(57)【要約】  照明アセンブリは、電気絶縁層（４０）により分離される第１および第２の電気伝導層（３２、３６）を有する基材を含む。絶縁層は、熱伝導性粒子（４２）が充填されたポリマー材料を含む。少なくとも一部の熱伝導性粒子（４２）は、第１および第２の電気伝導層（３２、３６）の両方に同時に接触する。ＬＥＤ（２０）または他の小型の光源などの複数の光源が、第１の伝導層（３２）上に好ましくは配置される。
2009530832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁層によって分離される第１および第２の電気伝導層を含む基材、前記絶縁層は熱伝導性粒子が充填されたポリマー材料を含み、前記熱伝導性粒子の少なくとも一部は前記第１および第２の電気伝導層の両方に同時に接触する、並びに
前記第１の伝導層上に配置される複数の光源
を含む照明アセンブリ。
【請求項２】
前記光源がＬＥＤ、レーザーダイオード、およびＯＬＥＤからなる群から選択される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記熱伝導性粒子がチタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化チタン、チタン酸鉛ジルコニウム、ホウ素、窒化ホウ素、ダイアモンド、アルミナ、ベリリウム、シリコン、並びにこれらの任意の炭化物、酸化物、および窒化物からなる群から選択される粒子を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記絶縁層の前記ポリマー材料中に充填され誘電率が少なくとも１００である誘電体粒子をさらに含み、前記誘電体粒子が前記第１および第２の電気伝導層の両方に同時には接触しない、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記熱伝導性粒子が前記絶縁層中に不均一に分散される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記熱伝導性粒子が前記光源の付近に集中する、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記熱伝導性粒子が前記第１および第２の電気伝導層の少なくとも１つを変形させる、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記熱伝導性粒子が前記第１および第２の電気伝導層の少なくとも１つによって変形される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記第１および第２の電気伝導層の少なくとも１つが箔を含む、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記第１の電気伝導層がパターニングされて１以上のトレースを形成する請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記第２の電気伝導層がヒートシンクを含む、請求項１に記載の照明アセンブリ。
【請求項１２】
ヒートシンクおよび
前記ヒートシンクと前記第２の伝導層との間に配置される熱界面材料層を組み合わせた、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１に記載のアセンブリを含む、ディスプレイ用バックライト。
【請求項１４】
電気絶縁層によって分離される第１および第２の電気伝導層を含む基材であって、前記絶縁層が前記第１および第２の電気伝導層の両方に同時に接触する熱伝導性粒子を含む基材を供給すること、
前記第１の電気伝導層をパターニングすること、および
前記パターニングされた第１の電気伝導層上に複数の光源を設けることを含む照明アセンブリを製造する方法。
【請求項１５】
前記供給する工程が、
前記第２の電気伝導層上に電気絶縁性ポリマー材料の層を適用すること、
前記ポリマー材料の層上に前記熱伝導性粒子を適用すること、および
前記第１の電気伝導層を前記熱伝導性粒子の上に積層して、前記熱伝導性粒子を前記第１および第２の電気伝導層の両方と同時接触させることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
電気絶縁性のポリマー材料の層を適用することが、前記ポリマー材料に前記電気絶縁性ポリマー材料の層の厚さよりも小さい粒子を充填することを含み、前記粒子の誘電率が少なくとも１００である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記熱伝導性粒子を適用することが、前記熱伝導性粒子をあるパターンで適用することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記供給する工程が、
中に分散された前記熱伝導性粒子を有する電気絶縁性ポリマー材料の層を、前記第１または第２の電気伝導層の少なくとも１つの上に適用すること、および
前記第１の電気伝導層を前記熱伝導性粒子上に積層して、前記熱伝導性粒子を前記第１および第２の電気伝導層の両方と同時接触させることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記供給する工程が前記基材のロールを巻き戻すことを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
基材を間隔をもって切断して、複数の照明アセンブリストリップ、パネル、または照明ユニット内への搭載に好適な他の形状を提供することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、かなりの熱を生成する電子装置、そして特に光源、たとえば発光ダイオード（ＬＥＤ）装置に関し、またそれを液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）装置、そのコンポーネントと用いること、並びに関連する物品およびプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは光源の選択としては望ましく、その理由は一部には、それらのサイズが比較的小さく、低電力／低電流要求であり、応答時間が速く、長寿命であり、パッケージングが堅固であり、種々の出力波長が利用可能であり、また最新の回路構成と適合するからである。これらの特徴があるために、それらが過去数十年に渡って、多数の異なる最終用途の応用例において広範囲に用いられてきたことを説明することは容易であろう。ＬＥＤに対する相次ぐ改良が、効率、明るさ、および出力波長の領域においてなされ、潜在的な最終用途の応用例の範囲がさらに拡がっている。
