(57)【要約】  過渡電圧の抑制に用いることのできるブランケットインプラントデバイスはＰ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板を有する。酸化物マスクをＰ−領域に隣接してかつその上に積層する。Ｐ−領域の一部から酸化物マスクを部分的にエッチングにより除去してエッチングされた領域を形成する。Ｎ−型の主接合インプラントは、インプラントエッチングされた領域内にインプラントされＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成する。そして酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に金属を積層して、電極を形成する。Ｐ−Ｎ接合の両側に端子を電気的に接続してもよい。本発明を製造および使用する方法、および過渡電圧を抑制する方法も提供する。【選択図】  図７
2009513016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブランケットインプラントダイオードにおいて、Ｐ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板と、Ｐ−領域に隣接してその上に積層された酸化物マスクであって、Ｐ−領域の一部においてエッチングにより部分的に除去されてエッチングされた領域を形成する酸化物マスクと、エッチングされた領域にインプラントされＰ＋基板の上にかつＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成するＮ−型主接合インプラントと、酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に積層された金属と、を有することを特徴とするブランケットインプラントダイオード。
【請求項２】
表面実装デバイスまたはスルーホール実装デバイスとして構成されている請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項３】
単一マスキングにより製造される請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項４】
Ｐ＋基板のドーピング濃度が基板上面付近で低減された請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項５】
ドーパントブランケットがＰ−Ｎ接合の角隅電界を低減する請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項６】
エッチングされた領域付近で電界集中を生じさせる請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項７】
基板は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項８】
Ｎ−型ドーパントブランケットインプラントはヒ素である請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項９】
酸化物マスクはウェット酸化物マスクである請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項１０】
Ｎ−型主接合インプラントはヒ素である請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項１１】
酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に積層された金属電極の反対側で基板に隣接する金属電極を更に有する請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項１２】
基板はホウ素ドープされている請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項１３】
ダイオードの製造方法であって、Ｐ＋基板の上面付近にＮ−型ドーパントブランケットインプラントをインプラントすることと、Ｐ−領域を生成することと、Ｐ−領域に隣接しかつその上に酸化物マスクを積層することと、マスクの一部をエッチングによって除去してエッチングされた領域を形成することと、エッチングされた領域のＰ−領域に内にＮ−型主接合インプラントをインプラントしてＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成することと、酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に金属を積層することと、により一マスクプロセスでダイオードの製造することを特徴とするダイオード製造方法。
【請求項１４】
Ｎ−型ドーパントブランケットインプラントはおよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１２〜１＊１０１５ｃｍ−２でインプラントされる請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
Ｎ−型主接合インプラントはおよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１５〜１＊１０１７ｃｍ−２でインプラントされる請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
