(57)【要約】  半導体を製造するための方法および装置が、外部壁を具備する少なくとも２個の移送チャンバと、該移送チャンバに取り付けられている少なくとも１個の保持チャンバと、該移送チャンバの壁に取り付けられている少なくとも１個のロードロックチャンバと、該移送チャンバの該壁に取り付けられている少なくとも５個のプロセスチャンバとを備えている。高誘電率膜を堆積するための方法および装置が、第１のプロセスチャンバにおいて基板上にベース酸化物を堆積するステップと、少なくとも１個の第２のプロセスチャンバにおいて該基板の表面に減結合プラズマ窒化を提供するステップと、第３のプロセスチャンバにおいて該基板の該表面をアニーリングするステップと、少なくとも１個の第４のプロセスチャンバにおいて多結晶シリコンを堆積するステップと、を備えており、該第１、第２、第３および第４のプロセスチャンバが共通の内部チャンバと流体連通している。【選択図】  図３
2009503818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を製造するための一体型処理ツールであって、
少なくとも１個の移送チャンバと、前記移送チャンバに取り付けられている少なくとも１個のロードロックとを有する第１の処理ツールと、
少なくとも１個の移送チャンバを有する第２の処理ツールと、
前記第１の処理ツールおよび前記第２の処理ツールに取り付けられている少なくとも１個の中間チャンバと、
を備えており、
少なくとも５個のプロセスチャンバが前記移送チャンバに取り付けられている一体型処理ツール。
【請求項２】
各移送チャンバがスリットバルブによって前記少なくとも１個の中間チャンバに取り付けられている、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項３】
前記第１の処理ツールが単一ブレードロボットを備える、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項４】
前記第２の処理ツールが二重ブレードロボットを備える、請求項３に記載の一体型処理ツール。
【請求項５】
前記第１の処理ツールが２個のロードロックチャンバを有する、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項６】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが６個のプロセスチャンバからなる、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項７】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが７個のプロセスチャンバからなる、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項８】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが８個のプロセスチャンバからなる、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項９】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが９個のプロセスチャンバからなる、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項１０】
少なくとも１個のサービスチャンバを更に備える、請求項１に記載の一体型処理ツール。
【請求項１１】
前記少なくとも１個のサービスチャンバが少なくとも１個の計測（metrology）チャンバである、請求項１０に記載の一体型処理ツール。
【請求項１２】
半導体を製造するための一体型処理ツールであって、
複数のプロセスチャンバをサポートするように構成されている第１の移送チャンバと、
複数のプロセスチャンバをサポートするように構成されている第２の移送チャンバと、
前記第１の移送チャンバと連通している少なくとも１個のロードロックチャンバと、
前記第１の移送チャンバおよび前記第２の移送チャンバによってサポートされている少なくとも１個の中間チャンバと、
前記第１および第２の移送チャンバと連通している少なくとも５個のプロセスチャンバと、
を備える一体型処理ツール。
【請求項１３】
各中間チャンバがスリットバルブによって前記第１および第２の移送チャンバに取り付けられている、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１４】
少なくとも１個の単一ブレードロボットを更に備える、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１５】
各中間チャンバが、前記少なくとも５個のプロセスチャンバのうちのいずれかに輸送するために少なくとも２個のロボットによってアクセス可能である、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１６】
少なくとも２個のロードロックチャンバを有する、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１７】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが６個のプロセスチャンバである、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１８】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが７個のプロセスチャンバである、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項１９】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが８個のプロセスチャンバである、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項２０】
前記少なくとも５個のプロセスチャンバが９個のプロセスチャンバからなる、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項２１】
少なくとも1個のサービスチャンバを更に備える、請求項１２に記載の一体型処理ツール。
【請求項２２】
前記少なくとも１個のサービスチャンバが少なくとも１個の計測チャンバである、請求項２１に記載の一体型処理ツール。
【請求項２３】
高誘電率膜を堆積するための方法であって、
第１のプロセスチャンバにおいて基板上にベース酸化物を堆積するステップと、
