(57)【要約】本発明は、光学活性領域（１００）を有するオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）に関する。光学活性領域は、電磁放射線を生成するために提供された少なくとも１つの半導体チップ（２）を有し、動作中に前記半導体チップから放射される電磁放射線の少なくとも一部分が透過し光軸（５）を有するビーム形成素子（３）を有し、光軸に垂直な座標系（６、７）に対して四象限対称性を有する。また、本発明は、このようなコンポーネントを有する照明装置に関する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学活性領域（１００）を有するオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）であって、
前記光学活性領域は、
電磁放射線（４）を生成するために提供された少なくとも１つの半導体チップ（２）を有し、
動作中に前記半導体チップから放射される電磁放射線の少なくとも一部分が透過し光軸（５）を有するビーム形成素子（３）を有し、
光軸に垂直な座標系（６、７）に対して四象限対称性を有する、
オプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項２】
前記ビーム形成素子（３）の少なくとも一部分は、四象限対称性を有する、
請求項１記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項３】
前記ビーム形成素子（３）の全体は、四象限対称性を有する、
請求項２記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項４】
前記ビーム形成素子（３）の一部分または前記ビーム形成素子は、光軸（５）に沿った平面視において、角部が丸められた矩形形状である、
請求項２または請求項３記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項５】
前記ビーム形成素子（３）はレンズを有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項６】
前記レンズは滑らかな放射線出射面（３０２）を有する、
請求項５記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項７】
前記放射線出射面は、中心領域（３１２）を有し、前記中心領域は、光軸（５）が通り、凹曲率を有し、平坦であり、または僅かに凸曲率を有する、
請求項６記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項８】
前記中心領域（３１２）は、前記放射線出射面（３０２）の平面視において、角部が丸められた矩形形状である、
請求項７記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項９】
前記放射線出射面（３０２）は、エッジ領域（３２２）を有し、前記エッジ領域は、光軸（５）から離れて前記中心領域（３１２）を包囲し、凸曲率を有する、
請求項７または請求項８記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１０】
前記エッジ領域（３２２）は、前記放射線出射面（３０２）の平面視において、角部が丸められた矩形形状である、
請求項９記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１１】
光軸（５）は、少なくとも１つの半導体チップ（２）を通る、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの半導体チップ（２）は、四象限対称性を有する、
請求項１１記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１３】
四象限対称性を有するように配置された複数の半導体チップ（２）を有する、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１４】
少なくとも１つの半導体チップ（２）が配置されたハウジング（９）を有する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１５】
前記ビーム形成素子（３）は、前記ハウジング（９）と別に製造され、それに装着される、
請求項１４記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１６】
赤色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップ（２）、緑色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップ（２）、および／または、青色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップを有する、
請求項１から請求項１５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１７】
動作中に第１のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第１の半導体チップ（２）を有し、動作中に第２のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第２の半導体チップ（２）を有する、
請求項１から請求項１６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１８】
動作中に第３のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第３の半導体チップ（２）を有する、
請求項１７記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項１９】
動作中に白色感を有する光を発光する、
請求項１から請求項１８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント。
【請求項２０】
請求項１から請求項１９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有する、照明装置（１０）。
【請求項２１】
オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を包囲し、ビーム形成素子（３）の光軸（５）に平行に配置された反射性側面（１１）を有する、
請求項２０記載の照明装置。
【請求項２２】
前記反射性側面（１１）は、光軸（５）に沿った平面視において矩形または正方形の形状に配置される、
請求項２１記載の照明装置。
【請求項２３】
光軸（５）が互いに本質的に平行に配置された請求項１から請求項１９のいずれかに記載の複数のオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有する、
請求項２０記載の照明装置。
【請求項２４】
前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）は、光軸（５）に垂直な平面（８）上で隣接するコンポーネントによって照明される領域が少なくとも所々で交差するように配置される、
請求項２３記載の照明装置。
【請求項２５】
前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）は、グリッド（１４）のグリッド点に配置される、
請求項２３または請求項２４記載の照明装置。
【請求項２６】
前記グリッド（１４）は、平行四辺形、矩形または正方形の形状である基本単位（１４０）を有する、
請求項２５記載の照明装置。
【請求項２７】
前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）の光軸（５）に平行に配置され前記オプトエレクトロニクスコンポーネントを包囲する反射性側面（１１）を有する、
請求項２３から請求項２６のいずれかに記載の照明装置。
【請求項２８】
前記反射性側面（１１）は、グリッド（１４）のグリッド線（６、７）に平行である、
請求項２６または請求項２７記載の照明装置。
【請求項２９】
