(57)【要約】有機発光装置であって、アノード、カソード、前記アノードおよび前記カソードの間に位置する発光層を含み、前記発光層は次の式１を有する発光金属錯体を含み、【化１】2009509320.tif 000070  上記式において、Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）、Ｗ（０）、Ｉｒ（ＩＩＩ）またはＯｓ（ＩＩ）を表し、Ｌ１は３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４はリガンドを表し、Ｌ１は次の式２を有し、【化２】2009509320.tif 000071  上記式において、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれヘテロアリール環を含む基を表し、＊はＭへの配位結合を表し、Ｌ１中のＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３を定義する本明細書を通じて、＊はＭへの配位結合を表す有機発光装置。【選択図】図２
2009509320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光装置であって、
アノード、
カソード、
前記アノードおよび前記カソードの間に位置する発光層を含み、前記発光層は次の式１を有する発光金属錯体を含み、
【化１】
2009509320.tif 000048
上記式において、Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）、Ｗ（０）、Ｉｒ（ＩＩＩ）またはＯｓ（ＩＩ）を表し、Ｌ１は３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４はリガンドを表し、Ｌ１は次の式２を有し、
【化２】
2009509320.tif 000049
上記式において、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれヘテロアリール環を含む基を表し、＊はＭへの配位結合を表す。
Ｌ１中のＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３を定義する本明細書を通じて、＊はＭへの配位結合を表す有機発光装置。
【請求項２】
Ｌ１は発光３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は独立して支持リガンドを表す請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）を表す請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記金属錯体は中性である請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３中のヘテロアリール環はＭに直接配位結合する請求項１〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３においてヘテロアリール環中のヘテロ原子はＭに直接配位結合する請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３に含まれるヘテロアリール環は、それぞれ少なくとも１つの窒素ヘテロ原子を含む請求項１〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、式７〜１１の１つによって示される式を有するヘテロアリール環を有し、
【化３】
2009509320.tif 000050
上記式において、＊はＭへの直接配位結合を表し、Ｘ，ＹおよびＺはそれぞれ独立してヘテロ原子を表し、
【化４】
2009509320.tif 000051
はＲ１への結合を表す請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、式１２〜１４の１つによって示される式を有するヘテロアリール環を有する請求項８に記載の装置。
【化５】
2009509320.tif 000052
上記式において、＊はＭへの配位結合を表し、ＲはＨまたは置換基を表し、
【化６】
2009509320.tif 000053
はＲ１への結合を表す請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、式２２〜２６の１つによって示される式を有するヘテロアリール環を有し、
【化７】
2009509320.tif 000054
上記式において、＊はＭへの直接配位結合を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は、独立して置換基を表し、
【化８】
2009509320.tif 000055
はＲ１への結合を表す請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記式２２〜２６のそれぞれのヘテロアリール環は、Ｒ３および／またはＲ４および／またはＲ５に共役的に結合している請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
Ｒ１に加わる２つの置換基は式７〜１４のそれぞれのヘテロ環上に存在し、前記２つの置換基は結合してヘテロアリール環はそこに共役的に結合される第２の環を有する請求項８または９に記載の装置。
【請求項１３】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、式２７または２８を有する基を含み、
【化９】
2009509320.tif 000056
上記式において、＊はＭへの配位結合を表し、Ｘはヘテロ原子を表し、
【化１０】
2009509320.tif 000057
はＲ１への結合を表す請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
Ｌ１が一般式３１を含む請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置であって、
【化１１】
2009509320.tif 000058
上記式において、ＸおよびＹはそれぞれ独立してヘテロ原子を表し、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれ独立して請求項１〜１２に記載のヘテロアリール環を表し、＊はＭへの配位結合を表す請求項１〜１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
Ｌ１が一般式３３を含む請求項１ないし１３のいずれかに記載の装置であって、
【化１２】
2009509320.tif 000059
上記式において、ＸおよびＹはそれぞれ独立してヘテロ原子を表し、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒはヘテロアリール環を表し、＊はＭへの配位結合を表す請求項１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
ＸおよびＹはＮを表す請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
Ｒ１が
【化１３】
2009509320.tif 000060
を表し、Ｒ５はＨまたは置換基である請求項１ないし１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記金属錯体は、式３４、３７、６７、４１または４３のいずれかを含み、
【化１４】
2009509320.tif 000061
上記式において、ＭおよびＲ１は請求項１ないし１７のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表し、
【化１５】
