(57)【要約】【解決手段】バンドパスフィルタは、タップ線型入力および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。バンドパスフィルタは、更に、各々が共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続される複数の負荷インダクタと、少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続される直接結合キャパシタを含む。コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することで通過帯域の低域側に追加の減衰極が形成される。直接結合キャパシタンス値を変えることで通過帯域の低域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することで通過帯域の高域側に減衰極が形成される。負荷インダクタの値を変えることで通過帯域の高域側の減衰・ロールオフ特性を制御できる。
2009517920.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タップ線型入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器とを有するコムラインバンドパスフィルタと、
前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続される直接結合キャパシタと
を備えたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
前記コムラインバンドパスフィルタは、
各々が開放端と短絡端とを有し、前記短絡端はそれぞれグランドに接続されている第１の共振器、第２の共振器および第３の共振器と、
前記第１の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続される第１の負荷キャパシタと、
前記第２の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続される第２の負荷キャパシタと、
前記第３の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続される第３の負荷キャパシタと、
前記第１の共振器の前記開放端と前記第２の共振器の前記開放端との間に接続される第１の内部結合キャパシタと、
前記第２の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続される第２の内部結合キャパシタと、を備え、
前記直接結合キャパシタは、前記第１の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続されることを特徴とする、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項３】
前記共振器の各々はＴＥＭ４分の１波長共振器であることを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項４】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端に接続されることを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項５】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第２の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されることを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項６】
前記バンドパスフィルタは多層構造を有することを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項７】
前記多層構造は低温同時焼成セラミック多層構造であることを特徴とする、請求項６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項８】
タップ線型入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを含むコムラインバンドパスフィルタと、
各々が前記共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続される複数の負荷インダクタと
を備えたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項９】
前記コムラインバンドパスフィルタは、
各々が開放端と短絡端とを有し、前記短絡端はそれぞれグランドに接続されている第１の共振器、第２の共振器および第３の共振器と、
前記第１の共振器の前記開放端と前記第２の共振器の前記開放端との間に接続される第１の内部結合キャパシタと、
前記第２の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続される第２の内部結合キャパシタと、
第１の負荷キャパシタ、第２の負荷キャパシタおよび第３の負荷キャパシタとを備え、
前記複数の負荷インダクタは、第１の負荷インダクタと、第２の負荷インダクタと、第３の負荷インダクタとを含み、
前記第１の負荷インダクタおよび前記第１の負荷キャパシタは第１のＬＣ対を形成し、前記第１のＬＣ対は、前記第１の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第２の負荷インダクタおよび前記第２の負荷キャパシタは第２のＬＣ対を形成し、前記第２のＬＣ対は、前記第２の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第３の負荷インダクタおよび前記第３の負荷キャパシタは第３のＬＣ対を形成し、前記第３のＬＣ対は、前記第３の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続されることを特徴とする、請求項８に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１０】
前記共振器の各々はＴＥＭ４分の１波長共振器であることを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１１】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端に接続されることを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１２】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第２の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されていることを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１３】
