(57)【要約】  本発明はヒ素またはリンをド−プした電気抵抗率の低い（Ｎ＋／Ｎ＋＋）シリコンウエハの製造方法に関するもので、該ウエハは本質的にどのような電子デバイス製造工程の熱処理サイクルにおいても、確実に酸素析出物を形成するものである。
2009515370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキ−法により成長させた単結晶シリコンインゴットから切り出されたウエハであって、
前表面と、後表面と、これら前表面と後表面との間にある仮想的な中央平面と、前記前表面から前記中央平面に向かって測定して距離Ｄ１と前記前表面との間のウエハ第１領域を含む前表面層と、前記中央平面と前記第１領域との間のウエハ第２領域を含むバルク層とを有しており、
５ｍΩ−ｃｍ未満の抵抗率を有し、リンまたはヒ素でド−プされ、前記バルク層中に過飽和濃度な結晶格子空孔を有しているウエハであって、
（ａ）７００℃を越える温度での酸素析出処理に前記ウエハを付することによって、少なくとも１×１０７酸素析出物／ｃｍ３の濃度で、酸素析出物を前記バルク層中に形成させること、ならびに、（ｂ）（ｉ）前記ウエハを少なくとも９５０℃のアニーリング温度に少なくとも２℃／秒の速度にて加熱すること、及び（ｉｉ）前記ウエハを前記アニーリング温度から７００℃以下に冷却し、その後、７００℃を越える温度での酸素析出処理に前記ウエハを付することによって、結晶格子空孔の過飽和濃度を低減させ、少なくとも１×１０７酸素析出物／ｃｍ３の濃度で前記バルク層中に酸素析出物を生成させることが防止されている、ウエハ。 
【請求項２】
前記バルク層が少なくとも約１×１０８酸素析出物／ｃｍ３の酸素析出物の密度を有する請求項１に記載のウエハ。
【請求項３】
前記バルク層が少なくとも約１×１０９酸素析出物／ｃｍ３の酸素析出物の密度を有する請求項１に記載のウエハ。
【請求項４】
前記前表面が研磨されている、請求項１に記載のウエハ。
【請求項５】
前記前表面がラッピングおよびエッチングされている、請求項１に記載のウエハ。
【請求項６】
前記前表面上にエピタキシャル層をさらに含む、請求項１に記載のウエハ。
【請求項７】
炭素濃度が約５×１０１６原子／ｃｍ３未満である、請求項１に記載のウエハ。
【請求項８】
炭素濃度が約１×１０１６原子／ｃｍ３未満である、請求項１に記載のウエハ。
【請求項９】
炭素濃度が約５×１０１５原子／ｃｍ３未満である、請求項１に記載のウエハ。
【請求項１０】
ド−パントがヒ素である、請求項１に記載のウエハ。
【請求項１１】
ヒ素が約１×１０１９原子／ｃｍ３以上の濃度で存在する、請求項１０に記載のウエハ。
【請求項１２】
ヒ素が約１×１０１９原子／ｃｍ３から約３×１０１９原子／ｃｍ３の濃度で存在する、請求項１０に記載のウエハ。
【請求項１３】
ヒ素が約１．７×１０１９原子／ｃｍ３から約３×１０１９原子／ｃｍ３の濃度で存在する、請求項１０に記載のウエハ。
【請求項１４】
抵抗率が約２．６ｍΩ−ｃｍから約３．９ｍΩ−ｃｍである、請求項１０に記載のウエハ。
【請求項１５】
ド−パントがリンである、請求項１に記載のウエハ。
【請求項１６】
リンが少なくとも約１×１０１９原子／ｃｍ３の濃度で存在する、請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１７】
リンが約１×１０１９原子／ｃｍ３から約４．５×１０１９原子／ｃｍ３の濃度で存在する、請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１８】
リンが約４．１×１０１９原子／ｃｍ３から約４．５×１０１９原子／ｃｍ３の濃度で存在する、請求項１５に記載のウエハ。
【請求項１９】
抵抗率が約０．１ｍΩ−ｃｍから約２ｍΩ−ｃｍである、請求項１５に記載のウエハ。
【請求項２０】
抵抗率が約１．１ｍΩ−ｃｍから約１．９ｍΩ−ｃｍである、請求項１５に記載のウエハ。
【請求項２１】
前記バルク層中において、前記結晶格子空孔の過飽和濃度が不均一であり、結晶格子空孔濃度のピ−ク濃度が前記中央平面と前記前表面層との間のバルク層内にあり、前記濃度が前記前表面層へと中央平面へとの両方向へ向かって全体として減少する請求項１に記載のウエハ。
【請求項２２】
前記バルク層中において、前記結晶格子空孔の過飽和濃度が不均一であり、結晶格子空孔濃度のピ−ク濃度が前記前表面層またはその近傍にあり、前記濃度が中央平面への方向に向かって全体として減少する請求項１に記載のウエハ。
【請求項２３】
前記前表面から前記中央平面に向かって測定して距離Ｄ１と前記前表面との間のウエハ第１領域が、前記ウエハを７００℃以上の熱処理に付することによって、１×１０７酸素析出物／ｃｍ３未満の濃度で酸素析出物を含む、請求項１に記載のウエハ。
【請求項２４】
Ｄ１が１０μｍより大きい、請求項２３に記載のウエハ。
【請求項２５】
Ｄ１が１０μｍより小さい、請求項２３に記載のウエハ。
【請求項２６】
Ｄ１が２μｍより小さい、請求項２３に記載のウエハ。
【請求項２７】
チョクラルスキ−法により成長させた単結晶シリコンインゴットから切り出されたウエハを熱処理し、その後の熱処理プロセス工程においてウエハ内の酸素の析出挙動に影響を与える方法にあって、
前記シリコンウエハが、前表面と、後表面と、これら前表面と後表面との間にある中央平面と、前記前表面から前記中央平面に向かって測定して距離Ｄ１と前記前表面との間のウエハ領域を含む前表面層と、前記中央平面と前記前表面との間のウエハ領域を含むバルク層とを有し、ヒ素またはリンでド−プされており、約５ｍΩ−ｃｍ未満の抵抗率を有すること、ならびに
前記方法が、前記単結晶シリコンウエハを窒素含有気体を含む雰囲気内で熱処理し、前記ウエハバルク中の結晶格子空孔の密度を増大させる工程と、
熱処理したウエハを冷却して、前記ウエハバルクが結晶格子空孔で過飽和になるようにする工程とを含む、方法。
【請求項２８】
