(57)【要約】【課題】優れた空間容積効率およびより高いエネルギー密度を有するが、充電時間が増大することのない電源を備えた埋め込み可能医療デバイスを提供する。【解決手段】埋め込み可能医療デバイスは、該埋め込み可能医療デバイスの動作を制御し、該埋め込み可能医療デバイスが埋め込まれている患者から生理的データを取得するための制御回路と、前記制御回路に接続され、外部デバイスへ前記生理的データを送信する通信回路と、前記制御回路に接続され、前記制御回路に電力を供給する第１電源と、前記通信回路に接続され、前記通信回路に電力を供給する第２電源とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み可能な医療デバイスであって、
前記埋め込み可能な医療デバイスの作動を制御し、前記埋め込み可能な医療デバイスが埋め込まれた患者から生理学的データを獲得するための制御回路と、
前記制御回路に接続されて、生理学的データを外部デバイスに送信する通信回路と、
前記デバイス内に配置され、前記制御回路に接続されて、電力を前記制御回路に供給する第１の電源と、
前記デバイス内に配置され、前記通信回路に接続されて、電力を前記通信回路に供給する第２の電源と、
前記第１の及び第２の電源を共通に活性化（activate）する電解質であって、当該電解質が、2,2,2−トリ・フッ化アセトアミドを含むものと、
を備える医療デバイス。
【請求項２】
前記第１電源は電池を含む請求項１に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項３】
前記電池は、Ｌｉ／ＣＦｘ−ＣＳＶＯ、Ｌｉ／ＣＳＶＯ、Ｌｉ／ＣＦｘ、Ｌｉ／ＭｎＯ２、Ｌｉ／ｌ２、およびＬｉ／ＳＯＣｌ２電池の少なくとも１つを含む請求項２に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項４】
前記第２電源は充電式電池を含む請求項１に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項５】
前記充電式電池は、リチウムイオン電池およびニッケル／金属水素化物電池の少なくとも１つを含む請求項４に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項６】
第１所定事象の発生時に、前記通信回路に前記第１電源を接続するためのスイッチをさらに備える請求項１に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項７】
前記第１および第２電源のそれぞれは、それらに関連する残り電力レベルを有し、
前記デバイスは、
前記第１の及び第２の電源に接続され、前記第１電源および第２電源の少なくとも一方の残り電力レベルを検知するためのセンサ、
をさらに備える請求項６に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項８】
前記第１所定事象は、前記第２電源の残り電力レベルが残り電力レベルしきい値を下回っていることを前記センサが検知することを含む請求項７に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項９】
前記スイッチは、第２所定事象の発生時に前記制御回路に前記第２電源を接続する請求項７に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項１０】
前記第２所定事象は、前記第１電源の残り電力レベルが残り電力レベルしきい値を下回っていることを前記センサが検知することを含む請求項９に記載の埋め込み可能な医療デバイス。
【請求項１１】
埋め込み可能医療デバイスに電源を組み込む方法であって、
前記デバイス内に配置される第１電源によって、少なくとも該制御回路が埋め込まれている患者の生理的データを取得する制御回路に電力を供給するステップと、
前記デバイス内に配置された第２電源によって通信回路に電力を供給するステップであって、前記第１の電源と当該第２の電源の少なくとも１つが、電解質中に2,2,2−トリ・フッ化アセトアミドを含むものと、
前記通信回路から外部デバイスへ前記生理的データを送信するステップと、
を含む埋め込み可能医療デバイスに電源を組み込む方法。
【請求項１２】
前記第２電源の残り電力レベルを検知すること、
前記残り電力レベルが所定しきい値を下回ったかどうかを判定すること、及び、
前記残り電力レベルが前記所定しきい値を下回ったと判定したことに応答して、前記第１電源によって前記通信回路に電力を供給すること、
をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１電源の残り電力レベルを検知すること、
前記残り電力レベルが所定しきい値を下回ったかどうかを判定すること、
前記残り電力レベルが前記所定しきい値を下回ったと判定したことに応答して、前記第２電源によって前記制御回路に電力を供給すること、
をさらに含む請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的には、埋め込み可能医療デバイス用電源に関する。特に、本発明は、埋め込み可能医療デバイス性能を最適化するためのデュアルセル電源に関する。
【背景技術】
【０００２】
心臓の治療的刺激のためのさまざまな異なる埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）が利用可能であり、当技術分野で既知である。例えば、埋め込み可能カーディオバータ／ディフィブリレータ（ＩＣＤ）が、心室細動を患っている患者を処置するために使用される。心室細動とは、もし修正されなければ急速に死に至る可能性のある無秩序な心調律である。動作において、ＩＣＤは、患者の心臓の電気的活動を連続的に監視し、心室細動を検出し、その検出結果に応答して、正常心調律を復元するための適切なショックを送出する。同様に、自動埋め込み可能ディフィブリレータ（ＡＩＤ）が、心臓の治療的刺激のために利用可能である。動作時、ＡＩＤデバイスは、心室細動を検出し、心臓の外側に大きい間隔を隔てて配置された電極を通じて心臓に非同期の高電圧パルスを送出することにより、経胸腔的ディフィブリレーションを模擬する。従来技術のカーディオバータのさらにもう１つの例として、例えばEngle他の米国特許第４，３７５，８１７号（特許文献１）に開示されているペースメーカ／カーディオバータ／ディフィブリレータ（ＰＣＤ）がある。このデバイスは頻脈性不整脈の開始を検出する。このデバイスは、頻脈性不整脈の進行の監視または検出を行う手段を含み、それにより、心室性頻脈または心室細動を中断させるように、次第に大きくなるエネルギーレベルを心臓に印加することができる。例えばプログラム可能ペースメーカのような、他の数多くの類似の埋め込み可能医療デバイスも利用可能である。
【０００３】
正確な構成および使用法の如何を問わず、上記のＩＭＤのそれぞれは一般的に、低電力制御回路、高電力出力回路、および電源という３つの主要なコンポーネントを含む。制御回路は、例えば心臓刺激パルスのレート、同期、パルス幅および出力電圧等の種々の動作特性の監視および決定を行うとともに、心臓の監視等の診断機能を有する。これに対して、高電力出力回路は、制御回路からの信号に応答して１つまたは複数のリード線経由で心臓に印加されるべき電気刺激パルスを生成する。
【０００４】
電源は、低電力制御回路および高電力出力回路の両方に電力を供給する。参考までに、電源は通常、制御回路に１０〜２０マイクロアンペアを供給し、出力回路にはより大きい電流を供給することを必要とされる。個々のＩＭＤアプリケーションに応じて、高電力出力回路が必要とし得る刺激エネルギーは、ペースメーカの場合には、０．１ジュールと低く、埋め込み可能ディフィブリレータの場合には、４０ジュールと高い。電源は、十分な刺激エネルギーを供給することに加えて、長年にわたる耐用寿命を有するように自己放電が低いのが望ましく、また、信頼性が高く、最小限のパッケージ容積からエネルギーを供給することができるのが望ましい。
【０００５】
ＩＭＤ用の好適な電源あるいは電池は、実質上常に、本質的に電気化学的であり、一般に電気化学セルと呼ばれる。ＩＭＤ用の許容できる電気化学セルは通常、ケースと、それを囲むアノード、セパレータ、カソードおよび電解質を含む。アノード材料は通常、金属リチウムであるか、または、充電式セルの場合には、リチウムイオン含有体である。リチ
ウム電池は一般的に、他のタイプの電池に比べて高いエネルギー密度および低い自己放電特性に部分的に起因して、許容できる電源とみなされている。カソード材料は通常、酸化バナジウム銀（ＳＶＯ）、二酸化マンガン等の金属系である。
【０００６】
場合により、出力回路の電力要求は、電池が送出できるよりも高い。したがって、従来技術では普通、出力コンデンサ等を用いて、刺激パルスの送出前のある時点で出力エネルギー蓄積デバイスに刺激パルスエネルギーを蓄積する。制御回路が、出力回路に対して刺激パルスを送出するべきことを指示すると、出力回路部は、埋め込まれたリード線経由で、出力コンデンサに蓄積されているエネルギーを心組織に印加する。後続の刺激パルスの送出前に、出力コンデンサが通常再充電される。電源が出力コンデンサを再充電するのに要する時間を「充電時間」と呼ぶ。
【０００７】
