(57)【要約】  半導体処理チャンバ用の処理キットを提供する。一実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングを含む。別の実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングと係合するように構成されたカバーリングを含む。別の実施形態において、処理キットは内壁部、外壁部、上方壁部及び底壁部を有する環状堆積リング本体部を含む。上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面には溝部が掘られている。凹状面が、底壁部と内壁部との間の本体部の下方面に形成されている。ノッチは本体部から内方向に向かって延び、処理中の基板のノッチを通りぬける堆積材料を捕獲する。
2009529249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状堆積リング本体部を備えた処理キットであって、
環状堆積リング本体部が、
内壁部と、
外壁部と、
本体部の上方面の少なくとも一部を規定する上方壁部と、
底壁部と、
上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面に掘られた溝部と、
本体部内に延びる少なくとも１つのノッチを含む処理キット。
【請求項２】
本体部がセラミックから作製される請求項１記載の処理キット。
【請求項３】
本体部がアーク溶射コーティングを更に含む請求項１記載の処理キット。
【請求項４】
本体部が、少なくとも本体部の上方壁部と溝部に塗布され、そこにタンタル及び／又は窒化タンタルが陸地部の表面と相対して優先的に付着するコーティングを更に含む請求項１記載の処理キット。
【請求項５】
本体部が、溝部を上方面の内端部に連結する傾斜部を更に含む請求項１記載の処理キット。
【請求項６】
内端部での本体部の厚みが溝部での本体部の厚みよりも大きく、上方壁部での本体部の厚みより小さい請求項５記載の処理キット。
【請求項７】
本体部が、壁部から引っ込み、本体部の外面上に規定され、外壁部と上方壁部との間に配置された上方外壁部を更に含む請求項１記載の処理キット。
【請求項８】
ノッチが、上方外壁部と外壁部との間に形成されたくりぬき部を更に含む請求項７記載の処理キット。
【請求項９】
本体部が、本体部の中心線に垂直な方向を有し、上方外壁部と外壁部との間に形成された陸地部を更に含み、陸地部とくりぬき部が同一平面上の面を有している請求項８記載の処理キット。
【請求項１０】
ノッチが本体部の上方面の内側部から延びている請求項１記載の処理キット。
【請求項１１】
７個のノッチが本体部の内壁部から半径方向内側に延びている請求項１記載の処理キット。
【請求項１２】
カバーリング本体部を更に備え、
カバーリング本体部が、
堆積リング本体部の一部の上へと離間関係でもって内方向に延びるリップ部と、
下方向に面した開放端を有するスロット部を画成している内側リング及び外側リングと、
内側リングの内側に画成され、堆積リングの陸地部によって支持される出っ張り部を含む請求項９記載の処理キット。
【請求項１３】
カバーリング本体部がアーク溶射コーティングで少なくとも部分的にコーティングされている請求項１２記載の処理キット。
【請求項１４】
環状堆積リング本体部を備えた処理キットであって、
環状堆積リング本体部が、
内壁部と、
外壁部と、
本体部の中心線に実質的に垂直に方向づけられ、外壁部に近接して形成され、カバーリング本体部をその上で支持するように適合された陸地部と、
本体部の上方面の少なくとも一部を規定する上方壁部と、
底壁部と、
本体部の上方面の内端部から内方向に延び、陸地部と同一平面上にある面を有するノッチを含む処理キット。
【請求項１５】
上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面に掘られた溝部と、
底壁部と内壁部との間の本体部の下方面に形成された凹状面を更に含む請求項１４記載の処理キット。
【請求項１６】
ノッチが更に水平方向である請求項１５記載の処理キット。
【請求項１７】
本体部がアーク溶射コーティングで部分的にコーティングされている請求項１４記載の処理キット。
【請求項１８】
