(57)【要約】  スループットを最大化するためにバッチ処理を採用し、且つ反応種を効率的に作り出し化学的消費量を最小化するために蒸気又は気体処理を用いる上流のプラズマ活性化源を採用したフォトレジスト剥離を提供する。上流のプラズマ活性化源は、基板表面のフォトレジストから遠隔で反応種を効率的に作り出す。処理チャンバーの上流のリモートプラズマ生成装置、又は処理空間の上流の、処理チャンバー内の一体化プラズマユニットが用いられる。プラズマプロセスガスはウェハスタックの一方側から導入され、ウェハを横切って流れる。プロセスガスはカラム内のウェハ表面を横切ってカラムの反対側の排気口へと流れ、カラムは回転される。上流のプラズマ活性化源により、剥離プロセスは例えば６００℃未満の低温で行われ、特にＢＥＯＬプロセスにて有利となる。ドライとウェット的な逐次プロセスを結合させる統合プロセスも提供される。酸化、還元、又はフッ素含有プラズマが用いられる。例えば水蒸気、オゾン又は双方を用いるウェット剥離が同時あるいは順々に含められ得る。
2009515366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハからフォトレジストを除去する方法であって：
堆積され且つ露光されたフォトレジスト層を有する複数のエッチング済み半導体ウェハを、縦方向に積み重ねたスタックにして処理チャンバー内で支持する段階；
前記複数のウェハを鉛直軸の周りで回転させながら、前記スタックの一方側に沿って前記チャンバー内に反応ガスプラズマを導入する段階；及び
前記スタックの前記一方側から、回転している前記複数のウェハの各々を横切るように、導入された前記反応ガスプラズマを流し、且つ前記スタックの反対側から、前記チャンバーからガスを排出する段階；
を有する方法。
【請求項２】
導入された前記反応ガスプラズマを流す段階は、前記スタックの前記一方側から前記複数のウェハの各々を横切るように、対流、若しくは拡散、又は対流及び拡散の双方によって前記反応ガスプラズマを流すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チャンバー内に前記反応ガスプラズマとともに水蒸気を導入する段階；
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記チャンバー内に前記反応ガスプラズマとともにオゾンを導入する段階；
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反応ガスプラズマの少なくとも一部を導入して流すことに続いて、前記スタックの前記一方側から、回転している前記複数のウェハの各々を横切るように、水蒸気、若しくはオゾン、又は水蒸気及びオゾンの組み合わせを導入して流す段階；
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記反応ガスプラズマを導入する段階は、前記チャンバー内に：
酸化環境、
還元環境、
フッ素含有環境、
フッ素若しくはフッ素化合物を含有する酸化環境、又は
フッ素若しくはフッ素化合物を含有する還元環境、
の何れかを生じさせること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反応ガスプラズマを導入する段階は、前記チャンバー内に、Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、又は、不活性ガスとＯ２、ＮＯ若しくはＮ２Ｏとの組み合わせ、の何れかを含有する酸化環境を生じさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応ガスプラズマを導入する段階は、前記チャンバー内に、Ｈ２、ＮＨ３、又は、不活性ガスとＨ２若しくはＮＨ３との組み合わせ、の何れかを含有する還元環境を生じさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記反応ガスプラズマを導入する段階は、前記チャンバー内に、Ｆ２、ＮＦ３、ＣＦ４、又は、不活性ガスとＦ２、ＮＦ３若しくはＣＦ４との組み合わせ、の何れかを含有する環境を生じさせることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記環境は酸化環境又は還元環境の何れかである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
導入された前記反応ガスプラズマを流す段階において、１００ｓｃｃｍから５００００ｓｃｃｍの速さでガスを流す段階；
前記チャンバー内の圧力を５０ｍＴｏｒｒから６５０Ｔｏｒｒの範囲内に維持する段階；及び
前記ウェハの温度を８０℃から９００℃の範囲内に維持する段階；
