(57)【要約】  モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための方法及びセンサユニットを提案する。このセンサユニットは、マイクロマシンセンサ構造を有しており、このセンサ構造に対応配置された第１の部分構造は、回路に対応配置された第２の部分構造と同時に形成され、センサ構造の構造特性を調整するためには、不変の第２の部分構造において第１の部分構造のプロセスバリエーションが行われる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシック集積回路（３０）及びマイクロマシンセンサ構造（２０）を有するセンサユニット（１０）を製作するための方法において、
センサ構造（２０）が第１の部分構造（２１）を有しており、回路（３０）が第２の部分構造（３１）を有しており、第１の部分構造（２１）を形成するためには第１のドーピング領域（２５）を、且つ第２の部分構造（３１）を形成するためには第２のドーピング領域（３５）を基板（１）に形成し（請求項２及び明細書第８頁第７行及び第１７〜１８行）、しかも、第１及び第２のドーピング領域を同じドーピングプロセスで形成し、このドーピングプロセス中に、第１のドーピング領域（２１，２５）には第１のドーパント濃度（２６）をもたらし且つ第２のドーピング領域（３１，３５）には第２のドーパント濃度（３６）をもたらし、この場合、第１のドーパント濃度（２６）が第２のドーパント濃度（３６）よりも低いことを特徴とする、モノリシック集積回路（３０）及びマイクロマシンセンサ構造（２０）を有するセンサユニット（１０）を製作するための方法。
【請求項２】
センサ構造（２０）がダイヤフラムを有しており、このダイヤフラムの厚さを、第１のドーピング領域のドーピングの規定に基づき調整する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１の部分構造（２１）及び第２の部分構造（３１）を、同一マスク平面を介して製作する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
第１のドーパント濃度（２６）を、第１の部分構造（２１）の格子状の構造化部を介して第１のドーピング領域（２５）にもたらし、この場合、前記格子状の構造化部が、第１の部分領域（２７）と第２の部分領域（２８）とにより交互に設けられており、第１の部分領域（２７）に第２のドーパント濃度（３６）をもたらし且つ第２の部分領域（２８）にはドーパントをもたらさない、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
第１の部分構造を、熱的な拡散プロセスを介して第１のドーピング領域から出発して形成する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。（特に明細書第６頁第２３〜２５行及び第１０頁第８〜１４行）
【請求項６】
モノリシック集積回路（３０）及びマイクロマシンセンサ構造（２０）を備えたセンサユニット（１０）において、
センサ構造（２０）に対応配置された第１の部分構造（２１）が第１のドーピング領域（２５）を有しており、回路（３０）に対応配置された第２の部分構造（３１）が第２のドーピング領域（３５）を有しており、第１のドーピング領域（２５）が第１のドーパント濃度（２６）を有しており、第２のドーピング領域（３５）が第２のドーパント濃度（３６）を有しており、第１のドーパント濃度（２６）が、第２のドーパント濃度（３６）よりも低いことを特徴とする、モノリシック集積回路（３０）及びマイクロマシンセンサ構造（２０）を備えたセンサユニット。
【請求項７】
第１の部分構造（２１）若しくは第１のドーピング領域（２５）が、第２の部分構造（３１）若しくは第２のドーピング領域（３５）よりも小さな厚さを有している、請求項７記載のセンサユニット。（明細書第７頁第１８〜２２行）
【請求項８】
第１のドーピング領域（２５）における第１のドーパント濃度（２６）が、第１の部分構造（２１）に格子状の構造化部を有しており、この格子状の構造化部が、比較的高いドーパント濃度の第１の部分領域（２７）と、比較的低いドーパント濃度の第２の部分領域（２８）とにより交互に形成されている、請求項７記載のセンサユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景技術
