(57)【要約】  １つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージ。パッケージは、対向する第１側面及び第２側面を有し、複数の導電バイアと、中央に配設され第１側面から第２側面に延びる開口を有する誘電体基板を含む。ヒート・スラグは、開口を貫通する中央部分、基板の第１側面に隣接し開口断面積より大きい断面積を有する第１部分、及び基板の第２側面に隣接する対向する第２部分を有する。半導体デバイスが、ヒート・スラグの第１部分に接合され、導電バイアに電気的に相互接続される。第１側面及び対向する第２側面を有するヒート・スプレッダが、半導体デバイスから間隔を置き、ヒート・スラグとほぼ平行に配置され、それにより、半導体デバイスが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグの間に配設される。成形樹脂により、半導体デバイス、少なくとも基板の第１側面、ヒート・スラグの第１部分、及びヒート・スプレッダの第１側面が封入される。
2009540572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を収容するアレイ型パッケージ（１０）において、
対向する第１の側面（１４）及び第２の側面（１６）を有する誘電体基板（１２）であって、複数の導電バイア（１８）と、前記第１の側面（１４）から前記第２の側面（１６）まで延びる、中央に配設された開口（２０）とを更に有する誘電体基板（１２）と、
前記開口（２０）を貫通して延びる中央部分（２８）と、前記第１の側面（１２）に隣接し、前記開口（２０）の断面積よりも大きい断面積を有する第１の部分（２４）と、前記第２の側面（１６）に隣接する、反対側の第２の部分（２６）とを有するヒート・スラグ（２２）と、
前記ヒート・スラグ（２２）の前記第１の部分（２４）に接合され、前記誘電体基板（１２）の前記第１の側面（１４）で前記導電バイア（１８）に電気的に相互接続された（３２）１つ又は複数の半導体デバイス（３０）と、
第１の側面（３６）及び反対側の第２の側面（３８）を有するヒート・スプレッダ（３４）であって、該ヒート・スプレッダ（３４）は、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）から間隔を置き、前記ヒート・スラグ（２２）と概ね平行に配置され、それによって、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）が、前記ヒート・スプレッダ（３４）と前記ヒート・スラグ（２２）との間に配設されるようになっている、ヒート・スプレッダ（３４）と、
前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）並びに、少なくとも、前記基板（１２）の前記第１の側面（１４）、前記ヒート・スラグ（３４）の前記第１の部分（３６）、及び前記ヒート・スプレッダ（３４）の前記第１の側面（３６）を封入する成形樹脂（４０）と
を特徴とする、アレイ型パッケージ（１０）。
【請求項２】
はんだボール（４２）が、前記基板（１２）の前記第２の側面（１６）で前記導電バイア（１８）に接合され、前記接合部とは反対側の前記はんだボールの点が実質的に同一平面上にあることを特徴とする、請求項１に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項３】
前記ヒート・スラグ（２２）の前記第２の部分（２６）が、前記はんだボール（４２）の前記点と実質的に同一平面上にあることを特徴とする、請求項２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項４】
前記ヒート・スラグ（２２）が、銅、アルミニウム、及びそれらの合金から成る群から選択された金属により形成されることを特徴とする、請求項２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項５】
前記ヒート・スラグ（２２）が、表示能力を高めるために別の材料により被覆されていることを特徴とする、請求項４に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項６】
前記ヒート・スラグ（２２）が、黒色陽極酸化層により被覆されたアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項５に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項７】
対向する第１の側面（１４）及び第２の側面（１６）並びにアレイ状に配置された複数の開口（２０）を有する誘電体基板（１２）と、
複数の相互接続されたヒート・スラグ（２２）であって、各ヒート・スラグ（２２）が、中央部分（２８）によって分離された第１の部分（２４）及び第２の部分（２６）を有し、前記中央部分（２８）が前記複数の開口（２０）の１つを貫通して延び、前記第１の部分（２４）が前記複数の開口（２０）の１つの外周よりも大きい外周を有するヒート・スラグ（２２）と
を特徴とする、ヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項８】
複数のタイ・バー（４６）が、各ヒート・スラグ（２２）の各第１の部分（２４）の外周から突出し、１つの前記ヒート・スラグ（２２）からのタイ・バー（４６）が、隣接するヒート・スラグ（２２）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（４６）と相互接続点（４８）で交差することを特徴とする、請求項７に記載されたヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項９】
単一化を容易にするために、前記複数のタイ・バー（４６）の厚さが、前記相互接続点（４８）で低減されていることを特徴とする、請求項８に記載されたヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項１０】
前記タイ・バー（１９４）が、ヒート・スプレッダのアレイ（５０）のタイ・バー（１９０）を係合させるフィーチャ（１９２、１９６）を有することを特徴とする、請求項８に記載されたヒート・スラグ・アレイ（１９４）。
【請求項１１】
前記フィーチャ（１９２、１９６）が、突起部（１９２）、開口（１９６）、及びそれらの組合せから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１０に記載されたヒート・スラグ・アレイ（１９４）。
【請求項１２】
１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を収容するアレイ型パッケージ（１０）の製造方法において、
ａ）複数の開口（２０）を有する誘電体基板（１２）と、前記複数の開口（２０）の１つを貫通して延びる中央部分（２８）によって分離された対向する第１の部分（２４）及び第２の部分（２６）を有する複数の相互接続されたヒート・スラグ（２２）とを含むヒート・スラグ・アレイ（４４）であって、前記第１の部分（２４）が、前記複数の開口（２０）の１つの外周よりも大きい外周を有し、複数のタイ・バー（４６）が前記外周から突出し、１つの前記ヒート・スラグ（２２）からのタイ・バー（４６）が、隣接するヒート・スラグ（２２）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（４６）と相互接続点（４８）で交差するヒート・スラグ・アレイ（４４）を提供するステップと、
ｂ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を前記第１の部分（２４）に接合するステップであって、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を前記誘電体基板（１２）の第１の側面（１４）で導電バイア（１８）に電気的に相互接続（３２）させ、前記導電バイア（１８）は、前記誘電体基板（１２）を貫通して、反対側の第２の側面（１６）まで延びている、ステップと、
