(57)【要約】  熱放散手段（８８）を含むノーリード電子パッケージ（７０）とその製造方法。この方法は、ダイ受入れ領域および相互接続のためのリード（７４）を備えたマトリクス又はマッピングされたノーリード・リード・フレームを選ぶ工程と、中央アパーチャ内に集積回路デバイス（８０）を配置して、集積回路デバイス（８０）をリード（７４）に電気的に接続する工程と、集積回路デバイス（８０）に接近するが接触しないように熱放散手段（８８）を配置して、集積回路デバイス（８０）がリード（７４）と熱放散手段（８８）との間に位置するようにする工程と、集積回路デバイス（８０）と、熱放散手段（８８）およびリード（７４）の少なくとも一部とをモールディング樹脂（９１）中にカプセル封入する工程を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノーリード電子パッケージ（７０）の製造方法であって、
中央アパーチャの周囲で終端する複数のリード（７４）を含む望ましい構造を有するリード・フレーム（７２）を提供する工程と、
前記中央アパーチャ内に集積回路デバイス（８０）を配置して、前記集積回路デバイス（８０）を前記リード（７４）に電気的に接続する工程と、
前記集積回路デバイス（８０）に接近するが接触しないように熱放散手段（８８）を配置して、前記集積回路デバイス（８０）が前記リード（７４）と前記熱放散手段（８８）との間に位置するようにする工程と、
前記半導体デバイス（８０）と、前記熱放散手段（８８）およびリードの少なくとも一部とをモールディング樹脂（９１）にカプセル封入する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記熱放散手段（８８）は、複数のタイ・バーによって平坦でない関係にあり、また前記複数のタイ・バーは、前記パッケージ構造によって支えられる前記方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、前記熱放散手段（８８）は、前記モールディング樹脂（９１）中に完全に封入される前記方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法であって、前記熱放散手段（８８）の表面（９２、９２’）は、露出されて、前記モールディング樹脂（９１）の表面（９４、９４’）と平坦に揃っている前記方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、更に、モールディング樹脂（９１）中にカプセル封入する前に、前記熱放散手段（８８）を被覆する工程を含む前記方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、前記熱放散手段（８８）には、アルミニウム・ベースの合金が選ばれ、前記被覆工程は、ブラック陽極酸化である前記方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法であって、前記熱放散手段（８８）には、銅ベースの合金が選ばれ、前記被覆工程は、ニッケル被覆を施す工程を含む前記方法。
【請求項８】
請求項２記載の方法であって、更に、前記タイ・バーを前記構造に接着させる工程を含む前記方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、前記構造は、前記中央アパーチャ内に配置されたダイ・パッド（１３２）および前記ダイ・パッドから外に延びるダイ・パッド・タイ・バーを含み、前記熱放散手段タイ・バーは、前記リード（７４）の少なくとも１つおよび前記ダイ・パッド・タイ・バーに接着剤で接着される前記方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、前記熱放散手段タイ・バー（１９０）は、前記リード（７４）の少なくとも１つおよび前記ダイ・パッド・タイ・バーにエポキシおよび導電性テープの少なくとも１つを使用して接着剤で接着される前記方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法であって、更に、前記集積回路デバイス（８０）の電気的に不活性な表面を前記ダイ・パッド（１３２）に接着し、前記集積回路デバイス（８０）の電気的に活性な表面をワイヤ・ボンド又はＴＡＢボンドによって前記リード（７４）に電気的に接続する工程を含む前記方法。
