(57)【要約】連続プラズマ浸漬プロセスを使用した基板の製造方法。本方法は移動可能な軌道体を提供することを含む。移動可能な軌道体はチャンバに備えられている。チャンバは導入口と排出口を有する。特定の実施態様では、移動可能な軌道体は、一以上の基板を走査プロセスに供するために、一以上のローラー、エアベアリング、ベルト部材、そして／または可動ビーム部材を含む。本方法は又第一の基板を提供することを含む。第一の基板は第一の複数のタイルを含む。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板を真空に保持する。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板を導入口から移動可能な軌道体上に移送することを含む。第一の複数のタイルは走査注入プロセスを受ける。本方法はまた第二の複数のタイルを含む第二の基板を真空に保持することを含む。本方法は第二の複数のタイルを含む第二の基板を導入口から移動可能な軌道体上に移送することを含む。本方法は第二の複数のタイルが走査注入プロセスを受けることを含む。代替の実施態様ではタイル基板構造を形成するために再利用可能な転写基板体が提供される。基板体は表面領域を有する転写基板を含む。表面領域は複数のドナー基板領域からなる。各ドナー基板領域はドナー基板の厚みとドナー基板表面領域で特徴付けられる。各ドナー基板領域は転写基板の表面に重畳するように空間的に配置される。各ドナー基板領域はドナー基板の厚みを有するが定義できる劈開領域は有しない。
2009507363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続注入プロセスを用いた基板形成方法であって、
導入口と、排出口と、プロセスチャンバーとを含むチャンバーと、チャンバー内に設けられた移動可能な軌道体とを備え、
前記チャンバーは真空状態に保持され、前記導入口に複数の第１のタイルを含む第１の基板を維持し、
前記複数の第１のタイルを含む前記第１の基板を前記導入口から前記移動可能な軌道体上に移送し、
前記第１の複数のタイルを含む前記チャンバーが真空雰囲気に維持されている間に、前記複数の第１のタイルに走査注入プロセスを用いた第１の注入プロセスを受けさせ、
前期第１の複数のタイルが注入を受けている間に、前記導入口は真空状態に維持され、かつ複数の第２のタイルを含む第２の基板を維持し、
前記複数の第２のタイルを含む前記第２の基板を前記導入口から前記移動可能な軌道体上に移送し、
前記複数の第２のタイルに走査注入プロセスを用いた第２の注入プロセスを受けさせる、
ことからなる基板形成方法。
【請求項２】
前記導入口と排出口とは、チャンバーに連結されたロードロック機構を備える、請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項３】
前記走査注入プロセスにおいて、前記第１の基板上の各タイル内に劈開面で規定された厚み部分を形成する、請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項４】
前記走査注入プロセスにおいて、前記第２の基板上の各タイル内に劈開面で規定された厚み部分を形成する請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項５】
前記第１の複数のタイルと前記第２の複数のタイルとは、それぞれ走査注入プロセスのあとに制御された劈開プロセスを受ける請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項６】
前記走査注入プロセスは、注入装置によって実行される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項７】
前記走査注入プロセスは、前記移動可能な軌道体による前記第１の基板の空間的な動作によって実行される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項８】
前記第１の基板は、トレイデバイスからなる請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項９】
前記移動可能な軌道体は、複数のローラと、エア軸受と、移動可能な軌道とを含む請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１０】
前記走査注入プロセスは、水素種とヘリウム種との共注入を含む請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１１】
前記走査注入プロセスは、水素注入プロセスと、ヘリウム注入プロセスとを含む請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１２】
前記走査注入プロセスは、第１のヘリウム注入プロセスと水素注入プロセスとを含む請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１３】
前記走査注入プロセスは、各タイルの厚み内に劈開面で規定された厚み部分を形成するための高エネルギー注入プロセスから構成され、前記高エネルギー注入プロセスで形成された厚み部分は、少なくとも500nmである請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１４】
前記走査注入プロセスは、第１の注入プロセスと、第２の注入プロセスとから構成される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１５】
前記基板形成方法は、さらに、
各前記複数のタイルの周辺領域を遮蔽するマスクを維持する請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１６】
前記基板形成方法は、さらに、
走査注入プロセスの間に各前記タイルを加熱する熱処理工程を実行する請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１７】
前記基板形成方法は、さらに、
走査注入プロセスの間に、各前記タイルを加熱する熱処理工程を前記各タイルに実行し、前記熱処理工程は、熱伝導と、遠赤外放射と、対流と、これらの組み合わせと、から選択される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１８】
前記チャンバーは、各タイルに化学種を注入するために他のチャンバーと連結される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項１９】
前記複数の第１のタイルと前記複数の第２のタイルとは、それぞれ前記走査注入プロセスの後に熱分離処理が施される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項２０】
前記複数の第１のタイルと複数の第２のタイルとは、それぞれ前記走査注入プロセスの後に多孔シリコン分離処理が施される請求項１に記載の基板形成方法。
【請求項２１】
走査プロセスを用いた基板形成方法であって、
移動可能な軌道体を用意し、
前記移動可能な軌道体上に複数のタイルを含む基板を供給し、
前記複数のタイルを含む基板を、チャンバーによって供給される真空中に保持し、
前記移動可能な軌道体を用いて前記複数のタイルを含む基板を第１の注入プロセスの近傍に移送し、
前記複数のタイルに第１の走査プロセスを用いて前記第１の注入プロセスを実行し、
前記移動可能な軌道体を用いて前記複数のタイルを含む基板を第２の注入プロセスの近傍に移送し、
前記複数のタイルに第２の走査プロセスを用いて前記第２の注入プロセスを実行する、
ことからなる基板形成方法。
【請求項２２】
各前記複数のタイルは、再利用可能な基板部材である請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２３】
前記第１の注入プロセスと前記第２の注入プロセスとは、前記再利用可能な基板部材内に劈開面で規定された材料の厚み部分を供給する請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２４】
各前記再生可能な基板部材は、さらに、
前記第１の注入プロセスと前記第２の注入プロセスとの後に、制御された劈開プロセスが施される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２５】
前記第１の走査工程は、注入装置によって実行される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２６】
前記第１の注入プロセスは、ガスと、電圧と、イオン種とによって特徴づけられる請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２７】
前記第２の走査注入プロセスは、ガスと、電圧と、イオン種とによって特徴づけられる請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２８】
前記第２の走査注入プロセスは、前記移動可能な軌道体により実行される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項２９】
前記第２の注入プロセスは、前記注入装置によって実行される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３０】
前記第２の注入プロセスは、第２の注入装置によって実行される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３１】
前記移動可能な軌道体は、複数のローラ、複数のエア軸受又は移動可能な軌道を含む請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３２】
前記移動可能な軌道は、直線状に設置される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３３】
前記移動可能な軌道は、ロボット機構で供給される請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３４】
各前記複数のタイルは、注入シールドにより囲まれている請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３５】
各前記複数のタイルは、各タイルの周辺に約１ｃｍの排除領域を有する請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３６】
前記基板形成方法は、さらに、
