(57)【要約】パッシベーション層及び／又は封止層（３０２，３０４）を効率良くアブレーション除去するようにウェハ（３００）をスクライブするとともに、パッシベーション層及び／又は封止層（３０２，３０４）におけるチッピング及びクラックを減らす、または無くすシステム及び方法が提供される。幅の短いレーザパルスを使用して高いピークパワーを実現し、そしてアブレーション閾値を小さくする。一の実施形態では、スクライビングはｑスイッチＣＯ２レーザによって行なわれる。【選択図】図３
2009544145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面又は内部に形成された複数の集積回路を有する基板をスクライブする方法であって、前記複数の集積回路は一つ以上のストリートによって分離され、前記方法では：
波長及びパルス幅持続期間を有する一つ以上のレーザパルスを生成し；
前記波長は、一つ以上のパルスが、前記基板の上に形成されるパッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層を構成する標的材料によってほとんど吸収されるように選択され；
前記波長は更に、前記基板が一つ以上のパルスのほとんどをそのまま透過させるように選択され；そして
前記パルス幅持続期間は、前記標的材料のアブレーション閾値が小さくなるように選択される、
方法。
【請求項２】
更に、前記一つ以上のレーザパルスをＣＯ２レーザにより生成する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
更に、前記ＣＯ２レーザをｑスイッチ発振させる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記波長は約９μｍ〜約１１μｍの範囲である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記パルス幅持続期間は、約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲である、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記パッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層は二酸化シリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記パッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層は窒化シリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記基板はシリコンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
更に、前記基板の上に形成された金属層の一部分を一つ以上のレーザパルスでアブレーション除去する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法によるスクライブによって得られる集積回路。
【請求項１１】
半導体ウェハをスクライブする方法であって、前記方法では：
半導体ウェハの上に形成される一つ以上の層の一部分を、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長を有する一つ以上のレーザパルスでアブレーション除去し；
前記一つ以上のレーザパルスは、約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲のパルス幅持続期間を有する、
方法。
【請求項１２】
前記一つ以上の層は、パッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記パッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層は二酸化シリコンを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記パッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層は窒化シリコンを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
更に、前記一つ以上のレーザパルスをＣＯ２レーザを用いて発生させる、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
更に、前記ＣＯ２レーザをｑスイッチ発振させる、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
更に、金属層の一部分を一つ以上のレーザパルスでアブレーション除去する、請求項１１記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体ウェハは前記一つ以上のパルスのほとんどをそのまま透過させる、請求項１１記載の方法。
