(57)【要約】  溶断導体は、第１の導体部分と、第２の導体部分と、少なくとも１つの二重金属電線を介して第１および第２の導体部分と電気的に連通しているヒューズエレメントであって、二重金属電線に化学的に結合されたガラスボディによって保護されたヒューズエレメントとを備えている。
2009503768.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジング内に配置された第１の導体と、
前記ハウジング外に配置された第２の導体と、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記第１および第２の導体のうちの少なくとも一方が、過電流事象が生じると開路するように構成された薄い部分を備えた溶断導体であることを特徴とする一体型溶断アセンブリ。
【請求項２】
基板の上に配置された膜を備えていることを特徴とする請求項１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３】
前記溶断導体の断面が少なくとも略円形または長方形であることを特徴とする請求項１に記載の一体型アセンブリ。
【請求項４】
エッチング、研削、圧印加工、打抜き、粉砕およびそれらの任意の組合せからなるグループから選択されるプロセスを使用して製造されていることを特徴とする請求項１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項５】
前記薄い部分がエンクロージャまたはカプセル封止材によって保護されていることを特徴とする請求項１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項６】
前記エンクロージャまたはカプセル封止材が、ガラス、セラミックおよびプラスチックからなるグループから選択される少なくとも１つの材料でできていることを特徴とする請求項５に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項７】
前記エンクロージャが、プレスばめ、エポキシ接着、放射加熱、誘導加熱およびレーザ加熱からなるグループから選択される少なくとも１つのプロセスを使用して前記溶断導体の個別セクションに接続されたことを特徴とする請求項５に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項８】
前記薄い部分が、前記溶断導体の個別セクションと電気的に連通して配置され、元々個別のヒューズ線を備えていることを特徴とする請求項１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項９】
前記ヒューズ線が、前記溶断導体の前記個別セクションの全体的に薄くなった部分に接続されていることを特徴とする請求項８に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項１０】
前記個別セクションが、それぞれ、前記溶断導体の前記個別セクションへのエンクロージャの取付けを補助する溝を画定していることを特徴とする請求項８に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項１１】
前記エンクロージャが前記ヒューズ線を支え、前記エンクロージャが、前記溶断導体の前記個別セクションの末端に嵌合していることを特徴とする請求項８に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項１２】
前記薄い部分が、前記溶断導体の個別セクションを結合しているエンクロージャの表面にメタライゼーションを備えていることを特徴とする請求項１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項１３】
前記エンクロージャの少なくとも実質的にすべての内部表面に前記メタライゼーションが形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項１４】
２つの少なくとも実質的にインライン電極を接続するためのヒューズであって、
管状エンクロージャと、前記管状エンクロージャによって支えられたヒューズエレメントとを備え、
前記エレメントが、前記エンクロージャが前記電極上に嵌合した後に前記エレメントと前記電極が接触するように前記管状エンクロージャ内で延在していることを特徴とするヒューズ。
【請求項１５】
前記ヒューズエレメントが、所望の電気開路特性が提供されるように寸法決めされていることを特徴とする請求項１４に記載のヒューズ。
【請求項１６】
前記ヒューズエレメントの形状が電線形であり、その直径が前記所望の特性が提供されるように寸法決めされていることを特徴とする請求項１５に記載のヒューズ。
【請求項１７】
前記エンクロージャの上に前記ヒューズエレメントがめっきされ、その厚さが前記所望の特性が提供されるように寸法決めされていることを特徴とする請求項１５に記載のヒューズ。
【請求項１８】
前記ヒューズエレメントが、（ｉ）サイズが縮小されている、又は（ｉｉ）開路に適した前記エレメントの位置に異種金属でコーティングされていることを特徴とする請求項１４に記載のヒューズ。
【請求項１９】
第１の導体部分と、
第２の導体部分と、
前記第１および第２の導体部分と電気的に連通しているヒューズエレメントと、
前記第１および第２の導体部分に化学的に結合された保護ガラスボディと、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記ガラスおよび導体部分が化学結合に適した材料からなることを特徴とする
一体型溶断アセンブリ。
【請求項２０】
前記ヒューズエレメントが、少なくとも１つの二重金属電線を介して前記第１および第２の導体部分と電気的に連通していることを特徴とする請求項１９に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２１】
スロットを画定している端部を有する第１の導体部分と、
スロットを画定している端部を有する第２の導体部分と、
第１および第２の終端と電気的に連通しているヒューズエレメントと、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記第１および第２の終端がそれぞれ前記第１および第２の導体部分と電気的に連通するように、前記第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２のスロットに挿入されていることを特徴とする一体型溶断アセンブリ。
【請求項２２】
前記ヒューズエレメントを保護するキャップを備えていることを特徴とする請求項２１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２３】
前記キャップが、エポキシキャップ、重合体キャップ、ガラスキャップ、セラミックキャップ、および前記第１および第２の導体部分に接着するように構成されたキャップからなるグループから選択される少なくとも１つのタイプからなることを特徴とする請求項２２に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２４】
前記エレメントが薄膜エレメントであることを特徴とする請求項２１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２５】
前記エレメントが基板の上に提供されていることを特徴とする請求項２１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２６】
電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されていることを特徴とする請求項２１に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２７】
ノッチを画定している端部を有する第１の導体部分と、
ノッチを画定している端部を有する第２の導体部分と、
第１および第２の終端と電気的に連通しているヒューズエレメントと、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記第１および第２の終端がそれぞれ前記第１および第２の導体部分と電気的に連通するように、前記第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２のノッチの各々の内部表面に結合されていることを特徴とする一体型溶断アセンブリ。
【請求項２８】
前記ヒューズエレメントを保護するキャップを備えていることを特徴とする請求項２７に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項２９】
前記キャップが、エポキシキャップ、重合体キャップ、ガラスキャップ、セラミックキャップ、および前記第１および第２の導体部分に接着するように構成されたキャップからなるグループから選択される少なくとも１つのタイプからなることを特徴とする請求項２８に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３０】
前記エレメントが薄膜エレメントであることを特徴とする請求項２７に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３１】
前記エレメントが基板の上に提供されていることを特徴とする請求項２７に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３２】
電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されていることを特徴とする請求項２７に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３３】
第１の導体部分と、
第２の導体部分と、
前記第１および第２の導体部分と電気的に連通した状態で保持されたヒューズエレメントと、
前記ヒューズエレメントの第１および第２の端部に配置された第１および第２の突起と、
ハウジングと、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記ハウジングがタブの上に挿入された場合に、前記第１および第２の突起およびハウジングがプレスばめの関係を形成するように構成されていることを特徴とする一体型溶断アセンブリ。
【請求項３４】
前記ハウジングを単一の方向から前記タブに被せることができるように、前記突起に角度が付けられ、かつ、位置合わせしていることを特徴とする請求項３３に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３５】
前記ハウジングが、プラスチック、ガラスおよびセラミックからなるグループから選択される材料からなることを特徴とする請求項３３に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３６】
前記ヒューズエレメントが、（ｉ）打抜きプロセスによって展伸加工された表面を有している、および（ｉｉ）曲がりくねった形状である、からなるグループから選択される少なくとも１つの特性を備えていることを特徴とする請求項３３に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３７】
前記ヒューズエレメントが溶断合金部分を備えていることを特徴とする請求項３３に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３８】
前記溶断合金部分が、（ｉ）打抜きプロセスによって展伸加工された表面を有している、および（ｉｉ）曲がりくねった形状である、からなるグループから選択される少なくとも１つの特性を備えていることを特徴とする請求項３７に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項３９】
第１の導電部分と、
第２の導電部分と、
前記第１および第２の導電部分に固定されたヒューズエレメントと、
蝶番で開閉するクラムシェル構成を有する成形エンクロージャと、を備えている一体型溶断アセンブリであって、
前記成形エンクロージャが前記ヒューズエレメントの周囲および前記第１および第２の導電部分の少なくとも一部の周囲に嵌合されていることを特徴とする一体型溶断アセンブリ。
【請求項４０】
前記第１および第２の導電部分が、前記成形クラムシェルエンクロージャと結合し、前記導電部分と前記成形クラムシェルエンクロージャの間に重ね合わせ接続を形成するフランジ付き端部を備えていることを特徴とする請求項３９に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項４１】
前記成形クラムシェルエンクロージャが、さらに、前記ヒューズエレメントの周囲および前記第１および第２の導電部分の少なくとも一部の周囲に熱的または化学的に嵌合されていることを特徴とする請求項３９に記載の一体型溶断アセンブリ。
【請求項４２】
ヒューズエレメントに電気的に接続された第１および第２の導体部分を備えた溶断導体を、電気コンポーネントに固定される絶縁ハウジングに統合するステップと、
前記溶断導体の前記第１および第２の導体部分の一方を、前記電気コンポーネント内に配置された電極、または前記電気コンポーネントと整合する個別コンポーネントの電極に接触させるステップと、
を含んでいることを特徴とする溶断電気コンポーネントを形成する方法。
【請求項４３】
前記ハウジングが前記溶断導体の周囲を密閉するよう、前記絶縁ハウジングを貫通して前記溶断導体を突き通すステップを含んでいることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記第１および第２の導電部分の少なくとも一部および前記ヒューズエレメントを保護するために、前記溶断導体の前記ヒューズエレメントの周囲に前記絶縁ハウジングを１つのステップで形成するステップを含んでいることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［優先権の主張］
本出願は、それぞれ参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれ、かつ、利用されている、２００５年７月２２日に出願した、Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｗｉｔｈ  Ｉｎｔｅｇｒａｌｌｙ  Ｆｕｓｅｄ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒという名称の米国仮特許出願第６０／７０１，６８７号、および２００６年４月２８日に出願した、Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｗｉｔｈ  Ｉｎｔｅｇｒａｌｌｙ  Ｆｕｓｅｄ  Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒという名称の米国仮特許出願第６０／７４５，９８０号の優先権および利益を主張するものである。
【０００２】
本開示は一般にヒューズ保護に関する。
【背景技術】
【０００３】
ヒューズを電気デバイスに統合することは知られている。参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれている、特許文献３（「第’４７２号特許」）に、このようなデバイスが開示されている。従来技術の図１Ａ、１Ｂおよび１Ｃは、第’４７２号特許によるリボンタイプのエレクトロルミネセンス照明アセンブリの一例を示したものである。照明システムは、たとえば弾力性のある半透明または透明な材料の押出し管状ハウジング（たとえばプラスチックチューブ）の形態の細長いケーシングを有するモジュラー照明ユニットを備えることができる。押出し管状ハウジング内には、一連のガラス球または他の発光源（ＬＥＤ、白熱電球または他のエレクトロルミネセントランプなど）が間隔を隔てて互いに直列および／または並列の関係で配置されている。照明源は、それぞれ、多ユニット拡張照明システムを形成するために、直列および／または並列の関係で互いに相互接続することができる。
【０００４】
従来技術の図１Ａは、リボンタイプのエレクトロルミネセンス照明アセンブリ１０の一部を示したものである。アセンブリ１０は基板１２を備えている。基板１２は、交流（「ＡＣ」）電圧源（図示せず）に電気結合された金属箔導体１４および１６を備えている。電圧源によって、照明アセンブリ１０を使用しているエレクトロルミネセンス照明ユニット（図示せず）に電力が引き渡される。
【０００５】
アセンブリ１０の基板１２は、導体１４、１６および基板１２と重畳している透明膜層１８を使用して積層されており、該透明膜層１８は、アセンブリ１０および対応するエレクトロルミネセンス照明ユニットが動作起動されると、膜層を介して光を透過させることができる。
【０００６】
従来技術の図１Ｂは、図１Ａに示す複合リボンタイプのエレクトロルミネセンス照明アセンブリ１０の上面斜視図であるが、このエレクトロルミネセンス照明アセンブリ１０には、第’４７２号特許に開示されているヒューズ２０が使用されている。従来技術の図１Ｃは、図１Ｂに示すエレクトロルミネセンス照明アセンブリ１０の対応する底面斜視図である。図１Ｂおよび１Ｃは、導体１６へのヒューズ２０の物理的な結合を示している。ヒューズ２０は、第’４７２号特許に開示されているＰｉｃｏ（登録商標）ヒューズタイプである。基板１２の切欠図で示すように、ヒューズ２０は、ヒューズリード線２２および２４を備えている。ヒューズ２０のヒューズリード線２２および２４は、それぞれクリンプ可能なオートスプライス部材２６および２８を介して導体１６に機械的に結合されている。
【特許文献１】米国仮特許出願第６０／７０１，６８７号
【特許文献２】米国仮特許出願第６０／７４５，９８０号
【特許文献３】米国特許第５，５６３，４７２号
【特許文献４】米国特許第５，０５１，６５４号
【特許文献５】米国特許第５，９４３，７６４号
【特許文献６】同時係属特許出願第１１，１４４，２３８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
