(57)【要約】  イオン注入方法は、基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することを含んでいる。前記フィーチャーを覆って付与され前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分が、横方向に引っ張られお互いから離間させる。、そのような間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズがイオン注入される。前記イオン注入の後に、前記パターンフォトレジスト層が前記基板から除去される。この発明の他の態様および実施が考えられる。【選択図】  図８
2009510715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーを覆って付与され前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに付与される開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって、前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を横方向に引っ張り、お互いから離間させることと、
前記間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去することを
具備するイオン注入方法。
【請求項２】
前記フィーチャーが同一サイズおよび形状であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィーチャーがサイズおよび形状の少なくとも１つで異なることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャーが、ゲート誘電体層、導電層および絶縁性キャップを含む電界効果トランジスタゲートスタックを具備することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記一組のフィーチャーが少なくとも３．０のアスペクト比を有し、それらの間の間隔が少なくとも３．０のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記一組のフィーチャーが少なくとも４．０のアスペクト比を有し、それらの間の間隔が少なくとも４．０のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記パターンフォトレジスト層が有機フォトレジストを含んでいることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記一組のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から１°〜１０°であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記一組のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から５°〜８°であることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記フィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層の形成より前にそうであった度合に、減少させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャー下に付与される基板材料へと行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度に等しいことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも大きいことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも小さいことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの約５０％を覆って付与されていることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より少なく覆って付与されていることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より多く覆って付与されていることを特徴とする請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーを覆って付与され前記一組のフィーチャーが少なくとも３．０のアスペクト比を有し、その間の間隔が少なくとも３．０のアスペクト比を有している前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに付与される開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を前記基板に対して直角から１°〜１０°お互いから離間させて、、横方向に引っ張ることと、
前記間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入し、前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャーの下に付与される基板材料へと行われることと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去し、前記パターンフォトレジスト層の前記除去することが、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを
具備するイオン注入方法。
【請求項２１】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーの間にそこにおいて付与される開孔有するパターンフォトレジスト層を前記フィーチャーを覆って形成する際に、前記一組のフィーチャーの最も外側部分の第１の横方向分離をもたらす第１の組のフォトレジスト処理パラメータを決定することと、
前記第１の横方向分離より大きい、前記フィーチャーの前記最も外側部分の第２の横方向分離をもたらす第２の組のフォトレジスト処理パラメータを使用して、前記フィーチャーを覆って前記パターンフォトレジスト層を形成すること、
前記パターンフォトレジスト層が前記フィーチャーを覆いながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去すること
を具備するイオン注入方法。
【請求項２２】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも大きい前記パターンフォトレジスト層の厚さを備えることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも小さい、プレエクスポージャーベーク温度およびプレエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも小さいプレエクスポージャーベーク温度を備えることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのそれよりも小さいプレエクスポージャーベーク時間を備えることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのそれよりも小さいプレエクスポージャーベーク温度およびプレエクスポージャーベーク時間を備えることを特徴とする請求項２３記載の方法。
