(57)【要約】  交互に配されるｐピラーであるストリップ及びｎピラーであるストリップを有するアクティブ領域を含むチャージバランス半導体パワーデバイスであり、当該ｐ及びｎピラーであるストリップが当該アクティブ領域の長さに沿って伸長している。非アクティブ外周領域が当該アクティブ領域を囲み、当該アクティブ領域を囲む少なくとも１つのｐリングを含む。ｐピラーである当該アクティブ領域のエッジに直接隣接するよう伸長する最後のストリップの一端が、ｐピラーである各々の残りのストリップの一端が終端している実質的に直線であるラインにおいて終端する。当該ラインは、当該ｎ及びｐピラーであるストリップが沿って伸長しているアクティブ領域の長さと垂直に伸長する。
2009530829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャージバランス半導体パワーデバイスであって、
交互に配される第１導電タイプのピラーのストリップ及び第２導電タイプのピラーのストリップを含むアクティブ領域と、
前記アクティブ領域を囲む少なくとも１つの前記第１導電タイプのリングを含む前記アクティブ領域を囲む非アクティブ外周領域と、を含み、
前記第１導電タイプのピラーのストリップ及び第２導電タイプのピラーのストリップが前記アクティブ領域の長さに沿って伸長し、
前記第１導電タイプのピラーの前記アクティブ領域のエッジに直接隣接するよう伸長しているストリップの最後の１つの一端が、前記第１導電タイプのピラーの残りのストリップが終端する実質的に直線であるラインにおいて終端し、前記ラインが前記第１及び第２導電タイプのピラーが沿って伸長する前記アクティブ領域の長さと垂直に伸長することを特徴とする半導体パワーデバイス。
【請求項２】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、第１導電タイプのピラーの２つの隣接するストリップの各々が第１間隔だけお互いに離間されており、前記ラインが前記アクティブ領域の第１エッジを決定し、前記アクティブ領域の第１エッジが第２間隔だけ前記少なくとも１つの第１導電タイプのリングから離間されていることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
請求項２記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第２間隔が前記第１間隔よりも小さいことを特徴とするデバイス。
【請求項４】
請求項２記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第２間隔が前記第１間隔の約２分の１と等しいことを特徴とするデバイス。
【請求項５】
請求項２記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記非アクティブ外周領域が複数の前記第１導電タイプのリングを含み、２つの隣り合う前記第１導電タイプのリングの全てが各々前記第１間隔と実質的に等しい距離だけ離間されていることを特徴とするデバイス。
【請求項６】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記少なくとも１つの前記第１導電タイプのリングが丸みのある角をもつ長方形または正方形であることを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記少なくとも１つの前記第１導電タイプのリングが実質的にとがった角を有する長方形または正方形であることを特徴とするデバイス。
【請求項８】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第１導電タイプピラーのストリップ及び前記第２導電タイプのピラーのストリップが一端において前記少なくとも１つの前記第１導電タイプのリングと当接することを特徴とするデバイス。
【請求項９】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記チャージバランス半導体パワーデバイスが縦導電パワーデバイスであることを特徴とするデバイス。
【請求項１０】
請求項１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第１導電タイプがｎタイプであることを特徴とするデバイス。
【請求項１１】
チャージバランス半導体パワーデバイスであって、
交互に配される第１導電タイプのピラーの垂直に伸長するストリップと第２導電タイプのピラーの垂直に伸長するストリップを含むアクティブ領域と、
