(57)【要約】半導体基板（１８９）において層をパターニングする方法（３０）は、半導体基板の層を形成する段階と、光（１８１）にその層を露光する段階とを有する。光は、第１ペリクルを透過する第１光の第１透過を決定する（３２）手順であって、第１透過は第１ペリクルに対して垂直である、手順と、第１ペリクルを透過する第２光の第２透過を決定する（３４）手順であって、第２光は第１ペリクルに対して非垂直である、手順と、第１及び第２透過を用いて第２ペリクルを形成するように第１ペリクルを修正する（３６）手順とを有する方法により形成される第２ペリクル（１８５）を透過する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板において層をパターニングする方法であって：
前記半導体基板において層を形成する段階；並びに
光に対して前記層を露光する段階であって、前記光は第２ペリクルを透過し、前記第２ペリクルは約５μｍ以下の厚さを有し、前記第２ペリクルは、
第１ペリクルを透過する第１光の第１透過を決定する手順であって、前記第１光は前記第１ペリクルに対して垂直である、手順と、
前記第１ペリクルを透過する第２光の第２透過を決定する手順であって、前記第２光は前記第１ペリクルに対して非垂直である、手順と、
前記第１光の前記第１透過及び前記第２光の前記第２透過を光近接補正予測処理に組み込む手順と、
前記第２ペリクルにおける特徴を生成するように、前記光近接補正予測処理を用いる手順と、
を有することを特徴とする方法により形成される、段階；
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用い、前記第２ペリクルは１μｍ以下の厚さを有することを更に特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用い、前記第２ペリクルは第１層と、前記第１層における第２層とを有し、前記第１層は前記第２層より大きい屈折率を有することを更に特徴とする、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用い、前記第１層の前記屈折率及び前記第２層の屈折率は少なくとも１０％の差を有することを更に特徴とする、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用い、前記第２ペリクルは徐々に変化する屈折率を有することを更に特徴とする、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルが非垂直角度で進む光の第２透過強度を有し、そして前記第１ペリクルが非垂直角度で進む光の第１透過強度を有するように、前記第１ペリクルを透過する光の透過強度を増加させ、前記第２透過強度は前記第１透過強度より高いことを更に特徴とする、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、非垂直角度で前記第２ペリクルを透過する前記光の強度に対してより同じようになるように垂直角度で前記第２ペリクルを透過する前記光の強度を変えることを更に特徴とする、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記第２ペリクルを得るように前記第１ペリクルを用いることは、前記第２ペリクルを形成するように前記第１ペリクルに層を付加することを更に特徴とする、方法。
【請求項９】
半導体基板において層をパターニングする方法であって：
前記半導体基板において層を形成する段階；並びに
光に対して前記層を露光する段階であって、前記光は第１角度及び第２角度でペリクル及びマスクを透過し、前記第１角度は前記ペリクルに対して垂直であり、前記第２角度は前記ペリクルに対して非垂直であり、前記マスクは特徴を有し、前記ペリクルは、
前記ペリクルを前記第１角度で透過する光の第１透過を決定する手順と、
前記ペリクルを前記第２角度で透過する光の第２透過を決定する手順と、
光の前記第１透過及び前記第２透過をパターニング処理の光近接補正予測に組み込む手順と、
前記マスクにおいて特徴を生成するように、前記第１透過及び前記第２透過を有する前記光近接補正予測を用いる手順と、
を有することを特徴とする方法により形成される、段階；