ｃ）外周から延びる複数のタイ・バー（５２）を有するヒート・スプレッダのアレイ（５０）であって、１つの前記ヒート・スプレッダ（３４）からのタイ・バー（５２）が、隣接するヒート・スプレッダ（３４）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（５２）と相互接続点（５４）で交差するヒート・スプレッダのアレイ（５０）を提供するステップと、
ｄ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）が、前記ヒート・スラグ（２２）の１つと、前記ヒート・スプレッダ（３４）の１つとの間に配設されるように、前記ヒート・スラグ（２２）のタイ・バー（４６）を前記ヒート・スプレッダ（３４）のタイ・バー（５２）に接合させる（６２）ステップと、
ｅ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）、並びに前記ヒート・スプレッダ（３４）及びヒート・スラグ（２２）の少なくとも一部分を成形樹脂（４０）内に封入するステップと
を特徴とするアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１３】
前記アレイを個々の構成品（１０）に単一化するステップを含む、請求項１２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１４】
前記単一化するステップが、（ａ）ヒート・スラグ・アレイ（４４）を提供するステップと、（ｂ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を接合するステップとの間に行われることを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１５】
前記単一化するステップが、（ｆ）封入するステップの後に行われることを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１６】
前記ヒート・スラグ（２２）の前記タイ・バー（４６、１９４）、および前記ヒート・スプレッダ（３４）の前記タイ・バー（５２、１９０）が、位置調整及び接合を容易にするフィーチャ（１９２、１９６）を有することを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１７】
前記ヒート・スラグ（２２）及び前記ヒート・スプレッダ（３４）のうちの一方が突起部（１９２）を備え、他方が嵌合開口（１９６）を備えることを特徴とする、請求項１６に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１８】
はんだボール（４２）を前記第２の側面（１６）で前記導電バイア（１８）に取り付けるステップを含む、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１９】
前記はんだボール（４２）は、前記はんだボール（４２）の前記第２の側面（１６）とは反対側の点が、前記ヒート・スラグ（２２）の前記第２の部分（２６）と同一平面上となるために有効な直径を有するように選択されることを特徴とする、請求項１８に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項２０】
前記はんだボール（４２）及び前記第２の部分（２６）の両方を外部回路に接合するステップを含む、請求項１９に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項２１】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２００）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央半導体デバイス装架部分、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が前記半導体装架部分に固定され、前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続（２２２）されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
突起部分を有する表面側側面（２０４）および反対側のチップ側側面（２２０）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記チップ側側面（２０６）が、前記半導体デバイス（２１４）の前記第２の側面に隣接し、前記リード・フレーム（２０２）は、前記リード・フレーム（２０２）の縁部から外方に延び、接続された前記導電バイア（２２０’）の他の導電バイアに電気的に相互接続される複数のタイ・バー（２０８）を更に有するリード・フレーム（２０２）と、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、および前記リード・フレーム（２０２）の少なくとも一部分を封入する成形樹脂（２１６）であって、前記リード・フレーム（２０２）の前記突起部分（２０４）が、前記アレイ型パッケージ（２００）の露出表面を形成するようになっている、成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２２】
前記リード・フレーム（２０２）の前記チップ側側面（２０６）が、前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）に熱的に結合されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２３】
前記リード・フレーム（２０２）の前記チップ側側面（２０６）が、前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）に電気的に結合されていることを特徴とする、請求項２２に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２４】
前記リード・フレーム（２０２）が、銅基合金により形成され、黒色酸化物により被覆されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２５】
前記リード・フレーム（２０２）が、アルミニウム基合金により形成され、黒色陽極酸化物により被覆されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２６】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２３０）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央に配設された開口（２３２）、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
上方に突出した部分（２３５）および周辺フランジ（２３６）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記上方に突出した部分（２３５）が前記中央に配設された開口（２３２）を貫通して延び、前記フランジ部分（２３６）が前記誘電体基板（２１８）の第２の側面に当接するリード・フレーム（２０２）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が、前記上方に突出した部分（２３５）に固定され、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つが、前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続（２２２）されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、前記少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、及び前記リード・フレーム（２０２）の前記上方に突出した部分（２３５）を封入する成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２７】
