(57)【要約】  本開示は、化学機械研磨（ＣＭＰ）に有用な研磨物品に関し、この物品は、対向する主表面を有する基材と、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、基材の近くに位置付けられた、ＣＭＰ情報を提供するための手段と、基材の近くに位置付けられかつＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたトランスミッタとを包含する。本開示はまた、ＣＭＰ情報を通信するための手段を有するＣＭＰパッドコンディショナー、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム、及びＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法に関する。
2009542449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨物品であって、
対向する主表面を有する基材と、
前記主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、
前記基材に近接して位置付けられた、ＣＭＰ情報を提供するための手段と、
前記基材に近接して位置付けられたトランスミッタと、を含み、該トランスミッタが、前記ＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されている、研磨物品。
【請求項２】
前記ＣＭＰ情報を提供するための手段が、ＲＦＩＤタグ、ＲＦＩＤタグリーダー、及びセンサーの１つ以上から選択される、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項３】
前記センサーが、厚さセンサー、速度センサー、加速度センサー、振動センサー、力センサー、圧力センサー、温度センサー、ｐＨセンサー、化学組成センサー、及び化学濃度センサーからなる群の１つ以上から選択される、請求項２に記載の研磨物品。
【請求項４】
前記センサーが、ＣＭＰパッドの厚さを測定するように適合された渦電流厚さセンサーである、請求項３に記載の研磨物品。
【請求項５】
前記トランスミッタが、ＲＦＩＤシステムのためのトランスポンダー中の構成要素であり、かつ前記リモートレシーバが、前記ＲＦＩＤシステムのためのリーダーである、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項６】
前記トランスポンダー及び前記リーダーの１つ又は両方が、復調回路、共振回路、トランスミッタ、レシーバ、プロセッサ、コントローラ、メモリ、アナログ／デジタルコンバータ、デジタル／アナログコンバータ、アンテナ、及び電源からなる群の１つ以上を更に含む、請求項５に記載の研磨物品。
【請求項７】
前記ＣＭＰ情報が、ＣＭＰパッドコンディショナーデータ、ＣＭＰパッドデータ、並びにＣＭＰプロセス中に測定された速度、加速度、力、圧力、振動、厚さ、温度、ｐＨ、化学組成、及び化学濃度の１つ以上を包含する測定されたＣＭＰプロセスデータの１つ以上から選択される、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項８】
前記ＣＭＰパッドコンディショナーデータ及び前記ＣＭＰパッドデータの少なくとも１つが、製造データ、組成データ、追跡データ、品質データ、及び履歴データからなる群から選択される、請求項７に記載の研磨物品。
【請求項９】
前記主表面の少なくとも１つの中に提供される据え付けポートを更に含む、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項１０】
前記据え付けポートが、両主表面間に伸びるオリフィスを包含する、請求項９に記載の研磨物品。
【請求項１１】
前記据え付けポートに近接するベアリングを更に含み、該ベアリングが、前記パッドコンディショナーの前記トランスミッタ周囲の回転を許すように適合されている、請求項９に記載の研磨物品。
【請求項１２】
ＣＭＰパッドコンディショナーであって、
ベースと、
該ベースの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、
前記ベースに近接して位置付けられた、ＣＭＰ情報をリモートロケーションに通信するための手段と、を含む、コンディショナー。
【請求項１３】
ＣＭＰプロセスモニタリングシステムであって、
対向する主表面を有する基材と、前記主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材とを包含する、少なくとも１つの研磨物品と、
該少なくとも１つの研磨物品に近接して位置付けられた少なくとも１つのセンサーであって、各センサーがＣＭＰ情報を決定するように適合されている少なくとも１つのセンサーと、
前記研磨物品に近接して位置付けられ前記センサーと通信するトランスミッタであって、該トランスミッタがＣＭＰ情報を送信するように適合されているトランスミッタと、
該トランスミッタから離れて位置し前記送信されたＣＭＰ情報を受信するように適合された少なくとも１つのレシーバと、を含む、システム。
【請求項１４】
前記ＣＭＰ情報が、ＣＭＰパッドコンディショナーデータ、ＣＭＰパッドデータ、及び測定されたＣＭＰプロセスデータの少なくとも１つから選択される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ＣＭＰパッドコンディショナーデータ及び前記ＣＭＰパッドデータの少なくとも１つが、製造データ、組成データ、追跡データ、品質データ、及び履歴データからなる群から選択される、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ＣＭＰ情報を処理し、かつＣＭＰパッド特性を変更すること、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること、ＣＭＰポリッシングスラリー特性を変更すること、及びＣＭＰプロセス特性を変更することからなる群から選択される制御応答を提供するように適合されたコントローラを更に含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記センサー、前記トランスミッタ、及び前記レシーバが、無線周波数識別システムを構成する、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記無線周波数識別システムが、ＲＦＩＤタグ、変調回路、復調回路、共振回路、アナログ／デジタルコンバータ、デジタル／アナログコンバータ、メモリ、コントローラ、アンテナ、及び電源の少なくとも１つを更に含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
各センサーが、厚さセンサー、速度センサー、加速度センサー、振動センサー、力センサー、圧力センサー、温度センサー、ｐＨセンサー、化学組成センサー、化学濃度センサー、及びＲＦＩＤタグリーダーからなる群から選択される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
ＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法であって、
（ｉ）ＣＭＰパッドコンディショナーを提供することであって、該パッドコンディショナーが、
（ａ）対向する主表面を有するベースと、
（ｂ）前記主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、
（ｃ）前記ベースに近接して位置付けられた少なくとも１つのセンサーと、を包含し、各センサーがＣＭＰ情報を決定するように適合されていることと、
（ｉｉ）ＣＭＰパッドを前記少なくとも１つのセンサーに近接して位置付け、それによってＣＭＰ情報を前記センサーに提供することと、
（ｉｉｉ）前記ＣＭＰ情報に基づいて、ＣＭＰパッド特性を変更すること、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること、ＣＭＰポリッシングスラリー特性を変更すること、又はＣＭＰプロセス特性を変更することからなる群から選択されるパッドコンディショニング制御応答を生成することと、を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨（ＣＭＰ）において有用である研磨物品に関する。本発明はまた、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム、及びＣＭＰパッドコンディショニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製作に使用されるシリコンウエハーは、典型的には、付着、パターニング、及びエッチング工程を包含する多数の加工工程を経る。各製造工程では、ウエハーをその後の製作又は製造工程に向けて準備するために、ウエハーの露出面を修正又は精錬することが、多くの場合必要であり又は望ましい。例えば、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）構造体を有する半導体ウエハーは、更なる加工の前に誘電体材料の平滑化を必要とする。
【０００３】
ウエハーの露出面を修正又は精錬する１つの方法は、ウエハー表面を、液体中に分散した複数個の遊離研磨粒子を含有するポリッシングスラリーによって処理する連続的プロセスを採用する。典型的には、このスラリーはポリッシングパッドに適用され、次いでウエハー表面は、ウエハー表面から物質を取り除くために、研磨されるか又はパッドに対向して動かされる。一般に、スラリーはまたウエハー表面と化学的に反応する剤を含有する。この種類のプロセスは、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスと一般的に称される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
