(57)【要約】【課題】【解決手段】本発明は発光ダイオードに関し、さらに詳しくは、本発明は、基板の上に形成されたｎ型半導体層と、ｎ型半導体層の上に形成された活性層及び活性層の上に形成されたｐ型半導体層を備え、活性層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）井戸層とＡｌＮ障壁層が交互に積層された量子井戸構造を有するように形成されるか、あるいは、リン（Ｐ）を含有する化合物半導体層から形成された井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造を有するように形成されて、遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、発光ダイオードの光出力を高めることのできる発光ダイオードに関する。【選択図】図１
2009510763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成されたｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成されたｐ型半導体層と、
を備え、
前記活性層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）井戸層とＡｌＮ障壁層が交互に積層された量子井戸構造に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
基板の上に形成されたｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の上に形成された活性層と、
前記活性層の上に形成されたｐ型半導体層と、
を備え、
前記活性層は、リン（Ｐ）を含有する化合物半導体層から形成された井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
前記井戸層と障壁層はそれぞれ５〜１，０００Åの厚さに形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層は、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、ガリウム源、アルミニウム源及び窒素源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層は、アルミニウム及びガリウムと、窒素とのモル比が１：５０〜１：５０，０００であることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記ＡｌＮ障壁層は、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、アルミニウム源及び窒素源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記ＡｌＮ障壁層は、アルミニウムと窒素とのモル比が１：５０〜１：５０，０００であることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記井戸層はＡｌＮｘＰ１−ｘからなり、前記障壁層はＡｌＮｙＰ１−ｙからなり、０＜ｘ、ｙ＜１であり、ｙ＞ｘであることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記井戸層及び障壁層は、４００℃〜１，２００℃の温度及び２０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、アルミニウム源、窒素源及びリン源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記アルミニウムと、窒素およびリンとのモル比は１：５０〜１：５０，０００であることを特徴とする請求項９に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層と前記ＡｌＮ障壁層は、２回〜１，０００回に亘って交互に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記井戸層と前記障壁層は、２回〜１，０００回に亘って交互に積層されていることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記基板と前記ｎ型半導体層との間に形成されたバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記ｎ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｎ型クラッド層及び前記ｐ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｐ型クラッド層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は化合物半導体発光ダイオードに係り、特に、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層及びＡｌＮ障壁層からなる量子井戸構造を有する活性層またはＡｌＮＰ井戸層及びＡｌＮＰ障壁層からなる量子井戸構造を有する活性層を備えて、遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、光出力を高めることのできる化合物半導体発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、基本的に、半導体ＰＮ接合ダイオードであり、Ｐ、Ｎ半導体を接合した後に電圧を加えると、Ｐ型半導体の正孔はＮ型半導体に向かって移動して中央層に集まり、これとは逆に、Ｎ型半導体の電子はＰ型半導体に向かって移動して伝導帯の最も低い個所である中央層に集まる。これらの電子は価電子帯の正孔に落ち込み、このとき、伝導帯と価電子帯との高低差、すなわち、エネルギーギャップに見合う分だけのエネルギーを発するが、このエネルギーが光の形で発せられる。
