(57)【要約】  本発明は、水銀の充填物と希ガスとを気密に含む放電空間（１１；２１１；３１１）を取り囲む放電管（１０；２１０；３１０）を備える低圧水銀蒸気放電ランプに関する。放電管（１０；２１０；３１０）は、さらに、放電空間（１１；２１１；３１１）と連絡するアマルガム（６３；２６３；３６３）を含む。ランプは、放電管（１０；２１０；３１０）内の電気放電を維持するための放電手段（４１ａ，４１ｂ；２３４；３４１ａ，３４１ｂ）を有する。アマルガム（６３；２６３；３６３）は、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の範囲内のビスマス（Ｂｉ）含有量と、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の範囲内のスズ（Ｓｎ）含有量と、３≦Ｉｎ≦５重量％の範囲内のインジウム（Ｉｎ）含有量とを有するビスマス−スズ−インジウム化合物を含む。本発明に従ったランプは、より制御された方法で調光され得る。
2009545116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水銀の充填物と希ガスとを気密に含む放電空間を取り囲む放電管を備える低圧水銀蒸気放電ランプであって、
前記放電管は、前記放電空間と連絡するアマルガムを含み、
当該低圧水銀蒸気放電ランプは、前記放電管内の電気放電を維持するための放電手段を含み、
前記アマルガムは、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の範囲内のビスマス含有量と、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の範囲内のスズ含有量と、３≦Ｉｎ≦５重量％の範囲内のインジウム含有量とを有するビスマス−スズ−インジウム化合物を含むことを特徴とする、
低圧水銀蒸気放電ランプ。
【請求項２】
前記インジウム含有量は、３≦Ｉｎ≦４重量％の範囲内にあることを特徴とする、請求項１に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
【請求項３】
前記インジウム含有量は、３≦Ｉｎ≦３．５重量％の範囲内にあることを特徴とする、請求項２に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
【請求項４】
前記アマルガムは、９７．５≦Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ≦９９．５重量％の範囲内のビスマス−スズ−インジウム化合物と、０．５≦Ｈｇ≦２．５重量％の範囲内の水銀とを含むことを特徴とする、請求項１、２、又は、３に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
【請求項５】
前記アマルガムは、９９≦Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ≦９９．５重量％の範囲内のビスマス−スズ−インジウム化合物と、０．５≦Ｈｇ≦１重量％の範囲内の水銀とを含むことを特徴とする、請求項４に記載の低圧水銀蒸気放電ランプ。
【請求項６】
請求項１乃至３に記載の組成を有するビスマス−スズ−インジウム化合物を含むアマルガム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水銀の充填物及び希ガスを気密に含む放電空間を取り囲む放電管を備える低圧水銀蒸気放電ランプに関し、前記放電管は、放電空間と連絡するアマルガムを含み、低圧水銀蒸気放電ランプは、放電管内に電気放電を維持するための放電手段を含む。本発明は、さらに、前記低圧水銀蒸気放電ランプにおける使用のためのアマルガムに関する。
【背景技術】
【０００２】
