(57)【要約】  ＡＬＤ反応室には、その外周に環状付属フローリング導管を備える垂直可動ヒータサセプタが含まれているが、その導管は、ヒータサセプタがそのプロセス位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方及びウェハの下方における反応器の外部空間を分離する外部表面をそのエッジに備えている。サセプタがプロセス位置につくと、フローリングの外側エッジが反応室のＨｄに取り付けられた環状リングに近接した位置につき、リングと導管が共にタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造を形成する。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。
2009529223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス導管として構成され、垂直可動ヒータサセプタが加工位置につくと前記反応室装置のウェハ輸送スロット弁の底面より下方に延びる出口ポートを備える環状付属フローリングに結合された前記ヒータサセプタが含まれている、反応室装置。
【請求項２】
外周が環状付属フローリング導管に結合されているヒータサセプタを含み、前記フローリング導管が、前記ヒータサセプタが加工位置につくと前記フローリングの底面対するウェハ位置の上方とウェハ位置の下方における前記反応器の外部空間を分離する外部表面をエッジに備えることを特徴とする、反応室装置。
【請求項３】
外周が環状付属フローリング導管に結合されているヒータサセプタが含まれており、前記フローリング導管が、前記ヒータサセプタが加工位置につくとウェハ位置の上方における前記反応室の外部空間を前記反応室の限定反応空間から分離する外部表面をエッジに備え、そのエッジは前記反応器の蓋に取り付けられた環状リングに近接しており、前記環状リングと前記導管の外側部材によってタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造が形成されていることを特徴とする、反応室装置。
【請求項４】
前記ＴＩＧ構造に下流ガスの拡散逆流を前記装置の外部空間に限定する働きをする階段形状が含まれることを特徴とする請求項３に記載の反応室装置。
【請求項５】
外周が環状付属フローリング導管に結合されている垂直可動サセプタが含まれており、前記環状付属フローリングが前記反応室の軸心中心に対して軸外に配置された下流ポンプオリフィスに排出反応ガスを送るように構成されていることを特徴とする、反応室装置。
【請求項６】
さらに、環状付属フローリングの下方オリフィスと下流ポンプの間に配置された下流バッフルが含まれることを特徴とする請求項５に記載の反応室装置。
【請求項７】
さらに、前記反応室からガス流を除去するために結合されたポンプ、前記フローリング導管、前記ポンプに通じる下方室が含まれることを特徴とする請求項３に記載の反応室装置。
【請求項８】
さらに、前記反応室及び前記フローリング導管のバイパスを可能にするために結合されたガス注入オリフィスが含まれ、前記オリフィスに注入されたガスが、前記フローリングの出力オリフィスの下方のポンプに至る流れに流入するようになっていることを特徴とする請求項７に記載の反応室装置。
【請求項９】
前記ガス注入オリフィスが、ガスを方位角点から注入するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の反応室装置。
【請求項１０】
前記フローリングオリフィスにオリフィス面における穴の形態をなす制限器が含まれることを特徴とする、請求項８に記載の反応室装置。
【請求項１１】
前記穴がさまざまな方位角方向においてさまざまに構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の反応室装置。
【請求項１２】
前記蓋の内側エッジが湾曲していることを特徴とする請求項３に記載の反応室装置。
【請求項１３】
複数のプロセスモジュールが含まれているＡＬＤ装置であって、各プロセスモジュールが１つ以上の反応室を備え、各反応室にプロセス位置と装入／取出し位置の間で垂直に移動可能な基板ホルダが収容されており、前記基板ホルダの各個別ホルダ毎に、前記それぞれの基板ホルダがそのプロセス位置につくと前記それぞれの反応室内にガス排出ポートが形成されるように、そのそれぞれの反応室内における配向が施され、前記ポートがそれぞれの反応室の外周壁と前記それぞれの基板ホルダのエッジ面によって形成されることを特徴とする、ＡＬＤ装置。
【請求項１４】
前記ガス排出ポートチャネルの壁面が前記基板ホルダに取り付けられて、それと共に移動可能であることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記ガス排出ポートチャネルの外壁セグメントの上部セグメントがリンググルーブ内に配置されることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記リンググルーブが、各個別反応室の給気ディストリビュータのまわりに嵌る円形シールドのまわりに嵌合することを特徴とする請求項１５に記載のＡＬＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本願は、２００６年７月２１日に提出された米国仮特許出願第６０／８２０，０４２号の正規出願であって、それに対する優先権を主張するものであり、２００５年１１月２２日に提出された独国特許出願第１０２００５０５６３２６．６号に対する優先権を主張するものであり、さらに、２００４年９月１３日に提出された米国仮特許出願第６０／６０９，５９８号の正規出願であって、それに対する優先権を主張し、参考までにそれを援用している、２００５年９月１２日に提出された米国特許出願第１１／２２４，７６７号に関連するものであって、これらはそれぞれ本発明の共同所有者に譲渡されており、参考までに本明細書において援用されている。
【０００２】
本発明は、反応空間容積を最小限に抑え、同時に、軸外しウェハ輸送スロット弁及び／又は軸外し下流ポンプ輸送導管に関連したガス流の対称性を維持することによってＡＬＤサイクル時間を改善する小体積対称流れ原子層堆積（ＡＬＤ）装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
