(57)【要約】  高コンダクタンスな蒸気供給システム（40）に結合された、高コンダクタンスのマルチトレイ膜前駆体蒸発システム（1）は、膜前駆体の露出表面積を増大させることにより、成膜速度が高められる。マルチトレイ膜前駆体蒸発システム（50）は、1または2以上のトレイ（340）を有する。各トレイは、例えば固体粉末形態または固体タブレット形態の膜前駆体（350）を支持し、保持するように構成される。また、各トレイは、膜前駆体を加熱したまま、膜前駆体の上部に、キャリアガスの高コンダクタンスな流れを提供するように構成される。例えば、キャリアガスは、固体前駆体蒸発システム内の積層可能なトレイ内で、膜前駆体の上部を内側に流れ、その後、フローチャネル（318）を介して、上方に垂直に流れ、出口（322）を介して排出される。
2009526134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜成膜システムに結合されように構成された膜前駆体蒸発システムであって、
外壁および底部を有する容器であって、ヒータに結合され、高温に加熱されるように構成された容器と、
前記容器と密閉結合されるように構成された蓋部であって、薄膜成膜システムと密閉結合されるように構成された出口を有する蓋部と、
前記容器内で支持された第1のトレイおよび1または2以上の任意の追加トレイを含む、1または2以上のトレイを有するトレイスタックであって、前記追加トレイは、前記第1のトレイまたは前段の追加トレイの一方の上に配置されるように構成され、前記1または2以上のトレイの各々は、内側トレイ壁および外側トレイ壁を有し、前記壁の一つは、前記任意の追加トレイの一つを支持する支持端部を有する支持壁であり、前記内側および外側トレイ壁は、前記膜前駆体を両者の間に保持するように構成された、トレイスタックと、
を有し、
前記内側トレイ壁は、前記容器内に中央フローチャネルを定形し、
前記トレイスタックの前記外側トレイ壁および前記容器の外壁は、両者の間に、環状空間を有し、該環状空間は、前記容器内に周囲フローチャネルを定形し、
前記チャネルの一つは、キャリアガスを前記チャネルに供給するキャリアガス供給システムと結合されるように構成された供給チャネルとなり、前記チャネルの他方は、前記蓋部の前記出口と構成された排気チャネルとなり、
前記トレイスタックの前記支持壁には、前記供給チャネルに結合された1または2以上の開口が配置され、該開口は、前記供給チャネルから、前記膜前駆体の上部にわたって、前記排気チャネルに向かってキャリアガスを流すように構成され、前記キャリアガスは、前記蓋部の前記出口を介して、膜前駆体蒸気とともに排出される、膜前駆体蒸発システム。
【請求項２】
前記中央フローチャネルは、前記供給チャネルであり、
前記周囲チャネルは、前記排気チャネルであり、
前記内壁は、該内壁に配置され前記供給チャネルに結合された、前記1または2以上の開口を有する前記支持壁を有し、
前記開口は、前記中央チャネルから、前記膜前駆体の上部にわたって、前記周囲チャネルに向かってキャリアガスを流すように構成され、前記キャリアガスは、前記蓋部の前記出口を介して、膜前駆体蒸気とともに排出されることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
前記膜前駆体は、固体粉末または固体タブレットの形態のいずれかの固体金属前駆体であることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項４】
前記膜前駆体は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、Ta(EtCp)2(CO)H、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、Ti[N(C2H5)2]4（TDEAT）、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、Ru(C5H7O)3、もしくはこれらの2もしくは3以上の組み合わせのうちの1または2以上を含むことを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項５】
前記1または2以上のトレイは、分離式で積層可能なトレイであり、前記容器内で積層され、複数部品のマルチトレイスタックが形成されることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項６】
前記容器は、円筒状形状であり、前記容器の前記外壁の内径は、約10cmから約100cmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項７】
前記容器の前記外壁の内径は、約20cmから40cmの範囲であることを特徴とする請求項6に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項８】
前記外側トレイ壁の各々の直径は、前記容器の前記外壁の前記内径の約75％から約99％の範囲であることを特徴とする請求項6に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項９】
前記1または2以上のオリフィスの数は、50から100の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項１０】
前記各内側トレイ壁の高さは、約5mmから約50mmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【請求項１１】
前記請求項1に記載の膜前駆体蒸発システムを有し、基板上に薄膜を形成する薄膜成膜システムであって、さらに、
処理チャンバを有し、該処理チャンバは、
前記基板を支持し、前記基板を加熱するように構成された基板ホルダと、
前記基板の上部に、膜前駆体蒸気を導入するように構成された蒸気分配システムと、
前記処理チャンバを減圧するように構成された排気システムと、
を有し、
前記出口は、前記蒸気分配システムに結合される、薄膜成膜システム。
【請求項１２】
基板上に薄膜を形成する成膜システムであって、
前記基板を支持し、前記基板を加熱するように構成された基板ホルダ、前記基板の上部に、膜前駆体蒸気を導入するように構成された蒸気分配システム、および前記処理チャンバを減圧するように構成された排気システム、を有する処理チャンバと、
膜前駆体を蒸発させ、前記膜前駆体蒸気をキャリアガス中に搬送するように構成された膜前駆体蒸発システムであって、
外壁および底部を有する容器であって、ヒータに結合され、高温に加熱されるように構成された容器、
前記容器と密閉結合されるように構成された蓋部であって、前記薄膜成膜システムと密閉結合されるように構成された出口を有する蓋部、ならびに
前記容器内で支持された第1のトレイおよび1または2以上の任意の追加トレイを含む、1または2以上のトレイを有するトレイスタックであって、
前記追加トレイは、前記第1のトレイまたは前段の追加トレイの一方の上に配置されるように構成され、前記1または2以上のトレイの各々は、前記任意の追加トレイの一つを支持する支持端部を有する内側トレイ壁と、外側トレイ壁とを有し、
前記内側および外側トレイ壁は、前記膜前駆体を両者の間に保持するように構成され、前記内側トレイ壁は、前記容器内に、中央フローチャネルを定形し、該中央フローチャネルは、キャリアガス供給システムに結合されるように構成され、前記中央フローチャネルにキャリアガスが供給される、トレイスタック、
を有する膜前駆体蒸発システムと、
前記トレイスタックの前記外側トレイ壁と前記容器の前記外壁の間の環状空間であって、前記蓋部の前記出口に結合されるように構成された環状空間と、
前記トレイスタックの前記内側トレイ壁に配置され、前記中央フローチャネルに結合された1または2以上の開口であって、前記中央フローチャネルから、前記膜前駆体の上部にわたり、前記環状空間に向かってキャリアガスを流すように構成され、前記キャリアガスは、前記蓋部の前記出口を介して、膜前駆体蒸気とともに排出される開口と、
前記膜前駆体蒸発システムの前記出口と密閉結合された第1の端部、および前記処理チャンバの前記蒸気分配システムの入口に密閉結合された第2の端部を有する蒸気供給システムと、
を有する成膜システム。
【請求項１３】
前記膜前駆体は、固体金属前駆体であることを特徴とする請求項12に記載の成膜システム。
【請求項１４】
前記膜前駆体は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、Ta(EtCp)2(CO)H、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、Ti[N(C2H5)2]4（TDEAT）、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、Ru(C5H7O)3、もしくはこれらの2もしくは3以上の組み合わせのうちの1または2以上を含むことを特徴とする請求項12に記載の成膜システム。
【請求項１５】
薄膜成膜システムと結合されるように構成された膜前駆体蒸発システムであって、
前記薄膜成膜システムと密閉結合されるように構成された出口、およびキャリアガス供給システムと密閉結合されるように構成された入口を有する容器と、
前記容器内に受容されるように構成された複数のトレイを有するトレイスタックであって、前記複数のトレイの各々で、前駆体材料を支持し蒸発させ、前駆体蒸気を形成するように構成されたトレイスタックと、
を有し、
