(57)【要約】マイクロ電子撮像デバイス、及び透過要素を取り付けるための関連する方法を開示する。本発明の一実施形態に従う製造方法は、目的の周波数に渡ってエネルギーを検知するために構成された多数の画像センサダイを有するイメージャワークピースを設置するステップを含む。画像センサダイは、画像センサ、及び画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを含むことが出来る。当該方法は、更に、イメージャワークピースを介して画像センサダイが互いに接続されている間にレンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めするステップを含むことが出来る。少なくとも一つの透過要素は、スタンドオフに少なくとも近接するワークピースに取り付けられることが出来るので、レンズデバイスは、対応する画像センサと少なくとも一つの透過要素との間に位置決めされる。従って、画像センサダイが接続されている間、少なくとも一つの透過要素は、画像センサを保護することが出来る。続くプロセスにおいて、画像センサダイは互いから分離されることが出来る。【選択図】図２Ｂ
2009507377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造する方法であって：
目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された多数の画像センサダイを有するイメージャワークピースを提供するステップであって、前記画像センサダイが、画像センサ及び前記画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを有する、ステップと；
前記画像センサダイが前記イメージャワークピースを介して互いに接続されている間に前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めするステップと；
前記レンズデバイスが前記画像センサと少なくとも一つの透過要素との間に位置決めされるように、前記スタンドオフに少なくとも近接した前記ワークピースに前記少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップであって、前記少なくとも一つの透過要素は、前記目的の周波数範囲の少なくとも一部に渡って透過性である、ステップと；
前記画像センサダイを互いに分離するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップは、多数の透過要素を取り付けるステップであって、各透過要素は、対応する画像センサダイに隣接して位置決めされるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップは、多数の画像センサダイへエネルギーを伝達するように位置決めされた単一の透過要素を取り付けるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
スタンドオフを位置決めする前記ステップは：
前記レンズデバイスに隣接して取り外し可能なカバー材料の部分を配置するステップと；
モールド内に前記イメージャワークピースを位置決めするステップと；
前記モールドへ及びカバー材料の前記部分間の領域へ流動性モールド材料を導入することによって前記スタンドオフを形成するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記イメージャワークピースは、第１の表面及び前記第１の表面にほぼ対向する第２の表面を含み、前記画像センサは、前記第１の表面に近接して位置決めされ、当該方法は、更に：
前記イメージャワークピースの前記第２の表面から材料を除去し、前記イメージャワークピースの厚みを減少するステップと；
前記第２の表面から材料を除去した後にカバー材料の前記部分を除去するステップと、を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
スタンドオフを位置決めする前記ステップは：
モールド内に前記イメージャワークピースを位置決めするステップであって、前記モールドのカバー部分は、前記レンズデバイスに隣接して位置決めされるステップと；
前記モールドへ及び前記モールドの前記カバー部同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによって前記スタンドオフを形成する一方で、前記モールドの前記カバー部によって前記モールド材料と前記レンズデバイスとの間の接触を少なくとも制限するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記イメージャワークピースは、第１の表面及び前記第１の表面の反対を向いている第
２の表面を含み、前記画像センサは、前記第１の表面に近接して位置決めされ、当該方法は、更に：
前記レンズデバイスに隣接して取り外し可能なカバー材料を載置するステップと；
前記カバー材料が前記レンズデバイスに隣接して位置決めされている間に前記イメージャワークピースの前記第２の表面から材料を除去するステップと；
前記カバー材料を除去するステップと；
前記カバー材料を除去した後に前記ワークピースに前記少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
更に：
前記ワークピースにおいて前記ワークピースの前記第１の表面から前記ワークピースの前記第２の表面の途中まで延出するブラインドホールを形成するステップと；
前記ブラインドホールに導体材料を配置するステップと；
前記画像センサの内の一つに前記導体材料を電気的に結合するステップと；
前記カバー材料が前記レンズデバイスに隣接して位置決めされている間に前記ワークピースの前記第２の表面から材料を除去して前記導体材料を露出するステップと；
前記カバー材料が前記レンズデバイスに隣接して位置決めされている間に前記露出された導体材料に導電性コネクタ要素を結合するステップと、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
スタンドオフを位置決めする前記ステップは、マスキングプロセスを使用してイメージャワークピース上にフォトレジスト材料を配置するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像センサは、少なくとも一つの暗電流ピクセルを含み、スタンドオフを位置決めする前記ステップは、前記暗電流ピクセルを被覆するように前記スタンドオフを位置決めするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
更に：
前記ワークピースにおいて前記ワークピースの前記第１の表面から前記ワークピースの前記第２の表面の途中まで延出するブラインドホールを形成するステップと；
前記ブラインドホールに導体材料を配置するステップと；
前記画像センサの内の一つに前記導体材料を電気的に結合するステップと；
