【００１４】
図１に示された部分のピクセル配列は、２つの隣接するインターフェロメトリックモジュレータ１２ａ，１２ｂを含む。左側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ａでは、移動可能な反射層１４ａは、部分反射層を含む光学スタック１６ａから所定の距離にある解放位置で示されている。右側のインターフェロメトリックモジュレータ１２ｂでは、移動可能な反射層１４ｂは、光学スタック１６ｂに隣接する作動位置で示されている。
【００１５】
本明細書において言及される光学スタック１６ａ，１６ｂ（光学スタック１６として総称される）は、通常、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層と、クロムなどの部分反射層と、透明な誘電体と、を含むことができる何枚かの溶融層を含む。光学スタック１６は、したがって、導電性であり、部分的に透明であり、且つ部分的に反射性であり、例えば、上記の層の１枚または２枚以上を透明基板２０上にデポジションすることによって作成することができる。部分反射層は、各種の金属、半導体、および誘電体など、部分的に反射性である様々な材料で形成することができる。部分反射層は、１枚または２枚以上の材料層で形成することができ、これらの各層は、単一の材料または複数の材料の組み合わせで形成することができる。
【００１６】
いくつかの実施形態において、光学スタック１６のこれらの層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、後ほど詳述されるように、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成することができる。移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の上、および支柱１８間にデポジションされた介在犠牲材料の上にデポジションされた、１枚または２枚以上の金属層からなる一連の平行な帯状片（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）となるように、形成することができる。犠牲材料がエッチング除去されると、移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、定められたエアギャップ１９によって光学スタック１６ａ，１６ｂから分離される。反射層１４としては、アルミニウムなどの高伝導性で且つ反射性の材料が使用されてよく、これらの帯状片は、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成することができる。
【００１７】
電圧を印加されていないとき、キャビティ１９は、移動可能な反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間に維持され、移動可能な反射層１４ａは、図１のピクセル１２ａによって示されるように、機械的に解放された状態にある。しかしながら、選択された行および列に電位差が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサは、帯電状態となり、静電力が、これらの電極を引き合わせる。もし
電圧が十分に高いと、移動可能な反射層１４は、変形され、光学スタック１６に押し付けられる。図１の右側のピクセル１２ｂによって示されるように、光学スタック１６内の誘電層（不図示）が、短絡を阻止し、層１４と層１６との間の分離距離を制御することができる。この挙動は、印加された電位差の極性にかかわらず同じである。このように、反射と非反射との間でピクセルの状態を制御する行／列作動は、従来のＬＣＤ技術およびその他のディスプレイ技術で使用されるものと、多くの意味で類似している。
【００１８】
図２〜５Ｂは、ディスプレイの用途においてインターフェロメトリックモジュレータの配列を使用するための、代表的なプロセスおよびシステムの１つを示している。
【００１９】
図２は、本発明の態様を組み込むことができる電子デバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である。この代表的な実施形態において、電子デバイスは、ＡＲＭ、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  II（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  III（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ  IV（登録商標）、Ｐｅｎｔｉｕｍ（登録商標）  Ｐｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳ（登録商標）、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣ（登録商標）、ＡＬＰＨＡ（登録商標）などの任意の汎用のシングルチップマイクロプロセッサもしくはマルチチップマイクロプロセッサ、またはデジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、もしくはプログラマブルゲートアレイなどの任意の専用マイクロプロセッサでありうるプロセッサ２１を含む。当該分野において常であるように、プロセッサ２１は、１つまたは複数のソフトウェアモジュールを実行するように構成することができる。オペレーティングシステムの実行に加えて、プロセッサは、Ｗｅｂブラウザ、テレフォンアプリケーション、電子メールプログラム、もしくはその他の任意のアプリケーションソフトを含む、１つまたは複数のアプリケーションソフトを実行するように構成することができる。
【００２０】
１つの実施形態において、プロセッサ２１は、また、配列ドライバ２２と通信するようにも構成される。１つの実施形態において、配列ドライバ２２は、ディスプレイ配列すなわちパネル３０に信号を提供する行ドライバ回路２４および列ドライバ回路２６を含む。図１に示された配列の断面は、図２において線１−１で示されている。ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータについて、行／列作動プロトコルは、図３に示された、これらのデバイスのヒステリシス特性を上手く活用することができる。例えば、移動可能層を解放状態から作動状態へと変形させるために、１０ボルトの電位差が必要とされる。しかしながら、この値から電圧が減少する際に、移動可能層は、自身の状態を、電圧が１０ボルト未満に降下するあいだ維持する。図３の代表的な実施形態において、移動可能層は、電圧が２ボルト未満に降下するまで完全には解放されない。したがって、デバイスが解放状態または作動状態のいずれかで安定する印加電圧のウィンドウが存在し、これは、図３に示された例では、例えば約３〜７ボルトの範囲である。これは、本明細書において、「ヒステリシスウィンドウ」または「安定性ウィンドウ」と称される。図３のヒステリシス特性を有するディスプレイ配列に対しては、行／列作動プロトコルは、行ストローブ中、ストローブされた行にある作動対象のピクセルは約１０ボルトの電圧差をかけられ、解放対象のピクセルは０ボルトに近い電圧差をかけられるように設計することができる。ストローブ後、ピクセルは、その行ストローブによって置かれた状態に留まるように、約５ボルトの定常状態電圧差をかけられる。書き込み後の各ピクセルは、この例では３〜７ボルトの「安定性ウィンドウ」内の電位差をかけられている。この特徴は、図１に示されたピクセル設計を、既存の作動状態または解放状態のいずれでも、同じ印加電圧条件下で安定させる。インターフェロメトリックモジュレータの各ピクセルは、作動状態であれ解放状態であれ、本質的に、固定の反射層と移動可能な反射層とによって形成されるコンデンサであるので、この安定状態は、ほとんど電力損失を生じることなく、ヒステリシスウィンドウ内の電圧で維持することができる。印加電圧が固定されている間は、基本的に、ピクセルに電流は流れない。
