(57)【要約】  フッ素化パラシクロファン化合物について開示する。これらの化合物は三フッ素化部分を有することができ、三フッ素化パラキシリレンのコポリマーを含むポリマー被覆を製造するための前駆体二量体化合物として利用することができる。
2009518285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2009518285.tif 000027
（式中、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つはフッ素化部分を含む）
を有する化合物。
【請求項２】
Ｒ１がＣＦ３である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が水素である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１がＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）ｎＣＦ３であり、そして１≦ｎである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
ｎ＝５である、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ２がＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）ｍＣＦ３であり、そして１≦ｍである、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
ｍ＝５である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
トリフルオロエチルパラキシリレンを含むコポリマーの被覆を含む基体。
【請求項９】
該被覆がポリ（ｐ−キシリレン−コ−トリフルオロエチルパラキシリレン）を含む、請求項８に記載の基体。
【請求項１０】
基体が電子デバイスである、請求項８に記載の基体。
【請求項１１】
基体が医療用デバイスである、請求項８に記載の基体。
【請求項１２】
少なくとも１つのトリフルオロエチル部分を含むパラシクロファン。
【請求項１３】
少なくとも１つのフッ素化カルボニル部分をパラシクロファンに結合すること；そしてフッ素化カルボニル部分を還元して三フッ素化二量体を製造すること
を含む、三フッ素化二量体の合成方法。
【請求項１４】
フッ素化カルボニル部分を結合する工程が、ＡｌＣｌ３の存在下でパラシクロファンをフッ素化カルボニル部分でアシル化することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのフッ素化カルボニル部分を還元する工程が、結合したフッ素化カルボニル部分を有するパラシクロファンを電子供与体および酸の存在下で還流することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
フッ素化カルボニル部分が無水トリフルオロ酢酸を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
フッ素化カルボニル部分を結合する工程が、ジクロロメタンを含む溶媒中で行われる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
三フッ素化二量体をアルコール中で再結晶することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
二臭素化パラシクロファンおよびフッ素化ジエンを、溶媒、並びに酢酸パラジウム、アミンおよびエーテルの混合物の存在下で加熱して、少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を有するパラシクロファンを製造すること；および
少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を水素化して、ポリフッ素化パラシクロファンを製造すること
を含む、ポリフッ素化パラシクロファンの合成方法。
【請求項２０】
加熱工程が約１００℃の温度で行われる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を有するパラシクロファンをアルコール中で再結晶することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
溶媒がホルムアミドを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
混合物がトリルホスフィンをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
水素化工程が溶媒および白金族金属の存在下で行われる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
式：
【化２】
2009518285.tif 000028
（式中、ｎ＜１であり、Ｒは、ハロゲン、スルホニル、カルボニル、フェニル、アルコール、およびジエンよりなる群から選択される部分である）
を有するポリマーを含む基体。
【請求項２６】
Ｒが、Ｃｌ、Ｆ、ＳＯ３Ｈ、ＰｈＯＨＰｈ、ＰｈＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＰｈＣＨ２ＯＨ、ＰｈＣＯＯＨ、ＰｈＣＯＯＣＨ３、ＰｈＣＨ＝ＣＨＰｈＣＨ３、およびＰｈＣＨ＝ＣＨＰｈＣＨ＝ＣＨＣＨ３のうちの１つであり、そしてＰｈがフェニル基を表す、請求項２５に記載の基体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パラシクロファン前駆体、それらの合成、およびそれらから形成されるポリマー、特にフッ素化パラシクロファン二量体並びにそれらの合成および使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｕｎｇａｒｅｌｌｉ等は米国特許第４，８８６，９２３号で、ベンゼン環中で塩素化されたトリシクロ８，２，２，２ヘキサデカ４，６，１０，１２，１３，１５ヘキサエンの製造法を開示している。
【０００３】
Ｇａｌｌｅｙ等は米国特許第５，３０２，７６７号で、［２，２］パラシクロファンおよびその誘導体を開示している。
【０００４】
Ｄｏｌｂｉｅｒ等は米国特許第５，８４１，００５号でパリレンＡＦ４合成を開示しており、Ｂｅａｃｈ等は米国特許第５，５３８，７５８号でパリレンＡＦ４を半導体ウエファーへ蒸着させる方法およびデバイスを開示している。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つ以上の態様は、基体上のトリフルオロエチルパラキシリレンを含むコポリマーの被覆に関連する観点に関する。
