(57)【要約】  フラッシュ生成方法。該方法は、レジスト帯電に対する変位ベクトルを算出するステップを含んでいる。該変位ベクトルはδc = dP(R)Kとして定義されており、ここでδcは該変位ベクトルを表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ｐはパターンを表しており、Ｋは空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表している。該方法はさらに、該変位ベクトルを使用して該フラッシュの位置決めを修正するステップを含んでいる。【選択図】  図５
2009510781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュを生成するための方法であって、
レジスト帯電に対する変位ベクトルを算出するステップであって、前記変位ベクトルが
【数２０】
2009510781.tif 000022
として定義され、ここで
【数２１】
2009510781.tif 000023
が前記変位ベクトルを表しており、ｄが用量補正乗数を表しており、Ｐがパターンを表しており、
【数２２】
2009510781.tif 000024
が空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表しているステップと、
前記変位ベクトルを使用して前記フラッシュの位置決めを修正するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記変位ベクトルを使用して前記フラッシュの位置決めを修正するステップが、前記変位ベクトルと反対方向に前記フラッシュを変位させる工程を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変位ベクトルがランタイム時に算出される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｐｏｉｓｓｏｎカーネルが減衰定数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記用量補正乗数が噴霧散乱効果、後方散乱効果および高速二次散乱効果を考慮している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記用量補正乗数が、前記用量補正乗数の噴霧散乱部分をまず算出することによって算出される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記噴霧散乱部分を算出するステップが、前記噴霧散乱効果を考慮するように構成されている第１のグリッドに対して、前記後方散乱効果を考慮するように構成されている第２のグリッドに対して、また前記高速二次散乱効果を考慮するように構成されている第３のグリッドに対してパターンをサンプリングする工程を備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記噴霧散乱部分を算出するステップがさらに、
（ａ）前記第１のグリッド、前記第２のグリッドおよび前記第３のグリッドに前記用量補正乗数を圧縮する工程と、
（ｂ）前記第１のグリッドに圧縮された前記用量補正乗数に前記第１のグリッドにサンプリングされた前記パターンを乗算して、前記結果を、
【数２３】
2009510781.tif 000025
と定義されたＸｆで畳み込むことによって圧縮噴霧散乱部分を生成するステップであって、ここでＧがガウス分布関数を表しており、ａｉがそれぞれのガウス分布関数の重量を表しており、σｉが前記ガウス分布関数の幅を表している工程と、
（ｃ）前記圧縮噴霧散乱部分を拡張して前記噴霧散乱部分を生成する工程と、
（ｄ）前記第２のグリッドに圧縮された前記用量補正乗数に前記第２のグリッドにサンプリングされた前記パターンを乗算して、前記結果を
【数２４】
2009510781.tif 000026
と定義されたＸｂで畳み込むことによって圧縮後方散乱部分を生成する工程と、
（ｅ）前記圧縮後方散乱部分を拡張して前記後方散乱部分を生成する工程と、
（ｆ）前記第３のグリッドに圧縮された前記用量補正乗数に前記第３のグリッドにサンプリングされた前記パターンを乗算して、前記結果を
【数２５】
2009510781.tif 000027
と定義されたＸｓで畳み込むことによって圧縮高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｇ）前記圧縮高速二次散乱部分を拡張して前記高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｈ）
【数２６】
2009510781.tif 000028
に従って前記用量補正乗数を算出する工程であって、ここでＡが前記ポイント拡散関数の前記ガウス分布表記の全係数の合計を表しており、ｄが前記用量補正乗数を表しており、Ａｋが、高速二次、後方散乱または噴霧効果によっては散乱されないエネルギー堆積の比率の重量を表しており、
【数２７】
2009510781.tif 000029
が前記高速二次散乱部分を表しており、
【数２８】
2009510781.tif 000030
が前記後方散乱部分を表しており、
【数２９】
2009510781.tif 000031
