(57)【要約】  本発明は、ＡＬＤ反応器のための装填装置に関し、ＡＬＤ反応器は、第１の端壁部（６）と、後部フランジを備える第２の端壁部（２０）と、第１の端壁部と第２の端壁部とを連結する側壁部／ケーシング（２２）とを有する真空チャンバ（２）、ならびに真空チャンバ（２）の内部に提供される反応チャンバ（４）を備える。本発明によれば、装填装置は、真空チャンバ（２）の側壁部／ケーシング（２２）内に提供され、その場合、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、真空チャンバ（２）の側壁部（２２）を介して、反応チャンバ（４）内に案内され得る、およびそこから除去され得る。【選択図】図１
2009516076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ（２）と、前記真空チャンバ（２）の内部に設置される反応スペースとを備えるＡＬＤ反応器であって、前記ＡＬＤ反応器は、前記真空チャンバ（２）の第１の端壁部または第２の端壁部（６、２０）あるいは側壁部／ケーシング（２２）内に配置される装填装置を備え、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、１つの直線移動によって、前記真空チャンバ（２）の内部の前記反応スペース内に案内され、また、前記反応スペース内から相応して除去されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項２】
請求項１に記載のＡＬＤ反応器であって、前記真空チャンバ（２）は、第１の端壁部（６）と、後部フランジを備える第２の端壁部（２０）と、前記第１の側壁部および前記第２の側壁部（６、２０）を結合させる側壁部／ケーシング（２２）とを備え、前記端壁部（６，２０）および側壁部／ケーシング（２２）またはその一部によって画定される前記真空チャンバ（２）の内部スペースが、前記反応スペースを形成することとを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＡＬＤ反応器であって、前記真空チャンバ（２）の前記側壁部／ケーシング（２２）中に、または、前記真空チャンバ（２）の前記第１の側壁部または前記第２の側壁部（６、２０）中に形成される装填開口（１２）を備え、前記装填装置は、前記装填開口に連結されるまたは一体とされることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項４】
請求項３に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填装置は、前記装填開口を介して前記反応スペース内に１つまたはそれ以上の基板（１０）を移動させるための装填手段（８、１４、１６、１８）を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項５】
請求項４に記載の装填装置であって、前記装填手段は装填チャンバ（８）を備え、前記反応チャンバ（４）内に前記基板を供給するために、前記基板（１０）を前記装填チャンバに配置できることを特徴とする、装填装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、１つまたはそれ以上の基板（１０）を受け入れるための１つまたはそれ以上のホルダ（１６）を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項７】
請求項６に記載のＡＬＤ反応器であって、前記ホルダは、前記反応チャンバ（４）内での処理の際に、前記基板（１０）のホルダとしても機能するように構成されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、前記装填チャンバ（８）内に負圧を提供するための加圧手段（１４）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項９】
請求項４乃至８のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、前記反応チャンバ（４）内に、前記ホルダ（１６）内に配置された１つまたはそれ以上の基板（１０）を移動させるための、および前記反応チャンバから前記基板を除去するための、移送手段（１８）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１０】
請求項９に記載のＡＬＤ反応器であって、前記移送手段（１８）は、手動で操作される装填アームとして提供されており、前記装填アームは、前記反応チャンバ（４）内に前記基板を案内するための、および前記反応チャンバから前記基板を除去するための、１つまたはそれ以上の基板（１０）のホルダ（１６）に連結されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１１】
請求項９に記載のＡＬＤ反応器であって、前記移送手段（１８）は、電動で操作される手段として提供されていることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１２】
