(57)【要約】本発明の１つ以上の構成は、イオンビームと加工物との相対的方位を決定する測定コンポーネントに関する。この測定コンポーネントは、イオン放射に敏感でかつ測定コンポーネントとイオンビームとの相対的方位を可能にし、イオンビームに対して測定コンポーネントを移動させて正確に測定する。測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、加工物とイオンビームとの相対的方位が確定される。イオンビームと加工物との相対的方位を知ることにより、加工物が、測定されたビーム角度に対する特定の角度に方向付けられ、加工物のより正確なドーピングにより半導体の製造を向上させる。
2009517849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビーム内を走行するイオンが、選択された位置で加工物に衝突するように、前記加工物を前記イオンビームに対して位置決めするために構成されたエンドステーションに連動する測定コンポーネントを含み、
該測定コンポーネントは、前記イオンビームと前記加工物との相対的方位を容易に決定することを特徴するイオン注入を補助する装置。
【請求項２】
前記測定コンポーネントは、
イオンビームとの相対的方位によって前記イオンビームが通過する量を変えることができるマスクと、
該マスクの後方に位置するイオン検出部とからなり、
前記イオンビームが前記マスクを通過した後に、前記イオンビームの変化する量が前記イオン検出部に衝突することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記マスクは、イオンビームの通過する量を変えることができるそれぞれのスロットによって分離された複数の刃先を含み、前記イオンビームの変化する量は、これらの刃先と前記イオンビームとの間の相対的方位によることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記イオンビームは水平リボンビームまたは発散したリボン状ビームであり、これらのリボンビームの垂直曲げ角度を測定するために用いられることを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのスロットは、約１〜１０ｍｍの間隔で複数の刃先を分離し、前記刃先は、約５〜５０ｍｍの長さを有することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物を水平軸の回りに傾斜すること、
さらに、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物の表面に直交する軸回りに前記加工物をねじ曲げること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、リボン状ビームの垂直曲げ角度の調整すること、の少なくとも１つを有することを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項７】
前記測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物を水平軸の回りに傾斜すること、
さらに、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、前記加工物の表面に直交する軸回りに前記加工物をねじ曲げること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、リボン状ビームの垂直曲げ角度の調整すること、の少なくとも１つを有することを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項８】
イオンを発生するためのイオン源と、
このイオン源によって発生したイオンからイオンビームを生じさせ、そして、走行経路に沿ってイオンを方向付けるためのビームラインアセンブリと、
イオンビーム内で走行するイオンが選択した位置で加工物に衝突するように、前記走行経路に対して加工物を位置付けるためのエンドステーションと、
前記イオンビームと前記加工物との間の相対的方位を決定するように前記エンドステーションに連動する測定コンポーネントと、を含むことを特徴とするイオン注入システム。
【請求項９】
前記測定コンポーネントは、イオンビームとの方位に応じて、加工物に衝突するイオンビームの強さを測定し、前記測定コンポーネントと前記イオンビームとの間の方位が衝突する前記イオンビームに対する測定ツールを移動させることによって確定することを特徴とする請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