【０００３】
最近、ＬＥＤは、ＬＣＤテレビジョン装置におけるバックライティングを目的とした照明ユニット、並びに他のタイプの照明、標識、およびディプレイシステムにおいて使用され始めている。ほとんどの照明応用例において、必要な光の強度を供給するために複数のＬＥＤを設ける必要がある。それらのサイズが比較的小さいために、複数のＬＥＤを組み立てて、寸法が小さく高輝度または高照度を有するアレイにすることが、特に未パッケージまたはベアダイのＬＥＤを用いる場合に可能である。
【０００４】
ＬＥＤのアレイの光密度を増加させることは、アレイ内の個々のＬＥＤの充填密度を増加させることによって可能である。充填密度を増加させることは、アレイ内のＬＥＤの数を増加させることを、アレイが占有するスペースを増加させることなく行なうか、またはアレイ内のＬＥＤの数を維持してアレイ寸法を減少させることによって、可能である。しかし、多数のＬＥＤをアレイ内に密に詰めることは、長期信頼性に関して懸念が残るが、それは、局所加熱の発生があると、たとえ全体的に効率的な熱伝導メカニズムがあったとしても、ＬＥＤの寿命が短くなる可能性があるからである。そのため、ＬＥＤのアレイによって生成する熱を放散させることが、ＬＥＤの充填密度が増加するにつれて、ますます重要になってくる。
【０００５】
他の応用例では、たとえ充填密度が高くはない例であったとしても、駆動電圧／電流、ＬＥＤダイのサイズおよび明るさが増加しており、その結果、ＬＥＤダイの周りの局所温度が増加している。結果として、各ＬＥＤダイの場所において並びにアレイ全体に渡って、熱放散を高めることが求められている。
【０００６】
従来のＬＥＤ搭載技術では、パッケージとして、米国特許出願公開第２００１／０００１２０７Ａ１号（清水（Shimizu）ら）に例示されるようなものを用いており、このパッケージでは、ＬＥＤ内で生成された熱をＬＥＤから遠くへ迅速に運ぶことはできない。その結果、装置の性能は制約されてしまっている。最近、熱的に改善されたパッケージが利用できるようになっており、このパッケージでは、ＬＥＤの取り付けおよび接続が、電気絶縁性だが熱伝導性の基材（たとえばセラミックス）上で行なわれているか、または熱伝導性ビアのアレイを用いて行なわれているか（たとえば、米国特許出願公開第２００３／０００１４８８Ａ１号（サンダール（Sundahl）））、またはリードフレームを用いて、熱伝導性で電気伝導性の熱輸送媒体に取り付けられたダイに電気的に接触している（たとえば、米国特許出願公開第２００２／０１１３２４４Ａ１号（バーネット（Barnett）ら））。熱特性が改善された照明アセンブリが、米国特許出願公開第２００５／０１１６２３５Ａ１号（シュルツ（Schultz）ら）に開示されており、ここでは、照明アセンブリには複数のＬＥＤダイが含まれ、ＬＥＤダイは基材上に配置され、基材の第１の面には電気絶縁層が設けられ、基材の第２の面には電気伝導層が設けられている。各ＬＥＤダイは、基材の第１の面にある電気絶縁層を通って基材の第２の面にある電気伝導層へと延びるビア内に配置され、各ＬＥＤダイは、ビアを通して電気伝導層に熱的および電気的に接続されている。電気伝導層はパターニングされて、複数の電気的に絶縁された熱拡散要素を規定し、熱拡散要素は、熱放散アセンブリに隣接して順に配置されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
最近のアプローチによってＬＥＤアレイの熱特性は改善されているが、熱特性の改善、コストの低下、および製造プロセスの簡略化が、引き続き求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本出願では、とりわけ、電気絶縁層によって分離される第１および第２の電気伝導層を有する基材を含む照明アセンブリを開示する。絶縁層には、熱伝導性粒子が充填されたポリマー材料が含まれる。熱伝導性粒子の少なくとも一部は、第１および第２の電気伝導層の両方に同時に接触する。複数の光源は、第１の伝導層に好ましくは配置される。熱伝導性粒子がもたらす熱インピーダンスは、電気絶縁層に絶縁層厚さよりも実質的に小さい粒子を充填したものよりも低い。
【０００９】
代表的な実施形態においては、熱伝導性粒子はＬＥＤダイの付近に分散されている。いくつかの実施形態においては、第１および第２の電気伝導性の箔および電気絶縁層は、基材の光学特性を制御するように変更される。また絶縁層は、同じポリマー材料に両方の電気伝導層と電気的に接触している高比誘電率の粒子を充填させたものを含んでも良い。少なくとも一部の誘電体粒子が、第１および第２の電気伝導層の両方に同時に接触することで、実効誘電率として、誘電体層に誘電体層厚さよりも実質的に小さい粒子を充填することで得られる誘電率よりも高いものが生じる。
【００１０】
本願のこれらの態様および他の態様は、以下の詳細な説明から明らかとなろう。しかし上記概要は、請求された主題に関する限定として決して解釈されるべきでなく、主題は、添付の特許請求の範囲によってのみ規定され、出願手続き中に補正されても良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の説明では、ＬＥＤダイを含む照明アセンブリについて記述する。この点に関して、「発光ダイオード」または「ＬＥＤ」は、光（可視、紫外線、または赤外線にかかわらず）を放出するダイオードを指す。これには、容器に入れられる（encased）かまたは封入される、「ＬＥＤ」として販売されるインコヒーレントな半導体装置が含まれ、これは、従来型またはスーパーラジエントの種類であるか、前方発光型または側方発光型の種類であるかによらない（なお後者は、ディスプレイ応用例において優位であることが多い）。ＬＥＤが紫外線などの非可視光線を発する場合、およびＬＥＤが可視光線を発する特定の場合、ＬＥＤは有機または無機燐光体を含むようにパッケージ化され（または遠隔配置された燐光体を照射することができ）て、短波長の光を長波長の可視光線に変え、特定の場合には白色光を発する装置を実現する。「ＬＥＤダイ」は、最も基本的な形態、すなわち半導体加工手順によって製造される個々の構成要素またはチップの形態のＬＥＤである。たとえば、ＬＥＤダイは通常、１以上のＩＩＩ族元素の組み合わせと１以上のＶ族元素の組み合わせとから形成される（ＩＩＩ−Ｖ半導体）。好適なＩＩＩ−Ｖ半導体材料の例には、窒化物（ガリウム窒化物など）、およびリン化物（インジウムガリウムリンなど）が含まれる。他のタイプのＩＩＩ−Ｖ族材料も使用可能であり、また同様に、周期表の他の族の無機物質も使用可能である。構成要素またはチップは、デバイスを作動させるための電力の印加に適した電気接点を含むことができる。例には、ハンダリフロー、ワイヤーボンディング、テープ利用自動ボンディング（ＴＡＢ）、またはフリップチップボンディングが挙げられる。構成要素またはチップの個々の層およびその他の機能的要素は、通常、ウェハスケールで形成された後、仕上がったウェハは個々の小片部に切られて、多数のＬＥＤダイとなることができる。ＬＥＤダイは、表面実装、チップオンボード、または他の既知の実装構成用に構成しても良い。パッケージされたＬＥＤの中には、ポリマー封入材を、ＬＥＤダイおよび付随するリフレクタカップ上に形成することによって作製されるものがある。
