(57)【要約】【課題】低コストであって、熱性能に優れ、堅固な絶縁を有する、ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）高圧パワーモジュールを提供する。【解決手段】    高電圧半導体モジュールは、間隔を空けて配置されたパッドを備えたリードフレームを有している。このパッドは、ヒートシンク基板の表面のキュア可能な絶縁層を介して基板に接続されている。半導体ダイを、リードフレームパッドにはんだ付けするのは、基板に取付ける前でも後でもよい。この絶縁層は、キュア可能なエポキシ樹脂、若しくはＢステージＩＭＳである。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの、間隔を空けて配置された、絶縁されている第１パッド及び第２パッドを有し、かつ、平行に設けられた、平面状の表面及び底面を有している、導電性のリードフレームと、各々表面及び底面を有し、かつ、これらの底面は、前記第１パッド及び第２パッドの各表面上に、電気的及び機械的に取付けられている、少なくとも第１半導体ダイ及び第２半導体ダイと、所定の回路内で相互接続されており、かつ、外部回路に接続するための出力端子を有している、前記少なくとも第１半導体ダイ及び第２半導体ダイと、前記平面状で導電性のリードフレームの底面を積み重ねるための、絶縁された導電性の基板と、平面状の表面を有し、かつ、この平面状の表面上に、キュア可能な絶縁層を有している導電体からなっている、前記絶縁された導電性の基板と、前記キュア可能な絶縁層の前記表面に、前記絶縁層をキュアすることによって、機械的に取付けられ、かつ、前記絶縁層によって前記導電体から絶縁されている、前記リードフレームの底面とを備えており、前記キュア可能な絶縁層は、前記リードフレームと前記導電体との間に所定の間隔をあけるために、所定のサイズの層を備えている、半導体モジュール。
【請求項２】
前記半導体ダイは、ＭＯＳゲートデバイスである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記導電体は、平面状の金属基板である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
前記モジュールは、前記出力端子間電圧がおよそ５０ボルトを超える高圧モジュールである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
前記平面状のリードフレームは、前記絶縁された導電性の基板から延び、前記端子を形成している直立した突起を有する、請求項１に記載のモジュール。
【請求項６】
削除
【請求項７】
前記キュア可能な絶縁層は、エポキシ樹脂よりなっている請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
前記キュア可能な絶縁層は、厚さが約１００から約２５０μｍであり、前記導電体は、厚さが約０．５から３．０ｍｍの平面状の金属基板である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項９】
半導体ダイを導電性リードフレームの絶縁されたパッドに取付ける工程と、前記ダイを所定の回路へ接続させる工程と、前記リードフレームの底面をＢステージＩＭＳ基板の絶縁層上に配置する工程と、前記ＢステージＩＭＳ基板の前記絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記ＩＭＳ基板の前記絶縁層に取付ける工程とを備えており、前記リードフレームは、前記ＢステージＩＭＳ基板の金属基板から絶縁されている、高圧絶縁された半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
半導体ダイを導電性リードフレームの絶縁されたパッドに取付ける工程と、前記ダイを所定の回路へ接続させる工程と、前記リードフレームの底面を導電性の基板上のキュア可能な絶縁層上に配置する工程と、前記キュア可能な絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記導電性の基板上に機械的に取付け、前記リードフレームを前記基板から電気的に絶縁する工程とを備えている、高圧絶縁された半導体モジュール製造方法。
【請求項１１】
前記キュア可能な絶縁層は、キュア可能なエポキシ樹脂を含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板及び前記キュア可能な絶縁層は、ＢステージＩＭＳ基板のコンポーネントである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記リードフレームの底面をＢステージＩＭＳ基板の絶縁層上に配置する工程と、前記ＢステージＩＭＳ基板の前記絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記ＩＭＳ基板の前記絶縁層に取付ける工程とを備えており、前記リードフレームは、前記ＢステージＩＭＳ基板の金属基板から絶縁されている、高圧絶縁された半導体モジュール製造方法。
