(57)【要約】本発明の実施形態による窒化物半導体発光素子は、基板と、第１半導体層、第２半導体層を含みながら上記基板の一側上に形成された発光素子と、第４半導体層、第５半導体層を含みながら上記基板の他側上に形成された保護素子と、上記発光素子と上記保護素子とを電気的に連結する連結配線とを含むことができる。【選択図】図２
2009531852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
第１半導体層、第２半導体層を含みながら前記基板の一側上に形成された発光素子と、
第４半導体層、第５半導体層を含みながら前記基板の他側上に形成された保護素子と、
前記発光素子と前記保護素子とを電気的に連結する連結配線と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光素子上に形成された第１ボンディングパッドと、
前記保護素子上に形成された第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記保護素子の一側上に形成された第１ボンディングパッドと、
前記保護素子の他側上に形成された第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２半導体層上に形成される第１オーム（ohm）形成層と、
前記第５半導体層上に形成される第２オーム（ohm）形成層と、
前記第１オーム（ohm）形成層上に形成される第１ボンディングパッドと、
前記第２オーム（ohm）形成層上に形成される第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第２半導体層上に形成される第１オーム（ohm）形成層と、
前記第５半導体層上に形成される第２オーム（ohm）形成層と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に形成される第１ボンディングパッドと、
前記第４半導体層上に形成される第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
基板と、
第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層を含みながら前記基板の一側上に形成された発光素子と、
第４半導体層、第５半導体層、第６半導体層を含みながら前記基板の他側上に形成された保護素子と、
前記発光素子と前記保護素子とを電気的に連結する連結配線と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記発光素子上に形成された第１ボンディングパッドと、
前記保護素子上に形成された第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記保護素子の一側上に形成された第１ボンディングパッドと、
前記保護素子の他側上に形成された第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記第３半導体層上に形成される第１オーム（ohm）形成層と、
前記第６半導体層上に形成される第２オーム（ohm）形成層と、
前記第１オーム（ohm）形成層上に形成される第１ボンディングパッドと、
前記第２オーム（ohm）形成層上に形成される第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第３半導体層上に形成される第１オーム（ohm）形成層と、
前記第６半導体層上に形成される第２オーム（ohm）形成層と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に形成される第１ボンディングパッドと、
前記第４半導体層上に形成される第２ボンディングパッドと、
を含むことを特徴とする請求項６記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
第１半導体層、第２半導体層を含んだ発光素子を基板の一側に形成する段階と、
第４半導体層、第５半導体層を含んだ保護素子を前記基板の他側に形成する段階と、
前記発光素子と前記保護素子とを電気的に連結する連結配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記発光素子上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記保護素子上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記保護素子の一側上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記保護素子の他側上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記発光素子上に第１オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記保護素子上に第２オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第１オーム（ohm）形成層上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記発光素子上に第１オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記保護素子上に第２オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記保護素子の第４半導体層上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２半導体層上に第３半導体層を形成する段階と、
