(57)【要約】【課題】    不具合を減少させる終端構造を備えた、パワー半導体デバイスを提供する。【解決手段】    第１金属フィールドプレート２４を、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の外側境界線を越えて延ばすか、または、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を、絶縁トレンチ３７の内部に配置するか、または、両方を兼ね備えた終端構造とする。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮ接合を含む活性領域、及びこの活性領域周辺に配置された終端領域を有する半導体を備え、前記終端領域は、前記半導体の上に形成された電界絶縁体と、内側境界線及び外側境界線を有し、前記内側境界線は、前記外側境界線より前記活性領域に近く、前記電界絶縁体の上に形成されたポリシリコンフィールドプレートと、前記ポリシリコンフィールドプレートの上に配置された絶縁体と、前記絶縁体の上に配置され、かつ前記絶縁体を介して、前記ポリシリコンフィールドプレートと電気接続されている金属フィールドプレートとを備え、前記金属フィールドプレートは、前記絶縁体の上に広がり、かつ前記ポリシリコンフィールドプレートの前記外側境界線を越えて延びている、パワー半導体デバイス。
【請求項２】
等電位リングを備える、請求項１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項３】
前記等電位リングは、ポリシリコンよりなっている、請求項２記載のパワー半導体デバイス。
【請求項４】
前記等電位リングは、ポリシリコンよりなり、前記半導体まで延びている絶縁トレンチの内部に配置されている、請求項２記載のパワー半導体デバイス。
【請求項５】
前記半導体の内部において、前記ポリシリコンフィールドプレートの下に形成された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、少なくとも１つのガードリングを備える、請求項１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項６】
前記ポリシリコンフィールドプレートは、前記電界絶縁体のリセスの内部で受け止められている、請求項５記載のパワー半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成された、間隔を置いて配置された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、複数のガードリングと、前記電界絶縁体の上、かつ前記間隔を置いて配置された複数のガードリングの上に形成されたもう１つのポリシリコンフィールドプレートと、前記絶縁体の上に配置され、かつ前記絶縁体を介して、前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートに電気接続された、もう１つの金属フィールドプレートとを備える、請求項５記載のパワー半導体デバイス。
【請求項８】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、前記少なくとも１つのガードリングと、前記間隔を置いて配置された複数のガードリングとの間に配置された、少なくとももう１つのガードリングを備え、前記少なくとももう１つのガードリングは、前記ポリシリコンフィールドプレートの内側境界線を越えて配置され、かつ前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートの外側境界線の前方の側面上に配置されている、請求項７記載のパワー半導体デバイス。
【請求項９】
ＰＮ接合を含む活性領域、及びこの活性領域周辺に配置された終端領域を有する半導体を備え、前記終端領域は、前記半導体の上に形成された電界絶縁体と、内側境界線及び外側境界線を有し、前記内側境界線は、前記外側境界線より前記活性領域に近く、前記電界絶縁体の上に形成されたポリシリコンフィールドプレートと、前記ポリシリコンフィールドプレートの上に配置された絶縁体と、前記絶縁体の上に配置され、前記絶縁体を介して前記ポリシリコンフィールドプレートと電気接続されている金属フィールドプレートと、等電位リングとを備え、前記等電位リングは、ポリシリコンよりなり、かつ前記半導体まで延びる絶縁トレンチの内部に配置されている、パワー半導体デバイス。
【請求項１０】
前記金属フィールドプレートは、前記絶縁体の上に広がり、かつ前記ポリシリコンフィールドプレートの前記外側境界線を越えて延びている、請求項９記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１１】
前記半導体の内部において、前記ポリシリコンフィールドプレートの下に形成された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、少なくとも１つのガードリングを備える、請求項９記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１２】
前記ポリシリコンフィールドプレートは、前記電界絶縁体のリセスの内部で受け止められている、請求項１１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１３】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成された、間隔を置いて配置された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、複数のガードリングと、前記電界絶縁体の上に、前記間隔を置いて配置された複数のガードリングの上に形成された、もう１つのポリシリコンフィールドプレートと、前記絶縁体の上に配置され、前記絶縁体を介して、前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートに電気接続するもう１つの金属フィールドプレートとを備える、請求項１１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項１４】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成され、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、前記少なくとも１つのガードリングと、前記間隔を置いて配置された複数のガードリングとの間に配置された、少なくとももう１つのガードリングとを備え、前記少なくとももう１つのガードリングは、前記ポリシリコンフィールドプレートの内側境界線を越えた側面上に、前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートの外側境界線の前方の側面上に配置されている、請求項１３記載のパワー半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体デバイスの終端構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１に示すように、従来のパワー半導体デバイスは、活性領域１２及び終端領域１４を備える半導体を有している。
【０００３】
活性領域１２は、少なくとも１つのＰＮ接合を有し、パワーＭＯＳＦＥＴのような、パワー半導体デバイスのアクティブセルを備えているのが好ましい。例えば、ＰＮ接合は、エピタキシャル成長させたシリコンよりなる半導体１０の一部であり、半導体１０には、ベース領域１６が形成されている。周知のように、ベース領域１６は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散領域である。従って、半導体１０がＮ型であるときには、ベース領域１６はＰ型であるのがよく、逆に、半導体１０がＰ型であるときには、ベース領域１６はＮ型であるのがよい。
【０００４】
終端領域１４は、活性領域１２を取り囲み、半導体１０の上に形成された電界酸化物体１８と、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と、酸化物体２２と、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と電気接続されている第１金属フィールドプレート２４と、電界酸化物体１８の上に形成され、第１ポリシリコンフィールドプレート２０から間隔を置いて側面上に配置された第２ポリシリコンフィールドプレート２６と、第１金属フィールドプレート２４から間隔を置いて側面上に配置され、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第２ポリシリコンフィールドプレート２６と電気接続されて、電界酸化物体１８の上に形成された第２金属フィールドプレート２８と、好ましくはソースコンタクトのようなパワーコンタクトの延長部であり、部分的に酸化物体２２の上及び部分的に半導体１０の上に配置され、すなわち半導体１０と接続されている第３金属フィールドプレート３０とを備えている。
【０００５】
さらに、終端領域１４は、半導体１０の内部に形成された、複数のガードリング３２、３２'及び３２''を備えている。公知のように、各ガードリング３２、３２'及び３２''は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散である。少なくとも１つのガードリング３２は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の下、かつ電界酸化物体１８の内部のリセス３４の下に配置され、リセス３４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０からのポリシリコンで満たされている。さらに、いくつかのガードリング３２''は、電界酸化物体１８の内部の各リセス３４の下に形成され、各リセス３４は、第２ポリシリコンフィールドプレート２６からのポリシリコンで満たされている。さらに、少なくとも１つのガードリング３２'は、ガードリング３２とガードリング３２''との間に、かつ第１ポリシリコンフィールドプレート２０の活性領域１２に近い内側境界線を越えた側面上に、かつ第２ポリシリコンフィールドプレート２６の活性領域１２から遠い外側境界線の前方の側面上に配置される。
【０００６】
図１に示すデバイスは、電界酸化物体１８の端部の上から半導体１０まで延びている、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を備えている。また、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散３８は、半導体１０の内部に、かつ終端領域１４の内側境界線の近くに形成される。
【０００７】
図２は、もう１つの従来のパワー半導体デバイスを示し、異なる形状の、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を備えている。
【０００８】
代表的な寸法をいくつか図に示す。さらに、下記の表１は、図１及び図２で示した従来のデバイスの代表的な寸法を示す。
【表１】
2009509342.tif 000003
【０００９】
Ａは、等電位リング３６から第１ポリシリコンフィールドプレート２０までの間隔を示す。
【００１０】
Ｂは、電界酸化物体１８の上の等電位リング３６の幅を示す。
【００１１】
Ｃは、第１金属フィールドプレート２４の内側の端とガードリング３２の間隔を示す。
【００１２】
Ｄは、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の内側の端とガードリング３２の間隔を示す。
【００１３】
図１及び図２に示す従来のデバイスは、高い比率で不具合を出してきた。従来のデバイスを改善することは望ましいことである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、不具合を減少させる終端構造を備えるパワー半導体デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