前記ワークピースの前記第２の表面から材料を除去して前記導体材料を露出するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造する方法であって：
多数の画像センサダイを有するイメージャワークピースを提供するステップであって、前記画像センサダイは、目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された画像センサ及び前記画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを有する、ステップと；
モールドに前記イメージャワークピースを位置決めするステップであって、前記モールドのカバー部が前記レンズデバイスを遮蔽するステップと；
前記画像センサダイが前記イメージャワークピースを介して互いに接続されている間に前記モールドへ及び前記カバー部同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによってスタンドオフを形成する一方で、前記モールドの前記カバー部によって前記モールド材料と前記レンズデバイスとの間の接触を少なくとも制限するステップと；
前記レンズデバイスが、前記対応する画像センサと単一の透過要素との間に位置決めさ
れるように前記スタンドオフに隣接して前記単一の透過要素を取り付けるステップであって、前記単一の透過要素は、前記目的の周波数範囲の少なくとも一部に渡って透過性である、ステップと；
前記画像センサダイを互いから分離するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記画像センサダイを互いから分離する前記ステップは、前記単一の透過要素の部分を、第１のセンサダイに取り付けられた前記単一の透過要素の第１の部分と第２のセンサダイに取り付けられた前記単一の透過要素の第２の部分に分離するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記イメージャワークピースは、第１の表面及び前記第１の表面にほぼ対向する第２の表面を含み、前記画像センサは、前記第１の表面に近接して位置決めされ、当該方法は、更に、前記単一の透過要素を取り付ける前記ステップの後且つ前記ダイを互いから分離する前記ステップの前に、前記イメージャワークピースの前記第２の表面から材料を除去し、前記イメージャワークピースの厚みを減少するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記レンズデバイスを遮蔽するモールドのカバー部によって、モールドに前記イメージャワークピースを位置決めする前記ステップは、前記モールドの前記カバー部に取り外し可能に取り付けられたテープ層が前記レンズデバイスに接触するように前記ワークピースと前記モールドを互いに対して位置決めするステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記画像センサは、少なくとも一つの暗電流ピクセルを含み、スタンドオフを形成する前記ステップは、前記暗電流ピクセルを被覆するように前記スタンドオフを位置決めするステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
更に：
前記モールドから前記ワークピースを除去するステップと；
前記ワークピースが除去される時と前記単一透過部材が取り付けられる時との間に前記スタンドオフから離型材料を除去することなく前記単一透過要素を取り付けるステップと、
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造する方法であって：
多数の画像センサダイを有するイメージャワークピースを提供するステップであって、前記画像センサダイは、目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された画像センサ及び前記画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを有する、ステップと；
前記画像センサダイが前記イメージャワークピースを介して互いに接続されている間に、前記レンズデバイスが前記対応する画像センサと少なくとも一つの透過要素との間に位置決めされるように前記ワークピースに前記少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップであって、前記少なくとも一つの透過要素は、前記目的の周波数範囲の少なくとも一部に渡って透過性である、ステップと；
前記少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップの後に前記画像センサダイを互いから分離するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
更に、前記画像センサダイが前記イメージャワークピースを介して互いに接続されている間に前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めするステップを含み、前記
ワークピースに少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップは、前記スタンドオフに前記少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
スタンドオフを位置決めする前記ステップは：
前記レンズデバイスに隣接した取り外し可能なカバー材料の部分を配置するステップと；
モールド内に前記イメージャワークピースを位置決めするステップと；
前記モールドへ及びカバー材料の前記部分同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによって前記スタンドオフを形成するステップと、
を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
スタンドオフを位置決めする前記ステップは：
前記レンズデバイスに隣接して位置決めされたモールドのカバー材料によって、前記モールドに前記イメージャワークピースを位置決めするステップと；
前記モールドへ及び前記モールドのカバー材料の前記部分同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによって前記スタンドオフを形成する一方で、前記モールドの前記カバー部によって前記モールド材料と前記レンズデバイスとの間の接触を少なくとも制限するステップと、
を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップは、多数の透過要素に取り付けるステップであって、各透過要素は、対応する画像センサダイに隣接して位置決めされるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも一つの透過要素を取り付ける前記ステップは、多数の画像センサダイへエネルギーを伝達するように位置決めされた単一透過要素を取り付けるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記イメージャワークピースは、第１の表面及び前記第１の表面の反対を向いている第２の表面を含み、前記第１の表面に近接して位置決めされた画像センサを有し、当該方法は、更に：
