(57)【要約】  本発明は、有機ルミネッセンス物質を含むエレクトロルミネッセンス材料に関する。本発明の新規なエレクトロルミネッセンス材料は、電子注入層、ルミネッセンス物質をベースにした活性ルミネッセンス層、正孔輸送層、及び正孔注入層を含む。該材料は、ルミネッセンス物質の形態をしたキノリン−スルファニルアミン誘導体の金属錯体を含む。本発明のエレクトロルミネッセンス材料は、活性ルミネッセンス層の結晶化及び加水分解に対する高い抵抗性、及び正孔輸送層の高い熱抵抗性に由来する、高められた時間資源を示す。【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子注入層、ルミネッセンス物質をベースにした活性ルミネッセンス層、正孔輸送層、及び正孔注入層からなるエレクトロルミネッセンス材料であって、ルミネッセンス物質として、一般式（Ｉ）：
【化１】
2009542893.tif 000010
［式中、
Ｍ＝Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ（ｎ＝２）；Ａｌ、Ｇａ（ｎ＝３）であり、
基Ｒ１は、
・１〜４個の炭素原子からなる直鎖又は分枝のアルキル基、
・トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル基、
・モノ−又はポリアルキル（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はトリフルオロメチルで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリハロ（ハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリアルコキシ（アルコキシ置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・エチレンジオキシで置換されたフェニル基、
・ジメチル−又はジエチルアミノで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリシアノで置換されたフェニル基、
・１−又は２−ナフチル基、
・２−、３−又は４−ピリジル基
からなる群から選択することができ、
基Ｒ２〜Ｒ７は、同一又は異なることができ、互いに独立に、
・１〜８個の炭素原子を有する直鎖及び分枝の両方又は環状であるアルキル基、
・トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル基、
・フェニル、モノ−又はポリアルキル（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリアルコキシ（アルコキシ置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリジメチル又はジエチルアミノで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリシアノで置換されたフェニル基、
・アルコキシ基（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）、
・ジメチル−、ジエチルアミノ基、
・ハロゲニル基（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、
・シアノ基、
・メトキシ−、エトキシカルボニル基、
・フェノキシル基、
・アセチル、ベンゾイル基、
・２−、３−、４−ピリジル基
からなる群から選択することができる］の、８−アミノキノリン誘導体をベースにした配位子を有する金属錯体を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス材料。
【請求項２】
ルミネッセンス物質として、亜鉛錯体８−（メチルスルファニルアミノ）キノリン（ＩＩ）
【化２】
2009542893.tif 000011
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス材料。
【請求項３】
