(57)【要約】  透明な複合導体が提供される。本複合導体は、透明な導電性材料を含む第１層とフッ素化酸ポリマーを含む第２層とを有する。
2009526351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な導電性材料を含む第１層と、
フッ素化酸ポリマーを含む第２層と
を含むことを特徴とする、５．０ｅＶより大きい仕事関数を有する複合導体。
【請求項２】
前記導電性材料が第１２族、１３族、および１４族元素の混合酸化物、金属、ならびに導電性ポリマーから選択されることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項３】
前記導電性材料がインジウム−スズ酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、アルミニウム−スズ酸化物、およびアンチモン−スズ酸化物から選択されることを特徴とする請求項２に記載の複合導体。
【請求項４】
前記導電性材料が金、銀、銅、およびニッケルから選択されることを特徴とする請求項２に記載の複合導体。
【請求項５】
前記導電性材料が、それらのいずれも置換または非置換であってもよい、チオフェン、ピロール、アニリン、および多環芳香族化合物のホモポリマーならびにコポリマーから選択されることを特徴とする請求項２に記載の複合導体。
【請求項６】
前記フッ素化酸ポリマーが部分的に、高度にまたは完全にフッ素化されていることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項７】
前記フッ素化酸ポリマーがカルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組み合わせから選択される酸性基を含むことを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項８】
前記酸性基がフッ素化側鎖上にあることを特徴とする請求項７に記載の複合導体。
【請求項９】
前記フッ素化酸ポリマーが式ＶＩＩ：
【化１】
2009526351.tif 000013
（式中、
ｂは１〜５の整数であり、
Ｒ１３はＯＨまたはＮＨＲ１４であり、そして
Ｒ１４はアルキル、フルオロアルキル、スルホニルアルキル、またはスルホニルフルオロアルキルである）
で表されるモノマーのホモポリマーまたはコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１０】
前記フッ素化酸ポリマーがモノマーＳＦＳおよびＳＦＳＩ：
【化２】
2009526351.tif 000014
のホモポリマーまたはコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１１】
前記フッ素化酸ポリマーが酸性基を有するトリフルオロスチレンモノマーのホモポリマーまたはコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１２】
前記トリフルオロスチレンモノマーが式ＶＩＩＩ：
【化３】
2009526351.tif 000015
（式中、
Ｗは（ＣＦ２）ｂ、Ｏ（ＣＦ２）ｂ、Ｓ（ＣＦ２）ｂ、（ＣＦ２）ｂＯ（ＣＦ２）ｂから選択され、
ｂは独立して１〜５の整数であり、
Ｒ１３はＯＨまたはＮＨＲ１４であり、そして
Ｒ１４はアルキル、フルオロアルキル、スルホニルアルキル、またはスルホニルフルオロアルキルである）
で表されることを特徴とする請求項１１に記載の複合導体。
【請求項１３】
前記フッ素化酸ポリマーが式ＩＸ：
【化４】
2009526351.tif 000016
（式中、
Ｒｆはフッ素化アルキレン、フッ素化ヘテロアルキレン、フッ素化アリーレン、またはフッ素化ヘテロアリーレンから選択され、
Ｒｇはフッ素化アルキレン、フッ素化ヘテロアルキレン、フッ素化アリーレン、フッ素化ヘテロアリーレン、アリーレン、またはヘテロアリーレンから選択され、そして
ｎは少なくとも４である）
で表されるスルホンイミドポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１４】
ＲｆおよびＲｇがパーフルオロアルキレン基であることを特徴とする請求項１３に記載の複合導体。
【請求項１５】
ＲｆおよびＲｇがエーテル酸素を含むことを特徴とする請求項１３に記載の複合導体。
【請求項１６】
ｎが２０より大きいことを特徴とする請求項１３に記載の複合導体。
【請求項１７】
前記フッ素化酸ポリマーが式ＸＩ：
【化５】
2009526351.tif 000017
（式中、
Ｒ１６はフッ素化アルキルまたはフッ素化アリール基であり、
ｃは各出現で同じかまたは異なるものであり、そして独立して０または１〜４の整数であり、そして
ｎは少なくとも４である）
で表されることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１８】
前記フッ素化酸ポリマーが式ＸＩＩ：
【化６】
2009526351.tif 000018
（式中、
ｄは０、１、または２であり、
Ｒ１７〜Ｒ２０は独立してＨ、ハロゲン、１〜１０個の炭素原子のアルキルまたはアルコキシ、Ｙ、Ｃ（Ｒｆ’）（Ｒｆ’）ＯＲ２１、Ｒ４ＹまたはＯＲ４Ｙであり、
ＹはＣＯＥ２、ＳＯ２Ｅ２、またはスルホンイミドであり、
Ｒ２１は水素または酸に不安定な保護基であり、
Ｒｆ’は各出現で同じかまたは異なるものであり、そして１〜１０個の炭素原子のフルオロアルキル基であるか、または一緒になってｅが２〜１０である（ＣＦ２）ｅであり、
Ｒ４はアルキレン基であり、
Ｅ２はＯＨ、ハロゲン、またはＯＲ７であり、そして
Ｒ５はアルキル基であり、
ただし、Ｒ１７〜Ｒ２０の少なくとも１つはＹ、Ｒ４ＹまたはＯＲ４Ｙであり、そしてＲ４、Ｒ５、およびＲ１７〜Ｒ２０は任意選択的にハロゲンまたはエーテル酸素で置換されていてもよい）
で表されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項１９】
前記フッ素化酸ポリマーがポリ（ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸、ポリ（ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸、およびポリ（パーフルオロエチレンエーテルスルホン酸）から選択されることを特徴とする請求項１に記載の複合導体。
【請求項２０】
請求項１に記載の複合導体を含むことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般に透明な導体に、およびかかる透明な導体を含有する電子デバイスに関する。
【０００２】
（関連出願の相互参照）
本出願は、全体として本明細書に参照により援用される、２００６年２月３日出願の、スウ（Ｈｓｕ）らの米国仮特許出願第６０／７６５，０３１号、「高い仕事関数を有する透明な複合導体（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｈｉｇｈ  Ｗｏｒｋ  Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）」の優先権を米国特許法第１．１９条（ｅ）に基づいて主張するものである。
【背景技術】
【０００３】
過去に使用されてきた透明な導体には、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）、インジウム−亜鉛酸化物（「ＩＺＯ」）、銀、およびカーボンナノチューブが含まれる。一般に、これらの導体は、５．０ｅＶより低い仕事関数を有する。電子デバイスでは、より高い仕事関数を有する透明な導体が必要とされている。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，４６３，００５号明細書
【特許文献２】米国特許第３，２８２，８７５号明細書
【特許文献３】米国仮特許出願第６０／１０５，６６２号明細書
【特許文献４】国際公開第９８３１７１６（Ａ１）号パンフレット
【特許文献５】米国仮特許出願第６０／１７６，８８１号明細書
【特許文献６】国際公開第９９／５２９５４（Ａ１）号パンフレット
【特許文献７】欧州特許出願公開第１  ０２６  １５２  Ａ１号明細書
【特許文献８】米国特許第４，３５８，５４５号明細書
【特許文献９】米国特許第４，９４０，５２５号明細書
【特許文献１０】米国特許第４，４３３，０８２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６，１５０，４２６号明細書
【特許文献１２】国際公開第０３／００６５３７号パンフレット
【特許文献１３】米国特許出願公開第２００４−０１０２５７７号明細書
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００４−０１２７６３７号明細書
【特許文献１５】米国特許第６，６７０，６４５号明細書
【特許文献１６】ＰＣＴ出願国際公開第０３／０６３５５５号パンフレット
【特許文献１７】国際公開第２００４／０１６７１０号パンフレット
【特許文献１８】ＰＣＴ国際公開第０３／００８４２４号パンフレット
【特許文献１９】国際公開第０３／０９１６８８号パンフレット
【特許文献２０】国際公開第０３／０４０２５７号パンフレット
【特許文献２１】米国特許第６，３０３，２３８号明細書
【特許文献２２】ＰＣＴ国際公開第００／７０６５５号パンフレット
【特許文献２３】国際公開第０１／４１５１２号パンフレット
【非特許文献１】Ａ．フェイリング（Ａ．Ｆｅｉｒｉｎｇ）ら著、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １０５（２０００）、１２９−１３５ページ
【非特許文献２】Ａ．フェイリングら著、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ３３（２０００）９２６２−９２７１ページ
【非特許文献３】Ｄ．Ｄ．デスマルチュー（Ｄ．Ｄ．Ｄｅｓｍａｒｔｅａｕ）著、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｈｅｍ．７２（１９９５）、２０３−２０８ページ
【非特許文献４】Ａ．Ｊ．アップルバイ（Ａ．Ｊ．Ａｐｐｌｅｂｙ）ら著、Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１４０（１９９３−１）、１０９−１１１ページ
【非特許文献５】Ｙ．ワン（Ｙ．Ｗａｎｇ）著、カーク−オスマー化学技術百科事典（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）、第４版、第１８巻、１９９６年、８３７−８６０ページ
【非特許文献６】Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｓｃｉｅｎｃｅ、３１６（１９９４）、３８０ページ
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
５．０ｅＶより大きい仕事関数を有する複合導体が提供される。本複合導体は、５．０ｅＶ未満の仕事関数を有する透明な導電性材料を含む第１層と、フルオロポリマー酸またはフッ素化ポリスルホンイミドを含む第２層とを含む。
【０００６】
上記の透明な複合導体を含有する電子デバイスもまた提供される。
【０００７】
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、例示的および説明的なものであり、添付の特許請求の範囲に規定されるような本発明を限定するものではない。
【０００８】
実施形態は、本明細書に提示されるような概念の理解を高めるために添付の図に例示される。
【０００９】
当業者は、図中の対象が簡単および明確にするために例示され、そして一定の縮尺で必ずしも描かれていないことを理解するであろう。例えば、図中の対象の幾つかの寸法は、実施形態の理解を高めることを助けるために他の対象と比べて拡大されていることがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
