(57)【要約】本発明は、ＱＴ間隔延長およびこれに伴う先天性ＱＴ延長症候群、後天性ＱＴ延長症候群、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中（これらに限定されない）などの疾病の治療法に関する。
2009516691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＱＴ延長を患う患者に、少なくとも１つの医薬的に許容されるヒトのエーテル・ア・ゴー・ゴー（ｅｔｈｅｒ−ａ−ｇｏ−ｇｏ）関連遺伝子（「ｈＥＲＧ」）チャネルアゴニストの治療上有効量を投与するステップを含み、前記少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与された場合、ＱＴ間隔を短縮しない、ＱＴ延長を患う患者のＱＴ間隔を短縮する方法。
【請求項２】
患者へのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与が、前記患者のｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストによってもたらされるｈＥＲＧチャネルにおける電流の増加が電圧依存性である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストが、陽性膜貫通電位でのｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
陽性膜貫通電位が、約＋０．１ｍＶから約＋５０ｍＶの間である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
陽性膜貫通電位が、約＋５ｍＶから約＋３０ｍＶの間である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
陽性膜貫通電位が、約＋１０ｍＶから約＋２０ｍＶの間である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記患者が先天性ＱＴ延長症候群に罹患している、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記患者が後天性ＱＴ延長症候群に罹患している、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記患者が心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中に罹患している、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ｈＥＲＧチャネルアゴニストが、次式
【化１】
2009516691.tif 000038
｛式中、Ｒ１は
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ２は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ３は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ５は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ６は、
【化２】
2009516691.tif 000039
であり、
Ｒ７は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基であり；および
Ｒ８は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基である。｝を有する少なくとも１つの化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ｈＥＲＧチャネルアゴニストが、２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸、２−［３−シアノ−４−（３−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［３−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−（３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［４−（２−カルボキシプロポキシ）−３−シアノフェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸およびこれらの医薬的に許容される塩からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中に罹患している患者に、少なくとも１つの医薬的に許容されるヒトのエーテル・ア・ゴー・ゴー関連遺伝子（「ｈＥＲＧ」）チャネルアゴニストの治療上有効量を投与するステップを含み、前記少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与された場合、ＱＴ間隔を短縮しない、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中を患っている患者を治療する方法。
【請求項１４】
患者へのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与が、前記患者のｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストによってもたらされるｈＥＲＧチャネルにおける電流の増加が電圧依存性である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストが、陽性膜貫通電位でのｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
陽性膜貫通電位が、約＋０．１ｍＶから約＋５０ｍＶの間である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
陽性膜貫通電位が、約＋５ｍＶから約＋３０ｍＶの間である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
陽性膜貫通電位が、約＋１０ｍＶから約＋２０ｍＶの間である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ｈＥＲＧチャネルアゴニストが、次式
【化３】
2009516691.tif 000040
｛式中、Ｒ１は
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ２は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ３は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ５は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
Ｒ６は、
【化４】
2009516691.tif 000041
であり、
Ｒ７は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基であり；および
Ｒ８は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基である。｝を有する少なくとも１つの化合物である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ｈＥＲＧチャネルアゴニストが、２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸、２−［３−シアノ−４−（３−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［３−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−（３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［４−（２−カルボキシプロポキシ）−３−シアノフェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸およびこれらの医薬的に許容される塩からなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、心臓学に関し、特に先天性ＱＴ延長症候群、後天性ＱＴ延長症候群、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中など（これらに限定されることはない）のＱＴ間隔延長およびこれに伴う疾病の治療法に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオンチャネルは細胞膜にまたがる巨大分子の水性タンパク質のトンネルである。非常に多くのイオンチャネルが存在することが知られている。これらのチャネルは、第２の命である脳、心臓および筋肉をそれぞれ通過する様々な電気的信号を発生させ、統制している。イオンチャネルは、これらが通過することを可能にするイオン、例えばナトリウム、カリウム、カルシウムまたはクロリドのタイプおよびゲート制御特性に基づいて分類される。イオンの各タイプに対して異なるチャネルがしばしばある。イオンチャネルにおけるイオンの移動の方向は、電気的および化学的な濃度勾配によって制御される。多くのチャネルでは、イオンの移動は、機械依存性、電位依存性およびリガンド依存性のサブタイプへのゲート制御されたイオンチャネル大分類の根拠を形成するゲート構造により制御される。したがって、イオンチャネルは連続的には開口されていない。この代わりに、これらは簡単に開口し、次に再び閉口する「ゲート」を有する。個々の細胞内のゲート制御されたイオンチャネルの同期活動は、興奮性組織に特有の複雑で不可欠な電圧波形を生じる。
【０００３】
休止期では、細胞はこれらの細胞膜上のイオンチャネルが開口しているか閉口しているかどうかに依存して、これらの細胞膜を横切る電気的な電位差（電圧）を維持する。典型的には、細胞の内部（細胞質）は、細胞外液に比べて電気的に陰性であり、したがって、細胞は休止期中に分極化される。細胞膜を横切るこの電気的な電位差は静止膜電位と呼ばれる。心筋細胞については、静止膜電位は約−９０ｍＶである。
【０００４】
電気興奮性細胞は、これらがイオンチャネルの開閉を引き起こし得る異なる刺激に暴露されると、興奮状態となる。イオンチャネル活性を変更する（またはゲート制御する）ことが知られている刺激の主なタイプは、膜（即ち電位依存性チャネル）を横切る電圧の変化、機械的ストレス（即ち機械依存性チャネル）またはリガンド結合（即ちリガンド依存性チャネル）である。細胞が興奮すると、これは活動電位と呼ばれる膜貫通電位変化のサイクルを経る。
【０００５】
心臓では、心臓の心室細胞の活動電位は５つの相を含む。第０相は、プラスに荷電されたナトリウムイオンの細胞への殆ど排他的な流入により、細胞膜がマイナスの静止電位からプラスの電位まで急速に通過する場合の急激な脱分極相である。この流入は膜電位がプラスになる原因となる。これが１ミリセカンド未満であり、最も速い相であるので、第０相は活動電位の「アップストローク」とも呼ばれる。脱分極中に、電位差は実際には逆になり、この結果、細胞質の電位は細胞外液のこれよりも約２０ｍＶ超過する。アップストロークは、カリウムイオンの一時的な流出による部分的なまたは初期の再分極の短い期間（第１相）に直ちに続き、次いでこれはプラトー相（第２相）に続く。プラトー相の過程では、プラスに荷電したカリウムイオンの流出によって平衡化するプラスに荷電したカルシウムイオンの流入がある。プラトー相に続いて、膜は分極の休止期（即ち、脱分極後のマイナス値への膜電位の戻り変化）へ戻り再分極（第３相）する。この最終的な再分極は、カリウムイオンの流出がカルシウムイオンの流入を超え始める場合に生じる。第３相の再分極は、第０相の脱分極よりもゆっくりと進行する。カリウムチャネルによるカリウム電流は、第３相の持続、したがって活動電位の持続を決定する際に重要な役割を果たす。活動電位の最終相（第４相）は、膜電位変化に関しては活動しない。第４相は、活動電位の過程で細胞を出たカリウムイオンと交換に細胞内へ入ったナトリウムとカルシウムのイオンの除去によってイオン濃度が回復される相である。
【０００６】
心筋細胞の各活動電位は、この細胞の収縮を引き起こす。すべての心筋細胞の協同した収縮は、協調した心臓の収縮または心拍を形成する。同時に、すべての心筋細胞からの統合された電気的信号（活動電位）は、身体の表面へ発信される。この信号は、特有の波形を生成する心電図（ＥＣＧまたはＥＫＧなど）に記録することができる。波形の異なる部分は、文字Ｐ、Ｑ、Ｒ、ＳおよびＴによって示され、これらは心臓の異なる領域からの活動電位の合計を表す。波形の異なる部分間の時間の一定間隔は、心臓の状態に関する有益な情報を提供する。例えば、波のＱＲＳ群の始めからＴ波（「ＱＴ」間隔として知られている。）の終わりへの期間は、心室の脱分極および再分極の持続の基準を提供する。言いかえれば、これは心臓の心室活動電位の期間の測定である。
【０００７】
残念なことに、一部の個人では、ＱＴ間隔の持続時間が延長される。ＱＴ間隔の延長は、臨床的には「ＱＴ延長症候群」（以下、「ＬＱＴＳ」）と称され、特定の医学的病状、例えば心室性頻拍性不整脈、特に突然の心臓死に至り得る多形性心室頻拍の危険性を増加させることに関係している。ＱＴ間隔延長または活動電位持続の増加は、内部（または流入）ナトリウムもしくはカルシウム電流の増加、または外部（または流出）カリウム電流の１つ以上の阻害に起因し得る。心臓の第３相の再分極に関係するカリウムチャネルのうちの２種類は、遅延整流カリウムチャネルＩκｒおよびＩκｓの急速活性型成分および緩徐活性型成分と称される。これらのチャネルは、活動電位の持続時間、即ちＱＴ間隔の測定に重要な役割を有している。これらのチャネルのいずれかの任意の欠陥または遮断は、活動電位持続時間およびＱＴ間隔を延長する。急速遅延整流カリウムチャネルＩκｒは、ヒトエーテル・ア・ゴー・ゴー（ｅｔｈｅｒ−ａ−ｇｏ−ｇｏ）関連遺伝子（以下、「ｈＥＲＧ」と呼ぶ。）によりコードされる。したがって、チャネルは、「ｈＥＲＧ」チャネルとしても知られている。ＱＴ間隔の延長は、これらのイオンチャネルで、１つ以上の遺伝的欠陥（これらは「先天性ＬＱＴＳ」と呼ばれる。）、または１種以上の薬物の作用（本明細書で「後天性ＬＱＴＳ」と呼ばれる。）に起因すると一般に考えられる。これにもかかわらず、延長されたＱＴ間隔は、心筋虚血（Ｐｕｄｄｕ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃａｒｄｉｏｌｏｇｙ，１９（３）：２０３−１１（１９８６））、心不全（Ｂｒｏｏｋｓｂｙ  ｅｔ  ａｌ．，Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｈｅａｒｔ  Ｊｏｕｒｎａｌ，２０（１８）：１３３５−４１（１９９９））糖尿病（Ｖｅｇｌｉｏ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｎａｌ  Ｍｅｄｉｃｉｎｅ，２５１（４）：３１７−２４（２００２））および脳卒中（Ｗｏｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｈｅａｒｔ（Ｂｒｉｔｉｓｈ  Ｃａｒｄｉａｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ），８９（４）：３７７−８１（２００３））を含む多くの心臓血管系の病気または他の疾病に見られ、これらの全てが高い死亡率と関係している。
【０００８】
基線ＱＴ間隔の測定および決定は、首尾一貫はしていないが、心虚血、心不全および脳卒中を有する患者の死亡の前兆の指標であることが示された。これは、ＱＴ延長が上記の疾病に関連した死亡の要因かもしれないことを示唆している。確かに心不全患者（Ｂｅｕｃｋｅｌｍａｎｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，７３（２）：３７９−８５（１９９３））および心筋梗塞の動物（Ｋａｐｒｒｉｅｌｉａｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｏｌｏｇｙ，２８３：Ｈ１１５７−Ｈ１１６８（２００２））からの分離された筋細胞を使用する電気生理学による研究および実験的に引き起こされた心不全（Ｄｅｓｐａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ，１０５：２５４３−２５４８（２００２）；Ｒｏｓｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｏｌｏｇｙ，２８８：Ｈ２０７７−Ｈ２０８７（２００５））は、健全な正常な対照と比較して、一過性の外部への電流（Ｉｔｏ）、内部への整流（Ｉｋ１）Ｋ＋チャネル、および遅延整流電流が減少し得ることを証明した（Ｊａｎｓｅ，Ｃａｒｄｉｏｖａｓｃｕｌａｒ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，６１：２０８−２１７（２００４）。