前記容器は、前記入口を介した前記キャリアガスの流れを受容し、前記複数のトレイの各々の1または2以上のオリフィスを介して、前記キャリアガスの前記流れの一部を、前記複数のトレイの各々内の前記前駆体材料に導入するように構成されたキャリアガス供給空間を有し、
前記前駆体材料の上部にわたる前記キャリアガスの前記流れの前記一部の各々は、前記出口と空気圧結合された蒸発排気空間内で、前記前駆体蒸気とともに、合わせて受容されることを特徴とする膜前駆体蒸発システム。
【請求項１６】
前記入口から、前記キャリアガス供給空間を通り、前記複数のトレイの各々の前記1または2以上のオリフィスまでのフローコンダクタンス（flow  conductance）は、前記複数のトレイの各々の前記1または2以上のオリフィスを介する正味のフローコンダクタンスに比べて十分に大きく、前記複数のトレイの各々内の前記前駆体材料の上部にわたって、前記キャリアガスの均一な分散が可能となることを特徴とする請求項1に記載の膜前駆体蒸発システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、2004年12月9日に出願された米国特許出願第11／007,961号、2004年12月9日に出願された米国特許出願第11／007,962号、2004年11月29日に出願された米国特許出願第10／998,420号の部分継続出願であり、これらは、本願の参照として取り入れられている。
【０００２】
米国特許出願第11／007,961号は、2004年11月29日に出願された米国特許出願第10／998,420号の部分継続出願であり、米国特許出願第11／007,962号もまた、2004年11月29日に出願された米国特許出願第10／998,420号の部分継続出願であり、これらは、本願の参照として取り入れられている。
【０００３】
また本願は、本願と同日に出願された「膜前駆体蒸発システムおよびそれを用いる方法に用いる膜前駆体トレイ」という題目の、速達郵便第EV724512017US号として出願された米国特許出願第    号にも関連し、これは、本願の参照として取り入れられている。
【０００４】
本発明は、薄膜成膜用のシステムに関し、特に、膜前駆体を蒸発させ、その蒸気を成膜チャンバに供給するシステムに関する。
【背景技術】
【０００５】
集積回路を製作する際の多層金属化技術に銅（Cu）金属を導入する場合、拡散バリア／ライナを使用して、Cu層の密着性および成長性を高め、誘電体材料へのCuの拡散を防止する必要がある。誘電体材料上に成膜されたバリア／ライナは、タングステン（W）、モリブデン（Mo）、およびタンタル（Ta）のような屈折性材料を含み、これらの材料は、Cuと反応しにくく、Cuと混合しない上、低い電気抵抗を得ることができる。Cu金属化膜および誘電体材料を集積する現在の集積方式では、約400℃から約500℃の間、またはそれ以下の基板温度での、バリア／ライナの成膜処理が必要となる。
【０００６】
例えば、現在、130nm以下のノード技術用のCu集積方式では、低誘電率（低k）の層間誘電体が利用され、その後、物理気相成膜法（PVD）によりTaN層およびTaバリア層が成膜され、その後、PVDでCuシード層が成膜され、電気化学成膜法（ECD）でCuフィルが成膜される。一般に、Ta層は、その密着性（すなわち、その低k膜に対する密着性）のため選定され、通常、Ta／TaN層は、そのバリア特性（すなわち、低k膜へのCu拡散を防止する特性）のため選定される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述のように、Cu拡散バリアとしての薄い遷移金属層の適用研究が鋭意進められており、これらの研究には、クロム、タンタル、モリブデンおよびタングステンのような材料が含まれる。これらの材料の各々は、Cuに対して低い混合性を示す。最近では、ルテニウム（Ru）およびロジウム（Rh）のような他の材料が、可能性のあるバリア層として示されている。これらの材料は、従来の耐熱金属と同様の挙動を示すことが期待されるためである。
【０００８】
本発明では、多層トレイ膜前駆体蒸発システム、および多層トレイ膜前駆体蒸発システムから供給される膜前駆体蒸気から、薄膜を成膜するシステムが提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、多層トレイ膜前駆体蒸発システム、および多層トレイ膜前駆体蒸発システムから供給される膜前駆体蒸気から、薄膜を成膜するシステムが提供される。膜前駆体は、固体金属前駆体であっても良い。また本発明では、固体金属前駆体から高速で金属膜を成膜するシステムが提供される。このため、薄膜成膜システムに結合するように構成された膜前駆体蒸発システムは、外壁および底部を有する容器であって、ヒータによって高温に加熱されるように構成された容器を有しても良い。容器に密閉結合するように、蓋部が構成される。蓋部は、薄膜成膜システムに密閉結合するように構成された出口を有する。容器内にはトレイスタックが設置され、このトレイスタックは、容器内に支持された第1のトレイと、1または2以上の任意の（必要な際の）追加トレイとを含む1または2以上のトレイを有し、これらの追加トレイは、第1のトレイまたは前段の追加トレイの一つの上に配置されるように構成される。
【００１０】
本発明のある実施例では、1または2以上のトレイの各々は、前記容器内に支持された第1のトレイと、前段の追加トレイ上に配置されるように構成された、1または2以上の任意の追加トレイとを有する。各トレイは、内側トレイ壁と外側トレイ壁とを有し、このいずれかの壁は、任意の追加トレイの一つを支持する支持端部を有する支持壁となる。内側および外側トレイ壁は、両者の間に膜前駆体を保持するように構成される。内側トレイ壁は、容器内に中央フローチャネルを定形し、トレイスタックの外側トレイ壁および容器の外壁は、両者の間に環状空間を有し、この環状空間は、前記容器内に周囲フローチャネルを定形し、前記チャネルの一つは、チャネルにキャリアガスを供給するキャリアガス供給システムに結合するように構成された供給チャネルとなり、前記チャネルの他のものは、蓋部の出口に結合されるように構成された排気チャネルとなる。トレイスタックの支持壁には、供給チャネルに結合された、1または2以上の開口が設けられ、これらの開口は、供給チャネルから、膜前駆体の上部にわたって、排気チャネルに向かってキャリアガスを流すように構成され、キャリアガスは、膜前駆体蒸気とともに、蓋部の出口を介して排出される。
【００１１】
ある実施例では、1または2以上のトレイの各々は、任意追加トレイの一つを支持する支持端部を備える内側トレイ壁と、外側トレイ壁とを有する。内側および外側トレイ壁は、両者の間に膜前駆体を保持するように構成される。また、内側トレイ壁は、容器内に中央フローチャネルを定形し、このチャネルは、キャリアガス供給システムに結合されるように構成され、中央フローチャネルにキャリアガスが供給される。トレイスタックの外側トレイ壁と、容器の外側壁の間には、環状空間が形成され、環状空間は、蓋部の出口に結合されるように構成された、周囲フローチャネルを定形する。トレイスタックの内側トレイ壁には、1または2以上の開口が設けられ、これらの開口は、中央フローチャネルに結合される。1または2以上の開口は、中央フローチャネルから、膜前駆体の上部にわたり、環状空間に向かってキャリアガスを流すように構成され、キャリアガスは、膜前駆体蒸気とともに、蓋部の出口を介して排出される。ある実施例では、トレイは、分離式で、容器内で積層可能であり、別の実施例では、トレイは、一体統一品として形成される。
【００１２】
さらに本発明では、基板上に薄膜を形成する成膜システムが提供される。成膜システムは、処理チャンバを有し、この処理チャンバは、基板を支持し基板を加熱するように構成された基板ホルダと、基板上部に膜前駆体蒸気を導入するように構成された蒸気分配システムと、処理チャンバを減圧するように構成された排気システムとを有する。膜前駆体を蒸発するように構成された本発明の膜前駆体蒸発システムは、蒸気供給システムにより、蒸気分配システムに結合され、この蒸気供給システムは、膜前駆体蒸発システムの出口に結合された第1の端部と、処理チャンバの蒸気分配システムの入口に結合された第2の端部とを有する。ある実施例では、容器内の中央フローチャネルに、キャリアガス供給システムが結合され、キャリアガスがトレイスタックに供給され、その後、キャリアガスは、膜前駆体蒸気とともに出口を通り排出され、蒸気分配システムを介して処理チャンバに供給される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下の記載では、本発明の理解を容易にするため、本発明を限定するものではない一例として、成膜システムの特定の形状、各種部材の記載などの特定の詳細について説明する。ただし、本発明は、これらの特定の細部とは異なる、他の実施例で実施されても良いことに留意する必要がある。
【００１４】
図面を参照すると、いくつかの図を通して、同一のまたは対応する部品には、同様の参照符号が付されている。図1には、第1の実施例による、基板上に金属膜のような薄膜を成膜する成膜システム1を示す。成膜システム1は、処理チャンバ10を有し、このチャンバは、上部に薄膜が形成される基板25を支持するように構成された基板ホルダ20を有する。処理チャンバ10は、蒸気前駆体供給システム40を介して、膜前駆体蒸発システム50に結合される。
【００１５】
さらに処理チャンバ10は、ダクト36を介して、真空排気システム38に結合され、排気システム38は、処理チャンバ10、蒸気前駆体供給システム40、および膜前駆体蒸発システム50を、基板25への薄膜形成に適した圧力であって、膜前駆体蒸発システム50内の膜前駆体（図示されていない）の蒸発に適した圧力まで、減圧するように構成される。
