(57)【要約】  ＭＥＭＳ、又はその他のデバイスをパッケージングする、ウェハ・レベル・パッケージングの方法である。いくつかの実施形態においては、まず、通常の厚さのＭＥＭＳウェハが、通常の厚さのキャップ・ウェハに接合され、それに続いて、ＭＥＭＳウェハの裏面が薄くされる。この後では、接合されたウェハ積層体、及び気密実装されたＭＥＭＳデバイスのキャッピングは、依然として、さらに加工するのに十分に強固である。これに基づいて、薄くされた基板上に貫通ビアを容易に形成することができ、引き出されるべき領域（たとえば、金属パッド／電極、高度にドープされたシリコンなど）で停止させることができる。これが工程の最終の面であるので、ビアは部分的に充填することができる。ビアが硬い金属で完全に充填されない限り、厚く金属で被覆されパターン形成されたビアでさえも、生じ得る熱応力を緩和するためのずっと大きな空間がある。様々な実施形態が、開示される。
2009515338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ・レベル・パッケージングの方法であって、
第１の側の上に、デバイスと電気的に接触する複数の導電性領域を有する基板であって、ウェハ・サイズの前記基板の前記第１の側の上のデバイスを覆うように、キャップ・ウェハを接合するステップと、
前記導電性領域を露出するように、前記基板の第２の側から、前記基板を通してビアを形成するステップと、
前記基板の第２の側から、それぞれの前記ビアを通じて、それぞれの前記導電性領域と電気的に接触するように、それぞれパターン形成された金属層により各前記ビアを覆うステップと、
前記ウェハ・レベル・パッケージを、ダイシングするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記導電性領域が、シリコン、金属、合金からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合が、陽極接合、熱圧着、共晶接合、ガラス・フリット接着、ポリマー接着からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接合が、気密封止を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ビアが、ウェット・エッチング、ドライ・エッチング、穿孔、超音波ミリング、レーザ穿孔、サンド・ブラスト、ウォータ・ジェット、ディープ・エッチ、機械的穿孔、レーザ穿孔を含む工程の群から選択される１つ又は複数の工程によって形成される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ウェハをダイシングする前記ステップの前に、前記金属層に、はんだバンプ形成を行うステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板がシリコンであり、各ビアを前記パターン形成された金属層で覆う前記ステップの前に、前記基板の前記第２の側へ、誘電体不活性化層を被覆し、パターン形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板がガラスである請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ビアが形成される前に、前記基板が薄くされる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が、エッチング、ミリング、研削、研磨からなる群から選択される１つ又は複数の工程によって薄くされる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記薄くするステップにより、ウェハの厚さの０〜９００μｍが除去される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウェハ・サイズの基板が、ガラス基板であり、前記デバイスが、前記ガラス基板に接合されたウェハ・スケールのシリコン基板上に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記キャップ・ウェハが、前記シリコン基板に接合される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記デバイスは、前記ウェハ・スケールのシリコン基板が前記ガラス基板に接合された後に、エッチングによって分離され、前記キャップ・ウェハは、デバイスの間の領域内で前記ガラス基板に接合される請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイスが集積回路である請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記デバイスがＭＥＭＳデバイスである請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記キャップ・ウェハの内面が、前記ＭＥＭＳデバイスの機能部分を形成する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記キャップ・ウェハの内面が、金属層を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記キャップ・ウェハの内面の金属層が、屈曲するＭＥＭＳ部材が、前記キャップ・ウェハの内面上の前記金属層に固着するのを防止するために、誘電体バンプを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記ウェハ・サイズの基板の直径が、２インチ（５．０５ｃｍ）から１２インチ（３０．４８ｃｍ）の範囲内である請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＭＥＭＳ／ＩＣウェハ、及び前記キャップ・ウェハの厚さが、１５０μｍから１ｍｍの範囲内である請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記キャップ・ウェハは、前記デバイスの上に、深さが０から２００μｍの範囲のキャビティを有する請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
キャップ・ウェハが、前記導電性領域に接合された支柱を含む請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
ウェハ・レベル・パッケージングの方法であって、
ウェハ・サイズの基板を通して、ビアを部分的に形成するステップと、
部分的に形成した前記ビアを覆ってパターン形成された金属層を形成するステップと、
デバイスに電気的に接続されるそれぞれの前記ビアを覆っている各前記金属層の部分を備えた、前記ウェハ・サイズの基板上に前記デバイスを覆うようにキャップ・ウェハを接合させるステップと、
各前記ビア内の前記金属層を露出するように、前記基板を薄くするステップと、
前記ウェハ・レベル・パッケージを、ダイシングするステップと
を含む方法。
【請求項２５】
前記薄くする工程において露出された前記金属層領域上に、はんだボールを形成するステップをさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記はんだボールを形成する前記ステップの前に、前記薄くする工程において露出された前記金属層領域を覆う、パターン形成された金属の層を設けるステップをさらに含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記ウェハ・サイズの基板がシリコン基板であり、前記部分的に形成されたビアを覆う、パターン形成された前記金属層を形成するステップの前に、前記基板を覆って誘電層を形成するステップをさらに含む請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
前記デバイスが、前記ビアと同じウェハ上にある請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記デバイスと、前記ビアが異なるウェハ上にある請求項２４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ・レベル・パッケージングの分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのウェハ・レベル・パッケージングは、近年、魅力的で興味深い話題となっている。気密パッケージは、デバイスの性能と信頼性を大幅に向上させることができる。したがって、気密接合は、多くのＭＥＭＳデバイスにおいて非常に好ましい。この分野で用いられる接合技法には、接着剤／ポリマー／エポキシ接着（これらは気密接合ではない）、はんだ共晶接合、Ｓｉ／金属共晶接合、金属−金属熱圧着、ガラス・フリット接着、陽極接合などがある。
【０００３】
電気的引き出し部を設ける一般的な方法は、ダイの端部への横方向貫通ラインによるものであり、次いでこれは、ダイを覆って接合されるキャップ・ウェハによって封止される。接合周縁部を横切る貫通ラインでは、通常、金属関係の接合を用いることができない。その代わり、この構成では誘電体接着が必要である。しかし、この横方向引き出し部は、比較的長い貫通ラインであり、大きな寄生容量、クロストーク、かなりの相互接続抵抗を持っている。また、この技法では、ウェハ・レベルのバンプ形成工程が不可能となる。
