(57)【要約】  カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物と第２固形物の粒子の結合混合物を含む。第１固形物は第１化合物を含有する。粒子混合物は、第１化合物の元素の固相変化相温度より高い、最小固相変化温度を示すことができる。粒子混合物は、第１化合物の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示すことができる。第１化合物は、一致溶融ライン化合物であり得る。結合混合物は、溶融領域または昇華ギャップ（ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ  ｇａｐ）を有していないことが可能である。粒子混合物は、３種またはそれ以上の元素を含むバルク配合を示すことができる。粒子混合物は、２種またはそれ以上のライン化合物を含むことができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項２】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項３】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項４】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１に記載の構成材料。
【請求項５】
第２固形物が、第１ライン化合物とは異なる一致溶融第２ライン化合物を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項６】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項７】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項８】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項９】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１に記載の構成材料。
【請求項１０】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は第１化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示し、
粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１１】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１２】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１３】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１４】
第２固形物が第２化合物を含み、粒子混合物が、第２化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示す、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１５】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１６】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１７】
第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有するスパッタリングターゲットブランクを含み、粒子混合物は溶融領域または昇華ギャップを有していない、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１、第２、および追加固形物は、それぞれ、異なる、一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加ライン化合物からなり、
粒子混合物は、少なくとも１種がＳ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１８】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される５種またはそれ以上の元素を含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項１９】
粒子混合物が、ライン化合物を含有しない別の固体の粒子をさらに含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項２０】
粒子混合物が、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示す、請求項１７に記載の構成材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルコゲナイド物理蒸着法構成材料に属する。
【背景技術】
【０００２】
４５ｎｍのノードを超える縮小メモリ技術は、ＣＭＯＳパラダイムの外に大きくシフトすることが必要である。Ｔｈｅ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｒｏａｄｍａｐ  Ｆｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：２００３−Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｄｅｖｉｃｅｓ（以下２００３ＩＴＲＳ）の２頁には、「高速および高密度の電気的にアクセス可能な不揮発性記憶装置の開発は、コンピュータアーキテクチャの革命を開始することになる」という記述がある。さまざまな技術が、さまざまな水準のリスクを伴って２００３ＩＴＲＳにおいて提案されている。相変化記憶装置は、よりリスクの少ない技術の１つとなる。
【０００３】