【００１６】
再度図1を参照すると、膜前駆体蒸発システム50は、膜前駆体を保管し、該膜前駆体の蒸発に十分な温度であって、蒸気前駆体供給システム40に、蒸気相で膜前駆体が導入されるような温度にまで、膜前駆体を加熱するように構成される。図3乃至9を参照して、以下に詳細を示すように、膜前駆体は、例えば、固体膜前駆体を有しても良い。また、例えば、膜前駆体は、固体金属前駆体を含んでも良い。また、例えば、膜前駆体は、金属カルボニルを含んでも良い。例えば、金属カルボニルは、ルテニウムカルボニル（Ru3(CO)12）、またはレニウムカルボニル（Re2(CO)10）を含んでも良い。また、例えば、金属カルボニルは、W(CO)6、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Cr(CO)6、またはOs3(CO)12を含んでも良い。また例えば、タンタル（Ta）の成膜の際、膜前駆体は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、またはTa(EtCp)2(CO)Hを含んでも良い。また、例えばチタン（Ti）を成膜する際には、膜前駆体は、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、Ti[N(C2H5)2]4（TDEAT）を含んでも良い。また、例えばルテニウム（Ru）を成膜する際には、膜前駆体は、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、またはRu(C5H7O)3を含んでも良い。
【００１７】
膜前駆体を蒸発させる（または固体金属前駆体を昇華させる）所望の温度を得るため、膜前駆体蒸発システム50は、蒸発温度を制御するように構成された、蒸発温度制御システム54に結合される。例えば、膜全体の温度は、膜前駆体を昇華または蒸発させるため、通常、約40℃、あるいは従来のシステムよりも高い温度まで加熱される。膜前駆体が加熱され、蒸発（昇華）が生じると、膜前駆体の上方に、または膜前駆体の近傍にキャリアガスが流通される。キャリアガスは、例えば、希ガス（すなわちHe、Ne、Ar、Kr、Xe）のような不活性ガス、または金属カルボニルとともに使用される一酸化炭素（CO）のような一酸化物、またはそれらの混合物を含んでも良い。例えば、膜前駆体蒸発システム50には、キャリアガス供給システム60が結合され、これは、例えば、供給ライン61を介して、膜前駆体の上部にキャリアガスを供給するように構成される。別の例では、キャリアガス供給システム60は、蒸気前駆体供給システム40に結合され、膜前駆体の蒸気が蒸気前駆体供給システム40に入った際、または入った後に、供給ライン63を介して、膜前駆体の蒸気にキャリアガスを供給するように構成される。図には示されていないが、キャリアガス供給システム60は、ガス源、1または2以上の制御バルブ、1または2以上のフィルタ、およびマスフロー制御器を有することも可能である。例えばキャリアガスの流速は、約5sccm（標準cm3／分）から約1000sccmの範囲であっても良い。例えば、キャリアガスの流速は、約10sccmから約200sccmの範囲にしても良い。さらに別の例では、キャリアガスの流速は、約20sccmから約100sccmの範囲であっても良い。
【００１８】
膜前駆体蒸発システム50から下流側では、膜前駆体蒸気は、蒸気前駆体供給システム40を介して、キャリアガスとともに流通し、このガスは、処理チャンバ10に結合された、蒸気分配システム30に入る。蒸気前駆体供給システム40は、蒸気ライン温度の制御のため、蒸気ライン温度制御システム42に結合され、これにより、膜前駆体蒸気の分解が抑制されるとともに、膜前駆体蒸気の凝固が抑制される。例えば、蒸気ライン温度は、蒸発温度とほぼ等しい値、またはこれより大きな値に設定される。また、例えば、蒸気前駆体供給システム40は、約50リットル／秒を超える大きなコンダクタンスを有しても良い。
【００１９】
再度図1を参照すると、処理チャンバ10に結合された蒸気分配システム30は、プレナム32を有し、蒸気は、蒸気分散板34を通り、基板25の上部の領域に流通される前に、このプレナム内で分散される。また、蒸気分散板34は、分散板温度制御システム35に結合されても良く、この分散板温度制御システム35は、蒸気分散板34の温度を制御するように構成される。例えば、蒸気分散板の温度は、蒸気ライン温度とほぼ等しい値に設定されても良い。ただし、この値は、これより低くても高くても良い。
【００２０】
一度、膜前駆体蒸気が処理領域33に入ると、膜前駆体蒸気は、基板表面に吸着した際に、基板25の高温により、熱分解し、基板25上に薄膜が形成される。基板ホルダ20は、基板温度制御システム22に結合され、これにより、基板25の温度が昇温するように構成される。例えば、基板温度制御システム22は、約500℃まで、基板25の温度を昇温するように構成される。ある実施例では、基板温度は、約100℃から約500℃までの範囲にされても良い。別の実施例では、基板温度は、約300℃から約400度も範囲にされても良い。また、処理チャンバ10は、チャンバ壁の温度を制御するように構成された、チャンバ温度制御システム12に結合されても良い。
【００２１】
前述のように、例えば、従来のシステムは、金属蒸気前駆体の分解および金属蒸気前駆体の凝固を抑制するため、膜前駆体蒸発システム50と蒸気前駆体供給システム40とを、約40℃またはより高い温度で作動するように構成される。
【００２２】
また、成膜システムは、1または2以上の基板の処理毎に、周期的に清浄化されることが好ましい。例えば、清浄化方法およびそのシステムの追加の詳細は、本願の参照として取り入れられている、2004年11月29日に出願された、「分解システムをin-situで清浄化する方法およびシステム」という題目の共出願の米国特許出願第10／998,394号から、得ることができる。
【００２３】
前述のように、成膜速度は、分解、凝固またはその両方の前に、蒸発し、基板の方に輸送される膜前駆体の量に比例する。従って、所望の成膜速度を得るため、およびある基板から次の基板まで、一貫した処理特性（すなわち、分解速度、膜厚、膜の均質性、膜形態等）を維持するため、膜前駆体蒸気の流速のモニタ機能、調節機能、または制御機能を提供することが重要である。従来のシステムでは、オペレータは、蒸発温度を用い、蒸発温度と流速の間の事前に定めた関係を利用することにより、膜前駆体蒸気の流速を間接的に決定していた。しかしながら、処理およびその特性は、時間とともに変化するため、より正確に流速を測定することは避けられない。例えば、追加の詳細は、2004年11月29日に出願された、「固体前駆体供給システムにおいて、流速を測定する方法およびシステム」という、本願の参照として取り入れられている共出願の米国特許出願第10／998,393号から得ることができる。
【００２４】
再度図1を参照すると、さらに成膜システム1は、制御システム80を有し、この制御システムは、成膜システム1の作動し、動作を制御するように構成される。制御システム80は、処理チャンバ10、基板ホルダ20、基板温度制御システム22、チャンバ温度制御システム12、蒸気分配システム30、蒸気前駆体供給システム40、膜前駆体蒸発システム50、およびキャリアガス供給システム60に結合される。
【００２５】
さらに別の実施例として、図2には、金属膜のような薄膜を基板上に成膜する成膜システム100が示されている。成膜システム100は、基板ホルダ120を有する処理チャンバを有し、この基板ホルダは、上部に薄膜が形成される基板125を支持するように構成される。処理チャンバ110は、前駆体供給システム105に結合され、このシステム105は、膜前駆体（図示されていない）を保管し蒸発させるように構成された膜前駆体蒸発システム150と、膜前駆体蒸気を輸送するように構成された蒸気前駆体供給システム140とを有する。
【００２６】
処理チャンバ110は、上部チャンバ区画111と、下部チャンバ区画112と、排気チャンバ113とを有する。下部チャンバ区画112内には、開口114が形成され、ここで、底部区画112が排気チャンバ113に結合される。
【００２７】
再度図2を参照すると、基板ホルダ120は、被処理基板（またはウェハ）125を支持する水平表面を提供する。基板ホルダ120は、円筒状支持部材122により支持されても良く、この部材は、排気チャンバ113の下側部分から上方に延伸している。基板ホルダ120の端部には、基板125を基板ホルダ120上に位置決めする、任意のガイドリング124が提供される。また、基板ホルダ120は、ヒータ126を有し、このヒータは、基板ホルダ温度制御システム128に結合される。ヒータ126は、例えば、1または2以上の抵抗加熱素子を含んでも良い。あるいは、ヒータ126は、例えば、タングステンハロゲンランプのような、放射加熱システムを含んでも良い。基板ホルダ温度制御システム128は、1または2以上の加熱素子に電力を供給する電源と、基板温度もしくは基板ホルダ温度もしくはその両方を測定する1または2以上の温度センサと、基板温度もしくは基板ホルダの温度のモニタリング、調節または制御のうちの少なくとも一つを実施するように構成された制御器と、を含んでも良い。
【００２８】