本発明は、請求項１の上位概念に記載の形式の、モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための方法から出発する。ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９９５７５５６号明細書から公知の半導体圧力センサでは、センサエレメントが電子評価装置と一緒に１つのチップに集積されて設けられていてよい。このような集積ユニットにおける欠点はしばしば、回路及びマイクロマシンセンサ構造のこのような集積ユニットを製作するために、これらを順次製作若しくは構造化せねばならないという点にあり、このことは、マスク平面の数若しくは一般にこのようなセンサユニットの製作時の手間を増やすものである。このようなセンサユニットの製作時のコストを削減するためには、少なくとも回路部分を、センサユニット部分と同時に製作することが努力されている。但しこの場合の欠点は、回路構造及びセンサ構造に関連するプロセスを結びつけることにより規定される、例えばセンサダイヤフラムの厚さ等の構造特性を、自由にコントロールすることができないという点にある。なぜならば、このような構造特性の変化、例えばダイヤフラム層の厚さの変化において、センサユニットの回路部分は最早正常には、若しくはその耐用年数全体にわたっては機能しないからである。それというのも、センサ構造において行われるプロセスバリエーションは、センサユニットの回路部分において、例えば特定のドーピング領域の厚さが、絶縁等を生ぜしめるためには最早不十分であるという影響を及ぼすからである。
【０００２】
発明の利点
これに対して、モノリシック集積回路を有するセンサユニットを製作するための本発明による方法及び従属請求項に記載の構成を有する本発明によるセンサユニットは、回路とマイクロマシンセンサ構造の両方に関して、互いに無関係に製作プロセスの最適化が実施可能であるという利点を有している。例えば規定されたマスク平面が、回路部分に絶縁ドーピング部を供与し且つセンサ構造に、規定された厚さのダイヤフラムを再現可能に同一形状で形成するためのエッチングストップを規定するためのドーピング領域を生ぜしめる、規定されたドーピング部の形成を惹起する場合は、本発明に基づき、センサ構造のダイヤフラムの厚さの構造特性が可変であり（例えばセンサユニットの異なる圧力領域に関して調整可能）、それにもかかわらずセンサユニットの回路領域では常に一定のドーピングが続くということが可能である。本発明による方法の１変化形では、センサ構造に対応配置された第１の部分構造が第１のドーピング領域を有しており、回路に対応配置された第２の部分構造が第２のドーピング領域を有しており、この場合、第１の部分構造は第２の部分構造と同時に形成され、しかも平均して第１のドーピング領域には、第２のドーピング領域にもたらされる第２のドーパント濃度よりも低い第１のドーパント濃度がもたらされる。このことは、簡単な手段でプロセスバリエーション延いてはセンサ構造の製作に必要なプロセス経過の最適化が、センサユニットの回路に関するプロセス経過を変えることなしに行われるという利点を有している。
【０００３】
有利には、第１の部分構造は第１のドーピング領域であり、第２の部分構造は第２のドーピング領域であり且つ／又は構造特性はセンサ構造の特定の寸法である。このことは、マイクロマシン構成素子を製作するため若しくは半導体回路を製作するための簡単な製作段階によって、例えば種々様々なドーピング領域又は異なる厚さのドーピング部等のプロセスバリエーションが、特に簡単に再現可能に且つ丈夫に実現可能であるという利点を有している。この場合、本発明では特に、完成したセンサユニットに最後に生じるドーパント濃度は、例えばセンサユニットの既にドープされた領域の高められた温度において実施される拡散プロセスの適用に基づき形成される。
【０００４】
更に有利には、プロセスバリエーションは、平均して第１のドーピング領域にもたらされ且つ第１のドーピング領域にもたらされた第２のドーパント濃度に比べて低い第１のドーパント濃度の変化を介して行われる。これにより、前記ドーピング領域にもたらされたドーパントの総量を、第１のドーピング領域と第２のドーピング領域との間で調整することができ、このことは拡散段階後に、例えば比較的厚いドーピング層又は比較的薄いドーピング層を生ぜしめる。有利には、本発明に基づき特に、第１の部分構造と第２の部分構造とが、同じマスク平面を介して製作される。このことは、センサユニットを形成するための製作コストが節約され得るという著しい利点を有している。なぜならば、同一マスク若しくは同一マスク平面が、回路を製作するためにも、センサ構造を製作するためにも使用されるからである。
【０００５】