前記冷却したウエハを約７００℃を越える温度で酸素析出熱処理に付して、前記バルク層内に酸素析出物を形成させる、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記酸素析出熱処理工程が、少なくとも約１×１０７酸素析出物／ｃｍ３の密度にて酸素析出物を形成させる、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記酸素析出熱処理工程が、少なくとも約１×１０８酸素析出物／ｃｍ３の密度にて酸素析出物を形成させる請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記酸素析出熱処理工程が、少なくとも約１×１０９酸素析出物／ｃｍ３の密度にて酸素析出物を形成させる請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記窒素含有気体を含む雰囲気が窒素またはアンモニアを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
単結晶シリコンウエハの熱処理が、前記ウエハを少なくとも約１０℃／秒の加熱速度で少なくとも約１２００℃の温度へ加熱し、前記ウエハをその温度で少なくとも約１秒以上であって、約６０秒未満の時間で保持することを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３４】
前記加熱速度が少なくとも約６０℃／秒である、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
単結晶シリコンウエハの熱処理が、前記ウエハを少なくとも約１０℃／秒の加熱速度で少なくとも約１２３０℃の温度に加熱し、前記ウエハをその温度で少なくとも約１秒以上であって、約６０秒未満の時間で保持することを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３６】
前記加熱速度が少なくとも約６０℃／秒である、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
単結晶シリコンウエハを熱処理することが、前記ウエハを約１０℃／秒以上の加熱速度で約１２３０℃以上の温度に加熱し、前記ウエハを約１５秒間その温度に保持することを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３８】
前記加熱速度が約６０℃／秒以上である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記熱処理したウエハを、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し易い温度範囲を通して少なくとも約２０℃／秒の速度で冷却する、請求項２７に記載の方法。
【請求項４０】
前記熱処理したウエハを、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し易い温度範囲を通して少なくとも約５０℃／秒の速度で冷却する、請求項２７に記載の方法。
【請求項４１】
前記熱処理したウエハを、結晶格子空孔がシリコン内で比較的移動し易い温度範囲を通して少なくとも約１００℃／秒の速度で冷却する、請求項２７に記載の方法。
【請求項４２】
前記ウエハがエピタキシ−用基板であり、前記方法が前記ウエハの前表面にエピタキシャル層を堆積させる工程をさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項４３】
前記エピタキシャル層を前記熱処理工程の後に堆積させる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
エピタキシャル層を堆積することが、前記ウエハをＳｉＨＣｌ３、Ｈ２およびＰＨ３を含む雰囲気にさらす工程を含む、請求項４２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に電子部品製造に使用されるシリコンウエハの製造に関する。さらに詳しくは、本発明は、ヒ素またはリンをド−プした低電気抵抗率の（Ｎ＋／Ｎ＋＋）シリコンウエハの製造方法に関し、このウエハはいずれか任意の電子デバイス製造プロセスの熱処理サイクルにおいても、確実に酸素析出物を形成する。
【背景技術】
【０００２】
半導体電子部品を製造する大部分の方法において、出発材料となる単結晶シリコンは、いわゆるチョクラルスキ−（Ｃｚ）法によって製造される。同法では種単結晶が溶融したシリコンに浸漬された後にゆっくり引き上げられて結晶が成長する。溶融したシリコンは石英るつぼ内に保持される間に様々な不純物によって汚染されるが、なかでも主な不純物は酸素である。シリコンの融点において、酸素は、融点におけるシリコン中の酸素溶解度、および固相シリコン中における酸素の実際の析出係数によって決まる濃度、に達するまで結晶格子の中に侵入する。このような濃度は、電子デバイス製造工程で用いられる典型的な処理温度での固相シリコン中の酸素溶解度よりも高い。したがって結晶が液相から成長し冷却されると、その内部の酸素溶解度は急激に減少し、その結果、この結晶から切り出されたウエハ中には酸素が過飽和に存在する。
【０００３】
電子デバイスの作製に使用される熱処理サイクルは、一般に酸素で過飽和となったシリコンウエハ内において酸素の析出を引き起こす。この析出物は、ウエハ内における位置に応じて、有害なものともなり得るし、有益なものともなり得る。
ウエハの有効なデバイス領域に位置する酸素析出物は、デバイスの動作を損なう原因となることがある。一方、ウエハのバルク内にある酸素析出物は、ウエハに接触し得る望ましくない金属不純物をトラップし得る。ウエハのバルク内の酸素析出物を用いて金属をトラップすることは、一般にインタ−ナルまたはイントリンジックゲッタリング（ＩＧ）と称されている。
