(57)【要約】  研摩パッドをクリーニングするための方法が提供される。ＣＭＰ及びＥＣＭＰにおいては、研摩パッドは、良好な予期した研摩結果を得るようにコンディショニングされねばならない。コンディショニング中に、残渣が生成され、このような残渣は、処理欠陥を生じないようにするため除去されねばならない。研摩パッドをクリーニングするための効果的な方法が提供される。一実施形態では、パッドから残渣を清掃するため洗浄流体がパッドに指向され、その洗浄流体を除去するため第２の流体が使用される。別の実施形態では、洗浄流体は、高圧水ジェットにより与えられ、第２の流体は、空気ナイフにより与えられる。【選択図】      図１
2009542450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研摩パッドをクリーニングするための方法において、
洗浄流体を上記研摩パッドにスプレーするステップと、
上記洗浄流体を下流ディレクタで上記パッドから離れるように指向するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
上記指向するステップは、更に、空気ナイフにより空気を上記パッドへ指向する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記空気及び上記洗浄流体は、上記研摩パッドへ同時に導入される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
上記スプレーするステップは、更に、スプレーしながら上記パッドへ上記洗浄流体を分配するノズルの位置を移動させる段階を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
上記研摩パッドをダイヤモンドディスクでコンディショニングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記スプレー中に上記研摩パッドを回転させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記洗浄流体は、約１５００ｐsｉから約２０００ｐsｉの圧力で供給される脱イオン化水である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記研摩パッドは、化学機械研磨パッドである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記研摩パッドは、電気化学機械研摩パッドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記指向するステップは、更に、上記パッドから上記下流ディレクタにより流体を排出させる段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
スプレー中に約１０RPMから約１００RPMにおいて上記研摩パッドを回転させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
上記洗浄流体を指向するステップは、更に、上記研摩パッドに分配された上記洗浄流体と上記研摩パッドに対して押し付けられた基板との間に流体バリヤを生成する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
上記スプレーするステップは、更に、使いならし処理中に上記研摩パッドにスプレーする段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
上記スプレーするステップは、更に、基板の研摩中に上記研摩パッドにスプレーする段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
上記スプレーするステップは、更に、基板の研摩後に上記研摩パッドにスプレーする段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
上記指向するステップは、更に、上記下流ディレクタを使用して上記パッドから流体を払拭する段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
上記スプレーするステップは、更に、上記研摩パッド上に生成された流体の無いゾーンへ洗浄流体をスプレーする段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