前記レンズデバイスに隣接して取り外し可能なカバー材料を載置するステップと；
前記カバー材料が前記レンズデバイスに隣接して位置決めされている間に前記イメージャワークピースの前記第２の表面から材料を除去するステップと；
前記カバー材料を除去するステップと；
前記カバー材料を除去した後に前記ワークピースに前記少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップと、
を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造する方法であって：
目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された少なくとも一つの画像センサ及び前記画像センサに近接して位置決めされた少なくとも一つの対応するレンズデバイスを有するワークピースを設置するステップと；
前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めするステップと；
前記スタンドオフから離型材料を除去することなく前記スタンドオフへ少なくとも一つの透過要素を取り付けるステップと、
からなる、方法。
【請求項２６】
前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めする前記ステップは、モールド
内にワークピースを載置するステップと、前記モールドへモールド材料を射出して前記スタンドオフを形成するステップと、を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めする前記ステップは、取り外し可能なカバー材料を位置決めして前記レンズデバイスを遮蔽するステップと、モールドに前記ワークピースを載置するステップと、前記モールドへモールド材料を射出して前記スタンドオフを形成する一方で、前記カバー材料によって前記モールド材料と前記レンズデバイスとの間の接触を少なくとも制限するステップと、前記取り外し可能なカバー材料を除去するステップと、を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めする前記ステップは、モールドに前記ワークピースを載置し、前記モールドへモールド材料を射出して前記スタンドオフを形成する一方で、前記モールドの部分によって前記モールド材料との接触から前記レンズデバイスを遮蔽するステップを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
前記レンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めする前記ステップは、前記モールドの表面に取り付けられた取り外し可能なモールドテープを有するモールドに前記ワークピースを載置するステップと、前記取り外し可能なモールドテープに隣接する前記モールドへモールド材料を射出して前記スタンドオフを形成するステップと、を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
イメージャワークピースであって：
多数の画像センサダイを有する基板であって、前記画像センサダイは、目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された画像センサ、及び前記画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを有する、基板と；
前記イメージャワークピースに取り付けられた少なくとも一つの透過要素であって、前記レンズデバイスが前記対応する画像センサと前記少なくとも一つの透過要素との間に位置決めされるようにし、前記少なくとも一つの透過要素は、前記目的の周波数範囲の少なくとも一部に渡って透過性である、透過要素と、
を含む、ワークピース。
【請求項３１】
更に、前記レンズデバイスに隣接して位置決めされたスタンドオフを含み、前記少なくとも一つの透過要素は、前記スタンドオフに取り付けられる、請求項３０に記載のワークピース。
【請求項３２】
前記スタンドオフは、最初は流動的なモールド材料から形成される、請求項３１に記載のワークピース。
【請求項３３】
前記画像センサは、少なくとも一つの暗電流ピクセルを含み、前記スタンドオフの内の少なくとも一つは、前記暗電流ピクセルを被覆するように位置決めされる、請求項３１に記載のワークピース。
【請求項３４】
前記少なくとも一つの透過要素は、対応する画像センサダイに隣接して位置決めされた各透過要素を有する多数の透過要素を含む、請求項３０に記載のワークピース。
【請求項３５】
前記少なくとも一つの透過要素は、多数の画像センサダイに隣接して位置決めされた単一透過要素を含む、請求項３０に記載のワークピース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、マイクロ電子撮像デバイス、及びウエハレベルでスタンドオフを形成して透過要素を取り付けるための方法を含む、透過要素を取り付けるための関連する方法を対象とする。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電子イメージャは、デジタルカメラ、ピクチャ性能を有するワイヤレスデバイス、及び多くのその他の用途において使用される。例えば、携帯電話及び携帯情報端末（ＰＤＡ）は、ピクチャをキャプチャして送信するためのマイクロ電子イメージャを内蔵している。マイクロ電子イメージャの普及は、マイクロ電子イメージャが、より小さくなり、より高い画素数を有するより良い画像を生成するにつれて、着実に増大している。
【０００３】
マイクロ電子イメージャは、電荷結合素子（ＣＣＤ）システム、相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）システム、又はその他の固体システムを使用する画像センサを含む。ＣＣＤ画像センサは、デジタルカメラ及びその他の用途において広く使用されている。ＣＭＯＳ画像センサは、低製造コスト、高収率、及び小型であることが期待されるので、ＣＭＯＳ画像センサは、急速に非常な人気となりつつある。ＣＭＯＳ画像センサが、それらの利益を提供できるのは、ＣＭＯＳ画像センサが、半導体デバイスを製造するために開発された技術及び装置を使用して製造されるからである。従って、ＣＭＯＳ画像センサ、及びＣＣＤ画像センサは、“パッケージ化”されて、デリケートなコンポーネントを保護し、且つ外部電気的接触を提供する。
【０００４】
画像センサは、一般に、焦点面に配列されたピクセルのアレイを含む。各ピクセルは、光生成された電荷を蓄積するためのドープ領域を有するフォトゲート、フォトコンダクタ、又はフォトダイオードを含む受光素子である。マイクロレンズ及びカラーフィルタアレイは、一般に、イメージャピクセル上に載置される。マイクロレンズは、光を、各ピクセルの初期電荷蓄積領域上に集光する。光の光子は、マイクロレンズを通過した後且つ電荷蓄積領域上に衝突する前にカラーフィルタアレイ（ＣＦＡ）を通過することも出来る。従来の技術は、ポリマー塗膜を有する単一のマイクロレンズを使用し、ポリマー塗膜は、対応するピクセル上に四角又は円にパターニングされる。マイクロレンズは、製造中に加熱され、マイクロレンズは成形されて矯正される。マイクロレンズの使用は、大きな集光エリアから光を集光して、センサの小さな光感受性エリア上にその光を集光することによって、撮像デバイスの光感受性を著しく向上する。