ＡＬＤ反応器は、さまざまな設計構造を備えることが可能である。従来のシングルウェハＡＬＤ反応器の構造には、クロスフロー設計が含まれ、そこでは、順次行われる化学的前駆体の暴露（パルス）と注入ガスの除去（パージ）が、ウェハ表面をほぼ水平に横切って流れ、かつ同様に水平方向に送り出される。ウェハ輸送は、ガス流方向に対して直角な同じ水平面において実施可能である。注入オリフィスからポンプオリフィスへの時間依存前駆体パルスの移動を表すために「進行波」という用語が利用されてきた。例えば先行技術文献を参照されたい（非特許文献１参照）。
【０００４】
いわゆる「純粋な」ＡＬＤプロセスの場合、第１の前駆体を反応空間から完全に除去してから、第２の前駆体を導入する。例えば先行技術文献を参照されたい（非特許文献２参照）。しかしながら、ウェハが例えば３００ｍｍや４５０ｍｍといったより大きいサイズに拡大されると、また、サイクル時間が下限にまで短縮されると、望ましくない寄生化学気相成長（ＣＶＤ）がウェハのエッジにおいて進行波の方向に生じる。寄生ＣＶＤは、分散した第１の前駆体の後尾と第２の前駆体の先頭において残留前駆体が時間的、空間的に同時に共存することによる望ましくない化学反応に起因するものである。この寄生ＣＶＤを回避するため、パルス間に前駆体の除去が利用される。長い除去時間を必要とする場合が多い。水平シングルウェハ構造の場合、この寄生ＣＶＤを回避するには、第１の前駆体パルスの後縁の濃度を例えば第１の前駆体のピーク値の約１％未満といった任意の数値のトレースベルまで低下させなければならない。例えば先行技術文献を参照されたい（特許文献１参照）。
【０００５】
ＡＬＤは自己制御式プロセスであるため、一般に「パージ期間」と呼ばれる前駆体除去期間に十分な時間が利用される場合には、顕著なＣＶＤが生じることはないので、前駆体流の方向と対称性は問題にならないといえるであろう。しかしながら、高付着率（厚さ／単位時間又は低サイクル時間）を求めて、商業生産における値に関して可能性のある最短時間までパージ時間を短縮する場合には、流れの対称性が重要になる。
【０００６】
代替シングルウェハ設計では、軸心及び軸対称垂直ガス供給モジュール（ＧＤＭ）（例えば軸心オリフィス又はシャワーヘッドを用いる）から注入される前駆体ガスを利用するが、この場合、分散後尾が、高逆拡散の場合に有利なように、ウェハの半径（直径の１／２の値）で重なるように制限され、未利用ガスと副産ガスのより迅速な送り出し（全方位角の送り出し）と除去が可能になる。
【０００７】
今日多くの市販のシングルウェハＡＬＤ反応器は、半径流に垂直送り込みが後続する垂直前駆体注入を利用している。図１には、２つの前駆体（Ａ、Ｂ）が弁１２ａ、１２ｂを介して反応室１４に垂直に注入されるこうしたＡＬＤ反応器システム１０が例示されている。ポンプ１６によって反応室１４からガスが抽出される。説明図に示すように、反応室１４内のガスは、最初は、例えば一般にサセプタ２２によって支持されたウェハ２０の上方で軸対称に配置されたシャワーヘッド又は他の注入装置１８から垂直方向に流れ、次に、ウェハ２０の中心からそのエッジへと半径方向外側に流れる。次に、ガスは反応室１４から垂直流をなすように送り出され、半径／垂直流を組み合わせた送り出しが行われる。この構成によってウェハエッジにおける流れが対称になるのが理想である。
【０００８】
図２に例示のように、市販用のシングルウェハシステムの場合、加工されるウェハはロボットセントラルハンドラ２４によって反応器に送り込まれる。これらのウェハ輸送機構は、一般にシリコンチップ製造業に役立つＣＶＤ装置にも利用されている。ウェハ２６は、一般に反応器の壁面に近接した反応室１４の半径又は外側表面上にある、特定の方位角と範囲（θ1及びΔθ1）に位置する矩形スロット弁２８を介して導入される。このスロット弁２８、及び反応室１４への矩形通路によって、説明図に概略的に示された半径ガス流の対称性が崩される。
【０００９】
さらに、下流排出ポンプ１６が一般に方位角及び範囲θ2及びΔθ2に設けられている。ここで、θ2は一般に必ずしもθ1と同じとは限らない。この構成は、垂直方向におけるサセプタの移動を可能にする軸上機械駆動支持ハードウェアには適合するが、同時にこれらの非対称性は、再循環ポケット、よどみゾーンが形成され及び／又は排出方位角不均一性が形成される可能性がある。例えば、第１の前駆体流からの残留前駆体はウェハからの不均一な方位角流で排出されるか又は一掃される場合、寄生ＣＶＤがウェハの１つの方位角方向に向かって非対称又は不均一に発生する追加メカニズムが存在する。この場合、寄生ＣＶＤの発生が、再循環、よどみ、及び／又は、排出効果のために特定の方位角方向又は方向に非対称にかつ早期に起こる。
【００１０】
小反応空間容積（ウェハと前駆体注入コンポーネント（例えばシャワーヘッド）との間のウェハ上方の空間）の望ましさは当該技術において既知である。例えば先行技術文献を参照されたい（非特許文献３参照）。前駆体除去時間の短縮、滞留時間（ＰＶ／Ｆ、ここでＰは圧力、Ｖは反応空間の容積、Ｆは反応空間を通る流量である）の短縮、従って、ＡＬＤサイクル時間の短縮のためには、ＡＬＤ反応空間容積を最小限に抑えるべきである。垂直方向に移動可能なサセプタ設計（例えば先行技術文献を参照されたい（特許文献２参照））の場合、ウェハ面と反応器の蓋のガス供給オリフィス（シャワーヘッド）との間隔は、流量と滞留時間の均一性のために最適化することが可能である、すなわち、局部的に均一な暴露の制約条件内において反応空間の容積を最小限に抑えることが可能である。さらに、反応空間には、寄生反応空間容積をなすサセプタエッジと反応器の上部内壁との間の環状領域を含むことが可能である。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，０１５，５９０号明細書
【特許文献２】米国特許第５，８５５，６７５号明細書（Ｄｏｅｒｉｎｇ他に付与され本発明の譲渡人に譲渡され参照として本書に組み入れられた）
【非特許文献１】Ｔ．Ｓｕｎｔｏｌａ著、Ｈｕｅｒｌｅ編、「Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｐｉｔａｘｙ」、Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ，第３巻  １９９４年、第１４章、ｐ.６０１以下参照