【請求項２７】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも大きい、ポストエクスポージャーベーク温度およびポストエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのそれよりも大きいポストエクスポージャーベーク温度を備えることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのそれよりも大きいポストエクスポージャーベーク時間を備えることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのそれよりも大きいポストエクスポージャーベーク温度およびポストエクスポージャーベーク時間を備えることを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項３１】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも小さい、プレエクスポージャーベーク温度およびプレエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを備え、前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも大きい、ポストエクスポージャーベーク温度およびポストエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項３２】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項３３】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記フィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層の形成より前にそうであった度合に、減少させることを特徴とする請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャー下に付与される基板材料へと行われることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項３５】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度に等しいことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３６】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも大きいことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３７】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも小さいことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３８】
前記フィーチャーが同一サイズおよび形状であることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項３９】
前記フィーチャーがサイズおよび形状の少なくとも１つで異なることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４０】
前記フィーチャーが、ゲート誘電体層、導電層および絶縁性キャップを含む電界効果トランジスタゲートスタックを具備することを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４１】
前記一組のフィーチャーが少なくとも３．０のアスペクト比を有し、それらの間の間隔が少なくとも３．０のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４２】
前記一組のフィーチャーが少なくとも４．０のアスペクト比を有し、それらの間の間隔が少なくとも４．０のアスペクト比を有していることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４３】
前記パターンフォトレジスト層が有機フォトレジストを含んでいることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４４】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項４５】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーそれぞれの約５０％を覆って付与されていることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４６】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーそれぞれの５０％より少なく覆って付与されていることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４７】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーそれぞれの５０％より多く覆って付与されていることを特徴とする請求項４４記載の方法。
【請求項４８】
基板から外側に突出している、第１、第２および第３のフィーチャーを形成し、前記第２のフィーチャーが前記第１および第３のフィーチャーの間に付与されることと、
前記第１および第３のフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を前記第２のフィーチャーの方へ横方向に内側に向けて、前記第１、第２および第３のフィーチャーを覆って付与されるパターンフォトレジスト層によって、横方向に引っ張り、前記パターンフォトレジスト層は前記第２のフィーチャー全体に覆って付与され、前記第１および第３のフィーチャーの間で橋わたしをしており、前記パターンフォトレジスト層は前記第１および第３のフィーチャーの外側側壁を横方向に露出させていることと、
前記第１および第３のフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記第１および第３のフィーチャーに横方向に外側で近接しており、前記第１および第３のフィーチャーよりも低い位置に付与されている基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去することを
具備するイオン注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、イオン注入に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は、それにより材料が基板に導入される一つの方法である。活動的で電荷を帯びた原子又は分子は、基板の外面領域に、及び／又は、原子又は分子に与えられる駆動エネルギーに依存して、基板内でより深いところに注入され得る。１つの典型的な使用において、イオン注入は、結晶シリコンのような半導体基板の表面へのおよび表面を介して、伝導性をエンハンスするドーパントイオンを導入する。適切な注入スペシーズ（または材料の種類：ｓｐｅｃｉｅｓ）、注入量および注入エネルギーを選択することで、当業者は、基板内に所望の領域を形成できる。