前記アクティブ領域を囲む非アクティブ外周領域と、を含み、
第１導電タイプのピラーの２つの隣接するストリップの各々が互いに第１間隔だけ離間されており、
前記非アクティブ外周領域が、第１導電タイプのピラーの水平方向に伸長する少なくとも２つのストリップと第１導電タイプのピラーの垂直に伸長する少なくとも２つストリップとを含み、前記第１導電タイプのピラーの垂直に伸長する少なくとも２つのストリップが互いに第２間隔だけ離間されており、前記非アクティブ外周領域内の第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの垂直に伸長するストリップが前記第２間隔に実質的に等しい間隔だけ離間されており、前記第１導電タイプのピラーの水平に伸長する少なくとも２つストリップ各々の端部が、前記非アクティブ外周領域内で対応する前記第１導電タイプのピラーの垂直に伸長する少なくとも２つのストリップから第３間隔だけ離間されており、前記第２間隔は前記第３間隔よりも大きいことを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
請求項１１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第２間隔は実質的に前記第１間隔と等しいことを特徴とするデバイス。
【請求項１３】
請求項１１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記アクティブ領域内の第１導電タイプのピラーの垂直に伸長するストリップの一端が、前記第１導電タイプのピラーの水平方向に伸長する少なくとも２つのストリップの１つから前記第３間隔と実質的に等しい間隔だけ離間されていることを特徴とするデバイス。
【請求項１４】
請求項１１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記非アクティブ外周領域内の第１導電タイプのピラーの垂直に伸長する少なくとも２つのストリップが、前記第１導電タイプのピラーの水平方向に伸長する少なくとも２つのストリップの対応する１つを越えて予め定められた距離だけ伸長していることを特徴とするデバイス。
【請求項１５】
請求項１１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第３間隔が前記第２間隔の２分の１と実質的に等しいことを特徴とするデバイス。
【請求項１６】
請求項１１記載のチャージバランス半導体パワーデバイスであって、前記第１導電タイプがｐタイプかつ前記第２導電タイプがｎタイプであることを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、本願と同一出願人による米国特許出願番号第１１／０２６，２７６号（出願日２００４年１２月２９日）に関連しており、当該出願の開示内容は全体として本明細書に含まれている。
【背景技術】
【０００２】
本発明は半導体パワーデバイス技術に関し、特にチャージバランスパワーデバイスの外周デザインに関する。
【０００３】
縦型の半導体パワーデバイスは電極が２つの対向する平面上に配されている構造を有する。当該縦型パワーデバイスがターンオンとき、ドリフト電流が前記デバイス内を垂直方向に流れる。当該縦型パワーデバイスがターンオフしたとき、当該デバイスに逆バイアスの電圧が加わる故、水平方向に伸長する空乏領域が当該デバイス内に形成される。高いブレークダウン電圧を得るために、電極間に並べられたドリフト層が高い抵抗を有する材料によって形成され、当該ドリフト層の厚さは増大させられる。しかし、このことは当該デバイスのオン抵抗Ｒｄｓｏｎの増加を引き起こし、導電性及び当該デバイスのスイッチングスピードを低下させ、それによって当該デバイスの性能は低下する。
【０００４】
この問題を解決するために、縦方向に伸長しかつ交互に配されるｎ領域（ｎピラー）及びｐ領域（ｐピラー）を含むドリフト領域を備えたチャージバランスパワーデバイスが提案される。図１Ａはかかるデバイス１００のレイアウト図である。デバイス１００は、ｐリング１２０及び外側終端領域１３０を含む非アクティブ外周領域に囲まれたアクティブ領域１１０を含む。当該外周ｐリング１２０は丸められた角部をもつ長方形形状を有している。終端領域１３０は、当該デザインに応じて、類似の形状の交互に並ぶｐリングとｎリングを含んでいても良い。アクティブ領域１１０は、ストリップ状に垂直方向に伸長し、外周リング１２０における頂部と底部にそって終端しておりかつ交互に配されたｐピラー１１０Ｐ及びｎピラー１１０Ｎを含む。アクティブエリア内の交互に並ぶｐ及びｎピラーの物理的構造は、アレイ領域１１０の図１Ａの線分Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す図１Ｂにおいてさらに明確に見ることができる。