研摩パッドをクリーニングするための方法において、
上記研摩パッドをコンディショニングするステップと、
コンディショニングしながら上記研摩パッドに対して洗浄流体の高圧ジェットを指向するステップと、
上記研摩パッド上に分配された上記洗浄流体の流れを向け直すため上記研摩パッドに対して流体シートを指向するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
研摩パッドをクリーニングするための方法において、
流体の無いゾーンを生成するため上流ディレクタで上記パッドから研摩流体を離すように指向するステップと、
洗浄流体を上記研摩パッドの上記流体の無いゾーンにスプレーするステップと、
を含む方法。
【請求項２０】
上記スプレーするステップは、更に、水ジェットを上記パッドにスプレーする段階を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
上記指向するステップは、更に、ガスストリーム又はスプレー、又は真空又はワイパーのうちの少なくとも１つで上記パッドから研摩流体を離すように指向する段階を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
下流ディレクタで上記パッドから研摩流体をそらすステップと、
上記下流ディレクタの下流で上記パッドへ研摩流体を分配するステップと、
を更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
研摩パッドをクリーニングするための装置において、
回転可能なプラテンと、
上記プラテン上に配設される研摩パッドと
第１の分配アームに取り付けられ且つ上記研摩パッドの上で旋回可能な空気ジェットと、
第２の分配アームに取り付けられ且つ上記研摩パッドの上に配置される水ジェットと、
を備える装置。
【請求項２４】
上記空気ジェットは、空気ナイフを備える、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
上記研摩パッドは、化学機械研摩パッドである、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
上記研摩パッドは、電気化学機械研摩パッドである、請求項２３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は、化学機械研摩（ＣＭＰ）又は電気化学機械研磨（ＥＣＭＰ）に使用されるパッドをクリーニングするための方法及び装置に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]ＥＣＭＰは、基板の表面を平坦化する１つの方法である。ＥＣＭＰは、基板から金属及び金属含有層のような物質を除去するため基板に対して高い相対的なダウンフォースを加える必要のあるような従来のＣＭＰ処理に比較して減少した機械的研摩力でもって基板を研摩しながら電気化学溶解により基板表面から導電性物質を除去していくものである。
【０００３】
[0003]研摩パッドは、ＣＭＰ又はＥＣＭＰにとって最も重要な部品の１つである。研摩処理の成否は、パッドに大きく依存している。パッドは、そのパッドが２つの同程度に重要な機能、即ち、基板に対して電気的接触を与える機能及び表面研摩力を与える機能を果しているようなＥＣＭＰにおいては、近年、その重要性を増してきている。パッドと基板との接触区域は、研摩処理においてパッドの性能を決定するところのものである。従って、可能な限り、最良のパッド表面特性を与えるようにパッドクリーニング処理を行うことが重要である。
【０００４】
[0004]パッドの表面は、研摩性能を再生するため、定期的にコンディショニングされる。コンディショニングは、典型的には、パッド表面の粒子又はその他の汚染物質を除去する研摩処理である。これらの汚染物質を除去するため、パッドは、コンディショニング中及び／又はコンディショニングの後にクリーニングされる。
【０００５】
[0005]パッドをクリーニングするための１つの方法は、液体の高圧ジェットでパッドをすすぎ洗いすることを含む。高圧すすぎ洗いは、従来の誘電体パッドをクリーニングするのに適当なものであるが、単なる高圧すすぎ洗いのクリーニング効率は、ＥＣＭＰ処理に使用される導電性パッドの性質上、ＥＣＭＰ処理の場合には十分なものではない。例えば、導電性パッドの孔内の深くに存在する残渣は、高圧すすぎ洗い中にパッドの表面へと移動させられる。それらの汚染物質は、パッドの表面に移動させられるとき、その表面に滞留したり、又はそのパッドの表面に存在するスクラッチ内に滞留したりする。
