(57)【要約】【課題】  既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示し得る構造体を提供すること。【解決手段】  基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、キャビティの底部に配置された、コバルト及び／又はニッケルのようなシリサイド又はゲルニウム化物層と、誘電体層の上部及びキャビティの内部に配置され、前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触する、Ｔｉ又はＴｉ／ＴｉＮを含むコンタクト層と、コンタクト層の上部及びキャビティの内部に配置された拡散バリア層と、バリア層の上部に配置された、めっきのための随意的なシード層と、ビア内の金属充填層とを含むコンタクト金属（メタラジ）構造体が、その製造方法と共に提供される。金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、亜鉛、及びこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材を用いて電着される。金属充填層がロジウム、ルテニウム、又はイリジウムである場合、金属充填物と誘電体との間に有効な拡散バリア層を必要としない。バリア層が、ルテニウム、ロジウム、又はイリジウムのようにめっき可能である場合、シード層を必要としない。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト金属構造体であって、
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層と、
前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層と、
前記キャビティ内及び前記コンタクト層の上部に配置された拡散バリア層と、
前記キャビティ内及び前記シード層の上部にあり、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、及び亜鉛、並びにこれらの合金から成る群の少なくとも１つの部材から選択される金属充填層と
を含む、コンタクト金属構造体。
【請求項２】
コバルト、ニッケル、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、又はオスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項３】
コバルト白金、コバルト・ルテニウム、コバルト・ロジウム、コバルト・イリジウム、コバルト・パラジウム、又はコバルト・オスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項４】
ニッケル白金、ニッケル・ルテニウム、ニッケル・ロジウム、ニッケル・イリジウム、ニッケル・パラジウム、又はニッケル・オスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項５】
前記シリサイド又はゲルマニウム化物層は、５ナノメートルから５０ナノメートルまでである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項６】
前記シリサイド又はゲルマニウム化物層は、１５ナノメートルから２５ナノメートルまでである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項７】
前記キャビティは少なくとも３のアスペクト比を有する、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項８】
前記コンタクト層はＴｉである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項９】
前記コンタクト層は、ＴｉとＴｉＮのスタックである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１０】
前記拡散バリア層は、ＴａＮ、ＴａＮ／Ｔａ、Ｔａ、ＴａＮ／Ｒｕ、Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、又はＰｔである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１１】
前記充填物と前記バリア層との間にシード層をさらに含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１２】
前記シード層は銅又はルテニウムである、請求項１１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１３】
前記金属充填物は銅を含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１４】
前記金属充填物は銀、金、ニッケル、カドミウム、亜鉛、又はコバルト、或いはこれらの合金を含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１５】
前工程（ＦＥＯＬ）デバイス及び請求項１に記載の前記コンタクト金属構造体を含むマイクロエレクトロニククス・デバイス。
【請求項１６】
前記拡散バリア層は、ルテニウム、白金、イリジウム、又はロジウムである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１７】
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層を形成するステップと、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルマニウム化物に接触するキャビティ内及び前記誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、
前記キャビティ内及び前記コンタクト層の上部に配置された拡散バリア層を堆積させるステップと、
銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、カドミウム、亜鉛、及びコバルト、並びにこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材の金属充填層を電気めっきするステップと
を含む方法。
【請求項１８】
前記請求項１７の方法によって獲得されるコンタクト金属構造体。
【請求項１９】
前記拡散バリア層は、ルテニウム、白金、イリジウム、及びロジウムから成る群から選択される少なくとも１つのメ部材である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
