(57)【要約】  水素と非酸素系酸化剤の混合ガスの燃焼炎を使用する基板処理方法及び装置である。方法は、水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を基板表面に接触させて表面上の薄膜と化学的に反応させ、基板をエッチングする。方法は、実質的に不活性かつ非イオン化環境下において実質的に大気圧で行われる。上記方法によって基板を処理するための装置は、不活性環境とされる処理室と、基板ホルダに保持された基板に燃焼炎を放出するためのノズルヘッドと、を有する。一実施形態では、ウェハのエッジ近傍及びエッジを処理するために、エッジノズルアセンブリがウェハのエッジに対して角度をなして配置される。この実施形態では、処理対象のエッジ近傍領域においてヒーターによって基板を予熱する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素と非酸素系酸化剤ガスを含む燃焼炎を発火させ、前記燃焼炎を基板表面に供給することを含む基板表面エッチング方法。
【請求項２】
請求項１において、前記基板表面の少なくとも一部において不活性ガスを流動させることをさらに含む方法。
【請求項３】
請求項２において、前記不活性ガスがアルゴンである方法。
【請求項４】
請求項１において、実質的に大気圧で行われる方法。
【請求項５】
請求項１において、前記基板表面に前記燃焼炎を供給する前に、ファイバー接続レーザーダイオードアレイを使用して、前記基板表面を予熱する方法。
【請求項６】
請求項１において、前記燃焼炎を供給する位置の近傍において前記基板表面を予熱する方法。
【請求項７】
請求項１において、実質的に非イオン化環境下で行われる方法。
【請求項８】
請求項１において、前記非酸素系酸化剤が三フッ化窒素である方法。
【請求項９】
請求項８において、前記水素と前記三フッ化窒素のモル比が実質的に３：２である方法。
【請求項１０】
請求項１において、前記燃焼炎を前記基板表面のエッジ部分に供給する方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記基板を回転させ、前記基板表面のエッジ領域をエッチングする方法。
【請求項１２】
請求項１において、エッチング対象の材料がＳｉＯ２である方法。
【請求項１３】
請求項１において、エッチング対象の材料がＳｉである方法。
【請求項１４】
請求項１において、エッチング対象の材料がＴａである方法。
【請求項１５】
請求項１において、前記非酸素系酸化剤がフッ素（Ｆ２）である方法。
【請求項１６】
請求項１において、前記非酸素系酸化剤が塩素（Ｃｌ２）である方法。
【請求項１７】
請求項１において、前記非酸素系酸化剤が三フッ化塩素（ＣｌＦ３）である方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法によって処理された基板ウェハ。
【請求項１９】
少なくとも材料の一部を基板の表面から除去する方法であって、前記基板の前記表面を水素と三フッ化窒素ガスの実質的に非イオン化燃焼炎に暴露することを含む方法。
【請求項２０】
請求項１９において、不活性ガスの存在下で前記基板の前記表面を前記燃焼炎に暴露する方法。
【請求項２１】
請求項１９において、実質的に大気圧で前記基板の前記表面を前記燃焼炎に暴露する方法。
【請求項２２】
請求項１９において、前記基板の前記表面を前記燃焼炎に暴露する前に、前記基板を加熱することをさらに含む方法。
【請求項２３】
請求項１９において、前記基板のエッジに前記燃焼炎を供給することをさらに含む方法。
【請求項２４】
請求項１９において、前記基板の中心から前記基板のエッジに向けて外側放射方向に前記燃焼炎を供給することをさらに含む方法。
【請求項２５】
請求項１９に記載の方法によってエッチングされた基板ウェハ。
【請求項２６】
不活性環境を準備し、前記不活性環境において水素と非酸素系酸化剤ガスを含む燃焼炎を発火させ、前記燃焼炎を基板に供給することを含む基板処理方法。
【請求項２７】
水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を使用して基板を処理するための基板処理装置であって、基板を収容すると共に水素と前記非酸素系酸化剤の前記燃焼炎のための不活性環境を収容し、実質的に大気圧に維持される処理室と、前記処理室に動作的に取り付けられた水素及び前記非酸素系酸化剤の供給源と、前記処理室内に設けられ、前記基板に前記燃焼炎を供給するノズルアセンブリと、を含む基板処理装置。
【請求項２８】
請求項２７において、前記ノズルアセンブリが２以上のノズルを含む基板処理装置。
【請求項２９】