【０００６】
[0006]このような技術分野においては、研摩パッドをクリーニングするための効果的な方法及び装置を提供することが必要とされている。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]本発明は、研摩パッドをクリーニングするための方法を含む。一実施形態では、この研摩パッドをクリーニングするための方法は、洗浄流体を上記研摩パッドにスプレーするステップと、上記洗浄流体を上記パッドから離れるように指向するステップと、を含む。上記洗浄流体は、高圧水ジェット（ＨＰＷＪ）で上記パッドへ付与することができる。上記洗浄流体は、下流ディレクタで上記研摩パッドから離れるように指向させることができる。上記下流ディレクタは、上記洗浄流体を上記パッドから指向するのに適した流体ストリーム又はスプレー、真空、ワイパー又は他の物体又は装置のうちの少なくとも１つでよい。
【０００８】
[0008]別の実施形態では、研摩パッドをクリーニングするための方法は、流体の無いゾーンを生成するため上記パッドから離れるように研摩流体を指向するステップと、洗浄流体を上記研摩パッドの上記流体の無いゾーンにスプレーするステップと、を含む。上記洗浄流体は、ＨＰＷＪで上記パッドへ付与することができる。研摩流体のような流体は、上記パッドに研摩流体が残留することによるエネルギー損失を伴わずに、上記ＨＰＷＪからの上記洗浄流体が上記パッドへ直接に分配されるように、上流ディレクタで上記研摩パッドから離れるように指向させることができる。上記上流ディレクタは、上記研摩流体を上記パッドから指向するのに適したガスストリーム又はスプレー、真空、ワイパー又は他の物体又は装置のうちの少なくとも１つでよい。
【０００９】
[0009]別の実施形態では、研摩パッドをクリーニングするための方法は、上記研摩パッドを回転させるステップと、ＨＰＷＪからの水を上記研摩パッドへスプレーするステップと、上記水を空気で上記研摩パッドから離れるように指向するステップと、を含む。上記ＨＰＷＪ及び空気源は、別々のアームを使用して上記研摩パッドの上に配置することができる。
【００１０】
[0010]更に別の実施形態では、研摩パッドをクリーニングするための装置が提供される。この装置は、回転可能なプラテンと、上記プラテン上に配設される研摩パッドと、第１の分配アームに取り付けられ且つ上記研摩パッドの上で旋回可能な空気ジェットと、第２の分配アームに取り付けられ且つ上記研摩パッド上に配置されるＨＰＷＪと、を備える。
【００１１】
[0011]本発明の前述したような特徴を詳細に理解できるように、概要について簡単に前述したような本発明について、幾つかを添付図面に例示している実施形態に関して、以下より特定して説明する。しかしながら、添付図面は、本発明の典型的な実施形態のみを例示しているのであって、従って、本発明の範囲をそれに限定するものではなく、本発明は、均等の効果を発揮できる他の実施形態を含み得るものであることに、注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のパッドクリーニングアセンブリの一実施形態を有するＥＣＭＰステーションの側面図である。
【図２】図１のＥＣＭＰパッドステーションの上面図である。
【図３】本発明の高圧水ジェットアセンブリの部分側面図である。
【図４Ａ】本発明の下流ディレクタの種々な実施形態の部分側面図である。
【図４Ｂ】本発明の下流ディレクタの種々な実施形態の部分側面図である。
【図５】本発明のパッドクリーニングアセンブリの別の実施形態を有する別のＥＣＭＰステーションの平面図である。
【図６】断面線６−６に沿って見た図５のＥＣＭＰステーションの部分側面図である。
【詳細な説明】
【００１３】