１つの側面（１１）および１つの隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）は、前記グリッド（１４）の基本単位（１４０）の側部の長さ（Ｄｘ、Ｄｙ）の半分に対応する距離だけ互いに離れている、
請求項２８記載の照明装置。
【請求項３０】
動作中に第１のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第１のオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有し、動作中に第２のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第２のオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有する、
請求項２３から請求項２９のいずれかに記載の照明装置。
【請求項３１】
動作中に第３のスペクトル分布を有する電磁放射線（４）を放射する第３のオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有する、
請求項３０記載の照明装置。
【請求項３２】
赤色域に発光極大を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）、緑色域に発光極大を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）、および／または、青色域に発光極大を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクスコンポーネント（１）を有する、
請求項２０から請求項３１のいずれかに記載の照明装置。
【請求項３３】
動作中に白色感を有する光を発光する、
請求項２０から請求項３２のいずれかに記載の照明装置。
【請求項３４】
前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）から放射される電磁放射線（４）の少なくとも一部分が出力される拡散面（１２）を有する、
請求項２０から請求項３３のいずれかに記載の照明装置。
【請求項３５】
前記拡散面（１２）は、前記オプトエレクトロニクスコンポーネント（１）によって均一に背面照射される、
請求項３４記載の照明装置。
【請求項３６】
例えばＬＣＤ用のバックライト装置である、
請求項２０から請求項３５のいずれかに記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクスコンポーネントおよび照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクスコンポーネントは矩形領域を照明するのに頻繁に用いられる。例えば、バックライト装置は複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを有するフラット画面として知られている。しかし、後者は通常、回転対称放射特性を有する。矩形領域の均一照明は、回転対称ビームコーンを基本的な数学的理由によりその領域が均一に照明されるように重ね合わせることができないため、このようなオプトエレクトロニクスコンポーネントを用いなければ不可能である。
【０００３】
例としては、被照明領域の中央領域においてできるだけ均一な照明強度分布を実現するためにコンポーネントが六角形グリッドに配置される場合には、被照明領域のエッジ部に不均一性が生じる。被照明領域のエッジ部での照明の不均一性は、コンポーネントを矩形グリッドに配置することにより改善することができる。その領域の中央部分における照明の均一性は、六角形グリッドの配置に比べて悪くなり、照明強度分布はオプトエレクトロニクスコンポーネントの構成と同一のグリッド上で生じる変動を有する。
【０００４】
これらの不均一性を低減させるために、コンポーネントは互いに非常に短い距離で配置しなければならない。したがってバックライト装置は所望の光強度を実現するのに必要な分よりも非常に多くのオプトエレクトロニクスコンポーネントを含む。
【０００５】
代替的には、放射線を、高い反射性および低い透過性を有する反射板を介してバックライト装置から出力することができる。これは、多数の散乱をバックライト装置において生じさせ、効率を代償として出力光の均一性を増大させる。そして、バックライト装置の所望の光強度を実現するために追加のオプトエレクトロニクスコンポーネントが必要となる。
【０００６】
不均一性を低減させる他の手法においては、コンポーネントのビームコーンを発散レンズによって大幅に拡幅させる。しかし、これにより実現し得る均一性は、多くのアプリケーションにとっては不適当である。さらに、この手法は、製作公差およびアセンブリ公差について極めて厳しい要求を伴う。
【発明の開示】
【０００７】
したがって、本発明の１つの目的は、表面の均一なバックライティングに適したオプトエレクトロニクスコンポーネントを提供することである。本発明の別の目的は、改善された均一性を有し特に効率的である電磁放射線を放射する照明装置を提供することである。
【０００８】
この目的は、請求項１記載のオプトエレクトロニクスコンポーネントによって、および、請求項２０記載の照明装置によって、達成される。
【０００９】
オプトエレクトロニクスコンポーネントおよび照明装置の有利な実施の形態および展開は、従属請求項に特定され、その開示内容は参照によって本明細書に援用される。
【００１０】
本発明のオプトエレクトロニクスコンポーネントは、光学活性領域を有する。光学活性領域は、少なくとも１つの半導体チップと、光軸を有するビーム形成素子と、を有する。光学活性領域は、光軸に垂直な座標系に対して四象限対称性を有する。半導体チップは、電磁放射線を生成するために提供される。動作中に半導体チップによって放射されるこの電磁放射線の少なくとも一部分は、ビーム形成素子を透過する。
【００１１】
よって、すなわち、２つの、特に相互に垂直な座標軸を有する座標系がある。座標軸はいずれも光軸に対して直角でありその交点は光軸上にある。光学活性領域は、光軸とそれに垂直な座標系の軸のいずれかとによって形成される平面に対して鏡像対称性を有する。すなわち、光学活性領域は、反射されるときには（when reflected）光軸とそれに垂直な座標系の第１の軸とによって形成される平面上で結合し（merge）、反射したときには（on reflection）光軸とそれに垂直な座標系の第２の軸とによって形成される平面に沿って結合する（merge）。
【００１２】
光学活性領域が、互いに垂直な第１および第２の座標軸の角の二等分線に対して鏡像対称性も有する場合には、少なくとも１つの実施の形態において光学活性領域は、光軸に対して４重放射対称性を有する。したがってこの場合は、光学活性領域は光軸に対して９０°回転するときに（when rotated）結合する（merge）。しかし、光学活性領域は有利には、回転対称性を有しない。したがって光学活性領域は、光軸に対して任意の角度だけ回転したときには（on rotation）結合（merge）しないが、例えば、１８０°またはその倍数だけ、あるいは９０°またはその倍数だけ回転したときだけは（on rotation）結合する（merge）。
【００１３】
したがって、オプトエレクトロニクスコンポーネントから放射される電磁放射線の分布は同様に有利には、回転対称性を有しない。実際に、オプトエレクトロニクスコンポーネントは有利には、四象限対称光強度分布を有する電磁放射線を放射する。
【００１４】
ビーム形成素子は好ましくは、光軸の方向において半導体チップに続く。放射線は１つの適切な実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントから、本質的には半導体チップから離れたビーム形成素子の上方領域において出力される。したがってオプトエレクトロニクスコンポーネントから出力されるビームは好ましくは、光軸と９０°の角度を含む。この角度は好ましくは９０°未満である。
【００１５】
すなわち、オプトエレクトロニクスコンポーネントから出力される放射線は「ビームコーン」に放射され、その対称軸は好ましくはコンポーネントのビーム形成素子の光軸である。この場合においては、ビームコーンは回転対称性の断面を有しないが、四象限対称性の断面を有する。
【００１６】