【０００９】
先天性ＬＱＴＳに対する治療オプションは、β−ブロッカー治療によるＱＴ間隔の直接、および間接的な縮小心臓ペーシングおよび植え込み型除細動器を含む（Ａｃｋｅｒｍａｎ，Ｍ．Ｊ．，Ｍａｙｏ  Ｃｌｉｎ．Ｐｒｏｃ．，７３：２５０−２６９（１９９８）；Ｗｅｈｒｅｎｓ  ｅｔ  ａｌ．，Ａｎｎ．Ｉｎｔｅｒｎ．Ｍｅｄ．，１３７：９８１−９９２（２００２）；Ｋｈａｎ，Ａｍ．Ｈｅａｒｔ  Ｊ．１４３：７−１４（２００２））。イオンチャネルの薬理学的変調は、ある程度の成功をした。ナトリウムチャネルブロッカーは、ＬＱＴ３を有する患者でＱＴ間隔を直接縮小することができる。なぜならＱＴ延長がナトリウムチャネル不活性化の欠陥により、心臓の活動電位プラトー中に変異したナトリウムチャネルが活動し過ぎるのを引き起こすからである。この「機能の獲得」は、メキシレチンおよびフレカイニドなどのナトリウムチャネルブロッカーで薬理学的に逆にすることができる（Ｓｃｈｗａｒｔｚ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ，９２：３３８１−３３８６（１９９５）；Ｗａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｃｌｉｎ．Ｉｎｖｅｓｔ．９９：１７１４−１７２０  （１９９７）；Ｗｉｎｄｌｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｃａｒｄｉｏｌ，６：１５３−１５８（２００１）；Ｌｉｕ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｐｈａｒｍａｃｏｇｅｎｏｍｉｃｓ，３：１７３−１７９（２００３））。このアプローチは作用機序に基づき有効であるが、ＬＱＴ３を有する先天性ＬＱＴＳ患者の少数に限定される。しかしながら、心臓毒性に対する電位は、電位再入回路の伝導を遅らせることおよび不整脈を引き起こすことにより、ナトリウムチャネルブロッカー（これは、クラスＩ抗不整脈薬と呼ばれる。）に対してよく確立されている（Ｎａｔｔｅｌ，Ｃａｒｄｉｏｖａｓｃ．Ｒｅｓ．，３７：５６７−５７７（１９９８））。カリウムの静脈内（ｉ．ｖ．）注入のような細胞外のカリウム濃度を増加させることに基づく方法は、カリウムチャネルを再分極する活性を増加させることによりＱＴ間隔を短縮する。ＱＴ間隔は、この治療を受けた患者で著しく短縮された（Ｃｏｍｐｔｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ，９４：１０１８−１０２２（１９９６））。しかしながら、この治療法はこれが自制不能なｉ．ｖ．注入を必要とし、十分に高い長期的なカリウムレベルを達成するのは困難であるので、広く使用されていない（Ｅｔｈｅｒｉｄｇｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｏｌｌ．Ｃａｒｄｉｏｌ．，４２：１７７７−１７８２（２００３））。ＡＴＰ−感受性カリウム（ＫＡＴＰ）チャネルオープナーであるニコランジルは、患者の先天的に延長されたＱＴ間隔を正規化することが示された（Ｓｈｉｍｉｚｕ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｕｒｒ．Ｐｈａｒｍ．Ｄｅｓ．１１：１５６１−１５７２（２００５））。しかしながら、ＫＡＴＰチャネルオープナーはすべて、心臓だけでなく血管平滑筋におけるＫＡＴＰチャネルの存在により望ましくない血管拡張作用（例えば低血圧）を伴う（Ｑｕａｓｔ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃａｒｄｉｏｖａｓｃ．Ｒｅｓ．，２８：８０５−８１０（１９９４））。イオンチャネルを直接ターゲットとする治療は、ＬＱＴ３の場合のように、成功し得り一般に役立ちそうである。
【００１０】
また、細胞内のカルシウム過負荷が、心筋虚血傷害に関与することも当分野で知られている（Ｆａｒｂｅｒ  Ｊ．Ｌ．，Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ  Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ，４７（２）：１１４−２３（１９８２））。増加した細胞質のカルシウム濃度（カルシウム過負荷）は、心筋静止張力の不可逆的増加をもたらして、この結果、心臓の正常な弛緩を妨ぐ（Ｌｏｗｅ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ＆  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｃａｒｄｉｏｌｏｇｙ，１１（１０）：１０１７−３１（１９７９））。カリウムチャネルの開口は、活動電位プラトーを短縮し、再分極化を促進し、これによりＬ−タイプカルシウムチャネルを通るカルシウムの流入の減少をもたらすことによって心筋保護を提供する。心筋虚血の治療のために安全で有効なカリウムチャネルオープナーを同定する努力がされてきた（Ｇｏｍｍａ  ｅｔ  ａｌ．，Ｄｒｕｇｓ，６１（１２）：１７０５−１０（２００１））。これまでのところ、ＫＡＴＰオープナーだけが研究されてきた。上で議論したように、非標的組織中のＫＡＴＰチャネルの普及は、これらの薬剤による望ましくない副作用の可能性を増加させる。さらに、ＫＡＴＰオープナーは、有意にＱＴ間隔を短縮し、ある状況下では不整脈源となり得る。
【００１１】
Ｉκｒカリウムチャネルの活性を増加させることによる逆転ＱＴ延長またはカルシウム過負荷は、後天性および先天性ＬＱＴＳ、心筋虚血、心不全、糖尿病および脳卒中の治療においても有益であり得る。最近の２つのレポート（Ｋａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｐｈａｒｍａｃｏｌ．，６７：８２７−８３６（２００５）；Ｚｈｏｕ  ｅｔ  ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｐｈａｒｍａｃｏｌ．，６８：８７６−８８４（２００５））は、ｈＥＲＧアゴニストとして作用し、延長されたＱＴの逆転のための薬物治療の開発を可能にし得る薬剤分子について記述している。しかしながら、これらの化合物のマイクロモル濃度は、ｈＥＲＧ電流を増加させる必要があり（これは経口投与後のヒトでは達成されないかもしれない）、これらは正常な活動電位の持続期間およびＱＴ間隔（これらは催不整脈の危険に移行するかもしれない）を短縮する。
【００１２】
この結果、延長されたＱＴ間隔を安全に短縮し、カルシウム過負荷を減少するために使用することができる医薬的に許容されるカリウムチャネルオープナーに対する必要性が当分野にある。このような薬剤は、ＬＱＴＳ、心不全、糖尿病、脳卒中、心筋虚血などの様々な心血管疾病または他の関連疾病を治療するのに役立つ。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の要約
１実施態様では、本発明は、ＱＴ延長を患う患者のＱＴ間隔を短縮する方法に関する。この方法は以下のステップを含む。
【００１４】
ＱＴ延長を患う患者に、少なくとも１つの医薬的に許容されるヒトのエーテル・ア・ゴー・ゴー関連遺伝子（「ｈＥＲＧ」）チャネルアゴニストの治療上有効量を投与すること；そこでは前記少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与された場合、ＱＴ間隔を短縮しない。
【００１５】
上記の方法によって治療されるＱＴ延長を患う患者は、先天性ＱＴ延長症候群、後天性ＱＴ延長症候群、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中に罹患し得る。
【００１６】
上記方法のｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与は、前記患者のｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる。具体的には、ｈＥＲＧチャネルの電流の増加は、電圧依存性であることが分かった。より具体的には、少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、陽性の膜間電位でｈＥＲＧチャネルの電流を増加させることが判明した。この陽性の膜間電位は、約＋０．１ｍＶから約＋５０ｍＶ、好ましくは約＋５ｍＶから約＋３０ｍＶ、最も好ましくは約＋１０ｍＶから約＋２０ｍＶである。
【００１７】
上記の方法で使用することのできるｈＥＲＧチャネルアゴニストは、以下の式を有するものを含む。
【００１８】
【化５】
2009516691.tif 000003
｛式中、Ｒ１は
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）である。］であり、
式中、Ｒ２は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ３は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ５は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ６は、
【００１９】
【化６】
2009516691.tif 000004
であり、
Ｒ７は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基であり；および
Ｒ８は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基である。｝
【００２０】
上記の式を有するｈＥＲＧチャネルアゴニストの例は、２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸、２−［３−シアノ−４−（３−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［３−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−（３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［４−（２−カルボキシプロポキシ）−３−シアノフェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸および医薬的に許容されるこれらの塩からなる群から選択される。
【００２１】
別の実施形態では、本発明は心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中に罹患した患者を治療する方法に関する。この方法は、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中を患う患者に、少なくとも１つの医薬的に許容されるヒトのエーテル・ア・ゴー・ゴー関連遺伝子（「ｈＥＲＧ」）チャネルアゴニストの治療上有効量を投与するステップを含み、前記少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与された場合、ＱＴ間隔を短縮しない。
【００２２】
上記方法のｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与は、前記患者のｈＥＲＧチャネルの電流を増加させる。具体的には、ｈＥＲＧチャネルの電流の増加は、電圧依存性であることが分かった。より具体的には、少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、陽性の膜間電位でｈＥＲＧチャネルの電流を増加させることが判明した。この陽性の膜間電位は、約＋０．１ｍＶから約＋５０ｍＶ、好ましくは約＋５ｍＶから約＋３０ｍＶ、最も好ましくは約＋１０ｍＶから約＋２０ｍＶである。
【００２３】
上記の方法で使用することのできるｈＥＲＧチャネルアゴニストは、以下の式を有するものを含む。
【００２４】
【化７】
2009516691.tif 000005
｛式中、Ｒ１は
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ２は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ３は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ５は、
水素；
カルボキシル；
ハロゲン原子；
ニトロ基；
シアノ基；
ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；
非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；
ＯＲ；
Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；または
ＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ６は、
【００２５】
【化８】
2009516691.tif 000006
であり、
Ｒ７は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基であり；および
Ｒ８は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基である。｝
上記の式を有するｈＥＲＧチャネルアゴニストの例は、２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸、２−［３−シアノ−４−（３−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［３−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−（３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［４−（２−カルボキシプロポキシ）−３−シアノフェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸およびこれらの医薬的に許容される塩からなる群から選択される。
【００２６】
発明の詳細な説明
本明細書および添付された特許請求の範囲で使用されるように、単数形の「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は文脈が他を明示しない限り複数の意味を含む。したがって、例えば、「ａｎ  ａｃｔｉｖｅ  ａｇｅｎｔ」への言及は、単一の活性薬剤のみならず、２つ以上の異なる活性薬剤の組み合わせを含む。
【００２７】
定義
本発明について記述し、請求する際に、以下の用語が下記に説明される定義に従って使用される。
【００２８】
用語「後天性ＬＱＴＳ」は、１つ以上の薬物の作用の結果であると考えられる、患者のＱＴ間隔の延長を指す。
【００２９】
用語「投与する（ａｄｍｉｎｉｓｔｅｒ）」、「投与すること（ａｄｍｉｎｉｓｔｅｒｉｎｇ）」、「投与された（ａｄｍｉｎｉｓｔｅｒｅｄ）」または「投与（ａｄｍｉｎｉｓｔｒａｔｉｏｎ）」は、薬物を被験者または患者に提供する任意の方法を指す。投与経路は、当業者に知られた任意の手段で達成することができる。このような手段は、経口投与、頬側投与、静脈内投与、皮下投与、筋肉内投与、吸入投与などを含むが、これらに限定されない。
【００３０】
用語「先天性ＬＱＴＳ」は、１つ以上の遺伝的欠陥の結果であると考えられる、患者のＱＴ間隔の延長を指す。
【００３１】
用語「剤形」は、ある有効成分（即ち少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニスト）の特定の所定量（即ち服用量）を含有するように設計された任意の固体、半固体または液体の医薬組成物を指す。適切な剤形は、経口投与、頬側投与、直腸投与、局所もしくは粘膜送達、または皮下埋め込み、または他の埋め込み型薬物送達システムなどを含む医薬品送達システムであり得る。本発明の医薬組成物の剤形は、好ましくは固形であると考えられるが、これらは液体または半固体の成分を含有してもよい。より好ましくは、剤形は、患者に有効成分を送達するための経口的に投与されるシステムである。
【００３２】
活性成分（即ち少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニスト）の「有効量」または「治療上有効量」は、所望の結果を提供する非毒性ではあるが活性成分の十分な量を意味する。「有効な」活性成分の量は、各被験者により、個人の年齢および一般的な条件、特定の活性成分、または活性成分などに依存して変わる。したがって、正確な「有効量」を指定することは必ずしも可能だとは限らない。しかしながら、いずれの個々の場合でも適切な「有効量」は、当業者により習慣的な実験を用いて決定することができる。
【００３３】
用語「ヒトのエーテル・ア・ゴー・ゴー関連遺伝子（「ｈＥＲＧ」）チャネルアゴニスト」は、ＱＴ延長を患う患者の心臓ｈＥＲＧチャネルの電流を強めるか増加させる化合物、ペプチド、活性成分または薬物を指し、これにより前記患者のＱＴ間隔を逆転または短縮する。さらに、本発明の方法で使用されるｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与された場合、ＱＴ間隔を短縮しない。
