(57)【要約】本発明は、チャネル導波路構造を有する光学装置、及びその作製方法に係る。特にＺＢＬＡＮである特にはジルコニウムフッ化物ガラスであるフッ化物ガラスを有する薄い導波路層（２）は、基板（１）上に適用され、該層（２）上へとスタンプ（３）をプレスすることによって導波路チャンネル（７）を形成するよう構築される。スタンプ（３）は、導波路構造のチャネル（７）の所望される輪郭に従って形成されるカッティングエッジ（４）を有し、且つ導波路層（２）の材料の移動に対して自由空間を与えるよう、設計される。スタンプ（３）及び／又は導波路層（２）は、カッティングエッジ（４）による導波路層（２）の材料の移動を可能にする温度まで事前に加熱される。本発明は、チャネル導波路構造の迅速且つ安価な製造を可能にする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特にＺＢＬＡＮである特にはジルコニウムフッ化物ガラスであるフッ化物ガラスの導波路層を基板上、あるいは該基板上の基層上に与えることによって、チャネル導波路構造を作製し、また、前記基板上に該チャネル導波路構造を形成するよう前記導波路層を構築する方法であって、
スタンプが備えられ、前記導波路構造のチャネルの所望される輪郭にしたがって形成されるカッティングエッジを有し、且つ前記導波路層の材料の移動に対する自由空間を与え、
前記スタンプ及び／又は前記導波路層は、前記カッティングエッジによって前記導波路層の前記材料の前記移動を可能にする温度まで事前に加熱され、
前記導波路層は、該層上へと前記スタンプをプレスすることによって構築される、
方法。
【請求項２】
前記スタンプは、前記導波路層の前記材料より低い屈折率及び類似する熱膨張係数を有する材料を有して作られ、前記導波路層の前記構築後にカバー層として前記導波路構造上に残る、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記チャネル導波路構造は、≦１０μｍの厚さを有して形成される、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記導波路層は、ダイオードレーザーバーに対して結合され得る導波路チャンネルのアレイを形成するよう、単一のプレス段階において前記スタンプを有して構築される、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項５】
前記導波路層は、前記チャネル導波路構造の所望の厚さより厚い厚さを有して適用され、前記スタンプは、前記自由空間までの前記導波路層の材料の移動によって前記厚さを前記所望の厚さまで低減させるよう構築される、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項６】
前記導波路層は、小片、小粒子、又は微粉の形状における前記導波路層の前記材料を前記基板上に配置することと、前記材料を加熱することと、前記導波路層を形成するようプレートを有して前記材料を前記基板に対してプレスすることとによって、与えられる、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項７】
前記導波路層は、小片、小粒子、又は微粉の形状における導波路層の材料をプレート上に配置することと、前記材料を加熱することと、前記導波路層を形成するよう前記プレートを有して前記材料を前記基板に対してプレスすることとによって、与えられる、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項８】
前記基層は、小片、小粒子、又は微粉の形状におけるＺＢＬＡＮ材料を前記基板上あるいはプレート上に配置することと、前記材料を加熱することと、前記基層を形成するよう前記プレートを有して前記材料を前記基板に対してプレスすることとによって、前記基板上に与えられる、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項９】
前記カッティングエッジは、垂直方向の側面を有する導波路チャンネルを形成するよう設計される、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項１０】
前記導波路層の前記材料は、ＥｒドープＺＢＬＡＮガラスである、
請求項１又は２記載の方法。
【請求項１１】
特にはレーザーダイオードからのＩＲ放射のアップコンバージョンに対する光学装置であって、
基板上あるいは該基板上の基層上における導波路材料として、特にＺＢＬＡＮである特にはジルコニウムフッ化物ガラスであるフッ化物ガラスの複数の導波路チャンネルを有する、チャネル導波路構造を有し、
