(57)【要約】  ドープトシリコン層を介して異方性ドライエッチングを行う方法及びシステムが開示される。プロセス化学はＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含む。フッ化炭素ガスは、ｘ及びｙを１以上の整数として、ＣｘＦｙ、例えばＣ４Ｆ８、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のシリコン層をエッチングする方法であって：
前記シリコン層を有する前記基板をプラズマ処理システム内に配置する段階であり、前記シリコン層はドーパントを有する、段階；
前記プラズマ処理システムに、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を導入する段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセス組成からプラズマを形成する段階；及び
前記シリコン層をエッチングするために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を有する方法。
【請求項２】
前記プロセス組成を導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、ｘ及びｙを１以上の整数として、ＣｘＦｙを含む組成を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ３Ｆ６、若しくはＣ４Ｆ６、又はこれらの二つ以上の組み合わせを導入することを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記フッ化炭素ガスを導入する段階は、ｘ及びｙを１以上の整数として、ＣHｘＦｙを含む組成を導入することを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン層は、前記ドーパントを有し且つ当該シリコン層の厚さの第１部分を占める第１のサブレイヤーと、前記ドーパントをより少ない量だけ有し且つ当該シリコン層の厚さの残りの部分を占める第２のサブレイヤーとを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマ処理システムに、ハロゲン含有ガスを含む第２のプロセス組成を導入する段階；
前記プラズマ処理システム内で前記第２のプロセス組成から第２のプラズマを形成する段階；及び
前記シリコン層をエッチングするために前記第２のプラズマに前記基板を晒す段階；
を更に有し、
前記プラズマに前記基板を晒す段階は、前記第１のサブレイヤーをエッチングするのに十分な第１の時間にわたって実行され、且つ前記第２のプラズマに前記基板を晒す段階は、前記第１の時間の後に、前記第２のサブレイヤーをエッチングするのに十分な第２の時間にわたって実行される、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のプロセス組成を導入する段階は、ＳＦ６、ＨＢｒ、若しくはＣｌ２、又はこれらの２つ以上の組み合わせを導入することを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のプロセス組成を導入する段階は更に、不活性ガスを導入する段階を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記不活性ガスを導入する段階は、希ガスを導入することを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマに前記基板を晒す段階、及び前記第２のプラズマに前記基板を晒す段階は、前記シリコン層の上に位置するエッチングマスクに形成されたパターンを前記シリコン層に転写することによって、前記シリコン層に造形部を形成することを容易にする、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチングマスクは、前記プラズマに前記基板を晒す段階及び前記第２のプラズマに前記基板を晒す段階の前に、当初の限界寸法を有し、且つ前記シリコン層は、前記プラズマに前記基板を晒す段階及び前記第２のプラズマに前記基板を晒す段階の後に、最終的な限界寸法を有し、減少量は前記当初の限界寸法と前記最終的な限界寸法との間の差に相当する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板上の第１の造形部の状態は、第１の減少量に相当する１つ以上の空間的に広く離隔された造形部を有し、前記基板上の第２の造形部の状態は、第２の減少量に相当する複数の空間的に密接した造形部を有し、前記第１の減少量と前記第２の減少量との間の差は、前記当初の限界寸法のおよそ１０％未満である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーにＲＦ電力を結合させることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記プラズマを形成する段階は、前記基板が置かれた基板ホルダーに対向配置された電極にＲＦ電力を結合させることを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ドーパントは、リン、ボロン、若しくはヒ素、又はこれらの２つ以上の組み合わせを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