請求項２８において、前記２以上のノズルがサファイアからなる基板処理装置。
【請求項３０】
請求項２８において、前記２以上のノズルが、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択される材料からなる基板処理装置。
【請求項３１】
請求項２７において、前記ノズルアセンブリが２以上のノズルを含み、前記２以上のノズルが処理対象の基板の上面に対して角度をなして保持されている基板処理装置。
【請求項３２】
実質的に大気圧に維持される処理室と、反応種の流れを供給する複数のノズルを有するノズルアセンブリと、を含み、前記ノズルが、サファイア、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選択される材料からなる基板処理装置。
【請求項３３】
請求項３２において、前記ノズルが実質的に１０：１の長さ：直径比を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、燃焼炎を使用して基板を処理するための方法及び装置に関し、より詳細には、非イオン化環境において水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を使用して基板の表面をエッチングするための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造では、誘電体、金属、その他の材料の成膜とエッチングを含む広範囲にわたる処理がシリコン基板ウェハに対して行われる。製造プロセスの様々な段階において、処理中のウェハをクリーニングして不要な薄膜及び汚染物質を除去する必要がある。不要な薄膜及び汚染物質としては、ウェハの上面（主処理面）、裏面、エッジ領域（エッジ近傍、傾斜面、頂部）に生じる薄膜及び汚染物質が挙げられる。薄膜及び汚染物質を効率的で費用対効果の高い方法で除去することは難しい。この問題は、最終製品に悪影響を与える可能性のある化学物質及び処理を使用することによって悪化する。
【０００３】
薄膜や汚染物質を除去するための様々な方法が知られている。エッチングはウェット又はドライ処理環境で行うことができる。ウェット化学エッチングでは、ウェハ表面を液体の化学エッチャントと接触させる。例えば、激しく撹拌した液体又は噴霧状体で基板表面上を通過させて材料を除去する。ドライエッチングでは、基板表面を気体のプラズマエッチャントと接触させる。
【０００４】
ウェット化学エッチングはウェハ処理において広く使用されている。熱酸化又はエピタキシャル成長の前にも、ウェハを化学的にクリーニングして取り扱い及び保管による汚染物質を除去する。ウェット化学エッチングでは、液体又は蒸気の化学反応物質を拡散によって反応表面に輸送し、表面で化学反応を生じさせ、表面から生成物を除去する。シリコンエッチングに一般的に使用されるウェット化学エッチングでは、硝酸（ＨＮＯ３）とフッ酸（液体ＨＦ）の混合物を使用する場合がある。硝酸はシリコンを酸化させてＳｉＯ２層を形成し、フッ酸はＳｉＯ２層を溶解するために使用される。しかし、化学エッチングには限界があり、全ての用途で望ましいわけではない。ウェット化学エッチングにおける問題の１つは、エッチングされた材料の成分が、ウェハ表面のエッチング又は部分的にエッチングされた開口部内を移動する場合があることである。また、ウェットエッチングでは不完全又は不均一なエッチングとなる場合がある。また、ウェットエッチングは等方性であり、不正確なエッチングとなる。さらに、ウェットエッチングでは、処理工程の間にウェハの乾燥を繰り返さなければならないため、処理に時間と費用がさらに必要となる。
【０００５】
通常はプラズマエッチングを意味するドライエッチングは、低圧力放電の形でプラズマを使用するいくつかの技術を意味する。ドライエッチング法には、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、スパッタエッチング、反応性イオンビームエッチング、その他のプラズマに基づくエッチング法が挙げられる。
【０００６】
プラズマは十分な電界（又は電磁場）が気体に印加される際に生成され、気体を電離させてイオン化させる。そのため、プラズマは完全又は部分的にイオン化された気体である。水素（Ｈ２）及び三フッ化窒素（ＮＦ３）を使用するプラズマを含むウェハのプラズマ処理に多くの化学反応が使用されている。しかし、エッチングに基づくドライプラズマには限界があり問題点がある。これには、ウェハの一部のみ、例えばウェハのエッジ領域を処理する際に生じる問題が含まれる。拡散効果は動作圧力が低いときに優位となるため、ウェハ上の暴露位置を制御することが困難となる。ウェハ全体を処理する場合には、イオン及び荷電誘発ダメージが生じ得る。また、これらの方法の装置は扱いづらく、真空室及びポンプ設備を必要とする。また、真空が必要なためにスループットが低下し、装置と運用コストが増加する。