【０００４】
上述の問題を解決するために、垂直貫通部を有するウェハ・レベル・パッケージが開示されている。ビア形成、金属充填、両面の金属被覆は、個別の単一の、ガラス又はセラミックなどの誘電体ウェハ上に行われる。このウェハがＭＥＭＳウェハに接合されてウェハ工程が完了し、又は別法では、このウェハは、その上にＭＥＭＳデバイスが組み立てられる基材となる。また米国特許第６，３８４，３５３号には、充填されたビア、及び両面への金属被覆を有する基板上に、ＭＥＭＳデバイスを組み込む方法が開示されているが、工程についての記述は少ない。妥当な大きさのフォーマット（たとえば４インチ又は６インチ以上）のウェハ工程については、ビアを有するウェハには基板剛性（すなわちウェハ厚さ）が要求され、それによりビア工程の困難さ／コストが増大し、また大きな寄生結合容量となる。
【０００５】
１つのケースでは、まず、ガラス・ウェハ内に、垂直貫通路としてスルー・ホールが形成される。次いでガラス・ウェハは、気密パッケージを形成するように、陽極接合によってＭＥＭＳシリコン・ウェハに接合され、一方、シリコン基板上の金属パッドは、ガラス・ビアと整合され、したがって露出される。露出されたパッドにより、さらに、相互接続を完成するための、ガラス・ウェハの外側面上の金属被覆工程が可能になる。もう１つの手法では、金属電気めっきされたスタッドでガラス・ビアを充填し、ガラス面を金属被覆し、続いてＭＥＭＳウェハへ陽極接合して全工程が完了する。
【０００６】
別の手法は、金属被覆されたガラス・ビアと、ガラス・フリット接着を用いた横方向貫通部工程の組合せを採用している。この工程は、もう１つの基板へ接合する前に、ガラス・ウェハにビアを形成することから開始し、したがってガラス・ウェハの剛性が問題となる。厚いウェハを貫通してビアを形成するのは、工程の困難さが極めて増大し、したがって製造コストが高くなり、また寄生容量及び貫通路の間のクロストークも増すので、通常、小さなウェハ・フォーマット（たとえば、３インチ未満）では、厚さが約１５０μｍの薄いガラスが用いられる。
【０００７】
米国特許第６，５２８，３４４号では、シリコンのキャップを用いて垂直貫通部を形成する、他の方法が開示されている。シリコン・キャップ・ウェハ上に深いトレンチがエッチングされ（貫通部用のシリコン領域だけはエッチングされない）、誘電体材料で充填され、キャップ隙間のために誘電体材料の凹部が形成される。このウェハとＭＥＭＳウェハを接合した後に、ＭＥＭＳデバイスのコンタクト・パッド／電極は、シリコン・アイランドに接続される。次いで、接合された積層体のキャップ・シリコン側を、下側から、誘電体材料に達するまで、又はそれを超えるまで薄くし、それによりシリコン・アイランドが露出し、相互接続を作製するための他の工程の準備ができる。この手法は、シリコンを貫通部材料の一部として用い、したがって比較的大きな直列抵抗が予想される。誘電体充填、研磨と凹部形成、最終の誘電体膜の切離しなどのような、必要な工程段階のいくつかにより、工程の困難さが増大し、応力が問題となる。
【０００８】
ほとんどの開示された手法では、ビアは、貫通路として金属によって中実に充填される。これは、基板と金属の間の大きな熱的不整合によって熱応力の問題を生じ、したがってデバイスの信頼性の問題を引き起こす場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題と課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的は、ＭＥＭＳ又は電子デバイス／集積回路（ＩＣ）を、ウェハ・レベル・パッケージのフォーマット内に組み込むことである。オプションとして、パッケージは、陽極接合、熱圧着、ガラス・フリット接着、又は共晶接合などの接合技法を用いて気密封止する。貫通部の経路を短くするために、すべての相互接続は、接合されたウェハ積層体の一方の側の垂直ビアを通じて引き出され、したがって貫通部抵抗が最小となる。貫通部の間の電気的分離は、ガラス、又は誘電体で被覆されたシリコンなどのバルク材料上に形成され、したがって、容量性結合を最小にすることができる。その結果、最小にされた貫通部抵抗と結合容量を、同時に得ることができる。
【００１０】
本発明の他の目的は、デバイス／構造体を、デバイス／構造体の面の１つとキャップ電極の間に、制御可能なキャップ隙間を有してパッケージングすることである。これは、追加の制御の融通性が導入され、それによって性能が向上し、かつ信頼性が向上するので、ＭＥＭＳ構造体にとって重要である。例として、制御されたキャップ隙間は、移動制限部（機械的停止部）及び／又はＭＥＭＳデバイスに動きを伝えるための静電駆動部を実現するために用いられる。
