(57)【要約】  所定のパターンが形成される面を有する基板を与えること；該基板に加わる外力による該面の変形量を得るために、該基板を露光装置内に配置すること；該変形量および該基板のターゲットとなる平坦度に基づいて、該面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および該基板を該露光装置内に配置した際に、該面を実質的に平坦にするために該面を加工することを含む方法によりフォトマスクが製造される。
2009508143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する基板を与えること；
前記面を下向きにして、前記周縁部で保持して、前記基板を実質的に水平な位置に配置すること；
外力により前記面に生じる変形量を決定すること；
前記変形量、および、前記実質的に水平な位置に配置された前記基板の前記面のターゲットとなる平坦度に基づいて、前記面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および
前記ターゲットとなる面プロファイルを得るために、前記基板の表面部分を除去すること、を含むフォトマスク基板の製造方法。
【請求項２】
前記外力が、重力を含む請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板の表面部分を除去した後、結果として生じる前記面の平坦度を測定すること、および、
前記結果として生じる前記面の平坦度が、前記面のターゲットとなる平坦度に到達しているか否かを決定すること、をさらに含み、
前記結果として生じる面の平坦度が、前記面のターゲットとなる平坦度に到達していなかった場合、前記結果として生じる面の平坦度および前記面のターゲットとなる平坦度に基づいて、前記表面部分を除去する量を再計算することを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項４】
さらに、前記面が実質的に垂直になる位置に前記基板を配置すること、および、
前記位置に配置された前記基板の前記面の本来の平坦度を測定すること、を含み、
前記面のターゲットとなる面プロファイルを計算することが、前記面の本来の平坦度に基づいて前記変形量を計算することを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項５】
前記表面部分の除去が、研磨パッドおよび研磨粒子を用いて前記面を研磨することを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項６】
前記表面部分の除去が、磁性流体を用いて前記面を研磨することを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項７】
前記表面部分の除去が、ガスクラスタイオンビームを用いて前記面を研磨することを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項８】
前記表面部分の除去が、シリカ粒子および酸化セリウム粒子を含む研磨スラリーを用いて前記面を研磨することを含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項９】
所定のパターンが形成される部分を含む面を有する基板を与えること；
前記面に加わる外力による前記面の変形量を得るために、露光装置内に前記基板を配置すること；
前記変形量、および、前記面のターゲットとなる平坦度に基づいて、前記面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および、
前記基板を前記露光装置内に配置した際に、前記面を実質的に平坦にするために、前記基板の前記面を加工すること、を含むフォトマスク基板の製造方法。
【請求項１０】
前記外力が、前記基板を保持することによって生じる応力を含む請求項９に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項１１】
前記外力が、重力を含む請求項９に記載のフォトマスク基板の製造方法。
【請求項１２】
所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を含み、
前記面が、ターゲットとなる面プロファイルを得るために、前記基板の表面部分を除去することにより形成される湾曲した面であり、
前記ターゲットとなる面プロファイルが、前記面が下向きにして、前記周縁部で保持して、前記基板を実質的に水平な位置に配置した際に測定される前記面の平坦度に基づいて計算される、フォトマスク基板。
【請求項１３】
前記面のターゲットとなる面プロファイルが、前記実質的に水平な位置に配置された前記基板の前記面の、変形量およびターゲットとなる平坦度に基づいて計算される請求項１２に記載のフォトマスク基板。
【請求項１４】
基板の面の平坦度を測定するように設計された面分析機器、前記面は所定のパターンが形成される部分と該部分の外側の周縁部とを含み、前記面分析機器において、前記基板は前記面を下向きにして、前記周縁部で保持され、実質的に水平な位置に配置される；
前記面分析機器により測定された前記平坦度に基づいて、前記基板の前記面のターゲットとなる面プロファイルを計算するように設計された計算ユニット；
前記面の表面部分を除去するために、前記面を加工するように設計された面加工機器；および
前記計算ユニットにより計算された前記ターゲットとなる面プロファイルを得るために、前記面加工機器が前記面の表面部分の除去するのを制御するように設計された加工コントローラを含むフォトマスク基板加工装置。
【請求項１５】
前記面分析機器により測定された前記平坦度が、前記面のターゲットとなる平坦度に到達しているか否かを決定するように設計された決定ユニットをさらに含む請求項１４に記載のフォトマスク基板加工装置。
【請求項１６】
前記面加工機器により加工された前記面の前記平坦度が前記ターゲットとなる平坦度に到達していないと前記決定ユニットが決定した場合に、前記面分析機器により測定された前記平坦度および前記ターゲットとなる平坦度に基づいて、前記面加工機器により加工される前記面の除去量を前記計算ユニットが再計算することを特徴とする請求項１５に記載のフォトマスク基板加工装置。
【請求項１７】
所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する基板を与えること；
前記面を下向きにして、前記周縁部で保持して、前記基板を実質的に水平な位置に配置すること；
前記実質的に水平な位置に配置された前記基板の前記面の平坦度を測定すること；
前記平坦度に基づいて、前記基板の変形量、および、前記基板の所望の面プロファイルを計算すること；および