【０００７】
米国特許第５，９６１，７７２号に開示されているようなほぼ大気圧のプラズマ源をウェハ処理に使用することもできる。このような反応種供給源は、基板の一部を供給源の出力気体流の近傍に移動させる部分的ウェハ処理に適している。このような方法の問題点は、安定した放電を維持するために大量のヘリウム流が必要なことである。ヘリウム（非再生資源）を大量に消費することによって運用コストが増加する。また、このような方法では、低い気体温度のために通常は材料除去率が低下し、それに比例して低い活性化エネルギーが基板に供給される。これらの要因によってウェハ１枚当たりの処理コストが上昇する。
【０００８】
例えば、米国特許第５，３１４，８４７号に開示されているように、水素（Ｈ２）と酸素（Ｏ２）の燃焼炎も基板表面を処理するために使用されている。酸化剤として酸素を含むことにより、得られる反応種はある種の薄膜のエッチングに限定される。
【０００９】
ウェット化学処理及びドライプラズマ処理以外に、研磨法がウェハエッジの研磨面及び頂部領域を処理するために使用されている。しかし、これらの方法は本質的に汚れを生じさせ、粒子が混入し、基板内に欠陥を生じさせる傾向がある。このため、クリーニングを行う後処理工程が必要となる。研磨法の別の問題点は、処理後に残る表面下のダメージである。このダメージは処理によって基板シリコン結晶構造内に生じ、その後の処理に悪影響を与える可能性がある。
【００１０】
そのため、上述した方法は、本質的な制限や、特に上面、エッジ領域、裏面を含むウェハから薄膜又は汚染物質を除去する必要がある用途に適していないという問題を有する。ウェット化学法、ドライプラズマ法及び研磨法によるウェハ処理の固有の問題を回避する基板処理方法が求められている。その方法は、効率的で、費用効率がよく、ダメージを与えず、ウェハ上にさらなる工程を実施する必要性がないものであることが重要である。
【発明の開示】
【００１１】
本発明に係る基板処理方法及び装置は、上述した処理方法及び装置に対する利点を有する。本発明の第１の態様は、非イオン化環境において水素ガスと三フッ化窒素等の非酸素系酸化剤の燃焼炎を使用して基板を処理するための方法及び装置に関する。本発明の別の態様では、処理を不活性環境で行い、基板を予熱することができる。本発明の別の態様では、基板を予熱するために使用するヒーターはファイバー接続レーザーダイオードアレイである。本発明の別の態様は、上記装置又は方法によって処理されたウェハ基板を含む。
【００１２】
本発明の別の態様は、水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を発火させ、燃焼炎を基板の表面に供給することを含む基板処理方法を含む。本発明の別の態様では、水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を使用して基板を処理するための装置は、基板を収容すると共に水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎のための不活性環境を収容し、実質的に大気圧に維持され、非イオン化された処理室を含む。本発明の別の態様では、装置は、処理室内に設けられ、基板に前記燃焼炎を供給するためのノズルアセンブリをさらに含む。本発明の別の態様では、ノズルアセンブリは、サファイア、イットリア（Ｙ２Ｏ３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）又は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるノズルを含む。
【００１３】
従って、本発明は、水素と非酸素系酸化剤の燃焼炎を基板表面に供給することにより、費用対効果がよく、効率的に基板の表面の処理をするための方法及び装置を有利に提供する。薄膜又は汚染物質が固体から容易に排出することができるガス副生成物に変化する化学反応が進行する。また、水素と三フッ化窒素の発熱燃焼反応によりエッチング速度が上昇し、処理基板の高いスループットを達成することができる。また、燃焼炎を基板のエッジ領域を含む基板の特定領域に供給し、基板の正確な処理を行うことができる。
【００１４】
本発明の利用可能性のさらなる領域は以下の詳細な説明から明らかになるだろう。なお、以下の詳細な説明と実施例は本発明の好適な実施形態を示すものではあるが、単なる例示のみを意図するものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【００１５】