のうちの１つ以上を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
導入された前記反応ガスプラズマを流す段階において、１０００ｓｃｃｍから１００００ｓｃｃｍの速さでガスを流す段階；
前記チャンバー内の圧力を１００ｍＴｏｒｒから１０Ｔｏｒｒの範囲内に維持する段階；及び
前記ウェハの温度を１００℃から６００℃の範囲内に維持する段階；
のうちの１つ以上を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体ウェハからフォトレジストを除去する装置であって：
複数の半導体ウェハを、縦方向に積み重ねたスタックにして支持する基板支持カラムを内部に有する真空チャンバー；
前記カラムの一側面に沿って前記チャンバー内にプロセスガスを導入するように構成された、前記チャンバーに結合されたプロセスガス吸気口；
前記チャンバーからガスを除去するように構成された、前記チャンバーに結合された排気口；
前記プロセスガス吸気口に合わせて配置された、前記カラムの前記一側面に沿ってプラズマを形成するように作動するプラズマ生成装置；
前記カラムの前記一側面から前記カラム上に支持されたウェハの表面を横切って前記排気口の方にプラズマ含有プロセスガスを流すように構成された、前記吸気口及び前記排気口に結合されたガス流量制御システム；
を有する装置。
【請求項１４】
前記基板支持カラムは、その上に支持された前記半導体ウェハを回転させるように回転可能である、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記プラズマ生成装置は、前記吸気口の上流で前記吸気口に接続された、プロセスガス源から前記プロセスガス吸気口へと流れるプロセスガス中にプラズマを形成するように作動するリモートプラズマ生成ユニットを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記プラズマ生成装置は、前記チャンバー内で前記プロセスガス吸気口と前記カラムとの間に配置された、前記吸気口から前記カラム上に支持された前記ウェハへと流れるプロセスガス中にプラズマを形成するように作動するプラズマ生成システムを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
オゾン、水蒸気、又は、オゾン及び水蒸気を含有する混合物を前記チャンバーに供給するように作動する、前記チャンバーに接続されたウェット剥離プロセス流体供給装置；
を更に有する請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記ガス流量制御システムは、前記チャンバーを通じて１０００ｓｃｃｍから１００００ｓｃｃｍの速さで反応ガスプラズマを流し、前記チャンバー内の圧力を１００ｍＴｏｒｒから１０Ｔｏｒｒの範囲内に維持するように作動する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１９】
前記カラムは、当該カラム上のウェハの温度を１００℃から６００℃の範囲内に維持するように作動する温度制御システムを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項２０】
前記吸気口に接続された反応ガス源；
を更に有する請求項１３に記載の装置。
【請求項２１】
前記反応ガス源は：
前記プラズマ生成装置に：
酸化ケミストリー、
還元ケミストリー、
フッ素含有ケミストリー、
フッ素含有酸化ケミストリー、又は
フッ素含有還元ケミストリー、
の何れかを生じさせる手段、
を含む、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記反応ガス源は：
前記プラズマ生成装置に：
Ｏ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、又は、不活性ガスとＯ２、ＮＯ若しくはＮ２Ｏとの組み合わせ、の何れかを含有する酸化ケミストリー、
Ｈ２、ＮＨ３、又は、不活性ガスとＨ２若しくはＮＨ３との組み合わせ、の何れかを含有する還元ケミストリー、又は
Ｆ２、ＮＦ３、ＣＦ４、又は、不活性ガスとＦ２、ＮＦ３若しくはＣＦ４との組み合わせ、の何れか、
の何れかを生じさせる手段、
を含む、請求項２０に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ処理におけるフォトレジストの除去に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造は、シリコンウェハ上への構造パターニングを含んでいる。このようなパターニングは、フォトレジスト材料の層を堆積し、このフォトレジスト層上にパターンを露光して該層の特性を選択的にリソグラフィにより変化させ、下地の材料を露光パターンに従って選択的に除去するように、露光されたフォトレジスト層をエッチングし、そして、残存するフォトレジストを除去することによって行われる。
