(57)【要約】  本発明は、電磁弁であって、弁インサート（１１０）と、該弁インサート（１１０）に接合されたソレノイドアッセンブリ（６）とが設けられており、該ソレノイドアッセンブリ（６）が、ハウジング周壁（８）を有しており、弁インサート（１１０）が、流体ブロック（９）との加締め加工部（１２）のために、第１の直径を有する第１の加締め加工領域（３）を備えた加締め加工フランジ（１１１）を有している形式のものに関する。本発明によれば、第１の直径よりも小さく形成された第２の直径を備えた第２の加締め加工領域（１０２）が、ソレノイドアッセンブリ（６）のハウジング周壁（８）によって形成されている。
2009508069.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁弁であって、弁インサート（１１０）と、該弁インサート（１１０）に接合されたソレノイドアッセンブリ（６）とが設けられており、該ソレノイドアッセンブリ（６）が、ハウジング周壁（８）を有しており、弁インサート（１１０）が、流体ブロック（９）との加締め加工部（１２）のために、第１の直径を有する第１の加締め加工領域（３）を備えた加締め加工フランジ（１１１）を有している形式のものにおいて、第１の直径よりも小さく形成された第２の直径を備えた第２の加締め加工領域が、ソレノイドアッセンブリ（６）のハウジング周壁（８）によって形成されていることを特徴とする、電磁弁。
【請求項２】
ソレノイドアッセンブリ（６）が、カバーディスク（７）を介して少なくとも部分的に加締め加工部（１２）の領域で直接弁インサート（１１０）にプレス嵌めされている、請求項１記載の電磁弁。
【請求項３】
第１の加締め加工領域（３）と第２の加締め加工領域との間に移行領域が配置されており、該移行領域が、第１の加締め加工領域（３）の第１の直径を段階的にかつ／または連続的に第２の加締め加工領域の第２の直径に縮径している、請求項１または２記載の電磁弁。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景技術
本発明は、電磁弁であって、弁インサートと、該弁インサートに接合されたソレノイドアッセンブリとが設けられており、該ソレノイドアッセンブリが、ハウジング周壁を有しており、弁インサートが、流体ブロックとの加締め加工部のために、第１の直径を有する第１の加締め加工領域を備えた加締め加工フランジを有している形式のものにから出発する。
【０００２】
特にたとえばアンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）またはトラクションコントロールシステム（ＡＳＲシステム）またはエレクトニックスタビリティプログラムシステム（ＥＳＰシステム）に使用されるハイドロリックユニットに用いられる慣用の電磁弁が図２に示してある。図２から明らかであるように、慣用の電磁弁１はソレノイドアッセンブリ６と弁カートリッジとを有している。ソレノイドアッセンブリ６はカバーディスク７とハウジング周壁８とを備えている。弁カートリッジは、カプセル２０と、弁インサート１０と、プランジャ５と、戻しばね３０と、アーマチュア４０とを有している。電磁弁１の製作時には、弁カートリッジのカプセル２０と弁インサート１０とがプレス加工によって互いに接合され、シール溶接部２１によって、弁カートリッジがハイドロリック的に大気に対してシールされる。ソレノイドアッセンブリ６の下側の結合は、弁カートリッジの磁気的に伝導性の弁インサート１０へのカバーディスク７の直接的なプレス嵌めによって行われる。付加的には、弁インサート１０が、ハイドロリック的なシステムに生ぜしめられる加圧力を吸収し、この加圧力を加締め加工フランジ１１を介して流体ブロック９に引き続き案内する。加締め加工フランジ１１は、流体ブロックとの加締め加工部１２のために、第１の直径を備えた第１の加締め加工領域３と、より小さな第２の直径および高さ４を備えた第２の加締め加工領域２とを有している。電磁弁１が加締め加工によって組み付けられる流体ブロック９は、一般的にアルミニウムから製造される。加締め加工部１２によって、流体ブロック９内の弁カートリッジの位置が固定され、圧力室が大気に対してシールされる。さらに図２から明らかであるように、加締め加工部１２と、弁インサート１０へのソレノイドアッセンブリ６の結合部とが空間的に分離される。このことは、弁インサート１０ひいては弁カートリッジ全体もしくは電磁弁１の比較的長い構造を生ぜしめる。電磁弁１は流体ブロック９を越えて突出しているので、このことは、流体ブロック９が電磁弁１と共に組み込まれているハイドロリックユニットのハウジング容積にも大きな影響を与える。
【０００３】
発明の利点
本発明の構成によれば、第１の直径よりも小さく形成された第２の直径を備えた第２の加締め加工領域が、ソレノイドアッセンブリのハウジング周壁によって形成されている。
【０００４】
本発明の有利な構成によれば、ソレノイドアッセンブリが、カバーディスクを介して少なくとも部分的に加締め加工部の領域で直接弁インサートにプレス嵌めされている。
【０００５】
本発明の有利な構成によれば、第１の加締め加工領域と第２の加締め加工領域との間に移行領域が配置されており、該移行領域が、第１の加締め加工領域の第１の直径を段階的にかつ／または連続的に第２の加締め加工領域の第２の直径に縮径している。
【０００６】
