(57)【要約】  インジェクションラジエータは、医療装置を作製するために用いられる固体及びファイバレーザ並びに増幅器、レーザ生成装置、２倍の周波数の放射線を生成するレーザを励起するために、かつ照明に用いられる白色光エミッタを始めとする、所与の波長帯で用いられる高効率汎用固体放射線源の形で用いられる。また、本発明は、複数の出力ビームの形状で放射線ビームを生成するとともに、その外面を介して放射線を発光する新規の独自かつ効率的な方法により特徴付けられる、強力な高効率かつ信頼性の高いインジェクション面発光レーザに関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの副層及び端部ファセットからなる活性層を少なくとも含むレーザヘテロ構造と、長手方向増幅軸と、光共振器と、少なくとも１つの副層からなるメタライズ層とを含むインジェクションレーザであって、
前記ヘテロ構造において、前記長手方向増幅軸の方向に、交互に並ぶ少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの増幅領域と、少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの出力領域からなる少なくとも１つのシーケンスが配置され、
前記出力領域において前記レーザヘテロ構造の層と一緒に、前記増幅領域より高く隆起するとともに少なくとも１つの副層からなる発光のリークイン用の半導体層があり、
各前記出力領域が、前記増幅領域の外面に対応して特定の直線傾斜角度α１及びα２で配置された出力ファセットにより、前記長手方向増幅軸の方向の両側で制限され、
前記リークイン層が含まれた前記ヘテロ構造の有効屈折率ｎｅｆｆに対する前記リークイン層の屈折率ｎＩＮの比が１より大きい数に等しいインジェクションレーザ。
【請求項２】
両端部ファセット上に、１にほぼ等しい反射率を有する前記光共振器の反射鏡がある請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項３】
前記ヘテロ構造内において、前記発光出力側の前記増幅領域に、前記ヘテロ構造内の発光の部分制限が前記増幅領域の前記発光出力側で実現されるような組成及び厚さ値で実行される層があり、さらに前記発光出力側で前記ヘテロ構造の表面上に、高発光反射率を有するメタライズ副層が配置されている請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項４】
対応メタライズ層が出力領域で前記リークイン層の外面上に配置されている請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項５】
前記反射鏡が前記端部ファセットの一方上に配置され、前記反射鏡の寸法がそれに向けられるすべてのレーザビームを反射可能にする請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項６】
前記ヘテロ構造内において、前記発光出力側と反対側の前記増幅領域に、前記ヘテロ構造内の発光の部分制限が前記増幅領域の前記発光出力側と反対側で実現されるような組成及び厚さ値で実行される層があり、さらに前記発光出力側と反対側で前記ヘテロ構造の表面上に、高発光反射率を有するメタライズ副層が配置されている請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項７】
前記増幅領域が少なくとも２つのストライプ状の増幅副領域からなり、前記ストライプ状の増幅副領域が前記長手方向増幅軸に沿って配置されている一方で、それらの間の空間が前記増幅副領域の前記ヘテロ構造の有効屈折率より小さい屈折率を有する対応物質により充填されている請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項８】