2009509320.tif 000062
上記式において、ＭおよびＲ１は請求項１ないし１７のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表し、
【化１６】
2009509320.tif 000063
上記式において、ＭおよびＲ１は請求項１ないし１７のいずれかで定義されるものであり、少なくともＬ２およびＬ３の１つはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表し、
【化１７】
2009509320.tif 000064
上記式において、ＭおよびＲ１は請求項１ないし１７のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２は独立してＣＯまたはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表し、
【化１８】
2009509320.tif 000065
上記式において、ＭおよびＲ１は請求項１ないし１７のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２は独立してＣＯまたはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
一般式１を有する発光金属錯体であって、
【化１９】
2009509320.tif 000066
上記式において、Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）、Ｗ（０）、Ｉｒ（ＩＩＩ）またはＯｓ（ＩＩ）を表し、Ｌ１は３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は独立してリガンドを表し、Ｌ１は次の式２を有し、
【化２０】
2009509320.tif 000067
Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれヘテロアリール環を含む基を表し、＊はＭへの配位結合を表し、
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中に含まれるヘテロアリール環はそれぞれ独立して共役的にアリールまたはヘテロアリールに結合する発光金属錯体。
【請求項２０】
Ｌ１は発光３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は独立して支持リガンドを表す請求項１９に記載の発光金属錯体。
【請求項２１】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、式７〜１１の１つのいずれかで示されるヘテロアリール環を含む請求項１９または２０に記載の金属錯体であって、
【化２１】
2009509320.tif 000068
上記式において、＊はＭへの配位結合を表し、Ｘ，ＹおよびＺはそれぞれ独立してヘテロ原子を表し、
【化２２】
2009509320.tif 000069
はＲ１への結合を示す金属錯体。
【請求項２２】
アリールおよびヘテロアリール基はＡｒ１，Ａｒ２および／またはＡｒ３中のヘテロアリール環に結合される請求項１９〜２１のいずれかに記載の金属錯体。
【請求項２３】
請求項１〜１８のいずれかにに記載される装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項１９〜２２のいずれかに記載の金属錯体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属錯体を含む有機発光装置およびその製造方法に関するものである。本発明は、また、新規な金属錯体および有機発光装置に使用される金属錯体を含む新しい組成物にも関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この１０年間、高効率材料または高効率装置構造の開発による発光装置の発光効率の改良に多くの努力がなされてきた。
【０００３】
図１は、典型的なＬＥＤの断面図を示す。この装置は、アノード２、カソード５および前記アノードおよびカソードの間に位置する発光層４を有する。アノードは、例えば、透明なインジウム錫酸化物層である。カソードは、例えば、ＬｉＡｌである。装置に注入される正孔および電子は発光層中で放射的に再結合する。この装置のさらなる特徴は、光学正孔輸送層３である。正孔輸送層は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）である、これは、アノードから注入された正孔が発光層に到達するのを促進するエネルギーレベルを提供する。
【０００４】
公知のＬＥＤは構造は、カソード５および発光層４に間に位置する電子輸送層を有することができる。これは、カソードから注入された電子を発光層に到達するのを促進するエネルギーレベルを提供する。
【０００５】
ＬＥＤにおいては、対向する電極から注入された電子と正孔は結合して２つのタイプの励起子、すなわち、スピンが対称の３重項とスピンが非対称の１重項を形成する。１重項からの放射性崩壊（蛍光）は速いが、３重項から（燐光）はスピン保存性から公式には禁じられている。
【０００６】
過去数年間、燐光性材料を発光層に混合する多くの研究がなされてきた。しばしば、燐光材料は金属錯体であるが、これに限定されない。さらに、金属錯体もしばしば蛍光性である。
【０００７】
金属錯体リガンドにより囲まれた金属イオンを含む。金属錯体中のリガンドはいくつかの役割を有する。リガンドは、金属から電子を受け取り発光する「発光」リガンドであり得る。あるいは、非放射性通路によるエネルギーロスを防ぐために金属エネルギーレベルに影響を与えるために単純に存在する（「支持」リガンド）。例えば、非放射性通路によるエネルギーロスを防ぐために、金属に配位される支持リガンドとして強結晶場リガンドを有することが有利になり得る。当業者に公知の一般的な強結晶場リガンドとしては、ＣＯ、ＰＰｈ３および負電荷の炭素原子が金属に結合するリガンドがあげられる。Ｎ寄与リガンドも前述のものより弱いが強結晶場リガンドである。
【０００８】
支持リガンドの影響は、金属錯体から発光されるメカニズムの理解から評価され得る。このメカニズムの評価を提供する発光金属錯体の検討については下記に示す。
【０００９】
Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，８７，７１１−７４３４は、有機金属錯体の発光特性に関するものである。この論文は、有機金属錯体において共通に見出された励起状態の簡単な要約を提供する。検討される励起状態は、金属中心軌道からリガンド局部軌道への電子遷移を含む、金属−リガンド電化転移（ＭＬＣＴ）状態を含む。このようにして、公式には、この励起は金属の酸化およびリガンドの還元をもたらす。室温発光の例の大多数はＭＬＣＴ励起状態のためであると言われている。
【００１０】
Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．６３，Ｎｏ，１７，１９９１年９月１日，８２９Ａ〜８３７Ａは、高発光遷移金属錯体、特にプラチナ金属（Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｅ，ＲｈおよびＩｒ）を有するものの設計と応用に関するものである。この論文によれば、発光遷移金属錯体の最も重要な設計規則は、発光は常に最も低い励起状態から生じるということである。錯体の発光の制御は相対的な状態エネルギーおよび最低励起状態の性質およびエネルギーに影響を与える。
【００１１】
金属中心に配位される３座リガンドを有するいくつかの発光金属錯体も公知である。
【００１２】
ＷＯ２００４／０８１０１７は、電子産業における活性成分としてのヘキサデンテートリガンドを有する金属錯体に関するものである。
【００１３】
Ｄｅｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ２００５，１，１１０−１１５は、ヘテロレプティック半挟み錯体の合成の開始材料として適切であるといわれている  
［ＲｈＣｌ３ｔｐｍ＊］の合成について報告している。
【００１４】
Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ２００４，４３（１），２１３−３２３は、２座金属錯体［（ｔｍｐ）Ｒｕ（ｄｐｐｚ）２ｄｐｐ］４＋の２段階合成について開示している。
【００１５】
Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｌｉｃｓ（１９９８），１７（１０），１９４６−１９５５は、リンおよび窒素寄与リガンドを含む発光レニウム（Ｖ）ベンジリディネ錯体の励起状態特性の調整に関するものである。
【００１６】
Ｉｎｏｒｇａｎｉｃａ  Ｃｈｉｍｉｃａ  Ａｃｔａ（１９９４），２２６（１−２），１７１−７は、［Ｒｕ（ｂｐｙ）３］２＋の誘導体である一連の二核錯体に関するものである。
【００１７】
Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  １９９３，３２（７），１１６７−７８は、Ｒｕ−系発色団クエンチ錯体の製造および特性に関するものである。
【００１８】
Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ（１９９２），１１（１６），２１１９−２２は、トリス（２，２’−ビピリジル）ルテニウムＩＩの励起状態の共有結合電子受容金属核による分子内求核置換クエンチに関するものである。
【００１９】
Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ（１９８８），１１０（２３），７７５１−９は、レニウム（ＩＩ）のリガンド置換モノ−２，２’−ビピリジン錯体に関するものである。
【００２０】
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９８，１２０，８７４７−８７５４は、芳香族分子を有するＴｐＲｅ（ＣＯ）２（ＴＨＦ）の反応に関するものである。この論文はＯＬＥＤに関するものではなく、Ｒｅ錯体からの発光については言及していない。
【００２１】
ＵＳ２００５／０１７０２０７は、ＯＬＥＤに使用される燐光性有機材料を開示している。この材料は、多座リガンド系を含む金属錯体である。金属は２または３以上のリガンドに結合され、２または３以上のリガンドは１または２以上の結合基によって共有結合される。
【特許文献１】国際公開２００４／０８１０１７号パンフレット
【特許文献２】米国特許公開２００５／０１７０２０７号明細書
【非特許文献１】Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ２００４，４３（１），２１３−３２３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
上記に鑑みて、効率、色および機能の導入を改良する機会を提供するＬＥＤに使用される新規で安定した金属錯体を特定し設計する必要があることが理解されよう。
【００２３】
したがって、ＬＥＤにおいて発光のために使用される新規な金属錯体およびそれを含むＬＥＤを提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の第１の側面は、有機発光装置であって、
アノード、
カソード、
前記アノードおよび前記カソードの間に位置する発光層であって、前記発光層は次の式１を有する金属錯体を含み、
【化１】
2009509320.tif 000003
【００２５】
上記式において、Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）、Ｗ（０）、Ｉｒ（ＩＩＩ）またはＯｓ（ＩＩ）を表し、Ｌ１は３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４はリガンドを表し、Ｌ１は次の式２を有し、
【化２】
2009509320.tif 000004
【００２６】
上記式において、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれヘテロアリール環を含む基を表し、＊はＭへの配位結合を表す。
【００２７】
Ｌ１中のＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３を定義する本明細書を通じて、＊はＭへの配位結合を表し、
【化３】
2009509320.tif 000005
【００２８】
は、Ｒ１への結合を表す。
【００２９】
ＯＬＥＤへの使用に適する金属錯体であるためには、室温において燐光によって可視光を発光できる必要があることが理解されよう。
【００３０】
好ましくは、Ｌ１は発光３座リガンドを表す。好ましくは、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は支持リガンドを表す。
【００３１】
第１の側面に関係して定義される金属錯体においては、Ｌ１は、非放射性通路、特に振電通路によって励起状態のクエンチを最小化するのを促進することが予期せずに発見された。これは、燐光性発光の効率を高め、放射寿命を延ばし、ＯＬＥＤ効率を高める。有利には、第１の側面に関連して定義される金属錯体はＩｒ核を有する金属錯体の代替として使用することができる。
【００３２】
金属錯体はＭＬＣＴ（金属リガンド電荷転移）であることができる。本出願の文脈において、ＭＬＣＴ発光体からの全ての発光またはＭＬＣＴ発光体からの発光の１成分は金属リガンド転移からのものである。好ましくは、ＭＬＣＴ発光体からの少なくとも５％の発光は金属リガンド電荷転移からのものである。
【００３３】
必須ではないが、金属錯体は青から緑のいずれかの範囲の色を有する光を放射する。緑色の光は、５１０〜５８０ｎｍ、好ましくは５１０〜５７０ｎｍの範囲の波長を有する光の放射を意味する。青色の光は、４００〜５００ｎｍ、好ましくは４３０〜５００ｎｍの範囲の波長を有する放射を意味する。したがって、金属錯体は、４００〜５８０ｎｍの範囲のいずれの波長を発光することができる。
【００３４】
金属錯体は赤色光を放射することができる。赤色の光は、６００〜７５０ｎｍ、好ましくは６００〜７００ｎｍの範囲、より好ましくは、６１０〜６５０ｎｍ、最も好ましくは６５０〜６６０ｎｍ周辺の発光ピークを有する波長の光の放射を意味する。
【００３５】
好ましくは、ＭはＲｅ（Ｉ）を表す。
【００３６】
好ましくは、金属錯体は、必須ではないが、中性である。この目的のため、Ｍが帯電金属を表すとき、Ｌ１は好ましくは帯電している。好ましくは、Ｌ１上の電荷はＭ上の電荷と均衡する。ＭがＲｅ（Ｉ）を表すとき、Ｌ１は好ましくは単価アニオンリガンドである。ＭがＲｅ（０）を表すとき、Ｌ１は好ましくは中性リガンドである。
【００３７】
金属錯体が帯電しているとき、電荷を均衡させる対イオンが存在する。
【００３８】
好ましくは、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は中性リガンドである。
【００３９】
Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は同じであり得る。しかしながら、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の１つは残りの２つと異なり得る。これは金属錯体の対称性を減少させる。
【００４０】
Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は互いに異なり得る。
【００４１】