【００２１】
代表的な用途では、第一の行における所望の作動ピクセルセットに応じて列電極セットをアサートすることによって、表示フレームを作成することができる。次いで、行１の電極に行パルスが印加され、アサートされた列ラインに対応するピクセルが作動される。アサートされた列電極セットは、次いで、第二の行における所望の作動ピクセルセットに対応するように変化される。次いで、行２電極にパルスが印加され、アサートされた列電極に応じて行２における適切なピクセルが作動される。行１のピクセルは、行２パルスによって影響されず、行１パルス中に設定された状態に留まる。これは、フレームを生成するために、一連の全ての行に対して順次繰り返すことができる。概して、フレームは、このプロセスをいくらかの所望の毎秒フレーム数で絶えず繰り返すことによって、リフレッシュされる、且つ／または新しい表示データに更新される。この他にも、ピクセル配列の行電極および列電極を駆動して表示フレームを生成するための様々なプロトコルがよく知られており、これらもまた、本発明に関連して使用することができる。
【００２２】
図４、図５Ａ、および図５Ｂは、図２の３×３配列上に表示フレームを作成するための、考えられる１つの作動プロトコルを示している。図４は、図３のヒステリシス曲線を呈しているピクセルに対して使用可能な列電圧レベルおよび行電圧レベルとして考えられるセットを示している。図４の実施形態において、ピクセルの作動は、適切な列を−Ｖbiasに設定するとともに適切な行を＋ΔＶに設定することを伴い、これらは、−５ボルトおよび＋５ボルトにそれぞれ対応することができる。ピクセルの解放は、適切な列を＋Ｖbiasに設定するとともに適切な行を＋ΔＶに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に０ボルトの電位差を生成する。行電圧を０ボルトに保持されている行では、ピクセルは、その列が＋Ｖbiasまた−Ｖbiasはのいずれであるかにかかわらず、もとからの状態に安定して維持される。やはり図４に示されるように、上述された場合と逆の極性の電圧も使用可能であることが理解される。例えば、ピクセルの作動は、適切な列を＋Ｖbiasに設定するとともに適切な行を−ΔＶに設定することを伴うことができる。この実施形態では、ピクセルの解放は、適切な列を−Ｖbiasに設定するとともに適切な行を−ΔＶに設定することによって達成され、これは、そのピクセルの両端に０ボルトの電位差を生成する。
【００２３】
図５Ｂは、図２の３×３配列に印加される一連の行信号および列信号を示したタイミング図であり、その結果、作動ピクセルが非反射となる図５Ａに示されたディスプレイ構成が得られる。図５Ａに示されたフレームの書き込みに先立って、ピクセルは、任意の状態にあることが可能である。この例では、全ての行は０ボルトに、そして全ての列は＋５ボルトにある。これらの信号を印加された状態で、全てのピクセルは、自身の既存の作動状態または解放状態で安定している。
【００２４】
図５Ａのフレームでは、ピクセル（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）、および（３，３）が作動されている。これを達成するため、行１用の「ライン時間」中、列１および列２が−５ボルトに設定され、列３が＋５ボルトに設定される。これは、いずれのピクセルの状態も変化させない。なぜならば、全てのピクセルは、３〜７ボルトの安定性ウィンドウ内に留まるからである。次いで、０から５ボルトに上昇して再び０に戻るパルスによって、行１がストローブされる。これは、（１，１）ピクセルおよび（１，２）ピクセルを作動させ、（１，３）ピクセルを解放させる。配列内の他のピクセルは、いずれも影響されない。行２を望むとおりに設定するため、列２は−５ボルトに設定され、列１および列３は＋５ボルトに設定される。次いで、行２に対しても同じストローブを印加すると、ピクセル（２，２）が作動され、ピクセル（２，１）およびピクセル（２，３）が解放される。やはり、配列内の他のピクセルは影響されない。行３も、列２および列３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトに設定することによって、同様に設定される。行３ストローブは、行３のピクセルを、図５Ａに示されるように設定する。フレームの書き込み後、行の電位はゼロであり、列の電位は＋５ボルトまたは−５ボルトのいずれか
に留まることができる。そして、ディスプレイは、図５Ａの構成で安定する。数十または数百の行および列を有する配列にも、同様の手続きが利用可能であることが理解される。また、行および列の作動を実施するために使用されるタイミング、順序、および電圧レベルは、上記に概略を記された一般的原理の範囲内で様々に可変であること、上記の実施例は、例示を目的としたものに過ぎないこと、そして、任意の作動電圧方法が、本明細書において説明されるシステムおよび方法とともに使用可能であることが理解される。
【００２５】
図６Ａおよび図６Ｂは、ディスプレイデバイス４０の１つの実施形態を示したシステムブロック図である。ディスプレイデバイス４０は、例えば、セルラー式電話、すなわち携帯電話であることが可能である。しかしながら、ディスプレイデバイス４０と同じ構成要素、またはそれらを僅かに変更した形態は、テレビおよびポータブルメディアプレーヤなどの様々なタイプのディスプレイデバイスを示することもできる。
【００２６】
ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１、ディスプレイ３０、アンテナ４３、スピーカ４５、入力デバイス４８、およびマイクロフォン４６を含む。ハウジング４１は、概して、射出成形および真空成形を含む、当該分野の当業者にとって周知の様々な製造プロセスのうちの任意のプロセスによって形成される。また、ハウジング４１は、プラスチック、金属、ガラス、ゴム、およびセラミック、またはそれらの組み合わせを非限定的に含む、様々な材料のうちの任意の材料で作成することができる。１つの実施形態において、ハウジング４１は、取り外し可能部分（不図示）を含み、これらの部分は、異なる色の、または異なるロゴ、絵、もしくはマークを含む、他の取り外し可能部分と交換することができる。
【００２７】
代表的ディスプレイデバイス４０のディスプレイ３０は、本明細書において説明されるように、双安定ディスプレイを含む様々なディスプレイのうちの任意のディスプレイであることが可能である。その他の実施形態では、ディスプレイ３０は、上述のような、プラズマ、ＥＬ、ＯＬＥＤ、ＳＴＮ  ＬＣＤ、もしくはＴＦＴ  ＬＣＤなどのフラットパネルディスプレイ、または当業者に良く知られているような、ＣＲＴもしくは他の管デバイスなどの非フラットパネルディスプレイを含む。ただし、本実施形態の説明のため、ディスプレイ３０は、本明細書において説明されるように、インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを含むものとする。
【００２８】
