(57)【要約】  本発明は、接触プロセスにおける温度制御のためのクエンチ装置に関する。より詳しくは、クエンチ装置は、接触反応器の床間混合域における床間温度制御のためのガスおよび液体スパージャーを含む。クエンチ装置には、第一のクエンチ流体を外側混合域に注入するための第一のインジェクター、および第二のクエンチ流体を内側混合域に注入するための第二のインジェクターが含まれる。クエンチ流体には、ガス状および液体の両クエンチ流体が含まれる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クエンチガス、クエンチ液体またはその両方を、反応器からの、または反応器の床間混合域における接触器床からの二相ガス−液体流出物と混合するための混合装置であって、
（ａ）複数の触媒床を有する反応器槽；
（ｂ）隣接する触媒床の間の空間である少なくとも一つの床間混合域；
（ｃ）前記床間混合域に配置され、少なくとも一つのスピルウェイを含む、蒸気または液体の少なくとも一つを上部触媒床から受取るための少なくとも一つのコレクタートレー；
（ｄ）蒸気または液体を、前記コレクタートレーから前記床間混合域に運ぶ少なくとも一つの導管であって、前記混合域は、外側混合域、内側混合域および混合デッキを含む少なくとも一つの導管；および
（ｅ）第一のクエンチ流体を前記外側混合域に導入するための第一のクエンチインジェクターおよび第二のクエンチ流体を前記内側混合域に注入するための第二のクエンチインジェクター
を含むことを特徴とする混合装置。
【請求項２】
前記床間混合域は、前記コレクタートレーおよび前記混合デッキによって連結されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第一のクエンチ流体は、上部触媒床からの生成物、反応器槽への原料または他の不活性液体炭化水素の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第二のクエンチ流体は、処理ガス、水素、上部触媒床からのガス状生成物、窒素または他の不活性ガスの少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第一および第二のクエンチ流体は、二重スパージャー系を用いて注入されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記上部触媒床は、触媒グリッド上に支持されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の触媒床のそれぞれは、触媒グリッド上に支持され、前記グリッドは、ガス状および液体生成物を、前記触媒床から通らせる一方触媒粒子が通ることを防止することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記内側混合域は、混合筒の内側を構成することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記外側混合域は、反応器壁および混合筒を有する反応器槽によって連結されることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第一および第二のクエンチインジェクターは、二重スパージャーに取付けられた複数のノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記二重スパージャーと前記ノズルとの間に形成される角度は、９０゜未満であることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記角度は、３５〜５５゜であることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第一のクエンチインジェクターノズルは、前記外側混合域に方向付けられることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記第二のクエンチインジェクターノズルは、前記内側混合域に方向付けられることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記第一のクエンチインジェクターノズルは、扇形状の噴霧パターンを形成することを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記第二のクエンチインジェクターノズルは、円錐状の噴霧パターンを形成することを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記第一および第二のクエンチ流体は、反応器槽の壁を貫通する二重導管系によって、第一および第二のクエンチインジェクターへ導かれることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