Ｎ−型ドーパントブランケットインプラントはヒ素でインプラントされる請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
Ｎ−型主接合インプラントはヒ素でインプラントされる請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
基板の下に金属を積層することを更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項１９】
電気回路用にダイオードをパッケージすることを更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項２０】
基板にホウ素をインプラントしてＰ＋基板を生成することを更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項２１】
過渡電圧抑制デバイスであって、Ｐ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板と、Ｐ−領域に隣接してその上に積層された酸化物マスクであって、Ｐ−領域の一部においてエッチングにより部分的に除去されてエッチングされた領域を形成する酸化物マスクと、エッチングされた領域にインプラントされＰ＋基板の上にかつＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成するＮ−型主接合インプラントと、酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に積層された金属と、該金属と電気的に接続された接続端子と、基板と電気的に接続された接続端子と、を有し低減された角隅部電界を有する電圧抑制器を形成することを特徴とする過渡電圧抑制デバイス。
【請求項２２】
基板は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項２１記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項２３】
基板は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項２１記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項２４】
Ｎ−型主接合インプラントはヒ素である請求項２１記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項２５】
基板はホウ素ドープされている請求項２１記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項２６】
過渡電圧抑制方法であって、電圧抑制デバイスの第１の接続端子を電気回路に対して、過渡電圧が発生する可能性がある電気回路内の第１の点に電気的に接続すること、および第２の接続端子を過渡電圧が発生する可能性がある電気回路内の第２の点に電気的に接続することと、からなり、該電圧抑制デバイスはＰ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板と、Ｐ−領域に隣接してその上に積層された酸化物マスクであって、Ｐ−領域の一部においてエッチングにより除去されてエッチングされた領域を形成する酸化物マスクと、エッチングされた領域にインプラントされＰ＋基板の上にかつＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成するＮ−型主接合インプラントと、酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に積層された金属と、該金属に電気的に接続された第１の接続端子と、基板に電気的に接続された第２の接続端子とを有することを特徴とする過渡電圧抑制方法。
【請求項２７】
電気的に接続する工程の両者とも、表面実装デバイスにより行われる請求項２６記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は３５ＵＳＣ§１１９により、２００５年１０月２０日に出願された米国仮出願第６０／７２８，７１３号に基づく優先権を主張するものであり、茲に引用によってその全体を援用する。
【０００２】
本発明は低電圧の過渡電圧サプレッサ（抑制器）およびそれに類する装置に関わるものである。本発明は特にブラケットインプラントダイオード（blanket implant diode）に関わる。
【背景技術】
【０００３】
過渡電圧サプレッサとして、逆方向にバイアスされたダイオードが一般に用いられる。このデバイスの破壊電圧は通常６ボルトから４５０ボルトの範囲にある。このサプレッサデバイスは構造と製造工程が簡単であり、通常バイアス下での漏洩電流が小さく、破壊条件におけるＩ−Ｖ過渡特性がシャープである、という利点を有する。
【０００４】
技術の進歩につれて、ＣＭＯＳデバイスへの供給電流は低下しつつある。ダイオードの破壊電圧は、Ｐ−Ｎ接合の両側においてドーピング濃度を高くすることによって引き下げることができる。しかし、ドーピング濃度を高めると接合が浅くなり、接合の縁部の曲率が大きくなることになる。曲率が大きい領域における電界は強くなる。接合縁部において強められた電界により、縁部では主接合よりも早く破壊が生ずる。また、電力集中効果（current crowding effect）により、抵抗が大きくなり、かつＩ−Ｖ特性がより平滑化してしまう。これら２つの現象は共に過渡電圧サプレッサに応用する場合には不都合である。従って、改良された低電圧過渡電圧サプレッサを提供することが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上に鑑みて、本発明の主たる特徴あるいは利点は、改良されたブランケットインプラントダイオードを提供することにある。
