(57)【要約】  第１の態様では、半導体デバイス製造ツールを設備に結合させるための装置が提供される。該装置は、（１）隆起フロアに搭載するように適合されており、かつ該隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するドッキングステーションと、（２）該ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）該ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所とを含む。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。多数の他の態様も提供される。【選択図】  図２
2009510786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造ツールを設備に結合するための装置であって、
隆起フロアに搭載するように適合されており、かつ前記隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するドッキングステーションと、
前記ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を備える装置。
【請求項２】
前記ドッキングステーションがさらに、標準隆起フロアタイルの代わりに隆起フロアに搭載されるように適合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ドッキングステーションの厚さが標準隆起フロアタイルとほぼ等しい、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ドッキングステーションの前記底部表面が、前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記隆起フロア下方の空間の高さが前記ドッキングステーション下方の空間の高さとほぼ同じである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ドッキングステーションの厚さは、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ドッキングステーションの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
半導体デバイス製造ツールを事前促進するための方法であって：
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を有するドッキングステーションを提供するステップと；
前記隆起フロアに前記ドッキングステーションを搭載するステップと；
前記設備ＰＯＣ場所を設備のＰＯＣに接続するステップと；
を備える方法。
【請求項１０】
ドッキングステーションを提供するステップが、標準隆起フロアタイルの代わりに隆起フロアに搭載するようにさらに適合されているドッキングステーションを提供する工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの厚さが標準隆起フロアタイルとほぼ等しい工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの前記底部表面が前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記隆起フロア下方の空間の高さが前記ドッキングステーション下方の空間の高さとほぼ同じである工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣを取り付けるステップが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置されている工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの厚さが、前記設備ＰＯＣを取り付けるステップが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
ドッキングステーションを提供するステップが、ドッキングステーションを提供する工程であって、前記ドッキングステーションの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある工程を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
ドッキングステーションを製造するための方法であって、
隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するフレームを構築するステップと、
前記フレームの上部表面に複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所を設置するステップであって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、
前記フレームの底部表面に複数の設備ＰＯＣ場所を設置するステップであって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、
を備える方法。
【請求項１８】
