(57)【要約】接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する制御回路であって、周辺機器回路は、周辺機器回路と端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するバスラインと、バスライン上で前記端末装置回路から電力を受け取り、電力を制御回路に供給するように配される蓄電装置と、を備え、制御回路は、ハイの電圧レベルで表される第1のデータ値を伝送する端末装置回路に応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続するように動作可能であり、また、蓄電装置がバス上で放電することを防止するために、ローの電圧レベルで表される第2のデータ値を伝送する端末装置回路に応じて蓄電装置をバスラインから切断するように動作可能である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する制御回路であって、前記周辺機器回路は、
前記周辺機器回路と端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するバスラインと、
前記バスライン上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するように配される蓄電装置と、
を備え、
前記制御回路は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、前記蓄電装置を前記バスラインに接続するように動作可能であり、また、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断するように動作可能である、
制御回路。
【請求項２】
前記ローの電圧レベルで表される前記データ値を前記周辺機器回路が伝送することに応じて、前記バスラインから前記蓄電装置を切断するように動作可能である、請求項１に記載の制御回路。
【請求項３】
前記蓄電装置およびバスラインの接続および切断をもたらすスイッチを備える、請求項１または２に記載の制御回路。
【請求項４】
前記スイッチは、ｐチャネルエンハンスメントモード型金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタである、請求項３に記載の制御回路。
【請求項５】
請求項からのいずれかに記載の前記制御回路を備える特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit；ASIC）。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の前記制御回路を備える周辺機器回路。
【請求項７】
請求項６に記載の端末装置回路および前記周辺機器回路を少なくとも備えるシステム。
【請求項８】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する周辺機器回路であって、
前記周辺機器回路と前記端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するバスラインと、
制御回路と、
前記バスライン上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するように配される蓄電装置と、
を備え、
前記制御回路は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、前記蓄電装置を前記バスラインに接続するように動作可能であり、また、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記バスラインから切断するように動作可能である、
周辺機器回路。
【請求項９】
請求項１から４のいずれかに記載の前記制御回路を備える周辺機器。
【請求項１０】
請求項８に記載の前記周辺機器回路を備える周辺機器。
【請求項１１】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを制御するための手段であって、前記周辺機器回路は、
前記周辺機器回路と前記端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するための手段と、
前記データおよび電力を伝達するための手段上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するための手段と、
を備え、
制御するための前記手段は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、電力の受け取り及び供給ための前記手段を、データおよび電力を伝達するための前記手段に接続するように動作可能であり、また、電力の受け取り及び供給ための前記手段がデータおよび電力を伝達するための前記手段上で放電することを防止するために、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、データおよび電力を伝達するための前記手段を、前記データおよび電力を伝達するための前記手段から切断するように動作可能である、手段。
