(57)【要約】  本発明は、第１の材料とは異なる第２の材料で形成される支持体（２）の結晶層（２）上で第１の材料の結晶層（４）をエピタキシャル成長させ、その格子パラメータが支持体（２）の結晶層（２）のそれにより決定されるような厚さを第１の材料の上記層（４）が有し、支持体（２）に相対する第１の材料（４）の上記層の表面の側上に誘電体層（８）を形成して、ドナー構造物（２、４、８）を形成し、ドナー構造物（２、４、８）をレシーバー層（１０）と共に組み立て、支持体（２）を取り外すステップを含むことを特徴とする、薄膜要素を作製するための方法に関する。
2009510751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料と異なる第２の材料で形成される支持体（２、１２）の結晶層（２、１２）上に第１の材料の結晶層（４、１４）をエピタキシャル成長させ、この格子パラメータが支持体（２、１２）の結晶層（２、１２）のそれにより決定されるような厚さを第１の材料の前記層（４、１４）が有し、
支持体（２、１２）に相対する第１の材料の前記層（４、１４）の側上に誘電体層（８、１８）を形成して、ドナー構造物（２、４、８、１２、１４、１８）を形成し、
ドナー構造物（２、４、８、１２、１４、１８）をレシーバーウェハ（１０）と共に組み立て、
支持体（２、１２）を取り外す
ステップを特徴とする、薄膜要素を作製する方法。
【請求項２】
誘電体層（８、１８）を形成する前に、前記第１の材料層（４、１４）上に第３の材料層（６、１７）をエピタキシャル成長するステップを含み、第３の材料の格子パラメータが支持体（２、１２）の結晶層のそれにより決定されるように第３の材料層の材料および厚さが選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
支持体を取り外すステップの後で、
第３の材料層まで第１の材料の結晶層を局所エッチングし、
エッチングにより露出される第３の材料層の領域上に第３の材料をエピタキシャル成長するステップを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
誘電体層を形成するステップが前記誘電体層（１８）を得るために、エピタキシャル成長した第３の材料層（１７）を少なくとも部分酸化するステップを含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
第３の材料がシリコンであることを特徴とする、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
構造物の誘電体層（８、１８）を形成する前記ステップが誘電体層（８）を堆積するステップを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
誘電体層（８、１８）が酸化物層であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
支持体が第２の材料の板（２）であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
支持体が絶縁体上の表面層のタイプのものであり、この表面層（２６）が第２の材料の結晶層を形成することを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の材料がゲルマニウムであることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第２の材料が歪緩和シリコンであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
第２の材料が歪みシリコンであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
第２の材料がＳｉＧｅであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
支持体（２、１２）を取り外すことにより非拘束状態に置かれている第１の材料の結晶層（４、１４）の面上で第１の材料をエピタキシャル成長するステップを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜要素を作製するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような方法においては、支持体がドナー構造物としてしばしば使用される。ドナー構造物（一般に表面層）の一部が例えば層転写によってターゲット構造物の要素として使用される。
【０００３】
