(57)【要約】  触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体を、酸素を含む処理材料と、少なくとも３５０℃の触媒温度で、少なくとも５分間接触させる段階を含む、支持体の表面積の１ｍ２当り多くても０．１５ｇの量で銀を含む、担持されたエポキシ化触媒の処理方法；触媒；オレフィンのエポキシ化プロセス；および１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンの製造方法。
2009525848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体を、酸素を含む処理材料と、少なくとも３５０℃の触媒温度で、少なくとも５分間接触させる段階を含む、支持体の表面積の１ｍ２当り多くても０．１５ｇの量の銀を含む、担持されたエポキシ化触媒の処理方法。
【請求項２】
続いて触媒温度を高くても３２５℃まで低下させる段階を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒が、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、ならびに０．２から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が全細孔容積の少なくとも７０％を表し、およびこのような細孔が同時に、支持体の重量に対して少なくとも０．２５ｍｌ／ｇの細孔容積を与えるうな細孔径分布を有するα−アルミナ支持体を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
触媒が、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、ならびに細孔直径の中央値が０．８μｍを超え、および全細孔容積の少なくとも８０％が０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔において含まれ、および０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれる細孔容積の少なくとも８０％が０．３から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれるような細孔径分布を有するα−アルミナ支持体を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
触媒が、銀に加えて、ＩＡ族金属、ならびにレニウム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される１つ以上の選択性向上ドーパントを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
触媒が、銀に加えて、レニウムまたはこの化合物、ならびにＩＡ族金属、ＩＩＡ族金属、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、タリウム、トリウム、タンタル、ニオブ、ガリウム、ゲルマニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される更なる金属またはこの化合物を含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
触媒が、硫黄、リン、ホウ素、およびこれらの化合物からなる群から選択される、レニウム助促進剤を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
触媒が、α−アルミナ支持体を含み、および前記支持体の表面積に対する銀の量が多くても０．１２ｇ／ｍ２である、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
触媒が、全触媒に対して１０から５００ｇ／ｋｇの量の銀を含み、および支持体が１．５から５ｍ２／ｇの表面積を有する、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
処理材料が、全材料に対して１から３０容量％の量の酸素を含み、触媒温度が３５０℃から７００℃の範囲にある、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体が、３７５℃から６００℃の範囲における触媒温度で、０．２５から５０時間接触させられる、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
処理された触媒の摩滅損失が、多くても３０％、特に、多くても２０％である、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載の方法により得ることのできる触媒。
【請求項１４】
オレフィンおよび酸素を含むエポキシ化材料を、請求項１３に記載の触媒と接触させる段階を含む、オレフィンのエポキシ化プロセス。
【請求項１５】
オレフィンがエチレンを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
エポキシ化材料が、反応改良剤として、有機塩化物および場合により硝酸塩または亜硝酸塩形成化合物を更に含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１４から１６のいずれかに記載のオレフィンのエポキシ化プロセスにより得られたオレフィンオキシドを、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンに転換する段階を含む、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテルまたはアルカノールアミンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒の処理方法、触媒、およびオレフィンオキシド、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オレフィンのエポキシ化においては、オレフィンは、銀を基にした触媒の存在下において酸素と反応してオレフィンエポキシドを形成する。オレフィンオキシドは、水、アルコールまたはアミンと反応して１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテルまたはアルカノールアミンを形成する。この様に、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテルおよびアルカノールアミンは、オレフィンのエポキシ化および形成されたオレフィンオキシドを、水、アルコールまたはアミンで転換する段階を含む多段階法において製造することができる。
【０００３】
現代の銀を基にした触媒は、オレフィンオキシド製造に関してより高選択性である。エチレンのエポキシ化において現代の触媒を使用する場合、エチレンオキシドに関する選択率は、６／７、即ち８５．７モル％限界を超える値に達することができる。この限界は、反応式、
７Ｃ２Ｈ４＋６Ｏ２  ⇒  ６Ｃ２Ｈ４Ｏ＋２ＣＯ２＋２Ｈ２Ｏ