以下の詳細な説明と添付図面によって、本発明はよりよく理解されるだろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下の好適な実施形態の説明は単なる例示であり、本発明及び本発明の用途又は使用を制限することを意図するものではない。
【００１７】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、本発明の基板処理方法１０の好適な実施形態では、アルゴンガスの不活性環境１３下での水素（Ｈ２）と三フッ化窒素（ＮＦ３、非酸素系酸化剤）を含む気体反応物質１４の発火燃焼による燃焼炎１２を使用する。図面ではアルゴンを示しているが、その他の不活性ガスも好適に使用することができる。気体反応物質１４の混合物は、発火して燃焼炎１２となる前にトーチノズル１６を通過する。図面では１つのトーチノズル１６を示しているが、２以上のトーチノズルを使用してもよい。燃焼炎１２は基板表面１８に接触する。
【００１８】
気体反応物質１４は燃焼炎１２内で反応し、気体フッ化水素（ＨＦ）２０（反応種）と気体窒素（Ｎ２）２２を生成する。以下の化学式は、化学量論的混合（３：２のモル比）に基づく気体反応物質１４からの気体フッ化水素２０と気体窒素２２の生成を示す。
３Ｈ２（気体）＋２ＮＦ３（気体）→６ＨＦ（気体）＋Ｎ２（気体）
【００１９】
有効なことに、この反応は実質的に大気圧で行われる。そのため、粘性（非分子的）流動特性を、基板表面１８の部分を正確に処理し、その他の基板領域が反応プロセスに曝されることを最小化するために使用することができる。モル比が３：２の場合について説明したが、所望の結果に応じてより高い又は低いモル比を使用することができる。
【００２０】
また、この反応はプラズマイオン生成場によって誘起されない。プラズマは荷電粒子の集合であり、荷電粒子によって生じる広範囲の電磁場が粒子の挙動に重要な影響を与えると考えられる。また、燃焼炎１２は実質的にイオン種を含まないと考えられる。その結果、基板に対するイオンによるダメージが生じることはない。
【００２１】
また、Ｈ２とＮＦ３の発熱化学反応によってかなりの熱が生じる。この作用により、温度によって表されるエネルギー量によって少量の非常に反応性の高い種（ＨＦ）を生成することができる。高温によって反応速度が大きく上昇し、高いエッチング速度を達成することができる。そのため、高い処理スループットを達成することができる。
【００２２】
二酸化ケイ素薄膜２４（図１Ａ）は、以下の反応に従って気体フッ化水素２０によってエッチングされる。
４ＨＦ（気体）＋ＳｉＯ２（固体）→ＳｉＦ４（気体）＋２Ｈ２Ｏ（蒸気）
気体四フッ化ケイ素２６と水蒸気２８は二酸化ケイ素薄膜２４の表面から放出される（図１Ａ）。有利なことに、この反応によって二酸化ケイ素薄膜２４（図１Ａ）は固体から容易に排出することができる気体副生成物に変化する。
【００２３】
また、気体フッ化水素２０によってシリコン３０の基板表面１８もエッチングされる（図１Ｂ）。シリコン３０のエッチングは以下の反応に従って行われる。
４ＨＦ（気体）＋Ｓｉ（固体）→ＳｉＦ４（気体）＋２Ｈ２（気体）
この反応では、気体四フッ化ケイ素２６と気体水素３２がシリコン３０の基板表面１８から放出される（図１Ｂ）。この反応により、基板表面１８上のシリコン３０（図１Ｂ）は固体から排出することができる気体副生成物に変化する。
【００２４】
同様に、タンタル薄膜３４（図１Ｃ）のエッチングは以下の反応に従って行われる。
１０ＨＦ（気体）＋２Ｔａ（固体）→２ＴａＦ５（気体）＋５Ｈ２（気体）
この反応では、気体五フッ化タンタル３６と気体水素３２がタンタル３４の基板表面１８から放出される（図１Ｂ）。この反応により、基板表面１８上のタンタル３４（図１Ｃ）は固体から排出することができる気体副生成物に変化する。
【００２５】
また、上述した化学反応を使用して有機及びポリマー膜を除去することもできるが、ＳｉとＳｉＯ２の選択性の問題から望ましくない場合もある。例えば、上述した化学反応は、酸化物のエッチングは望ましいが、Ｓｉのエッチングは望ましくない場合に、Ｓｉ上のＳｉＯ２をエッチングするために使用することができる。エッチング化学反応に対するＳｉの不動態化は、酸素を含有する水素リッチ炎にエッチング領域を暴露することにより促進することができる、次に、Ｈ２とＮＦ３の燃焼炎にエッチング領域を暴露し、酸化物がエッチングされる。
【００２６】
基板をエッチングするための燃焼炎内での水素との反応のために望ましいその他の非酸素系酸化剤としては、フッ化物（Ｆ２）、塩素（Ｃｌ２）、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）が挙げられる。