前記周辺フランジ（２３６）が、前記導電バイア（２２０”）のうちの選択された導電バイアに電気的に相互接続されていることを特徴とする、請求項２６に記載されたアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）の入出力パッドが、少なくとも前記周辺フランジ（２３６）に通じている導電バイア（２２０”）に電気的に相互接続（２２２）されていることを特徴とする、請求項２７に記載されたアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２９】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２４０）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央に配設された開口（２３２）、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
下方に突出した部分（２４１）及び周辺フランジ（２３６）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記下方に突出した部分（２４１）が前記中央に配設された開口（２３２）を貫通して延び、前記フランジ部分（２３６）が前記誘電体基板（２１８）の前記第１の側面に当接するリード・フレーム（２０２）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が、前記下方に突出した部分（２４１）に固定され、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つが前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、前記少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、及び前記リード・フレーム（２０２）の前記周辺フランジ（２３６）を封入する成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ。
【請求項３０】
前記周辺フランジ（２３６）が、前記導電バイア（２２０”’）のうちの選択された導電バイアに電気的に結合されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３１】
前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つの入出力パッドが、前記周辺フランジ（２２０”’）に電気的に結合（２２２）されていることを特徴とする、請求項３０に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３２】
前記下方に突出した部分（２４１）が、外部構造体に熱的に結合されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３３】
はんだボールが、前記基板（２１８）の前記第２の側面で前記導電バイア（２２０、２２０”’）に固定されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３４】
前記下方に突出した部分（２４１）が、後に外部回路に取り付けられる前記はんだボールの寸法を制御するのに有効であることを特徴とする、請求項３３に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１つ又は複数の半導体デバイスを収容するパッケージに関するものであり、より詳細には、基板を用いた、ヒート・スラグを有する成形プラスチック・ボール・グリッド・アレイ・パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを収容する基板を用いたパッケージの熱特性を高めるには課題が残されている。ランド・グリッド・アレイ・パッケージ及びボール・グリッド・アレイ・パッケージ等の典型的な基板を用いたパッケージでは、通常は、金属バイアを介して熱を取り出す。しかし、バイアの表面積が小さいため、放散される熱量は限られる。Ｍｅｄｅｉｒｏｓらの米国特許第５１１１２７７号（特許文献１）に開示されるとおり、パッケージの基材を貫通して延びる開口にヒート・シンクを鑞接することによって、表面実装パッケージの熱放散を高めることが知られている。ヒート・シンクを含むパッケージ基板が、Ｍａｈｕｌｉｋａｒらの米国特許第５６２９８３５号（特許文献２）にも開示されている。
【０００３】
自己インダクタンス及び相互インダクタンスを低減させることによって、成形プラスチック・パッケージの電気特性を高める方法が、Ｍａｈｕｌｉｋａｒの米国特許第５５５９３０６号（特許文献３）に開示されている。パッケージ本体内に金属プレートが平行して配設され、それらの間に半導体デバイスが配設される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５１１１２７７号明細書
【特許文献２】米国特許第５６２９８３５号明細書
【特許文献３】米国特許第５５５９３０６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、低コストで大量に製造でき、熱放散を向上させた、基板を用いたパッケージが依然として求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の具体例によれば、１つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージが提供される。このパッケージは、対向する（反対側の）第１及び第２の側面を有する誘電体（絶縁体）基板を含み、この基板は、複数の導電バイアと、中央に配設され、第１の側面から第２の側面まで延びる開口とを有する。ヒート・スラグが、開口を貫通して延びる中央部分と、基板の第１の側面に隣接し、開口の断面積よりも大きい断面積を有する第１の部分と、基板の第２の側面に隣接する反対側の第２の部分とを有する。１つ又は複数の半導体デバイスが、ヒート・スラグの第１の部分に接合され、導電バイアに電気的に相互接続される。第１の側面及び反対側の第２の側面を有するヒート・スプレッダが、半導体デバイスから間隔を置き、ヒート・スラグとほぼ平行に配置され、それによって、半導体デバイスが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグとの間に配設されるようになっている。成形樹脂によって、半導体デバイス、並びに少なくとも基板の第１の側面、ヒート・スラグの第１の部分、及びヒート・スプレッダの第１の側面が封入される。
【０００７】
本発明の第２の具体例によれば、対向する第１及び第２の側面およびアレイ状に配置された複数の開口を有する誘電体（絶縁体）基板と、複数の相互接続されたヒート・スラグとを含むヒート・スラグ・アレイが提供される。各ヒート・スラグは、中央部分によって分離された第１の部分及び第２の部分を有し、この中央部分は、開口の１つを貫通して延び、第１の部分は、開口の外周よりも大きい外周を有する。
【０００８】