金属錯体は室温において可視光を発光する限り、いずれの適切な支持リガンドも使用することができる。適切な支持リガンドは、ＴＨＦのような実質的にπ−酸性リガンドを有するリガンドを含むＣＯおよび他の弱い酸性リガンドからすることができる。
【００４２】
１つの実施態様において、Ｌ２＝Ｌ３＝Ｌ４＝ＣＯである。
【００４３】
単座リガンドＬのπ−酸性は、Ｌｉ−Ｎｉ（ＣＯ）３錯体中のＮｉ−Ｃｏ結合の強度を参照して測定される。
【００４４】
Ｌがよりπ−酸性であるほど、ＮｉからＣＯへの電子寄与の戻りはより少なく、Ｎｉ−ＣＯ結合は弱くなる。
【化４】
2009509320.tif 000006
【００４５】
ＣＯリガンドの数を適切に減らすことによって、２座または３座リガンドのための同じ試験が実行された。
【００４６】
適切な支持リガンドは、アルキン、アルキネ、アルキニル、ニトロシル、シアニド、イソシアニド、アミン、フラン、リンおよび亜燐酸塩から選択される。
【００４７】
例えば、
【化５】
2009509320.tif 000007
【化６】
2009509320.tif 000008
である。
【００４８】
本明細書において記載されるＬ２、Ｌ３およびＬ４が共に（ｉ）２座リガンドおよび単座リガンドまたは（ｉｉ）３座リガンドを含むように、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の２つまたは全てが結合される。
【００４９】
リガンドを支持する２座リガンドは次の式５を有する。
【化７】
2009509320.tif 000009
【００５０】
上記式において、それぞれのＲ２は独立して、アルキル、アルコキシ、ハロゲン（好ましくはフッ素）またはアリールを表す。フェニルおよびＮ−ピロリルは好ましい置換基である。
【００５１】
３座支持リガンドは式６を有する。
【化８】
2009509320.tif 000010
【００５２】
Ｒ２は上記のように定義される。Ｒ２はリガンド内の立体的障害を避けるために選択される。
【００５３】
Ｌ１については、これは金属錯体への堅固性を与え、分子の振動を減らす。
【００５４】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３に含まれるヘテロアリール環は、リガンドを機能化する機会を与えるので、有利である。可溶性置換基および電荷輸送置換基のような機能性置換基によって、Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３に特定の機能が導入される。置換基を換えることによって、ｐｉ受領体およびリガンドのシグマ寄与特性に制御を与え、これによって多様なエネルギーレベル、これから発光の色および効率に影響を与える。
【００５５】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、任意の適切なヘテロアリール基、例えば、
【化９】
2009509320.tif 000011
【化１０】
2009509320.tif 000012
を有し、ＲはＨまたは置換基を表す。
【００５６】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３においては、ヘテロアリール環は好ましくはＭに直接配位結合する。しかしながら、これは必須ではなく、Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は上記の硫黄または酸素のような結合基によってＭに配位することができる。Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、アミン結合基の窒素原子によってＭに配位結合することができる。
【００５７】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３においては、ヘテロアリール環中のヘテロ原子は好ましくは直接Ｍに配位結合することができる。
【００５８】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３に含まれるヘテロアリール環は、好ましくは、それぞれ少なくとも１つの窒素ヘテロ原子、より好ましくは２または３の窒素へテロ原子を含む。
【００５９】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３に含まれるヘテロアリール環は、好ましくは５または６員環であり、より好ましくは１、２または３つの窒素ヘテロ原子を含む５または６員環である。
【００６０】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、同じであるか互いに異なる。
【００６１】
Ａｒ１においては、ヘテロアリールアリール環は、第２アリールまたはヘテロアリール基に共役的に結合することができる。同様に、Ａｒ２においては、ヘテロアリール環は第２アリールまたはヘテロアリール基に共役的に結合することができる。同様に、Ａｒ３においては、ヘテロアリール環は第２アリールまたはヘテロアリール基に共役的に結合することができる。第２アリールまたはヘテロアリール環は縮合してヘテロアリール環を形成するか、または単一直接鎖によってこれに結合される。
【００６２】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、式７〜１５の１つによって示される式を有するヘテロアリール環を有することができる。Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、式７〜１５によって示される式を有するヘテロアリール環を有することができる。
【化１１】
2009509320.tif 000013
【化１２】
2009509320.tif 000014
【００６３】
上記式において、Ｘ，ＹおよびＺは独立してヘテロ原子を表す。式１３中のＲはＨまたは置換基を表す。ヘテロアリール環は未置換である。「未置換」とは、Ｒ１以外によって置換されていないことを意味する。あるいは、ヘテロアリール環は、Ｒ１に加えて他の置換基を有することができる。Ｘ，ＹおよびＺのそれぞれは独立してＮ，Ｐ，ＳまたはＯを表すことができる。Ｘ、ＹおよびＺは、それぞれ独立してＮ、Ｐ、ＳまたはＯを表すことができる。Ｘ、ＹおよびＺは同じか異なり得る。単一のヘテロアリール環においては、好ましくは全てのＸ、ＹおよびＺは同じであり、好ましくはＮを表す。
【００６４】
式７〜９および１２〜１４は好ましい。
【００６５】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３は、置換ヘテロアリール環、例えば、式１６〜２１の１つで示される例である。
【化１３】
2009509320.tif 000015
【化１４】
2009509320.tif 000016
【００６６】
ＸおよびＹは上記で定義される。Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は独立して任意の置換基を表し、同じか異なり得る。適切な置換基は、フェニル、ヘテロアリール、アルキル（フルオロアルキルのような置換アルキルを含む）、アルコキシ、シアン、アミドおよびハロゲンから選択され得る。置換基はデンドロンを含むことができる。
【００６７】
式１６〜２１においては、好ましくはＸおよびＹは同じであり、より好ましくは、Ｘ＝Ｙ＝Ｎであり、式２２〜２６を与える。
【化１５】
2009509320.tif 000017
【化１６】
2009509320.tif 000018
【００６８】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中に含まれるヘテロアリール環は、置換基に共役的に結合され得る。例えば、式７〜１５で示されるヘテロアリール環は、置換基に共役的に結合され得る。ヘテロアリール環は、式１７におけるＲ３および／またはＲ４および／またはＲ５に共役的に結合することができる。Ｌ１における共役の拡張の制御により、発光色を調整することができる。Ｌ１における共役の増加は、発光色の赤色シフトをすることが発見された。
