(57)【要約】  保護コーティング、および／または、接着剤として使用するための新しい組成物を提供する。当該組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、炭化水素樹脂（例えば、テルペンロジン）とゴム（例えば、ＥＰＤＭ）とを含有する。当該溶剤システムは、単一溶剤のシステムであることが好ましく、また、当該組成物は、界面活性剤、染料、および発色団を含有しないことが好ましい。当該組成物を硬化する、または乾燥することで、化学的、および熱的に抵抗力を有するが、製作過程の適切な段階で、容易に溶解して、取り除くことが可能な層、またはフィルムを形成することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤、または、保護コーティングとして有用な組成物であり、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記炭化水素樹脂の重量パーセンテージと前記ゴムの重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記溶剤システムは、少なくとも約９５重量％の単一溶剤を含有し、
前記単一溶剤の重量パーセンテージは、当該溶剤システムの総重量を１００重量％としてその重量に基づく組成物。
【請求項２】
前記組成物は、界面活性剤を含有しない、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物は、染料と発色団とを含有しない、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記炭化水素樹脂は、テルペンロジンを含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記ゴムは、エチレンとプロピレンとの繰り返しモノマー単位を含有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
接着剤、または、保護コーティングとして有用な組成物であり、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記組成物は、界面活性剤を含有しない組成物。
【請求項７】
前記組成物は、染料と発色団とを含有しない、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記炭化水素樹脂は、テルペンロジンを含有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
前記ゴムは、エチレンとプロピレンとの繰り返しモノマー単位を含有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項１０】
接着剤、または、保護コーティングとして有用な組成物であり、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記組成物は、染料と発色団とを含有しない組成物。
【請求項１１】
前記炭化水素樹脂は、テルペンロジンを含有する、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ゴムは、エチレンとプロピレンとの繰り返しモノマー単位を含有する、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
接着剤、または、保護コーティングとして有用な組成物であり、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを必須成分とし、
前記重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づく組成物。
【請求項１４】
組成物を使用する方法であって、
前記方法は、基板上に組成物の層を形成するために、基板に組成物を適用する手順を含み、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記炭化水素樹脂の重量パーセンテージと前記ゴムの重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記溶剤システムは、少なくとも約９５重量％の単一溶剤を含有し、
前記単一溶剤の重量パーセンテージは、当該溶剤システムの総重量を１００重量％としてその重量に基づく組成物の使用方法。
【請求項１５】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
約６０−１２０℃の温度で、前記層をベーキングする手順をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