５．０ｅＶより大きい仕事関数を有する複合導体が提供される。本複合導体は、透明な導電性材料を含む第１層と、フッ素化酸ポリマーを含む第２層とを含む。
【００１１】
一実施形態では、第１層は５．０ｅＶ未満の仕事関数を有する。
【００１２】
一実施形態では、第１層は第２層の厚さより大きい厚さを有する。
【００１３】
一実施形態では、第２層は１００ｎｍ未満の厚さを有する。一実施形態では、厚さは１０ｎｍ未満である。
【００１４】
上記の透明な複合導体を含有する電子デバイスもまた提供される。
【００１５】
多くの態様および実施形態は本明細書に記載され、例示的なものであるに過ぎず、限定するものではない。本明細書を読んだ後で、当業者は、他の態様および実施形態が本発明の範囲から逸脱することなく可能であることを理解するであろう。
【００１６】
実施形態の任意の１つまたは複数の他の特徴および利益は、以下の詳細な説明から、および特許請求の範囲から明らかであろう。詳細な説明は、先ず用語の定義および明確化、引き続き透明な導電性材料、フッ素化酸ポリマー、複合導体の製造方法、有機電子デバイス、そして最後に実施例を取り扱う。
【００１７】
（１．用語の定義および明確化）
下に記載される実施形態の詳細を取り扱う前に、幾つかの用語が定義されるかまたは明確にされる。
【００１８】
用語「導体」およびその変形は、電流が電位の実質的な降下なしにかかる層材料、部材、または構造を通って流れるような電気特性を有する層材料、部材、または構造を意味することを意図される。本用語は半導体を含むことを意図される。一実施形態では、導体は、少なくとも１０−６Ｓ／ｃｍの導電率を有する層を形成するであろう。
【００１９】
用語「仕事関数」は、表面から無限の距離離れたポイントまである材料から電子を取り去るために必要な最小エネルギーを意味することを意図される。
【００２０】
用語「フッ素化酸ポリマー」は、炭素に結合した少なくとも１つの水素がフッ素で置換された、酸性基を有するポリマーを意味する。本用語は、全てのＣ−Ｈ水素がフッ素で置換されているパーフッ素化化合物を含む。用語「酸性基」は、ブレンステッド塩基に水素イオンを供与して塩を形成するためにイオン化することでできる基を意味する。
【００２１】
用語「フルオロポリスルホンイミド」は、多数のスルホンイミド基を有し、炭素に結合した少なくとも１つの水素がフッ素で置換されたポリマーを意味する。本用語は、全てのＣ−Ｈ水素がフッ素で置換されているパーフッ素化化合物を含む。
【００２２】
用語「透明な」は、使用される厚さで、材料が４００〜７００ｎｍの範囲の入射光の少なくとも５０％を透過させることを意味することを意図される。一実施形態では、材料は入射光の少なくとも８０％を透過させる。材料は１つの厚さで透明であり、そしてより大きい厚さで透明ではないことがあることは理解される。
【００２３】
本明細書で用いるところでは、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「はじめとする（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有している（ｈａｖｉｎｇ）」またはそれらの任意の他の変形は非限定的な包含をカバーすることを意図される。例えば、要素のリストを含むプロセス、方法、物品、もしくは装置は、それらの要素のみに必ずしも限定されず、明示的にリストされない、またはかかるプロセス、方法、物品、もしくは装置に固有の他の要素を含んでもよい。さらに、相反する明示的な記載がない限り、「または」は包含的な「または」を意味し、排他的な「または」を意味しない。例えば、条件ＡまたはＢは、次の任意の１つによって満たされる：Ａは真（または存在する）およびＢは偽（または存在しない）、Ａは偽（または存在しない）およびＢは真または存在する）、ならびにＡおよびＢの両方とも真（または存在する）。
【００２４】
同様に、単数形（「ａ」または「ａｎ」）の使用は、本明細書に記載される要素および構成要素を記載するために用いられる。これは、便宜上および本発明の範囲の一般的な意味を示すために行われるに過ぎない。この記載は、１つまたは少なくとも１つおよび単数形を含むと読まれるべきであり、単数が別段に意図されていることが明らかでない限り複数をも含む。
【００２５】
元素の周期表内の列に相当する族番号は、化学および物理学のＣＲＣハンドブック（ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）、第８１版（２０００−２００１年）に見られるような「新たな表記法」慣習を用いる。
【００２６】
特に定義されない限り、本明細書に用いられる全ての技術および科学用語は、本開示に関係する当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。本明細書に記載されるものに類似または等価の方法および材料を本発明の実施形態の実施または試験に用いることができるが、好適な方法および材料は下に記載される。本明細書に記載される全ての刊行物、特許出願、特許、および他の参考文献は、特に記載がない限り、全体として参照により本明細書に援用される。矛盾が生じた場合には、定義を含む本明細書が優先される。加えて、材料、方法、および実施例は例示的なものであるに過ぎず、限定的であることを意図されない。
【００２７】
本明細書に記載されない限り、具体的な材料、処理行動、および回路に関する多くの詳細は慣例的なものであり、教科書および有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光起電、および半導体部材技術内の他の情報源に見いだされ得る。
【００２８】
（２．透明な導体）
複合導体中の第１層は透明な導電性材料を含む。一実施形態では、第１層は５．０ｅＶ未満の仕事関数を有する。導電性材料は金属、混合金属、合金、金属酸化物、混合酸化物、導電性ポリマーまたはカーボンナノチューブであることができる。
【００２９】
一実施形態では、導電性材料は、第１２族、１３族および１４族元素の混合酸化物から選択される。本明細書で用いるところでは、語句「混合酸化物」は、第２族元素または第１２族、１３族、もしくは１４族元素から選択された２つ以上の異なるカチオンを有する酸化物を意味する。導電性混合酸化物の幾つかの非限定的な、具体的な例には、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）、インジウム−亜鉛酸化物、アルミニウム−スズ酸化物、およびアンチモン−スズ酸化物が挙げられるが、それらに限定されない。一実施形態では、導電性材料はＩＴＯである。
【００３０】
一実施形態では、導電性材料は金属である。金属層は、本明細書に定義されるように、透明であるために十分に薄いであろう。一実施形態では、金属は金、銀、銅、またはニッケルである。一実施形態では、金属は銀である。
【００３１】
一実施形態では、導電性材料は導電性ポリマーである。導電性ポリマーの幾つかの非限定的な、具体的な例には、置換または非置換であってもよく、チオフェン、ピロール、アニリン、および多環芳香族化合物のホモポリマーならびにコポリマーが挙げられる。用語「多環芳香族化合物」は、２つ以上の芳香環を有する化合物を意味する。環は１つまたは複数の結合で連結されていてもよいし、またはそれらは一緒に縮合していてもよい。用語「芳香環」は複素芳香環を含むことを意図される。「多環複素芳香族」化合物は少なくとも１つの複素芳香環を有する。
【００３２】
（３．フッ素化酸ポリマー）
フッ素化酸ポリマーは、フッ素化されている、そして酸性プロトンを有する酸性基を有する任意のポリマーであることができる。本用語には、部分的におよび完全にフッ素化された材料が含まれる。一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは高度にフッ素化されている。用語「高度にフッ素化されている」は、炭素に結合した利用可能な水素の少なくとも５０％がフッ素で置換されたことを意味する。酸性基は、イオン化できるプロトンを供給する。一実施形態では、酸性プロトンは３未満のｐＫａを有する。一実施形態では、酸性プロトンは０未満のｐＫａを有する。一実施形態では、酸性プロトンは−５未満のｐＫａを有する。酸性基はポリマー主鎖に直接結合することができるか、またはそれはポリマー主鎖上の側鎖に結合することができる。酸性基の例には、カルボン酸基、スルホン酸基、スルホンイミド基、リン酸基、ホスホン酸基、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。酸性基はすべて同じものであることができるか、またはポリマーは２つ以上のタイプの酸性基を有してもよい。
【００３３】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは水溶性である。一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは水に分散する。
【００３４】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは有機溶媒湿潤性である。用語「有機溶媒湿潤性」は、フィルムに成形されたときに、有機溶媒によって湿潤性である材料を関する。一実施形態では、湿潤性材料は、４０°以下の接触角のフェニルヘキサンによって湿潤性であるフィルムを形成する。本明細書で用いるところでは、用語「接触角」は図１に示される角度φを意味することを意図される。液体媒体の小滴について、角度φは、表面の平面と小滴の外縁から表面への線との交差点によって画定される。さらに、角度φは、塗布された後小滴が表面上で平衡位置に達した後に測定される、すなわち「静的接触角」である。有機溶媒湿潤性フッ素化ポリマー酸のフィルムが表面として表される。一実施形態では、接触角は３５°以下である。一実施形態では、接触角は３０°以下である。接触角の測定方法はよく知られている。
【００３５】
一実施形態では、ポリマー主鎖はフッ素化されている。好適なポリマー主鎖の例には、ポリオレフィン、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド、ポリアクリルアミド、ポリスチレン、およびそれらのコポリマーが挙げられるが、それらに限定されない。一実施形態では、ポリマー主鎖は高度にフッ素化されている。一実施形態では、ポリマー主鎖は完全にフッ素化されている。
【００３６】
一実施形態では、酸性基はスルホン酸基またはスルホンイミド基である。スルホンイミド基は式：
−ＳＯ２−ＮＨ−ＳＯ２−Ｒ
（式中、Ｒはアルキル基である）
で表される。
【００３７】
一実施形態では、酸性基はフッ素化側鎖上にある。一実施形態では、フッ素化側鎖は、アルキル基、アルコキシ基、アミド基、エーテル基、およびそれらの組み合わせから選択される。
【００３８】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、ペンダント・フッ素化エーテルスルホネート、フッ素化エステルスルホネート、またはフッ素化エーテルスルホンイミド基付きの、フッ素化オレフィン主鎖を有する。一実施形態では、ポリマーは、１，１−ジフルオロエチレンと２−（１，１−ジフルオロ−２−（トリフルオロメチル）アリルオキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。一実施形態では、ポリマーは、エチレンと２−（２−（１，２，２−トリフルオロビニルオキシ）−１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホン酸とのコポリマーである。これらのコポリマーは、相当するスルホニルフルオリドポリマーとして製造することができ、次にスルホン酸形に変換することができる。
【００３９】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、フッ素化されたおよび部分的にスルホン化されたポリ（アリーレンエーテルスルホン）のホモポリマーまたはコポリマーである。コポリマーはブロックコポリマーであることができる。コモノマーの例には、ブタジエン、ブチレン、イソブチレン、スチレン、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。
