(57)【要約】  個々のデバイス（１００）は、キャリア基板（１０）から個別に取り外され得るように、キャリア基板（１０）に局所的に取り付けられる。これは、パターニングされた剥離層、具体的には、気体状の、あるいは気化された分解生成物への分解によって除去可能な層、の使用によって達成される。キャリア基板（１０）と個々のデバイス（１００）との間の機械的な接続が、接着層（４０）の架橋部分（４３）によって提供される。
2009516368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が電気素子の回路を有する複数の微小電子デバイスが取り付けられたキャリア基板を製造する方法であって：
−  キャリア基板及びハンドリング基板の部分組立体であり、前記キャリア基板と前記ハンドリング基板との間にパターニングされた剥離層及び接着層が存在し、且つ前記デバイスを有する部分組立体、を設ける工程；
−  前記ハンドリング基板を貫通するスルーホール群であり、少なくとも一部は隣接し合う微小電子デバイスの間の分離レーンとして機能するスルーホール群、を設ける工程；及び
−  前記スルーホール群の少なくとも一部を介して前記剥離層を除去し、それにより、前記微小電子デバイスの解放された領域と前記キャリア基板との間に空隙を生成する工程であり、個々の微小電子デバイスが前記接着層の選択的な切断によって前記キャリア基板から個別に取り外され得るように、前記微小電子デバイスが前記接着層によって前記キャリア基板に取り付けられたままにされ、前記接着層の架橋部分が前記空隙に隣接するように配置される工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記剥離層は気体材料への分解によって除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記剥離層、前記デバイスが画成されたデバイス積層体、及び前記接着層は、前記キャリア基板上に続けて設けられ、前記接着層は、前記剥離層の除去後にも前記デバイスを前記キャリア基板に接着しておくように、第１の組の分離レーンに対応して前記剥離層に露出領域を作り出し、且つ第２の組の分離レーンにおいて連続するようにパターニングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記剥離層及び前記接着層は、前記デバイスが存在する処理用基板上に続けて設けられた後に前記キャリア基板に取り付けられ、前記処理用基板は、前記ハンドリング基板である、あるいは前記キャリア基板への取り付け後に前記ハンドリング基板によって置換される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ハンドリング基板は可撓性材料を有する、請求項１、３又は４に記載の方法。
【請求項６】
複数の微小電子デバイスが取り付けられたキャリア基板であって、各々の微小電子デバイスは、電気素子の回路を有し、ハンドリング基板を備えており、且つ解放領域において空隙によって前記キャリア基板から隔てられており、前記デバイスは、単一のバッチで形成されており、且つ前記ハンドリング基板を貫通して延在する分離レーンによって互いに隔てられており、前記デバイスは、接着層によって前記キャリア基板に取り付けられており、前記空隙に隣接して前記接着層の架橋部分が配置されており、前記接着層は更に、個々の微小電子デバイスが前記接着層の選択的な切断によって前記キャリア基板から個別に取り外され得るように、前記ハンドリング基板及び前記キャリア基板の少なくとも一方の上に延在している、キャリア基板。
【請求項７】
前記接着層は、前記微小電子デバイスに取り付けられた第１部分、前記キャリア基板に取り付けられた第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分との間にあり且つ前記空隙に隣接する架橋部分を有し、前記架橋部分は、前記キャリア基板に対して０°と１８０°との間の角度を有する、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項８】
各微小電子デバイスは、前記接着層の複数の架橋部分によって当該キャリア基板に取り付けられている、請求項７に記載のキャリア基板。
【請求項９】
前記接着層は、第１の面とそれと反対側の第２の面とを有し、その架橋部分において、その第１の面は前記キャリア基板に取り付けられており、且つその第２の面は、封入されたデバイスの一部又は前記ハンドリング基板に取り付けられている、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項１０】
前記電気素子の回路は、保護層を備えており、且つ前記ハンドリング基板と前記空隙との間に配置されている、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項１１】
前記微小電子デバイスは、前記ハンドリング基板の上に延在する少なくとも１つの導電体を有する変形可能部分を有し、該部分は、実質的に前記導電体によって画成された形状を有する、請求項６又は１０に記載のキャリア基板。
【請求項１２】
請求項６乃至１１の何れかに記載のキャリア基板を用意すること、及び１つの微小電子デバイスに取り付けられている限りにおいて前記接着層を切断することによって、個々の微小電子デバイスを提供する方法。
【請求項１３】
前記切断することは部品ハンドリング装置によって行われる、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャリア基板に取り付けられた、各々が電気素子の回路を有する複数の微小電子（マイクロエレクトロニクス）デバイスを製造する方法であって：
−  キャリア基板に、パターニングされた剥離層及びデバイス群を設ける工程；及び
−  剥離層を除去し、それにより、微小電子デバイス群の解放領域とキャリア基板との間に空隙を生成する工程であり、該空隙に隣接配置された架橋材料によってデバイス群がキャリア基板に局所的に取り付けられたままにされる工程；
を有する方法に関する。
【０００２】
本発明はまた、各々が電気素子の回路を有する複数の微小電子デバイスが取り付けられたキャリア基板であって、各デバイスが解放領域において空隙を介してキャリア基板から隔てられており、デバイス群が単一バッチで形成されており、デバイス群が、空隙に隣接配置された架橋材料によって当該キャリア基板に局所的に取り付けられているキャリア基板に関する。
【０００３】
本発明は更に、このキャリア基板の使用に関する。
【背景技術】
【０００４】
上記のような方法及びキャリア基板は特許文献１から知られている。そこには、複数の微小電子デバイスの、デバイス群が処理された基板から最終的な基板への転写（トランスファ）に二重転写プロセスが使用され得ることが開示されている。この二重転写プロセスは、特に、ディスプレー用途のアクティブマトリクスアレイの製造を目的としたものである。ここでは、微小電子デバイスは、特に、能動素子及び／又は受動素子から成る集積回路のことであり、センサを含み得るものである。