【０００５】
画像センサの製造は、典型的に、マイクロレンズアレイがワークピース上に形成された後に行われる“後処理”ステップを含む。従って、これらの後処理ステップ中にマイクロレンズアレイを保護し、マイクロレンズアレイが、これらのステップ中に解放される粒子によって汚染されることを防止する必要がある。上述の製造課題を解決するための一つのアプローチは、基板に対して個別の画像センサダイを取り付け、対応するセンサアレイ上にテープを貼り、次に、モールディングプロセスを使用して、カバーガラスが搭載される“スタンドオフ”を形成することである。カバーガラスは、従って、続く処理ステップ中に画像センサを保護することが出来、センサパッケージの一部となる。
【０００６】
このアプローチの一つの欠点は、このアプローチがダイレベルで行われ、従って、ダイが対応するウエハ又はその他のより大きなワークピースから単独化（ｓｉｎｇｕｌａｔｅ）される前に発生する処理ステップ中にセンサアレイを保護することが出来ないことである。このアプローチのその他の欠点は、典型的には離型剤が使用されて、スタンドオフが
形成されるモールド装置からダイを外すことである。しかしながら、離型剤は、接着剤の接着を妨げる傾向があり、接着剤はカバーガラスを取り付けるのに必要である。従って、スタンドオフ表面は、典型的には、カバーガラスを取り付ける前に（例えばプラズマ法によって）洗浄されねばならない。この追加的な洗浄ステップは、ダイを製造するコストを増加し、製造スループットを減少する。
【発明の開示】
【０００７】
以下の開示は、イメージャワークピース及び複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造するための対応する方法のいくつかの実施形態を記述する。本発明の一態様に従って複数のマイクロ電子撮像ユニットを製造するための方法は、目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された多数の画像センサダイを有するイメージャワークピースを提供するステップを含み、画像センサダイは、画像センサ及び画像センサに近接して位置決めされた対応するレンズデバイスを有する。当該方法は、いくつかの実施形態において、更に、画像センサダイがイメージャワークピースを介して互いに接続されている間にレンズデバイスに隣接してスタンドオフを位置決めするステップを含むことが出来る。少なくとも１つの透過要素は、スタンドオフに少なくとも近接したワークピースに取り付けられることが出来、レンズデバイスが、画像センサと少なくとも１つの透過要素（transmissive element）との間に位置決めされるようにする。個別の画像センサダイは、次に、互いに分離されることが出来る。
【０００８】
本発明の特定の態様において、スタンドオフを位置決めするステップは、レンズデバイス上に取り外し可能なカバー材料の部分を配置するステップ、モールドにイメージャワークピースを位置決めするステップ、及び、モールドへ及びカバー材料の部分同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによってスタンドオフを形成するステップを含むことが出来る。本発明のその他の態様では、スタンドオフを位置決めするステップは、レンズデバイスに隣接して位置決めされたモールドのカバー部分によってモールドにイメージャワークピースを位置決めするステップを含むことが出来る。当該方法は、更に、モールドへ及びモールドのカバー部分同士間の領域へ流動性モールド材料を導入することによってスタンドオフを形成する一方で、モールドのカバー部分によってモールド材料とレンズデバイスとの間の接触を少なくとも制限するステップを含むことが出来る。
【０００９】
本発明のその他の態様に従うイメージャワークピースは、多数の画像センサダイを有する基板を含むことが出来る。画像センサダイは、目的の周波数範囲に渡ってエネルギーを検知するように構成された画像センサ、及び、画像センサに近接して位置決めされた対応する多数のレンズデバイスを有することが出来る。ワークピースは、更に、イメージャワークピースに取り付けられた少なくとも１つの透過要素を含むことが出来、レンズデバイスが、対応する画像センサと少なくとも１つの透過要素との間に位置決めされるようにする。少なくとも１つの透過要素は、目的の周波数範囲の少なくとも一部に渡って透過性であることが出来る。本発明の一態様では、少なくとも１つの透過要素は、多数の透過要素を含むことが出来、各透過要素は、対応する画像センサダイに隣接して位置決めされる。本発明のその他の態様は、少なくとも１つの透過要素が、多数の画像センサダイに隣接して位置決めされた単一の透過要素を含むことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明のいくつかの実施形態の具体的な詳細は、ＣＭＯＳ画像センサに準拠して以下に記述され、これらの実施形態の十分な理解を提供するが、その他の実施形態は、ＣＣＤ画像センサ又はその他の種類の固体撮像デバイスを使用することが出来る。公知でありその他の種類のマイクロ電子デバイスにしばしば関連する構造及び／又はプロセスを記述するいくつかの詳細は、簡潔にする目的で、以下の記述において説明されない。更に、以下の開示は、本発明の異なる態様のいくつかの実施形態を説明するが、本発明のいくつかのそ
の他の実施形態は、以下に記述される構成又はコンポーネントとは異なる構成又はコンポーネントを有することが出来る。従って、本発明は、追加的な要素を有するその他の実施形態、又は図１〜６Ｃを参照して以下に記述される要素の幾つかを有さないその他の実施形態を有してもよい。
【００１１】
図１Ａは、多数のダイ（例えば、イメージャダイ）１１０を持つワークピース１０２を例示する。ワークピース１０２は、ダイ１１０が位置決めされるウエハ１０１の形又はその他の基板であることが出来る。多くの処理ステップは、ダイ１１０が分離されるかあるいは単独化されて個別の撮像デバイスが形成される前に、ダイ１１０上で完了されることが出来る。このアプローチが、単独化されたダイ１１０上にステップを実行することよりもより効率的であることが出来るのは、ウエハ１０１が、一般に、単独化されたダイ１１０よりも取り扱いが簡単だからである。以下により詳細に検討されるように、ダイ１１０は、センシティブ且つ／又はデリケートな要素を含むことができ、従って、ウエハレベルの処理ステップ中にそれらの要素を保護することが有利となり得る。
【００１２】