前記直線角度α１及びα２が絶対値で等しく、かつ（π／２）に等しい一方で、前記出力領域の前記リークイン層が、前記活性層から前記リークイン層への発光リークの角度ψの正接を乗じた前記出力領域の長さを超える厚さを有し、前記角度ψは比ｎｅｆｆ対ｎＩＮの逆余弦に等しい請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項９】
前記直線角度α１及びα２が絶対値で等しく、かつ(π／２)＋(ψ)に等しい請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項１０】
前記直線角度α１及びα２が絶対値で等しく、かつ(π／４)＋(ψ／２)に等しい請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【請求項１１】
前記直線角度α１及びα２が絶対値で等しく、かつ(３π／４)−(ψ／２)に等しい請求項１に記載のインジェクションレーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子光学技術、すなわち広い波長範囲で動作する、効率的な強力かつ小型半導体インジェクションレーザ（ダイオードレーザ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々なタイプのインジェクションレーザ、例えば、ストライプ状の生成活性領域を有するとともに光共振器の端部ミラーを介する発光の出力を有するインジェクションレーザ［Ｓ．Ｓ．オウ（Ou）ら、Electronics Letters、１９９２年，第２８巻、第２５号、第２３４５〜２３４６頁］、縦共振器を有する面発光インジェクションレーザ［Ａ．クリッゲ（Krigge）ら、Electronics Letters、２００１年、第３７巻、第２０号、第１２２２〜１２２５頁］、光共振器内での出射発光を有するインジェクションレーザ［Ｖ．Ｉ．シェフェイキン（Shveykin）、米国特許第６，７４８，００２Ｂ２号明細書、２００４年６月８日］が知られている。
【０００３】
技術的事項及び解決すべき技術的問題の観点から、面発光を有するインジェクションレーザプロトタイプに最も近いものが以下の研究［Ｖ．Ｉ．シェフェイキン（Shveykin）、特許ＲＵ２１０９３８２Ｃ１号明細書、Bup. No.11，１９９８年４月２０日］に記載された。上記インジェクションレーザは基板上に配置された多層ヘテロ構造を含み、上記ヘテロ構造は活性層を有する。また、上記インジェクションレーザはストライプ状の生成活性領域と、光共振器と、反射鏡と、オーム接点と、カバーを有する発光の出力装置と、側方スーパールミネッセント発光の抑制装置とを含む。この場合、少なくとも２つの生成セルが、レーザ発光生成の少なくとも１つのバーを作製するストライプ状の活性領域内に形成され、前記セルは、２つの反射鏡と出力発光に対して透明な領域とを有する追加的に導入されたキャビティの形で達成される発光の出力装置により、少なくとも一方の側で閉じ込められる。キャビティはヘテロ構造の表面側に配置されている。反射鏡はキャビティの傾斜面上に配置されている。さらにヘテロ構造の表面上のキャビティ反射鏡リブの方向とストライプ状の生成領域の側面の方向とにより形成される角度ψが生じ、これは次の範囲、(π／２)−arcsin(１／ｎ)＜ψ＜(π／２)＋arcsin(１／ｎ)内で選択され、ここでｎは出力発光に対して透明な領域の屈折率である。また、少なくともキャビティの１つの反射鏡に対して、活性層の平面上に頭の中で描いた、その平面の上述のキャビティ反射鏡の平面との交差線に対する垂線と、上述の反射鏡の表面に向かって描いた垂線とにより形成される角度βが生じる。前記角度は次の範囲内、すなわち(１／２)arcsin(１／ｎ)＜β＜(π／２)−(１／２)arcsin(１／ｎ)で選択される。ヘテロ構造の表面に対して、キャビティの底部は、デバイスの動作中に伝播する増幅発光のエネルギー束ＰＩＮにより決定される距離に配置される。前記エネルギー束は、再生セルの最初にヘテロ構造層に垂直なヘテロ構造断面内で決定されるとともに、上述のセル内の全体の増幅によっても決定される。前記増幅は、設定励起電流、上述のセルの長さ、及びヘテロ構造の構成に依存する。さらにエネルギー束ＰＩＮは、生成の前領域の端部における増幅発光の全エネルギー束の値の０．９９〜０．００１の範囲内で選択される。上述のセル内の全増幅はエネルギー束ＰＩＮに逆比例して選択される。また、出力発光に対して透明であるとともに、キャビティ反射鏡から反射される発光の伝播（デバイスの動作中）方向に沿って配置された領域がある。前記領域において外部出力発光面は、発光の出力の表面に対して少なくとも一方の側が隣接して導入される。