が前記噴霧散乱部分を表しており、Θがレジスト感度の補正を表している工程と、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記用量補正乗数の変化が所定の値に収束するまでステップ（ａ）〜（ｈ）が反復される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
最後の用量補正乗数を算出するのに使用される前記圧縮噴霧散乱部分が収束ポイントで保存される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記圧縮噴霧散乱部分を拡張するステップが、前記圧縮噴霧散乱部分を共通のスケールグリッドに拡張する工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧縮噴霧散乱部分が補間アルゴリズムを使用して拡張される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記圧縮後方散乱部分を拡張するステップが、前記圧縮後方散乱部分を共通のスケールグリッドに拡張する工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記圧縮後方散乱部分が補間アルゴリズムを使用して拡張される、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
レジスト感度の前記補正が、レジスト加熱の補正、マップ型欠陥の補正、および時間依存欠陥に対する補正のうちの少なくとも１つを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記用量補正乗数を算出するステップが、前記パターンを前記第２のグリッドおよび前記第３のグリッドに圧縮する工程を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記用量補正乗数を算出するステップがさらに、
（ｉ）前記用量補正乗数を前記第２のグリッドおよび前記第３のグリッドに圧縮する工程と、
（ｊ）前記保存されている圧縮噴霧散乱部分を拡張して前記噴霧散乱部分を生成する工程と、
（ｋ）前記第２のグリッドに圧縮された前記用量補正乗数に前記第２のグリッドに圧縮された前記パターンを乗算して、前記結果を
【数３０】
2009510781.tif 000032
と定義されたＸｂで畳み込むことによって圧縮後方散乱部分を生成する工程と、
（ｌ）圧縮後方散乱部分を拡張して前記後方散乱部分を生成する工程と、
（ｍ）前記第３のグリッドに圧縮された前記用量補正乗数に前記第３のグリッドに圧縮された前記パターンを乗算して、前記結果を
【数３１】
2009510781.tif 000033
と定義されたＸｓで畳み込むことによって圧縮高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｎ）前記圧縮高速二次散乱部分を拡張して前記高速二次散乱部分を生成する工程と、
（ｏ）
【数３２】
2009510781.tif 000034
に従って前記用量補正乗数を算出する工程と、
を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１８】
前記用量補正乗数の変化が所定の値に収束するまでステップ（ｉ）〜（ｏ）が反復される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
最後の反復での前記用量補正乗数が前記フラッシュを生成するのに使用される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記用量補正乗数を使用して前記フラッシュを生成するステップが、前記最後の反復での前記用量補正乗数をフラッシュ生成器に送る工程を備える、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記最後の反復での前記用量補正乗数が前記フラッシュ滞留時間を変調するのに使用される、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は概して、基板上にパターンを形成するためのパターン生成システムおよびこのようなシステムによって使用される方法に関し、より具体的には電子ビームパターン生成システムに関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]任意の隣接ポイントの暴露によりイメージされたパターン内のポイントの暴露に対する効果は近接効果と呼ばれることもある。例えば、電子光学暴露の制限解像度や固有レジスト解像度、レジスト層における電子散乱、およびレジスト層がある基板からの電子後方散乱は、特定のポイントに送出される暴露用量分布のぼやけ（blurring）をもたらすことがある。結果として、具体的なポイントに送出されるように設計されている暴露用量の一部は、実際は隣接ポイントに送出される。加えて、特定のポイントにおけるレジスト層の暴露は、隣接ポイントの外側に分散する恐れのあるレジストの局所的加熱をもたらすことがある。この結果は、隣接する近接ポイントでの修正レジスト感度になる。これらの効果は臨界寸法効果と称されることもある。
【０００３】