【０００６】
１つ以上の態様は、少なくとも１つの三フッ素化部分を含むパラシクロファンに関する本発明の観点に関する。
【０００７】
本発明のさらなる態様は、三フッ素化二量体の合成に関連する観点に関する。その方法は、少なくとも１つのフッ素化カルボニル部分をパラシクロファンに結合すること、そしてフッ素化カルボニル部分を還元して三フッ素化二量体を製造することの１つ以上の工程を含みうる。
【０００８】
１つ以上の観点では、本発明の１つ以上の態様は、ポリフッ素化パラシクロファンの合成方法に関する。この方法は、二臭素化パラシクロファンおよびフッ素化ジエンを、溶媒、並びに酢酸パラジウム、アミンおよびエーテルの混合物の存在下で加熱して、少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を有するパラシクロファンを製造すること；および少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を水素化して、ポリフッ素化パラシクロファンを製造することの１つ以上の工程を含みうる。
【０００９】
１つ以上の態様では、本発明は式：
【００１０】
【化１】
2009518285.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つはフッ素化部分を含む）
を有する化合物に関する。
【００１２】
本発明の１つ以上の態様は、式：
【００１３】
【化２】
2009518285.tif 000004
【００１４】
（式中、ｎ＜１であり、Ｒは、ハロゲン、スルホニル、カルボニル、フェニル、アルコール、およびジエンよりなる群から選択される部分である）
を有する基体に関連する観点に関する。
【００１５】
図面の説明
添付の図面は規模に無関係である。図面において、様々な図で説明される同一またはほぼ同一の構成部分はそれぞれ同じ数字で示される。明確にするために、各構成部分は各図面において標識しない。図面において、
図１Ａは、本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファン用の中間生成物の合成に関する反応スキームを説明し；
図１Ｂは、本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファンの合成に関する反応スキームを説明し；
図２Ａは、本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファン用の中間生成物の合成に関する反応スキームを説明し；
図２Ｂは、本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファンの合成に関する反応スキームを説明し；
図３は、本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラキシリレンの製造に関する反応スキームを説明し；
図４は、本発明の１つ以上の態様により製造されたフッ素化パラキシリレンの広角Ｘ線散乱分布の再現図であり；
図５は、本発明の１つ以上の態様による液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する反応スキームを説明し；
図６は、本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明し；
図７は、本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明し；
図８は、本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明する。
定義
ここで用いるように、用語「多数」は２つ以上の事項または構成部分を指す。用語「含む」、「含める」、「有する」、「もつ」、「含有する」および「包含する」は、明細書または請求の範囲等を問わず、それらにおいて、限定されない用語、すなわち「含むが限定されないこと」を意味する。従って、そのような用語の使用は、その後に挙げられた事項、およびそれらの同等物、並びに追加事項を包含することを意味する。請求項に関しては、伝統的な語句「からなる」および「から本質的になる」のみが限定されたまたはいくぶん限定された伝統的な語句である。用語「ＰＰＸ」はパラキシリレン；「Ａｒ」はアリール基；「Ｐｈ」はフェニル基；「Ｍｅ」はメチル基；そして「ＤＰＸ」はパラシクロファンまたはジ−パラ−キシリレンを指す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明はその適用において、以降の明細書または図に示される構造の詳細および構成要素に限定されない。本発明はここでの例示を越えて様々に具体化および実施することができる。
【００１７】
本発明は、１つ以上のシステム、サブシステム、または構成要素を後から取り付けそして本発明の技術を実行する現存設備の調整を意図するものである。従って、例えば、１つ以上の取り付けられたデバイスを含む現存設備は、１つ以上のサブシステムを含めるように調整すると、ここで例示される１つ以上の態様に従って、例えば、本発明の化合物および／またはポリマーを合成することができる。
【００１８】
１つ以上の観点において、本発明の１つ以上の態様は、少なくとも１つのハロゲン化部分を含むパラシクロファンに関する。パラシクロファンはそのベンゼン環上で吊り下がっている１つ以上のハロゲン化部分を有することができる。いくつかの場合では、ハロ部分はパラシクロファン上で一方または両方のベンゼン環の炭素上でのみで吊り下がっている。ハロゲン化部分は、限定されないがフッ素を含めた、どのようなハロゲンも含むことができる。ハロゲンはまっすぐなまたは枝分かれ部分によってベンゼン環上で吊り下がっていることができる。さらに、まっすぐなまたは枝分かれ部分は飽和していても、あるいは１つ以上の二重結合を有していてもよい。２つ以上のペンダント部分がある場合、１つ以上の部分はパラシクロファン化合物の一方または両方の環上で吊り下がっていることができる。実際に、本発明の１つ以上の態様では、ハロゲン化パラシクロファンは式：
【００１９】
【化３】
2009518285.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｒ１およびＲ２のうちの少なくとも１つはハロゲン化官能基、例えばフッ素化部分を含む）
で表すことができる。Ｒ１またはＲ２のもう一方はまた、ハロゲン化官能基、例えば三フッ素化部分、またはアルカン、アルケン、アルキン、水素、芳香族部分、および他のハロゲン化官能基よりなる群から選択される部分を含んでいてもよい。
