(57)【要約】  本発明の実施形態はロードロックチャンバと、ロードロックチャンバを有する処理システムと、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法とを含む。一実施形態では、該方法は、２つの換気サイクル用に、チャンバ本体に形成されている移送キャビティ内に処理済み基板を維持するステップを含む。別の実施形態では、該方法は、基板を移送キャビティから、該チャンバ本体に形成されている加熱キャビティに移送するステップと、該基板を該加熱キャビティにおいて加熱するステップとを含む。別の実施形態では、ロードロックチャンバは、基板サポートを移送キャビティに配置しているチャンバ本体を含む。該基板サポートは第１の高さと第２の高さとの間で移動可能である。複数の溝が該移送キャビティの天井または床の少なくとも一方に形成されており、また、該第２の高さで配置される場合に該基板サポートの少なくとも一部を受け取るように構成されている。【選択図】  図６
2009540547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法であって、
第１の未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体に形成されている第１の基板移送キャビティに配置されている第１の基板サポートに移送するステップであって、前記第１の移送キャビティが第１の処理済み基板を第２の基板サポート上に位置決めしているステップと、
前記第１の移送キャビティを真空にするステップと、
前記第１の未処理基板を前記第１の基板サポートから真空環境に移送するステップと、
第２の処理済み基板を前記真空環境から前記第１の処理済み基板の上の前記第１の基板サポートに移送するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
前記第１の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第１の処理済み基板を前記第２の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２の未処理基板を前記大気環境から前記第２の基板サポートに移送するステップと、
前記第２の未処理基板および前記第２の処理済み基板を含有する前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第２の未処理基板を前記第２の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第３の処理済み基板を前記真空環境から前記第２の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の処理済み基板および前記第２の処理済み基板を含有する前記第１の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第２の処理済み基板を前記第１の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、
第３の未処理基板を前記大気環境から前記第１の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第３の処理済み基板を含有する前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
をさらに備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第２の未処理基板を前記大気環境から、前記ロードロックチャンバ本体に形成されている第２の基板移送キャビティに配置されている第３の基板サポートに移送するステップであって、前記第２の移送キャビティが第３の処理済み基板を第４の基板サポート上に位置決めしているステップと、
前記第２の移送キャビティを真空にするステップと、
前記第２の未処理基板を前記第３の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第４の処理済み基板を前記真空環境から、前記第３の処理済み基板の上の前記第３の基板サポートに移送するステップと、
をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第３の処理済み基板を前記第４の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第３の未処理基板を前記大気環境から前記第４の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第４の処理済み基板を含有する前記第２の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第３の未処理基板を前記第４の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
第５の処理済み基板を前記真空環境から前記第４の基板サポートに移送するステップと、
前記第４および第５の処理済み基板を含有する前記第２の基板移送キャビティを換気するステップと、
前記第４の処理済み基板を前記第３の基板サポートから前記大気環境に移送するステップと、
第３の未処理基板を前記大気環境から前記第３の基板サポートに移送するステップと、
前記第３の未処理基板および前記第５の処理済み基板を含有する前記第２の基板移送キャビティを真空にするステップと、
をさらに備える請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の処理済み基板を冷却するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記冷却ステップがさらに、
前記第１の移送キャビティの床または天井の少なくとも一方に近接して前記第１の処理済み基板を移動させる工程をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記移動工程がさらに、
前記基板を前記ロードロックチャンバ本体と接触して設置することを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の未処理基板を前記真空環境から、前記チャンバ本体に形成されている加熱チャンバに移送するステップをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記加熱ステップがさらに、
前記基板を真空条件下で加熱する工程を備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記加熱ステップがさらに、
前記加熱チャンバを移送チャンバからシールする工程と、
前記加熱チャンバ内の圧力を上昇させる工程とを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記加熱された未処理基板を前記加熱チャンバから前記真空環境に移送するステップをさらに備える請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法であって、
未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体に形成されている第１の基板移送キャビティに配置されている第１の基板サポートに移送するステップと、