を有することを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、ペリクルを用いる半導体装置の形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペリクルは、埃等の空気汚染により、半導体基板上の層のパターンに対して用いられるマスクを保護するための薄膜であり、それ故、空気汚染により、そのパターンが半導体基板上にミスプリントされないようにする。ペリクルは不所望に埃を収集するために、ペリクル上の埃及び他の粒子がプリントされないように、ペリクルはレチクルから十分に遠く（例えば、２ｍｍ）離れている必要がある。フォトリソグラフィ処理への影響を回避するように、ペリクルは透明な膜である。
【０００３】
光がマスクを透過し、ペリクルを透過するとき、光は、環境とペリクルとの間の最初の界面で反射（外部反射）され、その光の一部はペリクル内で反射（内部反射）される。ペリクルについての材料及び厚さは、光の透過が最適化されるように、ペリクルに対して垂直に進む光の内部反射及び外部反射が互いに相殺されるように選択される。
【０００４】
半導体製造で用いられている従来技術のペリクルは、薄い（即ち、３μｍ以下の厚さ）有機高分子フィルムである。従来技術はまた、取り外し可能なフォトリソグラフィレンズ要素として、マスク汚染制御及び機能を光学的に与える厚い（即ち、６００μｍ以上の厚さ）無機材料基板を調査することを含んでいる。それらの厚い無機材料基板は“ハードペリクル”と呼ばれ、改善された溶融シリカ等の材料から成るものである。従来技術におけるペリクルは、ペリクルに対して垂直の角度でペリクルに入射する光についてのみ、最適化されているが、厚い無機材料のハードペリクルについて及びフォトリソグラフィシステムにおいてレンズを設計するときには、非垂直角度が考慮されてきた。更に、従来技術におけるペリクルは、反射防止コーティングを含まないが、そのようなコーティングは、光学レンズ要素におけるフォトリソグラフィのパターニング中の反射を低減させるように、半導体ウェーハにおいて用いられ、厚い無機材料のハードペリクルについて考慮されてきた。
【０００５】
半導体装置の特徴（例えば、トランジスタ長）のサイズが小さくなるにつれて、ペリクルを透過する光の角度は大きくなる。それ故、半導体装置の特徴寸法が小さくなるにつれて、大きい装置特徴のために用いられるペリクルはもはや、より小さい寸法については最適化されない。それ故、より小さい装置特徴のために用いることができるペリクルをどのように製造するかについて決定する方法が必要とされている。
【特許文献１】米国特許第６８２４９３０Ｂ１号明細書
【特許文献２】特開平０４−１３０７１１号公報
【特許文献３】欧州特許第０３７３９２３Ａ２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明においては、特許請求の範囲に記載されている最適なされたペリクルを用いて半導体装置を形成する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
装置寸法が減少するにつれて、フォトリソグラフィのステップにおいて、光は非垂直角度（即ち、ペリクルに対して垂直である角度と実質的に異なる何れかの角度（例えば、１０°以上））でペリクルを透過する。ここで用いている全ての角度は垂直方向から測定されたものである。それ故、０°は垂直である。本発明者は、４５ｎｍ又はそれ以下の装置寸法のフォトリソグラフィのパターニングについて、従来の（３ｎｍ以下の厚さの）薄いペリクルを透過する光の非垂直角度は、パターニング処理において顕著な負の影響を有する。それ故、従来技術において行われているような、ペリクルに対して垂直に進む光についてのペリクルの最適化は、そのような非垂直角度においてペリクルを透過する光について、ペリクルを最適化することはできない。
【０００８】