オートスプライス部材２６および２８は、アセンブリ１０のコストを高くし、かつ、アセンブリ１０を複雑にし、また、欠陥の可能性を高くしている。特定のアプリケーションでは、場合によっては高い信頼性で部材２６および２８を取り付けることは不可能である。他のアプリケーションでは、高い信頼性で部材２６および２８を取り付けることが可能であっても、アセンブリ全体の中で部材２６および２８のための空間が単純に存在していないこともある。したがって、上で説明した照明システムならびに他の電気システムおよびセル電話、カメラ、遠隔通信ユニットなどのデバイスのための一体的な溶断を提供するためのより良好な方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明には、一体型溶断電気デバイスが含まれている。一実施例では、電気デバイスは、照明ユニットのエレクトロルミネセンス照明アセンブリである。複数の照明ユニットをまとめて接続し、多ユニット照明アレイを形成することができる。このような多ユニット照明アレイの一実施例は、参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれている特許文献４に示され、かつ、説明されているような並列配置または直列配置のエレクトロルミネセンスユニットである（ユニットは、リボン様の構成を有する積層構造で提供される）。
【０００９】
個々の照明ユニットは、円筒状ハウジング、長方形ハウジングまたは正方形ハウジングなどのハウジングを備えている。ハウジングは、回路および照明源または負荷を含んだ内部体積を画定している。また、ハウジングは、回路および光源に電気的に接続するための電線をハウジングを貫通して通すことができる貫通開口を画定している。光源エレメントには、エレクトロルミネセンス材料、発光ダイオード、発光体ルミネセンス材料を有する電解エミッタアノードなどの適切な任意のタイプのエレメントを使用することができる。
【００１０】
照明ユニットの光源は、光源に電力を引き渡すための貫通電線に接続された複数の導体に電気的に接続されている。本発明によれば、複数の導体のうちの１つは、その導体のヒューズエレメントすなわち溶断部分を形成するために薄くなっているか、あるいはより小さく構築されている。一実施形態では、溶断導体（溶断部分を含む）は、上で説明した金属箔タイプでできている。ここでは、より薄いヒューズリンク部分を形成するために、金属箔導体の一部がエッチングまたは他の方法によって除去されている。この方法によれば、上で説明したオートスプライス部材２６および２８が除去される。金属箔導体の薄くなったヒューズエレメント部分は、照明ユニットの他のエレクトロニクス、照明ユニットの光源またはそれらの両方と共に同じ基板アセンブリ、たとえば印刷回路基板アセンブリ上に配置することができる。溶断箔導体は、別法として、その独自の基板または印刷回路基板の上に配置される。
【００１１】
導体の溶断部分は、照明ユニットに有用なアンペア数を超える定格になるように寸法決めされる。たとえば、照明ユニットの典型的な負荷がＸアンペア（Ｘ  ａｍｐｓ）の電流を必要とする場合、溶断部分は、たとえば３Ｘアンペア（３Ｘ  ａｍｐｓ）ないし５Ｘアンペア（５Ｘ  ａｍｐｓ）の定格にすることができる。過電流状態になると、定格アンペア数で溶断部分が開路し、照明ユニットの残りの部分および短絡したユニットに直列または並列に接続される潜在的な他のユニットを、より大きく、かつ、潜在的に有害なアンペア数から保護する。本明細書において説明されている溶断導体の様々な実施形態は、照明ユニットなどの、望ましい溶断開路特性を有する電気デバイスを製造するために、間違いなく、容易に、かつ、制御可能に製造することができる。
【００１２】
金属箔溶断導体および照明ユニットは、溶断導体の適切なアプリケーションの１つを提供しているが、溶断導体には、金属箔の形状とは異なる断面形状を持たせることが可能であり、インライン導体、さらには湾曲導体などの非インライン導体を有する他のアプリケーションに統合することができる。このような他のアプリケーションには、それらに限定されないが、セル電話、電源、遠隔通信ユニット、カメラ、ディジタル音楽プレーヤ、パーソナル電子メールデバイスなどがある。
【００１３】
上で説明した目的を達成するために、主要な一実施形態では、一体型溶断電気デバイスが提供される。電気デバイスは、ハウジングと、ハウジング内に配置された負荷と、ハウジング内に配置され、かつ、負荷に電気的に接続された第１の導体と、ハウジング外に配置され、かつ、負荷に電気的に接続された第２の導体とを備えており、第１および第２の導体のうちの少なくとも一方は、薄い部分を備えた溶断導体であり、この薄い部分は過電流状態になると開路するように構成されている。
【００１４】
一実施形態では、溶断導体は、基板の上に配置された膜を備えている。
【００１５】
様々な実施形態では、溶断導体は、その断面が少なくとも略円形または長方形である。
【００１６】
一実施形態では、エッチング、研削、圧印加工、打抜き、粉砕およびそれらの任意の組合せからなるグループから選択されるプロセスを使用して薄い部分が製造される。
【００１７】
一実施形態では、薄い部分は、エンクロージャまたはカプセル封止材によって保護されている。
【００１８】
一実施形態では、エンクロージャまたはカプセル封止材は、ガラス、セラミックおよびプラスチックからなるグループから選択される少なくとも１つの材料でできている。
【００１９】
一実施形態では、エンクロージャは、プレスばめ、エポキシ接着、放射加熱、誘導加熱およびレーザ加熱からなるグループから選択される少なくとも１つのプロセスを使用して溶断導体の個別セクションに接続されている。
【００２０】
一実施形態では、薄い部分は、溶断導体の個別セクションと電気的に連通して配置され、元々個別のヒューズ線を備えている。
【００２１】
一実施形態では、ヒューズ線は、溶断導体の個別セクションの全体的に薄くなった部分に接続されている。
【００２２】
一実施形態では、個別セクションは、それぞれ、溶断導体の個別セクションへのエンクロージャの取付けを補助する溝を画定している。
【００２３】
一実施形態では、エンクロージャがヒューズ線を支えており、エンクロージャは、溶断導体の個別セクションの末端に嵌合している。
【００２４】
一実施形態では、薄い部分は、溶断導体の個別セクションを結合しているエンクロージャの表面にメタライゼーションを備えている。
【００２５】
一実施形態では、エンクロージャの少なくとも実質的にすべての内部表面にメタライゼーションが形成される。
【００２６】
主要な他の実施形態では、少なくとも実質的にインライン電極に接続するように構成されたヒューズが提供される。ヒューズは、管状エンクロージャと、管状エンクロージャによって支えられたヒューズエレメントとを備えている。エレメントは、エンクロージャが電極上に嵌合した後にエレメントと電極が接触するようにエンクロージャ内を延在している。
【００２７】
一実施形態では、ヒューズエレメントは、所望の電気開路特性が提供されるように寸法決めされている。
【００２８】
一実施形態では、ヒューズエレメントの形状は電線形であり、その直径は、所望の特性が提供されるように寸法決めされている。
【００２９】
一実施形態では、エンクロージャの上にヒューズエレメントがめっきされ、その厚さは、所望の特性が提供されるように寸法決めされている。
【００３０】
一実施形態では、ヒューズエレメントは、（ｉ）サイズが縮小されているか、あるいは（ｉｉ）開路に適したエレメントの位置に異種金属でコーティングされている。
【００３１】
主要な第３の実施形態では、（ｉ）管状エンクロージャを提供するステップと、（ｉｉ）ヒューズエレメントをエンクロージャ内に嵌合させるステップと、（ｉｉｉ）電極とヒューズエレメントが接触するように電気デバイスの電極をエンクロージャに固定するステップとを含む、回路保護を提供するための方法が提供される。
【００３２】
一実施形態では、電極をエンクロージャに固定するステップには、エンクロージャによって画定される開口に電極を挿入するステップが含まれている。
【００３３】
一実施形態では、電極をエンクロージャに固定するステップには、プレスばめ、エポキシ接着、放射加熱、誘導加熱およびレーザ加熱からなるグループから選択される少なくとも１つのプロセスが含まれている。
【００３４】
一実施形態では、電極をエンクロージャに固定するステップには、電極をエンクロージャと少なくとも実質的にインラインで位置決めするステップが含まれている。
【００３５】
主要な第４の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）少なくとも１つの二重金属電線を介して第１および第２の導体部分と電気的に連通しているヒューズエレメントと、（ｉｖ）  二重金属電線に化学的に結合された保護ガラスボディまたは保護セラミックボディとを備えた溶断導体が提供される。
【００３６】
一実施形態では、エレメントは薄膜エレメントである。
【００３７】
一実施形態では、エレメントは、基板の上に提供されている。
【００３８】
一実施形態では、エレメントは、ガラスボディまたはセラミックボディによって提供される圧縮力を介して、少なくとも１つのデュメット線と電気的に連通した状態で保持されている。
【００３９】
一実施形態では、溶断導体は、電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されている。
【００４０】
主要な第５の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導体部分と電気的に連通しているヒューズエレメントと、（ｉｖ）第１および第２の導体部分に化学的に結合された保護ガラスボディとを備え、ガラスおよび導体部分が化学結合に適した材料でできた溶断導体が提供される。
【００４１】
主要な第６の実施形態では、（ｉ）スロットを画定している端部を有する第１の導体部分と、（ｉｉ）スロットを画定している端部を有する第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の終端と電気的に連通しているヒューズエレメントであって、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２の導体部分と電気的に連通するように、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２のスロットに挿入されているヒューズエレメントとを備えた溶断導体が提供される。
【００４２】
一実施形態では、溶断導体は、ヒューズエレメントを保護するキャップを備えている。
【００４３】
一実施形態では、キャップは、エポキシキャップ、重合体キャップ、ガラスキャップ、セラミックキャップ、および第１および第２の導体部分に接着するように構成されたキャップからなるグループから選択される少なくとも１つのタイプのキャップである。
【００４４】
一実施形態では、エレメントは薄膜エレメントである。
【００４５】
一実施形態では、エレメントは、基板の上に提供されている。
【００４６】
一実施形態では、溶断導体は、電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されている。
【００４７】
主要な第７の実施形態では、（ｉ）ノッチを画定している端部を有する第１の導体部分と、（ｉｉ）ノッチを画定している端部を有する第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の終端と電気的に連通しているヒューズエレメントであって、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２の導体部分と電気的に連通するよう、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２のノッチの各々の内部表面に結合されたヒューズエレメントとを備えた溶断導体が提供される。
【００４８】
一実施形態では、溶断導体は、ヒューズエレメントを保護するキャップを備えている。
【００４９】
一実施形態では、キャップは、エポキシキャップ、重合体キャップ、ガラスキャップ、セラミックキャップ、および第１および第２の導体部分に接着するように構成されたキャップからなるグループから選択される少なくとも１つのタイプのキャップである。
【００５０】
一実施形態では、エレメントは薄膜エレメントである。
【００５１】
一実施形態では、エレメントは、基板の上に提供されている。
【００５２】
一実施形態では、溶断導体は、電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されている。
【００５３】
主要な第８の実施形態では、（ｉ）フラットを画定している端部を有する第１の導体部分と、（ｉｉ）フラットを画定している端部を有する第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の終端と電気的に連通しているヒューズエレメントであって、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２の導体部分と電気的に連通するよう、第１および第２の終端がそれぞれ第１および第２のフラットの各々の２つの平らな表面のうちの一方に結合されたヒューズエレメントとを備えた溶断導体が提供される。
【００５４】
一実施形態では、溶断導体は、ヒューズエレメントを保護するキャップを備えている。
【００５５】
一実施形態では、キャップは、エポキシキャップ、重合体キャップ、ガラスキャップ、セラミックキャップ、および第１および第２の導体部分に接着するように構成されたキャップからなるグループから選択される少なくとも１つのタイプのキャップである。
【００５６】
一実施形態では、エレメントは薄膜エレメントである。
【００５７】
一実施形態では、エレメントは、基板の上に提供されている。
【００５８】
一実施形態では、溶断導体は、電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されている。
【００５９】
主要な第９の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導体部分に化学的に結合された保護ガラスボディまたは保護セラミックボディと、（ｉｖ）保護ガラスボディを介して、第１および第２の導体部分と電気的に連通した状態で保持された電線ヒューズエレメントとを備えた溶断導体が提供される。
【００６０】
一実施形態では、電線ヒューズエレメントは、ガラスボディまたはセラミックボディ内に対角線状に織り込まれている。
【００６１】
一実施形態では、第１および第２の導体部分は、それぞれ、保護ガラスボディまたは保護セラミックボディが化学的に結合された細い端部を備えている。
【００６２】
一実施形態では、細い端部はデュメット材料でできている。
【００６３】
一実施形態では、細い端部は、第１および第２の導体部分に接続されている。
【００６４】
一実施形態では、溶断導体は、電気デバイス内で、電力源および電源負荷のうちの少なくとも一方に接続されている。
【００６５】
主要な第１０の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導体部分と電気的に連通した状態で保持されたヒューズエレメントと、（ｉｖ）ヒューズエレメントの第１および第２の端部に配置された第１および第２のタブと、（ｖ）ハウジングとを備え、ハウジングがタブの上に挿入されると、第１および第２のタブならびにハウジングがプレスばめの関係を形成するように構成された溶断導体が提供される。
【００６６】
一実施形態では、ハウジングを単一の方向からタブに被せることができるよう、タブに角度が付けられ、かつ、位置合わせしている。
【００６７】
一実施形態では、ハウジングは、プラスチック、ガラスおよびセラミックからなるグループから選択される材料のハウジングである。
【００６８】
一実施形態では、ヒューズエレメントは、（ｉ）打抜きプロセスによって展伸加工された表面を有している、および（ｉｉ）曲がりくねった形状である、からなるグループから選択される少なくとも１つの特性を備えている。
【００６９】
一実施形態では、ヒューズエレメントは溶断合金部分を備えている。
【００７０】
一実施形態では、溶断合金部分は、（ｉ）打抜きプロセスによって展伸加工された表面を有している、および（ｉｉ）曲がりくねった形状である、からなるグループから選択される少なくとも１つの特性を備えている。
【００７１】
主要な第１１のエレメントでは、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）溝を画定している第１および第２の導体部分と、（ｉｖ）第１および第２の導体部分と電気的に連通した状態で保持されたヒューズエレメントと、（ｖ）エレメントを収納している熱収縮エンクロージャであって、該エンクロージャを第１および第２の導体部分に確実に保持するために、第１および第２の導体部分の末端付近の加熱によって溝の中に圧壊したエンクロージャとを備えた溶断導体が提供される。
【００７２】
様々な実施形態では、ヒューズエレメントは電線ヒューズエレメントであり、かつ／または第１および第２の導体部分にはんだ付けされている。
【００７３】
一実施形態では、第１および第２の導体部分は、第１および第２の導体部分の周囲にその最終形状を形成するために熱収縮エンクロージャを加熱している間、間隔を隔てて保持され、最終形状が形成されると、熱収縮エンクロージャによって第１および第２の導体部分が所望の間隔を隔てて保持される。
【００７４】
主要な第１２の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）半径がより大きいセクションおよび半径がより小さいセクションを備えた、半径が逓減する端部を個々に画定している第１および第２の導体部分と、（ｉｖ）第１および第２の導体部分の端部のより小さい半径のセクションに接続されたヒューズエレメントと、（ｖ）端部のより小さい半径のセクションの上に配置された熱収縮スリーブであって、端部のより大きい半径のセクションの直径と少なくとも実質的にぴったり合う外径を有する熱収縮スリーブと、（ｖｉ）熱収縮スリーブおよび第１および第２の導体部分の端部の一部を覆っている成形プラスチックエンクロージャであって、第１および第２の導体部分の直径と少なくとも実質的に同じ外径を有する成形プラスチックエンクロージャとを備えた溶断導体が提供される。
【００７５】
