(57)【要約】  互いに隣接する複数のシールド型電子回路を有し、前記複数のシールド型電子回路の一方で伝送される信号が、前記複数の電子回路の他方で伝送される信号に実質的に干渉しないシールド型可撓性ケーブルであって、第１の面で複数のエッチングされた銅トレースを支持し、かつ第２の面で銅層を支持するポリイミド支持部材と；実質的に前記複数の銅トレースの各々の全長に沿って、前記複数の銅トレースの各々の一部を囲み、例えば銀インクまたは銀膜を含む銀ベース材料と；前記複数の銅トレースの各々を、（ｉ）前記複数の銅トレースのうちの他方、及び（ｉｉ）前記銀ベース材料から電気的に絶縁するように、前記複数の銅トレースの各々と実質的に近接する電気絶縁材料と；前記銀ベース材料の露出する全表面を実質的に覆う第１の誘電体層と；前記銅層の露出する全表面を実質的に覆う第２の誘電体層とを備え、前記ポリイミド支持部材は、少なくとも１つの軸に沿って可撓性を有し；前記複数のエッチングされた銅トレース及び前記銅層は、前記ポリイミド支持部材と実質的に同程度に可撓性を有し；前記銀ベース材料は、（ｉ）前記ポリイミド支持部材内の不連続部を介した前記銅層、及び（ｉｉ）接地端末と電気的な接続状態にあり；前記電気絶縁材料は、前記銀ベース材料と前記複数の銅トレースの各々との間に物理的に位置する。【選択図】図１Ｇ
2009535848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接する複数のシールド型導電体を有し、前記複数のシールド型電子回路の一方で伝送される信号が、前記複数の電子導体の他方で伝送される信号に実質的に干渉しないシールド型可撓性回路であって：
支持部材の第１の面で複数のエッチングされた銅トレースを支持し、かつ前記支持部材の第２の面で銅層を支持する支持部材であって、前記トレースの少なくとも幾つかは前記導電体として機能する前記支持部材と；
前記導電体の各々を電気的に絶縁するように、導電体として機能する前記複数の銅トレースの各々と実質的に近接する電気絶縁材料と；
前記電気絶縁材料上にあり、かつ実質的に前記複数の銅トレースの各々の全長に沿って、前記エッチングされた銅導体の各々の一部を囲む導電性シールドと；
前記導電性シールドの露出する全表面を実質的に覆う第１の誘電体層と；
前記銅層の露出する全表面を実質的に覆う第２の誘電体層と
を備え、
前記支持部材は、少なくとも１つの軸に沿って可撓性を有し；
前記複数のエッチングされた銅導体及び前記銅層は、前記支持部材と実質的に同程度に可撓性を有し；
前記導電性シールドは、前記支持部材内の不連続部を介して前記銅層と電気的な接続状態にあり、前記導電性シールド及び前記銅層は、導電体として機能する前記エッチングされた銅トレースの各々の周りに、実質的に３６０゜の電気シールドをもたらし；
前記電気絶縁材料は、前記導電性シールドと、導電体として機能する前記複数の銅トレースの各々との間に、物理的に位置するシールド型可撓性回路。
【請求項２】
前記導電性シールドは：
前記導電体として機能しない、エッチングされた交互銅トレースと；
前記導電性シールドが、（ｉ）前記銅層と、（ｉｉ）導電体として機能する各トレースの各側面に位置する個々のトレースと、（ｉｉｉ）導電体として機能する前記エッチングされた銅トレースの各々の周りに、３６０゜の導電性シールドをもたらす前記不連続部内の導電性材料とを含むように、前記エッチングされた交互銅トレースを覆う電気絶縁材料内の不連続部と
を含む請求項１記載のシールド型可撓性回路。
【請求項３】
前記エッチングされた銅トレースの実質的に全ては、前記導電体として機能し、
前記可撓性回路は、前記複数の絶縁銅トレースの各々の間に隙間を有し、
上記導電性シールドは、（ｉ）前記銅層と、（ｉｉ）前記銅トレースを覆う導電性材料の層と、（ｉｉｉ）前記隙間内の導電性材料とを有する、請求項１記載のシールド型可撓性回路。
【請求項４】
前記隙間はチャネルである、請求項３記載のシールド型可撓性回路。
【請求項５】
前記チャネルは前記支持部材内に位置する、請求項４記載のシールド型可撓性回路。
【請求項６】
前記支持部材は非導電性可撓性材料によって形成される、請求項１記載のシールド型可撓性回路。
【請求項７】
前記可撓性支持部材はポリイミド膜である、請求項１記載のシールド型可撓性回路。
【請求項８】
前記導電性シールドは銀ベース材料である、請求項１記載のシールド型可撓性回路。
【請求項９】
互いに隣接する複数のシールド型電子回路を有し、前記複数のシールド型電子回路の一方で伝送される信号が、前記複数の電子回路の他方で伝送される信号に実質的に干渉しないシールド型可撓性ケーブルであって：
ポリイミド支持部材の第１の面で複数のエッチングされた銅トレースを支持し、かつ前記ポリイミド支持部材の第２の面で銅層を支持する前記ポリイミド支持部材と；
実質的に前記複数の銅トレースの各々の全長に沿って、前記複数の銅トレースの各々の一部を囲み、例えば銀インクまたは銀膜を含む銀ベース材料と；
前記複数の銅トレースの各々を、（ｉ）前記複数の銅トレースのうちの他方、及び（ｉｉ）前記銀ベース材料から電気的に絶縁するように、前記複数の銅トレースの各々と実質的に近接する電気絶縁材料と；
前記銀ベース材料の露出する全表面を実質的に覆う第１の誘電体層と；
前記銅層の露出する全表面を実質的に覆う第２の誘電体層と
を備え、
前記ポリイミド支持部材は、少なくとも１つの軸に沿って可撓性を有し；
前記複数のエッチングされた銅トレース及び前記銅層は、前記ポリイミド支持部材と実質的に同程度に可撓性を有し；
前記銀ベース材料は、（ｉ）前記支持部材内の不連続部を介した前記銅層、及び（ｉｉ）接地端子と電気的な接続状態にあり；
前記電気絶縁材料は、前記銀ベース材料と前記複数の銅トレースの各々との間に物理的に位置するシールド型可撓性ケーブル。
【請求項１０】
複数の可撓性導体を有し、当該導体の各々が、実質的に各導体の全長に沿って前記導体の各々を実質的に囲む可撓性導電性シールドを有するシールド型可撓性ケーブルであって：
金属導電層を支持する誘電体材料の可撓性シートであって、前記シート及び金属層が、前記可撓性導体の全てを支持するのに十分な長さ及び幅を有する前記可撓性シートと；
前記金属導電層へ接着される複数の分離された非導電性可撓性膜と；
誘電体部材及び前記非導電性膜が前記可撓性導体の各々を完全に電気的に絶縁するように、前記可撓性導体の露出する部分を各々に覆う複数の分離された誘電体部材と；
（ｉ）前記絶縁導体の各々の間の隙間を充填し、かつ（ｉｉ）前記複数の導体の各々が、その全長に沿って、前記導電性材料及び前記金属導電層により形成される導電性シールドによって実質的に囲まれるように、前記金属導電層と直接電気的に接触する可撓性導電性材料と；
前記導電性材料の露出する全表面を実質的に覆う第１の可撓性絶縁層と；
前記金属層の露出する全表面を実質的に覆う第２の可撓性絶縁層と
を備え、
前記可撓性導体が前記可撓性膜を個々に支持するシールド型可撓性ケーブル。
【請求項１１】
携帯電話の信号受信部分とディスプレイ部分とを機械的なヒンジを介して接続するための可撓性ケーブルであって：
（ｉ）複数の導体の第１の端子領域において前記受信部分と電気的に接続し、（ｉｉ）前記複数の導体の第２の端子領域において前記ディスプレイ部分と電気的に接続する前記複数の導体と；