前記バンドパスフィルタは多層構造を有することを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１４】
前記多層構造は、低温同時焼成セラミック多層構造であることを特徴とする、請求項１３に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１５】
タップ線型入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを含むコムラインバンドパスフィルタと、
各々が前記共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続される複数の負荷インダクタと、
前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続される直接結合キャパシタと
を備えたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項１６】
前記コムラインバンドパスフィルタは、
各々が開放端と短絡端とを有し、前記短絡端はそれぞれグランドに接続されている第１の共振器、第２の共振器および第３の共振器と、
前記第１の共振器の前記開放端と前記第２の共振器の前記開放端との間に接続される第１の内部結合キャパシタと、
前記第２の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続される第２の内部結合キャパシタと、
第１の負荷キャパシタ、第２の負荷キャパシタおよび第３の負荷キャパシタとを備え、
前記複数の負荷インダクタは、第１の負荷インダクタと、第２の負荷インダクタと、第３の負荷インダクタとを含み、
前記第１の負荷インダクタおよび前記第１の負荷キャパシタは第１のＬＣ対を形成し、前記第１のＬＣ対は、前記第１の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第２の負荷インダクタおよび前記第２の負荷キャパシタは第２のＬＣ対を形成し、前記第２のＬＣ対は、前記第２の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第３の負荷インダクタおよび前記第３の負荷キャパシタは第３のＬＣ対を形成し、前記第３のＬＣ対は、前記第３の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記直接結合キャパシタは、前記第１の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続されることを特徴とする、請求項１５に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１７】
前記共振器の各々はＴＥＭ４分の１波長共振器であることを特徴とする、請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１８】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端に接続されることを特徴とする、請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項１９】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第２の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されることを特徴とする、請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項２０】
前記バンドパスフィルタは多層構造を有することを特徴とする、請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項２１】
前記多層構造は低温同時焼成セラミック多層構造であることを特徴とする、請求項２０に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項２２】
前記コムラインバンドパスフィルタは、
各々が開放端と短絡端とを有し、前記短絡端はそれぞれグランドに接続されている第１の共振器、第２の共振器、第３の共振器および第４の共振器と、
前記第１の共振器の前記開放端と前記第２の共振器の前記開放端との間に接続される第１の内部結合キャパシタと、
前記第２の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間に接続される第２の内部結合キャパシタと、
前記第３の共振器の前記開放端と前記第４の共振器の前記開放端との間に接続される第３の内部結合キャパシタと、
第１の負荷キャパシタ、第２の負荷キャパシタ、第３の負荷キャパシタおよび第４の負荷キャパシタと、を備え、
前記複数の負荷インダクタは、第１の負荷インダクタと、第２の負荷インダクタと、第３の負荷インダクタと、第４の負荷インダクタとを含み、
前記第１の負荷インダクタおよび前記第１の負荷キャパシタは第１のＬＣ対を形成し、前記第１のＬＣ対は、前記第１の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第２の負荷インダクタおよび前記第２の負荷キャパシタは第２のＬＣ対を形成し、前記第２のＬＣ対は、前記第２の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第３の負荷インダクタおよび前記第３の負荷キャパシタは第３のＬＣ対を形成し、前記第３のＬＣ対は、前記第３の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記第４の負荷インダクタおよび前記第４の負荷キャパシタは第４のＬＣ対を形成し、前記第４のＬＣ対は、前記第４の共振器の前記開放端とグランドとの間に接続され、
前記直接結合キャパシタは、前記第１の共振器の前記開放端と前記第３の共振器の前記開放端との間か、または前記第２の共振器の前記開放端と前記第４の共振器の前記開放端との間に接続されることを特徴とする、請求項１５に記載のバンドパスフィルタ。
【請求項２３】
少なくとも３つの共振器を含むコムラインバンドパスフィルタの周波数特性において通過帯域の低域側に追加の減衰極を新たに形成し制御する方法であって、
前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に直接結合キャパシタを接続する工程を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する直接結合キャパシタを接続した場合、通過帯域の低域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、
前記通過帯域の低域側における減衰量は、前記直接結合キャパシタの値を大きくすることにより増加し、前記通過帯域の低域側におけるロールオフは、前記直接結合キャパシタの値を大きくすることにより急峻さを増すことを特徴とする、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する直接結合キャパシタを接続した場合、通過帯域の低域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、