【請求項１２】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法であって、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続することと、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記ローの電圧レベルで表される前記データ値を前記周辺機器回路が伝送することに応じて、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法であって、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続することと、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供するために、コンピュータにより実行可能な構成要素を有するコンピュータ可読媒体であって、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続するための構成要素と、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記バスラインから前記蓄電装置を切断するための構成要素と、
を備える、コンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
プログラムがプロセッサ上で実行される場合に、請求項１２から１３のいずれかに記載の前記工程のいずれかを実行するように構成されるプログラムコード手段を備えるコンピュータプログラム。
【請求項１７】
コンピュータ可読媒体が保存するプログラムコード手段を備えるコンピュータプログラムであって、前記プログラムコード手段は、前記プログラムがプロセッサ上で実行される場合に、請求項１２から１３のいずれかに記載の前記工程のいずれかを実行するように構成される、コンピュータプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供するための制御回路に関する。
【背景】
【０００２】
多数のアクセサリまたは周辺機器が携帯電話機などの電子装置に接続可能である。周辺機器またはアクセサリが接続される装置は端末と呼ばれる。種々の端末に接続可能であるアクセサリの一例として、ヘッドセットが挙げられる。端末とアクセサリとの間のインターフェースは、有線コネクタまたは無線接続を使用して実装可能である。単一の有線接続において、音声およびデータ信号を伝達する必要があり、また、端末は、アクセサリに電力を供給してもよい。
【０００３】
図1は、例えば携帯電話機に接続可能であるヘッドフォン10を示す。ヘッドフォン10は、左側スピーカ11と、右側スピーカ12と、プラグ13とを備える。図2は、図1のヘッドフォン10のプラグ13をより詳細に示す。プラグ13の本体は、スリーブ21と、リング22と、終端部23とを備え、その各々が端末の差込み口に接触点を提供する。これらのプラグの接触は、極と呼ばれることが多い。この場合、先端部23は、左側スピーカ11に接続される。リング22は、右側スピーカ12に接続され、プラグのスリーブ21は、接地接続の役割を果たす。
【０００４】
標準型の音声／映像（A/V）プラグおよび差込み口は、音声および電気通信用コンシューマ製品にしばしばに使用される。A/Vプラグはほとんどの人によく知られており、一般的なA/Vは、終端が先端部分である電気的に絶縁された円筒部分を備える。
【０００５】
図3はヘッドセット30を示す。このヘッドセット30には、左側および右側スピーカならびにプラグの他に、マイク31が含まれる。従って、このヘッドセットのプラグ部は、1つのスリーブ、2つのリング、および先端部という4つの接触点を含むことができる。マイク用に追加のリングが使用される。あるいは、3つの接触点を有するプラグが使用可能であるが、この場合、同じ信号が左側および右側スピーカにもたらされる。
【０００６】
また、いくつかの制御信号が端末とヘッドセットの間で伝達される、より高性能のヘッドセット−端末構成が存在する。
【０００７】
これらの制御信号は、例えば、音量調節信号、電話を制御する信号（受話器の上げ下げ）、または音楽プレーヤの動作を制御する信号であることが可能である。
【０００８】
図4は、このような高性能型ヘッドセット-端末構成のブロック図を示す。システムは、端末401と、アクセサリ402と、それらの間の一線式バス403とを含む。以下の説明において、バスは、端末401と、アクセサリ402の特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit; ASIC）413との間のコネクタである。従来の解決策におけるシステムは、端末401側が、レジスタRbias411（通常2.2kオーム）を介して一線式バスに接続される2から2.5Vバイアス電源Vbias410を含むように機能する。アクセサリ402側では、コンデンサマイクなどのマイク412がバス403に接続される。レジスタRbias411は、変調マイク電流を、端末401の音声段階でさらに増幅された交流電流（AC）電圧に変換する。アクセサリ402側において、マイク412の動作を制御するためにMicCtrl419を使用する。
【０００９】
アクセサリの制御ならびに端末401への任意のユーザ相互作用の信号伝達のために、低電力ASIC413もバス403に接続される。また、このASICも、Rbias411をワーキングレジスタとして使用して、端末401側およびアクセサリ402側の「オープンドレイン」型出力を使用してデジタル信号伝達を行なう。「オープンドレイン」出力は、引き下げ（0ビット）がASICのFETによって実行されるが、引き上げ（1ビット）が外部レジスタによって実行される出力信号である。DataComピン414は、アクセサリ402側の入力／出力（I/O）としての役割を果たす。
【００１０】