本発明の第３の具体例によれば、１つ又は複数の半導体デバイスを収容するアレイ型パッケージの製造方法が提供される。この方法は、以下のステップを含む。（ａ）複数の開口を有する誘電体（絶縁体）基板と、開口の１つを貫通して延びる中央部分によって分離された対向する第１及び第２の部分を有する複数の相互接続されたヒート・スラグとを含むヒート・スラグ・アレイを設けるステップ。ここで、第１の部分が、開口の外周よりも大きい外周を有し、複数のタイ・バーが第１の部分の外周から突出し、１つのヒート・スラグからのタイ・バーが、隣接するヒート・スラグからの少なくとも１つの他のタイ・バーと相互接続点で交差する。（ｂ）半導体デバイスを第１の部分に接合し、半導体デバイスを誘電体基板の第１の側面にある導電バイアに電気的に相互接続するステップ。ここで、この導電バイアは、誘電体基板を貫通して反対側の第２の側面まで延びる。（ｃ）外周から延びる複数のタイ・バーを有するヒート・スプレッダのアレイを設けるステップ。ここで、１つのヒート・スプレッダからのタイ・バーが、隣接するヒート・スプレッダからの少なくとも１つの他のタイ・バーと相互接続点で交差する。（ｄ）半導体デバイスが、ヒート・スラグの１つと、ヒート・スプレッダの１つとの間に配設されるように、ヒート・スラグのタイ・バーをヒート・スプレッダのタイ・バーに接合するステップ。（ｅ）半導体デバイスと、ヒート・スプレッダ及びヒート・スラグの少なくとも一部分とを成形樹脂内に封入するステップ。
【０００９】
本発明の１つ又は複数の具体例の詳細について、添付の図面及び以下の説明に記載する。本発明の他の特徴、目的、及び効果は、以下の説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなろう。
本発明の１つ又は複数の具体例の詳細について、添付の図面及び以下の説明に記載する。本発明の他の特徴、目的、及び効果は、以下の説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のボール・グリッド・アレイ・パッケージを部分的に切り欠いた頂部平面図。
【図２】図１のボール・グリッド・アレイ・パッケージの断面図。
【図３】本発明のパッケージの製造に使用される、ヒート・スラグが取り付けられた基板のアレイの頂部平面図。
【図４】図３のアレイの断面図。
【図５】本発明のパッケージの製造に使用される、ヒート・スプレッダのアレイの頂部平面図。
【図６】図５のアレイの断面図。
【図７】本発明に従って製造されたパッケージのアレイの断面図。
【図８】単一化（分断）を容易にするためにヒート・スラグ・タイ・バーの一部分が部分的に薄くなっている図。
【図９】ヒート・スプレッダ・タイ・バーをヒート・スラグ・タイ・バーに係止させるフィーチャを示す図。
【図１０】ヒート・スプレッダ・タイ・バーをヒート・スラグ・タイ・バーに係止させるフィーチャを示す図。
【図１１】ヒート・スプレッダ・タイ・バーをヒート・スラグ・タイ・バーに係止させるフィーチャを示す図。
【図１２】本発明の実施例によるパッケージで使用するリード・フレームを示す図。
【図１３】図１２のリード・フレームの頂部斜視図。
【図１４】図１２のリード・フレームの底部斜視図。
【図１５ａ】本発明の別の実施例によるパッケージで使用するリード・フレームを示す図。
【図１５ｂ】本発明の別の実施例によるパッケージで使用するリード・フレームを示す図。
【図１６】本発明の更に別の実施例によるパッケージで使用するリード・フレームを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
様々な図面において、同じ参照番号及び表示は、同じ部材を示す。
【００１２】
本特許出願では、「ヒート・スラグ」又は「ヒート・シンク」は、ポリマー成形樹脂の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、最大厚さが、成形樹脂内に封入される半導体デバイスの厚さよりも厚い金属部品として定義される。「ヒート・スプレッダ」は、ポリマー成形樹脂の熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、最大厚さが、成形樹脂内に封入される半導体デバイスの厚さと同等又はそれよりも薄い金属部品として定義される。
【００１３】
図１は、本発明によるアレイ型パッケージ１０の頂部平面図を示す。このパッケージは、パッケージの構成要素を示すために部分的に切り欠いてある。図２は、このアレイ型パッケージの断面図を示す。本明細書で開示するアレイ型パッケージの全ては、シリコン系集積回路デバイス等の１つ又は複数の集積回路デバイス、並びに抵抗器、インダクタ、及びコンデンサ等の１つ又は複数の受動素子を封入できる。複数のデバイスを隣接又は積み重ねた位置関係に置くことができる。
【００１４】
図１及び図２を参照すると、誘電体基板１２は、対向する第１の側面１４及び第２の側面１６を有する。複数の導電バイア１８が、誘電体基板１２を貫通して延びている。中央に配設された開口２０も、誘電体基板１２を貫通して延びている。この開口は、正方形、長方形、又は円形等のどのような形状でもよく、第１の外周を有する。
【００１５】
ヒート・スラグ２２が、誘電体基板１２の第１の側面１４によって支持されている。ヒート・スラグ２２は、第１の部分２４及び対向する第２の部分２６を有し、これらは中央部分２８によって分離されている。中央部分２８は、中央に配設された開口２０に、好ましくは限られた間隙で、嵌合するように寸法設定される。第１の部分２４は、中央に配設された開口２０の外周よりも大きい外周を有し、第１の表面１４の上に重なるフランジを形成する。
【００１６】
１つ又は複数の半導体デバイス３０、或いはハイブリッド回路等にある半導体デバイス及び受動素子の組合せが、鉛系はんだ若しくは金系はんだ又は金属充填エポキシ等の適当なダイ接着接合材料を用いて第１の部分２４に接合される。より多くの半導体デバイス３０のうちの１つは、小径のボンド・ワイヤ３２、又はテープ自動ボンディングで使用されるような薄い金属箔ストリップによって、導電バイア１８に電気的に相互接続される。
【００１７】
対向する第１の側面３６及び第２の側面３８を有するヒート・スプレッダ３４が、１つ又は複数の半導体デバイス３０から間隔を置いて、第１の側面３６がヒート・スラグ２２の第１の側面２４と概ね平行となるように配置される。図２に示すように、第１の側面３６と第１の側面２４とが、２枚の平行な導電プレートの隣接する側面を成し、これらの平行なプレートの間に１つ又は複数の半導体デバイス３０が配設される。
【００１８】
成形樹脂４０によって、１つ又は複数の半導体デバイス３０、ヒート・スラグ２２の第１の部分２４、及びヒート・スプレッダ３４の第１の側面３６が封入される。誘電体基板１２の第２の側面１６に隣接する導電バイア１８は、プリント回路板等の外部回路に形成された回路トレースに電気的に相互接続される。電気的な相互接続は、はんだボール４２の使用を含む適当な任意の手段によって行うことができる。各はんだボールの、第２の側面１６とは反対側の点が、第２の側面１６とは反対側の他の全ての点と概ね同一平面上となるように、はんだボールは全て実質的に同じ直径である。はんだボールは、典型的には、重量％で錫６３％／鉛３７％等の低融点鉛系はんだにより形成される。好ましくは、ヒート・スラグ２２の第２の部分２６も、はんだボールの反対側の点と同一平面上にある。次いで、第２の部分は、ヒート・シンクにはんだ付けするか、又はパッケージ１０の外部に接地することができる。
【００１９】
図３〜図６は、アレイ型パッケージの製造に有用な構成部材を示す。図３は、ヒート・スラグ・アレイ４４の頂部平面図を示し、図４はその断面図を示す。ヒート・スラグ・アレイ４４は、複数のヒート・スラグ２２を含み、これらはそれぞれ、中央部分２８によって分離された第１の部分２４及び第２の部分２６を有する。このヒート・スラグ・アレイ４４は、対向する第１の側面１４及び第２の側面１６と、中央に配設され、そこを貫通して延びる開口２０とを有する誘電体基板１２も含む。ヒート・スラグ２２の中央部分２６が、各開口２０を貫通して延びている。第１の部分１６は、開口２０の外周よりも大きい外周を有する。ヒート・スラグ・タイ・バー４６が、第１の部分２４の外周から突出し、１つのヒート・スラグからのタイ・バーが、隣接するヒート・スラグからの少なくとも１つのタイ・バーと交点４８で交差している。図８で最もよく分かるように、タイ・バー４６の厚さは、単一化（分断）を容易にするように交点４８で低減させることができる。
