(57)【要約】  リソグラフィ装置における露光を制御するためのシステム及び方法は、照射分布を調節するために偏心が可能である調節可能な光学素子（４６）を有する光学システムを含む。さらなる実施の形態は、上記リソグラフィシステムの光学部品の偏光状態及び複屈折における空間変動に応じて、例えば、Ｘ及びＹの関数として空間的な線量制御を可能にするように構成されかつ配置されたリソグラフィ装置構造を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影放射線ビームを調整するための照射システムと、
所望のパターンに応じて前記投影放射線ビームをパターン化することが可能なパターン形成装置を保持するための第１の物体テーブルと、
基板を保持するための第２の物体テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化された投影放射線ビームを結像するための投影システムと、
前記基板の平面における、前記投影放射線ビームの偏光における空間変動に起因する限界寸法誤差に応じて、前記基板に衝突する放射線量を制御するように構成されかつ配置された制御器とを備えたリソグラフィ投影装置。
【請求項２】
前記基板の平面における前記限界寸法誤差を測定するように構成されかつ配置された検出器をさらに備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御器は、前記投影放射線ビームのビーム源を制御するように構成されかつ配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記制御器は、結像中に前記パターン形成装置を照射するために使用される前記投影放射線ビームの走査照射ビームの幅を制御するための可変シャッタを制御するように構成されかつ配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記制御器は、前記投影放射線ビームにおける照射強度を局所的に調節するように構成されかつ配置された可変フィルタを制御するように構成されかつ配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記可変フィルタは、前記パターン形成装置の平面もしくはその付近、又は、その共役面（a conjugate plane）に位置決めされている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記可変フィルタは、前記基板が受光した線量を動的に変化させるために走査中に制御可能である、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記可変フィルタは、結像の前に制御可能であり、かつ、結像中に静的である、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記可変フィルタは、それぞれが前記投影放射線ビームの波長に対して１未満の透過係数を有する複数の指部を備え、各指部は、前記投影放射線ビームの前記照射強度を局所的に減衰させるために、前記投影放射線ビームの内外へ移動可能である、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の指部は、走査領域の一方の縁部の付近に位置決めされた第１の組の指部と、前記走査領域の対向する縁部の付近に位置決めされた第２の組の指部とを備え、前記組の指部は、前記基板レベルにおいて照射線量を局所的に制御するために組み合わせて使用されることが可能である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記可変フィルタは、前記投影放射線ビームの波長に対して１未満の透過係数を有する少なくとも１つのフィルタを備え、前記フィルタは、前記投影放射線ビームの前記照射強度を局所的に減衰させるために、前記投影放射線ビームの内外へ移動可能である、請求項５に記載の装置。
【請求項１２】
前記フィルタは、走査領域の一方の縁部の付近に位置決めされ、かつ、角度を有する複数の突出部を備え、前記フィルタが前記走査領域内に移動されるにつれて、前記走査領域のより大きい部分が減衰を受け、前記走査領域の前記縁部においては減衰率が増加する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
基板上にパターンを結像する方法であって、
放射線ビームを供給する工程と、
複屈折を有するパターン形成装置を用いて前記放射線ビームをパターン化する工程と、
前記基板の放射線感受性表面上に前記パターン化された放射線ビームを投影する工程と、
前記複屈折によって生じた限界寸法変動を減少させるように、前記基板の前記放射線感受性表面が受光する線量を調節する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