前記第５半導体層上に第６半導体層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第３半導体層上に第１オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第６半導体層上に第２オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第１オーム（ohm）形成層上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１６記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第３半導体層上に第１オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第６半導体層上に第２オーム（ohm）形成層を形成する段階と、
前記第２オーム（ohm）形成層上に第１ボンディングパッドを形成する段階と、
前記第４半導体層上に第２ボンディングパッドを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１６記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記発光素子と前記保護素子との間を電気的に絶縁するための絶縁層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１半導体層と前記第４半導体層は同一な導電型で、同時に形成され、
前記第２半導体層と前記第５半導体層は同一な導電型で、同時に形成されることを特徴とする請求項１１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、窒化ガリウム（ＧａＮ）を始めとする窒化物半導体は、優れる物理、化学的特性に起因して光電材料及び電子素子の核心素材として脚光を浴びている。特に、高効率の三原色（赤、青、禄）と白色発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）が登場しながら発光ダイオードの応用範囲が広くなった。例えば、発光ダイオードはキーパッドと液晶表示装置のバックライト（backlight）、信号灯、空港滑走路の案内灯、照明灯などの多様な分野で使われている。
【０００３】
図１は、従来技術による窒化物半導体発光素子の断面図である。
【０００４】
従来技術による窒化物半導体発光素子は、サファイア基板１１の上に順次に形成されたｎ型ＧａＮ層１２、活性層１３及びｐ型ＧａＮ層１４を含み、上記ｐ型ＧａＮ層１４、活性層１３及びｎ型ＧａＮ層１２は、その一部領域がエッチングされてｎ型ＧａＮ層１２の一部の上面が露出した構造を有する。そして、上記ｐ型ＧａＮ層１４の上面及び上記露出したｎ型ＧａＮ層１２の上面には各々ｐ型電極１５及びｎ型電極１６が形成される。
上記のような窒化物半導体発光素子は、高効率の光源であって、非常に多様な分野に応用されている。しかしながら、従来技術による窒化物半導体発光素子は静電気などのような電気的衝撃に非常に脆弱であるという欠点を有する。即ち、窒化物半導体発光素子に対して逆バイアス（bias）状態で発生される静電放電（Electrostatic Discharge：ＥＳＤ）は発光素子の内部物理的構造を損傷させることになる問題がある。
【０００５】
また、従来技術によると、静電放電保護素子が占める領域が大きくて光効率が落ちる問題があった。
【０００６】
また、従来技術によると、静電放電保護素子が追加されることによって、発光素子の大きさが大きくなることにより、超小型、超薄型、超軽量パッケージに適用し難いという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、逆バイアス（bias）で印加される静電放電（Electrostatic Discharge：ＥＳＤ）から素子が保護できる静電放電保護素子を含む窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、静電放電保護素子に一つ以上のボンディングパッドを形成することによって、光効率の高い窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の更に他の目的は、静電放電保護素子を含みながらも超小型、超薄型、超軽量パッケージに適用可能な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態による窒化物半導体発光素子は、基板と、第１半導体層、第２半導体層を含みながら上記基板の一側上に形成された発光素子と、第４半導体層、第５半導体層を含みながら上記基板の他側上に形成された保護素子と、上記発光素子と上記保護素子とを電気的に連結する連結配線とを含むことができる。
【００１１】
また、本発明の他の実施形態による窒化物半導体発光素子は、基板と、第１半導体層、第２半導体層、第３半導体層を含みながら上記基板の一側上に形成された発光素子と、第４半導体層、第５半導体層、第６半導体層を含みながら上記基板の他側上に形成された保護素子と、上記発光素子と上記保護素子とを電気的に連結する連結配線とを含むことができる。
【００１２】