水銀は、水銀蒸気放電ランプ内で紫外（ＵＶ）光を生成するための主要素子を構成する。ＵＶ光を異なる波長を有する光、例えば、日焼け目的（太陽パネルランプ）のためのＵＶ−Ｂ及びＵＶ−Ａに、或いは、一般照明目的のための可視放射線に変換するために、発光材料、例えば、蛍光粉末を含む層が、放電管の内壁上に存在し得る。従って、そのような放電ランプは、蛍光ランプとも呼ばれる。低圧水銀蒸気放電ランプの放電管は、普通、管状であり、細長い実施態様及びコンパクトな実施態様の両方を含む。一般的に、コンパクトな蛍光ランプの管状放電管は、比較的小さい直径の比較的短い直線部分の集まりを有し、その直線部分は、橋部分を用いて或いは屈曲部分を介して相互接続されている。コンパクトな蛍光ランプは、普通、（一体型）ランプベースを備える。低圧水銀蒸気放電ランプのそのような実施態様では、放電管は、ランプの動作中に放電管内部で放電を維持するための電極を含む。代替的に、無電極水銀蒸気放電ランプでは、電気エネルギが放電空間内に誘導的に或いは容量的に結合される。
【０００３】
本発明の記載中の「公称動作」(“nominal  operation”)という用語は、放電管内の水銀蒸気圧が、ランプが最適動作中の出力の少なくとも８０％の放射線出力を有するような動作条件にあること、即ち、水銀蒸気圧が最適である動作条件の下にあることを示すために使用される。さらに、記載中の「初期放射線出力」という用語は、放電ランプのスイッチが入れられた１秒後の放電ランプの放射線出力として定められ、「起動時間」(“run-up  time”)は、最適動作中の出力の８０％の放射線出力を達成するために放電ランプによって要求される時間として定められる。
【０００４】
以後蒸気圧制御ランプとも呼ぶ、冒頭段落中に記載されるような低圧水銀蒸気放電ランプは、ＥＰ０１３６８６６Ｂ１から既知である。自由水銀のみを含む放電ランプと比較されるとき、アマルガムが放電管内の水銀蒸気圧を制限する。高いランプ負荷の場合に、或いは、ランプが閉塞された或いは不十分に通気された照明器具において使用されるときに起こり得るように、これは比較的高いランプ温度でのランプの公称動作を可能にする。アマルガムは、水銀と、スズ、鉛、ビスマス、及び、インジウムから選択される少なくとも１つの低融点金属とを含む。
【０００５】
従来技術に従った水銀蒸気放電ランプに加えて、（主）アマルガムを含むのみならず、補助アマルガムさえも含むランプが既知である。補助アマルガムが十分な水銀を含むならば、ランプは比較的短い起動時間を有する。ランプのスイッチが入れられた後、補助アマルガムは、その中に含まれる水銀の実質的部分を比較的素早く放出（展開）するよう、電極によって加熱される。補助アマルガムが十分な水銀を利用し得るよう、ランプのスイッチが入れられる前にランプが十分に長い時間に亘って動作休止中でなければならないことが望ましい。ランプが比較的短い時間期間に亘って動作休止中にあるとき、起動時間に対する短縮効果は弱いに過ぎない。さらに、補助アマルガムによって放出される水銀が放電管全体に亘って拡散する前に比較的多くの時間が必要とされる長いランプでは特に欠点が起こるので、そのようなランプは、スイッチが入れられた後の数分の期間の間に、補助アマルガム付近の明るいゾーン及び補助アマルガムから離れたより暗いゾーンを示す。
【０００６】
加えて、アマルガムを含まず自由水銀を専ら含む低圧水銀蒸気放電ランプが既知である。以後水銀ランプとも呼ぶ、これらのランプは、室温での水銀蒸気圧、故に、初期放射線出力が比較的高いという利点を有する。その上、起動時間は比較的短い。さらに、比較的長い放電管を有するこの種類のランプは、スイッチが入れられた後、それらの長さを通じて実質的に一定の明るさを有する。何故ならば、スイッチを入れた後、（室温での）水銀蒸気圧は十分に高いからである。比較的高いランプ温度での公称動作は、その放電空間が最適水銀蒸気圧に近い動作温度にある水銀蒸気圧を達成するのに十分な水銀だけを含む水銀ランプで達成され得る。しかしながら、ランプの寿命中、水銀は、例えば、放電管の壁の上に及び／又はエミッタ材料によって結合されるので、水銀は失われる。結果的に、実際には、そのようなランプは、限定的な寿命のみを有する。従って、水銀ランプでは、公称動作中の蒸気相中で必要とされる量よりも比較的高い量の水銀が投与される。しかしながら、これは水銀蒸気圧が放電管内の最低温度スポットの温度と関連付けられる蒸気飽和圧力と等しいという欠点を有する。蒸気飽和圧力は、温度と共に指数関数的に上昇するので、例えば、不十分に通気された照明器具において或いは高いランプ負荷の場合に起こる温度変化は、放射線出力の減少を引き起こす。比較的低い周囲温度で、水銀蒸気圧力は減少し、それも放射線出力の減少を引き起こす。