第１実施例によるデバイスでは、第１金属フィールドプレートは、第１ポリシリコンフィールドプレートの外側境界線を越えて延びている。
【００１６】
第２実施例によるデバイスでは、ポリシリコンよりなる等電位リングは、トレンチ内部に配置されている。
【００１７】
第３実施例によるデバイスでは、第１金属フィールドプレートは、第１ポリシリコンフィールドプレートの外側境界線を越えて延びており、ポリシリコンよりなる等電位リングは、トレンチ内部に配置されている。
【００１８】
従来のデバイスを上記のように変更することによって、不具合の発生比率に関して改善が見られた。
【００１９】
本発明の他の特徴及び利点については、添付の図面に基づいて、以下に説明するところにより明らかになると思う。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図３に示すように、本発明の第１実施例によるパワー半導体デバイスは、活性領域１２及び終端領域１４を備える半導体を有している。
【００２１】
活性領域１２は、少なくとも１つのＰＮ接合を有し、パワーＭＯＳＦＥＴのような、パワー半導体デバイスのアクティブセルを備えているのが好ましい。例えば、ＰＮ接合は、エピタキシャル成長したシリコンよりなる半導体１０の一部であり、半導体１０には、ベース領域１６が形成されている。周知のように、ベース領域１６は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散領域である。従って、半導体１０がＮ型であるときには、ベース領域１６はＰ型であるのがよく、逆に、半導体１０がＰ型であるときには、ベース領域１６はＮ型であるのがよい。
【００２２】
終端領域１４は、活性領域１２を取り囲み、半導体１０の上に形成された電界酸化物体１８と、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と、酸化物体２２と、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と電気接続されている第１金属フィールドプレート２４と、電界酸化物体１８の上に形成され、第１ポリシリコンフィールドプレート２０から間隔を置いて側面上に配置された第２ポリシリコンフィールドプレート２６と、第１金属フィールドプレート２４から間隔を置いて側面上に配置され、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第２ポリシリコンフィールドプレート２６と電気接続されて、電界酸化物体１８の上に形成された第２金属フィールドプレート２８と、部分的に酸化物体２２の上及び部分的に半導体１０の上に配置され、すなわち半導体１０と接続されている第３金属フィールドプレート３０とを備えている。
【００２３】
さらに、終端領域１４は、半導体１０の内部に形成された複数のガードリング３２、３２'及び３２''を備えている。公知のように、各ガードリング３２、３２'及び３２''は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散である。少なくとも１つのガードリング３２は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の下、かつ電界酸化物体１８の内部のリセス３４の下に配置され、リセス３４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０からのポリシリコンで満たされている。さらに、いくつかのガードリング３２''は、電界酸化物体１８の内部の各リセス３４の下に形成され、各リセス３４は、第２ポリシリコンフィールドプレート２６からのポリシリコンで満たされている。さらに、少なくとも１つのガードリング３２'は、ガードリング３２とガードリング３２''との間に、かつ第１ポリシリコンフィールドプレート２０の内側境界線を越えた側面上に、かつ第２ポリシリコンフィールドプレート２６の外側境界線の前方の側面上に配置されている。
【００２４】
図３に示すデバイスは、電界酸化物体１８の端部の上から半導体１０まで延びている、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を備えている。また、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散３８は、半導体１０の内部に、かつ終端領域１４の内側の端の近くに形成されている。
【００２５】
本発明の第１実施例によるデバイスでは、第１金属フィールドプレート２４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の活性領域１２から遠い外側境界線を越えた上まで延び、酸化物体２２の上に広がっている。この特徴により、デバイスの信頼性が改善されることがわかった。
【００２６】
図４に示すように、本発明の第２実施例によるパワー半導体デバイスは、活性領域１２及び終端領域１４を備える半導体を有している。
【００２７】
活性領域１２は、少なくとも１つのＰＮ接合を有し、パワーＭＯＳＦＥＴのような、パワー半導体デバイスのアクティブセルを備えているのが好ましい。例えば、ＰＮ接合は、エピタキシャル成長したシリコンよりなる半導体１０の一部であり、半導体１０は、ベース領域１６が形成されている。周知のように、ベース領域１６は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散領域である。従って、半導体がＮ型であるときには、ベース領域１６はＰ型であるのがよく、逆に、半導体がＰ型であるときには、ベース領域１６はＮ型であるのがよい。
【００２８】