【０００６】
本発明の別の特徴あるいは利点は、低電圧のおよび非常に低電圧の過渡電圧抑制デバイスを提供することにある。
【０００７】
本発明の別の特徴あるいは利点は、一マスクプロセス（one-mask process）を用いてダイオードのコストを引き下げたダイオードを提供することにある。
【０００８】
本発明の別の特徴あるいは利点は、低減されたプロセスサイクル時間で加工即ち製造することのできるダイオードにある。
【０００９】
本発明の更なる特徴あるいは利点は、初期ウエハ（starting wafer）のドーピング濃度が低減されており、Ｐ−Ｎ接合の角隅縁部に電界が低減されたダイオードにある。
【００１０】
本発明の更なる特徴あるいは利点は、Ｐ−Ｎ接合の角隅電界が低減されたダイオードにある。
【００１１】
本発明の更なる特徴あるいは利点は、低電圧の過渡電圧抑制のために縁部における電界集中のあるダイオードにある。
【００１２】
本発明の更なる特徴あるいは利点は、製造が安価で、使用耐久性があり、動作効率のよいブランケットインプラントダイオードを提供することにある。
【００１３】
本発明の更なる特徴あるいは利点は、改良された電圧抑制デバイスを用いた過渡電圧抑制方法にある。
【００１４】
本発明のこれらおよび／またはその他の特徴あるいは利点は明細書および請求の範囲により明らかにされる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
以上の特徴および利点のうちの１つ以上が、Ｐ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラント（N-type dopant blanket implant）を有する基板を有するブランケットインプラントダイオードによって達成される。酸化物マスクをＰ−領域に隣接してかつその上に積層する。Ｐ−領域の一部から酸化物マスクを部分的にエッチングにより除去してエッチングされた領域を形成する。Ｎ型の主接合インプラント（N-type main junction implant）をエッチングされた領域内にインプラントしてＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成する。最後に酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に金属を積層する。
【００１６】
以上の特徴および利点のうちの１つ以上はまた、Ｐ＋基板の上面付近にＮ−型ドーパントブランケットインプラントをインプラントすることによってＰ−領域を形成し、Ｐ−領域に隣接しておよびその上に酸化物マスクを積層し、マスクの一部をエッチング除去することによってエッチング領域を形成し、Ｎ−型主接合インプラントをエッチングされた領域のＰ−領域内にインプラントして、Ｐ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成し、エッチングされた領域内の酸化物マスク上に金属を積層してダイオードを製造することによって達成される。
【００１７】
以上の特徴および利点のうちの１つ以上はまた、Ｐ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板を有する過渡電圧抑制デバイスによって達成される。酸化物マスクをＰ−領域に隣接してかつその上に積層する。Ｐ−領域の一部から酸化物マスクを部分的にエッチングにより除去してエッチングされた領域を形成する。Ｎ−型の主接合インプラントをエッチングされた領域内にインプラントしてＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成する。そして酸化物マスクおよびエッチングされた領域の上に金属電極を積層する。第１の接続端子を金属電極に電気的に接続し、第２の接続端子を基板に電気的に接続する。
【００１８】
以上の特徴および利点のうちの１つ以上はまた、電圧抑制デバイスの第１の接続端子を電気回路に対して過渡電圧が存在すると考えられる電気回路内の第１の点に電気的に接続することにより過渡電圧抑制デバイスを形成することにより達成される。この電圧抑制デバイスはＰ＋基板であって基板上面付近にＰ−領域を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラントを有する基板を有する。酸化物マスクをＰ−領域に隣接してかつその上に積層する。Ｐ−領域の一部から酸化物マスクを部分的にエッチングにより除去してエッチングされた領域を形成する。Ｎ−型の主接合インプラントをエッチングされた領域内にインプラントしてＰ＋基板の上にＰ−領域に隣接してＮ＋領域を生成する。エッチングされた領域内の酸化物マスクの上に金属電極を積層する。第１の接続端子を金属電極に電気的に接続し、第２の接続端子を基板に電気的に接続する。第２の接続端子を電気回路内の過渡電圧が存在すると考えられる電気回路内の第２の点に電気的に接続する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明はブランケットインプラントダイオードおよびその製造方法および使用法に関する。本発明はブランケットインプラントを利用して初期ウエハ（starting wafer）のドーピング濃度を低減しかつＰ−Ｎ接合角隅縁部の電界を低減する。技術分野はイオンインプラント技術および終端設計である。本発明はまた、インプラント量（implant dosage）とエネルギーの分野における問題、課題および必要を解決しようとするものである。
