(57)【要約】  本発明はリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法を開示している。本発明は光学イメージングシステムによって、レチクルを通った光束によるレチクルパターンを像形成するステップと、光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布を変更することにより、所定のツールを使用して線幅の複数グループを測定するステップと、線幅の非対称及び不均一を計算し、そして光学イメージングシステムの収差を計算するステップと、を含む。本方法に係る収差測定では、測定プロセスを簡単にすることができ、像質のパラメータの測定精度を高めることができ、測定時間を短縮することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記光学イメージングシステムは、
光束を発生する光源と、
前記光源から放射された光束の強度分布を調節する照明システムと、
ウェハの上へレチクルパターンを像形成する光学イメージングシステムと、
前記レチクルを支持しかつ精度よく位置決めをするレチクルステージと、
前記ウェハを支持しかつ精度よく位置決めをするウェハステージと、を含んでおり、
前記方法は、
(a)前記光学イメージングシステムによって、光束が前記レチクルを通ることによるレチクルパターンを像形成するステップと、
(b)前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布を変更することによって、所定のツールを使用して線幅の複数グループを測定するステップと、
(c)前記線幅の非対称及び不均一を計算し、そして前記光学イメージングシステムの前記収差を計算するステップと、を含むことを特徴とする。
【請求項２】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記所定のツールはイメージセンサ、ＣＤ-ＳＥＭ及び顕微鏡を少なくとも含むことを特徴とする。
【請求項３】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記線幅は空中像の線幅、露光現像後のフォトレジストの線幅、及びエッチング後のパターン幅を含むことを特徴とする。
【請求項４】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記レチクルはバイナリーマスク及び位相シフトマスクを含むことを特徴とする。
【請求項５】
請求項４に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記位相シフトマスクはレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びクロムレス型位相シフトマスクから成る群から選ばれることを特徴とする。
【請求項６】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記レチクルパターンは３本のすじ、２本のすじ、複数のすじ及びコンタクトホールから成る群から選ばれた少なくとも一つの構造で構成されることを特徴とする。
【請求項７】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、マークのクリティカルディメンジョン若しくは形状を変えることにより、又はマークの位相シフト状態を変えることにより、変更されることを特徴とする。
【請求項８】
請求項７に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記クリティカルディメンジョンは前記マークの各構成のサイズと前記マークの構成間の距離を含むことを特徴とする。
【請求項９】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、対物レンズの開口数を調節することにより、変更されることを特徴とする。
【請求項１０】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、照明部分干渉性又は照明モードを変えることにより、変更されることを特徴とする。
【請求項１１】
請求項１０に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記照明モードは通常照明、輪帯照明、双極照明及び四重極照明を含むことを特徴とする。
【請求項１２】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
前記光源は水銀ランプ及びエキシマレーザのようなＵＶ、ＤＵＶ及びＥＵＶ光源から成る群から選ばれることを特徴とする。
【請求項１３】
請求項１に記載されたリソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、
波面収差はコマ、球面、非点収差及びトレフォイルを含むことを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学イメージングシステムの像質(image quality)をその場で測定する方法に関するものであり、特にリソグラフィツール(lithography tools)の光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、露光光束を使用してレチクル上の種々のパターンを照明して、フォトレジストがコーティングされた、ウェハ、ガラス基板等のような基板の上へパターンを転写する露光プロセスを実行する露光装置が知られている。
【０００３】
近年、半導体部品はますます集積化し、回路パターンをさらに精密にすることが要求されている。フィーチャサイズ(feature size)が小さくなることにより、特に変形照明と位相シフトマスクを使用することにより、収差はリソグラフィプロセスの質にさらに影響を持つようになった。それにより、リソグラフィツールの光学イメージングシステムのその場での測定技術がますます重要になっている。
【０００４】
光学イメージングシステムの収差測定のプロセスについて投影光学を例にして以下に説明する。まず、収差測定のためのレチクルを物体平面の上に位置決めをし、レチクルにより形成されたパターンを投影光学によって基板の上へ像形成する。そして、基板上の像を現像し、走査電子顕微鏡(ＳＥＭ)を使って現像された像の測定を行う。最後に、測定結果に従って投影光学の収差を計算する(例えば非特許文献１参照)。
【０００５】
【非特許文献１】Peter Dirksen, Casper A. Juffermans, Ruud J. Pellens, Mireille Maenhoudt, Peter Debisschop. “Novel aberration monitor for optical lithography.” Proc. SPIE 1999, 3679, 77-86.