代表的ディスプレイデバイス４０の１つの実施形態の構成要素が、図６Ｂに概略を示されている。図示されている代表的ディスプレイデバイス４０は、ハウジング４１を含み、更に、ハウジング４１に少なくとも部分的に囲まれた追加の構成要素を含むことができる。例えば、１つの実施形態において、代表的ディスプレイデバイス４０は、トランシーバ４７に結合されたアンテナ４３を含むネットワークインターフェース２７を含む。トランシーバ４７は、プロセッサ２１に接続され、プロセッサ２１は、調整ハードウェア５２に接続される。調整ハードウェア５２は、信号を調整する（例：信号をフィルタリングする）ように構成することができる。調整ハードウェア５２は、スピーカ４５およびマイクロフォン４６に接続される。プロセッサ２１は、また、入力デバイス４８およびドライバコントローラ２９に接続される。ドライバコントローラ２９は、フレームバッファ２８および配列ドライバ２２に結合され、配列ドライバ２２は、更に、ディスプレイ配列３０に結合される。電源５０は、特定の代表的ディスプレイデバイス４０の設計要件に応じて全ての構成要素に電力を供給する。
【００２９】
ネットワークインターフェース２７は、代表的ディスプレイデバイス４０がネットワークを通じて１つまたは複数のデバイスと通信することができるように、アンテナ４３およびトランシーバ４７を含む。１つの実施形態において、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１の要件を軽減するために、いくらかの処理能力を有することもでき
る。アンテナ４３は、当業者に知られている任意の信号送受信用アンテナである。１つの実施形態において、アンテナは、ＩＥＥＥ  ８０２．１１（ａ）、（ｂ）、または（ｇ）を含むＩＥＥＥ  ８０２．１１標準にしたがってＲＦ信号の送受信を行う。別の一実施形態では、アンテナは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ標準にしたがってＲＦ信号の送受信を行う。セルラー式電話の場合、アンテナは、ＣＤＭＡ信号、ＧＳＭ信号、ＡＭＰＳ信号、またはワイヤレスセルフォンネットワーク内における通信に使用されるその他の既知の信号を受信するように設計される。トランシーバ４７は、アンテナ４３から受信される信号に前処理を施すことによって、それらをプロセッサ２１によって受信して更なる操作を行うことを可能にする。トランシーバ４７は、また、プロセッサ２１から受信される信号を処理することによって、それらをアンテナ４３を介して代表的ディスプレイデバイス４０から送出することを可能にする。
【００３０】
代替の一実施形態において、トランシーバ４７は、レシーバで置き換えることができる。更に別の代替の一実施形態において、ネットワークインターフェース２７は、プロセッサ２１に送られるべき画像データを格納または生成することができる画像ソースで置き換えることができる。例えば、画像ソースは、画像データを含むデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）もしくはハードディスクドライブ、または画像データを生成するソフトウェアモジュールであることが可能である。
【００３１】
プロセッサ２１は、概して、代表的ディスプレイデバイス４０の全体の動作を制御する。プロセッサ２１は、ネットワークインターフェース２７または画像ソースからの圧縮画像データなどのデータを受信し、そのデータを処理することによって、生（ｒａｗ）画像データ、または処理によって容易に生画像データにすることができるフォーマットにする。プロセッサ２１は、次いで、処理されたデータを、ドライバコントローラ２９に送信する、または格納のためにフレームバッファ２８に送信する。生データは、通常、画像内の各位置における画像特性を識別する情報を表している。例えば、このような画像特性は、色、彩度、およびグレースケールレベルを含むことができる。
【００３２】
１つの実施形態において、プロセッサ２１は、代表的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためのマイクロコントローラ、ＣＰＵ、または論理ユニットを含む。調整ハードウェア５２は、概して、スピーカ４５に信号を伝送するための、およびマイクロフォン４６からの信号を受信するための、増幅器とフィルタとを含む。調整ハードウェア５２は、代表的ディスプレイデバイス４０内における個別の構成要素であってもよいし、またはプロセッサ２１もしくはその他の構成要素の中に組み込まれてもよい。
【００３３】
ドライバコントローラ２９は、プロセッサ２１によって生成された生画像データを、プロセッサ２１から直接取得し、またはフレームバッファ２８から取得し、その生画像データを、配列ドライバ２２への高速伝送に適するように再フォーマットする。具体的には、ドライバコントローラ２９は、生画像データを、ラスタ状のフォーマットを有するデータフローに再フォーマットすることによって、データに、ディスプレイ配列３０の走査に適した時間順序を付与する。次いで、ドライバコントローラ２９は、フォーマットされた情報を配列ドライバ２２に送信する。ＬＣＤコントローラなどのドライバコントローラ２９は、独立型の集積回路（ＩＣ）の形でシステムプロセッサ２１と関連付けられることが多いが、このようなコントローラは、様々な形で実現することができる。例えば、ハードウェアの形でプロセッサ２１に埋め込まれてもよいし、ソフトウェアの形でプロセッサ２１に埋め込まれてもよいし、または配列ドライバ２２を伴う形でハードウェアにまるごと組み込まれてもよい。
【００３４】
通常、配列ドライバ２２は、フォーマットされた情報をドライバコントローラ２９から受信し、そのビデオデータを平行波長のセットに再フォーマットする。これらの平行波長
のセットは、ディスプレイのｘ−ｙピクセル行列から引かれる数百本の、ときには数千本のリードに１秒当たり多数回印加される。
【００３５】
１つの実施形態において、ドライバコントローラ２９、配列ドライバ２２、およびディスプレイ配列３０は、本明細書において説明される任意のタイプのディスプレイに適している。例えば、１つの実施形態において、ドライバコントローラ２９は、従来のディスプレイコントローラまたは双安定ディスプレイコントローラ（例：インターフェロメトリックモジュレータコントローラ）である。別の一実施形態において、配列ドライバ２２は、従来のドライバまたは双安定ディスプレイドライバ（例：インターフェロメトリックモジュレータディスプレイ）である。１つの実施形態では、ドライバコントローラ２９が、配列ドライバ２２に統合されている。このような一実施形態は、セルラー式電話、腕時計、およびその他の小面積型ディスプレイなどの高度に集積されたシステムでよく見られる。更に別の一実施形態では、ディスプレイ配列３０は、通常のディスプレイアレイまたは双安定ディスプレイアレイ（例：インターフェロメトリックモジュレータの配列を含むディスプレイ）である。
【００３６】
入力デバイス４８は、ユーザが、代表的ディスプレイデバイス４０の動作を制御することを可能にする。１つの実施形態において、入力デバイス４８は、ＱＷＥＲＴＹキーボードまたは電話キーパッドなどのキーパッド、ボタン、スイッチ、タッチセンサ式画面、感圧式または感熱式の膜などを含む。１つの実施形態において、マイクロフォン４６は、代表的ディスプレイデバイス４０のための入力デバイスである。デバイスに対するデータの入力にマイクロフォン４６が使用される場合は、代表的ディスプレイデバイス４０の動作を制御するためにユーザによって音声命令を提供することができる。
【００３７】
電源５０は、当該分野において周知であるように、様々なエネルギ蓄積デバイスを含むことができる。例えば、１つの実施形態において、電源５０は、ニッケルカドミウム電池またはリチウムイオン電池などの充電式電池である。別の一実施形態において、電源５０は、再生可能なエネルギ源、コンデンサ、またはプラスチック太陽電池および太陽電池塗装を含む太陽電池である。別の一実施形態において、電源５０は、壁コンセントから電力を受け取るように構成される。