【０００３】
フォトレジストの除去は、バッチ式のウェット処理、又はウェハ１枚ずつ（枚葉式）のプラズマドライ処理の何れかによって行われてきた。バッチ式ウェット処理はＦＥＯＬ（front-end  on-line）システムにて広く見受けられる一方で、枚葉式ドライ処理はＢＥＯＬ（back-end  on-line）システムにて広く見受けられる。当初、バッチ式ウェット剥離がレジストの除去のために使用されたが、処理コストが高く、処理要求は十分に満たされなかった。その後、バッチ式バレル型プラズマアッシャーが試みられたが、ウェハダメージが発生した。これは、リモートプラズマ枚葉式ドライシステムの使用へとつながった。現行のドライ式剥離システムを提供している会社には、マットソン社、ノベラス社、アプライドマテリアル社、及びアクセリス社がある。このようなシステムが記載された特許文献には特許文献１−５がある。
【０００４】
ウェット式剥離システムは、今なお、低いスループット、高い化学的な消費コスト、及び高い装置コストをもたらしており、また、過度の酸化環境を必要とする。ドライ式プラズマ剥離システムは、依然として、ウェハへのプラズマダメージの問題を抱えている。
【特許文献１】米国特許第６６９３０４３号明細書
【特許文献２】米国特許第６６３８８７５号明細書
【特許文献３】米国特許第６２８１１３５号明細書
【特許文献４】米国特許第６６３０４０６号明細書
【特許文献５】米国特許第６８３４６５６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来技術に伴う問題を解決することが可能なフォトレジスト剥離方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の原理に従って、スループットを最大化するためにバッチ処理を採用し、且つ反応種を効率的に作り出し化学的消費量を最小化するために蒸気又は気体の処理を用いる上流のプラズマ活性化源を採用したフォトレジスト剥離技術が提供される。
【０００７】
本発明の実施形態によれば、基板表面のフォトレジストから離れたところで反応種を効率的に作り出すために、プラズマ活性化源は処理対象の基板の上流に設けられる。具体的には、バッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングシステム及び方法は、処理チャンバーの上流のリモートプラズマ生成装置によって、あるいは処理対象の基板が置かれる処理空間の上流の、処理チャンバー内の一体化プラズマユニットによって、の何れかで生成されたプラズマを適用する。
【０００８】
本発明の例示される実施形態によれば、プラズマプロセスガスは、ウェハの一方側から導入され、ウェハを横切るように流される。一定の実施形態において、複数のウェハが真空処理チャンバー内のカラムに積み重ねられ、プラズマが、カラムの一方側に沿って生成あるいは導入され、カラム内のウェハの表面を横切ってカラムの反対側の排気口へと流される。ウェハ群はカラム内に積み重ねられ、プロセスガスがウェハを横切って流れるとき、共通の軸に関して回転させられてもよい。
【０００９】
一定の実施形態において、上流のプラズマ活性化源の使用は、剥離プロセスが例えば６００℃未満といった低い温度で行われることを可能にし、特にＢＥＯＬプロセスフローにおいて有利となる。
【００１０】
本発明の実施形態は、バッチ式フォトレジスト剥離プロセス、ウェハから離れたところでの反応種のプラズマ生成、及びウェハを横切る反応種の横流を結合させる。一定の実施形態によれば、ドライ式とウェット式のような逐次プロセスを結合させる統合プロセスも提供される。この統合プロセスは、熱プロセスを含むことができ、また、例えば水蒸気及びオゾンを用いるウェット式のような剥離プロセスを用いることができる。
【００１１】
遠隔でのプラズマ活性化の使用は、ウェハのダメージを低減することに加え、枚葉式のプラズマドライ剥離プロセスの利点をバッチ式処理システムに適用することを可能にする。
【００１２】
本発明に係るプロセスの様々な実施形態は、酸化プラズマ環境、還元プラズマ環境、又はフッ素含有プラズマ環境を提供すること、及び、例えば低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）膜及び銅などの先端材料へのダメージの最小化を提供することを含む。
【００１３】
本発明は、従来の枚葉式ドライ剥離システムが、ウェット剥離システムに対して例えば化学的消費量の削減や化学的廃棄量の削減などをもたらすとともに、下に位置する例えばｌｏｗ−ｋ膜及び銅などの先端材料へのダメージを低減するという利点を提供する。同時に、本発明は、例えば水蒸気及びオゾンの処理を同一システム内で非プラズマ環境において使用することができることなど、ウェット剥離システムのドライ剥離プロセスに対する利点をも提供する。