【０００６】
しかしながら、上述の方法において、測定精度はコーティングの均一性及び現像の均一性のようなリソグラフィプロセスが関係する。その上、ＳＥＭを利用して測定する前に、現像のようなプリプロセスが実行されなければならず、収差測定のプロセスが長くなっていた。
【０００７】
これらの問題を避けるために、透過型イメージセンサ(ＴＩＳ)、すなわちＴＡＭＩＳ技術を使用して、投影光学について波面収差(wavefront aberration)を測定する方法が提供されている(例えば非特許文献２参照)。
【０００８】
【非特許文献２】Van der Laan, Hans, Dierichs, Marcel, van Greevenbroek, Henk, McCoo, Elaine, Stoffels, Fred, Pongers, Richard, Willekers,Rob. “Aerial image measurement methods for fast aberration set-up and illumination pupil verification.” Proc. SPIE 2001,4346, 394-407.
【０００９】
ＴＩＳはサブミクロンの孤立スペースのセットと一つの正方形孔を含んでおり、両方ともそれらの後方近くにフォトダイオードを有している。その中で孤立スペースはＸ方向の孤立スペースとＹ方向の孤立スペースを含んでいる。異なる方向の孤立スペースは異なる方向のスペースの像位置を検出するのに使われる。正方形孔は光源の変動強度を補正するために使われる。Ｘ方向スペースの像位置(Ｘ,Ｚｘ)とＹ方向スペースの像位置(Ｙ,Ｚｙ)はフォトダイオードの出力に従って決定される。
【００１０】
測定中、収差測定のためのバイナリー光学レチクル(binary optical reticle)は、レチクルステージ上に位置決めをされている。レチクルステージはＴＩＳに類似のパターンのマークを有している。投影光学により投影されたレチクルマークの空中像(aerial image)を、ウェハステージを水平及び垂直に移動させながらＴＩＳで走査し、マークの像位置(Ｘ,Ｙ,Ｚｘ,Ｚｙ)を得る。像位置を理想位置と比較して、像の変位(ΔＸ, ΔＹ, ΔＺｘ, ΔＺｙ)を得る。ＮＡとσが異なる下で全てのマークの像位置を測定して、異なる照明条件下で視野が異なる位置における像形成の変位を得る。そして、収差に対応するゼルニケ係数(Zernike coefficients)を、ＴＡＭＩＳアルゴリズムを使って計算する。収差測定の高精度化はリソグラフィ技術の発達に必要であるが、上述の測定技術では高精度化の要求を成し遂げることはますます困難になってきている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、従来の測定技術での時間消費と低精度を克服するために、リソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で高精度に測定する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前述の目的を達成するために、本発明は次に示すとおりである。リソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法であって、前記光学イメージングシステムは、光束を発生する光源と、前記光源から放射された光束の強度分布及び部分干渉性を調節する照明システムと、調節可能な開口数を有し、レチクルパターンを像形成する光学イメージングシステムと、前記レチクルを支持しかつ精度よく位置決めをするレチクルステージと、前記ウェハを支持しかつ精度よく位置決めをするウェハステージと、を含んでいる。前記方法は、(a)前記光学イメージングシステムによって、光束が前記レチクルを通ることによるレチクルパターンを像形成するステップと、(b)前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布を変更することによって、所定のツールを使用して線幅の複数グループ(plural groups of linewidths)を測定するステップと、(c)前記線幅の非対称及び不均一を計算し、そして前記光学イメージングシステムの前記収差を計算するステップと、を含むことを特徴とする。
