(57)【要約】  近接場光記録装置と、近接場光記録装置を動作させる方法とであって、当該装置は光記録担体と協働している。当該装置は、アクセスされる光記録担体のデータ層と屈折光学素子（対物レンズ）との間の距離に応じ、光記録担体に対する当該屈折光学素子のチルトを調節する手段を有する。
2009535753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から光記録担体へと光を導く屈折光学素子と、
前記光記録担体に対する前記屈折光学素子のチルトに関するチルトエラー信号を供するためのチルトエラーサーボループと、
前記チルトエラー信号に付与されるチルトサーボゲインの設定とを有する、少なくとも一つのデータ層を有する前記光記録担体と協働している近接場光記録装置において、前記屈折光学素子と前記少なくとも一つのデータ層との間の距離の変化に応じて、前記チルトサーボゲインの設定が調節されることを特徴とする、近接場光記録装置。
【請求項２】
前記屈折光学素子と前記少なくとも一つのデータ層との間の距離の変化に応じて、前記近接場光記録装置が、前記チルトサーボゲインの少なくとも1個の事前に決められた値を実行するためのチルトサーボゲイン調節用手段を更に有する、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項３】
前記屈折光学素子と前記少なくとも一つのデータ層との間の前記距離が、前記屈折光学素子と前記光記録担体の上面との間のエアギャップを有する、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項４】
前記屈折光学素子と前記少なくとも一つのデータ層との間の前記距離が、前記光記録担体の上面と前記少なくとも一つのデータ層との間の層深度を有する、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項５】
前記屈折光学素子と前記少なくとも一つのデータ層との間の前記距離が、前記光記録担体のカバー層の層深度を有する、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項６】
前記チルトサーボゲインの前記少なくとも1個の事前に決められた値が、前記装置の不揮発性のメモリ部品内に記憶されている、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項７】
前記チルトサーボゲインの前記少なくとも1個の事前に決められた値が、自動的に計算される、請求項1に記載の近接場光記録装置。
【請求項８】
チルトサーボゲインの調節用の手段を供するステップと、
屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離を決定するステップと、
この距離に応じて前記チルトサーボゲインの設定を付与するために、前記チルトサーボゲインの調節手段を用いるステップとを有する、近接場光記録装置を動作させる方法。
【請求項９】
前記チルトサーボゲインの少なくとも1個の事前に決められた値を供するステップを有する、請求項8に記載の近接場光記録装置を動作させる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近接場光記録装置の分野に関する。本発明は特に、
-  光源と、
-  当該光源から光記録担体へ向けて光を導く屈折光学素子と、
-  光記録担体に対する当該屈折光学素子のチルトに関するチルトエラー信号を有するチルトエラーサーボループと、
-  当該チルトエラー信号に付与されるチルトサーボゲインの設定とを有する近接場光記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録装置において、光記録担体に記録されることができる最大のデータ密度は、当該光記録担体上に集束されるレーザスポットのサイズに逆比例する。当該スポットサイズは、二つの光学パラメータの比によって決まる。即ち、当該装置の光源（通常はレーザ）の波長と、光源からの光を光記録担体上へと導くために使われている屈折光学素子（しばしば、対物レンズ）の開口数（NA）とである。従来の光学系では、NAは1.0よりも小さな数に限られている。