(57)【要約】薄い触媒層が堆積される支持層を選択し、熱触媒の化学気相堆積（ＣＣＶＤ）法を使用することによる、垂直方向に整列された、高密度のカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の配列の選択的な成長。タンタル（Ｔａ）の支持層上に堆積された薄い鉄（Ｆｅ）の触媒が、垂直方向の高密度のＣＮＴ配列のＣＣＶＤ成長をもたらした。断面の透過型電子顕微鏡画像が、Ｔａ上に成長させられたＦｅアイランド（支持層、触媒、およびそれらの界面の相対的名表面エネルギーによって制御される、アイランドに対する小さな接触角を有する）のＶｏｌｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒモードを解明した。形成されたＦｅアイランドの形態は、触媒表面からのＣＮＴの成長のもととなる炭素原子の表面拡散を促進した。
2009536912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、
該基板上にタンタルの層を堆積させるステップと、
該タンタルの層上に鉄の触媒層を堆積させるステップと、
該鉄の触媒層からカーボンナノチューブを成長させるステップと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記タンタルの層上に前記鉄の触媒層を堆積させる前記ステップは、該鉄の触媒層をアニーリングし、鉄のアイランドを形成するステップをさらに含み、該鉄のアイランドからカーボンナノチューブが成長される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、シリコン上の二酸化シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長させるステップは、化学気相堆積法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記化学気相堆積法は、熱触媒の化学気相堆積法を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板と、
該基板上のタンタルの層と、
該タンタルの層上の鉄の触媒層と、
該鉄の触媒層から成長されたカーボンナノチューブと
を含む、構造。
【請求項７】
前記鉄の触媒層は、アニーリングされ、鉄のアイランドを形成し、該鉄のアイランドからカーボンナノチューブが成長される、請求項６に記載の構造。
【請求項８】
前記基板は、シリコン上の二酸化シリコンを含む、請求項６に記載の構造。
【請求項９】
基板上に堆積された第１の層と、
該第１の層上に堆積された触媒層であって、該第１の層の表面エネルギーは、該第１の層と該触媒層との間の界面の表面エネルギーを超過し、その結果、該触媒層のアイランドが、該第１の層上に形成される、触媒層と、
該触媒層上に成長されたナノチューブと
を含む、構造。
【請求項１０】
前記触媒層は鉄を含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
前記第１の層はタンタルを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１２】
前記第１の層はタンタルを含む、請求項１０に記載の構造。
【請求項１３】
前記基板はシリコンを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板はシリコン上の二酸化シリコンを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１５】
前記構造はビアを含む、請求項１２に記載の構造。
【請求項１６】
前記構造はＲＦフィルタを含む、請求項１２に記載の構造。
【請求項１７】
前記ＲＦフィルタは、
第１の誘電体上の第１のコンダクタと、
第２の誘電体上の第２のコンダクタと
をさらに含み、
前記カーボンナノチューブは該誘電体の間に挟まれている、請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