【請求項１４】
前記キュア可能な絶縁層をキュアした後に、半導体ダイを、前記リードフレームの少なくとも選択されたパッドに取付ける工程をさらに備えている、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記リードフレームの底面を導電性の基板上のキュア可能な絶縁層上に配置する工程と、前記キュア可能な絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記導電性の基板上に機械的に取付け、前記リードフレームを前記基板から電気的に絶縁する工程とを備え、前記キュア可能な絶縁層をキュアした後に、半導体ダイを、前記リードフレームの少なくとも選択されたパッドに取付ける工程をさらに備えている、高圧絶縁された半導体モジュール製造方法。
【請求項１６】
前記キュア可能な絶縁層は、キュア可能なエポキシ樹脂を含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板及び前記キュア可能な絶縁層は、ＢステージＩＭＳ基板のコンポーネントである、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２００６年５月５日付で出願された米国仮特許出願第６０／７９８，２６０号及び２００７年５月３日付で出願された米国特許出願第１１／７４３，７３７号に関する利益を主張し、かつその内容全体を、参照用として、本明細書に組込むものとする。
【０００２】
本発明は、半導体デバイスモジュール、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
狭いスペース、そしてデバイスの耐用期間中に大きく温度が変化するという悪条件下における、大電流のマネージメントに対するニーズが高まっている。従って、自動車業界では、車両機能の電子制御化が進展し、ハイブリッド車用、スタータ兼ジェネレータ用、ハイパワーＤＣ／ＤＣコンバータ用、若しくは、電動パワーステアリング又は電動ブレーキ操作のためのｘ−ｂｙ−ｗｉｒｅ（エックス・バイ・ワイヤ）用の、インバータ及びｅモータ駆動を使用することにより、現行の需要は格段に増大している。このような用途には、小さいサイズの大電流容量デバイスが必要であり、達成可能な出力密度という観点において、最先端のパワーモジュールを模索する必要がある。
【０００４】
これらの技術的な要件の他に、装置の低価格化も不可欠である。
【０００５】
（シリコン、ＧａＮ、若しくは他の半導体材料からなっている）ＭＯＳＦＥＴダイ及びＩＧＢＴダイのようなパワースイッチの電力及び電流容量の性能は、パッケージによって制限を受けることが多い。パッケージは、熱及び電力の損失の原因となり、ダイの限界を超えて半導体デバイスを熱してしまう可能性がある、熱抵抗及び電気抵抗を誘引する。
【０００６】
高出力密度を達成するために、通常は、基板上にむき出しのダイを実装し、普通は、ＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  ｂｏｎｄｅｄ  ｃｏｐｐｅｒ）ウエハのパターン化されたＣｕ層のような構造化された金属層、ＩＭＳ（絶縁金属基板）上の構造化されたＣｕ層、若しくは、ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）技術を用いている構造化されたリードフレームによって、電気的に相互接続させる。このようなＤＯＬ構造は、ウィリアム・グラントによる、「基板なし低価格パワー半導体」なる名称の特許文献１に示されており、この内容を、参照用として本明細書に組込むものとする。
【０００７】
信頼性を高めるために、主に次の理由により、基板材料としてＤＢＣを用いている例が多い。
−ＤＢＣの熱膨張率が、はんだ付けされるシリコンダイのそれと合致しており、応力を低減した（特に、高温での反復利用に適している）パッケージを供給できる。
−ＤＢＣのセラミック層により、Ｃｕ層の表面と底面の間の電気絶縁は高くなる。（通常ｋＶ程度である。）
−セラミック基板の電気絶縁性能によって、（所望する、能動的な／急速冷却、若しくは受動的な／空気冷却の）、ハイパワー、特にパワーモジュールでの熱のマネージメントを制御できるヒートシンクに、ＤＢＣを実装することが可能である。
【０００８】