処理の間、加熱された基板125は、金属含有膜前駆体のような膜前駆体蒸気の蒸気を熱分解し、これにより、金属層のような薄膜の、基板125上への成膜が可能となる。ある実施例では、膜前駆体は、固体前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体は、金属前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体は、固体金属前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体は、金属カルボニル前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体は、例えばRu3(CO)12のような、ルテニウムカルボニル前駆体であっても良い。本発明のさらに別の実施例では、膜前駆体は、例えば、Re2(CO)10のような、レニウムカルボニル前駆体であっても良い。熱化学蒸気成膜の当業者には明らかなように、本発明の範囲から逸脱しないで、他のルテニウムカルボニル前駆体およびレニウムカルボニル前駆体を使用することも可能である。さらに別の実施例では、膜前駆体は、W(CO)6、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Cr(CO)6、またはOs3(CO)12であっても良い。また、例えば、タンタル（Ta）が成膜される際には、膜前駆体は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、Ta(EtCp)2(CO)Hを含んでも良い。また、例えばチタン（Ti）を成膜する際には、膜前駆体は、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、またはTi[N(C2H5)2]4（TDEAT）を含んでも良い。また、例えばルテニウム（Ru）を成膜する際には、膜前駆体は、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、またはRu(C5H7O)3を含んでも良い。
【００２９】
基板ホルダ120は、成膜に適した所定の温度、例えば所望の金属層が基板125上に成膜されるのに適した温度にまで加熱される。また、チャンバ温度制御システム121に結合されたヒータ（図示されていない）は、処理チャンバ110の壁に埋設されても良く、この場合、チャンバ壁が所定の温度に加熱される。ヒータにより、処理チャンバ110の壁の温度が約40℃から約100℃に維持されても良く、例えば約40℃から約80℃に維持される。圧力ゲージ（図示されていない）を用いて、処理チャンバ圧力が測定される。
【００３０】
また図2に示すように、処理チャンバ110の上部チャンバ区画111には、蒸気分配システム130が結合される。蒸気分配システム130は、蒸気分散板131を有し、この分散板は、蒸気分配プレナム132から、1または2以上のオリフィス134を介して、基板125の上部の処理領域133に前駆体蒸気を導入するように構成される。
【００３１】
また、上部チャンバ区画111には、開口135が設けられ、蒸気前駆体は、蒸気前駆体供給システム140から、蒸気分配プレナム132に導入される。また、冷却または加熱流体を供給するように構成された同心流体チャネルのような温度制御素子136が設けられることにより、蒸気分配システム130の温度が制御され、これにより、蒸気分配システム130内での膜前駆体の分解が回避される。蒸気分散温度制御システム138から、例えば、水のような流体が流体チャネルに供給される。蒸気分散温度制御システム138は、流体源、熱交換器、流体温度もしくは蒸気分散板の温度もしくは両方の温度を測定する、1または2以上の温度センサ、および蒸気分散板131の温度を約20℃から約100℃に制御するように構成された制御器を有しても良い。
【００３２】
膜前駆体蒸発システム150は、膜前駆体を保持するように構成され、膜前駆体は、該膜前駆体の温度を上昇させることにより、蒸発（または昇華）する。膜前駆体を加熱し、該膜前駆体を、膜前駆体の所望の蒸気圧力が生じるような温度に維持するため、前駆体ヒータ154が設けられる。前駆体ヒータ154は、膜前駆体の温度を制御するように構成された、蒸発温度制御システム156に結合される。例えば、前駆体ヒータ154は、膜前駆体の温度（または蒸発温度）を約40℃またはそれ以上の温度に調節するように構成される。あるいは、蒸発温度は、約50℃またはそれより高い温度に昇温される。例えば、蒸発温度は、約60℃またはそれより高い温度に昇温される。ある実施例では、蒸発温度は、60℃から100℃の範囲に昇温され、別の実施例では、60℃から90℃の範囲に昇温される。また、前駆体ヒータは、各トレイに提供されても良い。そのようなヒータは、例えば、抵抗加熱式のものであっても良い。
【００３３】
膜前駆体が加熱されると、蒸発（または昇華）が生じ、膜前駆体の上部、または膜前駆体の近傍にキャリアガスが流通される。キャリアガスは、例えば、希ガス（すなわちHe、Ne、Ar、Kr、Xe）のような不活性ガス、または金属カルボニルとともに使用される一酸化炭素（CO）のような一酸化物、またはこれらの混合物を含んでも良い。例えば、キャリアガス供給システム160が膜前駆体蒸発システム152に結合され、これは、例えば、膜前駆体の上部にキャリアガスを供給するように構成される。図2には示されていないが、キャリアガス供給システム160は、さらに蒸気前駆体供給システム140に結合されても良く、キャリアガスは、それが蒸気前駆体供給システム140に入る際に、または入った後に、膜前駆体の蒸気に供給される。キャリアガス供給システム160.は、ガス源161、1または2以上の制御バルブ162、1または2以上のフィルタ164、およびマスフロー制御器165を有しても良い。例えば、キャリアガスの流速は、約5sccm（標準cm3／分）から約1000sccmの範囲であっても良い。ある実施例では、例えば、キャリアガスの流速は、約10sccmから約200sccmの範囲であっても良い。別の実施例では、例えば、キャリアガスの流速は、約20sccmから約100sccmの範囲であっても良い。
【００３４】
また、膜前駆体蒸発システム150からの全ガス流量を測定するため、センサ166が設けられる。センサ166は、例えばマスフロー制御器を有し、処理チャンバ110に供給された膜前駆体の量が、センサ166およびマスフロー制御器165を用いて定められても良い。あるいは、センサ166は、光吸収センサを有しても良く、この場合、処理チャンバ110の方に流れるガス流中の膜前駆体の濃度が測定される
センサ166の下流には、バイパスライン167が配置されても良く、これにより、蒸気供給システム140が排ガスライン116と接続される。バイパスライン167は、蒸気前駆体供給システム140を減圧し、膜前駆体の処理チャンバ110への供給を安定化させるために提供される。また、蒸気前駆体供給システム140の分岐から下流には、バイパスバルブ168が設置され、これは、バイパスライン167上に提供される。
【００３５】
再度図2を参照すると、蒸気前駆体供給システム140は、それぞれ第1および第2のバルブ141、142を有する高コンダクタンス蒸気ラインを有する。また、蒸気前駆体供給システム140は、さらに、蒸気ライン温度制御システム143を有し、この蒸気ライン温度制御システム143は、ヒータ（図示されていない）を介して、蒸気前駆体供給システム140を加熱するように構成される。蒸気ラインの温度は、蒸気ライン内での膜前駆体の凝固が回避されるように制御される。蒸気ラインの温度は、約20℃から約100℃に制御され、または約40℃から約90℃に制御されても良い。例えば、蒸気ラインの温度は、蒸発温度とほぼ等しい値、またはこれより高い値に設定されても良い。
【００３６】
また、希釈ガス供給システム190から、希釈ガスが供給されても良い。希釈ガスは、例えば、希ガス（すなわち、He、Ne、Ar、Kr、Xe）のような不活性ガス、または金属カルボニルとともに使用される一酸化炭素（CO）のような一酸化物、またはこれらの混合物を含んでも良い。例えば、希釈ガス供給システム190は、蒸気前駆体供給システム140に結合され、これは、例えば、希釈ガスが蒸気膜前駆体の方に供給されるように構成される。希釈ガス供給システム190は、ガス源191、1または2以上の制御バルブ192、1または2以上のフィルタ194、およびマスフロー制御器195を有しても良い。例えば、キャリアガスの流速は、約5sccm（標準cm3／分）から約1000sccmの範囲であっても良い。
【００３７】
マスフロー制御器165および195と、バルブ162、192、168、141および142とは、制御器196により制御され、この制御器は、キャリアガス、膜前駆体蒸気および希釈ガスの供給、遮断ならびに流れを制御する。また、制御器196にはセンサ166が接続され、センサ166の出力に基づいて、制御器196は、マスフロー制御器165を通るキャリアガスの流れを制御し、これにより処理チャンバ110への所望の膜前駆体の流れが提供される。
【００３８】
図2に示すように、排気ライン116は、システム118を排気する排気チャンバ113に接続される。真空ポンプ119を用いて、所望の真空度まで処理チャンバ110が減圧され、処理の間、処理チャンバ110から気体種が除去される。真空ポンプ119と直列に、自動圧力制御器（APC）115およびトラップ117が使用されても良い。真空ポンプ119は、最大5000リットル／秒（またはそれ以上）の速度で排気することが可能なターボ分子ポンプ（TMP）を含んでも良い。あるいは、真空ポンプ119は、乾燥粗引ポンプを含んでも良い。処理の間、キャリアガス、希釈ガス、膜前駆体蒸気、またはこれらの組み合わせが、処理チャンバ110に導入され、APC115によりチャンバ圧力が調節されても良い。例えば、チャンバ圧力は、約1mTorrから約500mTorrの範囲であっても良く、別の例では、チャンバ圧力は、約5mTorrから50mTorrで合っても良い。APC115は、バタフライ式のバルブまたはゲートバルブを有しても良い。トラップ117は、処理チャンバ110から、未反応前駆体材料および副生成物を収集しても良い。
