(57)【要約】【解決手段】エッチング層に形状を形成するための方法が提供されている。フォトレジスト層が、エッチング層の上に形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁を有するフォトレジスト形状を形成するようにパターン化される。制御層が、フォトレジスト層とフォトレジスト形状の底部とを覆うように形成される。フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、共形層が、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように蒸着される。制御層貫通剤を用いて、制御層に開口部が設けられる。制御層貫通剤とは異なるエッチング剤を用いて、エッチング層に形状がエッチングされる。制御層は、共形層よりもエッチング剤によるエッチングに対するエッチング耐性が高い。【選択図】図２
2009500811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング層に形状を形成するための方法であって、
前記エッチング層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をパターン化して、フォトレジスト側壁を有するフォトレジスト形状を形成する工程であって、前記フォトレジスト形状は、第１のクリティカルディメンションを有する、工程と、
前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト形状の底部とを覆うように制御層を形成する工程と、
前記フォトレジスト形状の前記クリティカルディメンションを低減するために、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように共形層を蒸着する工程と、
制御層貫通剤を用いて、前記制御層に開口部を貫通させる工程と、
前記制御層貫通剤とは異なるエッチング剤を用いて前記エッチング層に形状をエッチングする工程と
を備え、
前記エッチング層形状は、前記第１のクリティカルディメンションより小さい第２のクリティカルディメンションを有し、前記制御層は、前記共形層よりも前記エッチング剤による前記エッチングに対するエッチング耐性が高い、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように前記共形層を蒸着する工程は、
蒸着プラズマを形成するための蒸着ガス剤を用いる蒸着段階と、
プロフィル成形プラズマを形成するための第２のガス剤を用いるプロフィル成形段階と、
を備え、
前記第１のガス剤は、前記第２のガス剤と異なる、方法。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジスト層を覆うように前記制御層を形成する工程は、
フッ素を含まない制御層蒸着ガスを供給する工程と、
前記フッ素を含まない制御層蒸着ガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジストを覆うように前記制御層を形成する工程は、
ラインエッジラフネスおよびストリエーションの少なくとも一方を低減する工程と、
ワイングラス形状を防止する工程と、
を備える、方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の方法であって、前記側壁を覆うように前記共形層を蒸着する工程は、フッ化炭化水素材料および炭化水素材料の少なくとも一方のほぼ垂直な側壁を形成する、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、前記制御層は、炭化水素材料である、方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、さらに、前記フォトレジストマスクと、前記制御層と、前記蒸着された共形層とを、１つの剥離工程によって剥離する工程を備える、方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、前記制御層を形成する工程と、前記共形層を蒸着する工程と、前記制御層に開口部をエッチングする工程と、エッチング層に形状をエッチングする工程とは、１つのエッチングチャンバで実行される、方法。
【請求項９】
請求項２ないし８のいずれかに記載の方法であって、前記蒸着段階および前記プロフィル成形段階は、交互に少なくとも１回繰り返される、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、前記共形層の厚さは、前記第１のクリティカルディメンションよりも少なくとも３０％小さいクリティカルディメンションを有する共形蒸着層形状を形成する、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法であって、前記第２のクリティカルディメンションは、前記第１のクリティカルディメンションよりも少なくとも３０％小さい、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法によって形成された半導体素子。
【請求項１３】
エッチング層に形状を形成するための方法であって、
フォトレジスト形状を有するパターン化フォトレジストマスクの下に蒸着されたエッチング層を有するウエハをエッチングチャンバ内に配置する工程と、
前記フォトレジスト層と前記フォトレジスト形状の底部とを覆うように制御層を形成する工程と、
前記フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように共形層を蒸着する工程と、
第１のエッチング剤を用いて前記制御層に開口部をエッチングする工程と、