前記測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、前記加工物とイオンビームとの間の相対的方位が、確定されることを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記測定コンポーネントは、エンドステーションのコンポーネントと関連付けられ、加工物が、前記エンドステーションに関連して作動することを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記測定コンポーネントは、
イオンビームとの相対的方位によってイオンビームの通過する量を変えることができるマスクと、
該マスクの後方に位置するイオン検出部とからなり、
前記イオンビームが前記マスクを通過した後に、前記イオンビームの変化量が前記イオン検出部上に衝突することを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記マスクは、イオンビームの通過する量を変えることができるそれぞれのスロットによって分離された複数の刃先を含み、前記イオンビームの変化する量は、これらの刃先と前記イオンビームとの相対的方位によることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記イオン検出部は、イオンビームが衝突する量を示す電流を出力することを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
少なくとも１つの刃先は、グラファイトからなり、前記スロットは、約１〜１０ｍｍの間隔で複数の刃先を分離し、前記刃先は、約５〜５０ｍｍの長さを有することを特徴とする請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
加工物が、測定コンポーネントと加工物との既知の関係に基づいて、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、水平軸の回りに傾斜されること、
さらに、前記加工物が、垂直方向に曲げられるリボン状ビームに対する前記加工物の所望の方位を確定するために、１つの軸回りにねじ曲げられること、
前記測定コンポーネントと前記加工物との既知の関係に基づいて、イオンビームに対する加工物の所望の方位を確定するために、リボン状ビームの垂直曲げ角度が調整されること、の少なくとも１つを有することを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１７】
イオンビームによってイオンが加工物内に注入され、前記加工物へのより正確なドーピングを行うために、前記イオンビームと前記加工物との相対的方位を確定するための方法であって、
前記加工物に対する既知の関係を有する測定コンポーネントに前記イオンビームを指向させ、
衝突するイオンビームに対して測定ツールを移動し、
前記イオンビームが前記測定コンポーネントに対する特定方位を有するときに、前記イオンビームと前記加工物の相対的方位を確定することを特徴とする方法。
【請求項１８】
さらに、前記加工物と前記測定コンポーネントとの既知の関係と、前記測定コンポーネントと前記イオンビームとの前記決められた方位とが与えられて、前記加工物をイオンビームに対して指向させることを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
水平軸の回りに加工物を傾斜させること、
垂直軸回りに前記加工物をねじり曲げること、
前記イオンビームの垂直曲げ角度を調整すること、の少なくとも１つによって、前記加工物を前記イオンビームに対して指向させることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記イオンビームが前記加工物に直接衝突する方向に、前記加工物と前記イオンビームが配置されるように、イオン注入システムのゼロ角度を設定することを特徴とする請求項１９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、イオン注入システムに関し、特に、加工物に対するイオンビームの方位を確定しかつ角度誤差を補正するように構成された機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入システムは、集積回路の製造において、ドーパント又は不純物を用いて、半導体基板にドーピングするために利用される機構である。このようなシステムにおいて、ドーパント材料はイオン化され、そこからイオンビームが生成される。イオンビームは、ドーパント元素をウエハに注入するために、半導体ウエハの表面に向かう。イオンビームのイオンは、ウエハの表面を貫き、所望の導電率の領域を形成する。一般的なイオン注入装置は、イオンビームを発生させるイオン源、磁界を用いてイオンビーム内のイオンを方向付けおよび／またはフィルタ処理（たとえば、質量分析）するための質量分析器を含むビームラインアセンブリ、及びイオンビームによって注入される１つ以上の半導体ウエハ又は加工物を収容するターゲットチャンバを含んでいる。
【０００３】