【０００５】
既知の方法におけるキャリア基板はシリコン基板である。その上の酸化物層が剥離層として用いられる。この酸化物層は、シリコン酸化物より低いエッチングレートを有することで選択された更なるシリコン酸窒化物層の保護層によって覆われる。その上に、単結晶シリコン層が形成される。得られた基板構造は故に、技術的に知られたシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）型である。単結晶シリコン層の内部及び表面に電子デバイスが形成される。これらのデバイスは、薄膜トランジスタから成る半導体デバイスであり、ポリシリコンゲート、画素電極、及び好適なメタライゼーションを備えている。
【０００６】
そして、架橋材料が、キャリア基板まで延在するエッチング開口内に設けられた酸化物の支柱（支持ポスト）の形態で設けられる。シリコン酸窒化物のエッチングレートがシリコン酸化物と比較して低いことにより、エッチング開口はシリコン酸窒化物の面内で狭小部を含んでいる。この狭小部は酸化物ポストの機械的な固定をもたらす。その後、酸化物の剥離層がエッチングによって除去される。得られた構造上にエポキシが設けられ、支持部上に位置しない領域内でエポキシが硬化される。そして、それにガラス板が取り付けられる。最終的に、酸化物ポストの切断及び未硬化エポキシの分解によって、キャリア基板がデバイス群から取り外される。
【０００７】
既知の方法の欠点は、デバイス群はキャリア基板から直接的に、例えば部品ハンドリング機械などの何らかの装置によって個別に得られないことである。未硬化エポキシの除去後、ガラス板は幾つかの断片に分離されなければならない。ガラス板を使用しない場合、複数のデバイスは直ちに個々のデバイスへと散り散りになる。
【特許文献１】米国特許第５２５８３２５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、第１に、標準的あるいは僅かに改良された部品ハンドリング装置を用いて個々のデバイスが個別に取り外されることが可能なキャリア基板をもたらす、上述の種類の方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明は、第２に、個々のデバイスがなおも取り付けられているキャリア基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この第１の目的は：
−  キャリア基板及びハンドリング基板の部分組立体であり、キャリア基板とハンドリング基板との間にパターニングされた剥離層及び接着層が存在し、且つデバイスを有する部分組立体、を設ける工程；
−  ハンドリング基板を貫通するスルーホール群であり、少なくとも一部は隣接し合う微小電子デバイスの間の分離レーンとして機能するスルーホール群、を設ける工程；及び
−  スルーホール群の少なくとも一部を介して剥離層を除去し、それにより、微小電子デバイスの解放された領域とキャリア基板との間に空隙を生成する工程であり、個々の微小電子デバイスが接着層の選択的な切断によってキャリア基板から個別に取り外され得るように、微小電子デバイスが接着層によってキャリア基板に取り付けられたままにされ、接着層の架橋部分が空隙に隣接するように配置される工程；
を有する方法によって達成される。
【００１１】
本発明に従った所望の基板は、ハンドリング基板が設けられ、且つハンドリング基板を貫通するように必要なスルーホールが形成された後に、剥離層が除去されることによって得られる。そして、ハンドリング基板とキャリア基板との間の領域はスルーホールを介してのみアクセス可能であるので、架橋材料は接着層として、部分組立体の準備の前又は最中に設けられていなければならない。その他の方法ではデバイスは非常に壊れやすく、非常に脆弱なものになるので、ここでは、ハンドリング基板がデバイスの個別の取り外しのために必要とされる。
【００１２】
有利には、スルーホールはエッチングによって形成される。これは、スルーホール及びとりわけ分離レーンの実効的な幅が非常に小さくされ得るという利点を有する。分離レーンの幅は、ここでは、分離のために使用される（切断）技術によっては決定されず、単純なエッチング工程の分解能によって決定される。この分離レーンの幅の低減は直接的に、特にキャリア基板が半導体基板である場合において、歩留まりの向上とコストの削減とをもたらす。従来技術における分離レーンは、ガラス板を分離する必要性のため、このように狭くされることはできない。
【００１３】
剥離層は好ましくは有機材料を有する。この種類の材料は比較的容易に、その他の材料に対して選択的に分解あるいは除去され得る。
【００１４】
有利な一実施形態において、剥離層は気体材料への分解によって除去される。この種類の解放の利点は、如何なる残渣も残さないことである。また、この分解は４００℃までの温度にて効果的に行われ得る。実際の分解温度は主に剥離層の材料選択に依存する。好適な材料は、例えば、空隙材料として提供されているポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）である。３００℃より高い温度でのこの材料の安定性は、剥離層の分解後に多様な処理工程を実行することを可能にする。さらに、４００℃より低い分解温度により、分解は部分組立体のその他の層群に損傷を与えない。好適には、剥離層の材料は、所望形状へのそのパターニングに更なるフォトレジストが不要であるように感光性である。
【００１５】
接着層は、一方の基板、すなわち、ハンドリング基板又はキャリア基板の何れかの上に好適に延在し、単なる局所的な支柱ではない。これにより、接着層がデバイス内に完全に一体化されることが実現される。最も好ましくは、接着層は例えば酸化物、酸窒化物、又はこれらに類するもの等の無機材料から成る。このような材料は、例えば化学的気相成長法などの標準的な半導体技術を用いて如何なる所望の厚さにも塗布され得る。
【００１６】
パターニングされた剥離層上への接着層の堆積は、特に接着層が比較的均一な厚さを有するように堆積される場合、既存の形状を平坦化するような堆積と比較して非常に好ましい。このような堆積により、接着層の架橋部分は基板に平行でない内部平面を有することになる。その結果、この架橋部分は極めて容易に切断され得るものとなる。架橋部分の強度とこの平面の角度とは、当然ながら、接着層及び剥離層の厚さに依存する。
【００１７】
接着層は、好ましくは、個々の微小電子デバイス間の分離レーンとして機能するスルーホール内に存在する架橋部分を作り出すように設計される。好ましくは、架橋部分は分離レーンを完全には覆わず、ストライプ状にパターニングされる。より好ましくは、接着層は更に、ハンドリング基板がそうであるように、剥離層を露出させる更なるスルーホールを作り出すようにパターニングされる。