炭化水素を水素処理することを特徴とする請求項１に記載の装置の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触プロセスにおける温度制御のためのクエンチ装置に関する。より詳しくは、クエンチ装置は、接触反応器の床間混合域における床間温度制御のためのガスおよび液体スパージャーを含む。クエンチ装置には、第一のクエンチ流体を外側混合域に注入するための第一のインジェクター、および第二のクエンチ流体を内側混合域に注入するための第二のインジェクターが含まれる。クエンチ流体には、ガス状および液体の両クエンチ流体が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
接触水素処理は、望ましくない汚染物を炭化水素原料材から除去するのに、並びにある重質原料材留分をより価値ある留分に転化するのに用いることができる。重質炭化水素留分を品質向上するのに利用可能である三種の反応器の設計には、固定床反応器系、沸騰床反応器系、および流動床反応器系が含まれる。
【０００３】
固定床反応器系は、通例、床間域によって分離される多重触媒床を含む。これらの反応器系は、典型的には、下降流の原料、および（向流のガスを有することが知られるものの）並流の水素などのガスを含む。各触媒床に含まれる反応は、発熱性であり、従って熱をもたらす。これは、次の床の触媒のための反応条件が狂わないように除去される必要がある。このように、未反応の原料、液体生成物、およびガス状生成物は、上部触媒床から流れ、床間域に入る。床間域は、通常、混合室を含む。床間域は、少なくとも一つの次の機能を果たす。即ち、（ａ）更なる反応体および／またはクエンチ物質を導入すること、（ｂ）続く触媒床へ排出する前に、流体生成物流体およびクエンチ物質を混合して、次の床における反応速度を向上させること、および（ｃ）流体生成物内の局部的な「ホットスポット」を制御して、下流床に入る流体生成物の温度不均一性を向上させることである。
【０００４】
過剰な熱を、床間域から除去する通常の方法は、クエンチ装置を用いることである。殆どの反応器床間クエンチ系は、特別に設計された内側構造を有するガス相クエンチを用いて、クエンチガスと、上流の触媒床からの流出物との混合が強化される。これらの内側構造は、配管、支持ビーム、および他の機器を含み、そのために利用可能な床間容積に関して制約がある。
【０００５】
不適切なクエンチ域の性能は、それ自体を、少なくとも二つの点で現れる。第一に、クエンチ域は、先行する床の出口で、横方向の温度差を解消することができないか、または最悪の場合には、それらを増幅する。効果的なクエンチ域は、プロセス流体を、１６〜２３℃の横方向の温度差またはそれ以上で受け入れ、差が、続く床の入口で約２℃を超えないように、それらを十分に均質化することが可能であるべきである。不十分な性能の第二の現れは、クエンチ域の次の入口の温度差は、クエンチガスの速度が上昇されるにつれて増大することである。これは、冷却ガスと、高温のプロセス流体との不適切な混合を示す。
【０００６】
不適切なクエンチ域の性能は、反応器の運転を、種々の点で制約する。床間混合が、温度差を解消できない場合には、これらは、プロセス流体が、反応器を下方に移動するにつれて、そのまま持続するか、または増大する。床におけるホットスポットは、その領域における触媒の急速な失活をもたらす。これは、全反応器サイクル寿命を短くする。生成物の選択性は、典型的には、より高い温度ではより劣る。即ち、高温領域は、色相、粘度、および他の品質を、規格外にする原因であり得る。また、いずれかの点における温度が、ある値（典型的には４２７〜４５４℃）を超える場合には、発熱反応は、自己加速度的となり、暴走が生じることがあり、これは、触媒、槽、または下流の装置を損傷することがある。これらの危険を認識すると、限定された内側機器を用いて運転する製油所は、これらの温度の制約を回避するのに、収率または通油量を犠牲にしなければならない。水素処理装置が最大原料速度で運転することを求める今日の製油所経済性では、最適のクエンチ域を設計することは、価値ある低コストのデボトルネックである。
【０００７】
