(57)【要約】開示されたのは、長いフレキシブル回路を作製するための方法である。長い回路の幾つかは、単一のフォトイメージングマスクを使用して作製されてもよい。また開示されたのは、本方法で作製されたフレキシブル回路である。
2009545774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト層を有する誘電体基板を提供することと、
フォトイメージングマスクを通して前記フォトレジストの第１部分を紫外線に露光することと、
前記誘電体基板を前進させること、及び前記フォトイメージングマスクを通して前記フォトレジストの第２部分を紫外線に露光することと、を含む方法であって、前記フォトレジストの前記第２部分が、前記フォトレジストの前記第１部分と部分的に重なり合い、並びに
前記フォトイメージングマスクが、配列される回路の区域のパターンを有する、方法。
【請求項２】
前記誘電体基板を２度目に前進させること及び前記フォトイメージングマスクを通して前記フォトレジストの第３部分を紫外線に露光することを更に含み、前記フォトレジストの前記第３部分が、フォトレジストの前記第２部分と部分的に重なり合う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記回路区域が、０°〜９０°の角度で配列される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記回路区域が、約２５°〜約６５°の角度で配列される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの配列される区域が、末端区域である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの配列される区域が、中間区域である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記末端区域が、頭部区域である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記末端区域が、尾部区域である、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第２露光後に完全な回路イメージが前記フォトレジストに形成されるように、前記フォトイメージングマスクが、回路の頭部及び尾部区域のパターンを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記フォトイメージングマスクが、中間区域のパターンを有し、並びに前記第３露光後に完全な回路イメージが前記フォトレジストに形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フォトイメージングマスクが、基準パターンを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基準が、前記フォトレジストでの色変化又は潜像形成の１つ又は両方を生じさせることにより形成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記潜像基準を検出するために、光学的認識システムが使用される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基準を形成する前記方法が、レーザー照射、パンチング、及びエッチングからなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
フォトイメージングマスクの長軸に対してある角度をなして配置される複数個の回路セグメントを含むパターンを有する前記フォトイメージングマスクを有する、物品。
【請求項１６】
前記角度が０°〜９０°である、請求項１５に記載の物品。
【請求項１７】
前記角度が２５°〜６５°である、請求項１５に記載の物品。
【請求項１８】
前記回路セグメントが、回路の頭部区域と尾部区域とを有する、請求項１５に記載の物品。
【請求項１９】
前記回路セグメントが、回路の１つ以上の中間区域を更に有する、請求項１８に記載の物品。
【請求項２０】
前記回路セグメントが、頭部区域、中間区域、及び尾部区域からなる群から選択される少なくとも１つの別個の区域を含む、請求項１５に記載の物品。
【請求項２１】
前記パターンが、組み合わされたときに単一の完全な回路を形成する、別個の頭部及び尾部区域を含む、請求項１５に記載の物品。
【請求項２２】
前記回路セグメントが、回路の１つ以上の別個の中間区域を更に含む、請求項２１に記載の物品。
【請求項２３】
