(57)【要約】【課題】  従来技術に鑑みて性能が向上した放射生成装置を提供する。【解決手段】  電動放電により放射を生成する装置は、第１電極、第２電極、およびコンデンサバンクを有する。第１電極および第２電極は、その間にプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成される。コンデンサバンクは、第１電極への第１端子および第２電極への第２端子と電気的に接続され、放電エネルギーを蓄積するように構成される。第１電極、第２電極、およびコンデンサバンクは、電気回路を形成する。少なくとも第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成される。当該装置は、チャージャおよび第１高インダクタンスユニットをさらに有する。チャージャは、第１端子および第２端子のうちの１つに接続される。第１高インダクタンスユニットは、第１供給ラインにおける第１端子の上流に、電気回路を電気的に分離するように設けられる。【選択図】なし
2009535839.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に操作される放電により放射を生成する装置であって、前記装置は、
第１電極および第２電極であって、前記第１電極および前記第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、
前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成され、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、少なくとも前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成されたコンデンサバンク、
時間的に変化する規則で前記コンデンサバンクに帯電させるように構成された前記第１端子および／または前記第２端子に接続されたチャージャ、および
前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に、前記電気回路を電気的に分離するように設けられた第１高インダクタンスユニット
を含む装置。
【請求項２】
前記放射は、ＥＵＶ放射である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記チャージャは、パルスチャージャである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記導電流体を部分的に蒸発させるように構成されたレーザービームを提供することにより前記ガス媒体を形成するレーザービーム、をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１高インダクタンスユニットは、前記第１供給ラインの第１コイル状部分を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１コイル状部分は、第１飽和コアを備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１飽和コアは、ナノ結晶合金を含む群のうちの強磁性体材料を含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ナノ結晶合金は、ＭＥＴＧＬＡＳまたはフェライトである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１高インダクタンスユニットは、０．０１〜１０ｍＨのインダクタンスを提供するように構成される、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１供給ラインは、材料がジェットの形状をとる前記第１電極を提供するように構成される第１ノズルを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記材料は、スズ、インジウム、ガリウム、および／またはリチウムを含む元素の群を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第２電極は、第２供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第１供給ラインは、前記第１端子の下流に、材料が第１ジェットの形状をとる前記第１電極を提供するように構成される第１ノズルを含み、前記第２供給ラインは、前記第２端子の下流に、材料が第２ジェットの形状をとる前記第２電極を提供するように構成される第２ノズルを含み、前記装置は、前記第２供給ラインにおける前記第２端子の上流に、前記電気回路を電気的に分離する第２高インダクタンスユニットをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１高インダクタンスユニットは、前記第１供給ラインの第１コイル状部分を含み、前記第２高インダクタンスユニットは、前記第２供給ラインの第２コイル状部分を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１コイル状部分は、第１飽和コアを備え、前記第２コイル状部分は、第２飽和コアを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１飽和コアおよび前記第２飽和コアの少なくとも１つは、ナノ結晶合金を含む群のうちの強磁性体材料を含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ナノ結晶合金は、ＭＥＴＧＬＡＳまたはフェライトである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１高インダクタンスユニットおよび前記第２高インダクタンスユニットの少なくとも１つは、０．