(57)【要約】  ガス搬送システム用の改良活性化防止装置が開示されている。この装置は、空圧作動式バルブ装置を含む。この装置は、また空圧作動式バルブ装置に物理的に取り付けられたトグルスイッチも含んでいる。トグルスイッチは、トグルアームを含んでいる。トグルアームは、活性化領域、又は脱活性化領域内に設置されている。トグルアームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは活性化される。トグルアームが脱活性化領域に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性化される。この装置は、さらに、トグルスイッチに取り付けられた活性化防止機構を含んでいる。活性化防止機構は、トグルアームが少なくとも活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動させないように設計されている。【選択図】図５
2009509315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス搬送システム用の改良活性化防止装置であって、
空圧作動式バルブ装置と、
前記空圧作動式バルブ装置に物理的に取り付けられたトグルスイッチと、を含んでおり、前記トグルスイッチは、トグルアームを含んでおり、該トグルアームは、活性化領域、又は脱活性化領域内に設置されており、
前記トグルアームが前記活性化領域内に存在するとき、前記空圧作動式バルブは、活性化され、前記トグルアームが前記脱活性化領域に存在するとき、前記空圧作動式バルブは、脱活性化され、
本活性化防止装置は、
前記トグルスイッチに取り付けられた活性化防止機構をさらに含んでおり、前記活性化防止機構は、前記トグルアームが少なくとも前記活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく、前記脱活性化領域から前記活性化領域に移動できないように設計されていることを特徴とするガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項２】
活性化防止機構は、ロックアウト/タグアウト装置であることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項３】
空圧作動式バルブ装置は、基板装置に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項４】
ロック装置は、自動式、再利用不能式、人手取り付け式、及び解除不能式のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項５】
ロック装置は、一体型ナイロンケーブルであることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項６】
空圧作動式バルブ装置は、ＩＧＳバルブであることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システム用の改良活性化防止装置。
【請求項７】
ガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法であって、
空圧作動式バルブ装置の提供ステップと、
トグルスイッチを前記空圧作動式バルブ装置に取り付けるステップと、
を含んでおり、前記トグルスイッチは、トグルアームを含み、該トグルアームは、活性化領域、又は脱活性化領域内に存在し、前記トグルスイッチは、さらに、該トグルスイッチが前記活性化領域内に存在するとき、前記空圧作動式バルブが活性化され、前記トグルアームが前記脱活性領域内に存在するとき、前記空圧作動式バルブが脱活性化するように設計されており、
本方法は、
前記トグルスイッチに活性化防止機構を取り付けるステップをさらに含んでおり、前記活性化防止機構は、前記トグルアームが少なくとも前記活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく前記脱活性化領域から前記活性化領域に移動することを防止するように設計されていることを特徴とするガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項８】
活性化防止機構は、ロックアウト/タグアウト装置であることを特徴とする請求項７記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項９】
空圧作動式バルブ装置は、基板装置に取り付けられていることを特徴とする請求項７記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項１０】