また、ASIC413は、バス403を介してその供給電圧を受け取らなければならない。アクセサリASIC413のVDD415を、バス403に直接接続すると、その供給コンデンサ416は、通常、非常に大きい容量（例えば、47μF）を有し、可聴周波数において低インビーダンスを有するため、音声およびデータ信号に対して短絡する。このため、端末401をVDD415から分離するのにレジスタRserial417が必要である。Rserial417の抵抗が大き過ぎると、低過ぎるVDD供給電圧がもたらされるため、Rserial417の値は大き過ぎてはならない。現在の技術では、VDDは少なくとも1から1.5Vである必要がある。デジタル信号のやりとりがバス上で行われるとき、ローの論理データ（0ビット）は、ノード420からGNDの、0Vに近い電圧を意味する。ローの論理パルス（0ビット）中にダイオード418を使用しなければ、供給コンデンサ416は、Rserialを介して急速に放電されうる。これを防止するために、ダイオード418をVDD415とRserial417との間に使用して、ASIC413の供給コンデンサ416から逆流するいかなる電流も回避するようにする。Rserial417およびダイオード418の位置は交換してもよいが、これにより、ダイオード418をASIC413と一体化することが問題になりうる。
【００１１】
残念ながら、ダイオード418の非線形特性は、バス403上の音声信号に対して整流効果を有する。Rserialが合理的な値（800オームから2kオーム）にある状態で、音声信号において容認できない歪みをもたらす可能性がある。
【００１２】
ダイオード418のインピーダンス変動も問題である。ダイオード418のインピーダンスは、合理的なRserialと同じ範囲内（500オーム）にあり、温度や動作状態（アクティビティ）で変動するASIC413の供給電流に応じて変動する。また、ダイオード418のインピーダンスは構成要素毎に変化する。ダイオード418およびRserial417は、Rbias411に並列なインピーダンスを形成する。上述の変動する並列インピーダンスによって決定される要因を使用して、マイク412のAC電流は、端末401の入力においてマイク412の電圧に変換される。これにより不要な音声レベル変動がもたらされる。
【摘要】
【００１３】
本発明の第1の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する制御回路が提供され、前記周辺機器回路は、
前記周辺機器回路と前記端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するバスラインと、
前記バスライン上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するように配される蓄電装置と、
を備え、
前記制御回路は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、前記蓄電装置を前記バスラインに接続するように動作可能であり、また、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断するように動作可能である。
【００１４】
このようにして、データ（音声信号を含む）および電力を、前記インターフェースを介して前記周辺機器に伝達することが可能になり、前記周辺機器の音声性能が大幅に改善される。前記制御回路の製造は安価となり、スペース消費は非常に小さくなる。価格およびサイズの点から見ると、前記制御回路はダイオードの解決策に匹敵する。前記制御回路は、ASICに容易に一体化可能である。
【００１５】
前記制御回路は、前記ローの電圧レベルで表される前記データ値を前記周辺機器回路が伝送することに応じて、前記バスラインから前記蓄電装置を切断するように動作可能であってもよい。
【００１６】
前記制御回路は、前記蓄電装置およびバスラインの接続および切断をもたらすスイッチを含んでもよい。
【００１７】
前記スイッチは、pチャネルエンハンスメントモード型金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタであってもよい。
【００１８】
本発明の第2の側面によると、前記第1の側面の前記制御回路を備える特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit; ASIC）が提供される。
【００１９】
本発明の第3の側面によると、前記第1の側面の前記制御回路を備える周辺機器回路が提供される。
【００２０】
本発明の第4の側面によると、前記第3の側面の端末装置回路および前記周辺機器回路を少なくとも備えるシステムが提供される。
【００２１】
本発明の第5の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する周辺機器回路が提供され、前記周辺機器回路は、
前記周辺機器回路と前記端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するバスラインと、
制御回路と、
前記バスライン上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するように配される蓄電装置と、
を備え、
前記制御回路は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、前記蓄電装置を前記バスラインに接続するように動作可能であり、また、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断するように動作可能である。
【００２２】
本発明の第6の側面によると、前記第1の側面の前記制御回路を備える周辺機器が提供される。
【００２３】
本発明の第7の側面によると、前記第5の側面の前記周辺機器回路を備える周辺機器が提供される。
【００２４】
本発明の第8の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを制御するための手段が提供され、前記周辺機器回路は、
前記周辺機器回路と前記端末装置回路との間のデータおよび電力を伝達するための手段と、
