(57)【要約】本発明は一般に、液晶ディスプレイ装置の分野に関し、より詳細には、負誘電異方性を有する液晶分子が液晶ディスプレイのパネル表面に略垂直に配向される、垂直配向モード（ＶＡモード）で動作する液晶ディスプレイ装置に関する。本発明による液晶ディスプレイは垂直配向モードの液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配列された少なくとも１つの偏光子（２、１０）と、液晶セルと少なくとも１つの偏光子との間に配置された少なくとも１つの補償構造（３、７）と、を備える。偏光子は互いに垂直な透過軸（１１、１８）を有する。
2009540345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイであって、
垂直配向モード液晶セルと、
前記液晶セルの両側に配列された２つの偏光子と、
前記液晶セルと前記偏光子の１つとの間に配置された少なくとも１つの補償構造と、
を備え、
前記偏光子は互いに垂直な透過軸を有し、前記補償構造は、共役π系と、超分子間で非共有結合を形成することができる官能基とを有する少なくとも１つの多環式有機化合物を含む超分子を有する少なくとも１つの遅延層を含む、液晶ディスプレイ。
【請求項２】
前記有機化合物は一般構造式Ｉを有する、請求項１記載の液晶ディスプレイ。
【化１】
2009540345.tif 000028
（式中、
Ｓｙｓは少なくとも部分的に共役させた実質的に平面の多環式分子系であり、
Ｘはカルボン酸基−ＣＯＯＨであり、
ｍは０、１、２、３または４であり；
Ｙはスルホン基−ＳＯ３Ｈであり、
ｎは０、１、２、３または４であり；
Ｚはカルボキサミド基であり、
ｐは０、１、２、３または４であり；
Ｑはスルホンアミドであり、
ｖは０、１、２、３または４であり；
Ｄは対イオンであり、
ｓは前記分子の中性状態を提供する対イオンの数であり；
ＲはＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃｌ、Ｂｒ、ＮＯ２、Ｆ、ＣＦ３、ＣＮ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＮＨ２、およびＮＨＣＯＣＨ３を含むリストから選択される置換基であり、
ｗは０、１、２、３または４である。）
【請求項３】
Ｓｙｓは可視スペクトル範囲において実質的に透明である、請求項２記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４】
Ｓｙｓは構造ＩＩ〜ＸＬＩＸを含むリスト由来の一般構造式を有する、請求項２または３のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【化２】
2009540345.tif 000029
2009540345.tif 000030
2009540345.tif 000031
2009540345.tif 000032
2009540345.tif 000033
2009540345.tif 000034
【請求項５】
前記対イオンは、Ｈ+、ＮＨ４+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｌｉ+、Ｂａ++、Ｃａ++、Ｍｇ++、Ｓｒ++
、Ｃｓ++、Ｐｂ++、およびＺｎ++のイオンを含むリストから選択される、請求項２〜４のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項６】
前記有機化合物はオリゴフェニル誘導体である、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項７】
前記オリゴフェニル誘導体は構造１〜７のうちの１つに対応する一般構造式を有する、請求項６記載の液晶ディスプレイ。
【化３】
2009540345.tif 000035
【請求項８】
前記有機化合物はビベンズイミダゾール誘導体であり、構造８〜９のうちの１つに対応する一般構造式を有する請求項１〜５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【化４】
2009540345.tif 000036
【請求項９】
前記有機化合物は「トリアジン」誘導体であり、構造１０〜１２のうちの１つに対応する一般構造式を有する請求項１〜５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【化５】
2009540345.tif 000037
【請求項１０】
前記有機化合物はアセナフトキノキサリン誘導体である、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１１】
前記アセナフトキノキサリン誘導体は、カルボン酸基を含み、構造１３〜１９のうちの１つに対応する一般構造式を有する請求項１０記載の液晶ディスプレイ。
【化６】
2009540345.tif 000038
【請求項１２】
前記アセナフトキノキサリン誘導体は、スルホン基を含み、構造２０〜３１に対応する一般構造式を有する請求項１０記載の液晶ディスプレイ。
【化７】
2009540345.tif 000039
2009540345.tif 000040
【請求項１３】
前記有機化合物は６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体である、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１４】
前記６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は少なくとも１つのカルボン酸基−ＣＯＯＨを含み、ｍは１、２または３であり、前記誘導体は構造３２〜４４を含む群由来の一般構造式を有する、請求項１３記載の液晶ディスプレイ。
【化８】
2009540345.tif 000041
2009540345.tif 000042
2009540345.tif 000043
【請求項１５】
前記６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は少なくとも１つの前記スルホン基−ＳＯ３Ｈを含み、ｎは１、２または３であり、前記誘導体は構造４５〜５３を含むリスト由来の一般構造式を有する、請求項１３記載の液晶ディスプレイ。
【化９】
2009540345.tif 000044
2009540345.tif 000045
【請求項１６】
前記遅延層の少なくとも１つは水不溶性である、請求項１〜１５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１７】
前記超分子は前記遅延層において少なくとも部分的に三次元構造を形成する、請求項１〜１６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１８】
前記非共有結合の少なくとも１つは水素結合である、請求項１〜１７のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１９】
前記非共有結合の少なくとも１つは配位結合である、請求項１〜１８のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２０】
前記液晶セルは、
互いに対向し、互いに略平行な第１および第２の基板と、
前記第２の基板に面する前記第１の基板の第１の表面上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板に面する前記第２の基板の第２の表面上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の前記第１の表面上に、前記第１の電極を覆うように設けられた第１の分子整列膜と、
前記第２の基板の前記第２の表面上に、前記第２の電極を覆うように設けられた第２の分子整列膜と、
前記第１および第２の基板の間に閉じ込められ、負誘電異方性の液晶分子を含む液晶層
と、
を備える、請求項１〜１９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２１】
前記遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる二軸遅延層である、請求項１〜２０のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２２】
前記遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略垂直になるように配列される、請求項２１記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２３】
前記遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略平行になるように配列される、請求項２１記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２４】
前記遅延層は、その長手方向軸が前記進相軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含み、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で異方性分極率を有する、請求項２１〜２３のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２５】
前記補償構造は、第１の型の遅延層の面内に実質的に存在する遅いおよび進相軸を有する第１の型の少なくとも１つの遅延層と、第２の型の遅延層の面に対し略垂直に誘導される光軸を有する第２の型の少なくとも１つの遅延層と、を備える、請求項１〜２０のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２６】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である、請求項２５記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２７】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項２５記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２８】