前記第１の未処理基板を中に配置している前記第１の基板移送キャビティを真空にするステップと、
前記第１の未処理基板を前記第１の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
前記未処理基板を、前記ロードロックチャンバ本体の加熱キャビティに配置されている第２の基板サポートに移送するステップと、
前記第２の基板サポート上の前記第１の未処理基板を加熱するステップと、
を備える方法。
【請求項１５】
前記加熱された第１の未処理基板を前記第２の基板サポートから前記真空環境に移送するステップと、
前記第１の未処理基板を処理するステップと、
をさらに備える請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板を加熱するステップがさらに、
前記加熱チャンバを移送チャンバからシールする工程と、
前記加熱チャンバ内の圧力を上昇させる工程と、
を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板を加熱するステップがさらに、
前記基板を真空条件下で加熱する工程を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
第１の処理済み基板を前記真空環境から、前記ロードロックチャンバ本体に配置されている第３の基板サポートに移送するステップをさらに備える請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
第３の基板サポート上の前記第１の処理済み基板を、第１の期間、前記第３の基板サポートの第１の高さで冷却するステップと、
第３の基板サポート上の前記第１の処理済み基板を、第２の期間、前記第３の基板サポートの第２の高さで冷却するステップと、
をさらに備える請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第１の基板移送キャビティを中に画成しているチャンバ本体と、
前記第１の基板移送キャビティに配置され、かつ第１の高さと第２の高さの間で移動可能な基板サポートと、
前記第１の基板移送キャビティの天井または床の少なくとも１つに形成され、かつ、前記第２の高さで配置される場合に前記基板サポートの少なくとも一部を受け取るように構成されている複数の溝と、
を備えるロードロックチャンバ。
【請求項２１】
前記溝が前記第１の基板移送チャンバの前記天井に形成される、請求項２０に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２２】
前記第１の基板移送キャビティの下方の前記チャンバ本体に形成されている第２の基板移送キャビティであって、基板サポートをその中に配置しており、かつ第１の高さと第２の高さとの間で移動可能な第２の基板移送キャビティと、
前記第２の基板移送キャビティの前記天井に形成され、かつ、前記第２の高さで配置される場合に前記基板サポートの少なくとも一部を受け取るように構成されている複数の溝と、
をさらに備える請求項２１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２３】
前記チャンバ本体に形成されている加熱キャビティをさらに備える請求項２２に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２４】
前記加熱チャンバが前記第１および第２の基板移送キャビティ間に配置される、請求項２３に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２５】
前記加熱チャンバが前記第１および第２の基板移送キャビティ間に配置されない、請求項２３に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２６】
前記チャンバ本体に形成されている加熱キャビティをさらに備える請求項２０に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２７】
前記本体に配置されている熱移送流体を前記加熱キャビティと前記第１の移送キャビティとの間で循環させるように適合されている複数の通路をさらに備える請求項２６に記載のロードロックチャンバ。
【請求項２８】
基板移送チャンバと、
前記移送チャンバに結合されている１つ以上の真空処理チャンバと、
前記移送チャンバに結合された本体を有するロードロックチャンバと、
前記移送チャンバに配置され、かつ前記ロードロックチャンバと前記１つ以上の真空処理チャンバとの間で基板を移送するように構成されているロボットとを備えており、
前記ロードロックチャンバの前記本体がさらに、
複数の基板格納スロットを有する第１の冷却された移送キャビティと、
複数の基板格納スロットを有する第２の冷却された移送キャビティと、
加熱キャビティと、
を備える、基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明の実施形態は一般的に、真空処理システム用のロードロックチャンバと、これを操作する方法に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0001]２つの急速に発展しつつある技術分野は薄膜トランジスタと光起電デバイスである。フラットパネル技術によって形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は普通、コンピュータおよびテレビモニタなどのアクティブマトリクスディスプレイ、携帯電話ディスプレイ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ならびに増えつつある他のデバイスに使用される。一般的に、フラットパネルは、液晶材料の層を挟持している２つのガラスプレートを備えている。ガラスプレートのうちの少なくとも一方が、電源に結合されている１枚の導電膜をこの上に含んでいる。電源から導電膜に供給される電力は結晶材料の配向を変更して、パターンディスプレイを作成する。
【０００３】
[0002]光起電デバイス（ＰＶ）や太陽電池は、太陽光を直流（ＤＣ）電力に変換するデバイスである。ＰＶや太陽電池は典型的に、パネル上に形成された１つ以上のｐ−ｎ接合を有する。各接合は２つの異なる領域を一方の側がｐ型領域と示され、もう一方の側がｎ型領域と示される半導体材料内に備えている。ＰＶ電池のｐ−ｎ接合が（光子からのエネルギーからなる）太陽光に暴露されると、太陽光はＰＶ効果によって直接電気に変換される。一般的に、高品質のシリコンベース材料が、高効率接合デバイス（つまり、単位面積あたりの高電力出力）を生成するために所望される。アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜は、従来の低温プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスの製造コストの低くおさえるので、ＰＶ太陽電池におけるシリコンベースパネル材料として広く使用されてきた。
【０００４】