【請求項１２】
請求項８記載の方法であって、前記集積回路デバイス（８０）の電気的に活性な表面は、フリップ・チップ・ボンディングによって前記リードに直接接着される前記方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、熱伝導性ポリマが前記集積回路デバイス（８０）の電気的に不活性な表面および前記熱放散手段（８８）の両方に接触する前記方法。
【請求項１４】
請求項８記載の方法であって、前記熱放散手段タイ・バー（１９０）は、隣接する熱放散手段タイ・バーに接続されて熱放散手段アレイを構成する前記方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法であって、モールディング樹脂（９１）中にカプセル封入する前記工程は、前記熱放散手段タイ・バー（１９０）の切離しのあとで行なわれる前記方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の方法であって、モールディング樹脂（９１）中にカプセル封入する前記工程は、前記熱放散手段タイ・バー（１９０）の切離しの前に行なわれる前記方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の方法であって、前記熱放散手段タイ・バー（１９０）は、切離しを容易にするために厚さの薄い部分を有する前記方法。
【請求項１８】
半導体パッケージであって、
中央に配置されたダイ・パッド（１４）の周囲に位置する内側端および外側端を有し、そこから外に延びる複数のダイ・パッド・タイ・バー（１８）を備えた複数のリード（１６）と、
前記ダイ・パッド（１４）に接着された電気的に不活性な表面と、ワイヤ・ボンド又はＴＡＢボンドによって前記内部リードに電気的に接続された電気的に活性な表面とを有する集積回路デバイスと、
前記電気的に活性な表面に接近するが接触しない熱放散手段（３４）であって、前記集積回路デバイスが前記ダイ・パッド(１２４)と前記熱放散手段（３４）との間に位置するようにする前記熱放散手段（３４）と、
前記集積回路デバイス、前記熱放散手段（３４）の少なくとも一部および前記ダイ・パッド（１４）および前記外側端の平坦な表面を除くすべてをカプセル封入するモールディング樹脂（４６）と、
を含む半導体パッケージ。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法であって、前記熱放散手段（３４）は、ニッケルを被覆された銅ベースの合金である前記方法。
【請求項２０】
半導体パッケージであって、
中央に配置されたアパーチャの周りに配置された内側端および外側端を有する複数のリード（１６）と、
前記アパーチャを跨ぎ、前記複数のリード（７４）の前記内側端に半田によって直接接着された電気的に活性な表面を有する集積回路デバイス（８０）と、
前記集積回路デバイス（８０）の電気的に不活性な表面に接近するが接触しない熱放散手段（８８）であって、それによって前記集積回路デバイス（８０）が前記複数のリード（７４）と前記熱放散手段（８８）との間に位置するようにする前記熱放散手段（８８）と、
前記集積回路デバイス（８０）、前記熱放散手段（８８）の少なくとも一部および前記ダイ・パッド（１３２）および前記外側端の平坦な表面を除くすべてをカプセル封入するモールディング樹脂（９１）と、
を含む半導体パッケージ。
【請求項２１】
請求項４、１８又は２０記載の半導体パッケージであって、前記熱放散手段（８８）として、銅、アルミニウム、銅ベースの合金およびアルミニウム・ベースの合金を含むグループから選ばれる前記半導体パッケージ。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体パッケージであって、前記熱放散手段（８８）は、更に、前記モールディング樹脂（９１）によるカプセル封入の前に前記熱放散手段（８８）に加えられる被覆を含む前記半導体パッケージ。
【請求項２３】
請求項１８又は２１記載の半導体パッケージであって、前記熱放散手段（８８）は、ブラック陽極酸化で被覆されたアルミニウム・ベースの合金であり、前記熱放散手段（８８）の表面は、前記モールディング樹脂（９１）と平坦に揃った状態で露出される前記半導体パッケージ。
【請求項２４】