【０００７】
ランプの光出力を薄暗くするために蒸気制御ランプの入力電力を減少するとき、ランプの動作温度は減少する。故に、アマルガムの温度も同様に減少する。従来技術に従ったＢｉ−Ｉｎ−Ｈｇアマルガムを備える水銀蒸気放電ランプが冷却する時間の間、アマルガムは、水銀蒸気圧力が有意に降下する温度領域に入り、それはランプの光出力の対応する減少をもたらす。加えて、ランプによって生成される光の色温度におけるシフトも起こり得る。水銀蒸気放電ランプが液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）バックライティング（背面照明）のために使用されるとき、これらの現象は特に有害であり、その場合には、ランプは、画像品質を向上するために、例えば、ランプの走査動作中に、モーションブラー効果(motion  blur  effect)を低減するために、薄暗くされ得る。光出力の有意な降下及び光の色温度の可能な変化は、画像品質を強く減少する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述の問題を少なくとも部分的に解決する低圧水銀蒸気放電ランプを提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、アマルガムは、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の範囲内のビスマス（Ｂｉ）含有量と、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の範囲内のスズ（Ｓｎ）含有量と、３≦Ｉｎ≦５重量％の範囲内のインジウム（Ｉｎ）含有量とを有するビスマス−スズ−インジウム化合物を含むという点で特徴付けられる本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプで達成される。本発明に従ったアマルガムを備える低圧水銀蒸気放電ランプのために、水銀蒸気圧は、アマルガムの特定温度領域内で、ランプの調光中に、即ち、アマルガムの冷却中に有意に減少しない。故に、アマルガムのこの温度領域では、ランプの光出力は、有意に減少せず、比較的広範囲の動作温度内で、より制御された方法でのランプの調光を可能にする。
【００１０】
本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの好適実施態様は、インジウム含有量が、３≦Ｉｎ≦４重量％の範囲内にあることによって特徴付けられる。本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの他の好適実施態様は、インジウム含有量が、３≦Ｉｎ≦３．５重量％の範囲内にあることによって特徴付けられる。これらの実施態様は、より制御された方法でのランプの調光がさらに一層改良されるという利点を有する。
【００１１】
本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの好適実施態様は、アマルガムが、９７．５≦Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ≦９９．５重量％の範囲内のビスマス−スズ−インジウム（Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ）化合物と、０．５≦Ｈｇ≦２．５重量％の範囲内の水銀（Ｈｇ）とを含む点で特徴付けられ、比較的広い温度範囲内でのランプの公称動作を可能にする。
【００１２】
本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの好適実施態様は、アマルガムが、９９≦Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ≦９９．５重量％の範囲内のビスマス−スズ−インジウム（Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ）化合物と、０．５≦Ｈｇ≦１重量％の範囲内の水銀（Ｈｇ）とを含む点で特徴付けられ、アマルガム内の水銀の量の減少をもたらすと同時に、ランプの公称動作を比較的広い温度範囲内内に維持する。