該導波路構造は、スタンプ及び／又は導波路層を前記導波路材料の軟化温度を上回る温度まで事前に加熱した後に、前記スタンプを前記基板又は基層上の前記導波路材料の導波路層上へとプレスすることによって形成され、該スタンプは、前記導波路構造の前記導波路チャンネルの所望される輪郭に従って形成されるカッティングエッジを有し、且つ前記導波路層の材料の移動に対する自由空間を与える、
光学装置。
【請求項１２】
前記導波路構造は、前記スタンプによってカバーされ、該スタンプは、前記導波路材料より低い屈折率及び類似する熱膨張係数を有する材料を有して作られる、
請求項１１記載の光学装置。
【請求項１３】
前記導波路構造は、≦１０μｍの厚さを有して形成される、
請求項１１又は１２記載の光学装置。
【請求項１４】
前記導波路構造は、ダイオードレーザーバーに対して結合され得る前記導波路チャンネルのアレイを有する、
請求項１１又は１２記載の光学装置。
【請求項１５】
前記導波路チャンネルは、垂直方向の側面を有する、
請求項１１又は１２記載の光学装置。
【請求項１６】
前記導波路材料は、ＥｒドープＺＢＬＡＮガラスである、
請求項１１又は１２記載の光学装置。
【請求項１７】
光源であって、
ダイオードレーザーアレイに対して結合される請求項１１乃至１６のうちいずれか一項記載の光学装置を有する、
光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にはＩＲ放射を高出力ダイオードから可視域における放射へとアップコンバージョンする、基板上におけるチャネル導波路構造（ｃｈａｎｎｅｌ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有する光学装置に係る。該チャネル導波路構造は、特にＺＢＬＡＮである特にはジルコニウムフッ化物ガラスである（ｉｎ  ｐａｒｔｉｃｕｌａｒ  ａ  Ｚｉｒｋｏｎｉｕｍ  ｆｌｕｏｒｉｄｅ  ｇｌａｓｓ，  ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙ  ＺＢＬＡＮ）フッ化物ガラスを有し、導波路チャンネルを形成する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＲ放射を高出力ダイオードから可視域における放射へと転換するアップコンバージョン工程（ｕｐ−ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、光源として放電灯を包含する現在の水銀に置き換わる将来の投射系の光源にとって大変期待される技術である。アップコンバージョン技術において、ＩＲダイオードからの光は、エネルギー転換に適切であるエネルギー準位システムを有する材料を有する導波路（ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）へと与えられる。導波路の形状は、ＩＲダイオードの活性領域の形状に対して適合され、厚さに対する幅の大きな縦横比を有する。
【０００３】
特には緑色の構成要素に対して効率的な源は、使用可能にされなければならない。現在既知である最良の材料システムは、Ｅｒ（エルビウム）ドープＺＢＬＡＮガラスである。ＺＢＬＡＮは、特有の濃度においてＺｒＦ４，  ＢａＦ２，  ＬａＦ３，  ＡｌＦ３、及びＮａＦを有する多構成要素材料である。ＺＢＬＡＮガラスは、ガラス構築工程において上述の純粋構成要素を共に融解させることによって成形される。この材料システムは、ファイバにおいて、また薄膜技術に対するターゲットとして使用される大きなサンプルにおいて、効率的なアップコンバージョンを可能にするよう実証されている。
【０００４】
高出力ダイオードからのＩＲ放射のアップコンバージョンに対する光学装置は、高性能操作に対してドープＺＢＬＡＮからのチャネル導波路を求める。かかる導波路は、断面においてダイオードの活性域の高さに対する幅の大きな縦横比に合致しなければならない。かかるチャネル導波路の作製に対する開始点は、平らな基板上におけるドープＺＢＬＡＮの薄い平面層である。基板の屈折率及び熱膨張係数は、ＺＢＬＡＮ特性に同時に適切でなければならないため、導波路蒸着に対する適切な材料の選択は限られている。１つの適切な材料は、ＭｇＦ２である。
【０００５】