ＣＭＰによって平坦化するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記キャビティは少なくとも３のアスペクト比を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記金属充填物は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、銀、金、ニッケル、コバルト、モリブデン、若しくは亜鉛、又はこれらの合金、或いは、Ｗとの又はＰ、Ｂ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ及びＩの軽ドープ元素とのこれらの金属の合金を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
コンタクト金属構造体であって、
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層と、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層と、
ルテニウム、ロジウム、白金、及びイリジウムから成る群から選択される少なくとも１つのメンバーの随意的な金属シード層と、
ロジウム、ルテニウム、イリジウム、及びこれらの合金を含む金属充填物と
を含むコンタクト金属構造体。
【請求項２４】
コバルト・シリサイド層は、前記キャビティの底部に配置される、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２５】
ニッケル・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２６】
ニッケル白金シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２７】
前記シリサイド又はゲルマニウム化物層は、５ナノメートルから５０ナノメートルまでである、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２８】
前記シリサイド又はゲルマニウム化物層は、１５ナノメートルから２５ナノメートルまでである、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２９】
前記キャビティは少なくとも３のアスペクト比を有する、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項３０】
前記コンタクト層はＴｉ、又はＴｉ／ＴｉＮのスタックである、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項３１】
前記充填物と前記バリア層との間にシード層をさらに含む、請求項２３に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項３２】
前工程（ＦＥＯＬ）デバイス及び請求項２３に記載の前記コンタクト金属構造体を含むマイクロエレクトロニククス・デバイス。
【請求項３３】
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層を準備するステップと、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層を形成するステップと、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、
ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム、或いはこれらの合金を含む金属充填層を電気めっきするステップと
を含む方法。
【請求項３４】
前記バリア層と前記金属充填物との間にシード層をさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
ＣＭＰによって平坦化するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロエレクトロニクスにおけるコンタクト金属（metallurgy）構造体に関し、具体的には、既存のＣＶＤタングステン・プラグ金属化技術と比べて減少したプラグ抵抗を示すことができる構造体に関する。
【０００２】
本開示の革新的なメタラジ構造体は、高アスペクト比及び小さい限界寸法（ＣＤ、１００ｎｍ未満）キャビティ（ビア、バー及びトレンチ）を有するコンタクトを必要とする用途にとって、特に重要である。本開示はまた、コンタクト金属構造体を製造する方法にも関する。特に、本開示に用いられる金属化（メタラジ）により、ＣＶＤ  Ｗ以外のより低い抵抗率の材料でキャビティを電気化学的に充填することによって、コンタクト構造体の抵抗を減少させることが可能になる。充填材料は、同様に低い抵抗値を示すめっき可能な金属の群から選択され、それらは、これらに限られるものではないが、銅（Ｃｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、及び亜鉛（Ｚｎ）、並びにこれらの合金を含んでいる。これらの中でも、Ｃｕ、Ｒｈ及びＲｕが、最も有望なものであることが判明している。
【背景技術】
【０００３】
ＣＭＯＳベースのマイクロエレクトロニクス製品の継続的スケーリング（scaling）を可能にする際、相互接続及びデバイス技術の分野における長年にわたる進歩が重要な役割を果たしてきた。特に、スケーリングにより、デバイス密度の改善及び回路性能の向上が可能になった。しかしながら、高性能ＣＭＯＳデバイスのスケーリングにおいて、ナノメートル・レジームにおける寄生抵抗の増大は、主要な課題である。直列抵抗のコンポーネントは、真性デバイスの電流供給能力の低下に拍車をかけ、このことは、デバイス性能に直接影響を与える。幾何学的形状の減少は相互接続ラインの抵抗率の増加をもたらすので、集積回路を小型化し続けることにより、前工程（ＦＥＯＬ）レベルだけでなく、中間工程（ＭＯＬ）及び後工程（ＢＥＯＬ）レベルにおける寄生抵抗の増加にもつながる。
【０００４】
ＩＴＲＳロードマップの予測モデルにおいて、種々のデバイス・コンポーネントの抵抗の増加は、主要なパラメータであった。６５ｎｍ技術ノードまで、ＭＯＬ相互接続すなわちコンタクト・レベルの製造は、寄生抵抗の主要な原因（contributor）ではなかったが、この技術ノードを超えると、寄生抵抗がより一層問題になることが、予測により示される。コンタクト・レベル抵抗のスケーリングの問題の総合的な図が、図１に示される。簡単な予測レベルは、ビア抵抗が、デバイス世代ごとに１／ｋ２増加するはずであることを示し、ここで、ｋは、スケーリング係数である。材料の制限が原因で、抵抗の増加は、加速している。従って、４５ｎｍの技術ノードにおいて、Ｗ金属化（メタラジ）を用いて構築されたコンタクト・レベルの総プラグ抵抗を低減させるために、ライナ厚のスケーリングに基づいた革新的なプロセス解決法を実施する必要があった。名目上の抵抗値の増加に加えて、プロセスのばらつき（３シグマの値）も増加してきた。コンタクト・プラグの直径が５０ｎｍ未満に縮小するとき、プラグ（直径、高さ、側壁角）の最終的な限界寸法（ＣＤ）のどのような変化も、大きな抵抗のばらつきをもたらす。こうしたばらつきは、４５ｎｍ技術ノードを超えるこれらのビアの歩留まり及び信頼性を制御する能力を明らかに低下させる。