（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ’ｓ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、  ３ｒｄ  ｅｄ．、Ｖｏｌ  ９、１９８０年、４４５頁を参照）の化学量論を基準にしたこの反応の理論的最大選択率であると長く考えられていた。このような高い選択性の触媒は、この活性成分として、銀、および１つ以上の選択性向上ドーパント、例えば、レニウム、タングステン、クロムまたはモリブデンを含む成分等を含んでいてもよい。高選択性の触媒は、例えば、ＵＳ−Ａ−４７６１３９４およびＵＳ−Ａ−４７６６１０５において開示されている。
【０００４】
エポキシ化プロセスの初期段階中に、触媒は、その間における酸素転換が非常に高く、反応改良剤の存在下においてでも、選択率の水準は非常に低い所謂「破過段階（ｂｒｅａｋ−ｔｈｒｏｕｇｈ  ｐｈａｓｅ）」を経験する。エポキシ化プロセスは、この破過段階中、制御することが困難である。特に、反応が、選択率の魅力的な水準でより一層容易に制御できるような状態になるまでには、転換のための商業エポキシ化プロセスの初期段階において長い時間が掛かる可能性がある。
【０００５】
米国特許出願第２００４／００４９０６１号は、触媒を、酸素の存在下において、２５０℃より上で、１５０時間まで加熱することにより、多くても０．１７ｇ／ｍ２の表面積を含む、高選択性の銀を基にした触媒の選択率を改良することを検討している。好ましい実施形態において開示されている温度は、２５０℃より上から高くても３２０℃の範囲にある。
【０００６】
米国特許出願第２００４／０１１０９７１号は、エポキシ化プロセスの開始を改良すること、即ち、高選択性の触媒と酸素材料とを、２６０℃より上の温度で、多くても１５０時間の間接触させることにより、エポキシ化プロセスの初期段階中に生起する破過段階の期間を減少させることに関するものである。好ましい実施形態において開示されている温度は、２６０℃より上から高くても３００℃の範囲にある。
【０００７】
したがって、選択性を更に改良し、エポキシ化プロセスの初期段階中に生起する破過段階の期間を減少させる改良方法に対する要望が存在する。
【０００８】
商業エポキシ化プロセスの始動の間に、更なる手順が使用されてもよい。例えば、エポキシ化プロセスを実施する前に、触媒を、触媒上を通過する不活性掃引ガスと一緒に、高温、例えば、２００から２５０℃の範囲における高温に掛けて、触媒を前処理することが有用なことがある。掃引ガスは、窒素、アルゴンおよびこれらの混合物を含む。高い触媒温度は、触媒の製造において使用されたものであってもよい有機窒素化合物のかなりの部分を、ガス流において掃引し、触媒から除去される窒素含有ガスへ転換する。
【０００９】
更に、商業エポキシ化プロセスの始動の間に、触媒を、反応改良剤、特に、有機ハロゲン化物を含む材料で予備浸漬し、次いで、触媒を、低濃度で反応改良剤を含む材料（もしあれば）と接触させることが有用なこともある。
【００１０】
また、このような前処理および／または予備浸漬手順を必要としない更に有効な始動方法に対する要望が存在する。
【００１１】
エポキシ化触媒のその他の重要な特徴は触媒の機械的強度であり、その理由は、低い機械的強度を持つ触媒は商業方法内で問題を引き起こすからである。機械的強度としては、摩滅抵抗性および破砕強度を挙げることができる。
【００１２】
商業方法内では、摩擦または擦れが、触媒粒子それ自体の間で、または触媒と装置表面との間で発生する。この摩擦または擦れは、触媒の製造中、触媒の運搬中、エオポキシ化反応器への充填中、またはその他の反応器プロセス中に発生する可能性がある。これらの力は、触媒が微粉と呼ばれる小さな粒子へ破壊する原因となる可能性がある。触媒のこの物理的破壊は摩滅として知られている。
【００１３】
触媒をエポキシ化反応器へ充填する間に発生する摩滅は粉化問題を引き起こし、高価な触媒の損失をもたらす可能性がある。エポキシ化プロセスに関わる摩滅に付随した問題とは、微粉が反応帯域から追い出されて、１）分離器または酸化方法内のその他の場所で過剰な反応の進行、および２）回収系での問題の発生をもたらす可能性があるということである。触媒の損失は、全体のプロセス効率に影響する触媒の生産性を減少させ、運転コストを増加させる。したがって、触媒の摩滅抵抗性を改良することは極めて望ましいことであろう。
【００１４】
また、触媒の破砕強度を改良することも望ましい。商業プロセス内では、大きな力が、反応器の充填中および反応途中に触媒に掛かる。反応器内での触媒の破壊は、圧損の増加を招き、触媒床上の反応体の分布を悪くする。
【００１５】
ＥＰ−Ａ−８０８２１５は、焼却材料としてポリプロピレンを使用して作られた担体と一緒に調製された触媒が、破砕強度および摩滅抵抗性を改良したことを教示している。
【００１６】
ＵＳ−４４２８８６３は、破砕強度および摩滅抵抗性を改良するために、担体中へ、アルミン酸バリウムおよびケイ酸バリウムを導入することを教示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
この様に、改良は既に達成されているにも拘わらず、オレフィンエポキシ化触媒の性能を改良すること、そして、特に、触媒の機械的強度を増加することへの要望が存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体を、酸素を含む処理材料と、少なくとも３５０℃の触媒温度で、少なくとも５分間接触させる段階を含む、支持体の表面積１ｍ２当り多くても０．１５ｇの量で銀を含む、担持されたエポキシ化触媒の処理方法を提供する。
【００１９】
また、本発明は、本発明による方法で得ることのできるエポキシ化触媒を提供する。
【００２０】
また、本発明は、オレフィンおよび酸素を含むエポキシ化材料を、本発明により調製されたエポキシ化触媒と接触させる段階を含む、オレフィンのエポキシ化プロセスを提供する。
【００２１】
また、本発明は、本発明によるオレフィンのエポキシ化プロセスで得られたオレフィンオキシドを、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンへ転換する段階を含む、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンの製造方法を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明方法により処理された触媒は、摩滅および／または破砕強度試験で分かる様に、改良された機械的強度を示すことができる。
【００２３】
更に、本発明方法により処理された触媒であって、１つ以上の選択性向上ドーパントを更に含む触媒は、改良された触媒性能、特に、増加した初期選択率を示す。また、１つ以上の選択性向上ドーパントを更に含むこれらの処理された触媒は、オレフィンオキシドの更なる製造をもたらすエポキシ化プロセスにおける初期段階で初期選択率を示すことができる。
【００２４】
更なる利点として、掃引ガスでの触媒の前処理の手順を、エポキシ化プロセスの始動の間に行わなくてもよい。また、反応改良剤での触媒の予備浸漬の手順は不必要になることがあり、したがって、行わなくてもよい。これらの更なる利点は、プロセス効率を改良し、運転コストを下げる。
【００２５】
