(57)【要約】半導体デバイス１００は、ダイパッド１１及び複数のリード１２を有する露出したリードフレーム１０からなる。ダイパッド１１は、実質的に平坦な底面１４及び頂面１５を有する。半導体ダイ２を前記頂面１５のダイ付着面部分３１に付着する。ダウンボンド５は、前記ダイ２をダウンボンド付着面部分３２に繋いでいる。スタンダードボンド４は、前記ダイ２を前記リード１２に繋いでいる。プラスチックパッケージ６は、前記ダイ２、スタンダードボンド４及びダウンボンド５を封入する。前記ダイパッドの頂面は、異なるレベルに位置する部分、及び当該部分の隣接した２つの間に階段状移行部を有する。かかる階段状移行部３６の少なくとも１つは、ダイ２とダウンボンド５との間に位置する。このような階段状移行部がダウンボンド故障に対する良好な保護を供与するということを見出した。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ダイを搭載するためのダイパッドと、前記半導体ダイとの接続用で、前記ダイパッドから一定の距離に配設された複数のリードとを備える半導体デバイス用リードフレームにおいて、
前記ダイパッドが実質的に平坦な底面及び頂面を有し、該頂面がダイ付着部分とダウンボンドとの接続用のダウンボンド付着部分を有し、
前記ダイ付着面部分と前記ダウンボンド付着面部分との間の少なくとも１箇所で、前記ダイパッドの頂面が前記ダイ付着面部分の面外にある少なくとも１つの第３の表面部分と、前記ダイ付着面部分および前記第３の表面部分間の少なくとも１つの実質的に階段状の移行部とを有することを特徴とする半導体デバイス用リードフレーム。
【請求項２】
前記移行部が頂面の一部をエッチング除去することにより形成される請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ダイ付着面部分とダウンボンド付着面部分との間の位置で、前記ダイパッドがその頂面内に少なくとも１つの凹部を有し、前記第３の表面部分をかかる凹部の底部によって画成し、前記階段状移行部を前記凹部の壁によって画成する請求項１記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記凹部をダイパッドの側縁と実質的に平行に延在する溝として形成する請求項３記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記溝が、前記ダイパッドの形状に対応する実質的に矩形形状を有する環状の切れ目ない溝である請求項４記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記凹部が実質的に矩形の断面輪郭を有する請求項３記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記ダウンボンド付着面部分を前記ダイ付着面部分に整列する請求項３記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記ダイパッドが、ダウンボンド付着面部分と該ダイパッドの側縁との間の位置で、その頂面内に少なくとも１つの更なる凹部を有する請求項３記載のリードフレーム。
【請求項９】
前記ダイ付着面部分とダウンボンド付着面部分との間の位置で、前記ダイパッドが、その頂面内に少なくとも１つのリッジを有し、前記第３の表面部分を該リッジの頂部により画成し、前記階段状移行部を前記リッジの壁により画成する請求項１記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記リッジがリードフレーム基本材料の一部をエッチング除去することにより形成されて前記ダイ付着面部分及びダウンボンド付着面部分を形成する請求項９記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記ダイ付着面部分と前記ダウンボンド付着面部分とが互いに面外にあり、前記階段状移行部を前記ダイ付着面部分とダウンボンド付着面部分との間の移行部により画成する請求項１記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記第３の表面部分がダウンボンド付着面部分と同じレベルにある請求項１１記載のリードフレーム。
【請求項１３】
前記ダウンボンド付着面部分が、ダイ付着面部分よりもダイパッドの底面近くに位置する請求項１１記載のリードフレーム。