【請求項１９】
前記半導体ウェハはシリコンを含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
請求項１１記載の方法によるスクライブによって得られる集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、レーザ切削またはレーザスクライビングに関し、特に完成半導体ウェハを、チッピング及びクラックを減らす、または無くすようにｑスイッチレーザを使用してスクライブする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）は普通、半導体基板上にアレイ状に、または半導体基板内にアレイ状に形成される。ＩＣ（集積回路）は普通、基板上に形成される幾つかの層を含む。これらの層の内の一つ以上の層は、スクライブレーンまたはスクライブストリートに沿って、機械ダイシングソーまたはレーザを使用して除去することができる。スクライビングの後、基板は、ダイシングソーまたはレーザを使用して、基板の厚さ全体に亘って、ダイシングと呼ばれることがある方法で切断して、回路要素群を互いから分離することができる。レーザスクライビングとそれに続く機械的ダイシングとを組み合わせる方法もダイシングに使用される。
【０００３】
しかしながら、従来の機械的切削法、及びレーザ切削法は、例えば絶縁層または封止層、及び／又は低ｋ誘電体層を含む多くの高性能の完成ウェハをスクライブするために非常に適合している訳ではない。図１Ａ〜図１Ｃは、完成ウェハ１１４，１１６，１１８を従来のダイシングソーを使用して切断されたエッジ１１０，１１２，１１３の電子顕微鏡写真である。図示のように、エッジ１１０，１１２，１１３近傍の完成ウェハにはチッピング及びクラックが発生している。密度が非常に低く、機械的強度が無く、そして熱応力に対する感度が高いことによって、応力に対する低ｋ誘電体材料の感度が非常に高くなる。従来の機械的なウェハダイシング方法及びウェハスクライビング方法では、チッピング、クラック、及び他の種類の欠陥が低ｋ材料に発生してＩＣ素子にダメージを与えることが知られている。これらの問題を軽減するために、切削速度を遅くする。しかしながら、これによってスループットが極めて悪くなる。
【０００４】
レーザスクライビング法は、機械ダイシングソーによる切削法よりも優れた多くの利点を有する。しかしながら、公知のレーザ技術では、過剰な熱、及び加工屑が発生し得る。過剰な熱が拡散することによって熱影響層、再熱酸化による酸化膜層、過剰な加工屑、及び他の問題が発生する。クラックが熱影響層に形成され、そしてクラックによって半導体ウェハのチップ破壊強度が低下する。従って、信頼性及び歩留まりが低下する。更に、加工屑が半導体材料の表面に散乱し、そして例えばボンディングパッドに付着してパッドを汚染する恐れがある。更に、従来のレーザ切削形状では、レーザで掘り出された材料が、開口したトレンチを埋め戻してしまうという問題を生じる恐れがある。ウェハ厚さが厚くなると、この埋め戻しが更に顕著になって、ダイシング速度を低下させる。更に、幾つかの材料が多くのプロセス条件で処理される場合、掘り出された埋め戻し材料は、目的とする元々の材料よりも後続の過程で除去することが難しくなる。従って、ＩＣ素子にダメージを与え得る、品質の低下した切削部が形成され、そしてこれらの切削部によって、基板上の素子を更にクリーニングし、そして／または広い間隔で分離する必要が生じる。
【０００５】
従来のレーザスクライビング法では、例えば中間赤外線領域の波長を有する連続波（ＣＷ）ＣＯ２レーザを使用する。しかしながら、このようなＣＷレーザは、集光させることが難しく、かつ普通、ＩＣ処理材料をアブレーション除去するために大きいエネルギーを必要とする。従って、過剰な熱、及び加工屑が生成される。パルスＣＯ２レーザもスクライビングに使用されている。しかしながら、このようなスクライビング法では、普通ミリ秒範囲の幅の長いパルスが使用される。従って、低いピークパワーが、幅の長いパルスによって生成され、そして大きいエネルギー／パルスを使用して材料をアブレーション除去する。従って、幅の長いパルスは過剰に熱を拡散させ、これによって熱影響層、再熱酸化による酸化膜層、過剰な加工屑、チッピング、及びクラックが発生する。
【０００６】
従来の別のレーザスクライビング法では、例えば約１０６４ｎｍ〜約２６６ｎｍの範囲の波長を有するレーザを使用する。しかしながら、外側のパッシベーション層及び／又は封止層は普通、これらの波長を部分的に透過させる。例えば、これらの波長を持つパルスの第１部分は、上側のパッシベーション層及び／又は封止層を吸収されることなく透過することができる。しかしながら、これらのパルスは、その下に続く金属層及び／又は誘電体層によって吸収される。従って、これらの後続層は、上側のパッシベーション層及び／又は封止層をレーザでアブレーション除去できる前に熱くなり、そして破裂する。これによって、パッシベーション層及び／又は封止層が剥がれ、または割れて剥がれ、そして加工屑となって飛散する。図２Ａ及び図２Ｂは、ウェハ２１４，２１６を、ピコ秒範囲のパルス幅を有する従来のガウスレーザパルスを用いスクライブして形成された加工溝２１０，２１２の電子顕微鏡写真である。図示のように、ウェハの、加工溝２１０，２１２のエッジの近傍の部分２１０，２１２にはチッピング及びクラックが発生している。
