(57)【要約】  パターン生成方法では、設計のプロパティがマスク・データ準備システムにおいて抽出され、それらのプロパティがリソグラフィ書込みシステムへと伝播される。フラクチャリングされた設計データと抽出されたプロパティとに基づいて、パターンが生成される。設計意図をリソグラフィ書込みシステムに保存することによって、パターン複製の忠実度が改善される可能性がある。
2009510495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン生成方法であって、
パターンに関連した設計データをフォーマットして、フラクチャリングされたパターンと、フラクチャリングされていないフォーマットの前記パターンに関連したメタデータとを生成するステップと、
前記フラクチャリングされたデータと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項３】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項４】
前記パターンが、前記設計データの少なくとも一部分のポリゴン表現である、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項５】
パターン生成方法であって、
生成されるべきパターンを記述する設計データを受け取るステップと、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、前記受け取った設計データを処理するステップと、
前記ポリゴン表現からメタデータを生成するステップと、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングするステップと、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを、互いに並列に、前記パターンを生成するパターン生成装置に伝送するステップとを含む方法。
【請求項６】
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたポリゴンに関連したデータ・フローとは異なるデータ・フロー内で伝送される、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項７】
前記生成されたメタデータを伝送前にエンコードするステップをさらに含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項８】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項９】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項１０】
パターン生成方法であって、
フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取るステップと、
前記フラクチャリングされた設計データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するステップとを含んでおり、
前記メタデータがフラクチャリング前の前記設計データを記述する方法。
【請求項１１】
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたポリゴン表現に関連したデータ・フローとは異なるデータ・フロー内で受け取られる、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１２】
前記メタデータ及び前記フラクチャリングされたポリゴン表現が、バンドル化されたデータ・フロー内で受け取られる、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１３】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１４】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１５】
設計データに基づいてパターンを生成する方法であって、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、前記設計データを処理するステップと、
前記重なり合いのないポリゴン表現に関連したコーナー部及びエッジ部プロパティのうちの少なくとも１つを含むメタデータを生成するステップと、
前記重なり合いのないポリゴン表現をフラクチャリングするステップと、
抽出されたメタデータとフラクチャリングされた重なり合いのないポリゴン表現とに基づいて、パターンを生成するステップとを含む方法。
【請求項１６】
パターン生成システムであって、
設計データをフォーマットして、フラクチャリングされたデータとメタデータとを生成するように構成されたデータ準備モジュールを含んでおり、前記メタデータが、フラクチャリング前の前記設計データを記述しており、前記システムがさらに、
前記フラクチャリングされたデータと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するパターン生成装置を含むシステム。
【請求項１７】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項１８】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項１９】
前記パターンが、前記設計データの少なくとも一部分のポリゴン表現である、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項２０】
前記データ準備モジュールが、さらに、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、受け取った設計データを処理し、
前記ポリゴン表現からメタデータを抽出し、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングし、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを前記パターン生成装置に伝送するように構成される、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項２１】
前記データ準備モジュールが、伝送前に前記メタデータを前記フラクチャリングされたデータとともにエンコードする、請求項１８に記載のパターン生成システム。
【請求項２２】
パターン生成方法であって、
パターンを記述する設計データと、前記パターンのクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取るステップと、
前記受け取った設計データ及び前記受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいて、フィラー・データを生成するステップと、
前記生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送するステップとを含んでおり、
前記フィラー・データが、前記パターンの設計にとってクリティカルではない領域を表す方法。
【請求項２３】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
パターンを記述する設計データと、前記パターンの設計のクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取る手段と、
前記受け取った設計データ及び前記受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいてフィラー・データを生成する手段と、
