(57)【要約】  集積回路の薄膜抵抗器（５）は、電気接触パッド（１０、１１）間に延びる細長い抵抗膜（７）を含む。抵抗膜（７）の中間部分（２２）と平行に電流を伝導し、中間部分（２２）の電流密度を低減させるため、抵抗膜（７）の第２の側縁（１７）に隣接した抵抗膜（７）の中間部分（２２）の抵抗膜（７）の一部分の上に、低インピーダンス要素（２０）が置かれ、この部分に電気的に結合される。第１の側縁（１６）から抵抗膜（７）の中へ延びる間隔を置いて配置された第１および第２のスロット（２６、２７）によって形成された第１および第２の横断縁（２８、２９）が、抵抗膜（７）の第１の側縁（１６）および低インピーダンス要素（２０）とともに、中間部分（２２）に、第１および第２のトリミング可能領域（３０、３１）を画定する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部と間隔を置いて配置された第２の端部との間を縦に延びる電気抵抗材料の抵抗膜であって、間隔を置いて配置された反対側の第１の側縁と第２の側縁の間に延びる間隔を置いて配置された反対側の第１および第２の主表面を有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間の電流を収容するように適合された抵抗膜と、
前記第１の端部と前記第２の端部の中間に配置された前記抵抗膜の中間部分に隣接して前記抵抗膜に電気的に結合された低インピーダンス要素であって、前記中間部分の電流の電流密度を低減させて、その中間部分における膜抵抗器の抵抗のトリミングを容易にするために、前記抵抗膜の前記中間部分と平行に電流を伝導する低インピーダンス要素と、
を含む膜抵抗器。
【請求項２】
前記低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の前記第１の端部と前記第２の端部との間の方向の前記中間部分の長さに沿って前記抵抗膜に電気的に結合された、請求項１に記載の膜抵抗器。
【請求項３】
前記低インピーダンス要素が、前記中間部分に沿って、前記抵抗膜の前記第１の主表面に接し、これに電気的に結合された、請求項１または２に記載の膜抵抗器。
【請求項４】
前記低インピーダンス要素が、前記中間部分に隣接して前記抵抗膜と積層された、請求項１から３のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項５】
前記低インピーダンス要素が、前記中間部分に隣接して前記抵抗膜の前記第１の主表面の上にあり、前記低インピーダンス要素が上にある前記抵抗膜の領域の全体にわたって、前記抵抗膜に電気的に結合された、請求項１から４のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項６】
前記低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の前記第２の側縁に隣接して前記抵抗膜に電気的に結合された、請求項１から５のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項７】
前記低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の前記第１の側縁から間隔を置いた位置で前記抵抗膜に電気的に結合されており、前記中間部分の前記低インピーダンス要素と前記第１の側縁との間にトリミング可能部分を画定する、請求項１から６のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項８】
前記膜抵抗器の抵抗が、前記トリミング可能部分においてトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である、請求項７に記載の膜抵抗器。
【請求項９】
前記中間部分において、概ね前記抵抗膜の前記第１の側縁から前記低インピーダンス要素の方向に、第１の横断縁が延び、前記第１の横断縁が、前記第１の側縁および前記低インピーダンス要素とともに、前記トリミング可能部分の第１のトリミング可能領域を画定する、請求項７または８に記載の膜抵抗器。
【請求項１０】
前記膜抵抗器の抵抗が、前記第１のトリミング可能領域において第１のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である、請求項９に記載の膜抵抗器。
【請求項１１】
前記第１のトリミングスロットが、前記第１の横断縁から前記第１のトリミング可能領域の中へ延ばされた、請求項１０に記載の膜抵抗器。
【請求項１２】
前記中間部分において、概ね前記抵抗膜の前記第１の側縁から前記低インピーダンス要素の方向に、前記第１の横断縁から間隔を置いて配置された第２の横断縁が延び、前記第２の横断縁が、前記第１の側縁および前記低インピーダンス要素とともに、前記トリミング可能部分の第２のトリミング可能領域を画定する、請求項９から１１のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項１３】
前記第２の横断縁が、前記第１の横断縁と前記抵抗膜の前記第２の端部との間に配置された、請求項１２に記載の膜抵抗器。
【請求項１４】
前記膜抵抗器の抵抗が、前記第２のトリミング可能領域において第２のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である、請求項１２または１３に記載の膜抵抗器。
【請求項１５】
前記第２のトリミングスロットが、前記第２の横断縁から前記第２のトリミング可能領域の中へ延ばされた、請求項１４に記載の膜抵抗器。
【請求項１６】
前記膜抵抗器の抵抗を粗くトリミングするために、前記第１および第２のトリミングスロットのうちの一方が、前記第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされ、前記膜抵抗器の抵抗を細かくトリミングするために、前記第１および第２のトリミングスロットのうちのもう一方が、前記第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされた、請求項１４または１５に記載の膜抵抗器。
【請求項１７】
前記それぞれの第１および第２のトリミング可能領域の電流密度が、前記抵抗膜の前記第１の側縁ならびに前記第１および第２の横断縁のうちの対応する１つの横断縁に向かって次第に低減する、請求項１２から１６のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項１８】
前記抵抗膜が、その前記第１の端部と前記第２の端部との間を縦に延びる細長い抵抗膜である、請求項１から１７のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項１９】
前記低インピーダンス要素が、概ね前記抵抗膜と平行な方向に縦に延びる細長い低インピーダンス要素である、請求項１から１８のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２０】
前記低インピーダンス要素のそれぞれの反対側の端部が、前記低インピーダンス要素の前記端部に隣接した電流クラウディングを最小化するように成形された、請求項１から１９のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２１】
前記抵抗膜の前記第２の側縁に隣接して配置された前記低インピーダンス要素の側縁が、前記抵抗膜の前記第２の側縁から離して配置された前記低インピーダンス要素の反対側の側縁よりも長くなるように、前記低インピーダンス要素の前記それぞれの端部が面取りされた、請求項２０に記載の膜抵抗器。
【請求項２２】
レーザ光トリミングビームの切削効果に対する前記低インピーダンス要素の抵抗性が前記抵抗膜よりも高い、請求項１から２１のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２３】
前記低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する、請求項１から２２のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２４】
前記抵抗膜が薄膜抵抗器である、請求項１から２３のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２５】
一対の低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の間隔を置いて配置された対応する中間部分に隣接して、前記抵抗膜に電気的に結合された、請求項１から２４のいずれかに記載の膜抵抗器。
【請求項２６】
一方の前記低インピーダンス要素および対応する前記中間部分が、前記抵抗膜の前記第１および第２の端部のうちの一方の端部に隣接して配置され、もう一方の前記低インピーダンス要素および対応する１つの前記中間部分が、前記抵抗膜の前記第１および第２の端部のうちのもう一方の端部に隣接して配置された、請求項２５に記載の膜抵抗器。
【請求項２７】
前記それぞれの膜抵抗器の前記低インピーダンス要素によって直列に電気結合された請求項１から２６のいずれかに記載の一対の膜抵抗器を含む複合膜抵抗器。
【請求項２８】
電気絶縁基板層と、前記基板層上に形成された請求項１から２６のいずれかに記載の膜抵抗器とを含む集積回路。
【請求項２９】
電気絶縁基板層と、前記基板層上に形成された請求項１から２６のいずれかに記載の間隔を置いて配置された複数の膜抵抗器とを含み、前記抵抗膜の前記第２の主表面が前記基板層に接し、前記抵抗膜が互いに平行に延び、それぞれの抵抗膜の前記第１の側縁が、隣接する抵抗膜の前記第２の側縁に隣接し、かつ前記隣接する抵抗膜の前記第２の側縁から間隔を置いて配置された集積回路。
【請求項３０】
膜抵抗器を形成し、トリミングする方法であって、
第１の端部と間隔を置いて配置された第２の端部との間に延びる電気抵抗材料の抵抗膜を電気絶縁基板上に形成するステップであって、前記抵抗膜が、間隔を置いて配置された反対側の第１の側縁と第２の側縁の間に延びる間隔を置いて配置された反対側の第１および第２の主表面を有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間の電流を収容するように適合されたステップと、
前記第１の端部と前記第２の端部の中間に配置された前記抵抗膜の中間部分に隣接して低インピーダンス要素を前記抵抗膜に電気的に結合するステップであって、前記低インピーダンス要素が、前記中間部分の電流の電流密度を低減させて、その中間部分における前記膜抵抗器の抵抗のトリミングを容易にするために、前記抵抗膜の前記中間部分と平行に電流を伝導するステップと、