本明細書で使用される初期選択率は、触媒が流れに置かれた後に達成される最大選択率を意味する。本発明による触媒を実際に使用する場合においては、初期選択率は運転の約７２時間前に達成される。本明細書において例示される様に、初期選択率は、反応器出口でおよび凡そ６８００Ｎｌ（ｌ．ｈ）の気体空間速度で１．７％のオレフィンオキシド作製で測定されてもよい。
【００２６】
本発明における使用のための支持体材料は、天然または合成無機粒子材料であってもよく、これらは、耐火材料、炭化ケイ素、粘土、ゼオライト、木炭およびアルカリ土類金属炭酸塩、例えば、炭酸カルシウムまたは炭酸マグネシウムを含んでもよい。耐火材料、例えば、アルミナ、マグネシア、ジルコニアおよびシリカ等が好ましい。最も好ましい材料はα−アルミナである。一般的に、支持体材料は、少なくとも８５重量％、更に一般的には、９０重量％、特に、９５重量％のα−アルミナまたはこの前駆体、多くの場合、９９．９重量％まで、または更に１００重量％までのα−アルミナもしくはこの前駆体を含む。α−アルミナは、α−アルミナの鉱化、好適には、ホウ素による鉱化、または、好ましくは、フッ化物鉱化で得られてもよい。参照は、参照により本明細書に組み込まれるＵＳ−Ａ−３９５０５０７、ＵＳ−Ａ−４３７９１３４およびＵＳ−Ａ−４９９４５８９に対して為される。
【００２７】
支持体材料の前駆体は、広範囲から選択されてもよい。例えば、α−アルミナ前駆体としては、水和アルミナ、例えば、ベーマイト、擬似ベーマイト、およびギブサイト等、ならびに遷移アルミナ、例えば、χ、κ、γ、δ、θ、およびηアルミナ等が挙げられる。
【００２８】
支持体材料は、好ましくは、多くても２０ｍ２／ｇ、特に０．５から２０ｍ２／ｇ、更に具体的には、１から１０ｍ２／ｇ、最も具体的には、１．５から５ｍ２／ｇの範囲における表面積を有してもよい。本明細書で使用される「表面積」は、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ６０（１９３８年）３０９頁−３１６頁において記載されているＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ、Ｅｍｍｅｔｔ  ａｎｄ  Ｔｅｌｌｅｒ）法で決定される表面積を参照するものと理解される。
【００２９】
１つの実施形態においては、アルミナ支持体は、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、および０．２から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が全細孔容積の少なくとも７０％を表すような細孔径分布を有し、このような細孔は、支持体の重量に対して少なくとも０．２５ｍｌ／ｇの細孔容積を同時に与える。好ましくは、この特定の実施形態においては、細孔径分布は、０．２μｍ未満の直径を持つ細孔が、全細孔容積の０．１から１０％、特に、全細孔容積の０．５から７％を表し、０．２から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が、全細孔容積の８０から９９．９％、特に、全細孔容積の８５から９９％を表し、１０μｍを超える直径を持つ細孔が、全細孔容積の０．１から２０％、特に、全細孔容積の０．５から１０％を表すようなものである。好ましくは、この特定の実施形態においては、０．２から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔は、０．３から０．８ｍｌ／ｇ、特に、０．３５から０．７ｍｌ／ｇの範囲における細孔容積を与える。好ましくは、この特定の実施形態においては、全細孔容積は、０．３から０．８ｍｌ／ｇ、特に、０．３５から０．７ｍｌ／ｇの範囲にある。好ましくは、この特定の実施形態においては、支持体の表面積は多くても３ｍ２／ｇである。好ましくは、この特定の実施形態においては、表面積は１．４から２．６ｍ２／ｇの範囲にある。
【００３０】
その他の実施形態においては、アルミナ支持体は、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、および細孔直径の中央値が０．８μｍを超え、全細孔容積の少なくとも８０％が０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれ、０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれる細孔容積の少なくとも８０％が０．３から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれるような細孔径分布を有する。好ましくは、この特定の実施形態においては、細孔径分布は、０．１μｍ未満の直径を持つ細孔が、全細孔容積の多くても５％、特に、全細孔容積の多くても１％を表し、０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が、全細孔容積の９９％未満、特に、全細孔容積の９８％未満を表し、０．３から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が、０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれる細孔容積の少なくとも８５％、特に、少なくとも９０％を表し、０．３μｍ未満の直径を持つ細孔が、全細孔容積の０．０１から１０％、特に、全細孔容積の０．１から５％を表し、１０μｍを超える直径を持つ細孔が、全細孔容積の０．１から１０％、特に、全細孔容積の０．５から８％を表すようなものである。好ましくは、この特定の実施形態においては、細孔径分布は、細孔直径の中央値が０．８５から１．９μｍ、特に、０．９から１．８μｍの範囲にあるようなものである。好ましくは、この特定の実施形態においては、支持体の表面積は多くても３ｍ２／ｇである。好ましくは、この特定の実施形態においては、表面積は１．４から２．５ｍ２／ｇの範囲にある。
【００３１】
本明細書で使用される細孔径分布および細孔容積は、Ｍｉｃｒｏｍｅｒｅｔｉｃｓ  Ａｕｔｏｐｏｒｅ  ９２００  ｍｏｄｅｌ（接触角１３０°、０．４７３Ｎ／ｍの表面張力を持つ水銀、および水銀圧縮のための補正が適用された）を使用して、３．０×１０８Ｐａの圧力までの水銀侵入により測定されるものである。
【００３２】
本明細書で使用される細孔直径の中央値は、全細孔容積の半分が大きな細孔直径を有する細孔において含まれ、全細孔容積の半分が小さな細孔直径を有する細孔に含まれる細孔直径である。
【００３３】
本明細書で使用される細孔容積（ｍｌ／ｇ）、および表面積（ｍ２／ｇ）ならびに水分吸収（ｇ／ｇ）は、別途言及されない限り、担体の重量に対して定義される。
【００３４】
１つの実施形態においては、支持体材料またはこの前駆体は処理されていてもよく、特に、ナトリウムイオンを放出するための能力を減少させるために、即ち、そのナトリウム可溶化速度を減少させるために、または水溶性シリケートのその含有量を減少させるために処理されていてもよい。適当な処理は水で洗浄することを含む。例えば、支持体材料またはこの前駆体は、熱い脱塩水で、連続またはバッチ方式で、例えば、流出水の電気伝導度が更に減少しなくなるまで、または流出液においてナトリウムもしくはシリケートの含有量が極めて低くなるまで洗浄されてもよい。脱塩水の適当な温度は、８０から１００℃の範囲にあってもよく、例えば、９０℃または９５℃であってもよい。あるいはまた、支持体材料またはこの前駆体は、塩基で、次いで水で洗浄されてもよい。洗浄後、支持体材料またはこの前駆体は、一般的に乾燥されてもよい。参照は、参照により本明細書に組み込まれるＵＳ−Ｂ−６３６８９９８に対して為されてもよい。その様にして処理された支持体材料または前駆体材料を使用して調製された触媒は、改良された初期選択率、初期活性および／または安定性、特に、選択率安定性および／または活性安定性に関して改良された性能を有する。