第２および第３のプロセスチャンバにおいて前記基板の表面に減結合プラズマ窒化を提供するステップと、
第４のプロセスチャンバにおいて前記基板の前記表面をアニーリングするステップと、
少なくとも１個の第５のプロセスチャンバにおいて多結晶シリコンを堆積するステップと、
を備えており、
前記第１、第２、第３、第４および第５のプロセスチャンバが共通の中間チャンバと流体連通している方法。
【請求項２４】
高誘電率膜を堆積するための方法であって、
第１のプロセスチャンバにおいて基板上にベース酸化物を堆積するステップと、
第２および第３のプロセスチャンバにおいて前記基板の表面に減結合プラズマ窒化を提供するステップと、
第４のプロセスチャンバにおいて前記基板の前記表面をアニーリングするステップと、
第５および第６のプロセスチャンバにおいて前記基板の表面に減結合プラズマ窒化を提供するステップと、
第７のプロセスチャンバにおいて前記基板の前記表面をアニーリングするステップと、
第８のプロセスチャンバにおいて原子層堆積を提供するステップと、
を備えており、
前記第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７および第８のプロセスチャンバが共通の中間チャンバと流体連通している方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は概して、複数の堆積処理モジュールによって処理シーケンスを実行するように構成されている一体型電子デバイス処理システムに関する。
【関連技術の説明】
【０００２】
[0002]半導体デバイスは、一体型ツールなどのマルチチャンバ処理システムにおいて基板を処理することによって形成される。閉鎖環境において相互に連通している複数のチャンバは、基板がチャンバ間の大気に暴露される場合に生じる化学物質および粒子の汚染を低減し、かつ更なる電力消費を回避するため、望ましい。チャンバは剛性壁、ウィンドウ、スリットバルブ、および処理システムの残りの部分を保護するための他の機器によって隔離され、またチャンバ間で基板を輸送するスリットバルブおよびロボットによって相互にアクセス可能である。コントロールされた処理環境はメインフレーム、圧力コントロールシステム、基板移送ロボット、ロードロック、および複数の処理チャンバを含んでいる。コントロールされた環境での処理は欠陥を低減し、デバイス歩留まりを改良する。
【０００３】
[0003]図１（従来技術）は、カリフォルニア州、サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によって製造されたＣＥＮＴＵＲＡ（商標）処理ツールとして市販されている半導体基板処理用のマルチプロセスチャンバプラットフォームの概略図を描いている。図２は、カリフォルニア州、サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．によって製造されたＥＮＤＵＲＡ（商標）処理ツールとして市販されている半導体基板処理用の別のマルチプロセスチャンバプラットフォームの概略図を描いている。これらのツールは、チャンバ間で基板を移送するための単一、二重、またはマルチブレードロボットを利用するように適合可能である。このような段階的真空基板処理システムの詳細は、１９９３年２月１６日に発行された「Ｓｔａｇｅｄ−Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ」と題された米国特許第５，１８６，７１８号に開示されており、これは参照して本明細書に組み入れられる。チャンバの正確な配列および組み合わせは、製作プロセスの具体的なステップを実行するために変えられてもよい。
【０００４】
[0004]図１（従来技術）に描かれている処理ツール１００は複数のプロセスチャンバ１１４Ａ〜Ｄと、移送チャンバ１１０と、サービスチャンバ１１６Ａ〜Ｂと、１対のロードロックチャンバ１０６Ａ〜Ｂとを含有している。チャンバ間で基板を輸送するために、移送チャンバ１１０はロボット輸送機構１１３を含有している。輸送機構１１３は、それぞれ延長可能アーム１１３Ｂの遠位端に取り付けられている１対の基板輸送ブレード１１３Ａを有している。ブレード１１３Ａは、プロセスチャンバに対して個々の基板を搬送するために使用される。動作中、輸送機構１１３のブレード１１３Ａなどの基板輸送ブレードのうちの一方が、チャンバ１０６Ａ〜Ｂなどのロードロックチャンバのうちの一方から基板Ｗを検索して、処理の第１の段階、例えばチャンバ１１４Ａ〜Ｄにおける物理気相堆積（ＰＶＤ）に基板Ｗを搬送する。チャンバが占有されている場合、ロボットは処理が完了するまで待機し、そして処理済み基板を一方のブレード１１３Ａによってチャンバから除去して、新たな基板を第２のブレード（図示せず）によって挿入する。基板が処理されると、処理の第２の段階に移動可能である。各移動について、輸送機構１１３は概して、基板を搬送するブレードと、基板交換を実行するために空のブレードとを有している。輸送機構１１３は、交換が達成可能になるまで各チャンバで待機する。
【０００５】
[0005]プロセスチャンバ内で処理が完了されると、輸送機構１１３は基板Ｗを最後のプロセスチャンバから移動させて、基板Ｗをロードロックチャンバ１０６Ａ〜Ｂ内のカセットに輸送する。ロードロックチャンバ１０６Ａ〜Ｂから、基板はファクトリインタフェース１０４に移動する。ファクトリインタフェース１０４は概して、大気圧クリーン環境のポッドローダー１０５Ａ〜Ｄとロードロックチャンバ１０６Ａ〜Ｂとの間で基板を移送するように動作する。ファクトリインタフェース１０４のクリーン環境は概して、例えばＨＥＰＡろ過などの空気ろ過プロセスによって提供される。ファクトリインタフェース１０４はまた、処理前に基板を適切に整列させるために使用される基板配向器／整列器（図示せず）を含むことがある。ロボット１０８Ａ〜Ｂなどの少なくとも１個の基板ロボットがファクトリインタフェース１０４に位置決めされており、ファクトリインタフェース１０４内の種々の位置／場所間で、かつこれと連通している他の場所に基板を輸送する。ロボット１０８Ａ〜Ｂは、ファクトリインタフェース１０４の第１の端から第２の端にエンクロージャ１０４内の追跡システムに沿って動くように構成されてもよい。
【０００６】