出力コンデンサが使用されるかどうかにかかわらず、現在知られている治療的パルス発生ＩＭＤで認識されている欠点の１つは、電池消耗レベルが最大に達する前に交換しなければならないことが多いことである。ＩＭＤの出力コンデンサが再充電されている時、固有電池インピーダンスを流れる充電電流による電池電圧の降下がある。この電圧降下は、電池が新品の時には重大でないかもしれないが、電池が古くなったり電池切れに近づいたりするとかなり大きくなるため、コンデンサ再充電動作中には、制御回路への電圧供給が最小許容レベルを下回る場合がある。この一時的降下は、制御回路の誤動作を引き起こす可能性がある。たとえ電池がまだ心臓を刺激するのに十分な容量を有しているとしても、このような誤動作が起こる前にＩＭＤは取り出され、交換される場合がある。簡単に言えば、現在市販されているリチウム系セルのレート能力は、時間または放電深度に強く左右される。これは、セルが時間とともに、および／または使用の反復とともに、内部抵抗が高くなるためである。ＩＭＤアプリケーションの場合、この時間または放電深度への依存性は、電池の耐用寿命を制限する。
【０００８】
上記の問題点に対する１つの解決法として、２個の電池を備え、一方で出力回路またはコンデンサを充電し、他方の電池で制御回路に電力供給するようにするものがある。残念ながら、制御回路および充電／出力回路部用のデバイスに必要なエネルギーの相対量は患者ごとに異なりがちである。制御回路に電力供給するための電池の容量は、一人の患者のプロフィールに関して最適化することができるだけである。したがって、他の患者に対しては、一方の電池が他方よりも前に切れてしまい、デバイスにおいてエネルギーが浪費されるままとなる。このようなシステムの一例が、Takeuchi他の米国特許第５，６１４，３３１号（特許文献２）に開示されている。
【０００９】
ＩＭＤ電源に関連するもう１つの問題点として、全体的サイズの制約に関するものがある。具体的には、比較的長期間（４〜７年程度）適切な電力レベルを供給するために、高電力出力回路に関連する電源は通常、ある一定の電極表面積を有することにより、高レート能力を達成している。安全性および製造制約のため、必要な電極表面積は、セル容積の増大によって達成することができる。結果として得られるセルは、出力回路部電力要件を満足する場合があるが、残念ながら、容積効率が低くなることがある。また、最近のＩＭＤ設計は、Ｄ字形や半Ｄ字形のような、矩形以外の形状をとる電源を必要とするため、これもまた容積効率の低下の一因となる。
【００１０】
したがって、一般的に、現在市販されている電気化学セル設計、特にＬｉ／ＳＶＯ構成は、少なくとも最初は、出力回路部の電力要件を満たしている場合がある。しかし、このようなセルに固有の容積効率の低さから、セルの有効容量を使い切る前に寿命末期点となってしまう。繰り返しになるが、現在市販されているセルは、使用期間または放電深度に強く左右される出力回路部充電時間を示す。長い間に、セルのインピーダンスが増大することにより、結果として生じる充電時間も増大する。実質上すべてのＩＭＤが、出力回路
部に対する最大許容可能充電時間を有する。一旦セルの充電時間が最大許容充電時間を超えた後には、ＩＭＤは交換されるであろう。容積効率の低いセルは、たとえセルの容量の大部分（有効容量の４０％程度）が未使用のままであっても、この最大充電時間に急速に到達することがある。したがって、電源に組み込まれているセルが１つであるか２つであるかにかかわらず、結果として得られる構成は、高レート電池の有効容量に関しては非常に効率が低い。
【００１１】
製造業者は、ＩＭＤの構成およびサイズの特性の改良を続けている。この目的のためには、現在市販されている電源設計は決して最適ではない。したがって、優れた空間容積効率およびより高いエネルギー密度を有しながら、それとともに充電時間が増大することのないＩＭＤ電源が必要とされている。
【００１２】
ＩＭＤ電源に関連するさらにもう１つの問題点として、外部デバイスとの間でＩＭＤデータを通信するための無線送受信器の使用に関するものがある。ＩＭＤによって通信されるデータは、そのＩＭＤが埋め込まれている患者に関連する生理的データを含む場合がある。例えば、ＩＭＤがペースメーカまたはカーディオバータ／ディフィブリレータである場合、生理的データは、前述のように患者の心臓内に埋め込まれた電極から得られる電気的心信号を含む場合がある。ＩＭＤがこの生理的データを通信する相手となる外部デバイスとしては、例えば、ＩＭＤから受信される生理的データの監視および／または処理を行うコンピュータが挙げられる。
【００１３】
ＩＭＤは、その性能に関連するデータを通信することもある。性能としては、例えば、埋め込まれた電極経由で監視される電気的心信号の所与のセットに対して治療的ショックを送出した際の強度レベルがある。外部コンピュータデバイスは、受信データを解析し、ＩＭＤへ、その治療を調整するためにプログラミングデータを送信することができる。例えば、プログラミングデータは、ＩＭＤに対して、患者に送出される治療的ショックの強度を低下させるように指示することができる。
【００１４】
通常、ＩＭＤ内の無線送受信器は比較的高い電流パルスを必要とするため、ＩＭＤ内の電源からの流出が大きくなる。ＩＭＤの高度化およびＩＭＤによって実行される通信送信回数の増大が今後数年にわたって進むと予想されるので、ＩＭＤの電源にはるかに大きな負荷がかかることにより、その寿命が短くなる可能性がある。電源へのアクセス可能性は通常、外科的処置を通じて達成されるので、電池寿命のこのような短縮は問題である。
【００１５】
【特許文献１】米国特許第４，３７５，８１７号公報
【特許文献２】米国特許第５，６１４，３３１号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上記の問題点の１つまたは複数の影響を低減することに関する。
［発明の概要］
本発明によれば、装置は、第１電源に接続されることにより該装置の動作を制御し、前記第１電源から電力を受け取るようになっている制御回路とを備える。通信回路は、第２電源に接続されることにより外部デバイスと通信し、前記第２電源から電力を受け取るようになっている。
【００１７】
本発明によれば、埋め込み可能医療デバイスは、該埋め込み可能医療デバイスの動作を制御し、該埋め込み可能医療デバイスが埋め込まれている患者から生理的データを取得するための制御回路を備える。通信回路は、前記制御回路に接続されて外部デバイスへ前記生理的データを送信し、第１電源は、前記制御回路に接続され、前記制御回路に電力を供給し、第２電源は、前記通信回路に接続され、前記通信回路に電力を供給する。
【００１８】
本発明によれば、埋め込み可能医療デバイスに電源の動作を制御する方法は、第１電源によって制御回路に電力を供給することであって、該制御回路は、少なくとも該制御回路が埋め込まれている患者の生理的データを取得する、制御回路に電力を供給すること、第
２電源によって通信回路に電力を供給すること、および前記通信回路から外部デバイスへ前記生理的データを送信すること、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明による埋め込み可能医療デバイス（「ＩＭＤ」）２０の一実施形態、およびそれと人間の心臓２２との関係の概略図である。ＩＭＤ２０は、図１において、好ましくはペースメーカ／カーディオバータ／ディフィブリレータ（ＰＣＤ）であるように示されているが、別法として、ＩＭＤは、薬剤送出デバイス、神経刺激器、または当技術分野で既知の他のいかなるタイプの埋め込み可能デバイスであってもよい。ＩＭＤは、密封格納部ケース２３、ならびに関連する電気リード線２４、２６および２８を含む。以下でさらに詳細に説明するように、格納部ケース２３は、種々の回路および電源を収容する。リード線２４、２６および２８は、マルチポートコネクタブロック３０によってＩＭＤ２０に接続される。マルチポートコネクタブロック３０は、図示されている３本のリード線２４、２６、および２８のそれぞれに対する別々のポートを含む。
【００２０】
一実施形態では、リード線２４は皮下電極４０に接続される。皮下電極４０は、左胸郭領域に皮下的に取り付けるためのものである。別法として、能動「筐体(can)」を使用す
ることにより、埋め込まれた電極と格納部ケース２３の間に刺激を供給することができる。さらにもう１つの実施形態では、単一多極リード線上に保持された２つの電極間に刺激が供給される。
【００２１】
リード線２６は、心臓２２の冠状静脈洞および大静脈領域に位置する細長いコイル電極を用いた冠状静脈洞リード線である。電極の位置は、４２に破線形式で図示され、冠状静脈洞の開口部内の点から左心耳付近の点まで心臓２２の周りに延びる。
【００２２】
リード線２８には、心臓２２の右心室に位置する細長い電極コイル３８が設けられる。また、リード線２８は螺旋状刺激電極４４も含む。この電極４４は、右心室の心筋組織にねじ込まれる伸縮可能な螺旋状コイルの形態をとる。また、リード線２８は、近接および遠隔電場電気図検知のための１つまたは複数の追加的電極を含んでもよい。
【００２３】
図示のシステムでは、心臓ペーシングパルスが、螺旋状電極４４とコイル電極３８の間に送出される。電極３８および４４は、心室収縮を示す電気信号を検知するためにも使用される。さらに、カーディオバータ／ディフィブリレーションショックが、コイル電極３８と電極４０の間、およびコイル電極３８と電極４２の間に送出されてもよい。順次パルスディフィブリレーション中に、パルスは、皮下電極４０とコイル電極３８の間、および冠状静脈洞電極４２とコイル電極３８の間に順次送出されると考えられる。単一パルス２電極ディフィブリレーションパルス療法もまた、通常はコイル電極３８と冠状静脈洞電極４２の間に提供されることができる。別法として、単一パルスが電極３８と４０の間に送出されてもよい。電極とＩＭＤ２０との具体的な相互接続は、どの特定の単一電極対ディフィブリレーションパルス療法が使用される可能性が高いと考えられるかによって多少左右される。
【００２４】
