(57)【要約】超小型電子デバイスを洗浄するための非水性剥離洗浄組成物であって、この組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および有害な副反応を阻害する少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤を含む。この組成物には、例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属錯化剤または金属キレート剤、および腐食防止剤などの他の任意の成分もまた含まれてもよい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子デバイスを洗浄するための剥離洗浄組成物であって、
ａ）剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、
ｂ）少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および
ｃ）少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤
を含む、組成物。
【請求項２】
剥離溶媒としての前記少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物が、前記組成物の重量に基づき約２０ｗｔ％〜約９９ｗｔ％の量で該組成物中に存在し、前記水酸化物強塩基の水を含まない供給源が、該組成物の重量に基づき約０．５ｗｔ％〜約２０ｗｔ％の量で該組成物中に存在し、前記ヒドロキシピリジンが、該組成物の重量に基づき約０．０１ｗｔ％〜約５ｗｔ％の量で該組成物中に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
剥離溶媒としての前記少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物が、スルホキシド、スルホン、スルホランとその混合物からなる群から選択され、前記水酸化物強塩基の水を含まない供給源が、アルカリ水酸化物、水酸化アンモニウムおよび第四級水酸化アンモニウムとその混合物から選択され、前記少なくとも１つのヒドロキシピリジンが、２−ヒドロキシピリジン、４−ヒドロキシピリジンとその混合物から選択される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
剥離溶媒としての前記少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物が、ジメチルスルホキシド、スルホランとその混合物からなる群から選択され、前記水酸化物強塩基の水を含まない供給源が、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドから選択され、前記少なくとも１つのヒドロキシピリジンが、２−ヒドロキシピリジンから選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、ジメチルスルホキシド、スルホラン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび２−ヒドロキシピリジンを含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が、プロピレングリコールも含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記ジメチルスルホキシドが約６６ｗｔ％の量で存在し、前記スルホランが約１７．４ｗｔ％の量で存在し、前記テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが約２．４ｗｔ％の量で存在し、前記プロピレングリコールが約１４ｗｔ％の量で存在し、前記２−ヒドロキシピリジンが約０．２ｗｔ％の量で存在する、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
金属キレ−ト剤または金属錯化剤、共溶媒、腐食防止化合物、および界面活性剤またはサーファクタントからなる群から選択される１つ以上の成分をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項１の組成物を含む、方法。
【請求項１０】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項２の組成物を含む、方法。
【請求項１１】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項３の組成物を含む、方法。
【請求項１２】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項４の組成物を含む、方法。