カルコゲナイド合金は、電気的にまたは光学的に活性化され得る相変化により、抵抗状態から導電状態に転移することが知られている種類の材料である。結晶相状態からアモルファス相状態への転移は、そのような相変化の一例となる。この転移特性は、次世代ＤＲＡＭ技術のための、６５から４５ナノメートルの線幅およびそれ以下の線幅へのスケーリングを可能にする。転移特性を示すカルコゲナイド合金は、ＩＵＰＡＣ周期表の１１〜１６族（それぞれ、ＩＢ、ＩＩＢ、ＩＩＩＡ、ＩＶＡ、ＶＡ、およびＶＩＡ族としても知られている）からの、２から６種類の元素の組合せを、しばしば含む。例には、ＧｅＳｅ、ＡｇＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、およびＡｇＩｎＳｂＴｅならびにその他の合金が含まれるが、そのようなリストは、元素の経験的な比率を示してはいない。
【０００４】
技術的に言えば、「カルコゲン」は、１６族のすべての元素、すなわち、酸素、硫黄、セレン、テルル、およびポロニウムを指す。したがって、「カルコゲナイド」は、１種または複数種のこれらの元素を含有する。しかし、酸素またはポロニウムを唯一のカルコゲンとして含有し、所望の転移を示すカルコゲナイド合金は、これまで確認されていない。したがって、相変化材料の文脈において、従来の技術は、別のカルコゲンを含有しない酸化物を除いて、Ｓ、Ｓｅ、および／またはＴｅを含有する化合物を指すために、「カルコゲナイド」を時々使用する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
カルコゲン化合物は、物理蒸着法（ＰＶＤ）のターゲットに製造されることができ、次には、シリコンウエハ上に相変化記憶装置材料の薄膜を蒸着するために使用され得る。薄膜を蒸着するいくつかの方法が存在し、これに限らないがスパッタリングを含むＰＶＤは、よりコストの低い、より簡単な蒸着法の１つとして存続しそうである。明らかにその場合は、カルコゲナイドＰＶＤターゲットを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊（ｒｉｇｉｄ  ｍａｓｓ）を含む。第１固形物は、一致溶融第１ライン化合物を含有し、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示す。粒子混合物は、Ｓ、ＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す。例として、バルク配合は、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択された３種またはそれ以上の元素を含むことができる。第２固形物は、第１ライン化合物とは異なる一致溶融第２ライン化合物を含むことができる。粒子混合物は、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化相温度より高い、最小固相変化温度を示すことができる。粒子混合物は、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示すことができる。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含む。第１固形物は、第１化合物を含有し、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示す。粒子混合物は、Ｓ、ＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素を含む、バルク配合を示す。また、粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。
【０００８】
本発明のさらに別の態様によれば、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有する、スパッタリングターゲットブランクを含む。粒子混合物は、溶融領域または昇華ギャップを有していない。第１、第２、および追加の固形物は、それぞれ、異なる、一致溶融第１、第２および１種または複数種の追加ライン化合物からなる。粒子混合物は、少なくとも１種が、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択された、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示す。粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。
【０００９】
本発明の好ましい実施形態は、以下の添付図を参照して、以下で記述される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
大抵のＰＶＤ工程において、唯一の重要な蒸着は、所望の材料を含有するターゲットから生じる。しかし、いくつかのＰＶＤ工程においては、蒸着装置の非ターゲット構成材料が、蒸着に大いに寄与することができ、したがって、ターゲットと同じ材料を含有する。本明細書の文脈においては、ＰＶＤ「構成材料」は、ターゲットおよびその他の非ターゲット構成材料を含むと定義される。同様に、「ＰＶＤ」は、スパッタリングおよび当業者に知られているその他の物理蒸着法を含むと定義される。
【００１１】
相変化記憶装置の研究には、２種またはそれ以上の合金元素を有する、特定の組成配合物の同定が含まれることが多い。不幸にも、カルコゲナイド合金ＰＶＤ構成材料を形成させる際には、組成を制御することは困難である。一般に、そのような合金は、固相と液相（溶融）または固相と気相（昇華）との間で、広い温度および／または圧力相変化領域を示す。処理には、元素間、例えばＡｇ／Ｓｅ間およびＧｅ／Ｓｅ間、の強力な発熱反応が含まれる可能性がある。処理には、固体から液体および／または気体への相変化が含まれる可能性がある。反応および／または相変化は、合金中の元素を分離させることができ、種々の組成物を含有する固体を作りだす。
【００１２】
分離を制御する従来の試みには、石英アンプル中で急速加熱および冷却を行って低融点元素の脱気を制御することが含まれる。このような試みは処理を複雑にし、いくつかの二元およびいくつかの三元化合物の形成において成功したのみである。当然のことながら、複雑な製造方法は、費用効率が高くない可能性があり、および／または既存の半導体製造工程フローおよび制御システム、特に４種またはそれ以上のカルコゲナイド合金元素を含むものと適合しない可能性がある。
【００１３】
研究される可能性のある別の製造技術には、液相エピタキシまたは化学蒸着法が含まれるが、これらの技術では、複雑な組成制御が必要なことおよびコスト効率が劣りそうなことを考慮すると、カルコゲナイド合金を蒸着するのは極めて困難である可能性がある。原子層蒸着は別の可能性を与えるが、そうした技術が比較的未完成であることを考慮すると、関心のあるすべての元素について、安定した、予測可能な前駆体が容易に使用できるようになるようには見えない。
