(57)【要約】構造的信頼性を得るための複数の構造タイバー（１０８、３０３、３０４）を含むＭＥＭＳ装置（１００、３００）及び製造方法。ＭＥＭＳ装置は、活性層（２０２）と、基板（１０２）と、それらの間に形成された絶縁材（２０４）と、活性層内の第１及び第２の複数の固定電極（１０３、１０５）並びに複数の可動電極（１０７）と、を含む。複数の相互接続部（１０６、３０１、３０２）は、第１及び第２の複数の固定電極の各々の第２面に電気的に結合される。複数の固定部（２２６）は、第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を基板に固定して取り付けられる。第１構造タイバーは、第１の複数の固定電極の各々の第２面を結合し、第２構造タイバーは、第２の複数の固定電極の各々の第２面を結合する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、基板と、それらの間の絶縁材と、前記活性層内に形成された第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極と、前記第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部とを含む形式のＭＥＭＳ装置であって、
前記第１の複数の固定電極のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面に結合された第１構造タイバーと、
前記第２の複数の固定電極のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面に結合された第２構造タイバーと、
を備えるＭＥＭＳ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳ装置は高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置である、ＭＥＭＳ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記第１及び第２構造タイバーはポリシリコンを含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項４】
請求項１に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記第１及び第２構造タイバーは、前記第１及び第２構造タイバーに平行な軸に関して対称的であり、かつ当該ＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布している、ＭＥＭＳ装置。
【請求項５】
活性層と、基板と、それらの間に形成された絶縁材と、前記活性層内の第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極と、前記第１及び第２の複数の固定電極と前記複数の可動電極との間に成膜された充填材と、前記第１及び第２の複数の固定電極並びに前記複数の可動電極の上方に成膜された導電性材料層とを含む形式のＭＥＭＳ装置を製造する方法であって、
前記導電性材料層をエッチングして前記第１の複数の固定電極に電気的に結合された第１相互接続部及び前記第２の複数の固定電極に電気的に結合された第２相互接続部を画定すること、
前記導電性材料層をエッチングして前記第１の複数の固定電極の各々の第２面に結合された第１構造タイバー及び前記第２の複数の固定電極の各々の第２面に結合された第２構造タイバーを画定すること、
前記充填材の層を除去すること、
前記絶縁材をエッチングして前記第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部を画定すること、
を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記ＭＥＭＳ装置は高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置である、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法において、
前記導電性材料層をエッチングする段階は、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を含む、方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法において、
前記充填材の層を除去する段階は、前記充填材をエッチングすることを含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
前記充填材の層を除去する段階は、フッ化水素（ＨＦ）気相エッチングを含む、方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法において、
前記絶縁材をエッチングするは、フッ化水素（ＨＦ）気相エッチングを含む、方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の方法において、
前記第１及び第２構造タイバーは、前記第１及び第２構造タイバーに平行な軸に関して対称的であり、かつ前記ＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布している、方法。