図１Ｂは、本発明の実施形態に従って処理された後の、完成して単独化された撮像デバイス１００を説明する。撮像デバイス１００は、図１Ａを参照して上述されたワークピース１０２から単独化されたダイ１１０を含むことが出来る。ダイ１１０は、画像センサ１１２を含むことが出来、同様に、焦点面に配列されたピクセル１１３のアレイを含むことが出来る。例示の実施形態において、例えば、画像センサ１１２は、望ましいパターンに配列された複数のアクティブピクセル１１３ａ、及び、その他の場合は感知画像に起因し得るダイ１１０における無関係な信号を捕獲する画像センサ１１２の周辺部分に位置する少なくとも一つの暗電流ピクセル１１３ｂを含むことが出来る。他の実施の形態では、ピクセル１３の配置は、異なっていてもよい。
【００１３】
カラーフィルタアレイ（ＣＦＡ）１１４は、画像センサ１１２のアクティブピクセル１１３の上に形成される。ＣＦＡ１１４は、選択された色（例えば、赤、緑、又は青）に対応する光の波長が各ピクセル１１３へ移動することを可能にするように構成された個別のフィルタ又はフィルタ要素１１６を有する。例示の実施形態では、例えば、ＣＦＡ１１４は、ＲＧＢ色モデルに基づいており、対応するアクティブピクセル１１３ａ上に望ましいパターンに配列された赤フィルタ、緑フィルタ、及び青フィルタを含む。ＣＦＡ１１４は、更に、画像センサ１１２の周辺部分から外側へ延出する残留の青セクション１１８を含む。残留の青セクション１１８は、ダイ１１０内の様々なコンポーネントからの後方反射を防止するのを助ける。
【００１４】
撮像デバイス１００は、対応するピクセル１１３上にマイクロレンズアレイ１１５に配列された複数のマイクロレンズ１１７を更に含むことが出来る。マイクロレンズ１１７を使用して、個別のピクセル１１３の初期電荷蓄積領域上に光を集光する。スタンドオフ１４０は、マイクロレンズアレイ１１５に隣接して位置決めされ、透過要素１０３を支持する。透過要素１０３（ガラスを含むことが出来る）は、汚染からマイクロレンズアレイ１１５及びダイ１１０のその他の特徴を保護するように位置決めされる。レンズスタンドオフ１０４は、透過要素１０３に取り付けられて、デバイスレンズ１０５を支持することが出来る。デバイスレンズ１０５は、マイクロレンズアレイ１１５から選択された距離に位置決めされ、マイクロレンズアレイ１１５上に、最終的には画像センサ１１２上に、光を集光する。以下により詳細に検討するように、スタンドオフ１４０及び透過要素１０３は、ダイ１１０がワークピース１０２（図１Ａ）から単独化される前、且つ多くの処理ステップがダイ１１０上で完了される前に、ダイ１１０上に形成されることが出来る。従って、透過性要素１０３は、それら続く処理ステップ中に、ダイ１１０の、下にあるセンシティブな特徴を保護することが出来る。
【００１５】
図２Ａは、本発明の実施形態に従うイメージャデバイスを製造するためのプロセス２００を例示する。プロセス２００は、対応する画像センサ及びレンズデバイスを有する多数の画像センサダイを含むイメージャワークピースを提供するプロセス（プロセス部分２０１）を含むことが出来る。当該プロセスは、更に、ワークピースに少なくとも１つの透過要素を取り付け、ワークピースのレンズデバイスが、画像センサと透過要素又は複数の透過要素との間に位置決めされるようにするプロセス（プロセス部分２０２）を含むことが出来る。当該プロセスは、更に、透過要素又は複数の透過要素がワークピースに取り付けられた後で、画像センサダイを互いに分離又は単独化するプロセス（プロセス部分２０３）を含むことが出来る。従って、ワークピースによって運ばれるレンズデバイスは、単独化中、及び、任意で、ワークピースを裏面研削してワークピースに導体素子を取り付けるステップを含む（が限定ではない）その他のプロセス中、透過要素によって保護されることが出来る。
【００１６】
図２Ｂは、図２Ａを参照して上述されたプロセスの特定の実施形態の更なる詳細を例示する。特に、ワークピースに１つ以上の透過要素を取り付けるプロセス（プロセス部分２０２）は、透過要素を加える前にスタンドオフを形成するプロセス（プロセス部分２０５）を含むことが出来る。スタンドオフを形成するプロセスは、少なくとも２つの異なる方法の内の一つで達成されることが出来る。一つの方法は、取り外し可能なカバー材料によってワークピースのレンズデバイスを遮蔽するプロセス（プロセス部分２０６）、モールドにワークピースを載置するプロセス（プロセス部分２０７）、及びモールドにモールド材料を射出するプロセス（プロセス部分２０８）を含むことが出来る。モールド材料がワークピースに塗布された後、ワークピースがモールドから取り外される。ワークピースは、次に、裏面研削されることが出来、半田ボール又はその他の導体要素がワークピースの裏面に付着することが出来る（プロセス部分２１１）。これらのプロセスは、取り外し可能な材料が所定の位置にある間に行われることが出来る。プロセス部分２１２において、取り外し可能なカバー材料又は遮蔽材料が取り外されることが出来、プロセス２１３において、透過要素又は複数の透過要素がワークピースに加えられることが出来る。
【００１７】
ワークピースのレンズデバイスを遮蔽するためのその他の方法は、レンズデバイスを遮蔽するように位置決めされたモールドそれ自体の要素によってモールドにワークピースを載置するプロセスを含む（プロセス部分２０９）。従って、そのモールド要素は、プロセス部分２０６を参照して上述された取り外し可能な材料の代わりになることが出来る。例えば、プロセス部分２１０において、モールド材料がモールドに射出されてスタンドオフを形成する一方で、モールド要素がレンズデバイスを遮蔽し、モールド材料とレンズ要素間の接触を防止する（又は少なくとも制限する）。プロセス部分２１４において、１つ以上の透過要素は、ワークピースがモールドから取り外された後に、ワークピースに取り付けられる。一旦透過要素が所定の位置に置かれると、ワークピースは裏面研削されることが出来、半田ボール又はその他の導体要素がワークピースの裏面に付着することが出来る（プロセス部分２１５）。スタンドオフを形成し、１つ以上の透過要素を加え、ワークピースを（例えば、ワークピースを裏面研削し且つ／又はワークピースに導体要素を取り付けることによって）後処理した後、個別の画像センサダイは互いから分離されることが出来る（プロセス部分２０３）。
【００１８】
図３Ａ〜３Ｋは、ダイが互いに付着したままで（例えば、ウエハレベルで）イメージャダイを処理するための方法を例示する。図３Ａ〜３Ｋで例示されるプロセスは、取り外し可能なモールド材料、及びウエハレベルで多数のダイを被覆する単一の透過要素を使用する。その他の実施形態では、取り外し可能な材料は、モールドそれ自体の部分によって置き換えられることが出来、及び／又は、単一の透過要素は、それぞれがイメージャダイの内の一つの上に位置決めされた多数の透過要素によって置き換えられることが出来る。それらその他の実施形態の更なる詳細は、図４Ａ〜６Ｃを参照して以下に記述される。
【００１９】