【００４０】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは式ＶＩＩ：
【００４１】
【化１】
2009526351.tif 000003
【００４２】
（式中、
ｂは１〜５の整数であり、
Ｒ１３はＯＨまたはＮＨＲ１４であり、そして
Ｒ１４はアルキル、フルオロアルキル、スルホニルアルキル、またはスルホニルフルオロアルキルである）
で表されるモノマーのホモポリマーまたはコポリマーである。
【００４３】
一実施形態では、モノマーは下に示される「ＳＦＳ」または「ＳＦＳＩ」である。
【００４４】
【化２】
2009526351.tif 000004
【００４５】
重合後に、ポリマーは酸形に変換することができる。
【００４６】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、酸性基を有するトリフルオロスチレンのホモポリマーまたはコポリマーである。一実施形態では、トリフロオロスチレンモノマーは式ＶＩＩＩ：
【００４７】
【化３】
2009526351.tif 000005
【００４８】
（式中、
Ｗは（ＣＦ２）ｂ、Ｏ（ＣＦ２）ｂ、Ｓ（ＣＦ２）ｂ、（ＣＦ２）ｂＯ（ＣＦ２）ｂから選択され、
ｂは独立して１〜５の整数であり、
Ｒ１３はＯＨまたはＮＨＲ１４であり、そして
Ｒ１４はアルキル、フルオロアルキル、スルホニルアルキル、またはスルホニルフルオロアルキルである）
で表される。
【００４９】
一実施形態では、Ｓ（ＣＦ２）ｑに等しいＷを含有するモノマーが重合され、次に酸化されてＳＯ２（ＣＦ２）ｑに等しいＷを含有するポリマーを与える。一実施形態では、Ｆに等しいＲ１３を含有するポリマーは、Ｒ１３がＯＨまたはＮＨＲ１４に等しいその酸形に変換される。
【００５０】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは式ＩＸ：
【００５１】
【化４】
2009526351.tif 000006
【００５２】
（式中、
Ｒｆはフッ素化アルキレン、フッ素化ヘテロアルキレン、フッ素化アリーレン、またはフッ素化ヘテロアリーレンから選択され、
Ｒｇはフッ素化アルキレン、フッ素化ヘテロアルキレン、フッ素化アリーレン、フッ素化ヘテロアリーレン、アリーレン、またはヘテロアリーレンから選択され、そして
ｎは少なくとも４である）
で表されるスルホンイミドポリマーである。
【００５３】
式ＩＸの一実施形態では、ＲｆおよびＲｇはパーフルオロアルキレン基である。一実施形態では、ＲｆおよびＲｇはパーフルオロブチレン基である。一実施形態では、ＲｆおよびＲｇはエーテル酸素を含有する。一実施形態では、ｎは２０より大きい。
【００５４】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、フッ素化ポリマー主鎖と式Ｘ：
【００５５】
【化５】
2009526351.tif 000007
【００５６】
（式中、
Ｒ１５はフッ素化アルキレン基またはフッ素化ヘテロアルキレン基であり、
Ｒ１６はフッ素化アルキルまたはフッ素化アリール基であり、
Ｒｇはフッ素化アルキレン、フッ素化ヘテロアルキレン、フッ素化アリーレン、フッ素化ヘテロアリーレン、アリーレン、またはヘテロアリーレンから選択され、そして
ａは０または１〜４の整数である）
で表される側鎖とを含む。
【００５７】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは式ＸＩ：
【００５８】
【化６】
2009526351.tif 000008
【００５９】
（式中、
Ｒ１６はフッ素化アルキルまたはフッ素化アリール基であり、
ｃは各出現で同じかまたは異なるものであり、独立して０または１〜４の整数であり、そして
ｎは少なくとも４である）
で表される。
【００６０】
フッ素化酸ポリマーの合成は、例えば、（非特許文献１）、（非特許文献２）、（非特許文献３）、（非特許文献４）、およびデスマルチューの米国特許公報（特許文献１）に記載されてきた。
【００６１】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、構造（ＸＩＩ）：
【００６２】
【化７】
2009526351.tif 000009
【００６３】
（式中、ｄは０、１、または２であり、
Ｒ１７〜Ｒ２０は独立して、Ｈ、ハロゲン、１〜１０個の炭素原子のアルキルまたはアルコキシ、Ｙ、Ｃ（Ｒｆ’）（Ｒｆ’）ＯＲ２１、Ｒ４ＹまたはＯＲ４Ｙであり、
ＹはＣＯＥ２、ＳＯ２Ｅ２、またはスルホンイミドであり、
Ｒ２１は水素または酸に不安定は保護基であり、
Ｒｆ’は各出現で同じかまたは異なるものであり、１〜１０個の炭素原子のフルオロアルキル基であるか、または一緒になってｅが２〜１０である（ＣＦ２）ｅであり、
Ｒ４はアルキレン基であり、
Ｅ２はＯＨ、ハロゲン、またはＯＲ７であり、そして
Ｒ５はアルキル基であり、
ただし、Ｒ１７〜Ｒ２０の少なくとも１つはＹ、Ｒ４ＹまたはＯＲ４Ｙであり、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ１７〜Ｒ２０は任意選択的にハロゲンまたはエーテル酸素で置換されていてもよい）
で表されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの繰り返し単位を含む。
【００６４】
構造（ＸＩＩ）のそして本発明の範囲内の代表的なモノマーの幾つかの例示的な、しかし非限定的な例が下に提示される：
【００６５】
【化８】
2009526351.tif 000010
【００６６】
式中、Ｒ２１は、第三級カチオンを形成するかまたはそれに転位することができる基、より典型的には１〜２０個の炭素原子のアルキル基、最も典型的にはｔ−ブチルである。
【００６７】
式中、ｄ＝０である構造（ＸＩＩ）、構造（ＸＩＩ−ａ）の化合物は、下の方程式に示されるように構造（ＸＩＩＩ）の不飽和化合物とクワドリシクラン（テトラシクロ［２．２．１．０２，６０３，５］ヘプタン）とのシクロ付加反応によって製造されてもよい。
【００６８】
【化９】
2009526351.tif 000011
【００６９】
反応は、ジエチルエーテルなどの不活性溶媒の不存在または存在下に約０℃〜約２００℃、より典型的には約３０℃〜約１５０℃の範囲の温度で行われてもよい。試薬または溶媒の１つまたは複数の沸点でまたはそれより高い温度で行われる反応については、密閉反応器が揮発性成分の損失を避けるために典型的には用いられる。ｄのより高い値（すなわち、ｄ＝１または２）の構造（ＸＩＩ）の化合物は、当該技術分野で公知であるように、ｄ＝０の構造（ＸＩＩ）の化合物とシクロペンタジエンとの反応によって製造されてもよい。
【００７０】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーはまた、エチレン性不飽和炭素に結合した少なくとも１つのフッ素原子を含有する少なくとも１つのエチレン性不飽和化合物から誘導される繰り返し単位を含む。フルオロオレフィンは２〜２０個の炭素原子を含む。代表的なフルオロオレフィンには、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、クロロトリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、パーフルオロ−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソール）、パーフルオロ−（２−メチレン−４−メチル−１，３−ジオキソラン）、ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）ｔＣＦ＝ＣＦ２（式中、ｔは１または２である）、およびＲｆ”ＯＣＦ＝ＣＦ２（式中、Ｒｆ”は１〜約１０個の炭素原子の飽和フルオロアルキル基である）が含まれるが、それらに限定されない。一実施形態では、コモノマーはテトラフルオロエチレンである。
【００７１】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーはコロイド形成ポリマー酸である。本明細書で用いるところでは、用語「コロイド形成」は、水に不溶性であり、そして水性媒体へ分散されたときにコロイドを形成する材料に関する。コロイド形成ポリマー酸は典型的には約１０，０００〜約４，０００，０００の範囲の分子量を有する。一実施形態では、ポリマー酸は約１００，０００〜約２，０００，０００の分子量を有する。コロイド粒度は典型的には２ナノメートル（ｎｍ）〜約１４０ｎｍの範囲である。一実施形態では、コロイドは、２ｎｍ〜約３０ｎｍの粒度を有する。酸性プロトンを有するいかなるコロイド形成ポリマー材料も使用することができる。一実施形態では、コロイド形成フッ素化ポリマー酸は、カルボン酸基、スルホン酸基、およびスルホンイミド基から選択された酸性基を有する。一実施形態では、コロイド形成フッ素化ポリマー酸はポリマースルホン酸である。一実施形態では、コロイド形成ポリマースルホン酸はパーフッ素化されている、一実施形態では、コロイド形成ポリマースルホン酸はパーフルオロアルキレンスルホン酸である。
【００７２】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、シロキサンスルホン酸を含むペンダント基を有するポリマー主鎖を含む。一実施形態では、シロキサン・ペンダント基は下の式：
−ＯａＳｉ（ＯＨ）ｂ−ａＲ２２３−ｂＲ２３ＲｆＳＯ３Ｈ
（式中、
ａは１〜ｂであり、
ｂは１〜３であり、
Ｒ２２は、アルキル、アリール、およびアリールアルキルからなる群から独立して選択された非加水分解性基であり、
Ｒ２３は、１つまたは複数のエーテル酸素原子で置換されていてもよい、二座アルキレン基であり、ただし、Ｒ２３はＳｉとＲｆとの間に線状に配置された少なくとも２個の炭素原子を有し、そして
Ｒｆは、１つまたは複数のエーテル酸素原子で置換されていてもよい、パーフルオロアルキレン基である）
で表される。
【００７３】
一実施形態では、ペンダント・シロキサン基を有するフッ素化酸ポリマーはフッ素化主鎖を有する。一実施形態では、主鎖はパーフッ素化されている。
【００７４】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、フッ素化主鎖と式（ＸＩＶ）
−Ｏｇ−［ＣＦ（Ｒｆ２）ＣＦ−Ｏｈ］ｉ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ３Ｈ  （ＸＩＶ）
（式中、Ｒｆ２はＦ、または非置換か１つまたは複数のエーテル酸素原子で置換されたかのいずれかの１〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロアルキル基であり、ｈ＝０または１、ｉ＝０〜３、ｇ＝０または１である）
で表されるペンダント基とを有する。
【００７５】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは式（ＸＶ）
【００７６】
【化１０】
2009526351.tif 000012
【００７７】
（式中、ｊ≧０、ｋ≧０および４≦（ｊ＋ｋ）≦１９９であり、Ｑ１およびＱ２はＦまたはＨであり、Ｒｆ２はＦ、または非置換か１つまたは複数のエーテル酸素原子で置換されたかのいずれかの１〜１０個の炭素原子を有するパーフルオロアルキル基であり、ｈ＝０または１、ｉ＝０〜３、ｇ＝０または１であり、そしてＥ４はＨまたはアルカリ金属である）
で表される。一実施形態では、Ｒｆ２は−ＣＦ３であり、ｇ＝１、ｈ＝１、ｉ＝１である。一実施形態では、ペンダント基は３〜１０モル％の濃度で存在する。
【００７８】
一実施形態では、Ｑ１はＨであり、ｋ≧０、Ｑ２はＦであり、それは、コノリー（Ｃｏｎｎｏｌｌｙ）らの米国特許公報（特許文献２）の教示に従って合成されてもよい。別の好ましい実施形態では、Ｑ１はＨであり、Ｑ２はＨであり、ｇ＝０、Ｒｆ２はＦであり、ｈ＝１、ｉ＝１であり、それは米国特許公報（特許文献３）の教示に従って合成されてもよい。さらに他の実施形態は、ドライスデール（Ｄｒｙｓｄａｌｅ）らの（特許文献４）、およびチョイ（Ｃｈｏｉ）らの同時係属中の米国特許公報（特許文献５）、および（特許文献６）での様々な教示に従って合成されてもよい。
