(57)【要約】  本発明は、光起電装置モジュールとその製造方法に関する。特に、太陽電池セルを集積した太陽電池モジュールにおいて、特定部分のセルに光電変換効率低下が生じた場合に、モジュール全体の性能が低下することを防止するための効果的な太陽電池モジュールの構造及び製造方法を提供する。より詳細には、一方の端子配線が、電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成されると共に、他方の端子配線が、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成された、２端子配線を包含するモジュールの構造とその製造工程を含む。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の端子配線が、電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成されると共に、他方の端子配線が、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成された、２端子配線
を含んで構成されることを特徴とする薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項２】
前記複数の単位セルの電気的接続が、直列接続又は並列接続であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項３】
前記複数の単位セルは、２以上の行と２以上の列に配列されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項４】
前記行を構成する複数の単位セルの面積が均一であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項５】
前記２以上の行は、直列接続、並列接続、又は直列接続及び並列接続の混合型の中のいずれか１つの形態で電気的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項６】
前記行の数は、前記列の数と同じか又は前記列の数より少ないことを特徴とする請求項３に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項７】
前記単位セルの形状は、長方形であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜型光起電装置モジュール。
【請求項８】
電気的に接続した複数の単位セルを形成する工程と、
一方の端子配線は、前記電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成し、他方の端子配線は、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成する、２端子配線形成の工程と、
を含むことを特徴とする薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記複数の単位セルを形成する工程は、
基板上に積層した透明導電層上に複数の第１のセルを形成する工程と、
前記第１のセル上に半導体層を積層する工程と、
前記半導体層上に複数の第２のセルを形成する工程と、
前記第２のセル上に後面電極層を積層する工程と、
前記後面電極層及び半導体層上に複数の第３のセルを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記第１、第２、第３のセルは、２以上の行と２以上の列の配列に形成することを特徴とする請求項９に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記第１、第２、第３のセルは、行の配列を形成した後、行方向とは異なる方向に列の配列を形成するか、又は、列の配列を形成した後、列方向とは異なる方向に行の配列を形成することを特徴とする請求項１０に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記異なる方向が、直交方向であることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記行を構成するセルの面積が均一であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記行の数は、前記列の数と同じか又は前記列の数より少なくすることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記２端子配線形成の工程以前に、トリミング工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の薄膜型光起電装置モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光起電装置モジュール及びその製造方法に関する。より詳細には、一方の端子配線が、電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成されると共に、他方の端子配線が、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成された、２端子配線を含む光起電装置のモジュール構造とこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に太陽電池は光起電装置の１つであり、太陽電池、太陽電池パネルと通称される光起電装置は、太陽から地球に伝達される光エネルギーを電気エネルギーに変換してエネルギーを生産するクリーンエネルギー源であって、既に長年に亘り研究が進められている。１９７０年代のオイルショック、１９９０年代初頭から現れ始めた二酸化炭素による地球温室効果の深刻性、１９９０年代末から議論されている地球温暖化防止のための二酸化炭素発生量規制の国際協定、２０００年代初頭から始まったオイル価格の急騰などは、太陽光発電システムのようなクリーンエネルギー源開発の必要性を、全人類に警告する重要な契機になった。
