(57)【要約】複数のトランスデューサ素子を有するトランスデューサと、各々がそれぞれの位相差だけオフセットされている複数の駆動信号を生成し出力する駆動回路と、該駆動信号をそれぞれのトランスデューサ素子へ選択的に結合させるためのコントローラとを備えており、該コントローラが、複数の第一層スイッチングモジュール及び第二層スイッチングモジュールを含む、集束超音波システム。各第一層スイッチングモジュールは、複数の駆動信号を入力として受信し、及び該駆動信号のうちの１つを駆動信号選択信号に応じて出力する。各第二層スイッチングモジュールは、それぞれのグループのトランスデューサ素子に結合され、及び第一層スイッチングモジュールから出力されたそれぞれの選択された駆動信号をトランスデューサ素子選択信号に応じてトランスデューサ素子のうちの１つ又は２つ以上へ選択的に結合させる。【選択図】図１
2009516558.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットとする音響エネルギーを供給するためのシステムであって、
複数のトランスデューサ素子を有するトランスデューサと、
コントローラと、
複数の第一層スイッチングモジュールであって、その各々が、複数の位相差を有する複数の駆動信号を入力として受信し、及び前記コントローラから受信したそれぞれの駆動信号選択信号に基づいて前記複数の駆動信号のうちの１つを選択的に出力するよう構成されている、複数の第一層スイッチングモジュールと、
複数の第二層スイッチングモジュールであって、その各々が、それぞれの前記第一層スイッチングモジュールから出力される選択された駆動信号を入力として受信し、及び前記コントローラから受信したそれぞれのトランスデューサ素子選択信号に基づいてそれぞれのグループのトランスデューサ素子のうちの１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子へ前記駆動信号を結合させるよう構成されている、複数の第二層スイッチングモジュールと
を備えているシステム。
【請求項２】
前記それぞれのグループのトランスデューサ素子が、それぞれの前記第二層スイッチングモジュールに固定的に接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記複数のトランスデューサ素子の各々が、複数グループのトランスデューサ素子の各グループの一部であり、該各グループのトランスデューサ素子が、前記第二層スイッチングモジュールにそれぞれ１つずつ固定的に接続される、請求項１又は請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記複数のトランスデューサ素子が複数のトランスデューサ素子アレイとして実施され、その各アレイが別個の基板上に形成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
少なくとも１グループのトランスデューサ素子のほぼ全てが、前記複数のアレイのうちの１つのアレイ上に配設されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも１グループのトランスデューサ素子のほぼ全てが、複数の異なるアレイ上に配設されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
複数のスイッチング素子を更に備えており、その各スイッチング素子が、それぞれの第一層モジュール及びそれぞれの第二層モジュールを含み、該第二層モジュールが、同じスイッチング素子の第一層モジュールから出力された選択された駆動信号を入力として受信する、請求項１ないし請求項６の何れか一項に記載のシステム。
【請求項８】
第一層スイッチングファブリック及び第二層スイッチングファブリックを更に備えており、該第一層スイッチングファブリックが前記複数の第一層スイッチングモジュールを含み、該第二層スイッチングファブリックが前記複数の第二層スイッチングモジュールを含む、請求項１ないし請求項６の何れか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記コントローラが、前記トランスデューサ素子のうちの選択された一部をアクティブにすることによりターゲットとする音響エネルギーバーストを送出するために駆動信号選択信号及びトランスデューサ素子選択信号を前記第一層スイッチングモジュール及び前記第二層スイッチングモジュールへそれぞれ供給するよう構成されている、請求項１ないし請求項８の何れか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数のトランスデューサ素子の各々が、複数グループのトランスデューサ素子の各グループの一部であり、該各グループのトランスデューサ素子が、前記第二層スイッチングモジュールにそれぞれ１つずつ固定的に接続され、前記一部のトランスデューサ素子が、少なくとも１グループのトランスデューサ素子の全てよりも少ない、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記複数のトランスデューサ素子が複数のトランスデューサ素子アレイとして実施され、その各アレイが別個の基板上に形成され、前記一部のトランスデューサ素子が少なくとも１つのアレイのトランスデューサ素子の全てよりも少ない、請求項９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に多素子トランスデューサ（例えば、高密度フェイズドアレイトランスデューサ）からの高強度の治療用音響エネルギーを供給するためのシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