【請求項１２】
ＭＥＭＳ装置であって、
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の活性層と、
第１面及び第２面を有する、前記活性層内の複数のセンサ電極であって、前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも１つが、前記第２面に形成されたコンタクト領域を更に有する、複数のセンサ電極と、
前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも１つにその各々が電気的に結合された複数の相互接続部と、
少なくとも２つの前記センサ電極の第１面にその各々が結合された複数の構造タイバーと、
前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも一部の前記第２面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部と、
を備えるＭＥＭＳ装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置は、高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置として形成される、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記基板はシリコンを含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数のセンサ電極は、第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極を含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数の構造タイバーは、前記第１の複数の固定電極に結合された第１の複数の構造タイバーと、前記第２の複数の固定電極に結合された第２の複数の構造タイバーと、を含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数の固定部は、前記第１及び第２の複数の固定電極を前記基板に固定して取り付ける、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１８】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数の相互接続部はポリシリコンを含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項１９】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数の構造タイバーはポリシリコンを含む、ＭＥＭＳ装置。
【請求項２０】
請求項１２に記載のＭＥＭＳ装置において、
前記複数の構造タイバーは、前記複数の構造タイバーに平行な軸に関して対称的であり、かつ当該ＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布している、ＭＥＭＳ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概してＭＥＭＳ装置及びＭＥＭＳ装置を製造するための方法に関し、特に、ＭＥＭＳ装置の構造信頼性の改善に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＡＲＭＥＭＳ装置としても知られている一つの種類の高アスペクト比微小電気機械式素子（ＭＥＭＳ）装置は、半導体・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ベースのセンサ装置としてウェーハ基板上に形成される。製造中、ＭＥＭＳ装置、特に、固定センサ電極は、酸化物材料を介してウェーハ基板に固定される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の酸化物材料固定部（anchor）は、現在のＨＡＲＭＥＭＳ固定手法に対して大幅なコスト低減を提供する。この大幅なコスト低減は、酸化物材料を固定部として用いて達成されてきたが、この酸化物固定部は理想的ではない。高アスペクト比ＭＥＭＳ装置では、酸化物材料で形成される電極固定部は最も弱い機械的構成要素であることが多い。酸化物材料は破断限界が小さく、通常、落下及び／又は極度な衝撃により、センサ出荷や取り扱い中に破損し易い。従って、これらの電極が、落下及び／又は極度な衝撃に関連する極端な機械的負荷に耐え得るようにＭＥＭＳ装置の設計を改善する必要がある。
【０００４】
従って、機械的応力に耐える能力を改善した高品質で高信頼度のＭＥＭＳ装置を提供することが望ましい。更に、酸化物固定部の接続が故障した際にも、検出構造の構造信頼性が維持されるＭＥＭＳ装置を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