前記データおよび電力を伝達するための手段上で、前記端末装置回路から電力を受け取り、前記電力を前記制御回路に供給するための手段と、
を備え、
制御するための前記手段は、ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、電力の受け取り及び供給ための前記手段を、データおよび電力を伝達するための前記手段に接続するように動作可能であり、また、電力の受け取り及び供給ための前記手段がデータおよび電力を伝達するための前記手段上で放電することを防止するために、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、データおよび電力を伝達するための前記手段を、前記データおよび電力を伝達するための前記手段から切断するように動作可能である。
【００２５】
本発明の第9の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法が提供され、前記方法は、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続することと、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することと、
を含む。
【００２６】
前記方法は、前記ローの電圧レベルで表される前記データ値を前記周辺機器回路が伝送することに応じて、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することを含んでもよい。
【００２７】
本発明の第10の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法が提供され、前記方法は、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続することと、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記蓄電装置を前記バスラインから切断することと、
を含む。
【００２８】
本発明の第11の側面によると、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供するために、コンピュータにより実行可能な構成要素を有するコンピュータ可読媒体を提供し、
ハイの電圧レベルで表される第１のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続するための構成要素と、ローの電圧レベルで表される第２のデータ値を前記端末装置回路が送信することに応じて、前記蓄電装置が前記バス上で放電することを防止するために、前記バスラインから前記蓄電装置を切断するための構成要素と、を備える。
【００２９】
本発明の第12の側面によると、コンピュータプログラムが提供され、前記プログラムがプロセッサ上で実行される場合に、前記第9の側面の方法の前記工程のいずれかを実行するように構成されるプログラムコード手段を備える。
【００３０】
本発明の第13の側面によると、コンピュータ可読媒体が保存するプログラムコード手段を備えるコンピュータプログラムが提供され、前記プログラムコード手段は、前記プログラムがプロセッサ上で実行される場合に、前記第9の側面の前記工程のいずれかを実行するように構成される。
【００３１】
いかなる回路も、1つ以上のプロセッサ、メモリ、およびバスラインを含むことができる。記載の前記回路のうちの1つ以上は、回路要素を共有してもよい。
【００３２】
本発明は、組み合わせまたは個別に関して具体的に説明されているか（又は請求項に記載されているか）否かに関わらず、１つ以上の側面、実施形態、または特徴を個別にまたは種々に組み合わせたものを含む。上記開示は、単に例示的なものであって、限定するものではないことが意図される。
【詳細な説明】
【００３３】
本発明の上記の及びその他の特徴の典型例は、以下の詳細な説明を添付の図面と共に検討することにより明らかになるだろう。
【００３４】
図5および6は、ダイオード418がスイッチと置換されていること、ならびアクセサリ側413に新しいピン（スイッチを制御するためのVDDCtrl519）が設けられていること以外は、図4と同一である。本明細書において同じブロックについて説明する場合は、同様の数表示が使用される。端末401とアクセサリ402のASIC413との間のインターフェースは、本明細書においてバスと呼ばれる。このバスは、例えば、端末401とアクセサリ402のASIC413との間のワイヤまたはコネクタであってもよい。
【００３５】
図5において、図4のダイオード418は、スイッチ518（この場合、アナログスイッチ）と置換されている。スイッチ518は、アクセサリ側のVDDCtrl519によって制御可能である。スイッチは、開放（高抵抗性）または閉鎖（微抵抗性）のいずれかであってもよい。スイッチ518の一端（ノード520）は、Rserial417に接続され、他方端（ノード521）は、アクセサリ402のASIC413のVDD415に接続される。Rsenal417に接続される一端（ノード520）は、スイッチ518が閉鎖しているため、主に（端末401またはアクセサリ402がバス上でローのロジック（0ビット）をもたらす場合以外は常時）、VDD415に接続される一端（ノード521）と実質的に同じ電圧である。本明細書において電圧について言及する際、他に明記しない限り、接地するように測定される。スイッチ518は、アクセサリのASIC413に制御される低インピーダンススイッチである。Rbias411によってバス403にハイのロジックがもたらされると、スイッチ518は、ASIC413に電力を供給するために閉鎖される。ハイのロジックは、バス403上における初期値である。
【００３６】