ルミネッセンス物質として、亜鉛錯体８−（３，５−ジフルオロフェニルスルファニルアミノ）キノリン（ＩＩＩ）
【化３】
2009542893.tif 000012
を含むことを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス材料。
【請求項４】
正孔輸送層として、一般式
【化４】
2009542893.tif 000013
（式中、ｎ＝８〜９、分子量分布：Ｍｎ＝２３３２、Ｍｗ＝３５８６を有する）を有するトリフェニルアミンオリゴマーの混合物を含むことを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はルミネッセンス材料、詳細には有機ルミネッセンス物質を含むエレクトロルミネッセンス材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネッセンス材料（ＥＬＭ）は、電子注入層、ルミネッセンス物質をベースにした活性ルミネッセンス層、正孔輸送層及び正孔注入層からなることが知られており、該材料は、ルミネッセンス層として、有機化合物、すなわち、アルミニウム、亜鉛及びその他のいくつかの金属と８−ヒドロキシキノリン誘導体との錯体の蒸着層を含む［Ｕ．Ｍｉｔｓｃｈｋｅ，Ｐ．Ｂａｕｅｒｌｅ、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，２０００，１０，１４７１〜１５０７］。
【０００３】
技術的本質に関して提案された素子に最も肉薄しているのは、ルミネッセンス層としてトリス−（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウムを含むＥＬＭである［Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．Ｖａｎ  Ｓｌｉｋｅ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔｅｒ  ５１，９１３〜９１５（１９８７）］（下図参照）。
【化１】
2009542893.tif 000002
【０００４】
ここでは、酸化インジウムと酸化第二錫の混合物をベースにした透明の低抵抗層、すなわち、Ｉｎ２Ｏ２−ＳｎＯ２（ＩＴＯ）が正孔注入層（アノード）として、アルミニウム又はマグネシウムと銀の合金が電子注入層（カソード）として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）が正孔輸送層として使用される。
【０００５】
しかし、このような部類の錯体をベースにしたエレクトロルミネッセンス素子の耐用年数は、あまり長くないことが多い。いくつかのその他の理由に加え、このことは、これらの材料の特性、すなわち、素子の使用過程における層の伝導特性の均質性を変化させる結晶化、さらには痕跡量の水による金属錯体の加水分解、空中酸素による酸化、及びそれに続くその分解に関連している［Ｔｏｋｉｔｏ  Ｓ．ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９７，ｖ．７０，Ｎｏ．１５，ｐ．１９２９〜１９３１；Ｂｕｒｒｏｗｓ  Ｐ．Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９４，ｖ．６５，Ｎｏ．２３，ｐ．２９２２〜２９２４］。このことは、また、この層の使用特性の損失を生じさせる。
【０００６】
さらに、エレクトロルミネッセンス素子の耐用年数は、また、正孔輸送層材料の低い温度安定性によって制約され、低い温度安定性は、それらの低いガラス転位温度（ＴＰＤの場合、ガラス転位温度は６０℃である）の結果としての温度上昇による層の組織形態の変化に関連している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、活性ルミネッセンス層の結晶化及び加水分解に関する高められた安定性、さらには正孔層の高められた温度安定性の結果として、耐用年数の高められたＥＬＭを創製することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的は、電子注入層、ルミネッセンス物質をベースにした活性ルミネッセンス層、正孔輸送層、及び正孔注入層からなるエレクトロルミネッセンス材料に、本発明により、一般式（Ｉ）