【００１３】
本発明によれば、本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプにおける使用のためのアマルガムは、請求項６中に定められる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの第一実施態様を示す斜視図である。
【図１Ｂ】ＩＢに従って図１Ａ中に示されるランプの詳細を示す側面図である。
【図２】本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの第二実施態様を示す側断面図である。
【図３】本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの第三実施態様を示す側断面図である。
【図４】アマルガムの加熱及び冷却の間の、従来技術に従ったＢｉ−Ｉｎ−Ｈｇアマルガムのためのアマルガム温度の関数としての水銀蒸気圧を示すグラフである。
【図５】アマルガムの加熱及び冷却の間の、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ化合物を含む本発明に従ったアマルガムの第一実施態様のためのアマルガム温度の関数としての水銀蒸気圧を示すグラフである。
【図６】アマルガムの加熱及び冷却の間の、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ化合物を含む本発明に従ったアマルガムの第二実施態様のためのアマルガム温度の関数としての水銀蒸気圧を示すグラフである。
【図７】アマルガムの加熱及び冷却の間の、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ化合物を含む本発明に従ったアマルガムの第三実施態様のためのアマルガム温度の関数としての水銀蒸気圧を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１乃至３は純粋に図式的であり、原寸で描写されていない。顕著に、一部の寸法は明瞭性のために強く誇張されて示されている。図面中の類似の構成部品は、可能な限り同一の参照番号によって示されている。
【実施例１】
【００１６】
図１は、約３０ｃｍ３の容積を有する放電空間１１を気密に取り囲む放射線透過放電管１０を含む低圧水銀蒸気放電ランプの斜視図である。この場合には、放電管１０は、７５容積％のアルゴンと２５容積％のネオンとの混合物を含み、４００Ｐａの充填圧力を備える。この実施態様では、放電管１０は、約４６ｃｍの全長と、１１ｍｍの外径と、１０ｍｍの内径とを備える３つのＵ字形状セグメント３２，３４，３６を有するライムガラスの光透過性管状部分から形成されている。放電管１０は、端部１４ａ；１４ｂによって封止されている。セグメント３２，３４，３６は、（管状）ダクト６１，６２によって相互接続されている。管状部分は、内表面上に発光塗膜１７を有する。放電を維持するための手段が、放電空間１１内に配置された電極対４１ａ；４１ｂによって構成されている。電極対４１ａ；４１ｂは、電子放出性材料（エミッタ材料）、この場合には、バリウム、カルシウム、及び、酸化ストロンチウムの混合物で塗工されたタングステンの巻線である。各電極４１ａ；４１ｂは、放電管１０の端部１４ａ；１４ｂによって支持されている。電流供給導体５０ａ，５０ａ’；５０ｂ，５０ｂ’が、放電管１０の端部１４ａ；１４ｂを通じて電極対４１ａ；４１ｂから突出している。電流供給導体５０ａ，５０ａ’；５０ｂ，５０ｂ’は、ハウジング７０内に組み込まれる電源（図示せず）に接続され、ランプ基部７１上の既知の電気的及び機械的な接点７３ａ，７３ｂに電気的に接続されている。希ガス混合物に加えて、放電空間１１は、水銀を含む。放電空間１１は、さらに、アマルガム６３を備えるカプセル６０を含む。ＩＢに従った図１Ａの詳細が側面図で示される図１Ｂも参照。このために、４．０重量％のＦｅＯを含むライムガラスの壁６１を備えるカプセル６０は、放電管１０内に、この場合には、管状突起６２ａ内に配置されている。動作中、アマルガム６３は、カプセル６０の壁６１内に溶解された孔６４を介して放電管１０と連絡している。カプセル６０は、ドーム状部分６８を有し、カプセルは、ドーム状部分を用いて突起６２ａ内に締め付けられる。