少なくとも１つのタイルから部材の厚み部分を取り除く、制御された劈開プロセスを実行し、タイルに残された劈開面領域を形成し、平滑面領域を形成するため劈開面領域に研磨処理を施す請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３７】
前記囲うように設けられた注入シールドは非結晶シリコン、シリコン又はシリコンゲルマニウムである請求項３４に記載の基板形成方法。
【請求項３８】
前記注入装置は、径が450mmであるシャワーヘッドを備える請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項３９】
前記イオン種は、分子イオンH3+を有し、前記分子イオンは、電流密度20x10-6amps/cm2又は1.25x1014 H3+イオン/cm2/sec又は3.75x1014  H+イオン/cm2/secである請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項４０】
前記注入プロセスは、2.0x1016水素原子/cm2の放射線量を供給する、
ことを特徴とする請求項２１に記載の基板形成方法。
【請求項４１】
１以上の注入プロセスを実行するトレイデバイスであって、
複数のサイトからなるフレーム部と、
各前記複数のサイトに配置される複数の再利用可能な基板体と、
前記複数の再利用可能な基板を支持するよう前記フレーム部に格納されたトレイ部と、
を備えるトレイデバイス。
【請求項４２】
重力に対して垂直方向に前記トレイ部が備えられた請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４３】
重力に対して逆さ方向に前記トレイ部が備えられた請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４４】
所定の角度方向に前記トレイ部が備えられた請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４５】
前記複数の再利用可能な基板体への欠陥形成を防ぐ方向にトレイ部が備えられた請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４６】
各前記再利用可能な基板体は、約１２５ｍｍ×約１２５ｍｍの大きさを持つ請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４７】
各前記再利用可能な基板体は、シリコン含有物質からなる請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４８】
前記複数のサイトは、６×６の配列形状に配置される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項４９】
前記複数のサイトは、８×８の配列形状に配置されている請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５０】
前記複数のサイトは、３×３の３００ｍｍウエハを保持する配列として配置される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５１】
前記複数のサイトは、５×５の２００ｍｍウエハを保持する配列として配置される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５２】
前記複数のサイトは、６×６の１５０ｍｍウエハを保持する配列として配置される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５３】
複数の再利用可能な基板に接着プロセス又は劈開プロセスが実施され、複数の再利用可能な基板に同時にまたは別々に接着プロセスと分離プロセスが実施される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５４】
前記トレイ部は、約１メートル×約１メートルの大きさを備える請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５５】
各前記再利用可能な基板体は、周囲に注入シールドを備える請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５６】
各前記再利用可能な基板体の周辺領域内に、１ｃｍ以下の大きさの排除領域を備える請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５７】
各前記再利用可能な基板体は制御された劈開プロセスが施され、少なくとも１つの前記再利用可能な基板体から部材の厚み部分が切除され、前記再利用可能な基板体上に残存する劈開表面領域が形成され、前記残存する劈開表面領域には平坦な表面領域を形成するための研磨工程が施される請求項４１に記載のトレイデバイス。
【請求項５８】
前記注入シールドは、アモルファスシリコン又はその他適切な物質からなる請求項５５に記載のトレイデバイス。
【請求項５９】
基板体上に複数のタイル構造を形成する形成方法であって、
基板の厚さと、転写基板の表面領域を覆い空間的に配置された表面領域とで特徴付けられる複数のドナー基板領域からなる表面領域を有する前記転写基板を用意する工程と、
前記ドナー基板の厚み部分とドナー基板表面領域との間の複数の粒子による劈開領域を形成するため、２以上の前記ドナー基板表面領域を通じて複数の粒子を同時に注入する注入プロセスと、
各前記ドナー基板表面領域にハンドル基板に備えられたハンドル基板表面領域を結合する結合工程と、
前記ハンドル基板表面領域を覆い、空間的に配置された複数のドナー基板の一部を形成する前記ハンドル基板から前記転写基板を切り離す切り離し工程と、
からなる形成方法。
【請求項６０】
前記転写基板は単層からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６１】
前記転写基板は、複数の層からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６２】
前記転写基板は、シリコン含有材からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６３】
前記複数のドナー基板領域は、単結晶シリコン含有材からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６４】
各前記ドナー基板領域のための前記切り離し工程は、各前記ドナー基板領域について、
劈開領域とドナー基板表面領域との間のドナー基板材料の厚み部分を切り離すため劈開領域を劈開するようにした下請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６５】
前記劈開は、制御された劈開行為により特徴付けられる請求項６４に記載の形成方法。
【請求項６６】
前記ハンドル基板は、ガラス基板からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６７】
前記ハンドル基板は、石英板からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６８】
前記ハンドル基板は、第１の長さと第１の幅とにより特徴付けられる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項６９】
前記切り離し工程は、ハンドル基板に空間的に配置された前記複数のドナー基板の部分からなるハンドル基板を結果として形成する請求項５９に記載の形成方法。
【請求項７０】
劈開領域は注入領域と被着領域とからなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項７１】
各前記ドナー基板領域について、劈開領域は複数の水素種からなる注入領域からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項７２】
各前記ドナー基板領域について、劈開領域は、その中にある複数の粒子からなる請求項５９に記載の形成方法。
【請求項７３】
前記結合工程は、各前記ドナー基板表面領域と前記ハンドル基板表面領域との接着からなる結合である請求項５９に記載の形成方法。
【請求項７４】
基板体上に複数のタイル構造を形成する形成方法であって、
ドナー基板の厚さと、転写基板の表面領域に重なるよう空間的に配置されたドナー基板表面領域とで特徴付けられる複数のドナー基板領域からなる表面領域を有する転写基板を用意する工程と、
各ドナー基板について前記ドナー基板の厚み部分と前記ドナー基板表面領域との間に劈開領域を同時に形成するために、前記転写基板上に設けられたドナー基板領域を処理する処理工程と、
各前記ドナー基板表面領域に、ハンドル基板に備えられているハンドル基板表面領域を結合する結合工程と、
前記ハンドル基板表面領域を覆い、空間的に配置された複数のドナー基板の一部を形成する前記ハンドル基板から前記転写基板を切り離す工程と、
とからなる形成方法。
【請求項７５】
前記処理工程は、注入プロセスからなる請求項７４に記載の形成方法。
【請求項７６】
前記処理工程は、熱プロセスからなる請求項７４に記載の形成方法。
【請求項７７】
前記処理工程は、被着された物質からなる劈開領域を形成するため、前記ドナー基板の一部の厚さを変形することとなる請求項７４に記載の形成方法。
【請求項７８】
複数のドナー基板領域からなる表面領域を有した転写基板からなり、当該ドナー基板領域はドナー基板の厚さとドナー基板表面領域とにより特徴付けられ、前記転写基板の前記表面領域を覆うように空間的に配置され、定められた劈開領域を持たない前記ドナー基板の厚さを有する、再利用可能な転写基板体。
【請求項７９】
前記転写基板は、単層からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８０】
前記転写基板は、複数の層からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８１】
前記再利用可能な転写基板体は、シリコン含有部材からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８２】
前記複数のドナー基板領域は、単結晶シリコンの軸受部材からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８３】
各前記ドナー基板領域は、劈開領域と前記ドナー基板表面領域との間のドナー基板部材を規定する劈開領域からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８４】
各前記ドナー基板領域のための前記劈開領域は、注入領域からなる請求項８３に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８５】