フレームを構築するステップが、標準隆起フロアタイルの代わりに隆起フロアに搭載するように適合されているフレームを構築する工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記フレームの厚さが標準隆起フロアタイルとほぼ等しい工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記フレームの前記底部表面が前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記隆起フロア下方の空間の高さが前記フレーム下方の空間の高さとほぼ同じである工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣを取り付けるステップが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置されている工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記フレームの厚さが、前記設備ＰＯＣを取り付けるステップが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
フレームを構築するステップが、フレームを構築する工程であって、前記フレームの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある工程を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
ドッキングステーションと、
前記ドッキングステーションをサポートするように適合されている隆起フロアと、
を備える隆起フロアシステムであって、
前記ドッキングステーションは、
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、
を有する、前記隆起フロアシステム。
【請求項２６】
前記ドッキングステーションがさらに、標準隆起フロアタイル／パネルの代わりに前記隆起フロアに搭載するように適合されている、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２７】
前記ドッキングステーションの厚さが標準隆起フロアタイル／パネルとほぼ等しい、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２８】
前記ドッキングステーションの前記底部表面が前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一表面にある、請求項２５に記載のシステム。
【請求項２９】
前記隆起フロア下方の空間の高さが前記ドッキングステーション下方の空間の高さとほぼ同じである、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３０】
前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置される、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３１】
前記ドッキングステーションの厚さが、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３２】
前記ドッキングステーションの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある、請求項２５に記載のシステム。
【請求項３３】
ドッキングステーションと、
前記複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所に結合されるように適合されている複数のツールＰＯＣを含む半導体デバイス製造ツールと、
を備える半導体デバイス製造システムであって、前記ドッキングステーションは、
隆起フロアとほぼ等しい厚さと、
ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、
前記ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所であって、各設備ＰＯＣ場所が設備のＰＯＣに接続されるように適合されている複数の設備ＰＯＣ場所と、
を有する、前記半導体デバイス製造システム。
【請求項３４】
前記ドッキングステーションがさらに、標準隆起フロアタイル／パネルの代わりに前記隆起フロアに搭載するように適合されている、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
前記ドッキングステーションの厚さが、標準隆起フロアタイル／パネルとほぼ等しい、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３６】
前記ドッキングステーションの前記底部表面が前記隆起フロアの底部表面とほぼ同一平面にある、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３７】
前記隆起フロア下方の空間の高さが前記ドッキングステーション下方の空間の高さとほぼ同じである、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３８】