前記第１のエッチング剤とは異なる第２のエッチング剤を用いて前記エッチング層に形状をエッチングする工程であって、前記エッチング層形状は、前記第１のクリティカルディメンションより小さい第２のクリティカルディメンションを有し、前記制御層は、前記共形層よりも前記第２のエッチング剤による前記エッチングに対するエッチング耐性が高い、工程と、
前記フォトレジストマスクを剥離する工程と、
前記エッチングチャンバから前記ウエハを取り出す工程と、
を備える、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記フォトレジスト形状の前記側壁と前記制御層とを覆うように前記共形層を蒸着する工程は、
蒸着プラズマを形成するための蒸着ガス剤を用いる蒸着段階と、
プロフィル成形プラズマを形成するための第２のガス剤を用いるプロフィル成形段階と、
を備える処理を少なくとも２回実行する工程を備え、
前記第１のガス剤は、前記第２のガス剤と異なる、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記フォトレジスト層を覆うように前記制御層を形成する工程は、
フッ素を含まない制御層蒸着ガスを供給する工程と、
前記フッ素を含まない制御層蒸着ガスからプラズマを形成する工程と、
を備える、方法。
【請求項１６】
請求項１３ないし１５のいずれかに記載の方法であって、前記共形層の厚さは、前記第１のクリティカルディメンションよりも少なくとも３０％小さいクリティカルディメンションを有する共形蒸着層形状を形成する、方法。
【請求項１７】
請求項１３ないし１６のいずれかに記載の方法であって、前記第２のクリティカルディメンションは、前記第１のクリティカルディメンションよりも少なくとも３０％小さい、方法。
【請求項１８】
エッチング層に形状を形成するための装置であって、前記エッチング層は、基板によって支持されると共に、第１のＣＤを有するフォトレジスト形状を備えたフォトレジストマスクによって覆われており、前記装置は、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持と、
前記プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整手段と、
前記プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも１つの電極と、
前記プラズマ処理チャンバ容器にガスを供給するためのガス流入口と、
前記プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、
を備える、プラズマ処理チャンバと、
前記ガス流入口と流体接続されたガス源であって、
制御層ガス源と、
蒸着ガス源と、
プロフィル成形ガス源と、
エッチャントガス源と、
を備える、ガス源と、
前記ガス源と前記少なくとも１つの電極とに制御可能に接続された制御部であって、
少なくとも１つのプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
を備える、制御部と、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体は、
制御層を提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードであって、
前記制御層ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器に制御層ガスを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記制御層ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、コンピュータ読み取り可能なコードと、
前記フォトレジスト形状内に、第２のＣＤを有する形状を形成するために、フォトレジストマスクと前記制御層とに側壁蒸着物を形成する少なくとも２つの蒸着サイクルを実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードであって、
前記蒸着ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器に蒸着ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器への前記蒸着ガスの前記流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記蒸着ガスの前記流れが停止された後に、前記プロフィル成形ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器にプロフィル成形ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記プロフィル成形ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記プロフィル成形ガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器への前記プロフィル成形ガスの前記流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備える、コンピュータ読み取り可能なコードと、
前記少なくとも２つの蒸着サイクルの完了後に、前記エッチャントガス源から前記プラズマ処理チャンバ容器にエッチャントガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチャントガスを用いて前記層に形状をエッチングするためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を備え、