【００３９】
再度、図2に示す処理チャンバ110内の基板ホルダ120参照すると、基板125を保持し、上昇、下降させるため、3本の基板リフトピン127（2本しか図示されていない）が設けられている。基板リフトピン127は、板123に結合されており、基板ホルダ120の上部表面の下側まで下降することができる。例えば空気シリンダを用いた駆動機構129によって、板123の上昇および下降手段が提供される。基板125は、ゲートバルブ200と、ロボット移動システム（図示されていない）を介したチャンバフィードスルー通路202とを介して、処理チャンバ110の内外に移動することができ、基板リフトピン127により受容される。一度、輸送システムから基板125が受容されると、基板は、基板リフトピン127を低下させることにより、基板ホルダ120の上部表面にまで下降される。
【００４０】
再度図2を参照すると、制御器180は、マイクロプロセッサ、メモリ、およびデジタルI/Oポートを有し、通信に必要な制御電圧が発生し、処理システム100の入力および処理システム100からのモニタ出力が活性化される。また、処理システム制御器180は、以下のものと結合され、情報交換される；処理チャンバ110；制御器196と、蒸気ライン温度制御システム142と、蒸発温度制御システム156とを有する前駆体供給システム105；蒸気分散温度制御システム138；真空排気システム118；ならびに基板ホルダ温度制御システム128。真空排気システム118において、制御器180は、処理チャンバ110内の圧力を制御する自動圧力制御器115と結合され、情報交換される。メモリに保管されているプログラムを用いて、保管された処理レシピにより、成膜システム100の前述の部材が制御される。処理システム制御器180のある例は、テキサス州ダラスのデル社から得られる、DELL  PRECISION  WORKSTATION  610である。制御器180は、汎用コンピュータ、デジタル信号プロセッサ等で実施されても良い。
【００４１】
ただし、制御器180は、メモリ内に収容された1または2以上の指令の1または2以上のシーケンスを実行するプロセッサに応答して、本発明の処理ステップに基づいて、マイクロプロセッサの一部または全てを実施する、汎用コンピュータシステムとして実施されても良い。そのような指令は、ハードディスクまたはリムーバブル媒体ドライブのような別のコンピュータ可読媒体から、制御器メモリに読み取られても良い。マルチ処理配置内の1または2以上のプロセッサを、制御器マイクロプロセッサとして使用し、メインメモリに収容された一連の指令を実行しても良い。代替実施例では、ソフトウェア指令の代わりに、またはこれと組み合わせて、ハード配線回路を使用しても良い。従って、実施例は、ハードウェア回路とソフトウェアのいかなる特定の組み合わせに限定されるものでもない。
【００４２】
制御器180は、少なくとも一つのコンピュータ可動媒体、または制御器メモリのような
メモリを有し、本発明の示唆によるプログラム化された指令を保持し、データ構造、テーブル、記録、または本発明の実施に必要な他のデータを収容する。コンピュータ可動媒体の一例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、PROM（EPROM、EEPROM、フラッシュEPROM）、DRAM、SRAM、SDRAM、もしくは他のいかなる磁気媒体、コンパクトディスク（例えばCD-ROM）、もしくは他のいかなる光媒体、パンチカード、紙テープ、またはパターンもしくは穴を有する他の物理的媒体、キャリア波（以下に示す）、またはコンピュータで読むことのできる他のいかなる媒体であっても良い。
【００４３】
本発明では、コンピュータ可読媒体のひとつまたは組み合わせに保管された、本発明を実施するための、1もしくは2以上の装置を駆動する制御器180を制御し、および／またはユーザと相互作用するソフトウェアを含む。そのようなソフトウェアは、これに限られるものではないが、装置ドライバ、オペレーティングシステム、開発ツール、およびアプリケーションソフトウェア含んでも良い。そのようなコンピュータ可読媒体は、さらに、本発明の実施の際に行われる処理の全てまたは一部（処理が分散されている場合）を実施する、本発明のコンピュータプログラム製品を含んでも良い。
【００４４】
本発明のコンピュータコード装置は、解釈可能なまたは実行可能ないかなるコード機構であっても良く、これに限られるものではないが、解釈プログラム、ダイナミックリンクライブラリ（DLL）、ジャバスクリプト、および完全実行プログラムが含まれる。また、本発明の処理の一部は、より良い特性、信頼性および／またはコストに割り当てられても良い。
【００４５】
本願で使用されている「コンピュータ可読媒体」という用語は、制御器180のプロセッサへの実行用の指令の提供に関与する、いかなる媒体をも意味する。コンピュータ可読媒体は、多くの形態を取ることができ、これに限られるものではないが、非揮発性媒体、揮発性媒体、および伝送媒体が含まれる。非揮発性媒体には、例えば、ハードディスクまたはリムーバル媒体ドライブのような、光、磁気ディスク、および光磁気ディスクが含まれる。揮発性媒体には、メインメモリのようなダイナミックメモリが含まれる。また、コンピュータ可読媒体の各種形態は、実行のため、制御器のプロセッサへの1または2以上の指令の1または2以上のシーケンスを実行するステップを有しても良い。例えば、指令は、最初、離れたコンピュータの磁気ディスクで実施されても良い。離れたコンピュータは、本発明の全てまたは一部を実施するため、遠隔操作でダイナミックメモリに指令をロードし、ネットワークを介して、制御器180に指令を送信する。
【００４６】
制御器180は、成膜システム100に対して、ローカルに配置され、または成膜システム100に対して、インターネットもしくはイントラネットを介して、遠隔配置されても良い。従って、制御器180は、直接接続、インターネット、またはイントラネットの少なくとも一つを用いて、成膜システム100とデータを交換することができる。制御器180は、顧客サイト（すなわち装置メーカ等）で、イントラネットに結合されても良く、あるいはベンダーサイト（すなわち装置製造社）で、結合されても良い。また、別のコンピュータ（すなわち制御器、サーバ等）により、制御器180がアクセスされ、直接接続、イントラネット、またはインターネットの少なくとも一つを介して、データが交換されても良い。
【００４７】
次に図3を参照すると、この図には、本発明による膜前駆体蒸発システム300の断面図が示されている。膜前駆体蒸発システム300は、容器310を有し、この容器は、外壁312および底部壁314を有する。また、膜前駆体蒸発システム300は、容器310に密閉結合されるように構成された蓋部320を有し、蓋部320は、図1または2に示すような、薄膜成膜システムとに密閉結合されるように構成された出口322を有する。容器310と蓋部320は、薄膜成膜システムに結合された際に、密閉環境を形成する。容器310と蓋部320は、例えば、A6061アルミニウムで構成され、この上には、コーティングが設置されてもされなくても良い。
【００４８】
また、容器310は、膜前駆体蒸発システム300の蒸発温度を高めるため、ヒータ（図示されていない）と結合するように構成されるとともに、蒸発温度のモニタリング、調節または制御の少なくとも一つを実施するため、温度制御システム（図示されていない）と結合するように構成される。前述のように、蒸発温度が適正な値まで上昇すると、膜前駆体が蒸発（または昇華）して、膜前駆体蒸気が形成され、この蒸気は、蒸気供給システムを介して、薄膜成膜システムの方に輸送される。また容器310は、キャリアガス供給システム（図示されていない）と密閉結合され、容器310は、膜前駆体蒸気の搬送用のキャリアガスを受容するように構成される。
【００４９】
図3および図4を参照すると、膜前駆体蒸発システム300は、さらに、ベーストレイ330を有し、このトレイは、容器310の底部314に載るように構成され、ベース外壁332を有し、この壁は、ベーストレイ330上の膜前駆体350を保持するように構成される。ベース外壁332は、ベース支持端部を有し、このベース支持端部は、以下に示すように、上部トレイを支持する。また、ベース外壁332は、1または2以上のベーストレイ開口334を有し、この開口は、キャリアガス供給システム（図示されていない）から、膜前駆体350の上部を通り、容器310の中央に向かってキャリアガスが流れるように構成され、キャリアガスは、中央フローチャネル318のような蒸発排気空間に沿って、蓋部320の出口322を通り、前駆体蒸気とともに排出される。そのため、ベーストレイ330内の膜前駆体のレベルは、ベーストレイ開口334の位置よりも低くする必要がある。
【００５０】