【０００５】
図１Ｂに示されている当該パワーデバイスは、交互に並んだｐピラー１１０Ｐ及びｎピラー１１０Ｎを含むドリフト層１６を備える従来のプレーナゲート縦型ＭＯＳＦＥＴである。ソースメタル２８はソース領域２０及びウェル領域１８と当該デバイスの頂部サイドに沿って電気的に接触しており、ドレインメタル１４はドレイン領域１２と当該デバイスの底部サイドに沿って電気的に接続している。当該デバイスがターンオンしたとき、電流経路が、当該交互の導電タイプのドリフト層を介して形成される。当該ｎピラー及びｐピラーのドーピング濃度及び物理的寸法は、隣り合うピラー間のチャージバランスを得るようデザインされ、それによって当該デバイスがオフ状態にあるときにドリフト層１６が完全に空乏化することを確実にする。
【０００６】
図１Ａに戻って、高いブレークダウン電圧を得るために、当該ｎピラー内のｎチャージの量及びｐピラー内のｐチャージの量は、アクティブ領域１１０及び当該アクティブ領域と当該非アクティブ外周領域との間の界面においてバランスされるべきである。しかし、すべての界面領域においてチャージバランスを得ること、特にｐ及びｎピラーが外周リング１２０内で終端している頂部及び底部界面領域に沿っており、ｐピラー及びｎピラーが異なった長さを有する当該角部領域においてチャージバランスを得ることは、当該種々の領域の形状の変化の故困難である。このことは図１Ａのパワーデバイス１００の左上角部の拡大図を示した図１Ｃにおいてさらに明確に図示されている。
【０００７】
図１Ｃにおいて、アクティブ領域１１０内のユニットセルにＳ１と記号が付されている。アクティブｐピラー１１１（左半分部１１１−１と右半分部１１１−２に区切られている）及びアクティブｐピラー１１３（左半分部１１３−１と右半分部１１３−２に区切られている）がｎピラー１１２によって分離せしめられている。ユニットセルＳ１内における、アクティブｐピラー１１１の右半分部１１１−２内のｐチャージ量Ｑｐ１とアクティブｐピラー１１３の左半分部１１３−１内のｐチャージ量Ｑｐ２との合計（Ｑｐ１＋Ｑｐ２）はアクティブｎピラー１１２内のｎチャージ量Ｑｎ１と等しい。従って、最適なブレークダウン電圧がこの様なチャージバランスが保たれているアクティブ領域の全ての部分で得ることができる。
【０００８】
示されているように、当該非アクティブ外周領域の角部は、外周ｐリング１２０並びに交互に配されるｎリング１３１及びｐリング１３２を含む終端領域１３０を含む。外周ｐリング１２０（下半分部１２１と上半分部１２２に区切られている）及び終端領域ｐリング１３２（下半分部１３２−１と上半分部１３２−２に区切られている）はｎリングによって分離せしめられている。セルＳ２内における、ｐリング１３２の下半分部１３２−１ｐ内のチャージ量Ｑｐｔ１とリング１２０の上半分部１２２内のｐチャージ量Ｑｐｅの合計（Ｑｐｔ１＋Ｑｐｅ）はｎリング１３１内のｎチャージ量Ｑｎｔと等しい。従って、最適なブレークダウン電圧はこの様なチャージバランスが保たれている当該非アクティブ外周領域の全ての部分で得ることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、形状的な制限の故に、特に当該アクティブｎ及びｐピラーがだんだん減る角領域Ｃにおいて領域Ｃと当該非アクティブ外周領域の間の界面における当該ｐチャージ量及び当該ｎチャージ量はアンバランスになり、余剰のｐチャージが存在する。これらの角部におけるチャージバランスの欠如は当該デバイスのブレークダウン特性の悪化を引き起こす。従って、従来技術のチャージアンバランスを取り除くチャージバランス技術が必要であり、それによってさらに高い定格ブレークダウン電圧をもたらす必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施例によれば、チャージバランス半導体パワーデバイスは、交互に配された第１導電タイプのピラーのストリップと第２導電タイプのピラーのストリップとを含むアクティブ領域を含む。当該第１導電タイプのピラーのストリップ及び第２導電タイプのピラーのストリップは当該アクティブ領域の長さに沿って伸長している。非アクティブ外周領域は当該アクティブ領域を囲み、当該アクティブ領域を囲む当該第１導電タイプの少なくとも１つのリングを含む。第１導電タイプのピラーの当該アクティブ領域に直接隣接するよう伸長する最後のストリップの一端は、第１導電タイプのピラーの残りのストリップの各々の一端が終端している実質的に直線であるラインにおいて終端している。当該ラインは第１及び第２導電タイプのピラーのストリップが沿って伸長している当該アクティブ領域の長さと垂直に伸長している。