【００３４】
本発明で使用することができるｈＥＲＧチャネルアゴニストの例は、以下の式Ｉを有する化合物である。
【００３５】
【化９】
2009516691.tif 000007
｛式中、Ｒ１は、
水素；カルボキシル；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；ＯＲ；Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；またはＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり；
式中、Ｒ２は、
水素；カルボキシル；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ基；ＯＲ；Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；またはＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ３は、
水素；カルボキシル；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル基；
非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ；非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ；ＯＲ；Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；またはＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ５は、
水素；カルボキシル；ハロゲン原子；ニトロ基；シアノ基；ホルミル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基；非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ基；ＯＲ；Ｓ（Ｏ）ｎＲ（式中、ｎは０から５の整数である。）；またはＮＲＲ’；
［式中、ＲまたはＲ’は、各々独立して水素、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基であり、またはＲおよびＲ’は、これに結合した窒素原子と一緒になって、非置換もしくは置換の５員から７員の複素環を形成し；またはＣＯＲ”（式中、Ｒ”は、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル基、アリ−ル基またはアラルキル基、ヒドロキシル基；非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基、アミノ基、非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ基、非置換もしくは置換アリールアミノ基、非置換もしくは置換アラルキルアミノ基、または５員から７員の環状アミノ基である。）］であり、
式中、Ｒ６は、
【００３６】
【化１０】
2009516691.tif 000008
であり、
Ｒ７は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基であり；および
Ｒ８は、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、カルボキシル基、ＣＯＯ−グルコロニド基またはＣＯＯ−スルファート基、Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル基、カルバモイル基またはＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基である。｝
上記の式Ｉでは、さらにこの鎖上または環状部に置換基を有してもよい置換基、即ちピリジル基、チエニル基、フリル基またはナフチル基；Ｃ１−Ｃ１０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基またはアラルキルカルボニル基；５員から７員の複素環基；Ｃ１−Ｃ１０のアルコキシ基、アリールオキシ基またはアラルキルオキシ基；非置換もしくは置換ヒドロキシアルコキシ基；およびＣ１−Ｃ１０のアルキル（モノ−もしくはジ−置換）アミノ基、アリール（モノ−もしくはジ−置換）アミノ基は、Ｃ１−Ｃ４ハロゲン化アルキル基、カルボキシル基、アルキルカルボニル基、アルキルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、ヒドロキシル基、モノ−もしくはジ−置換アルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基またはホルミル基、またはハロゲン原子、５員から７員の環状２級アミノ基などの複素環などの１個以上で置換されることができる。好ましい置換基は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基、メトキシ基およびエトキシ基である。
【００３７】
本明細書で使用される用語「Ｃ１−Ｃ４アルキル」は、メチル基、エチル基、プロピル基（イソ−またはｎ−）およびブチル基（ｉ−、ｎ−、ｔｅｒｔ−またはｓｅｃ−）を指す。
【００３８】
本明細書で使用される用語「Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル」は、１から４個の炭素原子のアルキル基とアミノカルボニル基からなる基を指す。
【００３９】
本明細書で使用される用語「非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキル」は、モノ−またはジ−置換されることができる、Ｃ１−Ｃ１０の直鎖状もしくは分枝状の脂肪族炭化水素残基、環状脂肪族炭化水素残基、または鎖−環状脂肪族炭化水素残基を指す。例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｉｓｏ−ペンチル、ｎｅｏ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシルプロピル、メトキシエチル、エトキシエチルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４０】
本明細書で使用される用語「非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルコキシ」は、１個の水素原子がオキシ基で置換されているアルキル基（モノ−またはジ−置換されることができる。）を指す。例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ（ｎ−またはｉｓｏ−）、ブトキシ（ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−またはｔｅｒｔ−）、３−メチルブトキシ、２−エチルブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、３−メチル−２−ブテニルオキシ、ゲラニルオキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、シクロヘキシル−Ｃ１−Ｃ１０−アルキルオキシ（例えばシクロヘキシルメチルオキシ）などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４１】
本明細書で使用される用語「Ｃ１−Ｃ５アルコキシカルボニル」は、１から５個の炭素原子を有するアルコキシ基とカルボニル基とからなる基を指す。
【００４２】
本明細書で使用される用語「非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルアミノ」は、アルキル基（モノ−またはジ−置換されることができる。）とアミノ基とからなる基を指す。例としては、メチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４３】
本明細書で使用される用語「アミノカルボニル」は、アミノ基とカルボニル基とからなる基を指す。
【００４４】
本明細書で使用される用語「アリール」基は、５員もしくは６員の単環もしくは縮合環からなる芳香族炭化水素残基または芳香族複素環基を指す。例としては、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−ピロリル、２−フリル、２−チエニル、２−ピリジルなどが挙げられるが、これらに限定されない。前記芳香族炭化水素残基または芳香族複素環もしくは縮合環が、モノ−またはジ−置換されている場合、前記アリール基は「置換されている」アリール基と考えられる。
【００４５】
本明細書で使用される用語「非置換もしくは置換アリールアミノ」は、アリール基（モノ−またはジ−置換されることができる。）とアミノ基とからなる基を指す。例としては、フェニルアミノ、メチルフェニルアミノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
本明細書で使用される用語「アリールオキシ」基は、アリール基とオキシ基を指す。例としては、フェノキシ、１−ナフトキシなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４７】
本明細書で使用される用語「アラルキル」は、アリール基で置換されているアルキル基（例えばＣ１−Ｃ１０アルキル基の任意の基）を指す。例としては、ベンジル、１−フェニルエチル、１−メチル−１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、シンナミル、２−ピロリルメチル、フルフリル、テニルなどが挙げられるが、これらに限定されない。好ましいのはベンジル基である。
【００４８】
本明細書で使用される用語「非置換または置換アラルキルアミノ」は、アラルキル（モノ−またはジ−置換の）基とアミノ基とからなる基を指す。例としては、ベンジルアミノ、メチルベンジルアミノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００４９】
本明細書で使用される用語「アルキルカルボニル」は、アルキル基とカルボニル基とからなる基を指す。例としては、アセチル、プロパノイル、ブタノイル、２−メチルプロパノイル、ペンタノイル、２−メチルブタノイル、３−メチルブタノイル、ピバロイル、ヘキサノイル、シクロプロピルカルボニルなどのＣ２−Ｃ７低級脂肪族アシル基などが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５０】
本明細書で使用される用語「アリールカルボニル」は、アリール基とカルボニル基とからなる基を指す。例としては、ベンゾイル、トルオイル、２−ピロールカルボニル、２−フルオイル、２−チオフェンカルボニルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５１】
本明細書で使用される用語「アラルキルカルボニル」は、アラルキル基とカルボニル基とからなる基を指す。例としては、フェニルアセチル、３−フェニルプロパノイル、４−フェニルブタノイル、シンナモイル、２−ピロリルアセチル、２−フリルアセチル、２−チエニルアセチルなどのＣ５−Ｃ１０アラルキルカルボニル基が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５２】
本明細書で使用される用語「アラルキルオキシ」は、アラルキル基とオキシ基とからなる基を指す。例としては、ベンジルオキシ、１−フェニルエトキシ、１−メチル−１−フェニルエトキシなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５３】
本明細書で使用される用語「ハロ」または「ハロゲン」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子を指す。塩素およびフッ素が特に好ましい。
【００５４】
本明細書で使用される用語「ハロアルキル」は、ハロゲン原子とアルキル基とからなる基を指す。
【００５５】
本明細書で使用される用語「非置換もしくは置換Ｃ１−Ｃ１０ハロアルキル」は、１から１０個の炭素原子からなるハロアルキル基を指し、アルキル基はモノ−またはジ−置換されることができる。
【００５６】
本明細書で使用される用語「ヒドロキシアルコキシ」は、１個の水素原子がヒドロキシ基で置換されているアルコキシ基を指す。例としては、ヒドロキシメトキシおよび２−ヒドロキシエトキシなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５７】
上記の式Ｉにおいて、ＯＲの例としては、エトキシ、プロポキシ（ｎ−またはｉｓｏ−）、ブトキシ（ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−またはｔｅｒｔ−）、ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、シクロプロピルメチルオキシ、シクロヘキシルオキシ、フェニルオキシ、ベンジルオキシ、フェネチルオキシ、メトキシエチルオキシ、エトキシエチルオキシ、アセトキシ、プロパノイルオキシ、ブタノイルオキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５８】
上記の式Ｉにおいて、Ｓ（Ｏ）ｎＲの例としては、エチルチオ、イソプロピルチオ、イソプロピルスルフィニル、イソプロピルスルホニル、ペンチルスルホニル、フェニルチオ、フェニルスルフィニル、フェニルスルホニルなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５９】
上記の式Ｉにおいて、ＮＲＲ’の例としては、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ベンジルアミノ、フェネチルアミノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６０】
上記の式Ｉにおいて、ＲおよびＲ’が、互いにこれらが結合している窒素原子と共に一緒になって原子を表す場合には、非置換もしくは置換の５員または７員の複素環を形成することができる。複素環の例としては、モルホリノ、１−ピロリル、１−ピロリジニル、ピペリジノ、ピペラジノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６１】
上記の式Ｉにおいて、５員または７員の環状−２級アミノ基の例としては、モルホリノ、１−ピロリル、１−ピロリジノ、ピペリジノなどが挙げられるが、これらに限定されない。
【００６２】
上記の式Ｉを有するｈＥＲＧチャネルアゴニストの例としては、２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸（これは本明細書では「フェブキソスタット」とも称される。）、２−［３−シアノ−４−（３−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［３−シアノ−４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−（３−シアノ−４−ヒドロキシフェニル）−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸、２−［４−（２−カルボキシプロポキシ）−３−シアノフェニル］−４−メチル−５−チアゾールカルボン酸または医薬的に許容されるこれらの塩が挙げられるが、これらに限定されない。これらの化合物を製造する方法は、米国特許第５，６１４，５２０号に記載されており、これは参照により本明細書に組込まれる。さらに、フェブキソスタットは、健康な被験者ではＱＴ間隔を延長しないことが当分野では知られている（Ｙｕ，Ｐ．，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｃｌｉｎ．Ｐｈａｒｍａｃｏｌ．，４４（１０）：１１９５（２００４）参照。）。
【００６３】
用語「ＱＴ延長症候群」または「ＬＱＴＳ」は、患者のＱＴ間隔の延長を指す。
【００６４】
用語「患者」は、動物、好ましくは哺乳動物を指し、ヒトまたは非ヒトを含む。用語「患者」および「被験者」は本明細書中では互換的に使用されてもよい。
【００６５】
「医薬的に許容される賦形剤」または「医薬的に許容される添加剤」に記載されている「医薬的に許容される」によって、生物学的にまたはそうでなくても不適当ではない材料、即ちいかなる不適当な生物学的作用も引き起こすことなく患者に投与される医薬組成物中に配合されることができる材料を意味する。
【００６６】
用語「治療すること」または「治療」は、症状の重篤度および／または頻度の減少、症状および／または根本的な原因の除去、症状および／またはこの根本的な原因の発生の防止、および損傷の改善または治療を指す。したがって、例えば、患者を「治療」することは、疾病または病気を防止または軽減することによる臨床的に症候性の個体の治療と同様に、感受性のある個体における特定疾患または有害な生理学的事象の予防を含む。
【００６７】
本発明