【０００３】
今までの研究による太陽電池の素材としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン、非晶質ＳｉＮ、非晶質ＳｉＧｅ、非晶質ＳｉＳｎなどのIV族系の材料、又は、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）、インジウムリン（ＩｎＰ）などのIII−Ｖ族、あるいは、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｃｕ２ＳなどのII−VI族、の化合物半導体等が使用されている。また、太陽電池の構造については、研究の結果、背面電界型を包含するｐｎ構造、ｐ−ｉ−ｎ構造、ヘテロ接合構造、ショットキー構造、タンデム型又は垂直接合型を包含する多重接合構造などが採用されている。
【０００４】
一般的に太陽電池に要求される特性及び研究開発の目標は、光電変換効率の向上、製造コストの低減、エネルギー回収年数の短期化、及び大面積化の観点に絞られる。
【０００５】
単結晶シリコン又は多結晶シリコンを使用した太陽電池は、光電変換効率は高いが、製造コスト及び設置費用が高くなるという改善点がある。これを解決するため、非晶質シリコンを中心とする素材を板型ガラスや金属に多層蒸着させた薄膜型太陽電池の研究開発が活発に行われている。このような薄膜型太陽電池において、光電変換効率が結晶型シリコン太陽電池に比べて比較的低いという課題があるが、蒸着する素材と多層セル構造によって光電変換効率を向上させることが可能となり、その他、薄膜型太陽電池は、大面積の太陽電池モジュールを低コストで製造することができ、エネルギー回収年数が短い技術という多くのメリットを有している。特に、蒸着装備の大型化及び自動化によって生産速度を高めれば、大面積の基板型太陽電池の製造コストをさらに低くすることができるため、その研究が進んでいる。
【０００６】
一般的な薄膜型太陽電池モジュールは、基板上に蒸着した電極及び光電変換用半導体層をレーザースクライビング法を用いて単位セルに分割すると共に、当該セルを直列及び並列に接続することによって得られる。図１〜図６は、このような薄膜型太陽電池モジュールの製造過程を順次に示した断面図である。また、図７〜図９は、薄膜型太陽電池モジュールの製造過程における太陽電池の部分的平面図を示す。
【０００７】
まず、図１は、薄膜型太陽電池を製造するために、透明導電酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）層１２をガラス基板１０上に積層した構造の模式図である。図２は、レーザースクライビング法を用いて単位セルに分割するべく、ＴＣＯ層１２をレーザーで加工した状態を示す。このＴＣＯ層１２をレーザーで加工した段階における太陽電池の平面図を、図７に示す。図３は、ｐ−ｉ−ｎ構造の半導体層１４をＴＣＯ層１２の上部に積層した断面図である。半導体層１４は、１つのｐ−ｉ−ｎで構成された単一接合構造、２つのｐ−ｉ−ｎで構成された２重接合構造、３つのｐ−ｉ−ｎで構成された３重接合構造が可能である。図４は、レーザースクライビング法を用いて単位セルに分割するべく、半導体層１４を加工した状態を示す。この図４における半導体層１４をレーザーで加工した段階の平面図を、図８に示す。図５は、金属層、又はＴＣＯ層及び金属層の２重構造で構成された後面電極層１６を積層した段階の模式図である。図６は、レーザースクライビング法を用いて単位セルに分割するべく、後面電極層１６を加工した状態を示す。このとき、半導体層１４も後面電極層１６と共に加工する。
【０００８】
図９は、以上のような加工段階を経た太陽電池の平面図である。そして、図１０〜図１２は、上記薄膜型太陽電池モジュールの製造工程である、蒸着と直列接続の加工が終わった薄膜型太陽電池モジュールにおいて、周縁部分の蒸着層を除去してガラスだけを残すレーザートリミング（Laser Trimming）法による工程を実施し、絶縁性を確保した平面図及びその等価回路図である。図１０は、薄膜型太陽電池モジュールの平面図であり、図１１は、直列に接続された太陽電池モジュールのダイオード等価回路図である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の太陽電池モジュール構造では、太陽電池が直列接続されているため、その接続された全ての単位セルにおいて光電流が同量生成されなければならないという課題がある。すなわち、それぞれの単位セルから発生する光電流の量が異なっていると、光電流の生成量が少ないセルによって電流が制限され、他の全てのセルから発生する光電流が減少するからである。これに起因して太陽電池モジュールの全体的な効率が低下してしまうので、避ける必要がある。
【００１０】
図１２に示す直列配列の太陽電池モジュールのダイオード等価回路において、特定部分のセルに該当するダイオード（等価回路中の黒色表示）が内的又は外的要因によって性能が低下又は発電能力を喪失していると、モジュール全体の太陽電池機能が損なわれる。