【００１４】
カルコゲナイド合金薄膜のＰＶＤは、カルコゲナイド合金組成物を形成する、商業的に実施可能な数少ない方法の１つを与える。そうであっても、ＰＶＤ構成材料の製造は、それ自体の困難さを示す。関心のある分野には、固相および液相転移の間の分離、カルコゲナイド合金のいくつかの元素成分の有害な性質、およびカルコゲナイド合金構成材料ブランクと同じ処理装置において製造される、従来のＰＶＤ構成材料ブランクを汚染するリスクが含まれる。加えて、カルコゲナイド合金は、ヒ化ガリウムと同様の脆性を示す傾向があり、ブランクおよび構成材料の結合、仕上げおよび一般的な取り扱いの間に破損するという困難を生じさせる。
【００１５】
バッキングプレートおよびターゲットを有する、例示的なＰＶＤアセンブリは、図１および２においてアセンブリ２として示されている。アセンブリ２は、ターゲット６に結合されたバッキングプレート４を含む。バッキングプレート４およびターゲット６は、例えば、バッキングプレートおよびターゲットの間の拡散結合を含むことのできる界面８において接する。バッキングプレート４およびターゲット６は、多数の配置のいずれでも含むことができ、示された配置は例示的なものである。バッキングプレート４およびターゲット６は、例えば、ＥＮＤＵＲＡ（登録商標）配置、を含むことができ、したがって、丸い外囲いを有することができる。図２は、上面図でアセンブリ２を示し、例示的な丸い外囲い配置を図示している。
【００１６】
真空ホットプレス（ＶＨＰ）は、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料を製造するために従来から使用されている特別な方法を代表する。図３において示された方法１０は、ＶＨＰ法における可能なステップを例示する。ステップ１２は、予め作製された粉末をダイセットに充填することを含む。粉末は、構成材料ブランクの所望の組成に適合するバルク組成を示す。ステップ１４において、ダイセットは、ＶＨＰ装置内に装填され得る。ステップ１６における真空引きに続いて、ステップ１８の間に加熱および加圧が行われる。ステップ２０の間の焼結は、溶融開始より低い温度で、しかし、粉末粒子の固体の塊を製造するのに十分高い温度および圧力で行われる。ステップ２２における冷却および圧力の解放に続いて、ステップ２４においてＶＨＰ装置を大気圧に減圧する。プレスされたブランクは、ステップ２６において取り出される。
【００１７】
比較的単純な方法であるが、観察によれば、ＶＨＰはいくつかの困難を示す。ＶＨＰ装置は、耐火性金属粉末材料を高温、高圧処理するために通常設計されている。カルコゲナイド組成物が、セレンまたは硫黄などの低融点元素成分を含むようなシステムにおいては、溶融の高いリスクが存在する。ＶＨＰの間に溶融すると、カルコゲナイド組成物から有害な蒸気を放出し、ＶＨＰ装置を汚染および／または損傷させ、最終生成品を台無しにする可能性がある。ＶＨＰの間に溶融する組成物を有するブランクは、ダイセットに粘り着き、処理されたブランクを除去する際に亀裂を発生する可能性がある。また、ダイセットのスプリットスリーブのそばに漏れる溶融された材料は、冷却中に固化することができ、くさび効果を生む。結果として生じるダイセット上の高い剪断応力により、破局的な故障が生じる可能性がある。
【００１８】
本明細書に記載の本発明の態様によるカルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、指摘された問題を最小限にする。ＶＨＰに加えて、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）などは、容認できる圧密装置となる。冷間静水圧プレスには焼結アニールが続く可能性がある。通常、ＨＩＰまたはＶＨＰ処理は焼結を含む。焼結、その後の冷却および圧力解放によって、粒子混合物の圧密が完成する。除去されたブランクは、ＰＶＤ構成材料として使用するための仕様を満たすことができるか、または当業者に知られているさらなる処理によって、ブランクは、構成材料の仕様に適合するようにされ得る。
【００１９】
カルコゲナイドＰＶＤ構成材料の形成方法は、第１固形物の粒子を第２固形物の粒子と混合すること、および結合された形状の粒子混合物を含有する剛性の塊を形成することを含む。第１固形物は、一致溶融第１ライン化合物を含有する。第２固形物は、第１固形物とは異なる組成物を示す。粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す。例としてバルク配合は、ＩＵＰＡＣの周期表の１１〜１６族における金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含むことができる。現在確認されている有利なカルコゲナイドの多くは、１３〜１６族における金属および半金属からなる。１１〜１６族における半金属には、ホウ素、ケイ素、ヒ素、セレン、およびテルルが含まれる。１１〜１６族における金属には、銅、銀、金、亜鉛、カドミウム、水銀、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ゲルマニウム、スズ、鉛、アンチモン、ビスマス、およびポロニウムが含まれる。
【００２０】
第２固形物は、第１ライン化合物とは異なる、一致溶融第２ライン化合物を含むことができる。粒子混合物は粉末であり得る。粉末は、１から１００００μｍまたは、より有利には１５から２００μｍの粒径範囲を示すことができる。上述の範囲では最小値および最大値が挙げられているが、含まれるより狭い範囲も、また、望ましいものであり得るのであり、従来技術と識別し得るものであることが、理解されなければならない。バルク配合は、１１〜１６族の中には存在しない元素を含むことができる。しかし、バルク配合は１１〜１６族から選択される元素からなることができる。いくつかの例示的なバルク配合は、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、およびＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＳｂＧｅＳｅＳＴｅ、ならびにその他のものを含み、そのようなリストは、元素の経験的な比率を示していない。当然のことながら、バルク配合における一定の元素は、ＰＶＤ構成材料の意図されている用途に応じて、他の元素の相対的な量と比較してより多くのまたはより少ないアバンダンスで供給され得る。剛性の塊は、理論密度の少なくとも９５％、またはより有利には少なくとも９９％の密度を示す。