【０００５】
マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ及びＤＲＡＭにおいて、現在のところ、タングステンは、デバイスへの局所配線及びコンタクト・レベルのために用いられる。図２は、現在のライナ及びＣＶＤタングステン・プロセスが最適化されていない場合に、コンタクト抵抗の増加が、４５ｎｍ技術ノードについてどのようにＦ０４インバータの１０％の性能遅延をもたらし得るかを示す。より具体的には、曲線Ａは、現在のライナ材料及びタングステン充填プロセスに関する技術ノードを用いるコンタクト抵抗の増加を示す。曲線Ｂは、コンタクト・プラグがもたらす付加的な抵抗がないＦ０４遅延を示す。曲線Ｃは、実際のコンタクト・プラグを有する実際のＦ０４遅延を示す。後者の２つの曲線の差は、コンタクト・プラグ抵抗によるＦ０４遅延への貢献を示し、これは、技術ノードと共に増加し、プラグ抵抗を低下させるためにさらなる革新的な解決法が実施されない場合には、４５ｎｍ技術ノードの場合に１０％以上に達すると予測される。
【０００６】
ＣＡレベルに関する最も一般的な金属化プロセスは、シリサイドへの電気的接触を改善するためのＩ−ＰＶＤ  Ｔｉ層を堆積させ、腐食性のＷの化学的性質から保護するＣＶＤ  ＴｉＮバリアを堆積させ、続いてＣＶＤ又はＡＬＤパルス式核生成層（「ＰＮＬ」−ドープされたＷ層）を堆積させ、続いてＣＶＤ  Ｗ充填物を堆積させることを含む。ＣＡ寸法がスケーリングされるについて、以下の問題、すなわち高抵抗性ライナ及び核生成層を縮小できないこと、Ｗに低い抵抗値及び良好な充填能力を与えるプロセスがないことが重要になる。
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，３９９，２５８号
【特許文献２】米国特許第６，７０９，５６２号
【特許文献３】米国特許第４，１１０，１７６号
【特許文献４】米国特許第４，３７６，６８５号
【特許文献５】米国特許第４，９７５，１５９号
【特許文献６】米国特許第３，７７０，５９８号
【特許文献７】米国特許第３，３２８，２７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、プラグを充填するために低抵抗性材料を選択することによって、減少したコンタクト抵抗を示すコンタクト金属構造体を提供すること、及び、こうした構造体に関する中央の継ぎ目（シーム）又はボイドを最小にすることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、こうした構造体についての必要な物理的特性を維持しながら、減少したコンタクト抵抗を示すことができるコンタクト金属構造体を提供する。
【００１０】
より具体的には、本開示は、シリサイド又はゲルマニウム化物層と、シリサイド又はゲルマニウム化物層上に載っているキャビティ（例えば、ビア、バー、及び／又はトレンチ）を有するパターン形成された誘電体層と、誘電体層の上部に配置され、キャビティの底部においてシリサイド又はゲルマニウム化物層に接触する、Ｔｉを含むコンタクト層と、キャビティ内及びコンタクト層の上部に配置された拡散バリア層と、キャビティ内及び拡散バリア層の上部に配置された随意的なシード層と、シード層の上部及びキャビティ内の金属充填層とを含むコンタクト金属構造体に関する。金属充填層は、電着による、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、及び亜鉛、並びにこれらの合金から選択される少なくとも１つの部材を含む。これらの金属の合金の例は、Ｗのような他の金属、及び／又は、Ｐ、Ｂ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ及びＩを含む軽ドープ元素との合金を含む。
【００１１】
本開示の別の態様は、コンタクト金属構造体の製造方法に関する。この方法は、それぞれシリコン又はヒ化ゲルマニウム基板の上部に配置されたシリサイド又はゲルマニウム化物層を形成するステップと、シリサイド又はゲルマニウム化物層の上部に載っているキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、キャビティの底部及び誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、キャビティ内及びコンタクト層の上部に配置された拡散バリア層を堆積させるステップと、キャビティ内及び拡散バリア層の上部にシード層を随意的に堆積させるステップと、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、及び亜鉛、並びにこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材である金属を電気めっきし、キャビティ及びシード層の上部を充填するステップとを含む。これらの金属の合金の例は、Ｗのような他の金属、及び／又は、Ｐ、Ｂ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ及びＩの軽ドープ元素との合金を含む。
【００１２】
本開示はまた、上記のプロセスによって得られるコンタクト金属構造体にも関する。
【００１３】
本発明の別の態様は、コンタクト金属構造体を製造する方法に関する。この方法は、それぞれシリコン又はヒ化ゲルマニウム基板の上部に配置されたシリサイド又はゲルマニウム化物層を形成するステップと、シリサイド又はゲルマニウム化物層の上部に載っているキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、キャビティの底部及び誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、キャビティ内及びコンタクト層の上部に配置された、ルテニウム、白金、ロジウム、イリジウムのようなめっき可能な金属である拡散バリア層を堆積させるステップと、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、銀、金、コバルト、ニッケル、カドミウム、及び亜鉛、並びにこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材である金属を電気めっきし、キャビティ及びシード層の上部を充填するステップとを含む。
【００１４】
本開示の別の態様は、上記のプロセスによって得られる構造体に関する。
【００１５】