しかしながら、近接場光記録においては、例えば屈折光学素子としてソリッドイマージョンレンズ（SIL）の使用により、NAは1.0よりも大きくすることができ、したがって、光記録担体の、より大きなデータ記憶密度への更なる拡張を可能にする。1.0よりも大きなNAは、当該SILから非常に短い距離内でのみ利用可能であり、この距離は一般に光の波長の1/10よりも小さい。この結果、SILと光記録担体とは、動作中はお互いが数十ナノメータ以内に保たれねばならない。屈折光学素子と光記録担体との間の距離（エアギャップ）は、反射光の偏光検知から得られる大変感度の高いギャップエラー信号と組み合わされた、従来のフォーカスアクチュエータとトラッキングアクチュエータとを用いるエアギャップ制御システムによって精度良く制御されている。
【０００３】
近接場光記録システムは、オプティカルデータストレージ誌2004のSPIE会報Vol 5380（209頁から223頁、F.Zijp らによる）で更に説明されており、システムNA 1.9をもつ装置が、カバー層（光記録担体の最初の面）の無い50 GBの光記録担体と協働している。
【０００４】
光学ヘッドについての、より一般的な情報が、英国産業省の光工学百科事典DOI：10.1081/E-EOE 120009664（2003）、Marcel Dekker Inc.刊行に見ることができ、トラッキングアクチュエータ、サーボメカニズム、対物レンズ、及び光路の進行についての節が、本出願に特に関係している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
様々な種類の光記録担体が、近接場記録装置に関連して使われることができる。幾つかの光記録担体は、当該光記録担体上に記憶されたデータを保護するためのカバー層を有する。
【０００６】
既知の近接場光記録装置のもつ問題点は、光記録担体に対して、屈折光学素子が大変精度良く位置合わせされねばならないことである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従来のシステムに対するよりも、より良いチルト制御を供することができ、これにより光記録担体に対する屈折光学素子の位置合わせを改善する、近接場光記録装置の屈折光学素子のチルト制御を供することが、本発明の目的である。
【０００８】
この目的は、当該屈折光学素子と、少なくとも一つのデータ層との間の距離の変化に応じて、チルトサーボのゲイン設定が調節可能である本発明によって達成される。
【０００９】
本発明の他の実施例では、近接場記録装置は更に、屈折光学素子と、少なくとも一つのデータ層との間の距離の変化に応じて、チルトサーボゲインの少なくとも1個の事前に決められた値を実行するためのチルトサーボゲインの調節用の手段を有している。
【００１０】
光記録装置内の光記録担体へと光を導くために用いられている屈折光学素子のチルト制御が、従来の光学システムに対して研究された。しかしながら、近接場記録システムは、近接場動作用の屈折光学素子と光記録担体との間で必要とされる近接に起因するチルトに付随している特別な問題をもっている。特別な問題は、SILレンズを用いているときにも、その形状に起因して起きる。殆どのSILレンズは、半球、又は超半球である。斯様な小さな作動距離でSILの平面側に対する光記録担体のチルトに対し、十分に大きなマージンを得るために、SILは通常は（しばしば直径で40μm程度の）小さな平面部のある円錐形をもっている。しかしながら、SILの最も近接した表面が、その大きさでミリメータから数十ミクロンへと減じられたとしても、最大許容チルト角は依然として大変小さい（一般に0.07度から約0.2度まで）。これは、光記録担体の大変大きな機械的なチルト（例えば1度まで、又はそれ以上）が起き得る現行の光記録装置とはまったく異なっている。近接場システムでは、機械的なチルトマージンは大変小さく、この結果、ディスクのチルトを直接精度良く測定し、訂正することは困難であり、費用がかかる。その上、光軸に対するディスクの完全な位置合わせができたとしても、SILの前面が（これが実にそうなのであるが、製造プロセスに起因して）当該光軸に正しく直交しない場合は、システム欠陥につながる。実験用の近接場光記録装置では、位置合わせは退屈な試行錯誤の位置合わせの方法を必要とすることがある。民生用のドライブでは、これは許容されることはできない。