【００２１】
本発明のいくつかの観点は、パラシクロファンの環炭素上で吊り下がっている１つ以上の三フッ素化基を含むパラシクロファン態様をさらに意図する。従って、本発明の１つ以上の具体的な態様では、Ｒ１および／またはＲ２は、限定されないが、三フッ素化アルカンおよび／またはアルケン、例えば−ＣＦ３、−（ＣＨ２）ｎＣＦ３、−（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ２）ｎＣＦ３（ｎおよびｘ≧１）を含む、どのようなハロゲン化部分を含んでいてもよい。実際、本発明の１つ以上の具体的な態様では、Ｒ１はＣＦ３であり、Ｒ２は水素である。本発明の別の態様は、−（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ２）ｎＣＦ３としてのＲ１および−（ＣＨ２）ｘ（ＣＦ２）ｍＣＦ３としてのＲ２を包含することができる。そのような態様では、ｘ、ｎおよび／またはｍは１以上であるが、いくつかの場合では、ｎまたはｍはゼロでもよい。しかしながら、具体的な態様は、ｎおよび／またはｍが５そしてｘが２である化合物に関する。ペンダント部分は、さらに、１つ以上のハロゲン化官能基を受け入れることができる。実際、ハロゲン化部分は２種類以上のハロゲン基を含むことができる。
【００２２】
本発明の他の観点はまた、上記態様の変形を意図する。従って、本発明の１つ以上の観点は、エタノブリッジ上ではなくパラシクロファンの少なくとも１つの環上で吊り下がっている少なくとも１つのハロゲン化部分から本質的になるパラシクロファンとして、他の観点では、芳香族環上で吊り下がっている１つ以上のフッ素化部分を含むパラシクロファンとして例示することができるが、一方または両方のエタノブリッジ上で吊り下がっている１つ以上のハロゲン化部分をさらに含んでいてもよい。
【００２３】
本発明のパラシクロファン化合物は、望ましいハロゲン化二量体を提供するのに適したどのような技術によっても合成することができる。合成法は、望ましいハロゲン化パラシクロファンをもたらす望ましい反応性の中間体化合物を提供する多数の工程を含む。特に、合成反応は、パラシクロファン上に反応性官能基を結合するすなわち吊り下げることができるどのような技術も含むことができる。さらに、どのような順序の反応経路も利用することができる。ハロゲン化パラシクロファンに利用しうる適した技術の例には、限定されないが、エポキシ化、エステル化、環化、カップリング、縮合、置換、アシル化、アルキル化、ハロゲン化、還元、酸化、転位、脱水、水素化、および脱水素反応が含まれる。１つ以上のそのような技術または中間工程は１種以上の触媒の存在下で行ってもよい。さらに、合成法に含まれる１つ以上の工程は、溶媒または担体の存在下で行ってもよい。担体は反応性化学種の物理的性質を調節することができるが、不活性で回収可能なものが好ましい。例えば、単体は１つ以上の合成反応における反応体または触媒の活性を高めたり、あるいは必要に応じて低下させることができる。例えば、反応性ラジカル種の形成を促すことによって、望ましいまたは望ましくない反応生成物または中間体化学種の収量を調節するために１種以上の担体を有利に利用することができる。
【００２４】
パラキシリレン前駆体化学種または二量体を合成する１つ以上の観点では、本発明は、図１Ａに略図で示す反応を伴う態様を含むことができる。フッ素化パラシクロファンの合成は、パラシクロファン化合物を準備し、そして１つ以上の反応性官能基を環炭素上に結合する１つ以上の工程を含むことができる。従って、説明したように、結合には無水物官能基をパラシクロファンの少なくとも１つの環炭素上で吊り下げることを含めることができる。結合工程には適したどのような反応技術が含まれていてもよく、限定されないが、図１Ａに示すようなフリーデル・クラフツアシル化反応が含まれる。典型的なアシル化反応は、例えば、ルイス酸、または反応することができるまたは中間複合体を少なくとも部分的に安定化することができる１種以上の触媒によって、促進することができる。他のアシル化技術を利用して、アレンおよびアシルまたは無水物化合物間の置換、すなわち、求電子性芳香族置換をおこなって、ペンダントハロゲン化カルボニル官能基を有するアシル化生成物を提供することができる。
【００２５】
カルボニル化パラシクロファンはその後、望ましいハロゲン化パラシクロファンに変えることができる。図１Ｂに示す還元反応で説明するように、例えば、フッ素化カルボニル官能基を還元すると、少なくとも１つの三フッ素化ペンダント部分を有するパラシクロファンを生成することができる。還元は、１種以上の溶媒、および／または１種以上の有機および／または無機酸の存在下で行うことができる。実際、ペンダントハロゲン化カルボニル基の脱酸素を促すどのような反応技術も利用することができる。そのような技術は、例えば、クレメンゼンまたはウォルフ・キッシュナー還元反応技術である。還元反応に関する他の典型的な態様は、例えば、ボランおよび触媒オキサザボロリジンでのエナンチオ選択的還元である。
【００２６】
生成されたハロゲン化パラシクロファン生成物は、適した技術、例えば、限定されないが、乾燥、フラッシュクロマトグラフィー、抽出、蒸留、再結晶、およびそれらの組み合わせを用いて精製することができる。
【００２７】
本発明の別の態様は、１つ以上のペンダントハロゲン化部分を有するパラシクロファンを生成する別の反応技術に伴う他の中間体化合物にも関する。本発明は、１つ以上の反応基をパラシクロファンに結合して望ましい中間体を生成する、例えば、限定されないが、アルキル化およびネンキー反応技術に関する。例えば、パラシクロファン上で吊り下がっているニトロ官能基は、前もって形成されたニトロネート塩を強酸の存在下で変えることによってペンダントカルボニル基へ変えることができる。これは、上記のように順に還元してもよい。いくつかの場合では、過マンガン酸塩で促進した酸化で望ましいペンダントカルボニル官能基を生成しうる。
【００２８】
さらに、パラシクロファンとの適した共反応体を用いて、望ましい中間体またはハロゲン化生成物を生成しうる。例えば、カルボニル化技術はアシル化に限定する必要はなく、いくつかの場合には、ベンゾイル化し、次に適当な置換反応を行ってパラシクロファン上で吊り下がったハロゲン化カルボニル官能基を生成することが含まれる。実際、１つ以上の観点では、本発明の１つ以上の態様は、芳香族環上で吊り下がった１つ以上のハロゲン官能基をハロゲン化アリール、アルケニル、および／またはベンジル基で置換するヘック反応技術を用いることができる。図２Ａで例示するように、反応はアリールハロゲン化物とアルケニルハロゲン化物との間での白金族金属触媒カップリングを含む。図２に示す反応は、とりわけ、二酢酸パラジウムのような触媒、トリブチルアミンのようなアミン、ジメチルホルムアミドのような溶媒の存在下で行われる本発明の具体的な態様を説明する。カップリング反応はトリ−ｏ−トリルホスフィンのような１種以上のオルガノホスフィンリガンドを用いることもできる。エーテル、例えばヒドロキノンジメチルエーテルをカップリング反応に存在させてもよい。