前記通過帯域の低域側における減衰量は、前記直接結合キャパシタの値を小さくすることにより低下し、前記通過帯域の低域側におけるロールオフは、前記直接結合キャパシタの値を小さくすることにより急峻さが低下することを特徴とする、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを含むコムラインバンドパスフィルタの周波数特性において通過帯域の高域側に減衰極を新たに形成し制御する方法であって、
前記共振器のうちの１つとこれに対応する負荷キャパシタとの間に複数の負荷インダクタの各々を接続する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する負荷インダクタを接続した場合、通過帯域の高域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、
前記通過帯域の高域側における減衰量は、前記負荷インダクタの値を大きくすることにより増加し、前記通過帯域の高域側におけるロールオフは、前記負荷インダクタの値を大きくすることにより急峻さを増すことを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する負荷インダクタを接続した場合、通過帯域の高域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、
前記通過帯域の高域側における減衰量は、前記負荷インダクタの値を小さくすることにより低下し、前記通過帯域の高域側におけるロールオフは、前記負荷インダクタの値を小さくすることにより急峻さが低下することを特徴とする、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを含むコムラインバンドパスフィルタの周波数特性において通過帯域の低域側に追加の減衰極を新たに形成するとともに通過帯域の高域側に減衰極を新たに形成し、制御する方法であって、
前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に直接結合キャパシタを接続する工程と、
前記共振器のうちの１つとこれに対応する負荷キャパシタとの間に複数の負荷インダクタの各々を接続する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する直接結合キャパシタを接続した場合、通過帯域の低域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、前記通過帯域の低域側における減衰量は、前記直接結合キャパシタの値を大きくすることにより増加し、前記通過帯域の低域側におけるロールオフは、前記直接結合キャパシタの値を大きくすることにより急峻さを増すことを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する直接結合キャパシタを接続した場合、通過帯域の低域側において公称の減衰とロールオフを有する公称周波数特性を示し、前記通過帯域の低域側における減衰量は、前記直接結合キャパシタの値を小さくすることにより低下し、前記通過帯域の低域側におけるロールオフは、前記直接結合キャパシタの値を小さくすることにより急峻さが低下することを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する負荷インダクタを接続した場合、通過帯域の高域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、前記通過帯域の高域側における減衰量は、前記負荷インダクタの値を大きくすることにより増加し、前記通過帯域の高域側におけるロールオフは、前記負荷インダクタの値を大きくすることにより急峻さを増すことを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記バンドパスフィルタは、公称値を有する負荷インダクタを接続した場合、通過帯域の高域側において公称の減衰量とロールオフを有する公称周波数特性を示し、前記通過帯域の高域側における減衰量は、前記負荷インダクタの値を小さくすることにより低下し、前記通過帯域における高域側のロールオフは、前記負荷インダクタの値を小さくすることにより急峻さが低下することを特徴とする、請求項２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンドパスフィルタに関し、より詳細には、複数の減衰極を有するバンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や無線ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）ルータなどの携帯通信端末は、それらに含まれる各種部品の小型化により、著しく小型化が進んできている。通信端末に含まれる部品の中で最も重要なもののひとつがフィルタである。
【０００３】
このような通信アプリケーションに用いられるバンドパスフィルタの一種が特許文献１に開示されており、これを図１Ａに示す。図１Ａは、３個のＬＣ（インダクタ−キャパシタ）共振器を利用したバンドパスフィルタを示している。このフィルタは、更に、３つのインダクタと、３つのキャパシタと、２つの入力／出力（Ｉ／Ｏ）キャパシタと、２つの結合キャパシタと、結合キャパシタパターンに対向する極調整用パターン４７とを備える。
【０００４】
図１Ｂから分かるように、この極調整用パターン４７の大きさを変えることにより、低域側の減衰帯域にある極の位置を調整することができる。例えば、結合キャパシタパターンと極調整用パターンとが重なり合う部分の面積を大きくすると、両者間に発生する静電容量が大きくなり、極間隔が広くなる。極調整用パターン４７の大きさを変えることで、２つの極の間隔を制御することができる。しかし、その結果、通過帯域の低域側近傍における減衰が改善されると、ごく低周波帯域における減衰は低下する。また、極調整用パターン４７を変えることにより、通過帯域の低域側に位置する極間の距離を制御することはできるが、極を個別に制御することはできない。
【０００５】
特許文献１に記載のバンドパスフィルタは、フィルタの通過帯域の低域側に減衰極を新たに形成する場合には概して許容できるものであるが、Ｉ／Ｏキャパシタが必要なためにフィルタが大型化し、小型の通信機器におけるアプリケーションとしてはあまり適さない。帯域が広いフィルタの場合、これらキャパシタは必要な外部回路を結合するために十分大きくなければならない。このようなキャパシタは、フィルタの大型化と高価格化を招くおそれがある。また、特許文献１のフィルタは、通過帯域の低域側における減衰極を個別に制御する機能を欠くとともに、通過帯域の高域側において減衰極を全く有しない。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６，４２４，２３６号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、複数の減衰極を有するバンドパスフィルタを提供する。本発明の一実施形態によれば、当該バンドパスフィルタは、タップ線型（tapped-line）入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。前記バンドパスフィルタは、更に、各々が前記共振器のうちの１つとそれに対応する負荷キャパシタとの間に接続された複数の負荷インダクタと、前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続された直接結合キャパシタとを含む。