特殊なレイアウトに合わせて、ＤＢＣ、若しくはＩＭＳ全体を個別製造しなければならないため、ＤＢＣ（若しくはＩＭＳ）には、コストがかかるという欠点がある。さらに、ＤＢＣの、相当に厚いセラミックの大きな熱抵抗は、大変な不利益である。その上、Ｃｕ層と絶縁層の間に機械的外力がかかるため、ＤＢＣもＩＭＳもＣｕ層を厚くできない。（ＤＢＣ及びＩＭＳにおける可能なＣｕ層の典型的寸法は、約１００μｍから約３００μｍである。）
【０００９】
従って、半導体材料からなるダイ内部に発生した熱が拡散する、かなり厚い（例えば、約１ｍｍ、若しくはそれ以上ある）Ｃｕ層に、むき出しのダイをはんだ付けした方が好都合である。
【００１０】
上述したダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）技術は、この問題に対応しており、相当に厚いＣｕリードフレームに直接はんだ付けするむき出しのダイを活用する。金属リードフレームとシリコンダイの間の熱的な不一致は、重要であるが、コスト的にも熱的にも有効であり、信頼性にも問題なく、この技術は広く使用されている。
【００１１】
公知のダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）技術の１つの欠点は、電気絶縁性が不十分であることである。従って、リードフレームは半導体ダイと直接接合しているため、金属リードフレームは、付随するモジュールの底面又は裏面が電気絶縁されていない。従って、ダイ・オン・リードフレームを、ヒートシンク、若しくは（モータエンドシールドとして）用いる基板に直接実装することはできない。これらのモジュールを電気系統に接続してしまう恐れがあるためである。
【００１２】
パワーモジュールの熱のマネージメントに大変有益な液冷ヒートシンクを必要とする、若しくは供給するような用途の場合、このように絶縁が欠除していることは特に重要である。しかし、液冷ヒートシンクは、リードフレームの電気ポテンシャルからの絶縁が保証されなければならない。この問題は、特に、ハイブリッド電気自動車として、およそ４０ボルトを超える高圧バッテリを用いる、自動車システムで顕著である。
【００１３】
従って、絶縁が保証され、著しく熱伝達を妨げないために、相対的に良好に制御されている薄い接合層がリードフレームの底面にある、主に低圧での用途時に、ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）・モジュールは、ヒートシンクに取付けられる。
【００１４】
しかし、この接合層は、接合層が薄くとも相対的に低い熱伝導率を有しているため、リードフレームの熱的な利点を損うが、耐電圧絶縁のために、接合層は、ある最小の薄さを必要とする。さらに、（リードフレームのような）ＤＯＬモジュールが平面でないことが、耐電圧絶縁にとっては、接合層を、最小厚で均一にすることを大変困難にもしている。
【００１５】
接合層は、バンプのような距離を制御できる要素によって、若しくはリードフレームを支持するプラスチックシェルに実装することによって、厚さを制御することができる。しかし、これらの対応策は、依然として、低圧での用途に限定されている。この対応策は、コスト、要するスペース、製造面、及び信頼性の見地からも不利である。
【特許文献１】米国特許第６，７０３，７０３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
低コストであり、熱性能に優れ、堅固な絶縁を有する、ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）高圧パワーモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によると、ダイ・オン・リードフレーム・モジュールは、導電性の基板に、この基板上のキュア（硬化）可能な絶縁層を介して取付けられ、かつ、この基板から絶縁される。好適例では、本発明は、リードフレーム／ＤＯＬモジュールの下にＢステージＩＭＳ構造を用いることにより、従来のダイ・オン・リードフレーム・モジュールの電圧絶縁を改善している。ＢステージＩＭＳ構造は、表面の銅膜を基板に接合する前のＩＭＳ構造である。従って、ＤＯＬモジュールのリードフレームは、従来のＩＭＳ構造の表面の銅膜代わりに用いられ、キュア可能な絶縁層を、ＤＯＬリードフレームを定着させるためにキュアする。この絶縁層は、電気的に絶縁されているが、優れた熱伝導率を有する。
【００１８】
本発明による利点は、次の通りである。
ａ）改善された機械的性質が提供される。
ｉ）熱伝導性絶縁層とリードフレームとの接合は、温度及び圧力を用いて、信頼性があり堅固な結合工程によってなされる。（はんだ、若しくは接合するための大スペースを必要とはしない。）
ｉｉ）絶縁層は均一化されているため、厚さは均等となる。