ロック装置は、自動式、再利用不能式、人手取り付け式、及び解除不能式のいずれかであることを特徴とする請求項７記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項１１】
ロック装置は、一体型ナイロンケーブルであることを特徴とする請求項７記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項１２】
空圧作動式バルブ装置は、ＩＧＳバルブであることを特徴とする請求項７記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法。
【請求項１３】
ガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置であって、
前記空圧作動式バルブ装置の提供手段と、
トグルスイッチを前記空圧作動式バルブ装置に取り付ける手段と、
を含んでおり、前記トグルスイッチは、トグルアームを含んでおり、該トグルアームは、活性化領域、又は脱活性化領域内に存在し、前記トグルスイッチは、さらに、前記トグルアームが前記活性化領域内に存在するとき、前記空圧作動式バルブは、活性化され、前記トグルアームが脱活性化領域内に存在するとき、前記空圧作動式バルブは、脱活性化するように設計されており、
本装置は、
前記トグルスイッチに活性化防止機構を取り付ける手段をさらに含んでおり、前記活性化防止機構は、前記トグルアームが少なくとも前記活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく、前記脱活性化領域から前記活性化領域に移動することを防止するように設計されていることを特徴とするガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【請求項１４】
活性化防止機構は、ロックアウト/タグアウト装置であることを特徴とする請求項１３記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【請求項１５】
空圧作動式バルブ装置は、基板装置に取り付けられていることを特徴とする請求項１３記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【請求項１６】
ロック装置は、自動式、再利用不能式、人手取り付け式、及び解除不能式のいずれかであることを特徴とする請求項１３記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【請求項１７】
ロック装置は、一体型ナイロンケーブルであることを特徴とする請求項１３記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【請求項１８】
空圧作動式バルブ装置は、ＩＧＳバルブであることを特徴とする請求項１３記載のガス搬送システムにおける空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に基板製造技術に関し、特にガス搬送システムの改良活性化防止装置並びにその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハ等の基板、ＭＥＭＳ装置、又はフラットパネル表示装置の製造において使用されるようなガラスパネルの処理には、プラズマが多用される。
【０００３】
例えば、基板処理（化学蒸着、プラズマ促進化学蒸着、物理蒸着、エッチングその他）の一環として、基板は、複数個のダイすなわち、方形領域に分割される。そして、それらダイは、それぞれ集積回路に加工される。
【０００４】
その後に基板は、一連の工程を経て加工され、基板から物質が選択的に除去（エッチング）及び物質が選択的に堆積されて種々の電気構成要素が搭載される。
【０００５】
第１の好ましいプラズマ加工例において、基板は、エッチング加工に先立って硬化エマルジョンの薄膜（例えば、フォトレジストマスク等）でコーティング処理される。続いて硬化エマルジョン領域は、選択的に除去処理され、コーティング下側の一部を露出させる。次に基板は、チャックと呼称される単極又は双極電極を含んだ基板支持装置上に置かれてプラズマ加工チャンバ内に入れられる。
【０００６】
その後に好適なエチャントソースガス（エッチング用ガス）（例えば、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ３、ＣＦ４、ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｆ４、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ、Ｘｅ、Ｈｅ、Ｈ２、ＮＨ３、ＳＦ６、ＢＣｌ３、Ｃｌ２その他）がチャンバ内に送り込まれてプラズマを形成し、基板の露出領域がエッチング処理される。