基板上にナノチューブを成長させる方法であって、
基板上に第１の層を堆積させるステップと、
該第１の層上に触媒層を堆積させるステップであって、該第１の層の表面エネルギーは、該第１の層と該触媒層との間の界面の表面エネルギーを超過し、その結果、該触媒層のアイランドが、該第１の層上に形成される、ステップと、
該触媒層上にナノチューブを成長させるステップと
を包含する、方法。
【請求項１９】
前記触媒層は鉄を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の層はタンタルを含む、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、概して、選択的な態様でのカーボンナノチューブの成長に関する。
【背景技術】
【０００２】
（背景情報）
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は、それらの高い熱伝導性、大きな電流容量、および優れた物理的及び化学的安定性が理由で、次世代のコンピュータチップの基本的な構成要素として提案されている。しかしながら、シリコン技術に基づいて従来型のチップを集積させるためには、高密度であって一定の順序で整列されたＣＮＴが必要である。ＣＮＴは多くの様々な方法によって製造されているが、ＣＮＴの成長を制御するためのそのような努力のほとんどは、前駆物質ガス（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ  ｇａｓ）、それらの流速、合成の圧力および温度（ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ａｎｄ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）、外部バイアス、および触媒の組成およびサイズを調整することによって、達成されてきた。歩留り（ｙｉｅｌｄ）、フィルム被覆範囲、密度、配列、均一性およびパターン形成の観点でのＣＮＴの品質は、マイクロエレクトロニクスの要件を満足するためには十分なものではなかった。これまでのところ、シリコンチップ上の素子を用いたＣＮＴ構造の集積化は、非常に限られており、大幅な改善が望まれている。
【０００３】
触媒および支持材料の注意深い選択が、ＣＮＴの制御された成長において、決定的に重要であることは公知である。いくつかのグループが、様々な触媒および支持金属層上でのＣＮＴの成長を研究してきた。支持層は、触媒層の下に追加され得、触媒が基板と反応すること、または触媒が基板の中に拡散することを防いだり、あるいは触媒層と基板との間の接着を向上させたりし得る。しかしながら、これらの研究においては、１０ｎｍよりも厚い触媒フィルムが用いられ、５０ｎｍよりも大きな直径を有する低密度のＣＮＴ、または１００ｎｍよりも大きな直径を有するカーボンナノファイバー（積層キャップまたはバンブー構造を有する）のみが得られる。ほとんどの場合、粗い触媒の表面または大きな触媒のアイランド（成長の前に形成される）が、大きなカーボンナノチューブまたはカーボンファイバーの形成のための核生成部位（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ  ｓｉｔｅ）として提供されていた。支持層の表面の形態（ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）は、ＣＮＴの成長の形態のほとんどには影響を与えていなかった。小さな直径を有する高密度のＣＮＴの成長のためには、小さな触媒粒子または薄い触媒フィルムが用いられる必要がある。この場合、表面の形態および触媒層のマイクロ構造が重要となり、制御される必要がある。最近の研究では、ＣＮＴは、ＵＬＳＩの相互接続の用途のために、薄いコバルト／チタン／タンタル／銅の多重層の上に成長され、この場合、銅が基板の中に拡散するのを防ぐために、タンタル（Ｔａ）層がバリアとして用いられ、コバルト／チタンの二分子層が、ＣＮＴの成長を引き起こすために用いられた。ＣＮＴは、湾曲しやすく、適切に整列しないことが分かっている。このことは、触媒層と適切にマッチしていないＴａ層の使用が、高密度であって整列されたＣＮＴの成長を達成するためには十分ではないことを示している。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（発明の開示）
