(57)【要約】  基板キャリア用基板キネマティックカップリングまたはガイドプレートは、自動化された処理装置とキネマティックカップリングとの間に生成される摩擦力を減少させるために、接触点においてテクスチャ加工表面またはパターン表面を有する。テクスチャ加工表面は、処理装置とキネマティックカップリングの接触部との間の接触面積を減少させることにより、結果として生じる摩擦力を減少させる。摩擦力を減少させることによって、基板キャリアは処理装置の取付ピン上においてより容易に設置され、したがって、基板に対する自動化されたアクセス中に許容できない高さおよび角度の偏差が生じることを防止する。テクスチャには、ローレットパターン、接触部に沿って横方向に延びる隆起部、接触部に沿って縦方向に延びる隆起部を含むが、これらに限定されるものではない。テクスチャは、ブロー成形加工、射出成形加工、あるいはオーバーモールド成形加工により、あるいは機械加工またはインプリント加工により形成することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面を有する容器部分と、該底面に取り付けられたキネマティックカップリングプレートとを備える基板キャリアであって、
前記キネマティックカップリングプレートは、３つのキネマティックカップリングピンと接触するための３つの凹部を画定する３対の傾斜接触面を有するベースを備え、前記接触面の少なくとも１つには、キネマティックカップリングピンの１つと張り付かないように、３次元パターンが形成される、基板キャリア。
【請求項２】
傾斜面の各対が間に開口を有し、前記容器部分が、前記３つのキネマティックカップリングピン上に着座するように、容器部分から延びて前記開口を介して露出される３対のリブを有する、請求項１に記載の基板キャリア。
【請求項３】
半導体加工に使用するための基板を保持する基板容器において、前記基板容器は、３つの雄キネマティックカップリング突出部と係合するための３つの雌キネマティックカップリング係合部を有する底面を具備するキャリア部分を備え、３つの雌キネマティックカップリング係合部のそれぞれが、３つの雄キネマティックカップリング突出部の１つと係合する露出した接触面を有し、該露出した面のそれぞれの上に３次元形状が形成される、基板容器。
【請求項４】
前記露出した接触面のそれぞれの３次元形状が３μｍより大きな表面粗さを有する、請求項３に記載の基板容器。
【請求項５】
前記容器部分が、底面を有する外郭構造と、前記底面において前記外郭構造に取り付けられる露出したキネマティックカップリングプレートとを備え、前記露出した接触面のそれぞれが、前記露出したキネマティックカップリングプレートの一部である、請求項３に記載の基板容器。
【請求項６】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有するローレットパターンを含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項７】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有する一連の平行な隆起部を含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項８】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有するディンプルおよび球面のうち少なくとも一方の配列を含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項９】
前記容器部分に掛止して前記容器部分を閉じるドアをさらに備える、請求項３に記載の基板容器。
【請求項１０】
３つの雌キネマティックカップリング係合部を備える基板キャリアであって、該雌キネマティックカップリング係合部の少なくとも１つが、雄キネマティックカップリング突出部と係合するためのテクスチャ加工接触面を有し、該接触面上には、少なくとも１つの３次元形状が形成され、該３次元形状が、少なくとも５μｍの山から谷までの深さを有する、基板キャリア。
【請求項１１】
前記３つの雌キネマティックカップリング係合部が前記容器部分に別個に取り付けられる、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１２】
前記テクスチャ加工接触面がローレットパターンを含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１３】