この解決策は、例えば「Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＧｅＯＩ）ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｂｙ  ｔｈｅ  ｓｍａｒｔ  ｃｕｔ（登録商標）Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」，ｂｙ  Ｆ．Ｌｅｔｅｒｔｒｅ  ｅｔ  ａｌ．ｉｎ  Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．８０９、２００４Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、および「２００ｍｍ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＧｅＯＩ）Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｒｅａｌｉｚｅｄ  ｆｒｏｍ  ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ｗａｆｅｒｓ  ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  ｓｍａｒｔ  ｃｕｔ（登録商標）ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」，ｂｙ  Ｃ．Ｄｅｇｕｅｔ  ｅｔ  ａｌ．，ＥＣＳ  ２００５，Ｑｕｅｂｅｃ，ｖｏｌ．２００５−０５，７８頁で述べられているように、特に、ゲルマニウムオンインシュレータ（ＧｅＯＩ）タイプの構造物の作製に採用されている。
【０００４】
これらの文献は、ＧｅＯＩ構造物の表面層を形成する薄いゲルマニウム層を転写するための２つの代替の解決策を提案しており、使用されるドナーウェハはゲルマニウム層をエピタキシャル堆積したバルクゲルマニウムウェハまたはシリコンウェハであり、これの少なくとも一部を転写する。
【０００５】
バルクゲルマニウムを用いる解決策は、特に、転写された材料の結晶品質が極めて高い（バルクゲルマニウム中の転位の比率はゼロに近い）ために、電気的な観点から有利であるが、特に、この材料は高密度であり、機械的に弱いためにバルクゲルマニウムの取り扱いは比較的複雑である。
【０００６】
これが既に述べたシリコン上にエピタキシャル堆積されたゲルマニウムベースの構造物をドナーウェハとして実際には代わりに使用することを現在想定している理由である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、既に引用した文献中で提案されているようなこの解決策を使用することによって、これら２つの材料の結晶アレイの間の格子パラメータ差（Δ＝４．２％）のためにシリコン上にゲルマニウムをエピタキシャル堆積する相の間に本質的に生成し、約数１０６ｃｍ−２の転位の比率を有するゲルマニウムの層が時々生じる。
【０００８】
一般的に、第２の材料上にエピタキシャル堆積された第１の材料からなる構造物をドナーウェハとして使用することがメリット（例えば、一方の電気的性質、更に一般的には物理的性質および他方の機械的性質のメリット）を有する可能性がある。しかしながら、これらの２つの材料が異なる格子パラメータを有する場合には、このタイプの解決策は、第１の材料の層中に比較的高い比率の転位を生じ、この層の電気的および／または物理的性質を劣化させる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この事態を改良し、特にドナーウェハの取り扱いが容易であることと、それによりもたらされる層中の転位が低比率であることを併せ持つことができる薄膜要素を作製する方法を提案するために、本発明は、
第１の材料と異なる第２の材料で形成される支持体の結晶層上に第１の材料の結晶層をエピタキシャル成長させ、その格子パラメータが支持体の結晶層のそれにより決定される（したがって、一般にそれに対応する）ような厚さを第１の材料の上記層が有し、
支持体に相対する第１の材料の上記層の側上に誘電体層を形成して、ドナー構造物を形成し、
ドナー構造物をレシーバーウェハと共に組み立て、
支持体を取り外す、
ステップを特徴とする、薄膜要素を作製する方法を提案する。
【００１０】
この方法によれば第１の材料の層中に極めて少数の転位が生成する。したがって、この２つの材料は、エピタキシャル堆積層の結晶品質を損なうこの選択をせずにそれぞれの性質に対して独立に選択可能である。
【００１１】
一つの可能な実施形態においては、誘電体層の形成の前に、第１の材料の上記層上に第３の材料の層をエピタキシャル成長するステップが行われ、第３の材料の格子パラメータが支持体の結晶層のそれにより決定されるように第３の材料層の材料および厚さが選択される。
【００１２】
したがって、第１の材料の層は、第２および第３の材料の層の間に封入され、保護される。更には、構造物のこの部分においては格子パラメータが均一であるので、この層は良好な品質のものである。
【００１３】
第３の材料は例えばシリコンである。
【００１４】
この場合には、支持体を取り外すステップに続いて、
第３の材料層まで第１の材料の結晶層を局所エッチングし、
エッチングにより露出される第３の材料層の領域上に第３の材料をエピタキシャル成長する、
ステップを行うことができる。
【００１５】
したがって、全て良好な結晶品質である、第１の材料の領域と第３の材料の領域が表面上に得られる。したがって、各領域は、その特有の性質にしたがった特定の目的により使用可能である。
【００１６】
誘電体層を形成するステップは、上記誘電体層を得るために、第３の材料のエピタキシャル成長層を少なくとも部分酸化するステップを含むことができる。
【００１７】
この解決策は特に実際的であり、特に良好な品質の酸化物層を生成する。これは、上記に参照した第３の材料の層をエピタキシャル成長するステップのメリットも強調する。