前記抵抗膜の前記中間部分のトリミングスロットを次第に延ばすことによって前記膜抵抗器の抵抗をトリミングするステップと、
を含む方法。
【請求項３１】
前記低インピーダンス要素が、前記抵抗膜の前記第１の側縁から間隔を置いた位置で前記抵抗膜に電気的に結合され、前記中間部分の前記低インピーダンス要素と前記第１の側縁との間にトリミング可能部分を画定する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記中間部分に、概ね前記抵抗膜の前記第１の側縁から前記低インピーダンス要素の方向に延びる第１の横断縁が形成され、前記第１の横断縁が、前記第１の側縁および前記低インピーダンス要素とともに、前記トリミング可能部分の第１のトリミング可能領域を画定する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１のトリミング可能領域が、前記第１のトリミング可能領域において第１のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミングされる、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１のトリミングスロットが、前記第１の横断縁から前記第１のトリミング可能領域の中へ延ばされる、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１のトリミングスロットが、前記第１のトリミング可能領域において、前記抵抗膜の前記第１の側縁に平行に次第に延ばされる、請求項３３または３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記中間部分に、概ね前記抵抗膜の前記第１の側縁から前記低インピーダンス要素の方向に延びる、前記第１の横断縁から間隔を置いて配置された第２の横断縁が形成され、前記第２の横断縁が、前記第１の側縁および前記低インピーダンス要素とともに、前記トリミング可能部分の第２のトリミング可能領域を画定する、請求項３２から３５のいずれかに記載の方法。
【請求項３７】
前記第２のトリミング可能領域が、前記第２のトリミング可能領域において第２のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミングされる、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記第２のトリミングスロットが、前記第２の横断縁から前記第２のトリミング可能領域の中へ延ばされる、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記第２のトリミングスロットが、前記第２のトリミング可能領域において、前記抵抗膜の前記第１の側縁に平行に次第に延ばされる、請求項３７または３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記膜抵抗器の抵抗を粗くトリミングするために、前記第１および第２のトリミングスロットのうちの一方が、前記第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされ、前記膜抵抗器の抵抗を細かくトリミングするために、前記第１および第２のトリミングスロットのうちのもう一方が、前記第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされる、請求項３７から３９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は膜抵抗器に関し、具体的には、限定はされないが、薄膜抵抗器に関する。本発明はさらに、複数の膜抵抗器を含む集積回路に関し、本発明はさらに、膜抵抗器を形成し、それをトリミングする方法、具体的には、限定はされないが、集積回路上に薄膜抵抗器を形成し、それをトリミングする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜抵抗器は一般に集積回路で使用される。一般に、電気絶縁基板層上に複数の薄膜抵抗器が形成される。この電気絶縁基板層は一般に、集積回路チップ上に形成された酸化物層である。これらの薄膜抵抗器は一般に、基板層上の特定の領域に、一般に互いに平行に延びるように形成される。それらの薄膜抵抗器は、２つの重要な理由から、比較的に互いの近くに配置されることが望ましい。第１の理由は、必要な全体のダイ面積を最小化するために、薄膜抵抗器によって占有される集積回路チップ上の面積を最小化するためであり、第２の理由は、不整合および他の関連する問題を引き起こす可能性がある薄膜抵抗器に対するプロセス変動の影響を最小化するためである。
【０００３】
しかし、互いの近くに薄膜抵抗器を配置しても、同じチップ上の抵抗器および異なるチップ上の抵抗器の不整合を引き起こす可能性があるプロセス変動の影響は完全には防げない。したがって、集積回路チップ上に膜抵抗器を形成した後に、薄膜抵抗器の抵抗のトリミングを実施しなければならない。このことは、薄膜抵抗器の形成時に、続いて実施される膜抵抗器の抵抗のトリミングを容易にする準備をしなければならないことを要求する。
【０００４】
後続のトリミングに役立つ１つの薄膜抵抗器形成方法は、側方へ突き出たタブを有する抵抗器を形成することを要求し、このタブは、薄膜抵抗器の抵抗を増大させるため、続いてトリミングされる。このような従来技術の薄膜抵抗器が図１に示されており、それらは参照符号１００で示されている。薄膜抵抗器１００はそれぞれ、一般に二酸化シリコンなどの酸化物材料でできた電気絶縁基板１０１上に形成されている。これらの薄膜抵抗器は、ドープされた、または無ドープの適当な材料、例えばシリコンクロム（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃｈｒｏｍｅ）から製作することができる。これらの薄膜抵抗器は一般に、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着析出（ＣＶＤ）またはスパッタリングによって形成され、ある深さまで付着（堆積）され、この深さは一定に維持され、プロセスに依存する。薄膜抵抗器の長さおよび幅は、抵抗器の所望の抵抗値によって決まる。このような薄膜抵抗器は一般に、最大で１００オングストロームの深さまで付着される。薄膜抵抗器１００は、対をなす電気接触パッド１０２と１０３の間に延び、薄膜抵抗器１００はそれぞれ、薄膜抵抗器１００の抵抗のトリミングを容易にする側方へ延びるタブ１０４を有する。薄膜抵抗器１００間の間隔を最小化するため、薄膜抵抗器１００は対として配置され、隣接する抵抗器対のタブ１０４どうしが向かい合い、それらが薄膜抵抗器１００の長さに沿って互い違いに配置される。
【０００５】
薄膜抵抗器１００に対するタブ１０４の効果は、タブ１０４の領域に隣接した薄膜抵抗器１００を流れる電流の電流密度を低減させることであり、したがって、タブ１０４のトリミングは、比較的に高い分解能のトリミングを提供する。
【０００６】
それぞれの薄膜抵抗器１００のトリミングは一般に、トリミングする薄膜抵抗器１００のタブ１０４の中へトリミングスロット１０５を次第に延ばすことによって実施される。トリミングスロット１０５はレーザ光ビームによって形成され、一般に、薄膜抵抗器１００と平行に延びるように形成される。タブ１０４の領域に隣接した薄膜抵抗器１００の電流密度が低減されることによって、比較的に幅広い抵抗値トリミング範囲および比較的に高いトリミング分解能を達成することができる。
【０００７】
レーザ光ビームをトリミング対象のタブ１０４に合わせるアライメント技法は、長年にわたって改良されたが、トリミングスロット１０５を実際に形成するレーザ光ビームの活性高エネルギースポットのサイズは、依然として比較的に大きく、したがって、隣接する薄膜抵抗器１００のタブ１０４間の間隔が、１つの薄膜抵抗器１００のタブ１０４にトリミングスロット１０５を形成しているときに、レーザ光ビームが隣接する薄膜抵抗器１００を傷つける危険を回避するのに十分でなければならないことが絶対に必要である。一般に、高エネルギーレーザスポットの直径は３ミクロンから５ミクロン程度である。したがって、隣接する抵抗器対のタブ１０４が向かい合うように薄膜抵抗器１００を配置することによって、薄膜抵抗器間の間隔をいくぶんか小さくすることができるが、それにもかかわらず、タブ１０４をトリミングしている薄膜抵抗器１００に隣接した別の薄膜抵抗器１００の意図しないトリミングを回避するため、薄膜抵抗器１００は、十分な距離を置いて配置されなければならない。
【０００８】
一般に、１つの薄膜抵抗器１００のタブ１０４と隣接する薄膜抵抗器１００との間の横方向の距離Ａは、少なくとも９ミクロンでなければならず、隣接する薄膜抵抗器１００のタブ１０４間の縦方向の距離Ｂは、１０ミクロン程度でなければならない。さらに、それぞれの薄膜抵抗器１００のタブ１０４の、近い方の電気接触パッド１０２または１０３からの縦方向の距離Ｃは、少なくとも９ミクロンでなければならない。
【０００９】
したがって、薄膜抵抗器を形成し、それをトリミングするこの従来技術の方法は、比較的に幅広いトリミング範囲および比較的に高いトリミング分解能を提供するが、それにもかかわらず、依然として、薄膜抵抗器間の比較的に大きな間隔を要求し、この比較的に大きな間隔は、薄膜抵抗器を収容するための比較的に大きなダイ面積および薄膜抵抗器間の潜在的な不整合をもたらす。
【００１０】
したがって、この問題に対処する膜抵抗器が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、隣接する膜抵抗器の比較的に近くに配置することができ、続いてトリミングすることができる膜抵抗器を提供することを対象とする。本発明はさらに、このような膜抵抗器を形成し、トリミングする方法を対象とし、本発明はさらに、複数の膜抵抗器がその上に形成された集積回路を提供することを対象とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、
第１の端部と間隔を置いて配置された第２の端部との間を縦に延びる電気抵抗材料の抵抗膜であって、間隔を置いて配置された反対側の第１の側縁と第２の側縁の間に延びる間隔を置いて配置された反対側の第１および第２の主表面を有し、第１の端部と第２の端部との間の電流を収容するように適合された抵抗膜と、