【００７９】
一実施形態では、コロイド形成ポリマー酸は、高度にフッ素化されたスルホン酸ポリマー（「ＦＳＡポリマー」）である。「高度にフッ素化された」は、ポリマー中のハロゲンおよび水素原子の総数の少なくとも約５０％、一実施形態では少なくとも約７５％、そして別の実施形態では少なくとも約９０％がフッ素原子であることを意味する。一実施形態では、ポリマーはパーフッ素化されている。用語「スルホネート官能基」は、スルホン酸基かスルホン酸基の塩、一実施形態ではアルカリ金属またはアンモニウム塩かのいずれかを意味する。官能基は式−ＳＯ３Ｅ５（式中、Ｅ５はカチオンであり、「対イオン」としても知られる）で表される。Ｅ５はＨ、Ｌｉ、Ｎａ、ＫまたはＮ（Ｒ１）（Ｒ２）（Ｒ３）（Ｒ４）であり、そしてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は同じかまたは異なるものであり、一実施形態ではＨ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である。別の実施形態では、Ｅ５はＨであり、その場合にはポリマーは「酸形」にあると言われる。Ｅ５はまた、Ｃａ＋＋、およびＡｌ＋＋＋のようなイオンで表されるような多価であってもよい。一般にＭｘ＋として表される多価対イオンの場合には、対イオン当たりのスルホネート官能基の数は、原子価「ｘ」に等しいであろうことは当業者には明らかである。
【００８０】
一実施形態では、ＦＳＡポリマーは、主鎖に結合した繰り返し側鎖付きのポリマー主鎖、カチオン交換基を持つ側鎖を含む。ポリマーには、ホモポリマーまたは２つ以上のモノマーのコポリマーが含まれる。コポリマーは典型的には、一官能性モノマーとカチオン交換基またはその前駆体、例えば、スルホネート官能基にその後加水分解することができるスルホニルフルオリド基（−ＳＯ２Ｆ）を持つ第２モノマーとから形成される。例えば、スルホニルフルオリド基（−ＳＯ２Ｆ）を有する第２フッ素化ビニルモノマーと一緒の第１フッ素化ビニルモノマーのコポリマーを使用することができる。可能な第１モノマーには、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロピレン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、およびそれらの組み合わせが含まれる。ＴＦＥが好ましい第１モノマーである。
【００８１】
他の実施形態では、可能な第２モノマーには、ポリマー中に所望の側鎖を提供することができるスルホネート官能基または前駆体基を持ったフッ素化ビニルエーテルが含まれる。エチレン、プロピレン、およびＲ−ＣＨ＝ＣＨ２（式中、Ｒは１〜１０個の炭素原子のパーフッ素化アルキル基である）をはじめとする追加のモノマーを、必要に応じてこれらのポリマーに組み込むことができる。本ポリマーは、ポリマー鎖に沿ったモノマー単位の分布がそれらの相対的な濃度および相対的な反応性に従うように、コモノマーの相対的な濃度ができる限り一定に保たれる重合によって製造されるコポリマーである、ランダムコポリマーと本明細書で言われるタイプのものであってもよい。重合の過程でモノマーの相対的な濃度を変えることによって製造された、それほどランダムではないコポリマーがまた使用されてもよい。（特許文献７）に開示されているものなどの、ブロックコポリマーと呼ばれるタイプのポリマーがまた使用されてもよい。
【００８２】
一実施形態では、本発明で使用するためのＦＳＡポリマーは、高度にフッ素化された、一実施形態ではパーフッ素化された炭素主鎖と式
−（Ｏ−ＣＦ２ＣＦＲｆ３）ａ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦＲｆ４ＳＯ３Ｅ５
（式中、Ｒｆ３およびＲｆ４は独立して、Ｆ、Ｃｌまたは１〜１０個の炭素原子を有するパーフッ素化アルキル基から選択され、ａ＝０、１または２、Ｅ５はＨ、Ｌｉ、Ｎａ、ＫまたはＮ（Ｒ１）（Ｒ２）（Ｒ３）（Ｒ４）であり、そしてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４は同じかまたは異なるものであり、一実施形態ではＨ、ＣＨ３またはＣ２Ｈ５である）
で表される側鎖とを含む。別の実施形態ではＥ５はＨである。上記のように、Ｅ５は多価であってもよい。
【００８３】
一実施形態では、ＦＳＡポリマーには、例えば、米国特許公報（特許文献２）にならびに米国特許公報（特許文献８）および米国特許公報（特許文献９）に開示されているポリマーが含まれる。好ましいＦＳＡポリマーの例は、パーフルオロカーボン主鎖と式
−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ３Ｅ５
（式中、Ｅ５は上に定義された通りである）
で表される側鎖とを含む。このタイプのＦＳＡポリマーは米国特許公報（特許文献２）に開示されており、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とパーフッ素化ビニルエーテルＣＦ２＝ＣＦ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ、パーフルオロ（３，６−ジオキサ−４−メチル−７−オクテンスルホニルフルオリド）（ＰＤＭＯＦ）との共重合、引き続くスルホニルフルオリド基の加水分解によるスルホネート基への変換によって製造し、そしてそれらを所望のイオン形に変換するために必要に応じてイオン交換することができる。米国特許公報（特許文献８）および米国特許公報（特許文献９）に開示されているタイプのポリマーの例は、Ｅ５が上に定義されたようなものである側鎖−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ３Ｅ５を有する。このポリマーは、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とパーフッ素化ビニルエーテルＣＦ２＝ＣＦ−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ、パーフルオロ（３−オキサ−４−ペンテンスルホニルフルオリド）（ＰＯＰＦ）との共重合、引き続く加水分解および必要に応じてさらなるイオン交換によって製造することができる。
【００８４】
一実施形態では、本発明で使用するためのＦＳＡポリマーは典型的には、約３３未満のイオン交換比を有する。本出願では、「イオン交換比」または「ＩＸＲ」は、カチオン交換基との関連でのポリマー主鎖中の炭素原子の数と定義される。約３３未満の範囲内で、ＩＸＲは特定の用途向けに望ましいように変えることができる。一実施形態では、ＩＸＲは約３〜約３３、別の実施形態では約８〜約２３である。
【００８５】
ポリマーのカチオン交換容量はしばしば当量（ＥＷ）の観点から表される。本出願の目的のためには、当量（ＥＷ）は、１当量の水酸化ナトリウムを中和するために必要とされる酸形のポリマーの重量であると定義される。ポリマーがパーフルオロカーボン主鎖を有し、そして側鎖が−Ｏ−ＣＦ２−ＣＦ（ＣＦ３）−Ｏ−ＣＦ２−ＣＦ２−ＳＯ３Ｈ（またはそれの塩）であるスルホネートポリマーの場合には、約８〜約２３のＩＸＲに相当する当量範囲は約７５０ＥＷ〜約１５００ＥＷである。本ポリマーについてのＩＸＲは、式：５０ＩＸＲ＋３４４＝ＥＷを用いて当量と関係づけることができる。同じＩＸＲ範囲が米国特許公報（特許文献８）および米国特許公報（特許文献９）に開示されているスルホネートポリマー、例えば、側鎖−Ｏ−ＣＦ２ＣＦ２ＳＯ３Ｈ（またはそれの塩）を有するポリマーについて用いられるが、当量は、カチオン交換基を含有するモノマー単位のより低い分子量のために幾分より低い。約８〜約２３の好ましいＩＸＲ範囲については、相当する当量範囲は約５７５ＥＷ〜約１３２５ＥＷである。本ポリマーについてのＩＸＲは、式：５０ＩＸＲ＋１７８＝ＥＷを用いて当量と関係づけることができる。
【００８６】
ＦＳＡポリマーは、コロイド状の水性分散系として製造することができる。それらはまた、その例には、アルコール、テトラヒドロフランなどの水溶性エーテル、水溶性エーテルの混合物、およびそれらの組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない、他の媒体中の分散系の形態にあってもよい。本分散系を製造する際に、ポリマーは酸形で使用することができる。米国特許公報（特許文献１０）、米国特許公報（特許文献１１）および（特許文献１２）は、水性アルコール性分散系の製造方法を開示している。分散系が製造された後に、濃度および分散液体組成を当該技術分野で公知の方法によって調整することができる。
【００８７】
ＦＳＡポリマーをはじめとする、コロイド形成ポリマー酸の水性分散系は、安定なコロイドが形成される限り、できる限り小さい粒度およびできる限り小さいＥＷを典型的には有する。
【００８８】
ＦＳＡポリマーの水性分散系は、本願特許出願人から、ナフィオン（Ｎａｆｉｏｎ）（登録商標）分散系として商業的に入手可能である。
【００８９】
（４．複合導体の製造方法）
複合導体の第１および第２層は、層を形成するための任意の技法を用いて製造することができる。一実施形態では、第１層が先ず形成され、第２層が第１層の少なくとも一部上に直接形成される。一実施形態では、第２層は全体第１層上におよびそれをカバーして直接形成される。一実施形態では、第２層が先ず形成され、第１層が第２層の少なくとも一部上に直接形成される。
【００９０】
一実施形態では、第１層は基材上への蒸着によって形成される。スパッタリング、熱蒸発、化学蒸着などをはじめとする、任意の蒸着技法を用いることができる。化学蒸着は、プラズマ強化化学蒸着（「ＰＥＣＶＤ」）または金属有機化学蒸着（「ＭＯＣＶＤ」）として行われてもよい。物理蒸着は、ｅ−ビーム蒸発および抵抗蒸発だけでなく、イオンビームスパッタリングをはじめとする、スパッタリングの全ての形態を含むことができる。物理蒸着の具体的な形態には、ｒｆマグネトロンスパッタリングおよび誘導結合プラズマ物理蒸着（「ＩＭＰ−ＰＶＤ」）が含まれる。これらの蒸着技法は、半導体製造技術内でよく知られている。一実施形態では、第１層は導電性の金属、金属酸化物、または混合酸化物を含み、蒸着によって形成される。
【００９１】
一実施形態では、第１層は導電性ポリマーを含み、液体組成物からの液相成長によって基材上に形成される。用語「液体組成物」は、その中に材料が溶解されて溶液を形成する液体媒体、その中に材料が分散されて分散系を形成する液体媒体、またはその中に材料が懸濁されて懸濁液またはエマルジョンを形成する液体媒体を意味することを意図される。用語「液体媒体」は、純液体、液体の組み合わせ、溶液、分散系、懸濁液、およびエマルジョンをはじめとする、液体材料を意味することを意図される。液体媒体は、１つまたは複数の溶媒が存在するかどうかにかかわらず使用される。一実施形態では、液体媒体は、ある溶媒または２つ以上の溶媒の組み合わせである。導電性ポリマーの層を形成することができる限り、任意の溶媒または溶媒の組み合わせを使用することができる。液体媒体は、コーティング助剤などの他の材料を含んでもよい。
【００９２】
連続液相成長技法には、スピンコーティング法、グラビアコーティング法、カーテンコーティング法、浸漬コーティング法、スロット−ダイコーティング法、吹き付けコーティング法、および連続ノズルコーティング法が含まれるが、それらに限定されない。不連続液相成長技法には、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法およびスクリーン印刷法が含まれるが、それらに限定されない。
【００９３】
一実施形態では、第１層はカーボンナノチューブを含み、液体組成物からの液相成長によって形成される。
【００９４】
用語「基材」は、堅いか柔軟かのいずれかであることができるベース材料を意味することを意図され、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含んでもよい。基材材料には、ガラス、ポリマー、金属またはセラミック材料またはそれらの組み合わせが含まれ得るが、それらに限定されない。基材は、電子部品、回路、導電性部材、または他の材料の層を含んでも、含まなくてもよい。
