(57)【要約】【課題】  ＭＣＭのＣ４／はんだ相互接続を腐食から保護するため、及びＭＣＭのようなチップを含む部品を作るための、再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム（外周シール）組成物を提供すること。【解決手段】  本発明は、基板（１５）上に複数のチップ（１１ａ−１１ｉ）を含むマルチチップ・セラミック・モジュール（ＭＣＭ）（１０）のようなチップ含有電子デバイスを提供し、このチップは、１つ又は複数のチップがデバイスから取外されて交換されることを可能にする再加工可能な組成物（１６）でアンダーフィルされる。再加工可能な組成物は、非架橋性であって、且つマトリックスを形成するベース樹脂を、線状硬化性成分、又は好ましくは線状硬化性成分の組み合わせと共に含み、この硬化性成分は架橋性であり、硬化されると、ベース樹脂のマトリックス内に架橋されたドメインを形成する。Ｐｔのような適切な架橋触媒と、任意に、充填剤、好ましくはシラン表面処理シリカが用いられる。好ましいベース樹脂は線状ポリジメチルシロキサンであり、好ましい硬化性成分はビニル末端線状ポリジメチルシロキサン及び水素末端線状ポリジメチルシロキサンである。【選択図】      図３
2009542007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性基を含まない非架橋性及び低架橋性のベース樹脂のうちの少なくとも１つと、
少なくとも１つの線状架橋性成分と、
前記架橋性成分のための触媒と、
任意に充填剤と、
を含む、Ｃ４接合保護のための再加工可能なアンダーフィル及びダム組成物（１６）。
【請求項２】
前記ベース樹脂が線状ポリジメチルシロキサンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記架橋性成分がビニル末端線状シロキサン又は水素末端線状シロキサンである、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記架橋性成分が前記ビニル末端シロキサン及び前記水素末端シロキサンの両方である、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記触媒が環状ビニルシロキサン内のＰｔである、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記充填剤がシリカである、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記充填剤がシラン表面処理シリカである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記ベース樹脂が、ポリウレタン、鉱油、ポリアクリレート、ポリアクリル酸エステル、ＣＴＢＮ変性エステル、ポリスチレン、イソプレン、エポキシ変性シロキサン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記架橋性成分が、エステル末端、炭素環式無水物末端、ビニル末端の線状又は分枝アルカン、アクリル又はアクリル酸エステル、ポリアミド、ポリイミド及びポリウレタンからなる群から選択される、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
Ｃ４接合を有する電子部品（１０）のための、アンダーフィル及びダム形成のための方法であって、
チップ（１１ｂ）含有電子部品（１０）にＣ４はんだ接合（１３）を提供するステップと、
再加工可能なアンダーフィル組成物（１６）で、接合された前記チップをアンダーフィルし、且つ前記チップの周りにダム（１００）を形成するステップであって、前記再加工可能なアンダーフィル組成物（１６）が、
反応性基を含まない非架橋性又は低架橋性のベース樹脂と、
少なくとも１つの線状架橋性成分と、
前記架橋性成分のための触媒と、
任意に充填剤と
を含むステップと、
少なくとも１つの、アンダーフィルされ、且つダム形成された電子部品を硬化するステップと、