【請求項１４】
前記階段状移行部が、リードフレーム基本材料の一部をエッチング除去してダウンボンド付着面部分を形成することにより形成される請求項１３記載のリードフレーム。
【請求項１５】
前記ダイ付着面部分が、ダウンボンド付着面部分よりもダイパッドの底面近くに位置する請求項１１記載のリードフレーム。
【請求項１６】
前記階段状移行部が、リードフレーム基本材料の一部をエッチング除去してダイ付着面部分を形成することにより形成される請求項１５記載のリードフレーム。
【請求項１７】
請求項１に記載のリードフレームと、
ダイパッドのダイ付着面部分に付着した集積回路からなる半導体ダイと、
前記集積回路をそれぞれのリードに接続する複数のスタンダードボンドと、
前記集積回路を前記ダイパッドのダウンボンド付着面部分に接続する複数のダウンボンドと、
少なくとも前記半導体ダイ、スタンダードボンド及びダウンボンドを封入するプラスチックパッケージとを備えることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１８】
前記リードフレームが露出している請求項１７記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
請求項３記載のリードフレームを有し、少なくとも１つの凹部に前記パッケージのプラスチック材料を完全に充填する請求項１７記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
基本リードフレーム片を用意する工程と、
エッチングプロセスを用いて、ダイパッド及び複数リードを備える少なくとも１つのリードフレームを画成し、ここでダイパッドが実質的に平坦な底面及び頂面を有し、該頂面がダイ付着部分とダウンボンドとの接続用のダウンボンド付着部分とを有する工程と、
エッチングプロセスを用いて、前記ダイ付着面部分とダウンボンド付着面部分との間の少なくとも一つの位置で、前記ダイパッドの頂面の少なくとも一部をエッチング除去して前記ダイ付着面部分と面外である少なくとも１つの第３の表面部分と、前記ダイ付着面部分と前記第３の表面部分との間の少なくとも１つの略階段状の移行部とを画成する工程と、
集積回路からなる半導体ダイを前記ダイパッドのダイ付着部分に付着する工程と、
スタンダードボンドを前記集積回路及びそれぞれのリードに接続する工程と、
ダウンボンドを前記集積回路及びダイパッドのダウンボンド付着部分に接続する工程と、
少なくとも前記半導体ダイ、スタンダードボンド及びダウンボンドを封入するように溶融プラスチック材料を前記ダイパッドの頂面に塗布する工程と
を具えることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの溝を前記大パッドの頂面にエッチングにより形成し、溶融プラスチック材料を前記溝の少なくとも一つに完全に充填するのを確実にするように溶融プラスチック材料の塗布工程を適用する請求項２０記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップをプラスチックパッケージに実装したタイプの半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスそれ自体は、一般に知られている。かるデバイスの一般的なデザインを下記に簡単に説明する。図１は、半導体デバイス１の概略横断面図を示す。該デバイスは、「ダイ」とも称する集積回路（図示せず）を有する半導体チップ２を備える。前記デバイスは、通常銅のような金属からなる導電リードフレーム１０をさらに備え、該リードフレーム１０は中央に位置したダイパッド１１と、複数の内部リード１２（図１の横断面図では、そのうちの２つだけが見える）とから構成される。前記ダイ２は、接着剤３、一般に導電性及び／又は伝熱性の接着剤を介して前記ダイパッド１１に付着される。ダイパッド１１は一般に四角形、通常正方形の形状を有する。種々の実施形態で、種々のサイズを有し、１つの典型的な例として、前記半導体デバイス１は7mm×7mmのサイズを有し、その場合の前記ダイパッド１１は5mm×5mmのサイズを有する。
【０００３】