【００１２】
次に図１を参照して、照明アセンブリ１０の一部の斜視図を例示する。照明アセンブリ１０には、複数のＬＥＤダイ２０が含まれ、これらは基材３０上にアレイで配置されている。ＬＥＤダイ２０は、赤、緑、青、紫外線、または赤外線スペクトル領域など、好ましい波長を発するように選択できる。ＬＥＤダイ２０はそれぞれ、同じスペクトルの領域において発光することもできるし、異なるスペクトルの領域で発光することもできる。場合によっては、ＬＥＤダイ２０は公称上、２５０μｍの高さである。
【００１３】
基材３０には、基材の最上面３４を規定する第１の電気伝導層３２と、基材３０の底部表面３８を規定する第２の電気伝導層３６とが含まれる。第１および第２の電気伝導層３２、３６は、電気絶縁層４０によって分離されており、電気絶縁層４０は、電気絶縁性の熱伝導性粒子４２（図３〜７に例示される）によって熱伝導度が向上している。例示したように、第１の電気伝導層３２はパターニングされて、電気回路トレース４１を形成しており、ＬＥＤダイ２０は、第１の伝導層３２上に配置されてこの層に電気的に接続されている。例示した回路トレース４１は例示に過ぎない。
【００１４】
図１の照明アセンブリ１０において、ＬＥＤダイ２０は、電気接点がＬＥＤダイの対向する面（ダイの底面および上面と言われる）上にあるタイプである。各ＬＥＤダイ２０の底面上の接点は、ＬＥＤダイ２０のすぐ真下の回路トレース４１に電気的および熱的に接続されている。各ＬＥＤダイ２０の最上部上の接点は、回路トレース４１の別の部分に電気的に接続されることが、ＬＥＤダイ２０から延びるワイヤーボンド３９によってなされている。良好なワイヤーボンディングが容易に行なえるように、第１の伝導層３２はたとえば、ニッケルおよび金の表面メタライゼーションを含むことができる。
【００１５】
第１および第２の電気伝導層３２、３６には、金属または伝導性プラスチック（たとえば、銀フレークなどの伝導性材料を充填したポリマー）などの電気伝導性材料が含まれる。代表的な実施形態においては、第１および第２の電気伝導層３２、３６は、金属箔を含むかまたは本質的に金属箔からなる。好適な金属には、銅、アルミニウム、ニッケル、金、銀、パラジウム、スズ、鉛、およびこれらの組み合わせ、たとえばアルミニウムクラッド銅箔といったものが挙げられる。第１および第２の電気伝導層３２、３６が金属であるとき、この金属が電気絶縁層４０のポリマー材料の硬化用温度以下であるアニール温度を有することが好ましく、そうでなければ金属のアニーリングを電気絶縁層４０のコーティング前に行なう。
【００１６】
いくつかの実施形態においては、第１の伝導層３２の材料は、特定の応用例に対する所望の光学特性（たとえば、反射率、色彩、散乱、回折、またはこれらの特性の組み合わせ）を供給するように選択される。他の実施形態においては、第１の伝導層３２の上面３４の光学特性を、メッキおよび／またはコーティングによって向上させて、所望の光学特性が得られるようにする。いくつかの実施形態においては、上面３４をメッキした後、メッキの露出面をコーティングして、光学性能を向上させる。好適なコーティングおよびメッキ材料には、銀、不動態化された銀、金、ロジウム、アルミニウム、反射率が向上したアルミニウム、銅、インジウム、ニッケル（たとえば、浸漬、無電解または電気メッキされたニッケル）、クロム、スズ、およびこれらの合金が挙げられる。いくつかの実施形態においては、コーティングには高反射性の白色ポリマー（たとえば、スターブライト（Starbrite）ＥＦ反射コーティング（販売元は、スプレイラット社（Spraylat Corporation）、（ニューヨーク、ペラム（Pelham）））などのホワイトコーティングが含まれても良い。多層の誘電体を第１の電気伝導層３２の表面３４上に堆積させて、反射率を向上させることもできる。好適なコーティングにはまた、金属および半導体の酸化物、炭化物、窒化物、並びにこれらの混合物および化合物が挙げられる。これらのコーティングは、意図する応用例に応じて、電気伝導性であっても良いし絶縁性であっても良い。好適なコーティング方法には、スパッタリング、物理気相成長法、および化学気相成長法が挙げられる。コーティングプロセスは任意に、イオンアシストしても良い。伝導層３２およびこの上のメッキまたはコーティングの光学特性はまた、表面３４および／またはメッキおよびコーティング（前述した）の表面テクスチャを制御することによって、変更することができる。たとえば、光学的に滑らかな表面仕上げが、ある場合には好ましいときがあり、無光沢なまたはある程度粗面化された表面仕上げが他の場合には好ましいときがある。他の実施形態においては、ビキュイティ（Vikuiti）（商標）の鏡面反射率向上（Enhanced Specular Reflectivity）（ＥＳＲ）フィルム（販売元は３Ｍ社）などの光学フィルムを、第１の電気伝導層３２の一方または両方の主要な表面に適用して、望ましい光学特性（たとえば、鏡面または拡散反射率）を高めても良い。
【００１７】
通常、第１および第２の電気伝導層３２、３６の厚さは、ほぼ１０μｍ（０．５ミル）〜２００μｍ（８ミル）、より好ましくはほぼ１０μｍ（０．５ミル）〜３８μｍ（１．５ミル）の範囲である。場合によっては、第１および第２の電気伝導層３２、３６はそれぞれ、電気絶縁層４０よりも厚い方が望ましい。他の場合には、第１および第２の電気伝導層３２、３６はそれぞれまたは単独で、電気絶縁層４０よりも薄い方が望ましい。場合によっては、第１の電気伝導層３２の厚さは、第２の電気伝導層３６の厚さとほぼ同じである。他の場合には、第１の電気伝導層３２の厚さは、第２の電気伝導層３６のそれとは異なる。場合によっては、第２の電気伝導層３６の厚さは、第１の電気伝導層３２の厚さよりも大きくて、第２の伝導層３６が、ＬＥＤダイ２０の場所から横方向に熱をより効果的に拡散させる働きをするようにする一方で、第１の電気伝導層３２上に微細な回路フィーチャ（fine circuit feature）を設けることを可能にしている。
【００１８】