一実施形態では、ヒューズエレメントは電線エレメントであり、かつ／または第１および第２の導体部分の端部のより小さい直径のセクションにはんだ付けされている。
【００７６】
主要な第１３の実施形態では、主要な第１２のエレメントで説明した熱収縮スリーブが、エレメントの周囲に空洞を生成するプラスチックスリーブに置換されている。熱可塑性エンクロージャは、プラスチックスリーブの周囲に成形されている。一実施形態では、外部プラスチックエンクロージャは、第１および第２の導体部分の外径と少なくとも実質的に同じ外径を有している。
【００７７】
一実施形態では、エレメントは電線エレメントである。電線エレメントは、第１および第２の導体部分の端部にはんだ付けすることができる。
【００７８】
主要な第１４の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）それぞれプレスばめ延長部分を画定している第１および第２の導体部分と、（ｉｖ）第１および第２の導体のプレスばめ延長部分と締りばめを構築するように構成され、かつ、寸法決めされた開口を画定しているヒューズボディと、（ｖ）ハウジングと第１および第２の導体部分の延長部分との間のプレスばめの関係を介して固着されたヒューズエレメントとを備えた溶断導体が提供される。
【００７９】
様々な実施形態では、ヒューズエレメントは電線ヒューズエレメントであり、かつ／または第１および第２の導体部分に補助的にはんだ付けされている。
【００８０】
主要な第１５の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導体部分と電気的に連通した状態で保持されたヒューズエレメントと、（ｉｖ）第１および第２の導体部分に接続され、かつ、ヒューズエレメントと接触している形状記憶合金部材であって、超過温度状態が生じると定義済みの形状に復帰し、その過程で第１および第２の導体部分のうちの一方からヒューズエレメントを開路させるように構成された形状記憶合金部材とを備えた溶断導体が提供される。
【００８１】
一実施形態では、形状記憶合金部材は、絶縁材料でコーティングされている。
【００８２】
一実施形態では、ヒューズエレメントおよび形状記憶合金部材のうちの少なくとも一方が第１および第２の導体部分にはんだ付けされている。
【００８３】
主要な第１６の実施形態では、（ｉ）第１の導体部分と、（ｉｉ）第２の導体部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導体部分を互いに固定された空間関係で保持している少なくとも１つの非導電性ポストと、（ｉｖ）一方の端部が第１の導体部分に固定され、もう一方の端部が第２の導体部分にスライド可能に支えられている導電性ばねと、（ｖ）第２の導体部分の末端に配置された絶縁スリーブと、（ｖｉ）第１の導体部分および導電性ばねに接続された形状記憶合金部材とを備えた溶断導体が提供される。超過温度状態が生じると形状記憶合金部材がプリセット位置へ復帰し、導電性ばねと絶縁スリーブが接触するように導電性ばねを引っ張り、それにより溶断導体が開路する。
【００８４】
一実施形態では、少なくとも１つの非導電性ポストは、第１および第２の導体に接着されている。
【００８５】
一実施形態では、非導電性ポストは、第１および第２の導体にはんだ付けされる金属端を備えている。
【００８６】
一実施形態では、導電性ばねは、第１の導体部分にはんだ付けされている。
【００８７】
一実施形態では、形状記憶合金は、第１の導電部分および導電性ばねのうちの少なくとも一方にはんだ付けされている。
【００８８】
主要な第１７の実施形態では、（ｉ）第１の導電部分と、（ｉｉ）第２の導電部分と、（ｉｉｉ）第１および第２の導電部分に固定されたヒューズエレメントと、（ｉｖ）蝶番で開閉するよう、クラムシェル構成を有する成形エンクロージャであって、一体型でスナップされ、あるいはヒューズエレメントの周囲および第１および第２の導電部分の少なくとも一部の周囲に固定された成形クラムシェルエンクロージャとを備えた溶断導体が提供される。
【００８９】
一実施形態では、第１および第２の導電部分は、成形クラムシェルエンクロージャがより容易に第１および第２の導電部分の端部をつかむことができるよう、異なる半径を有する端部を備えている。
【００９０】
一実施形態では、成形クラムシェルエンクロージャは、剛直なプラスチックでできている。
【００９１】
様々な実施形態では、ヒューズエレメントは電線エレメントであり、かつ／またはヒューズエレメントは、第１および第２の導電部分の端部にはんだ付けされている。
【００９２】
上で説明した実施形態および以下で説明する実施形態は、照明システムまたは安定器などと共に、電力抵抗器、ダイオード、コンデンサ、インダクタまたは導体などの電気コンポーネント、金属トランジスタ、バリスタ、コネクタボディ、応力除去ユニットなどの多くの異なるアプリケーションに使用することができる。
【００９３】
したがって、以上の実施形態およびアプリケーションに鑑みて、本開示の利点によれば、一体型溶断保護が改善された照明ユニットなどの電気デバイスが提供される。
【００９４】
本開示の他の利点によれば、電気デバイス内にヒューズを統合するための装置および方法が提供される。
【００９５】
さらに、本開示の利点によれば、制御可能かつ反復可能に製造されるヒューズが提供される。
【００９６】
さらに、本開示の利点によれば、正確に制御することができる溶断開路特性を有する溶断導体が提供される。
【００９７】
本開示のさらに他の利点によれば、薄膜ヒューズ技術、打抜きヒューズエレメント、ガラス−金属ハウジングシール、溶断合金、熱収縮エンクロージャ、剛直なエンクロージャによって取り囲まれた中間スリーブ、プレスばめエンクロージャおよびクラムシェル形エンクロージャのうちの任意の１つまたは複数を使用して一体型溶断導体を製造する装置および方法が提供される。
【００９８】
本開示のさらに他の利点によれば、過電流状態が生じると溶断導体を開路するように構成された形状記憶合金エレメントが提供される。
【００９９】
本発明の他の特徴および利点は、以下の「発明を実施するための最良の形態」および図に記載されており、それらから明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１００】
図２Ａを参照すると、統合ヒューズエレメントを有する、エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスの一実施形態が、エレクトロルミネセントランプユニット３０によって示されている。図から分かるように、ランプユニット３０はハウジング５２を備えている。ハウジング５２は、図１Ａないし１Ｃに示すアセンブリ１０に類似したエレクトロルミネセント照明アセンブリ１０を収納している。一実施形態では、ランプユニット３０は、他のランプユニット３０に直列または並列に接続することができるモジュラーランプユニットである。ハウジング５２は、たとえば弾力性のある半透明または透明な材料の押出し管状ハウジング（たとえばプラスチックチューブ）の形態の少なくとも１つの光透過性の透明表面、半透明表面またはシースルー表面を備えている。
【０１０１】
ハウジング５２は、エレクトロルミネセントランプ６０を収納している。ランプユニット３０およびハウジング５２は、可視電磁放射、紫外線、近紫外線、赤外線または他の電磁放射を有する光源などの適切な任意のサイズおよびタイプのランプすなわち光源６０を備えることができる。単なる実施例にすぎないが、光源６０は、場合によっては樹脂、膜およびコーティングを硬化させるために有用である紫外線ランプエレメントを備えることができる。ハウジング５２の少なくとも一部は、光源６０に適応するために光透過性である。
【０１０２】
ユニット３０のハウジング５２は、光源６０の他に、ユニット３０に必要な他の回路５８を収納することができる。回路５８は、照明アセンブリ１０と同じ基板の上、光源６０を備えた基板と同じ基板の上、またはその独自の基板の上に配置することができる。同様に、照明アセンブリ１０のコンポーネントも、それらの独自の基板の上に配置することができ、あるいは回路５８および光源６０のうちの１つまたは複数と組み合わせることも可能である。
【０１０３】
複数の照明ユニット３０を備えた多ユニットアレイに照明ユニット３０が使用されるアプリケーションなどの特定のアプリケーションでは、図１に示す概ね細長い形態のハウジング５２が望ましい。プラグ５４および５６は、ハウジング５２の末端の近傍に提供することができる。プラグ５４および５６は、リード線６２ａないし６２ｄを受け取る貫通開口を画定することができる。リード線６２ａおよび６２ｂは、それらの末端でコネクタ６４ａに結合されている。同様に、線６２ｃおよび６２ｄも、それらの末端でコネクタ６４ｂに結合されている。コネクタ６４ａおよび６４ｂは、（ｉ）他の照明ユニット３０、または（ｉｉ）電池、ラインコードまたは発電機などの電源への照明ユニット３０の接続を可能にしている。別法としては、コネクタ６４（コネクタ６４ａおよび６４ｂを集合的に参照したもの）は、照明ユニットを互いに並列の関係で接続することができるよう、ヘッダまたはワイヤリングハーネスに結合することができる。
【０１０４】
図２Ａに示すランプユニット３０の照明アセンブリ１０は、アセンブリ１０の上に配置されている導体１４および１６の一方に統合的に、あるいは一体で接続されたヒューズアセンブリ５０ｆを備えている。図２Ａでは、一体的に溶断する導体は導体１６のみであるが、代替実施形態では導体１４または導体１４と１６が溶断する。ヒューズアセンブリ５０ｆは、過電流状態の間、ランプユニット３０の回路および配線を保護している。ヒューズアセンブリ５０ｆは、別法または追加として、図２Ａに示すランプユニット３０に直列または並列に電気的に接続された他のランプユニット３０を保護し、かつ、図に示すユニット３０に並列に接続されたランプユニット３０を分離している。
【０１０５】
一実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｆは、導体１４または１６に接続されているリード線６２ｃおよび６２ｄのより近くに位置するよう、対応する個々の導体１４または１６に沿って配置されている。この構成によれば、ヒューズアセンブリ５０ｆが開路した後に、導体１４または１６の残りの部分に沿った、リード線６２ｃ、６２ｄおよび潜在的に個々に接続されている照明ユニット３０に向かうエネルギーの伝達の防止が促進される。しかしながら、ヒューズアセンブリ５０ｆは、たとえば、図２Ａに示すユニット３０にコネクタ６４ａまたは６４ｂを介して接続されている他のユニット３０の保護より、負荷または光源６０の保護を強化するために、導体１４または１６の異なる部分に沿って配置することも可能であることを理解されたい。
【０１０６】
次に、補足的に図２Ｂを参照すると、ユニット３０のアセンブリ１０がより詳細に示されている。アセンブリ１０は基板６６を備えている。基板６６には、ＦＲ−４材料、セラミック、絶縁重合体、ガラスまたはこのような材料の任意の組合せなどの適切な任意の絶縁体を使用することができる。基板６６は、単層にすることも、あるいは複数の層を備えることも可能である。導体１４および１６（セクション１６ａないし１６ｃとして示されている）は、フォトエッチング、スパッタリング［その他］などの適切な任意の方法を使用して基板６６に付着されている。
【０１０７】
図解を分かり易くするために、導体１６のみが一体的に溶断するものとして示されている。導体１６は、外部セクション１６ａ、１６ｃおよび薄い内部部分すなわち溶断部分１６ｂを備えている。薄い内部部分すなわち溶断部分１６ｂには、直線的な形状、湾曲した形状、曲がりくねった形状などの適切な任意の形状を持たせることができる。薄い部分１６ｂは、一本の素線であっても、あるいは複数のより線であってもよい。薄い部分１６ｂの一部、たとえば中央部分に異種金属を配置し、「Ｍ」効果すなわちメトカルフ（Ｍｅｔｃａｌｆ）効果に寄与させることができる。このメトカルフ効果により、過負荷状態の間、異種金属がベース金属中に拡散し、それによりその電気抵抗が大きくなり、自己加熱が加速し、かつ、その融解温度が低くなるため、溶断部分１６ｂが容易に融解する。
【０１０８】
参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれている、１９９９年８月３１日に発行された、本発明の譲受人に譲渡された、特許文献５（「第’７６４号特許」）に、薄い溶断部分１６ｂを備えた導体１４および１６の形成に適した装置および方法の１つが示されている。薄い部分１６ｂは、ユニット３０の動作アンペア数より大きいアンペア数に設定される所望のアンペア数定格で開路するよう、たとえばその断面積を寸法決めすることができる。薄い部分１６ｂに適した長さ、幅および高さの１つは、長さ０．０５インチ、幅０．００４インチ、高さ０．００１インチである。比較として、非溶断セクション１６ａおよび１６ｃの断面の寸法は、幅０．０２５インチ、高さ０．００１インチにすることができる。
【０１０９】
溶断部分１６ｂは、溶断部分１６ｂによって、余計なクリンプデバイスまたは取付けデバイスを必要とすることなく必要な過負荷保護が提供されるため、有利である。溶断部分１６ｂは、非溶断導体１４の輪郭を少なくとも実質的に維持するため、溶断部分１６ｂが空間またはサイズの問題の原因になることはない。図に示す実施形態では、薄い部分１６ｂが開路する際にアークするエネルギーの拘束を補助し、かつ、一般的にはたとえば環境要因から導体１４、１６およびユニット３０を保護するために、上で説明した第’７６４号特許に示されているような適切な絶縁層、ラミネート、膜またはカプセル封止材６８が導体１４および１６の上に配置されている。一実施形態では、絶縁層、ラミネートまたはカプセル封止材６８の少なくとも一部は光透過性である。
【０１１０】
図２Ａおよび２Ｂに示すアセンブリ１０および溶断部分１６ｂは、光ユニット３０に限定されず、また、基板を担っている回路すなわち印刷回路基板を有する多くの異なる電気デバイスに統合することができる。電気デバイス内の複数の回路を総合的に保護するために、同じ基板の上に複数のヒューズすなわち部分１６ｂなどの薄い部分を配置することができる。
【０１１１】
次に図３、４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂ、６Ａおよび６Ｂを参照すると、本発明の代替実施形態が示されている。ここでは、一体型溶断導体２０は、その断面が少なくとも実質的に円形または長方形であり、図２Ａおよび２Ｂに示す、基板６６に固定された金属箔導体１４および１６とは異なり、自由に懸垂した状態または自由配置構造で配置することができる。図３は、溶断する前の導体２０を示したものである。導体２０は、アプリケーションに応じて、適切な任意の形状およびサイズを有することができる。
【０１１２】
図に示す実施形態では、導体２０は、ステム３２およびヘッド３４を備えている。導体２０のステム３２およびヘッド３４は、黄銅、青銅または他の適切な金属などの同じ種類または異なる種類の金属のステムおよびヘッドであってもよい。また、ステム３２にはスズをめっきすることも可能である。ヘッド３４は、たとえば、導体２０を使用すべきデバイスの端子に固定するべく、導体２０の端部に提供されている。ヘッド３４は、導体２０を使用すべきデバイスの端子に導体２０を固着するために、打抜きまたはリベットすることができる。また、ヘッド３４は、導体２０を使用すべきデバイス内への導体２０の配置を補助するストップとして作用させることも可能である。
【０１１３】
図４Ａおよび４Ｂは、それぞれ、第１の部分の製造中における一体型ヒューズの一実施形態の上面図および側面図である。ここでは、ヒューズすなわち導体２０の薄い部分は、図３に示すステム３２（セクション３２ａないし３２ｃを含む）の平らな部分すなわち細い部分３２ｂを研削し、圧印加工し、打抜き、あるいは粉砕することによって形成されている。薄い部分３２ｂは、それぞれ導体２０のステム３２の近位セクション３２ａおよび遠位セクション３２ｃを分離している。溶断部分３２ｂは、０．００１インチないし０．０１インチなどの所望の厚さまで薄くなっている。
【０１１４】
図４Ａおよび４Ｂに示す実施形態では、薄い部分３２ｂは、ステム３２の一方の面から研削または粉砕されている。この操作は、ステム３２が円筒状である場合、薄い部分すなわち溶断部分３２ｂの厚さおよび幅がステム３２の丸みによって減少するため、ある面では有利である。また、ステム３２がスズなどでめっきされている場合、ステム３２の一方の面を研削または粉砕することにより、溶断部分３２ｂの外部表面にめっきが残される。めっきを施すことにより、上で言及した「Ｍ」効果すなわちメトカルフ効果に対する寄与が促進され、このメトカルフ効果により、過負荷状態の間、スズがベース金属中に拡散し、それによりその電気抵抗が大きくなって自己加熱が加速し、一方ではその融解温度が低くなるため、溶断部分３２ｂが容易に融解する。
【０１１５】
図４Ａおよび４Ｂに示すように、部分３２ｂは、別法として、ステム３２の実質的に中央部分が残るように機械加工することも可能である。別法としては、溶断部分すなわち薄い部分３２ｂは、ステム３２の断面の一方の側にエレメントが位置するように研削、粉砕または圧印加工される。溶断部分３２ｂは、ヒューズが開路するアンペア数などの適切な任意の電気開路特性およびＩ２Ｒ特性が提供されるよう、所望の任意の断面形状、長さ、幅および厚さを持たせるべく、多くの任意の方向または寸法で機械加工することができる。
【０１１６】
次に図５Ａおよび５Ｂを参照すると、統合ヒューズの一実施形態を準備するプロセスの第２のステップが示されている。ここでは、溶断部分３２ｂは、導体２０の中心に向かって内側に湾曲し、あるいはキンクしている。部分３２ｂを内側に湾曲させ、あるいはキンクさせることにより、エレメントがハウジング１８内のより中心に位置することになり、延いてはより迅速で、かつ、より無矛盾の開路特性が得られる。また、導体２０の全体の長さが同じである場合、部分３２ｂの実効長が長くなる。部分３２ｂの長さが長くなると、部分３２ｂの厚さまたは断面積をより分厚くし、あるいはより広くすることができ、延いてはヒューズ全体をより頑丈にすることができる。また、溶断部分３２ｂを湾曲させることにより、導体２０が配置されるハウジングに、部分３２ｂによって形成される三角形ボイド中に延在する、内側に向かって突出するアーク障壁を持たせることができる。
【０１１７】
