(57)【要約】  周辺温度または製造プロセス変動とは独立に集積回路が一定の基準電圧Ｖｒｅｆを発生する。対抗回路がバンドギャップ基準電圧で生じた何らかの偏向に適合的に対抗する。公称値からのＶｂｅの偏向に比例する電流がエミッタ・ベース接合部に注入されてＶｂｅを公称値に等しくする。増幅器３５０は負帰還により節点３５１−３５２を同じ電位に保持し、バイポーラ・トランジスタ３１５−３１６のベース・エミッタ電圧間の差に比例する電流を抵抗３２１−３２４に流す。この電流は絶対温度比例（ＰＴＡＴ）であり、絶対温度比例の電圧降下を生じさせる。抵抗３２３−３２４上の電圧降下とトランジスタ３１６のＶｂｅとの和である電圧Ｖｒｅｆは、温度の変化に不変である。差Ｖｂｅ１−Ｖｂｅ２に比例するＰＴＡＴ項はプロセスに不変である。
2009501363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路において、
基準信号を受け取る部品と、
バンドギャップ基準を基に前記基準信号を発生する基準発生回路であって、前記基準信号は接合部上に存在する第１電圧に依存し、前記第１電圧は前記集積回路を実装するために使用する製造プロセスに依存し、前記基準発生回路は前記基準信号の強度を前記製造の変動に係わらず指定値に適合的に調節する、前記基準発生回路と、
を含む集積回路。
【請求項２】
基準電圧を発生する回路において、
反転端子と非反転端子を入力として有し、前記基準電圧が発生される出力端子を有する、第１演算増幅器と、
前記非反転端子に接続されたエミッタ端子を有する第１トランジスタであって、前記第１トランジスタのベース端子とコレクタ端子は接地されている、前記第１トランジスタと、
第１抵抗を介して前記反転端子に接続されたエミッタ端子を有する第２トランジスタであって、前記第２トランジスタのベース端子とコレクタ端子は接地されている、前記第２トランジスタと、
前記非反転端子を第１ノードに接続する第２抵抗と、
前記第１ノードを前記反転端子に接続する第３抵抗と、
前記第１ノードを前記出力に接続する第４抵抗と、
前記基準電圧を前記指定値に保持するように、前記第１トランジスタのベース・エミッタ接合に補正電流を注入し、前記ベース・エミッタ接合部上の第１電圧を対応する公称値に変化させる対抗回路と、
を含む前記基準電圧を発生する回路。
【請求項３】
請求項２記載の回路において、前記対抗回路は、
第２電圧を与える第３トランジスタと、
一方の端子上で前記第２電圧を受け取り、周辺温度に比例する絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電圧を他方の端子上で受け取る第２演算増幅器と、を含み、
前記補正回路は前記第２演算増幅器により発生された出力から発生される、
回路。
【請求項４】
請求項３記載の回路において、前記対抗回路はさらに、
前記第２演算増幅器により発生された前記出力に比例する電圧信号を入力で受け取る指数電流発生器であって、前記補正電流は前記指数電流発生器の出力端子上に発生され、前記出力端子は前記第１トランジスタのエミッタ端子に接続されている、指数電流発生器と、
を含む回路。
【請求項５】
請求項２記載の回路において、前記対抗回路は、
非反転端子上に絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電圧を受け取り、前記ＰＴＡＴ電圧は周辺温度に比例する第２演算増幅器と、
前記第１トランジスタの前記エミッタ端子と前記第２演算増幅器の反転端子との間に接続された第５抵抗と、を含み、
前記補正電流は前記第２演算増幅器の出力から発生される、
前記対抗回路。
【請求項６】
請求項５記載の電圧発生回路において、前記対抗回路はさらに、
前記第２演算増幅器の前記出力と前記第５抵抗との間に接続された第４トランジスタであって、電源から電流をソースする前記第４トランジスタと、
を含む前記対抗回路。
【請求項７】
集積回路で基準信号を発生する方法において、
接合部上で接合電圧を発生する段階であって、バンドギャップ基準が前記接合部で利用可能である、前記発生段階と、
前記接合電圧を基に基準信号を発生する段階と、
前記基準信号が前記変動に係わらず指定値を有するように、前記集積回路を実装するために使用する製造プロセスの変動に係わらず前記接合電圧の強度を公称値に適合的に調節する段階と、