各前記ドナー基板領域のための前記劈開領域は、水素含有粒子からなる注入領域からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【請求項８６】
前記ドナー基板領域のための前記劈開領域は、複数の粒子からなる請求項７８に記載の再利用可能な転写基板体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本ＰＣＴ出願は、２００５年７月２７日に出願された米国出願第11/191,464号と２００６年７月２５日に出願された米国仮（暫定）出願番号_____________（代理人ドケット番号18419-020300US）を優先権主張の基礎とし、どちらも共通に譲渡されここにレファレンスとして組み込まれる（引用される）。
【０００２】
（政府援助に関する記載）
該当なし。
【０００３】
（表やコンピュータープログラム等を収録したＣＤの添付）
該当なし。
【０００４】
本発明は、一般的に大規模注入プロセスとタイルアプローチを用いた基板形成の方法および構造を含む技術に関する。さらに詳しくは、本件の方法とシステムは光起電性セル（太陽電池）の製造のための走査注入プロセスを使用した方法とシステムを提供する。しかしながらこの発明は幅広い応用分野を有することが理解されるであろう。すなわち集積された半導体デバイスの三次元パッケージング、フォトニック素子、ピエゾ電子素子、フラットパネルディスプレイ、マイクロ電子機械システム（“ＭＥＭＳ”）、ナノテクノロジー構造物、センサー、アクチュエーター、ＩＣ、生物と生物医学デバイス、そしてそれに類似したものといった他の種類の応用が可能である。
【背景技術】
【０００５】
当初から人間は“太陽”に依存してほとんどすべてのエネルギーを有用な形で引き出してきた。そのようなエネルギーは石化燃料、光放射、木そしていろいろな形の熱エネルギーとして生ずる。単なる例示としてだが、人間は必要のために石炭やガスのような石化燃料にずいぶん依存してきた。残念ながらそのような石化燃料は枯渇してきて別な問題を生じさせてきている。その代替として、部分的にではあるが、太陽エネルギーが我々の石化燃料に依存する度合いを減らすものとして提唱されている。単なる例示としてであるが太陽エネルギーは通常シリコンから作られる“太陽電池”から得ることができる。
【０００６】
シリコン太陽電池は太陽からの日射にさらされた時に電力を発生する。日射はシリコンの原子と反応しシリコン本体のpドープとnドープ部分を移動する電子と空孔を形成し、ドープ部分間に電位差と電流を作りだす。適用用途によっては太陽電池セルは効率を改善するために収束素子とともに用いられる。例としては、活性光起電性物質の一あるいはより多くの部分に収束素子を用いることでそのような日射が蓄積し収束する。効率的ではあるがこのような太陽電池はいまだに多くの限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
単なる例としてではあるが、太陽電池はシリコンのようなスタート材料に依っている。そのようなシリコンはポリシリコンそして／または単結晶シリコン材からなる。これらの材料は製造が難しい場合が多い。ポリシリコンのセルはポリシリコンプレートから作られることが多い。このようなプレートは効率的に作れるのかもしれないが、高効率太陽電池セル用には最適な性質を有してはいない。単結晶シリコンはハイグレードな太陽電池セルに適した性質を有する。そのような単結晶シリコンはしかし高価で、効率的で費用効果的にソーラー用途に用いることは難しい。一般的には薄膜ソーラーセルがシリコン材料をあまり使わずにすむので高価ではないが、そのアモルファスあるいはポリクリスタル構造は、単結晶シリコン基板から作られるより高価な無垢のシリコンセルよりは効率的でない。
【０００８】
このようなそして他の限界は本明細書を通じてそして特に以下の記述から見出される。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、基板の製造に関する技術が提供される。さらに特定すると、本発明は例えばフラットパネルディスプレイ上にデバイスを形成するための、タイルアプローチを用いた、複層基板構造を形成するための方法と構成を含む技術を提供する。さらに特定すると、本方法とシステムは光起電セル（太陽電池）の製造のための走査注入プロセスを用いた方法とシステムを提供する。好ましい実施態様では、そのような注入された不純物はドナー基板中に劈開面で規定される、転写可能な物質の厚み部分（膜、層）をもたらす。例えば、太陽電池の適用用途では、転写可能な物質の厚み部分は、物質の厚み部分が十分な厚さを有するなら、光線吸収層として使えるであろう。その物質の厚み部分は又、続くエピタキシャル成長プロセスのための単結晶基台としても使用できる。しかしながら、本発明は幅広い適用可能性を持つことが認識されるであろう。すなわち、多層集積回路、集積半導体デバイスの三次元パッケージ、フォトニック素子、ピエゾ電子素子、マイクロ電子機械システム（“ＭＥＭＳ”）、ナノテクノロジー構造物、センサー、アクチュエーター、ソーラーセル、生物と生物医学デバイスとそれに類似したものへ応用が可能である。
【００１０】
特定の実施態様では、本発明はイオン質量選定(ion mass selection)あるいは非質量選定(non-mass selection)の変化の度合いにより連続プラズマ浸漬注入プロセスあるいはイオンシャワー注入プロセスを使用する基板製造の方法を提供する。チャンバには移動可能な軌道体が備えられている。チャンバは導入口と排出口を有する。特定の実施態様によれば、移動可能な軌道体は一以上の基板を走査プロセスに供するために一以上のローラー、空気ベアリング、ベルト部材、そして／または移動可能なビーム部材を有する。本方法はまた第一の基板を用意することを含む。第一の基板は第一の複数のタイルを含む。本方法では第一の複数のタイルを含む第一の基板は真空中に保たれる。本方法では第一の複数のタイルを含む第一の基板は導入口から移動可能な軌道体上へ移送される。第一の複数のタイルは走査プロセスが実行される。本方法は、第一の複数のタイルが注入を受けている間に、又第二の複数のタイルを含む第二の基板を導入口に保持することを含む。本方法では、第一の複数のタイルの注入が完了したことをもって、第二の複数のタイルを含む第二の基板は導入口から移動可能な軌道体上へ移送される。本方法は第二の複数のタイルに走査注入プロセスを使用した注入プロセスを実行させることを含む。
【００１１】
代替の特定の実施態様によれば、本発明は走査プロセスを使用した基板形成のための方法を提供する。本方法は移動可能な軌道体を提供することを含む。本方法は複数のタイルを含む基板を移動可能な軌道体に供給することを含む。本方法は基板をチャンバに備えられている導入口に保持することを含む。本方法はまた複数のタイルを含む基板を移動可能な軌道体を使用して第一の注入プロセスの近傍まで移送することを含む。好ましい実施例では、第一の注入プロセスは、第一のガス、第一の電圧、そして複数の第一のある種のイオンで特徴づけられる第一の走査プロセスを含む。本方法は又複数のタイルが第二の注入プロセスを受けることを含む。好ましい実施態様では、第二の注入プロセスは、第二のガス、第二の電圧、そして複数の第一のある種のイオンで特徴づけられる第二の走査プロセスを含む。特定の実施態様では、第一の注入プロセスと第二の注入プロセスは複数のタイルの各に劈開面で規定される厚み部分をもたらす。
【００１２】
本発明の特定の実施態様では、一以上の注入プロセスを実行するためのトレイデバイスが備えられる。トレイデバイスはフレーム部を含む。フレーム部はフレーム部の空間領域内に複数のサイトを有する。複数のサイトはアレー（列）状に配置される。例えばアレーは、とりわけ６×６のサイト形状、８×８のサイト形状をとることができる。複数のサイトは、適用用途により３×３の３００ミリウエハー、５×５の２００ミリウエハー、または６×６の１５０ミリウエハーを保持するよう配置される。トレイデバイスは複数の再利用可能な基板体を支持するようフレーム部に格納されたトレイ部を有する。代わるものとして、N×Mや他の配置がありうる。好ましい実施態様によれば、再利用可能な基板物質には、シリコン含有物、ゲルマニウム材、ＩＩ／ＶＩ物質、ＩＩＩ／Ｖ族物質その他が含まれる。好ましい実施態様によれば、トレイ部は再利用可能な基板体に形成される欠陥を防止する方向に向かって設けられる。
【００１３】
単なる例としてではあるが、ある実施態様ではトレイ部は注入方向（すなわち、再利用可能な基板に注入されるイオンの方向）に垂直な方向にも、または上下逆位置にも、あるいは斜め方向にも配置されうる。特定の実施態様では、変形例はあるとしても、トレイは直接重力を避けるような方向に面する。好ましい実施態様によれば、複数の再利用可能な基板体が走査注入プロセスを施される。複数の再利用可能な基板体はさらに、一緒にあるいは別々に、接着そして／または制御された劈開プロセスを施される。特定の実施態様によれば、複数の再利用可能な基板体の各は各再利用可能な基板隊の周辺領域を囲む注入遮蔽を有する。注入遮蔽は非晶質シリコンあるいは他の適当な材料でよい。結果として、劈開の後、特定の実施態様によれば、残りの再利用可能な基板体の劈開面は研磨プロセスを受ける。他の実施態様では、研磨プロセスは、更なる使用のため、残余の基板体に平滑表面を提供する。
【００１４】
別の特定の実施態様では、本発明は、処理されるべき複数のタイルあるいはそれに類似のものを使用した走査注入装置を提供する。装置は移動可能な軌道体、すなわちチェーン、機械運動デバイス、ベルトドライブとベルトを有する。装置は少なくとも移動可能な軌道体と連結したチャンバを有している。好ましい実施態様によれば、チャンバは基板を収容し複数のタイルを含む基板を真空あるいは他の決まった環境中に保持するのに適している。特定の実施例では、装置は少なくとも移動可能な軌道体に連結したチャンバに注入デバイスを有する。注入デバイスは、第一の走査プロセスにより複数のタイルを複数の粒子にさらされるようにするが、少なくともチャンバに備えられている注入デバイスを通る移動可能な軌道体による基板の移動により実行される。
【００１５】
特定の実施態様では、本発明は基板体に複数のタイル構造を形成する方法を提供する。本方法は転写基板、すなわちガラス、半導体基板、石英、コンポジット、あるいはその他の適切な部材を提供することを含む。特定の実施態様によれば、転写基板は複数のドナー基板領域を有する表面領域、すなわちシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、窒化ガリウム、炭化ケイ素、他のＩＩＩ／Ｖ族物質、ＩＩ／ＶＩ族物質、それらのいかなる組み合わせ、その他のものによる表面領域を有する。各ドナー基板領域は、ドナー基板の厚みとドナー基板表面領域により特徴づけられる。各ドナー基板領域は転写基板の表面領域と空間的に重なるように配置される。再び特定の実施態様では、本方法は各ドナー基板表面領域を通して同時に複数の粒子を注入し、ドナー基板表面領域とドナー基板の厚み部分との間に複数の粒子により規定される劈開領域を形成する。本方法は又ドナー基板表面領域をハンドル基板表面に接合することを含む。ハンドル基板表面領域はハンドル基板に設けられている。本方法は、ハンドル基板表面領域に空間的に重なるように配置された複数のドナー基板部分を形成するために、ハンドル基板から転写基板を取り去ることを含む。