次に図６Ａおよび６Ｂを参照すると、それぞれ、完成したヒューズアセンブリ５０ａ（本明細書において説明されているヒューズアセンブリ５０ａないし５０ｔは、集合的にヒューズアセンブリ５０で参照されているか、あるいは一括してヒューズアセンブリ５０で参照されている）の上面図および側面図が示されている。ヒューズアセンブリ５０ａは、ガラスエンクロージャ、セラミックエンクロージャまたはプラスチックエンクロージャなどの絶縁エンクロージャ３６を備えている。エンクロージャ３６は、ヒューズアセンブリ５０ａおよび導体２０のセクション３２ａ、３２ｃを備えた総合統合ヒューズアセンブリに、電気絶縁、強度および剛性を提供している。上で説明したように、導体２０の薄い部分すなわち溶断部分３２ｂは、この実施形態ではヒューズアセンブリ５０ａのヒューズエレメントとして機能している。
【０１１８】
また、図６Ａおよび６Ｂは、エンクロージャ３６が二液性エポキシなどの接着剤３８によって導体２０に固着されていることを示している。アセンブリに際しては、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃの末端にエンクロージャ３６が被せられ、少なくとも溶断部分３２ｂのほぼ中央に配置される。次に、エンクロージャ３６の両端に接着剤３８が加えられ、溶断部分３２ｂが外部環境から密閉される。本明細書において説明されているいずれの実施形態においても、エンクロージャ３６は、別法または追加として、機械的なプレスばめ、誘導加熱、放射加熱、レーザ加熱および／または超音波エネルギーによってセクション３２ａおよび３２ｃに密閉されている。
【０１１９】
図６Ａおよび６Ｂに示すアセンブルされた構造は、上で説明した照明ユニット、試験および測定機器、電源、トランスフォーマ、コネクタ、ワイヤハーネス、照明安定器および軍用コンポーネントなどの適切な任意の電気デバイスに組み込むことができる。図６Ａおよび６Ｂに示すヒューズアセンブリ５０ａは、導体２０の比較的中央に配置されているが、ヒューズアセンブリ５０ａは、別法として、図２Ａに示すように導体２０のヘッド３４により近い位置に配置される。
【０１２０】
それぞれ図２Ｂおよび６Ａ／６Ｂに示すヒューズ５０ｆおよび５０ａは、溶断導体の一部を薄くすることによって少なくとも実質的に完全に構築された溶断部分を備えている。本発明は、それには一切限定されない。次に図７ないし１０を参照すると、溶断導体を薄くすることによって部分的に形成された溶断部分およびヒューズエレメント４０を備えた、一体的に取付け可能な代替ヒューズアセンブリ５０ｂが示されている。アセンブリ全体は、ヒューズアセンブリ５０ａを使用したアセンブリに関連して上で説明した特徴と同じ特徴を数多く備えている。この場合も、導体２０は、セクション３２ａ、３２ｂおよび３２ｃに分割されている。セクションすなわち部分３２ｂは、圧印加工プロセス、打抜きプロセス、粉砕プロセスまたは研削プロセスを使用して薄くなっている。図７ないし９に示すように、薄い部分すなわち溶断部分３２ｂは、導体２０内の略中央に配置されている（しかしながら、別法として、ヒューズアセンブリ５０ａに関連して説明したように、導体２０の一方の側に配置することも可能である）。
【０１２１】
図８は、一体型ヒューズアセンブリ５０ｂの製造における第２の段階を示したものである。ここでは、打抜き、機械加工、化学エッチング、ワイヤＥＤＭ等によって薄い部分３２ｂにギャップが構築され、ギャップによって分離された２つの薄いセクション３２ｂ１および３２ｂ２が生成される（図８および９にラベルが振られている）。このギャップは、同じく打抜き、機械加工、化学エッチング、ワイヤＥＤＭ等によって導体２０に形成することも可能である。このギャップは、図１０に示すヒューズアセンブリ５０ｂを製造している間、維持される。
【０１２２】
図９に示すように、薄い導体すなわちヒューズエレメント４０は、ギャップを横切って導体２０の薄いセクション３２ｂ１および３２ｂ２に取り付けられている。図に示す実施形態のヒューズエレメント４０は、一本の素線、複数のより線、編組エレメントまたは鎖リンクエレメントなどの電線エレメントである。このようなエレメントは、その開路特性を改善するために、異種金属またはスズコーティングを備えることができる。代替実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｂのヒューズエレメント４０は、平らな金属シートであるか、あるいは適切な任意の形状を有している。ヒューズエレメント４０は、超音波ボンディング、溶接、はんだ付けなどによって薄いセクション３２ｂ１および３２ｂ２に接続されている。ヒューズエレメント４０は、ヒューズアセンブリ５０ａの溶断部分３２ｂと同様、薄いセクション３２ｂ１および３２ｂ２と共に、適切な任意の電気溶断開路特性が提供されるように寸法決めされ、かつ、寸法化されている。ヒューズアセンブリ５０ａは、図２Ａに関連して上で説明したランプユニット３０などの多くの異なるタイプの電気デバイスに使用することができる。
【０１２３】
図１０に示すように、ヒューズアセンブリ５０ｂは、導体２０の遠位セクション３２ａおよび３２ｃの末端にエンクロージャ３６が被せられ、薄い部分３２ｂ１および３２ｂ２とギャップの幅を合わせた長さのほぼ中央に置かれると完成する。エンクロージャ３６は、次に、上で説明した任意の方法および装置を使用して導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃに、機械的、電気的、化学的および／または熱的に固着される。セクション３２ａおよび３２ｃは、ギャップの幅が維持されるよう、固着プロセスの間、間隔を隔てて保持される。ハウジング３６は、統合ヒューズアセンブリ５０ｂおよび導体２０のアセンブリに、電気絶縁および機械的剛性ならびに安定性を提供している。ヒューズアセンブリ５０ｂは、本明細書において説明したように、導体２０のステム３２に沿った任意の望ましい位置に配置される。図１０に示すアセンブルされた構造は、上で説明した照明ユニット、試験および測定機器、電源、トランスフォーマ、コネクタ、ワイヤハーネス、照明安定器および軍用コンポーネントなどの適切な任意の電気デバイスに組み込むことができる。
【０１２４】
次に図１１および１２を参照すると、他の代替実施形態が、一体型的に取付け可能なヒューズアセンブリ５０ｃによって示されている。ここでは、薄くなった導体２０部分は存在していない。その代わりに、図に示すヒューズアセンブリ５０ｃは、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃに統合されている。しかしながら、追って明らかになるように、このヒューズアセンブリ５０ｃも、余計なクリンプデバイスを必要としない方法で導体２０にアセンブルされており、図２Ａに関連して上で説明したランプユニット３０などの多くの異なるタイプの電気デバイスに使用することができることを理解されたい。上で説明した、この代替実施形態以外の実施形態の溶断導体の場合、エンクロージャ３６の取付けに先立って、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃに溶断部分すなわちヒューズエレメントが形成され、あるいは取り付けられた。この代替実施形態とそれまでの実施形態の相違は、この代替実施形態の場合、アセンブリに先立って、ヒューズアセンブリ５０ｃのハウジング３６の上に薄い導電部分すなわちヒューズエレメント４０を提供し、ハウジング３６を使用してヒューズエレメント４０を支えることができることである。したがって、独立型ヒューズとしてヒューズアセンブリ５０ｃをパッケージし、販売することができる。
【０１２５】
図１１および１２に示すように、セクション３２ａと３２ｃの間のギャップは維持されている。部分３２ｂは完全に除去されている。このギャップは、上で説明したように、打抜き、機械加工、化学エッチング、ワイヤＥＤＭ等によって導体２０に形成することができる。ハウジング３６は、薄い導体すなわちヒューズエレメント４０を備えている。図１２に示すように、エレメント４０は、エンクロージャ３６の内壁に取り付けられている。セクション３２ａおよび３２ｃは、別法として、個別に形成することも可能である。ヒューズエレメント４０は、上で説明した電線ヒューズエレメント（適切な任意のめっきが施された）であっても、あるいは平らな金属片のエレメントであってもよい。また、ヒューズエレメント４０は、エンクロージャ３６の内壁に画定された浅い縦方向の溝に埋め込むことも可能である。別法としては、エンクロージャ３６の内壁が連続し、エレメント４０がエンクロージャ３６の開口の中へわずかに内側に向かって延在する。
【０１２６】
ギャップ空間は、エンクロージャ３６が被せられ、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃの各々の一端に、熱的、電気的、機械的および／または化学的に取り付けられている間、維持される。詳細には、図１２に示すように、エンクロージャ３６の一方の端部が導体２０のセクション３２ａに接続および／または密閉され、エンクロージャ３６のもう一方の端部が導体２０のセクション３２ｃに接続および／または密閉される。エンクロージャ３６は、本明細書において説明されている任意の方法を使用して導体２０に接続および／または密閉される。図１２に示すアセンブルされた構造は、上で説明した照明ユニット、試験および測定機器、電源、トランスフォーマ、コネクタ、ワイヤハーネス、照明安定器および軍用コンポーネントなどの適切な任意の電気デバイスに組み込むことができる。
【０１２７】
次に図１３を参照すると、好ましいヒューズの１つがヒューズアセンブリ５０ｄとして示されている。このヒューズアセンブリ５０ｄも、ヒューズアセンブリ５０ｃと同様、薄い導体すなわちヒューズエレメント４０を支持、つまりサポートしている。したがって、円筒状にすることも、長方形にすることも、あるいは適切な任意の断面形状を持たせることもできるヒューズアセンブリ５０ｄは、ヒューズアセンブリ５０ｄが一体的に接続される電気デバイスとは別にパッケージし、販売することができる。
【０１２８】
図に示す実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｄのヒューズエレメント４０は、絶縁ハウジング３６の内部表面に金属化またはめっきされた厚さの１つまたは複数の金属である。絶縁ハウジング３６は、プラスチック、セラミック、ガラスまたはそれらの任意の組合せである。金属化またはめっきは、特定のアンペア数定格などの所望の電気開路特性および／または所望の融解特性が得られる厚さまたは総体積で提供される。
【０１２９】
電気デバイスの電極すなわち導体（図示せず）が、たとえばヒューズアセンブリ５０ｄへの機械的なプレスばめによって被せられ、それにより電極とヒューズエレメント４０が電気的に連通する。そのために、エンクロージャ３６の一方の側もしくは両側（または中央）に、適切な距離または所望の距離だけ電極がエンクロージャ３６内に挿入されると該電極と当接するストップとして内部スタンドオフ４２を提供することができる。別法としては、ヒューズアセンブリ５０ｄ内における電極の移動および位置決めをモニタすることにより、電極と電極の間のギャップ幅が制御される。次に、伝導接着、レーザ加熱、放射加熱、誘導加熱、超音波エネルギー、機械プレスばめまたはそれらの任意の組合せを使用して、エンクロージャ３６および／またはエレメント４０が電極に固定される。
【０１３０】
一実施形態では、エレメント４０は、めっき、スパッタリングまたは他の適切なプロセスを使用して、ヒューズアセンブリ５０ｄのハウジング３６の実質的にすべての内部表面に提供されている。別法としては、エレメント４０は、ハウジング３６の内部表面に所望のパターンを有するように金属化される。また、図に示すエレメント４０は、ハウジング３６の内部表面に接着されているが、エレメント４０は、別法または追加として、ヒューズアセンブリ５０ｄのハウジング３６の外部表面の一部または全体にめっきされる（このような場合、ヒューズアセンブリ５０ｄは、導体３２ａおよび３２ｃに差し込まれる）。本明細書において説明されているように、ヒューズアセンブリ５０ｄは、図２Ａに示すランプユニット３０または他の適切な任意の溶断可能電気デバイスと共に使用することができる。
【０１３１】
次に図１４ないし１６を参照すると、他の代替ヒューズアセンブリ５０ｅが示されている。ヒューズアセンブリ５０ｅは、既に説明した、図７ないし１０に示すヒューズアセンブリ５０ｄおよびヒューズアセンブリ５０ｂに類似している。この場合、ヒューズアセンブリ５０ｅのエレメント４０（ヒューズアセンブリ５０ｂに使用されているエレメントに類似している）は、図７ないし１０に示す薄いセクション３２ｂ１および３２ｂ２ではなく、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃの機械加工された端部（ヒューズアセンブリ５０ｄの端部に類似している）に固着されている。いずれの場合においても、セクション３２ａと３２ｃの間にギャップが提供され、かつ、維持される。また、図１４および１５に示すように、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃにそれぞれ溝４２ａおよび４２ｂが構築されている。これらの溝４２ａおよび４２ｂによって、エンクロージャ３６をセクション３２ａおよび３２ｃに固定する際のギャップ距離の維持が促進される。エレメント４０は、図にはフィラメント線として示されているが、別法として、本明細書において説明されている任意のエレメントを使用することができる。フィラメント線４０は、セクション３２ａおよび３２ｃに溶接、はんだ付けまたは超音波ボンディングされており、あるいは電気的に適切にセクション３２ａおよび３２ｃに取り付けられている。
【０１３２】
導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃの各々の一端にエンクロージャ３６が被せられ、熱的、機械的および／または化学的に取り付けられる。エンクロージャ３６は、溝４２ａおよび４２ｂにスナップ嵌合する、内側に突出した整合突起（図示せず）を備えることができる。別法としては、エンクロージャ３６は、加熱されると溝４２ａおよび４２ｂを充填する熱収縮チューブなどの適切な材料でできている。いずれの場合においても、溝４２ａおよび４２ｂを充填することにより、軸方向の強度が提供され、かつ、ヒューズアセンブリ５０ｅが密閉される。また、本明細書において開示されている、エンクロージャ３６をセクション３２ａおよび３２ｃに接続するための方法および装置は、いずれもヒューズアセンブリ５０ｅと共に適用することができる。
【０１３３】
ヒューズアセンブリ５０ｅは、ランプユニット３０または適切な任意の溶断可能電気デバイスと共に使用することができる。また、溝４２ａおよび４２ｂは、本明細書において説明されている任意のヒューズ５０を備えることができる。さらに、エンクロージャ３６は溝を備えることができ、一方、セクション３２ａおよび３２ｃは、整合突起を備えている。
【０１３４】
次に図１７ないし１９を参照すると、ヒューズアセンブリ５０ｇおよびその製造方法が示されている。この実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｇには、薄膜ヒューズ７０およびガラス−金属シールが使用されている。既に説明したように、また、図３に示すように、プロセスは、溶断すべき導体２０で開始される。導体２０は、アプリケーションに応じて、適切な任意の形状およびサイズを有することができる。導体２０は、ステム３２およびヘッド３４を備えている。導体２０のステム３２およびヘッド３４は、黄銅、青銅または他の適切な金属などの同じ種類または異なる種類の金属のステムおよびヘッドであってもよい。また、ステム３２にはスズをめっきすることも可能である。ヘッド３４は、図３に関連して上で説明した代替機能および特徴の各々を備えている。
【０１３５】
図１７では、導体２０の中央部分（３２ｂは示されていない）が除去され、導体の外側の部分３２ａおよび３２ｃが残される。次に、部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端に二重金属電線４４ａおよび４４ｂが突合せ溶接などで溶接される。電線４４ａおよび４４ｂには、ガラス−金属シールの形成に適した任意のタイプの電線を使用することができる。一実施形態では、電線４４ａおよび４４ｂは、丸い銅被覆ニッケル−鉄電線であってもよいデュメットタイプの電線である。デュメット線は、化学的に安定したシールを構築するための多くのタイプのガラスと両立するため、有利である。また、デュメット線は、ガラスの熱膨張特性と良好に整合する熱膨張特性を有している。電線４４ａおよび４４ｂは、一実施形態では、直径０．０２インチ（０．５ｍｍ）、長さ０．０４インチ（１ｍｍ）である。
【０１３６】
一代替実施形態では、導体の外側の部分３２ａおよび３２ｃは、それ自体、ガラス−金属シールの構築に適しており、たとえば部分３２ａおよび３２ｃは、二重金属またはデュメットタイプにすることができる。ここでは、個別のデュメット線４４ａおよび４４ｂは不要である。部分３２ａおよび３２ｃは、別法として、銅、たとえば鉛入りガラスなどの特定のタイプのガラスおよびセラミックに密閉することができる無酸素銅であってもよい。
【０１３７】
図１８に示すように、部分３２ａと３２ｃの間にガラスボディ４６およびヒューズ７０が加えられる。ヒューズ７０は、一実施形態では、本出願の譲受人によって提供される、場合によってはその０６０３チップヒューズに類似している薄膜ヒューズである。ヒューズ７０は、たとえば銅めっき７４を介して一方の側にめっきされた単一の基板層７２を有することができる。めっき７４は、その中央部分のポイント７６が薄くなっており、特定の電流および／またはｉ２Ｒ定格になると開路するように構成されている。ヒューズ７０の基板７２は、一実施形態では、ＦＲ−４材料、セラミック、ガラス、ポリイミドまたはポリエステルなどの電気的に非導電性の適切な材料でできている。基板７２は、少なくとも実質的に長方形にすることができ、また、めっきする必要があるのは一方の面のみであるため、たとえば孔またはビアをめっきすることなく比較的単純にすることができる。同様に、通常はこのような基板と結合しているマーキングを基板に施す必要はない。
【０１３８】
ボディ４６は、一実施形態では円筒状であるが、導体２０の部分３２ａおよび３２ｃの断面形状に基づいて適切な任意の形状を有することができる。ボディ４６は、好ましい一実施形態ではガラスであるが、別法としてはセラミックである。