【０００８】
従来のコムラインフィルタに一般的に用いられるＩ／Ｏキャパシタではなく、タップ線型入力端子および出力端子を用いることにより、フィルタの小型化が実現できる。また、コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することにより、通過帯域の低域側に追加の減衰極を新たに形成することが可能となる。この直接結合キャパシタのキャパシタンス値を変えることにより、通過帯域の低域側における減衰量およびロールオフ特性を制御することができる。また、コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することにより、通過帯域の高域側にも減衰極を作り出すことができる。該負荷インダクタの値を変えることにより、通過帯域の高域側における減衰量およびロールオフ特性を制御することができる。
【０００９】
本発明の他の実施形態によれば、当該バンドパスフィルタは、タップ線型入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。前記バンドパスフィルタは、更に、前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続された直接結合キャパシタを含む。
【００１０】
本発明の更に他の実施形態によれば、当該バンドパスフィルタは、タップ線型入力端子および出力端子と、少なくとも３つの共振器と、各共振器に対応する負荷キャパシタとを有するコムラインバンドパスフィルタを含む。前記バンドパスフィルタは、更に、前記少なくとも３つの共振器のうち、少なくとも１つの共振器により隔てられた任意の２つの共振器の間に接続された直接結合キャパシタを含む。このバンドパスフィルタは、コムラインフィルタの周波数特性に対し、通過帯域の低域側に減衰極を追加するものである。
【００１１】
上述した各実施形態の周波数特性は、タップ線型入力端子および出力端子の位置を調節することにより、更に変更することができる。タップ線型入力端子および出力端子は、一般的には共振器の開放端に接続される。前記Ｉ／Ｏ端子を共振器の開放端から下がった位置に移動させることにより、周波数特性の通過帯域の低域側および高域側の両方における帯域外減衰を一層改善することができる。
【００１２】
ここに記載した本発明に関する記述は、単なる例示と説明にとどまり、特許請求の範囲に記載の本発明をなんら制限するものでないことを理解されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の代表的な実施形態を詳細に参照する。添付の図面は、各実施形態の一例をそれぞれ示している。
【００１４】
本発明は、従来のコムラインバンドパスフィルタを利用・改変して、複数の減衰極を示す新規バンドパスフィルタを創り出すものである。図２Ａは、従来のコムラインバンドパスフィルタの回路図である。コムラインバンドパスフィルタ１００は、３つの共振器１１０，１１１，１１２を含んでいる。一般的に、これら共振器はＴＥＭ４分の１波長共振器である。各共振器の短絡端はグランドに接続され、開放端は、負荷キャパシタ１２１，１３１，１４１にそれぞれ接続される。内部結合キャパシタ１１７は、第１の共振器１１０の開放端と第２の共振器１１１の開放端とを接続する。内部結合キャパシタ１１８は、第２の共振器１１１の開放端と第３の共振器１１２の開放端とを接続する。入力端子１１４および入力キャパシタ１１３は、第１の共振器１１０の開放端に接続され、出力端子１１５および出力キャパシタ１１６は、第３の共振器１１２の開放端に接続される。
【００１５】
図２Ｂは、図２Ａに示したコムラインバンドパスフィルタの周波数特性を表す図である。図２Ｂに示されるように、従来のコムラインバンドパスフィルタは、通過帯域の低域側に減衰極を１つだけ有する。通過帯域の高域側に減衰極は存在せず、ロールオフは比較的浅い。
【００１６】
図３は、本発明の一実施形態に係るバンドパスフィルタ１０５の回路図である。この回路図から分かるように、バンドパスフィルタ１０５は、図２Ａに示したコムラインバンドパスフィルタ１００に類似している。しかし、バンドパスフィルタ１０５は、従来のコムラインバンドパスフィルタの構成要素に加え、更に、直接結合キャパシタ１５０と、負荷キャパシタ１２１，１３１，１４１とを含んでいる。また、バンドパスフィルタ１０５は、入力キャパシタおよび出力キャパシタなしで作動してもよい。図３に示すように、入力端子１１４および出力端子１１５は、タップ線型Ｉ／Ｏ端子である。すなわち、これら入力端子および出力端子は、共振器に直接つながっている。このようにして、フィルタパッケージの省スペース化を図ることができる。
【００１７】
第１の共振器１１０、第２の共振器１１１および第３の共振器１１２の短絡端はそれぞれグランドに接続される。これら第１、第２および第３の共振器の開放端は、第１のＬＣ対１２０、第２のＬＣ対１３０、第３のＬＣ対１４０にそれぞれ直列に接続される。第１の共振器１１０の開放端と第２の共振器１１１の開放端とは、内部結合キャパシタ１１７によって接続され、同様に、第２の共振器１１１の開放端と第３の共振器１１３の開放端とは、内部結合キャパシタ１１８によって接続される。直接結合キャパシタ１５０は、第１の共振器１１０の開放端と第３の共振器１１２の開放端とを接続する。また、入力端子１１４は第１の共振器１１０の開放端に接続され、出力端子１１５は第３の共振器１１３の開放端に接続される。共振器１１０，１１１，１１２は、いずれもＴＥＭ４分の１波長共振器であることが好ましい。
【００１８】
第１のＬＣ対１２０は、第１の負荷キャパシタ１２１と第１の負荷インダクタ１２２とからなる。同様に、第２のＬＣ対１３０は、第２の負荷キャパシタ１３１と第２の負荷インダクタ１３２とからなり、第３のＬＣ対１４０は、第３の負荷キャパシタ１４１と第３の負荷インダクタ１４２とからなる。これらＬＣ対は、それぞれ、これらに対応する共振器の開放端とグランドとの間に接続される。図３に示されるように、負荷キャパシタはグランドに直接接続され、負荷インダクタは共振器に直接接続されているが、この配置を逆にしてもよい。
【００１９】
図４は、図３に示した回路の物理的配置の一例を示す図である。一般的に、通信システムや無線ＬＡＮにおけるアプリケーションには、多層構造が用いられる。フィルタは、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣプロセス）を用いて形成することが好ましいが、多層構造を形成するためのプロセスであれば、薄膜プロセス、液晶ポリマプロセス、その他セル材料技術等、どのようなプロセスを用いてもよい。後述する図４の説明文中における金属領域は、いずれも任意の適当な導電性材料により形成することができ、特に銀、銅、あるいは金を用いることが好ましい。同様に、以下に述べる全てのビアは、任意の適当な導電性材料により形成することができ、特に、銀、銅、または金を含有する導電性ペーストにより形成することが好ましい。