【００６９】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３中のヘテロアリール環が置換基に有利に結合するとき、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は、同じであることができ、好ましくはＣＯである。あるいは、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の２つがＣＯであるとき、第３のリガンドは好ましくは弱いπ−酸性のリガンドである。
【００７０】
Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３中に含まれるヘテロアリール環が置換基に共役的に結合されていないとき、またはＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３が未置換のヘテロアリール環からなるとき、好ましくは、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の２つ以下、より好ましくは１以下がＣＯを表す（または、他の同様のπ−酸性を有するリガンド）。Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３中に含まれるヘテロアリール環が置換基に共役的に結合されていないとき、またはＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３が未置換のヘテロアリール環からなるとき、好ましくは、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４の２または全てがＣＯ以外の弱いπ酸性ＣＯを表す。
【００７１】
式７〜１５において、２つの置換基（Ｒ１に加えて）はヘテロアリール環上に存在する、この２つの置換基は隣接する置換基である。置換されたヘテロアリール環が、ヘテロアリール環を共役的に結合して形成する第２の環を含むように、この２つの置換基は結合される。第２の環はヘテロアリールまたはアリールである。好ましくは、第２の環は６−員環である。例えば、置換されたヘテロアリール環が式２７〜３０に示されるような、共役的に結合してヘテロアリール環を形成するように、第２の環式１７、１９、２３または２５におけるＲ３およびＲ４は結合され得る。
【化１７】
2009509320.tif 000019
【００７２】
式２７〜３０のいずれかにおける環は、１、２、３または４つの置換基で置換されることができる。置換基は同じか異なることができる。適切な置換基は、フェニル、ヘテロアリール、アルキル（フルオロアルキルのような置換アルキルを含む）、アルコキシ、シアン、アミドおよびハロゲンから選択され得る。置換基はデンドロンを含むことができる。
【００７３】
Ｌ１は、一般式３１を有することができる。
【化１８】
2009509320.tif 000020
【００７４】
上記式において、ＸおよびＹはそれぞれ独立してヘテロ原子を表し、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は本明細書のいずれかで定義されるヘテロアリール環を有する基を表し、＊はＭへの配位結合を表す。
【００７５】
式３１において、ＸおよびＹのそれぞれは独立してＮ、Ｐ、ＳまたはＯを表すことができる。好ましくは、必須ではないが、Ｌ１中において、Ｘは全て同じであり、Ｙは全て同じである。好ましくは、全てのＸおよびＹは同じであり、好ましくはＮを表す。
【化１９】
2009509320.tif 000021
【００７６】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３が同じであるとき、便宜のため、式３１は式３３として描かれる。
【化２０】
2009509320.tif 000022
【００７７】
上記式において、Ａｒは本明細書のいずれかに記載されるヘテロアリール環を表す。  
【００７８】
架橋基Ｒ１について言及すると、Ｒ１は通常、
【化２１】
2009509320.tif 000023
【００７９】
を表し、Ｒ５は、Ｈまたは置換基である。適切な置換基は、アルキル、アリールおよびヘテロアリール基並びに溶解性または製造容易性を改良するための有機デンドロンを含む。Ｒ１が、
【化２２】
2009509320.tif 000024
【００８０】
を表すとき、これはＲ１に負電荷を与え、例えば、ＭがＲｅ（１）であるとき、Ｍ上の電荷を均衡させるのに有益である。
他の適切なＲ１基は、
【化２３】
2009509320.tif 000025
【００８１】
を含み、上記式において、Ｒ６はＨまたは置換基である。Ｒ６は、Ｒ１に負電荷を与えるために、例えば、ＳＯ３−、ＢＦ３−、Ｏ−またはＣＯ２−のアニオン基を表すことができる。
【００８２】
Ｒ１は、例えば、共役をさらに増やすことにより発光波長を調整するため、選択される。したがって、Ｒ１はＡｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３に共役して結合することができる。
【００８３】
金属錯体は、式３４を有することができる。
【化２４】
2009509320.tif 000026
【００８４】
上記式において、ＭおよびＲ１は本明細書のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｍは、例えば、式３５または式３６に示されるＲｅを表す。
【化２５】
2009509320.tif 000027
【００８５】
上記式において、Ｒは、アルキル、アリール、ハロゲン、アルコキシ、アミドまたは窒素配位結合へテロ環を表す。窒素へテロ環は共役されることができ、例えば、ピロリルであり、非共役でもあり得る。
【化２６】
2009509320.tif 000028
【００８６】
Ｒは、ｔ−Ｂｕのようなアルキル基を表す。
【００８７】
金属は、式３７を有することができる。
【化２７】
2009509320.tif 000029
【００８８】
上記式において、ＭおよびＲ１は本明細書のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｍは、例えば、式３８または式３９に示されるＲｅを表す。
【化２８】
2009509320.tif 000030
【００８９】
上記式において、Ｒは、アルキル、アリール、ハロゲン、アルコキシ、アミドまたは窒素配位結合へテロ環を表す。窒素へテロ環は共役されることができ、例えば、ピロリルであり、非共役でもあり得る。
【化２９】
2009509320.tif 000031
【００９０】
上記式において、Ｒは、ｔ−Ｂｕのようなアルキル基を表す。
【００９１】
式３４〜３９の１つのフェニル環は１、２、３または４つの置換基で置換することができる。置換基は、同じか異なる。適切な置換基は、フェニル、ヘテロアリール、アルキル（フルオロアルキルのような置換アルキルを含む）、アルコキシ、シアン、アミドおよびハロゲンから選択され得る。置換基はデンドロンを含むことができる。
【００９２】
金属錯体は式６７を有することができる。
【化３０】
2009509320.tif 000032
【００９３】
上記式において、ＭおよびＲ１は本明細書のいずれかで定義されるものであり、少なくとも１つのＬ２およびＬ３はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｌ２およびＬ１はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、例えば、式４０に示されるＲｅを表す。
【化３１】
2009509320.tif 000033