【非特許文献２】Ｓ．Ｍ．Ｂｅｄａｉｒ、「Ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｅｐｉｔａｘｙ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．Ｂ１２（１）、１９９４年、１／２月号、ｐ.１７９以下参照
【非特許文献３】Ｍ．Ｒｉｔａｌａ及びＭ．Ｌｅｓｋｅｌａ著、Ｈ．Ｎａｌｗａ編、「Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」、Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、第１巻、２００２年、第２章、ｐ.１０３以下参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ウェハスロット弁とウェハ通路の方位角配置のために崩れた流れの対称性は、ウェハとそのヒータ／サセプタがプロセス位置につくと、ウェハがウェハスロット弁の上方に位置するように構成された垂直可動サセプタ／ヒータを用いることによってほぼ復元されたが、このアプローチは、それにもかかわらず対称流れの微調整に関して制限があった。例えば、サセプタがそのプロセス位置につくと、下流ガスがやはりウェハ面の下方のウェハスロット弁に関連したポケット内によどみ領域及び渦を形成した。従って、反応空間容積を最小限に抑えて、対称流を改善し、同時に従来のウェハ（スロット）輸送メカニズムと連係する能力も維持する反応器設計が必要である。本発明によれば、これらの要件に対する解決法が提供され、その結果対称流が生じる小さい限定された容積が得られ、高処理量で高性能（ＨＰ）のシングルウェハ反応器を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の実施態様の１つでは、反応室装置に垂直可動ヒータサセプタが含まれているが、ヒータサセプタはガス導管として機能する環状の付属フローリングに接続されており、サセプタがプロセス（高）位置につくと、フローリングの出口ポートはウェハ輸送スロット弁の底面より下に延びる。
【００１４】
本発明のもう１つの実施態様によれば、外周が環状付属フローリング導管に接続されたヒータサセプタを含む反応室装置が提供されるが、導管は、ヒータサセプタがその装入位置に対してそのプロセス（高）位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方とウェハの下方における反応室の外部空間を限定された反応空間から分離する外部表面をそのエッジに備えている。
【００１５】
さらにもう１つの実施態様では、本発明によって、外周が環状付属フローリング導管に接続されたヒータサセプタを含む反応室装置が提供されるが、導管は、ヒータサセプタがその装入位置に対してそのプロセス（高）位置につくと、ウェハ上方の反応室の外部空間を限定された反応空間から分離する外部表面をエッジに備えており、外側エッジは反応室の蓋に取り付けられた環状リングに近接して配置されていて、リングと導管外側部材は共にタングイングルーブ（ＴＩＧ：グルーブ内タング）構造の働きをする。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。
【００１６】
本発明のもう１つの実施態様によれば、装入（低）位置に対する垂直可動サセプタ（ＶＭＳ）を備える反応室装置が提供されるが、サセプタはその外周が環状付属フローリング（ＡＦＲ）（又はディープフローリング（ＤＦＲ））導管に接続されており、前記環状ＡＦＲ導管は反応室の軸心の中心に対して軸外にある下流ポンプオリフィスに排出反応ガスを送る。場合によっては、上流ウェハ面のウェハエッジにおいて対称ガス流を生じさせるため、環状ＡＦＲの下方オリフィスと下流ポンプの間に下流バッフルを配置することも可能である。
【００１７】
本発明のさらにもう１つの実施態様によれば、反応空間からガス流を除去するために接続されたポンプ、ＡＦＲ導管、ポンプに通じる下方室を備える、上述のＴＩＧ室構造が提供される。反応空間とＡＦＲ導管のバイパスを可能にするガス注入オリフィスが配置されて、前記オリフィスに注入されたガスがＡＦＲの出力オリフィスの下方のポンプに至る流れに流入するようになっている。従って、このオリフィスによれば、ＡＦＲ出力オリフィスとポンプ入力オリフィスの間にさらなる制限器を設けることなく、ＡＬＤサイクリング中定期的にポンプの入力に直接通じるポンピング導管にガスを直接注入することが可能になる。
【００１８】
さらにもう１つの実施態様では、ＡＬＤ装置に複数のプロセスモジュールが含まれているが、各プロセスモジュールは１つ以上の反応室を備え、各反応室にはプロセス位置と装入／取出し位置の間で垂直方向に移動可能な基板ホルダが収容されており、基板ホルダの各１つずつが、そのそれぞれの反応室内においてそのプロセス位置につくと、それぞれの反応室内に排気ポートが形成されるような配向を施されていて、前記ポートはそれぞれの反応室の外周壁とそれぞれの基板ホルダのエッジ面によって形成される。排気ポートチャネルの壁面は基板ホルダに取り付けられて、それと共に移動可能である。排気ポートチャネルの外壁セグメントの上部セグメントは、リンググルーブ内に収まるのが望ましく、リンググルーブは、それ自体各個別反応室の給気ディストリビュータのまわりに嵌る円形シールドのまわりに嵌合する。
【００１９】
本発明のさらなる実施態様、特徴、利点については以下で論考する。
【００２０】
制限のためではなく例証のために、添付図面の図には本発明が例示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本明細書では、反応器の壁面への化学輸送を最小限にして対称流れを生じる最小ＡＬＤ反応容積に対して定義された、小体積対称流れ（ＳＶＳＦ）装置について説明される。この説明には、反応器の設計とその機能性を含み、さらに、反応空間に関する小容積と、再循環のない反応器壁面から反応空間を分離するための汎用設計と、ウェハ面下方におけるガス膨張体積の最小化と、保守性や組立て特性を備えた軸外しポンピング導管の場合における流れの対称性を実現するためのあらゆる場合に適した設計が施された時間位相マルチレベルチョーク式下流ポンプ構造との複合効果に関する論考を含む。