イオン注入装置は、シリコン基板内に注入されるドーパントの量または濃度を調整できるので利点がある。特に、所定の利用に対する所望の注入を達成するために、注入されるイオンの線量及びエネルギーを変えることができる。イオン線量は、所定の半導体材料に対する所望の注入濃度を制御する。一般的に、高電流イオン注入機は、高い線量の注入に用いられ、一方、中電流イオン注入機は、低い線量の利用のために用いられる。イオンエネルギーは、半導体素子の接合深さを制御するのに用いられ、ここで、ビームイオンのエネルギーレベルにより、イオンが注入される度合いまたは注入されたイオンの深さを決定する。
【０００４】
商業的に利用されるイオン注入装置は、注入室から離れたイオン源室を含むイオン源を用い、ここで、１つ以上の加工物がイオン源からのイオンによって処理される。イオン源室に設けた出口開口は、イオンがイオン源から排出することができ、その結果、これらのイオンが整形され、分析され、そして、加速されて、イオンビーイオンビームを形成する。
【０００５】
イオンビームは、排気されたビーム経路に沿ってイオン注入室に向かい、この注入室で、イオンビームが１つ以上の加工物、一般的に円形ウエハに衝突する。このイオンビームは、イオンが注入室内でウエハに衝突して、ウエハを貫通するのに十分なエネルギーを有する。このように選択的なイオン注入により、集積回路を製造することができる。
【０００６】
電子産業において、より小さく、より高いデバイス性能（例えば、携帯電話、デジタルカメラ等）を得るために、電子デバイスの縮小化傾向があり、これらの電子デバイスに用いられる集積回路（例えば、トランジスタ）は絶えず小型化されている。さらに、半導体基板、すなわち素子が形成される加工物は、より多くの素子を同時に製造するべき、その寸法が大きくなっている。単一の半導体基板またはその一部分（ダイとして知られている）により多くの素子を収納できる能力は、製造効率及び生産量を改善する。パック密度を増加させるために、半導体製造処理の一部分としてウエハ上またはウエハ内部に形成される素子の寸法を減少させることができる。そして、半導体基板のどの位置にドーパントを正確に付加できるかは、パック密度をうまく増加させるのに重要な役割を演ずる。例えば、与えられた縮小構造の寸法における半導体基板の選択された位置に、ドーパントイオンを注入することに関して、誤差のマージンをより小さくすることができる。従って、より正確なイオン注入を容易にする機構及び技術が望まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の基本的ないくつかの構成を理解するために、本発明の単純化した要約を以下に示す。この要約は、本発明の拡張された全体の概要を示すものではない。また、本発明の主要部、即ち、重要な部分を識別するためのものでもなく、本発明の範囲を正確に概説するためのものでもない。むしろ、第１の目的は、後で説明する詳細な説明の序文として単純化した形式で本発明の１つまたはそれ以上の概念を単に示すことである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つ以上の構成は、イオンビームと、このイオンビームによってイオンが注入される加工物との相対的角度を決定する測定コンポーネントに関する。この測定コンポーネントは、イオン放射に敏感であり、この測定コンポーネントをイオンビームに対して移動することによって、測定コンポーネントとイオンビームとの相対的方位を正確に決定できるようにする。測定コンポーネントは、加工物に対して既知の関係で指向され、その結果、加工物とイオンビームとの相対的方位が確定できる。このイオンビームと加工物との相対的方位を知ることによって、加工物のより正確なドーピングを可能にし、半導体製造を向上させる。
【０００９】
本発明の１つ以上の構成によれば、イオン注入を補助する装置が開示される。この装置は、イオンが選択された位置で加工物に衝突するように走行するイオンビームに対して、加工物の位置を決めるエンドステーションに関連して作動する。測定コンポーネントは、特に、イオンビームが特定の方位で測定コンポーネントに衝突するとき、加工物への既知の方位と検出とを有することにより、イオンビームと加工物との相対的方位の決定を容易にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上記および関連する目的を達成するために、以下の記載及び添付の図面により、本発明の詳細な例示的な構成及び本発明を実現するために説明される。これらは、本発明の１つ以上の構成を用いる種々の方法を例示しているにすぎない。
本発明の他の構成、利点、および新規な特徴は、添付する図面にとともに以下で詳細に説明される。
【００１１】
本発明の１つ以上の構成は、図面を参照して説明される。ここで、同等の参照番号は、同等の要素を指すために用いられるが、種々の構造が必ずしも寸法を同じにするものではない。説明の目的で、以下の記載では、本発明の１つ以上の構成を理解するために、多くの特定の構成例が説明されている。しかし、本発明の１つ以上の構成は、これらの特定の詳細をより少ない程度で示されていることが、当業者には明らかであろう。他の例において、良く知られた構造及び装置は、本発明の構成における説明を容易にするためにブロック図の形式で示されている。