前記３つの雌キネマティックカップリング係合部のそれぞれがテクスチャ加工接触面を有する、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１４】
前記テクスチャ加工接触面が一連の平行な隆起部を含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１５】
前記テクスチャ加工接触面がディンプルまたは球面の配列を含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１６】
前記テクスチャ加工接触面が、前記基板キャリア内にインサート成形された別個部片上にある、請求項１０に記載の基板キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体処理装置に関する。より詳細には、本発明は、処理装置に基板キャリアを連結するキネマティックカップリングに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板キャリア、例えばＦＯＵＰ（フロント・オープニング・ユニファイド・ポッドの略語）およびＦＯＳＢ（フロント・オープニング・シッピング・コンテナの略語）として知られる３００ｍｍウエハ容器は、ガイドプレートなどの下向きの装置用インタフェース部を含み、装置用インタフェース部は、処理装置によって提供されるキャリア用インタフェース部に対してキャリアを適切に配向するためのキネマティックカップリングを有する。装置用インタフェース部の構成は、一般に半導体製造装置材料協会（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）（ＳＥＭＩ）によって公表される工業規格によって決まっている。３００ｍｍウエハ容器に関しては、この容器の底に位置する装置用インタフェースが、キネマティックカップリングとして知られる。他の装置用インタフェースも、基板キャリア上に設けられる場合がある。基板キャリアの中には、キャリアの容器部分と同じ成形体に一体形成されているキネマティックカップリングとして構成される装置用インタフェース構造１０を有するものがある。別の基板キャリアでは、図２に示すように、キャリアとは別に成形された後にキャリアに取り付けられる取付プレート２０を利用する。本願明細書に援用する特許文献１に記載されるようなさらに別の基板キャリアでは、図３に示すように、ガイドプレート３０を利用して、基板キャリアの外面から直接延びるパーティションの上に処理装置の接点を心合わせする。外部処理装置に接合する構造部分は、取付プレートまたはガイドプレートと一体に成形されてもよく、あるいはベース構造上にオーバーモールド成形されてもよく、あるいは別個に形成されてベース構造に取り付けられてもよい。
【０００３】
通常、ガイドプレートまたはキネマティックカップリングプレートは、中心軸の回りに等辺に配置された傾斜壁を伴う３つの溝を有しており、各溝の頂点を結ぶ軸が中心軸と交差するように配向される。通常、処理装置では、取付ピンと溝の傾斜面を係合させて、安定した３点マウントを提供する。
【特許文献１】米国特許第６，５２０，３３８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
キネマティックカップリングの目的は、ロボット操作のために、キャリアおよび該キャリア内の基板を所定の高さに位置決めする、安定した反復可能な手段を提供することである。キャリアが、処理装置に対して許容できる高さまたは配向で配置されないと、ロボットマニピュレータが誤動作して、組立ラインの遅れならびに基板やキャリアの損傷を引き起こすことがある。キネマティックカップリングが遭遇する共通の問題は、インタフェース部が、処理装置の接触面に摩擦により付着する、または「張り付く」ことがあるということである。キャリアが取付ピン上に安定して取り付けられる前に張り付きが起こる場合、キャリアが「動かなくなり」、許容できない高さに留まったり、あるいはキャリアがロボットマニピュレータに対して許容できない角度で傾いたりするおそれがある。また、ロボットマニピュレータが基板を操作し始めている場合、キャリアが突然張り付き点から滑り落ちる可能性があり、キャリアが急に下に傾いて、ロボットマニピュレータと基板との間の接触を損なうおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、装置用インタフェース部の接触面に３次元のテクスチャまたはパターンを設けることによって、張り付きの問題に対処する。このテクスチャ加工された表面またはパターン表面は、平坦な表面よりも接触面積が少なく、したがって張り付きを生じさせる摩擦力を減少させる。