本発明に基づき更に有利には、第１のドーパント濃度が、第１のドーピング領域に第１の部分構造の格子状の構造化部を介してもたらされる。この場合、この格子状の構造化部は、交互に第１の部分領域と第２の部分領域によって設けられており、しかも、第１の部分領域にはまず最初に第２のドーパント濃度がもたらされ、第２の部分領域にはドーパントはもたらされない。このようにして、異なるドーパント濃度をもたらすことのできる様々な部分領域のジオメトリックな寸法の変化に基づき、第１のドーピング領域にもたらされるドーパントの総量を制御することが可能である。
【０００６】
本発明の別の対象は、モノリシック集積回路及びマイクロマシンセンサ構造を備えたセンサ装置であり、センサ構造に対応配置された第１の部分構造が第１のドーピング領域を有しており、回路に対応配置された第２の部分構造が第２のドーピング領域を有しており、しかも、第１の部分構造の形成が、第２の部分構造の形成と同時に行われ、第１のドーピング領域には平均して、第２のドーピング領域にもたらされた第２のドーパント濃度に比較して低い第１のドーパント濃度がもたらされる。これにより、特に簡単な手段で、第１のドーパント濃度の変化に基づき、センサ構造の構造特性、特にセンサ構造の特定の寸法の変化を生ぜしめるためのプロセスバリエーションを供与することが可能である。有利には、第１のドーピング領域に形成された、第１の部分構造の格子状の構造化部を介して、第１のドーパント濃度がもたらされる。この場合、格子状の構造化部は交互に、より高いドーパント濃度の第１の部分領域と、より低いドーパント濃度の第２の部分領域とによって形成されている。これにより、平均して第１のドーピング領域に存在する第１のドーパント濃度を変化させることが、簡単な手段で可能である。
【０００７】
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。
【０００８】
図１及び図２には、公知のセンサユニット１０の横断面図が示されており、この場合、マイクロマシン構造２０は、回路部分３０若しくは電子回路３０と一緒にモノリシックに集積されて設けられている。センサ構造２０は、例えばキャビティ２０１を有しており、このキャビティ２０１の上位に示されたダイヤフラム構造は、種々様々な複数の領域を有しており且つ圧力変化若しくは一般的に力変化に際して、ダイヤフラムの一方の側（上面又は下面）に対して電気的な信号４を送信する。図１及び図２の左側部分に示した電子集積回路３０は、本発明では、センサ構造２０内の複数の測定装置を制御し、センサ構造２０の信号を評価し且つ処理（例えば調整又は適合等）を引き受けるために設けられている。センサユニット１０は、基板１若しくは基板材料１上に構成されており、この場合の基板材料１は、特に半導体材料、例えば単結晶のシリコン材料等である。基板材料１の上位には、例えばエピタキシ層２が付与されていてよく、このエピタキシ層２も、有利にはやはり半導体材料、特にシリコンから成っている。エピタキシ層２の上位には、例えば二酸化ケイ素材料又は別の絶縁性の層から成る絶縁層３が設けられている。様々な接触接続導体を電気的に絶縁し且つセンサユニット１０若しくはセンサ１０を保護するためには、別の複数の絶縁層、例えば第１の窒化物層４及び第２の窒化物層５が設けられていてよい。回路３０若しくはセンサ構造２０を機能させるために必要な別のドーピング部６，７，８も、やはり基板材料１にもたらされている。この場合、符号６を付したドーピング部は、例えばいわゆる下部絶縁（「ボトム絶縁」とも言う）であり、符号７を付したドーピング部は上部絶縁（「アッパ絶縁」とも言う）であり、符号８を付したドーピング部は導体層ドーピング部（「埋込み層」とも言う）である。
【０００９】
回路３０に関しては例えば、図１の左側部分に、従来の形式で機能する領域３０１を有する回路素子が示されており、この場合、この回路素子の種々様々な構成部材が、接触接続導体３０４を介して、回路３０の別の構成部材と接続されている。同様に、図１の右側部分では、センサ構造２０の領域に公知の形式で測定部材２０２が、ダイヤフラム構造内で且つキャビティ２０１の上位に設けられており、この場合、ダイヤフラムの片面に力が加わると、このダイヤフラムを変向させ、この変向は、測定部材２０２の領域の材料張力に基づき、評価可能な信号をもたらす。このためには、センサ構造２０が特に絶縁領域若しくは配線領域２０３、並びに測定部材２０２を接続するための接触接続導体２０４を有している。
【００１０】
今までに説明したセンサユニットの構成要素は従来技術から公知であり、以降の図面につき繰り返すが、個別に再度説明はしない。
【００１１】
