(57)【要約】マスクのレイアウトデータを作り出すシステムは、特徴のパターンまたはその一部分を定義する標的のレイアウトデータと、多数の印刷特徴と多数の非印刷特徴とを含む最適化されたマスクのレイアウトパターンとを検索する。次に、１つ以上の準解像度の補助特徴（ＳＲＡＦ）に対するマスクのレイアウトデータが定義され、最適化されたマスクのレイアウトパターンの１つ以上の非印刷特徴を近似する。本発明は、フォトリソグラフィ処理システムにおいて使用する、レイアウトデータの準備に関し、詳細には、半導体ウェハ上に印刷されるレイアウトパターンの質を改善する解像度向上技術に関する。
2009510526.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上に特徴のパターンを作成するフォトリソグラフィの印刷システムにおいて使用するマスクのレイアウトデータを準備する方法であって、
該半導体ウェハ上に印刷される特徴のパターンを定義する標的のレイアウトデータを受信することと、
半導体ウェハ上に該特徴のパターンを作り出す最適化されたマスクのレイアウトパターンを決定することであって、該最適化されたマスクのレイアウトパターンは、印刷特徴に関するデータと多数の非印刷特徴に関するデータとを含む、ことと、
１つ以上の非印刷特徴を近似する、該マスクのレイアウトデータ内の１つ以上の準解像度の補助特徴を定義することと、
該マスクのレイアウトデータを作成するために、該準解像度の補助特徴に関するデータと、該印刷特徴に関するデータとを組み合わせることと
を包含する、方法。
【請求項２】
前記非印刷特徴を近似する前記準解像度の補助特徴は、
前記最適化されたマスクのレイアウトパターン内の非印刷特徴に重なる、前記マスクのレイアウトデータ内の１つ以上の多角形を定義すること
によって定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記最適化されたマスクのレイアウトパターンの一部分にわたって解析窓をステップし、該解析窓が非印刷特徴の±に配置されているかを決定することによって、前記マスクのレイアウトデータ内の前記多角形は定義され、該解析窓と非印刷特徴とが所定の量だけ重なる場合には、該解析窓の形状を有する多角形は、該マスクのレイアウトデータ内に定義される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記マスクのレイアウトデータ内の重なっている多角形は、該重なっている多角形の外縁と等しい周囲を有する単一の多角形として定義され、準解像度の補助特徴を定義する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
準解像度の補助特徴を定義する、前記マスクのレイアウトデータ内の前記多角形のサイズを調節し、該多角形が前記半導体ウェハ上に印刷しないということを確実にすることをさらに包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記最適化されたマスクのレイアウトパターンは、
前記標的のレイアウトパターンのフーリエ変換の近似を計算すること
によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記最適化されたマスクのレイアウトパターンは、
デコンボリューションを計算すること
によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記最適化されたマスクのレイアウトパターンは、
デコンボリューションの逆フーリエ変換を計算すること
によってさらに決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記最適化されたマスクのレイアウトパターンは、
前記標的のレイアウトデータを多数の画素に分割することと、
目的関数を決定することと、
前記標的のマスクのデータにおける画素の値を体系的に変更することと、
該目的関数の結果を改善する、該画素の値に関する変更を維持することと
によって決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
デコンボリューションによって解析的に前記目的関数の勾配を計算すること
をさらに包含する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
一連のプログラム命令を含むコンピュータ読取り可能な媒体であって、該一連の命令は、コンピュータによって実行されると、
