(57)【要約】  プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、排気ガスは、真空ポンプ（２０）に運ばれ、窒素パージガスは、排気ガスとともに排気するために排出ガスに加えられる。ポンプからのガス排気は、排気ガスを除害するための除害装置（２８）に運ばれる。排気ガスに加えられるパージガスの量は、排気ガスの除害を最適にするように、排気ガスの組成、またはプロセス室に供給されたガスの組成の変化に応答して調整される。
2009513330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、
排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、
ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、
パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量を、排気ガスの除害を最適にするように制御する、
ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理方法。
【請求項２】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、プロセス室に供給され、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化に応答して調整する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
室に供給され、または室から排出されるガスがフッ素含有成分を含むとき、排気ガスに加えられるパージガスの量を減ずる、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
第１ガス及び第２ガスが異なる時間に供給され、第２ガスがフッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されるガスの処理方法であって、
排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、
ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、
パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量は、第１ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値、及び第２ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値より低い第２の値を有する、
ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理方法。
【請求項５】
フッ素含有成分は、Ｆ2及びペルフルオロ化合物のうちの１つを含む、
請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、前記フッ素含有成分が室に供給されない、または室から排出されないとき、その後増加させる、
請求項３から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、排気ガスが１つまたはそれ以上の凝縮可能な種を含むとき、その後増加させる、
請求項３から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、プロセス室に供給され、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化を示すデータの受取りに応答して調整する、
請求項１から７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
排気ガスは、プロセスツールのプロセス室からの排気であり、前記組成の変化を示すデータは、プロセスツールによって供給される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記組成の変化を示すデータを、プロセス室にガスを供給するのに使用される１つまたはそれ以上の可変流量制御装置を監視することによって得る、
請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、パージガスが排気ガスに供給される流量を変更することによって調整する、
請求項１から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、５ないし１５ｓｌｍの値より上に維持する、
請求項１から１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
パージガスを、ポンプの上流で排気ガスに加える、
請求項１から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
ポンプは、多段ポンプであり、パージガスは、ポンプの段の間で排気ガスに加えられる、