【００９５】
一実施形態では、第２層は、液体組成物からの液相成長によって第１層の少なくとも一部上に直接形成される。一実施形態では、液体組成物は、水溶性フッ素化酸ポリマーの溶液である。
【００９６】
第１層の厚さは、意図される用途にとっての必要に応じて大きいものであることができる。一実施形態では、第１層は自立層であり、基材上にない。一実施形態では、第１層は１００ｎｍ〜２００ミクロンの範囲の厚さを有する。一実施形態では、第１層は５０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する。一実施形態では、第１層は、第２層の厚さより大きい厚さを有する。
【００９７】
第２層の厚さは、単一単層のように小さいものであることができる。一実施形態では、厚さは１００ｎｍ未満である。一実施形態では、厚さは１０ｎｍ未満である。一実施形態では、厚さは１ｎｍ未満である。
【００９８】
一実施形態では、フッ素化酸ポリマーは、ｐＨを上げるために、第１層上に沈積させる前に部分中和される。第１層中の材料が酸によって容易に腐食される場合、より高いｐＨを有する材料が望ましい可能性がある。
【００９９】
（５．電子デバイス）
本発明の別の実施形態は、本複合導体を含む電子デバイスが提供される。一実施形態では、複合導体は電極である。
【０１００】
一実施形態では、本電子デバイスは、電気接触層の１つが本新規複合導体である、２つの電気接触層間に配置された少なくとも１つの電気活性層を含む。一実施形態では、本新規複合導体は陽極である。用語「電気活性」は、層または材料について言及されるときは、電子または電気放射性を示す層または材料を意味することを意図される。電気活性層材料は、放射線を発しても、または放射線を受け取るときは電子−正孔対の濃度の変化を示してもよい。一実施形態では、電子デバイスは、活性層が有機である、有機電子デバイスである。
【０１０１】
有機電子デバイスの一例は図２に示される。デバイス１００は、陽極層１１０、緩衝層１２０、電気活性層１３０、および陰極層１５０を有する。任意の電子注入／輸送層１４０が陰極層１５０に隣接している。
【０１０２】
デバイスは、陽極層１１０または陰極層１５０に隣接することができる支持材または基材（示されていない）を含んでもよい。最も頻繁には、支持材は陽極層１１０に隣接している。支持材は柔軟なまたは堅い、有機または無機であることができる。支持材料の例には、ガラス、セラミック、金属、およびプラスチックフィルムが挙げられるが、それらに限定されない。
【０１０３】
陽極層１１０は、陰極層１５０と比較して注入正孔にとってより効率的である電極である。陽極１１０は、５．０ｅＶ未満の仕事関数を有する透明な導電性材料を含む第１層１１１と、フッ素化酸ポリマーを含む第２層１１２とを有する、本明細書に記載される新規透明複合導体であることができる。
【０１０４】
複合導体１１０は、本明細書に記載されるように形成されてもよい。一実施形態では、第１層は蒸着法によって形成され、第２層は液相成長法によって形成される。
【０１０５】
一実施形態では、陽極１１０はリソグラフィー操作中にパターン化される。パターンは必要に応じて変わってもよい。層は、例えば、第１電気接触層材料を塗布する前にパターン化マスクまたはレジストを第１の柔軟な複合バリア構造物上に置くことによってパターンで形成することができる。あるいはまた、層は、全体層（ブランケットデポジットとも呼ばれる）として塗布し、そしてその後、例えば、パターン化レジスト層および湿式化学またはドライエッチング技法を用いてパターン化することができる。当該技術分野でよく知られている他のパターン化方法もまた用いることができる。陽極は、第１層１１１を形成し、この層をパターン化し、次に第１層にわたって第２層１１２を付けることによってパターン化されてもよい。第２層１１２は、第１層１１１および下にある基材（示されていない）の両方をカバーして、全体に付けられてもよい。またはそれは、ちょうど第１層１１１にわたってパターン様に付けられてもよい。一実施形態では、第１層１１１は、インジウム−スズ酸化物（「ＩＴＯ」）、インジウム−亜鉛酸化物、アルミニウム−スズ酸化物、およびアンチモン−スズ酸化物からなる群から選択された材料である。一実施形態では、第１層は５０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する。一実施形態では、第２層１１２は有機溶媒湿潤性である。一実施形態では、第２層は水溶性である。一実施形態では、第２層は１〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【０１０６】
用語「緩衝層」または「緩衝材」は、導電性材料または半導体材料を意味することを意図され、下にある層の平坦化、電荷輸送および／または電荷注入性、酸素または金属イオンなどの不純物の捕捉、ならびに有機電子デバイスの性能を促進するためのまたは向上させるための他の態様を含むがそれらに限定されない、１つまたは複数の機能を有機電子デバイスで有し得る。緩衝材は、ポリマー、オリゴマー、または小分子であってもよく、溶液、分散系、懸濁液、エマルジョン、コロイド混合物、または他の組成物の形態にあってもよい。緩衝層１２０は通常、当業者に周知の様々な技法を用いて基材上に沈積される。典型的な沈積技法には、上記のように、蒸着、液相成長（連続および不連続技法）、ならびに熱転写が含まれる。
【０１０７】
一実施形態では、緩衝層は正孔輸送材料を含む。
【０１０８】
示されていない任意層が、緩衝層１２０と電気活性層１３０との間に存在してもよい。この層は正孔輸送材料を含んでもよい。緩衝層および／または層１２０用の正孔輸送材料の例は、例えば、（非特許文献５）にまとめられてきた。正孔輸送分子およびポリマーの両方を使用することができる。一般に使用される正孔輸送分子には、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル）−［１，１’−（３，３’−ジメチル）ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＥＴＰＤ）、テトラキス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−２，５−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）、α−フェニル−４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチレン（ＴＰＳ）、ｐ−（ジエチルアミノ）−ベンズアルデヒドジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）、トリフェニルアミン（ＴＰＡ）、ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）−２−メチルフェニル］（４−メチルフェニル）メタン（ＭＰＭＰ）、１−フェニル−３−［ｐ−（ジエチルアミノ）スチリル］−５−［ｐ−（ジエチルアミノ）フェニル］ピラゾリン（ＰＰＲまたはＤＥＡＳＰ）、１，２−トランス−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）シクロブタン（ＤＣＺＢ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＴＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＢ）、および銅フタロシアニンなどのポルフィリン化合物が含まれるが、それらに限定されない。一般に使用される正孔輸送ポリマーには、ポリ（９，９−ジオクチル−フルオレン−コ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）など、ポリビニルカルバゾール、（フェニルメチル）ポリシラン、ポリ（ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、およびポリピロールが含まれるが、それらに限定されない。上述のものなどの正孔輸送分子をポリスチレンおよびポリカーボネートなどのポリマー中へドープすることによって正孔輸送ポリマーを得ることもまた可能である。
【０１０９】
一実施形態では、緩衝層は、プロトン酸でしばしばドープされる、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）などの、ポリマー材料で形成される。プロトン酸は、例えば、ポリ（スチレンスルホン酸）、ポリ（２−アクリルアミド−２−メチル−１−プロパンスルホン酸）などであることができる。緩衝層１２０は、銅フタロシアニンおよびテトラチアフルバレン−テトラシアノキノジメタン・システム（ＴＴＦ−ＴＣＮＱ）などの、電荷移動化合物などを含むことができる。一実施形態では、緩衝層１２０は、導電性ポリマーおよびコロイド形成ポリマー酸の分散系から製造される。かかる材料は、例えば、米国特許公報（特許文献１３）および米国特許公報（特許文献１４）に記載されてきた。
【０１１０】
デバイスの用途に依存して、電気活性層１３０は、印可電圧によって活性化される発光層（発光ダイオードまたは発光電気化学セルにおいてなど）、放射エネルギーに反応し、そして印可バイアス電圧を用いてまたは用いずに信号を生成する材料の層（光検出器におけるなど）であることができる。一実施形態では、電気活性材料は、有機エレクトロルミネセンス（「ＥＬ」）材料である。小分子有機蛍光性化合物、蛍光性およびリン光性金属錯体、共役ポリマー、ならびにそれらの混合物を含むが、それらに限定されない任意のＥＬ材料をデバイスに使用することができる。蛍光性化合物の例には、ピレン、ペリレン、ルブレン、クマリン、それらの誘導体、およびそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。金属錯体の例には、トリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレートオキシノイド化合物；テトラ（８−ヒドロキシキノラト）ジリコニウム（ＺｒＱ）、ペトロフ（Ｐｅｔｒｏｖ）らの米国特許公報（特許文献１５）ならびに（特許文献１６）および（特許文献１７）に開示されているようなフェニルピリジン、フェニルキノリン、またはフェニルピリミジン配位子とのイリジウムの錯体などのシクロ金属化イリジウムおよび白金エレクトロルミネセンス化合物、および、例えば、（特許文献１８）、（特許文献１９）、および（特許文献２０）に記載されている有機金属錯体、ならびにそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。電荷運搬ホスト材料および金属錯体を含むエレクトロルミネセンス放出層は、米国特許公報（特許文献２１）にトンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）らによって、（特許文献２２）および（特許文献２３）にバローズ（Ｂｕｒｒｏｗｓ）およびトンプソンによって記載されてきた。共役ポリマーの例には、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリ（スピロビフルオレン）、ポリチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレン）、それらのコポリマー、およびそれらの混合物が挙げられるが、それらに限定されない。
【０１１１】