【００１８】
ハンドリング基板は好ましくはポリマー材料から成る層である。しかしながら、ハンドリング基板は、例えば米国特許第６１９８１５５号明細書から知られているような、表面特性の修飾によって十分にパターニングされることが可能な、放射線抑止特性を有する無機被膜であってもよい。他の例では、ハンドリング基板はヒートシンク又はその他の熱消散手段であってもよい。後にパターニングされる場合には、接着剤を用いて取り付けられるガラス層も適用され得る。１つの好適技術が米国特許第６１７７２９５号明細書から知られている。
【００１９】
一実施形態において、剥離層、デバイスが画成されたデバイス積層体、及び接着層は、キャリア基板上に続けて設けられる。この実施形態において、デバイスは薄膜技術によって作成される。これは、センサ、薄膜トランジスタ、受動素子、フィルタ、及びこれらに類するものを含んでいてもよい。好ましくは、回路はトランジスタ又はその他の半導体素子を有する。剥離層の分解温度より低い温度で処理され得る好適な半導体材料には、例えばペンタセン等の有機半導体だけでなく、アモルファスシリコン及び低温ポリシリコンもある。この実施形態に１つの特徴は、エッチングによるスルーホールの形成中に、剥離層及び接着層の双方がエッチング停止材料として好ましく機能することである。
【００２０】
他の一実施形態において、剥離層及び接着層は、デバイスが存在する処理用基板上に続けて設けられた後にキャリア基板に取り付けられ、処理用基板は、ハンドリング基板である、あるいはキャリア基板への取り付け後にハンドリング基板によって置換される。処理用基板は、必ずしもそうである必要はないが、表面に電気素子群の一部が画成される半導体基板であることが好ましい。部分組立体を設けた後、処理用基板は少なくとも部分的に、通常は研磨とそれに続くエッチングとによって除去され、例えばポリマー材料などの、別の特性を有するハンドリング基板で置換されてもよい。デバイスには、好ましくは、剥離層が設けられるのに先立って、パッシベーション及びスクラッチ保護が備えられる。この実施形態の第１の特徴は、接着層（すなわち、酸化物）に加えて、接着剤をキャリア基板に使用することである。この実施形態の１つの特徴は、スルーホールの形成が、先ずスルーホールがハンドリング基板内に設けられ、その後にデバイス積層体とその上の接着層とのパターニングが続けられるという、二段階プロセスで非常に好ましく実行されることである。この場合、剥離層及び接着剤がエッチング停止層として機能する。
【００２１】
本発明の第２の目的は、各々が電気素子の回路を有し、且つ個別に取り外されることが可能な微小電子デバイス群を備えたキャリア基板を提供することである。この目的は、各デバイスが、ハンドリング基板を備えており、且つ解放領域において空隙によってキャリア基板から隔てられており、デバイス群が、単一のバッチで形成されており、且つハンドリング基板を貫通して延在する分離レーンによって互いに隔てられており、デバイスが、接着層によってキャリア基板に取り付けられており、空隙に隣接して接着層の架橋部分が配置されており、接着層が、個々の微小電子デバイスが接着層の選択的な切断によってキャリア基板から個別に取り外され得るように、ハンドリング基板及びキャリア基板の少なくとも一方の上に延在していることによって達成される。
【００２２】
電子デバイス内に延在する接着層の使用により、接着層の最も弱い箇所はキャリア基板とのコンタクトの位置又はその付近にあることになる。その結果、接着層はそこで非常に小さい力で破壊されることができる。デバイスは、結果として、部品配置機械を用いて機械的に、キャリア基板から取り外されることができる。
【００２３】
有利には、接着層は、微小電子デバイスに取り付けられた第１部分、キャリア基板に取り付けられた第２部分、及び第１部分と第２部分との間にあり且つ空隙に隣接する架橋部分を有し、架橋部分はキャリア基板に対して０°と１８０°との間の角度を有する。この構成により、架橋部分は基板に対して突き出し、非常に薄い層群に基づくものではあるが信頼できる接続を形成する。
【００２４】
これの好適な一変形例において、電子デバイスは多数の取付点にてキャリア基板に取り付けられる。好ましくは、少なくとも３つの取付点が使用され、より好ましくは４つの取付点が使用される。これにより、如何なる問題もなく輸送され得る安定な構造がもたらされる。理解されるように、２つ以上の電子デバイスが単一の取付点においてキャリア基板に取り付けられることが可能である。すなわち、その横方向の複数の端部にて相異なる電子デバイスへと延在する接着層の一本のストリップが、この取付点にてキャリア基板に接触することが可能である。
【００２５】
他の例では、接着層は、第１の面とそれと反対側の第２の面とを有し、その架橋部分において、その第１の面は前記キャリア基板に取り付けられており、且つその第２の面は、封入されたデバイスの一部又は前記ハンドリング基板に取り付けられている。この実施形態において、デバイスは限られた領域のみでキャリア基板に取り付けられている。この実施形態は、特に、例えば相互接続及びアンテナ等の、より大きい素子又は変形可能な素子を更に含むデバイスに有用である。
【００２６】
好ましくは、電気素子の回路は、保護層を備えており、且つハンドリング基板と空隙との間に配置されている。この実施形態は、キャリア基板に取り付けられながら微小電子デバイスに保護を提供する。これは更に、半導体基板の底面からスルーホールを生成する既知の技術が適用され得るという利点を有する。
【００２７】
興味深い一実施形態において、微小電子デバイスは、ハンドリング基板の上に延在する少なくとも１つの導電体を有する変形可能部分を有し、この部分は、実質的にこの導電体によって画成された形状を有する。電気素子を備えたアイランド間の変形可能な導電体が、これらの素子間の距離を増大させること、及び／又は屈曲などによる応力を取り除くことのために使用される、所謂、伸縮可能（stretchable）エレクトロニクスへの関心が増している。相互距離を増大させたいという望みは、小さい領域上にコスト効率良くデバイスを製造したいという願いに由来している。このような伸縮可能なエレクトロニクス構造は、例えば米国特許第６４７９８９０号明細書にて開示されている。
【００２８】
伸縮可能エレクトロニクスの使用は、集積回路と外部アンテナとの間の電気的コンタクトを排除するために磁気ループアンテナがチップ上に集積される、極薄の非常に柔軟な無線周波数（ＲＦ）ＩＤトランスポンダのために期待されている。磁気ループアンテナの大きさはＲＦＩＤトランスポンダの回路部分と一緒にスケーリングされないため、基板の表面領域の大きい部分が使用されないままになってしまい、より高コストになる。エネルギーを消費し、互いに且つ／或いは基地局と通信する自律デバイスに関しても同様の状況が当てはまる。このような自律デバイスは、ＲＦエネルギーの効率的な伝送を実現するために、集積回路と比較して大きい例えばダイポールアンテナ等のアンテナを必要とする。ここで提案される解決策は、アンテナを折り畳んで製造し、微小電子デバイスが個片化された後にアンテナを展開することである。