請求項４乃至１１のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填装置は、前記真空チャンバ（２）と前記装填チャンバ（８）との間に設置される弁手段（３０）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、別個の反応チャンバ（４）が、前記真空チャンバ（２）の内部に形成され、前記反応チャンバは反応スペースを備え、１つまたはそれ以上の基板（１０）を、１つの直線移動によって前記反応チャンバの中に案内でき、および前記反応チャンバから除去できることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＡＬＤ反応器であって、前記反応チャンバ（４）は、開可能な壁部（２４）と装填手段（８、１４、１６、１８）とを備え、前記開可能な壁部と前記装填手段（８、１４、１６、１８）とは、前記真空チャンバ（２）の前記側壁部（２２）中の装填開口（１２）と、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）とを介して、前記反応チャンバ（４）内に１つまたはそれ以上の基板（１０）を案内することができ、および前記基板を前記反応チャンバから除去することができることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１５】
請求項１４に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填開口（１２）は、前記基板（１０）を、１つの直線移動によって、前記反応チャンバ（４）内に案内でき、および前記反応チャンバから除去できるように、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）に整列されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載のＡＬＤ反応器であって、前記ＡＬＤ反応器は、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）を開閉するための作動手段をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＡＬＤ反応器であって、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）の開閉を、前記装填手段（８、１４、１６、１８）による前記反応チャンバ（４）内への前記基板（１０）の案内と、前記反応チャンバからの前記基板の除去とに組み合わせるために、前記作動手段は、前記装填手段（８、１４、１６、１８）に機能的に連結されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段（８、１４、１６、１８）は、前記基板（１０）が前記反応スペースの内部にあるときに、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）の少なくとも一部を形成する壁部分を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１９】
ＡＬＤ反応器内で基板を処理する方法であって、
真空チャンバの外部で、装填チャンバ内に１つまたはそれ以上の基板を配置するステップと、
前記装填チャンバ内に、前記ＡＬＤ反応器の前記真空チャンバの負圧に一致する負圧を生成するステップと、
１つの直線移動によって、前記真空チャンバの内部の反応スペース内に前記基板を案内するステップと、
前記基板を処理するステップと、
前記反応スペースおよび前記真空チャンバから、前記装填チャンバへ戻して基盤を除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記方法は、前記基板が前記反応スペース内に案内された後に、所望の温度に前記基板を加熱し、次いでＡＬＤ処理によって前記基板を処理するステップをさらに含むことを特徴とする、方法。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載の方法であって、前記反応スペースを開閉するステップが、前記反応スペース内に基板を案内するステップと、前記反応スペースから前記基板を除去するステップとに組み合わされることを特徴とする、方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の方法であって、前記反応チャンバ内に前記基板を案内するためのステップと、前記反応チャンバから前記基板を除去するためのステップとが、手動で実施されることを特徴とする、方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の方法であって、前記反応チャンバ内に前記基板を案内するステップと、前記反応チャンバから前記基板を除去するためのステップとが、自動化されることを特徴とする、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＡＬＤ反応器に装填するための装置と、ＡＬＤ反応器内で基板を処理する方法とに関する。より詳細には、本発明は、請求項１のプリアンブルによる、ＡＬＤ反応器のための装填装置に関し、ＡＬＤ反応器は、真空チャンバと真空チャンバの内部に提供される反応スペースとを備える。さらに、本発明は、請求項１９による、ＡＬＤ反応器内で基板を処理する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