【００１２】
上記で触れたように、半導体製造処理において、半導体ウエハ又は加工物は、荷電された粒子またはイオンで注入される。これらのイオンは、正電荷または負電荷による電気的特性を示す。これらの半導体処理に関連して用いられるとき、このようなイオン化された材料は、ドーピング用、またはイオン注入されるベースまたは他の層の電気的特徴を変えるためのドーパントと呼ばれ、所望の及び予想できる電気的振る舞いを有する層を生じさせる。
【００１３】
ベース層又は基板は、シリコンの結晶構造で構成されている。原子が結晶格子として知られている正規の形の３次元で配置されているとき、これらの材料は、結晶構造であると言われる。例としては、図１は、一般的に立方体を有する結晶格子構造１００の一部分を示す。特に、図示する例では、格子構造１００は、一般的に立方体の２７個（３×３×３）のセル１０２を有する。結晶の格子構造は、平面１１０内に存在し、これらの平面は、図示した例（ｘ、ｙ、ｚ方向）において互いに垂直である。しかし、この結晶構造は、ダイヤモンド形、ピラミッド形、六角形等の種々の異なる形状が可能である。
【００１４】
半導体製造において用いられるシリコンベース層は、ウエハ又は基板と呼ばれ、少なくとも部分的に生のシリコンからカットされる。特に、シリコンの単結晶の特別の形では、ブール(boules）として知られており、長く成長し、これをカットして薄いスライス（例えば、ウエハ）にする。半導体のドーピング処理の重要なパラメータは、基板内にドーパントイオンを注入するのに利用されるイオンビームと半導体材料の内部結晶格子構造との間の入射角度である。この入射角度は、他のものとの間のチャネリングとして知られる現象において役割を果たす。特に、図１に示すように、ドーパントイオン１０４のビームの方向が、結晶格子構造の（垂直）平面１１０に対して略平行である場合、平面間の空間を移動するイオンは、結晶原子に対する衝突がわずかであるので、ビームは、単位長さ当たりのエネルギー損失を減少させて結晶格子を通過できる。
【００１５】
このように、イオンは、特に、基板内（例えば、図１内の中央チャネル内）に深く注入される。また、他の面において、例えば、基板の非晶質(amorphization)の度合い、基板の原子量、及びイオンビーム内のイオンの質量および／またはエネルギー等によって、チャネリングが影響されることが理解できる。例えば、イオンビーム１０４内のイオンのエネルギーが大きければ大きいほど、イオンは、基板内に深く注入される。
【００１６】
図２において、例えば、イオンビーム１０４の方向は、結晶格子構造１００の（垂直）平面１１０に対して実質的に平行ではない。一方で、イオンビーム１０４内のいくつかのイオンは、結晶格子構造の一部分に衝突し、この格子構造を変化（損傷）させることがありえるであろう。その場合、イオンは、エネルギーを失い、矢印１０８で示すように、元の方向から速度を弱めて外れることになる。これにより、イオンが加工物のより浅い部分にとどまる。従って、チャネリングの緩和および／またはドーピングの局所化に対して、結晶格子構造に対して特定の方向にイオンビームを指向させることが望ましい。
【００１７】
チャネリングに加えて、シャドーイング(shadowing)は、公知のイオン注入の方位を発展させるために重要である。一般的に、サイズをより小さく、より強力な半導体素子を製造するために、シャドーイングは、電子産業界では、形状を絶えず縮小する傾向から生じている。しかし、ある例では、素子間の間隔が縮小されても、一方で、素子間の間隔縮小しても、その寸法高さを縮小させることはできない。一般的に、素子間の間隔縮小に加えて固定された寸法高さは、シャドーイングを増加させ、これにより、ドープされるウエハの一部分にドーパントイオンがないということはほとんどない。このようなシャドーイングは、ますます大きくなり、例えば、チャネリングを減少させるために、イオン注入角度が増加する。
【００１８】
図３を見ると、例えば、半導体基板、即ちウエハ３００の一部分の断面には、複数の特徴部３０２，３０４，３０６，３０８が形成され、そして、その間に各間隔３１０，３１２，３１４が形成されている。特徴部３０２，３０４，３０６，３０８は、抵抗材料から形成されて、ほぼ同一高さとなっている。
【００１９】