活性層と、基板と、それらの間の絶縁材と、前記活性層内に形成された第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極と、前記第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部とを含む形式のＭＥＭＳ装置が提供される。本ＭＥＭＳ装置は、第１の複数の固定電極のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面に結合された第１構造タイバーと、第２の複数の固定電極のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面に結合された第２構造タイバーとを含む。本ＭＥＭＳ装置は、高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置であってよい。前記第１及び第２構造タイバーは、ポリシリコンを含み得る。前記第１及び第２構造タイバーは、前記第１及び第２構造タイバーに平行な軸に関して対称的であってよく、かつＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布し得る。
【０００６】
また、活性層と、基板と、それらの間に形成された絶縁材と、前記活性層内の第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極と、前記第１及び第２の複数の固定電極と前記複数の可動電極との間に成膜された充填材と、前記第１及び第２の複数の固定電極並びに前記複数の可動電極の上方に成膜された導電性材料層とを含む形式のＭＥＭＳ装置の製造方法が提供される。本方法は、前記導電性材料層をエッチングして前記第１の複数の固定電極に電気的に結合された第１相互接続部及び前記第２の複数の固定電極に電気的に結合された第２相互接続部を画定すること、前記導電性材料層をエッチングして前記第１の複数の固定電極の各々の第２面に結合された第１構造タイバー及び前記第２の複数の固定電極の各々の第２面に結合された第２構造タイバーを画定すること、前記充填材の層を除去すること、前記絶縁材をエッチングして前記第１及び第２の複数の固定電極の各々の第１面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部を画定すること、を含む。前記ＭＥＭＳ装置は、高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置であってよい。前記導電性材料層をエッチングする段階は、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を含み得る。前記充填材の層を除去する段階は、前記充填材のエッチングを含み得る。前記充填材の層を除去する段階は、フッ化水素（ＨＦ）気相エッチングを含み得る。前記絶縁材をエッチングする段階は、フッ化水素（ＨＦ）気相エッチングを含み得る。前記第１及び第２構造タイバーは、前記第１及び第２構造タイバーに平行な軸に関して対称的であってよく、かつ前記ＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布し得る。
【０００７】
更に、基板と、前記基板上の絶縁層と、前記絶縁層上の活性層と、第１面及び第２面を有する、前記活性層内の複数のセンサ電極であって、前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも１つが、前記第２面に形成されたコンタクト領域を更に有する、複数のセンサ電極と、前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも１つにその各々が電気的に結合された複数の相互接続部と、少なくとも２つの前記センサ電極の第１面にその各々が結合された複数の構造タイバーと、前記複数のセンサ電極のうちの少なくとも一部の前記第２面を前記基板に固定して取り付ける複数の固定部とを含むＭＥＭＳ装置が提供される。本ＭＥＭＳ装置は、高アスペクト比ＭＥＭＳセンサ装置として形成し得る。前記基板はシリコンを含み得る。前記複数のセンサ電極は、第１及び第２の複数の固定電極並びに複数の可動電極を含み得る。前記複数の構造タイバーは、前記第１の複数の固定電極に結合された第１の複数の構造タイバーと、前記第２の複数の固定電極に結合された第２の複数の構造タイバーと、を含み得る。前記複数の固定部は、前記第１及び第２の複数の固定電極を前記基板に固定して取り付ける。前記複数の相互接続部は、ポリシリコンを含み得る。前記複数の構造タイバーは、ポリシリコンを含み得る。前記複数の構造タイバーは、複数の構造タイバーに平行な軸に関して対称的であってよく、かつＭＥＭＳ装置全体にほぼ均一に分布し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、本発明を添付の図面を参照して説明する。図において同様な数字は同様な要素を示す。本発明の以下の詳細な説明は、本質的に例示のみであり、本発明を限定したり、本発明の用途を制限したりするものではない。更に、上記した本発明の技術背景及び下記の詳細な説明に提示されるいずれの見解によっても拘束されるものではない。
【０００９】