【００２９】
伸縮可能エレクトロニクスの使用は更に、大面積にわたって延在しながらも適切に特徴付けられたセンサを有することが望まれるセンサ分野で期待されている。
【００３０】
その一実施形態において、変形可能部分は、その両端部間の横方向距離を増大させるように変形することができる。変形可能部分は、例えば、巻かれていない状態に戻されることが可能な螺旋状の導電体である。
【００３１】
他の一実施形態においては、変形可能部分は、電気素子の回路の第１のユニットと第２のユニットとの間に存在させられる。
【００３２】
更なる一実施形態においては、変形可能部分は、折り畳み又は展開によって変形可能なアンテナ構造を有する。
【００３３】
個々のデバイスは、１つの半導体デバイスに取り付けられている限りにおいて、接着層を切断することによってキャリア基板から分離されてもよい。これは、部品ハンドリング機械を用いて好適に行われることができる。
【００３４】
本発明の上記態様及びその他の態様は、図面を参照して更に明らかにされる。図面は縮尺通りに描かれてはおらず、完全に図式的なものである。また、図面において、同一の参照符号は似通った部分を表している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
図１は、複数の微小電子デバイス１００が取り付けられたキャリア基板１０の断面図を図式的に示している。デバイス群は接着層４０によって取り付けられている。接着層４０の第１部分４１はデバイス１００の一部であり、第２部分４２はキャリア基板１０に取り付けられている。第１部分４１と第２部分４２との間には中間の架橋部分４３が延在している。微小電子デバイス１００とキャリア基板１０との間には空隙７０が延在している。架橋部分４３はこの空隙７０に隣接するように位置している。図３において見て取れるように、この架橋部分４３は微小電子デバイスがキャリア基板１０から取り外されるときに切断される。
【００３６】
例えば部品配置機械によって個々に取り外されるよう、微小電子デバイス１００はハンドリング基板２０を備えている。ハンドリング基板２０は、この例においては、例えば１０μｍの厚さを有するポリイミド層であり、好ましくは２μｍと１００μｍとの間の厚さを有する。微小電子デバイス１００は更にデバイス層５０を備えている。デバイス層５０は、この例においては、薄膜トランジスタを有する積層体である。薄膜トランジスタの半導体層は、有機、アモルファスシリコン、ポリシリコン、又は、薄膜トランジスタに好適で且つ最高で約３００℃の温度で堆積される他の何らかの半導体材料とし得る。図示されていないが、好ましくは、この微小電子デバイスの実施形態は一体化されたアンテナを有する。これは、デバイス１００がデータ及び好ましくはエネルギーの授受のために必要な回路を有するとした場合に、デバイス１００と読み取り機との間での無線伝送を可能にする。このような回路はそれ自体、識別（ＩＤ）トランスポンダの分野において既知である。これに代えて、あるいは加えて、デバイス１００と例えば印刷回路基板等の何らかの構成要素との間の電気結合のためのコンタクトパッドが存在していてもよい。このような接合パッドは、断面図から明らかであるように、デバイス層５０の最も下側の部分に設けられ得る。他の例では、接合パッドはハンドリング基板２０の頂部に設けられ、それに加えて、ハンドリング基板２０を貫通する縦方向の相互接続が形成される。また、必ずしも必要でないが、ハンドリング基板に感光材料を用いることが有利である。接合パッドはハンドリング基板の頂部に堆積された酸化物層で区切られていてもよい。分離に先立って、接合パッド上にアンダーバンプメタル、金属バンプ、又ははんだバンプが設けられてもよい。
【００３７】
個々の微小電子デバイス１００は分離レーン６１によって相互に分離されている。加えて、空隙７０から剥離層を除去するためにスルーホール６０が存在している。この例においては、スルーホールは分離レーンとしても機能する。しかしながら、特にデバイス１００が一層大きい場合において、スルーホール６０は単一のデバイス１００の中央部に位置していてもよい。
【００３８】
図２は、複数のデバイス１００を備えたキャリア基板１０の上面図を示している。ハンドリング基板２０の位置が、デバイス１００と重なるドット領域として示されている。これはまた、接着層の第１部分（図示せず）とも重なっている。接着層の第２部分４２も図示されている。さらに、分離レーン６１も示されている。架橋部分４３は一点鎖線で境界された領域によって示されている。図２は、各デバイス１００が、この例においては、そのデバイスのコーナー部に隣接配置された４つの取付点にてキャリア基板１０に取り付けられていることを示している。
【００３９】
図４Ａ−４Ｊは、図１に示されたデバイス１００を備えたキャリア基板１０に到達するための方法の連続する１０工程を示している。
【００４０】
図４Ａは、第１の面１１及びそれと反対側の第２の面１２を有するキャリア基板１０を示している。キャリア基板１０の第１の面１１には剥離層３０が存在している。キャリア基板は、この例においてはシリコンから成るが、代替的に、例えばガラス等の別の材料から成っていてもよい。剥離層３０は、例えば集積回路内の相互接続構造の空隙のために開発されたもの等の、ポリメチルメタクリレート材料を有している。このような材料はシプレー（Shipley）社からＸＰ−０７３３として市販されている。この材料はスピンコーティング法によって塗布されることができ、およそ１５０℃での初期的なソフトベーク後に、最高３００℃まで完全に安定になる。温度が３５０℃より高く、最高で４００℃まで上昇されると、この材料は如何なる残渣も残さずに分解する。この空隙材料に代えて、基板と剥離層の頂部に堆積される層群との双方に対して選択的にエッチングされ得る剥離層が用いられてもよい。一例は金属の剥離層である。
【００４１】