クエンチ域の全混合効率について、一つの重要な観点は、クエンチ流体をプロセス流体と混合するための系の能力である。クエンチの混合効率について、最も重大な要素は、クエンチ流体が系に導入される方法である。クエンチを系に導入するための物理的手段および運転上の考慮の両方に関して、種々の改良がなされている。
【０００８】
例えば、特許文献１には、蒸気および液体の反応体を塔内で混合するための装置が記載されている。この装置は、第一の混合域を構成し、そこに第一の反応体（例えば、蒸気）が、渦流によって均質化され、垂直に下方向に流れる。この装置は、更に、第二の混合域を構成し、そこに第二の反応体（例えば、液体）が、渦流によって均質化され、垂直に下方向に流れる。第一の反応体、第二の反応体、またはその両方の更なる量が、第一の混合域または第二の混合域中に、またはその前で、適宜加えられてもよい。第一の反応体は、放射状に方向付けられて、薄いシートの第二の反応体と交差流で衝突され、第一および第二の反応体の激しい混合がもたらされる。二つの反応体のための混合域が異なることにより、各反応体を最良に混合するようにそれぞれに対する混合条件を調整することができる一方、圧力降下を最小限に抑えかつこの混合のための空間および容積要件を最小限に抑える。
【０００９】
【特許文献１】米国特許第６，１８０，０６８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
運転者が、ガスのみ、液体のみ、または、両方のいくつかの組合せを用いてクエンチすることが可能にされる一方、ガスおよび液体の分布が向上され、圧力降下が制御されるであろうクエンチ設計の改良が依然として必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、クエンチガス、クエンチ液体、またはその両方を、反応器、または反応器の床間混合域における接触器床からの二相ガス−液体流出物と混合するための混合装置に関し、この装置は、
（ａ）複数の触媒床を有する反応器槽と、
（ｂ）隣接する触媒床の間の空間である少なくとも一つの床間混合域と、
（ｃ）前記床間混合域に配置されて、蒸気または液体の少なくとも一つを上部触媒床から受取り、かつ少なくとも一つのスピルウェイを含む少なくとも一つのコレクタートレーと、
（ｄ）蒸気または液体を、コレクショントレーから床間混合域に運ぶ少なくとも一つの導管であって、前記混合域は、外側混合域、内側混合域、および混合デッキを含む少なくとも一つの導管と、
（ｅ）第一のクエンチ流体を外側混合域に導入するための第一のクエンチインジェクター、および第二のクエンチ流体を内側混合域に注入するための第二のクエンチインジェクターと
を含む。
【００１２】
本発明の他の実施形態は、クエンチガスおよびクエンチ液体を、反応器、または反応器の床間混合域における接触器床からの二相ガス−液体流出物と混合するための混合装置に関し、この装置は、
（ａ）複数の触媒床を有する反応器槽と、
（ｂ）隣接する触媒床の間の空間である少なくとも一つの床間混合域と、
（ｃ）前記床間混合域に配置されて、蒸気または液体の少なくとも一つを上部触媒床から受取り、かつ少なくとも一つのスピルウェイを含む少なくとも一つのコレクタートレーと、
（ｄ）蒸気または液体を、コレクショントレーから床間混合域に運ぶ少なくとも一つの導管であって、前記混合域は、外側混合域、内側混合域、および混合デッキを含む少なくとも一つの導管と、
（ｅ）クエンチ液体を外側混合域に導入するための第一のクエンチインジェクター、およびクエンチガスを内側混合域に注入するための第二のクエンチインジェクターと
を含む。
【００１３】
本発明の更に他の実施形態は、接触反応器に関し、この反応器は、
（ａ）少なくとも一つの入口および出口を含む反応器槽と、
（ｂ）前記槽内にあって、床間混合域によって分離される複数の触媒床と、
（ｃ）触媒床を支持し、ガス状および液体生成物を前記触媒床から通らせる一方触媒粒子が通ることを防止するための触媒支持グリッドと、
（ｄ）前記床間混合域に配置されて、蒸気または液体の少なくとも一つを上部触媒床から受取り、かつ少なくとも一つのスピルウェイを含む少なくとも一つのコレクタートレーと、
（ｅ）蒸気または液体を、コレクショントレーから床間混合域に運ぶ少なくとも一つの導管であって、前記混合域は、外側混合域、内側混合域、および混合デッキを含む少なくとも一つの導管と、
（ｆ）クエンチ液体を外側混合域に導入するための第一のクエンチインジェクター、およびクエンチガスを内側混合域に注入するための第二のクエンチインジェクターと