【００２２】
本発明の実施形態の１つでは、反応室装置に垂直可動ヒータサセプタが含まれているが、このヒータサセプタはガス導管として機能する環状付属フローリングに接続されており、サセプタがプロセス（高）位置につくと、フローリングの出口ポートはウェハ輸送スロット弁の底面の下方に延びる。
【００２３】
本発明のもう１つの実施形態によれば、その外周が環状付属フローリング導管に接続されたヒータサセプタを含む反応室装置が提供されるが、導管は、ヒータサセプタがその装入位置に対してそのプロセス（高）位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方及びウェハの下方における反応器の外部空間を限定された反応空間から分離する外部表面をそのエッジに備えている。
【００２４】
さらにもう１つの実施形態の場合、本発明によって、その外周が環状付属フローリング導管に接続されたヒータサセプタを含む反応室装置が提供されるが、導管は、ヒータサセプタがその装入位置に対してそのプロセス（高）位置につくと、ウェハの上方の反応器の外部空間を限定された反応空間から分離する外部表面をそのエッジに備えており、外側エッジは反応室の蓋に取り付けられた環状リングに近接して配置されていて、リングと導管外側部材は共にタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造の働きをする。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。
【００２５】
本発明の実施形態の場合、タング部材とグルーブ部材の設計と働きによって、これらの部材が互いに物理的に接触しないようになっているのが重要である。接触部材は、粒子源メカニズムとなって、おそらく金属間の接触固着（真空内における金属結合）を生じ、ヒータサセプタの引き戻しを困難にするであろう。さらに、接触設計は、機械的安定性の維持がかなり困難になる。これらの理由により、「近接」又は「拡散封じ」ＴＩＧメカニズムが設計され、操作された。
【００２６】
本発明のもう１つの実施形態によれば、その装入（低）位置に対する垂直可動サセプタ（ＶＭＳ）を備えた反応室装置が提供されるが、前記サセプタはその外周が環状付属フローリング（ＡＦＲ）（又はディープフローリング（ＤＦＲ））導管に接続されており、前記環状ＡＦＲ導管は反応室の軸心の中心に対して軸外にある下流ポンプオリフィスに排出反応ガスを送る。場合によっては、上流ウェハ面のウェハエッジにおいて対称ガス流を生じさせるため、環状ＡＦＲの下方オリフィスと下流ポンプの間に下流バッフルを配置することも可能である。
【００２７】
本発明のさらにもう１つの実施形態によれば、反応空間からガス流を除去するために接続されたポンプ、ＡＦＲ導管、ポンプに通じる下方室を備える、上述のＴＩＧ室構造が提供される。反応空間とＡＦＲ導管のバイパスを可能にするガス注入オリフィスが配置されて、前記オリフィスに注入されたガスがＡＦＲの出力オリフィスの下方のポンプに至る流れに流入する。従って、このオリフィスによれば、ＡＦＲ出力オリフィスとポンプ入力オリフィスの間にさらなる制限器を設けることなく、ＡＬＤサイクリング中、定期的にポンプの入力に直接通じるポンピング導管にガスを直接注入することが可能になる。場合によっては、こうして注入されるガスは、均一な暴露と均一な滞留時間を実現するため、方位角点から注入することも可能である。また、ＡＦＲのオリフィスは、そのオリフィス面に穴の形態の制限器を備えることが可能であり、これらの穴は、ウェハ面に対称流れを誘発するようにさまざまな方位角方向においてさまざまな設計を施すことが可能である。ＴＩＧ設計は、ＴＩＧ蓋部品の内側エッジを湾曲させて、反応空間のデッドスペースをなくすように施すことが可能である。
【００２８】
本明細書に記載のＨＰ  ＡＬＤ設計は、さらに、例えば上述の米国特許出願第１１／２２４，７６７号及び独国特許第１０２００５０５６３２６．６号に記載の「マルチシングルウェハ」（ＭＳＷ）反応器システムにおいて利用することも可能である。その場合、いくつかの（例えば４つの）ほぼ独立したＨＰ反応器を共通の真空ハウジングシステムに収容することが可能である。独国特許第１０２００５０５６３２６．６号の場合、同じマスタ真空ハウジング内に収容された別様にほぼ独立して動作する反応器間におけるわずかなガス流（対流とは対照的な拡散によるほぼ逆流）がさらに必要とされる。
【００２９】
すなわち、マルチシングルウェハシステムの場合、いくつかの反応室が単一プロセスモジュール内に配置される。円形ウェハが望ましい基板は、共通プロセス室内にはなく、代わりに排気ゾーンのフローダイナミクスに対して関連づけられた個別反応室内にある。プロセスモジュール内の個々の反応室は共通の装入／取出しステップ中に装入する／取り出すことが可能である。これを実施するため、基板ホルダがプロセス位置から装入／取出し位置に下ろされる。プロセス位置において、基板ホルダの壁面は本明細書に記載のガス排出ポートを形成する。基板ホルダが拡散障壁を通ってプロセス位置につくと、個々の反応室は分離され、１つの反応室からもう１つの反応室へのガス流が回避される。個々の反応室は共通の高さに配置され、装入／取出し装置の回転軸によって形成される中心まわりでグループをなすのが望ましい。
【００３０】
次に図３を参照すると、本発明の実施形態の１つに従って構成されたＨＰ  ＡＬＤシステム３０が例示されているが、限定反応空間容積３２に関して定量化（最小化と最適化）されており、再循環はせず、対称流を生じ、ＨＰ反応ゾーン外での反応ガス輸送が少ない。システム３０には、反応室３４並びに上述のものと同様のいくつかの構成部品が含まれている。反応室３４内には、ウェハ３８が載る垂直可動ヒータサセプタ３６（例えば、本譲受人が所有する上述の特許に記載のように構成された）が収容されている。ヒータサセプタ３６は、外周がガス導管として機能する環状フローリング４０に接続されている。フローリング４０は、サセプタ３６がそのプロセス（高）位置につくと、ウェハ輸送スロット弁２８の底面の下方に位置する出口ポート４２を備えている。
【００３１】