[0018]本発明は、研摩パッドをクリーニングするための方法及び装置を提供する。導電性研摩パッドに関連して、以下に、本発明について説明するのであるが、パッドをクリーニングするための本方法は、誘電体研摩パッドに対しても実施でき、また、導電性であれ誘電体であれウエブ研摩材に対しても実施できるものであることは理解されたい。本発明を実施することのできる特定の装置については、限定されるものではないが、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社により販売されているREFLEXION LK ECMP（商標名）システム又はMIRRA MESA（登録名）システムにおいて本発明を実施する場合に特に効果的である。更に又、２００４年９月１４日に出願された米国特許出願第１０／９４１，０６０号明細書、米国特許第５，７３８，５７４号明細書及び米国特許第６，２４４，９３５号明細書に記載された装置もまた、本発明を実施するのに使用することができ、これら明細書の記載はここにそのまま援用される。
【００１４】
[0019]図１は、プラテンアセンブリ２３０にわたって配置される平坦化ヘッドアセンブリ１５２を有するＥＣＭＰステーション１０２の断面図を示している。この平坦化ヘッドアセンブリ１５２は、アーム１３８により保持されたキャリヤヘッド２０４に結合された駆動システム２０２を備える。この駆動システム２０２は、キャリヤヘッド２０４へ少なくとも回転運動を与える。このキャリヤヘッド２０４は、更に又、このキャリヤヘッド２０４に保持された基板１１４が処理中にＥＣＭＰステーション１０２の接触表面に対して配設されるように、プラテンアセンブリ２３０の方へと作動させられることができる。ヘッドアセンブリ１５２は、また、処理中に振動させられることもできる。
【００１５】
[0020]一実施形態では、このキャリヤヘッド２０４は、アプライドマテリアルズ社により製造されているTITAN HEAD（商標名）又はTITAN PROFILER（商標名）ウエハキャリヤであってよい。このキャリヤヘッド２０４は、ハウジング２１４及び基板１１４が保持される中央凹所を画成する保持リング２１６を備える。保持リング２１６は、キャリヤヘッド２０４内に配設された基板１１４を取り囲み、処理中にその基板１１４がキャリヤヘッド２０４の下から滑り出ないようにすることができる。保持リング２１６は、ＰＰＳ、ＰＥＥＫ等のようなプラスチック材料、又はステンレス鋼、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ等のような導電性材料、又はそれらの組合せ材料で形成することができる。また、ＥＣＭＰ処理又は電気化学めっき処理中に電界を制御するため、導電性保持リングに電気的バイアスを掛けることも考えられる。更に又、その他の平坦化又はキャリヤヘッドを使用することもできると考えられる。
【００１６】
[0021]ＥＣＭＰステーション１０２は、ベース１０８に回転可能に配設されるプラテンアセンブリ２３０を含む。プラテンアセンブリ２３０は、ベアリング２３８によりベース１０８の上方に支持され、ベース１０８に対して回転されるようになっている。プラテンアセンブリ２３０は、このプラテンアセンブリ２３０へ回転運動を与えるモータ２３２に結合される。モータ２３２は、プラテンアセンブリ２３０の回転速度及び回転方向を制御するための信号を与えるコントローラに結合される。モータは、その電力を電源２４４から受け、真空源２４６により真空が引かれる。プラテンアセンブリ２３０は、アルミニウム、剛性プラスチックのような剛性材料又はその他の適当な材料で形成することができる。
【００１７】
[0022]ベアリング２３８により取り囲まれたベース１０８の区域は、開放されており、プラテンアセンブリ２３０と通信する電気、機械、空気、制御信号及び接続のための導管を与えている。電気、機械、流体、空気、制御信号及び接続が中空駆動シャフト２１２を通してベース１０８と回転プラテンアセンブリ２３０との間において結合されるように、通常軸受け、回転ユニオン及びスリップリングが設けられ、これらは、まとめて回転カップラー２７６と称される。
【００１８】
[0023]パッドアセンブリ２２２は、プラテンアセンブリ２３０の上方表面上に配設される。パッドアセンブリ２２２は、磁気吸引、静電吸引、真空、接着材等によりプラテンアセンブリ２３０の表面に対して保持される。図１に示すパッドアセンブリ２２２は、パッドアセンブリ２２２の上方表面を画成する接触層２０８、サブパッド２１５及び電極２９２を含む。電極２９２は、単一電極であっても、又は、互いに分離した複数の独立してバイアスすることのできる電極ゾーンからなるものでもよい。このようなゾーン電極については、米国特許公開第２００４／００８２２８９号明細書に記載されており、この明細書の記載は、ここに援用される。
【００１９】