【００１３】
上記方法において、前記所定のツールはイメージセンサ、ＣＤ-ＳＥＭ及び顕微鏡を含む。
【００１４】
前記線幅は空中像の線幅、露光現像後のフォトレジストの線幅、及びエッチング後のパターン幅等を含む。
【００１５】
前記レチクルはバイナリーマスク(binary mask)、位相シフトマスク等を含む。
【００１６】
前記位相シフトマスクはレベンソン型位相シフトマスク(alternating phase-shifted mask)、ハーフトーン型位相シフトマスク(attenuated phase-shifted mask)及びクロムレス型位相シフトマスク(chromeless phase-shifted mask)等を含む。
【００１７】
前記レチクルパターンは２本のすじ、３本のすじ、複数のすじ又はコンタクトホールの少なくとも一つの構造で構成される。
【００１８】
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、異なるクリティカルディメンジョン及び形状のマークを持つレチクルを使用することにより、変更することができる。
【００１９】
前記クリティカルディメンジョンは前記マークの各構成のサイズと前記マークの構成間の距離を含む。
【００２０】
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、対物レンズの開口数を調節することにより、変更することができる。
【００２１】
前記光学イメージングシステムの射出瞳面での強度分布は、照明部分干渉性又は照明モードを変えることにより、変更することができる。
【００２２】
前記照明モードは通常照明、輪帯照明、双極照明及び四重極照明を含む。
【００２３】
前記光源は水銀ランプ又はエキシマレーザのようなＵＶ、ＤＵＶ又はＥＵＶ光源である。
【００２４】
波面収差はコマ、球面、非点収差及びトレフォイル(trefoil)を含む。
【発明の効果】
【００２５】
知られているＴＡＭＩＳ技術と比較して、３本のすじ像(bar image)の線幅の非対称及び不均一を基礎にした収差測定技術では、感度について低次の波面収差の影響を除去でき、従って、測定誤差を小さくできる。加えて、測定されるゼルニケ係数の数が３から２に減らされるので、小さいＮＡ及びσ値を設定でき、よって測定時間を短くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明を図面及び最良の実施形態を参照することによって詳細に説明する。
【００２７】
図１に示すように、本発明に使用されるシステムは、光束を発生する光源ＬＳと、光源から放射された光束の強度分布(intensity distribution)及び部分干渉性(partial coherence)を調節する照明システムＩＬと、開口数が調節可能であり、レチクルパターンを像形成(imaging)する光学イメージングシステムＰＬと、レチクルＲを支持し、精度よく位置決めをするレチクルステージＲＳと、ウェハＷを支持し、精度よく位置決めをするウェハステージＷＳと、を含む。マークの像位置を測定する透過型イメージセンサＴＩＳがウェハステージＷＳ上に配置されている。
【００２８】