腫瘍等の体内組織を治療するために超音波（すなわち、約20kHzよりも高い周波数を有する音波）等の高強度の集束された音波エネルギーを使用してサーマルアブレーションを生じさせることは周知である。かかる高強度の超音波エネルギーのターゲット組織領域への供給を案内するために、及び実際に供給された熱エネルギーのリアルタイムフィードバックを提供するために、MRIシステム等のイメージングシステムを使用することもまた周知である。かかるイメージにより案内される集束超音波システムの１つが、イスラエル国ハイファにあるInSightec Ltd.（www.insightec.com）により製造及び販売されているExAblate(R) 2000 システムである。例えば、図１は、患者110内のターゲット組織塊104に対して集束された音響エネルギービーム112を生成し供給するために使用される、イメージにより案内される集束超音波システム100を単純化して概略的に表現したものである。該システム100は、超音波トランスデューサ102を使用するものであり、該超音波トランスデューサ102は、ターゲット組織塊104内に位置決めされた三次元焦点領域に超音波エネルギービーム112を集束させるために、その形状が形成され、及び患者110に対して物理的に配置される。該トランスデューサ102は、ほぼ剛性、半剛性、又はほぼ可撓性のものとすることが可能であり、及びプラスチック、ポリマー、金属、及び合金といった、様々な材料から作成することが可能である。トランスデューサ102は、単一の装置として製造することが可能であり、、又は代替的に、複数の構成要素から組み立てることが可能である。図示のトランスデューサ102は、「球状キャップ」形状を有するが、様々な他の幾何学的なトランスデューサ形状及び構成（直線的（平面的）な構成を含む）を用いて、集束された音響ビームを供給することが可能である。超音波システム100は更に、トランスデューサ102と患者110の皮膚表面との間の音響結合を提供し又は改善するための脱気水で満たされた膨張可能な本体又はバルーン等の結合膜（図示せず）を含むことが可能である。
【０００３】
トランスデューサ102は、該トランスデューサ102の末端の（外方への）対向面118（図２最もよく示されている）上に取り付けられた比較的多数の個々に制御される素子116から形成することが可能である。各トランスデューサ素子116自体は、システムコントローラ106から供給される同一の駆動信号に電気的に接続された１つ又は２つ以上の（隣接する）圧電部材から構成することが可能である。動作中に、個々の圧電部材は、個々の電気駆動信号を機械的運動へと変換し、その結果として波エネルギーを生じさせることにより、超音波エネルギービーム112の一部にそれぞれ貢献する。ターゲット組織塊104における焦点領域に個々の波が収束するため、トランスデューサ素子116の個々の圧電部材から伝達される波エネルギーが集まって音響エネルギービーム112を形成する。該焦点領域内で、ビーム112の波エネルギーが組織によって吸収され（すなわち減衰され）、これにより熱が生成されて、細胞が変性する（除去される）温度まで該組織の温度が上昇する。
【０００４】
波エネルギーの供給前、供給中、及び供給後に、撮像装置（例えばMRIシステム）114を使用してターゲット組織塊104の三次元イメージが生成される。除去される組織の実際の熱投与境界（すなわち、幾何学的な境界及び温度勾配）を監視することができるように、前記イメージは熱感応性のものとなる。音響ビーム112の焦点領域の位置、形状、及び強度は、少なくとも部分的に、トランスデューサ素子116の物理的な構成及びトランスデューサ102の物理的な位置決めによって決定される。焦点領域の位置、形状、及び強度はまた、少なくとも部分的に、ビーム112の「電子操作」として知られる処理によって個々のトランスデューサ素子116のそれぞれの出力（例えば位相及び振幅）を制御することにより、制御することが可能である。個々のトランスデューサ素子116の出力の駆動及び制御を含む、かかる物理的な位置決めシステム及び技術並びに電子ビーム操作の例を米国特許第6,506,154号、第6,506,171号、第6,582,381号、第6,613,004号、及び第6,618,620号に見出すことができる。
【０００５】