独立請求項１の特徴を備えた本発明による電磁弁は従来のものに比べて、第１の加締め加工領域の第１の直径よりも小さく形成された第２の直径を備えた、流体ブロックに電磁弁を加締めるための第２の加締め加工領域が、弁インサートに接合されたソレノイドアッセンブリのハウジング周壁によって形成されているという利点を有している。これによって、有利には、流体ブロックとの電磁弁の加締め加工部と、ソレノイドアッセンブリとがオーバラップすることが可能となる。なぜならば、このソレノイドアッセンブリが流体ブロック内に沈み込んでいるからである。ソレノイドアッセンブリのこの沈下によって、電磁弁の、流体ブロックを越えて突出した部分も短縮され、これによって、有利には、流体ブロックが電磁弁と共に組み込まれた全ユニットのハウジング容積が減少する。付加的には、電磁弁の弁インサートとプランジャとをソレノイドアッセンブリの沈下の高さだけ短縮することができる。これによって、電磁弁の構造高さが一層減少させられ、有利には、全ユニットの重量およびハウジング容積における更なる減少を得ることができる。本発明による電磁弁によって、互いに隣り合って流体ブロック内に加締められた２つの電磁弁の間の間隔を同時に維持したまま、全ユニットのよりコンパクトな構造を達成することができる。
【０００７】
従属請求項に記載した手段および構成によって、独立請求項に記載した電磁弁の有利な改良が可能となる。
【０００８】
ソレノイドアッセンブリが、カバーディスクを介して少なくとも部分的に加締め加工部の領域で直接弁インサートにプレス嵌めされていると特に有利である。付加的には、第１の加締め加工領域と第２の加締め加工領域との間に移行領域が配置されてよい。この移行領域は第１の加締め加工領域の第１の直径を段階的にかつ／または連続的に第２の加締め加工領域の第２の直径に縮径している。これによって、加締め加工部の強度を、内圧と大気圧との間の圧力差によって生ぜしめられる力伝達に適合させることができる。
【０００９】
以下に説明する本発明の有利な構成と、この構成を理解しやすくするために上述した慣用の実施例とが図面に示してある。
【００１０】
説明
図１から明らかであるように、本発明による電磁弁１００は、ソレノイドアッセンブリ６と弁カートリッジとを有している。ソレノイドアッセンブリ６はカバーディスク７とハウジング周壁８とを有している。弁カートリッジは、カプセル２０と、弁インサート１１０と、プランジャ１０５と、戻しばね３０と、アーマチュア４０とを有している。図２に示した慣用の電磁弁１に類似して、本発明による電磁弁１００の弁カートリッジのカプセル２０と弁インサート１１０とは、製作時にプレス加工によって互いに接合され、シール溶接部２１によって大気に対してシールされる。本発明による電磁弁１００の弁インサート１１０は、たとえばアルミニウムから製造された流体ブロック９との加締め加工部１２のために、第１の直径を備えて形成された第１の加締め加工領域３を備えた加締め加工フランジ１１１を有している。図２に示した慣用の電磁弁１に比べて、流体ブロック９との加締め加工部１２のための第１の加締め加工領域３の第１の直径は拡径されて形成されている。さらに、本発明による電磁弁１００の加締め加工フランジ１１１は、慣用の電磁弁１の加締め加工フランジ１１と異なり、第２の直径および高さ４を備えた第２の加締め加工領域２を有していない。
【００１１】
第２の直径を備えた第２の加締め加工領域２の機能は、本発明による電磁弁１００では、ソレノイドアッセンブリ６のハウジング周壁８の下側の領域１０２によって引き受けられる。この場合、加締め加工フランジ１１１の第１の直径は、この第１の直径が、ソレノイドアッセンブリ６のハウジング周壁８の、第２の直径を表す外径よりも大きく形成されているように拡径される。したがって、ソレノイドアッセンブリ６が高さ４だけ下方に流体ブロック９内に移動させられる。さらに、本発明による電磁弁１００の弁カートリッジの構造高さを、慣用の電磁弁１の弁カートリッジに比べて高さ４だけ短縮することができる。構造高さの短縮のためには、主として、弁インサート１１０とプランジャ１０５とが短縮されて形成される。本発明による電磁弁１００では、ソレノイドアッセンブリ６の結合が、カバーディスク７を介して少なくとも部分的に加締め加工部１２の領域で行われ、したがって、ソレノイドアッセンブリ６がカバーディスク７を介して、たとえば直接弁インサート１１０にプレス嵌めされる。
【００１２】
択一的な構成（図示せず）では、製造理由から、慣用の電磁弁１の弁インサート１０の加締め加工フランジ１１の第２の加締め加工領域２が完全に省略されず、移行領域として形成される。この移行領域は、本発明による電磁弁１００の加締め加工フランジ１１１の第１の加締め加工領域３の第１の直径を段階的にかつ／または連続的に第２の加締め加工領域の第２の直径、すなわち、ソレノイドアッセンブリ６のハウジング周壁８の外径に縮径している。これによって、加締め加工部１２の強度を、内圧と大気圧との間の圧力差によって生ぜしめられる力伝達に適合させることができる。
【００１３】
本発明による電磁弁は、有利にはハイドロリックユニットに使用することができる。このハイドロリックユニットは、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）またはトラクションコントロールシステム（ＡＳＲシステム）またはエレクトニックスタビリティプログラムシステム（ＥＳＰシステム）の一部である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による電磁弁の概略的な断面図である。
【図２】慣用の電磁弁の概略的な断面図である。
【符号の説明】
【００１５】
１  電磁弁、  ２  加締め加工領域、  ３  加締め加工領域、  ４  高さ、  ５  プランジャ、  ６  ソレノイドアッセンブリ、  ７  カバーディスク、  ８  ハウジング周壁、  ９  流体ブロック、  １０  弁インサート、  １１  加締め加工フランジ、  １２  加締め加工部、  ２０  カプセル、  ２１  シール溶接部、  ３０  戻しばね、  ４０  アーマチュア、  １００  電磁弁、  １０２  領域、  １０５  プランジャ、  １１０  弁インサート、  １１１  加締め加工フランジ
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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