０１〜１０ｍＨのインダクタンスを提供するように構成される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記材料は、スズ、インジウム、ガリウム、および／またはリチウムを含む元素の群を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記ジェットが小滴に分解した位置に前記材料の前記ジェットを集めるように構成されたリザーバをさらに含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項２０】
前記装置は、前記材料の前記ジェットを集めるように構成されたリザーバ、および、前記第１供給ラインに向けて、前記リザーバに集められた前記材料をフィードバックするように構成されたフィードバックシステム、を含み、前記フィードバックシステムは、
前記リザーバに接続され、集められた前記材料を溶解して前記材料の溶解物を形成するように構成された溶解チャンバ、
前記第１供給ラインに接続され、前記材料の前記溶解物からコンタミを除去するように構成されたフィルタ、および
前記溶解チャンバから前記フィルタに向けて前記溶解物を送り込むように構成されたポンプを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項２１】
前記リザーバは、前記第１電極に対応する前記ジェットの前記材料を集めるように構成された第１収集ユニットを含み、前記装置は、前記リザーバと前記フィードバックシステムの間の第１フィードバックラインにおいて第３高インダクタンスユニットをさらに備える、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記第３高インダクタンスユニットは、前記第１フィードバックラインにおいて第３コイル状部分を有する、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記第３コイル状部分は、第３飽和コアを備える、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記第３飽和コアは、ナノ結晶合金を含む群のうちの強磁性体材料を含む、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記ナノ結晶合金は、ＭＥＴＧＬＡＳまたはフェライトである、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記第３高インダクタンスユニットは、０．０１〜１０ｍＨのインダクタンスを提供するように構成される、請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
前記材料の前記第１ジェットを集めるように構成された第１リザーバ、
前記材料の前記第２ジェットを集めるように構成された第２リザーバ、および
第１フィードバックラインを介して前記第１リザーバに、および、第２フィードバックラインを介して前記第２リザーバに接続されたフィードバックシステムであって、前記第１供給ラインおよび／または前記第２供給ラインに向けて、前記第１リザーバおよび前記第２リザーバに集められた前記材料をフィードバックするように構成されたフィードバックシステム、を含み、前記フィードバックシステムは、
前記第１リザーバおよび前記第２リザーバに接続され、集められたそれぞれの前記材料を溶解して前記材料の溶解物を形成するように構成された溶解チャンバ、
前記第１供給ラインおよび／または前記第２供給ラインに接続され、前記材料の前記溶解物からコンタミを除去するように構成されたフィルタ、および
前記溶解チャンバから前記フィルタに向けて前記溶解物を送り込むように構成されたポンプを含む、装置であって、
前記装置は、前記第１フィードバックラインにおける前記第１リザーバの下流に、第３高インダクタンスユニットをさらに備え、前記第２フィードバックラインにおける前記第２リザーバの下流に、第４高インダクタンスユニットをさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項２８】
前記第３高インダクタンスユニットは、前記第１フィードバックラインの第３コイル状部分を有し、前記第４高インダクタンスユニットは、前記第２フィードバックラインの第４コイル状部分を有する、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記第３コイル状部分は、第３飽和コアを備え、前記第４コイル状部分は、第４飽和コアを備える、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記第３飽和コアおよび前記第４コアの少なくとも１つは、ナノ結晶合金を含む群のうちの強磁性体材料を含む、請求項２９に記載の装置。
【請求項３１】
前記ナノ結晶合金は、ＭＥＴＧＬＡＳまたはフェライトである、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記第３高インダクタンスユニットおよび前記第４高インダクタンスユニットの少なくとも１つは、０．０１〜１０ｍＨのインダクタンスを提供するように構成される、請求項２９に記載の装置。
【請求項３３】