【０００３】
通常、発光ダイオードは、基板、バッファ層、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層が積層された構造を有する。また、ｐ型半導体層の上にｐ型電極が形成され、ｎ型半導体層の所定の領域が露出され、露出された領域の上にｎ型電極が形成される。
【０００４】
一方、活性層は、エネルギーバンドギャップの小さな井戸層と井戸層よりも相対的にエネルギーバンドギャップの大きな障壁層とが交互に１回または数回に亘って積層されてなる量子井戸構造を有するように形成される。
【０００５】
活性層の材料としては、ＩｎｘＧａ１−ｘＮが主に用いられており、Ｉｎの組成を変えることにより発光波長が変わる。すなわち、Ｉｎの組成が上がるに伴い発光波長が長波長に向かって移動し、Ｉｎの組成が下がるに伴い発光波長が短波長に向かって移動し、ｘ＝０の場合（ＧａＮ）に、活性層は３６３ｎｍの発光波長を有する光を発し、ｘ＝１の場合（ＩｎＮ）に、活性層は０．８ｅＶ／１．９ｅＶで、且つ、６５０ｎｍ／１，５５０ｎｍの発光波長を有する光を発する。しかしながら、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮによれば、活性層から３００ｎｍ以下の遠紫外線が発せられることは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は、障壁層としてＡｌＮを用いて量子井戸構造の活性層の特性を向上させることにより遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、その光出力を高めることのできる量子井戸構造を有する発光ダイオードを提供するところにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、ＡｌＮＰ井戸層及びＡｌＮＰ障壁層からなる量子井戸構造を有する活性層を用いて遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、その光出力を高めることのできる量子井戸構造を有する発光ダイオードを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の課題を解決するために、本発明の一側面によれば、基板の上に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成されたｐ型半導体層と、を備え、前記活性層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）井戸層とＡｌＮ障壁層が交互に積層された量子井戸構造に形成されている発光ダイオードが提供される。
【０００９】
好ましくは、前記井戸層と障壁層はそれぞれ５〜１，０００Åの厚さに形成される。
【００１０】
好ましくは、前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層と前記ＡｌＮ障壁層は、２回〜１，０００回に亘って交互に積層される。
【００１１】
前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層は、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、ガリウム源、アルミニウム源及び窒素源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成されてもよい。
【００１２】
好ましくは、前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層におけるアルミニウム及びガリウムと、窒素とのモル比が１：５０〜１：５０，０００である。
【００１３】
前記ＡｌＮ障壁層は、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、アルミニウム源及び窒素源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成されてもよい。
【００１４】
好ましくは、前記ＡｌＮ障壁層は、アルミニウムと窒素とのモル比が１：５０〜１：５０，０００である。
【００１５】
前記発光ダイオードは、前記基板と前記ｎ型半導体層との間に形成されたバッファ層をさらに備えてもよい。
【００１６】
前記発光ダイオードは、前記ｎ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｎ型クラッド層及び前記ｐ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｐ型クラッド層をさらに備えてもよい。
【００１７】
本発明の他の側面によれば、基板の上に形成されたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成されたｐ型半導体層と、を備え、前記活性層は、リン（Ｐ）を含有する化合物半導体層から形成された井戸層と障壁層が交互に積層された量子井戸構造に形成されている発光ダイオードが提供される。
【００１８】
好ましくは、前記井戸層と障壁層はそれぞれ５〜１，０００Åの厚さに形成される。
【００１９】
好ましくは、前記井戸層と前記障壁層は、２回〜１，０００回に亘って交互に積層される。
【００２０】