前記調節工程は、前記基板上の少なくとも１つの選択位置において前記受光線量を減少させるために、前記放射線ビームを局所的にフィルタリングする工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記局所的なフィルタリング工程は、前記パターン形成装置の平面もしくはその付近、又は、その共役面において行なわれる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記局所的なフィルタリング工程は、前記基板の平面又はその付近において行なわれる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記結像は、前記結像中に前記パターン形成装置及び前記基板を相対的に走査する工程をさらに含み、前記局所的なフィルタリング工程は、前記線量を動的に調節するために、前記走査工程中に、少なくとも１つのフィルタ部材を前記放射線ビームの一部内に移動させる工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記局所的なフィルタリング工程は、前記線量を調節するために、前記走査工程中に、複数の指部のうちの１つ又はそれ以上を前記放射線ビームの一部内に移動させる工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記局所的なフィルタリング工程は、前記線量を調節するために、少なくとも１つのフィルタ部材を前記放射線ビームの一部内に移動させる工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
投影放射線ビームを調整するための照射システムと、
所望のパターンに応じて前記投影放射線ビームをパターン化することが可能なパターン形成装置を保持するための第１の物体テーブルと、
基板を保持するための第２の物体テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化された投影放射線ビームを結像するための投影システムと、
前記基板の平面における、前記投影放射線ビームの強度における局所的変動に起因する測定された限界寸法誤差に応じて、前記照射システムの少なくとも１つの光学素子をパターン化前に偏心させるように構成されかつ配置されたアクチュエータとを備えたリソグラフィ投影装置。
【請求項２１】
前記投影放射線ビームの強度における局所的変動をパターン化前に測定するように構成されかつ配置された照射モニターをさらに備えた、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記投影放射線ビームの少なくとも一部を減衰させて、これにより、その照射分布を局所的に調節するために、前記照射システムの瞳面（a pupil plane）内もしくはその付近、又は、その共役面内において移動可能に位置決めされた複数の可動減衰器を含む可変減衰器をさらに備えた、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記可動減衰器は、前記投影放射線ビームの内外へ移動可能な複数の三角形のスポークを備えている、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記スポークは、前記投影放射線ビームの周囲に放射状に配置されている、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記アクチュエータは、前記少なくとも１つの光学素子を前記投影システムの光軸に垂直な方向に移動させるように構成されかつ配置されている、請求項２０に記載の装置。
【請求項２６】
前記アクチュエータは、前記少なくとも１つの光学素子を傾斜させるように構成されかつ配置されている、請求項２０に記載の装置。
【請求項２７】
基板上にパターンを結像する方法であって、
放射線ビームを供給する工程と、
前記放射線ビームをパターン化する工程と、
前記基板の放射線感受性表面上に前記パターン化された放射線ビームを投影する工程と、
限界寸法誤差が減少するように前記放射線ビームの空間強度分布を局所的に調節するために、前記供給工程において使用される照射システムの少なくとも１つの光学素子を偏心させる工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記基板の平面における前記限界寸法誤差を測定する工程をさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記偏心工程は、前記少なくとも１つの光学素子を前記照射システムの光軸に垂直な方向に移動させる工程を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記偏心工程は、前記少なくとも１つの光学素子を傾斜させる工程を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
前記投影放射線ビームの少なくとも一部を可変的に減衰させ、これにより、その照射強度を局所的に調節する工程をさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分上に所望のパターンを施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。そのような状況においては、マスクなどのパターン形成装置を、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを形成するために使用することができ、このパターンは、放射線感受性材料（レジスト）層を有する基板（例えば、シリコンウエハ）上の目標部分（例えば、ダイの一部、又は、１つもしくはいくつかのダイ）上に結像することが可能である。一般に、単一の基板は、順次露光される、ネットワーク状の隣接する目標部分を含む。
【０００３】