前記基板の表面部分を除去して、前記所望の面プロファイルを得るために、前記面を加工すること、を実行するようコンピュータを制御するための、コンピュータ読み取り可能な媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク基板、該フォトマスク基板を製造する方法、および、フォトマスク基板加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィは、半導体ウェハ上に高度に集積された回路パターンを形成するための効果的な手法である。この手法では、オリジナルの回路パターンに露光光を照射して、ウェハ上にコートされたフォトレジスト膜に該回路パターンを転写する。転写された像は、半導体ウェハ上に微細で正確な回路パターンを形成するために、高い解像度とコントラストを有することが望ましい。しかし、フォトマスクは熱や他の原因によって変形し得るものであり、そのような変形したフォトマスクにより得られる像は、コントラストが低下し、望ましくないパターンを有する場合がある。したがって、そのようなフォトマスクの変形を抑制するために、様々な方法が提案され、試みられている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、フォトマスクと同一の熱膨張係数を有する材料で製造されたマスクホルダを有する露光装置が開示されている。該マスクホルダは、また、該マスクホルダに設けた吸引孔からの空気の吸引によりフォトマスクを保持するようにデザインされている。
【０００４】
特許文献２には、重力の影響によるフォトマスクのパターンが形成された面の変形を抑制するために、フォトマスクを垂直に保持する露光装置が開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献３には、平坦な面を有するマスクブランクを、パターンを形成するための面が上向きにして、かつ、該面を凸形状に湾曲させて保持し、この凸形状の面に回路パターンを形成するフォトマスクの製造方法が開示されている。パターンを有するフォトマスクは、パターンが形成された面を下向きにして、露光装置内に水平に配置される。すると、基板の面は重力の影響により凸形状に変形する。特許文献３に記載の方法では、該面のこの変形を補正するため、基板の凸形状に湾曲させた面に回路パターンが形成される。
【０００６】
特許文献１〜３の内容は、引用することにより本明細書の一部をなす。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−１３５１２１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９５５９５号公報
【特許文献３】特開平１１−１９４４７９号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明の１つの態様によれば、フォトマスク基板の製造方法は、所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する基板を与えること；該面を下向きにして、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置すること；外力によって生じる該面の変形量を決定すること；該変形量、および、該実質的に水平な位置に配置された該基板の該面のターゲットとなる平坦度に基づいて、該面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および該ターゲットとなる面プロファイルを得るために、前記基板の表面部分を除去することを含む。
【０００９】
本発明の別の１つの態様によれば、フォトマスク基板の製造方法は、所定のパターンが形成される部分を含む面を有する基板を与えること；該面に加わる外力による該面の変形量を得るために、露光装置内に該基板を配置すること；該変形量、および、該面のターゲットとなる平坦度に基づいて、該面のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および該基板を該露光装置内に配置した際に該面を実質的に平坦にするため、該基板の該面を加工することを含む。
【００１０】
本発明のさらに別の１つの態様によれば、フォトマスク基板は、所定のパターンが形成された部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する。該面は、ターゲットとなる面プロファイルを得るために、該基板の表面部分を除去することによって形成される湾曲面である。該ターゲットとなる面プロファイルは、該面を下向きにして、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置した際に測定される平坦度に基づいて計算される。
【００１１】
本発明のさらに別の１つの態様によれば、フォトマスク基板加工装置は、基板の面の平坦度を測定するように設計された面分析機器、該面は所定のパターンが形成される部分と該部分の外側の周縁部とを含み、該面分析機器において、該基板は前記面を下向きにして、該周縁部で保持される；該面分析機器により測定された該平坦度に基づいて、該面のターゲットとなる面プロファイルを計算するように設計された計算ユニット；該面の表面部分を除去するために、該面を加工するように設計された面加工機器；および該計算ユニットにより計算された該ターゲットとなる面プロファイルを得るために、該面加工機器が該面の表面部分を除去するのを制御する加工コントローラを含む。
【００１２】
本発明のさらに別の１つの態様によれば、所定のパターンが形成された部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する基板を与えること；該面を下向きにして、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置すること；該実質的に水平な位置に配置された該基板の該面の平坦度を測定すること；該平坦度に基づいて、該基板の変形量、および、該基板の所望の面プロファイルを計算すること；および該所望の面プロファイルを得るために、該面を加工すること、を実行するよう、コンピュータを制御するためのコンピュータ読み取り可能な媒体が与えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明のより完全な理解と、本発明に伴う多くの利点は、添付図面との関連性を考慮して、以下の詳細な説明を参照することにより、より良く理解できるようになる。
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について記載する。参照符号は、様々な図面を通して、対応する要素または同一の要素を表す。