前記層の前記形状は、第３のＣＤを有する、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの処理では、周知のパターン化処理およびエッチング処理を用いて、ウエハ内に半導体素子の形状が設けられる。これらの処理では、フォトレジスト（ＰＲ）材料が、ウエハに蒸着された後に、レチクルによってフィルタリングされた光に露出される。レチクルとは、一般に、光がレチクルを通して伝わることを防ぐ幾何形状の型を有するようパターン化されたガラス板である。
【０００３】
レチクルを通過した後、光は、フォトレジスト材料の表面に当たる。光は、現像剤がフォトレジスト材料の一部を除去できるように、フォトレジスト材料の化学組成を変化させる。ポジ型フォトレジスト材料の場合には、露光された領域が除去され、ネガ型フォトレジスト材料の場合には、露光されていない領域が除去される。その後、ウエハをエッチングして、もはやフォトレジスト材料によって保護されていない領域から下層の材料を除去することにより、ウエハ内の所望の形状を規定する。
【０００４】
様々な世代のフォトレジストが知られている。深紫外線（ＤＵＶ）フォトレジストは、２４８ｎｍの光で露光される。理解を助けるために、図１Ａに、積層体１００の断面図を示す。積層体１００は、基板１０４と、基板１０４の上のエッチング層１０８と、層１０８の上のＡＲＬ（反射防止層）１１０と、ＡＲＬ１１０の上のパターン化フォトレジスト層１１２とを備える。フォトレジストパターンは、クリティカルディメンション（ＣＤ）を有し、クリティカルディメンションは、最小の形状の幅１１６であってよい。現在、２４８ｎｍフォトレジストについては、従来の処理を用いると、通例、２３０ないし２５０ｎｍのＣＤが可能である。波長によって決まる光学特性のために、波長の長い光で露光されたフォトレジストは、理論的な最小クリティカルディメンションが大きくなる。
【０００５】
次いで、図１Ｂに示すように、形状１２０が、フォトレジストパターンを通してエッチングされてよい。理想的には、形状のＣＤ（形状の幅）は、フォトレジスト１１２における形状のＣＤ１１６に等しくなる。実際には、形状のＣＤ１１６は、ファセッティング、フォトレジストの腐食、または、アンダーカットによって、フォトレジスト１１２のＣＤよりも大きくなる場合がある。形状は、先細りになる場合もあり、その場合、形状のＣＤが、フォトレジストのＣＤと少なくとも同程度の大きさであっても、形状の底部付近では、形状の幅が小さくなっている。かかる先細りによって、信頼性のない形状が形成されうる。
【０００６】
より小さいＣＤを有する形状を提供するために、より短い波長の光を用いて形状を形成することが追求されている。１９３ｎｍフォトレジストは、１９３ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、１９３ｎｍフォトレジストによって、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ないし１００ｎｍのＣＤを有する形状を提供できる。１５７ｎｍフォトレジストは、１５７ｎｍの光で露光される。位相シフトレチクルなどの技術を用いると、９０ｎｍ以下のＣＤを有するフォトレジストパターンを形成できる。これにより、９０ｎｍ以下のＣＤを有する形状を提供できる。
【０００７】
短い波長用のフォトレジストを用いると、長い波長用のフォトレジストの場合に比べて、さらなる問題が生じうる。理論的な限界に近いＣＤを実現するためには、リソグラフィ装置は、より精密であることが好ましく、すなわち、高価なリソグラフィ機器が必要になる。現在、１９３ｎｍフォトレジストおよび１５７ｎｍフォトレジストは、より長い波長用のフォトレジスト比べて、選択性が高くないと共にプラズマエッチング条件下で変形しやすい。
【０００８】
メモリ素子の形成など、導電層のエッチングの際には、性能を損なうことなく、素子の密度を増大させることが望ましい。
【発明の開示】
【０００９】
上述の課題を解決するために、本発明の目的に従って、エッチング層に形状を形成するための方法が提供されている。フォトレジスト層が、エッチング層の上に形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁を有するフォトレジスト形状を形成するためにパターン化され、フォトレジスト形状は、第１のクリティカルディメンションを有する。制御層が、フォトレジスト層とフォトレジスト形状の底部とを覆うように形成される。フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、共形層が、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように蒸着される。制御層貫通剤を用いて、制御層に開口部が設けられる。制御層貫通剤とは異なるエッチング剤を用いて、エッチング層に形状がエッチングされる。エッチング層形状は、第１のクリティカルディメンションより小さい第２のクリティカルディメンションを有し、制御層は、共形層よりもエッチング剤によるエッチングに対するエッチング耐性が高い。
【００１０】
本発明の別の実施形態では、エッチング層に形状を形成するための方法が提供されている。フォトレジスト形状を有するパターン化フォトレジストマスクの下に蒸着されたエッチング層を有するウエハが、エッチングチャンバ内に配置される。制御層が、フォトレジスト層とフォトレジスト形状の底部とを覆うように形成される。フォトレジスト形状のクリティカルディメンションを低減するために、共形層が、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように蒸着される。第１のエッチング剤を用いて、制御層に開口部がエッチングされる。第１のエッチング剤とは異なる第２のエッチング剤を用いて、エッチング層に形状がエッチングされる。エッチング層形状は、第１のクリティカルディメンションより小さい第２のクリティカルディメンションを有し、制御層は、共形層よりも第２のエッチング剤によるエッチングに対するエッチング耐性が高い。フォトレジストマスクは剥離される。ウエハは、エッチングチャンバから取り出される。
