(57)【要約】  本発明は、半導体ボディ（１）を備えたオプトエレクトロニクス半導体モジュールに関する。このオプトエレクトロニクス半導体モジュールは、垂直放射層（３）を備えた表面放射型の垂直放射領域（２）を有し、垂直放射層（３）を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源（４）を有し、放射通過面（２６）を有し、該放射通過面（２６）を通って垂直放射層（３）において生成された電磁放射（３１）は半導体ボディ（１）から放出され、ポンプ源（４）および垂直放射層（３）は垂直方向において相互に隔てられている。
2009533848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ボディ（１）を備えたオプトエレクトロニクス半導体モジュールにおいて、
−垂直放射層（３）を備えた表面放射型の垂直放射領域（２）を有し、
−前記垂直放射層（３）を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源（４）を有し、
−放射通過面（２６）を有し、該放射通過面（２６）を通って前記垂直放射層（３）において生成された電磁放射（３１）は前記半導体ボディ（１）から放出され、
−前記ポンプ源（４）および前記垂直放射層（３）は垂直方向において相互に隔てられていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２】
前記ポンプ源（４）は前記垂直放射層（３）と前記放射通過面（２６）との間に配置されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項３】
前記垂直放射層（３）は前記ポンプ源（４）と前記放射通過面（２６）との間に配置されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項４】
前記垂直放射層（３）は前記半導体ボディ（１）のメサ（６）内に配置されている、請求項３項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項５】
前記メサ（６）の周囲においては、金属を含有する材料（９）が前記半導体ボディ（１）上に被着されている、請求項４記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項６】
前記材料（９）は電気的に前記メサ（６）の周囲に析出されている、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項７】
前記メサ（６）に接している側面（２７）はポンプ放射に対して反射性に構成されている、請求項１から６までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項８】
前記メサ（６）の前記側面（２７）は少なくとも部分的に、ポンプ放射に対して少なくとも８０％の反射率を有する材料（２３，２４）でもってコーティングされている、請求項７記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項９】
前記メサ（６）の前記側面（２７）は少なくとも部分的に以下の光学的基本要素のうちの１つの形式、すなわち円錐台形状光学系、ピラミッド断端形状光学系、ＣＰＣ、ＣＨＣ、ＣＥＣにしたがい構成されている、請求項１から８までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１０】
前記メサ（６）の前記側面（２７）は少なくとも部分的に、前記垂直放射層（３）にポンプ放射を偏向させるために設けられている、請求項１から９までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１１】
前記垂直放射層（３）は、ドーパント材料を含有していないブラッグミラー構造体（７）を有する、請求項１から１０までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１２】
前記ブラッグミラー構造体（７）は前記垂直放射層（３）の前記ポンプ源（４）側とは反対側に配置されている、請求項１１記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１３】
少なくとも１つのミラー（３４）を有し、該ミラー（３４）は前記ブラッグミラー（７）と共に前記垂直放射層（３）において生成された電磁放射（３１）に対するレーザ共振器を形成する、請求項１から１２までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの前記半導体ボディと熱伝的に接触している少なくとも１つの光学素子（３０，３２）が前記レーザ共振器内に配置されている、請求項１３記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１５】
前記光学素子（３０，３２）は以下の光学的な特性、すなわち周波数選択性、周波数多重性、反射性、光学的な屈折性のうちの少なくとも１つの光学的な特性を有する、請求項１４記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１６】
前記光学素子（３０，３２）は少なくとも部分的に以下の光学的な基本要素、すなわちエタロン、複屈折フィルタ、非線形光学結晶、ミラー、レンズのうちの少なくとも１つの光学的な基本要素によって形成されている、請求項１５記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１７】
前記レーザ共振器は最大で１０ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１から１６までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１８】
前記レーザ共振器は最大で５ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１７記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１９】
前記レーザ共振器は最大で０．２５ｍｍの長さ（Ｌ）を有する、請求項１８記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２０】
前記ポンプ源（４）はエッチングされたレーザファセット（４０）を有する、請求項１から１９までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２１】
ポンプ放射は前記ポンプ源（４）の前記レーザファセット（４０）において全反射される、請求項１から２０までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２２】
前記ポンプ源（４）は透明なコンタクト層（１６）によって電気的に接触されている、請求項１から２１までの少なくとも１項記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２３】