本開示の別の態様は、コンタクト金属構造体を製造する方法に関する。この方法は、それぞれシリコン又はヒ化ゲルマニウム基板の上部に配置されたシリサイド又はゲルマニウム化物層を形成するステップと、シリサイド又はゲルマニウム化物層の上部に載っているキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、キャビティの底部及び誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、ビア内及びコンタクト層の上部にシード層を堆積させるステップであって、シード層は、導電性であり、かつ、めっき可能であり、コンタクト層を通して、シリコン及びＲｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｗ等のような誘電体の中に拡散しない、ステップと、ロジウム、ルテニウム、及びインジウム、並びにこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材である金属を電気めっきし、ビア及びシード層の上部を充填するステップとを含む。
【００１６】
本開示の別の態様は、上記の方法によって得られる構造体に関する。
【００１７】
本開示はまた、上記のコンタクト金属構造体を用いるマイクロエレクトロニック・デバイス及びその製造方法にも関する。
【００１８】
本開示のさらに他の目的及び利点は、単に最良の形態を例示する目的で、好ましい実施形態だけが示され説明される、以下の詳細な説明から、当業者には容易に明らかになるであろう。理解されるように、本開示は、他の異なる実施形態が可能であり、その幾つかの詳細は、本開示から逸脱することなく、種々の明らかな点の変更が可能である。従って、説明は、本質的に例示的なものであり、制限するものとしてみなされるべきではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本開示の理解を容易にするために、本開示の１つのプロセス・シーケンスに従った種々の段階における構造体を概略的に示す図３の（Ａ）〜（Ｆ）を参照する。
【００２０】
図３の（Ａ）は、前工程（ＦＥＯＬ）デバイス２を有する、シリコン又はゲルマニウム基板のような半導体基板１を示す。
【００２１】
次に、金属を堆積させることなどによって、前工程デバイスの選択された部分の上に金属シリサイド又はゲルマニウム化物層３が形成される。金属シリサイドを形成するための典型的な金属の例は、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、及びロジウム（Ｒｈ）であり、コバルト（Ｃｏ）及びニッケル（Ｎｉ）が、最も典型的である。さらに、合金、特にコバルト及び／又はニッケルと白金のような合金化金属との合金を用いることができる。具体的な例は、ニッケル−白金合金である。金属は、基板上のシリコンの露出された領域と高温で反応して、シリサイド又は露出されたゲルマニウムを形成し、金属ゲルマニウム化物を形成する。シリサイド又はゲルマニウム化物は、基板上に存在する酸化物及び窒化物の分離領域の上に形成されない。選択的化学エッチングを用いて、シリサイド又はゲルマニウム化物を「自己整合」させ、望ましくない未反応の金属を除去することができる。付加的なアニール・ステップを行って、シリサイド又はゲルマニウム化物のコンタクトの抵抗率を低減させることができる。シリサイド又はゲルマニウム化物層３は、典型的には、約５ナノメートルから４０ナノメートルまで、より典型的には、約１５ナノメートルから２５ナノメートルまでといった、薄いものである。
【００２２】
次に、約０．２ミクロンから約１ミクロンまでの誘電体層４の比較的厚いブランケット層が堆積され、次いで、リソグラフィ及びＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）によってパターン形成され、キャビティ（例えば、ビア、バー、及び／又はトレンチ）５を形成する。
【００２３】
誘電体層４の例は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、リン酸シリケート・ガラス（ＰＳＧ）、ホウ素がドープされたＰＳＧ（ＢＰＳＧ）、ドープされていないシリケート・ガラス（ＵＳＧ）、又はテトラエチルオルソシリケート（ＴＥＯＳ）であり、より典型的には、ＳＩＬＫ（Ｒ）（Ｄｏｗ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から入手可能）、ＳｉＣＨ（商品名ＢＬＯＫ（Ｒ）のもとでＡＭＡＴ社から入手可能）、ＳｉＣＯＨ（商品名Ｃｏｒａｌ（Ｒ）のもとでＮｏｖｅｌｌｕｓ社から、商品名Ｂｌａｃｋ  Ｄｉａｍｏｎｄ（Ｒ）のもとでＡＭＡＴ社から、商品名Ａｕｏｒａ（Ｒ）のもとでＡＳＭ社から入手可能）ＳｉＣＨＮ（商品名Ｎ  Ｂｌｏｋ（Ｒ）のもとでＩＢＭ社から入手可能）、ＣＶＤ炭素ドープ酸化物、多孔性ＣＶＤ炭素ドープ酸化物、多孔性及び非多孔性の有機シリケート、多孔性及び非多孔性の有機スピン・オン・ポリマーのような、３．９未満の誘電率を有する低ｋ誘電体である。
【００２４】
キャビティ５は、典型的には、少なくとも約３といった高アスペクト比を有する。
【００２５】
キャビティ５は、シリサイド又はゲルマニウム化物領域の上に載っている。
【００２６】
次に、コンタクト層６が、シリサイド又はゲルマニウム化物層３に接触するようにシリサイド又はゲルマニウム化物層３上に、キャビティ５の側壁上に、及び誘電体層４の上部に堆積される。
【００２７】
コンタクト層６は、典型的には、チタン、又はチタンと窒化チタンのスタックである。チタン層は、典型的には、約５０オングストロームから約３００オングストロームまで、より典型的には、約７５オングストロームから約２００オングストロームまでの厚さである。存在する場合には、窒化チタン層は、１０オングストロームから１００オングストロームまでの間である。チタンは、ＰＶＤ又はＩＰＶＤ法によって堆積させることができ、ＴｉＮは、ＣＶＤによって堆積される。
【００２８】
次に、図３の（Ｃ）に示されるように、バリア層７が、コンタクト層６上、キャビティ５の底部、キャビティ５の側部上に堆積される。バリア層７は、金属充填材料、誘電体層４及びＦＥＯＬデバイス２の間の拡散バリアとして働く。
【００２９】
典型的なバリア層は、ＴａＮ、Ｔａ、Ｗ、ＷＮ、Ｔｉ、ＴｉＮのような種々の金属及び／又はそれらの窒化物、並びに、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｅ及びこれらの合金のような貴金属及び／又は高融点金属である。所望であれば、複数の異なる材料を用いることができる。シリコン及び酸化シリコン内に速く拡散する、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｄ及びＺｎを用いる場合、より典型的な材料はＴａであり、さらにより典型的には、アルファ相のＴａである。バリア層７は、典型的には、約１０オングストロームから２００オングストロームまでの厚さであり、より典型的には、約３０オングストロームから約１００オングストロームまでの厚さである。バリア層を堆積させるためのプロセスはよく知られており、本明細書に詳細に説明する必要はない。一例として、Ｔａは、特許文献１に開示される技術などによって堆積させることができる。
【００３０】