スイッチ518は、主に（ローのロジックがバス403上にもたらされる場合以外は常時）、閉鎖され（低抵抗）、Rserial417を介してASIC413への電力供給が可能になる。スイッチ518の抵抗は、数オームの範囲内であり、それによりもたらされる電圧降下は極めて低いため、図4のダイオード418の0.2Vから0.5Vへの必然的な順電圧降下は、Rserial417によって消費可能である。ゆえに、Rserial417の抵抗値は、従来の解決策では高くなる場合がある。現在では、Rserial417は、2kから4kオームの範囲内であることが可能である（図4に関連して説明される現在の解決策において、Rserial417が、1kオームよりもさらに高くなること不可能である）。この手段において、Rserial417は、スイッチ518の抵抗ならびにスイッチ518の抵抗に生じうるいかなる非線形性に対しても支配的である。マイクの電流は、Rbias411およびRserial417の並列抵抗によってAC電圧に変換される。ここで、Rserial417が高いと、より有用なAC電圧が端末401入力において利用可能になる。また、Rserial417のスイッチ518抵抗に対する支配性は、スイッチ518の抵抗による、端末401におけるAC入力電圧の温度変動のいかなる影響も最小限に抑える。
【００３７】
ASIC413は、スイッチ518に制御を提供し、ローのロジックがバス403上にもたらされると供給コンデンサ416がRserial417を介して放電するため、端末401またはアクセサリ402によってバス403上にローのロジック（0ビット）がもたらされると、スイッチが常時開放するようにする（高抵抗性）。結果的に、ASIC413の供給コンデンサ416は、電流が端末401側に逆流する際に、バスから切断される。ASIC413は、情報が端末401に信号伝達されるため、いつバスにローのロジックがもたらされるかを把握する。さらに、ASIC413は、双方向DataComピン414を介してバス403を監視可能であり、また、端末401がローのロジックをアクセサリ402に送信中に、VDDCtrlピンを使用してスイッチ518を開放することができる。バス403上に論理がもたらされる度に、スイッチ518は、即座に閉鎖され、供給コンデンサ416が充電できるようにすべきである。
【００３８】
図6において、pチャネルエンハンスメントモード型金属酸化膜半導体型電界効果トランジスタ（P-MOSFET）619は、スイッチと同じように動作する。図6で示されるように、トランジスタ619のゲートはVDDCtrl519に接続され、ソースはASIC413のVDD415に接続され、ドレインはRserial417に接続される。ここで、トランジスタ619は、VDDCtrl519に制御され、トランジスタ619は、そのデータシートに記載のとおりに動作する（トランジスタをドレインからソースまで伝導性にするために、ゲート電圧はソース対して負である）。
【００３９】
VDDCtrl519におけるハイのロジック電圧レベル（VDDに近値）は、0Vに近値のゲート-ソース電圧Vgsをもたらし、この電圧は、ドレインとソースの間において極めて高いインビーダンスにトランジスタ619を設定する（スイッチ開放）。VDDCtrl519におけるローのロジックレベル（GNDに近値）は、ソース電圧に対して負のゲート電圧で、ゲート-ソースに約VDDの電圧を加える。1Vは低電力ASICにとって最小動作電圧であるため、供給電圧VDDつまり|Ves|は、1Vよりも大きい。
【００４０】
トランジスタ619は、0.4Vから0.8Vの低閾値電圧を有し、また、オン抵抗を有する。ゲート電圧が、ソース（ここでは、VDDノード）に対して、閾値よりもさらに負である場合、ドレイン-ソースチャネルは、数オームの範囲内で微抵抗性になる（スイッチ閉鎖、つまりトランジスタは伝導性）。
【００４１】
通常、P-MOSFETトランジスタをその他の用途に適用する場合、ドレイン電圧は、ソースに対して負であり（Vds）、ゲートがMOSFETを伝導性にするように制御する場合、電流はソースからドレインに流れている。しかしながら、ドレイン電圧は、ソースに対して主に正であり（Vds）、これは、通常、P-MOSFETのデータシートに明記されない。Vdsは、ローのロジックがバス403上にもたらされる場合のみ負である。P-MOSFET619が依然として低抵抗性になるように制御されると、電流がソースからドレインに流れ、供給コンデンサ416を放電する。しかしながら、ローのロジックがもたらされると、MOSFET619は、高抵抗性になるようにASIC413に制御される必要がある。
【００４２】
図7は、トランジスタ業者が通常発行するような、一般的なpチャネルMOSFETの出力特性を示す。横軸に負のドレイン-ソース電圧Vdsを置き、縦軸に負のドレイン電流、IDを置く。図における各曲線は、異なる負のVgs値における出力特性を示す。図7は、グラフの第1の象限のみを示している（その他3つの象限は本図面に存在しない）。
【００４３】
図8は、IDとVdsのグラフの全4つの象限を示す。トランジスタ619は、主に（スイッチ閉鎖時）、図7には存在しない正のID（例えば、+50μA）およびVds（例えば、+10mV）の原点に近くで、IDとVdsの本グラフの左下隅（第3象限）において動作する。これは、ASIC413がゲートを制御してスイッチが閉鎖されるようにする場合（つまり、トランジスタが低抵抗性である）場合である。Vgsは約-1.8Vである。
【００４４】
Vgsが-2Vに相当する場合、図8に示されるように、Vgs=-2Vに対応する曲線は、原点に近い動作点においてほぼ直線である。これは、レジスタスイッチに関する本解決策が、図4のダイオードに関する解決策に比べ、音声歪みが非常に低減される、さらなる根拠である。
【００４５】
