(57)【要約】【課題】  単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現すること。【解決手段】  シリコンカーバイド又はその他のウエハに溝を形成するための、及び、薄いアルミニウム層とパターン形成されたハードフォトレジストマスクとを含む同様のマスクを用いて溝の壁に対して不純物を注入するためのマスク構造及び方法。薄いＬＴＯ酸化物が金属層とハードフォトレジストマスクとの間に配置されてもよい。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの上の薄い金属層と前記金属層の上のフォトレジストとを包含する半導体ウエハを処理するためのハードマスク。
【請求項２】
前記金属層と前記ウエハとの間に酸化物層を含むことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項３】
前記ウエハが、シリコンカーバイドであることを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項４】
前記ウエハが、シリコンカーバイドであることを特徴とする請求項２に記載のハードマスク。
【請求項５】
前記マスクが、前記ウエハに溝を形成するための溝エッチング具、及び、前記溝の壁に注入物を注入するためのイオン注入具となることを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項６】
前記金属層と前記ウエハとの間に酸化物層を含むことを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項７】
前記ウエハが、シリコンカーバイドであることを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項８】
前記マスクが、前記ウエハに溝を形成するための溝エッチング具、及び、前記溝の壁に注入物を注入するためのイオン注入具となることを特徴とする請求項４に記載のハードマスク。
【請求項９】
前記溝の壁が、前記ウエハの平面に垂直であって、前記溝を通る垂直線に対して、０°乃至１０°の角度をなしていることを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項１０】
前記薄い金属層が、およそ０．１μｍ乃至１μｍの厚さを有するアルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項１１】
前記酸化物層が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項２に記載のハードマスク。
【請求項１２】
前記酸化物層がおよそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１０に記載のハードマスク。
【請求項１３】
前記マスクが、前記ウエハに溝を形成するための溝エッチング具、及び、前記溝の壁に注入物を注入するためのイオン注入具となることを特徴とする請求項１０に記載のハードマスク。
【請求項１４】
前記マスクが、前記ウエハに溝を形成するための溝エッチング具、及び、前記溝の壁に注入物を注入するためのイオン注入具となることを特徴とする請求項１１に記載のハードマスク。
【請求項１５】
前記マスクが、前記ウエハに溝を形成するための溝エッチング具、及び、前記溝の壁に注入物を注入するためのイオン注入具となることを特徴とする請求項１２に記載のハードマスク。
【請求項１６】
半導体ウエハの頂面の上に薄い金属層を堆積させる工程と、
前記金属層の上にフォトレジストを堆積させる工程と、
前記フォトレジストの上にパターン形成されたマスクを適用して、前記フォトレジストをフォトリソグラフィー法によって現像することにより、前記マスクのパターンに対応する窓を含むハードフォトレジストマスクを形成する工程と、
前記窓を介して露出された前記薄い金属層の領域を除去する工程と、
前記金属層から除去された領域によって露出した前記ウエハの頂面に溝を形成する工程とを包含することを特徴とする半導体ウエハにおいて溝を形成する方法。
【請求項１７】
前記ウエハ表面に薄い酸化物層を形成する工程と、
その後、
前記薄い酸化物層の上に前記薄い金属層を堆積させる工程と、
前記溝を形成する前に、
前記薄い金属層の対応する領域の除去の後に露出した前記薄い酸化物層の領域を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記薄い金属層が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有するアルミニウムであることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記酸化物が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記溝の壁に対して制御された不純物を注入する工程と、
前記フォトレジストと薄い金属層とからなるハードマスクによって、前記注入物に対して前記ウエハの表面をマスクする工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
前記溝の壁に対して制御された不純物を注入する工程と、
前記フォトレジストと薄い金属層とからなるハードマスクによって、前記注入物に対して前記ウエハの表面をマスクする工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記薄い金属層は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、タンタルからなる群から選択され、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項２３】
前記薄い金属層は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、タンタルからなる群から選択され、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溝型半導体デバイス製造のための方法に係り、より詳しくは、そのような方法のための新規なマスク構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、２００６年４月２６日に出願された米国仮出願Ｎｏ．６０／７９５，０２６の利益を主張するものであり、上記仮出願の開示全体は、参照により本出願に組み込まれるものであります。