治療法の変化に適応するために、及びより一般的な（例えば球状キャップ型の）超音波トランスデューサで治療することが不可能ではないにしても困難である体内領域にアクセスするために、比較的多数の個々の素子を含む超高密度トランスデューサアレイを用いることが望ましい場合がある。各素子は、好適には、伝送される音響エネルギーの波長程度の比較的小さいものとなり、利用可能な素子の個数が多い場合には、焦点領域へ十分な量の音響エネルギーを供給するために、かかる素子のうちの比較的小さな部分集合を駆動するだけで良くなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、トランスデューサ素子がエネルギーを伝達するために、各トランスデューサ素子へそれぞれの駆動信号を依然として供給する必要があり、トランスデューサアレイが最適な性能を達成するために多数の考え得る駆動信号位相のうちの任意の１つを用いて任意の所与の素子を駆動することができることが依然として望ましいことになる。スイッチング機構を使用して適当な駆動信号をそれぞれのトランスデューサ素子へ接続することが可能であるが、トランスデューサ素子の個数が増えると、従来のスイッチング機構は煩雑なものとなり、及びその採用及び制御に法外な費用がかかることになる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、集束超音波システムにおける超高密度トランスデューサ素子アレイのそれぞれのトランスデューサ素子へそれぞれの駆動信号を選択的に接続するためのシステムが提供される。一実施形態では、熱による組織治療のための音響エネルギーを伝送するために使用される超音波トランスデューサは、比較的多数のトランスデューサ素子を含むものとなる。非制限的な例として、該トランスデューサは、体内領域内の組織をターゲットとする音響エネルギーを供給するために体表面に対して直接的に又は間接的に取り付けることが可能な可撓性又は半可撓性ストリップという形をとることが可能である。該それぞれのトランスデューサ素子は、別個に形成することが可能であり、又はトランスデューサ本体に取り付けられる複数の比較的小さな基板上に配設する（例えば、各基板がトランスデューサ素子のアレイを含む）ことが可能である。選択されたトランスデューサ素子を適当な位相で駆動するために、駆動信号生成手段を使用して、同じ周波数を有する複数の考え得る駆動信号を生成することが可能であり、各駆動信号は、選択された位相オフセット量だけ他の駆動信号と位相がずれている。次いで、二層の階層スイッチングファブリックを用いて、選択された駆動信号を、所与の組織のソニケーションのために駆動されるべき選択されたトランスデューサ素子へ接続する。
【０００８】
一実施形態では、第一層のスイッチングファブリックが、１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子のうちの識別された一部へ供給すべき駆動信号を選択し、第二層のスイッチングファブリックが、該選択された駆動信号を該識別された（１つ又は２つ以上の）トランスデューサ素子へ接続する。一実施形態では、第一層は、複数の第一層スイッチングモジュールとして実施され、第二層は、複数の第二層スイッチングモジュールとして実施される。各第一層モジュールは、複数の入力を有しており、その各入力がそれぞれの駆動信号へ接続され、ここで、該複数の入力の個数は、駆動信号の個数と等しい。該入力は、それぞれの第一層スイッチ（例えば、トランジスタ又はMEMSデバイス）を介して共通の第一層モジュール出力へ選択的に接続することが可能である。それぞれの駆動信号選択制御信号が第一層モジュールにより受信されて、複数の第一層スイッチのうちの選択された１つがアクティブにされることにより、複数の駆動信号のうちの選択された１つがそれぞれの第一層モジュール出力へ接続される。
【０００９】
各第二層スイッチングモジュールは、それぞれの第一層モジュールの出力に接続される共通の入力を有している。該第二層モジュール入力は、複数のそれぞれの第二層スイッチ（例えば、トランジスタ及び／又はMEMSデバイス）を介して１つ又は２つ以上の第二層モジュール出力へ選択的に接続することが可能である。それぞれの素子選択制御信号が第二層モジュールにより受信されて、複数の第二層スイッチのうちの選択されたものがアクティブにされることにより、それぞれの駆動信号が、選択された第二層出力へ接続される。それぞれのグループのk個のトランスデューサ素子は、（例えば、配線により又はそれぞれの和回路網により）第二層モジュールのそれぞれの出力へ接続される（この場合、ｎ個の全てのトランスデューサ素子は、k個の素子のグループの各々で、n/k個の全ての第二層モジュールへ接続される）。
【００１０】
それぞれの第一及び第二層スイッチングモジュールは、ほぼ１：１の比で配設することが可能であり、この場合、所与の第一層スイッチングモジュールの出力は、第二層スイッチングモジュールの入力に直接接続される。この二層スイッチングファブリックの物理的な実施は、別個の第一及び第二「モジュール」という形を必ずしもとる必要はなく、本発明の実施形態は、様々な物理的な形態とることが可能である、ということが理解されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明をその制限ではなくその例示として図示する。
【００１２】
以下の説明では、「１つの実施形態」又は「一実施形態」とは、言及する特徴が本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味するものである。更に、本説明における「１つの実施形態」に対する別の言及は、必ずしも同じ実施形態を指すものではないが、特に言及し除外しない限り、かかる実施形態は何れも互いに排他的なものではない。
【００１３】