長い間に、ポリッシングパッドの表面は、ポリッシングプロセスに同伴される副生成物によって覆われるようになり、それによってその後のウエハーについては除去速度又はポリッシングの均一性が低下する。長い間にわたってポリッシングパッドの状態を維持するために、パッドは、工業用ダイヤモンド表面を有するパッドコンディショナーに定期的に暴露され、かつ指定速度で回転されてポリッシングパッド表面を粗面化する。ＣＭＰパッドのコンディショニングプロセスは、所望のウエハー表面のトポグラフィーを維持するために、注意深くモニターされなければならない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一般に、本発明は、ＣＭＰ情報を提供するためのセンサー又は他の手段、並びにＣＭＰプロセスをモニタリング及び／又は制御する上で有用なＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたトランスミッタを包含する研磨物品に関する。代表的な研磨物品には、ポリッシングパッド（ＣＭＰパッド）及びＣＭＰパッドコンディショナーが挙げられる。本発明の実施形態はまた、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム、及びＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法を提供する。
【０００６】
１つの態様では、本発明の実施形態は、対向する主表面を有する基材と、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、基材に近接して位置付けられた、ＣＭＰ情報を提供するための手段と、基材に近接して位置付けられＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたトランスミッタとを含む研磨物品を提供する。代表的な実施形態では、ＣＭＰ情報を提供するための手段は、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグ、ＲＦＩＤタグリーダー、及びセンサーの１つ以上から選択される。ある代表的な実施形態では、ＣＭＰ情報を提供するための手段は、厚さセンサー、速度センサー、加速度センサー、振動センサー、力センサー、圧力センサー、温度センサー、ｐＨセンサー、化学組成センサー、及び化学濃度センサーの１つ以上から選択されるセンサーである。幾つかの実施形態では、ＣＭＰ情報を提供するための手段は、力以外のＣＭＰ情報のみ、即ち力又は圧力測定から得られたのではないＣＭＰ情報のみを提供する。
【０００７】
ある実施形態では、研磨物品は、ポリッシングパッド、又はＣＭＰパッドコンディショナーである。追加の実施形態では、ＣＭＰ情報は、ＣＭＰパッドコンディショナーデータ、ＣＭＰパッドデータ、並びにＣＭＰプロセス中に測定された速度、加速度、力、圧力、振動、厚さ、温度、ｐＨ、化学組成、及び化学濃度の１つ以上を包含する測定されたＣＭＰプロセスデータを包含してもよいが、これらに限定されない。更なる実施形態では、ＣＭＰパッドコンディショナーデータ及びＣＭＰパッドデータの１つ又は両方は、製造データ、組成データ、追跡データ、品質データ、及び履歴データを包含してもよい。
【０００８】
別の態様では、本発明の実施形態は、ベースと、ベースの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、ベースに近接して位置付けられた、ＣＭＰ情報を通信するための手段とを含むＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。代表的な実施形態では、ＣＭＰ情報を通信するための手段は、有線の電気／光ケーブル送信、又は無線送信、例えば無線周波数、音響、若しくは光送信を使用してＣＭＰ情報をリモートレシーバに通信してもよい。ある代表的な実施形態では、ＣＭＰ情報を通信するための手段は、有線の電気若しくは光ケーブル、又は無線の無線周波数、音響、若しくは光送信を使用してＣＭＰ情報をリモートレシーバに通信するセンサーを包含する。幾つかの実施形態では、ＣＭＰ情報を通信するための手段は、力以外のＣＭＰ情報のみ、即ち力又は圧力測定から得られたのではないＣＭＰ情報のみを提供する。ある代表的な実施形態では、ＣＭＰ情報を通信するための手段は、無線によりＣＭＰ情報をリモートレシーバに送信するように適合されたセンサーであってもよい。
【０００９】
１つの特別な代表的実施形態では、ＣＭＰ情報を通信するための手段は、ＣＭＰ情報をリモートＲＦＩＤリーダー／質問機に無線により送信するように適合された、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）トランスポンダーを包含する。ＲＦＩＤトランスポンダーは、センサー、アナログ／デジタルコンバータ、メモリ、トランスミッタ、レシーバ、変調回路、アンテナ、及び、例えばインダクタンス・キャパシタンス（inductive-capacitive）（ＬＣ）タンク回路又は電池などの電源の１つ以上を包含してもよい。リモートレシーバは、１つ以上のトランスポンダーから、かつ任意に、レシーバから離れた１つ以上のＲＦＩＤタグから、ＣＭＰ情報を受信するように適合されてもよい。
【００１０】
別の態様では、本発明の実施形態は、対向する主表面を有する基材と、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材とを含む少なくとも１つの研磨物品を包含するＣＭＰプロセスモニタリングシステムを提供する。ＣＭＰ情報を決定するように適合された少なくとも１つのセンサーと、ＣＭＰ情報を送信するように適合されたトランスミッタとが、それぞれ少なくとも１つの研磨物品に近接して位置付けられる。幾つかの実施形態では、ＣＭＰ情報は、力以外のＣＭＰ情報、即ち力又は圧力測定から得られたのではないＣＭＰ情報である。ある代表的な実施形態では、トランスミッタは、ＣＭＰ情報をリモートレシーバに無線により送信するように適合されている。
【００１１】
システムは、送信されたＣＭＰ情報を受信するように適合された少なくとも１つのリモートレシーバを包含する。ある実施形態は、送信されたＣＭＰ情報からＣＭＰプロセス制御応答を生成するように適合されたコントローラを包含する。幾つかの代表的な実施形態では、ＣＭＰプロセス制御応答は、ＣＭＰパッド特性を変更すること、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること、ＣＭＰスラリー特性を変更すること、又はＣＭＰプロセス特性を変更することを包含してもよい。
【００１２】
追加の態様では、本発明の実施形態は、対向する主側面を有するベースと、主側面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする研磨材と、ベースに近接して位置付けられ及びＣＭＰパッドに近接して位置付けられたときＣＭＰ情報を決定するように適合された少なくとも１つのセンサーとを包含するＣＭＰパッドコンディショナーを使用して、ＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法を提供する。方法は、ＣＭＰパッドを、ＣＭＰパッドコンディショナーの少なくとも１つのセンサーに近接して位置付け、それによってＣＭＰ情報をセンサーに提供することと、ＣＭＰ情報に基づいてパッドコンディショニングの制御応答を生成することとを包含する。幾つかの実施形態では、ＣＭＰ情報は、力以外のＣＭＰ情報、即ち力又は圧力測定から得られたのではないＣＭＰ情報である。
【００１３】
本発明の幾つかの実施形態は、ウエハーを磨くために使用されるＣＭＰパッドの厚さ及び厚さの変動の現場（即ち、ＣＭＰ機械内での）モニタリングを可能にし、パッドコンディショニングプロセスの調整によって所望の表面形状を維持できるようにすることにより、半導体ウエハーの化学機械研磨に使用される機械の動作を改善し得る。現場モニタリングは、ポリッシング動作と同時に行ってもよいし、又は間欠的に、例えばポリッシングの工程と工程の間に行ってもよい。ＣＭＰプロセスの間の現場モニタリングはまたウエハーへの損傷を防ぎ、それによってウエハーを救済する場合がある。更に、ＣＭＰプロセスの精密制御により、より厳格に仕様に適合できるようにし、かつ加工時間を低減できる場合がある。
【００１４】
ある実施形態では、ＣＭＰプロセスモニタリングシステムは、安定なＣＭＰプロセス動作を可能にし、それによってウエハーポリッシングの一貫性を維持できる場合がある。他の実施形態では、ＣＭＰパッドコンディショニングシステムは、欠陥のある又は摩耗したＣＭＰパッド又はパッドコンディショナーの検出を可能にし、それによってウエハー表面の損傷及び結果として生じるウエハー加工費用の損失を防ぐ又は低減する場合がある。追加の実施形態では、ＣＭＰパッドコンディショニングシステムは、ポリッシングスラリーの化学的又は物理的特性の変化の検出を可能にし、それによってスラリーの性質の変更又は修正の必要を知らせる場合がある。
【００１５】
本発明のこれらの及び他の利点は、添付図面及び本発明の詳細な説明に記載されるように、本発明の１つ以上の実施形態において、より完全に示され及び記載される。上記の概要は、本発明の各例示された実施形態、又はあらゆる実施を記載することを意図していない。図及び以下の詳細な説明は、本明細書に開示された原理を使用する幾つかの好ましい実施形態を更に具体的に例示する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