先行技術によれば、ＡＬＤ反応器の反応チャンバは、装填チャンバ内に処理されるべき基板を配置することによって装填され、装填チャンバは、吸引によって非常に低い負圧を供給される。これは、従来、ＡＬＤにおいて使用されるものよりも低い処理圧力を有する他の処理デバイスが、このような装填チャンバを備えるいわゆるクラスターツール（Ｋｌｕｓｔｅｒ  ｔｏｏｌ）に連結されるためである。そのようなクラスターツール装置は、例えば米国特許第６，９０２，６２４号の図２において説明される。この後、装填チャンバと反応器との間の仕切弁が、開かれ、反応チャンバのベースプレートが、下げられ、この場合においては、反応器の固定された構造体に連結される支持ピンが、可動性の基板中の穴を貫通し、例えば米国特許第６，５７９，３７４号の図２におけるように目視可能である。次いで、基板を支持する移送手段が、支持ピンの頂部上のその所定位置にそれを押し、基板の支持／移送プレートが、若干下方に移動し、支持ピンの頂部上に基板を残す。この後、それらはＡＬＤ反応器から出て、仕切弁は閉じられる。次いで、反応チャンバのベースプレートは、上昇し、支持ピンの頂部から基板を取り、反応チャンバを閉じる。基板は、同様の手法で除去される。
【０００３】
上述で説明された装置に関連する問題は、反応チャンバ内に基板を装填することが、種々の反応器部品のいくつかの調和された作動と、いくつかのデバイスの統合とを必要とするという点である。さらに、装填チャンバは、クラスターツールに連結されるデバイスのいくつかが、非常に低い圧力を要するため、基板の交換のために非常に低い負圧を供給されなければならない。さらに、装置は真空チャンバの開可能な蓋を介して修繕されるが、これにより反応チャンバのベースプレートの作動の制御が困難なものとなるため、デバイスの設置は難しい。さらに、負圧が吸引によって生成された後で、構造体は、（支持構造体がもたらす）ある力効果を受け、これは、反応器支持構造体がもたらすように、調和された作動の設定を変えようとする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、上述の問題を解消するように、ＡＬＤ反応器のための装填装置と、ＡＬＤ反応器内で基板を処理する方法とを提供することである。本発明の目的は、請求項１の特徴部分に従った装填装置によって実現され、これは、１つまたはそれ以上の基板が１つの直線移動により真空チャンバの内部の反応スペース内に案内され、および反応スペースから除去されるように、真空チャンバの第１の端壁部または第２の端壁部または側壁部／ケーシング内に設置される装填装置を備える点において、特徴付けられる。本発明の目的は、請求項１９の特徴部分に従った方法によってさらに実現され、これは、同方法が、以下のステップ、すなわち真空チャンバの外部で装填チャンバ内に１つまたはそれ以上の基板を配置するステップと、装填チャンバ内に、ＡＬＤ反応器の真空チャンバ内の負圧に一致する負圧を生成するステップと、仕切弁を開き、１つの直線移動によって真空チャンバの内部の反応スペース内に基板を案内するステップと、処理を実施し、反応スペースから基板を除去するステップと、仕切弁を閉じるステップと、大気圧まで装填チャンバを加圧し、装填チャンバから基板を除去するステップとを含む点において、特徴付けられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の好ましい実施形態が、従属クレームにおいて開示される。
本発明は、ＡＬＤ反応器は、反応チャンバの開可能なベースプレートを介してではなく、１つの直線的な装填作動によって反応スペース内に直接的に装填され、その場合に、装填および除去は、反応スペース内への１つの直線移動によって実施されるという点に基礎を置いている。この場合、別個の反応チャンバが、真空チャンバ内で使用され、反応チャンバは、開可能な壁部と、側壁部／ケーシングまたはＡＬＤ反応器の真空チャンバの１つの端壁部中に設置される装填開口とを備える。これは、真空チャンバの側壁部に、または真空チャンバの円筒状ケーシングに、または端壁部の１つに、装填開口を提供することによって実現され、装填手段が、それに連結され得る、または組み合わされ得る。さらに、真空チャンバの内部に設置される反応チャンバは、開閉可能な壁部を備え、基板は、それを介して反応チャンバ内に装填され得る。好ましくは、装填開口は、装填手段が、１つの直線移動により反応器の反応チャンバ内に基板を装填することが可能となり、したがって基板が、真空チャンバの装填開口と反応チャンバの開可能な側壁部とを介して、反応チャンバ内に直接的に案内されるように、反応チャンバの開可能な側壁部に整列される。他の実施形態によれば、真空チャンバは、別個の反応チャンバを有する必要がなく、真空チャンバの内部スペースまたはその一部が、反応スペースとして使用されてよい。換言すれば、ＡＬＤ反応器が、１つの直線移動によって、真空チャンバ内の反応スペース内に基板を装填することと、そこから除去することとを可能にする装填手段を備えることが、本発明にとって重要である。