図１は、厚さΔＺを有するペリクル１０を示している。光１２はペリクルに対して垂直であり、光１４のように、ペリクル１０を透過する、その光の一部は、光１８として後方に反射し、その場合、光２０としてペリクルから出射する。その光２０は、光１２がペリクルに入射するのと同様のペリクルの側に、ペリクルから出射する。それ故、更なる説明の後に十分に理解できるであろうように、光２０は、光１２として入射するのと同様のペリクルの側からペリクル１０を出射するために、半導体基板における層をパターニングするようには用いられない。そのように、光２０はペリクル１０を透過しない。それとは対照的に、非反射光はペリクルを透過し、光１２がペリクルに入射したのと反対側から、光１６としてペリクルから出射する。ペリクル１０を透過する光１４が進む距離はペリクルの厚さΔＺである。更なる説明の後に十分に理解できるであろうように、光１６は、半導体基板における層をパターニングするように用いられることが可能である。
【０００９】
光１２とは対照的に、光２２は、ペリクル１０に対してある角度でペリクルに入射する。光１２の一部は、厚さΔＺより大きい距離を、光２４としてペリクルを透過する。より具体的には、光２４は、ｃｏｓαで除算された厚さΔＺである距離を進む。しかしながら、光１２と同様に、光２２の一部は、光２８としてペリクル１０内を反射し、その場合、ペリクル１０に入射する光２２と同じペリクル１０の側から、光３０としてペリクルを出射する。反射されない光は、光２２がペリクルに入射したのと反対側において光２６としてペリクルから出射し、半導体基板における層をパターニングするために用いられることが可能である。角度αは、ペリクルを出射する光２６とペリクル１０との、具体的には、ペリクル１０の最下部に対する垂直方向との間の角度である。ペリクル１０の最下部は、光１６がペリクル１０を出射する側である。ペリクルの透過が、光１６について最適化される場合、ペリクルはまた、光１４がペリクルの厚さΔＺである距離を進むために、ペリクルを出射する光２６について最適化されず、光２４は、ｃｏｓαで除算されるペリクルの厚さΔＺである距離を進む。それ故、ペリクル１０の最適化が必要である。
【００１０】
図２に、第２ペリクルを得るように第１ペリクルを用いる方法について示している。一実施形態においては、これは、第２の製造処理を構成する第１ペリクルを形成するように用いられる第１の製造処理の改善を有し、その第２の製造処理は第２ペリクルを形成するように用いられる。先ず、第１ペリクルに対して垂直である第１光（例えば、光１２）の第１透過が決定される３２。次に、垂直角度以外の角度における第２光（例えば、光２２）の第２透過が、所定のペリクルについて決定される３４。一実施形態においては、所定のペリクルは、１つの層のみを有する従来型のペリクルである。換言すれば、第２光は第１ペリクルに対して垂直でない。一実施形態においては、選択された角度は、フォトリソグラフィのパターニングを生じる最大角度である。例えば、その角度は、１０°又は１２°に等しい又はそれらより大きいことが可能である。他の実施形態においては、その角度は、実際には、１０°乃至１５°のようなある角度範囲にある。
【００１１】
一実施形態においては、第１透過及び第２透過は、光電子増倍管を有する光検出器を用いて種々の角度の透過の測定値に基づいて決定される。その測定は、ある時間において又はある時間の期間に亘って実行されることが可能である。他の実施形態においては、その測定は、非垂直入射光の２つの異なる偏光モード（即ち、電気的横波及び磁気的横波）について別個に実行されることが可能である。他の実施形態においては、第１透過及び第２透過は、フレネルの式及びスネルの式を用いるシミュレーションのような間接的測定に基づいて、決定される。
【００１２】
一実施形態においては、決定された透過に基づいて、ペリクルは、垂直角度及び非垂直角度の両方でペリクルに入射する光の透過強度が、それらがペリクル１０から出射するときに、互いに対してより小さくなるように、最適化される。換言すれば、第１ペリクルは、図２に示すように、第１透過及び第２透過を用いて、第２ペリクルを構成するように修正される。垂直角度及び非垂直角度における出射光の透過強度は、それらがペリクル１０を透過する異なる距離において位相及び透過率における差分が得られないときに、互いにより同じようになる。一実施形態においては、ペリクルは、有機フッ素ポリマー等のポリマー材料である。ペリクルは種々の方法で最適化されることが可能であり、下で説明する方法は、ペリクルを最適化するように、単独で又は共に用いられることが可能である。
【００１３】