を含む集積回路で基準信号を発生する方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、前記接合部はトランジスタに含まれ、前記適合的に調節する段階は、補正電流を前記接合部に注入する段階を含み、前記補正電流の大きさは前記公称値からの前記接合電圧の強度の偏向と正の相関を有する、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路の設計に関係し、特に、製造プロセス変動と周辺温度の変化と関係なく、一定の予め指定した電圧を発生する方法と装置に関係する。
【０００２】
基準電圧は、シリコンのバンドギャップ電圧を基にした固定電圧を発生する技術を使用してしばしば作成される。従来の実施例では、これらの基準電圧は、正の温度係数を有する項（通常不等電流密度の２個のバイポーラ接合トランジスタのベース・エミッタ電圧の差として発生される）とバイポーラ接合トランジスタのベース・エミッタ電圧を加算することにより発生される。この基準電圧は、絶対温度が０Ｋに近づくにつれてシリコンのバンドギャップ電圧に近づくため、「バンドギャップ基準」電圧と呼ばれる。
【０００３】
基準電圧は、所定の（所要／公称）電圧に等しく、さらに各種の動作条件（例えば、製造プロセスと周辺温度）で不変である（時間によって変化しない）必要性が認識されている。このような必要性が存在する例示環境は、限定的ではないが、アナログ・ディジタル変換器(ＡＤＣ)、調整器、等を含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基準電圧が指定の電圧から偏向する１つの既知の理由は、製造プロセスに通常存在する変動である。一般に、この変動は（動作時にバンドギャップ基準を与える）接合部上の電圧レベルに対応する変動を生じ、これは発生しようとする基準電圧に反映される。
【０００５】
別の従来の方式では、基準電圧が所定の値と等しくなることを保証するよう構成可能な（ヒューズを飛ばすまたは抵抗を切り取る）、ヒューズ及び／または抵抗網のような部品を使用する。しかしながら、このような方式は、製品の全体コストの増加（この方式は所定値からの偏差を決定するための検査を必要とするため）、製造集積回路上に余分な区域を必要とする、等のようないくつかの欠点を一般的に生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明はプロセス変動や周辺温度の変化とは独立な、一定の指定電圧を発生する方法と装置を提供する。
【０００７】
本発明の機能により提供される電圧発生回路は、製造プロセスの変動に係わらず、バンドギャップ基準を使用した所定の基準電圧を適合的に（何らの構成を必要とせずに、または自動的に）発生する。実施例では、製造プロセスの変動による接合部上の電圧の変化を表す電気信号を発生する対抗回路の使用と、この電気信号を使用して与えられた基準信号を補正することにより前記の機能が達成される。対抗回路はまた周辺温度の変化による基準信号を補正するために使用され、これにより基準電圧が周辺温度に対しても不変であることを保証する。
【実施例】
【０００８】
図１は本発明のいくつかの機能を実装する例示装置を図示するブロック線図である。図示の都合上、受信器システム１００は無線ローカルエリア・ネットワーク（ＷＬＡＮ）受信器に実装される。しかしながら、受信器システム１００は他の装置（無線と共に有線ベースの通信）にも同様に実装可能である。
【０００９】
受信器システム１００は、低雑音増幅器（ＬＮＡ）１１０、ミキサ１２０、フィルタ回路１３０、アナログ・ディジタル変換機（ＡＤＣ）１５０、電圧発生回路１８０及び処理装置１９０を含んでいるのが図示される。各ブロック／段を以下に詳細に記載する。
【００１０】
ＬＮＡ１１０は路１０１上で信号を受信し、受信信号を増幅して対応する増幅信号を経路１１２上に発生する。例えば、無線システムでは、衛星等から伝送された信号はアンテナ（図示せず）により受信され、受信信号が経路１０１上に与えられる。受信信号は強度が弱いため、以後の処理用にＬＮＡ１１０により増幅される。
【００１１】