必要であれば、前記アンダーフィル組成物及び前記ダム組成物のうちの少なくとも１つを除去すること、前記チップをＭＣＭから分離すること、及び、チップを前記電子部品に接合し、接合されたチップをアンダーフィルし、ダム形成することによって前記チップを交換することにより、アンダーフィルされた前記電子部品を再加工するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記ベース樹脂が線状ポリジメチルシロキサンである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記架橋性成分がビニル末端線状シロキサン又は水素末端線状シロキサンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記架橋性成分が前記ビニル末端シロキサン及び前記水素末端シロキサンの両方である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記触媒が環状ビニルシロキサン内のＰｔである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記充填剤がシリカである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記充填剤がシラン表面処理シリカである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ベース樹脂が、ポリウレタン、鉱油、ポリアクリレート、ポリアクリル酸エステル、ＣＴＢＮ変性エステル、ポリスチレン／イソプレン、エポキシ変性シロキサン、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記架橋性成分が、エステル末端、炭素環式無水物末端、ビニル末端の線状又は分枝アルカン、アクリル又はアクリル酸エステル、ポリアミド、ポリイミド及びポリウレタンからなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電子部品がマルチチップ・セラミック・モジュールである、請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップを含む電子デバイスに関し、特に、はんだバンプで基板に電気的に接続された複数のチップを含むマルチチップ・セラミック・モジュール（ＭＣＭ）に関し、これらのチップは、１つ又は複数のチップをモジュールから取外して交換することを可能にする再加工可能な（reworkable）組成物でアンダーフィルされる。
【背景技術】
【０００２】
マルチチップ・セラミック・モジュール（ＭＣＭ）のような電子部品は、多くのハイエンドのコンピュータサーバ及びメインフレームの重要な部品である。ＭＣＭは、１つの基板上に多数のチップを含むので、特に重要である。しかしながら、チップのうちの１つが電気的な問題のために欠陥がある場合には、それは交換されなければならない。典型的にはチップの再加工（rework）と呼ばれる、チップを交換する能力がなければ、ＭＣＭの費用は法外に高いものになる。
【０００３】
コントロールド・コラプス・チップ・コネクション（Controlled Collapse Chip Connection）は、ワイヤボンディングに代わるものとしてインターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション（ＩＢＭ）によって開発された相互接続技術である。この技術は、一般にＣ４技術又はフリップ・チップ・パッケージングとして知られている。大まかに言って、１つ又は複数の集積回路チップが単層又は多層の基板上に実装され、各チップ上のパッドが、はんだバンプのような複数の電気的接続によって、基板上の対応するパッドに電気的に接続される。集積回路チップは、１０×１０アレイのようなはんだバンプアレイで基板上に組み立てられることができる。チップがバンプ接続された（bumped）基板は、次に、ピンコネクタによって回路基板のような別の電子デバイスに、典型的には電気的に接続され、パッケージ全体がコンピュータのような電子デバイスに使用される。
【０００４】