間隔３１０，３１２，３１４によって露出した基板３００の面積３２０，３２２，３２４は、イオン注入によりドープされることになる。従って、１つ以上のイオンビーム３３０がドーピングを実行するために基板３００に向けられる。しかし、イオンビーム３３０は、チャネリング効果を軽減するために基板３００の表面３４０に対してある角度に方向付けられている。いくつかのイオンビーム３３０は、特徴部３０２，３０４，３０６，３０８の一部分（例えば、角部）によって、いくつかのイオンがブロックされる。このため、基板面積３２０，３２２，３２４内の領域３５０，３５２，３５４は、ドーパントイオンを意図した量より少なく受け入れる。このようなシャドーイングは、不適当にドープされた素子のある領域を残す。従って、シャドーイングに関連した逆の作用が注入角度によって誇張されることになる。シャドーイング効果及びチャネリングを調整できるように、イオン注入の方位を知ることが望ましい。
【００２０】
チャネリング及びシャドーイングの上述の議論は、ウエハ表面および結晶表面に対するイオンビームの角度制御が、良い処理制御にとって重要であるという考えに役立つ。それゆえ、入射イオンの角度を測定するための方法があり、また、もし可能であれば、ウエハの結晶平面に対して測定技術が較正されるべきであることが重要である。シリコンウエハ上の注入への効果が、ウエハの多くの点で抵抗またはシード抵抗を測定するプローブを用いて電気的に測定される。また、マサチューセッツ州、ビレリカに在所するキューシー  ソリューションズ社（QC Solutions,Inc.）によって提供される表面フォト電圧技術を介して電気的に測定される。
【００２１】
代わりに、カリフォルニア州、94539  フレモントに在所するサーマ−ウエイブ社（Therma -Wave,Inc.）によって作られたサーモプローブを用いて測定することもできる。これらのものは、チャネリングが強力であり、後の測定技術は、特に結晶格子の損傷に対して敏感であり、ウエハ上でイオンが結晶平面にほぼ平行に移動することを決めるのに有効である。
【００２２】
図４は、本発明の１つ以上の構造に対してイオン注入が可能な注入システム４００を図示している。このシステム４００は、モジュラーガスボックス４０４、補助ガスボックス４０６、及びガスボックスの遠隔浄化用制御パネル４１０を含む。ガスボックス４０４，４０６は、特に、１つ以上のドーパント材料のガスを含み、このガスボックス４０４，４０６は、システム４００内の寿命延長イオン源４１２内にガスの選択的に配給することを容易にし、これにより、システム４００内に選択的に配置されるウエハまたは加工物にイオンを注入するために、ガスは、適切なイオンを発生するようにイオン化される。ガスボックスを遠隔操作する制御パネル４１０は、必要とされる又は所望の基準で、システム４００からガスまたは他の物質の換気または排出を行う。
【００２３】
また、高電圧の電力供給ターミナル４１６及び高電圧の絶縁変圧器４１８が設けられ、特に、ガスからイオンを発生するためにドーパントガスにエネルギーを電気的に与える。イオンビーム引出アセンブリ４２０は、イオン源４１２からイオンを引出し、質量分析磁石４２６を有するビームラインアセンブリ４２４内でイオンを加速することを含んでいる。質量分析磁石４２６は、不適当な電荷質量比のイオンを分離または排除するように作動する。特に、質量分析磁石４２６は、側壁を有するビームガイド４２８を含み、質量分析磁石４２６の磁石によって発生した１つ以上の磁界によってビームガイド４２８の中を通って伝播させるとき、このビームガイドの側壁に不適当な電荷質量比のイオンを衝突させる。
【００２４】
わずかな角度で左右にビームを偏向させるスキャナー４２９は、ビームが大径のターゲットに拡がるようにする。スキャン角度補正レンズ４３０は、固定のファクターでビームを加速し、そして、ビーム速度の発散成分を除く。その結果、イオンは、このレンズを通過後、ほぼ平行に移動する。加速／減速段４３２は、イオンビーム内のイオンの速度を制御及び調整および／または集束を補助することを含む。コンポーネント４３４は、最終のエネルギーフィルタ等の汚染粒子をろ過するように動作可能である。
【００２５】
ウエハまたは加工物４４０は、イオンを選択的にイオン注入のためのエンドステーション室４４２に載置される。機械的なスキャン駆動部４４４は、ビームが選択的に衝突するようにエンドステーション室内のウエハを操作する。このスキャン駆動部は、制限されていない多数の注入角度を容易にするために、例えば、１つ以上の軸回りに１つ以上のウエハ４４０（例えば、シリアル注入）を保持する加工物ホルダー４４６を操作する。ウエハまたは加工物４４０は、ウエハ取扱システム４４８によってエンドステーション室４４２内に移動される。このウエハ取扱システムは、例えば、１つ以上の機械的アームまたはロボットアーム４５０に含む。
【００２６】
オペレータ操作盤４５２は、システム４００の１つ以上のコンポーネントを選択的に制御することによって、オペレータがイオン注入処理を調整できるようにする。最終的に、電力供給ボックス４５４は、電力をシステム４００全体に供給することを含む。レイ（Ray）に付与された米国特許第４，９７５，５８６号の明細書には、例示的なエンドステーション４４２及びそのコンポーネントがわずかではあるが詳細に開示され、エンドステーションは、多数軸回りに操作可能なウエハ支持体またはホルダーを有する。この特許の全体は、参考としてここに包含される。