【００３５】
本明細書において参照される摩滅試験は、ＡＳＴＭ  Ｄ４０５８−９６によるものであり、試験サンプルは、その調製後にそのまま、即ち、試験サンプルを乾燥するステップを表す、前記方法のステップ６．４を省略して試験される。本発明により調製された触媒に対して測定される摩滅損失は、好ましくは、多くても５０％、更に好ましくは、多くても４０％、最も好ましくは、多くても３０％、特に、多くても２０％であってもよい。多くの場合、摩滅損失は少なくとも１０％であってもよい。
【００３６】
本明細書において参照される破砕強度は、ＡＳＴＭ  Ｄ６１７５−９８により測定されるものであり、試験サンプルは、その調製後にそのまま、即ち、試験サンプルを乾燥するステップを表す、前記方法のステップ７．２を省略して試験される。本発明により調製された触媒の破砕強度、特に、８．８ｍｍの外径および３．５ｍｍの内径の中空円筒粒子の破砕強度として測定される破砕強度は、少なくとも２Ｎ／ｍｍ、好ましくは、少なくとも４Ｎ／ｍｍ、更に好ましくは、少なくとも６Ｎ／ｍｍ、最も好ましくは、少なくとも８Ｎ／ｍｍであってもよい。破砕強度、特に、８．８ｍｍの外径および３．５ｍｍの内径の中空円筒粒子の破砕強度として測定される破砕強度は、多くの場合、多くても２５Ｎ／ｍｍ、特に、多くても２０Ｎ／ｍｍであってもよい。特定の中空円筒の形状を有する触媒粒子は、外側円筒と同軸である内径で定義される円筒口径を有する。このような触媒粒子は、これらが約８ｍｍの長さを有する場合は、多くの場合、「名目８ｍｍ円筒」または「標準８ｍｍ円筒」と称される。
【００３７】
一般的に、例えば、台形体、円筒、サドル、球形、ドーナツの形態における触媒粒子を使用することが極めて都合のよいことが分かった。触媒粒子は、一般的に、３から１５ｍｍ、好ましくは、５から１０ｍｍの範囲における最大外側寸法を有してもよい。これらは固体または中空であってもよく、即ち、これらは穴を有してもよい。円筒は固体または中空であってもよく、これらは、一般的に、３から１５ｍｍ、更に一般的には、５から１０ｍｍの長さを有してもよく、これらは、一般的に、３から１５ｍｍ、更に一般的には、５から１０ｍｍの断面外側直径を有してもよい。円筒の長さ対断面直径の比は、一般的に、０．５から２、更に一般的には、０．８から１．２５の範囲にあってもよい。形状化粒子、特に円筒は、一般的に、０．１から５ｍｍ、好ましくは、０．２から２ｍｍの範囲の直径を有する穴を有する中空であってもよい。形状化粒子における相対的に小さな穴の存在は、粒子が相対的に大きな穴を有する状態に比べて、これらの破砕強度および達成できる充填密度を増加する。形状化粒子における相対的に小さな穴の存在は、粒子が固体粒子である、即ち穴を持たない粒子である状態に比べて、形状化触媒の乾燥において有利である。
【００３８】
好ましくは、触媒は、銀に加えて、ＩＡ族金属、およびレニウム、モリブデンおよびタングステンから選択されてもよい１つ以上の選択性向上ドーパントを含む。選択性向上ドーパントを含む触媒は、本明細書においては「高選択性の触媒」として表される。
【００３９】
触媒は、全触媒に対して、好適には、１０から５００ｇ／ｋｇ、更に好適には、５０から３００ｇ／ｋｇの量の銀を含む。ＩＡ族金属、ならびに選択性向上ドーパントは、全触媒に関して、元素（レニウム、モリブデン、タングステンまたはＩＡ族金属）として計算して０．０１から５００ミリモル／ｋｇの量においてそれぞれ存在してもよい。好ましくは、ＩＡ族金属は、リチウム、カリウム、ルビジウムおよびセシウムから選択されてもよい。レニウム、モリブデンまたはタングステンは、好適には、塩または酸形態において、オキシアニオンとして、例えば、過レニウム酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩として与えられてもよい。
【００４０】
好ましくは、支持体の表面積に対する銀の量、即ち、銀密度は、多くても０．１５ｇ／ｍ２、更に好ましくは、多くても０．１４ｇ／ｍ２、最も好ましくは、多くても０．１２ｇ／ｍ２、例えば、多くても０．１ｇ／ｍ２であってもよい。好ましくは、支持体の表面積に対する銀の量は、少なくても０．０１ｇ／ｍ２、更に好ましくは、少なくても０．０２ｇ／ｍ２であってもよい。理論に拘泥する積りはないが、支持体表面上で低銀密度を有する触媒は、触媒の熱処理中に最小接触焼成を示してもよい。
【００４１】
特に好ましいのは、銀に加えて、レニウムを含む高選択性のエポキシ化触媒である。高選択性のエポキシ化触媒は、参照により本明細書に組み込まれるＵＳ−Ａ−４７６１３９４およびＵＳ−Ａ−４７６６１０５から公知である。概して、これらは、支持体材料上に、銀、レニウムまたはこれらの化合物、更なる金属またはこの化合物、ならびに場合により、硫黄、リン、ホウ素、およびこれらの化合物の１つ以上から選択されてもよいレニウム助促進剤を含む。更なる金属は、ＩＡ族金属、ＩＩＡ族金属、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、タリウム、トリウム、タンタル、ニオブ、ガリウム、ゲルマニウム、およびこれらの混合物から選択されてもよい。好ましくは、ＩＡ族金属は、リチウム、カリウム、ルビジウム、およびセシウムから選択されてもよい。ＩＩＡ族金属は、カルシウムおよびバリウムから選択されてもよい。最も好ましくは、ＩＡ族金属は、リチウム、カリウムおよび／またはセシウムから選択されてもよい。できれば、レニウム、更なる金属またはレニウム助促進剤は、一般的に、塩または酸形態において、オキシアニオンとして与えられてもよい。
【００４２】
これらの触媒の成分の好ましい量は、全触媒に関して元素として計算した場合：
１０から５００ｇ／ｋｇの銀、
０．０１から５０ミリモル／ｋｇのレニウム、
０．１から５００ミルモル／ｋｇのそれぞれの更なる金属、および、もし存在すれば、
０．１から３０ミリモル／ｋｇのそれぞれのレニウム助促進剤
である。
【００４３】
触媒の調製は当該技術分野において公知であり、公知の方法は本発明に適用できる。触媒を調製するための方法は、支持体を銀化合物およびその他の触媒成分で含浸する段階、ならびに還元を行って金属銀粒子を形成する段階を含む。例えば、参照により本明細書に組み込まれる、ＵＳ−Ａ−４７６１３９４、ＵＳ−Ａ−４７６６１０５、ＵＳ−Ａ−５３８０６９７、ＵＳ−Ａ−５７３９０７５、ＵＳ−Ｂ１−６３６８９９８、ＵＳ−２００２／００１００９４Ａ１、ＷＯ−００／１５３３３、ＷＯ−００／１５３３４およびＷＯ−００／１５３３５を参照することができる。
【００４４】
本発明の熱処理は、触媒または触媒の前駆体へ適用されてもよい。触媒の前駆体とは、還元されていない、即ち、カチオン形態における銀を含み、還元後に意図した触媒を得るために必要な成分を更に含む担持された組成物を意味する。この場合においては、還元は本明細書において検討されている処理材料との接触中に行われてもよい。
【００４５】