【００２０】
2009513016.tif 000003
（A.BTBT、B.BTBT、Egはすべて定数）
【００２１】
破壊電流は電界に大きく依存する。通常のバイアス電圧下では、角隅における電界は主接合よりも一般的に大きい。言い換えると通常のバイアス電圧では角隅部が主たる漏洩源となる。角隅部電界（corner electrical field）を抑制すると、漏洩電流を低減することができる。従って、本発明は角隅部電界を抑制して漏洩電流を低減するものである。
【００２２】
図１乃至６を参照すると、Ｐ−Ｎ接合ダイオード１０はＰ＋基板１２から出発して製造することができる。好適にはＰ＋基板１２はおよそ０．００１乃至０．０１Ω−ＣＭのホウ素ドープウエハである。次に、Ｐ＋基板１２の上面１６にＮ−型ドーパントブラケットインプラント１４をインプラントする。このブランケットインプラントデバイスでは好適にはこの工程においておよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１２〜１＊１０１５ｃｍ−２でヒ素インプラントおよびドライブイン（drive-in）を行うが、従来のＰ−Ｎデバイスではこれらを行わない。
【００２３】
ブランケットインプラント１４はＰ＋基板１２の上部領域にＰ−領域１８を生成する。Ｐ−領域１８上のインプラントハードマスク用にウェット酸化物（wet oxide）マスク２０を用いる。主インプラント領域を画成するために１つのフォトマスクを用いる。標準的なエッチング処理を用いてＰ−領域１８の上の酸化物２０内にエッチングされた領域２２を形成する。続いて、Ｎ−型主接合インプラント２４をＰ−領域１８内にインプラントする。Ｎ−型主接合インプラント２４は好適にはおよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１５〜１＊１０１７ｃｍ−２でのヒ素インプラントとドライブインにより主接合インプラント２４を形成する。これによりＰ＋基板の上にＰ−領域１８に隣接してＮ＋領域２６が形成される。次に、被膜金属２８をエッチングされた領域２２に成膜して電極を形成する。更に、Ｐ＋基板の金属２８とは反対側を研磨して被膜金属３０をＰ＋基板に積層してデバイスのもう一つの電極を形成することもできる。また、当業者には一般的に理解できるように、コネクタ端子２９、３１をダイオード１０に取り付けることができる。
【００２４】
マスク、エッチング、インプラントおよび積層の工程はすべて当業者には一般的に公知である。本発明はブランケットインプラントを用いて縁部あるいは角隅部における電界の集中を低減して、漏洩電流を低減する。本発明は低電圧の過渡電圧抑制用過渡電圧抑制平面構造やその他の用途に用いることができる。
−シミュレーション結果−
本発明のシミュレーションを以下の主要工程条件に従って行った。
ドライブイン：１１００℃、２ｈｒ
インプラント：
ブランケットインプラントしたものについては：
第１：８０Ｋｅｖ  １ｅ１５  ヒ素（ブランケットインプラント、マスクなし）
第２：８０Ｋｅｖ  １ｅ１６  ヒ素（主インプラント、マスクあり）
接合終端拡張（Junction-Termination-Extension）したものについては：
第１：８０Ｋｅｖ  ５ｅ１５  ヒ素（ＪＴＥインプラント、マスクあり）
第２：８０Ｋｅｖ  １ｅ１６  ヒ素（主インプラント、マスクあり）
無改変（no modification）のものについては：
第１：８０Ｋｅｖ  １ｅ１６  ヒ素（主インプラント、マスクあり）
【００２５】
Ｎ＋領域深さが０．５μｍ〜１μｍであるブランケットインプラントデバイスのシミュレーション結果を図７に示す。図８はこのブランケットインプラントデバイスについてシミュレーションしたＸ軸に対する電界を示す。
【００２６】
図９はＮ＋領域深さが０．９μｍ〜１．５μｍである接合終端拡張（ＪＴＥ）構造のシミュレーション結果を示す。図１０はこの接合終端拡張構造についてシミュレーションしたＸ軸に対する電界を示す。
【００２７】
図１１は無改変のデバイスでＮ＋領域深さが０．５μｍ〜１μｍのもののシミュレーション結果を示す。図１２は無改変のデバイスについてシミュレーションしたＸ軸に対する電界を示す。
【００２８】
図１３は３．５Ｖのバイアス下での主接合におけるピーク電界を示す表である。この表はブランケット、ＪＴＥおよび無改変の３種類の構造において、主接合におけるピーク電界が互いに非常に近いことを示している。
【００２９】
図１４は３．５Ｖのバイアス下での深さに対する縁部電界のシミュレーション結果を示す。これは正規化したピーク主接合電界においてシミュレーションしている。改変なしのものでは、ピーク電界は主接合のピーク値に非常に近い。ＪＴＥ構造の金属接点付近のピーク電界は効果的に抑制されている。しかしながら、縁部において電界の大きい領域がなお存在している。他方で本発明のブランケットインプラントを有するものでは、縁部電界が抑制されている。縁部に電界が大きい領域はなく、かつこの構造を製造するために特別のマスクを必要としない。
【００３０】