【００１８】
あるいは、構造物の誘電体層を形成するステップは、誘電体層を堆積するステップを含む。
【００１９】
誘電体層は、例えば酸化物層である。
【００２０】
一実施形態においては、支持体は第２の材料の板である。
【００２１】
別の一実施形態においては、支持体は、絶縁体上の表面層のタイプのものであり、表面層が第２の材料の結晶層を形成する。
【００２２】
第１の材料は、例えばゲルマニウムである。この特別な場合は、ゲルマニウムの物理的性質（特に電子移動性）およびこれの取り扱いの問題のためにメリットを有する。
【００２３】
第２の材料は、例えばバルクシリコンであり、これは比較的広く使用され、したがって標準的な手段を用いて取り扱い可能である。
【００２４】
想定可能な一つの変形例においては、第２の材料は、特にゲルマニウムの臨界厚さを増加させる効果を有する歪みシリコンまたはＳｉＧｅである。
【００２５】
全ての場合、支持体を取り外すことにより非拘束状態に置かれている第１の材料の結晶層の面上で第１の材料をエピタキシャル成長するステップが想定され得る。
【００２６】
総合的に、最終的に得られる第１の材料の層は、第２の材料支持体上に直接に堆積される、同一の厚さの第１の材料の層よりも良好な品質のものである。
【００２７】
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面を参照して次の説明を読むと明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図中で表される層の厚さは純粋に例示的なものであり、実際の層の厚さに比例すると理解されるべきでない。
【００２９】
図１から図７を参照して本発明の第１の実施形態を次に述べる。
【００３０】
本実施形態は、図１で図示するように結晶性シリコンの板２を使用する。したがって、これは完全に歪緩和されたシリコンである。あるいは、表面上にシリコン層を有するウェハ、例えばＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウェハを使用することが可能である。このような構造物は、バルクウェハ（概ねシリコン）、埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層および表面シリコン層を含む。別の変形例は、ウェハの以降の取り外しと、その再使用を有利にする、ガス種（例えば水素）をイオン注入することにより得られる埋め込みの弱い領域を有するシリコンウェハを使用することができる。
【００３１】
臨界厚さ未満の厚さを持つゲルマニウム層４をシリコン板２上にエピタキシャル成長する。臨界厚さは、エピタキシャル成長層の結晶品質が保証される厚さであり、この厚さを超えると、欠陥、特に転位がエピタキシャル成長層中に出現する。この臨界厚さを下回ると、ゲルマニウム層４の結晶構造（特に格子パラメータ）は、板２の表面の結晶構造により決定され、ゲルマニウム層４の格子パラメータはシリコンの板２の表面の結晶構造のそれに等しい。臨界厚さは、当然ながら、エピタキシャル成長が行われるウェハに依存する。臨界厚さの主題については、文献「Ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｌａｙｅｒ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｓｔｒａｉｎ  ｉｎ  Ｓｉ１−ｘＧｅｘ／Ｓｉ  ｓｔｒａｉｎｅｄ−ｌａｙｅｒ  ｈｅｔｅｒｏ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」，ｂｙ  Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．ｉｎ  Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ  ８３（１），１９９８  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ  ｏｆ  Ｐｈｙｓｉｃｓを参照されたい。
【００３２】
本明細書中で述べられる実施例では、バルクシリコン板に対して３ｎｍ未満の厚さを持つゲルマニウム層４を成長させる。これは図２に示すスタックを生じる。
【００３３】
ゲルマニウム層４の厚さが臨界厚さ未満であり、この結晶構造が付随的に良好な結晶品質の板２のそれにより決定されるために、ゲルマニウム層中の転位の比率は実際的にゼロである。
【００３４】
本明細書中で提案される実施形態においては、ここで通常１ｎｍ未満、通常数オングストローム単位の厚さを持つ極めて薄いシリコン層６を堆積（例えば、エピタキシャル的に）する。ここで、図３に示す構造物を得る。
【００３５】
あるいは、若干厚いシリコン層（通常１ｎｍと２０ｎｍ厚の間、例えば２ｎｍと３ｎｍ厚の間）をエピタキシャル堆積し、この層の全部または一部を化学的もしくは物理的な表面処理により酸化することが可能である。数オングストローム単位のシリコン、例えば有利には１または２層のシリコン単層を処理後残存させることができる。
【００３６】
板２のシリコンおよびエピタキシャル堆積されたゲルマニウムの結晶品質のために、ゲルマニウム上にエピタキシャル堆積されたシリコン層も良好な結晶品質を有し、このシリコン層とゲルマニウム層との間の界面は特に電気的な観点から良好な品質のものである。