ドープＺＢＬＡＮの平面層は、スパッタリング、ゾル・ゲル技術、及びキャスティング等である複数の薄膜技術によって基板に対して与えられ得る。現在使用されている大半は、ドープ又は非ドープＺＢＬＡＮターゲットからのＰＬＤ技術（パルスレーザー蒸着法）である。かかる平面ＺＢＬＡＮ層は、光ビームを制限し、且つアップコンバージョン材料内部の高輝度レベルを保存することによって効率的なアップコンバージョンを可能にするようチャネル導波路へと変化されるよう、構築段階を必要とする。ＺＢＬＡＮ及びＭｇＦ２の化学反応により、Ｓｉ技術（Ｓｉ−ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）等を有する場合と同様に使用可能である容易で且つ量産性の構築工程はない。したがって、ｆｓパルスを使用するレーザー加工等である、大変遅く且つ技術的に複雑な技術が適用されなければならない。
【０００６】
米国特許第２００５／０００８３１６  Ａ１号明細書（特許文献１）は、光学導波路増幅器、及びかかる増幅器を作製する異なる方法を開示する。かかる方法のうちの１つにおいて、下方クラッド層（ｌｏｗｅｒ  ｃｌａｄｄｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）は、基板上に蒸着される。コア層は、下方クラッド層上に蒸着され、シャドーフォトマスクは、コア層上に蒸着される。シャドーフォトマスクは、紫外線光に対して露出される。続いてコア層は、所望される導波路形状を有するコアを形成するようエッチングされる。他のクラッド層は続いて、コア上、並びに下方クラッド層の露出部分上に蒸着される。他の方法において、ナノ複製工程（ｎａｎｏｒｅｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓ）は、導波路構造を形成するよう使用される。この工程において、導波路のマスターは、所望される寸法を有するコア形状を有してリソグラフィック状に作製される（ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃａｌｌｙ  ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ）。マスターは、スタンパーを形成するよう使用され、該スタンパーは、導波路の所望される形状のネガティブを有する（ａ  ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｄｅｓｉｒｅｄ  ｓｈａｐｅ）。下方クラッド層及びコア層は、基板上に与えられ、スタンパーは、コア層からコアを形成するよう使用される。下方クラッド層の一部は露出され、上方クラッド層は、コア及び下方クラッド層の露出部分において蒸着される。特許文献１は、コア層に対して使用される材料について言及していない。ナノ複製工程において、マスターは、所望される導波路構造と同一のコピーである。これは、特許文献１に開示される単一チャネル導波路の形成を可能にするが、不要な材料が流され得ないため、基板上で並列に配置される複数の導波路チャネルを有する導波路構造には適用され得ない。
【特許文献１】米国特許第２００５／０００８３１６  Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、共通の基板上に複数のチャネル導波路を有する導波路構造の作製に対する短い工程時間を可能にする、チャネル導波路構造を有する光学装置及びその作製方法を与える、ことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
該目的は、請求項１及び請求項１１に従う光学装置及び作製方法を有して達成される。光学装置及び作製方法の有利な実施例は従属請求項の対象であり、また以下の説明及び例において説明される。
【０００９】
提案されるチャネル導波路構造を作製する方法において、特にＺＢＬＡＮである特にはジルコニウムフッ化物ガラスであるフッ化物ガラスを有する薄い導波路層は、基板上あるいは該基板上の基層上において適用される。提案される方法において、スタンプが与えられ、該スタンプは、導波路構造のチャネルの所望される形状に従って形成されるカッティングエッジを有し、また、導波路層の材料の移動に対して少なくとも複数のカッティングエッジの間において自由空間を与える。スタンプ及び／又は導波路層は、ガラス軟化温度とガラス結晶温度との間における温度まで事前に加熱され、カッティングエッジによる導波路層の材料の移動を可能にする。導波路層は続いて、スタンプを該層上へとプレスすることによって構築される。
【００１０】
対応する光学装置は、導波路材料のチャネル導波路構造を有する基板を有する。導波路チャンネルを形成するよう使用されない導波路層の導波路材料、及びカッティングエッジによって移動される導波路材料はチャネル導波路構造の導波路チャンネルの間において配置され、そこに残る。
【００１１】