【００３８】
いくつかの実施形態では、上述のとおり、電子ディスプレイシステム内の複数個所に配置可能なドライバコントローラ内に、制御のプログラム可能性が備わっている。いくつかの実施形態では、配列ドライバ２２内に、制御のプログラム可能性が備わっている。当業者ならば、上述された最適化が、任意の数のハードウェアおよび／またはソフトウェアコンポーネント、ならびに様々な構成において実装可能であることを認識できる。
【００３９】
上記の原理にしたがって動作するインターフェロメトリックモジュレータの構造の詳細は、様々に可変である。例えば、図７Ａ〜７Ｅは、移動可能な反射層１４およびその支持構造の、５つの異なる実施形態を示している。図７Ａは、図１の実施形態の断面図であり、帯状の金属材料１４が、直交する支持構造１８上にデポジションされている。図７Ｂにおいて、移動可能な反射層１４は、その角部のみを、接続線３２を介して支持構造に取り付けられている。図７Ｃにおいて、移動可能な反射層１４は、可撓性材料を含みうる変形可能層３４から吊り下げられている。変形可能層３４は、その外周付近において、直接的にまたは間接的に基板２０に接続している。これらの接続は、本明細書において支持構造と称され、細長い壁もしくはレール、および／または相隔たれた柱を含むことができる。例えば、支持レールの行の上に機械層の列を吊り下げることによって、キャビティの配列を形成することができる一方で、各キャビティ内では、柱によって機械層を補強することができる。図７Ｄに示された実施形態は、変形可能な層３４を上に載せた支持プラグ４２を有する。このとき、移動可能な反射層１４は、図７Ａ〜７Ｃの場合と同様に、ギャップ
の上に吊り下げられた状態にあるが、変形可能層３４は、自身と光学スタック１６との間のホールを埋めることによる支柱の形成は行わなず、その代わりに、支柱１８は、支柱プラグ４２の形成に使用される平坦化材料で形成される。図７Ｅに示された実施形態は、図７Ｄに示された実施形態に基づくが、図７Ａ〜７Ｃの任意の図に示された実施形態はもちろん描かれていないその他の実施形態でも機能するように適合させることができる。図７Ｅに示された実施形態では、バス構造４４を形成するために、金属またはその他の導電性材料の追加層が使用されている。これは、インターフェロメトリックモジュレータの背後に沿った信号のルーティングを可能にする。これは、そうでない場合に基板２０上に形成されなければならないはずの複数の電極を排除することができる。
【００４０】
図７に示されたような実施形態において、インターフェロメトリックモジュレータは、モジュレータを配置する側と反対の側である透明基板２０の前面から画像を見られる直視型デバイスとして機能する。これらの実施形態において、反射層１４は、自身から見て基板２０と反対の側にある変形可能層３４を含む部分のインターフェロメトリックモジュレータを光学的に遮蔽する。これは、遮蔽された領域を、画質に悪影響を及ぼすことなく構成すること、および動作させることを可能にする。このような遮蔽は、図７Ｅのバス構造４４を可能にする。これは、アドレッシングおよびアドレッシングの結果として生じる移動などのモジュレータの電気機械的特性から、モジュレータの光学特性を分離する能力を提供する。この可分離式のモジュレータアーキテクチャは、モジュレータの電気機械的側面および光学的側面に使用される構造設計と構造材料とを、互いに独立に選択すること、および機能させることを可能にする。更に、図７Ｃ〜７Ｅに示された実施形態は、変形可能層３４によってなされる、反射層１４の機械的特性からの反射層１４の光学的特性の切り離しによる、更なるメリットを有する。これは、反射層１４に使用される構造設計および構造材料を、光学的特性に関して最適化することを可能にするとともに、変形可能層３４に使用される構造設計および構造材料を、所望の機械的特性に関して最適化することを可能にする。
【００４１】
本明細書では、層、材料、および／またはその他の構造的要素を、その他の構造的要素との関係で、「上」、「の上」、「の上方」、「の間」などと説明することができる。本明細書で説明される構造的要素の間には、様々な中間の層、材料、および／またはその他の構造的要素を配置することができるので、本明細書で使用されるこれらの用語は、直接的にまたは非直接的に上、の上、の上方、の間であることを意味することができる。同様に、例えば基板または層など、本明細書で説明される構造的要素は、単一の構成要素（例えば単層）または多構成要素の構造（例えば、列挙された材料の層を複数枚含む積層体。追加の材料層を伴っても、伴わなくてもよい）を含むことができる。前掲の含意に加えて、本明細書で使用される「上」という用語は、ある構造的要素を、別の構造的要素に対して、両者を互いに近接した状態に維持する任意の手法で取り付ける、つなげる、接合する、またはそれ以外の形で関連付けることを意味することができる。別の要素「上」にあるものとして説明された構造的要素は、もう一方の要素の一部をなしていても、またはもう一方の要素から離されて／分けられていてもよく、これらの要素は、永久的もしくは不可逆的などの形で、または取り外し可能もしくは分離可能な形で関連付けることができる。物体または要素に関連した「１つまたは複数の」という用語の使用は、この用語を使用されていない物体または要素について、考えられる複数の配置が存在しないことを、いかなる意味でも示すものではない。本明細書で使用される「微小電気機械デバイス」という用語は、概して、あらゆる製造段階におけるこのようなあらゆるデバイスを意味する。
【００４２】
図８Ａ〜８Ｈは、光学スタック１６の誘電層１３０の上に形成された金属犠牲材料を選択的に酸化することによって形成される支持構造または支柱を有するインターフェロメトリックモジュレータを形成する一方法を示している。金属犠牲材料の酸化部分は、リリースエッチングに対して耐性となるように化学的に変化される。この場合、支持構造は、リ
リースエッチングに先立ってキャビティを満たすものと同じ犠牲材料で形成することも可能である。金属犠牲材料の非酸化部分は、光学キャビティを形成するために、リリースエッチングによって除去される。
【００４３】
本実施形態にしたがって、透明な基板２０の上に、図７Ａ〜７Ｅに示されるような光学スタック１６が形成される。上述されたように、光学スタック１６は、通常、ＩＴＯなどの電極層１１０と、クロムなどの部分反射層１２０と、誘電体１３０と、を含む何枚かの統合された層、すなわち溶融層を含む。光学スタック１６のこれらの層は、行電極を形成するために、平行な帯状片となるようにパターン形成されることが好ましい。通常は、図８Ａに示されるように、光学スタック１６の層は、透明な基板２０の上にデポジションされる。このデポジションは、例えば、何らかの形態のスパッタリング、物理気相成長（ＰＶＤ）、化学気相成長(ＣＶＤ）、スピンオン誘電体(ＳＯＤ)、スピンオンガラス（ＳＯＧ）などの、従来のデポジション技術によることが好ましい。光学スタック１６の誘電層１３０は、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成されることが好ましい。その他の構成では、誘電層１３０は、その他の絶縁材料で形成されており、後続のエッチングステップから光学スタック１６を保護するために、１枚または２枚以上のエッチング停止層を随意に含むことができる。当業者ならば理解できるように、エッチング停止層は、その下の材料を保護するため、特定のエッチング技術に対して極めて耐性である。エッチング停止層に適した材料は、当該分野で知られており、例えば、Ａｌ2Ｏ3、チタン、タングステン、非晶質シリコン、ゲルマニウム、およびこれらの組み合わせを含む。
【００４４】