図３Ａから開始すると、ワークピース１０２（その一部のみを図３Ａに示す）は多数のダイ１１０を含むことが出来、これらはまだ互いに付着している。各ダイ１１０は、第１の表面１０６、第２の表面１０７、及び画像センサ１１２に結合された集積回路１１１を有することが出来る。カラーフィルタアレイ１１４は、画像センサ１１２に隣接して位置決めされ、上述された方法と概して同様の方法によって入射をフィルタリングすることが出来る。画像センサ１１２は、アクティブピクセル１１３ａ及び暗電流ピクセル１１３ｂを含む多数のピクセル１１３を含むことが出来る。マイクロレンズアレイ１１５は、カラーフィルタアレイ１１４に隣接して位置決めされ、上述した方法と概して同様な方法によって入射を集光する多数のマイクロレンズ１１７を含む。各ダイ１１０は、更に、外部デバイスと電気的に通信するための相互接続構造３２０を含むことが出来る。各相互接続構造３２０は、集積回路１１１と電気的に結合された端子３２１を含むことが出来る。相互接続３２０は、ブラインドホール３２５及びベントホール３２４も含むことが出来る。ブラインドホール３２５は、導体材料３２６によって充填され、材料が第２の表面１０７から除去された後、第２の表面１０７を介して集積回路１１１への電気的アクセスを提供することが出来る。ベントホール３２４は、ブラインドホール３２５への導体材料３２６の容易な進入を可能にすることが出来る。
【００２０】
ワークピース１０２は、各ダイ１１０間に位置決めされたスクライブストリート３３０を更に含み、隣接するダイ１１０を互いから区別し、続く単独化プロセスのための手段を提供する。スクライブストリート３３０は、ウエハ貫通ベントホール３３３に接続され且つ充填材料３３２を充填されたスクライブストリートスロット３３１を含むことが出来る。充填材料３３２は、ワークピース１０２に追加的なプロセスを実行する前に、スクライブストリートスロット３３１の範囲内に配置された非導体材料を含むことが出来る。その他の実施形態では、スクライブストリートスロット３３１は、モールディングプロセス中に充填され、それは、図３Ｄを参照して以下により詳細に記述される。
【００２１】
図３Ｂに示すように、取り外し可能なカバー材料１４１は、ワークピース１０２の第１の表面１０６上を被覆することが出来る。取り外し可能なカバー材料１４１は、フォトレジスト又はその他の選択的に取り外し可能な物質を含むことが出来る。従って、カバー材料１４１の部分は、マスキングプロセス又はその他の適切なプロセスを使用して（図３Ｃに示すように）選択的に取り除かれることが出来、マイクロレンズアレイ１１５上にのみカバー材料１４１の残存部分を放置する。残存するカバー材料部分１４１は、続く処理ステップ中にマイクロレンズアレイ１１５を保護することが出来る。本実施形態の特定の態様において、残存のカバー材料部分１４１は、暗電流ピクセル１１３ｂを被覆せず、以下に記述するように、それらのピクセルがモールド材料によって被覆されることを可能にする。
【００２２】
次に図３Ｄを参照すると、ワークピース１０２は、モールド３５０の、下側モールド部３５２と上側モールド部３５１の間に位置決めされることが出来る。下側モールド部３５２は、下側モールドテープ３５４の取り外し可能な層を含むことが出来、上側モールド部３５１は、上側モールドテープ３５３の取り外し可能な層を含むことが出来る。下側モールドテープ３５４及び上側モールドテープ３５３は、モールド材料とモールド表面の間の直接的な接触を防止し、ワークピース１０２が、モールディングプロセス後に容易に取り除かれることを可能にすることが出来る。
【００２３】
モールディングプロセス中、モールド材料３５５は、モールド３５０に射出され、カバー材料１４１の部分同士間の領域を充填する。従って、モールド材料３５５は、隣接するダイ１１０のマイクロレンズアレイ１１５同士間にスタンドオフ１４０を形成することが出来る。スタンドオフ１４０は、暗電流ピクセル１１３ｂを被覆するように位置決めされ
ることが出来、それらのピクセルが通常の使用中に放射線を受けないようにする。もし隣接するダイ１１０間のスクライブストリートスロット３３１が充填材料によってあらかじめ充填されない場合、モールド材料３５５は、モールディングプロセス中にスクライブストリートスロット３３１を充填することが出来る。モールディングプロセスの後、上側モールド部３５１及び下側モールド部３５２は、互いから分離され、ワークピース１０２が取り除かれることを可能にする。
【００２４】
図３Ｅは、ワークピース１０２がモールド３５０から取り除かれて、裏面研削のために反転された後の、ワークピース１０２を例示する。裏面研削プロセス中、グラインダー３６０は、第２の表面１０７から選択された厚みの材料を取り除く。本実施形態の一態様では、選択された厚みは、相互接続構造３２０の端部３２７を露出することなく、スクライブストリート３３０の端部３３４を露出する厚みであることが出来る。
【００２５】
図３Ｆに示すように、エッチングプロセス又はその他の選択的除去プロセスを使用して、第２の表面１０７から更なる材料を取り除くことが出来、相互接続端部３２７は第２の表面１０７から突出するようにし、スクライブストリート端部３３４はより大きな距離だけ第２の表面１０７から突出するようにする。保護コーティング３６１（図３Ｇ）が、第２の表面１０７に塗布されて、相互接続端部３２７及びスクライブストリート端部３３４を被覆することが出来る。図３Ｈに示すように、保護コーティング３６１及びスクライブストリート３３０は、研削又はエッチングされることが出来、相互接続端部３２７が再び露出されるようにする。製造者は、次に、コネクタ３２２（例えば、半田ボール）を相互接続端部３２７に取り付け、各ダイ１１０の範囲内に位置する集積回路１１１との電気的通信を提供することが出来る。上述のプロセス（例えば、裏面研削プロセス及びコネクタ取り付けプロセス）中に、保護カバー材料１４１は、マイクロレンズアレイ１１５上の所定の位置に残存し、微粒子及び／又はその他の汚染物質が、マイクロレンズアレイ１１５と接触することを防止する。
【００２６】
図３Ｉは、カバー材料１４１が適切なプロセス（例えば、エッチングプロセス）を介して除去された後のワークピース１０２を例示する。カバー材料１４１が除去された後、スタンドオフ１４０は、各マイクロレンズアレイ１１５に隣接した位置に残存する。スタンドオフ１４０を形成するモールド材料は、図３Ｄを参照して上述されたテープ層３５３、３５４に当接したので、スタンドオフ１４０の露出表面は、離型剤によってコーティングされていない。従って、スタンドオフ１４０は、離型剤をスタンドオフ１４０から除去するという第１の要求がなく、透過材（例えば、カバーガラス）にいつでも取り付けられる。
【００２７】
図３Ｊは、取り付け要素３０８によってスタンドオフ１４０に取り付けられた透過要素１０３を例示する。取り付け要素３０８は、一実施形態において接着剤層を含むことが出来る。その他の実施形態では、透過要素１０３に隣接した各スタンドオフ１４０の表面は、軟化され、そうでなければ活性化され、モールド材料３５５それ自体が直接的に透過要素１０３に取り付くようにする。それらの実施形態のいずれにおいても、透過要素１０３がワークピース１０２に取り付けられた後、ダイシングホイール３６２又はその他の分離ツールが、スクライブストリート３３０に位置合わせされ、駆動されて、隣接するダイ１１０を互いに分離することが出来る。
【００２８】