ベーキング後の前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ベーキング後の前記層は、耐酸性を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
ベーキング後の前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
組成物を使用する方法であって、
前記方法は、基板上に組成物の層を形成するために、基板に組成物を適用する手順を含み、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記組成物は、界面活性剤を含有しない組成物の使用方法。
【請求項２２】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
約６０−１２０℃の温度で、前記層をベーキングする手順をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
ベーキング後の前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ベーキング後の前記層は、耐酸性を有する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
ベーキング後の前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
組成物を使用する方法であって、
前記方法は、基板上に組成物の層を形成するために、基板に組成物を適用する手順を含み、
前記組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、約１０−４０重量％の炭化水素樹脂と、約１−７重量％のゴムとを含有し、
前記重量パーセンテージは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づき、
前記組成物は、染料と発色団とを含有しない組成物の使用方法。
【請求項２９】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
約６０−１２０℃の温度で、前記層をベーキングする手順をさらに含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
ベーキング後の前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
ベーキング後の前記層は、耐酸性を有する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
ベーキング後の前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
表面を有する基板の組み合わせであって、
硬化層、または、乾燥層は、前記基板表面に隣接し、
前記層は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、炭化水素樹脂とゴムとを含有する組成物から形成され、
前記溶剤システムは、少なくとも約９５重量％の単一溶剤を含有し、
前記単一溶剤の重量パーセンテージは、当該溶剤システムの総重量を１００重量％としてその重量に基づく基板の組み合わせ。
【請求項３６】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項３５に記載の組み合わせ。
【請求項３７】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項３６に記載の組み合わせ。
【請求項３８】
前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項３５に記載の組み合わせ。
【請求項３９】
前記層は、耐酸性を有する、請求項３５に記載の組み合わせ。
【請求項４０】
前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項３５に記載の組み合わせ。
【請求項４１】
表面を有する基板の組み合わせであって、
硬化層、または、乾燥層は、前記基板表面に隣接し、
前記層は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、炭化水素樹脂とゴムとを含有する組成物から形成され、
前記組成物は、界面活性剤を含有しない基板の組み合わせ。
【請求項４２】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項４１に記載の組み合わせ。
【請求項４３】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項４２に記載の組み合わせ。
【請求項４４】