バリア層７は、ＣＶＤ（化学気相堆積）、ＡＬＤ（原子層堆積）、或いは物理気相堆積（ＰＶＤ）又はイオン化物理気相堆積（ＩＰＶＤ）のようなスパッタリングによって堆積させることができる。堆積の一例は、商品名「Ｅｎｄｕｒａ」のもとでＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から入手可能なような、ＨＣＭ（Ｈｏｌｌｏｗ  Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ）マグネトロン・スパッタリング・システムを用いるものである。
【００３１】
典型的には、スパッタ装置は、ＤＣマグネトロン源の構成を使用し、約９９．９％以上の純度を有するタンタル源として使用する。プロセスの実行において、約５０立方センチメートル毎秒（ｓｃｃｍ）から約１３０立方センチメートル毎秒（ｓｃｃｍ）までの流量の、アルゴンのような不活性ガスが、タンタルが堆積されるウェハと共に、ターゲットを含むプロセス・キャビティ内に注入される。不活性ガスを注入する前のプロセス・キャビティは、例えば低温ポンプを用いて、少なくとも１．０×１０−６トールの真空レベルまで前もって排気される。不活性スパッタ・ガスを流すのと同時に、約２０立方センチメートル毎秒から約６０立方センチメートル毎秒までの流量で、付加的な窒素ガス流も開始される。プロセス・キャビティは、両方のガスで充填され、約１百万トールから約１千万トールまでの有効圧力を達成する。本開示の目的のためにプラズマを生成するために典型的に用いられる電力は、０．４ワット／ｃｍ２から４．８ワット／ｃｍ２までの間であり、より典型的には、１．６ワット／ｃｍ２から２．４ワット／ｃｍ２までである。この電力レベルを達成するためのターゲット電圧及び電流の如何なる組み合わせを用いることも可能である。堆積される材料は、高配向のアルファ相タンタル材料である。堆積速度は、典型的には、毎分約１０００Åから約２０００Åまでである。
【００３２】
図３の（Ｄ）に示されるように、随意的なシード層８を、キャビティ５内、バリア層７の上部、並びにビア５の底部及び側壁上に堆積させることができる。シード層８は随意的なものであり、バリア層に依存している。バリア層が導電性であり、バリア層を上に直接電気めっきできる場合、シード層は不要である。典型的なシード層は、銅、ロジウム、白金、イリジウム及びルテニウムである。シード層８は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、原子層堆積、及び無電解堆積技術などによって堆積させることができる。
【００３３】
用いられるとき、シード層７は、典型的には、約２０オングストロームから約６００オングストロームまでの厚さであり、より典型的には、約２０オングストロームから約５００オングストロームまでの厚さである。
【００３４】
次に、図３の（Ｅ）に示されるように、金属充填物を電気めっきして、コンタクト構造体を充填する。金属充填層は、典型的には、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｄ、Ｚｎ及びこれらの合金であり、より典型的には、Ｃｕ、Ｒｈ及びＲｕである。合金の例は、タングステンのような金属、及び／又は、Ｂ、Ｐ、Ｃｌ、Ｓ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｃ、Ｂｒ及びＩのような軽ドープ元素との合金を含む。典型的には、合金化材料の量は、約１５原子％までである。
【００３５】
銅及び銅合金を電着させるための、本開示に適した典型的な方法は、特許文献２に見出すことができる。電気めっきは、いわゆる超充填（super filling）電気めっき技術を用いる。
【００３６】
サブミクロンのキャビティを充填するのに好ましい超充填を達成するために、粗い表面上に平坦な堆積物を生成するのに用いられる添加剤を組み込む溶液からの銅めっきを用いることができる。幾つかの市販の添加剤は、キャリア（carrier）のためのＣ−２００１、光沢剤（brightener）のためのＢ−２００１、促進剤（accelerator）のためのＡ−２００１、抑制剤（suppressor）のためのＳ−２００１、及びレベラー（leveler）のためのＬ−２００１の商品目のもとで、マサチューセッツ州Ｍａｒｌｂｏｒｏ所在のＳｈｉｐｌｅｙ  Ｃｏｍｐａｎｙ社から入手可能である。適切な添加剤系は、コネチカット州Ｎｅｗ  Ｈａｖｅｎ所在のＥｎｔｈｏｎｅ−ＯＭＩ，Ｉｎｃ．社から市販されているものであり、Ｖｉａ  Ｆｏｒｍ系として知られている。別の適切な添加剤系は、ニューヨーク州Ｆｒｅｅｐｏｒｔ所在のＬｅａＲｏｎａｌ，Ｉｎｃ．社から市販されているものであり、Ｃｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１系として知られている。製造業者は、これらの添加剤を、Ｃｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１  Ｃａｒｒｉｅｒ、Ｃｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１−ＨＴＬ、及びＣｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１  Ｌｅｖｅｌｌｅｒと呼んでいる。別の適切な添加剤系は、ペンシルバニア州、Ｓｔａｔｅ  Ｐａｒｋ所在のＡｔｏｔｅｃｈ  ＵＳＡ，Ｉｎｃ．社から市販されているものであり、Ｃｕｐｒａｃｉｄ  ＨＳ系として知られている。製造業者は、この系の添加剤を、Ｃｕｐｒａｃｉｄ  Ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ及びＣｕｐｒａｃｉｄ  ＨＳ  Ｂａｓｉｃ  Ｌｅｖｅｌｌｅｒと呼んでいる。
【００３７】
本開示の浴（バス)に添加することができる具体的な添加剤の例が、幾つかの特許に記載されている。特許文献３は、水性酸性銅めっき浴から、光沢があり延性が高く、低応力で良好な平坦性の銅堆積物を与える反応生成物として形成された、ポリアルカノール第四級アンモニウム塩などのめっき浴添加剤の使用を記述している。特許文献４は、水性酸性浴から、光沢があり平坦な銅電解堆積物を与える反応生成物として形成された、アルキル化ポリアルキレンイミンなどのめっき浴添加剤を記述している。特許文献５は、堆積された銅の光沢及び延性を最適化する量の、少なくとも１つの置換アルコキシル化ラクタムをアミド基含有化合物として含む有機添加剤の組み合わせを水性酸性浴に添加することを記述している。
【００３８】
特許文献５において、表Ｉは、本開示の浴に添加することができる幾らかのアルコキシル化ラクタムを列挙している。表ＩＩは、本開示の浴に添加することができる、３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸などの水溶性基を有する幾らかの含硫黄化合物を列挙している。表ＩＩＩは、本開示の浴に界面活性剤として添加することができるポリエチレングリコールなどの有機化合物を列挙している。
【００３９】
特許文献６は、ポリエチレンイミン及びアルキル化剤から第四級窒素を生成する、光沢を与える量の反応生成物、少なくとも１個のスルホン基を有する有機硫黄化物、及びポリプロピレングリコールなどのポリエーテル化合物を溶解して含む、延性及び光沢のある銅を得るための浴を記述している。