請求項２１記載の半導体パッケージであって、前記電気的に不活性な表面と前記熱放散手段（８８）との間に熱伝導性ポリマが配置される前記半導体パッケージ。
【請求項２５】
請求項２１記載の半導体パッケージであって、前記アパーチャの内部にダイ・パッド（１３２）が配置され、前記集積回路デバイス（８０）が前記ダイ・パッド（１３２）に直接接着される前記半導体パッケージ。
【請求項２６】
請求項２０記載の半導体パッケージであって、更に、前記熱放散手段（８８）を前記複数のリード（７４）の少なくとも一部と結合させる接着剤を含む前記半導体パッケージ。
【請求項２７】
請求項２６記載の半導体パッケージであって、前記接着剤は、エポキシおよび導電性テープの１つである前記半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、１又は複数の半導体デバイスをカプセル封入するパッケージに関するものであって、更に詳細には、優れた熱的性能を有するノーリード・パッケージ（ｎｏ−ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）上のアセンブリに関する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
（関連技術の説明）
リード・フレーム・ベースの半導体パッケージでは、電気信号は、少なくとも１つの半導体デバイス（ダイ）とプリント回路基板などの外部回路との間を電気的に伝導性のリード・フレームによって運ばれる。リード・フレームは、各々が内側リード端および対向する外側リード端を有する複数のリードを含む。内側リード端は、ダイ上の入力／出力（Ｉ／Ｏ）パッドに電気的に接続され、外側リード端は、パッケージ本体の外側に外部回路への接続のためのターミナルを提供する。外側リード端がパッケージ本体の表面で終端する場合、パッケージは、「ノーリード」パッケージとして知られている。もし外側リードがパッケージ本体外周を越えて延び出せば、パッケージは、「リード付き」と呼ばれる。良く知られたノーリード・パッケージの例には、矩形のパッケージ本体底部の外周の周りに取り付けられた４組のリードを有するクワッド・フラット・ノー・リード（ＱＦＮ）パッケージおよびパッケージ本体底部の対向する辺に沿って取り付けられた２組のリードを有するデュアル・フラット・ノー・リード（ＤＦＮ）パッケージが含まれる。ダイと内側リード端との接続は、典型的には、ワイヤ・ボンディング、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）又はフリップ・チップ・ボンディングを用いて行われる。ワイヤ・ボンディング又はＴＡＢボンディングでは、内側リード端は、ダイから離れた場所で終端し、小径のワイヤ又は導電性テープによってダイの電気的に活性な表面上のＩ／Ｏパッドに電気的に接続される。ダイは、リードによって囲まれたダイ・パッドによってサポートされる。フリップ・チップ・ボンディングでは、リード・フレームの内側リード端は、ダイの下側に延びており、ダイがひっくり返されてダイの電気的に活性な表面上のＩ／Ｏパッドが半田ジョイントなどの直接的な電気的コンタクトによって内側リード端に接触するようにされる。
【０００３】
代表的なＱＦＮパッケージとそれの製造方法については、２００５年２月２４日付けでＰＣＴ国際出願第ＷＯ２００５／０１７９６８Ａ２として公開された同じ所有者による米国特許出願第１０／５６３，７１２号に更に詳細に開示されている。
【０００４】
ノーリード半導体パッケージの設計者にとって当面の目的は、より良い熱管理である。すなわち、電気的に活性な半導体ダイから熱を取り去る能力である。ＱＦＮは、熱管理およびコストの面で最良のリード・フレーム・ベースのパッケージであるが、集積回路デバイスがより複雑になると、熱的および電気的性能の改良が必要とされる。市場で利用できるオプションのなかには、集積回路ダイから伝導で熱を取り除くために重いワイヤおよび金属リボンを使用するものがある。
【０００５】