本体部が、溝部を上方面の内端部へと連結する傾斜部を更に含む請求項１４記載の処理キット。
【請求項１９】
本体部が、本体部の外面上に規定され、外壁部の同心円状内側に配置された上方外壁部を更に含む請求項１４記載の処理キット。
【請求項２０】
本体部が、本体部の中心線に実質的に垂直に方向付けされ、凹状部と外壁部との間に形成された陸地部を更に含む請求項１４記載の処理キット。
【請求項２１】
カバーリング本体部を更に備え、
カバーリング本体部が、
堆積リング本体部の一部の上へと離間関係でもって内方向に延びるリップ部と、
下方向に面した開放端を有するスロット部を画成している内側リング及び外側リングと、
内側リングの内側に規定され、堆積リングの陸地部によって支持される出っ張り部を含む、請求項１４記載の処理キット。
【請求項２２】
カバーリング本体部がアーク溶射コーティングで少なくとも部分的にコーティングされている請求項２１記載の処理キット。
【請求項２３】
環状堆積リング本体部を備えた処理キットであって、
環状堆積リング本体部が、
本体部の上方面の一部を形成する上方壁部と、
本体部の下方面の一部を形成する下方壁部と、
内壁部と、
内壁部に隣接して配置され、かつ内壁部よりも大きな直径を有する上方内壁部と、
外壁部と、
外壁部に隣接して配置され、かつ外壁部よりも小さな直径を有する上方外壁部と、
外壁部と上方外壁部との間に形成された、本体部の中心線に実質的に垂直な陸地部と、
外壁部と上方外壁部との間の本体部に形成されたノッチと、
上方壁部と内壁部との間の本体部の上面に掘られた溝部と、
溝部から上方面の内端部へと上方向に延びる傾斜部と、
上方面の内端部と上方内壁部から内方向に延びるタブと、
底壁部と内壁部との間の本体部の下方面に形成された凹状面と、
少なくとも本体部の上方壁部と溝部に塗布され、そこにタンタル及び／又は窒化タンタルが陸地部の表面と相対して優先的に付着するコーティングを含む処理キット。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明の実施形態は、概して、半導体処理チャンバ用の処理キット、より具体的にはノッチ付き堆積リングに関する。
（関連技術の説明）
【０００２】
堆積処理において、ターゲット、ガス注入マニホルド等のソースからの種が、チャンバ壁部、基板台座アセンブリ、静電チャック及びその他のハードウェアを含む露出した内部チャンバ面上に堆積することがある。半導体処理システム内にて静電チャックを取り囲み、チャックをシステム内での堆積種への曝露から保護する、シールドアセンブリ等の処理キットが開発されている。あるシールドアセンブリは、着脱式のカバーリングと堆積リングを含む。
【０００３】
堆積リングは静電チャックの外縁から延びる円周フランジ上に載っている。その上でもって基板を保持するためのチャックの支持面の直径は、基板の直径よりも若干小さい。この結果、チャックによって保持された基板は堆積リングの上面の内側部分に張り出している。カバーリングは堆積リングの外側部分を取り巻くように載っている。カバーリングは外側部分に張り出してはいるが堆積リングの上面と接触してはいないリップ部を有していることから、カバーリングと堆積リングとの間にラビリンス様の間隙部が画成される。この２つのリングを隔てているラビリンス様の間隙部が、堆積種がその空間を通り抜けて静電チャックと接触することを防止している。
【０００４】
上述の構成を有するシールドアセンブリによりロバストな性能が得られることが実証されているが、チャンバ内での粒子の発生の可能性を抑え及び／又は洗浄のために次にリング交換するまでの製造稼動期間を延ばす改良が望まれている。例えば、リング上に堆積材料が蓄積されることでリング間が橋絡され、処理性能に悪影響を与える可能性があり望ましくないことから、定期的にリングを交換して洗浄することが必要とされる。堆積材料の蓄積は基板のノッチの下で特に問題となり、基板ノッチ下の堆積リングは、リングの周辺領域に比べてより大きな堆積種の流れに晒される。
【０００５】
従って、改善された処理キットが必要とされている。
【発明の概要】
【０００６】
半導体処理チャンバ用の処理キットを提供する。一実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングを含む。別の実施形態において、処理キットはノッチ付き堆積リングと係合するように構成されたカバーリングを含む。