半導体ウェハ上に印刷される特徴のパターンを定義する標的のレイアウトデータを受信することと、
該半導体ウェハ上に該特徴のパターンを作り出す最適化されたマスクのレイアウトパターンを決定することであって、該最適化されたマスクのレイアウトパターンは、印刷特徴に関するデータと多数の非印刷特徴に関するデータとを含む、ことと、
１つ以上の非印刷特徴を近似する、該マスクのレイアウトデータ内の１つ以上の準解像度の補助特徴を定義することと、
該マスクのレイアウトデータを作成するために、該準解像度の補助特徴に関するデータと、該印刷特徴に関するデータとを組み合わせることと
を包含する方法を行う、コンピュータ読取り可能な媒体。
【請求項１２】
半導体ウェハ上に特徴の標的のパターンを作成するマスクであって、該マスクは、
作成される特徴のパターンに対応する、該マスク上に印刷された多数の多角形と、
該特徴の標的のパターンを印刷するために計算された最適化されたマスクのレイアウトパターンの非印刷特徴を近似する多数の準解像度の補助特徴と
を含む、マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ処理システムにおいて使用する、レイアウトデータの準備に関し、詳細には、半導体ウェハ上に印刷されるレイアウトパターンの質を改善する解像度向上技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のフォトリソグラフィプロセスにおいて、集積回路は、マスクまたはレチクル上に印刷された特徴のパターンを用いてウェハを露光することによって半導体ウェハ上に作成される。特徴のパターンはウェハ上の感光性の化学物質を選択的に露光し、次に、該ウェハは、化学的かつ機械的にさらに処理され、集積回路の層を構築する。
【０００３】
マスク上の特徴が小さくなれば小さくなるほど、光学的なゆがみが生じ得、それによってウェハ上の露光パターンはマスク上の特徴のパターンに一致しなくなる。これを補正するために、多数の解像度向上技術（ＲＥＴ）が、画像の質を改善するために利用され得、その結果、ウェハ上の露光パターンが、マスク上の所望の特徴のパターンにより忠実に一致する。このようなＲＥＴは、多くの場合に、画像化処理における既知のゆがみを補償するために、マスク上の対応する特徴のパターンに対して大規模な変更を行うことを包含する。
【０００４】
従来の解像度向上技術を用いると、対応する特徴のパターンをマスク上に印刷する方法を見積るために、マスクの特徴のパターンに対するデータが、コンピュータプログラムを用いて解析される。ウェハ上に作成されたパターンが所望のレイアウトにより忠実に調和するように、個々のマスク特徴またはその一部分に関するデータは調節され得る。さらに、準解像度の補助特徴（ＳＲＡＦ）などの特徴が、印刷の忠実度を改善するために、必要に応じてレイアウトデータに加えられ得る。一般的に、ＳＲＡＦは、特徴のコントラストを改善するために特徴の縁に隣接して配置される長方形の要素である。ＳＲＡＦの形状、サイズおよび位置は、一般的に、事前に決定されており、多くの場合に、単純な幾何学的規則に従う。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の解像度向上技術は、一部の処理のゆがみを補償することに機能し得るが、作り出される画像と所望される画像との間のより良い調和が達成され得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
所望のレイアウトパターンに対するリソグラフィの画像の忠実度をさらに改善するために、本発明は、マスクのレイアウトデータを生成するシステムであり、該マスクのレイアウトデータは、フォトリソグラフィ処理を用いて特徴の標的のパターンを印刷するために計算された最適化されたマスクのレイアウトパターンを近似する。標的のレイアウトパターンまたはその一部分が受信され、最適化されたマスクのレイアウトパターンが、標的のレイアウトパターンと、フォトリソグラフィの印刷システムの既知のパラメータとを使用して計算される。最適化されたマスクのレイアウトパターンは、標的のレイアウト内の特徴に対応する多数の印刷特徴（ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｆｅａｔｕｒｅ）と多数の非印刷特徴（ｎｏｎ−ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｆｅａｔｕｒｅ）とを含む。本発明の一実施形態において、マスクのレイアウトデータは、準解像度の補助特徴（ＳＲＡＦ）として１つ以上の非印刷特徴を近似することによって、最適化されたマスクのレイアウトパターンから生成される。これらのＳＲＡＦは、特に、マスクの製造および／またはウェハの製造プロセスから導き出された製造可能性パラメータに基づいたさらなる制約および基準を用いて生成され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は添付の図面と共に以下の詳細な記述を参照することによってさらに良く理解され、本発明の上記の局面および多数の付随する利点が、さらに容易に理解される。