簡潔に上記したように、本発明は、ＱＴ延長を患う患者のＱＴ間隔を逆転または短縮する方法に関する。具体的には、本発明の方法は、先天性もしくは後天性ＬＱＴＳ、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中（患者が前述のどれかに罹患しているかどうかを決定する方法は、当業者に周知である。）に罹患している患者の治療に使用することができる。さらに、本発明の方法は、心筋虚血などの細胞内カルシウム過負荷を有する疾病の患者に、および治療を必要とする患者に、細胞内のカルシウム過負荷を減少するために使用することもできる。
【００６８】
本発明の方法は一般的に、このような治療を必要とする患者に少なくとも１つの医薬的に許容されるｈＥＲＧチャネルアゴニストの治療上有効量を投与することを含む。本明細書でより詳細に議論されるように、少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与は、ＱＴ延長（先天性もしくは後天性ＬＱＴＳ、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中に罹患している患者などで）に罹患している患者の心臓におけるｈＥＲＧチャネルの電流を強めるか増加させ、これにより前記患者のＱＴ間隔を短縮する。しかしながら、本発明のｈＥＲＧチャネルアゴニストは、当分野で知られている他のｈＥＲＧチャネルアゴニストとは、ＱＴ延長を患っていない患者に投与されたときＱＴ間隔を短縮しない点で異なる。
【００６９】
簡潔に上記したように、本発明の方法を使用して、ＱＴ延長は少なくとも１つの医薬的に許容されるｈＥＲＧチャネルアゴニストの治療上有効量を前記患者に投与してカリウムチャネル、特にｈＥＲＧチャネルまたはＩＫｒを再分極する活性を増加させることにより、ＱＴ延長（先天性もしくは後天性ＬＱＴＳ、心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中）に罹患している患者でＱＴ延長を逆転（即ち短縮）することができる。具体的には、ＱＴ延長を患う患者への少なくとも１つの医薬的に許容されるｈＥＲＧチャネルアゴニストの治療上有効量の投与は、外側のカリウム電流、特にｈＥＲＧチャネル（即ちＩＫｒ）での電流を強めるか増加させ、これにより前記患者のＱＴ間隔を逆転するか短縮する。しかしながら、本明細書の方法に使用するために記載されたｈＥＲＧチャネルアゴニストは、ＱＴ延長を患う患者のｈＥＲＧチャネルの電流を増加させるだけでなく、最も重要なことには、本発明のｈＥＲＧチャネルアゴニストは、延長されたＱＴ間隔（例えば正常で健康な患者など）を患っていない正常な患者ではＱＴ間隔を短縮しないことである。
【００７０】
さらに、ＱＴ延長を患う患者への少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニスト投与後のｈＥＲＧチャネルの電流の強化または増加は、電圧依存性であることが判明した。より具体的には、ｈＥＲＧチャネルの電流の増加は、陽性の膜電位、具体的には約＋０．１ｍＶから約＋５０ｍＶ、より好ましくは、約＋５ｍＶから約＋３０ｍＶ、およびさらに好ましくは約＋１０ｍＶから約＋２０ｍＶで発生することが分かった。本発明のｈＥＲＧチャネルアゴニストは、活動電位プラトー（ＱＴ延長を患う患者で）の過程でのｈＥＲＧチャネルの電流を強めるか増加させる。通常、ｈＥＲＧチャネルはプラトー電位で殆ど不活性化されるが、本発明のｈＥＲＧチャネルアゴニストはこの期間の電流を強めるか増加させる。
【００７１】
本発明の方法で使用することができるｈＥＲＧチャネルアゴニストを同定する方法は、当業者に知られている習慣となっている技術を使用して容易に達成することができる。例えば、本明細書の実施例に記述されるように、全細胞パッチクランプ法による測定は、本明細書中で記載したようにｈＥＲＧチャネルの電流を増加させるｈＥＲＧチャネルアゴニストをスクリーニングするために、ｈＥＲＧのｃＤＮＡで形質移入された細胞株（ＨＥＫ２９３およびＣＨＯ細胞）上で行なうことができる。一旦このようなｈＥＲＧチャネルアゴニストが同定されたならば、これらはこれらの化合物がＱＴ延長を患う患者でのＱＴ延長を逆転または減少するかどうかを決定するためにさらにスクリーニングされる。これはＱＴ延長を患う患者にこのようなｈＥＲＧチャネルアゴニストを投与し、次に、少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストが血液中を循環している間に、前記患者のＥＣＧ／ＥＫＧを取ることにより達成することができる。当業者であれば、ＥＣＧ／ＥＫＧを読み取ることにより、前記患者へのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与が患者の延長されたＱＴ間隔を短縮したかどうかを容易に決定することができる。
【００７２】
心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中を患う患者のために、当業者は習慣となっている技術を用いて、前記患者へのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与後に、上記疾病のいずれかに伴う疾病事象（即ち、患者がどれくらい頻繁に脳卒中および／または心臓発作を経験するかという意味）の死亡率（死亡）または頻度の減少、および／または症状、生化学的マーカー（即ち、心筋虚血の罹患患者に対する、クレアチンリン酸キナーゼ（ＣＰＫ）の減少、心筋虚血または脳卒中などの罹患患者におけるＣ反応性蛋白（ＣＲＰ）の減少）の改善および／またはこれらの疾病に関連したＥＣＧ／ＥＫＧの異常を簡単に観察することができる。
【００７３】
上述の方法に加えて、広く様々な疾病状態を防ぐ際に有用性を示した幾つかの医薬化合物は公には役立たない。なぜならこれらの化合物は、ＱＴ間隔を延長する傾向があり、したがって後天性ＬＱＴＳを引き起こすからである。本明細書に記述された方法の発見により、これらの薬物は今では公に利用できる。特に、ＱＴ間隔（本明細書で記述されたｈＥＲＧチャネルアゴニストは、これらの化合物がＱＴ延長を患っていない正常な患者ではなくて、ＱＴ延長を患う患者のみのＱＴ間隔を短縮または逆転するという選択性がある。）を選択的に短縮することができるｈＥＲＧチャネルアゴニストは、これらの化合物がＱＴ間隔を延長するという事実がなければ公共に有益である化合物との併用投与をすることができる。ｈＥＲＧチャネルアゴニストの併用投与によって、これらの化合物の有害な影響は、これらをこれらの意図された目的に役立つようにするために緩和することができる。このような薬物は多種多様な化合物クラスから来て、抗ヒスタミン剤、抗うつ薬、神経遮断薬、抗マラリア剤、マクロライド系抗生物質、セロトニン拮抗薬およびカルシウム拮抗薬を含むが、これらに限定されない。
【００７４】
したがって、別の医薬化合物と組み合わせた少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストを含有する組成物は、本発明の一部である。下記する賦形剤および剤形を用いて、このような組み合わせを含有する製剤は、当業者の選択の問題である。さらに、当業者は、様々なコーティングまたは他の分離技術が、化合物の組み合わせが不適合であるような場合に使用できることを認識する。
【００７５】
本発明の方法に従って使用されるｈＥＲＧチャネルアゴニストは、無機酸または有機酸に由来した医薬的に許容される塩の形態で提供することができる。医薬的に許容される塩は当分野で周知である。例えば、Ｓ．Ｍ．Ｂｅｒｇｅ  ｅｔ  ａｌ．は、医薬的に許容される塩をＪ．Ｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅｓ，６６：１  ｅｔ  ｓｅｑ．（１９７７）に詳細に記述している。塩類は、化合物の最終の分離および精製過程で、または別々に適切な有機酸で遊離塩基の官能基を反応させることによりｉｎ  ｓｉｔｕ（インシチュ）で調製することができる。代表的な酸付加塩は、酢酸塩、アジピン酸塩、アルギン酸塩、クエン酸塩、アスパラギン酸塩、安息香酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、重硫酸塩、酪酸塩、樟脳酸塩、カンファースルホン酸塩、ジグルコン酸塩、グリセロリン酸塩、ヘミ硫酸塩、ヘプタン酸塩、ヘキサン酸塩、フマル酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素酸塩、２−ヒドロキシエタンスルホン酸塩（イソチオン酸塩）、乳酸塩、マレイン酸塩、メタンスルホン酸塩、ニコチン酸塩、２−ナフタレンスルホン酸塩、シュウ酸塩、パルミチン酸塩、ペクチン酸塩、過硫酸塩、３−フェニルプロピオン酸塩、ピクリン酸塩、ピバリン酸塩、プロピオン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、チオシアン酸塩、リン酸塩、グルタミン酸塩、重炭酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩、およびウンデカン酸塩を含むが、これらに限定されない。また、塩基性の窒素含有基は、低級アルキルハライド（例えば、メチル、エチル、プロピル、およびブチルクロライド、ブロマイド、およびヨージド）；硫酸ジアルキル（例えば、ジメチル、ジエチル、ジブチル、およびジアミル硫酸）；長鎖ハライド（例えば、デシル、ラウリル、ミリスチルおよびステアリルクロライド、ブロマイドおよびヨージド）；アリールアルキルハライド（例えば、ベンジルおよびフェネチルブロマイド）および他などの薬剤によって４級化することができる。これにより、水溶性もしくは油溶性または分散性の生成物が得られる。医薬的に許容される酸付加塩の形成に使用することのできる酸の例としては、塩酸、臭化水素酸、硫酸およびリン酸などの無機酸、およびシュウ酸、マレイン酸、コハク酸およびクエン酸などの有機酸を含む。
【００７６】
塩基付加塩は、化合物の最終の分離および精製過程で、カルボン酸含有部分を適切な塩基（例えば、医薬的に許容される金属カチオンの水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩）またはアンモニアまたは有機の１級、２級もしくは３級アミンと反応させることによりインシチュで調製することができる。医薬的に許容される塩は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属（例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、カルシウム塩、マグネシウムエ塩およびアルミニウム塩など）由来のカチオンおよび非毒性の４級アンモニアおよびアミンカチオン（例えば、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、メチルアンモニウム、ジメチルアンモニウム、トリメチルアンモニウム、トリエチルアンモニウム、ジエチルアンモニウム、およびエチルアンモニウム）を特に含むが、これらに限定されない。塩基付加塩の形成に有用な他の代表的な有機アミンは、エチレンジアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、ピペリジン、ピペラジンなどを含む。
【００７７】
少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストは、所望の送達ルートに依存して主として選択の問題である、多様な方法で製剤化することができる。例えば、経口投与用の固体の剤型には、カプセル剤、錠剤、丸剤、散剤および顆粒剤等がある。この様な固体の剤型においては、ｈＥＲＧチャネルアゴニストは、クエン酸ナトリウムまたはリン酸二カルシウムなどの少なくとも１種の不活性で医薬的に許容される賦形剤または担体および／または（ａ）非限定的にデンプン、ラクトース、スクロース、グルコース、マンニトールおよびケイ酸などの充填剤または増量剤；（ｂ）非限定的にカルボキシメチルセルロース、アルギン酸塩、ゼラチン、ポリビニルピロリドン、スクロースおよびアラビアゴムなどの結合剤；（ｃ）非限定的にグリセロールなどの保湿剤；（ｄ）非限定的に寒天、炭酸カルシウム、ジャガイモデンプンまたはタピオカデンプン、アルギン酸、ある種のシリケートおよび炭酸ナトリウムなどの崩壊剤；（ｅ）非限定的にパラフィンなどの溶解遅延剤；（ｆ）非限定的に第四級アンモニウム化合物などの吸収促進剤；（ｇ）非限定的にセチルアルコールおよびグリセロールモノステアレートなどの湿潤剤；（ｈ）非限定的にカオリンおよびベントナイトクレイなどの吸収剤；ならびに（ｉ）非限定的にタルク、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸マグネシウム、固体ポリエチレングリコール、ラウリル硫酸ナトリウムなどの滑沢剤およびこれらの混合物と混合し得る。
【００７８】
類似タイプの固形組成物は、ラクトース（乳糖）、ならびに高分子量ポリエチレングリコールなどの賦形剤を用いる軟質または硬質ゼラチンカプセル中の充填剤としても使用され得る。
【００７９】
錠剤、カプセル剤、丸剤および顆粒剤の固形剤型は、腸溶性コーティングおよび製薬業界で周知の他のコーティングなどのコーティングおよびシェルを用いて調製され得る。前記固形剤型は、場合により乳白剤を含有することができ、活性成分のみまたは活性成分が優先的に腸管の特定部分に場合によりゆっくり放出されるような組成物の形態であってもよい。使用可能な包埋組成物の例はポリマー物質およびワックス類を含む。
【００８０】
経口投与用液体剤型には、医薬的に許容される乳液、溶液、懸濁液、シロップおよびエリキシル剤が含まれる。液体剤型は、ｈＥＲＧチャネルアゴニストに加えて当業界で慣用されている不活性希釈剤（例えば、水または他の溶媒）、可溶化剤および乳化剤（例えば、非限定的にエチルアルコール、イソプロピルアルコール、炭酸エチル、酢酸エチル、ベンジルアルコール、安息香酸ベンジル、プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ジメチルホルムアミド、油（特に、綿実油、落花生油、コーン油、胚芽油、オリーブ油、ヒマシ油およびゴマ油）、グリセリン、テトラヒドロフルフリルアルコール、ポリエチレングリコールおよびソルビタンの脂肪酸エステル）およびこの混合物を含有してもよい。
【００８１】
組成物は、標的部位で局所送達のために冠動脈内ステント（細かいワイヤメッシュからなる管状装置）、または生分解性高分子を経由してカテーテルによって送達することもできる。
【００８２】
非経口注射剤に適した組成物は、生理学的に許容される無菌の水性もしくは非水性の溶液、分散液、懸濁液または乳液および無菌の注射用液もしくは分散液への再構成用の無菌粉末を含むことができる。適切な水性および非水性の担体、希釈剤、溶剤またはビヒクルの例としては、水、エタノール、多価アルコール類（プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリンなど）、植物油（オリーブオイルなど）、オレイン酸エチルなどの注射可能な有機エステル、およびこれらの適切な混合物を含むが、これらに限定されない。
【００８３】
これらの組成物はまた、保存剤、湿潤剤、乳化剤、および分散剤などのアジュバントを含有することもできる。微生物作用の防止は、種々の抗菌剤および抗カビ剤、例えばパラベン類、クロロブタノール、フェノール、ソルビン酸などによって確実にすることができる。また、等張化剤、例えば、糖類、塩化ナトリウムなどを含むことが望ましい場合がある。注射可能な医薬剤型の延長された吸収は、吸収を遅らせる薬剤（例えばモノステアリン酸アルミニウムおよびゼラチン）の使用によりもたらすことができる。
【００８４】
懸濁液は、有効成分（即ちｈＥＲＧチャネルアゴニスト）に加えて、懸濁化剤、例えばエトキシ化イソステアリルアルコール類、ポリオキシエチレンソルビトールおよびソルビタンエステル類、微結晶セルロース、アルミニウムメタ水酸化物、ベントナイト、寒天およびトラガカント、またはこれらの物質の混合物などを含有することができる。
【００８５】
適切な流動性は、例えばレシチンなどのコーティング剤の使用によって、分散液の場合には要求される粒子サイズの維持によって、および界面活性剤の使用によって維持することができる。
【００８６】
ある場合には、薬物（即ちｈＥＲＧチャネルアゴニスト）の効果を延長するために、皮下または筋肉内注射からの薬物の吸収を遅延させることが望ましい。これは、水溶性が劣る結晶または非晶質の液体懸濁液の使用によって達成することができる。次に、薬物の吸収速度は、この溶解速度に依存し、今度は結晶のサイズおよび結晶形に依存する。または、非経口的に投与された製剤の遅延の吸収は、薬物を油性ビヒクルに溶解または懸濁することにより達成される。注射可能なデポ製剤は、薬物のマイクロカプセルマトリックスをポリラクチド−ポリグリコリドなどの生分解性高分子中に形成させることにより作製される。薬物のポリマーに対する比率および使用される特定ポリマーの性質に依存して、薬物放出の割合は制御することができる。他の生分解性高分子の例としては、ポリ（オルトエステル）およびポリ（無水物）が挙げられる。デポ注射製剤は、体内組織と相容性である、リポソームまたはマイクロエマルジョン中に薬物を内包することによっても調製される。
【００８７】
