(57)【要約】【課題】公知方法と比較してより穏やかな温度および／または圧力条件下で、少なくとも同等の変換率を達成する、ビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィドの還元的開裂のための方法を提供する。【解決手段】少なくとも１種のアルコールおよびドープされた金属触媒の存在下に、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを、水素を用いて水素化し、その際、ドープされた金属触媒が、鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、白金、白金化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムおよびイリジウム化合物の群から成る少なくとも１種の物質および少なくとも１種のドーピング成分を含有することを特徴とする方法により解決される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のアルコールおよびドープされた金属触媒の存在下で、ビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィドを、水素を用いて水素化する、メルカプトオルガニル−（アルコキシシラン）の製造方法において、ドープされた金属触媒が、鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、パラジウム、パラジウム化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムまたはイリジウム化合物の群から成る少なくとも１種の物質および少なくとも１種のドーピング成分を含有することを特徴とする、メルカプトオルガニル−（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項２】
メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）が、一般式（ＩＩ）
Ｗ−Ａ−ＳＨ      （ＩＩ）
［式中、Ｗは−ＳｉＹ１Ｙ２Ｙ３またはＳｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎであり、かつ、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３はそれぞれ互いに独立してヒドロキシ（−ＯＨ）、炭素原子１〜１８個（Ｃ１〜Ｃ１８）を有する直鎖、分枝または環状の炭化水素鎖、直鎖または分枝のアルキル酸基（ＣａＨ２ａ＋１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、その際、ａは１〜２５であり、直鎖または分枝のアルケニル酸基（ＣｂＨ２ｂ−１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、その際、ｂは２〜２５であり、直鎖または分枝の置換されたアルキル酸基またはアルケニル酸基、５〜１２個の炭素原子を有する非置換、ハロゲン置換またはアルキル置換されたシクロアルカン基、ベンジル基、ハロゲン置換またはアルキル置換されたフェニル基、直鎖または分枝のアルコキシ基、炭素原子５〜１２個を有するシクロアルコキシ基、ハロゲン置換またはアルキル置換されたフェノキシ基またはベンジルオキシ基、アルキルエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）−Ｏ−Ａｌｋまたはアルキルポリエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２Ｏ）ｙ−Ａｌｋ、その際、ｙは２〜２５であり、かつ、ＲＩは互いに独立してＨまたはアルキル基であり、Ａｌｋは、炭素原子１〜３０個（Ｃ１〜Ｃ３０）を有する直鎖または分枝の、飽和または不飽和の、アルキル鎖であり、
Ａは直鎖または分枝の、飽和または不飽和の、脂肪族、芳香族または混合脂肪族／芳香族の、二価のＣ１〜Ｃ３０炭化水素鎖である］の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項３】
メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）が、一般式ＩＩの化合物の混合物である、請求項２に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項４】
水素化を５〜２５０バールの圧力で実施する、請求項１または２に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項５】
水素化を５０〜２５０℃の温度で実施する、請求項１または２に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項６】
ドープされた金属触媒の質量に対するドーピング成分の量が、０．００００１質量％〜８０質量％である、請求項１から５までのいずれか１項に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項７】
ドープされた金属触媒の物質が、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド１ｇ当たり０．０００１〜１ｍｍｏｌである、請求項１から５までのいずれか１項に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項８】
ドープされた金属触媒を、固体として、懸濁液中でか、あるいは、ワックスまたは油中に包埋された形で使用する、請求項１から７までのいずれか１項に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項９】
アルコールを、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドおよびアルコールの全質量に対して０．０１〜９５質量％の割合で使用する、請求項１に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項１０】
反応混合物が、添加剤を含有する、請求項１に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項１１】
質量変換率が、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）０．００１〜１０ｇ／ドープされた金属触媒の物質１ｍｍｏｌ／分である、請求項１に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項１２】