以下、本明細書において、フォトマスク基板のことを、単に「フォトマスク」または「マスク」と呼ぶ場合もある。
【００１５】
図１は、リソグラフィに用いる露光装置の説明図である。露光装置１０は、光源１、ステッパ／スキャナ２を含む。該ステッパ／スキャナ２は、伝送光学系３、照射光学系４、投影光学系５、アライメント光学系６およびウェハステージ７を含む。図１に示すように、該ステッパ／スキャナ２の内部には、該ウェハ１３上のフォトレジスト膜に転写されるオリジナルの回路パターンを有するフォトマスク１１が送られる。該ウェハ１３は、アライメント光学系６を用いて、ウェハステージ７上の所望の位置に配置される。光源１は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ（ＫｒＦエキシマレーザ）、１９３ｎｍ（ＡｒＦエキシマレーザ）および１５７ｎｍ（Ｆ2レーザ）のような所定の波長を有する光線を発生するように設計されている。図１の光源１の具体例として、狭帯域化モジュール（ＭＤＬ）、発振器モジュール、および、モニタモジュールが挙げられる。該光源１から発生する光線は、該伝送光学系３および該照射光学系４を介して誘導され、該フォトマスク１１を均一に照射する。光線を照射される該フォトマスク１１は、面１１ａにオリジナルの回路パターンが形成されており、該投影光学系５による縮小投影を介して、該ウェハ１３上の該レジスト膜に該回路パターンを有する像を転写する。
【００１６】
図２（ａ）は、実質的に平坦な面を有するフォトマスクの側面図であり、図２（ｂ）は、露光装置内に配置した場合のように、実質的に水平な位置に配置された該フォトマスクの側面図である。図２（ａ），（ｂ）を参照して、自重によるフォトマスクの変形について述べる。図２（ａ）に示すような、実質的に平坦な面６６ａを有し、該面６６ａの中央部にオリジナルの回路パターンが形成されたフォトマスクを仮定する。例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの正方形のフォトマスクには、その中央部に１３２ｍｍ×１０４ｍｍのあるパターンを形成することができる。このフォトマスク６６を図２（ｂ）に示すように、面６６ａを下向きにして配置する際、回路パターンがダメージを受けないように、該中央部の外側の周縁部で該フォトマスク６６が保持される。したがって、該フォトマスク６６は、重力の影響により、完全に平坦な状態ではなくなり、該面６６ａが凸形状となり、該面６６ａ上に設けられた回路パターンが変形し、拡張する。重力の影響に加えて、該フォトマスク面は様々な理由で変形する場合がある。例えば、該フォトマスクを真空クランプや静電チャックで保持した場合、該フォトマスクを保持するステージも、該フォトマスク自身も完全に平坦ではないので、該ステージと該フォトマスクとの間での面平坦度の相違により、該フォトマスクが変形する場合がある。また、該フォトマスクを、例えばその側面で固定するためのピンを用いて、機械的にクランプする場合も、クランプ力が強すぎると、該フォトマスクで応力が発生し、変形を生じる場合もある。該フォトマスク６６が上述したように変形すると、該フォトマスク６６に形成された変形した回路パターン上の回路要素の位置が、当初デザインされた位置からずれ、該変形したフォトマスク６６を用いてウェハ上のレジスト膜にプリントされる像は、所望の正確なパターンを有していない。さらに、該フォトマスク６６の面６６ａは、地面に対して平行ではないので、該ウェハ上の該レジスト膜には、焦点が合っていない像が形成される。リソグラフィ法を用いて半導体ウェハ上に高度に集積された回路パターンを形成する際には、位置精度のわずかな低下や焦点のわずかなずれでさえ、得られる回路にとって致命的な欠陥となる場合もある。より具体的には、十分に平坦ではなく、（Ｘ）のＰＶ値（ｐｅａｋ−ｔｏ−ｖａｌｌｅｙ  ｖａｌｕｅ）を有する面を持ったフォトマスクを用いた露光装置では、式Ｄ＝Ｘ／ｍ2［式中、（ｍ）は露光装置の凸レンズの倍率］により得られる焦点深度における焦点のずれ（Ｄ）は、通常４倍または５倍となる。
【００１７】
図３（ａ）は、本発明の１実施形態によるフォトマスクの側面図であり、図３（ｂ）は、露光装置内に配置した場合のように、実質的に水平な位置に配置された該フォトマスクの側面図である。フォトマスク１１は、オリジナルの回路パターンが形成される湾曲面１１ａを有する。図３（ｂ）に示すように、露光装置内に設置した際、該フォトマスク１１は、保持ユニット２０によって、該面１１ａの周縁部で保持される。図４には、該面１１ａの側から見た図が与えられている。図４では、一例として、該フォトマスク１１の該周縁部に３つの保持ユニットが配置されている。例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍのエリアと６．３５ｍｍの厚みを有するフォトマスク用には、図４の距離（Ｄ）が２インチで、（ｄ）が２ｍｍで、直径０．５ｍｍの接点を介して、該パターン面を保持する、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）製の保持具が用いることができる。該フォトマスク、および、該フォトマスクに形成される回路パターンのサイズは変わる場合もあるが、例えば、厚み０．０９〜０．２５インチを有する６インチ×６インチのフォトマスクの場合、該フォトマスクに形成される回路パターンのサイズは、１０８ｍｍ×１３２ｍｍとすることができ、４倍縮小露光装置を用いた露光により、２６×３３ｍｍのエリアが露光される。したがって、この例では、１０８ｍｍ×１３２ｍｍのエリアの外側の位置で該フォトマスクを保持することができる。該フォトマスクの寸法、および、該保持ユニットの位置について上記したが、該保持ユニットの配置は単なる一例であり、該フォトマスクの保持方法、該保持ユニットの数、位置、材質、および、他の寸法は、この例に限定されない。該フォトマスクは、真空クランプ、静電チャック、または、機械的なクランプ、例えば、該フォトマスクをステージに固定するためのピン、を用いて、該ステージ上に配置してもよい。
【００１８】