【００１４】
本発明の実施形態は、残渣が築かれることを抑制し、システムの稼働時間を効率的に増大させることが可能なホットウォール式の処理チャンバーを使用してもよい。
【００１５】
本発明に従ったシステムは、一定の従来の剥離システムより設置面積が小さい装置を使用することが可能である。
【００１６】
本発明のこれら及び他の目的及び効果は、本発明の例示的な実施形態についての以下の詳細な説明によって明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の原理に従った一実施形態に係るフォトレジスト剥離装置１００を示している。装置１００は、処理チャンバー１１０を含むバッチ式処理装置であり、処理チャンバー１１０は処理チューブ１２５を収容している。処理チャンバー１１０は、該チャンバー１１０内に所定の気圧又は大気圧未満の気圧を維持するように構成された真空ポンプシステム（図示せず）に接続された排気口１８０を有する。基板ホルダーは、チューブ１２５内に収容されたカラムの形態をしており、複数の半導体ウェハ基板４０を縦方向に積み重ね、スタック状に保持するように構成されている。ガス供給管を介して処理チューブ１２５内に複数のガスを供給するように、ガス源１９８が設けられている。ガス源１９８はリモートプラズマ生成ユニット１９６に接続されている。リモートプラズマ生成ユニット１９６は、プロセスガス内にプラズマを形成し、ガスをガス供給管１４５に送り届ける。そして、プラズマガスはガス供給管１４５を介してチャンバー１１０内に導入される。
【００１８】
装置１００において、プラズマ含有ガスは流入管１４５を介してチャンバー１１０内に導入され、流入管１４５からチューブ１２５の一方側１９７に沿って流れる。プラズマガスは、チューブ１２５の一方側１９７から、カラム１３５上に支持されたウェハ４０の表面を横切って、チューブ１２５の反対側１９９へと流れ、そして、そこから流出口１８０を介してチャンバー１１０の外へと流れる。
【００１９】
図２は、本発明の原理に従った他の一実施形態に係る処理装置１０を、簡略化したブロック図によって示している。装置１０は、処理チャンバー１１及び処理チューブ２５を含むバッチ式の処理装置である。処理チューブ２５は、排気管８０に接続された上端部と円筒形のマニホールド（manifold）１２の蓋部２７に密封接合された下端部とを有している。排気管８０は、処理システム１０内に所定の気圧又は大気圧未満の気圧を維持するように、処理チューブ２５から真空ポンプシステム８８へとガスを排出する。基板ホルダーは、カラム３５の形態をしており、処理チューブ２５内で複数の半導体ウェハ基板４０を、鉛直方向に間隔を空けたそれぞれの水平面に、縦方向に積み重ねて保持するように構成されている。基板ホルダー３５は、蓋部２７を貫通しモータ２８によって駆動される回転シャフト２１に搭載された回転台２６上に備えられている。回転台２６は処理中に回転させられることが可能であり、あるいは他の例では、回転台は処理中に静止していてもよい。蓋部２７は、基板ホルダー３５を処理チューブ２５に対して搬出／搬入するためのエレベータ２２上に搭載されている。蓋部２７は、自身の最高地点に位置付けられるときにマニホールド１２の開口端を閉じるように適合されている。
【００２０】
マニホールド１２の周りには複数のガス供給管が配置されることができ、該ガス供給管を介して複数のガスが処理チューブ２５内に供給される。図２においては、複数のガス供給管の内の１つのガス供給管４５のみが示されている。ガス供給管４５はガス注入システム９４に接続されている。円筒形の熱反射体３０が反応チューブ２５を覆うように配置されている。熱反射体３０は、主ヒータ２０、底部ヒータ６５、頂部ヒータ１５及び排気管ヒータ７０により放射される放射熱の消散を抑制するために、鏡面仕上げされた内表面を有している。冷却媒体の通路として処理チャンバー１１の壁に螺旋状の冷却水路（図示せず）が形成されている。
【００２１】
真空ポンプシステム８８は真空ポンプ８６、トラップ８４及び自動圧力コントローラ８２を有している。真空ポンプ８６は、例えば、最大で毎秒２０，０００リットル以上のポンプ速度が可能なドライ式真空ポンプを含み得る。処理中、ガスはガス注入システム９４を介して処理チャンバー１１に導入されることができ、処理圧力は自動圧力コントローラ８２によって調整されることができる。トラップ８４は処理チャンバー１１からの未反応の前駆物質及び副生成物を収集することができる。
【００２２】