【０００７】
別の実施形態において、処理キットは内壁部、外壁部、上方壁部及び底壁部を有する環状堆積リング本体部を含む。上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面には溝部が掘られている。凹状面が、底壁部と内壁部との間の本体部の下方面に形成されている。本体部にはノッチが形成されており、カバーリングを支持するように構成された堆積リングのその領域での堆積材料の蓄積に対応している。
【０００８】
別の実施形態において、処理キットは本体部の上方面の一部を形成する上方壁部と、本体部の下方面の一部を形成する下方壁部と、内壁部と外壁部とを有する環状堆積リング本体部を含む。凹状部の直径は内壁部よりも大きく、内壁部に隣接して配置されている。上方外壁部の直径は外壁部よりも小さく、外壁部に隣接して配置されている。本体部の中心線に実質的に垂直である陸地部が、外壁部と上方外壁部との間に形成されている。外壁部と上方外壁部との間の本体部にはノッチが形成されている。上方壁部と内壁部との間の本体部の上方面には溝部が掘られている。傾斜部が、溝部から上方向に上方面の内端部に向かって延びている。上方面の内端部からはタブが延びている。底壁部と内壁部との間の本体部の下方面には凹状面が形成されている。少なくとも本体部の上方壁部と溝部にはコーティングが施されており、そこにタンタル及び／又は窒化タンタルが陸地部の表面と相対して優先的に付着する。
【詳細な説明】
【０００９】
本発明は、概して、半導体処理チャンバで使用するための処理キットを提供する。この処理キットは、より長い表面寿命及び／又はより高い処理均一性を促す少なくとも１つの特徴を有する堆積リングを有利に含む。本発明を物理気相蒸着（ＰＶＤ）チャンバを用いて開示、図解したが、この開示は一例であり、従って本発明は中でも化学気相蒸着チャンバを含むその他の半導体処理チャンバでの利用が可能である。
【００１０】
図１は半導体処理チャンバ１５０の一実施形態を図示している。本発明が有益と成り得る処理チャンバの一例は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアル社から入手可能なＩＭＰヴェクトラＰＶＤ処理チャンバ（ＩＭＰ  ＶＥＣＴＲＡ  ＰＶＤ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｃｈａｍｂｅｒ：商標名）である。
【００１１】
例示の処理チャンバ１５０は排気可能な内部容量１６０を画成する底部１５４と、蓋アセンブリ１５６と、側壁部１５８を有するチャンバ本体部１５２を含む。チャンバ本体部１５０は典型的にはステンレススチールの溶接板又はアルミニウムの単塊から作製される。側壁部１５８は、一般的には、処理チャンバ１５０内外への基板１０４の搬入・搬出口となる封止可能なアクセスポート（図示せず）を有している。側壁部１５８に配置された排気ポート１２２は排気システム１２０に連結されており、排気システムが内部容量１６０の排気とその圧力制御を行う。チャンバ１５０の蓋アセンブリ１５６は通常、蓋アセンブリから懸装され、かつカバーリング１１４を支持している環状シールド１６２を支持している。カバーリング１１４は通常、堆積が、カバーリング１１４の中央を通して曝露される基板１０４の部位に限定して行われるように構成されている。
【００１２】
台座アセンブリ１００はチャンバ１５０の底部１５４によって支持されている。台座アセンブリ１００は処理中、基板１０４に沿って堆積リング１０２を支持している。台座アセンブリ１００は昇降機構１１８によってチャンバ１５０の底部１５４に連結されており、昇降機構は台座アセンブリ１００を（図示の）上方位置と下方位置との間で移動するように構成されている。上方位置において、台座アセンブリ１００はカバーリング１１４と係合し、台座アセンブリ１００が基板１０４を上方向へと処理位置に移動させるにつれ、シールド１６２からカバーリング１１４を持ち上げる。
【００１３】