図3および図5A、5Bを参照すると、膜前駆体蒸発システム300は、さらに、1または2以上の積層可能な上部トレイ340を有し、この上部トレイは、膜前駆体350を支持するように構成され、ベーストレイ300または別の積層可能な上部トレイ340の少なくとも一つの上に、配置もしくは積層されるように構成される。各積層可能な上部トレイ340は、上部外壁342と、内壁344を有し、両者の間には、膜前駆体350が保持される。内壁344は、中央フローチャネル318を定形する。さらに上部外壁342は、上部支持端部333を有し、ここに追加の上部トレイ340が支持される。従って、第1の上部トレイ340は、ベーストレイ330のベース支持端部333に支持されるように配置され、必要な場合、1または2以上の追加上部トレイが、前の上部トレイ340の上部支持端部343に支持されるように配置される。各上部トレイ340の上部外壁342は、1または2以上の上部トレイ開口346を有し、この開口は、キャリアガス供給システム（図示されていない）から、膜前駆体350にわたり、容器310の中央フローチャネルに向かって、キャリアガスが流れるように構成され、キャリアガスは、膜前駆体蒸気とともに、蓋部320の出口322を介して排出される。そのため、内壁344は、上部外壁342よりも短くして、キャリアガスが実質的に半径方向に沿って、中央フローチャネル318まで流れるようにする必要がある。また、各上部トレイ340の膜前駆体のレベルは、内壁342の高さと同等かそれよりも低い必要があり、上部トレイ開口346よりも低くする必要がある。
【００５１】
ベーストレイ330および積層可能な上部トレイ340は、円筒状に示されている。しかしながら、この形状は、変えても良い。例えば、トレイの形状は、長方形状、正方形状、または楕円状であっても良い。同様に、内壁344、およびさらには中央上部フローチャネル318は、異なる形状であっても良い。
【００５２】
1または2以上の積層可能な上部トレイ340がベーストレイ330上に積層されると、スタック370が形成され、このスタックにより、ベーストレイ330のベース外壁332と容器外壁312の間、および1または2以上の積層可能な上部トレイ340の上部外壁342と容器外壁312の間に、環状空間360のような周囲チャネルの形態の、キャリアガス供給空間が提供される。容器310は、さらに、1または2以上のスペーサ（図示されていない）を有し、このスペーサは、容器外壁312から、ベーストレイ330のベース外壁332、および1または2以上の積層可能な上部トレイ340の上部外壁342を離間するように構成され、これにより、環状空間360内に等しい空間が確保される。別の方法で表現すると、ある実施例では、容器310は、ベース外壁332および上部外壁342が縦方向に整列するように構成される。あるいは、容器310は、1または2以上の熱接触部材（図示されていない）を有し、この部材は、容器310の内壁と各トレイの外壁の間に、機械的な接触を提供するように構成され、これにより、容器310の壁から、各それぞれのトレイへの熱エネルギーの伝達が助長される。
【００５３】
各トレイと隣接するトレイの間には、一つのトレイと隣のトレイの間に真空密閉を提供するため、Oリングのような密閉装置が配置されても良い。例えば、密閉装置は、上部外壁342の上部支持端部343と、ベース外壁332のベース支持端部333とに形成された、受容溝（図示されていない）に保持される。従って、容器310に一度トレイが導入されると、容器310と蓋部320の結合により、各密閉装置の圧縮が容易となる。密閉装置は、例えば、エラストマーOリングである。あるいは、密閉装置は、例えば、バイトン（登録商標）Oリングであっても良い。
【００５４】
ベーストレイと積層可能な上部トレイの両方を含むトレイの数は、2から20の範囲であり、例えば、ある実施例では、図3に示すように、トレイの数は、5である。ある一実施例では、スタック370は、ベーストレイ330と、このベーストレイ330により支持された少なくとも一つの上部トレイ340とを有する。ベーストレイ330は、図3および4に示すものであっても良く、または図3乃至5Bに示すように、上部トレイ340と同じ構成を有しても良い。換言すれば、ベーストレイ330は、内壁を有しても良い。図3乃至5Bでは、スタック370は、1または2以上の分離式の積層可能な上部トレイ340を有するベーストレイ330を備えるように示されているが、システム300’は、スタック370’を備える容器310’を有しても良く、これは、図6に示すように、ベース外壁332と上部外壁342が一体化され、1または2以上の上部トレイ340と一体化されたベーストレイ330を有する単一の一体品を有する。一体化には、トレイ同士の間に明確な境界がない一体成形構造のようなモノリシックな構造、および恒久的に接着された構造、もしくはトレイ同士の間に恒久接合のある機械的に接合された構造が含まれることを理解する必要がある。分離式には、トレイ同士が接合されていないか、接着材を用いたまたは機械的な一時的接合が含まれることを理解する必要がある。
【００５５】
積層可能または一体化のいずれにおいても、ベーストレイ330と各上部トレイ340は、膜前駆体350を支持するように構成される。ある実施例では、膜前駆体350は、固体前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体350は、液体前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体350は、金属前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体350は、固体金属前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体350は、金属カルボニル前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体350は、ルテニウムカルボニル前駆体、例えばRu3(CO)12を含んでも良い。さらに別の実施例では、膜前駆体350は、レニウムカルボニル前駆体、例えばRe2(CO)10を含んでも良い。さらに別の実施例では、膜前駆体350は、W(CO)6、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Cr(CO)6、またはOs3(CO)12を含んでも良い。また、さらに別の実施例では、タンタル（Ta）の成膜の際、膜前駆体350は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、Ta(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、またはTa(EtCp)2(CO)Hを含んでも良い。また、さらに別の実施例では、チタン（Ti）を成膜する際、膜前駆体350は、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、またはTi[N(C2H5)2]4（TDEAT）を含んでも良い。また、さらに別の実施例では、ルテニウム（Ru）を成膜する際には、膜前駆体350は、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、またはRu(C5H7O)3を含んでも良い。
【００５６】
前述のように、膜前駆体350は、固体前駆体を含んでも良い。固体前駆体は、固体粉末の形態であっても良く、あるいは1または2以上の固体タブレットの形態であっても良い。例えば、1または2の固体タブレットは、多くの処理プロセスにより調製されても良く、これには、焼結処理プロセス、スタンプ処理プロセス、浸漬処理プロセス、またはスピンオン処理プロセス、またはこれらのいかなる組み合わせをも含まれる。また、固体タブレット形態の固体前駆体は、ベーストレイ330または上部トレイ340に接着されても、されなくても良い。例えば、真空および不活性ガスの両方の雰囲気に調整された焼結炉内で、最大2000℃および2500℃の温度で、耐熱金属粉末を焼結させても良い。あるいは、例えば、流体媒体中に耐熱金属粉末を分散させて、これをトレイ上に分配し、スピンコート処理プロセスを用いて、トレイ表面に均一に分散させても良い。その後、耐熱金属のスピンコートは、熱硬化されても良い。
【００５７】
前述のように、キャリアガスは、キャリアガス供給システム（図示されていない）から容器310に供給される。図3および6に示すように、キャリアガスは、蓋部320に密閉結合されたガス供給ライン（図示されていない）を介して、蓋部320を介して容器310に結合されても良い。ガス供給ラインは、ガスチャネル380を備え、これは、容器310の外壁312を介して下流に延伸し、容器310の底部314を通り、環状空間360まで流通している。
【００５８】
あるいは、図7に示すように、キャリアガスは、蓋部320の開口480を介して、膜前駆体蒸発システム400の容器310に結合されても良く、この場合、ガスは、環状空間360に直接供給される。あるいは、図8に示すように、キャリアガスは、外壁312内の開口580を介して、膜前駆体蒸発システム500の容器310に結合され、この場合、ガスは、環状空間360に直接供給される。
【００５９】
再度図3を参照すると、容器外壁312の内径は、例えば、約10cmから約100cmの範囲であり、例えば、約15cmから約40cmの範囲であっても良い。例えば、外壁312の内径は、20cmであっても良い。出口322の直径、および上部トレイ340の内壁344の内径は、例えば、約1cmから約30cmの範囲であっても良く、例えば出口の直径、および内壁の直径は、約5から約20cmの範囲であっても良い。例えば、出口の直径は、10cmであっても良い。また、ベーストレイ330、および各上部トレイ340の外径は、容器310の外壁312の内径の約75％から約99％の範囲であっても良く、トレイの直径は、例えば、容器310の外壁312の内径の約85％から99％の範囲であっても良い。例えば、トレイの直径は、19.75cmである。また、ベーストレイ330のベース外壁332、および各上部トレイ340の上部外壁342の高さは、約5mmから約50mmの範囲であっても良く、例えば、各高さは、約30mmである。また、各内壁344の高さは、上部外壁342の高さの約10％から約90％の範囲であっても良い。例えば、各内壁の高さは、約2mmから約45mmの範囲であっても良く、例えば、約10mmから約20mmの範囲であっても良い。例えば、各内壁の高さは、約12mmである。