【００２０】
図４に示すように、バンドパスフィルタ配置２００は、システムグランド、第１の浮動グランド、第２の浮動グランドをそれぞれ形成する金属領域２０１，２０２，２０３を含んでいる。これらのグランド金属領域は、ビア２０４，２０５，２０６，２０７，２０８２０９によって互いに接続されている。金属領域２２４，２２５，２２６は、第１、第２および第３の共振器をそれぞれ形成している。金属領域２２４，２２５，２２６の構成は、ストリップ線路構造と呼ばれることがある。これら共振器の短絡端は、それぞれビア２０４，２０５，２０６を介してグランドに接続されている。
【００２１】
金属領域２１０，２１１，２１２は第１、第２、第３のインダクタをそれぞれ形成する。これらは一般的にシャントインダクタと呼ばれる。図示したように、金属領域２１０，２１１，２１２は、概ね線状の金属領域で、金属領域２１０および２１２は、９０度の曲がり角をそれぞれ１つ有している。しかしながら、ここに示した負荷インダクタの形状はあくまで例示であり、所望のインダクタンスレベルを達成できるものであれば、どのような形状の金属領域を用いてもよい。金属領域２１０，２１１，２１２（負荷インダクタ）は、ビア２２１，２２２，２２３を介して、金属領域２２４，２２５，２２６（共振器）の開放端にそれぞれつながっている。
【００２２】
金属領域２１０，２１１，２１２（負荷インダクタ）は、金属領域２１３，２１４，２１５にもつながっている。金属領域２１３，２１４，２１５は、それぞれ、金属領域２０３（第２の浮動グランド）および金属領域２０１（システムグランド）とともに、第１、第２、第３の負荷キャパシタを形成する。これらは通常、シャントキャパシタと呼ばれる。この構造からわかるように、第２の浮動グランドおよびシステムグランドの両方を利用することにより、上記負荷キャパシタはサンドイッチ型キャパシタとなる。この構成を利用することにより、キャパシタ、ひいてはフィルタを小型化することができる。
【００２３】
金属領域２１７および２１８は、それぞれ、金属領域２１６とともに、第１および第２の内部結合キャパシタを形成する。これらは平行平板キャパシタである。金属領域２１７（第１の内部結合キャパシタ）は、ビア２２１を介して金属領域２２４（第１の共振器）の開放端に接続され、金属領域２１８（第２の内部結合キャパシタ）は、ビア２２３を介して金属領域２２６（第３の共振器）の開放端に接続されている。金属領域２１６（第１および第２の内部結合キャパシタの各一部を構成する）は、金属領域２２５（第２の共振器）の開放端に直接接続されている。
【００２４】
金属領域２１９および２２０は、直接結合キャパシタを形成する。これらも、平行平板キャパシタである。金属領域２１９は、ビア２２３を介して金属領域２２６（第３の共振器）の開放端に接続され、金属領域２２０は、ビア２２１を介して金属領域２２４（第１の共振器）の開放端に接続されている。
【００２５】
金属領域２２７は入力端子を形成し、金属領域２２４（第１の共振器）の開放端に直接接続されている。同様に、金属領域２２８は、出力端子を形成し、金属領域２２６（第３の共振器）の開放端に直接接続されている。このように、入力端子および出力端子は、いずれもタップ線型Ｉ／Ｏ端子である。
【００２６】
図５は、図３に示した回路の周波数特性を示す図である。負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを含むことにより、周波数特性において３つの減衰極が得られている。通過帯域の低域側に位置するのが極Ｐ１および極Ｐ２、通過帯域の高域側に位置するのが極Ｐ３である。図５から分かるように、通過帯域（およそ４．５０ＧＨｚ乃至６．５０ＧＨｚ）は、実質的に平坦である。図５に示す周波数性能は、負荷キャパシタの値が０．６ｐＦ、負荷インダクタの値が０．４ｎＨ、内部結合キャパシタの値が０．５ｐＦ、直接結合キャパシタの値が０．１５ｐＦ、共振器の長さが１１００μｍ、共振器の幅が１００μｍである回路において実現されうる。ＬＴＣＣ基板の高さは５００μｍで、セラミック材料の比誘電率（εｒ）は７．５であることが好ましい。しかしながら、この回路図は、あらゆる所望の範囲の周波数特性を有するバンドパスフィルタの使用に適用可能なものであるので、特定のアプリケーションに適するよう、キャパシタンス値、インダクタンス値、共振器の長さ、基板の高さ、比誘電率を調節してもよい。
【００２７】
図６は、図３に示す回路において、直接結合キャパシタの値を変動させた場合の周波数特性を示す図である。その他の構成要素の値は、図５を参照して上に述べたとおりである。図６に示されるように、直接結合キャパシタの値をゼロ（事実上、キャパシタがない）にした場合、周波数特性６００は、通過帯域の低域側に１つの極Ｐ１のみを有する。直接結合キャパシタが０．１ｐＦのキャパシタンスを有する場合、周波数特性６０１は、通過帯域の低域側に２つの極（Ｐ１およびＰ２）を示す。直接結合キャパシタのキャパシタンスを、０．１５ｐＦに上げると、周波数６０２は、同様に、通過帯域の低域側に２つの極をもつ。また、周波数特性６０２は、極Ｐ２で、周波数特性６０１よりも急峻なロールオフを示す。このように、図６に示す周波数特性を見ると、図３のコムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することにより、通過帯域の低域側に第２の減衰極を実現できることがわかる。また、直接結合キャパシタのキャパシタンス値を変えることにより、通過帯域の低域側において、より急峻な（キャパシタンスを高くした場合、）、あるいは、急峻さがより低減された（キャパシタンスを低くした場合）ロールオフ特性が生じるよう、バンドパスフィルタの周波数特性を調整することができる。
【００２８】
図７は、図３に示す回路において、負荷インダクタの値を変動させた場合の周波数特性を示す図である。その他の構成要素の値は、図５を参照して上述したとおりである。図７に示されるように、負荷インダクタの値をゼロ（事実上、負荷インダクタがない）にした場合、周波数特性６０３は、通過帯域の低域側に２つの極を有するが、通過帯域の高域側には極を有しない。実際、負荷インダクタがない場合には、通過帯域の高域側における周波数特性はかなり浅いロールオフを示す。負荷インダクタがインダクタンス値０．２ｎＨを有する場合、周波数特性６０４は、通過帯域の高域側において追加の極Ｐ３を示す。負荷インダクタのインダクタンス値を０．３ｎＨに上げると、周波数特性６０５は、同様に、通過帯域の高域側において、追加の極Ｐ３をもつ。また、周波数特性６０５は、極Ｐ３で、周波数特性６０４よりも急峻なロールオフを示す。このように、図７に示す周波数特性を見ると、図３のコムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することにより、通過帯域の高域側に第３の減衰極を実現できることがわかる。また、負荷インダクタのインダクタンス値を変えることにより、通過帯域の高域側において、より急峻な（インダクタンスを高くした場合）、あるいは、急峻さがより低減された（インダクタンスを低くした場合）ロールオフ特性が生じるよう、バンドパスフィルタの周波数特性を調整することができる。