[0006]図２（従来技術）に描かれている処理ツール２００は、例えば４個のプロセスチャンバ２３２、２３４、２３６および２３８と、内部移送チャンバ２５８と、プレクリーンチャンバ２２２と、冷却チャンバ２２４と、初期移送チャンバ２０６と、基板配向器および脱ガスチャンバ２１８および２１６と、１対のロードロックチャンバ２０２および２０４とを含有している。初期移送チャンバ２０６は、ロードロックチャンバ２０２および２０４と、基板配向器および脱ガスチャンバ２１６および２１８と、プレクリーンチャンバ２２２と、冷却チャンバ２２４とに対して中央に配置されている。これらのチャンバ間での基板移送を実行するために、初期移送チャンバ２０６は第１のロボット移送機構２１０、例えば単一ブレードロボット（ＳＢＲ）を含有している。基板は通常ステージから、ロードロックチャンバ２０２または２０４のうちの一方内におかれているカセット（図示せず）の処理ツール２００に搬送される。ＳＢＲ２１０は基板を、一度に１個ずつ、カセットから４個のチャンバ２１２、２１４、２１６および２１８のうちのいずれか１個に輸送する。通常、所与の基板がまず基板配向器と、脱ガスチャンバ２１６および２１８のうちの一方とに置かれてから、プレクリーンチャンバ２１２に移動される。冷却チャンバ２１４は概して、基板がプロセスチャンバ２３２、２３４、２３６および２３８内で処理される後までは使用されない。個々の基板は、ＳＢＲ２１０の１対の延長可能アームの遠位端に配置されている基板輸送ブレード上に搬送される。輸送動作はマイクロプロセッサコントローラ２０１によってコントロールされる。
【０００７】
[0007]内部移送チャンバ２５８は、４個のプロセスチャンバ２３２、２３４、２３６および２３８ならびにプレクリーンチャンバ２２２および冷却チャンバ２２４によって囲まれており、これらへのアクセスを有している。チャンバ間の基板の輸送を実行するために、内部移送チャンバ２５８は第２の輸送機構２３０、例えば二重ブレードロボット（ＤＢＲ）を含有する。ＤＢＲ２３０は、１対の延長可能アームの遠位端に取り付けられている１対の基板輸送ブレードを有している。動作中、ＤＢＲ２３０の基板輸送ブレードのうち一方がプレクリーンチャンバ２２２から基板を検索して、この基板を、処理の第１の段階、例えばチャンバ２３２における物理気相堆積（ＰＶＤ）に搬送する。チャンバが占有されている場合、ＤＢＲ２３０は処理が完了されるまで待機してから、基板を交換する、つまり処理済み基板を一方のブレードによってチャンバから除去して、新たな基板を第２のブレードによって挿入する。基板が処理されると（つまり、基板上の材料のＰＶＤ）、基板は処理の第２の段階などに移動可能である。各移動について、ＤＢＲ２３０は概して、基板を搬送するブレードと、基板交換を実行するために空のブレードとを有している。ＤＢＲ２３０は、交換が達成可能になるまで各チャンバで待機する。
【０００８】
[0008]プロセスチャンバ内で処理が完了されると、輸送機構２３０は基板をプロセスチャンバから移動させて、この基板を冷却チャンバ２２２に輸送する。基板は次いで、初期移送チャンバ２０６内の第１のロボット移送機構２１０を使用して冷却チャンバから除去される。最後に、基板は、ロードロックチャンバ２０２または２０４のうち一方内のカセットに置かれて、一体型ツール内の基板製作プロセスを完了させる。
【０００９】
[0009]基板製作プロセスの有効性は、２個の関連要因、デバイス歩留まりおよび所有コスト（ＣＯＯ）によって測定される。これらの要因は、電子デバイスの生産コストおよびデバイス製造業者の競争力に直接影響を与える。ＣＯＯは、多数の要因に影響されるが、システムおよびチャンバスループットや、単に処理シーケンスを使用して処理される１時間当たりの基板数によって最も大きく影響される。プロセスシーケンスは、一体型ツールにおいて１個以上の処理チャンバで完了されるデバイス製作ステップの組み合わせである。一体型ツールの基板スループットがロボットの使用可能性によって制限されない場合、長いデバイス製作ステップが処理シーケンスのスループットを制限し、ＣＯＯを増大させ、かつ潜在的に望ましい処理シーケンスを非現実的なものとしてしまう。
【００１０】
[0010]一体型ツールは、半導体デバイス製作プロセスを実行するように適合された複数の単一基板処理チャンバを利用する。ＰＶＤチャンバやＣＶＤチャンバなどの従来の製作プロセス用の通常のシステムスループットは、１時間当たり３０〜６０個の基板に通常の堆積プロセスを提供する。通常の事前および事後処理ステップ全てによる２〜４個のプロセスチャンバによるシステムは、約１〜２分の最大処理時間を有している。最大処理ステップ時間は、システムに含有されている平行プロセスや冗長チャンバの数に基づいて変更することがある。
【００１１】
[0011]より小型の半導体デバイスの一次的利点は、デバイス処理速度を改良し、かつデバイスによる熱の発生を低減することである。プロセス変動性耐性は、半導体デバイスのサイズが縮小するにつれて縮小する。これらのより厳しいプロセス要件を満たすために、産業界は新たなプロセスを開発してきたが、これらは、しばしば完了するのにより多くの時間がかかる。例えば、一部のＡＬＤプロセスは、基板表面上に高品質の層を堆積させるのに約１０〜約２００分のチャンバ処理時間を必要とし、これは１時間当たり約０．３〜約６個程度の基板の基板処理シーケンススループットをもたらすことになる。デバイス性能の改良によりゆっくりとしたプロセスを使用することを強いられる場合、より遅い基板スループットゆえに製作コストは増大する。所望のスループットを満たすために更なるチャンバを一体型処理ツールに付加することが可能であるが、一体型処理ツールのサイズおよびこのツールを稼動させるスタッフを著しく増大させずにプロセスチャンバやツールの数を増大させることはしばしば非現実的である。これらは、しばしば、基板製作プロセスの最も高価な態様である。
【００１２】
[0012]デバイス性能の変動性および反復性に影響を与える恐れのある要因の１つはキュー時間である。キュー時間は、第１のプロセスが基板上で完了された後、デバイス性能の低減を防止するために第２のプロセスが基板上で完了される前に基板が大気や他の汚染物質に暴露される恐れのある時間のことである。基板が、受容可能なキュー時間より長い間大気や他の汚染物質源に暴露される場合、デバイス性能は、第１の層と第２の層の界面の汚染ゆえに低減されることがある。従って、大気や他の汚染源への基板の暴露を含むプロセスシーケンスは、デバイス性能変動性を防止するために基板がこれらの源に暴露される時間をコントロールまたは最小化しなければならない。また、有用な電子デバイス製作プロセスは均一かつ反復可能なプロセス結果を送出し、汚染を最小化し、また基板処理シーケンスで使用するために考えられる受容可能なスループットを提供しなければならない。
【００１３】
[0013]金属酸化物などの高誘電率材料は、基板上に形成される薄膜の１タイプである。基板上に金属酸化膜を形成するための現在の方法に伴う問題は、高表面粗さ、高結晶性、および／または形成された金属酸化膜の不良核生成を含んでいる。
【００１４】
[0014]従って、基板上に高ｋ誘電材料を形成するためのプロセスおよび装置の改良の必要がある。また、必要なデバイス性能目的を満たし、かつシステムスループットを増大させるために基板を処理可能なシステム、方法および装置の必要がある。