前記生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送する手段とを含んでおり、
前記フィラー・データが、前記パターンの前記設計にとってクリティカルではない領域を表す装置。
【請求項２４】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
生成されるべきパターンを記述する設計データを受け取る手段と、
前記受け取った設計データを処理する手段と、
前記受け取った設計データの処理に基づいて、前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成する手段と、
前記ポリゴン表現からメタデータを生成する手段と、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングする手段と、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを伝送する手段とを含む装置。
【請求項２５】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取る手段と、
前記受け取ったフラクチャリング済み設計データと前記受け取ったメタデータとに基づいてパターンを生成する手段とを含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本米国非仮特許出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）に基づき、米国特許商標庁で２００５年９月２６日に出願された米国仮特許出願第６０／７１９９７４号に対する優先権を主張する。この仮特許出願の内容全体を、参照により本願に援用する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィは、マスク上に回路設計（又はジオメトリ）を書き込むプロセスである。関連技術のリソグラフィ（若しくは書込み）機器は、レジストをレーザ又は荷電ビームに露光することによってプレート上にジオメトリを書き込む。この露光は、レジストの分子組成を変化させ、露光されたレジストは、現像プロセスの間に除去される。一部の代替的な用途では、ネガ型レジストが使用される。この場合、露光されていないレジストが、現像プロセスの間に除去される。
【０００３】
フォトマスク（又はマスク）は、電子回路の微小イメージを含む比較的高精度のプレートである。フォトマスクは、例えば、片側にクロム層を備えた石英又はガラスの、例えば、比較的平らな小片などの、基板から作製される。電子回路設計の一部分がクロムにエッチングされる。マスク上のこの回路パターンは、また、ジオメトリとも呼ばれる。
【０００４】
マスクは、関連技術のウエハ製作方法及びウエハ・ライター・システムでは、例えば、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を作り出すために使用される。ＩＣは、コンピュータ、計算器、自動車、カメラ、ステレオなどの製品で使用される。マスクは、また、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜ヘッド、ＰＣボードなどを製造する際にも使用される。
【０００５】
関連技術のマスク製造方法では、回路パターンが（例えば、顧客によって）設計され、設計されたパターン情報がデジタル化される。マスクの設計を含むデジタル化されたパターン設計データは、次いで、マスク製造業者に提供される。パターン設計データの１つ若しくは複数の層が単一のマスクを形成し、ＩＣ回路は、複数（例えば、比較的ハイエンドの設計では約４０）の層を含むが、得られる回路の各層を、ウエハ製造プロセスでは単一のマスクによって形成することができる。デジタル化されたパターン設計データは、ディスク、磁気テープ、インターネット、専用ラインなどでマスク製造業者に提供することができる。
【０００６】
マスク製造業者は、受け取ったデータを書込み又はパターン生成システム用にフォーマットする。フォーマット処理は、例えば、データをフラクチャリングするステップと、データをサイジングするステップと、データをローテートするステップと、基準（ｆｉｄｕｃｉａｌｓ）及び内部参照マークを追加するステップと、「ジョブデック（ｊｏｂｄｅｃｋ）」としても知られる、マスク上への異なるパターンすべての設置に関する命令を作り出すステップとを含むことができる。ジョブデックは、マスクをどのように印刷すべきか、どのパターン・ファイルを使用すべきか、パターン・ファイル内のどの層を使用すべきか、及びどの変換を適用すべきかを記述する命令を含む。ジョブデック及びその中に含まれる情報は、当該技術分野で周知であり、したがって簡潔にするために詳細な議論は省略する。
【０００７】
データをフラクチャリングする関連技術の一方法では、パターン設計データが、書込みシステムが理解する言語へと翻訳される。例えば、書き込まれるべきパターンはポリゴン形状であるが、関連技術の書込みシステムが矩形及び台形と理解する場合、設計パターン・データは、矩形及び台形形状へとフラクチャリングされる。フラクチャリングされたデータをもつジョブデックは、コンピュータ可読媒体（例えば、ディスク、フラッシュ・メモリ、コンパクトディスクなど）に格納され、書込みシステムへと送られる。書込みシステムは、次いで、フォーマットされた設計パターンを使用して、基板にパターンを印刷する。
【０００８】
印刷の間、追加的なパターン処理が行われる。例えば、ジオメトリを、書込みツールの書込みシーケンスに合致するように空間的に再編成し、露光システムによってイメージングされるべきピクセルへとレンダリングすることができる。
【０００９】
ライター・システムは、基板に印刷されるべきパターンをほとんど理解していない。ライター・システムには、印刷されるべき比較的多量のプリミティブ・ジオメトリが送り込まれるが、プリミティブ・ジオメトリは、マスクが完全に書き込まれるまで意味のある全体を形成しない。ただし、設計の一部の領域は、他の領域よりもクリティカルである場合がある。例えば、設計のいくつかの部分は、より高いマスクエラー増大因子（ＭＥＥＦ：ｍａｓｋ  ｅｒｒｏｒ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｆａｃｔｏｒ）を有することがあり、印刷されたパターンの臨界寸法（ＣＤ：ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）により大きな影響を与えることがあり、且つ／又は適正な面積被覆率についてよりクリティカルであることがある。設計のこれらのアスペクトの相対的重要性に関する情報は、書込みシステムの上流の処理ステップで利用可能な場合があるが、関連技術のパターン生成システムでは、この情報は、使用されず、設計パターン・データが下流に伝播して最終的に基板に印刷されるにつれて失われる。
【００１０】
関連技術のリソグラフィ・ライター・システムは、有限の分解能を有する。パターンのコーナー部が無限の空間周波数を表すので、基板上への設計パターン・データの複製は、損なわれ、例えば、パターンのコーナー部が丸くなる。コーナー部若しくはコーナー部に近接したところでエネルギーを加える又は減じることによって、鋭さを改善することができる。しかし、ライター・システムには、より複雑な形状の一部であるフラクチャリングされたデータ（プリミティブ・ジオメトリ）が供給され、プリミティブ・ジオメトリと、組み合わされたときにそれらが形成する形状との間の関係は、フラクチャリングの間に失われ、ゆえにライター・システムには伝達されない。
【００１１】