【００１１】
本発明の他の目的は、基板と充填された金属／合金の間の熱膨張不整合による熱応力を最小にした機械的構造体を形成することである。通常、金属の熱膨張は、シリコン又はガラスよりずっと大きいので、中実の金属プラグ／スタッドで充填されたビアは、非常に大きな熱応力による問題を受ける場合があり、さらにはビアの上部の面高さ／粗さが変化し、それにより上部面の変動を引き起こし、したがって性能が不安定となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のウェハ・レベル・パッケージの製造工程の第１の実施形態は、図１ａから１ｆに示される。パッケージングされる「デバイス」１は、ＭＥＭＳデバイス、集積回路、又はその他のデバイスとすることができ、以下では単に「デバイス」と呼び、通常はシリコンであり、図１ａに示されるように、基板２（たとえば、この実施形態では、ガラス）上に取り付けられる。引き出し部５への導電性の領域は、例としては、基板２又は「デバイス」１又はその両方の上の、ドーピングされたシリコン、金属、合金層又は積層体、又はそのような材料の組合せとすることができる。図１ｂに示されるように、「デバイス」１の外側の面は、別のガラス・キャップ・ウェハ６に接合されている。接合面は、「デバイス」の層１の薄層化（たとえば研削、ミリング、又はエッチング）の後の精密研磨、又はもとの「デバイス」基板内に埋め込まれたエッチング・ストップ層、又は「デバイス」層の薄層化の微調整、又は単に基板２上のプレーナ工程によって形成される。分離された導電性アイランド３は、「デバイス」層のエッチング工程によって形成され、そこでは、「デバイス」層上の貫通トレンチ４が形成される。もう１つの出発材料は、キャビティ８と、オプションの導電層９を有するキャップ・ウェハである。キャップ・ウェハ６の凹部が形成された側にはまた、オプションの「デバイス」構造体／層（図示せず）を取り付けることができる。処理時又はＭＥＭＳデバイスの動作時の静止摩擦を防止するために、導電層９の上にオプションの誘電体バンプ（又は非導電性領域）１０を堆積させることができる。この実施形態のキャビティ８内の導電層９は、キャビティの外側（又はキャビティ内の、凹部形成されていない領域）にある延長領域７を有する。以下で分かるように、延長領域７は、ウェハ・レベル・パッケージにおいて、キャップ電極を引き出す手段となる。
【００１３】
いずれにしても、この実施形態に対しては、第１のステップは、２つの出発材料、すなわち基板２上の「デバイス」１とキャップ６とを、陽極接合、又は熱圧着（金属−金属接合であり、これは両側を金属で被覆しパターン形成する必要がある）、又は共晶接合（一方の面を金属で被覆しパターン形成する）などのその他の気密接合によって接合することである。陽極接合は、信頼性があり、高品質で再現性のある技法として非常に好ましい。キャッピング・ウェハ６と「デバイス」１との間の隙間は、従来の技法を用いて明確に区画することができる（図１ｂ）。
【００１４】
第２のステップでは、面のエッチング、ミリング、又は研削や研磨によって、基板２が好ましい厚さまで薄くされる。薄くした面上に、ビア１１が、マスキング層をパターン形成し、エッチングし、続いてビアのウェット・エッチング、ドライ・エッチング、穿孔、超音波ミリング、レーザ穿孔、サンド・ブラスト、ウォータ・ジェット、ディープ・エッチング、又は他の機械的／レーザ穿孔手段、あるいは組み合わせた方法によって形成される。ビア・エッチングは、基板２上の導電性「デバイス」層３と、導電層５にて同時に停止させることができる。ビア・エッチングの後にマスキング層が除去され、オプションとして、良好な歩留まりを確実にするために追加のエッチングによってビアを微調整する（図１ｃ）。
【００１５】
次のステップは、「デバイス」構造体に電気的に接続された導電性領域５を、接合された積層体の外側の面に導くことによって、電気的相互接続を作製することである。ここでは、少なくとも２つのオプションを用いることができる。第１のオプションでは、シード導電層の上のパターン形成されたフォトレジストを通して金属１２をめっきし、次いで、めっき後にフォトレジストとシード層を除去する。第２のオプションでは、導電金属層１２を堆積させ、パターン形成し、エッチングする。このステップの後に、主要なウェハ・レベル・パッケージ工程は完了し（図１ｄ）、ウェハをダイシングした後に、デバイスは、通常の集積回路（ＩＣ）チップとしてパッケージングされる。
【００１６】