【０００３】
多くのイオン注入技術は、基板の一般的な／グローバルなオリエンテイションに対して垂直／直角の方向から、基板内へ被注入スペシーズを駆動する。しかしながら、場合によっては、基板を覆って形成された構造又はフィーチャー（または形状：ｆｅａｔｕｒｅ）ーの少なくとも部分的に下に受け入れられる（ｒｅｃｅｉｖｅｄ）ことになる被注入領域を形成することが望ましい。これと同じことを達成するために、直角から角度をもってイオン注入が実施され得、それにより、被注入領域が基板から突き出ている構造／フィーチャーの下に少なくとも部分的に受け入れられる。しかしながら、半導体集積回路製造産業での傾向は、そのフィーチャーをより高くてお互いにより近いという双方に作成するということであった。そのようなことは、角度のあるイオン注入方法がフィーチャーの下に受け入れられるべき被注入領域を効率的に提供することできる度合を事実上排除するか、又は、少なくとも減少できる。
【０００４】
この発明は、上記に特定された問題に取り組むことに動機付けられているが、決してそのように限定されることはない。この発明は、明細書に対しての解釈的な又は他の限定的な参照はしないで、添付の請求範囲で文字どおりに表現されて、これだけによって限定されるものであり、および、均等論に従うものである。
【発明の開示】
【０００５】
この発明はイオン注入方法を含んでいる。１つの実施において、イオン注入方法は、基板から外側に突出しており一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することを含んでいる。前記フィーチャーを覆って付与され前記一組で間隔のあるフィーチャーの間に開孔が付与されるパターンフォトレジスト層によって、前記一組の間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分は、お互いから横方向に引っ張られ離間される。そのような間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される（ｒｅｃｅｉｖｅｄ）基板材料へスペシーズがイオン注入される。前記イオン注入の後に、前記パターンフォトレジスト層が前記基板から除去される。
【０００６】
１つの実施において、イオン注入方法は、基板から外側に突出しており一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することを含んでいる。前記フィーチャーの間に開孔が付与されたパターンフォトレジスト層を前記フィーチャーを覆って形成する際に、前記一組のフィーチャーの最も外側部分の第１の横方向分離をもたらしうる第１の組（ｓｅｔ）のフォトレジスト処理パラメータが決定される。前記第１の横方向分離より大きい、前記フィーチャーの前記最も外側部分の第２の横方向分離をもたらす第２の組のフォトレジスト処理パラメータを使用して、前記フィーチャーを覆ってパターンフォトレジスト層が形成される。前記パターンフォトレジスト層が前記フィーチャーを覆いながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズがイオン注入される。前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層が除去される。
【０００７】
１つの実施において、イオン注入方法は、基板から外側に突出している第１、第２および第３のフィーチャーを形成することを含んでいる。前記第２のフィーチャーは前記第１および第３のフィーチャーの間に付与される。前記第１、第２および第３のフィーチャーを覆って付与されるフォトレジスト層によって前記第１および第３のフィーチャーの少なくとも最も外側の部分が、前記第２のフィーチャーの方へ向けて横方向に内側に引っ張られる。。前記パターンフォトレジスト層は前記第２のフィーチャー全体に覆って付与され、前記第１および第３のフィーチャーの間で橋わたしをしている。前記パターンフォトレジスト層は前記第１および第３のフィーチャーの外側側壁を横方向に露出させている。前記第１および第３のフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記第１および第３のフィーチャーに横方向に外側で近接するように基板材料へスペシーズがイオン注入され、そしてそれは前記第１および第３のフィーチャーよりも低い位置に受け入れられる。前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層が除去される。この発明の他の態様が熟考される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明の態様に従った第１の例示的なイオン注入方法が、図１〜図４を参照にして記載されている。図１は、参照番号１０で一般的に指し示された基板断片を示す。そのようなものは、そこから外側に突き出た一連のフィーチャー１３、１４、１５および１６を有する基板１２を備える。基板１２は、異なる材料のいずれか一つ又は組合せを含むことができ、１つの実施においては、好ましくは、半導体基板を備える。この書類において、用語“半導体基板”又は用語“半導性基板”は、それに限定はされないが、半導体ウエハー（単独又はその上に他の材料を備える組み合せのいずれか）および半導体材料層（単独又は他の材料を備える組み合せのいずれか）のような、バルク半導体材料を含んでいる半導体材料を具備するいかなる構造も意味すべく規定されている。用語“基板”は、それに限定はされないが、上述された半導体基板を含んだいかなる支持構造に言及している。さらに、この書類においては、用語“層”は、他に指示されていなければ、単数および複数双方を包含する。１つの例示的な実施において、基板１２はバルク半導体材料、例えば、真性的にドープされたモノ結晶シリコンを具備する。もちろん、代替の基板として、セミコンダクタ・オン・インシュレーター基板が単に１つの例示的なものとして、考えられる。
【０００９】
フィーチャー１３、１４、１５および１６は、同一サイズおよび形状のものか、又は、サイズおよび形状の少なくとも一つが異なるものかでもよい。図示された例示的な実施の形態において、フィーチャー１３、１４、１５および１６は、ゲート誘電体層１８、導電層２０および絶縁性キャップ２２を含む電界効果トランジスタゲートスタックを含む。例示的で好適なゲート誘電体層は、５５オングストロームの例示的な厚さとされた二酸化ケイ素を具備する。例示的な導電層２０は、７００オングストロームの厚さのポリシリコン層２４、８５オングストロームの厚さの元素チタニウム層２６、１５０オングストロームの厚さの窒化タングステン層２８および１００オングストロームの厚さの元素タングステン層３０を含む。例示的で好適な絶縁性キャップ材料は、例えば１５００オングストロームの例示的な厚さとされた、窒化ケイ素を含む。ゲートスタック１３、１４、１５および１６個々の例示的な幅は、直接隣接したゲートスタック間の分離距離と同様に、７５０オングストロームである。そのようにすることが、そこで、図示されたフィーチャー間の間隔のアスペクト比約３．５を提供する。
【００１０】