リソグラフィツールの光学イメージングシステムの収差をその場で測定する方法は、以下のステップを含む。光学イメージングシステムの感度行列(sensitivity matrix)を定義する。照明システムＩＬによって、水銀ランプ又はエキシマレーザＬＳから発生した光束を調節しかつレチクルＲの上へ光束をガイドする。レチクルＲによって光束の一部を選択的に通す。光学イメージングシステムＰＬによって、レチクルを通った光束によるレチクルパターンを像形成する。ＣＤ-ＳＥＭ又はイメージセンサを使用して線幅を測定する。異なるクリティカルディメンジョン(critical dimensions)及び形状のマークを持つレチクルを使用、対物レンズの開口数を変更、又は部分干渉性を変更することによって、光学イメージングシステムの射出瞳面(exit pupil plane)での強度分布を変更して、像位置偏差(image position deviations)及び空中像線幅(aerial image linewidths)の複数グループを測定する。そして感度行列を使用して収差を計算する。
【００２９】
対物レンズの波面収差は、対物レンズの射出瞳面での実際波面と理想波面の光路差に関係する。波面収差はゼルニケ多項式(Zernike polynomial)によって表現することができる。
【数１】
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ρとθは射出瞳面での正規化極座標を表している。Ｚ２とＺ３は波面傾斜を表している。Ｚ４は焦点面の偏差を表している。Ｚ５とＺ６は３次の非点収差を表している。Ｚ７はＸ方向の３次のコマ収差を表している。Ｚ８はＹ方向の３次のコマ収差を表している。Ｚ９は３次の球面収差を表している。
【００３０】
像質に対する収差の影響を根拠に、Ｚ５より小さい次数を持つ収差は二つの部分に分けることができる。ゼルニケ多項式において、ρと２nθ(n＝０,１,２,３...)の機能に対応する収差は偶収差(even aberrations)と呼ばれる。偶収差は非点収差(Ｚ５,Ｚ６,Ｚ１２,Ｚ１３)、球面収差(Ｚ９,Ｚ１６)等を主に含んでいる。偶収差はＺ方向(垂直)における空中像の位置と強度分布に主に影響する。ゼルニケ多項式において、ρと(２n＋１)θの機能に対応する収差は奇収差(odd aberrations)と呼ばれる。奇収差はコマ収差(Ｚ７,Ｚ８,Ｚ１４,Ｚ１５)、トレフォイル(Ｚ１０,Ｚ１７)等を主に含んでいる。奇収差はＸＹ平面(水平)における空中像の位置と強度分布に主に影響する。
【００３１】
図２ａはレチクル上の３本のすじ状マーク(bar mark)の概略図である。図において、白い部分は光透過部分を表している。黒い部分は不透明部分を表している。マークの線幅はｄであり、２本のすじの間の距離は２ｄである。奇収差は、ＸＹ平面における像の強度分布を変更し及び図におけるマークの像を線幅非対称にする。与えられた強度閾値の下での像の輪郭を図２ｂに示す。線幅の非対称(asymmetry)は次のように定義される。
ＬＷＡ＝Ｌ１−Ｌ３                                            (１)
Ｌ１とＬ２は与えられた閾値の下での像の線幅である。線幅の不均一(ununiformity)は次のように定義される。
ＬＷＤ＝２Ｌ２−(Ｌ１＋Ｌ３)
【００３２】
例えばＺ７、Ｚ１０、Ｚ１４のようなＸ方向の奇収差は、３本のすじ状マークのＸ方向における線幅非対称(ＬＷＡｘ)に影響し、一方、例えばＺ８、Ｚ１１、Ｚ１５のようなＹ方向の奇収差は、３本のすじ状マークのＹ方向における線幅非対称(ＬＷＡｙ)に影響する。偶収差はＬＷＤに影響する。ＬＷＡｘでのＺ７、Ｚ１０、Ｚ１４の影響は次のように記述される。
【００３３】
対物レンズの開口数の最大ＮＡ＝０．８、輪帯照明の部分干渉性σ＝０．５５-０．８５、露光波長が１９３ｎｍ、３本のすじの線幅ｄ＝１５０ｎｍの条件下、本発明はリソグラフィシミュレーションソフトウェアＰＲＯＬＩＴＨを利用して、Ｚ７、Ｚ１０及びＺ１４のそれぞれによって引き起こされるＬＷＡｘを計算した。結果を図３に示す。線幅非対称と奇収差は線形の関係にあることが示されている。他の条件で得られたシミュレーション結果を解析することによって同じ解答を得ることができる。奇収差のクロス項(cross terms)の影響は無視する。一般的にＹ方向の線は次のとおりである。
ＬＷＡｘ＝Ｓ１(ＮＡ,σ)Ｚ７＋Ｓ２(ＮＡ,σ)Ｚ１０＋Ｓ３(ＮＡ,σ)Ｚ１４   (２)