本実施形態にしたがうと、図８Ｂに示されるように、誘電層１３０の上に犠牲材料１４０がデポジションされる。犠牲層１４０は、犠牲材料１４０の上にデポジションされるであろう移動可能層１７０（図８Ｈ）と、光学スタック１６と、の間に共振光学キャビティ１８０（図８Ｈ）を形成するのに適した厚さで、光学スタック１６の上にデポジションされ（且つ後に選択的に除去され）ることが好ましい。したがって、犠牲材料１４０の厚さは、解放状態のときに反射される色の具体的選択にあわせて選択される。いくつかの構成では、ＲＧＢディスプレイシステム用に、赤、緑、青などの複数の異なる色を生成するために、基板の領域によって異なる複数の厚さがデポジションされる。代表的な一実施形態では、高さが最大のキャビティ（厚さが最大の犠牲層によって形成される）を有するモジュレータが、赤色光を反射し、高さが中間のキャビティ（厚さが中間の犠牲層によって形成される）を有するモジュレータが、緑色光を反射し、高さが最小のキャビティ（厚さが最小の犠牲層によって形成される）を有するモジュレータが、青色光を反射する。
【００４５】
好ましい一実施形態において、犠牲材料１４０は、アルミニウム（Ａｌ）を含む。他の実施形態では、この犠牲材料１４０は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン（Ｍｏ）を含むがこれらに限定されないその他の金属で形成することができる。これらの金属犠牲材料は、いずれも、露出された誘電材料および電極材料に対し、選択エッチング化学剤によって選択的にエッチングすることができる。例えば、フッ素を含有するエッチャント（例えばＸｅＦ2）は、列挙された各金属を、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、またはＡｌより大幅に速く（例えば１０倍を超える速さで、好ましくは４０倍を超える速さで）エッチングする。当業者ならば、金属犠牲材料を選択的にエッチングするために、後述されるものを含むその他のエッチャントが使用されてよいことがわかる。
【００４６】
図８Ｃおよび図８Ｄに示されるように、１つの実施形態にしたがうと、インターフェロメトリックモジュレータ構造の製造は、酸化部分すなわち金属酸化物部分１６０を形成するために犠牲材料１４０を選択的に酸化することによって続行される。これらの酸化部分１６０は、後ほど詳述されるように、デバイスの支持構造を形成する。好ましい一実施形態にしたがうと、部分１６０は、犠牲材料１４０の上にマスク（例えばフォトレジスト）
１５０を形成し、犠牲材料１４０のマスクで覆われていない部分を酸化することによって、酸化される。これらの金属酸化物部分１６０は、後ほど詳述される後続のリリースエッチングに対して耐性となるように、化学的に変化される。
【００４７】
好ましい一実施形態にしたがうと、金属犠牲材料１４０の部分１６０は、犠牲材料１４０を形成する金属の酸化物を形成するために、陽極酸化することができる。犠牲材料１４０は、アルミニウム、マグネシウム、チタン、タンタル、およびモリブデンを含むがこれらに限定されない陽極酸化可能な材料を含む。これらの材料の大半の酸化物（例えばＴａ2Ｏ5およびＴｉＯ2）は、絶縁体であり、ＸｅＦ2などの大半の金属エッチング化学剤に対して耐性である。当業者ならば、アルミニウムを含む犠牲材料１４０用として適したエッチャントが、リン酸、およびＨＣｌなどの塩素ベースのエッチャントを含むがこれらに限定されないことを理解できる。部分１６０は、犠牲材料１４０をマスクで覆い、犠牲材料１４０のマスクで覆われていない部分を陽極酸化することによって、陽極酸化される。当業者ならば、陽極酸化が、犠牲材料１４０と、もう１つの電極と、の間に電圧を印加することによって実施可能であることを理解できる。電圧は、例えば、電解質溶液を通じて印加することができる。金属酸化物部分１６０は、デバイスの支持構造を形成する。当業者ならば、犠牲材料１４０の特定の部分１６０の陽極酸化が、これらの部分１６０の化学的特性を変化させること、そして、陽極酸化が、後続のリリースエッチングに対して耐性の金属酸化物部分１６０をもたらす結果となることを理解できる。当業者ならば、陽極酸化部分１６０が、機械的に且つ化学的に非常に安定していること、そして、非常に滑らかで且つ平坦な表面を有することがわかる。
【００４８】
代替の一実施形態にしたがうと、金属を含む犠牲材料を陽極酸化する代わりに、シリコンを含む犠牲材料１４０が、陽極酸化によって選択的に酸化され、陽極酸化部分１６０を形成する。この陽極酸化部分１６０は、デバイスの支持構造として機能する。なお、この実施形態において、これらの陽極酸化部分１６０は、シリコン酸化物であり、ＸｅＦ2などの化学的エッチャントによる後続のリリースエッチングに対して耐性であることが理解される。当業者ならば、上述された方法にしたがうと、陽極酸化可能であるとともにリリースエッチングに対して耐性であるあらゆる材料が、デバイスの支持構造を形成するための犠牲材料１４０として使用可能であることがわかる。当業者ならば、犠牲材料１４０が、やはり化学的に安定している自身の酸化物に対して選択エッチング可能であるような、あらゆる陽極酸化可能材料を含みうることがわかる。
【００４９】
犠牲材料１４０は、リリースエッチングにおいて、露出される誘電体１３０および電極材料に対して選択的に且つ／または優先的にエッチング可能であるように選択されることが好ましい。犠牲材料１４０は、エッチャントが、露出される誘電体１３０および電極材料に対するよりも大幅に大きい速度で（例えば、露出される誘電体１３０および電極材料をエッチングする速度の５倍を超える速度、好ましくは１０倍を超える速度、更に好ましくは４０倍を超える速度で）犠牲材料１４０をエッチングできる場合に、露出される誘電体１３０および電極材料に対して選択的にまたは優先的にエッチング可能である。したがって、露出される誘電体１３０および電極材料は、犠牲材料１４０が大いにエッチングを受けやすい条件下において、エッチングに対して実質的に耐性である。当業者ならば、犠牲材料１４０の選択が、材料のデポジションに使用される方法および条件（材料の物理的特性および／もしくは化学的特性に影響を及ぼすことができる）、ならびに犠牲材料の除去の最中におけるエッチング条件（エッチングプロセスの特質および使用される具体的なエッチャントを含む）を含む、様々な要素に依存することを理解できる。当業者ならば、また、適切な条件下であれば全ての材料がエッチング可能であること、そして、本明細書における、材料を選択的にもしくは優先的にエッチング可能である、またはエッチングに対して耐性であるとする記述が、それらの材料が露出される特定の条件下での、デバイス内に存在する他の材料との比較であることが理解できる。したがって、多くの場合、他の
材料に対して選択的にまたは優先的にエッチング可能である犠牲材料の選択は、制御された条件下において、経験的に決定される。あるいは、対象となる材料の選択エッチングを可能にする様々なエッチング方法、システム、および材料が、当該分野において知られ、且つ／または市販されている。
【００５０】
酸化物部分１６０の形成後は、図８Ｅに示されるように、マスク１５０を除去することが好ましい。マスク１５０の除去後は、図８Ｆに示された、プレリリースの、すなわちリリースされていない構造を形成するために、構造の上に移動可能層１７０をデポジションする（そして、続いてパターン形成およびエッチングを行う）ことが好ましい。例示された実施形態において、移動可能層１７０は、機械層としてはもちろん、移動可能な反射層、すなわち第二の電極としても機能するので、機械層、移動可能層、変形可能層、および／または電極と称することができる。移動可能層１７０は、図７Ａ、図７Ｂ、および図８Ｆに示されるように、完全反射性の可撓性の金属を含んでもよいし、あるいは、図７Ｃ〜７Ｅに示されるように、別個のミラーを支持していてもよい（この場合は、先ずミラー層がデポジションされ、パターン形成され、エッチングされ、その上に犠牲材料がデポジションされ、パターン形成され、その上に機械層がデポジションされる）。移動可能層１７０として適した材料には、アルミニウム、クロム、および電極に一般に使用されるその他の材料が含まれるが、これらに限定されない。好ましい一実施形態では、移動可能層１７０は、アルミニウムミラー層の上のニッケル機械層を含む。移動可能層１７０は、その外周付近において、直接的にまたは間接的に基板２０に接続することが好ましい。