本発明は、触媒のテンプレート層を用いることによる、高密度のＣＮＴ構造の選択的な成長によって、上述の必要性に対処する。薄い鉄（Ｆｅ）の触媒層をタンタル（Ｔａ）の薄層上に堆積させることによって形成されるテンプレートは、１０１１／ｃｍ２を超える密度を有する垂直方向に整列されたＣＮＴの配列の成長を大幅に向上させる。
【０００５】
本発明の１つの利点は、本発明がＣＮＴの歩留り、フィルム被覆範囲および均一性を改善するということである。本発明の別の利点は、本発明が、垂直方向に整列させられ、パターンが付けられた、高密度のＣＮＴフィルムを生成するということである。
【０００６】
上述は、以下に続く本発明の詳細な記述がより良く理解され得るように、本発明の特徴および技術的利点をいくぶん広く概説している。本明細書中では、本発明の追加的な特徴および利点が記載され、それらは本発明の特許請求の範囲の対象をなしている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明およびその利点のより完全な理解のために、添付の図面に関連させながら、以下の記載が参照される。
【０００８】
以下の記載においては、本発明の完全な理解を提供するために、数多くの特定の詳細（例えば、特定の素子の構成、等）が述べられる。しかしながら、当業者には、本発明がそのような特定の詳細なしでも実施され得るということが明白であり得る。
【０００９】
ここで図面を参照するが、図中では、示されている要素は、必ずしも一定の比率で示されてはおらず、類似または同様の要素は、いくつかの図面を通して同じ参照番号によって示されている。
【００１０】
図６Ａ〜６Ｅを参照すると、以下に記載される本発明の実施形態においては、カーボンナノチューブが、Ｓｉウェハ（図６Ａにおける６０１）上に熱的に成長させられた薄いＳｉＯ２フィルム（例えば、３００ｎｍ）上での熱触媒の化学気相堆積（ＣＣＶＤ）を用いて成長させられ得る。基板は、ＳｉＯ２には限定されない。その他の一般的に用いられている基板（例えば、シリコン、酸化アルミニウム、水晶、ガラス、および様々な金属材料）が用いられ得る。以下でさらに詳細に記載されるように、Ｆｅ／Ｔａの二分子層が、垂直方向に整列させられた高密度のＣＮＴフィルムの選択的な成長を提供する。図６Ｂを参照すると、Ｔａのフィルム６０２が、基板６０１上に堆積されている。そのようなフィルムは、５〜２５ｎｍまでの厚さであり得る。しかしながら本発明は、Ｔａに限定されない。その他の高い表面エネルギーの材料、例えば（限定するものではないが）窒化タンタルおよびタングステンもまた用いられ得る。厚さ３〜９ｎｍの鉄（Ｆｅ）の薄いフィルム６０３が、電子ビーム蒸着によって堆積され、触媒として用いられる（図６Ｃ）。触媒の材料は、鉄に限定されない。ＣＮＴに対して一般的に用いられるその他の遷移金属（例えば、ニッケルおよびコバルト）が用いられ得る。図６Ｄに示されているように、Ｆｅフィルム６０３をアニーリングすることによって、Ｆｅのアイランド６０３が生成される。カーボンナノチューブ６０４の成長は、水晶管の窯（ｆｕｒｎａｃｅ）（図示されず）内で行われ得る。成長の間、この窯は、流速１ｌ／分の水素（Ｈ２）内で、室温（ＲＴ）から７００℃まで上昇させられ、１分間にわたって７００℃に安定させられる。その後、この成長は、窯の中に流速１００ｍｌ／分でアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を導入することによって、開始させられる。この成長は、室温において１〜６分の可変の成長時間において行われる。図１は、本発明にしたがう、所定のパターンが付けられ、ウェハ上に成長させられ、垂直方向に整列させられた高密度のＣＮＴの断面の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示している（ＣＮＴの密度は、約１０１１／ｃｍ２である）。