【０００６】
具体的には、本発明の特定の実施形態は、基板キャリア用のキネマティックカップリングプレートを含み、該キネマティックカップリングプレートは、３つのキャビティまたは凹部が形成されたベース又は支持構造を有し、キャビティを形成する表面には３次元のテクスチャが形成される。例えば、基板キャリア用キネマティックカップリングプレートは、開口が形成された支持構造と、支持構造の面に対して曲がり、または傾斜した開口周囲から垂下する係合部と、係合部上に形成されたテクスチャまたはパターンとを有する。係合部は、支持構造と一体形成されてもよく、あるいは別個に形成されて支持構造に取り付けられてもよい。テクスチャは、ローレット（ｋｎｕｒｌ）、一連の平行な隆起部、または表面の一部として形成可能な任意の他の３次元形状の形態を取ることができる。係合部は、支持構造の面に対して凹状または凸状のいずれの形態を取ってもよい。支持構造は、基板キャリアの一部として含まれてもよく、あるいは基板キャリアと一体に形成されてもよく、あるいは別個に容器部分に取り付けられもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図４Ａ、４Ｂおよび４Ｃを参照すると、３００ｍｍウエハ容器３１、３２および本発明によるキネマティックカップリングプレート５０のインタフェース部４０の一実施形態が示されている。図４Ａの容器は、容器部分３３、ドア３４、サイドハンドル３５、破線で示されている雌キネマティックカップリング溝として構成されている装置用インタフェース３６、サイドレール３７、ロボットフランジ３８およびキースロット３９を有する。容器は、図示しないキャリア用インタフェースを有する装置３９．５上に取り付けられる。より詳細に以下で説明するように、装置用インタフェースのそれぞれがテクスチャ加工接触面３９．６を有することができ、該接触面３９．６において、装置用インタフェースが外部装置と係合する、または接触することができる。このような装置は、ラッチ機構、サイドレールと係合するためのフォークおよびロボットフランジを把持するためのロボット把持部材を操作するために重要となり得る。
【０００８】
図４Ｂは、容器部分５２の底面５１にキネマティックカップリングプレート５０が取り付けられた、３００ｍｍウエハ容器を示す。プレートは３つの雌キネマティックカップリング部５４を有し、各雌キネマティックカップリング部５４は、凹部５７を画定している水平面に対して角度をなす対向する面５５、５６を備える。対向するキネマティックカップリング面５５、５６は、以下に説明される雄キネマティックカップリング突出部に接触するテクスチャ加工接触面５７を有する。このような容器は、本発明の所有者によって所有されており、本願明細書に援用する、米国再発行特許第３８，２２１号にさらに詳細に開示されている。
【０００９】
図４Ｃを参照すると、インタフェース部４０は、開口または凹部６０の周囲８０から延びる傾斜面７０を有する長円形の開口または凹部６０によって画定されている。一般にローレットまたはピラミッド形状１００を有するテクスチャ加工表面またはパターン表面９０は、外部処理装置と接触する傾斜面７０の接触部１１０上に形成される。テクスチャ加工表面９０は、成形工程で形成されてもよく、あるいは成形工程後に、表面上に機械加工またはサーマルインプリント加工がなされてもよく、あるいはその他の手段によって形成されてもよい。
【００１０】
図５を参照すると、図４のインタフェース部４０の断面が示されている。雄キネマティック突出部１２０（通常は丸みを帯びた中実突出部）は、開口６０を介して装置または処置装置１３０から延びており、インタフェース部４０の傾斜したテクスチャ加工表面７０と係合する。差し込み図に断面が示されるローレットパターン１００は、キネマティックカップリングピン１２０とインタフェース部４０との間の接触を、分離した接触点となるように減少させる。２つの物体が一緒に張り付く傾向は共通の接触面積に比例するため、接触面積を接触点にまで減少させることにより、２つの物体間の張り付き傾向は実質的に減少する。したがってテクスチャ加工表面またはパターン表面９０の存在により、取付ピン１２０は、該取付ピン１２０の両側がインタフェース部４０と接触するまで、張り付いたり他の形で動かなくなったりすることもなく、ピラミッド形状１００の突出点に沿って摺動可能である。
【００１１】