放射ビームを調整するように構成された照明システム、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスが、前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付き放射ビームを形成するように構成されているサポート、
基板を保持するように構成された基板テーブル、および
前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システム、を含み、前記照明システムは、電動放電により放射を生成する装置を含むリソグラフィ装置であって、前記装置は、
第１電極および第２電極であって、前記第１および第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、および
前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成され、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、少なくとも前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成されたコンデンサバンク、
時間的に変化する規則で前記コンデンサバンクに帯電させるように構成された前記第１端子および／または前記第２端子 に接続されたチャージャ、および
前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に、前記電気回路を電気的に分離するように構成された第１高インダクタンスユニット
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項３４】
電動放電により放射を生成する装置であって、前記装置は、
第１電極および第２電極であって、前記第１および第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、および
前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成され、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第２電極は、第２供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第１供給ラインは、材料が第１ジェットの形状をとる前記第１電極を提供するように構成される第１ノズルを含み、前記第２供給ラインは、材料が第２ジェットの形状をとる前記第２電極を提供するように構成される第２ノズルを含むコンデンサバンク、
時間的に変化する規則で前記コンデンサバンクに帯電させるように構成されたチャージャ、
前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に設けられた第１高インダクタンスユニットであって、前記第１供給ラインの第１コイル状部分を含む、第１高インダクタンスユニット、および
前記第２供給ラインにおける前記第２端子の上流に設けられた第２高インダクタンスユニットであって、前記第２供給ラインの第２コイル状部分を含む、第２高インダクタンスユニット
を含む、装置。
【請求項３５】
前記放射は、ＥＵＶ放射である、請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記チャージャは、パルスチャージャである、請求項３４に記載の装置。
【請求項３７】
前記第１コイル状部分および／または前記第２コイル状部分は、飽和コアを備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３８】
前記飽和コアは、ナノ結晶合金を含む群のうちの強磁性体材料を含む、請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記ナノ結晶合金は、ＭＥＴＧＬＡＳまたはフェライトである、請求項３８に記載の装置。
【請求項４０】
前記第１高インダクタンスユニットおよび／または前記第２高インダクタンスユニットは、０．０１〜１０ｍＨのインダクタンスを提供するように構成される、請求項３７に記載の装置。
【請求項４１】
電動放電により放射を生成するように構成された放射源からの放射を提供することであって、前記放射源は、
第１電極および第２電極であって、前記第１および第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、および
前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成され、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、少なくとも前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成されたコンデンサバンク、
時変的に前記コンデンサバンクに帯電させるように構成された前記第１端子および／または前記第２端子に接続されたチャージャ、および
前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に、前記電気回路を電気的に分離するように設けられた第１高インダクタンスユニットを含み、
前記放射からの放射ビームを調整すること、
前記放射ビームにパターンを付与すること、および
基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影すること、