一部の実施形態においては、ペリクルの最適化は、第１ペリクルのフィルムの特性を改善することを有する。一実施形態においては、第１ペリクルの厚さは減少される。しかしながら、それらのフィルムがより薄くなる場合、ペリクルに対して垂直である光によりペリクルが透過される距離と非垂直角度でペリクルに入射する光の距離との間の強度差は減少する。換言すれば、ペリクルが薄くなればなる程、非垂直入射光及び垂直入射光により進む距離の差は小さくなり、それ故、透過強度の差はより小さくなる。それ故、それらのフィルムはできるだけ薄い、例えば、約５μｍ以下、より好適には、約３μｍ以下、更に好適には、約０．７μｍ以下であることが望ましい。好適に選択された厚さは、後続のフォトリソグラフィ処理で用いられる光の角度全てについて最も高い透過を与えるものである。他の実施形態においては、ペリクルの厚さは、ペリクルに対して垂直である光の透過に対して好適な厚さでないように、修正される。それに代えて、ペリクルに対して垂直である光のより低い透過と、ペリクルに対する最大角度で進む光のより高い透過を与える厚さが選択される。一実施形態においては、垂直光及び最大角度光についての好ましい厚さの平均が選択される。他の実施形態においては、最大角度においてペリクルを透過する光についてより良く、垂直光についてより悪い何れかの厚さが選択される。この最後の実施形態は、ペリクルに入射する何れかの光の最大角度が約１５乃至２０％である場合に、最も有用である。
【００１４】
上記のように、ペリクルの厚さは修正されることが可能である。その厚さは、一層又は多層を有することが可能である、ペリクルの全体的な厚さであることが可能である。他の実施形態においては、ペリクルが複数の層を有する場合、ペリクルの各々の層の厚さは修正される。一部の実施形態においては、多層のペリクルが用いられる。多層のペリクルは少なくとも２層を有する。（多層のペリクルは、単層のペリクルに比べて複数の角度においてペリクルの透過の均一性を改善することが可能であるため、多層のペリクルは、単層のペリクルに比べてより好ましいものである。）異なる層は異なる屈折率を有することが可能である。各々の層についての厚さ及び屈折率は、ペリクルに対して最大角度でペリクルを透過する光が十分な透過を有するように、最適化されることが可能である。一実施形態においては、十分な透過は約９５％の透過である。一実施形態においては、約５００ｎｍの厚さ及び約１．５３の屈折率を有する層が、約５００ｎｍの厚さ及び約１．８の屈折率を有する層の上に形成される。それ故、一実施形態においては、屈折率において約１０％の差に等しい又はそれ以上を有する２つの層が用いられることが可能である。
【００１５】
他の実施形態においては、ペリクルは、連続的に変化する屈折率を有する。その連続的に変化する屈折率は、連続的な屈折率を共に構成する複数の層又は単独の層を用いる連続的に変化する層によるものであることが可能である。ペリクルが連続的に変化する層を有する実施形態においては、連続的に変化する層は、単独で、又は複数層のペリクルの１つ又はそれ以上の層として用いられることが可能である。連続的に変換する層は、後続のフォトリソグラフィ処理のために用いられる光の波長に対して連続的に変化するものである。それ故、フォトリソグラフィが１９３ｎｍの光を用いて実行される場合、連続的に変化する層は、１９３ｎｍの光に対して連続的に変化する。その連続的に変化する層は、屈折率がその連続的に変化する層の厚さに伴って変化するように形成される。それ故、その連続的に変化する層の一表面は、その連続的に変化する層の他の表面と異なる屈折率を有する。
【００１６】
連続的に変化する層は、従来の処理により形成されることが可能である。一実施形態においては、連続的に変化する層は、後続してフォトリソグラフィ処理で用いられる波長と異なり、その層により吸収される波長によりその層を露光することにより形成される。その波長は、反応が起こる領域において屈折率を変化させるように、その層の最上部で反応する。一実施形態においては、ホログラフィックフィルムを製造するときに用いられる処理と類似する処理が用いられる。一実施形態においては、１９３ｎｍの光に対して高い透過性を有するが、１５７ｎｍの光の吸収性が高いポリマーフィルムが、１５７ｎｍの光に対して露光されることが可能である。１５７ｎｍの光の吸収は、屈折率における変化をもたらすポリマーフィルムにおける化学的変化をもたらすことが可能である。そのポリマーフィルムにおいて１５７ｎｍの光が吸収されるために、そのポリマーフィルムにおける１５７ｎｍの光の強度は、ポリマーフィルムの表面からの距離の関数である。それ故、結果的に得られる屈折率はまた、ポリマーフィルムの表面からの距離の関数である。