さらに、ラスタ・ベースのシステムでは、イメージ表現がベクタ・データの近似であるので、パターンのコーナー部に関する情報は、利用可能ではない。ラスタ・イメージだけを入力として用いて、最新の検索アルゴリズムを使用してパターンのコーナー部を再形成しなければならない。ただし、この場合、ラスタ・イメージがベクタ・データよりも低い分解能を有するので、検索は、比較的困難且つ複雑である。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
諸実施形態は、精製された設計データ情報を書込みシステムへと伝播させることによって、マスクの忠実度の増大及び／又はコンピュータ処理能力の焦点の改善をもたらす。諸実施形態は、マスク上へのパターン複製を改善することができる。
【００１３】
コーナー部メタデータとイメージとを組み合わせると、コーナー部精度の改善をもたらすことができる。例えば、メタデータは、コーナー部の精密な位置若しくはより精密な位置を正確に示し、且つ／又は方向及び増幅コーナー部強調機能を制御することができる。
【００１４】
諸実施形態は、改善された忠実度を有することができ、且つ／又は、真のコーナー部と偽のコーナー部とを区別し、それらの位置、角度、及び向きを知ることによって、計算能力の焦点をよりクリティカルな領域に合わせることができる。
【００１５】
パターン生成方法では、少なくとも一実施形態によれば、パターンに関連した設計データは、フラクチャリングされたパターンと、フラクチャリングされていないフォーマットのパターンに関連したメタデータとを生成するようにフォーマットされる。次いで、フラクチャリングされたデータとメタデータとに基づいてパターンが生成される。
【００１６】
他の実施形態は、パターン生成方法を提供する。この実施形態では、フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取ることができ、フラクチャリングされた設計データとメタデータとに基づいてパターンを生成することができ、該メタデータは、フラクチャリング前の設計データを記述する。
【００１７】
他の実施形態は、設計データに基づいてパターンを生成する方法を提供する。この実施形態では、設計データを、該設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように処理することができる。重なり合いのないポリゴン表現に関連したコーナー部及びエッジ部プロパティのうちの少なくとも１つを含む、メタデータを生成することができる。重なり合いのないポリゴン表現をフラクチャリングすることができ、生成されたメタデータとフラクチャリングされた重なり合いのないポリゴン表現とに基づいて、パターンを生成することができる。
【００１８】
他の実施形態は、パターン生成システムを提供する。パターン生成システムは、データ準備モジュールとパターン生成装置とを含むことができる。データ準備モジュールは、設計データをフォーマットしてフラクチャリングされたデータとメタデータとを生成するように構成することができ、メタデータは、フラクチャリング前の設計データを記述する。パターン生成装置は、フラクチャリングされたデータとメタデータとに基づいてパターンを生成することができる。
【００１９】
他の実施形態は、パターン生成方法を提供する。この実施形態では、生成されるべきパターンを記述する設計データが受け取られ、該設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように処理される。ポリゴン表現からメタデータを生成することができ、ポリゴン表現をフラクチャリングすることができる。フラクチャリングされたポリゴン表現とメタデータとは、パターンを生成するパターン生成装置へと並列に伝送することができる。生成されたメタデータは、伝送前にエンコードすることができる。
【００２０】
他の実施形態は、パターン生成方法を提供する。この実施形態では、パターンを記述する設計データと、パターンの設計のクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取ることができる。受け取った設計データ及び受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいて、フィラー・データを生成することができる。生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送することができ、フィラー・データは、パターンの設計にとってクリティカルではない領域を表すことができる。
【００２１】
他の実施形態は、リソグラフィ・システムにおける装置を提供する。該装置は、パターンを記述する設計データと、パターンの設計のクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取る手段と、受け取った設計データ及び受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいてフィラー・データを生成する手段と、生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送する手段とを含むことができる。フィラー・データは、パターンの設計の非クリティカル領域を表すことができる。
【００２２】
他の実施形態は、リソグラフィ・システムにおける装置を提供する。該装置は、生成されるべきパターンを記述する設計データを受け取る手段と、受け取った設計データを処理する手段と、受け取った設計データの処理に基づいて、設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成する手段と、ポリゴン表現からメタデータを生成する手段と、ポリゴン表現をフラクチャリングする手段と、フラクチャリングされたポリゴン表現とメタデータとを伝送する手段とを含むことができる。
【００２３】
他の実施形態は、リソグラフィ・システムにおける装置を提供する。該装置は、フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取る手段と、受け取ったフラクチャリング済み設計データと受け取ったメタデータとに基づいてパターンを生成する手段とを含むことができる。
【００２４】
諸実施形態では、メタデータは、パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含むことができる。例えば、メタデータは、パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度（ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）データのうちの少なくとも１つを含むことができる。パターンは、設計データの少なくとも一部分のポリゴン表現であってよい。
【００２５】
諸実施形態では、データ準備モジュールは、さらに、設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、受け取った設計データを処理し、ポリゴン表現からメタデータを抽出し、ポリゴン表現をフラクチャリングし、且つフラクチャリングされたポリゴン表現とメタデータとを並列にパターン生成装置へと伝送するように構成することができる。データ準備モジュールは、伝送前にメタデータをフラクチャリングされたデータとともにエンコードすることができる。
【００２６】
諸実施形態では、メタデータを、フラクチャリングされたポリゴン表現に関連したデータ・フローとは異なるデータ・フロー内で、又はバンドル化されたデータ・フロー内で受け取ることができる。
【００２７】
諸実施形態は、以下に与える詳細な説明及び添付の諸図面からより詳細に理解され、諸図面では、類似の要素は、類似の符号によって表されているが、それらは、説明の目的で与えられるにすぎず、したがって制限的なものではない。