取付ピン１２０の表面１４０が平滑である場合、インタフェース部４０の性能は高められる。取付ピン１２０の表面１４０もパターン形成された、または他の方法で粗面形成された場合、表面１４０は接触部１１０と対合または噛合する傾向があり、張り付きや動かなくなる問題を実際のところ悪化させることがある。半導体産業における規格を整備する世界的業界団体である半導体製造装置材料協会（ＳＥＭＩ）は、表面１４０の平均粗さＲａ（以下に規定されている）を０．３×１０−６ｍ（０．３μｍ）以下と規定している（米国カリフォルニア州  サンノゼ  ザンカー  ロード  ３０８１に所在するＳＥＭＩ  Ｇｌｏｂａｌ  Ｈｅａｄｑｕａｒｔｅｒｓから入手可能なＳＥＭＩ規格Ｅ５７、表１および２参照）。したがってテクスチャ加工表面またはパターン表面１２０は、取付ピン１２０の表面１４０の粗さＲａよりかなり大きくなければならない。テクスチャ加工表面またはパターン表面１２０の粗さが、取付ピン１２０の表面１４０の粗さの１０倍を超える場合には、インタフェース部４０の性能が本発明により高められると考えられる。したがって、３μｍより大きな最小粗さＲａが、取付ピン１２０の表面１４０に対して設定される。
【００１２】
図５の実施形態は、傾斜面７０の遠位端部１６０から垂下し、それによってキャビティ１７０を形成しているキャップ部１５０を示す。図６を参照すると、キャップ部のない、したがって傾斜面７０の遠位端部１６０によって画定される第２開口１８０を形成する実施形態が示されている。図６の実施形態は、ガイドプレート１９０とともに実施する場合に適しており、取付ピン１２０は、基板キャリア２１０の底面から延びる１対のパーティション２００と安定して係合される。したがって、図６のテクスチャ加工表面またはパターン表面は、取付ピン１２０が傾斜面７０に張り付くことを防ぐ働きをするが、基板キャリアが設置されているときには取付ピン１２０と接触した状態にない。図６の実施形態は、ガイドプレート１９０とは別に形成され、圧入または他の方法でガイドプレート１９０に取り付けられるインタフェース部２２０も示している。
【００１３】
図７乃至１０を参照すると、本発明で実施可能なローレット表面以外に、他のテクスチャ加工表面またはパターン表面も実施可能である。図７の実施形態では、開口６０とほぼ平行に延びるほぼ三角形をなす隆起部２３０を用いており、したがって接触部１１０と外部処理装置との間に線接触を形成する。図７の実施形態は、キネマティックカップリングプレート５０とは別に形成され、後にキネマティックカップリングプレート５０に取り付けられるインタフェース部２３５も示す。図８に示される実施形態は、これも開口６０とほぼ平行に延びる丸みを帯びた隆起部２４０を特徴としている。図９の実施形態は、接触部１１０上に形成されたディンプルパターン２４５を示している。ディンプルは傾斜面７０に対して凸状をなす。逆に、傾斜面７０から垂下する球状突起２４７を配列したパターンも実施可能である。図１０の実施形態は、傾斜面７０に沿って縦方向に、つまり傾斜面７０の近位端２６０から遠位端１６０に延びる三角形の隆起部２５０を示す。
【００１４】
前述のパターンまたはテクスチャは例として提示したものにすぎず、本発明を限定するものとして解釈すべきではない。
表面テクスチャ加工または表面形状加工技術分野の当業者であれば、応用に際して、傾斜面の傾斜に沿ってのみならず、接触面を横断する横方向でも処理装置の自由な動きを可能とするように適切な形状を選択するであろう。概して、０．０５ｍｍ（０．００２インチ）より大きな平均表面粗さＲａを有する任意の表面テクスチャまたはパターンが、本発明の張り付きのない動作を促進する。「平均表面粗さ」Ｒａは、［数１］によって定義される表面パラメータとして広く認知される。
【００１５】
【数１】
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ここで、ｒ（ｘ）は、特徴付けられている表面の位置ｘで測定した高さであり、Ｌは、評価される表面の長さである。
【００１６】
表面形状を特徴付けるさらに別のパラメータは「表面うねり」である。表面うねりは、さらにマクロな、または広い間隔で繰り返される平坦な表面からの偏差の指標である。例えば、うねりピークＷＰは、平均表面高さを超える表面形状中の最大高さである。定義によれば、ＷＶと呼ばれる、同じ表面形状中の最大深さがあり、これは数値的にＷＰと同じである。粗さおよび表面うねりに関するさらなる詳細について附属書を参照されたい。
【００１７】