前記パターンが、基準パターンを更に含む、請求項１５に記載の物品。
【請求項２４】
少なくとも１つの中間区域が、末端点を含む、請求項２３に記載の物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、米国特許仮出願（U.S. Provisional Patent Application）６０／８２１，３６６（２００６年８月３日出願）の優先権を主張する。
【０００２】
（発明の分野）
本開示は、長い全長のフレキシブル回路及びそれらの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
フレキシブル回路は、ポリエステル（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、又は液晶ポリマー（ＬＣＰ）のような可撓性ポリマーフィルム上に、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、又は金（Ａｕ）などの、少なくとも１つの金属層から典型的に構成される。高性能な用途には、第１金属層は一般に銅であり、一方、フィルム層はポリイミドである。
【０００４】
フレキシブル回路の製作は、隣接する層と密接に接触する誘電性及び導電性材料の数層の形成を伴う。これらの層の少なくとも１つは、選択的に材料をその層の中へ導入又はその層から材料を取り除くことによりパターンを有してもよい。パターンは、フォトリソグラフィプロセスによって形成されることができる。例えば、フォトレジスト材料の層は、パターンを有する予定の層の表面上に適用される。所望のパターン形態における透明及び不透明領域を有するフォトツールを使用して、紫外線にフォトレジストを選択的に露光する。ネガ型フォトレジストの場合のように、光が露光した領域でフォトレジストの部分に架橋反応させるか、又はポジ型フォトレジストの場合のように、露光した領域でポリマー構造を破壊するための反応をさせるかのいずれかである。フォトレジストの所望の部分は、適切な溶媒によって取り除くことができる。露光された下にある領域は、サブトラクティブ法の場合はエッチングで除去され、アディティブ法の場合は追加することができる。どちらの場合も、層はパターンを有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトリソグラフィプロセスは、優れた形状解像度を有するフレキシブル回路の形成、並びに高いスループットの製造プロセスを可能にする。異なるパターンが異なる層に適用される場合、フォトツールは、フォトレジスト層上に正しく配列されなければならない。このフォトリソグラフィのプロセス中に、フォトツールがフォトレジストと接触して定置されるときに、フォトツールは、クランプ又は真空によりフォトレジストに固定される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
幾つかのフレキシブル回路の用途は、フォトイメージングプロセスの寸法性能を超える回路を必要とする。フォトイメージング機器は、典型的には、最大規定開口サイズ、例えば、３０ｃｍ（１２インチ）×３０ｃｍ（１２インチ）又は４６ｃｍ（１８インチ）×６１ｃｍ（２４インチ）を有する。即ち、露光され得る最大の１次元は、これらのフォトイメージングツールに使用されるパターンマスクの大きさにより決定される。この能力を超える寸法を要求するか、回路を作製するためにフォトイメージング領域のより良好な利用を要求する設計もある。
【０００７】
本発明の１つの態様は、フォトレジスト層を有する誘電体基板を提供することと、フォトイメージングマスクを通してフォトレジストの第１部分を紫外線に露光することと、誘電体基板を前進させること、及びフォトイメージングマスクを通してフォトレジストの第２部分を紫外線に露光することと、を含む方法であって、フォトレジストの第２部分が、フォトレジストの第１部分と部分的に重なり合い、フォトイメージングマスクが、配列される回路の区域のパターンを有する方法を提供する。
【０００８】
本発明の別の態様は、フォトイメージングマスクの長軸に対してある角度をなして配置される複数個の回路セグメントを含むパターンを有するフォトイメージングマスクを有する物品を提供する。
【０００９】
本発明の１つの利点は、複数のフォトイメージングマスクを使用する必要がなく、独特な末端又は中間形状を有する長い（例えば、フォトイメージマスクのいずれかの寸法より長い）フレキシブル回路を生産できることである。これにより、こうした回路を、より低いコストで生産し、より小さく、より正確に制御された形状寸法を有する回路の製造能力が可能になる。
【００１０】