次に、図１において、本発明の一実施形態に基づくセンサ装置１００の一部の上面図を示す。センサ装置１００は、標準のＭＥＭＳ装置であり、基板（後述）を含み、第１面上に形成された複数の指状電極１０４を有する。指状電極１０４は、シリコン材料から形成され、複数の固定電極構造、即ち、第１の複数の固定電極１０３、第２の複数の固定電極１０５、及び複数の可動電極構造１０７を含む。可動電極構造１０７と固定電極１０３及び１０５とは交互に配置される。第１及び第２の複数の固定電極１０３及び１０５の各々の第１面（以下に示す）は、後述する複数の酸化物固定部（anchor）を介して基板に固定、又は固定するように取り付けられる。第１及び第２の複数の固定電極１０３及び１０５は、複数のポリシリコン又は複数の金属相互接続部１０６（図１には、このうちの１つだけを示す）を介して外部電源と電気的に導通している。本明細書において構造タイバー（structural tie bar）とも称する複数の構造的な補強機構１０８（図１には、このうちの１つだけを示す）は、第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の外的構造結合及び補強をもたらす。特に、第１の複数の構造タイバーは第１の複数の固定電極１０３を結合し、第２の複数の構造タイバーは第２の複数の固定電極１０５を結合する。構造タイバー１０８は、複数の酸化物固定部の一部が故障した場合であっても、検出構造の構造信頼性を維持する機械的なサポートを提供する。
【００１０】
図１に示すように、構造タイバー１０８は、第１の複数の固定電極１０３を構造的に結合する。構造タイバー１０８のような複数の構造タイバーを装置１００に追加すると、１０倍以上、装置１００の構造的な剛性を増大し得る。同時に、追加の寄生容量も、依然として無視できる。構造タイバー１０８のような複数の構造タイバーは、構造タイバー１０８に平行な軸に関して対称的に形成され、かつ装置１００全体にほぼ均一に分布して装置１００の全体的な構造的対称性を保持する。この対称的設計は、熱誘起出力オフセットを低減する。
【００１１】
図２〜図７は、本発明の一実施形態によるセンサ装置１００等の半導体装置を製造するための方法ステップを示す。図１に関連して上述した図２〜図７の要素については同様に付番されている。
【００１２】
図２において、プロセスは、装置品質活性層２０２（例えば、シリコン活性層）及び基板１０２（例えば、シリコン処理ウェーハ）を設ける段階で始まる。絶縁材（例えば、酸化ケイ素又は窒化ケイ素）が、基板１０２の第１面１０１に形成される。本実施形態では、絶縁酸化物材料２０４が、第１面１０１上に形成される。活性層２０２は、基板１０２に接合される。ここで、通常のＳＯＩ装置の製造のように、絶縁酸化物材料２０４は、基板１０２と活性層２０２との間に配置される。他の選択肢としての一実施形態において、活性層２０２は、エピタキシャルシリコン層として、絶縁酸化物材料２０４の第１面上に成長される。フィールド酸化物層２０６は、活性層２０２の一部の全体に成長されて、センサ構造を構築するとともに、装置１００の寄生容量を低減する領域を提供する。図２に示すように、フィールド酸化物層２０６の緩やかな傾斜が、バーズビーク構造を形成し、後続の処理ステップにおけるフォトレジストのステップカバー範囲を提供する。フィールド酸化物層２０６は、ＭＯＳシリコン技術に共通なシリコンの局所的酸化（ＬＯＣＯＳ）手法を用いて形成される。フィールド酸化物層２０６は、熱成長ＳｉＯ２から形成し得る。
【００１３】
図３は、後続の解放エッチング（release etch）ステップからフィールド酸化物層２０６を保護するためにフィールド酸化物層２０６の表面に形成される分離層２０８を示す。一実施形態において、分離層２０８は、窒化ケイ素等の低応力でシリコンリッチの材料である。他の実施形態において、分離層２０８は、炭化ケイ素材か、又は、窒化物とポリシリコンの交互層で形成される多層材である。好適な一実施形態において、絶縁層２０８は、活性層２０２と重なり合う。一実施形態において、分離層２０８は、希釈フッ化水素（ＨＦ）含浸液に装置構造１００を浸漬して、付随する酸化物成長を低減することによって形成される。次に、低圧化学蒸着法（ＬＰＣＶＤ）を用いて、約０．３〜０．８μｍの範囲の厚さに分離層２０８を形成する分離材料を成膜する。フォトリソグラフィ処理ステップが、完全なパターン化分離層２０８を提供するために用いられる。
【００１４】
パターン化された分離層２０８を形成した後、図４に示すように、複数の機械的な構造が活性層２０２に形成される。一実施形態において、活性層構造は、ディープ・リアクティブ・イオン・エッチング（ＤＲＩＥ）等によってエッチングすることにより、活性層２０２に形成された複数の電極１０４を含む。活性層２０２に形成される追加の活性層構造は、ばねサスペンション、振動質量、固定部アイランド、及び横方向停止層を含み得る。複数の電極１０４を画定するために、一般的なエッチング処理を用いて、複数のトレンチ２１０が活性層２０２に形成される。絶縁酸化物材料２０４は、電極１０４の形成中、エッチング停止層としての役割を果たす。図４は、トレンチ２１０を形成する際に用いられたフォトレジストを除去する工程後の、第１の複数の固定電極１０３、第２の複数の固定電極１０５、及び複数の可動電極１０７を示す。第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の各々は、第１面１１０及び第２面１１２を有する。好適な一実施形態において、第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の各々は、約１６ミクロンの幅を有する。可動電極１０７の各々は約２．５ミクロンの幅を有する。特定の設計要件に依存して、固定電極１０３，１０５並びに可動電極１０７の幅は、大幅に変動し得る。