を含む。
【００１４】
更なる実施形態は、炭化水素原料材を水素処理するための、接触反応器または混合装置の使用に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
混合装置は、ここで、複数の触媒床を有する反応器におけるその使用に関して記載されるであろう。触媒床の間の空間は、床間混合域を含むものとして記載される。少なくとも二つのクエンチインジェクターが、混合域内に配置される。クエンチインジェクター系は、反応器で用いることに限定されるものではなく、当業者によって理解されるであろうように、他の用途で用いられてもよい。
【００１６】
炭化水素原料材の水素処理のための接触反応器は、典型的には、入口および出口を含む円筒槽であり、これには、床間域によって分離される複数の触媒床が含まれる。各床間域は、上部触媒支持グリッドまたは内側ヘッド支持体、および下部分配トレーによって連結される。内側支持ヘッドは、多数の孔を含んで、液体およびガス状生成物が通される一方触媒粒子が通ることが防止される。触媒床からの生成物は、コレクタートレーに集められ、混合域へ送られて、そこで混合デッキの存在の下にクエンチ流体と接触される。クエンチされた生成物およびクエンチ流体は、次いで、混合筒を通って分配器トレーへ導かれ、そこでクエンチされた生成物は、第二の触媒床へ分配される。
【００１７】
「水素処理」という用語は、水素添加、水素化、水素化脱硫、水素化脱窒素、水素化脱金属、水素仕上げ、水素化脱芳香族、水素異性化、水素化脱ロウ、水素化分解、および穏やかな圧力条件下での水素化分解（通例、穏やかな水素化分解と呼ばれる）を含む、炭化水素原料が高温および高圧（水素処理反応条件）で水素と反応される全てのプロセスを包含する。水素処理反応は、ヘテロ原子の除去（Ｓ、Ｎ、Ｏ、および金属）、Ｈ：Ｃ比を増大する（芳香族および他の不飽和物を低減する）水素添加、および（平均分子量および沸点を低減する）Ｃ−Ｃ結合の分解を含む、一つ以上の目的に関係する。水素処理条件には、温度１５０〜５００℃、圧力７９０〜２７６８１ｋＰａ（１００〜４０００ｐｓｉｇ）、液空間速度０．１〜２０時−１、水素処理ガス速度１７．８〜１７８０ｍ３／ｍ３（１００〜１００００ｓｃｆ／Ｂ）が含まれる。
【００１８】
水素処理触媒は、典型的には、金属を含む。即ち、金属充填される。水素処理触媒は、一般に、金属（特に水素添加金属）が付着された耐火性無機酸化物などのキャリヤーを含む。触媒金属のための典型的なキャリヤーまたは担体には、シリカ、アルミナ、シリカアルミナ、チタニア、ジルコニア、粘土、シリカ−トリア、シリカ−マグネシアなどが含まれる。特定の金属、キャリヤー、およびプロセス条件は、水素処理触媒の最終用途に応じて決まる。これらの金属は、好ましくは硫化される。何故なら、硫化は、通常、触媒活性をもたらすか、および／またはそれを増大するからである。しかし、全ての金属含有水素処理触媒が、使用前に硫化されるとは限らない。ＣＯ処理が、少なくとも一部硫化されるか、または非硫化の触媒のいずれかに用いられてもよい。少なくとも一部硫化された触媒が好ましい。
【００１９】
水素処理触媒で用いられる金属は、ＩＵＰＡＣ形式（第１〜１８族を有する）に基づく周期律表の第３〜１０族である。好ましい金属は、第６族、および第８〜１０族である。特に好ましい金属は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｏ、および貴金属である。触媒はまた、Ｙ、Ｐ、Ｃｅ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｕ、並びにＮａおよびＫなどのアルカリ金属などの種々のドープ剤を用いて、ドーピング（助触）されてもよい。
【００２０】
図１は、多重床接触反応器の垂直部分を示す略図であり、本発明の二重クエンチ流体分配系を含む典型的な混合域装置の一部の断面図を示す。この実施形態には、二つのスパージャー（一つは液体クエンチ用であり、一つはガスクエンチ用である）が組込まれる。これは、従来の混合域における単一のスパージャーとは対照的である。二重スパージャーの使用は、図１の実施形態に加えて、他の混合域の設計に適用可能であることに留意されたい。図１に示されるように、反応器１０は、円筒槽であり、内側ヘッド支持体１２上に支持される上部触媒床１４、および下部触媒床（図示せず）を有する。床間混合域１６は、２８と３２との間のものとして垂直に画定される域、即ちコレクショントレー２８および混合デッキ３２の間の域である。