【０００７】
一般的に３種類のエッチング加工方法が存在する。
【０００８】
すなわち、純粋化学エッチング、純粋物理エッチング及び反応性イオンエッチングである。純粋化学エッチングには、一般的に物理的爆射は関与せず、基板上の物質との化学反応が関与する。この化学反応速度は、処理法により非常に高速であったり非常に低速であったりする。例えば、フッ素系分子は、基板上の誘電物質と化学反応する傾向にある。一方、酸素系分子は、基板上のフォトレジストのごとき有機物質と化学反応する傾向にある。
【０００９】
純粋イオンエッチングは、多くの場合にスパッタリングと呼称される。普通はアルゴンのごとき不活性ガスがプラズマ内でイオン化され、基板から物質を追い出すのに利用される。すなわち、正電荷されたイオンが負電荷されている基板に向かって加速する。純粋イオンエッチングは、等方性（すなわち、原理的に単方向性）であり、非選択性である。すなわち、プラズマエッチング加工においては、イオン爆射の方向は、基板表面に対して略垂直であるため、特定物質に対する選択性は非常に乏しい。加えて、一般的にイオン爆射の束密度及びエネルギーによって決定される純粋イオンエッチングのエッチング速度は遅いのが普通である。
【００１０】
化学処理と、イオン処理とを組み合わせるエッチングは、しばしば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、又はイオン支援エッチングと呼称される。一般的にプラズマ内のイオンは、基板表面を爆射して基板表面の原子の化学結合を破壊し、化学処理による分子との反応に対して、さらに敏感となるようにすることで、化学処理を促進する。化学エッチングは、基板平面に対して垂直及び水平に作用するがイオンエッチングは、主として基板表面に対して垂直に作用するため、垂直エッチング速度は、水平方向のエッチング速度よりもずっと高速となる傾向にある。さらに、ＲＩＥは、異方性プロフィールを備えている傾向にある。
【００１１】
しかし、プラズマ処理システム操作は、危険（有毒ガス、高圧その他）を伴うので、作業員の安全規則は、プラズマ処理装置がロックアウト/タグアウト機構のごとき活性化防止機能を含むことを必須にしていることが多い。一般的にロックアウト機構は、錠と鍵のごとき確実な手段を利用する装置であり、エネルギー遮断装置を安全な位置に保持し、機械あるいは装置の起動を防止するものである。例えば、適正に設置されればブランクフランジ、又はボルト固定スリップブラインドは、ロックアウト装置の役割を果たすであろう。
【００１２】
一般的に、タグアウト装置は、従来手法にてエネルギー遮断装置に確実に固定できるタグ及び取り付け手段等のいかなる目立つ警報装置であってもよい。タグは、タグアウト装置がエネルギー制御手順に従って外されるまで、取付先の機械又は装置が操作されてはならないことを示すものである。
【００１３】
エネルギー遮断装置は、エネルギーの伝達又は放出を物理的に妨害するどのような機械装置であってもよい。限定はしないが、これらには、手動式電気回路ブレーカ、切断スイッチ、電線バルブ及び閉鎖ブロックが含まれる。
【００１４】
装置は、例えば、次の条件の１つを満たせば一般的にロックアウトが可能である。（ａ）ロック装置が取り付け可能な掛け金を備えている；（ｂ）ロック装置が取り付け可能なその他の一体部分を備えている；（ｃ）一体式のロック機構を備えている；（ｄ）エネルギー遮断装置を外したり、再構築したり、あるいは交換したりせず、又はそのエネルギー制御能力を永久変更せずにロックすることができる。
【００１５】
図１には、誘導結合プラズマ処理システムの概略図が図示されている。
【００１６】
一般的に好適セットのプラズマ処理ガスが、ガス供給システム１２２からプラズマチャンバ壁１１７を有したプラズマチャンバ１０２内に供給される。これらプラズマ処理ガスは、注入器１０９にて、あるいはその近辺領域にてイオン化され、静電チャック１１６上にエッジリング１１５と共に設置された半導体基板又はガラス板のごとき基板１１４の露出領域を加工（例えば、エッチング処理又は堆積処理）するためにプラズマ１１０が形成される。
【００１７】
第１ＲＦ発生器１３４は、プラズマを発生（生成）させ、プラズマ強度を制御する。第２ＲＦ発生器１３８は、通常はＤＣバイアスとイオン爆射エネルギーを制御するのに使用されるバイアスＲＦを発生させる。
【００１８】
ソースＲＦ発生器１３４には、整合回路１３６ａがさらに結合されており、バイアスＲＦ発生器１３８には、ＲＦ電源のインピーダンスをプラズマ１１０のインピーダンスに整合させようと試みる整合回路１３６ｂが結合されている。
【００１９】