【００１１】
非焦点スポット法、又は多重スポット法などの、チルトの問題に対する初期の解決策は全て、SILとディスクとの間の位置合わせが、それらが事実上使われることができる前に、十分に良好であることを必要とするとの欠点をもっている。機械的なチルトマージンが大変厳しいので、上記の方法は事前の位置合わせのステップを必要とする。この事前の位置合わせは、静止している光記録担体で行われることを必要とし、事前の位置合わせの測定を行うために、レンズと光記録担体とを接触させることが必要である（事前の位置合わせのためのチルトの測定は初期の発明の一つを用いて行われることもあるし、又は単にGES信号（ギャップエラー信号）のレベルを最小にすることによって行われることもある）。ドライブの立ち上がり時間が増大するので、静止しているディスクでの事前の位置合わせは欠点である。その上、レンズとディスクとを接触させることは、システムの損壊及び欠損を偶発的に招くことがある。
【００１２】
本発明では、チルトエラーのサーボループが使われている。この近接場光記録装置のサブシステムは、チルトを検知し、これを次に屈折光学素子の動きに対する入力として用いることによる、（光を光記録担体上へと導くために使われる）屈折光学素子のチルトを調節するための手段である。屈折光学素子のこの動きは、例えばアクチュエータを用いて行われる。これによって、チルトの調節及び補償が行われる。従来のチルトエラーのサーボループは、チルトエラー信号とチルトエラーゲインの設定とを必要とする。従来技術のシステムのチルトエラーゲインの設定は、民生用装置では当該装置の最適値に工場で調節されており、この調節は屈折光学素子と光記録担体との間の距離とは独立している。本発明では、このゲイン設定がチルトサーボゲインの調節用手段により、調節可能となっている。種々異なる状況下で、チルトサーボゲインに対する事前に決められた値又は複数の事前に決められた値が利用可能になり、これらの値がチルトサーボ調節用手段によって実行される。これらの値は、屈折光学素子と光記録担体のデータ層との間の距離に応じて決められ、実行される。種々異なる距離で、種々異なるチルトゲインの設定値が、近接場光記録装置の動作にとって最適となる（これに関しては後で説明されよう）。より適切なゲイン設定値の使用は、チルト調節の精度を増す。本発明は、種々異なる距離で実行されることができるので、事前の位置合わせのステップ又はチルトの粗調節のステップを回避することも可能である。
【００１３】
本発明の他の実施例では、屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離は、当該屈折光学素子と光記録担体の上面との間のエアギャップを有する。当該エアギャップの大きさは、チルトを測定するために生成されたチルト信号の感度に影響を及ぼす。光記録担体のばらつきに応じ、当該光記録担体の回転周波数に従ってチルト信号は周期的なままであるものの、屈折光学素子が光記録担体に近ければ近いほど、チルト信号はより大きくなる。チルト信号の生成のために使われる1個の光スポットとマルチスポットの構成とに、この挙動が見られる。
【００１４】
近接場光記録システムでは、エアギャップは、しばしばギャップエラー信号（GES）を用いて制御される。当該ギャップサーボシステムは、光記録担体から屈折光学素子までの比較的大きな距離（たとえば数百nm）で開始される。これらの距離では、チルトに対する精度の要件は、当該屈折光学素子が例えば40nmの作動距離にあるときよりも厳しくない。特定の距離のときのチルト信号を使って、チルトの最初の訂正が成されることができる。実際、静止しているディスクでは、チルト信号は直流値であろうし、回転しているディスクでは、当該チルト信号は交流であろう。ギャップエラー信号の制御下で、屈折光学素子は光記録担体に向かって移動することができる。チルト信号は距離の変化と共に変化し、事前に決められたチルトサーボゲインの値がチルトサーボのループ内で、チルト訂正性能を最適にするためのチルトサーボ調節手段により実行されることができる。この最適化の一例は、チルトサーボループの全体ゲインの設定が最適値に調節されることができるような、チルトサーボゲインの調節である。屈折光学素子が光記録担体から所望する作動距離になるまで、これらのステップが繰り返され、インクリメントされ、各ステップでチルト調節は、より厳しい許容範囲へと調整される。当該ステップは、調節プロセスが連続し、「オンザフライ」になるまで、より頻繁に成されることもできる。