【０１３９】
電線４４ａおよび４４ｂは、ヒューズ７０のめっき表面７４にはんだ付けすることができる。別法としては、部分３２ａおよび３２ｃがガラスボディ４６と両立するために電線４４ａおよび４４ｂが使用されない場合、部分３２ａおよび３２ｃは、ヒューズ７０のめっき表面７４に直接はんだ付けされる。
【０１４０】
別法または追加として、ガラスボディ４６は、はんだ付けの必要がないよう、ヒューズ７０の導電表面を電線４４ａおよび４４ｂ（または導体の部分３２ａおよび３２ｃ）にプレスばめする。部分３２ａおよび３２ｃに直接接続する場合、部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端の直径を小さくし、小さくなった直径の末端を越えて挿入されるとヒューズ７０と当接するストップを生成することができる（図１８には部分３２ａおよび３２ｃより小さい直径を有していることが示されている電線４４ａおよび４４ｂによって生成されるストップに類似している）。
【０１４１】
ボディ４６の加熱されない内径は、電線４４ａおよび４４ｂの外径とほぼ同じである（若干大きい）。ボディ４６が電線４４ａおよび４４ｂに被せられると、ボディ４６に熱が加えられ、たとえばボディ４６の温度が約６００℃ないし約７００℃の温度に上昇する。しかしながら、この温度は、別法として、もっと高い温度にし、１０００℃を超える温度にすることも可能である。熱によってガラスボディ４６が崩壊し、電線４４ａ、４４ｂおよびヒューズ７０に圧縮力が提供され、それにより電線４４ａおよび４４ｂがヒューズ７０のめっき部分７４にクリンプされる。ボディ４６の崩壊した外径は、部分３２ａおよび３２ｃの外径とぴったり合う外形またはそれより大きくすることができ、あるいは図１９に示すように部分３２ａおよび３２ｃの外径よりわずかに大きくすることができる。また、ガラスキャップ７８の収縮によって提供される圧縮力は、場合によっては基板７２が特定の剛性を有していること、たとえばセラミック材料の剛性を有していることを示していることを理解されたい。
【０１４２】
別法としては、ボディ４６の開始内径は、コレクタ部分３２ａおよび３２ｃの外径とほぼ同じである（若干大きい）。ここでは、デュメット線４４ａおよび４４ｂの直径は、部分３２ａおよび３２ｃの直径とほぼ同じにすることができる。あるいは、電線４４ａおよび４４ｂが使用されていない場合もある。この場合もガラスボディ４６に熱が加えられ、それによりガラスボディ４６が崩壊し、部分３２ａおよび３２ｃならびに電線４４ａおよび４４ｂ／ヒューズ７０に圧縮力が提供される。
【０１４３】
次に図２０ないし２２を参照すると、他の代替ヒューズアセンブリ５０ｈおよびその製造方法が示されている。この実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｈには、ヒューズアセンブリ５０ｇの場合と同様、薄膜ヒューズ７０が使用されている。一実施形態では、アセンブリ５０ｈには、ナイロンまたはエポキシのキャップ７８が使用されているが、別法として、ガラスまたはセラミックのキャップを使用することも可能である。既に説明したように、また、図３に示すように、プロセスは、溶断すべき導体２０で開始される。導体２０のステム３２およびヘッド３４は、図３に関連して上で説明した代替機能および特徴の各々を備えている。
【０１４４】
図２０では、導体２０の中央部分（３２ｂは示されていない）が除去され、導体の外側の部分３２ａおよび３２ｃが残される。次に、部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端にスロット４８ａおよび４８ｂが機械加工される。スロット４８ａおよび４８ｂは、一実施形態では、幅０．０２インチ（０．５ｍｍ）、深さ０．０４インチ（１ｍｍ）である。
【０１４５】
図２１Ａおよび２１Ｂの２つの異なる図に示すように、ヒューズ７０は、スロット４８ａおよび４８ｂに嵌合している。ヒューズ７０は、一実施形態では、上で説明した、本出願の譲受人によって提供される、場合によってはその０６０３チップヒューズに類似した薄膜ヒューズ７０と同じ薄膜ヒューズ７０である。ヒューズ７０は、たとえば銅めっき７４を介して一方の側にめっきされた単一の基板層７２を有することができる。めっき７４は、過電流状態になると開路するように構成されたヒューズエレメント７６を形成するために薄くなっている。
【０１４６】
ヒューズエレメント７０の基板７２は、一実施形態では、ＦＲ−４材料、セラミック、ガラス、ポリイミドまたはポリエステルなどの電気的に非導電性の適切な材料でできている。基板７２は、少なくとも実質的に長方形にすることができ、また、上で説明したように、孔またはマーキングを実装することなく比較的単純にすることができる。
【０１４７】
ヒューズ７０は、一実施形態では、導体２０の部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けされるか、あるいは金属結合される。たとえば、導電めっきすなわちパッド７４にはんだペーストを塗布することができる。次に、ヒューズ７０および部分３２ａ、３２ｃをリフローオーブンを通過させることにより、パッド７４上のはんだが融解し、それによりパッド７４と部分３２ａおよび３２ｃの間に金属間結合が生じる。
【０１４８】
次に、ヒューズ７０がカプセル封止される。一実施形態では、ヒューズ７０は、エポキシコーティング７８を使用してカプセル封止される。他の実施形態では、ヒューズ７０は、ナイロンキャップ７８を使用してカプセル封止される。エポキシコーティング７８を使用してヒューズ７０をカプセル封止するために、たとえばヒューズ７０を加熱し、次に、粉末状のエポキシの流動床を介してドラグすることができる。サブアセンブリ５０の加熱された溶断部分７０がエポキシによってコーティングされる。このステップを複数回繰り返すことにより、所望の厚さを有するエポキシのコーティング７８をヒューズ７０の上に蓄積させることができる。コーティング７８に適したエポキシは、たとえばＨｅｎｋｅｌ−Ｌｏｃｔｉｔｅ（Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ州Ｉｒｖｉｎｅ）およびＤａｅｊｏｏ（韓国Ｓｅｏｕｌ）から入手することができる。
【０１４９】
代替実施形態では、キャップ７８を形成するためにヒューズ７０の周囲にナイロンが接着される。ナイロンキャップ７８の接着に適した接着剤は、たとえば、Ｈｅｎｋｅｌ−Ｌｏｃｔｉｔｅから入手することができるＨｙｓｏｌ（商標）エポキシ接着剤である。ナイロンは、一実施形態では、ヒューズ７０および／または部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端に巻き付けられ、かつ、接着されるストリップとして提供されている。別法として、一実施形態では、ナイロンは、部分３２ｃの上まで引っ張られ、かつ、ヒューズ７０および／または部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端に接着されるチューブとして提供されている。本明細書において示されているいずれの実施形態においても、キャップ７８は、鋳物であっても、あるいは成形プラスチック材料であってもよい。
【０１５０】
他の代替実施形態では、キャップ７８は、部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端の、たとえば銅または無酸素銅であってもよい材料への化学的密閉に適したガラスでできている。ここでは、アセンブリ５０ｇに関連して上で説明したいくつかの実施形態のうちの１つとは異なり、デュメット線は使用されていない。また、部分３２ａおよび３２ｃへのヒューズ７０の結合を、ガラスキャップの収縮によって提供される圧縮力に頼る必要はない。この結合は、上で説明したように、はんだ接合によって実施される。
【０１５１】
アセンブリ５０ｈのアプリケーションは、キャップ７８がエポキシであるか、ナイロンであるか、あるいはガラスであるかどうかによって決まる。特定のアプリケーションは、場合によっては、たとえばガラス（または特定のタイプのガラス）またはエポキシ（または特定のエポキシ）と化学的に両立しない。ナイロンキャップ７８は、通常、ほとんどの苛酷な化学アプリケーションに対して不活性である。しかしながら、ナイロンキャップ７８をアセンブリ５０ｈに取り付けるために使用される接着剤も、同じくアプリケーション化学薬品に対して不活性でなければならず、あるいは化学薬品から適切に保護しなければならない。
【０１５２】
次に図２３ないし２５を参照すると、他の代替ヒューズアセンブリ５０ｉおよびその製造方法が示されている。この実施形態では、ヒューズアセンブリ５０ｉには、ヒューズアセンブリ５０ｇおよび５０ｈの場合と同様、薄膜ヒューズ７０が使用されている。アセンブリ５０ｉは、ガラス−金属シールを使用することができても、あるいは使用することができなくてもよい。図３に示すように、プロセスは、溶断すべき導体２０で開始される。導体２０のステム３２およびヘッド３４は、図３に関連して上で説明した代替機能および特徴の各々を備えている。
【０１５３】
図２３では、導体２０の中央部分（３２ｂは示されていない）が除去され、導体の外側の部分３２ａおよび３２ｃが残される。次に、部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端にノッチ８０ａおよび８０ｂが機械加工される。スロット８０ａおよび８０ｂは、一実施形態では、幅０．０４インチ（１ｍｍ）、深さ０．０４インチ（１ｍｍ）である。
【０１５４】
図２４Ａおよび２４Ｂの２つの異なる図に示すように、ヒューズ７０は、ノッチ８０ａおよび８０ｂにはんだ付けされている。ヒューズ７０は、一実施形態では、上で説明した、本出願の譲受人によって提供される、場合によってはその０６０３チップヒューズに類似したヒューズ７０と同じヒューズ７０である。ヒューズ７０は、たとえば銅めっき７４を介して一方の側にめっきされた単一の基板層７２を有することができる。めっき７４は、過電流状態になると開路するように構成されたヒューズエレメント７６を形成するために薄くなっている。
【０１５５】
ヒューズエレメント７０の基板７２は、一実施形態では、ＦＲ−４材料、セラミック、ガラス、ポリイミドまたはポリエステルなどの電気的に非導電性の適切な材料でできている。基板７２は、少なくとも実質的に長方形にすることができ、また、上で説明したように比較的単純にすることができる。
【０１５６】
ヒューズ７０は、一実施形態では、導体２０の部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けされるか、あるいは金属結合される。たとえば、導電めっきすなわちパッド７４にはんだペーストを塗布することができる。次に、上で説明したように、ヒューズ７０および部分３２ａ、３２ｃをリフローオーブンを通過させることにより、パッド７４と部分３２ａおよび３２ｃの間に金属間結合が生じる。
【０１５７】
次に、ヒューズ７０がカプセル封止される。一実施形態では、ヒューズ７０は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したように、エポキシコーティング７８を使用してカプセル封止される。他の実施形態では、ヒューズ７０は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したように、ナイロンキャップ７８を使用してカプセル封止される。さらに他の代替実施形態では、キャップ７８は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したように銅または無酸素銅であってもよい部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端への化学的な密閉に適したガラスでできている。この場合も、アセンブリ５０ｉのアプリケーションは、キャップ７８がエポキシであるか、ナイロンであるか、あるいはガラスであるかどうかによって決まる。
【０１５８】
次に図２６および２７を参照すると、はんだ付け可能なフラットを使用した、ノッチが施された、あるいは展伸加工されたヒューズアセンブリ５０ｉの他の実施態様のそれぞれ正面図および上面図が示されている。ここでは、フラット８２ａおよび８２ｂは、導体２０の部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端に機械加工されている。フラット８２ａおよび８２ｂは、それらによって、図２３ないし２５に示すノッチ部分３２ａおよび３２ｃ（それらの外部表面に沿って丸くすることができる）よりも一様に加熱することができる２つのはんだ付け可能な表面が提供されるため、場合によっては図２３ないし２５に示す片側ノッチ８０ａおよび８０ｂより有利である。
【０１５９】
ヒューズ７０は、たとえば導電パッド７４に塗布されたはんだペーストによって導体２０の部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けされているか、あるいは金属結合されている。ヒューズ７０はカプセル封止されている。一実施形態では、ヒューズ７０は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したエポキシコーティング７８を使用してカプセル封止されている。他の実施形態では、ヒューズ７０は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したナイロンキャップ７８を使用してカプセル封止されている。さらに他の代替実施形態では、キャップ７８は、アセンブリ５０ｈに関連して上で説明したように銅または無酸素銅であってもよい部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端への化学的な密閉に適したガラスでできている。あるいは、フラット８０ａおよび８０ｂは、より広範囲にわたるガラスキャップと化学的に結合する二重金属またはデュメット材料であってもよい。
【０１６０】
図２８ないし３１は、ヒューズ７０を製造するための一実施形態を示したものである。ヒューズ７０は、図２８に示すように、本明細書において説明したように使用されるキャップ７８のアプリケーションおよびタイプに応じて、ＦＲ−４、セラミック、ガラス、ポリイミドまたはポリエステルである基板７２で開始される。図に示すように、基板７２は、たとえばスルーホールめっきのための貫通孔またはビアを必要としない長方形の単純な単層基板であってもよい。図２９では、導電性のたとえば銅終端パッド７４およびエレメント領域７６が、たとえばフォトエッチングまたは他の適切な任意の技法を使用して基板７２に加えられる。好ましい一実施形態では、多数のヒューズのアレイが基板材料の単一シートを使用して構築され、個々のヒューズ７０に分割される。基板は、パッド７４とパッド７４の間のめっき済み領域と非めっき済み領域になり、エレメント領域７６がエッチ除去される。
【０１６１】
図３０に示すように、エレメント７６は、金属、たとえば下を覆っている銅より融解温度が低いスズまたは銀である拡散材料（異なる陰影で示されている）を備えている。この拡散材料によって、上で言及した「Ｍ」効果すなわちメトカルフ効果に対する寄与が促進され、このメトカルフ効果により、過負荷状態の間、スズがベース金属中に拡散し、それによりその電気抵抗が大きくなって自己加熱が加速し、一方ではその融解温度が低くなるため、溶断部分３２ｂが容易に融解する。拡散材料により、望ましい開路特性を備えたヒューズ７０の生成が促進される。
【０１６２】
図３１に示すように、次に、カバー８４によってエレメント７６が保護される。カバー８４には、エポキシなどの適切な任意の材料を使用することができる。
【０１６３】
次に図３２を参照すると、ガラスチューブまたはセラミックチューブタイプのさらに他の代替ヒューズアセンブリがアセンブリ５０ｊによって示されている。ヒューズアセンブリ５０ｊは、上で説明したように、導体の部分３２ｂを除去することによって生成されたギャップによって分離された導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃを備えている。部分３２ａおよび３２ｃの内側の円筒状末端８６ａおよび８６ｂは、その直径が部分３２ａおよび３２ｃの残りの部分の直径より小さくなるように機械加工されている。代替実施形態では、円筒状末端８６ａおよび８６ｂは、部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けまたは電気的に接続されるデュメット線である。
【０１６４】
アセンブリ５０ｊは、図９、１２および１５に関連して上で説明した電線エレメント４０のいくつかの代替実施形態のうちの任意の代替実施形態であってもよい電線ヒューズエレメント４０を備えている。ヒューズアセンブリ５０ｇに関連して上で説明したように、ガラスボディ４６（図１８および１９に関連して上で説明した）が円筒状末端８６ａおよび８６ｂの上に取り付けられ、加熱される。加熱によってガラスハウジング４６が収縮または崩壊し、電線４０および末端８６ａ、８６ｂに圧縮力が印加され、それによりそれらが一体的に保持される。別法としては、ボディ４６はセラミックである。
【０１６５】
電線４０をアセンブリ５０ｊに取り付けるための方法の１つは、複数のボディ４６を通して電線ストックを蛇行させ、次に、それらが位置合わせするよう、ボディ４６を回転させることである。次に、部分３２ａおよび３２ｃの末端８６ａおよび８６ｂがボディ４６の末端の各々に挿入される。次に、余分の電線ストックが焼かれ、電線４０が残される。
【０１６６】
図に示す実施形態では、ボディ４６の外径は、部分３２ａおよび３２ｃの外径と少なくとも実質的にぴったり合っている。アセンブリの直径を一様な直径または部分３２ａおよび３２ｃによって画定される最大径に維持する必要がある特定のアプリケーションでは、このような構成が望ましい。
【０１６７】
代替実施形態では、部分３２ａおよび３２ｃの細くなっていない方の末端にボディ４６が嵌合し、ボディ４６によって高くなった輪郭が残される。その場合、とりわけ導体２０の部分３２ａおよび３２ｃがデュメット材料の部分ではない場合、ボディ４６のガラスのタイプと部分３２ａおよび３２ｃの金属のタイプが化学的に結合することを保証するためには注意が必要である。
【０１６８】