前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項４１に記載の組み合わせ。
【請求項４５】
前記層は、耐酸性を有する、請求項４１に記載の組み合わせ。
【請求項４６】
前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項４１に記載の組み合わせ。
【請求項４７】
表面を有する基板の組み合わせであって、
硬化層、または、乾燥層は、前記基板表面に隣接し、
前記層は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した、炭化水素樹脂とゴムとを含有する組成物から形成され、
前記組成物は、染料と発色団とを含有しない基板の組み合わせ。
【請求項４８】
前記基板は、超小型電子基板である、請求項４７に記載の組み合わせ。
【請求項４９】
前記基板は、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層、およびイオン注入層から成る群から選択される、請求項４８に記載の組み合わせ。
【請求項５０】
前記層は、フィルム収縮テストにかけられる時に、約５％未満のフィルム厚さ変化率を示す、請求項４７に記載の組み合わせ。
【請求項５１】
前記層は、耐酸性を有する、請求項４７に記載の組み合わせ。
【請求項５２】
前記層は、１３０℃の温度の無極性溶剤の中に２時間浸した後に、少なくとも約９８％が溶解する、請求項４７に記載の組み合わせ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護コーティングとキャリヤウェハ接着剤の形成に使用可能な、新たな組成物に広く関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術の説明
ウェハ（基板）の薄板化は、熱を放散し、集積回路（ＩＣ）の電気的作用を手助けするために使用されている。厚い基板は、静電容量の増加を引き起こすので、より厚い伝送路が必要となり、またＩＣのフットプリントの増大を招く。静電容量（の増加）は、インピーダンスを減少させるが、基板の薄板化は、インピーダンスを増加させるので、伝送路の厚さを減少させ、またＩＣサイズを減少させる。したがって、基板の薄板化は、ＩＣの小型化を容易にする。
【０００３】
幾何学的な制限は、基板薄板化のための追加要因である。ビアホールは、フロントサイドでのコンタクトを容易にするために、基板のバックサイドでエッチングされる。一般的なドライエッチング技術を使用してビアホールを作るために、幾何学上の制限が適用される。１００μｍ未満の厚さの基板では、３０−７０μｍの直径を有するビアホールは、許容可能な時間内に最小限のポストエッチング残留物を生成する、ドライエッチング手法を使用して形成される。厚い基板では、より大きい直径のビアホールが必要である。これには、より長いドライエッチング時間が必要であり、より多量なポストエッチング残量物を生成するため、スループットがかなり減少する。また、大きなビアホールは、より多量な金属膜付けを必要とするため、より高コストになる。したがって、薄い基板は、バックサイド処理の際に、より速く、より低コストで処理できる。
【０００４】
また、薄い基板は、より容易に切断でき、ＩＣに分割できる。基板の厚さが薄いほど、貫通時や切断時の材料の量が少なくなるので、必要な労力も少なくなる。このことは、いかなる方法（ブレード鋸引き法、スクライビング・ブレーキング法、またはレーザアブレーション法）が使用されても影響されることがなく、ＩＣは、基板の厚さが薄いほど切断しやすい。ほとんどの半導体ウェハは、フロントサイド加工後に薄板化される。取り扱いの容易さのため、ウェハは標準的なフルサイズの厚さ、例えば、６００−７００μｍの厚さで加工処理（すなわち、フロントサイド装置）されるが、いったん完成すると、ウェハは、１００−１５０μｍの厚さに薄板化される。場合によっては（例えば、大電力装置用のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などのハイブリッド基板）、２５μｍの厚さまで取ることもある。
【０００５】
機械的な基板の薄板化は、ウェハの表面を、液体スラリーを含む硬くて平坦な水平回転盤と接触させることによって実行される。スラリーは、アンモニア、フッ化物、またはそれらの組み合わせなどの化学エッチング液に加えて、研磨用媒体を含むこともある。エッチング液の化学的性質は、サブミクロンレベルで「艶出し」を促進するが、研磨材は「粗い」基板除去、すなわち、薄板化を提供する。ウェハは、目標の厚さを達成するために、基板の所定量が除去されるまで、媒体との接触を維持される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