【００１５】
本発明の他の実施例では、屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離は、光記録担体の上面と少なくとも一つのデータ層との間の層深度を有する。従来の光学装置では、データ層上の装置の合焦点位置は、当該装置の対物レンズを当該光記録担体へ近づけるか、又は当該光記録担体から遠ざけるよう動かすことにより、実現されている。近接場は光記録担体への近接近によってのみ実現されるという近接場システムの拘束条件により、上記の合焦点メカニズムは利用できない。多層の光記録媒体では、近接場システムは焦点を一つの層から別の層へと動かすので（実効上、屈折光学素子と考慮中のデータ層との間の距離の変更を行うので）、屈折光学素子の出射面での光スポットサイズは変化する。これはチルト信号に影響を及ぼす（後述）。チルトサーボゲインの事前に決められた値の提供をすることは、変化するスポットサイズを補償し、一貫性のあるチルト補償性能を可能にする。
【００１６】
本発明の他の実施例では、屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離は、光記録担体のカバー層の層深度を有する。光記録担体は、種々異なるタイプがある。いくつかの担体は、当該光記録担体の一番表面にデータが書きこまれ、又は読み取られる、いわゆる最初の面のディスクである。他の担体は、データを損壊及びごみから保護するために、データ層の上に置かれた透明な層である、カバー層を有する。当該カバー層は、厚さがばらつくことがある。このばらつきは、屈折光学素子とデータ層との間の距離のばらつきをもたらし、このばらつきもまた、データ層上にある近接場光記録装置の焦点に影響を及ぼす。同様に、スポットサイズも変化し、一貫したチルト補償性能を可能にするための、事前に決められたチルトサーボゲインの値の提供によって、上で説明されたチルト信号の感度が影響されることもある。
【００１７】
本発明の他の実施例では、チルトサーボゲインの少なくとも一つの事前に決められた値が、装置の不揮発性のメモリ部品内に記憶される。チルトサーボゲインの値は、例えばエアギャップの距離に、若しくはカバー層の厚さに依存するチルト信号に対して測定された、又は計算された感度の値から得られることができる。これらの値を近接場光記録装置内の不揮発性メモリ内に記憶することによって、本発明の一部として、これらの値が使用のために利用可能になる。その後、データ層に対する屈折光学素子の距離が、チルトサーボゲインの（複数の）値に関して対応している適切な時点になったときに、これらの（複数の）値が抽出されることができる。
【００１８】
本発明の他の実施例では、チルトサーボゲインの少なくとも一つの事前に決められた値が、自動的に計算される。一つの層から別の層へ焦点がジャンプする間に、同時に/同期してチルトサーボゲインの設定を合わせることは好都合である。例えば、現在の層と次の層とに対する設定からの補間を行うことにより、これらの中間設定が得られることができる。この態様で、例えば安定性などのチルトサーボ性能が最適（即ち同じ全体ゲイン）に留まる。
【００１９】
近接場光記録装置を動作させる方法は、
-  チルトサーボゲインの調節用の手段を供するステップと、
-  屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離を決定するステップと、
-  この距離に応じてチルトサーボゲインの設定をするために、チルトサーボゲインの調節手段を用いるステップとを有する。
【００２０】
本発明の他の実施例では、光記録装置を動作させる方法は、以下の追加のステップ；チルトサーボゲインの少なくとも1個の事前に決められた値を供するステップを有する。
【００２１】
本発明は図面を参照して更に明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