前記設備ＰＯＣ場所が、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないように配置されている、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３９】
前記ドッキングステーションの厚さが、前記設備ＰＯＣの取り付けが前記隆起フロアのサポート構造と干渉しないものである、請求項３３に記載のシステム。
【請求項４０】
前記ドッキングステーションの前記上部表面が前記隆起フロアの上部表面の下方にある、請求項３３に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２００５年９月２７日に出願された米国仮特許出願第６０／７２０，９５８号の優先権を特許請求するものであり、これは全体が参照により本明細書に組み込まれている。
【発明の分野】
【０００２】
本発明は概して半導体デバイス製造に関し、より具体的には半導体デバイス製造機器を製造場所の設備に結合させるための方法および装置に関する。
【発明の背景】
【０００３】
半導体デバイス製造場所（例えば、建造物、構造、製造プラントなど）への機器の設置は時間および労力がかかることがある。機器を設置するのに必要な時間および労力は、製造場所の設備に機器を取り付けまたは結合させるのに必要な時間および労力によって大きく影響されることがある。この設備は、空気、水、プロセスガス、真空、電気などのサービスを含むことがある。機器は、機器の接続ポイントを設備のＰＯＣに結合させることによってサービスに接続されてもよい。半導体デバイス製造場所は空間的制約を有することがあるため、設備のＰＯＣへのアクセスは制限されることもある。従って、半導体デバイス製造機器を製造場所の設備に効率的に結合させるための方法および装置が必要である。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の第１の態様では、半導体デバイス製造ツールを設備に結合させるための装置が提供される。該装置は、（１）隆起フロアに搭載するように適合されており、かつ該隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するドッキングステーションと、（２）該ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）該ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。
【０００５】
本発明の第２の態様では、半導体デバイス製造ツールを事前促進するための方法が提供される。該方法は、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）該ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所とを有するドッキングステーションを提供するステップを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。該方法はさらに、（１）該ドッキングステーションを該隆起フロアに搭載するステップと、（２）該設備ＰＯＣ場所を設備のＰＯＣに接続するステップと、を含んでいる。
【０００６】
本発明の第３の態様では、ドッキングステーションを製造するための方法が提供される。該方法は、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するフレームを構築するステップと、（２）該フレームの上部表面に複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所を設置するステップであって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、（３）該フレームの底部表面に複数の設備ＰＯＣ場所を設置するステップと、を含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。
【０００７】
本発明の第４の態様では、隆起フロアシステムが提供される。該隆起フロアシステムは、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）該ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所とを有するドッキングステーションを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。該隆起フロアシステムはまた、該ドッキングステーションをサポートするように適合されている隆起フロアを含んでいる。
【０００８】
本発明の第５の態様では、半導体デバイス製造システムが提供される。該半導体デバイス製造システムは、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）該ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所とを有するドッキングステーションを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。該半導体デバイス製造システムはまた、該複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所に結合されるように適合されている複数のツールＰＯＣを含む半導体デバイス製造ツールを含んでいる。多数の他の態様も提供されている。