【００３７】
層中のゲルマニウムの格子パラメータは層のシリコンのそれにより決定されるので、これはまた、生成するシリコン層のそれであり、したがってこの厚さに拘わらず転位が回避されるということに留意されたい。この構造物ではゲルマニウム層４は、シリコン板２と薄層６との間に封入され、これによって、説明している方法の以降のステップにおいてはゲルマニウム層の良好な保護が提供されるということに留意されたい。
【００３８】
適切な清浄化の後、誘電体、例えばＳｉ３Ｎ４、高誘電率材料（例えばＡｌＮまたはＨｆＯ２）、酸化物（例えば、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２）を薄層６上に堆積する。この例においては、緻密化もしくは緻密化せずに１０ｎｍから３００ｎｍの酸化物の厚さを得るために、例えばＰＥＣＶＤ（プラズマ増強化学蒸着）タイプの方法により約３８０℃の温度でＳｉＯ２を堆積するのに選択が行われる。
【００３９】
あるいは、エピタキシャル堆積されたシリコン層を使用せずにゲルマニウム層上に直接にこの酸化物層を堆積することが可能である。この場合には、Ｇｅ／ＳｉＯ２界面は劣った電気的品質のものであるが、ある用途には充分であり得る。
【００４０】
この方法で堆積される酸化物層８は、最終的に得られるＧｅＯＩ構造物の埋め込み酸化物（ＢＯＸ）層を形成するように意図されている。
【００４１】
ここで、図４に図示する、酸化物層８の堆積後に得られるスタックをレシーバウェハ１０、例えば表面が酸化もしくは酸化していないもう一つのシリコン板に転写する。ここでは、この転写は、結合対象の面の活性化（例えば、化学的活性化および／または機械的および／または化学的研磨（ＣＭＰ）および／またはプラズマにより）後で酸化物層８をレシーバーウェハ１０に分子的結合することにより行われる。
【００４２】
ここで、図５に示す構造物を得る。これは
レシーバーウェハ１０、
酸化物層８、
シリコン薄層６（随意であるが、有利である）、
ゲルマニウム層４（厚さは臨界厚さ未満である）、
シリコン板２、
のスタックを含む。
【００４３】
これに続いて、例えばシリコンを機械的作用（ラッピングおよび研磨）および／またはゲルマニウムに対して選択的にシリコンの化学エッチング（例えば、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いて）することにより、板２の取り外しを行う。
【００４４】
シリコンの一体の板２でなくＳＯＩウェハを出発のウェハとして使用する上記変形例の利点は、取り外しが容易であることに在る。ＳＯＩウェハによる場合には、順守すべき注意事項が少ない。初めに、シリコンウェハを機械的作用により取り外して、埋め込み酸化物層に到達する。ここで、例えばシリコンに対する選択的化学エッチングにより、これを除去することができる。次に、例えばゲルマニウムに対する選択的化学エッチングによりシリコン薄層を除去する。
【００４５】
上記に提案され、埋め込み弱化領域を提供する変形例の場合には、これに続いて例えば、熱的および／または機械的処理することにより、埋め込み弱化領域のレベルにおける破壊を行う。次に、例えば前出の場合のように化学エッチングにより、破壊後ゲルマニウム層に結合した状態にあるシリコンウェハの残存層を選択的に除去することができる。
【００４６】
ここで、図６に示すように、必要とされるＧｅＯＩ構造物を得る：
ウェハ１０、
埋め込み酸化物層８、
シリコン薄層６（随意）、
ゲルマニウム層４、このステップでは表面。
【００４７】
エピタキシャル成長時に厚さが臨界厚さ未満であるために、ゲルマニウム層４は、既に述べたように極めて少数の転位を含む。したがって、このゲルマニウム層４の電気的性質は、ゲルマニウムの使用から予測されるものと一致し、品質はバルクゲルマニウムウェハを用いて得られたものと同等である。
【００４８】
ゲルマニウム層４と埋め込み酸化物８との間に通常１ナノメートル未満の厚さのシリコン薄層６が存在することは、疑いなくこれらの良好な電気的性質をもたらし（これらを改善すらする）、ゲルマニウムとの良好な品質界面を提供する。
【００４９】
したがって、ＧｅＯＩ構造物はそのままで電子部品中で使用可能である。
【００５０】
より厚いゲルマニウム層を持つＧｅＯＩ構造物を使用することを必要とする場合には、上記のＧｅＯＩ構造物のゲルマニウム層４上にゲルマニウムの更なるエピタキシャル成長を進めることが同じく可能である。ゲルマニウム層の結晶品質を保存するためには、いま考慮している、Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ（随意）／Ｇｅ（歪み）スタックから形成される新しいウェハに対して、エピタキシャル成長ゲルマニウムの厚さを臨界厚さ未満に保つことを確実に行うことが必要である。更には、ゲルマニウム層の結晶品質のレベルにおける制約が緩和される場合には、更に大きな厚さをエピタキシャルに得ることができる。
【００５１】
得られる転位の比率は、全ての場合において、最終的に使用されるゲルマニウムの全体の厚さをバルクシリコン板２上で直接成長することにより得られる転位の比率未満である。
【００５２】
これらの仮説を前提とすると、ゲルマニウム層５の厚さが大きいことにより図６のそれとは異なる図７に示す構造物が得られる。