前記ダイ２の集積回路は、その表面に前記ダイパッド１１から離れる方向に向かってコンタクト（接点）端子を有し、該コンタクト端子（図示せず）がそれぞれのリード１２に各ワイヤーボンド４、すなわち細いワイヤー、例えばリード１２に付着した一端と、ダイ２に付着した他端とを有する金のワイヤーを介して接続される。前記リード１２にデバイス１用の入力端子及び／又は出力端子を供与して、入力信号又は出力信号を受信又は発信する。かかるボンドの使用それ自体が既知で、またかかるボンドをリードとダイとに付着する方法それ自体がきちであるため、ここではかかる方法をより詳細に説明する必要はない。
【０００４】
集積回路のいくつかの回路点を共通の電位、通常接地レベルに接続する必要がある。そのため、前記ダイ２の集積回路は、それぞれのワイヤーボンド５を介してダイパッド１１に接続するコンタクト端子をさらに有し、これらダイ２をダイパッド１１に接続するワイヤーボンドを「ダウンボンド」として示す。
【０００５】
リードフレーム１０、ダイ２及びボンド４、５の組立体をプラスチック成形パッケージ内に封入する。デバイスのいくつかのタイプでは、リードフレーム１０をプラスチックによって完全に包囲する。図１のデバイスは露出したリードフレーム１０を有する、すなわちリードフレーム１０が外部に対する電気的及び伝熱的接点に使用し得る表面１４を有する。後述のように、該表面はダイ２から離れる方向に向かい、底面１４として示す一方、その反対面を頂面１５として示す。一般に、符号１６で示すように、ダイパッド１１は、その底面１４にプラスチック６及びダイパッド１１間のより良い係合のために該ダイパッド１１のエッジに沿って延在し、「ハーフエッチ」とも称する下切り欠き部１６Ａを有する。同様に、リード１２は、一般にその底面１４に下切り欠き部１６Ｂを有する。本発明は、それに限られないものの、特に露出したリードフレームパッケージに関する。
【０００６】
かねてより１つの故障がデバイス全体の不良につながるものだが、前記ダウンボンドがとても脆弱で、該ダウンボンドの故障が頻繁に見られることを見出した。本発明によれば、以下で説明するように、２つのメカニズムが前記ダウンボンドの故障に恐らく関与している。
【０００７】
かかるデバイス１を製造するためのプロセスは、ダイ２をリードフレーム１０に取り付け、スタンダードボンド４及びダウンボンド５を塗布し、次いでプラスチックコンパウンド６を塗布する工程を備える。前記プラスチックコンパウンド６を溶融状態で、すなわち高温度で塗布するので、冷やすことが必要であり、これがプラスチックの熱膨張係数による機械的応力をもたらす。さらに、その耐用期間中に、前記デバイス１に更なる温度サイクルが施され、これも機械的応力をもたらすことがある。
【０００８】
図２は、前記ダウンボンド５の故障の大きな割合におそらく関与すると考えられる２つのメカニズムを拡大して示す。矢印２１で示すように、前記プラスチックが力を前記ダウンボンドワイヤー５に直接かける場合がある。符号２２で示すように、層間剥離がダイ２とダイパッド１１との間の界面で起こり、クリーピングクラックと見なし得るこの層間剥離が、符号２３で示すように、前記ダイパッド１１の頂面１５に沿って増加する場合がある。最終的に、符号２４で示すように、ダウンボンド５が破壊する（金属疲労及び／又は引裂）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の重要な目的は前記ダウンボンドの信頼性を高めることである。さらにいえば、本発明は前記ダウンボンドの故障の可能性を大きく減縮するように半導体デバイスのデザインを改良することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
従来の半導体デバイスのデザインでは、ダイパッド１１の頂面１５は全体として平らであり、言い換えれば、その範囲の全体にわたって同一平面で延在する。本発明の重要な特徴に従えば、ダイパッド１１の頂面１５は、異なるレベルで位置した部分と、当該部分の２つの隣接部分間に実質的に階段状の移行部とを有し、該階段状移行部の少なくとも１つがダイ２とダウンボンド５との間に位置する。このような階段状移行部が前記ダウンボンドの故障に対して良好な保護を提供することが見出された。
【００１１】
ダイパッドは、１つ以上の凹部を有するのが好ましく、より好ましくはダイ及びダウンボンドの間の位置でその側縁と平行な縦溝として形成された凹部を有し、該凹部にパッケージのプラスチック材料が完全に充填されている。
【００１２】