【００９４】
金属錯体は式４１を有することができる。
【化３２】
2009509320.tif 000034
【００９５】
上記式において、ＭおよびＲ１は本明細書のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２およびＬ３は独立してＣＯまたはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｌ２およびＬ３の少なくとも１つはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。より好ましくは、Ｌ２およびＬ３はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｍは、例えば、式４２に示されるＲｅを表す。
【化３３】
2009509320.tif 000035
【００９６】
金属錯体は、式４３を有することができる。
【化３４】
2009509320.tif 000036
【００９７】
上記式において、ＭおよびＲ１は本明細書のいずれかで定義されるものであり、Ｌ２およびＬ３は独立してＣＯまたはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｌ２およびＬ３の少なくとも１つはＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｌ２およびＬ３はＣＯ以外の弱いπ−酸性リガンドを表す。好ましくは、Ｍは、例えば、式４４に示されるＲｅを表す。
【化３５】
2009509320.tif 000037
【００９８】
式３４、３７、６７、４１および／または４３におけるＲ１は、例えば、さらに共役を増加させることによって発光波長を調整するために選択される。
【００９９】
式３４〜４４および６７において、示されたヘテロアリール環はさらに置換される。
【０１００】
本発明の第２の側面は本発明の第１の側面で定義される新規な金属を提供する。特に、第２の側面は一般式１を有する発光金属錯体を提供する。
【化３６】
2009509320.tif 000038
【０１０１】
上記式において、Ｍは、Ｒｅ（Ｉ）、Ｗ（０）、Ｉｒ（ＩＩＩ）またはＯｓ（ＩＩ）を表し、Ｌ１は３座リガンドを表し、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は独立してリガンドを表し、Ｌ１は次の式２を有することを特徴とする。
【化３７】
2009509320.tif 000039
【０１０２】
上記式において、Ｒ１は架橋基を表し、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３はそれぞれヘテロアリール環を表し、＊はＭへの配位結合を表し、Ａｒ１、Ａｒ２および／またはＡｒ３中のヘテロアリール環はそれぞれアリールまたはヘテロアリール基に独立して共役的に結合される。
【０１０３】
Ａｒ１において、ヘテロアリール環は共役的に縮合してそれぞれアリールまたはヘテロアリール基を形成し、または単一の直接結合によって共役的に結合してされている。同様に、Ａｒ２においては、ヘテロアリール環は共役的に縮合してそれぞれアリールまたはヘテロアリール基を形成するか、または単一の直接結合によって共役的に結合してされている。同様に、Ａｒ３おいては、ヘテロアリール環は共役的に縮合してそれぞれアリールまたはヘテロアリール基を形成するか、または単一の直接結合によって共役的に結合してされている。
【０１０４】
本発明の第２の側面の発光金属錯体は、Ｒｅ（Ｉ）およびＷ（０）においては、３座リガンドＬ１は金属錯体の発光色を調整することを可能にする。
【０１０５】
本発明の第２の側面の金属錯体は、本発明の第１の側面の金属錯体に関連した上記のいずれかで定義され、ただし、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中のヘテロアリール環はそれぞれアリールまたはヘテロアリール基に独立して共役的に結合される。
【０１０６】
特に、好ましいＭ、並びに、支持リガンド、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は、本発明の第１の側面に関連して定義される。
【０１０７】
Ｌ１に関しては、ＭがＲｅ（Ｉ）を表すとき、Ｌ１は好ましくは単座リガンドである。ＭがＷ（０）を表すとき、Ｌ１は好ましくは中性リガンドである。
【０１０８】
好ましいＬ１は、本発明の第１の側面に関連して上記で記載され、ただし、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中のヘテロアリール環はそれぞれアリールまたはヘテロアリール基に独立して共役的に結合される。
【０１０９】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中の適切なヘテロアリール環は本発明の第１の側面に関連して式７〜２６において示されたものを含む。
【０１１０】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３中のアリールまたはヘテロアリール環は、フェニルのような６員環を好ましく含む。
【０１１１】
アリールまたはヘテロアリール置換基はヘテロアリール環上の任意の適切な位置に配置され得る。ヘテロアリール環上には、１または２以上、例えば、２つのアリールまたはヘテロアリール基が存在し得る。
【０１１２】
Ｌ１は、本発明の第１の側面に関連して一般式３１、３２または３３を含むことができる。
【０１１３】
架橋基Ｒ１を参照すると、Ｒ１は、本発明の第１の側面に関連して上記のいずれかで記載される。
【０１１４】
本発明の第２の側面の金属錯体中のＬ１リガンドは対称または対称ではない。
【０１１５】
本発明の第３の側面は本発明の第１の側面で定義される装置の製造方法を提供するものである。金属錯体を含む発光層は、溶液プロセス、例えば、スピンコートによって形成される。
【０１１６】
本発明の第４の側面は、本発明の第２の側面に関連して定義される金属錯体を製造する方法を提供する。望ましいリガンドは適切なリガンド交換反応によって金属錯体に導入され得る。このような反応は当業者に公知である。３座リガンドＬ１は、例えば、金属錯体中の３座リガンドを交換することによって金属錯体に導入される。Ｌ１が帯電すると、リガンドが交換するものはＬ１と同じ電荷を集合的に有さなければならない。例えば、Ｒｅ（Ｉ）錯体の場合、Ｌ１は好ましくは−１の電荷を有する。したがって、それが交換するリガンドは集合的に−１の電荷、例えば、２つの中性単座リガンド（例えば、ＣＯ）およびモノアニオン単座リガンド（例えば、Ｃｌ）を有する。
【０１１７】
本発明は、図面を参照しながら詳細に説明される。
【０１１８】
追加の層、電荷輸送、電化注入または電荷遮断層がアノード２およびカソード３の間に位置され得る。  
【０１１９】
特に、半導体ポリマー層中へのアノードからの正孔に注入を促進するために、アノード２と電子発光層３の間に位置するドープされた有機材料から形成される導電性正孔注入層を供給することが望ましい。ドープされた有機正孔注入材料の例は、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、特に、ＥＰ０９０１１７６およびＥＰ０９４７１２３に開示されるポリスチレンスルファネート（ＰＳＳ）を有するＰＥＤＴ、またはＵＳ５７２３８７３およびＵＳ５７９８１７０に開示されるポリアニリンを含む。
【０１２０】
もし存在するならば、アノード２（または、存在するならば正孔注入層）および発光層３は、好ましくは５．５ｅＶ以下、より好ましくは約４．８〜５．５ｅＶのＨＯＭＯレベルを有する。
【０１２１】
もし存在するならば、発光層３およびカソード４の間に位置する電子輸送層は好ましくは、約３〜３．５ｅＶのＬＵＭＯレベルを有する。