図４Ｂは、第２工程後のキャリア基板１０を示しており、エッチングマスク及びデバイス層５０が設けられている。好適には、特に有機剥離層３０との組み合わせにおいて、このエッチングマスクは無機材料を有する。プラズマ促進化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法を用いて堆積された酸化物によって良好な結果が得られている。しかしながら、窒化物、酸窒化物及びその他の材料や、その他の堆積法も適用され得る。このエッチングマスクは、同時に、その上にデバイス層５０が堆積される基板層でもある。この例においては、デバイス層５０は積層体である。層群の１つは、例えばアモルファスシリコン又は低温ポリシリコン等の半導体材料から成る。更なる層群は、電極及び導電体とそれらの間の分離とを画成するための、導電性の層及び電気絶縁性の層である。そして、デバイス層５０は、所望の設計に従って相互接続される例えばトランジスタ、キャパシタ及び抵抗などの、複数の電気素子を含んでいる。また、デバイス内に結合手段を設けることも必要である。このようなエネルギー及び／又はデータの結合手段は、ダイポールアンテナのようなアンテナ、インダクタ、又は容量結合プレートとして実装され得る。他の例では、この結合手段は電気結合用のコンタクトパッドとして実装されてもよい。このとき、好ましくは、このようなコンタクトパッドは剥離層３０に隣接して画成される。
【００４２】
図４Ｃは、第３工程後のキャリア基板１０を示しており、デバイス層５０がパターニングされている。明らかであるように、デバイス層５０のパターニングは、如何なる電気素子も存在しないままにされる領域において行われる。このパターニングは、好ましくは、フォトレジスト及び照明を用いて行われる。
【００４３】
図４Ｄは、剥離層３０がパターニングされた後のキャリア基板１０を示している。このとき、キャリア基板１０上に接着領域が画成される。
【００４４】
図４Ｅは、更なる一工程後のキャリア基板１０を示しており、デバイス層５０の頂部に接着層４０が塗布されている。デバイス層５０及び剥離層３０の双方のパターニングの結果として、接着層の一部がキャリア基板に取り付けられる。故に、接着層４０は少なくとも３つの部分：デバイス層５０上に堆積された第１部分４１；キャリア基板１０上に堆積された第２部分４２；及び第１部分４１と第２部分４２との間に延在する架橋部分４３；に細分化され得る。この架橋部分４３は、キャリア基板に対して０°と１８０°との間の角度を有している。この例においては、図式的な図であることは明白であるが、この角度は約９０°である。一般的に、この角度は最も急な箇所で３０°以上、より好ましくは４５°以上にされ、且つ１５０°以下、より好ましくは１３５°以下にされる。この角度は９０°に近い角度であることが好ましい。なぜなら、９０°に近い角度は、デバイスをキャリア基板１０から取り外すときの力を或る範囲内に収める傾向にあるからである。９０°に近い角度は更に、接着層が架橋部分４３以外の箇所で切断されることになる虞を軽減する傾向にもある。
【００４５】
図４Ｆは、接着層４０のパターニング後のキャリア基板１０を示している。このとき、剥離層３０に達するスルーホール６０が画成される。同時に、この工程は分離レーン６１をも画成する。
【００４６】
図４Ｇに示された工程において、接着層４０上にハンドリング基板２０が設けられる。このハンドリング基板２０は、この例においては、得られるデバイスが機械的に曲げられるものとなることを可能にする樹脂層であり、１０μｍの厚さが用いられている。樹脂層の好適な一例は、スピンコーティングによって塗布されるポリイミドである。この例において、樹脂層は感光性ではない。そのため、樹脂層２０の頂部に更なるフォトレジスト層２３が塗布される。このレジスト層は、樹脂層が１２０℃でのソフトベークによって乾燥された後に塗布される。
【００４７】
図４Ｈは、フォトレジスト層２３のパターニングの結果を示している。フォトレジスト層のパターンは、先に形成された分離レーン６１及びスルーホール６０と重なっている。分解能の補正を適用することが有用であると思われるが、このパターンは更にはそれとほぼ同一であればよい。また、このパターンはキャリア基板１０のエッジ付近で異なっていてもよい。
【００４８】
図４Ｉは、ハンドリング基板２０のパターニング後のキャリア基板１０を示している。これは、例えばＴＭＡＨ等のエッチャントを用いて行われ得る。
【００４９】
図４Ｊは、フォトレジスト層２３の除去後のキャリア基板１０を示している。個々のデバイス１００が取り付けられたキャリア基板１０は、この段階でほぼ準備が整った状態となる。この例においては、ハンドリング基板２０の樹脂層を硬化させる工程が、剥離層３０の除去と同時に行われる。何故なら、これら双方の工程には同一の温度が必要とされるからである。この工程の結果は図１に示されている。
【００５０】
図５Ａ−５Ｆは、本発明に係る方法の第２実施形態の図式的な断面図を示している。この実施形態は、ハンドリング基板２０がデバイス１００のための処理用基板である点で、第１実施形態と構造的に異なっている。剥離層３０は処理の最後に設けられる。これは、明らかであるように、３００℃より高い温度が使用され得るという利点を有する。さらに、単結晶シリコンの基板が用いられることが可能であり、より高性能のデバイスが可能になるとともに、従来の半導体製造における処理が可能になる。
【００５１】
この処理の結果として、キャリア基板は単に一時的な担体として機能する。すなわち、第１実施形態においてのような基板転写は行われない。しかしながら、このような基板転写は、処理用基板が少なくとも部分的に除去され、別の基板に置換されるようにして、付加的に行われてもよい。この別の基板は金属基板であってもよいが、好ましくは、第１実施形態において用いられた種類の樹脂層のような電気絶縁性の、機械的に柔軟な基板である。
【００５２】
この第２実施形態は、剥離層の除去によってキャリア基板１０から回路の第１部分が解放される一方で、第２部分は解放されない点で、更に異なっている。これは、解放される第１部分が機械的に変形され得る場合に特に適している。この変形は、折り畳み、引き伸ばし、及び折り曲げによって行われ得るものであり、その目的のために特定手段を含むことが好ましい。
【００５３】
図５Ａは、第１の面２１及び第２の面２２を有する処理用基板兼ハンドリング基板２０の断面図を示している。第１の面２１には、デバイス層５０とも参照される積層体が画成されている。ハンドリング基板２０の第１の面２１に熱酸化膜５５が設けられる。第１の面２１には当業者に既知の方法で集積回路５２が画成される。第１の面２１に少なくとも１つの導電体５３が設けられる。導電体５３は、ここでは集積回路５２の頂部上に示されているが、好ましくは、集積回路５２の相互接続構造内の導電層の一部である。この例においては、導電体５３は伸縮可能に設計された螺旋状の導電体トラックである。明らかであるように、導電体５３は、ダイポールアンテナのようなアンテナ、又はインダクタの巻線を構成するものであってもよい。他の例では、２つ以上の電気素子集積回路５２が存在し、この導電体トラックを介して結合されてもよい。このような構造は、フレキシブル回路の機械的特性に関して有利であると思われる。センサアレイの分野で別の用途が考えられる。そのとき、センサは処理後に互いに一層大きい間隔を有するようにされてもよい。導電体５３及び集積回路５２の双方を含む回路が、保護層５４によって覆われる。この保護層５４は好ましくは、例えばシリコン窒化物から成るパッシベーション層である。これは、導電体５３が相互接続構造の一部である場合に特に有効である。他の例では、導電体５３は集積回路のパッシベーション層の頂部上に設けられてもよい。そのとき、保護層はパッシベーション機能を有する必要はなく、より広範囲の材料から選択され得る。