【００１６】
別の特定の実施態様によれば、本発明はタイル基板構造を形成するための再利用可能な転写基板体を提供する。基板体は表面領域を有する転写基板を含む。各ドナー基板領域はドナー基板の厚さとドナー基板表面領域により特徴づけられる。各ドナー基板領域は転写基板表面領域に重なるように空間的に配置される。各ドナー基板領域は規定可能な劈開領域を持たないドナー基板の厚み部分を有している。すなわち、特定の実施態様によれば、ドナー基板の厚み部分は存在しても、劈開させることはできない。
【００１７】
他の特定の実施態様によれば、本発明は、例えばガラスや石英などの基板体上に、複数のタイル構造を形成する方法を提供する。本方法は表面領域を有する転写基板を提供することを含む。表面領域は複数のドナー基板領域から成る。各ドナー基板領域はドナー基板の厚さとドナー基板表面領域により特徴づけられる。各ドナー基板領域は転写基板表面領域に重なるように空間的に配置される。本方法は転写基板に設けられたドナー基板領域を、各ドナー基板についてドナー基板表面領域とドナー基板の厚み部分の間に劈開領域を形成するよう、処理することを含む。実施態様によれば、処理は熱プロセス、注入プロセス、エッチングプロセス、化学そして／または電気化学プロセス、それらのいかなる組み合わせ、そしてその他で、非劈開を劈開可能にする。本方法は各ドナー基板表面領域を、ハンドル基板にあるハンドル基板表面領域に接合する。本方法は又、ハンドル基板表面領域に重なるように空間的に配置された複数のドナー基板部分を形成するために、転写基板をハンドル基板から取り去ることを含む。
【００１８】
本発明を利用することにより既存の技術に比し多くの利点が達成される。特に、本発明は、多物質がサンドイッチされた膜を含めて、複数のドナー基板から、部材の複数の薄膜を完璧に劈開するために、制御されたエネルギーと選択された条件を用いている。この劈開プロセスは基板から複数の部材の薄膜を選択的に取り去るとともに、膜あるいは基板の残り部分に損傷を与える可能性を防止する。加えて、本方法と構成は、特定の実施態様によれば複数のドナー基板を同時に注入することで効率的な処理を可能としている。さらに、発明は、これまでの従来型の技術に比べ、経済的なアプローチとより少ない注入ステップを用いて複数のドナー基板領域を含む大きなマスタードナー基板を形成する方法と構成を提供する。本発明の代替の実施態様では走査プロセスの効率的な方法を提供するために、移動可能な軌道体とトレイデバイスを含む連続的なメカニズムを採用している。そのような走査プロセスは、それに限定されないが、注入プロセスを含む。好ましい実施態様によれば、注入プロセスはドナー基板に劈開面で規定される転写可能な物質の厚み部分を提供する。転写可能な物質の厚み部分はさらに処理されて、光起電性デバイス、３D MEMS、ICパッケージング、半導体デバイス、その他の用途向けの高品質半導体材料として提供される。特定の実施態様では、本方法はとりわけ、高効率光起電性セル用単結晶シリコンを提供する。別の実施態様によれば、本発明の実施例はヘテロ構造エピタキシャルプロセスの積層に用いることのできるシーズ（種）層としての用途がある。ヘテロ構造エピタキシャルプロセスは、とりわけ多接合薄膜光起電性セルの形成に使用される。単なる例示として、GaAsとGaInP層がゲルマニウムシーズ層にヘテロエピタキシャルに蒸着されるが、それが本発明の実施態様の注入プロセスにより形成されたトランスファー層である。実施態様によるが、一以上の利点が達成される。これらのそしてその他の利点は本願明細書と特に以下を通して記述される。
【００１９】
本発明は既知の技術の枠組みの中でこれらのそして他の利点を達成する。しかしながら、本発明の利点と性質についてのさらなる理解は本明細書の以下の部分と添付された図面を参照することにより明確に理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施態様によれば、大規模注入プロセスを用いた基板を形成する方法およびシステムを含む技術が提供される。さらに詳しくは、本件の方法とシステムは光起電性セル（太陽電池）の製造のための走査注入プロセスを使用した方法とシステムを提供する。好ましい実施態様では、そのような注入プロセスはドナー基板中の劈開面により決定される転写物質の厚さを規定する。しかしながらこの発明は幅広い応用分野を有することが理解されるであろう。すなわち集積された半導体デバイスの三次元パッケージング、フォトニック素子、ピエゾ電子素子、フラットパネルディスプレイ、マイクロ電子機械システム（“ＭＥＭＳ”）、ナノテクノロジー構造物、センサー、アクチュエーター、ＩＣ、生物と生物医学デバイスとそれに類似したものといった、他の種類の応用が可能である。
【００２１】
特定の実施態様では、連続プロセスの基板形成方法は概略以下のようである。
１．それぞれの基板体が複数のタイルを含むような、複数の基板体（例えば、再利用可能な基板（例えば、バルクシリコン、バルクゲルマニウム、その他の部材））を用意し、
２．第一の複数のタイルを含む第一の基板体を移動可能な軌道体上に載せて真空雰囲気中に移送し、
３．第一の基板体を真空雰囲気中に保持し、
４．第一の複数のタイルを走査注入プロセスに供し、
５．第一の複数のタイルの走査注入プロセスを完了させ、
６．第二の複数のタイルを含む第二の基板体を真空雰囲気中に移送し、
７．第二の複数のタイルを走査注入プロセスに供し、
８．走査注入プロセスの完了に従い、第一の複数のタイルを含む第一の基板体を移動可能な軌道体から取り出し、
９．走査注入プロセスの完了に従い、第二の複数のタイルを含む第二の基板体を移動可能な軌道体から取り出し、
１０．用意された他の基板を処理し、
１１．所望により、他のステップを実行する。
【００２２】
上述の一連のステップは本発明の実施態様のよる連続プロセスを用いた基板形成方法を提供する。説明したように、本方法は走査プロセス中で注入されるように複数のタイルを含む少なくとも一つの基板体を移動可能な軌道体を用いて移送する方法であって、基板が注入デバイスのプロセッシングヘッドを空間的に横切ることによって実行される。移動可能な軌道体は、一以上の基板体上の複数のタイルに注入するための連続プロセスを提供する。特許請求の範囲から逸脱しない範囲で、複数のステップを加えたり、一以上のステップを減らしたり、あるいは一以上のステップを異なった順序で用いる場合が、他の代替案として考えうる。さらに本件方法の詳細は本明細書そして特に以下に述べることにより明らかになる。
【００２３】
図１に示すように、本方法はスタートステップ１０１を有する。この図は単なる例示であって特許請求範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。本方法では一以上の基板体が用意される（ステップ１０３）。各基板体は複数のタイルを含む。ある特定の実施態様では基板体は以下に詳細を説明するトレイデバイスであってもよい。もう一つの方法としては、基板体は二つ以上の、タイルを保持できるいかなる部材あるいはデバイスであってもよく、それらは注入される材料として使用される。ある特定の実施態様ではトレイデバイスとして、タイルをしかるべき場所に保持するための機械的、静電的部材あるいは他の付着部材が含まれうる。ある特定の実施態様ではタイルは層転写技術を使用する複層基板の製造のために繰り返し使用することのできるバルク基板材料の大きな部分である。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００２４】
ある特定の実施態様では、本方法はチャンバ中で移動可能な軌道を提供する（ステップ１０５）。例として、移動可能な軌道としては第一の空間的な場所から第二の空間的な場所そして第一と第二の場所の中間にある他の場所への基板の輸送を可能にさせるベルトデバイスあるいは他の適当なデバイスでありうる。移動可能な軌道デバイスは、チャンバベースあるいは他の適当なデバイスであるところの注入プロセスに連結できるよう適切に設計される。移動可能な軌道はローラー、空気ベアリング、ベルト、そして／またはある形状の移動可能なビームを含みうる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００２５】
図１において、本方法は移動可能な軌道部を収容するチャンバ内で真空雰囲気を提供することを含む（ステップ１０７）。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板体を真空中に保持する（ステップ１０９）。ある特定の実施態様では、第一の複数のタイルとしてシリコンウエファーやそれと同等な半導体基板が含まれうる。第一の真空がロードロックシステムを用いて供されうるが他のシステムでもよい。本方法は第一の複数のタイルを含む第一の基板体がチャンバの入り口から移動可能な軌道部に移送される（ステップ１１１）。本方法は第一の複数のタイルに注入プロセスを実行することを含む（ステップ１１３）。
【００２６】
ある特定の実施例では注入プロセスはプラズマ浸漬注入（PIII）システムにより実施されうる。他の注入プロセスとしては、イオンシャワー、イオンビーム、あるいは他の質量分離そして／または非質量分離技術を用いたものを含みうる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００２７】
本方法は、第一の複数のタイルが注入を受けている間に、真空雰囲気中で第二の複数のタイルを含む第二の基板体を保持し順番待ちとすることを含む（ステップ１１５）。本方法は第二の複数のタイルを含む第二の基板を移動可能な軌道体に移送することを含む（ステップ１１７）。本方法は、第一の複数のタイルへの注入が完了した後（ステップ１１９）、第二の複数のタイルに注入プロセスを実行することを含む（ステップ１２１）。本方法は第二の複数のタイルへの注入を完了し、供給された他の基板の処理に続くことを含む。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００２８】