図３（ａ），（ｂ）を参照して、本発明の１実施形態による該フォトマスク１１の構造についてさらに述べる。上述したように、該フォトマスク１１は、オリジナルのパターンが形成される該湾曲面１１ａを有する。図３（ｂ）に示すように、フォトマスク１１をその周縁部で保持した場合、保持されていない部分は、主にその重量によって、わずかに下方に引っ張られる。しかしながら、表面部分が適正量除去され、該面１１ａが図３（ａ）に示すように、初めから湾曲しているので、該面１１ａは予想に反して実質的に平坦になる。言い換えると、本発明のこの実施形態によれば、該露光装置１０内の実質的に水平な位置に配置した際の該フォトマスク１１の変形は実質的に補正され、オリジナルの回路パターンを有する該面１１ａは地面に対して実質的に平行になる。したがって、図２（ｂ）のフォトマスク６６とは違い、変形した面６６ａにより生じる悪影響、例えば、オリジナルのパターンの位置精度の低下、および、焦点位置のずれは、最小限に抑えられ、当初デザインされた回路パターンが、より正確にウェハ上に転写され、形成される。上述したように、本発明の１実施形態の目的の１つは、重力、および、該基板の平坦度に影響を及ぼす他の原因を前もって考慮することにより、露光装置内に配置した際に、その水平方向において実質的に平坦な面を有するフォトマスク基板を作成することである。以下により詳細に述べるように、本発明の１実施形態によるフォトマスク基板製造方法では、該基板の表面部分を研磨して、適正量除去することにより、該フォトマスク１１の該面に、そこに装置パターンが形成されることになる湾曲面１１ａを形成する。
【００１９】
図５（ａ）は、本発明の１実施形態によるフォトマスクの製造方法を示したフロー図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のステップ（Ｓ１）に関する部分フロー図である。上述したように、本実施形態では、そこに回路パターンが形成される図２（ａ）の面６６ａが、図３（ａ）に示すような湾曲面１１ａを作成するため研磨される。加工または研磨を行う前のマスクの当初の面は、平坦である必要はなく、凸形状、凹形状、または、他の形状に湾曲していてもよい。フォトマスク面の平坦度を調べる際、該面のＰＶ値が測定され、真の平面からのずれが決定される。国際半導体技術ロードマップ（ＩＴＲＳ）２００３年版によると、ブランク平坦度は、６インチ×６インチの正方形のマスクブランク上の１１０ｍｍ×１１０ｍｍの中心エリア画像領域におけるＰＶ値として定義される。ＩＴＲＳ２００３年版の内容は、引用することで本明細書の一部をなす。
【００２０】
図６（ａ）は、該フォトマスク１１、および、該面１１ａについてのｘ軸方向およびｚ軸方向を示した説明図である。図示するように、ｘ軸は該フォトマスク１１の該面１１ａに平行であり、ｚ軸は該面１１ａに垂直であり、原点は該面１１ａの中心部分である。図６（ｂ）は、図５（ａ），（ｂ）の方法で、（ＰＶt）および（Ｄa）のような値がどのようにして得られるかという点を示したグラフである。図５（ａ）の方法の全体のフローについて最初に述べ、次に、各ステップ（Ｓ０）〜（Ｓ６）について、図５（ａ），５（ｂ），６（ａ）および６（ｂ）を参照してより詳細に説明する。
【００２１】
図５（ａ）に示すように、ステップ（Ｓ０）では、実際の使用時に露光装置内に配置した場合の（以下、本明細書において、「実際の位置にある」、「実際の配置」という。）フォトマスクのターゲットとなる面平坦度（ＰＶt）を決定する。例えば、本実施形態において、該フォトマスクは、パターン面を下向きにして、その周縁部で保持して配置される。ターゲットとなる面平坦度（ＰＶt）は、例えば、形成される回路パターンの集積度に応じて、柔軟に決定することができる。例えば、上述したＩＴＲＳ２００３年版によると、マスクブランクのターゲットとなる平坦度は、５０ｎｍ幅のパターンを有する微細な半導体回路パターンの形成用には、ＰＶ値で１９２ｎｍ未満に設定される。次のステップ（Ｓ１）では、該フォトマスクの実際の配置での該フォトマスク面の変形量（Ｄa）を決定する。一般に、露光装置内での該フォトマスクの配置および保持方法には複数あり、例えば、実際の配置に固定するため、該フォトマスクを垂直に配置して、クランプすることもできる。しかしながら、クランピングは、該フォトマスクに機械的応力を課し、該基板を変形させる場合がある。また、該フォトマスクを水平に配置し、保持部材で保持した場合も、その自重により変形する場合がある。したがって、このステップ（Ｓ１）では、実際の配置での該フォトマスクについて、様々な理由による該パターン面の変形を全て考慮して、以下に詳細に述べるようにして、変形量を計算する。上述したように、たとえパターンを形成するための面が当初平坦であっても、保持されていない中心部分は下方に引っ張られて、該面は図２（ｂ）のように凸状の形状に変形する。この基板に関して、該面の変形量（Ｄa）、すなわち、平坦な面からのずれは、ステップ（Ｓ１）のＰＶ値で得られる。次に、プロセスは、ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）を計算するステップ（Ｓ２）に進行する。該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）は、ターゲットとなる面平坦度（ＰＶt）から該変形量（Ｄa）を減じることで得られる。ステップ（Ｓ３）では、該基板の表面部分を厚み方向に除去することにより、該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）を得るため、該フォトマスク面を加工または研磨する。次に、ステップ（Ｓ４）では、関心のある面（ｔｈｅ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｏｆ  ｉｎｔｅｒｅｓｔ）のＰＶ値（ＰＶx）を測定することにより、該面の平坦度を調べる。ここで、面の平坦度（ＰＶx）は、実際の配置で測定することができる。この場合において、該関心のある面の平坦度は、該基板の実際の配置での変形による、該面の真の平坦度（ｇｅｎｕｉｎｅ  ｆｌａｔｎｅｓｓ）となり、ステップ（Ｓ５）では、ステップ（Ｓ０）で定義した該ターゲットとなるＰＶ値（ＰＶt）と比較される。ステップ（Ｓ０）において、同じ面の真の平坦度（ＰＶx’）は、基板に加わる外的応力を最小限に抑えるために、該基板を垂直に保持した場合の該面の平坦度であり、該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）と比較するために測定することができる。ステップ（Ｓ５）では、所望の湾曲面を作成するため、該面をさらに研磨するか否かを決定する。該測定されたＰＶ値（ＰＶxおよび／またはＰＶx’）が、該ターゲットとなるＰＶ値（ＰＶtおよび／またはＰＶt’）よりも大きい場合、ステップ（Ｓ６）を経由してステップ（Ｓ３）に戻る。ステップ（Ｓ６）では、（ＰＶx）から（ＰＶt）を減じることにより、および／または、（ＰＶx’）から（ＰＶt’）を減じることにより、除去量（ΔＰＶ）を計算する。該測定された表面粗さが、該ターゲットとなる表面粗さよりも小さくなるまでステップ（Ｓ３）〜（Ｓ６）は繰り返される。例えば、該加工された面の該測定されたＰＶ値（ＰＶx）が、該ターゲットとなる値（ＰＶt）以下となるか、または、（ＰＶx’）が（ＰＶt’）以下となるまで該ステップは続けられる。また、さらなる加工を実施するか否かを決定するために、（ＰＶx）−（ＰＶt）間、および、（ＰＶx’）−（ＰＶt’）間の両方の比較を実施してもよい。ステップ（Ｓ１）〜（Ｓ６）のそれぞれに関するさらなる説明を、図５（ａ），５（ｂ），６（ａ）および６（ｂ）を参照して以下に与える。