【化２】
2009542893.tif 000003
［式中、
Ｍ＝Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ（ｎ＝２）；Ａｌ、Ｇａ（ｎ＝３）であり、
基Ｒ１は、
・１〜４個の炭素原子からなる直鎖又は分枝のアルキル基、
・トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル基、
・モノ−又はポリアルキル（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はトリフルオロメチルで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリハロ（ハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリアルコキシ（アルコキシ置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・エチレンジオキシで置換されたフェニル基、
・ジメチル又はジエチルアミノで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリシアノで置換されたフェニル基、
・１−又は２−ナフチル基、
・２−、３−又は４−ピリジル基
からなる群から選択することができ、
基Ｒ２〜Ｒ７は、同一又は異なることができ、互いに独立に、
・１〜８個の炭素原子を有する直鎖及び分枝の両方又は環状であるアルキル基、
・トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル基、
・フェニル、モノ−又はポリアルキル（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ又はポリアルコキシ（アルコキシ置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）で置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリジメチル又はジメチルアミノで置換されたフェニル基、
・モノ−又はポリシアノで置換されたフェニル基、
・アルコキシ基（アルキル置換基は、１〜４個の炭素原子からなり、直鎖又は分枝である）、
・ジメチル−、ジエチルアミノ基、
・ハロゲニル基（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、
・シアノ基、
・メトキシ−、エトキシカルボニル基、
・フェノキシル基、
・アセチル、ベンゾイル基、
・２−、３−、４−ピリジル基
からなる群から選択することができる］の、８−アミノキノリン誘導体をベースにした配位子を有する金属錯体を含めることより解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
式（Ｉ）の物質の例として、８−（メチルスルファニルアミノ）キノリンの亜鉛錯体（ＩＩ）及び８−（３，５−ジフルオロフェニルスルファニルアミノ）キノリンの亜鉛錯体（ＩＩＩ）
【化３】
2009542893.tif 000004
を使用できる。
【００１０】
キノリンのスルファニルアミノ誘導体において、窒素原子に結合した水素原子は、その酸性度に関して、フェノール性ヒドロキシルの対応する水素原子に匹敵する。このことが、金属イオンとの安定な塩（金属錯体）を得ることを可能にする。
【００１１】
金属錯体中の窒素原子上の嵩高い置換基は、素子の使用中における電子輸送層中での金属錯体の急速な結晶化を困難にするはずであり、このことが、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体を使用する素子と比較して耐用年数を改善する可能性がある。
【００１２】
８−アミノキノリン中のアルキル−又はアリールスルファニル部分からなる嵩高い置換基は、水分子の窒素−金属結合への接近を遮蔽し、このことが、８−ヒドロキシキノリンをベースにしたものに比較して、金属錯体の加水分解を困難にする。このことは、また、素子の耐用年数に肯定的影響を及ぼす。