【００２０】
図４に戻ると、ヒート・スラグ２２は、典型的には、エポキシ又は接着テープによって誘電体基板１２に接合される。ヒート・スラグは、銅合金等の熱伝導性金属から形成されることが好ましく、ニッケル上の金又はパラジウム被覆層のようなワイヤ・ボンディング可能な材料により予備鍍金しておくことができる。図５及び図６を参照すると、ヒート・スプレッダ・アレイ５０は、その外周から延びる複数のヒート・スプレッダ・タイ・バー５２を有する。隣接するヒート・スプレッダからのタイ・バー同士が、タイ・バーの交点５４で互いに接合されており、この交点は、単一化を容易にするように厚さを低減させることができる。
【００２１】
タイ・バーは、一般にアップセット部分（反転部分）５６を含み、それにより、第２の側面３８が、後続の成形樹脂を用いた封入で露出するように十分高くなり、ワイヤ・ボンディングで使用されるワイヤのために離れた間隙が設けられる。露出した第２の側面３８は、円形又は正方形を含むどのような形状でもよい。ヒート・スプレッダは、銅、アルミニウム、及びそれらの合金等の大きな熱伝導率を有するどのような金属によっても形成される。こうした金属は、マーキング（表示）のためのコントラストを高めるために、別の材料により被覆することができる。アルミニウム合金ヒート・スプレッダでは、黒色の陽極酸化物が最も好ましい。ヒート・スプレッダ３４の周辺部分５８は、成形樹脂への機械的な係止を向上させるために、部分的にエッチングして段状構成を形成してもよい。
【００２２】
図７は、本発明によるアレイ型パッケージのアレイ６０の断面図を示す。ヒート・スプレッダ・タイ・バー５２をヒート・スラグ・タイ・バー４６に接合する接着剤６２等によって、ヒート・スプレッダ・アレイ５０がヒート・スラグ・アレイ４４に接合されている。次いで、このアレイは、成形樹脂で封入する前又は後のいずれでも単一化することができる。
【００２３】
図９〜図１１を参照すると、ヒート・スプレッダ・タイ・バー１９０は、ワイヤ・ボンディングに使用されるワイヤから離れた間隙を増すためにバンプ（隆起部）１９２を有することができる。バンプ１９２は、ヒート・スプレッダをヒート・スラグ・タイ・バー１９４側の定位置に位置調整し、係止させるためにも有用である。位置調整及び係止を更に強化するために、ヒート・スラグ・タイ・バー１９４に開口１９６を形成できる。こうしたバンプは、典型的には、化学エッチング工程の間に、又はアップセット工程の間のコイニング／打抜きによって形成される。この組立工程は、ヒート・スラグのアレイとヒート・スプレッダのアレイとが一体に成形され、その後単一化されるように説明されるが、ヒート・スプレッダとヒート・スラグとを溶融樹脂で封入する前に単一化し、ピック・アンド・プレイス工程を用いて、個々のヒート・スラグ及び個々のヒート・スプレッダを個々の金型キャビティ内に配置して、ワイヤ・ボンディングを行って封入することも本発明の範囲内に含まれる。
【００２４】
図１２は、パッケージ２００が、リード・フレームとして機能するヒート・スラグ２０２を含む、本発明の代替実施例の断面図を示す。リード・フレーム２０２を、図１３に頂部斜視図で、図１４に底部斜視図で示す。このリード・フレームは、表面側突出部分２０４及びチップ側突出部分２０６を含む。更に、このリード・フレームは、典型的にはリード・フレームの隅部から外方に、次いで下方に突出する複数のタイ・バー２０８を含む。図１２に戻ると、リード・フレーム２０２は、表面側突出部分２０４の少なくとも一部分を取り囲む、厚さの減少した部分２１０を含む。表面側突出部分２０４は、熱の放散を促進するパッケージ２００の上面２１２の一部分を成す。リード・フレーム２０２は導電性材料により形成されるので、露出した表面側突出部分２０４を用いて、誘電体基板２１８の中央部分に装架された１つ又は複数の集積回路デバイス２１４に対して及びそこから、電気信号を導通させることもできる。成形樹脂２１６によって、１つ又は複数の集積回路デバイス２１４が封入される。この樹脂は、厚さの減少した部分２１０を覆って延びて、リード・フレーム２０２を有効に定位置に係止させている。
【００２５】
リード・フレーム２０２に要求される条件は、本明細書で上述したヒート・スプレッダと同じである。リード・フレーム２０２は、リード・フレームに使用されることの多い銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、又は鉄／ニッケル基合金等の導電性金属、例えば、合金４２（４２％ニッケル、残部が鉄）又はコバール（Ｋｏｖａｒ）（鉄−ニッケル−コバルト合金）により形成される。表面側突出部分２０４は環境に露出するため、この表面側突出部分の少なくとも露出する部分は耐食性材料により被覆される。好ましくは、リード・フレーム２０２は、銅基合金により形成され、表面側突出部分２０４の露出部分は、黒色酸化物により被覆される。
【００２６】
本明細書で上述したヒート・スプレッダと共通するリード・フレーム２０２の他の特徴は、このリード・フレームは、アレイ要件に合わせてクモの巣状に設けることができる点である。表面側突出部分２０４は、円形若しくは正方形、又は必要に応じて他のどのような所望の形状でもよい。タイ・バー同士の成形係止及び位置調整を強化するために、リード・フレーム及びタイ・バーにフィーチャ（ｆｅａｔｕｒｅ）をエッチングすることができる。これらのタイ・バーは、表面側突出部分が高くなるように、且つワイヤ・ボンディングされたパッケージのワイヤ同士が接触するのを回避するために、アップセット（ｕｐｓｅｔ）されることが好ましい。タイ・バーの一部分は、単一化を容易にするために薄くでき、また、ワイヤ・ボンドから孤立した間隙を設けるためにバンプを有することができる。
【００２７】
このリード・フレームは、銅合金、アルミニウム合金、又は高い熱伝導率を有する他の金属により形成できる。アルミニウム基合金から形成する場合、マーキングのコントラストを高めるために、黒色に陽極酸化するか、又は別のコーティングを施してもよい。これらのリード・フレームは、マトリクス形状で設けても、又はピック・アンド・プレイス工程で使用できるように単一化してもよい。成形は、個々のパッケージとして、又はストリップ状で行うことができる。
【００２８】
パッケージ２００の基板２１８は、誘電材料から形成され、上記のとおり、下方に突出したヒート・スラグを含むことができる。いくつかの導電バイア２２０が、基板の周辺部分を貫通して延び、ワイヤ又はタブ・ボンド２２２をはんだボール２２４に相互接続している。図示のとおり、導電バイアのいくつかは、ＩＣデバイス２１４の周辺部２２６の周りに形成された入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドと電気的に導通する経路となる。他の導電バイア２２０’は、はんだボールとタイ・バー２０８との間の電気経路を成す。チップ側突出部分２０６は、ＩＣデバイス２１４の中央部分２２８と電気接触することができる。このように、リード・フレーム２０２は、熱伝導経路及び導電経路のうちの少なくとも一方、或いは両方となる。熱伝導グリース、又は他の熱／電気強化材料をチップ側突出部分２０６と中央部分２２８との間に配設してもよい。
【００２９】
図１２は、ワイヤ・ボンディングされた集積回路デバイス２１４を示すが、集積回路デバイス２１４の電気活性面は、下方に面し、フリップ・チップ・ボンディング法によって基板２１８に電気接続させることもできる。
【００３０】