基材３０の第２の電気伝導層３６は、ヒートシンクまたは熱放散アセンブリ５０に隣接して配置されており、それらに熱界面材料（thermal interface material）の層５２を介して熱的に結合されている。熱放散アセンブリ５０は、たとえば、熱放散装置（一般にヒートシンクと言われる）とすることができ、アルミニウムもしくは銅などの熱伝導性の金属、または炭素が充填されたポリマーなどの熱伝導性の電気絶縁材料、またはそれらの組み合わせから作製される。熱界面材料の層５２には、好適であればどんな材料が含まれても良く、粘着剤、グリース、およびハンダが挙げられる。層５２の熱界面材料は、たとえば、窒化ホウ素が充填されたポリマー（たとえば、３Ｍ（商標）熱伝導性粘着剤ＴＣ−２８１０（販売元は３Ｍ社））などの熱伝導性で電気絶縁性の粘着剤、または、銀が充填された化合物（たとえば、アークティックシルバー（Arctic Silver）（商標）５ハイデンシティポリシンセティックシルバーサーマルコンパウンド（High-Density Polysynthetic Silver Thermal Compound）（販売元は、アークティックシルバー社（Arctic Silver Incorporated）、米国、カリフォルニア州、ビサリア（Visalia）））などの熱伝導性で電気伝導性の材料である。好ましくは、熱放散アセンブリ５０の熱インピーダンスはできるだけ小さく、好ましくは１．０℃／Ｗ未満である。場合によっては、熱放散アセンブリ５０は好ましくは、熱インピーダンスの範囲が０．５〜４．０℃／Ｗである。層５２の材料は、望ましくは熱伝導度の範囲が０．１〜１００Ｗ／ｍ−℃であり、好ましくは少なくとも１Ｗ／ｍ−℃である。
【００１９】
一実施形態においては、第２の電気伝導層３６と層５２の熱界面材料とを取り除いて、電気絶縁層４０が熱放散アセンブリ５０と直接接触するようにする。
【００２０】
図２に、図１の第１の伝導層３２のパターンが最も良く見られる。前述したように、第１の伝導層３２をパターニングして複数の回路トレース４１を規定する。各回路トレース４１の配置は、付随するＬＥＤダイ２０に対してまた付随するワイヤーボンド３９に対しても電気的および熱的に結合するようになされていて、少なくとも一部のＬＥＤダイ２０が、直列に、並列に、またはこれらの組み合わせで（図２に示すように）電気的に接続されることが、特定の応用例の要求に基づいて行なわれている。図２に最も良く見られるように、第１の伝導層３２をパターニングして、ＬＥＤダイ２０を電気的に接続する狭い伝導性配線トレースのみを設ける代わりに、第１の伝導層３２をパターニングして、回路トレース４１を電気絶縁するのに必要な量の伝導性材料のみを取り除いて、第１の伝導層３２をできるだけ多く残し、ＬＥＤダイ２０から放出される光に対するリフレクタとして働くようにする。また第１の伝導層３２をできるだけ多く残す結果、回路トレース４１の幅が広くなり、ＬＥＤなどの高出力装置が必要とする高い電気駆動電流が可能となる。また回路トレースが広いことによって、ＬＥＤ熱源を層３２上で横方向に拡散させることが容易になる。いくつかの実施形態においては、第２の電気伝導層３６をパターニングして付加的な複雑な回路を得ることを、特に電気絶縁性の熱界面材料層５２を用いるときに、行なっても良い。
【００２１】
基材３０の一部をパターニングして、単一のＬＥＤダイ、ＬＥＤダイのダイクラスタまたはバンクまたは列を受け取るようにしても良い。ＬＥＤダイには、補色ダイオードが含まれていても良いし、異なる白色温度が含まれていても良い。いくつかの実施形態においては、１以上のＬＥＤ（たとえば、それぞれ赤、緑、および青色出力を有するＬＥＤ）を局所領域内で接近して配置して、見かけ上の白色光を生成しても良い。ＬＥＤダイを配置すること、またはＬＥＤダイを任意の封入材および／または光学フィルムと組み合わせて配置することは、色混合を高めるように構成できる。
【００２２】
図３は、図２の線分３−３に沿って見た拡大断面図である。ＬＥＤダイ２０は、第１の伝導層３２の上面３４上に配置されて、第１の伝導層３２の回路トレース４１への電気的な接続が、ワイヤーボンド３９によってなされ、さらにこの接続は、等方伝導性粘着剤（たとえば、メテック（Metech）６１４４Ｓ、（販売元は、メテック社（Metech Incorporated）、米国、ペンシルベニア州、エルバーソン（Elverson））、または異方伝導性の粘着剤、またはハンダのいずれかからなる層６０によってもなされている。ハンダは通常、熱抵抗が接着剤よりも低いが、全てのＬＥＤが、ハンダ付け可能な基部メタライゼーションを有するわけではない。またハンダによる取り付けには、ＬＥＤダイ２０のセルフアライメント（処理中の溶融ハンダの表面張力に起因する）の優位性もある。ＬＥＤダイ２０によっては、高温の８０／２０の金／スズハンダを供給しても良く、このハンダをリフローさせて、非常に安定で熱抵抗の小さい界面（その後のハンダ付けプロセスにおいて最大２６０℃まで耐えることができる）を形成することができる。しかしＬＥＤダイ２０の中には、ハンダリフロー温度（層６０において好ましい粘着剤を作る）に敏感なものもある。
【００２３】
次に図４を参照すると、別の照明アセンブリの断面図は、ＬＥＤダイ２０’が、両方の電気コンタクトパッドをＬＥＤダイの同じ側の面（ダイオードの対向する側ではなくて）に有しており、図１〜３のワイヤーボンディングの実施形態の場合と同様であるのを示している。ＬＥＤダイ２０’のデザインに応じて、光の放出が、ダイオード２０’のコンタクトパッドとは反対側の面からか、またはダイオード２０’のコンタクトパッドと同じ側の面から行なわれる。図１〜３のワイヤーボンドＬＥＤダイ２０の場合と同様に、電気伝導性の粘着剤、異方伝導性の粘着剤、またはハンダリフローが、ＬＥＤダイ２０’を第１の伝導層３２に取り付けるために利用できる取り付け方法の中に含まれる。
【００２４】
図３および４において例示したように、基材３０の電気絶縁層４０には、電気絶縁性の熱伝導性粒子４２（絶縁層４０の熱伝導度を高める）を充填した電気絶縁性のポリマー粘着剤材料が含まれる。熱伝導性粒子４２の少なくとも一部は、サイズが第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方に同時に接触するほどに大きい。大きい熱伝導性粒子４２（すなわち、絶縁層４０の厚さと同じかまたはそれを上回るサイズの粒子）の示す熱伝導度は、高充填された小さい熱伝導性粒子（すなわち、絶縁層４０の厚さよりも小さいサイズの粒子）のものよりも高いが、それは大きな熱伝導性粒子４２は、直接的な熱の経路を絶縁層４０を通して実現しており、熱伝導度に悪影響を与える絶縁層４０の誘電体材料が介在していないからである。こうして、第１および第２の電気伝導層３２、３６間の熱インピーダンスを制限するものは、熱伝導性粒子４２の熱伝導度と絶縁層４０内における熱伝導性粒子４２の水平方向の充填のみである。絶縁層４０のポリマー材料によって、第１および第２の電気伝導層３２、３６と熱伝導性粒子４２との間の粘着がもたらされる。