さらに、ウェハを、このステップの後に、フリップチップ組立て用に、又は面実装デバイス（ＳＭＤ）として、続けて処理することができる。ウェハ上のはんだバンプ形成は、これを実現するための方法の１つである。まず、基板２上に誘電体不活性化層１３が被覆され、パターン形成されて、導電金属１２の上にコンタクト開口１４が形成される。（図１ｅ）。次いで、パターン形成されたフォトレジストを通しためっき、又はステンシル・マスクを通したスクリーン印刷によって、はんだ接合部を形成することができる。最後に、シード層と（又は）フォトレジストを除去し、それに続くはんだリフローによって全工程が完了する（図１ｆ）。
【００１７】
オプションとして、１つの面上の導電性領域５を有する基板ウェハ２のみを（その上に「デバイス」１が積層されることによって高さが追加されることなく）、キャップ・ウェハ６に接合し（図６に示されるように）、上述と同じ工程を続けることができる。オプションのキャップ電極９は、接合領域７の部分へ引き出され、そこに形成されたビアが、キャップ電極９の最終相互接続面への貫通部とされる。
【００１８】
本発明の第２の実施形態は、図２ａから２ｅに概略的に示される。第２の実施形態と第１の実施形態の主な違いは、キャップ・ウェハ２６内のキャビティの深さである。この実施形態では、キャップ・ウェハ２６は、基板ウェハ２上の「デバイス」層１の最上面より低いフィールド領域内で、基板２に接合する必要があるので、いくつかの変更をしなければならない。第１に、基板２上の「デバイス」構造体１上のフィールド領域（接合のための周囲の領域を含む）の少なくとも一部は、接合可能でなければならない。これはまた第２の適応が必要であり、すなわちキャップ・ウェハのキャビティの深さは、好ましい最終的なキャップ隙間を確保するために、普通より大きくしなければならない。「デバイス」層１に対するもう１つの適応は、キャップ電極の相互接続用の、分離された導電性「デバイス」層のアイランド３がないことである。その代わりに、これは、同じ目的のために、バルク・キャップ領域２３によって容易に実施することができる。もちろん、キャップ・ウェハ２６がシリコンのような導電性であれば、前の実施形態のキャップ・ウェハ６上の導電層９のような導電層は、必要ない。
【００１９】
この実施形態では、出発材料は、基板ウェハ２上の「デバイス」層１と、キャップ・ウェハ２６である。キャップ・ウェハ２６は、凹部が形成されたキャビティ２７と、オプションのキャビティ２７の底部の誘電体バンプ領域２８を有する。誘電体バンプ２８とは別のオプションとして、「デバイス」ウェハに接合されるべきキャップ・ウェハの上面を、全体的に誘電体で被覆することもできる。
【００２０】
製造ステップは、第１の実施形態で用いられたものと同様である。工程は、２つの出発材料を接合することから始まり（図２ａ）、基板２（たとえばガラス）の薄層化、及びビア１１の形成が続く（図２ｂ）。ここで用いられる接合技法には、陽極接合、フリット・ガラス接着、熱圧着、共晶接合、又はポリマー接着が含まれる。次いで、基板２のビアが形成された側で、引き出し部用の金属のパターン形成１２が行われる（図２ｃ）。接合されたウェハ積層体はまた、誘電体不活性化層１３によるはんだバンプ形成を用いることができ、はんだ付け用のコンタクト１４を開口し（図２ｄ）、最後に、はんだバンプ１５が形成される（図２ｅ）。
【００２１】
本発明の第３の実施形態は、図３ａから３ｈに示される。図３ａでは、キャップ隙間２０３を有してキャップ・ウェハ２０１に接合された、「デバイス」ウェハ１０１が出発材料である（図３ａ）。「デバイス」ウェハ１０１上には、通常のように、オプションの誘電層１０４の上に、金属パッド１０６が位置する。「デバイス」構造体１０３、及びオプションの不活性化層１０２が、ウェハの上側にある。オプションの薄い金属貫通部１０５は、オプションのキャップ電極２０２が導かれる接合境界面へ引き出され、金属の圧着によって電気的に接続される。オプションとして、ビア処理の前に、「デバイス」ウェハ１０１の裏面の薄層化が行われる。
【００２２】
ビア工程は、図３ｂに示されるように、「デバイス」基板ウェハ内に形成される裏面穴１０７から始まる。「デバイス」ウェハ１０１がシリコンの場合は、これは、深い反応性イオン・エッチング（ＤＲＩＥ）、又は異方性エッチング（たとえば、ＫＯＨ又はＴＭＡＨエッチングなど）を含むマスク式エッチングによって行われる。「デバイス」ウェハ１０１がガラスの場合は、これは、エッチング／穿孔／ミリング／ウォータ・ジェット／サンド・ブラストの組合せ工程とすることができる。その後、金属パッド１０６の下側からコンタクト窓１０８を開口させるために、金属パッド１０６の下の不活性化層１０２及び誘電層１０４と、薄い金属パッド１０５がエッチング除去される（図３ｃ）。このステップを、最終的なコンタクト窓１１０が開口される、後のステップへ移すこともできる（図３ｅを参照されたい）。