トランジスタ619は、ローのロジックがバス403上にもたらされるため、スイッチ開放時（トランジスタは高抵抗性）に、図8のグラフの第1象限（右上）において短時間だけ動作する。例示的な値は、例えば、バス電圧〜0V、VDD〜1.8V、Vds〜-1.8V、Vgs〜0V、およびID〜1nAである。図8において、この動作点はVds軸上の1.8Vにある。
【００４６】
Pチャネル型MOSFETトランジスタは、図6に示されるような寄生ダイオード620を有する。FETデータシートに基づく通常用途において、それは逆バイアスされるため（陰極が陽極に対して正である）、伝導性を有しない。しかしながら、VDD415が初期的に0Vである場合、寄生ダイオード620は、アクセサリ402の起動段階において有用である。寄生ダイオード620がなければ、ASIC413は、トランジスタ619を伝導性にするためのいかなる電圧もゲートに加えることができなくなる。結果的に、VDD415は立ち上がることができず、またドレインからソースへ電流が流れなくなる（デッドロック）。しかしながら、寄生ダイオード620は、供給コンデンサ416に電流を伝導および供給し、アクセサリ413のVDD415は増加する。トランジスタ619の閾値よりも少しでも大きくなると、即座に、電流は、寄生ダイオードを介して流れなくなるが、トランジスタ619は、伝導性になり、最終的に抵抗は数オームになる。寄生ダイオード620は、伝導トランジスタによって短絡されるため、例えば、音声信号にとって可視的ではない。
【００４７】
チャネル型MOSFET619を使用する代わりに、双極性トランジスタを適用してもよい。しかしながら、双極性トランジスタは、寄生ダイオードを提供しないため、寄生ダイオード620の代用として追加の部品を使用してもよい。
【００４８】
スイッチ518、619は、バス403に接続されてもよい。
【００４９】
スイッチ518、619は、アクセサリ402内に物理的に配置可能である。
【００５０】
システムは、スイッチ518、619、アクセサリ402、バス403、および端末401を少なくとも備えてもよい。
【００５１】
図9は、接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法を示すフローチャートである。
【００５２】
この方法は、900で開始し、ハイの電圧レベルで表される第1のデータ値を伝送する端末装置回路に応じて、電力を受け取って貯蔵するために、蓄電装置をバスラインに接続すること（902）と、蓄電装置がバス上で放電することを防止するために、ローの電圧レベルで表される第2のデータ値を伝送する端末装置回路に応じて蓄電装置をバスラインから切断すること（904）と、を含む。本方法は、906で終了する。
【００５３】
上述の回路は、上述の機能の他に、その他の機能を備えてもよく、またこれらの機能は、同一の回路で実行されてもよいことを理解されたい。
【００５４】
本出願人は、本明細書で説明した個々の特徴ならびこれらの特徴の2つ以上の組み合わせについて本明細書に開示するが、このような特徴または組み合わせは、当業者の通常の知識を踏まえて、本明細書全体に基づき実行可能である範囲内にあり、このような特徴または特徴の組み合わせが、本明細書に開示されるいかなる問題も解決するか否かに関わらず、また、請求項の範囲を限定することなく開示する。本出願者は、本発明の側面が、このような任意の個々の特徴または特徴の組み合わせを含んでもよいことを示す。前述の説明を考慮すると、種々の修正を本発明の範囲内で加えてもよいことが当業者にとって明白であるだろう。
【００５５】
本発明の好適な実施形態に適用されるような本発明の基本的な新規の特徴について示され、説明され、および指摘されたが、説明した装置および方法の形式および詳細において、種々の省略、代替、および変更を、本発明の精神を逸脱することなく当業者が加えてもよいことを理解されたい。例えば、実質的に同じ方法で実質的に同じ機能を実行して、同じ結果を達成するような要素および／または方法工程の全ての組み合わせは、本発明の範囲内にあることを明示的に意図されたい。さらに、本発明の開示された形式または実施形態と組み合わせて示されおよび／または説明された構造および／または要素および／または方法工程は、設計選択の一般事項として、開示、説明、または提案されたその他のいかなる形式または実施形態にも組み込まれてもよいことを認識されたい。ゆえに、限定するように意図するのは、本明細書に添付の請求項の範囲によって示されるのみである。
【００５６】
さらに、請求項において、手段と機能の節は、記載の機能を実行するような本明細書で説明した構造と、構造的に同等物との他に、同等の構造物も含むことが意図される。従って、ツメおよびクギに関し、ツメは木製部品を固定するために円筒形表面を使用するが、ネジはらせん状表面を使用するという点において構造的に同等物ではないが、木製部品を締め付けるという環境において、ツメとネジは同等の構造物であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】ヘッドフォンを示す。
【図２】A/Vプラグを示す。
【図３】ヘッドセットを示す。
【図４】従来のヘッドセット-端末構成の略ブロック図を示す。
【図５】ヘッドセット-端末構成の略ブロック図を示す。
【図６】ヘッドセット-端末構成の略ブロック図を示す。
【図７】pチャネル型トランジスタの出力特性を示す。
【図８】IDとVdsのグラフにおける全4つの象限を示す、pチャネル型トランジスタの出力特性を示す。
【図９】接続可能な端末と周辺機器回路との間のインターフェースを提供する方法を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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