【００２２】
図５（ｂ）に示すように、ステップ（Ｓ１）は、例えば、該面変形量（Ｄa）を得るためのステップ（Ｓ１a）〜（Ｓ１e）を含む。ステップ（Ｓ１a）において、該フォトマスクは、該パターンを形成するための面に加わる応力のような、外的な力が最小限に抑えられる方法で配置される。例えば、該フォトマスクは地面に対して実質的に垂直に配置してもよい。その後、該パターン面の平坦度が、ステップ（Ｓ１b）で調べられる。ここでは、一例として、干渉計のような装置を用いて、該パターン面のＰＶ値（ＰＶg）が得られる。上述したように、ステップ（Ｓ１a）では、重力またはマスクを保持することによって生じる他の応力の影響を最小限にして、該基板面の該真の平坦度を調べるために、該マスクを垂直に配置してもよい。但し、重力、または、該マスクブランク面のオリジナルの平坦度に影響を及ぼす可能性のある他の要因による影響なしに、該面の平坦度を測定できる限り、該マスクの位置は垂直に限定されない。次に、ステップ（Ｓ１c）では、該フォトマスクが、実際の位置、すなわち、露光装置内での位置に配置される。例えば、該フォトマスクは、図２（ｂ）に示すように、そのパターン面を下向きにして、その周縁部で保持して、実質的に水平な位置に配置され、その後、この面の平坦度が調べられる。該基板を水平な位置に配置し、その周縁部のみで保持すると、該パターン面の保持されていない中心部は、重力により下方に引っ張られ、該面は下方向に凸状の湾曲を形成する。該面の中心部が平面から最もずれていると仮定した場合、該凸状の湾曲は、図６（ｂ）のグラフの線（ａ）で示すことができる。ここで、＋Ｚ方向は、該面からの突出方向を示す。本発明のこの実施形態では、そのような変形した該パターン面について、該パターン面のＰＶ値（ＰＶr）が、ステップ（Ｓ１ｄ）で干渉計のような装置を用いることによって測定され。このステップで得られるＰＶ値（ＰＶr）は、４００ｎｍのような正の値であってもよい。その後、該面の変形量（Ｄa）が、式（Ｄa）＝（ＰＶr）−（ＰＶg）により得られる。上述した方法では、面の平坦度を実際に測定しているが、そのような実験的な方法に加えて、変形量（Ｄa）を直接見積もる有限要素法のような、コンピュータシミュレーションと数値解析を用いた他の方法も利用可能である。
【００２３】
図５（ａ）を参照すると、ステップ（Ｓ２）では、（ＰＶt）および（Ｄa）の値に基づいて、該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）を決定する。（ＰＶt’）値は、該ターゲットとなる面平坦度（ＰＶt）から該変形量（Ｄa）を減じることで得られる。露光装置内に該フォトマスクを水平に配置した場合に、該パターン面の該ターゲットとなる形状（ＰＶt）が、その側面図において、凸状の形状にわずかに湾曲すると仮定した場合、該面の湾曲は図６（ｂ）の線（ｂ）で示すことができる。このグラフでは、正の値が、該面が、凸状の形状、または、下方に突出するように湾曲していることを意味するので、この場合の該ターゲットとなる平坦度（ＰＶt）は、−１００ｎｍのような負の値として設定される。次に、図６（ｂ）のグラフの線（ａ）のＰＶ値で示されるように、該変形量（Ｄa）が、式（Ｄa）＝（ＰＶr）−（ＰＶg）により得られる。その後、線（ｃ）に対応する該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶt’）が、式（ＰＶt’）＝（ＰＶt）−（Ｄa）により得られる。したがって、例えば、該変形量（Ｄa）が４００ｎｍで、該ターゲット値（ＰＶt）が−１００ｎｍである場合、該（ＰＶt’）値は−５００ｎｍとして得られる。これは、該フォトマスクの該パターンを形成するための面を、ＰＶ値５００ｎｍを有する凹面プロファイルを有するように加工することを意味する。
【００２４】
図５（ａ）のステップ（Ｓ３）では、該ターゲットとなる面プロファイル（ＰＶｔ’）を得るために、該マスク面を加工する。本実施形態の方法では、該フォトマスクの表面部分を除去するために、該面が研磨される。ここで、スラリー、例えばシリカ粒子および酸化セリウム粒子を含むスラリー、を用いた研磨、および、例えば、研磨粒子と、該面よりも大きい、例えば、ポリウレタン製の、研磨パッドと、を用いた該表面部分の湿式研磨を用いた、グローバル湿式研磨（ｇｌｏｂａｌ  ｗｅｔ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を使用することができる。この研磨方法は、凸形状および／または凹形状のような、単純な湾曲したプロファイルを有する面を得るのに好適である。凸状および凹状に湾曲した面は、該研磨パッドの硬度を調節すること、および／または、研磨圧力を調節することにより制御することができる。この方法に加えて、該基板の局所面（ｌｏｃａｌ  ｓｕｒｆａｃｅ）を研磨する局所研磨方法（ｌｏｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）を用いることができる。局所研磨方法の例としては、該面の寸法よりも小さい研磨パッドと、研磨粒子と、を用いた面全体の湿式研磨、フッ素化合物または他の物質のプラズマを用いたプラズマＣＶＭ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ）、磁性流体および酸化セリウムを用いた磁性加工（Ｍａｇｎｅｔｏｒｈｅｏｌｏｇｉｃａｌ  Ｆｉｎｉｓｈｉｎｇ）およびアルゴンビームのガスクラスタイオンビーム（ＧＣＩＢ）を用いた研磨が挙げられる。これらの局所研磨方法は、他の研磨方法で得られた該面プロファイルを修正して、複雑な面プロファイルを得るのに好適である。以下に述べる実施例１では、マスクの全面を研磨するために、該研磨する面よりも大きな研磨パッドを用いる。特開平１０−３３７６３８号公報および特開平８−１２０４７０号公報は、プラズマＣＶＭ法、および、ＧＣＩＢを用いた方法を開示する。ＳＰＩＥの会報（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ）（５５３３：９９−１０７（２００４））は、ＱＥＤテクノロジー社による磁性加工を開示する。また、特開平１０−３２９０１２号公報および特開平１０−２８６７７１号公報は、該面よりも小さい研磨パッドを用いた湿式研磨方法を開示する。特開平１０−３３７６３８号公報、特開平８−１２０４７０号公報、特開平１０−３２９０１２号公報、特開平１０−２８６７７１号公報およびＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ）（５５３３：９９−１０７（２００４））の内容は、引用することで本明細書の一部をなす。