【００２３】
次のステップは、「デバイス」ウェハの裏面への誘電層１０９の共形の堆積であり（図３ｄ）、金属コンタクト窓１１０を開口するための、パターン形成によるエッチングがそれに続く（図３ｅ）。次いで最終的な相互接続用に、「デバイス」ウェハ１０１の裏面に厚い金属積層体１１１が堆積され、パターン形成される（図３ｆ）。第１の実施形態と同様に、これでウェハ工程を完了するか、又は、さらに、はんだバンプ形成工程へ続けることができる。
【００２４】
はんだバンプ形成工程では、まず、「デバイス」ウェハ１０１の裏面に、誘電層１１２（たとえばＢＣＢ）が被覆され、コンタクト開口１１３のパターン形成がそれに続く（図３ｇ）。最後に、第１の実施形態で述べたのと同じ工程を用いて、コンタクト開口１１３の上に、はんだバンプ１１４が形成される。
【００２５】
ウェハ・レベルのキャッピング及び気密貫通部工程の、その他のいくつかの重要な変形形態が、図３ｉ、図３ｊ、図３ｋに示される。
【００２６】
図３ｉは、図３ｈの設計の変形形態を示す。キャップ２０１とデバイス・ウェハ１０３の間のビア金属被覆１０６は、キャップ・ウェハ内に形成された支柱２０４によって補強される。また、これらの支柱は、ビア金属被覆１０６の上部に接合し、したがって薄い金属が底部から露出された後に、それに対して剛性の支持領域をもたらす。これにより、ビア・エッチングの後にビア金属被覆が破損することなく、高い歩留まりが可能となる。
【００２７】
図３ｊは、設計及び工程の他の変形形態を示し、最初にビアは、デバイス側から必要な深さまで、デバイス・ウェハ１０１内へエッチングされる。次いでビアは、厚い絶縁膜１０９で被覆され、金属被覆（１１１）され、デバイス引き出し部に接続される。次いでデバイス・ウェハ１０１は、いくつかの良く知られているウェハ接合技法の１つにより、キャップ層２０１に接合される（封止材料１１６、２０５、これらは金属、ガラス・フリットなどでよい）。次いで、前のように、ビアを突き抜けずに、ビア酸化物ライナと金属被覆を露出させるように、デバイス・ウェハの裏面を薄くする。これは、不均一性を薄くすることができるように、厚い酸化物とビア金属を選ぶか、又は、ビアが露出される数ミクロン手前でウェハを薄くするのを停止することによって実行することができる。薄くした側からの第２のビア・エッチングにより、経路再設定とはんだバンプ形成のアクセス用に、ビア内で金属被覆が露出される。これに、標準のはんだバンプ形成工程が続き、露出されたビア金属被覆を、はんだバンプへ経路再設定する。このプロセスにより、図５に関連して述べた、またほとんどの底部ビア設計で必要となる、ビア・ライナ酸化物の選択的パターン形成とエッチングが回避される。
【００２８】
ビアの内側の金属パッドの底部を開口する処理の一部の詳細が、図４、図５に示されている。図４では、フォトレジスト１５１が被覆（スピン・コート又はスプレー・コート）され、通常のリソグラフィのステップ（露光及び現像）がそれに続く。ビア開口が浅くて広い（低アスペクト比）場合は、レジスト１５１の底部開口は、妥当な大きさ（たとえば、５０〜１００μｍ）の窓に対して容易に実現することができ、通常、この大きさは非常にクリティカルではない。金属パッド１０６の下の誘電層１０９は、このフォトレジスト・マスク１５１を用いて、又は下にあるパターン形成されたハード・マスクと組み合わせて、エッチング除去することができる。リソグラフィによって窓の深い底への開口が不可能と思われるような、ビア開口が深くて狭い（高アスペクト比）場合には、底部から金属パッドを開口する別の方法が、図５に示される。自立型マスク１５２、たとえば、フリーハンギングの開口パターンを有するラミネートされたドライ膜、又は「デバイス」ウェハに整合したシャドウ・マスクが、金属パッド１０６の下の誘電層１０９の異方性エッチング（たとえば、反応性イオン・エッチングＲＩＥ又はイオン・ミリングなど）用のマスクとして用いられる。
【００２９】
キャッピング、及びビア引き出し工程の異なる手法では、図３ｋに示されるように、接合後に、キャップ側にビアと引き出し部を形成する。この場合は、キャップ・ウェハを最適に薄くする必要があり、その後にビア工程と相互接続工程が続く。封止金属１１６、２０５（金、はんだ、Ｃｕ、Ａｕ／Ｓｎ、Ｃｕ／Ｓｎ）は、デバイス引き出し部１１７、２０７にも接続する。これらの接続は、キャッピング・ウェハ１０１内に先にエッチングされたビアを通じて引き出される。重要なフィーチャは、ビアがキャップ・ウェハを貫通する開口した穴ではないことである。封止金属がビアの底部と側壁も覆い、それによってビアが気密封止される。これにより、あらゆる接続パッドの周辺部の周りの封止を懸念せずに、デバイスへの接続点を小さくすることが可能になる。またビアは、金属で充填する必要がなく、コストが節約される。工程の残りの部分では、図３ｊの場合と同様に、ビア底部金属への接触が形成される。