好ましくは、前記井戸層はＡｌＮｘＰ１−ｘからなり、前記障壁層はＡｌＮｙＰ１−ｙからなり、０＜ｘ、ｙ＜１であり、ｙ＞ｘである。
【００２１】
前記井戸層及び障壁層は、４００℃〜１，２００℃の温度及び２０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、アルミニウム源、窒素源及びリン源を用いて０．０１〜１０μｍ／時の成長率にて形成される。
【００２２】
好ましくは、前記アルミニウムと、窒素とリンとのモル比は１：５０〜１：５０，０００である。
【００２３】
前記発光ダイオードは、前記基板と前記ｎ型半導体層との間に形成されたバッファ層をさらに備えてもよい。
【００２４】
前記発光ダイオードは、前記ｎ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｎ型クラッド層及び前記ｐ型半導体層と前記活性層との間に形成されたｐ型クラッド層をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、ＡｌＧａＮ井戸層とＡｌＮ障壁層を用いて量子井戸構造を有する活性層を形成することにより活性層の特性を高め、その結果、２００ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、発光ダイオードの光出力を高めることができる。
【００２６】
また、ＡｌＧａＮよりも成長させ易いＡｌＮＰ井戸層とＡｌＮＰ障壁層を用いて量子井戸構造を有する活性層を形成することにより、２００ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外線発光波長の光を容易に発することができ、しかも、発光ダイオードの光出力を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態による量子井戸構造を有する活性層を示す断面図である。
【００２９】
図２は、本発明の他の実施形態による量子井戸構造を有する活性層を示す断面図である。
【００３０】
図３は、本発明による量子井戸構造を有する活性層のエネルギー図である。
【００３１】
図４は、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオードの第１の実施形態を説明するための断面図である。
【００３２】
図５は、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオードの第２の実施形態を説明するための断面図である。
【００３３】
上記のように、図１は本発明の一実施形態による量子井戸構造を有する活性層を示す断面図であり、図３は活性層のエネルギー図である。
【００３４】
図１に示すとおり、本発明の一実施形態による活性層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）井戸層１１、１３、１５と、ＡｌＮ障壁層１２、１４、１６と、を備えてなり、複数の井戸層と障壁層が少なくとも１回以上交互に積層されている。このような量子井戸構造は、図３のエネルギー図に示すように、障壁層Ｂは高い伝導帯エネルギーと低い価電子帯エネルギーを有し、井戸層Ａは低い伝導帯エネルギーと高い価電子帯エネルギーを有する。このため、障壁層Ｂは井戸層Ａよりも大きなエネルギーバンドギャップを有する。
【００３５】
前記活性層を形成するためには、５〜１，０００Åの厚さのＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）の井戸層１１、１３、１５と、５〜１，０００Åの厚さの障壁層１２、１４、１６と、を交互に成長させて、２〜１，０００個の層を有するように形成することが好ましい。本発明の一実施形態による量子井戸構造の井戸層１１、１３、１５と障壁層１２、１４、１６のそれぞれは、上述した厚さの範囲内において形成することが好適であり、井戸層１１、１３、１５及び障壁層１２、１４、１６の厚さを同一にしても、互いに異ならせてもよい。
【００３６】
前記量子井戸構造の活性層を形成するためには、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、ガリウム（Ｇａ）源、アルミニウム（Ａｌ）源、及び窒素（Ｎ）源をそれぞれ反応器に導入して、０．０１〜１０μｍ／時の成長率にてＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）井戸層を成長させる。このとき、ガリウム（Ｇａ）源としてトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧａ）が、アルミニウム（Ａｌ）源としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）が、窒素源としてＮＨ３が、それぞれ用いられる。一方、前記導入に際し、ガリウム及びアルミニウムと窒素との比（ＩＩＩ：Ｖ比）は、１：５０〜１：５０，０００であることが好ましい。ここで、ＩＩＩ：Ｖ比とは、反応器内におけるモル比を言う。すなわち、ＩＩＩ：Ｖ比は、ＮＨ３内に含まれているＮに対する、Ｇａ及び／またはＡｌの比を示す。換言すると、Ｎに対する、Ｇａ及びＡｌのモル濃度比を示す。
【００３７】
次いで、９００〜１，３００℃の温度及び３０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下で、アルミニウム源と窒素源を反応器に導入して、０．０１〜１０μｍ／時の成長率にてＡｌＮ障壁層を成長させる。すなわち、温度と圧力をそのまま維持し、アルミニウム源及び窒素源が導入されている状態で、ガリウム源の導入だけを中断してＡｌＮ膜を成膜する。ここで、アルミニウム源としてはトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）またはトリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）を用い、窒素源としてはＮＨ３を用いる。なお、このとき、Ｎに対するＡｌのＩＩＩ：Ｖ比は１：５０〜１：５０，０００の範囲内にして、ＡｌＮ障壁層を形成する。