本ＡＬＤシステムは、シングルウェハ堆積に利用することもできるし、あるいは、場合によっては反応室内の単一キャリヤにいくつかのより小さいウェハを配置することも可能である。重要なのは、単一の独立ウェハ反応器としてのこの限定設計の利用に関して、反応物質は反応室の内壁に付着しないように有効に遮蔽されており、従ってシングルウェハ反応器に関する保守の便益が向上するという点である。
【００３２】
サセプタ３６の外周に取り付けられた環状フローリング４０は、ヒータサセプタがその装入位置に対するプロセス（高）位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方とウェハの下方における反応器の外部空間を限定反応空間から分離する外部表面をそのエッジに備えている。この外側エッジ４４は、反応器の蓋４８に取り付けられた環状リング４６に近接しており、リング４６と導管外側部材４４は共にタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造の働きをする。すなわち、図に示すように、フローリングの外側エッジは反応器の蓋に取り付けられた環状リングのグルーブ内に嵌合する。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。環状フローリングは、反応室の軸心の中心に対して軸外にある下流ポンプオリフィス１６に排出反応ガスを送る。
【００３３】
小体積対称流れＡＬＤ反応器に設計に関する考慮事項は、高い位相幾何学フィーチャを備えた単一又は複数の半導体ウェハあるいは単一又は複数の加工物にガス前駆体を迅速かつほぼ均一に行き渡らせる必要である。最短の暴露時間と効率の良い前駆体利用を実現するには、ウェハの中心内とエッジ内の高アスペクト比のフィーチャにほぼ同じ時間フレーム内にほぼ同じ濃度で化学前駆体を送るのが望ましい。
【００３４】
同じ時間だけ暴露する利点は、ウェハ領域に対する効率の良いコンフォーマルコーティングを実現することにある。高い位相幾何学フィーチャのウェハ内の不均一性が最適程度に軽減され、同時に前駆体の使用量が最少になる。これを理解するには、高アスペクト比の「穴」にコーティングするための理論を参照されたい。Ｒ．Ｇｏｒｄｏｎ他著、「Ａ  Ｋｉｎｅｔｉｃ  Ｍｏｄｅｌ  ｆｏｒ  Ｓｔｅｐ  Ｃｏｖｅｒａｇｅ  ｂｙ  Ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｉｎ  Ｎａｒｒｏｗ  Ｈｏｌｅｓ  ｏｒ  Ｔｒｅｎｃｈｅｓ」、Ｃｈｅｍ．Ｖａｐ．Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、２００３年、第９巻、第２号、ｐ.７３以下参照。単一ＡＬＤ前駆体の暴露は、穴の上部から底部へのガス拡散輸送によって行われる。第１の前駆体が到達するウェハ上の位置の近くに配置された穴は、適切な十分な用量の単一パルスによって最初に穴上部近くがコーティングされ、次に穴底部がコーティングされる。ウェハに到達する第１の前駆体の位置から遠い穴は、その後になってそれらのフィーチャの底部が飽和状態までコーティングされる。分散垂直注入が行われる反応器は、この条件を効率よく満たすのにより適しているが、水平注入が行われる反応器はこれに関して性能が不十分である。効率の良いコーティングを実現するため、ガスがウェハ表面全体にできるだけ同時に分配される適切に設計されたシャワーヘッド又はガス分配マニホルド（ＧＤＭ）を利用するのが望ましい。
【００３５】
最適なＡＬＤシステムには、ＧＤＭへの迅速で効率の良い化学前駆体の送出と、さらにはＧＤＭによる反応空間への前駆体の迅速な流入という考慮事項がある（例えば、本発明の譲受人に譲渡され、参考までに本明細書で援用されている、２００６年４月５日に提出されたＤａｌｔｏｎ他の米国特許出願第１１／２７８，７００号参照）。注入が均一で滞留時間が短いシャワーヘッド（及び分圧の高い化学前駆体源蒸発器）の詳細な設計は、反応器自体の設計とは別個の考慮事項であるが、十分な競争力のあるシステムを得るためには、最適化して最良の手法と統合しなければならない。
【００３６】
要するに、本発明に従って構成された高性能システムには、ＧＤＭと最適化された反応室設計によって高分圧の前駆体蒸気を迅速に送り出すことが可能な化学前駆体源が含まれている。本開示のため、化学前駆体源／送出装置、ＤＧＭ、反応器は互いにモジュール式であって、個別に最適化される。しかし、上述のように、高い位相幾何学フィーチャの効率の良い均一なコーティングには、ウェハの中心とエッジにおけるほぼ同じ時間にわたる軸対称暴露と、ウェハのエッジにおける流れに関して軸対称な反応器設計を利用するのが有利である。
【００３７】
軸対称流れの利点を考慮するにあたって、暴露だけでなく反応物と副産物の除去中の対称流れの利点について論考する。方位角対称に前駆体を除去する重要性は、ウェハのエッジまわりの全方位角点における寄生ＣＶＤの発生を最小限に抑えることに関連している。さらに、方位角が対称をなすか否かにかかわらず、その設計によってウェハスロット弁に関連したポケット領域における流れの再循環又は不必要なコーナにおける停滞がもたらされる場合、渦が生じる可能性があり、前駆体除去／パージ期間に前駆体残留物が存在し、寄生ＣＶＤを生じる可能性がある。
【００３８】
従って、設計開始の制約条件は次の通りである。
ａ．注入流が目標加工物に対して軸対称形状のＧＤＭに有利に働く。例えば、これは、その中心が堆積が行われることになる円形ウェハ（又は他の加工物）又は一群の円形ウェハ（又は加工物）の中心とアライメントがとれる（少なくとも加工位置につくと）、円形ＧＤＭとすることが可能である。
ｂ．ウェハが矩形スロット弁を介したロボット操作による水平移動を利用してヒータサセプタ上に配置される。
ｃ．下流ポンプに通じるポンピングポートがウェハ中心軸に対して軸外とすることができる。
ｄ．反応空間（シャワーヘッドとウェハ表面との間の容積）を最小化される。
ｅ．下流容積を最小にして、パージ時間を長くするガス膨張を最小限に抑え、（不必要な）下流狭窄部の利用を排除して、反応空間から下流ポンプへのコンダクタンスを最大にできる。
ｆ．下流ポンプの実効ポンピング速度を改変して、ウェハに対するＡＬＤ反応効率を向上させるため、ガス注入口の注入点の下流側における制限狭窄部を用いずにマルチレベルフローが実現される。
