(57)【要約】例えばポリマー膜である平坦な可撓性ベースを、例えば熱を加えることによってカールさせると、導電素子も同様にカールされ、異なる導電素子の対向端部が導電接触状態にされ、少なくとも２つの導電素子を使用して導電コイルを形成するようなパターンで配置された導電素子を平坦な可撓性ベース上に形成することによって、高インダクタンスの面外インダクタが達成される。出来上がった導電コイルに接続するためのワイヤとして機能するために可撓性ベース上に付加的なコンダクタを形成してもよい。例えばコイルを越えて延在する可撓性ベースの部分は、例えばフリップフロップ実装の１つまたは複数のチップ、またはその他の構成部品がその上に取り付けられるベースとして機能することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性ベースと、
前記可撓性ベース上にパターンに形成された複数の導電セグメントと、を備え、
前記可撓性ベースの少なくとも一部が、前記導電セグメントの少なくとも２つの対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成するようにカールされる、インダクタ。
【請求項２】
交わって単一のカール・ワイヤを形成する前記導電セグメントの前記少なくとも２つが、隣接する前記導電セグメントである請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記可撓性ベース上に形成され、前記単一のカール・ワイヤを導電接続するように構成された少なくとも１つの追加のコンダクタをさらに備える請求項１に記載の発明。
【請求項４】
さらに、前記可撓性ベースがカールされて円筒形の形状を形成する請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記対向端部が結合される請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記インダクタは、前記可撓性ベースがその上に形成された基板から完全に離脱されるという点で独立した構成部品である請求項１に記載の発明。
【請求項７】
前記インダクタは、前記可撓性ベースがその上に形成された基板の少なくとも部分的に取り付けられたままである請求項１に記載の発明。
【請求項８】
可撓性ベースと、前記可撓性ベース上にパターンに形成された複数の導電素子とから構成されたインダクタを形成するために使用される方法であって、
前記可撓性ベースの少なくとも一部を、前記導電素子の少なくとも２つの対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成するようにカールさせるステップを含む、方法。
【請求項９】
前記カールさせるステップは、少なくとも前記可撓性ベースがカールされて円筒形の形状を形成するまで実行される請求項８に記載の発明。
【請求項１０】
前記カールさせるステップはさらに、前記可撓性ベースがその上に形成された基板から前記可撓性ベースを少なくとも部分的に離脱させるステップを含む請求項８に記載の発明。
【請求項１１】
前記カールさせるステップがさらに、前記可撓性ベースを少なくとも部分的に加熱するステップを含む請求項８に記載の発明。
【請求項１２】
対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成する前記導電素子の前記少なくとも２つが、隣接する前記導電素子である請求項８に記載の発明。
【請求項１３】
交わって前記単一のカール・ワイヤを形成する前記導電素子の前記少なくとも２つの前記対向端部を結合するステップをさらに含む請求項８に記載の発明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインダクタに関し、特に集積回路の用途で使用されるのに適した高インダクタンスの面外インダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
よく知られているように、インダクタは集積回路上に実装される様々な回路で使用することができる。例えば、増幅器の帯域幅を広げるためにインダクタを使用することができる。集積回路と共に使用されるインダクタは典型的には、ａ）面内スパイラル・インダクタ、またはｂ）インダクタをシミュレートするために他の回路部品を使用するいわゆるアクティブ・インダクタのいずれかとして実装される。面内スパイラル・インダクタを使用する際の問題点は、典型的には面内スパイラル・インダクタが大型であり、その有効周波数範囲が自己共振によって限定されることである。加えて、このような面内スパイラル・インダクタの磁界が半導体基板を通過する。それによって、望ましくない渦電流損失を誘発し、達成可能な品質を劣化させる傾向が生ずる。面内スパイラル・インダクタの各ターンがスパイラルの中心から外側に延び、半径がより大きくなるので、達成可能な総インダクタンスも限定される。