ミキサ１２０を使用して路１１２上の受信増幅信号を中間信号にダウンコンバートし、問題の周波数帯域は受信信号の搬送波周波数より低い周波数に中心を置いている。実施例では、２．４ＧＨｚ（搬送波周波数）に中心を置く問題の周波数帯域の信号をゼロ周波数を中心に置く問題の周波数帯域の信号に変換する。
【００１２】
ミキサ１２０は路１１２上の増幅信号と路１２２上の一定周波数の信号を入力として受け取り、中間信号を経路１２３上に与える。経路１２２上の一定周波数の信号は既知の方法で位相ロックループ（図示せず）により発生される。
【００１３】
フィルタ回路１３０はフィルタ及び増幅操作の両方を実行する。所要の増幅係数は経路１９３上で受信される。フィルタ操作は所要周波数成分のみを通過させる。フィルタ回路１３０、ＬＮＡ１１０及びミキサ１２０は既知の方法で実装されてもよい。
【００１４】
処理装置１９０は路１５９上で受け取ったディジタル値を処理し、かつ受信信号の強度を測定／評価する。処理装置１９０は測定を基に必要な増幅量を表す信号を経路１９３上に発生する。
【００１５】
アナログ・ディジタル変換器（ＡＤＣ）１５０は経路１３５上で受け取ったフィルタ信号を経路１５９上の対応するディジタル値に変換する（サンプルする）。ディジタル値は受信信号１０１の問題の信号を表す。変換を実行する間、経路１８５で受け取った基準電圧を使用する。
【００１６】
電圧発生回路１８０は接合部上に存在する電圧を使用して基準電圧を発生し、発生された電圧は経路１８５上に与えられる。一般に、ＡＤＣ１５０の正確な動作のためには、基準電圧は一定であり、所定の値に等しくなければならない。基準電圧は、発明の背景の項に記載したように、いくつかの状態（例えば、プロセス変動や周辺温度の変化）でこのような要件を満足できないこともある。
【００１７】
本発明の各種の機能により、上記の状態の存在下でさえも、一定のかつ指定の基準電圧を適合的に発生するよう電圧発生回路１８０を実装する方法を以下に詳細に説明する。本発明の機能のいくつかは、従来回路との比較でより明瞭となるであろう。従って、従来回路を以下に説明する。
【００１８】
図２は1実施例での従来の電圧発生回路の詳細を図示する回路図である。電圧発生回路２００は、ＰＴＡＴ（絶対温度比例）発生器２５０と最終段２７０を含んでいるのが図示される。各部品は以下に詳細に説明される。
【００１９】
ＰＴＡＴ発生器２５０は周辺温度と正の相関を有する大きさのＰＴＡＴ電流を（経路２４５上に）与える。簡単には、トランジスタの組合せ２５４、２５５、２５１、２５２、２５６、２６７が（Ｖｂｅ１−Ｖｂｅ２）に比例する電流を（路２４５上に）与え、ここでＶｂｅ１とＶｂｅ２は各々トランジスタ２５６、２５７のベース・エミッタ電圧を表す。
【００２０】
バイポーラ・トランジスタ２５６、２５７は、差（Ｖｂｅ１−Ｖｂｅ２）が周辺温度に比例するように等しくない電流密度を有し、従って経路２４５上で発生された電流は周辺温度に比例する（または正の相関を有する）。トランジスタ２５２、２７６は路２７８上でＰＴＡＴ電流を最終段２７０にミラーする。
【００２１】
最終段２７０はバイポーラ・トランジスタ２７４、ＭＯＳトランジスタ２７６及び抵抗網２７５を含むのが図示されている。基準電圧（Ｖｒｅｆ）はトランジスタ２７４のベース・エミッタ（接合部上に存在する電圧）電圧Ｖｂｅに、路２７８上のＰＴＡＴ電流による抵抗網２７５上の電圧降下を加算したものに等しい。シリコンのバンドギャップ基準（トランジスタ２７４を実装する）はＶｂｅ（これはまた本発明の各種機能により発生される基準電圧に貢献する）に寄与する。周辺温度の変動とプロセス変動に関連して一定のかつ指定の基準電圧を与えるよう部品が動作する方法を以下に説明する。
【００２２】
周辺温度の変化による効果の対抗に関しては、ベース・エミッタ電圧Ｖｂｅは周辺温度と負の相関を有する。しかしながら、ＰＴＡＴ電流は周辺温度と正の相関（これは抵抗網２７５上の電圧降下に比例的に変化する）を有しているため、温度変化による基準電圧の変化は電圧降下により補償され、これにより周辺温度が変化した場合でさえも一定の基準電圧を保持する。
【００２３】
プロセス変動による効果の考慮に関しては、抵抗網２７５を切り取り可能に実装する。製造される各集積回路は、所用値からの絶対基準電圧の変動の程度を決定するよう検査され、抵抗網２７５を切り取って所用値からの偏向を考慮する。