従来のＣＭＰシステムに関する１つの問題は、磨耗した又は汚染された消耗品のために高価なウエハーを損傷し、それによってＣＭＰプロセスの生産性が低下するのを防ぐために、ポリッシングパッド（ＣＭＰパッド）、ＣＭＰパッドコンディショナー、ポリッシングスラリーバッチなどのような消耗品を定期的に取り替える必要があることである。反対に、初期段階での消耗品の頻繁な取り替えは、運転コストを著しく加算しかつＣＭＰプロセスのスループットを低下させる場合がある。特に、使用がかなり進行した段階でのＣＭＰ消耗品の取り替えは、ＣＭＰプロセスの安定性を脅かす場合がある。その上、長い間の使用に伴う消耗品の劣化は、プロセスの安定性を維持すること及び消耗品の取り替えの最適時点を確実に予想することを困難にする。最新の集積回路を製造する上で、ＣＭＰプロセスの均一性に関するプロセス要件は、ポリッシングパッドの状況が、ポリッシングパッド１回の使用期間を通じて加工される各個々のウエハーの全区域にわたって可能な限り一定に維持される必要があり、可能な限り多くのウエハーの加工ができるように、非常に厳格である。
【００１７】
従来のＣＭＰプロセスのこれらの及び他の欠点に応えて、本発明の様々な代表的な実施形態が、化学機械研磨プロセスをモニタリングする上で、かつＣＭＰパッドをコンディショニングする方法を実践する上で有用なＣＭＰ情報を提供するための手段を有する、ＣＭＰパッド及び／又はパッドコンディショナーを包含するＣＭＰプロセスモニタリングシステムを提供する。実施形態は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、様々な修正及び変更を受け入れてもよい。それ故に、本発明は次に記載される実施形態に限定されるべきではなく、請求項及びそのいずれかの等価物に記載される限定によって制御されるべきであることは理解される必要がある。特に、本明細書において列挙されるすべての数値及び範囲は、特に記述がない限り、用語「約」によって修正されることを意図する。
【００１８】
本発明の様々な実施形態は、これから図を参照して記載される。図１Ａ〜１Ｃ及び２Ａ〜２Ｂを参照すると、ＣＭＰパッドコンディショニングディスク２（即ち、以後「パッドコンディショナー」）の形態の研磨物品が示されている。研磨物品２がパッドコンディショナーとして記載され及び図に示されているが、研磨物品はあるいはＣＭＰのためのポリッシングパッドであってもよいことは理解される。好適な研磨物品２は、米国特許第５，６２０，４８９号、及び第６，１２３，６１２号に記載される。研磨物品２は、ＣＭＰ情報を提供するための手段、例えばセンサー１８を包含し、これはＣＭＰ情報を研磨物品２から離れたレシーバ（図１Ａ〜１Ｃ又は図２Ａ〜２Ｂには示されず）に送信するように適合されたトランスミッタ５４と通信する。
【００１９】
研磨物品２は、対向する上部主表面４ａと下部主表面４ｂを有する基材４を包含し、これは幾つかの実施形態では、図１Ａ〜１Ｃに示されるように、実質的に平面的である。幾つかの代表的な実施形態では、主表面４ａ及び４ｂの１つ（図１Ｂ及び１Ｃ）又は両方（図２Ｂ）は、図１Ａ〜１Ｃ及び２Ａ〜２Ｂに例示されるように、複数個の研磨粒子６のような研磨材６によりオーバーレイされていてもよい。他の代表的な実施形態では、主表面４ａ及び４ｂの１つ又は両方が、セラミック材料又はエッチングされたシリコンであってもよく、これはテクスチャード加工されていても又はテクスチャード加工されていなくてもよいし、化学気相蒸着（ＣＶＤ）ダイヤモンド（例えば、ダイヤモンドライクカーボン）、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）ダイヤモンドなどのような研磨ハードコートによりオーバーレイされていてもよい。
【００２０】
基材４は、例えば金属（例えば、ステンレス鋼）、セラミック材料（例えば、シリカ又はアルミナ）、シリコン材料（例えば、エッチングされたシリコン）、又は高分子材料（例えば、ポリカーボネート）、及びこれらの組み合わせのようないずれかの好適な材料から形成されてもよい。基材４は、テクスチャード加工されていなくても又はテクスチャード加工されていてもよい。研磨材６は、図１Ａ〜１Ｃ及び図２Ａ〜２ｂに示されるように、マトリックス材８を使用して、基材の片面又は両面に固着されていてもよい。研磨材６には、図１Ａ〜１Ｃ及び図２Ａ〜２ｂに示されるように、例えば、マトリックス材８中の複数個の研磨粒子、流体キャリア中の研磨粒子のスラリー（例えば、ＣＭＰポリッシングスラリー）、研磨コーティング（例えば、セラミック又はダイヤモンドライクカーボンコーティングなど）、及び研磨構造体（例えば、複数個の研磨粒子及びマトリックス材８から形成された三次元形状）を挙げてもよい。
【００２１】
マトリックス材８は、例えば高分子結合材、金属又は金属合金、及びこれらの組み合わせであってもよい。ある実施形態では、マトリックス材８は、耐食金属マトリックス材であるように選択され、これは好ましくは研磨粒子と化学結合及び機械的連結を形成し、それによって粒子を基材上の適所に、多種多様な動作条件においてしっかりと保持する。基材４は、図１Ａ〜１Ｃ及び２Ａ〜２Ｂに示されるように、研磨材６及びマトリックス材８がそれに固着される別個の構成要素であってもよいし、又は基材は、マトリックス材８に一体化して形成されてもよいが、その実施形態は図に例示されていない。
【００２２】
研磨粒子のサイズ及び種類は、研磨物品の所望の特性を実現するように、その目的用途に応じて選択されてもよい。用語「研磨粒子」は、結合剤によって共に結合されて研磨粒塊又は複合体を形成する、単一種の研磨粒子を包含する。研磨粒塊は、米国特許第４，３１１，４８９号（クレシュナー（Kressner））、米国特許第４，６５２，２７５号（ブローシェル（Bloecher）ら）、及び米国特許第４，７９９，９３９号（ブローシェル（Bloecher）ら）に更に記載される。研磨粒子は、表面処理又はコーティング、例えばカップリング剤又は金属若しくはセラミックコーティング、又はこれらの組み合わせを更に包含してもよい。
【００２３】
本発明のある実施形態において有用な研磨粒子は、少なくとも約２０マイクロメートル及び多くとも約１０００マイクロメートルの平均サイズ（例えば、レーザー回折粒度分析を使用して決定されるような体積平均粒径）を示してもよい。幾つかの実施形態では、研磨粒子は、少なくとも約４５マイクロメートル、より好ましくは少なくとも約７５マイクロメートルの平均サイズを示す。他の実施形態では、研磨粒子は、多くとも約６２５マイクロメートル、より好ましくは多くとも約３００マイクロメートルの平均サイズを示す。時には、研磨粒子のサイズは、「メッシュ」又は「等級」という用語で報告され、その両方が、制御されたメッシュサイズのふるいを使用する粒子ふるい分け試験から得られる、一般的に既知の研磨粒子のサイズ用語である。幾つかの実施形態では、研磨粒子は、約６０〜５００タイラーメッシュ（Tyler mesh）のふるいを通過するように選択される。
【００２４】
ある実施形態では、研磨粒子が、少なくとも８、及びより好ましくは少なくとも９のモース硬度を示すことが好ましい。好適な研磨粒子には、例えば溶融酸化アルミニウム、セラミック酸化アルミニウム、熱処理酸化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化タングステン、アルミナジルコニア、酸化鉄、ダイヤモンド（天然及び合成）、セリア、立方晶窒化ホウ素、ガーネット、カーボランダム、ホウ素亜酸化物、及びこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２５】
幾つかの実施形態では、複数個の研磨粒子６は、粒子を基材４に固着し及び各粒子を適所にしっかりと保持する役割を果すマトリックス材８の中に埋め込まれた第１周囲部分６ａ、並びにマトリックス材８から外側に突出し、それによって研磨面を形成する第２露出部分６ｂを有して、上部基材表面４ａに隣接して配置される。基材が所望の形状に形成される（例えば、切断される）領域において、研磨粒子が基材４から遊離する傾向を低減するために、かつ／又は研磨物品と共に提供されるセンサーの動作を許すために、基材の一部分は研磨粒子なしに提供されてもよい。この粒子なしのゾーンは、例えば研磨物品の中心付近に形成されてもよいし、又は図１Ａに示されるように、研磨物品の周辺縁部全体に沿って一定距離に広がってもよい。ほぼ円形又は円環形を有する典型的コンディショニングディスクについて、粒子なしのゾーンは、ディスクの中心付近及び基材の外側周辺縁部の両方に提供されてもよい。
【００２６】
本発明の特別の実施形態によると、マトリックス材は、ろう付け用合金及び焼結耐食粉末を包含してもよい。所定温度に加熱されたとき、ろう付け用合金は液体になり、研磨粒子の周囲を流動する。加えて、ろう付け用合金は、研磨粒子と反応し及び化学結合を形成する。化学結合を形成するために、ろう付け用合金の組成物は、特定の研磨粒子と反応することが既知の予め選択された要素を包含し、それによって化学結合を形成する。例えば、ダイヤモンド研磨粒子が使用される場合には、ろう付け用合金は、ダイヤモンドと反応して化学結合を形成する場合がある次の要素：クロム、タングステン、コバルト、チタン、亜鉛、鉄、マンガン、又はシリコンの少なくとも１つを包含してもよい。更なる例として、立方晶窒化ホウ素研磨粒子が使用される場合、ろう付け用合金は、研磨粒子と化学結合を形成する場合がある、アルミニウム、ホウ素、炭素、及びシリコンの少なくとも１つを包含してもよく、又、酸化アルミニウム研磨粒子が使用される場合、ろう付け用合金は、アルミニウム、ホウ素、炭素、及びシリコンの少なくとも１つを包含してもよい。しかしながら、ろう付け用合金は又、研磨粒子と反応し及び化学結合を形成する要素又は要素類に加えて、様々な追加の要素を含有してもよいことも認識される。