説明の継続として、処理は、例示的な実施の形態において基板１２から外側に突き出ている一組で間隔のある近接したフィーチャーと考えることができるフィーチャー１４および１５を強調して記載されている。ここでさらに記載される処理は、必ずしも基板１２を覆って付与されているフィーチャーの全体についてではないが、その中で主題のフィーチャーが付与されている少なくとも１つの共通の断面と関連している。一組で間隔のあるフィーチャー１４および１５の最も外側部分は、図示された断面内に横方向分離距離２５を有していると考えることができる。１つの好適な実施において、その一組のフィーチャーは、少なくとも３．０のアスペクト比を有しており、それらの間隔、例えば、図示された断面での例示的な図示の間隔３１は、少なくとも３．０のアスペクト比を有している。さらに、１つの好適な実施において、その一組のフィーチャーは、少なくとも４．０のアスペクト比を有しており、それらの間隔は少なくとも４．０のアスペクト比を有している。
【００１１】
図２に関して、フィーチャー１４および１５を覆って付与されたパターンフォトレジスト層３２によって一組で間隔のあるフィーチャー１４および１５の最も外側部分は、横方向に引き離され、お互いから離れている。。そこでは、フォトレジスト層３２は、一組で間隔のあるフィーチャー１４および１５の間に、開孔３４が付与されている。この書類において、溶媒又は化学線のエネルギー露出に引き続いた他の処理を使用して、材料がパターニングできるように、フォトレジストは、化学線のエネルギー等への露出に応じた化学反応を受ける光活性化合物を備えるいかなる材料でもよい。層３２は、フォトレジストに加えて、材料／層を含んでもよい。１つの好適な実施において、パターンフォトレジスト層３２は、有機フォトレジストを備える。
【００１２】
この発明は、日本国〒１００−０００４東京都千代田区大手町２丁目６−１の信越化学工業株式会社から入手可能なＳＥＰＲ７０１フォトレジストの公称３，１５０オングストローム厚の層を利用して、上記の例示的で好適な実施の形態によって実施することができた。そのようなフォトレジストに対しては、９０秒の間１１５℃のプレエクスポージャーベーク（露出前焼成）に、そして、９０秒の間１１０℃でポストエクスポージャーベーク（露出後焼成）が行なわれた。フォトレジスト層３２内の開孔３４の寸法は、図示された断面において０．５ミクロンから５ミクロン幅になり、０．１ミクロンから１００ミクロン長になるよう名目上選択された。そのようなことが、結果として、その一組のフィーチャーそれぞれの横方向の引っ張りを、基板１２に対して直角から６°でもたらした（直角は数字４０で示される）。
【００１３】
好ましくは、その一組の例示的なフィーチャー１４および１５それぞれの横方向の引っ張りは、基板に対して直角から１°〜１０°であり、基板に対して直角から５°〜８°の範囲がもっと好適と思われる。さらに、１つの例示的で好適な実施において、パターンフォトレジスト層３２は、その一組のフィーチャー１４および１５それぞれの表面の全部より少なく覆って形成されている。図示された例示的な実施の形態において、パターンフォトレジスト層は、その一組のフィーチャー１４および１５それぞれの約５０％を覆って形成されている。この発明は、また、パターンフォトレジスト層が、各フィーチャーの５０％より多く覆って形成されているのと同様に、各フィーチャーの５０％より少なく覆って形成されているのも、もちろん、意図している。図２は、横方向分離２５のそれよりも大きい、フィーチャー１４および１５の最も外側部分の横方向分離３５をもたらすように横方向の引き離されていることを図示している。
【００１４】
図３に関して、そして、間隔のあるフィーチャー１４および１５がお互いから離れて横方向に引っ張られて、適切なスペシーズが、一組で間隔のあるフィーチャー１４および１５よりも低く付与された基板１２の材料にイオン注入される。そのようなことが、例示的な拡散領域３８を形成するとして説明されている。１つの例示的な実施において、被注入スペシーズは、導電性を増大するドーパント、例えば、１ｘ１０１１スペシーズ／ｃｍ２から１ｘ１０１５スペシーズ／ｃｍ２までの例示的な注入量で注入されたホウ素又はヒ素のいずれかを含む。そのようなイオン注入は、一般的に基板に対して直角でも良い。それにより、被注入スペシーズおよび領域は、一組で間隔のあるフィーチャー１４および１５よりも低く、しかし、それらの下ではなく、少なくとも被注入とされる。従って、この書類における用語“より低い”は単独では、フィーチャーの真下に注入することを必要としない。しかしながら、代って、この発明を動機付けた問題点を克服することにもっと好ましく従って、イオン注入が、基板に対して直角からある角度で（すなわち、直角から１°〜１０°で）実施され、それにより、フィーチャー１４および１５の真下に注入されるように基板材料へも付与される。例えば、図３は、基板１２の直角方向４０から角度を持たせた例示的な矢印を図示しており、そこでは、図示された拡散領域３８の少なくともいくらかが、フィーチャー１４および１５下に少なくとも部分的に付与されている。従って、１つの実施において、一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側部分を横方向に引っ張ることは、フィーチャー１４および１５が覆って付与される基板材料に対して角度のあるイオン注入が生じることを可能にするより大きい場所を提供し、被注入スペシーズが突き出たフィーチャーの真下に付与されるかについてはかかわっていない。イオン注入の角度は、もし直角以外であれば、引っ張りによって生じる一組のフィーチャーの最も外側部分の角度の度合いと同じでよいか、又は、引っ張りのそのような角度の度合いよりも大きいか小さい角度でもよい。
【００１５】
図４を参照すると、、パターンフォトレジスト層３２は、イオン注入の後に、基板１２から除去されてしまっている。そのような除去は、どんな既存の又はまだ開発されていない技術によってなされてもよい。１つの例示的な既存の技術は、酸素プラズマアッシングによるものである。典型的にはそして好ましくは、パターンフォトレジスト層３２の除去は、フィーチャー１４および１５の最も外側部分の横方向分離の度合いを、パターンフォトレジスト層３２がそれらを覆って付与された時のその度合いから、減少させる。横方向分離の度合いのそのような減少は、部分的なだけでよいかもしれないし、また好ましくは、パターンフォトレジスト層の形成に先立ってその度合いがどうであったかに対するものかもしれない。図４は、例示的な処理を図示し、それにより、図２の横方向分離３５は、図１の横方向分離２５に戻されて減少が完了している。もちろん、この発明の態様は、横方向分離の度合いの減少がないものと、そして、フォトレジストの形成に先立った初期値以外のある値へ横方向分離の度合いの減少があるものとを意図している。
【００１６】
近接した間隔のあるフィーチャー又は他のフィーチャーの少なくとも最も外側部分の横方向への引っ張りは、ここに開示されたいずれかの方法か、又は、引き続いて開発された方法によって、発生できる。間隔のあるフィーチャーの横方向の引っ張りの度合いに影響を与えるとして発見された要因は、レジスト組成および間隔のあるフィーチャーの高さを含んでいる。例えば、より背の高いフィーチャーは、横方向の引っ張りのより大きい度合いをもたらす傾向がある。さらに、蒸着後の全処理時に、より高い度合いの収縮を受ける傾向があるレジスト組成は、より少ない収縮を示すものよりも、より大きい横方向の引っ張りをとなる傾向がある。さらに、そして、フィーチャーの高さおよびレジスト組成にかかわらず、プレエクスポージャーベーク温度及び／又はプレエクスポージャーベーク時間を減少させることが、続いて起こる収縮を、そしてそれにより、近接した間隔のあるフィーチャーの横方向の引っ張りの度合いを増加させる傾向がある。同じようにおよびそれらに関係なく、ポストエクスポージャーベーク温度及び／又は時間の少なくとも１つを増加させることは、収縮およびそれによって、間隔のある近接した離設フィーチャーの最も外側部分の横方向の引っ張りを最大にする傾向がある。さらにおよびそれらに関係なく、より厚いフォトレジスト層は、より薄いフォトレジスト層に比べて、より大きい横方向の引っ張りに向かう傾向がある。