処理監視システム９２は、実時間プロセス監視が可能なセンサー７５を有する。コントローラ９０はマイクロプロセッサ、メモリー、及び処理システム１０からの出力を監視するとともに、処理システム１０の入力に対して信号を伝達し作動させるのに十分な制御電圧を生成することが可能なデジタルＩ／Ｏポートを含んでいる。また、コントローラ９０はガス注入システム９４、モータ２８、処理監視システム９２、ヒータ２０、１５、６５及び７０、並びに真空ポンプシステム８８に結合されており、それらと情報を交換することが可能である。
【００２３】
ガス注入システム９４の流入口にはプラズマ生成装置９６が結合されている。プラズマ生成装置９６は、プロセスガス源９８が結合される流入口を有する。プロセスガス源９８からのガスはプラズマ生成装置９６に注入され、プラズマ生成装置９６はプロセスガス中にプラズマを形成する。このプラズマ含有ガスはガス注入システム９４に導き入れられ、ガス注入システム９４は、このガスをチャンバー１１にカラム３５の一方側９７に沿って注入する。プラズマ含有ガスは、そこから、カラム３５上に支持されたウェハ４０の表面を横切ってカラム３５の反対側９９へと流れ、そして、排気管８０を介して排出される。
【００２４】
図３、３Ａ、３Ｂは本発明の他の一実施形態を示しており、処理装置２００は、プラズマ生成マニホールド２９６の形態の一体化されたプラズマ生成装置を備えている。注入されたガス中で、例えば、それにＲＦエネルギーを結合させることによって、プラズマが生成される。装置２００は、内部に処理チューブ２２５を有する処理チャンバー２１０を含んでいる。処理チューブ２２５から該処理チューブ２２５の一方側２９９に沿って真空ポンプシステム（図示せず）までガスを排出するように、排気管２８０がチャンバー２１０に接続されている。基板ホルダーは、複数の半導体ウェハ基板４０を縦方向に積み重ねて保持するように構成されたカラムの形態で設けられている。基板ホルダー２３５は、モータ（図示せず）によって駆動される回転シャフト２２１に搭載された回転台２２６上に備えられている。回転台２２６は、その上のウェハ４０を処理中に回転させるように回転可能である。
【００２５】
１つ以上のガス供給源が吸気口マニホールド２１２に接続され、１つ以上のガスが処理チューブ２２５の一方側２９７に沿ってプラズマガス生成マニホールド２９６内に供給される。そして、プラズマプロセスガスは、ウェハ４０が回転台２２６によりカラム２３５上で回転させられる間に、この側２９７からカラム２３５上のウェハ４０の表面を横切って流れることが可能である。ガスは、ウェハ４０上のフォトレジストを除去しながらウェハ４０を横切って流れた後、チューブ２２５のプラズマ生成マニホールド２９７とは反対側の排気収集マニホールド２９９へと流れる。排気マニホールド２９９から、ガス及び除去されたフォトレジストは排気管２８０を介してチャンバー２１０から取り除かれる。
【００２６】
上述のシステム１０、１００及び２００において、プラズマユニットに導入されるプロセスガスは、以下に限られないが、次のような例を含み得る。一定のフォトレジスト除去を含む一定の用途においては、フォトレジストを除去することに酸化環境が最も適していることがある。このような状況においては、酸化環境を作り出すため、例えばＯ２、Ｏ２と不活性ガス、ＮＯ、ＮＯと不活性ガス、Ｎ２Ｏ、又は、Ｎ２Ｏと不活性ガス、などのプロセスガスが、プラズマ生成ユニット又はプラズマ生成マニホールドに導入される。不活性ガスは、以下に限られないが、Ｎ２、Ｈｅ又はＡｒであり得る。酸化性プロセスガスは体積百分率で、全ガスの内の０．０１％から５０％を占め得る。
【００２７】
フォトレジスト除去を含むその他の一定の用途においては、フォトレジストを除去することに還元環境が最も適していることがある。このような状況においては、還元環境を作り出すため、例えばＨ２、Ｈ２と不活性ガス、ＮＨ３、又は、ＮＨ３と不活性ガス、などのプロセスガスが、プラズマ生成ユニット又はプラズマ生成マニホールドに導入される。不活性ガスは、以下に限られないが、Ｎ２、Ｈｅ又はＡｒであり得る。還元性プロセスガスは体積百分率で、全ガスの内の０．０１％から５０％とし得る。
【００２８】
フォトレジスト除去の適用を含むその他の一定の用途においては、フォトレジストを除去することにフッ素含有環境が最も適していることがある。このような状況においては、フッ素含有環境を作り出すため、例えばＦ２、Ｆ２と不活性ガス、ＮＦ３、ＮＦ３と不活性ガス、ＣＦ４、又は、ＣＦ４と不活性ガス、などのプロセスガスが、プラズマ生成ユニット又はプラズマ生成マニホールドに導入される。不活性ガスは、以下に限られないが、Ｎ２、Ｈｅ又はＡｒであり得る。フッ素含有プロセスガスは体積百分率で、全ガスの内の０．０１％から５０％とし得る。
【００２９】