【００１３】
上述の目的は、また、材料に、好ましくは、正孔輸送層として一般式
【化４】
2009542893.tif 000005
を有するトリフェニルアミンオリゴマーの混合物を含めることにより解決され、ここで、ｎ＝８〜９であり、Ｍｎ＝２３３２、Ｍｗ＝３５８６の分子量分布を有し、１８５℃の高いガラス転位温度を有し、該混合物は、より高い温度でも正孔輸送層の組織形態の維持を提供する［Ｊａｋｕｓｈｃｈｅｎｋｏ  Ｉ．Ｋ．，Ｋａｐｌｕｎｏｖ  Ｍ．Ｇ．，Ｓｈａｍａｅｖ  Ｓ．Ｎ．，Ｅｆｉｍｏｖ  Ｏ．Ｎ．，Ｎｉｋｏｌａｅｖａ  Ｇ．Ｖ．，Ｂｅｌｏｖ  Ｍ．Ｊｕ．，Ｍａｒｃｈｅｎｋｏ  Ｅ．Ｐ．，Ｓｋｖｏｒｔｓｏｖ  Ａ．Ｇ．，Ｖｏｒｏｎｉｎａ  Ｖ．Ａ．，「オリゴトリフェニルアミン混合物の調製方法、３−（４−ビフェニル）−４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ジメチルアミノフェニル）−１，２，４−トリアゾールの調製方法及びエレクトロルミネッセンス素子（Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ｍｉｘｔｕｒｅ  ｏｆ  ｏｌｉｇｏｔｒｉｐｈｅｎｙｌ  ａｍｉｎｅｓ，ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｐｒｅｐａｒｉｎｇ  ３−（４−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−５（４−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）−１，２，４−ｔｒｉａｚｏｌｅ  ａｎｄ  ａｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ）」１９９９年６月１０日のロシア特許ＲＵ２１３１４１１］。
【実施例】
【００１４】
本発明を以下の実施例によって説明する。
【００１５】
（実施例１）
８−（メタンスルファニルアミノ）キノリン（ＩＶ）の合成
合成は、既知法［「化学試薬及び調合物の調製方法（Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｒｅａｇｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｓ）」Ｎｏ．４〜５，Ｍｏｓｃｏｗ，ＩＲＥＡ，１９６２，ｐａｇｅ６７〜６９］に従って実施される。
合成スキーム
【化５】
2009542893.tif 000006
【００１６】
メタンスルホクロリド（２．８ｇ、０．０２モル）の無水テトラヒドロフラン（３．５ｍＬ）溶液を、８−アミノキノリン（２．８８ｇ、０．０２モル）の無水ピリジン（１０ｍＬ）溶液に３〜５℃に冷却しながら添加した。添加時間は１５〜２０分であった。次いで、混合物を、同温度で３０分間、さらに反応混合物を沸騰させながら１時間撹拌した。溶媒を除去した後、残留物を室温まで冷却し、７５ｍＬの水で処理した、形成された残留物を、濾過し、２０ｍＬの水で洗浄し、空気中で乾燥した、４．５４ｇの量で未精製生成物（ＩＶ）を得た。化合物（ＩＶ）をベンゼン（続いて、ヘキサンを添加して）から再結晶した。３．９３ｇの量で純粋な物質を得た。融点：１４６．５℃〜１４７℃、収率：理論値の８８．５％。
元素分析。実測値  ％：Ｃ  ５５．７４；Ｈ  ４．７８；Ｎ  １２．１５；Ｓ  １４．３４。
分子式−Ｃ１０Ｈ１０Ｎ２Ｏ２Ｓ。計算値  ％：Ｃ  ５４．０４；Ｈ  ４．５４；Ｎ  １２．６０；Ｓ  １４．３４。
ＰＭＲ−スペクトル  δ（ｐｐｍ）３．１５（３Ｈ，ＣＨ３−，ｓ．）、７．５９〜７．６３（Ｈ３  ｄ．ｄ．）、７．６４〜７．６８（Ｈ６  ｄ．ｄ．）、７．７３〜７．７５（Ｈ７  ｄ．）、７．７５〜７．７７（Ｈ５  ｄ．）、８．４４〜８．４６（Ｈ４  ｄ．）、８．９４〜８．９６（Ｈ２  ｄ．）、９．３９（ＮＨ，ｓ．）。