【００１７】
この発明の別の考えられた態様において、イオン注入方法は、例としておよび一例としてのみ図１に関連して上述されたように、基板から外側に突出した一組で間隔のある近接したフィーチャーの形成を含んでいる。第１の組のフォトレジスト処理パラメータが決定され、それは結果的に、フィーチャー間に、開孔を有するフィーチャーを覆ってパターンフォトレジスト層を形成する際に、その一組のフィーチャーの最も外側部分の第１の横方向分離をもたらすかもしれない。例としておよび一例としてのみ、第１の組のフォトレジスト処理パラメータが決定され得て、それが、そのようなフィーチャーが最初に形成される時のそれと同じである、一組で間隔のあるフィーチャーの最も外側部分の第１の横方向分離をもたらすか、又は、最初に形成されたような間隔のあるフィーチャーのより大きい又はより少ない横方向分離であるいくらかの第１の横方向分離をもたらす。そのような第１組のフォトレジスト処理パラメータは、例えば上述されたように、フォトレジスト層の厚さ、プレエクスポージャープロセシング、ポストエクスポージャープロセシングなどの１つ以上の組合せを含みうる。
【００１８】
そのような第１の組のフォトレジスト処理パラメータを決定することは、フィーチャーを有する基板を覆ってフォトレジスト層を形成することにより、そして、もしあれば、横方向の引っ張りのいかなる度合いが利用される処理パラメータから生じるかを測定することによって、生じ得るかもしれない。基板は、それに続く処理がそれを覆って生じるそのものの基板でないかもしれないし、そのような基板かもしれない。代って、第１組の処理パラメータを決定することは、コンピュータによるものかもしれないし、又は、いかなる基板を覆うフォトレジスト形成を必ずしも実際に必要としない他のモデリングによるものかもしれない。
【００１９】
その後、第１の横方向分離よりも大きい、フィーチャーの最も外側部分の第２の横方向分離をもたらす第２組のフォトレジスト処理パラメータを使用して、パターンフォトレジスト層が、フィーチャーを覆って形成される。一例としてのみ、そのようなものが図２に関連して図示されている。１つの実施において、第２の組のフォトレジスト処理パラメータは、第１の組のフォトレジスト処理パラメータにおけるそれよりも大きい、パターンフォトレジスト層の厚さを具備する。１つの実施において、第２の組のフォトレジスト処理パラメータは、第１の組のフォトレジスト処理パラメータにおけるそれより小さい、プレエクスポージャーベーク温度およびプレエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを具備する。１つの実施において、第２の組のフォトレジスト処理パラメータは、第１の組のフォトレジスト処理パラメータにおけるそれより大きい、ポストエクスポージャーベーク温度およびポストエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを具備する。第１および第２の組のそのようにさまざまに述べられたフォトレジスト処理パラメータのどれもが、また、もちろん、組み合わせて用いることが可能です。
【００２０】
パターンフォトレジスト層がフィーチャーを覆いながら、スペシーズが、例えば、図３に関連して示されてきており上述されているように、一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与されてる基板材料にイオン注入される。
【００２１】
イオン注入の後に、パターンフォトレジスト層は、例えば、図４に示されて上述されてきたように、基板から除去される。例示的にはそして好ましくは、パターンフォトレジスト層のそのような除去は、その一組のフィーチャーの最も外側部分の横方向分離の度合いを、パターンフォトレジスト層がフィーチャーを覆って付与された時にそれがあったものかから、減少させるであろう。例示的で好適な処理は、そのほかの点では、第１に記載されたこの発明の実施および態様に関連して上述されたものと同様である。
【００２２】
この発明の態様に従った別の例示的なイオン注入方法が、図５〜図９を参照にして、記載されている。図５および図６は、基板５０を備える基板断片４９を図示している。基板５０は、半導体活性区域領域５４および、例えば、二酸化ケイ素と窒化ケイ素の１つ以上を備えており、間に配置されている電気絶縁用の絶縁領域５６を具備している。複数のフィーチャー５８、６０、６２、６４および６６が形成されて、基板５０から外側に突き出ているのが示されている。図示された例示的な実施の形態において、そのようなものは、例えば、第１に記載された実施の形態のそれらと同じ例示的な構造および参照番号を有する電界効果トランジスタゲートスタックを具備する。この場合もやはり、フィーチャーは、同一サイズおよび形状のものか、又は、サイズおよび形状の少なくとも１つが異なるものかもしれません。１つの例示的で好適な実施の形態において、フィーチャーは、少なくとも３．０のアスペクト比を有し、別の実施においては、少なくとも４．０のアスペクト比を有する。直接隣接したフィーチャー間の分離距離は、図示されたフィーチャーの幅のそれと同じかもしれないし、又は、異なるかもしれない。継続説明を目的として、フィーチャー６０、６２および６４は、基板５０から外側に突き出た第１、第２および第３のフィーチャーを備えており、そこでは、第２のフィーチャー６２が第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４の間に付与されていると考えることができる。１つの実施において、フィーチャー６２は、ダミーゲートを具備する。この書類の文脈における用語“ダミーゲート”とは、動作可能な回路の動作可能な部分を形成していないゲート線であり、それは、接地されるかもしれないし、又は、そうでなければ、回路動作期間に動作不能な電位に維持されるかもしれない。そのようなものは、一貫性のある形状のゲート線およびゲート線間の間隔の製造を促進するために、回路製造中に設けられるかもしれない。
【００２３】
図７に関して、、第１、第２および第３のフィーチャー６０、６２および６４のそれぞれを覆って付与されたパターンフォトレジスト層７０によって第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４の少なくとも最も外側部分は、第２のフィーチャー６２に向かって内側に横方向に引っ張られる。パターンフォトレジスト層７０は、好ましくは、第１に記載された実施の形態に関連して、フォトレジスト層３２について記載されたそれらと同じ特性を有する。さらに、好ましくは、処理は、上記された横方向の引っ張りを与えるために、上述されたように実施され得る。パターンフォトレジスト層７０は、第２のフィーチャー６２全体に覆って付与され、図示された断面において、第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４間に橋をかけている。さらに、パターンフォトレジスト層７０は、第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４の外側の側壁６７を、横方向に露出させている。好ましくは、第１および第３のフィーチャーのそれぞれの最も外側部分の横方向の引っ張りは、基板に対して直角から１°〜１０°であり、もっと狭い好適な範囲は、基板に対して直角から５°〜８°である。パターンフォトレジスト層７０は、示されているように、好ましくは第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４の全てより少なく覆って付与される。そのようなパターンフォトレジスト層は、第１および第３のフィーチャーのそれぞれの約５０％を覆って付与されるかもしれないし、第１および第３のフィーチャーのそれぞれの５０％より少なく覆って付与されるかもしれないし、又は、第１および第３のフィーチャーのそれぞれの５０％より多く覆って付与されるかもしれない。一例としてだけですが、図７は、第１および第３のフィーチャーのそれぞれの約４０％を覆って付与されているパターンフォトレジスト層７０を図示している。