【００２７】
多量の耐食粉末がろう付け用合金と混合されて結合性を改善し、強度を高め、耐食性を改善し、かつマトリックス材の価格を低減する場合がある。耐食粉末は、ステンレス鋼、チタン、チタン合金、ジルコニウム、ジルコニウム合金、ニッケル、及びニッケル合金を包含する金属及び金属合金を包含してもよい。より具体的には、ニッケル合金は、８０重量％のニッケル及び２０重量％のクロムを包含するニッケル合金、例えば、ニクロム（Nichrome）を包含してもよい。あるいは、耐食粉末は、炭化シリコン又は炭化タングステンのような炭化物を包含するセラミックから形成されることができる。
【００２８】
図１Ｃに示される実施形態では、研磨粒子６及びマトリックス材８は、可撓性基材１２に固着され、これは剛性支持材料１４上に据え付けられる。基材１２は、例えば高分子フィルム又は金属ホイルのようないずれかの好適な材料から形成されてもよい。好ましくは可撓性基材１２は、低導電性を示す。支持材料１４は、基材１２のために剛性の支持を提供し、例えば、適切な構造支持を提供するために十分な厚さを有するステンレス鋼のようないずれかの好適な材料から形成される。可撓性基材１２は、支持材料１４に、例えば３Ｍカンパニー（3M Company）（ミネソタ州セントポール（St. Paul））から入手可能であるＡＦ−１６３−２Ｋエアロスペースエポキシ（AF-163-2K aerospace epoxy）のような接着剤によって固着されてもよい。基材１２はまた、リベット、ボルト、若しくはネジのような既知の機械的締結具により、又は接着剤と機械的締結具などとの組み合わせにより支持材料１４に取り付けられてもよい。
【００２９】
図１Ｃに例示される特別な実施形態では、基材４は、剛性金属又は高分子支持材料１４、例えば、ポリカーボネート（例えば、レキサン（LEXAN）（商標）、マサチューセッツ州ピッツフィールド（Pittsfield）のＧＥプラスチックス（GE Plastics）の製品）にオーバーレイし、かつ例えばエポキシ接着剤を使用して支持材料１４に固着される、薄い、可撓性の金属フィルム又は高分子フィルム１２から形成される。しかしながら、基材及び支持材料の両方が、他の材料、例えば合成高分子材料、セラミック材料、又は他の好適な耐食金属から形成されてもよいことは明らかである。基材及び支持材料が、接着剤又は機械的締結具を包含するいずれかの好適な締結技術により接続され得ることもまた明らかである。
【００３０】
研磨物品２は、ＣＭＰ情報を提供するための手段１８、及びＣＭＰ情報をリモートレシーバ（図１Ａ〜１Ｃ及び２Ａ〜２Ｂには示されず）に送信するように適合されたトランスミッタ５４を包含する。ＣＭＰ情報を提供するための手段１８は、ＲＦＩＤタグ、ＲＦＩＤタグリーダー、及びセンサーの１つ以上から選択されてもよい。トランスミッタは、ＣＭＰ情報（例えば、ＣＭＰ情報を提供するための手段、例えばセンサーにより提供される）を、リモートレシーバへの無線又は有線送信の際に、遠隔受信される信号に変換するいずれかの装置として広く定義される。
【００３１】
この開示の全体を通して使用されるように、ＣＭＰ情報は、保存データ及び測定されたＣＭＰプロセスデータの両方を包含してもよい。保存データは、例えば、保存ＣＭＰパッドコンディショナー及びパッドデータ、例えば、製造データ、組成データ、品質データ、追跡データ、履歴データなどを包含してもよい。製造データは、日付、場所、条件、並びにＣＭＰパッド及び／又はパッドＣＭＰパッドコンディショナーの製造に関連する加工特性を包含してもよいが、これらに限定されない。組成データは、ＣＭＰパッド及び／又はパッドＣＭＰパッドコンディショナーを製造する上で使用される原材料及び原材料の組成比を包含してもよいが、これらに限定されない。品質データは、ＣＭＰパッド及び／又はパッドコンディショナーを生産するために使用された製造プロセス内の特別のＣＭＰパッド及び／又はパッドコンディショナーを一意的に同定するために使用されるデータを包含してもよいが、これらに限定されない。追跡データは、ＣＭＰプロセス内の特別のＣＭＰパッド及び／又はパッドコンディショナーを一意的に同定するために使用されるデータを包含してもよいが、これらに限定されない。履歴データは、ＣＭＰプロセスから取り除いた後の、特別のＣＭＰパッド及び／又はパッドコンディショナーを一意的に同定するために使用されるデータを包含してもよいが、これらに限定されない。
【００３２】
測定されたＣＭＰプロセスデータは、例えば、ＣＭＰパッドの厚さ、ＣＭＰパッド又はパッドコンディショナーの回転速度、ＣＭＰパッド又はコンディショナーの加速度、ＣＭＰパッド又はコンディショナーに適用される力、ＣＭＰパッド又はコンディショナーに適用される圧力、ＣＭＰパッド又はパッドコンディショナーの振動、ＣＭＰプロセス温度、及び特にポリッシングスラリーについての、ｐＨ、化学組成、濃度などを包含してもよい。
【００３３】
ある実施形態では、ＣＭＰプロセスデータは、１つ以上のセンサー（即ち、ＣＭＰ情報を提供するための代表的な手段）１８を使用して測定され、かつリモートレシーバ（図１Ａ〜１Ｃ及び２Ａ〜２Ｃには示されず）への送信のためにトランスミッタ５４に通信される。ある代表的な実施形態では、センサー１８は、測定されたＣＭＰプロセスデータをトランスミッタ５４に通信し、トランスミッタは、測定されたＣＭＰプロセスデータをリモートレシーバ（図１〜２には示されず）に、有線の電気／光ケーブル送信、又は無線の無線周波数、音響、若しくは光送信を使用して送信する。図４に例示され及び以下で更に論じられる無線通信の他の代表的な実施形態では、センサー１８及びトランスミッタ５４は、ＣＭＰ情報をリモートレシーバ（例えば、ＲＦＩＤリーダー／質問機６０）へ無線により送信（及び任意にそれから受信）するために、ＲＦＩＤトランスポンダー５０（即ち、ＣＭＰ情報を通信するための代表的な手段）の中に統合されていてもよい。幾つかの実施形態では、図に例示されるように、センサー１８は、研磨物品２と共に提供され、かつＣＭＰ情報をリモートレシーバに通信するための手段としてトランスミッタと共に統合されていてもよい。他の実施形態では、センサー１８は、取り替え可能な研磨物品２に取り付けられる再使用可能なセンサーであってもよい。
【００３４】
好適なセンサーは、当該技術分野において既知であり、例えば、速度センサー（例えば、タコメーター）、加速度センサー（例えば、微小電気機械システム、ＭＥＭＳ加速度計）、振動センサー（例えば、地震計）、力センサー、圧力センサー、厚さセンサー（例えば、渦電流厚さセンサー）、温度センサー（例えば、熱電対、抵抗温度装置、サーミスタなど）、ｐＨセンサー（例えば、ｐＨ検出電極）、化学組成センサー又は化学濃度センサー（例えば、イオン選択電極）、ＲＦＩＤタグリーダーなどが挙げられる。１つの特別な実施形態では、ＣＭＰパッドの厚さは、厚さセンサー、例えば米国特許第５，３４３，１４６号に記載されるように渦電流厚さセンサーにより測定されてもよい。
【００３５】
ある実施形態では、研磨物品２は、図１〜３に示されるように、ＣＭＰパッドコンディショナーである。ある代表的な実施形態では、ＣＭＰパッドコンディショナーは、基材４の主表面４ａ及び４ｂの少なくとも１つに近接して、好ましくは図１Ａに示されるように基材ディスクの中心近くに位置付けられたポート１６を包含する。図１Ｂに示されるように、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４は、パッドコンディショナーに固定された据え付けフランジ２０を使用して、例えばボルト、ネジ、又は他の締結具（図１Ｂには示されず）を使用して適所に保持されてもよい。好ましくはセンサー１８及び／又はトランスミッタ５４は、パッドコンディショナーから選択的に取り外し可能であり、取り替え可能なパッドコンディショナー又は他の取り替え可能な研磨物品と共に専用の（例えば、再使用可能な）センサー及び／又はトランスミッタの再使用を許す。
【００３６】
パッドコンディショナーは、ウエハーを磨くために使用されるパッド表面の実質的にすべてを横断してもよい。したがって、パッドコンディショナーの中に包含されるセンサー１８は、パッドの厚さの輪郭を構築するために使用されてもよい。有線のセンサー１８にとって最も便利な場所は、図１Ａ〜１Ｃに示されるように、コンディショナーの中心にある。それ故に、幾つかの実施形態では、センサー１８は、図１Ａ〜１Ｃに示されるように、ＣＭＰパッドコンディショナーの中心に好ましくは据え付けられる。しかしながら、特に研磨物品２がポリッシングパッドであるとき、又はセンサー１８若しくはトランスミッタ５４がリモートレシーバに無線接続されているときには、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４を研磨物品２の上又はその中の他の位置に位置付けることは可能である。
【００３７】
有線接続したセンサー１８又はトランスミッタ５４と共に使用するために、パッドコンディショナーとセンサー１８及び／又はトランスミッタ５４との間に位置付けられたベアリング２２によって、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４を回転させずに、パッドコンディショナー（即ち研磨物品２）を回転できる場合がある。これは、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４への有線の電気接続を簡単にする可能性があり、かつスリップリング及びブラシの必要性、並びに低レベルの電気信号における誘導雑音を排除し得る。あるいは、ベアリング２２は、特に、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４への電気接続が無線により、例えば以下に記載されるように、ＲＦＩＤ信号送信システムを使用して行われるときには、エポキシ埋め込み用樹脂のような据え付け接着剤に取り替えられてもよい。