前記透明なコンタクト層（１６）は以下の材料、すなわちＺｎＯ、ＩＴＯのうちの少なくとも１つを含有する、請求項２２記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス半導体モジュールに関する。
【０００２】
本明細書は、ドイツ連邦共和国特許出願第102006017572.7号およびドイツ連邦共和国特許出願第102006024220.3号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照によって本願に取り込まれるものとする。
【０００３】
刊行物WO 2005/048424A1にはオプトエレクトロニクス半導体モジュールが記載されている。
【０００４】
本発明の解決すべき課題は、動作時に生じる熱を非常に効率的に周囲に放熱することができるオプトエレクトロニクス半導体モジュールを提供することである。
【０００５】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体モジュールは半導体ボディを有する。有利には、半導体ボディは成長基板上にエピタキシャルに析出されている。
【０００６】
半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは垂直放射領域を有する。垂直放射領域は垂直放射層を含む。垂直放射層は垂直放射領域の活性領域を形成する。垂直放射層は電磁放射を生成するために設けられている。すなわち、垂直放射層は半導体モジュールの動作時に電磁放射フィールドを生成する。このために、垂直放射層は有利には量子井戸構造、殊に有利には多重量子井戸構造を有する。量子井戸構造の概念には、キャリアが閉じこめ（「Confinement」）によりそのエネルギ状態の量子化を受けるあらゆる構造を含む。殊に、量子井戸構造の概念には量子化の次元数に関する規定は含まれない。したがって量子井戸構造には、例えば、量子箱、量子細線、量子点およびこれらの構造のあらゆる組み合わせが含まれる。
【０００７】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは少なくとも１つのポンプ源を有する。ポンプ源は垂直放射層を光学的にポンピングするために設けられている。有利には、ポンプ源は半導体ボディにモノリシックに集積されている。モノリシックに集積されているとはポンプ源が垂直放射領域と共に共通の成長プロセスでエピタキシャルに成長されていることを意味する。すなわち、半導体ボディはエピタキシャルに成長された垂直放射領域ならびにエピタキシャルに成長されたポンプ源を有する。
【０００８】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディは放射通過面を有する。垂直放射領域において生成された電磁放射の少なくとも一部は放射通過面を通って半導体ボディから放出される。放射通過面は例えば半導体ボディの主面の少なくとも一部によって形成されている。放射通過面は有利には半導体ボディの成長方向を横断する方向に延びている。例えば、成長方向は主面に対して垂直方向に延びている。
【０００９】
半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、ポンプ源と垂直放射層は垂直方向において相互に隔てられている。つまり換言すれば、ポンプ源は垂直方向において垂直放射層に前置および／または後置されている。
【００１０】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体モジュールは半導体ボディを有する。半導体ボディは垂直放射層を含む表面放射型の垂直放射領域を有する。さらに半導体ボディは垂直放射層を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源を有する。さらに半導体ボディは放射通過面を有し、この放射通過面を通って垂直放射層において生成された電磁放射が半導体ボディから放射される。この際、ポンプ源と垂直放射層は垂直方向において相互に隔てられている。
【００１１】
半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、ポンプ源は垂直放射層と放射通過面との間に配置されている。つまり換言すればポンプ源は垂直方向において垂直放射層に前置または後置されている。半導体ボディの放射通過面はポンプ源の垂直放射層側とは反対側に配置されている。例えば、ポンプ源は半導体ボディの成長方向において放射通過面の後段に設けられている。この場合、垂直放射層は半導体ボディの成長方向においてポンプ源の後段に設けられている。
【００１２】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体モジュールは半導体ボディを有する。半導体ボディは垂直放射層を含む表面放射型の垂直放射領域を有する。さらに半導体ボディは垂直放射層を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源を有する。さらに半導体ボディは放射通過面を有し、この放射通過面を通って垂直放射層において生成された電磁放射が半導体ボディから放射される。この際、ポンプ源は垂直放射層と半導体ボディの放射通過面との間に配置されている。
【００１３】
半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、垂直放射層はポンプ源と放射通過面との間に配置されている。つまり換言すれば垂直放射層は垂直方向においてポンプ源に前置または後置されている。この場合、半導体ボディの放射通過面は垂直放射層のポンプ源側とは反対側に配置されている。例えば、垂直放射層は半導体ボディの成長方向においてポンプ源の後段に設けられている。この場合、放射通過面は半導体ボディの成長方向において垂直放射層の後段に設けられている。
【００１４】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体モジュールは半導体ボディを有する。半導体ボディは垂直放射層を含む表面放射型の垂直放射領域を有する。さらに半導体ボディは垂直放射層を光学的にポンピングするために設けられている少なくとも１つのポンプ源を有する。さらに半導体ボディは放射通過面を有し、この放射通過面を通って垂直放射層において生成された電磁放射が半導体ボディから放射される。この際、垂直放射層はポンプ源と半導体ボディの放射通過面との間に配置されている。
【００１５】
本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールは殊に以下の認識を基礎としている：一方では、半導体ボディにおける垂直放射層とポンプ源と放射通過面の前述の配置構成によって、垂直放射層およびポンプ源を垂直方向において相互に隔てられている、例えばエピタキシャルに連続的に成長される層列として実施することができる。その種の構造により半導体ボディの領域の材料および寸法設計の選択に関して多くの可能性が生じる。これによって例えば、垂直放射層を光学的にポンピングするためのポンプ放射の波長、および／または、垂直放射層から垂直方向に放出される放射の波長を広範な限界内で調整することができる。