オプトエレクトロニクスコンポーネントの１つの実施の形態においては、ビーム形成素子は四象限対称性を有する。しかし、この場合には、ビーム形成素子の全体が四象限対称性を有する必要はない。実際に、特に放射線が透過しないビーム形成素子の領域、例えばビーム形成素子のエッジ領域は、回転対称性の形状または他の所望の形状を有する。しかし、動作中に少なくとも１つの半導体チップから放射される電磁放射線の少なくとも一部が透過し、放射線が好ましくはオプトエレクトロニクスコンポーネントから出力される、ビーム形成素子の被照明領域、あるいはこの被照明領域の少なくとも一部分が四象限対称性を有することは重要である。
【００１７】
例としては、ビーム形成素子、被照明領域または被照明領域の一部分は、光軸に沿ったビーム形成素子の平面視においては角部が丸められた矩形形状である。
【００１８】
適切には、光軸は矩形の中心点を通り、光軸に垂直な座標系の軸は、側部中心の方向に向く。１つの実施の形態においては角部の丸みは側部中心まで延び、この実施の形態においては、側部はその全長にわたって湾曲している。しかし、この実施の形態において側部中心は好ましくは座標軸に垂直な接線を有する。対向する側部の側部中心の接線は特に好ましくは平行である。この場合において、ビーム形成素子の四象限対称性領域の形状は「クッション形状」または「扁平円形」ともいう。
【００１９】
１つの実施の形態においては、ビーム形成素子はレンズを有し、あるいはビーム形成素子はレンズである。例えばレンズは、自由形状面である放射線入射面および／または放射線出射面を有する。この場合において、放射線入射面は、半導体チップに対向するレンズの主面であり、放射線出射面は、半導体チップに対向しないレンズの主面である。
【００２０】
１つの実施の形態においては、放射線出射面は滑らかな面である。放射線入射面も好ましくは滑らかな面であり、特に平坦面である。特に、滑らかな面である放射線出射面および／または放射線入射面は、段差および／またはよじれを有しない。
【００２１】
例としては、放射線入射面および／または放射線出射面は微分面（differentiable surface）である。この面は好ましくはｘおよびｙの関数である多項式によって表すことができる。ｘおよびｙはこの場合においては、光軸に垂直な座標系の第１および第２の軸に沿った座標に対応する。多項式の値は、平面の位置の関数として、光軸の方向において座標系によって形成された平面からの面の距離を示す。多項式は、ｘおよびｙにおいて偶数次の項のみを含み、よって有利には四象限対称性の面が得られる。
【００２２】
この実施の形態の変形例においては、放射線出射面および／または放射線入射面は、ｘおよびｙにおいて多項式によってそれぞれ表されるが異なる係数を有する複数の領域を有する。領域間の遷移は好ましくは連続的であり、特に好ましくは一次導関数が連続的であり、すなわち領域はそれぞれ遷移において同一成分を有する。これは、面が遷移においてキンクを生じないことを意味する。
【００２３】
１つの実施の形態によれば、放射線出射面は中心領域を有し、光軸は中心領域を通り、中心領域は凹曲率を有し、放射線出射面は平坦であるか、僅かな凸曲率を有する。
【００２４】
例としては、中心領域は、放射線出射面の平面視において、角部が丸められた矩形形状である。既に述べたように、これは側部がその全長にわたって湾曲した形状も含む。１つの実施の形態においては、角丸矩形は、側部の中心点を有し凹曲率を有する小領域を有する。すなわち、この実施の形態においては、角丸矩形はくびれ形である。
【００２５】
放射線出射面は好ましくは、少なくとも部分的に、しかし特に完全に、光軸から離れた位置で中心領域を包囲するエッジ領域を有し、凸曲率を有する。
【００２６】
１つの実施の形態においては、エッジ領域は、中心領域よりも急峻（sharp）であり、例えば、中心領域の２倍急峻な曲率を有する。別の実施の形態においては、エッジ領域の曲率は光軸からの距離に伴って増大する。例えば、エッジ領域は、光軸に隣接し第１の凸曲率を有する第１の部分と、第１の部分よりも光軸から離れており、第１の凸曲率よりも大きい第２の凸曲率を有する第２の部分と、を有する。
【００２７】
さらに、エッジ領域、特にエッジ領域の第１の部分および／または第２の部分は、１つの実施の形態においては、放射線出射面の平面視において、角部が丸められた矩形形状である。
【００２８】
凹面状、平面状または僅かに凸面状の中心領域と凸曲率を有する外側領域とを有するビーム形成素子の放射線出射面および／または放射線入射面の成形は有利には、本質的に光軸に沿って出力される放射線の強度に比べて、光軸に対して直角にオプトエレクトロニクスコンポーネントから出力される電磁放射線の強度を増大させる。よって、オプトエレクトロニクスコンポーネントによって照明される領域は有利には拡大される。
【００２９】
さらに、放射線出射面および／または放射線入射面が回転対称性でない形状を有することにより、有利には、オプトエレクトロニクスコンポーネントから離れており四象限対称性照明強度分布で照明される光軸に好ましくは垂直である面上の面領域が得られる。
【００３０】
オプトエレクトロニクスコンポーネントにおける１つの実施の形態においては、光軸は半導体チップを通る。半導体チップの主面は好ましくは光軸に垂直である。
【００３１】
別の実施の形態においては、ビーム形成素子に加えてあるいはその代わりに、半導体チップが四象限対称性を有する。例としては、半導体チップは矩形または正方形のベース領域を有し、光軸はベース領域の中心点を通る。半導体チップのベース領域は概してその主面に平行である。
【００３２】
他の実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、四象限対称性を有して配置された複数の半導体チップを有する。すなわち、それらの半導体チップが配置された位置が四象限対称性を有する。半導体チップは好ましくは、取付面に取り付けられ、光軸は取付面を通り、取付面は好ましくは光軸に垂直である。この場合においては、取付面への半導体チップの取付位置は好ましくは全体的に四象限対称性を有する。
【００３３】
１つの実施の形態においては、半導体チップはハウジングに配置される。ハウジングは好ましくはリフレクタを有する。１つの実施の形態においては、半導体チップもしくはビーム形成素子の代わりにまたはそれに加えて、リフレクタが四象限対称性を有する。リフレクタとして、ハウジングは、例えば、半導体チップが配置される反射壁を有する凹部を有する。
【００３４】
ビーム形成素子は好ましくは、ハウジングとは別に製造され、例えば位置決め素子および／または少なくとも１つの保持手段によってハウジングに装着される。位置決め素子および／または保持手段は、例えばビーム形成素子のエッジ領域に配置される。少なくとも１つの実施の形態においては、それは四象限対称性を有しない。ビーム形成素子をハウジングと別に製造することにより、有利には、オプトエレクトロニクスコンポーネントを簡単にかつ費用効果的に製造することができる。同時に、製作公差が低く維持され、半導体チップおよびビーム形成素子の特に正確な位置決めが実現される。
【００３５】
１つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、赤色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップ、緑色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップ、および／または青色域に発光極大を有する少なくとも１つの半導体チップを有する。
【００３６】
別の実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、動作中に第１のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第１の半導体チップと、動作中に第２のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第２の半導体チップと、を有する。オプトエレクトロニクスコンポーネントは好ましくは、動作中に第３のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第３の半導体チップをさらに有する。第１、第２および第３の半導体チップはそれぞれ、例えば赤色域、緑色域および青色域に極大を有する。