リード付きパッケージに熱放散手段を使用することについては、マフリカー（Ｍａｈｕｌｉｋａｒ）等による米国特許第５，６０８，２６７号に開示されている。基板ベースのパッケージに熱放散手段を使用することについては、リブレ（Ｌｉｂｒｅｓ）による米国特許第５，９７７，６２６号に開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術の設計のどれも外側ノーリードで、熱放散手段を有するリード・フレーム・ベースのパッケージを含まない。そのようなパッケージは、ＱＦＮおよび現時点で知られているその他のノーリード・パッケージと比べて強化された熱特性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（発明の概要）
発明の１つの態様は、ノーリード電子パッケージの製造方法である。方法は、次の、中央アパーチャの周りに終端する複数のリードを含む望ましい構造を有するリード・フレームを提供する工程と、中央アパーチャ内に集積回路デバイスを配置して、集積回路デバイスをリードに電気的に接続する工程と、集積回路デバイスに接近するが接触しないように熱放散手段を配置して、集積回路デバイスがリードと熱放散手段との間に位置するようにする工程と、半導体デバイスと熱放散手段およびリードの少なくとも一部とをモールディング樹脂にカプセル封入する工程を含む。
【０００８】
発明の別の１つの態様は、半導体パッケージであって、それは、次の、中央に配置されたダイ・パッドの周りに配置された内側端および外側端を有し、複数のダイ・パッド・タイ・バーがそこから外側に延びている複数のリードと、電気的に不活性な表面をダイ・パッドに接着され、電気的に活性な表面をワイヤ又はＴＡＢボンドによって内部リードに電気的に接続された集積回路デバイスと、電気的に活性な表面に接近するがそれに接触しない熱放散手段であって、それによって集積回路デバイスがダイ・パッドと熱放散手段との間に位置するようになった熱放散手段と、集積回路デバイス、熱放散手段の少なくとも一部およびダイ・パッドおよび外側端の平坦な表面を除くすべてをカプセル封入するモールディング樹脂を含む。
【０００９】
発明の更に別の態様は、半導体パッケージであって、それは、次の、中央に配置されたアパーチャの周りに配置された内側端および外側端を有する複数のリードと、アパーチャを跨ぎ、複数のリードの内側端に半田によって直接接着された電気的に活性な表面を有する集積回路デバイスと、補助の集積回路デバイスの電気的に不活性な表面に接近するが接触しない熱放散手段であって、それによって集積回路デバイスが複数のリードと熱放散手段との間に位置するようになった熱放散手段と、集積回路、熱放散手段の少なくとも一部およびダイ・パッドおよび外側端の平坦な表面を除くすべてをカプセル封入するモールディング樹脂を含む。
【００１０】
発明を例示する目的で、図面は、現時点で好ましい発明の１つの形を示している。しかし、理解すべきことは、本発明が図面に示された正確な構成および手段に限定されないことである。
【００１１】
（詳細な説明）
図１は、従来技術で既知のリード・フレームのマトリクス１０を示す上面図である。典型的には、リード・フレームは、制御された化学的エッチングによって加工しやすい導電性材料を含む。適した材料には、銅および銅合金、鉄・ニッケル合金、そしてアルミニウムおよびアルミニウム合金が含まれる。エッチによって定義されるパッケージ構造には、ダイ・パッド１４、リード１６およびタイ・バー１８が含まれる。すべてのタイプのパッケージに対してすべての構造が必要とされるわけではない。例えば、フリップ・チップ・パッケージでは、ダイ・パッド１４がオプションとなる。マトリクスは、パッケージ構造の反復的アレイを構成するため、組立プロセスが完了すると、アレイは、複数の個別パッケージに切り離される。
【００１２】
ＱＦＮパッケージの熱的能力を改善する熱放散手段について、図２に上面図が、また図３に断面図が示されている。金属シートを化学的にエッチするか、機械的にパンチングして、熱放散手段タイ・バー３６によって互いに接続された熱放散手段３４のマトリクス３２が形成される。典型的には、熱放散手段３４および熱放散手段タイ・バー３６は、０．１ミリメートルから１．０ミリメートルの範囲の厚さを有する。熱放散手段３４は、銅、アルミニウムおよびそれらの合金など高い熱伝導度を有し延性に富んだ金属から形成される。熱放散手段は、パッケージのマーキングを強調するように、あるいは、雰囲気による腐食に対する抵抗力を強化するようにコーティングを施して色付けすることができる。例えば、熱放散手段が銅や銅ベースの合金から形成される場合、それは、電気メッキや無電解プロセスによってニッケルを被覆することができる。