【０００７】
従って、チッピング、クラック、及び加工屑を減らし、または無くし、そしてスループットを高め、かつ切削面の品質、または加工溝品質を向上させるレーザスクライビング法が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，６５６，１８６号
【発明の概要】
【０００９】
本発明は、パッシベーション層及び／又は封止層を効率良くアブレーション除去するように完成ウェハをレーザスクライブするとともに、パッシベーション層及び／又は封止層におけるチッピング及びクラックを減らす、または無くす方法を提供する。幅の短いレーザパルスを使用して高いピークパワーを実現し、そしてアブレーション閾値を小さくする。一の実施形態では、スクライビングはｑスイッチＣＯ２レーザによって行なわれる。
【００１０】
一の実施形態では、複数の集積回路がその上に、またはその中に形成されている基板をスクライブする方法が提供される。これらの集積回路は一つ以上のストリートによって分離される。本方法では、１つの波長及びパルス幅持続期間を有する一つ以上のレーザパルスを生成する。波長は、一つ以上のパルスが、基板の上に形成されているパッシベーション層及び封止層の内の少なくとも一つの層を構成する標的材料によってほとんど吸収されるように選択される。波長は更に、基板が一つ以上のパルスのほとんどをそのまま透過させるように選択される。パルス幅持続期間は、標的材料のアブレーション閾値が小さくなるように選択される。
【００１１】
別の実施形態では、半導体ウェハをスクライブする方法が提供される。本方法では、半導体ウェハの上に形成される一つ以上の層の一部分を、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長を有する一つ以上のレーザパルスでアブレーション除去する。一つ以上のレーザパルスは、約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲のパルス幅持続期間を有する。一の実施形態では、半導体ウェハはシリコンを含む。別の実施形態では、半導体ウェハはゲルマニウムを含む。
【００１２】
更に別の態様及び利点は、添付の図面を参照した好適な実施形態に関する以下の詳細な記述から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１−１】図１Ａ〜図１Ｂは、完成ウェハを従来のダイシングソーを使用してウェハ厚さに亘って切断したときの加工溝の電子顕微鏡写真である。
【図１−２】図１Ｃは、完成ウェハを従来のダイシングソーを使用してウェハ厚さに亘って切断したときの加工溝の電子顕微鏡写真である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ完成ウェハを約１０６４ｎｍと３５５ｎｍの波長を有するレーザを用ってスクライブして形成された加工溝の電子顕微鏡写真である。
【図３】本発明の或る実施形態に従ってスクライブされる例示としての被加工物の側面模式図である。
【図４】図４Ａ及び図４Ｂは、従来のレーザスクライビング法に従って処理される図３の被加工物を示す側面模式図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の或る実施形態によるｑスイッチＣＯ２レーザでスクライブされた図３の被加工物を示す側面模式図である。
【図６−１】図６Ａ〜図６Ｂは、本発明の或る実施形態によるパッシベーション層／封止層を、ｑスイッチＣＯ２レーザを用いスクライブして形成された加工溝の電子顕微鏡写真である。
【図６−２】図６Ｃは、本発明の或る実施形態によるパッシベーション層／封止層を、ｑスイッチＣＯ２レーザを用いスクライブして形成された加工溝の電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明の一の実施形態によるｑスイッチＣＯ２レーザ及びガウス分布ピコ秒パルスレーザビームを用いスクライブして形成された加工溝の電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