【００６０】
再度図3を参照すると、1または2以上のベーストレイ開口334、および1または2以上の上部トレイ開口346は、1または2以上のスロットを有する。あるいは、1または2以上のベーストレイ開口334、および1または2以上の上部トレイ開口346は、1または2以上のオリフィスを有しても良い。各オリフィスの直径は、例えば、約0.4mmから約2mmの範囲であっても良い。例えば、各オリフィスの直径は、約1mmであっても良い。ある実施例では、オリフィスの直径および環状空間360の幅は、環状空間360を通るコンダクタンスが、オリフィスの正味のコンダクタンスに比べて、十分に大きくなるように選定され、これにより、環状空間360全体にわたるキャリアガスの実質的に均一な分配が維持される。環状空間360を介したコンダクタンスは、オリフィスの正味のコンダクタンスよりも十分に大きく、これによりキャリアガスは、各トレイにおいて、膜前駆体350の上部にわたって均一に流れる。真空設計の当業者は、製作の容易性を考慮して、従来の真空技術の原理、または計算シミュレーション、または実験、またはこれらの組み合わせを使用することができ、環状空間360、各トレイ開口346の直径、各トレイ開口の長さ等の寸法の設計尺度を定めることができる。例えば、72の1mmのDIAトレイ開口と、5つのトレイとを使用する際、環状空間360の厚さは、約20cmの直径を有する容器310の場合、約1.8mmまたはそれ以上、例えば2.65mmとすることができる。また、例えば、72の0.4mmのDIAトレイ開口と、5つのトレイを使用する際、容器310が約20cmの直径を有する場合、環状空間360の厚さは、約0.55mmまたはそれ以上とすることができる。また、例えば、72の1.6mmのDIAトレイ開口と、5つのトレイを使用する際、容器310が約20cmの直径を有する場合、環状空間360の厚さは、約3.5mmまたはそれ以上とすることができる。オリフィスの数は、例えば、約2から約1000の範囲であり、さらに別の例では、約50から約100の範囲であっても良い。例えば、1または2以上のベーストレイ開口334は、直径が1mmの72のオリフィスを有し、1または2以上の積層可能なトレイ開口346は、直径が1mmの72のオリフィスを有し、環状空間360の幅は、約2.65mmである。
【００６１】
また、蒸発排気空間、すなわち中央フローチャネル318は、高フローコンダクタンス用に設計されても良い。例えば、各トレイ内の1または2以上のトレイ開口の出口から、容器310の出口322までのフローコンダクタンスは、約50リットル／秒を超え、またはフローコンダクタンスは、約100リットル／秒を超え、またはフローコンダクタンスは、約500リットル／秒を超えても良い。
【００６２】
次に図9を参照すると、この図には、別の実施例による膜前駆体蒸発システム600の断面図が示されている。膜前駆体蒸発システム600は、容器610を有し、この容器は、外壁612と、底部614とを有する。また、膜前駆体蒸発システム600は、容器610に密閉結合されるよう構成された蓋部620を有し、蓋部620は、図1または2に示したような、薄膜成膜システムに密閉結合されるよう構成された出口680を有する。容器610および蓋部620は、薄膜成膜システムが結合された際に、密閉環境を形成する。容器610および蓋部620は、例えば、A6061アルミニウムで構成され、この上には、コーティングが設置されても、されなくても良い。
【００６３】
また、容器610は、膜前駆体蒸発システム600の蒸発温度を高めるため、ヒータ（図示されていない）と結合するように構成され、また、蒸発温度のモニタリング、調節、または制御の少なくとも一つを実施するため、温度制御システム（図示されていない）と結合される。前述のように、蒸発温度が適正な値にまで昇温されると、膜前駆体は、蒸発（または昇華）し、膜前駆体蒸気が形成され、この蒸気は、蒸気供給システムを介して、薄膜成膜システムまで搬送される。また容器610は、キャリアガス供給システムと密閉結合（図示されていない）され、容器610は、膜前駆体蒸気搬送用のキャリアガスを受容するように構成される。
【００６４】
再度図9を参照すると、膜前駆体蒸発システム600は、さらに、1または2以上の積層可能なトレイ640を有し、このトレイは、前駆体650を支持し、別の積層可能なトレイ640上に配置または積層されるように構成される。各積層可能なトレイ640は、トレイ外壁642と、トレイ内壁644とを有し、両者の間には膜前駆体650が保持される。トレイ内壁644は、中央フローチャネル618のようなキャリアガス供給空間を定形し、このチャネルを通り、キャリアガスは、トレイ内壁644を介して、膜前駆体650の上部を流通する。トレイ内壁644は、さらに、追加のトレイ640を支持するトレイ支持端部643を有する。従って、第2の積層可能なトレイ640は、第1の積層可能なトレイ640の下側のトレイ支持端部643で支持されるように配置され、必要な場合、1または2以上の追加の積層可能なトレイが、前の積層可能なトレイ640の支持端部643で支持されるように配置される。各積層可能なトレイ640のトレイ内壁644は、1または2以上のトレイ開口646を有し、この開口は、キャリアガス供給システム（図示されていない）からのキャリアガスが、中央フローチャネル618を介して、膜前駆体650の上部を通り、容器610の周囲チャネルを形成する環状空間660のような、蒸発排気空間に向かって流れるように構成され、キャリアガスは、膜前駆体蒸気とともに、蓋部620の出口680を介して排出される。そのため、キャリアガスが実質的に半径方向に沿って、環状空間660まで流れるように、トレイ外壁642は、トレイ内壁644よりも短くする必要がある。また、各積層可能なトレイ640内の膜前駆体のレベルは、トレイ外壁642の高さまたはそれ以下にし、トレイ開口646の位置よりも低くする必要がある。
【００６５】
積層可能なトレイ640は、円筒状の形状で示されている。しかしながら、この形状は変更することができる。例えば、トレイの形状は、長方形状、正方形状、または楕円状であっても良い。同様に、内壁644、さらには中央フローチャネル618は、異なる形状であっても良い。
【００６６】
1または2以上の積層可能なトレイ640が相互に積層されると、スタック670が構成され、このスタックにより、1または2以上の積層可能なトレイ640のトレイ外壁642と、容器外壁612の間に、環状空間660が提供される。容器610は、さらに、1または2以上のスペーサ（図示されていない）を有しても良く、このスペーサは、容器外壁612から、1または2以上の積層可能なトレイ640のトレイ外壁642を離間し、これにより、環状空間660内に、等しい空間が確保される。別の方法で表すと、ある実施例では、容器610は、トレイ外壁642が縦に整列するように構成される。また、容器610は、1または2以上の熱接触部材（図示されていない）を有しても良く、この部材は、容器610の内壁と、各容器の外壁の間に、機械的な接触を提供するように構成され、これにより、容器610の壁から、各それぞれのトレイへの熱エネルギーの伝達が助長される。
【００６７】
各トレイと隣接するトレイの間には、Oリングのような密閉装置を配置しても良く、これにより、一つのトレイと隣のトレイの間に、真空密閉が提供される。例えば、密閉装置は、内壁642のトレイ支持端部643内に形成された、受容溝（図示されていない）内に保持されても良い。従って、一度トレイが容器610内に導入されると、蓋部620と容器610とが結合され、各密閉装置の圧縮が容易になる。密閉装置は、例えば、エラストマーOリングを含んでも良い。また、密閉装置は、例えば、バイトン（登録商標）のOリングを有しても良い。
【００６８】
トレイの数は、2から20の範囲であっても良く、例えば、ある実施例では、図9に示すように、トレイの数は、5である。ある一実施例では、スタック670は、少なくとも2つの積層可能なトレイ640を有する。スタック670は、複数の分離式の積層可能なトレイを有する、複数のトレイのスタックを有しても良く、あるいは、このスタックは、複数のトレイが相互に一体化された、単一の一体化物を有しても良い。一体化には、トレイ同士の間に明確な境界がない一体成形構造のようなモノリシックな構造、および恒久的に接着された構造、もしくはトレイ同士の間に恒久接合のある機械的に接合された構造が含まれることを理解する必要がある。分離式には、トレイ同士が接合されていないか、接着材を用いたまたは機械的な一時的接合が含まれることを理解する必要がある。
【００６９】