基板上のシリコン層をエッチングするためのプラズマ処理システムであって：
前記シリコン層をエッチングするために、プロセス組成からのプラズマの形成を促進させるプラズマ処理チャンバーであり、前記シリコン層はドーパントを有する、プラズマ処理チャンバー；及び
前記プラズマ処理チャンバーに結合され、且つ前記プロセス組成を用いてプロセスレシピを実行するように構成されたコントローラであり、前記プロセス組成はＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含む、コントローラ；
を有するプラズマ処理システム。
【請求項１９】
前記フッ化炭素ガスは、ｘ及びｙを１以上の整数として、ＣｘＦｙを含む、請求項１８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項２０】
前記フッ化炭素ガスは、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ３Ｆ６、若しくはＣ４Ｆ６、又はこれらの二つ以上の組み合わせを含む、請求項１８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項２１】
前記プロセス組成は更に不活性ガスを含む、請求項１８に記載のプラズマ処理システム。
【請求項２２】
前記不活性ガスは希ガスを含む、請求項２１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項２３】
コンピュータシステム上で実行されるプログラム命令を格納したコンピュータ読み取り可能媒体であって、該プログラム命令は該コンピュータシステムによって実行されたとき、該コンピュータシステムにプラズマ処理システムを制御させ：
シリコン層を有する基板を前記プラズマ処理システム内に配置する段階であり、該シリコン層はドーパントを有する、段階；
前記プラズマ処理システムに、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を導入する段階；
前記プラズマ処理システム内で前記プロセス組成からプラズマを形成する段階；及び
前記シリコン層をエッチングするために前記プラズマに前記基板を晒す段階；
を実行させる、コンピュータ読み取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライプラズマプロセスを用いて基板上のドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムに関し、より具体的には、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含有するプロセスガスを用いてドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体技術の当業者に知られているように、デバイス性能を向上させ、且つ電力消費を削減するためには、半導体デバイスの大きさの低減が欠かせない。例えば、最新技術の歩みと足並みを揃えて、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む集積回路（ＩＣ）は、今や、５０ｎｍ未満のゲート長で形成されている。しかしながら、ゲート長が５０ｎｍ未満で形成されるとき、ＦＥＴのスケーリングは、その製造方法を含めてこれらデバイスの構成によって制限されるようになる。例えば、ＶＬＳＩ技術がスケーリング限界に近付くに連れ、検討されるデバイス構造が現時点で幾つか存在する。このようなデバイス構造は、バルクＭＯＳＦＥＴ（金属−酸化物−半導体ＦＥＴ）、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ、及びＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）ＭＯＳＦＥＴである。先端的な半導体デバイスの製造において、シリコン層は、その中に形成された造形部の限界寸法が維持されたままでエッチングされる。これは、多くの場合、浅いドープトシリコン領域のエッチングと、それに続く非ドープトシリコン領域のエッチングとを必要とし、それらの各々が、造形部の限界寸法を保存することの助けとなる最適なプロセス化学を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、基板上のドープトシリコン層をエッチングする方法及びシステムを提供することを目的とする。この方法は、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成を用いることを有する。