ＩＭＤ２０の正確な構成および動作の如何を問わず、ＩＭＤ２０は、図２にブロック形式で示されているいくつかの基本的コンポーネントを含む。ＩＭＤ２０は、高電力出力回路５０、低電力制御回路５２、電源５４（破線で示す）、および回路部５６を含む。以下でさらに詳細に説明するように、電源５４は好ましくはデュアルセル構成であり、さまざまな形態をとることができる。同様に、回路部５６は、アナログおよび／またはディジタル回路を含むことができ、さまざまな構成をとることができ、電源５４を高電力出力回路５０および低電力制御回路５２に電気的に接続する。
【００２５】
高電力出力回路５０および低電力制御回路５２は通常、ＩＭＤ２０に関連する電子デバイスモジュールの一部として設けられる。一般的に、高電力出力回路５０は、ディフィブリレーションまたはカーディオバージョン／ディフィブリレーションパルスのような電気パルス治療を送出するように構成される。つまり、高電力出力回路５０は、ＩＭＤ２０の種々の電極３８〜４４（図１）間に刺激パルスエネルギーを印加する働きをする。当技術分野で既知のように、高電力出力回路５０は、適切な出力エネルギー（例えば、０．１〜４０ジュールの範囲の）を生成するコンデンサバンク（図示せず）に連動されてもよい。
【００２６】
低電力制御回路５２も同様に当技術分野で既知である。一般的に、低電力制御回路５２は、適切な刺激治療の送出のために、心臓活動および高電力出力回路５０の信号作動を監視する。また、当技術分野で既知のように、低電力制御回路５２は、全体的治療の一部として、高電力出力回路５０から好ましいパルス列を生成してもよい。
【００２７】
電源５４および関連回路部５６は、以下の種々の実施形態で説明するように、さまざまな構成をとってもよい。しかし、好ましくは、電源５４は、第１の高レートセル６０および第２の低位レートセル６２（例えば、中間レートまたは低レートのセル）を含む。特に、第１および第２のセル６０、６２は、互いに別個に形成されても、単一格納部内に収容されてもよい。個々のアプリケーションに応じて、高レートセル６０は、ペースメーカの場合には、０．１ジュールと低く、埋め込み可能ディフィブリレータの場合には、４０ジュールと高い刺激エネルギーを供給するように構成される。具体的実施形態に関連して以下で説明するように、高レートセル６０は、当技術分野で既知のようにさまざまな形態をとってよい。好ましくは、高レートセル６０は、アノード、カソードおよび電解質を含む。
【００２８】
電解質は、基本液体電解質組成物及び抵抗安定化添加剤を含む。基本電解質組成物は一般的に、１．０モル（Ｍ）のリチウム・テトロ・フッ化ホウ酸塩（１−２０重量％）、ガンマ酪酸ラクトン（５０−７０重量％）、及び、1，2−ジ・メトキシ・エタン（３０−５０重量％）、を含む。抵抗安定化添加剤は、2,2,2−トリ・フッ化アセトアミドである。
【００２９】
アノードは、好ましくは、再充電可能アプリケーションのためにリチウム（金属形態またはイオン形態のいずれでもよい）を含むように形成される。これを念頭に置くと、高レートセル６０は、最も好ましくは、例えばHoward等の「High Reliability Electrochemical Cell and Electrode Assembly Therefor」に対する米国特許第５，４３９，７６０号およびBerkowitz等の「High Reliability Electrochemical Cell and Electrode Assembly Therefor」に対する米国特許第５，４３４，０１７号（これらの開示は参照により本明細書に援用される）に開示されているタイプの渦巻形電池である。高レートセル６０は、例えば、Muffuletto等の「Internal Electrode and Assembly Method for Electrochemical Cells」に対する米国特許第５，３１２，４５８号および第５，２５０，３７３号、Takeuchi等の「Method of Making Prismatic Cell」に対する米国特許第５，５４９，７１７号、Kiester等の「Non-aqueous Lithium Battery」に対する米国特許第４，９６４，８７７号、Post等の「Electrochemical Cell With Improved Efficiency Serpentine Electrode」に対する米国特許第５，１４７，７３７号、およびPyszczek等の「Use of Standard Uniform Electrode Components in Cells of Either High or Low Surface Area Design」に対する米国特許第５，４６８，５６９号（これらの開示は参照により本明細書に援用される）に開示されているタイプの渦巻電極、積層板電極または蛇行電極を有する電池でもよいが、それほど好ましくない。別法として、高レートセル６０は、単一カソード電極を含むことができる。
【００３０】
高レートセル６０のカソードの材料は、最も好ましくは固体であり、当技術分野で既知のように、その活性成分として酸化バナジウム、酸化バナジウム銀（ＳＶＯ）または二酸化マンガン等の金属酸化物を含む。別法として、高レートセル６０のカソードは、一フッ化炭素およびその混成物または他の活性電解成分およびその組合せを含んでもよい。ＳＶＯがカソードに使用される場合、ＳＶＯは、最も好ましくは、Crespi他の米国特許第５，２２１，４５３号、第５，４３９，７６０号、および第５，３０６，５８１号に開示されているような「複合酸化バナジウム銀(combination silver vanadium oxide)」（すなわ
ち「ＣＳＶＯ」）として知られているタイプのものであるが、他のタイプのＳＶＯも使用可能である。
【００３１】
もちろん、上記に明示的に記載した以外の電気化学システムもまた高レートセル６０として利用可能であることが理解される。そのようなシステムとしては、以下のものに限定されないが、ほんの少し例を挙げれば、リチウム／酸化銀、リチウム／酸化マンガン、リチウム／Ｖ２Ｏ５、リチウム／酸化バナジウム銀銅、リチウム／酸化銅、リチウム／酸化鉛、リチウム／一フッ化炭素、リチウム／酸化クロム、リチウム／ビスマス含有酸化物、リチウム／硫酸銅、以上列挙した種々のカソード材料の混合物（例えば、酸化バナジウム銀と一フッ化炭素の混合物）、およびリチウムイオン充電式電池のようなアノード／カソードシステムがある。
【００３２】
一般的に、第２の低位レートセル６２は、高レートセル６０より低い、低電力制御回路５２に電力供給するのに十分なレート容量を有する。例えば、好ましい一実施形態では、第２の低位レートセル６２は、中間レートのＳＶＯセル、より好ましくはＳＶＯ／ＣＦｘセルである。別法として、第２の低位レートセル６２は、１０〜３０マイクロアンペアの範囲の電流流出を有する低レートのリチウム／ヨウ素ペースメーカ電池であってもよい。当技術分野で既知のように、第２の低位レートセル６２の許容できる構成としては、例えば、Sunderland等の「Electrochemical Cell」に対する米国特許第５，７１６，７２９号（この開示は参照により援用される）に記載の単一カソード電極設計がある。本明細書で使用される場合、「低位レートセル」への言及は、低レートセルおよび中間レートセルの両方を含むものとする。正確な構成の如何を問わず、高レートセル６０および低位レートセル６２は、好ましくは、類似の寿命初期（ＢＯＬ）電圧（例えば、１００ｍＶ未満）を有する。また、セル６０、６２は類似の消耗時電圧を有することが好ましい。それにより、セル６０または６２の一方が切れた時に、セル６０、６２のそれぞれの容量が効率的に使用される。
【００３３】
高レートセル６０および第２の低位レートセル６２の上記のパラメータを念頭に置いて、図３に、電源５４Ａおよび回路部５６Ａの１つの好ましい組合せＡを概略的に示す。電源５４Ａは、上記のような第１の高レートセル６０Ａおよび第２の低位レートセル６２Ａを含む。さらに、回路部５６Ａが、高レートセル６０Ａおよび低位レートセル６２Ａを並列に高電力出力回路５０および低電力制御回路５２に電気的に接続する。特に、回路部５６Ａは、低電力制御回路５２から高レートセル６０を選択的に切断するように構成されるスイッチ７０を含む。ただし、回路部５６Ａは、以下で説明する動作条件に応答してスイッチ７０をオンオフするための追加的なコンポーネント／接続（図示せず）を含んでもよい。
【００３４】
電源／回路部の構成Ａは、従来技術のシングルセル設計よりも優れた明確な利点を提供する。例えば、ＩＭＤ２０（図１）の動作中に、電源５４Ａは、低電力制御回路５２に連続的に電力供給するための十分に高い電圧を維持しながら、時折、高電流パルスを送出すること、または高電力出力回路５０を充電することを要求される。供給電圧がある一定値を下回ると、ＩＭＤ２０は動作を停止する。電源／回路部の構成Ａは、高電力出力回路５０が作動していない期間中は、高レートセル６０Ａおよび低位レートセル６２Ａを並列にして低電力制御回路５２に電力供給する。ディフィブリレーションパルスのような過渡的高電力パルスの期間中には、スイッチ７０が開いて低電力制御回路５２から高レートセル６０Ａを切断する。低位レートセル６２Ａは、低電力制御回路５２に電気的に接続されたままである。したがって、低位レートセル６２Ａは、高レートセル６０Ａがいかなる電圧降下を受けるかにかかわらず、低電力制御回路５２に連続的に電力供給する。回路部５６Ａの並列構成により、高レートセル６０Ａおよび低位レートセル６２Ａは、それぞれのセル６０Ａ、６２Ａの有効寿命のほぼ全体にわたり、ともに動作することができる。また、必要な場合には、セル６０Ａおよび／または６２Ａのサイズや形状を変更することにより、ＩＭＤ２０（図１）により課される特定の容積制約または形状制約を満たすことができ
る。
【００３５】
