(57)【要約】  本発明はセラミックベースボディ（１）を備えた電気モジュールに関している。本発明によれば、セラミックベースボディ（１）は複数のセラミック層（１ａ，１ｂ）を有しており、ここで、機能層（１ａ）は複合材料層（１ｂ）に接しており、該複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む。
2009513006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックベースボディ（１）を備えた電気モジュールにおいて、
電気モジュールは複数のセラミック層（１ａ，１ｂ）を有しており、ここで、機能層（１ａ）は複合材料層（１ｂ）に接しており、該複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む
ことを特徴とする電気モジュール。
【請求項２】
前記複合材料層（１ｂ）の誘電定数は前記機能層（１ａ）の誘電定数より小さい、請求項１記載の電気モジュール。
【請求項３】
前記複合材料層（１ｂ）はパシベーション機能または電気的分離機能を有する、請求項１または２記載の電気モジュール。
【請求項４】
前記複合材料層（１ｂ）のガラス充填物質はホウケイ酸亜鉛またはケイ酸アルミニウムを含む、請求項１から３までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項５】
前記複合材料層（１ｂ）のガラス充填物質の分量は５重量％〜７０重量％である、請求項１から４までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項６】
前記機能層（１ａ）および前記複合材料層（１ｂ）は上下方向に交互に積層されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項７】
前記機能層（１ａ）は複数の内部電極（２）を有しており、該内部電極はそれぞれ電気モジュールの表面に配置された少なくとも１つの外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項８】
異なる電位の２つの内部電極（２）のあいだに所定の容量が形成されている、請求項７記載の電気モジュール。
【請求項９】
前記内部電極（２）はそれぞれ信号線路の機能を有する、請求項７または８記載の電気モジュール。
【請求項１０】
少なくとも１つの内部電極（２）はアース電極である、請求項７から９までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１１】
前記アース電極（２）は前記機能層（１ａ）の別の内部電極（２）に容量結合されている、請求項１０記載の電気モジュール。
【請求項１２】
前記機能層（１ａ）の前記別の内部電極（２）は隣接する内部電極へ向かう脚部を有し、これにより所定の領域における２つの内部電極間の距離ひいては内部電極間の容量は最小化される、請求項７から１１までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１３】
任意の内部電極が電気モジュールの表面に配置された同じ電位の外部コンタクト（４）に接続されている、請求項７から１２までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１４】
前記機能層の内部電極（２）は部分的に電気モジュールの内部へ延在しており、その端部のみが外部コンタクト（４）に接続されている、請求項７から１３までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１５】
前記複合材料層（１ｂ）は少なくとも１つの内部電極（２）を有する、請求項１から１４までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１６】
前記複合材料層（１ｂ）の内部電極により形成される散乱容量は低減される、請求項１５記載の電気モジュール。
【請求項１７】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は信号線路の機能を有する、請求項１５または１６記載の電気モジュール。
【請求項１８】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）はアース電極である、請求項１５から１７までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項１９】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は前記機能層の２つの内部電極のあいだの結合容量を低減する、請求項１５から１８までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２０】
前記複合材料層（１ｂ）の少なくとも１つの内部電極（２）は前記アース電極と前記機能層の前記別の内部電極とのあいだの結合容量を低減する、請求項１９記載の電気モジュール。
【請求項２１】
前記複合材料層（１ｂ）の内部電極（２）は前記複合材料層を完全に横断しており、各端部で前記外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１５から２０までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２２】
少なくとも１つの内部電極は、正方形、長方形、Ｔ字形、Ｌ字形、湾曲形、メアンダ形のいずれかの形状を有する、請求項７から２１までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２３】
複数の内部電極（２）は等しく成形されており、１つの平面において対称軸線に対して鏡面対称に配置されている、請求項７から２２までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２４】
前記機能層（１ａ）はドープされている、請求項１から２３までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２５】
前記複合材料層（１ｂ）はドープされている、請求項１から２４までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２６】
前記機能層（１ａ）はバリスタセラミックを含む、請求項１から２５までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２７】
前記機能層（１ａ）はバリスタを含む、請求項２６記載の電気モジュール。
【請求項２８】
前記機能層（１ａ）はコンデンサセラミックを含む、請求項１から２５までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項２９】