【００３８】
続けて、ガリウム源をさらに反応器に導入してＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）井戸層を形成し、ガリウム源の導入を中断してＡｌＮ障壁層を形成する過程を、所望の厚さに活性層が形成されるまで繰り返し行う。また、必要に応じて、ＡｌＮ障壁層とＡｌＧａＮ井戸層にシリコン（Ｓｉ）またはマグネシウム（Ｍｇ）をドープしてもよい。
【００３９】
ここで、量子井戸構造を有する活性層中の井戸層のＡｌ含量と厚さを変化させて目標とする波長を変化させることができる。すなわち、井戸層中のＡｌの含量を増大させると、バンドギャップが増大して短い波長の光が発せられ、井戸層の厚さを増大させると、長い波長の光が発せられる。
【００４０】
上述したように、量子井戸構造において、障壁層としてＡｌＮを用いた方が、ＡｌＧａＮを用いていた従来の場合に比べて膜質が良好になり、しかも、電子ブロッキングになお一層有効になる点で、好適である。
【００４１】
加えて、上述した構造の発光ダイオードは、外部の光エネルギーに応じて電気的なエネルギー（電流）を生成するような受光素子としても使用可能である。通常のダイオードに逆方向の電圧を加えると、電流がほとんど流れないが、本発明の一実施形態による量子井戸構造の活性層に光エネルギーを加えると、上述した発光素子とは反対の原理に基づいて、光エネルギーにより電流が流れることになる。すなわち、前記素子の活性層内の電子にバンドギャップエネルギーよりも高い光エネルギーが印加されると、電子が移動し、これにより、電流が流れる。このとき、電流の流れ量は、印加される光の強度に比例する。なお、上述した構造の素子を受光素子として用いるために、光エネルギーを集めるための集光部をさらに備えてもよい。
【００４２】
図２は、本発明の他の実施形態による量子井戸構造を有する活性層の断面図であり、図３は、活性層のエネルギー図である。
【００４３】
図２に示すとおり、本発明の他の実施形態による活性層は、ＡｌＮｘＰ１−ｘ井戸層２１、２３、２５と、ＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層２２、２４、２６と、を備えてなり、複数の井戸層と障壁層が少なくとも１回以上交互に積層されている。ここで、０＜ｘ、ｙ＜１であり、ｙ＞ｘである。上述したように、ＡｌＮＰを用いた井戸層及び障壁層を備える量子井戸構造を有する活性層を形成すれば、活性層からは、約２００ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外線が発せられる。このような量子井戸構造では、図３のエネルギー図に示すように、障壁層Ｂは高い伝導帯エネルギーと低い価電子帯エネルギーを有し、井戸層Ａは低い伝導帯エネルギーと高い価電子帯エネルギーを有する。このため、障壁層Ｂは、井戸層Ａよりも大きなエネルギーバンドギャップを有する。
【００４４】
上述したような活性層を形成するためには、５〜１，０００Åの厚さのＡｌＮｘＰ１−ｘの井戸層２１、２３、２５と、５〜１，０００Åの厚さのＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層２２、２４、２６を交互に成長させ、２〜１，０００個の層を有するように形成することが好ましい。本発明の他の実施形態による量子井戸構造の井戸層２１、２３、２５と障壁層２２、２４、２６のそれぞれは、上述した厚さの範囲内において形成することが好適であり、井戸層２１、２３、２５と障壁層２２、２４、２６の厚さを同一にしても、互いに異ならせてもよい。
【００４５】
前記量子井戸構造を有する活性層を形成するためには、４００℃〜１，２００℃の温度及び２０〜７６０ｔｏｒｒの圧力の条件下、アルミニウム（Ａｌ）源、窒素（Ｎ）源、及びリン（Ｐ）源をそれぞれ反応器に導入して、０．０１〜１０μｍ／時の成長率にてＡｌＮｘＰ１−ｘ井戸層２１、２３、２５とＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層２２、２４、２６を成長させる。このとき、アルミニウム（Ａｌ）源の導入量はそのまま維持し、窒素（Ｎ）とリン（Ｐ）の導入量を調節してＡｌＮｘＰ１−ｘ井戸層２１、２３、２５とＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層２２、２４、２６を形成する。すなわち、窒素（Ｎ）のリン（Ｐ）に対する導入量を減らすと、ＡｌＮｘＰ１−ｘ井戸層２１、２３、２５が形成され、窒素（Ｎ）のリン（Ｐ）に対する導入量を増やすと、ＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層２２、２４、２６が形成される。ここで、アルミニウム（Ａｌ）対窒素（Ｎ）とリン（Ｐ）の含量比は、約１：５０〜１：５０，０００に調節することが好ましい。
【００４６】
上述したように、ＡｌＮＰからなる井戸層と障壁層を交互に積層してなる量子井戸構造を有する活性層は、２００ｎｍ〜３００ｎｍの遠紫外線を発し、且つ、前記活性層を従来よりも容易に成長させることが可能になる。
【００４７】
図４は、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオード１００の第１の実施形態を説明するための断面図である。
【００４８】