[0003]レジストが形成される基板の熱膨張は、基板の不均一な熱膨張による隣接ポイントでの特徴部配置エラーをもたらし得るもう１つの局所的加熱効果である。これらの熱膨張エラーは配置効果と称されることもある。
【０００４】
[0004]加えて、帯電粒子ビームによる暴露時に、レジストは局所帯電を取得することもある。この帯電は入ってくる粒子ビームを偏向させることもあり、パターン配置エラーにつながる。
【０００５】
[0005]これらの近接効果は、具体的なポイントにおいては本質的または効果的な暴露用量エラーになることもある。臨界寸法効果および配置効果は、電子がレジストに影響を及ぼすポイントの場所を変えることによって、本質的な暴露用量エラーをもたらすこともある。レジスト加熱は、電子に対するレジストの感度を変えることによって効果的な暴露用量エラーをもたらすこともある。
【０００６】
[0006]臨界寸法効果が隣接部位に送出される全暴露用量にのみ左右される場合、レジスト加熱効果および配置効果はまた、暴露用量送出のレートおよび時間シーケンスによって影響されることもある。従って、多様な機構によって、近接効果は、リソグラフィック特徴部のサイズ、形状および／または場所の望ましくない変動をもたらすこともある。
【０００７】
[0007]これらのエラーの補正は、とりわけさらなる精密さおよび正確さを必要とする複雑なパターンに伴った形状小型化の傾向に関して、電子ビームリソグラフィの重要な態様である。従って、フラッシュ生成と関連した臨界寸法効果および配置効果を、もし排除しないのならば最小化するための方法の改良が当分野では必要である。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]本発明の実施形態は概して、フラッシュを生成するための方法を目的としている。該方法は、レジスト帯電に対する変位ベクトルを算出するステップを含んでいる。該変位ベクトルは
【０００９】
【数１】
2009510781.tif 000003
【００１０】
として定義されており、ここで
【００１１】
【数２】
2009510781.tif 000004
【００１２】
は該変位ベクトルを表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ｐはパターンを表しており、
【００１３】
【数３】
2009510781.tif 000005
【００１４】
は空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表している。該方法はさらに、該変位ベクトルを使用して該フラッシュの位置決めを修正するステップを含んでいる。
【００１５】
[0009]本発明の上記引用された特徴が詳細に理解されるように、上記簡潔に要約された本発明のより具体的な説明が実施形態を参照してなされてもよく、この一部は添付の図面に図示されている。しかしながら、添付の図面は本発明の通常の実施形態のみを図示しており、また本発明は他の等しく効果的な実施形態を認めてもよいため、この範囲を制限するものとみなされるべきではない点に注目すべきである。
【詳細な説明】
【００１６】
[0015]ここに開示されているランタイム近接補正は、電子ビームパターン生成システムにおいてラスター走査書き込み戦略およびラスター化パターンデータ表記を用いる。図１は、ラスター走査書き込み戦略の簡略表記を図示している。１つ以上の電子ビーム１１０が第１の方向に定期的に走査されるのに対して１２０、第２の直交方向のステージ運動１３０が各画素１４０の暴露に提供される。その都度、ビーム１１０が、画素１４０の１つ以上の行を暴露する第１の方向に走査される。この書き込み戦略をサポートするために、データは暴露データの標準アレイとして組織化される。画素は通常、およそ０．０５〜２．０μｍの範囲のサイズを有する特徴部を書き込むために、直径はおよそ０．０５〜０．２μｍの範囲である。各画素１４０の暴露データは暴露レベルＰｉｊからなり、ここでｉおよびｊはグリッド１５０の指数である。
【００１７】
[0016]ここで論じられている臨界寸法や近接効果は噴霧散乱効果、後方散乱効果、高速二次散乱効果および相対レジスト感度を含んでいる。種々の散乱効果は様々な長さ尺度であり、つまり、噴霧散乱は約１０ｍｍであり、後方散乱は約１０μｍであり、高速二次散乱は約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍである。従って、種々の散乱効果は５桁、つまり約１００ｎｍ〜約１０ｍｍに及ぶ。相対レジスト感度については以下の段落で説明する。
【００１８】
[0017]これら種々の臨界寸法効果の補正は、もしあればいずれの用量修正が書き込み時に各画素に適用されるのかを判断するための計算を伴うことがある。一部の計算は、以下の段落で説明されているように、種々の関数を相互に畳み込んでランタイム補正をもたらすステップを伴うことがある。一部の計算は、補正を生成するために畳み込みカーネルを使用することがある。本発明の実施形態はラスタライザー（図示せず）で実現されてもよい。本発明の実施形態を使用する臨界寸法効果はランタイム時またはデータ準備時に補正されてもよい。
【００１９】
[0018]図２は、本発明の１つ以上の実施形態に従ったパターンプリント方法２００である。ステップ２１０において、用量補正乗数の噴霧散乱部分が算出される。一実施形態では、用量補正乗算の噴霧散乱部分はプリント前に算出される。