【００２１】
粒子混合物は、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有することができる。例えば、粒子混合物は、列挙されたライン化合物の３種を含有することができる。本明細書の文脈において、「ライン化合物」は、固−液状態図において一致溶融組成物として現れる特定の組成物を指す。そのような組成物は、該技術分野においては「中間化合物」とも呼ばれている。一致溶融ライン化合物の場合は、溶融の際に形成される液体は、その液体が形成される固体と同一の組成を有する。状態図に現れる他の固体組成物は、通常、分解溶融（ｉｎｃｏｎｇｒｕｅｎｔｌｙ  ｍｅｌｔｉｎｇ）をするので、溶融の際に形成される液体は、その液体が形成される固体とは異なる組成を有する。
【００２２】
カルコゲナイドＰＶＤ構成材料を形成する際に、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含有する粒子混合物は、処理が困難になるほどの広い範囲にわたる融点を生じさせる、低融点および高融点元素を含有することができる。異なる元素の数が、３またはそれ以上、特に５またはそれ以上に増加するにつれて、混合された低融点および高融点元素に伴う困難は、同様に増大し得る。前述の考察において、粒子混合物を処理して、ＰＶＤ構成材料として使用するのに適した剛性の塊を形成することにより、低融点元素を溶融する可能性がある。溶融された元素は、強力な発熱反応を生じさせ、ガスを放出し、溶融しなかった粒子混合物の領域とは異なる組成を示す溶融領域中へ分離し、昇華して粒子混合物中にギャップを生じさせ、またはその他の製造上の困難を引き起こす可能性がある。ＰＶＤ構成材料がそのように不均一であると、蒸着薄膜における組成制御は劣悪なものになり得る。溶融領域および／または昇華ギャップが存在するかまたは存在しないかは、局所組成変動をバルク組成と比較することによって、および／または目視検査技法によって検証することができる。
【００２３】
上記の如く、第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含有する。粒子混合物は、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化相温度より高い最小固相変化温度を示す。固相変化温度は、融点または昇華点であり得る。元素成分としてではなく第１ライン化合物の状態で、低融点元素を供給することによって、粒子混合物の最小固相変化温度は上昇することができ、その結果、その温度は、最低の溶融または昇華元素の固相変化温度より高くなる。同様の効果は、それにも係わらず、低融点元素より高い固相変化温度を示す分解溶融化合物中に、低融点元素を含むことによって、得ることができる。予備反応した状態の低融点元素を供給することによって、製造上の困難のリスクはより小さくなる。
【００２４】
粒子混合物を含有する剛性の塊を形成することには、第１ライン化合物の融点に近い温度に、混合物を曝すことが含まれ得る。しかし、第１ライン化合物が溶融しても、生じた液体は、この液体が形成された固体と同一の組成を示すことになり、前もって反応させられて他の化合物または元素成分との反応を避けることになる。したがって、一致溶融ライン化合物は、ＰＶＤ構成材料における分離および発熱反応を最小限にする。
【００２５】
剛性の塊を形成するために選択される温度は、粒子混合物の最大固相変化温度によって部分的に決定され得る。一般的に言えば、最大の緻密化は、粒子混合物の最大固相変化温度にできるだけ近い温度の焼結温度において生じる。したがって、粒子混合物は、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より低い、最大固相変化温度を示すことができる。元素成分の状態ではなく、第１ライン化合物の状態で高融点元素を供給することにより、粒子混合物の最大固相変化温度は低下することができ、その結果、その温度は、最高の溶融点または昇華点元素の固相変化温度より低くなる。同様の効果は、それにも係わらず、高融点元素より低い固相変化温度を示す分解溶融化合物中に高融点元素を含有することによって得られる可能性がある。
【００２６】
最大固相変化温度を低下させることにより、剛性の塊を形成するために選択される温度を低下させることができる。工程温度がより低い場合は、粒子混合物のその他の成分を溶融するまたは昇華するリスクはより小さくなる。したがって、本発明の態様は、低融点側、高融点側、または両方の側から、粒子混合物の固相変化温度範囲を狭めることを実現する。
【００２７】
ＳｂＧｅＳｅＳＴｅの上記の例において、表１は、ＳｅおよびＳが、それぞれ２１７℃および１１５℃の融点を示すことを示す。その代わりに、Ｓがライン化合物としてＳ３Ｓｂ２により供給され、Ｓｅがライン化合物としてＧｅＳｅおよびＳｂ２Ｓｅ３により供給される場合は、最小融点はＴｅの融点、４４９．５℃まで上昇する。表２は、ライン化合物の融点を示す。したがって、化合物がより高い固相変化温度を示す場合、低融点元素を含有する化合物を使用することから、大きな利点が生じる。
【００２８】
表１は、Ｇｅが９３７℃の融点を示すことを示す。Ｇｅがライン化合物としてＧｅＳｅにより供給される場合は、最大融点はＧｅＳｅの融点、６６０℃まで低下する。表２は、ライン化合物の融点を示す。したがって、化合物がより低い固相変化温度を示す場合、高融点元素を含有する化合物を使用することから、大きな利点が生じる。
【００２９】
代替された化合物がライン化合物の場合、一致溶融特性により特に大きな利点が生じる。粒子圧密法、例えば、ＨＩＰ、焼結を組み合わせたＣＩＰ、またはＶＨＰは、粒子混合物の最小固相変化温度の近くで操作して、圧密工程中に緻密化を最大にすることができる。ライン化合物の溶融が生じる場合は、もしあれば、最小限の分離問題が生じる。より大きな分離問題は、化合物が分解溶融する場合に生じる可能性がある。
【００３０】
例として、粒子混合物は粉末であり得る。粉末は、１〜１００００μｍ、より有利には１５〜２００μｍの粒径範囲を示すことができる。剛性の塊は、理論密度の少なくとも９５％、または、より有利には少なくとも９９％の密度を示すことができる。一致溶融第１ライン化合物を有する第１固形物を含有する上記の粒子混合物の安定性を考慮すると、より広範囲の圧密技法が、結合された形状の粒子混合物を含有する剛性の塊を形成するのに適切であり得る。安定性は溶融の負の影響を低減させる。しかし、それにも係わらず、溶融領域または昇華ギャップを生じさせることなく、粒子混合物を固相結合させることによって剛性の塊を形成するという要望が存在する。