注射製剤は、例えば、除菌フィルタでのろ過により、または使用直前に無菌水または他の無菌注射用媒体に溶解または分散することのできる無菌の固形組成物形態で滅菌剤を配合することにより殺菌することができる。
【００８８】
本発明の化合物の局所投与用剤形は、粉末、スプレー、軟膏および吸入剤を含む。有効成分は、無菌条件下、医薬的に許容される担体および任意の必要とされる防腐剤、緩衝剤または必要とされ得る推進剤と混合される。眼科用製剤、眼軟膏剤、粉末剤および溶液剤もまた本発明の範囲内のものと考えられる。
【００８９】
本発明の方法で使用される製剤は、一般に１つ以上のｈＥＲＧチャネルアゴニストの治療上有効量を含むことが理解される。本明細書で使用される用語「治療上有効量」は、任意の医療に適用可能な合理的な利益／リスク比で、例えば、組成物、ｈＥＲＧチャネルアゴニスト、または製剤の所望の疾病（即ち延長されたＱＴ間隔）を治療するのに必要な十分な量を意味する。他の医薬と同様に、本発明の医薬組成物の１日使用量の合計は、主治医によって正しい医学的判断の範囲内に決定されることが理解される。任意の特定患者のための特定の治療上有効量のレベルは、治療されている疾患および疾患の重篤度；使用される特定化合物の活性；使用される特定組成物；患者の年齢、体重、一般的な健康状態、患者の性別および食事；使用される特定化合物の時限投与、投与経路、および排泄速度；治療期間；使用される特定化合物と併用してまたは同時に使用される薬物；および医学分野の当業者に知られている他の要因を含む様々な要因に依存する。例えば、所望の治療効果を達成するのに必要とされるよりも低いレベルでの化合物の服用を始め、次いで所望の効果が達成されるまで徐々に服用量を増加させることは、充分に当分野の技術範囲内である。
【００９０】
本発明の製剤は、個々の患者、投与部位および投与方法、投与計画、および他の医者に知られている要因を考慮して、適切な医療実務に従って投与され、服用される。
【００９１】
したがって、本明細書の目的のための治療上有効量は、当分野で知られているような考察によって容易に決定することができる。患者に単回または分割投薬されたｈＥＲＧチャネルアゴニストの１日あたりの治療上有効量は、体重１キログラム当たり、毎日約０．０１ｍｇから約７５０ｍｇの範囲である（ｍｇ／ｋｇ／日）。より具体的には、患者は１日あたり約５．０ｍｇから約１０００ｍｇ、好ましくは１日あたり約２０ｍｇから約５００ｍｇ、および最も好ましくは、１日あたり約４０ｍｇから約３００ｍｇのｈＥＲＧチャネルアゴニストを投薬されることができる。
【００９２】
上記したように、本発明は、ＱＴ延長を患う患者のＱＴ間隔を逆転または短縮する方法に関係する。本発明の方法は、患者に治療上有効量の少なくとも１つの医薬的に許容されるｈＥＲＧチャネルアゴニストを投与することにより、ＱＴ延長を患う患者の心臓におけるｈＥＲＧチャネルの電流を増加させることを含む。本明細書に記載されたように、一旦患者が少なくとも１つのｈＥＲＧチャネルアゴニストを投与されると、ＱＴ間隔を逆転または短縮する際の治療の有効性および進行が、前記患者でのＥＣＧ／ＥＫＧを行い、当業者に既知の習慣となっている技術を用いて前記患者のＱＴ間隔を測定することにより観察することができる。ＥＣＧ／ＥＫＧは、処置医が満足するまでＱＴ間隔を逆転または短縮するまで必要に応じて何度も繰り返すことができる。
【００９３】
心筋虚血、心不全、糖尿病または脳卒中を患う患者のために、当業者は習慣となっている技術を用いて、前記患者へのｈＥＲＧチャネルアゴニストの投与後に、上記疾病のいずれかに伴う疾病事象（即ち、患者がどれくらい頻繁に脳卒中および／または心臓発作を経験するかという意味）の死亡率（死亡）または頻度の減少、および／または症状、生化学的マーカー（即ち、心筋虚血の罹患患者に対する、クレアチンリン酸キナーゼ（ＣＰＫ）の減少、心筋虚血または脳卒中などの罹患患者におけるＣ反応性蛋白（ＣＲＰ）の減少）の改善および／またはこれらの疾病に関連したＥＣＧ／ＥＫＧの異常を簡単に観察することができる。
【００９４】
例示によって、限定的ではないが本発明の実施例を次に挙げるものとする。
【実施例１】
【００９５】
ヒト胎児腎臓（ＨＥＫ）２９３細胞で発現されたクローン化ｈＥＲＧチャネルに対するフェブキソスタットの効果：ピークテール電流に集中した全細胞パッチクランプ法による測定
材料および方法
溶液および化学薬品
バスおよび電極溶液の調製に使用された全ての化学薬品は、特に明記しない限り、Ｓｉｇｍａ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から購入され、ＡＣＳ試薬等級純度またはこれより高級のものであった。フェブキソスタットは帝人（日本の山口市）から入手した。フェブキソスタットを含有する溶液はすべて、可能な場合は常にガラス製の容器中で調製された。フェブキソスタットおよびテルフェナジン（陽性対照）の試験液は、修正ＨＥＰＥＳ緩衝タイロード（ＨＢＴ）溶液（ｍＭ組成）：ＮａＣｌ、１３７；ＫＣｌ、５．４；ＣａＣｌ２、１．８；ＭｇＣｌ２、１；ＨＥＰＥＳ、１０；グルコース、１０；ＮａＯＨで７．４に調節されたｐＨを用いて毎日調製された。ＨＢＴ溶液は、１週間毎に新たに調製した。テルフェナジン溶液は、ＨＢＴ中６０ｎＭ濃度で調製された。ＨＢＴ溶液はフェブキソスタットまたはテルフェナジンの溶液を調製する前に室温に加温した。新鮮な試験液および対照液は、各実験日に調製された。全細胞記録のためのピペット溶液は以下のとおり（ｍＭ組成）：Ｋ−アスパラギン酸塩、１３０；ＭｇＣｌ２、５；ＥＧＴＡ、５；ＡＴＰ、４；ＨＥＰＥＳ、１０；ＫＯＨで７．２に調節されたｐＨ。ピペット溶液はバッチで調製され、−２０℃で保存され、使用日ごとに新たに解凍された。
【００９６】
細胞培養
ＨＥＫ２９３細胞は、ｈＥＲＧのｃＤＮＡで安定に形質移入された。安定な形質移入体は、発現プラスミドに組み入れられたｈＥＲＧのｃＤＮＡおよびＧ４１８遺伝子の共発現によって選択された。選択圧は培地にＧ４１８を含めることにより維持された。細胞は、１０％ウシ胎仔血清、１００Ｕ／ｍＬペニシリンＧナトリウム、１００μｇ／ｍＬ硫酸ストレプトマイシンおよび５００μｇ／ｍＬのＧ４１８が添加された、ダルベッコ改変イーグル培地／Ｎｕｔｒｉｅｎｔ  Ｍｉｘｔｕｒｅ  Ｆ−１２（Ｄ−ＭＥＭ／Ｆ−１２）中で培養された。細胞は極低温記憶装置の中で維持されたストックと共に、湿った５％ＣＯ２雰囲気下３７℃で組織培養恒温器中に維持された。電気生理学のために使われる細胞は、３５ｍｍの組織培養皿またはガラス製カバーグラスの上にプレート化した。実験はすべて、特に明示しない限り、室温（２２℃から２５℃）で行なわれた。各細胞は、これ自体の対照として作用した。
【００９７】
電気生理学
Ｗａｒｎｅｒ  ＰＣ５０１ＡおよびＡｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ａｘｏｐａｔｃｈ  ２００Ｂパッチクランプ増幅器が、全細胞パッチクランプ記録のために使用された。電流の記録は、ＰＣ互換性デスクトップコンピュータに取付けられたＡｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｄｉｇｉｄａｔａ  １３２０Ａ  ＡＤ／ＤＡコンバータによって、デジタル変換用のサンプリング周波数の０．２でアナログフィルターされた。Ａｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｃｌａｍｐｅｘ  ８．２ソフトウェアがデータを得るために、および刺激電圧波形を発生させるために使用された。Ａｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ｐＣＬＡＭＰ８．２のアプリケーション（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ）およびＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｅｘｃｅｌ  ２０００表計算ソフトウェアの１組が、データを分析するために使用された。
【００９８】
ガラス製カバーグラスまたはプラスチック製３５ｍｍペトリ皿に付着した細胞は、記録室へ移され、ＨＢＴ溶液でかん流した。パッチピペットは、火仕上げ後に１から５のＭΩ抵抗を有するピペットを生成するために、Ｐ９７水平プラー（Ｓｕｔｔｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｎｏｖａｔｏ，ＣＡ）上にＴＷ１５０−Ｆガラス毛細管から作製した。ｈＥＲＧチャネル機能のフェブキソスタット変調に対する濃度応答の関係は、０．１から５００μＭの範囲のフェブキソスタット濃度で評価された。これらの濃度は、ｈＥＲＧチャネルを発現する細胞に累積的に適用された。各濃度はｎ＞３（ｎ＝測定の数）を有した。フェブキソスタットの１つまたは２つの濃度だけが各細胞に適用された。テルフェナジン（６０ｎＭ）は、陽性対照として２個の細胞に適用された。
【００９９】
パッチクランプ電圧プロトコル
濃度応答
安定してｈＥＲＧを発現する細胞は、−８０ｍＶで保持された。フェブキソスタットまたはテルフェナジンによるｈＥＲＧ電流の開始および定常状態変調は、１０秒間隔で繰り返された固定振幅（脱分極：＋２０ｍＶ、２秒間；再分極：−５０ｍＶ、２秒間）を有するパルスパターンを使用して測定された。ピークテール電流は、−５０ｍＶへの２秒ステップの過程で測定された。定常状態はフェブキソスタットまたはテルフェナジンを適用する前に少なくとも３０秒間維持された。新しい定常状態が達成されるまで、フェブキソスタットまたはテルフェナジンの適用後のピークテール電流が測定された。
【０１００】
周波数依存性
細胞は少なくとも１分間−８０ｍＶで保持された。次いで定常状態の値（典型的には２０から３０パルスの範囲）に達するのに十分なパルス列（脱分極：＋６０ｍＶ、２５０ｍｓ；再分極：−５０ｍＶ、７０ｍｓ）が、０．３Ｈｚおよび３Ｈｚの周波数で繰り返される列中のパルスで印加された。ピークテール電流に対するフェブキソスタットの効果の周波数依存性は、５００μＭフェブキソスタットでの平衡の前後に測定された。ピークテール電流は列の各パルスにおける−５０ｍＶへのステップの過程で測定された。
【０１０１】
データ分析
データ収集と分析は、ｐＣＬＡＭＰ８．２アプリケーション（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ）の１対を使用して行なわれた。定常状態は、経時的で制限的な一定の変化率（線形時間依存）として定義された。被験物質の適用前後の定常状態が、薬物効果を測定するために使用された。
【０１０２】
フェブキソスタットｈＥＲＧ変調の周波数依存性の分析
周波数依存性（使用依存性）の分析用のデータは、パルスの各列における最初のパルスのピーク電流に正規化され、各周波数での列からの正規化データは、プールされて平均経時的変化を構築した。
【０１０３】
温度依存性の分析
温度依存性の分析データは、少なくとも２個の細胞での室温（２２℃から２５℃）および生理的温度近辺（３５±２℃）の各温度における５００μＭフェブキソスタット存在下の電流を比較した。
【０１０４】
結果
ＨＥＫ／ｈＥＲＧピークテール電流のフェブキソスタット変調
これらの初期パッチクランプ測定は、フェブキソスタットの潜在的なｈＥＲＧ遮断効果を評価することであった。対照的に、試験された濃度範囲（０．１から５００μＭ）に対する正規化されたピークテール電流の経時的変化に関するフェブキソスタットの定常状態効果は、平均電流で１．０１から１．０９までのわずかな増加を示し、テール電流の動力学では何の変化もなかった（表１）。さらに、フェブキソスタットは、＋２０ｍＶステップの過程で明白だったｈＥＲＧ電流の電圧依存性の増加をもたらした。５００、５０、１および０．１μＭのフェブキソスタット平衡の前後で必要とされる個々のＨＥＫ／ｈＥＲＧ電圧−クランプ電流−時間（Ｉ−Ｔ）の記録は、図１および図２で重畳されて示される。＋２０ｍＶでの効果の大きさは変動したが、一貫して存在した。１０秒間隔で繰り返された連続する記録で測定された＋２０ｍＶでのフェブキソスタット適用に対する正規化されたピーク電流応答の経時的変化は、より小さい定常状態効果に傾斜した初期の急速な増加からなるものであった（図３）。これらの結果は、フェブキソスタットはｈＥＲＧブロッカーではなくて、ＱＴ延長を引き起こさず、この代わりにフェブキソスタットは新規なｈＥＲＧアゴニストであることを示している。
【０１０５】
ＨＥＫ／ｈＥＲＧピークテール電流の大きさ（−５０ｍＶで測定された。）の５００μＭ  フェブキソスタット変調の使用依存性または周波数依存性の評価は、活性化パルスを０．３Ｈｚの周波数で繰り返した場合、対照での、およびフェブキソスタットによる平衡後の正規化されたピークテール電流の大きさの経時的変化には差異を示さなかった。３Ｈｚのより高い活性化周波数では、フェブキソスタットは、対照に対して、正規化されたピークテール電流の大きさの経時的変化に小さな有意でない減少をもたらした（図４）。これは、心拍数の違いがｈＥＲＧチャネルに対するフェブキソスタットの遮断活性の欠如に大きく影響しないということを示唆する。
【０１０６】
３５±２℃までバスの温度を上昇させることは、５００μＭフェブキソスタットの適用に起因するピークテール電流の大きさに対する効果を、室温（２２℃から２５℃）で得られたものから有意に変更しなかった（表２）。＋２０ｍＶでのｈＥＲＧ電流に対するアゴニスト効果は、３５±２℃で依然として存在しており、質的に類似していた。これらの結果は、上記した室温で観察されたフェブキソスタットの効果が、体温で身体中にも発生しているに違いないことを証明している。
【０１０７】
テルフェナジンは確立された、強力なｈＥＲＧブロッカーであり、陽性対照として使用された。ピークテール電流に対する６０ｎＭテルフェナジン適用の効果が測定された。予想通りに、６０ｎＭテルフェナジンは、ＨＥＫ／ｈＥＲＧピークテール電流の７７±３％（ｎ＝２）を遮断した（表３）。
【０１０８】
要約すると、これらの結果は、５００μＭまでの濃度のフェブキソスタットは、ＨＥＫ／ｈＥＲＧピークテール電流に対して望ましくない遮断効果を有しないことを示す。また、ピークテール電流に対する５００μＭフェブキソスタットの遮断効果の欠如は、使用依存性または温度依存性ではなかった。この代わりに、＋２０ｍＶの間のｈＥＲＧ電流における電圧依存性の増加が観察され、これはフェブキソスタットが新規なｈＥＲＧアゴニストであることを示唆した。
【０１０９】
【表１】
2009516691.tif 000009
【０１１０】
【表２】
2009516691.tif 000010
【０１１１】
【表３】
2009516691.tif 000011
【実施例２】
【０１１２】
チャイニーズハムスター卵巣細胞（ＣＨＯ）で発現されたクローン化ｈＥＲＧチャネルに対するフェブキソスタットの効果：陽性電位におけるアゴニスト効果に焦点を当てた全細胞パッチクランプ法による測定。
【０１１３】
材料および方法
溶液および化学薬品
バスおよび電極溶液の調製に使用されたすべての化学薬品は、特に明記しない限り、Ｓｉｇｍａ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から購入され、ＡＣＳ試薬等級純度またはこれより高級のものであった。フェブキソスタットは帝人（日本の山口市）から得た。フェブキソスタットを含有する溶液はすべて、可能な場合は常にガラス製の容器中で調製された。フェブキソスタットおよびテルフェナジン（陽性対照）の試験液は、修正ＨＥＰＥＳ緩衝タイロード（ＨＢＴ）溶液（ｍＭ組成）：ＮａＣｌ、１３７；ＫＣｌ、５．４；ＣａＣｌ２、１．８；ＭｇＣｌ２、１；ＨＥＰＥＳ、１０；グルコース、１０；ＮａＯＨで７．４に調節されたｐＨを用いて毎日調製された。ＨＢＴ溶液は、１週間毎に新たに調製した。テルフェナジン溶液は、ＨＢＴ中６０ｎＭ濃度で調製された。ＨＢＴ溶液はフェブキソスタットまたはテルフェナジンの溶液を調製する前に室温に加温した。新鮮な試験液および対照液は、各実験日に調製された。全細胞記録のためのピペット溶液は以下のとおり（ｍＭ組成）：Ｋ−アスパラギン酸塩、１３０；ＭｇＣｌ２、５；ＥＧＴＡ、５；ＡＴＰ、４；ＨＥＰＥＳ、１０；ＫＯＨで７．２に調節されたｐＨ。ピペット溶液はバッチで調製され、−２０℃で保存され、使用日毎に新たに解凍された。
【０１１４】
細胞培養
ＣＨＯ細胞は、ｈＥＲＧのｃＤＮＡで安定に形質移入された。安定な形質移入体は、発現プラスミドに組み入れられたｈＥＲＧのｃＤＮＡおよびＧ４１８遺伝子の共発現によって選択された。選択圧は培地にＧ４１８を含めることにより維持された。細胞は、１０％ウシ胎仔血清、１００Ｕ／ｍＬペニシリンＧナトリウム、１００μｇ／ｍＬ硫酸ストレプトマイシンおよび５００μｇ／ｍＬのＧ４１８が添加された、ダルベッコ改変イーグル培地／Ｎｕｔｒｉｅｎｔ  Ｍｉｘｔｕｒｅ  Ｆ−１２（Ｄ−ＭＥＭ／Ｆ−１２）中で培養された。細胞は極低温記憶装置の中で維持されたストックと共に、湿った５％ＣＯ２雰囲気下３７℃で組織培養恒温器中に維持された。電気生理学のために使われる細胞は、３５ｍｍの組織培養皿またはガラス製カバーグラスの上にプレート化した。実験はすべて、特に明示しない限り、室温（２２℃から２５℃）で行なわれた。各細胞は、これ自体の対照として作用した。
【０１１５】
電気生理学