【００２９】
本発明の別の観点では、１つ以上の態様は、ペンダントハロ−アルケン部分の水素化を含んでいてもよい。ハロゲン化は図２Ｂで例示する反応に従って行うことができる。アルケン結合の飽和には、適したどのような溶媒および／または金属触媒も用いることができる。例えば、溶媒はアルコール、例えば、限定されないが、エタノールであり、触媒はパラジウムのような白金族金属である。
【００３０】
本発明の別の観点は、ハロゲン化パラキシリレンを含むポリマーとして例示することができる。本発明の１つ以上の態様では、パラキシリレンポリマーはここに記載の１種以上のフッ素化パラシクロファン化合物から製造することができる。従って、本発明の１つ以上の観点は、環上で吊り下がっている１つ以上のハロゲン部分を有するポリマー材料に関する。本発明の１つ以上の具体的な態様はポリ（トリフルオロ−パラキシリレン）、例えば、限定されないが、以下に示すようなポリ（パラキシリレン−コ−トリフルオロエチルパラキシリレン）、すなわち、パラキシリレンとトリフルオロエチルパラキシリレンを含むポリマーおよびポリ（４−３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８−トリデカフルオロオクタンパラキシリレン）である：
【００３１】
【化４】
2009518285.tif 000006
【００３２】
（式中、ｎは２以上である）。
【００３３】
重合を行うと、基体表面上にポリマー被覆を提供することができる。基体は、望ましい被覆の厚さでカバーされるどのような望ましい製品でもよい。従って、例えば、基体は電子デバイスまたは医療用デバイスでもよい。いくつかの場合では、製品は攻撃的な環境において用いられることが考えられる。例えば、製品は腐食性液に曝されるセンサーでもよい。
【００３４】
基体の被覆は、例えば、前駆体ハロゲン化二量体化合物の蒸着重合を行うのに適した温度で行いうる。本発明のいくつかの態様では、重合は５００℃を越える温度にて真空でゴーハム法に従って行うことができる。例えば、重合は約６５０℃の熱分解温度、約０．３×１０−２バールの圧力で行うことができる。蒸着区分、すなわち基体は、例えば約０℃の温度で、冷却すると蒸着を促すことができる。
【００３５】
本発明の被覆(coating)は、電子、医療、光学電子、および自動車アセンブリーまたはシステムの各種基体または構成部品上の保護、相似および機能性被覆として働くことができる。被覆は基体表面全体または少なくとも一部に存在させうる。例えば、限定されないが、金属、セラミック、ゴムおよびプラスチック基体上で約０．１〜約２５μｍの厚さである。別の例は、軟質ＰＣＢおよび他の軟質医療用デバイスまたはその構成部品、例えばゴム、弾性材料および薄い金属上で約０．１〜約１５μｍの厚さの被覆である。従って、本発明の１つ以上の観点は、一般に剥離または分離することなく、基体と共に拡張、例えば伸張、屈曲、または他の変形が可能な被覆を基体が有する、少なくとも１つの態様を含む。ポリマー材料は電子基体およびレンズに約０．１〜約１５μｍの厚さの被覆として施してもよい。しかしながら、本発明の被覆の厚さは特定の厚さに限定されず、様々な厚さが考えられる。そのような態様は、被覆がある曝露条件下で、少なくとも部分的な感度、例えば透過性を示すことができる場合に有利である。実際、本発明のある態様では、基体は複数の種類の被覆をその表面上に有することができ、それぞれがまたはどれかが望ましい厚さを有しうる。そのような形態は、特に、基体またはデバイスの一部が第１の環境に曝され、そして別の部分が第２の異なる環境に曝されることになるときの態様において、有利な特徴を提供しうる。
【００３６】
本発明の１つ以上の観点はさらに、液体被覆技術によって生じる誘導体に関する。これらの化合物からのポリマー材料は、前駆体を担体、例えば限定されないが、酢酸ｔ−ブチル、トルエン、メチルエチルケトンおよびアセトンのような、１種以上の溶媒に溶解することによって生成することができる。溶液は、次に、例えば、吹付け、浸漬、回転、ブラッシュ、ミスト、フローコーター塗布を含む適した技術によって適用することができる。
【００３７】
ポリマー材料は次式で表されるブロモ−ジフェニルパラキシリレンのようなハロゲン化パラキシリレンでもよい。
【００３８】
【化５】
2009518285.tif 000007
【００３９】
このポリマー材料のガラス転移温度は約２４８℃でありうる。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、ＣＨＣｌ３、ＴＨＦ、ベンゼン、およびトルエンに一般に溶解する。前駆体は、パラキシリレン誘導体または変形体を用いて湿式合成技術を利用することによって合成することができる。
【００４０】
本発明の別の態様では、ポリマー材料はスルホン化パラキシリレン、例えば次式で表されるＳＯ３Ｈ−ジフェニルパラキシリレンでもよい。
【００４１】
【化６】
2009518285.tif 000008
【００４２】
このポリマー材料のガラス転移温度は約２４０℃である。このポリマー材料の前駆体はジメチルスルホキシドに一般にあまり溶解しない。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＳＯ３Ｈ（３％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００４３】
本発明の別の態様では、ポリマー材料はペンダントアルコールを有するパラキシリレン、例えば次式で表されるジフェニルパラキシリレンアルコールでもよい。
【００４４】
【化７】
2009518285.tif 000009
【００４５】
このポリマー材料のガラス転移温度は一般に約２４０℃である。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、ＣＨＣｌ３、およびＴＨＦに一般に溶解する。前駆体は、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＨＯＨ−Ｐｈ（７０％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００４６】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるジフェニルパラキシリレンアルコールでもよい。