床間混合域は、外側混合域１８および内側混合域２０を含む。外側混合域１８は、内側壁支持体２２と、混合筒２４の壁との間に配置される。混合筒２４の内部は、内側混合域２０を構成する。触媒床を通過する液体は、出口コレクター２６に集められ、コレクタートレー２８へ導かれる。コレクタートレー２８は、少なくとも二つのスピルウェイ３０を含む。スピルウェイは、液体を、コレクタートレー２８上に溜める手段を提供し、液体およびガスを、コレクタートレー２８から床間混合域１６へ流下させる通路を提供する。分配器トレー（図示せず）は、混合デッキ３２の下に配置され、混合デッキ３２を出る液体／ガスを分配する。混合筒２４は、スパージャー３６および３８（内側支持体３４によって支持される）に囲包される。スパージャー３６および３８は、クエンチ流体として用いられる液体およびガスを含む。好ましい実施形態においては、ガスクエンチ流体は、スパージャー３８に含められ、液体クエンチ流体は、スパージャー３６に含められる。ガス状クエンチ流体は、内側混合域２０に排出され、一方液体クエンチ流体は、外側混合域１８に排出される。クエンチ流体および生成物は、更に、混合デッキ３２上で接触され、そこでそれらは溜まり、混合筒２４へ導かれ、そこでそれらは、混合域２０においてガス状クエンチ流体と混合された生成物と共に、混合筒２４の底部を通って分配器トレー（図示せず）へ排出される。分配器トレーは、液体／ガスを、下部触媒床（図示せず）にわたって均一に分配するための複数のダウンカマーを含む。
【００２１】
図１においては、スパージャー３６および３８は、同じ面に示される。これは、必要ではないが、好ましい。スパージャーは、異なる面に配置されてもよい。スパージャー３６および３８におけるガスおよび液体クエンチ流体の使用は、３６におけるガスクエンチ流体および３８における液体クエンチ流体を逆転してもよい。液体クエンチ流体は、好ましくは、反応器１０からの生成物であるがまた、反応器１０への原料であるか、または任意の他の不活性液体炭化水素であってもよい。ガスクエンチ流体は、好ましくは処理ガスである。これは、主に水素であるが、純水素であるか、または任意の他の不活性ガス（窒素、または反応器から回収されるガス状炭化水素など）であってもよい。これらのガス状炭化水素には、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素、またはそれらの混合物が含まれてもよい。図１の混合域装置は、反応器の任意の連続床の間に配置されてもよい。本発明の混合域装置はまた、当該技術分野で知られる従来のガスクエンチと組合せて用いられてもよい。従来のガスクエンチ、および本発明の二重ガス／液体クエンチの組合せが望まれる場合には、従来のガスクエンチを上部床間域に、本発明の二重ガス／液体クエンチを下部床間域に用いることが好ましい。
【００２２】
図２は、床間混合域の断面の破断図であり、コレクショントレーおよび混合デッキを示す。図２においては、反応器１０内の内側壁支持体２２は、コレクショントレー２８および混合デッキ３２を囲包する。スピルウェイ３０は、コレクショントレー２８に配置される。ろ過された液体は、ライン５２を通ってクエンチ注入系へ加えられる。液体クエンチは、ろ過されて、ノズル閉塞が最小にされる。ガス状クエンチは、チェックバルブ５４を通って５６で加えられ、ライン５８を通ってクエンチ注入系へ加えられる。ライン６０は、ガス／液体ラインジャンパーであり、液体を、ライン５２からフラッシングするのに用いられる。
【００２３】
図３は、本発明の二重ガス／液体スパージャーの上面破断図である。図３においては、ガス／液体入口系は、液体クエンチ流体を導くための内側導管５２およびガスクエンチ流体を導くための外側導管５８を含む二重導管系を含む。二重導管系は、特に改装用途に適する。何故なら、それは、反応器の厚い壁で囲まれたシェル内に新規ノズルを取付ける必要がないからである。グラスルーツ設計に対しては、液体およびガスのための二つの異なるノズルを、それぞれ、容易に提供することができる。これらのグラスルーツ設計に対しては、ガスおよび液体のための両ノズルは、反応器壁に、好ましくは同じ面にあることができ、従って二重導管系の必要がなくなる。これらの二重導管は、反応器壁１０および内側壁支持体２２を貫通する。ガスクエンチ流体の導管は、スパージャー３８に接続され、一方液体クエンチ流体の導管は、スパージャー３６に接続される。スパージャー３６および３８は、混合筒２４を囲包する。スパージャー３６および３８のそれぞれは、クエンチノズル６２および６４を含む。クエンチノズルは、放射状に方向付けられて、渦運動が、コレクタートレーからの液体およびガス生成物にもたらされる。