【請求項１３】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項５の組成物を含む、方法。
【請求項１４】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項６の組成物を含む、方法。
【請求項１５】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項７の組成物を含む、方法。
【請求項１６】
実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法であって、工程は、該デバイスを洗浄組成物と、該デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物が請求項８の組成物を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超小型電子基板のための安定化された洗浄剥離組成物、特に、結果として金属腐食が少なくあるいは実質的に金属腐食がなくなる超小型電子パターン基板からバルクフォトレジスト、無灰化ポリマー残渣および灰化残渣を洗浄するための安定化洗浄剥離組成物に関する。本発明は、アルミニウム系および銅系超小型電子デバイス部品から過度のアルミニウムまたは銅腐食を起こすことなく、ポリマーの洗浄に特に効果的である一方、金属及び基板を腐食から保護しながら他の超小型電子技術用途からポリマーを除去するのにも効果的である。本発明が洗浄および保護に効果的である工程には、ハードディスク製造（Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｒ金属の合金を用いた）、ウェーハバンピング工程、（ＰｂＳｎ、ＩｎＳｎおよび他のＰｂを含まないハンダなど）、ライン工程の高度な前端（ＳｉＧｅ、さまざまな金属ゲート）および化合物半導体に用いられるものがある。本発明は、さらに、超小型電子基板からの無灰化フォトレジストの洗浄または剥離と同様に、他のバイア（ｖｉａｓ）からおよび金属線から後の灰残渣も洗浄できるような洗浄組成物に関する。本発明のさらなる態様は、超小型電子部品、特にアルミニウム含有超小型電子部品から非常に多くの超小型電子技術工程で見られる金属に対して過度の金属腐食を起こすことなく、フォトレジストおよび残渣を洗浄または剥離する工程である。
【背景技術】
【０００２】
発明の背景
超小型電子技術製造での用途に、多くのフォトレジスト剥離剤および残渣除去剤が提案されている。超小型電子デバイス構築の多くの段階は、基板材料上に堆積し、結像して回路設計を提供するフォトレジストの薄膜に関与する。生じた像を利用して誘電層または金属層となりうる下地材料をプラズマエッチングガスまたは溶剤系化学エッチングを用いてパターン化する。このエッチングステップの後、次の工程作業を行なうことができるようにレジストマスクを基板の保護領域から除去しなければならない。フォトレジストは、湿潤化学剥離剤で直接除去してもよいし、あるいはバルク材料を灰化した後、残渣除去することにより主として除去してもよい。バルクレジストおよび灰化残渣を除去する洗浄組成物の発見には興味をそそられる。エッチング工程はバルクポリマーを改質し、架橋を増加させ、レジストの除去をさらに困難にするかもしれない。灰化ステップが部分的または不完全で、特徴側壁の灰化残渣の除去が難しいと分かると、同様な架橋に直面するかもしれない。また、洗浄溶液は、腐食またはエッチングから露出したすべての金属または誘電体を保護する一方、適切な洗浄を提供しなければならない。このことは、それぞれ独特な適合性の要求事項を有すると同時に非常に多くの材料との適合性を必要とする超小型電子技術の開発の領域において特に重要である。
【０００３】
架橋、硬化したフォトレジストおよびエッチング後の残渣などの他の残渣をこのような超小型電子基板から除去するために多くの超小型電子技術剥離洗浄アルカリ組成物が提案されている。しかしながら、このような剥離洗浄組成物のもつ問題の一つは、このような洗浄組成物を用いた結果、起こる金属腐食の可能性である。このような腐食の結果、少なくとも一部には、デバイス基板の金属が用いたアルカリ剥離剤と反応するために、金属線のウィスカ、ピッチング、ノッチング、および合金から金属の選択的損失がおこる。このようなアルカリ性の超小型電子技術剥離洗浄組成物の１つが、特許文献１に開示されている。本特許の剥離洗浄組成物は、基板から硬化、架橋したフォトレジストを剥離するために市販されている一方、さまざまな露出した金属層を有する超小型電子基板を本特許の洗浄組成物で洗浄を試みることにより、著しい金属腐食または不十分なレジストまたは残渣の洗浄を結果として招くことがわかった。