【００４０】
特許文献７は、Ｒ１及びＲ２が同じか又は異なり、１−６の炭素原子を含有するポリメチレン基又はアルキン基であり、Ｘは水素又はスルホン基であり、ｎは、Ｓ２からＳまでの整数である場合の式ＸＲ１−（Ｓｎ）−Ｒ２−ＳＯ３Ｈの有機硫黄化合物を含む、良好な平坦特性を有する光沢のある低応力の堆積物を得るための硫酸銅及びフッ化ホウ酸塩の浴を記述している。さらに、これらの浴は、ポリエーテル化合物、ビシナル硫黄原子を有する有機スルフィド、及びフェナジン染料を含むことができる。特許文献７において、表Ｉは、本開示の浴に添加することができる幾らかのポリスルフィド化合物を列挙している。表ＩＩは、本開示の浴に添加することができる幾らかのポリエーテルを列挙している。
【００４１】
添加剤は、種々の目的を達成するために浴に添加することができる。浴は、銅塩及び鉱酸（無機酸）を含むことができる。膜厚又はランダムに配向された粒子に対して大きい粒子サイズを含む特定の膜微細構造を導体内に生じさせるように、添加剤を含有させることができる。また、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｓ及びＣｌからなる群から選択される原子を含む分子断片を導体材料中に組み込み、これにより純銅に比べてエレクトロマイグレーション耐性を大きくするように、添加剤を浴に添加することもできる。さらに、膜厚又はランダムに配向された粒子に対して大きい粒子サイズを含む特定の膜微細構造を導体内に生じさせ、これによりエレクトロマイグレーション挙動が非電気めっき銅に比べて改善されるように、添加剤を浴に添加することもできる。
【００４２】
０．１Ｍから０．４Ｍまでの範囲の硫酸銅、１０体積％から２０体積％までの範囲の硫酸、１０ｐｐｍから３００ｐｐｍまでの範囲の塩化物、０．１体積％から１体積％までの範囲のＬｅａＲｏｎａｌ添加剤Ｃｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１  Ｃａｒｒｉｅｒ、０．１体積％から１体積％までの範囲のＣｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１  ＨＴＬ、及び０．１体積％から１体積％までの範囲のＣｏｐｐｅｒ  Ｇｌｅａｍ  ２００１  Ｌｅｖｅｌｌｅｒを含む溶液から、同様の超充填結果を得ることができる。最終的に、上述の範囲の硫酸銅、硫酸、塩化物、並びに、０．５体積％から３体積％までの範囲のＡｔｏｔｅｃｈ添加剤Ｃｕｐｒａｃｉｄ  Ｂｒｉｇｈｔｅｎｅｒ、０．０１体積％から０．５体積％までの範囲のＣｕｐｒａｃｉｄ  ＨＳ  Ｂａｓｉｃ  Ｌｅｖｅｌｌｅｒを含む溶液からも、同様の超充填結果を得ることができる。
【００４３】
別の例において、Ｒｈは、Ｅｎｔｈｏｎｅ  ＯＭＩ社から商品名「Ｒｈｏｄｅｘ  １００」のもとで市販されている浴から電着される。この浴は、約５ｇ／ｌのＲｈと、３０ｍｌ／ｌの硫酸と、商品名「Ｒｈｏｄｅｘ  １００  ｓｔｒｅｓｓ  ｒｅｄｕｃｅｒ」のもとでの１００ｍｌ／ｌのスルファミン酸ベースの応力低減剤添加剤とを含む。ロジウムは、典型的には、約３０％より大きい電流効率で、２ｍＡ／ｃｍ２から２０ｍＡ／ｃｍ２までの範囲の電流密度で堆積される。堆積応力を制御し、実際の電流効率を保持するために、堆積速度を電流密度の範囲に制御することが好ましい。堆積温度は、１５℃から６０℃までの間である。低温を用いる場合、低い抵抗率が得られる。５０℃における電着されたＲｈの２００ｎｍの厚さの薄膜は、約４５マイクロオーム−ｃｍの抵抗率を有するように測定され、窒素又はフォーミングガス（水素及び窒素の混合物）中で２００℃より高い温度でアニールされたとき、抵抗率は、約１０マイクロオーム−ｃｍまで減少した。２０℃において電着されたＲｈの２００ｎｍの厚さの薄膜が、約２０マイクロオーム−ｃｍの抵抗率を有するように測定され、２００℃より高い温度でアニールされたとき、抵抗率は、約６．５マイクロオーム−ｃｍまで減少した。比較すると、ＣＶＤ  Ｗ薄膜の抵抗率は、通常、１３マイクロオーム−ｃｍより高い。
【００４４】
Ｔｅｃｈｎｉｃ  Ｉｎｃ．社からの「Ｔｅｃｎｉ−Ｒｈｏｄｉｕｍ」のような他の市販の浴から、Ｒｈを堆積させることも可能である。Ｒｈめっき溶液は、Ｒｈ２（ＳＯ４）３（２−１０ｇ／ｌのＲｈ）、１０ｐｐｍ−１０％のＣｌ−、１０−５０ｍｌ／ｌの硫酸、及び３０−８０ｍｌ／ｌのスルファミン酸を用いて作製することもできる。
【００４５】
ロジウム、ルテニウム及びイリジウムはシリコン内に拡散しないので、金属充填物９が、ロジウム、ルテニウム、又はイリジウムの少なくとも１つの部材であるとき、拡散バリア層７は必要とされない。
【００４６】
更に別の例において、ルテニウムが、金属充填物９である。典型的なルテニウム電気めっきプロセスは、ニトロシル硫酸ルテニウム塩から調整された約２−５ｇ／ｌのルテニウムと、約２０ｇ／ｌのＨ２ＳＯ４とを含む溶液を用いる。典型的な堆積温度は、約１５％から約３０％までの電流効率で、約５０℃から約７０℃までであり、より典型的には、約６０℃から約７０℃までである。電流密度は、典型的には、約５ｍＡ／ｃｍ２から約１００約５ｍＡ／ｃｍ２までであり、より典型的には、約１０ｍＡ／ｃｍ２である。ワーク・ピース（ウェハ）は、典型的には、約５０ｒｐｍから約１２０ｒｐｍで回転され、約９０ｒｐｍが好ましい。時間は、所望の厚さによって変わるが、典型的には、約１０００秒より短い。
【００４７】
別のルテニウム電気めっきの例においては、Ｅｎｔｈｏｎｅ  ＯＭＩ社から商品名「Ｒｕｔｈｅｎｅｘ  ＳＰ」のもとで入手可能な市販の浴が、約４ｇ／ｌのＲｕから約１２ｇ／ｌのＲｕを含むように改変される。さらに、「Ｒｕｔｈｅｎｅｘ  ＳＰ」浴は、相対的に大量のＭｇ塩と、相対的に少量のＮｉとを含む。ＭｇはＲｕ金属と共に堆積し、応力低減剤として働く。
【００４８】
次に、図３の（Ｆ）に示されるように、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）によって、構造体を平坦化し、余分な表面部分（overburden）を除去することができる。
【００４９】
本開示による幾つかのコンタクト構造体の例は、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕシード／めっきＣｕ、Ｔｉ／ＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕシード／めっき銅、Ｔｉ／ＴａＮ／Ｔａ／Ｒｕシード／めっき銅、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＴａＮ／Ｒｕシード／めっきＲｈ、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＴａＮ／Ｒｕシード／めっきＲｕ、Ｔｉ／Ｒｕシード／めっきＲｈ、及びＴｉ／Ｒｕシード／めっきＲｕである。本開示によるコンタクト構造体は、Ｔｉ／ＴｉＮ／ＣＶＤ  Ｗで作製された既存のコンタクト構造体より低い抵抗を示す。