【００１６】
さらには前述の構造により、半導体ボディを垂直放射領域が存在する側において、熱伝体、例えば支持体と熱伝的に接続することができる。これにより、半導体モジュールの動作時に垂直放射領域において生じる熱を殊に効率的に排熱することができる。これによって例えば、オプトエレクトロニクス半導体モジュールの時間的に殊に安定したｃｗレーザ動作が実現される。
【００１７】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、垂直放射層は半導体ボディのメサ内に配置されている。すなわち、半導体ボディは側面から部分的に切削されている。これによって突出部（メサ）が形成されており、この突出部内に垂直放射層が設けられている。例えば、メサは半導体ボディ内にエッチング方法により形成されている。少なくとも１つの実施形態によれば、メサの周辺は少なくとも部分的に、殊に良好な熱伝性を有する材料によってコーティングされている。すなわち、メサの周辺また場合によってはメサの側面および被覆面には半導体ボディ上の材料が被着されている。
【００１８】
有利には、材料は少なくとも１つの金属を含有するか、材料は少なくとも１つの金属から構成されている。有利には、以下の金属：銅、金、銀のうちの少なくとも１つが存在する。
【００１９】
有利には、材料はメサの周辺において、メサがこの材料によって覆われているように半導体ボディ上に被着されている。つまり例えば、メサならびにメサの周囲が材料によって覆われているように、材料は半導体ボディの放射通過面とは反対側の面上に被着されている。有利には、半導体ボディのこの面は材料によって平坦化されている。つまり例えば、材料はメサと同じ高さを有するか、メサが材料から突出するような厚さで被着されている。殊に、メサが完全に材料によって包囲されていることも考えられる。
【００２０】
有利には、半導体ボディは放射通過面とは反対側の面を用いて熱伝体、例えば支持体上に固定されている。
【００２１】
少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディの放射通過面側とは反対側の面は垂直放射層を備えたメサならびにメサの周辺部を有し、そこでは半導体ボディが部分的に切削されているので、例えばポンプ源のコンタクト層が露出されている。
【００２２】
つまり、熱伝体と半導体ボディとの間の領域は少なくとも部分的に材料によって充填されている。有利には、メサを除いて、半導体ボディと熱伝体との間の領域全体が材料でもって充填されている。
【００２３】
本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールは殊に、ポンプ源を露出させることによって、またポンプ源ならびに垂直放射層を含むメサを材料によって熱伝体に熱的に結合させることによって、垂直放射層およびポンプ源の殊に効率的な冷却が実現される。メサならびにこのメサを包囲する材料は半導体モジュールの動作時における排熱のさらなる改善に寄与する。これによって例えば、半導体モジュールの時間的に殊に一定のｃｗレーザ動作が実現される。有利には、材料は良好な熱伝性以外にも殊に良好な導電性も有するので、ポンプ源を材料により電気的に接触させることもできる。
【００２４】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、材料は電気的にメサの周囲に析出されている。析出される層は例えばＡｇ、ＡｕまたはＡｇ／Ａｕの電気材料でよい。
【００２５】
さらには、材料が構造化されたヒートシンクとして実施されていることも考えられる。例えばヒートシンクに冷却フィンまたは他の構造体を構造化することができ、これはヒートシンクの表面を拡大することに適している。
【００２６】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディのメサと接している側面は少なくとも部分的に、垂直放射層のポンプ放射を偏向させるために設けられている。有利には、メサの側面はポンプ放射を垂直放射層の方向に反射させることに適している。つまり、ポンプ源から出発して吸収されることなく垂直放射層を通過するポンプ放射はメサの側面、すなわちメサ側縁において反射される。反射されたポンプ放射はやはり垂直放射層に入射する。これによって垂直放射層におけるポンプ放射の吸収に関する確率は高まっている。すなわちポンプ放射を所期のように多重通過において利用することができる。
【００２７】
有利には、メサの側面は少なくとも部分的に、殊に有利には完全に、少なくとも８０％の反射率を有する材料によってコーティングされている。材料は、有利にはポンプ放射の波長領域に対して高い反射率を有する。例えば、材料は金属でよい、もしくは透明なパッシベーション層ならびに反射性の金属層を備えた層列でよい。
【００２８】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、メサの側面の形状は、メサ側縁が所期のようにポンプ放射を垂直放射層へと反射させるよう選定されている。例えば、メサの側面を少なくとも部分的に、以下の光学的基本要素のうち１つの形式にしたがい形成することができる：円錐台形状光学系、ピラミッド断端形状光学系、複合放物型集光器（CPC：Compound parabolic concentrator)、複合楕円型集光器(CEC：Compound Elliptic Concentrator)、複合双曲面型集光器(CHC：Compound Hyperbolic Concentrator)。つまり、メサは少なくとも部分的に円錐台形状、ピラミッド断端形状、放物線、楕円、双曲線または同様に成形された形状にしたがい構成されている。
【００２９】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、垂直放射領域はブラッグミラー構造を有する。有利にはブラッグミラー構造は、垂直放射層のポンプ源側とは反対側に配置されている。殊に有利には、ブラッグミラー構造はドーパント材料を含有していない。
【００３０】
本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールは殊に、ドープされていないブラッグミラー構造によって例えば垂直放射層からの自由キャリアの吸収はドープされたブラッグミラー構造に比べて著しく低減されているという認識を利用する。これによって、ドープされたブラッグミラー構造と比べて、垂直放射層における放射生成の効率を少なくとも係数２高めることができる。
【００３１】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、モジュールは少なくとも１つの別のミラーを有し、このミラーはブラッグミラーと共に垂直放射層において生成された電磁放射に対するレーザ共振器を形成する。例えば、ミラーはモノリシックに半導体ボディに集積されていない外部ミラーでよい。つまり、この場合ミラーは例えば半導体ボディのその他の領域と共にエピタキシャルに成長されている。しかしながら、別のミラーはモノリシックに半導体ボディに集積されているブラッグミラー構造でもよい。別のブラッグミラー構造をポンプ源の放射通過面側とは反対側またはポンプ源の放射通過面と対向する側に配置することができる。