【００１５】
トレンチ充填ステップは、トレンチ２１０が形成された後、実施される。図５は、リンケイ酸塩ガラス（ＰＳＧ）等の充填材の層が、成膜されリフローされて、トレンチ２１０を埋める一実施形態を示す。この充填ステップは、デバイス領域の最上部に平坦面２１４を含む充填材の層２１２をもたらす。充填材の層２１２は、デバイス領域において、トレンチ２１０の完全な封止を提供する。複数の電極１０４用の複数のコンタクト領域２１６は、充填材の層２１２をパターン化することによって画定される。他の選択肢としての一実施形態において、充填材の層２１２は、トレンチ２１０を部分的に埋めてもよい。
【００１６】
その後、図６を参照すると、複数の構造タイバー１０８（図６には、そのうちの１つだけを示す）が形成され、装置１００に構造的な剛性を提供する。構造タイバー１０８は、不純物が添加されたポリシリコン材料又は金属（例えば、アルミニウム、アルミニウムシリコン、アルミニウムシリコン銅、又は当該分野で公知のいずれか他の導電性合金組成）から形成し得る。一実施形態において、構造タイバー１０８は、ブリッジ構造として形成され、これによって、１．５〜２．５μｍの範囲の厚さを有するポリシリコン材料のブランケット層が、ＬＰＣＶＤを用いて充填材の層２１２全体に成膜される。次に、フォトレジスト（図示せず）の層が、ステップカバー範囲にとって充分な、かつリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）等の後続のエッチングに耐えるのに充分な厚さで成膜される。フォトリソグラフィステップは、４μｍよりも大きい特徴ラインになるように構造タイバー１０８をパターン化する。充填材の層２１２及び分離層２０８は、構造タイバー１０８をパターン化するこのエッチングステップ中、エッチング停止層として機能する
図６は、第１の複数の固定電極１０３の各々の第２面１１２に形成され結合された構造タイバー１０８を示す。追加のタイバー（図示せず）は、第２の複数の固定電極１０５の各々の第２面１１２に形成され結合される。
【００１７】
構造タイバー１０８の形成と同時に、相互接続部１０６（図１）のような複数の相互接続部が、構造タイバー１０８とほぼ同様に形成される。相互接続部１０６は、不純物が添加されたポリシリコン材料又は金属（例えば、アルミニウム、アルミニウムシリコン、アルミニウムシリコン銅、又は当該分野で公知のいずれか他の導電性合金組成）で形成される。一実施形態において、相互接続部１０６はブリッジ構造として形成され、これによって、１．５〜２．５μｍの範囲の厚さを有するポリシリコン材料のブランケット層が、ＬＰＣＶＤを用いて充填材の層２１２全体に成膜され、活性電極に低コンタクト抵抗を提供する。ポリシリコン材料は、成膜中、不純物を添加することによって、又は成膜に続き、イオン注入等のドーパント源を提供し、次いで高温アニールステップを用いてドーパントを打ち込むことによって導電性にされる。エッチングステップ（例えば、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ））が、複数の相互接続部を画定するために実施される。充填材の層２１２及び分離層２０８は、相互接続部１０６をパターン化するこのエッチングステップ中、エッチング停止層として機能する。
【００１８】
他の選択肢としての一実施形態において、相互接続部１０６及び構造タイバー１０８は、別個のステップで形成し得る。図１に示すように、構造タイバー１０８は、第１の複数の固定電極１０３のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面１１２を結合するために形成される。追加の構造タイバー（図示せず）は、第２の複数の固定電極１０５のうちの少なくとも２つの固定電極の第２面１１２を結合するために形成される。可動電極構造１０７は、構造タイバー１０８に接触しておらず、加速度又は他の種類の外力の変化に応じて移動する能力を維持する。
【００１９】
図７は、充填材の層２１２が除去され、酸化物材料２０４が部分的に除去され、複数の酸化物固定部２２６が画定された装置１００を示す。一実施形態では、ＨＦ化学エッチングを用いて解放エッチングステップを実施して、犠牲層である充填材の層２１２をエッチングする。次に、ドライＨＦ化学気相エッチング等の時限ドライエッチング（timed dry etch）を実施して絶縁酸化物材料２０４をエッチングし、可動電極１０７に接触する絶縁酸化物材料２０４の一部をエッチングして除去する。その結果、複数の可動電極１０７が解放される。充填材の層２１２が、最初のエッチングステップ時に完全に除去されることにより、後続のドライエッチング時における残留物形成が防止される。酸化物固定部２２６を形成するドライエッチング中、充分なオーバーエッチング時間が、ウェーハ全体での不均一な解放エッチングを考慮して提供される。
【００２０】