本発明の熱処理は、また、エポキシ化プロセスにおけるこれらの使用中の触媒、またはプラント停止により、長期間閉じ込められたままになっていた使用済み触媒に適用されてもよいが、殆どの商業プラントは、本発明に必要とされる温度まで触媒を加熱することのできるシステムを含まない。
【００４６】
本明細書で使用される触媒温度は、触媒粒子の重量平均温度であると見なされる。
【００４７】
本発明によれば、触媒、またはカチオン形態において銀を含む触媒の前駆体は、それを、（処理が、本明細書においては「熱処理」と言う用語で参照されてもよい）少なくとも３５０℃の触媒温度で酸素を含む処理材料と接触させることにより処理される。好ましくは、３５０℃より上、更に好ましくは、少なくとも３７５℃、最も好ましくは、少なくとも４００℃の触媒温度が使用されてもよい。好ましくは、高くても７００℃、更に好ましくは、高くても６００℃、最も好ましくは、高くても５００℃の温度が使用されてもよい。
【００４８】
熱処理の期間は少なくとも５分、好ましくは、１０分を超え、更に好ましくは、少なくとも０．２５時間、特に、少なくとも０．５時間、更に具体的には、少なくとも０．７５時間である。好ましくは、熱処理の期間は、多くても１００時間、更に好ましくは、多くても７５時間、最も好ましくは、多くても６０時間、特に、０．２５から５０時間、更に具体的には、０．７５から４０時間の範囲にあってもよい。
【００４９】
熱処理において使用されてもよい材料（以降、「処理材料」）は、任意の酸素含有材料である。好ましくは、処理材料は純粋な酸素であってもよく、または一般的な条件下で不活性である更なる成分を含んでもよい。好適には、処理材料は、酸素および不活性ガス、例えば、アルゴン、二酸化炭素、ヘリウム、窒素、または飽和炭化水素等を含む混合物であってもよい。このような混合物は、例えば、空気、酸素に富む空気、または空気／メタン混合物であってもよい。好適には、酸素に加えて、処理材料は、以降で説明される１つ以上のオレフィンを含んでもよい。このような混合物は、脱湿または加湿されていてもよく、好ましくは、加湿されていてもよい。しかしながら、処理材料におけるこれらの更なる成分の１つ以上の存在は、本発明にとって必須のものであるとは考えない。
【００５０】
処理材料における酸素の量は、全材料に対して、好ましくは、１から３０容量％、更に好ましくは、２から２５容量％、最も好ましくは、３から２５容量％の範囲にあってもよい。不活性ガスの量は、全処理材料に関して、９９から７０容量％、特に、９８から７５容量％、更に具体的には、９７未満から７５容量％の範囲にあってもよい。
【００５１】
熱処理は、一般的に、４０００ｋＰａまでの絶対圧力で、好ましくは、５０から２０００ｋＰａの範囲において、例えば、１０１．３ｋＰａ（大気圧）において行われてもよい。
【００５２】
本発明の熱処理は、好ましくは、一般的な商業プラントの温度制約により、別々の方法、換言すれば、エポキシ化プロセスにおける一段階として組み込まれない方法として行われてもよい。
【００５３】
触媒の熱処理は、触媒、または触媒の前駆体が加熱装置に供給され、加熱された処理材料ガスと接触させられる方法で行われてもよい。熱処理は、バッチ型方法または連続方法であってもよい。加熱装置は、オーブン、キルン等、または好ましくは、ガス流動バンド乾燥機であってもよい。ガス流動バンド乾燥機では、熱処理される触媒はガス流動型エンドレスベルト上に置かれて乾燥機中へ運ばれ、一方、加熱された処理材料ガスは、ベルトの上部または下部方向から乾燥される対象物を通過する。更なる参照のために、“Ｐｅｒｒｙ’ｓ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ’Ｈａｎｄｂｏｏｋ”ｂｙ  Ｒｏｂｅｒｔ  Ｈ．Ｐｅｒｒｙ  ｅｔ  ａｌ．  ６ｔｈ  ｅｄ．、２０−１４頁から２０−５１頁（１９８４年）を参照のこと。
【００５４】
処理材料ガスは、プロセス効率を増加するために再循環されてもよい。処理材料は、加熱装置において、触媒、または触媒の前駆体と接触後排出され、再度導入されてもよい。加熱装置への再導入前に、排出ガスの一部は、処理ガスにおける汚染物質の蓄積を避けるためにパージされ、新鮮な処理材料ガスで置き換えられてもよい。
【００５５】
熱処理の後に、触媒温度は、高くても３２５℃、好ましくは、高くても３１０℃、更に好ましくは、３００℃より下の触媒温度まで減少されてもよい。ガス状内容物は、処理材料と同様に維持され、以降で説明される様にエポキシ化材料で置換えられてもよく、または前述の様に不活性ガスで置換えられてもよい。圧力は、また、熱処理と同様に維持され、増加されてもよくまたは減少されてもよい。
【００５６】
好ましくは、触媒温度は、触媒の貯蔵に好適であってもよい温度、例えば、０から５０℃、特に、１０から４０℃の範囲における触媒温度まで減少されてもよい。好ましくは、触媒は不活性ガスの存在下において貯蔵されてもよい。貯蔵後に、触媒は、エポキシ化プロセスにおいて適用されてもよい。
【００５７】
１つの実施形態においては、熱処理は、必要とされる触媒温度を達成するためのエポキシ化装置にとって可能である限り、充填触媒床を含むエポキシ化プロセスの一部として行われてもよい。加熱された処理材料のＧＨＳＶは、１５００から１００００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）の範囲にあってもよい。「ＧＨＳＶ」または気体空間速度は、１時間当り充填触媒の１単位容積上を通過する、標準温度および圧力（０℃、１ａｔｍ、即ち、１０１．３ｋＰａ）での気体の単位容積である。熱処理は、エポキシ化プロセスの任意の段階において、例えば、開始中に、または通常のオレフィンオキシド製造中にエポキシ化プロセスにおいて組み込まれてもよい。充填触媒床の熱処理後に、触媒温度は、高くても３２５℃、好ましくは、高くても３１０℃、更に好ましくは、３００℃より下の触媒温度まで減少されてもよい。
【００５８】
以下の記述は、本発明の熱処理に掛けられた触媒を使用するエポキシ化プロセスに関する。エポキシ化プロセスは当該技術分野において公知の方法を使用して行われてもよい。参照は、例えば、参照により本明細書に組み込まれる、ＵＳ−Ａ−４７６１３９４、ＵＳ−Ａ−４７６６１０５、ＵＳ−Ｂ１−６３７２９２５、ＵＳ−Ａ−４８７４８７９およびＵＳ−Ａ−５１５５２４２に対して為されてもよい。
【００５９】
エポキシ化プロセスは多数の方法において行われてもよいが、気相方法として、即ち、エポキシ化材料が、気相において、固体材料として、一般的には充填床として存在する形状化触媒と接触させられる方法で行うのが好ましい。一般的に、方法は連続方法として行われる。
【００６０】
本発明のエポキシ化プロセスにおける使用のためのオレフィンは、任意のオレフィン、例えば、芳香族オレフィン、例えば、スチレン、またはジ−オレフィン、共役または共役ではない、例えば、１，９−デカジエン、１，３−ブタジエン等であってもよい。オレフィンの混合物が使用されてもよい。一般的に、オレフィンは、モノオレフィン、例えば、２−ブテンまたはイソブテンであってもよい。好ましくは、オレフィンはモノ−α−オレフィン、例えば、１−ブテンまたはプロピレンであってもよい。最も好ましいオレフィンはエチレンである。
【００６１】