【００３２】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディと熱伝的に接触している光学素子がレーザ共振器内に配置されている。つまり、光学素子は少なくとも１つの二重機能を有する。一方では、光学素子は所定の光学的な特性を有し、したがって共振器内を周る電磁放射の光学的な操作のために設けられている。他方では、光学素子は半導体ボディと熱伝的に接触している熱拡散部として使用される。このようにして光学素子は半導体モジュールの熱管理のさらなる改善に寄与する。例えば光学素子は半導体ボディの放射通過面に固定されている。
【００３３】
少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子は以下の光学的な特性、すなわち周波数選択性、周波数多重性、反射性、光学的な屈折性のうちの少なくとも１つを有する。例えば、光学素子は以下の光学素子、すなわちエタロン、複屈折フィルタ、非線形光学結晶、ミラー、レンズのうちの１つでよい。
【００３４】
少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子は以下の材料、すなわちダイアモンド、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を含有するか、これらの材料から構成されている。光学素子は有利には、半導体ボディから放射される電磁放射の方向において２０μｍ〜７０μｍ、有利には３０μｍ〜６０μｍの厚さを有する。光学素子は例えばダイアモンドエタロンまたは炭化ケイ素エタロンを形成する。つまり、光学素子を相応に反射性に構成することができる。
【００３５】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、非線形光学結晶は半導体モジュールの共振器内に配置されている。非線形光学結晶は半導体ボディと熱伝的に接触している光学素子でよい。しかしながらまた、非線形光学結晶は半導体ボディから距離を置いてレーザ共振器内に配置されている付加的な光学素子でもよい。有利には、非線形光学結晶は共振器内を周る電磁放射の少なくとも一部を周波数変換するために設けられている。
【００３６】
レーザ装置の少なくとも１つの実施形態によれば、非線形光学結晶は以下の結晶の内の少なくとも１つを有する：三ホウ酸リチウム、例えばＬｉＢ3Ｏ5（ＬＢＯ）、三ホウ酸ビスマス、例えばＢｉＢ3Ｏ6（ＢｉＢＯ）、チタニルリン酸カリウムＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）、酸化マグネシウムドープされたコングルエント組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ｓ−ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＴａＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＴ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＮｂＯ3（ＳＬＮ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ3（ＳＬＴ）、ＲＴＰ（ＲｂＴｉＯＰＯ4）、ＫＴＡ（ＫＴｉＯＡｓＯ4）、ＲＴＡ（ＲｂＴｉＯＡｓＯ4）、ＣＴＡ（ＣｓＴｉＯＡｓＯ4）。
【００３７】
有利には、非線形光学結晶は通過する放射の周波数の２倍化に適している。
【００３８】
しかしながらまた、ここで説明する周波数変換のための結晶以外にも、周波数変換に適している他の結晶または他の材料も択一的または付加的にレーザの共振器内に配置することができる。
【００３９】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、レーザ共振器は最大で１０ｍｍの長さを有する。
【００４０】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、レーザ共振器は最大で５ｍｍの長さを有する。
【００４１】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、レーザ共振器は最大で０．２５ｍｍの長さを有する。
【００４２】
その種の短い共振器長により、共振器外部の変調装置を必要とせずとも１０ＭＨｚ以上の殊に高い変調周波数が達成される。その種の高い変調周波数は、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが光学的なプロジェクタ装置、例えばいわゆる「フライングスポット」技術を用いて投影画像が形成されるレーザプロジェクタにおいて使用される場合には殊に有利であることが分かった。
【００４３】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも１つの実施形態によれば、ポンプ源はエッチングされたレーザファセットを有する。エッチングされたファセットはポンプ源のレーザ共振器に対するミラーを形成する。有利にはファセットはリトロリフレクタとして構成されている。その種のエッチングされたレーザファセットは例えば刊行物WO2005/048423に記載されており、エッチングされたレーザファセットに関するそれらの開示内容は参照により本願に取り込まれる。
【００４４】
以下では、本発明による半導体モジュールを実施例および添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００４５】
実施例および図面において、同一の構成要素または同一の働きをもつ構成要素にはそれぞれ同じ参照番号を付している。図示されている要素は縮尺通りに示されたものではなく、むしろより良い理解のために個々の要素は誇張して大きく示されている場合もある。
【００４６】
図１は、第１の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図２は、第２の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図３は、第３の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図４は、第４の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図５は、第５の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図６は、第６の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図７は、第７の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図８は、第８の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