【０００８】
上に示されたように、本発明は、フォトリソグラフィ処理を用いて特徴の標的パターンを印刷する際に使用する最適化されたマスクのレイアウトパターンを近似するシステムである。図１は、半導体ウェハ上に作成される標的の特徴８ａ、８ｂ、８ｃ・・・８ｈなどのレイアウトパターンを例示する。
【０００９】
示された例において、標的の特徴８ａ〜８ｈなどは、集積回路内の正方形または長方形の接触パッドである。例においては、通常の４ｘの倍率の、ウェハ特徴を覆うマスク特徴が想定されているが、マスク特徴は対応するウェハと同じ比率で示されている。
【００１０】
図２は、図１の標的の特徴を印刷するために計算された、１つの可能な最適化されたマスクのレイアウトパターンを例示する。図２に示された例において、最適化されたマスクのレイアウトパターンは、不規則な多角形１０ａ、１０ｂ、１０ｃなどを含み、ウェハ上に作成される各標的の特徴／接触パッド８ａ、８ｂ、８ｃ・・・と対応し、かつほぼ同じ位置を占めている。また、最適化されたマスクのレイアウトパターンに含まれるものは、多数の１次の非印刷特徴１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・・、および２次の非印刷特徴１４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・である。少なくとも一部の特徴が、個々の標的の特徴８ａ〜８ｈ・・・の最適な印刷を達成するために必要である。非印刷特徴１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・・は、概して、不規則な形状の多角形である。これは、概して、最適化されたマスクのレイアウトパターンを計算するために行なわれる逆算の関数である。印刷特徴および非印刷特徴に対する各多角形が、レイアウトデータベースに格納される。
【００１１】
本発明の一実施形態において、図２に示された最適化されたマスクのレイアウトパターンは、レイアウトデータベースから標的のレイアウトデータまたはその一部分を読み取ることによって計算される。一般的に、標的のレイアウトデータは、ＧＤＳ−ＩＩまたはＯＡＳＩＳＴＭなどのレイアウト言語で、多数の多角形として格納される。示された実施形態において、標的のレイアウトデータベースは、ウェハ上に作成される接触パッドのそれぞれに対する多角形を格納する。一部の実施形態において、レイアウトデータベースは、多角形を階層的に格納し得、それにより、反復的な標的の特徴に対するデータが、標的の特徴の各例がウェハ上に印刷される場所のリストと共に、一旦、データベースに定義され得る。
【００１２】
受信された標的のレイアウトデータと、ウェハ上にマスクのレイアウトデータを印刷するために使用され得るフォトリソグラフィシステムの既知の特質とから、計算がコンピュータシステムを用いて行われ、ウェハ上に特徴８の標的のレイアウトを実際に印刷するためには、最適化されたマスクのレイアウトパターンはどのようなものであるべきかを決定する。本発明の一実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトパターンの計算は、フーリエ変換と数値的なデコンボリューション（ｄｅｃｏｖｏｌｕｔｉｏｎ）を使用して、標的のパターンの原像を作成することを含む。本発明の一実施形態において、マスクのレイアウトのシミュレーションされた画像と標的の画像との間の相違に基づいた目的関数の勾配が、デコンボリューションによって解析的に生成され、マスクのレイアウト内の個々の画素に対する変更は、この目的関数を最小化するように体系的に変更される。本発明の一実施形態において、個々の画素に対する変更は、さらなるマスクの制約、例えば、最小画素サイズ、マスクライタのショットの合計数、または他のマスクの書き込みの制限によってさらに制約され得る。本発明の一実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトパターンの計算は、マスクと照明との両方を最適化することを含む。
【００１３】