図１１を参照すると、本発明の表面形状を特徴づける別の方法は、形状中の山から谷までの最大深さ２７０を規定することである。この方法は特に、繰り返される３次元パターン２８０を表面に加えた場合に適切である。例えば機械技術者は、このようにローレットパターンを特徴づけてきた。例えば図４に示した実施形態に対する代表的テクスチャは、業界では約０．５ｍｍ（０．０２インチ）深さの中程度のローレットと呼ばれ、山から谷までの深さ２７０が０．５ｍｍであることを意味する。山から谷までの間の横方向間隔２９０も提供できる。山から谷までの深さ２７０の横方向間隔２９０に対する比は「アスペクト比」と呼ばれる。本発明では、様々な範囲の深さ、アスペクト比および形状について効果的に実施できる。
【００１８】
本発明は、凹形状のインタフェース部に限定されないことも留意されたい。図１２を参照すると、凸状インタフェース部３００が利用されてもよい。凸状インタフェース部３００は、基板キャリア３０５の外面から延び、処理装置３１５上の凹部３１０と対合する。テクスチャ加工接触面３２０は、凸状インタフェース部３００又は凹部３１０の接触面３３０のいずれかに形成することができる。
【００１９】
インタフェース部４０または３００を製造する際の材料の選択基準は材料の硬度である。硬度の高い材料ほど小さな摩擦特性を示す傾向がある。射出成形法、ブロー成形法または押出成形法において、通常は、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェノールスルフォン、および他のアモルファスポリマーを含む材料が選択されるが、材料はこれらに限定されるものではない。さらに、このようなポリマーは形成後アニールされて、ポリマーを結晶化させ、低摩擦外皮を形成してもよい。オーバーモールド成形法において一般的な材料はポリエーテルエーテルケトンであるが、これはその硬さと耐摩耗性で知られている。
【００２０】
本発明は、主として、限定はしないが、ＦＯＵＰ（フロント・オープニング・ユニファイド・ポッド）、ＦＯＳＢ（フロント・オープニング・シッピング・ボックス）およびＦＩＭＳ（フロント・オープニング・メカニカル・インタフェース）ポッドを含む基板キャリアのキネマティックカップリングに関する。本発明は、基板キャリア、特にキースロット、ロボットフランジ、およびサイドレール上のその他の装置インタフェースに関する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来技術による、キャリアのベース部と一体のキネマティックカップリング溝を有する基板キャリアの斜視図。
【図２】従来技術による、ウエハキャリアの底に取り付けるための取付プレートを示す図。
【図２Ａ】従来技術による、ウエハキャリアの底に取り付けるための取付プレートを示す図。
【図３】従来技術による、ウエハキャリアの底に取り付けるためのガイドプレートを示す図。
【図４Ａ】本発明による３００ｍｍウエハ容器の斜視図。
【図４Ｂ】本発明による３００ｍｍウエハ容器の底面図。
【図４Ｃ】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。
【図４Ｄ】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。
【図５】本発明のキネマティックカップリング溝の断面図。
【図５Ａ】本発明のキネマティックカップリング溝の断面図。
【図６】本発明によるガイドプレート用のキネマティックカップリング溝の断面図。
【図７】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。
【図８】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。
【図９】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。
【図１０】本発明のキネマティックカップリング溝の斜視図。表面から延びるピークの寸法は誇張されている。
【図１１】本発明によるキネマティックカップリング部材を示す図。
【図１２】本発明によるキネマティックカップリング部材を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2009526376.tif 000017
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面を有する容器部分と、該底面に取り付けられたキネマティックカップリングプレートとを備える基板キャリアであって、