また、本発明の更に他の実施形態による窒化物半導体発光素子の製造方法は、第１半導体層、第２半導体層を含んだ発光素子を基板の一側に形成する段階と、第４半導体層、第５半導体層を含んだ保護素子を上記基板の他側に形成する段階と、上記発光素子と上記保護素子とを電気的に連結する連結配線を形成する段階とを含むことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施形態による窒化物半導体発光素子及びその製造方法によると、静電放電（Electrostatic Discharge：ＥＳＤ）保護特性を有する発光ダイオードを提供することで、高い静電放電特性が要する発光ダイオードパッケージ製品に応用可能である。
【００１４】
また、本発明の実施形態によると、保護素子に一つ以上のボンディングパッドを形成することによって、光効率が低下しない高い静電放電保護特性を有する窒化物半導体発光ダイオードを提供することができる。
【００１５】
また、本発明の実施形態によると、静電放電保護素子を実装しながらも、超小型、超薄型、超軽量発光ダイオードパッケージ製品に使われることによって、多様なパッケージ製品に応用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照しつつ本発明の実施形態に従う窒化物半導体発光素子及びその製造方法について詳細に説明する。
【００１７】
本発明に従う実施形態の説明において、各層の“上／下（on/under）”に形成されるものと記載される場合において、上／下（On/under）は直接（directly）、または、他の層を介在して（indirectly）形成されるものを全て含む。
【００１８】
本発明の実施形態に従う窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、ＮＰＮ構造の発光素子に対して説明したが、これに限定されるのではない。即ち、ＰＮ構造などの多様な構造の発光ダイオードに適用可能である。
【００１９】
（第１実施形態）
図２乃至図６は、本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子である。
【００２０】
図２は、本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子の平面図であり、図３は本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子の斜視図である。
【００２１】
まず、図２及び図３を参照すると、基板３１０の上には発光素子３００と保護素子４００が同一な積層構造を有するように形成されることができる。
【００２２】
この際、保護素子４００は、発光素子３００の一側に発光素子から分割された構造でありうる。ここで、基板３１０は、例えばサファイアなどのような絶縁性基板からなることができる。
【００２３】
そして、発光素子３００と保護素子４００との間の境界部４９０には絶縁層３９０が形成されて、２素子間を電気的に離隔させることができる。
【００２４】
発光素子３００は、ＮＰＮタイプの窒化物半導体発光素子で形成されることができ、保護素子４００は逆方向に印加される電圧により発光素子３００を保護するための素子であって、例えば、ＮＰＮ構造のダイオードからなることができる。即ち、発光素子３００及び保護素子４００は、同一なＮＰＮ構造を有することができる。
【００２５】
発光素子３００は、第１連結配線３６１により保護素子の第１半導体層４２０と連結されることができ、保護素子４００は第２連結配線４６１により発光素子の第１半導体層３２０と連結されることができる。
【００２６】
そして、第１連結配線３６１及び第２連結配線４６１は、金属層からなることができる。また、第１連結配線３６１及び第２連結配線４６１は、発光素子のオーム（ohm）形成層３５０、保護素子のオーム（ohm）形成層４５０、発光素子の第１半導体層３２０、保護素子の第１半導体層４２０、及び絶縁層３９０の上に形成されることができる。
【００２７】
そして、第１連結配線３６１の一側には上記発光素子のオーム（ohm）形成層３５０の上に第１ボンディングパッド３６０が形成されることができ、第２連結配線４６１の他側の上記保護素子のオーム（ohm）形成層４５０の上に第２ボンディングパッド４６０が形成されることができる。
【００２８】
オーム（ohm）形成層３５０、４５０は透明電極でありうる。
【００２９】
本発明の第１実施形態によると、保護素子４００の上に第２ボンディングパッド４６０を形成することによって、第２ボンディングパッド４６０の大きさだけ発光素子の発光領域を確保することができ、静電気放電保護素子を有する発光素子での光効率が低下することを防止することができる。
【００３０】
具体的に、図３乃至図６を参照して保護素子を含む窒化物半導体発光素子の構造について説明すれば、次の通りである。
【００３１】
図３は、本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子の斜視図である。図４は図３のＢ−Ｂ断面図であり、図５は図３のＣ−Ｃ断面図であり、図６は本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子を概略的な回路構造で表した図である。
【００３２】
発光素子３００及び保護素子４００は、基板３１０上に形成された第１半導体層３２０、４２０、活性層３３０、４３０、第２半導体層３４０、４４０、第３半導体層３４５、４４５、及びオーム（ohm）形成層３５０、４５０を含んで形成されることができる。
【００３３】