本発明では、下部絶縁６（第２実施例、図５）も導体層ドーピング部８（第１実施例、図３）も、第１部分構造２１若しくは第２部分構造３１又は第１ドーピング領域２５若しくは第２ドーピング領域３５の機能を引き受けることができる。
【００１２】
図１若しくは図２に示したセンサユニットは、回路部分３０に例えば導体層ドーピング部８を有しており、この導体層ドーピング部８は、本発明の第１実施例（図３）では第２部分構造３１若しくは第２ドーピング領域３５の機能を引き受けている。本発明では、当該の導体層ドーピング部８（若しくは第２部分構造３１）は回路３０の機能に関して必然的に必要とされており、導体層ドーピング部８の変化形は、回路３０に機能低下作用を及ぼす恐れがある。図１に示した例では、（特にセンサユニットの低い製作コストを得るために）導体層ドーピング部８と同一の製作段階によって、センサ構造２０の領域に、やはり本発明の第１実施例（図３）において第１の部分構造２１若しくは第１のドーピング領域２５の機能を引き受けるドーピング部８がもたらされているということが判る。センサ構造２０の領域のこのドーピング部８は、センサ構造の特定の構造特性、例えばセンサダイヤフラムの所定の厚さ等の、センサ構造の所定の寸法を生ぜしめるために役立つ。センサ構造２０を形成するための製作プロセスを最適化するためには、構造特性、即ち例えばダイヤフラムの厚さを変えることが必要であってよく、これにより例えば、様々な圧力が特に高度な測定感度で以て検出可能になる。このような構造特性の変化形は、今や図１及び図２に示した公知のセンサユニットでは、例えばドーピング部８の厚さの変化形によっては変化され得ない。なぜならば、このことは前記構造特性の同時形成に基づいて、センサユニット１０の回路部分３０に影響を及ぼす恐れがあるからである。従って、従来技術では場合によっては費用のかさむバイパス手段が（例えば特殊ドーピングを用いて）開発されねばならないか、若しくは構造特性は全く又は不十分にしか変化され得ない。図２では、当該のドーピング部８は完全に省かれている、つまり、（回路部分用の）導体層ドーピング部８を形成する際に、センサ構造２０の領域にはドーピング部８が全く生ぜしめられないようなエッチングマスク若しくは構造化マスクが使用されている。これにより、キャビティ２０１を形成するためのエッチングストップとして、（図１に示したように）ドーピング部８が使用されるのではなく、やはりキャビティ２０１のエッチング（特にエッチングストップとしてのＰＮ移行部を備えたＫＯＨエッチング）用のエッチングストップが配置されていてよい、基板材料１とエピタキシ層２との間の移行部が使用される。但しこれによっては、単に極めて厚いダイヤフラム（図１参照）又は極めて薄いダイヤフラム（図２参照）を実現することだけが可能であるに過ぎず、その結果、例えば高圧と低圧の間の移行領域において圧力センサを供与するための、前記の両極端な厚さの間のダイヤフラム厚さは不可能である。
【００１３】
今、図３には本発明によるセンサユニット１０（図３ｄ）の第１実施例を形成するための、本発明による方法の第１実施例が概略的に示されており、この場合、ダイヤフラム厚さは可変である。図３ａにはまず、本発明によるセンサユニット１０を製作するための中間段階が示されており、この場合、基板材料１には第１のドーピング領域の第１の先行ドーピング部２５′と、第２のドーピング領域の第２の先行ドーピング部３５′とがもたらされている。図３ｂには、拡散プロセス（特に熱的な拡散プロセス）の実施後の状態が示されており、この場合、先行ドーピング部２５′，３５′から出発して、第１のドーピング領域２５及び第２のドーピング領域３５が形成された。第１のドーピング領域２５内で、この第１のドーピング領域２５は第１の部分領域２７及び第２の部分領域２８を有しているということが認識可能である。この場合、（先行ドーピング部２５′に対応する）第１の部分領域２７には、第２の先行ドーピング３５′の実現化と同時に、規定されたドーパント濃度を有する所定のドーパントがもたらされる。第１の部分領域２７の間若しくは隣に交互に位置する第２の部分領域２８には、同時に第２の先行ドーピング部３５′をドーピングするためのドーパントはもたらされない。このことは、第１のドーピング領域２５に関して第２のドーピング領域３５と比較して、第１のドーピング領域２５内には平均して、第２のドーパント濃度３６を有する第２のドーピング領域３５におけるよりも低い第１のドーパント濃度２６しか生ぜしめられないという結果を伴う。第１のドーピング領域２５及び第２のドーピング領域３５にもたらされた異なるドーパント濃度、若しくは特に異なるドーパント量は、第１のドーピング領域２５が、第２のドーピング領域３５よりも小さな、基板材料への侵入深さを有しているということを生ぜしめる。これにより、背面エッチング、特にＫＯＨエッチングによるキャビティ２０１の製作時に、別の高さのエッチングストップが、種々様々なダイヤフラム厚さを実現するために生ぜしめられる。