【００５１】
移動可能層１７０のデポジション、およびデバイスを完成させるためのその他のステップ（例えば行と交差するように列をパターン形成するなど）の後、犠牲材料１４０は、選択的に除去される。当業者ならば、犠牲層の除去に使用されるエッチングガスを犠牲材料１４０に到達可能にするために、図８Ｇに示されるように、移動可能層１７０に、開口、すなわちホール１７２をエッチング可能であることがわかる。当業者ならば、これらの開口１７２が、例えばフォトレジストで形成されたマスク（不図示）で移動可能層１７０を覆い、該マスクを通してエッチングを行うことによってエッチング可能であることを理解できる。マスクは、開口１７２がエッチングされた後に除去される。パッケージングプロセス全体の一環として、インターフェロメトリックモジュレータは、続いて密封され、インターフェロメトリックモジュレータを内包するパッケージを取り巻く環境から保護されることが理解される。このようなホール、すなわち開口は、フォトリソグラフィシステムによって許される限りの小さい直径を有することが好ましい。一実施形態では、ホール、すなわち開口は、約２〜６ミクロンの範囲の直径を有する。１ミクロン未満、より好ましくは０．５ミクロン未満などの、より小さい開口を形成するために、ステッパツールが使用可能であることが理解される。当業者ならば、開口の大きさ、間隔、および数が、犠牲材料１４０の除去速度に影響を及ぼすことを理解できる。
【００５２】
図８Ｈに示されるように、酸化部分または陽極酸化部分（図８Ｈにおいて支持構造１８として示される）の間の犠牲材料１４０は、移動可能層１７０と、光学スタック１６の誘電層１３０との間に光学キャビティ１８０を形成するために、好ましくは（例えばミラーすなわち移動可能層１７０、および誘電体１３０に対して選択的な）選択的ガスエッチングプロセスを使用して除去される。したがって、変化しなかった部分の犠牲材料１４０が、選択エッチングなどの除去プロセスによって除去される。犠牲材料１４０の選択エッチングの後、移動可能層１７０は、犠牲材料１４０の酸化部分または陽極酸化部分によって形成された支持構造１８によって支持され、且つ該支持構造１８の上に載っている。
【００５３】
様々なエッチングプロセスおよびエッチャントを、犠牲材料１４０を除去するために使用することができる。当該分野でよく知られた標準的なエッチング技術を、犠牲材料１４０を除去するために使用することができる。適切なエッチング技術には、例えば、ウェッ
トエッチング法およびドライエッチング法が含まれる。具体的なガスエッチングプロセスは、除去するべき材料に依存する。
【００５４】
化学的ドライエッチング法は、通常、ガス状の化学反応性のエッチャントを犠牲材料１４０に当てて、該材料を、例えば真空源によって除去される揮発性生成物に変換することを伴う。ドライエッチング法に有用なエッチャントの例は、例えば、不活性ガス（例えばＸｅもしくはＡｒ）と、例えばＦ2、Ｃｌ2、ＮxＦy（例えばＮＦ3）、ＣxＦy（例えばＣ2Ｆ6）、および／もしくはＳｉxＦy（例えばＳｉＦ4）との混合など、１種または複数種のガスの混合を含む。例えば、誘電体１３０およびミラーすなわち移動可能層１７０に対してシリコン、タンタル、モリブデン、チタン、またはタングステンの犠牲層を選択的に除去するためのドライエッチャントリリースガスとして、ガス状の、すなわち蒸気性の二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を使用することが可能である。なお、このエッチングプロセスは、例示された移動可能層１７０および下部の誘電層１３０、またはこれらの構造の上のあらゆるエッチング停止材料などの、誘電材料、半反射性材料、および電極材料をエッチングしない選択エッチングプロセスであることが理解される。例えば、ＸｅＦ2は、二酸化シリコン、アルミニウム、酸化アルミニウム、ニッケル、またはフォトレジストを、感知できるほどエッチングしない。
【００５５】
代表的なウェットエッチャントは、リン酸／酢酸／硝酸すなわち「ＰＡＮ」であり、これは、例えばＡｌまたはＧｅを、シリコン酸化物、シリコン窒化物、チタン、ニッケル、クロム、ＩＴＯ、シリコン炭化物、および非晶質シリコンを含むがこれらに限定されない様々な材料に対して選択的に除去することができる。当業者ならば、タンタルおよびチタンを含む犠牲材料１４０が、例えば、ＸｅＦ2、フッ素プラズマ（ＣＦ4、ＮＦ3、ＳＦ6）、およびＣｌ2などのエッチャントによるエッチングを含むがこれらに限定されないウェットエッチング化学剤またはドライエッチング化学剤のいずれによっても除去可能であることがわかる。マグネシウムを含む犠牲材料１４０は、ＨＣｌおよびＨＮＯ3などのエッチャントによるエッチングを含むがこれらに限定されないウェットエッチング化学剤を使用して除去することが好ましい。
【００５６】
アルミニウムを含む犠牲材料１４０は、ドライエッチング化学剤よりもウェットエッチング化学剤を使用して除去されることが好ましい。アルミニウム犠牲材料１４０に適したウェットエッチャントは、水酸化アルミニウム（ＮＨ4ＯＨ）およびＴＭＡＨ有機塩基などの塩基、リン酸、ＨＣｌ、ＰＡＮエッチャント、ＮａＯＨ、ならびにＫＯＨなどを含むがこれらに限定されない。アルミニウムの除去には、ウェットエッチャントが好ましいが、Ｃｌ2プラズマなどのドライエッチャントも、アルミニウムの除去に使用することができる。当業者ならば、アルミニウム犠牲材料をエッチングするのに使用されるウェットエッチャントが、移動可能層１７０の背面上のあらゆるアルミニウムも、もし存在するならば、除去すること、そして、移動可能層１７０の背面上のこのようなあらゆるアルミニウムが、薄い（例えば＜１００Å）誘電層によってエッチングから保護されると望ましいことがわかる。ニッケルは、アルミニウム用のエッチャントに対して耐性を持つので、当業者ならば、移動可能層１７０の背面上にアルミニウムを有する実施形態において、移動可能層１７０の背面上の反射性材料として、ニッケル（または上記エッチャントに対して耐性である任意の金属）を使用できることがわかる。
【００５７】
いくつかの実施形態において、エッチングは、例えば、デバイスの反射性またはリリースされるエッチング生成物を監視することによって監視される。その他の実施形態では、エッチングは、所定の時間にわたって行われる。当業者ならば、層のエッチング速度が、その層の厚さに依存することを理解できる。エッチング速度は、また、ガスの圧力、ガスの温度、およびもしＯ2、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｎ2などの別のガスと混合される場合はガスの濃度などの、プロセス条件にも依存する。上述されたように、移動可能層１７０は、犠
牲層の除去に使用されるエッチングガスを犠牲材料１４０に到達可能にするために、開口、すなわちホール１７２を有するようにパターン形成することもできる。当業者ならば、エッチング速度が、開口１７２の数および開口１７２の大きさにも依存することを理解できる。
【００５８】