[0024]接触層２０８の上方表面は、処理中に基板１１４の特徴部側部１１５に接触するように適応されている。この接触層２０８は、処理化学薬剤と適合した高分子材料で形成することができる。それら高分子材料は、誘電体であっても、又は別の仕方として、導電性であってもよい。接触層２０８は、パッドアセンブリ２２２の表面上に研摩溶液を分布し易くするため滑らかなものとされ又はパターン付けされているとよい。パッドアセンブリ２２２は、更に、処理中に接触層２０８の上方表面上に与えられる処理（例えば、研摩）流体に対して電極２９２を露出させる孔２１８を含む。
【００２０】
[0025]均一に分布させたパターンにおいて複数の孔２１８を形成することができ、その百分率開放面積は、約１０％から約９０％（即ち、電極に対して開放された穿孔２１８の面積が研摩層の全表面積に占める割合）であってよい。パッドアセンブリ２２２における穿孔２１８の位置及び開放面積百分率により、処理中に電極２９２と基板１１４とに接触する研摩流体の量及び分布が制御され、従って、研摩動作において基板１１４の特徴部側部１１５からの物質の除去割合又はめっき動作における堆積割合が制御される。
【００２１】
[0026]別の実施形態では、パッドアセンブリ２２２は、接触層２０８の上方に延長するように適応された導電性接触素子を含む。使用できる接触素子を有する研摩パッドアセンブリの例は、米国特許公開第２００２／０１１９２８６号明細書、米国特許公開第２００４／０１６３９４６号明細書及び米国特許公開第２００５／００００８０１号明細書に記載されており、これら明細書の記載はここに援用される。
【００２２】
[0027]研摩パッドアセンブリは、３つの別々の時期においてコンディショニングされる。研摩パッドがコンディショニングされる第１の時期は、使いならしの時期である。この使いならしは、新しい研摩パッドを最初に使用する前にコンディショニングするのに使用される手順である。研摩パッドは、均一な予期したパッド処理結果が得られるようにするため使いならしされる。
【００２３】
[0028]研摩パッドがコンディショニングされる第２の時期は、現場（in-situ）処理の時期である。現場コンディショニングは、パッドにおいて基板を処理している間に行われる。現場では、基板研摩処理の開始時と終了時との間の処理変動を最少とするように、実質的に一定のパッド表面状態が維持される。
【００２４】
[0029]研摩パッドがコンディショニングされる第３の時期は、現場外コンディショニングの時期である。現場外（ex-situ）コンディショニングは、基板研摩と基板研摩との間において行われる。現場外コンディショニングは、各基板を処理した後毎に行うこともできるし、あるバッチの基板を処理した後毎に行うこともできる、又は、必要に応じて行うようにすることもできる。
【００２５】
[0030]パッドコンディショニングのための方法及び装置は、ほとんどのコンディショニング処理で使用することができる。１つのコンディショニング処理は、パッドアセンブリに対して回転ディスクを押し付けることを含む。回転ディスクは、支持構造体４１５に支持されたアーム４２０の端部に配設される。アーム４２０は、回転ディスクをパッド表面にわたって掃引させるように回転される。パッドコンディショニング処理の一例は、２００５年８月２２日に出願された米国特許出願第１１／２０９，１６７号明細書に開示されており、この明細書の記載はここにそのまま援用される。
【００２６】
[0031]研摩中に、研摩流体が、研摩流体供給源２４８から研摩流体分配ノズル３０６を通して研摩パッドアセンブリ２２２へと与えられる。研摩流体分配ノズル３０６は、コンディショニングパッドアセンブリ４１３が取り付けられているアーム４２０とは別のアーム３０４に配設されている。研摩流体分配ノズル３０６は、アーム３０４の端部に配置されている。アーム３０４は、そのアーム３０４が研摩パッドアセンブリの上方の望む位置の上に分配ノズル３０６を選択に配置できるようにする支持構造体３１５に結合されている。
【００２７】
[0032]洗浄流体が、研摩パッドアセンブリの表面及び孔２１８内に集まってしまう残渣を除去するため、研摩パッドアセンブリ２２２へと与えられる。この洗浄流体は、孔から除去された残渣が研摩パッドアセンブリ２２２において研摩される基板１１４に接触回転されるパッドアセンブリの表面に洗浄流体から沈積してしまわないように、下流ディレクタ１２０によりパッドアセンブリの表面から除去される。一実施形態では、洗浄流体は、高圧水ジェット（ＨＰＷＪ）によって与えられる。しかしながら、洗浄流体は、他の高圧分配装置により研磨パッドアセンブリ２２２の表面へと与えることもできることを理解されたい。