本発明の他の特徴及び利点は、以下の図面、「発明を実施するための形態」、及び実施形態から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明と共に使用するのに好適な機器。
【図２】本発明の方法を図示する実施形態。
【図３Ａ】本発明のフォトイメージングマスクの実施形態。
【図３Ｂ】本発明のフォトイメージングマスクの実施形態。
【図４】図３Ａのフォトイメージングマスクを使用する、本発明の方法の実施形態。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
フレキシブル回路の形成は、密接に接する誘電性及び導電性材料の数層の作製を伴う。誘電体フィルム中に回路トレース又はウィンドウ、ビアなどの形状を形成するために、これらの層の少なくとも１つは、選択的に、材料をその層の中に導入又はその層から材料を取り除くことにより、パターンを有することができる。パターンは、フォトリソグラフィプロセスによって形成されてもよい。所望のパターンを有するフォトツールを通して、パターンが形成される層と接触している好適な受容体材料、例えばフォトレジストに紫外線を照射することにより、所望のパターンが形成される。
【００１３】
フォトツールは、ガラス、石英、又は同様なものなどの紫外線透過系材料を有し、その紫外線透過系材料の表面上にクロム、酸化クロム、又は同様なものなど、パターンを有する紫外線不透過材料と共に含む。紫外線受容体材料は、典型的にはフォトレジストである。例えば、フォトレジスト材料の層は、パターンを有する予定のフレキシブル回路層の表面上に適用される。フォトツールを通過する紫外線は、フォトレジストにより吸収される。光は、ネガ型フォトレジストの場合のようにフォトレジストの露光した部分に架橋反応を受けさせるか、又はポジ型フォトレジストに関する場合のように露光した領域中でポリマー構造を破壊する解重合反応を生じさせるかのいずれかである。その後、フォトレジストの所望の部分は、適切な溶媒によって取り除くことができる。フレキシブル回路は次に、米国特許第５，２２７，００８号、第６，１７７，３５７号、又は第６，４０３，２１１号に記載されるような従来の方法によって処理することができる。例えば、露光した基礎をなす領域は、サブトラクティブ法若しくは誘電体のパターニングの場合はエッチングで除去してもよく、又はアディティブ法の場合は材料を追加してもよい。
【００１４】
フレキシブル回路は、典型的には金属スパッタリング、レジストラミネーティング、レジスト露光、レジスト現像、エッチング、及びメッキのような様々な工程を含む、アディティブ若しくはサブトラクティブ法、又は２つの組み合わせを使用して製造される。こうした工程の順序は、作製される特殊な回路に所望されるように変更されてもよい。
【００１５】
好適なサブトラクティブ法では、誘電体基板が最初に準備される。誘電体基板は、例えば、約１０μｍ〜約６００μｍの厚さを有するポリエステル、ポリイミド、液晶ポリマー、ポリ塩化ビニル、アクリレート、ポリカーボネート、又はポリオレフィンから作製されたポリマーフィルムであってもよい。誘電体基板は、基板の１つの又は両方の側面上に配置された、クロム、ニッケル−クロム、又は他の導電性金属の任意の結合層を有し、その後に第１導電性層（例えば、銅、（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラチナ（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、及びこれらの合金）が配置される。任意に、配置された導電性金属層は、既知の電解メッキ又は無電解メッキプロセスにより所望の厚さまで更にメッキされることができる。あるいは、接着剤を用いて金属ホイルを基板に接着することにより、好適なラミネートが形成されることもできる。導電性金属層は、フォトツールを用いる紫外線露光、及びＬＤＩ（レーザー直接描画）又は他の直接描画法のような様々なフォトリソグラフィ法を含む多数の周知の方法によりパターンを有することができる。
【００１６】
次に、ネガ型又はポジ型の、水性又は溶媒処理可能なフォトレジストは、この基板の少なくとも１つの面上に、標準的なラミネーティング又はコーティング技術を使用して、ラミネート又はコーティングされる。フォトレジストは次に、少なくとも１つの面がマスク又はフォトツールを通して紫外線又は同様なものに露光される。ネガ型フォトレジストに関しては、露光された部分が架橋され、フォトレジストの露光されていない部分は次に適切な溶媒を用いて現像される。
【００１７】