本発明の一実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトパターンの計算は、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＸＶＩＩＩ、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．５７５４、ｐｐ．５０６〜５２６（２００５年５月）において発表された、Ｙｕｒｉ  Ｇｒａｎｉｋによる論文「Ｓｏｌｖｉｎｇ  Ｉｎｖｅｒｓｅ  Ｐｒｏｂｌｅｍｓ  ｏｆ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」に記述され、かつ、米国仮特許出願第６０／６５８，２７８号に含まれている手法に従って行われている。これらは特に参考として援用される。本発明の別の実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトパターンは、Ｙｕｒｉ  Ｇｒａｎｉｋによる「Ｆａｓｔ  Ｐｉｘｅｌ−Ｂａｓｅｄ  Ｍａｓｋ  Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｉｎｖｅｒｓｅ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ」と題される米国仮特許出願第６０／７２２，８４０号（代理人整理番号第ＭＥＧＣ−１−２６５２３号）に記述された方法に従って計算される。該米国仮特許出願は、本出願と共に同時に出願されており、かつ、本明細書において特に参考として援用される。
【００１４】
本明細書において使用される場合、用語「最適化された」マスクのレイアウトパターンは、標的のレイアウトのデータと、１つ以上の光学パラメータ、例えば、照明システム、開口数ＮＡ、照明波長λなどと、処理パラメータ、例えば、印刷バイアス、レジスト閾値、エッチバイアスなどとから数学的に計算される。
【００１５】
最適化されたマスクのレイアウトパターンが、ウェハ上に特徴の標的のパターンを印刷するために計算されると、マスクのパターンの非印刷特徴が解析される。非印刷特徴のうちの一部、例えば、特徴１２ａは、印刷特徴、すなわち、特徴１０ａを完全に囲む。他の非印刷特徴、例えば、特徴１２ｅは、単に、対応する印刷特徴、例えば、１０ｇの近くにあるだけである。上に示されたように、最適化されたマスクのレイアウトパターンはまた、多数の２次の非印刷特徴１４ａ、１４ｂなどを含む。例えば、特徴１４ａは、印刷特徴１０ａに対する２次の特徴である。なぜならば、特徴１４ａは、第１または１次の非印刷特徴１２ａよりも、印刷特徴１０ａから遠くに離れているからである。
【００１６】
図３は、印刷特徴１０ａ〜１０ｈなどが取り除かれ、それにより非印刷特徴１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・・、１４ａ、１４ｂ、・・・を残している、最適化されたマスクのレイアウトパターンを例示している。本発明の一実施形態に従って、２次の非印刷特徴は、作成されるマスクのレイアウトデータ内において近似されない。しかしながら、時間と処理能力が許し、特徴がマスク上で近似され得る場合には、このような２次（またはより高度）の特徴は、所望される場合には、最終的なマスクのレイアウトデータ内に含まれ得る。
【００１７】
図４は、２次の非印刷特徴１４（影をつけずに示されている）から識別された１次の非印刷特徴１２（影をつけて示されている）を例示する。一実施形態において、１次の非印刷特徴１２は、一連の多角形を作成することによって、最適化されたマスクのレイアウトパターン内で識別され、印刷特徴のそれぞれが多角形によって囲まれる。多角形の寸法は、一般的には、所定の量だけ広がる印刷特徴の寸法である。この量は、一般的には、１）印刷特徴と１次の非印刷特徴との間の所定の許容可能な距離と、２）全ての非印刷特徴を収容するために加えられた追加の量との合計である。この追加の量は、例えば、一般的な非印刷特徴の幅の２倍以上であり得る。次に、論理ブール演算（一般的にはＡＮＤ演算）が、最適化されたマスクのレイアウトパターンの特徴と多角形との間で実行される。多角形と重なる非印刷特徴は、１次の非印刷特徴であると考えられるが、多角形と重ならない非印刷特徴は、より高次の非印刷特徴であると考えられる。印刷特徴と１次の非印刷特徴との間の臨界最大距離は、マスクの最適化データの全てを評価することによって決定される。この距離は、一般的に、使用される特定のフォトリソグラフィ処理と作成される標的の設計とに従って変化する。