【０００４】
また、本発明は、シリコン層が該シリコン層の厚さの一部にわたって延在するドープトシリコンのサブレイヤーを有する場合に、このシリコン層をエッチングする方法及びシステムを提供することを目的とする。この方法は、ドープトシリコンのサブレイヤーを第１のプロセス組成を用いてエッチングする工程、及び必要に応じて、残存する非ドープトシリコン層を第２のプロセス組成を用いてエッチングする工程を有する。第１のプロセス組成はＳＦ６及びフッ化炭素ガスを有する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施形態に従って、基板上のシリコン層をエッチングする方法が開示される。ドーパントを含むシリコン層を有する基板がプラズマ処理システム内に配置される。ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含むプロセス組成がプラズマ処理システム内に導入される。プラズマ処理システム内でプロセス組成からプラズマが形成される。シリコン層をエッチングするためにプラズマに基板が晒される。また、他の一実施形態に従って、この方法を実行するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能媒体が用いられる。
【０００６】
更なる他の一実施形態に従って、基板上のシリコン層をエッチングするためのプラズマ処理システムが開示される。このプラズマ処理システムは、シリコン層をエッチングするために、プロセス組成からのプラズマの形成を促進させるプラズマ処理チャンバーを含んでいる。ここで、このシリコン層はドーパントを有する。プラズマ処理チャンバーに結合されたコントローラが、プロセス組成を用いてプロセスレシピを実行するように構成される。このプロセス組成はＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
材料処理方法において、パターンエッチングは、例えばフォトレジスト等の感光性材料から成る薄い層を基板の上面に塗布することを含んでいる。この層は、続いて、エッチング中に下地の薄膜にパターンを転写するマスクを提供するようにパターニングされる。感光性材料のパターニングは、一般に、例えばマイクロリソグラフィシステムを用いて放射線源によってレチクルを介して該感光性材料を露光すること、及びそれに続く、現像液を用いて感光性材料の照射部分（ポジ型フォトレジストの場合）又は非照射部分（ネガ型レジストの場合）を除去することを含んでいる。
【０００８】
例えば、図１Ａ−１Ｃに示されるように、従来のリソグラフィ技術を用いて形成されたパターン２を有する感光層３から成るエッチングマスク６は、シリコン層４をエッチングするためのマスクとして使用されることができ、エッチングプロセスにより感光層３内のマスクパターン２がシリコン層４に転写される。エッチングマスク６は更に、例えば感光層３の下に位置する反射防止膜（ＡＲＣ）等の複数の層を有していてもよい。感光層３内のパターン２はエッチングプロセスによって下地のＡＲＣに転写されることができる。
【０００９】
シリコン層４は、シリコン層４の厚さの一部にわたって延在するドープトシリコンのサブレイヤー７を有している。パターン２をシリコン層４に転写するエッチングプロセスにおいて、ドープトシリコンのサブレイヤー７は第１のプロセス組成を用いてエッチングされる。このシリコンサブレイヤーのドーパント濃度は、実質的にドーパントが存在しない濃度から、シリコン内でドーパントが達成し得る最大濃度までの範囲とし得る。例えば、ドーパントはリンであってもよく、そのドーパント濃度は、リンドーパントがおよそ存在しない濃度から、約５×１０２１原子／ｃｍ３の最大濃度までの範囲とし得る。他の例では、濃度は約１×１０２０原子／ｃｍ３から約４×１０２０原子／ｃｍ３までの範囲であってもよい。第１のプロセス組成は、ドーピングされていない残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー８をエッチングするために用いられてもよい。必要に応じて、残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー８は第２のプロセス組成を用いてエッチングされる。
【００１０】
下に位置する基板５の層にエッチングプロセスが入り込むことを防止しながらエッチングプロセスを停止させることを容易にするため、シリコン層４の下にエッチング停止層（図示せず）が用いられてもよい。エッチング停止層は、例えば、シリコン処理においては窒化シリコン又は炭化シリコンを含むことができる。さらに、シリコン層４の下に誘電体層（図示せず）が位置していてもよい。この誘電体層は、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層などの酸化物層、高誘電率（ｈｉｇｈ−ｋ）誘電体層、又はシリコン酸窒化物層などの酸窒化物層などを含み得る。エッチングプロセスが行われると、感光性材料の残部とエッチング後の残渣が造形部９の表面に残される。例えば、感光性材料の残部及びエッチング残渣が、平らな領域（又は基板の上表面）、造形部９の側壁、又は造形部９の底面に見られる。