を含む、デバイス製造方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の方法により製造されたデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射生成デバイス、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置において、基板上に結像できるフィーチャのサイズは、放射ビームの波長によって制限される。より高い濃度のデバイス、よってより速い操作スピードの集積回路を生産するためには、より小さいフィーチャを結像することが望ましい。ほとんどの現在のリソグラフィ投影装置は、水銀ランプまたはエキシマレーザによって生成される紫外線を用いるが、より短い波長の放射（例えば約１３ｎｍ）を使用することが提案されている。このような放射は、極紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源には、レーザ生成プラズマ源および放電プラズマ源が含まれる。これらのプラズマ源は高電圧を使用し、操作中の安全性の問題に関するオペレータの認識を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術に鑑みて性能が向上した放射生成装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
その目的を達成するために、一実施形態において、本発明は、電動放電により放射を生成する装置を提供する。当該装置は、第１電極および第２電極であって、前記第１および第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、および、前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成されたコンデンサバンクを含み、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、少なくとも前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成される。
【０００６】
上記装置は、前記第１端子および前記第２端子の少なくとも１つに接続されて、時変的に前記コンデンサバンクに帯電させるためのチャージャ、および、前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に、前記電気回路を電気的に分離するように設けられた第１高インダクタンスユニット、をさらに含み得る。
【０００７】
さらに、本発明は、放射ビームを調整するように構成された照明システム、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスが、前記放射ビームの断面にパターンを付与して、パターン付き放射ビームを形成するように構成されているサポート、基板を保持するように構成された基板テーブル、および、前記基板のターゲット部分に前記パターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを含み、前記照明システムは、電動放電により放射を生成する装置を含む、リソグラフィ装置を提供する。
【０００８】
さらに、本発明はそのようなリソグラフィ装置により製造されたデバイスを提供する。
【０００９】
また、本発明は、電動放電により放射を生成する装置に関する。当該装置は、第１電極および第２電極であって、前記第１および第２電極の間にガス媒体におけるプラズマ点火を可能とする距離をおいて構成された第１電極および第２電極、および前記第１電極への第１端子および前記第２電極への第２端子と電気的に接続されるコンデンサバンクであって、前記プラズマ点火に必要とされる放電エネルギーを蓄積するように構成されたコンデンサバンクを含み、前記第１電極、前記第２電極、および前記コンデンサバンクは電気回路を形成し、前記第１電極は、第１供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第２電極は、第２供給ラインを介して供給される導電流体によって形成され、前記第１供給ラインは、特定の材料が第１ジェットの形状をとる前記第１電極を提供するように構成される第１ノズルを含み、前記第２供給ラインは、特定の材料が第２ジェットの形状をとる前記第２電極を提供するように構成される第２ノズルを含む。
【００１０】
上記装置は、時変的に前記コンデンサバンクに帯電させるためのチャージャ、前記第１供給ラインにおける前記第１端子の上流に設けられた第１高インダクタンスユニットであって、前記第１供給ラインの第１コイル状部分を含む、第１高インダクタンスユニット、および、前記第２供給ラインにおける前記第２端子の上流に設けられた第２高インダクタンスユニットであって、前記第２供給ラインの第２コイル状部分を含む、第２高インダクタンスユニット、をさらに含み得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを含む。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成されている。
【００１３】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、および／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