【００２４】
図４は、内側スパージャー内に配置される混合筒に関して、本発明の二重スパージャー系の拡大上面図およびスパージャーの拡大側面図である。内側スパージャー３６および外側スパージャー３８は、クエンチノズル６２および６４を含む。クエンチノズル６２は、内側混合域２０に排出し、一方クエンチノズル６４は、外側混合域１８に排出する。クエンチノズルと、それらが取付けられるスパージャーとの間の角度は、９０°未満、好ましくは３５〜５５°である。ノズル６２および６４によって形成される角度は、同じか、または異なってもよいが、それらは、同じ方向の回転を水平面にもたらさなければならない。これは、効果的な混合を与える。内向きのガスノズルは、環状開口を有し、円錐状に広がる噴射をもたらす。これは、周囲の流体を同伴し、ガスを周囲の流体と混合する。加えて、これらの噴射は、渦流を水平面にもたらし、更に混合を増大する。外向きの液体ノズルは、高いアスペクト比の長方形断面を有し、扇形状の噴霧パターンの液滴を、水平面にもたらす。これは、相間の熱および質量移動のための大きな表面積を、噴霧と、周囲の流体（平面扇形状噴霧を横切って移動する）との間に提供する。これは、優れた混合、並びに迅速な伝熱および冷却をもたらす。両タイプは、ノズル製造業者から市販されているノズルである。
【００２５】
側面図は、混合筒２４に関して、スパージャーを示す。混合筒２４は、混合デッキ３２に接続される。スパージャー３６および３８は、同じ面に示され、内側スパージャー３６からのノズル６２は、内側混合域２０に方向付けられ、外側スパージャー３８からのノズル６４は、外側混合域１８に方向付けられる。コレクタートレー２８からのガスおよび液体は、コレクタートレー２８のスピルウェイを通って域１８および２０に入る。
【００２６】
図５は、クエンチ注入系を示す破断図である。拡大図は、クエンチ流体を注入するのに用いられる二重配管系を示す。これは、上記されるように、改装用途に好都合である。液体クエンチは、内側導管５２を通って注入される。ガス状クエンチは、入口５６を通って外側導管５８中に注入される。内側および外側の両導管は、反応器壁１０および内側支持壁２２を貫通する。ガスパージライン６０は、ライン５８からのガスを用いて内側導管５２をフラッシングするための手段を提供する。これは、本来なら液体の遮断期におけるコーク形成に弱い５２から液体を除去する。平面図は、内側壁２２を通る注入に関して、更なる詳細を提供する。反応器壁１０を通過した後、二重導管配置は、渦流をスプリッター６６で分割される。内側導管５２は、内側壁２２を通って、スパージャー３６（図示せず）へ進む。外側導管５８は、内側壁２２を通って、スパージャー３８（図示せず）へ進む。
【００２７】
本発明の二重スパージャークエンチ注入系は、従来の単一スパージャー系に勝る利点を提供する。これらの利点としては、（１）改装しやすいこと、（２）クエンチ流を導入するのに必要なノズルの数を最小にすること、（３）ガスおよび液体の両クエンチ、またはそのいずれかを単独で用いてクエンチするのに、増大された融通性を提供すること、および（４）ガスおよび液体の両クエンチを用いる場合には、単一のスパージャーにおいて生じ得る不十分な流れ分布を防止し、流動様式によってもたらされる二相系が、クエンチ速度が異なる際に変化することが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】多重床接触反応器の垂直部分の略図であり、二重クエンチ流体の分配系を含む混合域装置の一部の断面図を示す。
【図２】床間混合域の断面図の破断図であり、コレクショントレーおよび混合デッキを示す。
【図３】二重ガス／液体スパージャーの上面破断図である。
【図４】混合筒（内側スパージャーと共に配置される）に関して、二重スパージャー系の拡大上面図、およびスパージャーの拡大側面図である。
【図５】クエンチ注入系を示す破断図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009535197.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009535197.tif 000007
【国際調査報告】
2009535197.tif 000008
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