下方位置において、台座アセンブリ１００はシールド１６２の下方に位置しているため、基板１０４を側壁部１５８に配置されたアクセスポートを通してチャンバ１５０から取り出すことが可能となる。台座アセンブリ１００が下方位置へと移動してシールド１６２下で基板の搬送が円滑に行われる際、シールド１６２はカバーリング１１４と再係合し、リング１１４は台座アセンブリ１００と基板１０４より上方で懸装される。加えて、下方位置において昇降ピン（図示せず）が台座アセンブリ１００を貫いて動き、基板１０４を台座アセンブリ１００から引き離すことで、単翼型ロボット（図示せず）等の処理チャンバ１５０の外部に配置されたウェハ搬送機構が基板１０４を掴み易くする。蛇腹部１８６は典型的には台座アセンブリ１００とチャンバ底部１５４との間に配置され、チャンバ本体部１５２の内部容量１６０を台座アセンブリ１００の内部から隔離している。
【００１４】
台座アセンブリ１００は通常、プラットフォーム筐体１０８に気密に連結された基板支持体１４０を含む。プラットフォーム筐体１０８は典型的にはステンレススチール又はアルミニウム等の金属材料から作製される。プラットフォーム筐体１０８の内部には通常、冷却板１２４が配置され、基板支持体１４０の熱制御を行う。本発明が有益と成り得る台座アセンブリ１００が、ダヴェンポート（Ｄａｖｅｎｐｏｒｔ）らに１９９６年４月１６日に発行された米国特許第５５０７４９９号に記載されており、参照により全て本願に組み込まれる。
【００１５】
基板支持体１４０は典型的にはセラミックを含み、静電チャック、セラミック体、ヒータ又はその組み合わせであってもよい。一実施形態において、基板支持体１４０は導体層１１２が埋設された誘電性本体部１０６を含む静電チャックである。誘電性本体部１０６は典型的には熱分解窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ又は同等の材料といった熱伝導性の高い誘電体から形成される。
【００１６】
蓋アセンブリ１５６は通常、蓋部１３０と、ターゲット１３２ととマグネトロン１３４を含む。図１に図示されるような閉鎖位置にある場合、蓋部１３０は側壁部１５８によって支持される。蓋部１３０と側壁部１５８との間には、その間からの真空漏れを防止するために封止部１３６が配置されている。
【００１７】
ターゲット１３２が蓋部１３０に連結され、処理チャンバ１５０の内部容量１６０に露出している。ターゲット１３２が、ＰＶＤ処理中に基板１０４上に堆積される材料を供給する。ターゲット１３２及び台座アセンブリ１００には電源１８４によって互いにバイアス印加されている。アルゴン等のガスをガス供給源（図示せず）から容量１６０に供給する。プラズマは基板１０４とターゲット１３２との間でガスから形成される。プラズマ内のイオンはターゲット１３２に向かって加速して進み、材料がターゲット１３２から剥がれる。剥がれたターゲット材料は基板１０４上に堆積される。
【００１８】
マグネトロン１３４が処理チャンバ１５０の外側で蓋部１３０に連結されている。マグネトロン１３４は少なくとも１つの回転磁石アセンブリ１３８を含み、マグネトロンにより、ＰＶＤ処理中、ターゲット１３２の均一な消費が促される。利用し得るマグネトロンの一例が、オールら（Ｏｒ）に１９９９年９月２１日に発行された米国特許第５９５３８２７号に記載されており、参照により全て本願に組み込まれる。
【００１９】
ヒンジアセンブリ１１０が蓋アセンブリ１５６を処理チャンバ１５０へと連結している。モータ駆動のアクチュエータ１１６をヒンジアセンブリ１１０及び／又は蓋部１３０に連結することで、蓋アセンブリ１５６の開放部位と閉鎖部位との間での移動を円滑に行ってもよい。
【００２０】
堆積リング１０２は台座アセンブリ１００によって支持され、基板１０４を取り囲み、処理中、基板支持体１４０を保護している。堆積リング１２６は、台座アセンブリ１００が上昇してカバーリング１１４がシールド１６２から持ち上げられるにつれ、カバーリング１１４と係合するように構成されている。
【００２１】
図２は処理システム１５０の部分断面図であり、基板支持体１４０と、堆積リング１０２とカバーリング１１４の一部を図示している。カバーリング１１４は通常、環状本体部２０２を有している。環状本体部２０２はステンレススチール、酸化アルミニウム、チタン等の金属又はその他適切な材料から作製することができる。環状本体部２０２は通常、半径方向内側に延び、堆積リング１０２とカバーリング１１４との間に画成されたラビリンス様間隙部の上方境界部となるリップ部２０４を含む。
【００２２】