次に、金属及び結合層の露光された部分が、適切なエッチャントを使用してエッチングされる。所望であれば、フォトレジストのパターンを適用、架橋、及び現像し、次に架橋されたレジストによって被覆されていない誘電体基板の部分をエッチングすることで、誘電体フィルムをエッチングし基板中に形状を形成してもよい。これは、もとの薄い導電性金属層の特定領域を露光するか、又はきれいな貫通孔を形成する。レジストはその後、回路から剥離される。
【００１８】
カバーコートが所望される場合、プロセスの次の工程はカバーコートを回路の少なくとも１つの面上に配置することを伴う。カバーコートは片方又は両方の表面に、標準的なコーティング又はラミネーティング技術を用いて、単一工程又は２つの別の工程のいずれかにおいて適用できる。選択的なメッキ領域の形成、回路の封止、又は開口部若しくはエッジ境界を作製することで露光される領域を画定するのにカバーコートを使用できる。
【００１９】
回路部分を形成する別の可能な方法は、セミアディティブメッキ及び次の典型的な工程順序を利用することになる。
【００２０】
誘電体基板は結合層によりコーティングされてもよい。薄い最初の導電性層が配置される。配置の方法、材料、及び誘電体基板、並びに導電性金属層の厚さは、前述の通りであってもよい。
【００２１】
その後、フォトリソグラフィを使用して導電性金属層にパターンを有する場合、フォトレジストは水性系又は溶媒系であってもよく、並びにネガ型フォトレジスト又はポジ型フォトレジストであってもよく、金属コーティングされた誘電体基板の少なくとも１つの面上に、前述の通り標準的なラミネーティング技術を使用して、適用、露光、及び現像される。導電性金属層の露光された部分は、次に、所望の回路の厚さに達成するまで、標準的な電解メッキ又は無電解メッキ法を使用して更にメッキされてもよい。
【００２２】
レジストの架橋した露光された部分は次にラミネートの両側を剥離される。その後、好適なエッチャントにより配置されていたもとの薄い最初の導電性及び結合層はエッチングされる。所望であれば、回路は次に前述の通り更に処理されることができる。
【００２３】
回路部分を形成する別の可能な方法は、サブトラクティブ−アディティブ方法と呼ばれるサブトラクティブ及びアディティブメッキの組み合わせ、並びに次の典型的な工程順序を利用することになる。
【００２４】
誘電体基板は、任意の結合層によりコーティングされてもよい。薄い最初の導電性層が次に配置される。配置の方法、材料、並びに誘電体基板及び導電性金属層の厚さは、前段落において記載された通りであってもよい。
【００２５】
その後、導電性金属層にパターンを有するのにフォトリソグラフィが使用される場合、水性又は溶媒処理可能なフォトレジストは、ネガ型又はポジ型であってもよいが、金属コーティングされた誘電体基板の少なくとも１つの面上に前述の通り、標準的なラミネーティング技術を使用して、適用、露光、及び現像される。フォトレジストが金属層の所望のパターンのポジ型パターンを形成するとき、金属及び結合層の露光された部分は、好適なエッチャントを使用してエッチングされる。レジストの露光した（架橋された）部分は次にラミネートの両面を剥離される。所望であれば、回路は次に前述のように更に処理されることができる。
【００２６】
フレキシブル回路を作製するロールツーロールプロセスでは、基板（基板はプロセスの様々な時点で、金属層、フォトレジスト層、及び他の任意の層を有する）が、特別の機能を実施する装置を経て進むにつれ、上記の工程の幾つか又は全てが連続的に実施される。フォトイメージ化可能なフォトレジストを露光して所望の回路パターンを形成する工程に関して、基板はステップで前進し、図１に示されるようなフォトイメージング機器を通って方式を繰り返す。
【００２７】
図１は、本発明の方法を実行するために使用されてもよい装置の構造を示す。基板ウェブ１０２がローラー１０４の上に設置される。ローラー１０４は基板ウェブ１０２の表面の異なる領域が露光されるように、基板ウェブ１０２を巻き上げ、巻き戻す。基板ウェブ１０２は少なくとも誘電体層、金属層、及びフォトレジスト層を有する。
【００２８】
光源１０６は紫外線１０８を生成する。マスク１１２は、作製される回路パターンのネガ型又はポジ型像を有する固定寸法の、典型的にはクロムコーティングガラス又はアートワークフィルムである。マスク１１２は、紫外線１０８の幾らかを反射又は吸収し、紫外線１０８の幾らかを基板ウェブ１０２のフォトレジスト層上に反射させる。
【００２９】