請求項１から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
パージガスを、ポンプの下流で排気ガスに加える、
請求項１から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
ポンプの下流で排気ガスに加えられるパージガスの量を、ポンプの上流またはポンプの段の間で排気ガスに加えられるパージガスの量に応じて調整する、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
除害装置は、プラズマ除害装置である、
請求項１から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
プロセス室は、化学蒸着室である、
請求項１から１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
プロセス室は、エッチング室である、
請求項１から１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項２０】
プロセス室から排出されるガスの処理装置であって、
プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、
ポンプからの排気ガスを受け入れるための除害装置と、
除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、排気ガスの除害を最適にするように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む、
ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理装置。
【請求項２１】
制御システムは、プロセス室に供給される、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化に応答して、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するように構成されている、
請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
制御システムは、排気ガスがフッ素含有成分を含むとき、パージガスを排気ガスに供給する流量を減ずるように構成されている、
請求項２０または２１に記載の装置。
【請求項２３】
第１ガス及び第２ガスが異なる時間に供給され、第２ガスがフッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されるガスの処理装置であって、
プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、
ポンプからの排気ガスを受け入れるための除害装置と、
除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、
排気ガスに加えられるパージガスの量が、第１ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値、及び第２ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値より低い第２の値を有するように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む、
ことを特徴とするプロセス室から排出されるガスの処理装置。
【請求項２４】
制御システムは、排気ガスが、１つまたはそれ以上の凝縮可能な種を含むとき、パージガスが排気ガスに供給される流量を増加させるように構成されている、
請求項２２又は２３に記載の装置。
【請求項２５】
制御システムは、プロセス室に供給される、またはプロセス室から排出されるガスの組成の変化を示すデータを受け、それに応答して排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するためのコントローラを含む、
請求項２０から２４の何れか１項に記載の装置。
【請求項２６】
制御システムは、パージガスを排気ガスに供給する流量を変更するための可変流量制御装置を含み、コントローラは、前記組成の変化で可変流量制御装置を制御するように構成されている、
請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
制御システムは、パージガスを前記組成に応じて、１０乃至４０ｓｌｍの間で、排気ガスに供給する流量を変更するように構成されている、
請求項２５又は２６に記載の装置。
【請求項２８】
制御システムは、除害装置によって受け入れられた排気ガス内のパージガスの量を、５乃至１５ｓｌｍの間の値より上に維持するように構成されている、
請求項２０から２７の何れか１項に記載の装置。
【請求項２９】
パージガス供給システムは、ポンプの上流で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
請求項２０から２８の何れか１項に記載の装置。
【請求項３０】