【００３０】
本発明の様々な実施形態では、通常、ウェハ・サイズは、直径が２インチ（５．０５ｃｍ）から１２インチ（３０．４８ｃｍ）の範囲となり、場合によってはそれより大きくなる。薄層化の工程は通常、ウェハ厚さで０から９００μｍの任意の厚さを除去することになる。各ウェハの厚さは、通常、１５０μｍから１ｍｍの範囲となり、キャップ・ウェハのキャビティは、通常、０から２００μｍの範囲となる。
【００３１】
これらすべての工程／設計に共通の最も重要なフィーチャは、次のものを含む。
【００３２】
１．底部で、絶縁体のみによって閉じられ（半導体性の基板のみに必要）、ビア側壁と底部へ金属被覆された、中空のビア。
２．様々な接合／封止技法の任意のものによる、気密封止。
３．ビアの底部で連続する閉じられた金属によって保たれる、ビア内の気密封止。
４．デバイス面積を無駄にしないための、デバイス側のビア金属の小さな占有面積。
【００３３】
本発明のウェハ・レベル・パッケージング技法の実施形態は、ＭＥＭＳのＲＦリレーをパッケージングするのに用いられた。このようなデバイスでは、キャップ・ウェハ内の金属被覆領域は、それがリレーの静電駆動のための１つの電極を形成するという点で、リレーの機能部分を形成する。ワイヤ・ボンド型及び、はんだバンプ型デバイスの両方が試験され、良好な結果が得られた。気密封止されたデバイスは、安定性と信頼性において、非常に優れた性能を示した。寄生要素が非常に少ない構造体の結果として、ＲＦ性能も改善された。明確に区画されたキャップ隙間とキャップ電極とにより、ＲＦリレーの、ＲＦアイソレーション、降伏電圧、安定性、信頼性が改善された。Ｃｕによって被覆された単一のビアの貫通部は、８ｍΩ未満の再現性のある抵抗が得られた。熱サイクルと寿命試験が行われ、非常に有望な結果が得られた。これまでに達成された仕様の一部には、次のものが含まれる。
【００３４】
ＤＣ電流スイッチング（コールド・スイッチ）  ＞５００ｍＡ×２時間
ＡＣ電流スイッチング（ホット・スイッチ）  ＞１００ｍＡ−１０Ｖ−（４〜１３）百万サイクル
Ｒｏｎ  ０．２〜０．３Ω（又は０．４〜０．６Ω：金属厚さによる）（リード＋接点）
スイッチ時間（オン及びオフ）  ＜（７０〜１２０）μｓ
Ｒｏｆｆ  ≫１００ＧΩ（０〜２００Ｖ）
接点降伏  ＞２５０Ｖ（＜１μＡ）
駆動電圧  ６０Ｖ
駆動電力  ＜２００μワット
寿命（コールド）  ＞１０億サイクル（＠１ＫＨｚ）
寿命（ホット  １０ｍＡ−１０Ｖ−１ＫＨｚ）  ＞（４５０〜１２００）百万サイクル
抵抗温度係数  ＴＣＲｏｎ＜０．１６％／Ｋ（２０℃〜１００℃）
スイッチ時間温度係数  ＜０．０７％／Ｋ（２０℃〜１００℃）
ＲＦ挿入損失  〜０．２ｄＢ  ＠２ＧＨｚ
ＲＦアイソレーション  ＞３８ｄＢ  ＠２ＧＨｚ
デバイス寸法  ３×３×０．６６ｍｍ3（ＳＭＤ：面実装デバイス）
【００３５】
本発明の、従来技術に対する利点には、以下が含まれる。
【００３６】
１．剛体のウェハ積層体上にビア工程を行うことにより、特に直径が４インチ（１０．１６ｃｍ）又は６インチ（１５．２４ｃｍ）より大きいウェハ・フォーマットに対して、より良い歩留まり及び製造性が確保される。
２．ビアは、金属によって完全に充填されない。したがって、熱応力／信頼性の問題を最小にすることができる。
３．キャップ・ウェハの内側の導電層と、シリコン上面の間の隙間を、明確に区画することができる。これにより、上側（キャップ側）からＭＥＭＳ構造体を動作させる融通性が導入され、ＭＥＭＳデバイスの性能を向上することができる。
４．ウェハ・レベル・パッケージにより、小さなパッケージ寸法、及び低コスト生産／パッケージが確実になる。
５．バルク誘電体基板を貫通する直接の垂直ビアにより、引き出し経路が短くなり、したがって任意の２つの引き出し部電極間の寄生容量は非常に小さいことが保証される。同時にまた、短縮された引き出し経路により、非常に低抵抗の貫通部が実現される。
６．ガラス基板により、他のシリコン又はセラミックなどより高い降伏電圧、及び寄生要素の低減が得られ、したがってＲＦ性能が向上する。
７．ウェハ・レベルのバンプ形成工程を用いることができる。
【００３７】
本発明は、ウェハ積層体の接合後に形成される貫通部のための垂直ビアを実現し、それによって頑健なウェハ工程がもたらされる点で特徴的である。ビアは、金属によって部分的に充填され、それにより熱応力が低減され、信頼性が向上する。本発明はまた、気密パッケージ内に明確に画定されたキャップ隙間を実現し、それにより制御の融通性が増す。