【００１１】
一実施形態に従ってパターン２をシリコン層４に転写するため、ドープトシリコンのサブレイヤー７は、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含む第１のプロセス組成を導入し、その後、プラズマを形成することによってエッチングされる。フッ化炭素ガスは、ｘ及びｙを１以上の整数としてＣｘＦｙと表され得る。例えば、フッ化炭素ガスはＣ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６等のうちの何れか１つ、又はこれらの二つ以上の組み合わせを含むことができる。他の例では、フッ化炭素ガスは、ｘ及びｙを１以上の整数としてＣＨｘＦｙと表されてもよい。例えば、フッ化炭素ガスはＣＨＦ３及び／又はＣＨ２Ｆ２、又はこれらに類するものを含むことができる。さらに、第１のプロセス組成は、希ガス（例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）等の不活性ガスを含んでいてもよい。残存する非ドープトシリコンのサブレイヤー８は、ハロゲン含有化合物を含む第２のプロセス組成を導入することによってエッチングされることができる。例えば、ハロゲン含有化合物はＨＢｒ、Ｃｌ２若しくはＳＦ６、又はこれらの何らかの組み合わせを含み得る。また、第２のプロセス組成は、希ガス（例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）等の不活性ガスを含んでいてもよい。さらに、このプロセス組成は、例えばＯ２、ＣＯ若しくはＣＯ２等の酸素含有化合物、又はこれらの２つ以上の組み合わせ等を含んでいてもよい。このプロセスレシピは２工程プロセスとして表されているが、ドープトシリコンのサブレイヤー７及び非ドープトシリコンのサブレイヤー８の双方をエッチングするために第１のプロセス組成を用いる単一の工程のみを含んでいてもよい。
【００１２】
一実施形態に従ったプラズマ処理システム１が図２に示されており、これはプラズマ処理チャンバー１０、プラズマ処理チャンバー１０に結合された必要に応じての診断系１２、及び必要に応じての診断系１２とプラズマ処理チャンバー１０とに結合されたコントローラ１４を有している。コントローラ１４は、ドープトシリコン層を第１のプロセス組成を用いてエッチングすること、及び、必要に応じて、下に位置する非ドープトシリコン層を第２のプロセス組成を用いてエッチングすること、を有するプロセスレシピを実行するように構成されている。また、コントローラ１４は必要に応じて、診断系１２から少なくとも１つの終点信号を受信し、このプロセス、このプロセスの第１部分、このプロセスの必要に応じての第２部分、又はこれらの組み合わせの終点を正確に決定するために、該少なくとも１つの終点信号を後処理するように構成されている。他の例では、コントローラ１４は、このプロセス、このプロセスの第１部分、このプロセスの必要に応じての第２部分、又はこれらの組み合わせの終点を設定するために所定の時間を用いる。例示された実施形態においては、図２に示されたプラズマ処理システム１は材料の処理のためにプラズマを使用する。プラズマ処理システム１はエッチングチャンバーを有することができる。
【００１３】
図３に示された一実施形態によれば、プラズマ処理システム１ａはプラズマ処理チャンバー１０、処理されるべき基板２５が上に添えられる基板ホルダー２０、及び真空ポンプ系３０を有している。基板２５は、例えば、半導体基板、ウェハ又は液晶ディスプレーであり得る。プラズマ処理チャンバー１０は、基板２５の表面に隣接する処理領域１５にプラズマを生成することを促進するように構成され得る。イオン化ガス又は混合ガスがガス注入系（図示せず）を介して導入されるとともに、処理圧力が調整される。例えば、真空ポンプ系３０を絞るために制御機構（図示せず）が使用される。プラズマは、所定の材料プロセスに特有の材料を作り出し、且つ／或いは基板２５の露出面から材料を除去することを助けるために利用され得る。プラズマ処理システム１ａは、例えば２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板又は更に大きい基板など、任意の大きさの基板を処理するように構成され得る。
【００１４】
基板２５は静電クランプ系によって基板ホルダー２０に貼り付けられることができる。また、基板ホルダー２０は更に、再循環冷却材流を含む冷却系を含むことができ、この冷却材流は基板ホルダー２０から熱を受け取って熱交換器系（図示せず）まで熱伝達し、あるいは加熱時に熱交換器系から熱を伝達する。さらに、基板２５と基板ホルダー２０との間のガスギャップの熱伝導率を改善するために、基板２５の裏面側にガスが供給されてもよい。このようなシステムは、上昇温度又は下降温度での基板の温度制御が要求されるときに利用され得る。例えば、裏面側のガス系は、基板２５の中心部と端部との間でガスギャップ圧力を独立に変化させられ得る２区画のガス分配系を有していてもよい。他の実施形態において、例えば抵抗加熱素子又は熱電加熱器／冷却器などの加熱／冷却素子が、基板ホルダー２０、プラズマ処理チャンバー１０のチャンバー壁、及びプラズマ処理システム１ａ内のその他の部品に含められ得る。