【００３１】
目的とする結果がこのようなものであり、意図しない溶融の負の影響がより小さいので、溶融領域を生じさせる点により近づくことによって、粒子混合物を最大限に緻密化して剛性の塊とする圧密技法が選択され得る。元素成分の状態で供給される元素の数が減少し、ライン化合物の状態で供給される元素の数が増大するにつれて、潜在的な負の影響が現れる可能性は低くなる。本考察の文脈において、安定性は、最低温度の溶融成分としてライン化合物を供給することによって改善される。いかなる元素成分または分解溶融化合物でも、粒子混合物の最小固相変化温度より大幅に高い、固相変化温度を有する場合に、安定性はさらに改善される。このように、最小固相変化温度に近づくことは、元素成分または分解溶融成分を溶融または昇華させるリスクを有することなく、ライン化合物を溶融または昇華させるリスクを有するのみである。ＨＩＰ、ＣＩＰ、またはＶＨＰのすべてが、可能な固相結合技法となる。
【００３２】
本発明のさらなる態様においては、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料を形成する方法は、第１固形物の粒子と第２固形物の粒子を混合し、結合された形状の粒子混合物を含有する剛性の塊を形成することを含む。第１固形物は第１化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す。粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。したがって、第１化合物の状態で低融点元素を含むことによって、最小固相変化温度は上昇させられ、低融点元素の固相変化温度を超えることができる。
【００３３】
第１化合物は、ライン化合物かまたは分解溶融化合物であり得る。ライン化合物を使用することは、分解溶融化合物と較べてより多くの利点を提供するが、本発明の本態様は、ライン化合物が粒子混合物中に含まれていない状況においてさえも、やはり有利であり得る。例えば、最小固相変化温度が、分解溶融化合物によってではなく、元素成分によって決まる。したがって、最小固相変化温度より高い、分解溶融化合物の固相変化温度によって、溶融領域または昇華ギャップのリスクが、やはり低減させられる。
【００３４】
本発明のさらなる態様においては、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料を形成する方法は、３種またはそれ以上の元素を含み、その中の少なくとも１種は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択されるバルク配合を示す粒子混合物を選択することを含む。この方法は、粒子混合物中に含有されるべき、異なる、一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加のライン化合物を選択すること、およびそれぞれが第１、第２、および１種または複数種の追加のライン化合物からなる、第１固形物、第２固形物および１種または複数種の追加の固形物の粒子を提供することを含む。この方法は、少なくとも第１固形物、第２固形物および追加の固形物の粒子を、均一に混合することを含む。混合は、選択されたバルク配合を生じさせる比率を使用し、粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物中の１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。粒子混合物は、溶融領域または昇華ギャップを生じさせることなく、固相結合される。この方法は、結合された粒子混合物を含有するスパッタリングターゲットブランクを形成することを含む。
【００３５】
例として、バルク配合は、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される５種またはそれ以上の元素を含むことができる。粒子混合物はライン化合物を含まない他の固形物の粒子をさらに含むことができる。
【００３６】
図４に示された方法５０は、本発明の態様のいくつかの例示的な特徴を提供する。所望のバルク配合はステップ５２において選択され、ステップ５４においては、適切なライン化合物、分解溶融化合物、および／または元素成分が確認される。低融点および／または高融点元素、および最小固相変化温度を上昇させる、および／または最大固相変化温度を低下させる元素が含まれ得る、可能性のある化合物を明らかにするために、化合物および元素の固相変化温度の研究が利用される。化合物およびもしあれば元素成分の比率は、ステップ５２において選択されるバルク配合を達成するように、決定され得る。下の表１〜３の考察は、この点に関してより詳しい情報を提供する。
【００３７】
それぞれの比率に沿って、化合物およびもしあれば元素成分が決定されると、ステップ５８において所望の材料を含有する固形物の選択が行われる。選択される固形物は、商業的に入手できるかまたは方法５０が、知られている方法に従って固形物を調製することを含むことができる。個々の化合物および元素成分のみからなる固形物が使用される場合は、そのような化合物および元素成分のために以前に決定された質量比率は、選択される固形物の質量比率に一致するはずである。しかし、多数の化合物および／または元素成分を含有する固形物を使用するという要望が存在し得る。そのような場合は、選択されたバルク配合を生み出す固形物の比率が求められることができ、個々の化合物および元素成分のために求められた比率とは異なる可能性がある。
【００３８】
選択された固形物の粒子は、ステップ６０において混合され得る。通常、ＰＶＤ構成材料が、選択されたバルク配合を示す膜を一様に蒸着するという要望が存在する。したがって、粒子を均一に混合することは、均一なＰＶＤ構成材料を形成することおよび薄膜の蒸着仕様を満たすことを容易にする。当業者に知られている粉末混合機およびその他の装置は、粒子を均一に混合するために使用され得る。粒子は粉末であることができ、本明細書において考察された粒径範囲を示す。本明細書に記載されたような固相結合技法は、粒子混合物を結合するためにステップ６２において使用され得る。
【００３９】