【００２４】
図８に関して、そして、第１および第３のフィーチャーがパターンフォトレジスト層７０によって横方向に引っ張られながら、第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４の横方向に外側で、そして、近接して、スペシーズが基板材料にイオン注入されてきており、それが、第１のフィーチャー６０および第３のフィーチャー６４よりも低く付与されており、それによって、図示されている注入領域７５を形成している。そのようなイオン注入は、基板に対して直角で実施されるかもしれませんし、それによれば、典型的には、被注入領域は、もしあっても、第１および第３のフィーチャーの直接真下に少なくとも被注入として付与される極めて少ない部分を含むであろう。代って、もっと好ましく示されるように、イオン注入が基板に対して直角から角度を持って、それによって、第１および第３のフィーチャーの真下に付与された基板材料に実施される。イオン注入の角度は、もし直角以外であれば、引っ張りによって生じるフィーチャー６０および６４の最も外側部分の角度の度合いと同じでよいか、又は、引っ張りのそのような角度の度合いよりも大きいか小さい角度でよいかもしれない。直角か又は直角から角度を持たせてかの注入は、例えば、好ましくは、第１に記載された実施の形態に関連して上述されたようなものである。
【００２５】
図９に関して、そして、イオン注入の後に、パターンフォトレジスト層７０（図示せず）は、基板から除去されてしまっている。第１に記載された実施の形態と同様に、パターンフォトレジスト層のそのような除去は、典型的にはおよび好ましくは、第１および第３のフィーチャーの最も外側部分の、第２のフィーチャーからの、横方向分離の度合いを減少させる。横方向分離の度合いのそのような減少は、部分的にあるいは全面的に、パターンフォトレジスト層の形成に先立って度合いがどうであったかに対するものかもしれない。処理は、そのほかの点では、好ましくは上述されたようなものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
この発明の好ましい実施の態様は、次の添付図面を参照にして、以下に記載される。
【図１】図１は、この発明の１つの態様に従った処理における基板断片の図式的な断面図である。
【図２】図２は、図１で示されたのに引き続いた処理ステップでの図１基板断片の図である。
【図３】図３は、図２で示されたのに引き続いた処理ステップでの図２基板断片の図である。
【図４】図４は、図３で示されたのに引き続いた処理ステップでの図３基板断片の図である。
【図５】図５は、この発明の１つの態様に従った処理における代替の実施態様の基板断片についての図式的な断面図である。
【図６】図６は、図５の上面図であり、ここで、図５は図６の線５−５に沿って得られる。
【図７】図７は、図５で示されたのに引き続いた処理ステップでの図５の基板断片の図である。
【図８】図８は、図７で示されたのに引き続いた処理ステップでの図７の基板断片の図である。
【図９】図９は、図８で示されたのに引き続いた処理ステップでの図８の基板断片の図である。
【図１】
2009510715.tif 000003
【図２】
2009510715.tif 000004
【図３】
2009510715.tif 000005
【図４】
2009510715.tif 000006
【図５】
2009510715.tif 000007
【図６】
2009510715.tif 000008
【図７】
2009510715.tif 000009
【図８】
2009510715.tif 000010
【図９】
2009510715.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年4月20日(2007.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーを覆って付与され前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに付与される開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって、前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分をお互いから離間させ横方向に引っ張お互いから離間させることと、
前記間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去することを
具備するイオン注入方法。
【請求項４９】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度に等しいことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５０】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも大きいことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５１】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも小さいことを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５２】
前記フィーチャーが同一のサイズおよび形状であることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５３】
前記フィーチャーがサイズおよび形状の少なくとも１つで異なることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５４】
前記フィーチャーが、ゲート誘電体層、導電層および絶縁性キャップを含む電界効果トランジスタゲートスタックを具備することを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５５】
前記一組のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から５°〜８°であることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５６】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記フィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層の形成より前にそうであった度合に、減少させることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５７】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項２０記載の方法。