前記機能層（１ａ）はセラミックの多層コンデンサを含む、請求項２８記載の電気モジュール。
【請求項３０】
少なくとも１つの内部電極（２）は前記機能層（１ａ）に接続されており、コンタクト手段（３）により電気モジュール（１）の表面の外部コンタクト（４）に接続されている、請求項１から２９までのいずれか１項記載の電気モジュール。
【請求項３１】
前記コンタクト手段（３）は金属を含む材料によって充填されるスルーコンタクトである、請求項３０記載の電気モジュール。
【請求項３２】
複数の内部電極（２）は上下方向に配置されており、前記コンタクト手段（３）により相互にコンタクトされている、請求項３０または３１記載の電気モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、種々の材料から成るセラミック層を備えた電気モジュール、ならびに、複数の電極セットの配置された唯一のセラミックベースボディを有する電気モジュールに関する。
【０００２】
独国出願第１９９３１０５６号明細書から、低い容量を有する内部電極を備えた多層コンデンサが公知である。
【０００３】
独国出願第１０１３６５４５号明細書から内部に配置された電極を備えたセラミック多層コンデンサが公知である。
【０００４】
本発明の解決すべき課題は、複数のセラミック材料を含みモノリシックボディとして焼結可能なベースボディを備えた電気モジュールを提供することである。
【０００５】
この課題は、電気モジュールが複数のセラミック層を有しており、ここで、機能層が複合材料層に接しており、複合材料層がジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む電気モジュールにより解決される。
【０００６】
本発明の電気モジュールは、有利には、唯一の信号パラメータを受け取って所定の印加電圧のもとで相応の電流を形成するかまたは所定の電流のもとで相応の電圧を形成することにより受動的に作用する。補助エネルギ、例えば電流供給の形態で供給されるエネルギは必要ない。
【０００７】
複合材料層は有利にはパシベーション層、絶縁層および／または電気的分離層として用いられる。このようにすれば機能層は外部影響から保護される。コンタクト手段が複合材料層に含まれる場合、コンタクト手段と複合材料層とのあいだの結合容量は複合材料層の分離特性により低減される。
【０００８】
また複合材料層は機能層の寄生容量の低減または調整のための手段として作用する。これにより電気モジュールの実装される配線板への影響が低減されるかまたは調整される。
【０００９】
有利には、複合材料層はジルコニウム酸化物を含む。なぜなら、ジルコニウム酸化物は他の材料、例えば機能層の材料とほとんど反応せず、種々の層の焼結後の電気モジュールの電気特性が相互に調整可能となるかまたは明確に予測可能となるからである。これにより電気的な特性曲線の調整が容易となる。ガラス充填物質を含む複合材料層により、機能層の界面の領域における不規則性、例えば亀裂などの形成が低減される。こうして電気モジュールの電気的な特性曲線の調整が簡単化される。
【００１０】
複合材料層のガラス充填物質は有利にはホウケイ酸亜鉛（Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ）またはケイ酸アルミニウムを含む。
【００１１】
機能層は機能層セラミックを含み、有利には複合材料層の誘電定数よりも高い誘電定数を有する。機能層セラミックはバリスタセラミック、コンデンサセラミック、ＮＴＣセラミックまたはＰＴＣセラミックを含む。
【００１２】
バリスタセラミックの主成分としてＺｎＯを用いると有利である。またＳｉＣを用いることもできる。バリスタとして電気モジュールは有利にはインパルス電圧の安定化、電圧の制限または過電圧保護のために用いられる。
【００１３】
コンデンサセラミックは主成分として有利には無機、非金属かつ多結晶の物質、例えばＴｉＯ２（ＣＯＧ）または強磁性のＢａＴｉＯ３（Ｘ７ＲまたはＺ５Ｕ）を含む。なおこの場合阻止層は設けても設けなくてもよい。コンデンサ、特にセラミックの多層コンデンサとして、本発明の電気モジュールは、制御技術、データ技術、通信技術、電源部、自動車エレクトロニクスなどに用いられる。
【００１４】
ＮＴＣセラミックの主成分として、Ｆｅ３Ｏ４，Ｆｅ２Ｏ３，ＮｉＯまたはＣｏＯなどが適している。ＮＴＣセラミックを備えた機能層を含む電気モジュールは有利には温度センサの検出器として使用される。これに代えて、ＮＴＣセラミックを、流速を調整するため、ならびに、保護ないし補償のために用いることもできる。
【００１５】
ＰＴＣセラミックの主成分として、ＢａＴｉＯ３またはＳｒＴｉＯ３などが適している。ＰＴＣセラミックを備えた機能層を含む電気モジュールは有利には温度センサ、サーモスタットまたは電流安定化装置の要素として使用される。
【００１６】
複合材料層および機能層は有機接着剤と混合されてスラリーが形成され、このスラリーが後に処理されてグリーンシートとなる。それぞれの層の焼結の際に接着剤の気化が生じる。
【００１７】
複合材料層は機能層の誘電定数よりも低い誘電定数を有する。これにより複合材料層の領域の散乱容量は最小限に保たれる。
【００１８】
本発明の電気モジュールの有利な実施形態によれば、機能層および複合材料層は上下方向に交互に積層される。この場合、複合材料層は電気モジュールの底部および上部を形成し、機能層は複合材料層の上下に被着される。
【００１９】
本発明の電気モジュールの別の実施形態によれば、少なくとも１つの内部電極は機能層の内部または機能層に接して配置される。有利には、内部電極は電気モジュール内に設けられる。なぜなら、このようにすると、電気モジュールの容量値または抵抗値を特に正確にかつ簡単に調整できるからである。
【００２０】
複数の内部電極はコンタクト手段を介してベースボディの表面の外部コンタクトに接続されている。コンタクト手段の例としてスルーコンタクトまたは導電性材料から成るワイヤが挙げられる。有利には、コンタクト手段は金属を含む材料によって充填される。この場合、セラミック材料にスルーホールが設けられて金属によって充填されるか、または、ビア構造が形成されて金属によって充填される。
【００２１】
本発明の電気モジュールの別の実施形態によれば、少なくとも２つの内部電極から成る少なくとも１つの電極セットが機能層の内部または機能層に接して配置される。電極セットとは、共通の機能、例えば誘電体内または誘電体に接して電界を形成する機能を有する複数の電極の配列されたものであると理解されたい。また、積層体とは、相互に接続され、同じ電位を印加される複数の電極の積層されたものであると理解されたい。
【００２２】