【００１１】
本発明の別の実施形態では、エッチング層に形状を形成するための装置が提供されており、エッチング層は、基板によって支持されると共に、第１のＣＤを有するフォトレジスト形状を備えたフォトレジストマスクによって覆われている。プラズマ処理チャンバが提供されており、そのプラズマ処理チャンバは、プラズマ処理チャンバ容器を形成するチャンバ壁と、プラズマ処理チャンバ容器内で基板を支持するための基板支持と、プラズマ処理チャンバ容器内の圧力を調整するための圧力調整手段と、プラズマ処理チャンバ容器に電力を供給してプラズマを維持するための少なくとも１つの電極と、プラズマ処理チャンバ容器にガスを供給するためのガス流入口と、プラズマ処理チャンバ容器からガスを排出するためのガス流出口と、を備える。ガス源が、ガス流入口と流体接続されている。ガス源は、制御層ガス源と、蒸着ガス源と、プロフィル成型ガス源と、エッチャントガス源と、を備える。制御部が、ガス源と少なくとも１つの電極とに制御可能に接続されている。制御部は、少なくとも１つのプロセッサと、コンピュータ読み取り可能な媒体と、を備える。コンピュータ読み取り可能な媒体は、制御層を提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、フォトレジスト形状内に、第２のＣＤを有する形状を形成するために、フォトレジストマスクと制御層とに側壁蒸着物を形成する少なくとも２つの蒸着サイクルを実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、少なくとも３つの蒸着サイクルの完了後に、エッチャントガス源からプラズマ処理チャンバ容器にエッチャントガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、エッチャントガスを用いて層に形状をエッチングするためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備え、層の形状は、第３のＣＤを有する。制御層を提供するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、制御層ガス源からプラズマ処理チャンバ容器に制御層ガスを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、制御層ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備える。少なくとも２つの蒸着サイクルを実行するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、蒸着ガス源からプラズマ処理チャンバ容器に蒸着ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、蒸着ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、蒸着ガス源からプラズマ処理チャンバ容器への蒸着ガスの流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、蒸着ガスの流れが停止された後に、プロフィル成形ガス源からプラズマ処理チャンバ容器にプロフィル成形ガスの流れを供給するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、プロフィル成形ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、プロフィル成形ガス源からプラズマ処理チャンバ容器へのプロフィル成形ガスの流れを停止するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、を備える。
【００１２】
添付の図面を参照しつつ行う本発明の詳細な説明において、本発明の上述の特徴およびその他の特徴を詳述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、添付図面に例示されたいくつかの好ましい実施形態を参照しつつ、本発明の詳細な説明を行う。以下の説明では、本発明の完全な理解を促すために、数多くの具体的な詳細事項が示されている。しかしながら、当業者にとって明らかなように、本発明は、これらの具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施することが可能である。また、本発明が不必要に不明瞭となるのを避けるため、周知の処理工程および／または構造については、詳細な説明を省略した。
【００１４】
本発明は、小さいクリティカルディメンション（ＣＤ）を有する形状を提供する。具体的には、本発明は、形状をエッチングするために用いるフォトレジストパターンのＣＤよりも小さいＣＤを有する形状を提供する。
【００１５】
理解しやすいように、本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートを図２に示す。パターン化フォトレジストマスクが準備される（工程２０４）。図３Ａは、基板３０４と、エッチング層３０８と、ＡＲＬ３１０と、形状３１４を有するパターン化フォトレジストマスク３１２とを、この順に積み重ねた積層体３００を示す断面図である。フォトレジストマスクは、フォトレジスト形状のクリティカルディメンション（ＣＤ）を有し、そのクリティカルディメンションは、可能な限り最小の形状が有する幅３１６の最も広い部分であってよい。現在、２４８ｎｍフォトレジストについては、従来の処理を用いると、通例、２３０ないし２５０ｎｍのＣＤが可能である。