【００１１】
本発明の利点を実証するために、一連の実験が行われ、熱的なＣＣＶＤによって成長させられたＣＮＴ上の支持材料の効果を調べた。第１に、約３ｎｍ（ナノメートル）の同じ厚さを有するＦｅ（鉄）の触媒が、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２（二酸化シリコン）フィルム、ならびに厚さ３００ｎｍのＳｉＯ２（二酸化シリコン）フィルム上の厚さ２０ｎｍのＴａ（タンタル）層、Ｐｄ（パラジウム）層、およびＣｒ（クロム）層を含む、様々な基板上に堆積される。図２（ａ）〜（ｃ）に示されているように、Ｃｒ上のＦｅおよびＳｉＯ２上のＦｅは、低密度の被覆範囲のランダムなＣＮＴを生成する。ここで、Ｐｄ上のＦｅが最も低い成長の生成結果（ｇｒｏｗｔｈ  ｙｉｅｌｄ）となる。しかしながら、Ｔａ上のＦｅの場合、図２（ｄ）に示されているように、成長は大幅に向上され、高密度で均一性が高いＣＮＴをもたらす。さらに、高密度であって垂直方向に整列されたＣＮＴは常に、Ｔａ支持部上で、Ｆｅフィルムの厚さ３〜９ｎｍの範囲内で得られる。厚さ３〜９ｎｍの範囲において、ＣＮＴの直径は、Ｆｅの厚さを増大させることに伴って、増大することが分かった。対照的に、不十分な被覆範囲のランダムな成長が、常にＳｉＯ２、Ｃｒ、およびＰｄの基板上で観察された。加えて、様々な支持層の厚さ（２５ｎｍおよび５０ｎｍの薄いＴａ層を含む）が調べられたが、ＣＮＴの成長に関しては明白な異なる影響はなかった。
【００１２】
触媒アイランドの形成に対して支持材料がどのように影響するかを調べるために、ＳＥＭが用いられ、Ｆｅフィルムが１分間にわたって７００℃でアニーリングされた後に、様々な支持材料上に堆積されたＦｅの薄いフィルムを調べた。ＳＥＭによって観察された表面の形態が、図３（ａ）〜（ｄ）に示されている。図３（ａ）に示されているように、Ｔａ上に堆積された３ｎｍの薄いＦｅ層に対し、アニーリングの後に形成されたＦｅアイランドは、約１５ｎｍ〜３０ｎｍの狭い範囲のサイズの分布を示し、Ｆｅアイランドは、約１０１１／ｃｍ２の密度に至る高密度でパッケージングされた。同様に、アニーリングの後にＳｉＯ２上に形成されたＦｅアイランドは、１５〜３０ｎｍのサイズであった（図３ｂ）。図３（ｃ）および（ｄ）はそれぞれ、アニーリングの後にＣｒ層上およびＰｄ層上に堆積された厚さ３ｎｍのＦｅ層の形態を示している。Ｃｒの支持層上のＦｅ層は、非常に粗い表面の連続的なフィルムであり、Ｐｄ支持部上でアニーリングされたＦｅ層は、２００ｎｍよりも大きな分離したアイランドを示した。
【００１３】
厚さ９ｎｍのＦｅ層が、Ｔａ、Ｃｒ、Ｐｄ、およびＳｉＯ２のそれぞれの支持層上に堆積され、同じ条件のもとでアニーリングされた。ＴａおよびＳｉＯ２上でのＦｅアイランドのサイズ、分布、および密度は、Ｆｅフィルムの厚さによって非常に影響を受けることが分かった（例えば、Ｔａ上の厚さ９ｎｍのＦｅに対しては、約２０〜９０ｎｍの範囲のサイズで分離された）。同様に、ＳｉＯ２上でアニーリングされたＦｅアイランドもまた、大きなアイランドのサイズおよび大きなサイズの分布を示した。ＣｒまたはＰｄの支持層に対し、アニーリングされたＦｅ層の表面の形態は、図３（ｃ）〜（ｄ）に示されているものと同様であり、これらはＦｅフィルムの厚さに対しては、明白な従属関係はなかった。
【００１４】
さらに、様々な支持基板が、同じ条件のもとで、Ｆｅ触媒層なしで、アニーリングされた。図３（ｃ）および３（ｄ）に示されているように、Ｔａ支持部は、アニーリングの後にピンホールのない滑らかな表面を示したが、ＣｒフィルムおよびＰｄフィルムの両方は、ピンホールがあって不連続的であり、大きなアイランドができた。このように、Ｔａ支持層は、ＣｒおよびＰｄの支持層よりも、ＳｉＯ２との優れた接着に加えて、非常に良好な熱安定性を示した。成長の間に温度は７００℃まで上昇させられ、Ｔａ支持層の表面の形態は滑らかなままなので、均一であって精細なＦｅアイランドの形成のための、滑らかであって均一なテンプレートを提供する。対照的に、アニーリングの後、Ｃｒ支持層およびＰｄ支持層の両方においては、均一なＦｅアイランドの形成を妨げるピンホールと大きなアイランドとが見つかった。