質量スペクトル：ｍ／ｅ（Ｉ／Ｉｍａｘ，％）：２２２（Ｍ，４３）、１４３（１００）、１１６（７５）、８９（３１）、６３（２２）、３９（１５）。
【００１７】
（実施例２）
８−（３，５−ジフルオロフェニルスルファニルアミノ）キノリン（Ｖ）の合成
合成スキーム
【化６】
2009542893.tif 000007
３，５−ジフルオロフェニルスルホクロリド（３．４ｇ、０．０１６モル）のテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）溶液を、８−アミノキノリン（２．０２ｇ、０．０１４モル）の無水ピリジン（５ｍＬ）溶液に３〜５℃に冷却しながら添加した。添加時間は１０〜１５分であった。混合物を、同温度で３０分間、さらに室温で１時間、さらに反応混合物を沸騰させながら１時間撹拌した。混合物を冷却した後、２５０ｍＬの冷水で処理した、得られた残留物を、濾過し、水で洗浄し、乾燥した。得られた未精製生成物（４．７５ｇ）をベンゼンに加熱溶解し、溶液から不溶性混合物を濾別し、濾液にヘキサンを添加した。それによって得られた化合物（Ｖ）の残留物を、濾過し、ヘキサンで洗浄し、乾燥した。３．８９ｇの量で物質（ＶＩ）を得た。融点は１１９℃〜１１９．５℃であった。収率：理論値の８７％。
元素分析。実測値  ％：Ｃ  ５４．００；Ｈ  ４．２１；Ｎ  ８．７０；Ｓ  １０．３７。分子式−Ｃ１５Ｈ１０Ｆ２Ｎ２Ｏ２Ｓ。計算値  ％：Ｃ  ５６．２５；Ｈ  ３．１５；Ｎ  ８．７５；Ｓ  １０．０１。
ＰＭＲ−スペクトル  δ（ｐｐｍ）７．５３〜７．５８（Ｐｈの１Ｈ，Ｈ３，ｍ．）、７．５８〜７．７１（Ｈ６  ｄ．ｄ．）、７．６３〜７．７０（２Ｈ，Ｐｈ，ｍ．）、７．６９〜７．７２（Ｈ７，ｄ．）、７．７３〜７．７６（Ｈ５，ｄ．）、８．３８〜８．４０（Ｈ４，ｄ．）、８．８５〜８．８７（Ｈ２，ｄ．）、１０．５（ＮＨ，ｓ．）。
質量スペクトル：ｍ／ｅ（Ｉ／Ｉｍａｘ，％）：３２０（Ｍ，３５）、２５６（４０）、１４３（１００）、１１６（７８）、８９（３１）、６３（２７）、３９（１２）。
【００１８】
（実施例３）
ビス−（（８−メタンスルファニルアミノ）キノリネート）亜鉛（ＩＩ）の合成
合成スキーム
【化７】
2009542893.tif 000008
２．２２ｇ（０．０１モル）の８−（メタンスルファニルアミノ）キノリン（ＩＶ）を２５ｍＬの無水メタノールに懸濁した。０．２３ｇ（０．０１モル）のナトリウムを６ｍＬのメタノールに溶解して得られるナトリウムメチラート溶液を前記混合物に室温で添加した。ここで、化合物（ＩＶ）のナトリウム塩の残留物が形成された。混合物を同温度で３０分間撹拌した後、無水塩化亜鉛（０．６８ｇ、０．００５モル）の無水メタノール（５ｍＬ）溶液を滴加した。次いで、混合物を、５０〜５５℃に加熱しながら２時間撹拌した。冷却した後、白色残留物を、濾過し、水、メタノールで逐次的に洗浄した。Ｐ２Ｏ５上で真空乾燥して、２．４１ｇの量で化合物（ＩＩ）を得た。収率は理論値の９５．１％であった。さらに精製するため、物質をテトラヒドロフランから再結晶した。物質は、３８０℃未満の温度で融解しなかった。
元素分析。実測値  ％：Ｃ  ４７．５７；Ｈ  ３．９９；Ｎ  １０．３６；Ｓ  １１．４６；Ｚｎ  １２．８６。分子式−Ｃ２０Ｈ１８Ｎ４Ｏ４Ｓ２Ｚｎ。計算値  ％：Ｃ  ４７．３０；Ｈ  ３．５７；Ｎ  １１．０３；Ｓ  １２．６３；Ｚｎ  １２．８７。
ＵＶ−スペクトル：２４２、２６５、３８２ｎｍ（吸収、石英で測定）、５００ｎｍ（ホトルミネッセンス、粉末、λｅｘｃｉｔ＝３８０ｎｍ）
ＩＲ−スペクトル（錠剤  ＫＢｒ）：３０９４、３０６７、３０１６、３００５、２９２８、２８５０、１６０４、１５８４、１４６７、１４２８、１４１８、１３９２、１３８５、１３３１、１３２１、１２８５、１２７３、１２４８、１２０７、１１９６、１１３０、１０７８、１０４４、９９６、９７７、９５６、８８１、８２９、８０４、７９０、７６８、７３４、６６３、６４０、５９０、５４０、５５２、５２６、５１７、４４４。
【００１９】
領域３０００〜３１００ｃｍ−１でのＣ−Ｈの原子価振動帯及び領域１５００〜１６００ｃｍ−１でのＣ＝Ｃ二重結合の振動帯の存在は、芳香族環及び共役炭素−炭素結合系の存在を裏付けている。