【００２８】
[0033]図１に示した実施形態では、下流ディレクタ１２０は、研摩中に基板１１４の下に掃引される研摩パッドアセンブリ２２２の区域から洗浄流体を移動させる角度及び速度で研摩パッドアセンブリ２２２へ第２の流体を与える。１つの適当な下流ディレクタ１２０は、空気ナイフ３２０である。第２の流体は空気ナイフ３２０から与えられるとして説明したのであるが、洗浄流体跡及び残渣を研摩パッドアセンブリ２２２から払拭するようにパッドアセンブリに対して指向される任意の流体、ガス又は液体を、その他の装置により与えることができることは理解されよう。更に又、空気ナイフ３２０に代えて、１つ以上の流体ストリーム又はスプレーを使用することも考えられる。
【００２９】
[0034]洗浄流体供給源４０５は、研摩パッドをクリーニングするのに使用される洗浄流体を与える。洗浄流体は、洗浄流体供給源４０５から供給ライン４１０を通して、洗浄流体を研摩パッド２２２へとスプレーする１つ以上のノズル４１２へと供給される。これらノズル４１２は、コンディショニングパッドアセンブリ４１３と同じアーム４２０に配置することができる。一実施形態では、洗浄流体供給源４０５は、ＨＰＷＪ水供給源であり、ノズル４１２は、ＨＰＷＪである。別の実施形態では、洗浄流体は、水又は脱イオン化水である。ノズル４１２は、アーム４２０の横方向に沿って選択的に配置することができる。
【００３０】
[0035]図３は、アーム４２０に取り付けられたノズル４１２の側面図を示している。ノズル４１２は、アーム４２０に取り付けられたレール４０１に沿って移動するガイド４０３に取り付けられている。ノズル４１２は、アクチュエータ（図示していない）を使用してレール４０１に沿って動的に配置され、また、クランプ、止めねじ又は調整ねじ４０２を使用して所定位置にロックされる。
【００３１】
[0036]基板と接触する前に、その洗浄流体及びそこに乗った残渣を除去するため、この実施形態では空気ナイフ３２０として示された下流ディレクタ１２０は、ノズル４１２とキャリヤヘッド２０４との間でパッドアセンブリに対して第２の流体を向けるように（パッド回転により示されるように）設けられた第２のノズルを有する。この第２の流体源は、図１において空気ナイフ３２０として示された第２のノズルへと供給ライン３１０内を移動する流体源３０５により与えられる。空気ナイフ３２０は、パッドを実質的に半径方向に横切るように配向されたシート状において研摩パッドアセンブリ２２２へと流体を与える。従って、パッドアセンブリに分配された洗浄流体がキャリヤヘッド２０４に向かって回転するとき、第２の流体のシートにより、研摩パッドアセンブリから半径方向へと洗浄流体を移動させるようにするバリヤが生成され、それにより、洗浄流体が基板に実質的に接触しないようにされる。別の仕方として、そのようなシートを複数のノズルにより形成するようにすることも考えられる。空気ナイフ３２０は、研摩流体分配ノズル３０６と同じアーム３０４に結合させることができる。
【００３２】
[0037]一実施形態では、第２の流体は、空気である。第２の流体は、基板の処理に悪影響を与えないような任意のガス又は流体であってよいことは理解されよう。第２の流体は、洗浄流体を除去するに十分な力でもって空気ナイフ３２０から分配される。一実施形態では、第２の流体は、少なくとも２００ｍｍの直線スパンに亘ってパッドアセンブリに衝突するように空気ナイフから分配され、別の実施形態では、第２の流体は、少なくとも３００ｍｍの直線スパンに亘ってパッドアセンブリに衝突するように空気ナイフから分配される。
【００３３】
[0038]図４Ａ及び図４Ｂは、ここに説明するＥＣＭＰステーションにおいて使用することのできる下流ディレクタの代替的実施形態を示している。図４Ａに示した実施形態では、下流ディレクタ６００は、研摩パッドアセンブリ２２２に面する側に１つ以上の吸引ポート６０４を有する本体６０２を含む。その吸引ポート６０４は、本体６０２に形成された出口ポート６０６に結合されている。その出口ポート６０６は、真空源６１０に結合される。真空源６１０は、本体６０２が研摩パッドアセンブリ２２２に近接配置される時に、洗浄流体がディレクタ６００を通してパッドアセンブリ２２２の表面から除去されるように、吸引ポート６０４を通して真空を引く。下流ディレクタ６００は、研摩流体分配アーム３０４（図４Ｂには示されていない）に結合されてもよいし、又は、別の適当な部材により支持されてもよい。