[0002]フラットパネル技術の市場の受容と、高騰するエネルギーコストを埋め合わせるより効率的なＰＶデバイスに対する要望によって、パネルの大型化、生産率の増加および製造コストの低下に対する要求が、フラットパネルディスプレイおよびＰＶデバイス製作業者用のより大型サイズの基板を収容する新たなシステムの開発を機器製造業者に推進してきた。現在の基板処理機器は一般的に、約２平方メートルよりわずかに大きな基板を収容するように構成されている。より大型の基板サイズを収容するように構成されている処理機器が近い将来には想定されている。
【０００５】
[0003]このような大型基板を製作する機器は製作者に対する相当な投資を表している。従来のシステムは大型かつ高価なハードウェアを必要とする。この投資を埋め合わせるために、高基板スループットが極めて望ましい。
【０００６】
[0004]ロードロックチャンバ内の基板の加熱および／または冷却は、高システムスループットを達成するための重要な態様である。より大きなサイズの基板をも処理する将来の処理システムが想定されているため、大面積基板の均一な急速加熱および冷却の必要性は大きな関心事である。したがって、均一な温度調節および高熱移送率を促進する発展が極めて望ましい。
【０００７】
[0005]したがって、面積がより大きな基板の急速かつ均一な加熱および冷却を容易にする方法および装置の改良が必要とされている。
【発明の概要】
【０００８】
[0006]本発明の実施形態は、ロードロックチャンバと、ロードロックチャンバを有する処理システムと、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法とを含む。一実施形態では、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法は、２つの換気サイクル用に、ロードロックチャンバ本体に形成された基板移送キャビティ内に処理済み基板を維持するステップを含む。別の実施形態では、基板を移送する方法は、該ロードロックチャンバ本体に形成されている加熱キャビティに移送キャビティから基板を移送するステップと、該加熱キャビティで該基板を加熱するステップとを含む。
【０００９】
[0007]別の実施形態では、基板移送キャビティに配置された基板サポートを有するチャンバ本体を含むロードロックチャンバが提供される。該基板サポートは第１の高さと第２の高さとの間で移動可能である。複数の溝が該基板移送キャビティの天井または床の少なくとも一方に形成され、また、該第２の高さで配置される場合に該基板サポートの少なくとも一部を受け取るように構成されている。
【００１０】
[0008]さらに別の実施形態では、基板移送ロボットがその中に配置された基板移送チャンバと、該移送チャンバに結合されている１つ以上の真空処理チャンバと、ロードロックチャンバとを含む基板処理システムが提供される。該ロードロックチャンバは、該移送チャンバに結合されている本体を有する。該ロードロックチャンバの該本体は第１および第２の冷却された移送キャビティと、加熱キャビティとを含む。該冷却された移送キャビティの各々は複数の基板格納スロットを有する。
【００１１】
[0009]本発明の上記引用された特徴が達成され、かつ詳細に理解されるように、上記簡潔に要約された本発明のより特定的な説明は、添付の図面に図示されている実施形態を参照してなされてもよい。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを図示しており、また、本発明は他の等しく効果的な実施形態を許容可能であるため、この範囲を制限するものとみなされるべきではない点に注目すべきである。
【００１２】
[0022]理解を容易にするために、同一の参照番号が、可能な限り、図面に共通の同一要素を示すために使用されている。一実施形態の要素はさらなる引用なしで他の実施形態に好都合に利用可能である点が想定されている。
【詳細な説明】
【００１３】
[0023]大面積基板の効率的な加熱および冷却に適したロードロックチャンバが提供される。ロードロックチャンバを利用して、例えば移送チャンバにあるような真空環境と、例えばファクトリインタフェースにあるような大気環境との間で基板を移送する方法も提供される。ロードロックチャンバと基板移送方法両方の具体的な実施形態は、カリフォルニア州、サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な構成のロードロックチャンバを参照して以下に提供されるが、本発明の特徴および方法は、他の製造業者のものを含む他のロードロックシステムでの使用に適合可能である点が想定されている。
【００１４】
[0024]図１は、本発明のロードロックチャンバ１０４の一実施形態を有する説明のためのクラスターツール１００の平面図である。クラスターツール１００は、ロードロックチャンバ１０４によって移送チャンバ１０６に結合されているファクトリインタフェース１０２を含む。ファクトリインタフェース１０２は一般的に、複数の基板格納カセット１１４および大気ロボット１１２を含む。大気ロボット１１２は、カセット１１４とロードロックチャンバ１０４との間での基板１１６の移送を容易にする。複数の基板処理チャンバ１０８が移送チャンバ１０６に結合されている。真空ロボット１１０が移送チャンバ１０６に配置されて、ロードロックチャンバ１０４と処理チャンバ１０８との間での基板１１６の移送を容易にする。
【００１５】
[0025]ロードロックチャンバ１０４は一般的に複数の環境分離キャビティを含んでおり、この各々は１つ以上の基板格納スロットをこの中に画成している。ロードロックチャンバ１０４は、ファクトリインタフェース１０２の周囲または大気環境と、移送チャンバ１０６に維持されている真空環境との間で基板１１６を移送するように操作される。
【００１６】
[0026]図２は、本発明のロードロックチャンバ１０４の一実施形態を描いている。ロードロックチャンバ１０４は、ステンレス鋼、アルミニウムまたは他の適切な材料などの剛性材料から製作された本体アセンブリ２０２を含んでいる。本体アセンブリ２０２は、コンポーネントのアセンブリから無漏洩構造に製作されてもよい。本発明の利点を享受するように適合可能な適切な本体アセンブリは、２００６年１月１３日に出願された米国特許出願第１１／３３２，７８１号に説明されており、これは全体が参照によって本明細書に組み込まれている。代替的に、本体アセンブリ２０２は、他の構成を有してもよく、かつ／または単一の材料ブロックから製作されてもよい。
【００１７】
[0027]一実施形態では、本体アセンブリ２０２は、複数のリング状本体２４８を挟持する上部プレート２０４および底部プレート２０６を含む。内部プレート１９８が本体２４８間に配置される。プレート２０４、２０６、２９８は、本体２４８の各々の内部に画成されている内部容積２２０を囲む。図２に描かれている実施形態では、上部および下部内部容積２２０は基板移送キャビティ２０８、２１０として構成されるが、中間本体２４８によって境界設定されている内部容積２２０は加熱キャビティ２１２として構成される。
【００１８】
[0028]上部および底部プレート２０４、２０６は、上部および底部プレート２０４、２０６の少なくとも一方と本体２４８との相対的移動を可能にするように複数のファスナーによって本体２４８に密封結合される。例えば、上部および底部プレート２０４、２０６の少なくとも一方は溶接なしに本体２４８に結合される。プレート２０４、２０６から側壁に印加された力が大きな問題ではない実施形態では、上部および底部プレート２０４、２０６および本体２４８は溶接によって結合されてもよい。
【００１９】