任意層１４０は、電子注入／輸送を促進するために両方に機能することができ、そしてまた層境界面での消光反応を防ぐための制限層としても役立つこともできる。より具体的には、層１４０は、層１３０および１５０が別の方法で直接接蝕する場合に、電子移動度を促進し、そして消光反応の可能性を下げるかもしれない。任意の層１４０用の材料の例には、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニル−フェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌＱ）、テトラ（８−ヒドロキシキノラト）ジルコニウム（ＺｒＱ）、およびトリス（８−ヒドロキシキノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの金属キレートオキシノイド化合物；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、および１，３，５−トリ（フェニル−２−ベンゾイミダゾール）ベンゼン（ＴＰＢＩ）などのアゾール化合物；２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリンなどのキノキサリン誘導体；９，１０−ジフェニルフェナントロリン（ＤＰＡ）および２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＤＤＰＡ）などのフェナントロリン誘導体；およびそれらの任意の１つまたは複数の組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。あるいはまた、任意層１４０は無機であってもよく、ＢａＯ、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏなどを含む。
【０１１２】
陰極層１５０は、電子または負電荷キャリアを注入するために特に効率的である電極である。陰極層１５０は、第１電気接触層（この場合には、陽極１１０）より低い仕事関数を有する任意の金属または非金属であることができる。本明細書で用いるところでは、用語「より低い仕事関数」は、約４．４ｅＶ以下の仕事関数を有する材料を意味することを意図される。
【０１１３】
陰極層用の材料は、第１族のアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、第２族金属（例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａなど）、第１２族金属、ランタニド（例えば、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕなど）、およびアクチニド（例えば、Ｔｈ、Ｕなど）から選択することができる。アルミニウム、インジウム、イットリウム、およびそれらの組み合わせなどの材料もまた使用されてもよい。陰極層１５０用の材料の具体的な非限定的な例には、バリウム、リチウム、セリウム、セシウム、ユーロピウム、ルビジウム、イットリウム、マグネシウム、サマリウム、ならびにそれらの合金および組み合わせが挙げられるが、それらに限定されない。
【０１１４】
陰極層１５０は通常、化学または物理蒸着法によって形成される。幾つかの実施形態では、陰極層は、陽極層１１０に関して上述したように、パターン化される。
【０１１５】
デバイス中の他の層は、かかる層によって供給されるべき機能を考慮した際にかかる層で有用であることが知られている任意の材料で製造することができる。
【０１１６】
幾つかの実施形態では、カプセル化層（示されていない）は、水および酸素などの望ましくない構成要素のデバイス１００中への入場を防ぐために接触層１５０にわたって沈積される。かかる構成要素は、有機層１３０に悪影響を及ぼすことができる。一実施形態では、カプセル化層はバリア層またはフィルムである。一実施形態では、カプセル化層はガラス蓋である。
【０１１７】
描写されていないが、デバイス１００が追加層を含んでもよいことは理解される。当該技術分野でまたは別の方法で公知である他の層が使用されてもよい。加えて、上記層のいずれかは２つ以上のサブ層を含んでもよく、または層構造を形成してもよい。あるいはまた、陽極層１１０、緩衝層１２０、電子輸送層１４０、陰極層１５０、および他の層の幾つかまたは全てが、デバイスの電荷キャリア輸送効率または他の物理的特性を高めるために処理、特に表面処理されてよい。構成要素層のそれぞれのための材料の選択は、高いデバイス効率のデバイスを提供するという目標を、デバイス運転寿命考慮事項、製造時間および複雑性因子ならびに当業者により理解される他の考慮事項と釣り合わせることによって好ましくは決定される。最適構成要素、構成要素配置、および組成属性の決定が当業者には日常的であることは理解されるであろう。
【０１１８】
一実施形態では、異なる層は以下の範囲の厚さを有する：陽極１１０、５００〜５０００Å、一実施形態では１０００〜２０００Å；緩衝層１２０、５０〜２０００Å、一実施形態では２００〜１０００Å；任意の正孔輸送層、５０〜２０００Å、一実施形態では１００〜１０００Å；光活性層１３０、１０〜２０００Å、一実施形態では１００〜１０００Å；任意の電子輸送層１４０、５０〜２０００Å、一実施形態では１００〜１０００Å；陰極１５０、２００〜１００００Å、一実施形態では３００〜５０００Å。デバイスにおける電子−正孔再結合ゾーンの位置、従ってデバイスの発光スペクトルは、各層の相対的な厚さによって影響を受け得る。従って、電子輸送層の厚さは、電子−正孔再結合ゾーンが発光層中にあるように選択されるべきである。層厚さの所望の比は、使用される材料の正確な性質に依存するであろう。
【０１１９】
運転では、適切な電源（描写されていない）からの電圧がデバイス１００に印可される。それ故、電流はデバイス１００の層を通過する。電子は、有機ポリマー層に入り、光子を放出する。活性マトリックスＯＬＥＤディスプレイと呼ばれる、幾つかのＯＬＥＤでは、光活性有機フィルムの個々の沈積物は独立して、電流の通過によって励起されることがあり、発光の個々のピクセルにつながる。パッシブ・マトリックスＯＬＥＤディスプレイと呼ばれる、幾つかのＯＬＥＤでは、光活性有機フィルムの沈積物は電気接触層の行および列によって励起されるかもしれない。
【実施例】
【０１２０】
本明細書に説明される概念は、特許請求の範囲に記載される本発明の範囲を限定しない、以下の実施例でさらに説明されるであろう。
【０１２１】
（サンプル調製および仕事関数測定の一般的な手順）
実施例および比較例で使用されるポリマー酸は、表面上にスピンコートした。インジウム／スズ半導体酸化物（ＩＴＯ）の場合には、３０ｍｍ×３０ｍｍガラス／ＩＴＯ基材を使用した。ＩＴＯ／ガラス基材は、１００〜１５０ｎｍのＩＴＯ厚さを有する、中心で１５ｍｍ×２０ｍｍＩＴＯ区域からなる。１５ｍｍ×２０ｍｍＩＴＯ区域の１つのコーナーで、ガラス／ＩＴＯのエッジまで伸ばされたＩＴＯフィルム表面は、ケルビン（Ｋｅｌｖｉｎ）プローブ電極との電気接触として役立つ。実施例および比較例で例示されるようにポリマー溶液または分散系でスピンコートする前に、ＩＴＯ／ガラス基材をきれいにし、そしてＩＴＯ側をＵＶ−オゾンでその後１０分間処理した。ポリマー酸でスピンコートしてから、伸ばされたＩＴＯフィルムのコーナー上の沈積ポリマー層を水で湿らせた綿帯先端で除去した。露出ＩＴＯパッドは、ケルビンプローブ電極と接触するためであった。沈積フィルムを次に空気中約１２０℃で１０分間ベークした。ベークしたサンプルを次に、キャップする前に窒素で満たしたガラス容器上に置いた。
【０１２２】
表面の仕事関数測定のために、周囲エージングした金フィルムを先ず、サンプルの測定前に対照として測定した。同じサイズのガラス片上の金フィルムを、正方形スチール容器の底部に切り抜いた空洞に入れた。空洞の側面上に、サンプル片を適所にしっかり保つための４つの保持クリップがある。保持クリップの１つを、ケルビンプローブと接触するための電線に取り付ける。スチール蓋の中心から突き出たケルビンプローブ先端を金フィルム表面の中心の上方まで下げる間、金フィルムを上向きにした。蓋を次に、４つのコーナーで正方形スチール容器上にしっかりとネジ留めした。正方形スチール容器上のサイドポートを、窒素にケルビンプローブセルを掃引させるためのチューブと連結したが、窒素出口ポートは、周囲圧力を維持するためにスチール針が挿入されているセプタムでキャップした。プローブ設定を次にプローブ用に最適化し、先端の高さだけを全体測定の間中変えた。ケルビンプローブを、以下のパラメーターを有するマックアリスターＫＰ６５００ケルビンプローブ計（ＭｃＡｌｌｉｓｔｅｒ  ＫＰ６５００  Ｋｅｌｖｉｎ  Ｐｒｏｂｅ  ｍｅｔｅｒ）に連結した：１）周波数：２３０、２）振幅：２０、３）ＤＣオフセット：サンプル毎に変動した、４）上位バッキング電位：２ボルト、５）下位バッキング電位：−２ボルト、６）走査速度：１、７）トリガー遅れ：０、８）取得（Ａ）／データ（Ｄ）ポイント：１０２４、９）Ａ／Ｄ速度：１９．０サイクルで１２４０５、１０）Ｄ／Ａ遅れ：２００、１１）セットポイント勾配：０．２、１２）ステップサイズ：０．００１、１３）最大勾配偏差：０．００１。追跡勾配が安定化すると直ぐに、金フィルム間のボルト単位での接触電位差（「ＣＰＤ」）を記録した。金のＣＰＤは次に、プローブ先端を（５．７−ＣＰＤ）ｅＶと関係づけた。５．７ｅＶ（電子ボルト）は、周囲エージングした金フィルム表面の仕事関数である（非特許文献６）。サンプルのＣＰＤを測定している間に金のＣＰＤを定期的に測定した。各サンプルを、４つの保持クリップを使って金フィルムと同じ方法で空洞中へ充填した。サンプルと電気接触する保持クリップに関して、１つのコーナーで露出ＩＴＯパッドと良好な電気接触が確実に行なわれるように注意した。ＣＰＤ測定の間ずっと、少ない流れの窒素を、プローブ先端を乱すことなくセル中に流した。サンプルのＣＰＤを記録してから、サンプル仕事関数を次に、サンプルのＣＰＤを５．７ｅＶと金のＣＰＤとの差に加算することによって計算した。
【０１２３】
（実施例１）
本実施例は、ポリ（パーフルオロ−２−（２−フルオロスルホニルエトキシ）プロピルビニルエーテル（「ＰＳＥＰＶＥ」）の製造およびスルホニルフルオリドのスルホン酸への変換を例示する。透明な導電性複合導体は、第１層としてＩＴＯを、そして第２層としてＰＳＥＰＶＥを使用して形成される。
【０１２４】
（ａ）ＰＳＥＰＶＥスルホニルフルオリドホモポリマーの合成：）
磁気撹拌バーおよびサイドアーム付き１５００ｍＬ丸底フラスコに２００ｍＬのＰＳＥＰＶＥ［ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＳＯ２Ｆ］を充填した。フラスコの最上部に、Ｔフィッティングを保持するテフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）スリーブを取り付けた。窒素を、フラスコ中に窒素の正圧を与えるようにＴフィッティングのワンサイドに流し込み、他サイドから鉱物油バブラーへ流した。フラスコのサイドアームにゴムセプタムを取り付けた。長い注射針を、セプタムを貫いてフラスコ中のＰＳＥＰＶＥ液体の表面下へ通した。注射針を用いて、窒素を、磁気撹拌しながらＰＳＥＰＶＥを通して激しく１分間、次にさらにゆっくり３時間バブルさせた。フラスコの最上部のＴフィッティングを通る窒素の流れ継続しながら、注射針を通る窒素流れを停止した。バートレル（Ｖｅｒｔｒｅｌ）ＸＦに溶解させた０．０３７モル濃度のＨＦＰＯ二量体過酸化物の３ｍＬを、ゴムセプタムを通して注入した。激しい窒素流れを、長い注射針を通して１分間再開し、その後注射針を引き抜き、ゴムセプタムをアルミ箔で完全にカバーした。別の３ｍＬのＨＦＰＯ二量体過酸化物［ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）（Ｃ＝Ｏ）ＯＯ（Ｃ＝Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３］溶液を２、４、７、９、１１、および１３日目に注入した。１６、１８、２０、２３、２５、２７、および３０日目に、バートレルＸＦ［本願特許出願人によって製造されるＣＦ３ＣＦＨＣＦＨＣＦ２ＣＦ３］中の０．１６７モル濃度ＨＦＰＯ二量体過酸化物溶液の追加の３ミリリットル部分を注入した。３２日目に、２．４７グラムの反応混合物を注射器で抜き取り、ガラス板上で蒸発させた。これは、７０℃真空オーブン中で４日間加熱したときに０．９ｇへさらに乾燥する０．９９ｇのフィルムを与えた。３７日目に、反応混合物を、約２０ｍＬのバートレルＸＦで１リットル丸底フラスコへ洗い出した。幾つかの沸騰石を加え、揮発分をゆっくりそして注意深く真空ポンプで除去した（激しい発泡、次に磁気撹拌にもかかわらず泡立ち）。ポンプ真空下３日後に、フラスコを逆さまにし、その内容物を、７５℃真空オーブン中で暖めながら２．５日間にわたってテフロン内張トレイに流れ出させた。