第１の端部と第２の端部の中間に配置された抵抗膜の中間部分に隣接して抵抗膜に電気的に結合された低インピーダンス要素であって、中間部分の電流の電流密度を低減させて、その中間部分における膜抵抗器の抵抗のトリミングを容易にするために、抵抗膜の中間部分と平行に電流を伝導する低インピーダンス要素と、
を含む膜抵抗器が提供される。
【００１３】
本発明の一実施形態では、低インピーダンス要素が、抵抗膜の第１の端部と第２の端部との間の方向の中間部分の長さに沿って抵抗膜に電気的に結合される。好ましくは、低インピーダンス要素が、中間部分に沿って、抵抗膜の第１の主表面に接し、これに電気的に結合される。有利には、低インピーダンス要素が、中間部分に隣接して抵抗膜と積層される。
【００１４】
理想的には、低インピーダンス要素が、中間部分に隣接して抵抗膜の第１の主表面の上にあり、低インピーダンス要素が上にある抵抗膜の領域の全体にわたって、抵抗膜に電気的に結合される。
【００１５】
本発明の一実施形態では、低インピーダンス要素が、抵抗膜の第２の側縁に隣接して抵抗膜に電気的に結合される。
【００１６】
好ましくは、低インピーダンス要素が、抵抗膜の第１の側縁から間隔を置いた位置で抵抗膜に電気的に結合され、中間部分の低インピーダンス要素と第１の側縁との間にトリミング可能部分を画定する。
【００１７】
有利には、膜抵抗器の抵抗が、トリミング可能部分においてトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である。
【００１８】
本発明の一実施形態では、中間部分において、概ね抵抗膜の第１の側縁から低インピーダンス要素の方向に、第１の横断縁が延び、第１の横断縁が、第１の側縁および低インピーダンス要素とともに、トリミング可能部分の第１のトリミング可能領域を画定する。好ましくは、膜抵抗器の抵抗が、第１のトリミング可能領域において第１のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である。有利には、第１のトリミングスロットが、第１の横断縁から第１のトリミング可能領域の中へ延ばされる。
【００１９】
本発明の他の実施形態では、中間部分において、概ね抵抗膜の第１の側縁から低インピーダンス要素の方向に、第１の横断縁から間隔を置いて配置された第２の横断縁が延び、第２の横断縁が、第１の側縁および低インピーダンス要素とともに、トリミング可能部分の第２のトリミング可能領域を画定する。好ましくは、第２の横断縁が、第１の横断縁と抵抗膜の第２の端部との間に配置される。有利には、膜抵抗器の抵抗が、第２のトリミング可能領域において第２のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミング可能である。好ましくは、第２のトリミングスロットが、第２の横断縁から第２のトリミング可能領域の中へ延ばされる。
【００２０】
理想的には、膜抵抗器の抵抗を粗くトリミングするために、第１および第２のトリミングスロットのうちの一方が、第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされ、膜抵抗器の抵抗を細かくトリミングするために、第１および第２のトリミングスロットのうちのもう一方が、第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされる。
【００２１】
本発明の一実施形態では、それぞれの第１および第２のトリミング可能領域の電流密度が、抵抗膜の第１の側縁ならびに第１および第２の横断縁のうちの対応する１つの横断縁に向かって次第に低減する。
【００２２】
好ましくは、抵抗膜が、その第１の端部と第２の端部との間を縦に延びる細長い抵抗膜である。
【００２３】
本発明の一実施形態では、低インピーダンス要素が、概ね抵抗膜と平行な方向に縦に延びる細長い低インピーダンス要素である。有利には、低インピーダンス要素のそれぞれの反対側の端部が、低インピーダンス要素の端部に隣接した電流クラウディングを最小化するように成形される。
【００２４】
本発明の一実施形態では、抵抗膜の第２の側縁に隣接して配置された低インピーダンス要素の側縁が、抵抗膜の第２の側縁から離して配置された低インピーダンス要素の反対側の側縁よりも長くなるように、低インピーダンス要素のそれぞれの端部が面取りされる。
【００２５】
本発明の他の実施形態では、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する低インピーダンス要素の抵抗性が抵抗膜よりも高い。
【００２６】
本発明の追加の実施形態では、低インピーダンス要素が、抵抗膜の電気抵抗よりも低い電気抵抗を有する。
【００２７】
本発明の一実施形態では、抵抗膜が薄膜抵抗器である。
【００２８】
本発明の他の実施形態では、一対の低インピーダンス要素が、抵抗膜の間隔を置いて配置された対応する中間部分に隣接して、抵抗膜に電気的に結合される。好ましくは、一方の低インピーダンス要素および対応する中間部分が、抵抗膜の第１および第２の端部のうちの一方の端部に隣接して配置され、もう一方の低インピーダンス要素および対応する１つの中間部分が、抵抗膜の第１および第２の端部のうちのもう一方の端部に隣接して配置される。
【００２９】
本発明はさらに、それぞれの膜抵抗器の低インピーダンス要素によって直列に電気結合された本発明に基づく一対の膜抵抗器を含む複合膜抵抗器を提供する。
【００３０】
本発明はさらに、電気絶縁基板層と、この基板層上に形成された本発明に基づく膜抵抗器とを含む集積回路を提供する。
【００３１】
本発明はさらに、電気絶縁基板層と、この基板層上に形成された本発明に基づく間隔を置いて配置された複数の膜抵抗器とを含み、抵抗膜の第２の主表面が基板層に接し、抵抗膜が互いに平行に延び、それぞれの抵抗膜の第１の側縁が、隣接する抵抗膜の第２の側縁に隣接し、かつ隣接する抵抗膜の第２の側縁から間隔を置いて配置された集積回路を提供する。
【００３２】
本発明はさらに、膜抵抗器を形成し、トリミングする方法であって、
第１の端部と間隔を置いて配置された第２の端部との間に延びる電気抵抗材料の抵抗膜を電気絶縁基板上に形成するステップであって、抵抗膜が、間隔を置いて配置された反対側の第１の側縁と第２の側縁の間に延びる間隔を置いて配置された反対側の第１および第２の主表面を有し、第１の端部と第２の端部との間の電流を収容するように適合されたステップと、
第１の端部と第２の端部の中間に配置された抵抗膜の中間部分に隣接して低インピーダンス要素を抵抗膜に電気的に結合するステップであって、低インピーダンス要素が、中間部分の電流の電流密度を低減させて、その中間部分における膜抵抗器の抵抗のトリミングを容易にするために、抵抗膜の中間部分と平行に電流を伝導するステップと、
抵抗膜の中間部分のトリミングスロットを次第に延ばすことによって膜抵抗器の抵抗をトリミングするステップと、
を含む方法を提供する。
【００３３】
本発明の一実施形態では、低インピーダンス要素が、抵抗膜の第１の側縁から間隔を置いた位置で抵抗膜に電気的に結合され、中間部分の低インピーダンス要素と第１の側縁との間にトリミング可能部分を画定する。
【００３４】
本発明の他の実施形態では、中間部分に、概ね抵抗膜の第１の側縁から低インピーダンス要素の方向に延びる第１の横断縁が形成され、第１の横断縁が、第１の側縁および低インピーダンス要素とともに、トリミング可能部分の第１のトリミング可能領域を画定する。好ましくは、第１のトリミング可能領域が、第１のトリミング可能領域において第１のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミングされる。有利には、第１のトリミングスロットが、第１の横断縁から第１のトリミング可能領域の中へ延ばされる。理想的には、第１のトリミングスロットが、第１のトリミング可能領域において、抵抗膜の第１の側縁に平行に次第に延ばされる。
【００３５】
本発明の他の実施形態では、中間部分に、概ね抵抗膜の第１の側縁から低インピーダンス要素の方向に延びる、第１の横断縁から間隔を置いて配置された第２の横断縁が形成され、第２の横断縁が、第１の側縁および低インピーダンス要素とともに、トリミング可能部分の第２のトリミング可能領域を画定する。好ましくは、第２のトリミング可能領域が、第２のトリミング可能領域において第２のトリミングスロットを次第に延ばすことによってトリミングされる。有利には、第２のトリミングスロットが、第２の横断縁から第１のトリミング可能領域の中へ延ばされる。理想的には、第２のトリミングスロットが、第２のトリミング可能領域において、抵抗膜の第１の側縁に平行に次第に延ばされる。
【００３６】
理想的には、膜抵抗器の抵抗を粗くトリミングするために、第１および第２のトリミングスロットのうちの一方が、第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされ、膜抵抗器の抵抗を細かくトリミングするために、第１および第２のトリミングスロットのうちのもう一方が、第１および第２のトリミング可能領域のうちの対応する１つの領域の中へ延ばされる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の利点は数多い。しかし、本発明の最も重要な利点の１つは、本発明が、抵抗器をトリミングする分解能を低下させることなく、集積回路上で、知られている薄膜抵抗器をこれまでに配置することができた間隔よりも互いのはるかに近くに配置することができる膜抵抗器、特に薄膜抵抗器を提供することである。実際、本発明に基づく膜抵抗器の構成の多くは、これまでに知られている膜抵抗器で達成することができる分解能よりも高い分解能のトリミングを容易にし、膜抵抗器が、別個の粗いトリミングおよび細かいトリミングを容易にするように構成されている場合には、特に高い分解能のトリミングを達成することができる。本発明に基づく膜抵抗器はさらに、比較的に幅の広い抵抗値のトリミング範囲を有し、これは特に、別個の粗いトリミングおよび細かいトリミングを容易にするように構成された膜抵抗器でそうである。
【００３８】