[0029]図３に描かれている本体アセンブリ２０２の部分的断面図を付加的に参照すると、少なくとも１つのスペーサ３１６が上部プレート２０４の下部表面３０２と本体２４８の上部表面３０４との間に設けられている。スペーサ３１６は上部プレート２０４とチャンバ本体２４８とを分離し、この間にギャップ３０６が画成される。一実施形態では、スペーサ３１６は、チャンバ本体２４８の上部表面３０４の平面積よりかなり小さい平面積を有する部材である。例えば、複数のスペーサ３１６が、チャンバ本体２４８の一方の側に沿って上部表面３０４に配置されてもよい。
【００２０】
[0030]スペーサ３１６の厚さは、ガスケットまたはＯリング３８６がプレートと本体との間の真空シールを維持するように適切に圧縮され、上部プレート２０４が真空または他のストレス条件のチャンバ本体２４８に接触するのを防止するように選択される。同様に、１つ以上のスペーサ３１６は底部プレート２０６とチャンバ本体２４８との間に設けられて、これらの間にギャップ３０６を維持する。
【００２１】
[0031]図３に描かれている実施形態では、第１のスペーサ３１２および第２のスペーサ３１４が、上部プレート２０４とチャンバ本体２４８との間に配置されているものとして示されている。スペーサ３１２、３１４は、これら（つまり、スペーサ３１２からスペーサ３１４へ）の摩擦係数がスペーサとチャンバ本体２４８および／または上部プレート２０４との間の摩擦係数より小さい材料から製作される。したがって、チャンバ本体２４８および上部プレート２０４が真空、熱または他の力によって相対的に移動すると、上部プレート２０４および第１のスペーサ３１２は第２のスペーサ３１４（および本体２４８）全体に横方向に自由に移動し、上部プレート２０４および本体２４８が接触するのを防止する。
【００２２】
[0032]一実施形態では、スペーサ３１２、３１４はディスクである。このディスクは、組み立てを容易にするために本体アセンブリ２０２を固定するのに利用されるボルト２８２周辺に配置されているワッシャであってもよい。スライディングコンポーネント（例えば、スペーサ３１２、３１４）が本体２４８の上部表面３０４に比べて小さな接触面積を有しているので、運動を開始するのに必要な力は削減される。加えて、スペーサ３１２、３１４の接触表面がガスケット２８６の外側にあるので、スペーサ３１２、３１４のスライディング時に発生されるいかなる粒子も、ロードロックチャンバ１０４の内部容積２２０に入るのを有効に防止される。スペーサ３１６はリブまたは他の特徴の形態であってもよく、プレートと本体との間に延びて、これらの間のギャップを維持することが想定されている。スペーサがプレートまたは本体のいずれかに組み込まれてもよいことも想定されている。スペーサ３１６は、プレートと本体との間に延びて、これらの間のギャップを維持するリブまたは他の特徴の形態であってもよい点が想定されている。スペーサはプレートまたは本体のいずれかに組み込まれ（つまり、一体型構造を有し）てもよい点も想定されている。
【００２３】
[0033]図３に描かれている実施形態では、凹部３０８が、第２のスペーサ３１４を位置付ける本体２４８の上部表面３０４に形成されている。任意に、凹部（図示せず）が、第１のスペーサ３１２を位置付けるため上部プレート２０４に形成されていてもよい。凹部（図示せず）３０８は、スペーサ３１４が上部表面３０４を超えて延びて、第１のスペーサ３１２が本体２４８に対して左右に自由にスライドすることを保証するように選択された深さを有する。
【００２４】
[0034]ロードロックチャンバ１０４の上部プレート２０４に印加された力の影響をさらに最小化するために、少なくとも１つのスロット３１８が上部プレート２０４の中に形成される。スロット３１２によって上部プレート２０４の中央領域は移動、偏向および／または膨張することができ、上部プレートの縁部への運動の影響を最小化する。シールアセンブリ３２０が、ロードロックチャンバ１０４の内部容積２２０への漏洩を防止するために、スロット３１８に配置されている。図３に描かれている実施形態では、シールアセンブリ３２０は、クランプブロック３２４によって上部プレート２０４に留めつけられているガスケットやベローズ３２２を含む。同様に、底部プレート２０６は、上記のように、シールアセンブリ３２０によってシールされている少なくとも１つのスロット３３０を含む。
【００２５】
[0035]図２を再度参照すると、２つの基板アクセスポート２１６が本体２４８の対向する側壁を介して形成されて、基板移送キャビティ２０８、２１０の内部容積２２０からの基板の出入を可能にする。ポート２１６のうちの１つのみが図２に示されている。加熱キャビティ２１２は、移送チャンバ１０６に結合されている本体２４８の一方の側に画成されている少なくとも１つの基板アクセスポート２１６を含んでおり、移送キャビティ２１２の内部容積２２０は（図１に示されている）真空ロボット１１０によってアクセス可能である。基板アクセスポート２１６はスリットバルブドアによって選択的にシールされており、これは当業界では公知である。本発明の利点を享受するように適合可能なスリットバルブドアは、Ｔａｎａｓｅ，らによる、ＣＵＲＶＥＤ  ＳＬＩＴ  ＶＡＬＶＥ  ＤＯＯＲと題され、２００４年６月１４日に出願された米国特許出願第１０／８６７，１００号に説明されており、参照によりその内容全体が本願明細書に組み込まれる。
【００２６】
[0036]加熱キャビティ２１２は任意に第２の基板アクセスポート（図２には示されていない）を有してもよい。第２の基板アクセスポートはスリットバルブドアによって選択的にシールされても、あるいはブランクプレートによって代替的にシールされてもよい。これは、基板アクセスポートは主にキャビティの維持に使用されるからである。
【００２７】
[0037]一実施形態では、プレート２０４、２０６、２９８のうちの少なくとも１つが温度調節プレートとして構成されてもよい。１つ以上の通路２２４がプレート２０４、２０６、２９８に形成され、流体源２２８に結合されてもよい。流体源２２８は、プレート２０４、２０６、２９８の温度、最終的には基板１１６の温度を調節（つまり、加熱および／または冷却）するために通路１４２を循環される熱移送流体を提供する。プレート２０４、２０６、２９８を冷却することによって、処理から戻ってくる熱い基板は、キャビティ２０８、２１０内に配置されている個別の従来の冷却プレートを利用することなく効果的に冷却可能である。
【００２８】
[0038]加熱キャビティ２１２は一般的に、基板１１６を選択的に加熱するための、内部容積２２０に配置されている１つ以上のヒータ２６６を含む。図２に描かれている実施形態では、複数のヒータ２６６が、加熱キャビティ２１２に配置されている基板１１６に面する内部プレート２９８の表面のうちの少なくとも１つに結合されている。ヒータ２６６は、ランプ、抵抗加熱素子または他の適切な加熱デバイスであってもよい。基板１１６の上下のヒータ２６６の位置は基板の急速な放射加熱を容易にする。ヒータ２６６は電源２６８に独立して結合されている。この構成によって各ヒータ２６６は独立してコントロールされ、基板１１６の温度分布は、例えば基板を一様に加熱および／または基板の一領域を第２の領域より高速で均一に加熱することによって、所望の通り調整可能である。図２に描かれている実施形態では、ヒータ２６６は、基板１１６の中央が基板の周縁とは異なる速度で加熱されるように配列されている。
【００２９】