【実施例】
【００２８】
設計からマスクまで、パターン設計データは、複数の段階にわたって多数の変換がなされる。各段階で、最終的にマスクを作り出すために基板に書き込まれるようパターン設計データが下流に伝播していくにつれて、いくらかの情報が失われる。したがって、各段階は、さらに下流でのデータ処理の利益のために情報を保存する機会を示す。パターン設計データが汎用であるかマシン固有であるかにかかわらず、該パターン設計データは、ジオメトリ及び構造的構成を層で表す。パターン設計データは、また、層、ジオメトリ・データ、及び構造的構成に関連したプロパティも含む。少なくとも一実施例では、追加の層をパターン設計データに加えることができる。追加の層は、印刷されるべきパターン内で予めフラクチャリングされたポリゴン形状を定義することができ、ポリゴンの特徴、プロパティ、及び／又は属性を、メタデータとしてエンコードすることができる。ジオメトリ・データを備える層上に追加の層を投影することによって、ジオメトリ・データを様々なメタデータ情報に関連付けることができる。
【００２９】
図１は、６つの段階を含む、一実施例による多段階式パターン生成システムを示す。６段階のうちの５つで、メタデータを抽出して、所望のパターンを生成するためにパターン生成装置１１２のところにフィード・フォワードすることができる。
【００３０】
図１を参照すると、設計段階１０２では、定義により設計パターンが利用可能である。例えば、設計意図、又はパターンがどのように最終ウエハに印刷されるよう意図されているかが利用可能である。設計意図に関するこの情報には、性能指数（ＦｏＭ：ｆｉｇｕｒｅ  ｏｆ  ｍｅｒｉｔ）に関する情報、及び／又はパターン生成装置１１２のところでパターン化されるべきマスクのクリティカル領域対非クリティカル領域に関する情報が含まれる。
【００３１】
マスクのクリティカル領域の一例は、タイミング・クリティカルなメモリ・セルがそこに配置されるべき部分であり、一方、非クリティカル領域は、例えば、会社のロゴがそこに印刷されるべき領域である。ただし、関連技術のウエハ書込みシステム（例えば、ステッパ及び／又はスキャナ）の光学的分解能が限られているので、マスク上のイメージは、通常、ウエハ上のイメージとは異なる。マスクのクリティカル領域対非クリティカル領域に関する情報は、メタデータとして使用することができ、それによって、パターン生成装置１１２が、マスクのそれらクリティカル領域などに、必要な場合にパターン忠実度のための労力を集中できるようになる。諸実施例によれば、メタデータの形態をしたマスクのクリティカル領域対非クリティカル領域を、図１に示されるパターン生成装置１１２へとフィード・フォワードすることができる。
【００３２】
さらに、又は代替的に、設計パターンの各コーナー部についてのＦｏＭが、また、設計段階１０２で利用可能であってもよい。設計パターンの特定のコーナー部についてのＦｏＭは、各コーナー部における孤立の尺度を表すことができる。ＦｏＭは、あるコーナー部の、同一ジオメトリ内の他のコーナー部に対する、また隣接ジオメトリ上のコーナー部からの、孤立度の関数である。ＦｏＭを決定する方法は、当該技術分野で周知であり、したがって簡潔にするために詳細な議論は省略する。設計パターンのコーナー部についてのＦｏＭは、また、メタデータとしてパターン生成装置１１２へとフィード・フォワードすることができる。
【００３３】
テープアウト段階１０４では、パターン設計データは、光近接効果補正（ＯＰＣ：ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）処理など、パターン・データ分解能向上を受ける（又は既に受けている）。ＯＰＣ処理は、ウエハ・パターニング・プロセスのためのパターン・データ分解能向上技術（ＲＥＴ：ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）の一例である。ただし、他のＲＥＴ技術を使用することもできる。ＯＰＣ処理されたデータは、パターンがどのようにマスクに印刷されるよう意図されているかを表す。ここでは、ポリゴンの外側（若しくは真の）エッジ部及び／又は真のコーナー部が、メタデータとして利用可能である。パターン設計データの諸部分が、重なりを、したがって偽のエッジ部及び／又はコーナー部を含むとしても、真の外側エッジ部及び／又は真のコーナー部に関する情報がそれでも存在しうるので、やはり情報をメタデータとして使用することができる。
【００３４】
さらに、テープアウト段階１０４では、基板のクロム表面の化学機械研磨（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）を可能にするために、フィラーを金属層上に備えることができる。フィラーは、ジオメトリの総面積の約５０％をも占めることができるが、設計にクリティカルであるとは見なされないことがある。また、フィラーの位置も、メタデータとしてエンコードし、パターン生成装置１１２に提供することができる。
【００３５】
テープアウト段階１０４では、設計パターン・データは、それぞれ周知の階層設計フォーマットである、グラフィック・デザイン・システムＩＩ（ＧＤＳＩＩ：Ｇｒａｐｈｉｃ  Ｄｅｓｉｇｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  ＩＩ）や、オープン・アートワーク・システム・インターチェンジ・スタンダード（ＯＡＳＩＳ：Ｏｐｅｎ  Ａｒｔｗｏｒｋ  Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎｔｅｒｃｈａｎｇｅ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）など、汎用設計パターン・データであってよい。
【００３６】
ＭＤＰ処理段階１０６では、パターン設計データは、パターン生成装置１１２など、特定のパターン生成装置用にフォーマットされる。フォーマット処理には、例えば、重なり除去、再ポリゴン化、及びフラクチャリングが含まれることがある。設計パターン・データがフラクチャリングされるときには、パターンの外側エッジ部及び／又は真のコーナー部に関する情報が失われる。ゆえに、諸実施例によれば、パターン設計データがＭＤＰ処理段階１０６でフラクチャリングされる前に、パターン設計の外側エッジ部（若しくは真のエッジ部）及び真のコーナー部に関する情報を抽出することができる。抽出された情報は、メタデータとしてエンコードすることができ、ＭＤＰ処理段階１０６で生成されたエンコード済みメタデータを、パターン生成装置１１２へとフィード・フォワードすることができる。
【００３７】
一実施例では、ＭＤＰ処理段階１０６で、重なり除去と、設計パターン・データの、重なり合いのない再ポリゴン化とを実施することができる。重なり除去及び再ポリゴン化は、隣接する重なり合ったジオメトリを結合させて、重なり合いのないポリゴンにすることができる。図２は、重なり合ったポリゴンを含むパターン設計データの例示的な表現を示し、図３は、重なりが除去された後の再ポリゴン化されたパターン設計データを示す。
【００３８】
図２を参照すると、テープアウト段階１０４からの設計パターン・データは、矩形や台形など、ポリゴンの組合せの形態であることがある。例示目的で、図２の設計パターン・データは、領域１＋２で重なり合う２つの矩形として示される。図３を参照すると、重なり除去及び再ポリゴン化が実施された後、設計パターン・データの、重なり合いのないポリゴン表現が生成される。図３に示されるように、再ポリゴン化後、図２に示されるすべての頂点が、図３ではそれぞれ真のコーナー部ａ〜ｈとなる。重なり除去及び再ポリゴン化の方法は、当該技術分野で周知であり、したがって簡潔にするために詳細な議論は省略する。
【００３９】