【００２７】
本発明の１つ以上の構成によれば、測定コンポーネント４６０は、システム４００に関連して作動し、イオンビームと加工物４４０との間の相対的方位を決定することを容易にし、イオンビームのイオンが加工物に注入される。特に、測定コンポーネント４６０は、スキャンアーム等のエンドステーション４４２内のコンポーネントに関連し、エンドステーション上で、加工物はイオン注入される。測定コンポーネント４６０は、加工物に対して既知の方位で取付られ、その結果、イオンビームと測定コンポーネントとの間の方位が確定すると、イオンビームと加工物との間の方位も確定することができる。
【００２８】
図５,６,７をみると、本発明の１つ以上の構成に従う測定コンポーネントの作動及び形状の例示が示されている。図５は、例示的なエンドステーション５００の断面図であり、ここで、測定コンポーネント５０２は、本発明の１つ以上の構成に従って配置することができる。図６は、エンドステーション５００の同様な断面図であり、このエンドステーションの各部品は、本発明の１つ以上の構成にとって重要であるが、単に図示されているにすぎない。図７は、例示的な測定コンポーネント５０２を概略説明するもので、本発明の１つ以上の構成に従うエンドステーション５００内に取り付けることができる。
【００２９】
図５,６に示すように、平行化されたイオンビーム５０４は、一般的に曲げられ、例えば、イオンビームは加工物に注入される前に、垂直方向に対して約１５°の曲げ角度５０６となる。特に、イオンビームは、水平なリボン形状であり、またはスキャンされるリボン状のビームである。これらのビームは、曲げることができ、その結果、例えば、曲げられたエネルギー汚染物質は、加工物に衝突しない。静電および／または磁気的技術が用いられてイオンビームを曲げる。しかし、ビームが実際に曲げられる量は、意図する以上にごくわずかである。ここに記載するように測定コンポーネント５０２を用いると、イオンビーム５０４の軌道に関して正確に確かめられるイオンビームに対して、ウエハの方位を可能にすることによって、これらの変動の影響を取り除く。
【００３０】
測定コンポーネント５０２は、スキャンアーム５１０等のエンドステーション内のコンポーネントに取り付けられる。このアーム上に、加工物５１２はイオン注入のために載置される。このように、測定コンポーネント５０２は、加工物５１２に対して既知の方位に位置付けられる。例えば、測定コンポーネント５０２の表面５１４は、加工物５１２の表面５１８に対してある角度５１６に配置することができる。同様に、測定コンポーネント５０２は、このコンポーネント５０２の表面５１４に直交する方向５２０が加工物５１２の表面５１８に対して既知の角度５２２である。いずれにせよ、加工物に対する測定コンポーネント５０２の方位は、既知であり、このため、測定コンポーネント５０２に対するビーム５０４の方位が決定されると、加工物５１２に対するビーム５０４の方位が決定される。
【００３１】
測定コンポーネント５０２は、加工物５１２に対する方位が変更されないように、特にスキャンアーム５１０に取り付けられ、加工物５１２および／または測定コンポーネント５０２が操作される。測定コンポーネント５０２は、例えば、スキャンアーム５１０に対して１つ以上の強固なブラケット５２６に取り付けることができる。しかし、加工物５１２に対する測定コンポーネントの方位は、例えば、ねじ、ナット、ボルトまたはその他の締結機構（図示略）により調整可能であり、そして、一旦、測定コンポーネント５０２が調整されると、同一の締結機構を再固定する。
【００３２】
ビーム５０４に対する測定コンポーネント５０２の方位を決定するために、測定コンポーネント５０２は、スキャンアーム５１０を旋回させるなどにより、ビームに対して操作され、スキャンアームに対して測定コンポーネント５０２が、水平軸回りに取り付けられる。これにより、アームの上方端５３２及び下方端５３４が、対向する方向５３６,５３８において、後方及び前後に傾斜させる。そして、測定コンポーネント５０２がスキャンアーム５１０に固定されているので、測定コンポーネント５０２に、イオンビーム５０４を通過させる。この測定コンポーネント５０２は、イオン放射に敏感であり、イオンビームと測定コンポーネントとの方位に基づき、イオン放射の変化量を検出する。
【００３３】
図７おいて見られるように、測定コンポーネント５０２は、グラファイトで作られたマスク５４０を含み、このマスクは、スロット５４４によって離間した複数の刃先(歯状体又は櫛歯)（tines）５４２を有する。このようなイオン検出部５４６は、例えば、ファラデーカップからなり、マスク５４０の後方、即ち下流に配置される。複数の刃先５４２は、長さＬ５５０を有し、間隔Ｄ５５２によって分離されている。このため、イオンビーム５０４がスロット５４４と共軸ではなく、即ち、測定コンポーネント５０２の表面に対して直交５２０でないとき、いくつかのイオンビームは、刃先５４２によって阻止され、それゆえ、測定コンポーネント５０２の放射検出部５４６に到達できない。１つの例では、刃先５４２は、約５〜５０ｍｍの長さＬ５５０を有し、スロット５４４は、約１〜１５ｍｍの間隔Ｄ５５２によって刃先５４２を分離する。