【００３７】
１つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、動作中に白色感を有する光を発光する。このためにそれは、例えば、赤色域で発光する少なくとも１つの半導体チップと、緑色域で発光する少なくとも１つの半導体チップと、青色域で発光する少なくとも１つの半導体チップと、を有する。
【００３８】
オプトエレクトロニクスコンポーネントが、動作中に同一スペクトル分布を有する電磁放射線を放射する複数の半導体チップを有する場合には、これらは特に好ましくは四象限対称性を有して配置される。すなわち、半導体チップが配置される位置は全体的に四象限対称性を有する。
【００３９】
本発明の照明装置は、例えば上記の例示的な実施の形態の少なくとも１つに係る四象限対称性を有する光学活性領域を有する少なくとも１つのオプトエレクトロニクスコンポーネントを有する。
【００４０】
１つの実施の形態においては、照明装置は、側面、例えば、特に好ましくは反射性を有するよう設計され、特に鏡面化された側壁の内側面を有する。鏡面化された側面は、反射性を有するよう設計され、少なくとも本質的に一方向に（directionally）入射する放射線を反射する。
【００４１】
側面は好ましくは、ビーム形成素子の光軸に対して平行である。側面は、光軸に垂直な座標系の軸によって形成される平面上で好ましくは少なくとも所々でオプトエレクトロニクスコンポーネントを包囲する。特に好ましくは、それらは完全にコンポーネントを包囲する。
【００４２】
１つの実施の形態においては、２つの対向する側面は互いに平行であり、別の２つの側面に対して直角である。全体的に、１つの実施の形態においては、側面は、光軸に沿った平面視において、矩形または正方形を成す。
【００４３】
１つの実施の形態においては、光軸に沿った平面視において、側面は、ビーム形成素子および／またはその被照明領域、レンズの中心領域および／またはレンズの外側領域を表す角丸矩形のアスペクト比に対応するアスペクト比を有する矩形を成す。
【００４４】
１つの実施の形態においては、側面から光軸までの距離は、オプトエレクトロニクスコンポーネントから出力され照明装置の発光領域に直接的に入射（strike）する電磁放射線と、コンポーネントから出力され側面によって発光領域に向けられる電磁放射線とにより、発光領域の均一照明強度分布が得られるように、選択される。
【００４５】
この場合において、照明装置の発光領域は、光軸の方向においてオプトエレクトロニクスコンポーネントの放射線出射面に続く照明装置の主面である。発光領域は好ましくは、光軸に垂直である。オプトエレクトロニクスコンポーネントから放射される電磁放射線は発光領域を介して出力される。
【００４６】
均一照明強度分布の場合には、照明強度は本質的に発光領域上の位置に依存しない。
【００４７】
別の実施の形態においては、照明装置は、複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを有し、複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントの光軸は好ましくは本質的に互いに平行に配置される。
【００４８】
オプトエレクトロニクスコンポーネントの個数は有利には従来の照明装置よりも少ないが、それにもかかわらず、照明装置から出力される電磁放射線は特に均一である。したがって、照明装置は有利には、光強度損失なしに実現され、放射される放射線の均一性は、同一の物理的高さでは、すなわち半導体チップと発光領域との距離が同一では、より少ない個数の半導体チップを必要とし、あるいは半導体チップの個数が同一では、物理的高さが低減される。１つの有利な実施の形態においては、物理的高さは３０ｍｍ以下であり、例えば照明装置の物理的高さが１０ｍｍと３０ｍｍとの間であり、境界値は含まれる。
【００４９】
例としては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、取付面、特に平坦な取付面に配置される。そして、オプトエレクトロニクスコンポーネントの光軸は、便宜的には取付面に垂直であり、光軸に垂直な座標系によって形成される平面は、取付面に平行である。
【００５０】
隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネントのビームコーンは好ましくは、光軸に垂直な平面上で、例えば照明装置の発光領域上で交差する。
【００５１】
１つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントはグリッドのグリッド点に配置される。すなわち、コンポーネントは、例えば取付面上にある仮想的なグリッドのグリッド線の交点に配置される。
【００５２】
グリッドは好ましくは、平行四辺形形状の基本単位を有し、矩形または正方形である。しかし、グリッド線は湾曲したプロファイルを有してもよい。グリッド線の第１の系（family）は好ましくは、光軸に垂直な座標系の第１の軸に平行であり、グリッド線の第２の系は、オプトエレクトロニクスコンポーネントの光軸に垂直な座標系の第２の軸に平行である。特に好ましくは、複数のオプトエレクトロニクスコンポーネント、特に全てのオプトエレクトロニクスコンポーネントにおける対応する座標系の軸は、このように整列される。これにより、発光領域の均一照明強度が有利には実現される。
【００５３】
１つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントのビームコーンは、直接的に隣接するグリッド位置に配置されたオプトエレクトロニクスコンポーネントのビームコーンに重ね合わせられる。他の実施の形態においては、コンポーネントのビームコーンはさらに、少なくとも、１つの方向に沿って配置された１つおいて隣のものに重ね合わせられる。そして、いずれの場合も、少なくとも５つのオプトエレクトロニクスコンポーネントのビームコーンが、この方向に沿って重ね合わせられ、いずれの場合も、３つのビームコーンが、直接的に隣接するコンポーネントのビームコーンのみが重ね合わせられる方向に沿って重ね合わせられる。好ましくは、別の態様で配置されたコンポーネントのビームコーンについては、重ね合わせはなく、あるいは少量の重ね合わせがある。
【００５４】
この場合において、本発明は、光軸に垂直な座標系の第１の軸および第２の軸に沿った個々のコンポーネントの照明強度は重ね合わせられてこの方向における全体照明強度を形成し、この全体照明強度は好ましくは一定であるという思想を用いたものである。放射線出射面の四象限対称性形状のため、これにより、発光領域のその他の方向においても一定の照明強度が得られる。
【００５５】
すなわち、ｘおよびｙの関数としての全体照明強度は本質的に一定（Ｅ（ｘ，ｙ）＝Ｅ０）であり、ｘ方向は第１の軸に沿い、ｙ方向は第２の軸に沿う。全体照明強度は、インデックスｉおよびｊを有する個々のコンポーネントの照明強度ｅｉ，ｊ（ｘ，ｙ）の重ね合わせによって形成される。これらは同一の、少なくとも実質的に同一の、放射特性を有する。したがって、点（ｘｉ，ｙｉ）に位置する単一のコンポーネント、特に所与のコンポーネントの照明強度ｅｉ，ｊ（ｘ，ｙ）がｅｉ，ｊ（ｘ，ｙ）＝ｅ（ｘ−ｘｉ，ｙ−ｙｉ）のように表され得る関数ｅ（ｘ，ｙ）がある。例えば、ｅのｘ依存性の形態がｙに依存せず、かつ、ｅのｙ依存性の形態がｘに依存しない場合には、四象限対称性を有する放射特性が形成される。これにより、関数ｅｘおよびｅｙならびに定数ｅ０から、ｅ（ｘ，ｙ）＝ｅｘ（ｘ）・ｅｙ（ｙ）・ｅ０が得られる。さらに、関数ｅｘおよびｅｙは便宜的には、Ｓｉ  ｅｘ（ｘ−ｘｉ）＝ｃｘおよびＳｊ  ｅｙ（ｙ−ｙｉ）＝ｃｙのように選択される。ここで、ｃｘおよびｃｙは２つの定数である。例えば、コンポーネントがｘ方向において同一間隔Ｄｘで配置される場合には、ｘ∈［−Ｄｘ；Ｄｘ］の場合はｅｘ（ｘ）＝１＋ｃｏｓ（ｘ／Ｄｘ＊ｐ）、そうでない場合はｅｘ（ｘ）＝０が、このような関数の一例である。そして、個々のコンポーネントの照明強度は全体的に重ね合わせられて一定値を形成する：
E(x,y)=Si,j eij(x,y)=Si,j e(x-xi,y-yi)=
e0Si,jex(x-xi)・ey(y-yi)=e0 Si[ex(x-xi)・Sj ey(y-yi)]=
e0・cy Si ex(x-xi)=e0・cy・cx=const.