前記複数の導体を基板の第１の面で支持し、かつ導電層を前記基板の第２の面で支持する可撓性を有する前記非導電性可撓性基板と；
実質的に前記複数の導体の各々の全長に沿って、前記複数の導体の各々の一部を囲む導電性材料と；
実質的に前記複数の導体の各々の全長に沿って、前記複数の導体の各々の一部を実質的に囲む非導電性材料と
を備え、
前記導電性材料は、前記可撓性非導電性基板内の不連続部を介して前記導電層と電気的な接続状態にあり；
前記非導電性材料は、前記複数の導体の各々を前記導電層から電気的に絶縁する可撓性ケーブル。
【請求項１２】
シールド型可撓性回路であって：
可撓性支持部材と；
前記可撓性支持部材の第１の面に接触する第１の導体、第２の導体、及び第３の導体と；
前記可撓性支持部材の第１の面に接触し、前記第１の導体と接触する第１の非導電層と；
前記第１の非導電層に接触し、前記第１及び第３の導体と接続状態にある第１の導電層と；
前記可撓性支持部材の第２の面に接触し、前記第１及び第３の導体と接続状態にあり、かつ前記第２の導体から電気的に絶縁される第２の導電層と
を備え、
前記第２の導体は前記第１及び第３の導体間に位置し、かつ前記第１及び第３の導体から電気的に絶縁されるシールド型可撓性回路。
【請求項１３】
シールド型可撓性回路であって：
可撓性支持部材と；
前記可撓性支持部材の第１の面に接触する導体と；
前記導体に接触し、前記可撓性部材及び前記導体と接触する第１の非導電層と；
前記第１の非導電層に接触する第１の導電層と；
前記可撓性支持部材の第２の面に接触する第２の導電層と
を備え、
前記導電層が、前記第１の導電層と接続状態にあり、かつ前記導体から電気的に絶縁されるシールド型可撓性回路。
【請求項１４】
前記可撓性支持部材は複数のチャネルを備え、前記複数のチャネルが、前記第１及び第２の導電層が他の導電層と接続状態となることを可能にする、請求項１３記載のシールド型可撓性回路。
【請求項１５】
シールド型可撓性回路であって：
可撓性支持部材と；
前記可撓性支持部材の第１の面に接触する導体と；
前記導体に接触し、前記可撓性支持部材及び前記導体と接触する第１の非導電層と；
前記第１の非導電層に接触する第１の導電層と；
前記可撓性支持部材の第２の面に接触する第２の導電層と；
前記第１及び第２の導電層と接続状態にあり、かつ前記導体から電気的に絶縁される第３の導電層と
を備えるシールド型可撓性回路。
【請求項１６】
前記可撓性支持部材は複数のチャネルを含み、前記複数のチャネル内の導電性材料が、前記第１、第２及び第３の導電層が互いに電気的な接続状態となることを可能にする、請求項１２記載のシールド型可撓性回路。
【請求項１７】
シールド型可撓性回路であって：
可撓性支持部材と；
前記可撓性支持部材に接触する第１の導体及び第２の導体と；
前記第１の導体の周りに同軸に配置され、前記第１の導体から電気的に絶縁されている第１の導電性材料と；
前記第２の導体の周りに同軸に配置され、前記第２の導体から電気的に絶縁されている第２の導電性材料と
を備え、
前記第１及び第２の導体は他方から電気的に絶縁されるシールド型可撓性回路。
【請求項１８】
前記第１及び第２の導体は、２ギガヘルツ以上の速度でデータを伝送する能力を有する、請求項１７記載のシールド型可撓性回路。
【請求項１９】
第１の導体の中央から第２の導体の中央までの距離は、１インチの１０００分の２０以下である、請求項１７記載のシールド型可撓性回路。
【請求項２０】
シールド型可撓性回路の形成方法であって：
可撓性支持部材の第１の面へ接着される導電性材料から、第１の導体と、第２の導体と、第３の導体とを形成する工程であって、前記第２の導体は前記第１及び第３の導体間に位置し、かつ前記第１及び第３の導体から電気的に絶縁されている工程と；
前記可撓性支持部材の第１の面へ第１の非導電層を接着する工程であって、前記第１の非導電層は、前記第１の導体と接触する工程と；
前記第１の非導電層へ第１の導電層を接着する工程であって、前記第１の導電層は、前記第１及び第３の導体と接続状態にある工程と；
前記可撓性支持部材の第２の面へ第２の導電層を接着する工程であって、前記第２の導電層は、前記第１及び第３の導体と接続状態にあり、かつ前記第２の導体から電気的に絶縁されている工程と
を含む方法。
【請求項２１】
前記第１、第２及び第３の導体を形成する工程は、銅トレースをエッチングする工程を含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記可撓性支持部材はポリイミド膜である、請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
前記第１及び第３の導体は電気的に接地されている、請求項２０記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の導電層は銀ベース材料である、請求項２０記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の導電層は導電性部分と非導電性部分とを備える、請求項２０記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の導電層は銀ベース材料である、請求項２０記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の導電層は導電性部分と非導電性部分とを備える、請求項２０記載の方法。
【請求項２８】
前記可撓性支持部材内に複数のチャネルを形成する工程を含み、前記複数のチャネルが、前記第１及び第３の導体と前記第１及び第２の導電層とが互いに接続状態となることを可能にする、請求項２０記載の方法。
【請求項２９】
シールド型可撓性回路の形成方法であって：
可撓性支持部材の第１の面へ接着される導電性材料から導体を形成する工程であって、前記可撓性部材は、第１の導電層へ接着される第２の面を備える工程と；
前記導体及び前記可撓性部材へ、第１の非導電層を接着する工程と；
前記第１の非導電層へ第２の導電層を接着する工程であって、前記第２の導電層は、前記第１の導電層と接続状態にあり、かつ前記導体から電気的に絶縁されている工程と
を含む方法。
【請求項３０】
シールド型可撓性回路の形成方法であって：
可撓性支持部材の第１の面へ接着される導電性材料から導体を形成する工程であって、前記可撓性部材は、第１の導電層へ接着される第２の面を備える工程と；
前記導体及び前記可撓性部材へ、第１の非導電層を接着する工程と；
前記第１の非導電層へ第２の導電層を接着する工程と；
第３の導電層を堆積する工程であって、前記第３の導電層は、前記第１及び第２の導電層と接続状態にあり、かつ前記導体から電気的に絶縁されている工程と
を含む方法。
【請求項３１】
シールド型可撓性回路の形成方法であって：
可撓性支持部材の第１の面へ接着される第１の導電性材料から第１の導体と第２の導体とを形成する工程であって、前記第１及び第２の導体は、互いに電気的に絶縁されている工程と；
前記第１の導体の周りに同軸に配置される第２の導電性材料を形成する工程であって、前記第２の導電性材料は、前記第１の導体から電気的に絶縁されている工程と；