【０００４】
ＭＯＳＦＥＴなどある種のパワ−デバイスでは、ヒ素またはリンを大量にド−プした、イントリンジックゲッタリング作用を有する低抵抗率単結晶シリコンウエハが必要になる。このようなウエハにはいくつかの課題がある。抵抗率を所望の５ｍΩ−ｃｍ以下にするために必要な濃度でヒ素やリンを添加すると、ド−パントであるヒ素やリンが酸素析出を、イントリンジックゲッタリングが要求されるしきい値密度より低くするという傾向がある。
【０００５】
米国特許第６，４９１，７５２号（Ｋｉｒｓｃｈｔら）は、結晶成長プロセス中のシリコン単結晶に炭素をド−プすることによりこの問題を解決することを試みた。Ｋｉｒｓｃｈｔらによれば、炭素ド−ピング量は単結晶シリコンインゴットのシードエンド近くの比較的低濃度（〜４×１０１６原子／ｃｍ３）から、単結晶シリコンインゴットのテ−ルエンド近くの比較的高濃度（〜２×１０１７原子／ｃｍ３）まで変化し、シードコーンから相当離れた位置で切り出されたウエハであっても、酸素析出物が形成され得るウエハに高濃度の炭素ド−ピングが必要とされた。しかしながら、この方法は完全に満足できるものではない。例えば、結晶軸に沿ってほぼ中央部からエンドコーンへかけて切り出された高濃度ド−プウエハについては、酸素によるイントリンジックゲッタリングは認められない。Ｋｉｒｓｃｈｔらの図４を参照のこと。またこの方法では炭素濃度をインゴットの長さの関数として増加させる必要があるため、ウエハ間の均一性が乏しくなり、さらに結晶成長の方法制御がより複雑化する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って数ある本発明の要旨の１つは、ヒ素またはリンをド−プした低抵抗率（Ｎ＋／Ｎ＋＋）の単結晶シリコンウエハであって、本質的にどのような電子デバイス製造工程の熱処理サイクルにおいても、確実に酸素析出物を形成するシリコンウエハを提供することである。また本発明は、これらウエハの製造方法を提供することも要旨とする。本方法の利点は、ウエハ間の均一性が良好であること、さらに、従来技術の方法では必要とされた単結晶成長上の制約が緩和されることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
したがって本発明は、簡単にはチョクラルスキ−法により成長させた単結晶シリコンインゴットから切り出されたウエハに関し、前記ウエハは、前表面と、後表面と、これら前表面と後表面との間にある仮想的な中央平面と、前記前表面から前記中央平面に向かって測定して距離Ｄ１と前記前表面との間のウエハ第１領域を含む前表面層と、前記中央平面と前記第１領域との間のウエハ第２領域を含むバルク層と、を備える。前記ウエハは５ｍΩ−ｃｍ未満の抵抗率を有し、リンまたはヒ素でド−プされ、前記バルク層中に過飽和濃度の結晶格子空孔を有し、それにより、（ａ）７００℃を越える温度での酸素析出処理に前記ウエハを付することによって、少なくとも１×１０７酸素析出物／ｃｍ３の濃度で、酸素析出物を前記バルク層中に形成させること、ならびに、（ｂ）（ｉ）前記ウエハを少なくとも９５０℃のアニーリング温度に少なくとも２℃／秒の速度にて加熱すること、及び（ｉｉ）前記ウエハを前記アニーリング温度から７００℃以下に冷却し、その後、７００℃を越える温度での酸素析出処理に前記ウエハを付することによって、結晶格子空孔の過飽和濃度を低減させ、少なくとも１×１０７酸素析出物／ｃｍ３の濃度で前記バルク層中に酸素析出物を生成させることが防止される。
【０００８】
さらに本発明はチョクラルスキ−法により成長させた単結晶シリコンインゴットから切り出されたウエハを熱処理に付して、その後の熱処理プロセス工程においてウエハ内の酸素の析出挙動に影響を与える方法にあって、
前記シリコンウエハが、前表面と、後表面と、これら前表面と後表面との間にある中央平面と、前記前表面から前記中央平面に向かって測定して距離Ｄ１と前記前表面との間のウエハ領域を含む前表面層と、前記中央平面と前記前表面との間のウエハ領域を含むバルク層とを有し、ヒ素またはリンでド−プされており、約５ｍΩ−ｃｍ未満の抵抗率を有すること、ならびに前記方法が、  前記単結晶シリコンウエハを窒素含有気体を含む雰囲気内で熱処理し、前記ウエハバルク中の結晶格子空孔の密度を増大させる工程と、
熱処理したウエハを冷却して、前記ウエハバルクが結晶格子空孔で過飽和になるようにする工程とを含む。
【０００９】
本発明の目的及び特徴は一部明らかであり、また一部は以下に記述される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の単結晶シリコンウエハはＮ型（Ｎ＋／Ｎ＋＋）で、ヒ素またはリンにより高濃度にド−プされている。またこれらのウエハは、チョクラルスキ−成長方法で一般に得られる酸素濃度であれば、本質的にとのような酸素濃度を含むことが可能で、それにもかかわらずイントリンジックゲッタリングのために十分な酸素析出物をウエハバルク中に信頼性よくかつ再現性良く形成させることができる。さらにこれらの酸素析出物は、電子デバイス製造方法の本質的にいかなる熱処理サイクルの間でも適切に形成される。
Ａ．出発材料
【００１１】