【００１７】
選択的に、１つの電流供給導体５０ａ’は、さらに、補助アマルガム８３を備え得る。水銀蒸気放電ランプのスイッチが入れられると、補助アマルガム８３は電極４１ａによって加熱されるので、補助アマルガムは、その中の水銀の実質的部分を比較的速い速度で放出（展開）し、それは比較的短い起動時間をもたらす。低圧水銀蒸気放電ランプの代替的な実施態様では、アマルガム６３はカプセル６０なしに投与されるが、アマルガムが放電管に達するのを防止するためにガラスロッドを代わりに使用する。
【実施例２】
【００１８】
図２は、本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプの代替的な実施態様を示している。図１Ａ中の構成部品に対応する構成部品は、２００だけ増分された参照番号を有する。放電管２１０は、洋梨形状の展開部分２１６と、フレア部分２１８を介して展開部分２１６に接続された管状の嵌入部分２１９とを有する。アマルガム２６３を含むカプセル２６０が、放電管２１０のフレア部分２１８上の突起２６２内に位置付けられている。動作中、アマルガム２６３は、カプセル２６０の壁２６１内に溶解された孔（図示せず）を介して放電管２１０と連絡している。嵌入部分２１９は、放電管２１０によって取り囲まれた放電空間２１１の外側で、放電空間２１１内の電気放電を維持するための手段を構成する電気導体の巻線２３４を有するコイル２３３を収容している。動作中、コイル２３３は、電流供給導体２５２，２５２’を介して、高周波電圧、即ち、約２０ｋＨｚ以上、典型的には、３ＭＨｚの周波数の電圧を供給される。コイル２３３は、（破線で示された）軟磁性材料の磁心（コア）２３５を取り囲んでいる。代替的に、磁心は省略され得る。代替的な実施態様では、コイル２３３は、放電空間２１１の内部に配置される。動作中、アマルガム２６３は、カプセル２６０の壁２６１内に溶解された孔を介して放電管２１０と連絡する。
【実施例３】
【００１９】
図３は、本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプのさらなる代替的な実施態様を示している。図１Ａ中の構成部品に対応する構成部品は、３００だけ増分された参照番号を有する。ランプは、放電空間１１を取り囲む、長手軸３０２について管状な部分３１５を備えるガラス放電管３１０を有する。放電管３１０は、放電空間３１１内で生成される放射線を通し、第一端部及び第二端部３１４ａ：３１４ｂをそれぞれ備える。放電管３１０は、水銀の十分物と、例えば、アルゴンを含む希ガスとを含む放電空間３１１を気密に取り囲んでいる。図３の実施例では、放電空間３１１に面する管状部分３１５の側は、保護層３１６で塗工されている。代替的な実施態様では、第一及び第二の端部３１４ａ；３１４ｂも保護層で塗工されている。蛍光放電ランプでは、放電空間３１１に面する管状部分３１５の側は、追加的に、蛍光層３１７で塗工されている。図３の実施例では、放電空間３１１内で放電を維持するための手段は、放電空間３１１内に配置された電極３４１ａ；３４１ｂであり、それらの電極３４１ａ；３４１ｂは、端部３１４ａ；３１４ｂによって支持されている。電極３４１ａ；３４１ｂは、電子放出性物質、この場合には、酸化バリウム、酸化カルシウム、及び、酸化ストロンチウムの混合物で被覆されたタングステンの巻線である。電流供給導体３５０ａ，３５０ａ’；３５０ｂ，３５０ｂ’が、ランプキャップ３３２ａ，３３２ｂにそれぞれ固定された接触ピン３３１ａ，３３１ａ’；３３１ｂ，３３１ｂ’に接続されている。選択的に、図３に示されていない電極リングが、各電極３４１ａ；３４１ｂの周りに配置され、そのリングの上には、水銀を釣り合わせるためのガラスカプセルが締め付けられている。動作中、アマルガム２６３が、カプセル３６０の壁３６１内に溶解された孔を介して放電管３１０と連絡する。カプセル３６０は、端部３１４ａに取り付けられている。代替的な実施態様では、カプセル３６０は、ランプの洗浄及び充填のためにランプの製造中に使用され且つ後に閉塞される端部３１４ａ内の（図３には示されていない）排気管の内部に位置付けられる。
【００２０】