本発明の実施形態は、複数の別個の駆動信号を高密度アレイの選択されたトランスデューサ素子へ選択的に接続するためのシステムを含む。該アレイのトランスデューサ素子は、それぞれのグループへと分割することが可能であり、この場合には、各グループのトランスデューサ素子がそれぞれの駆動信号へ選択的に結合される。このようにして、所与のグループ内の各トランスデューサ素子は、同じ位相で動作することが可能となる。特定のグループの単一のトランスデューサ素子のみをそれぞれの駆動信号に接続することが望ましい場合があり、又は、１つのグループ内の２つ以上のトランスデューサ素子を１つの駆動信号に接続することが好ましい場合がある。（図示せず又は以下で更に説明する）代替的な実施形態では、各グループは、和回路網（隣接するトランスデューサ素子間に配線された受動要素のネットワーク）を使用して多数の駆動信号に選択的に接続することが可能である。この代替的な方法は、それぞれのトランスデューサ素子グループに供給するために使用することができる他の限られた個数の駆動信号の操作及び変更を可能にするものである。端的に言えば、前記和回路網は、計画された駆動信号及び隣接する素子間の関係から訂正された駆動信号を構成する。これらの回路網は、静的なものであり、及び、駆動信号の幾何学的な調節及びあらゆる調整を補正するための方法を表すことが可能であり、該補正方法は、静的なシフト又は隣接するトランスデューサ素子の駆動信号の和により予め計算し及び予め調節することが可能である。かかる代替的な実施形態では、所与のグループの各トランスデューサ素子は、特定の和回路網により生成される位相で動作することが可能である。この場合も、１つのグループの単一のトランスデューサ素子のみをそれぞれの位相信号に接続することが望ましい場合があり、又は該信号に２つ以上のトランスデューサ素子を接続することが好ましい場合がある。
【００１４】
より詳細には、本発明の実施形態によるスイッチングネットワークは、トランスデューサアレイ内の非常に大きな一群をなすトランスデューサ素子を駆動するために最小限の数のソース信号を使用して該トランスデューサアレイの各トランスデューサ素子へ適当な駆動信号を送るよう設計される。該スイッチングネットワークは、階層的な手法を用いることによりあらゆる特定の素子に対する駆動信号の動的なルーティングを可能にするスイッチングモジュールを用いる。
【００１５】
一実施形態では、トランスデューサ素子の各グループのうちの１つ又は２つ以上を選択された駆動信号に接続するために多層スイッチングファブリックが提供される。該スイッチングファブリックの第一層は、複数の駆動信号を受信し、及び特定の位相オフセットを有する単一の駆動信号を選択的に出力する。該スイッチングファブリックの第二層は、選択された駆動信号を受信し、及び選択された複数のトランスデューサ素子又は選択された複数のグループのトランスデューサ素子へ前記駆動信号を接続する。例えば、第一層のスイッチング素子は、第一グループのトランスデューサ素子のために第一位相オフセットを有する第一駆動信号を選択し、及び第二グループのトランスデューサ素子のために第二位相オフセットを有する第二駆動信号を選択することが可能である。第二層のスイッチングファブリックは、複数の第二層スイッチングモジュール（例えば、トランスデューサ素子の各グループ毎に１つの第二層スイッチングモジュール）を含むことが可能である。各第二層スイッチングモジュールは、第一層スイッチングファブリックから出力されるそれぞれの駆動信号を受信し、該受信した駆動信号を、所与のソニケーションのために駆動されるべきモジュールに接続されている１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子へ選択的に接続する。
【００１６】
図３に示すように、一実施形態に従って構成されたトランスデューサ300は、集束超音波システムにおいて音波エネルギーを生成するためのそれぞれのトランスデューサ素子304の高密度アレイを含む。様々な実施形態において、トランスデューサ300は、（例えばベルトのような態様で）例えば患者の外面（皮膚）の周囲に配置し又は該外面に対して結合させることが可能な可撓性基板又はバンドとして実施することが可能である。別の実施形態では、トランスデューサ300は、代替的に、患者に対して直接に又は間接的に結合される剛性構造体として実施することが可能である。図３に示す実施形態では、トランスデューサ300は、トランスデューサタイル302a〜302mのアレイとして構成され、その各タイル302は、個々のトランスデューサ素子304a〜304iのアレイからなる。このため、トランスデューサタイル302a〜302mの各々が同じ（又はほぼ同じ）個数のトランスデューサ素子304iを有する実施形態では、トランスデューサ素子の総数nは、m×iに等しく（又はほぼ等しく）なる。各タイルの個々のトランスデューサ素子304a〜304iは、音波エネルギーを生成するために素子へアクティブ化駆動信号を選択的に接続するために、スイッチングフロントエンド（図４）へと配線される。例えば、k個のトランスデューサ素子304のそれぞれのグループを、該スイッチングフロントエンドに関連する（図４に関して以下で説明する）それぞれのスイッチングモジュールの対応する出力へと配線することが可能である。
【００１７】