【０００９】
本発明の他の特徴および態様は、以下の詳細な説明、添付の特許請求の範囲および添付の図面からより完全に明らかになる。
【詳細な説明】
【００１０】
本発明は、機器（例えば、半導体デバイス処理機器など）を製造場所の設備（例えば、設備の接続ポイント（ＰＯＣ））に結合するように適合されたドッキングステーションを提供する。ドッキングステーションは、半導体デバイス処理機器が設置される場所を事前促進する（つまり「容易にする」）ために用いられてもよい（例えば、事前測定や事前配線など、半導体デバイス処理機器の到着前のドッキングステーションにおいて、および／またはこれに対する任意の必要な設備ラインおよび／または他のサービスによって、半導体デバイス処理機器への設備の接続は、半導体デバイス処理機器が設置される場合にドッキングステーション場所でなされるだけでよい）。従って、半導体デバイス処理機器を設置するのに必要な時間は大きく削減される。
【００１１】
本発明の実施形態では、ドッキングステーションは、設備のＰＯＣおよび／または製造場所のフロアに結合可能な特徴を具備する特徴部（例えば、鋼、アルミニウム、プラスチックなど）のシートであってもよい。例えば、フロアは、フロアと下地サポート構造（例えば、接地、構造Ｉビームなど）の間に空間を具備する隆起金属フロア（ＲＭＦ）や類似のフロアであってもよい。ドッキングステーションは、フロアと下地サポート構造間に配置可能なフロアのサポート構造や設備ラインなどと干渉しないように配置されてもよい。加えて、ドッキングステーションは、機器に利用される面積（例えば、フットプリントなど）がドッキングステーションを用いることによって増大されないように、機器の下方に配置されてもよい。
【００１２】
ドッキングステーションは機器と一体的または別個であってもよい。個別ドッキングステーションは、機器の送出および／または設置前にドッキングステーションを設備のＰＯＣに結合させてもよい。その後、機器が半導体デバイス製造場所に設置されると、機器は設備のＰＯＣおよび／またはドッキングステーションに結合されてもよい。これによって、機器の設置および／またはスタートアップ時間はかなり削減可能になる。本発明のこれらおよび他の態様について後述する。
【００１３】
図１は、本発明に従って提供された半導体デバイス製造システム１００の等角図である。半導体デバイス製造システム１００はフロア１０４に配置されているドッキングステーション１０２を含んでいる。半導体デバイス製造機器１０６は、ガスライン１０８（例えば、ステンレス鋼チューブなど）、真空ライン１１０（例えば、ステンレス鋼ベローズ、１インチ厚のステンレス鋼チューブなど）、水ライン１１２（例えば、ゴムホース、ステンレスチューブ、プラスチックホースなど）および／または電力ライン、信号ラインなどの他の接続を介して設備に結合されてもよい。フロア１０４は、半導体デバイス製造場所の接地および／または他の下地サポート構造上に静止可能なカラム１１４によってサポートされてもよい。
【００１４】
図１を参照すると、ガスライン１０８、真空ライン１１０および水ライン１１２はドッキングステーション１０２を通過および／またはこれに結合してもよい。さらに、信号ライン、電力ライン、空気ラインなどの他のラインがドッキングステーション１０２を通過および／またはこれに結合してもよい。同一および／または代替実施形態では、ガスライン１０８、真空ライン１１０および／または水ライン１１２のうちの１つ以上が、ドッキングステーション１０２上のフィッティングを介して半導体デバイス処理機器１０６に結合されてもよい。代替的に、ガスライン１０８、真空ライン１１０および／または水ライン１１２のうちの１つ以上は、ドッキングステーション１０２に結合されずにドッキングステーション１０２を通過してもよい。
【００１５】
図１の実施形態では、ドッキングステーション１０２はフロア１０４の上部表面と同一平面上にあっても、および／またはこれと平面関係にあってもよい。例えば、ドッキングステーション１０２は、およそ、フロア１０４の厚さおよび／またはフロア１０４のフロアタイル／パネル（別個には図示せず）以下の厚さ（高さ）を有してもよい。代替的に、ドッキングステーション１０２はフロア１０４に角度付けおよび／または凹状にされてもよい。代替および／または同一実施形態では、ドッキングステーション１０２はフロア１０４の上部表面を包含する平面に配置されてもよい。
【００１６】
ドッキングステーション１０２は異なるサイズおよび／または形状のホールおよび／または切欠きを含んでもよい。例えば、ガスライン１０８、真空ライン１１０および／または水ライン１１２は種々のサイズおよび／または形状のホールおよび／またはアダプターを通過してもよい。さらなる例では、ガスライン１０８、真空ライン１１０および／または水ライン１１２は、半導体処理機器１０６に結合するアダプターに結合されてもよい。
【００１７】