Ｗａｒｎｅｒ  ＰＣ５０１ＡおよびＡｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ａｘｏｐａｔｃｈ  ２００Ｂパッチクランプ増幅器が、全細胞パッチクランプ記録のために使用された。電流の記録は、ＰＣ互換性デスクトップコンピュータに取付けられたＡｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｄｉｇｉｄａｔａ  １３２０Ａ  ＡＤ／ＤＡコンバータによって、デジタル変換用のサンプリング周波数の０．２でアナログフィルターされた。Ａｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｃｌａｍｐｅｘ  ８．２ソフトウェアがデータを得るために、および刺激電圧波形を発生させるために使用された。Ａｘｏｎ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ｐＣＬＡＭＰ８．２のアプリケーション（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ）およびＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｅｘｃｅｌ  ２０００表計算ソフトウェアの１対が、データを分析するために使用された。
【０１１６】
ガラス製カバーグラスまたはプラスチック製３５ｍｍペトリ皿に付着した細胞は、記録室へ移され、ＨＢＴ溶液でかん流した。パッチピペットは、火仕上げ後に１から５のＭΩ抵抗を有するピペットを生成するために、Ｐ９７水平プラー（Ｓｕｔｔｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｎｏｖａｔｏ，ＣＡ）上にＴＷ１５０−Ｆガラス毛細管から作製した。ｈＥＲＧチャネル機能のフェブキソスタット変調に対する濃度応答の関係は、０．０００１から１０μＭの範囲のフェブキソスタット濃度で評価された。これらの濃度は、ｈＥＲＧチャネルを発現する細胞に累積的に適用された。各濃度はｎ＞３（ｎ＝測定の数）を有した。フェブキソスタットの１つまたは２つの濃度だけが各細胞に適用された。テルフェナジン（６０ｎＭ）は、陽性対照として２個の細胞に適用された。
【０１１７】
パッチクランプ電圧プロトコル
濃度応答
安定してｈＥＲＧを発現する細胞は、−８０ｍＶで保持された。フェブキソスタット（０．０００１から１０μＭ）またはテルフェナジン（６０ｎＭ）によるｈＥＲＧ電流の開始および定常状態変調は、１０秒間隔で繰り返された固定振幅（脱分極：＋２０ｍＶ、２秒間；再分極：−５０ｍＶ、２秒間）を有するパルスパターンを使用して測定された。ピークテール電流は、−５０ｍＶへの２秒ステップの過程で測定された。陽性電位におけるｈＥＲＧ電流の変調のために、＋２０ｍＶへのステップの過程のピーク電流が測定された。定常状態はフェブキソスタットまたはテルフェナジンを適用する前に少なくとも３０秒間維持された。新しい定常状態が達成されるまで、フェブキソスタットまたはテルフェナジン適用後のピーク電流が測定された。
【０１１８】
周波数依存性
細胞は少なくとも１分間−８０ｍＶで保持された。次いで定常状態の値（典型的には２０から３０パルスの範囲）に達するのに十分なパルス列（脱分極：＋６０ｍＶ、２５０ｍｓ；再分極：−５０ｍＶ、７０ｍｓ）が、０．３Ｈｚおよび３Ｈｚの周波数で繰り返されるパルス列で印加された。ｈＥＲＧチャネル機能のフェブキソスタット変調の周波数依存性は、１μＭフェブキソスタットでの平衡の前後に測定された。ｈＥＲＧチャネルのフェブキソスタットの周波数依存性変調は、この列の各パルスにおける＋６０ｍＶおよび−５０ｍＶへのステップの過程で測定されたピーク電流の大きさの経時的変化として測定された。
【０１１９】
定常状態Ｉ−Ｖ関係
−８０ｍＶの保持電位から、１０ｍＶ増加分での−７０から＋８０ｍＶまでの電圧４秒間の脱分極電圧ステップ、続いて５秒間の−５０ｍＶへの再分極が、対照中および１μＭフェブキソスタットの存在下での定常状態Ｉ−Ｖ関係を測定するために使用された。電圧プロトコルは１５秒間隔で繰り返した。正規化された定常状態Ｉ−Ｖ関係が、正規化のための脱分極パルスの終わりに電流振幅を使用して生成された。
【０１２０】
活性化（Ｇ−Ｖ関係）の電圧依存性
ピークテール電流は、対照中および１μＭフェブキソスタットの存在下で、定常状態Ｉ−Ｖプロトコル（上記）の再分極化ステップ（−５０ｍＶ）の間に測定された。
【０１２１】
完全に活性化されたｈＥＲＧのＩ−Ｖ関係
−８０ｍＶの保持電圧から、細胞は１秒間＋６０ｍＶに脱分極されてｈＥＲＧ電流を十分に活性化、および部分的に不活性化し、次いで１０ｍＶ増加分で−１００から＋４０ｍＶの範囲の電圧に５秒間再分極した。電圧プロトコル反復の間隔は、１５秒であった。ピーク電流が再分極のステップで測定され、電圧の関数としてプロットされた。完全に活性化されたｈＥＲＧのＩ−Ｖ関係が、対照中および１μＭフェブキソスタットの存在下で測定された。
【０１２２】
交換的Ｉ−Ｖ関係（保守的プロトコル）
０ｍＶの保持電位から、−８０ｍＶへの２５ｍｓ過分極化パルスの後に、１０ｍＶ増加分での−１２０ｍＶから＋４０ｍＶの電位への脱分極ステップが続けられた。電圧プロトコルは１０秒間隔で繰り返された。正規化されたピークＩ−Ｖ関係が、電圧の関数としてプロットされた可変電圧ステップの過程でのピーク電流振幅を使用して生成された。交換的ｈＥＲＧのＩ−Ｖ関係は、対照中および１μＭフェブキソスタットの存在下で測定された。
【０１２３】
不活性化の電圧依存性
定常状態不活性化−電圧関係は、初期電流の定常状態電流に対する割合を代替Ｉ−Ｖ関係プロトコルからの各ステップ電圧での１秒可変電圧ステップにおいて算出することにより測定された。
【０１２４】
データ分析
データ収集と分析は、ｐＣＬＡＭＰ８．２アプリケーション（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｃｏｒｐ．，Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ）の１対を使用して行なわれた。定常状態は、経時的で制限的な一定の変化率（線形時間依存）として定義された。被験製品の適用前後の定常状態が、薬物効果を測定するために使用された。
【０１２５】
ＥＣ５０データの分析
フェブキソスタットアゴニストの効果を定量化するために、以下の形式のヒル方程式が使われた。
【化１１】
2009516691.tif 000012
（式中、ＥＣ５０は、半分の最大刺激を生むフェブキソスタットの濃度であり、Ｉｍａｘは、最大の刺激値であり、Ｉ０は初期の対照電流であり、［Ｔｅｓｔ］はフェブキソスタットの濃度であり、ＩＴｅｓｔ／ＩＣｏｎｔｒｏｌは、試験液と対照溶液での定常状態チャネル電流振幅の比であり、およびＨｉｌｌ定数のＮは、協同性の尺度である。もしＮが１に固定されると、式（１）は電流刺激に対する単純な１対１の結合モデルとなる。
【０１２６】
フェブキソスタットｈＥＲＧ変調の周波数依存性の分析
周波数依存性（使用依存性）の分析用データは、−５０ｍＶでの第１パルスのピーク電流、および＋６０ｍＶでの第２パルスのピーク電流に各パルス列で正規化され、各周波数の列からの正規化されたデータは、プールされて平均時系列を構築した。
【０１２７】
ｈＥＲＧ活性化の電圧依存性の分析
活性化の電圧依存性は、以下の方程式の単一ボルツマン分布に適合した。
【化１２】
2009516691.tif 000013
（式中、ＩＴａｉｌ（Ｖ）は、定常状態Ｉ−Ｖ関係プロトコルでの可変電圧Ｖ活性化ステップによって誘発されたピークテール電流である。ＩＴａｉｌ  Ｍａｘは、６０、７０および８０ｍＶへの電圧ステップの間の電流ピーク値の平均として算出された。Ｖ１／２およびＫｖは、このボルツマン分布の中間点電位および指数関数的な傾斜係数である）。
ｈＥＲＧ不活性化の電圧依存性の分析
方程式（２）に類似の方程式が、不活性化の電圧依存性を以下の形式の単一ボルツマン分布に適合させるために使用された。
【化１３】
2009516691.tif 000014
（式中、ＩＳｔｅａｄｙ（Ｖ）は、定常状態の不活性化が代替Ｉ−Ｖ関係での−８０ｍＶより大きい電位に対して達成された場合の１秒可変電圧ステップの終わりにおける電流であり、ＩＰｅａｋ（Ｖ）は、各電圧Ｖの１秒ステップの初めの電流である）。−８０ｍＶ以下の電位については、Ｉｓｔｅａｄｙ（ｖ）は、１秒可変電圧ステップの初めの電流の外挿値であった。外挿値は、電流の過渡現象の減衰過程に単一の指数関数を適合させることにより得られた。不活性化に関する初期の測定値はすべて、−８０ｍＶ（ＩＰｅａｋ（Ｖ＝８０ｍＶ）の値）における不活性化に対する相対的なものであった。この相対的な測定値は陰性電位におけるチャネル利用度に対する漸近値が１となるように正規化された。Ｖ１／２およびＫＶの最適合値は、非線形最小２乗フィッティングにより決定された。Ｖ１／２およびＫＶは、中間点電位であり、このボルツマン分布に対する外挿傾斜係数である。等号の左側の項はチャネル利用度であり、チャネル不活性化は、「１−チャネル利用度」として定義される。
【０１２８】
結果
ＨＥＫ２９３細胞は、陽電位において異種で発現されたｈＥＲＧ電流とオーバーラップする内因性の遅延整流電流を有する。陽電位でフェブキソスタットのアゴニスト効果を特徴づけるために、ＣＨＯ細胞が、異種的にｈＥＲＧチャネル（ＣＨＯ／ｈＥＲＧ）を発現するために使用された。この理由は、形質移入されなかったＣＨＯ細胞は、フェブキソスタットが上記のＨＥＫ／ｈＥＲＧの例において観察されるようなｈＥＲＧチャネル活性を変調する電位範囲にわたって小さな時間非依存性バックグラウンド電流だけを有するからである。
【０１２９】
＋２０ｍＶでのＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流に対するフェブキソスタットのアゴニスト効果
ｈＥＲＧがＣＨＯ細胞中で発現されると、フェブキソスタットは、＋２０ｍＶステップの過程では明白だったが、−５０ｍＶステップの過程ではより多く減少したｈＥＲＧ電流における電圧−依存性増加を再びもたらした。対照の過程および１μＭフェブキソスタットの適用後に獲得されたサンプルＣＨＯ／ｈＥＲＧ電圧−クランプＩ−Ｔ記録は、図５に示される。０．１Ｈｚで獲得した連続記録中の＋２０ｍＶで最大電流として測定されたフェブキソスタット適用のアゴニスト作用の時間的経過は、最初の１から２分間で最大に上昇した電流の初期の急激な増加と、これに続くフェブキソスタット適用の少なくとも３分後に確立されたより小さな定常状態（維持された）電流へのゆっくりとした減衰とから構成された。１μＭ（図６）および０．１μＭ（図７）のフェブキソスタットの適用前（対照１および対照２）および適用後の＋２０ｍＶ電圧ステップによって喚起されたピーク電流の２個の細胞における時間的経過は両方とも、初期および定常状態アゴニスト応答および０．１μＭでの効果の流失を示す。＋２０ｍＶで正規化されたピーク電流の時間的経過から測定された初期の電流増加（表４）および定常状態成分（表５）のための簡略な統計は、フェブキソスタットが濃度依存性であるアゴニスト効果を示した。＋２０ｍＶでピーク電流の時間的経過から測定された初期の、および定常状態応答成分の濃度応答関係は、初期成分（図８）に対して０．００３のおよび定常状態成分（図９）に対して０．０７０μＭのＥＣ５０値を与えた。
【０１３０】
【表４】
2009516691.tif 000015
【０１３１】
【表５】
2009516691.tif 000016
【０１３２】
−５０ｍＶ（テール電流）でのＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流に対するフェブキソスタットの効果
ピークテール電流（表６）および−５０ｍＶへの２秒ステップの終わりのテール電流（表７）に関する簡略的統計は、フェブキソスタットのアゴニスト効果がＨＥＫ／ｈＥＲＧ細胞中で同定された電圧感受性を保持することを確認した。表４から７に示された測定値は、ＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞の同じセットから得られた。−５０ｍＶ電圧ステップの過程のｈＥＲＧピークテール電流に対するフェブキソスタットの効果は小さすぎたので、ＥＣ５０値に適合させることができなかった。陽性対照（６０ｎＭテルフェナジン）の適用は、予想通りに、テルフェナジンによるＨＥＫ／ｈＥＲＧの遮断と同様に、ＣＨＯ／ｈＥＲＧピークテール電流を７６±５％（表８）遮断した（上記実施例１参照）。
【０１３３】
【表６】
2009516691.tif 000017
【０１３４】
【表７】
2009516691.tif 000018
【０１３５】
【表８】
2009516691.tif 000019
【０１３６】
ＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流に対するフェブキソスタットによる効果の周波数依存性または使用依存性
１μＭフェブキソスタットによるアゴニスト効果の周波数依存性を測定する実験では、＋６０ｍＶおよび−５０ｍＶで測定されたＣＨＯ／ｈＥＲＧピーク電流の増強は、０．３Ｈｚの刺激反復周波数では観察されなかったが、３Ｈｚの周波数では明白であった（図１０および１１）。これらの結果は、フェブキソスタットのアゴニスト効果が、周波数依存性または使用依存性であることを示した。この効果は、より高周波数においてより明白であり得る。
【０１３７】
ＣＨＯ／ｈＥＲＧ電圧ゲート制御パラメータのフェブキソスタット変調
１例として、図１２の定常状態Ｉ−Ｖ関係を生成するために分析された１個の細胞からの電流トレースのファミリーが、図１３に重畳されて示される。定常状態電流−電圧（Ｉ−Ｖ）関係は、フェブキソスタットへの暴露の前後に３個の細胞中で測定された（図１２）。１μＭフェブキソスタットによるＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流の最大の増加が、＋１０および＋２０ｍＶで起きる。この結果は、＋２０ｍＶでの電流に対する明白な効果および図１、２  および５で見られた−５０ｍＶの電流に対する効果の相対的な欠如と一致している。
【０１３８】
定常状態コンダクタンス−電圧（Ｇ−Ｖ）関係（図１４）は、＋６０、＋７０および＋８０ｍＶで測定されたピークテール電流の平均によって正規化された＋６０ｍＶ未満の電圧でのピークテール電流の測定値から構築された。中間点電位（Ｖ１／２）に対する値は、フェブキソスタットの非存在下および存在下でそれぞれ０．９および−２．１ｍＶであった。傾斜係数（Ｋｖ）は、それぞれ対照および１μＭフェブキソスタットによる平衡過程でのｅ倍変化当たり９．９および９．８ｍＶであった。Ｖ１／２およびＫＶの値に関してフェブキソスタットの非存在下および存在下の差は些細で小さかったが、このことは、フェブキソスタットのアゴニスト効果が、ｈＥＲＧ活性化の電圧依存性におけるより陰性電位への単純なシフトの結果によるものではないことを示している。
【０１３９】
１例として図１５を生成するために分析されたＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞からの電流トレースのファミリーが、図１６に重畳されて示される。完全に活性化されたＩ−Ｖ関係（図１５）は、＋６０ｍＶで開発されたフェブキソスタットのアゴニスト効果が−６０ｍＶ以下の電位への再分極によって無効化されたことを示す。刺激は、不活性化ゲート制御すると完全に活性化されたＩ−Ｖ関係（−５０ｍＶまで陽性）の整流を発生させる電位範囲を通過して持続する。これは、陰性電位過程でのピークテール電流測定で見られる減少したアゴニスト効果と一致する。
【０１４０】
１例として図１７を生成するために分析されたＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞からの電流トレースのファミリーが、図１８に重畳されて示される。チャネル利用度−電圧関係（図１７）は、正規化されたＧ−Ｖ関係のように、フェブキソスタット適用の応答において殆ど変わりはない。チャネル不活性化は「１−チャネル利用度」に等しい。１μＭフェブキソスタットの非存在下および存在下における中間点電位Ｖ１／２に対するゲート制御パラメータ値は、それぞれ−６７．６および−６７．３ｍＶであった。Ｋｖに対する値は、対照および１μＭフェブキソスタットに関するｅ倍変化当たりそれぞれ２７．９および２９．６ｍＶであった。これらの結果は、より陽性の電位へのチャネル利用度の単純な電圧シフトは、フェブキソスタットのアゴニスト効果を説明していないことを示唆する。
【０１４１】
瞬時Ｉ−Ｖ関係（図１９）は、開口ｈＥＲＧチャネルのコンダクタンス特性を測定する。この測定は、電圧クランプが膜電位をチャネルゲートよりはるかに速く変更するという能力に基づく。この結果、−８０ｍＶで開口したチャネルの数は、電圧プロトコル中で指定された膜電位の変化後、短期間不変である。−８０ｍＶからの電圧変化の直後に測定された電流は、チャネルゲーティングとは無関係であり、開口ｈＥＲＧチャネルのコンダクタンス特性だけを反映する。多くのカリウムチャネルのように、開口チャネルに関して測定されたＩ―Ｖ関係は、測定された電圧範囲に関して線形であり、ｈＥＲＧチャネルに関連した整流はすべて、電圧依存性のゲーティングに由来する。ｈＥＲＧチャネルに対する瞬間的なＩ−Ｖの傾斜には小さな増加があり、このことはフェブキソスタットがある状態での開口チャネルの数の小さな増加を示すが、Ｉ−Ｖ関係の線形性は影響されず、フェブキソスタットが開口ｈＥＲＧチャネルのコンダクタンス特性を変更しないことを証明している。