サポートは、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１５】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１６】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１７】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１８】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。あるいは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）でもよい。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２０】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば、水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２１】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２２】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ−outerおよびσ−innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２３】
放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２４】
例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００２５】
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２６】
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００２７】
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２９】
この説明において、本発明の一実施形態を、本出願人による米国特許出願第２００６−００１１８６４号に記載の放射源に適用される単なる例として、以下に説明する。しかし、類似のまたはその他の実施形態を、異なる放射源、例えば、Philipsによる国際公開公報ＷＯ２００５／０２５２８０号に記載のＥＵＶ／軟Ｘ線源に適用し得ることが理解されるべきである。
【００３０】
図２は、米国特許出願第２００６−００１１８６４号で知られている放射源ＳＯ’を示す。放射源ＳＯ’は、放電エネルギーを蓄積するように構成されたコンデンサバンク２４（この場合は１つのコンデンサを含む）に電気的に接続される２つのノズル２１ａ、２１ｂを収容するように構成されたハウジング２０を含む。コンデンサバンク２４は、正端子Ｂおよび負端子Ａを有する。ノズル２１ａ、２１ｂは液体の導電ジェット（electrically conductive jets）２３ａ、２３ｂを提供する。液体は、液体流を収容するように構成された供給ライン（図示なし）、例えば、適切なホース又はパイプを介して供給される。本説明中、液体は、液体状態の材料（例えば、溶解物）およびキャリアとしての液体に浸漬された固形粒子の両方を意味する。液体は、スズ（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、およびリチウム（Ｌｉ）を含む群から選択される１つ以上の元素を含み得る。Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ、またはＬｉといった導電材料を使用することにより、ジェット２３ａ、２３ｂはコンデンサバンク２４と電気的に接続される。従って、ジェット２３ａ、２３ｂは電極であると考えられ得る。図２に示された場合において、ジェット２３ａにはプラスの電圧が提供され、従って、陽極として機能する。他方のジェット、すなわち、ジェット２３ｂにはマイナスの電圧が提供されて陰極として機能する。
【００３１】
ハウジング２０は、さらに２つのリザーバ２５ａ、２５ｂを収容する。ジェット２３ａ、２３ｂは、ハウジング２０内の空間に進むと、小滴２６ａ、２６ｂにそれぞれ分解する。リザーバ２５ａ、２５ｂは、個別の小滴２６ａ、２６ｂを集めるように構成される。小滴２６ａ、２６ｂに分解することで、リザーバ２５ａ、２５ｂとコンデンサバンク２４との間の電気的接触を防ぐ。当然のことながら、２つのリザーバ２５ａ、２５ｂの他に、ジェット２３ａ、２３ｂのそれぞれの小滴２６ａ、２６ｂを集める単一のリザーバを使用することもできる。小滴２６ａ、２６ｂそれぞれへの分解を可能とするようなジェット２３ａ、２３ｂの適切な長さは、０.２〜１ｍｍのジェット直径に対して３〜３０ｃｍである。
【００３２】
ハウジング２０は、エネルギビーム（例えば、レーザビーム２８）を提供するように構成されたエネルギー源（例えば、レーザ源２７）をさらに収容する。レーザビーム２８は、ジェット２３ａ、２３ｂのうちの１つ、この場合はジェット２３ａに当てられ、局所的に、すなわち、レーザビーム２８がジェット２３ａに命中する位置で、ジェット２３ａ内の導電材料を蒸発させてガス媒体３２を形成する。このガス媒体３２が存在することで放電３０により引き起こされるプラズマ点火が可能となり、それによって放射２９、例えば、ＥＵＶ放射または軟Ｘ線放射を生成する。
【００３３】
レーザ源２７の典型的なパラメータは以下の通りである。
【００３４】
パルス当たりのエネルギー：Ｓｎ放電に対して１０〜１００ｍＪ、およびＬｉ放電に対して１〜１０ｍＪ、
パルス長：１〜１００ｎｓ、
レーザ波長：０.２〜１０μｍ、
レーザ周波数：５〜１００ｋＨｚである。
【００３５】