図２は、参照番号２００で概して記されている本発明の第２の実施形態に従ったドッキングステーションの等角図である。ドッキングステーション２００は、電気導管通路２０４、ガスパネル排出ポート２０６、信号ラインコネクタ２０８（例えば、ＲＳ−２３２など）、クリーンドライエア（ＣＤＡ）アダプター２１０（例えば圧縮シールコネクタなど）、真空ポート２１２（例えば、３０４ステンレス鋼ＫＦフランジフィッティングなど）、プロセスガスラインアダプター２１４（例えば、圧縮シールコネクタなど）および／または水ラインアダプター２１６（例えば、４分の１インチねじ式雌雄コネクタなど）に結合されたフロアインタフェース２０２（例えば、折り畳みシート金属、成形熱硬化性ポリマーなど）を含んでもよい。他の数量、タイプおよび／または配列の通路、コネクタ、ポートおよび／またはアダプターが使用されてもよい。
【００１８】
図２を参照すると、フロアインタフェース２０２が種々の平面に配向するように適合されてもよい。例えば、フロアインタフェース２０２は、フロア１０４に結合される場合に、ドッキングステーション２００の実質的部分が、フロア１０４の上部表面によって形成された平面と平行になるように配向されてもよい。同一または代替実施形態では、電気導管通路２０４、ガスパネル排出ポート２０６、信号ラインコネクタ２０８、クリーンドライエア（ＣＤＡ）アダプター２１０、真空ポート２１２、プロセスガスラインアダプター２１４および／または水ラインアダプター２１６の配向および配置は変化してもよい。例えば、真空ポート２１２および／または他のコネクタ／アダプターは、フロアインタフェース２０２によって形成された平面に直交しない角度で配向されてもよい。
【００１９】
図２のドッキングステーション２００は多数の利点を提供する。例えば、ドッキングステーション２００は削減プロファイルを有しているため、ドッキングステーション２００は、隆起フロアの下方に配置されている構造ビームや他のサポートデバイスなどの、ドッキングステーション２００の接続場所と隆起フロアのサポート構造間の干渉に対する可能性の削減を提供する。例えば、図３Ａはドッキングステーション２００の概略側面図であり、ドッキングステーション２００が隆起フロア３０２に結合可能であり、またＩビーム３０４などの隆起フロア３０２のサポート構造と干渉せずにドッキングステーション２００への外部ライン（例えば、ガスライン、真空ライン、水ライン、電力ライン、信号ラインなど）の容易な接続を可能にする様子を図示している。図３Ａに示されている例示的外部ライン接続は水ライン３０６およびガスパネル排出ライン３０８を含んでいるが、より少数、多数および／または他の外部ラインがドッキングステーション２００に接続されてもよい。図３Ａに示されているように、ドッキングステーション２００の削減プロファイル（厚さ）は、隆起フロア３０２のかなり下方に延び、かつ／または接続ボックスの側壁に接続を提供する従来の接続ボックスよりも多くの余地を外部接続に提供する。さらに、ドッキングステーション２００の接続場所は隆起フロア３０２の上部付近にあるため、（隆起フロアのかなり下方に延びる従来の接続ボックス内深くに接続する場合に使用される）特殊レンチや特殊目的締結ツールを必要とせずに、ドッキングステーション２００により便宜的に接続されてもよい。
【００２０】
図３Ｂはドッキングステーション２００の概略側面図であり、ドッキングステーション２００が隆起フロア３０２（および／または隆起フロア３０２のタイル／パネル）の厚さとほぼ同じ厚さを有する様子を図示している。さらに、例示的アダプター／接続場所３１０がドッキングステーション２００内に示されており、ドッキングステーション２００への接続が隆起フロア３０２のレベルで、またはこの付近で生じる様子（例えば特殊締結ツールの必要性を削減し、またより便宜的な接続場所を提供する）を図示している。
【００２１】
図３Ｃは、ドッキングステーション２００の概略側面図であり、ドッキングステーション２００が複数のＡＣや他の導管および／または（例えば、矢印３１２、３１４で示されるような複数の方向からの）ラインアプローチを提供する様子を図示している。多数の従来の接続ボックスは単一の導管アプローチのみを提供することがある。さらに、ドッキングステーション２００のコンパクトなプロファイルゆえに、削減プロファイルドッキングステーション２００は、隆起フロアのＩビームや他のサポート構造のフロアタイルおよび／または座部とおよそ同じ全体的厚さ／高さのフレームを有するため、ドッキングステーション２００は、（例えば、隆起フロアと接地間のサポートレッグ、セメントフロア、ワッフルテーブルなどを用いる）標準隆起フロアやＩビーム、あるいは他の方法でサポートされている隆起フロアと共に用いられる場合に便宜的な接続場所を提供する（図３Ａ〜図３Ｃ）。
【００２２】
図４は、隆起フロア４０２内、かつ半導体デバイス製造ツール４０４下方に位置決めされているドッキングステーション２００を含む例示的システム４００の概略側面図である。隆起フロア４０２は、セメントフロアや他の下地サポート構造４１０の上方でサポート部材４０８（例えば、ペデスタル、Ｉビームなど）によってサポートされているタイルやパネル４０６を含んでいる。図４に示されているように、ドッキングステーション２００は隆起フロア４０２のタイルやパネル４０６とおよそ同じ厚さＴ１であり、またツール４０４が必要とする種々の設備に複数の接続場所を提供する。上記のように、ドッキングステーション２００はフロア４０２内に設置されてもよく、またツール４０４の到着前にツール４０４が必要とする設備サービスに接続されてもよい。例えば、ツール４０４の動作に必要なガスライン、水ライン、電力ライン、真空ライン、排出ラインなどが、（図４の参照番号４１２ａ〜４１２ｇで示されるような）ツール４０４の到着前にドッキングステーション２００に結合されてもよい（またはこれを通過してもよい）。ツール４０４の、このような事前促進は、ツール４０４のスタートアップ時間を大きく削減可能である。ドッキングステーション２００が隆起フロア４０２に設置され、かつドッキングステーション２００に設備接続がなされた後、ツール４０４はドッキングステーション２００上に配置（例えば、ロール）されてもよく、また（参照番号４１４で概して表されるような１つ以上のライン、導管、ベローズなどを介して）これと噛合されてもよい。ドッキングステーション２００はサポート部材４０８と干渉せず、また（示されているように）フロア４０２の下方に相当な空間を提供する。