前記第１の型の遅延層は、その長手方向軸が前記進相軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含む、請求項２６または２７に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２９】
前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で概ね等方性の分極率を有する、請求項２８記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３０】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｓ＞ｎｎ  および  ｜ｎｎ−ｎｆ｜／（ｎｎ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項２５記載の液晶ディスプレイ。 
【請求項３１】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる二軸遅延層である、請求項２５記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３２】
前記第１の型の遅延層は、その長手方向軸が前記進相軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含み、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で異方性分極率を有する、請求項３１記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３３】
前記第１の型の遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略垂直になるように配列される、請求項２５〜３２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３４】
前記第１の型の遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略平行になるように配列される、請求項２５〜３２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３５】
前記第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である、請求項２５〜３４のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３６】
前記第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項２５〜３２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３７】
前記第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向されたシート状超分子を含む、請求項２５〜３６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３８】
前記第２の型の遅延層は、その長手方向軸が前記遅延層の表面に略垂直になるように配向された棒状超分子を含む、請求項２５〜３６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３９】
前記第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向された平面多環式有機化合物を含む、請求項２５〜３６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４０】
前記第２の型の遅延層は、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）を含む、請求項２５〜３６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４１】
前記補償構造は、前記第１の型の遅延層に比べ、前記液晶セルにより近接して配置された第２の型の遅延層を含む、請求項２５〜４０のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４２】
前記補償構造は、前記第２の型の遅延層に比べ、前記液晶セルにより近接して配置された第１の型の遅延層を含む、請求項２５〜４０のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４３】
前記補償構造は、第１の型の１つの遅延層の両側に配列された第２の型の第１および第２の遅延層を含む、請求項２５〜４０のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項４４】
前記液晶セルの両側に配置された、少なくとも２つの補償構造を含む、請求項１〜４３のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、「有機化合物、光学結晶膜およびその製造方法」と題する、２００５年１０月７日に出願された英国特許出願第０５２０４８９．６および２００６年１０月８日に出願された英国特許出願第０６２００２６．５、「有機化合物、光学膜およびその製造方法」と題する２００６年８月１６日に出願された英国特許第０６１６３５９．６号、ならびに２００７年５月１８日に出願された同じ名称の米国特許出願に関連し、これらの開示内容は全て参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は一般に、液晶ディスプレイに関し、より詳細には、負誘電異方性を有する液晶分子が、液晶ディスプレイのパネル表面に略垂直に配向された垂直配向モード（ＶＡモード）で動作する、液晶ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００３】
液晶ディスプレイは、コンピュータなどの様々な情報処理装置のためのディスプレイとして使用される。小型で消費電力が小さい液晶ディスプレイが、携帯用情報処理装置において適用するのに特に適している。他方、デスクトップ型コンピュータなどの固定型情報処理装置におけるそのような液晶ディスプレイの使用もまた研究されている。従来の液晶ディスプレイは一般に、正誘電異方性を有する液晶分子が一対の相互に対向するパネル基板間で水平に配向され、一方のパネル基板に隣接する液晶分子および他方のパネル基板に隣接する液晶分子は互いに垂直に交差する個々の方向に配向されたねじれネマチックモード（ＴＮモード）構造を使用する。そのようなＴＮモード液晶ディスプレイでは、様々な液晶がすでに開発されており、液晶ディスプレイは確立されたプロセスにより低コストで作製することができる。他方、ＴＮモード液晶ディスプレイは、画像の高コントラスト表示を実現する際に１つの欠点を有する。ＴＮモード液晶ディスプレイは、駆動電場を印加することにより液晶分子をパネル基板の表面に垂直に配向させることにより黒色表示を提供し、一方、パネル基板に直接隣接した液晶分子は、駆動電場が印加されても水平配向を維持する傾向があることに注意すべきである。その結果、そのような水平液晶分子に関連する複屈折性により、液晶層を通る光通過が完全に妨害される活性化状態でさえも光の通過が可能になる。このように、ＣＲＴ（陰極線管）ディスプレイで通常採用されるように、ＴＮモード液晶ディスプレイにおいて黒色バックグラウンドで白色画像を表示しようとすると（いわゆる「ノーマリーブラックモード」）、パネルの光または色の漏れが生じ、黒色状態またはレベルが、黒色画像が白色バックグラウンド上で表示される「ノーマリーホワイトモード」のものよりも、散乱のため悪くなる。これが、従来のＴＮモード液晶ディスプレイ装置がノーマリーホワイトモードで動作される理由である。ＶＡモード液晶ディスプレイは、負誘電異方性を有する液晶分子が、一対のパネル基板間に、液晶分子が液晶ディスプレイの非活性化状態のパネル基板の表面に略垂直な方向に配向された状態で閉じ込められる液晶ディスプレイである。このように、光はそのような液晶ディスプレイ中の液晶層を通って、液晶セルの非活性化状態における偏光面を変化させずに通過し、光は交差状態の液晶層の両側に配置された一対の偏光子により効果的に遮断される。そのため、そのようなＶＡモード液晶ディスプレイでは、液晶ディスプレイの非活性化状態での理想に近い黒色表示が達成できる。言い換えると、そのようなＶＡモード液晶ディスプレイは、ＴＮモード液晶ディスプレイでは不可能な非常に高いコントラストを容易に達成することができる。ＶＡモード液晶ディスプレイの活性化状態では、液晶分子は、液晶分子に印加された電場によりパネル基板に概して水平に配向され、入射光ビームの偏光状態で回転が誘発されることに注意すべきである。ＶＡモード自体は、長い間公知である。他方、ＶＡモード液晶ディスプレイは、視角特性、電圧保持（または電圧保持率）などの観点か
ら、ＴＮモード液晶ディスプレイに匹敵する表示品質を提供できないと、従来考えられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、これまでのところ、ＶＡモード液晶ディスプレイを使用して、実際的な液晶ディスプレイ装置を実現するための努力はほとんどなされていない。特に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用するアクティブマトリクス液晶ディスプレイ装置の構成は非常に困難であると考えられている。ＶＡモード液晶は従来のＣＲＴディスプレイよりも優れたコントラスト比を提供することができるので、そのようなＶＡモード液晶ディスプレイ装置の主な目的は、従来のＣＲＴディスプレイ装置にとって代わることであると予測される。