フリップ・チップ・パッケージングは、特許文献１に記載されており、この特許を引用によりここに組み入れる。一般に、フリップ・チップ接合は、チップを基板に結合するために必要とされるフットプリント又は面積がチップ自体の面積に等しいので、多くの用途に望ましい。フリップ・チップ接合は、チップ上のパッドを基板上の対応するパッドに接合するために、典型的には約１ミルから１．５ミルの高さ及び約２ミルから４ミルの幅の比較的小さいはんだバンプの使用も活用する。電気的及び機械的相互接続が、温度を上げてバンプをリフローすることによって同時に形成される。Ｃ４接合のプロセスは、はんだの濡れ作用によってチップのバンプ・パターンが対応する基板のパッドに位置合わせされることになるという点で、自己整合的である。この作用は、チップの配置の際に生じることがある、チップと基板との数ミルまでの位置合わせ不良を補償する。
【０００５】
接合されたフリップ・チップ・パッケージ内には、集積回路チップのパッドを含む表面と接合された基板のパッドを含む表面との間に、各表面上のパッドの厚さとパッド間のはんだバンプ接続とによって生じる開口部又は空間が必然的に存在する。この開放空間は、はんだ接続へのいかなる妨害もパッケージの性能に悪影響を与えるので、許容することはできない。例えば、腐食性の環境に由来し得る、又はチップからの熱伝達を高めるために使用される熱ペーストの注入に由来し得る、湿気、可動イオン、酸性種又はアルカリ性種、及びはんだバンプの電気的接続の起こりうる破壊に起因するチップの機械的完全性は、全て深刻な問題である。これらの問題を解決するために、接合された集積回路チップ及び基板のはんだバンプは、典型的には、液体などの種々のタイプの材料で完全に封入され、このようなシーラントは、接合された開口部を封止するためにチップの縁部の周囲で使用される。
【０００６】
フリップ・チップ・ボンディングは、エレクトロニクス製造において多くの利点を提供し、最も重要なことの１つは、基板及び隣接するチップを廃棄することなく、チップを取外して交換する能力である。この、加熱して基板からチップを持ち上げることによるチップの取り外し、及び典型的には新しいチップとの交換は再加工と呼ばれ、再加工された電子部品の品質又は信頼性を低下させることなく、何度も実行することができる。
【０００７】
しかしながら、フリップ・チップ・パッケージの封入は、再加工及び他の問題を提示する。フリップ・チップ・パッケージは信頼性が高くなければならず、パッケージ、特にはんだ相互接続に応力が加えられること及び損傷を与えることを避けるためには、封入剤、チップ、基板及び／又ははんだバンプ間の熱的機械的不整合は、最小化されなければならない。封入剤はまた、リフトオフ（lift-off）（再加工）工程のために、加熱及び軟化されることができなければならず、又は、好ましくは、キシレンのような溶剤に可溶でなければならない。
【０００８】
基板表面に接着された単一のチップの間の空間を封入するための従来のアンダーフィルのプロセスは、典型的には、アンダーフィルされるチップの周囲に隣接する基板にアンダーフィル材料を塗布する。毛管現象が、アンダーフィル封入材料をチップと基板との間の空間に引き入れて、空隙のない充填された空間をチップと基板との間に形成する。
【０００９】
歴史的には、チップを損傷から保護するために、２つのタイプのＭＣＭシール、すなわち、チップ接合部への湿気の浸透及び可動イオンの侵入を防ぐためのハーメチック・シール及びノンハーメチック・シールが存在する。大部分のハーメチック・シールは、Ｃリング・シールのように、金属の等温相互拡散機構に従って形成される。気密性のない信頼性（reliability without hermeticity）（ＲＷＯＨ）とも称されるノンハーメチック・シールは、ポリマーベースの複合材料を使用してノンハーメチック・シールのバンドを形成する。ハーメチック・シールと比較して、ノンハーメチック・シールは、湿気の侵入及び可動イオンの浸透の点で保護性が低い。それゆえに、ノンハーメチック・シールされたＭＣＭは、実際の適用の際に温度及び湿度環境にさらされた場合には、多様なレベルのＣ４腐食を示す。
【００１０】