【００１５】
図３に示された実施形態においては、基板ホルダー２０は、処理空間１５の処理プラズマに無線周波数（ＲＦ）電力を結合させる電極を有している。例えば、基板ホルダー２０は、ＲＦ発生器４０から該基板ホルダー２０へのインピーダンス整合回路５０を介したＲＦ電力の伝送によって、あるＲＦ電圧に電気的にバイアスされることができる。このＲＦバイアスは電子を加熱し、それによってプラズマを形成・維持するように作用する。この構成において、システムは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）炉として動作し、チャンバー及び上側のガス供給電極は接地面として作用する。ＲＦバイアスの典型的な周波数は約０．１ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲とし得る。プラズマ処理のためのＲＦ系は当業者に周知である。
【００１６】
他の例では、ＲＦ電力は基板ホルダー電極に複数の周波数で印加される。さらに、インピーダンス整合回路５０は、反射される電力を低減することによって、プラズマ処理チャンバー１０内のプラズマへのＲＦ電力の移送を改善するように作用する。整合回路トポロジー（例えば、Ｌ型、π型、Ｔ型など）及び自動制御方法は当業者に周知である。
【００１７】
真空ポンプ系３０は、例えば、毎秒５０００リットルの（及び、これより大きい）速度でポンプ可能なターボ分子真空ポンプ（ＴＭＰ）と、チャンバー圧力を絞るための仕切り弁とを含み得る。ドライプラズマエッチングで使用される従来からのプラズマ処理装置においては、一般的に、毎秒１０００から３０００リットルのＴＭＰが使用される。ＴＭＰは低圧処理、典型的には約５０ｍＴｏｒｒ未満で有用である。高圧処理（すなわち、約１００ｍＴｏｒｒより高い）の場合には、機械的な増圧ポンプ及びドライ式の粗引きポンプが使用され得る。また、チャンバー圧力を監視する装置（図示せず）がプラズマ処理チャンバー１０に結合されることができる。この圧力測定装置は、例えば、ＭＫＳインスツルメント社から市販されている６２８Ｂ型バラトロン（Ｂａｒａｔｒｏｎ）絶対キャパシタンス式圧力計とし得る。
【００１８】
コントローラ１４はマイクロプロセッサ、メモリ、及び、プラズマ処理システム１ａからの出力を監視するとともにプラズマ処理システム１ａへの入力を伝達し且つアクティブにするに十分な制御電圧を生成可能なデジタルＩ／Ｏポートを含んでいる。さらに、コントローラ１４は、ＲＦ発生器４０、インピーダンス整合回路５０、ガス注入系（図示せず）、真空ポンプ系３０、裏面側ガス注入系（図示せず）、基板／基板ホルダー温度測定系（図示せず）、及び／又は静電クランプ系（図示せず）に結合され、それらと情報を交換することが可能である。例えば、ドープトシリコン層をエッチングする方法を実行するため、プロセスレシピに従ってプラズマ処理システム１ａの上述の構成要素への入力をアクティブにするように、メモリ内に格納されたプログラムが使用され得る。コントローラ１４の一例は、デル社から入手可能なＤＥＬＬ  ＰＲＥＣＩＳＩＯＮ  ＷＯＲＫＳＴＡＴＩＯＮ６１０（登録商標）である。
【００１９】
コントローラ１４は、プラズマ処理システム１ａに対してローカルに配置されていてもよいし、インターネット又はイントラネットを介してプラズマ処理システム１ａに対して遠隔に配置されていてもよい。故に、コントローラ１４は、直接接続、イントラネット若しくはインターネット、又はこれらの何らかの組み合わせ、の何れかを用いてプラズマ処理システム１ａとデータを交換することができる。コントローラ１４は、顧客側（すなわち、デバイスメーカー等）のイントラネットに結合されていてもよいし、製造供給元（すなわち、装置製造者）のイントラネットに結合されていてもよい。さらに、他のコンピュータ（すなわち、コントローラ、サーバ等）が、直接接続、イントラネット若しくはインターネット、又はこれらの何らかの組み合わせ、の何れかを介してデータ交換するために、コントローラ１４にアクセスしてもよい。
【００２０】
診断系１２は光学式診断サブシステム（図示せず）を含み得る。光学式診断サブシステムは、プラズマから放射された光強度を測定する例えば（シリコン）フォトダイオードや光電管（ＰＭＴ）等の検出器を有している。診断系１２は更に、例えば狭帯域干渉フィルタ等の光学フィルタを含み得る。代替的な一実施形態においては、診断系１２は、ラインＣＣＤ（電荷結合素子）、ＣＩＤ（電荷注入素子）アレイ、若しくは回折格子やプリズム等の光分散素子、又はこれらの何らかの組み合わせを含んでいてもよい。また、診断系１２は所与の波長の光を測定する単色分光器（例えば、回折格子／検出器システム）、又は例えば米国特許第５８８８３３７号明細書に記載されている装置のような、光のスペクトルを測定する分光計（例えば、回転式回折格子）を含んでいてもよい。