【０１４２】
要約すると、フェブキソスタットは、クローン化ｈＥＲＧチャネルを安定して発現するＣＨＯ細胞中において全細胞パッチクランプ法で測定されたｈＥＲＧ電流に対するアゴニスト効果を有していた。アゴニスト効果は電圧依存性であり、＋１０および＋２０ｍＶで発生する最大効果を有する陽性電位でより明白であった。アゴニスト応答は、細胞へのフェブキソスタットの維持された適用の間、初期最大効果およびより小さな定常状態効果を有する二相性であった。初期最大効果および定常状態効果の濃度依存性は、０．００３μＭおよび０．０７０μＭのＥＣ５０値をそれぞれ与えた。
【０１４３】
フェブキソスタットのアゴニスト効果は電圧依存性であり、急速に生じる。閉口チャネルは、フェブキソスタットによってより少ない刺激を受ける。開口チャネルおよび脱分極電位は刺激を必要とし、刺激効果は開口チャネルと急速に平衡化する。フェブキソスタットのアゴニスト効果は、ｈＥＲＧ活性化の電圧依存性のより陰性電位への単純な移行の結果ではなく、またチャネル不活性化のより陽性電位への単純な電圧移行の結果でもない。フェブキソスタットは、開口ｈＥＲＧチャネルのコンダクタンス特性を変更しない。いかなる理論にも拘束されることは望まないが、本発明者らはこれらの観察と一致するアゴニスト効果に関する１つの可能性のある機構が、ｈＥＲＧチャネル開口の爆発的持続を増加させることができると考える。
【実施例３】
【０１４４】
単離された心臓のプルキンエ線維におけるｄｌ−ソタロールおよびＡＴＸ  ＩＩによって誘発された活動電位および活動電位持続の延長に対するフェブキソスタットの効果
材料および方法
溶液および化学薬品
実験溶液の調製で使用される化学薬品は、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）またはＣａｌｂｉｏｃｈｅｍ（Ｓａｎ  Ｄｉｅｇｏ，ＣＡ）から入手され、ＡＣＳ試薬等級純度であった。フェブキソスタットを含有する溶液はすべて、可能な場合は常にガラス製の容器中で調製された。フェブキソスタットの試験液は、ストック液を毎週新たに調製された修正タイロード液で希釈して調製され、冷蔵された。（ｍＭ組成）：ＮａＣｌ、１３１；ＫＣｌ、４．０；ＣａＣｌ２、２．０；ＭｇＣｌ２、０．５；ＮａＨＣＯ３、１８．０；ＮａＨ２ＰＯ４、１．８；グルコース、５．５．使用前に、タイロード液は、９５％Ｏ２と５％ＣＯ２（ｐＨ７．２，室温）の混合物で通気された。フェブキソスタット濃度は、１０００μＭストック液をタイロード液に連続的に希釈して調製された。タイロード液は室温にまで加温され、この後フェブキソスタット液または陽性対照液を調製した。フェブキソスタット液は、使用前６時間以内に新たに調製され、光から保護された。フェブキソスタットは、プルキンエ線維アッセイにおいて１０、１００、１０００ｎＭの濃度で試験された。
【０１４５】
ｄｌ−ソタロール（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ）は、クラスＩＩＩ抗不整脈特性を有する強力なβ−アドレナリン受容体拮抗剤である。この薬物は、急速な遅延整流カリウム電流ＩＫｒを選択的に遮断することにより心臓の活動電位持続時間（ＡＰＤ）を延長する。ｄｌ−ソタロール液は、この化学薬品をタイロード液へ直接溶解して毎日新たに調製された。
【０１４６】
ＡＴＸ  ＩＩ（毒素ＩＩ、アネモニア・スルカータ（Ａｎｅｍｏｎｉａ  ｓｕｌｃａｔａ））はＣａｌｂｉｏｃｈｅｍから入手され、イソギンチャク毒の有毒ポリペプチド成分である。ＡＴＸ  ＩＩは特異的に興奮性膜の電圧ゲート制御Ｎａ＋チャネルに作用し、持続的な不活性化しないＮａ＋電流を誘発する。これらの持続的なＮａ＋電流はＡＰＤ延長を引き起こす。試験液は、蒸留水で調製された１０００倍濃縮のストックのタイロード液での希釈により調製された。
【０１４７】
プルキンエ繊維電気生理
繊維の調製
プルキンエ繊維は、標準方法（Ｇｉｎｔａｎｔ  ｅｔ  ａｌ，２００１）によって犬の心室から切除された。つまり、実験用として繁殖された５から７匹のビーグル犬（若い雌の成犬、Ｍａｒｓｈａｌｌ  Ｆａｒｍｓ  ＵＳＡ  Ｉｎｃ．，ＮＹ）が、ＡＡＡＬＡＣ認証設備に収容された。毎試験日に、犬はペントバルビタールナトリウム（３０ｍｇ／ｋｇのｉ．ｖ．）で麻酔をかけられた。心臓は、左側方開胸術によって速やかに切除され、冷やされて、酸素負荷された保存タイロード液（８ｍＭ  ＫＣｌ）を含む容器に入れられ、ウエットアイス上、ＣｈａｎＴｅｓｔに輸送された。両方の心室からの使用可能な自走プルキンエ繊維はすべてこれらの筋肉付着物と共に切除された。繊維は使用するまで、酸素負荷された標準タイロード液（４ｍＭ  ＫＣｌ）中、室温で保存された。
【０１４８】
電気生理記録
プルキンエ繊維は、熱したプラットフォームに固定されたガラス底のＰｌｅｘｉｇｌａｓチャンバー（おおよこの容積、１ｍｌ）にマウントされ、標準タイロード液の約４ｍｌ／ｍｉｎでかん流された。浴温は、ＳＨ−２７Ｂインライン溶液予熱器、シリーズ２０チャンバプラットフォームヒーターおよびＴＣ−３４４Ｂデュアルチャネルフィードバック温度調節器（Ｗａｒｎｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．，Ｈａｍｄｅｎ，ＣＴ）の組み合わせを使用して、３７±１℃に維持された。浴温はサーミスタープローブを使用して記録された。細胞内の膜電位は，ホウケイ酸ガラスキャピラリーチューブからＰ−９７水平プラー（（Ｓｕｔｔｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ  Ｃｏ．，Ｎｏｖａｔｏ，ＣＡ）上に引かれ、３ＭのＫＣｌ溶液で満たされ、Ａｇ−ＡｇＣｌワイヤによってＷａｒｎｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ＩＥ  ２１０細胞内の電位計アンプ（Ｗａｒｎｅｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃ．，Ｈａｍｄｅｎ，ＣＴ）に接続された従来の細胞内の微小電極を使用して記録された。膜電位は、３ＭのＫＣｌ−寒天ブリッジを介してタイロード液に接するＡｇ−ＡｇＣｌワイヤ電極に参照された。
【０１４９】
活動電位は、反復電気的刺激（０．１から３ｍｓの持続時間、約１．５回の閾値振幅）によって誘発された。２極性の、絶縁された（先端は除く）プラチナワイヤ電極は、Ｄａｇａｎ社の光アイソレートされた電気刺激器Ｓ−９００（Ｄａｇａｎ  Ｃｏｒｐ．，Ｍｉｎｎｅａｐｏｌｉｓ，ＭＮ）によって発生したパルスを伝えるために使用された。アナログ信号は、ＤＴ３０１０  ＡＤ／ＤＡボード（Ｄａｔａ  Ｔｒａｎｓｌａｔｉｏｎ，Ｉｎｃ．，Ｍａｒｌｂｏｒｏ，ＭＡ）を使用して５０ｋＨｚのデジタル化の前に２０ｋＨｚで低パスフィルターされ、ＮＯＴＯＣＯＲＤ−ＨＥＭ  ３．５のソフトウェア（Ｎｏｔｏｃｏｒｄ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ＳＡ，Ｃｒｏｉｓｓｙ  ｓｕｒ  Ｓｅｉｎｅ，Ｆｒａｎｃｅ）によって制御されたＰＣ−互換性のコンピュータを使用してハードディスクに保存された。
【０１５０】
濃度応答および速度依存性は、次のテスト手順によって決定された。プルキンエ繊維は、対照ＡＰ応答を得る前に、少なくとも２５分の安定化期間に２秒（０．５Ｈｚの刺激周波数と等価）のＢＣＬで連続的にゆっくり拍動した。−８０ｍＶより陰性の休止電位および正常なＡＰ形態（ＡＰＤ９０＝２５０から４５０ｍｓ）を有する繊維のみが使用された。許容される繊維は、２０分間２秒ＢＣＬで連続的に刺激された。この期間の終わりに、コントロール条件下の基線ＡＰＤ速度依存性または周波数依存性が、２秒、１秒および０．３４秒（１および３Ｈｚの刺激周波数とそれぞれ等価）のＢＣＬでおよそ５０パルスからなる刺激パルス列を使用して測定された。２秒ＢＣＬに戻った後に、最低濃度の試験液が平衡状態とするために２０分間適用され、刺激列が繰り返された。全シーケンス［ＢＣＬ（１つのサイクル当たり合計２３分間）を減少させる際、刺激列の３つのサイクルが後続する２０分間の平衡状態］は、増加した薬物濃度で累積的に繰り返された。各刺激列からの最後の５つの記録された活動電位からの平均応答は、各試験条件に対して分析された。
【０１５１】
フェブキソスタットに対するプルキンエ繊維電気生理学的応答
これらの効果の活動電位パラメータと速度依存性に関してフェブキソスタット効果を調べるために、フェブキソスタット（１０、１００および１０００ｎＭ）の３つの濃度が、累積的に（例えば３回の２３分暴露期間）上記で概説した１群の４つのプルキンエ繊維に適用された。
【０１５２】
フェブキソスタットによるソタロールまたはＡＴＸ  ＩＩに対するプルキンエ繊維の電気生理学的応答の変調
フェブキソスタットによるソタロールに対するプルキンエ繊維応答の変調は、両方の化合物に暴露された繊維の応答を測定し、ソタロール単独に対する応答と比較してアッセイされた。ソタロール単独群では、５０μＭでのソタロールが、フェブキソスタット試験群（３つの２３分暴露期間）におけるとほぼ同じの各繊維における暴露期間を有する４つのプルキンエ繊維に適用された。ソタロール＋フェブキソスタット群では、５０μＭでのソタロールが、測定期間中ずっと適用され、１００および１０００ｎＭでのフェブキソスタットが第２および第３の２３分間暴露期間にそれぞれ適用された。
【０１５３】
ＡＴＸ  ＩＩを用いた同様の一連の実験では、３つの２３分暴露期間すべての間、２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩ単独の適用に対する４つのプルキンエ繊維の応答が測定された。実験は、ＡＴＸ  ＩＩへ１００ｎＭ（暴露期間１および２）および１０００ｎＭ（暴露期間３）フェブキソスタットを添加して７つの繊維で繰り返された。
【０１５４】
データ分析
活動電位分析
データは、Ｎｏｔｏｃｏｒｄ−Ｈｅｍ  ｖｅｒｓｉｏｎ  ３．５およびＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｅｘｃｅｌ  ２０００のＡＰ分析モジュールを使用して分析された。以下のパラメータが決定された。ＲＭＰ（静止膜電位、ｍＶ）、ＡＰＡ（活動電位振幅、ｍＶ）、Ｖｍａｘ（最大上昇率Ｖ／ｓ）、ＡＰＤ６０およびＡＰＤ９０（それぞれ６０および９０％再分極での活動電位持続時間、ｍｓ）。濃度応答データは、試験品適用前に基線と比較して示される。各刺激周波数のＡＰＤ６０、ＡＰＤ９０およびＶｍａｘは、各濃度における基線からの％変化（△％）として示される。ＲＭＰとＡＰＡのデータは、膜電位（△ｍＶ）の絶対的な変化として示される。
【０１５５】
統計分析
データは平均±ＳＥＭとして報告された。プールされたデータは、各条件に関して表された。対照基線、薬物濃度および刺激周波数。フェブキソスタット、５０μＭソタロールまたは２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩによって誘発された活動電位パラメータの変化は、薬物のない対照期間の間に得られた平均が、各薬物濃度における平衡後に得られた平均とは有意に異なる（Ｐ＜０．０５）かを決定するために、対サンプルに対する両側Ｓｔｕｄｅｎｔのｔ検定を用いて評価された。活動電位パラメータにおけるソタロール誘発変化またはＡＴＸ  ＩＩ誘発変化に対するフェブキソスタットの効果は、２０ｎＭのＡＴＸ−ＩＩまたは５０μＭのソタロール単独の存在下に得られたデータと、フェブキソスタットと一緒にこれらの薬物の１種の存在下で行われた時間適合された実験からのデータとを比較して、Ｓｔｕｄｅｎｔのｔ検定により評価された。統計分析はＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｅｘｃｅｌ  ２０００で行なわれた。
【０１５６】
結果
活動電位パラメータに対するフェブキソスタットの効果
徐脈（ＢＣＬ＝２秒）をシミュレートするＢＣＬでは、フェブキソスタット濃度１０、１００および１００ＯｎＭ（表９、図２０）でＡＰＤ９０の平均変化は、それぞれ−２．４±０．８％、−１．９±０．７％および−６．８±３．７％であった。１秒および０．３４秒のより短い周期の長さ（正常脈および頻脈をそれぞれシミュレートする）では、１０００ｎＭフェブキソスタット（表１０および１１）においてのＡＰＤ９０の平均変化がそれぞれ−２．４±１．０％および−２．０±１．０％であった。これらの小さな効果のどれもが統計的に有意ではなかったし（Ｐ＜０．０５）、また、これらは生物学上重要であるとは考えられない。フェブキソスタットは、任意の濃度またはＢＣＬ療法で最大上昇率（Ｖｍａｘ）、活動電位振幅または静止電圧振幅を有意に変化させなかった。
【０１５７】
要約すると、フェブキソスタットはｈＥＲＧアゴニストではあるけれども、これは単独では活動電位パラメータに対して影響を及ぼさなかった。
【０１５８】
【表９】
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【０１５９】
【表１０】
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【０１６０】
【表１１】
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【０１６１】
【表１２】
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【０１６２】
【表１３】
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【０１６３】
【表１４】
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【０１６４】
ｄｌ−ソタロールおよびＡＴＸ  ＩＩによって誘発された活動電位持続時間の延長のフェブキソスタット変調
フェブキソスタットに比べて、同一の記録条件下では、陽性対照のｄｌ−ソタロールは、５０μＭで有意なＡＰＤ延長をもたらした（図２１）。ｄｌ−ソタロールの同じ濃度の効果は、各２３分の暴露期間にオーバータイムを増加させ、プルキンエ繊維組織とのソタロール平衡の遅いコンポーネントを反映した。第３の２３分の暴露期間の終わりに、２秒のＢＣＬ（図２１（表１５）、１秒のＢＣＬ（表１６）および０．３４秒のＢＣＬ（表１７）で、４０．９±８．８％、３４．８±７．５％および１４．６±７．２％のＡＰＤ９０延長が、それぞれあった。５０μＭのソタロールは、ＢＣＬ２秒、１秒および０．３４秒で、最大上昇率（Ｖｍａｘ）、活動電位振幅または静止電位振幅を有意に変更しなかった。図２３は、５０μＭのｄｌ−ソタロールと一緒の１００および１０００ｎＭのフェブキソスタットの添加が、２秒（表１８および図２３）または１秒および０．３４秒のＢＣＬ（表１９および２０）での活動電位持続時間の延長を変更しなかったことを示している。ソタロールと一緒のフェブキソスタットは、最大上昇率（Ｖｍａｘ）、活動電位振幅または静止電位振幅を変更しなかった。
【０１６５】
【表１５】
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【０１６６】
【表１６】
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【０１６７】
【表１７】
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【０１６８】
【表１８】
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【０１６９】
【表１９】
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【０１７０】
【表２０】
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【０１７１】
ソタロールのように、２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩが有意なＡＰＤ延長を誘発し各２３分暴露期間の間増加され、これはプルキンエ繊維組織とのＡＴＸ  ＩＩ平衡の遅いコンポーネントを反映した。また、これは同様にプラトー電位を高めた（図２２）。第３の２３分暴露期間の終わりでは、２０μＭのＡＴＸ  ＩＩは、ＡＰＤ９０の最大延長を２秒ＢＣＬ（表２１、図２２）で７５．１±８．１％、１秒ＢＣＬ（表２２）で４６．４±６．２％、および０．３４秒ＢＣＬ（表２３）で１３．６±２．８％にまで誘発した。１０００ｎＭのフェブキソスタットは、ＡＰＤ９０の最大ＡＴＸ  ＩＩ誘発延長を２秒ＢＣＬ（図２４、表２４））で３７．２±３．６％（△％＝−５０％対ＡＴＸ  ＩＩ単独）、１秒ＢＣＬ（表２５）で２７．７±２．５％（△％＝−４０％対ＡＴＸ  ＩＩ単独）、および０．３４秒ＢＣＬ（表２６）で９．０±１．２％（△％＝−３４％対ＡＴＸ  ＩＩ単独）に減少させた。ＡＴＸ  ＩＩ誘発延長に対しての１０００ｎＭフェブキソスタットの弱める効果は、ＢＣＬ２秒および１秒（図２４）で統計学的に有意であった。１００ｎＭフェブキソスタットは、試験されたすべての刺激間隔においてＡＴＸ−ＩＩによって誘発されたＡＰＤ延長を適度に短縮した。しかしながら、この効果は、ＢＣＬ０．３４秒（図２４）で統計学的に有意であるのみであった。ＡＴＸ  ＩＩこれ自体またはフェブキソスタット併用では、ＡＴＸ  ＩＩは、最大上昇率（Ｖｍａｘ）、活動電位振幅または静止電位振幅を変更しなかった。