【請求項５８】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの約５０％を覆って付与されていることを特徴とする請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より少なく覆って付与されていることを特徴とする請求項５７記載の方法。
【請求項６０】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より多く覆って付与されていることを特徴とする請求項５７記載の方法。
【請求項６１】
前記第１、第２及び第３のフィーチャーが、ゲート誘電体層、導電層および絶縁性キャップを含む電界効果トランジスタゲートスタックを具備することを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６２】
前記第２のフィーチャーがダミーゲートを含むことを特徴とする請求項６１記載の方法。
【請求項６３】
前記第１、第２及び第３のフィーチャーが同一サイズおよび形状であることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６４】
前記第１、第２及び第３のフィーチャーがサイズおよび形状の少なくとも１つで異なることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６５】
前記第１、第２及び第３のフィーチャーが少なくとも３．０のアスペクト比を有することを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６６】
前記第１、第２及び第３のフィーチャーが少なくとも４．０のアスペクト比を有することを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６７】
前記パターンフォトレジスト層が有機フォトレジストを含んでいることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６８】
前記第１及び第３のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から１°〜１０°であることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項６９】
前記第１及び第３のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から５°〜８°であることを特徴とする請求項６８記載の方法。
【請求項７０】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記第１及び第３のフィーチャーの前記最も外側部分の前記第２のフィーチャーからの横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記第１、第２及び第３のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項７１】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記第１及び第３フィーチャーの前記最も外側部分の前記第２のフィーチャーからの横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層の形成より前にそうであった度合に、減少させることを特徴とする請求項７０記載の方法。
【請求項７２】
前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記第１及び第２のフィーチャー下に付与される基板材料へと行われることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項７３】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度に等しいことを特徴とする請求項７２記載の方法。
【請求項７４】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも大きいことを特徴とする請求項７２記載の方法。
【請求項７５】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも小さいことを特徴とする請求項７２記載の方法。
【請求項７６】
前記パターンフォトレジスト層が、前記第１及び第３のフィーチャーのそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項４８記載の方法。
【請求項７７】
前記パターンフォトレジスト層が、前記第１及び第３のフィーチャーのそれぞれの約５０％を覆って付与されていることを特徴とする請求項７６記載の方法。
【請求項７８】
前記パターンフォトレジスト層が、前記第１及び第３のフィーチャーのそれぞれの５０％より少なく覆って付与されていることを特徴とする請求項７６記載の方法。
【請求項７９】
前記パターンフォトレジスト層が、前記第１及び第３のフィーチャーのそれぞれの５０％より多く覆って付与されていることを特徴とする請求項７６記載の方法。
【請求項８０】
第１及び第３のフィーチャーの各々の最も外側の部分を横方向に引き離すことは基板に対しての直角から１°〜１０°であり、
第１、第２及び第３のフィーチャーは少なくても３．０のアスペクト比を有し、前記イオン注入は前記基板への直角から角度をもってかつ第１及び第３のフィーチャーの下に付与された基板内に実行され、
前記パターンフォトレジスト層の除去は、前記第２のフィーチャーからの前記第１及び第３のフィーチャーの最も外側部分の横方向の分離の程度を、パターンフォトレジスト層が第１、第２及び第３のフィーチャーを覆って付与されたときにそれがあったところのものから減少することを特徴とする請求項７６記載の方法。
【請求項８１】
第１及び第３のフィーチャーの各々の最も外側部分横方向の引き離しは前記基板への直角から５°〜８°の範囲である請求項８０記載の方法。
【請求項８２】
パターンフォトレジスト層の除去は前記第２のフィーチャーから第１及び第３のフィーチャーの最も外側の部分の横方向分離の程度を前記パターンフォトレジスト層の生成前にそれがあったところのものへ減少する請求項８０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーを覆って付与され前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに付与される開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって、前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を横方向に引っ張りお互いから離間させることと、
前記間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去することを
具備するイオン注入方法。
【請求項２】