前記第２の導体の周りに同軸に配置される第３の導電性材料を形成する工程であって、前記第３の導電性材料は、前記第２の導体から電気的に絶縁されている工程と
を含む方法。
【請求項３２】
前記第１及び第２の導体を形成する工程は、銅トレースをエッチングする工程を含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
前記可撓性支持部材はポリイミド膜である、請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
第１及び第２の非導電層の各々を、前記第１の導電性材料と前記第３の導体との間、及び前記第２の導電性材料と前記第２の導体との間に各々同軸に配置して接着する工程をさらに含む、請求項３１記載の方法。
【請求項３５】
前記第２及び第３の導電性材料は互いに接続状態にある、請求項３１記載の方法。
【請求項３６】
前記第２及び第３の導電性材料は銀ベース材料である、請求項３１記載の方法。
【請求項３７】
前記第１及び第２の導体は、２ギガヘルツ以上の速度でデータを伝送する能力を有する、請求項３１記載の方法。
【請求項３８】
第１の導体の中央から第２の導体の中央までの距離は、１インチの１０００分の２０以下である、請求項３１記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して可撓性電子回路の分野に関し、より具体的には、可撓性部材上に支持されるシールド型電子回路についての方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、（ｉ）２００６年５月２日付け提出の米国仮特許出願第６０／７９６，７１６号、及び（２）２００６年６月８日付け提出の米国仮特許出願第６０／８１１，９２７号の利益を主張する。仮特許出願第６０／７９６，７１６号及び仮特許出願第６０／８１１，９２７号は共に、参照によりその全開示が本明細書に組み込まれる。
【０００３】
移動通信デバイスの出現は、無線デジタル信号の送信を介して個々人が互いに通信することを可能としてきた。ワールドワイドウェブ（ＷＷＷ）、コンピュータ、コンピュータネットワーク等を介して互いの間でデータを転送するためにも、個々人は移動通信デバイスにますます依存している。個々人は、移動通信デバイスを使用して、高品質デジタルオーディオ、デジタルビデオ、ストリーミングデジタルビデオ、写真画像、コンピュータファイル等の様々なタイプのデータを転送する。従って、このタイプのデータ転送をサポートするアプリケーションが移動通信デバイスの設計に適合し、このようなデバイスには、例えば、メガピクセルカメラ、ビデオカメラ及びデジタルオーディオレコーダが含まれる。さらに、多くの市販の携帯電話デバイス及びパーソナルデジタルアシスタントデバイスは、大規模なデータファイルを作成し、利用しかつ伝達する典型的なコンピュータベースのアプリケーションプログラムを実行することができる。その結果、当分野では、大量のデータを高速で転送するための移動通信デバイスが必要とされている。
【０００４】
移動通信デバイスを含む多くの電子デバイスは、無線周波数スペクトルの電磁場を発生させる。具体的には、導電経路に沿った電気信号の伝送は、電磁場を発生させる。伝送周波数が増大するにつれて、対応する電磁場の大きさ及び空間的有効範囲も増大する。物理的に非接続である２つの導電経路が互いに隣接している場合、一方の導電経路上の高周波伝送は、他方の導電経路上の伝送に対して電磁妨害（ＥＭＩ）を引き起こす場合がある。ＥＭＩは、移動通信デバイスの動作に対して多くの悪影響を有する。例えば、ＥＭＩは伝送されるデータに歪みを引き起こす場合があり、それどころか、データを完全に喪失させる場合もある。
【０００５】
データ速度の高速化に起因して、移動通信デバイスはＥＭＩの影響を受けない導体をますます必要としている。具体的には、回転式ヒンジを介して画面が電話本体へ接続される電話である折り畳み式携帯電話、及び側面に沿ってスライドする機械的コネクタを介して画面が電話本体へ接続される電話であるスライド式携帯電話は、回転式ヒンジまたは機械的コネクタを介してデータを伝送する可撓性導体を必要とする。従って、高周波伝送の間に発生するＥＭＩに対する遮蔽能力を有する可撓性導体に対するニーズが存在する。
【０００６】
ＥＭＩに対する遮蔽についての、先行技術において周知である一手法は同軸ケーブルである。同軸ケーブルは、共通の軸の周りに配置される１対の導体を備える。第１の導体はケーブルの中心軸に沿って位置合わせされ、伝送信号を搬送する。電気接地へ接続される第２の導体は、絶縁材料または誘電体材料によって、第１の導体の周りへ円筒状に配置される。第１の導体を第２の導体でシールドすることにより、同軸ケーブルは、導体によって発生する電磁場をケーブル内部の領域に閉じこめることができる。従って、同軸ケーブルは、テレビ及びブロードバンド伝送に広く使用されている。
【発明の開示】
【０００７】
本明細書において開示するシールド型可撓性回路のための装置及び方法は、可撓性回路上に密接した配置された導体に沿って、高いデータ伝送速度を有利に実現する。装置及び方法は、折り畳み式携帯電話及びスライド式携帯電話での使用に適する。さらに、装置及び方法は、データ伝送速度が１ＧＨｚを超える場合に、ＥＭＩに対して導電性トレースを遮蔽する能力を有する。その結果、いくつかの実施形態では、携帯電話はストリーミングビデオ及び他の高速アプリケーションに必要とされる速度で、実質的な信号損失または歪みなしにデータを伝送することができる。さらなる実施形態では、シールド型可撓性回路は、２ＧＨｚ〜４ＧＨｚの速度でデータを伝送することができる。
【０００８】
一実施形態において、装置は、可撓性支持部材と、前記可撓性支持部材に接触する第１の導体及び第２の導体と、前記第１の導体の周りに同軸に配置される第１の導電性材料と、前記第２の導体の周りに同軸に配置される第２の導電性材料とを備え、前記第１及び第２の導体は他方から電気的に絶縁され、前記第１の導電性材料は前記第１の導体から電気的に絶縁され、前記第２の導電性材料は前記第２の導体から電気的に絶縁される。
【０００９】
別の実施形態において、可撓性回路をシールドする方法は、可撓性支持部材の上面側に接着される第１の導電性材料から第１の導体及び第２の導体を形成することと、前記第１の導体の周りに同軸に配置される第２の導電性材料を形成することと、前記第２の導体の周りに同軸に配置される第３の導電性材料を形成することとを含み、前記第１及び第２の導体は互いに電気的に絶縁され、前記第２の導電性材料は前記第１の導体から電気的に絶縁され、前記第３の導電性材料は前記第２の導体から電気的に絶縁される。
【００１０】
本明細書では、この発明の開示の目的に沿って、本発明の或る態様、利点及び新規の特徴について説明する。しかしながら、必ずしもこのような利点の全てが、本発明の或る特定の実施形態に従って達成されなくてもよいことが理解されるべきである。従って、例えば、当技術分野における熟練者は、本明細書に教示されている一つの利点または一群の利点を、本明細書において教示または示唆され得る他の利点を必ずしも達成することなく達成するような方法で、本発明が具現化または実現されてもよいことを認識するであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図１−９を参照して、本発明の様々な実施形態を表す装置及び方法、並びに本発明の一実施形態の例示的な用途について説明する。また、さらに他の実施形態を表す装置及び方法の変形例についても説明する。