従来のリソグラフィ装置には、各目標部分が当該目標部分上にパターン全体を一度に露光することにより照射される、いわゆるステッパ、及び、放射線ビームによってパターンを所与の方向（「走査」方向）に走査しながら、この方向と平行に又は逆平行に基板を同期して走査することにより各目標部分が照射される、いわゆるスキャナが含まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
照射線量のばらつきによって、結像される構造の寸法のばらつきが生じる可能性がある。特に、線量の減少にしたがって、意図されたものよりも構造が多少薄くなるような傾向がある。同様に、線量が増加すると、結像する構造が意図されたものより幅広になる可能性がある。いずれの場合も、寸法のばらつき（限界寸法（critical dimension）のばらつき、すなわち、ＣＤばらつき）によって、完成したマイクロ電子デバイスに欠陥が生じる可能性がある。
【０００５】
本発明者らは、他の作用の中でも、画像フィールド全体にわたる偏光状態のばらつきが、作用において線量の変化のものと同じようなＣＤ変動を生じさせ得ることを見出した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施の形態は、投影放射線ビームを調整するための照射システムと、所望のパターンに応じて前記投影放射線ビームをパターン化することが可能なパターン形成装置を保持するための第１の物体テーブルと、基板を保持するための第２の物体テーブルと、前記基板の目標部分上に前記パターン化された投影放射線ビームを結像するための投影システムと、前記基板の平面における、前記投影放射線ビームの偏光における空間変動に起因する限界寸法誤差に応じて、前記基板に衝突する放射線量を制御するように構成されかつ配置された制御器とを備えたリソグラフィ投影装置を含む。
【０００７】
本発明の別の実施の形態は、投影放射線ビームを調整するための照射システムと、所望のパターンに応じて前記投影放射線ビームをパターン化することが可能なパターン形成装置を保持するための第１の物体テーブルと、基板を保持するための第２の物体テーブルと、前記基板の目標部分上に前記パターン化された投影放射線ビームを結像するための投影システムと、前記基板の平面における、前記投影放射線ビームの強度における局所的変動に起因する測定された限界寸法誤差に応じて、前記照射システムの少なくとも１つの光学素子をパターン化前に偏心させるように構成されかつ配置されたアクチュエータとを備えたリソグラフィ投影装置を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施の形態について、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら、例示としてのみ以下に説明する。図中、
図１は、本発明の実施の形態におけるリソグラフィ装置を示し、
図２は、本発明の実施の形態のリソグラフィシステムにおける限界寸法誤差の一部の要因を概略的に示し、
図３は、本発明の実施の形態のリソグラフィシステムにおける別のタイプの限界寸法誤差を概略的に示し、
図４は、本発明の実施の形態における照射分布の不均衡を補正するための動的フィルタを概略的に示し、
図５は、本発明の実施の形態における照射分布の不均衡を補正するための別の動的フィルタを概略的に示し、
図６ａ及び図６ｂは、本発明の実施の形態における線量を変化させる方法を示し、
図７ａ及び図７ｂは、測定されたマスク複屈折に基づくＣＤばらつき図モデルを示している。
【０００９】
図１は、発明の実施の形態におけるリソグラフィ装置を概略的に示している。同装置は、放射線（例えば、ＵＶ放射線）ビームＢを形成するように構成された照射システム（照射器）ＩＬと、パターン形成装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、パターン形成装置を投影システム（「レンズ」）ＰＳに対して正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに連結された第１の支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを備えている。装置は、基板（例えば、レジストで被覆されたウエハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、投影システム（「レンズ」）（ＰＳ）に対して基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴをさらに含み、投影システム（例えば、屈折性投影レンズ）ＰＳは、パターン形成装置ＭＡによって放射線ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又はそれ以上のダイを含む）上に結像するように構成されている。
【００１０】
ここに図示されるように、装置は、透過型（例えば、透過マスクを用いる）である。あるいは、装置は、反射型（例えば、上述のようなタイプのプログラム可能なミラーアレイを用いる）であってもよい。
【００１１】