従来技術の多くの薄膜抵抗器よりも互いのはるかに近くに薄膜抵抗器を配置することができることによって、ダイ面積がかなり低減される。低インピーダンス要素が膜抵抗器の抵抗膜の上にある場合には、必要ダイ面積は特に大きく低減される。さらに、低インピーダンス要素が薄膜抵抗器の抵抗膜の上にあり、低インピーダンス要素が、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜よりも高い材料でできている場合には、そうでない場合に可能であるよりも互いの近くに、薄膜抵抗器を配置することができる。これは、それぞれの薄膜抵抗器の低インピーダンス要素が、隣接する薄膜抵抗器の中間部分、すなわちトリミング可能領域に隣接し、かつこの部分から間隔を置いて配置されるように、薄膜抵抗器を配置することによって達成することができる。したがって、それぞれの薄膜抵抗器がトリミングされているときには、たとえトリミング中にレーザ光トリミングビームの位置が完全に正確には合っていない場合であっても、隣接する薄膜抵抗器を傷つける危険性はほとんどない。これは、トリミング中のトリミング可能領域に隣接する隣接薄膜抵抗器の部分が、レーザ光トリミングビームに対する抵抗性が抵抗膜よりも高い低インピーダンス要素であるためである。したがって、低インピーダンス要素を、レーザ光ビームに対する抵抗性が抵抗膜よりも高い材料から形成することによって、ダイ面積はさらに低減される。
【００３９】
さらに、薄膜抵抗器どうしを特に近くに配置することができることによって、プロセス変動に起因するトリミング前の薄膜抵抗器間の不整合がかなり低減され、それによって続くトリミングの必要性が最小化される。
【００４０】
本発明によって達成可能な他の利点は、薄膜抵抗器を同様の向きに位置することができるため、薄膜抵抗器をより正確に整合させることができる点である。言い換えると、それぞれの薄膜抵抗器の低インピーダンス要素を隣接する薄膜抵抗器の中間部分に隣接させて、薄膜抵抗器を配置することができ、また、そうすることが好ましい。さらに、薄膜抵抗器を互いに対してそのように配置することによって、薄膜抵抗器をトリミングするレーザトリミング装置の設定が単純化される。これは、薄膜抵抗器を互いに同じ向きに配置し、薄膜抵抗器を一定のピッチで配置することによって、薄膜抵抗器を順次薄くするレーザトリミング装置の設定が、１つの薄膜抵抗器から次の薄膜抵抗器へ一定ピッチのステップでレーザ光トリミングビームを割り出すことだけを要求するからである。
【００４１】
本発明およびその多くの利点は、添付図面を参照して単に例示として与えられた本発明の好ましいいくつかの実施形態の以下の説明から、当業者には容易に明白となろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
図面を参照する。これらの図面は一定の尺度では描かれていない。最初に図２から７を参照すると、全体が参照符号１で示された本発明に基づく集積回路の一部分が示されており、この集積回路は、内部に集積回路１の構成要素（図示せず）が形成されたシリコン基板３を含む。基板３上には、二酸化シリコンの電気絶縁層４が形成されており、絶縁層４上には、全体が参照符号５で示されたやはり本発明に基づく複数の薄膜抵抗器が形成されており、これらの薄膜抵抗器は互いに平行に延びている。本発明は薄膜抵抗器５に関するものであるため、集積回路１の他の構成要素については説明しないが、そのような構成要素は当業者によく知られており、それらは、その特定の集積回路に固有であろう。
【００４３】
薄膜抵抗器５はそれぞれ、第１の端部８と第２の端部９の間を縦に延びる、後により詳細に説明する電気抵抗材料の細長い抵抗膜７を含む。それぞれの抵抗膜７の第１の端部８および第２の端部９はそれぞれ、第１および第２の電気接触パッド１０および１１に電気的に結合されており、抵抗膜７はそれぞれ、対応する接触パッド対の第１の接触パッド１０と第２の接触パッド１１との間の電流の流れを収容する。抵抗膜７はそれぞれ、間隔を置いて反対側に配置された第１の側縁１６と第２の側縁１７との間に延びる、第１の主表面ないし上主表面１４と、やはり第１の側縁１６と第２の側縁１７との間に延びる、間隔を置いて反対側に配置された第２の主表面ないし下主表面１５とを有する。
【００４４】
それぞれの薄膜抵抗器５の抵抗膜７の第１の端部８と第２の端部９の中間の上主表面１４には、細長い低インピーダンス要素２０が形成されており、これはそこで、上主表面１４に電気的に結合されている。低インピーダンス要素２０はそれぞれ、抵抗膜７の中間部分２２に沿って延び、中間部分２２を画定し、後により詳細に説明するように、低インピーダンス要素２０はそれぞれ、抵抗膜７の中間部分２２の電流の電流密度を低減させて、中間部分２２での薄膜抵抗器５の抵抗のトリミングを容易にするために、対応する中間部分２２と平行に電流を伝導する。それぞれの薄膜抵抗器５の低インピーダンス要素２０は、対応する中間部分２２の長さに沿って延び、対応する抵抗膜７の第２の側縁１７に沿って、第２の側縁１７と平行に縦に延び、低インピーダンス要素２０の第１の側縁２１は抵抗膜７の第２の側縁１７と一致する。後に説明するように、中間部分２２の低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３と抵抗膜７の第１の側縁１６との間にトリミング可能部分を画定するため、低インピーダンス要素２０はそれぞれ、対応する抵抗膜７上に、低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３が抵抗膜７の第１の側縁１６から間隔を置いて配置されるように配置される。低インピーダンス要素２０はそれぞれ、対応する抵抗膜７に事実上積層され、低インピーダンス要素２０が上にある抵抗膜７の全領域にわたって、抵抗膜７と電気的に接触する。したがって、中間部分２２の領域では、それぞれの抵抗膜７の中を伝導される電流の大部分が、対応する低インピーダンス要素２０によって運ばれ、抵抗膜７の中間部分２２の電流密度は、中間部分２２と第１および第２の端部８および９との間に延びる第１および第２の部分２４および２５の電流密度よりもかなり小さい。
【００４５】
第１の側縁１６から垂直に、それぞれの薄膜抵抗器５の中間部分２２の抵抗膜７の中へ、間隔を置いて配置された第１および第２の横断縁形成スロット２６および２７が、第２の側縁１７に向かって内側へと延び、これらは、対応する低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３の直前で止まる。第１および第２の横断縁形成スロット２６および２７は、抵抗膜７の中に、第１および第２の横断縁２８および２９を形成する。それぞれの抵抗膜７の第１の横断縁２８は、抵抗膜７の第１の側縁１６および対応する低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３とともに、中間部分２２のトリミング可能部分に、第１のトリミング可能領域３０を画定する。それぞれの抵抗膜７の第２の横断縁２９は、抵抗膜７の第１の側縁１６および対応する低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３とともに、やはり中間部分２２のトリミング可能部分に、第２のトリミング可能領域３１を画定する。薄膜抵抗器５の粗いトリミングおよび細かいトリミングを容易にするため、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１は低い電流密度を有する。図５および７の電流密度線３２は、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の電流密度の変化を示す。第１および第２のそれぞれのトリミング可能領域３０および３１において、電流密度は、対応する低インピーダンス要素２０から、中間部分２２の抵抗膜７の第１の側縁１６へ、ならびに第１および第２の横断縁２８および２９のうちの対応する一方の横断縁に向かって、次第に低下する。
【００４６】
本発明のこの実施形態では、粗いトリミングが第１のトリミング可能領域３０において実施され、細かいトリミングが第２のトリミング可能領域３１において実施される。トリミングは、第１の側縁１６から間隔を置いて配置された第１の側縁１６に平行な第１および第２のトリミングスロット３４および３５を、それぞれの第１および第２の横断縁２８および２９から、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の中へ次第に延ばすことによって実施される。図７を参照されたい。本発明のこの実施形態では、トリミングが、レーザ光トリミングビームを使用して実施される。最初に、薄膜抵抗器５の粗いトリミングのため、第１のトリミングスロット３４を、トリミング対象の薄膜抵抗器５の中間部分２２の第１の横断縁２８から、第１のトリミング可能領域３０の中へ次第に延ばす。第１のトリミング可能領域３０のトリミングは、第１のトリミングスロット３４を第１のトリミング可能領域３０の中へ次第に延ばすことによって、薄膜抵抗器５の抵抗が、所望の抵抗よりもわずかに低いレベルに増大するまで続ける。その後、第２の横断縁２９から第２のトリミングスロット３５を第２のトリミング可能領域３１の中へ次第に延ばすことによって、細かいトリミングを実施する。第２のトリミングスロット３５は、薄膜抵抗器５の抵抗が所望の抵抗値になるまで、第２のトリミング可能領域３１の中へ次第に延ばされる。
【００４７】
本発明のこの実施形態では、細かいトリミングは、それぞれの薄膜抵抗器５の第２のトリミング可能領域３１において実施されるため、第２の端部９に向かう方向の第２の横断縁２９からの対応する低インピーダンス要素２０の長さｌ２によって決まる、第２の端部９に向かう方向の第２の横断縁２９からのそれぞれの第２のトリミング可能領域３１の長さは、第１の端部８に向かう方向の第１の横断縁２８からの低インピーダンス要素２０の長さｌ１によって決まる、第１の端部８に向かう方向の第１の横断縁２８からの第１のトリミング可能領域３０の長さよりも長い。後述するように、このことによって、第２のトリミング可能領域３１のトリミングの分解能は、第１のトリミング可能領域３０のトリミングの分解能よりも高くなる。
【００４８】
それぞれの低インピーダンス要素２０が中間部分２２の長さに沿って対応する抵抗膜７に電気的に結合されていることによって、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の電流密度は、対応する第１および第２の横断縁２８および２９に向かって次第に低下する。したがって、第１のトリミングスロット３４を第１のトリミング可能領域３０の中へ次第に延ばすと、第１のトリミングスロット３４の長さが増大するにつれて、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりの得られる薄膜抵抗器５の抵抗の増大は増大する。したがって、第１のトリミングスロット３４を第１のトリミング可能領域３０の中へ次第に延ばすにつれて、トリミングの分解能は低減する。しかし、第１のトリミング可能領域３０の粗いトリミングを、薄膜抵抗器５の抵抗が所望の抵抗値よりもわずかに低い値に増大するまで続けることによって、細かいトリミングでの薄膜抵抗器５の抵抗の増大はわずかでよくなるため、細かいトリミングを、第２のトリミング可能領域３１の電流密度が最も低い第２の横断縁２９に近い領域において実施することができるようになる。第２のトリミング可能領域３１の中へ延びる第２のトリミングスロット３５が、第２の横断縁２９からの低インピーダンス要素２０の長さｌ２に比べて相対的に短ければ、電流密度が比較的に低い第２のトリミング可能領域３１においてトリミングが実施され、したがって細かいトリミングの分解能が比較的に高くなる。これについては後に、図８および９を参照してより詳細に説明する。