【００３８】
他の代表的な実施形態では、パッドコンディショナーは、パッドコンディショナーの研磨面からポリッシングパッドを支持する導電性プラテン（例えば、図３Ａ〜３Ｂの要素３４）までの距離を決定するために、誘導センサー１８（例えば、渦電流厚さセンサー）が使用できるほど十分に大きいポート１６をコンディショナー２の中に有して作製されてもよい。この距離は、パッドの厚さに対応する。好ましくは、研磨面は、図１Ａに例示されるように、誘導トランスミッタ（inductive transmitter）に干渉しないほど十分に大きい非導電性区域をほぼ中心に有するリング又はトーラスの形状で形成される。
【００３９】
図１Ｂに示されるある実施形態では、センサー１８は、パッドコンディショナー主表面４ａから固定距離で保持され、それによってギャップ２６を画定してもよく、これは精密公差に正確に設定される場合がある。センサー１８の配置について精密公差を保持することは、新しいコンディショナーが専用の（再使用可能な）センサー１８と共に使用されるたびにポリッシング機械を較正する必要を回避する場合がある。図１Ｃに例示される他の実施形態では、研磨物品２が、１つの主表面４ａ上に低伝導性研磨材を有する、薄い金属の又は非導電性高分子の基材１２がオーバーレイする金属支持材料１４を有するベース（即ち、基材４）を含むパッドコンディショナーであるとき、コンディショナーの背面は、研磨面又はポリッシングパッドから所定距離のポート１６の中に、センサー１８を保持するように設計（例えば、機械加工）されてもよい。
【００４０】
あるいは、図２Ａ〜２Ｂに示されるように、ポート１６は、図２Ａ〜２Ｂに示されるように、センサー１８の動作への干渉を回避するために十分大きい金属部分を通るオリフィス２４（例えば、穴）であってもよい。オリフィス２４内にセンサー１８を据え付けることは、渦電流厚さセンサーと共に使用するために、又はセンサー１８が、取り替え可能な研磨物品２と共に使用される再使用可能なセンサーである場合には、特に有利である場合がある。幾つかの実施形態では、センサー１８及びトランスミッタ５４を取り囲むオリフィス２４の一部分は、任意に、非導電性材料で少なくとも部分的に充填されていてもよい。図２Ａ〜２Ｂに例示される代表的な実施形態は、図２Ａ〜２Ｂのコンディショニングディスクが、ほぼ中央に位置した実質的に円形のオリフィス２４を有するポート１６を包含すること、及び任意に、基材４の上部表面４ａ及び下部表面４ｂの両方に固着された複数個の研磨粒子６を包含することを除いて、図１Ａ〜１Ｃのパッドコンディショニングディスクに類似している。
【００４１】
図２Ａ〜２Ｂに示される実施形態はまたトランスミッタ５４を例示するが、これは以下に及び図４に記載されるように、センサー１８（例えば、ＣＭＰ情報を提供するための代表的な手段）を包含するＲＦＩＤトランスポンダー５０（例えば、ＣＭＰ情報を通信するための代表的な手段）の構成要素であってもよく、ポート１６のオリフィス２４内に位置付けられてもよいし又はオリフィス２４内に部分的に位置付けられてもよい。ＣＭＰパッドコンディショナー研磨物品２の幾つかの実施形態では、トランスミッタ５４は、センサー１８によって完全に置き替えられてもよく、これはポート１６のオリフィス２４内に、又は研磨物品２上若しくは研磨物品２内の他の場所に位置付けられてもよい。
【００４２】
図３Ａ〜３Ｂは、本発明の追加の実施形態によるＣＭＰプロセス内の金属プラテン３４上のＣＭＰパッド３０をコンディショニングするための方法において使用される、代表的なＣＭＰパッドコンディショナー（研磨物品２）を例示する。１つの代表的な方法では、研磨物品２（例えば、ＣＭＰパッドコンディショナー）が提供され、研磨物品２は、対向する上部主表面４ａ及び下部主表面４ｂを有する基材ベース４、主表面の少なくとも１つの少なくとも一部分にオーバーレイする複数個の研磨粒子、及び基材ベース４に近接して位置付けられかつＣＭＰパッド３０に近接して位置付けられたときにはＣＭＰ情報を決定するように適合された少なくとも１つのセンサー１８を包含する。図３Ａでは、下部表面４ａ及び上部表面４ｂの両方が、研磨粒子によりオーバーレイされて示されるが、図３Ｂでは、下部表面４ａのみが研磨粒子によりオーバーレイされて示される。
【００４３】
ＣＭＰパッド３０をセンサー１８に近接して位置付けることで、ＣＭＰ情報が、リモートレシーバ（図３Ａ〜３Ｂには示されず）への通信のためにトランスミッタ５４に提供される。ＣＭＰ情報に基づいて、コントローラ（図３Ａ〜３Ｂには示されず）は、以下の図４〜５を参照して更に記載されるように、ＣＭＰパッド特性を変更すること、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること、ＣＭＰポリッシングスラリー特性を変更すること、又はＣＭＰプロセス特性を変更することから選択される、パッドコンディショニング制御応答を生成する。
【００４４】
図３Ａ及び３Ｂに示されるように、センサー１８、及びトランスミッタ５４のようなＣＭＰ情報を提供するための手段は、研磨物品２上又は研磨物品２内に形成されたオリフィス２４（図３Ａ）又はポート１６（図３Ｂ）の中に位置付けられてもよい。幾つかの実施形態では、ＣＭＰパッドコンディショナーを保持する機構は電気接続（図３Ａ〜３Ｂには示されず）を有し、これはトランスミッタ５４に電力を供給し、かつトランスミッタ５４から外部コントローラ又は制御ユニット（図３Ａ〜３Ｂには示されず）への電気信号の送信ができるようにし、それによってＣＭＰ情報を外部コントローラ又は制御ユニットに提供する。図３Ｂは、研磨物品２及びトランスミッタ５４に固定された任意の据え付けフランジ２０を例示する。任意のベアリング２２がまた図３Ｂに示され、ベアリング２２は、研磨物品２とトランスミッタ５４との間に位置付けられて、トランスミッタ５４を回転させずにコンディショナー２を回転できるようにする。
【００４５】
あるいは、ベアリング２２は、特に、センサー１８及び／又はトランスミッタ５４への電気接続が無線により、例えば、以下に記載されるように、ＲＦＩＤ信号送信システムを使用して行われるときには、エポキシ埋め込み用樹脂のような据え付け接着剤により置き替えられてもよい。幾つかの実施形態では、リモートＲＦＩＤタグリーダー（これはセンサー１８であってもよい）により読み取られることができる任意のＲＦＩＤタグ３６が、図３Ａ〜３Ｂに示されるように、ＣＭＰパッド３０に包含される。任意のＲＦＩＤタグ３６は、ＣＭＰパッド３０上又はＣＭＰパッド内に位置付けられてよい。更なる実施形態では、トランスミッタ５４は、以下の図５に関して記載されるように、任意のＲＦＩＤタグ３６を読み取る又は質問することができるＲＦＩＤトランスポンダー５０の構成要素であってもよい。追加のＣＭＰパッドの実施形態では、任意のＲＦＩＤタグ３６は、研磨物品２と共に提供されるリモートセンサー１８、例えばリモートパッド厚さセンサー（例えば渦電流厚さセンサー）により感知されてもよい導電性プレートを包含してもよいし、又はこれにより置き換えられてもよい。
【００４６】
１つの非限定例として、ＣＭＰ情報は、センサー１８と導電性プラテン３４との間の距離を包含してもよく、これはＣＭＰパッド３０の厚さ３２に対応する。別の例として、ＣＭＰ情報は、任意のＲＦＩＤタグ３６の中にエンコードされた、製造されたＣＭＰパッドの厚さのようなデータを包含してもよい。更に別の例として、ＣＭＰ情報は、センサー１８と、任意のＲＦＩＤタグ３６と置き換えられた導電性プレートとの間の距離を包含してもよく、これは製造されたＣＭＰパッドの厚さに比べてパッドの磨耗のために取り除かれたＣＭＰパッドの量に対応する。ＣＭＰ研磨物品２がポリッシングパッド３０の表面を横断するときに、ポリッシングパッド３０の厚さが決定され得るように、ＣＭＰポリッシング機（図３Ａ〜３Ｂには示されず）内の他のセンサーが、パッドコンディショナーの位置を決定するために使用されてもよい。
【００４７】
使用方法は、ポリッシングパッドの厚さ３２のモニタリングを包含してもよく、そのためパッド３０は、耐用期間末期又は厚さの偏差が容認できなくなったら取り替えられることができる。方法はまた、ポリッシングパッド３０のより厚い部分からより多くの材料を取り除き、ポリッシングパッド３０の薄い部分からより少なく取り除くように、コンディショニングサイクルを修正することを包含してもよい。１つの実施形態では、厚い区域について、パッド３０のより多くの研磨又はコンディショニングが実行されるように、ポリッシングパッド３０の様々な部分のコンディショニングのドウェル時間は変化される。別の実施形態では、厚い区域のパッド材料のより多くを研磨するために、より多くの力がポリッシングパッド３０の厚い部分で使用されるように、ＣＭＰ研磨物品２上に適用される力は変化される。
【００４８】
図４に例示される別の代表的な実施形態では、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０が、ＣＭＰプロセス７２をモニタリングする上で使用するために提供され、その中でポリッシングパッド及びパッドコンディショナーのような研磨物品が使用される。ＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０は、１つ以上のセンサー１８及びこのセンサー１８と通信してＣＭＰ情報を少なくとも１つのリモートレシーバ６０に送信するように適合されたトランスミッタ５４を含む研磨物品（例えば、ＣＭＰパッド又はパッドコンディショナー）を包含する。
【００４９】