【００１２】
いくつかの実施形態は、例示を目的として、移動通信デバイス及び／または携帯電話に照らして説明するであろう。本明細書に開示する発明は、本明細書中の装置及び方法が使用される文脈の記載によって限定されず、これらの装置及び方法は他の環境で使用されてもよい。さらに、本明細書に記述する具体的な実現手段は、本明細書に開示する発明の例示を目的として記述されるものであり、本発明の限定を目的とするものではない。本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の範囲によってのみ画定される。
【００１３】
以下、後述する図面の簡単な説明においてその概要を述べている図面を参照して、これらの特徴及び他の特徴を説明する。これら図面及びその関連説明は、本発明の実施形態を例示するために提供されるものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。図面を通じて、参照される構成要素間の対応関係を示すために、参照符号を再使用する場合がある。
【００１４】
Ｉ．概説
本明細書に開示する装置及び方法は、可撓性支持部材上のアクティブ信号トレースのシールドに関する。
【００１５】
一組の実施形態において、シールド型可撓性回路は、上面側の可撓性を有する非導電性基板と底面側の銅層とを備える可撓性基材を使用して構成される。これらの実施形態では、交互トレースが銅層へ接地され、両者の間のトレースをシールドするために使用される。参照を容易にするために、以後、このタイプの実施形態を「交互接地トレースによる銅単層シールド」の実施形態と称する。
【００１６】
別の組の実施形態において、シールド型可撓性回路は、上面側の可撓性基板と底面側の銅層とを備える基材を使用して構成される。これらの実施形態では、実質的にすべてのトレースが、アクティブ信号トレースとして使用されてもよい。参照を容易にするために、以後、このタイプの実施形態を「全てのトレースがシールドされる銅単層」の実施形態と称する。
【００１７】
さらに別の組の実施形態において、シールド型可撓性回路は、上面側の銅層を有する可撓性基板と可撓性基板の底面側の銅層とを備える基材を使用して構成される。参照を容易にするために、以後、このタイプの実施形態を「銅二層」の実施形態と称する。
【００１８】
またさらなる別の組の実施形態において、シールド型可撓性回路は、上面側の銅層を有する可撓性基板と可撓性基板の底面側の銅層とを備える基材を使用して構成される。これらの実施形態では、銅を使用して、全側面の銅トレースがシールドされてもよい。参照を容易にするために、以後、このタイプの実施形態を「銅三層」の実施形態と称する。
【００１９】
さらに、本明細書では「上部」、「下部」、「上面」及び「底面」等の用語を使用しているが、これらの用語は限定的に解釈されるべきではない。むしろ、これらの用語は、適用する図面の方向性に関連して使用される。
【００２０】
さらに、「プロセス図」は各々、本発明の一実施形態のみを例示する。本明細書に開示する発明は、プロセス図における現出順の工程に限定されるべきではない。その工程は、当技術分野における熟練者により適切であると認識される任意の順序で実行されてもよいことが認識される。
【００２１】
ＩＩ．交互接地トレースによる銅単層シールドの実施形態
図１Ｈは、交互接地トレースによる銅単層シールドの一実施形態を示す。図２は、シールド型可撓性回路の製造に関する工程５０１−５０８を含むプロセス図を示し、図１Ａ−Ｈは、この方法の各工程の実施に伴ったシールド型可撓性回路の構造を示す。本明細書では、この方法の各工程における回路構造に関連する図面を特に参照する。これに対して、図２に示す方法の各工程は、図２のみの参照符号を使用して参照する。
【００２２】
この実施形態では、シールド型可撓性回路の製造方法は、図１Ａに示す可撓性支持部材１００から始まる。可撓性支持部材１００は、可撓性基板１０２と導電性基層１０１との二層から構成される。当技術分野における熟練者には、可撓性支持部材１００が市販されていて容易に購入できることが知られている。他の実施形態では、本方法は、めっき、ラミネート、蒸着または他の公知技術を使用して、導電性基層１０１を可撓性基板１０２に適用することによって始まってもよい。
【００２３】
ある好ましい実施形態では、可撓性基板１０２はポリイミド材料で製造される。他の実施形態では、可撓性基板１０２は、ＦＲ４、ＰＥＴ／ＰＥＮ、またはＴｅｆｌｏｎ／Ｈｉｇｈ  ｓｐｅｅｄ材料等の、一般的に使用される「可撓性」またはプリント回路基板（「ＰＣＢ」）材料の何れであってもよい。
【００２４】
ある好ましい実施形態では、導電性基層１０１は銅層である。他の実施形態では、導電性基層１０１は、金または銀等の任意の導電性材料であってもよい。他の材料が使用されてもよいことが意図されているが、本明細書では、導電性基層１０１を銅導電性基層１０１と称する。
【００２５】
伝統的なＰＣＢ製造方法を使用して、可撓性支持部材１００内に基準穴またはビアが形成されてもよい。
【００２６】
図１Ｂは、工程５０１の完了後に形成される銅トレース１１１、１１２、１１３、１１４を示す。一実施形態では、銅トレース１１１、１１２、１１３、１１４は、当技術分野における熟練者に周知のフォトリソグラフィ技術を使用して、プリント及びエッチングされる。あるフォトリソグラフィ技術は、ホットロールラミネータまたは減圧積層プロセスを使用して、ドライフィルムエッチングレジストを導電性基層１０１へラミネートする必要がある。ドライフィルムエッチングレジスト層の多くは市販されていて、Ｄｕｐｏｎｔ（登録商標）等の企業により製造されている。いくつかの実施形態では、ドライフィルムエッチングレジスト層の厚さは、０．０００７”〜０．００２０”である。次いで、回路イメージは、紫外線（「ＵＶ」）エネルギーと、フォトツール、Ｍｙｌａｒ（登録商標）フィルムまたはＭｙｌａｒ（登録商標）ガラス等の適切なツールとを使用して、エッチングレジスト層へ転写される。ＵＶエネルギーに暴露されなかったエッチングレジストの領域は、次に、パネルから化学的に洗い落とされる。例えば、未現像の（即ち、ＵＶエネルギーに暴露されていない）エッチングレジストは、炭酸カリウムを含む溶液を使用して洗い落とされてもよい。次に、現像されたエッチングレジストを介して露出する銅が、化学的に除去される。例えば、銅の除去には、塩化第二銅エッチャントの水性洗浄が使用されてもよい。或いは、アルカリベースのエッチャント及び塩化第二鉄ベースのエッチャント等の、他のタイプの銅エッチャントが使用されてもよい。
【００２７】