【００３８】
本明細書では、限定する目的ではなく説明の目的のために、本発明のいくつかの好ましい実施形態を開示し説明してきたが、当業者には、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、それらに対して、形状及び詳細における様々な変更を行うことができることが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１ａ】本発明の実施形態を示す図である。
【図１ｂ】本発明の実施形態を示す図である。
【図１ｃ】本発明の実施形態を示す図である。
【図１ｄ】本発明の実施形態を示す図である。
【図１ｅ】本発明の実施形態を示す図である。
【図１ｆ】本発明の実施形態を示す図である。
【図２ａ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図２ｂ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図２ｃ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図２ｄ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図２ｅ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ａ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｂ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｃ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｄ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｅ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｆ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｇ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｈ】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図３ｉ】本発明の変形形態を示す図である。
【図３ｊ】本発明の変形形態を示す図である。
【図３ｋ】本発明の変形形態を示す図である。
【図４】ビアの内側の金属パッドの下部を開口する処理の一部の詳細を示す図である。
【図５】ビアの内側の金属パッドの下部を開口する処理の一部の詳細を示す図である。
【図６】本発明の他の実施形態を示す図である。
【図１Ａ】
2009515338.tif 000003
【図１Ｂ】
2009515338.tif 000004
【図１Ｃ】
2009515338.tif 000005
【図１Ｄ】
2009515338.tif 000006
【図１Ｅ】
2009515338.tif 000007
【図１Ｆ】
2009515338.tif 000008
【図２Ａ】
2009515338.tif 000009
【図２Ｂ】
2009515338.tif 000010
【図２Ｃ】
2009515338.tif 000011
【図２Ｄ】
2009515338.tif 000012
【図２Ｅ】
2009515338.tif 000013
【図３Ａ】
2009515338.tif 000014
【図３Ｂ】
2009515338.tif 000015
【図３Ｃ】
2009515338.tif 000016
【図３Ｄ】
2009515338.tif 000017
【図３Ｅ】
2009515338.tif 000018
【図３Ｆ】
2009515338.tif 000019
【図３Ｇ】
2009515338.tif 000020
【図３Ｈ】
2009515338.tif 000021
【図３Ｉ】
2009515338.tif 000022
【図３Ｊ】
2009515338.tif 000023
【図３Ｋ】
2009515338.tif 000024
【図４Ａ】
2009515338.tif 000025
【図４Ｂ】
2009515338.tif 000026
【図５Ａ】
2009515338.tif 000027
【図５Ｂ】
2009515338.tif 000028
【図６】
2009515338.tif 000029
【国際調査報告】
2009515338.tif 000030
2009515338.tif 000031
2009515338.tif 000032