ポンプは、多段ポンプであり、パージガス供給システムは、ポンプの段の間で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
請求項２０から２９の何れか１項に記載の装置。
【請求項３１】
パージガス供給システムは、ポンプの下流で排気ガスにパージガスを加えるように構成されている、
請求項２０から３０の何れか１項に記載の装置。
【請求項３２】
制御システムは、ポンプの上流またはポンプ内で排気ガスに加えられるパージガスの量に依存して、ポンプの下流で排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するように構成されている、
請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
除害装置は、プラズマ除害装置である、
請求項２０から３２の何れか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プロセス室から排出されるガスの処理方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
様々な異なるガスが、室内での半導体又は平面パネル表示装置の形成中、プロセス室に供給されることがある。化学蒸着法では、ガスは、基板を収容するプロセス室に供給され、反応して基板の表面に薄膜を形成する。例えば、ＬＰＣＶＤ（低圧化学蒸着）窒化法は、ＤＣＳ（ジクロロシラン）及びアンモニアを使用してウエハの表面に窒化珪素を形成する。エッチング法では、三塩化ホウ素や塩素のようなガスが、望ましくないアルミニウムを除去するために室に供給され、ポリシリコンエッチング法では、ポリシリコン及び塩素が室に供給される。ペルフルオロ化合物ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3、ＳＦ6、及びフッ素（Ｆ2）のような洗浄ガスが、望ましくない付着物を室から洗浄するために室に定期的に供給される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
これらの方法のいくつかは、凝縮可能な種の形成をもたらす。ＬＰＣＶＤ法は、過剰のアンモニアと反応してＨＣｌを生成し、このＨＣｌは、塩化アンモニウムを形成することがあり、金属エッチング法は、塩化アルミニウムを生成することがあり、その各々は、室出口から、室から排出されるガスを排気するのに使用される真空ポンプまで延びる前管内、真空ポンプから導く排気管内、及び／又は真空ポンプ自身内で容易に凝縮することがある。ポリシリコンエッチング法は、また、凝縮可能な種、特に四塩化珪素の形成をもたらすことがある。ポンプ内の微粒子の凝縮の結果、ポンプのロータとステータ要素の間の空き運転隙間をふさぐことがあり、ポンプ性能の損失及び最終的にポンプ故障をもたらす。この観点で、不活性パージガス、典型的には窒素を、ポンプ内の凝縮可能な種の分圧を、実質的に凝縮がポンプ内で起こらない値まで減ずるために、真空ポンプの排気管にまたは１つまたはそれ以上のパージポートに、約４０乃至５０ｓｌｍの流量で供給するのが通常の実務である。
【０００４】
ペルフルオロ（ＰＦＣ）洗浄ガスは、温暖化ガスであり、したがってこの観点で、排気ガスが大気に排気される前に、除害装置が、典型的に、ＰＦＣガスを、例えば従来の洗浄によって排気ガスから容易に除去することができ、及び／又は大気に安全に排出することができる種に変換するように、排気ガスを処理するのに設けられる。しかしながら、プロセス室からの排気ガスの流量（通常約５ｓｌｍ）に比べて、排気ガスに加えられるパージガスの比較的高い流量の観点で、パージガスの追加は、除害装置の分解効率を著しく減少させる。除害技術は、排気ガスを反応面または高エネルギ放電に接触させることを含むのがよく、したがって、除害装置の中の質量流量が高いほど、排気ガスとこれらの表面または放電との接触時間が短くなり、従って、分解効率が低くなる。これは、比較的分解しにくい傾向がある、ＣＦ4、ＳＦ6のようなペルフルオロ洗浄ガスとの関連で、特に重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の側面では、本発明は、プロセス室から排出されるガスの処理方法を提供し、該方法は、排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量を、排気ガスの除害を最適にするように制御する。
【０００６】
窒素またはアルゴンのようなパージガスの供給を、プロセス室に供給されるガスの組成に従って最適にすることができる。例えば、排気ガスの組成が、排気ガスが、塩化アンモニウム、塩化アルミニウム、及び三塩化珪素のような１つ又はそれ以上の凝縮可能な種を含むようなものであるときに、装置加工ステップが室内で行われるとき、排気ガスに加えられるパージガスの量を、凝縮可能な種の分圧を、凝縮可能な種の凝縮が実質的に抑制される値にまで減ずるように、増加させ、または比較的高いレベルに維持し、それによりポンプを保護する。ガスがＨＢｒまたはＨＣｌのような腐食剤を含むとき、排気ガスに加えられるパージガスの量を、ポンプから腐食剤を洗い流すように、増加させ、または比較的高いレベルに維持してもよい。代替的にまたは追加的に、排気ガスが、水素、または少なくとも所定量の水素を含むとき、排気ガスに加えられるパージガスの量を、ポンプ入口に向かうポンプ内の水素の逆流を抑制する値に調整し、それにより比較的高い水素排気効率を維持してもよい。