接合終端拡張、即ちＪＴＥ構造に対して、ブランケットインプラントを用いて角隅部電界を低減することで１マスク工程分の製造プロセスが簡略化され、これによりサイクル時間とコストが低減される。本発明はインプラント量とエネルギーを微細に制御して適用することができる。更に、本発明をすべての過渡電圧抑制およびダイオードに適用することができる。
【００３１】
以上本発明を好適な実施例と共に説明したが、本発明において意図される思想および範囲の中で数多くの変形、代替および追加が可能であると理解される。以上により、本発明は少なくとも明記された目的のすべてを実現するものであることが理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図２】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図３】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図４】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図５】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図６】本発明の一実施形態を様々な製造段階において示す図である。
【図７】ブラケットインプラントダイオードデバイスの一実施例についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図８】ブラケットインプラントダイオードデバイスの一実施例についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図９】接合終端拡張（ＪＴＥ）構造のダイオードデバイスの一実施例についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】接合終端拡張（ＪＴＥ）構造のダイオードデバイスの一実施例についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】無改変のダイオード装置の一実施形態についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図１２】無改変のダイオード装置の一実施形態についてのシミュレーション結果を示す図である。
【図１３】３種類のダイオードデバイス構造についてシミュレートした主接合におけるピーク電界を示す表である。
【図１４】３種類のダイオードデバイス構造について深さに対する正規化した縁部電界のシミュレーションを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2009513016.tif 000013
【図１１】
2009513016.tif 000014
【図１２】
2009513016.tif 000015
【図１３】
2009513016.tif 000016
【図１４】
2009513016.tif 000017
【図１５】
2009513016.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月20日(2007.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブランケットインプラントダイオードにおいて、Ｐ＋基板（１２）であって基板（１２）の上面（１６）付近にＰ−領域（１８）を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラント（１４）を有する基板と、Ｐ−領域（１８）に隣接してその上に積層された酸化物マスク（２０）であって、Ｐ−領域の一部においてエッチングにより部分的に除去されてエッチングされた領域を形成する酸化物マスク（２０）と、エッチングされた領域にインプラントされＰ＋基板（１２）の上にかつＰ−領域（１８）に隣接してＮ＋領域（２６）を生成するＮ−型主接合インプラント（２２）と、酸化物マスク（２０）およびエッチングされた領域の上に積層された金属（２６）と、を有し、ドーパントブランケットインプラント（１４）がＰ−Ｎ接合の角隅部電界を低減し、かつエッチングされた領域の近傍で電界集中が生ずることを特徴とするブランケットインプラントダイオード。
【請求項２】
表面実装デバイスまたはスルーホール実装デバイスとして構成されている請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項３】
Ｐ＋基板のドーピング濃度が基板上面付近で低減された請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項４】
基板（１２）は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項５】
Ｎ−型ドーパントブランケットインプラント（１４）はヒ素である請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項６】
酸化物マスク（２０）はウェット酸化物マスクである請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項７】
Ｎ−型主接合インプラント（２２）はヒ素である請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項８】
酸化物マスク（２０）およびエッチングされた領域の上に積層された金属電極の反対側で基板に隣接する金属電極を更に有する請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項９】