【００２０】
（実施例４）
ビス−［８−（３，５−ジフルオロフェニルスルファニルアミノ）キノリネート］亜鉛（ＩＩＩ）の合成
合成スキーム
【化８】
2009542893.tif 000009
１．９２ｇ（０．０６モル）の８−（３，５−ジフルオロフェニルスルファニルアミノ）キノリン（Ｖ）を２５ｍＬの無水メタノールに懸濁した。０．１４ｇ（０．０６モル）のナトリウムを６ｍＬのメタノールに溶解して得られるナトリウムメチラート溶液を前記の懸濁液に室温で添加した。懸濁液は溶け、そして混合物を３５〜４０℃に加熱しながら３０分間撹拌した。次いで、無水塩化亜鉛（０．４１ｇ、０．００３モル）のメタノール（１０ｍＬ）溶液を混合物に滴加した。白色の残留物が生じた。これを、３５〜４０℃でさらに１時間撹拌し、次いで、室温まで冷却し、濾過し、水、メタノールで洗浄し、乾燥した。２．０１ｇの量で化合物（ＩＩＩ）を得た。融点は３０８〜３０９℃であった。収率は、理論値の９５％であった。さらに精製するために、物質をテトラヒドロフランから再結晶した。
元素分析。実測値  ％：Ｃ  ５２．００；Ｈ  ３．３２；Ｎ  ７．６５；Ｓ  ９．１０。分子式−Ｃ３０Ｈ１８Ｆ４Ｎ４Ｏ４Ｓ２Ｚｎ。計算値  ％：Ｃ  ５１．１９；Ｈ  ２．５８；Ｎ  ７．９６；Ｓ  ９．１０。
ＵＶ−スペクトル：２６５、３７０ｎｍ（吸収、石英で測定）、４６５ｎｍ（ホトルミネッセンス、粉末、λｅｘｃｉｔ＝３８０ｎｍ）
ＩＲ−スペクトル（錠剤  ＫＢｒ）：３０７５、３０４３、３９２４、２８５３、１６０６、１５８７、１５０４、１４６８、１４３９、１３８４、１３２７、１２９４、１２７６、１２４５、１２０９、１１９５、１１４４、１１２３、１０８４、１０４７、９８７、９７１、８９４、９７１、８９４、８５９、８２５、７９６、７８８、７５９、７５０、６７８、６６５、６３６、６１１、５９６、５７８、５３８、５１１。
【００２１】
領域３０００〜３１００ｃｍ−１でのＣ−Ｈの原子価振動帯及び領域１５００〜１６００ｃｍ−１でのＣ＝Ｃ二重結合の振動帯の存在は、芳香族環及び共役炭素−炭素結合系の存在を裏付けている。
【００２２】
（実施例５）
錯体ＩＩ及びＩＩＩのエレクトロルミネッセンス特性
ＩＴＯ／ＨＴＬ／ＥＭＬ／Ａ１を備えたエレクトロルミネッセンス素子（ここで、ＩＴＯは正孔注入層、ＨＴＬは正孔輸送層、ＥＭＬはエレクトロルミネッセンス層、そしてＡ１は電子注入層である）を製造するために、インジウム及び酸化錫の混合物の２０〜２５Ω／□の抵抗を有する透明層で被覆されたガラス基板を使用する。ＰＴＡからなる正孔輸送層を基板上に塗布する。ここで、ＰＴＡは、トルエン溶液から遠心法によって塗布される。正孔輸送層の厚さは、０．０５〜０．１ミクロンである。次いで、真空中、約３５０℃の温度及び５×１０−６ｍｍＨｇのベース圧力での錯体ＩＩ又は錯体ＩＩＩの蒸着によって、活性エレクトロルミネッセンス層を０．０２〜０．０５μｍの厚さで塗布する。試料を真空装置ＶＵＰ−４中に入れ、直接方式で５×１０−６ｍｍＨｇの真空までポンプで排気し、アルミニウムの蒸着により金属電極を噴霧する。金属電極の厚さは、約０．１μｍである。発光面の面積は、４〜５ｍｍ２である。得られたエレクトロルミネッセンス素子は、直流電圧を印加すると青−緑光を放射する。ＩＩを含む素子は、次のパラメーターを有する、すなわち、１９Ｖの電圧及び１．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で１４０ｃｄ／ｍ２の輝度を達成する（効率９ｃｄ／Ａ）。ＩＩＩを含む素子は、次のパラメーターを有する、すなわち、２０Ｖの電圧及び１９ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で２４ｃｄ／ｍ２の輝度を達成する（効率１．２ｃｄ／Ａ）。
【００２３】
かくして、本発明において、結晶化及び加水分解に関する活性ルミネッセンス層の高められた安定性、さらに正孔輸送層の強化された温度安定性によって高められた耐用年数を備えたエレクトロルミネッセンス材料が創製される。
【国際調査報告】
2009542893.tif 000014
2009542893.tif 000015