[0039]図２および図４Ａを参照すると、複数の基板サポート構造２１８が移送キャビティ２０８、２１０の内部容積２２０に配置されている。基板サポート構造２１８は一般的に、各々が１つの基板をサポートするように構成されている。サポート構造２１８の高さは、冷却されたプレート（またはヒータ２６６）に対する基板の近さが選択的に調整可能なように選択的にコントロールされる。サポート構造２１８の高さはまた、ポート２１６を介する基板の交換を容易にするようにコントロールされてもよい。一実施形態では、各基板サポート２１８は１つ以上のアクチュエータ２９４に結合されて、各キャビティ内のそれぞれのサポート２１８の仰角は独立してコントロール可能になる。他の基板サポート構造も代替的に使用可能であることが想定されている。
【００３０】
[0040]一実施形態では、基板サポート構造２１８は、アクチュエータ２９４に結合されている１つのプレートまたは複数のバー２９６を含む。バー２９６は、この上に支持されている基板の下面を超えて広がり、アクチュエータ２９４へのバーの結合を容易にするように構成されている。
【００３１】
[0041]複数のピン２２６がバー２９６から延びて、この上に基板１１６をサポートしてもよい。基板１１６をサポートしているピン２２６の端部は基板１１６の底部表面とピン２２６間の動的摩擦を削減し、かつ基板の擦れを防止するため、丸められたり、かつ／または、のボールを含んでもよい。図２に描かれている実施形態では、ボールは各ピン２２６の遠位端に配置されている。ボールによってもたらされた摩擦削減によって、基板は、基板を擦ることなくピン２２６にサポートされている間に容易に膨張および収縮するようになる。他の適切な基板サポートが、２００３年３月５日に出願された米国特許第６，５２８，７６７号、２００１年１０月２７日に出願された米国特許出願第０９／９８２，４０６号、および２００３年２月２７日に出願された米国特許出願第６０／３７６，８５７号に説明されており、これらのすべては参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれる。ピン２２６は一般的に、ロボット端部エフェクタとの基板交換を容易にするように配列されている。ピン２２６は、加熱キャビティ２１２の床を形成してここに基板をサポートする内部プレート２９８に付加的に結合される。
【００３２】
[0042]基板とチャンバ本体２４８間の熱移送を高めるために、基板サポート２１８は、基板サポート２１８上に支持されている基板サポートを、移送キャビティ２０８、２１０の床（または天井）に近接して移動させてもよい。基板と移送キャビティの床／天井との間の距離は、基板の温度に基づいて調整可能である。例えば、プレス加工から戻ってくる熱い基板は、摂氏２４０度を超える温度を有してもよい。成形に関する濃縮および／または熱ストレスを防ぐために、熱い基板は、移送キャビティの床／天井から離れた距離に維持されてもよい。ひとたび熱い基板が十分に、例えば摂氏約１４０度に冷却されると、より冷たい基板は、熱移送効率を増大させるために移送キャビティの床／天井に近づけられてもよく、より低い基板温度がより高速で取得されるようになり、このこともまた基板スループットを高める。
【００３３】
[0043]基板と移送キャビティ２０８、２１０の床／天井との間の熱移送をさらに高めるために、基板サポート２１８は、移送キャビティの床および／または天井と内部嵌合するように構成されてもよい。これによって、基板とチャンバ本体アセンブリ２０２との間の距離が最小にされ、また一部の実施形態では、チャンバ本体アセンブリ２０２と接触して基板を設置して、通路２２４を通る熱移送流体との熱交換を完全に利用することができる。
【００３４】
[0044]図５は、基板サポート２１８と内部嵌合するように構成されている内部プレート２９８の一実施形態の断面図を描いている。プレート２９８は、スロット５０２（図５に１つ示されている）を含み、スロット５０２は、基板サポート２１８のバー２９６をスロット５０２の中に移動させるように構成されている。一実施形態では、スロット５０２の深さは、バー２９６がスロット５０２の底部に移動するとプレート２９８によって基板がピン２２６から持ち上げられるように選択されてもよい。代替的に、スロット５０２、またはバー２９６の運動は、通路２２４を介して循環する流体によって基板が効率的に冷却される程度にプレートに近接して、ピン２２６に支持されている基板１１６を維持するように構成されてもよい。第２の移送キャビティ２１０は同様に、境界内部プレート２９８の下部に形成されたスロット５０２によって構成される。
【００３５】
[0045]図４Ｂは、ロードロックチャンバの内部の別の実施形態の部分当尺図である。図４Ｂに描かれている実施形態では、下部基板サポート４４４の高さをコントロールするアクチュエータ４０４は、上部基板サポート４４２に形成されている特徴部４４０を通過することによって、アクチュエータ４０２、４０６の整列を可能にする。したがって、基板サポート４４２、４４４は、ロードロックチャンバの内部容積内の同一の投影表面積（例えば、底面積）を有するように構成されてもよく、これによってロードロックチャンバ本体の壁は基板サポート４４２、４４４の近くに配置されることが可能になり、これはロードロックチャンバの内部容積を削減して、ポンピングおよび換気の回数の削減を効果的にもたらす。図４Ｂに描かれている実施形態では、特徴部４４０は、上部基板サポート４４２を通って形成された孔である。特徴部４４０は代替的に、下部基板サポート４４４の高さをコントロールするアクチュエータ４４０が、上部基板サポート４４２による妨げなしで下部サポートプレート４４４に結合されるようにする上部および下部基板サポート４４２、４４４間の刻み目、溝、スロット、切欠きまたは他の幾何学的差であってもよいことが想定されている。複数対のアクチュエータ４０２、４０４は、図４Ｃに示されているように、上部アクチュエータ４０２のロッド４６２および上部基板サポート４４２の特徴部４４０に入れ子にされた（ｔｅｌｅｓｃｏｐｉｎｇ）下部アクチュエータの起動ロッド４６４と同心円状に整列されてもよいことが想定されている。
【００３６】
[0046]図２を再度参照すると、圧力コントロールシステム２５０がロードロックチャンバ１０４に結合されて、本体アセンブリ２０２の内部容積２２０内の圧力をコントロールする。圧力コントロールシステム２５０は一般的にガス源２５２および排気システム２５４を含む。ガス源２５２は、チャンバ本体アセンブリ２０２を通って形成された少なくとも１つの入口ポート２６０に結合される。ガス源２５２は、チャンバ本体アセンブリ２０２の内部容積２２０内の圧力を上昇および／または調節するために利用される換気ガスを提供する。例えば、ガス源２５２は、真空環境から大気環境への基板１１６の移送を容易にするために、移送キャビティ２０８、２１０の内部容積２２０に換気ガスを流してもよい。一実施形態では、換気ガスは、窒素、ヘリウム、空気または他の適切なガスのうちの少なくとも１つを備えている。任意に、加熱キャビティ２１２は、一実施形態でキャビティ２１２が動作真空圧力で常に維持可能な場合には、入口ポートを含まなくてもよい。
【００３７】
[0047]入口コントロールバルブ２５６がガス源２５２と入口ポート２６０との間に配置されて、本体アセンブリ２０２の内部容積２２０への換気ガスの流れを選択的にコントロールする。入口コントロールバルブ２５６は、真空条件下で実質的な気密シールを提供することができる。一実施形態では、ガス源２５２は、換気ガスの流量率、温度および／または湿度などの換気ガスの属性をコントロールするように構成されている。