アルミニウムやアルミニウム合金から形成される場合は、ブラック陽極酸化プロセスなどのように陽極酸化を施すことができる。図３に示されたように、エッチング又はパンチングのあとで、熱放散手段をタイ・バー３６に対して持上げるように、タイ・バー３６の一部分３８を機械加工で加工できる。このアップセットは、ワイヤ・ボンド・パッケージのワイヤにクリアランスを与えるのに有効な量だけ熱放散手段３４を持上げ、パッケージ・モールディングのあとで必要に応じて最も上の面４０が露出されるようにする。アップセットの典型的な大きさｕは、０．２５ｍｍから０．７ｍｍの範囲にある。
【００１３】
図２の一部を拡大した挿入図を参照すると、熱放散手段タイ・バー３６の部分６０は、切離しを容易にするために、エッチング中に厚さを減らされる。このような部分的エッチングは、切離し時に切断されるリード・タイ・バーのその部分にも使用される。
【００１４】
図４を参照すると、熱放散手段３４のアレイ３２は、次に、ダイに対して接近するが接触しない位置にあるタイ・バー又はリード１６などの構造に取り付けられる。アレイ３２は、エポキシや導電性テープなどの接着剤４２によって取り付けられる。接着剤４２は、オプションであり、アレイ３２を所定の場所に単に配置してモールディング樹脂で固定してもよい。
【００１５】
図５は、モールディング樹脂４６がパッケージをカプセル封入したあとのアレイ４４を示す断面図である。カプセル封入されるコンポネントおよび構造には、ダイ、熱放散手段の少なくとも一部および外側リード端４７を除くすべてが含まれる。典型的なモールディング樹脂は、誘電体ポリマである。図４のアセンブリは、適当な鋳型中に置かれ、高温においてモールディング樹脂が鋳型に導入されて図５に示されたパッケージ４４のアレイが形成される。カプセル封入のあとで、パッケージのアレイは、ソーイングやパンチングによって切り離され、図６に示されたように個別パッケージ４８が形成される。
【００１６】
ダイ２８は、２つの金属板、すなわちダイ・パッド１４と熱放散手段３４との間に置かれる。これは、電気的に敏感なデバイスのための、電場および磁場の両方からの遮蔽を提供する。
【００１７】
図７は、発明に従ってワイヤ・ボンド・パッケージ７０を製造するプロセス・フローを示す。マトリクスの１つのメンバ又は単一のリード・フレームでよいリード・フレーム７２は、エッチされて、リード７４およびダイ・パッド７６などの所望の構造を持つようにされる。エッチングのあとで構造を支えるために、接着性テープなどの支持用ストリップ７８が与えられる。
【００１８】
集積回路デバイス８０は、ダイ接着剤８４によってダイ・パッド７６の内部表面８２に接着される。典型的なダイ接着剤材料には、金／錫共晶合金、金／銀共晶合金、各種の銀ベースの合金および金属を充填したポリマが含まれる。ワイヤ・ボンド８６又はＴＡＢテープが次にリード７４を集積回路デバイス８０の電気的に活性な表面上のＩ／Ｏパッドに電気的に接続する。集積回路デバイス８０の電気的に活性な表面には、回路およびＩ／Ｏパッドが含まれるが、対向する電気的に不活性な表面には、そのような構造が存在しない。
【００１９】
熱放散手段８８は、次にリード７４上に配置される。オプションとして、熱放散手段８８は、エポキシや導電性テープなどの接着剤９０によってリード７４又はリード・フレーム・タイ・バーに固定される。エポキシや導電性テープのような。次に、モールディング樹脂９１が、集積回路デバイス、熱放散手段８８の少なくとも一部およびリード７４の一部をカプセル封入する。少なくとも１つの外側リード表面９２、９２’は、露出されて、モールディング樹脂の側壁９４、９４’と揃った平坦な表面を形成する。熱放散手段８８の最も外側の表面９６もまた露出されて、モールディング樹脂の側壁９４’’と揃った平坦な表面を形成する。
【００２０】
リード・フレームおよび熱放散手段がマトリクスのメンバとして提供される場合には、最終工程は、切離しである。単一ユニットのリード・フレームおよび熱放散手段が使用される場合には、切離しは、必要ない。
【００２１】
パッケージ７０の拡大図が図８の断面図に示されている。パッケージは、ソーイングやパンチングによる切離しを容易にするために、熱放散手段タイ・バーの薄くなった部分６０を含む。第２の薄くなった部分９６は、熱放散手段８８をモールディング樹脂９１中に機械的に固定する。