本発明を有して、チャネル導波路構造を有する光学装置が与えられ、単一の処理段階において基板上に並列にされる複数の導波路チャンネルの構築が可能とされる。該段階において複数の導波路チャンネルを定義するスタンプは、導波路層上へとプレスされる。導波路構造は、単一の処理段階において同時に基板全体の範囲にわたって形成され得る、用途に応じて真っ直ぐに並びに湾曲にされる導波路のアレイを有し得る。
【００１２】
提案された方法を有して、並列に配置された複数のダイオードレーザー源を有するダイオードレーザーバーに対して結合されるべきチャネル導波路のアレイを作製することは、可能である。導波路チャンネルの典型的な寸法は、幅約１００μｍ、及び高さ（厚さ）約２乃至５μｍである。望ましくは、本発明の導波路チャンネルの高さは、１ｍｍより低く、望ましくは１０μｍより低く、更に望ましくは１乃至６μｍ、より更に望ましくは３から６μｍである。
【００１３】
本発明は、特にはＺＢＬＡＮであるフッ化物ガラスが他のガラスと比較して比較的低い軟化温度を有するガラスである、という特徴を利用する。この軟化温度によって、特に圧力が材料の流れを支持するよう加えられる場合に、低い温度において材料を変形及び成形することが可能である。導波路層に対する望ましい材料は、レアアースドープＺＢＬＡＮガラスである。適切なドーパントは、例えばプラセオジミウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、ネオジム、ユウロピウム、ジスプロジウム、テルビウム、又はサマリウムである。
【００１４】
望ましい一実施例では、導波路層は、標準的な薄膜技術を使用して導波路構造の所望される高さまで基板上あるいは基板上の層上において蒸着される。この実施例では、スタンプは、導波路チャンネルの輪郭を定義付けるエッジを有して使用される。カッティングエッジを形成するスタンプの要素の高さは、蒸着される層の高さを超える。基板及び導波路層の組立体は続いて、十分に高い度まで加熱され、事前に加熱されたスタンプは、導波路層の表面上へとプレスされる。適用の温度、圧力、及び期間は、スタンプのエッジ輪郭が導波路層へとエンボスされるよう調整される。続いて、スタンプは後退され、チャネルのエッジにおいて形成される溝は、光ビームを導波路構造へと制限する役割を有する。スタンプのカッティングエッジを形成する要素の形状及び高さにより、材料は、スタンピング工程によって形成される導波路チャンネル間において配置される。可能であれば、材料はまた、カッティングエッジ間において導波路層の上方に残る自由空間において移動される。
【００１５】
他の実施例において、導波路層は、チャネル導波路構造の所望される厚さより厚い厚さを有する基板又は基板上の層に対して適用される。この実施例では、スタンプは、層材料を側部に移動させることによってこの厚さを所望される値まで低減するよう形成されなければならない。したがってスタンプは、各チャネルを形成する２つのカッティングエッジ間における高さがチャネルの所望される高さに適合されるよう、設計される。近接するチャネルを形成するカッティングエッジ間の高さは、この空間への移動された材料の流れを可能にするよう層の高さを超える。
【００１６】
導波路層を適用する望ましい方法は、カッティング、チョッピング、又は微粉砕によって大きな材料から得られる、あるいは、ゾルゲル法等である粒子形成技術から得られる、小片、小粒子、又は微粉の形状における導波路材料を基板上あるいは基板上の層上に配置すること、である。粒子は、基板に対して平行に方向付けられるプレートでカバーされる。このカバープレートは、それを基板に押し付ける圧力を有して搭載される。組立体全体は、適用される導波路材料が変形可能である温度まで加熱される。このガラス材料の軟化及びガラス粒子上における圧力により、かかる粒子は、基板とカバープレートとの間において平らにされて広げられる。圧力を加える間に接触するようになる近接するガラス粒子は、同等の種類のガラスと同様に、つなぎ目がないように溶解される。結果として、数マイクロメートル乃至１ミリメートル又はそれ以上の範囲における厚さを有する導波路材料の平坦で平行な層は、使用される粒子寸法及び表面の範囲に依存して達成される。基板及びカバープレートの材料に依存して、導波路層はまた、コーティングとしてカバープレートに対して接着し得る。後者の場合、カバープレートはまた、提案されるチャネル導波路構造の基板を形成し得る。
【００１７】