ステップ５４および処理状態におけるライン化合物、分解溶融化合物および元素成分の選択に応じて、結合された粒子混合物は、溶融領域および／または昇華ギャップを示す可能性もまたは示さない可能性もある。最も有利な状況においては、固相結合は、溶融領域または昇華ギャップを生み出すことなく生じる。それにも係わらず、従来技術に関して記載された問題を処理する、有利さの少ない状況においては、特定の溶融されたまたは昇華された化合物または元素成分に応じて、小さな溶融領域または昇華ギャップが存在し得るが、結合された粒子混合物の均一性を大きく損なうことはない。固相結合技法が、仕様範囲内のスパッタリングターゲットブランクまたはその他のＰＶＤ構成材料を製造しない場合は、仕様範囲内の所望の構成材料をもたらすために、さらなる処理がステップ６４において行われる可能性がある。
【００４０】
カルコゲナイドＰＶＤ構成成分を形成するための、本明細書において記載された方法を考慮すると、本発明の態様も、また、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料それ自体を含むことになる。本発明の一態様においては、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含む。第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含有し、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示す。粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す。例として、本明細書において記載されているカルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、本発明の別の態様に関連して本明細書において考察された、配合、組成、特性、特徴などを示すことができる。
【００４１】
本発明の別の態様においては、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含む。第１固形物は第１化合物を含有し、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示す。粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す。粒子混合物は、また、第１化合物中の１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。
【００４２】
本発明のさらなる態様においては、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料は、第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有する、スパッタリングターゲットブランクを含む。粒子混合物は、溶融領域または昇華ギャップを有していない。第１、第２、および追加固形物は、それぞれ、異なる一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加ライン化合物からなる。粒子混合物は、少なくとも１種がＳ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示す。粒子混合物は、第１、第２、または追加ライン化合物中の１種または複数種の元素の固相変化温度より高い、最小固相変化温度を示す。
【００４３】
表１は、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料のための、５種の元素を配合した仮定の例を示す。それぞれの元素の所望の原子％（ａｔ．％）および原子量（ａｔ．ｗｔ．）を用いて、それぞれの元素の必要な質量が計算されることができ、表１に示されている。また、表１は、セレンと硫黄を別にして、固相変化温度の範囲は４５０℃から９３７℃にわたることを示す。セレンおよび硫黄が、それぞれ２１７および１１５℃において溶融するので、表１に挙げられた元素成分からなる粒子を十分に固相結合させることは、分離、発熱反応などの重大な製造上の問題を生じさせることなしには、困難である可能性がある。表２は、表１に挙げられた元素の、知られている二元ライン化合物を挙げている。さらなる適切なライン化合物が存在し得る。注目すべきことには、挙げられたライン化合物すべてが、セレンおよび硫黄の融点よりはるかに低い融点を示す。また、挙げられたライン化合物すべてが、ゲルマニウムの融点よりはるかに高い融点を示す。
【表１】
2009507748.tif 000002
【表２】
2009507748.tif 000003
【００４４】
理解されるように、所望のバルク配合は、適切な質量比率で一定のライン化合物を選択することによって得られ得る。選択に応じて、ライン化合物は、最小固相変化温度を上げることおよび／または最大固相変化温度を下げることができる。表３は、３種の例示的なライン化合物および１種の連続固溶体（ＳｅＴｅ）を挙げている。表３は、３種の化合物および１種の固溶体のそれぞれの全質量から与えられる個々の元素の質量を挙げている。個々の元素の与えられた全質量は、それぞれの元素の、所望のａｔ．％を生じさせるために、表１において挙げられた必要な質量と一致する。
【表３】
2009507748.tif 000004
【００４５】
表３は、３８．５ａｔ％Ｓｅおよび６１．５ａｔ％Ｔｅを含有するＳｅＴｅ連続固溶体を挙げている。５０ａｔ．％／５０ａｔ．％ＳｅＴｅ固溶体は、約２７０℃の融点を示し、表３のＳｅＴｅ固溶体は、４４９．５℃の融点を示すＴｅをより多く含有する。したがって、表３におけるＳｅＴｅの融点はより高いはずであることが期待される。したがって、表３における化合物の固相変化温度範囲は、表１に挙げられた元素の場合の８２２℃と比較して、４２０℃未満である。表３において挙げられた化合物を含有する粒子混合物の固相結合は、したがって、より有利な工程条件下で進行し、従来のカルコゲナイドＰＶＤ構成材料を形成する方法と比較して、より有利な特性を実現することができる。
【００４６】
法令に従って、本発明は、構造的および方法的特徴については、多少詳しい言葉で記述されてきた。しかし、本明細書において開示された手段は、本発明を実行するための好ましい形式を含んでいるので、本発明が、示されたおよび記述された特定の特徴に限定されるものではないことを、理解すべきである。したがって、適切に解釈された添付の特許請求の範囲の適切な範囲内における、本発明の任意の形式または変更形態において、本発明の権利が主張される。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一態様に従って、スパッタリングターゲット／バッキングプレート構成を図２における１−１線に沿って切り出した断面図である。構成は、大きなＥＮＤＵＲＡ（登録商標）配置に対応する。