【００２９】
図８は、本発明に係る他の実施形態のバンドパスフィルタを表す図である。この実施形態は、入力端子および出力端子の配置を除き、図３に示したフィルタと実質的に同じである。図８から分かるように、バンドパスフィルタ１０６は、それぞれ、第１の共振器１１０および第３の共振器１１２の開放端から下がって位置する入力端子１２５および出力端子１２６を含んでいる。
【００３０】
図９は、図９のバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。バンドパスフィルタ配置２５０は、入力端子および出力端子を形成する金属領域以外は全て、図４のバンドパスフィルタ配置２００と同じである。金属領域２２９は、入力端子を形成し、金属領域２２４（第１の共振器）の開放端からおよそ２００μｍ下がった位置で金属領域２２４に接続されている。同様に、金属領域２３０は、出力端子を形成し、金属領域２２６（第３の共振器）の開放端からおよそ２００μｍ下方の位置で金属領域２２６に接続されている。これら入力端子および出力端子は、共振器の長さの半分の距離までであれば、各共振器の開放端からどれほど下がった位置に配置されてもよい。
【００３１】
図１０は、図３および図８に示す回路において、入力端子および出力端子の位置を変えた場合の周波数特性を示す図である。インダクタンス分およびキャパシタンス分の値、共振器の長さ、基板の高さ、セラミック材料の比誘電率は、図５を参照して上述したとおりである。図１０に示されるように、通過帯域の高域側と低域側のロールオフと減衰の急峻さは、入力端子および出力端子が共振器の開放端から後退するほど大きくなる。周波数特性６０６は、入力端子および出力端子が共振器の開放端に位置する場合の特性を示す。周波数特性６０７は、入力端子および出力端子が共振器の開放端から２００μｍ後退した位置にある場合の特性を示す。周波数特性６０８は、入力端子および出力端子が共振器の開放端から４００μｍ後退した位置にある場合の特性を示す。
【００３２】
図３乃至１０を参照して説明したバンドパスフィルタは、必ずしも共振器を３つだけ有する回路に限定されず、４つ以上の共振器を有する回路でもよい。必要なのは、各共振器に１つずつＬＣ対が直列に接続されていることと、隣接する共振器の開放端どうしの間に１つずつ内部結合キャパシタが設けられていることである。また、少なくとも１つの直接結合キャパシタが、少なくとも１つの共振器によって隔てられた任意の２つの共振器の間に接続されてもよい。例えば、４つの共振器を用いた回路において、直接結合キャパシタは、第１の共振器と第３の共振器との間、または、第２の共振器と第４の共振器との間に接続されてもよい。
【００３３】
図１１は、４つの共振器を有するバンドパスフィルタ１０７の回路図である。この回路は、図３に示した回路に類似している。この４つの共振器を有する回路には、第４の共振器１２３と、第４の共振器１２３の開放端に接続された第４のＬＣ対１６０と、第４の共振器１２３および第１の共振器１１０の各開放端間に接続された第３の内部結合キャパシタ１１９とが追加されている。第４のＬＣ対１６０は、第４の負荷キャパシタ１６１および第４の負荷インダクタ１６２を含む。図１１に示されるように、直接結合キャパシタ１５０は、共振器１１０と共振器１１２（これらは共振器１１１により隔てられている）との間に接続される。上述したように、直接結合キャパシタ１５０は、共振器１２３と共振器１１１（これらは共振器１１０によって隔てられている）との間に接続されてもよい。
【００３４】
上述したように、コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することにより、フィルタの周波数特性における通過帯域の低域側に追加の減衰極を新たに形成することができる。また、コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することにより、フィルタの周波数特性における通過帯域の高域側に減衰極を新たに形成することができる。これまで説明してきた回路は、直接結合キャパシタおよび負荷インダクタの両方を含むものであった。しかし、通過帯域の片側だけに関して帯域外減衰の改善が求められるアプリケーションにおいては、これら要素を両方とも含むことは必ずしも必要ではない。
【００３５】
図１２は、直接結合キャパシタを含むが、負荷インダクタを含まないバンドパスフィルタ１０８の回路図である。この場合、第１の負荷キャパシタ１２１、第２の負荷キャパシタ１３１、および第３の負荷キャパシタ１４１は、第１の共振器１１０、第２の共振器１１１、および第３の共振器１１２の開放端にそれぞれ接続されている。第１の内部結合キャパシタ１１７は、第１の共振器１１０の開放端と第２の共振器１１１の開放端との間に接続され、第２の内部結合キャパシタ１１８は、第２の共振器１１１の開放端と第３の共振器１１２の開放端との間に接続される。直接結合キャパシタ１５０は、第１の共振器１１０の開放端と第３の共振器１１２の開放端との間に接続される。入力端子１１４は第１の共振器１１０の開放端に接続され、出力端子１１５は第３の共振器１１２の開放端に接続される。
【００３６】
上述したように、各共振器に１つずつ直列に接続された負荷キャパシタと、隣接する共振器の開放端どうしの間に１つずつ設けられた内部結合キャパシタがあれば、３つよりも多くの共振器を用いてもよい。また、直接結合キャパシタを、少なくとも１つの共振器によって隔てられた任意の２つの共振器の間に接続してもよい。
【００３７】
図１３は、図１２に示した回路の物理的配置を表す図である。バンドパスフィルタ配置３００は、システムグランド、第１の浮動グランド、第２の浮動グランドをそれぞれ形成する金属領域３０１，３０２，３０３を含む。これらのグランド金属領域は、ビア３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９によって互いに接続されている。金属領域３２４，３２５，３２６は、それぞれ、第１、第２、第３の共振器を形成する。この構成は、しばしばストリップ線路構造と呼ばれる。これら共振器の短絡端は、それぞれビア３０４，３０５，３０６を介してグランドに接続されている。
【００３８】
金属領域３１３，３１４，３１５は、それぞれ、金属領域３０３（第２の浮動グランド）および金属領域３０１（システムグランド）とともに、第１、第２、第３の負荷キャパシタを形成する。この構成はサンドイッチ型キャパシタと呼ばれる。金属領域３１３，３１４，３１５（負荷キャパシタ）は、ビア３２１，３２２，３２３を介して、金属領域３２４，３２５，３２６（共振器）にそれぞれつながっている。
【００３９】
金属領域３１７および３１８は、それぞれ、金属領域３１６とともに、第１および第２の内部結合キャパシタを形成する。この構成は平行平板キャパシタと呼ばれる。金属領域３１７（第１の内部結合キャパシタ）は、ビア３２１を介して金属領域３２４（第１の共振器）の開放端に接続され、金属領域３１８（第２の内部結合キャパシタ）は、ビア３２３を介して金属領域３２６（第３の共振器）の開放端に接続されている。金属領域３１６（第１および第２の内部結合キャパシタの各一部を構成する）は、金属領域３２５（第２の共振器）の開放端に直接接続されている。
【００４０】