【００１８】
見られ得るように、図３および図４に示された非印刷特徴は、概して、不規則な形状を有しており、該不規則な形状は、マスク上に直接的に作り出され得ないか、またはマスク上に正確に作り出すにはあまりにも時間またはメモリを必要とするかのいずれかである。一般的に、ビームライタに対する最小のジョグの幅とマスク特徴が定義され得る一定の可能な角度とを含む１つ以上のパラメータによって、マスクライタは制限されており、マスクの書き込み時間は、必要とされる露光ショットの数に比例して増加し得る。湾曲した特徴を近似するために、いくつかのショットが必要とされ得、１つのショットだけが、等価の長方形に必要とされる。これらの制限が、非印刷特徴がマスク上に直接的に書き込まれることを妨げ得る。さらに、マスクライタのフォーマットにデータを変換するために使用されるフラクチャリングソフトウェア（ｆｒａｃｔｕｒｉｎｇ  ｓｏｆｔｗａｒｅ）による、これらの詳細な形状の不正確な解釈は、妙（ｏｄｄ）な多角形の形状、追加の望ましくないジョグ、またはマスク上に含まれたときに正確に機能しない他の構造と共に、これらの特徴が不正確にレンダリングされる結果を招き得る。従って、本発明の一実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトの非印刷特徴のうちの１つ以上が、マスク上に印刷され得る準解像度の補助特徴を用いて解析および近似される。
【００１９】
最適化されたマスクのレイアウトパターン内の非印刷特徴のうちの１つ以上を近似するマスク特徴を生成する１つの方法が、図５に示されている。示された実施形態において、最適化されたマスクのレイアウトパターンのエリア５０が選択され、多数のセルを有するグリッドに分割されている。一実施形態において、各グリッドセルは、マスクを作成する際に使用されるマスクライタの最小のジョグのサイズに対応する寸法を有する。グリッドセルは正方形であり得るが、正方形であることが必要とされているわけではない。サーチエリア５０は数学的アルゴリズムまたは数値プログラムを用いて解析され、該サーチエリア５０においては、解析窓５２は、グリッドセルの事前に設定された数に等しい長さと幅とを有する。解析窓５２は、概して、長方形または正方形であるが、他の形状でもあり得る。図５に示された例において、解析窓５２は４つのグリッドセルの幅と２つのグリッドセルの高さとを有する長方形である。窓５２のコーナーをグリッドセルの対応するコーナーに配置し、次に、グリッドセルのそれぞれにわたって１つずつ位置をステップする数値アルゴリズムを使用することによって、解析窓５２はサーチエリア５０の様々な領域と比較される。次に、解析窓５２が一次の非印刷特徴のエリアと重なるかが決定される。示された実施形態において、解析窓５２に含まれる非印刷特徴のエリアが解析窓のエリアと比較され、窓のうちの何パーセントが非印刷特徴によって占められているかを決定する。占められたエリアが一部の所定の閾値を上回る場合には、解析窓５２の寸法と等しい寸法を有する多角形が、マスクのレイアウトデータ内に定義される。マスクのレイアウトデータは、別のデータ層に作成され、この別のデータ層は、一般的に、標的のレイアウトの多角形を表すために使用されるデータ層と異なり、かつ、最適化されたマスクのレイアウトパターンを表すデータ層とも異なる。窓がサーチエリア全体にわたってステップされるまで、このプロセスは繰り返される。
【００２０】
解析窓５２が正方形ではない場合には、窓の向きが変更され、窓は、この場合もまた、サーチエリア５０にわたってステップされ得る。示された例において、解析窓５２は９０度回転され、２つのグリッドセルの幅と４つのグリッドセルの高さとなり、非印刷特徴の垂直に向けられた部分を捕捉する。図６は、非印刷特徴１２ａに重なる多数の多角形６０、６２、６４、６６を例示する。多角形６０〜６６は非印刷特徴１２ａの一部分を近似するように定義される。多角形６０および６２は、最適化されたマスクのレイアウトパターンにわたり、水平方向に向けられた長方形の解析窓をステップすることによって作成される。さらに、多角形６４および６６は、最適化されたマスクのレイアウトパターンにわたり、垂直方向に向けられた長方形の解析窓をステップすることによって、特徴１２ａの一部分を近似するように定義される。
【００２１】