図９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ，９Ｅ，９Ｆは、種々の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
図１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄは、種々の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【００４７】
図１はオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第１の実施例の概略的な断面図を示す。
【００４８】
半導体モジュールは半導体ボディ１を有する。半導体モジュール１は成長基板８を含む。成長基板８は例えばｎドープされたＧａＡｓ基板である。成長基板８は有利には薄くされている。すなわち、成長基板８の厚みは有利にはエピタキシャル成長の終了後に低減されている。成長基板８を完全に除去することも可能である。
【００４９】
有利には、成長基板８の厚さは１００μｍ〜２００μｍである。
【００５０】
図１と関連させて説明する半導体モジュールの実施例においては、成長基板８に開口部２５が設けられている。開口部２５を例えばエッチングにより形成することができる。開口部２５においては半導体ボディ１の放射通過面２６が露出されている。開口部２５の領域においては成長基板８が有利には完全に除去されている。
【００５１】
成長基板８の後段にはポンプ源４ならびに垂直放射領域２が設けられている。ポンプ源４および垂直放射領域２は連続的に成長基板８上に析出されており、したがって共通してモノリシックに半導体ボディ１に統合されている。
【００５２】
垂直放射領域２は第１のミラー７を有する。有利には第１のミラーはブラッグミラー構造体である。択一的に、第１のミラーを金属ミラーまたは誘電体ミラーとして、または上記の３つの種類のミラーのうちの少なくとも２つの組み合わせとして実施することができる。殊に有利には第１のミラーはドーパント材料を含有していないブラッグミラー構造体である。ドープされたミラーとは異なり、ドーパント材料を含有していないブラッグミラー構造体では垂直放射領域２の垂直放射層３からの自由キャリアの吸収が有利には低減されている。
【００５３】
第１のミラー７は有利には垂直放射層３において生成された電磁放射に対する共振器ミラーを形成する。
【００５４】
半導体モジュールの動作時に、垂直放射層３からは電磁放射３１、例えば赤外線の放射、可視光の放射または紫外線の放射が放出される。垂直放射層３は有利にはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、殊にＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ，ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＰまたはＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＡｓ（ただし０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１且つｘ＋ｙ≦１）を含有する。
【００５５】
さらには、垂直放射層３がＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料、例えばＺｎＳｅまたはＺｎＯを含有することも考えられる。
【００５６】
垂直放射層３は例えばシングルへテロ構造、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造として構成されているか、殊に有利には多重量子井戸構造として構成されている。
【００５７】
有利には、垂直放射層３の量子井戸構造はポンプ源４において生成された電磁放射を吸収することに適している。つまり有利には、ポンプ放射の吸収は垂直放射領域２内に配置されている付加的なバリア層においては行われず、ポンプ放射は垂直放射層３の量子井戸構造において吸収され、電磁放射３１が生成されるよう励起される。
【００５８】
半導体ボディ１の放射通過面２６に向かう方向において、垂直放射領域２における垂直放射層３の後段には垂直導波体層１４が設けられている。有利には、導波体層１４の厚さは最大で３０μｍの層厚を有するよう比較的厚く選定されている。殊に有利には、導波体層１４の層厚は０．５〜５μｍである。この実施例においては、導波体層１４の層厚は約１．５μｍである。有利には、導波体層１４はアルミニウム−ガリウム−ヒ化物を含有し、アルミニウム濃度は約６％である。導波体層１４はポンプ源４において生成されるポンプ放射の拡張のために設けられている。つまり、ポンプ放射は有利には導波体層１４の屈折率プロファイルにより垂直放射層３へと案内され、この垂直放射層３においてポンプ放射が少なくとも部分的に吸収され、放射生成に利用される。
【００５９】
半導体ボディ１の放射通過面２６に向かう方向において、導波体層１４の後段には少なくとも１つのエッチング阻止層１５が設けられている。エッチング阻止層１５は一方では選択的なエッチング阻止層を形成する。エッチング阻止層１５により、ポンプ源４の高ドープされたコンタクト層１８を露出させ、このようにして、例えば第１のミラー７、垂直放射層３ならびに導波体層１４を含むメサ６を形成することができる。他方では、エッチング阻止層１５はポンプ源から垂直放射層３へのポンプ放射の入力結合を改善するために使用される。
【００６０】
半導体ボディ１の放射通過面２６に向かう方向において、エッチング阻止層１５の後段には高ドープされたコンタクト層１８が設けられている。高ドープされたコンタクト層１８はポンプ源４と接触するための僅かなコンタクト抵抗および直列抵抗を有する準オーム（quasi ohmic）コンタクトを実現する。有利には、コンタクト層１８は可能な限り薄い層厚を有する。高ドープされたコンタクト層１８は例えばｐ型のドーパントによってドープされており、また少なくとも１０19ｃｍ-3のドーパント濃度を有する。有利にはコンタクト層１８は、垂直放射層３において生成される電磁放射３１の光学的な定在波領域の節内に配置されている。これによって有利には、考えられる損失構造、例えば高ドープされたコンタクト層１８における自由キャリアの吸収が低減される。
【００６１】
ポンプ源４の接触のために高ドープされたコンタクト層１８は有利には透明なコンタクト層１６を用いて接触しており、この透明なコンタクト層１６は例えばＺｎＯ、ＩＴＯまたは別のＴＣＯ材料（ＴＣＯ：透明導電性酸化物）を含有することができるか、これらの材料のうちの１つから構成される。さらに垂直放射領域２からポンプ源４への移行領域は別の層を有することができる。
【００６２】