【００１１】
光電流生成量の少ないセルは、ホットスポット（Hot spot）として作用するため、時間の経過に従って熱膨張により素子が故障する可能性がある。
【００１２】
このような性能低下は珍しいことではない。例えば、特定部分のセル上に周辺建物の影が映り込む、木の葉、塵などによって太陽光の入射が遮られるなどの外的要因によって性能低下が起こるし、製造工程中の微粒子などによる部分汚染などの内的要因によっても特定部分のセルの性能低下が起こる。
【００１３】
以上の事情に鑑みると、ホットスポットが発生した場合に備えてバイパスダイオードを形成した太陽電池モジュールを製造する必要がある。しかし、従来の薄膜型モジュールの製造法によっては、このような構造の太陽電池モジュールの製造が容易ではないという現状がある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の薄膜型光起電装置モジュールは、一方の端子配線が、電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成されると共に、他方の端子配線が、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成された、２端子配線を含んで構成される。この単位セルとは、太陽光を受光して電気エネルギーに変換することができると共に、他のセルと区分することのできる最少単位の光起電装置を称する。
【００１５】
前記単位セルの電気的接続は直列接続又は並列接続であり、前記複数の単位セルは、２以上の行と２以上の列で配列することができる。このとき、行を構成する複数の単位セルの面積を均一にして同等の起電力を発生させることが好ましい。前記単位セルが形成する２以上の行は、直列接続、並列接続、又は直列接続及び並列接続の混合型、のいずれか１つの形態で電気的に接続することができる。その行の数は、前記列の数と同じか、又は、前記列の数より少なくすることができる。
【００１６】
また、前記単位セルの形状は、長方形とするが、必ずしも特定の形態に限定されるものではない。
【００１７】
本発明による薄膜型光起電装置モジュールの製造方法は、電気的に接続した複数の単位セルを形成する工程と、一方の端子配線を、前記電気的に接続した複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成し、他方の端子配線を、前記選択した単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成する、２端子配線形成の工程と、を含む。
【００１８】
前記複数の単位セルを形成する工程として、基板上に積層した透明導電層の上に複数の第１のセルを形成する工程と、前記第１のセル上に半導体層を積層する工程と、前記半導体層上に複数の第２のセルを形成する工程と、前記第２のセル上に後面電極層を積層する工程と、前記後面電極層及び半導体層上に複数の第３のセルを形成する工程と、を含む。
【００１９】
前記第１、第２、第３のセルは、レーザースクライビング法によって分割形成することができ、最終的に、電気的に接続した複数の単位セルとして区画された複数の第３のセルだけが外部に表出する。前記第１、第２、第３の各セルは、２以上の行と２以上の列で配列される。この場合、行の配列を形成した後に行の方向とは異なる方向に列の配列を形成するか、又は、その反対の手順で形成することができる。
【００２０】
前記２端子配線形成の工程以前に、トリミング工程をさらに追加して、薄膜型光起電装置モジュールの絶縁性を確保することができる。
【００２１】
本発明に係る光起電装置の代表的な例としては、太陽電池をあげることができる。当該太陽電池は、大面積ユニットで作製される従来の太陽電池モジュールにおけるレーザー加工の方向とは異なる方向に、同種のレーザー加工を実施することにより、バイパスを形成することができる。製造工程上、その異なる方向としては、直交方向が好ましい。このようなレーザー加工によって、従来の太陽電池セルの直列配列方向と直交する方向に、直列配列されたセルを形成することができる。
【００２２】
本発明において、太陽電池モジュールは、横方向と縦方向にそれぞれ直列配列されたダイオードを備えている。
【００２３】
本発明に係る太陽電池モジュールの行と列の構造において、配列する行の数は、少なくとも２つ、あるいは列の数と同じか又は少なくする。
【００２４】
本発明において、前記直交方向の直列配列のためのレーザー加工、すなわち、各行の単位セルを形成するための加工は、従来の列方向のレーザー加工と同時に実施することができる。あるいは、列方向のレーザー加工の後に行方向の直列配列のレーザー加工を行うことも、その反対の加工手順とすることも可能である。
【００２５】
前記レーザー加工法は、レーザースクライビング法を用いることが好ましい。
【００２６】
縦横の単位セル行列構造を形成するための具体的な工程は、太陽電池自体を９０度水平回転させる第１の手法、レーザーソースを互いに直交する両方向に駆動する第２の手法、横方向のレーザーソース及び縦方向のレーザーソースを同時に備える第３の手法、これら第１〜第３の手法を組み合わせた第４の手法、によって実現することができる。
【００２７】
本発明において、単位セルを形成する方法としてレーザースクライビング法が利用されるが、必ずしもこれに限定されるものではない。その他の周知薄膜加工法を利用可能である。
【００２８】