上述の連続するステップは本発明の実施態様に従った連続したプロセスを用いた基板形成方法を提供する。説明したように、本方法は、移動可能な軌道部を複数のタイルを含む少なくとも一つの基板体を、走査プロセスで注入されるべく移送するために使用することを含む。その走査プロセスでの注入は基板が空間的にインプラントデバイスのプロセシングヘッドを横切るよう移動することで生じる。移動可能な軌道部は、一つあるいは一つ以上の基板体上に設けられた複数のタイルの連続した注入プロセスを提供する。特許請求の範囲から逸脱しない限りで、複数のステップを加えたり、一以上のステップを減らしたり、あるいはひとつあるいはより多くのステップを異なった順序で供用する場合が、他の代替案として考えうる。他の本件方法およびシステムの詳細は本明細書そして特に以下に述べることにより明らかになる。
【００２９】
図２は、本発明の実施態様に従った連続プロセスを用いた基板形成のためのシステム２００を説明する簡単化された図である。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。図２に示すごとく本システムは少なくとも一つの基板体２０１を提供することを含む。それぞれの基板体はそれに配置された複数のタイル２０３を含む。ある特定の実施態様では、複数のタイルの各はシリコンウエファーのような半導体基板を含む。本システムは又導入口２０７と排出口２１７を含む。ある特定の実施形態では導入口及び排出口にはロードロックシステムを用いてもよい。導入口は、注入デバイス２１３で複数のタイルに注入プロセスを実行する前に複数のタイルを含む基板体を準備し一時的に保管するためにある。示すように、注入デバイスはプロセスチャンバ２１５に格納されている。第一のドア２０９が複数のタイルを含む基板体を導入口に導入させるべく設けられている。入口２１１が導入口とプロセスチャンバ２１５との間に設けられている。また出口ドア２２１がプロセスチャンバ２１５と排出口２１７との間に同様に設けられている。第二のドア２２３は注入プロセスが完了した際排出口から基板体を移動させるようになっている。ある特定の実施態様では注入デバイスは走査注入プロセスを提供する。そのような注入デバイスとしては、アプライドマテリアル社他により製造されたビームラインイオン注入装置であってよい。代替として注入は、プラズマ浸漬注入（PIII）システム、イオンシャワー、イオンビーム、あるいは他の質量分離そして／または非質量分離技術を用いて行われ、特定の施態様によればこれらは大表面面積について効果的である。示したように、注入デバイスは複数のタイルに不純物を注入するために設けられたイオン注入ヘッド２１５を有する。このシステムはまた移動可能な軌道体２１９を有する。移動可能な軌道体は特定の実施態様ではローラー、空気ベアリング、ベルト、あるいは移動可能な軌道を含みうる。移動可能な軌道体２１９は走査注入プロセスのために基板体を空間的に移動させられるよう設けられる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３０】
図３乃至１０は簡単化された本発明の実施態様による連続プロセスを用いた基板形成方法を示すものである。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。図３に示すように、少なくとも一つ（N、N＞２）の基板体が用意される。第一の複数のタイル３０５を含む第一の基板体３０３が、注入プロセスデバイスへの入り口２１１は閉ざされたままの間に、第一のドア２０９（示すように開位置において）を通して導入口２０７へ移送される。第一の複数のタイルを含む第一の基板体は、図４に示されるようにポンプダウンプロセスを可能とするために第一の正面ドアが閉ざされた導入口の真空雰囲気中に保たれる。その後第一の複数のタイルを含む第一の基板体は、図５に示すように移動可能な軌道体を使って注入デバイスを格納するプロセスチャンバ２１５に移送される。
【００３１】
また図５に示すように、第一の複数のタイルは注入プロセス５０１が実行される。好適な実施形態では注入プロセスは走査プロセスである。示すように、走査プロセスは注入デバイスが第一の複数のタイルの表面部に注入されるための不純物を放出している間に、移動可能な軌道体、すなわち空間的な動きをすることのできる移動可能な軌道体により実行される。同時に入口２１１が閉じられ、導入口が解放され、大気圧に戻されて第二の複数のタイル７０３を含む第二の基板７０１が図７に示さるように導入口に搭載される。第二の複数のタイルを含む第二の基板は、第一の複数のタイルへの注入プロセスが完了するのを待つ間、導入口の真空雰囲気中に保持される。図の８乃至９に示すように、第二の複数のタイルを含む第二の基板は注入デバイスへ移送される。第一の複数のタイルを含む第一の基板体は、注入プロセスの完了の際、図９ないし１０に示す如く出口ドア２２１を開けることによりポンプダウン排出口２１７に移送される。第二の複数のタイルが注入されて出口ドア２２１が閉じられている間、排出口は大気圧に戻され第一の複数のタイルを含む第一の基板体は排出口から取り出され次の処理に供される。本方法は複数のタイルを含む他の基板体について続けられる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３２】
図１１においては、本発明の実施態様による連続プロセスを用いた一以上の注入プロセスを遂行するためのトレイデバイスが図示されている。このトレイデバイスは特定の実施態様においては１メーター×１メーターの長さをもつ。示されたようにこのトレイデバイスはフレーム部１１０１に収納されるトレイ部１１０３を有する。フレーム部は複数のサイト１１０５を含む。複数のサイトのそれぞれは、注入されるべき再利用可能な基板体１１０７を有する。再利用可能な基板体は、ある実施態様ではドナー基板（供与体基質）となりうるような、シリコンを含む材料であって良い。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３３】
図１１Ａは本発明の実施態様による注入プロセスに供されるタイルを示す簡単化した図である。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。示されたように、シャドウマスク１１２１が基板の縁近くの周辺領域１１２５を遮蔽することによりタイルの注入を中心領域１１２３に限定させるために使用される。示されたように、丸みのある縁１１２７がタイルに備わっている。丸みのある縁１１２７の組み合わせは、タイルとシャドウマスクが引き続き周辺部を含むすべての領域での注入損傷を取り除くためのCMP/ポリッシュ注入損傷除去プロセスを受けられるようにするため設けられる。周辺部に集積した注入ドーズがあると膨れや粒子化その他の品質問題を引き起こす。シャドウマスクは、本発明の特定の実施態様に従って定期的に再被覆あるいは交換することのできるアモルファスシリコン皮膜のフレームでよい。丸みのある縁は、劈開ストレスを伝達させるための刃物、ピンあるいは他の機械的な手段を挿入することを可能にさせることができ、制御された劈開プロセスの開始と伝搬の助けとなる。
【００３４】
ある特定の実施態様では複数のサイトがアレー（列）状に備えられている。図１１に示すように複数のサイトは８×８のサイトアレーとして構成できる。複数のサイトは６×６サイトアレーとしてもよい。特定の実施態様では複数のサイトは３×３の３００ミリウエハーで構成される。代替の実施態様では複数のサイトは５×５の２００ミリウエハーで構成される。さらに代替の実施例では複数のサイトは６×６の１５０ミリウエハーで構成される。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３５】
トレイデバイスはタイル表面の欠陥形成（例えば粒子その他の汚染）を最小とするため注入プロセスのための最適な方向に構成される。図１２に示すようにそのような方向は注入シャワーヘッド１２０１に対して垂直な方向も含まれる。そのような方向は又図１３に示すような上下逆位置の場合も、図１４に示すような斜めに傾斜した方向も含む。もちろん基板の数やトレイデバイスの方向はその適用用途に応じて定まる。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。
【００３６】
事実上、注入プロセスは、あるエネルギー粒子をドナー基板の表面から特定の深さに導入し、特定の実施態様によるとそのことが表面からの半導体部材の厚みを規定する。適用用途によるが、好適な実施形態によると部材領域の損傷可能性を減じるために一般的に小質量の粒子が選ばれる。すなわち、小質量の粒子は粒子が貫通する部材領域を実質的に損傷させることなく簡単に基板体を移動する。たとえば、小質量粒子（あるいはエネルギー粒子）はほとんどいかなる帯電した（例えば正または負に）、そしてまたは中性の原子や分子、または電子あるいはそれに類似したものでよい。ある特定の実施態様では、実施態様により粒子は中性あるいは帯電した水素イオンとその同位体、ヘリウムとその同位体やその他の希ガスイオンなどのイオンも含む粒子でありうる。粒子は又、たとえば水素ガス、蒸気、メタン、水素化合物、そして他の軽原子量粒子のガスからなる化合物に由来してもいい。代案としては、粒子は上述した粒子、イオン、そして／または分子類、そして／または原子類のいかなる組み合わせでもよい。粒子は一般には表面を貫通して表面下選択された深さに到達するのに十分な運動エネルギーを持つ。
【００３７】
例としてシリコンウエハーに注入される種として水素を用いた場合、イオンシャワーヘッドの幅約４５０ミリのイオンシャワーヘッドを持つ走査プロセスを用いたイオンシャワーシステムが注入プロセスのために提供される。注入プロセスは特定の条件のもとに実施される。すなわち、H3+による電流密度は20 micro-amps per cm2または1.25 x 10 14 H3+ ions per cm2 per second または3.75x10 14  H+ ions per cm2 per secondである。シリコンウエハー中で約2x10 16 hydrogen atoms per cm2 の注入放射のためには、４５０ミリ幅を通じて表面領域へのスキャン時間はおおよそ５３秒であろう。相当量の水素イオンが注入されるウエハー外へ拡散する可能性を阻止するため、注入温度は摂氏約−２０度から摂氏約６００度で、好ましくは摂氏約４００度である。水素イオンは選択的にシリコンウエハー中に約±０．０３から±０．０５ミクロンの精度で導入することができる。注入プロセスと同時にシリコンウエハーを加熱することは特定の利点をもたらすかもしれない。その利点の一つは引き続く層転写プロセスを最適化することである。シリコンウエハーはフレーム構成中に設定されたホットプレートを用いて電動加熱により熱することができる。特定の実施態様では、反対極性の接点を用いてタイルに適当な電流を通すことによりタイルがもともと持っている抵抗性を利用することでタイルを抵抗加熱プロセスにより熱することができる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３８】