アマルガム６３，２６３，３６３は、ビスマス（Ｂｉ）―スズ（Ｓｎ）−インジウム（Ｉｎ）化合物を含む本発明に従ったアマルガムであり、図示される実施態様では、ビスマスと、スズと、インジウムとの合金を備える１００ｍｇの量のＨｇのアマルガムであり、ビスマス含有量は、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の間の範囲内にあり、スズ含有量は、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の間の範囲内にあり、インジウム含有量は、３≦Ｉｎ≦５重量％の間の範囲内にある。Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ合金の好適な組成は、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の間の範囲内のビスマス含有量、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の間の範囲内のビスマス含有量、３≦Ｉｎ≦４重量％の間の範囲内のインジウム含有量である。Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ合金のさらに好適な組成は、３０≦Ｂｉ≦７０重量％の間の範囲内のビスマス含有量、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の間の範囲内のビスマス含有量、３≦Ｉｎ≦３．５重量％の間の範囲内のインジウム含有量である。アマルガム６３，２６３，３６３は、９７．５≦Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｎ≦９９．５重量％の間の範囲内のビスマス−スズ−インジウム化合物（Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｎ）と、０．５≦Ｈｇ≦２．５重量％の間の範囲内の水銀（Ｈｇ）とを含む。アマルガム６３，２６３，３６３は、好ましくは、９９≦Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｎ≦９９．５重量％の間の範囲内のビスマス−スズ−インジウム（Ｂｉ−Ｉｎ−Ｓｎ）化合物と、０．５≦Ｈｇ≦１重量％の間の範囲内の水銀（Ｈｇ）とを含む。
【００２１】
図４は、水銀蒸気圧（Ｐａで表現されるｐＨｇ）を従来技術に従ったＢｉ−Ｉｎ−Ｈｇアマルガムのためのアマルガム温度（摂氏温度で表現されるＴ）の関数として示している。アマルガムは、９７重量％の含有量を備えるビスマス−インジウム合金と、３重量％の含有量を備える水銀とを含む。ビスマス−インジウム合金は、７１重量％のビスマス含有量と、２９重量％のインジウム含有量とを有する。曲線Ａは、水銀蒸気圧をアマルガムの加熱中のアマルガム温度の関数として示しており、曲線Ｂは、水銀蒸気圧をアマルガムの冷却中のアマルガム温度の関数として示している。典型的には、アマルガムを備えるランプを１００％の光出力から２０％の光出力へ薄暗くすると、アマルガムの温度は、１２０℃から６０℃に減少する。ランプの公称動作が、０．５Ｐａと５Ｐａとの間の範囲内の水銀蒸気圧のために達成される。曲線Ｂから見られ得るように、アマルガムの温度が減少すると、約１０５℃の温度で、水銀蒸気圧は、曲線Ａによって示されるものと比較してより低くなる。曲線Ｂ及びＡによって示される水銀蒸気圧の間の差は、約８５℃の温度に達するまで、減少するアマルガム温度で増大する。その地点から下向きに、曲線Ａ及びＢによって示される水銀蒸気圧は再び同等になる。約８５℃の温度で、曲線Ｂによって示される水銀蒸気圧は、おおよそ、曲線Ａによって示される係数と比較して７よりも小さい因数(factor)である。アマルガムの冷却中の水銀蒸気圧のこの有意な減少は、アマルガムの加熱中の水銀蒸気圧（曲線Ａ）と比較されると、ランプの調光(dimming)の間のランプの光出力の有意な減少をもたらす。
【００２２】
図５は、アマルガムの加熱及び冷却中の、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ化合物を含む本発明に従ったアマルガムの第一実施態様のためのアマルガム温度（摂氏温度で表現されるＴ）の関数として、水銀蒸気圧（Ｐａで表現されるｐＨｇ）を示している。アマルガムは、９９重量％の含有量を備えるビスマス−スズ−インジウム合金と、１重量％の含有量を備える水銀とを含む。ビスマス−スズ−インジウム合金は、４０重量％のビスマス含有量と、５７重量％のスズ含有量と、３重量％のインジウム含有量とを有する。