本発明の太陽電池モジュールの配線方法は、両側縁部でセルを配線する方法及び特定セルを選択して配線する方法の両方法を利用可能であり、一方の端子配線が、電気的に接続された複数の単位セルから少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成されると共に、他方の端子配線が、前記選択された単位セルとは異なる少なくとも２つの単位セルを選択して接続するように形成された、２端子配線を含む。
【発明の効果】
【００２９】
本発明は、薄膜型太陽電池モジュールにおいて、特定部分のセルの性能低下によってモジュール全体の特性が低下することを防止するために、バイパス機能を持たせた太陽電池モジュールとして適用することができる。
【００３０】
また、本発明に係る薄膜型太陽電池モジュールの製造方法は、別途のバイパス機能素子を連結してバイパス機能を持たせるなどの手法ではなく、薄膜型太陽電池を製造する半導体蒸着工程及びレーザー加工工程においてバイパス機能を実現することができる。本発明は、一般的な太陽電池モジュールの製造方法に別の工程を追加することなく、既存の工程を流用してバイパス機能を与えることが可能になる。
【００３１】
本発明は、太陽電池全体の性能低下を防止することのできるバイパス機能を単純な工程によって実現し、配線も既存の方法をそのまま維持し、現在の技術との高い互換性をもって応用することのできる太陽電池モジュールの製造方法として活用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面を参照して説明する。ただし、本発明を本実施形態に限定するものではない。なお、本発明の要旨を混同すると判断される公知機能及び構成に対しては詳細な説明を省略する。
【００３３】
複数の単位セルが一筋に並んで１つの行を形成している場合は、その単位セルが並んでいる方向を行方向、横方向と言い、複数の単位セルが二筋以上に並んで複数の行を形成している場合は、その行が並んでいる方向を列方向、縦方向と言う。
【００３４】
図１３〜図１６は、本発明の第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を段階的に示した平面図である。図１７及び図１８は、この第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【００３５】
図１３〜図１６を参照すると、最終的な薄膜型太陽電池モジュールの構造は、２行１９列の単位セル配列構造であって、従来の太陽電池モジュールのレーザースクライビング加工を２０回実施して、行方向＝横方向に並んだセルを１９個形成し、該行の配列を形成したスクライビング方向と直交する方向に１回のレーザースクライビング加工を実施した実施形態である。
【００３６】
これを段階別に見ると、図１３は、太陽電池モジュールの第１レーザー加工工程で、透明導電酸化物（ＴＣＯ）層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ１回のレーザー加工をＴＣＯ層に実施して、得られた結果を示す。図１４は、太陽電池モジュールの第２レーザー加工工程で、半導体層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ１回のレーザー加工を半導体層に実施して、得られた結果を示す。図１５は、太陽電池モジュールの第３レーザー加工工程で、後面電極層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ１回のレーザー加工を後面電極層に追加実施して、得られた結果を示す平面図である。このとき、後面電極層と半導体層とは一緒に加工される。図１６は、太陽電池モジュールに対する最終のレーザー加工工程であるトリミング工程によって、モジュール周縁の絶縁性を確保した太陽電池モジュールを示している。
【００３７】
図１７と図１８は、上記第１実施形態による太陽電池モジュールの製造工程を経て得られた太陽電池モジュールのダイオード等価回路図を示している。連続的に接続されたダイオード配列は、単位セルの行の数分、２重に重なっている。このような構造は、従来の太陽電池モジュールと異なり、横方向と縦方向の両方向に直列配列された２次元的（上下左右）直列配列ダイオード等価回路を構成する。したがって、図１８のように、太陽電池モジュールの特定部分が内的又は外的要因によって性能低下したり、発電能力を喪失したりしたとき、当該性能低下部分（図中黒色表示）の周辺セルは、その発電機能低下（又は喪失）ダイオード以外の方に直列電送することができるため、モジュール全体の太陽電池の機能喪失が発生しない。すなわち、図１８を参照するとき、黒く表示されたダイオードに機能低下があった場合、上の行に配列されたダイオードによる迂回で発電が進行するようになる。
【００３８】
図１３〜図１８の第１実施形態において、新たな直交方向のレーザー加工、すなわち、単位セルを２行に分割するレーザー加工は、必ずしも太陽電池モジュールの全体的中心線部分にて実施する必要はなく、第１実施形態に本発明が限定されるわけではない。ただし、均一な起電力を実現することができるように、各行を構成する単位セルの面積が等しくなるように、レーザー加工を実施する。
【００３９】
図１９〜図２２は、第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を段階別に示した平面図である。図２３及び図２４は、この第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【００４０】