図１に戻ると、前述のように、再ポリゴン化後、再ポリゴン化された設計パターン・データに関する情報（例えば、再ポリゴン化された設計パターン・データに関連したプロパティ）を、フラクチャリング前に抽出することができる。予めフラクチャリングされた設計パターン・データに関する情報には、例えば、コーナー部プロパティ及び／又はエッジ部プロパティを含めることができる。コーナー部プロパティには、例えば、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び／又は孤立度データを含めることができる。
【００４０】
図２と図３とを比較することによってわかるように、重なり除去及び再ポリゴン化は、オリジナル設計パターン・データを精製し、基板に印刷されるべき設計パターンの真の外形線を明らかにする。例示目的で、ポリゴンが時計回り又は反時計回りの一貫した方向で定義されると仮定すれば、図４に示される実施例に関して以下の観察を行うことができる：
頂点Ｖ（ｎ）について；ポリゴンのＶ（ｎ＋１）及びＶ（ｎ−１）が、頂点Ｖ（ｎ）に位置するコーナー部の開口角度及び向きを与える。
【００４１】
以上の観察を使用して、ポリゴン設計パターンの各コーナー部の位置、開口角度、及び向きを、ポリゴン・パターンから抽出することができる。
【００４２】
コーナー部の比較的重要な他の品質は、それらの関連した孤立度である。孤立したコーナー部の分解能向上は、互いに近接したコーナー部の分解能向上とは異なる場合がある。一部の例示的な事例では、干渉を抑え、且つ／又はアーチファクトの危険を低減するために、互いにより近接しているコーナー部では、それらの分解能向上の重み付けを低減することができる。
【００４３】
図５は、孤立したコーナー部対互いに近接したコーナー部、並びに、コーナー部分解能向上機構の増幅に対する、対応する影響を示す。コーナー部近接性情報は、単一のジオメトリ内又は多数のジオメトリ内のコーナー部によって決まる場合がある。すなわち、例えば、第１のジオメトリ内のコーナー部は、同一ジオメトリ又は第２のジオメトリ内のコーナー部に近接していると見なすことができる。各コーナー部について、近接性情報を各コーナー部についての孤立の尺度としてエンコードすることができる。前述のように、各コーナー部における孤立の尺度は、性能指数（ＦｏＭ）によって表すことができる。ＦｏＭは、そのコーナー部の、同一ジオメトリ内の他のコーナー部に対する、また隣接ジオメトリ上のコーナー部からの、孤立度の関数である。
【００４４】
前述のコーナー部プロパティをエンコードする一方法例を、図６に関して説明する。図６に示されるように、コーナー部プロパティは、それぞれが三角形の頂点を構成する３つの座標対を含む、二等辺三角形によって表すことができる。３つの座標対（又は１つの座標対と２つのデルタ対）を使用すると、コーナー部のプロパティ、特徴、及び／若しくは属性のすべて又はほぼすべてを記述することができる。
【００４５】
例えば、第１の座標は、コーナー部位置を示すことができ、第２及び第３の座標は、設定されたコーナー部角度及び開口角度を示すことができ、方向（図６に図示された矢印によって示される）は、時計回り外側コーナー部及び反時計回り内側コーナー部を指定することができ、等しい２本の脚の長さ若しくはサイズは、特定のコーナー部に関連したＦｏＭを示すことができ、またＲＥＴ強度を示すことができる（且つ／又は関連ＲＥＴ強度を生み出すために使用することができる）。
【００４６】
エッジ部が、印刷されたパターンの臨界寸法（ＣＤ）に比較的高い影響を与えることがあるので、パターンのコーナー部に関連したプロパティの代わりに、又はそれらのプロパティに加えて、エッジ部がオリジナル設計パターンの真のエッジ部を表すかどうかを識別することは、書込みシステム若しくはパターン生成装置に有益となる可能性もある。また、真のエッジ部を識別すると、エッジ位置調整（ｅｄｇｅ  ｌｏｃａｔｉｏｎ  ｔｕｎｉｎｇ）やエッジ移行均等化（ｅｄｇｅ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｅｑｕａｌｉｚｉｎｇ）など、さらなるエッジ部強調を可能にすることもできる。この例では、再ポリゴン化後、パターンの外形線を抽出し、メタデータとしてエンコードすることができる。
【００４７】
ここで、外側エッジ部の抽出及びエンコード実施例について、図７に関して説明する。図７を参照すると、各エッジ部に矩形形態のメタデータを割り当てることによって、外側エッジ部を、フラクチャリングされた内側エッジ部と区別することができる。
【００４８】
ここに示されるように、外側エッジ部は、データ処理の下流で適用されるべき所望のバイアスとともにマーク付けされる。バイアシングは、印刷されたフィーチャ・サイズが公称又は所望のフィーチャ・サイズにより厳密に合致するように、マスク・フィーチャのサイズ又は形状を変化させるプロセスである。バイアシングが当該技術分野で周知であるので、簡潔にするためにその詳細な議論は省略する。
【００４９】
関連エッジ部メタデータの存在は、特定のエッジ部が真のエッジ部であることを示す。この実施例では、図７を参照すると、第１のエッジ部は、第１のコーナー部ｖ１と第２のコーナー部ｖ２との間にわたり、第３の座標ｂｉは、バイアスとバイアスの方向とを示す。
【００５０】
ＭＤＰ処理段階１０６では、設計パターン・データを、また、フラクチャリングすることができる。フラクチャリング・プロセスでは、任意のポリゴンを、水平台形化（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｔｒａｐｅｚｏｉｄａｌｉｚａｔｉｏｎ）によって矩形及び／又は台形（集合的にプリミティブとしても知られる）へと分割することができる。フラクチャリング方法は、当該技術分野で周知であり、ゆえに、簡潔にするためにその詳細な議論は省略する。ただし、明瞭にするために、図８Ａは、フラクチャリング前の任意のポリゴンを示し、図８Ｂ〜８Ｄは、図８Ａのポリゴンをフラクチャリングできる、異なる方法を示す。例えば、図８Ｂに示されるように、各頂点から水平切断線を作り出すことによって、任意のポリゴンをフラクチャリングすることができる。図８Ｃでは、各頂点から垂直切断線を作り出すことによって、ポリゴンをフラクチャリングすることができる。図８Ｄでは、各頂点から水平切断線及び垂直切断線を作り出すことによって、ポリゴンをフラクチャリングすることができる。
【００５１】
図１に戻ると、ＭＤＰ処理段階１０６では、エンコードされたメタデータを、また（又は代替的に）、フラクチャリングされたパターン設計データとともにバンドル化して、パターン生成装置１１２へと伝送することもできる。バンドリングは、グラフィック・デザイン・システムＩＩ（ＧＤＳＩＩ）やオープン・アートワーク・システム・インターチェンジ・スタンダード（ＯＡＳＩＳ）など、両方の汎用設計パターン・データに適用可能である。バンドリングは、また、マシン固有フォーマット済みデータ（例えば、ＭＩＣフォーマットなど、マスク・ライター・システムに固有のフォーマット）にも適用可能である。
【００５２】
少なくとも一実施例によれば、パターン設計データをメタデータとともにバンドル化するための既存のデータ・フォーマットに対する修正なしに、メタデータをプロパティとして割り当てることができる。例えば、パターン設計データを、ＢＥＧＩＮ＿ＬＡＹＥＲやＥＮＤ＿ＬＡＹＥＲなどのレコードへと構造化することができる。メタデータをフラクチャリングされたパターン設計データとともにバンドル化するためには、メタデータをレコードへとカプセル化し、データ処理の様々な段階（例えば、設計、テープアウトなど）で実行されるコンピュータ・プログラムによってデータ・ファイルに追加することができる。それを実施する方法及び／又はコンピュータ・プログラムは、当該技術分野で周知であり、したがって簡潔にするために詳細な議論は省略した。