１つの実施形態における本発明のウエハ出発材料は、従来のチョクラルスキ−（Ｃｚ）結晶成長法により成長させた単結晶インゴットから切り出されたシリコンウエハで、典型的には１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４００ｍｍまたはそれ以上の公称直径を有する。このウエハは研磨したものでも、また、ラッピング後にエッチングした未研磨のものでもよい。これらの方法、およびシリコン切断、ラッピング、エッチングおよび研磨の標準的技法は、（参照によって本明細書に組み込まれる）Ｆ．ＳｈｉｍｕｒａによるＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、Ａｃａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ、１９８９、およびＳｉｌｉｃｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｅｔｃｈｉｎｇ、（Ｊ． Ｇｒａｂｍａｉｅｒ ｅｄ．） Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９８２に開示されている。ウエハは研磨後、当業者公知の方法で洗浄されたものが好ましい。例えば、Ｗ． Ｃ． ＯＭａｒａ ｅｔ ａｌ．,Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｎｏｙｅｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓを参照のこと。
【００１２】
図１に示すように、ウエハ１は前表面３と、後表面５と、これら前表面と後表面との間にある仮想的な中央平面７とを有することが好ましい。この際、「前」、「後」という用語は、ウエハ１の全体として平坦な、２つの主要な平面を区別するために用いられる。
ウエハ１の（本明細書ではその用語で用いる）前表面３は、後に電子デバイスが形成される面であるとは限らないし、ウエハ１の（本明細書ではその用語で用いる）後表面５は、電子デバイスが形成される面と反対側のウエハ１の主表面であるとも限らない。さらにシリコンウエハは，典型的にいくらかのＴＴＶ（total thickness variation）、反り（Ｗａｒｐ）および曲げ（Ｂｏｗ）を有するので、前表面内の各点と後表面の各点との中間点が正確に同一の面内にあるとも限らない。しかしながら実用上のＴＴＶ、反り、曲げは非常に小さいため、近似的には、中間点がこれら前後表面から等距離にある仮想的な中央平面にあると言うことができる。
【００１３】
ウエハには、低抵抗率（Ｎ＋／Ｎ＋＋）を、すなわち約５ｍΩ−ｃｍ未満の抵抗率をウエハに付与するのに十分な濃度のヒ素またはリンをド−プする。１つの実施形態では、１×１０１９原子／ｃｍ３以上の濃度のヒ素がウエハにド−プされている。例えば、ウエハは、約１×１０１９原子／ｃｍ３から約３×１０１９原子／ｃｍ３、すなわち約２００ＰＰＭＡから約６００ＰＰＭＡの濃度のヒ素を含んでもよい。このような濃度にヒ素ド−プされたウエハの抵抗率は、典型的には約０．１ｍΩ−ｃｍから約５ｍΩ−ｃｍである。現時点で好ましい１つの実施形態におけるウエハは、ヒ素濃度が約１．７×１０１９原子／ｃｍ３から約３×１０１９原子／ｃｍ３（約３４０ＰＰＭＡから約６００ＰＰＭＡ）となるようにド−プされており、このような濃度にヒ素ド−プされたウエハの抵抗率は、典型的には約２．６ｍΩ−ｃｍから約３．９ｍΩ−ｃｍである。ド−パントとしてリンを用いる場合は、濃度が１×１０１９原子／ｃｍ３以上のリンをウエハにド−プする。例えばウエハが、約１×１０１９原子／ｃｍ３から約４．５×１０１９原子／ｃｍ３、すなわち約２００ＰＰＭＡから約９００ＰＰＭＡの濃度のリンを含んでもよい。これらの濃度にリンド−プされたウエハの抵抗率は、典型的には約０．１ｍΩ−ｃｍから約２ｍΩ−ｃｍとなる。別の好適な実施形態におけるウエハは、リン濃度が約４．１×１０１９原子／ｃｍ３から約４．５×１０１９原子／ｃｍ３（約８２０ＰＰＭＡから約９００ＰＰＭＡ）となるようにド−プされており、約１．１ｍΩ−ｃｍから約１．９ｍΩ−ｃｍの抵抗率を有する。
【００１４】
ウエハの酸素濃度はＣｚ法で得られる範囲の何れの濃度であってもよい。ただし、高濃度のヒ素またはリンをド−プしたウエハなどの低抵抗率ウエハの酸素濃度は、ド−プしていない、または低濃度でド−プしたウエハよりも一般に低い。例えばヒ素をド−プしたウエハの酸素濃度は、典型的には約４．５×１０１７原子／ｃｍ３から約５．５×１０１７原子／ｃｍ３、すなわち約９ＰＰＭＡから約１１ＰＰＭＡである。１つの実施形態におけるヒ素ド−プウエハの酸素濃度は、約５．５×１０１７原子／ｃｍ３から約８×１０１７原子／ｃｍ３、すなわち約１１ＰＰＭＡから約１６ＰＰＭＡである。リンをド−プしたウエハの酸素濃度は、典型的には約６×１０１７原子／ｃｍ３から約９×１０１７原子／ｃｍ３、すなわち約１２ＰＰＭＡから約１８ＰＰＭＡである。１つの実施形態におけるリンド−プウエハの酸素濃度は、約７．５×１０１７原子／ｃｍ３から約８×１０１７原子／ｃｍ３、すなわち約１５ＰＰＭＡから約１７ＰＰＭＡである。
【００１５】
置換型炭素は、単結晶シリコン中の不純物として存在する場合には、酸素析出核の形成に触媒作用を及ぼす。それでも、単結晶シリコン出発材料中の炭素濃度は一般に低いほうが好ましい。よって、１つの実施形態における単結晶シリコン中の炭素濃度は、好ましくは約５×１０１６原子／ｃｍ３未満、より好ましくは約１×１０１６原子／ｃｍ３未満、さらに好ましくは約５×１０１５原子／ｃｍ３未満とする。
【００１６】
通常のＣｚ成長方法条件は、主たる真性点欠陥が、結晶格子空孔またはシリコン自己格子間原子となるように選定される。結晶成長の際、シリコン結晶を高濃度のヒ素またはリンでド−プすると、主たる欠陥が空孔である単結晶を成長させることが困難になる。いずれか特定の理論に拘泥するわけではないが、２つの要旨において、ヒ素およびリンのド−プは置換型原子の濃度を高めると考えられる。まずヒ素およびリンそのものが、シリコン中に置換型または侵入方原子として存在する場合がある。さらに、ヒ素とリンは過剰なシリコン自己格子間原子を捕獲（トラップ）すると考えられる。その結果、同一条件下で成長させた未ド−プのシリコン単結晶に比べ、平衡状態は酸素析出を抑制する傾向にある格子間原子の方向にずれ、酸素析出を促進する傾向にある結晶格子空孔の方向から離れると考えられる。
Ｂ．過飽和濃度の空孔の形成
【００１７】