所与の第二層モジュールに接続される特定のトランスデューサ素子は、設計上の考慮事項であり、本発明の実施形態によって異なることが可能なものである。例えば、達成する各グループにおけるそれぞれの個々の素子の物理的な近接性又は多様性に基づいて、所与の第二層モジュールに接続されるk個の素子の場所を選択することが望ましい場合がある。代替的に、k個の素子のトランスデューサにおける特定の場所を考慮することなく、複数グループのトランスデューサ素子をそれぞれのスイッチングモジュールへランダムに接続するのが望ましい場合がある。一実施形態では、グループサイズkは、単一のタイル302上に配置されるトランスデューサ素子304の数に対応し、グループは各タイル毎に接続される。別の実施形態では、グループは、異なるタイル302上に配置される個々の素子304からなる。例えば、各グループは、各タイル302a〜302mからの１つのトランスデューサ素子304を含むことが可能である（この場合にはグループサイズはm）。他の実施形態では、各グループは、様々な個数のトランスデューサ素子304を含むことが可能であり、該トランスデューサ素子304は、それぞれのタイル302a〜302nにわたってランダムに又は疑似ランダムに分布させることが可能である。更に、個々のトランスデューサ素子304は、（単なる一例である）タイルアレイ302上とは異なる形態で配設することが可能であり、本発明の実施形態は、実質的に多数の別個に駆動することが可能な素子を有するあらゆるトランスデューサの実施形態にとって有用で適したものとなり得るものであり、及び比較的多数の別個に駆動することが可能な素子を含む超高密度アレイにとって特に適したものとなる。
【００１８】
個々のトランスデューサ素子は好適には比較的小さなものである（このため、その各々は比較的低出力波を送出する）が、それらの個々の出力の不足分は、所与のソニケーションのために同時に駆動することができる考え得る素子の個数で補われる。特に、トランスデューサ素子の総数のうち比較的小さな割合（例えば、約５％又は10％）のトランスデューサ素子が所与のソニケーションのために一般に駆動される。駆動すべき個々のトランスデューサ素子、並びに各素子毎のそれぞれの駆動信号属性（例えば位相及び振幅）は、集束超音波システム内に含まれる計画システムによって選択し又は決定することが可能である。トランスデューサ素子は、ターゲット組織領域及び音響窓（伝送経路）を含む基準座標系でトランスデューサ素子のそれぞれの位置を識別するための位置決めシステムを使用することにより、焦点領域に対して「局所化」させることが可能である。この情報、並びにターゲット組織領域を含む体内領域の三次元イメージを使用して、駆動すべき個々のトランスデューサ素子の好適な及び／又は最適な組み合わせを識別することが可能である。この素子の選択基準は、例えば、敏感な体組織（例えば、肋骨又は肺）を介した音響エネルギーの伝達の防止といった、多くの因子を含むことが可能である。
【００１９】
図４は、第１のスイッチングフロントエンドの実施形態400を示すブロック図であり、これは、駆動信号生成器402、コントローラ404、及び複数のスイッチング素子406a〜jを一般に含む。該駆動信号（又は「位相ベクトル」）生成器402は、選択された頻度で複数の駆動信号403を生成し、該駆動信号403が、トランスデューサ素子304a〜304nを駆動するために使用され、全てのスイッチング素子406a〜406jにおけるトランスデューサ素子304a〜304nの使用は、単純化のためであり、同じ素子が全てのスイッチング素子に接続されることを意味することを意図したものではない。
【００２０】
詳細には、駆動信号生成器402により生成された個々の駆動信号403は、互いに位相がシフトしており、各駆動信号がベース信号とは異なる位相オフセットを有するようになっている。非制限的な例として、一実施形態では、駆動信号生成器402は、選択された頻度で12の異なる駆動信号403を供給することが可能であり、該駆動信号は、位相が30°だけ連続的にオフセットされ、すなわち、30°,60°,90°,120°,150°,180°,210°,240°,270°,300°,330°だけベース信号（0°）から位相がオフセットされる。
【００２１】
多くの他の実施形態もまた実施可能であり、例えば、駆動信号生成器402は、選択された頻度で、20°だけ位相が連続的にオフセットされ、すなわち、0°,20°,40°,60°,80°,100°,120°,140°,160°,180°,200°,220°,240°,260°,280°,300°,320°,340°だけ位相がオフセットされた、18の異なる駆動信号403を供給することが可能である。単一の駆動信号からではなく和回路網から駆動される実施形態において駆動素子に他の位相を組み合わせることも可能である。個々の音波が焦点領域内に集束する際に該音波の音響インピーダンスの変動を低減させるために、所与のソニケーション中に個々の信号が駆動することになるトランスデューサ素子の実際の個数に応じて、個々の駆動信号の出力（振幅）を上下に調節することが望ましい場合がある。
【００２２】
コントローラ404は、スイッチング素子406a〜jを制御するために使用される制御信号を出力する。該スイッチング素子406a〜jの各々は、駆動信号生成器402により生成された複数の駆動信号403から１つの駆動信号403'を選択し、及びコントローラ404により指定された際に、該選択した駆動信号403'をトランスデューサ素子304a〜304nのうちの選択された１つへ供給するよう動作する。
【００２３】