【００２１】
診断系１２は、例えばピークセンサーシステムズ社又はベリティインスツルメンツ社からのものなど、高分解能の発光分光（ＯＥＳ）センサーを含むことができる。このようなＯＥＳセンサーは、紫外（ＵＶ）、可視（ＶＩＳ）及び近赤外（ＮＩＲ）の光スペクトルに及ぶ広い帯域を有している。分解能はおよそ１．４Åであり、２４０ｎｍから１０００ｎｍまでで５５５０波長を収集することが可能である。例えば、ＯＥＳセンサーには高感度の小型光ファイバー式ＵＶ−ＶＩＳ−ＮＩＲ分光計が備えられ、この分光計は２０４８画素のリニアＣＣＤアレイに一体化される。
【００２２】
分光計は単一あるいは束状の光ファイバーを介して伝送された光を受信し、光ファイバーから出力された光が固定式の回折格子を用いてラインＣＣＤアレイ上に散らされる。上述の構成を用い、光学的な真空窓を通して伝送された光は凸面球状レンズを介して光ファイバーの入力端に集められる。そして、各々が所与のスペクトル範囲（ＵＶ、ＶＩＳ及びＮＩＲ）に明確に同調された３つの分光計が処理チャンバー１０用のセンサーを形成する。各分光計は独立したＡ／Ｄ変換器を含んでいる。そして最終的に、センサーの使用に応じて、完全な放射スペクトルが０．１秒から１．０秒ごとに記録される。
【００２３】
他の例では、診断系１２はソープラ（ＳＯＰＲＡ）社から市販されているＳＥ３０００モデルの分光偏光解析装置を含んでいてもよい。
【００２４】
図４に示された一実施形態において、プラズマ処理システム１ｂは、図２又は３の実施形態と同様であるが、図２及び３を参照して説明された構成要素に加えて更に、プラズマ密度を潜在的に高め、且つ／或いはプラズマ処理の均一性を向上させるために、静止しているか、機械的又は電気的に回転しているかの何れかである磁場系６０を有している。また、回転速度及び磁場強度を調整するために磁場系６０にコントローラ１４が結合されている。回転磁場の設計及び実装は当業者に周知である。
【００２５】
図５に示された一実施形態において、プラズマ処理システム１ｃは、図２又は３の実施形態と同様であるが、更に、ＲＦ発生器７２からインピーダンス整合回路７４を介してＲＦ電力が結合され得る上部電極７０を有している。この上部電極へのＲＦ電力印加の典型的な周波数は約０．１ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲とし得る。さらに、下部電極への電力印加の典型的な周波数は約０．１ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲とし得る。また、上部電極７０へのＲＦ電力の印加を制御するため、ＲＦ発生器７２及びインピーダンス整合回路７４にコントローラ１４が結合されている。上部電極の設計及び実装は当業者に周知である。
【００２６】
図６に示された一実施形態において、プラズマ処理システム１ｄは、図２及び３の実施形態と同様であるが、更に、ＲＦ発生器８２からインピーダンス整合回路８４を介してＲＦ電力が結合される誘導コイル８０を有している。ＲＦ電力は誘導コイル８０から誘電体窓（図示せず）を介してプラズマ処理領域１５に誘導的に結合される。誘導コイル８０へのＲＦ電力印加の典型的な周波数は約１０ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲とし得る。同様に、チャック電極への電力印加の典型的な周波数は約０．１ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲とし得る。さらに、誘導コイル８０とプラズマとの間の容量結合を低減させるために、スロット式ファラデー遮蔽体（図示せず）が用いられ得る。また、誘導コイル８０への電力印加を制御するため、ＲＦ発生器８２及びインピーダンス整合回路８４にコントローラ１４が結合されている。代替的な一実施形態においては、誘導コイル８０はトランス結合型プラズマ（ＴＣＰ）炉においてのように上方からプラズマ処理領域１５に作用する“螺旋状”コイル又は“パンケーキ型”コイルとし得る。誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）源又はトランス結合型プラズマ（ＴＣＰ）源の設計及び実装は当業者に周知である。
【００２７】
他の例では、プラズマは電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によって形成されてもよい。更に他の一実施形態においては、プラズマはヘリコン波の放射によって形成される。更に他の一実施形態においては、プラズマは伝播表面波によって形成される。これらの各プラズマ源は当業者に周知である。
【００２８】
以下の説明にて、ドープトシリコンのサブレイヤーを有するシリコン層を、プラズマ処理装置を用いてエッチングする方法が提示される。プラズマ処理装置は、例えば図２乃至６に関して説明された様々な要素、又はこれらの組み合わせを有し得る。
【００２９】