【００２７】
水素とフッ化物は以下のように燃焼炎内で反応する。
Ｈ２（気体）＋Ｆ２（気体）→２ＨＦ（気体）
Ｈ２とＮＦ３の燃焼炎と同様に、得られるＨＦ反応種は上述したように望ましいエッチャントである。
【００２８】
水素と塩素は以下のように燃焼炎内で反応する。
Ｈ２（気体）＋Ｃｌ２（気体）→２ＨＣｌ（気体）
水素と三フッ化塩素は以下のように燃焼炎内で反応する。
４Ｈ２（気体）＋２ＣｌＦ３（気体）→６ＨＦ（気体）＋２ＨＣｌ（気体）
上記燃焼炎反応では、フッ素によって容易にエッチングされない材料が積層膜に存在する場合に、得られる塩化水素反応種をエッチングに有利に使用することができる。例えば、積層膜がアルミニウムを含む場合が該当する。アルミニウムは、反応種としての塩化水素によって以下のようにエッチングされる。
２Ａｌ（固体）＋６ＨＣｌ（気体）→２ＡｌＣｌ３（気体）＋３Ｈ２（気体）
【００２９】
シリコンは、塩化水素によって以下のようにエッチングされる。
Ｓｉ（固体）＋４ＨＣｌ（気体）→ＳｉＣｌ４（気体）＋２Ｈ２（気体）
【００３０】
酸化シリコンは、塩化水素によって以下のようにエッチングされる。
ＳｉＯ２（固体）＋４ＨＣｌ（ガス）→ＳｉＣｌ４（ガス）＋２Ｈ２Ｏ（蒸気）
【００３１】
三フッ化塩素を使用する場合には、フッ素及び塩素系エッチャント反応種が生成するハイブリッドエッチング化学反応が生じる。三フッ化塩素は、複数の材料が積層膜に存在する場合に別のフッ素含有ガス（ＮＦ３又はＣＦ４等）又はＣｌ２と様々な比率で組み合わせて使用される場合が多く、除去にはフッ素及び塩素化学反応が必要となる。
【００３２】
上記化学式は、燃焼炎１２内及び基板表面１８上で生じる実際の反応を簡略化して示すものである。発生する反応化学反応は非常に複雑であり、中間及び最終反応生成物が生成する。
【００３３】
次に、図２及び図３を参照して、上述した処理方法によって基板表面を処理するための基板処理装置４０について説明する。処理室４２内には、基板チャック４６に接続された基板ホルダ４４が収容されている。ノズルアセンブリ４８が、基板ホルダ４４上に保持されたウェハ５０の上方において支持部材４７によって保持されている。８個のノズル５１がノズルアセンブリ４８に配置されている。支持部材４７は、ウェハ上面５３の上方においてノズルアセンブリ４８を移動させるための作動機構４９に接続されている。ノズルアセンブリ４８は、処理時にはウェハ上面５３から１．５ｍｍ以下の距離に保持される。
【００３４】
水素ガス供給源５２及び三フッ化窒素ガス供給源５４が、第１のガスコントローラ６０及び第２ガスコントローラ６２を介して、第１のガスライン５６及び第２のガスライン５８により、Ｈ２とＮＦ３を混合するためにノズルアセンブリ４８に接続された共通混合ガスライン６４に接続されている。排気スクープ（ｅｘｈａｕｓｔ  ｓｃｏｏｐ）６６が、ガス及び反応物質副生成物を排出するために基板ホルダ４４に隣接して設けられている。排気スクープは、プレナム６７によって送風装置７０に接続されている。排気スクープ６６は、送風装置７０を介して処理室４２からガスと反応物質副生成物を排出する。
【００３５】
アルゴンガス供給源７２が、第３のガスコントローラ７６を介して第３ガスライン７４によって処理室４２に接続されている。アルゴンガス供給源７２は、第４のガスコントローラ７７を介して第４のガスライン７５によって共通混合ガスライン６４にも接続されている。ノズルアセンブリ４８に近接する点火装置７８が、ワイヤー８０によって点火装置電源８２に接続されている。
【００３６】
ヒーター８４が、処理対象のウェハ５０の領域に近接して配置されている。ヒーター８４は赤外線（ＩＲ）ヒーターであり、ＩＲヒーターワイヤー８６によってＩＲヒーター電源８８に接続されている。好適な実施形態では、ヒーター８４は光ファイバー接続レーザーダイオードアレイである。光ファイバーケーブルアセンブリをヒーター８４に代わりに使用することができる。光ファイバーケーブルにより、離れて設けられたレーザーダイオードアセンブリによって発生するハイパワー照明を伝達することができる。米国特許出願公開第２００５０１８９３２９号（「レーザーダイオード放射線によるレーザー熱処理（Ｌａｓｅｒ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｗｉｔｈ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）」）に開示されているように、そのような照明によってウェハ５０を加熱することができる。米国特許出願公開第２００５０１８９３２９号の開示内容はこの参照によって本願の開示内容として援用する。