図１９〜図２２を参照すると、最終的な薄膜型太陽電池モジュールの構造は、３行１９列の単位セル配列構造であって、従来の太陽電池モジュールのレーザースクライビング加工を２０回実施して、行方向＝横方向に並んだセルを１９個形成し、該行の配列を形成したスクライビング方向と直交する方向に２回のレーザースクライビング加工を実行した実施形態である。
【００４１】
これを段階別に見ると、図１９は、太陽電池モジュールの第１レーザー加工工程で、透明導電酸化物（ＴＣＯ）層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ２回のレーザー加工をＴＣＯ層に実施して、得られた結果を示す。図２０は、太陽電池モジュールの第２レーザー加工工程で、半導体層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ２回のレーザー加工を半導体層に実施して、得られた結果を示す。図２１は、太陽電池モジュールの第３レーザー加工工程で、後面電極層の加工工程であり、既定の加工方向に対して直交する方向へ２回のレーザー加工を後面電極層に追加実施して、得られた結果を示す平面図である。このとき、後面電極層と半導体層とは一緒に加工される。図２２は、太陽電池モジュールに対する最終のレーザー加工工程であるトリミング工程によって、モジュール周縁の絶縁性を確保した太陽電池モジュールを示している。
【００４２】
図２３と図２４は、上記第２実施形態による太陽電池モジュールの製造工程を経て得られた太陽電池モジュールのダイオード等価回路図を示したものである。連続的に接続されたダイオード配列は、単位セルの行の数分、３重に重なっている。このような構造は、従来の太陽電池モジュールとは異なり、横方向と縦方向の両方向に直列配列された２次元的（上下左右）直列配列ダイオード等価回路を構成する。したがって、図２４のように、太陽電池モジュールの特定部分が内的又は外的要因によって性能低下したり、発電能力を喪失したりしたとき、当該性能低下部分（図中黒色表示）の周辺セルは、その発電機能低下（又は喪失）ダイオード以外の方向に直列電送することができるため、モジュール全体の太陽電池の機能喪失が発生しない。すなわち、図２４を参照するとき、黒く表示されたダイオードに機能低下があった場合、その上下の行に配列されたダイオードによる迂回で発電が進行するようになる。
【００４３】
図１９〜図２４の第２実施形態において、新たな直交方向のレーザー加工、すなわち、単位セルを３行に分割するレーザー加工は、必ずしも太陽電池モジュールを全体的に等分するように実施する必要はなく、第２実施形態に本発明が限定されるわけではない。ただし、均一な起電力を実現することができるように、各行を構成する単位セルの面積が等しくなるように、レーザー加工を実施する。
【００４４】
本発明は、必ずしも以上の実施形態に限定されるものではなく、太陽電池モジュールの単位セルは、２行以上の複数の行に配列されるようにレーザー加工することができる。ただし、行数が増加するほど発電面積が減少するので、単位セルの行の数は、列の数を越えないようにするのが好ましい。
【００４５】
図２５は、第３実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの平面図であって、１８本の行方向（又は横方向）レーザー加工線と、１８本の列方向（又は縦方向）レーザー加工線とでスクライビングされて、１９個の直列接続セルによって構成された列と、１９個の直列接続セルによって構成された行と、の配列をもった太陽電池モジュールを示している。前記図１３〜図２４において示した第１及び第２実施形態から分るように、行配列を形成するレーザー加工線の数が増加することによって、すなわち、単位セルを配列した行の数が増えることによって、内的又は外的要因により性能低下する部分における使用不可面積が減少する。したがって、太陽電池モジュールの安定性確保に大きく寄与する。
【００４６】
図２６は、第３実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図を示しており、単位セルの配列によって構成された３つの行部分を示している。２行で構成された太陽電池モジュールの等価回路図を示す図１７及び図１８に比べて、単位セル１つの面積が減少し、代わりにより多数の単位セルを有するようになっている。したがって、単位セルの１つに該当するダイオードの機能が低下した場合でも、太陽電池の全体的な性能低下を抑制することができる。しかし、行方向レーザー加工線の数が増えるに従って、その線の幅分、発電面積が減少する影響も予想することができる。したがって、行を形成するレーザー加工線の数は、１つ、又は、既定の薄膜型太陽電池の直列配列レーザー加工線の数つまり列方向レーザー加工線の数より少なくする。ただし、列方向の直列接続レーザー加工線の数は、基板のサイズによって増減可能なので、実施形態に限定されるものではない。
【００４７】
太陽電池モジュールを形成する単位セルの配列に関する方向については、基板の水平回転によって変わる概念であるため、次のような工程手順が可能である。すなわち、第１の工程例：列方向にレーザー加工した後、その直交方向の行方向にレーザー加工する工程、第２の工程例：行方向にレーザー加工した後、その直交方向の列方向にレーザー加工する工程、である。
【００４８】