【０００６】
本発明による方法およびシステムの利点は、先行技術の反応器の装填と比較した場合に、可動性の反応器部品間の相互的な作動が、排除されることが可能であり、装填および除去が、１つの直線移動により実施されるという点である。したがって、同期されるおよび調和される必要のある作動を、回避することが可能であり、ＡＬＤの構造を、より簡素化することが可能であり、装填および除去は、手動によっても実施することが可能である。さらに、装填手段は、ＡＬＤ反応器に専門的に対応するように設計されるため、装填手段の装填チャンバ内で使用される負圧は、ＡＬＤ反応器の真空チャンバ内で使用される圧力と同一であってよく、真空チャンバは、先行技術における装填の際に、装填チャンバ内で通常使用される非常に低い負圧を提供する必要はない。この結果として、ＡＬＤ反応器内の圧力は、装填および除去の際中に一定に維持され得るが、ターボ式ポンプまたは同様のものは、必要とはされない。この場合、固定ソースは、拡散密閉部の向こう側に維持されることが可能であり、それらは、別個の遮断弁を必要とせず、これは、原料パイプの全ガラス構成と、より高い原料温度とを可能にする。
【０００７】
以下、本発明が、添付の図面を参照して、好ましい実施形態によって、より詳細に説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明によるＡＬＤ反応器およびその装填装置の一実施形態を示す。このようなＡＬＤ反応器は、第１の端壁部６と第２の端壁部２０とを有する真空チャンバ２を備える。第１の端壁部６は、本発明によれば、ＡＬＤ反応器内に基板を装填するためにではなく、保守管理および修繕のために使用される、従来の装填ハッチを備える。同実施形態において、第１の端壁部は、所望の温度にＡＬＤ反応器を加熱するための熱抵抗４０をさらに備える。第２の端壁部２０は、真空チャンバのための後部フランジを形成する。真空チャンバ２は、側壁部２２をさらに備え、これは、第１の端壁部６と第２の端壁部２０とを連結し、それらの間に延在し、図１の円筒状真空チャンバの場合においては、これは、ケーシング２２を形成する。さらに、２つの原料パイプが、反応チャンバ４内に１つまたはそれ以上の反応ガスを供給するために、真空チャンバ２のケーシング２２に連結される。
【０００９】
図１および図２によれば、反応チャンバ４は、真空チャンバ２の内部に提供され、原料パイプ５０は、反応チャンバに連結される。ＡＬＤ処理の際に処理されるべき基板が、この反応チャンバ４の内部に配置される。さらに、図１および図２によれば、反応チャンバ４は、カバープレートおよびベースプレートを備え、これらは、互いに対して取り付けられてよく、または単一部材から構成されてよく、これらは、反応チャンバ４の上壁部および底壁部を形成し、これらの壁部は、実質的に水平面内にある。実質的に垂直な側壁部が、上壁部と底壁部との間に延在する。上壁部、底壁部および側壁部は、基板が処理のために配置される反応チャンバの内部スペースを画定する。反応チャンバ内に基板を案内するために、反応チャンバ４は、開閉可能な側壁部２４を備え、基板は、これを介して反応チャンバ内に案内されてよい。
【００１０】
図１によれば、真空チャンバ２のケーシング２２は、装填開口１２を備え、基板はそれを介して真空チャンバ２内へ案内され、さらに反応チャンバ４の開可能な側壁部２４を介して反応チャンバ４内に案内され得る。装填手段が、真空チャンバ２のケーシング２２中の装填開口に組み合わされ、または他の場合には機能的に連結されている。これらの装填手段は、装填チャンバ８を備えることができ、これは、基板１０を受け入れるためにホルダ１６を備えることができる。１つまたはそれ以上のホルダ１６があり、それらはそれぞれ、１つまたはそれ以上の基板１０を受け入れるように構成される。基板１０は、図１および図２においてはシリコンディスクである。また、ホルダ１６は、反応チャンバ４内の基板のためのホルダまたはベースとして機能することができ、この場合には、基板１０が反応チャンバ４内に案内される際に、基板１０を別個のベースプレート上に移動させる必要はない。
【００１１】
加圧手段１４が、装填チャンバ８内に負圧を生成するために、装填チャンバ８に連結される。これらの加圧手段１４は、ポンプ（図示せず）を備えることができ、これは、吸引を介して装填チャンバ８内に負圧を生成する。本発明による実施形態においては、装填チャンバ８内で生成されるべき負圧は、真空チャンバ２の負圧と同一であると好ましい。装填チャンバ８と真空チャンバとの間に、装填チャンバ８と真空チャンバ２とを隔離するための、および反応チャンバ４内に基板１０を案内するためにそれらを連結するための、仕切弁などの弁手段３０がある。図１および図２による実施形態において、装填手段は、装填アーム１８をさらに備え、これは、ホルダ１６が、移送アーム１８を移動させることにより、装填開口１２と反応チャンバ４の開可能な側壁部２４とを介して反応チャンバ内に移動することが可能となるように、ホルダ１６に連結される。