【００３７】
８個のノズル５１はノズルアセンブリ４８内において直線的に配置され、各ノズルの穴の中心間の距離として４．９８ｍｍ離れて配置されている。好ましくは、ノズルアセンブリ４８は３１６Ｌステンレス鋼によって形成され、製造後に電気研磨されている。化学反応に曝される装置のアルミニウム部品にはアルミナセラミック被膜を熱溶射して高い化学耐性及び耐熱性を与える。
【００３８】
８個のノズル５１は、出口端部において０．２５４ｍｍの孔径と１０：１のアスペクト比を有するサファイアで形成されている。８本のノズル５１はノズルアセンブリ４８にプレス嵌めされている。ノズルは、ステンレス鋼ノズルアセンブリ４８に形成された許容公差の小さな穴に圧入されている。ノズルの直径は１．５７７ｍｍ（＋０．００３ｍｍ、−０．０００ｍｍ）である。サファイアノズルを収容するためのノズルアセンブリ４８の孔径は１．５６７ｍｍ（＋０．００３ｍｍ、−０．０００ｍｍ）である。これにより、０．００７ｍｍ〜０．０１３ｍｍの範囲の締り嵌めを行うことができる。このような締り嵌めの公差は上記範囲の干渉として重要であり、気密シールを行うと共に、ステンレス鋼ノズルアセンブリ４８に弾性変形のみを生じさせる。そのため、処理時に粒子を生じさせることのない優れたシールを行うことができる。
【００３９】
一実施形態では、基板ホルダ４４を基板チャック４６によって回転させながら、作動機構４９がノズルアセンブリ４８をウェハ５０のエッジ又はその近傍からウェハ５０の中心へと直線的に移動させる。従って、ウェハ上面５３全体を処理することができる。作動機構４９と基板チャック４６の動作はコンピュータ制御（図示せず）される。
【００４０】
別の実施形態では、ノズルアセンブリ４８を静止させた状態で基板ホルダ４４を回転させ、１以上の方向に基板チャック４６によって移動させる。従って、いずれの実施形態でも、ウェハ上面５３全体を処理することができる。いずれの実施形態も、ウェハ５０を処理化学反応に均一に暴露することを意図するものである。
【００４１】
動作時には、ウェハ上面５３の処理準備として、ウェハ５０を基板チャック４６の基板ホルダ４４の中心に配置する。次に、ウェハ５０を保持した基板ホルダ４４を基板チャック４６によって回転させる。次に、送風装置７０に通電することによって排気スクープ６６を作動させる。第３のガスコントローラ７６を開き、アルゴンガス供給源７２から処理室４２にアルゴンガスを流入させる。アルゴンガスを処理室に流入させることにより、処理室４２内に不活性環境を実質的に生じさせる。一実施形態では、アルゴンガスを処理領域に供給し、処理室４２はその他のガス環境を含むことができる。処理室４２は実質的に大気圧に維持する。
【００４２】
ヒーター８４に通電してウェハ上面５３を加熱する。この工程は、化学反応の副生成物として生成する蒸気（例えば水蒸気）がウェハ上面５３上に凝縮することを防止するために必要である。
【００４３】
次に、点火装置電源８２によって点火装置７８に通電すると共に第１のガスライン５６と第２のガスライン５８を開き、水素及び三フッ化窒素ガスをノズルアセンブリ４８及び８個のノズル５１に流入させる。Ｈ２とＮＦ３の燃焼炎（図示せず）が発火する。ノズルアセンブリ４８内の各ノズル５１は４００ｓｃｃｍの流量を必要とし、処理時の装置全体の流量は３２００ｓｃｃｍとなる。
【００４４】
ウェハ５０を回転させながら、ウェハチャック４６（好適な実施形態）又は作動機構４９（別の実施形態）によってウェハ上面５３にわたってノズルアセンブリ４８と燃焼炎を移動させる。その結果、ウェハ上面５３の所望の部分を処理することができる。処理は、基板処理方法と関連して上述した二酸化ケイ素又はタンタル等の薄膜を除去することを含む。
【００４５】
ウェハの処理後、第１のガスコントローラ６０と第２ガスコントローラ６２を閉じる。同時に、第４のガスコントローラ７７を開き、アルゴンガスをノズルアセンブリ４８及び８個のノズル５１に流入させ、燃焼炎を消す。この工程は逆火を防止するために重要である。
【００４６】
処理室から処理ガスと副生成物を排出させた後にウェハ５０を取り出すことができる。そして、ウェハ上面５３を処理して薄膜及び／又は汚染物質を除去することができる。この処理は、ウェハ上面５３又はウェハ裏面に適用することができる。裏面処理は、先の工程時に形成された不要な薄膜堆積物を除去するために使用される場合が多い。例えば、裏面の窒化ケイ素を除去することである。ヒーター８４によってウェハ上面５３を加熱することにより、表面に凝縮する可能性のある反応物質副生成物の再堆積を防止することができる。反応物質副生成物の沸点又は沸点を超える温度にウェハ上面５３を加熱することによって凝縮を防止することができる（例えば、１００℃を超える温度にウェハ上面５３を加熱して水の凝縮を防止する）。あるいは、ウェハ５０の表面への熱は、加熱した基板ホルダ４４、ウェハの周囲に向けた赤外線エネルギー又はその他の加熱源から供給することができる。