【発明の概要】
【００１５】
[0015]本発明は概して、各処理ツールが外部壁を具備する少なくとも１個の移送チャンバを有する２個以上の処理ツールで基板を一体型処理するための方法および装置を提供しており、ここでは少なくとも１個の中間チャンバが該処理ツールを接続しており、また該一体型処理ツールは、該移送チャンバの該壁に取り付けられている少なくとも５個のプロセスチャンバを有している。本発明はまた、概して、１個以上の中間チャンバによって接続されている第１および第２の処理ツール上に配置されている少なくとも５個の処理チャンバに高誘電率膜を堆積させるための方法および一体型処理ツールを提供する。
【００１６】
[0016]本発明の上記引用された特徴が詳細に理解されるように、上記簡潔に要約された本発明のより特定的な説明は実施形態を参照してなされてもよく、これらの一部は添付の図面に図示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の通常の実施形態のみを図示しており、また本発明は他の等しく効果的な実施形態を認めてもよいため本発明の範囲の制限とみなされるべきではない点に留意すべきである。
【詳細な説明】
【００１７】
[0032]本発明は、２個以上の処理ツールを組み合わせることによって拡張処理シーケンスを実行するように構成された一体型処理ツールに関する。
処理ツール
[0033]図１および図２は、処理チャンバの正確な配列および組み合わせが製作プロセスの具体的なステップを実行するために変えられてもよい使用可能な処理ツールの実施形態を提供する。しかしながら、処理チャンバの総数は、互換性のあるプロセスチャンバを取り付けるための内部チャンバの外部表面積を含む複数の要因によって制限される。つまり、内部チャンバ寸法は、互換性のあるプロセスチャンバを提供することと、フロア空間を節約することと、チャンバの内部部分およびロードロックチャンバ内に達するロボットを構成することとのバランスをとるように、選択されなければならない。また、サービスチャンバは内部チャンバの外部表面積に取り付けられてもよい。
５個以上のプロセスチャンバを具備する一体型処理ツール
[0034]図３は、２個の処理ツール３０１Ａ、３０１Ｂを組み合わせる一体型処理ツール３００の実施形態の概略図である。システムコントローラ３０２は処理ツール３０１Ａ、３０１Ｂの両方をコントロールする。内部チャンバ３０１は、中間チャンバ３０８Ａ、３０８Ｂによって接続されている２個の領域３０１Ａ、３０１Ｂを有しており、また更なるプロセスチャンバを取り付けるための更なる外部表面積を特徴付ける。この形状は、領域３０１Ａの外部に沿ったサービスチャンバおよび２個のロードロックチャンバ３０６Ａ〜Ｂの配置を容易にする。この形状は、また、最大６個のプロセスチャンバ３１４Ａ〜Ｆの更なるプロセスチャンバを提供する。内部チャンバ３１０の２個の領域３０１Ａ、３０１Ｂは中間チャンバ３０８Ａ、３０８Ｂによって接続されて、ロボット３１５とロボット３１３間の連通を容易にする。中間チャンバ３０８Ａ、３０８Ｂは、アニーリングチャンバなどのサービスチャンバであってもよい。
【００１８】
[0035]図４は、一体型処理ツール４００の代替実施形態の概略図である。ツールの長さは増大されるが、ツールの幅は、標準ＥＮＤＵＲＡ（商標）ツールなどのより小型のシステムに匹敵する。従って、内部チャンバ４１０の外部表面積および内部容積は標準ＥＮＤＵＲＡ（商標）ツールより大きい。より大きな外部表面積は、一体型処理ツール４００の外部表面に沿って置かれる複数のサービスチャンバおよび１個のロードロック４０６Ａを許容する。基板はフロントエンド環境４０１を介して処理ツール４００に導入される。より大きな外部表面積はまた、更なるプロセスチャンバ４１４Ａ〜Ｇ、つまり７個のプロセスチャンバ用の場所を提供する。内部チャンバ４１０の２個の領域４０３Ａ、４０３Ｂは中間チャンバ４０８Ａ，４０８Ｂによって接続されており、ロボット４１５とロボット４１３の連通を容易にする。中間チャンバ４０８Ａ，４０８Ｂはサービスチャンバであってもよい。ロードロック４０６Ａは、参照して本明細書に組み入れられる米国特許第５，９６１，２６９号に説明されている上下ロードロックチャンバなどの上下ロードロックであってもよい。
【００１９】
[0036]図３および図４の実施形態の両方について、システムコントローラ３０２、４０２、サービスチャンバおよびプロセスチャンバ３１４Ａ〜Ｈ、４１４Ａ〜Ｉの配置は、最適なロボットアクセス、熱伝達最適化または他の要因について選択されてもよい。プロセスチャンバ数はまた、図３の実施形態の４〜６個のプロセスチャンバおよび図４の４〜７個のプロセスチャンバについて調整されてもよい。コントローラパラメータはより大型の一体型処理ツール実施形態について調整されてもよい。パージガス、ガス送出システムおよび排出システムの流量は、より大きな一体型処理ツール容積全体を考慮してより大きな内部チャンバについて修正されてもよい。
【００２０】
ロードロックチャンバ
[0037]ロードロックは、フロントエンド環境と次の移送チャンバとの間の第１の容積界面を提供する。図３の実施形態では、２個のロードロック３０６Ａ、３０６Ｂが、移送チャンバ３０１Ｂおよびフロントエンド環境３２０と交互に連通することによってスループットを増大させるように提供される。従って、一方のロードロックが移送チャンバと連通するのに対して、第２のロードロックはフロントエンド環境と連通可能である。一実施形態では、ロードロックは、ファクトリインタフェースから２個以上の基板を受信可能であり、かつ基板を保有可能であるバッチタイプロードロックであるのに対して、チャンバはシールされてから、移送チャンバへの基板の移送に十分低い真空レベルにまで空にされる。好ましくは、バッチロードロックは一度に２５〜５０個の基板を保有可能である。一実施形態では、ロードロックは、一体型ツールでの処理後に基板を冷却するように適合されてもよい。一実施形態では、ロードロックに保有されている基板は、両方ともロードロックに搭載されているガス源入口（図示せず）からガス排出口（図示せず）にガスを流すことによってもたらされる対流によって冷却されてもよい。別の実施形態では、ロードロックは、冷却可能な複数の熱伝導シェルフ（図示せず）を含むロードロックカセットが嵌合されてもよい。シェルフは、カセットに保有されている基板間にインタリーブ可能であるため、シェルフと基板間にギャップが存在する。本実施形態では、シェルフは基板を放射状に冷却することによって、基板の損傷や反りを回避するために基板の均一な加熱や冷却を提供することができる。別の実施形態では、シェルフは基板の表面に接触して、この表面から熱を伝導することによって基板を冷却する。