【００１５】
Ｆｅアイランドの形成および形態に対する支持材料の影響に関するより良い理解を獲得するために、断面のＴＥＭが用いられ、Ｔａ基板上およびＳｉＯ２の基板上でアニーリングされたＦｅアイランドの形態を調べた。図４（ａ）〜（ｂ）は、厚さ９ｎｍのＦｅ層がＴａおよびＳｉＯ２のぞれぞれの上に堆積され、アニーリングされた後に形成された、ＦｅアイランドのＴＥＭ画像である。両支持材料上のＦｅアイランドは、典型的なＶｏｌｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ成長モードを示した。しかしながら、アイランドの形状は、明らかに異なっていた。Ｔａ基板上では、アイランドの形状は、小さな接触角の半球形状を有していたが、ＳｉＯ２基板上では、はるかに大きな接触角のビード形状を有していた。図４（ｃ）に示されているように、高解像度のＴＥＭは、厚さ３ｎｍのＦｅ／Ｔａの二分子層上に成長された典型的なＣＮＴが、５つの壁を有する約１０ｎｍの直径の中空の多壁カーボンナノチューブであることを解明した。
【００１６】
Ｆｅアイランドの形態および接触角は、図４（ｄ）に示されているように、触媒アイランドに対する表面エネルギーの均衡を考慮することによって、説明され得る。
【００１７】
【数１】
2009536912.tif 000003
ここで、θは接触角であり、ｆ、ｓおよびｖは、それぞれフィルム、基板および真空を表し、添え字の組は、示された相の間の界面を意味する。Ｔａ上のＦｅアイランドの場合、０＜ｃｏｓθ＜１であり、Ｔａ基板の表面エネルギーがＦｅ／Ｔａ界面のエネルギーを超過していることを示している。対照的に、ＳｉＯ２上のＦｅアイランドの場合、０＞ｃｏｓθ＞−１であり、ＳｉＯ２の表面エネルギーがＦｅ／ＳｉＯ２界面のエネルギーを超過していることを示している。Ｆｅアイランドの観察された形態は、レポートされた表面エネルギーの相対的な大きさ（すなわち、Ｔａに対しては２１００〜２２００ｅｒｇｓ／ｃｍ２まで、ＳｉＯ２に対しては４３〜１０６ｅｒｇｓ／ｃｍ２、およびＦｅに対しては１８８０〜２１５０ｅｒｇｓ／ｃｍ２）と整合するものであった。これらの表面および界面のエネルギーは、堆積されたＦｅの被覆上層（ｏｖｅｒｌａｙｅｒ）の量に応じて、基板上に形成されるアイランドのサイズを制御する。
【００１８】
本発明のＣＣＶＤプロセスの間に、炭素（Ｃ）原子は、Ｆｅアイランドの表面に対する化学的ポテンシャル勾配によって駆動され、そしてｓｐ２炭素フラグメントを形成する。続いて、核生成の後、より多くのＣ原子が炭素フラグメントのエッジに取り込まれ、成長を支援する。バルク（Ｄｂ）と表面拡散（Ｄｓ）との両方が、成長のエッジにＣ原子を輸送する。しかしながら、触媒分子が小さなサイズになると、表面拡散は、大きな表面積、体積比が理由で、主要な質量輸送機構となる。（Ｗａｎｇ，Ｙ．Ｙ．，Ｇｕｐｔａ，Ｓ．，Ｎｅｍａｎｉｃｈ，Ｒ．Ｊ．，Ｌｉｕ，Ｚ．Ｊ．  ａｎｄ  Ｌｕ，Ｃ．Ｑ．，「Ｈｏｌｌｏｗ  Ｔｏ  Ｂａｍｂｏｏｌｉｋｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  Ｏｂｓｅｒｖｅｄ  Ｉｎ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ  Ｆｉｌｍｓ，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ  ９８，０１４３１２（２００５）」；Ｈｅｌｖｅｎｇ  Ｓ．，Ｌｏｐｅｚ−Ｃａｒｔｅｓ  Ｃ．，Ｓｅｈｅｓｔｅｄ  Ｊ．，Ｈａｎｓｅｎ  Ｐ．Ｌ．，Ｃｌａｕｓｅｎ  Ｂ．Ｓ．，Ｒｏｓｔｒｕｐ−Ｎｉｅｌｓｅｎ  Ｊ．Ｒ．，Ａｂｉｌｄ−Ｐｅｄｅｒｓｅｎ  Ｆ．  ａｎｄ  Ｎｏｒｓｋｏｖ  Ｊ．Ｋ．