【００３４】
[0039]図４Ｂに示す実施形態では、下流ディレクタ７００は、研摩パッドアセンブリ２２２に面する側にリップ７０４を有する本体７０２を含む。このリップ７０４は、パッドアセンブリ２２２の表面に接触するときにその表面を損傷しないような材料で形成される。一実施形態では、リップ７０４は、エラストマー又はプラスチックのようなポリマーである。そのリップ材料は、パッドアセンブリ２２２上に分配される流体に適合したものが選択される。本体７０２が研摩パッドアセンブリに近接配置され、又は研摩パッドアセンブリ２２２と接触させられるとき、そのディレクタ７００のリップ７０４は、パッドアセンブリ２２２の表面から洗浄流体を払拭する。下流ディレクタ７００は、研摩流体アーム３０４（図４Ｂには示されていない）に結合されてもよいし、又は、別の適当な部材により支持されてもよい。
【００３５】
[0040]図２は、ＥＣＭＰステーションの簡略上面図である。ノズル４１２は、パッド２２２に対して回転されるように、アーム４２０に取り付けられている。また、パッド２２２の上方表面に対するノズル４１２の高さは、調整可能とすることができる。アーム４２０は、便宜上、その中心線３７５がパッド２２２の半径方向中心線３７０に対してある角度をなした状態で示されている。アーム４２０は、ノズル４１２が研摩パッド２２２と,
その周辺との間の任意の点に達することができるように、その軸Ｐの周りに旋回できるものとされていることを理解されたい。矢印３８０は、パッド２２２の回転の方向を示している。
【００３６】
[0041]空気ナイフ３２０は、パッド２２２に対して回転されうるように、アーム３０４に取り付けられている。また、パッド２２２の上方表面に対する空気ナイフ３２０の高さは、調整可能とすることができる。アーム３０４は、便宜上、その中心線がパッド２２２の半径方向中心線３７０に対してある角度をなした状態で示されている。アーム３０４は、空気ナイフ３２０が研摩パッド２２２に亘って配向されるように、その軸Ｑの周りに旋回できるものとされていることを理解されたい。矢印３８１及び３８２は、空気ナイフ３２０により研摩パッド２２２から除去されていくときの第２の流体の路を示している。
【００３７】
[0042]動作において、洗浄流体が、コンディショニング中及び／又はコンディショニングの後で高圧において研摩パッド上へとスプレーされる。洗浄流体跡は、研摩パッド表面から遊離された残渣と共に、空気ナイフによりパッド表面へ分配された第２の流体により研摩パッドから除去されていく。一実施形態では、洗浄流体は、約１５００ｐsｉから約２０００ｐsｉにおいて研摩パッドへと指向される。一実施形態では、洗浄流体は、約１６５０ｐsｉから約１９００ｐsｉにおいて研摩パッドへと指向される。更に別の実施形態では、洗浄流体は、約１８００ｐsｉから約１８５０ｐsｉにおいて研摩パッドへと指向される。クリーニング中に、洗浄流体は、アーム４２０をその軸Ｐの周りに旋回させることにより、研摩パッドの表面に亘って掃引される。任意的に、ノズル４１２は、そのアームに沿って移動させることができる。
【００３８】
[0043]研摩パッドは、クリーニング中に、その研摩パッドの全区域が洗浄流体でスプレーされるように、回転させられる。研摩パッドは、クリーニング処理中に、約１０rpmから約１００rpmにおいて回転させられる。別の実施形態では、研摩パッドは、クリーニング処理中に、約３０RPMから約６０RPMにおいて回転させられる。別の実施形態では、研摩パッドは、クリーニング処理中に、約４０RPMから約５０RPMにおいて回転させられる。
【００３９】
[0044]洗浄流体は、孔を含めて研摩パッドの実質的にすべての表面から残渣を清掃する。洗浄流体のスプレーは、研摩パッドの縁部の方へと向けられて、洗浄流体の跡内に集められた残渣を払拭するようにする。空気ナイフにより与えられる第２の流体は、洗浄流体跡並びに洗浄流体跡により集められた残渣を払拭する。アーム３０４は、必要に応じて、その軸の周りに旋回できるようにすることができる。
【００４０】
[0045]第２の流体及び洗浄流体は、同時に研摩パッドへ与えることができる。本発明によれば、第２の流体を洗浄流体の前に与えて、遊離残渣を研摩パッド表面から除去できるようにすることも考えられる。更に又、洗浄流体を第２の流体の前に研摩パッドへ与えるようにすることも考えられる。
【００４１】