３００μｍ以上の厚さのウェハは、真空チャックまたはいくつかの手段の機械的アタッチメントを利用した装具で、所定の場所に固定される。ウェハの厚さが３００μｍ未満まで減少すると、その後の薄板化と処理の間、アタッチメントとウェハハンドリングに関するコントロールを維持するのは、困難もしくは不可能になる。場合によっては、機械装置に、薄板化されたウェハを取り付けて、固定することもあるが、それらは、特にプロセスが変化した場合に多くの問題を被りやすい。この理由で、ウェハは、個別の堅固な（キャリヤ）基板上に乗せられる。この基板は、その後の薄板化と薄板化後の処理のための固定プラットフォームになる。キャリヤ基板は、サファイア、水晶、ある種のガラス、およびシリコンなどの材料で構成され、通常１０００μｍの厚さを示す。基板の選択は、熱膨張率（ＣＬＴＥ）が各物質間でどれくらい近く合わせられるか、に依存する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の要旨
本発明は、接着剤、または、保護コーティングとして使用するための新たな組成物を、広く提供することによって、これらの問題を解消する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
さらに詳細に言えば、本発明の組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した炭化水素樹脂とゴムとを含有する。ここで使用される「ゴム」には、エラストマーと同様に、全ての天然ゴムと合成ゴムとを含む。
【０００９】
当該炭化水素樹脂は、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、好ましくは約１０−４０重量％、より好ましくは約２５−３５重量％、そして、さらに好ましくは約２９−３３重量％のレベルで当該組成物中に存在している。固体ベースでは、当該炭化水素樹脂は、好ましくは約６５−９５重量％、より好ましくは約７５−９５重量％、そして、さらに好ましくは約８０−９０重量％のレベルで存在している。
【００１０】
当該炭化水素樹脂は、好ましくは約３００−１０，０００ダルトン、より好ましくは約５００−５，０００ダルトン、そして、さらに好ましくは約８００−２，０００ダルトンの全ての平均Ｍｗを有している。Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは約１．５−２．５、より好ましくは約１．７−２．３、そして、さらに好ましくは約１．８−２．１である。好ましい炭化水素樹脂は、好ましくは最低約１００℃、より好ましくは、約１１５−１５０℃、そして、さらに好ましくは約１３０−１４５℃の軟化点（リングとボールの軟化点）を有している。その上、当該炭化水素樹脂は、１９０℃において約２，５００−３，５００ｃＰ、さらに好ましくは約２，８００−３，２００ｃＰ、そして、さらに好ましくは約２，９００−３，１００ｃＰのブルックフィールド粘性係数を有するのが好ましい。
【００１１】
適当な炭化水素樹脂は、テルペン  ロジン、ガム  ロジン、ウッド  ロジン、およびそれらの混合物から成る群から選択されたもののようなロジンを含む。好ましい炭化水素樹脂は、Ｅａｓｔｏｔａｃという名で販売されており、イーストマンケミカル社から入手可能である。
【００１２】
当該ゴムは、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、好ましくは約１−７重量％、より好ましくは約３−７重量％、そして、さらに好ましくは約５−６重量％のレベルで当該組成物中に存在している。固体ベースでは、当該ゴムは、好ましくは約４−２０重量％、より好ましくは約１０−１８重量％、さらに好ましくは、約１４−１６重量％のレベルで存在している。
【００１３】
好ましいゴムは、約４０−７０ＭＵ、好ましくは約４５−６５ＭＵ、そして、さらに好ましくは約５０−６０ＭＵのムーニー粘性係数（ＭＬ（１＋４）  １２５℃；  ＩＳＯ２８９／ＡＳＴＭ  Ｄ１６４６で規定）を有している。当該ゴムは、好ましくは約２５０，０００−６００，０００ダルトン、そして、より好ましくは約４００，０００−５００，０００ダルトンのＭｗを有し、約５０，０００−３５０，０００ダルトン、そして、より好ましくは約１００，０００−２００，０００ダルトンのＭｎを有している。Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは約１．４、より好ましくは約１．３−３、そして、さらに好ましくは約２−２．５である。
【００１４】
最も好ましいゴムは、エチレンとプロピレンの繰り返しモノマー単位を含む。当該ゴムの中のエチレンモノマー量は、当該ゴムの総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、好ましくは約４０−７０重量％、より好ましくは約４０−６０重量％、そして、さらに好ましくは約４０−５０重量％である。当該ゴムの中のプロピレンモノマー量は、当該ゴムの総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、好ましくは約３５−６５重量％、より好ましくは約３５−５５重量％、そして、さらに好ましくは約３５−４５重量％である。