【０１２５】
いったん冷却した生成物は、８３．６８ｇの無色透明な、脆い、幾分粘着性の固体であった。１％溶液は、フルオルイナート（Ｆｌｕｏｒｉｎｅｒｔ）ＦＣ−７５、おおよそパーフルオロ（ブチルテトラヒドロフラン）であると考えられる３Ｍによって製造される電子溶媒中２５℃で０．０２７８ｄＬ／ｇの固有粘度を有した。ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）は、Ｎ２下１０℃／分での二次加熱で６．４℃にＴｇを示す。ＳＥＣは、フルテック（Ｆｌｕｔｅｃ）ＰＰ１１［パーフルオロ（テトラデカヒドロフェナントレン）］溶媒中１２５℃で行ったときに対ポリスチレンでＭｎ＝約４３００およびＭｗ＝９９００であることを見いだした。熱重量分析（ＴＧＡ）で、約３００℃で急速な減量が始まって、２．８％減量が室温約２５０℃で観察された。
【０１２６】
（ｂ）ＰＳＥＰＶＥスルホニルフルオリドホモポリマーの酸ホモポリマーへの変換のための加水分解：）
スルホニルフルオリドホモポリマーを次の順で変換した：
１）１５．３６ｇ（３４．４３ミリ当量ＳＯ２Ｆ）のスルホニルフルオリドポリマーを変換のために使用した。
２）１４２．１７ｇの５０：５０メタノール／水（ｖ／ｖ）をポリマーに加え、９．７５％ｗ／ｗポリマー／溶媒をもたらした。ポリマー／溶媒混合物は溶液ではなかった。
３）１３．２３ｇの（ＮＨ４）２ＣＯ３（１３７．６８ミリ当量）を加えた。
１）油浴を、反応混合物が無色透明および均質になるまで７０℃に加熱した。
２）小サンプルを取り出し、乾燥させた。１９Ｆ−ＮＭＲは、約δ４０の不存在を示し、スルホニルフルオリドが検出限界より下に加水分解されたことを示唆した。
６）混合物をボトルに移し、それにアンバーリスト（Ａｍｂｅｒｌｙｓｔ）１５樹脂（５８．６０ｇ、２７５．４２ミリ当量）をゆっくり加えた。このスラリーを約２時間振とうした（ｒｏｌｌ）。
７）スラリーを、粗いフリット漏斗（Ｃｏａｒｓｅ  Ｆｒｉｔｔｅｄ  Ｆｕｎｎｅｌ）を通して真空濾過した。
８）濾液を予め洗浄したボトルに戻した。
９）予めリンスした（必要に応じて）ダウエックス・モノスフェア（ＤＯＷＥＸ  Ｍｏｎｏｓｐｈｅｒｅ）５５０Ａ（ＯＨ）（５６．０２ｇ、６８．８６ミリ当量）およびアンバーリスト１５樹脂（１４．６５ｇ、６８．８６ミリ当量）をポリマー溶液に加えた。
１０）生じたスラリーを約２時間振とうした。
１１）工程７〜１０を繰り返すこと。
１２）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１３）ポリマー溶液を予め洗浄したボトルに戻し、それにアンバーリスト１５樹脂（１８．３１ｇ、８６．０６ミリ当量）を加えた。このスラリーを約２時間振とうした。
１４）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１５）濾液を大きな、すなわち３Ｌ丸底フラスコに移し、メタノールを減圧下に除去し、水溶液のみを残した。
【０１２７】
水中最終濃度２２．２％（ｗ／ｗ）のスルホン酸ＰＳＥＰＶＥホモポリマーを製造した。イオンクロマトグラフィー（Ｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）は、１グラムの水性液体が１４．５ｐｐｍ（百万部当たりの部）ナトリウム、５．９ｐｐｍカリウムおよび６．８ｐｐｍカルシウムを含有するに過ぎないことを示す。それらは微量の汚染物質であり、多分、使用した容器からである。
【０１２８】
（実施例２）
本実施例は、ＩＴＯの第１層をポリ（ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸の第２層でスピンコートされた複合導体を例示する。
【０１２９】
２．１６％（ｗ／ｗ）の実施例１で製造したポリ（ＰＳＥＰＶＥ）のスルホン酸は１．１のｐＨを有する。それを、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムは空気中１２０℃で１０分間ベークされ、１６ｎｍ（ナノメートル）であると測定された。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は２．１７ボルトであると測定された。酸改質表面の仕事関数は次に、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として６．１８ｅＶであると計算される。
【０１３０】
スルホン酸ホモポリマーがコロイド形態または溶液で存在するかどうかを決定するために、水性スルホン酸ＰＳＥＰＶＥを先ず、流れる窒素で乾燥させた。乾燥した固体は容易に水に戻った。乾燥した固形分の一部を、少ない流れの窒素をオーブンチャンバーに流しながら１２０℃で２時間真空オーブン中に入れた。ベークした固形分はまた、周囲温度で直ぐに水に戻った。ベーキング温度は、ＴＧＡに基づくスルホン酸ＰＳＥＰＶＥホモポリマーの分解温度よりはるかに低い。固形分がコロイドとして存在したならば、ベーキングはコロイドを合体させて固形分を水に不溶性にするであろう。ポリマーは水中の溶液として存在するので、それは、透明な導体または半導体上で層の厚さを調節することを非常に容易にする。必要に応じて、透明な半導体または導体上に単層を製造することさえも可能である。
【０１３１】
（実施例３）
本実施例は、ＩＴＯの第１層をｐＨ２．９に調整されたポリ（ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸の第２層でスピンコートされた複合導体の仕事関数を例示する。
【０１３２】
実施例１で製造したポリ（ＰＳＥＰＶＥ）のスルホン酸の小サンプルを、希ＮａＯＨ／水溶液でｐＨ２．９に調整した。ｐＨ２．９溶液は７．５％ポリマー酸およびナトリウム塩を有する。それを、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムは空気中１２０℃で１０分間ベークされ、４８ｎｍ（ナノメートル）であると測定された。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は１．４３ボルトであると測定された。部分中和されたポリ（ＰＳＥＰＶＥ）酸で沈積されたＩＴＯ表面の仕事関数は、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として５．４４ｅＶであると計算される。実施例１と比較すると、ポリ（ＰＳＥＰＶＥ）ホモポリマーのスルホン酸へのカチオンの添加が仕事関数の増大に減少した影響を与えることは明らかである。しかしながら、それは依然として、比較例１に示されるＩＴＯより高い。
【０１３３】
（比較例Ａ）
本比較例はＩＴＯの仕事関数を例示する。
【０１３４】
表面改質のために使用されるＩＴＯ基材片をＵＶ−オゾンで１０分間処理した。サンプルを、ＩＴＯがケルビンプローブ先端に面する状態で、ケルビンプローブセルに充填した。ＩＴＯとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は０．６９ボルトであると測定された。該表面の仕事関数は、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として４．９ｅＶであると計算される。ＩＴＯの仕事関数は、実施例２に例示されるスルホン酸ＰＶＥＰＶＥホモポリマーでの改質表面の仕事関数（６．１８ｅＶ）よりはるかに低い。
【０１３５】
（比較例Ｂ）
本比較例は、ポリ（スチレンスルホン酸）、非フッ素化ポリマー酸でスピンコートしたＩＴＯの仕事関数を例示する。
【０１３６】
本比較例では、ポリサイエンシズ（ＰｏｌｙＳｃｉｅｎｃｅｓ）から購入した、ポリ（スチレンスルホン酸）、ＰＳＳＡ、カトログ＃０８７７０を、ＩＴＯ表面上の表面コーティングのために使用した。それは、水中に３０％（ｗ／ｗ）ＰＳＳＡを含有する。それを水で２．５７％（ｗ／ｗ）に希釈し、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムは空気中１２０℃で１０分間ベークされ、３０ｎｍであると測定された。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は０．７７ボルトであると測定された。酸改質表面の仕事関数は次に、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として４．８ｅＶであると計算される。仕事関数は、実施例２に例示されるスルホン酸ＰＶＥＰＶＥホモポリマーでの改質表面の仕事関数（６．１８ｅＶ）よりはるかに低い。
【０１３７】
（実施例４）
本実施例は、その後スルホン酸形に変換される、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）と３，３，４−トリフルオロ−４−（パーフルオロスルホニルエトキシ）−トリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノナ−７−エン（ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ）とのコポリマーの製造を例示する。生じたポリマーは、スルホン酸形で「ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ」と略記される。本酸コポリマーは、複合導体で第２層として使用されることになる。
【０１３８】
（ａ）３，３，４−トリフルオロ−４−（パーフルオロスルホニルエトキシ）−トリシクロ［４．２．１．０２，５］−ノナ−７−エン（ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥ）の合成：）
１０００ｍＬハステロイ（Ｈａｓｔｅｌｌｏｙ）Ｃ２７６反応容器に、２，５−ノルボルナジエン（９８％、アルドリッチ（Ａｌｄｒｉｃｈ）、１００ｇ）と、ヒドロキノン（０．５ｇ）との混合物を装入した。容器を−６℃に冷却し、−２０ＰＳＩＧに排気し、窒素でパージした。圧力を再び−２０ＰＳＩＧに下げ、２−（１，２，２−トリフルオロビニルオキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルフルオリド（３０５ｇ）を加えた。容器を攪拌し、１９０℃に加熱し、その時点で内圧は１２０ＰＳＩＧであった。反応温度を１９０℃に６時間維持した。圧力が４７ＰＳＩＧに降下し、その時点で容器をガス抜きし、２５℃に冷却した。
【０１３９】
粗モノマーを、回転バンド塔を用いて蒸留（４０トル、２１００ＲＰＭでＢＰ＝１１０〜１２０℃）して異性体の混合物からなる３６１ｇの無色液体を与えた。化学構造は、ＧＣＭＳと１９Ｆおよび１Ｈ  ＮＭＲとの両方によって確認した。ＭＳ：ｍ／ｅ３７２（Ｍ＋）、３５３（ベース、Ｍ＋−Ｆ）、２８９（Ｍ＋−ＳＯ２Ｆ）、１７３（Ｃ９Ｈ８Ｆ３＋）。
【０１４０】
（ｂ）ＴＦＥおよびＮＢＤ−ＰＳＥＶＥスルホニルフルオリドコポリマーの合成：）
４００ｍＬ圧力容器を窒素で掃引し、７４．４ｇ（０．２０モル）のＮＢＤ−ＰＳＥＶＥ、５０ｍＬのソルカン（Ｓｏｌｋａｎｅ）３６５ｍｆｃ（１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン）および０．８０ｇのパーカドックス（Ｐｅｒｋａｄｏｘ）（登録商標）１６Ｎを装入した。容器を密閉し、ドライアイスで冷却し、排気し、３０ｇ（０．３０モル）のＴＦＥを装入した。容器内容物を５０℃に加熱し、内圧が１９４ｐｓｉから１６４ｐｓｉに低下しながら１８時間攪拌した。容器を室温に冷却し、１気圧にガス抜きした。容器内容物を過剰のヘキサンへゆっくり加えた。固体を濾過し、ヘキサンで洗浄し、真空オーブン中約８０℃で乾燥させた。３２．３ｇの白色コポリマーを単離した。そのフッ素ＮＭＲスペクトルは、＋４４．７（１Ｆ，ＳＯ２Ｆ），−７４〜−８７（２Ｆ，ＯＣＦ２），−９５〜−１２５（ＣＦ２，ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥからの４ＦおよびＴＦＥからの４Ｆ），−１３２．１（１Ｆ，ＣＦ）にピークを示した。ＮＭＲの積分から、ポリマー組成は、４８％ＴＦＥおよび５２％ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥであると計算された。ＧＰＣ分析：Ｍｎ＝９５００，Ｍｗ＝１７３００，Ｍｗ／Ｍｎ＝１．８２。ＤＳＣ：２０７℃にＴｇ。分析：実測値：Ｃ，３３．８３；Ｈ，１．８４；Ｆ，４５．５７。