，「Ａｔｏｍｉｃ−Ｓｃａｌｅ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｏｆ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｆｉｂｒｅ  Ｇｒｏｗｔｈ」，Ｎａｔｕｒｅ  ４２７，４２６−４２９（２００４）；およびＲａｔｙ、Ｊ．，Ｇｙｇｉ  Ｆ．  ａｎｄ  Ｃａｌｌｉ，Ｇ．，「Ｇｒｏｗｔｈ  ｏｆ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅｓ  ｏｎ  Ｍｅｔａｌ  Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ：Ａ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｓｍ  Ｆｒｏｍ  Ａｂ  Ｉｎｉｔｉｏ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｄｙｎａｍｉｃｓ  Ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓ」，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ。９５，０９６１０３（２００５）を参照されたい）。表面拡散は、バルク拡散に比べて低い活性化エネルギーが理由で、迅速なプロセスであるが、表面拡散は、表面構造の形状および曲率によって非常に影響され、ひいては、明確に異なる成長シナリオ（例えば、均一な成長対ランダムな成長）につながる。ここで、表面拡散は、Ｔａ上のＦｅの場合は、９０℃未満の鋭角θによって促進されるが、ＳｉＯ２上のＦｅの場合には、９０℃を超える鈍角θによって促進される。この際は、ＣＮＴの整列された成長において、顕著な影響を有していると思われる。均一のＦｅアイランドとＴａ支持部上の狭いサイズの拡散との組み合わせでは、鋭角θによる迅速な表面拡散と、小さな粒子サイズに関連する高い触媒活性とが、高密度のＣＮＴ（互いに支持し合って、垂直方向に成長する）の成長を促進する。
【００１９】
Ｔａ支持部が垂直方向の整列、所定のパターンの高密度のＣＮＴを可能にすることを実証するために、図５（ａ）に示されているように、パターン上に高密度のＣＮＴを成長させるために、上述された熱ＣＣＶＤ法と共に、電子ビームリソグラフィ（ＥＢＬ）およびリフトオフプロセスが用いられ、２０ｎｍのＴａ支持部上の厚さ９ｎｍの薄いＦｅの幅５、１０、２０μｍの正方形パターンが形成された。
【００２０】
上記方法はまた、パターンのあるビアホール内にＣＮＴフィルムを成長させるために、Ｔａ支持部と共に利用され得る。製造プロセスにおいては、厚さ２０ｎｍのＴａ層が基板上にスパッタリングされ、厚さ５００ｎｍのＳｉＯ２フィルムがＴａ層上に堆積される。厚さ約２６０ｎｍのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）がＳｉＯ２フィルム上に引き延ばされ、ＥＢＬを用いてパターンが付けられた。エッチングマスクとしてＰＭＭＡパターンを用いて、ＳｉＯ２フィルムの中にビアホールがエッチングされた。続いて、厚さ９ｎｍの薄いＦｅ層が、ウェハ上に堆積された。アセトン内でＰＭＭＡ層が剥がされた後には、ビアホールの底部に堆積されたＦｅおよびＴａのフィルムのみが残された。図５（ｂ）に示されているように、高密度のＣＮＴは、熱ＣＣＶＤ法を用いて、幅４μｍのビアホールの底部にパターンが付けられたＦｅ触媒から成長させられ得る。
【００２１】
Ｔａ支持部を利用するこのＣＮＴ成長方法は、ＵＬＳＩの銅の相互接続構造上にＣＮＴビア構造を成長させるために容易に用いられ得る。なぜならば、Ｔａが銅の相互接続上のバリア層として用いられるからである。この方法は、複雑な機器（例えば、マイクロ波プラズマＣＶＤツール）を必要としない単純な方法であり、その他の用途のために、金属電極の直接上での、高密度であって、垂直方向に整列させられた、高品質のＣＮＴの選択的な成長のためにも用いられ得る。
【００２２】