【０００４】
インジェクションレーザ−プロトタイプの基本的な利点は、その長さの複数倍によって規定される発光の出力の増加にある。同時に発光出力用の装置の製造がヘテロ構造内の狭幅キャビティの形で達成されるとともに活性層の直近に配置されることによる、正確性及び反復性に技術的複雑さがある。これは出力セルにおける発光の大きな回折発散、並びにそれに伴う発光の出力による光損失の増大及び効率の低下につながる恐れがある。このことは操作性及び信頼性の必要なリソースを確保することにより困難を生じるおそれがある。また、発光の出力がレーザ発光に対して透明であるべき基板を介してのみ達成されることには特定の制限がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の基礎は、多数の出力レーザビーム形で活性層からの発光表面出力を有し、既知の広い発光波長範囲で機能するとともに、発光出力の独自の効果的かつ非自明な方法に基づく、新しいタイプの超強力インジェクションレーザ（以後、レーザ）の作製である。
【０００６】
技術的結果は、提案のレーザの長さは、原理的に制限がない（上述の長さは用いられる半導体基板のサイズによってのみ制限される）こと、レーザの出力ファセットにおける発光密度が大幅に（１０−２〜１０−３倍）低減し、それが強力レーザ発光、高効率、発光の低光損失及びレーザ長さに対する独立性、低閾値電流、レーザ長さの増大とともに低下する低抵抗損、操作性のより高いリソース及びレーザの高い信頼性を規定すること、また出力発光の指向性及び発散が広範囲に制御されること、及びレーザ製造の技術的プロセスが単純化されることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、上述の技術的結果は、提案のインジェクションレーザが、少なくとも１つの副層からなる少なくとも１つの活性層を含むレーザヘテロ構造を含むことにより達成される。前記レーザは端部ファセット、長手方向増幅軸、光共振器、少なくとも１つの副層からなるメタライズ層も含む。この場合、前記ヘテロ構造において、長手方向増幅軸の方向に、少なくとも１つのシーケンスが配置されている。このシーケンスは、交互に並ぶ少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの発光増幅領域と、少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの発光出力領域とを有する。出力領域においてレーザヘテロ構造の層と一緒に、増幅領域より高く隆起するとともに少なくとも１つの副層からなる発光のリークイン用の半導体層がある。各出力領域は、増幅領域の外面に対応して特定の直線傾斜角度α１及びα２で配置された出力ファセットにより、長手方向増幅軸の方向の両側で制限され、リークイン層が含まれたヘテロ構造の有効屈折率ｎｅｆｆに対するリークイン層の屈折率ｎＩＮの比が１より大きい数に等しい。
【０００８】
提案のレーザの重要な相違点は、まず、長手方向増幅軸に沿って光導波路内を伝播するレーザ発光の独自のかつ非自明の出力が、レーザヘテロ構造内に個々に分配されるとともに独自の組成、構造及びサイズを有する発光出力領域を用いて、レーザの外面を介して実行されることにある。さらに出力領域及びそれらの出力ファセットの組成、構造及び寸法は、発光の出力が漏洩発光の形状で実現されるようになっている。提案のレーザは、それらの長さが長くなるほど高効率になることにより特徴付けられ、現在のインジェクションレーザと比べて、提案のレーザは出力ファセットにおける大幅に低い（１０−１〜１０−３倍）レーザ発光密度により、レーザ発光の指向性及び発散の制御により、低光学損失、低閾値電流密度により、さらに低オーム及び熱抵抗により特徴付けられる。このことはレーザ発光の超高パワー値によりレーザ動作の高い信頼性を確保するとともに、レーザ製造の技術的プロセスを大幅に単純化することを可能にする。