本発明の方法に従えば、ヒ素またはリンをド−プした低抵抗率ウエハを熱処理に付して出発ウエハに結晶格子空孔を導入し、その後、このウエハを急冷してウエハ中に過飽和濃度の結晶格子空孔を固定する。別の言い方をすれば、結晶格子空孔が製品ウエハにおける支配的な真性点欠陥となり、過飽和濃度で存在する。このようなウエハに酸素析出熱処理を付すると、結晶格子空孔が酸素析出を促進し、その結果、ウエハバルク中に、イントリンジックゲッタリングに十分な密度の酸素析出物が形成される。
【００１８】
図１では、ウエハは熱処理工程に付されるが、この際ウエハはウエハ１中に結晶格子空孔９が形成され、空孔数密度が増大するような高温に加熱される。ウエハをアニーリング温度に加熱する際の昇温速度は、典型的には１０℃／秒以上、より好ましくは数十℃／秒以上（すなわち、２０℃／秒以上、３０℃／秒以上、４０℃／秒以上、５０℃／秒以上、６０℃／秒以上、またはそれ以上）で、より典型的には１００℃／秒以上である。
【００１９】
一般に、急速熱アニーリング工程の際に注入される結晶格子空孔の数は、主としてアニーリング温度、アニーリング工程を実行する際の雰囲気組成、およびアニーリング時間に依存する。一般的に、結晶格子空孔の平衡濃度は温度の上昇に伴い増大する。よって、方法の温度が高くなるほど、急速アニーリングの際、ウエハに注入される結晶格子空孔の濃度は高くなる。一般に酸化性雰囲気は、中性雰囲気（すなわち、非酸化性、非窒化性雰囲気）に比べ、シリコン自己格子間原子を形成する傾向にあり、一方窒化雰囲気は、中性雰囲気に比べ、結晶格子空孔を形成する傾向にある。さらに窒化雰囲気は結晶格子空孔の形成を促進するため、窒化雰囲気内では、ウエハ内の結晶格子空孔濃度がアニーリング時間の関数として増大する。
【００２０】
一般には、製品ウエハにおける支配的な真性点欠陥が結晶格子空孔となり、冷却後に結晶格子空孔が過飽和となるように急速アニーリング工程の雰囲気を選定する。したがって雰囲気は、例えば、酸化性ガス（例、酸素または水蒸気）、中性ガス（例、ヘリウム、アルゴン）、または窒化性ガス（例、窒素、またはアンモニア等の窒素含有ガス）の混合ガスを含んでも良い。この雰囲気は窒化性であることが好ましく、酸化性および中性ガスが実質的に存在しないことが好ましい。すなわち、この雰囲気は、窒素またはアンモニアなどの窒化性ガスを含むことが好ましい。
【００２１】
ウエハ全体の空孔濃度は、上述したアニーリング温度に到達すると、即座ではないにせよほぼ同時に増大する。ウエハをこの温度において、概ね窒化性の雰囲気で継続的にアニーリングすると、空孔濃度はさらに増大する。典型的には、ウエハをこの温度に１秒間以上、より典型的には数秒間以上（例、３秒間以上）、場合によっては数十秒間保持する。１つの実施形態では、ウエハを上記温度に１０秒間以上、好ましくは１５秒間保持する。ウエハを（市販の熱アニーリング炉の限界に近い）６０秒間まで保持してもよい。いずれにせよ、ウエハを選択した雰囲気、温度で十分な時間アニーリングし、結晶格子空孔がウエハバルク中の支配的な真性点欠陥となるようにするとともに、これによって、単結晶成長の際にシリコン結晶中の真性点欠陥の相対的濃度に対してヒ素やリンが及ぼすであろう影響を全て克服する。数学的に考えると本方法は、注入された空孔と、Ｃｚ成長条件に起因して存在する空孔との和が、シリコン自己格子間原子とド−パント自己格子間原子との和より大きい、すなわち［空孔］ｉｎｊ＋［空孔］Ｃｚ＞［自己格子間原子］Ｓｉ+［自己格子間原子］ｄｏｐａｎｔという状態を作り出す。（シリコンが、成長されたままの状態で、シリコン自己格子間原子を支配的な真性点欠陥として有する場合）、アニーリング時間が短いと、表面近傍部のみが空孔支配的となる。アニーリング時間を長くすると、ウエハの厚み全体に渡り空孔が支配的とすることができる。
【００２２】
急速熱アニーリングは、数ある市販の急速熱アニーリング（ＲＴＡ（rapid thermal annealing））炉の何れを用いて行っても良く、これらの炉内でウエハは列を成す高出力ランプにより個々に加熱される。ＲＴＡ炉はウエハを急速に加熱することができ、例えば、ウエハをほんの数秒で室温から１２５０℃に加熱することができる。このような市販のＲＴＡ炉の１つに、Mattson Technology Inc (47131 Bayside Parkway, Freemont, CA 94538)から市販の３０００ＲＴＡ炉がある。
【００２３】
金属やその他元素などの結晶格子空孔は、単結晶シリコン内を拡散することができ、その拡散速度は温度に依存する。例えば結晶格子空孔は、ウエハが急速アニーリング工程でアニーリングされる温度の近傍で比較的移動性が高いものの、７００℃程度の温度では実用的な時間内において実質的に移動しない。今日までに得られた実験的な証拠によれば、空孔の拡散速度は約７００℃以下の温度でかなり低下し、８００℃、９００℃、場合によっては１０００℃においてさえも、空孔は実用的な時間内で移動しないものと考えられる。
【００２４】
急速熱アニーリングが完了すると、単結晶シリコン内で結晶格子空孔が比較的移動できる温度域を通じて、ウエハを急冷する。再度図１を参照する。上記の温度域を通じてウエハ１の温度が低下するにつれ、空孔は表層３，５に向かって拡散し消滅する。その結果、ウエハがこの温度域に保持された時間の長さに応じて、空孔濃度が変化する。仮にウエハがこの温度域内に無限時間保持されたとすると、空孔濃度は再びウエハバルク１１全体に渡って実質的に均一になり、その際の空孔濃度は、熱処理工程完了直後の結晶格子空孔濃度よりもかなり低い平衡値となる。このような結果を招かないように、ウエハを急冷して、過飽和密度の結晶格子空孔をウエハバルク内に固定する。一般にこの温度域内における平均冷却速度は、約５℃／秒以上、好ましくは約２０℃／秒以上、より好ましくは約５０℃／秒以上、さらに好ましくは約１００℃／秒以上であり、現状では１００℃／秒から２００℃／秒の範囲の冷却速度が最も好ましい。無限速度での急冷はできないため、少なくともいくらかの空孔は表層からウエハ外部に拡散する。冷却が過飽和濃度の空孔をウエハバルク全体に渡って固定するのに十分速い速度で行われ、ウエハの表面近傍およびバルク全体が空孔で支配される限り、急冷後の空孔密度が急速熱アニーリング直後における密度に比べて低くてもさほど問題とならない。結晶格子空孔が単結晶シリコン中を比較的移動し易い温度域の外にウエハがひとたび冷却されると、その後の冷却速度はウエハの析出挙動に何ら影響を及ぼす様子は無いため、さほど重要ではない。