図１Ｃは、トレース１１１、１１２、１１３、１１４を有する可撓性回路１００の上面側に適用される絶縁層または誘電体層１２１を示す。この層は、電気短絡を防止しかつトレース１１１、１１２、１１３、１１４を汚染から保護するために、エッチングされたトレース１１１、１１２、１１３、１１４を、本方法において後に形成される接地シールドから絶縁すべく、工程５０２において形成される。誘電体または非導電性絶縁材料は、任意数が使用されてもよい。例えば、一実施形態では、誘電体層１２１は、膜の片側に熱硬化性接着剤を有するポリイミド膜から構成される。この例では、ポリイミド膜は０．０００５”〜０．００１０”の範囲の厚さであってもよく、熱硬化性接着剤は０．０００５”〜０．００１５”の範囲の厚さであってもよい。膜１２１は、エッチングされたトレース１１１、１１２、１１３、１１４に接着層が接触した状態で、エッチングされたトレース１１１、１１２、１１３、１１４の上面に配置される。次に、オートクレーブプレスまたは真空プレスを使用して、膜が可撓性回路１００へラミネートされる。例えば、華氏３８５度で２１０ｐｓｉを６０分間等のラミネーションパラメータが使用されてもよい。誘電体層１２１の可撓性回路１００への接着は、他の公知技術を使用して行われてもよいことが認識される。
【００２８】
図１Ｄは、工程５０３によって形成される、誘電体層１２１内のチャネル１３１、１３３を示す。チャネル１３１、１３３は、交互トレース１１１、１１３に対応する位置に生成され、後にそれらトレース１１１、１１３間のトレース１１２のシールドとなる不連続部を形成する。チャネル１３１、１３３は、交互接地トレース１１１、１１３上部の誘電体層１２１を取り除くことにより、各トレースの端から端に沿って、それら交互接地トレース１１１、１１３を露出させる。一実施形態では、これらのチャネルはレーザアブレーション技術を使用して形成される。他の実施形態では、プラズマエッチング及びケミカルミリング等の他の処理技術が使用されてもよい。
【００２９】
他の実施形態では、これらのチャネルが、一つおきより多いまたは少ないトレースに対応する位置に形成されてもよいことが認識される。これらの実施形態では、形成されるチャネル間のトレースがシールドされる。
【００３０】
次に、いくつかの実施形態では、露出する交互接地トレース１１１、１１３は、トレース１１１、１１３を酸化から保護するために金属被覆される。例えば、トレース１１１、１１３は、ニッケル／金化合物を使用して金属被覆されてもよい。
【００３１】
図１Ｅ及び１Ｆは、工程５０４及び５０５によって可撓性回路１００の上面側に形成される導電性シールド層１４１及び誘電体層１７１を示す。導電層１４１は、交互接地トレース１１１、１１３と電気的に接続するように、可撓性回路１００に適用される。導電層１４１は、交互接地トレース１１１、１１３及び誘電体層１２１へ接着することができる任意の導電性材料から構成されてもよい。導電層１４１に適する材料としては銀ベースの膜及び銀インクが含まれるが、この限りではない。導電層１４１は、誘電体層１２１を可撓性回路１００へ接着するために使用されるものに類似する技術（例えば、ラミネート）を使用して、可撓性回路１００に適用されてもよい。次に、導電層１４１の上面に位置するように、誘電体層１７１が可撓性回路１００へ適用される。誘電体層１７１の導電層１４１への接着は、ラミネート等の技術を使用して行われてもよい。誘電体層１７１に適する材料としては誘電体層１２１に使用される材料が含まれるが、この限りではない。
【００３２】
導電層１４１及び誘電体層１７１は、上述のように可撓性回路１００へ別々に接着されても、あるいは同時に接着されても（即ち、工程５０４及び５０５が１つの工程として実行されても）よいことが意図されている。一実施形態では、導電層１４１及び誘電体層１７１の同時適用は、導電層及び誘電体層を備える予め製造された材料を使用して実行されてもよい。そのような材料の例は、Ｔａｔｓｕｔａ（登録商標）のＰＣ材料シリーズに見出すことができる。これらの材料は、導電性の接着層と誘電体層との間に挟まれた導電性の銀フォイル層を備える。この材料は、導電性の接着剤が誘電体層１２１に接触するように、可撓性回路１００上へ配置される。その後、この材料は可撓性回路１００へラミネートされても、別の方法で接着されてもよい。
【００３３】
図１Ｆは、工程５０６によって、可撓性回路１００の底面側の、交互接地トレース１１１、１１３の下部の可撓性基板１０２内に形成されるチャネル１５１、１５２を示す。チャネル１５１、１５２は、工程５０３で使用されたものに類似する技術（例えば、レーザアブレーション）を使用して形成されてもよい。一実施形態では、これらのチャネルは、可撓性基板１０２内に、交互接地トレース１１１、１１３がトレースの端から端に沿って露出するように形成される。次に、いくつかの実施形態では、露出する銅トレース１１１、１１３は、酸化を防止するためにニッケル／金化合物を使用して金属被覆される。
【００３４】
図１Ｇは、工程５０７によって、可撓性基板１０２の下部の可撓性回路１００の面に適用される導電性シールド層１６１を示す。この導電性シールド層１６１は、交互接地トレース１１１、１１３と電気的に接続するように適用される。工程５０８に関連して先に述べたように、導電性シールド層１６１は可撓性回路１００へラミネートされてもよく、さらに、銅または銀等の任意の導電性材料から構成されてもよい。
【００３５】
図１Ｈは、工程５０８によって導電性シールド層１６１に適用される誘電体層１７２を示す。この誘電体層１７２は、露出する導電性シールド層を電気的干渉及び汚染からシールドする。誘電体層１７２は、ラミネート等の技術を使用して可撓性回路１００へ適用されてもよく、かつ工程５０２で使用されたものに類似する材料（例えば、ポリイミド膜）から構成されてもよい。
【００３６】
工程５０４及び５０５に関連して述べたように、導電性シールド層１６１及び誘電体層１７２は、Ｔａｔｓｕｔａ（登録商標）ＰＣシリーズに含まれる材料等を使用して、可撓性回路１００へ１つの工程で適用されてもよいことが同様に意図されている。
【００３７】
図１Ｈに示すように、中央の銅トレース１１２は全側面をシールドされる。まず初めに、非導電性の誘電体材料によってシールドされ、次いでこの非導電性材料が導電性材料によって囲まれる。具体的には、トレース１１２は、誘電体層１２１によって上面及び両側面が接地平面１１１、１１３、１１４から電気的に絶縁され、かつ可撓性基板１０２によって底面が接地平面１６１から電気的に絶縁される。本図において、導電性シールドは、トレース１１２の上面側の導電層１４１と、トレース１１２の底面側の導電層１６１と、トレース１１２の両側面の交互接地トレース１１１及び１１３とを含む。
【００３８】
さらに、誘電体層１７１及び１７２は、回路をＥＭＩから遮蔽するために必要とはされないことが認識される。いくつかの実施形態では、層１７１、１７２は何れも使用されないか、あるいは何れか一方だけが使用されればよい。
【００３９】
ＩＩＩ．「全てのトレースがシールドされる銅単層」の実施形態
図３は、全てのトレースがシールドされる銅単層の一実施形態を示す。図４は、図３に示すシールド型可撓性回路９００の一製造方法に関する工程６０１−６０８を含むプロセス図を示す。本明細書では、図４に示す方法の各工程を、図４に提示される参照符号を使用して参照する。
【００４０】