一実施形態では、スイッチング素子406a〜jの各々は、階層的なスイッチング素子であり、例えば、第一層スイッチングモジュール408a〜j、及び第二層スイッチングモジュール410a〜jを含む。該第一層スイッチングモジュール408a〜jは、駆動信号生成器402により出力された複数の駆動信号403から１つの駆動信号403'を選択するために使用することが可能であり、第二層スイッチングモジュール410a〜jは、該選択した駆動信号403'を、スイッチング素子304a〜304nのうちの選択されたものへ供給するために使用することが可能である。
【００２４】
図４ａ及び図４ｂに示すように、第一層スイッチングモジュール408aは、駆動信号生成器402から複数の駆動信号403を受信し、及びコントローラ404から駆動信号セレクタ405を受信する。該第一層スイッチングモジュール408aは、前記駆動信号セレクタ405に基づいて前記複数の駆動信号403から１つの駆動信号403'を選択し、及び該選択した駆動信号403'を第二層スイッチングモジュール410へ出力するよう動作する。
【００２５】
前記駆動信号セレクタ405は、前記第一層スイッチングモジュール408aが前記複数の駆動信号403から１つの駆動信号403'を選択することを可能にするだけの十分な情報を含む。該駆動信号セレクタ405は、図４ｂに示すように複数の信号を含むことが可能であり、又は図４ａに示すように単一の信号を含むことが可能である。一実施形態では、第一層スイッチングモジュール408aは、単一の駆動信号セレクタ405を使用することを可能にするデマルチプレクサを含むことが可能である。
【００２６】
図４ａ及び図４ｂに示すように、第二層スイッチングモジュール410は、第一層スイッチングモジュール408aから選択された駆動信号403'を受信し、及びコントローラ404から１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタ411を受信する。該１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタ411で受信した情報は、グループ内のトランスデューサ素子304a〜nの何れを特定の時点でターンオンさせるべきかを表すのに十分なものである。該１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子選択信号411は、並列に受信される複数の信号として図２に示されているが、該１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子選択信号411は、直列に又は並列に受信することが可能である。更に、１つのトランスデューサ素子選択信号411を第二層スイッチングモジュール410aへ供給することが可能であり、グループ内のトランスデューサ素子304a〜nの個数と等しい個数のトランスデューサ素子選択信号411を第二層スイッチングモジュール410aへ供給することが可能であり、又はそれとは異なる個数のトランスデューサ素子選択信号411を供給することが可能である。一実施形態では、第二層スイッチングモジュール410aは、単一の入力信号411を使用することを可能にする出マルチプレクサを含む。
【００２７】
１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタで受信した情報は、グループ内のトランスデューサ素子304a〜304nの何れを特定の時点でターンオンさせるべきかを表すのに十分なものとなり得る。１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタに基づいて、第一層スイッチングモジュール408a〜bから受信した駆動信号が、ターンオンされるべきトランスデューサ素子へ選択的に提供される。
【００２８】
別個のスイッチング素子406a〜jに関してスイッチング機構を説明してきたが、各スイッチング素子は、第一層スイッチングモジュール408a〜j及び第二層スイッチングモジュール410a〜jを含む。特に、複数の第二層スイッチングモジュール410a〜jのために単一の第一層スイッチングモジュール408を配設可能であることが意図されている。スイッチングファブリックに関する代替的な構成を図４ｃに示す。
【００２９】
図４ｃは、トランスデューサ素子のスイッチングを行うためのシステム（スイッチングフロントエンド）を示すブロック図である。図４ｃのシステム420は図４ａのシステム400と類似したものである。しかし、図４ｃのシステム420では、第一層スイッチングモジュールから第二層スイッチングモジュールへのマッピングが一対一である必要がなく、図４ｃのシステム420は、複数の第二層スイッチングモジュール424a〜kへ駆動信号を提供する単一の第一層スイッチングモジュール422aを含むことが可能である。
【００３０】
図４ｃに示すように、システム420は、図４ａに関して上述したものと同様の駆動信号生成器402及びコントローラ404を含むことが可能である。更に、システム420は、第一層スイッチングファブリック426及び第二層スイッチングファブリック428を含むことが可能である。該第一層スイッチングファブリック426は、１つ又は２つ以上の第一層スイッチングモジュール422a〜jから構成することが可能であり、第二層スイッチングファブリック428は、１つ又は２つ以上の第二層スイッチングモジュール424a〜kから構成することが可能である。
【００３１】