【００２０】
[0019]図３は、本発明の１つ以上の実施形態に従った用量補正乗数の噴霧散乱部分の算出方法３００のフロー図を図示している。ステップ３１０において、パターンは、種々の臨界寸法散乱効果に適したグリッドにサンプリングされる。一例として、噴霧散乱効果について、パターンは約１ｍｍのセルサイズを有するグリッドにサンプリングされてもよい。後方散乱効果について、パターンは約１μｍのセルサイズを有するグリッドにサンプリングされてもよい。高速二次効果について、パターンは約５０〜約２００ｎｍのセルサイズを有するグリッドにサンプリングされてもよい。一実施形態では、パターンは擬似ランダムサンプリングされてもよい。別の実施形態では、サンプルはパターンの約１％〜約１０％であってもよい。
【００２１】
[0020]ステップ３２０において、用量補正乗数は１に初期化される。ステップ３３０において、用量補正乗数は、噴霧散乱効果に適したグリッドに圧縮され、これはステップ３１０で説明されたグリッドと同じサイズを有している。同様に、ステップ３４０において、用量補正乗数は後方散乱効果に適したグリッドに圧縮され、これはステップ３１０で説明されたグリッドと同じサイズを有している。同様にステップ３４５において、用量補正乗数は高速二次散乱効果に適したグリッドに圧縮され、これはステップ３１０で説明されたグリッドと同じサイズを有している。このように、用量補正乗数およびパターンサンプルは同じグリッドサイズである。
【００２２】
[0021]ステップ３５０において、噴霧散乱効果の圧縮用量補正乗数およびパターンサンプルはポイントごとに乗算されて、Ｘｆで畳み込まれて、圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分（つまり項）を生成する。Ｘｆは
【００２３】
【数４】
2009510781.tif 000006
【００２４】
として定義されて、ここでａｉは、幅σｉのそれぞれのガウス分布Ｇの重量を表している。Ｘｆは従って、噴霧による電子散乱ポイント拡散関数の該当部分である。圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分はマスク全体について計算される。ステップ３６０において、圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分は共通のスケールグリッドに拡張される。一実施形態では、共通のスケールグリッドは約５０〜約２００ｎｍのセルサイズを有している。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって共通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行される。
【００２５】
[0022]ステップ３７０において、後方散乱効果の圧縮用量補正乗数およびパターンサンプルはポイントごとに乗算されて、Ｘｂで畳み込まれて、圧縮用量補正乗数の後方散乱部分（つまり項）を生成する。Ｘｂは
【００２６】
【数５】
2009510781.tif 000007
【００２７】
として定義される。圧縮用量補正乗数の後方散乱部分もまたマスク全体について計算される。ステップ３８０において、圧縮用量補正乗数の後方散乱部分は共通のスケールグリッドに拡張される。一実施形態では、共通のスケールグリッドは約５０〜約２００ｎｍのセルサイズを有している。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって普通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行されてもよい。
【００２８】
[0023]ステップ３９０において、高速二次散乱効果の用量補正乗数およびパターンサンプルはポイントごとに乗算されて、Ｘｓで畳み込まれて、圧縮用量補正乗数の高速二次散乱部分（つまり項）を生成する。Ｘｓは
【００２９】
【数６】
2009510781.tif 000008
【００３０】
として定義される。一実施形態では、圧縮用量補正乗数の高速二次散乱部分はマスクのサンプルについて計算される。ステップ３８５において、圧縮用量補正乗数の高速二次散乱部分は共通のスケールグリッドに拡張される。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって共通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行されてもよい。
【００３１】
[0024]ステップ３９５において、全用量補正乗数は以下の式１に従って算出される：
【００３２】
【数７】
2009510781.tif 000009
【００３３】
ここでＡはポイント拡散関数のガウス分布表記の全係数の合計を表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ａｋは高速二次効果、後方散乱効果または噴霧効果によって散乱しないエネルギー堆積の比率の重量を表しており、
【００３４】
【数８】
2009510781.tif 000010
【００３５】
はステップ３８５〜３９０で算出された用量補正乗数の高速二次散乱部分を表している。      