【００２３】
図６は、アマルガムの加熱及び冷却中の、本発明に従ったＢｉ−Ｓｎ−Ｉｎ化合物の第二実施態様のためのアマルガム温度（摂氏温度で表現されるＴ）の関数としての水銀蒸気圧（Ｐａで表現されるｐＨｇ）を示している。アマルガムは、９９重量％の含有量を備えるビスマス−スズ−インジウム合金と、１重量％の含有量を備える水銀とを含む。ビスマス−スズ−インジウム合金は、７０重量％のビスマス含有量と、２７重量％のスズ含有量と、３重量％のインジウム含有量とを有する。図５及び６を参照すると、曲線Ａは、アマルガムの加熱中のアマルガム温度の関数として水銀蒸気圧を示しており、曲線Ｂは、アマルガムの冷却中の温度の関数として水銀蒸気圧を示している。図５及び６から見られ得るように、アマルガムの冷却中の温度の関数としての水銀蒸気圧は、アマルガムの加熱中の温度の関数としての水銀蒸気圧と同等である。故に、アマルガムの加熱中の水銀蒸気圧と比較されるとき、ランプの調光中、水銀蒸気圧の有意な減少、従って、所定温度内のランプの光出力の有意な減少はない。
【００２４】
図７は、アマルガムの冷却中だけの、本発明に従ったＢｉ−Ｓｎ−Ｉｎアマルガムの第三実施態様のためのアマルガム温度（摂氏温度で表現されるＴ）の関数としての水銀蒸気圧（Ｐａで表現されるｐＨｇ）を示している。アマルガムは、９９重量％の含有量を備えるビスマス−スズ−インジウム合金と、１重量％の含有量を備える水銀とを含む。ビスマス−スズ−インジウム合金は、５５重量％のビスマス含有量と、４２重量％のスズ含有量と、３重量％のインジウム含有量とを有する。曲線Ｂの形状は、図５及び６中における形状と同じである。即ち、アマルガムの特定温度領域内の水銀蒸気圧の有意な減少は観察されなかった。故に、アマルガムの加熱中の水銀蒸気圧と比較されるとき、ランプの調光中、水銀蒸気圧の有意な減少、故に、特定温度領域内のランプの光出力の有意な減少はない。
【００２５】
３０≦Ｂｉ≦７０重量％の間の範囲内のビスマス（Ｂｉ）含有量と、２５≦Ｓｎ≦６７重量％の間の範囲内のスズ（Ｓｎ）含有量と、３≦Ｉｎ≦５重量％の間の範囲内のインジウム（Ｉｎ）含有量とを有するビスマス−スズ−インジウム化合物を含む本発明に従ったアマルガムは、アマルガムの冷却中の水銀蒸気圧はアマルガムの加熱有の水銀蒸気圧と同等であるので、低圧水銀蒸気放電ランプのより制御された調光を可能にする。本発明に従った低圧水銀蒸気放電ランプが、ＬＣＤを背面照明するために使用されるとき、制御された調光は特に有利であり、その場合には、ランプは画像品質を向上するために薄暗くされ得る。冷却中のアマルガムの特定温度領域内の光出力の有意な降下は、結果として得られる画像品質を強く減少する。
【００２６】
上述の実施態様は本発明を限定するよりもむしろ例証すること、並びに、当業者が付属の請求項の範囲から逸脱せずに多くの代替的な実施態様を設計し得ることが付記されなければならない。請求項中、括弧内に配置される如何なる参照符号も請求項を限定するよう解釈されるべきではない。「含む」という動詞及びその活用形の使用は、請求項中に述べられている素子又はステップ以外の素子及びステップの存在を排除しない。素子に先行する不定冠詞の使用は、そのような素子が複数存在することを排除しない。幾つかの手段を列挙する装置の請求項において、これらの手段の幾つかは１つ且つ同一の品目のハードウェアによって具現化され得る。特定の手段が相互に異なる従属項において引用されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示さない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009545116.tif 000009
【図７】
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【国際調査報告】
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