注入された粒子は基板の表面に平行な選択された深さに沿って破壊エネルギーを減じ応力を増す。そのエネルギーは、部分的には、注入粒子の種類と条件による。これらの粒子はある選択された深さの破壊エネルギーレベルを減少させる。このことが選択された深さでの注入面にそっての劈開を可能にする。注入は基板体中ですべての内部部分の基板のエネルギーが非可逆破壊（すなわち分離あるいは劈開）が始まるのには不十分な状態にあるような条件下で起こる。すなわち。しかしながら、注入は一般的にある量の欠陥（すなわち、ミクロな欠陥）を基板中に生じさせており、典型的にはその欠陥は続けて熱処理をすることによって、すなわちサーマルアニーリングあるいは休息サーマルアニーリングにより少なくとも部分的には修復されることを記しておきたい。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００３９】
結果として、注入の後、特定の実施態様によればそれぞれのドナー基板には、劈開面の選択された部分に備わったエネルギーを利用した劈開プロセスが実施される。特定の実施態様にもよっては、他の変形例もありうる。例えば、劈開プロセスは部材の厚みによらずにプロパゲーティング（伝搬）劈開面を用いた制御された劈開プロセスであってもいい。他の劈開技術も同様に使用することができる。これらの技術としては、特にそれらに限定されるわけではないが、カリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社のNanocleave（登録商標）、フランスSoitec SAのSmartCut プロセス（登録商標）、そして日本、東京のキヤノン社のEltran プロセス（登録商標）など同様なプロセスがある。本方法では、好ましい実施態様によると、その後に他のドナー基板としてまた利用することのできるドナー基板の残り部分を切り離す。
【００４０】
特定の実施態様では、部材の厚みを含むドナー基板のそれぞれが、接合基板構造を形成するためにハンドル基板に接着あるいは付着されている。特定の実施態様ではハンドル基板はシリコンウエハーでよい。代替の実施態様ではハンドル基板は石英あるいはガラスの透明な基板でよい。もちろん使用されるハンドル基板は適用用途による。例としてハンドル基板はドナー基板の表面領域に接着される。基板はエレクトロニックビジョングループが製造するEVGボンディングツールあるいは他の２００ミリあるいは３００ミリ径のウエハーのような小基板サイズのための同様なプロセスにより接着することができるだろう。Karl Sussが製造する他のタイプのツールも同様に使用できるかもしれない。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４１】
接着の後は適宜、特定の実施態様によれば、接着された基板構造は焼処理にかけられる。焼処理は、特定の実施態様によれば、ハンドル基板に結合されたサーマルプレートのような過熱素子を用いて焼成処理してもよい。代替の実施態様では、熱処理はドナー基板に結合されたサーマルプレートのような過熱素子を用いた焼成処理でもよい。熱処理はドナー基板の厚み部分やハンドル基板の部分を通じて温度勾配を生じさせる。加えて熱処理では所定の温度に所定の時間接着された基板構造を保持する。加えて、好適な実施態様によると、シリコンドナー基板とハンドル基板をお互い恒久的に接着するために、好ましくは摂氏２００乃至２５０度から摂氏４００度の温度範囲で、摂氏３５０度で約一時間かその位が好ましい。特定の適用用途によっては他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４２】
特定の実施態様においては、基板は低温サーマルステップを用いて接着あるいは融着される。低温サーマルプロセスでは一般的に、注入された粒子が、制御不可能な劈開動作を生じさせるような過剰なストレスを部材領域に生じさせないことが保証される。特定の実施態様では低温ボンディングプロセスが自己接着プロセスとして起こる。
【００４３】
代替案として、ドナー基板の表面領域とハンドル基板を接着させるために他の各種の低温技術が用いられる。たとえば、静電あるいは陽極接合技術が二つの基板を接合するために使用されうる。特に、他方の基板表面に引き付けられるよう一方あるいは両方の基板表面が帯電される。加えて、ドナー基板表面は他の一般に知られている各種の技術によってハンドル基板に融着することができる。もちろん使用される技術は適用用途に応じる。
【００４４】
特定の実施態様では、本方法は、半導体部材の厚み部分はハンドル基板に接着されている場合に、その厚み部分をドナー基板から分離するために、劈開面の選択された部分にあるエネルギーを用いて劈開プロセスを開始することを含む。特定の実施態様によっては、他の変形例もありうる。例えば、劈開プロセスはハンドル基板に接合された部材のある厚み部分を選択的に切り離す、プロパゲーティング（伝搬）劈開面を用いた制御された劈開プロセスであってもいい。別の劈開技術を用いることもできる。そのような技術としては、特にそれらに限定されるわけではないが、カリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社のNanocleave（登録商標）、フランスSoitec SAのSmartCut プロセス（登録商標）、そして日本、東京のキヤノン社のEltran プロセス（登録商標）など同様なプロセスがある。本方法ではハンドル基板に部材の厚みを部分をなしていた、ドナー基板の残りの部分を取り除く。本方法では、好ましい実施態様によると、ドナー基板の残り部分は他のドナー基板としてまた再利用することができる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４５】
特定の実施態様では、光起電性セル（太陽電池）のようなデバイスは部材の厚み部分に形成してもいい。そのような応用については他の出願、どちらもHenley, Francois Jの名において共通に譲渡され２００６年３月１７日に出願された米国仮出願第60/783586号、「層転写プロセスを用いた太陽電池セルを形成する方法および構成」により深く開示されており、この出願内容全般はここにレファレンスとして組み込まれる（引用される）。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４６】
再度、シリコン単結晶への不純物としてH3+イオンを注入する場合を例にとる。注入エネルギーは１００KeVである。シリコン部材の厚みは約２５０nmの厚さである。シリコン部材の厚みを増すプロセスは、その上に形成される太陽電池セルの効率を上げるためにシリコン部材の厚みを増すために必要である。厚みを増すプロセスは高温あるいは低温成長プロセスを用いたダイレクトエピタキシャルプロセスでよい。厚みを増すプロセスはまたシリコン部材の厚み部分に蒸着され、その後液相または固相エピタキシャル再成長プロセス処理されたアモルファスシリコンあるいはポリシリコンを含む。代替として十分に厚い吸着層での転写を可能とするため、高エネルギー注入プロセスが用いられる。水素そして／またはヘリウム注入を使った劈開面の形成のためには、約５００KeVかより高い注入エネルギーが用いられる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４７】
特定の実施態様の詳細説明は上述の通りであるが、各種の変更、代替構成そして均等物が使用される。加えて実施態様によっては、あるいくつかのステップが纏められたりそして／または削除されたりする。さらには、代替実施態様によれば、修正された線量とそして／または劈開性質による劈開面の形成を可能とするため、水素の粒子はヘリウムと水素イオンとが共存した注入(co-implantation)に置き換えられうる。例えば、プロセスを（１）シャワーヘッドを二つの同時並列なシャワーヘッドに伸長しそれぞれが二種のうちの一つをそれぞれ連続して注入する、（２）一つのシャワーヘッドを用い第一の種類と第二の種類を交互に注入する（複数種、エネルギー、そして総合して修正された第二の走査レートそして基板を第二の走査時間で走査する、あるいは第二の注入タイル／ウエハー温度を選択する）、そして（３）両種が共存した状態で同時に同じイオンシャワーヘッドから注入される、本来の共存した注入(co-implant)プロセス、といったように修正することができる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。それ故上述の記述や説明を、添付される特許請求の範囲で規定される本発明の範囲を限定するものとして理解してはならない。さらに本方法とデバイスの詳細は本明細書と特に以下の説明を通じて明らかとなる。
【００４８】
図１５は本発明の代替実施態様によるマスタータイル基板体１５００を簡単化して示す図である。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。示すように、マスタータイル基板体は広範な基板体１５０１に空間に配置された複数の基板領域１５０３を有する。複数の基板領域は複数のドナー基板領域のための出発物質として使われる。複数のドナー基板領域は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ素、膣化ガリウム、シリコンカーバイド、他のＩＩＩ／Ｖ族物質、ＩＩ／ＶＩ族物質など各種の物質から成る。広範な基板体は転写基板として機能するどんな適切な部材でもよく、更に詳細を以下に述べる。大型基板は剛性があり各ドナー基板領域を適所に保持できるのに適した材料から成る。実施態様によっては、基板領域は単体物質、複合物質あるいはそれらのいかなる結合、および同類のものから成る。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００４９】
図１６は本発明の代替実施態様による  ハンドル基板１６００を含む代替タイル基板体を簡単化して示す図である。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。示すようにタイル基板１６０５はハンドル基板１６０１に設けられる。各タイル基板はマスタータイル基板から、上述されまた本明細書全体に記載された、層転写プロセスにより得られる。層転写プロセスはカリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社の制御された劈開プロセス、日本、東京のキヤノン社のEltran（登録商標）と呼ばれるプロセス、その他のフランスSoitec SAのSmartCut（登録商標）とよばれる熱処理のプロセスである。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。さらに本発明の実施態様による方法の詳細は本明細書と特に以下の説明を通じて明らかとなる。
【００５０】
本発明の代替実施態様によるタイルアプローチを用いた大領域基板の形成方法は以下のように箇条書きされる。
１．転写基板を用意する、転写基板は表面領域を有する；