【００３４】
測定コンポーネント５０２の放射検出部５４６は、これに衝突するイオンビームの量を示す電流を出力する。従って、イオンビーム５０４の変化する量は、マスク５４０とイオンビーム（固定の）５０４との相対的方位によってマスク５４０を通過することができるので、上記電流は、測定コンポーネント５０２によって出力され、特に、放射検出部５４６が、測定コンポーネント５０２に対するイオンビーム５０４の配列（例えば、ビーム角度）に応じて変化する。ピーク電流は、このイオンビームが、マスク５４０に整合または測定コンポーネント５０２に対して直交する方向５２０に平行となっていることを示す。加工物５１２に対する測定コンポーネント５０２の方位（角度）は、既知であるので、加工物５１２に対するイオンビーム５０４の方位は、例えば、オフセット角度５１６を単に加算または減算することによって容易に決定することができる。質量中心の計算および／またはカーブ設定は、ビームが測定コンポーネント５０２に直接衝突するときに決定するように、イオンビーム５０４が通過する測定コンポーネント５０２を移動させながら、多数の電流値を読み取ることによって実行される。
【００３５】
加工物５１２に対するイオンビーム５０４の既知の方位に従って、加工物５１２は、例えば、チャネリングおよび／またはシャドーイングを考慮して、所望のドーピングを達成するように調整することができる。加工物５１２は、例えば、スキャンアーム５１０をスライド５６０または下降５６２させることができ、また、軸心５３０の回りに方向５３６及び５３８の方向へ、水平軸回りに旋回又は傾斜することもできる。これにより、加工物５１２をイオンビーム５０４に対して望ましい方向に整合させることおよび／または加工物上の種々の位置に選択的にイオン注入を行うための望ましい１つ以上の注入角度を取ることができる。さらに、イオンビームに対する加工物の所望の方位を達成するために、加工物は、加工物の中心５６６で表面に対して直交する軸回りにねじ曲げることができる。このような加工物５１２の動きは、微調整可能な機構を用いて正確に実行することができる。
【００３６】
本発明を１つ以上の実施例に関して図示しかつ記載してきたが、この明細書と添付された図面とを読んで理解すると、他の同業者にも同等の変更や修正を見出すことができるであろう。本発明は、このような修正例及び変形例の全てを含み、また、特許請求の範囲によってのみ制限される。特に上述の構成要素（アセンブリ、装置、回路、システム等）によって実行される種々の機能に関して、そのような構成要素を説明するために使用される用語（「手段」に対する参照を含めて）は、他に表示されていなければ、たとえ開示された構成に構造的に同等でなくても、本発明のここで図示された例示的実施においてその機能を果たすものであれば、説明された構成要素の特定された機能を実行する（即ち、機能的に同等である）いずれかの構成要素に相当するものと意図されている。
【００３７】
更に、本発明の特定の特徴が幾つかの実施の内のただ一つに対して開示されてきたものであるが、そのような特徴は、いずれかの或る又は特定の用途にとって望ましくかつ有利な他の実施形態における一つ以上の特徴と組み合わせられるものである。更に、「含む」、「含んでいる」、「有する」、「有している」及びそれらの変形が詳細な説明か特許請求の範囲のいずれかで使用されている限り、これらの用語は、用語の『構成されている』と同様に包含されるものであると理解すべきである。
また、ここで用いられる「典型的」は、最善のものというよりも、単に一例であることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】イオンビームが格子構造の平面にほぼ平行な格子構造に向けられる結晶格子の一部を例示する斜視図である。
【図２】イオンビームが格子構造の平面に平行でない格子構造に向けられる、図１と同様な結晶格子の一部を例示する斜視図である。
【図３】距離を変えることによって分離され、かつイオン注入中に角度を変えることでシャドー効果を与えるように形成された特徴を有する半導体基板の一部分を示す断面図である。
【図４】本発明の１つ以上の構成において、イオン注入が実行される基本的なイオン注入システムを示す図である。
【図５】本発明の１つ以上の構成において、イオン注入が実行されるエンドステーションを図示する概略図である。
【図６】本発明の１つ以上の構成に従って、より重要な構成である、図５に図示したエンドステーションを示す概略図である。
【図７】本発明の１つ以上の構成に従う測定コンポーネントを図示する概略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【国際調査報告】
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