図３及び４に示す装置を製造するための装置及び方法は、図１Ａ−Ｈ及び図２に描かれた実施形態と特徴を共にする。即ち、交互接地トレースによる銅単層シールドの実施形態に関連して示唆及び／または採用された利用可能な材料及び技術の多くは、全てのトレースがシールドされる銅単層の実施形態に関連して使用されてもよい。しかしながら、これら２つの組の実施形態の間の相違点については後述する。
【００４１】
さらに、本項目で説明する組の実施形態に与えられたタイトルは、限定して解釈されるべきではない。すべてのトレース１１１、１１２がシールドされる必要のないことは認識される。これらの実施形態の場合、むしろ、各トレース１１１、１１２をシールドすることが可能である場合がある。
【００４２】
一実施形態では、シールド型可撓性回路９００の製造方法は、図１Ａに描かれている部材１００等の可撓性支持部材から始まる。図３及び４を参照すると、プリント／エッチング技術６０１を使用して、アクティブ信号トレース１１１、１１２が導電性基層１０１から形成される。次に、トレース１１１、１１２を、工程６０４で適用されるシールド１４１の導電部分から電気的に絶縁するために、トレース１１１、１１２の上面に誘電体層１２１が適用される。
【００４３】
次に、工程６０３において、アクティブ信号トレース１１１、１１２間にチャネル１８２、１８３、１８４が生成される。チャネル１８２、１８３、１８４は、レーザアブレーション技術を使用して、トレース１１１、１１２間に位置する誘電体層１２１の一部を除去することにより生成されてもよい。図３に描かれている実施形態では、トレース１１１、１１２はこれらのチャネルに露出しない。
【００４４】
続いて、工程６０４において、誘電体層１２１の上面及びチャネル１８２、１８３、１８４内に、導電性シールド層１４１が配置される。工程６０４において、導電性シールド層１４１は、可撓性基板１０２と接触するように、可撓性回路９００の上面側へ適用される。次に、工程６０５において、この導電性シールド層の上面に絶縁層１７１が適用される。工程６０４及び６０５は、連続的な実行の他に、Ｔａｔｓｕｔａ（登録商標）ＰＣシリーズ材料を使用した１つの工程として実行されてもよいことは認識される。
【００４５】
工程６０６では、可撓性回路９００の底面側に、第２のチャネルセット１８５、１８６、１８７が生成される。チャネル１８５、１８６、１８７は、トレース１１１、１１２間に位置し、かつ、第１のチャネルセット１８２、１８３、１８４間に位置する導電性シールド層１４１を露出させるように位置合わせされる。第２のチャネルセット１８５、１８６、１８７は、レーザアブレーション技術を使用して、これらの位置における可撓性基板１０２の一部を除去することにより生成されてもよい。
【００４６】
次に、工程６０７において、可撓性回路９００の底面側に、例えばラミネート技術を使用して導電性シールド層１６１が接着される。この導電性シールド層１６１は、チャネル１８５、１８６、１８７内に適用されて、導電性シールド層１４１と電気的な接続状態になる。次に、工程６０８では、同じくラミネート技術を使用して、導電性シールド層１６１へ誘電体層１９９が接着されてもよい。工程６０４及び６０５に関連して述べたように、工程６０７及び６０８は、連続して実行されても、あるいは１つの工程として実行されてもよいことは認識される。
【００４７】
さらに、いくつかの実施形態では、誘電体層１７１及び１９９の一方または双方が使用されずに、導電層１４１及び１６１を絶縁することが認識される。トレース１１１、１１２をＥＭＩから遮蔽するために、誘電体層１７１、１９９の欠落は必要とはされない場合がある。
【００４８】
さらに、いくつかの実施形態では、可撓性回路９００の底面側にレーザアブレーションによりチャネル１８５、１８６、１８７を生成するという本方法の工程６０６が省略されてもよいことは認識される。工程６０６が省略される場合は、可撓性支持部材の上面側にレーザアブレーションによりチャネル１８２、１８３、１８４を生成する工程６０３において、トレース１１１、１１２間に位置する誘電体層１２１及びポリイミド層１０２の一部が共に除去される必要がある。
【００４９】
図３に示すように、トレース１１１、１１２は各々、まず初めに誘電体シールドにより、次に導電性シールドによって３６０度シールドされる。トレース１１１、１１２は各々、導電性シールド材料及び他のトレース１１１、１１２から全方向で絶縁される。誘電体層１２１は、トレース１１１、１１２の上面及び両側面を接地平面１８２から電気的に絶縁し、可撓性基板１０２は、トレース１１１、１１２の底面を接地平面１６１から電気的に絶縁する。従って、トレース１１１、１１２は各々、接地された導電性シールド材料に囲まれる。導電層１４１はトレース１１１、１１２の上面及び両側面の導電性シールドを与え、底部導電層１６１はトレース１１１、１１２、１１３の底面の導電性シールドを与える。
【００５０】
ＩＶ．「銅二層」の実施形態
図５Ｆは、銅二層シールド型可撓性回路の一実施形態を示す。図６は、図５Ｆのシールド型可撓性回路の製造に関する工程７０１−７０６を含むプロセス図を示し、図５Ａ−Ｆは、この方法の各工程の実施に伴ったシールド型可撓性回路の構造を示す。本明細書では、この方法の各工程における回路構造に関連する図面を特に参照する。これに対して、図６に示すプロセス図の各工程は、図６の参照符号を使用して参照する。
【００５１】
図示する実施形態では、シールド型可撓性回路の製造方法は、図５Ａに示す可撓性支持部材２００から始まる。可撓性支持部材２００は、可撓性基板２０２と、これを挟む上部導電層２０３及び底部導電層２０１との三層から構成される。当技術分野における熟練者には、可撓性支持部材２００が市販されていて容易に購入できることが知られている。他の実施形態では、本方法は、めっき、ラミネート、蒸着または他の公知技術を使用して、上部及び底部導電性基層２０１、２０３を可撓性基板２０２に適用することによって始まってもよい。図示する実施形態は、銅製の上部及び底部導電層２０１、２０３を利用しているが、本明細書に記述している実施形態は、銅で構成される上部及び底部導電層２０１、２０３に限定されない。
【００５２】
さらに、交互接地トレースによる銅単層シールドの実施形態に関連して示唆される代替的な材料及び技術の多くは、銅二層の実施形態に関連して使用されてもよい。しかしながら、これら２つの組の実施形態の間の相違点については後述する。
【００５３】
図５Ｂは、工程７０１においてプリントされ、かつ上部導電層２０３からエッチングされた後のトレース２１１、２１２、２１３、２１４を示す。図示する実施形態の設計要件は、トレース２１１、２１２、２１３、２１４が互いに電気的に絶縁されることを要しているため、図示するように、トレース２１１、２１２、２１３、２１４は互いに電気的な接続状態にない。
【００５４】
図５Ｃは、工程７０２において可撓性回路２００の上面側に適用された絶縁層または誘電体層２２１を示す。誘電体層２２１は、例えばラミネート技術を使用して、可撓性基板２０２及びトレース２１１、２１２、２１３、２１４へ接着される。
【００５５】
図５Ｄは、工程７０３においてアクティブ信号トレース２１１、２１２、２１３、２１４間に形成されたチャネル２３１、２３２、２３３、２３４を示す。チャネル２３１、２３２、２３３、２３４は、レーザアブレーションまたは他の公知技術を使用して、トレース２１１、２１２、２１３、２１４間に位置する誘電体層２２１及び可撓性基板２０２の一部を除去することにより生成される。図示するように、チャネル２３１、２３２、２３３、２３４は、底部銅層２０１の上面の一部を露出させるが、トレース２１１、２１２、２１３、２１４を露出させない（即ち、トレース２１１、２１２、２１３、２１４は絶縁状態に保たれる）。