カバーリング１１４の環状本体部２０２は内側リング２０６と外側リング２０８も含む。リング２０６、２０８は環状本体部２０２から下方向に向かって延び、その間にスロット部２１０を画成する離間関係にある。スロット部２１０はシールド１６２の端部と係合可能な、下方向の開放端を有している。
【００２３】
テーパ部２１４が内側リング２０６の内壁部２１２の上方部位に規定されている。テーパ部２１４は内壁部２１２から徐々に内方向に向かって延び、環状本体部２０２の下方面に形成された出っ張り部２１６で終端している。テーパ部２１４により、カバーリング１１４と堆積リング１０２とが互いに接触する際、２つのリングの自動的な位置あわせが可能となる。
【００２４】
出っ張り部２１６は通常、水平かつカバーリング１１４の中心線に対して垂直である。出っ張り部２１６は堆積リング１０２によって支持されているカバーリング１１４のベアリング面となる。出っ張り部２１６は通常、滑らかで平面的であることから、必要に応じて、堆積リング１０２に沿って最低限の粒子発生で摺動させることが可能である。
【００２５】
出っ張り部２１６の内端部は壁部２１８で終端している。壁部２１８は実質的に垂直であり、出っ張り部２１６とリップ部２０４との間に延びている。壁部２１８は内側リング２０６の半径方向内側にあり、リップ部２０２の半径方向外側にある。壁部２１８がラビリンス様間隙部の境界の一部を形成している。
【００２６】
一実施形態において、カバーリング１１４を、カバーリング１１４への堆積材料の付着度向上を目的として選択した材料で作製しても、又はその材料でコーティングしてもよい。窒化タンタル堆積システムでの使用を目的に構成されたリングの一実施形態において、カバーリング１１４はアーク溶射法でコーティングされている。このアーク溶射コーティングは中でもＴＷＡＳ又はアルミニウム・ツインワイヤアーク溶射法によるコーティングであってもよい。別の適したコーティングはアプライドマテリアル社から入手可能であり、商標名クリーンコート（ＣｌｅａｎＣｏａｔ）で流通している。コーティングは処理中、堆積種に曝露されるカバーリング１１４の領域上に選択的に堆積することができる。アーク溶射されるコーティング及び／又はその上に付着する堆積材料は導電性の場合があるため、コーティング２２６を堆積リング１０２から十分に離れているカバーリング１１４の領域に選択的に塗布することで、著しい量の堆積材料がコーティング２２６に付着した後であっても短絡を防止することができる。図２に図示の実施形態において、コーティング２２６はリップ部２０４に近接した壁部２１８の上方領域２２０と、リップ部２０４と、環状本体部２０２の上部２２４と、外側リング２０８の外壁部２２８に選択的に塗布されている。堆積リング１０２と接触又は近接し得るカバーリング２１４の部位、例えば出っ張り部２１６及び内壁部２１２のテーパ部２１４にはコーティングを行わない。
【００２７】
堆積リング１０２は通常、環状本体部２４０を含む。環状本体部２４０はセラミック材料、例えば石英、酸化アルミニウム又はその他の適した材料から作製することができる。環状本体部２４０は通常、内壁部２４２と、外壁部２４４と、下方壁部２４８と、上方壁部２４６を含む。内壁部及び外壁部２４２、２４４はそれぞれ環状本体部２４０の最内及び最外直径を規定している。上方及び下方壁部２４６、２４８により、環状本体部２４０の最上面と最下面が規定される。
【００２８】
下方壁部２４８は基板支持体１４０のフランジ２３０上で堆積リング１０２を支えるように構成されている。下方壁部２４８は通常、堆積リング１０２の中心線に対して垂直であり、基板支持体１４０のフランジ２３０との垂直性と基板１０４との水平性を維持している。下方壁部２４８は平面的で滑らかなことから、リング１０２の熱膨張及び／又は収縮に負うところのフランジ２３０上での堆積リング１０２の台座アセンブリ１００に相対しての運動が円滑に行われる。
【００２９】
環状本体部２４０の下方面は下方壁部２４８と内壁部２４２との間に形成された凹状部２５０を含む。凹状部２５０により基板支持体１４０のフランジ２３０と堆積リング１０２との間の接触面積が最小限に抑えられる。堆積リング１０２と基板支持体１４０との間の接触面積が減少することで摩擦が軽減され、その一方、堆積リング１０２が基板支持体１４０のフランジ２３０上を動くにつれ発生する粒子が最低限に抑えられる。