有利には、２つの内部電極は相互に対向しており、２つの内部電極のあいだの空間には機能層の材料が充填されている。こうした複数の内部電極セットは機能層の内部または機能層に接して並んで配置されている。電極のそれぞれのセットはコンタクト手段を介して相互にコンタクト可能である。また電気モジュールの容量値および抵抗値は特に正確に調整することができる。こうした構造により、機能層はバリスタセラミックを含み、電気モジュールはバリスタとなる。
【００２３】
さらに、本発明によれば、前述した形式のセラミックの機能層、セラミックの複合材料層および複数の内部電極セットを含むセラミックベースボディを備えた電気モジュールが提供される。内部電極セットは共通の唯一のモノリシックセラミックベースボディ内に並んで配置される。各内部電極セットは有利には対応する外部端子に接続され、対応する外部端子およびセラミックベースボディとともに電気モジュールを形成する。それぞれの電気的な要素を多重に唯一の共通のベースボディに配置することにより、全体として電気モジュールと称されるようになる。
【００２４】
有利には、電気モジュールの機能層と複合材料層とは相互に接する。ここでは、各層は上下方向に積層される。
【００２５】
本発明の電気モジュールの有利な実施形態によれば、複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物との混合物を含み、これにより特に良好な機能層との焼結を達成可能である。
【００２６】
本発明の有利な実施形態によれば、電気モジュールの所定の平面の異なる電位の２つの内部電極のあいだに所定の容量が形成される。内部電極が機能層内部に配置され、この機能層がバリスタセラミックを含む場合、バリスタ区間が内部電極間に形成される。特に、アース電極と内部電極とのあいだのバリスタ区間は外部コンタクトを介して電気モジュールに供給される信号を受け取る。機能層のアース電極は同じ層の他の内部電極に容量結合している。一般に内部電極はそれぞれ信号線路の機能を有する。
【００２７】
本発明の有利な実施形態によれば、機能層の内部電極は隣接する内部電極に向かう脚部を有し、これにより所定の領域における２つの内部電極間の距離ひいては内部電極間の容量は最小化される。このことは相応の内部電極にコンタクトする外部コンタクト間の距離が定められている場合に有利である。電気モジュールの外側の構造が同じである場合または配線板とのコンタクトの条件が同じである場合でも、機能層の内部電極間の小さい容量が達成され、その際に外部コンタクト間の距離を変更する必要はない。
【００２８】
電気モジュールの有利な実施形態によれば、機能層の内部電極は部分的に電気モジュールの内部へ延在し、その端部のみが外部コンタクトと接続されている。同じ機能層のうち異なる電位を有する内部電極はその大きさに関して有利には相互に調整されている。例えば機能層のアース電極は、隣接する他の電位の内部電極に比べて、電気モジュールの内部へ延在する深さが小さい。
【００２９】
本発明の電気モジュールの有利な実施形態によれば、複合材料層は内部電極を有する。これにより有利には内部電極は小さい散乱容量を形成するが、機能層の内部電極からの電流は流れる。これにより結合容量は低減される。
【００３０】
複合材料層の少なくとも１つの内部電極は信号線路の機能を有し、アース電極ないしアース線路として、機能層のアース電極と同じ電位に接続されている。複合材料層の少なくとも１つの内部電極は有利には２つの内部電極間の結合容量を低減する。特に、複合材料層の少なくとも１つの内部電極は機能層のアース電極と他の内部電極とのあいだの結合容量を低減する。
【００３１】
本発明の電気モジュールの別の実施形態によれば、各内部電極は複合材料層を完全に横断し、各端部で外部コンタクトに接続されている。
【００３２】
電気モジュールの各内部電極は、機能層または複合材料層に接続されている内部電極であるかまたはこれらの層の内部に組み込まれた内部電極であるか否かにかかわらず、正方形、長方形、Ｔ字形、Ｌ字形、湾曲形またはメアンダ形のいずれの形状を有することもできる。有利には、当該の形状は機能層内部の内部電極の形状に近似するように選択され、これにより内部電極間の容量が低減される。例えば、Ｌ字状の内部電極は隣接する内部電極の脚部を介して同じ層に向かっていると有利である。ただし内部電極の他の形状も制限なしに用いることができる。
【００３３】
本発明の電気モジュールの有利な実施形態によれば、機能層および／または複合材料層の複数の内部電極は等しい形状を有し、相互に相対的に鏡面対称の装置として配置される。
【００３４】
機能層および／または複合材料層がドープされていれば、電気特性の値を正確に調整することができる。
【００３５】
前述した電気モジュールは特に電気的フィルタとして使用される。本発明の電気モジュールは、コンピュータケーシングまたは移動電話機に、および／または、インパルス電圧ないし過電圧に対する電子機器の電気的な保護装置に適する。
【００３６】
以下に前述した本発明の特徴を図示の実施例に則して詳細に説明する。図１のａ〜ｄにはセラミックベースボディの層構造が示されており、図１のｅには図１のａ〜ｄの内部電極の集積されたセラミックベースボディを備えた電気モジュールが示されている。図２のａ，ｂにはバリスタの斜視図が示されている。図３のａ〜ｃには電気モジュールの斜視図が示されている。図４にはベースボディのガラス成分に対するバリスタの焼損の度合を表すグラフが示されている。図５にはベースボディのガラス成分に対するバリスタの容量の低下の度合を表すグラフが示されている。図７，図１２，図１７，図２２，図２７には複数の外部コンタクトを有するモノリシックに構成されたアレイの形態の電気モジュールの斜視図が示されている。図６，図８，図９，図１０には第１の電気モジュールの断面図が示されている。図１１，図１３，図１４，図１５には第２の電気モジュールの断面図が示されている。図１６，図１８，図１９，図２０には第３の電気モジュールの断面図が示されている。図２１，図２３，図２４，図２５には第４の電気モジュールの断面図が示されている。図２６，図２８，図２９，図３０には第５の電気モジュールの断面図が示されている。
【００３７】
亜鉛酸化物を機能層の主成分とし、ジルコニウム酸化物を複合材料層の主成分として、交互に積層したセラミックベースボディについて試験を行った。このとき、ベースボディの焼結の際に２つの層の界面に亀裂や多孔面が生じたりベースボディが非焼結となったりした。
【００３８】
焼結温度の大きな差によって、亜鉛酸化物および他の無機かつ非金属のセラミック材料、例えば二酸化ジルコニウムＺｒＯ２の焼損が発生し、セラミック材料を共通に焼結することが困難となることがわかった。
【００３９】
しかし、ジルコニウム酸化物のうちガラス充填物質の成分がリッチになるにつれて、上述した効果が低減されたり阻止されたりすることも判明した。ここで、ジルコニウム酸化物にガラス充填物質を成分５重量％〜３０重量％で添加することにより、２つの層のあいだに接着領域が形成され、２つのセラミック材料を同時に焼結することができた。