ボール・グリッド・アレイ・パッケージ及びランド・グリッド・アレイ・パッケージに使用するのに有効な、リード・フレーム２０２を基板２１８と組み合わせた代替パッケージ２３０を図１５ａに断面図で示す。リード・フレーム２０２は、基板の中央に配設された開口２３２を貫通して延びている。リード・フレーム２０２は、リード・フレーム２０２と基板２１８との間の導電性又は非導電性接着材料によって定位置に保持される。１つ又は複数の集積回路デバイス２１４が、リード・フレーム２０２の上方に突出した部分２３５の表面２３４上に装架される。集積回路デバイス２１４は、ワイヤ又はタブ・ボンド２２２によって、導電バイア２２０に電気的に相互接続される。次いで、集積回路デバイスは、成形樹脂２１６内に封入される。
【００３１】
導電バイア２２０”のいくつかによって、集積回路デバイス２１４の電気活性面にある入力／出力パッドが、リード・フレーム２０２の外側部分２３６又はタイ・バーに相互接続される。このパッケージの代替実施例２３０’の変形型リード・フレーム２０２’を図１５ｂに示す。
【００３２】
更に別の代替パッケージ２４０を図１６に断面図で示す。リード・フレーム２０２は、中央に配設された開口２３２を貫通して延びる下方に突出した部分２４１を有する。１つ又は複数の集積回路デバイス２１４が、任意選択によっては受動素子２４２と共に、パッケージ２４０の全体の高さが低減するようにリード・フレーム２０２の中央に配設された部分２４４に装架される。ワイヤ又はタブ・ボンド２２２によって、集積回路デバイス２１４又は受動素子２４２のＩ／Ｏパッドが、プリント回路板等の外部回路に電気的に相互接続される。導電バイアの選択されたもの２２０”’によって、リード・フレーム２０２の外側部分２３６が外部回路に電気的に相互接続される。次いで、集積回路デバイス２１４及び任意選択による受動素子２４２は、先の実施例と同様に、成形樹脂２１６によって封入される。
【００３３】
リード・フレーム２０２の下方に突出した部分２４１の表面２４６によって、熱放散のための広い面積がもたらされる。本明細書で開示のパッケージは全て、以下の実施例で示すように、従来のＢＧＡ及びＬＧＡパッケージに比べて改善された熱放散特性を有し、図１６のパッケージ２４０では、熱放散が極めて大幅に向上している。更に優れた熱特性を得るには、表面２４６を外部ヒート・シンク若しくはヒート・スプレッダに熱的に結合するか、又は冷却液に曝してもよい。また、表面２４６は導電バイア２２０”’に接合され、後に外部回路に取り付けるために溶融させるはんだボールの寸法を制御する止め部としても機能することができる。
【００３４】
本発明の利点は、以下の実施例から、より明らかとなろう。
【実施例１】
【００３５】
熱性能を調べるために、表１の寸法及び仕様を有する１６９ボールの８×８ＢＧＡ（ＦＢＧＡ）パッケージのコンピュータ・シミュレーションによって図１２のパッケージをモデル化した。ΘＪＡは、半導体デバイスの動作部分からデバイスを取り囲む静止空気環境への熱抵抗である。表２に示すように、シミュレーションしたΘＪＡは、２℃／Ｗ改善された。この改善は、７．９％の電力損失の改善を意味する。
【００３６】
【表１】
2009540572.tif 000003
【００３７】
【表２】
2009540572.tif 000004
【実施例２】
【００３８】
熱性能を調べるために、表３の寸法及び仕様を有するＦＢＧＡパッケージのコンピュータ・シミュレーションによって図１５及び図１６のパッケージをモデル化した。これらのシミュレーションしたパッケージの熱性能の計算結果を表４に示す。
【００３９】
【表３】
2009540572.tif 000005
【００４０】
【表４】
2009540572.tif 000006
【００４１】
表４は、図１５のパッケージのΘＪＡが約２．４℃／Ｗ改善し、一方図１６のパッケージのΘＪＡが約３℃／Ｗ改善したことを示す。図１５のパッケージに比べて、中央に配設される開口がより小さいため、このパッケージは、より多くの信号の入出力を維持することができる。図２に戻ると、中央部分２８は、より小さく作製してもよく、中央に配設される開口もより小さくなるため、このパッケージは、基板１２上でより多くの信号の入出力を維持することができる。更に、このリード・フレームは、熱経路の他に、接地平面としても使用できる。
【００４２】
本発明の１つ又は複数の実施例について説明してきたが、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な変更を行うことができることが理解されよう。
【図１】
2009540572.tif 000007
【図２】
2009540572.tif 000008
【図３】
2009540572.tif 000009
【図４】
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【図５】
2009540572.tif 000011
【図６】
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【図７】
2009540572.tif 000013
【図８】
2009540572.tif 000014
【図９】
2009540572.tif 000015
【図１０】
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【図１１】
2009540572.tif 000017
【図１２】
2009540572.tif 000018
【図１３】
2009540572.tif 000019
【図１４】
2009540572.tif 000020
【図１５ａ】
2009540572.tif 000021
【図１５ｂ】
2009540572.tif 000022
【図１６】
2009540572.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を収容するアレイ型パッケージ（１０）において、
対向する第１の側面（１４）及び第２の側面（１６）を有する誘電体基板（１２）であって、複数の導電バイア（１８）と、前記第１の側面（１４）から前記第２の側面（１６）まで延びる、中央に配設された開口（２０）とを更に有する誘電体基板（１２）と、
前記開口（２０）を貫通して延びる中央部分（２８）と、前記第１の側面（１２）に隣接し、前記開口（２０）の断面積よりも大きい断面積を有する第１の部分（２４）と、前記第２の側面（１６）に隣接する、反対側の第２の部分（２６）とを有するヒート・スラグ（２２）と、
前記ヒート・スラグ（２２）の前記第１の部分（２４）に接合され、前記誘電体基板（１２）の前記第１の側面（１４）で前記導電バイア（１８）に電気的に相互接続された（３２）１つ又は複数の半導体デバイス（３０）と、
第１の側面（３６）及び反対側の第２の側面（３８）を有するヒート・スプレッダ（３４）であって、該ヒート・スプレッダ（３４）は、ワイヤ・ボンディングで使用されるワイヤのための充分に離れた間隙によって、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）から間隔を置き、前記ヒート・スラグ（２２）と概ね平行に配置され、それによって、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）が、前記ヒート・スプレッダ（３４）と前記ヒート・スラグ（２２）との間に配設されるようになっている、ヒート・スプレッダ（３４）と、
前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）並びに、少なくとも、前記基板（１２）の前記第１の側面（１４）、前記ヒート・スラグ（３４）の前記第１の部分（３６）、及び前記ヒート・スプレッダ（３４）の前記第１の側面（３６）を封入する成形樹脂（４０）と
を特徴とする、アレイ型パッケージ（１０）。
【請求項２】
はんだボール（４２）が、前記基板（１２）の前記第２の側面（１６）で前記導電バイア（１８）に接合され、前記接合部とは反対側の前記はんだボールの点が実質的に同一平面上にあることを特徴とする、請求項１に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項３】