図４に、一代替実施形態の電源／回路部の構成Ｂを概略的に示す。電源／回路部の構成Ｂは、電源５４Ｂおよび回路部５６Ｂを含む。電源５４Ｂは、第１の高レートセル６０Ｂおよび第２の低位レートセル６２Ｂを含む。回路部５６Ｂは、高レートセル６０Ｂおよび低位レートセル６２Ｂを並列に高電力出力回路５０および低電力制御回路５２に接続するとともに、スイッチ８０を含む。スイッチ８０は、低電力制御回路５２から高レートセル６０Ｂを選択的に切断するように構成される。そのため、回路部５６Ｂは、以下で説明する動作条件に応答してスイッチ８０をオンオフするための追加的なコンポーネント／接続（図示せず）を含んでもよい。
【００３６】
電源５４Ｂは、好ましくはリザーバ電池(reservoir battery)であり、それにより、高
レートセル６０Ｂおよび低位レートセル６２Ｂの両方が、全体を８２で示す単一のケース内に保持される。ただし、高レートセル６０Ｂは、低位レートセル６２Ｂのアノード／カソード構成と電気化学的に対応する（好ましくは同一である）アノード／カソードの組合せを含み、それにより、共通電解質８４がセル６０Ｂ、６２Ｂの両方を活性化する。例えば、高レートセル６０Ｂは高レートＬｉ／ＳＶＯであってよく、一方で低位レートセル６２Ｂは、ペレット設計によるＬｉ／ＳＶＯまたはＬｉ／ＭｎＯ２セルのような高容積効率セルである。別法として、前述のように、セル６０Ｂ、６２Ｂの他の構成も同様に許容できる。
【００３７】
回路部５６Ｂ経由でセル６０Ｂ、６２Ｂを並列に高電力出力回路５０および低電力制御回路５２に接続することにより、セル６０Ｂ、６２Ｂの両方が低電力制御回路５２に電力供給することができ、それによって、電源５４Ｂの有効寿命が延びる。また、前述の電源／回路部の構成Ａ（図３）と同様に、スイッチ８０が、高電力出力回路５０による過渡的高電力パルスの期間中の低電力制御回路５２の動作を保証する。例えば、高電力出力回路５０が高電力パルスの送出または充電を要求されると、回路部５６Ｂがスイッチ８０を開くことにより低電力制御回路５２から高レートセル６０Ｂを切断する。低位レートセル６２Ａは電気的に接続されたままであり、低電力制御回路５２に連続的に中断なく電力を供給する。
【００３８】
また、低位レートセル６２Ｂは、高レートセル６０Ｂを再充電するように作用することができる。具体的には、高レートセル６０Ｂがパルス動作した後、高レートセル６０Ｂの電位が低位レートセル６２Ｂの電位よりも低くなる。低位レートセル６２Ｂが高レートセル６０Ｂに（スイッチ８０経由で）再接続されると、低位レートセル６２Ｂが放電し、高レートセル６０Ｂはそれに対応して、これらが等電位に達するまで充電される。電子が低位レートセル６２Ｂのアノードから高レートセル６０Ｂのアノードへ、および高レートセル６０Ｂのカソードから低位レートセル６２Ｂのカソードへ移動する。好ましい一実施形態では、再充電が起こるためには、高レートセル６０Ｂは少なくともある程度の再充電可能性を有していなければならない。すなわち、高レートセル６０Ｂは、高度に放電している場合には、上記の記載の通りに再充電可能ではないことがある。高レートセル６０Ｂを「微小再充電可能(micro-rechargeability)」特性を示すように構成すれば、高電力出力
回路５０の動作（例えば、治療）中に取り出される小容量を元に戻すことができることが分かっている。また、ＳＶＯカソードを含む高レートセル６０Ｂがこの望ましい微小再充電可能特性を示すことも分かっている。別法として、他のカソード材料も許容できる。特に、これと同じ再充電メカニズムが前述の構成Ａ（図３）にも適用される。
【００３９】
もう１つの利点として、低電力制御回路５２に電力供給することを特に気にせずに、高電力出力回路５０の要求を満たすように高レートセル６０Ｂのサイズ（例えば、セル容積）を決めることができる。前述のように、従来技術のシングルセル設計では、セル容積は
非常に非効率的である。電源５４Ｂは、高レートセル６０Ｂのサイズを最小限にするとともに、より都合良くサイズが決められた低位レートセル６２Ｂを利用することによって、この問題点を克服している。すなわち、高レートセル６０Ｂは、コイル状、蛇行形、またはその他の大電極面積構成（ただしおそらく、容積エネルギー密度は低くなる）に役立つ比較的単純な形状であってよい一方で、低位レートセル６２Ｂは、比較的高い容積エネルギー密度を有するＤ字形のペレットまたはボビンセルのような、ＩＭＤ２０の望ましい容積形状に適合し、その形状を効率的に利用する形状とすることができる。結果として得られる電源５４Ｂは、その独特の複雑な形状のため、ＩＭＤ２０において利用可能な容積を活用することにより、ＩＭＤ２０が最適な容積を有することに寄与する。
【００４０】
図５Ａに、さらにもう１つの代替実施形態の電源／回路部の構成Ｃを断面図で示す。具体的には、図５Ａは、高レートセル６０Ｃと、低位レートセル６２Ｃとして作用するリザーバペレット９０およびリチウム本体９２とを含む電源５４Ｃを示している。高レートセル６０Ｃ、ペレット９０、およびリチウム本体９２は、さらに電解質９６を入れたケース９４内に配置される。図５Ａには示されていないが、高レートセル６０Ｃおよび低位レートセル６２Ｃ（リザーバカソードペレット９０およびリチウム本体９２からなる）は、スイッチを含んでも含まなくてもよい回路（図示せず）によって、並列に高電力出力回路５０（図２）および低電力制御回路５２（図２）に接続される。また、リチウム本体９２は、カソードリザーバペレット９０とほぼ同じ長さおよび幅である。
【００４１】
高レートセル６０Ｃは、いくつかの構成をとり得るが、好ましくは、コイル状のアノード９８およびカソード１００を含む。例えば、アノード９８は好ましくはリチウム材料である一方、カソード１００は、適切な金属含有材料（例えば、金属酸化物または金属硫化物）であり、好ましくはＳＶＯである。いずれにせよ、アノード９８およびカソード１００は、好ましくは、リザーバペレット９０の周りに巻かれる。別法として、リザーバペレット９０およびリチウム本体９２は、例えば図５Ｂの代替実施形態に示されているように、高レートセル６０Ｃの巻回の外側に位置してもよい。
【００４２】
図５Ａに戻って、リザーバペレット９０はカソード１００と同じ組成である。例えば、好ましい一実施形態では、リザーバペレット９０は、高密度のＳＶＯまたはＭｎＯ２カソードペレットである。同様に、リチウム本体９２はアノード９８と同じ組成であり、リザーバペレット９０の能力と平衡化するように作用する。ただし、リチウム本体９２は別個の要素である必要はなく、代わりに、アノード９８の最も内側の（すなわち、リザーバペレット９０を取り囲む）巻回１０２を厚く（すなわち、リチウム材料を追加）してもよい。
【００４３】
電源／回路部の構成Ｃは、高レートセル６０Ｃを充電するためのリザーバペレット９０を利用することにより、複数の厚い電極を製造し、巻き付け、または折り畳む困難なしに、従来の平行板構成またはコイル状構成よりも高いエネルギー密度を電源５４Ｃに提供する。
【００４４】
使用中に、高レートセル６０Ｃおよびリザーバペレット９０は、低電力制御回路５２（図２）に電力供給するように並列動作する。過渡的高パルス動作中に、高レートセル６０Ｃおよびリザーバペレット９０は、高電力出力回路５０（図２）に電力供給するように動作する。高レートセル６０Ｃは低位レートセル６２Ｃ（繰り返しになるが、リザーバカソードペレット９０およびリチウム本体９２によって画定される）に比べて内部抵抗が低いため、電力のほとんどは高レートセル６０Ｃによって送出される。過渡的高パルス動作の後、低位レートセル６２Ｃは、好ましくは、電源５４Ｂ（図４）に関して前述したように、高レートセル６０Ｃを再充電するように作用する。特に、リザーバペレット９０は、補助カソードとして作用し、過渡的高パルス動作の後で、カソード１００から電子およびリ
チウムイオンを受け入れる。例えば、リザーバペレット９０がカソード１００の組成と化学的に両立する材料（例えば、ＳＶＯまたはＭｎＯ２）からなる場合、高レートセル６０Ｃが放電すると、カソード１００は、カソード１００とリザーバペレット９０の間の電子およびリチウムイオンの流れによって充電すなわち酸化される。その結果、電源５４Ｃは、リザーバペレット９０のない類似のセルよりも高い平均電圧、高い容積エネルギー密度および改善された寿命末期電圧信号を有する。また、リチウム本体９２がリザーバペレット９０の容量と平衡化することにより、過渡的高電力パルスの後の高レートセル６０Ｃの再充電を促進する。
【００４５】
電源５４Ｃのもう１つの好ましい実施形態では、高レートセル６０Ｃおよび低位レートセル６２Ｃ（またはリザーバペレット９０）は並列に、電源５４Ｃ自体の内部に接続される。例えば、図５Ｃは、図５Ａの構成Ｃに関連する１つの相互接続技法を示している。参考までに、コンポーネントの相互接続をより良く図示するために、ケース９４の一部が取り除かれている。これを念頭に置くと、電源５４Ｃは、第１導電性タブ１０２、第２導電性タブ１０４、およびコネクタ１０６をさらに含む。第１タブ１０２は、高レートセル６０Ｃに関連するカソード１００に接続され、カソード１００から延びる。これに対して、第２タブ１０４は、低位レートセル６２Ｃを形成するリザーバ（すなわち、カソード）ペレット９０に接続され、リザーバペレット９０から延びる。最後に、コネクタ１０６は、タブ１０２、１０４を相互接続してフィードスルーピン１０８で終端し、フィードスルーピン１０８は普通なら電池ケース９４から外向きに延びる。
【００４６】