【００３８】
[0048]図２に描かれている実施形態では、入口ポート２６０は換気通路２３８によって１つ以上の拡散器２４０に結合されている。拡散器２４０は、内部容積２２０に流入するガスが基板１１６の上部に向けて方向付けられるように、上部プレート２０４（または他のプレート）の内側に形成される。この配列は、基板１１６を処理した後ロードロックチャンバ１０４を換気しつつ基板１１６を冷却するのを効果的に支援する。
【００３９】
[0049]一実施形態では、拡散器２４０は、プレート２０４、２９８の底部表面に画成されている凹部２３２に形成されている。キャップ２４４が凹部２３２を覆って、プレナム２４２をプレートに画成する。接続孔２３６はプレナム２４２を換気通路２３８に流体的に結合する。複数のアパーチャ２７６がキャップ２４４を通って形成されて、矢印２３４で図示されているように、ガス源２５２からプレナム２４２を介して内部容積２２０に換気ガスを流す。拡散器２４０はロードロックチャンバ１０４に換気ガスを方向付けることを主として意図しているが、拡散器２４０もまたチャンバ１０４の内部容積２２０を真空にするために利用可能である点が想定されている。
【００４０】
[0050]排気システム２５４は一般的に、チャンバ本体アセンブリ２０２を通って形成された少なくとも１つの排気ポート２６２に結合される。排気システム２５４は、ロードロックチャンバ１０４の内部容積２２０からガスを除去するように構成されている。排気システム２５４は１つ以上の真空ポンプ（図示せず）を含んでもよく、さらに、設備排気システム（これも図示せず）に最終的に結合されてもよい。例えば、排気システム２５４は、大気環境から真空環境への基板１１６の移送を容易にするために、内部容積２２０からガスを送り出してもよい。
【００４１】
[0051]排気コントロールバルブ２５８が排気システム２５４と排気ポート２６２との間に配置されて、本体アセンブリ２０２の内部容積２２０を出るガスの流れを選択的にコントロールする。排気コントロールバルブ２５８は典型的に入口コントロールバルブ２５６に類似しており、また真空条件で実質的な気密シールを提供することができる。
【００４２】
[0052]コントローラ２８０がロードロックチャンバ１０４に結合されて、ロードロックチャンバ１０４の動作をコントロールする。コントローラ２８０は中央演算処理装置（ＣＰＵ）２８２と、サポート回路２８６とメモリ２８４とを含む。ＣＰＵ２８２は、種々のチャンバおよびサブプロセッサをコントロールするための工業設定で使用可能な任意の形態のコンピュータプロセッサのうちの１つであってもよい。サポート回路２８６は、従来のようにプロセッサをサポートするためにＣＰＵ２８２に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含む。メモリ２８４はＣＰＵ１１２に結合される。メモリ２８４やコンピュータ読み取り可能な媒体は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、あるいは他の形態のローカルまたはリモートのディジタル記憶装置などの容易に入手可能なメモリの１つ以上であってもよい。
【００４３】
[0053]例えば、後述される基板移送方法のうちの１つの方法は一般的に、典型的にはソフトウェアルーチンとしてメモリ２８４に記憶される。ソフトウェアルーチンはまた、ＣＰＵ２８２によってコントロールされるハードウェアからリモート配置されている第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶および／または実行可能である。
【００４４】
[0054]本発明の方法はソフトウェアルーチンとして実現されるものとして論じられているが、ここに開示されている方法ステップのうちの一部はソフトウェアコントローラのみならずハードウェアによって実行可能である。したがって、本発明は、コンピュータシステムで実行される際にはソフトウェアで、特定用途向け集積回路や他のタイプのハードウェア実現ではハードウェアで、あるいはソフトウェアおよびハードウェアの組み合わせで実現可能である。
【００４５】
[0055]図６は、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法６００の一実施形態の流れ図である。方法６００はメモリ２８４に記憶され、コントローラ２８０によって実行され、本明細書に説明されているロードロックチャンバ１０４を利用して実践されてもよい。方法６００は他の適切に適合されたロードロックチャンバで実践可能である点も想定されている。
【００４６】
[0056]方法６００は、第１の未処理基板を大気環境（例えば、ファクトリインタフェース１０２）から、ロードロックチャンバ本体アセンブリ２０２に形成されている第１の移送キャビティ２０８に配置されている第１の基板サポート２１８に移送することによってステップ６０２から開始する。第１の移送キャビティ２０８は付加的に、第１の処理済み基板を第２の基板サポート２１８上に位置決めしている。ステップ６０４において、第１の基板移送キャビティは真空にされ、隣接する真空環境（例えば、移送チャンバ１０６）に略等しい圧力にされる。真空ステップ６０４時に、第１の処理済み基板は冷却されてもよい。一実施形態では、第１の処理済み基板は、第１の基板移送キャビティの床に極めて近い、かつ／または接触する位置に基板を移動させることによって冷却されてもよい。第１の基板キャビティの床が、この中に形成されている通路２２４を循環する冷却流体を有するので、第１の処理済み基板は効率的かつ迅速に冷却される。
【００４７】
[0057]ステップ６０６において、第１の未処理基板は第１の基板サポートから真空環境に移送される。ステップ６０８において、第２の処理済み基板が真空環境から、第１の処理済み基板上に配置されている第１の基板サポートに移送される。
【００４８】
[0058]この方法は、第１の基板移送キャビティを換気して、第１の処理済み基板を第２の基板サポートから大気環境（例えば、ファクトリインタフェース１０２）に移送することによって、ステップ６０１で継続可能である。ステップ６１２において、ステップ６０２乃至６１０は、大気環境と真空環境との間で追加基板を移動させるために反復してもよい。注目すべきは、この方法６００は、移送チャンバからファクトリインタフェースに戻る熱い基板が、少なくとも２つの換気サイクルを通してロードロックチャンバに維持されることを必要とする点である。これによって移送チャンバへの未処理基板の高速送出が容易になり、処理済み基板に対してロードロックチャンバ中の時間を延長し、熱ストレスの望ましくない発生、濃縮または他の欠陥なしで、均一な冷却を保証することができる。
【００４９】
[0059]さらに、処理済み基板への、冷却および／または濃縮時の熱勾配の作成を最小化するために、処理済み基板は、基板が高温である間の第１の移送サイクル時に基板移送キャビティの床（または天井）に対する第１の位置に維持されて、基板がかなり低い温度にある間の第２の移送サイクル時に移送キャビティの床（または天井）近くの第２の高さに移動されてもよい。例えば、基板は、キャビティのフラッドおよび／または天井から比較的間隔をあけられている間の第１の移送サイクル時には摂氏約２５０度から摂氏約１４０度に冷却されてもよい。ひとたび低温になると、ロードロックチャンバ本体の冷却された床（または天井）に比較的近い、またはこれと接触した位置に基板を移動させることによって、基板は第２の移送サイクル時に摂氏１４０度未満の温度に冷却されてもよい。