この実施形態にしたがって得られるインターフェロメトリックモジュレータの最終構造が、図８Ｈに示されている。図８Ｈに示されるように、酸化部分または陽極酸化部分は、デバイスの支持構造１８として機能する。
【００５９】
別の一実施形態にしたがうと、デバイスの支持構造１８は、犠牲材料１４０がデポジションされた後に、該犠牲材料１４０内へとドーパント材料を選択的に拡散させることによって形成される。図９Ａ〜９Ｄに示されるように、この実施形態において、犠牲材料１４０のデポジション（図８Ｂ）の後の、インターフェロメトリックモジュレータ構造の製造は、犠牲材料１４０内へとドーパント材料２１０を選択的に拡散させることによって続行される。この実施形態において、犠牲材料１４０は、やはり、上で列挙された適切な材料を含むことができる。あるいは、この実施形態において、犠牲材料１４０は、モリブデン（Ｍｏ）を含むことができる。拡散プロセスは、ドーパント材料２１０および犠牲材料１４０によっては低めの温度も使用可能であるものの、通常は高温を必要とするので、この実施形態において、基板２０は、高温（例えば、好ましくは６００℃を超える温度、より好ましくは８００℃を超える温度）に耐えうる材料で形成されると好ましいことが理解される。当業者ならば、もし透明基板２０が非晶質ガラスで形成される場合、この透明基板２０は、通常約６６６℃であるガラス基板のひずみ点より高い温度に曝されると望ましくないことを理解できる。しかしながら、当業者ならば、透明基板２０としてサファイアおよび石英などの他の材料を使用してよいこと、そしてこのような他の材料ならば非晶質ガラスの場合よりも高い温度に曝してよいことがわかる。
【００６０】
ドーパント材料２１０は、犠牲材料の除去に使用されるエッチャントに対して耐性を持つ、例えば、シリコン、アルミニウム、モリブデン、クロム、ニッケル、鉄、金、プラチナ、およびナトリウムなどの材料であってよい。当業者ならば、ドーパント材料２１０の選択が、犠牲材料１４０の材料に依存することを理解できる。例えば、もし犠牲材料１４０がシリコンを含む場合は、ドーパント材料２１０は、例えば、酸素、アルミニウム、亜鉛、銅、金、プラチナ、またはナトリウムを含むことができる。１つの実施形態では、ニッケルのドーパント材料２１０を、２７０℃の低さの温度下で、シリコンを含む犠牲材料１４０内へと選択的に拡散させることができる。
【００６１】
１つの実施形態にしたがうと、ドーパント材料２１０は、犠牲材料１４０の上にデポジションされる固体材料である。デポジションされた後のドーパント材料２１０は、犠牲材料１４０の特定の部分がドーパント材料２１０で覆われて、図９Ａに示された構造が得られるように、当該分野において知られた技術によってパターン形成されることが好ましい。図示されていない１つの実施形態では、犠牲材料を先ずマスクで覆い、そのマスクの上に固体のドーパント材料をデポジションし、マスク開口内の犠牲材料と接触させる。例示された実施形態では、ドーパント材料２１０をパターン形成するために、先ずドーパント材料２１０をデポジションし、次いでマスクで覆って選択的にエッチングする。この実施形態では、ドーパント材料２１０で覆われた部分の犠牲材料１４０が、支持構造１８（図９Ｄ）として機能する。構造は、次いで、ドーパント材料２１０が犠牲材料１４０内へと拡散し、図９Ｂに示されるように、支持構造として機能する拡散部分２２０を形成するように、ベーキング処理を施される。犠牲材料１４０の部分２２０内へのドーパント材料２１０の拡散は、これらの部分２２０をリリースエッチングに対して耐性にする。
【００６２】
代替の一実施形態では、固体のドーパント材料を拡散させる代わりに、ガス状のドーパ
ント材料を犠牲材料１４０内へと選択的に拡散させる。ドーパント材料２１０は、犠牲材料１４０の上のマスク（不図示）を通して犠牲材料１４０の部分２２０内へとガス状のドーパント材料２１０を拡散させることによって、選択的に拡散され、図９Ｂに示された構造を得る。ガス状のドーパント材料２１０が犠牲材料１４０内へと拡散する領域は、デバイスの支持構造１８（図９Ｄ）になる。
【００６３】
ドーパント材料２１０が犠牲材料１４０内へと選択的に拡散した後は、図９Ｃに示されたリリースされていない構造を形成するために、移動可能層１７０がデポジションされることが好ましい。上述されたように、移動可能層１７０は、移動可能な反射層、すなわち第二の電極としても機能するので、機械層、変形可能層、および／または電極と称することができる。移動可能層１７０は、図７Ａ、図７Ｂ、図８、および図９に示されるように、完全反射性の可撓性の金属を含んでもよいし、あるいは、図７Ｃ〜７Ｅに示されるように、別個のミラーを支持していてもよい。移動可能層１７０として適した材料には、アルミニウム、ニッケル、クロム、および電極に一般に使用されるその他の材料が含まれるが、これらに限定されない。移動可能層１７０は、その外周付近において、直接的にまたは間接的に基板２０に接続することが好ましい。
【００６４】
移動可能層１７０が犠牲材料１４０の上にデポジションされ、デバイスを完成させるためのその他のステップ（例えば行と交差するように列をパターン形成するなど）が実施された後は、図９Ｄに示されるように、光学キャビティ１８０を形成するために、犠牲材料１４０が選択的に除去される。犠牲材料１４０の特定の部分（ドーパント材料２１０を拡散されていない部分）を除去するために、リリースエッチングが実施され、図９Ｄに示されるように、支持構造１８を形成するドープ部分（化学的特性を変化させられた部分）のみが残される。
【００６５】
上述されたように、犠牲材料１４０の除去には、標準的なエッチング技術が使用されてよいこと、そして具体的なガスエッチングプロセスは、除去される材料に依存することが理解される。エッチングプロセスは、例示された移動可能層１７０および下部の誘電層１３０、またはこれらの構造の上のあらゆるエッチング停止材料などの、誘電材料、半反射性材料、および電極材料を実質的にエッチングしない選択エッチングプロセスであることが理解される。当業者ならば、ドーパント材料２１０が、使用されるエッチャントに対する耐性を犠牲材料１４０の拡散部分に持たせるようなあらゆる材料を含みうることを理解できる。例えば、もし犠牲材料１４０がシリコンを含む場合は、酸素などのドーパント材料２１０を選択的に拡散させることができ、犠牲材料１４０を除去するために、フッ素ベースのエッチャントを使用することができる。二酸化シリコンは、ＸｅＦ2などのフッ素ベースのエッチャントに対して耐性であるので、ドーパント材料２１０としては、酸素を使用可能であることが理解される。上述されたように、移動可能層１７０には、犠牲層の除去に使用されるエッチングガスを犠牲材料１４０に到達可能にするために、開口、すなわちホール１７２をエッチングすることができる。
【００６６】
図９Ｄに示されるように、犠牲材料１４０は、犠牲材料１４０の一部内へとドーパント材料を拡散させることによって形成された支持構造の間の部分を除去される。光学キャビティ１８０を形成するため、犠牲材料１４０は、好ましくは（例えばミラーすなわち移動可能層１７０、および誘電体１３０に対して選択的な）選択的ガスエッチングプロセスを使用して除去される。犠牲材料１４０の選択エッチングの後、移動可能層１７０は、犠牲材料１４０の選択的拡散によって形成された支持構造１８によって支持され、且つ該支持構造１８の上に載っている。
【００６７】
更に別の一実施形態では、選択的拡散の代わりに、犠牲材料１４０への選択的イオン注入、およびそれに続く注入領域のレーザーアニールによって、支持が形成される。一実施