照射器ＩＬは、放射線源ＳＯからの放射線ビームを受光する。放射線源が、例えばエキシマーレーザーである場合、放射線源とリソグラフィ装置とは別体であってもよい。このような場合、放射線源は、リソグラフィ装置の一部を形成するものとはみなされず、放射線ビームは、例えば、適切な導光ミラー及び／又はビーム拡大器を含むビーム搬送システムＢＤによって放射線源ＳＯから照射器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば、放射線源が水銀ランプである場合には、放射線源は、装置の一体部分であってもよい。ビーム搬送システムＢＤ（必要な場合）とあわせて、放射線源ＳＯ及び照射器ＩＬを放射線システムと呼んでもよい。
【００１２】
照射器ＩＬは、放射線ビームＢを調整する。照射器ＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ＡＤを含んでいてもよい。一般に、照射器の瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径方向範囲（それぞれ、一般に、シグマ−アウタ（σ-outer）及びシグマ−インナ（σ-inner）と呼ばれる）は調節が可能である。さらに、照射器ＩＬは、一般に、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他の部品を含む。照射器は、その断面に所望の均一性及び強度分布を有する、放射線ビームＢと呼ばれる調整された放射線ビームを生成する。
【００１３】
放射線ビームＢは、マスクテーブルＭＴ上に保持されるマスクＭＡに入射する。マスクＭＡを通った後、放射線ビームＢは、投影システム（「レンズ」）ＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束させる。第２の位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計装置）により、例えば、ビームＢの経路中に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴを正確に移動させることができる。同様に、例えば、マスクライブラリからの機械的検索の後に、又は走査中に、第１の位置決め装置ＰＭ及び別の位置センサ（図１において明示的には図示せず）を用いて、ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、物体テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め）及び短行程モジュール（精密な位置決め）によって実現され、これらは、位置決め装置ＰＭ及びＰＷの一部を形成している。しかし、ステッパの場合には（スキャナとは異なり）、マスクテーブルＭＴは、短行程アクチュエータのみに連結されていてもよく、又は固定されていてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメント・マークＰ１、Ｐ２を用いて整列させてもよい。
【００１４】
図示される装置は、以下のモードで使用することができる。
【００１５】
ステップモード：放射線ビームに付与されたパターン全体が一度に目標部分Ｃに投影される間、マスクテーブルすなわちパターン支持体ＭＴ及び基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴは、実質的に静止状態に維持される（すなわち、１回の静的な露光）。その後、基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴは、異なる目標部分Ｃが露光されるように、Ｘ及び／又はＹ方向にずらされる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光において結像される目標部分Ｃの寸法が制限される。
【００１６】
走査モード：放射線ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃ上に投影される間、マスクテーブルすなわちパターン支持体ＭＴ及び基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴは、同期して走査される（すなわち、１回の動的な露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴの速度及び方向は、投影装置ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性によって決まる。走査モードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的な露光における目標部分の（非走査方向の）幅が制限され、一方、走査運動の長さによって、目標部分の（走査方向の）高さが決まる。
【００１７】
別のモード：マスクテーブルすなわちパターン支持体ＭＴは、プログラム可能なパターン形成装置を保持して本質的に静止状態に維持され、基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴは、放射線ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃ上に投影される間、移動されるかあるいは走査される。このモードにおいては、一般に、パルス放射線源が使用され、プログラム可能なパターン形成装置は、基板テーブルすなわち基板支持体ＷＴの各移動の後で、又は走査中の連続放射線パルスの間で必要に応じて更新される。この動作モードは、例えば、上記のようなタイプのプログラム可能なミラーアレイなどのプログラム可能なパターン形成装置を使用する、マスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００１８】