金属領域３１９および３２０は、直接結合キャパシタ１５０を形成する。この構成は、平行平板キャパシタと呼ばれる。金属領域３１９は、ビア３２３を介して金属領域３２６（第３の共振器）の開放端に接続され、金属領域３２０は、ビア３２１を介して金属領域３２４（第１の共振器）の開放端に接続される。
【００４１】
金属領域３２７は入力端子を形成し、金属領域３２４（第１の共振器）の開放端に直接接続される。同様に、金属領域３２８は出力端子を形成し、金属領域３２６（第３の共振器）の開放端に直接接続される。このように、入力端子および出力端子は、いずれもタップ線型Ｉ／Ｏ端子である。
【００４２】
図１４は、図１２に示した回路の周波数特性を示す図である。図から分かるように、コムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することにより、周波数特性の通過帯域における低域側に２つの減衰極を形成することができる。
【００４３】
図１５は、負荷インダクタ１２２，１３２，１４２を含むが、直接結合キャパシタは含まないバンドパスフィルタ１０９の回路図である。この場合、第１のＬＣ対１２０（第１の負荷キャパシタ１２１および第１の負荷インダクタ１２２を含む）と、第２のＬＣ対１３０（第２の負荷キャパシタ１３１および第２の負荷インダクタ１３２を含む）と、第３のＬＣ対１４０（第３の負荷キャパシタ１４１および第３の負荷インダクタ１４２を含む）は、第１の共振器１１０、第２の共振器１１１、第３の共振器１１２の開放端にそれぞれ接続されている。
【００４４】
第１の内部結合キャパシタ１１７は、第１の共振器１１０の開放端と第２の共振器１１１の開放端との間に接続され、第２の内部結合キャパシタ１１８は、第２の共振器１１１の開放端と第３の共振器１１２の開放端との間に接続される。入力端子１１４は第１の共振器１１０の開放端に接続され、出力端子１１５は第３の共振器１１２の開放端に接続される。
【００４５】
上述したように、各共振器に１つずつ直列に接続されたＬＣ対と、隣接する共振器の開放端どうしの間に１つずつ設けられた内部結合キャパシタがあれば、３つよりも多くの共振器を用いてもよい。
【００４６】
図１６は、図１５に示した回路の物理的配置を示す図である。バンドパスフィルタ配置４００は、システムグランド、第１の浮動グランド、第２の浮動グランドをそれぞれ形成する金属領域４０１，４０２，４０３を含む。これらのグランド金属領域は、ビア４０４，４０５，４０６，４０７，４０８，４０９によって互いに接続されている。金属領域４２４，４２５，４２６は、それぞれ、第１、第２、第３の共振器を形成する。この構成は、ストリップ線路構造と呼ばれる。これら共振器の短絡端は、それぞれビア４０４，４０５，４０６を介してグランドに接続されている。
【００４７】
金属領域４１０，４１１，４１２は、それぞれ、第１、第２、第３インダクタを形成する。これらはシャントインダクタと呼ばれる。図示したように、金属領域４１０，４１１，４１２は、概ね線状の金属領域であり、金属領域４１０および４１２は、９０度の曲がり角をそれぞれ１つ有している。しかしながら、ここに示した負荷インダクタの形状はあくまで例示であり、所望のインダクタンスのレベルを達成できるものであれば、どのような形状の金属領域を用いてもよい。金属領域４１０，４１１，４１２（負荷インダクタ）は、ビア４２１，４２２，４２３を介して、金属領域４２４，４２５，４２６（共振器）の開放端にそれぞれつながっている。
【００４８】
金属領域４１０，４１１，４１２（負荷インダクタ）は、金属領域４１３，４１４，４１５にもつながっている。金属領域４１３，４１４，４１５は、それぞれ、金属領域４０３（第２の浮動グランド）および金属領域４０１（システムグランド）とともに、第１、第２、第３の負荷キャパシタを形成する。これらの構成はサンドイッチ型キャパシタと呼ばれる。
【００４９】
金属領域４１７および４１８は、それぞれ、金属領域４１６とともに、第１および第２の内部結合キャパシタを形成する。これらの構成は平行平板キャパシタと呼ばれる。金属領域４１７（第１の内部結合キャパシタ）は、ビア４２１を介して金属領域４２４（第１の共振器）の開放端に接続され、金属領域４１８（第２の内部結合キャパシタ）は、ビア４２３を介して金属領域４２６（第３の共振器）の開放端に接続されている。金属領域４１６（第１および第２の内部結合キャパシタの各一部を構成する）は、金属領域４２５（第２の共振器）の開放端に直接接続されている。
【００５０】
金属領域４２７は入力端子を形成し、金属領域４２４（第１の共振器）の開放端に直接接続されている。同様に、金属領域４２８は、出力端子を形成し、金属領域４２６（第３の共振器）の開放端に直接接続されている。このように、入力端子および出力端子は、いずれもタップ線型Ｉ／Ｏ端子である。
【００５１】
図１７は、図１５に示した回路の周波数特性を示す図である。図から分かるように、コムラインバンドパスフィルタに負荷インダクタを追加することにより、周波数特性における通過帯域の高域側に減衰極を形成することができる。
【００５２】
本明細書と、ここに開示された実施形態を考慮することにより、当業者には他の実施形態が明白となろう。このように、本明細書および実施例は例示的なものにすぎず、本発明の真の範囲と精神は、以下の特許請求の範囲とその法的均等の範囲に示されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１Ａ】図１Ａは、先行技術のバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１に示した先行技術のバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、従来のコムラインバンドパスフィルタの回路図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、従来のコムラインバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの、直接結合キャパシタンスと関連した周波数特性を示す図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの、負荷インダクタンスと関連した周波数特性を示す図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係る、位置が下がったＩ／Ｏ端子を有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係る、位置が下がったＩ／Ｏ端子を有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態に係るバンドパスフィルタの、Ｉ／Ｏ端子の位置と関連した周波数特性を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態に係る、４つの共振器を有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１６】図１６は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図１Ａ】
2009517920.tif 000003
【図１Ｂ】