モル変換率が、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）０．００１〜５０ｍｍｏｌ／ドープされた金属触媒の物質１ｍｍｏｌ／分である、請求項１に記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＵＳ６４３３２０６から、第ＶＩＩＩ族の金属触媒の使用下で、ビス（オルガニルシリル）ポリスルフィドを水素化することによる、ケイ素含有オルガノメルカプタンの製造方法が記載されており、この場合、この金属触媒は、それぞれ水、Ｈ２Ｓまたはアルコールによる毒から保護しなければならないことが知られている。
【０００３】
これらの方法は、省力（energy-sparing)条件下での変換率がかなり低いといった欠点を有する（形成される生成物シランｇ／分／触媒金属ｍｍｏｌ）。公知の反応は、プラントのための高い金属装填量のために、実現には技術的困難を伴ってのみ、高い圧力−および温度条件下（＞１００バールおよび＞１８０℃）でのみ、十分な変換率で実施される。
【０００４】
ＤＥ１０２００４０４３０９４．２から、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）を製造するための方法が知られており、この場合、この方法は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを、＜１９０℃の温度および＜１００バールの圧力で、水および遷移金属触媒を用いて、水、アルコールまたはＨ２Ｓを添加することなく水素化することを含む。
【０００５】
さらにＤＥ１０２００４０４３０９３．４から、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）を製造するための方法が知られており、この場合、この方法は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを溶剤中で、水素および遷移金属触媒と一緒に、水、アルコールまたはＨ２Ｓを添加することなく水素化することを含む。
【特許文献１】ＵＳ６４３３２０６
【特許文献２】ＤＥ１０２００４０４３０９４．２
【特許文献３】ＤＥ１０２００４０４３０９３．４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィドの還元的開裂のための方法を提供するものであって、この場合、この方法は、ＵＳ６４３３２０６から公知の方法と比較して、より穏やかな温度および／または圧力条件下で、少なくとも同等の変換率を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の課題は以下の方法により解決された。
【０００８】
本発明は、少なくとも１種のアルコールおよびドープされた金属触媒の存在下に、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを、水素を用いて水素化することによる、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法に関し、この場合、この方法は、ドープされた金属触媒が、鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、白金、白金化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムおよびイリジウム化合物の群から成る少なくとも１種の物質および少なくとも１種のドーピング成分を含有することを特徴とする。
【０００９】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、アルコール中の溶液にすることができる。
【００１０】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、一般式（Ｉ）
Ｚ−Ａ−Ｓｘ−Ａ−Ｚ      （Ｉ）
［式中、ｘは１〜１４、好ましくは１〜８、より好ましくは２〜４、特に好ましくは２．０〜２．６および３．２〜３．９であり、
Ｚはそれぞれ同じかまたは異なって、ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３またはＳｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎであり、かつ、
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、それぞれ互いに独立して、炭素原子１〜１８個（Ｃ１〜Ｃ１８）、好ましくは１〜１０個（Ｃ１〜Ｃ１０）を有する直鎖、分枝または環状の炭化水素鎖であってもよく、特に好ましくはメチル−、エチル−、プロピル−またはブチル−、直鎖または分枝のアルキル酸基（ＣａＨ２ａ＋１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（式中、ａ＝１〜２５）、たとえばアセトキシ−ＣＨ３−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−、直鎖または分枝の、アルケニル酸置換基（ＣｂＨ２ｂ−１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（式中、ｂ＝２〜２５）、直鎖または分枝の、置換されたアルキル酸基またはアルケニル酸基、
５〜１２個の炭素原子を有する非置換の、ハロゲン置換またはアルキル置換されたシクロアルカン基、
ベンジル基、
直鎖および／または分枝の炭化水素鎖を有する、ハロゲン置換またはアルキル置換されたフェニル基、アルコキシ基、好ましくは（Ｃ１〜Ｃ２４）アルコキシ、より好ましくはメトキシ−（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ−（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシ−（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）、ブトキシ−（Ｃ４Ｈ９Ｏ−）、ドデシルオキシ−（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−）、テトラドデシルオキシ−（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−）、ヘキサデシルオキシ−（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ−）またはオクタデシルオキシ−（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ−）、
炭素原子５〜１２個を有するシクロアルコキシ基、たとえばシクロヘキサノール、