【０００５】
しかしながら、この目的を達成するためには、ディスプレイ面積を増加させる、および応答を改善する通常の要求の他に、ディスプレイ装置の視角特性を改善することが特に必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本出願において記載した偏光、補償層、遅延層、膜およびプレートに関しては、用語の下記定義を本文全体を通して使用する。
光軸という用語は、伝搬する光が複屈折性を示さない方向を示す。
【０００７】
任意の光学的異方性媒質はその２階誘電体誘電率テンソルにより特徴づけられる。任意の媒質の誘電体誘電率は、この媒質を形成する粒子の分極率により決定される。この媒質が超分子を含む場合、媒質の誘電体誘電率は、これらの超分子の配向および分極率により決定される。
【０００８】
補償プレートの分類は、プレートの自然座標系に関する特別な誘電率テンソルの主軸の配向に密接に関連する。プレートのｘｙｚ自然座標は、ｚ軸が法線方向に平行であり、ｘｙ面がプレート表面と一致するように選択される。図１は誘電率テンソルの主軸（Ａ、Ｂ、Ｃ）がｘｙｚ系に対し任意に配向されることを示す。
【０００９】
主軸の配向は、３つのオイラー角（θ、Φ、Ψ）を用いて特徴づけることができ、これらは主誘電率テンソル成分（εA、εB、εC）と共に、光学補償板（図１）の異なる型を
一意的に規定する。誘電率テンソルの主成分が全て異なる値を有する場合は、二軸補償板に対応し、これによりプレートは２つの光軸を有する。例えば、εA＜εB＜εCの場合、
これらの光軸はＣ軸から両側にあるＣおよびＡ軸の面内にある。１軸限界では、εA＝εBの場合、本発明者らは、二軸が一致し、Ｃ軸が単一の光軸である縮退した場合を有する。
【００１０】
重要な特別な場合、誘電率テンソルの２つの主軸ＡおよびＢは平板層内にあり、一方、Ｃ軸はこれに垂直である。実験系のｘ、ｙおよびｚ軸はそれぞれ、Ａ、ＢおよびＣ軸と一致するように選択することができる。例えば、誘電体誘電率テンソルの３つの主値εA、
εBおよびεCの最低及び最高の大きさは、それぞれ、Ａ軸およびＢ軸に対応し、そうしてεA＜εB＜εCであり、２つの光軸がＡＢ面に属する。このため、そのような遅延層は「
ＡB」または「ＢA」型プレートと呼ばれる（図２）。負のＡBプレートは、εA−εB＜０
の場合、正のＢAプレートに等しい（命名文字の順を変えると、誘電体誘電率差の符号を
変えることとなる：εB−εA＞０）。別の根本的に異なる場合は、２つの光軸がプレート表面に直交する面に属する場合である。この場合は、主誘電率の１つの最低または最高の大きさがＣ軸に対応する場合に起こる。例えば、εC＜εB＜εAの場合、この遅延層は、
負のＣAまたは正のＡCプレートと呼ばれる。
【００１１】
Ｃ軸とｚ軸との間の天頂角が様々な補償板型の定義において最も重要である。いくつかの重要な型の１軸遅延層が存在し、これらはＬＣＤの補償のために最も頻繁に使用されている。
【００１２】
Ｃプレートはオイラー角θ＝０およびεA＝εB≠εCにより規定される。この場合、主
Ｃ軸（異常軸）はプレート表面（ｘｙ面）に垂直である。εA＝εB＜εCの場合、プレー
トは「正のＣプレート」と呼ばれる。それとは逆に、εA＝εB＞εCの場合、プレートは
「負のＣプレート」と呼ばれる。図３は、正（ａ）および負（ｂ）のＣプレートの自然座標系に関する特別な誘電率テンソルの主軸の配向を示す。ｘｙ面内に位置する軸ＯＡおよびＯＢは等しい。
【００１３】
プレートがオイラー角θ＝π／２およびεA＝εB≠εCにより規定される場合、「Ａプ
レート」と呼ばれる。この場合、主Ｃ軸はプレート面（ｘｙ面）内に存在し、一方、Ａ軸は面表面に垂直である（１軸縮退のため、ＡおよびＢ軸の直交配向を、ｘｙ−表面に垂直な面内で任意に選択することができる）。εA＝εB＜εCの場合、プレートは「正のＡプ
レート」と呼ばれる。反対に、εA＝εB＞εCであれば、プレートは「負のＡプレート」
と規定される（図４）。
【００１４】
一般に、誘電率テンソル成分（εA、εBおよびεC）が複素数である場合、主誘電率テ
ンソル成分（εA、εBおよびεC）、屈折率（ｎａ、ｎｂおよびｎｃ）、ならびに吸収係
数（ｋａ、ｋｂ、およびｋｃ）は下記条件を満たす：ｎａ＝Ｒｅ［（εA）1/2］、ｎｂ＝Ｒｅ［（εB）1/2］、ｎｃ＝Ｒｅ［（εC）1/2］、ｋａ＝ｌｍ［（εA）1/2］、ｋｂ＝ｌｍ［（εB）1/2］、ｋｃ＝ｌｍ［（εC）1/2］。環境の屈折率が小さいほど、この環境での電磁波の速度は大きくなる。そのため、電磁波の速度は、異方性環境では異方性値である。層の面内では、電磁波の最も大きな速度に沿って誘導される進相軸が存在し、電磁波の最も低い速度に沿って誘導される遅相軸が存在する。このように、遅延層は、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけてもよい。二軸プレートの場合、屈折率ｎｆ、ｎｓおよびｎｎは全て異なる値を有する。上記で記載したように、Ａ−およびＣプレートは１軸プレートに割り当てられる。負のＡプレートでは、屈折率は下記条件に従う：ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ。Ａプレートは遅延パラメータＲA＝ｄ・（ｎｓ−ｎｆ）により特徴づけることができ
、ここで、ｄはこのプレートの厚さである。負のＣプレートでは、屈折率は下記条件に従う：ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎ。Ｃプレートは遅延パラメータＲC＝ｄ・｜ｎｓ−ｎｎ｜＝ｄ・｜
ｎｆ−ｎｎ｜により特徴づけることができ、ここで、ｄはこのプレートの厚さである
準Ａプレートおよび準Ｃプレートが存在することに注意すべきである。負の準Ａプレートは、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ、および｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸のプレートである。負の準Ｃプレートは可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸のプレートである。
【００１５】
第１の観点では、本発明は垂直配向モード液晶セルと、液晶セルの両側に配列された２つの偏光子と、液晶セルと前記偏光子の１つとの間にされた少なくとも１つの補償構造とを備える液晶ディスプレイを提供する。偏光子は互いに垂直な透過軸を有する。前記補償構造は、共役π系と、超分子間で非共有結合を形成することができる官能基とを有する少
なくとも１つの多環式有機化合物を含む超分子を有する少なくとも１つの遅延層を含む。
【００１６】
本発明の一般的な説明を行ってきたが、特定の好ましい実施形態を参照することによりさらなる理解を得ることができる。そのような実施形態は説明目的のためだけに本明細書で示され、添付の特許請求の範囲を制限しようとするものではない。
【００１７】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、有機化合物は一般構造式Ｉを有し、
【００１８】
【化１】
2009540345.tif 000003
式中、Ｓｙｓは少なくとも部分的に共役させた実質的に平面の多環式分子系であり；Ｘはカルボン酸基−ＣＯＯＨであり；ｍは０、１、２、３または４であり；Ｙはスルホン基−ＳＯ３Ｈであり；ｎは０、１、２、３または４であり；Ｚはカルボキサミド基であり；ｐは０、１、２、３または４であり；Ｑはスルホンアミド基であり；ｖは０、１、２、３または４であり；Ｄは対イオンであり；ｓは分子の中性状態を提供する対イオンの数であり；ＲはＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃｌ、Ｂｒ、ＮＯ２、Ｆ、ＣＦ３、ＣＮ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＮＨ２、およびＮＨＣＯＣＨ３を含むリストから選択される置換基であり；ｗは０、１、２、３または４である。好ましくは、Ｄは下記イオンを含むリストから選択される：Ｈ+、ＮＨ４+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｌｉ+、Ｂａ++、Ｃ
ａ++、Ｍｇ++、Ｓｒ++、Ｃｓ++、Ｐｂ++、およびＺｎ++。多価対イオン（カチオン）を使用して、有機化合物の安定化を提供してもよく、その不溶性が提供され得る。
【００１９】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、Ｓｙｓは可視スペクトル範囲で実質的に透明である。本発明では、可視範囲は、約４００ｎｍに等しい下方限界および約７００ｎｍに等しい上方限界を有すると考えられている。液晶ディスプレイの別の実施形態では、Ｓｙｓは表１で示した構造ＩＩ〜ＸＬＩＸに対応する一般構造式を有する。
【００２０】
【表１】
2009540345.tif 000004
2009540345.tif 000005
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2009540345.tif 000008
2009540345.tif 000009
開示した液晶ディスプレイの１つの好ましい実施形態では、有機化合物はオリゴフェニル誘導体である。構造１〜７に対応する一般構造式を有するオリゴフェニル誘導体の例を表２に示す。
【００２１】
【表２】
2009540345.tif 000010
開示した液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態では、有機化合物はビベンズイミダゾール誘導体である。構造８〜９に対応する一般構造式を有するビベンズイミダゾール誘導体の例を表３に示す。