【００１６】
次いで、フォトレジストマスクと、フォトレジスト形状の底部とを覆って、制御層が蒸着される（工程２０６）。図３Ｂは、フォトレジストマスク３１２を覆うように制御層３１８が蒸着されて、フォトレジスト形状３１４の底部においてエッチング層３１０の一部が露出された状態のパターン化フォトレジストマスクを示す断面図である。
【００１７】
次いで、ＣＤを低減するために、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように、共形層が蒸着される（工程２０８）。共形蒸着層３２０は、フォトレジスト形状３１４内に蒸着層形状３２２を形成する。ここで、蒸着層形状３２２は、フォトレジスト形状３１４のＣＤ３１６よりも小さい低減ＣＤ３２４を有する。蒸着層形状３２２の低減ＣＤ３２４は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも３０％小さい（すなわち、フォトレジスト形状のＣＤ３１６の７０％未満である）ことが好ましい。蒸着層形状３２２の低減ＣＤ３２４は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも４０％小さい（すなわち、フォトレジスト形状のＣＤ３１６の６０％未満である）ことがさらに好ましい。蒸着層形状３２２の低減ＣＤ３２４は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも５０％小さい（すなわち、フォトレジスト形状のＣＤ３１６の５０％未満である）ことが最も好ましい。例えば、蒸着層形状は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも９９％小さい低減ＣＤ３１６を有してもよい。また、蒸着層形状３２２は、ほぼ垂直な側壁３２８を有することが望ましく、それらの側壁３２８は、図に示すように、非常に共形になっている。ほぼ垂直の側壁の一例は、下端から上端まで形状の底部に対して８８°ないし９０°の角度をなす側壁である。共形の側壁は、形状の上部から底部までほぼ同じ厚さの蒸着層を有する。共形でない側壁は、ファセッティングやブレッドローフィング（bread-loafing）を形成し、ほぼ垂直な側壁にならない場合がある。（ファセッティングの形成による）先細りの側壁、または、ブレッドローフィングの生じた側壁は、蒸着層のＣＤを増大させて、エッチングマスクの質を悪くする場合がある。側壁における蒸着物は、フォトレジスト形状の底部における蒸着物よりも厚いことが好ましい。図３Ｂに示すように、フォトレジスト層形状の底部における制御層の上には、層が蒸着しないことがさらに好ましい。ただし、蒸着層がフォトレジスト形状の底部に存在する場合には、ポリマ貫通エッチング工程により、フォトレジスト形状の底部に蒸着したポリマをエッチングする。
【００１８】
次いで、制御層を開口するために、制御層貫通エッチングが施される（工程２１０）。制御層貫通エッチングは、制御層３１８を垂直に貫通し、横方向に蒸着層３２０をほとんどエッチングすることなく、制御層３１８を選択的にエッチングする。貫通エッチングの完了後には、ＡＲＣ３１０および層３０８に、いくらかの凹部が存在する場合がある。図３Ｃは、貫通エッチング完了後の制御層３１８を示す図である。
【００１９】
次いで、主エッチング処理により、蒸着層形状３２２および制御層を通して、エッチング層３０８内に形状がエッチングされる。主エッチング処理は、制御層がより高いエッチング耐性を有するようなエッチング処理であることが好ましく、それにより、主エッチング処理は、制御層よりもエッチング層を選択的にエッチングし、制御層が蒸着層３２０よりも高いエッチング耐性を有するようになる。図３Ｄは、エッチング層３０８にエッチングされた形状３３２を示す図である。この例では、エッチング層３０８内にエッチングされた形状３３２は、蒸着層形状３２２のＣＤ３２４に等しいＣＤ３３６を有する。実際には、形状３３２のＣＤ３３６は、蒸着層３２０の形状３２２のＣＤ３２４よりも少し大きくてよい。ただし、蒸着層形状３２２のＣＤ３２４は、フォトレジスト３１２のＣＤ３１６よりも大幅に小さいため、エッチング層３０８の形状３３２のＣＤ３３６も、フォトレジスト３１２のＣＤ３１６より小さい。エッチング層３０８にエッチングされた形状３３２のＣＤ３３６は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも３０％小さいことが好ましい。エッチング層３０８にエッチングされた形状３３２のＣＤ３３６は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも４０％小さいことがより好ましい。エッチング層３０８にエッチングされた形状３３２のＣＤ３３６は、フォトレジスト形状のＣＤ３１６よりも少なくとも５０％小さいことが最も好ましい。
【００２０】
次いで、ＡＲＣ、フォトレジスト、制御層、および、蒸着層は、剥離される（工程２１６）。これは、１つの工程として実行されてもよし、蒸着層の除去工程とフォトレジストの剥離工程とを別個に含む２以上の工程として実行されてもよい。剥離処理のために、アッシングが用いられてよい。図３Ｅは、蒸着層、制御層、および、フォトレジストマスクを除去した後の積層体３００を示す図である。さらなる形成工程を実行してもよい（工程２２０）。例えば、コンタクト３４０が、形状内に形成されてよい。デュアルダマシン構造を提供するために、コンタクトが形成される前に、トレンチがエッチングされてもよい。コンタクトの形成後に、さらなる処理が実行されてもよい。