同実施形態において、装填アームは、手動で操作されるが、反応チャンバ４内に基板を移動させるための電気式および／または他の方法による自動化された移送手段が、ホルダ１６に連結されてもよい。また、供給動作は、電磁結合によって実施されてよく、この場合には、供給パイプの内部のロッドが、供給パイプの外部の磁石によって動かされる。この場合、直線的動作が、装填チャンバの壁部を介して実施される必要はない。装填装置が、真空チャンバ２の側壁部／ケーシング２２、および／またはその中に提供される装填開口１２の中に形成される、それらに連結される、あるいはそれらに組み込まれることが、本発明にとって重要であり、この場合には、１つまたはそれ以上の基板１０が、真空チャンバ２の側壁部２２を介して反応チャンバ４内に案内することができ、およびそれから除去することができる。この場合、１つまたはそれ以上の基板１０は、装填手段により、真空チャンバ２の側壁部２２中に配置された装填開口１２と、反応チャンバ４中に配置された開可能な側壁部２４とを介して、反応チャンバ４内に案内され、およびそこから除去される。効率的な実施を可能にするために、装填開口１２は、基板１０が、１つの直線的動作によって反応チャンバ４内に案内されることが可能になり、そこから除去されることが可能になるように、反応チャンバ４の開可能な側壁部に整列される。反応チャンバ４内への基板の案内が、以下においてより詳細に説明される。
【００１２】
最も簡易的な実施形態において、側壁部は、移送デバイスに組み合わされ、この場合には、これは、処理期間中に側壁部を閉じる。この場合、アームが、処理の際に側壁部に固定される、またはそれは、例えば熱損失を防止するように、ねじによって側壁部から除去されてよい。また、装填装置は、それが、反応チャンバ４の開可能な側壁部２４を開閉するための作動手段を備えるように、製造されてよい。これらの作動手段は、分離されてよく、この場合には、それらは、反応チャンバ内への基板１０の装填とは無関係に制御されることが可能である。しかし、好ましくは、作動手段は、装填手段による反応チャンバ４内への基板１０の案内、およびそこからの基板の除去に、反応チャンバ４の開可能な側壁部２４の開閉を組み合わせるために、装填手段に機能的に連結される。この場合、反応チャンバ４の開可能な側壁部は、基板１０のホルダ１６が反応チャンバ４の内部にある場合に、ならびに移送アーム１８および／またはホルダ１６が反応チャンバ４の内部にない場合に、閉可能であるようになされる。換言すれば、作動手段は、基板が案内されるおよび除去される場合に、開可能な側壁部を開くように構成され、基板が反応チャンバ４の内部にあるまたはその外部にある場合に、開可能な側壁部を閉じるように構成される。
【００１３】
図１において、基板１０は、反応チャンバ４内にそれを案内するために、装填チャンバ８内のホルダ１６中に配置される。真空チャンバ２の負圧と実質的に一致する負圧が、加圧手段１４によって、装填チャンバ８内に生成される。この後に、仕切弁３０が開かれる。典型的には、仕切弁は、手動によりまたは作動手段により別々に制御されてよい。また、仕切弁は、装填アームの作動を利用して開かれてよい。この場合には、装填アームの作動が、仕切弁３０を開き、これは、真空チャンバ２のケーシング２２中に配設される装填開口１２に連結するように配置される。したがって、連結部が、真空チャンバ内に基板１０およびホルダ１６および／または装填アーム１８を案内するために、装填チャンバ８と真空チャンバ２との間に形成される。仕切弁３０の操作は、装填アーム１８および／またはホルダ１６の作動に連係されてよく、この場合、仕切弁３０は、装填アーム１８が反応チャンバへ基板を移動させることを開始する際に、開く。代替として、仕切弁３０が、装填アーム１８または他の移送手段の作動と無関係に、別個の制御手段によって開かれてよい。
【００１４】
仕切弁３０が開いた後に、基板１０は、真空チャンバ２のケーシング２２中の装填開口１２を介して、反応チャンバ４の方へ前方に直線的に案内される。最も好ましい実施形態においては、反応チャンバの側壁部２４は、ホルダ１６に組み合わされる。その場合、反応チャンバの側壁部２４は、直線移動が終わる際に閉じ、したがって均質な反応スペースを形成する。
【００１５】
図２において、基板１０は、反応チャンバ４の内部に描かれ、この場合において、装填アーム１８は、チャンバの内部に完全に延びる。基板１０は、類似する態様で、しかし逆の順番で、チャンバから除去される。換言すれば、基板が処理された後で、装填アーム１８は、反応器から引き戻され、その場合に反応チャンバの側壁部２４は、開く。装填アーム１８は、それが図１による初期状態に達するまで引き戻され、仕切弁３０は、閉じられ、装填チャンバ８は、大気圧に戻るように加圧される。
【００１６】
装填手段が、真空チャンバの任意の壁部内に提供されてよく、また装填が側方向に、底部から、頂部から、または対角線方向に行われるように配置されてよいことは、当業者には明らかである。さらに、装填手段のホルダは、基板がそれらの中に配置できるように、および水平状態、垂直状態、またはそれらの間の任意の状態で反応スペース内に運ぶことができるように、形成されてよい。
【００１７】