【００５３】
諸実施例では、メタデータをフラクチャリングされたパターン設計データとともにバンドル化し、パターン生成装置に供給することができる。他の諸実施例では、メタデータを、別個のデータ・フローを通じて供給することができる。例えば、各段階１０２〜１１０が、メタデータをパターン生成装置１１２に供給することができる。他の諸実施例では、メタデータをパターン生成システムの各段階に供給することができ（例えば、設計段階１０２メタデータをテープアウト段階１０４に供給でき、次いで、該テープアウト段階１０４が両方のメタデータをＭＤＰ段階１０６に供給できるなど）、得られるメタデータを、フラクチャリングされたパターン設計データとともにバンドル化することができる。
【００５４】
フラクチャリングされたパターン設計データとともにバンドル化されるか、又はフラクチャリングされたパターン設計データとは異なるデータ・フローを通じて並列に送信されるかにかかわらず、パターン生成装置１１２は、フラクチャリングされたデータとメタデータとを使用してマスクを作り出すパターンを生成することができる。
【００５５】
図１に戻ると、マスク・メーカー自動化段階１０８では、特定のパターン生成装置１１２を制御する追加の制御情報を、例えば、ジョブデックを修正するスクリプトを通じて、マスク・メーカー又は製造業者によって適用することができる。例えば、クリティカル・パターンと非クリティカル・パターン（例えば、ロゴ位置、タイムスタンプ、バーコードなどを識別する）との区別に関する情報。さらに、実験的設定を、特別のプロセスに合致するように適用することができる。この追加情報を、また、メタデータとしてエンコードし、パターン生成装置１１２へとフィード・フォワードすることができる。
【００５６】
マスク・メーカー手動追加段階１１０では、マスク・データ準備を完全に自動化されたプロセスとすることができるが、マスク・メーカーは、ライター・システムと手動でやりとりすることができる。単にジョブデックを編集することによって、マスク・メーカーは、前述の諸段階の１つ若しくは複数から提供されるメタデータ情報を追加、補足、又は除去することができる。
【００５７】
図１に戻ると、パターン生成装置１１２のところで、マスクを作り出すために、段階１０２〜１１０の１つ若しくは複数からのメタデータと、ＭＤＰ段階１０６からのフラクチャリングされた設計パターン・データとを使用して、パターンを書き込むことができる。
【００５８】
諸実施例では、メタデータがパターン生成装置１１２に供給される場合、該パターン生成装置１１２にメタデータの存在を気付かせなければならない。前述のように、マスク製造の際には、パターン設計データは、ジョブデックを伴う。ジョブデックの例は、ＪＢ（ＭＥＢＥＳジョブデック）、ＳＥＭＩ  Ｐ１０、ＭＡＬＹ（マスク・レイアウト・データ・フォーマット：ｍａｓｋ  ｌａｙｏｕｔ  ｄａｔａ  ｆｏｒｍａｔ）などである。やはり前述したように、ジョブデックは、マスクをどのように印刷すべきか、どのパターン・ファイルを使用すべきか、パターン・ファイル内のどの層を使用すべきか、及びどの変換を適用すべきかについての記述である。諸実施例によれば、ジョブデックは、パターン設計データ内の特定の層に関するメタデータ、又はパターン設計データに付随する別個のデータ・ファイルとして供給されたメタデータのアベイラビリティに関する情報によって拡張することができる。この追加情報は、テープアウトから書込み段階まで、データ・フローの様々な段階で供給することができる。
【００５９】
図９は、一実施例によるパターン生成システムの一部分を示す。ここに示されるように、ＭＤＰモジュール１０は、ＭＤＰ段階１０６に関して前述した機能を果たすことができ、書込みシステム１２は、パターン生成装置１１２に関して前述した機能を果たすことができる。データ・ストレージは、設計パターン・データと、マスク製造業者からのメタデータとを格納することができる。
【００６０】
諸実施例を、既存のパターン生成システムに組み込むことができる。
【００６１】
さらに図９を参照すると、他の実施例では、顧客からの前述の設計パターン・データをデータ・ストレージに格納することができる。データ・ストレージは、当該技術分野で周知のように、いずれか適当なコンピュータ可読ストレージ媒体とすることができる。マスク・データ準備（ＭＤＰ：ｍａｓｋ  ｄａｔａ  ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ）モジュール１０は、データ・ストレージから設計データを読み出し、メタデータとフラクチャリングされたデータとを生成するように、読み出された設計データを処理（又はフォーマット）することができる。ＭＤＰモジュール１０は、メタデータとフラクチャリングされたデータとを合わせてエンコードし、エンコードされたデータをライター・システム（又はツール）１２へと出力することができる。
【００６２】
ライター・システム１２は、レチクルを生成するために、ＭＤＰモジュール１０からのエンコードされたデータに基づいて基板にパターンを印刷することができる。エンコードされたデータは、フラクチャリングされた設計パターン・データと、オリジナル設計パターンのアスペクトを記述する追加のメタデータとの両方を含むことができる。
【００６３】
特定の段階が特定の位置で（例えば、マスク設計者のところで、マスク製造業者のところで）描かれているが、これらの位置は、再配置することができる。例えば、図１では段階１０８及び１１０が書込み段階／ライター・システム内に含まれるものとして描かれているが、これらの段階は、書込み段階外であってもよく、且つ／又は書込みシステムとは切り離されたパターン生成システムの一部分で実施されてもよい。また、当業者に自明の他の構成も可能であるが、簡潔にするために省略した。
【００６４】
図１に示される実施例における各段階は、デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｓｉｇｎａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）や特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ：ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）などのプロセッサを使用して実装することができる。別法として、図１の実施例における各段階を、メモリ若しくは外部ストレージ・デバイスに格納されたコンピュータ・ソフトウェア・プログラムの形態で少なくとも部分的に実装することもできる。そのようなプログラムは、例えば、プロセッサによって実行することができる。諸段階の機能を実装且つ／又は実行するために使用されるプロセッサは、従来のパターン生成システムに含まれる複数のプロセッサのうちの１つとすることができる。
【００６５】
別法として、図１に示される多数の段階（例えば、設計段階１０２及びテープアウト段階１０４）は、デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）や特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）など、単一のプロセッサに実装することもでき、又は、メモリ若しくは外部ストレージ・デバイスに格納されたコンピュータ・ソフトウェア・プログラムの形態で部分的に実装することもできる。
【００６６】
諸実施例をマスク・ライター（又はパターン生成装置）に関して記載したが、諸実施例は、また、ダイレクト・ライターにも適用可能な場合がある。ダイレクト・ライターは、マスク・ライター・システムと、ウエハ・ライター・システム（例えば、スキャナ／ステッパ）との組合せである。さらに、以上では諸実施例を「マスク」の作成に関して論じたが、諸実施例は、同様に「ウエハ」の作成でも適用可能である。