【００１５】
さらに好ましくは、当該ゴムは、少量の非共役ジエン（例えば、エチリデン  ノルボルネン  モノマー）をさらに含有する。当該ゴムの中の非共役ジエンの量は、当該ゴムの総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、好ましくは約１−１０重量％、より好ましくは約２−６重量％、そして、さらに好ましくは約２−３重量％である。
【００１６】
最も好ましいゴムは、また、エチレン−プロピレン−ジエン  モノマー、またはＥＰＤＭと呼ばれるエチレン−プロピレン三元重合体である。好ましいエチレン−プロピレン三元重合体は、ＢＵＮＡ(R)  ＥＰという名でＬａｎｘｅｓｓから販売されている。
【００１７】
当該組成物は、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、約４０−９５重量％の溶剤システム、好ましくは約５０−９０重量％の溶剤システム、そして、さらに好ましくは約６０−７０重量％の溶剤システムを含有する。当該溶剤システムのほとんどは、単一溶剤を含有するのが好ましい。特に、当該溶剤システムの総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、少なくとも約９４重量％、好ましくは少なくとも約９６重量％、そして、さらに好ましくは少なくとも約９９．５重量％の当該溶剤システムを、単一溶剤が作り出すのが好ましい。その上、当該溶剤システムは、約１００℃未満、好ましくは約４５−１００℃の引火点を有するべきである。
【００１８】
好ましい溶剤システムは、芳香族の炭化水素と脂肪族の炭化水素とを含む。好ましい脂肪族化合物は、およそＣ１−Ｃ２０、より好ましくはおよそＣ２−Ｃ１４、さらにより好ましくはおよそＣ６−Ｃ１２の炭化水素を含む。さらに好ましくは、当該脂肪族化合物はオレフィンで、さらに好ましくはアルファ−オレフィンである。そのような溶剤の１つは１−ドデセンである。
【００１９】
好ましい芳香族化合物は、およそＣ６−Ｃ１６、より好ましくは、およそＣ８−Ｃ１２、さらに好ましくは、およそＣ８−Ｃ１０である。最も好ましい芳香族化合物は、トリメチルベンゼン、キシレン、クメン、トルエン、エチル  ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、弗化芳香族化合物、ピネン、ｄ−リモネン、メシチレン、およびそれらの混合物から成る群から選択されたものを含む。好ましい芳香族化合物は、Ａｒｏｍａｔｉｃ  １００またはＡｒｏｍａｔｉｃ  １５０という名でＥｘｘｏｎ  Ｍｏｂｉｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社から販売されている。
【００２０】
ある好ましい実施形態では、本発明の組成物は、本質的に、（好ましくは完全に）界面活性剤を使用していない。この実施形態では、当該組成物は、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、約０．５重量％未満、好ましくは約０．１重量％未満、そして、さらに好ましくは約０重量％の界面活性剤を含有する。
【００２１】
別の好ましい実施形態では、本発明の組成物は、本質的に、（好ましくは完全に）染料と発色団とを使用していない。この実施形態では、当該組成物は、当該組成物の総重量を１００重量％としてその重量に基づいて、約０．５重量％未満、好ましくは約０．１重量％未満、そして、さらに好ましくは約０重量％の染料と発色団を含有する。
【００２２】
特に好ましい実施形態では、本発明の組成物は、溶剤システムにおいて分散、または溶解した当該炭化水素樹脂とゴムとを必須成分とする。この実施形態では、当該炭化水素樹脂、ゴム、および溶剤システムは、前述した種類と量であることができる。
【００２３】
他の実施形態では、当該組成物は、界面活性剤、染料、および発色団を含む多くの任意の成分を含んでもよい。
【００２４】
本発明の組成物は、好ましくは、約４５−１００時間の間、約９０−１００℃の温度に加熱しながら、好ましくは、実質的に一定の温度を維持しながら、当該炭化水素樹脂、ゴム、および他の成分を当該溶剤システムに単純に混合することによって形成される。この時以降は、当該発熱体は取り除かれ、当該溶液は、好ましくは、追加の１５−２５時間の間かき混ぜて冷却される。当該混合物は、当該最終組成物をもたらすように、任意にフィルター（好ましくは平均粒径約４．０−６．０μｍ）を通すことができる。当該最終組成物は、３７．８℃で約９００−１，８００ｃＰ、好ましくは約１，０００−１，５００ｃＰ、さらに好ましくは約１，１００−１，２００ｃＰのブルックフィールド粘性係数を有するべきである。したがって、当該組成物は、室温で流動可能であるだろう。