【特許文献１】米国特許第５，３０８，７４５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そのため、バルク残渣レジストおよび灰化残渣を効果的に除去でき、剥離洗浄組成物から著しい金属腐食も基板攻撃もなく、そうすることができる超小型電子技術剥離洗浄組成物を必要とする。同じ洗浄ステップにおいても、洗浄成分にさらされた超小型電子技術製造に存在する非常に多くの材料に対する腐食保護を提供するような組成物を必要とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（要旨）
本発明にしたがって、超小型電子デバイスを洗浄するための非水性剥離洗浄組成物が提供され、この組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および有害な副反応を阻害する少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤を含む。例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属キレート剤または金属錯化剤および腐食防止剤などの他の任意の成分もまた、本発明の非水性剥離洗浄組成物中に存在することができる。
【０００６】
超小型電子デバイスの洗浄用の本発明の非水性剥離洗浄組成物は、一般に、組成物の重量に基づき剥離溶媒としての有機硫黄含有極性化合物として約２０ｗｔ％〜約９９ｗｔ％の量のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの液体スルホキシド、スルホランなどの液体スルホランまたはその混合物と、組成物の重量に基づき水酸化物強塩基として約０．５ｗｔ％〜約２０ｗｔ％の量のアルカリ金属水酸化物と、水酸化アンモニウムまたは第四級水酸化アンモニウムと、組成物の重量に基づき約０．０１ｗｔ％〜約５ｗｔ％の量の２−または４−ヒドロキシピリジンまたはその混合物を含むのが好ましいだろう。
【０００７】
本発明による超小型電子デバイスの洗浄方法は、実質的にいかなる金属腐食も生じることなく、超小型電子デバイス基板を洗浄するための方法を含み、その工程は、超小型電子デバイスを非水性洗浄組成物と、デバイスを洗浄するのに十分な時間、接触させることを含み、該洗浄組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および少なくとも１つのヒドロキシピリジン安定化剤を含み、任意に、例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属錯化剤または金属キレート剤、および腐食防止剤などの他の添加成分を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（発明および好ましい実施形態の詳細な説明）
超小型電子デバイスの洗浄用の本発明の非水性剥離洗浄組成物は、剥離溶媒としての少なくとも１つの有機硫黄含有極性化合物、少なくとも１つの水酸化物強塩基の水を含まない供給源、および有害な副反応を阻害する安定化剤として少なくとも１つのヒドロキシピリジンを含む。例えば、共溶媒、サーファクタントまたは界面活性剤、金属錯化剤または金属キレート剤、および腐食防止剤などの他の任意の成分もまた、本発明の非水性剥離洗浄組成物中に存在してもよい。
【０００９】
任意の適切な有機硫黄含有剥離溶媒極性化合物は、本発明の組成物中で用いてもよい。このような適切な有機硫黄含有極性化合物の例として、液体ジアルキルスルホキシドや液体スルホンなど、特にジメチルスルホキシドおよびスルホランが挙げられるが、これらに限定されるものではない。このような化合物として、例えば、式Ｒ１−Ｓ（Ｏ）（Ｏ）−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、炭素数１〜４のアルキルである）のスルホンおよび式Ｒ１−Ｓ（Ｏ）−Ｒ２（式中、Ｒ１およびＲ２は、炭素数１〜４のアルキルである）の液体スルホキシド、例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）および環状スルホキシド、スルホラン（テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキサン）などのスルホン化合物などが挙げられる。このような有機硫黄含有極性化合物は、組成物の重量に基づき約２０ｗｔ％〜約９９ｗｔ％、好ましくは約２５ｗｔ％〜約９０ｗｔ％、より好ましくは約５０ｗｔ％〜約９０ｗｔ％の量で、組成物中に存在するだろう。
【００１０】