【図２】図１に示されたスパッタリングターゲット／バッキングプレート構成の上面図である。
【図３】従来のＰＶＤ構成材料形成法を描写するフローチャートである。
【図４】本発明の一態様による、ＰＶＤ構成材料を製造する方法を描写するフローチャートである。
【図１】
2009507748.tif 000005
【図２】
2009507748.tif 000006
【図３】
2009507748.tif 000007
【図４】
2009507748.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月24日(2007.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項２】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項３】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項４】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１に記載の構成材料。
【請求項５】
第２固形物が、第１ライン化合物とは異なる一致溶融第２ライン化合物を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項６】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項７】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項８】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項９】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１に記載の構成材料。
【請求項１０】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は第１化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示し、
粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１１】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１２】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１３】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１４】
第２固形物が第２化合物を含み、粒子混合物が、第２化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１５】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１６】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１７】
第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有するスパッタリングターゲットブランクを含み、粒子混合物は溶融領域または昇華ギャップを有していない、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１、第２、および追加固形物は、それぞれ、異なる、一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加ライン化合物からなり、
粒子混合物は、少なくとも１種がＳ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１８】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される５種またはそれ以上の元素を含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項１９】
粒子混合物が、ライン化合物を含有しない別の固体の粒子をさらに含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項２０】
粒子混合物が、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１７に記載の構成材料。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月7日(2007.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項２】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項３】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項４】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１に記載の構成材料。
【請求項５】
第２固形物が、第１ライン化合物とは異なる一致溶融第２ライン化合物を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項６】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項７】
粒子混合物が、第１ライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項８】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項９】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１に記載の構成材料。