図７は、本発明の実施形態にしたがって構成された、導波体が組み込まれた（ｗａｖｅｇｕｉｄｅ−ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ナノチューブ配列のＲＦフィルタの概略図を示している。その他の素子（例えば、支持構造、マイクロチップにおけるビア、およびフラットパネルディスプレイにおけるフィールドエミッタ）が、本発明にしたがって成長させられた、整列させられたＣＮＴの高密度のグルーピングを用いて構成され得る。
【００２３】
本発明およびその利点が詳細に記載されてきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の精神および範囲から逸れることなしに、本明細書において、様々な変更、代替および置き換えが、なされ得るということが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、ウェハ上の銅の相互接続ライン上のＴａバリア層上に成長された垂直方向に整列された高密度のＣＴＮの断面のＳＥＭ画像を示している。
【図２】図２は、様々な支持材料上に成長させられたＣＮＴのＳＥＭ画像を示している。
【図３】図３は、Ｔａ、ＳｉＯ２、ＣｒおよびＰｄの様々な支持材料層上のアニーリングされたＦｅ層の表面の形態のＳＥＭ画像を示している。ここで挿入図（ｃ）および（ｄ）は、Ｆｅの堆積を伴わずにアニーリングした後のＣｒおよびＰｄの支持層の表面のＳＥＭ画像である（スケールバーはそれぞれ、（ａ）〜（ｄ）に対して２００ｎｍ、全ての挿入図に対して１μｍである）。
【図４】図４は、ＴａおよびＳｉＯ２の支持材料層上に形成されたＦｅアイランドの断面のＴＥＭ画像を示している。ここで、挿入図（ａ）はＴａ上の９ｎｍの薄いＦｅを示しており、挿入図（ｂ）はＳｉＯ２上の９ｎｍの薄いＦｅを示しており、挿入図（ｃ）はＴａ上の３ｎｍのＦｅ上に成長されたＣＮＴの高解像度のＴＥＭ画像を示しており、挿入図（ｄ）は、表面エネルギーの均衡のもとでの、触媒アイランドの概略図を示している。
【図５】図５は、高密度であって、パターンが付けられ、垂直方向には整列された、ＣＮＴのＳＥＭ画像を示している。ここで（ａ）は、Ｔａ支持部上の厚さ３ｎｍのＦｅの所定のパターン上に成長された、幅５、１０、２０μｍの高密度の垂直方向のＣＮＴのカラムを示しており、挿入図（ｂ）はビアホール内に成長させられた、幅４μｍの高密度の垂直方向のＣＮＴフィルムを示しており、その底部には、厚さ９ｎｍのＦｅがＴａ上に堆積されている。
【図６】図６Ａ〜６Ｅは、本発明の実施形態にしたがう、加工ステップを示している。
【図７】図７は、本発明にしたがって構成される、ＲＦフィルタの実施形態を示している。
【図１】
2009536912.tif 000004
【図２】
2009536912.tif 000005
【図３】
2009536912.tif 000006
【図４】
2009536912.tif 000007
【図５】
2009536912.tif 000008
【図６Ａ】
2009536912.tif 000009
【図６Ｂ】
2009536912.tif 000010
【図６Ｃ】
2009536912.tif 000011
【図６Ｄ】
2009536912.tif 000012
【図６Ｅ】
2009536912.tif 000013
【図７】
2009536912.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にカーボンナノチューブを成長させる方法であって、
該基板上にタンタルの層を堆積させることと、
該タンタルの層上に鉄の触媒層を堆積させることと、
該鉄の触媒層からカーボンナノチューブを成長させることと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記タンタルの層上に前記鉄の触媒層を堆積させることは、該鉄の触媒層をアニーリングし、鉄のアイランドを形成することをさらに含み、該鉄のアイランドからカーボンナノチューブが成長させられる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板上に前記タンタルの層を堆積させることは、シリコン上の二酸化シリコン上に該タンタルの層を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