【００２４】
切り取りベースの方式の問題の１つは、抵抗網を切り取るため、スイッチやヒューズのような追加の部品を通常必要とし、これにより追加の空間が必要となる。従って、いくつかの環境下ではこのような方式は受け入れ可能ではない。特に、このような方式は、回路の面積の増加に加えて余分な検査時間を必要とするため製品の全体コストに加算される。
【００２５】
本発明の各種の機能は、上述した欠点の少なくともいくつかを克服しつつ、電圧発生回路を実装することを可能とする。まず実施例で本方式の基礎をなす原理を以下に説明する。
【００２６】
図３は本発明の実施例でバンドギャップ基準を使用した一定のかつ指定の電圧の発生の基礎をなす原理を図示する回路図である。本回路は、抵抗３２１−３２４、バイポーラ・トランジスタ３１５−３１６、コンデンサ３３１及び演算増幅器３５０を含むことが図示されている。各部品を以下に詳細に説明する。
【００２７】
抵抗３２１の端子の一方は演算増幅器３５０の反転端子に接続され、他方の端子はトランジスタ３１５のエミッタに接続される。抵抗３２２の一方の端子は演算増幅器３５０の反転端子に、他方の端子は抵抗３２４の一方の端子に接続される。抵抗３２４の他方の端子は演算増幅器３５０の出力に接続される。抵抗３２３は演算増幅器３５０の非反転端子と抵抗３２２、３２４の接続により形成されたノードとの間に接続される。
【００２８】
トランジスタ３１５、３１６のコレクタ及びベース端子は接地される。トランジスタ３１５、３１６を実装するシリコンのバンドギャップ基準は各Ｖｂｅに貢献し、これはまた以下で説明するように所用の基準電圧を決定する。コンデンサ３３１は演算増幅器３５０の出力とアースとの間に接続される。抵抗３２４はまた演算増幅器３５０の出力に接続される。Ｖｒｅｆは演算増幅器３５０の出力に与えられる。Ｖｒｅｆは以下で説明するように一定でかつ指定の大きさに発生可能である。
【００２９】
さらに、Ｖｒｅｆは抵抗３２３及び３２４上の電圧降下に加えることのＶｂｅに等しいことが認められる。Ｖｒｅｆの一定かつ指定した大きさを発生する目標に各部品が影響する方法は以下に説明される。
【００３０】
増幅器３５０は負帰還作用によりノード３５１、３５２を同電位（仮想ショート）に保持する。それ故、これはバイポーラ・トランジスタ３１５、３１６のベース・エミッタ電圧間の差に比例する電流を抵抗３２１、３２２、３２３、３２４に流させる。この電流は絶対温度に比例する電圧降下（抵抗上）を発生させる絶対温度比例（ＰＴＡＴ）電流に比例する。抵抗３２３、３２４上の電圧降下とトランジスタ３１６のＶｂｅの和である電圧Ｖｒｅｆはそれ故温度の変化に不変である。
【００３１】
以上から、プロセス変動はＶｂｅ（従ってＶｒｅｆ）を変更可能であり、従ってＶｂｅは公称指定値から偏向することが認められる。Ｖｂｅの偏向はまた指定の大きさからのＶｒｅｆの偏向を生じさせる。プロセス／製造／加工の欠陥による基準電圧の変動はプロセスによるベース・エミッタ電圧Ｖｂｅの変動によるものであることが認められる。差（Ｖｂｅ１−Ｖｂｅ２）に比例するＰＴＡＴ項はプロセス不変である。これは、２つのベース・エミッタ電圧（不等な電流密度によりバイアスされた）の差は比率として現れる２つのトランジスタの飽和電流を有するためである。それ故、ＰＴＡＴ項は一般的にプロセス変動に耐性である。
【００３２】
プロセス変動へのＰＴＡＴ項の耐性はＰＴＡＴ（電流）に比例する電圧を発生するよう生かせる。この電圧を使用してプロセスによるＶｂｅの変化を検出する。従って、Ｖｂｅの変動を補正し、また製造プロセスによる基準電圧Ｖｒｅｆの変動を補正するよう補正機構を実装する。指定値からのＶｒｅｆの偏向に対抗する方法を以下にＶｒｅｆのＶｂｅ成分と関連して説明する。
【００３３】
ＶｒｅｆのＶｂｅ成分に関して、本発明の機能は、バイポーラ・トランジスタのＶｂｅはそのベース・エミッタ接合を流れる電流の大きさに依存することの認識を利用する。従って、プロセス変動の効果は、適切な量の電流（Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を経路３４０上に注入することにより対抗可能である。この補正電流Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎによりプロセスによる変化と反対の方向のＶｂｅの変化を発生させ、それ故これをその公称値に復元させようとする。Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを発生する方法を以下の例示回路で説明する。