ハロゲン置換またはアルキル置換されたフェノキシ基またはベンジルオキシ基、
アルキルエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）−Ｏ−Ａｌｋまたはアルキルポリエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）ｙ−Ｏ−Ａｌｋ（式中、ｙは２〜２５、好ましくは、ｙは２〜１５、さらに好ましくは、ｙは３〜１０、特に好ましくは、ｙは３〜６であり、ＲＩは互いに独立してＨまたはアルキル基、好ましくはＣＨ３基であり、Ａｌｋは、炭素原子１〜３０個（Ｃ１〜Ｃ３０）、好ましくはＣ１〜Ｃ２０、より好ましくはＣ４〜Ｃ１８、特に好ましくはＣ８〜Ｃ１６を有する直鎖または分枝の、飽和または不飽和のアルキル鎖であり、
Ａは直鎖または分枝の、飽和または不飽和の、芳香族または混合脂肪族／芳香族の、二価のＣ１〜Ｃ３０炭素原子、好ましくはＣ１〜Ｃ４、より好ましくは（−ＣＨ２−）、（−ＣＨ２−）２、（−ＣＨ２−）３、（−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−）、（−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−）、（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−）または（−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−）である］の化合物であってもよい。
【００１１】
アルコキシポリエーテル基はエチレンオキシド−（ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ）およびプロピレンオキシド（ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｏ）または（ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ）−単位を、ランダムに分散されたかまたはブロックの形で含有していてもよい。
【００１２】
アルキルポリエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２Ｏ）ｙ−Ａｌｋは、
【００１３】
【化１】
2006312633.tif 000002
【００１４】
【化２】
2006312633.tif 000003
であってもよい。
【００１５】
Ａは直鎖または分枝であり、かつ、飽和さらには不飽和の結合を含有していてもよい。Ａは、Ｈの代わりに、種々の置換基が互いに独立して置換されていてもよく、たとえば−ＣＮ、−ＳＮ、−ＮＨ２、ハロゲン、たとえば−Ｃｌ、−Ｂｒまたは−Ｆ、アルコール官能基−ＯＨまたはアルコキシド−Ｏ−アルキルで置換していてもよい。Ａとして、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２、ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）またはＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）を使用することができる。
【００１６】
一般式（Ｉ）のシランとして、たとえば以下の化合物を使用することができる：
【００１７】
【化３】
2006312633.tif 000004
【００１８】
【化４】
2006312633.tif 000005
【００１９】
出発材料として使用されたビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィドは、種々のビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドと−Ｓ１−〜−Ｓ１４−（ｘ＝１〜１４）との混合物または純粋なビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド（ｘ＝２〜１４）である。
【００２０】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドとして、平均硫黄鎖長２．０〜４．０を有する化合物または化合物の混合物を使用することができる。ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドのための平均硫黄鎖長は、相加平均Ｓ２〜Ｓ１４として定められてもよく、この場合、これらはＨＰＬＣにより測定されたものである。
【００２１】
好ましくはビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドとして、平均鎖長Ｓｘ＝Ｓ２．０〜Ｓ２．６およびＳｘ＝Ｓ３．２〜Ｓ３．９を有する化合物を使用することができる。
【００２２】
特に好ましくは、平均鎖長２．０〜２．６を有するビス（アルコキシシリルオルガニル）ジスルフィドを使用することができ、それというのも、ビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィド（Ｓｘ＝Ｓ２．７〜Ｓ３．９）と比較して、生成物ｇ／分／触媒ｍｍｏｌでより高い変換率を達成することが可能であり、かつより少ないＨ２Ｓを放出するためである。
【００２３】
基Ｚ＝−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３は、一般式Ｉ中で、好ましくは、
【００２４】
【化５】
2006312633.tif 000006
【００２５】
形成されたメプカプトオルガニル（アルコキシシラン）は、一般式（ＩＩ）
Ｗ−Ａ−ＳＨ      （ＩＩ）
［式中、Ｗは−ＳｉＹ１Ｙ２Ｙ３またはＳｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎであり、その際、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３は互いに独立してＸ１、Ｘ２、Ｘ３またはヒドロキシ（−ＯＨ）であってもよく、かつＸ１、Ｘ２、Ｘ３およびＡは、それぞれ互いに独立して、式（Ｉ）の意味を有する］の化合物であってもよい。
【００２６】
式ＩＩ中の基Ｗ＝−ＳｉＹ１Ｙ２Ｙ３は、好ましくは、
【００２７】
【化６】
2006312633.tif 000007
【００２８】
一般式（ＩＩ）のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）は、たとえば：
３−メルカプトプロピル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジメトキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリヘキサデカンオキシシラン）
３−メルカプトプロピル（トリオクタデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプトプロピル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプトプロピル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（メトキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（メトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ヒドロキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（エトキシヒドロキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（プロポキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（プロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジイイソプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（イソプロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジブトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジイソブトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（シオブトキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（イソブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ドデカンオキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジテトラデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（テトラデカンオキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（テトラデカンオキシジメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（トリメトキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリエトキシシラン）、
２−メルカプトエチル（ジエトキシメトキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリプロポキシシラン）、
２−メルカプトエチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリドデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリテトラデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリオクタデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
２−メルカプトエチル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
２−メルカプトエチル（ジメトキシメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（メトキシメチルヒドロキシシラン）、
２−メルカプトエチル（メトキシジメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（ジエトキシメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（エトキシジメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（ヒドロキシジメチルシラン）、
１−メプカプトメチル（トリメトキシシラン）、
１−メプカプトメチル（トリエトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（ジエトキシメトキシシラン）、
１−メプカプトメチル（ジエトキシヒドロキシシラン）、
１−メプカプトメチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
１−メプカプトメチル（トリプロポキシシラン）、
１−メプカプトメチル（トリメトキシシラン）、
１−メプカプトメチル（ジメトキシメチルシラン）、
１−メプカプトメチル（メトキシジメチルシラン）、
１−メプカプトメチル（ジエトキシメチルシラン）、
１−メプカプトメチル（エトキシメチルヒドロキシシラン）、
１−メプカプトメチル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルエトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプトブチル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリオクタデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（メトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ヒドロキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（プロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジイソプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（イソプロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジブトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジイソブトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（イソブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジドデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ドデカンオキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジテトラデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（テトラデカンオキシジメチルシラン）、