フォトレジスト除去を含み得る更に他の用途においては、フォトレジストを除去することに、少量のフッ素又はフッ素含有化合物を含む酸化又は還元環境が最も適していることがある。このような状況においては、例えばＦ２、Ｆ２と不活性ガス、ＮＦ３、ＮＦ３と不活性ガス、ＣＦ４、又は、ＣＦ４と不活性ガス、などのフッ素含有ガスが、体積にして０．０１％と５０％との間の組成比で、プラズマ生成ユニット又はプラズマ生成マニホールドに導入される。残りの組成体積は、上述のような酸化ガス又は還元ガスの何れかから成り得る。不活性ガスは、以下に限られないが、Ｎ２、Ｈｅ又はＡｒであり得る。
【００３０】
このようなガスの総流量は、剥離プロセスにおいて１００ｓｃｃｍから５００００ｓｃｃｍの範囲とし得る。ガス流量の好適範囲は１０００から１００００ｓｃｃｍの範囲内にある。圧力は５０ｍＴｏｒｒから６５０Ｔｏｒｒの範囲とし得る。好適な圧力範囲は１００ｍＴｏｒｒから１０Ｔｏｒｒの範囲内にある。温度は８０℃から９００℃の範囲とし得る。好適な温度範囲は１００℃から６００℃の範囲内にある。
【００３１】
プラズマガスは一方側から他方側へと基板を横切って流れ、この他方側から、排気マニホールドを介して処理チャンバーから除去される。複数の基板を用いる従来技術はエッチングガスが拡散して基板に到達することに頼っていたが、ここでは、反応性ガスは対流によって、あるいは対流及び拡散によって、基板表面を横切って流れる。加えて、基板は処理中に回転させられることができる。
【００３２】
上述のプロセスは、図４のフローチャートにて説明される段階群に従って進められる。
【００３３】
ドライ式プラズマプロセスとウェット式剥離プロセスとの組み合わせが最良であると決定される一定の用途において、高温の水蒸気、オゾン、又は水蒸気とオゾンとの組み合わせはフォトレジストの除去の助けとなり得る。水蒸気又はオゾンのプロセスは、ウェット式剥離プロセスと同様であるが、この場合には、水は液体状態ではなく気体状態である。この場合、水蒸気若しくはオゾン、又はこれらの双方は、第三者の製造供給元によって生成されてもよく、プラズマ生成ユニットによって生成されたラジカル酸素で同等に置換され得る。そして、水蒸気及びオゾンは基板表面上で反応し、フォトレジストを除去する。処理条件（ガス流量、温度、圧力）は上述されたのと同等とし得る。水蒸気又はオゾンは、上述のプラズマ代替物に代えて、組み合わせて、あるいは順々に用いられてもよい。
【００３４】
本発明の一定の実施形態においては、逐次処理が可能にされる。例えば、フォトレジストは高い炭化性を有する頂部層を有しながら、通常の水素化されるフォトレジストの性質を有する底部層を有し得る。一般的に、半導体製造者は、頂部層にプラズマレジスト剥離技術をそのプロセスに好適な装置にて用い、その後、底部層にウェット剥離技術をそのプロセスに好適な別の装置にて用いる必要がある。本発明によれば、半導体製造者は、ドライ式のプラズマ環境での剥離プロセスに続けて、水蒸気及びオゾン、又はプラズマによる剥離を用いて、逐次的なドライエッチング及びウェット剥離のようなシーケンスを用いることができ、レジストの除去が改善される。
【００３５】
以上では本発明の特定の典型的な実施形態のみを詳細に説明したが、当業者に容易に認識されるように、本発明による新規な教示及び効果を実質的に逸脱することなく、これらの典型的な実施形態には数多くの変更が為され得る。従って、そのような変更は全て、本発明の範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の原理に従ったバッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングシステムの一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の原理に従ったバッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングシステムの他の一実施形態を示す、図１と同様の図である。
【図３】本発明の原理に従ったバッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングシステムの更に他の一実施形態を示す、図１及び２と同様の図である。
【図３Ａ】図３の実施形態の切断面を示す平面図である。
【図３Ｂ】図３の実施形態の切断面を示す立面図である。
【図４】本発明の原理に従ったバッチ式フォトレジスト乾式剥離・アッシングプロセスを示すフローチャートである。
【図１】
2009515366.tif 000003
【図２】
2009515366.tif 000004
【図３】
2009515366.tif 000005
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2009515366.tif 000007
【図４】
2009515366.tif 000008
【国際調査報告】
2009515366.tif 000009
2009515366.tif 000010
2009515366.tif 000011