【００３０】
上方内壁部２６２もまた、内壁部２４２から引っ込んでいる。上方内壁部２６２により、堆積リング１０２が基板支持体に何かの拍子に接触したとしても、環状本体部２４０と台座アセンブリ１００の壁部２２８との間の接触面積が最小限に抑えられる。
【００３１】
環状本体部２４０の上方面は、上方壁部２４６の半径方向内側に形成された溝部２５８を含む。溝部２５８は傾斜領域２５６によって上方壁部２４６に連結されている。環状本体部２４０の上方面は上方向に向かって傾斜し、その内端部２６０を形成することから、環状本体部２４０の厚さは溝部２５８の半径内側に向かって増大する。内端部２６０は通常、下方壁部２４８から見て溝部２５８よりも高い位置、上方壁部２４６よりは低い位置にある。溝部２５８により、リング接触領域から離れた回収領域が構成され、堆積リング１０２上に堆積した材料は基板に接触することも、リングの運動を阻害することもない。加えて、内端部２６０と溝部２５８との間に画成された、本体部２４０の内側方向上側に傾斜した領域２６４により方向付けがなされることから、内端部２６０と基板１０４との間に画成された間隙部内への粒子や堆積材料の侵入が阻害される。
【００３２】
環状本体部２４０の外壁部２４４の直径は、堆積リング１０２とカバーリング１１４が広い範囲の処理温度に亘って係合し続けるように選択されたものである。図２に図示の実施形態において、外壁部２４４の直径はカバーリング１１４の壁部２１８の内径よりも大きく、カバーリング１１４のテーパ部２１４の内径よりも小さい。
【００３３】
外壁部２４４と上方壁部２４６との間には陸地部２８０が形成されており、カバーリング１１４を支持している。陸地部２８０は通常、水平かつ堆積リング１０２の中心線に対して垂直である。陸地部２８０はカバーリング１１４の出っ張り部２１６を支持するように構成されている。陸地部２８０は通常、滑らかで平面的であることから、リング１０２、１１４が互いに接触して自動的に整列する際、陸地部２８０に沿って出っ張り部２１６が摺動することが可能となる。
【００３４】
外壁部２４４と上方壁部２４６との間の環状本体部２４０には、上方外壁部２５２が形成されている。上方壁部２４６及び上方外壁部２５２は、堆積リング１０２とカバーリング１１４のリップ部２０４が離間関係で噛み合った際にラビリンス様の間隙部がその間に画成されるような寸法を有している。図２に図示の実施形態において、上方外壁部２５２の直径はカバーリング１１４のリップ部２０４の内径よりも大きく、カバーリング１１４の壁部２１８の直径よりも小さい。堆積リング１０２の上方外壁部２５２とカバーリング１１４の壁部２１８との間の間隔は、たとえリング１０２、１１４を約１０００ｍｍの材料でコーティングしたとしても、基板堆積処理中にこれらのリングで離間関係が保たれるようなものを選択する。
【００３５】
外壁部２４４と上方外壁部２５２との間にはノッチ２５４が形成される。ノッチ２５４は陸地部２８０の表面と壁部を共有する。ノッチ２５４は、カバーリング１１４の出っ張り部２１６が陸地部２８０を横方向に移動する際にカバーリング１１４によって押し出された、陸地部２８０上に堆積された材料を受けるための領域となる。陸地部２８０上に堆積された材料は、カバーリング１１４が堆積リング１０２に向かって移動するにつれノッチ２５４内へと移動するため、陸地部２８０上に堆積した材料が陸地部２８０と出っ張り部２１６との間に押し挟まれる可能性は低くなり、多数の基板を処理する間、リング１０２と１１４の平行関係を維持するのに役立つ。更に、カバーリング１１４が堆積リング１０２に相対して移動する際に堆積材料を受ける領域を設けることで、陸地部２８０上に堆積された材料によりリング１０２、１１４の相対運動が妨げられる及び／又は制限される可能性が低くなる。更に、ノッチ２５４はプラズマ及びラビリンス様間隙部を通って流れ込んでくる可能性のある堆積材料の軌道とは反対側を向いていることから、従来の設計よりは堆積材料の蓄積やポート間でのブリッジングの可能性が低い。このため、ノッチ２５４の向きにより、堆積リング１０２の耐用年数が延びる。
【００３６】