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は感度(sensitivity)を表しており、それらは次のとおりである。
【数２】
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【００３４】
感度Ｓ１-Ｓ３はリソグラフィシミュレーションソフトウェアによって計算することができる。もし、Ｚ７を除く全てのゼルニケ係数(Zernike coefficients)がゼロであり、Ｚ７が一定値の条件で、リソグラフィシミュレーションソフトウェアによってＬＷＡｘを計算すれば、Ｚ７により分けられるＬＷＡｘの結果は偏導関数Ｓ１とみなすことができる。
【００３５】
線幅非対称はＳＥＭ又は透過型イメージセンサ(ＴＩＳ)により測定することができる。透過型イメージセンサはウェハステージ上のＴＩＳマークと強度検知器で構成される。レチクル上の同様のマークの空中像をＴＩＳによって走査することにより、強度分布を得ることができかつＬＷＡを計算することができる。
【００３６】
本実施形態では線幅１５０ｎｍのすじ状マーク３本がテストレチクル上に形成されている。このとき、トレフォイル(trefoil)Ｚ１０の影響を無視することができる。Ｙ方向の線に関して、ＬＷＡｘは次のとおり表現することができる。
ＬＷＡｘ(ＮＡ,σ)＝Ｓ１(ＮＡ,σ)Ｚ７＋Ｓ３(ＮＡ,σ)Ｚ１４               (４)
ＬＷＡｘ(ＮＡ,σ)は、定められた開口数及び部分干渉性で測定されたＹ方向の線の線幅非対称を表している。次の行列方程式は、ＮＡとσ値が異なる５つのグループの下でＬＷＡｘを測定することにより得ることができる。
【数３】
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【００３７】
方程式(５)は次のように簡単に表現することができる。
【数４】
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【００３８】
ＬはＮＡとσが異なる下で測定されたＬＷＡｘを表している。Ｚは計算されるゼルニケ係数ベクトルを表している。Ｓは感度行列を表している。方程式は過剰決定(overdetermined)されており、かつ最小二乗アルゴリズム(least-squares algorithm)を基にして計算することができる。
【００３９】
ＮＡとσ値が異なる５つのグループの下で線幅非対称(ＬＷＡｘ,ＬＷＡｙ)を視野内の異なる位置で測定し、視野内の対応する位置のゼルニケ係数Ｚ７、Ｚ８、Ｚ１４、Ｚ１５が方程式(５)に従って計算することができる。
【００４０】
同じＴＩＳ測定精度の下において、感度の範囲変化はコマ収差測定精度の主要な要素となる。ＴＡＭＩＳ測定技術及び線幅非対称を基礎にした収差測定技術の感度範囲変化は、次の段落で比較する。記述を簡単にするために、露光波長は１９３ｎｍと仮定する。対物レンズの最大開口数は０．８である。
【００４１】
図４はＮＡと照明設定が異なる下で、ソフトウェアＰＲＯＬＩＴＨによって計算された、３本のすじ状マークＬＷＡｘとＴＡＭＩＳ測定のＺ７感度を示している。図４ａ及び図４ｂはそれぞれ、通常照明モードと輪帯幅０．３の輪帯照明モードの下での、３本のすじ状マークＬＷＡｘのＺ７感度とＮＡ、σとの間の関係を示している。図４ｃ及び図４ｄはそれぞれ、通常照明モードと輪帯幅０．３の輪帯照明モードの下での、ＴＡＭＩＳ測定のＺ７感度とＮＡ、σとの間の関係を示している。図４から分かるように、輪帯照明と通常照明のモードでの二つの結果を考慮すれば、３本のすじ状マークＬＷＡｘのＺ７感度は、−１．１０から２．００まで変化し、３．３０の変化範囲を有している。一方、ＴＡＭＩＳ測定のＺ７感度は、−０．４０から１．９７まで変化し、２．３７の変化範囲を有している。３本のすじの線幅非対称を基礎にしたコマ測定技術は、Ｚ７感度の変化範囲を３０．８％だけ広くすることができる。
【００４２】