【００２９】
【化７】
2006312633.tif 000008
【００３０】
【化８】
2006312633.tif 000009
【００３１】
【化９】
2006312633.tif 000010
【００３２】
【化１０】
2006312633.tif 000011
【００３３】
アルコールは、ビス（アルコキシシリルオルガニル）−ポリスルフィドおよびアルコールの全質量に対して０．０１〜９５質量％、好ましくは０．１〜６０質量％、より好ましくは０．１〜４０質量％、殊に好ましくは０．１〜３０質量％、特に好ましくは１〜５質量％の量で、使用することができる。
【００３４】
使用されるアルコールは、アルコール混合物であってもよい。
【００３５】
アルコールは５０〜２８０℃、好ましくは５０〜１５０℃、特に好ましくは５０〜１２０℃であってもよい。
【００３６】
アルコールは、第１級、第２級または第３級アルコール、アルキルエーテルアルコールＨＯ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）−Ｏ−ＡｌｋまたはアルキルポリエーテルアルコールＨＯ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２Ｏ）ｙ−Ａｌｋであってもよい。
【００３７】
第１級、第２級または第３級のアルコールとして、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｉ−ブタノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ドデカノール、テトラデカノール、ヘキサデカノールまたはオクタデカノールを使用することができる。
【００３８】
アルキルポリエーテルアルコールは以下のものであってもよい：
【００３９】
【化１１】
2006312633.tif 000012
【００４０】
反応は、好ましくは、空気および水素の排除下で実施することができる。
【００４１】
反応前、反応中または反応後に、添加剤を反応混合物に添加することができる。
【００４２】
添加剤は、使用する触媒の寿命を延長させることができる。添加剤は、使用される触媒の取り扱いを簡単にするか、あるいは、改善させる。添加剤は、使用された触媒の再利用性を高める。添加剤は、方法の経済性を高めることができる。
【００４３】
添加剤は、有機硫黄化合物、チタンアルコキシレート、アミン、水、有機または無機の酸または塩基、またはこれら化合物の混合物であってもよい。
【００４４】
添加剤はカルボン酸、ＤＭＳＯ、モノアルキルアミン、ジアルキルアミンまたはトリアルキルアミンであってもよい。添加剤はＴｉ（ＯＣ４Ｈ９）４またはＴｉ（ＯＣ３Ｈ７）４であってもよい。
【００４５】
反応混合物は、副生成物および／または不純物を含有していてもよく、この場合、これらは、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを製造する際の、予備工程において生じるものである。
【００４６】
副生成物および／または不純物は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドの製造および水素化を包含する、全工程の複雑性およびコストを減少させることができる。副生成物および／または不純物の存在は、水素化のための出発材料として使用されるビス（アルコキシリルオルガニル）ポリスルフィドの後処理中における分離工程を省略することに起因するものであってもよい。
【００４７】
副生成物および／または不純物は、アルカリ金属ハロゲン化物、好ましくは塩化ナトリウムおよび塩化カリウムであってもよい。
【００４８】
水素化は５〜２５０バール、好ましくは５〜９９バール、より好ましくは５〜５５バール、特に好ましくは５〜４０バールの水素過圧下で実施することができる。
【００４９】
水素化は、５０〜２５０℃、好ましくは７５〜１８９℃、より好ましくは１００〜１７５℃、特に好ましくは１１０〜１６０℃の温度で実施することができる。
【００５０】
水素化反応のための時間は３６０分を下廻り、好ましくは３００分を下廻り、より好ましくは２４０分を下廻り、特に好ましくは１８０分を下廻る。
【００５１】
ドープされた金属触媒のドーピング成分は、少なくとも１種の金属および／または少なくとも１種の金属化合物であってもよい。
【００５２】
ドープされた金属触媒は、鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、パラジウム、パラジウム化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムまたはイリジウム化合物から成る群からの少なくとも１種の物質と、少なくとも１種の金属および／または少なくとも１種の金属化合物から成る混合物であってよく、この場合、これらは、互いに独立して、元素の形で、合金の形で、化学結合した形で、あるいは、物理的に混合した形で存在していてもよい。
【００５３】
鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、パラジウム、パラジウム化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムまたはイリジウム化合物から成る群からの物質は、ドープされた金属触媒のドープ成分とは異なる。
【００５４】
ドープされた金属触媒のドーピング成分は、少なくとも１種の金属および／または少なくとも１種の金属化合物から成るものであってもよく、この場合、これらは、鉄、鉄化合物、ニッケル、ニッケル化合物、パラジウム、パラジウム化合物、オスミウム、オスミウム化合物、ルテニウム、ルテニウム化合物、ロジウム、ロジウム化合物、イリジウムまたはイリジウム化合物から成る群からの物質とは異なる。
【００５５】
ドーピング成分は、吸収、吸着または蒸着により、ドープされる金属触媒上に適用することができる。
【００５６】
ドープされた金属触媒は、少なくとも２種の金属および／または金属化合物から構成される混合物であってよく、その際、触媒的に活性の種は、専ら水素化中において先駆物質から形成されるものである。
【００５７】