【００１１】
１つの実施例において、第１導電タイプのピラーの隣接する２つのストリップの各々が第１間隔だけ互いに離間している。当該ラインは、当該アクティブ領域の第１端が当該第１導電タイプの少なくとも１つのリングから第２間隔だけ離間されるように、当該アクティブ領域の第１エッジを画定する。
【００１２】
他の実施例において、当該第２間隔は当該第１間隔よりも小さい。
【００１３】
他の実施例において、当該第２間隔は当該第１間隔の約２分の１と等しい。
【００１４】
さらに異なる実施例において、第１導電タイプのピラーのストリップ及び第２導電タイプのピラーのストリップは当該第１導電タイプの少なくとも１つのリング一端において当接する。
【００１５】
本発明の他の実施例によれば、チャージバランス半導体パワーデバイスは、交互に配される第１導電タイプのピラーの垂直に伸長するストリップ及び第２導電タイプのピラーの垂直に伸長するストリップを含むアクティブ領域を含む。第１導電タイプのピラーの２つの隣接するストリップの各々は第１間隔だけ互いに離間されている。非アクティブ外周領域がアクティブ領域を囲み、第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの水平に伸長するストリップ及び第１導電タイプのピラーの垂直に伸長する少なくとも２つのストリップを含む。当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの水平に伸長するストリップは第２間隔だけ互いに離間されており、当該非アクティブ外周領域内の当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの垂直に伸長するストリップは当該第２間隔と実質的に等しい間隔だけ互いに離間されている。当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの水平方向に伸長するストリップの各々の端部は、当該非アクティブ領域内の第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの垂直に伸長するストリップの対応する１つと第３間隔で離間されている。ここにおいて、当該第２間隔は当該第３間隔よりも大きい。
【００１６】
１つの実施例において、当該第２間隔は当該第１間隔と実質的に等しい。
【００１７】
他の実施例において、当該アクティブ領域内の第１導電タイプのピラーの垂直方向に伸長するストリップの端部は、当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの水平方向に伸長するストリップの１つから当該第３間隔に実質的に等しい間隔だけ離間されている。
【００１８】
他の実施例において、当該非アクティブ外周領域内の当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの垂直方向に伸長するストリップの各々は、当該第１導電タイプのピラーの少なくとも２つの水平方向に伸長するストリップの対応する１つの端部を越えて予め定められた長さだけ伸長している。
【００１９】
さらに他の実施例において、当該第３間隔は実質的に当該第２間隔の２分の１と等しい。
【００２０】
本明細書で開示されている本発明の特徴及び利点は、明細書の残りの部分及び添付の図面を参照することによってさらに理解されるだろう
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図２Ａは、チャージバランスパワーデバイスを収容するダイのアクティブ領域と非アクティブ外周領域との間の界面領域の簡略化されたレイアウト図を示していて、本発明の例示的実施例に従っている。交互に並ぶｐピラー２１０Ｐ及びｎピラー２１０Ｎが当該デバイスのアクティブエリア内に伸長している。アクティブピラー２１０Ｎ、２１０Ｐは非アクティブ外周ｎストリップ２２０において終端している。第１非アクティブ外周ｐストリップ２３０が当該外周ｎストリップの外側に伸長している。図２Ａに示されたチャージバランスデバイスの例において、アクティブｐピラー２１０Ｐ及び非アクティブ外周ｐストリップ２３０は、シリコン内にトレンチを形成して、選択的エピタキシャル成長（ＳＥＧ）のような技術を使用して当該トレンチにｐタイプシリコンを充填することによって形成される。従って、隣接するアクティブｐピラー２２０Ｐの間の間隔がアクティブトレンチ間隔（ａｃｔｉｖｅ  ｔｒｅｎｃｈ  ｓｐａｃｉｎｇ）ＡｃｔＴＳと記号を付され、当該アクティブ領域のエッジと第１外周ｐストリップ２３０との間の間隔が第１トレンチ間隔（ｆｉｒｓｔ  ｔｒｅｎｃｈ  ｓｐａｃｉｎｇ）ＴＳ１と記号を付される。