【０００７】
排気ガスが、例えばＦ2や、ＣＦ4、ＮＦ3、及びＳＦ6のようなペルフルオロガス等のフッ素含有成分を含むとき、ガス流は、腐食性のまたは凝縮可能な種をほとんどまたは全く含まず、したがって、排気ガスに加えられるパージガスの量を、ポンプの下流に配置された除害装置での、そのガスの分解効率を増大させ、それによりそのガスの除害を最適にするために、減じ、または、比較的低いレベルに維持するのがよい。したがって、第２の側面では、本発明は、第１ガス及び第２ガスが異なる時間に供給され、第２ガスがフッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されたガスの処理方法を提供し、該方法は、排気ガスを真空ポンプに運ぶステップと、ポンプからの排気ガスを除害装置に運ぶステップと、を含み、パージガスを、除害装置の上流で排気ガスに加え、排気ガスに加えられるパージガスの量を、第１ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値、及び第２のガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値よりも低い第２の値を有する。
【０００８】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、例えば排気ガスが１つまたはそれ以上の凝縮可能な種を含むとき、前記フッ素含有成分が室に供給されず、または室から排出されないとき、実質的に増加させてもよい。
【０００９】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、好ましくは、排気ガスの組成の変化を示すデータの受取りに応答して調整してもよい。好ましい実施形態では、排気ガスは、プロセスツールの室からの排気であり、排気ガスの化学的性質の変化を示すデータが、プロセスツールによって供給される。代替的に、データを、プロセスツールから、または室とポンプの間に配置されたセンサからのデータを受けるホストコンピュータによって供給してもよい。データは、代替的に、データから排気ガスの組成、従って、排気ガス内にある凝縮可能な種の量を予測できるので、室に供給されるガスの組成を示してもよい。例えば、コントローラは、ガスをプロセス室に供給するのに使用される１つまたはそれ以上の可変流量制御装置を監視することによって得られるガス組成の変化を示すデータを受けてもよい。プロセス室にガスを供給するための１つまたはそれ以上のバルブの開閉、及び／又はガスがプロセス室に供給される流量を制御するための１つ又はそれ以上の質量流量コントローラのコンダクタンスを、例えばこれらの装置に供給される信号を監視することによって検出してもよい。
【００１０】
パージガスを、ポンプの上流及び／又は下流で、排気ガスに加えてもよい。ポンプが多段ポンプであるなら、代替的にまたは追加的に、パージガスをポンプの段の間で排気ガスに加えてもよい。
【００１１】
除害装置は、排気ガスを要求される効率で除害するための任意の適当な技術を使用してもよい。好ましい技術は、排気ガスを除害するために、マイクロ波プラズマ装置及び直流プラズマトーチのいずれかを使用した、プラズマ除害技術である。排気ガスを除害するのに使用される除害技術に応じて、排気ガスに加えられるパージガスの量を、好ましくは、除害装置の中のガスの流量をこの最小レベルより上に維持するために、例えば５ないし１５ｓｌｍの所定レベルより上に維持する。例えば、もし除害装置が、ガスを除害するためにプラズマ除害技術を使用するならば、除害装置の中のガス流量をこの所定レベルより下に落とすことは、除害プロセスに影響を及ぼす。従って、もし不十分なパージガスが、ポンプの上流でまたはポンプの段の間で排気ガスに加えられるなら、ポンプの下流で排気ガスに加えられるパージガスの量を、除害装置の中のガス流量がこの最小レベルより上に維持されるように調整する。
【００１２】
排気ガスに加えられるパージガスの量を、パージガスが排気ガスに供給される流量を変更することによって調整してもよい。例えば、バルブのような可変流量制御装置を、パージガスが排気ガスに供給される流量を変更するために設けてもよい。コントローラを、排気ガスの組成の変化で、可変流量制御装置のコンダクタンスを制御するために設けてもよい。パージガスが排気ガスに加えられる流量を、排出ガスの組成によって、５ないし１００ｓｌｍの間、例えば１０ないし４０ｓｌｍの間で変更してもよい。
【００１３】
排気ガスは、化学蒸着加工が行われるプロセス室、または金属または半導体にエッチング加工が行われる室からの排気ガスである。
【００１４】