酸化物固定部２２６は、第１の複数の固定電極１０３の各々の第１面１１０及び第２の複数の固定電極１０５の各々の第１面１１０を基板１０２に固定して取り付ける又は固定する目的のために、第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の各々の第１面１１０から延在する。第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５を第１面１１０上にこのように構造的に結合することによって、追加の構造的な安定性が全体的な装置構造に提供される。好適な一実施形態において、第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の各々は、それら複数の固定電極１０３，１０５の各々のいずれか一方の面に対称的に形成される約４ミクロンのアンダーカット２２８を有する。酸化物固定部２２６を形成する残りの絶縁酸化物材料２０４は、第１の複数の固定電極１０３及び第２の複数の固定電極１０５の各々に接触する約４〜６ミクロンの幅を有する。一実施形態においては、複数の可動電極１０７も、同じ時限エッチングステップで、約４ミクロンにてアンダーカットされることにより、複数の可動電極１０７の各々の真下から絶縁酸化物材料２０４が完全に除去される。この時間ベースのエッチングステップは、基板１０２と活性層２０２との間のウェーハ接合のために均一ではない。従って、アンダーカット２２８の量は、電極毎に変動し得る。通常、このアンダーカットのばらつきによって、後続の取り扱い、試験、及び出荷に耐えるために追加の構造的な剛性を必要とするセンサ装置が生じる。構造タイバー１０８（図１）とほぼ同様に形成された複数の構造タイバー等の構造的な補強機構を含むと、この要件が満たされる。
【００２１】
図８は、図１のセンサ装置１００とほぼ同様なＭＥＭＳ装置３００の一部の三次元の概略図を示す。ＭＥＭＳ装置３００は、第１の複数の相互接続部３０１（そのうちの１つだけを図８に示す）及び第２の複数の相互接続部３０２（そのうちの１つだけを図８に示す）を含み、それらの各々は、図１〜図７のポリシリコン相互接続部１０６とほぼ同様である。ＭＥＭＳ装置３００は、更に、第１の複数の構造タイバー３０３（そのうちの１つだけを図８に示す）及び第２の複数の構造タイバー３０４（そのうちの１つだけを図８に示す）を含み、それらの各々は、図１〜図７の構造タイバー１０８とほぼ同様である。図示するように、上述したように、第１の複数の相互接続部３０１は、第１の複数の固定電極１０３に電気的に結合され、第２の複数の相互接続部３０２は、第２の複数の固定電極１０５に電気的に結合され、第１の複数の構造タイバー３０３は、第１の複数の固定電極１０３に結合され、第２の複数の構造タイバー３０４は、第１の複数の固定電極１０５に結合される。第１の複数の構造タイバー３０３及び第２の複数の構造タイバー３０４は、第１の複数の構造タイバー３０３及び第２の複数の構造タイバー３０４に平行な軸に関してほぼ対称的に形成され、かつＭＥＭＳ装置３００全体にほぼ均一に分布して、全体的な構造的対称性及び低熱誘起オフセットを維持する。第１の複数の相互接続部３０１及び第２の複数の相互接続部３０２のそれぞれの相互接続部は、接合パッド３０８と電気的に導通しており、この場合、接合パッド３０８のような複数の接合パッド（そのうちの１つだけを図８に示す）が、ＭＥＭＳ装置３００の周囲に形成される。
【００２２】
少なくとも１つの代表的な実施形態及び製造方法について、本発明を上記詳細な説明において提示したが、多くの種々の変形が存在することを認識し得る。また、代表的な実施形態又は複数の代表的な実施形態は例示であり、本発明の範囲、適用可能性、又は構成を何ら限定するものではないことを認識し得る。むしろ、上記詳細な説明は、本発明の実施形態例を実現するための便利なロードマップを当業者に提供するものであり、添付の特許請求の範囲の記載及びそれらの合法的な等価物である本発明の範囲から逸脱することなく、代表的な一実施形態において述べられた要素の機能及び構成は種々に変更し得ることを理解し得る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態例のＭＥＭＳ装置の一部を示す概略上面図。
【図２】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図３】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図４】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図５】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図６】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図７】図１のセンサ装置を製造するための本発明の実施形態例の方法ステップを示す概略断面図。
【図８】本発明の実施形態例のＭＥＭＳ装置の一部を概略的に示す三次元概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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