【００６７】
少なくとも一実施例では、ライター・システムは、メタデータ情報を活用して、パターン忠実度とデータ処理のスロットリング計算力（ｔｈｒｏｔｔｌｉｎｇ  ｃｏｍｐｕｔｅ  ｐｏｗｅｒ）とを改善することができる。例えば、エネルギーを加える又は減じることによってイメージのコーナー部を鋭くすることができる、コーナー部強調機能を使用すること。これは、パターン設計データによって表される理想的な意図されるイメージにより厳密に合致する、印刷されたイメージをもたらすことができる。コーナー部の位置及び／又はプロパティを示すメタデータがない場合、コーナー部強調アルゴリズムは、イメージを検索してコーナー部の位置を特定し、それらのコーナー部をそれらの孤立レベル、それらの向き、及びそれらの開口角度に関して分類しなければならない。パターンのコーナー部の位置及び／又はＦｏＭを供給するために諸実施例によるメタデータが存在する場合、アルゴリズムを、ＦｏＭとマシン固有の制御パラメータとに応じて供給されたコーナー部位置に線量調節（ｄｏｓｅ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）を適用することだけに簡略化（例えば、限定）することができる。
【００６８】
前述のコーナー部強調実施例は、パターン生成のための様々な追加のパターン忠実度改善機能に当てはめることができる。そのような機能の一例は、ジオメトリの周囲が、それらの重心を維持しながら一定値だけオフセットされる、バイアシングである。
【００６９】
前述のコーナー部強調実施例は、マスクＯＰＣでの使用に当てはめることができる。マスクＯＰＣの一実施例では、ジオメトリの周囲は、現在のジオメトリの幅と、最も近くの隣接ジオメトリに対する間隔とに応じてオフセットされる。
【００７０】
このように諸実施例を記載したが、それらを多くの方法で変更できることが自明である。そのような変形形態を、特許請求の範囲によって定義される本発明からの逸脱とは見なすべきでない。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】一実施例による、多段階式パターン生成システムを示す図である。
【図２】重なり合ったポリゴンを含むパターン設計データの一表現例を示す図である。
【図３】図２から重なりが除去された後の、再ポリゴン化されたパターン設計データを示す図である。
【図４】ポリゴンのコーナー部のプロパティを決定できる方法を示す図である。
【図５】孤立したコーナー部対互いに近接したコーナー部、並びにコーナー部分解能向上機構の増幅に対する対応する影響を示す図である。
【図６】コーナー部プロパティをメタデータとしてエンコードする一方法例を示す図である。
【図７】エッジ部プロパティをメタデータとしてエンコードする一方法例を示す図である。
【図８Ａ】フラクチャリング前の任意のポリゴンを示す図である。
【図８Ｂ】図８Ａのポリゴンをフラクチャリングできる、異なる方法を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ａのポリゴンをフラクチャリングできる、異なる方法を示す図である。
【図８Ｄ】図８Ａのポリゴンをフラクチャリングできる、異なる方法を示す図である。
【図９】一実施例によるパターン生成システムの一部分を示す図である。
【図１】
2009510495.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
2009510495.tif 000011
【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多段階式データ・フロー・プロセスにおいて特定の設計データ情報を保存するパターン生成方法であって、
パターンに関連した設計データをフォーマットして、前記パターンを表すフラクチャリングされたパターン・データと、フラクチャリングされていないフォーマットの前記パターンの特定の設計データに関連したメタデータとを生成するステップを含んでおり、前記メタデータが、フラクチャリング前の前記パターンの特定の設計データに関連付けられており、前記方法がさらに、
前記パターンを表す前記フラクチャリングされたパターン・データをデータ・フロー内で伝送するステップと、
前記メタデータを伝送するステップとを含んでおり、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報がフラクチャリングの際に失われてしまっている方法。
【請求項２】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項３】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項４】
前記パターンが、前記設計データの少なくとも一部分のポリゴン表現である、請求項１に記載のパターン生成方法。
【請求項５】
パターン生成方法であって、
生成されるべきパターンを記述する設計データを受け取るステップと、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、前記受け取った設計データを処理するステップと、
前記ポリゴン表現からメタデータを生成するステップと、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングするステップと、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを、互いに並列に、前記パターンを生成するパターン生成装置に伝送するステップとを含んでおり、
前記メタデータが、フラクチャリング前の前記パターンの特定の設計データに関する情報を保存しており、前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報がフラクチャリングの際に失われてしまっている方法。
【請求項６】
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたポリゴンに関連したデータ・フローとは異なるデータ・フロー内で伝送される、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項７】
前記生成されたメタデータを伝送前にエンコードするステップをさらに含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項８】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項９】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項５に記載のパターン生成方法。
【請求項１０】
パターン生成方法であって、
フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取るステップと、
前記フラクチャリングされた設計データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するステップとを含んでおり、
前記メタデータがフラクチャリング前の前記設計データを記述し
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報がフラクチャリングの際に失われてしまっている方法。
【請求項１１】
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたポリゴン表現に関連したデータ・フローとは異なるデータ・フロー内で受け取られる、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１２】