第３の側面では、本発明は、プロセス室から排出されるガスの処理装置を提供し、該装置は、プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、ポンプからの排気ガスを受けるための除害装置と、除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、排気ガスの除害を最適にするように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む。
【００１５】
第４の側面では、本発明は、第１ガス及び第２ガスが異なる時間に供給され、第２ガスは、フッ素含有成分を含む、プロセス室から排出されるガスの処理装置を提供し、該装置は、プロセス室からの排気ガスを受けるための真空ポンプと、ポンプからの排気ガスを受けるための除害装置と、除害装置の上流で排気ガスにパージガスを加えるためのパージガス供給システムと、排気ガスに加えられるパージガスの量が、第１ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値、及び第２ガスがプロセス室に供給されるとき、第１の値より低い第２の値を有するように、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するための制御システムと、を含む。
【００１６】
本発明の方法の側面に関連して上述した特徴は、本発明の装置の側面にも等しく適用可能であり、その反対も可能である。
【００１７】
本発明の好ましい特徴を、添付図面を参照して、今、説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１を参照すると、例えば半導体デバイス、平面パネル表示装置、または太陽パネル装置等を加工するためのプロセス室１０は、室１０内で加工を行うのに使用するための様々な第１のプロセスガスを受け入れる。これらのガスは、図で全体的に１２及び１４で示されるそれぞれの源から室１０に運ばれるが、任意の数の源を設けてもよい。例えば、三塩化ホウ素及び塩素の源を、室１０内で金属エッチング加工を行うために設けてもよく、アンモニア及びジクロロシランの源を、室１０内でＬＰＣＶＤ加工を行うために設けてもよく、臭化水素及び塩素の源を、ポリクリスタリン珪素をエッチングするために設けてもよい。プロセスツール１６が、室１０へのプロセスガスの供給量を制御するために、バルブ１８及び（図示しない）他の流量制御装置に制御信号を供給することによって、室１０へのプロセスガスの供給を制御する。
【００１９】
排気ガスは、室１０の出口から排気システムによって引かれる。室１０内での加工中、プロセスガスの一部のみが消費され、したがって、排気ガスは、室に供給されたプロセスガスと、室内での処理からの副産物との混合物を含む。排気システムは、室から排気ガスを引くために、典型的にターボ分子ポンプまたはルーツ式ブースターポンプの形態の、２次ポンプ２０を含むのがよい。ターボ分子ポンプは、室１０内に少なくとも１０-3ｍｂａｒの真空を発生させることができる。ガスは、典型的には、ターボ分子ポンプから、１ｍｂａｒ付近の圧力で排出され、したがって、排気システムは、また、ターボ分子ポンプのガス排気を受け入れ、ガスの圧力を大気圧付近の圧力に上げるための、１次または補助ポンプ２２を含む。
【００２０】
上に論じたように、ＬＰＣＶＤ及び金属エッチング加工の結果、加工の副産物として、凝縮可能な種を生成することがあり、ＨＢｒは、水分の存在下でステンレス鋼を腐食することがある。補助ポンプ２２内でのこれらの種の凝縮を抑制し、排気容積からいかなる腐食性ガスをも一掃するために、窒素またはアルゴンパージガスが、その源２４から、室１０から排出されたガスとともに排気するための、ポンプ２２の１つまたはそれ以上のパージポート２６に供給される。パージガスは、代替的にまたは追加的に、パージガスをポンプ２２内に逆流させて、ポンプ２２の排気において排気ガスに加えられてもよい。
【００２１】
プロセスガスに加えて、第２の、洗浄ガスが、適当な源３２から室１０に定期的に供給される。これらの洗浄ガスは、好ましくは、Ｆ2のようなフッ素含有ガスまたは、Ｃｆ4、ＮＦ3、及びＳＦ6である。ペルフルオロ化合物は、また、他の理由のために、例えば半導体基板に形成される材料に接点、通路、トレンチのような開口のプラズマエッチングのために、室１０に運ばれてもよい。図に示すように、プロセスツール１６は、また、バルブまたは他の可変流量制御装置３４に適切な制御信号を出すことにより、洗浄ガス３２の供給を制御する。
【００２２】
未消費のペルフルオロガスは、比較的高い温暖化作用を有することが知られており、したがって、ポンプ２２からのガス排気が大気に排出される前に、ガスは、除害装置２８に運ばれて、温暖化ガスを、例えば湿式または乾式のスクラバー３０によってガスから容易に除去することができ、及び／又は大気に安全に排出することができる種に変換する。
【００２３】