終端領域１４は、活性領域１２を取り囲み、半導体１０の上に形成された電界酸化物体１８と、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と、酸化物体２２と、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と電気接続されている第１金属フィールドプレート２４と、電界酸化物体１８の上に形成され、第１ポリシリコンフィールドプレート２０から間隔を置いて側面上に配置された第２ポリシリコンフィールドプレート２６と、第１金属フィールドプレート２４から間隔を置いて側面上に配置され、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第２ポリシリコンフィールドプレート２６と電気接続されて、電界酸化物体１８の上に形成された第２金属フィールドプレート２８と、部分的に酸化物体２２の上及び部分的に半導体１０の上に配置され、すなわち半導体１０と接続されている第３金属フィールドプレート３０とを備えている。
【００２９】
さらに、終端領域１４は、半導体１０の内部に形成された複数のガードリング３２、３２'及び３２''を備えている。公知のように、各ガードリング３２、３２'及び３２''は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散である。少なくとも１つのガードリング３２は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の下、かつ電界酸化物体１８の内部のリセス３４の下に配置され、リセス３４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０からのポリシリコンで満たされている。さらに、いくつかのガードリング３２''は、電界酸化物体１８の内部の各リセス３４の下に形成され、各リセス３４は、第２ポリシリコンフィールドプレート２６からのポリシリコンで満たされている。さらに、少なくとも１つのガードリング３２'は、ガードリング３２とガードリング３２''との間に、かつ第１ポリシリコンフィールドプレート２０の内側境界線を越えた側面上に、かつ第２ポリシリコンフィールドプレート２６の外側境界線の前方の側面上に配置されている。半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散３８は、半導体１０の内部に、かつ終端領域１４の端の近くに形成されている。
【００３０】
本発明の第２実施例によるデバイスは、電界酸化物体１８の端部の上から絶縁トレンチ３７まで延びている、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を備えている。絶縁トレンチ３７は半導体１０まで延びている。さらに、この特徴により、デバイスの信頼性が改善されることがわかった。
【００３１】
図５に示すように、本発明の第３実施例によるパワー半導体デバイスは、活性領域１２及び終端領域１４を備える半導体を有している。
【００３２】
活性領域１２は、少なくとも１つのＰＮ接合を有し、パワーＭＯＳＦＥＴのような、パワー半導体デバイスのアクティブセルを備えているのが好ましい。例えば、ＰＮ接合は、エピタキシャル成長したシリコンよりなる半導体１０の一部であり、半導体１０は、ベース領域１６が形成されている。周知のように、ベース領域１６は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散領域である。従って、半導体１０がＮ型であるときには、ベース領域１６はＰ型であるのがよく、逆に、半導体１０がＰ型であるときには、ベース領域１６はＮ型であるのがよい。
【００３３】
終端領域１４は、活性領域１２を取り囲み、半導体１０の上に形成された電界酸化物体１８と、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と、酸化物体２２と、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第１ポリシリコンフィールドプレート２０と電気接続されている第１金属フィールドプレート２４と、電界酸化物体１８の上に形成され、第１ポリシリコンフィールドプレート２０から間隔を置いて側面上に配置された第２ポリシリコンフィールドプレート２６と、第１金属フィールドプレート２４から間隔を置いて側面上に配置され、酸化物体２２の上に形成され、酸化物体２２を貫通して延び、第２ポリシリコンフィールドプレート２６と電気接続されて、電界酸化物体１８の上に形成された第２金属フィールドプレート２８と、部分的に酸化物体２２の上及び部分的に半導体１０の上に配置され、すなわち半導体１０と接続されている第３金属フィールドプレート３０とを備えている。
【００３４】
さらに、終端領域１４は、半導体１０の内部に形成された複数のガードリング３２、３２'及び３２''を備えている。公知のように、各ガードリング３２、３２'及び３２''は、半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散である。少なくとも１つのガードリング３２は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の下、かつ電界酸化物体１８の内部のリセス３４の下に配置され、リセス３４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０からのポリシリコンで満たされている。さらに、いくつかのガードリング３２''は、電界酸化物体１８の内部の各リセス３４の下に形成され、各リセス３４は、第２ポリシリコンフィールドプレート２６からのポリシリコンで満たされている。さらに、少なくとも１つのガードリング３２'は、ガードリング３２とガードリング３２''との間に、かつ第１ポリシリコンフィールドプレート２０の内側境界線を越えた側面上に、かつ第２ポリシリコンフィールドプレート２６の外側境界線の前方の側面上に配置されている。半導体１０の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの拡散３８は、半導体１０の内部に、かつ終端領域１４の端の近くに形成されている。
【００３５】