【００２５】
大きな熱伝導性粒子が第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方に同時に接触しているだけでなく、絶縁層４０に含まれる他の粒子には、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方には同時には接触していないものもあり得、たとえば絶縁層４０の厚さよりも小さい粒子が挙げられる。いくつかの実施形態においては、これらの他の粒子によって、絶縁層４０の熱伝導度がさらに高まる。いくつかの実施形態においては、これらの他の粒子によって、絶縁層４０の他の特性（電気的、光学、および／または機械的であろうとなかろうと）が高まる。一実施形態においては、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方には同時には接触してはいないその他の粒子は、誘電率が少なくとも１００である。
【００２６】
一実施形態においては、大きな粒子４２（たとえば、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方に同時に接触する粒子）のすべてまたは一部について、構成する材料は誘電率が少なくとも１０である。これらの大きくて高誘電率の粒子が電気伝導層３２、３６と接触していることで、絶縁層４０の実効誘電率したがってキャパシタンスが増加する。熱の場合と同様に、小さい誘電体および／または熱伝導性の粒子（たとえば、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方には同時には接触しない粒子）を、大きな粒子と混合することで、材料の熱伝導度および／または比誘電率をさらに増強することが実現される。
【００２７】
図３および４において、熱伝導性粒子４２は、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方の中に部分的に延びているか、またはこれらの層を変形させているように示されている。粒子４２、第１の伝導層３２、および第２の伝導層３６の相対的な硬さに応じて、粒子４２は、第１および第２の電気伝導層３２、３６を変形するか、またはこれらの層によって変形されるかのいずれかとなる。図５Ａ〜５Ｃを参照すると、粒子４２Ａは両方の伝導層３２、３６を変形させると示され（図５Ａ）、粒子４２Ｂは、一方の伝導層（すなわち、伝導層３２）を変形させ、他方の伝導層（すなわち、伝導層３６）によって変形されると示され（図５Ｂ）、また粒子４２Ｃは両方の伝導層３２、３６によって変形されると示されている（図５Ｃ）。
【００２８】
図３および４において、熱伝導性粒子４２は絶縁層４０の全体に渡って均一に分散されている。絶縁層４０の最終的な厚さよりもサイズが大きい熱伝導性粒子４２を均一に分散させることは、たとえば、以前に形成した層４０上に粒子を堆積させることによってか、または溶媒コーティングプロセスを用いて、実現させることができる。粒子４２を、層４０（溶媒または無溶媒コーティングプロセスのいずれかによって以前に形成された）上にコーティングすることは、噴霧、ふるい分け、または別の方法で粒子を堆積させて全体として均一だが局所的にランダムな密度の粒子を層４０上に形成することによって、行なうことができる。また粒子４２を、コーティング前に樹脂マトリックスと混ぜることもできる。たとえば、ぬれた状態の樹脂層に熱伝導性粒子４２を充填したものを、第１および第２の電気伝導層３２、３６の一方または両方にコーティングすることができ、ぬれた状態の層の初期厚さは、熱伝導性粒子４２のサイズより大きくても良い。ぬれた状態の樹脂を乾燥させることによって、材料の厚さが縮み、その結果、最終的な粘着剤厚さが熱伝導性粒子４２よりも薄くなる。通常、電気絶縁層４０の厚さの範囲は約０．５〜約５０μｍである。
【００２９】
好適な樹脂には、エポキシとそのブレンドが含まれる。市販のエポキシには、エポン（Epon）（商標）１００１Ｆエポキシ樹脂（販売元はリゾルーションパフォーマンスプロダクツ（Resolution Performance Products））およびＸＰ７１７５６エポキシ（販売元はバンティコ社（Vantico Inc.））が挙げられる。代表的な樹脂は、典型的なハンダリフロー作業において生じるであろう温度（たとえば約１８０°〜約２９０℃の範囲）に、耐えることができる。好ましくは、樹脂は、ＬＥＤダイの取り付けに広く用いられる８０／２０の金／スズハンダをリフローするために必要な３００℃を超える温度に短時間曝露することに耐えることができる。これらの樹脂を、乾燥させるかまたは硬化させて、電気絶縁層４０を形成しても良い。
【００３０】
他の実施形態においては、図６に例示するように、熱伝導性粒子４２を、絶縁層４０の全体に渡って特定のパターンで不均一に分散させる。一実施形態においては、熱伝導性粒子４２をパターニングして、より集中させるか、または良好な熱放散が要求される高出力装置（たとえばＬＥＤダイ２０、集積回路チップなど）を取り付けるべき領域のみに存在させる。図６では、熱伝導性粒子４２はＬＥＤダイ２０の付近に集められている。熱伝導性粒子４２のパターニングは、熱伝導性粒子４２の分配を絶縁層４０のポリマー粘着剤材料のコーティングとは別個に行なうことによって、実現することができる。熱伝導性粒子４２を配置することは粘着剤コーティングプロセスと分けることができ、それは大きな熱伝導性粒子４２が、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方と直接接触しているので、粒子を高充填することは、低い熱インピーダンスの実現には必要ないからである。絶縁層４０の熱インピーダンスは、粒子４２の充填量と、粒子４２が伝導層３２、３６を変形しおよび／またはこれらの伝導層によって変形される程度と、並びに粒子４２自体の種類および結晶性との関数である。
【００３１】
たとえば、熱伝導性粒子４２を、以前にコーティングされた粘着層上にパターニングすることは、少なくとも１つのマスク（たとえば、ステンシル、テンプレート、細胞型材料（cellular type material）、メッシュなど）を用いて可能であり、マスクは、開口部を有し、熱伝導性粒子４２をふるい分けるかそうでなければ分散させることを、マスク内の開口部を通して、支持材料または基材（少なくとも一部の粒子を一時的および／または永続的に支持または保持することができる）上に行なうものである。マスクおよび支持材料のアセンブリは、ある量の粒子を受け取り、粒子の一部は、マスクの開口部を通って進んで、支持材料に固定されるかまたはその上で停止し、別の部分は、マスク上に進んで開口部間のマスク上で停止する。マスクの外面（支持材料に隣接する表面の反対側）には好ましくは、粒子が粘着する取り付け手段が設けられており、取り付け手段に粒子が粘着して、マスクの外面上に粒子が保持される。そして、粒子が粘着したマスクを支持材料から分離して、その結果、分離したマスクによって、最終生成物の一部を構成しない複数の粒子が効果的および効率的に取り除かれる。その結果、支持材料上に粒子の分散したパターンが得られる。支持材料上での粒子の分散は、マスクのデザインにしたがって、主にマスクの開口部のサイズ、形状、および分布にしたがって、並びに粒子のサイズおよび形状によって、行なわれる。こうして、粒子のプログラムされた分布または非ランダム分布が、支持材料上で実現される。