【請求項１０】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は第１化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、および第１または第２固形物は、第１化合物とは異なる第２化合物を含み、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１１】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１２】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項に記載の構成材料。
【請求項１３】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１４】
第２固形物がその第２化合物を含み、粒子混合物が、第２化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１５】
塊がスパッタリングターゲットブランクであり、構成材料がブランクに結合されたバッキングプレートをさらに含む、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１６】
塊が、溶融領域または昇華ギャップのない、固相結合された粒子の混合物からなる、請求項１０に記載の構成材料。
【請求項１７】
第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有するスパッタリングターゲットブランクを含み、粒子混合物は溶融領域または昇華ギャップを有していない、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１、第２、および追加固形物は、それぞれ、異なる、一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加ライン化合物からなり、
粒子混合物は、少なくとも１種がＳ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項１８】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される５種またはそれ以上の元素を含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項１９】
粒子混合物が、ライン化合物を含有しない別の固体の粒子をさらに含む、請求項１７に記載の構成材料。
【請求項２０】
粒子混合物が、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より低い、最大の溶融または昇華温度を示す、請求項１７に記載の構成材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は一致溶融第１ライン化合物を含み、第２固形物は、第１固形物とは異なる組成を示し、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含むバルク配合を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項２】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項１に記載の構成材料。
【請求項３】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項１に記載の構成材料。
【請求項４】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項１に記載の構成材料。
【請求項５】
第１固形物および第２固形物の粒子の結合混合物を含有する剛性の塊を含むカルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１固形物は第１化合物を含み、第２固形物は第１固形物とは異なる組成を示し、および第１または第２固形物は、第１化合物とは異なる第２化合物を含み、
粒子混合物は、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される少なくとも１種の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【請求項６】
バルク配合が、１１〜１６族の金属および半金属からなる群から選択される３種またはそれ以上の元素を含む、請求項５に記載の構成材料。
【請求項７】
粒子混合物が、経験的な比率を表示していない以下のバルク配合：ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｅＴｅ、ＧｅＳｂＳｅＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、またはＳｂＧｅＳｅＳＴｅの１種を示す、請求項５に記載の構成材料。
【請求項８】
粒子混合物が、以下のライン化合物：ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２、ＧｅＳ、ＧｅＳ２、ＧｅＴｅ、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓ３、およびＳｂ２Ｔｅ３の２種またはそれ以上を含有する、請求項５に記載の構成材料。
【請求項９】
第１固形物、第２固形物、および１種または複数種の追加固形物の粒子の固相結合された均一な混合物を含有するスパッタリングターゲットブランクを含み、粒子混合物は溶融領域または昇華ギャップを有していない、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料であって、
第１、第２、および追加固形物は、それぞれ、異なる、一致溶融第１、第２、および１種または複数種の追加ライン化合物からなり、
粒子混合物は、少なくとも１種がＳ、Ｓｅ、およびＴｅからなる群から選択される、３種またはそれ以上の元素を含む、バルク配合を示し、
粒子混合物は、第１、第２、または追加のライン化合物における１種または複数種の元素の溶融または昇華温度より高い、最小の溶融または昇華温度を示す、カルコゲナイドＰＶＤ構成材料。
【国際調査報告】
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2009507748.tif 000011
2009507748.tif 000012
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