図３Ｋは、透過要素１０３の単独化された部分を持ち、下にあるセンシティブな構造を保護するスタンドオフ１４０を有する単独化されたダイ１１０を例示する。この点で、ダイ１１０の側面３０９が処理されて、残留物（例えば、残留スクライブストリート物質）を取り除き、結果として生じるデバイス１００は、透過要素１０３に隣接してレンズスタンドオフ１０４及びデバイスレンズ１０５（両方とも図１Ｂに示される）を取り付けるこ
とによって完成されることが出来る。
【００２９】
図３Ａ〜３Ｋを参照して上述されるプロセスの実施形態の一つの特徴は、例えばウエハレベルで、ダイ１１０が対応するワークピース１０２に付着したまま、プロセスのいくつかのステップが多数のダイ１１０上で完了されることが出来ることである。これらのプロセスは、裏面研削プロセス及びコネクタ取り付けプロセスを含むことが出来るが、これらに限定はされない。これらのプロセス中、マイクロレンズアレイ１１５及び下にあるセンシティブなイメージャ構造は、取り外し可能なカバー材料１４１によって保護されることが出来る。従って、これらのプロセスは、マイクロレンズアレイ１１５及び下にある構造を損傷することなく完遂されることが出来る。加えて、モールドプロセスによって形成されるスタンドオフ１４０は、暗電流ピクセル１１３ｂを被覆するように位置決めされることが出来る。従って、分離ステップを採用してこれらのピクセルを被覆する必要はない。上述のプロセスの効果は、ダイレベルでというよりもむしろウエハレベルで前記プロセスを実行することが、より効果的で、従ってコスト効率が良いことである。その他の効果は、個別のダイ１１０よりも、ウエハの方が扱いやすく破損の影響を受けにくいことである。従って、ウエハレベルでこれらのプロセスを実行することによって、個別のダイ１１０を扱う必要があるステップの数を減少でき、言い換えると、これらのプロセスステップ中に損傷又は破壊されるダイ１１０の数を減少することが出来る。
【００３０】
上述のモールドプロセスを使用することのその他の効果は、各スタンドオフ１４０の高さが、モールディングプロセス中に、モールド３５０の製造、及び上側及び下側モールド部３５１，３５２の相対空間を制御することによって正確に制御されることが出来ることである。結果として、マイクロレンズアレイ１１５に対するデバイスレンズ１０５の位置も、正確に制御されることが出来、放射線がマイクロレンズアレイ１１５上に正確に集光されることを確実にすることが出来る。このプロセスを使用して、マイクロレンズアレイ１１５と透過要素１０３の間の距離が、閾値を越えることを確実にすることも出来る。従って、透過要素１０３の表面上の（存在するはずの）汚染物質が、焦点がずれた及び／又はぼやけた影を創出する傾向がある。そのような汚染物質のピクセル１１３に対する影響は、従って、減少されることが出来る。
【００３１】
上述のプロセスの実施形態のその他の特徴は、前記プロセスが、離型剤の使用なしに成形されたスタンドオフを形成するステップを含むことが出来ることである。代わりに、剥がせるテープ（内側を向く非粘着表面を有する）の層が、モールドに装着され、モールドとモールド材料の間の接着を防止することが出来る。この配置の効果は、この配置が、スタンドオフへ透過要素（一つまたは複数）を接着する前にスタンドオフを洗浄するステップを取り除くことが出来ることである。従って、このアプローチは、このアプローチがウエハレベルで実行されようと個別のダイ上で実行されようと、処理時間を減少してスループットを増加することが出来る。
【００３２】
図４Ａ〜４Ｃは、図３Ａ〜３Ｋを参照して上述されたプロセスと概して同様なプロセスを例示するが、多数のダイを被覆する単一の透過要素よりもむしろ多数の透過要素（例えば、各ダイにつき一つ）を配置するステップを含む。簡潔にする目的で、図３Ａ〜３Ｋを参照して上述されたステップの多くは、以下の検討において繰り返されない。図４Ａから開始すると、ワークピース１０２は、下側モールドテープ４５４を持つ下側モールド部４５２及び上側モールドテープ４５３を持つ上側モールド部４５１を有するモールド４５０に位置決めされることが出来る。上側モールド部４５１は、モールドカットアウト４５６を含むことが出来、真空プロセスを使用して、上側モールドテープ４５３を上側モールド４５１の輪郭に一致させることが出来る。モールド材料３５５が、カバー材料１４１の隣接部間のモールド４５０に射出されると、モールド材料３５５は、モールドカットアウト４５６に及んで充填し、対応して成型されたスタンドオフ４４０を形成する。
【００３３】
図４Ｂは、（ａ）ワークピース１０２がモールド４５０から除去され、（ｂ）第２の表面１０７が研削され、（ｃ）コネクタ３２２が取り付けられ、且つ（ｄ）カバー材料部１４１が除去された後の、ワークピース１０２を例示する。各スタンドオフ４４０は、ダイ１１０のたった一つにのみ隣接して位置決めされる対応する透過要素を受け入れる大きさの凹部４４２を含む。
【００３４】
図４Ｃは、透過要素４０３がスタンドオフ４４０に取り付けられた後、且つダイ１１０がワークピース１０２（図４Ｂ）から単独化された後の、ダイ１１０の内の一つを例示する。透過要素４０３は、上述した接着プロセスのいずれかを使用して対応するスタンドオフ４４０に取り付けられることが出来る。
【００３５】
図５Ａ〜５Ｃは、取り外し可能なカバー材料１４１の使用なしに、ワークピース１０２を加工してマイクロレンズアレイ１１５を保護するための方法を例示する。代わりに、モールドそれ自体が、マイクロレンズアレイ１１５の保護を提供することが出来る。図５Ａから開始すると、モールド５５０は、空洞５５７及び中間の突起５５８を有する上側モールド部５５１、又は共形上側モールドテープ層５５３を持つカバー部分を含む事が出来る。上側モールド部５５１は、下側モールドテープ５５４の層を持つ下側モールド部５５２に隣接して位置決めされることが出来る。ワークピース１０２が、上側モールド部５５１と下側モールド部５５２の間に位置決めされると、２つのモールド部は、突起５５８（及び突起５５８に支えられた上側モールドテープ層５５３）が下にあるマイクロレンズアレイ１１５に接触するまで、互いに近づけられることが出来る。モールド材料３５５は、次に、モールド５５０に射出され、空洞５５７を充填し、対応するスタンドオフ５４０を形成する。
【００３６】
図５Ｂは、ワークピース１０２がモールド５５０から除去された後の、スタンドオフ５４０を有する、ワークピース１０２を例示する。図５Ｃは、裏面研削、コネクタの取り付け、及び隣接するダイ１１０の単独化の前の、透過要素１０３がスタンドオフ５４０に取り付けられた後の、ワークピース１０２を例示する。これらのプロセスは、図３Ｅ〜３Ｊを参照して上述された方法と概して同様な方法で完遂されることが出来る。
【００３７】
図６Ａ〜６Ｃは、図５Ａ〜５Ｃを参照して上述されたプロセスと概して同様であるが各ダイ１１０に個別の透過要素１０３を装着するように構成されたプロセスを例示する。図６Ａから開始すると、ワークピース１０２は、モールドカットアウト６５６を有する上側モールド部６５１を含む適切なモールド６５０に位置決めされることが出来る。上側モールド部６５１は、下側モールド部６５２に隣接して位置決めされ、それらの間に位置決めされた基板１０２を有する。モールド化合物３５５がモールド６５０に射出されてスタンドオフ６４０を形成し、各スタンドオフ６４０は凹部６４２（図６Ｂ）を有する。従って、図６Ｃに示すように、スタンドオフ６４０は、各イメージャダイ１１０につき個別の透過要素６０３を支持することが出来る。