【００２２】
「アクティブ領域」という用語は本明細書中では、当該デバイス内の導電可能なアクティブセルが形成されている領域を特定するために用いられていて、「非アクティブ外周領域」という用語は、当該デバイス内の非導電の構造が形成されている領域を特定するために用いられている。
【００２３】
図２Ｂは、図２Ａにおける様々な例示的寸法においてシュミレーションされたブレークタウン電圧値を示している。第１トレンチ間隔ＴＳ１に対するブレークダウン電圧は、３μｍのアクティブトレンチ間隔ＡｃｔＴＳに対してプロットされている。図から明らかなように、さらに高いブレークダウン電圧はＴＳ１がＡｃｔＴＳよりも小さいとき（すなわち、ＴＳ１＜ＡｃｔＴＳのとき。）に得られ、アクティブピラー２１０Ｎ、２１０Ｐが第１外周ｐストリップ２３０に当接するとき（すなわち、ＴＳ１＝０のとき。）に最大のブレークダウン電圧が得られる。
【００２４】
図３から図６は、本発明の実施例に従ったチャージパワーデバイスの様々な角部デザインの簡略化されたレイアウト図である。図３において、当該アクティブ領域の垂直及び水平外側境界が示されている。当該アクティブ領域は、示されたように交互に配されているｐピラー３１０Ｐ及びｎピラー３１０Ｎを含む。当該デバイスの当該非アクティブ外側外周部内の第１ｐリング３２０Ｐは、当該アクティブ領域の水平エッジから第１トレンチ間隔ＴＳ１だけ離間されている。終端領域３３０は、交互に配されているｐリング３３２Ｐ、３３４Ｐ及びｎリング３３１Ｎ、３３３Ｎを含んでいる。アクティブ領域内の隣接するｐピラー３１０Ｐ間のアクティブトレンチ間隔はＡｃｔＴＳと記号が付されている。当該非アクティブ外周領域内の隣接するｐリング間の間隔もＡｃｔＴＳと等しい。しかし、本発明はこの様なものに限定されるわけではない（すなわち、当該アクティブ領域内と異なるトレンチ間隔が当該非アクティブ外周領域において用いられても良い。）。
【００２５】
図３の角部デザインは、図２Ａ、図２Ｂから導かれる高いブレークダウン電圧を得るデザイン基準、主に図３における間隔ＴＳ１とＡｃｔＴＳの関係がＴＳ１＜ＡｃｔＴＳとなる基準を有利に組み込む。図３のデザインの他の重要な特徴は、従来技術の図１Ｃのアクティブ領域の左端に沿っていて、異なった高さで終端しているために当該アクティブエリアの残りのピラーと異なった長さを有している最後のいくつかのｐピラー１１０Ｐ及びｎピラー１１０Ｎと違い、図３の実施例の当該アクティブエリア内のすべてのｎピラー３１０Ｎ及びｐピラー３１０Ｐが図３に「アクティブ領域のエッジ」として示された水平のディメンションに対応した同じ高さで実質的に終端しているために実質的に同じ長さを有することである。このことは当該アクティブ領域の角部における改良されたチャージバランスを提供するだけではなく、当該アクティブ領域が利用可能なシリコン領域のさらに大きな部分に伸長し、シリコンのさらに有効性のある利用の達成をもたらす。
【００２６】
図４の実施例は、非アクティブ外周リング４２０Ｐ、４３１Ｎ、４３２Ｐ、４３３Ｎ４３４Ｐがダイの角部において図３よりも鋭い角度で曲がっていることを除いて図３の実施例と同様である。当該リングが鋭い９０度の角を有しているように示されているが、実際これらのリングは角部でわずかに丸みを持っている。図３の実施例においてのように、アクティブ領域内のすべてのｐピラー４１０Ｐ及びｎピラー４１０Ｎは実質的に同じ長さを有していて、ＴＳ１はＡｃｔＴＳよりも小さい。１つの実施例において、ＴＳ１はＡｃｔＴＳの２分の１とほぼ等しい。
【００２７】
図５の実施例は、ＴＳ１が０に設定され、従ってアクティブピラー５１０Ｎ、５１０Ｐが第１非アクティブ外周ｐリング５２０Ｐにおいて終端しかつｐリング５２０と当接することを除けば図４の実施例と同様である。さらに、すべてのアクティブピラーが同じ長さを有することで、ダイの角部で改良されたチャージバランス構造が得られ、シリコンの有用性が最大化される。
【００２８】