【０１７２】
【表２１】
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【０１７３】
【表２２】
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【０１７４】
【表２３】
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【０１７５】
【表２４】
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【０１７６】
【表２５】
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【０１７７】
【表２６】
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【０１７８】
結論として、１０、１００および１０００ｎＭのフェブキソスタットは、活動電位パラメータこれ自体には何らの効果を有さなかった。フェブキソスタットは、ソタロール誘発活動電位延長に何の効果も有さなかった。しかしながら、１００および１０００ｎＭのフェブキソスタットは、用量依存的にＡＴＸ  ＩＩ誘発活動電位延長を短縮した。
【０１７９】
当業者であれば、記述した目的を実施するために、およびこの結果と利点のみならず、また同様にそこに内在するものを得るために、本発明がよく適合されていることを容易に理解する。本明細書に記載されている分子錯体および方法、手順、処理、分子、特定化合物は、現在好ましい実施形態の代表であって、例示的なものであり、本発明の範囲を制限することを意図しているものではない。本発明の範囲および精神を逸脱することなく、ここに開示された発明に対して置換および修正の変更がなされ得ることは、当業者にとって容易に明白なことである。
【０１８０】
本明細中で記述された特許および刊行物はすべて、本発明が属する当業者の水準を示す。すべての特許および刊行物は、あたかも個々の刊行物がそれぞれ具体的に、個別的に参照により組込まれることが示されるのと同様に参照により本明細書に組込まれる。
【０１８１】
本明細書に例示的に適切に記述された発明は、本明細書で具体的に示されていない任意の要素、制限の非存在下で実施されてもよい。したがって、例えば、本明細書での各実例の場合、「含むこと（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「本質的に成ること（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）」、および「成ること（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）」の用語のいずれもが、他の２つの用語のいずれかと置き換えられてもよい。使用された用語および表現は、説明するための用語として使用され、制限するためのものではなく、また、示されて記述された特徴のどんな均等物またはこの一部をも除外する用語および表現として使用する意図はなく、様々な修正が主張された本発明の範囲内で可能であることが認識される。したがって、本発明は好ましい実施形態および任意の特徴によって具体的に開示されてきたけれども、本明細書中に開示された思想の修正および変更は、当業者に依存することができ、またこのような修正および変更は、主張された特許請求の範囲で定義された本発明の範囲内にあると考えられることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】２−［３−シアノ−４−（２−メチルプロポキシ）フェニル］−４−メチルチアゾール−５−カルボン酸（以下「フェブキソスタット」と称する）の５０および５００μＭ適用の前後のサンプルＨＥＫ／ｈＥＲＧ電流トレースを表す。ＨＥＫ／ｈＥＲＧ電流［電流（ｐＡ）；時間（ｍｓ）］が、濃度応答（下側のパネル中に示される）に対して記述された電圧手順［電圧］（ｍＶ）］を使用して得られた。フェブキソスタット存在下での電流記録は、指示濃度での平衡の３分後に得られた。
【図２】０．１および１μＭのフェブキソスタット適用の前後のサンプルＨＥＫ／ｈＥＲＧ電流トレースを表す。ＨＥＫ／ｈＥＲＧ電流［電流（ｐＡ）；時間（ｍｓ）］が、濃度応答（下側のパネル中に示される）に対して記述された電圧手順［電圧］（ｍＶ）］を使用して得られた。０．１および１μＭのフェブキソスタット存在下での電流記録は、フェブキソスタット暴露の少なくとも３分後に得られた。
【図３】＋２０ｍＶでの５０μＭフェブキソスタット適用の前、間および後に測定されたＨＥＫ／ｈＥＲＧ電流のサンプル経時的変化を示す。
【図４】ＨＥＫ／ＨＥＲＧピークテール電流に対するフェブキソスタット効果の使用依存性または周波数依存性を示す。５００μＭフェブキソスタット平衡の前およびこの後で、周波数０．３Ｈｚ（上方のパネル）および３．０Ｈｚ（下方のパネル）の反復試験パルスが適用された。電流振幅は最初のパルスに正規化され、時間に対してプロットされた。データは２個の細胞の平均である。
【図５】フェブキソスタット適用の前およびこの適用中のサンプルＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流トレースを示す。ＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流［電流（ｐＡ）；時間（ｍｓ）］が、濃度応答に対して記述された電圧手順を使用して得られ、下方パネルの中に示される。定常状態効果の記録はフェブキソスタット適用の開始後７分で得られた。
【図６】＋２０ｍＶで１μＭのフェブキソスタット適用前および適用後に測定されたＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流のサンプル経時変化を示す。細胞は、細胞に隣接して配置された３つの毛管のアレイからのタイロード液でかん流された。溶液のフローアーチファクトを制御するために、対照溶液はフェブキソスタット含有溶液に交換する前に、２つの毛管（対照１および対照２）の間で交換された。
【図７】＋２０ｍＶでの０．１μＭフェブキソスタット適用前および適用後に測定されたＣＨＯ／ｈＥＲＧ電流のサンプル経時変化を示す。細胞は、細胞に隣接して配置された３つの毛管のアレイからのタイロード液でかん流された。溶液のフローアーチファクトを制御するために、対照溶液はフェブキソスタット含有溶液に交換する前に、２つの毛管（対照１および対照２）の間で交換された。
【図８】＋２０ｍＶにおけるｈＥＲＧ電流に対するフェブキソスタット（「ＴＭＸ−６７」としても知られている）の初期最大効果の濃度応答を示す。フェブキソスタット（丸印）±標準誤差の適用後に存在する平均微小電流は、単一結合方程式（実線）に適合された。算出されたＥＣ５０は０．００３μＭであった。観察数は括弧の中に示される。
【図９】＋２０ｍＶにおけるｈＥＲＧ電流に対するフェブキソスタットの定常状態効果の濃度応答を示す。フェブキソスタット（丸印）±標準誤差の適用後に存在する平均微小電流は、単純な結合方程式（実線）に適合された。算出されたＥＣ５０は０．０７０μＭであった。観察数は括弧の中に示される。
【図１０】＋６０ｍＶで測定されたフェブキソスタットアゴニスト効果の使用依存性を示す。１μＭフェブキソスタット平衡の前後で、０．３Ｈｚ（上方パネル）および３．０Ｈｚ（下方パネル）の周波数で反復試験パルスが適用された。パルス列はこのステップ波形の反復：脱分極、＋６０ｍＶ、２５０ｍｓ；再分極：−５０ｍＶ、７０ｍｓ；続いて−８０ｍＶの保持電位への戻しにより生成した。ピーク電流振幅は、＋６０ｍＶステップの開始に測定された。ピーク電流は、対照およびフェブキソスタット溶液におけるこの第２パルス列の振幅に正規化され、手順の開始前の定常状態薬物効果が周波数依存性効果とオーバーラップしないようにした。正規化された電流は、時間に対してプロットされた。データは３個の細胞の平均である。
【図１１】−５０ｍＶで測定されたフェブキソスタットアゴニスト効果の使用依存性を示す。１μＭフェブキソスタット平衡の前後で、０．３Ｈｚ（上方パネル）および３．０Ｈｚ（下方パネル）の周波数で反復試験パルスが適用された。パルス列はこのステップ波形の反復：脱分極、＋６０ｍＶ、２５０ｍｓ；再分極：−５０ｍＶ、７０ｍｓ；続いて−８０ｍＶの保持電位への戻りにより生成された。ピークテール電流振幅は、−５０ｍＶで測定され、続いて＋６０ｍＶでチャネルの活性化および不活性化が行われた。ピークテール電流は、対照およびフェブキソスタット溶液における第１パルス列振幅に正規化され、手順の開始前の定常状態薬物効果が周波数依存性効果とオーバーラップしないようにした。正規化された電流は、時間に対してプロットされた。データは３個の細胞の平均である。
【図１２】活性化および定常状態Ｉ−Ｖ関係の電圧依存性に対するフェブキソスタットの効果を示す。対照中、および１μＭフェブキソスタットでの平衡化後の４秒駆動電圧ステップの終わりに３個の細胞で測定された電流の値（平均±標準誤差）が、各電圧ステップに対してプロットされる。データは、各細胞に対する対照中での最大値に正規化された。
【図１３】定常状態Ｉ−Ｖ電流記録に対するフェブキソスタットの効果を示す。各パネルは、対照（上方パネル）および１μＭのフェブキソスタット（下方パネル）の電流の下に図解された電圧プロトコルによって発生したＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞からの１６個の重畳された電流記録を示す。
【図１４】対照およびフェブキソスタット処置細胞における定常状態Ｇ−Ｖ関係を示す。正規化されたコンダクタンスは、定常的なＩ−Ｖ関係プロトコルの−５０ｍＶ再分極電圧ステップの過程で３個のＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞におけるピークテール電流振幅の値（平均±標準誤差）から測定された。対照中および１μＭフェブキソスタットでの平衡後の測定は、先の可変電圧ステップの間の各電圧に対してプロットされる。対照およびフェブキソスタットのデータは、ボルツマン（Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ）方式に適合させた。正規化電流＝１／（１＋ｅ−（Ｖ−Ｖ１／２）Ｋｖ）（式中、Ｖは、−５０ｍＶ再分極ステップに先立つ定常状態Ｉ−Ｖ関係プロトコルの４秒駆動電圧ステップの電圧であり、Ｖ１／２は、半分の最大コンダクタンスが発生する電位であり、およびＫｖは曲線の勾配を設定する指数勾配係数である）。対照およびフェブキソスタットにおけるＶ１／２に対する値は、それぞれ０．９および−２．１ｍＶであった。対照およびフェブキソスタットにおけるＫｖに対する値は、それぞれ９．９および９．８ｍＶであった。
【図１５】対照およびフェブキソスタット処置細胞における完全に活性化されたＩ−Ｖ関係を示す。対照中および１μＭフェブキソスタットでの平衡後に３個の細胞中で測定された正規化ピーク電流値（平均±標準誤差）は、各電圧ステップに対してプロットされる。ピーク電流測定は、電圧プロトコルの第２の５秒持続可変電圧ステップの間に行われた。データは、各細胞の対照での最大値に正規化された。
【図１６】完全に活性化されたＩ−Ｖの電流記録に対するフェブキソスタットの効果を示す。各パネルは、対照（上方パネル）および１μＭのフェブキソスタット（下方パネル）の電流の下に図解された電圧プロトコルによって発生したＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞からの１５個の重畳された電流記録を示す。
【図１７】不活性化の電圧依存性に対するフェブキソスタットの効果を示す。対照および１μＭのフェブキソスタットで平衡化後の３個のＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞で測定された正規化チャネル利用度値（平均±標準誤差）は、各電圧ステップに対してプロットされる。ピーク電流測定は、電圧プロトコルの第２の１秒間持続可変電圧ステップの過程で行われた。データは、各細胞の対照に対して最大値に正規化された。データは次式に適合させた。チャネル利用度＝１／（１＋ｅ（Ｖ−Ｖ１／２）／Ｋｖ））（式中、Ｖは、プロトコルにおける可変電圧ステップの電圧であり、Ｖ１／２は、半分の最大チャネル利用度の電圧であり、およびＫｖは曲線の勾配を設定する指数勾配係数である）。対照およびフェブキソスタットにおけるＶ１／２に対する値は、それぞれ−６８および−６７ｍＶであった。対照およびフェブキソスタットにおけるＫｖに対する値は、ｅ倍の変化当たりそれぞれ−２８および−３０ｍＶであった。活性化されたチャネルの一部分は「１−チャネル利用度」である。
【図１８】代替Ｉ−Ｖ関係に対するフェブキソスタットの効果を示す。各パネルは、対照（上方パネル）および１μＭのフェブキソスタット（下方パネル）の電流の下に図解された電圧プロトコルによって発生した、ＣＨＯ／ｈＥＲＧ細胞からの１７個の重畳された電流記録を示す。
【図１９】瞬間的Ｉ−Ｖ関係に対するフェブキソスタットの効果を示す。対照および１μＭのフェブキソスタットで平衡化後における、代替Ｉ−Ｖ関係電圧プロトコルでの１秒可変電圧ステップの初めに３個の細胞中で測定された電流の値（平均±標準誤差）は、各電圧ステップに対してプロットされる。データは、各細胞の対照中、０ｍＶ値に正規化された。
【図２０】活動電位に対するフェブキソスタットの効果を示す。フェブキソスタット（１０、１００および１０００ｎＭ）の増加する濃度での平衡前（対照）および平衡後の記録が重畳された。フェブキソスタットは、活動電位パラメータのいずれに対しても有意の変化を引き起こさなかった。温度は３７±１℃に維持され、ＢＣＬは２秒にセットされた。
【図２１】活動電位に対する５０μＭソタロールの効果を示す。平衡前（対照）および５０μＭソタロールで２３分間（１）、５０μＭソタロールで４６分間（２）および５０μＭソタロールで６９分間（３）平衡化した後の重畳された記録。温度＝３７±１℃、ＢＣＬ＝２ｓ。ソタロールは有意にＡＰＤを延長した。
【図２２】活動電位に対する２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩの効果を示す。平衡前（対照）および２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩで２３分間（１）、４６分間（２）および６９分間（３）平衡化した後の重畳された記録。温度＝３７±１℃、ＢＣＬ＝２秒。ＡＴＸ  ＩＩは有意にＡＰＤを延長した。
【図２３】活動電位持続時間に対するフェブキソスタット（ＴＭＸとしても知られている）およびソタロールの効果を示す。基線に対するＡＰＤ９０（ＢＣＬ＝２ｓ）の％変化は、暴露期間に対してプロットされた。フェブキソスタット群（白抜き菱形、ｎ＝４）において、１０、１００および１０００ｎＭフェブキソスタット濃度が、暴露期間１、２および３に累積的にそれぞれ適用された。ソタロール群（塗りつぶした正方形、ｎ＝４）では、５０μＭソタロールが、暴露期間１、２および３の過程で連続的に適用された。ソタロールおよびフェブキソスタットの併用群（白抜き三角形、ｎ＝４）では、３０μＭソタロール、５０μＭソタロール１００ｎＭフェブキソスタット、および５０μＭソタロール＋１０００ｎＭフェブキソスタットが、暴露期間１、２および３の過程で累積的にそれぞれ適用された。ソタロールのデータは、ソタロール＋フェブキソスタット暴露期間１の値によってソタロールのデータを正規化することにより、ソタロール＋フェブキソスタットのデータ上に重ねられた。正規化されたソタロールのデータ（×印）は、期間２および３のソタロール＋フェブキソスタットのデータを重ね合わせ、１００および１０００ｎＭ濃度のフェブキソスタットがソタロールＡＰＤ９０延長の時間的経過に効果がなかったことを示している。
【図２４】ＡＴＸ  Ｉｌ誘発ＡＰＤ９０延長に対するフェブキソスタットの効果を示す。測定は、２秒（Ａ）、１秒（Ｂ）および０．３４秒（Ｃ）のＢＣＬで行われた。各ＢＣＬでのＡＰＤ９０（平均±標準誤差）の％変化は、２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩ＋１００ｎＭフェブキソスタット（暴露期間１および２）、２０ｎＭのＡＴＸ  ＩＩ＋１０００ｎＭフェブキソスタット（暴露期間３）の連続適用の間中に暴露期間に対してプロットされた。菱形、三角形および正方形の記号で図示されたデータは、２、１および０．３４秒のＢＣＬでそれぞれ得られた。塗りつぶされた、および白抜きの記号は、ＡＴＸ  ＩＩ単独（ｎ＝４繊維）およびＡＴＸ  ＩＩ＋フェブキソスタット（ｎ＝７繊維）で得られたデータを表した。＊は、ＡＴＸ  ＩＩ群およびＡＴＸ  ＩＩ＋フェブキソスタット群（Ｐ＜０．０５、スチューデントｔ検定）の間の統計的に有意な差を表す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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