[0046]クリーニング中に研摩パッドを回転させると、クリーニング処理に効果がある。もし、研摩パッドを回転させない場合には、洗浄流体は、ノズル４１２を保持しているアームがその軸の周りに回転するときにカバーする区域のみに高圧で与えられてしまうことになる。研摩パッドの他の区域は、洗浄流体跡を受けるのみとなってしまうであろう。
【００４２】
[0047]図５は、本発明のパッドクリーニングアセンブリの別の実施形態を有する別のＥＣＭＰステーション８００の平面図である。このＥＣＭＰステーション８００は、一般的には、パッドアセンブリ２２２をコンディショニングするための回転ディスク４１３、研摩流体分配ノズル３０６を含み、任意的に、下流ディレクタ１２０を含む。このＥＣＭＰステーション８００は、また、流体の無いゾーン８０４を生成するため、矢印８２０により示されるように、パッドアセンブリ２２２から離れるように研摩流体８０６を指向させる（基板１１４の通過後又は基板１１４の研摩後）ための上流ディレクタ８０２も含む。流体の無いゾーン８０４は、一般的には、上流ディレクタ８０２とＨＰＷＪノズル４１２との間に画成される。流体の無いゾーン８０４は、図６に示されたＥＣＭＰステーション８００の部分側面図に例示されるように、上流ディレクタ８０２の直ぐ上流（パッドの回転を通して）のパッドアセンブリ２２２の区域に比較して、実質的に全く研摩流体８０６の無い区域である。洗浄流体８０８は、研摩パッドアセンブリ２２２の流体の無いゾーン８０４にスプレーされる。研摩流体の実質的に全てが上流ディレクタ８０２によりパッドアセンブリの表面から除去されるので、洗浄流体は、より高いエネルギーでもってパッド表面に衝突し、それにより、パッドアセンブリ２２２の孔から残渣をより効果的に除去することができる。上流ディレクタ８０２は、パッドから研摩流体を移動させるのに適したガスストリーム又はスプレー、真空、ワイパー又は他の物体又は装置のうちの少なくとも１つであってよく、下流ディレクタ１２０に関して説明したのと同様の構成とすることができる。
【００４３】
[0048]下流ディレクタ１２０が設けられた実施形態では、洗浄流体８０８は、パッドアセンブリ２２２に研摩流体８０６を分配する前に、矢印３８１、３８２で示されるように、パッドアセンブリ２２２から除去される。従って、下流ディレクタ１２０は、基板１１４の直前において洗浄流体８０８と研摩流体８０６とが混ざり合うのを実質的に防止する。
【００４４】
[0049]本発明の種々な実施形態について前述してきたのであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、本発明の他の更なる実施形態が考えられるものであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって決定されるものである。
【符号の説明】
【００４５】
１０２…ＥＣＭＰステーション、１０８…ベース、１１４…基板、１１５…特徴部側部、１２０…下流ディレクタ、１３８…アーム、１５２…平坦化ヘッドアセンブリ、２０２…駆動システム、２０４…キャリヤヘッド、２０８…接触層、２１２…中空駆動シャフト、２１４…シャフト、２１５…サブパッド、２１６…保持リング、２１８…孔、２２２…研磨パッドアセンブリ、２３０…プラテンアセンブリ、２３２…モータ、２３８…ベアリング、２４４…電源、２４６…真空源、２４８…研磨流体供給源、２７６…回転カップラー、２９２…電極、３０４…研磨流体分配アーム、３０５…流体源、３０６…研摩流体分配ノズル、３１０…供給ライン、３１５…支持構造体、３２０…空気ナイフ、３７０…パッドの半径方向中心線、３７５…アームの中心線、４０１…レール、４０２…クランプ、止めねじ又は調整ねじ、４０３…ガイド、４０４…クリーニング流体供給源、４０５…洗浄流体供給源、４１０…供給ライン、４１２…ノズル、４１３…コンディショニングパッドアセンブリ（回転ディスク）、４１５…支持構造体、４２０…アーム、４７５…アームの中心線、６００…下流ディレクタ、６０２…本体、６０４…吸引ポート、６０６…出口ポート、６１０…真空源、７００…下流ディレクタ、７０２…本体、７０４…リップ、８００…ＥＣＭＰステーション、８０２…上流ディレクタ、８０４…流体の無いゾーン、８０６…研摩流体、８０８…洗浄流体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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