ｉｉｉ）リードフレーム／ＤＯＬモジュールの平面度に対する許容度が低減する。
ｉｖ）特注生産がリードフレーム上でなされるため、かつ、電源ターミナル及び伝送ターミナルのような外付けのインターフェースを個別生産することにより、自由度のある適用ができる。主ダイ・オン・リードフレームは、顧客やユーザの要求に容易に応えうるサブプラットフォームを形成する。
【００１９】
上述した、使用上の大きな自由度、及び様々に後付けできるオプションによって、新しいモジュールは、パワーマネージメント市場において、幅広いパワーモジュールアプリケーション範囲を有することとなると思われる。
【００２０】
主たる適用分野は、自動車業界において、インバータ、及びモータ駆動、及びＤＣ／ＤＣコンバータに適用できる、大電流、若しくは高電圧切替え可能なモジュールである。
【００２１】
通常、本発明は、高い信頼性を求められる、自動車、若しくはセーフティクリティカル機能のような、厳しい環境、あるいは厳しい温度条件において、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴや他の半導体ダイのようなＭＯＳゲートデバイスを設けている、どのような高電力密度アプリケーションにも用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、典型的なＩＭＳ基板１０を示す。この基板１０は、厚さが０．５〜３．０ｍｍの銅、若しくはアルミニウムである金属基板１１を備えている。電気的には絶縁性であるが、熱的には伝導性である、硬化可能な絶縁層１２が、金属基板１１の上面に設けられている。絶縁層１２の厚さは、例えば１００〜２５０μｍである。約３００μｍ以下の厚さを有する導電性の銅層１３が、絶縁層１２の上に設けられている。絶縁層１２を、適切な温度、及び／又は圧力で硬化させることにより、銅層１３は、金属基板１１に対して固着される。このような製品は、商業的に入手可能であり、その１つの供給業者は、電気化学工業株式会社（ＤＥＮＫＡ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）である。
【００２３】
この製品は、絶縁された半導体ダイパッドを生成するために、銅層１３のパターン化を制御することができる。かつ、このようなダイと、同様にＩＭＳ基板上に実装される受動素子とで電気回路を形成するために、回路の相互接続部を制御することができる。さらに、絶縁層１２を介して、金属基板１１への熱伝導が大きくなり、絶縁層１２は、パターン化された銅層１３と金属基板１１の間に高電圧に対する絶縁を維持する。しかし、上述したように、銅層１３は、きわめて薄く（３００μｍより薄い）、図１のＩＭＳ層は、個々の用途に応じて、個々に定めなければならない。
【００２４】
図１に示す銅層１３が設けられる前のＩＭＳ基板は、ＢステージＩＭＳ２０とも呼ばれ、図２に示すように、金属基板１１と、（硬化されていない）絶縁層１２とからなっている。後述するように、ダイ・オン・リードフレーム・モジュールの底面は、（図１の銅層１３の代わりに）、ＢステージＩＭＳ２０の硬化可能な絶縁層１２を介して、金属基板１１に接合させられる。
【００２５】
図３は、特許文献１に記載されているタイプの、典型的なダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）・モジュール２９の概略を示している。平面状で、相当に厚い銅膜３０、若しくは他の金属リードフレームを貼り付け、かつ例えばダイパッド３１、３２、３３及び３４を堆積するためにパターン化する。これらのリードフレームの一部は、上方へ向かって曲がり、例えば、組立端子３５、３６、３７及び３８となっている。半導体ダイ４１、４２、４３及び４４は、それぞれ、ダイパッド３１、３２、３３及び３４の上に実装され、はんだ付けされる。導電性接着剤を用いてもよい。ダイパッド３１〜３４は、ＭＯＳＦＥＴ、又はＩＧＢＴ、又は他の同様の半導体ダイのようなＭＯＳゲートデバイスである。さらに、図示していないが、他のパッド、若しくは他の場所に、ダイオード、若しくは、所望の回路を形成するために必要な受動素子を取付け、ＤＯＬモジュール２９に内包させることもある。
【００２６】
絶縁フレーム５０は、絶縁性プラスチック、セラミック、若しくは他の適宜の絶縁材からなり、図示のように、ＤＯＬの周囲に固定される。
【００２７】
使用に際し、モジュール２９は、リードフレーム３の底面に適切に実装されるが、導電性の実装面の場合、実装面から電気的に絶縁しなければならない。この作業は、往々にして困難であり、このような場合には、ＤＯＬ回路の効率を低減させてしまう可能性がある。さらに、このようなモジュールにおいては、液体冷却は困難となる。
【００２８】