【００１７】
他の実施形態においては、第１ペリクルは、そのペリクルに層を付加することにより修正されることが可能である。上記のように、その層は連続的に変化する層であることが可能である。他の実施形態においては、反射防止膜のようなコーティングが第１ペリクルに適用されることが可能である。一実施形態においては、第１溶剤（例えば、有機溶剤）に可溶性である第１有機ポリマーコーティングが、第１ペリクル薄膜に対してスピンコートされる。第２溶剤（例えば、水）に可溶性である第２有機ポリマーコーティングが、２つの層を有する薄いペリクルを生成するように第１ペリクル薄膜の最上部にスピンコートされることが可能である。第１ペリクルフィルムの膨張を回避するように、第１有機ポリマーは、好適には、第２溶剤において可溶性でない。第１コーティング及び第２コーティングの両方は有機フッ素ポリマーであることが可能であるが、そうである場合、それらは異なる機能群を有する。一実施形態においては、第１ペリクル薄膜は、４０乃至７０ｎｍの厚さ及び１．８０の屈折率を有し、第２ペリクル薄膜は、約３５ｎｍの厚さ及び１．４５の屈折率のマスクと同じ屈折率を有することが可能である。この実施形態においては、第２ペリクル薄膜は、１９３ｎｍの波長を有する入射光に対して１／４波長反射防止コーティングとしての役割を果たす。他の実施形態においては、三層の薄いペリクルが、第１ペリクル薄膜の上及び下の両方に、約３５ｎｍの第２ペリクル薄膜を位置付けることにより生成される。
【００１８】
他の実施形態においては、第１有機ポリマーはポリマープル（ｐｏｌｙｍｅｒ  ｐｕｌｌ）により引っ張られ、そのポリマープルは、第１ペリクル薄膜を形成するための感熱ポリマーの塊である。第２反射防止薄膜は、第１ペリクル薄膜上に気相成長される。第２薄膜は、無機材料か又は有機材料のどちらかである。第１薄膜及び第２薄膜の組み合わせは２層ペリクルを生成する。複数の付加薄膜が、多層ペリクルを生成するように、第１ペリクル薄膜上に気相成長されることが可能である。
【００１９】
第２ペリクルを形成するように第１ペリクル形成処理を修正した３６後、第２ペリクル及びマスクが、半導体装置を形成するためのステップである半導体基板上の層をパターニングする方法の一部として、半導体基板上に層を形成するように用いられる。下で説明するように、図３に示す装置１８０は、半導体基板上の層をパターニングするように用いられることが可能である。
【００２０】
第１透過及び第２透過が決定された後、第１透過及び第２透過が、パターニング又はフォトリソグラフィ処理の光近接効果（ＯＰＣ）予測に組み込まれる３７。（その組み込み、及び特徴を生成するようにＰＯＣ処理を用いる後続のステップが、第２ペリクルを用いる３８前に実行される必要がある。しかしながら、その組み込み、及び特徴を生成するようにＰＯＣ処理を用いる後続のステップは、ステップ２６の後、前又は同時に実行されることが可能である。）例えば、装置１８０のパターニング挙動のモデル（図３に示す）は、半導体基板上に最適な特徴のサイズを得るように用いられることが可能である。（フォトリソグラフィ処理のモデルを用いるマスク特徴のサイジングについての従来技術の最適化は、ペリクルに入射する光の角度の関数として、ペリクルを透過する光透過を組み込んでいない。）一実施形態においては、ペリクルにおける入射光角度に対する透過強度は、光学系における空間周波数フィルタとして説明される。この空間周波数フィルタは、光近接効果（ＯＰＣ）の光学画像シミュレーションにレンズ収差又はレンズアポダイゼーションを組み込む従来技術の方法を用いるＯＰＣ処理に組み込まれることが可能である。その空間周波数フィルタの組み込みは、図３の装置１８０の挙動をより正確に適合させるように、ＯＰＣのウェーハ光強度演算を修正することができる。例えば、Ｍｅｎｔｏｒ  Ｇｒａｐｈｉｃｓ（登録商標）社（米国オレゴン州Ｗｉｌｓｏｎｖｉｌｌｅに本社がある）製又はＳｙｎｏｐｓｙｓ社（米国カリフォルニア州Ｍｏｕｎｔａｉｎｖｉｅｗに本社がある）製の従来のＯＰＣソフトウェアを用いることが可能である。ＯＰＣ処理は、その場合、半導体基板上の層をパターニングするように第２ペリクルにより用いられるマスクにおいて、特徴、例えば、所定の特徴サイズを生成するように用いられる３９。従来の処理は、マスクにおける特徴を生成するように用いられるものである。