【０００９】
技術的結果は両端部ファセット上に、１にほぼ等しい反射率を有する光共振器の反射鏡があることによっても達成される。このことにより特に閾値電流密度の低下が達成される。
【００１０】
技術的結果は、ヘテロ構造内において、発光出力側の増幅領域に、ヘテロ構造内の発光の部分的制限が増幅領域の上述の発光出力側で実現されるような組成及び厚さ値で実行される層があることによっても達成される。ヘテロ構造の前記表面上に、高発光反射率を有するメタライズ副層が配置されている。このことにより特に発光パワーの増加及び製造技術の単純化が達成される。
【００１１】
技術的結果は、対応メタライズ層がリークイン層の外面上の出力領域内に配置されていることによっても達成される。その結果、効率が特に向上するとともにレーザ閾値電流が低下する。
【００１２】
技術的結果は、反射鏡が１つの端部ファセット上に配置されていることによっても達成される。前記反射鏡の寸法はそれに向けられるすべてのレーザビームを反射可能にする。その結果、発散角度の低減によるレーザ発光の一方向性が達成される。
【００１３】
技術的結果は、ヘテロ構造内において、発光出力側と反対側の増幅領域に、ヘテロ構造内の発光の部分制限が増幅領域の前記発光出力側と反対側で実現されるような組成及び厚さ値で実行される層があることによっても達成される。前記発光出力側と反対側でヘテロ構造の表面上に、高発光反射率を有するメタライズ副層が配置されている。このことにより特にレーザ効率の向上及び製造技術の単純化が達成される。
【００１４】
技術的結果は、少なくとも２つのストライプ状の増幅副領域が各増幅領域に形成されていることによっても達成される。前記ストライプ状の増幅副領域が長手方向増幅軸に沿って配置されている一方で、それらの間の空間は前記増幅副領域のヘテロ構造の有効屈折率より小さい屈折率を有する物質により充填されている。特にこのことは高パワーの単一モードレーザ発光を得ることを可能にする。
【００１５】
技術的結果は、以下に提案するレーザ出力領域の異なる形態の実行によっても達成される。
【００１６】
出力ファセットの直線傾斜角度α１及びα２は、絶対値で等しく（π／２に等しく）形成される。さらに出力領域のリークイン層が、リーク角度ψの正接を乗じた出力領域の長さ以上の厚さを有する一方で、角度ψは比ｎｅｆｆ対ｎＩＮの逆余弦に等しい。このことにより、レーザビームの対応指向性及び角度発散が達成される。
【００１７】
レーザビームの対応指向性は、出力ファセットの直線傾斜角度α１及びα２が絶対値で等しく、かつ(π／２)＋(ψ)に、(π／４)＋(ψ／２)に、及び(３π／４)−(ψ／２)に等しく実行されることによっても達成される。
【００１８】
技術的結果は、自律膨張オーム接点（メタライズ層）が、多数の発光出力領域上及び多数の増幅領域上に形成されることによっても達成される。これは特に増幅領域及び出力領域の寸法の最適化、さらにレーザ発光の効率及びパワーの増加を可能にする。
【００１９】
技術的結果はその全長に沿った各出力領域の中央に、ストライプ形状の増幅領域が形成されることによっても達成される。前記ストライプ状の増幅領域は全体的に、幅が出力領域の幅よりかなり小さい対応メタライズ層を有する増幅領域と同一である。このことは、特にレーザ閾値電流の低下及び発光パワーの増加につながる。
【００２０】
技術的結果は、レーザが、電流により並列に接続された、交互に並ぶ少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの発光増幅領域と少なくとも１つの副領域からなる少なくとも１つの発光出力領域の、少なくとも２つのシーケンスを含むことによっても達成される。これによりレーザ発光パワーの増加が、並列接続された上述のシーケンスの数とほぼ同等倍達成される。