【００２５】
酸から保護するためのコーティングなどのような保護コーティングとして使用する場合、当該組成物は、単に、シリコン、アルミニウム、タングステン、タングステン珪化物、ガリウムヒ素、ゲルマニウム、タンタル、タンタル亜硝酸塩、ＳｉＧｅ、低誘電率の誘電体層、誘電体層（例えば、酸化ケイ素、窒化珪素）、およびイオン注入層から成る群から選定されたような超小型電子基板（基板の組み合わせ、複合体）を含む基板に適用される。好ましい応用方法は、約５００−３，０００ｒｐｍ（より好ましくは約１，３００−１，８００ｒｐｍ）のスピン速度、約４，５００−５，０００ｒｐｍ／秒の加速度、および約１５−４５秒のスピン時間で、当該組成物をスピンコーティングすることを含む。
【００２６】
コーティング後に、約６０−１２０℃、好ましくは約８０−１１０℃、さらに好ましくは約９０−１００℃の温度で、約６０−２４０秒の間、より好ましくは約１００−２００秒の間、当該基板をベークする（例えば、ホットプレート上で）ことができる。当該コーティングされた基板は、任意に、約１２０−２５０℃の温度で２次ベークすることができる。ベーク後の当該フィルムの厚みは、通常約０．１−４０μｍ、好ましくは約５−３０μｍ、より好ましくは約１０−２０μｍ、さらに好ましくは約１４−１６μｍである。
【００２７】
接着剤として使用する場合、当該保護コーティングに関して記載した当該条件を使用して、当該組成物を、同じ種類の基板（当該フロントサイドの表面、または部品エリア）に適用することができる。しかしながら、特定の厚さを達成するために当該応用手順を変更することができることを理解しなければならない。そして、当該組成物は、上に記載されるようにベークされ、その結果、当該溶剤を蒸発させて、滑らかで均一のコーティングを作り出す。必要に応じて、２番目の層にも適用して、ベークすることができる。
【００２８】
ベーキング後に、当該必要なキャリヤウェハ（例えば、サファイアキャリヤウェハ、セラミック、ガラス、水晶、シリコン）を、本発明の組成物の当該層に接触させて、加圧する。当該キャリヤウェハは、約８０−２５０℃、好ましくは約１２０−１８０℃、より好ましくは約１５０−１６０℃の温度で加熱することにより、本発明の接着剤層に接着される。この加熱は、好ましくは約０．１−４０インチＨｇ、より好ましくは約１８−３０インチＨｇ、さらに好ましくは約２０−２５インチＨｇの真空中で、約１−５分の間、より好ましくは約２−３分の間、実施される。
【００２９】
そして、当該ウェハパッケージは、当該基板をさらに薄板化することを必要とする。当該基板を、約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満、より好ましくは約２５μｍ未満の厚さに薄板化することができることは、大いに評価できるであろう。薄板化の後に、フォトリソグラフィ、ビアホールのエッチング、および金属膜付けを含む典型的なバックサイド処理を実施することができる。
【００３０】
都合良いことに、本発明の組成物の当該硬化したフィルム、または乾燥したフィルム、あるいは層は、多くの非常に好ましい特性を有している。例えば、当該フィルムは、真空エッチングプロセスのために、低いガス抜けを示すだろう。すなわち、当該組成物の１５μｍの厚さのフィルムが、１００℃で２分間ベークされる場合は、その後の２００℃で３０分間のベークが、約５％未満、好ましくは約２％未満、さらに好ましくは約１％未満、または０％のフィルム厚さ変化をもたらすように、当該溶剤が当該組成物から追い出されるだろう（「フィルム収縮テスト」と呼ばれる）。
【００３１】
当該硬化したフィルム、または乾燥したフィルムは、当該フィルムに反応が起こることなく、１３０℃の温度まで加熱することができる。また、当該フィルムは、反応することなく、１００℃の温度で６０分間、親水性リソグラフの化学作用（例えば、Ｎ−メチルピロリドン）にさらすことができる。
【００３２】
また、当該硬化した組成物、または乾燥した組成物は、耐酸および耐塩基性である。すなわち、１５μｍの厚みを有する当該組成物の硬化した層、または乾燥した層は、酸（例えば、４９％のフッ化水素酸）、または塩基（例えば、３０％の水酸化アンモニウム、２０−４０％の水酸化カリウム）の中に、少なくとも４５分間、当該酸、または塩基が当該層を除去したり、当該層をエッチングしたり、別な方法で当該層を破損したりすることなく、沈めることができる。
【００３３】