ドープされた金属触媒のためのドーピング成分は、アルカリ金属またはアルカリ金属化合物、好ましくはＬｉ、Ｎａ、ＫまたはＲｂをベースとするもの、アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属化合物、好ましくはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａをベースとするもの、第３主族の元素および第３主族の化合物、好ましくはＢ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎをベースとするもの、第４主族の元素および第４主族の化合物、好ましくはＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎまたはＰｂをベースとするもの、第５主族の元素および第５主族の化合物、好ましくはＮ、Ｐ、ＡｓまたはＳｂをベースとするもの、第６主族の元素および第６主族の化合物、好ましくはＯ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅ、第７主族の元素および第７主族の化合物、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、遷移族元素および遷移族の化合物、好ましくはＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、ＺｎまたはＣｄをベースとするもの、ランタノイド族の原子およびランタノイド族の化合物、好ましくはランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリウム、イッテルビウムまたはルテチウムをベースとするもの、である。
【００５８】
ドーピング成分は、ルテニウムオキシド、ニッケルオキシドおよびパラジウムオキシドを含まないものであってもよい。
【００５９】
ドーピング成分は、触媒担持材料とは異なっていてもよい。
【００６０】
好ましいドーピング成分は水素化物、酸化物、ハロゲン化物、たとえばフッ化物、塩化物、臭化物またはヨウ化物、スルフィドまたはニトリドであってもよい。
【００６１】
ドープされた金属触媒は、好ましくは物質としてＦｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＯｓまたはＩｒの水素化物、酸化物、ハロゲン化物、硫化物および／または窒化物を含有していてもよい。
【００６２】
ドープされた金属触媒は、好ましくはドーピング成分としてＦｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、ＯｓまたはＩｒの水素化物、酸化物、ハロゲン化物、硫化物および／または窒化物を含有していてもよい。
【００６３】
ドーピング成分は、好ましくは酸化物、たとえば酸化ニッケル、酸化鉄、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化オスミウム、酸化イリジウムおよび酸化パラジウムを含有していてもよい。
【００６４】
ドーピング成分は、好ましくは硫化物、たとえば硫化ニッケル、硫化鉄、硫化ルテニウム、硫化ロジウム、硫化オスミウム、硫化イリジウムおよび硫化パラジウムを含有していてもよい。
【００６５】
ドープされた金属触媒は、ラネー型の有孔骨格触媒であってもよく、この場合、これらは、遷移金属および／または遷移金属化合物、たとえばモリブデンでドーピングされていてもよい。
【００６６】
ドープされた金属触媒は、ラネー型の有孔活性ニッケル金属触媒であってもよく、この場合、これらは遷移金属および／または遷移金属化合物、たとえばモリブデンでドーピングされていてもよい。
【００６７】
ドープされた金属触媒は、好ましくはラネー型の活性ニッケル金属触媒であってよく、この場合、これらは、遷移金属および／または遷移金属化合物、たとえばモリブデンでドーピングされていてもよい。
【００６８】
ドープされた金属触媒の例としては、触媒ＢＫ１１１Ｗ（ニッケルベースの活性金属触媒、この場合、これは＜５質量％のモリブデンでドーピングされているもの）およびＢＫ１１３Ｗ（ニッケルベースの活性金属触媒、この場合、＜５質量％のモリブデンでドーピングされているもの）（Degussa AG）を使用することができる。
【００６９】
ドーピング成分の質量割合（元素または化合物として存在するもの）は、ドープされた金属触媒の質量に対して、０．００００１〜８０質量％、好ましくは０．０００１〜５０質量％、より好ましくは０．００１〜１５質量％、特に好ましくは０．０１〜７．５質量％であってもよい。
【００７０】
ドーピング成分は、ドープされた金属触媒の物質および／またはその先駆物質および／または触媒担持材料との、物理的混合物を形成することができる。
【００７１】
ドーピング成分は、ドープされた金属触媒の物質および／またはその先駆物質および／または触媒担持材料との、化学的化合物を形成することができる。
【００７２】
ドーピング成分は、ドープされた金属触媒および／またはその先駆物質との合金を形成することができる。
【００７３】
ドーピング成分は、ドープされた金属触媒および／またはその先駆物質との混合結晶を形成することができる。
【００７４】
ドープされた金属触媒は、微粉化された、非担持型の活性金属および／または金属化合物から成るものであってもよい。
【００７５】
ドープされた金属触媒は、公知および通常の触媒担持材料の一種、たとえばケイソウ土（シリカゲル）、炭素、シリカ、活性炭、アルミナまたはアルミノシリケートに適用することができる。
【００７６】
ドープされた金属触媒の物質およびさらにドーピング成分は、公知および通常の触媒担持材料の一種、たとえばケイソウ土（シリカゲル）、炭素、シリカ、活性炭、アルミナまたはアルミノシリケートと一緒にか、別個にか、あるいは、連続的に適用することができる。
【００７７】
ドープされた金属触媒は、反応のために固体の形で、懸濁液中でか、あるいは、ワックスまたは油中に包埋された形で使用することができる。
【００７８】
ドープされた金属触媒の物質のモル量に対する触媒濃度は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド１ｇ当たり、０．０００１〜１ｍｍｏｌであってもよい。
【００７９】
ドープされた金属触媒の物質量に対するニッケルおよび鉄の濃度は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド１ｇ当たり、好ましくは０．００１〜１ｍｍｏｌ、より好ましくは０．０１〜１ｍｍｏｌ、特に好ましくは０．０５〜０．５ｍｍｏｌであってもよい。
【００８０】
ドープされた金属触媒の物質量に対するルテニウム、ロジウム、オスミウムまたはイリジウムに関する濃度は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド１ｇ当たり、好ましくは０．０００１〜１ｍｍｏｌ、より好ましくは０．００５〜０．５ｍｍｏｌ、特に好ましくは０．００５〜０．１ｍｍｏｌであってもよい。
【００８１】