しかしながら、シールのタイプにかかわらず、チップをアンダーフィルすることは必要であり、理想的な再加工可能なアンダーフィル（reworkable underfill）（ＲＵＦ）は、再加工性、低い弾性率、熱安定性、熱ペーストのような周囲の材料に干渉しないこと、ＭＣＭをシールするために使用されるシーリング・バンド又はｃリングに適合すること、及び環境への安全性といった、いくつかの重要な特性を有するべきである。また、ＲＵＦは、Ｃ４相互接続へのいかなる化学的攻撃をも防ぐために中性溶液中で再加工可能であり、深い熱サイクルで導入される熱機械応力（deep thermal cycling introduced thermomechanical stress）が低く、１２５℃で１，０００時間、熱的及び化学的に安定であり、且つ、湿気、ＣＯ２の侵入及びカルボン酸の浸透に対して十分な保護を提供すべきである。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第５，１９１，４０４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来技術の問題点及び欠点を考えると、それゆえに、本発明の目的は、ＭＣＭのＣ４／はんだ相互接続を腐食から保護するため、及びＭＣＭのようなチップを含む部品を作るための、再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム（外周シール）組成物を提供することである。
【００１３】
本発明の別の目的は、再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム組成物によって、ＭＣＭのような電子部品上でチップをアンダーフィルするための、及び／又はダム（外周シール）を形成するための方法を提供することである。
【００１４】
本発明のさらに別の目的及び利点は、一部は自明であり、一部は明細書から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述及び他の目的は、当業者には明らかであり、セラミックＭＣＭのようなＣ４接合の保護のための再加工可能なアンダーフィル及び／又はダム組成物に向けられた本発明において達成され、この組成物は、
線状ポリジメチルシロキサンのような、反応性基を含まない非架橋性又は低架橋性のベース樹脂と、
好ましくは、ビニル末端ポリジメチルシロキサン及び／又は水素末端ポリジメチルシロキサンのような反応性末端基を有する線状又は分枝反応性シロキサンである、線状架橋性成分と、
環状ビニルシロキサン内のＰｔであることが好ましい、ビニル末端及び／又は水素末端シロキサンのような反応性シロキサンのための触媒と、
任意に、シラン処理された充填剤のような充填剤、好ましくはシリカと、
を含む。
【００１６】
上述のシリコーン系は、好ましい適用可能な材料系である。他の系が以下にさらに説明されるが、以下の説明は、便宜及びその実証された有効性のためにシリコーン系に向けられる。
【００１７】
本発明の別の態様において、Ｃ４はんだ接合を有するセラミックＭＣＭ及びその電子部品のための、アンダーフィル及び／又はダム形成のための方法が提供され、この方法は、
セラミックＭＣＭのような基板にＣ４はんだ接合を提供するステップと、
再加工可能なアンダーフィル組成物で、接合されたチップをアンダーフィルし、及び／又はチップの周りにダムを形成するステップであって、アンダーフィル組成物が、
線状ポリジメチルシロキサンのような、反応性基を含まない非架橋性又は低架橋性のベース樹脂と、
好ましくは、ビニル末端ポリジメチルシロキサン及び／又は水素末端ポリジメチルシロキサンのような反応性末端基を有する線状又は分枝反応性シロキサンである、線状架橋性成分と、
環状ビニルシロキサン内のＰｔであることが好ましい、ビニル末端及び水素末端シロキサンのような反応性シロキサンのための触媒と、
任意に、シラン処理された充填剤のような充填剤、好ましくはシリカと、
を含むステップと、
アンダーフィルされた及び／又はダム形成されたＭＣＭを硬化するステップと、
必要ならば、アンダーフィル組成物及び／又はダム組成物を除去すること、チップをＭＣＭから分離すること、及び、チップをＭＣＭに接合し、好ましくは上述の組成物を使用して、接合されたチップをアンダーフィルし、ダム形成することによってチップを交換することにより、アンダーフィルされたＭＣＭを再加工するステップと、
を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
新規であると考えられる本発明の特徴及び本発明に特有の要素は、添付の特許請求の範囲において詳細に説明される。図面は例示の目的のみのためであって、縮尺通りに描かれているわけではない。しかしながら、本発明自体は、構成及び動作の方法の両方に関して、以下の詳細な説明を添付の図面と併せて参照することにより、最も理解することができる。