【００３９】
ＡＬＤサイクル時間（ＣＴ）は、第１の前駆体の暴露と、それに後続する第１の前駆体の未使用部分や第１の前駆体の反応副産物の除去（又は「パージ」）と、それに後続する第２の前駆体の暴露と、第２の駆体の未使用部分や第２の前駆体の反応副産物の除去から構成される。これら４つのサイクル時間要素の和がＡＬＤ  ＣＴである。
【００４０】
本発明のアプローチでは、反応空間容積を最小にするため、ヒータサセプタのエッジに案内ポンピング導管を取り付けることによって限定流路が形成される。この設計によれば、流路ができるだけウェハの近くに配置され、ヒータサセプタに機械的に取り付けられたフローリングの形態をとる。垂直可動サセプタに取り付けられた環状導管フローリングを用いることによって、除去期間が大幅に短縮され、ＣＴが改善される。
【００４１】
フローリング４０は、サセプタ３６と同じ公称高さに入力オリフィス５０付きの導管を備えている。ウェハ（すなわちサセプタ）が加工位置につくと、フローリング４０の下方オリフィス４２は、スロット弁２８の下方エッジの下方又はかなり下方に位置することになる。この制約条件によって、スロット弁から対流がしっかりと分離され、ウェハのエッジとウェハ表面のすぐ下流における流れの対称性が改善される。これによりディープフローリング（ＤＦＲ）が適切に形成される。ＤＦＲの外側エッジは下流反応室の壁面５１の内側に近接して配置され、スロット弁と上方外側の反応器壁面への拡散逆流が最小限に抑えられる。
【００４２】
フローリング４０を備えた垂直可動サセプタ３６が上昇して、その「上方」すなわち加工位置につくと、ＤＦＲの外側表面部品４４は、反応器の蓋４８の内側に取り付けられた「蓋リング」４６の第２の表面部品の底面に極めて近接した位置について、重なる。蓋リングの内側表面とフローリングの外側表面によって、反応物質流の制限表面が形成され、反応空間が限定される。
【００４３】
反復シミュレーションによって、（それでも）少量の反応物質がフローリングの導管内において上流に逆拡散し、蓋リングの外側の故意に分離された領域５５に到達することが判明した。この結果、反応器壁面５７に望ましくない付着層が形成され、マルチシングルウェハ反応器の場合、故意に独立させた反応器間に過剰な拡散クロストークが生じる。
【００４４】
従って、本発明の実施形態の１つでは、蓋リング４６は、加工のための「上方」位置につくと、フローリングの外側表面４４の挿入が可能になる凹部を備えるように構成されている。この結果が図４ａに示されているように、タングイングループ（ＴＩＧ）設計である。シミュレーションによると、この設計によって反応器の外側壁面への定常堆積速度がウェハ堆積速度に対して１００倍のレベルで低下する。
【００４５】
フローリング４０と蓋リング４６に階段状の嵌め合わせ表面形状を備えたＴＩＧを用いることによって、拡散逆流をさらに減少させることが可能になる。この構成が図４ｂに示されている。この構成では、フローリング４０の外側表面が２つの部分４４ａと４４ｂに分割され、内側部分４４ａは蓋リング４６の内側部分と外側部分の間に形成されたグルーブ５２の一部に重なり、外側部分４４ｂはグルーブ５２内に延びる。蓋リング４６のグルーブ５２に重なり、その中に延びるフローリングの内側部分４４ａと外側部分４４ｂは、全体的に階段状構造に似ている。
【００４６】
図４ｂの階段状ＴＩＧ設計に関する逆拡散の補強シミュレーションでは、階段の間隔に応じて定常ウェハ堆積速度に対して逆拡散が１０，０００倍まで低下することが示された。階段状設計は、別のやり方であればＴＩＧ設計において要求される公差の維持を困難にする可能性のある機械的熱膨張問題にも対応する。多段階段状設計（例えば、反応器壁面への拡散輸送をさらに減少させることが可能な、それぞれグルーブ５２に順次ある範囲だけ重なり、その中に延びる４４ａと４４ｂのような複数の部分を含んでいる）は示されていない（本発明の範囲内で検討されているが）。従って、付属フローリング設計については、多段を用いた「汎用階段状」設計にまで至る可能性のある性能の階層が存在する。
【００４７】
代替案として、単一フィン部品（二重リングではなく）が反応器の蓋の内側表面に取り付けられ、プロセス位置にある間にＤＦＲがサセプタの外側リングに対する重なり位置につくと、代替実施形態が実現する。しかしながら、この場合、反応空間は限定されるが、ウェハと同じ垂直高さにある反応器の外側壁面に対する反応物質の拡散は十分に遮断されない。同様に、ＤＦＲはスロット弁よりも深く延びるとしなければ、スロット弁に対する再循環と分離が不十分になる。これらの不十分な代替実施形態は、付属のより深い環状ＤＦＲと階段状ＴＩＧ設計の組み合わせに対する一定の選好を示す。このＴＩＧ設計によれば、ＴＩＧ蓋部品の内側エッジを湾曲させて、反応空間におけるデッドスペースをなくすことが可能である。例えば、図４に示すように湾曲した又は図４に示すような輪郭を示すフィレット５４を利用することが可能である。
【００４８】
シミュレーションによれば、図３に示す設計では軸外しポンプのため約１０％の非対称流れが生じることが分かっている。この軸外しポンプ位置は、方位角流れのバランスをとるため、約１０〜１５０度の方位角をカバーする方位角バッフル５６が中心にくるように配置することによって処理することが可能である。こうした構成が図５に示されている。
【００４９】
上述のＡＬＤシステムは、本発明の譲受人に譲渡され、参考までに本明細書で援用されているＬｉｕ他の米国特許出願公開第１０／７９１，０３０号明細書（この出願では国際公開第０３／０６２４９０号においてＳｎｅｈによって提案されているバイレベルフローシステムについても論考されている）に記載のような、下流に制限器のないマルチレベルフロー設計を用いて操作することが可能である。従って、本発明の実施形態によれば、反応空間からガス流を除去するために接続されたポンプ、ＡＦＲ導管、ポンプに通じる下方室を備える、上述のＴＩＧ室構造が提供される。反応空間とＡＦＲ導管のバイパスを可能にするガス注入オリフィスが配置されて、オリフィスに注入されたガスがＡＦＲの出力オリフィスの下方のポンプに至る流れに流入するようになっている。従って、このオリフィスによれば、ＡＦＲ出力オリフィスとポンプ入力オリフィスの間にさらなる制限器を設けることなく、ＡＬＤサイクリング中、定期的にポンプの入力に直接通じるポンピング導管にガスを直接注入することが可能になる。場合によっては、こうして注入されるガスは、均一な暴露と均一な滞留時間を実現するため、方位角点から注入することも可能である。ＴＩＧ設計は、ＴＩＧ蓋部品の内側エッジを湾曲させて、反応空間のデッドスペースをなくすように施すことが可能であり、例えば、図４に例示のように湾曲した又は図４に例示のような輪郭を示すフィレット５４を利用することが可能である。