【０００３】
アクティブ・インダクタは比較的小型であることができ、典型的なアクティブ・インダクタは面内スパイラル・インダクタよりも周波数範囲が大きいが、アクティブ・インダクタの従来の設計には、電源電圧に対するアクティブ・インダクタの両端間の電圧降下が比較的大きいという問題がある。電力消費を節減するため、この分野では低下した電源電圧を使用する趨勢に向かっているため、従来のアクティブ・インダクタを動作するために比較的大きい電圧降下が必要であることは、アクティブ・インダクタに結合された増幅回路が適切に動作するための十分な残存電圧降下が残されないという問題を生ずる。さらに、バッテリ給電される用途などの低電力の用途では、アクティブ・インダクタに電力を常時使用することがバッテリを不要に消耗させ、そのため一回のバッテリ充電あたりのデバイスの有効動作時間が限定される。
【０００４】
Ｃｈｉｓｔｐｈｅｒ  Ｌ．Ｃｈｕａｌらの「Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ，ｈｉｇｈ−Ｑ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒｓ  ｏｎ  Ｌｏｗ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．６、２００３年１２月、は面外金属ベース高インダクタンス・インダクタを開示している。このインダクタは基本的に、下層がより圧縮され、上層がより引っ張られる応力がかけられた金属薄膜を使用して達成されるので、自然にカールし、ひいては互いに噛み合うばね対を形成し、コイル巻線の完全なテンプレートを形成する傾向がある。次いでコイル巻線が銅で電気メッキされ、インダクタが形成される。不利なことには、コイル巻線を形成するために必要な処理工程はやや複雑である。さらに、コイル巻線はシリコン基板上に形成されなければならない。したがって、インダクタを個別部品として製造することができない。さらに、出来上がったコイル巻線はそれ自体が機械的に堅固でなければならず、ロック機構を含んでいなければならないので、各コイル巻線は幅が比較的広く、例えば２００ミクロンである。各コイル巻線が確実に短絡しないようにするため、コイル巻線のピッチは約２３０ミクロンでなければならない。幅とピッチの前記の制約は、達成可能な単位長あたりのコイル巻線数、すなわちターンを制限し、したがって所定の底面積内で達成可能な総インダクタンスが制限される。
【非特許文献１】Ｃｈｉｓｔｐｈｅｒ  Ｌ．Ｃｈｕａｌ  ｅｔ  ａｌ．，「Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ，ｈｉｇｈ−Ｑ  Ｉｎｄｕｃｔｏｒｓ  ｏｎ  Ｌｏｗ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  Ｓｉｌｉｃｏｎ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ，Ｖｏｌ．１２，Ｎｏ．６、２００３年１２月
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者は、本発明の原理により、平坦な可撓性ベースをカールさせると、１）導電素子も同様にカールされ、２）異なる導電素子の対向端部が導電接触状態にされ、少なくとも２つの導電素子を使用して導電コイルを形成するようなパターンで配置された導電素子を平坦な可撓性ベース上に形成することによって、集積回路の用途に適した高インダクタンスの面外インダクタを達成できることを認識した。可撓性ベースは熱を加えることによってカールさせることができ、一旦導電接触状態にされた導電素子の両端を互いに結合することができる。典型的には、可撓性ベースが円筒状の形状を形成するのに十分にカールされると、接触状態にされた導電コイルを形成するのは隣接する導電素子の対向端部である。導電コイルは少なくとも１つの、典型的には１つ以上のいわゆるワイヤ・ターンから製造される。出来上がった導電コイルに接続するためのワイヤとして機能するために可撓性ベース上に付加的なコンダクタを形成してもよい。
【０００６】