【００１９】
本発明の好ましい実施形態を説明する際に、ここで、図１−図３を参照し、その中で類似の数字は本発明の類似の特徴を指す。
【００２０】
本発明は、再加工可能なアンダーフィル及びダム組成物、好ましくは、優れたチップ保護特性及び再加工特性を有するシリコーンベースの柔軟で再加工可能なアンダーフィル組成物（soft reworkable underfill composition）（Ｓ−ＲＵＦ）を提供する。このアンダーフィル組成物は、室温でキシレン中で除去することができ、弾性率は１００ｃＳｔと低く、１８０℃より上で熱的に安定であり、ＡＴＣ鉱油との化学的相互作用はなく、ＰｂＳｎ  Ｃ４に対して環境保護する。より重要なことに、このタイプの再加工可能なアンダーフィルは、５０−６０マイクロという薄さであることもあるマイクロメートルレベルのＣ４の隙間から、単にモジュールを室温のキシレン、ＩＰＡ又はケトンに浸漬することによって、又は前述の溶剤のスピンスプレーによって、効率的に除去することができ、キシレンが好ましい。
【００２１】
ＲＵＦのベース樹脂として使用される有機又はポリマー材料は、反応性ではなく（非架橋性）、好まし線状ポリジメチルシロキサンのような架橋性のない又は低架橋性のポリシロキサン、ポリウレタン、鉱油、ポリアクリレート、ポリアクリル酸エステル、ＣＴＢＮ（カルボキシ末端ブタジエン−アクリロニトリル）変性ポリエステル、ポリスチレン、イソプレン、エポキシ変性シロキサンなどを含むが、これらに限定されない。ベース樹脂は、反応してベース樹脂のマトリックスに埋め込まれた架橋されたポリマーを形成する硬化性ポリマーのためのマトリックスを形成するために用いられる。非反応性とは、ベース樹脂が通常の架橋条件下では非架橋性であることを意味し、例えば、ベース樹脂は、ビニル、Ｈ、ヒドロキシ、カルボン酸などのような反応性基を含まないが、メチル、エチル、ベンジル、イソプロピルなどのような非反応性基を含む。
【００２２】
ＲＵＦ組成物は、ビニル末端線状又は分枝シロキサン、及び水素末端線状又は分枝シロキサンのような、少なくとも１つの、好ましくは２つの線状架橋性（硬化性又は反応性）成分も含む。他の硬化性のポリマー又はモノマー成分は、エステル末端及び炭素環式無水物末端、又はビニル末端の線状又は分枝アルカン、アクリル又はアクリル酸エステル、エステル、シアノ、無水物、アミド、ビニル、末端ＣＴＢＮ、脂肪族又は芳香族無水物、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタンなどを含む。
【００２３】
硬化触媒、好ましくは環状ビニルシロキサン内のＰｔが、架橋性ポリマーを硬化するために使用される。Ｈ２ＰｔＣｌ６、Ｐｔ（Ｃ６Ｈ５）２、ＺｎＯなどの無機触媒もまた、シリコーン系には好ましい。過酸化物、アミン及びＣｏ（ＡｃＡｃ）２のような金属キレートもまた、エポキシ、アクリル、ポリウレタン及びポリスチレンベースの樹脂系における触媒として使用することができる。
【００２４】
シラン処理されたシリカ充填剤のような充填剤は、アンダーフィルされたチップの周り（外周）で用いられるダム組成物を提供するために、組成物に使用されることが好ましいが、アンダーフィル組成物にも使用することができる。窒化ホウ素、炭素繊維、ナノシリカ、ナノカーボンチューブ、アルミナなど、及び非導電性充填剤もまた、この用途に適している。
【００２５】
ＭＣＭ又は他のいかなる電子部品も、チップ接合のためのどのようなプロセスを用いて作ることもできる。チップ接合及び検査の後、チップは、本発明の組成物でアンダーフィルされ、及び／又はダム形成される（dammed）。アンダーフィル及び／又はダムの硬化に続いて、モジュールは、標準の組立及び検査を通過する。再加工が必要とされる場合には、モジュールは分解され、シーラント及びアンダーフィルが除去され、欠陥のあるチップが交換され、新しいチップが再度アンダーフィルされ、モジュールが再度組み立てられる。
【００２６】
鉛含有又は無鉛のＣ４相互接続（はんだ）が、それらの間に保護絶縁材料なしで、湿気、バイアス下の可動イオンに曝された場合には、電気化学的に開始される化学腐食が発生する可能性が非常に高い。ＡＴＣペーストの熱分解の際に形成されるアジピン酸、ステアリン酸及び他のタイプの有機酸のような外来の腐食性化学種が存在する場合には、及び／又は電気化学的腐食が非常に加速されることがある。従って、湿気、可動イオン及び外来カルボン酸を腐食開始レベルよりも下に保つためには、Ｃ４接合をアンダーフィルするために保護材料が必要とされる。