【００３６】
【数９】
2009510781.tif 000011
【００３７】
はステップ３７０〜３８０で算出された用量補正乗数の後方散乱部分を表しており、
【００３８】
【数１０】
2009510781.tif 000012
【００３９】
はステップ３５０〜３６０で算出された用量補正乗数の噴霧散乱部分を表しており、Θは相対レジスト感度の補正を表しており、これについては以下の段落で説明する。
【００４０】
[0025]ステップ３３０〜３９５はそして、ステップ３９５で算出された用量補正乗数が収束するまで繰り返される。ステップ３２５は、次の反復について処理が繰り返されることを図示している。従って、ｉは用量補正乗数の反復指数を表している。
【００４１】
[0026]収束ポイントでは、ステップ３９６において、ステップ３５０で算出された圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分が、プリント段階でのさらなる使用のために保存または凍結されており、これについては図４を参照して説明する。ステップ３３０〜３９５は約３、４回繰り返しつまり反復されてもよい。一実施形態では、ステップ３９６において、ステップ３５０で算出された圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分ではなく、ステップ３６０で共通のスケールグリッドに拡張された圧縮用量補正乗数の噴霧散乱部分が保存または凍結される。
【００４２】
[0027]図２を再度参照すると、ステップ２２０において、用量補正乗数の凍結噴霧部分が、残りの用量補正乗数を算出するために使用される。図４は、本発明の１つ以上の実施形態に従った用量補正乗数算出方法４００のフロー図を図示している。ステップ４１０において、後方散乱効果および高速二次散乱効果を考慮するように構成されているグリッドにパターンが圧縮される。ステップ４２０において、用量補正乗数が、後方散乱効果について構成されているグリッドに圧縮される。ステップ４２５において、用量補正乗数は、高速二次散乱効果について構成されているグリッドに圧縮される。
【００４３】
[0028]ステップ４３０において、圧縮用量補正乗数の保存または凍結噴霧部分が共通のスケールグリッドに拡張される。一実施形態では、共通のスケールグリッドは約５０〜約２００ｎｍのセルサイズを有している。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって共通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行されてもよい。
【００４４】
[0029]ステップ４４０において、後方散乱効果について構成されている圧縮用量補正乗数およびパターンはポイントごとに乗算されて、Ｘｂで畳み込まれて、圧縮用量補正乗数の後方散乱部分を生成する。ステップ４５０において、圧縮用量補正乗数の後方散乱部分は共通のスケールグリッドに拡張される。一実施形態では、共通のスケールグリッドは約５０〜約２００ｎｍのセルサイズを有している。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって普通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行されてもよい。
【００４５】
[0030]ステップ４６０において、高速二次散乱効果について構成されている圧縮用量補正乗数およびパターンはポイントごとに乗算されて、Ｘｓで畳み込まれて、圧縮用量補正乗数の高速二次散乱部分を生成する。ステップ４５５において、圧縮用量補正乗数の高速二次散乱部分は共通のスケールグリッドに拡張される。拡張動作は、線形補間、二次補間、あるいは当業者によって普通に知られている他の補間アルゴリズムなどの補間アルゴリズムを使用して実行されてもよい。
【００４６】
[0031]ステップ４７０において、全用量補正乗数は式（１）に従って算出される。ステップ４２０〜４７０は次いで、ステップ４７０で算出された用量補正乗数が収束するまで繰り返しつまり反復される。収束時に、最終反復での用量補正乗数はフラッシュ生成器に送られる（ステップ４８０）。図２を再度参照すると、ステップ２３０において、最終用量補正乗数は次いで、用量を修正してフラッシュを生成するために使用される。このように、最終用量補正乗数はフラッシュ滞留時間を変調するのに使用されてもよい。
【００４７】
[0032]上記のように、式（１）は変数Θを含有しており、これは相対レジスト感度を表しており、マスク全体で変動することがある。相対レジスト感度の変動に寄与する複数の要因はレジスト加熱、マップ型効果および時間依存効果を含んでいる。相対レジスト感度は
【００４８】
【数１１】
2009510781.tif 000013
【００４９】
として表されてもよく、ここでΘｈはレジスト加熱の補正を表しており、Θｍはマップ型効果の補正を表しており、Θｔは時間依存効果の補正を表しており、Θは空間変動量を表しており、これは式（１）のポイント方向に入る。
【００５０】
[0033]レジスト感度は温度によって変動する。従って、レジスト加熱の補正は温度の関数、つまり
【００５１】
【数１２】
2009510781.tif 000014
【００５２】