【００１４】
図３ｃには、エピタキシ層２を付与した後の状態が示されている。第１のドーピング領域２５は、第２のドーピング領域３５の厚さと比べて小さな厚さ若しくは基板材料１における深さを保持している。
【００１５】
図３ｄには、本発明によるセンサユニット１０の第１実施例が示されている。第１の部分構造２１及び第２の部分構造３１を形成するために、完全な並行プロセスが実施された図１に示したユニットと比較して、図３に示した第１のドーピング領域２５の比較的小さな厚さは、センサダイヤフラムの厚さが、符号２２で示した長さの差だけ減少されて形成されているということを生ぜしめる。第１のドーピング領域２５の下面若しくは第１の部分構造２１の下面においてエッチングストップを実現するためには、本発明では接触接続領域９が設けられており、この接触接続領域９は、コンタクト面若しくは接続導体（図示せず）に対する第１の部分構造２１の比較的低抵抗の接続を実現する。
【００１６】
図４に示した、第１のドーピング領域２５を構造化するための複数の実施例は、このような構造化の実例を表したものである。図４の左上部分には、複数の丸い第１の部分領域２７が例示されており、これらの部分領域２７において、第２のドーピング領域２５を形成するためにも使用されるドーパントが、基板材料１にもたらされる。第１の部分領域２７間には、交互に配置された第２の部分領域２８が設けられており、これらの第２の部分領域２８では、マスクによる被覆に基づき、ドーパントは基板材料１に全くもたらされない。従って、第１の部分構造２１若しくは第１のドーピング領域２５では平均して（面積当たり）比較的少量のドーパント量が得られ、この比較的少量のドーパント量は、（拡散プロセス後に）第２のドーピング領域３５との比較において、第１のドーピング領域２５のより小さな厚さを生ぜしめる（図３ｃ参照）。図４の右上部分には、第１の部分領域２７及び第２の部分領域２８の配分が逆の配置形式が示されている。この場合、第１のドーピング領域２５及び第２のドーピング領域３５にドーパントをもたらす際の構造化マスクは逆に形成されているので、基板材料１にドーパントがもたらされない領域を提供する、丸く設けられた第２の部分領域２８の周囲は、第１の部分領域２７によって完全に包囲されている。第１のドーピング領域２５におけるドーパント量を更に変えるためには、第１の部分領域及び第２の部分領域の相対的な配分を変化させることができる。図４の左下の図面を参照すると、第１の部分領域２７はより一層小さく形成されているので、第２の部分構造３１若しくは第２のドーピング領域３５を形成するために必要なドーパント濃度が浸透可能な面積が縮小される。図４の右下部分には、第１の部分領域２７及び第２の部分領域２８の六方配置形式が示されている。
【００１７】
図５には、本発明によるセンサユニット１０を形成するための、本発明による製作法の第２実施例が示されており、この第２実施例では、第１の部分構造２１が、図１及び図２に符号６で示した回路領域３０の下部絶縁と一緒に構成されることにより、ダイヤフラム厚さの更なる減少が得られる（図５ｄに示したダイヤフラム厚さの差２２を参照）。従って前記下部絶縁は、本発明によるセンサユニット１０の第２実施例では、第２の部分構造３１として理解される。本発明によるセンサユニット１０の第１実施例（図３）で用いた、第２の部分構造３１に関する拡散部は、センサユニット１０の回路部分３０に関して引き続き必要であり且つ図５では符号８で示されている。本発明によるセンサユニット１０若しくは本発明によるセンサユニット１０を製作するための方法の第１実施例において符号６で示した、センサユニット１０のいわゆる下部絶縁に相当する拡散部は、本発明によるセンサユニット１０の第２実施例では、第２の部分構造３１として利用され且つ第１の部分構造２１と一緒に形成若しくはプロセッシングされている。下部絶縁６の拡散は、例えば導体層ドーピング部８の拡散後に実施され且つ第２のドーピング領域３５の先行ドーピング部３５′を生ぜしめる（図５ａ及び図５ｂ参照）。第１のドーピング領域２５にはやはり、この第１のドーピング領域２５が第２の部分構造３１若しくは第２のドーピング領域３５よりも少量のドーパントを面積当たりで有しているように、構造化部が設けられている（図５ｃ参照）。このためには、第１実施例の場合と同様に、第１の部分構造２１若しくは第１のドーピング領域２５が、図４に例示したように交互に第１の部分領域２７と第２の部分領域２８とに分けられている。その結果、このことは本発明によるセンサユニット１０の第２実施例において、第１のドーピング領域２５とエピタキシ層２との間の境界が、キャビティ２０１を形成するためのエッチングストップとして働くということを生ぜしめる。