【００４０】
焼結過程において添加されたガラス充填物質はセラミックの種々の膨脹度を補償するバッファ層として作用する。ここで、次のことがらが判明している。
（ａ）焼結過程での高温によって液化したガラスが種々の材料のあいだの空隙を充填する。これにより複合材料層と機能層とのあいだにガラス中間層が形成される。こうして中空室の形成は抑圧ないし阻止され、ベースボディの電気特性が損なわれることがなくなる。ガラスは高温のもとでは可塑性を有するので、成形により各層のあいだの応力を低下させることもできる。
（ｂ）中程度の温度であっても、種々の層のあいだに平滑面を形成するガラスの可塑性は充分に得られる。これにより、焼結過程において各層のあいだの応力を低下させるための機械的手段が形成される。
（ｃ）焼結過程後のベースボディの冷却過程における低温のもとでは、ガラスは安定であり、複合材料層に亀裂は生じない。
【００４１】
複合材料層は小さな誘電定数を有しており、ベースボディの散乱容量を低下させる。
【００４２】
ガラス充填物質とジルコニウム酸化物との混合物である複合材料層が用いられる。ここで、有利には、ガラス成分は５重量％〜３０重量％である。残りの成分は主成分としてのジルコニウム酸化物と少量の有機物とに対応する。当該の層には、適用分野および所望の容量ないし導電性に応じて、Ｍｇ，Ｓｂ，ＢまたはＡｌがドープされる。
【００４３】
ガラス充填物質は有利にはホウケイ酸亜鉛またはケイ酸アルミニウムを含む。ジルコニウム酸化物および亜鉛酸化物を含むケイ酸塩は良好な調和性ないし安定性を有し、複合材料層および機能層の電気特性は化学反応によってほとんど影響を受けない。次のような組成の材料が考慮される。すなわち、Na2O.Al2O3.B2O3.SiO2，Na2O.BaO.SiO2，ZnO.B2O3.SiO2，SiO2.BaO.B2O3，Bi2O3.B2O3，B2O3.ZnO.Bi2O3，B2O3.ZnO，SiO2.B2O3.ZnO，B2O3.ZnO，SiO2.B2O3.ZnOである。
【００４４】
ジルコニウム酸化物を含む組成により、複合材料層は特に高い熱耐性を有する。したがって、こうした複合材料層を用いると、インパルス電流ないし高電圧が印加される場合にもバリスタが急激に加熱されて裂傷することがないという利点が得られる。このことは特に、複合材料層をベースボディのカバー層として実現する場合に良く当てはまる。
【００４５】
機能層セラミックはバリスタセラミックを含むことができ、この場合、ベースボディはバリスタのベースボディとなる。バリスタセラミックは有利には亜鉛酸化物を含むが、Ｂｉ，Ｐｒ，Ｓｂなどのドープ物質をドープしてバリスタセラミックの絶対誘電率を増大または低減することもできる。ただし、機能層セラミックは、セラミックの多層コンデンサまたはＮＴＣモジュールまたはＰＴＣモジュールに適した他の材料を含んでもよい。
【００４６】
図１のａ〜ｄには電気モジュールのベースボディ１が示されている。ここで、第１の層１ａは機能層であり、機能層セラミックを含む。機能層は、その上下で、機能層よりも小さな誘電定数を有する複合材料層１ｂに接する。複合材料層は有利にはパシベーション層である。各層は上下方向に交互に配置され、協働してサンドウィッチ構造を形成する。
【００４７】
図１のａには機能層１ａが小さい誘電定数を有する２つの複合材料層のあいだに配置される様子が示されている。
【００４８】
図１のｂには２つの機能層１ａのそれぞれの上下に小さな誘電定数を有する複合材料層１ｂが接している形態のベースボディが示されている。
【００４９】
図１のｃには図１のｂのベースボディから最下方の複合材料層１ｂが外され、機能層１ａがベースボディの底部をなしている形態のベースボディが示されている。
【００５０】
図１のｄには２つの複合材料層１ｂのそれぞれの上下に機能層１ａが接している形態のベースボディが示されている。この場合には２つの機能層がそれぞれベースボディの上部および底部をなしている。
【００５１】
図１のｅには外部コンタクト４によって側面をカバーされたセラミックベースボディが示されている。こうした外部コンタクト４は図１のａ〜ｄに示されていベースボディに被着することもできる。外部コンタクト４のほか、ベースボディの内部には電極２が配置されている。ここで、有利には、機能層１ａに線路ないし電極が埋め込まれる。ただし、線路を少なくとも部分的に複合材料層１ｂ内に配置し、結合容量を複数の線路間の複合材料層の分離特性により小さく保持することもできる。
【００５２】
ベースボディの製造過程は有利には次のように進行する。
【００５３】
１．複合材料層として、有利にはドープされたジルコニウム酸化物の混合物が用意される。最も有利な実施例ではこの混合物は粉末状物質として用意される。当該の混合物には、ガラス充填物質が５重量％〜７０重量％、有利には５重量％〜３０重量％の成分で添加される。機能層に対しても同様に、有利にはドープされたセラミック混合物が用意される。この混合物は亜鉛酸化物またはその他の適切な材料から成る。
【００５４】
２．粉末状物質は接着剤により結合の緩いグリーンシートとして成形され、続いて乾燥される。接着剤はここでは水および有機材料を含む。
【００５５】
３．乾燥されたグリーンシートは必要に応じて上下方向に積層され、多層のグリーンベースボディが形成される。
【００５６】
４．必要であれば、電極およびコンタクト手段がセラミック層上に圧着されるか、セラミック層内に挿入される。有利には、電極は、薄膜技術またはプレス技術により、積層体状に被着されるか、櫛状に相互に噛み合った状態で、所望の層上に被着される。適切な電極材料は例えばニッケルまたは銅である。
【００５７】
５．ベースボディは低減された雰囲気または低減されていない雰囲気において焼結され、ここで接着剤、特にその有機成分が気化される。ガラス充填成分は焼結過程により種々のセラミック層間のバッファ層を形成し、これにより亀裂を生じることなく焼結を行うことができる。
【００５８】
５ａ．グリーンベースボディを電極ないしコンタクト手段とともにまたはこれらなしで焼結する際には、セラミック層の有機成分を気化させるために次に挙げる第１の特性が用いられる。まずグリーンベースボディを１ｍｉｎごとに５℃刻みで１００℃まで加熱し、次に１ｍｉｎごとに０．２℃〜０．５℃刻みで４５０℃まで加熱し、さらに１ｍｉｎごとに５℃〜１０℃刻みで８８０℃まで加熱する。８８０℃で１５ｍｉｎ〜１ｈにわたって保持し、その後−５℃〜−１５℃で冷却して室温まで戻す。
【００５９】
５ｂ．続く焼結過程については、ベースボディのセラミック層を共通に焼結するために次に挙げる第２の特性が用いられる。ここでは、まずグリーンベースボディを１ｍｉｎごとに１℃〜４℃刻みで１０００℃〜１１００℃まで加熱し、１０００℃〜１１００℃で１８０ｍｉｎ〜２４０ｍｉｎ保持し、その後−１℃〜４℃で冷却して室温まで戻す。