【００３４】
ベース・エミッタ接合に注入される所要量の電流（Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）は、Ｖｂｅがｌｎ（Ｉｊ）に比例する認識を基に決定され、ここでｌｎは自然対数演算で、Ｉｊはベース・エミッタ接合を流れる総計の電流を表す。図４は対応する実装の例示回路の詳細を図示する。
【００３５】
電圧発生回路４００は、ＰＴＡＴ発生器４５０、演算増幅器４９０、ＣＭＯＳトランジスタ４５１−４５６、抵抗４８１−４８４、指数電流発生器４６２、バイポーラ・トランジスタ４６１と４７０を含むのが図示されている。各部品は以下で詳細に説明される。
【００３６】
ＰＴＡＴ発生器４５０はＰＴＡＴ発生器２５０と同様に実装され、簡単のため再度説明しない。認識できるように、ＰＴＡＴ発生器４５０は変動が周辺温度に比例する電流を発生するよう動作する。指数電流発生器４６２は入力電圧の指数に比例する出力電流を発生する。直列加算または多項式の比率を使用して実装された擬似指数関数を使用して指数応答を模倣する回路を使用して一実施例が実装される。いくつかのこのような回路は当該技術で公知である。
【００３７】
トランジスタ４５１、４５５はＰＴＡＴ発生器により発生されたＰＴＡＴ電流（路４４５上）を各々路４７１−４７５上にミラーするよう動作する。トランジスタ４５２は演算増幅器４９０へのバイアス電流を与える。トランジスタ４６１と４５６、指数電流発生器４６２、抵抗４８１０４８３、及び演算増幅器４９０は対抗回路として動作し、これは公称Ｖｂｅ値からのトランジスタ４７０のＶｂｅの絶対値の偏向に指数的に比例する補正電流を（経路４９１上に）発生する。対抗回路の動作は以下に詳細に説明される。
【００３８】
大雑把に言って、トランジスタ４６１、抵抗４８１−４８２と演算増幅器４９０は公称値からのベース・エミッタ電圧Ｖｂｅの偏向に比例する電圧レベルを（抵抗４８３上に）発生するよう動作し、指数電流発生器４６２は抵抗４８３上の電圧に指数的に比例する電流を発生する。
【００３９】
抵抗４８１は電圧レベル（Ｖｐｔａｔ）を演算増幅器４５０の非反転端子に印加させる。ＶｐｔａｔはＰＴＡＴ電流発生器４５０により発生されたＰＴＡＴ電流に抵抗４８１の抵抗値を乗算したものに等しい。負帰還により、増幅器４９０は電圧Ｖ４８２をその非反転端子に印加されたＰＴＡＴ電圧に等しくさせる。それ故、プロセス不変なＰＴＡＴ電圧とプロセス変動Ｖｂｅとの間の差に比例する電流が抵抗４８２を流れ、トランジスタ４５３、４５４を使用して経路４７４にミラーされる。抵抗４８３は経路４７４上にミラーされた電流に比例する電圧電位を発生する。抵抗４８３上の電圧はそれ故ＰＴＡＴ電圧とトランジスタ４６１のベース・エミッタ電圧Ｖｂｅとの間の差に比例する。この電圧を指数電流発生器４６２への入力として印加し、それ故この電圧に指数的に比例する補正電流が経路４９１上に発生される。
【００４０】
結果として、公称Ｖｂｅ値からのＶｂｅの何らかの偏向は指数的にＩｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎに反映される。Ｖｂｅとトランジスタ（特にトランジスタ４７０）のエミッタ電流との間の関係は本質的に対数的であるため、トランジスタ４７０のＶｂｅの変動、それ故これによる出力基準電圧の変動は、本発明の各種の機能により補正される。
【００４１】
従って、Ｖｂｅの絶対値が公称値より小さい時に上記対抗回路はＩｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを適合的に増加させ、Ｖｂｅの絶対値が公称値より大きい時にＩｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを減少させる。結果として、Ｖｂｅはプロセス変動に起因する変動を適合的に補償され、従ってＶｒｅｆはプロセス変動に係わらず一定値で発生される。
【００４２】