【００４７】
図４及び図５に示すように、上述した基板処理方法に使用するための基板エッジ処理装置１００は、支持部材４７に取り付けられ、ウェハ５０のエッジに近接して保持されたエッジ型ノズルアセンブリ１０２を含む。基板エッジ処理装置１００のその他の構成要素は上述した基板処理装置４０と同じである。
【００４８】
エッジ型ノズルアセンブリ１０２は、第１のノズル１１２と第２のノズル１１４を有する。第１のノズル１１２は、ウェハ５０のエッジの上部傾斜面及び頂部に向けて反応種の層流を第１の方向１１６に供給する。第２のノズル１１４は、ウェハ５０のエッジ近傍に向けて反応種の層流を第２の方向１１８に供給する。好ましくは、第１のノズル１１２と第２のノズル１１４は、０．２５４ｍｍの内径と約１０：１のアスペクト比（直径に対する長さの比）を有する。これは、ノズル内で層流を生じさせるために推奨され、より安定した燃焼排出（ｃｏｍｂｕｓｔｉｏｎ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を行うことができる。第１のノズル１１２と第２のノズル１１４はサファイアで形成され、ノズルアセンブリ４８と８個のノズル５１に関連して説明したようにエッジ型ノズルアセンブリ１０２に挿入されている。第１のノズル１１２は、ウェハ上面５３に対して８０°の角度で設けられている。第２のノズル１１４は、ウェハ上面５３に対して４５°の角度で設けられている。エッジ処理装置１００の動作は、上述した基板処理装置４０の動作と同様である。動作時には、ウェハ５０のエッジの処理準備として、ウェハ５０を基板チャック４６の基板ホルダ４４の中心に配置する。次に、ウェハ５０を保持した基板ホルダ４４を基板チャック４６によって２ｒｐｍで回転させる。次に、送風装置７０に通電することによって排気スクープ６６を作動させる。第３のガスコントローラ７６を開き、アルゴンガス供給源７２から処理室４２にアルゴンガスを流入させる。アルゴンガスを処理室に流入させることにより、処理室４２内に不活性環境を実質的に生じさせる。一実施形態では、アルゴンガスを処理領域に供給し、処理室４２はその他のガス環境を含むことができる。処理室４２は実質的に大気圧又は大気圧近傍に維持する。
【００４９】
ヒーター８４に通電し、処理対象のエッジ領域の近傍でウェハ上面５３を加熱する。この工程は、化学反応の副生成物として生成する蒸気（例えば水蒸気）がウェハ上面５３及びエッジ領域で凝縮することを防止するために必要である。次に、点火装置電源８２によって点火装置７８に通電すると共に第１のガスライン５６と第２のガスライン５８を開き、Ｈ２及びＮＦ３ガスをエッジ型ノズルアセンブリ１０２及び第１のノズル１１２及び第２のノズル１１４に流入させる。Ｈ２とＮＦ３の燃焼炎（図示せず）が発火する。炎はウェハ５０のエッジ近傍、傾斜面、頂部領域に接触し、ウェハ５０を処理することができる。
【００５０】
ウェハ５０を回転させながら、燃焼炎がウェハ５０のエッジ領域に接触する。その結果、ウェハ５０のエッジ領域を処理することができる。処理は、基板処理方法と関連して上述した二酸化ケイ素又はタンタル等の薄膜を除去することを含む。
【００５１】
ウェハの処理後、第１のガスコントローラ６０と第２ガスコントローラ６２を閉じる。同時に、第４のガスコントローラ７７を開き、アルゴンガスをエッジ型ノズルアセンブリ１０２及び第１のノズル１１２と第２のノズル１１４に流入させ、燃焼炎を消す。処理室から処理ガスと副生成物を排出させた後にウェハ５０を取り出すことができる。そして、ウェハ５０のエッジ領域を処理して薄膜及び／又は汚染物質を除去することができる。
【００５２】
上記実施形態では非酸素系酸化剤としてＮＦ３を使用しているが、上述したその他の非酸素系酸化剤も好適な実施形態における使用に好適である。また、上述の方法によるウェハを隔離・処理するためのさらなる実施形態は、２００５年９月１９日に出願された米国特許出願第１１／２３０，２６３号（「基板エッジ領域の隔離処理のための方法及び装置（Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  Ｉｓｏｌａｔｉｖｅ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｅｄｇｅ  Ａｒｅａ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）」）に開示されている。米国特許出願第１１／２３０，２６３号の開示内容はこの参照によって本願の開示内容として援用する。