【００６０】
５ｃ．焼結特性は場合によりベースボディ内に存在する電極ないしコンタクト手段の溶融温度に基づいて探索される。ここで、有利には、焼結温度は電極ないしコンタクト手段の溶融温度より下方に選定される。
【００６１】
６．このようにして得られた焼結されたベースボディには、有利には、金属の外部コンタクト層が全面にわたって設けられる。ただしこのステップはベースボディのダイシング（ステップ７）の後に行ってもよい。
【００６２】
７．適用分野に応じて、焼結されたベースボディは外部コンタクト層の設けられる前またはその後に個別化される。例えば、ベースボディは複数の電極積層体のユニットにより定義されるパターンにしたがってダイシングされる。ダイシング後には複数の内部電極セットから成るモジュールが得られ、内部電極のセットは外部コンタクトとともに個々の電気モジュールの機能、例えばバリスタとしての機能を生じる。また、このようなモジュールでは前述したステップにおいて外部コンタクトを設けずに、所望のパターンによって外部コンタクトを形成することもできる。
【００６３】
図２のａには外部コンタクト４およびセラミック層１ａ，１ｂから成るモノリシックセラミックベースボディ１を備えたバリスタＶの斜視図が示されている。バリスタは有利には１ｐＦよりも小さい低容量を有するＳＭＤバリスタである。
【００６４】
バリスタＶのうち破線で示されている平面を上から見た図が図２のｂに示されている。複数の内部電極２、有利には４つの内部電極が機能層１ａ内に設けられており、コンタクト手段３を介して対応する外部コンタクト４へコンタクトされている。
【００６５】
前述した４つの内部電極２は、有利には、一方側では複合材料層１ｂに面状に接合されており、他方側では機能層１ａ内に埋め込まれている。このようにして２組の内部電極２がベースボディに配置される。ここで、各対において第１の内部電極は第２の内部電極に対向して配置され、１対の内部電極間の空間は機能層１ａによって充填される。
【００６６】
機能層内部にさらなる内部電極を配置して、１セット当たり２つより多い内部電極を有する複数の内部電極セットを形成することもできる。１つのセットの内部電極どうしはコンタクト手段３を介して相互に接続される。
【００６７】
１つまたは複数の内部電極と外部コンタクトとのコンタクトを行うコンタクト手段の例として、金属のスルーコンタクト３が挙げられる。このスルーコンタクトは銀、銀パラジウム、銀白金または純白金によって充填される。各スルーコンタクトは少なくとも部分的に複合材料層１ｂを通って延在し、これにより結合容量は電気モジュール内の複数のスルーコンタクトにより著しく低減される。
【００６８】
図３のａ〜ｃには電気モジュールを種々の方向から見た斜視図が示されている。電気モジュールはセラミックベースボディを有しており、このセラミックベースボディは種々の材料から成る複数のセラミック層を有する。ここでは機能層が複合材料層に接しており、複数の内部電極が共通のセラミックベースボディ内で並んで配置されている。有利には、複合材料層は機能層よりも低い誘電定数を有し、ジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物を含む。これによりセラミックベースボディは良好にモノリシックボディとして焼結される。
【００６９】
機能層としてバリスタセラミックが用いられる場合、電気モジュールはバリスタモジュールと称される。同様のことが冒頭に言及した他のセラミック材料についても当てはまる。
【００７０】
図３のａには、ベースボディの表面に正方形状に均等に複数の外部コンタクト４が設けられることが示されている。電気モジュールの実装の際に配線板に向かう表面は有利にはベースボディの下面である。ベースボディの前述の表面のうち外部コンタクトの配置された個所の中央には、共通のアースコンタクトＧＮＤが配置されている。各外部コンタクトにははんだバンプ５が設けられる。
【００７１】
図３のｂには図３のａの電気モジュールＥＭの断面図が示されている。ここで、断面は図３のａに示されている破線で切断した面に相応する。各外部コンタクト４またはアースコンタクトＧＮＤには複合材料層１ｂを通って延在するスルーコンタクト３が接続されており、このスルーコンタクト３は１つまたは複数の内部電極２にコンタクトしている。スルーコンタクトを介してこららのコンタクトと内部電極とは相互に接続される。複数の内部電極セットは３つの内部電極から成り、個々の内部電極は唯一の機能層１ａに埋め込まれている。各内部電極セットの内部電極はスルーコンタクト３を介して外部コンタクト４にコンタクトしており、セラミック層と協働して電気モジュールを形成している。これにより複数の電気モジュールを共通のベースボディに並べて配置することができる。機能層がバリスタセラミックを含む場合、バリスタモジュールが製造される。これに代えて、コンデンサセラミックが機能層として用いられる場合、内部電極セットは個々の内部電極と相互に櫛状に重なり合い、反対の極性でチャージされるように、セラミックの多層コンデンサが製造される。相互に重なり合う内部電極の複数のセットは直接に外部コンタクトに接続されるかまたは間接的にコンタクト手段を介して外部コンタクトへ接続される。内部電極セットは共通のセラミックベースボディと協働して複数のコンデンサから成る装置を形成し、これによりセラミックコンデンサモジュールが製造される。
【００７２】
このようにして、バリスタモジュールまたはコンデンサモジュールは全体として５つのバリスタまたはコンデンサと共通の１つのモノリシックベースボディとを有する。ここで、バリスタまたはコンデンサは全てのバリスタまたは全てのコンデンサに対する共通のアースＧＮＤの形態の外部コンタクトを有する。
【００７３】
図３のｃには上方から電気モジュールＥＭの表面を通して見たときの透過図が示されている。ここには、電気モジュールの下面に配置されたアースＧＮＤに対する十字形の外部コンタクトが示されている。同じ下面には十字形のアース電極ＧＮＤのほかにバリスタまたはコンデンサの外部コンタクト４がはんだバンプ５とともに対称に配置されている。図示されている破線の丸は内部電極２の断面とそこに存在するはんだバンプ５の周を表している。また、小さい中黒の丸はバリスタまたはコンデンサのスルーコンタクト３の断面を表している。外部コンタクト４ははんだバンプと合同の面を有するので、外部コンタクトはこの図には示されていない。
【００７４】
図４には２つの複合材料層とそのあいだに存在する機能層とを有する多層のセラミックベースボディの焼損の度合ΔＬを複合材料層１ｂ内のガラス充填物質の成分ＧＡに対して表したグラフが示されている。複合材料層にガラス充填物質が添加されない場合、セラミックベースボディの焼結により、ベースボディのラテラル方向の広がりに基づいて測定される焼損は約２０％に達する。焼損は複合材料層に添加されるガラス充填物質が増大するにつれてほぼ線形に低下している。ガラス充填物質の分量が４０重量％であるとき、セラミックベースボディの焼損は約９％となっている。