【００２１】
[0038]一実施形態では、一体型ツールは、大気圧（例えば、７６０トール）またはこの付近の圧力で基板を処理するように適合されているため、ファクトリインタフェースと移送チャンバ間の中間チャンバとしてロードロックは必要とされない。本実施形態では、ファクトリインタフェースロボットは基板「Ｗ」をロボットに直接移送するか、ファクトリインタフェースは基板「Ｗ」を、ロードロックの場所をとる通過チャンバ（図示せず）に移送してもよいため、ロボットおよびファクトリインタフェースロボットは基板を交換可能である。移送チャンバは、移送チャンバ、適所に搭載されている処理チャンバおよびサービスチャンバにおける酸素、水および／または他の汚染物質の分圧を最小化するために不活性ガスによって継続的にパージされてもよい。使用可能な不活性ガスは例えばアルゴン、窒素またはヘリウムを含む。
【００２２】
サービスチャンバ
[0039]サービスチャンバ３０８Ａ、Ｂまたは４０８Ａ、Ｂは、計測学、脱ガス化、配向、冷却および他のプロセスについて適合される。計測チャンバは膜厚測定や組成分析を提供可能である。基板はサービスチャンバに配向され、かつ／またはサービスチャンバに搭載されているＩＲランプを使用して脱ガスされてもよい。本発明の一態様では、プレクリーンプロセスステップが、表面汚染を除去するために、サービスチャンバの基板上で完了されてもよい。サービスチャンバは、プロセスチャンバのうちのいずれかと交換されてもよい。
【００２３】
プロセスチャンバ
[0040]本発明の一態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上は、バッチ堆積ステップを実行する前後に基板をアニーリングするために使用可能なＲＴＰチャンバであってもよい。ＲＴＰプロセスは、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＲＴＰチャンバおよび関連プロセスハードウェアを使用して行われてもよい。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＣＶＤチャンバであってもよい。このようなＣＶＤプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＤＸＺ（商標）チャンバ、Ｕｌｔｉｍａ  ＨＤＰ−ＣＶＤ（商標）チャンバおよびＰＲＥＣＩＳＩＯＮ５０００（登録商標）チャンバを含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＰＶＤチャンバであってもよい。このようなＰＶＤプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＥｎｄｕｒａ（商標）  ＰＶＤ処理チャンバを含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＤＰＮチャンバであってもよい。このようなＤＰＮプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＤＰＮ  Ｃｅｎｔｕｒａ（商標）チャンバを含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はプロセス／基板計測チャンバであってもよい。プロセス／基板計測チャンバで完了されるプロセスは、粒子測定技術、残渣ガス分析技術、ＸＲＦ技術、および、偏光解析技術などの膜厚および／または膜組成を測定するのに使用される技術を含むことができるが、これらに制限されない。
【００２４】
高誘電率膜堆積
[0041]図５〜図１１は、高誘電率（高ｋ）膜を堆積するプロセスのプロセスフロー図である。これらのプロセスの各々は、基板を更なる一体型ツールにリロードする前に４個以上のプロセスチャンバにアクセスする必要がある。チャンバ間で基板処理時間を分割するためにより多くのチャンバが使用される。高ｋ膜堆積が、複数のプロセスステップ用のチャンバにアクセスすることによって１個の一体型ツールで使用可能な複数のプロセスチャンバを使用する場合に改良される。より大きなプロセスツールは、より短いラグ時間でのプロセスチャンバへのアクセスを促進して、ツール間の輸送中に化学物質への暴露を低減する。
【００２５】
[0042]図５は、ステップ５０１で、まずベース酸化物を堆積する高ｋ膜の堆積を図示している。ベース酸化物は、１個のプロセスチャンバにおいてｉｎ  ｓｉｔｕスチーム発生（ＩＳＳＧ）を使用して堆積されてもよい。次に、ステップ５０２は、堆積酸化物を減結合プラズマ窒化によって処置する。減結合プラズマ窒化は、窒化プロセスを加速するために２個のプロセスチャンバで実行されてもよい。ステップ５０３はアニーリングステップを提供する。アニーリングステップは急速加熱アニーリングであってもよく、また１個のプロセスチャンバで実行されてもよい。次に、ステップ５０４は多結晶シリコン堆積ステップである。ステップ５０４は２個のプロセスチャンバを必要とすることもある。
【００２６】
[0043]図６は、高ｋ膜を堆積するプロセスの代替実施形態である。ステップ６０１は、１個または２個のプロセスチャンバで実行されてもよい原子層堆積などの任意の数のプロセスを使用する高ｋ膜の堆積である。ステップ６０２はアニーリングステップであり、これは、１個のプロセスチャンバで実行される急速加熱アニーリングであってもよい。ステップ６０３は、２個のプロセスチャンバで実行される減結合プラズマ窒化である。ステップ６０４は、１個のプロセスチャンバで実行されるもう１個のアニーリングステップである。ステップ６０５は、１個または２個のプロセスチャンバで実行されてもよい原子層堆積ステップである。
【００２７】
[0044]図７は、高ｋ膜を堆積するプロセスの更なる実施形態である。ステップ７０１は、例えば１個のプロセスチャンバを使用する原子層堆積によってシリコンを堆積する。ステップ７０２は、１個のプロセスチャンバにおいてＩＳＳＧを使用して酸化物を堆積する。ステップ７０３は、２個のプロセスチャンバにおいて減結合プラズマ窒化を使用する。ステップ７０４は、１個のプロセスチャンバで実行されるアニーリングステップである。ステップ７０５は、１個または２個のプロセスチャンバでの原子層堆積である。ステップ７０６は、２個のプロセスチャンバを使用することもある多結晶シリコン堆積ステップである。
【００２８】