ドープされた金属触媒の物質の量に対するパラジウムに関する濃度は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド１ｇ当たり、好ましくは０．０００１〜１ｍｍｏｌ、より好ましくは０．００５〜１ｍｍｏｌ、特に好ましくは０．０１〜０．５ｍｍｏｌであってもよい。
【００８２】
示された温度Ｔおよび一定の圧力ｐでの、水素分解速度の比較のために提供されたパラメータは、質量変換率であってもよく、この場合、これらは、“生成物ｇ／ドープされた金属触媒の物質ｍｍｏｌ／分”の関係式によって、定量的に示すことができる。
【００８３】
示された温度Ｔおよび一定の圧力ｐでの、水素分解速度の比較のために提供された他のパラメータとして、モル変換率を使用することができ、この場合、これらは、“生成物ｍｍｏｌ／ドープされた金属触媒の物質ｍｍｏｌ／分”の関係式によって、定量的に示すことができる。
【００８４】
低い温度および／または低い圧力で、変換率を上昇させることが可能である場合には、これは、環境、エネルギーおよび経済的観点からの本質的な改善に寄与する。
【００８５】
質量変換率は、メルカプトオルガニル−（アルコキシシラン）０．００１〜１０ｇ／ドープされた金属または金属化合物１ｍｍｏｌ／分であってもよい。
【００８６】
モル変換率は、メルカプトオルガニル−（アルコキシシラン）０．００１〜５０ｍｍｏｌ／ドープされた金属１ｍｍｏｌ／分であってもよい。
【００８７】
ドープされた金属触媒の物質に関して、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、イリジウムまたはパラジウムとしては、質量変換率は好ましくは０．００１〜１０ｇ、より好ましくは０．０１〜１０ｇ、特に好ましくは０．１〜１０ｇのメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）／ドープされた金属１ｍｍｏｌ／分であってもよい。
【００８８】
ドープされた金属触媒の物質に関して、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、イリジウムまたはパラジウムとしては、モル変換率は好ましくは０．００１〜５０ｍｍｏｌ、好ましくは０．０１〜４０ｍｍｏｌ、より好ましくは０．０５〜３０ｍｍｏｌ、特に好ましくは０．１〜２０ｍｍｏｌのメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）／ドープされた金属１ｍｍｏｌ／分であってもよい。
【００８９】
本発明による方法を用いて、使用されたビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドの８０質量％以上、好ましくは８３質量％以上、より好ましくは８６質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上を、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）に変換することが可能である。
【００９０】
本発明による方法を用いた場合には、使用されたビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド中のビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対的割合は一定であってもよい。
【００９１】
本発明による方法を用いた場合には、エダクト中に存在するビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対的割合は＜１０質量％、好ましくは＜８質量％、より好ましくは＜６質量％、特に好ましくは＜４質量％であってもよい。
【００９２】
本発明の方法はバッチ工程または連続工程であってもよい。
【００９３】
バッチ工程の場合には、撹拌型オートクレーブまたはＢｕｓｓ反応器中での、スラリー工程または懸濁液工程であってもよい。
【００９４】
連続工程の場合には、気体および液体を連続的に供給するスラリー工程であってもよい。
【００９５】
連続工程の場合には、気体／液体／固体反応のための公知反応器を使用することができる。固定床反応器の典型的な例としては、トリクル床反応器または液体充填反応器、たとえば懸濁液反応器、撹拌槽、泡鐘カラムおよび流動床である。
【００９６】
本発明による方法は、ドーピングされた触媒を使用する場合には、ドーピングされていない触媒を使用する際の変換率と比較して、高い変換率で達成することができる。
【００９７】
公知技術と比較（ＵＳ６４３３２０６）した場合に、ドープされた触媒を使用して、金属または物質−特異的な高い変換率が、より穏やかな温度および／または圧力で得ることはできる。高い変換率は、空時収量を顕著に改善するのみならず、さらにメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）を、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドからのＨ２での還元的開裂によって製造するための特定のエネルギー消費を減少させる。少ないエネルギー消費および穏やかな反応条件は、プラントにおける応力を少なくするものであって、結果として特に、摩耗およびメンテナンスに係る支出を減少させる。メプカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造における低いエネルギー消費により、工程のエネルギー平衡が改善され、かつ環境的負荷を減少させる。工業プラントの複雑性は、一般には、工程温度および圧力が低下することにより減少する。
【実施例】
【００９８】
第１表では、ＵＳ６４３３２０６からの例を挙げる。使用されたポリスルファンシランは、特定されていないジスルファンシラン混合物であり、この場合、主にビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィドを含有する。
【００９９】
副生成物の形成については記載されていない。生成物の分析は、ガスクロマトグラフィー法またはガスクロマトグラフィー技術により実施する。
【０１００】
第２表では、比較例１として、１５５℃および５１バールでの、ドープされていないパラジウム触媒の使用を記載している。
【０１０１】
結果を良好に比較するために、第１表および第２表における比較例中の質量％は、生成物溶液のアルコール割合について補正する（たとえば、アルコールおよびシランからの５０％濃度の生成物溶液、この場合、これらは、２５質量％のメルカプトシランおよび２５質量％のジスルファンシランを含有する。いいかえれば、生成物のシラン構成成分は、５０質量％メルカプトシランおよび５０質量％ジスルファンシランである）。
【０１０２】