【００７５】
図５には、ジルコニウム酸化物を含む複合材料層内に種々のガラス充填物質の成分（これをＺ−Ｇ値とする）を備えたバリスタＡ〜Ｄの容量とガラス充填物質成分を含まない基準バリスタＲの容量とを比較したグラフが示されている。全てのバリスタのセラミックボディは約１０００℃で焼結されている。バリスタはそれぞれ電極の積層体を有する。ここで、それぞれ電極間の距離の異なる種々のバリスタの試験が行われた。電極間の距離は焼結後のセラミックボディにおいて０．４ｍｍまでに低下する。もともとの電極間の距離が例えば０．１２ｍｍである場合、焼結後の実際の距離は約０．０８ｍｍとなる。
【００７６】
基準バリスタＲではＺ−Ｇ値は０％である。この基準バリスタＲの容量は電圧約６８Ｖのもとで２．３ｐＦである。
【００７７】
バリスタＡではＺ−Ｇ値は６０％であり、その容量は約０．６ｐＦである。
【００７８】
バリスタＢではＺ−Ｇ値は４０％であり、その容量は変更された電圧のもとで約０．６ｐＦである。
【００７９】
バリスタＣではＺ−Ｇ値は２０％である。バリスタＣの容量は電圧約１１５Ｖで約０．７８ｐＦである。
【００８０】
バリスタＤではＺ−Ｇ値は５％である。バリスタＤの容量は電圧約１１６Ｖで約１ｐＦである。
【００８１】
ここから、一般に、ジルコニウムの混合物におけるガラス充填物質の成分が増大するにつれて、容量が小さくなることが見て取れる。
【００８２】
当明細書においては、特に電気モジュールの全ての実施例において、機能層に例えばＢｉ，ＰＲまたはＳｂなどをドープすることができる。ここで、機能層のセラミック、例えばバリスタセラミックにはこれらの材料がドープされる。複合材料層にも同様にＭｇ，Ｓｂ，ＢまたはＡｌなどをドープすることができる。この場合には特にジルコニウム酸化物とガラスとの混合物にこれらの材料がドープされる。
【００８３】
図６には電気モジュール１の平面Ｉでの断面図が示されている。平面Ｉについては図９に位置が示されている。この断面図により、複数の層、特に異なる組成の３つの層が上下に積層されることが示されている。ここには平面ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶが示されている。平面ＩＩは上方の複合材料層１ｂ内の平面であり、平面ＩＩＩは中央の機能層１ａ内の平面であり、平面ＩＶは下方の第２の複合材料層１ｂ内の平面である。ここでは、中央の機能層１ａ内の平面ＩＩＩに存在する２つの内部電極と下方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＶに存在する１つの内部電極とが示されている。下方の複合材料層１ｂの内部電極の少なくとも一部は、正射影により、中央の機能層１ａの中ほどの内部電極の下方に直接に位置する。
【００８４】
図７には図６，図８，図９，図１０の電気モジュールの斜視図が示されている。ここからは電気モジュールの側面に配置された複数の外部コンタクト４、特に３つの外部コンタクトが見て取れる。これらの外部コンタクトは、特に上下方向に配置された、同じ電位を有する複数の内部電極のそれぞれにコンタクトしている。同じ数の外部コンタクトが電気モジュールの対向する側面にも配置される。また、外部コンタクトを図示の外部コンタクトを有する側面に対して垂直に延在する端面に配置することもできる。
【００８５】
図８には図６の内部電極を有さない上方の複合材料層１ｂの平面ＩＩが示されている。複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物から成る。
【００８６】
図９には図６の機能層１ａの平面ＩＩＩが示されており、平面ＩＩＩに存在する内部電極の平面的な寸法またはジオメトリが表されている。２つのＴ字形の内部電極は相互に対称に配置されており、ここで第１の対称軸線は端面に沿って内部電極のあいだを通り、第２の対称軸線はそれぞれの内部電極のＴ字の幹の部分を通っている。内部電極のＴ字の幹の部分の端部は電気モジュールないしその機能層の表面に通じており、例えば図７に示されている外部コンタクトにコンタクトしている。Ｔ字形電極はアース電極またはアース線路として構成され、アースに接続されており、所定の周波数の信号を導出することができる。Ｔ字形の内部電極のほか、長方形の内部電極も配置されている。この長方形の内部電極の一方の端部は電気モジュールの表面へ通じており、外部コンタクト４にコンタクトしている。内部電極の他方の端部は電気モジュールの内側へ向かい、そこで終端している。内部電極の長さはＴ字形電極の長さに相応する。長方形の内部電極は、信号線路として、例えば無線信号を伝送するために構成されており、隣接して配置されているアース電極へ容量結合されている。これは所定の応答電流ないし応答電圧を上回る信号の導出線として動作する。機能層が前述した形態のバリスタセラミックを有する場合、Ｔ字形アース電極と隣接する長方形の内部電極の平面とのあいだにバリスタ区間が形成される。バリスタ区間により、例えばインパルス電流、過電圧、所定の周波数領域の内部、下方または上方の信号が制御された状態で橋絡され、アース電極から導出される。
【００８７】
Ｔ字形の形状により、この内部電極と同じ平面において隣接する長方形の内部電極とのあいだの結合容量が低減される。Ｔ字形の形状に代えて他の形状を用いることもできる。特に、他の形状を採用して、同じ平面において異なる電位を有する隣接の内部電極どうしの境界のあいだの距離を低減することができる。この場合、Ｌ字形を利用することが考えられる。
【００８８】
図１０には図６の下方の複合材料層１ｂの平面ＩＶが示されている。当該の複合材料層は内部電極２を有しており、この内部電極は、信号線路またはアース線路として平面ＩＶを横断し、その端部が外部コンタクト４に接続されている。ここでの外部コンタクトは機能層１ａのＴ字形の内部電極に接続されているのと同じ外部コンタクトである。機能層のＴ字形の内部電極を通って流れる電流は下方の複合材料層１ｂのアース線路により小さな散乱容量を有する。
【００８９】
図１１には別の電気モジュール１の平面Ｉでの断面図が示されている。平面Ｉについては図１４に位置が示されている。断面図により、複数の層、特に異なる組成の３つの層が上下に積層されて示されている。ここには平面ＩＩ，ＩＩＩ，ＩＶが示されている。平面ＩＩは上方の複合材料層１ｂ内の平面であり、平面ＩＩＩは中央の機能層１ａ内の平面であり、平面ＩＶは下方の第２の複合材料層１ｂ内の平面である。機能層１ａ内の平面ＩＩＩに存在する２つの内部電極と、上方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＩに存在する１つの内部電極と、下方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＶに存在する１つの内部電極とが示されている。上方の複合材料層１ｂの内部電極の少なくとも一部は、正射影により、機能層１ａの左方の長方形の内部電極の上方に直接に位置する。下方の複合材料層１ｂの内部電極の少なくとも一部は、正射影により、機能層１ａの右方の長方形の内部電極の下方に直接に位置する。