さらに、装填アームまたはホルダなどの装填手段は、反応スペースの壁部の一部を形成し、基板が反応スペースの内部にある場合に反応スペースを閉じる壁部分を備えてよい。この場合、同壁部分は、反応チャンバ４の開可能な壁部の一部を形成してよく、例えばこの場合には、反応スペースは、装填手段および基板が反応チャンバ内に案内される際に、自動的に閉じられるおよび密閉される。この場合、装填アームは、基板が反応スペースから除去されるまで、装填位置に残される。
【００１８】
上述で説明された装置および方法により、基板は、単純な直線移動によって、反応チャンバ内に装填され得る、およびそこから除去され得るが、この場合において、反応器構造体は、最も単純な可能な態様において提供されてよい。これを実現するために、装填手段は、基板を受容するホルダが、反応器の装填がいくつかの動作の調和を必要としないように、１つの直線的作動によって反応スペース中に直接的に移動されることが可能となるように、形成される。
【００１９】
また、反応器は、ＣＶＤ処理デバイスなどにおける薄膜の他の成長処理において使用されてよいことが、当業者には明らかである。
技術が進展する共に、本発明の構想が、多様な方法で実施され得ることが、当業者には明らかになろう。したがって、本発明およびその実施形態は、上述で説明された実施例に限定されるべきではなく、特許請求の範囲の範囲内で変更し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】基板が装填チャンバ内にある場合の、本発明の一実施形態によるＡＬＤ反応器およびその装填装置の図である。
【図２】基板が反応チャンバ内に装填された場合の、図１によるＡＬＤ反応器およびその装填装置の図である。
【図１】
2009516076.tif 000003
【図２】
2009516076.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月13日(2007.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ（２）と、前記真空チャンバ（２）の内部に設置される反応チャンバ（４）とを備えるＡＬＤ反応器であって、前記ＡＬＤ反応器は、前記真空チャンバ（２）の第１の端壁部または第２の端壁部（６、２０）あるいは側壁部／ケーシング（２２）内に配置される装填装置を備え、１つまたはそれ以上の基板（１０）が、１つの直線移動によって、前記真空チャンバ（２）の内部の前記反応チャンバ（４）内に案内され、また、前記反応チャンバ内から相応して除去されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項２】
請求項１に記載のＡＬＤ反応器であって、前記真空チャンバ（２）の前記側壁部／ケーシング（２２）中に、または、前記真空チャンバ（２）の前記第１の側壁部または前記第２の側壁部（６、２０）中に形成される装填開口（１２）を備え、前記装填装置は、前記装填開口に連結されるまたは一体とされることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項３】
請求項２に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填装置は、前記装填開口を介して前記反応スペース内に１つまたはそれ以上の基板（１０）を移動させるための装填手段（８、１４、１６、１８）を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項４】
請求項３に記載の装填装置であって、前記装填手段は装填チャンバ（８）を備え、前記反応チャンバ（４）内に前記基板を供給するために、前記基板（１０）を前記装填チャンバに配置できることを特徴とする、装填装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、１つまたはそれ以上の基板（１０）を受け入れるための１つまたはそれ以上のホルダ（１６）を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項６】
請求項５に記載のＡＬＤ反応器であって、前記ホルダは、前記反応チャンバ（４）内での処理の際に、前記基板（１０）のホルダとしても機能するように構成されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、前記装填チャンバ（８）内に負圧を提供するための加圧手段（１４）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段は、前記反応チャンバ（４）内に、前記ホルダ（１６）内に配置された１つまたはそれ以上の基板（１０）を移動させるための、および前記反応チャンバから前記基板を除去するための、移送手段（１８）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項９】
請求項８に記載のＡＬＤ反応器であって、前記移送手段（１８）は、手動で操作される装填アームとして提供されており、前記装填アームは、前記反応チャンバ（４）内に前記基板を案内するための、および前記反応チャンバから前記基板を除去するための、１つまたはそれ以上の基板（１０）のホルダ（１６）に連結されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１０】