同様にして、基板上の基層又は基板自体は、例えば非ドープＺＢＬＡＮガラスから形成され得る。基板としてＺＢＬＡＮ材料を使用する場合、ＺＢＬＡＮ層の厚さは、この層が基板として扱われるよう十分に安定性があるよう選択される。これはまた、上述されたホットプレス工程を使用してこの層を形成するよう２つの基板又はプレートが非接着材料から作られ、ＺＢＬＡＮ層がかかるプレートから除去され得る、ことを求める。
【００１８】
非ドープＺＢＬＡＮガラスの基層又は基板、及びＥｒドープＺＢＬＡＮガラスの導波路層の使用は、基板又は基層と導波路構造との間における熱膨張係数における不一致がない、という大きな利点を有する。また、基層及び導波路層が適用される追加的な基板の場合、非ドープ基層は、光学アイソレーション層を形成して基板の屈折率が制限されないようにするため、基板材料のより広い選択肢が可能である。したがって、この構造は、ＩＲダイオードの銅冷却プレートに対して直接接着され得る。銅プレートの適切にされた表面の高さの構築によって、ＺＢＬＡＮ導波路構造及びダイオード活性層の位置合わせは、達成され得る。ＺＢＬＡＮ構造は、ＩＲダイオード出力に対して結合され得る（Ｔｈｅ  ＺＢＬＡＮ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｃａｎ  ｂｅ  ｂｕｔｔ−ｅｎｄ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｔｏ  ｔｈｅ  ＩＲ  ｄｉｏｄｅ  ｏｕｔｐｕｔ．）。
【００１９】
本願の作製方法の一実施例では、スタンプは、導波路層を構築した後に除去される。他の望ましい一実施例では、スタンプは、導波路材料と互換性がある材料を有して作られる。これは、スタンプの材料が、導波路層の材料より低い屈折率、及び亀裂を回避するよう温度差を有する２つの材料間における熱誘発応力を制限する類似する熱膨張係数を有するよう選択される、ことを意味する。スタンプは、導波路層上へとプレスした後に除去されず、光学装置の一部として導波路構造上に残る。続いてスタンプは、チャネル構造に対するカバー層又は保護層としての役割を有する。上述された全ての他の実施例と組み合わされ得るこの実施例では、導波路構造のパッケージングはまた、導波路構造の構築と共に単一の処理段階において達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本明細書及び特許請求の範囲において、「有する」という語は、他の要素又は段階を除外するものではなく、単数形で示される語は、その複数の存在を除外しない。また、請求項における参照符号は、請求項の範囲を制限するものとして解釈されるべきではない。
【００２１】
提案されるチャネル導波路構造を有する光学装置及び対応する作製方法は、以下において、請求項によって定義付けられる発明の範囲を制限することなく添付の図面と関連付けられて例証される。
【００２２】
図１は、チャネル導波路構造を作製する提案された方法の第１の例を示す。３μｍの厚さを有する平面ＺＢＬＡＮ層２は、ＰＬＤ技術によって平らなＭｇＦ２基板上に形成される。対応するカッティングエッジ４を有するスタンプ３は、５μｍの高さである三角形の断面を有する直線的なカッティング要素を形成するよう平らなＳｉプレートを構築することによって与えられる。Ｓｉ表面は、層２のＺＢＬＡＮ材料がスタンプ３に対して接着することを避けるよう、Ｐｔ層（図示せず）等である非接着層を有して覆われる。カッティングエッジは、所望されるチャネル導波路構造の輪郭を定義付けるよう設計される。
【００２３】
ＺＢＬＡＮ層２を有するＭｇＦ２基板１は、約３００℃の温度まで加熱される。スタンプ３は、約３２０℃の温度まで事前に加熱され、ＭｇＦ２表面上のＺＢＬＡＮ層２上へとプレスされる。スタンプ上の負荷は、２００ｐ／ｃｍ２であり、２０秒間加えられる。この工程によって、ＺＢＬＡＮ層２の材料は、所望されるチャネルのエッジにおいて溝４を形成するよう移動される。約２５０℃まで冷却された後、スタンプ３は、後退され、導波路構造は、図１中の右手側の図に示される通り完成される。導波路チャンネル７は、基板上に残る近接する層材料から溝によって離される。ＺＢＬＡＮ層２の厚さを超えるカッティング要素の高さにより、カッティングエッジ４によって移動される材料６は、動かされる自由空間を十分に有する。
【００２４】
他の実施例では、スタンプ３は、導波路構造上に残り、導波路構造のカバー又はパッケージング層としての役割を有する。この場合、スタンプ３は、ＺＢＬＡＮ層２より低い屈折率、及び類似する熱膨張係数を有する材料を有して作られる。かかるスタンプ３の表面は、非接着層を有してカバーされない。
【００２５】