【００５６】
１つの方向における直接的な隣のものよりも多くの照明強度が重ね合わせられる場合には、照明装置は有利には、コンポーネントの例えば製造中およびアセンブリ中に生じ得る公差に対して僅かに敏感となるだけである。この公差にもかかわらず、照明装置の発光領域は有利には、均一の照明強度分布を有する。
【００５７】
例えば、偶数のみの指数で、かつ、好ましくは半導体チップの放射特性および／または照明装置の形状に整合した係数で、ｘおよびｙにおける多項式としてビーム形成素子の放射線出射面が製造されたコンポーネントにより、照明装置の実質的に一定の照明強度分布を実現するのに特に適した四象限対称性照明強度分布が得られる。
【００５８】
照明装置における別の実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントは、側面、例えば、特に反射性を有するよう設計された側壁の内側面によって包囲される。側面は好ましくは取付面の平面上でコンポーネントを完全に包囲する。従来のタイプの照明装置では乱反射性の側面が頻繁に用いられるのに対し、この場合において側面は好ましくは鏡面化され、その結果、入射する放射線を一方向に（directionally）反射する。側面は便宜的にはコンポーネントの光軸に平行である。１つの側面は好ましくは、グリッド点にコンポーネントが配置されるグリッドのグリッド線の系に平行である。
【００５９】
よって、グリッドの周期性は有利には、鏡面化された側面によって継続される。
【００６０】
反射性側面により有利には、照明装置の発光領域のエッジ部であっても特に高度に均一な照明強度が得られる。
【００６１】
この場合においては、１つの側面、特に１つの実施の形態において各側面は、それに隣接しそれに平行であるグリッド線からのグリッドの基本単位の側部の長さの半分に対応する距離にある。
【００６２】
１つの適切な実施の形態においては、全体的に、側壁は、光軸に沿った平面視において、矩形または正方形を成す。１つの実施の形態においては、側壁は、ビーム形成素子またはビーム形成素子の被照明領域、コンポーネントのレンズの中心領域および／または外側領域を表す角丸矩形のアスペクト比に対応するアスペクト比を有する矩形を成す。
【００６３】
１つの実施の形態においては、照明装置は、動作中に第１のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第１のオプトエレクトロニクスコンポーネントと、動作中に第２のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第２のオプトエレクトロニクスコンポーネントと、を有する。照明装置は好ましくはさらに、動作中に第３のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射する第３のオプトエレクトロニクスコンポーネントを有する。
【００６４】
例としては、照明装置は、赤色域に発光極大を有するオプトエレクトロニクスコンポーネント、緑色域に発光極大を有するオプトエレクトロニクスコンポーネント、および／または、青色域に発光極大を有するオプトエレクトロニクスコンポーネントを有する。
【００６５】
例としては、照明装置は、それぞれ赤色、緑色、青色を発光する複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを有し、動作中に白色感を有する光が発光される。代替的には、照明装置は、動作中に白色感を有する光を発光する複数のオプトエレクトロニクスコンポーネントを含み得る。
【００６６】
オプトエレクトロニクスコンポーネント、特に同一のスペクトル分布を有する電磁放射線を放射するコンポーネントは有利には、そこから放射される電磁放射線が、光軸に垂直な平面上で、例えば発光領域上で本質的に均一な照明強度分布を有するように、配置される。したがって、照明強度は、平面内の位置に依存しない。したがって有利には、動作中に異なるスペクトル分布を有する電磁放射線を放射するオプトエレクトロニクスコンポーネントを互いに対して所望の態様で配置することができる。それにもかかわらず、異なる色が、発光領域全体にわたって均一に混合される。例えば、動作中に異なるスペクトル分布を有する電磁放射線を放射するそれらのオプトエレクトロニクスコンポーネントは、取付面上で互いに対してオフセットしている。１つの実施の形態においては、赤色、緑色、青色を発光するオプトエレクトロニクスコンポーネントは、互いにオフセットしたグリッド上に配置される。
【００６７】
照明装置における１つの実施の形態においては、オプトエレクトロニクスコンポーネントから放射される放射線の少なくとも一部分は、拡散面を介して出力される。拡散面は発光領域であり、あるいは、拡散面は、発光領域に隣接する。拡散面は、拡散板であっても拡散フィルムであってもよい。拡散面は便宜的にはオプトエレクトロニクスコンポーネントによって均一に背面照射される。
【００６８】
１つの実施の形態においては、照明装置は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）用のバックライト装置である。
【００６９】
本発明のさらなる利点、有利な実施の形態および展開は、図面と併せて下記本文において説明される例示的な実施の形態から明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７０】
同一の要素および同一の効果を有する要素はそれぞれ例示的な実施の形態および図面において同一の参照符号を付与される。図示された要素およびそれらのサイズの相互関係は原則的にスケールに忠実であるとみなしてはならない。実際に、個々の要素は、それらをよりよく図示するために、および／または、理解を助けるために、誇張して厚くおよび／または湾曲しておよび／または歪められて図示され得る。
【００７１】
図１に示される第１の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネント１は、光学活性領域１００を有する。光学活性領域１００は、半導体チップ２、および、この場合においてはレンズであるビーム形成素子２を有する。
【００７２】
半導体チップ２は、半導体材料を含む層配列を有する。例えば、半導体材料は、III-V族化合物半導体材料、例えばＡｌＩｎＧａＮである。層配列は、矢印４によって示された電磁放射線を形成しようとする活性領域２０を有する。
【００７３】