マスク１１２により基板ウェブ１０２に向けられている紫外線１０８の部分に、基板ウェブ１０２の部分が露光されるように、基板ウェブ１０２が配置される。マスク１１２を通して、基板ウェブ１０２に向けられているパターンを有する紫外線１０８に、基板ウェブ１０２の異なる部分が露光されるように、ローラー１０４は基板ウェブ基板１０２を巻き上げ、巻き戻す。したがって、マスク１１２に含まれる回路パターンは、基板ウェブ１０２の露光したフォトレジストに作製される。この露光が行われた後、フォトレジスト幅広のウェブ１０２の隣接領域がパターンを有するように、幅広のウェブ１０２は前進する。マスク１１２のパターンの寸法より長い連続回路を作製するために、幅広のウェブ１０２の隣接区域中で露光されるフォトレジストの部分が部分的に重なり合わされ、連続パターンを形成する。回路パターンに加えて、マスク１１２は基準マークパターンを有してもよい。基準マークパターンは、回路パターン領域の外側である基板ウェブ１１２上のフォトレジストの部分が、紫外線１０８に露光できるようにする。
【００３０】
紫外線は、ほとんどのドライフィルムフォトレジスト中に色変化又は潜像の形状を生じさせる。光に露光したとき、これらのフォトレジスト中の染料は変色し、典型的には暗くなる。この色変化は次に光学的認識及び位置合わせ機構によって検出されることができ、これは、日本の東レエンジニアリング（Toray Engineering）から取引表記ＴＥ３８００−０３のもとに入手可能なもののような、幾つかのフォトイメージング機器の中に存在する。あるいは、色変化又は潜像を検出できないフォトイメージング機器については、基板ウェブ１０２はフォトイメージングプロセスの前に、レーザー照射され、パンチされ、又はエッチングされる基準を刻まれることができる。しかしながら、この手法は、その前のフォトイメージング露光からの潜像基準が使用される光学的位置合わせ法よりも正確でない場合がある。
【００３１】
それ故に、基板ウェブ１０２がその次の位置に前進し、基板ウェブ１０２上のフォトレジストの隣接区域がパターンを有する予定のとき、センサー１２０はフォトレジスト中の基準マークを感知し、基板ウェブ１０２を紫外線１０８に対して配列して、連続した回路パターンを形成する。好ましくは、基準の使用は、配線の直線エッジを不連続にし得る望ましくないオフセット又は、ずれを排除する。
【００３２】
本発明の１つの態様では、図２に示されるように、下方ウェブ方向に対してある角度で長い回路設計を配置することによって、回路の区域２０４を部分的に重ね合わせ、数個の隣接した区域から構成される長い回路を作製することができる。図２は、フォトイメージングステーションを通過するときの基板ウェブ２０２を図解する。図２のセグメントＡは、フォトイメージングマスク２１２を通して紫外線に露光される基板ウェブ２０２の次の区域である。セグメントＢは、フォトイメージングマスク２１２により被覆され、マスク２１２を通して紫外線に現在露光されている。基板ウェブ２０２のセグメントＣ、Ｄ、及びＥの上のフォトレジストは、既にフォトイメージ化されている。得られた回路の長さは、回路パターンの角度α（その例は図４において確認される）に依存する。角度は０°〜９０°の角度であってもよい。大概の用途において、最も好適な角度は約２５°〜約６５°となる。回路パターン２１６は、別個の頭部及び尾部末端を有する単一の完全な回路パターンを表す。図２の完全な回路パターンは、２０４の４つの区域に渡る。例えば頭部及び尾部末端、頭部末端及び中間形状のみ、又は尾部末端のみなど、１つ又は２つの別個の区域のみを有する回路パターンは、所望するだけの数の区域２０４にかかることができ、そのため所望するだけの長さとすることができる。中間形状は、回路の長さに沿った点で末端接続を含んでもよい。回路の長さ及び幅はまた、露光のセグメント数、並びに回路を受け入れることができる角度の範囲に影響する。図は、平行に配置された線形回路区域を図解するが、回路区域は直線である必要はなく、区域は平行に配置される必要はない。例えば、１つ以上の回路区域が、湾曲又は角のある区域を含有する可能性があり、回路区域は、所望の回路が形成されるいずれかの方式で配置されてもよい。
【００３３】
回路が区域によって異なる形状を有する場合には、適切なパターンが基板ウェブ上のフォトレジストの特別の区域中に形成されるように、マスクは変えることができる。これは、例えば長い回路が別個の末端及び／又は中間形状を有するときには、必要となる場合がある。
【００３４】
マスクの変更は生産を遅らせるため、末端及び／又は中間形状を有する長い回路を作製するのに使用され得る単一のマスクを有することは望ましいことになる。本発明の一態様によると、単一マスクを使用して、１つ又は両方の末端部に末端の形状を有する、開口サイズより長い回路を提供することができる。
【００３５】