さらに、バルブ１１２及び一連のポンプ１１１を含んだ真空システム１１３が使用され、プラズマ１１０を維持し、及び/又は処理副産物を除去するのに必要な圧力を達成するためにプラズマチャンバ１０２から周囲雰囲気を脱気する。
【００２０】
図２には、容量結合プラズマ処理システムの概略図が図示されている。
【００２１】
一般的に容量結合プラズマ処理システムは、単一又は複数の別々なＲＦ電源を備えた形態で設計できる。ソースＲＦ発生器２３４で発生されたソースＲＦは、プラズマを発生させ、容量結合を介してプラズマ強度の制御を行うのに利用される。
【００２２】
バイアスＲＦ発生器２３８で発生されるバイアスＲＦは、ＤＣバイアス及びイオン爆射エネルギーを制御するために使用される。ソースＲＦ発生器２３４とバイアスＲＦ発生器２３８には、さらに、整合回路２３６が結合されており、ＲＦ電源のインピーダンスをプラズマのインピーダンスに整合させようと試みる。容量反応器の他の形態は、ＲＦ電源と、トップ電極２０４に接続されている整合回路とを有している。同様なＲＦ及び電極の構造に従った三極管のごとき複数のアノードシステムがさらに存在する。
【００２３】
一般的に好適セットのプラズマ処理ガスがトップ電極２０４の注入口を介してガス供給システム２２２からプラズマチャンバ壁２１７を有したプラズマチャンバ２０２内に注入される。これらプラズマ処理ガスは、その後にイオン化され、電極としても機能する静電チャック２１６上にエッジリング２１５と共に置かれた半導体基板又はガラス板のごとき基板２１４の露出領域の加工（例えば、エッチング処理又は堆積処理）に利用するプラズマ２２０を形成する。
【００２４】
さらに、バルブ２１２並びに一連のポンプ２１１を含んだ真空システム２１３が使用され、プラズマ２２０の維持に必要な圧力を達成するためにプラズマチャンバ２０２から周囲雰囲気を脱気する。
【００２５】
１体のプラズマ処理システムに１７種類以上の異なるガスを利用することは珍しくないため、製造業者は、一般的に自社のガス搬送システムで“ガススティック”と呼称される高密度ガス流形態(high flow density component configurations)を利用する。
【００２６】
このシステムは、基板装置に取り付けられるマニホールド装置（ステンレス鋼その他）の形態で提供することができる。ガス流制御コンポーネントは、一般的にはマニホールド装置自身内に向かってドリル加工されるガス流通路を完成させるためにマニホールド装置の片面に取り付けられることのみを必要とする。
【００２７】
図３は、ガススティックの概略図を図示する。
【００２８】
普通の形態では、ガスシリンダ（図示せず）は、注入バルブ３０２に結合されている。これで操作員は、ガススティック内へ向かうソースガス流を遮断できる。注入バルブ３０２を手動式とすることもできる。他の形態では注入バルブ３０２は空圧式である。すなわち、注入バルブ３０２は、圧縮空気のごとき圧縮ガスで操作される。加えて前述したようにプラズマ処理システムは、ロックアウト/タグアウト機能を必須とするが、ガス供給システム内の空間的限定要因によって、注入バルブ３０２内にロックアウト/タグアウト機能を一体化させることは一般的ではない。
【００２９】
注入バルブ３０２を質量流量制御装置３０８に対する定圧を維持する調節器/変換器３０４にさらに結合することができる。
【００３０】
質量流量制御装置３０８は、主遮断バルブ３１２に取り付けることができ、ガススティック内のガス流を遮断させる。オプションでは、フィルタ３０６が調節器/変換器３０４と主遮断バルブ３１２との間に配置され、ガス流内に侵入する異物を除去する。さらに、排出バルブ３１０が主遮断バルブ３１２と質量流量制御装置３０８との間に設置される。質量流量制御装置３０８は、プラズマ処理システムへのガスの質量流量を測定して調整するのに利用される密封装置（変換器、制御バルブ及び制御・信号処理電子機器で構成）である。
【００３１】
さらに、混合マニホールド３１４が質量流量制御装置３０８に結合されている。このマニホールドは、ガススティック自体には含まれないが、好適ガススティックのそれぞれからのガス流を組み合わせ、注入器３１６を介してプラズマチャンバ３１８内へその混合ガスを送り込む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
しかし、ガス供給システム内で相互のガス流成分密度は、個々のガススティックの活性化防止を困難にする傾向にある。このことは、特にガスススティック注入バルブにおいて大きな問題である。典型的な形態では、例えば、器具組み立て作業の一部として、あるいはプラズマ処理システムを顧客製造施設と一体化させるために従業員が物理的にガス供給システムへのアクセスを願った場合には、全プラズマガスを遮断し、続いて換気処理をしなければならない。この換気処理は、さらに困難化するであろう。なぜなら（ガススティックを挿入前の）注入バルブ内へのガス供給のプラズマガス遮断部は、プラズマ処理システムに物理的に提供されていないかも知れないからである。よって従業員は、プラズマガス遮断ステーションに出向くための時間を浪費する。あるいは、従業員は、別の従業員にその任務を任せなければならないであろう。よって問題を取り除くため、あるいはガス流をテストするために１つのガススティックを素早く安全に遮断することは有利である。