【００２１】
制御層３１８は、蒸着層３２０よりも主エッチングに対するエッチング耐性が高いため、制御層を貫通する開口部は、ラインアンドスペースパターンの場合にはラインエッジラフネスを低減し、ビア／ホールパターンの場合にはストリエーションを低減するのを助けるエッチングマスクとして機能する。
【００２２】
図４は、ＣＤを低減するためにフォトレジスト形状の側壁を覆うように蒸着層を形成する工程２０８を示す詳細なフローチャートである。この実施形態では、ＣＤを低減するためにフォトレジスト形状の側壁を覆うように蒸着層を形成する工程２０８は、蒸着段階４０４と、プロフィル成形段階４０８とを含む。蒸着層のＣＤ３２４が、フォトレジストのＣＤよりも少しだけ小さい場合、すなわち、蒸着層に、ファセッティングまたはブレッドローフィングが生じた場合には、エッチング層のＣＤが、フォトレジストのＣＤよりも小さくならない場合がある。さらに、ファセッティングまたはブレッドローフィングの生じた蒸着層により、エッチングされる層において、ファセッティングされた形状または不規則な形の形状が生じうる。フォトレジスト形状の底部における蒸着物を最小限に抑えることが望ましい。図４に示した２段階の蒸着を複数回行うことにより、ファセッティングおよびブレッドローフィングを低減する共形層が提供され、フォトレジスト形状の底部における蒸着を防止できる。
【００２３】
誘電体エッチングの例
この例では、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、または、低誘電率（ＯＳＧ、多孔質低誘電率）材料などの誘電体層が、エッチング層を形成している。別の実施形態では、エッチング層は、Ｓｉ、金属、および、ポリＳｉなどの導体であってもよい。図５は、制御層の蒸着、共形層の蒸着、制御層の貫通、エッチング層のエッチング、および、剥離に利用可能なプラズマ処理チャンバ５００を示す説明図である。プラズマ処理チャンバ５００は、閉じ込めリング５０２と、上側電極５０４と、下側電極５０８と、ガス源５１０と、排気ポンプ５２０とを備える。ガス源５１０は、第１の蒸着ガス源５１２と、プロフィル成形ガス源５１６と、制御層ガス源５１９とを備えてよい。ガス源５１０は、エッチングガス源５１８など、さらなるガス源を備えてもよい。プラズマ処理チャンバ５００内で、基板３０４は、下側電極５０８の上に配置される。下側電極５０８は、基板３０４を保持するのに適切な基板保持機構（例えば、静電チャック、機械的クランプなど）を備える。リアクタ上部５２８には、下側電極５０８のちょうど反対側に配置された上側電極５０４が組み込まれている。上側電極５０４、下側電極５０８、および、閉じ込めリング５０２は、閉じ込めプラズマ容積を規定する。ガスは、ガス源５１０によって、閉じ込めプラズマ容積に供給され、排気ポンプ５２０によって、閉じ込めリング５０２および排気口を通って、閉じ込めプラズマ容積から排気される。上側電極５０４には、第１のＲＦ電源５４４が、電気的に接続されている。下側電極５０８には、第２のＲＦ電源５４８が、電気的に接続されている。チャンバ壁５５２が、閉じ込めリング５０２、上側電極５０４、および、下側電極５０８を取り囲んでいる。第１のＲＦ電源５４４および第２のＲＦ電源５４８は両方とも、６０ＭＨｚ電源と２７ＭＨｚ電源と２ＭＨｚ電源とを備えてよい。電極に接続するＲＦ電源は、他の組み合わせも可能である。カリフォルニア州フレモントのＬＡＭ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（登録商標）が製造し、本発明の好ましい実施形態で利用可能である、Ｅｘｅｌａｎ ＨＰＴ（登録商標）（基本的に、チャンバにターボポンプを取り付けたＥｘｅｌａｎ ＨＰと同じもの）の場合には、６０ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および、２ＭＨｚ電源が、下側電極に接続された第２のＲＦ電源５４８を構成し、上側電極は接地される。ＲＦ電源５４４、５４８、排気ポンプ５２０、および、ガス源５１０には、制御部５３５が、制御可能なように接続されている。エッチング層３０８が、酸化シリコンまたは有機ケイ酸塩ガラスなどの誘電体層である場合には、Ｅｘｅｌａｎ ＨＰＴまたは２３００ ＤＦＣシステムが用いられる。
【００２４】
図６Ａおよび６Ｂは、本発明の実施形態で用いられる制御部５３５の実施に適したコンピュータシステム１３００を示す図である。図６Ａは、コンピュータシステムの物理的形状の一例を示す。もちろん、コンピュータシステムは、集積回路、プリント基板、および、小型携帯デバイスから大型スーパコンピュータまで、多くの物理的形状を有してよい。コンピュータシステム１３００は、モニタ１３０２と、ディスプレイ１３０４と、筐体１３０６と、ディスクドライブ１３０８と、キーボード１３１０と、マウス１３１２とを備える。ディスク１３１４は、コンピュータシステム１３００とデータをやり取りするために用いられるコンピュータ読み取り可能な媒体である。
【００２５】