【００２１】
技術的結果はレーザが、電流によって直列に接続された少なくとも２つの上述のシーケンスを含むことによっても達成される。その結果、同じ電流値でレーザ発光パワーの増加が達成される。前記発光パワーは直列接続された上述のシーケンスの数とほぼ同等倍増加する（レーザに印加される電圧の対応する増加により）。
【００２２】
本発明の本質は、特に多数のビームの形状での活性層からの発光の表面出力を有する新しいタイプのレーザの一体的実行での作製にある。前記レーザは流出発光の特性を用いる発光出力の提案の独自の効率的かつ非自明の方法に基づいている。独自の効率的な発光出力領域が活性領域内に導入され、エミッタの長さに沿って個々に分散される（長さは原理的には限定されない）。前記出力領域は、高い動作信頼性を有する超高発光パワー、並びに発光の光損失の低減及びレーザ長に対する独立性、効率の向上、出力ファセット上の発光密度の非常に大幅な（１０−１〜１０−３倍）低下、レーザ発光の指向性及び発散の制御、オーム及び熱抵抗値の低下、さらにレーザ製造の技術プロセスの大幅な単純化を確実にする。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
図１〜１１により本発明を説明する。
【図１】図１は、出力ファセットが増幅領域の外面に垂直な、交互に並ぶ２つの増幅領域及び３つの発光出力領域のシーケンスを有する提案のマルチビームレーザの長手方向断面を概略的に説明する。
【図２】図２は、長手方向断面が図１内に概説された提案のレーザの上方からの図を概略的に説明する。
【図３】図３は、長手方向断面が図１に概説されたレーザの増幅領域内の断面を概略的に説明する。
【図４】図４は、２つの増幅領域が３つの平行配置増幅に分割された、提案のレーザの発光出力側の上方からの図を概略的に説明する。
【図５】図５は、レーザの全長に沿って増幅領域を接続する３つの追加の狭幅増幅領域が導入された、提案のレーザの発光出力側の上方からの図を概略的に説明する。
【図６】図６は、発光出力側と反対側で熱除去プレートを有するメタライズ層がヘテロ構造に直接接続された、基板が除去された提案のレーザの長手方向断面を概略的に説明する。
【図７】図７は、長手方向断面が図６に概説された提案のレーザの上方からの図を概略的に説明する。
【図８】図８は、長手方向断面が図６に概説された、増幅領域及び出力領域に対する二重レベルメタライズ層を有するレーザの増幅領域内の断面を概略的に説明する。
【図９】図９は、出力ファセットが傾斜するとともに増幅領域の外面と直線傾斜角度α１及びα２を形成する、提案のレーザの長手方向断面（メタライズ層がない）を概略的に説明し、図９において、角度が(π／２)＋(ψ)に等しい。
【図１０】図１０は、出力ファセットが傾斜するとともに増幅領域の外面と直線傾斜角度α１及びα２を形成する、提案のレーザの長手方向断面（メタライズ層がない）を概略的に説明し、図１０において、角度が(π／４)＋(ψ／２)に等しい。
【図１１】図１１は、出力ファセットが傾斜するとともに増幅領域の外面と直線傾斜角度α１及びα２を形成する、提案のレーザの長手方向断面（メタライズ層がない）を概略的に説明し、図１１において、角度が(３π／４)−(ψ／２)に等しい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付の図面を参照して本発明をその実行の具体的な形態により説明する。提示のレーザ変更例は唯一のものではなく、ある範囲の波長を始めとする他の実現の存在を可能にし、その特徴は特許請求の範囲の多数の特性に示される。
【００２５】