【００５０】
保守の態様も望ましい。ディープフローリングの内側壁面へのＡＬＤによる付着層によって最終的には保守が必要になる。これは、ヒータサセプタへの蓋からの接近を利用し、その後用いられているＤＦＲ構成部品を手動で除去し交換するという保守手順によって実施される。用いられているディープフローリングは清浄化して、再利用することが可能である。
【００５１】
シミュレーション方法及びその結果は、補強データと共に参考までに本明細書で援用されている上述の仮特許出願の付録Ａに記載されている。
【００５２】
次に図６を参照すると、上述のものと同様で、上述のＴＩＧ嵌め合いリングを備えるように構成された個別反応室を含むことが可能なマルチシングルウェハＡＬＤプロセスが示されている。典型的な装置には、それぞれ４つの個別反応室６０を備える全部で２つのプロセスモジュール５８が含まれる。ここには移送室６２のロボットアーム（図示せず）を用いて、基板を２つのロードロック６４からプロセスモジュール５８に移送し、その反応室６０内でコーティングが施されるようにする。大気圧ウェハ移送モジュール６８と２つの隣接するロードロックによって、真空移送室への装入と、真空移送室からの取出しのためのウェハ移送が可能になる。冷却ステーション６６も設けられている。
【００５３】
図７に示すように、反応室のそれぞれには基板７２を支持するための基板ホルダ７０が含まれている。基板７２はその領域の大部分を占める基板ホルダ７０に載る。基板ホルダ７０によって占められていないのは、プロセス室を包囲するシールド７４によって形成される反応室６０の外周ゾーンだけである。この構成は円形ガス排出ポート７６を設けることになる。
【００５４】
全ての反応室６０の蓋又は天井には、円形シールド７４によって包囲された給気オリフィス（ＧＤＭのような）構成部品７８が含まれている。プロセスガスとキャリヤガスのガス注入口８０が一緒になって給気オリフィスを形成する。ガス注入口８０によって、給気オリフィス７８のほぼ全レベルを超えるガス量になるように給気される。給気オリフィス７８は、反応室６０の方を向くその下側における多数の篩に似たガス放出開口部（この図には示されていない）を特徴とする。プロセスガス及びキャリヤガスはこれらのガス放出開口部を介して反応室６０に流入することが可能になる。
【００５５】
すなわち、この実施形態では、ガスは水平に流れ（垂直注入の後）、反応室を半径方向に通って外周領域に向かい、そこでシールド７４によって垂直方向の下方に方向転換される。ガスは、次にチャネル内壁８２とチャネル外壁８４によって形成された円形ガス排出チャネル７６を通って流れる。ガス排出チャネル７６から流れてくるガスは、プロセスモジュールの中心軸９８を包囲する共通ガス排出導管８６に流入する。この共通ガス排出導管８６にはフォアラインと真空ポンプを接続することが可能である。
【００５６】
チャネル内壁８２は基板ホルダ７０の外壁でもある。基板ホルダ７０は、全体が逆さにしたポットのような形状の本体を形成している。ポットのフラットな外壁（又は「底面」）は基板７２の支持面を形成している。円筒形ポット壁面の外壁８２はガス排出ポート７６の内壁を形成している。ギャップによってチャネル内壁８２から分離されたチャネル外壁８４は、チャネル内壁８２に、従って、基板ホルダ７０にしっかりと接続されている。このしっかりとした接続のため、リブ又は支柱を利用することが可能である（不図示）。
【００５７】
チャネル外壁８４の上方セグメント９０（階段状設計の「蹴上げ」）は、基板ホルダ７０がそのプロセス位置につくとシールドに対して半径方向の外側に位置するシーリングリング９２のリンググルーブに嵌る。この上方セグメント９０において、チャネル外壁８４の材料厚は設計に合わせて徐々に薄くなる。シーリングリング９２には、チャネル外壁８４のセグメント９０を入れることが可能な底面の開いたリンググルーブが形成されている。これにより、反応室６０とギャップ空間９４との間にガスシーリングが設けられる。チャネル外壁（ディープフローリングの）によって、ガス排出導管８６の内壁９６に対する（ガス拡散流）シール面も形成される。従って、ガス排出導管８６を通って流れるガスはギャップ空間９４に到達することができない。基板ホルダ７０がプロセス位置から装入位置に下ろされると、パイプ形状のチャネル外壁８４の外側表面がガス排出導管８６の内壁９６に沿って移動する（わずかな間隔を保持して）。
【００５８】
図示のように、ＡＬＤ装置は中心軸９８に対して対称にすることが可能である。リフトピン１００（基板ホルダ７０の開口部１０２を介して機能する）を設けることも可能である。基板ホルダ７０はペデスタル１０４によって支持され、反応室は上部１０６を備えることが可能である。
【００５９】
図７に示す位置から始めると、リフトピン１００が引っ込んだ状態にあるので、基板７２は接触点１０８、１１０に位置する。図８には、反応器６０内においてその下方（装入／取出し）位置にある基板ホルダが示されている。基板７２を反応器に送り込む及び反応器から送り出すため、駆動機構（不図示）によって図７に示す引っ込んだ位置から基板支持位置に押しやられるリフトピン１００を用いて基板を持ち上げ、装入及び取出し移送を行うことが可能な高さより上方の位置でリフトピンによって支持することが可能である。こうして、基板を順次反応室に装入すること及び反応室から取り出すことが可能になる。
【００６０】
図８には、チャネル外壁８４のセグメント９０がシーリングリング９２のリンググルーブ１１４に挿入されるシール界面の拡大図が示されいる。
【００６１】