セル６０Ｃと６２Ｃを内部的に並列に接続することによって、単一のフィードスルー１０８のみがあればよく、それにより、２つ以上のフィードスルーが必要な他のデュアル電池設計のコストおよび複雑さが低減される。図５Ｃの構成は、セル６０Ｃ、６２Ｃが独立に放電可能でないこと、および図４のスイッチ８０のようなスイッチが利用可能でないことを必然的に伴うことが理解されるであろう。しかし、この設計は、形状の自由度および容積効率を高める。例えば、高エネルギーＩＭＤ電源に関連する製造上の具体的問題の１つは、既知の安全性の問題により、厚いカソードを利用した巻回形セルが必要とされることである。巻回形設計を使用する場合、厚いカソード材料は、隅が割れて、他のコンポーネント（例えば、セパレータ板および／またはリチウムアノード）を通じて応力を伝える傾向がある。これがひいては内部ショートにつながる可能性がある。しかし、図５Ｃの構成では、エネルギー供給の大部分がリザーバペレット９０（または低位レートセル６２Ｃ）および隣接するリチウム本体９２に蓄積される。ペレット９０は巻かれていないため、巻回形カソード材料に関連する応力問題を起こさずに比較的厚くすることができる。エネルギーの大部分がペレット９０に蓄積されるため、高レートセル６０Ｃに関連するカソード１００の材料は比較的薄くすることができ、したがって、応力関連欠陥を被らずに、より容易に巻くことができる。また、リザーバペレット９０を比較的厚く形成することにより、高レートセル６０Ｃに関連する最も内側の巻回の半径が増大し、あるいは従来の巻回形セルに見られるよりも大きくなるため、やはり巻回による応力が減少する。
【００４７】
図６に、容積効率を高めたさらにもう１つの代替的な電源／回路部の構成Ｄを概略的に示す。構成Ｄは、電源５４Ｄおよび回路部５６Ｄを含む。電源５４Ｄは、高レートセル６０Ｄ、低位レートセル６２Ｄ、および電解質（図示せず）を保持するケース１１０を含む。回路部５６Ｄは、セル６０Ｄ、６２Ｄを並列に高電力出力回路５０（図２）および低電力制御回路５２（図２）に接続する。図６には概略的に示されているが、高レートセル６０Ｄは、前述のいかなる形態もとることができ、好ましくは、コイル状、蛇行形、またはその他の大表面積電極構成をとることに役立つ単純な形状である。これに対して、低位レートセル６２Ｄは、Ｄ字形等の比較的小さい表面積の補助電極であり、普通ならケース１１０の利用可能な容積に適合し、その容積を効率的に活用する。今度も、低位レートセル６２Ｄは、前述のいかなる材料からなってもよく、中間レートまたは低レートセルであり
得る。いずれにせよ、結果として得られる電源５４Ｄは、その独特の複雑な形状のため、ＩＭＤ２０（図１）において利用可能な容積を活用することにより、最適なサイズのデバイスとなることに寄与する。
【００４８】
動作において、電源５４Ｄは、前述の実施形態と同様に動作し、高レートセル６０Ｄおよび低位レートセル６２Ｄが、高電力出力回路５０（図２）および低電力制御回路５２（図２）に電力供給するように並列に動作する。ただし、電源５４Ｄに関連する回路部５６Ｄは、過渡的高電力パルスの期間中に低電力制御回路５２から高レートセル６０Ｄを切断するスイッチ（図示せず）を含んでもよい。低位レートセル６２Ｄが高レートセル６０Ｄとは別個に動作することにより、高レートセル６０Ｄに関連する電圧降下に対する懸念なしに、低電力制御回路５２が連続的に電力供給される。また、電源５４Ｄが高電流パルス放電をしている時は、高レートセル６０Ｄおよび低位レートセル６２Ｄがパルス間で均衡することにより常に同じ放電深度となり、高レートセル６０Ｄの容量のほとんどは、低位レートセル６２Ｄが並列接続されていない場合に認められるよりも高い電圧で放電される。
【００４９】
図７に、容積効率を高めたさらにもう１つの関連する代替的な電源／回路部の構成Ｅを、ＩＭＤ１１２の一部として示す。具体的には、ＩＭＤ１１２は、ケース１１４、回路１１６（図７では概括的に示す）、および電源５４Ｅを含むように示されている。電源５４Ｅは、高レートセル６０Ｅおよび低位レートセル６２Ｅを含む。図７の実施形態では、セル６０Ｅ、６２Ｅが別個に形成され（すなわち、別個の格納部）、回路部５６Ｅ経由で並列に接続される。特に、回路部５６Ｅはスイッチを含まず、セル６０Ｅ、６２Ｅは独立には放電可能でない。
【００５０】
図７では概略的に示されているが、高レートセル６０Ｅは、前述のいかなる形態もとることができ、好ましくは、コイル状、蛇行形、またはその他の大表面積電極構成をとることに役立つ単純な形状である。これに対して、低位レートセル６２Ｅは、比較的小さい表面積の補助電極であり、ケース１１４の利用可能な容積を効率的に活用する形状である。好ましい一実施形態では、高レートセル６０Ｅは当技術分野で既知の薄膜電池である。これに関して、薄い電極を製造する１つの好ましい方法では、適切な溶剤に溶かした電極材料のスラリを調製する。このスラリを、集電体となる薄い箔基材に塗布する。この目的のための最も普通の方法は、「ナイフオーバーロール」手法を使用することである。これにより、移動する織物（例えば、金属箔）にスラリを塗布し、ナイフの刃を用いて厚さを制御する（すなわち、ドクターブレード）。その後、溶剤を蒸発させて、カソード材料の薄膜を残す。別法として、他の既知の薄い電極の製造技法も同様に許容できる。
【００５１】
高レートセル６０Ｅを薄膜電池として形成することにより、電源５４Ｅは、容積効率の向上によって特徴づけられる。また、特にＩＭＤ１１２がＩＣＤである場合、電源５４Ｅによりスケーラビリティが向上する。参考までに、ＩＣＤ電池は通常、最大安全電力能力（すなわち、最大安全電極表面積）を有するように製造される。したがって、特定の表面積を維持しながら「標準的な」ＩＣＤ電池のサイズをある一方向に沿って変えると、通常、満たすことができる制約よりも多くの幾何学的制約が課される。その結果、異なるサイズのＩＣＤアプリケーションの場合、「標準的な」ＩＣＤ電池の寸法を二方向で変えなければならないことが多く、したがってスケーラブルでない。図７のデュアルセル設計はこの問題点を克服している。具体的には、高レートセル６０Ｅを薄い電極として形成することにより、高レートセル６０Ｅを回路１１６の下に配置することができる。これに対して、低位レートセル（好ましくは、中間レートセル）６２Ｅは、ケース１１４の内側寸法と同じ厚さ（すなわち、回路１１６および高レートセル６０Ｅと同じ厚さ）を有するように構成される。そこで、図７に示すように、低位レートセル６２Ｅを回路１１６／高レートセル６０Ｅのスタックに隣接して配置する。ＩＣＤ１１２の高エネルギーコンデンサ（図
示せず）を、低位レートセル６２Ｅの反対側に配置し、厚さは中間レートセル６２Ｅと一致させる。異なるサイズのＩＣＤの場合、低位レートセル６２Ｅを一方向にスケーリングすることにより、特定のアプリケーションに必要なエネルギーを供給することができる。ただし、回路１１６、高レートセル６０Ｅ、コンデンサ、およびデバイスコネクタブロック（図示せず）はすべて、変化しない固定コンポーネントである。したがって、図７の構成は、所望のスケーラビリティ基準を満たす。
【００５２】
図８に、もう１つの代替実施形態の電源／回路部の構成Ｆを概略的に示す。構成Ｆは、電源５４Ｆおよび関連回路部５６Ｆを含む。今度も、電源５４Ｆは第１の高レートセル６０Ｆおよび第２の低位レートセル６２Ｆを含む。回路部５６Ｆは、高レートセル６０Ｆおよび低位レートセル６２Ｆを高電力出力回路５０および低電力制御回路５２に接続する。前述の実施形態とは異なり、回路部５６Ｆは、必ずしもセル６０Ｆ、６２Ｆを並列に接続する必要はない。また、低位レートセル６２Ｆは、前述の実施形態と極めて類似しているが、高レートセル６０Ｆは、好ましくは、以下で説明するアノード制限セルである。
【００５３】
特に、構成Ｆの場合、高レートセル６０Ｆは、高電流パルスを送出するために、固体カソード、液体有機電解質およびリチウムアノードを含む。セル６０Ｆはさらにケーシング（図示せず）を含む。ケーシングは、セルコンポーネントおよび一般に複数回巻かれたカソード構造を収容し、リチウムアノードがカソード巻回の間に挿入される。ケーシングは、非水性液体有機電解質も収容する。この電解質は、好ましくは、作用可能なようにアノードおよびカソードに接触するリチウム塩と有機溶媒の組合せを含む。ある電気的接続がアノードに提供され、ある電気的接続がカソードに提供される。カソードは、ＳＶＯまたはＭｎＯ２等の活性材料を含む。
【００５４】
上記の構成では、高レートセル６０Ｆは容積制約のあるシステムである。セル６０Ｆに入る各コンポーネント（カソード、アノード、セパレータ、集電体、電解質等）の量は、電池ケースの利用可能容積を超えることができない。さらに、一部のコンポーネントの適切な量は、使用される他のコンポーネントの量に左右される。これらのコンポーネントは、所望の範囲で放電を提供するために「平衡化」されなければならない。
【００５５】
例えば、ディフィブリレータアプリケーションで使用されるようなカソード制限Ｌｉ／ＳＶＯ電池では、カソードの容量（Ｑ＋）はアノードの容量（Ｑ−）を超えてはならない。他の電池コンポーネントによって占められる容積は、電池内のカソード材料の量によって反映されるように、カソード容量（Ｑ＋）にも左右される。与えられた電池容積に対して、すべての電池コンポーネントを調整しなければならない。
【００５６】
ＩＣＤとともに使用される従来の平衡化リチウムアノードセルは、カソードを最後まで放電させるために、十分なリチウムおよび電解質と平衡化される。しかし、従来の平衡化セルは、時間および放電深度とともにインピーダンスが増大する。このようなセルの電力能力は、安全性の理由から課される電極面積制約によって制限される。従来は、十分な電力（すなわち、許容できる充電時間）を維持しながら電池のほぼ全容量を使うことが可能であった。しかし、時間とともに、従来の平衡化高レートセルは、セルインピーダンスの増大に起因して充電時間の増大を呈する。セルが充電時間要件をもはや満たすことができなくなると、ＩＣＤ（または他のＩＭＤ）を交換しなければならない。この目的のため、業界標準では、より厳格な充電時間要件を実施している。よって、充電時間不良となる前に全セル容量を使うことはますます困難になっている。
【００５７】
図９に、Ｌｉ／ＳＶＯ型セルに起こる上記の問題点の一例をグラフにより示す。具体的には、従来のＬｉ／ＳＶＯ高レートセル設計では、曲線１２０で示すように時間とともに電圧の低下が起こる。また、内部抵抗が時間とともに増大することにより、曲線１２２で