任意の適切な非水性水酸化物強塩基は、本発明の組成物中で用いてもよい。このような適切な非水性水酸化物強塩基の例として、アルカリ金属水酸化物、水酸化アンモニウムおよび第四級水酸化アンモニウムが挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属を含まない塩基が好ましく、第四級アンモニウム塩基、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのテトラアルキルアンモニウムヒドロキシドなどがさらにより好ましい。塩基は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド（アルキルまたはアルコキシ基中に一般に炭素数１〜４のヒドロキシ基およびアルコキシ基含有アルキル基を含むが、またベンジル基も含む）などの第四級水酸化アンモニウムが好ましい。これらのうち、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよびトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）が最も好ましい。他の使用できる第四級水酸化アンモニウムの例として、トリメチル−３−ヒドロキシプロピルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−３−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−４−ヒドロキシブチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリプロピル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルエチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジ−（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリエタノ−ルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエタノ−ルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジエチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルジブチルアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどおよびその混合物が挙げられる。組成物に用いられる少なくとも１つの非水性水酸化物強塩基の量は、組成物の重量に基づき、一般に約０．５ｗｔ％〜約２０ｗｔ％、好ましくは約０．５ｗｔ％〜約１０ｗｔ％、より好ましくは約０．５ｗｔ％〜約５ｗｔ％の量になるだろう。
【００１１】
任意の適切なヒドロキシピリジン化合物は、本発明の組成物中の安定化剤成分として用いてもよい。このような適切なヒドロキシピリジンの例として、２−、３−および４−ヒドロキシピリジンを挙げることができる。ヒドロキシピリジンは、２−または４−ヒドロキシピリジンが好ましく、２−ヒドロキシピリジンがさらに好ましい。本発明の組成物中のヒドロキシピリジン成分の量は、組成物の重量に基づき、一般に約０．０１ｗｔ％〜約５ｗｔ％、好ましくは約０．０１ｗｔ％〜約２ｗｔ％、より好ましくは約０．０１ｗｔ％〜約０．５ｗｔ％の量になるだろう。本組成物のヒドロキシピリジン成分は、安定化剤として存在し、硫黄含有有機溶媒成分と水酸化物強塩基の反応を妨げることによって組成物に対して安定効果を与えると考えられている。ヒドロキシピリジン安定化剤が存在しないと、組成物のｐＨは、一般に約１２であるのだが、低下し、組成物の色が変化して、洗浄効率を失うだろう。
【００１２】
「非水性」という用語は、組成物中に約２％以下の水、好ましくは約１％未満の水が存在し、より好ましくは０．５％の水から本質的に水が存在しないことまでを意味する。
【００１３】
任意の適切な有機共溶媒化合物は、一般に非水性水酸化物強塩基の担体として、あるいは組成物の全体の溶媒特性を高めるために本発明の組成物中に任意に含まれてもよい。これらの共溶媒には、メタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコールなどの脂肪族アルコールおよびポリオール、およびそれらのエーテル、式ＨＯＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｒ（式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である）、特にジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル、１−メトキシ−２−プロピルアセテートおよびγ−ブチロラクトンなどのアルキルエステル、および他の非プロトン溶媒が挙げられるが、これらに限定されるものではない。共溶媒成分は、存在する場合、組成物の全重量のうち約０．１ｗｔ％〜約３０ｗｔ％まで、好ましくは２５ｗｔ％まで、より好ましくは２０ｗｔ％まで含んでもよい。
【００１４】