【００９０】
図１２には図１１，図１３，図１４，図１５の電気モジュールの斜視図が示されている。外部コンタクト４は図７に則して説明したのと同様に構成されている。
【００９１】
図１３には図１１の上方の複合材料層１ｂの平面ＩＩが示されている。内部電極ないし信号線路２は左方に設けられており、この平面を完全に横断し、その端部は同じ電位の外部コンタクト４にコンタクトしている。複合材料層はジルコニウム酸化物とガラス充填物質との混合物から成る。
【００９２】
図１４には図１１の機能層１ａの平面ＩＩＩが示されている。２つのＴ字形の内部電極は、図９に則して説明した実施例と同様に、相互に対称に配置されている。この場合にも、Ｔ字形電極はアース電極またはアース線路として構成され、アースに接続されており、所定の周波数の信号を導出することができる。それぞれのＴ字形の内部電極のほか、図９に則して説明した長方形の内部電極も配置されている。Ｔ字形の内部電極の機能、長方形の内部電極の機能およびこれらの相互作用は図９に則して説明した実施例での信号の導出に相応する。機能層１ａの左方の内部電極２は複合材料層の信号線路２と協働する。これにより、小さな散乱容量が生じ、左方の長方形の内部電極を通る電流が機能層１ａの信号線路にも流れる。
【００９３】
図１５には図１１の下方の複合材料層１ｂの平面ＩＶが示されている。当該の複合材料層は内部電極２を有しており、この内部電極は信号線路として平面ＩＶを横断し、その端部が外部コンタクト４に接続されている。ここでの外部コンタクトは機能層１ａの右方の内部電極に接続されているのと同じ外部コンタクト２である。機能層１ａの右方の長方形の内部電極を通る電流は下方の複合材料層１ｂの信号線路により小さな散乱容量で流れる。
【００９４】
図１６には別の電気モジュール１の平面Ｉでの断面図が示されている。平面Ｉについては図１９に位置が示されている。中央の機能層１ａ内の平面ＩＩＩに存在する３つの内部電極と上方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＩに存在する２つの内部電極２とが示されている。下方の複合材料層１ｂないしその平面ＩＶは内部電極を有さない。
【００９５】
図１７には図１６，図１８，図１９，図２０の電気モジュールの斜視図が示されている。電気モジュールの外部コンタクト４は図７に則して説明したように構成される。
【００９６】
図１８には図１６の上方の複合材料層１ｂの平面ＩＩが示されている。ここでは内部電極ないし信号線路２は左方および右方に配置されている。２つの信号線路は当該の平面を完全に横断しており、その端部は同じ電位の外部コンタクト４にコンタクトしている。
【００９７】
図１９には図１６の機能層１ａの平面ＩＩＩが示されている。２つのＴ字形の内部電極は、図９に則して説明した実施例とは異なり、相互に鏡面対称に配置されている。この場合にも、Ｔ字形電極はアース電極またはアース線路として構成され、アースに接続されており、所定の周波数の信号を導出することができる。それぞれのＴ字形の内部電極とならんで、両側に長方形の内部電極が配置されている。この場合、左方に配置された内部電極と右方に配置された内部電極とは相互に鏡面対称に配置されている。Ｔ字形の内部電極の機能、長方形の内部電極の機能およびこれらの相互作用は図９に則して説明した実施例における信号の導出に相応する。機能層がバリスタセラミックを有する場合、この実施例によれば、２つのバリスタ区間がＴ字形のアース電極の全ての側に設けられる。これによりインパルス電圧を制御された状態で逃がすことができるだけでなく、唯一の側面を介して複数の信号を電気モジュールへ供給し、同時にこれを処理することができる。したがって双方向の構造が形成される。左方に存在する２つの長方形の内部電極を流れる電流は、長方形の内部電極の上方に少なくとも部分的に直交して延在する複合材料層１ｂの信号線路を通る。同様のことが電気モジュールの平面ＩＩＩの右方の電極にも当てはまる。
【００９８】
図２０には平面ＩＶに内部電極の設けられていない電気モジュールの下方の複合材料層１ｂが示されている。電気モジュール１は例えばその複合材料層の下面側が配線板へ実装され、配線板または配線板に基づく電磁場の散乱容量がアクティブとなっている機能層ないしアクティブとなっている上方の複合材料層に達しにくくなっている。このようにして電気モジュールによって処理される信号の障害が小さくなり、配線板がインパルス電圧作用から効果的に保護される。
【００９９】
図２１には別の電気モジュール１の平面Ｉでの断面図が示されている。平面Ｉについては図２４に位置が示されている。ここには、中央の機能層１ａ内の平面ＩＩＩに存在する１つの内部電極と、上方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＩに存在する２つの内部電極と、下方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＶの２つの内部電極２とが示されている。
【０１００】
図２２には図２１，図２３，図２４，図２５の電気モジュールの斜視図が示されている。外部コンタクト４は図７に則して説明したのと同様に構成されている。
【０１０１】
図２３には図２１の上方の複合材料層１ｂの平面ＩＩが示されている。ここでは内部電極ないし信号線路２は左方および右方に配置されている。２つの信号線路は当該の平面を完全に横断しており、その端部は同じ電位の外部コンタクト４およびこれに接続された信号線路にコンタクトしている。
【０１０２】
図２４には図２１の機能層１ａの平面ＩＩＩが示されている。アース電極ないしアース線路の形態の１つのＴ字形の内部電極２が示されており、Ｔ字の幹の部分の端部は外部コンタクト４とコンタクトして、電気モジュールの側面へ通じている。幹の部分およびこれに垂直な梁の部分を有するＴ字形のアース電極の対向側には、２つの長方形の内部電極が所定の距離を置いて配置されている。長方形の内部電極の端部は外部コンタクトにコンタクトしている。外部コンタクトはアース電極に接続された外部コンタクトに接続され、電気モジュールの対向する側面に配置されている。長方形の内部電極は、少なくとも部分的に正射影により、上方の複合材料層１ｂの相応の側方に配置された信号線路の下方に配置される。Ｔ字形の内部電極の機能、長方形の内部電極の機能およびこれらの相互作用は図９に則して説明した実施例の信号の導出に相応する。この場合、アース電極と長方形の内部電極とのあいだに２つの容量性の領域が形成される。