材料がレーザエネルギーを吸収する能力によって、当該エネルギーでアブレーション除去することができる深さが決まる。アブレーション深さは、材料によって決まる吸収深さ、及び材料の蒸発熱によって決まる。波長、パルス幅持続期間、パルス繰り返し周波数、及びビーム品質のようなパラメータを制御することにより、切削速度を速くし、そして切削面または加工溝の品質を向上させることができる。一の実施形態では、これらのパラメータの内の一つ以上のパラメータは、外側のパッシベーション層／封止層におけるエネルギー吸収を高め、そしてパッシベーション層／封止層、及び／又は追加層をアブレーション除去するために必要なフルエンス（単位面積を通過するエネルギーの時間積分値：通常、Ｊ／ｃｍ２で測られる）量（「アブレーション閾値」と表記される）を小さくするように選択される。従って、材料に照射される余剰エネルギーの量は小さくなる、またはゼロになる。更に、相対的に小さいフルエンスを使用することにより、再熱酸化による酸化膜層、熱影響層、チッピング、クラック、及び加工屑を減らす、または無くす。従って、チップ破壊強度が高まり、そしてレーザ照射後に必要なクリーニングの回数が減る。
【００１５】
一の実施形態では、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長を有するレーザパルスを使用して完成半導体ウェハをスクライブする。これらの波長では、パッシベーション層及び封止層は、パルスエネルギーの大部分を吸収するように構成される。従って、パッシベーション層及び封止層は、これらの層よりも下位の層のアブレーション（溶発）に起因して割れて吹き飛ばされる前に、アブレーション除去される。更に、シリコン基板はこれらの波長のパルスエネルギーをほとんど吸収しない。従って、クラックの原因となり得る基板加熱がほとんど行なわれることがない、または全く行なわれることがない。
【００１６】
レーザパルスは、約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲の短いパルス幅を有する。
【００１７】
一の実施形態では、ｑスイッチＣＯ２レーザを使用してレーザパルスを生成する。当業者であれば、ｑスイッチ法は、高エネルギー短パルスをレーザから、レーザ共振器のＱ値を変調することにより得るために使用される方法である。ｑスイッチ短パルスＣＯ２レーザを使用することにより、ウェハスクライビングプロセス及びウェハダイシングプロセス中に発生し得るチッピング、及びクラックを無くす、または大幅に減らすことができる。
【００１８】
短パルス幅は、連続波（ＣＷ）パルスまたは長い幅のパルスのピークエネルギーよりも大きいピークエネルギーを供給するように選択される。モーロー（Mourou）らによる米国特許第５，６５６，１８６号は、材料のアブレーション閾値はレーザパルス幅の関数であることを教示している。ＣＷパルスまたは長いパルス幅のパルス（例えば、ミリ秒範囲の）に対するアブレーション閾値は普通、短いパルス幅に対するアブレーション閾値よりも大きくする必要がある。パルスが短くなるとピークパワーが大きくなり、そして熱伝導率が小さくなる。従って、完成ウェハを短パルスを使用してスクライビングする工程を効率良く行なうことができる。その結果、スクライビングプロセスが高速に行なわれる。
【００１９】
便宜上、「切削(cutting)」という用語を使用して、スクライビング（目的とする被加工物の深さ全体を貫通することがない切削）及びスルーカッティング(throughcutting)を広く指すようにしており、スルーカッティングはスライシング（多くの場合、ウェハ列の分離加工に関連する）またはダイシング（多くの場合、ウェハ列からの部品シンギュレーション(個別化)に関連する）を含む。スライシング及びダイシングは本開示における説明では同じ意味に使用される。
【００２０】
次に、同様の参照番号が同様の構成要素を指す図を参照する。図を分かり易くするために、参照番号の第１桁は、該当する構成要素が初めて使用される図形番号を指している。以下の記述では、多くの特定の詳細を提示して、本明細書に開示する実施形態を完全に理解することができるようにしている。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、本発明は、一つ以上の特定の詳細を用いることなく実施することができる、または他の方法、要素、または材料を用いて実施することができることを理解できるであろう。更に、或る場合においては、公知の構造、材料、または動作は、本発明の態様を不明瞭にすることがないようにするために詳細には示されない、または記載されない。更に、記載される機能、構造、または特徴は、いずれの適切な態様でも、一つ以上の実施形態において組み合わせることができる。
【００２１】
図３は、本発明の或る実施形態に従ってスクライブされる例示としての被加工物３００の側面模式図である。被加工物３００は、基板３１４の上に形成された第１層３０２，第２層３０４，第３層３０６，第４層３０８，第５層３１０，及び第６層３１２を含む。当業者であれば理解することができることであるが、これらの層３０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２は、低ｋ誘電体を含む絶縁層によって分離される配線層を含み、電子回路を形成することができる。この例では、上側の２つの層３０２，３０４は、パッシベーション兼封止層を形成する。第１層３０２は、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含み、そして第２層３０４は窒化シリコン（ＳｉＹＮＸ）を含むことができる。例えば、第２層３０４はＳｉ３Ｎ４を含むことができる。当業者であれば、他の材料を使用することによりパッシベーション層及び／又は封止層を形成することができることが理解できるであろう。