図１では、スタンプ３及びＺＢＬＡＮ層２を有する基板１の一部のみが図示される。スタンプ３は、同時に並列する複数の導波路チャンネル７を構築するよう設計される。エンボス又はカッティングエッジ４は、移動される材料がどのようにあるいはどこに流れるべきかという詳細な目的に従って、異なる形状を有し得る。望ましい実施例では、カッティングエッジ４を形成するカッティング要素は、導波路側部上に急角度のエッジを与えるよう、非対称にされる。
【００２６】
特定の方向における材料の流れを促進するよう、あるいは同一の処理段階において異なる高さを有するチャネル導波路を形成するよう、近接するカッティングエッジ間において異なる高さを有する構造を有するスタンプを与えることは、可能である。放射の組合せ、混合、又は分配に対するカプラー及び導波路スプリッタ等であるより複雑な導波路構造はまた、この工程を有して作製され得る。
【００２７】
図２は、非対称のカッティングエッジ４を有するスタンプ３の一例を示す。この例では、ＺＢＬＡＮ層２は、チャネル導波路構造の所望される高さｈ１より大きい厚さを有する基盤に対して適用される。スタンプ３は続いて、１つのチャネルを構築する２つのカッティングエッジ４の各々の間において高さｈ１を有するカッティング構造を定義するようにされる。対応するチャネルに対して方向付けられる創部上において、かかるカッティングエッジ４は、大変急角度であり、望ましくは垂直であるか、あるいは更に後退する（ｅｖｅｎ  ｒｅｃｅｄｉｎｇ）。対向する側部上で、カッティングエッジ４は、傾斜され、所望されるチャネル間の空間へと移動された層材料が流れるようにされる。この空間において、スタンプ３のカッティング構造は、層材料の移動に対して十分な自由空間を与えることができるよう、適用される導波路層の厚さより厚い高さｈ２を有する。図はまた、スタンプ３の一部のみを示す。このスタンプ３が適用される際、構築されたチャネルは、所望される高さを有する矩形の断面を有する。全ての移動された材料は、構築された導波路チャンネル間において残る。
【００２８】
図３は、本発明にしたがったチャネル導波路構造の一例を平面図において示す。この例では、複数のチャネル導波路７は、平行配置において形成され、光学装置１０全体は、ダイオードレーザーバーに対して結合され得る。平行な導波路チャンネル７の間には、残っている移動された層材料６が示される。しかしながら、装置全体はまた、スタンプ自体等である保護層によってカバーされ得る。
【００２９】
図４は、本発明に従った光学装置１０がダイオードレーザーバー８に対して結合される一例を側面図で示す。ダイオードレーザーバー８及び光学装置１０は、冷却を目的として銅プレート９上に配置される。カバー層１１によってカバーされる導波路チャンネル７は、ダイオードレーザーバー８の活性領域１４に対する高さで正確に適合される。これは、銅プレート９の適切な高さの構造によって達成される。
【００３０】
導波路層、即ちドープＺＢＬＡＮ層２は、一例として図５に示される技術によって基盤１に対して適用され得る。ＺＢＬＡＮ材料は、基板１に対して小粒子の形状において適用される。ＺＢＬＡＮ粒子は、基板１に対して平行に方向付けられるカバープレート１２を有してカバーされる。カバープレート１２は、それを基板１に対して押し付ける圧力を有して搭載される。組立体全体は、ガラスを変形させる温度まで加熱される。工程全体は、結果もたらされる層における空隙を防ぐよう、真空下で行なわれる。ガラスの軟化及びガラス粒子上における圧力により、この粒子は、基板１とカバープレート１２との間において平らにされて広げられ、つなぎ目がないように溶解される。カバープレート１２を除去した後、所望されるＺＢＬＡＮ層２は、基板１上に残る。
【００３１】
本願のチャネル導波路構造を有する光学装置及びその作製方法により、特には高出力ダイオードからのＩＲ放射のアップコンバージョンに対して、大変安価且つ単純なチャネル導波路構造の製造が可能にされる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】基板上にチャネル導波路構造を形成する一例を図示する。
【図２】基板上にチャネル導波路構造を形成するスタンプの一例を図示する。
【図３】基板上に単一のスタンプを有して形成されるチャネル導波路構造の一例を図示する。
【図４】ダイオードレーザーバーに対して結合されるチャネル導波路構造の一例を図示する。
【図５】基板上に導波路層を形成する一例を図示する。
【図１】
2009530655.tif 000003
【図２】
2009530655.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
2009530655.tif 000008
2009530655.tif 000009