図４は、本発明の好適な実施例を示しており、ＤＯＬモジュール６０は、ＤＯＬモジュール２９と類似のものであり、類似のコンポーネントには、図３と同じ符号を付してある。ＤＯＬモジュール６０の底面である銅膜３０は、図１の、銅層１３を金属基板１１に取付けるために用いられた、従来の温度、及び/又は、圧力による、絶縁層１２のキュアリング工程を介して、金属基板１１に取付けられる。
【００２９】
本発明の他の実施例として、ＢステージＩＭＳを、表面に硬化可能なエポキシ樹脂層を有している金属基板と置換することができる。エポキシ樹脂層は、リードフレームの底面に対して、予め定めた厚さ、例えば１００から２５０μｍの間隔を空けることができるように、小さな球状セラミックが充填されていることが好ましい。これに代わり、２００７年１月４日付で、ヘニング・ホウエンスタインの名で、「基層、及びシリコンデバイスを取付けるための方法」の名称の下に出願されている特許文献２に記載の技術を用いることができる。この特許文献２の開示の全体を、参照用として、本明細書に組込むものとする。
【００３０】
本発明のもう１つの実施例としては、パターン化されたリードフレームを、Ｂステージ絶縁層、若しくは他のエポキシ樹脂の薄膜を介して、金属基板１１に取付けた後、半導体ダイ４１及び４４と、これらを接続するワイヤボンドとが形成される。
【００３１】
図４に示す新規な構造、及びその変形態様は、次のような利点を有している。
ａ）電気特性及び熱特性の改善、
ｉ）熱線が熱伝導性の低い絶縁層１２まで入る前に、熱は銅膜３０に広がり、半導体ダイ４１及び４４の熱は、最大限外方へ拡散する。
ｉｉ）高電圧絶縁がなされる（絶縁層１２の厚さを所要に定めることができる）。
ｉｉｉ）電気絶縁（絶縁層１２をより厚くする）と、熱抵抗（層１２をより薄くする）との妥協点を、用途に応じて選択できる。
ｉｖ）ヒートシンク（液冷機関／能動的冷却機関であってもよい）上に実装できるので、さらに冷却力を高めることができる。
ｖ）熱抵抗が小さいため、電流／電力面での性能は強化される。
【００３２】
ｂ）製造及び取扱い上の改善、
ｉ）銅膜３０は、標準大量生産できるＢステージＩＭＳ２０とは独立して、個別生産され、かつ個々に変更することができる。
ｉｉ）ダイ４１及び４４は、リードフレームに容易にはんだ付けされた後、ＢステージＩＭＳ２０の上に銅膜３０を実装するので、リードフレームを、モジュール製造ラインを通じて動かさなくともよい。すなわち、銅膜３０の底面は、熱容量が小さく、炉に対して熱的により良く接触するため、ダイを銅膜３０にはんだ付けすると、絶縁層１２によって完全に絶縁されている基板１１は、容易に熱せられる。
ｉｉｉ）ＤＯＬモジュール２９及び６０は、ＢステージＩＭＳ２０に実装する前に、完全に検査されている。
【００３３】
ｃ）次に挙げる要因による製造及び検査費用の低減、
ｉ）ＢステージＩＭＳ２０を個別に生産する必要がないため、低価格での大量生産が可能である。個別生産が必要なのは、ＢステージＩＭＳ２０に取付けられるＤＯＬモジュール２９及び６０のみである。
ｉｉ）デザインやレイアウトの変更が影響するのは、銅膜３０だけであって、ＢステージＩＭＳ２０には影響しない。
ｉｉｉ）ＤＯＬモジュール２９及び６０は、ＩＭＳ２０に実装する前に十分に検査されるパーツであるので、最終的な生産ライン効率を高くできる。
ｉｖ）費用を最適化したモジュールを、オプションとして、電気的に絶縁して生産できる。従って、電気的なアセンブリを、（器具や設備にかかる費用を低減させる）ために、大量個別梱包と、製造規格化と、生産ラインシェアリングとをもたらし、標準モジュールは、電気縁層（つまり、ＢステージＩＭＳ）を備えたまま生産できる。
【００３４】
以上本発明を、特定の実施例に基づいて説明したが、本発明は、当業者にとって明白な他の変形例、変更例、使用例を含むものである。従って、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。
【特許文献２】米国出願第１１／６１９，７４２号
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】周知の絶縁金属基板（ＩＭＳ）の横断面図である。
【図２】表面に銅層を積層する前の、図１のＩＭＳであり、ＢステージＩＭＳ型構造を示す図である。
【図３】ダイ・オン・リードフレーム・モジュールの概略横断面図である。
【図４】本発明の一実施例による、ＢステージＩＭＳに取付けられた、ダイ・オン・リードフレーム・モジュールの図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  ＩＭＳ基板
１１  金属基板
１２  絶縁層
１３  銅層
２０  ＢステージＩＭＳ
２９  ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）・モジュール