【００２２】
この例では、第３層３０６は金属（例えば、ＣｕまたはＡｌ）を含み、第４層３０８は誘電体（例えば、ＳｉＮ）を含み、第５層３１０は金属（例えば、ＣｕまたはＡｌ）を含み、そして第６層３１２は低ｋ誘電体を含む。低ｋ誘電体材料は、例えばＳｉＯＦ（フッ素を含む酸化シリコン）またはＳｉＯＢ（ホウ素を含む酸化シリコン）のような無機材料、またはポリミド系またはパリレン系ポリマーのような有機材料を含むことができる。当業者であれば、層３０６，３０８，３１０，３１２に関して議論された材料は単なる例示に過ぎず、他の種類の材料を使用することもできることが理解できるであろう。更に、当業者であれば、図示の層の数よりも多くの層、または少ない層を特定のＩＣに使用することができることが理解できるであろう。図示のように、基板３１４はシリコン（Ｓｉ）を含む。しかしながら、業者であればまた、ＩＣ製造に有用である他の材料を基板３１４に使用することができ、このような材料として、例えばガラス、ポリマー、金属、複合材料、及び他の材料を挙げることができることが理解できるであろう。例えば、基板３１４はＦＲ４（高耐熱エポキシ樹脂）を含むことができる。
【００２３】
上に議論したように、層３０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２は電子回路を構成する。個々の回路は互いから、スクライブレーンまたはスクライブストリート３１６（図３では、２つの垂直破線として示される）によって分離される。個々のＩＣを取り出すために、被加工物３００をストリート３１６に沿ってスクライブする、スルーカットする、またはスクライブかつスルーカットする。或る実施形態では、被加工物３００は、層３０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２の内の一つ以上の層を、レーザパルスビームでアブレーション除去することによりスクライブされる。有利な点として、本明細書で議論されるレーザスクライビングプロセスによって、ほぼ均質な側壁を持つ滑らかな加工溝がストリート３１６の領域に形成され、この場合、ストリート３１６の外側の領域には、通常のレーザスクライビングプロセスに普通に観察されるクラックまたはチッピングがほとんど発生しない、または全く発生しない。
【００２４】
図４Ａ及び図４Ｂは、例えば従来のレーザスクライビング法に従って加工される図３の被加工物３００を示す側面模式図である。図４Ａは、吸収がほとんど、または全く発生せずパッシベーション層／封止層３０２，３０４を突き抜けるパルスエネルギー４０２（例えば、約１０６４ｎｍ〜約２６６ｎｍの範囲の波長の）を示している。むしろ、レーザパルスエネルギー４０２は第３層３０６の領域４０６で吸収され、これによって領域４０６が発熱する。最終的に、この熱によって領域４０６をアブレーション除去する、または破裂させることができる。従って、層３０２，３０４の一部分が吹き飛ばされる。図４Ｂは、破裂によって形成された加工溝４０８を模式的に示している。加工溝４０８は、均質な側壁を持たず、かつストリート領域３１６の外部に（チップ内に）延び、これによってＩＣにダメージを与える恐れがある。上に議論したように、図２Ａ及び図２Ｂは、このようなチッピングを示している。
【００２５】
図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の或る実施形態によるｑスイッチＣＯ２レーザでスクライブされた図３の被加工物３００を示す側面模式図である。ＣＯ２レーザからレーザビームが出射し、レーザビームは、一連のレーザパルスを含み、これらのレーザパルスは、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長、及び約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲のパルス幅持続期間を有する。
【００２６】
パッシベーション層／封止層３０２，３０４は、ＣＯ２レーザから出射されるパルスのエネルギーを吸収するように構成される。更に、短パルスは大きいピークエネルギーを有し、この大きいピークエネルギーによって、パッシベーション層／封止層３０２，３０４を高速で、かつ効率良くアブレーション除去することにより、ほぼ均質な側壁を持つ滑らかな加工溝を形成する。更に、シリコン基板３１４は、ＣＯ２レーザから出射されるパルスの波長をほぼ透過させる。従って、基板３１４は、ＣＯ２レーザから出射されるパルスのエネルギーをほとんど、または全く吸収することがなく、かつ加熱をほとんど、または全く受けることがない。
【００２７】