一実施形態において、例えばリンでドープされた層などのドープトシリコン層をエッチングする方法は、ＳＦ６と例えばＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８、又はこれらに類するもの等のフッ化炭素ガスとを含むプロセス組成を用いる。例えば、プロセスパラメータ空間は、約５ｍＴｏｒｒから約１０００ｍＴｏｒｒのチャンバー圧力、約１０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍの範囲のＳＦ６プロセスガス流量、約１０ｓｃｃｍから約５００ｓｃｃｍの範囲のＣ４Ｆ８プロセスガス流量、約１０Ｗから約１０００Ｗの範囲の上部電極（例えば、図５の要素７０）のＲＦバイアス、及び約１０Ｗから約１０００Ｗの範囲の下部電極（例えば、図５の要素２０）のＲＦバイアスを有し得る。また、上部電極のバイアス周波数は約０．１ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲とすることができ、例えば約６０ＭＨｚである。さらに、下部電極のバイアス周波数は約０．１ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲とすることができ、例えば約２ＭＨｚである。
【００３０】
【表１】
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一例において、例えば図５にて説明された装置などのプラズマ処理装置を用いてドープトシリコンのサブレイヤーをエッチングする方法が提示される。しかしながら、ここで説明される方法の範囲はこの例示的な提示によって限定されるものではない。表１は、２つの典型的なプロセスレシピに関しての、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のエッチング速度（ｎｍ／分）と、（ＫｒＦ）フォトレジスト（ＰＲ）に対するａ−Ｓｉのエッチング選択比（ＰＲのエッチング速度に対するａ−Ｓｉのエッチング速度の比）とを示している。第１の典型的なプロセスレシピは以下を含んでいる：チャンバー圧力＝約１０ｍＴｏｒｒ；上部電極ＲＦ電力＝約１００Ｗ；下部電極ＲＦ電力＝約１００Ｗ；プロセスガス流量ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８＝約５０／５０ｓｃｃｍ；電極７０（図５参照）の下側表面と基板ホルダー２０上の基板２５の上側表面との間の間隔＝約１４０ｍｍ；下部電極（例えば、図５の基板ホルダー２０）温度＝約７５℃；上部電極（例えば、図５の電極７０）温度＝約８０℃；チャンバー壁温度＝約６０℃；中心部／端部での裏面側ヘリウム圧力＝約３／３Ｔｏｒｒ；及びエッチング時間＝約３０ｓ。第２の典型的なプロセスレシピは以下を含んでいる：チャンバー圧力＝約２０ｍＴｏｒｒ；上部電極ＲＦ電力＝約１００Ｗ；下部電極ＲＦ電力＝約６０Ｗ；プロセスガス流量ＣＦ４／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝約５０／１２／５０ｓｃｃｍ；電極７０（図５参照）の下側表面と基板ホルダー２０上の基板２５の上側表面との間の間隔＝約１４０ｍｍ；下部電極（例えば、図５の基板ホルダー２０）温度＝約７５℃；上部電極（例えば、図５の電極７０）温度＝約８０℃；チャンバー壁温度＝約６０℃；中心部／端部での裏面側ヘリウム圧力＝約３／３Ｔｏｒｒ；及びエッチング時間＝約３０ｓ。表１に示されているように、エッチング速度、及びＰＲに対するａ−Ｓｉのエッチング選択性は、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８化学反応の場合に増大される。
【００３１】
他の一例において、例えば図５にて説明された装置などのプラズマ処理装置を用いてドープトシリコンのサブレイヤーをエッチングする方法が提示される。しかしながら、ここで説明される方法の範囲はこの例示的な提示によって限定されるものではない。表２は、２つのプロセスレシピに関して、３つの相異なる構造上での限界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）をまとめたものである。図７Ａ及び７Ｂを参照するに、基板３０５、ドープトシリコン層３０４、及びマスク層３０３が例示されており、当初の限界寸法（ＤＣＤ）を有する構造が、最終的な限界寸法（ＦＣＤ）を有するドープトシリコン層３０４へと形成されている。表２は、２つのプロセスレシピに関して、当初のＣＤ及び最終的なＣＤ（それぞれ、ＤＣＤ及びＦＣＤ）を提示している。表２はまた、これらプロセスレシピ及び構造に関して、ＤＣＤ及びＦＣＤの双方についての基板上３０５上でのＣＤの偏差（括弧内）と、減少量（ＤＣＤとＦＣＤとの間の差、すなわち、ＤＣＤ−ＦＣＤ）とを提示している。さらに、表２は、離隔化された構造（空間的に広く離隔された造形部）とネスト化された構造（空間的に密接した造形部）との間での減少量のオフセットを提示している。６０ｎｍの目標ＦＣＤを有するｐ型ドープトシリコン（６０ｎｍ構造）及び８０ｎｍの目標ＦＣＤを有するｐ型ドープトシリコン（８０ｎｍ構造）、並びに、ｎ型ドープトポリシリコン（Ｎｆｅｔ、ポリＳｉ構造）及びｐ型ドープトポリシリコン（Ｐｆｅｔ、ポリＳｉ構造）に関するデータが示されている。