提案のレーザ１（図１〜３参照）は、ｎ型ＧａＡｓの基板２上に配置されたヘテロ構造を含む。前記ヘテロ構造は、活性ＩｎＧａＡｓ層３を有し、発光出力側とその反対側に対応して配置された導波路層４，５とＡｌＧａＡｓの閉じ込め層６，７とを有する、ＩｎＡｌＧａＡｓＮ化合物をベースとして作製されている。レーザ発光の波長は０．９８μｍに等しく選択された。レーザ１の機能バーはストライプとして達成されるとともに、交互に並ぶ増幅領域８と出力領域９とからなる。前記の交互配置は長手方向光学軸に沿っている。増幅領域８及び出力領域９の幅値は同一でありかつ１００μｍに等しい。前記領域８及び９の側面は、ＺｎＳｅの側方閉じ込め領域１０により制限されている。端部ファセット１１上には反射率９９％を有する光共振器ファブリ・ペロー（Fabry-Perot）のフィルム反射鏡１２が形成された。発光出力側では、増幅領域８内の閉じ込め層６の厚さ及び組成は、ヘテロ構造内の発光の部分制限が実現されるように選択された。増幅領域８の外面に、９８％に等しい発光反射率を有する銀製のメタライズ副層１３が取り付けられている。出力領域９は、ＧａＡｓの半導体リークイン層１４をさらに含み、その顕著な特徴はその屈折率ｎＩＮが、リークイン層１４を備えるレーザヘテロ構造の有効屈折率ｎｅｆｆを超えることにある。すべての増幅領域８の電流による接続は、増幅領域８の外面方向だけでなく側方閉じ込め領域１０方向へのメタライズ層１３の膨張（増幅領域８の膨張接触）により実現される。対応メタライズ層１５も基板２に貼付されている。長手方向増幅軸に沿って出力領域９を閉じ込める出力ファセット１６は、増幅領域９の外面に垂直であり、さらに角度α１は絶対値で角度α２に等しくかつ９０°に等しい。この場合、増幅領域８の外面より高く隆起する出力領域９は直方体の形状を有する。レーザ１の長さは２００１０μｍに等しく選択される。増幅領域８及び出力領域９の長さは、対応的に９０μｍ及び１０μｍに等しく選択された。さらに機能バー内に形成されている領域８及び出力領域９の数は、対応的に２００及び２０１に等しい。レーザ１の出力発光は４００ビームからなり、そのうちの半分は長手方向増幅軸に沿って一方向に向けられ、そのうちの他の半分は反対方向に向けられる。このレーザ１の変更例の場合、流出角ψは、ヘテロ構造の層及びリークイン層１４の組成及び厚さ値の適当な選択により、１０°に等しく設定された。さらに出力ビームの屈折角βは３０°に等しい。発光出力領域９の６．０μｍの選択厚さは、出力領域９の長さに流出角ψの正接を乗じた積の３倍値にほぼ等しい。この場合、出力ファセット１６へのビームの３回繰り返し入射による出力発光の算出部分は９８％になる。各ビームの回折発散はおよそ９°に等しい。出力発光ＰＥＭの算出電力は２００Ｗに等しい（各出力ビームに対して０．５Ｗ）。さらに出力ファセット１６上の平均発光密度は全体として１２５ｋＷ／ｃｍ２になる。微分効率ηＨは８５％に等しい。効率係数（出口からの効率の係数）は８０％に等しい。
【００２６】
レーザ１の次の変更例は、１つの端部ファセット１１の側に、向けられたすべてのレーザビームの反射を可能にするサイズを有する導入反射鏡（図示せず）が接続されていることが、前述のものとは異なった。さらに低発散の全レーザ発光が、長手方向増幅軸に対して３０°に等しい角度βで反対端部側への一方向発光として形成される。
【００２７】
レーザ１の次の変更例は、レーザ１が領域の対応する拡大サイズを有する２つの同一増幅領域８間に位置する出力領域９を１つだけ含むことが、図１〜３に示した変更例とは異なった。
【００２８】
レーザ１の次の変更例（図４参照）は、各増幅領域８が、各１０μｍの幅を有する１０個（図４では３個）の平行配置のストライプ状の増幅副領域１７と、それらの間に配置された、適当な最適深さまで噴霧誘電体ＺｎＳｅにより充填された各５μｍの幅を有する側方閉じ込め領域１０とからなることが、図１〜３に示した変更例とは異なった。ストライプ副領域１７及び側方閉じ込め領域１０にわたって、メタライズ層１３（図４には図示せず）が貼付されている。
【００２９】
次の変更例（図５参照）は、全長に沿った各出力領域９の中央にストライプ形状の追加の増幅領域１８が形成され、対応メタライズ層１３（増幅領域８及び１８の両方上並びに出力領域９上、図５には図示せず）が電流によって２００１０μｍに等しいレーザ１の全長に沿って増幅領域８を接続していることが、図１〜３に示したレーザ１の変更例とは異なった。それにより導入された追加の生成領域の幅は４μｍに等しい。