【００５３】
図８および図９を参照して、本発明の第２の実施形態を次に説明する。
【００５４】
第２の実施形態はいま説明した第１の実施形態に近く、この説明は、第１の実施形態とは区別されるステップに本質的に限定される。
【００５５】
この第２の実施形態も図２を参照して説明したように、臨界厚さ未満の厚さのゲルマニウム層１４をエピタキシャル成長させたシリコン板１２（またはＳＯＩウェハ）を使用する。
【００５６】
ここで説明する第２の実施形態においては、ゲルマニウム層４上に約数ナノメーターの、例えば５ｎｍ（一般的に１０ｎｍ未満）の厚さを持つシリコン層をエピタキシャル成長する。
【００５７】
第１の実施形態の薄い構造物６のそれと比較して比較的大きな厚さを有する表面シリコン層１７を持つ構造物がこのようにして得られる。
【００５８】
図９に示すように最終ＧｅＯＩ構造物中で埋め込み酸化物を形成する熱酸化物層１８を表面において得るために、これに続いて、例えばプラズマもしくは化学処理または熱酸化（当然ながら、下地のゲルマニウム層１４を劣化させる危険性のない温度において）により表面シリコン層１７の全部または一部を酸化する。
【００５９】
この図から見てわかるように、有利には、電気的な理由（既に示したように、ＳｉＯ２／Ｓｉ／Ｇｅ界面はＧｅ／ＳｉＯ２界面よりも良好な品質である）によりゲルマニウム層１４と酸化物層１８との間にシリコン薄層１６を残すために、ゲルマニウム層１４とシリコン層１７との間の界面の数オングストローム単位前で酸化を停止することをここで提案する。
【００６０】
この方法で得られ、図９に示す構造物は、第１の実施形態を用いて得られ、図４に示すものに完全に匹敵するものであり、したがってＧｅＯＩ構造物の形成に厳密に同一の（上記で説明したステップにしたがい、図５および図６および適用可能な場合には図７に示した）方法で使用可能である。
【００６１】
第１の実施形態におけるようにゲルマニウム層１４は臨界厚さ未満の厚さを有するので、ここで得られる利点は既に述べたものと同一である。
【００６２】
更には、この解決策は、この酸化物を堆積（上記の第１の実施形態）により得る場合よりも良好な品質の埋め込み酸化物（熱酸化物層１８から）および酸化物とシリコン薄層（１６）との間の良好な界面を生じる。それにも拘わらず、更に厚い酸化物層を必要とする場合には、熱酸化物層上に相補的な酸化物層を堆積することが可能である。
【００６３】
図６または図７で得られる構造物、すなわちゲルマニウム薄層の下にシリコン極薄層（良好な結晶品質の）を有するＧｅＯＩ構造物から、図１０に示すように、ゲルマニウムを局所的にエッチングして、シリコン薄層６、１６を局所的に露出し、それに続いて、シリコン薄層６、１６上にシリコンを局所的および選択的にエピタキシャル再成長して、図１１に示すように、ゲルマニウム層４の前にエッチングされた領域中に新しいシリコン層７を得ることが可能である。例えば、ゲルマニウム層をエッチングした後、ならびにシリコンをエピタキシャル再成長する前に、なお存在するゲルマニウムの小島はシリコン中に開口を残す局所的な保護層により保護可能である。
【００６４】
この層は、シリコンをエピタキシャル堆積した後で選択的に除去可能である。
【００６５】
図１１の構造物によって、領域（選択的再成長により製造される層４および層７の残存部分）の各々を使用し、２つの材料の各々の性質からメリットを得ること、例えば異なる部品を製造することが可能である。
【００６６】
本発明はいま述べたばかりの実施形態に限定されない。
【００６７】
例えば、上述の実施形態は、歪緩和シリコン（バルクＳｉまたはＳＯＩ）上にゲルマニウム層を堆積することを提案しているが、エピタキシーにより堆積されるゲルマニウムの臨界厚さ（すなわち、これを受ける結晶性構造物の格子パラメータを変化させることなくエピタキシャル堆積可能であり、それにより転位のリスクを最小にするゲルマニウムの可能な厚さ）を増加させる利点を有するゲルマニウムを歪みシリコン（例えば、ＳｉＧｅ上でのエピタキシャル成長により得られる、または歪みシリコンオンインシュレータ（ｓＳＯＩ）タイプ構造物上から生じる）上に成長することが等しく可能である。
【００６８】
ゲルマニウムは、例えばｘ＝０．８の、すなわち２０％のゲルマニウムのＳｉｘＧｅ１−ｘ、例えばＳｉＧｅＯＩの層を少なくとも表面において有するウェハ上で等しく成長可能である。
【００６９】
この解決策も結晶品質を劣化させずに堆積可能なゲルマニウムの厚さを増加させる。
【００７０】
これら最後の２つの例（歪みＳｉおよびＳｉＧｅ）に対しては、このエピタキシャル堆積を行う構造物を前提として、シリコン層をエピタキシャル堆積ゲルマニウム層上にエピタキシャル堆積する場合には、この層と下地のゲルマニウム層の結晶品質を保存するために、このシリコン層（この場合には、ウェハの表面層のそれと異なる格子パラメータを持つ材料で形成される）の厚さをエピタキシャル堆積可能な臨界厚さ未満に留めるように留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図２】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図３】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図４】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図５】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図６】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図７】本発明の教示にしたがって薄膜要素を作製する方法の第１の例の主要なステップを示す。