【００２３】
一部の実施形態では、ドッキングステーション２００下方の空間の高さＴ２は、図４に描かれているように隆起フロア４０２下方の空間の高さとほぼ等しくてもよい。他の実施形態では、ドッキングステーション２００下方の空間の高さＴ２は、一部の実施形態では最大＋／−５％、一部の実施形態では＋／−１０％、あるいは一部の実施形態では＋／−２０％、隆起フロア４０２下方の空間の高さと異なることもある。同様に、一部の実施形態では、ドッキングステーション２００の厚さＴ１は、図４に描かれているように隆起フロア４０２の厚さとほぼ等しくてもよい。他の実施形態では、ドッキングステーション２００の厚さＴ１は、一部の実施形態では最大＋／−５％、一部の実施形態では＋／−１０％、あるいは一部の実施形態では＋／−２０％、隆起フロア４０２の厚さと異なることもある。
【００２４】
本発明の少なくとも１つの実施形態では、ドッキングステーション２００の接続および／または通路場所は分割および／または論理的にグループ化または配列されてもよい。例えば、図５は、隆起フロア５０２に結合されているドッキングステーション２００の例示的実施形態の概略平面図である。図５に示されているように、ドッキングステーション２００の接続場所および／または通路場所は５つのグループ５０４ａ〜５０４ｅに配列されている。他の数のグループおよび／または配列が使用されてもよい。
【００２５】
図５を参照すると、チャネルＡおよびＢが必要とするツール（図示せず）について、第１のグループ５０４ａはチャネルＡのフォーラインおよび通信接続に提供される。第２のグループ５０４ｂはチャネルＡの電力導管（例えば電力導管通路）に提供される。第３のグループ５０４ｃは、有毒ガスキャビネット排出口５０６およびガスライン接続５０８に提供される。第４のグループ５０４ｄは、チャネルＢのフォーライン、冷却水、クリーンドライエアおよび真空に提供される。第５のグループ５０４ｅはチャネルＢの電力導管に提供される。上記のように、他のグループおよび／または数量やタイプの接続が使用されてもよい。
【００２６】
本明細書に説明されている本発明のドッキングステーションの実施形態は、隆起フロア下方のより少数の可能な接続干渉を提供し、より多くの接続余地および／または（例えば、水や他の接続などの）より簡単な接続へのアクセスを提供し、複数のＡＣ導管アプローチを許容し、および／または（従来の接続ボックスと比較される場合に）設備ラインへの同数またはより少数のベンドを提供する。
【００２７】
上記説明は本発明の例示的実施形態のみを開示している。本発明の範囲内にある上記開示されている装置および方法の変形例は当業者には容易に明らかになるであろう。例えば、ドッキングステーションはＰＶＣ材料から形成されてもよく、および／またはツールに対してある角度で配向されてもよい。一般に、ドッキングステーションは、例えば冷間圧延鋼、ステンレス鋼、アルミニウムシート金属などを含む多様な構造材料のうちのいずれかから形成されてもよい。ドッキングステーションの全寸法は、容易化されるツールのタイプに応じて変化することがあるが、一部の実施形態ではコンパクトな構造が好ましい。ガス、水、電気、真空、ＣＤＡおよび換気接続を含む設備の総装備について、ドッキングステーションはおよそ長さ６インチ×幅２インチ×深さ３インチであってもよいが、他の寸法が使用されてもよい。
【００２８】
一部の実施形態では、ドッキングステーション２００は、従来の接続ボックスと類似の長さおよび幅を有することもあるが、これは、（例えば、ドッキングステーション２００が結合される隆起フロアのフロアタイルとほぼ同じ厚さの）かなり削減された高さ／厚さである。ドッキングステーション２００は、ＫＦ−５０、１／２’’ＶＣＲ、ＤＮｅｔ接続などの接続フィッティングを含んでもよい。任意の適切な数量、サイズおよび／またはタイプの接続フィッティングが使用されてもよい。有毒ブーツや他の二次汚染デバイスが、（例えば、有毒排出物および／または他の廃棄物をツールおよび／または処理チャンバから除去するために）ドッキングステーション２００に結合され、および／またはこれと併用されてもよい。
【００２９】
本発明の少なくとも１つの実施形態では、半導体デバイス製造ツールを設備に結合するための装置が提供される。本装置は、（１）隆起フロアに搭載するように適合されており、かつ隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するドッキングステーションと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。
【００３０】