本発明の組成物は、また場合により、他の添加成分を含有してもよい。このような任意の添加成分は、金属錯化剤または金属キレート剤、腐食防止化合物およびサーファクタントまたは界面活性剤を含む。
【００１５】
有機または無機キレート剤または金属錯化剤は必要とされないが、場合により本発明の組成物中に含まれてもよく、例えば、本発明の非水性洗浄組成物に組み込まれると、生成物の安定性を高めるなどの実質的な利益を与える。適切なキレート剤または錯化剤の例として、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジアミン四酢酸（ＣｙＤＴＡ）、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、スズ酸塩、ピロリン酸塩、アルキリデン−ジホスホン酸誘導体（例えば、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホネート）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミンまたはトリエチレンテトラミン官能部分を含有するホスホネート［例えば、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＭＰ）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）］が挙げられるが、これらに限定されるものではない。金属錯化剤または金属キレート剤は、組成物中に存在すれば、組成物の重量に基づき、約０．１ｗｔ％〜約５ｗｔ％、好ましくは約０．１ｗｔ％〜約２ｗｔ％の量で存在するだろう。
【００１６】
本発明の非水性洗浄組成物は、また場合により、超小型電子洗浄剤組成物中で用いられる他の腐食防止剤および類似の非腐食成分を含有できる。その化合物には、レゾルシノール、没食子酸、没食子酸プロピル、ピロガロール、ハイドロキノン、ベンゾトリアゾールおよびベンゾトリアゾールの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの他の腐食防止剤は、組成物の重量に基づき、任意の適当な量、一般に約０．１ｗｔ％〜約５ｗｔ％、好ましくは約０．１ｗｔ％〜約３ｗｔ％、さらに好ましくは約０．２ｗｔ％〜約２ｗｔ％の量で存在してもよい。
【００１７】
本発明の組成物は、また、場合により適切な両性、非イオン、カチオンまたはアニオン界面活性剤またはサーファクタントを任意に含有してもよい。サーファクタントの添加は、処方物の表面張力を低下させ、洗浄する表面のぬれを高めるので、組成物の洗浄作用を高める。さらに、サーファクタント特性は、微粒子の分散を助け、よりよい洗浄を促進する。任意の適切な両性、カチオンまたは非イオンサーファクタントは、本発明の組成物中で用いてもよい。特に適切なサーファクタントの例として、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（Ｓｕｒｆｙｎｏｌ−６１）、エトキシ化２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール（Ｓｕｒｆｙｎｏｌ−４６５）、ポリテトラフルオロエチレンセトキシプロピルベタイン（Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＫ）、Ｚｏｎｙｌ  ＦＳＨ、Ｔｒｉｔｏｎ  Ｘ−１００、すなわちオクチルフェノキシポリエトキシエタノールなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。サーファクタントは、組成物中に存在する場合、組成物の全重量に基づき、一般に０．１ｗｔ％〜約５ｗｔ％、好ましくは０．００１ｗｔ％〜約３ｗｔ％の量で存在するだろう。
【００１８】
本発明の好ましい組成物は、８．１％のプロピレングリコールおよび０．５ｗｔ％の２−ヒドロキシピリジン中に、約７２ｗｔ％のＤＭＳＯ、１８ｗｔ％のスルホランおよび１．４ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの組成物を含む。本発明の他の好ましい組成物は、６６％のＤＭＳＯ、１７．４％のスルホラン、１４％のプロピレングリコール、２．４％のＴＭＡＨおよび０．２％の２−ヒドロキシピリジンの組成物を含む。
【００１９】
本発明の組成物およびそれらの超小型電子デバイスを洗浄するための洗浄組成物としての有効性を以下の実施例によって説明する。
【実施例】
【００２０】
実施例１
以下の試験は、処方物に対するヒドロキシピリジン安定化添加剤の必要性を実証する。溶液１は、重量で６６％のＤＭＳＯ、２２％のスルホラン、１１．２％のプロピレングリコールおよび０．８％のＴＭＡＨを含有した。溶液２は、６６％のＤＭＳＯ、２２％のスルホラン、１０．２％のプロピレングリコールおよび１．８％のＴＭＡＨを含有した。これらの溶液のそれぞれに、以下に示した０．５％の２−ヒドロキシピリジン（ＨＰ）を加えた。各溶液を８５℃に加熱し、経時的に監視した。不安定な浴（ヒドロキシピリジンを含有しないもの）中で、浴の色変化によってｐＨの低下を示した。この時点または時点まで、浴は効率的な洗浄性能を示さないだろう。