幾つかの実施形態では、ＣＭＰ情報は、これはセンサー１８からの測定されたＣＭＰプロセスデータであってもよいが、リモートレシーバ６０にトランスミッタ５４により通信され、これはトランスミッタ／レシーバの対を作り上げる。トランスミッタ／レシーバの対は、当該技術分野において既知のいずれの種類であってもよく、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、マイクロ波、能動的又は受動的ＲＦＩＤ装置、無線ブルートゥース（Bluetooth（登録商標））装置、携帯電話装置などを包含する無線周波数（ＲＦ）装置；変調された発光ダイオード（ＬＥＤ）装置のような光学装置；音響装置、及び誘導結合コイルが挙げられるが、これらに限定されない。トランスミッタ／レシーバの対の特別の種類の選択は、データ送信技術に精通した人のスキル内にある。特に、トランスミッタ５４は、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような変調を受けやすい光源を使用して送信されてもよく、レシーバ６０は、変調された光信号を好適な光検出器を使用して受信してもよい。
【００５０】
図４に示されるように、センサー１８はＣＭＰ情報６２を獲得し、このＣＭＰ情報をトランスミッタ５４に提供するが、任意にＣＭＰ情報をまず任意のプロセッシング要素５３、例えば任意の信号コンディショニング要素５２に受けさせてもよい。任意の信号プロセッシング要素５３は、増幅、減衰、アナログ／デジタル変換、デジタル／アナログ変換、変調、サンプリングなどを提供する場合がある。任意のプロセッシング要素５３は、処理又は未処理のＣＭＰ情報を保存するためにメモリ５８を包含してもよい。
【００５１】
センサー１８、トランスミッタ５４、及び任意のプロセッシング要素５３への電力は、電源５６により提供されてもよく、これは電池、インダクタンス・キャパシタンス（inductive-capacitance）（ＬＣ）タンク回路、又は他の電力源を含んでもよい。電源５６の性質は特に重要ではないが、しかしながら、ある実施形態では、電源５６が研磨物品内に収容され、かつＣＭＰ装置からトランスミッタ５４及び／又はセンサー１８まで直接の有線接続を必要としないことが好ましい。トランスミッタ５４がＲＦＩＤ装置であるような実施形態では、電力は、図４に示されるように、ＲＦＩＤトランシーバ４０により生成されるＲＦ信号８８から通常のやり方で得てもよい。
【００５２】
未処理の又は処理されたＣＭＰ情報６２は、次に、例えば無線信号８６としてリモートレシーバ６０に、トランスミッタ５４により送信されてもよく、リモートレシーバ６０ではそれは任意に更に、任意のリモートプロセッシング要素８３、例えば任意の信号コンディショニング要素７４により処理されてもよい。更なるプロセッシングには、復調、増幅、減衰、アナログ／デジタル変換、デジタル／アナログ変換、サンプリングなどを含んでもよい。任意のリモートプロセッシング要素８３は、処理された又は未処理の受信されたＣＭＰ情報を保存するために任意のメモリ８２を包含してもよい。いずれかのコンディショニング又は保存機能の後で、受信されたＣＭＰ情報は、ＣＭＰプロセス７２を制御するリモートプロセスコントローラ８０に通信されてもよい。リモートレシーバ６０、任意のリモートプロセッシング要素８３、リモートプロセスコントローラ８０のための電力は、リモート電源７６によって提供されてもよく、これは電源装置、電池、インダクタンス・キャパシタンス（inductive-capacitance）（ＬＣ）タンク回路、又は他の電力源を含んでもよい。
【００５３】
幾つかの実施形態では、プロセスコントローラ８０は、リモートレシーバ６０及びリモートトランスミッタ７０を包含するトランシーバ４０に１つ以上の制御信号を提供してもよい。こうした実施形態では、トランスミッタ５４は、トランシーバ４０から無線信号８８を受信するために、適切なレシーバ（図４には示されず）を包含する必要がある。こうした制御信号は、センサー１８の調整及びサンプルの読み取りの要求などの多様な目的のために使用されてもよい。図４に示される無線信号８６及び８８に換えて、有線通信経路を用いてもよい。
【００５４】
例示の目的上、無線ＲＦＩＤトランスミッタ／レシーバの対を利用する本発明の実施形態がこれから記載される。好適なＲＦＩＤトランスミッタ及びレシーバは、米国特許第５，５５０，５４７号及び第５，６８２，１４３号に開示されたＲＦＩＤシステムに関して記載される。図４に例示される１つの代表的な実施形態では、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０は、１つ以上のＲＦＩＤトランスポンダー５０、リモートＲＦＩＤトランシーバ４０、及び任意に１つ以上のＲＦＩＤタグ（図４には図示されず）を包含するＲＦＩＤシステムを包含してもよい。
【００５５】
図４に例示される１つの例として、トランスミッタ５４は、センサー１８及びＣＭＰ情報を送信するためのトランスミッタ５４を含む少なくとも１つのトランスポンダー５０と、送信されたＣＭＰ情報を受信するための１つ以上のリモートレシーバ６０（例えば、リモートＲＦＩＤタグリーダー／質問機）とを包含する、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）ＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０の一部であってもよい。ＲＦＩＤシステムは任意に、ＣＭＰ情報をエンコードされ、ＣＭＰパッド、ＣＭＰパッドコンディショナー、ＣＭＰスラリーなどが提供される、１つ以上のＲＦＩＤタグ３６を包含してもよい。図３Ａ〜３Ｂは、ＲＦＩＤタグ３６を有する１つの代表的な実施形態を例示し、これはＣＭＰパッド内に位置付けられたＲＦＩＤトランスポンダー５０を包含してもよい。ＲＦＩＤタグ３６は、リモートレシーバ６０（図５に示されるように）と通信するように適合される。好適なＲＦＩＤタグは、米国特許第６，４０７，６６９号に記載されている。しかしながら、ＲＦＩＤタグはトランスミッタ５４を包含する必要はない。
【００５６】
１つの特別な実施形態では、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０は、複数個の無線周波数識別（ＲＦＩＤ）トランスポンダーを包含してもよく、各トランスポンダー５０は、一意デジタル識別タグ及びそれに連結されたトランスミッタ５４、並びにリモートトランスポンダー５０からの信号を受信することができ、かつ任意に信号をリモートトランスポンダー５０に送信することができるＲＦＩＤトランシーバ４０の形態の少なくとも１つのリモートレシーバ６０（ＲＦＩＤ質問機又はタグリーダーとしても当該技術分野において既知である）を有する。各トランスポンダー５０は、複数個の別個の場所に配置されてそれらのそれぞれのトランスミッタ５４がＣＭＰ情報をリモートレシーバ６０に送信できるようにしてもよく、このＣＭＰ情報は、１つ以上のリモートセンサー１８によりトランスミッタ５４に通信された、測定されたＣＭＰデータを包含してもよい。各センサー１８は、特定の研磨物品に関連付けられ、ＣＭＰプロセスデータが、ＣＭＰプロセス中に様々な遠隔した場所で決定できるようにしてもよい。例えば、トランスポンダー５０は、ポリッシングパッド若しくはＣＭＰパッドコンディショナーの上又はポリッシングパッド若しくはＣＭＰパッドコンディショナー内に提供され及び位置付けられてもよい。
【００５７】
ＲＦＩＤトランシーバ４０のリモートレシーバ６０は、無線周波数（ＲＦ）信号をパルスにし、かつトランスポンダーの一意識別タグを表す複数個のトランスポンダー５０からの対応する共振ＲＦ信号、及び測定されている物理的変数の値を読み取る。当業者は、トランスミッタ５４がＲＦ信号を送信アンテナ（図示されず）を通じて、トランシーバ４０のリモートレシーバ６０に連結された受信アンテナ（同様に図示されず）に送信してもよいことを理解する。
【００５８】
ＣＭＰパッドの厚さを決定するためのＲＦＩＤのＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０の適用が、以下に記載される１つの例として使用されているが、当業者は、様々なセンサーの種類が使用されて、プロセス温度、回転速度、加速度、ｐＨ、化学組成、化学濃度などのようなＣＭＰプロセスデータを測定してもよいことをよく理解する。加えて又は別の方法としては、センサーは、ＣＭＰパッド情報、ＣＭＰパッドコンディショナー情報などを包含するＣＭＰ情報を決定してもよい。
【００５９】
ＲＦＩＤのＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０に採用される各トランスポンダー５０は、物理的変数、例えばパッドの厚さを測定するように適合された１つ以上のセンサー１８を包含してもよい。厚さセンサー、速度センサー、加速度センサー、振動センサー、力センサー、圧力センサー、熱電対、抵抗温度検出器（ＲＴＤ）、ｐＨトランスミッタ、化学組成及び濃度センサーなどのような複数個の当該技術分野において既知のセンサーが、トランスポンダー５０の中に包含されてもよい。
【００６０】
トランスミッタ５４は、ＣＭＰ情報を、センサー１８によって測定された性質を表す無線信号８６として送信若しくは通信してもよいし、又は他のＣＭＰ情報を送信若しくは通信してもよい。センサー出力６２がアナログである本発明の実施形態では、任意のプロセッシング要素５３、例えばアナログ／デジタルコンバータ信号コンディショニング要素５２が、更なる処理のためにアナログ出力６２をデジタル出力６４に変換するために、メモリ５８に保存するために、又は以下に詳細に記載されるようにトランスミッタ５４による送信のために使用されてもよい。無線信号８６の中に組み込まれた送信されたＣＭＰ情報はしたがって、アナログ電圧、電流、周波数、若しくは抵抗、又は別の方法としてはデジタル信号、例えば測定されたデータ（例えば、温度）の数値表現を表してもよい。