カーボンナノチューブを成長させることは、化学気相堆積を用いてカーボンナノチューブを成長させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記化学気相堆積を用いてカーボンナノチューブを成長させることは、熱触媒の化学気相堆積を用いてカーボンナノチューブを成長させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板と、
該基板上のタンタルの層と、
該タンタルの層上の鉄の触媒層と、
該鉄の触媒層から延びているカーボンナノチューブと
を含む、構造。
【請求項７】
前記鉄の触媒層は、鉄のアイランドを含み、該鉄のアイランドからカーボンナノチューブが延びている、請求項６に記載の構造。
【請求項８】
前記基板は、シリコン上の二酸化シリコンを含む、請求項６に記載の構造。
【請求項９】
基板上に堆積された第１の層と、
該第１の層上に堆積された触媒層であって、該第１の層の表面エネルギーは、該第１の層と該触媒層との間の界面の表面エネルギーを超過し、その結果、該触媒層のアイランドが、該第１の層上にできる、触媒層と、
該触媒層から延びているナノチューブと
を含む、構造。
【請求項１０】
前記触媒層は鉄を含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
前記第１の層はタンタルを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１２】
前記第１の層はタンタルを含む、請求項１０に記載の構造。
【請求項１３】
前記基板はシリコンを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板はシリコン上の二酸化シリコンを含む、請求項９に記載の構造。
【請求項１５】
前記構造はビアを含む、請求項１２に記載の構造。
【請求項１６】
前記構造はＲＦフィルタを含む、請求項１２に記載の構造。
【請求項１７】
前記ＲＦフィルタは、
第１の誘電体上の第１のコンダクタと、
第２の誘電体上の第２のコンダクタと、
該誘電体の間に挟まれている前記カーボンナノチューブと
をさらに含む、請求項１６に記載の構造。
【請求項１８】
基板上にナノチューブを成長させる方法であって、
該基板上に第１の層を堆積させることと、
該第１の層上に触媒層を堆積させることであって、該第１の層の表面エネルギーは、該第１の層と該触媒層との間の界面の表面エネルギーを超過し、その結果、該触媒層のアイランドが、該第１の層上に形成される、ことと、
該触媒層上にナノチューブを成長させることと
を包含する、方法。
【請求項１９】
前記第１の層上に触媒層を堆積させることは、該第１の層上に鉄の層を堆積させることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板上に第１の層を堆積させることは、該基板上にタンタルの層を堆積させることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
基板上にカーボンナノチューブを成長させる装置であって、
該基板上にタンタルの層を堆積させる手段と、
該タンタルの層上に鉄の触媒層を堆積させる手段と、
該鉄の触媒層からカーボンナノチューブを成長させる手段と
を含む、装置。
【請求項２２】
基板上にカーボンナノチューブを成長させる装置であって、
基板上に第１の層を堆積させる手段と、
該第１の層上に触媒層を堆積させる手段であって、該第１の層の表面エネルギーは、該第１の層と該触媒層との間の界面の表面エネルギーを超過し、その結果、該触媒層のアイランドが、該第１の層上に形成される、手段と、
該触媒層上にナノチューブを成長させる手段と
を含む、装置。
【国際調査報告】
2009536912.tif 000015
2009536912.tif 000016
2009536912.tif 000017