【００３２】
支持材料上に粒子を支持または一時的に保持することは、支持材料および／または粒子の特徴、並びに支持材料または粒子の表面特徴によって実現することができ、これらにはたとえば、支持材料および／または粒子に加えられるコーティング材料、含水量、湿度、重量（重力の利用）、温度（たとえば負の温度）、磁化、静電気、排泄物条件などが挙げられる。加えて、支持材料上に粒子を配置した後に、さらなる物質を加えて、支持材料に粒子をより永続的に取り付けることができる。マスクを支持材料から取り除くことは、支持材料に粒子をこのように固定する前、固定する間または固定した後に行なうことができる。支持材料上に粒子を配置して、マスクを取り除いた後で、このアセンブリにさらなる処理を施す。
【００３３】
このさらなる処理の結果、粒子４２は絶縁層４０内に充填される。一実施形態においては、支持材料は、粘着剤樹脂がコーティングされる伝導層３２、３６の少なくとも一方である。マスクおよび支持材料を、研磨粒子を分配するために用いること（米国特許第６，４７８，８３１号（ツセレシン（Tselesin））に記載される）は、例示的なものである。
【００３４】
粒子４２の大部分が絶縁層４０の粘着剤樹脂から突き出るように粒子４２を優先的に配向することを、粒子をバッキングに適用するための当該技術分野において知られる静電塗装または磁気塗装技術を用いて行なっても良い。静電塗装の間、静電荷が粒子に加えられ、これにより結合剤前駆体がコーティングされた物品の方へ粒子が進む。磁気塗装は、磁界を用いて研磨粒子を結合剤前駆体の方へそしてその内部へ送ることを伴う。
【００３５】
前述したように、粒子４２は、絶縁層４０の熱伝導度を高めるように選択される。好適であればどんな材料も、このために選択することができる。代表的な実施形態においては、粒子４２は炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、ダイアモンド、またはもっと複雑な工業材料（電気絶縁性のコーティングが施された金属粒子もしくはナノ粒子など）からなる。粒子４２は誘電体（電気絶縁性）であり、伝導層３２、３６間の電気ショートを防止する。しかしいくつかの実施形態においては、伝導層３２、３６間の電気的接続が、特定の場所において望ましい場合もあり、大きな電気伝導性の粒子をこれらの場所において層４０中に含めることができる。
【００３６】
代表的な比較的高誘電性の粒子には、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、酸化チタン、チタン酸鉛ジルコニウム、ホウ素、窒化ホウ素、ダイアモンド、アルミナ、ベリリウム、シリコン、並びにこれらの材料の他の炭化物、酸化物、および窒化物、並びにこれらの化合物または混合物が挙げられる。市販のチタン酸バリウムは、日本化学工業株式会社（Nippon Chemical Industrial Co）（日本、東京）から、商品名「ベスパエーケービーティー（BESPA AKBT）」で販売されるものである。
【００３７】
代表的な電気伝導性の粒子には、電気伝導性材料または半導体材料（炭素、グラファイト、金属、または金属合金粒子など）が含まれても良く、この金属は、銀、金、ニッケル、銅スズ、または金属コーティングされたポリマー粒子、または金属コーティングされ成形されたポリマー粒子であっても良い。
【００３８】
熱伝導性粒子４２は、任意の形状であっても良く、また規則的に成形されても良いし、不規則に成形されても良い。代表的な形状には、球体、小板、立方体、針、偏球、回転楕円体、ピラミッド、角柱、フレーク、桿体、プレート、ファイバ、小片、ウィスカ、およびこれらの組み合わせが挙げられる。粒径、すなわち粒子の最小の寸法は通常は、約０．０５〜約５０μｍの範囲である。粒子は実質的に同じサイズとすることもできるし、異なるサイズの粒子からなる混合物を用いることもできる。熱伝導性粒子４２の形状およびサイズは、粒子４２の少なくとも一部が確実に、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方に同時に接触するように選択される。粒子４２の少なくとも一部は、第１および第２の電気伝導層３２、３６の両方に同時に接触するのに十分なサイズである。いくつかの実施形態においては、粒子４２の平均のサイズは、電気絶縁層４０の厚さよりも大きくすることができる。いくつかの実施形態においては、実質的にあらゆる粒子４２について、サイズが電気絶縁層４０の厚さよりも大きい。
【００３９】
ポリマー中に粒子４２を充填することは通常、１０容量％〜７５容量％（電気絶縁層４０の全容量を基準にして）で行なわれる。前述したように、粒子４２の分散は、均一であっても良いし、パターニングしても良い。ポリマー中に粒子４２を高充填することによって、ポリマーと電気伝導層３２、３６との間の粘着が低下する場合がある。しかし当該技術分野において知られる粘着を向上させる技術を、用いても良い。たとえば、第１および第２の電気伝導層３２、３６の絶縁層４０に隣接する表面を処理して、絶縁層４０との粘着を改善することができる。粘着を改善するのに有用な代表的な表面処理には、５−アミノベンゾトリアゾールおよび３−グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、コロナ放電、プラズマアッシング／エッチング、自己組織化単分子膜、および反応層（樹脂マトリックス材料を第１および第２の電気伝導層３２、３６に結合する）が挙げられる。また金属層を耐食処理によって処理して、粘着を向上させることができる（たとえば銅に対して亜鉛／クロム処理を用いること）。粘着を向上させるための別の技術では、粒子含有樹脂に整合する粒子のない樹脂を、一方または両方の伝導層３２、３６上にスキンコーティングして、部分的に硬化しても良い。部分的に硬化された粒子のない樹脂を次に、粒子含有樹脂と接触させて、十分に硬化させる。当然のことながら、粒子４２を類似の仕方で表面処理して、ポリマーに対する粘着を向上させることもできる。