【００５３】
Ｈ２／ＮＦ３混合ガスを使用する基板からの酸化シリコン等の誘電体薄膜の除去は、０．６〜０．７の範囲の水素分率で行う。例えば、全流量が８００ｓｃｃｍの場合には、Ｈ２流量は４８０ｓｃｃｍ〜５６０ｓｃｃｍであり、ＮＦ３流量は２４０ｓｃｃｍ〜３２０ｓｃｃｍである。環境酸素が存在する場合にはＩＲ予熱を使用し、燃焼副生成物が基板上で凝縮することを防止する。
【００５４】
基板のエッジ近傍領域からのタンタルの除去は、誘電性の除去に関して詳述したものと同様なエッチングノズル構成を使用して行う。総ガス流量は約８００ｓｃｃｍであり、水素分率は０．６〜０．７である。タンタルの主要なエッチング生成物は、２３０℃以下の沸点を有するＴａＦ５である。エッチング領域における基板表面温度は、エッチング生成物の凝縮を防止するために約２３０℃に維持しなければならない。これは、エッチング炎が接触する直前に基板に炎を接触させるように配置された別の燃焼炎ノズル（図示せず）を使用して容易に達成することができる。この予熱ノズルは、単一のノズルの４００ｓｃｃｍ以下の全流量のＨ２分率が好ましくは０．５〜０．８のＨ２とＯ２の炎を放出する。
【００５５】
ウェハ５０のエッジ領域のエッチングは、基板処理方法１０（図１Ａ〜図１Ｃ）を使用する基板エッジ処理装置１００を使用することにより高速で行われる。ウェハ５０のエッジのエッチング速度は、暴露幅、ウェハの周囲及び回転速度を考慮して計算することができる。例えば２０００ÅのＳｉＯ２が形成された円周２００ｍｍのウェハを２ｒｐｍで回転させ、エッジ領域のＳｉＯ２薄膜を１回転で完全に除去する場合を考える。ウェハエッジでの燃焼炎の暴露幅が５ｍｍ（０．２５６ｍｍのノズル穴を使用）であるとすると、暴露部分（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｆｒａｃｔｉｏｎ）は５ｍｍ／（６２８ｍｍ×２ｒｅｖ／ｍｉｎ）＝０．００４ｍｉｎ／ｒｅｖと算出することができる。エッチング速度は、２０００Å／ｒｅｖ（除去）を暴露部分で除算することによって近似することができる。すなわち、２０００Å／ｒｅｖ÷０．００４ｍｉｎ／ｒｅｖ＝５００，０００Å／ｍｉｎ（ＳｉＯ２除去）となる。暴露幅が２ｍｍである場合は、除去速度は１，２５６，０００Å／ｍｉｎになる。これらの考察と仮定に基づくと、多結晶シリコン薄膜は約３×１０６Å／ｍｉｎでエッチングされ、フォトレジスト薄膜は約４．６×１０６Å／ｍｉｎでエッチングされ、タンタル薄膜は約１×１０６Å／ｍｉｎでエッチングされる。すなわち、エッチング速度は非常に高くなり、ウェハの高い処理スループットを達成することができる。
【００５６】
そのため、比較的効率的で費用対効果が高く、基板にダメージを与えないか、さらなる処理工程を必要としない方法及び装置が提供される。上述した基板処理方法及び装置は、ウェット化学処理、ドライプラズマ処理、エッジ領域を含むウェハを処理するための研磨方法に固有の問題を回避することができる。利点としては、例えば、処理速度と処理スループット、実質的に大気圧での処理、イオン性ダメージを生じさせないこと、基板表面の特定領域を正確に処理できることが挙げられる。ウェハのエッジ処理に関連するさらなる利点は、完全な膜厚から減少した膜厚へのスムーズなエッチング面の遷移である。これらは基板ウェハ処理において重要な利点である。実施形態の説明は単に例示を目的としたものであり、本発明の要旨から逸脱しない変形も本発明の範囲に含まれる。従って、そのような変形及び変更も本発明の範囲から逸脱するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１Ａ】本発明の好適な実施形態の基板表面処理方法の概略図である。
【図１Ｂ】本発明の好適な実施形態の基板表面処理方法の概略図である。
【図１Ｃ】本発明の好適な実施形態の基板表面処理方法の概略図である。
【図２】図１Ａ〜図１Ｃに示す方法を使用する基板処理装置としての本発明の好適な実施形態の概略図である。
【図３】図２に示す装置の好適な実施形態のノズルアセンブリの詳細図である。
【図４】図１Ａ〜図１Ｃに示す方法を使用する基板ウェハエッジ処理装置としての本発明の好適な実施形態の概略図である。
【図５】図４に示す装置の好適な実施形態のエッジ型ノズルアセンブリの詳細図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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