図５Ａに示すように、一の実施形態では、ＣＯ２レーザを使用して、パッシベーション層／封止層３０２，３０４をアブレーション除去することにより被加工物３００をスクライブして、加工溝５０２をストリート３１６の領域に形成する。加工溝５０２は、ほぼ均質な側壁、及びほぼ平坦な底面を有する。或る実施形態では、ＣＯ２レーザから放出される波長によるアブレーションでは、金属（例えば、層３０６，３１０）を、パッシベーション層／封止層３０２，３０４をアブレーション除去するときほどには効率良くアブレーション除去することができない。従って、図５Ａの実施形態に示すように、ＣＯ２レーザは、パッシベーション層／封止層３０２，３０４をアブレーション除去するためにのみ使用される。
【００２８】
残りの層３０６，３０８，３１０，３１２は、従来のソーイング法またはレーザスクライビング法を使用してスクライブすることができる。例えば、層３０６，３０８，３１０，３１２は、ピコ秒範囲の近赤外線パルスを使用してスクライブすることができる。基板３１４も、従来のソーイング法またはレーザアブレーション法を使用してダイシングすることができる。例えば、約２６６ｎｍの波長を有するレーザを使用して、基板３１４を効率的に、かつ高品質にダイシングすることができる。
【００２９】
図５Ｂに示すように、別の実施形態では、ＣＯ２レーザを使用して、層３０２，３０４，３０６，３０８，３１０，３１２をアブレーション除去することにより被加工物３００をスクライブして、加工溝５０４をストリート３１６の領域に形成する。ここでも同じように、加工溝５０４は、ほぼ均質な側壁、及びほぼ平坦な底面を有する。約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長によるアブレーションでは、金属を効率良くアブレーション除去することができないが、このようなレーザでも、金属を十分に加熱した後では当該金属をアブレーション除去することができる。従って、図５Ｂに示す実施形態では、ここで議論されるＣＯ２レーザは、第１層３０２の上側表面から基板３１４の上側表面に延びる加工溝５０４を形成するための単一工程として使用することはできる。上に議論したように、シリコン基板は、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長をほぼ透過させる。従って、基板３１４をＣＯ２レーザでダイシングするのは極めて効率が悪い。従って、スクライブの後、基板３１４は、従来のソーイング法またはレーザアブレーション法を使用してダイシングすることができる。
【００３０】
図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の或る実施形態による、パッシベーション層／封止層を貫通するようにｑスイッチＣＯ２レーザを用いスクライブして形成された加工溝６１０，６１２，６１４の電子顕微鏡写真である。上に議論したように、ＣＯ２レーザから、約９μｍ〜約１１μｍの範囲の波長、及び約１３０ナノ秒〜約１７０ナノ秒の範囲のパルス幅持続期間を有するレーザパルスが出射される。図６Ａ〜図６Ｃでは、チッピング、クラック、または汚染がほとんど、または全く発生しない状態を観察することができる。従って、チップ破壊強度が高まり、そして総合プロセス歩留まりが向上する。
【００３１】
図７は、本発明の或る実施形態によるｑスイッチＣＯ２レーザ及びガウス分布ピコ秒パルスレーザビームでスクライブすることによって得られた完成半導体ウェハ７０８の電子顕微鏡写真である。図７に示すように、ｑスイッチレーザでスクライブして第１加工溝７１０を、完成ウェハ７０８のパッシベーション層／封止層に形成する。次に、ガウス分布ピコ秒パルスレーザビームでスクライブして第２加工溝７１２を、完成ウェハ７０８の更に別の層を貫通するように形成する。例示のために、第２加工溝７１２が更に、第１加工溝７１０を超えて領域７１４において延びる様子を示している。完成ウェハ７０８をまず、ｑスイッチＣＯ２レーザでスクライブする場合、加工溝７１０，７１２は滑らかなエッジを有し、かつクラックが発生することはほとんどない、または全くない。しかしながら、ｑスイッチＣＯ２レーザを使用しなかった領域７１４では、ガウス分布ピコ秒パルスレーザビームによってクラックがパッシベーション層／封止層に発生した。
【００３２】
この技術分野の当業者には、多くの変更を、本発明の基本原理を逸脱しない範囲において、上に記載の実施形態の詳細部分に加え得ることが明らかであろう。従って、本発明の技術範囲は以下の請求項によってのみ規定されるべきである。
【図１−１】
2009544145.tif 000003
【図１−２】
2009544145.tif 000004
【図２】
2009544145.tif 000005
【図３】
2009544145.tif 000006
【図４】
2009544145.tif 000007
【図５】
2009544145.tif 000008
【図６−１】
2009544145.tif 000009
【図６−２】
2009544145.tif 000010
【図７】
2009544145.tif 000011