【図８】本発明の第２の実施形態にしたがって薄膜要素を作製する方法のステップを示す。
【図９】本発明の第２の実施形態にしたがって薄膜要素を作製する方法のステップを示す。
【図１０】前述の方法により得られる構造物に適用可能な以降のステップを示す。
【図１１】前述の方法により得られる構造物に適用可能な以降のステップを示す。
【図１】
2009510751.tif 000003
【図２】
2009510751.tif 000004
【図３】
2009510751.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009510751.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009510751.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年4月4日(2007.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料と異なる第２の材料で形成される支持体（２、１２）の結晶層（２、１２）上に第１の材料の結晶層（４、１４）をエピタキシャル成長させ、この格子パラメータが支持体（２、１２）の結晶層（２、１２）のそれにより決定されるような臨界厚さ未満の厚さを第１の材料の前記層（４、１４）が有し、
支持体（２、１２）に相対する第１の材料の前記層（４、１４）の側上に誘電体層（８、１８）を形成して、ドナー構造物（２、４、８、１２、１４、１８）を形成し、
ドナー構造物（２、４、８、１２、１４、１８）をレシーバーウェハ（１０）と共に組み立て、
支持体（２、１２）を取り外す
ステップを特徴とする、薄膜要素を作製する方法。
【請求項２】
誘電体層（８、１８）を形成する前に、前記第１の材料層（４、１４）上に第３の材料層（６、１７）をエピタキシャル成長するステップを含み、第３の材料の格子パラメータが支持体（２、１２）の結晶層のそれにより決定されるように第３の材料層の材料および厚さが選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
支持体を取り外すステップの後で、
第３の材料層まで第１の材料の結晶層を局所エッチングし、
エッチングにより露出される第３の材料層の領域上に第３の材料をエピタキシャル成長するステップを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
誘電体層を形成するステップが前記誘電体層（１８）を得るために、エピタキシャル成長した第３の材料層（１７）を少なくとも部分酸化するステップを含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
第３の材料がシリコンであることを特徴とする、請求項２から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
構造物の誘電体層（８、１８）を形成する前記ステップが誘電体層（８）を堆積するステップを含むことを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
誘電体層（８、１８）が酸化物層であることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
支持体が第２の材料の板（２）であることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
支持体が絶縁体上の表面層のタイプのものであり、この表面層（２６）が第２の材料の結晶層を形成することを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の材料がゲルマニウムであることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第２の材料が歪緩和シリコンであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
第２の材料が歪みシリコンであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
第２の材料がＳｉＧｅであることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
支持体（２、１２）を取り外すことにより非拘束状態に置かれている第１の材料の結晶層（４、１４）の面上で第１の材料をエピタキシャル成長するステップを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【国際調査報告】
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