ここで、III-V族化合物半導体材料を含む層配列は、少なくとも１つの層、好ましくは活性層２０がIII/V族化合物半導体材料から構成されている、活性すなわち電場発光性のエピタキシャル層配列であり、例えば、ＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮ（ここで、０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ＝１）のようなIII族窒化物系半導体材料である。この場合において、この材料は必ずしも上記化学式に従って数学的に正確な組成物を有する必要はない。実際に、それは、１つ以上のドーパントおよび追加の成分を有してもよい。しかし、簡略化のために上記化学式は結晶格子（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ）といった主たる成分のみを含むが、それらは少量の別の物質によって部分的に置換されてもよい。
【００７４】
半導体チップ２から放射される電磁放射線４の一部分は、放射線入射面３０１を介してビーム形成素子３に取り込まれ（coupled into）、放射線出射面３０２を介してできるだけ完全にそこから取り出される（coupled out）。放射線入射面３０１は、ビーム形成素子３の、半導体チップ２に対向する主面であり、放射線出射面３０２は、ビーム形成素子３の、半導体チップ２に対向しない主面である。
【００７５】
放射線入射面３０１は、平坦であり、ビーム形成素子３の光軸５に対して垂直である。放射線出射面３０２は、凹曲率を有し光軸５が通る中心領域３１２を有する。凹曲率を有する中心領域３１２は、凸曲率を有する外側領域３２２によって完全に包囲される。
【００７６】
これは、図２Ａに示されるビーム形成素子３の実施の形態にも対応する。代替的には、中心領域３１２も、図２Ｂおよび図２Ｃに例としてそれぞれ示されるように、平坦であっても、凸曲率を有してもよい。特に中心領域３１２が凸曲率を有する場合には、この曲率は好ましくは外側領域３２２の曲率よりも小さい。
【００７７】
中心領域３１２が外側領域３２２に合流する領域においては、双方の領域は好ましくは同一の曲率を有し、これにより滑らかな遷移が得られる。
【００７８】
光軸５に沿った放射線出射面３０２の平面視においては、ビーム形成素子３は、図３Ａにおいて平面Ａ−Ａ（図２Ａ参照）に沿った縦断面図によって示されるように、丸められた角部を有する正方形形状である。図３Ａは、図２Ａから図２Ｃに示す断面図が得られる平面Ｂ−Ｂを示す。
【００７９】
ビーム形成素子３の代替的な実施の形態の概略的な縦断面図は図３Ｂに示される。この実施の形態においては、中心領域３１２および外側領域３２２の双方が、丸められた角部を有する矩形形状である。
【００８０】
図３Ｃに示されるビーム形成素子３の実施の形態においては、ビーム形成素子３の中心領域３１２は、また、角部が丸められた正方形であるが、側部の中心点付近の領域においてくびれている。
【００８１】
図３Ａから図３Ｃは、光軸５に垂直な座標系の第１の軸６および第２の軸７を示す。座標系の第１の軸６および第２の軸７は、互いに垂直であり、光軸５上で交差する。ビーム形成素子３は、座標系の第１の軸６および光軸５を通る平面上での反射に対して鏡像対称性を有し、第２の軸７および光軸５を通る平面上での反射に対して鏡像対称性を有する。
【００８２】
図２Ａおよび図３Ａに示す例示的な実施の形態におけるビーム形成素子３の放射線出射面３０２は、多項式ｚ（ｘ，ｙ）＝１０（０．２（ｘ／１０）２＋０．２（ｙ／１０）２−１．３（ｘ／１０）４−１．３（ｙ／１０）４−１．０（ｘ／１０）２（ｙ／１０）２）によって表され、ｘ方向は光軸５に平行である。ｘ方向およびｙ方向はそれぞれ第１および第２の軸６、７に平行である。座標系の原点（ｘ＝０、ｙ＝０、ｚ＝０）は、放射線出射面３０２および光軸５の交点と一致する（図２Ａ参照）。ビーム形成素子３の高さＨ、すなわち、放射線入射面３０１と放射線出射面３０２上の点との最大距離は、例えば５ｍｍである。
【００８３】
ビーム形成素子３の放射線出射面３０２の形状のために、動作中に半導体チップ２から放射されて放射線入射面３０１を介してビーム形成素子３に取り込まれる電磁放射線４は、光軸５から離れるように偏向される。これは図１だけでなく、電磁放射線４のビームの例を用いた図４Ａの側面図、図４Ｂの斜視図にも示される。例としては、これにより、放射線出射面３０２から離れたビーム形成素子の下流側に光軸に垂直に配置された平面上の領域８の照明が得られる。この領域は有利には、ビーム形成素子３のない半導体チップ２によって証明される領域よりも大きい。
【００８４】
領域８の照明強度分布は、図５において例示的かつ概略的に示される。ビーム形成素子３によって、第１の軸６（ｘ軸）および第２の軸（ｙ軸）によって形成される座標系に対して四象限対称性も有する照明強度分布が得られる。
【００８５】
図６に示されるオプトエレクトロニクスコンポーネント１の第２の例示的な実施の形態においては、ビーム形成素子３は、回転対称性を有するように設計される。対照的に、半導体チップ２は、光軸５に垂直であり軸６、７によって形成される座標系に対して四象限対称性を有する。
【００８６】
この例示的な実施の形態における１つの展開においては、光学活性領域は、四象限対称性を有して配置された複数の半導体チップ２を有する。例えば、図７Ａに示される第３の例示的な実施の形態においては、１つの半導体チップ２は、各象限I、II、IIIおよびVにおいて配置される。
【００８７】
しかし、半導体チップ２およびビーム形成素子３の双方が四象限対称性を有してもよい。
【００８８】
図７Ａにおいて例示的な実施の形態に示されるオプトエレクトロニクスコンポーネント１における１つの変形例は、図７Ｂに示される。これによれば、オプトエレクトロニクスコンポーネント１は、図中で文字「Ｒ」によって示された赤色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２を有する。さらに、コンポーネント１は、図中で文字「Ｂ」および「Ｇ」によってそれぞれ示された、青色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２および緑色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２を有する。半導体チップ２は共通の取付面１３に配置される。
【００８９】
赤色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２は、光軸５に垂直であり軸６、７を有する座標系に対して四象限対称性を有する。座標系の軸６、７は、取付面１３に平行である。