第一層スイッチングモジュール422a〜jの各々は、１つ又は２つ以上の第二層スイッチングモジュール424a〜kに接続することが可能である。第一層スイッチングモジュール422a〜jの各々は、それに接続されている第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々に対して１つの駆動信号403'を出力するよう構成することが可能である。第一層スイッチングモジュール422a〜jは、第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々に対して同一の駆動信号を出力する必要はなく、第一の駆動信号403'を第二層スイッチングモジュール424aへ提供し、第二の駆動信号403''を別の第二層スイッチングモジュール424bへ提供する、といったことが可能である。
【００３２】
第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々は、１グループ430のトランスデューサ素子304a〜pに関連づけることが可能である。第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々は、該グループ430内のトランスデューサ素子304a〜pと結合させることが可能である。第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々は、第一層スイッチングモジュール422a〜jから１つの駆動信号403'を受信することが可能であり、及び該受信した駆動信号403'を前記グループ430内のトランスデューサ素子304a〜pのうちの選択されたものへ出力することが可能である。
【００３３】
図３に関して説明したように、各グループ430のトランスデューサ素子304a〜pは、例えば１つのタイル上に配置することが可能な複数のトランスデューサ素子を含むことが可能であり、又は例えば複数のタイル上に配置された複数のトランスデューサ素子を含むことが可能である。代替的な実施形態では、トランスデューサ素子は、タイル上に配置しないことが可能であり、それにもかかわらず複数グループへと形成することが可能である。
【００３４】
一実施形態では、第一層スイッチング素子422a〜jの各々は、駆動信号生成器402から複数の駆動信号403を受信し、及びコントローラ404から１つ又は２つ以上の駆動信号セレクタ405を受信する。第一層スイッチング素子426a〜jは、それに結合された第二層スイッチング素子424a〜kの各々毎に、前記駆動信号セレクタ405に基づいて、複数の駆動信号403から１つの駆動信号403'を選択するよう動作する。第一層スイッチング素子422a〜jの各々は、それに結合された第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々へ１つ又は２つ以上の適当な選択された駆動信号403'を出力する。
【００３５】
第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々は、選択された駆動信号403'を第一層スイッチングモジュール422a〜jから受信し、及び１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタ411をコントローラ404から受信する。トランスデューサ素子セレクタ411で受信した情報は、グループ430内のトランスデューサ素子304a〜pの何れを特定の時点でターンオンさせるべきかを表すのに十分なものとなり得る。該トランスデューサ素子セレクタ411に基づいて、第一層スイッチングモジュール422a〜jから受信した駆動信号403'が、ターンオンさせるべきトランスデューサ素子304a〜pへ選択的に提供される。
第二層スイッチングモジュール424a〜kに結合された別個の第一層スイッチングモジュール422a〜jに関してスイッチング機構を説明してきた。特に、複数の第二層スイッチングモジュール424a〜kのために単一の第一層スイッチングモジュール422aを配設することが可能であることが意図されている。該単一の第一層スイッチングファブリック422aは、駆動信号生成器402から複数の駆動信号403を受信することが可能であり、及び第二層スイッチングモジュール424a〜kの各々に対して１つの駆動信号403'を出力することが可能である。
【００３６】
別の実施形態では、複数の第一層スイッチングモジュール422a〜jの各々を、複数の第二層スイッチングモジュール424a〜kに結合させることが可能である。この実施形態では、該複数の第一層スイッチングモジュール424a〜jの各々に結合される該複数の第二層スイッチングモジュール422a〜kは、例えば、信号強度がトランスデューサ素子304a〜pを駆動するのに十分なものとなることが確実となるように、制限することが可能である。
【００３７】
実施形態によっては、各駆動信号403を様々な個数の第二層スイッチングモジュール424a〜jへ提供することが可能であるため、及び該第二層スイッチングモジュール424a〜jの各々が様々な個数のトランスデューサ素子305a〜pへ駆動信号403を提供することが可能であるため、各駆動信号403を様々な個数のトランスデューサ素子304a〜pに加えることが可能となる。しかし、第二層スイッチングモジュール424の個数及びトランスデューサ素子304a〜pの個数が多い場合には、統計的な分布によってこの個数の変更を制限することが可能である。このため、負荷に基づいて駆動信号403の出力を調節する必要がない可能性がある。しかし、実施形態によっては、駆動すべきトランスデューサ素子304a〜pの個数に基づいて各駆動信号403の出力を調節することが可能である。例えば、コントローラ404が駆動信号403の出力を調節することが可能である。