【００５４】
図５Ｂは、この方法における第２工程後のハンドリング基板２０を示している。剥離層３０が塗布・パターニングされている。続いて、接着層４０が塗布される。ここでは、剥離層３０及び接着層４０に関し、第１実施形態と同一の材料が選択される。このことは、しかしながら、その他の材料を排除するものではない。剥離層３０のパターニングの結果として、デバイス１００は、接着層４０がデバイス層５０に付着していない解放領域５１と、付着領域５６とに分割され得る。導電体群５３の一部は付着領域５６内に画成されており、導電体群５３の別の一部及び集積回路５２は解放領域５１内に画成されている。
【００５５】
図５Ｃは、ハンドリング基板２０とキャリア基板１０との組立体を示している。ここでは、キャリア基板１０が接着層４０に接着剤１３を用いて取り付けられる。キャリア基板１０は好ましくはガラス層であるが、エッチング中に基板として機能するのに十分な安定性と剛性とを有する何らかのその他の物体であってもよい。接着剤は、接着層をエッチングすることができ且つ剥離層をエッチングすることができないエッチャントに対してエッチング耐性を有するように適切に選択される。その一実施形態は、明らかであるように、接着剤が剥離層と同一種類の材料から選択されることであり、例えば、好ましくは有機層、より好ましくは、剥離層がＰＭＭＡから成る場合にはエステルタイプの材料、更に好ましくはアクリレート、そして最も好ましくはＰＭＭＡである。しかしながら、別の例においては、分解可能でないものであってもよい。
【００５６】
図５Ｄは、キャリア基板１０が担体として作用するように裏返しにされた組立体を示している。また、ハンドリング基板２０は、レーンとして適切に設計されたスルーホール６０によって分離されたアイランドへとパターニングされている。ここでは、導電体５３は、例えば実質的に導電体５３が集積回路５２に接触するところといった、限られた領域においてのみ、集積回路５２のハンドリング基板２０に機械的に取り付けられたハンドリング基板２０を備えている。効果的には分離レーンも設けられるが、ここではそれらは図示されていない。シリコン基板内にトレンチを設けることは技術的に周知であり、シリコン窒化物のマスクを介したドライエッチングによって好ましく実行される。このとき、熱酸化膜５５がエッチング停止層として機能する。図示されていないが、ハンドリング基板２０は好ましくは、スルーホール６０の画成に先立って薄層化される。
【００５７】
図５Ｅは、エッチングの継続後の、デバイス１００を備えたキャリア基板１０を示している。このエッチングは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によって行われるが、例えばレーザ切断などのその他の技術を排除するものではない。好適な一例において、接着剤１３、剥離層３０及び接着層４０は、接着層がエッチング除去される一方で、剥離層３０及び接着剤１３がエッチング停止層として機能するように選択される。これにより、剥離層が露出させられる。
【００５８】
図５Ｆは、剥離層３０の除去後の、デバイス１００を備えたキャリア基板１０を示している。この段階で、デバイス１００の解放領域５１は空隙７０によってキャリア基板１０から分離される。接着層の架橋部分４３が空隙に隣接している。これは、キャリア基板１０からデバイス１００を個々に取り外すために切断される。ここでは、架橋部分は接着層４０と接着剤１３との結合体として理解される。如何なる切断もそれらの何れか、又は双方を経由し得る。デバイスは実際には伸縮可能に設計され、付着領域は導電体５３の一部を含むのみであるので、付着領域におけるキャリア基板１０への接着が一層強いことは問題にならない。さらに、接着剤１３は比較的厚くされ得るので、切断は例えばのこぎり等の器具を用いて対応されてもよい。
【００５９】
図６Ａ及び６Ｃは、第２実施形態の変形例の断面図を示している。この変形例においては、図５と比較して、キャリア基板１０からデバイス１００を個々に取り外すための力が低減される。この変形例は、伸縮可能な導電体５３を備えたデバイスを参照して示されるが、それに限定されるものではなく、図１に示されたのと同様のデバイスにも適用され得るものである。剥離層３０は、デバイス１００の付着領域５６の一部の下に存在するようにパターニングされている。そして、剥離層３０は、一部の領域においてのみ付着領域５６のエッジまで延在するように露出させられる。図６Ｂは、具体的に、付着領域５６のマスク（例えば、ハンドリング基板２０をパターニングするためのマスク）に対する剥離層３０のマスクの回転により、剥離層３０が露出点３９において付着領域のエッジで露出させられることを示している。理解されるように、マスク内の１つの造形部の回転の他にも、露出点３９を画成する方法は数多く存在する。一例は平行移動であり、別の一例は剥離層３０のパターン又は付着領域５６のパターンの何れかに十字形パターンを使用することである。このマスク操作の１つの利点は、層の追加パターニングが不要であることである。
【００６０】
図６Ｃは、架橋部分４３が厳密に限られた領域に制限される結果と、更なる空隙７１とを示している。
【００６１】
図７−１０は本発明に従った他の一実施形態に関するが、例えば図８から、この実施形態においては処理後にキャリア基板を除去することが不要であることが見て取れる。また、キャリア基板はデバイス層の変形工程に先立って個々のユニットにダイシングされる。しかしながら、理解されるように、好適な一実施形態においてはデバイスの可撓性を実現するためにキャリア基板は除去される。更に理解されるように、この実施形態においても図６Ａ−６Ｃに示された手法は非常に効果的である。
【００６２】
図７Ａ−７Ｃは、図８に示されるデバイスをもたらす方法における３つの工程を示している。先と同様に、全ての断面図は本質的に図式的なものである。この方法は、図５Ａ−５Ｆを参照して説明された方法とほぼ同一である。特に説明されない限り、図５Ａ−５Ｆを参照して上述された詳細事項がこの実施形態に係る方法にも当てはまる。
【００６３】
図７Ａは、図５Ｂに示された段階に相当する段階を示している。図示された部分は、この例においては、２つの別個のデバイスを含んでいる。ハンドリング基板２０は熱酸化層５５及び集積回路５２を備えている。図９及び１０を参照して説明されるように、折り畳みによって変形可能なように設計された導電体５３が設けられている。導電体５３は、集積回路５２、具体的には、‘相互接続構造’又は‘バックエンド’として知られる部分に好適に延在している。導電体５３及び集積回路５２から成る構造はパッシベーション層５４で覆われ、デバイス層の積層体５０がもたらされる。この上に、剥離層３０が設けられ、所望のパターンに従って適切にパターニングされる。そして、剥離層３０は接着層４０で覆われる。適用されたパターニングによって、解放領域５６及び付着領域５１が区別される。この実施形態においては、付着領域５１は集積回路５２の領域に対応しており、解放領域は導電体５３の領域に対応している。