【００２５】
一般に急冷工程は、アニーリング工程について上述した何れの雰囲気中で行ってもよい。しかしながら、利便性と簡単さを考慮すると、アニーリング工程と冷却工程とを同じ、または、少なくとも実質的に同じ雰囲気で行うことが一般に好ましい。
【００２６】
急速熱アニーリングおよび急冷工程の結果として、過飽和濃度の結晶格子空孔が高濃度にド−プされたウエハ内部に固定される。この過飽和空孔の濃度を直接測定することは困難であるが、その存在は間接的に確認することができる。すなわち（ｉ）７００℃を越える温度における酸素析出熱処理（oxygen precipitation heat-treatment）（例、ウエハを８００℃で４〜８時間アニーリング後、１０００℃で１６時間アニーリングする）、または（ｉｉ）酸素析出核の溶解熱処理（oxygen precipitation nucleii dissolution heat-treatment）（例、１０００℃で１５分）、のいずれかを行う。酸素析出熱処理では、過飽和の空孔が酸素析出の形成を促し、その結果、処理されたウエハには約１×１０７酸素析出物／ｃｍ３以上の濃度の酸素析出が形成される。一方、酸素析出熱処理前に、ウエハに酸素析出核溶解熱処理を付すると、溶解熱処理は析出が促進されるしきい値未満にまで結晶格子空孔濃度を低減させる。例えば、酸素析出核溶解熱処理は次の工程を含むことができる。（ｉ）ウエハを２℃／秒以上の速度で９５０℃以上のアニーリング温度まで加熱する；さらに（ｉｉ）このウエハをアニーリング温度から７００℃以下に冷却し、その後、ウエハに７００℃を越える温度で酸素析出熱処理を付する。その結果、酸素析出核溶解熱処理を酸素析出熱処理の前に施したウエハでは、濃度１×１０７酸素析出物／ｃｍ３以上の酸素析出物は形成されず、一方、（急速アニーリング処理工程後の酸素析出核溶解熱処理工程、冷却、酸素予備析出を行わずに）酸素析出熱処理を施したウエハでは、濃度約１×１０７の酸素析出物／ｃｍ３以上、典型的には約１×１０７酸素析出物／ｃｍ３から約１×１０１０酸素析出物／ｃｍ３、好ましくは約１×１０８酸素析出物／ｃｍ３から約１×１０１０酸素析出物／ｃｍ３、さらに好ましくは約１×１０９酸素析出物／ｃｍ３から約１×１０１０酸素析出物／ｃｍ３の酸素析出物が形成される。
【００２７】
本発明のウエハ中における結晶格子空孔の濃度プロファイルは、アニーリング温度から結晶格子空孔が動けなくなる温度への冷却速度の部分的な関数となる。前述したように、アニーリング温度からの冷却速度は結晶格子空孔濃度に対して顕著な影響を及し得る。ウエハを無限大の速度で冷却することは困難なため、結晶格子空孔のいくらかはシリコンの表面に拡散し、これらがウエハ内に固定される前に消滅する。その結果、ウエハには表面近傍領域（図１に示す、表面と該表面から距離Ｄ１までとの間の領域）と、ウエハバルク（図１の仮想的な中央平面から表面近傍領域へ延びる領域）とが形成され、それぞれが異なった酸素析出挙動を示す。すなわち、バルク内では酸素析出熱処理の間に約１×１０７酸素析出物／ｃｍ３以上の酸素析出物が形成される一方、表面近傍領域では酸素析出熱処理の間においても酸素析出物の濃度が約１×１０７酸素析出物／ｃｍ３未満となる。一般に表面近傍領域の深さは、冷却速度を速くすると深くなり、表面近傍領域の深さは典型的には３μｍ以上、より典型的には５μｍ以上で、場合によっては１０μｍを越える場合もある。表面近傍領域は好ましくは約３μｍから約５μｍの深さ、より好ましくは約５μｍから約１０μｍの深さを有する。
【００２８】
また、本発明のウエハ中の結晶格子空孔濃度プロファイルは、急速熱アニーリング工程で使用される雰囲気にも依存する。アニーリング工程に窒化雰囲気を使用すると、結晶格子空孔の濃度はウエハ表面からの距離に応じて低下する。（すなわち、バルク層における結晶格子空孔濃度は不均一であり、濃度はウエハの表面またはその近傍で最大となり、この濃度は仮想的な中央平面に向かうに従って減少し、この仮想的な中央平面またはその近傍において最小となる。）このようなウエハを急冷すると、表面近傍領域の空孔のいくらかは系の外に出る時間があるため、仮想的な中央平面とウエハ表面との間のどこかで空孔濃度が最大となるようなプロファイルが形成される。（すなわち、プロファイルはＭ字型となり、結晶格子空孔濃度は前表面表層および中央平面の両方向に沿って減少する。）この最大空孔濃度の位置はウエハ表面から一定の距離にあり、冷却速度を減少させるとこの距離は増大する。この場合、最大空孔濃度はウエハ表面より約２０μｍから約７０μｍの深さとなる。
Ｃ．ウエハの後処理
【００２９】
本発明のウエハは様々な用途に使用することが出来る。例えば、未研磨の表面を鏡面仕上げしたウエハ（すなわち研磨ウエハ）は、集積回路製造方法にそのまま使用することができる。代わりに、このウエハをホモエピタキシャル堆積、または（層移設もしくは酸素注入による）ＳＯＩの基板として使用してもよい。
１．エッチング
【００３０】
上述したように、本発明の急速加熱および冷却工程により、酸素析出熱処理中の挙動が異なる領域、すなわち酸素析出物が表面近傍領域では大略形成されず、バルク中に形成されるような領域を有したウエハが製造される。  必要に応じ、この表面近傍領域を（例えば、アルカリまたは酸エッチング液による）化学エッチングで除去し、酸化析出熱処理中に、前表面から後表面にかけて酸素析出物が形成されるようなウエハを製造してもよい。また必要に応じ、表面近傍領域を化学エッチングで、全てではなく実質的に除去し、酸化析出熱処理に際し、前表面表層から２μｍ未満の深さＤ１に渡るバルク中に酸素析出物が形成されるようなウエハを製造することもできる。