上記使用モードを組み合わせても、及び／又は、変更してもよく、あるいは、全く別の使用モードを用いてもよい。
【００１９】
図２は、結像における限界寸法誤差の一部の要因の概略図である。図２から分かるように、理想線量分布１０は完全に平坦であり、ウエハの領域全体にわたって均一な線量を示している。実際には、線量は、線量分布１２と同様に、一般に、ある程度のばらつきを有し、不均一である。線量における局所的な減少１２ａは、受光線量が少ないウエハ領域部分を表している。図２に示される図は、Ｘ方向において作成されたものとし、Ｚは垂直方向であり、Ｙは走査方向であり、Ｘは走査方向に垂直である。方向Ｘのみが図の中で示されている。
【００２０】
マスク１４は、多数の特徴１６ａ〜ｄを含む。これらマスクの特徴のそれぞれがレジスト層１８上に結像され、これにより、ライン２０によって概略的に示されるようにレジストが露光される。２０ａにおいては、特徴１６ａが結像される。線量が適正かつ均一であるため、また、他の誤差要因が存在しないため、特徴１６ａは、２０ａにおいて正しく結像される。特徴が正確に結像されるため、誤差ΔＣＤは存在せず、特徴は限界寸法に等しい。同様に、特徴１６ｄが２０ｄにおいて正しく結像され、その幅は限界寸法に等しい。
【００２１】
上記のように、局所的な線量勾配１２ａが存在し、それは、特徴１６ｂの位置にある。従って、１６ｂが結像される２０ｂにおいては、限界寸法における誤差であるΔＣＤが存在する。この場合、線量における変動による作用以外に結像に対する作用は存在しないと考えられる。このような場合、線量は、ウエハ及びマスクのＸ位置及びＹ位置の関数として測定することができる。従って、このような誤差を補正するために、線量変動をマッピングしてもよく、また、構造１６ｂをウエハ上に適切に結像するために、線量分布に対して補正を行なってもよい。
【００２２】
次に、特徴１６ｃについては、放射線源において線量における明らかな誤差は存在しない。すなわち、ライン１２は、特徴１６ｃが照射される点において局所的に均一である。しかし、２０ｃは変動ΔＣＤを示している。この場合、１６ｂ、２０ｂにおける誤差のような線量（Ｘ,Ｙ）とは無関係の誤差が存在すると考えられる。これは、特に、照射光が強い偏光成分を有する場合、上述したように、例えば、マスク１４の固有の複屈折によって生じ得る。一方、結像システム（図２では図示せず）の１つ又はそれ以上の部品における複屈折によっても生じ得る。この種の誤差の補正は、例えば、破線１２ｃで示されるような局所的な線量補正によって実現され得る。
【００２３】
図３において、線量が適切であるにもかかわらずＣＤ誤差を生じさせ得る別の結像作用が示されている。図３は、瞳面において一定した線量３０を有するシステムを示している。但し、この場合の照射分布は、２つの極の間に強度差を有する双極型であるとする。このような不平衡な極に対しては、特徴３２ａ〜ｃの像３４は、３４ａ〜ｃにおいて示されるような鋸歯形状を呈する傾向がある。その他が全て等しいと仮定した場合、特徴３４ａ〜ｃのそれぞれに対する結像寸法は、等しい誤差ΔＣＤを有することになる。すなわち、等しい特徴３２ａ〜ｃに対しては、各鋸歯状の像３４ａ〜ｃは、その所望の幅に対して誤差が実質的に同じである幅を有することになる。また、各結像された特徴の中心線は、その意図した目標からずれることになり、潜在的な重ね合わせ誤差が生じる。
【００２４】
このような誤差に対する１つの解決策は、２つの極のより強い方の極からのエネルギーを減衰させる構造を採用することである。本発明の実施の形態によれば、このような減衰は、例えば、システムの光学素子を偏心させることによって実現することができる。特に、照射分布をよりよく均衡させるために、照射システムの光学素子を偏心させることができる。理解されるように、同様の作用によって、４つの極が正確に均衡されていない四重極型の照射パターンが生じ得る。同様に、上記の考え方は、他の照射パターンに拡大して適用され得る。
【００２５】
光学素子の偏心は、レンズ素子のＸＹ操作、すなわち、１つ又はそれ以上の素子をその中心位置から物理的に移動させることによって、あるいは１つ又はそれ以上の素子を傾斜させることによって行なうことができる。理解されるように、このような操作は、屈折型及び反射型光学システムにも等しく適用される。
【００２６】
所与の機械又は所与の処理に対して、線量図及び／又は偏光図を用意してもよい。このような図は、局所的な照射強度変動に関して上記に説明した偏心方法、又は偏光によって生じるＣＤ変動に関して上記に説明した線量制御手法を含む補正アルゴリズムの基礎として用いられてもよい。
【００２７】
レチクルの複屈折が問題となる場合には、そのレチクルを用いる処理のためのリソグラフィ装置を制御するための方法の一部として格納される、レチクル複屈折図を作成してもよい。レジストに結像される実際の構造を、このような方法を実現するために測定してもよい。あるいは、瞳マッピングセンサを用いるシステムに対しては、瞳における照射分布を、リアルタイムであるいはシステム及び処理の予備的な特性解析として直接測定してもよい。
【００２８】