【００３８】
図５は、複数のトランスデューサ素子へ駆動信号を提供するために本発明の実施形態により使用されるプロセスを示すフローチャートである。図５に示すように、ステップ500で、所与のソニケーションのためにトランスデューサ素子が特定され、及び各トランスデューサ素子毎に位相が特定される。ステップ500は、例えば、MRIデータ等のイメージデータを受信して、ターンオンさせるべきトランスデューサ素子と各トランスデューサ素子を動作させるべき位相とを決定する、コントローラにより実行することが可能である。
【００３９】
ステップ502で、複数の駆動信号を受信することが可能である。該複数の駆動信号は、例えば、駆動信号生成器から受信することが可能である。該複数の駆動信号は、各駆動信号が異なる位相を有するように位相シフトさせることが可能である。
【００４０】
ステップ504で、該複数の駆動信号から１つの駆動信号を選択することが可能である。該駆動信号は、例えば、コントローラから受信した駆動信号セレクタに基づいて選択することが可能である。
【００４１】
ステップ506で、１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子を選択することが可能である。該トランスデューサ素子は、例えば、１グループのトランスデューサ素子から選択することが可能である。該トランスデューサ素子は、例えば、コントローラから受信した１つ又は２つ以上のトランスデューサ素子セレクタに基づいて選択することが可能である。
【００４２】
ステップ508で、前記選択された駆動信号を前記選択されたトランスデューサ素子へ加えることが可能である。該駆動信号は、例えば、超音波エネルギーを生成するためにトランスデューサ素子をアクティブにすることが可能である。
【００４３】
上記の詳細な説明では、特定の実施形態に関して本発明を説明した。しかし、本発明の広範な思想及び範囲から逸脱することなく、かかる実施形態に対して様々な修正及び変更を加えることが可能であることは明らかである。例えば、本書で説明したプロセスフローチャートに示したプロセス動作の特定の順序及び組み合わせは単なる例示であり、それとは異なる若しくは更なるプロセス動作又はプロセス動作の異なる組み合わせ若しくは順序を用いて本発明を実行することが可能である、ということが理解されよう。
【００４４】
例えば、複数のトランスデューサ素子の全てのための駆動信号を出力する１つの駆動信号生成器に関して本発明を説明したが、２つ以上の駆動信号生成器を配設することが可能であることも意図されている。各駆動信号生成器は、複数の駆動信号を特定のスイッチング機構へ又は特定のトランスデューサ素子へ提供するための専用のものとして配設することが可能である。代替的に又は追加的に、各駆動信号生成器は、１つ又は２つ以上の特定の位相を有する１つ又は２つ以上の信号を提供するための専用のものとして配設することが可能である。更に、上記で簡単に説明したように、各グループは、利用可能な駆動信号の更なる操作を可能とするために、和回路網を使用して複数の駆動信号へ選択的に結合することが可能である。かかる代替的な実施形態では、所与のグループ内の各トランスデューサ素子は、特定の和回路網により生成される位相で動作することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】例示的なイメージ案内式の集束超音波システムを単純化して概略的に表現したものである。
【図２】例示的なイメージ案内式の集束超音波システムを単純化して概略的に表現したものである。
【図３】超高密度トランスデューサ素子アレイを単純化して概略的に表現したものである。
【図４ａ】本発明の一実施形態による、集束超音波システムの超高密度トランスデューサアレイの個々のトランスデューサ素子へ駆動信号を選択的に接続するための多層スイッチングファブリックを含む制御システムを単純化して概略的に表現したものである。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による、集束超音波システムの超高密度トランスデューサアレイの個々のトランスデューサ素子へ駆動信号を選択的に接続するための多層スイッチングファブリックを含む制御システムを単純化して概略的に表現したものである。
【図４ｃ】本発明の一実施形態による、集束超音波システムの超高密度トランスデューサアレイの個々のトランスデューサ素子へ駆動信号を選択的に接続するための多層スイッチングファブリックを含む制御システムを単純化して概略的に表現したものである。
【図５】本発明の一実施形態による、選択された駆動信号を複数の選択されたトランスデューサ素子へ供給するためにシステムにより使用されるプロセスを示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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