２．研磨
【００３１】
急速アニーリング工程に使用されるウエハが事前に研磨されていない場合には、急速アニーリングおよび冷却工程後に、このウエハを化学的、または機械化学的に研磨して鏡面に仕上げる。再度、必要に応じ、この表面近傍領域をこのような研磨工程で除去し、酸化析出熱処理中に、前表面から後表面にかけて酸素析出物が形成されるようなウエハを製造してもよい。
３．エピタキシャル層
【００３２】
本発明のウエハをエピタキシャル層堆積用に製造することができる。ウエハ上にエピタキシャル層を堆積する場合、エピタキシャル層堆積の前または後に本発明の方法を実施することができる。前に実施する場合、本発明の方法の後、エピタキシャル堆積の前において酸素析出核を安定化させることが望ましい。後に実施する場合、本発明の方法をエピタキシャル堆積の直後にエピタキシャル反応槽内で行うことが望ましいが、この場合、本発明の方法に要求される冷却速度が得られることが前提となる。
【００３３】
エピタキシャル層はウエハ全面に堆積してもよく、代わりに、ウエハの一部のみに堆積してもよい。図１において、エピタキシャル層１３はウエハの前表面３に堆積することが好ましい。また、これをウエハの前表面３の全体に堆積することがより好ましい。ウエハのその他いずれの部分にエピタキシャル層を堆積するのが望ましいかは、該ウエハの所期の用途による。大半の用途において、その他いずれかのウエハ部分へのエピタキシャル層堆積はさほど重要ではない。
【００３４】
ウエハ表面は酸化物または窒化物の層を含んでもよい。例えばシリコン表面を室温の空気に暴露すると酸化シリコン層が形成され、その厚さは約１０から約１５である。窒化シリコン層は窒化雰囲気中で急速熱アニーリングを行うことで形成される。またウエハ表面層は、化学量論的に混合した酸素と窒素を含んでもよい。（以下、窒化物／酸化物層という）これら窒化物、酸化物、または窒化物／酸化物層を、エピタキシャル層を表面に堆積する前にウエハ表面から除去することが好ましい。 
【００３５】
酸化シリコン層または窒化物／酸化物層の除去は、ウエハ表面を無酸素雰囲気中で酸化物層または窒化物／酸化物層が無くなるまで加熱することにより行うことができる。例えばウエハ表面を、好ましくは約１１００℃以上、より好ましくは約１１５０℃以上の温度に加熱する。この加熱をＨ２または希ガス（例、Ｈｅ、ＮｅまたはＡｒ）を含む雰囲気にウエハ表面を曝しながら行うことが好ましい。この雰囲気はＨ２を含むことがより好ましい。この雰囲気は実質的にＨ２から成ることが最も好ましいが、これは他の雰囲気がウエハ表面にエッチピットを発生させる傾向があるためである。
【００３６】
一般に、ウエハ表面を加熱して酸化シリコンまたは窒化物／酸化物層を除去し、その直後３０秒以内（より好ましくは約１０秒以内）にシリコン堆積を始めることが好ましい。一般的には、ウエハ表面を約１１００℃以上（より好ましくは約１１５０℃以上）に加熱し、ウエハ表面がこの温度に到達した直後３０秒以内（より好ましくは約１０秒以内）にシリコン堆積を始めることが好ましい。酸化シリコンまたは窒化物／酸化物層の除去後、シリコン堆積開始まで１０秒間まで待つことにより、ウエハの温度が安定になり均一化する。
【００３７】
代わりに、酸化物層または窒化物／酸化物層を化学的に剥離してもよい。シリコン表面が窒化物／酸化物層を有する実施形態では、化学的剥離が窒化物／酸化物層の好適な除去手段である。化学的剥離は、リン酸、フッ酸、その他既知の酸を用いた当技術分野で公知の手段により行うことができる。さらに代わって酸化物層または窒化物／酸化物層を、例えばＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製のｅＭＡＸ、その他当技術分野で公知の方法によるプラズマエッチングを用いて除去してもよい。
【００３８】
表面層が主に窒化シリコン層である実施形態では、窒化物層を研磨、化学エッチング、またはプラズマエッチング（例えばＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製のｅＭＡＸ、その他当技術分野で公知のエッチング方法）によって除去してもよい。
【００３９】
エピタキシャル堆積は、化学気相堆積法（ＣＶＤ(chemical vapor deposition)）により行うことが好ましい。一般的に化学気相堆積法は、例えばＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製のＣｅｎｔｕｒａリアクタ−などの堆積リアクタ−中で、ウエハ表面をシリコン含有雰囲気にさらすことによって行われる。ウエハ表面を、揮発性のシリコン含有ガス（例、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３ＣｌまたはＳｉＨ４）にさらすことが好ましい。雰囲気ガスはキャリアガス（好ましくはＨ２）を含むことが好ましい。エピタキシャル堆積の際のシリコン源は、例えば、ＳｉＨ２Ｃｌ２またはＳｉＨ４などである。ＳｉＨ２Ｃｌ２を用いる場合、堆積時におけるリアクタ−の好適な真空圧は約５００から約７６０Ｔｏｒｒである。一方、ＳｉＨ４を用いる際の好適なリアクタ−圧は約１００Ｔｏｒｒである。上記堆積を行う際の最も好ましいシリコン源はＳｉＨＣｌ３である。このシリコン源は他のものよりかなり安価な傾向にある。しかも、ＳｉＨＣｌ３を用いたエピタキシャル堆積は大気圧で行うことができる。従って、真空ポンプが不要となり、また反応容器の潰れに対してもさほどの堅牢さを必要としない。さらに安全性が高まり、空気やその他の気体がリアクタ−チャンバ−内に漏れこむ危険性も低くなる。
【００４０】