図４に示すとおり、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオード１００は、基板１１０の上に順次に積層されたバッファ層１２０、ｎ型半導体層１３０、量子井戸構造を有する活性層１４０及びｐ型半導体層１５０を備える。また、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオード１００は、ｎ型半導体層１３０の上に形成されたｎ型電極１６０及びｐ型半導体層１５０の上に形成されたｐ型電極１７０をさらに備える。
【００４９】
基板１１０は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）及びサファイアなど種々の物質から形成可能である。
【００５０】
基板１１０の上にバッファ層１２０、ｎ型半導体層１３０、量子井戸構造を有する活性層１４０及びｐ型半導体層１５０を順次に形成する。このとき、バッファ層１２０は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ＳｉＮなどの種々の物質から形成可能であり、半導体層は、ＧａＮなどを含む種々の組成の窒化物系の化合物から形成可能である。
【００５１】
さらに、ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｓなどが使用可能であり、ｐ型ドーパントとしては、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどが使用可能であるが、これらに限定されるものではない。
【００５２】
ｎ型半導体層１３０の所定の領域をエッチングにより露出させ、露出されたｎ型半導体層１３０の上にｎ型電極１６０を形成し、ｐ型半導体層１５０の上にｐ型電極１７０を形成する。
【００５３】
一方、活性層１４０は、井戸層１４０ａと障壁層１４０ｂが交互に積層された量子井戸構造に形成され、本発明の一実施形態によるＡｌＧａＮ井戸層とＡｌＮ障壁層から形成されるか、あるいは、本発明の他の実施形態によるＡｌＮｘＰ１−ｘ井戸層とＡｌＮｙＰ１−ｙ障壁層から形成される。一方、活性層１４０は、単一の量子井戸構造または異なる複数対の井戸層及び障壁層からなる多重量子井戸構造を有してもよい。
【００５４】
図５は、本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオード２００の第２の実施形態を説明するための断面図である。第２の実施形態は、第１の実施形態と比較して、ｎ型及びｐ型クラッド層がさらに形成されるという点以外は、第１の実施形態の構成と同様である。
【００５５】
図５に示すとおり、化合物半導体発光ダイオード２００は、基板２１０の上に順次に積層された基板２１０、バッファ層２２０、ｎ型半導体層２３０、ｎ型クラッド層２４０、量子井戸構造を有する活性層２５０、ｐ型クラッド層２６０及びｐ型半導体層２７０を備える。また、化合物半導体発光ダイオード２００は、ｎ型半導体層２３０の上に形成されたｎ型電極２８０及びｐ型半導体層２７０の上に形成されたｐ型電極２９０をさらに備える。
【００５６】
ｎ型クラッド層２３０及びｐ型クラッド層２６０は、電子と正孔を効率よく前記量子井戸構造を有する活性層２５０の内部に留めることにより、電子と正孔の再結合効率を高める。
【００５７】
以上、本発明による化合物半導体発光ダイオードについて説明したが、これは単なる例示的なものに過ぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。従って、特許請求の範囲において定義された本発明の精神と範囲を逸脱することなく、この技術分野における通常の知識を持った者であれば誰でも種々の変更実施を行なうことができ、またその範囲まで本発明の請求の範囲が及ぶ。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の一実施形態による量子井戸構造を有する活性層を示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態による量子井戸構造を有する活性層を示す断面図である。
【図３】本発明による量子井戸構造を有する活性層のエネルギー図である。
【図４】本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオードの第１の実施形態を説明するための断面図である。
【図５】本発明による量子井戸構造を有する活性層を備える化合物半導体発光ダイオードの第２の実施形態を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１、１３、１５    井戸層、
１２、１４、１６    障壁層、
２１、２３、２５    井戸層、
２２、２４、２６    障壁層、
１００、２００    化合物半導体発光ダイオード、
１１０、２１０    基板、
１２０、２２０    バッファ層、
１３０、２３０    ｎ型半導体層、
１４０、２５０    活性層
１４０ａ、２５０ａ    井戸層、
１４０ｂ、２５０ｂ    障壁層、
１５０、２７０    ｐ型半導体層、
１６０、２８０    ｎ型電極、
１７０、２９０    ｐ型電極
２４０    ｎ型クラッド層
２６０    ｐ型クラッド層
【図１】
2009510763.tif 000003
【図２】
2009510763.tif 000004
【図３】
2009510763.tif 000005
【図４】
2009510763.tif 000006
【図５】
2009510763.tif 000007
【国際調査報告】
2009510763.tif 000008
2009510763.tif 000009