2009517920.tif 000004
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2009517920.tif 000014
【図１１】
2009517920.tif 000015
【図１２】
2009517920.tif 000016
【図１３】
2009517920.tif 000017
【図１４】
2009517920.tif 000018
【図１５】
2009517920.tif 000019
【図１６】
2009517920.tif 000020
【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されることを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されていることを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記タップ線型入力端子は、前記第１の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第１の共振器に接続され、前記タップ線型出力端子は、前記第３の共振器の前記開放端から後退した位置で前記第３の共振器に接続されることを特徴とする、請求項１６に記載のバンドパスフィルタ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１の共振器１１０、第２の共振器１１１および第３の共振器１１２の短絡端はそれぞれグランドに接続される。これら第１、第２および第３の共振器の開放端は、第１のＬＣ対１２０、第２のＬＣ対１３０、第３のＬＣ対１４０にそれぞれ直列に接続される。第１の共振器１１０の開放端と第２の共振器１１１の開放端とは、内部結合キャパシタ１１７によって接続され、同様に、第２の共振器１１１の開放端と第３の共振器１１２の開放端とは、内部結合キャパシタ１１８によって接続される。直接結合キャパシタ１５０は、第１の共振器１１０の開放端と第３の共振器１１２の開放端とを接続する。また、入力端子１１４は第１の共振器１１０の開放端に接続され、出力端子１１５は第３の共振器１１２の開放端に接続される。共振器１１０，１１１，１１２は、いずれもＴＥＭ４分の１波長共振器であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６は、図３に示す回路において、直接結合キャパシタの値を変動させた場合の周波数特性を示す図である。その他の構成要素の値は、図５を参照して上に述べたとおりである。図６に示されるように、直接結合キャパシタの値をゼロ（事実上、キャパシタがない）にした場合、周波数特性６００は、通過帯域の低域側に１つの極Ｐ１のみを有する。直接結合キャパシタが０．１ｐＦのキャパシタンスを有する場合、周波数特性６０１は、通過帯域の低域側に２つの極（Ｐ１およびＰ２）を示す。直接結合キャパシタのキャパシタンスを、０．１５ｐＦに上げると、周波数特性６０２は、同様に、通過帯域の低域側に２つの極をもつ。また、周波数特性６０２は、極Ｐ２で、周波数特性６０１よりも急峻なロールオフを示す。このように、図６に示す周波数特性を見ると、図３のコムラインバンドパスフィルタに直接結合キャパシタを追加することにより、通過帯域の低域側に第２の減衰極を実現できることがわかる。また、直接結合キャパシタのキャパシタンス値を変えることにより、通過帯域の低域側において、より急峻な（キャパシタンスを高くした場合、）、あるいは、急峻さがより低減された（キャパシタンスを低くした場合）ロールオフ特性が生じるよう、バンドパスフィルタの周波数特性を調整することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図９は、図８のバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。バンドパスフィルタ配置２５０は、入力端子および出力端子を形成する金属領域以外は全て、図４のバンドパスフィルタ配置２００と同じである。金属領域２２９は、入力端子を形成し、金属領域２２４（第１の共振器）の開放端からおよそ２００μｍ下がった位置で金属領域２２４に接続されている。同様に、金属領域２３０は、出力端子を形成し、金属領域２２６（第３の共振器）の開放端からおよそ２００μｍ下方の位置で金属領域２２６に接続されている。これら入力端子および出力端子は、共振器の長さの半分の距離までであれば、各共振器の開放端からどれほど下がった位置に配置されてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【図１Ａ】図１Ａは、先行技術のバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａに示した先行技術のバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図２Ａ】図２Ａは、従来のコムラインバンドパスフィルタの回路図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、従来のコムラインバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの、直接結合キャパシタンスと関連した周波数特性を示す図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタおよび直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの、負荷インダクタンスと関連した周波数特性を示す図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係る、位置が下がったＩ／Ｏ端子を有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係る、位置が下がったＩ／Ｏ端子を有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態に係るバンドパスフィルタの、Ｉ／Ｏ端子の位置と関連した周波数特性を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態に係る、４つの共振器を有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態に係る、直接結合キャパシタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの回路図である。
【図１６】図１６は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの物理的配置を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の一実施形態に係る、負荷インダクタを有するバンドパスフィルタの周波数特性を示す図である。
【国際調査報告】
2009517920.tif 000022
2009517920.tif 000023
2009517920.tif 000024
2009517920.tif 000025
2009517920.tif 000026