例えば、高ドープされたコンタクト層１８と透明なコンタクト層１６との間に高いアルミニウム濃度を有する複数の層を配置することができる。例えば、それらの層は局所的に酸化されているＡｌxＧａ1-xＡＳ層である。アルミニウムの含有量が多い層は有利には横方向においてエッチングにより構造化されており、また部分的に局所的に酸化されている。この局所的に酸化されたＡｌxＯy（ただしｘは例えば０．９８以上）領域においてポンプ放射の殊に良好な導波を達成することができる。部分領域におけるアルミニウム含有量の多い層の酸化は約１．４の比較的大きい屈折率変化を生じさせ、また局所的にポンプ光の垂直方向への優れた光学的な導波を実現する。垂直放射領域２においてはアルミニウムの含有量の多い層は酸化されていない。この場合における屈折率の差は約０．１３と比較的低いので、ポンプ波は垂直放射層３の領域に向かって伝播し、量子井戸構造においてそのポンプ波を吸収することができる。
【００６３】
電気的に絶縁されたＡｌxＯy領域とは異なり、酸化されていない領域においてはエッチング溝によりポンプ源４との導電性のコンタクトが生じている。透明なコンタクト層１６または、例えばＡｕＺｎを含有するかＡｕＺｎから構成されているコンタクト層を用いて接触を行うことができる。
【００６４】
択一的に、アルミニウム含有量の多い層を省略することもできる。この場合には、透明なコンタクト層１６は可能な限り大きい面積で高ドープされたコンタクト層１８上に被着されている。コンタクト層１６は有利には透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、例えばＺｎＯまたはＩＴＯを含有するか、それらの材料から構成されている。有利には、コンタクト層１６はポンプ源４の半導体材料に比べて低い約１．７〜２．２の屈折率を有する。例えばＺｎＯは約１．８５の屈折率を有し、またＩＴＯは約２．０の屈折率を有する。
【００６５】
そのような低い屈折率、またそれに伴う、接している半導体層との高い屈折率差は有利には、ポンプ源４におけるポンプ放射の殊に良好な導波を実現する。ポンプ源４と透明なコンタクト層１６との間の電気的なコンタクトを改善するために、高ドープされたコンタクト層１８と透明なコンタクト層１６との間に有利には薄い金属層を配置することができ、この金属層の厚さは有利には単層数個分の厚さ、殊に有利には約１つの単層の厚さである。この金属層は有利には以下の材料：クロム、白金、金、チタン、銀のうちの少なくとも１つを含有するか、それらの材料のうちの１つから構成される。
【００６６】
図１と関連させて説明したオプトエレクトロニクス半導体モジュールの実施形態に択一的に、透明なコンタクト層１６ならびに高ドープされたコンタクト層１８を省略することも考えられる。この場合には選択的な２ステップエピタキシにおいて、比較的低い屈折率を有するドープされた導波体層がポンプ源４上に被着される。この層は例えば、約４５％のアルミニウム成分を有するアルミニウム−ガリウム−ヒ化物から構成されており、１＊１０17〜２０＊１０17ｃｍ-3のドーパント濃度を有する。導波体層の層厚は有利には約６００ｎｍである。比較的低い屈折率を有するこの層には、例えば１＊１０20ｃｍ-3のドーパント濃度を有するガリウムヒ化物から構成することができる高ドープされたカバー層が被着されている。このカバー層上にオームコンタクトを形成する金属層を被着することができる。
【００６７】
半導体ボディ１の放射通過面２６に向かう方向において、高ドープされたコンタクト層１８の後段にはポンプ源４が設けられている。ポンプ源４は被覆層１９ならびにポンプ層５を含む。ポンプ源４は有利には端面発光型のレーザを形成する。このために半導体ボディ１の側面には少なくともポンプ源４の領域において、ポンプ放射に対して高反射性に構成されているコーティング部、例えば誘電性のコーティング部が設けられている。
【００６８】
ポンプ層５は有利にはｐｎ接合部を含み、このｐｎ接合部は電気的なポンプにより放射を生成するために設けられている。ポンプ源４の被覆層１９は例えば、約２０％のアルミニウム濃度を有するドープされたアルミニウム−ガリウム−ヒ化物から構成されており、また約２μｍの厚さを有する。
【００６９】
半導体ボディ１の放射通過面２６に向かう方向において、ポンプ源４の後段にはエッチング阻止層２０が設けられている。エッチング阻止層２０により開口部２５の所定のエッチングが実現され、この開口部２５を介して垂直放射層３において生成された電磁放射３１を半導体ボディ１から殊に損失無く放出することができる。さらに、エッチング阻止層２０は有利には、ポンプ源４のポンプ放射に対して小さい屈折率を有する導波体層も形成する。付加的に、エッチング阻止層２０は有利には大きいバンドギャップを有する。このようなやり方で、エッチング阻止層２０によってポンプ源４におけるキャリアの閉じ込めが改善されている。例えば、エッチング阻止層２０は約４６０ｎｍの厚さのガリウム−インジウム−リン化物層によって形成されている。
【００７０】
図１と関連させて説明するオプトエレクトロニクス半導体モジュールの実施例においては、エッチング阻止層２０の後段に導波体層２１が設けられている。有利には、導波体層２１はｎドープされている。導波体層２１は例えば１０17ｃｍ-3のドーパント濃度を有する。導波体層２１は例えば、４５％のアルミニウム成分を有する、約１０００ｎｍの厚さのアルミニウム−ガリウム−ヒ化物層によって形成されている。
【００７１】
導波体層２１の後段には成長基板８が配置されている。有利には、成長基板８は薄くされており、また１００〜２００μｍ、有利には約１５０μｍの厚さを有する。成長基板は、約２＊１０18ｃｍ-3のドーパント濃度を有する、例えばｎドープされたガリウム−ヒ化物によって形成されている。
【００７２】
成長基板８にはコンタクト金属化部２２が被着されており、このコンタクト金属化部２２はたとえば金を含有することができるか、金から構成されている。コンタクト金属化部２２は約２００ｎｍの層厚を有する。
【００７３】
半導体ボディ１は放射通過面２６側とは反対側において熱拡散部１１上に被着されている。例えば、半導体ボディ１を、例えばスズを含有するはんだ層１０を用いて熱拡散部１１上に被着させることができる。はんだ層１０の厚さは有利には約２μｍである。熱拡散部１１は例えば、銅のような良好な熱伝性材料またはセラミック材料を含有する支持体である。
【００７４】
透明なコンタクト層１６、メサ６と熱拡散部１１との間の領域は有利には材料９で充填されている。材料９は殊に良好な熱伝性および導電性の材料である。有利には材料９は金属である。
【００７５】
材料９はメサの周囲において半導体ボディ上、すなわち高ドープされたコンタクト層１８およびメサと接しているメサの側面に被着されている。
【００７６】
有利には、材料９は銀または金の電気層である。銀および／または金が良好な熱伝性および導電性に基づき適している。有利には材料９は低温電気処理により半導体ボディ１上に被着されている。
【００７７】
電気的な析出の際の約２０〜１００℃の比較的低い温度は殊に有利である。何故ならば、半導体ボディ１が基礎とする半導体材料と材料９は異なる熱膨張係数を有するからである。このことは例えば、ＧａＡｓのようなヒ化物化合物半導体を基礎とし、約６＊１０-6Ｋ-1の熱膨張係数を有する半導体層列の上に約１４＊１０-6Ｋ-1の熱膨張係数を有する金層が電気的に被着される場合である。