細くなった方の末端８６ａおよび８６ｂが使用されるにせよ、あるいは使用されないにせよ、ガラスボディまたはセラミックボディ４６を同時に加熱し、崩壊させている間、導体２０の末端８６ａおよび８６ｂまたは部分３２ａおよび３２ｃへの電線エレメント４０のろう付けが企図されている。
【０１６９】
次に図３３ないし３６を参照すると、一体型溶断導体のさらに他の代替実施形態およびその製造方法がヒューズアセンブリ５０ｋによって示されている。ヒューズアセンブリ５０ｋは、図３３に示すように、長さ約１．５インチ（３８．１ｍｍ）、直径約０．０２５インチ（０．６４ｍｍ）の金属線、リボン、または一実施形態では絶縁されたたとえばスズがめっきされた銅線であってもよい導体２０で開始される。中央セクション３２ｂにフラットが構築され、末端３２ａおよび３２ｃが残される。一実施形態では、フラット３２ｂは、長さ約０．２２インチ（５．５ｍｍ）、幅約０．０６７インチ（１．７ｍｍ）である。したがって末端３２ａおよび３２ｃは、それぞれ約０．６４インチ（１６．３ｍｍ）の長さにすることができる。上に挙げた寸法は、説明を目的としたものにすぎず、本発明の範囲を制限することは一切意図されていない。
【０１７０】
図３４に示すように、ヒューズエレメント９０は、フラット３２ｂから打ち抜かれている。一実施態様では、導体２０は、最初にフラット３２ｂを生成し、次にエレメント９０を打ち抜く順送り型を通して引き抜かれる。図に示すように、ヒューズエレメント９０は、一実施形態では曲がりくねった形状を有することができる。たとえば、エレメント９０は、曲がりくねった形状のピークとピークの間に約０．０２５インチ（０．６４ｍｍ）の距離が長手方向に存在し、かつ、上部ピークから下部ピークまで約０．０１３インチ（０．３２ｍｍ）の距離が垂直方向に存在するように打ち抜くことができる。
【０１７１】
図３５に最も良好に示すように、導体の内側の末端３２ａおよび３２ｃは、それぞれ、エレメント９０の外側の末端がそれぞれ角度が付いたタブ９２ａおよび９２ｂを有するか、あるいはそれらと連通するように打ち抜かれている。図３５は、タブ９２ａを詳細に示したもので、このタブ９２ａは、一実施形態ではタブ９２ｂと同じである。タブ９２ａは、部分３２ａ（および３２ｂ）の直径Ｄより広い幅Ｙ１およびＹ２を有している。タブ９２ａは、幅がＹ２になるまで角度αで延在し、幅がＹ２になると今度は幅がＹ１になるまで、より小さい角度βで延在している。
【０１７２】
図３４に示すように、両方のタブ９２ａおよび９２ｂの角度αおよびβは、同じ方向に向いている。これは、図３４に示す矢印の方向からハウジング９４を被せた場合に、タブ９２ａおよび９２ｂのみにハウジング９４を嵌合させることができるようにするためである。ハウジング９４は、適切な任意のガラス、セラミックまたは重合体を使用して構築することができる。
【０１７３】
図３６に示すように、ハウジング９４がエレメント９０およびタブ９２ａ、９２ｂに被さると、ハウジング９４の内径がタブ９２ａおよび９２ｂの角度βの部分を押し付け、それによりハウジング９４とタブ９２ａおよび９２ｂの間にプレスばめが生成される。図から分かるように、幅Ｙ２は、少なくとも実質的にハウジング９４の内径と同じである。ハウジング９４およびタブ９２ａ、９２ｂは、好ましい一実施形態ではその断面が円形であるが、別法として、それらは正方形、長方形などであってもよい。
【０１７４】
図３７に示すように、ハウジング９４とタブ９２ａおよび９２ｂの間のプレスばめ界面は、任意選択で、Ｈｅｎｋｅｌ−Ｌｏｃｔｉｔｅから入手することができるＨｙｓｏｌ（商標）接着剤などの接着剤９６でさらに固着することができる。また、図３８に示すように、アセンブリ５０ｋは、ハウジング９４（および接着剤９６）の周囲にカプセル封止コーティング９８を施すことによって完成させることも可能である。カプセル封止コーティング９８は、エポキシコーティング、重合体コーティングなどの共形コーティングであってもよい。
【０１７５】
次に図３９ないし４２を参照すると、溶断合金部分を有する打抜きヒューズエレメント１００およびその製造方法の一実施形態が示されている。ヒューズエレメント１００は、図３３に示す構造と同じ構造で開始することができ、上で説明したように金属線、リボンまたはスズがめっきされた銅線であってもよい。この場合も中央セクション３２ｂにフラットが構築され、末端３２ａおよび３２ｃが残される。一実施形態では、フラット３２ｂおよび末端３２ａ、３２ｃは、図３３に関連して上で説明した寸法を有している。
【０１７６】
図３９では、孔１０２が、押抜き、穿孔、レーザ切断等によってフラット３２ｂに形成される。孔１０２のサイズは、保護されるデバイスのサイズおよび所望のヒューズアンペア数定格で決まる。図４０では、所望の溶断合金１０４の量が孔１０２に置かれる。溶断合金１０４には、スズまたは銀などの融解温度がより低い適切な任意の溶断金属を使用することができ、また、溶断合金１０４は、ペレット、ペースト、プリフォームなどの適切な任意の形態で提供することができる。溶断合金１０４は、スクリーン印刷、ステンシル印刷、インクジェット、ピックアンドプレースアプリケーション、それらの任意の組合せ、または適切な他の任意の方法によって加えることができる。
【０１７７】
図４０に示すように、正方形で比喩的に示されている溶断合金１０４のアプリケーションは、まだフラット３２ｂの金属に金属結合されていない。この段階における溶断合金のアプリケーションでは、孔１０２を完全に充填することはできない。図４１に示すように、次のステップで、はんだ付け合金１０４またはろう付け合金１０４の形態の溶断合金１０４に熱が加えられる。たとえば、溶断合金１０４は、ペースト形態の溶断合金１０４が融解し、孔１０２を通って流れ、孔１０２の縁と金属間結合を形成するよう、リフローオーブンを通過させることができる。また、溶断合金１０４をろう付けすることにより、溶断合金１０４が孔１０２を通って流れ、孔１０２の縁と金属間結合を形成する。
【０１７８】
図４２では、図３４に関連して上で説明したように、フラット３２ｂからエレメント１００が打ち抜かれる。エレメント１００は、一実施形態では、曲がりくねったエレメント９０で説明した形状および寸法を有している。エレメント１００は、部分３２ａおよび３２ｃと同じ金属である部分１０６を有している。図４２では、エレメント１００は、同じく、部分１０６と電気的に連通している溶断合金部分１０４を有している。たとえば、二重金属エレメント１００の部分１０４のスズによって、上で言及した「Ｍ」効果すなわちメトカルフ効果に対する寄与が促進され、このメトカルフ効果により、過負荷状態の間、スズがベース金属中に拡散し、それによりその電気抵抗が大きくなって自己加熱が加速し、一方ではその融解温度が低くなるため、溶断部分３２ｂが容易に融解する。
【０１７９】
図に示す実施形態では、図３４ないし３６に関連して上で説明したタブ９２ａおよび９２ｂが、同じくエレメント１００との組合せで打ち抜かれている。上で説明したように、ハウジングをエレメント１００に被せることにより、図３６ないし３８に示すアセンブリ５０ｋと同様のヒューズアセンブリが提供される。また、接着剤（図３７）およびカプセル封止材（図３８）も、エレメント１００と共に使用するべく明白に企図されている。
【０１８０】
次に図４３を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリ５０ｌの断面が示されている。ヒューズアセンブリ５０ｌは、上で説明したヒューズアセンブリ５０ｅに類似している。ヒューズアセンブリ５０ｌのエレメント４０は、導体２０のセクション３２ａおよび３２ｃの末端と末端の間にクリンプされている。セクション３２ａおよび３２ｃの末端の近くに環状溝５２および５４が構築されている。図に示されている導体２０のヘッド３４は、三角形の断面を有している。
【０１８１】
図に示す実施形態のエレメント４０は、１つまたは複数の導電性材料または金属製の電線である。一実施形態では、エレメント４０は、はんだ接合１４８によってセクション３２ａおよび３２ｃの末端にはんだ付けされている。セクション３２ａおよび３２ｃを分離した状態に維持し、かつ、剛直な結合を提供するために、ヒューズエレメント４０の周囲に収縮包装エンクロージャ１３６が配置されている。
【０１８２】
図に示すように、収縮包装エンクロージャ１３６の末端は、それぞれセクション３２ａおよび３２ｃの環状溝５２および５４の中へ収縮または崩壊している。また、収縮包装エンクロージャ１３６の交点１３８は、セクション３２ａと３２ｃの間の空間の中へ収縮または崩壊している。溝５２および５４の中への末端の崩壊と、熱収縮エンクロージャ１３６の中央部分１３８の崩壊が相俟って、熱収縮したエンクロージャ１３６と導電セクション３２ａおよび３２ｃの間の接続を剛直にしている。
【０１８３】
一実施形態では、エンクロージャ１３６は、その加熱に先立って、導体セクション３２ｃの上を、エレメント４０上の所定の位置へスライドさせることができる。これは、セクション３２ａおよび３２ｃが互いに所定の距離を隔てて保持されていることによるものである。次に、チューブ１３６を収縮させることにより、剛直なプレスばめエンクロージャが生成され、それぞれ導電セクション３２ａ、３２ｃの末端および環状溝５２および５４の周囲に堅固に嵌合する。
【０１８４】
次に図４４ないし４６を参照すると、様々な製造段階におけるさらに他の代替ヒューズアセンブリ５０ｍが示されている。図４５および４６は、熱収縮スリーブ１３６および成形ハウジング１３８の断面を示したものであるが、図に示されている導体部分３２ａ、３２ｃおよびヒューズエレメント４０は、説明のためにセクション化されていない。
【０１８５】
導電セクション３２ａおよび３２ｃの内側の末端は、薄い突起１５２および薄い突起１５２から外側に向かって延在している、半径がより大きいフランジ１５４を有するように機械加工されている。薄い突起１５２は、適切な位置へのエレメント４０の配置を補助しており、また、この薄い突起１５２によって、ハウジング１３８の外径が導体セクション３２ａおよび３２ｃの主要部分の外径より小さくなるか、あるいは少なくとも実質的にぴったり合う外径になるように熱収縮エンクロージャ１３６および成形ハウジング１３８を適用することができる。フランジ１５４は、たとえば図４５および４６に示すように、熱収縮チューブ１３６を所定の位置に保持する役割を果たしている。
【０１８６】
既に説明したように、薄い突起１５２およびフランジ１５４は、一実施形態では導体セクション３２ａおよび３２ｃから機械加工されている。別法としては、薄い突起１５２およびフランジ１５４は、個別に製造され、次に、導体セクション３２ａおよび３２ｃの末端にはんだ付けされ、機械的に係合され（たとえばねじ止めされ）、あるいは化学的に結合される。
【０１８７】
薄い突起１５２の周囲に熱収縮させる前に、導体セクション３２ａおよび３２ｃの一方に熱収縮スリーブ１３６が被せられ、フランジ１５４とフランジ１５４の間の所定の位置に配置される。熱収縮スリーブ１３６が適切な位置に配置されると、加熱されて薄い突起１５２の周囲に収縮する。熱収縮スリーブ１３６によって、エレメント４０の周囲のエアギャップが保証される。エアギャップは、エレメント４０を適切に開路させることができるため、場合によっては重要である。空気は良好な熱絶縁体であり、エレメント４０への自己加熱効果の集中を促進することができる。また、エアギャップは、エレメントが開路する際に、エネルギーを解放する空間をエレメントに与えている。
【０１８８】
しかしながら、必ずしもエアギャップを有する必要はない。実際、スリーブ１３６を提供せず、その代わりにエアギャップ空間に成形ハウジング１３８の材料を充填することが企図されている。それにより、良好な機械的剛性が提供され、また、スリーブがないため、製造がより単純になる。エレメント４０は、成形ハウジング１３８の材料との直接接触による熱損失を補償するためには、適度に小さい直径のエレメントにしなければならない。
【０１８９】
成形ハウジング１３８には、半硬質プラスチックまたは硬質プラスチックなどの成形可能な適切な任意の絶縁材料を使用することができる。適切なプラスチックには、ポリカーボネート、Ｒｙｔｏｎ、Ｖａｌｏｘ、ナイロンなどがある。ハウジング１３８は、成形する代わりに、スリーブ１３６およびフランジ１５４の周囲に鋳造することも、あるいはそれらを取り囲むことも可能である。ハウジング１３８によって、溶断導体２０のヒューズアセンブリ５０ｍ全体に剛性および強度が追加される。ここでは、ヒューズアセンブリ５０ｍは、必要な剛性の提供を熱収縮材料１３６に頼っていない。
【０１９０】
一実施形態では、ヒューズエレメント４０は、薄い突起１５２の先端にはんだ付けされている。代替実施形態では、エレメント４０は、熱収縮スリーブ１３６によって薄いセクション１５２に固着されている。
【０１９１】
図に示すように、熱収縮スリーブ１３６およびフランジ１５４は、いずれも、加熱された後の熱収縮スリーブ１３６の外径がフランジ１５４の外径と少なくとも実質的にぴったり合うように寸法決めされ、かつ、構成されている。同じく図に示すように、フランジ１５４の外径は、導体セクション３２ａおよび３２ｃの残りの部分の外径より若干小さくなっている。また、薄いセクション１５２の微小部分は、フランジ１５４から導体セクション３２ａおよび３２ｃのメインボディまで延在している。この構成により、剛性および強度を提供しているハウジング１３８をフランジ１５４の周囲に重ね合わせることができ、それにより導体セクション３２ａおよび３２ｃに堅固に固着することができる。また、この構成により、図に示すように、ハウジング１３８の外径をセクション３２ａおよび３２ｃの残りの部分の外径と少なくとも実質的にぴったり合うようにすることができる。
【０１９２】
次に図４７ないし４９を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリが、様々な製造段階におけるヒューズアセンブリ５０ｎによって示されている。ヒューズアセンブリ５０ｎは、上で説明したように、導電セクション３２ａと３２ｃの間に配置されている。セクション３２ａおよび３２ｃの末端は、ヒューズアセンブリ５０ｍに関連して上で説明したように、薄い突起１５２およびより大きい半径のフランジ１５４を備えている。ここでは、突起１５２およびフランジ１５４の形状は、ヒューズアセンブリ５０ｍの突起１５２およびフランジ１５４の形状とは異なっている。異なる構成が可能である。
【０１９３】
図に示す実施形態のヒューズエレメント４０は、セクション３２ａおよび３２ｃの末端にはんだ付けされるか、あるいは代替スリーブ１５６を使用して導電セクションに固着される電線または薄い金属エレメントである。
【０１９４】
ヒューズアセンブリ５０ｎとヒューズアセンブリ５０ｍの主な相違は、図４８および４９に示す代替スリーブ１５６が使用されていることである。スリーブ１５６は、たとえば薄いプラスチックスリーブであり、この場合も、ヒューズエレメント４０の周囲にエアギャップを維持する役割を果たしている。スリーブの材料には、本明細書において説明されている適切な任意のプラスチック材料を使用することができる。一実施形態では、スリーブ１５６は、フランジ１５４から先細りになっている円錐ヘッド１５８の周囲を取り囲んでいる。スリーブ１５６は、次に、スリーブ１５６を所定の位置に固着するために、スリーブ自体および／またはヘッド１５８あるいはフランジ１５４に接着される。薄いプラスチックスリーブ１５６は、場合によっては、図４５および４６に示すヒューズアセンブリ５０ｍの熱収縮スリーブ１３６より安価な代替である。
【０１９５】
スリーブ１５６、フランジ１５４および薄いセクション１５２の外側の周囲にプラスチックハウジング１３８などのハウジングが成形または鋳造され、導電セクション３２ａおよび３２ｃの内側の末端に堅固に固定または重ね合わせされる。また、それと同時に、導体セクション３２ａおよび３２ｃの主要部分の外径より小さい直径または少なくとも実質的にぴったり合う直径が維持される。ハウジング１３８に適した材料には、ヒューズアセンブリ５０ｍのハウジング１３８に関連して上に挙げた材料のうちの任意の材料がある。この場合も、ハウジング１３８によって、導体セクション３２ａおよび３２ｃを有する導体２０内に配置されたヒューズアセンブリ５０ｎ全体に強度および剛性が追加される。また、この場合も、必ずしもエアギャップを有する必要はなく、また、スリーブ１５６を提供せず、その代わりにエアギャップ空間に成形ハウジング１３８の材料を充填することが企図されている。
【０１９６】
次に図５０を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリがヒューズアセンブリ５０ｏによって示されている。ヒューズアセンブリ５０ｏは、図３２に示すヒューズアセンブリ５０ｊと類似している。ヒューズアセンブリ５０ｊは、上で説明したように、ガラスボディまたはセラミックボディ４６を備えている。一方、ヒューズアセンブリ５０ｏは、プラスチックのたとえば成形または鋳造ハウジング１５８を備えている。
【０１９７】
ヒューズアセンブリ５０ｏは、上で説明した、導体の部分３２ｂを除去することによって生成されたギャップによって分離された導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃを備えている。部分３２ａおよび３２ｃの内側の円筒状末端８６ａおよび８６ｂは、それぞれ、その直径が部分３２ａおよび３２ｃの残りの部分の直径より小さくなるように機械加工され、あるいは形成されている。代替実施形態では、円筒状末端８６ａおよび８６ｂは、部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けまたは電気的に接続される個別の電線である。円筒状末端８６ａおよび８６ｂは、プラスチックハウジング１５８の内壁１６０によって形成された円筒状開口内にプレスばめが生成されるように寸法決めされている。プラスチックハウジング１５８には、ポリカーボネート、Ｒｙｔｏｎ、ナイロンまたは本明細書に挙げられている適切な任意の材料などの適切な任意の半硬質絶縁重合体材料または硬質絶縁重合体材料を使用することができる。
【０１９８】