[0045]図８は、高ｋ膜を堆積するプロセスの更なる代替実施形態である。ステップ８０１は、１個のプロセスチャンバにおいて原子層堆積を使用してシリコンを堆積する。ステップ８０２は、１個のプロセスチャンバにおいてＩＳＳＧを使用して酸化物を堆積する。ステップ８０３は、１個または２個のチャンバを使用する減結合プラズマ窒化ステップである。ステップ８０４は、１個のプロセスチャンバにおける、急速加熱アニーリングなどのアニーリングステップである。ステップ８０５は、ステップ８０３のようなもう１つの減結合プラズマ窒化ステップである。ステップ８０６は、ステップ８０４のようなアニーリングステップである。ステップ８０７は、１個または２個のプロセスチャンバを使用することもある原子層堆積ステップである。
【００２９】
[0046]図９は、高誘電率膜を堆積するプロセスの更なる実施形態である。ステップ９０１は、例えば１個のプロセスチャンバを使用する原子層堆積によってシリコンを堆積する。ステップ９０２は、シリコン表面を改良するクリーニングステップである。クリーニングは、アニーリング、オゾンや他のガスによるプラズマクリーニング、あるいは１個のプロセスチャンバにおける基板のエッチングを含んでもよい。ステップ９０３は、１個のプロセスチャンバにおいてＩＳＳＧや他の方法を使用する酸化物形成ステップである。ステップ９０４は、２個のプロセスチャンバを使用することもある多結晶シリコン堆積である。ステップ９０５は、１個のプロセスチャンバにおいて、急速加熱アニーリングなどの方法を使用してアニーリングする。
【００３０】
[0047]図１０は、高誘電率膜を堆積するプロセスの更なる実施形態である。ステップ１００１は、例えば１個のプロセスチャンバを使用する原子層堆積によってシリコンを堆積する。ステップ１００２は、シリコン表面を改良するクリーニングステップである。クリーニングは、アニーリング、オゾンや他のガスによるプラズマクリーニング、あるいは１個のプロセスチャンバにおける基板のエッチングを含むことがある。ステップ１００３は、１個のプロセスチャンバにおいてＩＳＳＧや他の方法を使用する酸化物形成ステップである。ステップ１００４は、２個のプロセスチャンバで実行される原子層堆積などの任意の数のプロセスを使用する高ｋ膜の堆積である。
【００３１】
[0048]図１１は、高誘電率膜を堆積するプロセスの更なる実施形態である。ステップ１１０１は、例えば２個のプロセスチャンバを使用する原子層堆積によってシリコンを堆積する。ステップ１１０２は、シリコン表面を改良するクリーニングステップである。クリーニングは、アニーリング、オゾンや他のガスによるプラズマクリーニング、あるいは１個のプロセスチャンバにおける基板のエッチングを含むことがある。ステップ１１０３はエピタキシャル堆積ステップである。シリコン、シリコンカーバイド、シリコン酸化物またはシリコン窒化物は２個のプロセスチャンバでエピタキシャルに堆積されてもよい。
【００３２】
[0049]図１２は、本発明の一実施形態に従って形成されたゲート構造を有するトランジスタを図示している。シリコンゲルマニウムやシリコン炭素を含有する複数のフィールド分離領域１２０８は、あるタイプの導電性（例えばｐ型）の平面層１２０３のウェルを、他のタイプの導電性（例えばｎ型）の隣接ウェル（図示せず）から分離する。ゲート誘電層１２１１がボックス酸化物１２０２およびウェル１２０３上に形成される。通常、ゲート誘電層１２１１は、約５．０未満の誘電率を有する、酸化シリコン（ＳｉＯｎ）および／または酸窒化シリコンなどの材料層を堆積または成長させることによって形成されてもよい。ゲート誘電技術における最近の進歩は、誘電率が高い材料（ｋ＞１０）ほどゲート誘電層１２１１を形成するのに望ましいことを示している。従って、採用される適切な材料の例は、金属酸化物（Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｙ２Ｏ３およびＬａ２Ｏ３）、強誘電体（チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）およびチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ））、アモルファス金属シリケート（ＨｆＳｉｘＯｙおよびＺｒＳｉｘＯｙ）、アモルファスシリケート酸化物（（ＨｆＯ２およびＺｒＯ２）および常誘電体（ｐａｒａｌｅｃｔｒｉｃｓ）（ＢａｘＳｒ１−ｘＴｉＯ３およびＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３）を含むが、これらに制限されない。これらの材料を含有する高ｋ層は種々の堆積プロセスによって形成されてもよい。
【００３３】
[0050]更に、導電性ゲート電極層１２１２はゲート誘電層１２１１上にブランケット堆積される。概して、ゲート電極層１２１２は、ドープ多結晶シリコン、無ドープ多結晶シリコン、シリコンカーバイドまたはシリコンゲルマニウム化合物などの材料を備えてもよい。しかしながら、想定されている実施形態は、金属、金属合金、金属酸化物、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリサイド、または、ゲート電極を形成するために当業界で周知の他の材料を含有するゲート電極層１２１２を包含してもよい。
【００３４】
[0051]窒化物層などのハードマスク層１２１３が、導電層１２１２上にＣＶＤプロセスによって堆積される。フォトレジスト層をマスクキング、暴露および現像してフォトレジストマスク（図示せず）を形成する各ステップを含むフォトリソグラフィプロセスが次いで実施される。フォトレジストマスクのパターンは、エッチングを整列させるためにフォトレジストマスクを使用してハードマスク層をゲート電極層１２１２の上部にエッチングすることによってハードマスク層に移送され、これによってハードマスク１２１３をゲート電極層１２１２上に生成することができる。更なる層１２１４がハードマスク１２１３上に形成されてもよい。
【００３５】
[0052]この構造は更に、エッチングを整列させるためにハードマスクを使用して、フォトレジストマスクを除去し、かつゲート電極層１２１２を誘電層１２１１の上部にまでエッチングすることによって修正され、これによってハードマスクの下方にゲート電極層１２１２の残りの材料を含む導電性構造を作成する。この構造は、ハードマスクでもゲート誘電層１２１１でもなくゲート電極層１２１２をエッチングすることによって生じる。処理シーケンスを継続することによって、ゲート誘電層１２１１が平面層１２０３の上部にエッチングされる。ゲート電極１２１２およびゲート誘電体１２１１は共に、トランジスタなどの一体型デバイスのゲートスタックやゲートとしても知られている複合構造を画成する。
【００３６】
[0053]ゲートスタックの更なる処理において、浅型ソース／ドレイン延長部１２１５が注入プロセスを利用することによって形成される。ゲート電極１２１２はゲート誘電体１２１１の下方の基板領域をイオン注入から保護する。急速加熱プロセス（ＲＴＰ）アニーリングが次いで、ゲート誘電体１２１１の下方で先端１２０９を部分的に駆動するために実行されてもよい。