一般的な近接場記録装置の光路のレイアウトが図1に示されている。レーザ1からの光は、ビーム整形光学系2のシステムに沿って導かれる。光は無偏光のビームスプリッタ3及び偏光ビームスプリッタ4を通過する。これらのビームスプリッタは、
-  ギャップエラー信号と、
-  チルト検知器5と、
-  RFデータと、
-  プッシュプル信号6と、
-  順方向感知検知器7とのシステムに関連して用いられ、当該システムは光記録担体8上に照射された光スポット（図示されず）の制御と、トラッキングとを可能にする。光は1/4波長板9を通過し、光記録担体8上で光スポット（図示されず）の焦点調節をするためのレンズシステム10を通過する。光路に対する焦点調節の方向は、矢印11によって示されている。光はレンズシステム12によって光記録担体8上に集束される。このレンズシステム12は、通常はSIL（ソリッドイマージョン）レンズ13である屈折光学素子を有し、当該素子は、光記録担体8上に照射される前の光によって見られる最後のレンズ素子である。
【００２３】
生成され、検知されたチルト信号5は、SILレンズ13と、光記録担体8との間の距離に応じた変動によって左右される。この距離は、SILレンズ13と、光記録担体8との間のエアギャップの形をとることもあるし、又はカバー層の厚さ若しくは一つのデータ層から別のデータ層への移動距離の変化などの光記録担体内部の深度の形をとることもある。
【００２４】
図2のグラフは、SILレンズ13と光記録担体8との間でエアギャップが減じられたときに、どのようにチルト信号が変化するかを示している。当該グラフ中では、チルトの応答は周期的であり、光記録担体8の回転の1周期が矢印21によって示されている。当該図では、エアギャップは70nmと30nmとの間で変動している。より大きなエアギャップのときのチルト信号の応答波形は、より小さなエアギャップのときよりも小さい。このようにチルト信号は、SILレンズ13が光記録担体8へより近づいたときのチルトに対して、より感度が高い。
【００２５】
図2の具体的な例は、実験によるものである。この実験では、3μmのカバー層をもつCuSiの光記録担体の読み出しにNA=1.45のレンズが使われた。この構成は、SILの底部で約15μmの焦点のずれたスポットサイズをもたらした。光記録担体が平面ではないために、チルト信号はディスク上で変動し、回転周波数で周期的に変動した（矢印21で示されている）。様々なエアギャップに対するチルト信号の測定は、より小さなエアギャップに対して当該信号の強い増大を示した（この間、実際のチルト角は、明らかに同じ値に留まっていた）。実験的に見出された感度対エアギャップの理論的な値との比較は良い一致を示した。多重スポットのチルト測定でも、同様の挙動が見出された。
【００２６】
一貫性のある、精度の高いチルト調節を実現するために、本発明は一つ以上のチルトサーボゲインの値を実行するサーボゲインの調節手段を供し、これによって距離の変化に起因するチルト信号の変化を補償する。
【００２７】
図3も、エアギャップの件に関している。機械的なチルトの公差はSIL片の直径に依存し、より大きな直径は、より精度の高い位置合わせを必要とする。この関係が種々異なるSIL片の直径に対して直線31及び直線32で示されており（実線が40μmで、破線が100μm）、機械的な接触を回避するために必要とされるチルト精度を表している（機械的な公差の1/2になるように適宜選ばれている）。破線の曲線33は、（スポット間隔が15μmの）多重スポットのチルト信号対エアギャップの精度の数値例である。本例は、NA=1.45で3μmのカバー層をもつ記録型の近接場光記録担体のエアギャップの、実際のギャップエラー信号（GES）の依存性から得られており、大きなエアギャップのときには、GESの依存性は弱く（GESは殆ど一定）、この結果、チルト信号は、GESが強いエアギャップ依存性を示す、より小さなエアギャップに対するときほど精度が高くはない。他のタイプのディスクも同様の挙動を示す。（大変小さなエアギャップに対しては、当該GESは再度平らになり、チルト信号の精度の悪化につながることに留意されたい。これらのエアギャップは、最適な読み出しと記録とに必要とされるものよりも小さく、良好なチルト制御のためには、好ましくは回避されねばならない）。当該図から、全ての関連する（30-150nmの）エアギャップに対して、例えエアギャップが100μmの場合でさえも、チルトの精度は機械的なチルトの公差に対して必要とされるものよりも良好（より小さな値）であることが明らかである。