【００７８】
図１と関連させて説明するオプトエレクトロニクス半導体モジュールにおいては、熱拡散部１１が半導体ボディ１側とは反対側において支持体１２上に取り付けられている。熱拡散部１１ははんだ層１３を用いて機械的および電気的に支持体１２と接続されている。はんだ層１３は例えばスズから構成されており、約２μｍの厚さを有する。支持体１２は例えば、金属コアプレートのような接続支持体で良く、この支持体１２を用いてポンプ源４と電気的に接触可能である。
【００７９】
半導体ボディ１の放射通過面２６の後段には光学素子３０が配置されている。光学素子３０は例えば周波数選択性の光学素子であり、この光学素子により半導体モジュールのモノモードが実現される。周波数選択性の素子３０は例えばエタロンおよび／または複屈折フィルタである。
【００８０】
さらに、半導体モジュールは折り畳みミラー３３を有し、この折り畳みミラー３３は共振器ミラー３４と共に外部キャビティを形成し、この外部キャビティ内には非線形光学結晶３２が配置されている。周波数変換性の結晶３２は有利には、入射する電磁放射の周波数を倍加することに適している。折り畳みミラー３３は、垂直放射層３において生成された基本波長の電磁放射３１に対して高反射性に構成されている。少なくとも周波数変換された放射の少なくとも大部分は折り畳みミラー３３を透過する。
【００８１】
さらにはレーザ共振器内に別の光学素子、例えばモード結合光学素子、位相補償光学素子、レンズ、殊にフレネルレンズのような位相結像素子および／または変調能力を有するコンポーネントを配置することができる。これらの光学素子を部分的に半導体ボディ１上に直接的に被着させることができるか、モノリシックに半導体ボディ１に統合することができる。
【００８２】
図２はオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第２の実施例の概略的な断面図を示す。図１と関連させて説明した実施例とは異なり、図２の実施例においては折り畳みミラーが省略されている。周波数変換性の結晶３２は放射通過面２６側と対向する側の放射通過面上にコーティング部４１を有し、このコーティング部４１は周波数変換された放射に対して高反射性である。コーティング部４１上には別のコーティング部４０が設けられており、この別のコーティング部４０は基本波長の放射３１に対して反射防止処理されている。
【００８３】
非線形光学結晶３２の半導体ボディ１の放射通過面２６側とは反対側には、基本波長の放射に対して反射防止処理されているコーティング部４２が設けられている。共振器ミラー３４は基本波長の放射に対して反射性に構成されている。周波数変換された放射に対して共振器ミラーは透過性に構成されている。
【００８４】
図３を参照しながら、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第３の実施例を説明する。図２と関連させて説明した実施例とは異なり、この図３の実施例においては非線形光学結晶３２が半導体ボディ１上に直接的に被着されている。このやり方で殊に小型のレーザモジュールが実現されており、このレーザモジュールでは１０ｍｍ以下の共振器長を実現することができる。その種の短い共振器長により、共振器外部の変調装置を必要とせずとも１０ＭＨｚ以上の殊に高い変調周波数が達成される。
【００８５】
図４は、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第４の実施例の概略的な断面図を示す。図３と関連させて説明した実施例に対するさらなる小型化を実現するために、この実施例においては外部共振器ミラーが周波数変換性の結晶３２の湾曲された放射通過面に置換されている。このために非線形光学結晶３２の半導体ボディ１とは反対側の放射通過面にはコーティング部４２が設けられており、このコーティング部４２は周波数変換された放射に対して反射防止処理されており、また基本波長の放射に対して高反射性である。
【００８６】
図５はオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第５の実施例の概略的な断面図を示す。図１から図４と関連させて説明した実施例とは異なり、この図５の実施例においてはメサ６が円錐台状に構成されている。すなわち、メサと接している側面２７は面取り加工されており、例えば垂直放射面３の表面垂線に対して０°よりも大きい角度をなす。側面２７はポンプ源４において生成されたポンプ放射に対して反射性に構成されている。このためにメサ６の側面２７にはパッシベーション層２３が設けられており、このパッシベーション層２３は例えば窒化ケイ素を含有することができるか、窒化ケイ素から構成することができる。パッシベーション層２３上にはポンプ放射に対して反射性の層２４が被着されている。反射性の層２４は有利にはポンプ放射に対して８０％以上の反射率を有する。例えば、反射性の層２４はＡｕＺｎを含有するか、ＡｕＺｎから構成されている。この種のコーティングされたメサ６は完全に材料９によって包囲されている。これにより熱拡散部１１における半導体ボディ１の殊に良好な熱分離が可能になる。
【００８７】
半導体ボディ１の放射通過面２６には光学素子３０が被着されており、この光学素子３０は付加的に熱拡散部として機能する。光学素子３０は放射通過面の熱抵抗を約８Ｋ／Ｗ低減する。付加的に光学素子３０は例えば、垂直放射層３において生成された電磁放射に対するエタロンとして使用され、またこれによって、レーザ共振器内を周る放射をスペクトル的に狭めることができる。総じて、光学素子３０はこれにより可能な限り温度に依存しないレーザ波長の固定を実現する。有利には、光学素子３０はキャピラリーボンディングまたは他の接続技術により放射通過面２６上に固定されている。
【００８８】
光学素子３０は有利には炭化ケイ素またはダイアモンドから構成されている。
【００８９】
さらには放射通過面２６上に光学素子を配置することにより殊に短い共振器長が達成される。殊に、１０ｍｍよりも短い共振器長を実現することができる。
【００９０】
図６はオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第６の実施例の概略的な断面図を示す。図５と関連させて説明した半導体モジュールの実施例とは異なり、この実施例においては光学素子が湾曲した放射通過面を有し、この湾曲した放射通過面には基本波長の電磁放射に対して反射性であるコーティング部４２が設けられている。このようにして、赤外線放射の生成に適している、可能な限り小型のレーザを実現することができる。
【００９１】
図７を参照しながら、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第７の実施例を説明する。この実施例においては、レーザ共振器内の光学素子３０の後段に非線形光学結晶３２が設けられている。この実施例では光学素子３０が、半導体ボディ１の放射通過面２６から見て凸状に湾曲している放射通過面に基づきマイクロレンズとして使用され、このマイクロレンズは基本波長の電磁放射を非線形光学結晶３２に焦点合わせするために使用される。したがって周波数変換の際に殊に高い電荷密度を達成することができる。これにより高変調周波数において効率的な周波数倍化が実現される。