表されるように、コンデンサ充電時間が増大する。参考までに、曲線１２０、１２２は、寿命初期（ＢＯＬ）点から寿命末期（ＥＯＬ）点まで延びている。製造業者は通常、特定のＩＭＤアプリケーションに関する電源に対して、ＥＯＬの直前に、潜在的機能損失(potential loss of function)（図９において「ＰＬＦ」で示す）を線引きする。ＰＬＦは、ＩＭＤの回路性能要件によって決まる。図９の例では、製造業者の標準によれば、従来の平衡型セルは、約２．２０ボルトで潜在的機能損失（ＰＬＦ）が起こる。ＩＭＤがＰＬＦの前に取り出されて交換されることを保証するため、業界標準では、ＩＭＤが選択的交換指標（ＥＲＩ）をユーザに提供することを要求している。ＥＲＩは通常、ＰＬＦの直前の電圧曲線１２０に関して製造業者によって指定される。例えば、ある製造業者の標準では、ＩＭＤがＥＲＩの後に３か月間動作し続けることを要求するかもしれない。この標準を念頭に置いて、製造業者は、ＰＬＦから逆算して、そのように選択されている標準を満たすＥＲＩ値を選択する。図９の例に関しては、一般的なＥＲＩ値は２．４５ボルトである。
【００５８】
上記の定義を念頭に置いて、図９は、充電時間曲線１２２が放電深度または時間に依存し、ＢＯＬからＥＲＩおよびＰＬＦの両方まで増大することをグラフにより示している。参考までに、この時間依存性により、ＩＭＤとともに使用される通常の高レートセルの充電時間はおよそ、ＢＯＬで８秒、ＥＲＩで１４秒、そしてＰＬＦで２５秒である。ＩＭＤ性能要件がこのまま高くなっていくと、１６秒を超える充電時間はもはや許容できなくなる可能性が極めて高い。すなわち、将来の業界の要件では、ＰＬＦ値として１６秒が要求される（したがって、それに対応してＥＲＩ値が小さくなる）かもしれない。リチウム系高レートセルを組み込んだＩＭＤは、（充電時間曲線１２０に関して）より早期にＥＲＩ信号を供給するようにプログラムすることができるが、放電深度または時間への依存性により、この小さくなったＥＲＩレベルでは、電池の容量のほんの一部しか使用されないであろう。例えば、１２秒の充電時間に対応するＥＲＩまでに使用されるのは、従来のセルの容量の約４０％である。明らかに、この低い効率は極めて望ましくない。
【００５９】
従来のリチウム系高レートセルに関連する時間依存特性を克服するため、電源５４Ｆ（図８）は、アノード制限(anode limited)となるように高レートセル６０Ｆ（図８）を形
成する。具体的には、高レートセル６０Ｆは、好ましくは、例えば米国特許第５，４５８，９９７号（その教示は参照により本明細書に援用される）に記載されているようなリチウム制限セルである。一般的に言えば、Ｌｉ／ＳＶＯ、Ｌｉ／ＭｎＯ２等の市販のリチウム系高レートセルを再平衡化することにより、セルが、第１電圧プラトー（図９において１２４で示す）までに限り放電するのに十分なリチウムおよび電解質を含むようにする。使用するリチウムおよび電解質を減らすことによって空いた容積により、カソード材料のためのより広い空間ができるので、点線１２６で示すように第１電圧プラトーが延びる。この構成では、カソード消耗の前にリチウムアノードが消耗するため、ガスの形成が防止される。さらに、リチウム制限設計によれば、電池寿命の大部分にわたって、生じるインピーダンスは最小限となる。好ましい一実施形態では、リチウム制限高レートセル６０Ｆは、ＳＶＯ／ＣＦｘハイブリッドカソード設計であり、ここで、ｘは０．９〜１．１の範囲にある。
【００６０】
図１０にグラフにより示すように、リチウム制限高レートセル６０Ｆ（図８）は、放電深度または時間にほとんど依存しない充電時間特性を示す。参考までに、図１０は、電圧曲線１３０および充電時間曲線１３２を示している。図９に示されている従来の平衡化セルの性能特性と比較すると、リチウム制限高レートセル６０Ｆの電圧曲線１３０では、第１電圧プラトー１３４が延び、第２電圧プラトー１３６の後で急速に電圧が低下している。しかし、重要なことであるが、第２電圧プラトー１３６の前では、充電時間曲線１３２は、放電深度および／または時間の増大とともに、あるとしてもほんのわずかしか増大していない。そこで、実質的に、リチウム制限高レートセル６０Ｆは、電池寿命の大部分を
通じて時間または放電深度に対する最小限の依存性を示すレート容量によって特徴づけられる。この特性を念頭に置いて、高レートセル６０Ｆを含む電源５４Ｆ（図８）を組み込んだＩＭＤは、図１０に示すＰＬＦおよびＥＲＩの値を設定するようにプログラムすることができる。
【００６１】
例として、好ましい一実施形態によれば、ＰＬＦは約２．６ボルトに設定され、ＥＲＩは２．６５ボルトに設定される。これらの値において、レート容量あるいは充電時間曲線１３２は、放電深度および時間に対する最小限の依存性を示す。例えば、ＢＯＬ充電時間は約８秒であり、ＥＲＩ充電時間は約１０秒であり、ＰＬＦ充電時間は約１６秒である。第２電圧プラトー１３６の後、充電時間はＥＯＬまで急速に増大する。しかし、従来の平衡化セルとは異なり、アノード制限高レートセル６０ＦのＥＲＩおよびＰＬＦは（電圧曲線１３０の全長との関係で）ＥＯＬに比較的近い。したがって、従来の平衡化高レートセルとは異なり、アノード制限高レートセル６０Ｆによれば、レート容量および充電時間が放電深度または時間に対する最小限の依存性を有するようなＥＲＩ値の選択が可能であり、その結果、セル６０Ｆの容量の大部分が利用される。具体的には、高レートセル６０ＦのＥＲＩは、カソードの少なくとも４０パーセント、好ましくは少なくとも５０パーセント、より好ましくは少なくとも６０パーセント、最も好ましくは少なくとも７５パーセントが消費されるように選択される。
【００６２】
前述のように、実施形態Ｆ（図８）では、高レートセル６０Ｆおよび低位レートセル６２Ｆは必ずしも並列に接続される必要はない。しかし、並列配線をすれば、低位レートセル６２Ｆは、実質的に、前述の再充電メカニズムに従って、過渡的高電力パルスの後に高レートセル６０Ｆを再充電することになる。また、並列構成では、低位レートセル６２Ｆは高レートセル６０Ｆよりも高い（ＢＯＬを超える）電圧を有するように設計されるのが好ましい。それにより、セル６０Ｆ、６２Ｆが放電する時に、セル６０Ｆの有効寿命のうち、高レートセル６２ＦがそのＢＯＬ電圧およびレート容量の近くにとどまる期間が長くなる。並列構成を使用する構成Ｆのさらにもう１つの好ましい実施形態では、高レートセル６０Ｆはリチウム制限ＳＶＯセルであり、低位レートセル６２ＦはＳＶＯ／ＣＦｘハイブリッドカソード低レートセルである。この構成は両方のセルに、類似のＢＯＬ電圧、類似の消耗電圧（例えば、ＰＬＦにおいて９０％より高い消耗）を供給し、低位レートセル６２Ｆは高レートセル６０Ｆよりも高い（ＢＯＬを超える）電圧を有する。
【００６３】
本発明のデュアルセル電源を有するＩＭＤは、従来の設計を超える著しい改善を提供する。一実施形態では、第１の高レートセルおよび第２の低位レートセルを並列に制御回路および出力回路に接続するとともに、高レートセルおよび制御回路を選択的に切断するためのスイッチを含むことにより、ＩＭＤは、充電条件とは無関係に両方のセルの容量を効率的に利用する。スイッチが含まれるかどうかにかかわらず、好ましい並列接続は、高レートセルの構成に依存する過渡的高電力パルスの後で、低位レートセルが高レートセルを再充電することを容易にすることができる。もう１つの代替実施形態では、デュアルセルが単一のリザーバとして提供される。さらにもう１つの代替実施形態では、高レートセルはアノード制限構成を有し、時間または放電深度に対する最小限の依存性を有する充電時間特性を示す。この構成により、厳格な充電時間要件を満たしながら、高レートセルの容量の大部分が利用される。
【００６４】
図１１は、本発明のもう１つの実施形態による埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）２００を示している。この実施形態によるＩＭＤ２００は、ペースメーカ、カーディオバータ、ディフィブリレータ、神経刺激器、または薬剤投与デバイスの形態で提供されることができる。しかし、理解されるように、ＩＭＤ２００は、種々の他の埋め込み可能医療デバイスの形態をとることができるため、必ずしも上記の例に限定される必要はない。しかし、説明の目的上、ＩＭＤ２００は、埋め込み可能心臓ディフィブリレータ（ＩＣＤ）の
構成で説明される。
【００６５】
図示されている実施形態によれば、ＩＭＤ２００は、ＩＭＤ２００の全体的動作を制御する制御回路２０５を備える。制御回路２０５は、患者の体内に配置された１つまたは複数の電極経由で生理的データを監視するように構成されてもよく、電極は電気リード線経由でＩＭＤ２００に接続される。例えば、制御回路２０５は、患者の心臓内に埋め込まれた１つまたは複数の電極経由で心臓活動を監視してもよい。制御回路２０５は、埋め込まれた電極経由で受け取られる生理的データを収集し処理してもよい。さらに、制御回路２０５は、埋め込まれた電極経由でＩＭＤ２００で受け取られる生理的データに応じて、患者の体の一部に治療を送出するように構成されてもよい。例示的実施形態によれば、治療は、心臓内に埋め込まれた１つまたは複数の電極経由で患者の心臓に送出される治療的電気パルスの形態で供給されてもよい。
【００６６】
本発明の一実施形態によれば、制御回路２０５は、図１１Ａに示すような、その全体的動作を制御するためのプロセッサユニット２０７の形態で提供される。一実施形態では、プロセッサユニット２０７は、例えば、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、またはディジタル信号プロセッサの形態をとり得る。制御回路２０５は、さらに、患者の体内に埋め込まれた１つまたは複数の電極によって受け取られる生理的データを格納するためのメモリモジュール２０８を含んでもよい。メモリモジュール２０８は、プロセッサユニット２０７上でＩＭＤ２００を制御するために実行されるソフトウェア、ファームウェア、および／またはマイクロコードも格納することができる。