【００２１】
【表１】
2009527126.tif 000002
実施例２
以下の試験は、Ｄａｖｉｄ  Ｓｋｅｅの米国特許第６，５９９，３７０号および第６，５８５，８２５号の開示に対して本発明の新規かつ予想外の局面を支持する。Ｓｋｅｅのこれらの特許において、多くの化合物は、ＴＭＡＨおよび金属を含まないケイ酸塩を含有する水溶液に対して効果的な浴寿命延長剤であると開示されている。これらのＳｋｅｅの特許中の浴寿命延長化合物は、これらの水性組成物中の緩衝剤として用いられた。しかしながら、本発明の組成物は非水性組成物なので、ヒドロキシピリジン安定化合物は緩衝剤として機能できない。そのため、ヒドロキシピリジン化合物が本発明の非水性組成物中で安定化剤として作用できることは、全くもって驚くべきことであるのに反して、表２に示した結果によって立証されるように、Ｓｋｅｅの特許の他の緩衝剤はそうすることはできない。各試験では、添加剤が全溶液重量の１％になるように上記からの溶液２（６６％のＤＭＳＯ、２２％のスルホラン、１０．２％のプロピレングリコールおよび１．８％のＴＭＡＨ）を各種添加剤と混合した。次に、溶液を８５℃で２４時間加熱した。２４時間で浴の色が変化しなかったか、または浴のｐＨが１１未満に低下しなかった場合、添加剤の性能は良好であると判断し、浴が７〜２４時間安定していたら、適正であると判断し、浴が７時間内で変化したら、不合格であると判断した。
【００２２】
【表２】
2009527126.tif 000003
実施例３
洗浄溶液（溶液３）を調製し、これは、約６６％のＤＭＳＯ、約１７．４％のスルホラン、約１４％のプロピレングリコール、約２．４％のＴＭＡＨおよび約０．２％の２−ヒドロキシピリジンを含有した。構造を通る「貫通穴（ｐｕｎｃｈ−ｔｈｒｏｕｇｈ）」（Ｓｉ及びＴｉＮからＡｌ層へのバイアエッチング（ｖｉａｓ  ｅｔｃｈ））を有するパターン化されたＡｌ技術ウェーハ試料を表３に記載の温度に加熱したこれらの溶液中に１０分間入れた後、ウェーハ試料を取り出して、ＤＩ水中で２分間洗浄し、窒素を吹きつけて乾燥した。比較のために、その他の点で類似の組成物（ＤＭＳＯ、スルホン、ＴＭＡＨおよび水を含有する）の市販の半水性製品であるＡＬＥＧ−６２５（Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒ）中で、同じウェーハを洗浄した。灰残渣除去（０〜１００％の除去）およびアルミニウム腐食（０〜１００％の露出したＡｌ金属の損失）について洗浄したウェーハを評価した。
【００２３】
【表３】
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実施例４
洗浄溶液（溶液３）を調製し、これは、約６６％のＤＭＳＯ、約１７．４％のスルホラン、約１４％のプロピレングリコール、約２．４％のＴＭＡＨおよび約０．２％の２−ヒドロキシピリジンを含有した。設定期間の間、ウェーハを化学成分に曝し、また４点プローブによる金属の厚さの変化の測定により、被覆（blanket）ＡｌおよびＣｕウェーハに対するエッチング速度を決定した。比較のために、その他の点で類似の組成物の市販の半水性製品であるＡＬＥＧ−６２５（Ｊ．Ｔ．Ｂａｋｅｒ）中で、同じウェーハを洗浄した。代表的な各種操作温度における結果を以下の表にまとめた。
【００２４】
【表４】
2009527126.tif 000005
実施例５
先の実施例からの洗浄溶液３を用い、露出したＣｒ特徴を有するパターン化ウェーハおよびＰｂＳｎハンダバンプを有する別のウェーハからフォトレジストを除去した。先の実施例のように、この溶液の洗浄および適合性をＡＬＥＧ−６２５と比較した。各場合、ウェーハ試料を設定温度で設定時間溶液に曝した後、ＤＩ水で１分洗浄し、Ｎ２流中で乾燥した。試料のＳＥＭ分析を用い、洗浄効率および適合性を決定した。洗浄効率は、除去したフォトレジストのパーセンテージとして示す一方、特徴形状に何らかのピッチングまたは変化がみられるなら、溶液は非適合性であると決定される。
【００２５】
【表５】
2009527126.tif 000006
本明細書において、本発明はその具体的な実施形態を参照して説明してきたが、本明細書に開示した発明の概念の趣旨および適用範囲から逸脱することなく、変更、改変および変形を行うことができることは、十分理解されるだろう。したがって、添付の特許請求の範囲の趣旨および適用範囲に含まれるこのようなすべての変更、改変および変形を包含するものである。
【国際調査報告】
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