また、レーザー加工の方向を変える手法については、次のように実施可能である。すなわち、第１の手法例：太陽電池モジュール又は該モジュールを載置したステージ自体の回転機能を利用する手法、第２の手法例：加工用レーザーソースの横及び縦方向（ＸＹ方向）への駆動機能を利用する手法、第３の手法例：横方向専用のレーザーソースと縦方向専用のレーザーソースとを同時に駆動する機能を利用する手法、第４の手法例：前記第１〜第３の手法を組み合わせた手法、である。ただし、本発明の加工方法がこれらに限定されてしまうわけではない。
【００４９】
図２７〜図２９は、本実施形態における薄膜型太陽電池モジュールの２端子配線図であって、バイパスが実現された太陽電池モジュールの配線方法を図示している。
【００５０】
図２７には、３行１９列で配列された単位セルにより構成された太陽電池モジュールにおける一側縁部で、３つの単位セルをつなぐ１本の配線で２端子を選択的に接続する形態が図示されている。図２８は、各行の特定ブロック部分だけを選択して配線する形態を図示している。図２９は、特定の単位セルを選択して配線する形態を図示している。
【００５１】
ここに示した、特定ブロックの部分に配線する方法及び特定セルを選択して配線する方法は、一例を表しただけであり、本発明がこれらに限定されるものではないが、２つ以上の単位セルを選択して１つの端子に配線するのが適している。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、該当技術分野の当業者であれば、本発明の思想及び要旨を外れない範囲内で多様に修正または変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図２】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図３】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図４】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図５】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図６】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した断面図である。
【図７】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示した太陽電池モジュールの部分的平面図である。
【図８】従来技術の薄膜型太陽電池モジュールの製造方法による太陽電池モジュールの部分的平面図である。
【図９】従来技術の薄膜型太陽電池モジュールの製造方法による太陽電池モジュールの部分的平面図である。
【図１０】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの平面図である。
【図１１】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図１２】従来技術による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図１３】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１４】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１５】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１６】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図１７】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図１８】第１実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図１９】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２０】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２１】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２２】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの製造方法を示す平面図である。
【図２３】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図２４】第２実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図２５】第３実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの平面図である。
【図２６】第３実施形態による薄膜型太陽電池モジュールの等価回路図である。
【図２７】実施形態における薄膜型太陽電池モジュールの２端子配線図である。
【図２８】実施形態における薄膜型太陽電池モジュールの２端子配線図である。
【図２９】実施形態における薄膜型太陽電池モジュールの２端子配線図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２５】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【国際調査報告】
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