エポキシ化材料におけるオレフィン濃度は広範囲の内で選択されてもよい。一般的に、エポキシ化材料におけるオレフィン濃度は、全材料に対して多くても８０モル％である。好ましくは、同じ基準に対して０．５から７０モル％、特に、１から６０モル％の範囲にある。本明細書において使用されるエポキシ化材料は、触媒と接触する組成物であると見なされる。
【００６２】
エポキシ化プロセスは、空気を基にした、または酸素を基にしたものであってもよい、“Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ  Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”、３ｒｄ  ｅｄｉｔｉｏｎ、Ｖｏｌｕｍｅ  ９、１９８０年、４４５−４４７頁を参照されたい。空気を基にした方法においては、空気または酸素に富む空気が酸化剤の源として使用され、一方、酸素を基にした方法においては、高純度（少なくとも９５モル％）酸素が酸化剤の源として使用される。現在、殆どのエポキシ化プラントは酸素を基にしたものであり、これは本発明の好ましい実施形態の１つである。
【００６３】
エポキシ化材料における酸素濃度は広範囲の内で選択されてもよい。しかしながら、実際には、酸素は、一般的に、可燃性範囲を避ける濃度で適用される。一般的に、適用される酸素の濃度は、全エポキシ化材料の１から１５モル％、更に一般的には、２から１２モル％の範囲内である。
【００６４】
可燃性範囲の外に残すために、エポキシ化材料における酸素濃度は、オレフィンの濃度が増加するにつれて低下されてもよい。実際の安全な運転範囲は、エポキシ化材料組成物に加えて、また、反応条件、例えば、反応温度および圧力等に依存する。
【００６５】
反応改良剤は、所望のオレフィンオキシドの形成に関して、オレフィンまたはオレフィンオキシドの二酸化炭素および水への望ましくない酸化を抑えて、選択率を増加するためにエポキシ化材料において存在してもよい。多数の有機化合物、特に、有機ハロゲン化物および有機窒素化合物は反応改良剤として使用されてもよい。窒素酸化物、ヒドラジン、ヒドロキシルアミンまたはアンモニアは同様に使用されてもよい。オレフィンエポキシ化の運転条件下では、窒素含有反応改良剤は硝酸塩または亜硝酸塩の前駆体、即ち、これらは、所謂、硝酸塩または亜硝酸塩形成化合物であるとよく考えられている（例えば、参照により本明細書に組み込まれるＥＰ−Ａ−３６４２およびＵＳ−Ａ−４８２２９００を参照されたい）。
【００６６】
有機ハロゲン化物、特に、有機臭素化物、更に具体的に言えば、有機塩化物は好ましい反応改良剤である。好ましい有機ハロゲン化物は、クロロ炭化水素またはブロモ炭化水素である。更に好ましくは、これらは、塩化メチル、塩化エチル、二塩化エチレン、二臭化エチレン、塩化ビニルまたはこれらの混合物の群から選択される。最も好ましい反応改良剤は、塩化エチルおよび二塩化エチレンである。
【００６７】
好適な窒素酸化物は、一般式ＮＯｘ（ここで、ｘは１から２の範囲にある。）のものであり、例えば、ＮＯ、Ｎ２Ｏ３およびＮ２Ｏ４が挙げられる。好適な有機窒素化合物は、ニトロ化合物、ニトロソ化合物、アミン、硝酸塩および亜硝酸塩、例えば、ニトロメタン、１−ニトロプロパンまたは２−ニトロプロパンである。好ましい実施形態においては、硝酸塩または亜硝酸塩形成化合物、例えば、窒素酸化物および／または有機窒素化合物は、有機ハロゲン化物、特に、有機塩化物と一緒に使用される。
【００６８】
反応改良剤は、一般的に、エポキシ化材料において低濃度において、例えば、全材料に対して、０．１モル％まで、例えば、０．０１×１０−４から０．０１モル％で使用される場合に有効である。特に、オレフィンがエチレンである場合、反応改良剤は、全材料に対して、０．１×１０−４から５０×１０−４モル％、特に、０．３×１０−４から３０×１０−４モル％の濃度でエポキシ化材料において存在するのが好ましい。
【００６９】
オレフィン、酸素および反応改良剤に加えて、エポキシ化材料は、１つ以上の任意の成分、例えば、二酸化炭素、不活性ガスおよび飽和炭化水素を含んでもよい。二酸化炭素はエポキシ化プロセスにおける副生成物である。しかしながら、二酸化炭素は、一般的に、触媒活性に逆効果を有する。一般的に、全材料に対して、２５モル％の過剰における、好ましくは、１０モル％の過剰における、エポキシ化材料における二酸化炭素の濃度は避けられる。全エポキシ化材料に関して、１モル％以下の二酸化炭素の濃度が使用されてもよい。不活性ガス、例えば、窒素またはアルゴンは、３０から９０モル％、一般的には、４０から８０モル％の濃度においてエポキシ化材料において存在してもよい。好適な飽和炭化水素はメタンおよびエタンである。飽和炭化水素が存在する場合、これらは、全エポキシ化材料に対して、８０モル％まで、特に、７５モル％までの量において存在してもよい。多くの場合、これらは、少なくとも３０モル％、更に多くの場合、少なくとも４０モル％の量において存在してもよい。飽和炭化水素は、酸素可燃限界を増加するためにエポキシ化材料へ添加されてもよい。
【００７０】
エポキシ化プロセスは広範囲から選択される反応温度を使用して行われてもよい。好ましくは、反応温度は、１５０から３２５℃の範囲、更に好ましくは、１８０から３００℃の範囲にある。
【００７１】
エポキシ化プロセスは、好ましくは、１０００から３５００ｋＰａの範囲における反応器入口圧力で行われる。好ましくは、エポキシ化プロセスが、形状化触媒粒子の充填床を含む気相方法である場合、ＧＨＳＶは１２００から１２０００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）の範囲にあってもよく、更に好ましくは、ＧＨＳＶは、１５００から１００００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）未満の範囲にある。好ましくは、方法は、１時間当り触媒の１ｍ３当り製造される０．５から１０キロモルのオレフィンオキシド、特に、１時間当り触媒の１ｍ３当り製造される０．７から８キロモルのオレフィンオキシドの範囲における作業量で行われる。本明細書で使用される作業量は、１時間当りの形状化触媒粒子の充填床の単位容積当り製造されるオレフィンオキシドの量であり、選択率は、転換されるオレフィンのモル量に関して形成されるオレフィンオキシドのモル量である。
【００７２】
製造されたオレフィンオキシドは、当該技術分野において公知の方法を使用して、例えば、オレフィンオキシドを反応器出口流から水において吸収させることにより、そして場合により、オレフィンオキシドを水溶液から蒸留により回収することにより、反応混合物から回収されてもよい。オレフィンオキシドを含む水溶液の少なくとも一部は、オレフィンオキシドを１，２−ジオールまたは１，２−ジオールエーテルへ転換するためのその後の方法において適用されてもよい。
【００７３】
エポキシ化プロセスにおいて製造されたオレフィンオキシドは、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンへ転換されてもよい。本発明はオレフィンオキシドの製造にとって一層魅力的な方法をもたらすが、それは同時に、本発明によりオレフィンオキシドを製造する段階および１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、および／またはアルカノールアミンの製造におけるオレフィンオキシドのその後の使用を含む一層魅了的な方法をもたらす。
【００７４】