【００２２】
【表３】
2009540345.tif 000011
開示した液晶ディスプレイのさらに別の好ましい実施形態では、有機化合物は「トリアジン」誘導体である。構造１０〜１２に対応する一般構造式を有する「トリアジン」誘導体の例を表４に示す。
【００２３】
【表４】
2009540345.tif 000012
2009540345.tif 000013
開示した液晶ディスプレイの１つの好ましい実施形態では、有機化合物はアセナフトキノキサリン誘導体である。少なくとも１つのカルボン酸基（ここで、ｍは１、２、３または４に等しい）を含み、構造１３〜１９に対応する一般構造式を有するアセナフトキノキサリンスルホンアミド誘導体の例を表５に示す。
【００２４】
【表５】
2009540345.tif 000014
2009540345.tif 000015
開示した液晶ディスプレイの別の実施形態では、有機化合物は少なくとも１つのスルホン基を含み、ここでｎは１、２、３または４に等しい。少なくとも１つのスルホン基を含み、構造２０〜３１に対応する一般構造式を有するアセナフトキノキサリンスルホンアミド誘導体の例を表６に示す。
【００２５】
【表６】
2009540345.tif 000016
2009540345.tif 000017
2009540345.tif 000018
液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態では、有機化合物は少なくとも１つのカルボン酸基または少なくとも１つの酸アミド基を官能基として含む、６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体である。
【００２６】
液晶ディスプレイの１つの好ましい実施形態では、６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は酸アミド基として少なくとも１つのカルボキシアミド基（ＣＯＮＨ２）を含む。開示した液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態では、６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は酸アミド基として少なくとも１つのスルホンアミド基（ＳＯ２ＮＨ２）を含む。少なくとも１つのカルボン酸基−ＣＯＯＨを含み、ｍが１、２または３であり、構造３２〜４４を含む群由来の一般構造式を有する６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体の例を表７に示す。
【００２７】
【表７】
2009540345.tif 000019
2009540345.tif 000020
2009540345.tif 000021
液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態では、６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は少なくとも１つのスルホン基（−ＳＯ３Ｈ）を含む。スルホン基−ＳＯ３Ｈを含み、ｎが１、２または３であり、構造４５〜５３を含むリスト由来の一般構造式を有する６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体の例を表８に示す。
【００２８】
【表８】
2009540345.tif 000022
2009540345.tif 000023
超分子は、少なくとも部分的に平面の、より好ましくは実質的に平面のπ共役分子を重ねた会合体である。会合体中の分子数は好ましくは、温度、圧力、添加物などの形成条件により規定され、分子構造または官能基の構成により正確に、かつ断定的には規定されない。
【００２９】
本発明の好ましい実施形態では、超分子は、共役π系と、超分子間で非共有結合を形成することができる官能基とを有する少なくとも１つの多環式有機化合物を含む。１つの分子の官能基は好ましくは、スタック間非共有結合の形成により互いに相互作用し、非共有結合の完全に飽和された三次元ネットワークが形成されることができるように設計される。遅延層は、可視波長領域の全範囲ではなく、一部のみの電磁放射線に対して透明とすることができ、前記波長帯域のこの部分はサブ範囲と呼ばれる。このサブ範囲は共役π系および官能基を有する各多環式化合物に対し、実験により決定することができる。
【００３０】
本発明のさらに別の好ましい実施形態では、少なくとも１つの化合物の分子は複素環を含む。本発明のさらに別の好ましい実施形態では、前記遅延層の少なくとも１つは水不溶性である。
【００３１】
本発明の別の好ましい実施形態では、前記遅延層の少なくとも１つは光学的二軸性である。本発明の別の好ましい実施形態では、超分子は遅延層の表面に実質的に水平に、また
は垂直に配向される。本発明のさらに別の好ましい実施形態では、非共有結合の少なくとも１つはＨ結合である。本発明のさらに別の好ましい実施形態では、非共有結合の少なくとも１つは配位結合である。
【００３２】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、有機化合物は一般構造式Ｉを有し、ここで、ｍが０に等しい場合、ｎおよびｐはどちらも０に等しい。言い換えると、カルボン酸基が存在しないと、有機化合物は少なくとも１つのスルホン基およびカルボン酸基の少なくとも１つのアミド基を含む。
【００３３】
液晶ディスプレイの別の実施形態では、有機化合物は一般構造式Ｉを有し、ここで、ｍが０に等しい場合、ｎおよびｖはどちらも０に等しくない。言い換えると、カルボン酸基が存在しないと、有化合物は少なくとも１つのスルホン基およびスルホン酸基の少なくとも１つのアミドを含む。
【００３４】
液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、有機化合物は一般構造式Ｉを有し、ここで、ｎが０に等しい場合、ｍは０に等しくない。言い換えると、スルホン基が存在しないと、有化合物は少なくとも１つのカルボン酸基を含む。
【００３５】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、液晶セルは（ｉ）互いに対向し、互いに略平行な第１および第２の基板と；（ｉｉ）前記第２の基板に面する前記第１の基板の第１の表面上に設けられた第１の電極と；（ｉｉｉ）前記第１の基板に面する前記第２の基板の第２の表面上に設けられた第２の電極と；（ｉｖ）前記第１の基板の前記第１の表面上に、前記第１の電極を覆うように設けられた第１の分子整列膜と；（ｖ）前記第２の基板の前記第２の表面上に、前記第２の電極を覆うように設けられた第２の分子整列膜と；（ｖｉ）前記第１および第２の基板の間に閉じ込められ、負誘電異方性の液晶分子を含む液晶層と、を備える。
【００３６】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、補償構造は、第１の型の遅延層の面内に実質的に存在する遅いおよび進相軸を有する少なくとも１つの第１の型の遅延層と、第２の型の遅延層の面に対し略垂直に誘導される光軸を有する少なくとも１つの第２の型の遅延層と、を備える。
【００３７】
液晶ディスプレイの別の実施形態では、第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００３８】
液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第１の型の遅延層は、その長手方向軸が進相軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含む。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で概ね等方性の分極率を有する。
【００３９】
液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第１の型の遅延層は、可視スペクトル範
囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる二軸遅延層である。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第１の型の遅延層は、その長手方向軸が第１の主軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含み、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で異方性分極率を有する。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第１の型の遅延層は、前記遅延層の速い軸が、隣接する偏光子の透過軸に略垂直になるように配列される。液晶ディスプレイの１つの実施形態では、第１の型の遅延層は、前記遅延層の速い軸が、隣接する偏光子の透過軸に略平行になるように配列される。
【００４０】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎ
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ、および（ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００４１】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向されたシート状超分子を含む。液晶ディスプレイの別の実施形態では、第２の型の遅延層は、その長手方向軸が前記遅延層の表面に略垂直になるように配向された棒状超分子を含む。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向された平面多環式有機化合物を含む。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、第２の型の遅延層は、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）を含む。