【００２５】
ステップ（Ｓ４）では、露光装置内での配置と同様に、加工された面を下向きにして、実質的に水平な位置に配置された該フォトマスクの該加工された面の平坦度を調べる。本実施形態の方法では、該研磨された面のＰＶ値（ＰＶx）が干渉計のような装置を用いて測定される。この状態において、該パターン面は実質的に平坦であることが望ましく、したがって、より小さいＰＶxが好ましい。
【００２６】
ステップ（Ｓ５）では、該面をさらに研磨するか否かを決定する。例えば、該ターゲットとなる平坦度（ＰＶt）が−２００ｎｍで、該測定値（ＰＶx）が−５００ｎｍの場合、該表面部分が厚み方向にΔＰＶの除去量で除去される。この例では、ステップ（Ｓ６）において、ΔＰＶが−３００ｎｍと決定される。すなわち、該面を厚み方向に３００ｎｍさらに加工する必要がある。微細で精密な加工を実施して、ターゲットとなる面プロファイルを得るためには、上述した局所研磨のような方法が好ましい、上述したように、ステップ（Ｓ３）〜（Ｓ６）は、該平坦度の測定値（ＰＶx）が、該ターゲットとなる値（ＰＶt）以下となるまで繰り返される。上で例示した方法では、上記の式に基づいて計算が実施されるが、式は、さらに、修正してもよく、例えば、より多くの変数や係数を適宜組み入れてもよい。該フォトマスクの該面の研磨が完了すると、該面に所定の回路パターンが形成される。例えば、ガラス基板の該パターン形成面に、Ｃｒのような遮光材料を含む膜や、ＭｏＳｉ、ＭｏＳｉＮ等を含む位相シフト膜を均一に形成し、電子線またはレーザ光を用いて該レジスト上に所望のパターンを形成した後、該パターンを現像し、該基板をエッチングすることによって回路パターンを形成してもよい。そのようにして該フォトマスクに該パターンを形成する間、該フォトマスクは、露光装置内での実際に使用時にマスクホルダ上に配置される場合のように配置されることが好ましい。
【００２７】
図７は、本発明の１実施形態によるフォトマスク加工装置を示すブロック図である。上述したステップ（Ｓ０）〜（Ｓ６）に従った該フォトマスクの加工は、図７に示すようなフォトマスク加工装置３０内で実施してもよい。フォトマスク加工装置３０は、面分析機器３１、面加工機器３２および、コントローラ３３を含む。該面分析機器３１は、フォトマスクの面平坦度を測定するように設計されている。図５（ａ）および図５（ｂ）の方法では、ステップ（Ｓ１b）、（Ｓ１d）および（Ｓ４）を含む、面平坦度を調べるための手順を該面分析機器３１により実施することができる。該面分析機器３１は、干渉計のような、該マスク面の該平坦度を測定することができるいずれかの装置を含むことができる。該面加工機器３２は、表面部分を除去して、所望の形状を形成するため、該フォトマスクの該面を加工するように設計されている。該面加工機器３２は、図５（ａ）のステップ（Ｓ３）を実施することができる。該面加工機器３２は、研磨パッド、研磨粒子、プラズマ、磁性流体、研磨スラリー、ガスクラスタイオンビーム等を用いて該サンプル面を研磨するいずれかの装置を含んでもよい。該コントローラ３３は、計算ユニット３４、プロセスコントローラ３５および決定ユニット３６を含む。該計算ユニット３４は、該面分析装置３１により測定された平坦度に基づき、該基板の該表面部分のターゲットとなる面プロファイルを計算するように設計されている。該プロセスコントローラ３５は、該計算ユニット３４により計算された該ターゲットとなる面プロファイルを得るために、該面加工機器３２が該表面部分を除去するのを制御するよう設計されている。図５（ａ）の方法では、ステップ（Ｓ２）のような計算ステップを該計算ユニット３４で実施することができ、その結果に基づき、該プロセスコントローラ３５が面加工装置３２を制御する。該決定ユニット３６は、該面分析装置３１により測定された該平坦度が、該面のターゲットとなる平坦度に到達しているか否かを決定する。図５（ａ）の方法のステップ（Ｓ５）は、該決定ユニット３６で実施することができる。図７では、該計算ユニット３４、該プロセスコントローラ３５および該決定ユニット３６が別々のユニットとして示されているが、これらのユニットは、プロパータスクを実行する単一のモジュールとして、または、複数のモジュールとして実現してもよい。
【００２８】
図８は、該コントローラ３３の説明図である。この実施形態において、該コントローラ３３は、例えば、コンピュータシステムを含む。該コンピュータシステム３３は、本発明の本実施形態の方法を実行する。コンピュータシステム３３において、コンピュータハウジング１０２は、ＣＰＵ１０６、メモリ１０８（例えば、ＤＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭおよびフラッシュＲＡＭ）、および、他の随意の特別な目的のロジックデバイス（例えば、ＡＳＩＣ））、若しくは適合性のあるロジックデバイス（ｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）（例えば、ＧＡＬおよび再プログラム可能なＦＰＧＡ）を含むマザーボード１０４を収容する。該コンピュータ３３は、また、複数の入力デバイス（例えば、キーボード１２２およびマウス１２４）、ならびに、モニタ１２０を制御するためのディスプレイカード１２０を含む。加えて、該コンピュータシステム１００は、適切なデバイスバス（例えば、ＳＣＩＳバス、ＥＩＤＥバスまたはＵｌｔｒａ  ＤＭＡバス）を用いて接続される、フロッピー（登録商標）ディスクドライブ１１４、他の取り外し可能な媒体デバイス（例えば、コンパクトディスク１１９、テープおよび取り外し可能な光磁気メディア（図示しない））、ならびにハードディスク１１２、若しくは、他の固定式の高密度媒体デバイスを含む。また、該コンピュータシステム３３は、同一のデバイスバスまたは他のデバイスバスに接続される、コンパクトディスクリーダ１１８、コンパクトディスクリーダ／ライタユニット（図示しない）、または、コンパクトディスクジュークボックス（ｃｏｍｐａｃｔ  ｄｉｓｋ  ｊｕｋｅｂｏｘ）（図示しない）を随意に含む。コンパクトディスク１１９が、ＣＤ  Ｃａｄｄｙ内に示されているが、該コンパクトディスク１１９は、Ｃａｄｄｙを必要としないＣＤ−ＲＯＭデバイスに直接挿入することもできる。
【００２９】