【００５０】
[0060]図７は、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法７００の別の実施形態の流れ図である。一実施形態では、方法７００は、未処理基板を大気環境から、ロードロックチャンバ本体アセンブリ２０２の第１の移送キャビティ２０８に配置されている第１の基板サポートに移送することによってステップ７０２から開始する。ステップ７０２において、第１の基板移送キャビティは、第１の未処理基板を第１の基板移送キャビティの中に配置している間に真空にされる。ステップ７０６において、第１の未処理基板は第１の基板サポートから真空環境に移送される。ステップ７０８において、未処理基板は、ロードロックチャンバ本体アセンブリ２０２の加熱キャビティ２１２に配置されている第２の基板サポートに移送される。ステップ７０８において、未処理基板は任意に、加熱されたキャビティ２０２への移送前に１つ以上のプロセスを受けてもよい。ステップ７１０において、第１の未処理基板は加熱キャビティ２０２で加熱される。この方法は、加熱キャビティ２０２に配置されている第２の基板サポートから真空環境に加熱された第１の未処理基板を移送して、この基板を処理することによってステップ７１２で継続する。
【００５１】
[0061]ステップ７１０において、基板は、ランプおよび／または抵抗加熱プレートなどの放射ヒータを使用して加熱されてもよい。加熱は、加熱キャビティ２１２が真空条件で維持される間に生じてもよい。代替的に、加熱キャビティ２１２は、第１の未処理基板への熱移送をさらに高めるために、真空環境から分離されて、窒素および／またはヘリウムなどの熱移送媒体で充填されてもよい。
【００５２】
[0062]図８はロードロックチャンバ８００の別の実施形態である。ロードロックチャンバ８００は、上部移送キャビティ８０６および下部移送キャビティ８０８をその中に画成している本体８０２を含んでいる。チャンバ本体８０２の構造は、上記のチャンバ本体アセンブリ２０２に類似していてもよい。
【００５３】
[0063]上部移送キャビティ８０６は一般的に、４つの基板移送スロット８１０、８１２、８２０、８２２を上部移送キャビティ８０６の中に画成している。各基板移送スロットは、１つの基板１１６を自身の上にサポートする複数のピン２２６を含む基板サポート８１８によって画成される。分離プレート８３０が第２の基板移送スロット８１２と第３の基板移送スロット８２０との間に配置されて、上部移送キャビティ８０６を冷却および加熱領域に分岐させる。加熱領域は一般的に、第１および第２の基板移送スロット８１０、８１２を含んでいるのに対して、冷却領域は一般的に、第３および第４の基板移送スロット８２０、８２２をこの中に位置決めして含んでいる。
【００５４】
[0064]分離プレート８３０は、熱移送流体源８３４に結合されているチャネル８３２を含む。流体源８３４は分離プレート８３０を介して熱移送流体を循環させて、プレート８３０を所定の温度に維持する。さらに、チャネル８３２を流れる熱移送流体によって熱移送プレート８３０は、上部移送キャビティ８０６内の分離プレート８３０のいずれかの側に画成されている加熱領域と冷却領域との間の熱クロストークを実質的に最小化する。
【００５５】
[0065]上部移送キャビティ８０６の加熱領域にサポートされている基板は１つ以上のヒータ８６６によって加熱される。ヒータ８６６は、上部移送キャビティ８０６の天井または床の少なくとも一方に配置される。ヒータ８６６は抵抗加熱素子またはランプであってもよい。ヒータ８６６は、ヒータ８６６によって提供されるネルエネルギーが上記のようコントロール可能になるように、源８６８に結合される。
【００５６】
[0066]上部移送キャビティ８０６の冷却領域にサポートされている基板は、上部および下部移送キャビティ８０６、８０８を分離する分離プレート８３０および／または熱調節内部壁８２８によって冷却される。壁８２８は一般的に１つ以上の通路１２４を含んでおり、これを介して、源１２６によって提供された熱移送流体が循環される。冷却領域が分離プレート８３０上に定義されることもあるのに対して、加熱領域は分離プレート８３０の下方に定義されることが想定されている。熱移送キャビティ８０８は同様に構築される。
【００５７】
[0067]圧力調節システム２５０が、上記のように移送キャビティ８０８、８０６内の圧力をコントロールするために提供される。各キャビティ８０６、８０４は、ファクトリインタフェース１０２に面する基板アクセスポート８１６を１つと、移送チャンバ１０６に面する単一の第２の基板アクセスポート８１６とを含む。したがって、移送キャビティ８０６、８０８に画成されている基板格納スロット８１０、８１２、８２０、８２２の各々は単一ポート８１６を介してロボット制御でアクセス可能である。各基板アクセスポートは、アクチュエータ８０４によって選択的に開閉される単一のバルブドア８１４によって選択的にシールされる。スリットバルブドア８１４は上記のように構築されてもよい。
【００５８】
[0068]図９は、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法９００の別の実施形態の流れ図である。方法９００はロードロックチャンバ８００を参照して説明されているが、他のロードロックチャンバで実践されてもよい。
【００５９】
[0069]方法９００の列９０２は、方法９００の各ステップ間の連続した時間を図示している。この時間は任意であり、ステップごとに必要な相対的時間を表しているに過ぎない点に注目されたい。ステップごとに必要な時間は、基板のサイズ、真空および換気中の容積、およびチャンバの熱移送効率に左右される。列９０４は、ロードロックチャンバの移送キャビティの圧力状態を示している。方法９００において、ロードロックチャンバ８００の処理の上部移送キャビティを介する流れが説明される。類似のプロセスが下部移送キャビティで実行されてもよい。方法９００の実施形態は他のロードロックチャンバでも実行可能である点が想定されている。
【００６０】
[0070]列９０６は、上部移送キャビティのスロット１および２中に配置されている基板に対して各時間ステップで行われる動作について説明している。列９０８は、上部基板移送キャビティのスロット３および４中に配置されている基板に対して行われる動作について説明している。
【００６１】
[0071]図１０は、大気環境と真空環境との間で基板を移送する方法９００の異なる段階における図８のロードロックチャンバ８００の上部移送キャビティの真空条件を図示するグラフを描いている。縦軸１００６は圧力を描き、横軸１００８は時間を描いている。トレース１００２はスロット１および２内の圧力を表しているのに対して、トレース１００４はスロット３および４内の圧力を表している。
【００６２】