図６Ｂは、コンピュータシステム１３００のブロック図の一例である。システムバス１３２０には、様々なサブシステムが取り付けられている。１または複数のプロセッサ１３２２（中央処理装置すなわちＣＰＵとも呼ぶ）が、メモリ１３２４などの記憶装置に接続されている。メモリ１３２４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）および読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）を含む。当技術分野で周知のように、ＲＯＭは、ＣＰＵに対して単方向的にデータや命令を転送するよう機能し、ＲＡＭは、通例、双方向的にデータや命令を転送するために用いられる。これらの種類のメモリは両方とも、後に示す任意の適切なコンピュータ読み取り可能媒体を備えてよい。ＣＰＵ１３２２には、さらに、固定ディスク１３２６が、双方向的に接続されており、さらなるデータ記憶容量を提供している。固定ディスク１３２６は、後に示すコンピュータ読み取り可能媒体のいずれを備えてもよい。固定ディスク１３２６は、プログラムやデータなどを格納するために用いられてよく、通例は、一次記憶装置よりも遅い二次記憶媒体（ハードディスクなど）である。固定ディスク１３２６内に保持された情報は、必要に応じて、メモリ１３２４内の仮想メモリとして標準的な方法で組み込まれてよいことを理解されたい。リムーバブルディスク１３１４は、後に示すコンピュータ読み取り可能な媒体のいずれの形態を取ってもよい。
【００２６】
ＣＰＵ１３２２は、さらに、ディスプレイ１３０４、キーボード１３１０、マウス１３１２、および、スピーカ１３３０など、様々な入力／出力装置に接続されている。一般に、入力／出力装置は、ビデオディスプレイ、トラックボール、マウス、キーボード、マイク、タッチセンサ式ディスプレイ、トランスデューサ式カードリーダ、磁気または紙テープリーダ、タブレット、スタイラス、音声または手書き認識装置、バイオメトリクスリーダ、または、他のコンピュータ、のいずれであってもよい。ＣＰＵ１３２２は、必要に応じて、ネットワークインターフェース１３４０を用いて、他のコンピュータや電気通信ネットワークに接続されてもよい。かかるネットワークインターフェースを用いて、ＣＰＵは、上述の方法の工程を実行する途中で、ネットワークから情報を受信、または、ネットワークに情報を出力してよい。さらに、本発明の方法の実施形態は、ＣＰＵ１３２２単体で実行されてもよいし、インターネットなどのネットワークを介して、処理の一部を分担する遠隔ＣＰＵと協働で実行されてもよい。
【００２７】
さらに、本発明の実施形態は、様々なコンピュータによる動作を実行するためのコンピュータコードを有するコンピュータ読み取り可能な媒体を備えたコンピュータストレージ製品に関する。媒体およびコンピュータコードは、本発明のために、特別に設計および構成されてもよいし、コンピュータソフトウェア分野における当業者にとって周知および利用可能なものであってもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードディスク、フレキシブルディスク、磁気テープなどの磁気媒体；ＣＤ−ＲＯＭ、ホログラフィック素子などの光学媒体；フロプティカルディスクなどの光磁気媒体；特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、プログラム可能論理回路（ＰＬＤ）、ＲＯＭおよびＲＡＭなど、プログラムコードを格納および実行するよう特別に構成されたハードウェア装置、が挙げられるが、それらに限定されない。コンピュータコードの例としては、コンパイラによって生成されたコードなどのマシンコードや、インタープリタを用いてコンピュータによって実行される高級言語コードを含むファイルが挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、搬送波で具現化されたコンピュータデータ信号によって転送されると共にプロセッサが実行可能な一連の命令を表すコンピュータコードであってもよい。
【００２８】
制御層２０６を提供する工程の一例では、１００ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）のＣ2Ｈ4からなる化学剤が、ターボポンプのＶａｔバルブを５５に設定することによって得られる４４ｍＴｏｒｒの圧力で供給される。６０ＭＨｚのＲＦ電源が、８０ワットの電力を供給する。制御層を提供するために、この処理は、４０ないし５０秒間維持される（工程２０６）。この処理は、制御層３１８を形成する。
【００２９】
次に、フォトレジスト形状の側壁と制御層とを覆うように、共形層が蒸着される（工程２０８）。
【００３０】
蒸着段階４０４の一例は、ターボポンプのＶａｔバルブを１０００に設定することによって得られる７０ｍＴｏｒｒの圧力で、６０ｓｃｃｍ（標準平方センチメートル毎分）のＡｒと、７５ｓｃｃｍのＣＦ4と、１００ｓｃｃｍのＨ2とからなる化学剤を用いたＣＦ4蒸着であってよい。２７ＭＨｚのＲＦ電源は８００ワットの電力を供給し、２ＭＨｚのＲＦ電源は４００ワットの電力を供給する。この段階は、約１２秒間維持される。
【００３１】
プロフィル成形段階４０８の一例は、ターボポンプのＶａｔバルブを１０００に設定することによって得られる２５ｍＴｏｒｒの圧力で、８７ｓｃｃｍのＣＦ4からなる化学剤を用いてよい。２７ＭＨｚのＲＦ電源は８００ワットの電力を供給し、２ＭＨｚのＲＦ電源は０ワットの電力を供給する。この段階は、約３秒間維持される。
【００３２】
蒸着段階４０４の後に成形段階４０８を用いた繰り返し処理は、８回繰り返される。
【００３３】
蒸着段階４０４およびプロフィル成形段階４０８の時間比を制御できることにより、他の制御変数が提供される。適切な時間比を用いると、図３Ｂに示したように、ほぼ垂直な共形の側壁が実現される。また、かかる蒸着層は、フォトレジストマスクを保護して、エッチング選択比を増大させることができる。蒸着プロフィルの制御に利用可能な本発明によって提供される他の制御パラメータは、繰り返し回数、総蒸着時間、蒸着／プロフィル成形の時間比、ガス剤の比率（ＣＦ4／Ｈ2など）がある。ＣＦ4／Ｈ2の代わりにＣ4Ｆ6／Ｏ2またはＣＨ3Ｆ／Ｎ2、ＣＦ4の代わりにＣＨ3Ｆ／Ｏ2またはＣＨ3Ｆ／Ｎ2など、別のガス剤を用いてもよい。
【００３４】