図４の回路の１つの問題点は、補償の精度が指数電流発生器４６２の理想対数演算に依存することで、これはＣＭＯＳ技術を基にした実装に課題を与える。このような回路は複雑で、受け入れ不能な面積量と電力を必要とする。（線形部品を使用して）この欠点を克服する別の実施例を以下に説明する。
【００４３】
別の実施例は、図５を参照してこれから説明するように、近似的線形補正によりＶｂｅを反復的に補正する、線形部品を使用した補正回路を実装する。電圧発生回路５００（図５）の部品／動作は簡単のため電圧発生回路（図４）の同様の部品／動作を参照して説明される。
【００４４】
電圧発生回路５００は、ＰＴＡＴ発生器５５０、演算増幅器５９０、ＣＭＯＳトランジスタ５５１−５５６、抵抗５８１−５８３、バイポーラ・トランジスタ５６１及び最終段５７０を含むのが図示されている。ＰＴＡＴ発生器５５０と最終段５７０はＰＴＡＴ発生器４５０と最終段４７０と同様に動作する（以下で説明するように、Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎを除いて）。Ｖｂｅの偏向の検出機構とその補正は図４の検出機構と同様であり、プロセス不変のＰＴＡＴ電圧を使用してプロセスによるＶｂｅの変動を検出する。
【００４５】
公称値からのＶｂｅの変動は抵抗５８２を通して演算増幅器５９０の反転端子に帰還として与えられる。増幅器はその入力に（帰還のため）仮想ショートを有し、それ故抵抗５８２を流れる電流はＰＴＡＴ電圧とトランジスタ５６１のベース・エミッタ電圧Ｖｂｅとの間の差に比例する。これはＩｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎの増加量（Ｖｂｅの絶対値がその公称値より小さい値に比例する）をトランジスタ５６１のエミッタ端子に注入させる。この調節はＶｂｅをその所用値の方向に移動させる。
【００４６】
トランジスタ５５６は抵抗５８２から受け取った電流の一部を制御するための機構を与え、これは補正電流（Ｉｃｕｒｒｅｎｔ）として与えられる。トランジスタ５５６は適切なバイアス電圧によりバイアスされる。
【００４７】
補正電流はＶｂｅの変動に線形比例し、トランジスタ５６１の補正機構は対数的であるため、この補正は図４ほど正確ではない。しかしながら、これは殆どの場合に切り取り、等の使用を排除する十分な補正を提供し、それ故しばしば有用である。
【００４８】
認識されるように、図５の回路はＣＭＯＳ技術のみで一般的に利用可能な部品を使用して実装され、これは少なくとも製造の観点からは課題が少なくなる。さらに、所用抵抗値（抵抗５６１の）はプロセス変動とは独立に正確に達成可能なため、Ｖｂｅの、したがってＶｒｅｆの所用の指定値も上述した理由で達成可能である。
【００４９】
さらに、補正電流（Ｉｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）の適合的発生のため（各製造集積回路に手動の検査／攻勢が必要ないため）、集積回路を製造する全体の努力／コストが減少される。図２の従来技術実施例と比較して、図４及び図５の回路は必要な部品が少ないため、空間とコストを削減可能とする。
【００５０】
本発明が関係する当業者は、請求した本発明の範囲から逸脱することなく、記載の例示実施例の詳細に各種の追加、削除、置き換え及びその他の変更を実施できることが認識できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の各種の機能を実装した例示装置のブロック線図。
【図２】（従来技術）従来の電圧発生回路の詳細を図示する回路図。
【図３】本発明の機能により一定の指定電圧を発生する方法の基礎をなす原理を図示する回路図。
【図４】本発明の実施例での電圧発生回路の詳細を図示する回路図。
【図５】本発明の別の実施例での電圧発生回路の詳細を図示する回路図。
【図１】
2009501363.tif 000003
【図２】
2009501363.tif 000004
【図３】
2009501363.tif 000005
【図４】
2009501363.tif 000006
【図５】
2009501363.tif 000007
【国際調査報告】
2009501363.tif 000008
2009501363.tif 000009