【０００３】
一般に、マスク構造はシリコン溝のエッチングを制御するためや、そのような構造への不純物の注入の制御のために用いられる。
【０００４】
そのようなマスク構造は複雑であり、例えば、長時間で高温のプロセス段階を必要とするシリコンカーバイド（ＳｉＣ）のような特定の基板材料と関連して用いることができないことは、しばしば問題とされるところである。
【０００５】
単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、上述の技術的背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によると、基板の上の酸化物層（１μｍ、ＬＴＯ）を覆う薄い金属層（例えば、５０００Å、アルミニウム）の上のフォトレジストハードマスクによってマスクは形成される。
【０００８】
ＳｉＣ基板が用いられる場合であって、かつ、例えばＪＦＥＴが形成される場合、必要な溝は深さおよそ２μｍ、幅およそ１乃至３μｍ、隣接する溝は幅およそ１．５乃至２．０μｍのメーサ（ｍｅｓａ：頂上が平らで周囲が絶壁の地形）で隔てられたものであってもよい。
【０００９】
フォトレジスト（ＰＲ）マスク層は、好ましくは、ポジティブＰＲであり、現像後には、窓となる開口、露出され下に横たわる金属と酸化物のプラズマエッチング、その後の基板への互いに離隔された溝のプラズマエッチングを可能にするであろう。
【００１０】
マスクは長期に亘るエッチングプロセスに耐えることができ、その後のイオン注入プロセスのマスクとしても利用できる。
【００１１】
それゆえ、本発明のハードマスクは、（ＪＦＥＴのための）溝ゲート形成用、及びイオン注入ドーピング自己整合用のマスクとして、２つの全く異なったプロセス段階に用いることができる。
【００１２】
ハードマスクの材料選定にあたっては、プラズマエッチングの選択性と、注入イオンの種類とエネルギーに関連した、イオンの阻止又は遮断範囲能力が考慮される。マスクの厚さは基板材料に応じて調整される。
【００１３】
本発明は以下で述べるＳｉＣのＪＦＥＴの例において適用される他、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ、それと同様な溝型半導体デバイスのいずれにも適用可能であり、加えて、ＳｉＣ以外の基板材料にも適用可能である。
【００１４】
さらに、ある応用においては、金属層の下にある酸化物緩衝層を除去することが可能である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明に係るハードマスクの好適な実施の一形態を添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１７】
図１には、初期ウエハ１０の断面のほんの一部が示されている。図１において、ウエハ１０は、他の材料も使用可能であるが、この例では、ＳｉＣとされている。作成されるデバイスがＪＦＥＴの場合、初期ウエハは、その厚さがおよそ３５０μｍで濃度（concentration）がおよそ１．８E１８であるN+基板ドレイン体１１を有する。
【００１８】
N+緩衝層１２はドレイン領域１１の上に位置し、N型ドリフト領域１３は緩衝層の上に位置している。N+ソース領域１４はドリフト層１３の上に位置している。
【００１９】
図２には、第１のプロセス段階が示されており、この第１のプロセス段階では、ウエハ１０の上に酸化物２０（例えばＬＴＯ）が形成される。酸化物２０は、およそ０．８μｍの厚さを有していてもよい。アルミニウム層２１が、その後、酸化物２０の上に厚さおよそ０．５μｍで堆積される。
【００２０】
総マスク厚を減少させるための、層２０及び２１のためのその他の選択肢としては、例えば、０．１乃至１．０μｍの酸化物や、０．１乃至１．０μｍのアルミニウム、又はその他の好適な金属が挙げられる。
【００２１】
ここで留意すべきは、ある場合においては、酸化物障壁２０は完全に除去されてもよいことである。
【００２２】
その後、互いに離隔されたエッチング窓４０を金属層２１の上に形成しつつ、フォトレジスト（ＰＲ）層３０（図３）は金属層２１の上に形成され、図で示すようにマーク（marked）され、現像される。
【００２３】
フォトレジスト（ＰＲ）３０は、好ましくは、ポジティブタイプのフォトレジストであり、引き続いて実行されるべき、溝形成又は注入の段階のために、本発明の新規なハードマスク構造において用いられる。
【００２４】
その後、図４に示されるように、窓４０によって露出した金属層２１と酸化物層の一部は、ウエハのＳｉＣ表面までプラズマエッチングされる。
【００２５】
最後に、図５に示されるように、ドライプラズマエッチングが行われて、ＳｉＣドリフト層１３内に、互いに離隔された溝５０がエッチング形成される。
【００２６】
フォトレジスト４０は除去されてもよいし、残ったハードマスク２０又は２１は、その後の溝５０の溝壁へのイオン注入のためにその場所に残される。
【００２７】
溝５０の溝壁は垂直か又はウエハ表面に対して８０°から９０°（垂直）の角度を形成していてもよい。つまり、溝の壁は溝の中心を通る垂直線に対して最大で１０°を成し、ウエハの平面に対して垂直である。
【００２８】
本願発明は特定の実施例に関連して説明されたものであるが、他の多くのバリエーション、変形、及び他の用途が当業者にとって明らかであろう。従って、本発明はここにおける特定の開示によって制限を受けないことが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明によれば、単一のマスク構造を、溝エッチングプロセス、又は、溝エッチングと注入プロセスの両方のために採用することができ、４Ｈシリコンカーバイドを含む、ＳｉＣ基板や、シリコンやそれと同様のその他の基板とともに用いることができるマスクプロセスを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】初期ウエハの断面のほんの一部を示す断面図である。
【図２】第１のプロセス段階を示す図１と同様な断面図である。
【図３】フォトレジスト層の形成プロセス段階を示す図１と同様な断面図である。
【図４】プラズマエッチングプロセス段階を示す図１と同様な断面図である。
【図５】ドライプラズマエッチング段階を示す図１と同様な断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０      半導体ウエハ