【００４７】
【化８】
2009518285.tif 000010
【００４８】
このポリマー材料のガラス転移温度は一般に約２３０℃である。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、ＣＨＣｌ３、およびＴＨＦに一般に溶解する。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（５％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００４９】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるジフェニルパラキシリレンアルコールでもよい。
【００５０】
【化９】
2009518285.tif 000011
【００５１】
このポリマー材料のガラス転移温度は一般に約２５５℃である。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、およびＴＨＦに一般に溶解する。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＨ２ＯＨ（５０％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００５２】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるＣＯＯＨジフェニルパラキシリレンでもよい。
【００５３】
【化１０】
2009518285.tif 000012
【００５４】
このポリマー材料はガラス転移温度を一般に示さない。このポリマー材料の前駆体はメタノールに一般に溶解するが、水、水性ＫＯＨまたはエタノールに溶解しない。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＯＯＨ（６０％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００５５】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるＣＯＯＭｅ−ジフェニルパラキシリレンでもよい。
【００５６】
【化１１】
2009518285.tif 000013
【００５７】
このポリマー材料はガラス転移温度を一般に示さない。このポリマー材料の前駆体はメタノールに一般に溶解する。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＯＯＭｅ（６０％）とのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００５８】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるスチルベンジフェニルパラキシリレンでもよい。
【００５９】
【化１２】
2009518285.tif 000014
【００６０】
このポリマー材料のガラス転移温度は一般に約２５０℃である。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、ＣＨＣｌ３、ＴＨＦ、およびベンゼンに一般に溶解する。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＨ＝ＣＨＡｒとのポリマー類似反応によって合成することができる。
【００６１】
本発明の別の態様では、ポリマー材料は次式で表されるスチルベンジフェニルパラキシリレンでもよい。
【００６２】
【化１３】
2009518285.tif 000015
【００６３】
このポリマー材料のガラス転移温度は一般に約２５０℃である。このポリマー材料の前駆体はＤＭＦ、ジオキサン、ＣＨＣｌ３、ＴＨＦ、およびベンゼンに一般に溶解する。前駆体は、例えば、ジ−パラ−キシリレンまたはパラキシリレン誘導体もしくは変形体とＣＨ＝ＣＨＡｒとのポリマー類似反応によって合成することができる。
【実施例】
【００６４】
本発明のこれらおよび他の態様についての役割および利点は以下の実施例からさらに理解できる。これらの実施例は、本発明の１つ以上のシステムおよび技術についての利益および利点を説明するものであり、本発明の完全な範囲を例示するものではない。
実施例１  トリフルオロエチル［２，２］パラシクロファン（トリフルオロエチル−ＤＰＸ）の合成
この実施例では、三フッ素化パラシクロファンを２つの反応工程で合成した。
【００６５】
無水トリフルオロ酢酸（ＴＦＡＡ）はＰ２Ｏ５上で蒸留して十分に反応するようにした。溶媒、ジクロロメタン（ＤＣＭ）はＣａＨ２上で乾燥した。還流冷却器アセンブリーを備えた３Ｌ丸底フラスコで、約８１ｇのＡｌＣｌ３および約８５ｍＬのＴＦＡＡを、アルゴンの保護雰囲気下、約１．４ＬのＤＣＭに溶解した。アセンブリーは氷で冷却した。約５０ｇのパラシクロファン（ＤＰＸ）を混合物へゆっくり加えた。発泡性の発熱反応が観察された。混合物の色は無色から深い赤褐色へ変化した。約１時間攪拌し、その後、室温に温めた後、混合物を約４０℃で約３時間還流した。
【００６６】
混合物を次の日に約２００ｍＬの濃ＨＣｌで徐々にクエンチした。有機相を水性相から分離した。これを水で洗浄し、そしてＤＣＭを用いて全ての有機残留物を水性相から抽出した。全ての有機相をＭｇＳＯ４で乾燥した。溶媒を除去した後、暗褐色固体の粗生成物が得られた。
【００６７】
粗製中間体生成物をヘキサンおよびメタノール中で再結晶することにより精製した。中間体生成物の全体収量は約４４．５ｇ（６２．５％）であった。
【００６８】
フリーデル・クラフツアシル化反応は図１Ａで説明する。中間体生成物、アシル化パラシクロファンは表１に示すように特徴づけられた。
【００６９】
【表１】
2009518285.tif 000016
【００７０】
還流冷却器を備えた２５０ｍＬ丸底フラスコで、保護雰囲気下、約１．５ｇのヨウ素および約１５．２ｍＬの次亜リン酸を約７２ｍＬの酢酸（溶媒）中で還流した。上で合成した約５ｇの中間体生成物を約２８ｍＬの酢酸に溶解した。この溶液を沸騰混合物へゆっくり加えた。反応は約６日間還流させた。ＧＣ−ＭＳ試料を毎日採取して反応の進行を調べた。
【００７１】
反応のメカニズムは次の反応に従って進むと考えられる。
【００７２】
【化１４】
2009518285.tif 000017
【００７３】
全体反応スキームは次のようになる。
【００７４】
【化１５】
2009518285.tif 000018
【００７５】