積層可能なまたは一体化された積層可能なトレイ640は、膜前駆体650を支持するように構成される。ある実施例では、膜前駆体650は、固体前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体650は、液体前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体650は、金属前駆体を含む。別の実施例では、膜前駆体650は、固体金属前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体650は、金属カルボニル前駆体を含む。さらに別の実施例では、膜前駆体650は、ルテニウムカルボニル前駆体、例えばRu3(CO)12を含んでも良い。本発明のさらに別の実施例では、膜前駆体650は、レニウムカルボニル前駆体、例えばRe2(CO)10を含んでも良い。さらに別の実施例では、膜前駆体650は、W(CO)6、Mo(CO)6、Co2(CO)8、Rh4(CO)12、Cr(CO)6、またはOs3(CO)12を含んでも良い。また、さらに別の実施例では、タンタル（Ta）の成膜の際、膜前駆体650は、TaF5、TaCl5、TaBr5、TaI5、Ta(CO)5、Ta[N(C2H5CH3)]5（PEMAT）、Ta[N(CH3)2]5（PDMAT）、Ta[N(C2H5)2]5（PDEAT）、Ta(NC(CH3)3)(N(C2H5)2)3（TBTDET）、Ta(NC2H5)(N(C2H5)2)3、Ta(NC(CH3)2C2H5)(N(CH3)2)3、a(NC(CH3)3)(N(CH3)2)3、またはTa(EtCp)2(CO)Hを含んでも良い。また、さらに別の実施例では、チタン（Ti）を成膜する際、膜前駆体650は、TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4、Ti[N(C2H5CH3)]4（TEMAT）、Ti[N(CH3)2]4（TDMAT）、またはTi[N(C2H5)2]4（TDEAT）を含んでも良い。また、さらに別の実施例では、ルテニウム（Ru）を成膜する際には、膜前駆体650は、Ru(C5H5)2、Ru(C2H5C5H4)2、Ru(C3H7C5H4)2、Ru(CH3C5H4)2、Ru3(CO)12、C5H4Ru(CO)3、RuCl3、Ru(C11H19O2)3、Ru(C8H13O2)3、またはRu(C5H7O)3を含んでも良い。
【００７０】
前述のように、膜前駆体650は、固体前駆体を含んでも良い。固体前駆体は、固体粉末の形態であっても良く、あるいは1または2以上の固体タブレットの形態であっても良い。例えば、1または2以上の固体タブレットは、多くのプロセスで調製されても良く、このプロセスには、焼結処理プロセス、スタンプ処理プロセス、浸漬処理プロセス、スピンオン処理プロセス、またはこれらの組み合わせが含まれる。また、固体タブレット中の固体前駆体は、積層可能なトレイ640に接着されても、されなくても良い。例えば、真空および不活性ガス雰囲気の両方用に構成された焼結炉内で、最大2000℃および2500℃の温度で、耐熱金属粉末を焼結させても良い。あるいは、例えば、流体媒体中に耐熱金属粉末を分散させ、これをトレイ上に分配し、スピンコーティングプロセスを用いて、トレイ表面に均一に分配させても良い。その後、耐熱金属のスピンコーティングは、熱硬化されても良い。
【００７１】
前述のように、キャリアガスは、キャリアガス供給システム（図示されていない）から、容器610に供給される。図9に示すように、キャリアガスは、蓋部620に密閉結合されたガス供給ライン（図示されていない）を通り、蓋部620を介して、容器610に結合されても良い。ガス供給ラインは、中央フローチャネル618に接続される。
【００７２】
図9を参照すると、容器外壁612の内径は、例えば、約10cmから約100cmの範囲であっても良く、例えば、約15cmから約40cmの範囲であっても良い。例えば、外壁612の内径は、20cmとしても良い。出口622の直径、および積層可能なトレイ640の内壁644の内径は、例えば、約1cmから30cmの範囲であっても良く、例えば、出口の直径、および内壁の直径は、約5から約20cmの範囲であっても良い。例えば、出口の直径は、10cmであっても良い。また、各積層可能なトレイ640の外径は、容器610の外壁612の内径の約75％から約99％の範囲としても良く、例えば、トレイの直径は、容器610の外壁612の約85％から99％の範囲としても良い。例えば、トレイの直径は、19.75cmであっても良い。また、積層可能なトレイ640の各トレイ内壁644の高さは、約5mmから約50mmの範囲であっても良く、例えば、各高さは、約30mmであっても良い。また、各外壁642の高さは、トレイ内壁644の高さの約10％から約90％の範囲であっても良い。例えば、各外壁の高さは、約2mmから約45mmの範囲であっても良く、例えば、約10mmから約20mmの範囲であっても良い。例えば、各内壁の高さは、約12mmである。
【００７３】
再度図9を参照すると、1または2以上のトレイ開口646は、1または2以上のスロットを有しても良い。あるいは、1または2以上のトレイ開口646は、1または2以上のオリフィスを有しても良い。各オリフィスの直径は、例えば、約0.4mmから約2mmの範囲であっても良い。例えば、各オリフィスの直径は、約1mmである。ある実施例では、オリフィスの直径、および中央フローチャネル618の直径は、中央フローチャネル618を通るコンダクタンスが、オリフィスの正味のコンダクタンスに比べて、十分に大きくなるように選定され、これにより、中央フローチャネル618全体にわたって、キャリアガスの実質的に均一な分配が維持される。オリフィスの数は、例えば、約2から約1000の範囲であっても良く、さらに別の実施例では、約50から約100個である。例えば、1または2以上のトレイ開口646は、72の直径1mmのオリフィスを有しても良く、中央フローチャネル618の直径は、約10乃至30mmである。
【００７４】
また、蒸発排気空間、すなわち環状空間660は、高フローコンダクタンス用に設計されても良い。例えば、各トレイ内の1または2以上のトレイ開口の出口から、容器610の出口680までの正味のフローコンダクタンスは、約50リットル／秒を超えても良く、またはフローコンタンスは、約100リットル／秒を超え、またはフローコンダクタンスは、約500リットル／秒を超えても良い。
【００７５】
膜前駆体蒸発システム300、300’、もしくは400、500、600は、図1の膜前駆体蒸発システム50、または図2の膜前駆体蒸発システム150のいずれかとして、使用されても良い。あるいは、システム300もしくは300’、または400、500、600は、前駆体蒸気からの基板上への薄膜の成膜に適した、いかなる膜成膜システムに使用されても良い。例えば、膜成膜システムは、熱化学気相成膜（CVD）システム、プラズマ加速CVD（PECVD）システム、原子層成膜（ALD）システム、またはプラズマ加速ALD（PEALD）システムを含んでも良い。
【００７６】
図10を参照すると、この図には、基板への薄膜成膜の方法が示されている。フローチャート700は、本発明の成膜システムにおける薄膜の成膜の際のステップを示すために使用される。薄膜成膜は、基板上に連続して薄膜を形成するため、成膜システムに基板を設置するステップ710で開始される。例えば、成膜システムは、前述の図1および2に示した、いかなる成膜システムを含んでも良い。成膜システムは、成膜処理プロセスを容易にする処理チャンバと、処理チャンバに結合され、基板を支持するように構成された基板ホルダとを含んでも良い。次に、ステップ720では、成膜システムに膜前駆体が導入される。例えば、膜前駆体は、前駆体蒸気供給システムを介して、処理チャンバに結合された、膜前駆体蒸発システムに導入される。また、例えば、前駆体蒸気供給システムは、加熱されても良い。
【００７７】
ステップ730では、膜前駆体が加熱され、膜前駆体蒸気が形成される。次に、膜前駆体蒸気は、前駆体蒸気供給システムを介して、処理チャンバの方に搬送される。ステップ740では、基板が、膜前駆体蒸気が十分に分解する基板温度まで加熱される。ステップ750では、基板が膜前駆体蒸気に暴露される。ステップ710から750は、所望の回数だけ、連続的に繰り返されても良く、これにより所望の数の基板に金属膜が成膜される。
【００７８】
1または2以上の基板への薄膜の成膜の後、ステップ760では、トレイ370、370’、670、1もしくは2以上のベーストレイもしくは上部トレイ330、340、または1もしくは2以上の積層可能なトレイ640のスタックが、周期的に交換され、各トレイ内の膜前駆体350、650のレベルが補充される。
【００７９】
以上、本発明のある一例の実施例についてのみ詳細に説明したが、一例の実施例において、本発明の実質的に新たな教示および利点から逸脱しないで、多くの変更が可能であることは、当業者には容易に理解される。従って、全てのそのような変更は、本発明の範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明のある実施例による成膜システムを概略的に示した図である。
【図２】本発明の別の実施例による成膜システムを概略的に示した図である。
【図３】本発明のある実施例による膜前駆体蒸発システムの断面図である。
【図４】本発明の別の実施例による膜前駆体蒸発システムの斜視図である。
【図５Ａ】本発明のある実施例による膜前駆体蒸発システムに使用される、積層可能な上部トレイの断面図である。
【図５Ｂ】図5Aのトレイの斜視図である。
【図６】本発明のある実施例による膜前駆体蒸発システムに使用される、底部トレイの断面図である。
【図７】本発明の別の実施例による膜前駆体蒸発システムの断面図である。
【図８】本発明の別の実施例による膜前駆体蒸発システムの断面図である。
【図９】本発明の別の実施例による膜前駆体蒸発システムの断面図である。
【図１０】本発明の膜前駆体蒸発システムを作動する方法を示したである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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