本発明の１つ以上の実施形態では、半導体デバイス製造ツールを事前促進するための方法が提供されている。本方法は、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所とを有するドッキングステーションを提供するステップを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。本方法はさらに、（１）ドッキングステーションを隆起フロアに搭載するステップと、（２）設備ＰＯＣ場所を設備のＰＯＣに接続するステップと、を含んでいる。
【００３１】
本発明の一部の実施形態では、ドッキングステーションを製造するための方法が提供される。本方法は、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さを有するフレームを構築するステップと、（２）フレーム上部表面に複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所を設置するステップであって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されているステップと、（３）フレームの底部表面に複数の設備ＰＯＣ場所を設置するステップと、を含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。
【００３２】
本発明の特定の実施形態では、隆起フロアシステムが提供される。隆起フロアシステムは、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を有するドッキングステーションを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。隆起フロアシステムはまた、ドッキングステーションをサポートするように適合された隆起フロアを含んでいる。
【００３３】
本発明の１つ以上の実施形態では、半導体デバイス製造システムが提供される。半導体デバイス製造システムは、（１）隆起フロアとほぼ等しい厚さと、（２）ドッキングステーションの上部表面に配置されている複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所であって、各ツールＰＯＣ場所が半導体デバイス製造ツールのＰＯＣに接続されるように適合されている複数のツールＰＯＣ場所と、（３）ドッキングステーションの底部表面に配置されている複数の設備ＰＯＣ場所と、を有するドッキングステーションを含んでいる。各設備ＰＯＣ場所は、設備のＰＯＣに接続されるように適合されている。半導体デバイス製造システムはまた、複数のツール接続ポイント（ＰＯＣ）場所に結合されるように適合されている複数のツールＰＯＣを含む半導体デバイス製造ツールを含んでいる。
【００３４】
従って、本発明はこの例示的実施形態と関連して開示されてきたが、以下の請求項によって定義されるように、他の実施形態も本発明の精神および範囲内にあることが理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に従って提供された半導体デバイス製造システムの等角図である。
【図２】本発明の実施形態に従ったドッキングステーションの等角図である。
【図３Ａ】図２のドッキングステーションの概略側面図であり、本発明に従って、ドッキングステーションが隆起フロアに結合可能な様子を図示している。
【図３Ｂ】図２のドッキングステーションの概略側面図であり、本発明に従って、ドッキングステーションが隆起フロアの厚さとほぼ同じ全厚を有する様子を図示している。
【図３Ｃ】図２のドッキングステーションの概略側面図であり、本発明に従って、ドッキングステーションが複数のＡＣまたは他の導管および／またはラインアプローチを提供可能な様子を図示している。
【図４】本発明に従った、隆起フロア内、かつ半導体デバイス製造ツール下方に位置決めされている図２のドッキングステーションを含む例示的システムの概略側面図である。
【図５】本発明に従った、隆起フロアに結合されている図２のドッキングステーションの、例示的実施形態の概略平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００…半導体デバイス製造システム、１０２、２００…ドッキングステーション、１０４…フロア、１０６…半導体デバイス製造機器、１０８…ガスライン、１１０…真空ライン、１１２、３０６…水ライン、１１４…カラム、２０２…フロアインタフェース、２０４…電気導管通路、２０６…ガスパネル排出ポート、２０８…信号ラインコネクタ、２１０…クリーンドライエア（ＣＤＡ）アダプター、２１２…真空ポート、２１４…プロセスガスラインアダプター、２１６…水ラインアダプター、３０２、４０２、５０２…隆起フロア、３０４…Ｉビーム、３０８…ガスパネル排出ライン、３１０…アダプター／接続場所、３１２、３１４…矢印、４０４…半導体デバイス製造ツール、４０６…タイルやパネル、４０８…サポート部材、４１０…下地サポート構造、５０４…グループ、５０６…有毒ガスキャビネット排出口、５０８…ガスライン接続
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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