【００２２】
第１の代替パッケージ１００が図９に示されている。このパッケージで、熱放散手段１０２は、複数のアパーチャ１０４を含み、モールディング樹脂９１がアパーチャを貫通して熱放散手段をモールディング樹脂中に機械的に固定するようになっている。複数のアパーチャ１０４は、ここに述べられるパッケージ構成の任意のものと一緒に使用することができる。
【００２３】
第２の代替パッケージ１１０が図１０に示されている。このパッケージで、熱放散手段１１２は、凹んだ中央部分１１４を有する。エポキシ１１６や導電性テープなどの接着剤又は熱伝導性グリスが良好な熱伝導を提供する。熱伝導性グリスやエポキシは、応用に依存して誘電性であったり、あるいは、導電性であったりする。ワイヤ・ボンドの代わりとして使用される場合、導電性のものが選ばれる。熱放散のためだけに使用され、Ｉ／Ｏパッドへの電気的接続を意図しない場合には、短絡を回避するように誘電性のものが選ばれる。熱放散手段の周辺部分１１８は、パッケージ１１０の側壁９４’’と揃った平坦な表面を形成し、強制空冷、サーマル・フルイド（ｔｈｅｒｍａｌ  ｆｌｕｉｄ）又は外部ヒート・シンクとの接触による熱除去を容易にする。
【００２４】
図１１に示された第３の代替パッケージ１２０は、熱放散手段１１２の周辺部分１１８がパッケージの側壁９４’’の一部を形成しない点を除いて、図１０のパッケージと類似している。
【００２５】
第４の代替パッケージ１３０が図１２に示されている。パッケージ１３０は、凹んだ中央部分１３４を備えたダイ・パッド１３２を有する。サーマル・グリス（ｔｈｅｒｍａｌ  ｇｒｅａｓｅ）１３６、エポキシ又は導電性テープなどの導電性で熱伝導性の接着剤が集積回路デバイス８０の電気的に活性な表面と熱放散手段１３８との間に電気的伝導と熱的伝導の両方を提供する。例示的な導電性かつ熱伝導性のサーマル・グリスは、有機又はシリコーン液（ｓｉｌｉｃｏｎｅ  ｆｌｕｉｄ）中に銀、銅および／又はアルミニウム・ベースのようなセラミック又は金属粒子を懸濁させたエマルジョンである。あるいは、サーマル・グリス１３６は、銀添加のエポキシや不可欠でない半田ペーストなどの導電性かつ熱伝導性のエポキシで置き換えることができる。
【００２６】
図１３は、発明の別の実施の形態に従う、フリップ・チップ・パッケージ１５０のアセンブリに関する方法を示す。パッケージ１５０の組立工程のほとんどは、先に述べた工程と類似している。しかし、集積回路デバイス８０の電気的に活性な表面は、リード７４へ直接に、またオプションとして半田バンプ１５２によって中央のダイ・パッド１８２（図１８）に接着される。図１３に戻って、半田バンプ１５２は、典型的には、０．０７ｍｍの高さを有し、鉛ベースの共晶合金で、鉛含有量が多いピラー・バンプのような適当な半田を含む。突出部１５４、１５４’がモールディング樹脂９１中に広がって、リード７４と熱放散手段８８を所定の場所に機械的に固定する。
【００２７】
発明のパッケージの代替フリップ・チップ・パッケージの実施の形態１５０、１６０、１７０、１８０が図１４から図１７に示されている。ほとんどの構造については、先に説明した。フリップ・チップ構成の場合、サーマル・グリス１３６は、電気的および熱的に伝導性を有し、熱放散手段１０２、１１２を集積回路デバイス８０の電気的に活性な表面に電気的および熱的に接続する。上で述べたように、サーマル・エポキシ（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｐｏｘｙ）、半田ペーストおよび導電性テープがサーマル・グリスの代わりになる。１つの適したサーマル・エポキシは、６０重量パーセント以上の割合で銀パウダを充填される。
【００２８】
フリップ・チップの場合でも、ワイヤ・ボンド／ＴＡＢボンドの場合でも、熱放散手段８８の任意のものの熱放散手段の表面１５８は、雰囲気に露出されて、モールディング樹脂９１の側壁９４’’表面と揃った平坦な表面を形成する。マーキング面を提供することに加えて、表面１５８は、強制空冷、熱伝導性流動体（ｔｈｅｒｍａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｌｕｉｄ）又はヒート・シンクに晒されて、熱管理を改善する。露出表面の形状は、正方形、長方形、円形又は任意のその他の形状でよい。