【００９２】
図８を参照しながら、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールの第８の実施例を説明する。例えば、図５と関連させて説明した実施例とは異なり、この実施例においては垂直放射層３がポンプ源４と放射通過面２６との間に配置されている。すなわち垂直放射層３はこの垂直放射層３において生成された電磁放射３１の放出方向においてポンプ源４の後段に設けられている。有利には、この実施例においてブラッグミラー構造体７はポンプ源４のコンタクトを実現するためにドーピングされている。図１から図７と関連させて説明した実施例においても、ポンプ源４と放射通過面２６との間に垂直放射層３を配置することは可能である。
【００９３】
総じて、本発明におけるオプトエレクトロニクス半導体モジュールは共振器長Ｌが比較的短いので、フライングスポット技術を用いて画像形成を行うレーザプロジェクタに殊に良好に適している。
【００９４】
図９Ａから図９Ｆは、本発明によるオプトエレクトロニクス半導体モジュールの半導体ボディ１の種々の実施例の概略的な俯瞰図を示す。
【００９５】
ポンプ源は高反射性ミラーとして実施されているレーザファセット４０を有する。例えばミラーをスクライビング、破断および高反射性のコーティング部を設けるコーティングにより形成することができる。さらには、ファセット４０をエッチングにより形成することもできる。ファセットにおける反射を全反射および／または反射性のコーティング部に基づき行うことができる。
【００９６】
図９Ａは、ここでは六角形に実施されている中央の垂直放射領域２の側方に隣接して配置されており、相互に対向している２つの線形のポンプ源４を備えた実施形態を示す。
【００９７】
図９Ｂは、正方形の垂直放射領域２において可能な限り放射対称な放射プロファイルが達成されている実施例を示す。垂直放射領域２の外側領域では垂直放射層３が例えばイオンビーム打ち込みによって損傷され、その領域においては内側において可能な限り円形に実施されている損傷されていない領域に比べてポンプ源４のポンプ光を低い効率で吸収するようにされる。
【００９８】
図９Ｃ，９Ｄおよび９Ｅは種々の数のポンプ源４を有する実施形態を示す。
【００９９】
図９Ｄと関連させて説明する実施形態においてはレーザファセット４０が上から見て矢印状である共振器リフレクタとして実施されている。
【０１００】
図９Ｆは線形のポンプ源４を有する実施形態を示し、これらのポンプ源４は図９Ｃから図９Ｅと関連させて説明したポンプ源４の放射上の配置構成とは異なり非常にスペースを節約するように配置されている。
【０１０１】
図１０Ａから図１０Ｄと関連させて説明する実施例においては、ポンプ源４がリングレーザとして実施されている。
【０１０２】
図１０Ａ，１０Ｂおよび１０Ｃにおいては、垂直放射領域２がそれぞれ正方形に構成されている装置を示す。ポンプ源４はリングレーザとして構成されている。
【０１０３】
図１０Ｂにおいては、「８の字型」に巻かれており、その交点においてやはり垂直放射領域２が配置されているリングレーザ４を有する実施例が概略的に示されている。図１０Ｃと関連させて説明する実施例においては、リングレーザとして構成されている２つのポンプ放射源４が設けられており、これらのポンプ放射源４は垂直放射領域２において交差するように重畳されている。
【０１０４】
導波を基礎とする図示されているリングレーザ構造体は、共振器端部ミラーを省略することができ、またこの共振器端部ミラーにおいて起こり得る損失もなくなるという利点を有する。
【０１０５】
図１０Ｄにおいては、一列に配置されている複数の六角形の垂直放射領域２が設けられており、これらの垂直放射領域２が線形または湾曲したポンプ源４によってポンピングされる装置を示す。
【０１０６】
本発明は実施例に基づいた説明に制限されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】第１の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図２】第２の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図３】第３の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図４】第４の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図５】第５の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図６】第６の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図７】第７の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図８】第８の実施例による本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの概略的な断面図を示す。
【図９Ａ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図９Ｂ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図９Ｃ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図９Ｄ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図９Ｅ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図９Ｆ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図１０Ａ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図１０Ｂ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図１０Ｃ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図１０Ｄ】本発明のオプトエレクトロニクス半導体モジュールの俯瞰図を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【国際調査報告】
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2009533848.tif 000022
2009533848.tif 000023
2009533848.tif 000024
2009533848.tif 000025
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