【００３３】
従ってガス搬送システムのための改良活性化防止装置並びにその方法の出現が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００３４】
本発明は、その一実施例においては、ガス搬送システム用の改良活性化防止装置に関する。
【００３５】
この装置は、空圧作動式バルブ装置を含む。装置は、また空圧作動式バルブ装置に物理的に取り付けられたトグルスイッチも含んでいる。トグルスイッチは、トグルアームを含んでいる。トグルアームは、活性化領域又は脱活性化領域内に設置されている。トグルアームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは活性化される。トグルアームが脱活性化領域に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性化される。
【００３６】
この装置は、さらにトグルスイッチに取り付けられた活性化防止機構を含んでいる。一方、活性化防止機構は、トグルアームが、活性化防止機構のロックアウト機能を少なくとも迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動させないように設計されている。
【００３７】
本発明は、その一実施例においては、ガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法に関する。
【００３８】
この方法は、空圧作動式バルブ装置の提供ステップを含んでいる。
【００３９】
この方法は、またトグルスイッチを空圧作動式バルブ装置に取り付けるステップを含む。トグルスイッチは、トグルアームを含み、トグルアームは、活性化領域又は脱活性化領域内に存在する。トグルスイッチは、トグルスイッチが活性化領域内に存在するときに空圧作動式バルブが活性化され、トグルアームが脱活性領域内に存在するときに空圧作動式バルブが脱活性化するように設計されている。
【００４０】
この方法は、さらにトグルスイッチに活性化防止機構を取り付けるステップを含んでいる。その活性化防止機構は、トグルアームが少なくとも活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動することを防止するように設計されている。
【００４１】
本発明は、その一実施例においては、ガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性化防止装置に関する。
【００４２】
この装置は、空圧作動式バルブ装置の提供手段を含んでいる。
【００４３】
この装置は、またトグルスイッチを空圧作動式バルブ装置に取り付ける手段も含む。トグルスイッチは、トグルアームを含む。トグルアームは、活性化領域、又は、脱活性化領域内に存在する。トグルアームが活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは、活性化され、トグルアームが脱活性化領域内に存在するとき、空圧作動式バルブは、脱活性化するようにトグルスイッチは設計されている。
【００４４】
この装置は、トグルスイッチに活性化防止機構を取り付ける手段をさらに含んでいる。活性化防止機構は、トグルアームが少なくとも活性化防止機構のロックアウト機能を迂回することなく脱活性化領域から活性化領域に移動することを防止するように設計されている。
【００４５】
本発明のこれら及び他の特徴は、添付図面を利用した以下の詳細な説明においてさらに詳細に解説されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明を添付の図面に示す好適実施例に関して説明する。
【００４７】
詳細な説明は、本発明の理解を深める目的で提供するものであって、当業者であれば特定細部の一部又は全部を省略しても本発明を実施することができることを理解するであろう。なお、本発明を簡潔に説明するために従来技術及び方法については省略したものもある。
【００４８】
前述のごとく、一般的には、作業員の安全規則は、プラズマ処理装置がロックアウト/タグアウト機構のごとき活性化防止機能を含むことを必須にしていることが多い。
【００４９】