【００４９】
対応する抵抗膜７に沿って、低インピーダンス要素２０が、第１および第２の横断縁２８および２９から、第１および第２の端部８および９に向かって長く延びれば延びるほど、第１および第２の横断縁２８および２９に隣接した第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の電流密度は低くなり、したがって、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の第１および第２の横断縁２８および２９に隣接した領域において達成可能なトリミング分解能は高くなる。しかし、薄膜抵抗器５のトリミングをより詳細に説明する前に、最初に、薄膜抵抗器５の抵抗膜７および低インピーダンス要素２０についてより詳細に説明する。
【００５０】
先に論じたとおり、それぞれの薄膜抵抗器５の抵抗膜７は、一般に薄膜抵抗器５の所望の抵抗値によって決定される電気抵抗材料でできている。しかし、一般的な電気抵抗材料は、ドープされたまたは無ドープのシリコン−クロム、ニッケル−クロムおよびチタン−シリコンであり、一般に、ＰＶＤまたはＣＶＤプロセスによって絶縁層４上に付着される。抵抗膜７を形成するこの材料は、付着プロセスによって決定される一定の深さｔ１まで付着される。一般に、この材料は、最大１００オングストロームの深さｔ１、より一般的には２０から５０オングストロームの範囲の深さｔ１の抵抗膜７を形成する深さまで付着される。抵抗膜７はそれぞれ、ともに主として薄膜抵抗器５の所望の抵抗値によって決まる長さＬおよび幅ｗ１を有する。このような抵抗膜の幅ｗ１は、０．１ミクロンから３６ミクロン、またはそれ以上とすることができるが、より一般的には、このような抵抗膜の幅ｗ１は、１ミクロンから３６ミクロンの範囲にある。
【００５１】
それぞれの薄膜抵抗器５の低インピーダンス要素２０の材料は、比較的に高い、一般に抵抗膜７の材料の導電率よりも数桁高い導電率を有し、そのため、薄膜抵抗器５を流れる電流の大部分は、対応する低インピーダンス要素２０を通して伝導される。一般的な好ましいケースでは、それぞれの薄膜抵抗器５の低インピーダンス要素２０の導電率が、抵抗膜７の導電率よりも２桁高い。さらに、後述するように、薄膜抵抗器５を互いのより近くに配置することができるように、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する低インピーダンス要素２０の材料の抵抗性を、抵抗膜７の抵抗性よりも高くしてもよい。レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜の材料よりも高い、低インピーダンス要素２０に適した材料は、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム−シリコン−銅、アルミニウム−シリコン、アルミニウム−銅、およびアルミニウムである。低インピーダンス要素２０を形成する材料は、薄膜抵抗器５の抵抗膜７の上主表面１４に、ＰＶＤまたはＣＶＤプロセスによって直接に付着される。対応する抵抗膜７の表面に低インピーダンス要素２０を直接に形成することによって、低インピーダンス要素２０が上にある抵抗膜７の全領域にわたって、それぞれの低インピーダンス要素２０と対応する抵抗膜７との間の電気接触が保証される。
【００５２】
低インピーダンス要素２０は、付着プロセスによって決定される一定の深さｔ２に付着される。それぞれの低インピーダンス要素２０は長さｌおよび幅ｗ２を有する。それぞれの低インピーダンス要素２０の幅ｗ２は、必要な導電率および対応する抵抗膜７の幅ｗ１によって、対応する第１および第２のトリミング可能領域３０および３１がトリミングを可能にする十分な幅ｗ３を有するように決められる。実際、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１のトリミングを容易にする十分な幅ｗ３を有する第１および第２のトリミング可能領域３０および３１を形成するため、それぞれの低インピーダンス要素の幅ｗ２は、対応する抵抗膜７の幅ｗ１よりもかなり小さい。さらに、それぞれの低インピーダンス要素２０の幅ｗ２を最小化することによって、対応する抵抗膜７の全幅ｗ１を最小化することができる。それぞれの低インピーダンス要素２０の長さｌは、必要なトリミング分解能、および第１のトリミングスロット３４と第２のトリミングスロット３５の間の間隔によって決まる。第１のトリミング可能領域３０に沿ったそれぞれの低インピーダンス要素２０の第１の横断縁２８からの長さｌ１、および第２のトリミング可能領域３１に沿ったそれぞれの低インピーダンス要素２０の第２の横断縁２９からの長さｌ２は、必要なトリミング分解能によって決まり、低インピーダンス要素２０の長さｌ１およびｌ２が長いほど、トリミング分解能は高くなり、トリミング範囲は広くなる。先に論じたとおり、本発明のこの実施形態では、粗いトリミングが、それぞれの薄膜抵抗器５の第１のトリミング可能領域３０において実施され、細かいトリミングが、それぞれの薄膜抵抗器５の第２のトリミング可能領域３１において実施されるため、それぞれの低インピーダンス要素２０の長さｌ２は、その低インピーダンス要素２０の長さｌ１よりも長い。
【００５３】
それぞれの低インピーダンス要素２０の端部３３は、端部３３に隣接した対応する抵抗膜７の電流クラウディング（ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｒｏｗｄｉｎｇ）を最小化するために成形される。本発明のこの実施形態では、この成形が、それぞれの低インピーダンス要素２０の端部３３を、対応する抵抗膜７の第２の側縁１７に隣接した低インピーダンス要素２０の第１の側縁２１から互いに向かって内側へ、低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３に向かって低インピーダンス要素２０の第１の側縁２１に対して約４５°の角度で面取りすることによって実施される。しかしこの面取角は、０°よりもわずかに大きい角度から９０°よりもわずかに小さい角度までの範囲をとることができる。
【００５４】
第１および第２の横断縁形成スロット２６および２７は、薄膜抵抗器５の形成プロセスの適当な時点で、当業者によく知られている適当なエッチングプロセスによって、薄膜抵抗器５の抵抗膜７の中にエッチングされる。
【００５５】
次に、特に図６を参照すると、トリミングするために薄膜抵抗器５の１つの抵抗膜７の中間部分２２に導かれたレーザ光ビームのトリミングスポット３６が描かれている。トリミングスポット３６は、それぞれの第１および第２のトリミングスロット３４および３５を切削するトリミングスポット３６の活性部分である高エネルギーセンタースポット３７と、高エネルギーセンタースポット３７の周囲に広がる外側低エネルギーハロー３８とを有する。一般に、高エネルギーセンタースポット３７は、３ミクロンから５ミクロンの範囲の直径を有し、トリミングスポット３６のハロー３８の外径は約７．５ミクロンである。高エネルギーセンタースポット３７によって形成される第１および第２のトリミングスロット３４および３５の幅ｗ４も、約３ミクロンから５ミクロンである。このトリミングは、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１において、第１および第２のトリミングスロット３４および３５を、対応する第１および第２の横断縁２８および２９から、概ね縦方向に、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の中へ、抵抗膜７の第１の側縁１６に実質的に平行に、０．１ミクロン刻みで、次第に延ばすことによって実施される。第１および第２のトリミングスロット３４および３５を、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の中へ、対応する抵抗膜７の第１の側縁１６に平行に延ばすことによって、第１および第２のトリミング可能領域３０および３１の幅ｗ３を最小化することができ、それによって抵抗膜７の全幅ｗ１を最小化することができる。
【００５６】
第１および第２の横断縁形成スロット２６および２７は、それぞれの薄膜抵抗器５の中間部分２２の第１の横断縁形成スロット２６と第２の横断縁形成スロット２７の間に、トリミング対象の薄膜抵抗器５の第１および第２のトリミング可能領域３０および３１に第１および第２のトリミングスロット３４および３５を形成する前にレーザ光トリミングビームの高エネルギーセンタースポット３７を集束させ、位置合せすることができる焦点合せ領域４０を形成する。第１および第２のトリミングスロット３４および３５の切削を開始する前の、焦点合せ領域４０におけるレーザ光トリミングビームの集束、レーザ光トリミングビームと第１および第２のトリミング可能領域３０および３１との位置合せを容易にするのに、第１の横断縁２８と第２の横断縁２９との間の距離が十分であるように、第１の横断縁形成スロット２６と第２の横断縁形成スロット２７は、十分な間隔を置いて配置されなければならない。焦点合せ領域４０は、薄膜抵抗器５の抵抗に対する影響をほとんどまたは全く持たず、したがって、レーザ光トリミングビームの焦点合せ中に、焼き剥がされてもよい。
【００５７】
レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜７の材料よりも高い材料から低インピーダンス要素２０ができており、それぞれの薄膜抵抗器５の低インピーダンス要素２０が隣接する薄膜抵抗器５の第１および第２のトリミング可能領域３０および３１と隣接するように薄膜抵抗器５が配置され、それらの向きが定められた場合には、薄膜抵抗器のトリミング中に隣接する薄膜抵抗器を傷つける危険なしに、薄膜抵抗器５を互いの特に近くに配置することができる。たとえ、レーザ光トリミングビームの位置が、トリミング中の薄膜抵抗器５の第１および第２のトリミング可能領域３０および３１と完全には正確に合わせられておらず、レーザ光トリミングビームが、隣接する薄膜抵抗器５に浸入するとしても、レーザ光トリミングビームは、隣接する薄膜抵抗器５の低インピーダンス要素２０の隣接部分に当たり、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する低インピーダンス要素２０の抵抗性は抵抗膜７の材料よりも高いため、トリミング中の隣接した薄膜抵抗器５の第１および第２のトリミング可能領域３０および３１に隣接した薄膜抵抗器５を傷つけることはないであろう。したがって、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜７の材料よりも高い材料で低インピーダンス要素２０を形成することによって、薄膜抵抗器５を互いの比較的に近くに配置することができ、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜７の材料以下の材料から低インピーダンス要素２０ができている場合よりも、互いの近くに配置することができる。しかし、たとえ、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜７の材料よりも高い材料から低インピーダンス要素２０が形成されていない場合でも、本発明に基づく薄膜抵抗器は依然として、これまで知られている多くの薄膜抵抗器よりも、互いのはるかに近くに配置することができる。
【００５８】
実際、Ｒ２Ｒ構成に実装された１４ビット、７セグメントＤＡＣを有する集積回路では、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜以下の材料から低インピーダンス要素が形成された本発明に基づく薄膜抵抗器として抵抗器が実装されている場合、薄膜抵抗器に対する必要ダイ面積は、４００ミクロン×２７３ミクロンであることが分かった。これは、図１に示されたタイプの従来技術のタブ型薄膜抵抗器を使用した場合の必要ダイ面積１，１００ミクロン×４００ミクロンに匹敵する。しかし、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜の材料よりも高い材料でできた低インピーダンス要素を有する本発明に基づく薄膜抵抗器を備えたＤＡＣを実装することによって、薄膜抵抗器に対する必要ダイ面積は、２２４ミクロン×１８１ミクロンにさらに低減する。したがって、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜の材料よりも高い材料でできた低インピーダンス要素を有する本発明に基づく薄膜抵抗器を使用することによって達成されるダイ面積の低減は、必要ダイ面積の９１％の低減となり、非常に大きい。たとえ、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜の材料以下である材料から低インピーダンス要素ができているときであっても、本発明に基づく薄膜抵抗器は、必要ダイ面積を７５％も低減させる。
【００５９】
次に、図８を参照すると、第１のトリミング可能領域３０の第１のトリミングスロット３４の長さを次第に増大させたときに、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりで、１つの薄膜抵抗器５の抵抗が、次第にどのように増大するのかを示す波形Ａが示されている。Ｙ軸には、オームで表された抵抗がプロットされており、Ｘ軸には、第１のトリミング可能領域３０の中へ延びる第１のトリミングスロット３４の第１の横断縁２８からの長さがミクロンでプロットされている。当初、第１の横断縁２８からの第１のトリミングスロット３４の長さが約４ミクロンまでであるうちは、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりの薄膜抵抗器５の抵抗の増大は比較的に小さい。しかし、その後、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大によって得られる抵抗の増大は、第１のトリミングスロット３４の長さが増大するにつれて、はるかに高い率で増大する。したがって、第１の横断縁２８からの第１のトリミングスロット３４の長さが増大するにつれて、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりのトリミング分解能は低下する。しかし、第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりのトリミング分解能は低下するが、第１のトリミングスロット３４の長さが約４ミクロンまでであるうちは、トリミング分解能は比較的に高い。しかし、その後、第１のトリミングスロット３４の長さを増大させるにつれて、トリミング分解能の低下率はより急激になる。
【００６０】
それぞれの薄膜抵抗器５の第２のトリミング可能領域３１に沿って延びる低インピーダンス要素２０の部分の長さｌ２は、第１のトリミング可能領域３０に沿って延びる低インピーダンス要素２０の部分の長さｌ１よりも長いため、第２のトリミング可能領域３１の第２のトリミングスロット３５によって達成可能な、第２の横断縁２９からの第２のトリミングスロット３５の単位長さあたりのトリミング分解能は、それぞれの薄膜抵抗器５の第１の横断縁から延びる第１のトリミング可能領域３０の第１のトリミングスロット３４によって達成可能なトリミング分解能に比べて高い。
【００６１】
したがって、第１のトリミングスロット３４を使用して、第１のトリミングスロット３４を第１のトリミング可能領域３０の中へ、薄膜抵抗器５の抵抗を所望の抵抗値よりもわずかに低いレベルに増大させる長さまで延ばすことにより、それぞれの薄膜抵抗器５を粗くトリミングすることによって、たとえ、その粗いトリミングが、第１のトリミングスロット３４を６ミクロンを超える長さまで延ばすことを要求した場合でも、第１のトリミングスロット３４を、第１の横断縁２８から、最大で約９ミクロンから１０ミクロンの長さまで延ばすことによって、粗いトリミングを依然として達成することができる。図８を参照されたい。その後、第２の横断縁２９から、第２のトリミング可能領域３１の中へ、第２のトリミングスロット３５を延ばすことによって、細かいトリミングを実施することができる。粗いトリミングが、所望の抵抗値よりもわずかに低い値まで薄膜抵抗器５の抵抗を増大させた場合、第２のトリミング可能領域３１の細かいトリミングは、それによって比較的に高い分解能で細かいトリミングを実施することを可能にする、第２のトリミングスロット３５の長さの最初の５ミクロン以内で達成されなければならない。
【００６２】
次に図９を参照すると、波形Ｂは、一般的な１つの薄膜抵抗器５のトリミング中の抵抗の増大を示す。波形Ｂの部分Ｂ１は粗いトリミングを表し、波形Ｂの部分Ｂ２は細かいトリミングを表す。最初に、薄膜抵抗器５の抵抗が所望の抵抗値よりもわずかに低い値をとるまで、第１のトリミングスロット３４を第１のトリミング可能領域３０の中へ次第に延ばすことによって、薄膜抵抗器５の粗いトリミングが第１のトリミング可能領域３０で実施される。このケースでは、第１のトリミングスロット３４が、第１のトリミング可能領域３０の中へほぼ８ミクロン延ばされる。次いで、薄膜抵抗器５の抵抗値を所望の抵抗値まで増大させるために、細かいトリミングが実施される。これは、薄膜抵抗器５の抵抗値が所望の値になるまで第２のトリミングスロット３５を第２のトリミング可能領域３１の中へ延ばすことによって実施される。この特定のケースでは、第２のトリミングスロットが、第２のトリミング可能領域３１の中へ約４ミクロン延ばされる。
【００６３】
波形Ｂの部分Ｂ２から分かるように、第２のトリミングスロット３５の長さの単位増大あたりの得られる薄膜抵抗器５の抵抗の増大は、第２のトリミングスロット３５の長さが増大するにつれて、次第に増大する。しかし、第２のトリミングスロット３５の長さを増大させたときに得られる第２のトリミングスロット３５の長さの単位増大あたりの薄膜抵抗器５の抵抗の増大率は、第１のトリミングスロット３４を増大させたときに得られる第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりの薄膜抵抗器５の抵抗の増大率に比べてかなり小さい。これは、第２のトリミング可能領域３１に沿って第２の横断縁２９から延びる低インピーダンス要素２０の長さｌ２が、第１のトリミング可能領域３０に沿って第１の横断縁２８から延びる低インピーダンス要素２０の長さｌ１よりも長いことに起因する。第２のトリミングスロット３５の長さを増大させたときに得られる第２のトリミングスロット３５の長さの単位増大あたりの薄膜抵抗器５の抵抗の増大率が、第１のトリミングスロット３４を増大させたときに得られる第１のトリミングスロット３４の長さの単位増大あたりの薄膜抵抗器５の抵抗の増大率よりも小さいことによって、第２のトリミング可能領域３１では、第１のトリミング可能領域３０よりも高いトリミング分解能が提供される。
【００６４】
次に、図１０および１１を参照すると、全体が参照符号５０で示された本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器が示されている。薄膜抵抗器５０は、図２から９を参照して説明した薄膜抵抗器５と実質的に同様であり、同様の構成要素は同じ参照符号によって識別される。図１１には、図２から７の集積回路１の絶縁層と同様の絶縁層４上の薄膜抵抗器５０が示されている。薄膜抵抗器５０と薄膜抵抗器５の主な違いは、第１の端部８から第２の端部９までの抵抗膜７の長さ上で、抵抗膜７の幅が一定でないことである。中間部分２２から第１の端部８まで延びる抵抗膜７の第１の部分２４は、幅ｗ’１の幅の狭い細長い第１のストリップ５１を含み、幅の狭い第１のストリップ５１は、第１の端部８から同じく第１の部分２４の幅の広い第１の部分５２まで延び、幅の広い第１の部分５２は中間部分２２で終わる。幅の広い第１の部分５２は、中間部分２２の幅と同様の幅ｗ１を有する。同様に、抵抗膜７の第２の部分２５は、第２の端部９から幅の広い第２の部分５４まで延びる幅の狭い第２のストリップ５３を含み、幅の広い第２の部分５４は中間部分２２で終わる。幅の狭い第１および第２のストリップ５１および５３の幅ｗ’１は同様であり、幅の狭い第１および第２のストリップ５１および５３と対応する幅の広い第１および第２の部分５２および５４との間を電流が流れるときの電流クラウディングを防ぐために、幅ｗ’１は、５５および５６のところで、対応する幅の広い第１および第２の部分５２および５４に向かって次第に増大する。幅の狭いストリップ５１および５３の長さは、所望の長さとすることができ、対応する幅の広い部分５２および５４よりも長くも、または短くもすることができるが、一般に、対応する幅の広い部分５２および５４よりも長く、幅の狭い第１および第２のストリップ５１および５３の長さおよび幅ｗ’１はともに、薄膜抵抗器５０の所望の抵抗値によって決まる。