約６日後、溶液を純水でクエンチした。エーテルを抽出溶媒として用いた。有機相はＭｇＳＯ４で一晩乾燥した。溶媒を除去した後、粗生成物を白色個体として得た。
【００７６】
粗生成物は、ヘキサンを溶媒として用いるシリカカラムでのフラッシュクロマトグラフィーによって精製して残留副生成物（アルコール）を除いた。生成物をヘキサンから再結晶して白色結晶質粉末を得た。
【００７７】
全体反応は図１Ｂで説明する。生成物は表２に示すように特徴づけられた。
【００７８】
【表２】
2009518285.tif 000019
【００７９】
実施例２  ポリ（パラキシリレン−コ−トリフルオロエチルパラキシリレン）の合成
図３で説明するような気相蒸着および縮合重合でポリ（パラキシリレン−コ−トリフルオロエチルパラキシリレン）（パリレン−コＴＦＥまたはＰＰＸ−コＴＦＥ）の被覆を製造した。パリレン−コＴＦＥは、水に対する接触角が約１０５°の不溶性膜を形成した。従って、ポリマー被覆は高い撥水性および自己洗浄性を示した。
【００８０】
ＤＳＣ分析は、約１０Ｋ／分の加熱速度にて２５〜３００℃で行った。弱いガラス転移が約１２０℃で見られた。第２ガラス転移または融点と解される強い吸熱過程が約２１０℃で観察された。
【００８１】
ＴＧＡ−ＩＲ分析は、窒素雰囲気中、約１０Ｋ／分の加熱速度にて２５〜８００℃で行った。約４３５℃で約５重量％の減少が観察された。平均分解温度が約４９４℃であることも分かった。残留灰分は最初のポリマー試料全重量の約１８％からなっていた。さらに、得られたガスのＩＲ分析は、芳香族結合並びに脂肪族基の存在を示した。ＣＦ３−シグナルは分解温度近くで観察された。
【００８２】
図４に再現した広角Ｘ線散乱分析（ＷＡＸＳ）は、ポリマーが非晶質および結晶質性を有することを示した。結晶質性はシャープなピークを示さなかったが、強いハロゲンピークが観察された。パラキシリレン（アルファおよびベータ変形体）に相当する公知のピークは観察されなかった。
【００８３】
厚さ約１０μｍのポリマー被覆についての機械的性質の分析は、ＩＳＯ５２７およびＤＩＮ５３５０４法（約２３℃にて約１ｍｍ／分で）に従って行った。ポリマー材料は、以下の表３に示すように、公知のパリレン被覆（ＰＰＸ−ＮおよびＰＰＸ−Ｃ）と比較してより弱いヤング率を示した。
【００８４】
【表３】
2009518285.tif 000020
【００８５】
いくつかのフィルムを、実質的に実施例１に記載どおりに製造した前駆体二量体から、様々な温度で、気相重合によって製造した。ポリマーフィルムは透明で約２〜３μｍの厚さであった。ＡＴＲ−ＩＲ分光図は、ポリマー組成に実質的な違いのあることを示す特有の結合の強度に量的な差がないことを示した。
【００８６】
水に対する接触角はまた約１０５°（±１）であることが観察された。接触角がパリレン−ＨＴに対してより高いことは、柔軟なフッ素官能基が存在する結果であることおよびフッ素濃度が相対的により高いことが考えられる。
実施例３  ４，１６−ジ−（３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクテン）−［２，２］パラシクロファンの合成
ヘックカップリング反応を図２Ａに示すように行って、ペンダントフルオロ−アルケンを有する中間体パラシクロファンを製造した。２５０ｍＬ反応器にアルゴン雰囲気下で溶媒と共にＮ，Ｎ−ジメチル−ホルムアミド（ＤＭＦ）を入れた。表４に挙げるような抽出物（educts）も反応器へ入れた。
【００８７】
【表４】
2009518285.tif 000021
【００８８】
約１００℃で約４８時間加熱および攪拌した後、約２％の水性ＨＣｌを加えると混合物は生成物を沈殿させた。粗生成物を濾過し、エタノールを用いて２回再結晶した。中間体生成物の収率は８８％であった。この中間体生成物の融点は約９３℃であった。観察された中間体生成物の特徴は表５に示す。
【００８９】
中間体生成物は、表６に示す抽出物を１００ｍＬフラスコに導入することにより、図２Ｂに示す反応に従って水素化した。約４０℃で約７２時間攪拌する間、水素雰囲気を混合物上のブランケットとして用いた。
【００９０】
反応収率は約７９％であった。生成物の融点は約６４℃であった。生成物の特徴は以下の表７に示す。
【００９１】
【表５】
2009518285.tif 000022
【００９２】
【表６】
2009518285.tif 000023
【００９３】
【表７】
2009518285.tif 000024
【００９４】
実施例４  ポリ（４−３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクタンパラキシリレン）の合成
熱分解オーブンを蒸着重合（ゴーマン法）に用いて、ポリマーであるポリ（４−３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクタンパラキシリレン）を製造した。実質的に実施例３に記載のように合成した前駆体約０．５ｇは、約６５０℃、約０．３×１０−２ミリバールで熱分解した。蒸着区域は  約０℃に冷却した。ポリマーのフィルムはガラスまたはステンレス鋼プレート上に集めた。
【００９５】
ポリマーは標準的な有機クロロホルム、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）およびトルエンに不溶性であることが観察された。ポリマー被覆の特徴は以下の表８に示す。
【００９６】
【表８】
2009518285.tif 000025
【００９７】
実施例５  液体重合したパラキシリレン変形体の合成
パラシクロファン変形体は、溶液中でのギルチ（Ｇｉｌｃｈ）タイプ重合によって合成した。前駆体化合物は気相重合技術に用いることもできるが、ＨＣｌが副生成物として発生するかもしれないことに注意すべきである。
【００９８】
以下の表９では、代表的な液体重合可能なパラキシリレン前駆体物質をそれらのいくつかの物理的性質と共に示す。
【００９９】
【表９】
2009518285.tif 000026
【０１００】
Ｇｉｌｃｈタイプ重合反応スキームは図５に示す。クロロメチル化トルエン誘導体１９を、塩基誘導ギルチタイプ重合による新しいＰＰＸの製造用前駆体として用いた。カリウムｔ−ブタノレート（ｔ−ＢｕＯＫ）のような強塩基を塩基として用いた。しかしながら、他の開始化学種も用いうる。
【０１０１】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、限定されないが、水素、アルキル、アルカン、アリール、アルコール、またはそれらの組み合わせのようなどのような官能基でもよい。
【０１０２】