１，２−ジオールまたは１，２−ジオールエーテルへの転換は、例えば、オレフィンオキシドと水とを、好適には、酸性または塩基性触媒を使用して反応させる段階を含んでもよい。例えば、主として１，２−ジオールおよびより少量の１，２−ジオールエーテルを作るためには、オレフィンオキシドは、酸性触媒、例えば、全反応混合物を基準にして０．５−１．０重量％の硫酸の存在における液相反応において、５０−７０℃で、１ｂａｒ絶対で、または、１３０−２４０℃および２０−４０ｂａｒ絶対で、好ましくは、触媒の不存在における気相反応において、水の１０倍モル過剰と反応してもよい。水の割合を下げると、反応混合物における１，２−ジオールエーテルの割合が増加する。この様にして製造される１，２−ジオールエーテルは、ジ−エーテル、トリ−エーテル、テトラ−エーテルまたは順次エーテルであってもよい。選択的な１，２−ジオールエーテルは、オレフィンオキシドをアルコールで、特に、第一級アルコール、例えば、メタノールまたはエタノール等で、水の少なくとも一部をアルコールで置換えて転換することにより調製されてもよい。
【００７５】
アルカノールアミンへの転換は、例えば、オレフィンオキシドとアンモニアとを反応させる段階を含んでもよい。モノアルカノールアミンの製造を有利にするためには無水アンモニアが一般的に使用されるが、無水または水性アンモニアが使用されてもよい。オレフィンオキシドのアルカノールアミンへの転換において適用できる方法に対して、参照は、例えば、参照により本明細書に組み込まれるＵＳ−Ａ−４８４５２９６に対して為されてもよい。
【００７６】
１，２−ジオールおよび１，２−ジオールエーテルは、広範囲の工業用途、例えば、食品、飲料、タバコ、化粧品、熱可塑性ポリマー、硬化性樹脂系、洗剤、熱伝導系等の分野において使用されてもよい。アルカノールアミンは、例えば、天然ガスの処理（「甘味付け」）において使用されてもよい。
【００７７】
別途特定されない限り、本明細書において言及される低分子量有機化合物、例えば、オレフィン、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、アルカノールアミンおよび反応改良剤は、一般的に、多くても４０個の炭素原子、更に一般的には、多くても２０個の炭素原子、特に、多くても１０個の炭素原子、更に具体的に言えば、多くても６個の炭素原子を有する。本明細書で定義される炭素原子の数の範囲（即ち、炭素数）は、範囲の限定のために特定された数を含む。
【００７８】
本発明を全体的に説明したが、更なる理解は、例示のみの目的のために与えられ、別途特定されない限り限定されることが意図されない以下の実施例を参照することにより得られてもよい。
【００７９】
（実施例）
担体Ａを、ＵＳ２００３／０１６２９８４Ａ１において「担体Ｂ」のために説明されている方法により調製した。得られた担体、担体Ａは、次の特徴を示した：
表面積：                ２．１１ｍ２／ｇ
水分吸収：              ０．４９ｇ／ｇ
細孔容積：              ０．４２ｍｌ／ｇ
細孔径分布：
＜０．２μｍ          ９容量％
０．２−１０μｍ      ７２容量％
＞１０μｍ（容量％）  １９容量％
細孔径分布は、全細孔容積に対する容量率分（容量％）として特定され、０．２−１０μｍの範囲の直径を有する細孔の容量（ｍｌ／ｇ）は、約０．３ｍｌ／ｇである。
「細孔容積」は全細孔容積を表す。
【００８０】
（触媒の調製）
触媒Ａを、ＵＳ２００３／０１６２９８４Ａ１において説明されている同様の方法により、担体Ａを使用して調製し、触媒の全重量に対して１８重量％の銀、触媒の１ｋｇ当り７．５ミリモルのセシウム、触媒の１ｋｇ当り２ミリモルのレニウム、触媒の１ｋｇ当り１ミリモルのタングステン、および触媒の１ｋｇ当り４０ミリモルのリチウムを有する最終触媒を生成した。
【００８１】
（触媒熱処理）
その様にして調製した触媒Ａの一部を、次いで、強制空気オーブン中に置き、４００℃に加熱した。触媒を、空気流において４００℃で４５分間加熱し、次いで、室温まで冷却した。得られた触媒は本発明による触媒Ｂであった。調製した触媒で熱処理に掛けられなかった部分が比較の触媒Ａであった。
【００８２】
（触媒性能試験）
【実施例１】
【００８３】
（本発明による）
触媒Ｂを、エチレンおよび酸素からエチレンオキシドを製造するために使用した。これを実施するために、破砕した触媒の１．７ｇを、ステンレススチール製Ｕ−字管（内径３．８６ｍｍ）に充填した。この管を溶融金属浴（加熱媒体）において浸漬し、端部をガス流動系へ接続した。使用される触媒の重量および入口ガス流量は、６８００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）の気体空間速度を与えるために調整された。入口ガス圧は１５５０ｋＰａであった。
【００８４】
３０容量％のエチレン、８容量％の酸素、５容量％の二酸化炭素、５７容量％の窒素からなるガス混合物を、全体の試験の実行中、「貫流」式操作において触媒床に通した。塩化エチルを、また、ガス混合物に添加した。塩化エチルを、少量においてエポキシ化材料に添加して、１．７ｐｐｍｖの塩化エチルの値まで増加した。
【００８５】
初期反応温度は１８０℃であり、これを、１時間当り１０℃の速度で２２５℃まで上昇させ、次いで、出口ガス流において１．７容量％の一定のエチレンオキシド含有量を達成するために調整した。
【００８６】
初期選択率は８７．６％で、２５４℃の相当する反応温度で発生した。
【実施例２】
【００８７】
（比較例）
触媒Ａを、エチレンおよび酸素からエチレンオキシドを製造するために使用した。これを実施するために、破砕した触媒の１．７ｇを、ステンレススチール製Ｕ−字管（内径３．８６ｍｍ）に充填した。この管を溶融金属浴（加熱媒体）において浸漬し、端部をガス流動系へ接続した。反応器において触媒を、２８０℃で３２時間、空気、即ち処理材料の流動下で、６８００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）のＧＨＳＶで維持した。触媒温度を２００℃まで減少させ、触媒に対する空気材料を、３０容量％のエチレン、８容量％の酸素、５容量％の二酸化炭素、５７容量％の窒素の材料で置換え、続いて、塩化エチルを、少量においてエポキシ化材料に添加して、１．７ｐｐｍｖの値まで増加した。入口ガス流量は、６８００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）の気体空間速度で維持した。入口ガス圧は１５５０ｋＰａであった。次いで、反応温度を、出口ガス流において１．７容量％の一定のエチレンオキシド含有量を達成するために調整した。ガス混合物を、全体の方法中、「貫流」式操作において触媒床に通した。
【００８８】
初期選択率は８３．８％で、２３０℃の相当する反応温度で発生した。
【実施例３】
【００８９】
（比較例）
触媒Ａを、反応器における触媒を、２８０℃で２００時間、空気の流動下で、６８００Ｎｌ／（ｌ．ｈ）のＧＨＳＶで維持した以外は、実施例２により試験した。
【００９０】
初期選択率は８４．１％で、２３３℃の相当する反応温度で発生した。
【００９１】
図１を参照する。図１は、実施例１において、本発明による熱処理が、実施例２および３において記載される、低温で熱処理された触媒よりも高選択率で初期に機能する触媒をもたらすことを示す。