図３は、図２の放射源と連動して使用できるフィードバックシステム４０を有するアセンブリを概略的に示している。フィードバックシステム４０は、リザーバ２５ａ、２５ｂによって小滴２６ａ、２６ｂとしてそれぞれ集められた導電流体を再利用するように構成されている。図３には、単一のリザーバ４１が示されている。フィードバックシステムは、溶解チャンバ４２、ポンプ４３、およびフィルタ４４を有する。溶解チャンバを使用して、リザーバ４１によって集められた導電材料を溶解して液体にし、適切なパイプおよびホース４５、すなわち、供給ラインを通してノズル２１ａ、２１ｂに向かう輸送に適切な流体となるようにする。接合Ｃにおいて、供給ライン４５は、負端子Ａへの第１供給ライン４５ａおよび正端子Ｂへの第２供給ライン４５ｂに分かれる。ポンプ４３によってこのような輸送が可能となり、一方で、フィルタ４４は、液体からコンタミを除去する。溶解チャンバ４２、ポンプ４３、およびフィルタ４４は、単一の流体供給ユニットまたはフィードバックユニット内で結合されてもよいが、また、別個のユニットのアセンブリとしてのフィードバックシステム４０を形成してもよい。
【００３６】
コンデンサバンク２４に蓄積された放電エネルギーは、コンデンサバンク２４の対向する側面に位置する供給ラインの間の高圧差を生じさせる。従って、供給ライン４５ａおよび４５ｂ内の導電液体を介した端子ＡとＢとの間の電気インピーダンスは、高くする必要がある。しかし、実際に高電圧は依然としてフィードバックシステムに到達する。高電圧に応じるために、フィードバックシステム４０を二重にし得る。すなわち、各ノズル２１ａ、２２ｂに対して別個の加熱チャンバ４２、ポンプ４３、およびフィルタ４４を設けて、アセンブリ全体での短絡なしにジェット２３ａ、２３ｂを生成することを可能とし得る。さらに、２つのジェット２３ａ、２３ｂのうちの１つに高電圧を与えてもよく、従って、高電圧は２つのフィードバックシステムのうちの１つにのみ到達する。しかし、放射源ＳＯ’の操作は、より困難で危険なものとなる。
【００３７】
図４は、本発明の一実施形態を備えた、図３に示すアセンブリを概略的に示す。この実施形態において、アセンブリは、高インダクタンスユニット５０およびパルスチャージャ５１（例えば、パルス同期チャージャ）をさらに含む。高インダクタンスユニット５０は、接合Ａ、Ｂ、および接合Ｃの間に位置する。米国特許出願第２００６−００１１８６４号に記載されている通り、放電３０により生成される電流は、磁界を誘発する。磁界は、衝突によってイオンおよび自由電子が生成されるピンチ（コンプレッション）を生成する。一部の電子は、ピンチ中の原子の伝導帯より低い帯域へと低下し、従って、前述の放射２９を生成する。放射源ＳＯ’を効率良く操作するために、すなわち、エネルギー損失を最小限に抑えるために、２つのジェット ２３ａ、２３ｂ、コンデンサバンク２４、および放電３０により形成される回路、すなわち「内部回路」のインダクタンスは、可能な限り小さくする必要がある。これは、前述の構成要素間の距離および現象を最小限に抑えることにより達成される。高インダクタンスユニット５０は、端子Ａおよび接合Ｃの間、および端子Ｂおよび接合Ｃの間の高いインダクタンスを提供するため、この最小限化の特徴をさらに増大させる。従って、フィードバックシステム４０は、内部回路から分離される。さらに、高インダクタンスユニット５０は、主放電３０の前でエネルギー散逸を防ぐ。
【００３８】
一実施形態において、パルスチャージャ５１は、コンデンサバンク２４の一方の側に負に帯電させ、もう一方の側に正に帯電させるように構成される（正負の帯電は大きさの点で等しい）。従って、フィードバックシステム４０および供給ライン４５の主要部は、接地電位に規定され、高インダクタンスユニット５０の存在によってこの電位に留まる。
【００３９】
別の実施形態において、パルスチャージャ５１は、コンデンサバンク２４の一方の側に正または負に帯電させ、一方で、もう一方の側が接地されるように構成される。この場合は、一実施形態において、高インダクタンスユニットは、接地電位を有するジェット２３ａを分離せず、パルスチャージャ５１により帯電させられる側に接続されるジェット２３ｂのみを分離する。このような実施形態において、ポンプ４３は、電気的要因による故障から十分に保護される。
【００４０】
図５は、図４に示す高インダクタンスユニット５０の一形態を概略的に示す。高インダクタンスユニット５０は、供給ラインの一部をそれぞれ巻線に成形して形成される、各供給ラインのコイル５５ａ、５５ｂを含む。より高いインダクタンス値、従って、より長い高インダクタンスユニットの保持時間を提供するために、そして、導体損失を低減するために、飽和コア５６、例えば、強磁性コアをコイル５５ａ、５５ｂにおいて使用し得る。このような飽和コア５６を使用することにより、０.０１〜１０ｍＨのインダクタンスを実現できる。当然のことながら、飽和コア５６は、線形の（不飽和の）状態でも作用し得る。適切なインダクタンスは、帯電時間によって決まり、言い換えると、帯電ユニットの有能電力（available power）によって決まる。例えば、２ｍＣの総電荷量、２.４ｋＶの電圧、および１０μｓの帯電時間により１ｍＨの最小インダクタンスとなるであろう。同様に、より短い帯電時間、すなわち、１μｓは、０.０１ｍＨの最小インダクタンスにつながるであろう。飽和コア５６は、約５〜１００ｋＨｚの周波数、すなわち、ＥＵＶ源に対して妥当な周波数での操作を可能とする強磁性材料、例えば、ＭＥＴＧＬＡＳ  ２６０５  Ｃ０のようなナノ結晶合金を含み得る。さらに、そのような合金は、高い導磁性、すなわち、５０、０００〜１００、０００、および約４００〜４５０℃という比較的高いキュリー温度を有する。別の実施形態において、飽和コア５６は、別の強磁性材料、すなわちフェライトを含む。