【００２１】
図２の方法における第２ペリクルであるペリクル１８５を用いるマスク１８４の露光で用いることができる装置１８０が、図３に示されている。装置１８０は、光源１８１と、コンデンサシステム１８２と、マスク１８４と、図２の方法における第２ペリクルであるペリクル１８５とを有する。コンデンサシステム１８２は、光源１８１から生成された光を受け入れ、ウェーハ１８９に適用される特徴を有するマスク全体１８４にその光を適用する。一実施形態においては、それらの特徴は、図２のＯＰＣ処理ステップ３７及び３９からもたらされる特徴を有する。その場合、マスク１８４は、コンデンサシステム１８２から受け入れられる光の一部を遮蔽する。光は、マスク１８４を透過し、空気中の汚染がマスク１８４に付かないようにするペリクル１８５を透過し、投影光学系１８６に達する。投影光学系１８６は、その場合、マスク１８４にあるパターンに従ってフォトレジストが選択的に露光されるように、フォトレジストに光をフォーカシングする。従来の処理が、半導体装置を形成するように継続される。
【００２２】
一実施形態においては、透過強度は、ペリクル１８５を透過する光の角度全てについて完全には均一でない。例えば、約１５°の角度についての透過光強度は、垂直角度における透過光強度より高いことが可能である。ペリクル１８５を透過する透過強度におけるこの差は、半導体基板上の層のパターニングを変える可能性がある。ウェーハ１８９上の特徴をより正確に規定するように、ペリクル１８５を透過する透過光強度におけるこの差が、装置１８０のパターニング能力のＯＰＣを実行するときに含まれることが可能である。
【００２３】
他の実施形態においては、ペリクル１８５は、そのペリクルを透過する何れの角度の透過がより同じようであるように修正されるため、投影光学系１８６の方に及び最終的にウェーハ１８９の方に透過する光は、マスク１８４からペリクル１８５の方に透過する光に対して同じような強度を有することが必要である。上記においては、修正されたペリクルを用いて半導体層上に層を形成する方法を提供していることが理解できる。修正されたペリクルを用いるとき、垂直角度でペリクルに入射する光は、ペリクルを出射する光に対して強度が実質的に同様であるが、非垂直角度でペリクルを出射する光としてペリクルを出射する。異なる角度でペリクルを出射した光の間の透過及び強度の割合は類似している。上記においては、本発明について、特定の実施形態を参照して説明している。しかしながら、当業者は、同時提出の特許請求の範囲に記載されている本発明の範囲から逸脱することなく、種々の修正及び変形を行うことが可能であることを理解することができる。従って、本明細書及び図は、限定的なものではなく、例示的なものであるとみなされ、そのような修正の全ては、本発明の範囲内に包含されるように意図されている。
【００２４】
効用、他の有利点及び課題に対する解決方法については、特定の実施形態に関連付けて、上で説明している。しかしながら、何れかの効用、有利点、解決方法が存在する、又はより明確になるようにする効用、他の有利点、課題に対する解決方法は、請求項の何れかの又は全ての重要な、必要な又は本質的な特徴として解釈されるべきものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】例示として与えられる、本発明の一実施形態に従ったペリクルの断面図である。
【図２】例示として与えられる、本発明の一実施形態に従った第１ペリクルを用いることにより第２ペリクルを得る方法を示す図である。
【図３】例示として与えられる、本発明の一実施形態に従った、図２の方法により形成されるペリクルを用いてパターニングされた半導体層を形成する装置を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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