エレメント４０は、一実施形態では、本明細書において説明されている電線または薄い金属エレメントであり、内側の円筒状末端８６ａおよび８６ｂと、ハウジング１５８の内壁１６０によって形成された円筒状開口の間にクランプされている。一実施形態では、導体部分３２ａおよび３２ｃの末端８６ａおよび８６ｂをハウジング１５８内で堅固に保持するためには、締りばめで十分である。代替実施形態では、締りばめの他に接着剤が使用されている。他の代替実施形態では、ヒューズエレメント４０は、たとえば部分３２ａおよび３２ｃの末端８６ａおよび８６ｂに補助的にはんだ付けされている。
【０１９９】
図には示されていないが、ハウジング１５８の外壁にヒューズエレメント４０を形成することが企図されている。たとえば、密閉された環境またはエレメント４０を露出しても安全な環境に導体２０を配置する場合、重合体ハウジング１５８にエレメント４０を浸み込ませることができる。別法としては、エレメント４０は、ハウジング１５８の外側から加えられる導電性インクである。さらに他の代替実施形態では、エレメント４０は、ロールオーバされるか、あるいはハウジング１５８の外側に適用され、導体２０の部分３２ａおよび３２ｃと電気的に連通して配置される薄い金属箔である。この薄い金属箔は、アセンブリ５０ｏの適切な開路を生成するために、必要に応じて単一の金属、合金または複数の金属を含有することができる。
【０２００】
次に図５１を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリがアセンブリ５０ｐによって示されている。アセンブリ５０ｐは、上で説明した、導体２０の部分３２ｂを除去することによって生成されたギャップによって分離された導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃを備えている。
【０２０１】
アセンブリ５０ｐは、たとえば図９、１２および１５に関連して上で説明した電線エレメント４０のいくつかの代替実施形態のうちの任意の代替実施形態であってもよい電線または薄い金属ヒューズエレメント４０を備えている。ヒューズエレメント４０は、一実施形態では導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃにはんだ付けされている。別法としては、ヒューズエレメント４０は、導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃに機械的に取り付けられる。
【０２０２】
第２のエレメント１６２は、絶縁形状記憶合金エレメントである。参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれ、かつ、利用されている、２００５年６月２日に出願した、本出願の譲受人に譲渡された、Ｏｖｅｒｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  Ａｎｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓという名称の特許文献６に、形状記憶合金エレメントに適した材料が記載されている。形状記憶合金金属は、通常、過熱状態になると所定の形状に復帰する。
【０２０３】
この場合、形状記憶合金エレメント１６２は、過熱状態になると、平らな形状すなわち湾曲していない形状に復帰する。また、この場合、形状記憶合金エレメント１６２は、たとえば絶縁プラスチックによって絶縁されている。形状記憶合金エレメント１６２の外部プラスチックコーティングは、個々の末端で、機械的または化学的に導体３２ａおよび３２ｃに固着されている。別法としては、形状記憶合金エレメント１６２は、末端でその絶縁コーティングを貫通して延在し、導体３２ａおよび３２ｃにはんだ付けされる。
【０２０４】
図には示されていないが、絶縁ハウジングなどのハウジングは、末端部分３２ａおよび３２ｃに固着され、それらの部分を互いに一定の関係で保持している。ハウジングすなわちエンクロージャには、プラスチック、ガラス、セラミックまたは本明細書において説明されている適切な任意の材料を使用することができる。
【０２０５】
形状記憶合金エレメント１６２は、活性化温度まで加熱されると、その所定の形状すなわち平らな形状に復帰し、導体２０のいずれか一方の末端部分３２ａまたは３２ｃからヒューズエレメント４０の一方の末端を引っ張り、それにより電気的に接続が開路する。形状記憶合金エレメント１６２が活性化温度まで加熱されるまでの間は、電流はエレメント４０を通って流れることができる。
【０２０６】
次に図５２を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリがアセンブリ５０ｑによって示されている。アセンブリ５０ｑは、上で説明した、導体２０の部分３２ｂを除去することによって生成されたギャップによって分離された導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃを備えている。
【０２０７】
アセンブリ５０ｑは、たとえば図９、１２および１５に関連して上で説明したエレメント４０のいくつかの代替実施形態のうちの任意の代替実施形態であってもよい電線または薄い金属ヒューズエレメント４０を備えている。エレメント４０は、導体２０の末端部分３２ａに固定されており、たとえばはんだ付けされている。エレメント４０は、導体２０の末端部分３２ｃとすべり接触している。
【０２０８】
上で参照した任意の材料を使用することができる代替形状記憶合金部材１６４は、その一方の末端で導体３２ａに固定されている。たとえば合金エレメント１６４は、末端部分３２ａにはんだ付けすることができる。形状記憶合金エレメント１６４のもう一方の末端は、ヒューズエレメント４０に接続され、たとえばはんだ付けされている。形状記憶合金エレメント１６４には、図５１に示す形状記憶合金エレメント１６２に関連して上で説明した絶縁コーティングは不要である。
【０２０９】
導電部分３２ｃの内側の末端の周囲に絶縁カラー１６６が嵌合している。導体３２ｃの末端は、カラー１６６を受け取るように機械加工することができる。絶縁プラスチックポスト１６８は、導体部分３２ａおよび３２ｃを互いに一定の間隔を隔てた関係で保持するために、たとえば機械的または化学的に導体部分３２ａおよび３２ｃに固定されている。
【０２１０】
超過温度状態が生じると、形状記憶合金エレメント１６４が収縮し、あるいは短くなってヒューズエレメント４０が導電部分３２ｃから引き離され、それによりヒューズエレメント４０の末端１７０が後退して、今度は絶縁カラー１６６と接触する。この方法によれば、形状記憶合金エレメント１６４がその活性化温度に達すると、電気的に接続が開路する。図５１に示すアセンブリ５０ｐの場合と同様、アセンブリ５０ｑも、ここでは示されていないが絶縁ハウジングを備えることができる。
【０２１１】
次に図５３を参照すると、さらに他の代替ヒューズアセンブリがアセンブリ５０ｒによって示されている。アセンブリ５０ｒは、上で説明した、導体２０の部分３２ｂを除去することによって生成されたギャップによって分離された導体２０の末端部分３２ａおよび３２ｃを備えている。導体部分３２ａおよび３２ｃの内側の末端は、図４７ないし４９に示すアセンブリ５０ｎに関連して上で説明した薄い内部突起１５２、半径方向に延在しているフランジ１５４およびテーパが施されたヘッド１５８を備えている。ヒューズエレメント４０は、このアセンブリに関して上で説明した、テーパが施されたヘッド１５８に取り付けられている。ヒューズエレメント４０は、図９、１２および１５に関連して上で説明した電線エレメント４０のいくつかの代替実施形態のうちの任意の代替実施形態を備えている。
【０２１２】
アセンブリ５０ｒの主な相違および利点は、クラムシェル絶縁ハウジング、たとえばプラスチックハウジング１７２である。図に示すように、ハウジング１７２は、クラムシェルタイプの形状を有しており、そのために、たとえばクラムシェルハウジング１７２のブロッキング部材１７４と１７６の間の締りばめによってハウジング１７２を周囲に配置し、かつ、一体的に嵌合させることができる。図５４に示すように、クラムシェルハウジング１７２は、蝶番１８２で一体的に蝶番動作するクラムシェルの第１および第２の半分割部分１７８および１８０を有している。半分割部分１７８および１８０の内側の輪郭は、成形されているか、あるいは薄い突起１５２、フランジ１５４および場合によっては円錐セクション１５８の各々の一部の周囲にすべり嵌合するようになされている。また、半分割部分１７８および１８０の内側の輪郭は、ヒューズエレメント４０が適切に開路するギャップを生成するように構造化されている。
【０２１３】
クラムシェルハウジング１７２に適した材料には、ポリカーボネート、Ｒｙｔｏｎ、ナイロンまたは本明細書に挙げられている他の適切な任意の硬質材料がある。図には、半分割部分１７８および１８０をスナップばめまたは締りばめで一体的にするクラムシェル１７２が示されているが、半分割部分を一体型に固着する代替モードを使用することも可能であり、たとえば、半分割部分を接着剤固着、融解または溶接で一体的に固着するモード、半分割部分を機械的に一体的に結合するモードおよびそれらの任意の組合せなどを使用することができる。また、図には、蝶番１８２を有するクラムシェル１７２が示されているが、直ぐ上で説明した方法のうちの任意の方法を使用して一体的に固着される２つの個別の半分割部分を生成することも企図されている。
【０２１４】
しかしながら、この場合も、必ずしもエアギャップを有する必要はない。実際、エアギャップ空間にクラムシェルハウジング１７２の材料を充填しないことが企図されている。エレメント４０は、クラムシェルハウジング１７２の材料との直接接触による熱損失を補償するためには、適度に小さい直径のエレメントにしなければならない。
【０２１５】
次に図５５を参照すると、いくつかのヒューズアセンブリ５０（アセンブリ５０ａないし５０ｋを集合的に参照したもの）のうちの任意のヒューズアセンブリのアプリケーションの１つは、照明安定器におけるアプリケーションである。電子照明安定器１１０は、電線すなわちリード線１１２ａおよび１１２ｂを介して交流電源によって電力が供給される。また、安定器１１０は、たとえば蛍光灯に接続されているリード線１１４を備えている。図に示すように、アセンブリ５０は、照明安定器１１０の電力入力側のリード線すなわち導体１１２ａに統合されている。ヒューズアセンブリ５０は、電気安定器を保護している。
【０２１６】
次に図５６を参照すると、アセンブリ５０の他のアプリケーションが示されている。ここでは、電気コンポーネント１１６が提供されている。電気コンポーネント１１６は、たとえば電力抵抗器、ダイオード、コンデンサ、インダクタまたは導体などの適切な任意の電気コンポーネントであってもよい。リード線１１８は、電気コンポーネント１１６から延在している。リード線１１８は、ヒューズアセンブリ５０と共に溶断する。ヒューズアセンブリ５０は、コンポーネント１１６およびコンポーネント１１６に動作接続されている他のコンポーネントを保護している。
【０２１７】
次に図５７を参照すると、ヒューズアセンブリ５０の他のアプリケーションは、金属トランジスタキャニスタ１２０である。金属トランジスタキャニスタ１２０は、図に示すような楕円形状を有することができる取付けプレート１２２を備えている。取付けプレート１２２は、取付け孔１２４ａおよび１２４ｂを備えているか、あるいは画定している。また、取付けプレート１２２は、より大きい中央開口１２６を画定している。ハットまたはカン１２８は、ベースプレート１２２と共に形成されているか、あるいはベースプレート１２２に取り付けられている。ハット１２８の中には、電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）などのトランジスタまたはシリコンをベースとする電気コンポーネントが取り付けられている。シリコンをベースとするコンポーネント１３０は、エミッタリード線１３２ａおよびベースリード線１３２ｂを備えている。図に示す実施形態では、エミッタリード線１３２ａは、ヒューズアセンブリ５０と共に溶断する。
【０２１８】
一実施形態では、シリコンをベースとする電気コンポーネント１３０と共にヒューズアセンブリ５０がハット１２８の中に配置される。次に、シリコンコンポーネント１３０およびヒューズアセンブリ５０を保護し、かつ、これらのコンポーネントを環境から隔離するために、ポッティング材料１３４が開口１２６に充填される。シリコンデバイスまたはＦＥＴデバイス１３０が故障した場合、ヒューズアセンブリ５０によってポッティング１３４内における致命的な電気故障の発生が防止される。したがってヒューズアセンブリ５０は、コンポーネント１３０が故障した場合に、金属トランジスタキャニスタ１２０の周囲のコンポーネントを保護している。
【０２１９】
次に図５８を参照すると、ヒューズアセンブリ５０の他のアプリケーションは、たとえば本発明の譲受人によって提供されるバリスタ１４０を備えている。バリスタ１４０は、当業者に知られている、セラミックをベースとする材料などのバリスタ材料のディスク１４２を備えている。円形電極１４４などの金属電極は、バリスタディスク１４２の両面に加えられている。リード線１４６ａおよび１４６ｂは、たとえばソルダマス１４８を介して、それぞれ金属電極１４４の一方にはんだ付けされている。一方のリード線１４６ａがヒューズアセンブリ５０と共に溶断する。バリスタ１４０およびディスク１４２の外側には保護コーティング（図示せず）が提供されている。このコーティングも、同じくヒューズアセンブリ５０を密閉することができる。
【０２２０】
動作中、バリスタディスク１４２は、知られている方法で動作し、過電圧保護を提供する。バリスタディスク１４２を損傷し、あるいは破壊するだけの十分な大きさの電気的過大応力が生じると、ヒューズアセンブリ５０が開路し、上で説明した致命的な故障が防止される。
【０２２１】
次に図５９を参照すると、ヒューズアセンブリ５０（上記ヒューズアセンブリ５０ａないし５０ｒのうちの任意のヒューズアセンブリ）の他のアプリケーション２００は、コネクタのボディ、応力除去部材（たとえばプラグおよびトランスフォーマに隣接する電力アダプタコードの両端の応力除去部材）、電源などの任意のタイプの電気絶縁ボディ２０２を備えている。このアプリケーションには、既存の絶縁ハウジング２０２の密閉特性が利用されている。ハウジング２０２には、プラスチック、ゴムまたは他の適切な任意の絶縁材料および密閉可能材料を使用することができる。
【０２２２】
ヒューズアセンブリ５０は、上で説明した導体２０の導体部分３２ａと３２ｃの間に配置されている。図に示すように、ヒューズアセンブリ５０は、ボディ２０２の内部にヒューズアセンブリ５０が存在するように、あるいは別法として、ボディ２０２と整合する電気コンポーネント２０４（たとえばコネクタ、ラインコードプラグまたはラインコードトランスフォーマ）内にヒューズアセンブリ５０が存在するように配置することができる（仮想線）。
【０２２３】
導体部分３２ｃは、ボディ２０２がその後で導体２０の周囲を密閉する方法でボディ２０２を貫通して突き通すことができるスパイクすなわち鋭い先端２０６を備えているか、あるいは画定している。この場合、ヒューズアセンブリ５０は、先端２０６および導体２０を絶縁ボディ２０２の密閉厚さを介して押し付けるために必要な圧縮力に耐えるだけの十分な剛性を有していなければならない。ここでは、導体２０およびヒューズアセンブリ５０は、ボディ２０２および関連する電気コンポーネント２０４が形成された後に絶縁ボディ２０２に挿入することができる。
【０２２４】
導体部分３２ｃは、図に示す実施形態では、コンポーネント２０４内の電極２０８と接触している。電極２０８は、表面実装電極であってもよい。別法としては、導体部分３２ｃは、たとえばコンポーネント２０４がコネクタである場合、コンポーネント２０４と整合するデバイスの整合ピンまたは電極と接触するように構成される。たとえば、印刷回路基板を貫通して導体部分３２ｃを延在させ、基板上の電気トレースならびにコンポーネント２０４と整合するコンポーネントに電気接触させることができる。
【０２２５】
次に図６０を参照すると、一体型ヒューズエレメント４０を有する導体２０のアプリケーション２１０は、コネクタのボディ、応力除去部材（たとえばプラグおよびトランスフォーマに隣接する電力アダプタコードの両端の応力除去部材）、電源などの任意のタイプの電気絶縁ボディ２１２を備えている。ここでは、ボディ２１２は、導体２０およびヒューズエレメント４０を使用して形成されている。ヒューズエレメント４０は、本明細書において説明されている任意のタイプのヒューズエレメントであってもよい。ハウジング２１２には、プラスチック、ゴムまたは他の適切な任意の絶縁材料および密閉可能材料を使用することができる。
【０２２６】
ヒューズエレメント４０は、上で説明した導体２０の導体部分３２ａと３２ｃの間に配置されており、たとえばはんだ付けされている。この場合、鋭い先端２０６は不要であり、ヒューズエレメント４０は、導体２０を絶縁ボディ２１２の密閉厚さを介して押し付けるために必要な圧縮力に耐える必要はない。その代わりに、ここでは、絶縁ボディ２１２は、ヒューズエレメント４０の周囲に形成されており、たとえば成形または鋳造されている。ハウジング２１２、導体２０（部分３２ａおよび３２ｃを含む）およびエレメント４０は、同じ操作で一体的に嵌合されている。
【０２２７】
ここでは、エレメント４０はハウジング２１２の材料と接触するため、エレメント４０は、このような接触に耐えることができ、かつ、ボディ２１２を形成するプロセスに耐えることができる材料および構造を使用して構築しなければならない。ハウジング２１２は、ヒューズエレメント４０のためのハウジングとしても機能しているため、ヒューズアセンブリ５０のための余計なハウジングが除去されている。エレメントを適切に開路させるためには、場合によってはヒューズエレメント４０の周囲にエアギャップが維持されることが望ましいが（たとえば図４４ないし４９を参照されたい）、これは、必ずしもすべての場合にそうである必要はない。エアギャップがない方がデバイスの製造がより容易である。また、この構成によれば、機械的剛性が追加される。エレメントは、絶縁材料との直接接触による自己加熱熱損失を相殺するためには、直径をより小さくしなければならない。
【０２２８】
導体部分３２ｃは、図に示す実施形態では、コンポーネント２０４内の電極２０８と接触している。電極２０８は、表面実装電極であってもよい。別法としては、導体部分３２ｃは、たとえばコンポーネント２０４がコネクタである場合、コンポーネント２０４と整合するデバイスの整合ピンまたは電極と接触するように構成される。たとえば、印刷回路基板を貫通して導体部分３２ｃを延在させ、基板上の電気トレースならびにコンポーネント２０４と整合するコンポーネントに電気接触させることができる。