【００６５】
幅の狭い第１および第２のストリップ５１および５３、幅の広い第１および第２の部分５２および５４、ならびに抵抗膜７の中間部分２２は、ＰＶＤまたはＣＶＤプロセスによって、一定の深さｔ１の単一のワンピース抵抗膜７として、同時に形成される。図２から９の薄膜抵抗器５を参照してすでに説明したのと同様に、抵抗膜７の上面には、ＰＶＤまたはＣＶＤプロセスによって低インピーダンス要素２０が付着され、抵抗膜７の第１の部分２４と第２の部分２５の間に延びて、中間部分２２を画定し、その領域の全体にわたって、抵抗膜７の上主表面１４と電気的に結合される。
【００６６】
その他の点では、薄膜抵抗器５０は薄膜抵抗器５と同様であり、第１の横断縁２８から第１のトリミング可能領域３０の中へ第１のトリミングスロットを延ばすことによって粗いトリミングが実施され、第２の横断縁２９から第２のトリミング可能領域３１の中へ第２のトリミングスロットを延ばすことによって細かいトリミングが実施される薄膜抵抗器５０のトリミングも同様である。
【００６７】
次に図１２から１５を参照すると、全体が参照符号６０で示されたやはり本発明に基づく集積回路の一部分が示されている。集積回路６０は、図１３にその一部分が示されたシリコン基板６１と、シリコン基板６１上の二酸化シリコンの電気絶縁層６２とを含む。絶縁層６２上には、全体が参照符号６５で示されたやはり本発明に基づく複数の複合薄膜抵抗器が形成され、図１２には、そのうち３つの複合薄膜抵抗器６５が示されている。複合薄膜抵抗器６５はそれぞれ、対応する第１の電気接触パッド６７と第２の電気接触パッド６８と間に直列に電気結合された、やはり本発明に基づく一対の薄膜抵抗器６６ａおよび６６ｂによって形成される。薄膜抵抗器６６は、図２から７の薄膜抵抗器５といくらか類似しており、同様の構成要素は同じ参照符号によって識別される。それぞれの複合薄膜抵抗器６５の薄膜抵抗器６６は、対応する第１の電気接触パッド６７と第２の電気接触パッド６８との間で、それぞれの複合薄膜抵抗器６５の薄膜抵抗器６６の低インピーダンス要素２０を形成する低インピーダンス要素７０によって直列に電気結合されている。
【００６８】
薄膜抵抗器６６と図２から７の薄膜抵抗器５の主な違いは、抵抗膜７の第１の端部８と第２の端部９の中間に配置されるそれぞれの薄膜抵抗器６６の低インピーダンス要素２０が、薄膜抵抗器５の場合のように第２の端部９から間隔を置いて配置されるのではなく、抵抗膜７の第２の端部９に隣接して配置される点である。したがって、本発明のこの実施形態では、それぞれの薄膜抵抗器６６の抵抗膜７の第２の端部９が、中間部分２２の第１の横断縁２８を形成する。対応する抵抗膜７の第１の端部８と第２の端部９の中間に配置されているそれぞれの薄膜抵抗器６６の中間部分２２は、抵抗膜７の第２の端部９に隣接して位置する。したがって、それぞれの薄膜抵抗器６６は、１つのトリミング可能領域だけ、すなわち第１のトリミング可能領域７１だけを有し、第１のトリミング可能領域７１は、薄膜抵抗器５の第１のトリミング可能領域３０と同様であり、対応する中間部分２２において、抵抗膜７の第１の側縁１６、第１の横断縁２８および対応する低インピーダンス要素２０の第２の側縁２３の間に画定される。
【００６９】
この場合、それぞれの複合薄膜抵抗器６５の薄膜抵抗器６６ａの第１の端部８は、対応する第１の電気接触パッド６７に結合され、それぞれの複合薄膜抵抗器６５の薄膜抵抗器６６ｂの第１の端部８は、対応する第２の電気接触パッド６８に結合される。
【００７０】
したがって、それぞれの複合薄膜抵抗器６５の薄膜抵抗器６６ａおよび６６ｂはそれぞれ、第１のトリミング可能領域７１を含むため、薄膜抵抗器６６ａの第１のトリミング可能領域７１で粗いトリミングを実施し、薄膜抵抗器６６ｂの第１のトリミング可能領域７１で細かいトリミングを実施し、またはその逆を実施することによって、複合薄膜抵抗器６５を、粗いトリミングおよび細かいトリミングにかけることができる。第１のトリミング可能領域７１のトリミングは、図２から７の薄膜抵抗器５を参照して説明した方法と同様の方法で実施される。薄膜抵抗器６６ａの第１のトリミング可能領域７１が粗いトリミングに使用され、薄膜抵抗器６６ｂの第１のトリミング可能領域７１が細かいトリミングに使用される場合には一般に、薄膜抵抗器６６ｂのトリミング分解能をより高くするため、薄膜抵抗器６６ｂの第２の端部９から薄膜抵抗器６６ｂの第１のトリミング可能領域７１に沿って延びる低インピーダンス要素２０の長さｌ２は、薄膜抵抗器６６ａの第２の端部９から薄膜抵抗器６６ａの第１のトリミング可能領域７１に沿って延びる低インピーダンス要素２０の長さｌ１よりも長い。
【００７１】
薄膜抵抗器６６は複合薄膜抵抗器６５を形成すると説明したが、それぞれの薄膜抵抗器６６が、単独で単一の薄膜抵抗器を形成することができ、その場合には、薄膜抵抗器６６の第１の端部が第１の接触パッドに電気的に結合され、薄膜抵抗器６６の第２の端部が、低インピーダンス要素２０の薄膜抵抗器６６の第２の端部の先に延びる部分によって、第２の接触パッドに結合されることが予想されることが、当業者には明白であろう。
【００７２】
次に、図１６および１７を参照すると、本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器８０が示されている。薄膜抵抗器８０は、図２から７の薄膜抵抗器５と実質的に同様であり、同様の構成要素は同じ参照符号によって識別される。図１７には、図２から７の集積回路１の絶縁層と同様の絶縁層４上の薄膜抵抗器８０が示されている。本発明のこの実施形態では、薄膜抵抗器８０が、２つの低インピーダンス要素、すなわち第１の低インピーダンス要素８１および第２の低インピーダンス要素８２を備え、これらの低インピーダンス要素はともに、抵抗膜７上の抵抗膜７の第１の端部８と第２の端部９の中間に配置されている。第１の低インピーダンス要素８１は、抵抗膜７の第１の端部８に隣接して配置され、薄膜抵抗器５の中間部分２２と同様の抵抗膜７の第１の中間部分８３を画定する。第２の低インピーダンス要素８２は、抵抗膜７の第２の端部９に隣接して配置され、やはり薄膜抵抗器５の中間部分２２と同様の抵抗膜７の第２の中間部分８４を画定する。
【００７３】
第１の中間部分８３の中へ、第１の横断縁形成スロット２６と同様の第１の横断縁形成スロット８５が延びて、第１の横断縁２８を形成する。第２の中間部分８４の中へ第２の横断縁形成スロット８６が延びて、第２の横断縁２９を形成する。第１の横断縁２８は、抵抗膜７の第１の側縁１６および第１の低インピーダンス要素８１の第２の側縁２３とともに、第１のトリミング可能領域８７を画定し、第２の横断縁２９は、抵抗膜７の第１の側縁１６および第２の低インピーダンス要素８２の第２の側縁２３とともに、第２のトリミング可能領域８８を画定する。第１および第２のトリミング可能領域８７および８８は、薄膜抵抗器５の第１および第２のトリミング可能領域３０および３１と実質的に同様であり、本発明のこの実施形態では、第１の低インピーダンス要素８１が、第１の横断縁２８から第１のトリミング可能領域８７に沿って、長さｌ１にわたって延び、長さｌ１が、第２の低インピーダンス要素８２が第２の横断縁２９から第２のトリミング可能領域８８に沿って延びる長さｌ２よりも短い。したがって、第１のトリミング可能領域８７は、薄膜抵抗器８０の抵抗を粗くトリミングするのに適し、第２のトリミング可能領域８８は、薄膜抵抗器８０の抵抗を細かくトリミングするのに適する。
【００７４】
第１および第２の横断縁形成スロット８５および８６は、隣接する第１および第２の端部８および９とともに、第１および第２のトリミング可能領域８７および８８に第１および第２のトリミングスロット３４および３５を形成する前にレーザ光トリミングビームを集束させることを容易にする第１および第２の焦点合せ領域９０および９１を画定する。
【００７５】
薄膜抵抗器８０は、第１および第２の低インピーダンス要素８１および８２によって、第１および第２の接触パッド１０および１１に電気的に結合される。
【００７６】
抵抗膜７ならびに第１および第２の低インピーダンス要素８１および８２は同様の材料でできており、薄膜抵抗器５の抵抗膜７および低インピーダンス要素２０のプロセスと同様のプロセスによって形成される。第１および第２の低インピーダンス要素８１および８２は、抵抗膜７上に直接に付着され、それぞれの第１および第２の低インピーダンス要素８１および８２が上にある抵抗膜７の領域において抵抗膜７と直接に電気接触する。
【００７７】
その他の点では、薄膜抵抗器８０は薄膜抵抗器５と同様であり、薄膜抵抗器８０の抵抗のトリミングは、図２から９を参照して説明した方法と同様の方法で実施される。薄膜抵抗器８０の抵抗値が所望の値よりもわずかに低い値をとるまで、第１のトリミングスロット３４を第１の横断縁２８から第１のトリミング可能領域８７の中へ次第に延ばすことによって、薄膜抵抗器８０の粗いトリミングが実施され、次いで、細かいトリミングが、薄膜抵抗器８０の抵抗が所望の値になるまで、第２のトリミングスロット３５を第２の横断縁２９から第２のトリミング可能領域８８の中へ次第に延ばすことによって実施される。
【００７８】
次に、図１８を参照すると、本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器９５が示されている。薄膜抵抗器９５は、図２から７を参照して説明した薄膜抵抗器５と実質的に同様であり、同様の構成要素は同じ参照符号によって識別される。薄膜抵抗器９５と薄膜抵抗器５の唯一の違いは中間部分２２にある。本発明のこの実施形態では、横断縁２８および２９を形成する中間部分２２の第１および第２の横断縁形成スロット２６および２７が省かれている。したがって、中間部分２２において、低インピーダンス要素２０が、抵抗膜７の第１の側縁１６とともに、単一のトリミング可能領域９６を画定する。
【００７９】