【０１２２】
発光層３は金属錯体およびホスト材料を有する。好ましくは、ホスト材料は、いくつかの場合に同じかわずかに低いが、発光体より高いＴ１を有する。ホスト材料は金属錯体と混合され得るか、または金属錯体がホスト材料に共有結合される。発光層は１または２以上の追加の材料を有することができる。特に、金属錯体およびホスト材料は、例えば、ＷＯ９９／４８１６０に開示されるような正孔および／または電子材料と混合される。金属錯体は電荷輸送材料に共有結合され得る。
【０１２３】
ＣＢＰとして知られる４，４’−ビス（カルバゾール−９イル）ビフェニルのような「低分子」ホスト材料、およびＩｋａｉ  ｅｔ  ａｌ．に開示されるＴＣＴＡとして知られる（４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９イル）トリフェニルアミン）を含む多くの金属錯体のためのホスト材料が公知文献に記載されている。ポリマー、特に、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２０００，７７（１５），２２８０に開示されるポリ（ビニルカルバゾール）のようなホモポリマー、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．２００１，１１６，３７９，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ２００１，６３，２３５２０６に開示されるポリフルオレン、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９９９，１１（４），２８５に開示されるＮ−メチルアミノ）−Ｎ−（２，５−ジ−タートブチルフェニル−ナフタルイミドおよびＪ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．２００３，１３，５０−５５に開示されるポリ（パラフェニレン）のようなポリマーがホスト材料として知られる。コポリマーもホスト材料として知られている。
【０１２４】
カソード４は電子を電子発光層に注入することができる仕事関数を有する材料から選択される。例えば、カソードと電子発光材料の間に悪い相互作用の可能性のような他のファクターもカソードの選択に影響する。カソードはアルミニウム層のような単一層からなることができる。あるいは、複数の金属、例えば、ＷＯ９８／１０６２１に開示されるカルシウムおよびアルミニウムの２層、ＷＯ９８／５７３８１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００２，Ｂ１（４），６３４およびＷＯ０２／４８２５８に開示されるバリウム元素、例えば、ＷＯ００／４８２５８に開示されるフッ化リチウム、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００１，７９（５），２００１に開示されるフッ化バリウムのような電子の注入を促進する誘電体の薄層を含む。装置への電子の注入を促進するために、カソードは好ましくは３．５ｅＶ未満、より好ましくは３．２ｅＶ未満、および最も好ましくは３ｅＶ未満の仕事関数を好ましくは有する。
【０１２５】
光学装置は、湿気および酸化に敏感な傾向にある。したがって、基板は好ましくは湿気および酸素が装置に侵入するのを防止するための良好な遮断特性を有する。基板は、通常はガラスであり、しかしながら、特に、装置の柔軟性が望ましい場合は、他の基板が使用され得る。例えば、プラスチックおよび遮断層の交互層基板、またはＥＰ０９４９８５０に開示されるガラスおよびプラスチックのラミネートを開示するＵＳ６２６８６９５に開示されるようにプラスチックを含む。
【０１２６】
この装置は、好ましくは、湿気および酸素の浸入を防止するためにカプセル材（図示しない）によってカプセル化される。適切なカプセル材は、ガラスのシート、例えば、ＷＯ０１／８１６４９に開示されるポリマーおよび誘電体層の交互積層のような遮断特性を有するガラスのシート、例えば、ＷＯ０１／８１６４９に開示されるような誘電体、例えば、ＷＯ０１／１９１４２に開示される密封容器を含む。基板またはカプセル材を貫通する湿気および酸素を吸収するためのゲッター材料は、基板とカプセル材の間に配置される。
【０１２７】
実用的なＯＬＥＤは、（光応答装置の場合には）光が吸収され、（ＯＬＥＤの場合には）光が放射されるように、電極の少なくとも１つは半透明である。アノードが透明である場合、通常インジウム錫酸化物からなる。透明カソードの例は、例えば、ＧＢ２３４８３１６に開示される。
【０１２８】
図２の実施態様は、最初に、基板上にアノードを形成し、続いて電子発光層およびカソードを蒸着することより形成される装置を例示するが、本発明の装置は、最初に、基板上にカソードを形成し、続いてアノード上に電子発光層を蒸着することによっても形成できる。
【０１２９】
電荷輸送ポリマーは、アリーレン繰返し単位、特に、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．１９９６，７９，９３４に開示される１，４−フェニレン繰返し単位、ＥＰ０８４２２０８に開示されるフルオレン繰返し単位、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ２０００, ３３（６），２０１６−２０２０に開示されるインデノフルオレン繰返し単位、および例えば、ＥＰ０７０７０２０に開示されるスピロフルオレン繰返し単位を含む第１の繰返し単位を含む。置換基の例は、Ｃ１−２０アルキルまたはアルコキシのような可溶性基、フッ素のような電子誘引基、フッ素、窒素またはシアンのような電子誘引基、ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を増加させるための置換基を含む。
【０１３０】
特に、好ましい電荷輸送ポリマーは、任意に置換された、２，７−結合フルオレン、最も好ましくは式４５の繰返し単位を含む。
【化３８】
2009509320.tif 000040
【０１３１】
上記式において、Ｒ５およびＲ６は、水素または任意に置換されたアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリールおよびヘテロアリールアルキルから独立して選択される。より好ましくは、Ｒ５およびＲ６の少なくとも１つは任意に置換されたＣ４−Ｃ２０アルキルまたはアリール基を含む。
【０１３２】
第１の繰返し単位を含むポリマーは、使用される装置の層および共繰返し単位の性質に応じて、正孔輸送、電子輸送および発光機能の１または２以上の機能を提供する。  
【０１３３】
特に、
１）９、９−ジアルキルフルオレン−２，７−ジイルのホモポリマーのような第１の繰返し単位のホモポリマーが電子輸送を提供するために利用される。
２）第１の繰返し単位およびトリアリールアミン繰返し単位を含むコポリマー、特に、式４６〜５１から選ばれる繰返し単位は正孔輸送を提供するために利用され得る。
【化３９】
2009509320.tif 000041
【０１３４】
上記式において、Ａ１、Ｂ１、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、Ｈまたは置換基から独立して選択される。より好ましくは、Ａ１、Ｂ１、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、任意に置換された、分岐状または直鎖アルキル、アリール、ペルフルオリアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリールおよびアリールアルキル基からなる群より選択される。最も好ましくは、Ａ１、Ｂ１、ＡおよびＢは、Ｃ１−１０アルキルである。
【０１３５】
このタイプの特に好ましい正孔輸送ポリマーは、第１の繰返し単位およびトリアリールアミンのＡＢコポリマーである。