一部の例において、マスクライタは、±４５度などの角度で幾何形状を書き込み得る。従って、マスクのレイアウトデータが、このようなマスクライタと共に使用される場合には、最適化されたマスクのレイアウトパターンが、±４５度だけ回転され、解析窓を有するサーチングエリアに関する上記プロセスが繰り返され得る。図７は、対応する特徴１２ａの±に配置された追加の多角形６８、７０、７２、７４を例示する。多角形６８〜７９がマスクのレイアウトデータにおいて定義され、非印刷特徴１２ａを近似する。最適化されたマスクのレイアウトパターンの座標を±４５度の角度で回転したバージョンを作成し、上で記述された方法でこのパターンにわたって長方形のサーチ窓をステップし、次に、最初の回転の逆回転によって、このステップにおいて生成されたマスクのデータの座標を回転することによって、多角形６８〜７４が獲得される。全てのマスクのデータが、最初の標的のデータと同じ向きを使用して書き込まれるということを、逆回転は確実にする。
【００２２】
理解され得るように、多角形６０〜７４のそれぞれは、最初に、解析窓の形状に対応する一連の長方形（または他の形状）の多角形として定義される。例えば、単一の多角形は、重なる多角形の外周を含むことによって、各群の重なっている多角形に対して定義され得る。組み合わされた多角形は、マスクのレイアウトデータの中に準解像度の補助特徴を定義する。なぜならば、多角形は、ウェハ上に印刷するには充分な大きさではないが、標的の特徴を印刷することを補助するからである。
【００２３】
最適化されたマスクのレイアウトパターンの非印刷特徴のうちの１つ以上を近似するマスクデータが決定されると、データのクリーンアップステップが実行され得る。一実施形態において、重なる多角形のうちの１つの密度が別の重なる多角形の密度を下回る場合には、マスクのレイアウトデータ内の多角形またはその一部分の重なりが除去され得る。同様に、個々の多角形の最大幅は、使用されるフォトリソグラフィ処理システムに対する非印刷特徴の最大幅を下回る幅を有するように薄くされ得る。同様に、任意の多角形の最大長は、非印刷特徴の最大長を下回るように短くされ得る。
【００２４】
さらに別の実施形態において、非印刷特徴またはその一部分を近似する不規則な形状の多角形は、マスク上に書き込むことが困難であるジョグまたは他の特徴を除去するために単純化され得るか、または書き込み時間が非常に長くなるような程度まで、ショットの数が増加される。クリーンアップの正確なパラメータと制限とは、ユーザによって選択され得、かつ、マスクライタの印刷能力から導き出されたルールに基づいた基準を使用し得るか、またはフォトリソグラフィ処理の間、多角形がどのように振舞い得るかに関するモデルシュミレーションに基づき得る。
【００２５】
記述された本発明の実施形態は、最適化されたマスクのレイアウトパターン内の１つ以上の１次の非印刷特徴を近似するマスクのレイアウトデータの特徴を作成するように動作するが、所望される場合には、２次またはより高い非印刷特徴を近似する多角形もまた、マスクのレイアウトデータに含まれ得るということを理解されたい。
【００２６】
図８は、標的のレイアウトパターンを印刷するための、１つ以上のマスクに対するマスクのレイアウトデータを作り出すために、本発明の一実施形態によって行われる一連のステップを例示する流れ図である。１００において開始すると、レイアウト設計またはその一部分に対する標的のレイアウトデータがレイアウトデータベースから検索される。１０２において、最適化されたマスクのレイアウトパターンが、標的のレイアウトと、標的のレイアウトを印刷する際に利用されるフォトリソグラフィシステムの光学的特質とから計算される。
【００２７】
１０４において、最適化されたマスクのレイアウトパターンの非印刷特徴が識別される。これらは、これらの非印刷特徴だけを含む別個のデータ層にコピーされ得るか、または印刷特徴と合わせてデータ層に残され得る。ステップ１０６において、１つ以上の非印刷特徴のうちの全てまたは一部分を近似するマスク特徴が定義される。上に記述されたように、本発明の一実施形態において、準解像度の補助特徴が定義され、１次の非印刷特徴だけを近似する。しかしながら、より高次の非印刷特徴を近似する準解像度の補助特徴は、所望される場合には、マスクのレイアウトデータに含まれ得る。１０８において、マスクのレイアウトデータが、印刷特徴と、非印刷特徴に対応する準解像度の補助特徴とを合わせることによって作成され、データベースに格納される。
【００２８】