前記フィーチャーが同一サイズおよび形状であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フィーチャーがサイズおよび形状の少なくとも1つで異なることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャーが、ゲート誘電体層、導電層および絶縁性キャップを含む電界効果トランジスタゲートスタックを具備することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記一組のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から１°〜１０°であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記一組のフィーチャーそれぞれの前記最も外側部分の前記横方向横方向への引っ張りが、前記基板に対して直角から５°〜８°であることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記フィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層の形成より前にそうであった度合に、減少させることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャーの下に付与される基板材料へと行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度に等しいことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも大きいことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記イオン注入の角度が、前記一組で間隔のあるフィーチャーの前記最も外側部分の直角からの角度で、前記横方向の引っ張りによって生じる角度よりも小さいことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの約５０％を覆って付与されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より少なく覆って付与されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーのそれぞれの５０％より多く覆って付与されていることを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーを覆って付与され、前記一組のフィーチャーが少なくとも３．０のアスペクト比とを有しその間の間隔が少なくとも３．０のアスペクト比とを有している前記一組で間隔のあるフィーチャーの間のところに付与される開孔を有しているパターンフォトレジスト層によって、前記一組で間隔のあるフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を横方向に引っ張り前記基板に対して直角から１°〜１０°お互いから離間させる、、横方向に引っ張ることと、
前記間隔のあるフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入し、前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャーの下に付与される基板材料へと行われることと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去し、前記パターンフォトレジスト層の前記除去することが、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを
具備するイオン注入方法。
【請求項１８】
基板から外側に突出しており、一組で間隔のある近接したフィーチャーを形成することと、
前記フィーチャーの間にそこにおいて付与される開孔有するパターンフォトレジスト層を、前記フィーチャーを覆って形成する際に、前記一組のフィーチャーの最も外側部分の第１の横方向分離をもたらす第１の組のフォトレジスト処理パラメータを決定することと、
前記第１の横方向分離より大きい、前記フィーチャーの前記最も外側部分の第２の横方向分離をもたらす第２の組のフォトレジスト処理パラメータを使用して、前記フィーチャーを覆って前記パターンフォトレジスト層を形成すること、
前記パターンフォトレジスト層が前記フィーチャーを覆いながら、前記一組で間隔のあるフィーチャーよりも低く付与される基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去すること
を具備するイオン注入方法。
【請求項１９】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも大きい前記パターンフォトレジスト層の厚さを備えることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の組のフォトレジスト処理パラメータが、前記第１の組のフォトレジスト処理パラメータのものよりも小さい、プレエクスポージャーベーク温度およびプレエクスポージャーベーク時間の少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記パターンフォトレジスト層の前記除去が、前記一組のフィーチャーの前記最も外側部分の横方向分離の度合いを、前記パターンフォトレジスト層が前記一組のフィーチャーを覆って付与された時にそうであった度合いから、減少させることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記イオン注入することが、前記基板に対して直角からの角度で実施され、前記一組のフィーチャー下に付与される基板材料へと行われることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２３】
前記フィーチャーが同一サイズおよび形状であることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記フィーチャーがサイズおよび形状少なくとも１つで異なることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２５】
前記パターンフォトレジスト層が、前記一組のフィーチャーそれぞれの全てより少ない範囲を覆って付与されていることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２６】
基板から外側に突出している、第１、第２および第３のフィーチャーを形成し、前記第２のフィーチャーが前記第１および第３のフィーチャーの間に付与されることと、
前記第１および第３のフィーチャーの少なくとも最も外側の部分を前記第２のフィーチャーの方へ横方向に内側に向けて、前記第１、第２および第３のフィーチャーを覆って付与されるパターンフォトレジスト層によって、横方向に引っ張り、前記パターンフォトレジスト層は前記第２のフィーチャー全体に覆って付与され、前記第１および第３のフィーチャーの間で橋わたしをしており、前記パターンフォトレジスト層は前記第１および第３のフィーチャーの外側側壁を横方向に露出させていることと、
前記第１および第３のフィーチャーが横方向に引っ張られながら、前記第１および第３のフィーチャーに横方向に外側で近接しており、前記第１および第３のフィーチャーよりも低い位置に付与されている基板材料へスペシーズをイオン注入することと、
前記イオン注入の後に、前記基板から前記パターンフォトレジスト層を除去することを
具備するイオン注入方法。
【国際調査報告】
2009510715.tif 000012
2009510715.tif 000013