基板３１０上に形成される第１半導体層３２０、４２０はｎ−ＧａＮ層であることができ、第１半導体層３２０、４２０上に形成される活性層３３０、４３０はＩｎＧａＮ−ＱＷ（Quantum Well）を含むことができる。上記活性層上に形成される第２半導体層３４０、４４０は、ｐ−ＧａＮ層であることができ、第２半導体層３４０、４４０上に形成される第３半導体層３４５、４４５はｎ−ＧａＮ層であることができる。
【００３４】
そして、第３半導体層３４５、４４５の表面には、オーム（ohm）形成層３５０、４５０が選択的に形成されることができる。ここで、上記オーム（ohm）形成層は、透過性酸化膜として、ＩＴＯ、ＺｎＯｘ、Ａｌ ｄｏｐｅｄ ＺｎＯｘ、ＲｕＯｘ、ＴｉＯｘ、ＩｒＯｘなどのうち、少なくとも一つ以上で使用することができる。
【００３５】
上記発光素子の第１乃至第３半導体層３２０、３４０、３４５と上記保護素子の第１乃至第３半導体層４２０、４４０、４４５は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などの工程を利用して成長されることができる。また、第１半導体層３２０、４２０と基板との間には格子整合を向上させるために、基板３１０の上部にＡｌＮ／ＧａＮのようなバッファ層（図示せず）をさらに形成することもできる。ここで、第３半導体層３４５、４４５はオーミック接触（ohmic contact）のための層である。
【００３６】
そして、発光素子３００及び保護素子４００の間の境界部４９０は、エッチングされて基板の上面が露出することによって、発光素子及び保護素子が電気的に分離されることができる。また、上記境界部の隣接部分には、上記エッチングにより発光素子の第１導電型半導体層３２０と上記保護素子の第１導電型半導体層４２０が各々露出されることができる。
【００３７】
境界部４９０及びその周辺には素子間及び他の層間の絶縁のために絶縁層（passivation layer）３９０が形成されることができる。絶縁層３９０は境界部４９０及びその周辺に位置した基板３１０の上面と、保護素子４００の第１半導体層４２０及び保護素子のオーム（ohm）形成層４５０、発光素子３００のオーム（ohm）形成層３５０及び発光素子の第１半導体層３２０の露出部分に部分的に積層されることができる。
【００３８】
そして、上記発光素子３００及び保護素子４００を電気的に連結させるための第１及び第２連結配線３６１、４６１が形成されることができる。第１連結配線３６１は、絶縁層３９０、発光素子のオーム（ohm）形成層３５０、及び保護素子の第１半導体層４２０上に形成されることができ、この際、第１連結配線３６１の一側に所定の大きさ及び形状を有する第１ボンディングパッド３６０が形成されることができる。
【００３９】
第２連結配線４６１は、保護素子のオーム（ohm）形成層４５０、絶縁層３９０、発光素子の第１半導体層３２０上に金属層で形成されることができ、この際、第２連結配線４６１の他側に所定の大きさ及び形状を有する第２ボンディングパッド４６０が形成されることができる。
【００４０】
上記の発光素子のオーム（ohm）形成層３５０、保護素子のオーム（ohm）形成層４５０上に形成される第１連結配線３６１、第２連結配線４６１、または第１ボンディングパッド３６０、第２ボンディングパッド４６０は、上記発光素子のオーム（ohm）形成層３５０及び上記保護素子のオーム（ohm）形成層４５０を通じて、その下部の第３半導体層３４５、４４５と電気的に連結される。
【００４１】
これによって、第１連結配線３６１は、ｎ−ＧａＮ層である保護素子の第１及び発光素子の第３半導体層４２０、３４５に電気的に連結され、第２連結配線４６１はｎ−ＧａＮである発光素子の第１及び保護素子の第３半導体層３２０、４４５に電気的に連結される。
【００４２】
また、第１ボンディングパッド３６０は、第１連結配線３６１の一側に発光素子３００に形成され、第２ボンディングパッド４６０は、第２連結配線４６１の他側に保護素子４００に形成されることによって、保護素子を有する発光素子に第１ボンディングパッド３６０及び第２ボンディングパッド４６０を通じてワイヤーボンディングされることができる。このような第１及び第２ボンディングパッド３６０、４６０は金属層であって、第１連結配線３６１及び第２連結配線４６１と共に形成されることもできる。
【００４３】
図６を参照すると、第１連結配線３６１は、発光素子のオーム（ohm）形成層４５０及び保護素子の第１半導体層４２０を電気的に連結してくれて、第１連結配線３６１に形成された第１ボンディングパッド３６０は、発光素子のアノード（Ａ）端子として作用することになる。
【００４４】
第２連結配線４６１は、保護素子のオーム（ohm）形成層４５０及び発光素子の第１半導体層３２０を電気的に連結してくれて、第２連結配線４６１に形成された第２ボンディングパッド４６０は発光素子のカソード（K）端子として作用することになる。
【００４５】
このような第１実施形態の動作は、次の通りである。図４乃至図６を参照すると、第１ボンディングパッド３６０がアノードとして動作し、第２ボンディングパッド４６０がカソードとして動作すると、発光素子の第３半導体層３４５はＰ型キャリヤ（carrier）が外部から素子の内部に流入される時、上記発光素子の第３半導体層３４５と上記発光素子の第２半導体層３４０との間に逆転型グレーディング（grading）を形成させることによって、電極接触層の役割を遂行することになる。
【００４６】
発光素子３００は定常動作をすることになり、低電圧駆動が可能になる。この際、保護素子４００は、保護素子の第１半導体層４２０にアノードが連結されて逆方向電圧が印加されるため、素子が動作しない状態となる。仮に、逆方向電圧や静電放電の逆方向電圧が瞬間的に発光素子３００に印加されると、発光素子３００には逆方向電圧がかかることになって、動作しなくなる。即ち、逆方向電圧が保護素子４００を動作させてくれて、発光素子３００を安全に保護することになる。