【００６７】
再び図１１を参照すると、ＩＭＤ２００は、さらに、例示的実施形態によるディフィブリレーションパルスまたはカーディオバージョン／ディフィブリレーションパルスのような電気パルス治療を送出する高電力出力回路２１０を含んでもよい。高電力出力回路２１０は、患者の心臓に埋め込まれた１つまたは複数の電極経由で患者の心臓に送出される高出力電子パルスを生成するコンデンサ（図示せず）の形態で提供されてもよい。図示されている実施形態によれば、高電力出力回路２１０は、制御回路２０５からの制御信号を受け取り、患者の心臓に埋め込まれた１つまたは複数の電極経由で受け取られる生理的データ（すなわち、電気的心信号）の解析に応答して高出力電気ショックを送出してもよい。
【００６８】
図示されている実施形態によれば、ＩＭＤ２００は、さらに、ＩＭＤ２００が外部データ処理デバイスと通信するための通信機能を提供することができる通信インタフェース回路２１５を備える。データ処理デバイスは、ＩＭＤ２００によって収集された後で送信される生理的データの監視かつ／または解析を行うように構成されてもよい。しかし、理解されるように、通信インタフェース回路２１５は、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、患者の体外の種々の他のデバイスと通信するように構成されてもよい。一代替実施形態では、通信インタフェース回路２１５は、ＩＭＤ２００の外部であるが患者の体内にある送信デバイス（図示せず）と通信することができる。その場合、この送信デバイスが、外部データ処理ユニットと通信してもよい。
【００６９】
図示されている実施形態によれば、通信インタフェース回路２１５は、患者の体内に埋め込まれた１つまたは複数の電極から制御回路２０５によって取得される生理的データを通信するように構成される。また、通信インタフェース回路２１５は、ＩＭＤ２００の外部の別のデバイスによって生成される、制御回路２０５によって処理されるべきデータを受信するように構成されてもよい。図示されている実施形態によれば、通信インタフェース回路２１５は、無線通信により外部デバイスとデータを通信する。
【００７０】
図示されている実施形態によれば、ＩＭＤ２００は、さらに、制御回路２０５、高電力出力回路２１０、および通信インタフェース回路２１５に電力を供給するための電源２２
０を用いて構成される。電源２２０は、本質的に、ＩＭＤ２００の動作において重要な役割を果たす。というのは、ＩＭＤは、電池が寿命末期に近づくと、限定機能モードに入り得るからである。その場合、ＩＭＤは患者に適切な治療を送出することができないために、患者の健康を害する可能性がある。また、ＩＭＤ２００は患者の体内に埋め込まれるので、電池へのアクセス可能性は通常、外科的処置を必要とする。したがって、電源２２０が故障すると、患者の健康は、そのような処置が実行されるまで危険にさらされかねない。
【００７１】
次に図１２を参照すると、本発明の一実施形態によるＩＭＤ２００と外部デバイスとの通信機能が示されている。ＩＭＤ２００の通信インタフェース回路２１５は、無線通信媒体２３２を通じてデータ転送デバイス２３５経由でデータ処理デバイス２４０への通信を行うための無線インタフェース２３０を用いて構成される。図示されている実施形態によれば、無線インタフェース２３０は、データ転送デバイス２３５との間で無線周波信号を送受信する無線周波（ＲＦ）送受信器の形態をとってもよい。データ転送デバイス２３５もまた、ＲＦ送受信器を用いて構成される。しかし、理解されるように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、無線周波通信の代わりに、またはそれに加えて、ＩＭＤ２００の無線インタフェース２３０とデータ転送デバイス２３５の間で、他の形態の通信プロトコルを利用してもよい。例えば、無線インタフェース２３０とデータ転送デバイス２３５の間で利用される通信プロトコルとしては、他のタイプの通信のうちでもとりわけ、超音波通信が挙げられる。
【００７２】
図示されている実施形態によれば、データ転送デバイス２３５は、患者の体内に埋め込まれた埋め込み可能医療デバイス２００の近くに置くことができるハンドヘルドデバイスの形態で提供されてもよい。この実施形態では、データ転送デバイス２３５は有線リンク２３７経由でデータ処理デバイス２４０に接続される。しかし、理解されるように、データ転送デバイス２３５は、別法として、無線通信媒体経由でデータ処理デバイス２４０と通信してもよい。例えば、データ転送デバイス２３５とデータ処理デバイス２４０の間の無線通信媒体は、ＲＦ通信媒体または赤外線（ＩＲ）通信媒体であってもよい。別法として、一実施形態では、データ転送デバイス２３５をなくし、データ転送が無線インタフェース２３０とデータ処理デバイス２４０の間で直接行われる。
【００７３】
さらに、理解されるように、ＩＭＤ２００の通信インタフェース回路２１５とデータ転送デバイス２３５の間の通信信号の電力レベルも同様にさまざまであり得る。例えば、ＩＭＤ２００とデータ転送デバイス２３５の間で低電力ＲＦ通信を使用してもよい。その場合、データ転送デバイス２３５がＩＭＤ２００の近くに置かなければならないであろう。別法として、データ転送デバイス２３５とＩＭＤ２００の物理的近接が不要になるように、ＲＦ通信媒体２３２で、より高い送信電力レベルを使用してもよい。もちろん、理解されるように、ＲＦ通信媒体２３２で使用される送信電力レベルが高いほど、ＩＭＤ２００の電源２２０からの流出も増える。
【００７４】
前述のように、生理的データは、患者の体内の１つまたは複数の埋め込まれた電極経由でＩＭＤ２００の制御回路２０５によって収集される。一実施形態では、生理的データは、患者の心臓内に埋め込まれた電極からの電気的心信号の形態をとってもよい。これは、例えば、心電図の形態でＩＭＤ２００のメモリモジュール２０８内に記録される。その後、生理的データは、メモリモジュール２０８から取り出され、通信インタフェース回路２１５へ転送されてからデータ転送デバイス２３５へ無線送信され、データ処理デバイス２４０により監視および／または処理されてもよい。一代替実施形態では、生理的データは、患者の体内の１つまたは複数の埋め込まれた電極によってデータが検知されるとともにリアルタイム方式で、制御回路２０５によって取得され、通信インタフェース回路２１５へ転送され、データ転送デバイス２３５へ送信されてもよい。通信インタフェース回路２
１５は、データ転送デバイス２３５経由でデータ処理デバイス２４０へ生理的データを送信することに加えて、ＩＭＤ２００の性能に関連するデータを送信してもよい。性能データとしては、例えば、ＩＭＤ２００から患者の体へ以前に送出された治療の有効性が挙げられる。
【００７５】
本発明の一実施形態によれば、データ処理デバイス２４０は、プログラマまたは他のコンピュータの形態で提供される。データ処理デバイス２４０は、ＩＭＤ２００から通信インタフェース回路２１５経由で送信される生理的データおよび／または性能データの監視かつ／または解析のために使用してもよい。データ処理デバイス２４０は、収集された生理的データおよび性能データに基づいて、ＩＭＤ２００によって送出される治療の効率を判定してもよい。例えば、データ処理デバイス２４０は、患者に送出された治療が適当なエネルギー強度であったかどうかを判定するために使用することができる。
【００７６】
データ処理デバイス２４０は、ＩＭＤ２００によって受け取られた生理的データおよび性能データを用いてデータ処理デバイス２４０によって実行される解析に基づいて、データ転送デバイス２３５経由でＩＭＤ２００へプログラミングデータを送信することによりＩＭＤ２００の種々の設定を調整するように構成されてもよい。例えば、データ処理デバイス２４０によって、（例えば、収集された生理的データに基づいて）ＩＭＤ２００が、必要であるより高い強度の電気パルス治療信号を送出していると判定される場合、ＩＭＤ２００へ送信されるプログラミングデータで、患者の体に送出される電気治療信号の強度を低減してもよい。
【００７７】
通常、ＩＭＤ２００の通信インタフェース回路２１５は比較的高い電流パルスを必要とし、その結果、電源２２０からの流出が比較的大きくなる。データ量の大部分が通信インタフェース回路２１５とデータ転送デバイス２３５の間で通信される場合、高い電流パルスと、通信インタフェース回路２１５がデータを送信している時間量のために、電源２２０からの流出が大きくなることがある。また、ＩＭＤ２００とデータ転送デバイス２３５の間で通信されるデータの量が増大すると、電源２２０にかかる負荷もまた増大するため、ＩＭＤ２００内の電源２２０の寿命が短くなる。
【００７８】
次に図１３を参照すると、本発明の一実施形態による電源２２０のさらに詳細な表示が提供されている。電源２２０は、一次電源２５０および二次電源２５５を備える。一次電源２５０は、ＩＭＤ２００の制御回路２０５と高出力電力回路２１０に電力供給するために使用される。本発明の一実施形態によれば、一次電源２５０はリチウム／ＣＦｘ−ＣＳＶＯ電池の形態をとる。しかし、理解されるように、一次電源２５０は、種々の他の電池タイプの形態をとることができる。そのような電池タイプとしては、Ｌｉ／ＣＳＶＯ、Ｌｉ／ＣＦｘ、Ｌｉ／ＭｎＯ２、Ｌｉ／ｌ２、Ｌｉ／ＳＯＣｌ２、または他の類似のタイプの化学組成が挙げられる。
【００７９】