【０２２９】
当業者には、本明細書において説明した、現時点における好ましい実施形態に対する様々な変更および改変が明らかであることを理解されたい。このような変更および改変は、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、また、本発明が意図する利点を損なうことなく加えることができる。したがって、特許請求の範囲には、このような変更および改変が包含されているものとする。
【図面の簡単な説明】
【０２３０】
【図１Ａ】リボンタイプのエレクトロルミネセントランプユニットの一部を示す従来技術の斜視図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示すタイプの溶断エレクトロルミネセント照明ユニットの一部を示す従来技術の上面斜視図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに示す溶断エレクトロルミネセント照明ユニットの一部を示す従来技術の底面斜視図である。
【図２Ａ】本発明によるリボンタイプの溶断導体の一実施例を示す、図１Ａに示すタイプのエレクトロルミネセント照明ユニットの一部を示す上面斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示すリボンタイプのヒューズの斜視図である。
【図３】非修正の丸い導体もしくは非リボン様の導体の側面図である。
【図４Ａ】統合ヒューズの一実施形態の一製造段階における、図３に示す導体の平面図である。
【図４Ｂ】統合ヒューズの一実施形態の一製造段階における、図３に示す導体の側面図である。
【図５Ａ】第２の製造段階における、図３、４Ａおよび４Ｂに示す導体の平面図である。
【図５Ｂ】第２の製造段階における、図３、４Ａおよび４Ｂに示す導体の側面図である。
【図６Ａ】完成した一体型ヒューズを示す、図３、４Ａ、４Ｂ、５Ａおよび５Ｂに示す導体の平面図である。
【図６Ｂ】完成した一体型ヒューズを示す、図３、４Ａ、４Ｂ、５Ａおよび５Ｂに示す導体の側面図である。
【図７】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズの他の実施形態を示す斜視図である。
【図８】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズの他の実施形態を示す斜視図である。
【図９】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズの他の実施形態を示す斜視図である。
【図１０】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズの他の実施形態を示す斜視図である。
【図１１】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１２】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１３】エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す側面図である。
【図１４】様々な製造段階における、エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１５】様々な製造段階における、エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１６】様々な製造段階における、エレクトロルミネセントランプユニットなどの電気デバイスに統合することができるヒューズのさらに他の実施形態を示す斜視図である。
【図１７】薄膜ヒューズおよびガラス−金属シールを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す側面図である。
【図１８】薄膜ヒューズおよびガラス−金属シールを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す側面図である。
【図１９】薄膜ヒューズおよびガラス−金属シールを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す側面図である。
【図２０】導体のスロット部分に嵌合した薄膜ヒューズを備えた溶断導体の他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２１】導体のスロット部分に嵌合した薄膜ヒューズを備えた溶断導体の他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２２】導体のスロット部分に嵌合した薄膜ヒューズを備えた溶断導体の他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２３】導体のノッチ部分に金属結合された薄膜ヒューズを備えた溶断導体のさらに他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２４】導体のノッチ部分に金属結合された薄膜ヒューズを備えた溶断導体のさらに他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２５】導体のノッチ部分に金属結合された薄膜ヒューズを備えた溶断導体のさらに他の実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図２６】平らな導体部分に金属結合された薄膜ヒューズを備えた溶断導体の一実施形態を示す側面図である。
【図２７】平らな導体部分に金属結合された薄膜ヒューズを備えた溶断導体の一実施形態を示す平面図である。
【図２８】本明細書において説明されている異なる溶断導体実施形態に使用される薄膜ヒューズを製造するための一実施形態を示す平面図である。
【図２９】本明細書において説明されている異なる溶断導体実施形態に使用される薄膜ヒューズを製造するための一実施形態を示す平面図である。
【図３０】本明細書において説明されている異なる溶断導体実施形態に使用される薄膜ヒューズを製造するための一実施形態を示す平面図である。
【図３１】本明細書において説明されている異なる溶断導体実施形態に使用される薄膜ヒューズを製造するための一実施形態を示す平面図である。
【図３２】電線ヒューズおよびガラス−金属シールを備えた溶断導体の一実施形態を示す側面図である。
【図３３】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図３４】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図３５】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示し、図３４の範囲Ａの拡大図である。
【図３６】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図３７】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図３８】打抜き一体型ヒューズエレメントおよびプレスばめハウジングを備えた溶断導体の一実施形態およびその製造方法を示す図である。
【図３９】溶断合金を有する打抜きヒューズエレメントおよびその製造方法の側面図である。
【図４０】溶断合金を有する打抜きヒューズエレメントおよびその製造方法の側面図である。
【図４１】溶断合金を有する打抜きヒューズエレメントおよびその製造方法の側面図である。
【図４２】溶断合金を有する打抜きヒューズエレメントおよびその製造方法の側面図である。
【図４３】電線ヒューズエレメントおよび熱収縮エンクロージャを備えた溶断導体のさらに他の実施形態を示す図である。
【図４４】電線ヒューズエレメント、熱収縮スリーブおよび成形プラスチックエンクロージャを備えた溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図４５】電線ヒューズエレメント、熱収縮スリーブおよび成形プラスチックエンクロージャを備えた溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図４６】電線ヒューズエレメント、熱収縮スリーブおよび成形プラスチックエンクロージャを備えた溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図４７】電線ヒューズエレメント、保護プラスチックスリーブおよび成形エンクロージャを有する溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図４８】電線ヒューズエレメント、保護プラスチックスリーブおよび成形エンクロージャを有する溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図４９】電線ヒューズエレメント、保護プラスチックスリーブおよび成形エンクロージャを有する溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す図である。
【図５０】プレスばめ重合体エンクロージャを有する溶断導体のさらに他の代替実施形態を示す断面図である。
【図５１】超過温度状態が生じると形状記憶合金エレメントによって開放されるエレメントを有する溶断導体の一実施形態を示す図である。
【図５２】超過温度状態が生じると形状記憶合金エレメントによって開路する溶断導体の他の実施形態を示す図である。
【図５３】成形クラムシェルハウジングを有する溶断導体のさらに他の実施形態を示す図である。
【図５４】成形クラムシェルハウジングを有する溶断導体のさらに他の実施形態を示す図である。
【図５５】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【図５６】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【図５７】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【図５８】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【図５９】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【図６０】本明細書において説明されている溶断導体のための異なるアプリケーション例を示す図である。
【符号の説明】
【０２３１】
１０    エレクトロルミネセント照明アセンブリ
１４、１６    導体
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ    セクション（溶断部分）
１８、１３８    ハウジング
２０    一体型溶断導体
３０    エレクトロルミネセントランプユニット
３２    ステム
３２ｂ１、３２ｂ２    薄いセクション
３４    ヘッド
３６    エンクロージャ（ハウジング）
３８、９６    接着剤
４０、５０、７０、７６、９０、１００    ヒューズエレメント（ヒューズ、サブアセンブリ、電線）
４２    スタンドオフ
４２ａ、４２ｂ    溝
４４ａ、４４ｂ    二重金属電線
４６    ガラスボディ（ガラスハウジング、セラミックボディ）
４８ａ、４８ｂ    スロット
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ、５０ｆ、５０ｇ、５０ｈ、５０ｉ、５０ｊ、５０ｋ、５０ｌ、５０ｍ、５０ｎ、５０ｏ、５０ｐ、５０ｑ、５０ｒ    ヒューズアセンブリ
５２、９４    ハウジング
５４、５６    プラグ
５２、５４    環状溝
５８    回路
６０    エレクトロルミネセントランプ（光源）
６２ａ、６２ｂ、６２ｃ、６２ｄ    リード線
６４ａ、６４ｂ    コネクタ
６６、７２    基板（基板層）
６８    絶縁層、ラミネート、膜またはカプセル封止材
７０    溶断部分（ヒューズ）
７４    銅めっき（めっき表面、パッド）
７６    エレメント領域
７８    キャップ（エポキシコーティング）
８０ａ、８０ｂ    ノッチ
８２ａ、８２ｂ    フラット
８４    カバー
８６ａ、８６ｂ    溶断部分の内側の円筒状末端
９２ａ、９２ｂ    タブ
９８    カプセル封止コーティング
１０２    孔
１０４    溶断合金
１０６    エレメントの一部
１１０    電子照明安定器
１１２ａ、１１２ｂ、１１４、１１８、１４６ａ、１４６ｂ    リード線（導体）
１１６、２０４    電気コンポーネント
１２０    金属トランジスタキャニスタ
１２２    取付けプレート
１２４ａ、１２４ｂ    取付け孔
１２６    中央開口
１２８    ハットまたはカン
１３０    シリコンをベースとするコンポーネント
１３２ａ    エミッタリード線
１３２ｂ    ベースリード線
１３４    ポッティング材料
１３６    収縮包装エンクロージャ（チューブ、熱収縮スリーブ、熱収縮エンクロージャ、熱収縮チューブ）
１３８    収縮包装エンクロージャの交点（成形ハウジング）
１４０    バリスタ
１４２    バリスタ材料のディスク
１４４、２０８    電極
１４８    はんだ接合（ソルダマス）
１５２    薄い突起
１５４    フランジ
１５６    代替スリーブ
１５８    円錐ヘッド（ハウジング）
１６０    プラスチックハウジングの内壁
１６２    第２のエレメント（形状記憶合金エレメント）
１６４    代替形状記憶合金部材
１６６    絶縁カラー
１６８    絶縁プラスチックポスト
１７０    ヒューズエレメント４０の末端
１７２    プラスチックハウジング
１７４、１７６    ブロッキング部材
１７８、１８０    クラムシェルの半分割部分
１８２    蝶番
２００    ヒューズアセンブリのアプリケーション
２０２、２１２    電気絶縁ボディ（絶縁ハウジング）
２１０    導体のアプリケーション
【図１Ａ】
2009503768.tif 000003
【図１Ｂ】
2009503768.tif 000004
【図１Ｃ】
2009503768.tif 000005
【図２Ａ】
2009503768.tif 000006
【図２Ｂ】
2009503768.tif 000007
【図３】
2009503768.tif 000008
【図４Ａ】
2009503768.tif 000009
【図４Ｂ】
2009503768.tif 000010
【図５Ａ】
2009503768.tif 000011
【図５Ｂ】
2009503768.tif 000012
【図６Ａ】
2009503768.tif 000013
【図６Ｂ】
2009503768.tif 000014
【図７】
2009503768.tif 000015
【図８】
2009503768.tif 000016
【図９】
2009503768.tif 000017
【図１０】
2009503768.tif 000018
【図１１】
2009503768.tif 000019
【図１２】
2009503768.tif 000020
【図１３】
2009503768.tif 000021
【図１４】
2009503768.tif 000022
【図１５】
2009503768.tif 000023
【図１６】
2009503768.tif 000024
【図１７】
2009503768.tif 000025
【図１９】
2009503768.tif 000026
【図２０】
2009503768.tif 000027
【図２２】
2009503768.tif 000028
【図２３】
2009503768.tif 000029
【図２５】
2009503768.tif 000030
【図２８】
2009503768.tif 000031
【図３２】
2009503768.tif 000032
【図３３】
2009503768.tif 000033
【図３４】
2009503768.tif 000034
【図３５】
2009503768.tif 000035
【図３６】
2009503768.tif 000036
【図３７】
2009503768.tif 000037
【図３８】
2009503768.tif 000038
【図３９】
2009503768.tif 000039
【図４０】
2009503768.tif 000040
【図４１】
2009503768.tif 000041
【図４２】
2009503768.tif 000042
【図４３】
2009503768.tif 000043
【図４４】
2009503768.tif 000044
【図４５】
2009503768.tif 000045
【図４６】
2009503768.tif 000046
【図４７】
2009503768.tif 000047
【図４８】
2009503768.tif 000048
【図４９】
2009503768.tif 000049
【図５０】
2009503768.tif 000050
【図５１】
2009503768.tif 000051
【図５２】
2009503768.tif 000052
【図５３】
2009503768.tif 000053
【図５４】
2009503768.tif 000054
【図５５】
2009503768.tif 000055
【図５６】
2009503768.tif 000056
【図５７】
2009503768.tif 000057
【図５８】
2009503768.tif 000058
【図５９】
2009503768.tif 000059
【図６０】
2009503768.tif 000060
【図１８】
2009503768.tif 000061
【図２１】
2009503768.tif 000062
【図２４】
2009503768.tif 000063
【図２６】
2009503768.tif 000064
【図２７】
2009503768.tif 000065
【図２９】
2009503768.tif 000066
【図３０】
2009503768.tif 000067
【図３１】
2009503768.tif 000068
【国際調査報告】
2009503768.tif 000069