当該硬化した組成物、または乾燥した組成物は、上に記載するように、化学的、および熱的に抵抗力があるが、また、それをある溶剤で容易に溶かして、取り除くことができるので、それはキャリヤウェハ接着剤として使用するのに理想的である。キシレン、ベンゼン、リモネン、および本発明の組成物の一部として使用が許容される、上記の他の溶剤などの無極性溶剤を使用することと同様に、硬化する前、または乾燥する前に、当該組成物の一部であった当該オリジナル溶剤を使用することで、当該硬化した組成物、または乾燥した組成物を取り除くことができる。当該層は、当該溶解溶剤の中に入れられた後、数分以内に軟化し始め、１３０℃の温度を有する溶解溶剤の中に浸してから２時間後に、完全に（少なくとも約９８％、好ましくは少なくとも約９９％、より好ましくは約１００％）溶解するだろう。
【００３４】
好ましい実施形態の詳細な説明
実施例
以下の実施例に、本発明による方法の好適例を示す。しかし、これらの実施例は具体的な例示のためのものと理解されるべきであり、そのいかなる箇所も本発明の範囲を限定すると解釈されるべきでない。
【００３５】
（実施例１）
保護コーティングの製造
この手順では、３，２５０．００グラムの１−ドデセン（Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ，  ＷＩ）を、１２リットルの円形ガラス反応器に加えた。次に、２６２．５６グラムのＢｕｎａ  ＥＰ  Ｔ６２５０（ＬＡＮＸＥＳＳ  Ｃｏｒｐ．，  Ａｋｒｏｎ，  ＯＨ）と、１，４８７．５０グラムのＥａｓｔｏｔａｃ  Ｈ１４２ｗ（Ｅａｓｔｍａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｋｉｎｇｓｐｏｒｔ，  ＴＮ）とを、当該反応器に加えた。当該内容物が１００℃まで加熱される間、当該試薬を、当該反応器の中で連続して撹拌した。混合物が均一になるまで、当該内容物を、連続して撹拌して、１００℃の一定温度で９５時間３５分の間維持した。撹拌を継続しながら、当該加熱を止め、当該混合物を、室温まで冷却した。厚さ１５μｍのフィルムを達成するのに必要な当該固体レベルの％を決定するために、希釈カーブを準備した。この厚さのフィルムを達成するまで、当該組成物を、さらに希釈して、撹拌した。そして、マイズナー  カートリッジ  フィルタを使用して、当該バッチを、５．０μｍのフィルターにかけた。濾過後の当該材料の粘性係数は、１，１００ｃＰであった。
【００３６】
１，５００ｒｐｍの回転速度で静的ディスペンサを使用して、当該材料を、窒化珪素基板に適用した。加速度は５，０００ｒｐｍ／秒で、回転時間は３０秒であった。そして、当該コーティングされた基板を、真空を全く使用せずに、１００℃で２分間、ホットプレート上でベークした。その結果、当該コーティングの厚さは、１５μｍであった。
【００３７】
次に、２００ｍｌの４８％フッ化水素酸を、小さい容器に加えた。当該コーティングされてベークされた基板を、当該酸に浸した。当該コーティングは、室温で４５分間、当該酸から当該基板を保護した。
【００３８】
（実施例２）
回転塗布する接着剤の製造
この手順では、３，２５０．２０グラムのｄ−リモネンを、１２リットルの円形ガラス反応器に加えた。次に、２６２．４６グラムのＢｕｎａ  ＥＰ  Ｔ６２５０（ＬＡＮＸＥＳＳ  Ｃｏｒｐ．，  Ａｋｒｏｎ，  ＯＨ）と、１，４８７．５０グラムのＥａｓｔｏｔａｃ  Ｈ  １４２ｗ（Ｅａｓｔｍａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｋｉｎｇｓｐｏｒｔ，  ＴＮ）とを、当該反応器に加えた。当該内容物が１００℃まで加熱される間、当該試薬を、当該反応器の中で連続して撹拌した。当該内容物を、連続して撹拌して、１００℃の一定温度で５１時間４５分の間維持した。撹拌を継続しながら、当該加熱を止め、当該内容物を、室温に到達させた。厚さ１５μｍのフィルムを達成するのに必要な当該固体レベルの％を決定するために、希釈カーブを準備した。この厚さのフィルムを達成するまで、当該組成物を、さらに希釈して、撹拌した。マイズナー  カートリッジ  フィルタを使用して、２リットル当該バッチを、５．０μｍのフィルターにかけた。当該バッチの残りを、フィルターにかけずにガラスビンの中に収納した。
【００３９】
１，５００ｒｐｍの回転速度で静的ディスペンサを使用して、当該フィルターにかけた材料を、シリコン基板ウェハに適用した。加速度は５，０００ｒｐｍ／秒で、回転時間は３０秒であった。当該コーティングされたウェハを、真空を全く使用せずに、１００℃で２分間、ホットプレート上でベークした。そして、当該ウェハを、コーティング側を上にして、Ｄｙｎａｔｅｘボンダーに設置した。穴の開いたサファイアキャリヤウェハを、当該コーティングされたウェハの上に接触させて置いた。当該サファイアウェハを、２２インチＨｇの真空下で１５５℃で２分間、当該シリコンウェハに接着した。当該シリコン部分のその後の薄板化のために、当該ウェハパッケージを、当該ボンダーから取り外した。