典型的には、可撓性ベースは基板上の、少なくとも一部が犠牲層の上に形成されるポリマー膜である。可撓性ベースを実装するのに適した例示的なポリマー膜には、スピンオン・ポリイミド型ポリマー、およびベンゾシクロブテン系ポリマーＢＣＢが含まれる。導電素子は典型的には金属であるが、導電素子を形成するためにどの導電材料を使用してもよい。導電素子を形成するために金属が使用される場合は、好ましくは金、銅、およびアルミニウムなどの導電率が高い金属が用いられる。導電接触状態にされる金属パターンの対向端部は、従来のいずれかの結合技術を用いて、特に使用される金属が金である場合は、例えばはんだバンプまたは加熱圧着を用いて結合されてもよい。
【０００７】
例えばコイルを越えて延びる可撓性ベースの一部は、例えばフリップフロップ実装の１つまたは複数のチップ、またはその他の構成部品がその上に取り付けられるベースとして機能することができる。
【０００８】
有利には、各ワイヤ・ターンは先行技術と比較して相対的に狭くてもよく、例えば約２ミクロンであり、ワイヤ・ターンのピッチも先行技術より相対的に小さくすることができ、例えば２．３ミクロンである。その結果、単位長が同じである場合は、先行技術よりも１００倍高いインダクタンスを達成可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下は単に本発明の原理を説明するに過ぎない。したがって当業者には、本明細書には明示的に記載または図示されていないが、本発明の原理を実施し、その趣旨と範囲に含まれる様々な構成を考えられることが理解されよう。さらに、本明細書に記載の全ての実施例および条件的言語は基本的に、読者が本発明の原理、および発明者（一人または複数）により与えられた概念を理解することを助けるための教育的な目的のみあることを明確に意図するものであり、特別に記載されたこのような実施例および条件に限定されるものではないと解釈されるべきである。さらに、本発明、ならびにその特定の実施例の原理、態様および実施形態を記載する全ての記述は、構造およびその機能的等価物の両方を包含することを意図している。さらに、このような等価物は現在知られている等価物ならびに将来開発される等価物、すなわち構造に関わりなく同じ機能を実行する、開発されるいずれかの素子の両方を含むことを意図するものである。
【００１０】
したがって、例えば、本明細書の図は、本発明の原理を実施する例示的な装置の概念的な図を表すことが当業者には理解されよう。
【００１１】
本明細書のクレーム中、特定の機能を実行する手段として表現されているいずれかの素子は、その機能を実行するためのどの方法をも包含することを意図している。それには例えば、ａ）その機能を実行する電気または機械素子の組み合わせ、またはｂ）あらゆる形態のソフトウエア、したがって、その機能を実行するためにそのソフトウエアを実行するために適宜の回路と組み合わせたファームウエア、マイクロコードなど、ならびにソフトウエアにより制御される回路がある場合はこれに結合された機械素子を含むことができる。このような特許請求の範囲によって定義される発明は、記載される様々な手段によって得られる機能性が、特許請求の範囲が必要とする態様で組み合わせられ、かつ統合されるという事実に存在するものである。したがって出願人は、これらの機能性を実行することができるどの手段をも本明細書に示されたものと等価であると見なすものである。
【００１２】
本明細書で別途明確に指定されない限り、図面は正確な縮尺で描かれたものではない。
【００１３】
説明では、異なる図面中で同一の番号を付した構成部品は同じ構成部品を示すものである。
【００１４】
本発明の原理により、平坦な可撓性ベースをカールさせると、１）導電素子も同様にカールされ、２）異なる導電素子の対向端部が導電接触状態にされ、少なくとも２つの導電素子を使用して導電コイルを形成するようなパターンで配置された導電素子を平坦な可撓性ベース上に形成することによって、集積回路の用途に適した高インダクタンスの面外インダクタを達成できることを認識した。可撓性ベースは熱を加えることによってカールさせることができ、一旦導電接触状態にされた導電素子の両端を互いに結合することができる。典型的には、可撓性ベースが円筒状の形状を形成するのに十分にカールされると、接触状態にされた導電コイルを形成するのは隣接する導電素子の対向端部である。出来上がった導電コイルに接続するためのワイヤとして機能するために可撓性ベース上に付加的なコンダクタを形成してもよい。可撓性ベースは、例えばフリップフロップ実装の１つまたは複数のチップ、またはその他の構成部品がその上に取り付けられるベースを形成することができる。
【００１５】
図１は、本発明の原理により構成される高インダクタンスの面外インダクタの例示的実施形態を示す。図１には、ａ）インダクタ・ベース１０３、ｂ）ワイヤ１０５−１〜１０５−Ｎを含むワイヤ１０５、ｃ）接点１０７−１および１０７−２を含む接点１０７、およびｄ）リード１０９−１および１０９−２を含むリード１０９を含むインダクタ１０１が示されている。