【００９０】
青色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２および緑色域に発光極大を有する複数の半導体チップ２も、同一の四象限対称性を有する。
【００９１】
図８に示されるオプトエレクトロニクスコンポーネント１の第４の例示的な実施の形態においては、半導体チップ２はハウジング９に配置される。半導体チップ２は、ハウジング９において凹部９１０の底領域に配置される。凹部９１０の側壁９１１は、反射性を有するように設計される。
【００９２】
この場合において、光学活性領域１００は、半導体チップ２、ハウジング９に装着されたビーム形成素子３、および反射性の側壁９１１を有する。
【００９３】
この場合において、ハウジング９は、半導体チップ２が取り付けられる取付面を有する熱的接続部９３０を有する。同時に、取付面は凹部９１０の底部を形成する。さらに、ハウジング９は、２つの電気接続導体９２０を有し、そこに半導体チップ２が導電的に接続される。例としては、熱的接続部９３０は、金属から成り、半導体チップ２の、取付面に対向する底部に、および、第１の電気接続導体に、導電的に接続される。半導体チップ２の、底部と反対側の頂部は、例えば、ボンディングワイヤによって第２の電気接続導体に接続される。熱的接続部９３０により有利には、熱を半導体チップ２から効率的に放散することができる。例えば、これにより、半導体チップ２およびビーム形成素子３は、動作中にその相互配置を変えず、あるいは僅かにのみ変えるようになり、また、オプトエレクトロニクスコンポーネント１は動作中に時間的に一定のビームプロファイルを有するようになる。
【００９４】
ビーム形成素子３は、ハウジング９に係合するガイド素子３１によって、および保持手段（図示せず）によって、ハウジング９に装着される。
【００９５】
図９に示される第１の例示的な実施の形態に係る照明装置は、オプトエレクトロニクスコンポーネント１を有し、オプトエレクトロニクスコンポーネント１の光学活性領域１００は、光軸５に垂直であり第１の軸６および第２の軸７を有する直角の座標系に対して四象限対称性を有する。
【００９６】
さらに、照明装置１０は、光軸５に平行な側壁１１を有する。側壁１１は、座標系の軸６、７によって形成される平面であって半導体チップ２の主面でもある平面上で、オプトエレクトロニクスコンポーネント１を完全に包囲する。
【００９７】
２つの対向する側壁１１は、互いに平行に、かつ、別の２つの側壁１１に対して直角に、配置される。全体的に、側壁１１は、光軸５に沿った平面視において正方形を成す。
【００９８】
側壁１１は、少なくとも、オプトエレクトロニクスコンポーネント１に対向する側部では鏡面化される。これは、それらが反射性を有するように設計され、そこに入射する放射線を反射することを意味する。側壁１１と光軸５との間の距離は好ましくは、オプトエレクトロニクスコンポーネント１の放射線出射面３０２から出力され照明装置１０の発光領域１２に入射する電磁放射線４の成分と、コンポーネント１の放射線出射面３０２から出力され発光領域１２に向けられる成分とにより、発光領域１２の均一光強度分布が得られるように、選択される。
【００９９】
この場合において、照明装置１０の発光領域１２は、光軸５の方向においてオプトエレクトロニクスコンポーネント１の放射線出射面３０２に続く照明装置１０の主面である。発光領域１２は好ましくは、光軸５に垂直である。オプトエレクトロニクスコンポーネント１から放射される電磁放射線４の少なくとも一部分は便宜的には発光領域１２を介して出力される。
【０１００】
均一照明強度分布の場合には、照明強度は特に、発光領域１２上の位置に依存しない。
【０１０１】
図１０に示される第２の例示的な実施の形態に係る照明装置１０は、複数のオプトエレクトロニクスコンポーネント１を有する。コンポーネント１は、平坦な取付面１３上に配置される。コンポーネント１の光軸５は取付面１３に垂直である。
【０１０２】
オプトエレクトロニクスコンポーネント１は、取付面１３上の（仮想的な）グリッド１４のグリッド点に配置され、特に、コンポーネント１の光軸５はグリッド点を通る。この場合において、グリッド線は、光軸５に垂直な座標系の第１の軸６（ｘ方向）および第２の軸７（ｙ方向）に一致し、これに対してオプトエレクトロニクスコンポーネント１の光学活性領域１００はそれぞれ四象限対称性を有する。
【０１０３】
オプトエレクトロニクスコンポーネント１間の距離は、２つの隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネント１のビームコーンがｘ方向およびｙ方向に沿って重ね合わせられるように選択される。
【０１０４】
例として、これは図１３においてｘ方向として示される。この図は、ｘ方向に沿って隣接する２つのオプトエレクトロニクスコンポーネント１の照明強度１５、１６、１７を示し、これらにより、照明強度は、照明装置１０の発光領域１２上にオプトエレクトロニクスコンポーネント１によって生成される。
【０１０５】
鏡像化により、光軸５に平行な面上で１つのオプトエレクトロニクスコンポーネント１の照明強度１６は、隣接するコンポーネント１間を中心とし、図１３において線Ｃ−Ｃによって示された距離にて垂直であり、隣接するコンポーネント１の照明強度１５が得られる。すなわち、隣接するコンポーネント１のビームコーンは、この面Ｃ−Ｃに対して鏡像対称性を有して配置される。
【０１０６】
さらに、コンポーネント１間の距離Ｄｘは、相互に重ね合わせられたビームコーンの照明強度１５、１６および１６、１７それぞれが、ｘ−ｙ平面に平行でありかつ隣接するコンポーネント１の照明強度の交点を通る面Ｄ−Ｄ上の反射に対して対称となるように、選択される。それぞれの照明強度１５、１６および１６、１７は有利にはこのように加算されて一定値を形成し、一定の照明強度分布１８がｘ方向に沿って実現される。
【０１０７】
コンポーネント１は同様の方法でｙ方向に沿って配置される。特にオプトエレクトロニクスコンポーネント１の四象限対称性の結果、本質的に均一な照明強度分布１８、すなわち、発光領域１２上の位置には特に本質的に依存しない照明強度が、発光領域１２の全体にわたって実現される。照明装置１０の高さ、すなわち、発光領域１２に垂直な照明装置１０の延在は、この場合には、１０ｍｍと３０ｍｍとの間であり、境界値は含まれる。
【０１０８】