３０  銅膜
３１〜３４  ダイパッド
３５〜３８  組立端子
４１〜４４  半導体ダイ
５０  絶縁フレーム
６０  ダイ・オン・リードフレーム（ＤＯＬ）・モジュール
【図１】
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【図２】
2009536458.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの、間隔を空けて配置された、絶縁されている第１パッド及び第２パッドを有し、かつ、平行に設けられた、平面状の表面及び底面を有している、導電性のリードフレームと、各々表面及び底面を有し、かつ、これらの底面は、前記第１パッド及び第２パッドの各表面上に、電気的及び機械的に取付けられている、少なくとも第１半導体ダイ及び第２半導体ダイと、所定の回路内で相互接続されており、かつ、外部回路に接続するための出力端子を有している、前記少なくとも第１半導体ダイ及び第２半導体ダイと、前記平面状で導電性のリードフレームの底面を積み重ねるための、絶縁された導電性の基板と、平面状の表面を有し、かつ、この平面状の表面上に、キュア可能な絶縁層を有している導電体からなっている、前記絶縁された導電性の基板と、前記キュア可能な絶縁層の前記表面に、前記絶縁層をキュアすることによって、機械的に取付けられ、かつ、前記絶縁層によって前記導電体から絶縁されている、前記リードフレームの底面とを備えており、前記キュア可能な絶縁層は、前記リードフレームと前記導電体との間に所定の間隔をあけるために、所定のサイズの層を備えている、半導体モジュール。
【請求項２】
前記半導体ダイは、ＭＯＳゲートデバイスである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記導電体は、平面状の金属基板である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
前記モジュールは、前記出力端子間電圧がおよそ５０ボルトを超える高圧モジュールである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
前記平面状のリードフレームは、前記絶縁された導電性の基板から延び、前記端子を形成している直立した突起を有する、請求項１に記載のモジュール。
【請求項６】
前記キュア可能な絶縁層は、エポキシ樹脂よりなっている請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
前記キュア可能な絶縁層は、厚さが約１００から約２５０Φｍであり、前記導電体は、厚さが約０．５から３．０ｍｍの平面状の金属基板である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
半導体ダイを導電性リードフレームの絶縁されたパッドに取付ける工程と、前記ダイを所定の回路へ接続させる工程と、前記リードフレームの底面をＢステージＩＭＳ基板の絶縁層上に配置する工程と、前記ＢステージＩＭＳ基板の前記絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記ＩＭＳ基板の前記絶縁層に取付ける工程とを備えており、前記リードフレームは、前記ＢステージＩＭＳ基板の金属基板から絶縁されている、高圧絶縁された半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
半導体ダイを導電性リードフレームの絶縁されたパッドに取付ける工程と、前記ダイを所定の回路へ接続させる工程と、前記リードフレームの底面を導電性の基板上のキュア可能な絶縁層上に配置する工程と、前記キュア可能な絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記導電性の基板上に機械的に取付け、前記リードフレームを前記基板から電気的に絶縁する工程とを備えている、高圧絶縁された半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレームの底面を導電性の基板上のキュア可能な絶縁層上に配置する工程と、前記キュア可能な絶縁層をキュアして、前記リードフレームを前記導電性の基板上に機械的に取付け、前記リードフレームを前記基板から電気的に絶縁する工程とを備え、前記キュア可能な絶縁層をキュアした後に、半導体ダイを、前記リードフレームの少なくとも選択されたパッドに取付ける工程をさらに備えている、高圧絶縁された半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【国際調査報告】
2009536458.tif 000008