【００６４】
図７Ｂは更なる段階を示しており、接着剤１３によって、ハンドリング基板２０の第１の面２１にキャリア基板１０が取り付けられている。この接着剤はキャリア基板１０と接着層４０との間の接合を構成する。その後、ハンドリング基板２０はその第２の面から好適厚さまで薄層化される。図示されていないが、ハンドリング基板２０は（集積回路５２を損傷させることなく）部分的に、あるいはほぼ全体的に、例えばポリイミド、ポリアクリレート、エポキシ等の柔軟性を有する層で置き換えられてもよい。
【００６５】
そして、図７Ｃは更なる段階を示しており、ハンドリング基板２０がパターニングされている。この段階は図５Ｅに示された段階に相当する。具体的には、集積回路５２及び導電体５３の何れも存在しない領域において、ハンドリング基板２０及びその上のデバイス層５０が除去される。この除去により、分離レーン６１及びその他のスルーホール６０が作り出される。スルーホール６０はチャネル又はそれに類する形状を有している。
【００６６】
図８は、ダイシング工程後に得られるデバイス１００を示している。キャリア基板１０は個片化されている。その後、接着層が除去され、キャリア基板１０から導電体が解放される。認識されるように、このダイシング処理は剥離層３０の除去の後まで先送りされてもよい。個々のデバイス１００はこの段階では機械的にあまり堅牢ではないが、分離レーンはハンドリング基板２０又はデバイス層５０を完全に切断してはいない。更に認識されるように、デバイス１００は、キャリア基板１０を分離することなくキャリア基板１０から取り外されることも可能である。これは、しかしながら、図９を参照して説明されるように、あまり好ましくない。
【００６７】
図９は、剥離層３０の除去及び導電体の変形の後のデバイス１００を示している。この実施形態においては、導電体は折り畳まれていたものを展開することによって変形される。得られる構造は例えばダイポールアンテナである。その他の構造も、例えば未公開の出願ＰＨ８９０に記載されている切断、折り畳み、及び引き伸ばしの技術によって形成され得る。なお、この文献は参照することによりここに組み込まれる。最も好ましくは、剥離層３０を除去するときに変形が直接的に達成されるように導電体が設けられる。
【００６８】
図１０は、図９のデバイス１００を上面図にて示している。変形の効果は明らかである。また、理解されるように、変形された構造は、損傷から保護されるように、更なる担体に取り付けられることが好ましい。
【００６９】
要約するに、個々のデバイス（１００）は、キャリア基板（１０）から個別に取り外され得るように、キャリア基板（１０）に局所的に取り付けられる。これは、パターニングされた剥離層、具体的には、気体状の、あるいは気化された分解生成物への分解によって除去可能な層、の使用によって達成される。キャリア基板（１０）と個々のデバイス（１００）との間の機械的な接続が、接着層（４０）の架橋部分（４３）によって提供される。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】デバイス群を備えたキャリア基板を示す断面図である。
【図２】デバイス群を備えたキャリア基板を示す上面図である。
【図３】デバイス群が取り外された後のキャリア基板を示す断面図である。
【図４Ａ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｂ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｃ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｄ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｅ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｆ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｇ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｈ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｉ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図４Ｊ】図１に示されたキャリア基板の製造における連続する１０工程の１つを示す断面図である。
【図５Ａ】第２実施形態に係るキャリア基板の製造における連続する５工程の１つを示す断面図である。
【図５Ｂ】第２実施形態に係るキャリア基板の製造における連続する５工程の１つを示す断面図である。
【図５Ｃ】第２実施形態に係るキャリア基板の製造における連続する５工程の１つを示す断面図である。
【図５Ｄ】第２実施形態に係るキャリア基板の製造における連続する５工程の１つを示す断面図である。
【図５Ｅ】第２実施形態に係るキャリア基板の製造における連続する５工程の１つを示す断面図である。
【図５Ｆ】図５Ａ−５Ｅに示された方法により得られた、デバイス群を備えた第２実施形態に係るキャリア基板を示す断面図である。
【図６Ａ】第２実施形態に係るキャリア基板の変形例を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａ及び６Ｃの一部を示す上面図である。
【図６Ｃ】第２実施形態に係るキャリア基板の変形例を示す断面図である。
【図７Ａ】更なる一実施形態を製造する方法における連続する３工程の１つを示す断面図である。
【図７Ｂ】更なる一実施形態を製造する方法における連続する３工程の１つを示す断面図である。
【図７Ｃ】更なる一実施形態を製造する方法における連続する３工程の１つを示す断面図である。
【図８】或る１つの構成でデバイスを備えた、結果として得られるキャリア基板を示す断面図である。
【図９】或る１つの構成でデバイスを備えた、結果として得られるキャリア基板を示す断面図である。
【図１０】図９に対応する上面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０    キャリア基板
１１    キャリア基板の第１の面
１２    キャリア基板の第２の面
１３    接着剤
２０    ハンドリング基板
２１    ハンドリング基板の第１の面
２２    ハンドリング基板の第２の面
２３    フォトレジスト層
３０    剥離層
３３    エッチングマスク（酸化物層）