薄膜抵抗器９５のトリミングは、最初に、低インピーダンス要素２０の端部３３間のある位置のトリミング可能領域９６に、レーザ光トリミングビームを集束させることによって実施される。薄膜抵抗器９５の粗いトリミングおよび細かいトリミングを容易にするためには、低インピーダンス要素２０の端部３３間の低インピーダンス要素２０の中点からずれた位置、例えば低インピーダンス要素２０の端部３３ｂよりも低インピーダンス要素２０の端部３３ａに近い一点鎖線９７によって表された位置に、レーザ光トリミングビームが集束されなければならない。次いで、トリミング可能領域９６において第１のトリミングスロット３４を、薄膜抵抗器９５の抵抗が所望の抵抗値よりもわずかに低い値をとるまで、一点鎖線９７から矢印Ｄの方向へ端部３３ａに向かって延ばすことによって、粗いトリミングが実施される。薄膜抵抗器９５の細かいトリミングは、トリミング可能領域９６において第２のトリミングスロット３５を、薄膜抵抗器９５の抵抗値が所望の値になるまで、一点鎖線９７から矢印Ｅの方向へ端部３３ｂに向かって延ばすことによって実施される。
【００８０】
その他の点では、薄膜抵抗器９５およびそのトリミングは、図２から９を参照して説明した薄膜抵抗器５のそれと同様である。
【００８１】
図２から９、図１０および１１、図１２から１５、図１６および１７、ならびに図１８を参照して説明した薄膜抵抗器の低インピーダンス要素は、対応する１つまたは複数の抵抗膜の上にあると述べたが、ある種のケースでは、低インピーダンス要素を、１つまたは複数の抵抗膜の一方の側縁に、その側縁に隣接して配置することができることが予想される。しかし、１つまたは複数の抵抗膜の上に低インピーダンス要素を配置する利点は、薄膜抵抗器に対する必要ダイ面積が最小化されることにある。さらに、レーザ光トリミングビームの切削効果に対する抵抗性が抵抗膜の材料よりも高い材料から低インピーダンス要素ができている場合には、薄膜抵抗器を互いのより近くに配置することができるため、ダイ面積をさらに低減させることができる。
【００８２】
図２から９、図１０および１１ならびに図１６および１７を参照して説明した薄膜抵抗器は、第１の側縁から抵抗膜の中へ延びるそれぞれの第１および第２の横断縁形成スロットによって形成された第１および第２の横断縁を有すると述べたが、ある種のケースでは、第１および第２の横断縁形成スロットならびに低インピーダンス要素によって境界が画定された抵抗膜の領域全体が、エッチングまたは他の方法によって除去されることができることが予想される。しかし、第１および第２の横断縁形成スロットによって第１および第２の横断縁を形成する利点は、第１および第２の横断縁形成スロットおよび低インピーダンス要素によって境界が画定された抵抗膜の部分を完全に除去することによって第１および第２の横断縁が形成されたときよりも、対応する第１および第２の横断縁形成スロットによって第１および第２の横断縁が形成されたときのほうが、より正確かつ精確な横断縁が得られることである。
【００８３】
本発明に基づく薄膜抵抗器は、特定の材料の集積回路上に形成されると述べたが、これらの薄膜抵抗器は、任意の集積回路、さらに言えば他の適当な基板上に形成することができる。抵抗膜および低インピーダンス要素の幅および厚さの具体的な範囲ならびに材料の種類を説明したが、言うまでもなく、抵抗膜および低インピーダンス要素の形成においては、他の適当な幅、厚さおよび材料を選択することができる。
【００８４】
さらに、本発明に基づく膜抵抗器を、薄膜抵抗器であると述べたが、膜抵抗器は、集積回路上に形成された厚膜抵抗器、あるいは、さらに言えばプリント回路板または他の基板上に形成されたタイプの厚膜抵抗器でもよい。
【００８５】
低インピーダンス要素の端部に隣接する電流クラウディングを回避するため、低インピーダンス要素の端部は面取りされると延べ、また、そうしたほうが望ましいが、そうすることは必須ではなく、低インピーダンス要素の端部を、電流クラウディングを回避する他の形状に成形すること、例えばレイディアシング（ｒａｄｉｕｓｉｎｇ）などによって丸みをつけることもできる。
【００８６】
言うまでもなく、図２から９、図１０および１１ならびに図１６および１７を参照して説明したそれぞれの薄膜抵抗器の粗いトリミングを、第２のトリミング可能領域で実施することができ、細かいトリミングを第１のトリミング可能領域で実施することができる。
【００８７】
低インピーダンス要素は、それぞれの低インピーダンス要素の第１の側縁が対応する抵抗膜の第２の側縁と一致するように抵抗膜上に配置されると述べ、また、そうしたほうが好ましいが、そうすることは必須ではない。例えば、低インピーダンス要素は、それぞれの低インピーダンス要素の第１の側縁が対応する抵抗膜の第２の側縁から間隔を置いて配置されるように、抵抗膜上に配置することもできる。しかし、それぞれの低インピーダンス要素の第１の側縁が対応する抵抗膜の第２の側縁と一致するように低インピーダンス要素を配置することによって、抵抗膜の第１の側縁と低インピーダンス要素の第２の側縁との間に画定される１つまたは複数のトリミング可能領域の幅が最大化され、それによって、抵抗膜の１つまたは複数の中間部分において必要な抵抗膜の幅が最小化される。しかし、ある種のケースでは、それぞれの薄膜抵抗器の低インピーダンス要素が、対応する抵抗膜の第１の側縁と第２の側縁の中間に配置されることも予想される。その場合には、低インピーダンス要素の両側、低インピーダンス要素と対応する抵抗膜の第１の側縁の間、および低インピーダンス要素と対応する抵抗膜の第２の側縁の間に、トリミング可能領域を画定することができる。
【００８８】
図２から７ならびに図１０および１１を参照して説明した薄膜抵抗器の低インピーダンス要素を、低インピーダンス要素の第１のトリミング可能領域に沿って延びる部分の長さが、低インピーダンス要素の第２のトリミング可能領域に沿って延びる部分の長さよりも短いと説明したが、ある種のケースでは、低インピーダンス要素の第１のトリミング可能領域に沿って延びる部分の長さが、低インピーダンス要素の第２のトリミング可能領域に沿って延びる部分の長さと同様であることが予想される。その場合、第１のトリミング可能領域と第２のトリミング可能領域において達成可能なトリミング分解能は、実質的に同様であろう。しかし、第１のトリミング可能領域の粗いトリミング中に、薄膜抵抗器の抵抗を、所望の抵抗よりもわずかに低いレベルまで増大させることによって、薄膜抵抗器の抵抗を所望のレベルまで増大させるのに、第２のトリミング可能領域の第２のトリミングスロットは比較的に短くて十分なはずであり、したがって、第２のトリミング可能領域の細かいトリミングは、第２の横断縁に隣接する領域において、比較的に高い分解能で実施されるであろう。同様に、図１２から１５ならびに図１６および１７を参照して説明した薄膜抵抗器でも、それぞれの低インピーダンス要素の長さを実質的に同様とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】集積回路チップの一部分の表面の従来技術の薄膜抵抗器の上面図である。
【図２】本発明に基づく複数の薄膜抵抗器を含む、同じく本発明に基づく集積回路の一部分の上面図である。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩで切った図２の集積回路部分の横断面側立面図である。
【図４】図２の線ＩＶ−ＩＶで切った図２の集積回路部分の横断面端面図である。
【図５】図２の集積回路の本発明に基づく１つの薄膜抵抗器の上面図である。
【図６】図２の集積回路の１つの薄膜抵抗器の抵抗のトリミングを示す、図２の集積回路部分の上面図である。
【図７】薄膜抵抗器の抵抗がトリミングされた後の、図２の集積回路の１つの薄膜抵抗器の上面図である。
【図８】薄膜抵抗器のトリミングが進むにつれて、図２の集積回路の１つの薄膜抵抗器の抵抗がどのように増大するのかを示す波形である。
【図９】薄膜抵抗器の抵抗の一般的なトリミング中の図２の集積回路の１つの薄膜抵抗器の抵抗の増大を示す波形である。
【図１０】本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器の上面図である。
【図１１】集積回路の一部分の上に示された図１０の薄膜抵抗器の横断面側立面図である。
【図１２】本発明に基づく複数の複合薄膜抵抗器を含む、本発明の他の実施形態に基づく集積回路の一部分の図２と同様の上面図である。
【図１３】図１２の線ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩで切った図１２の集積回路の横断面側立面図である。
【図１４】図１２の線ＸＩＶ−ＸＩＶで切った図１２の集積回路部分の横断面端面図である。
【図１５】図１２の集積回路の１つの薄膜抵抗器の上面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器の上面図である。
【図１７】集積回路の一部分の上に示された図１６の薄膜抵抗器の側立面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に基づく薄膜抵抗器の上面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１  集積回路
３  基板
４  電気絶縁層
５  薄膜抵抗器
７  抵抗膜
８  抵抗膜の第１の端部
９  抵抗膜の第２の端部
１０  第１の電気接触パッド
１１  第２の電気接触パッド
１４  抵抗膜の第１の主表面ないし上主表面
１５  抵抗膜の第２の主表面ないし下主表面
１６  抵抗膜の第１の側縁
１７  抵抗膜の第２の側縁
２０  低インピーダンス要素
２１  低インピーダンス要素の第１の側縁
２２  抵抗膜の中間部分
２３  低インピーダンス要素の第２の側縁
２４  抵抗膜の第１の部分
２５  抵抗膜の第２の部分
２６  第１の横断縁形成スロット
２７  第２の横断縁形成スロット
２８  第１の横断縁
２９  第２の横断縁
３０  第１のトリミング可能領域
３１  第２のトリミング可能領域
３２  電流密度線
３３  低インピーダンス要素の端部
３４  第１のトリミングスロット
３５  第２のトリミングスロット
３６  レーザ光ビームのトリミングスポット
３７  高エネルギーセンタースポット
３８  低エネルギーハロー
４０  焦点合せ領域
【図１】
2009509327.tif 000003
【図２】
2009509327.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009509327.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009509327.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
2009509327.tif 000021
2009509327.tif 000022