図示されている実施形態によれば、二次電源２５５は、通信インタフェース回路２１５が一次電源２５０にかける追加的負担を軽減するために、通信インタフェース回路２１５に電力を供給する。一実施形態によれば、二次電源２５５は、充電式電池の形態で提供される。二次電源２５５は、液体またはポリマーの電解質を用いたリチウムイオン電池を含み得る。しかし、理解されるように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、二次電源２５５は、ニッケル／金属水素化物や他の類似のタイプの化学組成のような、他の電池タイプの形態をとることができる。図示されている実施形態によれば、二次電源２５５は、当技術分野で十分に確立されているように、経皮的磁気誘導プロセスにより再充電することができる。
【００８０】
一実施形態によれば、二次電源２５５は通信インタフェース回路２１５のみに電力供給
することにより、通信インタフェース回路２１５が一次電源２５０に対して要求する追加的電力要求の負担を軽減する。したがって、この実施形態では、二次電源２５５は、通信インタフェース回路２１５のための専用電源である。よって、一次電源２５０は、ＩＭＤ２００の通信要求をサポートするために（すなわち、通信インタフェース回路２１５を通じて）電力を供給する必要はなく、制御回路２０５および高出力電力回路２１０の本質的な「生命維持」動作回路部にのみ電力を供給すればよいため、一次電源２５０の電力および寿命が節約される。一次電源は、上記のデュアルセル実施形態のいずれの形態もとり得る。別法として、一次電源は、従来のシングルセル設計であってもよい。
【００８１】
図１３に例示されている実施形態では、電源２５０および２５５は、互いに独立に動作し得る。したがって、一実施形態では、電源２５０、２５５の一方が故障しても、他方の電源２５０、２５５がそれぞれの回路に電力供給し続ける。
【００８２】
次に図１４を参照すると、本発明のもう１つの実施形態による電源２２０が示されている。この特定実施形態では、一次電源２５０および二次電源２５５は電源スイッチ２６０に接続される。電源スイッチ２６０は、ＩＭＤ２００の種々のコンポーネントに電力を供給するために接続を切り替えることが可能である。図１３に提供した構成について述べたように、一次電源２５０は通常、ＩＭＤ２００の制御回路２０５および高出力電力回路２１０にのみ電力を供給する。これに対して、二次電源２５５は通常、通信インタフェース回路２１５にのみ電力を供給する。図１４に図示されている実施形態によれば、電源スイッチ２６０は、電源２５０、２５５が電力を消耗したかどうかに応じて一次電源２５０および／または二次電源２５５の接続を切り替えるように構成される。
【００８３】
一実施形態によれば、スイッチ２６０は、電力レベルセンサ２６５に接続される。電力レベルセンサ２６５は、一次電源２５０および／または二次電源２５５の残り電力レベルを判定するように構成される。電力レベルセンサ２６５は、さらに、一次および／または二次電源２５０、２５５の残り電力レベルが所定電力レベルを下回ったかどうかを判定するように構成されてもよい。それに応じて、電源スイッチ２６０は、センサ２６５による判定で電力レベルが所定しきい値を下回ったことに基づいて、ＩＭＤ２００の回路２０５、２１０、および２１５と一次および二次電源２５０、２５５との間の接続を切り替えるように構成されてもよい。一実施形態では、所定しきい値は、残り電力レベルがゼロ（すなわち電池切れ）となるすぐ上の電力レベルであってもよい。
【００８４】
例えば、ＩＭＤ２００がその通信インタフェース回路２１５とデータ転送デバイス２３５（図２）の間でデータを転送しており、電力レベルセンサ２６５が、二次電源２５５の電力レベルが切れかかっている（すなわち、所定しきい値を下回っている）と判定した場合、センサ２６５は、スイッチ２６０へ制御信号を送ることにより、一次電源２５０をＩＭＤ２００の通信インタフェース回路２１５に接続して、データ転送が中断しないようにすることができる。同様に、一次電源２５０内の電力レベルが所定しきい値を下回って消耗していると判定された場合、電源スイッチ２６０は、一次電源２５０から電力を受け取るのではなく二次電源２５５から電力を受け取るように、制御回路２０５および／または高出力電力回路２１０の接続を切り替えてもよい。
【００８５】
一代替実施形態では、電源スイッチ２６０は、一次電源２５０および／または二次電源２５５内に残っている電力レベルを検知し、検知した電力レベルに基づいて、ＩＭＤ２００の回路２０５、２１０、および２１５と一次および二次電源２５０、２５５との間の接続を切り替えるための回路部を含んでもよい。すなわち、一次および二次電源２５０、２５５の残り電力レベルを検知するためのセンサ２６５は、図１４に例示されているような別個のコンポーネントではなく、電源スイッチ２６０と一体のコンポーネントであってもよい。他の代替的実施例において、第１の及び第２の電源は、各電源が、他の電源から独立であるように設計され得る。この実施例においては、少なくとも１つの、又は双方の電源（即ち、電池）が、添加剤2,2,2−トリ・フッ化アセトアミドを含む電解質を含む。
【００８６】
以上、本発明について、好ましい実施形態を参照して説明したが、当業者には理解されるように、本発明の精神および範囲から逸脱することなく、同じ目的を達成するように意図されたさまざまな代替的実施態様および／または等価な実施態様で、図示し説明されている特定実施形態を置き換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明による電源を組み込んだ埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）の一実施形態の概略図である。
【図２】図１のＩＭＤとともに使用するための本発明による電源の概略回路図である。
【図３】本発明による第１実施形態の電源の概略図である。
【図４】本発明による第２実施形態の電源の概略図である。
【図５Ａ】本発明による第３の代替実施形態の電源の断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの実施形態の変形形態の断面図である。
【図５Ｃ】内部並列接続を含む図５Ａの電源の斜視図である。
【図６】本発明による第４実施形態の電源の上面図である。
【図７】第５実施形態の電源を組み込んだＩＭＤの断面図である。
【図８】第６実施形態の電源の概略図である。
【図９】従来の平衡化電池の放電曲線を示すグラフである。
【図１０】図８の電源とともに使用するためのアノード制限電池の放電曲線を示すグラフである。
【図１１】本発明のもう１つの実施形態による電源を組み込んだ埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）の概略ブロック図である。
【図１１Ａ】図１１のＩＭＤの制御回路の詳細図である。
【図１２】図１１のＩＭＤと外部データ処理デバイスとの通信機能を示す。
【図１３】本発明の一実施形態による図１１のＩＭＤの電源の詳細図である。
【図１４】本発明のもう１つの実施形態による図１３のＩＭＤの電源のもう１つの詳細図を示す。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ  電源／回路部の構成
Ｂ  電源／回路部の構成
Ｃ  電源／回路部の構成
Ｄ  電源／回路部の構成Ｄ
Ｅ  電源／回路部の構成
２０  埋め込み可能医療デバイス（「ＩＭＤ」）
２２  人間の心臓
２３  密封格納部ケース
２４  電気リード線
２６  電気リード線
２８  電気リード線
３０  マルチポートコネクタブロック
３８  電極コイル
４０  皮下電極
４２  電極の位置
４４  螺旋状刺激電極
５４  電源
５４Ａ  電源
５４Ｂ  電源
５４Ｃ  電源
５４Ｄ  電源
５４Ｅ  電源
５６Ａ  回路部
５６Ｂ  回路部
５６Ｄ  回路部
５６Ｅ  回路部
６０Ｃ  高レートセル
６０Ｄ  高レートセル
６０Ｅ  高レートセル
６２Ｃ  低位レートセル
６２Ｄ  低位レートセル
６２Ｅ  低位レートセル
７０  スイッチ
８４  共通電解質
９０  リザーバペレット
９２  リチウム本体
９４  ケース
９６  電解質
９８  アノード
１００  カソード
１０２  巻回
１０４  第２導電性タブ
１０６  コネクタ
１０８  フィードスルーピン
１１０  ケース
１１２  ＩＭＤ
１１４  ケース
１１６  回路
１２０  曲線
１２２  曲線
１２４  第１電圧プラトー
１２６  点線
１３０  電圧曲線
１３２  充電時間曲線
１３４  第１電圧プラトー
１３６  第２電圧プラトー
２００  埋め込み可能医療デバイス（ＩＭＤ）
２３２  無線通信媒体
【図１】
2009535180.tif 000003
【図２】
2009535180.tif 000004
【図３】
2009535180.tif 000005
【図４】
2009535180.tif 000006
【図５Ａ】
2009535180.tif 000007
【図５Ｂ】
2009535180.tif 000008
【図５Ｃ】
2009535180.tif 000009
【図６】
2009535180.tif 000010
【図７】
2009535180.tif 000011
【図８】
2009535180.tif 000012
【図９】
2009535180.tif 000013
【図１０】
2009535180.tif 000014
【図１１】
2009535180.tif 000015
【図１１Ａ】
2009535180.tif 000016
【図１２】
2009535180.tif 000017
【図１３】
2009535180.tif 000018
【図１４】
2009535180.tif 000019
【国際調査報告】
2009535180.tif 000020
2009535180.tif 000021
2009535180.tif 000022