同様に、第３表および第４表中のシラン構成成分の示された質量％は、溶液のアルコール割合について補正した。
【０１０３】
【表１】
2006312633.tif 000013
【０１０４】
【表２】
2006312633.tif 000014
【０１０５】
第３表および第４表中で、本発明による例は、ジスルファンシランをベースにしたものに集約される（Si266=Degussa AGの商品＝［ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド］）。それぞれ２０ｍｌの反応器容量を有し、かつアンカーマグネットステーラーを備えた、８個の平衡な、油浴−加熱されたオートクレーブから成る１個の装置において、この場合、このステーラーは、反応器中心部に位置する固定されたシャフト上で、１３００ｒｐｍで回転するものであって、Ｓｉ２６６は、第３表および第４表中の条件および関係式にしたがって接触水素化された。
【０１０６】
反応は、示された時間後に終了した。生成物の組成は１Ｈ−ＮＭＲを用いて測定した。
【０１０７】
変換率は、１Ｈ−ＮＭＲにより測定された生成物組成から測定された。
【０１０８】
ポリスルファン混合物の平均鎖長は、この場合、ＨＰＬＣにより測定され、２．１４であった（Ｓ２−Ｓ１４のＨＰＬＣで測定された平均値のみを考慮する）。これにより得られたＳｉ  ２６６の平均モル質量は、４７９ｇ／モルであった。
【０１０９】
第３表および第４表における「生成物の組成」の段においては以下の成分のみを考慮する：
３−メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、
ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、
ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィドおよび
ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド（Ｓｘ、その際、ｘ＞３）。
【０１１０】
ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィドおよび３−クロロプロピル（トリエトキシシラン）については、考慮しない。
【０１１１】
【表３】
2006312633.tif 000015
【０１１２】
【表４】
2006312633.tif 000016
【０１１３】
表中の略記は以下の意味を示す：
ＳＨ＝３−メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、
Ｓ２＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、
Ｓ３＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、
ポリスルフィド＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド（Ｓｘ、その際ｘ＞３）、
略記で示された触媒、
Ｅ１０５Ｙ／Ｗ  ５％Ｐｄ、
Ｅ１０５ＸＲＳ／Ｗ  ５％Ｐｄ；Ｓ  ドーピング、
ＣＥ１０１ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋１％Ｓｎ、
ＣＥ１０５ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋０．５％Ｍｏ
は、Degussa AGの商品であり、この場合、これらは貴金属、たとえばパラジウムを、有孔の、高い表面積を有する担持材料上に塗布することによって製造されたものである。触媒は、流動性の粉体状固体の形で使用する。挙げられた触媒は、活性炭上に担持されている。以下の略記で示された触媒は、以下の量の活性金属を含有する：
Ｅ１０５Ｙ／Ｗ  ５％Ｐｄ＝触媒の乾燥質量に対する５％Ｐｄ。
Ｅ１０５ＸＲＳ／Ｗ  ５％Ｐｄ＝触媒の乾燥質量に対する５％Ｐｄ。
【０１１４】
ＣＥ１０１ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋１％Ｓｎ＝触媒の乾燥質量に対する５％Ｐｄ。
【０１１５】
ＣＥ１０５ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋０．５％Ｍｏ＝触媒の乾燥質量に対する５％Ｐｄ。
【０１１６】
以下に略記で示された触媒は、以下の量のドーピング成分を含有する：
Ｅ１０５ＸＲＳ／Ｗ  ５％Ｐｄ＝Ｓでドーピングされているもの、
ＣＥ１０１ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋１％Ｓｎ＝１％Ｓｎでドーピングされているもの、
ＣＥ１０５ＸＲ／Ｗ  ５％Ｐｄ＋０．５％Ｍｏ＝０．５％Ｍｏでドーピングされているもの。
【０１１７】
触媒Ｇ−４９ＢおよびＴ８０２７は、Sued-Chemie AGの製品である。
【０１１８】
触媒Ｇ−４９Ｂは５５％ニッケルを含有し、かつドーピングされていないものである。
【０１１９】
触媒Ｔ８０２７は、５２％ニッケルを含有し、２．４％ジルコニウムでドープした。
【０１２０】
製品の分析のために、ＤＲＸ５００  ＮＭＲ−装置（Bruker）を当業者に公知の方法および操作工程にしたがって使用した。この測定周波数は、２９Ｓｉ−核に関して９９．３５ＭＨｚであり、かつ１Ｈ−核に関して５００．１３ＭＨｚであった。対照としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を使用した。
【０１２１】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドおよびこれらの混合物の分析は、ＧＣおよびＨＰＬＣを用いて実施した（U. Goerl, J. Muenzenberg, D. Luginsland, A. Mueller Kautschunk Gummi Kunstoffe 1999, 52(9), 588, D. Kuginsland Kautschunk Gummi Kunststoffe 2000, 53(1-2), 10, M. W. Backer et al, Polymer Preprints 2003, 44(1), 245）。
【０１２２】
第１表〜第４表に示されたデータから、ドープした金属触媒の使用が、技術水準（US6433206）と比較してより省力的条件下においても、少なくとも同様に高い変換率を示すことが明らかである。
【０１２３】
さらに硫黄、錫またはモリブデンでのパラジウムのドーピングが、より省力的条件下または同等の条件下において、より高い変換率を生じた。
【０１２４】
ジルコニウムでのニッケルのドーピングは、たとえば、技術水準（US6433206）と比較して、より省力的条件下で変換率の増加を導いた。