【００３７】
[0054]次に、コンフォーマルな薄い酸化物層１２１０が基板表面全体に堆積される。この酸化物層は、シリコン表面を、通常はシリコン窒化物層であるスペーサ層（図示せず）から保護するために使用される。コンフォーマルな薄い酸化物層は通常、高温（＞６００℃）で低圧化学気相成長チャンバでＴＥＯＳソースガスによって堆積される。薄い酸化物層はシリコン基板と窒化物スペーサの間のストレスを緩和し、また、もう１個の材料層を提供することによってゲートコーナーをシリコン窒化物スペーサから保護する。低ｋの非シリコン窒化物材料が側壁スペーサとして使用される場合、このコンフォーマルな薄い酸化物層１２１０は場合によっては排除されたり、別の低誘電率材料と置換されたりすることが可能である。
【００３８】
[0055]高度なデバイス製造について、スペーサ層（図示せず）や酸化物層１２１０の誘電率が大きすぎる場合、得られる構造はしばしば過剰な信号クロストークを招く。加えて、シリコン窒化物を堆積するために使用される熱ＣＶＤプロセスはしばしば高堆積温度を必要とする。高堆積温度はしばしば高い熱サイクルと、先端１２０９のドーパントプロファイルの変更を招く。従って、堆積温度が低いスペーサ層堆積プロセスを有することが望ましい。
【００３９】
[0056]図１３は、本発明の一実施形態に従って形成されたゲート構造を有するトランジスタを図示している。分離酸化物１３０３は平面層１３０２に形成される。アクティブエリア１３０５は、オゾンプラズマなどのプロセスによってクリーニングされているシリコンやシリコン含有材料である。フィールド分離領域１３０８は、シリコンや、シリコンゲルマニウムなどのシリコン含有材料である。
【００４０】
[0057]１個の一体型ツールで複数のチャンバを利用可能であることは、熱分布を最適化する方法を提供する。金属膜特性と、得られるＤＲＡＭおよびＳＴＩ形成とを最適化する可能性も提供する。高ｋ膜は、高ｋ金属ゲートスタック構造を生成する製造用途に望ましい。
【００４１】
８個以上のプロセスチャンバを具備する代替一体型処理ツール
[0058]図１４は、一体型処理ツール１４００の代替実施形態の概略図である。システムコントローラ１４０２はシステムをコントロールする。内部チャンバ１４１０は保持チャンバ１４０８によって接続されている２個の領域を有しており、また更なるプロセスチャンバを取り付けるための更なる外部表面積を特徴とする。この形状は、内部チャンバ１４１０の外部に沿った４個のサービスチャンバ１４１６Ａ〜Ｄおよび２個のロードロックチャンバ１４０６Ａ〜Ｂの配置を容易にする。この形状もまた更なるプロセスチャンバ、最大８個のプロセスチャンバ１４１４Ａ〜Ｈを提供する。内部チャンバ１４１０の２個の領域は保持チャンバ１４０８によって接続されており、ロボット１４１５とロボット１４１３の連通を容易にする。保持チャンバ１４０８はサービスチャンバであってもよい。
【００４２】
[0059]図１５は、一体型処理ツール１５００の更なる代替実施形態の概略図である。ツールの長さは増大されるが、ツールの幅は、標準ＥＮＤＵＲＡ（商標）ツールなどのより小型のシステムに匹敵する。従って、内部チャンバ１５１０の外部表面積および内部容積は標準ＥＮＤＵＲＡ（商標）ツールより大きい。より大きな外部表面積は、一体型処理ツール１５００の外部表面に沿って置かれた４個のサービスチャンバ１５１６Ａ〜Ｄおよび１個のロードロック１５０１を許容する。より大きな外部表面積はまた更なるプロセスチャンバ１５１４Ａ〜Ｉ、最大９個のプロセスチャンバ用の場所を提供する。内部チャンバ１５１０の２個の領域は保持チャンバ１５０８によって接続されており、ロボット１５１５とロボット１５１３の連通を容易にする。保持チャンバ１５０８はサービスチャンバであってもよい。ロードロック１５０１は、参照して本明細書に組み入れられる米国特許第５，９６１，２６９号に説明されている上下ロードロックチャンバなどの上下ロードロックであってもよい。
【００４３】
[0060]図１４および図１５の実施形態の両方について、システムコントローラ１４０２、１５０２、サービスチャンバ１４１６Ａ〜Ｄ、１５１６Ａ〜Ｄおよびプロセスチャンバ１４１４Ａ〜Ｈ、１５１４Ａ〜Ｉの配置は、最適なロボットアクセス、熱伝達最適化または他の要因について選択されてもよい。プロセスチャンバ数はまた、図１４の実施形態の４〜８個のプロセスチャンバおよび図１５の４〜９個のプロセスチャンバについて調整されてもよい。コントローラパラメータは、より大きな一体型処理ツールの実施形態について調整されてもよい。パージガス、ガス送出システムおよび排出システムの流量もまた、より大きな一体型処理ツール容積全体を考慮してより大きな内部チャンバについて修正されてもよい。
【００４４】
代替ロードロックチャンバ
[0061]ロードロックは、フロントエンド環境と次の移送チャンバの間の第１の真空界面を提供する。図１４の実施形態では、２個のロードロックが、移送チャンバおよびフロントエンド環境と交互に連通することによってスループットを増大させるように提供される。従って、一方のロードロックが移送チャンバと連通するのに対して、第２のロードロックはフロントエンド環境と連通可能である。一実施形態では、ロードロックは、ファクトリインタフェースから２個以上の基板を受信可能であり、かつ基板を保有可能なバッチタイプロードロックであるのに対して、チャンバはシールされて、移送チャンバに基板を移送するのに十分低い真空レベルにまで空にされる。好ましくは、バッチロードロックは一度に２５〜５０個の基板を保有可能である。一実施形態では、ロードロックは、一体型ツールでの処理後に基板を冷却するように適合されてもよい。一実施形態では、ロードロックに保有されている基板は、両方ともロードロックに搭載されているガスソース入口（図示せず）からガス排出口（図示せず）までのガス流によってもたらされる対流によって冷却されてもよい。別の実施形態では、ロードロックは、冷却可能な複数の熱伝導シェルフ（図示せず）を含むロードロックカセットを嵌合されてもよい。シェルフは、カセットに保有されている基板間にインタリーブ可能であるため、シェルフと基板の間にギャップが存在する。本実施形態では、シェルフは基板を放射状に冷却することによって、基板の損傷や反りを回避するために基板の均一な加熱や冷却を提供することができる。別の実施形態では、シェルフは基板の表面に接触して、基板の表面から熱を伝導することによって基板を冷却する。
【００４５】