環状本体部２４０はコーティング２７０も含んでいてもよく、コーティングは少なくとも耐プラズマ性である及び／又は堆積材料の付着を促すものである。図２に図示の実施形態において、コーティング２７０はコーティング２２６と同じであってもよい。コーティング２７０を傾斜領域２６４と、溝部２５８と、傾斜領域２５６と、上方壁部２４６と、外側上方外側壁部２５２に限定してもよい。その上でカバーリング１１４の出っ張り部２１６を支持するところの陸地部２８０は、堆積リング１０２とカバーリング１１４との間での短絡防止のため、コーティングしない。
【００３７】
図３は少なくとも１つのタブ３０２を有する堆積リング１０２の斜視図である。図４は図３の分断線４−４に沿って切り取った堆積リング１０２の部分断面図１０２である。図５はノッチ３０２の上部を図示している堆積リング１０２の部分上面図である。図３から５を参照するが、タブ３０２は堆積リング１０２の最上部から延び、基板を台座アセンブリ１００上に位置決めした際に基板１０４のノッチの下にくるように構成されている。図３から５に図示の実施形形態において、タブ３０２は上方内壁部２６２から内側方向に延びているため、ノッチ３０２の上部４０２は内端部２６０と同一平面上にあり、単一面を形成している。ノッチ３０２は内壁部２４２から延びていてもよい。図３に図示の実施形態においては、７個のタブ３０２が設けられている。
【００３８】
タブ３０２は上方面４０６と下方面４０８を含む。面４０６と４０８との間に形成された出っ張り部４０４は通常、内端部２６０に平行である。面４０６、４０８はそれぞれ平行に方向付けられており、上方内壁部２６２と内壁部２４２に続く面を形成している。ノッチ３０２を形成する面には通常、コーティング２７０を施さない。
【００３９】
堆積リング１０２のタブ３０２により、基板１０４のノッチの下にくる本体拡張部が構成され、有利である。このため、ノッチ３０２が、基板のノッチによって形成される間隙を通って堆積材料が台座アセンブリ４００に接触することを防止する。更に、複数のノッチ３０２を設けていることから、基板の方向により高い柔軟性が生まれる。
【００４０】
堆積リング１０２のチャンバ１０６内での方向を定める基準として、スロット部３０４を図３及び６に図示されるように設ける。スロット部３０４は台座アセンブリ１００及び／又はシールド１６２の少なくとも１つから延びている特徴部（図示せず）と係合することができる。スロット部３０４によりリング１０２とタブ３０２の既知の方向での維持を円滑に行いつつ、基板を相補方向で配置し、基板のノッチを堆積リング１０２のタブ３０２の１つと整列させる。
【００４１】
このようにして、その外面にノッチが形成された堆積リングが提供される。ノッチ付き堆積リングにより基板の堆積処理は促進され、リングと基板との間の短絡及び／又は材料のブリッジングに起因する処理の失敗は軽減される。
【００４２】
上記は本発明の好ましい実施形態を対象としているが、本発明のその他及び更なる実施形態をその基本的な範囲から逸脱することなく創作することができ、その範囲は特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
添付図面で図示されている実施形態を参照することで、上記で簡単に概要を述べた本発明の更に具体的な説明を得ることができる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を図示するに過ぎず、本発明はその他の同等に効果的な実施形態も含み得るため、本発明の範囲を制限すると解釈されないことに留意すべきである。
【図１】基板支持体上に配置されたノッチ付き堆積リングの一実施形態を有する半導体処理システムの簡略化断面図である。
【図２】基板支持体上に配置されたノッチ付き堆積リングの部分断面図である。
【図３】図１のノッチ付き堆積リングの斜視図である。
【図４】図３の分断線４−４に沿って切り取ったノッチ付き堆積リングの別の部分断面図である。
【図５】図３の堆積リングの部分上面図である。
【図６】図３の分断線６−６に沿って切り取ったノッチ付き堆積リングの部分断面図である。
【００４４】
円滑な理解のために、可能な限り、図に共通する同一の要素は同一の参照番号を用いて表した。ある実施形態で開示の要素は、特に記載することなく別の実施形態にて便宜上利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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