【０１０３】
図２５には図２１の下方の複合材料層１ｂの平面ＩＶが示されている。下方の複合材料層は上方の複合材料層と同様に構成されている。このことは、電気モジュールの３つの層に存在する左方の全ての信号線路が共通の第１の外部コンタクトへ接続され、電気モジュールの３つの層に存在する右方の全ての信号線路が共通の第２の外部コンタクトへ接続されることを意味する。電気モジュールの右方または左方へ供給される信号は唯一のアース線路に接続されたそれぞれ３つの線路を介して流れる。
【０１０４】
図２６には別の電気モジュール１の平面Ｉでの断面図が示されている。平面Ｉについては図２９に位置が示されている。中央の機能層１ａ内の平面ＩＩＩに存在する２つの内部電極と、上方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＩに存在する２つの内部電極と、下方の複合材料層１ｂ内の平面ＩＶに存在する１つの内部電極とが示されている。
【０１０５】
図２７には図２６，図２８，図２９，図３０の電気モジュールの斜視図が示されている。条片状の外部コンタクト４は図７に則して説明したように構成されており、内部電極にコンタクトしている。
【０１０６】
図２８には図２６の上方の複合材料層１ｂの平面ＩＩが示されている。ここには電気モジュールの右方および左方に配置された２つの内部電極ないし信号線路が示されている。これらの電極は複合材料層をラテラル方向で完全に横断しており、その端部は外部コンタクト４にコンタクトしている。
【０１０７】
図２９には図２６の電気モジュールの中央の機能層１ａの平面ＩＩＩが示されている。内部電極、信号線路ないしＴ字形のアース電極の構造、配置および機能は図９に即して説明した実施例に相応する。
【０１０８】
図３０には図２６の下方の複合材料層１ｂの平面ＩＶが示されている。内部電極２ないし信号線路は平面ＩＶをラテラル方向に完全に横断しており、機能層１ａのＴ字形のアース電極と同様に外部コンタクト４にコンタクトしている。このことは、下方の複合材料層の唯一の信号線路が、小さな散乱容量のもとで共通の機能層１ａのアース電極とともに信号ないし電流を担持して、安全に動作できることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】ａ〜ｄはセラミックベースボディの層構造、ｅはａ〜ｄの内部電極の集積されたセラミックベースボディを備えた電気モジュールを示す図である。
【図２】バリスタの斜視図である。
【図３】電気モジュールの斜視図である。
【図４】ベースボディのガラス成分に対するバリスタの焼損の度合を表すグラフである。
【図５】ベースボディのガラス成分に対するバリスタの容量の低下の度合を表すグラフである。
【図６】第１の電気モジュールの断面図である。
【図７】第１の電気モジュールの斜視図である。
【図８】第１の電気モジュールの断面図である。
【図９】第１の電気モジュールの断面図である。
【図１０】第１の電気モジュールの断面図である。
【図１１】第２の電気モジュールの断面図である。
【図１２】第２の電気モジュールの斜視図である。
【図１３】第２の電気モジュールの断面図である。
【図１４】第２の電気モジュールの断面図である。
【図１５】第２の電気モジュールの断面図である。
【図１６】第３の電気モジュールの断面図である。
【図１７】第３の電気モジュールの斜視図である。
【図１８】第３の電気モジュールの断面図である。
【図１９】第３の電気モジュールの断面図である。
【図２０】第３の電気モジュールの断面図である。
【図２１】第４の電気モジュールの断面図である。
【図２２】第４の電気モジュールの斜視図である。
【図２３】第４の電気モジュールの断面図である。
【図２４】第４の電気モジュールの断面図である。
【図２５】第４の電気モジュールの断面図である。
【図２６】第５の電気モジュールの断面図である。
【図２７】第５の電気モジュールの斜視図である。
【図２８】第５の電気モジュールの断面図である。
【図２９】第５の電気モジュールの断面図である。
【図３０】第５の電気モジュールの断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  セラミックベースボディ、  １ａ  ベースボディの第１の層、  １ｂ  ベースボディの第２の層、  ２  内部電極、  ３  コンタクト手段、  ４  外部電極、  ５  はんだバンプ、  ＥＭ  電気モジュール、  Ｉ  電気モジュールの第１の平面、  ＩＩ  電気モジュールの第２の平面、  ＩＩＩ  電気モジュールの第３の平面、  ＩＶ  電気モジュールの第４の平面
【図１】
2009513006.tif 000003
【図２】
2009513006.tif 000004
【図３】
2009513006.tif 000005
【図４】
2009513006.tif 000006
【図５】
2009513006.tif 000007
【図６】
2009513006.tif 000008
【図７】
2009513006.tif 000009
【図８】
2009513006.tif 000010
【図９】
2009513006.tif 000011
【図１０】
2009513006.tif 000012
【図１１】
2009513006.tif 000013
【図１２】
2009513006.tif 000014
【図１３】
2009513006.tif 000015
【図１４】
2009513006.tif 000016
【図１５】
2009513006.tif 000017
【図１６】
2009513006.tif 000018
【図１７】
2009513006.tif 000019
【図１８】
2009513006.tif 000020
【図１９】
2009513006.tif 000021
【図２０】
2009513006.tif 000022
【図２１】
2009513006.tif 000023
【図２２】
2009513006.tif 000024
【図２３】
2009513006.tif 000025
【図２４】
2009513006.tif 000026
【図２５】
2009513006.tif 000027
【図２６】
2009513006.tif 000028
【図２７】
2009513006.tif 000029
【図２８】
2009513006.tif 000030
【図２９】
2009513006.tif 000031
【図３０】
2009513006.tif 000032
【国際調査報告】
2009513006.tif 000033
2009513006.tif 000034
2009513006.tif 000035
2009513006.tif 000036
2009513006.tif 000037
2009513006.tif 000038