【００３２】
第１の典型的なプロセスレシピは以下を含んでいる：チャンバー圧力＝約１０ｍＴｏｒｒ；上部電極ＲＦ電力＝約１００Ｗ；下部電極ＲＦ電力＝約２００Ｗ；プロセスガス流量ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８＝約６０／４０ｓｃｃｍ；電極７０（図５参照）の下側表面と基板ホルダー２０上の基板２５の上側表面との間の間隔＝約１４０ｍｍ；下部電極（例えば、図５の基板ホルダー２０）温度＝約７５℃；上部電極（例えば、図５の電極７０）温度＝約８０℃；チャンバー壁温度＝約６０℃；中心部／端部での裏面側ヘリウム圧力＝約３／３Ｔｏｒｒ；及びエッチング時間＝約３０ｓ。第２の典型的なプロセスレシピは以下を含んでいる：チャンバー圧力＝約２０ｍＴｏｒｒ；上部電極ＲＦ電力＝約１００Ｗ；下部電極ＲＦ電力＝約６０Ｗ；プロセスガス流量ＣＦ４／Ｃ４Ｆ８／Ｎ２＝約５０／１２／５０ｓｃｃｍ；電極７０（図５参照）の下側表面と基板ホルダー２０上の基板２５の上側表面との間の間隔＝約１４０ｍｍ；下部電極（例えば、図５の基板ホルダー２０）温度＝約７５℃；上部電極（例えば、図５の電極７０）温度＝約８０℃；チャンバー壁温度＝約６０℃；中心部／端部での裏面側ヘリウム圧力＝約３／３Ｔｏｒｒ；及びエッチング時間＝約３０ｓ。
【００３３】
【表２】
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表２に示されているように、離隔化された構造とネスト化された構造との間の減少量オフセットは、ＳＦ６／Ｃ４Ｆ８化学反応を用いると低減される。何れの化学反応でも、オフセットはＤＣＤのおよそ１０％以下になり得る。
【００３４】
図８は、プラズマ処理システム内で基板上のドープトシリコン層をエッチングするための、本発明の一実施形態に従った方法を示すフローチャートである。手順４００は段階４１０にて開始され、ＳＦ６及びフッ化炭素ガスを含有する第１のプロセス組成がプラズマ処理システムに導入される。他の例では、第１のプロセス組成は更に、例えば希ガス等の不活性ガスを含むことができる。
【００３５】
段階４２０にて、例えば、図２乃至６にて説明されたシステムの何れか又はそれらの組み合わせを用いて、プラズマ処理システム内で第１のプロセス組成からプラズマが形成される。
【００３６】
段階４３０にて、段階４２０で形成されたプラズマに、ドープトシリコン層を有する基板が晒され、ドープトシリコン層を貫くエッチングが行われる。
【００３７】
必要に応じて、段階４４０にて、ハロゲン含有ガスを含有する第２のプロセス組成がプラズマ処理システムに導入される。他の例では、第２のプロセス組成は更に、例えば希ガス等の不活性ガスを含むことができる。
【００３８】
必要に応じて、段階４５０にて、例えば、図２乃至６にて説明されたシステムの何れか又はそれらの組み合わせを用いて、プラズマ処理システム内で第２のプロセス組成からプラズマが形成される。
【００３９】
必要に応じて、段階４６０にて、段階４５０で形成されたプラズマに基板が晒され、残存する非ドープトシリコン層を貫くエッチングが行われる。
【００４０】
以上では本発明の特定の実施形態のみが詳細に説明されているが、当業者に容易に認識されるように、これらの実施形態には、本発明の新規な教示及び効果を実質的に逸脱することなく数多くの変更が為され得る。従って、全てのそのような変更は本発明の範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】薄膜をパターンエッチングする典型的な手順を示す概略図である。
【図１Ｂ】薄膜をパターンエッチングする典型的な手順を示す概略図である。
【図１Ｃ】薄膜をパターンエッチングする典型的な手順を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に従ったプラズマ処理システムを簡略化して示す概略図である。
【図３】本発明の他の一実施形態に従ったプラズマ処理システムを示す概略図である。
【図４】本発明の他の一実施形態に従ったプラズマ処理システムを示す概略図である。
【図５】本発明の他の一実施形態に従ったプラズマ処理システムを示す概略図である。
【図６】本発明の他の一実施形態に従ったプラズマ処理システムを示す概略図である。
【図７Ａ】エッチングプロセスの前の典型的な構造を例示する図である。
【図７Ｂ】エッチングプロセスの後の典型的な構造を例示する図である。
【図８】本発明の一実施形態に従った、プラズマ処理システム内で基板上のドープトシリコン層をエッチングする方法を示す図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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