【００４２】
液晶ディスプレイの１つの実施形態では、補償構造は、第１の型の遅延層に比べ、液晶セルにより近接して配置された第２の型の遅延層を含む。液晶ディスプレイの別の実施形態では、補償構造は、第２の型の遅延層に比べ、液晶セルにより近接して配置された第１の型の遅延層を含む。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、前記補償構造は、第１の型の１つの遅延層の両側に配列された第２の型の第１および第２の遅延層を含む。本発明の別の実施形態では、液晶ディスプレイは、液晶セルと前記偏光子のうちの１つとの間にそれぞれ配置された、少なくとも２つの補償構造を含む。
【００４３】
本発明のより完全な評価およびその利点は、開示内容の一部を形成する添付の図面および詳細な明細事項と関連させて考慮した、下記詳細な説明を参照することにより、よりよく理解されるので、容易に達成される。発明の対象は下記図面により説明される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
図５は、光線（１）および、垂直配向モードの液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配列された一対の偏光子（２および１０）と、それぞれ、液晶セルと第１の偏光子（２）との間、液晶セルと第２の偏光子（１０）との間に配置された２つの補償構造（３および７）と、を備える液晶ディスプレイを概略的に示す。第１の偏光子の透過軸（１１）は、第２の偏光子の透過軸（１８）に対し垂直である。第１の補償構造（３）は、遅延層（４）の面内に実質的に存在する遅い（１２）および速い（１３）主軸（主軸は誘電テンソルの
主軸に対応する）を有する第１の型の遅延層（４）と、遅延層（５）の面に略垂直に誘導される光軸（１４）を有する負のＣプレートとしての第２の型の遅延層（５）とを備える。遅延層（４）は、遅延層の最も低い誘電体誘電率に対応する進相軸（１３）が、偏光子（２）の透過軸（１１）に垂直となるように配列される。遅延層（４）は、層の厚さｄ、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内の主屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。
【００４５】
別の実施形態では、遅延層（４）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００４６】
さらに別の実施形態では、第２の型の遅延層（５）はわずかに二軸の遅延層であり、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる。第２の補償構造（７）は、前記遅延層（９）の面内に実質的に存在する遅い（１７）および速い（１６）主軸を有する第１の型の遅延層（９）と、前記遅延層（８）の面に略垂直に誘導される光軸（１５）を有する負のＣプレートとしての第２の型の遅延層（８）とを備える。第１の型の遅延層（９）は、前記遅延層の進相軸（１６）が、偏光子（１０）の透過軸（１８）に垂直となるように配列される。第１の型の遅延層（９）は、層の厚さｄ、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。
【００４７】
別の実施形態では、遅延層（９）はわずかに二軸の遅延層であり、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる。
【００４８】
さらに別の実施形態では、第２の型の遅延層（８）はわずかに二軸の遅延層であり、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる。
【００４９】
図６は図５で示したディスプレイと同様の液晶ディスプレイを概略的に示す。違いは、第１の型の遅延層（４および９）の主軸（遅いおよび速い）の配向にある。遅延層（４）は前記遅延層の遅相軸（１２）が偏光子（２）の透過軸（１１）に垂直になるように配列され、第１の型の遅延層（９）は前記遅延層の遅相軸（１７）が偏光子（１０）の透過軸（１８）に垂直になるように配列される。別の実施形態では、遅延層（４および９）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）
、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００５０】
図７は、光線（１）および、垂直配向モードの液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配列された一対の偏光子（２および１０）と、液晶セルと第２の偏光子（１０）との間に配置された１つの補償構造（７）と、を備える液晶ディスプレイを概略的に示す。補償構造（７）は、層面内に実質的に存在する遅い（１７）および速い（１６）軸を有する第１の型の遅延層（９）と、層面に略垂直に誘導される光軸（１５）を有する負のＣプレートとしての第２の型の遅延層（８）とを備える。遅延層（９）は、前記遅延層の進相軸（１６）が、偏光子（１０）の透過軸（１８）に垂直となるように配列される。遅延層（９）は、層の厚さｄ、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。別の実施形態では、遅延層（９）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。さらに別の実施形態では、第２の型の遅延層（８）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００５１】
図８は、光線（１）および、垂直配向モードの液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配列された一対の偏光子（２および１０）と、液晶セルと第１の偏光子（２）との間に配置された１つの補償構造（３）と、を備える液晶ディスプレイを概略的に示す。第１の偏光子の透過軸（１１）は第２の偏光子の透過軸（１８）に対し垂直である。第１の補償構造（３）は、層面内に実質的に存在する遅い（１２）および速い（１３）軸を有する第１の型の遅延層（４）と、遅延層面に略垂直に誘導される光軸（１４）を有する負のＣプレートとしての第２の型の遅延層（５）とを備える。遅延層（４）は、前記遅延層の進相軸（１３）が、偏光子（２）の透過軸（１１）に垂直となるように配列される。遅延層（４）は、層の厚さｄ、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である。別の実施形態では、遅延層（４）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。さらに別の実施形態では、第２の型の遅延層（５）は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、進相軸および遅相軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である。
【００５２】
本発明がより容易に理解されるように、下記実施例に言及するが、これらの実施例は発明を説明しようとするものであり、発明の範囲を制限しようとするものではない。
【実施例１】
【００５３】
本実施例では、図９に示される有機遅延層（２７）の調製を述べる。６−オキソ−３−スルホ−５，６−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−１０−カルボン酸と、６−オキソ−３−スルホ−５，６−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−９−カルボン酸との混合物（１ｇ）を、リオトロピック液晶溶液が形成されるまで、１０％アンモニア水溶液０．６ｍｌと脱イオン水１５．０ｍｌとの混合液中で、温度２０℃で１時間にわたり攪拌した。得られた溶液を、温度２０℃および相対湿度６５％で、図９においてａｂで示される方向に線速度１５ｍｍ／ｓで移動するマイヤーロッド＃２５を用いて基板表面に塗布した。基板（２８）をトリアセチルセルロース（ＴＡＣ）から作製した。その後、有機遅延層を同一湿度および温度で乾燥させた。有機遅延層の光学特性を決定するために、厚み、光学遅延および透過スペクトルを、それぞれＤｅｃｔａｋ3ＳＴ
、ＡｘｏｍｅｔｏｒｉｃｓおよびＣａｒｙ  ５００走査分光光度計を用いて約４００〜７００ｎｍの波長範囲において測定した。塗布方向に平行および垂直に直線偏光された光ビーム（それぞれ、ＴpArおよびＴper）を用いて、有機遅延層の光透過率を測定した。得られたデータを使用して、図９に示される屈折率（ｎｆ、ｎｓ、およびｎｎ）を計算した。得られた遅延層は異方性であった（ｎｆ＜ｎｓ≒ｎｎ）。進相軸は塗布方向（ａｂ）に平行であり、遅相軸は塗布方向（ａｂ）に垂直である。２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）および法線方向の一つの屈折率（ｎｎ）は、可視スペクトル範囲における電磁放射については以下の条件に従う。すなわち、λ＝６３３ｎｍではΔｎfs＝Δｎfn＝０．３２８；λ＝５５０ｎｍではΔｎfs＝Δｎfn＝０．３３２；λ＝４５０ｎｍではΔｎfs＝Δｎfn＝０．３３８、ただし、Δｎfs＝ｎｓ−ｎｆ、Δｎfn＝ｎｎ−ｎｆ。測定値は、３８０〜７８０ｎｍの可視スペクトル範囲においては実質的に小さい値の有機遅延層の吸収係数を示した。
【実施例２】