図４は、偏心と局所的フィルタリングとの組み合わせを用いて照射ビームにおける強度の局所的変動を補正するための１つの技術を示している。図４において、２つの極４０、４２は、照射フィールド４３において、最初は等しくなく、極４２が若干大きい強度を有している。光学素子（破線４４によって概略的に図示）の偏心は、極４２、４４の内側半径に影響を及ぼすために用いられる。フィールド４３の外側半径周囲に配置された多数のスポーク４６は、照射光を減衰させるために、このフィールドの内外へ移動可能である。スポークは、例えば、完全に又は部分的に不透明であってもよい。図４に示されるように、右側の多数のスポーク４６は視野面（a field plane）に挿入され、極４２の強度を減少させる。このフィルタリングは、照射システムの瞳面において物理的に行なわれてもよく、あるいは、当該面と光学的に共役である平面、もしくは、かかる平面の少なくとも付近において行なわれてもよい。
【００２９】
図５は、一連の指部６０で構成される制御可能なフィルタの実施の形態を示している。指部６０は、それぞれＹ方向において制御可能であり、照射放射線に対して１００％未満の透過率を有する。指部６０のＹ位置を走査領域６２に対して変化させることにより、光量を調節して光を通過させ、結像を実現することができる。その結果、Ｘの関数としての線量を制御することができる。また、走査中に指部の位置が動的に制御される場合は、Ｙにおける線量も制御することができる。走査領域の各縁部に指部６０を設けること、すなわち、走査軸を中心として図６を鏡映することにより、上記領域の両縁部を別々に制御することができる。
【００３０】
別の実施の形態においては、走査スリットの幅を様々にしてもよい。明らかなように、このような結果を得るために、走査領域のいずれもの縁部に設置された一対の組の指部を用いてもよい。同様に、同じ目的のために、スリット・マスキングブレードを使用してもよい。図６ａ及び図６ｂに示されるように、走査中に照射される走査領域の幅を動的に変化させることにより、Ｙの関数としての線量制御が可能となる。３つのＹ位置例に関して、図６ｂに示されるスリット幅７０ａ〜ｃは、図６ａに示される線量６５ａ〜ｃをそれぞれもたらす。特に、７０ｃにおいてスリットの幅がより広い場合、対応する線量６５ｃはより大きくなる。
【００３１】
図７ａ及び図７ｂは、測定されたマスク複屈折に基づくＣＤばらつき図モデルを示している。図７ａにおいてはマスクの複屈折が示され、図７ｂにおいてはＸ及びＹにおけるＣＤばらつき図が示されている。理解されるように、ＣＤばらつきはサドル状であり、（＋，−）四半分（quadrant）及び（−，＋）四半分は限界寸法の減少を示し、（−，−）四半分及び（＋、＋）四半分は増加を示している。偏光がやや楕円状である場合、楕円偏光の左右像（handedness）（右旋円形（right handed circular）又は左旋円形（left handed circular））を操作することにより、別の解決方法（solution）を実現することが可能となる。マスクの正のＸ部分に対する左右像を逆にすることにより、サドルは傾斜した平面により近くなる。このような傾斜したＣＤばらつきは、既知の方法を用いて補正することができる。
【００３２】
本明細書においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及したが、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は、集積光学システム、導波路、磁気領域メモリ用の検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などのその他の用途にも使用できることが理解される。当業者であれば、このような別の用途に関連して、本明細書における「ウエハ」又は「ダイ」などの用語の任意の使用は、それぞれより一般的な用語「基板」又は「目標部分」と同義語であることが理解される。本明細書でいう基板は、例えば、トラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光したレジストを現像するツール）、測定ツール又は検査ツールにおいて、露光前又は後で処理することができる。適切な場合には、本明細書の開示は、このような基板処理ツール及びその他の基板処理ツールに適用され得る。さらに、基板は、例えば、多層ＩＣを形成するために２回以上処理することができるので、本明細書で用いられる基板という用語は、多数の処理層をあらかじめ含む基板を指す場合もある。
【００３３】
本明細書で用いられる「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長を有する）、極紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及び、イオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射線を含む。
【００３４】
本明細書で用いられる「パターン形成装置」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成するために、投影ビームの断面にパターンを付与するために使用することができる装置を指すものとして広義に解釈される。尚、放射線ビームに付与されたパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しなくてもよい。一般に、放射線ビームに付与されたパターンは、装置における目標部分に形成される、集積回路といった特定の機能層に対応する。
【００３５】