除害装置２８は、温暖化ガスを高い分解速度効率で分解することができることが望ましい。しかしながら、この効率は、補助ポンプ２２内での凝縮可能な種の凝縮を抑制し、腐食性ガスを補助ポンプ２２から除去するために排気ガスに加えられるパージガスの量によって妥協される。この観点で、制御システムが、排気ガスの除害を最適にするために、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するために設けられる。図示の実施形態では、制御システムは、室１０に供給されるガスの組成を示す、プロセスツールからのデータを受け入れ、且つ受け入れられたデータに応じて、この例ではパージガスの流量を変更することによって、排気ガスに加えられるパージガスの量を調整するために、適当な制御信号をバルブ４２または他の可変流量制御装置に出力するコントローラ４０を備える。代替的に、データは、コントローラ４０及びプロセスツール１６のコントローラが一部を形成するローカルエリアネットワークのホストコンピュータから受け入れられてもよく、ホストコンピュータは、プロセスツールに供給されるガスの組成についてプロセスツール１６のコントローラから情報を受け入れ、この情報をコントローラ４０に供給するように構成されている。更なる変形例として、排気ガスの組成に関連するデータを、プロセス室１０の出口と補助ポンプ２２の間に配置されたガスセンサから受けてもよい。
【００２４】
例えば、ＨＢｒ及びＣｌ2のようなプロセスガスが、ポリシリコンエッチング加工において室に供給されるとき、室から排出されたガスは、補助ポンプ２２で凝縮することがあるＳｉＣｌ4を含むと思われ、ＨＢｒは、水分の存在下において、ポンプのステンレス鋼成分を腐食することがある。室に供給されているプロセスガスの組成を示すデータの受取りに応答して、コントローラ４０は、コマンドをバルブ４２に出力し、それにより、パージガスを、比較的高い流量、例えば４０ないし５０ｓｌｍで排気ガスに供給させる。ペルフルオロガスが、室洗浄のためにまたはプロセスガスとして室に供給されると、室から排出されたガスは、凝縮可能な種をほとんどまたは全く含まないと思われる。したがって、ペルフルオロガスまたは他のフッ素含有ガスが室に供給されたことを示すデータの受取りに応答して、コントローラ４０は、コマンドをバルブ４２に出力し、それにより、除害装置２８でのガスの除害を最適にするために、パージガスを比較的低い流量、例えば約５ｓｌｍで排気ガスに供給させる。
【００２５】
図２に示す実施形態では、コントローラ４０は、プロセスツールのコントローラから分離されている。プロセス室１０に供給されるガスの組成の変化を示すデータを得るために、コントローラ４０は、バルブ１８，３４及びプロセス室へのガスの供給を制御するのに使用される他の流量制御装置の状態を監視する。コントローラ４０は、バルブ１８，３４が開いているか閉じられているかを示す信号及び／又はガスが室に供給される流量を調整するのに使用される質量流量コントローラのコンダクタンスを示す信号を受けてもよい。これらの信号に応答して、コントローラ４０は、パージガスが排出ガスに加えられる流量を制御する。
【００２６】
除害装置２８を、複数のプロセス室１０からのガス流排気を受けるように構成してもよい。プロセス室が使用されていないとき、コストを節約するために、そのプロセス室を排気するのに使用されるポンプ２０，２２の速度を減じ、補助ポンプ２２に供給されるパージガスの量を減ずるのが通常の実務である。これは、除害装置の中の全ガス流量を減ずる効果を有する。しかしながら、除害装置内で排気ガスを除害させるのに使用される技術に応じて、除害装置の効率を高いレベルに維持するために、除害装置の中のガス流量を最小レベルより上に維持することが望ましいことがある。例えば、除害装置が、ガスを除害させるのにプラズマ除害技術を用いているなら、除害装置の中のガス流量を最小レベルより下に落とすことは、除害プロセスに影響を及ぼすことがある。
【００２７】
したがって、１つまたはそれ以上のバルブ４２が閉じられている、またはさもなければパージガスが１つまたはそれ以上の補助ポンプ２２に供給される流量が減じられている場合、パージガスを排気ガスに選択的に加えることが望ましい。この観点で、図３に示す実施形態では、パージガス供給システムは、パージガスを、補助ポンプ２２の下流で、バルブ４２の状態に応じて、排気ガスに選択的に加えるように構成されている。例えば、１つまたはそれ以上のバルブ４２が閉じられているならば、バルブ４４をコントローラ４０によって開いて、パージガスの少なくとも最小量、例えば５ないし１５ｓｌｍが除害装置２８に入る排気ガス内に存在するように、パージガスを排気ガスに加えるのがよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】プロセス室からのガス排気の処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】プロセス室からのガス排気の処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図３】プロセス室からのガス排気の処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図１】
2009513330.tif 000003
【図２】
2009513330.tif 000004
【図３】
2009513330.tif 000005
【国際調査報告】
2009513330.tif 000006
2009513330.tif 000007
2009513330.tif 000008