印刷特徴に対するデータは、最適化されたマスクのレイアウトパターンにおいて計算された多角形１０であるか、または最初の標的の特徴８を記述する多角形であるかのいずれかであり得る。次に、標的の特徴に対するデータと非印刷特徴に対応するデータとを含むマスクのレイアウトデータが最終的に決定される。本発明の一部の実施形態において、マスクのレイアウトデータに関する追加の解析と補正（例えば、ＤＲＣ、ＯＰＣ、ＰＳＭなど）とが、１１０において行われる。１１２において、最終的に決定されたデータは、ＧＤＳ−ＩＩまたはＯＡＳＩＳなどの標準的なカプセル化フォーマットに変換されるか、マスクライタのフォーマット（ＭＥＢＥＳ、Ｈｉｔａｃｈｉ、ＭＩＣなど）に変換（フラクチャ）される。１１４において、最終的に決定され、変換されたデータが、例えば、マスクライタにエクスポートされ、半導体ウェハ上に標的のパターン特徴を作成するために使用される１つ以上のマスクを作成する。
【００２９】
図９は、本発明を実装するために使用され得るコンピュータシステムの一実施形態を例示する。示された例において、コンピュータシステム２００は、コンピュータで読み取り可能な媒体２０２において、一連の実行可能な命令を受信する１つ以上のプログラム可能なプロセッサを含む。あるいは、命令は、ワイヤレスまたは有線の通信リンク２０４から受信され得る。コンピュータシステム２００は、マスクのレイアウトデータを計算するために、レイアウトデータベース２０６から標的のレイアウトデータを受信する命令を実行し、該マスクのレイアウトデータは、上に記述されたように、マスクライタ２１０に送信され得る。
【００３０】
コンピュータシステム２００は、スタンドアロン、単体もしくはマルチプロセッサのデバイスであり得るか、またはネットワークに接続されたもしくは並行処理のコンピュータシステムであり得る。さらに、コンピュータシステム２００は、インターネットなどの通信リンク２２０によって、１つ以上の遠隔に位置するコンピュータ２４０に接続され得る。標的のレイアウトデータはレイアウトデータベースから検索され、遠隔に位置するコンピュータ２４０に送信され得、該遠隔に位置するコンピュータ２４０は、米国内または米国外に存在し、上で述べられたようなマスクのデータの計算を行い得る。遠隔に位置するコンピュータ２４０からのマスクのレイアウトデータは、コンピュータシステム２００に返信され得るか、またはマスクライタ２１０に直接的に送信され得、１つ以上の対応するマスクまたはレチクルを作成する。
【００３１】
本発明の実施形態が例示されかつ記述されてきたが、本発明の範囲を逸脱することなく、様々な変更が行われ得るということが理解される。従って、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲およびその均等物から決定されるということが意図されている。
【００３２】
排他的な所有権または特権が請求される本発明の実施形態は、添付の特許請求の範囲のように定義される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、半導体ウェハ上に作成された特徴の標的パターンに対する例を例示する。
【図２】図２は、図１に示された半導体ウェハ上に特徴の標的パターンを印刷するために計算された最適化されたマスクのレイアウトパターンを例示する。
【図３】図３は、図２に示された最適化されたマスクのレイアウトパターンに含まれる、多数の非印刷特徴を例示する。
【図４】図４は、最適化されたマスクのレイアウトパターンの中で識別された、多数の１次または第１の非印刷特徴を例示する。
【図５】図５は、本発明の実施形態に従った、最適化されたマスクのレイアウトパターンにおける１つ以上の非印刷特徴を近似するマスクのレイアウトデータを作成する方法を例示する。
【図６】図６は、１つ以上の非印刷特徴を近似するための、マスクのレイアウトデータ内に定義された多数の多角形を例示する。
【図７】図７は、４５度の角度で向けられた多角形を含む１つ以上の非印刷特徴を近似するための、マスクのレイアウトデータ内に定義された多数の多角形を例示する。
【図８】図８は、本発明の実施形態に従った、最適化されたマスクのレイアウトパターンを近似するマスクのレイアウトデータを作成する方法の流れ図である。
【図９】図９は、本発明を実装し得る代表的なコンピュータシステムを例示する。
【図１】
2009510526.tif 000003
【図２】
2009510526.tif 000004
【図３】
2009510526.tif 000005
【図４】
2009510526.tif 000006
【図５】
2009510526.tif 000007
【図６】
2009510526.tif 000008
【図７】
2009510526.tif 000009
【図８】
2009510526.tif 000010
【図９】
2009510526.tif 000011
【国際調査報告】
2009510526.tif 000012
2009510526.tif 000013