図３Ａは、マルチステップで露光された回路を作製するのに好適なフォトイメージングマスク１１２の形状の幾つかを図示する。図３Ａは、露光時に暗くなるネガ型フォトレジストにパターンを有するために使用できるフォトイメージングマスク１１２を図解する。セミアディティブにメッキされ、その後エッチングされて、もとの金属化表面の露光した部分を取り除くことになる、金属化基板上のフォトレジストにパターンを有するために、パターンマスクは好適である。図３Ａでは、暗い形状はマスクのクロムで被覆された部分を表す。マスク１１２上の暗い形状の下のフォトレジストの領域は、紫外線１０８に露光されず、その後現像されて、これらの現像された領域の下の金属化基板の部分を露光することになる。
【００３６】
示されているように回路パターンは、頭部末端３０５を有する頭部区域３０４、中間区域３０６、及び尾部末端３０９を有する尾部区域３０８の３つの構成要素を有する。基板ウェブが露光基準３１０と配列基準３１２との間の距離に進められるとき、これらの区域は部分的に重なり合うか又は接続する。露光基準３１０は、クロムに被覆された領域３１０”によって囲まれた透明な（即ち、クロムのない）領域３１０’である。配列基準３１２は、クロムに被覆された領域３１２”によって囲まれたクロムのない領域３１２’である。露光基準３１０は、配列基準３２０より、寸法が小さい。露光が行われると、紫外線は露光基準３１０のフォトレジストを暗くして潜像３１１を形成する。基板ウェブが前進し、フォトイメージ化される次の区域が光源１０６及びマスク１１２の真下に設置されたとき、潜像３１１は、配列基準３１２を通してそれが光学的に認識され得るように、マスク１１２中の配列基準３１２内に配列する。マスク１１２中の配列基準３１２を形成する透明な領域は、マスク１１２中の露光基準３１２を形成する透明な領域より大きく、これ以前のフォトイメージング露光により形成された潜像３１１の映像獲得を確実にする。ステップ長３１４は、各フォトイメージング段階の間に基板ウェブが前進する距離である。矢印Ａは基板ウェブが前進する方向を示す。
【００３７】
図３Ｂは、光への露光時に暗くなるネガ型フォトレジストにパターンを有するために使用されてもよいフォトイメージングマスク１１２の代替的な実施形態を例示する。サブトラクティブにエッチングされることになる、金属化基板上のフォトレジストにパターンを有するために、パターンマスクは好適である。図３Ｂでは、暗い形状は、マスクのクロムで被覆された部分を表す。マスク１１２上の暗い形状の下のフォトレジストの領域は、紫外線１０８に露光されず、その後現像されてこれらの現像された領域の下の金属化基板の部分を露光することになる。露光基準３１０及び配列基準３１２は、クロムのない領域３１０’及び３１２’をそれぞれ有するが、マスク１１２の隣接領域は既にクロムで被覆されているために、クロムで被覆された領域は必要ない。
潜像３１１を形成する代替として、光学的に認識され得る他の形状を使用して、基板ウェブをマスク１１２の下に配列してもよい。好適なパターンには、例えば、フォトイメージングプロセスの前に、ウェブ中のパターンのレーザー照射、パンチング、又はエッチングにより、予備形成されたパターンが挙げられる。
【００３８】
回路は２つ以上の区域からなり得ると理解されたい。また、図は露光ごとに生成される３つの回路区域のみ（頭部、中間、及び尾部区域）を示しているが、マスクは多くのこうした回路区域（例えば、同数の頭部、中間、及び尾部区域）を含有し得る。回路は直線である（図示のように）必要はない。
【００３９】
図３Ａに示されるようにある角度で長い回路の設計を配置することによって、図４に示されるように、回路の区域を部分的に重ね合わせ、３つの別個のセグメントから構成される長い回路を作製することができる。図４は、同じフォトイメージングマスクを通して紫外線に露光されたウェブ４０２の３つの区域を示す。フォトイメージングが、３つの部分的に重なり合う区域４０４に対してなされた。マスクは隣接する回路の異なるセグメントを作製するようにパターンを有しているため、各回路は、別個の上部、中間、及び末端部の形状を有するように作製されることができる。
【００４０】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱せずに、本発明の様々な修正及び変更が当業者には明らかとなり、並びに本発明は本明細書に記載された実例となる実施形態に不当に限定されるものではないことを理解されたい。
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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