２．転写基板の表面領域に複数のドナー基板領域を空間的に配置する、各ドナー基板領域はドナー基板の厚みとドナー基板の表面領域で特徴づけられる；
３．ドナー基板の厚み部分とドナー基板の表面領域との間に複数の粒子により設けられた劈開領域を形成するため、各ドナー基板表面領域を通して複数の粒子を同時に注入する；
４．各ドナー基板の表面領域をハンドル基板の表面領域、この表面領域はハンドル基板に設けられている、に接合させ；そして
５．ひとつあるいはより多くのドナー基板内で制御された劈開プロセスを開始させる；
６．ハンドル基板の表面領域に空間的に重ねた形で空間的に配置される複数のドナー基板部分を形成するために、ハンドル基板から転写基板を分離する；
７．ハンドル基板の表面領域に重ねた形で空間的に配置される一つまたはより多くのドナー基板部分にひとつまたはより多くのデバイスを形成する；そして
８．所望により他のステップを実行する。
【００５１】
上記の連続するステップは本発明の実施態様に基づく方法を提供する。示すように、本方法は、処理の過程で同時に製造される複数のドナー基板を用いて、大きな基板体を形成する方法を含むステップの組み合わせを利用している。特許請求の範囲から逸脱しない範囲で、複数のステップを加えたり、一以上のステップを減らしたり、あるいはひとつあるいはより多くのステップを異なった順序で供用するような他の代替案が提供されうる。さらに本件方法の詳細は本明細書そして特に以下に述べることにより明らかになる。
【００５２】
図の１７乃至２１は本発明の実施態様に基づきタイル基板を製造する簡略化した方法を示す。この図は単なる例示であり特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変形例、改変案そして代替案を想起することであろう。示すように本方法は、表面領域１７０５を有する転写基板１７０３を用意することから始まる。転写基板は、混合物、単層または複層、導体、絶縁体、あるいは半導体などの、いかなる適切な物質から成る。導体はアルミ、ステンレススティール、その他の金属材料のような金属であってよい。絶縁体は、ガラス、プラスティック、石英、セラミック、あるいはそれらの組合せそしてその同類物である。半導体はシリコン、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ素、シリコンゲルマニウム合金、いかなるＩＩＩ／Ｖ族物質その他である。転写基板は、特定の実施態様により、均質な単体物質、または各種レイヤーの組み合わせから成る。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００５３】
示すように、特定の実施態様によれば転写基板は、転写基板の表面領域上に複数のドナー基板領域１７０５を有する。各ドナー基板領域はドナー基板の厚さとドナー基板表面領域により特徴づけられる。複数のドナー基板領域は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ素、膣化ガリウム、シリコンカーバイド、他のＩＩＩ／Ｖ族物質、ＩＩ／ＶＩ族物質など各種の物質から成る。各ドナー基板領域は大きさに於いて転写基板よりも小さく、転写基板はいかなる個別のドナー基板領域よりもしばしば二倍、三倍、四倍、あるいはそれ以上の表面領域をもつ。例えば、フラットパネル製造に適した３．５世代のガラスサイズ（これはフラットパネルディスプレイ業界の業界スタンダード）は６２０ミリ×７５０ミリであり、大まかには３００ミリの単結晶シリコン基板よりも７．５倍大きい。代わって、ハンドル基板は３．５世代よりもさらに大きい。特定の実施態様により円形３００ミリの基板が転写基板上にタイルとして切り出される場合は、面積比はまた比例して大きくなる。
【００５４】
好ましい実施態様では、各ドナー基板領域は一旦（あるいは恒久的に）転写基板の空間的な表面領域上に移送される。この接着が行われると、本発明の実施態様によれば転写基板は実効的に大きなドナー基板として使用され、取り扱われることができる。ドナー基板領域はそれぞれ酸化され１７０７、それから示されたようにハンドル基板の表面領域に接着される。たんに例としてではあるが、シリコン基板の上にはしばしば酸化層が形成される。酸化層は、自然酸化、熱酸化、蒸着酸化あるいは他のいかなるタイプの酸化層でありえ、ドナー基板領域が転写基板に接着されるのを強化する。特定の実施態様では、本方法では、酸化されたドナー基板領域の表面を清浄化そして／または活性化するプロセス（例えばプラズマ活性化プロセス）を実行する。そのようなプラズマ活性化プロセスは基板の表面を清浄化そして／または活性化する。プラズマ活性化プロセスは２０℃‐４０℃の温度で窒素プラズマを使用して行われる。プラズマ活性化プロセスは好ましくはカリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社製造の二重周波数プラズマ活性化システムで実行される。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００５５】
図１８により説明すると、本方法ではドナー基板の厚み部分とドナー基板の表面領域との間の複数の粒子による劈開領域１８０１を形成するために複数の粒子１８００が同時に各ドナー基板の表面領域に導入される。好ましい実施態様では、少なくとも二つあるいはそれよりも多くのドナー基板領域の表面を、最も好ましくは、効率化のため同時に各ドナー基板領域を通して注入される。
【００５６】
再び図１８により説明すると、本法は各ドナー基板領域の最表面を通して選択された深さに同時に到達する特定のエネルギー粒子を用いた注入プロセスで、その深さが物質の「薄膜」と呼ばれる物質領域の厚みを規定する。特定の実施態様により、シリコンウエハーにエネルギー粒子を注入するために様々な技術が使用される。これらの技術には、たとえばApplied aerials, Inc. 他の会社により製造されるビームラインイオン注入装置を使ったイオン注入が含まれる。それに代えて、プラズマ浸漬イオン注入技術（PIII）、イオンシャワー、その他の質量を問題としない(non-mass specific)技術を使って注入は行える。そのような技術は、特定の実施態様によれば、同時に異なる基板の広い領域に注入ができるため特に効果的である。好ましくは、注入プロセスは効率と処理量を増強するため上述のように連続して行われる。そのような技術の組み合わせも又用いられる。質量を問題としない(non-mass specific)技術のイオン注入ドーズの複数基板の端から端にわたる均一度は１０パーセントかそれよりも良くなければならない。質量を問題としない(non-mass specific)技術のイオン注入深さは均一度は複数基板にわたり１０パーセントかそれよりも良くなければならない。実施態様によっては、劈開領域は様々な技術を用いて形成することができる。すなわち、劈開領域は注入粒子、蒸着層、拡散物質、パターン領域、の適切な組み合わせ、あるいは他の技術を用いて形成できる。もちろん使われる技術は適用用途により、当業者であればいくつもの変形例、改変案そして代替案を考えうる。
【００５７】
適用用途によるが、好適な実施形態によると部材領域の損傷可能性を減じるために一般的に小質量の粒子が選ばれる。すなわち、小質量の粒子は粒子が貫通する部材領域を実質的に損傷させることなく簡単に基板体を移動する。たとえば、小質量粒子（あるいはエネルギー粒子）はほとんどどのような帯電した（例えば正または負に）か、または中性の原子や分子、または電子あるいはそれに類似したものでよい。ある特定の実施態様では、実施態様により粒子は中性あるいは帯電した、水素イオンとその同位体、ヘリウムとその同位体やその他の希ガスイオンなどのイオンも含む粒子でありうる。粒子は又、たとえば水素ガス、蒸気、メタン、水素化合物、そして他の軽原子量粒子のガスからなる化合物に由来してもいい。代案としては、粒子は上述した粒子、イオン、そして／または分子類、そして／または原子類のいかなる組み合わせでもよい。粒子は一般には表面を貫通して表面下選択された深さに到達するのに十分な運動エネルギーを持つ。
【００５８】
例としてシリコンウエハーに注入される種類に水素を用いた場合、注入プロセスは特別な条件の組み合わせで実行される。注入ドーズは約１０15乃至１０18atom/cm2、そして好ましくは、ドーズは約１０16atom/cm2より大きい。注入エネルギーは約１KeV乃至１MeVの範囲、一般的には約５０KeVである。相当量の水素イオンが注入されるウエハー外への拡散や注入損傷やストレスのアニーリングの可能性やを阻止するため、注入温度は約摂氏−２０度から摂氏約６００度で、好ましくは摂氏約４００度である。水素イオンは選択的にシリコンウエハー中に約±０．０３から±０．０５ミクロンの精度で導入することができる。もちろん使用されるイオンの種類やプロセス条件は適用用途による。
【００５９】
実効的には、注入された粒子は基板の表面に平行な選択された深さに沿って破壊エネルギーを減じ応力を増す。そのエネルギーは、部分的には注入粒子の種類と条件による。これらの粒子はある選択された深さの破壊エネルギーレベルを減少させる。このことが選択された深さでの注入面に沿っての劈開を可能にする。注入は次のような条件下で起こる。すなわち基板体中ですべての内部部分の基板のエネルギーが非可逆破壊（すなわち分離あるいは劈開）が始まるのには不十分な状態であるような条件である。しかしながら、注入は一般的にある量の欠陥（すなわち、ミクロな欠陥）を基板中に生じさせており、典型的にはその欠陥は少なくとも部分的には続けて熱処理をすることによって、すなわちサーマルアニーリングあるいは休息サーマルアニーリングにより修復されることを記しておきたい。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００６０】
実施態様によっては、他の劈開領域あるいは劈開層を形成する技術もありうる。単に例としてだが、そのような劈開領域は、シリコンゲルマニウム劈開面を用いた他のプロセスで、カリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社により開発されたもの、フランスSoitec SAのSmartCut プロセス（登録商標）、そして日本、東京のキヤノン社のEltran プロセス（登録商標）など、他の同様なプロセスで形成される。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００６１】