一般的に、ロックアウト機構は、錠と鍵のごとき確実な手段を利用する装置であり、エネルギー遮断装置を安全な位置に保持する。一般的に、タグアウト装置は、従来手法にてエネルギー遮断装置に確実に固定できるタグ及び取り付け手段等のいかなる目立つ警報装置であってもよい。
【００５０】
しかし、ガススティック密度は、個々のガススティックの活性化防止を困難にする傾向にある。このことは、特にガススティック注入バルブにおいて大きな問題である。通常使用されている手動式バルブを備えた直接式にプラズマガス流を遮断するガススティックロックアウト/タグアウト技術（エネルギー遮断装置）とは異なり、本発明は、空圧作動式バルブを手動で脱活性化することによってガス流を間接式に遮断する。すなわち、空圧作動式バルブへの圧縮ガス流を手動で遮断することによってバルブを脱活性化（閉鎖）させ、ガススティック内のプラズマガス流を効果的に停止させる。空圧作動式バルブを備えたロックアウト/タグアウト機構の導入によってガススティックコンポーネント密度を維持させつつ、それぞれのガススティックを個別並びに迅速にロック/タグ処理することによって従業員の安全性を大きく向上させる。
【００５１】
本発明の一実施例では、改良活性化防止装置は、ガススティック注入バルブにおいて有効的に利用される。一実施例では、改良活性化防止装置は、ロックアウト機構を含んでいる。一実施例では、改良活性化防止装置は、タグアウト機構を含んでいる。
【００５２】
ロックアウト機構は、一般的に装置を安全な位置に配置するように錠を取り付けさせ、一方タグアウト機構は、従業員に錠の存在を知らせるためのものである。
【００５３】
規則に一般的に定められているものの、本発明では、改良活性化防止装置にロック及びタグの両方を同時に追加する必要はない。一実施例では、改良活性化防止装置は、手動式ガススティック注入バルブに一体化されている。一実施例では、改良活性化防止装置のロックアウト/タグアウト機構の活用が圧縮ガスに空圧作動式バルブを活性させないように、改良活性化防止装置は空圧作動式バルブに一体化されている。一実施例では、空圧作動式バルブはＩＧＳ（統合ガスシステム）バルブである。
【００５４】
図４は、本発明の一実施例によるロックアウト/タグアウト処理の概略を示す工程図である。ステップ４０２では、プラズマ処理システムを停止する準備が行われる。
【００５５】
次に、ステップ４０４では、プラズマ処理システムは、実際に停止される。
【００５６】
次に、ステップ４０６では、プラズマ処理システムは、ガス源から、例えば、注入バルブを遮断する等によって遮断される。
【００５７】
次に、ステップ４０８で、ロックアウト/タグアウト装置がエネルギー遮断装置（例：注入バルブ等）へ追加される。
【００５８】
次に、ステップ４１０で危険性を秘めた全ての保存又は残余エネルギーが、例えば、プラズマスティック内のあらゆるガスを換気する等によって安全に放出される。
【００５９】
最後に、ステップ４１２では、作業又はメンテナンスの開始に先立って、ガス源からのプラズマ処理システムの遮断が確認される。
【００６０】
図５は、本発明の一実施例による空圧作動式バルブに組み込まれた改良活性化防止装置の概略図である。一実施例では、このバルブは、一体式表面マウントバルブである。一般的に一体式表面マウントコンポーネントは、その上にガス制御コンポーネントが取り付けられた基板装置上の導通路を介して他のガス制御コンポーネントに接続されたガス制御コンポーネント（例：バルブ、フィルタ等）である。これは、ＶＣＲ付属品（真空結合リング）を備えた太い管路を介して装着されているガス制御コンポーネントとは対照的である。
【００６１】
一実施例では、バルブは、ガススティック注入バルブである。一実施例では、バルブはＩＧＳバルブである。基板装置（図示せず）には、典型的には、マニホールド装置５０２が装着されており、マニホールド装置には、空圧作動式バルブ５０６がアダプター５０４を介して取り付けられている。一実施例では、アダプター５０４は、ネジ式である。典型的な形態では、圧力結合部５０８がアダプター器具５１０を介して圧縮ガス供給路（図示せず）を空圧作動式バルブ５０６へ取り付ける。すなわち、圧縮ガスがアダプター器具５１０を通って空圧作動式バルブ５０６へ進入する時、バルブ構造部が係合されてガスがガススティックへと流れる。
【００６２】