フォトレジストを変更することなく、より小さいクリティカルディメンションを有する形状を形成できることにより、新しいリソグラフィ装置を購入することなく、より小さい形状を実現できる。より新しい世代のフォトレジストを用いる場合には、本発明により、それらの世代のフォトレジストに対して、より小さいＣＤが実現される。
【００３５】
別の実施形態では、３以上の異なるガス剤を用いて、３以上の異なる蒸着段階を行ってもよい。
【００３６】
制御層を開口するために、制御層貫通エッチングが施される（工程２１２）。制御層貫通エッチングの一例は、１２０ｍＴｏｒｒの圧力で８７ｓｃｃｍのＣＦ4からなる化学剤を用いる。２７ＭＨｚのＲＦ電源は８００ワットの電力を供給し、２ＭＨｚのＲＦ電源は０ワットの電力を供給する。これは、約５５ないし６５秒間維持される。
【００３７】
次いで、制御層および蒸着層を通してエッチング層に形状をエッチングするために、主エッチングが実行される（工程２１６）。この例では、５００ｓｃｃｍのＡｒと、４００ｓｃｃｍのＮ2と、６０ｓｃｃｍのＣＦ4と、７０ｓｃｃｍのＨ2とからなるエッチング剤が、７０ｍＴｏｒｒの圧力で供給される。２７ＭＨｚのＲＦ電源は１６０ワットの電力を供給し、２ＭＨｚのＲＦ電源は１００ワットの電力を供給する。これは、約８秒間維持される。
【００３８】
主エッチングの完了後、フォトレジスト、蒸着層、および、制御層が剥離されてよい（工程２１６）。２００ｓｃｃｍのＯ2からなる剥離剤が、１０ｍＴｏｒｒで供給される。２７ＭＨｚのＲＦ電源は３００ワットの電力を供給し、２ＭＨｚのＲＦ電源は１００ワットの電力を供給する。これは、約５０秒間維持される。
【００３９】
保護層（制御層）の追加が、ラインエッジラフネスと、ワイングラス形成（wine glass formation）とを低減することがわかった。
【００４０】
別の実施形態では、ハードマスクをマスクとして用いてもよい。かかる実施形態では、ハードマスクを開口するために、フォトレジストマスクを用いてよい。蒸着層は、間隔を低減するために、ハードマスクの上に配置されてよい。あるいは、蒸着層は、ハードマスクのエッチングの前に、フォトレジストの上に配置されてもよい。
【００４１】
好ましい実施形態では、制御層は、蒸着層よりもフッ素の濃度が低い層である。制御層は、フッ素の濃度が高いポリマ層である蒸着層よりもフッ素の濃度が低いポリマ層であることが、より好ましい。制御層は、フッ素を含まないポリマ層であることが、最も好ましい。フッ素を含まないポリマ層は、アモルファス炭素層または炭化水素ポリマと呼ばれてよく、蒸着層は、フッ化炭化水素ポリマである。フッ素を含まないポリマを蒸着するために、フッ素成分を含まないＣ2Ｈ4、ＣＨ4、または、ＣＯなどの蒸着ガスを用いてよい。制御層が、いくらかのフッ素を含むが蒸着層よりも少ない場合には、蒸着層を形成するために、ＣＨ3Ｆを用いてもよい。
【００４２】
フォトレジスト形状全体によって形成される領域が少なくとも少しエッチングされる場合には、制御層がないと、いわゆる「ワイングラス形成」が起きることがわかった。ラインエッジラフネスに加えて、制御層は、ワイングラス形成も低減または排除することがわかった。
【００４３】
別の実施形態では、エッチング層は、Ｓｉ、金属、および、ポリＳｉなどの導体であってもよい。したがって、本発明の処理は、酸化物、窒化物、炭化物、低誘電体などの誘電体、または、Ｓｉ、ポリシリコン、金属などの導体材料であるいくつかの種類の膜をエッチングするために用いられてよい。本発明のエッチングは、ビア（ホール）またはトレンチ（ラインアンドスペース）を形成するために用いられてよい。
【００４４】
以上、いくつかの好ましい実施形態を参照しつつ本発明について説明したが、本発明の範囲内で、様々な代替物、置換物、および等価物が存在する。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１Ａ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す略断面図である。
【図１Ｂ】従来技術に従ってエッチングされた積層体を示す略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態で利用可能な処理を示す概略フローチャートである。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す略断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す略断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す略断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す略断面図である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に従って処理された積層体を示す略断面図である。
【図４】ＣＤを低減するためにフォトレジスト形状の側壁を覆うように層を蒸着する工程を示す詳細なフローチャートである。
【図５】本発明の実施に利用できるプラズマ処理チャンバを示す説明図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示す図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態で用いられる制御部の実施に適したコンピュータシステムを示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2009500811.tif 000008
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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