【００５４】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイの一つの好ましい実施形態を述べる。図５に、上記液晶ディスプレイの概略図を示す。液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）を基本とし、２７５ｎｍに等しい遅延を有する液晶層を呈する。一対の偏光板（２および１０）が液晶セルの両側に配置されており、二つの補償構造体（３および７）が形成されている―一つは液晶セルと第１偏光板（２）との間、他の１つは液晶セルと第２偏光板（１０）との間。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（３）は第１タイプの遅延層（４）（この層（４）の実質的に平面内にある遅相軸（１２）および進相軸（１３）を有する）と、光軸（１４）を有する負のＣプレートを呈する第２タイプの遅延層（５）（光軸（１４）は層（５）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（４）は、この層の進相軸（１３）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。遅延層（４）は、実施例１の方法を用いて形成した。この遅延層は２５０ｎｍに等しい遅延パラメータＲAにより特
徴付けられる。トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）から作製される第２タイプの遅延層（５）の遅延パラメータＲTAC＝ＲCに対して２つの最適セットの値、すなわち１３０ｎｍおよび７９０ｎｍが存在する。第２補償構造体（７）は第１タイプの遅延層（９）（この層（９）の実質的に平面内にある遅相軸（１７）および進相軸（１６）を有する）と、光軸（１５）を有する負のＣプレートを呈する第２タイプの遅延層（８）（光軸（１５）は層（８）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。第１タイプの遅延層（９）は、この層の進相軸（１６）が偏光板（１０）の透過軸（１８）に直交するように配置される。第１タイプの遅延層（９）および遅延層（４）は、実施例１の方法を用いて形成した。遅延層（９）は、２５０ｎｍに等しい遅延パラメータＲAにより特徴付けられる。第
２タイプの遅延層（８）もまた、ＴＡＣから作製されている。遅延層（８）の遅延パラメータＲTACは遅延層（５）の遅延パラメータＲTACと同一であった。第２タイプの遅延層（５および８）は第１タイプの遅延層（４および９）よりも液晶セル（６）に近い位置にあ
る。波長４５０ｎｍの光について計算された視野角に対するコントラスト比が、無補償液晶ディスプイについて図１０ａ示されており、図１０ｂには本発明による液晶ディスプレイ（ＶＡ−ＬＣＤ）が示されている。図１１ａおよび１１ｂは波長５５０ｎｍの入射光について計算されたコントラスト比が示されている。無補償液晶ディスプイ（図１１ａ）および本発明による液晶ディスプレイ（図１１ｂ）について計算を行った。図１２ａおよび１２ｂには、波長６５０ｎｍの入射光について計算されたコントラスト比が、無補償液晶ディスプイおよび補償液晶ディスプレイについてそれぞれ示されている。＋４５°の大きい方位角に対する低いコントラストは、＋４５°の方位角におけるダイレクタ再配向平面を有する単一ドメインＬＣセルの結果である。マルチドメインセルの場合（ＭＶＡモード）、コントラストのこの低下は発生しない。表９には、本発明による液晶ディスプレイの視野角の色ずれ特性が示されている。液晶ディスプレイはＵ＝５Ｖにおいて有電界（明）状態で（ｆｉｅｌｄ−ｏｎ）であった。−４５°の方位視野角について計算を行った。
【００５５】
【表９】
2009540345.tif 000024
表１０には、０°の方位視野角について計算された本発明による液晶ディスプレイの視野角色ずれ特性が示されている。
【００５６】
【表１０】
2009540345.tif 000025
このように、本発明による液晶ディスプレイは、極めて広範囲の視野角において可視スペクトル範囲全体にわたる高コントラスト比を提供する。本設計の特性により、１つの工程で遅延層および偏光板を作製するために、ロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）製造手順を利用可能になる。
【実施例３】
【００５７】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態を述べる。図６には上記液晶ディスプレイの概略図が示されている。液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）を基本とし、２７５ｎｍに等しい遅延を有する液晶層を呈する。一対の偏光
板（２および１０）が液晶セルの両側に配置されており、二つの補償構造体（３および７）が形成されている―一つは液晶セルと第１偏光板（２）との間、他の一つは液晶セルと第２偏光板（１０）との間。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（３）は第１タイプの遅延層（４）（この層（４）の実質的に平面内にある遅相軸（１２）および進相軸（１３）を有する）と、光軸（１４）を有する負のＣプレートを呈する第２タイプの遅延層（５）（光軸（１４）は層（５）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（４）は、この層の遅相軸（１２）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。遅延層（４）は実施例１の方法を用いて形成された。遅延層（４）は９８ｎｍに等しい遅延パラメータＲAに
より特徴付けられるが、ＴＡＣから作製される第２タイプの遅延層（５）の遅延パラメータの値はＲTAC＝ＲC＝１８０ｎｍである。この実施形態の別の変形形態では、遅延層（４）は４２４ｎｍに等しい遅延パラメータＲAにより特徴付けられるが、ＴＡＣから作製さ
れる第２タイプの遅延層（５）の遅延パラメータの値はＲTAC＝６０ｎｍである。第２補
償構造体（７）は第１タイプの遅延層（９）（この層（９）の実質的に平面内にある遅相軸（１７）および進相軸（１６）を有する）と、光軸（１５）を有する負のＣプレートを呈する第２タイプの遅延層（８）（光軸（１５）は層（８）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。第１タイプの遅延層（９）は、この層の遅相軸（１７）が偏光板（１０）の透過軸（１８）に直交するように配置される。第１タイプの遅延層（９）および遅延層（４）は実施例１の方法を用いて形成された。遅延層（９）は、９８ｎｍまたは４２４ｎｍに等しい遅延パラメータＲAにより特徴付けられる。第２タイプの遅延層（
８）もまた、ＴＡＣから作製されている。遅延層（８）の遅延パラメータＲTACは遅延層
（５）のＲTACの値と同一であった。第２タイプの遅延層（５および８）は第１タイプの
遅延層（４および９）よりも液晶セル（６）に近い位置にある。図１３には、遅延パラメータＲTAC＝１８０ｎｍを有する第２タイプの遅延層（５および８）と遅延パラメータＲA＝９８ｎｍを有する第１タイプの遅延層（４および９）とを備えるシステムにおける、波長５５０ｎｍの入射光について計算されたコントラスト比が示されている。図１４には、遅延パラメータＲTAC＝６０ｎｍを有する第２タイプの遅延層（５および８）と遅延パラ
メータＲA＝４２４ｎｍを有する第１タイプの遅延層（４および９）とを備える本発明に
よる液晶ディスプレイにおける、波長５５０ｎｍの入射光について計算されたコントラスト比が示されている。
【実施例４】
【００５８】
本実施例では、表２に示される一般構造式を有する有機化合物の調製を述べる。４，４’−（５，５−ジオキシドジベンゾ［ｂ，ｄ］チエン−３，７−ジイル）ジベンゼンスルホン酸を、１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クオーターフェニルのスルホン化によって調製した。
【００５９】
【化２】
2009540345.tif 000026
１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クオーターフェニル（１０ｇ）を２０％オレウム（１００ｍｌ）に添加した。反応物を周囲条件において５時間攪拌した。その後、反応混合物を水（１７０ｍｌ）で希釈した。最終硫酸濃度は約５５％になった。沈殿物を濾過し、酢酸（約２００ｍｌ）で洗滌した。濾過ケーキを約１１０℃の炉で乾燥させた。このプロセスにより、８ｇの４，４’−（５，５−ジオキシドジベンゾ［ｂ，ｄ］チエン
−３，７−ジイル）ジベンゼンスルホン酸を得た。Ｈ１ＮＭＲ（Ｂｒｕｃｋｅｒ  Ａｖａｎｃｅ−６００，ＤＭＳＯ−ｄ６，δ，ｐｐｍ）：７．７３５（ｄ，４Ｈ，４ＣＨＡｒ（３，３’，５，５’））；７．８４５（ｄ，４Ｈ，４ＣＨＡｒ（２，２’，６，６’））；８．１６５（ｄｄ，２Ｈ，２ＣＨＡｒ（２，８））；８．３４（ｍ，４Ｈ，４ＣＨＡｒ（１，９，４，６））。電子スペクトル（分光計ＵＶ／ＶＩＳ  Ｖａｒｉａｎ  Ｃａｒｙ
５００  Ｓｃａｎ、水溶液）：λｍAｘ１＝２１８ｎｍ（ε＝３．４２＊１０４）；λ
ｍAｘ２＝２５９ｎｍ（ε＝３．８９＊１０４）；λｍAｘ３＝３１４ｎｍ（ε＝４．２０＊１０４）。質量スペクトル（Ｂｒｕｃｋｅｒ  Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ  Ｕｌｔｒａｆｌｅｘ  ＴＯＦ／ＴＯＦ）：分子イオン（Ｍ−＝５２９）、ＦＷ＝５２８．５７。
【実施例５】
【００６０】
本実施例では、リオトロピック液晶溶液から形成される薄い有機二軸層の調製を示す。実施例４の方法で得られた４，４’−（５，５−ジオキシドジベンゾ［ｂ，ｄ］チエン−３，７−ジイル）ジベンゼンスルホン酸（１ｇ）を、３．８ｍｌの蒸留水および１．１ｍｌの１０重量％ナトリウム水溶液と混合し、その後、リオトロピック液晶溶液が形成されるまで室温（２３℃）で攪拌した（約１時間）。
【００６１】