【００３８】
図５Ａ〜６Ｃを参照して上述された先行のプロセスの実施形態の一つの特徴は、前記実施形態は、プロセスを保護するために成型されたモールドを含むことが出来、取り外し可能なカバー材料によってワークピースのコーティング部を含む必要がないことである。この配置の効果は、この配置が、スタンドオフの形成に関連したステップの数を減少することが出来ることである。
【００３９】
上述から、本発明の具体的な実施形態は、例示の目的でここに記述されていること、しかし本発明から逸脱することなく様々な改良がなされてもよいことが、理解される。例えば、具体的な実施形態との関連で記述された本発明の態様は、その他の実施形態において
組み合わされ又は取り除かれてもよい。更に、本発明のある実施形態に関連する利点が、それらの実施形態との関連で記述されているが、その他の実施形態もそのような効果を示してもよく、全ての実施形態が必ずしもそのような本発明の範囲内に含まれる効果を示す必要はない。上述されたプロセスのいくつかに関連する様々な特徴（例えば、相互接続構造の形成）は、本出願の出願人に譲渡されたその他の係属中の出願においてより詳細に記述される。これらの出願は、２００５年２月１０日に出願された米国出願Ｎｏ．１１／０５６，２１１及び２００５年９月１日に出願された米国出願Ｎｏ．１１／２１７，８７７（代理人整理番号Ｎｏ．１０８２９．８８０６ＵＳ）を含み、その両方が、参照によってそれらの全体において本明細書の一部として組み込まれる。従って、本発明は、添付の請求項による場合を除き限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１Ａ】本発明の実施形態に従って処理されて分離され得る多数のダイを有するワークピースを例示する。
【図１Ｂ】図１Ａに示すワークピースから単独化されたダイを含むイメージャデバイスを例示する。
【図２Ａ】本発明の実施形態に従うワークピースを処理するための方法を例示するフロー図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に従うワークピースを処理するための方法を例示するフロー図である。
【図３Ａ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｂ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｃ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｄ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｅ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｆ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｇ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｈ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｉ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｊ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図３Ｋ】保護用取り外し可能カバー材料及び単一の透過要素を介してウエハレベルでイメージャデバイスを形成するためのプロセスを例示する。
【図４Ａ】本発明のその他の実施形態に従う多数の透過要素及び保護用取り外し可能カバー材料を使用するイメージャデバイスを形成するための方法を例示する。
【図４Ｂ】本発明のその他の実施形態に従う多数の透過要素及び保護用取り外し可能カバー材料を使用するイメージャデバイスを形成するための方法を例示する。
【図４Ｃ】本発明のその他の実施形態に従う多数の透過要素及び保護用取り外し可能カバー材料を使用するイメージャデバイスを形成するための方法を例示する。
【図５Ａ】本発明のその他の実施形態に従って、モールドによってイメージャウエハのセンシティブな部分を保護し、多数のダイに単一の透過要素を装着するための方法を説明する。
【図５Ｂ】本発明のその他の実施形態に従って、モールドによってイメージャウエハのセンシティブな部分を保護し、多数のダイに単一の透過要素を装着するための方法を説明する。
【図５Ｃ】本発明のその他の実施形態に従って、モールドによってイメージャウエハのセンシティブな部分を保護し、多数のダイに単一の透過要素を装着するための方法を説明する。
【図６Ａ】本発明の更にその他の実施形態に従って多数の透過要素を使用するモールドを有するイメージャウエハのセンシティブな部分を保護するための方法を例示する。
【図６Ｂ】本発明の更にその他の実施形態に従って多数の透過要素を使用するモールドを有するイメージャウエハのセンシティブな部分を保護するための方法を例示する。
【図６Ｃ】本発明の更にその他の実施形態に従って多数の透過要素を使用するモールドを有するイメージャウエハのセンシティブな部分を保護するための方法を例示する。
【図１Ａ】
2009507377.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
2009507377.tif 000005
【図２Ｂ】
2009507377.tif 000006
【図３Ａ】
2009507377.tif 000007
【図３Ｂ】
2009507377.tif 000008
【図３Ｃ】
2009507377.tif 000009
【図３Ｄ】
2009507377.tif 000010
【図３Ｅ】
2009507377.tif 000011
【図３Ｆ】
2009507377.tif 000012
【図３Ｇ】
2009507377.tif 000013
【図３Ｈ】
2009507377.tif 000014
【図３Ｉ】
2009507377.tif 000015
【図３Ｊ】
2009507377.tif 000016
【図３Ｋ】
2009507377.tif 000017
【図４Ａ】
2009507377.tif 000018
【図４Ｂ】
2009507377.tif 000019
【図４Ｃ】
2009507377.tif 000020
【図５Ａ】
2009507377.tif 000021
【図５Ｂ】
2009507377.tif 000022
【図５Ｃ】
2009507377.tif 000023
【図６Ａ】
2009507377.tif 000024
【図６Ｂ】
2009507377.tif 000025
【図６Ｃ】
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【国際調査報告】
2009507377.tif 000027
2009507377.tif 000028
2009507377.tif 000029
2009507377.tif 000030
2009507377.tif 000031