これについても図１２Ａから図１２Ｃに示される。図１２Ａは、発光領域１２の平面視の形態で照明装置１０における単一のオプトエレクトロニクスコンポーネント１の照明強度分布を示す。この場合において軸は、グリッド１４のそれぞれの側部の長さＤｘおよびＤｙに対してｘ方向およびｙ方向の双方において正規化されている。照明強度分布１６は、コンポーネント１の光学活性領域１００のように、紙面上で四象限対称性を有し、これは回転対称性の形態とは僅かに相違する。照明強度１６は、点０．０にて極大となり、外側に向かう方向において低減する。
【０１０９】
図１２Ｂは、ｘ方向において隣接する３つのオプトエレクトロニクスコンポーネント１の照明強度１５、１６、１７の重ね合わせを示す。図１３は、図１２Ｂにおいて線ｙ＝０に沿った「断面図」に対応する。コンポーネント１のビームコーンは、ｘ方向に沿って均一である照明強度１８が発光領域１２上で形成されるように重ね合わせられる。この場合において、単一のコンポーネント１の照明強度ｅｉ，ｊ（ｘ，ｙ）は、概要の部分において説明したように、ｘ∈［ｘｉ−Ｄｘ；ｘｉ＋Ｄｘ］の場合にはｅｉ，ｊ（ｘ，ｙ）＝｛１＋ｃｏｓ［（ｘ−ｘｉ）／Ｄｘ＊ｐ］｝・ｅｙ（ｙ−ｙｊ）・ｅ０となりそうでない場合にはｅｘ（ｘ）＝０となるコサイン形プロファイルを有する。
【０１１０】
さらに図１２Ｃは、図１２Ｂにおける３つのコンポーネント１の照明強度１５、１６、１７がｙ方向においてそれぞれ隣接するコンポーネント１の照明強度を如何にして重ね合わせたかを示す。したがって、図１２Ｃは、９つの隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネント１によって照明される発光領域１２の領域を示す。この場合において、コンポーネント１の光軸は、相対的な座標（−１，−１）、（−１，０）、（−１，１）、（０，−１）、（０，０）、（０，１）、（１，−１）、（１，０）、（１，１）を有する点にて垂直である。これは明らかに、均一な照明強度分布１８が被照明領域全体にわたって実現されることを示す。
【０１１１】
さらに照明装置１０は、側壁１１を有する。図９において示す第１の例示的な実施の形態のように、側壁１１は反射性を有するよう設計され、特に鏡面化される。
【０１１２】
側壁１１は、矩形を成し、それぞれ座標系の第１の軸６および第２の軸７に平行である。すなわち、側壁１１はｘ方向およびｙ方向において特にグリッド１４のグリッド線６、７に平行である。
【０１１３】
ｘ方向において伸延する側壁１１の、隣接するグリッド線または第１の軸６までの距離は、ｙ方向においてグリッド１４の基本単位１４０の長さの半分、すなわちＤｙ／２に対応する。同様に、第２の軸７に平行な側壁１１と隣接する第２の軸７との距離は、ｘ方向におけるグリッド間隔の半分、すなわちＤｘ／２に対応する。したがって、側壁１１は有利にはグリッドの周期性を広げる。これにより、均一の照明強度１８が、発光領域１２のエッジ部においても実現される。照明装置１０の発光領域１２全体は好ましくは、動作中に本質的に均一な照明強度で照明される。図１１に示す第３の例示的な実施の形態によれば、また、前述の例示的な実施の形態に対して、照明装置１０は、照明装置１０のエッジ領域において歪められた、照明装置１０の中心領域において矩形グリッドであるグリッド１４を有する。このような歪められたグリッドにより、照明強度分布を個別に適合することができる。
【０１１４】
例示的な実施の形態に基づく記述は本発明を限定するものではない。本発明は、全ての新規の特徴および全ての特徴の組合せ、特に、特許請求の範囲における特徴の組合せを、たとえこの特徴またはこの組合せ自体が特許請求の範囲または例示的な実施の形態に明記されていないとしてもカバーする。
【０１１５】
本発明は独国特許出願第１０２００６０３０２５３．２号および独国特許出願第１０２００６０５０８８０．７号の優先権を主張する。その開示内容は参照によって本願に援用される。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】第１の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントの概略的な断面図を示す。
【図２Ａ】ビーム形成素子の例の概略的な断面図を示す。
【図２Ｂ】ビーム形成素子の例の概略的な断面図を示す。
【図２Ｃ】ビーム形成素子の例の概略的な断面図を示す。
【図３Ａ】ビーム形成素子の例の概略的な縦断面図を示す。
【図３Ｂ】ビーム形成素子の例の概略的な縦断面図を示す。
【図３Ｃ】ビーム形成素子の例の概略的な縦断面図を示す。
【図４Ａ】ビーム経路の例とともに、図３Ａに示すビーム形成素子の概略的な側面図を示す。
【図４Ｂ】図４Ａに示すビーム形成素子の概略的な斜視図を示す。
【図５】擬色例の形態における第１の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントの相対的な照明強度分布を示す。
【図６】第２の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントを示す。
【図７Ａ】第３の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントを示す。
【図７Ｂ】図７Ａに示す例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントの変形例を示す。
【図８】第４の例示的な実施の形態に係るオプトエレクトロニクスコンポーネントを示す。
【図９】第１の例示的な実施の形態に係る照明装置を示す。
【図１０】第２の例示的な実施の形態に係る照明装置を示す。
【図１１】第３の例示的な実施の形態に係る照明装置を示す。
【図１２Ａ】図１０に示す例示的な実施の形態に係る照明装置におけるオプトエレクトロニクスコンポーネントの相対的な照明強度分布を示す。
【図１２Ｂ】図１０に示す例示的な実施の形態に係る照明装置における３つの隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネントの相対的な照明強度分布を示す。
【図１２Ｃ】図１０に示す例示的な実施の形態に係る照明装置における９つの隣接するオプトエレクトロニクスコンポーネントの相対的な照明強度分布を示す。
【図１３】図１２Ｂに示す３つのオプトエレクトロニクスコンポーネントの線ｙ＝０に沿った相対的な照明強度分布を示す。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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