【０１３６】
第１の繰返し単位およびヘテロアリーレン繰返し単位を含むコポリマーは電荷輸送のために利用され得る。好ましいヘテロアリーレン繰返し単位は、式５２〜６６から選択される。
【化４０】
2009509320.tif 000042
【０１３７】
上記式において、Ｒ７およびＲ８は同じか異なり、それぞれ、水素または置換基、好ましくは独立してアルキル、アリール、ペルフルオリアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリールまたはアリールアルキル基である。製造の容易のために、Ｒ７およびＲ８は好ましくは同じである。より好ましくは、これらは同じであり、それぞれフェニル基である。
【化４１】
2009509320.tif 000043
【化４２】
2009509320.tif 000044
【化４３】
2009509320.tif 000045
【化４４】
2009509320.tif 000046
【０１３８】
これら共役ポリマーの製造の好ましい方法は、例えば、ＷＯ００／５３６５６に記載されるようなスズキ重合および例えば、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，“Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ａｎｄ  Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  Ｓｔａｂｌｅ  ｐ−Ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  Ｐｏｌｙ（ａｒｙｌｅｎｅ）ｓ  Ｐｒｅｐａｒｅｄ  ｂｙ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓ”，Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９３，１７，１１５３−１２０５に記載されるようなヤマモト重合である。これらの重合技術は、共に、金属錯体触媒の金属原子がアリール基とモノマーの離脱基の間に挿入される「金属挿入」によって作動する。ヤマモト重合の場合、ニッケル触媒が使用され、スズキ重合の場合、パラジウム触媒が使用される。
【０１３９】
例えば、ヤマモト重合による直鎖ポリマーの合成においては、２つの反応性ハロゲン基を有するモノマーが使用される。同様に、スズキ重合の方法によれば、少なくとも１つの反応基はボロン酸またはボロンエステルのようなボロン誘導基であり、他の反応基はハロゲンである。好ましいハロゲンは塩素、臭素およびヨウ素であり、最も好ましくは臭素である。
【０１４０】
この出願を通じて例示される繰返し単位およびアリール基を含む末端基は、適切な離脱基を有するモノマーから導かれる。
【０１４１】
スズキ重合は、規則、ブロックおよび不規則コポリマーを製造するために使用され得る。特に、ホモポリマーまたは不規則コポリマーは１つの反応基がハロゲンであり、他の反応基がボロン誘導基であるときに製造され得る。あるいは、ブロックまたは部分規則、特に、ＡＢコポリマーは、第１モノマーの両反応基がボロンおよびであり、第２モノマーの両反応基がハロゲンである場合に製造され得る。
【０１４２】
ハロゲンの代替としては、金属挿入に参加することができる他の離脱基は、トシレート、メシレートおよびトリフレートを含む。
【０１４３】
ＯＬＥＤを形成するためには、電荷輸送ポリマーは溶液から蒸着されて層を形成する。ポリアリーレン、特に、ポリフルオレンのための適切な溶媒はトルエンおよびキシレンのようなモノまたはポリアルキルベンゼンを含む。特に好ましい溶液技術はスピンコートおよびインクジェット印刷である。
【０１４４】
スピンコートは、電子発光材料のパターニングが必要ない装置、例えば、照明または単一モノクロ区域ディスプレイにおいて特に有用である。
【０１４５】
インクジェット印刷は高度情報コンテンツディスプレイ、特にフルカラーディスプレイに特に適切である。ＯＬＥＤのインクジェット印刷は、例えば、ＥＰ０８８０３０３に記載されている。
【０１４６】
もし、装置の多層が溶液プロセスによって形成されるならば、当業者は、隣接する層の相互混合の防止技術、例えば、次の層の蒸着の前に１つの層を架橋する方法、または第１の層が形成される材料が第２の層を蒸着するために使用される溶媒に溶解しないように隣接する層の材料を選択する方法について理解できるだろう。
実施例
【実施例１】
【０１４７】
［ＨＢ（インダゾリル）３］Ｒｅ（Ｃｏ）３（金属錯体１）の製造
反応は乾燥窒素ガスに雰囲気中で行われた。
【０１４８】
Ｒｅ（ＣＯ）５Ｃｌ（市販されている）およびＫ［ＨＢ（インダゾリル）３］（市販されている）の１：１ｗ／ｗ混合物中に、乾燥ＴＨＦが加えられた。反応混合物は攪拌され、５０℃で４２時間過熱され、この間に固体が沈殿した。反応混合物はろ過され、揮発物が除去されて粗生成物が得られた、ＴＨＦ／へキサンからの固体の再結晶によって［ＨＢ（インダゾリル）３］Ｒｅ（Ｃｏ）３の無色結晶が得られた。
［ＨＢ（インダゾリル）３］は、ヒドロトリス（インダゾリル）ボラトリガンドを表す。
【実施例２】
【０１４９】
［ＨＢ（インダゾリル）３］Ｒｅ（Ｃｏ）３（ＣＮｔＢｕ）（金属錯体２）の製造
反応は水晶グラスウェアを使用して行われた。
【０１５０】
実施例１からの［ＨＢ（インダゾリル）３］Ｒｅ（Ｃｏ）３の溶液およびＴＨＦ中の過剰な（ＣＮｔＢｕ）（市販されている）が、水銀アークランプを使用して１５時間照らされた。１５時間後、照明は中断され、溶液は真空下で濃縮され、メタノールの添加によって沈殿生成物が得られた。生成物はろ過され、ＴＨＦ／へキサンからの再結晶化によって純化された。
【実施例３】
【０１５１】
金属錯体１を含む装置（Ａ）および金属錯体２を含む装置（Ｂ）の製造方法
（Ａ）ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）（ＢａｙｔｒｏｎＰ登録商標として、ＨＣ  Ｓｔａｒｃｋ  ｏｆ  Ｌｅｖｒｋｕｓｅｎ，  Ｇｅｒｍａｎｙから市販されている）がスピンコートによってガラス基板上に支持されたインジウム錫酸化物アノード上に蒸着された。Ｆ８−ＴＦＢ（下記に示す）の正孔輸送層がキシレン溶液からスピンコートによってＰＥＤＴ／ＰＳＳ上に１０ｎｍの厚さに蒸着され、１８０℃で１時間加熱された。実施例１からの金属錯体１がＰＶＫホスト中のキシレン溶液によってＦ８−ＴＦＢ層の上に、約６５ｎｍの厚さに蒸着された。ホスト材料に対する金属錯体の比率は５ｗｔ％：９５ｗｔ％である。Ｂａ／Ａｌカソードがバリウムカソードは、気相蒸着により、金属錯体層上に約１０ｎｍの厚さのバリウムの第１層および半導体ポリマー上に約１００ｎｍの厚さのアルミニウムバリウムの第２層が形成された。最終的に、装置上に置かれたゲッターを含む金属封入を使用して装置は封止され、気密シールを形成するために基板上に接着された。
【化４５】
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【０１５２】
（ｂ）上記方法は本発明の第２の装置を形成するために、金属錯体１の代わりに金属錯体を使用して上記方法が繰り返された。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】通常のＯＬＥＤの断面図を示す。
【図２】本発明のＯＬＥＤの断面図を示す。
【図３】実施例１および２における金属錯体１および２の製造スキームを示す。
【符号の説明】
【０１５４】
１  ガラスまたはプラスチック基板
２  アノード
３  発光層
４  発光層
５  カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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