基板（１２）はホウ素ドープされている請求項１記載のブランケットインプラントダイオード。
【請求項１０】
ダイオードの製造方法であって、Ｐ＋基板（１２）の上面（１６）付近にヒ素によりＮ−型ドーパントブランケットインプラント（１４）をインプラントすることと、Ｐ−領域（１８）を生成することと、Ｐ−領域（１８）に隣接しかつその上に酸化物マスク（２０）を積層することと、マスク（２０）の一部をエッチングによって除去してエッチングされた領域を形成することと、エッチングされた領域のＰ−領域（１８）に内にヒ素によりＮ−型主接合インプラント（２２）をインプラントしてＰ＋基板（１２）の上にＰ−領域（１８）に隣接してＮ＋領域（２６）を生成することと、酸化物マスク（２０）およびエッチングされた領域の上に金属（２６）を積層することと、により一マスクプロセスでダイオードを製造し、Ｎ−型ドーパントブランケットインプラント（１４）はおよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１２〜１＊１０１５ｃｍ−２でインプラントされ、Ｎ−型主接合インプラント（２２）はおよそ８０Ｋｅｖ、１＊１０１５〜１＊１０１７ｃｍ−２でインプラントされることを特徴とするダイオード製造方法。
【請求項１１】
基板の下に金属を積層することを更に含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
電気回路用にダイオードをパッケージすることを更に含む請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
基板にホウ素をインプラントしてＰ＋基板（１２）を生成することを更に含む請求項１０記載の方法。
【請求項１４】
請求項１記載のブランケットインプラントダイオードを有し、更に金属と電気的に接続された接続端子（２９）と、第２の接続端子（３１）とを有し、それによって低減された角隅部電界を有する電圧抑制器を形成する過渡電圧抑制デバイス。
【請求項１５】
基板は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項１４記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項１６】
基板は０．００１〜０．１Ω−ＣＭのホウ素ドープされたウエハである請求項１４記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項１７】
Ｎ−型主接合インプラントはヒ素である請求項１４記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項１８】
基板はホウ素ドープされている請求項１４記載の過渡電圧抑制デバイス。
【請求項１９】
過渡電圧抑制方法であって、電圧抑制デバイスの第１の接続端子（２９）を電気回路に対して、過渡電圧が発生する可能性がある電気回路内の第１の点に電気的に接続すること、および第２の接続端子（３１）を過渡電圧が発生する可能性がある電気回路内の第２の点に電気的に接続することと、からなり、該電圧抑制デバイスはＰ＋基板（１２）であって基板（１２）の上面（１６）付近にＰ−領域（１８）を生成するＮ−型ドーパントブランケットインプラント（１４）を有する基板と、Ｐ−領域（１８）に隣接してその上に積層された酸化物マスク（２０）であって、Ｐ−領域（１８）の一部においてエッチングにより部分的に除去されてエッチングされた領域を形成する酸化物マスク（２０）と、エッチングされた領域にインプラントされＰ＋基板（１２）の上にかつＰ−領域（１８）に隣接してＮ＋領域（２６）を生成するＮ−型主接合インプラント（２２）と、酸化物マスク（２０）およびエッチングされた領域の上に積層された金属（２６）と、該金属（２６）に電気的に接続された第１の接続端子（２９）と、基板に電気的に接続された第２の接続端子（３１）とを有することを特徴とする過渡電圧抑制方法。
【請求項２０】
電気的に接続する工程の両者とも、表面実装デバイスにより行われる請求項１９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
技術の進歩につれて、ＣＭＯＳデバイスへの供給電流は低下しつつある。ダイオードの破壊電圧は、Ｐ−Ｎ接合の両側においてドーピング濃度を高くすることによって引き下げることができる。しかし、ドーピング濃度を高めると接合が浅くなり、接合の縁部の曲率が大きくなることになる。曲率が大きい領域における電界は強くなる。接合縁部において強められた電界により、縁部では主接合よりも早く破壊が生ずる。また、電力集中効果（current crowding effect）により、抵抗が大きくなり、かつＩ−Ｖ特性がより平滑化してしまう。これら２つの現象は共に過渡電圧サプレッサに応用する場合には不都合である。従って、改良された低電圧過渡電圧サプレッサを提供することが望ましい。
Ｄ１はＮ層の表面上に浅いＮ−層を形成して表面上に空乏層を延在させることにより破壊電圧を高めたＰ＋Ｎ構造を有する平面ダイオードに関するものである。Ｄ１はまさに半導体領域およびドーピングレベルの同一構成を開示している。Ｄ１空乏領域を増加して破壊電圧を高くすることを目的としており、従って破壊電圧の低減およびドーピングレベルの引き上げの問題を扱うものではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【国際調査報告】
2009513016.tif 000019
2009513016.tif 000020