【０１４１】
ｂ）ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥスルホニルフルオリドコポリマーの酸コポリマーへの変換のための加水分解：
ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥのスルホニルフルオリドポリマーを次の順で変換した：
１）２０．００ｇ（３１．３３ミリ当量ＳＯ２Ｆ）のポリマーを変換のために使用した。
２）７５０ｍＬの５０：５０メタノール／水（ｖ／ｖ）をポリマーに加えた。ポリマー／溶媒混合物は溶液であった。
３）１２．０４ｇの（ＮＨ４）２ＣＯ３（１２５．３０ミリ当量）を加えた。
４）油浴を、反応混合物が無色透明および均質になるまで７０℃に加熱した。
５）小サンプルを取り出し、乾燥させた。１９Ｆ−ＮＭＲは、約δ４０の不存在を示し、スルホニルフルオリドが検出限界より下に加水分解されたことを示唆した。
６）メタノールを、撹拌、Ｎ２流れおよび５０℃を用いることによって蒸発させた。これはポリマーをゲル化させた。
７）ＤＩ水を、ゲル粒子を再溶解させようとして加えた。
８）混合物を予めリンスしたボトルに戻し、予めリンスしたダウエックス・モノスフェア５５０Ａ（ＯＨ）（２０５．６ｇ、２５２．７ミリ当量）をポリマー／溶媒溶液に加えた。このスラリーを約４時間振とうした。
９）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１０）濾液を予め洗浄したボトルに戻した。
１１）予めリンスしたダウエックス・モノスフェア５５０Ａ（ＯＨ）（２１２ｇ、２６０．６ミリ当量）をポリマー／溶媒溶液に加えた。このスラリーを約４時間振とうした。
１２）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１３）濾液を予め洗浄したボトルに戻した。
１４）アンバーリスト１５（６７．８３ｇ、３１８．８ミリ当量）をポリマー／溶媒溶液に加えた。このスラリーを一晩振とうした。
１５）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１６）濾液を予め洗浄したボトルに戻した。
１７）アンバーリスト１５（７２．５２ｇ、３４０．８ミリ当量）をポリマー／溶媒溶液に加えた。このスラリーを一晩振とうした。
１８）スラリーを、粗いフリット漏斗を通して真空濾過した。
１９）濾液を予め洗浄したボトルに戻した。
【０１４２】
水中最終濃度４．１０％（ｗ／ｗ）のＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＶＥスルホン酸コポリマーを製造した。イオンクロマトグラフィーは、１グラムの水性液体が５．５ｐｐｍカルシウムを含有するに過ぎないことを示す。それは微量の汚染物質であり、多分、使用した容器からである。
【０１４３】
（実施例５）
本実施例は、ＩＴＯの第１層をポリ（ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸の第２層でスピンコートされた複合導体の仕事関数を例示する。
【０１４４】
１．０４％（ｗ／ｗ）の実施例４で製造したポリ（ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸を、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムを空気中１２０℃で１０分間ベークした。ＩＴＯ上のポリマー層は薄すぎて測定できなかった。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は２．１２ボルトであると測定された。酸改質表面の仕事関数は次に、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として６．１３ｅＶであると計算される。仕事関数は、１６ｎｍ厚さのＰＳＥＰＶＥホモポリマースルホン酸でコートされたＩＴＯのそれとほぼ同じものである。厚さの比較は、高い仕事関数がＰＳＥＰＶＥホモポリマースルホン酸の薄い層でもまた達成できることを明らかに示す。
【０１４５】
（実施例６）
本実施例は、２１の重合度を有するポリ（パーフルオロブタンスルホンイミド）の製造を例示する。
【０１４６】
窒素パージしたグローブボックス内部で、撹拌バー、還流冷却器、およびセプタムを備えた乾燥５０ｍＬ丸底フラスコ（ＲＢＦ）に、パーフルオロブタン−１，４−ジスルホニルジフルオリド（３．６６２ｇ、１０ミリモル）、無水アセトニトリル（１５ｍＬ）、パーフルオロブタン−１，４−ジスルホンアミド（３．６０２ｇ、１０ミリモル）、および無水トリエチルアミン（５．６ｍＬ、４０ミリモル）を装入した。溶液を、窒素下に一晩還流に加熱した。溶液を５００ｍＬのＲＢＦに移し、水酸化ナトリウム（１．６５ｇ、４１ミリモル）、塩化カルシウム（１．１１ｇ、１０ミリモル）、および２００ｍＬ脱イオン水で処理した。溶液を減圧下にロータリーエバポレーターで蒸発させ、残留物を真空下に乾燥させた。１Ｈ  ＮＭＲ（ＤＭＳＯ）は、トリエチルアミンの不存在を示した。残留物を２００ｍＬ脱イオン水に溶解させ、脱色炭で処理し、還流に加熱した。冷却した混合物を、フィルター助剤で処理し、窒素圧をかけることによってガラスミクロ繊維プレフィルターおよび５．０μｍＰＴＦＥメンブランフィルターを装着したステンレススチール・フィルター漏斗を用いて濾過した。フィルターを追加の脱イオン水で洗浄して溶液を４００ｍＬに希釈した。無色透明な溶液を、メタノール、引き続き水で洗浄し、そして２５０ｍＬの１Ｎ塩酸、引き続き脱イオン水で溶出することによって順化させた、２００ｇのダウエックス（登録商標）５０ＷＸ８−１００イオン交換樹脂（強酸性、８％架橋、５０〜１００メッシュ）を含有するイオン交換カラムを通してゆっくり溶出させた。酸性水性分画を、追加の脱イオン水でカラムを溶出させることによって集め、減圧下にロータリーエバポレーターで蒸発させ、残留物を真空下に乾燥させて８７．９％収率のために６．０３ｇを与えた。１９Ｆ  ＮＭＲ（ＣＤ３ＣＮ）：−１２０．９５（ｍ，−ＣＦ２−ＣＦ２−），−１１３．７８（ｍ，２−ＣＦ２−ＳＯ２−）。それぞれ、−１１４．３３および−１１５．４５のスルホンアミド（−ＣＦ２−ＳＯ２−ＮＨ２）およびスルホン酸（−ＣＦ２−ＳＯ３Ｈ）末端基ピースについての積分は、９，４３０の数平均分子量になる、２７の重合度を示唆した。
【０１４７】
（実施例７）
本実施例は、ＩＴＯの第１層をポリ（パーフルオロブタンスルホンイミド）の第２層でスピンコートされた複合導体の仕事関数を例示する。
【０１４８】
実施例６に例示されたものに類似の重合を、ポリ（パーフルオロブタンスルホンイミド）を製造するために実施した。この重合で、１２の重合度（ＤＰ）が得られた。水中１．５４％（ｗ／ｗ）のポリ（パーフルオロブタンスルホンイミド）を製造し、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムを次に空気中１２０℃で１０分間ベークした。ベークしたフィルムは平滑ではなく、従って厚さは変わった。不均質性は多分、ポリマーの低い分子量のためである。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は１．８０ボルトであると測定された。酸改質表面の仕事関数は次に、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として５．８１ｅＶであると計算される。仕事関数は依然として、比較例１に例示されるＵＶ−オゾン処理ＩＴＯのそれ（４．９ｅＶ）よりはるかに高い。それはまた、ポリ（スチレンスルホン酸）改質ＩＴＯ表面のそれ（４．８ｅＶ）よりはるかに高い。
【０１４９】
（実施例８）
本実施例は、ＩＴＯの第１層をナフィオン（登録商標）、ポリ（パーフルオロエチレンエーテルスルホン酸）の第２層でスピンコートされた複合導体の仕事関数を例示する。
【０１５０】
１０５０のＥＷを有するナフィオン（登録商標）の２５％（ｗ／ｗ）水性コロイド分散系を、温度が約２７０℃であったことを除いて、米国特許公報（特許文献１１）、実施例１、パート２の手順に類似の手順を用いて製造した。分散系を水で希釈して重合用の１２％（ｗ／ｗ）分散系を形成した。
【０１５１】
２．０２％（ｗ／ｗ）のナフィオン（登録商標）を、オゾン処理したＩＴＯ表面上へ０．４５μｍＨＶフィルターを通して濾過した。スピンコーターを３，０００ＲＰＭ、６０秒間にセットした。フィルムは空気中１２０℃で１０分間ベークされ、１２ｎｍであると測定された。サンプルをケルビンプローブセルに充填した。サンプルとプローブ先端との間の接触電位差（ＣＰＤ）は１．８７ボルトであると測定された。酸改質表面の仕事関数は次に、０．６９ボルトである金フィルムの予め測定されたＣＰＤを基準として５．９ｅＶであると計算される。仕事関数はまた高いが、実施例２に例示されるような１６ｎｍ厚さのＰＳＥＰＶＥホモポリマースルホン酸でコートされたＩＴＯのそれ（６．１２ｅＶ）、および実施例５に例示されるようなポリ（ＴＦＥ／ＮＢＤ−ＰＳＥＰＶＥ）スルホン酸でスピンコートされたＩＴＯのそれ（６．１３ｅＶ）ほどに高くない。後者２つの酸は水中の溶液として存在する。この比較は、水中に溶液として存在するフルオロポリマー酸またはパーフルオロポリマー酸が単層などの、特に極めて薄い層沈積のために好ましい可能性があることを示す。
【０１５２】
一般的な記載または実施例で上に記載された作業の全てが必要とされるわけではないこと、ある特定の作業の一部が必要とされないことがあること、および１つまたは複数のさらなる作業が記載されたものに加えて行われてもよいことに留意されたい。さらに、作業がリストされる順番は、必ずしも、それらが行われる順番ではない。
【０１５３】
前述の明細書で、概念は、具体的な実施形態に関連して記載されてきた。しかしながら、当業者は、様々な修正および変更が特許請求の範囲に記載されるような本発明の範囲から逸脱することなく行われ得ることを理解する。従って、本明細書および図は、限定的な意味でよりむしろ例示的な意味で考えられるべきであり、全てのかかる修正は本発明の範囲内に含められることを意図される。
【０１５４】
利益、他の利点、および問題の解決策は、具体的な実施形態に関連して記載されてきた。しかしながら、利益、利点、問題の解決策、および任意の利益、利点、または解決策を発生させるかまたはそれらをより明白にさせ得る任意の特徴は、特許請求の範囲の任意のまたは全ての決定的に重要な、必要な、または本質的な特徴と解釈されるべきではない。
【０１５５】
ある種の特徴は、明確にするために、別個の実施形態との関連で本明細書に記載され、また単一実施形態で組み合わせて提供されてもよいことが理解されるべきである。逆に、簡潔にするために、単一実施形態との関連で記載される様々な特徴はまた、別々にまたは任意の副次的な組み合わせで提供されてもよい。本明細書で指定される様々な範囲での数値の使用は、規定の範囲内の最小値および最大値の前に単語「約」が付されているかのように、近似値として記載される。このように、規定の範囲の上限および下限の僅かな変動値は、範囲内の値と同じ結果を実質的に達成するために用いることができる。同様に、これらの範囲の開示は、１つの値の構成要素の幾つかが異なる値のそれらと混合されるときに結果として生じ得る分数値を含む最小平均値と最大平均値との間のあらゆる値を含む連続の範囲と意図される。さらに、より広いおよびより狭い範囲が開示されるとき、一範囲からの最小値を別の範囲からの最大値と適合させること、そして逆もまた同様に、本発明の趣旨内である。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】接触角を例示する線図である。
【図２】有機電子デバイスの例示を含む図である。
【図１】
2009526351.tif 000019
【図２】
2009526351.tif 000020
【国際調査報告】
2009526351.tif 000021