図５はＮＡｓと照明設定が異なるもとで、ソフトウェアＰＲＯＬＩＴＨによって計算された、３本のすじ状マークＬＷＡｘとＴＡＭＩＳ測定のＺ１４感度を示している。図５ａ及び図５ｂはそれぞれ、通常照明モードと輪帯幅０．３の輪帯照明モードの下での、３本のすじ状マークＬＷＡｘのＺ１４感度とＮＡ、σとの間の関係を示している。図５ｃ及び図５ｄはそれぞれ、通常照明モードと輪帯幅０．３の輪帯照明モードの下での、ＴＡＭＩＳ測定のＺ１４感度とＮＡ、σとの間の関係を示している。図５から分かるように、輪帯照明と通常照明のモードでの二つの結果を考慮すれば、３本のすじ状マークＬＷＡｘのＺ１４感度は、−５．７１から１．８１まで変化し、７．５２の変化範囲を有している。一方、ＴＡＭＩＳ測定のＺ１４感度は、−２．０４から０．８３まで変化し、２．８７の変化範囲を有している。３本のすじの線幅非対称を基礎にしたコマ測定技術は、Ｚ１４感度の変化範囲を１６２％だけ広くすることができる。
【００４３】
感度行列の精度と感度の程度とが、ゼルニケ係数の測定精度に影響する主要な要素となる。すなわち、３本のすじ状マークを使用して、ＮＡとσの変化に関して、感度の変化範囲を広げることができる。対物レンズの収差測定で線幅を測定することにより、感度行列の感度を高めることができる。線幅測定を基礎にした本方法の波面収差測定は、数十パーセントの量だけ収差測定の精度を高めることができる。
【００４４】
ゼルニケ係数の感度の変化範囲は、また位相シフトレチクル(phase shift reticles)を使用することにより広げることができる。
【００４５】
本発明の好ましい実施形態を開示したが、当業者が本発明の原理内で認識すべき修正、改変、又は変形は本発明の範囲に含まれるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る露光装置の構造の概略図である。
【図２ａ】レチクル上の３本のすじ状マークの概略図である。
【図２ｂ】レチクル上の３本のすじ状マークの空中像の輪郭を示す図である。
【図３】奇収差とＬＷＡの間の関係を示す図である。
【図４】３本のすじ状マーク(図４ａ、図４ｂ)とＴＡＭＩＳの密マーク(図４ｃ、図４ｄ)(dense-mark)を使用して、シミュレーションソフトウェアによって計算された、開口数、部分干渉性及びＺ７感度の間の関係を示す図である。
【図５】３本のすじ状マーク(図５ａ、図５ｂ)とＴＡＭＩＳの密マーク(図５ｃ、図５ｄ)を使用して、シミュレーションソフトウェアによって計算された、開口数、部分干渉性及びＺ１４感度の間の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
ＬＳ・・・光源、ＩＬ・・・照明システム、Ｒ・・・レチクル、ＲＳ・・・レチクルステージ、ＰＬ・・・光学イメージングシステム、Ｗ・・・ウェハ、ＷＳ・・・ウェハステージ、ＴＩＳ・・・透過型イメージセンサ、ＬＷＡ・・・線幅非対称
【図１】
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【図２ａ】
2009532888.tif 000008
【図２ｂ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
2009532888.tif 000012
【図４ｃ】
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【図４ｄ】
2009532888.tif 000014
【図５ａ】
2009532888.tif 000015
【図５ｂ】
2009532888.tif 000016
【図５ｃ】
2009532888.tif 000017
【図５ｄ】
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【国際調査報告】
2009532888.tif 000019
2009532888.tif 000020
2009532888.tif 000021
2009532888.tif 000022