特許文献１には、ダイパッドがダウンボンドと該パッドのエッジとの間の位置に溝を有し、該溝にシリコンが充填された半導体デバイスが開示されていることがわかる。このようなデザインは、ダイから外方へクリープする層間剥離に対して前記ダウンボンドを保護しない上、ダイパッドとプラスチック間の相互のつながりを減少させる。さらに、前記シリコンの充填が、追加のプロセス工程を要求する。
【００１３】
特許文献２には、ダウンボンドをダイパッドに接続しないが、該ダイパッドの周りに配置し、その角で機械的に及び電気的に該ダイパッドに繋がっているセパレートリングに接続した半導体デバイスを開示していることがわかる。このようなデザインは、溶融プラスチックを塗布する製造工程において、前記プラスチックがダイとリングの間の間隙を通り抜け、リードフレームの底部側を覆い（ばりの問題）、これが不良品を引き起こすか又は余分なプラスチックを取り除くための更なるプロセス工程を必要とするというリスクを増大する欠点を有する。
【特許文献１】米国特許第6.569.755号明細書
【特許文献２】米国特許第6.545.347号明細書
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明を、より理解するために、単純に一例として、添付の図面を参照して、実施形態が説明されている。なお、前記図面は縮尺がない。ある構成要素は、種々の図の中で参照番号のようなものが与えられている。
【００１５】
図３は、本発明に係わる半導体デバイス１００の好ましい実施形態の詳細（正確な縮尺でない）を示した図２に対応する図である。この図において、下切り欠き部１６は簡略化のため示されていないが、該下切り欠き部は好ましくは実際存在している。それ自体が既知で、図示していないが、リードフレーム１０は所定厚さ、通常約0.2mmの標準的な固体の平板片から始まって製造される。この平板片にエッチングによってリードフレームのアレイを形成し、その後のステージで個々のリードフレームを切断プロセスによって互いに分離する。
【００１６】
ダイパッド１１の頂面１５は、ダイ２を搭載する第１の頂面部分３１と、ダウンボンド５を付着する第２の頂面部分３２とを有する。第１頂面部分３１は、ダイ付着表面部分としても示され、前記頂面１５の中央部分であり、一方、第２頂面部分３２は、ダウンボンド付着表面部分としても示され、ダイパッド１１の側縁３３に沿って延在する。前記第１頂面部分３１と第２頂面部分３２との間で前記頂面１５中に溝３４を形成し、これは頂面１５よりも低いレベルに底部３５を有する。該溝３４の長手方向は、ダイパッド１１の側縁３３と好ましくは実質的に平行に、すなわち図の平面と直交して延在する。前記溝３４にプラスチック６が完全に充填されている。
【００１７】
ダイパッドの厚みの一部分のみに対応する深さまでエッチングするエッチングプロセスによって前記溝３４を形成するのが好ましい。このエッチング工程は、「固体」材料片からリードフレームを形成する上述したエッチングプロセスと組み合わせることができるので、溝の製造コストが最小限となる。かかるエッチングプロセスは、例えばパンチングプロセスに対比して影響を受けないリードフレーム１０の底面１４の平坦さを残すことが注目される。
【００１８】
溝の幅は臨界がないが、実際にはダイ２とボンド５との間の利用可能空間により限定される。適当な実施形態において、溝３４は約0.15mmの幅を有する。
【００１９】
同様に、溝の深さも臨界がない。しかしながら、その効果が十分ではないため、溝は浅すぎないほうがよく、一方、溝がダイパッド１１を貫くリスクが増加するため、前記溝は深すぎないほうがよい。適当な実施形態において、ダイパッド１１は約0.2mmの厚さを有し、溝３４は約0.12mmの深さを有する。一般に、溝３４は、ダイパッド１１の厚さのおよそ半分の深さと、該深さと略等しいか又は若干大きい幅とを有するのが好ましい。
【００２０】
図面において、溝３４は、実質的に矩形輪郭を有するものとして示されている。該溝をダイパッド材料からエッチングにより形成するのが好ましいため、実際の形状は正確な矩形から若干外れるが、その正確な形状は必ずしも重要ではない。
【００２１】
溝３４は、ダイ付着面部分３１と溝底３５との間の第１階段状移行部３６と、前記溝底３５とダウンボンド付着面部分３２との間の第２階段状移行部３７とを画成する。この第１階段状移行部３６は、ダイエリアに起因の層間剥離２２（図２参照）がダウンボンドエリアに到達するのを抑制する。さらに、前記溝３４に係合するプラスチック６のインターロック配列は、ダウンボンド５に作用する応力の大きさを低減する。その結果、ダウンボンド５は故障が起こりにくくなる。