前記ヒート・スラグ（２２）の前記第２の部分（２６）が、前記はんだボール（４２）の前記点と実質的に同一平面上にあることを特徴とする、請求項２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項４】
前記ヒート・スラグ（２２）が、銅、アルミニウム、及びそれらの合金から成る群から選択された金属により形成されることを特徴とする、請求項２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項５】
前記ヒート・スラグ（２２）が、表示能力を高めるために別の材料により被覆されていることを特徴とする、請求項４に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項６】
前記ヒート・スラグ（２２）が、黒色陽極酸化層により被覆されたアルミニウム合金であることを特徴とする、請求項５に記載されたアレイ型パッケージ（１０）。
【請求項７】
対向する第１の側面（１４）及び第２の側面（１６）並びにアレイ状に配置された複数の開口（２０）を有する誘電体基板（１２）と、
複数の相互接続されたヒート・スラグ（２２）であって、各ヒート・スラグ（２２）が、中央部分（２８）によって分離された第１の部分（２４）及び第２の部分（２６）を有し、前記中央部分（２８）が前記複数の開口（２０）の１つを貫通して延び、前記第１の部分（２４）が前記複数の開口（２０）の１つの外周よりも大きい外周を有するヒート・スラグ（２２）と
を特徴とする、ヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項８】
複数のタイ・バー（４６）が、各ヒート・スラグ（２２）の各第１の部分（２４）の外周から突出し、１つの前記ヒート・スラグ（２２）からのタイ・バー（４６）が、隣接するヒート・スラグ（２２）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（４６）と相互接続点（４８）で交差することを特徴とする、請求項７に記載されたヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項９】
単一化を容易にするために、前記複数のタイ・バー（４６）の厚さが、前記相互接続点（４８）で低減されていることを特徴とする、請求項８に記載されたヒート・スラグ・アレイ（４４、１９４）。
【請求項１０】
前記タイ・バー（１９４）が、ヒート・スプレッダのアレイ（５０）のタイ・バー（１９０）を係合させるフィーチャ（１９２、１９６）を有することを特徴とする、請求項８に記載されたヒート・スラグ・アレイ（１９４）。
【請求項１１】
前記フィーチャ（１９２、１９６）が、突起部（１９２）、開口（１９６）、及びそれらの組合せから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１０に記載されたヒート・スラグ・アレイ（１９４）。
【請求項１２】
１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を収容するアレイ型パッケージ（１０）の製造方法において、
ａ）複数の開口（２０）を有する誘電体基板（１２）と、前記複数の開口（２０）の１つを貫通して延びる中央部分（２８）によって分離された対向する第１の部分（２４）及び第２の部分（２６）を有する複数の相互接続されたヒート・スラグ（２２）とを含むヒート・スラグ・アレイ（４４）であって、前記第１の部分（２４）が、前記複数の開口（２０）の１つの外周よりも大きい外周を有し、複数のタイ・バー（４６）が前記外周から突出し、１つの前記ヒート・スラグ（２２）からのタイ・バー（４６）が、隣接するヒート・スラグ（２２）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（４６）と相互接続点（４８）で交差するヒート・スラグ・アレイ（４４）を提供するステップと、
ｂ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を前記第１の部分（２４）に接合するステップであって、前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を前記誘電体基板（１２）の第１の側面（１４）で導電バイア（１８）に電気的に相互接続（３２）させ、前記導電バイア（１８）は、前記誘電体基板（１２）を貫通して、反対側の第２の側面（１６）まで延びている、ステップと、
ｃ）外周から延びる複数のタイ・バー（５２）を有するヒート・スプレッダのアレイ（５０）であって、１つの前記ヒート・スプレッダ（３４）からのタイ・バー（５２）が、隣接するヒート・スプレッダ（３４）からの少なくとも１つの他のタイ・バー（５２）と相互接続点（５４）で交差するヒート・スプレッダのアレイ（５０）を提供するステップと、
ｄ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）が、前記ヒート・スラグ（２２）の１つと、前記ヒート・スプレッダ（３４）の１つとの間に配設されるように、前記ヒート・スラグ（２２）のタイ・バー（４６）を前記ヒート・スプレッダ（３４）のタイ・バー（５２）に接合させる（６２）ステップと、
ｅ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）、並びに前記ヒート・スプレッダ（３４）及びヒート・スラグ（２２）の少なくとも一部分を成形樹脂（４０）内に封入するステップと
を特徴とするアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１３】
前記アレイを個々の構成品（１０）に単一化するステップを含む、請求項１２に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１４】
前記単一化するステップが、（ａ）ヒート・スラグ・アレイ（４４）を提供するステップと、（ｂ）前記１つ又は複数の半導体デバイス（３０）を接合するステップとの間に行われることを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１５】
前記単一化するステップが、（ｆ）封入するステップの後に行われることを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１６】
前記ヒート・スラグ（２２）の前記タイ・バー（４６、１９４）、および前記ヒート・スプレッダ（３４）の前記タイ・バー（５２、１９０）が、位置調整及び接合を容易にするフィーチャ（１９２、１９６）を有することを特徴とする、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１７】
前記ヒート・スラグ（２２）及び前記ヒート・スプレッダ（３４）のうちの一方が突起部（１９２）を備え、他方が嵌合開口（１９６）を備えることを特徴とする、請求項１６に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１８】
はんだボール（４２）を前記第２の側面（１６）で前記導電バイア（１８）に取り付けるステップを含む、請求項１３に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項１９】
前記はんだボール（４２）は、前記はんだボール（４２）の前記第２の側面（１６）とは反対側の点が、前記ヒート・スラグ（２２）の前記第２の部分（２６）と同一平面上となるために有効な直径を有するように選択されることを特徴とする、請求項１８に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項２０】
前記はんだボール（４２）及び前記第２の部分（２６）の両方を外部回路に接合するステップを含む、請求項１９に記載されたアレイ型パッケージ（１０）の製造方法。