【００１６】
インダクタ・ベース１０３は典型的には、その上に導電素子、すなわちワイヤを形成するのに適したポリマー膜である。好ましくは、インダクタ・ベース１０３を形成するポリマー膜は、カールさせることができるように十分に可撓性のものである必要がある。そのために、インダクタ・ベース１０３を構成するポリマー膜の熱膨張率は、ワイヤ１０５を形成するためにインダクタ・ベース１０３上に堆積される導電素子の熱膨張率よりも大幅に高いことが望ましいことがある。その場合は、インダクタ・ベース１０３、およびその上の構成部品を加熱すると、インダクタ・ベース１０３がそうなる筈のいずれかの生来の傾向に加えて、インダクタ・ベース１０３がカールされる。本発明を実装するのに適する提示的なポリマー膜には、スピンオン・ポリイミド型ポリマー、およびベンゾシクロブテン系ポリマーＢＣＢが含まれる。これらの感光性ポリマー膜はリソグラフィ技術によってパターン形成することが可能である。
【００１７】
ワイヤ１０５はインダクタ・ベース１０３上に形成される。ワイヤ１０５は、インダクタ・ベース１０３に所望の形状で接着させることができるどの導電材料から製造されてもよい。典型的には、ワイヤ１０５は金属から製造される。これに関して、どの種類の材料が使用されてもよいが、好ましくは金、銅、およびアルミニウムなどの導電率が高い金属が用いられる。当業者にはよく知られているように、これらの金属の膜は例えば蒸着によって簡単にインダクタ・ベース１０３上に作製することができ、その結果生じた膜はワイヤ１０５を形成するためにリソグラフィ技術によってパターン形成されることができる。使用される導電材料の種類は、インダクタ１０１の特定の実装に特有の寄生抵抗に大きく影響を及ぼす。
【００１８】
接点１０７はインダクタ１０１を他の回路部品に電気的に結合するために使用される。接点１０７は、インダクタ・ベース１０３に所望の形状で接着できるどの導電材料から製造されてもよい。接点１０７は、必ずしもそうである必要はないが、典型的にはワイヤ１０５およびリード１０９と同じ材料から製造される。リード１０９−１は接点１０７−１をワイヤ１０５−１に結合し、一方、リード１０９−２は接点１０７−２をワイヤ１０５−Ｎに結合する。リード１０９は、所望の形状でインダクタ・ベース１０３に接着できるどの導電材料から製造されてもよい。リード１０７は、必ずしもそうである必要はないが、典型的にはワイヤ１０５および接点１０７と同じ材料から製造される。
【００１９】
ワイヤ１０５は、インダクタ・ベース１０３は各ワイヤ１０５の上でカールされると、リード１０９−１からリード１０９−２まで延びる単一のワイヤのセグメントになるようなパターンで配列される。この単一ワイヤはインダクタ１０１のコイルであり、各ワイヤ１０５はそのコイルのターンに対応している。インダクタ１０１のインダクタンスは、ａ）単位長の二乗あたりのターン数に比例し、すなわちピッチの二乗に反比例し、ｂ）巻線方向に沿ったインダクタの全長に比例し、かつｃ）インダクタの断面積に比例する。有利には、各ワイヤ・ターンは先行技術と比較して相対的に狭く、例えば約２ミクロンであり、ワイヤ・ターンのピッチも、先行技術よって達成されるピッチと比較して相対的に小さく、例えば約２．３ミクロンである。その結果、単位長が同じである場合、インダクタンスは先行技術が達成可能であるよりも１００倍高い。
【００２０】
インダクタ１０１は、ワイヤ１０５を形成するための従来の方法で、インダクタ・ベース１０３になる膜上に金属を堆積することによって製造することができる。膜は典型的には平坦面上に形成され、好ましくは少なくとも一部が、基板上に既に堆積された犠牲層上に形成される。犠牲層の少なくとも一部をエッチングで除去することで、膜の少なくとも一部が自由にカールする余地が残される。犠牲層を完全にエッチングで除去することによって、膜を完全に基板から取り除いてもよい。
【００２１】
図２はワイヤ１０５、接点１０７およびリード１０９をその上に堆積した、カールされておらず、恐らくは離脱されていない例示的インダクタ・ベース１０３の上面図を示している。各ワイヤ１０５は、インダクタ・ベース１０３が、接点１０７から最も離れた位置にある各ワイヤ１０５の端部の上でカールされると、ワイヤの端部が隣接するワイヤ１０５の接点１０７に最も近い端部と接触するように、偏位してパターン形成されている。その例外は、ワイヤ１０５−１は別のワイヤ１０５ではなくリード１０９と接触することである。言い換えると、１本のワイヤ１０５の各端部２１３は、端部２１３−１がリード１０９の端部２１１−０と位置合わせされている以外は、隣接するワイヤ１０５の端部２１１の位置と位置合わせされている。