上述したように、コンピュータシステムは、少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能な媒体を含む。コンピュータ読み取り可能な媒体の具体例は、コンパクトディスク１１９、ハードディスク１１２、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ等である。本発明の本実施形態は、コンピュータ読み取り可能な媒体のいずれか１つ、または、コンピュータ読み取り可能なメディアの組み合わせに収容されたソフトウェアを含む。該ソフトウェアは、該コンピュータ１００のハードウェアを制御するとともに、該コンピュータ１００とヒューマンユーザとの対話を可能にするソフトウェアを含む。そのようなソフトウェアは、それに限定されないが、ＯＳ、および、開発ツールのようなユーザアプリケーションを含んでもよい。本発明の本実施形態のコンピュータコードデバイスは、それに限定されないが、スクリプト、インタープリタ、ダイナミックリンクライブラリ、Ｊａｖａ（登録商標）クラス、および、完全実行可能なプログラムを含む、いずれかのインタープリタ型コードメカニズムまたは、実行可能なコードメカニズムであってよい。
【００３０】
上述したように、本発明の１実施形態のフォトマスクは、所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する。該面は、該フォトマスクを該周縁部のみ保持して、露光装置内に実質的に水平な位置に配置した際に、該面が主に重力の影響で地面に実質的に平行になるよう、表面部分を適切な量除去することで形成される湾曲面である。該表面部分の除去される量は、該フォトマスクを実際の使用時のように、実質的に水平な位置に配置して測定した該面の平坦度に基づいてより正確に決定される。また、該面のターゲットとなる平坦度を設定し、測定された該面の平坦度が、該ターゲットとなる平坦度に到達するまで、該面の加工を繰り返すことにより、優れた精度で該パターン面の所望の湾曲形状が形成される。重力による面の変形や、実際の使用時の他の要因によって生じる変形を考慮して該フォトマスクの該面の形状を初めにデザインすることにより、該フォトマスクを露光装置内に水平に配置した際に、該フォトマスクのパターン面について実質的に平坦であることがより高い精度で達成される。重量や他の要因による該フォトマスクの変形によって、該フォトマスク上のオリジナルの回路パターンが変形せず、当初デザインされたパターンが維持される。結果として、本発明の本実施形態のフォトマスクを用いてウェハ上に転写された像は、よりピントが合っており、鮮明であり、コントラストおよび位置精度が改善された所望のパターンを有する。
【００３１】
本発明の１実施形態によれば、フォトマスクの製造方法は、所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する基板を与えること；外力（重力）の影響下での該基板の面の平坦度を測定するため、該面を下向きにして、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置すること；重力の影響が無い状態での該基板の面の平坦度を測定するため、該周縁部で保持して、該基板を実質的に垂直な位置に配置すること；２つの測定された平坦度を比較することにより、外力（重力）による該基板の面の変形量を得ること；該基板を実質的に水平な位置に保持した際に、可能な限り該基板の面を平坦にするため、該変形量に基づいて、該基板のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；該基板の表面部分を厚み方向に除去して、該ターゲットとなる面プロファイルを得るために、該面を加工することを含む。本発明の本実施形態の製造方法により製造されたフォトマスク基板を用いることにより、露光装置内に該基板を配置した際に、水平方向において、実質的に平坦な面を達成することができる。したがって、該フォトマスク上のパターンは、ウェハ上にコートされたフォトレジストにより正確に転写される。
【００３２】
また、本発明の１実施形態によるフォトマスク製造方法は、所定のパターンが形成される面を有する基板を与えること；該基板を露光装置内に配置すること；該基板に加わる外力による該基板の面の変形量を得ること；該基板を露光装置内に配置した際に、該基板の面を平坦にするために、該変形量に基づいて該基板のターゲットとなる面プロファイルを計算すること；および該所望の面プロファイルを得るために、該基板の面を加工することを含む。
【００３３】
さらに、本発明の１実施形態によれば、フォトマスクは、所定のパターンが形成される部分と、該部分の外側の周縁部と、を含む面を有する。該面は、該ターゲットとなる面プロファイルを得るために、該基板の表面部分を厚み方向に除去することにより形成される湾曲面である。該ターゲットとなる面プロファイルは、該面を下向きにし、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置した際の、該面のターゲットとなる平坦度、および、該基板の面の変形量に基づいて計算される。
【００３４】
さらに、本発明の１実施形態によれば、フォトマスク加工装置は、面分析機器、計算ユニット、面加工機器、および、プロセスコントローラを含む。該面は、所定のパターンが形成される部分、および、該部分の外側の周縁部を含む。該面分析機器は、該面を下向きにして、該周縁部で保持して、該基板を実質的に水平な位置に配置した際の該基板の平坦度、および、該基板を外的応力が最小限になるように保持した際の該基板の平坦度を測定することにより、該基板の面の変形量を測定するように設計されている。該計算ユニットは、該面分析機器により測定された該平坦度に基づいて、該基板のターゲットとなる面プロファイルを計算するように設計されている。該面加工機器は、該基板の表面部分を除去して、所望の該面プロファイルを得るために、該面を加工するように設計されている。該プロセスコントローラは、該面加工機器による該表面部分の除去を制御するよう設計されている。
【００３５】
さらに加えて、本発明の１実施形態によれば、所定のパターンが形成される部分、および、該部分の外側の周縁部を含む面を有する基板を与えること；周縁部で保持された該基板に加わる外力を分析することにより、該基板の面の変形量を得ること；該面の変形量に基づいて該基板のターゲットとなる面プロファイルを計算するこ；および該基板の表面部分を厚み方向に除去することにより、該基板の所望の面プロファイルを得るために、該面を加工することを、コンピュータが実行するのを制御するためのコンピュータ読み取り可能な媒体が与えられる。
【００３６】
上述した本発明の１実施形態によるフォトマスク製造方法について、以下の実施例１に基づいてさらに詳述する。
【実施例１】
【００３７】