ＬＣＤ等級のソーダ石灰ガラス基板を調製し塗布した。基板を、ＮａＯＨ（１０重量％）およびＫＭｎＯ４（０．１重量％）の水溶液を用いる超音波槽内に３０分間置いておき、その後脱イオン水で洗滌し、圧縮空気流に当てて乾燥させた。リオトロピック液晶溶液を、線速度２００ｍｍ／ｓで移動するマイヤーロッド＃１．５を用いて前処理済のガラス基板上に塗布した（湿度＝３０％、温度＝２３℃）。塗布した溶液を圧縮空気流に当てて乾燥させ、結果的に第１タイプの薄い遅延層を形成した。
【００６２】
遅延層の厚みは４２０〜４５０μｍの間であったが、この厚みは所望の光学的機能に依存し、また水溶液中の化合物の濃度の制御を変更してもよい。形成される遅延層は透明（無色）および光スペクトル範囲内で透過性である。
【００６３】
実施例４に示される材料に基づく遅延層は、塗布方向に沿った層平面内にある進相軸によって特徴付けられる。遅相軸もまた層平面内にあり、塗布方向に垂直に向いている。進相軸（ｎｆ）に沿った方向の屈折率、および遅相軸（ｎｓ）に沿った方向の屈折率、および層平面（ｎｎ）に垂直な方向に沿った方向の屈折率は異なることがわかる。図１５〜１７は、二軸性遅延層の場合における基板平面に対する溶液内および乾燥フィルム内の分子および超分子パッキングの略図を示す。溶液内では、図１５に概略的に示される分子は、集合して図１６に示されるようなロッド状の超分子を形成し、ネマチック相のリオトロピック液晶（ＬＬＣ）を形成できる。上記ロッド状の超分子は、０ｖ軸に沿った方向の超分子の長軸に垂直である平面内（ｕ０ｗ）に異方性分極率を有する。堆積プロセスの間、超分子はせん断応力により配向される。この結果、図１７に示すとおり、塗布方向に沿って基板の平面内に整列した超分子を有する遅延層が実現する。図１８は薄い二軸性板についての屈折率の波長依存性を示す。
【実施例６】
【００６４】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイのさらに別の好ましい実施形態を述べる。図１９は光ビーム（１）と液晶ディスプレイとを概略的に示し、この液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配置された一対の偏光板（２および１０）と、二つの補償構造体（３０および４０）（１つは液晶セルと第１偏光板（２）との間、他の１つは液晶セルと第２偏光板（１０）との間に配置される）とを備える。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（３０）は、第１タイプの遅延層（３５）（この遅延層（３５）の実質的に平面内にある遅相軸（１２）および進相軸（１３）を有する）と、光軸（１４）を有する負のＣプレー
トとしての第２タイプの遅延層（５）（光軸（１４）はこの遅延層（５）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（３５）は、この遅延層の進相軸（１３）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。遅延層（３５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）および法線方向の一つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第２補償構造体（４０）は、第１タイプの遅延層（９）（この遅延層（９）の実質的に平面内にある遅相軸（１７）および進相軸（１６）を有する）と、光軸（１５）を有する負のＣプレートとしての第２タイプの遅延層（８）（光軸（１５）はこの遅延層（８）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。第１タイプの遅延層（４５）は、この遅延層の進相軸（１６）が偏光板（１０）の透過軸（１８）に直交するように配置される。第１タイプの遅延層（４５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）および法線方向の一つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第１タイプの遅延層は、実施例４に従って調製された有機化合物（４，４’−（５，５−ジオキシドジベンゾ［ｂ，ｄ］チエン−３，７−ジイル）ジベンゼンスルホン酸）から、実施例５に記載された方法によって作られてもよい。第１タイプの遅延層（３５および４５）については、三つの主屈折率のすべては異なる（図１８参照）。最低値（λ＝５５０ｎｍにおいてｎｆ＝１．４９６）および最高値（λ＝５５０ｎｍにおいてｎｓ＝１．７７７）はそれぞれ、遅延層平面に属する進相軸および遅相軸に対応する。法線方向の屈折率（ｎｎ）はλ＝５５０ｎｍにおいて１．６６３に等しい。図２０には、第２タイプの一軸性遅延層（Ｃプレート）の主屈折率のスペクトル依存性が示されている。第２タイプの最適遅延ＲCは５０ｎｍである。遅延値がこの
ように小さいことにより、負のＣ−タイプの遅延層を低コストのポリマーであるＴＡＣフィルムに置き換えることができる。単一結晶のＶＡ  ＬＣの最適遅延および第１タイプの遅延層の厚みはそれぞれ、２５０ｎｍおよび４５０ｎｍであることが判明している。図２１には、このような設計の計算された視野角性能が示されている。
【実施例７】
【００６５】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイのさらに別の好ましい実施形態を述べる。図２２は光ビーム（１）と液晶ディスプレイとを概略的に示し、この液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配置された一対の偏光板（２および１０）と、液晶セルと第１偏光板（２）との間に配置された一つの補償構造体（３０）とを備える。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（３０）は、第１タイプの遅延層（３５）（この層の実質的に平面内にある遅相軸（１２）および進相軸（１３）を有する）と、光軸（１４）を有する負のＣプレートとしての第２タイプの遅延層（５）（光軸（１４）はこの遅延層の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（３５）は、この遅延層の進相軸（１３）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。遅延層（３５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｓおよびｎｆ）および法線方向の一つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第１タイプの遅延層（３５）については、三つの主屈折率ｎｆ、ｎｓおよびｎｎのすべては異なり、λ＝５５０ｎｍにおいては、それぞれ１．５９５、２．００５および１．８２６である。第２タイプのリターダの遅延層は５０ｎｍの遅延を有するポリマーのＴＡＣフィルムから作製される。図２３には、数値最適化の結果が示されている。λ＝５５０ｎｍにおける視野角θ＝７０°に対して無電界状態（ｆｉｅｌｄ−ｏｆｆ）における光漏れについて最適化を実行した。最小漏れは、厚みが０．６５μｍの第１タイプの遅延層および２３０ｎｍのＴＡＣの遅延において得られる
。
【実施例８】
【００６６】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイの一つの好ましい実施形態を述べる。図２４は光ビーム（１）と液晶ディスプレイとを概略的に示し、この液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配置された一対の偏光板（２および１０）と、液晶セルと第１偏光板（２）との間に配置された一つの補償構造体（５０）とを備える。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。補償構造体（５０）は、第１タイプの遅延層（５５）（この層の実質的に平面内にある遅相軸（２１）および進相軸（２２）を有する）と、光軸（１４）を有する負のＣプレートとしての第２タイプの遅延層（５）（光軸（１４）はこの層の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（５５）は、この遅延層の進相軸（２２）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。遅延層（５５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｓおよびｎｆ）および法線方向の一つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第１タイプの遅延層（５５）については、三つの主屈折率ｎｆ、ｎｓおよびｎｎのすべては異なり、λ＝５５０ｎｍにおいては、それぞれ１．５９５、２．００５および１．８２６である。第２タイプのリターダの遅延層はｄ・ΔｎTAC＝２３０ｎｍの遅延を有するポリマーのＴＡＣフィルムから作製される。図
２５には、数値最適化の結果が示されている。最小漏れは、厚みが０．１〜０．１２μｍの第１タイプの遅延層において得られる。
【実施例９】