【００２８】
図4a及び図4bは、光記録担体41にデータ層43、44、45、46があり、光記録担体42にデータ層47及び48がある、多層の光記録担体41及び42を示している。SILレンズ49が当該光記録担体の上部に位置している。多層読み出し及び多層記録では、SIL 49の出射面のスポットサイズは、読み取られるべき、又は書き込まれるべきデータ層の深度に強く依存する。SIL 49のスポットサイズの一般的な値は、カバー層の厚さが3μmで、スペーサ層の厚さが2μmの4層のディスクの場合、約15μmから45μmの範囲にある。この事が、図4a及び図4bを参照して議論されている。
【００２９】
図4aでは、L1にて示されている光線は、データ層46上に集束されている。SIL 49の出射面で、これに対応している集束していない光スポットサイズが、矢印A1で示されている。当該光スポットの焦点がデータ層43へと変わり、当該光線がL2で示されるように移動すると、SIL 49の出射面で集束していない光スポットサイズは矢印A2で示される。集束動作がレンズとディスクとの間の距離を変化させることによって行われるCD及びDVDなどの初期の光記録装置とは異なり、異なる層を読み取る、又は書き込むとき、エアギャップAGは一定値に留まっている。近接場光記録装置では、この集束動作は、例えば可動のコリメータレンズ、又は液晶セル、もしくはこれらの組み合わせによって実施される。これゆえ近接場光記録装置では、屈折光学素子とデータ層との間の距離が変化するのにつれて、集束していない光スポットサイズがSIL 49の出射面で変化する。これらのスポットサイズの変化は、検知されたチルト信号の変化を招く。本発明を用いて、装置の一貫性のある動作を保証する適切なサーボゲイン値の使用により、これらの変化が補償されることが可能である。
【００３０】
図4bでは、光記録担体のカバー層の厚さの変化に対して、同様の影響が見てとれる。光記録担体の二つの可能な最初のデータ層の位置を表すよう、データ層47及び48が選ばれており、層47は層48よりも深い（厚い）カバー層をもつ。光線L4 及びL3 が、二つの可能なカバー層の深度に対するSIL 49 の出射面での光スポットの位置を示している。光線L4 及びL3に対応するスポットに付随している直径が、各々A4 及びA3である。スポットサイズA3はスポットサイズA4よりも小さく、チルト信号の必然的な変化を伴う。本発明を用いて、装置の一貫性のある動作を保証する適切なサーボゲイン値の使用により、これらの変化が補償されることが可能である。
【００３１】
図5は、様々なカバー層の厚さとエアギャップとに対するチルト信号の感度を示している。図中のデータに対して、対応するSILのスポットサイズは6μm、12μm、及び18μmである。より大きなスポットサイズと焦点深さとに対して、当該チルト感度が増大する。もしも、例えば、装置のサーボループ内の全体ゲインを一定に保つことが所望されるのであれば、一貫した装置性能に対するチルトサーボゲインの設定は、それなりに、より小さくなければならないであろう。
【００３２】
図6は、本発明の一つの実施例による近接場光記録装置を動作させる方法を概観的に例示している。本発明による方法は、チルトサーボゲイン調節用の手段を供するステップ61で始まる。本手段は、工場での生産及びセットアップの間というよりはむしろ、装置の動作中にチルトサーボゲインの変更を可能にする。次に、良好に作動するチルトサーボゲインの値が例えばSILと光記録担体との間の距離に対応している一つ以上の状況に対して利用可能であるなどの、チルトサーボゲインの少なくとも1個の事前に決められた値が知られねばならない（利用可能、又は所望するのであれば、より多くの値が含まれてもよい）。これは、装置の動作中に種々異なる感度を考慮した結果、1個のゲインの値が一定して適用されるような状況を改善する。（複数の）値がステップ62で供され、例えば、近接場光記録装置の不揮発性のメモリ部品内に記憶されることができる。当該近接場記録装置は、屈折光学素子と少なくとも一つのデータ層との間の距離を決定することができる（ステップ63）。通常は、この距離の測定は、ギャップエラー信号を使って行われる。距離の決定を終了すると共に、適切なチルトサーボゲインの設定が行われる。チルトサーボゲイン調節手段を用いて、チルトサーボゲインの所望の値がステップ64で適用され、当該チルトサーボゲインの設定値は、この距離に対応している。