パターン形成装置は、透過性のものであっても、反射性のものであってもよい。パターン形成装置の例としては、マスク、プログラム可能なミラーアレイ及びプログラム可能なＬＣＤパネル等がある。マスクは、リソグラフィにおいては周知であり、２進、交互位相シフト及び減衰位相シフト、並びに、種々のハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラム可能なミラーアレイの一例は、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれを個々に傾斜させることができる小型ミラーのマトリクス配列を使用し、このようにして、反射されたビームのパターンが形成される。パターン形成装置の各例において、支持構造は、例えば、フレーム又はテーブルであってもよく、これらは、必要に応じて固定されるか移動可能であってもよく、また、例えば、パターン形成装置が投影システムに対して所望の位置に配置されることを確実にすることができる。本明細書において用いられる場合、「レチクル」又は「マスク」という用語は、より一般的な用語である「パターン形成装置」と同義であると考えられる。
【００３６】
本明細書において用いられる「投影システム」という用語は、例えば、使用される露光放射線又は浸漬液もしくは真空の利用などの他の要因に応じて、屈折光学システム、反射光学システム及び反射屈折光学システムを含む種々のタイプの投影光学システムを包含するよう広く解釈される。本明細書において使用される場合、「レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影システム」という用語と同義であると考えられる。
【００３７】
照射システムは、放射線ビームを導くか、整形するか、あるいは制御するための、屈折性、反射性及び反射屈折性の光学部品を含む種々のタイプの光学部品も包含し得る。このような部品は、以下において、総称して又は個々に「レンズ」と呼ばれる場合もある。
【００３８】
リソグラフィ装置は、２つ（二重ステージ）以上の基板テーブルすなわち基板支持体（及び／又は、２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプであってもよい。このような「多重ステージ」機械の場合には、さらなるテーブルを同時に使用してもよく、あるいは、１つ又はそれ以上のテーブルすなわち支持体上で準備ステップを実行しながら、１つ又はそれ以上の他のテーブルすなわち支持体を露光に使用してもよい。
【００３９】
上記リソグラフィ装置は、投影システムの最後の素子と基板との間の空間を充填するように、例えば水のような比較的屈折率の高い液体に基板を浸漬するタイプのものであってもよい。浸漬液は、リソグラフィ装置における他のスペース、例えば、マスクと投影システムの最初の素子との間に用いられてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させる技術として周知である。
【００４０】
本発明を一部の図示される実施の形態を参照しながら説明したが、本明細書において用いられる文言は、限定文言ではなく、説明文言である。本発明の範囲及び精神からその局面において逸脱することなく、対応する請求項の範囲内で変更を加えることができる。本発明を、特定の構造、作用及び材料に言及しながら、本明細書において説明したが、本発明は、開示された特定事項に限定されるものではなく、様々な態様で実施が可能であり、これらの一部は、開示された実施の形態の態様とは全く異なる場合があり、本発明は、対応する請求項の範囲内に含まれるような等価な構造、作用及び材料の全てに拡大して適用される。
【００４１】
例えば、本発明の実施の形態は、本明細書に記載される装置を実施し、及び／又は本明細書に記載の方法を実行するように構成された論理素子（例えば、マイクロプロセッサ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ又は同様の装置）の１つ又はそれ以上のアレイを有する回路も含む。本発明の実施の形態は、このような方法（又はその一部）を実行するための機械で実行可能な１つ又はそれ以上の組（例えば、シーケンス）の命令を格納するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ（揮発性又は不揮発性ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＲＯＭ、ＰＲＯＭ、フラッシュＲＡＭ等）、磁気ディスクや光ディスク等）をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態におけるリソグラフィ装置を示す図
【図２】本発明の実施の形態のリソグラフィシステムにおける限界寸法誤差の一部の要因を概略的に示す図
【図３】本発明の実施の形態のリソグラフィシステムにおける別のタイプの限界寸法誤差を概略的に示す図
【図４】本発明の実施の形態における照射分布の不均衡を補正するための動的フィルタを概略的に示す図
【図５】本発明の実施の形態における照射分布の不均衡を補正するための別の動的フィルタを概略的に示す図
【図６】図６ａ及び図６ｂは、本発明の実施の形態における線量を変化させる方法を示す図
【図７】図７ａ及び図７ｂは、測定されたマスク複屈折に基づくＣＤばらつき図モデルを示す図
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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