【００４１】
２つのコイル５１ａ、５１ｂの間の飽和コア５６の概略的な表示は、飽和コア５６が２つのコイル５１ａ、５１ｂの間に配置されるという意味ではないことが理解されるべきである。実際、両コイル５１ａ、５１ｂは、通常、飽和コア５６に巻装される。あるいは、両コイル５１ａ、５１ｂはそれぞれに飽和コア５６を備えてもよい。
【００４２】
さらに、図４に記載された実施形態において、２つのジェット２３ａ、２３ｂのうちの１つのみが分離され、コイル５１ａ、５１ｂのうちの１つのみが存在することが理解されるべきである。すなわち、例えば、ジェット２３ａが帯電し、かつジェット２３ｂが接地電位に維持されると、ジェット２３aのみが、コイル５１ａによって誘導的に分離されることになる。
【００４３】
すでに小滴（例えば、小滴２６ａ、２６ｂ）に分解された導電材料を集める位置にリザーバ（例えば図２のリザーバ２５ａ、２５ｂ）を配置して内部回路をフィードバックシステムから分離する代わりに、分離のための異なる配置を使用してもよい。この配置において、図６に示されるように、追加の高インダクタンスユニット６０は、リザーバ６２ａ、６２ｂとフィードバックライン６３ａ、６３ｂとの間に位置付けられる。フィードバックライン６３ａ、６３ｂは、リザーバ６２ａ、６２ｂによってそれぞれ集められた材料をフィードバックシステム４０に向けて輸送する。フィードバックライン６３ａ、６３ｂは、図６に示されるように、追加の高インダクタンスユニット６０とフィードバックシステム４０に位置付けられた接合に接続されて単一のフィードバックライン６３を形成し得るが、別々のラインのままでもよい。
【００４４】
リザーバ６２ａ、６２ｂは、図２のジェット２３ａ、２３ｂといった個別の電極を形成する導電材料が小滴に分解される位置に配される必要はないものの、この形態において、単一のリザーバに材料を集めることは可能ではない。そのような場合には、内部回路が短絡化されるであろう。
【００４５】
図６に示した形態において、追加の高インダクタンスユニット６０は、２つのコイル６１ａ、６１ｂを含む。各コイルは、リザーバ６２ａ、６２ｂのそれぞれに集められた材料をフィードバックシステム４０に向けて輸送するフィードバックラインに対応する。各フィードバックラインに対するコイル６１ａ、６１ｂは、フィードバックラインの一部をそれぞれ巻線に成形することにより形成される。より高いインダクタンス値、従って、より長い高インダクタンスユニットの保持時間を提供するために、そして、導体損失を低減するために、飽和コア６４、例えば、強磁性コアをコイル６１ａ、６１ｂにおいて使用し得る。このような飽和コア６４を使用することにより、０.０１〜１０ｍＨのインダクタンスを実現できる。当然のことながら、飽和コア６４は、線形の（不飽和の）状態でも作用し得る。適切なインダクタンスは、帯電時間によって決まり、言い換えると、帯電ユニットの有能電力によって決まる。例えば、２ｍＣの総電荷量、２.４ｋＶの電圧、および１０μｓの帯電時間により１ｍＨの最小インダクタンスとなるであろう。同様に、より短い帯電時間、すなわち、１μｓは、０.０１ｍＨの最小インダクタンスにつながるであろう。飽和コア６４は、約５〜１００ｋＨｚの周波数、すなわち、ＥＵＶ源に対して妥当な周波数での操作を可能とするＭＥＴＧＬＡＳ  ２６０５  Ｃ０のようなナノ結晶合金を含み得る。さらに、そのような合金は、高い導磁性、すなわち、５０、０００〜１００、０００、および約４００〜４５０℃という比較的高いキュリー温度を有する。別の実施形態において、飽和コア６４はフェライトを含む。
【００４６】
この場合もやはり、２つのコイル６１ａ、６１ｂの間の飽和コア６４の概略的な表示は、飽和コア６４が２つのコイル６１ａ、６１ｂの間に配置という意味ではないことが理解されるべきである。実際、両コイル５１ａ、５１ｂは、通常、飽和コア５６に巻装される。あるいは、両コイル６１ａ、６１ｂはそれぞれに飽和コア６４を備えてもよい。
【００４７】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当然のことながら、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４８】
光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００４９】
本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００５０】
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５１】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
【００５２】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】図２は、従来技術に係る放射源を示す。
【図３】図３は、図２の放射源と連動して使用できるフィードバックシステムを含むアセンブリを示す。
【図４】図４は、本発明の一実施形態を備えた、図３に示すアセンブリを示す。
【図５】図５は、図４に示す高インダクタンスユニットの一形態を示す。
【図６】図６は、図４に示すアセンブリの高インダクタンスユニットとは別の位置に設けられる高インダクタンスユニットの一形態を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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