【００２２】
図２はさらに、任意選択のはんだバンプ２１５をも示している。はんだバンプ２１５はワイヤ１０５の端部２１３を隣接するワイヤ１０５の対応する位置合わせされた端部２１１、またはリード１０９の端部２１１−０に結合するために使用されてもよい。
【００２３】
図３は、ワイヤ１０５、接点１０７およびリード１０９をその上に堆積した、カールされておらず、恐らくは離脱されていない図２の例示的インダクタ・ベース１０３の斜視図を示している。図３では、任意選択のはんだバンプ２１５がより見やすい。図４は、インダクタ・ベース１０３の下の犠牲層（図では見えず）の少なくとも一部が除去され、したがってインダクタ・ベース１０３のその一部分が、その上にインダクタ・ベース１０３が形成された表面から離脱され、インダクタ・ベース１０３がカールし始めている、図２の例示的実施形態の斜視図を示している。
【００２４】
図７は、任意選択のはんだバンプ２１５が使用される場合に、適宜の端部が結合される前のインダクタ１０１の実施形態を示している。図７に示されるように、インダクタ・ベース１０３は十分に離脱され、カールされているので、ワイヤ１０５の端部２１３上のはんだバンプ２１５は、ワイヤ１０５の適宜の対応する端部２１１またはリード１０９−１の端部２１１−０と交わっている。この時点で、インダクタ・ベース１０３は少なくとも一部が円筒形の形状になり、はんだバンプ２１５が導電性であるため端部は導電的に交わるものと見なされる。はんだバンプ２１５を使用しないインダクタ１０１の実施形態では、インダクタ・ベース１０３ははんだバンプが占める空間を埋め合わせるだけ僅かに余分にカールする筈であり、ワイヤ１０５の端部２１３はワイヤ１０５の適宜の対応する端部２１１またはリード１０９−１の端部２１１−０と直に交わる筈である。
【００２５】
交わる端部は、結合される材料に適するいずれかの結合技術を用いて互いに結合される。例えば、このような結合は、任意選択のはんだバンプ２１５がリフローし、交わる端部を互いに結合するまでインダクタ１０１を加熱することによって達成されてもよい。あるいは、ワイヤ１０５およびリード１０９−１が金などの適切な金属からなっている場合は、従来の加熱圧着を使用してもよい。このような熱結合には、結合を形成するために加熱されたワイヤの端部の交点に圧力を加えることが含まれる。端部が結合された最終的に出来上がったインダクタ１０１は図１に図示のように示されている。端部を結合するためにはんだバンプが使用される場合は、それらはリフローされているので図１には見えないことに留意されたい。しかし、各結合位置には平坦化したはんだの小さい層がある筈である。
【００２６】
犠牲層はインダクタ・ベース１０３の全体の下に延在してもよく、その場合は、犠牲層全体が除去されると、インダクタ１０１は独立した構成部品になることに留意されたい。あるいは、犠牲層の全てが除去されない場合は、または犠牲層がインダクタ・ベース１０３全体の下に延在していない場合は、インダクタ１０１はそれが形成された基板上に取り付けられた状態に留まる。
【００２７】
図５は、チップ５１７が上に実装されたインダクタ１０１を示している。チップ５１７の回路は接点１０７でインダクタ１０１に結合される。そのために、チップ５１７はインダクタ・ベース１０３上にフリップフロップ実装されてもよい。
【００２８】
図６はチップ６１７上に実装されたインダクタ１０１を示している。図６の実施形態では、各接点１０７は貫通するバイアを設けて形成されているので、バイアを通してリード１０９から下のチップ上の対応する接点まで導電性が確立される。あるいは、インダクタ１０１は接点１０７がチップ６１７に対面するように実装された独立した構成部品であることもできよう。
【００２９】
一例として、典型的な集積回路チップの総面積が１ｍｍ２である集積回路チップは、表面積のほとんどに、例えば１辺に沿った部分以外の表面積全体に形成された回路を有していてもよい。好ましくは、インダクタに接続するためのリードだけがその領域に形成されるべきである。犠牲層は回路の上に形成され、インダクタ・ベースが集積回路との接触状態に留まる位置を除いてチップのほぼ全体にわたって延在するので、回路が形成されなかった領域であるその領域に実装された状態に留まることができる。インダクタ・ベースは犠牲層の上面と、それが取り付けられた状態に留められるチップの領域に形成され、したがってチップ自体と基本的に同じサイズを有している。インダクタ・ベース上に形成されたカールされないワイヤが約２ミクロンの幅と、約２．３ミクロンのピッチを有している場合は、カールされた後の形成されたインダクタのインダクタンスは約１００マイクロヘンリーになる。前述のように、下のリードからインダクタへのアクセスをもたらすバイアを形成してもよく、または例えば集積回路上の接続を行うために使用されるような小さい金属リードなどの、インダクタへの他の接続方法を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の原理によって構成されたインダクタの例示的実施形態を示す。