本発明の第３実施例によるデバイスでは、第１金属フィールドプレート２４は、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の活性領域１２から遠い外側境界線を越えた上まで延び、酸化物体２２の上に広がっている。さらに、本発明の第３実施例によるデバイスは、電界酸化物体１８の端部の上から絶縁トレンチ３７まで延びている、ポリシリコンよりなる等電位リング３６を備え、絶縁トレンチ３７は、半導体１０まで延びているのが好ましい。これらの特徴は、デバイスの信頼性を顕著に改善することがわかった。
【００３６】
代表的な寸法を、図３〜図５に示す。さらに、下記の表２は、図３、図４及び図５で概略を示した、本発明によるデバイスの代表的な寸法を示す。
【表２】
2009509342.tif 000004
【００３７】
Ａは、図３及び図５において、等電位リング３６から第１金属フィールドプレート２４までとの間隔を示し、図４において、等電位リング３６から第１ポリシリコンフィールドプレート２０までの間隔を示す。
【００３８】
Ｂは、電界酸化物体１８の上の等電位リング３６の幅を示す。
【００３９】
Ｃは、第１金属フィールドプレート２４の内側の端とガードリング３２の間隔を示す。
【００４０】
Ｄは、第１ポリシリコンフィールドプレート２０の内側の端とガードリング３２の間隔を示す。
【００４１】
以上本発明を、特定の実施例に基づき説明したが、本発明は、特許請求の範囲を逸脱しない限り、当業者にとって明白な他の変形例も含むものである。すなわち本発明は、明細書における実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲のみによって限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来のパワー半導体デバイスの略断面図である。
【００４３】
【図２】従来のパワー半導体デバイスの略断面図である。
【００４４】
【図３】本発明の第１実施例によるパワー半導体デバイスの略断面図である。
【００４５】
【図４】本発明の第２実施例によるパワー半導体デバイスの略断面図である。
【００４６】
【図５】本発明の第３実施例によるパワー半導体デバイスの略断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０：半導体
１２：活性領域
１４；終端領域
１６：ベース領域
１８：電界酸化物体
２０：第１ポリシリコンフィールドプレート
２２：酸化物体
２４：第１金属フィールドプレート
２６：第２ポリシリコンフィールドプレート
２８：第２金属フィールドプレート
３０：第３金属フィールドプレート
３２：ガードリング
３２'：ガードリング
３２''：ガードリング
３４：リセス
３６：等電位リング
３７：絶縁トレンチ
３８：拡散
【図１】
2009509342.tif 000005
【図２】
2009509342.tif 000006
【図３】
2009509342.tif 000007
【図４】
2009509342.tif 000008
【図５】
2009509342.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＮ接合を含む活性領域、及びこの活性領域周辺に配置された終端領域を有する半導体を備え、前記終端領域は、前記半導体の上に形成された電界絶縁体と、内側境界線及び外側境界線を有し、前記内側境界線は、前記外側境界線より前記活性領域に近く、前記電界絶縁体の上に形成されたポリシリコンフィールドプレートと、前記ポリシリコンフィールドプレートの上に配置された絶縁体と、前記絶縁体の上に配置され、かつ前記絶縁体を介して、前記ポリシリコンフィールドプレートと電気接続されている金属フィールドプレートとを備え、前記金属フィールドプレートは、前記絶縁体の上に広がり、かつ前記ポリシリコンフィールドプレートの前記外側境界線を越えて延びている、パワー半導体デバイス。
【請求項２】
等電位リングを備える、請求項１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項３】
前記等電位リングは、ポリシリコンよりなっている、請求項２記載のパワー半導体デバイス。
【請求項４】
前記等電位リングは、ポリシリコンよりなり、前記半導体まで延びている絶縁トレンチの内部に配置されている、請求項２記載のパワー半導体デバイス。
【請求項５】
前記半導体の内部において、前記ポリシリコンフィールドプレートの下に形成された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、少なくとも１つのガードリングを備える、請求項１記載のパワー半導体デバイス。
【請求項６】
前記ポリシリコンフィールドプレートは、前記電界絶縁体のリセスの内部で受け止められている、請求項５記載のパワー半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成された、間隔を置いて配置された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、複数のガードリングと、前記電界絶縁体の上、かつ前記間隔を置いて配置された複数のガードリングの上に形成されたもう１つのポリシリコンフィールドプレートと、前記絶縁体の上に配置され、かつ前記絶縁体を介して、前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートに電気接続された、もう１つの金属フィールドプレートとを備える、請求項５記載のパワー半導体デバイス。
【請求項８】
前記半導体の内部において、前記電界絶縁体の下に形成された、前記半導体の伝導のタイプとは異なる伝導のタイプの、前記少なくとも１つのガードリングと、前記間隔を置いて配置された複数のガードリングとの間に配置された、少なくとももう１つのガードリングを備え、前記少なくとももう１つのガードリングは、前記ポリシリコンフィールドプレートの内側境界線を越えて配置され、かつ前記もう１つのポリシリコンフィールドプレートの外側境界線の前方の側面上に配置されている、請求項７記載のパワー半導体デバイス。
【国際調査報告】
2009509342.tif 000010