４０    接着層
４１    接着層の第１部分
４２    接着層の第２部分
４３    接着層の架橋部分
５０    デバイス層
５１    解放領域
５２    集積回路
５３    導電体
５４    保護層
５５    熱酸化膜
５６    付着領域
６０    スルーホール
６１    分離レーン
７０    空隙
１００  微小電子デバイス
【図１】
2009516368.tif 000003
【図２】
2009516368.tif 000004
【図３】
2009516368.tif 000005
【図４Ａ】
2009516368.tif 000006
【図４Ｂ】
2009516368.tif 000007
【図４Ｃ】
2009516368.tif 000008
【図４Ｄ】
2009516368.tif 000009
【図４Ｅ】
2009516368.tif 000010
【図４Ｆ】
2009516368.tif 000011
【図４Ｇ】
2009516368.tif 000012
【図４Ｈ】
2009516368.tif 000013
【図４Ｉ】
2009516368.tif 000014
【図４Ｊ】
2009516368.tif 000015
【図５Ａ】
2009516368.tif 000016
【図５Ｂ】
2009516368.tif 000017
【図５Ｃ】
2009516368.tif 000018
【図５Ｄ】
2009516368.tif 000019
【図５Ｅ】
2009516368.tif 000020
【図５Ｆ】
2009516368.tif 000021
【図６Ａ】
2009516368.tif 000022
【図６Ｂ】
2009516368.tif 000023
【図６Ｃ】
2009516368.tif 000024
【図７Ａ】
2009516368.tif 000025
【図７Ｂ】
2009516368.tif 000026
【図７Ｃ】
2009516368.tif 000027
【図８】
2009516368.tif 000028
【図９】
2009516368.tif 000029
【図１０】
2009516368.tif 000030
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が電気素子の回路を有する複数の微小電子デバイスが取り付けられたキャリア基板を製造する方法であって：
−  キャリア基板及びハンドリング基板の部分組立体であり、前記キャリア基板と前記ハンドリング基板との間にパターニングされた剥離層及び接着層が存在し、且つ前記デバイスを有する部分組立体、を設ける工程；
−  前記ハンドリング基板を貫通するスルーホール群であり、少なくとも一部は隣接し合う微小電子デバイスの間の分離レーンとして機能するスルーホール群、を設ける工程；及び
−  前記スルーホール群の少なくとも一部を介して前記剥離層を除去し、それにより、前記微小電子デバイスの解放された領域と前記キャリア基板との間に空隙を生成する工程；
を有し、
個々の微小電子デバイスが前記接着層の選択的な切断によって前記キャリア基板から個別に取り外され得るように、前記微小電子デバイスが前記接着層によって前記キャリア基板に取り付けられたままにされ、前記接着層の架橋部分が前記空隙に隣接するように配置される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記剥離層は気体材料への分解によって除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記剥離層、前記デバイスが画成されたデバイス積層体、及び前記接着層は、前記キャリア基板上に続けて設けられ、前記接着層は、前記剥離層の除去後にも前記デバイスを前記キャリア基板に接着しておくように、第１の組の分離レーンに対応して前記剥離層に露出領域を作り出し、且つ第２の組の分離レーンにおいて連続するようにパターニングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記剥離層及び前記接着層は、前記デバイスが存在する処理用基板上に続けて設けられた後に前記キャリア基板に取り付けられ、前記処理用基板は、前記ハンドリング基板である、あるいは前記キャリア基板への取り付け後に前記ハンドリング基板によって置換される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ハンドリング基板は可撓性材料を有する、請求項１、３又は４に記載の方法。
【請求項６】
複数の微小電子デバイスが取り付けられたキャリア基板であって、各々の微小電子デバイスは、電気素子の回路を有し、ハンドリング基板を備えており、且つ解放領域において空隙によって前記キャリア基板から隔てられており、前記デバイスは、単一のバッチで形成されており、且つ前記ハンドリング基板を貫通して延在する分離レーンによって互いに隔てられており、
前記デバイスは、接着層によって前記キャリア基板に取り付けられており、前記空隙に隣接して前記接着層の架橋部分が配置されており、前記接着層は更に、個々の微小電子デバイスが前記接着層の選択的な切断によって前記キャリア基板から個別に取り外され得るように、前記ハンドリング基板及び前記キャリア基板の少なくとも一方上に延在している、
ことを特徴とするキャリア基板。
【請求項７】
前記接着層は、前記微小電子デバイスに取り付けられた第１部分、前記キャリア基板に取り付けられた第２部分、及び前記第１部分と前記第２部分との間にあり且つ前記空隙に隣接する架橋部分を有し、前記架橋部分は、前記キャリア基板に対して０°と１８０°との間の角度を有する、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項８】
各微小電子デバイスは、前記接着層の複数の架橋部分によって当該キャリア基板に取り付けられている、請求項７に記載のキャリア基板。
【請求項９】
前記接着層は、第１の面とそれと反対側の第２の面とを有し、その架橋部分において、その第１の面は前記キャリア基板に取り付けられており、且つその第２の面は、封入されたデバイスの一部又は前記ハンドリング基板に取り付けられている、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項１０】
前記電気素子の回路は、保護層を備えており、且つ前記ハンドリング基板と前記空隙との間に配置されている、請求項６に記載のキャリア基板。
【請求項１１】
前記微小電子デバイスは、前記ハンドリング基板上に延在する少なくとも１つの導電体を有する変形可能部分を有し、該部分は、実質的に前記導電体によって画成された形状を有する、請求項６又は１０に記載のキャリア基板。
【国際調査報告】
2009516368.tif 000031
2009516368.tif 000032
2009516368.tif 000033