【００４０】
絶縁層４０の熱特性を変えることに加えて、ポリマー材料および／または粒子４２の選択を、絶縁層４０の電気的、光学的および／または機械的特性を変えるように行なうこともできる。電気設計に、電気絶縁層４０の露出する大きな領域がＬＥＤの付近に含まれる場合には、電気絶縁層４０の光学特性（たとえば、反射率、拡散率、透明度）を向上させることもできる。
【００４１】
ポリマー材料および／または粒子４２の選択を、絶縁層４０の反射率を高めるように行なうことができる。たとえば、絶縁層４０には以下のものを充填することができる。すなわち、白色の拡散反射性材料（たとえば、ＢａＳＯ４、ＴｉＯ２）、または高屈折率材料（たとえば、ダイアモンド、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３）、または反射性材料、たとえば銀フレーク、またはナノ粒子材料、または所望の光学特性（たとえば強誘電性）を得るために電気的／磁気的手段によって配向された材料（たとえば、ＰＬＺＴ）である。あるいは、ポリマー材料および／または粒子４２の選択を、絶縁層４０を実質的に透明にするように行なうことができる。この場合、第２の電気伝導層３６のコーティングされる側の光学特性を、所望の特徴（たとえば、反射率、拡散率）が得られるように選択しても良いし変更しても良い。他の実施形態においては、ポリマー材料および／または粒子４２の選択を、絶縁層４０が所望の見かけ上の色彩を有するように行なう。
【００４２】
これらの実施形態のそれぞれにおいて、封入材を各ＬＥＤダイ２０上に設けて、ダイから出る光を結合することを容易にしても良く、および／または放出光を絶縁層４０に向けて優先的に送って、絶縁層４０によって反射されるか（鏡面反射であるか拡散反射であるかにかかわらず）、偏光されるか、または導波されるようにしても良い。絶縁層４０のマクロ、マイクロ、およびナノ構造を特定の光学特性に対して設計することを、伝導層３２、３６の内部の主要な表面（すなわち、電気絶縁層４０の第１の電気伝導層３２および第２の電気伝導層３６との界面）を予備成形することによって行なうことができる。たとえば銅箔の内部表面の構造を、化学的手段（グレインエッチング）、機械的手段（エンボス加工）、または光学的手段（レーザアブレーション）によって与えることができる。この構造を絶縁層４０上に押しつけると、表面は、金属フィルム予備成形物の逆像または鏡像を呈することになる。また絶縁層４０の光学特性の変更を、１以上の燐光体または螢光材料を絶縁層４０中に添加して、入射光の波長のシフトが起こるようにすることで行なうこともできる。波長変換のこれらの場合においてストークスシフトエネルギーを効率的に取り除くことは、さらなる利益である。
【００４３】
本明細書に記載した代表的な実施形態は、既知の封入材および／または既知の光学フィルムと組み合わせて用いるときに、特に有用である。たとえば、燐光体層（色彩変換用）を有するかまたは燐光体を別の方法で含む封入材を、ＬＥＤダイ２０上またはその周囲で用いることを、ＬＥＤダイの光出力を低下させることなく行なうことができる。図７には、図６の場合と同様に照明アセンブリの一部を示すが、任意の封入材９０がＬＥＤダイ２０を覆い、１以上の任意の光学フィルム９２（拡散フィルム、偏光フィルム（３Ｍ社から販売されるビキュイティ（Vikuiti）（商標）ＤＢＥＦフィルムなど）、または構造化表面フィルム（３Ｍ社から販売されるビキュイティ（商標）ＢＥＦフィルムのいずれかなど）など）が、アセンブリと組み合わせて用いられている。必要に応じて、単一の封入材によって複数のＬＥＤダイを封入することを、放出される色彩が同じかまたは異なるかにかかわらず、行なうことができる。
【００４４】
次に、図８を参照すると、照明アセンブリ１０を製造する際には、前述した基材３０を用意することが、たとえば基材の供給ロール１００を巻き戻すことによって行なわれ、また第１の電気伝導層３２をパターニングすることがパターニングステーション１０２において行なわれて、所望の回路トレース４１が形成される。層３２のパターニングは、任意の従来の回路構成技術を用いて行なっても良い。ＬＥＤダイ２０を、パターニングされた第１の電気伝導層３２に取り付けることが、ダイ取り付けステーション１０４において、既知である従来のダイ取り付けおよびワイヤーボンディング方法（前述した）を用いて行なわれる。次に、封入材９０を任意に加えることが封入ステーション（encapsulation station）１０６において行なわれて、その後に硬化され、さらにその後基材３０上にＬＥＤダイ２０が配置されたものを巻き取りロール１１０上に巻きつける。場合によっては、ロールツーロール方法（roll-to-roll manner）で処理するのではなくて、基材３０をパネル化してバッチ処理することを、硬質または半硬質の支持材料上で行なう。場合によっては、巻き取りロール１１０上に巻きつける代わりに、基材３０上にＬＥＤダイ２０が配置されたものをある間隔で切断して、複数の照明アセンブリストリップ、パネル、または他の形状として、バックライト（たとえば、バックライト表示、標識、またはグラフィックスにおいて使用する）内への搭載に好適な形状を得る。さらに他の場合には、巻き取りロール１１０は、その後の処理工程用の供給ロールとすることができる。
【００４５】
次に図９Ａ〜９Ｄを参照して、前述した基材３０を製造するための代表的な方法を例示する。第２の伝導層３６を設けることを、たとえば伝導層３６の供給ロール１２０を巻き出すことによって行ない、そして粘着剤コーティングステーション１２２において、電気絶縁性の粘着剤の層１２４を伝導層３６に適用する。粘着層１２４には任意に、誘電体粒子（図示せず）が充填される。サーマル粒子付加ステーション（thermal particle application station）１２６において、熱伝導性粒子４２を粘着層１２４に適用する。一実施形態においては、熱伝導性粒子４２は粘着層１２４上に均一に適用される。別の実施形態においては、熱伝導性粒子４２は粘着層上に所定のパターンで付加される。一実施形態においては、粒子４２をぬれた状態の樹脂中に適用することを、溶媒コーティング方法を用いて、当該技術分野で既知であるように行なって、樹脂の乾燥時に粒子４２が、乾燥した樹脂層１２８の表面より上に突き出るようにする。積層ステーション（laminating station）１３０において、第１の伝導層３２（任意に電気絶縁性の粘着剤の層１２４’を有しており、これには、粒子４２が含まれていても良い）が供給ロール１３４から供給された後、第２の伝導層３６およびその上の粒子４２に対して押圧されて、粒子４２を粘着層１２４、１２４’に通し、電気伝導層３２、３６を部分的に変形しおよび／またはこれらに変形されて、基材３０を形成する。基材３０を次に、巻き取りロール１４０上に巻きつける。巻き取りロール１４０は、図８に関して記載したその後の処理工程用の供給ロール１００とすることができる。場合によっては、巻き取りロール１４０上に巻きつける代わりに、基材３０の処理を、図８に関して記載した処理工程まで直接進める。