一実施例では、アダプター５１０は、ネジ式である。アダプター５１０には、さらに手動式遮断スイッチ５１２とロックアウト/タグアウト機構５１４が取り付けられている。手動式遮断スイッチ５１２がトグルアーム５１６によって係合されると、圧縮ガスが遮断され、空圧作動式バルブ５０６を脱活性化し、ガススティック内のプラズマガス流を停止させる。さらに手動式遮断スイッチ５１２は、手動式遮断スイッチ５１２の係合に先立って空圧作動式バルブ５０６内の全ての圧縮ガスを排気させる排気ポートを含むこともできる。すなわち、空圧作動式バルブ５０６内の圧力は、空圧作動式バルブ５０６外の圧力と実質的に同じとなる。さらに、プラズマ処理システムの安全維持を確実にするようにロック及び/又はタグをロックアウト/タグアウト機構５１４へと追加することができる。一実施例では、改良活性化防止装置は、早すぎる、又は事故による取り外しを最小限に止めるように設計されている。すなわち、空圧作動式バルブ５０６は、まずロック及び/又はタグを取り外さなくては活性化されない。さもないと改良活性化防止装置は、相当に損傷する。一実施例では、ロックは再使用できない。一実施例では、ロックは、人手で取り付けられる。一実施例では、ロックは自動式である。一実施例では、ロックは、解除不能である。一実施例では、タグは一体型ナイロンケーブルタイである。一実施例では、タグには、“始動禁止”、“開放禁止”、“閉鎖禁止”、“起動禁止”及び“運転禁止”のいずれかが表示されている。
【００６３】
図６は、本発明の一実施例による図５に示す改良活性化防止装置５１４の概略図である。一般的にトグルアーム（図示せず）がパネル６０４−ａと６０４−ｂとの間に挟まれるよう、トグルアームは、孔部６０８に挿入される。
【００６４】
ロックアウト/タグアウト機構５１４は、トグルアーム（図示せず）が脱活性化領域６１４内に存在し（図５に示すように空圧作動式バルブ５０６を脱活性化する。）、ロックが導通路６０６を通って配置されるときに、トグルアーム（図示せず）は、ロックアウト/タグアウト機構５１４を迂回（例：パネル６０４−ａと６０４−ｂを断裂させる、ロックを除去する、ロックアウト/タグアウト機構を湾曲させる等）することなく、活性化領域６１２へ戻ることはできないように脱活性化領域６１４と活性化領域６１２とをさらに含んでいる。
【００６５】
図７は、ガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法を示す工程図である。
【００６６】
先ず、ステップ７０２で空圧作動式バルブ装置を提供する。
【００６７】
次に、ステップ７０４でトグルスイッチが空圧作動式バルブ装置へ取り付けられる。トグルスイッチは、トグルアームを含んでおり、トグルアームは、活性化領域又は脱活性化領域内に存在する。
【００６８】
最後に、ステップ７０６でトグルスイッチに活性化防止機構が取り付けられる。
【００６９】
以上、本発明を好適実施例に関して説明したが、本発明の範囲内での変更は可能である。例えば、本発明をラムリサーチプラズマ処理システム（例：エクセランＴＭ、エクセランＴＭＨＰ、エクセランＴＭＨＰＴ、２３００ＴＭ、ベリシスＴＭスター等）に関して説明したが、他のプラズマ処理システムを利用することもできる。
【００７０】
本発明は、多様な直径（例：２００ｍｍ、３００ｍｍ等）の基板にも利用できる。さらに、あらゆる型の空圧作動式バルブを利用できる。本発明の方法を実施する多くの変形も存在する。
【００７１】
本発明の利点には、メンテナンス、組み立て作業あるいは取り付けのために従業員が物理的にガス供給システムへのアクセスを願った場合には、全プラズマガスを遮断し、続いて換気処理をしなければならないという非改良型のガス搬送システムに関わる発生コストの回避が含まれる。
【００７２】
別の利点には、ガススティックコンポーネント密度を維持させつつ、それぞれのガススティックを個別並びに迅速にロック及び/又はタグ処理することによって従業員の安全性を大きく向上させる点が含まれる。
【００７３】
以上、好適実施例について説明したが、本発明の範囲内での変更は可能である。本発明の範囲は「特許請求の範囲」によって定義されている。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
本発明の実施例を、添付図面を利用して解説するが、それら実施例は、本発明の説明のみを意図しており、何ら本発明を限定するものではない。
【図１】図１は、誘導結合プラズマ処理システムの概略図である。
【図２】図２は、容量結合プラズマ処理システムの概略図である。
【図３】図３は、ガススティックの概略図である。
【図４】図４は、本発明の一実施例によるロックアウト/タグアウト処理を示す工程図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例による空圧作動式バルブに組み込まれた改良活性化防止装置の概略図である。
【図６】図６は、本発明の一実施例による改良活性化防止装置を示す一連の概略図である。
【図７】図７は、本発明の一実施例によるガス搬送システムの空圧作動式バルブ装置の活性化防止方法を示す工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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