【００６１】
トランスポンダー５０は好ましくは電力源５６を包含し、これは電源装置、電池、又は電力の遠隔供給源、例えばＬＣタンク回路などであってもよい。例えば、電力の遠隔供給源は、米国特許公開番号（U.S. Pat. App. Pub. No.）２００４／０１１３７９０に記載されるように、同調したインダクタンス・キャパシタンス（inductive-capacitance）（ＬＣ）タンク回路であっても、又は米国特許第７，０２６，９４１号に記載されるように、マイクロ波アンテナであってもよい。ＬＣタンク回路は、ＲＦＩＤ適用において一般的であるように、例えば１２５ＫＨｚの搬送周波数で動作してもよい。マイクロ波アンテナは、例えば０．３〜４０ＧＨｚ（８００ＭＨｚ）の周波数で動作してもよい。この機構は、電力をトランスミッタ５４に提供するために、搭載電源装置を提供する必要を取り除く場合があり、それによって重量及びサイズを低減し、装置の耐用期間を伸ばす結果をもたらす。
【００６２】
ＲＦＩＤのＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０は、上記のように、搭載電源装置なしに動作できる場合があるが、当業者は、トランスポンダー５０は、電力源として従来の直流電池（図示されず）を使用して動作するように容易に適合され、それによって信号送信範囲を拡大する場合があることを認識する。トランスポンダー５０は好ましくは、アンテナ（図示されず）、例えば無線周波数で信号を送信若しくは受信することができる当該技術分野において既知のＲＦＩＤアンテナ、又はマイクロ波アンテナを包含する。
【００６３】
１つの実施形態では、リモートトランシーバ４０は、リモートコントローラ８０、例えばマイクロプロセッサ又はパーソナルコンピュータと、複数個のトランスミッタから受信したＣＭＰ情報を保存及び処理するための付属メモリ８２とを包含してもよい。コントローラ８０は更に、複数個のオペレータインターフェース（図示されず）、例えばマウス、キーボード、及びモニタを採用して、ＲＦＩＤのＣＭＰプロセスモニタリングシステム９０のユーザーがＣＭＰ情報にアクセスし及び処理することができるようにしてもよい。
【００６４】
コントローラ８０は、ＣＭＰプロセスを変更するために使用される制御応答を生成してもよい。制御応答は、ＣＭＰパッド特性を変更すること（例えば、新しいＣＭＰパッドに変える、回転速度又はパッド圧力のようなパッド動作パラメータを変えるなど）、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること（例えば、新しいＣＭＰパッドコンディショナーに変える、回転速度又はパッドコンディショナー圧力のようなＣＭＰパッドコンディショナー動作パラメータを変えるなど）、ポリッシングスラリー特性を変更すること（例えば、新しいポリッシングスラリーに変える、又はｐＨ、組成、濃度のようなスラリーの化学特性を変更するなど）、ＣＭＰプロセス特性を変更すること（例えば、プロセス温度を変える、故障状態を知らせる、プロセスから１つ以上のウエハーを取り除くなど）などを包含してもよいが、これらに限定されない。
【００６５】
図５は、本発明の追加の実施形態による、代表的なＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００を例示する。この代表的なＣＭＰプロセスは、シリコンウエハー１０７をポリッシングするためのプロセスとして例示されるが、他の材料が図５のシステムを使用してポリッシングされてもよいことは理解される。例示されたＣＭＰプロセスは、ポリッシングパッド１０２がその上に据え付けられるプラテン１０１を包含する。プラテン１０１は、プラテン１０１を１分当たりゼロから数百回転までの範囲のいずれの所望回転数でも回転するように構成される駆動アセンブリ１０３に回転可能に取り付けられる。ポリッシングヘッド１０４は、駆動アセンブリ１０５に連結され、この駆動アセンブリはポリッシングヘッド１０４を回転し、かつそれを１０６によって示されるように、プラテン１０１に関して半径方向に動かすように適合される。更に、駆動アセンブリ１０５は、ウエハー１０７を装着しかつ取り外すために必要ないずれかの所望のやり方で、ポリッシングヘッド１０４を動かすように構成されてもよく、ウエハー１０７はポリッシングヘッド１０４により受け取られかつ適所に保持される。ポリッシングスラリー１０９が、要求に応じてポリッシングパッド１０２に供給されてもよいように、ＣＭＰポリッシングスラリーディスペンサー１０８が提供されかつ位置付けられる。
【００６６】
図５に例示された代表的な実施形態では、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００は更に、ダイヤモンドのような研磨粒子状物質を含み、ポリッシングパッド１０２上に最適なコンディショニング効果を得るように設計された指定の質感を有するコンディショニング面を包含するＣＭＰパッドコンディショナー１１３が取り付けられたヘッド１１１を包含するＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２を包含してもよい。ＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２は、ポリッシングパッド１０２の表面を研磨するためにパッドコンディショナー１１３を使用する。
【００６７】
ヘッド１１１は、駆動アセンブリ１１２に接続されていてもよく、この駆動アセンブリ１１２は、ヘッド１１１を回転しかつ／又はそれを矢印１１４によって示されるように、プラテン１０１に関して半径方向に動かすように構成される。その上、駆動アセンブリ１１２は、適切なコンディショニング効果を生成するために必要ないずれかの運動をヘッド１１１に提供するように構成されてもよい。駆動アセンブリ１１２は、パッドコンディショナー１１３に必要な機能性を付与するために、いずれかの適切な構造の少なくとも１つのモータ、典型的には電動モータを包含してもよい。例えば、駆動アセンブリ１１２は、いずれかの種類のＤＣ又はＡＣサーボモーターを包含してもよい。同様に、駆動アセンブリ１０３及び１０５は、１つ以上の適切な電動モータを装備していてもよい。
【００６８】
ＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００は、トランスミッタ５４と通信する少なくとも１つのセンサー１８を含む少なくとも１つの研磨物品を包含する。センサー１８及びトランスミッタ５４の１つ又は両方が、前述のようにＣＭＰ情報を提供及び通信するために、研磨物品、例えば図５に示されるように、ＣＭＰパッドコンディショナー１１３に包含されてもよい。好ましくは、トランスミッタ５４は、図４に示されるように、ＲＦＩＤトランスポンダー５０に電子的に連結され、かつそれに包含される。ＲＦＩＤトランスポンダー５０のトランスミッタ５４は、センサー１８によってトランスミッタ５４に提供されるＣＭＰ情報が挙げられるがこれらに限定されない無線（例えば、ＲＦ）信号８６を、リモートレシーバ６０に送信又は通信してもよく、このリモートレシーバ６０は図４に示されるように、リモートトランシーバ４０の一部（例えば、リモートＲＦ  ＲＦＩＤタグリーダー／質問機）であってもよい。任意に、リモートトランシーバ４０は、リモートトランスミッタ７０を包含してもよい。幾つかの実施形態では、リモートトランスミッタ７０は、無線（例えば、ＲＦ）信号８８をトランスポンダー５０内のレシーバ（図示されず）に送信してもよく、この信号８８はＣＭＰプロセス制御応答を包含してもよい。
【００６９】
幾つかの実施形態では、１つ以上の追加のセンサー（図５には示されず）が、ＣＭＰプロセスに使用される１つ以上のポリッシングパッド１０２及び／又はＣＭＰパッドコンディショナー１１３と共に提供されてもよい。１つ以上の追加のセンサー（図５には示されず）、例えば、力、圧力、又は地震に関するトランスミッタなどが、ＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００の構成要素として包含されてもよい。現在好ましいある実施形態では、少なくとも１つのＲＦＩＤタグ３６が、ポリッシングパッド１０２と共に提供される。幾つかの実施形態では、複数個のＲＦＩＤタグが、ポリッシングパッド１０２の上又はポリッシングパッド１０２内に提供されてもよく、各ＲＦＩＤタグ３６は、パッド周囲の所定の放射位置に、又はパッド１０２内の様々な深さに位置していてもよい。
【００７０】
追加のＲＦＩＤタグ３６又はトランスポンダー５０（図５に示されず）が、更に又は別の方法として、ＣＭＰスラリー１０９と共に（例えば、ＣＭＰポリッシングスラリーディスペンサー１０８と共に）提供されてもよい。ＲＦＩＤタグ３６は、エンコードされたポリッシングパッド情報を含有してもよく、これはリモートレシーバ６０によって遠隔に読み取られてもよい。図５は、ＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２内に位置付けられた単一のリモートレシーバ６０を示しているが、これは本発明の範囲を限定することを意図せず、当業者が理解するように、１つ以上のリモートレシーバ６０がＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００内の事実上どこに位置付けられてもよく、これは１つ以上のトランスミッタ５４、トランスポンダー５０、及び／又はＲＦＩＤタグ３６と通信（例えば、ＲＦＩＤ通信）状態を保っている。
【００７１】
ＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００は、更に制御ユニット８０を包含してもよく、これは駆動アセンブリ１０３、１０５、及び１１２に動作可能に接続され、かつ１つの実施形態では、ＣＭＰ情報をトランスミッタ５４から受信するように構成されてもよい。図５には示されない１つの代表的な実施形態では、制御ユニット８０は、前述のようにかつ図４に例示されるように、リモートレシーバ６０及びコントローラ８０を包含する。制御ユニット８０はまた、ＣＭＰスラリー供給ディスペンサー１０８に接続されて、ＣＭＰスラリー１０９を分配してもよい。
【００７２】
制御ユニット８０は、ケーブル接続、無線ネットワークなどのような適切な通信ネットワークと通信してもよい追加のサブユニットを包含してもよい。例えば、制御ユニット８０は、制御信号１２１、１２２、及び１２３を、それぞれ駆動アセンブリ１０５、１０３、及び１１２に適切に提供して、ポリッシングヘッド１０４、ポリッシングパッド１０２、及びパッドコンディショナー１１３の動きを協調させるために、従来のＣＭＰシステムに提供されているように、サブ制御ユニットを包含してもよい。制御信号１２１、１２２、及び１２３は、対応する駆動アセンブリに、必要な回転及び／又は並進速度で動作するように指示するために、電気及び光送信信号形態を包含するいずれかの好適な信号形態を取ってもよい。
【００７３】
１つの実施形態では、制御ユニット８０は、センサー１８を包含してもよいＲＦＩＤトランスポンダー５０のトランスミッタ５４により、リモートリーダー６０に送信されたＣＭＰ情報を受信するように構成されてもよい。ＣＭＰ情報は、センサー１８によりトランスミッタ５４に通信された測定されたＣＭＰプロセスデータ、保存されたＣＭＰパッドデータ、及び保存されたＣＭＰパッドコンディショナーデータなどを包含してもよい。ＣＭＰ情報は、例えば、前述のＲＦＩＤシステムのような無線システムを使用して無線信号８６として無線送信されてもよいし、又は図５に示されるように、有線の電気若しくは光送信信号１３１を使用して送信されてもよい。特別の実施形態では、制御ユニット８０は更に、動作中にＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２からの少なくとも１つの追加のトランスミッタ信号１２４を受信及び処理するように構成されてもよい。トランスミッタ信号１２４は、ＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２内の１つ以上の追加のトランスミッタ１３０から送信される、力、圧力、又は地震に関する情報を包含してもよい。
【００７４】
トランスミッタ信号１３１を受信及び処理する能力は、対応するサブユニット、別個の制御装置、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プログラマブル論理制御装置（ＰＬＣ）などの形態で、又は運営管理システムの一部として実行されてもよい。従来のプロセス制御機能とトランスミッタ信号プロセッシングとを組み合わせるためのデータ通信が、上記の通信ネットワークにより得られる場合がある。当業者は、図５に両矢印によって示される信号は、任意に、信号が両方向に送信又は通信される場合があることを示しているのを理解する。
【００７５】
ＣＭＰプロセスモニタリングシステム１００の動作中に、ウエハー１０７がポリッシングヘッド１０４上に装着されてもよく、これはウエハー１０７を受け取り及びそれをポリッシングパッド１０２に運ぶように適切に位置付けられていてもよい。ポリッシングヘッド１０４は、ウエハー１０７とポリッシングパッド１０２との間の相対運動中に、ウエハー１０７を固定しかつ指定された押さえ力を提供するために、真空及び／又はガスをポリッシングヘッド１０４に供給する複数個のガスラインを典型的には含むことに注意する必要がある。
【００７６】
ポリッシングヘッド１０４を正しく操作するために必要な様々な機能は又、制御ユニット８０によって制御されてもよい。プラテン１０１及びポリッシングヘッド１０４を回転する際に、ポリッシングパッド１０２全体に分配されるスラリー１０９を供給するために、スラリー供給１０８が、例えば制御ユニット８０によって作動されてもよい。それぞれ駆動アセンブリ１０５及び１０３に供給される制御信号１２１及び１２２は、所望の除去速度を実現するために、ウエハー１０７とポリッシングパッド１０２との間の指定された相対運動に影響する場合があり、これはウエハー１０７の特性、ポリッシングパッド１０２の構造及び現状、使用されるスラリー１０９の種類、ウエハー１０７に適用されるダウンフォースなどに依存する。
【００７７】
ウエハー１０７のポリッシングの前及び／又は間に、ＣＭＰパッドコンディショナー１１３が、ポリッシングパッド１０２の表面を再加工するために、ポリッシングパッド１０２と接触させられる場合がある。そのために、ヘッド１１１は、回転しかつ／又はポリッシングパッド１０２中をまんべんなく動き回ってもよく、例えば、制御ユニット８０は、実質的に一定の速度、例えば回転速度がコンディショニングプロセス中維持されるように、制御信号１２３を提供する。ポリッシングパッド１０２及び部材１１３のコンディショニング面の状況に依存して、スラリー１０９の所与の種類について、摩擦力が働き、かつ指定された一定の回転速度を維持するためには、一定の大きさのモータートルクが必要となる。
【００７８】
ＣＭＰパッドコンディショニングシステム７２の１つの代表的な使用では、ＣＭＰパッド１０２は、これは任意のＲＦＩＤタグ３６を包含してもよいが、ＣＭＰパッドコンディショナー１１３と共に提供される少なくとも１つのセンサー１８に近接して位置付けられ、それによってＣＭＰ情報を、パッドコンディショナー１１３と共に提供されるトランスミッタ５４に提供する。ＣＭＰ情報は、トランスミッタ５４によってリモートレシーバ６０に送信され、かつコントローラ、例えば制御ユニット８０に通信される。トランスミッタ５４からリモートレシーバ６０へのＣＭＰ情報の送信は、電気若しくは光送信により、又は図５に示されるように、ＣＭＰ情報を無線信号８６として、ＲＦＩＤトランスポンダー５０からリーダー／質問機６０に無線により送信することにより実現されてもよい。ＣＭＰ情報は更に、リモートレシーバ６０から制御ユニット８０へ無線により、又はトランスミッタ信号１３１によって示されるように、電気又は光送信により送信されてもよい。
【００７９】
制御ユニット８０は、制御応答を生成してもよいし、かつＣＭＰプロセスを変更するために使用される応答を、制御信号１２１、１２２、１２３を介して送信してもよい。制御信号１２１、１２２、１２３は、例えば、本明細書に記載されるように、ＲＦＩＤシステムを使用して無線により送信されてもよいし、又は電気若しくは光ケーブルにより有線送信されてもよい。制御応答は、ＣＭＰパッド特性を変更すること（例えば、新しいＣＭＰパッドに変える、回転速度又はパッド圧力のようなパッド動作パラメータを変えるなど）、ＣＭＰパッドコンディショナー特性を変更すること（例えば、新しいＣＭＰパッドコンディショナーに変える、回転速度又はパッドコンディショナー圧力のようなＣＭＰパッドコンディショナー動作パラメータを変えるなど）、ポリッシングスラリー特性を変更すること（例えば、新しいポリッシングスラリーに変える、又はｐＨ、組成、濃度のようなスラリーの化学特性を変更するなど）、ＣＭＰプロセス特性を変更すること（例えば、プロセス温度を変える、故障状態を知らせる、プロセスから１つ以上のウエハーを取り除く）を包含してもよいが、これらに限定されない。
【００８０】
別の代表的な実施形態ではまた、ＣＭＰ機械のコンディショニングアーム中の誘導センサーが、コンディショナーに適用される力を制御する装置を調整するために使用され得る。コンディショナーは、使用中でないときには、パッドを変えるときに邪魔にならない駐留場所に普通は定置される。駐留場所は、コンディショナーが駐留場所にあるときに圧縮し得る、既知の力の定数を有するバネを包含し得る。誘導センサーは、２つの異なる力のレベルにおいて、導電性金属表面上方のコンディショナーの高さをモニタリングすることにより、バネの力の定数を測定するために使用され得る。力が例えば気圧により制御される場合、気圧の変化は、圧力の関数として力の変化を検量し得る。
【００８１】
様々な修正が本発明の範囲及び原理から逸脱することなく行えることは、上記の説明から当業者には明白であり、本発明が、以上に説明された例示的な実施形態に過度に限定されるべきでないことは理解される必要がある。本発明の様々な実施形態が記載された。これら及び他の実施形態は、特許請求の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１Ａ】本発明の実施形態による代表的な研磨物品の平面図。
【図１Ｂ】本発明の実施形態による代表的な研磨物品の部分的断面側面図。
【図１Ｃ】本発明の実施形態による代表的な研磨物品の部分的断面側面図。
【図２Ａ】本発明の別の実施形態による代表的な研磨物品の平面図。
【図２Ｂ】本発明の別の実施形態による代表的な研磨物品の部分的断面側面図。
【図３Ａ】本発明の更なる実施形態によるＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法において使用される代表的な研磨物品の部分的断面図。
【図３Ｂ】本発明の更なる実施形態によるＣＭＰパッドをコンディショニングするための方法において使用される代表的な研磨物品の部分的断面図。
【図４】本発明の別の実施形態による代表的なＣＭＰプロセスモニタリングシステムの概略図。
【図５】本発明の追加の実施形態による代表的なＣＭＰプロセスモニタリングシステムの概略図。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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