【００４６】
（実施例１）
基材は、結合剤中にダイアモンド粒子を分散させたものを用いて作製した。分散は、９２重量％のダイアモンドであり、種々のダイアモンド粒径が含まれていた。粒径分散の平均値は、０．２５、３、および３０ミクロンであり、また各粒径の重量比は、１：２：４であった。これらの粒径分散内において、最大粒径は、供給業者による測定によれば、最大で４７ミクロンであった。粘着剤結合剤は、熱硬化性樹脂エポキシ（商品名ヘロキシ（Heloxy）７１として、リゾルーションパフォーマンスプロダクツ（Resolution Performance Products）から販売）であった。コーティング前に、１００％固体の混合物をメチルイソブチルケトンで希釈した。ナイフコーター（１００ミクロンギャップ）を用いて、回転時に２８グラム（１オンス）の銅箔に、ダイアモンド充填された粘着剤をコーティングして、空気乾燥を４時間、室温で行なった。空気乾燥した後、６１ｃｍ（２４インチ）のニップローラー（１４０℃）と１８ｋｇ（４０ポンド）の荷重とを用いて、コーティングされた銅箔を同一の未コーティング箔へ積層した。コーティングを積層したとき、ダイアモンド充填した粘着剤の流れが多少あったため、コーティング厚さが小さくなった。次に、積層物の硬化を３時間、１６０℃で行なった。最大粒径（積層圧力とともに、最終的な誘電体厚さを決定した）は、最大で４７ミクロンであった。結果として生じる基材は、４０ミクロン厚の誘電体層を有していた。ダイアモンド粒子は、両方の銅層を変形するように見えた。サンプルにおける４０ミクロン誘電体厚さは、熱インピーダンスがほぼ１ｃｍ２℃／Ｗであり、この値は、３Ｍにおいて、カスタム熱インピーダンス測定機器を用いて測定された。特に、４０ミクロン厚のサンプルの熱インピーダンスは、（厚さが５倍異なるにもかかわらず）８ミクロンのＣ−プライ（ply）サンプル（販売元は３Ｍ社、商品名は３Ｍ（商標）埋め込みコンデンサ材料（Embedded Capacitor Material））の熱インピーダンスとほぼ同じであった。
【００４７】
（実施例２）
実施例１に記載したダイアモンドエポキシコーティングを積層して、硬化することを、真空プレスを６１ｃｍ（２４インチ）の真空度および１８０℃において２時間施すことによって、行なった。この方法によって作製された結果としてのサンプルの誘電体厚さは、３０ミクロンであり、実施例１の熱間圧延積層を用いて調製されたサンプルの場合よりも薄かった。
【００４８】
開示した基材は、前述したようにＬＥＤダイと用いることができるだけでなく、他の回路コンポーネント、特に他のタイプの小型光源、またはかなりの熱を生成する他のコンポーネントと用いることもできる。したがって、アセンブリとして、前述の開示した照明アセンブリと同様だが、ＬＥＤダイの一部または全部を、レーザーダイオード、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、パワートランジスタ、集積回路（ＩＣ）、および有機エレクトロニクスのうちの１以上と取り替えたものについても検討する。
【００４９】
別段の指示がない限り、本明細書および特許請求の範囲において使用する、数量、特性の測定値などを表す全ての数値は、いかなる場合においても、「約」という語で修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、そうでない旨の指示がない限り、上記の明細書および添付の特許請求の範囲において記載された数値パラメータは、本発明の教示を利用する当業者が得ようと求める望ましい特性に応じて変化しうる概算値である。最低でも、特許請求の範囲への同等物の原則の適用を限定する試みとしてではなく、少なくとも各数値的パラメータは、報告された有効数字の数を考慮して、通常の四捨五入の適用によって解釈されなければならない。本発明の広範囲で示す数値的範囲およびパラメータは、近似値であるが、具体例に記載の数値は可能な限り正確に報告する。しかし、いずれの数値もそれらの各試験測定値において見られる標準偏差から必然的に生じる特定の誤差を本来含有する。
【００５０】
前述の説明は、例示的なものであり、本発明の範囲を限定することは意図されていない。本明細書で開示した実施形態の変形および修正が可能であり、実施形態の種々の要素の現実的な代替物および均等物が、当業者によって、この特許文献を検討することによって理解される。本明細書に開示した実施形態のこれらの変形および他の変形並びに修正を、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく行なっても良い。
【００５１】
図において、同様の参照数字によって、同様の構成要素を示す。これらの図は理想化されたものであり、尺度通りには示されておらず、説明のみを目的としたものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】照明アセンブリの一部を示す斜視図。
【図２】照明アセンブリのもっと大きい表面領域を示す、図１の照明アセンブリの一部を示す平面図。
【図３】均一に分散された熱伝導性粒子を示す、図２の線分３−３に沿った拡大断面図。
【図４】均一に分散された熱伝導性粒子を有する別の照明アセンブリを示す拡大断面図。
【図５Ａ】埋め込まれて変形された熱伝導性粒子を示す大幅な拡大断面図。
【図５Ｂ】埋め込まれて変形された熱伝導性粒子を示す大幅な拡大断面図。
【図５Ｃ】埋め込まれて変形された熱伝導性粒子を示す大幅な拡大断面図。
【図６】不均一に分散された熱伝導性粒子を示す、図３と同様の拡大断面図。
【図７】封入材および光学フィルムとの任意の使用を示す、図６と同様の拡大断面図。
【図８】照明アセンブリを製造する１つの方法の模式図。
【図９Ａ】熱伝導度が向上した基材を製造する１つの方法の模式図。
【図９Ｂ】熱伝導度が向上した基材を製造する１つの方法の模式図。
【図９Ｃ】熱伝導度が向上した基材を製造する１つの方法の模式図。
【図９Ｄ】熱伝導度が向上した基材を製造する１つの方法の模式図。
【図１】
2009530832.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【国際調査報告】
2009530832.tif 000017
2009530832.tif 000018
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