重合反応は、前駆体１９に対して少なくとも２倍モル過剰の塩基を用い、テトラヒドロフラン、トルエン、ジオキサンのような有機溶媒中で行った。重合は約−５０℃〜約＋１５０℃の温度にて、数分〜数時間の反応時間で行った。選択された詳しい実施例のいくつかを以下に示す。
【０１０３】
分子量は、約２０℃にてクロロホルムを溶離剤として用い、ポリスチレン標準に対するゲル透過クロマトグラフィーによって測定した。ガラス転移温度は、約１０Ｋ／分の加熱速度で、示差走査熱量法によって分析した。
実施例６  ポリ（α−（４−ブロモフェニル）−α´−フェニル−パラキシリレン）の合成
合成反応は図６に示す。
【０１０４】
滴下漏斗、磁気攪拌棒、および還流冷却器を備えた火力乾燥フラスコに、水分を除去したアルゴン雰囲気下、乾燥ＴＨＦ約８５ｍＬ中の約１．８２ｇ（約１６．２ｍｍｏｌ）のｔ−ＢｕＯＫを入れた。混合物を急速攪拌しながら加熱還流し、滴下漏斗を用いてジオキサン約１２ｍＬに溶解した約８．１ｍｍｏｌの前駆体１９ａを速やかにに入れた。混合物は約３時間加熱還流した。熱い混合物を１０倍体積過剰の冷メタノールに注いだ。沈殿したポリマー２０ａを単離し、クロロホルムおよびメタノールの混合物から再沈殿させ、最後に約５０℃で真空乾燥した。生成物２０ａの収率は約７５％であり、Ｍｗ＝２６３，０００；Ｍｎ＝１１７，０００；Ｍｗ／Ｍｎ＝２．２であった。
実施例７  ポリ（α−（３−メチルフェニル）−α´−フェニル−ｐ−パラキシリレン）の合成
合成反応は図７に示す。
【０１０５】
滴下漏斗、磁気攪拌棒、および還流冷却器を備えた火力乾燥フラスコに、水分を除去したアルゴン雰囲気下、乾燥ＴＨＦ約８５ｍＬ中の約１．８２ｇ（約１６．２ｍｍｏｌ）のｔ−ＢｕＯＫを入れた。混合物を急速攪拌しながら加熱還流し、滴下漏斗を用いてジオキサン約１２ｍＬに溶解した約８．１ｍｍｏｌの前駆体１９ｂを速やかに入れた。混合物は約３時間加熱還流した。熱い混合物を１０倍体積過剰の冷メタノールに注いだ。沈殿したポリマー２０ｂを単離し、クロロホルム／メタノールから再沈殿させ、最後に約５０℃で真空乾燥した。生成物２０ｂの収率は約７０％であり、Ｍｗ＝３１７，０００；Ｍｎ＝１３２，０００；Ｍｗ／Ｍｎ＝２．４であった。
実施例８  ポリ（α，α´−ジフェニル−ｐ−パラキシリレン）の合成
合成反応は図８に示す。
【０１０６】
滴下漏斗、磁気攪拌棒、および還流冷却器を備えた火力乾燥フラスコに、水分を除去したアルゴン雰囲気下、乾燥ＴＨＦ約８５ｍＬ中の約１．８２ｇ（約１６．２ｍｍｏｌ）のｔ−ＢｕＯＫを入れた。混合物を急速攪拌しながら加熱還流し、滴下漏斗を用いてジオキサン約１２ｍＬに溶解した約８．１ｍｍｏｌの前駆体１９ｃを速やかにに入れた。混合物は３時間加熱還流した。熱い混合物を１０倍体積過剰の冷メタノールに注いだ。沈殿したポリマー２０ｃを単離し、クロロホルム／メタノールから再沈殿させ、最後に約５０℃で真空乾燥した。生成物２０ｃの収率は約６２％であり、Ｍｗ＝４９，０００；Ｍｎ＝３９，０００；Ｍｗ／Ｍｎ＝１．３であった。
【０１０７】
本発明のいくつかの例となる態様を記載したが、本技術分野における当業者にとって、これらは説明にすぎず、限定するものではなく、実施例として示したものであることは明らかであろう。多くの変更および他の態様は本技術分野における当業者の範囲内であり、本発明の範囲内に入るものと考えられる。特に、ここに示した多くの実施例は、方法工程またはシステム構成要素の具体的な組み合わせを含むが、これらの工程および構成要素を他のやり方で組み合わせて同じ目的を達成しうることは言うまでもない。従って、本発明は具体的なハロゲンに限定されず、どのようなハロゲン化官能基またはハロゲン化作用を示す部分でも実施することができる。
【０１０８】
さらに、１つの態様に関連してのみ述べた工程、構成要素および特徴は、他の態様における類似の役割から除外されるものではない。
【０１０９】
様々な代替、変更、改善は本技術分野における当業者であれば容易に行うことができ、そのような代替、変更、改善は開示の一部および本発明の精神および範囲内である。
【０１１０】
さらに、本発明は、ここに記載の各特徴、システム、サブシステム、または技術、並びに２つ以上のここに記載の各特徴、システム、サブシステム、または技術に関するものと認められ、そしてそのような特徴、システム、サブシステム、または技術が互いに矛盾しなければ、２つ以上のここに記載の各特徴、システム、サブシステム、および／または方法は請求の範囲で具現化したような本発明の範囲内に入ると考えられる。
【０１１１】
請求の範囲の構成要素を変更するための請求項における「第１」、「第２」、「第３」のような序数用語は、それ自体、他を越える１つの請求項構成要素の優先、優位、または順序、あるいは工程を実施する時間的順序を意味するのではなく、ある名称を有する１つの請求項構成要素を、同じ名称を有する別の構成要素（序数用語の使用がなかったら）から区別する表示として単に用いて、請求項構成要素を区別するものである。
【０１１２】
本技術分野における当業者であれば、ここに記載のパラメーターおよび形態は典型的なものであること、および実際のパラメータおよび／または形態は、本発明のシステムおよび技術が用いられる具体的な応用によって変わることは理解されるはずである。本技術分野における当業者であればまた、単に決まりきった実験を行うことにより、本発明の具体的な態様と同等なものを理解したりあるいは突きとめることができるはずである。従って、ここに記載の態様が例示にすぎないこと、および請求の範囲およびそれと同等のものの範囲内で、本発明が具体的な記載とは別の方法で実施しうることは理解されるはずである。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１Ａ】本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファン用の中間生成物の合成に関する反応スキームを説明する。
【図１Ｂ】本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファンの合成に関する反応スキームを説明する。
【図２Ａ】本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファン用の中間生成物の合成に関する反応スキームを説明する。
【図２Ｂ】本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラシクロファンの合成に関する反応スキームを説明する。
【図３】本発明の１つ以上の態様によるフッ素化パラキシリレンの製造に関する反応スキームを説明する。
【図４】本発明の１つ以上の態様により製造されたフッ素化パラキシリレンの広角Ｘ線散乱分布の再現図である。