[0062]一実施形態では、一体型ツールは、大気圧（例えば、７６０トール）またはこの付近の圧力で基板を処理するように適合されているため、ファクトリインタフェースと移送チャンバ間の中間チャンバとしてロードロックは必要とされない。本実施形態では、ファクトリインタフェースロボットは基板「Ｗ」を直接ロボットに移送し、あるいはファクトリインタフェースロボットは、ロードロックの場所をとる通過チャンバ（図示せず）に基板「Ｗ」を移送したりしてもよいため、ロボットおよびファクトリインタフェースロボットは基板を交換可能である。移送チャンバは、移送チャンバ、適所に搭載されている処理チャンバおよびサービスチャンバにおける酸素、水および／または他の汚染物質の分圧を最小化するために不活性ガスによって継続的にパージされてもよい。使用可能な不活性ガスは、例えばアルゴン、窒素またはヘリウムを含む。
【００４６】
代替サービスチャンバ
[0063]サービスチャンバは、脱ガス化、配向、冷却および他のプロセスについて適合される。基板はサービスチャンバに配向され、かつ／またはサービスチャンバに搭載されているＩＲランプを使用して脱ガスされてもよい。本発明の一態様では、プレクリーンプロセスステップが、表面の汚染を除去するために、サービスチャンバの基板上で完了されてもよい。
【００４７】
代替プロセスチャンバ
[0064]本発明の一態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上が、バッチ堆積ステップを実行する前後に基板をアニーリングするために使用可能なＲＴＰチャンバであってもよい。ＲＴＰプロセスは、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＲＴＰチャンバおよび関連プロセスハードウェアを使用して行われてもよい。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＣＶＤチャンバであってもよい。このようなＣＶＤプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＤＸＺ（商標）チャンバ、Ｕｌｔｉｍａ  ＨＤＰ−ＣＶＤ（商標）およびＰＲＥＣＩＳＩＯＮ５０００（登録商標）チャンバを含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＰＶＤチャンバであってもよい。このようなＰＶＤプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＥｎｄｕｒａ（商標）  ＰＶＤ処理チャンバを含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はＤＰＮチャンバであってもよい。このようなＤＰＭプロセスチャンバの例は、カリフォルニア州サンタクララにあるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されているＤＰＮ  Ｃｅｎｔｕｒａ（商標）を含む。本発明の別の態様では、単一基板処理チャンバのうちの１個以上はプロセス／基板計測チャンバであってもよい。プロセス／基板計測チャンバで完了されるプロセスは、粒子測定技術、残渣ガス分析技術、ＸＲＦ技術、および、偏光解析技術などの膜厚および／または膜組成を測定するのに使用される技術を含むことが可能であるが、これらに制限されない。
【００４８】
[0065]上記は本発明の実施形態を目的としているが、本発明の他の更なる実施形態が、本発明の基本的範囲を逸脱することなく考案されてもよく、またこの範囲は以下の特許請求の範囲によって判断される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（従来技術）従来技術の処理ツールの概略図である
【図２】（従来技術）代替的な従来技術の処理ツールの概略図である。
【図３】一体型処理ツールの実施形態の概略図である。
【図４】一体型処理ツールの代替実施形態の実施形態の概略図である。
【図５】基板処理シーケンスの一実施形態のフローチャートである。
【図６】基板処理シーケンスの代替実施形態のフローチャートである。
【図７】基板処理シーケンスの更なる代替実施形態のフローチャートである。
【図８】基板処理シーケンスの更なる代替実施形態のフローチャートである。
【図９】基板処理シーケンスの更なる代替実施形態のフローチャートである。
【図１０】基板処理シーケンスの更なる代替実施形態のフローチャートである。
【図１１】基板処理シーケンスの更なる代替実施形態のフローチャートである。
【図１２】基板構造の実施形態の断面図である。
【図１３】代替基板構造の実施形態の断面図である。
【図１４】一体型ツールの代替実施形態の概略図である。
【図１５】一体型ツールの更なる代替実施形態の概略図である。
【符号の説明】
【００５０】
１００…処理ツール、１０４…ファクトリインタフェース、１０５…ポッドローダー、１０６…ロードロックチャンバ、１０８…ロボット、１１０…移送チャンバ、１１３…輸送機構、１１３Ａ…基板輸送ブレード、１１３Ｂ…延長可能アーム、１１４…プロセスチャンバ、１１６…サービスチャンバ、２００…処理ツール、２０２、２０４…ロードロックチャンバ、２０６…初期移送チャンバ、２１０…第１のロボット移送機構、２１２、２１４、２１６、２１８…チャンバ、２２２…プレクリーンチャンバ、２２４…冷却チャンバ、２３０…第２の輸送機構、２３２、２３４、２３６、２３８…プロセスチャンバ、２５８…内部移送チャンバ、３００…一体型処理ツール、３０１…処理ツール、３０２…システムコントローラ、３０６…ロードロック、３０８…中間チャンバ、３１０…内部チャンバ、３１４…プロセスチャンバ、４００…一体型処理ツール、４０１…フロントエンド環境、４０２…システムコントローラ、４０３…領域、４１０…内部チャンバ、４１４…プロセスチャンバ、１２０２…ボックス酸化物、１２０３…ウェル、１２０８…フィールド分離領域、１２１０…酸化物層、１２１１…ゲート誘電層、１２１２…ゲート電極層、１２１３…ハードマスク層、１２１４…層、１２１５…浅型ソース／ドレイン延長部、１３０２…平面層、１３０３…分離酸化物、１３０５…アクティブエリア、１４００…一体型処理ツール、１４０２…システムコントローラ、１４０６…ロードロックチャンバ、１４０８…保持チャンバ、１４１０…内部チャンバ、１４１３…ロボット、１４１４…プロセスチャンバ、１４１５…ロボット、１４１６…サービスチャンバ、１５００…一体型処理ツール、１５０１…ロードロック、１５０２…システムコントローラ、１５０８…保持チャンバ、１５１０…内部チャンバ、１５１３…ロボット、１５１４…プロセスチャンバ、１５１５…ロボット、１５１６…サービスチャンバ
【図１】
2009503818.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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