【００５０】
本開示をさらに説明するために、以下の限定されない例を提示する。
【実施例１】
【００５１】
約２０ｎｍの厚さのシリサイド・コンタクト層と、パターン形成されたＢＰＳＧ誘電体と、１００オングストロームＴｉ／４０オングストロームＴｉＮコンタクト層と、２０オングストロームＴａＮ／４０オングストロームＴａバリア層と、約４００オングストロームの厚さの銅シード層と、銅金属充填物とを含む構造体を有する、３００ｍｍのシリコン・ウェハである。銅充填物は、ＥＣ３００３（４０ｇ／ｌのＣｕＳＯ４、１０−１００ｇ／ｌのＨ２ＳＯ４、５０ｐｐｍのＣｌ−）、１５ｍｌ／ｌのＡ−３００１（促進剤）、及び２ｍｌ／ｌのＳ−３００１（抑制剤）、並びに１．５ｍｌ／ｌのＬ−３００１（レベラー）（Ｓｈｉｐｌｅｙ社）を含む組成と、９０ｒｐｍにおいて、２秒間６．５ｍＡ／ｃｍ２、３０秒間９．８ｍＡ／ｃｍ２、５８秒間２４．５ｍＡ／ｃｍ２のめっき電流波形とを用いて電着される。図５は、この構造体のＳＥＭである。見られるように、如何なるボイド又はシームもなしに、高アスペクト比のビアが充填される。Ｃｕは、Ｗよりずっと低い抵抗率を有し、Ｃｕめっきもボイドを排除するので、電気めっき法を用いてＣｕで充填されたコンタクト・プラグは、Ｗコンタクト・プラグと比べて全体的に低いコンタクト・プラグ抵抗を与えることができる。図６は、タングステンで充填されたビアと比較して、銅で充填された上記の構造体より２５％低いコンタクト抵抗を示す実験データを示すチャートである。これらの例において、Ｔｉは、シリサイドへのコンタクト層である。ＴｉＮ、ＴａＮ、及びＴａは、銅拡散に対するバリア層である。
【実施例２】
【００５２】
約２０ｎｍの厚さのコバルト・シリサイド層と、６５ｎｍ×２５０ｎｍの寸法のパターン形成されたビアを有するＵＳＧ誘電体と、約５０オングストロームの厚さのＰＶＤ  ＴａＮバリア層と、約８０オングストロームの厚さのＡＬＤ又はＣＶＤルテニウム・シード層と、電気めっきされたロジウム金属充填物とを含む構造体を有する、３００ｍｍのシリコン・ウェハである。ロジウム充填物は、約１０分間１０ｒｐｍの回転速度を用いて、約２０℃、約４．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で、Ｅｎｔｈｏｍｅ−ＯＭＩ社から商品名Ｒｈｏｄｅｘ１００のもとで入手可能な溶液（５０ｍｌ／ｌのＲｈｏｄｅｘ１００（５ｇ／ｌのＲｈ金属濃度）及び３０ｍｌ／ｌの硫酸、並びに１００ｍｌ／ｌのＲｈｏｄｅｘ１００応力低減剤）を用いて電気めっきされる。
【００５３】
図７は、この構造体のＳＥＭである。示されるように、如何なるボイド又は中央のシームもなしに、高アスペクト比のビアが充填される。これらの高アスペクト比プラグのボイドがない充填物と組み合わされたロジウムの低い抵抗率は、Ｗコンタクト・プラグより全体的に低いコンタクト・プラグ抵抗をもたらし得る。
【実施例３】
【００５４】
１２５ｎｍ×５６０ｎｍの寸法のビアを有するパターン形成されたＵＳＧ誘電体と、原子層堆積（ＡＬＤ）されたＴａＮバリア層と、ＡＬＤルテニウム・シード層と、電気めっきされたルテニウム金属充填物とを含む構造体である。ルテニウム充填物は、約１０分間１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度を用いる６５℃の温度で、５．５ｇ／ｌのルテニウム・ニトロシル硫酸及び５．５ｍｌ／ｌの硫酸の組成を用いて電気めっきされる。
【００５５】
図８は、この構造体のＳＥＭである。示されるように、高アスペクト比のビアが、ＣＶＤ  Ｗプロセスにおいてもたらされる全体のボイドより良好なスリムな中央のシームで充填される。Ｒｕの電気めっきもまた、Ｗコンタクト・プラグより全体的に低いコンタクト・プラグ抵抗をもたらすことができる。
【００５６】
発明の上述の説明は、本発明を例示し、説明するものである。さらに、本開示は、本発明の好ましい実施形態のみを示し説明するものであるが、上述のように、本発明は、他の様々な組み合わせ、修正、及び環境において用いることができ、本明細書において示された本発明の概念の範囲内で、上述の教示及び／又は関連技術の技能若しくは知識に応じた変更又は修正が可能であることを理解されたい。上述の実施形態は、さらに、本発明の実施について知られている最良の形態を説明し、当業者が、こうした実施形態又は他の実施形態で、及び本発明の特定の用途又は使用によって必要となる様々な修正を施して、本発明を利用できるようにすることを意図している。従って、この説明は、本発明を本明細書に開示された形態に制限することを意図するものではない。また、添付の特許請求の範囲は、代替的な実施形態を含むものと解釈することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】技術ノード及びスケーリング係数ｋの関数としてＣＡ抵抗スケーリングを示す。
【図２】本ライナを伸張することによる計算されたコンタクト抵抗の増加と、１２５ｎｍ技術に関する１０％のＦ０４インバータ遅延をもたらし得るＣＶＤタングステン・プロセスとを示すグラフである。
【図３】本開示の方法による、種々の製造段階における構造体を概略的に示す。
【図４】電気めっきしてプラグ構造体を充填するための、バルク抵抗率に基づいた金属の選択を示す。Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｃｄ、及びＺｎは、５．３μΩ−ｃｍのバルクＷ抵抗率よりも低いか又はこれに匹敵するバルク抵抗率を有する。
【図５】銅ダマシン・プロセスによって充填された、ボイド又は中央シームのない、高アスペクト比のコンタクト・ビアを示すＳＥＭ画像である。
【図６】タングステンで充填されたビアと比べると、図５に示されるような銅で充填されたコンタクトからのより低いコンタクト抵抗を示す実験データを示す図である。
【図７】めっきされたロジウムで充填され、ボイドがないコンタクト・ビアを示すＳＥＭ画像である。この金属化構造体のスタックは、めっきによる、Ｔｉ／ＴｉＮ、ＴａＮ／ＡＬＤ  Ｒｕシード／Ｒｈ充填物から構成される。
【図８】めっきされたルテニウムで充填された、非常にスリムな中央シームだけを示す高アスペクト比のコンタクト・ビアを示すＳＥＭ画像である。この金属化構造体スタックは、めっきによる、ＡＬＤ  ＴａＮ／ＡＬＤ  Ｒｕシード／Ｒｈ充填物から構成される。
【図１】
2009531838.tif 000003
【図２】
2009531838.tif 000004
【図３】
2009531838.tif 000005
【図４】
2009531838.tif 000006
【図５】
2009531838.tif 000007
【図６】
2009531838.tif 000008
【図７】
2009531838.tif 000009
【図８】
2009531838.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト金属構造体であって、
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層と、