形態にしたがうと、非晶質シリコンを含む犠牲材料１４０に、イオンが注入される。イオンの選択的注入は、マスクの使用を通じてなすことができる。特定の実施形態では、これらのイオンは、酸素イオン、窒素イオン、または炭素イオンであってよい。レーザは、注入されたイオンを選択的に活性化し、注入領域をアニールすることによって、支持構造を形成する。支持構造の組成は、注入されたイオンに依存する。例えば、注入されたイオンが酸素である場合は、支持はＳｉＯ2を含み、注入されたイオンが窒素または炭素である場合は、支持はＳｉＮxまたはＳｉＣxをそれぞれ含む。有利なことに、レーザーは、加熱する領域を高度に選択可能であるので、このプロセスは、支持材料の酸化に通常起因して生じる、非常に高い温度にその他の構成要素が曝される事態を回避する。１つの実施形態において、この選択的暴露は、マスクの使用を通じてなすことができる。これは、更なる実施形態において、犠牲材料１４０への選択的イオン注入を制御するために使用されるマスクである。更に、この実施形態は、インターフェロメトリックモジュレータにおける支持構造の形成に関して説明されたものの、このプロセスの使用は、インターフェロメトリックモジュレータの製造に限定されず、近接する構成要素を非常に高い温度に曝すことなく選択的変化をなすことが望まれる様々なプロセスに対して適用可能であることが理解される。例えば、このプロセスは、その他のタイプのＭＥＭＳデバイスの製造に使用することができる。また、上述されたような選択的拡散を含むがこれに限定されないプロセスを通じてドーパント材料２１０による選択的変化を経た犠牲材料１４０の領域に対し、レーザーアニールが使用可能であることも理解される。
【００６８】
上記の詳細な説明は、本発明の新規の特徴を、様々な実施形態に照らして図示、説明、および指摘してきたが、当業者ならば、例示されたデバイスまたはプロセスの形態および詳細について、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な省略、置換、および変更をなせることが、理解されるであろう。特徴のいくつかは、他の特徴と別個に使用または実施することができるので、本発明は、本明細書に明記された特徴および利点の全てを提供するのではない形態の範囲内で実現可能であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態の一部分を描いた等角図であり、第一のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が解放位置にあり、第二のインターフェロメトリックモジュレータの移動可能反射層が作動位置にある。
【図２】３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを組み込んだ電子デバイスの１つの実施形態を示したシステムブロック図である。
【図３】図１のインターフェロメトリックモジュレータの１つの代表的実施形態について、移動可能なミラーの位置と印加される電圧との関係を示した図である。
【図４】インターフェロメトリックモジュレータディスプレイを駆動するために使用することができる行電圧および列電圧のセットを示した説明図である。
【図５Ａ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイにディスプレイデータのフレームを書き込むために使用することができる行信号および列信号に関する１つの代表的なタイミング図である。
【図５Ｂ】図２の３ｘ３インターフェロメトリックモジュレータディスプレイにディスプレイデータのフレームを書き込むために使用することができる行信号および列信号に関する１つの代表的なタイミング図である。
【図６Ａ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを含むビジュアルディスプレイデバイスの一実施形態を示したシステムブロック図である。
【図６Ｂ】複数のインターフェロメトリックモジュレータを含むビジュアルディスプレイデバイスの一実施形態を示したシステムブロック図である。
【図７Ａ】図１のデバイスの断面図である。
【図７Ｂ】インターフェロメトリックモジュレータの代替の一実施形態の断面図である。
【図７Ｃ】インターフェロメトリックモジュレータの別の代替の一実施形態の断面図である。
【図７Ｄ】インターフェロメトリックモジュレータの更に別の代替の一実施形態の断面図である。
【図７Ｅ】インターフェロメトリックモジュレータの更なる代替の一実施形態の断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｄ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｅ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｆ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｇ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図８Ｈ】本発明の一実施形態にしたがった、犠牲材料を選択的に酸化することによって形成された柱を有するインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図９Ａ】犠牲材料内へとドーパント材料を選択的に拡散された、別の一実施形態にしたがって形成されたインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図９Ｂ】犠牲材料内へとドーパント材料を選択的に拡散された、別の一実施形態にしたがって形成されたインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図９Ｃ】犠牲材料内へとドーパント材料を選択的に拡散された、別の一実施形態にしたがって形成されたインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図９Ｄ】犠牲材料内へとドーパント材料を選択的に拡散された、別の一実施形態にしたがって形成されたインターフェロメトリックモジュレータの断面図である。
【図１】
2009503564.tif 000003
【図２】
2009503564.tif 000004
【図３】
2009503564.tif 000005
【図４】
2009503564.tif 000006
【図５Ａ】
2009503564.tif 000007
【図５Ｂ】
2009503564.tif 000008
【図６Ａ】
2009503564.tif 000009
【図６Ｂ】
2009503564.tif 000010
【図７Ａ】
2009503564.tif 000011
【図７Ｂ】
2009503564.tif 000012
【図７Ｃ】
2009503564.tif 000013
【図７Ｄ】
2009503564.tif 000014
【図７Ｅ】
2009503564.tif 000015
【図８Ａ】
2009503564.tif 000016
【図８Ｂ】
2009503564.tif 000017
【図８Ｃ】
2009503564.tif 000018
【図８Ｄ】
2009503564.tif 000019
【図８Ｅ】
2009503564.tif 000020
【図８Ｆ】
2009503564.tif 000021
【図８Ｇ】
2009503564.tif 000022
【図８Ｈ】
2009503564.tif 000023
【図９Ａ】
2009503564.tif 000024
【図９Ｂ】
2009503564.tif 000025
【図９Ｃ】
2009503564.tif 000026
【図９Ｄ】
2009503564.tif 000027
【国際調査報告】
2009503564.tif 000028
2009503564.tif 000029
2009503564.tif 000030