【００４７】
本発明の第１実施形態に従う発光素子３００にはカソードと連結されるボンディングパッド４６０が含まれないので、発光素子領域の大きさを上記保護素子上に形成されるボンディングパッド４６０の大きさだけ更に確保することができる。
【００４８】
即ち、本発明の第１実施形態における発光素子３００の領域には、一つのボンディングパッドが含まれる。このような静電放電保護特性を有する発光素子３００は、ダイオードの実装が不可能な超薄型高輝度パッケージ製品及び保護素子の実装を必要とするパッケージ製品に使われることができる。
【００４９】
また、本発明の他の実施形態は、第１及び第２ボンディングパッドを第１実施形態と異なる構造で具現することができる。例えば、発光素子の第１半導体層に第１ボンディングパッドを形成し、保護素子の第１半導体層に第２ボンディングパッドを形成することもできる。
【００５０】
（第２実施形態）
図７は本発明の第２実施形態に従う窒化物半導体発光素子の平面図であり、図８は本発明の第２実施形態に従う窒化物半導体発光素子を概略的な回路構造で表した図である。
【００５１】
このような本発明の第２実施形態は、保護素子に２つのボンディングパッドを形成した構造であって、第１実施形態の特徴を採用することができる。
【００５２】
例えば、図７のように、本発明の第２実施形態は、本発明の第１実施形態と同一な積層構造を有することができる。但し、本発明の第２実施形態は保護素子４００に２つのボンディングパッドを含む点に特徴がある。
【００５３】
図７及び図８を参照すると、保護素子４００を含む領域５００には、一側に第１ボンディングパッド４６０ａが、他側に第２ボンディングパッド４７０ａが形成されることができる。例えば、第１ボンディングパッド４６０ａは、保護素子のオーム（ohm）形成層４５０の上面に形成されることができ、第２ボンディングパッド４７０ａは保護素子の第１導電型半導体層４２０の上面に形成されることができる。
【００５４】
第１ボンディングパッド４６０ａ及び第２ボンディングパッド４７０ａは、同一な大きさの領域に分割されたり、互いに異なる大きさで形成されることができ、第１連結配線３６１及び第２連結配線４６１により発光素子３００と電気的に連結されることができる。
【００５５】
例えば、第１連結配線３６１は、保護素子４００の第１半導体層４２０の上面及び発光素子３００のオーム（ohm）形成層３５０の上面に形成されて、保護素子４００と発光素子３００のｎ型半導体層の相互間を電気的に連結してくれる。上記保護素子領域の第１連結配線３６１に形成された第１ボンディングパッド４７０ａは発光素子のアノード（Ａ）端子として作用することになる。
【００５６】
第２連結配線４６１は、保護素子４００のオーム（ohm）形成層の上面及び発光素子３００の第１半導体層３２０の上面に形成されて、保護素子及び発光素子のｎ型半導体層の相互間を電気的に連結させてくれる。上記保護素子領域の第２連結配線４６１に形成された第２ボンディングパッド４６０ａはカソード（Ｋ）端子として作用することになる。
【００５７】
このように、本発明の第２実施形態によると、静電放電保護素子４００に２つのボンディングパッド４６０ａ、４７０ａを全て形成し、２つの連結配線により発光素子３００及び保護素子４００の両極性を回路的に各々連結させることによって、保護素子を有する発光素子として動作することができる。
【００５８】
また、本発明の第２実施形態によると、発光素子領域でない保護素子上にボンディングパッドを形成することによって、発光領域を増加させることができる。
【００５９】
また、本発明の第２実施形態によると、発光素子領域でない保護素子領域内でボンディングパッドを形成することによって、保護素子の以外の領域に別途のボンディングパッド領域を更に設置しなくても良いという効果がある。
【００６０】
以上、本発明に対し、その望ましい実施形態を中心に説明したが、これは例示に過ぎないものであり、本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性から逸脱することなく、例示していない様々な変形及び応用が可能であることが分かる。例えば、本発明の実施形態に具体的に表れた各構成要素は、変形して実施できるものである。そして、このような変形と応用に関連した差異点は添付した請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】従来技術による窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子の斜視図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図３のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に従う窒化物半導体発光素子を概略的な回路構造で示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に従う窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に従う窒化物半導体発光素子を概略的な回路構造で示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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