【００５６】
図５Ｅは、工程７０４において可撓性回路２００の上面側に適用された導電性シールド層２４１を示す。導電性シールド層２４１は、チャネル２３１、２３２、２３３、２３４内に存在しかつ底部導電層２０１と電気的な接続状態になるように、可撓性回路２４０に適用される。一実施形態では、導電性シールド層２４１は銀を含むインクである。Ｄｕｐｏｎ（登録商標）のＣＢ２０８製品は、当技術分野における熟練者に知られる市販の銀インクである。典型的には、銀インクは、レーザ処理により予め底部導電層２０１が露出している誘電体層２２１の表面上へ、スクリーン印刷される。他の実施形態では、必要なフロー特性を有する他の導電性材料が使用されてもよい。
【００５７】
図５Ｆは、工程７０５及び７０６において可撓性回路２００の上面側及び底面側に適用された絶縁層または誘電体層２５１、２５２を示す。いくつかの実施形態では、誘電体層２５１、２５２は可撓性回路２００へラミネートされる。誘電体層２５１、２５２は、可撓性回路２５０を外部短絡から保護する働きをしてもよい。
【００５８】
他の実施形態では、工程７０４は、誘電体層及びチャネル２３１、２３２、２３３、２３４へ、導電性膜をラミネートあるいは他の方法で接着することによって実行されてもよい。これらの実施形態では、その後、外部短絡を防止するために、導電性シールド層２５１の上面へ絶縁層２５２が接着されてもよい。或いは、導電性シールド層２４１及び誘電体層２５２は、Ｔａｔｓｕｔａ（登録商標）ＰＣシリーズに含まれるもの等の接着材によって、可撓性回路２５０に同時に適用される。
【００５９】
図５Ｆに示すように、トレース２１１、２１２、２１３は３６０度シールドされる。トレース２１１、２１２、２１３は各々、導電性シールド材料及び他のトレース２１１、２１２、２１３から全方向で絶縁される。誘電体層２２１は、トレース２１１の上面及び両側面を接地平面２４１、２１２、２１３から電気的に絶縁し、可撓性基板２０２は、トレース２１１、２１２、２１３の底面を接地平面２０１から電気的に絶縁する。従って、トレース２１１、２１２、２１３は各々、接地されたシールド材料に囲まれる。導電層２４１はトレース２１１、２１２、２１３の上面及び両側面の導電性シールドを与え、底部導電層２０１はトレース２１１、２１２、２１３の底面の導電性シールドを与える。
【００６０】
Ｖ．「銅三層」の実施形態
図７Ｇは、銅三層シールド型可撓性回路の一実施形態を示す。図８は、シールド型可撓性回路の製造方法の一実施形態に関する工程８０１−８０８を含むプロセス図を示し、図７Ａ−Ｇは、この方法の各工程の実施に伴ったシールド型可撓性回路の構造を示す。本明細書では、この方法の各工程における回路構造に関連する図面を特に参照する。これに対して、図８に示すプロセス図の各工程は、図８の参照符号のみを使用して参照する。
【００６１】
この実施形態では、シールド型可撓性回路の製造方法は、図７Ａに示す可撓性支持部材３００から始まる。可撓性支持部材３００は、可撓性基板３０２と、これを挟む上部導電層３０３及び底部導電層３０１との三層から構成される。当技術分野における熟練者には、可撓性支持部材３００が市販されていて容易に購入できることが知られている。他の実施形態では、本方法は、めっき、ラミネート、蒸着または他の公知技術を使用して、上部及び底部導電性基層を可撓性基板に適用することによって始まってもよい。さらに他の実施形態では、上部及び底部導電層は、銅、銀または金等の任意の導電性材料を含んでもよい。
【００６２】
図７Ｂは、工程８０１においてプリント及びエッチングされた後の、電気信号を伝えるのに使用されるトレース３１１、３１２、３１３、３１４を示す。トレース３１１、３１２、３１３、３１４は、上部導電層３０３からエッチングされる。
【００６３】
図７Ｃは、工程８０２及び８０３が完了した後の可撓性回路３００を示す。工程８０２は、誘電体材料３２１を可撓性回路３００の上面側に適用することを必要とする。誘電体層３２２は、先に開示した電気的絶縁材料の何れから構成されてもよく、先に述べた任意の技術（例えば、ラミネート）を使用して可撓性回路へ接着されてもよい。工程８０３は、導電性シールド層３２２を誘電体層３２１の上面に適用することを必要とする。一実施形態では、導電性シールド層３２２は銅フォイルである。銅フォイルは、ラミネート技術または当技術分野において公知である他の技術を使用して可撓性回路３００に接着される。
【００６４】
他の実施形態では、導電層及び誘電体層から構成される材料を使用して、工程８０２及び８０３を同時に実行することができる。この材料は、誘電体層がトレース３１１、３１２、３１３、３１４と物理的に接触する状態で、可撓性回路３００に接着される。他の実施形態では、誘電性接着剤を介して可撓性回路３００へ接着する導電性材料を使用して、工程８０２及び８０３を同時に実行することができる。導電性材料が銅フォイルであるこれらの実施形態では、ＡＤＨ／ＰＩ／ＡＤＨ等の誘電性フォイル接着剤が使用されてもよい。
【００６５】
図７Ｄは、工程８０４によってトレース３１１、３１２、３１３、３１４間に形成されたチャネル３３１、３３２、３３３、３３４を示す。チャネル３３１、３３２、３３３、３３４は、トレース３１１、３１２、３１３、３１４間に位置する可撓性基板３０２、誘電体層３２１及び導電層３２２の一部を除去することにより生成される。チャネル３３１、３３２、３３３、３３４は、底部導電層３０１を露出させるのに十分に深い。先に述べたように、チャネル３３１、３３２、３３３、３３４は、レーザアブレーション等の技術を使用して生成されてもよい。
【００６６】
図７Ｅは、工程８０５においてチャネル３３１、３３２、３３３、３３４に適用された銅めっき３４１、３４２、３４３、３４４を示す。銅めっきは、導電性シールド層３２２と底部導電層３０１との間に電気的な接続をもたらす。チャネル３４１、３４２、３４３、３４４を銅めっきするに当たっては、ＳＨＡＤＯＷ（登録商標）プロセス等の従来のプロセスが使用されてもよい。ＳＨＡＤＯＷ（登録商標）は、銅めっきプロセスを促進するグラファイトベースの直接的な金属被覆プロセスである。
【００６７】
いくつかの実施形態では、導電性シールド層３２２及び底部導電層３０１は、銅めっきに使用されるもの以外の技術及び材料を使用して電気的に接続される。このような技術及び材料は、スクリーニング技術を使用した銀インクの適用を含む場合がある。
【００６８】
導電性シールド層３２２と底部導電層３０１との間の電気的な接続が形成された後、工程８０６において、フォトリソグラフィ等の周知技術を使用して、可撓性回路３００から望ましくない銅が除去される。例えば、工程８０６では、導電性シールド層３２２の上面に不注意にめっきされた銅が除かれる。
【００６９】