特定の実施態様では、図１９に示すとおり、本方法では各ドナー基板表面領域をハンドル基板表面領域１９０１に接合する。示すように、ハンドル基板表面領域はハンドル基板１９０３に設けられている。接合の前にハンドル基板とドナー基板表面は、ドナー基板表面領域を洗浄し、基板表面を処理するためにそれぞれ洗浄液にさらされる。特定の実施態様によれば、基板とハンドル基板を洗浄するための溶液としては過酸化水素と硫酸の混合液あるいはそれに類似したものがある。乾燥機はドナー基板やハンドル基板表面を乾燥させ、基板表面のいかなる残余の液体、粒子、そしてその他の不純物を基板表面から取り除く。特定の層転写プロセスにより随意で実施されるプラズマ活性化プロセスの後、自己接着が洗浄された基板の表面を接合させることにより起こる。望ましい場合には、そのようなプラズマ活性化プロセスは基板の表面を清浄化そして／または活性化する。プラズマ活性化プロセスは２０℃‐４０℃の温度で例えば、酸化あるいは窒素プラズマを使用して行なわれる。プラズマ活性化プロセスは好ましくはカリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社製造の二重周波数プラズマ活性化システムにより実行される。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００６２】
その後、特定の実施態様によると、これらの各基板は互いに接着される。示すように、ハンドル基板は複数のドナー基板表面領域に接着されている。基板はエレクトロニックビジョングループが製造するEVG８２０ボンディングツールあるいは他の２００ミリあるいは３００ミリ径のウエハーのような小基板サイズのための同様なプロセスにより接着することができるだろう。Karl Sussが製造する他のタイプのツールも同様に使用できる。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。好ましくは、ハンドル基板と各ドナー基板との接着は実質恒久であり良い信頼性をもつ。より大きなガラスサイズについては特注の接着機器が望まれるが、特定の実施態様によれば、ほとんどが半導体基板の接着に用いられる物のより大型のものである。
【００６３】
接着の後は適宜接着された基板構造は焼成処理にかけられる。焼成処理は所定の温度に所定の時間接着された基板構造を保持する。加えて、好適な実施態様によると、シリコンドナー基板とハンドル基板をお互い恒久的に接着するために、好ましくは摂氏２００乃至摂氏２５０度から摂氏４００度の温度範囲であって摂氏３５０度で約一時間かその位が好ましい。特定の適用用途によっては、他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００６４】
特定の実施態様においては、基板は低温サーマルステップを用いて接着あるいは融着される。低温サーマルプロセスでは一般的に、注入された粒子が、制御不可能な劈開動作を生じさせるような過剰なストレスを部材領域に生じさせないことが保証される。特定の実施態様では低温ボンディングプロセスが自己接着プロセスとして起こる。代替案としては、接着剤が基板の表面のどちらかあるいは両方に塗布され、それにより一方の基板が他方の基板に接着される。特定の実施態様では、接着剤はエポキシ、ポリイミド系物質、そしてそれと同等物を含む。一方の基板表面を他方の面に接着するためにスピンオングラス層を用いることができる。スピンオングラス（“SOG”）物質には、とりわけ、しばしばアルコールベースの溶剤で混ぜ合わせられるロキサンまたはケイ酸を含む。ウエハーの表面に塗布された後、SOGを硬化させるために低温（例えば１５０乃至２５０℃）がしばしば必要とされるので、SOGは望ましい物質である。
【００６５】
代替として、ドナー基板の表面領域とハンドル基板を接着させるために他の各種の低温技術が用いられる。たとえば、静電あるいは陽極接合技術が二つの基板を接合するために使用できる。特に、他方の基板表面に引き付けられるよう、一方あるいは両方の基板表面が帯電される。加えて、ドナー基板表面は他の一般に知られている各種の技術によってハンドル基板に融着することができる。もちろんその技術は適用用途に応じて使用される。
【００６６】
図２０を参照すると、本方法は劈開領域のある部分に沿って一つあるいは多くのドナー基板内に制御された劈開アクション１２００を開始するステップを含む。特定の実施態様によっては、他の変形例もありうる。例えば劈開プロセスは、ハンドル基板に接合された部材のある厚み部分を選択的に切り離す、プロパゲーティング（伝搬）劈開面を用いた制御された劈開プロセスであってもいい。別の劈開技術を用いることもできる。そのような技術としては、特にそれらに限定されるわけではないが、カリフォルニア、サンホセのシリコンジェネシス社のシリコンゲルマニウム劈開領域を用いたもの、フランスSoitec SAのSmartCut プロセス（登録商標）、そして日本、東京のキヤノン社のEltran プロセス（登録商標）など、他同様なプロセスがある。本方法ではハンドル基板表面領域に空間的に重なるように配置された複数のドナー基板部分を形成するために、ハンドル基板から、各ドナー基板領域からの各厚み部分を有していた転写基板を除去する。
【００６７】
次に、本方法は、ハンドル基板に接合していた、ドナー基板領域の部分に他のプロセスを実行する。本法は、ハンドル基板表面領域に重なるように空間的に配置されていたドナー基板部分の一つあるいは多くの部分上に、ひとつまたは多くのデバイスを形成する。そのようなデバイスとしては、集積された半導体デバイス、フォトニックそして／またはフォトエレクトリック素子（例えば電球）、ピエゾ電子素子、マイクロ電子機械システム（“ＭＥＭＳ”）、ナノテクノロジー構造物、センサー、アクチュエーター、ソーラーセル、フラットパネルディスプレイ（例えばLCD、AMLCD）、生物と生物医学デバイスとそれに類似したものがある。そのようなデバイスは、蒸着、エッチング、注入、フォトマスキングプロセス、それらのいかなる組み合わせ、そしてそれに類するようなものを使用して作ることができる。もちろん他の変形、改変そして代替案がありうる。加えて、他のステップもまた所望により構成することができる。
【００６８】
追加のプロセスとしては、図２１に示されるように、特定の実施態様による“再利用”プロセスがある。示すように、最初の劈開プロセスは転写基板に設けられた各ドナー基板領域からある厚み部分を切り離す。残りのドナー基板領域は表面平滑プロセスを施され、酸化され再度注入されて各ドナー基板領域内に別の劈開領が形成される。ドナー基板領域は今、複数の劈開領域を有することとなって、別のハンドル基板へ接着するプロセスが実施され、そして複数のドナー基板部分を含むタイル状ハンドル基板が形成される。もちろん他の変形例、改変案そして代替案がありうる。
【００６９】
上述したところが特定の実施態様の詳細な記述であるが、いくつもの変形例、代替構成、そして同等なものが使われ得るであろう。それ故、上記の記述や図示したことをもって、末尾の特許請求の範囲により規定した本発明の技術的範囲を限定して解釈すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の実施態様による基板形成方法を示す簡略化されたプロセスフローを示す図である。
【図２】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセスのシステムを示す簡略化された図である。
【図３】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図４】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図５】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図６】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図７】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図８】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図９】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図１０】本発明の実施態様による基板形成するための連続プロセス示す簡略化された図である。
【図１１】本発明の実施態様による基板形成の連続プロセスのためのトレイデバイスを示す簡略化された図である。
【図１１Ａ】本発明の実施態様による注入プロセスを示す簡略化された図である。
【図１２】本発明の実施態様による基板形成の連続プロセスのためのトレイデバイスを示す簡略化された図である。
【図１３】本発明の実施態様による基板形成の連続プロセスのためのトレイデバイスを示す簡略化された図である。
【図１４】本発明の実施態様による基板形成の連続プロセスのためのトレイデバイスを示す簡略化された図である。
【図１５】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図１６】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図１７】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図１８】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図１９】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図２０】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図２１】本発明の実施態様による層転写された基板を形成する方法を示す図である。
【図１】
2009507363.tif 000003
【図２】
2009507363.tif 000004
【図３】
2009507363.tif 000005
【図４】
2009507363.tif 000006
【図５】
2009507363.tif 000007
【図６】
2009507363.tif 000008
【図７】
2009507363.tif 000009
【図８】
2009507363.tif 000010
【図９】
2009507363.tif 000011
【図１０】
2009507363.tif 000012
【図１１】
2009507363.tif 000013
【図１１Ａ】
2009507363.tif 000014
【図１２】
2009507363.tif 000015
【図１３】
2009507363.tif 000016
【図１４】
2009507363.tif 000017
【図１５】
2009507363.tif 000018
【図１６】
2009507363.tif 000019
【図１７】
2009507363.tif 000020
【図１８】
2009507363.tif 000021
【図１９】
2009507363.tif 000022
【図２０】
2009507363.tif 000023
【図２１】
2009507363.tif 000024