【図２】ワイヤ、接点、およびリードをその上に堆積した、カールされておらず、恐らくは離脱されていない例示的インダクタ・ベースの上面図である。
【図３】カールされておらず、恐らくは離脱されていない図２の例示的インダクタ・ベースの斜視図である。
【図４】カールし始めた図２の例示的インダクタ・ベースの斜視図である。
【図５】チップを上に実装した図１の例示的インダクタを示す。
【図６】チップ上に実装された図１の例示的インダクタを示す。
【図７】任意選択のはんだバンプが使用された場合の結合前の、図１の例示的インダクタを示す。
【図１】
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【図２】
2009543341.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009543341.tif 000008
【図７】
2009543341.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性ベースと、
前記可撓性ベース上にパターンに形成された複数の導電セグメントと、を備え、
前記導電セグメントの少なくとも２つの対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成し、前記インダクタが、前記可撓性ベースがその上に形成された基板に少なくとも部分的に取り付けされた状態に留められるように、前記可撓性ベースの少なくとも一部がカールされる、インダクタ。
【請求項２】
交わって単一のカール・ワイヤを形成する前記導電セグメントの前記少なくとも２つが、隣接する前記導電セグメントである請求項１に記載の発明。
【請求項３】
前記可撓性ベース上に形成され、前記単一のカール・ワイヤを導電接続するように構成された少なくとも１つの追加のコンダクタをさらに備える請求項１に記載の発明。
【請求項４】
さらに、前記可撓性ベースがカールされて円筒形の形状を形成する請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記対向端部が結合される請求項１に記載の発明。
【請求項６】
前記インダクタは、前記可撓性ベースがその上に形成された基板から完全に離脱されるという点で独立した構成部品である請求項１に記載の発明。
【請求項７】
可撓性ベースと、前記可撓性ベース上にパターンに形成された複数の導電素子とから構成されたインダクタを形成するために使用される方法であって、
前記可撓性ベースの少なくとも一部を、前記導電素子の少なくとも２つの対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成するようにカールさせるステップを含み、前記カールさせるステップがさらに、前記可撓性ベースを少なくとも部分的に加熱するステップを含む、方法。
【請求項８】
前記カールさせるステップは、少なくとも前記可撓性ベースがカールされて円筒形の形状を形成するまで実行される請求項７に記載の発明。
【請求項９】
前記カールさせるステップはさらに、前記可撓性ベースがその上に形成された基板から前記可撓性ベースを少なくとも部分的に離脱させるステップを含む請求項７に記載の発明。
【請求項１０】
対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成する前記導電素子の前記少なくとも２つが、隣接する前記導電素子である請求項７に記載の発明。
【請求項１１】
交わって前記単一のカール・ワイヤを形成する前記導電素子の前記少なくとも２つの前記対向端部を結合するステップをさらに含む請求項７に記載の発明。
【請求項１２】
第１の非インダクタ回路素子と、導電素子の対向端部が交わって単一のカール・ワイヤを形成するようなパターンで形成された複数の導電素子を有する可撓性ベースのカールされた部分から形成されたインダクタとを備える回路であって、前記カールされた部分が、前記可撓性ベースがその上に形成された基板から離脱されている、回路。
【国際調査報告】
2009543341.tif 000010
2009543341.tif 000011
2009543341.tif 000012