として定義されてもよく、ここでＴは温度を表しており、書き込み履歴の関数である。フラッシュ間加熱が無視され、ライン間加熱のみが考慮される場合、Ｔは
【００５３】
【数１３】
2009510781.tif 000015
【００５４】
によって判断されてもよく、ここでΓは空間ドメインに変換された熱分散カーネルであり、基板材料およびステージスピードの関数であってもよい。レジスト加熱の補正もまたレジストタイプおよびレジスト厚の関数であってもよく、従って、これは実験的に判断されてもよく、表入力を必要とすることもある。
【００５５】
[0034]マップ型効果はレジストコーティング、レジスト現像および吸収剤エッチングにおける不均一性から生じることもある。従って、マップ型効果の補正は空間（Ｘ，Ｙ）の関数、つまり
【００５６】
【数１４】
2009510781.tif 000016
【００５７】
である。マップ型効果の補正は、プロセスレシピ、例えばレジストタイプ、事後暴露ツール、エッチングツールなどの関数であってもよく、従って、実験的に判断されてもよく、表入力を必要とすることもある。
【００５８】
[0035]時間依存効果の補正はフラッシュの暴露と事後暴露焼成との間の経過時間の関数として定義されてもよく、この時点でレジスト化学物質は焼き入れされる。つまり
【００５９】
【数１５】
2009510781.tif 000017
【００６０】
であり、ここでｔＰＥＢは事後暴露焼成時間を表しており、ｔはフラッシュ暴露時間を表している。最も単純なモデルでは、事後暴露焼成時間は分からない。従って、Θｔは単純な線形関数
【００６１】
【数１６】
2009510781.tif 000018
【００６２】
によって近似されてもよく、ここでｔ’は、最初のフラッシュがプレートに暴露されてからの経過時間を表している。
【００６３】
[0036]このように、用量依存性の臨界寸法効果は、ここに説明されている種々の実施形態に従って用量を変調することによって補正可能である。各フラッシュがプリントされると、当該フラッシュに一意の用量が選択されて、この用量と関連した臨界寸法効果をオフセットする。本発明の実施形態を使用することによって、各フラッシュに対する臨界寸法効果の影響は事前に予測可能であり、これに応じて用量を修正するのに使用されてもよい。
【００６４】
[0037]本発明の実施形態はまたフラッシュ生成に対する配置効果を補正することを目的としている。配置効果は、ビーム影響ポイントをマスク表面に移動させる効果、例えば大域的レジスト帯電を含んでいる。図５は、本発明の１つ以上の実施形態に従ったフラッシュ生成方法５００のフロー図を図示している。ステップ５１０において、変位ベクトルは
【００６５】
【数１７】
2009510781.tif 000019
【００６６】
に従って算出され、ここで
【００６７】
【数１８】
2009510781.tif 000020
【００６８】
はレジスト帯電による変位ベクトルを表しており、ｄは用量補正乗数を表しており、Ｐはパターンを表しており、
【００６９】
【数１９】
2009510781.tif 000021
【００７０】
は空間ドメインに変換されたＰｏｉｓｓｏｎカーネルを表すベクトル量である。Ｐｏｉｓｓｏｎカーネルはマシーン形状、書き込みスピード、レジスト材料およびレジスト厚の関数であってもよい。従って、Ｐｏｉｓｓｏｎカーネルはマシーン形状の関数である比例定数を含有することもあり、これは実験的に判断されてもよいが、マシーンに固定的である。さらに、Ｐｏｉｓｓｏｎカーネルの減衰定数（抵抗）はレジストおよび厚さごとに実験的に判断されてもよい。劣化は時間依存性であり、非対称カーネルをもたらすこともある。一実施形態では、変位ベクトルはランタイムに算出されてもよい。別の実施形態では、変位ベクトルは、プリント時のパターンに関する情報を有しているため、ラスタライザーで算出されてもよい。
【００７１】
[0038]ステップ５２０において、変位ベクトルはフラッシュの位置決めを修正するのに使用される。一実施形態では、フラッシュは変位ベクトルと反対方向に変位されてもよい。変位ベクトルはフラッシュマイクロベクトルに適用されてもよい。
【００７２】
[0039]上記は本発明の実施形態を目的としているが、本発明の他のさらなる実施形態もこの基本的範囲から逸脱することなく考案されてもよく、この範囲は以下の請求項によって判断される。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】ラスター走査書き込み戦略の簡略表記を図示している。
【図２】本発明の１つ以上の実施形態に従ったパターンプリント方法である。
【図３】本発明の１つ以上の実施形態に従った用量補正乗数の噴霧散乱部分の算出方法のフロー図を図示している。
【図４】本発明の１つ以上の実施形態に従った用量補正乗数の算出方法のフロー図を図示している。
【図５】本発明の１つ以上の実施形態に従ったフラッシュ生成方法のフロー図を図示している。
【符号の説明】
【００７４】
１１０…電子ビーム、１３０…ステージ運動、１４０…画素、１５０…グリッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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