前記メタデータ及び前記フラクチャリングされたポリゴン表現が、バンドル化されたデータ・フロー内で受け取られる、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１３】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１４】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載のパターン生成方法。
【請求項１５】
設計データに基づいてパターンを生成する方法であって、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、前記設計データを処理するステップと、
前記重なり合いのないポリゴン表現に関連したコーナー部及びエッジ部プロパティのうちの少なくとも１つを含むメタデータを生成するステップと、
前記重なり合いのないポリゴン表現をフラクチャリングするステップと、
抽出されたメタデータとフラクチャリングされた重なり合いのないポリゴン表現とに基づいて、パターンを生成するステップとを含み、
前記メタデータが、前記パターンの、重なり合いのないポリゴン表現を、前記フラクチャリングされたパターン・データを表す幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記重なり合いのないポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
さもなければ、前記パターンの前記重なり合いのないオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が、フラクチャリングの際に失われてしまっている方法。
【請求項１６】
パターン生成システムであって、
設計データをフォーマットして、フラクチャリングされたデータとメタデータとを生成するように構成されたデータ準備モジュールを含んでおり、前記メタデータが、フラクチャリング前の前記設計データを記述しており、前記システムがさらに、
前記フラクチャリングされたデータと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するパターン生成装置を含み、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっているシステム。
【請求項１７】
前記メタデータが、前記パターンのコーナー部及びエッジ部のうちの少なくとも１つに関連したプロパティを含む、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項１８】
前記メタデータが、前記パターンの少なくとも１つのコーナー部に関連した、空間的位置データ、開口角度データ、向きデータ、及び孤立度データのうちの少なくとも１つを含む、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項１９】
前記パターンが、前記設計データの少なくとも一部分のポリゴン表現である、請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項２０】
前記データ準備モジュールが、さらに、
前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成するように、受け取った設計データを処理し、
前記ポリゴン表現からメタデータを抽出し、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングし、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを前記パターン生成装置に伝送するように構成され、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっている請求項１５に記載のパターン生成システム。
【請求項２１】
前記データ準備モジュールが、伝送前に前記メタデータを前記フラクチャリングされたデータとともにエンコードする、請求項１８に記載のパターン生成システム。
【請求項２２】
パターン生成方法であって、
パターンを記述する設計データと、前記パターンのクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取るステップと、
前記受け取った設計データ及び前記受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいて、フィラー・データを生成するステップと、
前記生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送するステップとを含んでおり、
前記フィラー・データが、前記パターンの設計にとってクリティカルではない領域を表し、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっている方法。
【請求項２３】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
パターンを記述する設計データと、前記パターンの設計のクリティカル領域及び非クリティカル領域のうちの少なくとも１つを記述するメタデータとを受け取る手段と、
前記受け取った設計データ及び前記受け取ったメタデータのうちの少なくとも１つに基づいてフィラー・データを生成する手段と、
前記生成されたフィラー・データを識別する追加のメタデータを伝送する手段とを含んでおり、
前記フィラー・データが、前記パターンの前記設計にとってクリティカルではない領域を表し、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっている装置。
【請求項２４】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
生成されるべきパターンを記述する設計データを受け取る手段と、
前記受け取った設計データを処理する手段と、
前記受け取った設計データの処理に基づいて、前記設計データの、重なり合いのないポリゴン表現を生成する手段と、
前記ポリゴン表現からメタデータを生成する手段と、
前記ポリゴン表現をフラクチャリングする手段と、
前記フラクチャリングされたポリゴン表現と前記メタデータとを伝送する手段とを含み、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっている装置。
【請求項２５】
リソグラフィ・システムにおける装置であって、
フラクチャリングされた設計データとメタデータとを受け取る手段と、
前記受け取ったフラクチャリング済み設計データと前記受け取ったメタデータとに基づいてパターンを生成する手段とを含み、
前記メタデータが、前記パターンのポリゴン表現を前記フラクチャリングされたパターン・データの幾何学的プリミティブへとフラクチャリングする前に、前記パターンの前記ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報を保存しており、
前記メタデータが、前記フラクチャリングされたパターン・データと前記メタデータとに基づいてパターンを生成するために前記データ・フローのさらに下流で使用され、
さもなければ、前記パターンのオリジナル・ポリゴン表現の特定の設計データに関する情報が失われてしまっている装置。
【国際調査報告】
2009510495.tif 000015
2009510495.tif 000016
2009510495.tif 000017
2009510495.tif 000018
2009510495.tif 000019
2009510495.tif 000020