前記キネマティックカップリングプレートは、キャリアを安定して位置決めするために外部処理装置上において３つのキネマティックカップリングピンを繰り返し受容するための３つの凹部を画定する３対の傾斜接触面を有するベースを備え、前記接触面の少なくとも１つには、キネマティックカップリングピンの１つと張り付かないようにするために、前記キネマティックカップリングピンの１つと接触するときに複数の接触点を供給する３次元反復パターンが形成される、基板キャリア。
【請求項２】
傾斜面の各対が間に開口を有し、前記容器部分が、前記３つのキネマティックカップリングピン上に着座するように、容器部分から延びて前記開口を介して露出される３対のリブを有する、請求項１に記載の基板キャリア。
【請求項３】
半導体加工に使用するための基板を保持する基板容器において、前記基板容器は、３つの雄キネマティックカップリング突出部と繰り返し係合するための３つの雌キネマティックカップリング係合部を有する底面を具備するキャリア部分を備え、３つの雌キネマティックカップリング係合部のそれぞれが、３つの雄キネマティックカップリング突出部の１つと係合するための１対の対向する、かつ露出した接触面を有し、前記対向する面のそれぞれの上に３次元形状が形成され、これにより、雄キネマティックカップリング突出部と雌キネマティックカップリング係合部との間での張り付きを防止するために、雄キネマティックカップリング突出部のそれぞれと係合するための複数の接触点が各接触面上に提供される、基板容器。
【請求項４】
前記露出した接触面のそれぞれの３次元形状が３μｍより大きな表面粗さを有する、請求項３に記載の基板容器。
【請求項５】
前記容器部分が、底面を有する外郭構造と、前記底面において前記外郭構造に取り付けられる露出したキネマティックカップリングプレートとを備え、前記露出した接触面のそれぞれが、前記露出したキネマティックカップリングプレートの一部である、請求項３に記載の基板容器。
【請求項６】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有するローレットパターンを含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項７】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有する一連の平行な隆起部を含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項８】
前記３次元形状が、３μｍより大きな山から谷までの深さを有するディンプルおよび球面のうち少なくとも一方の配列を含む、請求項３に記載の基板容器。
【請求項９】
前記容器部分に掛止して前記容器部分を閉じるドアをさらに備える、請求項３に記載の基板容器。
【請求項１０】
３つの雌キネマティックカップリング係合部を備える基板キャリアであって、各雌キネマティックカップリング係合部が、雄キネマティックカップリング突出部と繰り返し係合するための１対の接触面を有し、前記雌キネマティックカップリング係合部の少なくとも１つが、接触面の対のそれぞれの接触表面の１つに、少なくとも１つの３次元形状が形成され、これにより、前記接触面の１つが前記雄キネマティックカップリング突出部と接触したときに複数の接触点を提供し、前記３次元形状が、少なくとも５μｍの山から谷までの深さを有することにより、前記雄キネマティックカップリング突出部と前記接触面の１つとの間の張り付きが防止される、基板キャリア。
【請求項１１】
前記３つの雌キネマティックカップリング係合部が前記容器部分に別個に取り付けられる、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１２】
前記テクスチャ加工接触面がローレットパターンを含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１３】
前記３つの雌キネマティックカップリング係合部のそれぞれがテクスチャ加工接触面を有する、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１４】
前記テクスチャ加工接触面が一連の平行な隆起部を含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１５】
前記テクスチャ加工接触面がディンプルまたは球面の配列を含む、請求項１０に記載の基板キャリア。
【請求項１６】
前記テクスチャ加工接触面が、前記基板キャリア内にインサート成形された別個部片上にある、請求項１０に記載の基板キャリア。
【国際調査報告】
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