請求項８に記載のＡＬＤ反応器であって、前記移送手段（１８）は、電動で操作される手段として提供されていることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１１】
請求項３乃至１０のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填装置は、前記真空チャンバ（２）と前記装填チャンバ（８）との間に設置される弁手段（３０）をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、別個の反応チャンバ（４）は反応スペースを備え、１つまたはそれ以上の基板（１０）を、１つの直線移動によって前記反応スペースの中に案内でき、および前記反応スペースから除去できることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＡＬＤ反応器であって、前記反応チャンバ（４）は、開可能な壁部（２４）と装填手段（８、１４、１６、１８）とを備え、前記開可能な壁部と前記装填手段（８、１４、１６、１８）とは、前記真空チャンバ（２）の前記側壁部（２２）中の装填開口（１２）と、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）とを介して、前記反応チャンバ（４）内に１つまたはそれ以上の基板（１０）を案内することができ、および前記基板を前記反応チャンバから除去することができることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１４】
請求項１３に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填開口（１２）は、前記基板（１０）を、１つの直線移動によって、前記反応チャンバ（４）内に案内でき、および前記反応チャンバから除去できるように、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）に整列されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載のＡＬＤ反応器であって、前記ＡＬＤ反応器は、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）を開閉するための作動手段をさらに備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＡＬＤ反応器であって、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）の開閉を、前記装填手段（８、１４、１６、１８）による前記反応チャンバ（４）内への前記基板（１０）の案内と、前記反応チャンバからの前記基板の除去とに組み合わせるために、前記作動手段は、前記装填手段（８、１４、１６、１８）に機能的に連結されることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載のＡＬＤ反応器であって、前記装填手段（８、１４、１６、１８）は、前記基板（１０）が前記反応スペースの内部にあるときに、前記反応チャンバ（４）の前記開可能な壁部（２４）の少なくとも一部を形成する壁部分を備えることを特徴とする、ＡＬＤ反応器。
【請求項１８】
ＡＬＤ反応器内で基板を処理する方法であって、
真空チャンバの外部で、装填チャンバ内に１つまたはそれ以上の基板を配置するステップと、
前記装填チャンバ内に、前記ＡＬＤ反応器の前記真空チャンバの負圧に一致する負圧を生成するステップと、
１つの直線移動によって、前記真空チャンバの内部の反応チャンバ内に前記基板を案内するステップと、
前記基板を処理するステップと、
前記反応チャンバおよび前記真空チャンバから、前記装填チャンバへ戻して基盤を除去するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記方法は、前記基板が前記反応スペース内に案内された後に、所望の温度に前記基板を加熱し、次いでＡＬＤ処理によって前記基板を処理するステップをさらに含むことを特徴とする、方法。
【請求項２０】
請求項１８または１９に記載の方法であって、前記反応チャンバを開閉するステップが、前記反応チャンバ内に基板を案内するステップと、前記反応チャンバから前記基板を除去するステップとに組み合わされることを特徴とする、方法。
【請求項２１】
請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の方法であって、前記反応チャンバ内に前記基板を案内するためのステップと、前記反応チャンバから前記基板を除去するためのステップとが、手動で実施されることを特徴とする、方法。
【請求項２２】
請求項１８乃至２０のいずれか一項に記載の方法であって、前記反応チャンバ内に前記基板を案内するステップと、前記反応チャンバから前記基板を除去するためのステップとが、自動化されることを特徴とする、方法。
【国際調査報告】
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