前記底部においてシリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層と、
前記キャビティ内及び前記コンタクト層の上部に配置された拡散バリア層と、
前記キャビティ内及び前記拡散バリア層の上部にあり、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、コバルト、カドミウム、及び亜鉛、並びにこれらの合金から成る群の少なくとも１つの部材から選択される金属充填層と
を含む、コンタクト金属構造体。
【請求項２】
コバルト、ニッケル、白金、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、又はオスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項３】
コバルト白金、コバルト・ルテニウム、コバルト・ロジウム、コバルト・イリジウム、コバルト・パラジウム、又はコバルト・オスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項４】
ニッケル白金、ニッケル・ルテニウム、ニッケル・ロジウム、ニッケル・イリジウム、ニッケル・パラジウム、又はニッケル・オスミウム・シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項５】
前記キャビティは少なくとも３のアスペクト比を有する、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項６】
前記コンタクト層はＴｉである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項７】
前記コンタクト層は、ＴｉとＴｉＮのスタックである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項８】
前記拡散バリア層は、ＴａＮ、ＴａＮ／Ｔａ、Ｔａ、ＴａＮ／Ｒｕ、Ｔａ／Ｒｕ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、又はＰｔである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項９】
前記金属充填層と前記拡散バリア層との間にシード層をさらに含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１０】
前記シード層は銅又はルテニウムである、請求項９に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１１】
前記金属充填層は銅を含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１２】
前記金属充填層は、銀、金、ニッケル、カドミウム、亜鉛、又はコバルト、或いはこれらの合金を含む、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１３】
前記拡散バリア層は、ルテニウム、白金、イリジウム、又はロジウムである、請求項１に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項１４】
前工程（ＦＥＯＬ）デバイス及び請求項１乃至１３に記載の前記コンタクト金属構造体を含むマイクロエレクトロニククス・デバイス。
【請求項１５】
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層を形成するステップと、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルマニウム化物に接触するキャビティ内及び前記誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、
前記キャビティ内及び前記コンタクト層の上部に配置された拡散バリア層を堆積させるステップと、
銅、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、モリブデン、金、銀、ニッケル、カドミウム、亜鉛、及びコバルト、並びにこれらの合金から成る群から選択される少なくとも１つの部材の金属充填層を電気めっきするステップと
を含む方法。
【請求項１６】
ＣＭＰによって平坦化するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属充填層は、銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、銀、金、ニッケル、コバルト、モリブデン、若しくは亜鉛、又はこれらの合金、或いは、Ｗとの又はＰ、Ｂ、Ｓ、Ｃｌ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ及びＩの軽ドープ元素とのこれらの金属の合金を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
コンタクト金属構造体であって、
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層と、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層と、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体層の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層と、
ルテニウム、ロジウム、白金、及びイリジウムから成る群から選択される少なくとも１つの部材の随意的な金属シード層と、
ロジウム、ルテニウム、イリジウム、及びこれらの合金を含む金属充填層と
を含むコンタクト金属構造体。
【請求項１９】
コバルト・シリサイド層、ニッケル・シリサイド層、またはニッケル白金シリサイド層が、前記キャビティの底部に配置される、請求項１８に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２０】
前記コンタクト層はＴｉ、又はＴｉ／ＴｉＮのスタックである、請求項１８に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２１】
前記金属充填層と前記拡散バリア層との間にシード層をさらに含む、請求項１８に記載のコンタクト金属構造体。
【請求項２２】
基板上に配置されたキャビティを有するパターン形成された誘電体層を形成するステップと、
前記キャビティの底部に配置されたシリサイド又はゲルニウム化物層を形成するステップと、
前記キャビティの底部において前記シリサイド又はゲルニウム化物層に接触するキャビティ内及び前記誘電体の上部に配置された、Ｔｉを含むコンタクト層を準備するステップと、
ロジウム、ルテニウム、又はイリジウム、或いはこれらの合金を含む金属充填層を電気めっきするステップと
を含む方法。
【国際調査報告】
2009531838.tif 000011