エピタキシャル堆積の際、ウエハ表面を適当な温度に昇温し一定に保つことで、シリコン含有雰囲気から表面にポリシリコンが堆積しないようにすることが好ましい。一般にこの間の表面温度は９００℃以上であることが好ましい。より好ましくは、表面を約１０５０℃から１１５０℃まで温度域に保つ。最も好ましくは、表面を酸化シリコン除去温度に保つ。エピタキシャル層を本発明の急速アニーリング後に堆積する場合、急激な昇温が結晶格子空孔を溶解する場合がある。この場合のウエハは格子間原子が支配的となり、酸素析出熱処理時における酸素析出物の形成と成長を抑制する場合がある。このような結果を防ぐためには、比較的緩やかな昇温、または段階的な昇温を行い、結晶格子空孔が高温で平衡となるようにする。昇温を比較的緩やかに行うことで、ウエハバルク中の酸素析出物を安定化できるという利点もある。
【００４１】
エピタキシャル堆積の成長速度は約０．５μｍ／分から約７．０μｍ／分であることが好ましい。例えば、約１ａｔｍまでの絶対圧及び約１１５０℃の温度にて、約２．５モル％のＳｉＨＣｌ３及び約９７．５モル％のＨ２から本質的になる雰囲気を用いて、約３．５μｍ／分から約４．０μｍ／分の速度を達成することができる。
【００４２】
ある用途におけるウエハは、電気特性を付与するエピタキシャル層を含む。ホモエピタキシャル層の堆積では、エピタキシャル層に低濃度のリンをド−プする。このため、エピタキシャル堆積の雰囲気は、例えばフォスフィンやＰＨ３など揮発性の化合物として存在するリンを含む。代わりに、ホモエピタキシャル層はホウ素を含んでも良い。このような層は、例えば堆積雰囲気にＢ２Ｈ６を含ませることにより作成できる。
【００４３】
典型的なエピタキシャル堆積では、エピタキシャル堆積に続くエピ後洗浄工程により、エピタキシャル堆積時に形成された副産物を除去する。この工程は、このような副産物が空気と反応して生じるＴＤＨ（time−dependent haze）を防止する。さらに、エピ後洗浄技術ではエピタキシャル表面に酸化膜が形成され、これが表面を不動態化（保護）する場合が多い。本発明のエピタキシャルウエハは当技術分野で公知の方法により洗浄することができる。
４．シリコンオンインシュレ−タ（ＳＯＩ）
【００４４】
一般にシリコンオンインシュレ−タ構造は、デバイス層と、ハンドルウエハまたは支持層と、これら支持層およびデバイス層との間にある絶縁フィルムまたは層（典型的には酸化物層）とを含む。デバイス層の厚さは概して０．５μｍと２０μｍとの間である。シリコンオンインシュレ−タ構造は、ＳＩＭＯＸやＢＥＳＯＩなどの各種公知の方法で作成することができる。
【００４５】
ＳＯＩ構造の作成例として、当技術分野で標準となっているＳＩＭＯＸ法、すなわちウエハにイオン注入を施す方法がある。（例えば、いずれも参照によって本明細書に組み込まれる、米国特許第５，４３６，１７５号、およびＰｌａｓｍａ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ、 Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ ４６ （１９９６） １３２−１３９、などを参照のこと。）
【００４６】
またＳＯＩ構造は、２枚のウエハを貼り合わせ、この張り合わせたウエハの１枚を部分的に除去して作成することもできる。例えば、ＳＯＩ構造をＢＥＳＯＩ法で作成することができるが、この方法ではウエハを別のウエハに貼り合わせ、これらのウエハの１枚のかなりの部分を公知のウエハ薄肉化技法でエッチング除去しデバイス層を形成する。（例えば、参照によって本明細書に組み込まれる、米国特許第５，０２４，７２３号および米国特許第５，１８９，５００号などを参照のこと。）
以下に本発明の実施例を示す。
実施例
【００４７】
赤リンをド−プしたシリコン単結晶をチョクラルスキ−法で引き上げ、切断、研磨をおこなってシリコンウエハを形成した。各ウエハの初期酸素濃度は約１２ＰＰＭＡから約１８ＰＰＭＡで、抵抗率は約１．２mΩ−ｃｍから約１．７mΩ−ｃｍであった。これらのウエハに窒素雰囲気中で急速熱アニーリングを施し、急冷して、酸素析出物の安定化と成長処理を行った。急速熱アニーリング温度を表１に示すように変化させ、全てのサンプルの保持時間を１５秒間とした。これらのサンプルを６０℃／秒の速度で冷却した。酸素析出の形成と安定化は、８００℃で４時間保持の後、１０００℃で１６時間保持して行った。酸素析出の平均濃度およびピ−ク濃度を、各ウエハの中心、半径中央およびエッジで測定した。全てのサンプルについて、濃度はウエハ表面近傍でピ−クに達することが観察された。表１に結果を示す。
【表１】
2009515370.tif 000003
【００４８】
以上から、いくつかある本発明の目的が達成されることが分かる。
【００４９】
上述した組成および方法に、本発明の範囲から逸脱することなく変更を加えることができるため、上の記述に含まれる全ての事象は説明のためのもので、限定を意図するものではないものと解釈されるべきである。
【００５０】
本発明の要素またはその好適な実施形態を示す際に用いられる「ある」、「１つの」、「前記」、「当該」などの用語は、その要素が１つ以上あることを意図する。「備える」、「含む」、「有する」などの用語は包括的なもので、掲載された要素以外の付加的な要素が存在する場合があることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の方法を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  ウエハ
３  前表面
５  後表面
７  中央平面
９  格子空孔
１１ウエハバルク
【図１】
2009515370.tif 000004
【国際調査報告】
2009515370.tif 000005
2009515370.tif 000006
2009515370.tif 000007