【００３３】
図7は、本発明の一つの実施例を組み込んでいる、図1の近接場光記録装置を示している。図1に付随していた記号は同じままである。ここでは、装置は、チルトエラー信号のチルトサーボループ71への入力信号72と、ギャップエラー信号から得られた距離信号とをもっている。これらの入力信号72は、ギャップエラー信号とチルト検知器5とに対するシステムからもたらされる。当該装置は、本発明によるチルトサーボゲイン調節手段73も更に有する。本装置は、ここではチルトサーボループ71との一体物として示されているが、しかしチルトサーボループの構成物とは別の場所にある、独立した装置であってもよい。チルトサーボゲイン調節手段73がチルトサーボゲインを設定し、この信号は、SIL 13のチルト補償用の出力74を供するために、チルトサーボループ71で使われる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】近接場光記録装置の光路の概観図を示す。
【図２】屈折光学素子と光記録担体との間のエアギャップに対するチルト信号の依存性を示す。
【図３】エアギャップの大きさに関して、チルト精度の要件を示す。
【図４ａ】層の数の違いがある多層の光記録担体の、層間での合焦点の位置の変化があったときの、SILの出射面での光のスポットサイズへの影響を例示する。
【図４ｂ】カバー層の厚さの違いがある多層の光記録担体の、層間での合焦点の位置の変化があったときの、SILの出射面での光のスポットサイズへの影響を例示する。
【図５】光記録担体のカバー層の厚さ、及び屈折光学素子と光記録担体との間のエアギャップの関数としてのチルト感度を示す。
【図６】本発明の一つの実施例による、近接場光記録装置を動作させる方法を概観的に例示する。
【図７】本発明の一つの実施例を組み込んでいる、図1の近接場光記録装置を示す。
【符号の説明】
【００３５】
１  レーザ
２  光線整形光学系
３  無偏光ビームスプリッタ
４  偏光ビームスプリッタ
５  ギャップエラー信号及びチルト検知のためのシステム
６  RFデータとプッシュプル信号用のシステム
７  順方向の感度検知器
８  光記録担体
９  1/4波長板
１０  焦点調節用のレンズシステム
１１  焦点調節の方向を示している矢印
１２  レンズシステム
１３  SILレンズ
２１  光記録担体の1回転の周期を示している矢印
３１  直径40μmのSIL片の影響を示している線
３２  直径100μmのSIL片の影響を示している線
３３  エアギャップに対するチルト信号の数値的な精度の例を示している曲線
４１  多層の光記録担体
４２  多層の光記録担体
４３  データ層
４４  データ層
４５  データ層
４６  データ層
４７  データ層
４８  データ層
４９  SILレンズ
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、及びＬ４  光線
Ａ１、Ａ２、Ａ３、及びＡ４  SILの出射面での集束していない光スポットサイズを示している矢印
ＡＧ  エアギャップ
６１  本発明による方法のステップ
６２  本発明による方法のステップ
６３  本発明による方法のステップ
６４  本発明による方法のステップ
７１  チルトサーボループ
７２  チルトサーボループへの入力信号
７３  チルトサーボゲイン調節用手段
７４  チルト補償用出力
【図１】
2009535753.tif 000003
【図２】
2009535753.tif 000004
【図３】
2009535753.tif 000005
【図４ａ】
2009535753.tif 000006
【図４ｂ】
2009535753.tif 000007
【図５】
2009535753.tif 000008
【図６】
2009535753.tif 000009
【図７】
2009535753.tif 000010
【国際調査報告】
2009535753.tif 000011
2009535753.tif 000012
2009535753.tif 000013