【００２７】
より重要なことに、プロセス技術は小さくなり続けているので、シングル・イベント・アップセット（ＳＥＵ）を引き起こすのに必要な臨界電荷は、メモリセル内の電荷収集面積よりも速く減少する。従って、９０ｎｍのような、より小さい幾何学的形状では、ソフトエラーへの関心はより高くなる。
【００２８】
プロセスレベルでは、より純粋なパッケージング材料を使用するほど、アルファ放射をより低くすることができる。しかしながら、現在のガラスセラミック（ＧＣ）原材料の放射性元素レベルを低減させるためには途方もない努力が必要とされる。ボールミル及び工場内でのセラミックスラリーの調合、及び上面冶金（top surface metallurgy）（ＴＳＭ）Ｃ４めっきのようなＧＣの製造プロセスは、アルファ粒子を導入する可能性が非常に高い。従って、アルファ粒子放射による損傷からＣ４チップを保護するためには、高純度で低アルファ粒子のアンダーフィルが必要とされる。
【００２９】
上述の要求の全てを満たすためには、再加工可能なアンダーフィルが、ハイエンドのＭＣＭに対する最も容易で、且つ最も費用の安い解決法である。
【００３０】
図１を参照すると、ＭＣＭ電子部品の平面図が数字１０で示される。チップ１１ａ−１１ｉが基板１５上に示され、チップはＣ４接合によって基板に電気的に接続される。
【００３１】
ここで、図２及び図３を参照すると、電子部品１０の集積回路チップ１１ｂ及び相互接続基板１５が示される。集積回路チップ１１ｂは、はんだバンプ１３が重ねられた導電性パッド１２を有するものとして示される。対応する導電性パッド１４が、基板１５上に示される。図３を参照すると、電子部品１０は、集積回路チップ１１ｂが相互接続基板１５にはんだ接続された断面図で図示される。チップ１１ｂは、Ｃ４又はフリップ・チップ・パッケージングを用いて、はんだバンプのような複数のはんだ接続１３によって基板１５に電気的に接続される。基板１５の下面は、基板１５を回路基板のような別の電子デバイスに接続するための、ピンコネクタ２３のようなコネクタを含むことができる。
【００３２】
図３に示されるような電子部品１０のはんだ相互接続１３は、チップ１１ｂのパッド１２を含む表面１７と基板１５のパッド１４を含む表面１８との間の空間１９を充填するように示されている本発明の組成物１６によって封入される。封入剤１６は、チップ１１の外周の周り及びチップの下の両方に示されており、全体ではんだバンプ１３の全てを封入する。ダム３０が、アンダーフィル１６の周りに示される。ダム３０は、シラン処理されたシリカ充填剤成分のような充填剤を含むことが好ましいことを除いては、アンダーフィル組成物１６と同じ組成物であることが好ましい。
【００３３】
本発明の再加工可能な組成物は、線状熱可塑性ベースポリマー、好ましくは、ポリ（ジメチルシロキサン）（ＰＤＭＳ）と、好ましくはビニル含有末端ＰＤＭＳ及び／又は水素含有末端ＰＤＭＳのような反応性の末端基を有するシロキサンを含む、線状硬化剤と、硬化触媒と、任意に充填剤とを含む。
【００３４】
好ましいＰＤＭＳは、以下の式及び構造で表すことができる。
Ｍｅ３ＳｉＯ−（Ｍｅ２ＳｉＯ）ｎ−ＳｉＭｅ３
ここで、ｎは１０から２７６０である（ＭＷ１２５０−２０４，０００）。
【化１】
2009542007.tif 000003
【００３５】
ビニル末端ＰＤＭＳは、次式及び構造で表すことができる。
Ｈ２Ｃ＝ＨＣ−Ｍｅ２ＳｉＯ−（Ｍｅ２ＳｉＯ）ｎ−ＳｉＭｅ２−ＣＨ＝ＣＨ２
【化２】
2009542007.tif 000004
ここで、ｎは２から５０００である。
【００３６】
水素末端ＰＤＭＳは、次式及び構造で表すことができる。
Ｈ−Ｍｅ２ＳｉＯ―（Ｍｅ２ＳｉＯ）ｎ−ＳｉＭｅ２−Ｈ
ここで、ｎは２から５０００である。
【００３７】
ビニル末端シロキサン及び水素末端シロキサンの両方を含む組成物が硬化された場合、以下の構造のような構造が得られる。
【化３】
2009542007.tif 000005
この構造はベース樹脂のマトリックスに埋め込まれ、優れた再加工可能な性質を有するアンダーフィルを形成する。
【００３８】