[0072]この方法は、キャビティが大気圧にある時間ゼロで開始する。２つの冷たい基板がスロット１および２から除去されて、大気ロボット１１２によってファクトリインタフェース１０２からの２つの新たな基板と置換される。２つの処理済み基板（つまり、処理チャンバ１０８のうちの１つ以上での処理から戻ってくる）はスロット３および４に留まり、冷却にさらされる。時間０：３０において、上部移送キャビティは真空にポンプダウンされる。スロット１および２に配置されている２つの新たな基板は加熱されるが、スロット３および４に配置されている２つの基板は冷却を継続される。時間１：３０において、上部移送キャビティは真空であり、スリットバルブドアは移送チャンバに対して開放される。スロット１および２に配置されている加熱基板は真空ロボット１１０によってプロセス基板と交換される。スロット３および４に配置されている２つの処理済み基板は冷却を継続される。したがって、この時、スロット１乃至４は処理済み基板をその中に配置している。
【００６３】
[0073]時間２：００において、上部移送キャビティは移送チャンバからシールされて、大気に換気される。スロット１および２に配置されている２つのプロセス基板は冷却されるが、スロット３および４の２つの基板は冷却を継続される。時間６：００において、上部移送キャビティは大気圧にあり、スリットバルブドアは、上部移送キャビティが大気ロボット１１２にアクセス可能になるように開放される。スロット１および２に配置されている２つの基板は冷却を継続されるが、スロット３および４に配置されている２つの冷却された基板は大気ロボットによって除去されて、カセット１１４から取得された２つの新たな基板と置換される。
【００６４】
[0074]時間６：３０において、上部移送キャビティは真空にポンプダウンされる。スロット１および２に配置されている２つの基板は冷却を継続されるが、スロット３および４に配置されている２つの新たな基板は加熱される。時間７：３０において、上部移送キャビティは真空であり、上部移送キャビティを移送チャンバから分離するロードロックチャンバを分離するスリットバルブドアは開放される。スロット１および２に配置されている２つの基板は冷却を継続されるが、スロット３および４に配置されている加熱された基板は真空ロボットによってプロセス基板と交換される。したがって、この時、スロット１乃至４は処理済み基板をこの中に配置している。
【００６５】
[0075]時間８：００において、上部移送キャビティは大気に換気される。スロット１および２に配置されている２つの基板は冷却を継続し、スロット３および４に配置されている２つの基板は冷却を開始する。時間１２：００において、上部移送キャビティは大気圧であり、上部移送キャビティをファクトリインタフェースから分離するスリットバルブドアは開放されて、プロセスを再開させる。
【００６６】
[0076]したがって、ロードロックチャンバと、真空環境と大気環境間で基板を移送する方法が提供される。ダブルサイクル冷却によって基板は、熱ストレスを防止する速度で冷却される。個別チャンバでの基板の加熱および冷却は、熱汚染源を最小化および分離することによって、温度均一性を効果的に促進する。さらに、換気サイクルはポンプダウンサイクルに対して比較的長いため、加熱および冷却のイベントおよび時間は新たに引き離され、これは両者が個別チャンバで実行されるからであり、このことは、加熱および冷却プロセスのプロセス柔軟性を付加し、かつこの目標最適化を可能にする。
【００６７】
[0077]上記は本発明の好ましい実施形態を目的としているが、本発明の他のさらなる実施形態も、この基本的範囲から逸脱せずに考案されてもよい。本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって判断される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明のロードロックチャンバの一実施形態を有する事例的クラスターツールの平面図である。
【図２】図１の断面ライン２−２に沿ったロードロックチャンバの断面図である。
【図３】図１のロードロックチャンバの部分的断面図である。
【図４Ａ】図１のロードロックチャンバの別の部分的断面図である。
【図４Ｂ】ロードロックチャンバの内部の別の実施形態の部分的当尺図である。
【図４Ｃ】ロードロックチャンバの内部の別の実施形態の部分的断面図である。
【図５】図１のロードロックチャンバの別の部分的断面図である。
【図６】大気環境と真空環境間で基板を移送する方法の一実施形態の流れ図である。
【図７】大気環境と真空環境間で基板を移送する方法の一実施形態の流れ図の別の実施形態である。
【図８】マルチチャンバロードロックチャンバの別の実施形態の側部断面図である。
【図９】大気環境と真空環境間で基板を移送する方法の別の実施形態の流れ図である。
【図１０】図９の方法を実践する図８のロードロックチャンバのキャビティの真空条件を図示するグラフである。
【符号の説明】
【００６９】
１００…クラスターツール、１０２…ファクトリインタフェース、１０４…ロードロックチャンバ、１０６…移送チャンバ、１１０…真空ロボット、１１２…大気ロボット、１１４…基板格納カセット、１１６…基板、２０２…本体アセンブリ、２０４…上部プレート、２０６…底部プレート、２０８、２１０…基板移送キャビティ、２１２…加熱キャビティ、２１６…基板アクセスポート、２１８…基板サポート、２２０…内部容積、２２４…通路、２２６…ピン、２３６…接続孔、２３８…換気通路、２４０…拡散器、２４２…プレナム、２４４…キャップ、２４８…本体、２５０…圧力コントロールシステム、２５２…ガス源、２５４…排気システム、２５６…入口コントロールバルブ、２５８…排気コントロールバルブ、２６０…入口ポート、２６２…排気ポート、２６６…ヒータ、２６８…電源、２７６…アパーチャ、２８０…コントローラ、２８２…ＣＰＵ、２８４…メモリ、２８６…サポート回路、２９４…アクチュエータ、２９６…バー、２９８…内部プレート、３０２…下部表面、３０４…上部表面、３１２、３１４、３１６…スペーサ、３１８…スロット、３２０…シールアセンブリ、３２２…ベローズ、３２４…クランプブロック、４０２、４０４、４０６…アクチュエータ、４４０…特徴部、４４２…上部基板サポート、４４４…下部基板サポート、４６２…ロッド、４６４…起動ロッド、５０２…スロット、８００…ロードロックチャンバ、８０２…本体、８０４…アクチュエータ、８０６…上部移送キャビティ、８０８…下部移送キャビティ、８１０、８１２、８２０、８２２…基板移送スロット、８１４…バルブドア、８１６…ポート、８２８…内部壁、８３０…分離プレート、８３２…チャネル、８３４…熱移送流体源、８６６…ヒータ、８６８…源
【図１】
2009540547.tif 000003
【図２】
2009540547.tif 000004
【図３】
2009540547.tif 000005
【図４Ａ】
2009540547.tif 000006
【図４Ｂ】
2009540547.tif 000007
【図４Ｃ】
2009540547.tif 000008
【図５】
2009540547.tif 000009
【図６】
2009540547.tif 000010
【図７】
2009540547.tif 000011
【図８】
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【図９】
2009540547.tif 000013
【図１０】
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【国際調査報告】
2009540547.tif 000015
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2009540547.tif 000018