【００２２】
図３Ａは、ダイパッド１１の概略平面図で、ダイ２の位置を破線で示す。この図は、溝３４が、好ましくはそれ自体閉鎖され、ダイ付着面部分３１の回りに延在する連続的な切れ目のない正方形のループの形状を有することを示す。しかしながら、図３Ｂに示すように、前記溝３４が４つの直線状の溝３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃ、３４Ｄの集合体からなり、それぞれがダイパッドの対応側縁と平行に延在し、これら直線状の溝が互いにつながらないとすることも可能である。さらに、直線状の溝は、好ましくは互いに一列に並んだ一連の凹部にとって代えることも可能である。このような凹部の各々は細長形状を有するが、四角形状や、円形状等でも構わない。かかる凹部の少なくとも１つは、既に本発明に係わる改良を付与するが、前記一連の凹部が全てのリード１２の一群に沿って延在するのが好ましい。
【００２３】
図４は、図３の実施形態１００のバリエーションとしての半導体デバイスの実施形態２００の詳細を示す。実施形態２００では、２つの互いに平行な溝４１及び４２がダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２の間に形成される。かかる溝４１、４２のそれぞれについて、溝３４に関して述べたものと同じことを適用し、特にこれら溝が完全にプラスチックで充填されている。図示の実施形態２００では、第１の溝４１が側壁４３、４４及び底部４７を有し、第２の溝４２が側壁４５、４６及び底部４８を有し、上述の底部４７、４８がダイ付着面部分３１のレベルと異なるレベルに位置する。この実施形態２００では、４つの階段状移行部４３、４４及び４５、４６が上述の２つの溝４１、４２の壁によって画成される。
【００２４】
原則として多数の平行溝が可能であるが、空間の制約を考慮すると、その実現は難しいと考えられる。
【００２５】
図５は、図３の実施形態１００のバリエーションとしての半導体デバイスの実施形態３００の詳細を示す。該実施形態３００では、第１溝５１をダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間の領域に形成し、第２溝５２をダウンボンド付着面部分３２とダイパッド１１の対応する側縁３３との間の領域に形成する。かかる溝５１、５２のそれぞれについて、溝３４に関して述べたものと同じことを適用し、特にこれら溝が完全にプラスチックで充填されている。図示の実施形態３００では、第１溝５１が側壁５３、５４及び底部５７を有し、一方第２溝５２が側壁５５、５６及び底部５８を有し、これら底部５７、５８がダイ付着面部分３１のレベルと異なるレベルに位置する。実施形態３００では、２つの階段状移行部５３、５４をダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間で前記第１溝５１の壁によって画成し、この点で前記第１溝５１が図３の溝３４に対応する。さらに、２つの階段状移行部５５、５６をダウンボンド付着面部分３２と側縁３３との間の領域内で前記第２の溝５２の壁によって画成する。この第２溝５２は、ダイパッド１１とプラスチック６との間の機械的結合をさらに強くし、また側縁３３で起こる層間剥離からの保護も行う。
【００２６】
図６は、図３の実施形態１００のバリエーションとしての半導体デバイスの実施形態４００の詳細を示す。この実施形態４００では、溝３４の代わりにリッジ６１をダイパッド１１の頂面１５上に形成する。実際には、平均的な標準厚さを有する板状材料から始まり、ダイ付着面部分３１及びダウンボンド付着面部分３２を一定の深さまでエッチング除去し、リッジ６１の頂面６２を当初の高さで残すことによりダイパッド１１の最終形状が得られる。
【００２７】
溝３４のように、リッジ６１がダイ２の周りに閉じたループとして延在するか、又はリッジ６１が一連の隆起部分とすることもできる。また、２つの平行リッジがダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間の領域内に存在することもできる（図示せず）。さらにまた、第２のリッジがダウンボンド付着面部分３２と側縁３３との間の領域内に存在することも可能である（図示せず）。