【請求項２１】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２００）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央半導体デバイス装架部分、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が前記半導体装架部分に固定され、前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続（２２２）されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
突起部分を有する表面側側面（２０４）および反対側のチップ側側面（２２０）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記チップ側側面（２０６）が、前記半導体デバイス（２１４）の前記第２の側面に隣接し、前記リード・フレーム（２０２）は、前記リード・フレーム（２０２）の縁部から外方に延び、接続された前記導電バイア（２２０’）の他の導電バイアに電気的に相互接続される複数のタイ・バー（２０８）を更に有するリード・フレーム（２０２）と、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、および前記リード・フレーム（２０２）の少なくとも一部分を封入する成形樹脂（２１６）であって、前記リード・フレーム（２０２）の前記突起部分（２０４）が、前記アレイ型パッケージ（２００）の露出表面を形成するようになっている、成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２２】
前記リード・フレーム（２０２）の前記チップ側側面（２０６）が、前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）に熱的に結合されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２３】
前記リード・フレーム（２０２）の前記チップ側側面（２０６）が、前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）に電気的に結合されていることを特徴とする、請求項２２に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２４】
前記リード・フレーム（２０２）が、銅基合金により形成され、黒色酸化物により被覆されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２５】
前記リード・フレーム（２０２）が、アルミニウム基合金により形成され、黒色陽極酸化物により被覆されていることを特徴とする、請求項２１に記載されたアレイ型パッケージ（２００）。
【請求項２６】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２３０）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央に配設された開口（２３２）、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
上方に突出した部分（２３５）および周辺フランジ（２３６）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記上方に突出した部分（２３５）が前記中央に配設された開口（２３２）を貫通して延び、前記フランジ部分（２３６）が前記誘電体基板（２１８）の第２の側面に当接するリード・フレーム（２０２）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が、前記上方に突出した部分（２３５）に固定され、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つが、前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続（２２２）されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、前記少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、及び前記リード・フレーム（２０２）の前記上方に突出した部分（２３５）を封入する成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２７】
前記周辺フランジ（２３６）が、前記導電バイア（２２０”）のうちの選択された導電バイアに電気的に相互接続されていることを特徴とする、請求項２６に記載されたアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）の入出力パッドが、少なくとも前記周辺フランジ（２３６）に通じている導電バイア（２２０”）に電気的に相互接続（２２２）されていることを特徴とする、請求項２７に記載されたアレイ型パッケージ（２３０）。
【請求項２９】
１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）を収容するアレイ型パッケージ（２４０）において、
対向する第１の側面及び第２の側面、中央に配設された開口（２３２）、並びに複数の導電バイア（２２０）が貫通して延びる周辺部分を有する誘電体基板（２１８）と、
下方に突出した部分（２４１）及び周辺フランジ（２３６）を有するリード・フレーム（２０２）であって、前記下方に突出した部分（２４１）が前記中央に配設された開口（２３２）を貫通して延び、前記フランジ部分（２３６）が前記誘電体基板（２１８）の前記第１の側面に当接するリード・フレーム（２０２）と、
対向する第１の側面及び第２の側面を有する前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つであって、前記第１の側面が、前記下方に突出した部分（２４１）に固定され、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つが前記導電バイア（２２０）のそれぞれに電気的に相互接続されている、前記１つ又は複数の半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つと、
前記基板（２１８）の少なくとも前記第１の側面、前記少なくとも１つの集積回路デバイス（２１４）、及び前記リード・フレーム（２０２）の前記周辺フランジ（２３６）を封入する成形樹脂（２１６）と
を特徴とするアレイ型パッケージ。
【請求項３０】
前記周辺フランジ（２３６）が、前記導電バイア（２２０”’）のうちの選択された導電バイアに電気的に結合されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３１】
前記少なくとも１つの半導体デバイス（２１４）の少なくとも１つの入出力パッドが、前記周辺フランジ（２２０”’）に電気的に結合（２２２）されていることを特徴とする、請求項３０に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３２】
前記下方に突出した部分（２４１）が、外部構造体に熱的に結合されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３３】
はんだボールが、前記基板（２１８）の前記第２の側面で前記導電バイア（２２０、２２０”’）に固定されていることを特徴とする、請求項２９に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【請求項３４】
前記下方に突出した部分（２４１）が、後に外部回路に取り付けられる前記はんだボールの寸法を制御するのに有効であることを特徴とする、請求項３３に記載されたアレイ型パッケージ（２４０）。
【国際調査報告】
2009540572.tif 000024