従って、基板ホルダがプロセス位置につくと、基板ホルダにしっかり接続されたチャネル壁の上部セグメントが、シールドによって覆われた円形シーリングリングのグルーブに嵌る。円形シールド７４とシーリングリング９２は一体化してシングルピース部品にすることが可能である。円形シールド７４は、プロセス室の外周壁を形成しており、給気オリフィスから垂直方向の下方に延びて、その内壁８２と外壁８４によって囲まれ、内壁が基板ホルダ７０にしっかり接続されているガス排出チャネル７６まで達している。基板ホルダが、基板表面における層成長が生じる上述のプロセス位置から装入／取出し位置まで下ろされると、個々のプロセス室間のギャップ空間が開放される。この装入及び取出し位置において、基板ホルダはギャップ空間の下方に位置する。基板ホルダはリフトピンを貫通させるための開口部を特徴とする。リフトピンはリフト機構によって持ち上げられて、基板を下から持ち上げ、基板ホルダから引き離す。装入及び取出し操作を実施するため、反応室は、ロボットアームを反応室内に入れることを可能にする側方スロット開口部を特徴とする。基板ホルダは、上述のように基板ホルダを垂直方向にシフトさせることが可能なリフトシャフトによって運ばれる。
【００６２】
これで、反応器壁面への化学輸送を最小限に抑えて、対称流を生じる最小ＡＬＤ反応容積に関して定義された小体積対称流れ（ＳＶＳＦ）装置の説明を終えることにする。特定の例証となる実施形態について論考してきたが、本発明はその制限を受けることを意図したものではなく、付属の請求項によってのみ判定すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】垂直前駆体注入と半径／垂直流ポンピングを行うＡＬＤ反応器を例示した図である。
【図２】スロット弁とＡＬＤ装置内における半径ガス流の対称性を崩す軸外し下流ポンプを例示した図である。
【図３】本発明の実施形態の１つに従って構成されたＡＬＤ装置内におけるディープフローリング（ＤＦＲ）、ウェハスロット弁位置、及び、スロット弁の下方にあるＤＦＲのオリフィスの相対的配向を例示した図である。
【図４ａ−４ｂ】代替階段形状設計とＤＦＲにガスを導く成形フィレットによる反応空間の隅のデッドゾーンの除去を示す、本発明の実施形態の１つによるタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造のＡＬＤ装置の詳細図である。
【図５】本発明の実施形態の１つによるＡＬＤ装置の上流の流れを対称にする下流バッフルの利用を例示した図である。
【図６】本発明の実施形態の１つによって構成された、それぞれ、４つの反応室と関連ロードロックを備える移送室が設けられた全部で２つのプロセスモジュールを装備するＡＬＤマルチシングルウェハ（ＭＳＷ）プロセス機器のレイアウトの平面図である。
【図７】図６に示すＭＳＷ機器の反応室の断面図である。
【図８】その垂直可動サセプタがその低（装入／取出し）位置にある図６に示すＭＳＷ機器の反応室をさらに詳細に例示した図である。
【図１】
2009529223.tif 000003
【図２】
2009529223.tif 000004
【図３】
2009529223.tif 000005
【図４ａ】
2009529223.tif 000006
【図４ｂ】
2009529223.tif 000007
【図５】
2009529223.tif 000008
【図６】
2009529223.tif 000009
【図７】
2009529223.tif 000010
【図８】
2009529223.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工位置と装入／取出し位置の間で垂直方向に移動可能であり、基板支持面及び外周を備えたヒータサセプタと、
内側エッジ及び外側エッジを備え、その内側エッジが前記ヒータサセプタの外周に取り付けられていて、入力オリフィスが前記ヒータサセプタの前記基板支持面と共通の高さに位置し、出力オリフィスは、前記ヒータサセプタが加工位置につくと前記反応室に／からウェハの挿入／取出しを行えるように弁の下方に位置し、外側エッジに上方セグメントを含んでいる環状フローリング導管と、
前記反応室の蓋に取り付けられた環状リングが含まれており、前記環状リングが、前記ヒータサセプタがその加工位置につくと、（ａ）前記環状フローリング導管の外側エッジの内側表面が前記環状リングの半径方向の外側において前記環状リングに近接した位置につき、タングイングルーブ（ＴＩＧ）構造を形成して、前記ヒータサセプタの前記基板支持面のウェハ位置の上方における前記反応室の外部空間が前記反応室の限定反応空間から分離されるように、（ｂ）前記フローリング導管の外側エッジの上方セグメントが前記環状リングの一部と階段状に係合するように配置されていることを特徴とする、
反応室装置。
【請求項２】
前記環状フローリング導管が、前記反応室の軸心中心に対して軸外に配置された下流ポンプオリフィスに排出反応ガスを送るように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の反応室装置。
【請求項３】
さらに、前記環状フローリング導管の前記出力オリフィスと下流ポンプの間に配置された下流バッフルが含まれることを特徴とする請求項２に記載の反応室装置。
【請求項４】
さらに、前記反応室からガス流を除去するために結合されたポンプと、前記環状フローリング導管、及び、前記ポンプに通じる下方室が含まれることを特徴とする請求項１に記載の反応室装置。
【請求項５】
さらに、前記反応室及び前記環状フローリング導管のバイパスを可能にするために結合されたガス注入オリフィスが含まれていて、前記注入オリフィスに注入されたガスが、前記前記フローリング導管の出力オリフィスの下方の前記ポンプに至る流れに流入するようになっていることを特徴とする請求項４に記載の反応室装置。
【請求項６】
前記ガス注入オリフィスが、ガスを方位角点から注入するように構成されていることを特徴とする請求項５に記載の反応室装置。
【請求項７】
前記環状フローリングの前記出力オリフィスに前記出力オリフィス面における穴の形態をなす制限器が含まれることを特徴とする請求項５に記載の反応室装置。
【請求項８】
前記穴がさまざまな方位角方向においてさまざまに構成されていることを特徴とする、請求項７に記載の反応室装置。
【請求項９】
前記反応室の蓋の内側エッジが湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の反応室装置。
【国際調査報告】
2009529223.tif 000012