【００２９】
ここで図１９を参照すると、熱放散手段タイ・バー１９０は、ワイヤ・ボンディングに用いられるワイヤからのスタンドオフ・クリアランスを増やすためのバンプ１９２を有する。バンプ１９２は、また熱放散手段をリード１９４上でアライメントし、固定するためにも有用である。アライメントおよび固定を更に強化するために、リード１９４中にアパーチャ１９６が形成される。
【００３０】
あるいは、図２０に示されたように、バンプ１９２は、パッケージ・リード１９４又はリード・フレーム・タイ・バー中に形成される。アパーチャ１９６は、熱放散手段タイ・バー１９０中に形成してもよい。バンプ１９２は、ここでもアライメントおよび固定の役割をする。バンプは、典型的には、化学的エッチング・プロセス中又はアップセット・プロセス中に鋳造／パンチングによって形成される。
【００３１】
ここで図２１を参照すると、別の実施の形態で、パッケージ・リード１９４がバンプ１９２を含み、熱放散手段タイ・バー１９０がアパーチャ１９６を含む。アパーチャ１９６およびバンプ１９２は、アライメントおよび固定構造として機能するように構成される。
【００３２】
組立プロセスは、リード・アレイと熱放散手段アレイが一緒にモールドされて、のちに切り離されるものとして説明してきたが、ピック・アンド・プレイス・プロセスを用いて個々のリード・フレーム・アセンブリおよび個々の熱放散手段をカプセル封入のために個々のモールド・キャビティ中に配置するようにして、モールディング樹脂によるカプセル封入の前に熱放散手段およびリードを切り離すことも発明の範囲に含まれる。
【００３３】
本発明の１又は複数の実施の形態について述べてきた。しかしながら、発明の精神および範囲から外れることなしに、各種の修正を施すことが可能であることを理解されよう。例えば、本プロセスは、ＤＦＮパッケージの製造に使用することもできるし、あるいは、１又は複数の半導体デバイスおよび受動的電気デバイスをハイブリッド・パッケージのようにカプセル封入するためにも使用できる。従って、その他の実施の形態も後述の請求項の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】発明に使用される従来技術で既知のリード・フレーム・マトリクスの上面図。
【図２】リード・フレーム・アレイおよび半導体ダイ・アセンブリに使用される熱放散手段マトリクスの上面図。
【図３】図２に示された熱放散手段アレイの断面図。
【図４】リード・フレーム・アレイおよび半導体ダイ・アセンブリに接着された熱放散手段アレイを示す断面図。
【図５】発明のプロセスによって形成されたモールド・パッケージ・アレイの断面図。
【図６】発明のプロセスによって形成された単体ワイヤ・ボンド・パッケージの断面図。
【図７】発明に従うワイヤ・ボンド・パッケージ用のプロセス・シーケンスを示す断面図。
【図８】発明の方法に従って形成されたパッケージを示す断面図。
【図９】発明の方法に従って形成されたパッケージを示す断面図。
【図１０】発明の方法に従って形成されたパッケージを示す断面図。
【図１１】発明の方法に従って形成されたパッケージを示す断面図。
【図１２】発明の方法に従って形成されたパッケージを示す断面図。
【図１３】発明のプロセスによって形成されたフリップ・チップ・ボンド・パッケージの組立方法を示す図。
【図１４】発明のプロセスによって形成されたフリップ・チップ・ボンド・パッケージを示す断面図。
【図１５】発明のプロセスによって形成された別のフリップ・チップ・ボンド・パッケージを示す断面図。
【図１６】発明のプロセスによって形成された別のフリップ・チップ・ボンド・パッケージを示す断面図。
【図１７】発明のプロセスによって形成された別のフリップ・チップ・ボンド・パッケージを示す断面図。
【図１８】発明のプロセスによって形成された別のフリップ・チップ・ボンド・パッケージを示す断面図。
【図１９】アライメント構造を示す熱放散手段フランジの断面図。
【図２０】別のアライメント構造を示す熱放散手段フランジの断面図。
【図２１】アライメント構造を示すリードの断面図。
【図１】
2009528699.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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