本発明のアンダーフィル及びダム組成物は、硬化されると、ベース樹脂マトリックス内に高度に架橋されたドメインを形成し、この硬化された組成物は優れた再加工特性を有することが、当業者によって理解されるであろう。特に、硬化された組成物はキシレン中で高い可溶性があり、チップの交換が必要とされる場合には、モジュール又はチップをキシレン又は他の適切な溶剤中に浸漬することによって、アンダーフィルを容易に除去することができる。再加工可能なアンダーフィルは、キシレン中で、室温で除去することができ、一旦除去されると、チップは、熱を利用してはんだ相互接続を溶融して基板から取外すことができる。次に、基板は、修整され（dressed)、クリーニングされて、新しいチップを再接合することができる清浄なＣ４パッド部位が提供される。
【００３９】
ベースポリマーは、アンダーフィルのためのマトリックスを形成し、反応性シロキサンがドープ（混合）される。硬化されると、反応性シロキサンは反応及び架橋して、反応及び架橋された反応性シロキサンを含む高度に架橋されたドメインを非反応性ベースポリマーのマトリックス内に形成する。架橋されたドメインは、上述の性質を有し、且つ、室温で、キシレン中で容易に除去可能である。好ましいシロキサン・ベースポリマーは、約１２５０から２０４，０００又はそれ以上の分子量を有することが好ましい。硬化剤のうちの１つしか組成物に使用される必要はないが、ビニル末端シロキサン及び水素末端シロキサンの硬化剤の両方を１：１０から約１０：１までの重量比で使用することが好ましい。ベース樹脂は、ベース樹脂の硬化剤に対する重量比が約２０：１から１：１０、好ましくは１０：１から１：５で使用される。硬化触媒は、組成物中に約０．００１ｗｔ．％から５ｗｔ．％又はそれ以上の量で存在する。充填剤は、ＳＲＵＦ組成物中で用いられる場合には、約１ｗｔ．％から１０ｗｔ．％又はそれ以上の量で使用することができる。シラン表面処理シリカが好ましい。
【００４０】
本発明のアンダーフィル及び／又はダム組成物の使用は、キシレン中での溶解、化学的に相互作用しないこと、非腐食性であること、及び商業的に許容できることによって、優れた再加工特性を提供することが見出された。基板に接続されてＭＣＭを形成し、且つ本発明の組成物でアンダーフィルされたチップは、室温でキシレン中に溶解し、はんだ相互接続を溶融し、Ｃｕブロックによってはんだ残渣を修整及びクリーニングし、チップを再取り付けして本発明の組成物でアンダーフィルすることによって、容易に再加工される。
【００４１】
アンダーフィル組成物は、成分を一緒に混合し、チップをアンダーフィルすることによって用いられる。アンダーフィルされたチップは、次に、モジュール組立体を、８０℃から１５０℃まで、好ましくは１００℃から１２５℃の温度まで、３０分から１２０分間、好ましくは４５分から７５分間加熱することによって組成物を反応させることにより、硬化される。
【００４２】
本発明を、特定の好ましい実施形態と共に詳細に説明してきたが、前述の説明を考慮すれば、当業者には多くの代替、改変及び変形が明らかとなることは明白である。従って、添付の特許請求の範囲は、このようないかなる代替、改変及び変形をも、本発明の真の範囲及び精神内にあるものとして包含することが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、チップを含む電子デバイスにおける有用性を見いだす。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ＭＣＭ電子部品の平面図である。
【図２】パッド及びはんだバンプを含む集積回路チップを含み、チップが相互接続基板上の対応するパッドに電気的に接続される、図１のＭＣＭの部分図である。
【図３】チップが基板に接合された後の、線３−３に沿った図２の断面図であり、アンダーフィル及びダム組成物で封入されたチップ及び基板の電気的相互接続を示す。
【符号の説明】
【００４５】
１０：電子部品
１１：チップ
１２、１４：導電性パッド
１３：はんだバンプ
１５：相互接続基板
１６：アンダーフィル
２３：ピンコネクタ
【図１】
2009542007.tif 000006
【図２】
2009542007.tif 000007
【図３】
2009542007.tif 000008
【国際調査報告】
2009542007.tif 000009