【００３０】
提案のレーザ１（図６〜８参照）は、発光出力側と反対側で基板２が除去されているとともに、閉じ込め層６及び７の厚さ及び組成がヘテロ構造内の発光の部分制限が実現されるように選択されたことが、図１〜３に示したレーザ１の変更例とは異なった。さらに閉じ込め層６及び７の外面に、銀の副層を含む対応メタライズ層１３及び１９が接続された。前記層１３及び１９は、９８％に等しい発光反射率を有する銀の層を含む。発光出力側と反対側では、レーザ１はＣｕＷの導電性プレート２０に接続されており、それと一緒に銅製熱除去基部（図示せず）上に配置されている。また、対応メタライズ層２１が出力領域９のリークイン層１４に接続されている。すべての出力領域９の電流による接続は、レーザ１の側面の一方上へのメタライズ層２１の膨張（リークイン層１４の高さまで）により実行される（出力領域９の膨張自律接触）。
【００３１】
レーザ１の次の変更例は、上述のメタライズ層１３及び１９が導波路層４及び５に直接接続されていることが、前述のものとは異なった。
【００３２】
提案のレーザ１（図９参照）は、長手方向増幅軸に沿って出力領域９を閉じ込める出力ファセット１６が、増幅領域８の外面に対して傾斜して実行され、さらに角度α１が絶対値で角度α２に等しくかつ１００°に等しいことが、図１〜３に示したレーザ１の変更例とは異なった。この場合、出力領域９は長手方向断面において台形の形状を有する。レーザ１の効率の増加のため、反射防止光学コーティング（図示せず）が出力領域９の出力ファセット１６上に貼付されている。出力領域９内のリークイン層１４の厚さは、２．０μｍに等しく選択された。この変更例において、各レーザビームは傾斜ファセット１６に直角で入射するとともにレーザ１をまっすぐに出射する。
【００３３】
次の変更例は、９９％の反射率を有する光学コーティング（図示せず）が、出力ファセット１６上に貼付されており、そこからの出力発光が選択された方向のうちの一方（２つのうちの１つ）に向けられることが、前述のものとは異なった。
【００３４】
レーザ１の次の変更例（図１０参照）は、出力ファセット１６が傾斜形状を有して実行され、さらに角度α１が絶対値で角度α２に等しくかつ５０°に等しいことが、図９に示したレーザ１の変更例とは異なった。この場合、出力領域９は長手方向断面において倒置台形の形状を有する。出力領域９の厚さは２．２μｍに等しい。この変更例において、出力発光は傾斜出力ファセット１６の全内部反射を受け、その方向を変えるとともに、リークイン層１４へのまっすぐな入射によりリークイン層１４の外面の端部に沿って出射する。
【００３５】
レーザ１の次の変更例（図１１参照）は、出力ファセット１６が傾斜形状を有して実行され、さらに角度α１が絶対値で角度α２に等しくかつ１４０°に等しいことが、前述のものとは異なった。この場合、出力領域９は長手方向断面において台形の形状を有し、出力領域９の厚さが１．７μｍに等しく選択された。この変更例において、出力漏洩発光は傾斜出力ファセット１６の全内部反射を受け、その方向を変えるとともに、基板２へのまっすぐな入射により発光に対して透明な基板２を介して出射する。発光の出力の代わりに反射防止光学コーティングが基板上に貼付されている。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
インジェクションレーザは、医療装置内の固体及びファイバレーザ並びに増幅器、レーザ技術装置、２倍の周波数の生成発光を有するレーザを励起するために用いられるとともに、照明用白色光のエミッタを始めとする、ある波長範囲の広い用途の高性能で強力な固体発光源として用いられる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
2009503887.tif 000014
2009503887.tif 000015