【００２８】
前記リッジ６１は、ダイ付着面部分３１と該リッジの頂面６２との間に第１の階段状移行部６３を、前記頂面６２とダウンボンド付着面部分３２との間に第２の階段状移行部６４を画成する。この第１階段状移行部６３は、ダイエリアに起因の層間剥離２２（図２参照）がダウンボンドエリアに到達するのを抑制する。その上、プラスチック６に係合するリッジ６１のインターロック配列は、ダウンボンド５に作用する応力の大きさを低減する。その結果、ダウンボンド５はより故障がおこりにくくなる。
【００２９】
上述した実施形態では、溝又はリッジが移行部を画成する２つの対向壁を常に有するので、階段状移行部の数が常に偶数である。しかしながら、階段状移行部の数を奇数とすることも可能であり、この数は１にすることさえも可能である。例えば、ある実用的な事例では、ダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間の領域が溝やリッジを設けるに十分な大きさがない場合である。
【００３０】
図７及び８は、それぞれ図３の実施形態１００のバリエーションとしての実施形態５００及び６００の詳細を示す。
【００３１】
図７の実施形態５００では、ダウンボンド付着面部分３２がダイ付着面部分３２の面外にある。すなわち、ダウンボンド付着面部分３２がダイ付着面部分３１のレベルと異なるレベルに位置する。特に実施形態５００では、好ましくはダウンボンド付着面部分３２を所望の深さまでエッチング除去する結果として、ダウンボンド付着面部分３２がダイ付着面部分３１よりも低いレベルに位置する。ダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間では、前記ダイ付着面部分３１のレベルと前記ダウンボンド付着面部分３２のレベルとの間、又はより詳細にはダイ付着面部分３１のレベルと前記ダウンボンド付着面部分３２と同じレベルである第３表面部分７２のレベルとの間の階段状移行部７１が画成される。この階段状移行部７１は、上述した実施形態１００の第１階段状移行部３６と同等の効果を奏する。
【００３２】
図８の実施形態６００では、好ましくはダイ付着面部分３１を所望の深さまでエッチング除去する結果として、ダウンボンド付着面部分３２が前記ダイ付着面部分３１よりも高いレベルに位置する。ダイ付着面部分３１とダウンボンド付着面部分３２との間では、前記ダイ付着面部分３１のレベルと前記ダウンボンド付着面部分３２のレベルとの間、又はより詳細にはダイ付着面部分３１のレベルと前記ダウンボンド付着面部分３２と同じレベルである第３表面部分８２のレベルとの間の階段状移行部８１が画成される。この階段状移行部８１は、上述した実施形態１００の第１階段状移行部３６と類似の効果を奏する。
【００３３】
本発明は上述した実施形態に限定されず、添付した請求の範囲で規定された本発明の保護範囲内においていくつかのバリエーション及び修正が可能であることは当業者にとって明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１は、従来の半導体デバイスの横断面図を概略的に示したものである。
【図２】図２は、ダウンボンド故障を説明するための図１の従来の半導体デバイスの詳細を概略的に示したものである。
【図３】図３は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図３Ａ】図３Ａは、ダイパッドの実施形態の概略平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、ダイパッドの実施形態の概略平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図６】図６は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態の詳細を示す図２に対比し得る概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009500841.tif 000011
【図８】
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【国際調査報告】
2009500841.tif 000013
2009500841.tif 000014