火炎加水分解法により、ＳｉＣｌ4から合成石英ガラスを製造し、該合成石英ガラスを６インチ×６インチのエリアを有する、厚み約６．６ｍｍの基板に成形した。該基板を研削装置、例えば、浜井産業株式会社製のラップ盤／研磨盤（１２Ｂ）、内に配置し、平均粒径１０〜２０μｍを有するＳｉＣ研磨粒子を用いて、該基板の上面および底面を完全に研磨した。上面および底面は、その後、約０．５〜０．７μｍのＲＭＳ表面粗さを得るため、平均粒径約５〜１０μｍを有するＡｌ2Ｏ3研磨粒子を用いて研磨された。次に、硬度が異なる２つのポリウレタン製研磨パッドを該上面および底面に取り付け、該基板を研磨装置、例えば、浜井産業株式会社製のラップ盤／研磨盤（１２Ｂ）、内に配置し、平均粒径１〜２μｍを有する酸化セリウム研磨粒子を用いて、２つの面をそれぞれ厚み方向に約２００μｍ研磨した。ここで、２つの面の中でも、後でパターンが形成される面は、より硬度が低い研磨パッド、例えば、Ｒｏｄｅｌ  Ｎｉｔｔａ社製のショア硬度７５のＭＨＣ１４Ａ、を用いて研磨し、凸形状の面を得るように研磨を制御した。一方、他方の面は、より硬度の高い研磨パッド、例えば、Ｒｏｄｅｌ  Ｎｉｔｔａ社製のショア硬度８５のＭＨＣ１５Ａ、を用いて、凹形状の面を得るように研磨を制御した。研磨された基板は、その後、以下に述べる（Ｄa）値を得るために用いられる。
【００３８】
基板は、露光装置内で実際に使用される際に、複数の方法で保持することができるが、本実施例では、図３（ｂ）および図４に示すように、基板を水平に保持する方法を用いる。この場合、該基板は主に重力により変形する。したがって、上述した研磨された基板の（Ｄa）値は、実際に使用される露光装置内に該基板を水平に配置した際の該パターン面の平坦度を測定し、かつ、該基板に加わる外的応力が最小限になるように該基板を垂直に保持した際の同じ基板の該パターン面の平坦度を測定することにより得られる。平坦度の測定方法としては、例えば、特開２００４−３１６７８８号公報に記載の方法を用いることができる。その後、２つの平坦度の測定値の差を計算する。その結果、変形量、すなわち、測定された平坦度の値の差は、表１に示すように、０．５０μｍであり、該面は凸形状に変形した。
【表１】
2009508143.tif 000003
【００３９】
ターゲットとなる面平坦度（ＰＶt）は−０．２５μｍ（凹形状に０．２５μｍ）に設定され、ターゲットとなる基板形状（ＰＶt’）は、式（ＰＶt’）＝（ＰＶt）−（Ｄa）に基づいて、本実施例では、−０．７５μｍとなる。これは、凹形状を形成するために、該面を厚み方向に０．７５μｍ加工することを意味する。
【００４０】
次に、約０．５〜０．７μｍのＲＭＳ表面粗さを有する新たな基板を上記と同様の方法で作成した。異なる硬度を有する２つのポリウレタン製研磨パッドを該基板の上面および底面に取り付け、該基板を浜井産業株式会社製のラップ盤研削装置のような研磨装置内に配置し、平均粒径１〜２μｍの酸化セリウム研磨粒子を用いて、該上面および底面を厚み方向に約１２０μｍ全面研磨する。この時、２つの面の中でも、後でパターンが形成される面は、より硬度の高い研磨パッド、例えば、Ｒｏｄｅｌ  Ｎｉｔｔａ社製のショア硬度８５のＭＨＣ１５Ａ、を用いて、上記で得られた（ＰＶt’）にしたがって、ＰＶ値０．７５μｍ以内の平坦度を有する、凹形状の面を得るよう研磨を制御した。一方、他方の面は、より硬度の低い研磨パッド、例えば、Ｒｏｄｅｌ  Ｎｉｔｔａ社製のショア硬度７５のＭＨＣ１４Ａ、を用いて研磨し、凸形状の面を得るよう研磨を制御した。結果として、厚み６．３５ｍｍ、ＲＭＳ表面粗さ０．２μｍを有する６インチ×６インチの基板が得られた。その後、この基板は実際に使用するための露光装置内に水平に配置され、パターン面の平坦度が測定される。その結果、該面は凹形状であり、その平坦度のＰＶ値（ＰＶx）が厚み方向に−０．２４μｍとして得られた。これは、該面が、（ＰＶt）値−０．２５μｍとして示されるターゲットとなる面プロファイルよりも粗くないことを意味する。したがって、基板の加工は完了する。比較のため、該基板に加わる応力が最小限になるように、垂直に保持された該基板の同じ面の平坦度を測定したところ、厚み方向で−０．６９μｍ（凹形状に０．６９μｍ）であった。結果を表２に示す。
【表２】
2009508143.tif 000004
【００４１】
上述したように、表１の基板の場合のように、たとえパターン面自身がより小さい平坦度を有していても、露光装置内に実際に配置して基板で測定した同じ面の平坦度は、該面がより平坦ではないことを示している。したがって、該面は、実際の使用時の基板の配置により生じる変形を考慮して、プレ加工またはプレ成形する必要がある。
【００４２】
上記で教示した点に関して、本発明は、多数の修正およびバリエーションが明らかに可能である。したがって、本発明は、添付した請求項の範囲内である限り、本明細書に具体的に記載したもの以外にも実施可能であると理解される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、リソグラフィ用の露光装置の説明図である。
【図２】図２（ａ）は、実質的に平坦な面を有するフォトマスクの側面図であり、図２（ｂ）は、実質的に水平な位置に配置された図２（ａ）のフォトマスクの側面図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の１実施形態によるフォトマスクの側面図であり、図３（ｂ）は、実質的に水平な位置に配置された図３（ａ）のフォトマスクの側面図である。
【図４】図４は、図３（ｂ）のフォトマスクの面１１ａ側から見た平面図である。
【図５（ａ）】図５（ａ）は、本発明の１実施形態によるフォトマスクの製造方法を示したフロー図である。
【図５（ｂ）】図５（ｂ）は、図５（ａ）のステップ（Ｓ１）に関する部分フロー図である。
【図６】図６（ａ）は、図６（ｂ）のグラフのｘ軸およびｚ軸を示した説明図であり、図６（ｂ）は、図５（ａ）の方法で測定されたフォトマスクの面形状、および、ＰＶ値を示したｘ−ｚグラフである。
【図７】図７は、本発明の１実施形態によるフォトマスク加工装置のブロック図である。
【図８】図８は、フォトマスク加工装置のコントローラの説明図である。
【図１】
2009508143.tif 000005
【図２】
2009508143.tif 000006
【図３（ａ）】
2009508143.tif 000007
【図３（ｂ）】
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【図４】
2009508143.tif 000009
【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６（ａ）】
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【図６（ｂ）】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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