【００９２】
（触媒の摩滅試験）
【実施例４】
【００９３】
触媒Ａおよび触媒Ｂを、サンプルのための乾燥ステップを削除して、ＡＳＴＭ  Ｄ４０５８−９６により試験した。触媒Ａ（比較例）は、２２％の摩滅損失を有し、触媒Ｂ（本発明による）は２０％の摩滅損失を有していた。これは、本発明による熱処理が触媒の摩滅を改良することを証明する。
【実施例５】
【００９４】
担体Ｃを、ＵＳ２００３／０１６２９８４Ａ１において「担体Ａ」のために説明されている方法により調製した。得られた担体、担体Ｃは、次の特徴を示した：
表面積：                ２．０４ｍ２／ｇ
水分吸収：              ０．４２ｇ／ｇ
細孔容積：              ０．４１ｍｌ／ｇ
細孔径分布：
＜０．２μｍ          ５容量％
０．２−１０μｍ      ９２容量％
＞１０μｍ（容量％）  ３容量％
細孔径分布は、全細孔容積に対する容量率分（容量％）として特定され、０．２−１０μｍの範囲の直径を有する細孔の容量（ｍｌ／ｇ）は約０．３７ｍｌ／ｇである。
「細孔容積」は全細孔容積を表す。
【００９５】
次いで、担体Ｃを、ＷＯ２００５／０９７３１８Ａ１において「触媒Ａ」のために説明されている同様の方法において、二重含浸を使用して含浸し、触媒の全重量に関して２６重量％の銀、触媒の１ｋｇ当り８．５ミリモルのセシウム、触媒の１ｋｇ当り２．５ミリモルのレニウム、触媒の１ｋｇ当り０．８ミリモルのタングステン、および触媒の１ｋｇ当り４０ミリモルのリチウムを有する触媒Ｃを生成した。
【００９６】
触媒Ｃの一部を、強制空気オーブン中に置き、４００℃に加熱した。触媒を、空気流において４００℃で４５分間加熱し、次いで、室温まで冷却した。得られた触媒は本発明による触媒Ｄであった。
【００９７】
触媒Ｃおよび触媒Ｄを、サンプルのための乾燥ステップを削除して、ＡＳＴＭ  Ｄ４０５８−９６により試験した。触媒Ｃ（比較例）は、２１％の摩滅損失を有し、触媒Ｄ（本発明による）は１７％の摩滅損失を有していた。
【００９８】
この実施例は、本発明による熱処理が触媒の摩滅を改良することを証明する。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】実施例１、実施例２および実施例３（それぞれに、「１」、「２」および「３」として参照される）において観察された、日数における時間（「Ｔ、（Ｄ）」）の関数としての選択率（「Ｓ（％）」）を示す図である。
【図１】
2009525848.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体を、酸素を含む処理材料と、少なくとも３５０℃の触媒温度で、少なくとも５分間接触させる段階を含む、支持体の表面積の１ｍ２当り多くても０．１５ｇの量の銀を含む、担持されたエポキシ化触媒の処理方法。
【請求項２】
続いて触媒温度を高くても３２５℃まで低下させる段階を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
触媒が、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、ならびに０．２から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔が全細孔容積の少なくとも７０％を表し、およびこのような細孔が同時に、支持体の重量に対して少なくとも０．２５ｍｌ／ｇの細孔容積を与えるうな細孔径分布を有するα−アルミナ支持体を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
触媒が、少なくとも１ｍ２／ｇの表面積、ならびに細孔直径の中央値が０．８μｍを超え、および全細孔容積の少なくとも８０％が０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔において含まれ、および０．１から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれる細孔容積の少なくとも８０％が０．３から１０μｍの範囲の直径を持つ細孔に含まれるような細孔径分布を有するα−アルミナ支持体を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
触媒が、銀に加えて、ＩＡ族金属、ならびにレニウム、モリブデンおよびタングステンからなる群から選択される１つ以上の選択性向上ドーパントを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
触媒が、銀に加えて、レニウムまたはこの化合物、ならびにＩＡ族金属、ＩＩＡ族金属、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、タリウム、トリウム、タンタル、ニオブ、ガリウム、ゲルマニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択される更なる金属またはこの化合物を含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
触媒が、硫黄、リン、ホウ素、およびこれらの化合物からなる群から選択される、レニウム助促進剤を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
触媒が、α−アルミナ支持体を含み、および前記支持体の表面積に対する銀の量が多くても０．１２ｇ／ｍ２である、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
処理材料が、全材料に対して１から３０容量％の量の酸素を含み、触媒温度が３５０℃から７００℃の範囲にある、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
触媒、またはカチオン形態における銀を含む触媒の前駆体が、３７５℃から６００℃の範囲における触媒温度で、０．２５から５０時間接触させられる、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の方法により調製される触媒。
【請求項１２】
オレフィンおよび酸素を含むエポキシ化材料を、請求項１１に記載の触媒と接触させる段階を含む、オレフィンのエポキシ化プロセス。
【請求項１３】
オレフィンがエチレンを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
エポキシ化材料が、反応改良剤として、有機塩化物および場合により硝酸塩または亜硝酸塩形成化合物を更に含む、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１２から１４のいずれかに記載のオレフィンのエポキシ化プロセスにより調製されたオレフィンオキシドを、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、またはアルカノールアミンに転換する段階を含む、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテルまたはアルカノールアミンの製造方法。
【国際調査報告】
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