図６は、外周リングが不連続に形成されかつ特別な規則において互いにオフセットしていることによって、アクティブ領域と非アクティブ外側外周部との間の界面において及び角部領域内で最適なチャージバランスを得ることを除いて図４の実施例と同様な実施例を示している。図６において間隔ＴＳ１は、前述の実施例のように間隔ＡｃｔＴＳよりも通常小さく、１つの実施例において間隔ＴＳ１は間隔ＡｃｔＴＳの約２分の１である。角部において不連続な当該外周ｐリングの形成によって、当該外周リングの不連続でラテラルかつ水平なセグメントをオフセットさせることができる。図示されているように、水平ｐセグメント６２０ｐ−１及び垂直ｐセグメント６２０Ｐ−２（前述の実施例では連続したリングを形成していた。）がお互いに間隔Ｓ１によって離間されている。さらに、垂直ｐセグメント６３２Ｐ−２が水平ｐセグメント６２０Ｐ−１を越えて伸長し、次の水平ｐセグメント６３２Ｐ−１からＳ１に等しい距離だけ離間されている。他の外周垂直及び水平ｐセグメントが同様に配される。
【００２９】
水平外周ｐセグメント６２０Ｐ−１、６３２Ｐ−１、６３４Ｐ−１がお互いに距離Ｓ２だけ離間され、同様に垂直外周ｐセグメント６２０Ｐ−２、６３２Ｐ−２、６３４Ｐ−２が互いにＳ２だけ離間されている。通常、Ｓ１はＳ２より小さい。１つの実施例において、Ｓ２はＡｃｔＴＳと等しく、Ｓ１はＴＳ１と等しく、Ｓ１はＳ２の２分の１と等しい（すなわちＳ１＝ＴＳ１＝Ｓ２／２＝ＡｃｔＴＳ／２）。この実施例は、ダイの角部において最適なチャージバランスを達成する。
【００３０】
本明細書で開示されている様々なチャージバランス技術は、図１Ｃに示されている縦型プレーナゲートＭＯＳＦＥＴ、トレンチゲートまたはシールドゲート構造のような他の多様なチャージバランスＭＯＳＦＥＴ並びにＩＧＢＴ、バイポーラトランジスタ、ダイオード及びショットキーデバイスのような他のチャージバランスパワーＭＯＳＦＥＴと組み合わされ得る。例えば、本発明の様々な実施例は、上述で参照し、全体として本明細書に含まれている米国特許出願番号第１１／０２６，２７６号（出願日２００４年１２月２９日）の図１４、２１−２４、２８Ａ−２８Ｄ、２９Ａ−２９Ｃ、６１Ａ、６２Ａ、６２Ｂ、６３Ａに例示されている任意のデバイスと組み合わされても良い。
【００３１】
前述において本発明の様々な実施例の詳細な説明をしたが、多くの代替、変形、及び均等が可能である。様々な実施例を説明するために本明細書で提案したすべての数値的な例示及び材料タイプは説明の目的だけであって、限定することを意図するものではないことも理解されるべきである。例えば、上述の実施例の様々な領域の極性は逆にすることができ、反対のタイプのデバイスを得ることができる。従って、これら及び他の理由のために、上述で説明したことは特許請求の範囲によって定義される発明の範囲を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１Ａ】図１Ａは従来のチャージバランスパワーデバイスの簡略化されたレイアウト図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ｃのパワーデバイス内の線分Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは図１Ａのパワーデバイスの左上角部の拡大図である。
【図２Ａ】図２Ａはダイのアクティブ領域とダイの非アクティブ外周領域との間の界面領域における簡略化されたレイアウト図であって、本発明の実施例に従っている。
【図２Ｂ】図２Ｂは図２Ａの様々な例示寸法に対してシュミレーションされたブレークダウン電圧を示した図である。
【図３】図３はチャージバランスパワーデバイスの角部デザインを示した簡略化されたレイアウト図であって本発明の実施例に従っている。
【図４】図４はチャージバランスパワーデバイスの角部デザインを示した簡略化されたレイアウト図であって本発明の他の実施例に従っている。
【図５】図５はチャージバランスパワーデバイスの角部デザインを示した簡略化されたレイアウト図であって本発明のさらに他の実施例に従っている。
【図６】図６はチャージバランスパワーデバイスの角部デザインを示した簡略化されたレイアウト図であって本発明のさらに他の実施例に従っている。
【図１Ａ】
2009530829.tif 000003
【図１Ｂ】
2009530829.tif 000004
【図１Ｃ】
2009530829.tif 000005
【図２Ａ】
2009530829.tif 000006
【図２Ｂ】
2009530829.tif 000007
【図３】
2009530829.tif 000008
【図４】
2009530829.tif 000009
【図５】
2009530829.tif 000010
【図６】
2009530829.tif 000011
【国際調査報告】
2009530829.tif 000012