【図５】本発明の１つ以上の態様による液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する反応スキームを説明する。
【図６】本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明する。
【図７】本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明する。
【図８】本発明の１つ以上の態様による別の液体に基づくパラキシリレン前駆体合成に関する別の反応スキームを説明する。
【図１Ａ】
2009518285.tif 000029
【図１Ｂ】
2009518285.tif 000030
【図２Ａ】
2009518285.tif 000031
【図２Ｂ】
2009518285.tif 000032
【図３】
2009518285.tif 000033
【図４】
2009518285.tif 000034
【図５】
2009518285.tif 000035
【図６】
2009518285.tif 000036
【図７】
2009518285.tif 000037
【図８】
2009518285.tif 000038
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2009518285.tif 000039
（式中、Ｒ１およびＲ２の少なくとも１つはトリフルオロアルカンおよびトリフルオロアルケンのうちの１つを含む）
を有する化合物。
【請求項２】
Ｒ１がＣＦ３である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ２が水素である、請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１がＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）ｎＣＦ３であり、そして１≦ｎである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
ｎ＝５である、請求項４に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ２がＣＨ２ＣＨ２（ＣＦ２）ｍＣＦ３であり、そして１≦ｍである、請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
ｍ＝５である、請求項６に記載の化合物。
【請求項８】
トリフルオロエチルパラキシリレンを含むコポリマーの被覆を含む基体。
【請求項９】
被覆がポリ（ｐ−キシリレン−コ−トリフルオロエチルパラキシリレン）を含む、請求項８に記載の基体。
【請求項１０】
基体が電子デバイスである、請求項８に記載の基体。
【請求項１１】
基体が医療用デバイスである、請求項８に記載の基体。
【請求項１２】
少なくとも１つのトリフルオロエチル部分を含むパラシクロファン。
【請求項１３】
少なくとも１つのフッ素化カルボニル部分をパラシクロファンに結合すること；そしてフッ素化カルボニル部分を還元して三フッ素化二量体を製造すること
を含む、三フッ素化二量体の合成方法。
【請求項１４】
フッ素化カルボニル部分を結合する工程が、ＡｌＣｌ３の存在下でパラシクロファンをフッ素化カルボニル部分でアシル化することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも１つのフッ素化カルボニル部分を還元する工程が、結合したフッ素化カルボニル部分を有するパラシクロファンを電子供与体および酸の存在下で還流することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
フッ素化カルボニル部分が無水トリフルオロ酢酸を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
フッ素化カルボニル部分を結合する工程が、ジクロロメタンを含む溶媒中で行われる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
三フッ素化二量体をアルコール中で再結晶することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
二臭素化パラシクロファンおよびフッ素化ジエンを、溶媒、並びに酢酸パラジウム、アミンおよびエーテルの混合物の存在下で加熱して、少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を有するパラシクロファンを製造すること；および
少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を水素化して、式：
【化２】
2009518285.tif 000040
（式中、Ｒ１およびＲ２はトリフルオロアルカンおよびトリフルオロアルケンのうちの１つを含む）
を有するポリフッ素化パラシクロファンを製造すること
を含む、ポリフッ素化パラシクロファンの合成方法。
【請求項２０】
加熱工程が約１００℃の温度で行われる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つのフルオロ−ジエンペンダント部分を有するパラシクロファンをアルコール中で再結晶することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
溶媒がホルムアミドを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
混合物がトリルホスフィンをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
水素化工程が溶媒および白金族金属の存在下で行われる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
式：
【化３】
2009518285.tif 000041
（式中、ｎ＜１であり、Ｒは、ハロゲン、スルホニル、カルボニル、フェニル、アルコール、およびジエンよりなる群から選択される部分である）
を有するポリマーを含む基体。
【請求項２６】
Ｒが、Ｃｌ、Ｆ、ＳＯ３Ｈ、ＰｈＯＨＰｈ、ＰｈＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＰｈＣＨ２ＯＨ、ＰｈＣＯＯＨ、ＰｈＣＯＯＣＨ３、ＰｈＣＨ＝ＣＨＰｈＣＨ３、およびＰｈＣＨ＝ＣＨＰｈＣＨ＝ＣＨＣＨ３のうちの１つであり、そしてＰｈがフェニル基を表す、請求項２５に記載の基体。
【国際調査報告】
2009518285.tif 000042
2009518285.tif 000043