【００１８】
即ち、本発明では、センサ構造２０の領域のダイヤフラム層の厚さが、回路領域３０を製作するためのプロセスを変える必要なしで、大幅に可変である。それどころかこの場合、ダイヤフラム厚さの変更は比較的連続して行うことができるので、センサ構造２０の製作の最適化が可能である。これにより更に本発明では、検出しようとする圧力領域に対するダイヤフラム厚さの最適な適合を行うことが可能である。本発明では、ダイヤフラム構造を絶対圧力センサとしても、差圧センサとしても使用することができる。特に、比較的薄いダイヤフラムを形成する可能性に基づいて、例えばタンク圧センサ用の、圧力センサユニットの高い感度が重要である低圧センサを製作することが可能である。特に薄いダイヤフラムを製作する可能性に基づき、当該方法は、特に低いチップコストが重要なセンサに適用可能である。なぜならば、同じ感度のダイヤフラムユニットにおいて、著しく小型のダイヤフラムを、より小さな厚さのダイヤフラムによって実現することができるからである。本発明に基づき有利には、ダイヤフラム厚さは制御及び適合可能であり、更に、再現可能な一定のダイヤフラム厚さが、ＰＮエッチングストップの配置により実現可能である。この場合、新たな又は付加的なプロセス段階及び／又はマスク平面は不要である。即ち本発明では、センサ構造２０の最適化の、回路構造の最適化からの分離を行うことができる。第１のドーピング領域２５内に第１の部分領域２７及び第２の部分領域２８を適宜配置することにより、ドーパントの熱的な又はその他の拡散後に１つのつながった領域（第１のドーピング領域２５）を形成することが可能であり、この領域には、エッチングストップとして働くことができるようにするために、相応に高い濃度のドーパント（第１のドーパント濃度２６）が存在する。但しこの場合、当該ドーパント濃度は、第２のドーピング領域３５若しくは本発明によるセンサユニット１０の第２の部分構造３１における第２のドーパント濃度３６よりも低い。
【００１９】
基板材料１は、特に弱くポジティブにドープされたシリコン材料である。エピタキシ層２は、特に弱くネガティブにドープされたエピタキシ層２である。導体層ドーピング部８（図５）は、特に比較的強くネガティブにドープされた領域なので、特に導体層が接触接続領域９を介して、キャビティ２０１のエッチング用のエッチング媒体に対して相応のポテンシャルに保持される場合は、導体層ドーピング部と基板１との間に、エッチングストップ特性を有するＰＮ移行部が生じる。下部絶縁のドーピング部（図３のドーピング部６若しくは図５の第２のドーピング領域３５）は、特に比較的強いポジティブなドーピング部として設けられているので、エピタキシ層２に対してエッチングストップ特性が得られる。
【００２０】
所望のダイヤフラム厚さ延いては第１のダイヤフラム領域２５の厚さに応じて、ウェブに対する孔の様々な比率を有する第１の部分領域２７及び第２の部分領域２８の種々様々な格子ジオメトリを用いることができる。特に、方形配置形式（図４の右下以外の配置形式）又は六方配置形式（図４の右下の配置形式）を選択することが可能である。本発明では勿論、別の格子ジオメトリも考えられる。第１の部分領域２７若しくは第２の部分領域２８の形状も、本発明では任意に選択可能である。図４に示した丸い構成の代わりに、例えば正方形又は方形の構造、又は第１及び第２の部分領域のつながった、例えばメアンダ状或いはその他の構造化も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】集積回路及びマイクロマシンのセンサ構造を備えた公知のセンサユニットの横断面図である。
【図２】集積回路及びマイクロマシンのセンサ構造を備えた公知のセンサユニットの横断面図である。
【図３】本発明によるセンサ構造の第１実施例を形成するためのプロセス段階を説明するための断面図である。
【図４】第１のドーピング領域の構造化の様々なバリエーションを上から見た概略図である。
【図５】本発明によるセンサユニットの第２実施例を形成するための様々な製作段階を示す横断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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