１１      Ｎ+基板ドレイン体
１２      Ｎ+緩衝層
１３      Ｎ型ドリフト領域
１４      Ｎ+ソース領域
２０      酸化物障壁
２１      アルミニウム層
３０      フォトレジスト層
４０      窓
５０      溝
【図１】
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【図２】
2009535817.tif 000004
【図３】
2009535817.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009535817.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ、
前記半導体ウエハの上の金属層、及び
前記金属層と前記ウエハとを貫いて延び、ハード・フォトレジストマスクを形成するための溝、
とを包含し、
前記ハード・フォトレジストマスクは、引き続く、前記溝の溝壁へのイオン注入における使用のために動作可能であり、さらに
前記ハード・フォトレジストマスクは、溝ゲート形成における使用のためにも動作可能である、ことを特徴とするハードマスク。  
【請求項２】
前記金属層と前記ウエハとの間の酸化物層をさらに包含する、ことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項３】
前記ウエハが、シリコンカーバイドである、ことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項４】
前記ウエハが、シリコンカーバイドである、ことを特徴とする請求項２に記載のハードマスク。
【請求項５】
前記金属層の上のフォトレジスト層をさらに包含する、ことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項６】
前記金属層と前記ウエハとの間の酸化物層をさらに包含する、ことを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項７】
前記ウエハが、シリコンカーバイドである、ことを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項８】
前記溝の壁が、前記ウエハの平面に垂直であって前記溝を通る垂直線、に対して、０°乃至１０°の角度をなしている、ことを特徴とする請求項５に記載のハードマスク。
【請求項９】
前記金属層が、およそ０．１μｍ乃至１μｍの厚さを有するアルミニウムである、ことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項１０】
前記酸化物層が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有する、ことを特徴とする請求項２に記載のハードマスク。
【請求項１１】
前記酸化物層がおよそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項９に記載のハードマスク。
【請求項１２】
半導体ウエハにおいて溝を形成する方法であって、
前記半導体ウエハの頂面の上に金属層を堆積させるステップ、
前記金属層の上にフォトレジストを堆積させるステップ、
前記フォトレジストの上にパターン形成されたマスクを適用するステップ、
前記フォトレジストをフォトリソグラフィー法によって現像することにより、前記マスクのパターンに対応する窓を含むハード・フォトレジストマスクを形成するステップ、
前記窓を介して露出された前記金属層の領域を除去するステップ、及び
前記金属層から除去された領域によって露出した前記ウエハの頂面に溝を形成するステップを包含し、
前記ハード・フォトレジストマスクは、引き続く、前記溝の溝壁へのイオン注入における使用のために動作可能であり、さらに
前記ハード・フォトレジストマスクは、溝ゲート形成における使用のためにも動作可能である、ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
前記ウエハ表面の上であって、前記金属層の下に、酸化物層を形成するステップ、及び
前記金属層の対応する領域の除去の後に露出した前記酸化物層の領域を除去するステップを包含する、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属層が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有するアルミニウムである、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化物が、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有する、ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記溝の壁に対して制御された不純物を注入するステップ、及び
前記フォトレジストと薄い金属層とからなるハードマスクによって、前記注入物に対して前記ウエハの表面をマスクするステップをさらに包含する、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記溝の壁に対して制御された不純物を注入するステップ、及び
前記フォトレジストと前記金属層とからなるハードマスクによって、前記注入物に対して前記ウエハの表面をマスクするステップをさらに包含する、ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属層は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、タンタルからなる群から選択され、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載のハードマスク。
【請求項１９】
前記金属層は、アルミニウム、ニッケル、タングステン、タンタルからなる群から選択され、およそ０．１μｍ乃至１．０μｍの厚さを有する、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記金属層の上の前記フォトレジストを除去するステップをさらに包含する、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【国際調査報告】
2009535817.tif 000008