図７Ｆは、工程８０７において、導電性シールド層３２２及びめっきされたチャネル３４１、３４２、３４３、３４４の上面に適用された誘電体層３５１を示す。図７Ｇは、工程８０８において、底部導電層３０１の底面に適用された誘電体層３５２を示す。誘電体層３５１、３５２は、可撓性回路３５０を外部短絡から保護してもよい。しかしながら、先に述べたように、いくつかの実施形態では、誘電体層３５１、３５２の一方のみを使用し、あるいはどちらも使用しない。
【００７０】
図７Ｇに示すように、トレース３１１、３１２、３１３は３６０度シールドされる。トレース３１１、３１２、３１３は各々、導電性シールド材料及び他のトレース３１１、３１２、３１３から全方向で絶縁される。誘電体層３２１は、トレース３１１、３１２、３１３の上面及び両側面を接地平面３２２、３４１、３４２、３４３、３４４から電気的に絶縁し、可撓性基板３０２は、トレース３１１、３１２、３１３の底面を接地平面のセットから電気的に絶縁する。従って、トレース３１１、３１２、３１３は各々、接地されたシールド材料に囲まれる。導電層３２２は上部接地シールド材料であり、底部導電層３０１は底部シールド材料である。めっきされたチャネル３４１、３４２、３４３、３４４はトレース３１１、３１２、３１３の両側面をシールドし、かつ導電層３２２と底部導電層３０１とを電気的に接続する。
【００７１】
ＶＩ．用途例
本明細書に開示しているシールド型可撓性回路を製造するための装置及び方法は、一例では、折り畳み式携帯電話に使用されてもよい。図９Ａは、折り畳み式携帯電話の１つのタイプ４００を示す。典型的な折り畳み式携帯電話４００は、本体４２０と、画面４３０と、アンテナ４１０とを備える。本体４２０は、ヒンジ４５０を介して画面４３０へ機械的に接続される。本体４２０は、アンテナ４１０により送受信されるデータを処理する回路構成を備える。従って、送受信されるデータに対応する画像が画面４３０上に表示される。
【００７２】
図９Ｂは、本体４２０が画面４３０から物理的に分離された後の折り畳み式携帯電話４００を示す。図示するように、本明細書に開示している製造装置及び方法によるシールド型可撓性回路４４０は、本体４２０と画面４３０との間に電気的な接続をもたらす。シールド型可撓性回路４４０は、ヒンジ４５０の回転軸に沿って機械的に可撓性である必要がある。このような可撓性は、折り畳み式携帯電話４００が開閉するために必要とされる。さらに、ストリーミングビデオ等のアプリケーションに要求される高速データ転送に起因して、シールド型可撓性回路４４０上のトレースは、外部ソース及び可撓性回路４４０上の他のトレースにより生成されるＥＭＩから、各トレースを遮蔽する能力を有している必要がある。従って、シールド型可撓性回路４４０は、折り畳み式携帯電話４００の用途において、本体４２０と画面４３０との間に電気的な接続を有利にもたらす。
【００７３】
例示のみを目的として、シールド型可撓性回路４４０の一実施形態は、ＥＭＩに起因する実質的な信号損失または歪みなしに、２〜４ＧＨｚのデータ伝送速度に対応することができる。さらに、この実施形態では、近接するトレースの中心間の距離が、１インチの１０００分の２０程の小ささであってもよい。
【００７４】
ＶＩＩ．結び
これまでの記述は、前記シールド型可撓性回路を製造する装置及び方法に関して意図される最良の態様に関する説明を、当技術分野における熟練者が、これらのコンポーネントを製造しかつこれらの方法を実施することを可能にする程度に充分な、明瞭かつ正確な用語で提供している。しかしながら、これらの装置及び方法は、先に述べた実施形態と完全に等価な変更が可能である。よって、これらの装置及び方法は、開示された特定の実施形態に限定されない。これに対して、これらの装置及び方法は、本発明の技術的思想の範囲に含まれる全ての変更を包含する。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１Ａ】１つの導電層を有する可撓性回路の一実施形態の平面斜視図である。
【図１Ｂ】エッチングされたトレースを有する図１Ａの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｃ】エッチングされたトレースを絶縁する誘電体層を有する図１Ｂの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｄ】可撓性回路の上面側に交互接地トレースを露出させるチャネルを有する図１Ｃの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｅ】交互接地トレースと接続する導電性シールド層を上面側に有する図１Ｄの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｆ】可撓性回路の底面側に交互接地トレースを露出させるチャネルを有する図１Ｅの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｇ】交互接地トレースと接続する導電性シールド層を底面側に有する図１Ｆの可撓性回路の平面斜視図である。
【図１Ｈ】交互接地トレースを有する図１Ｇの銅単層シールド型可撓性回路の断面図である。
【図２】交互接地トレースを有する図１Ｈの銅単層シールド型可撓性回路の製造方法の一実施形態を示すプロセス図である。
【図３】全てのトレースがシールドされている銅単層可撓性回路の一実施形態の断面図である。
【図４】全てのトレースがシールドされている図３の銅単層可撓性回路の製造方法の一実施形態を示すプロセス図である。
【図５Ａ】２つの導電層を有する可撓性回路の一実施形態の平面斜視図である。
【図５Ｂ】エッチングされたトレースを有する図５Ａの可撓性回路の平面斜視図である。
【図５Ｃ】可撓性回路の上面側に誘電体層を有する図５Ｂの可撓性回路の平面斜視図である。
【図５Ｄ】上面側のエッチングされたトレース間にチャネルを有する図５Ｃの可撓性回路の平面斜視図である。
【図５Ｅ】底面側の銅層と接続する導電性シールド層を上面側に有する図５Ｄの可撓性回路の平面斜視図である。
【図５Ｆ】図５Ｅの銅二層シールド型可撓性回路の断面図である。
【図６】図５Ｆの銅二層シールド型可撓性回路の製造方法の一実施形態を示すプロセス図である。
【図７Ａ】２つの導電層を有する可撓性回路の一実施形態の平面斜視図である。
【図７Ｂ】エッチングされたトレースを有する図７Ａの可撓性回路の平面斜視図である。
【図７Ｃ】上面側に誘電体層と導電性シールド層とを有する図７Ｂの可撓性回路の平面斜視図である。
【図７Ｄ】エッチングされたトレース間にチャネルを有する図７Ｃの可撓性回路の平面斜視図である。
【図７Ｅ】めっきされたチャネルを有する図７Ｄの可撓性回路の平面斜視図である。
【図７Ｆ】上面側に誘電体層を有する図７Ｅの可撓性回路の平面斜視図である。
【図７Ｇ】図７Ｆの三層シールド型可撓性回路の断面図である。
【図８】図７Ｇの銅三層シールド型可撓性回路の製造方法の一実施形態を示すプロセス図である。
【図９Ａ】ヒンジを有する移動通信デバイスの１つのタイプを示す。
【図９Ｂ】移動通信デバイスの画面と移動通信デバイスの本体との間に電気的な接続をもたらす可撓性回路を示す。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【国際調査報告】
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