【００６７】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態を述べる。図２６は光ビーム（１）と液晶ディスプレイとを概略的に示し、この液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配置された一対の偏光板（２および１０）と、二つの補償構造体（６０および７０）（一つは液晶セルと第１偏光板（２）との間、他の一つは液晶セルと第２偏光板（１０）との間に配置される）とを備える。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（６０）は、第１タイプの遅延層（６５）（この遅延層（６５）の実質的に平面内にある遅相軸（１２）および進相軸（１３）を有する）と、光軸（１５ａおよび１５ｂ）を有する負のＣプレートとしての第２タイプの２つの遅延層（５ａおよび５ｂ）（光軸（１５ａおよび１５ｂ）はこれら遅延層（５ａおよび５ｂ）それぞれの平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。遅延層（６５）は、この遅延層の進相軸（１３）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。補償構造体（６０）は、第１タイプの一つの遅延層（６５）の両側に配置された第２タイプの第１遅延層（５ａ）および第２遅延層（５ｂ）を備える。遅延層（６５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｓおよびｎｆ）および法線方向の１つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第２補償構造体（７０）は、第１タイプの遅延層（７５）（この遅延層（７５）の実質的に平面内にある遅相軸（１７）および進相軸（１６）を有する）と、光軸（１４ａおよび１４ｂ）を有する負のＣプレートとしての第２タイプの二つの遅延層（８ａおよび８ｂ）（光軸（１４ａおよび１４ｂ）はこれら遅延層（８ａおよび８ｂ）の平面に対して実質的に垂直方向を向く）とを備える。補償構造体（７０）は第１タイプの一つの遅延層（７５）の両側に配置された第２タイプの第１遅延層（８ａ）および第２遅延層（８ｂ）を備える。第１タイプの遅延層（７５）は、この遅延層の進相軸（１６）が偏光板（１０）の透過軸（１８）に直交するように配置される。第１タイプの遅延層（７５）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う二つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）および法線方向の１つの屈折率（ｎｎ）によって特徴付けられる、二軸性遅延層である。第１タイプの遅延層（６５および７５）については、三つの主屈折率ｎｆ、ｎｓおよびｎｎのすべては異なり、λ＝５５０ｎｍにおいては、それぞれ１．５９５、２．００５および１．８２６である。第２タイプのリターダの遅延層はｄΔｎTAC＝５０ｎｍの遅延を有するポリマーのＴＡＣフィルムから作製され
る。図２７には、数値最適化の結果が示されている。最小漏れは、厚みが０．１５μｍの第１タイプの遅延層において得られる。
【実施例１０】
【００６８】
本実施例では、ビスベンズイミダゾ［１’，２’：３，４；１’’，２’’：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール−トリカルボン酸の混合物の合成を述べる。
【００６９】
【化３】
2009540345.tif 000027
Ａ．メチル２−オキソ−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンズイミダゾール−６−カルボン酸塩の合成
メチル３，４−ジアミノベンゾエート二塩酸塩の合成物（２０ｇ、０．０８モル）を、尿素（６．５４ｇ、０．１１モル）と混合した。反応混合物を約１５０℃で７時間加熱した。粉末を冷却後、水（４００ｍｌ）に懸濁させ、最終的なｐＨは塩酸を用いて０．４５に調整した。沈殿物を濾過し、水および塩酸（ｐＨ＝１．５）で洗滌した。得られた濾過ケーキを約１００℃で乾燥させた。収率は１５．７ｇ（９７％）であった。
Ｂ．メチル２−クロロ−１Ｈ−ベンズイミダゾール−６−カルボン酸塩の合成
メチル２−オキソ−２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ベンズイミダゾール−６−カルボン酸塩の合成物（４３ｇ、０．２２モル）をオキシ塩化燐（２８６ｍｌ）に添加した。乾燥した塩化水素を沸騰している反応物に１２時間にわたり通した。冷却後、反応物を氷と水の混合物（２ｋｇ）に注入した。沈殿物を濾過して取り除いた。濾過液を水（１．２５ｌ）およびアンモニア溶液（約８００ｍｌ）で希釈した。その後、アンモニア溶液を使用してｐＨを５．６に調整した。沈殿物を濾過し、水で洗滌した。収率は３９．５ｇ（８４％）であった。
Ｃ．トリメチル−ビスベンズイミダゾ［１’，２’：３，４；１’’，２’’：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール−トリカルボン酸塩の合成
メチル２−クロロ−１Ｈ−ベンズイミダゾール−６−カルボン酸塩の合成物（３８ｇ、０．１８モル）を１８５〜１９０℃で１０時間加熱した。収率は３０．３ｇ（９６％）であった。
Ｄ．ビスベンズイミダゾ［１’，２’：３，４；１’’，２’’：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンズイミダゾールトリカルボン酸の合成
トリメチル−ビスベンズイミダゾ［１’，２’：３，４；１’’，２’’：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール−トリカルボン酸塩（３０ｇ、０．０６モル）を水酸化カリウムの５％溶液（２５０ｍｌ）に加え、１．５時間沸騰させた。冷却後、得られた溶液を濾過し、塩化水素溶液で中和した。その後、塩酸を用いて溶液のｐＨを１．２５に調整した。沈殿物を濾過し、水で洗滌し、約１００℃で乾燥させ
た。質量スペクトル（Ｕｌｔｒａｆｌｅｘ  ＴＯＦ／ＴＯＦ  （Ｂｒｕｃｋｅｒ  Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ，Ｂｒｅｍｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ））：Ｍ／Ｚ＝４８０（ＦＷ＝４８０．３９）。収率は２６．３ｇ（９５％）であった。
【実施例１１】
【００７０】
本実施例では、図２８に概略的に示される多環式有機化合物の溶液からの遅延層の調製を述べる。実施例１０において得られたビスベンズイミダゾ［１’，２’：３，４；１’’，２’’：５，６］［１，３，５］トリアジノ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール−トリカルボン酸塩の混合物１０ｇを、ジメチルホルムアミド９０ｇに溶解し、固相が完全に溶解するまで２０℃で攪拌し、混合物を周囲条件において１時間攪拌する。その後、得られた混合物を濾過する。ＬＣＤ等級のソーダ石灰ガラススライドを調製し塗布する。このガラススライドを、１０％のＮａＯＨ溶液内で３０分間処理し、脱イオン水で洗滌し、圧縮機からの空気流で乾燥させる。図２９に概略的に示すとおり、得られた等方性溶液を温度２０℃および相対湿度５０％において、マイヤーロッド＃２．５を用いてガラス板上に塗布する。層を熱風の弱風内で同一湿度および温度で乾燥させる。特定の分子間の相互作用のために、せん断応力は主の整列力ではない。結果的に、乾燥段階の間、「平坦な」分子は、図３０に示すとおり、それら分子平面を基板の表面に平行に向けられる。いくつかの種類の後処理手順（例えば、アニーリング）を適用して、分子配列を改善してもよい。図２０には得られた遅延層の屈折率スペクトルが示されている。得られた遅延層は平面内で光学的に等方性（ｎｆ＝ｎｓ）であり、垂直方向に高い遅延ＲCを示す。法線方向の屈
折率ｎｎは面内屈折率ｎｆおよびｎｓより大幅に小さい。上記遅延層は負のＣプレートと称される。このようなプレートは斜め入射光に対してだけ光学的遅延を示す。複屈折の値（ｎｓ−ｎｎ）は比較的大きい（λ＝５５０ｎｍにおいて０．２５）。
【実施例１２】
【００７１】
本実施例では、本発明による液晶ディスプレイの別の好ましい実施形態を述べる。図３１は光ビーム（１）と液晶ディスプレイとを概略的に示し、この液晶ディスプレイは垂直整列型の液晶セル（６）と、液晶セルの両側に配置された一対の偏光板（２および１０）と、液晶セルと第１偏光板（２）との間に配置された一つの補償構造体（８０）とを備える。第１偏光板の透過軸（１１）は第２偏光板の透過軸（１８）に直交している。第１補償構造体（８０）は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、遅相軸（９０）および進相軸（９５）それぞれに対応する二つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向（１００）の屈折率（ｎｎ）とによって特徴付けされる、少なくとも一つの二軸性遅延層（８５）を備える。遅延層（８５）は、この遅延層の進相軸（９５）が偏光板（２）の透過軸（１１）に直交するように配置される。二軸性遅延層（８５）については、三つの主屈折率ｎｆ、ｎｓおよびｎｎのすべては異なる。液晶ディスプレイのさらに別の実施形態では、少なくとも一つの二軸性遅延層を備える補償構造体は、液晶セルと第２偏光板（１０）との間に配置されてもよい。本発明のさらに別の実施形態では、液晶ディスプレイは二つの補償構造体を備える。各構造体は少なくとも一つの二軸性遅延層を備え、液晶セルの両側に配置されている。
【実施例１３】
【００７２】
本実施例では、多環式有機化合物の溶液からの遅延層の調製を述べる。図３２および３３は、一軸遅延層（負のＡプレート）の場合における、基板表面に関する溶液内および遅延層内の分子および超分子パッキングの略図を示す。上記一軸性遅延層は、可視スペクトル範囲内の電磁放射に対して条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、進相軸および遅相軸それぞれに対応する二つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）と、法線方向の屈折率（ｎｎ）とよって特徴付けられる。溶液内では、分子は集合して図３
２に概略的に示されるようなロッド状の超分子を形成し、ネマチック相のリオトロピック液晶（ＬＬＣ）を形成できる。上記ロッド状の超分子は、０ｖ軸に沿った方向の超分子の長軸に垂直である平面内（ｕ０ｗ）に実質的に等方性の分極率を有する。堆積プロセスの間、超分子はせん断応力により配向される。この結果、図３３に示すとおり、塗布方向に沿って基板の平面内に整列した超分子を有する秩序だった一軸性遅延層が実現する。図３４は上記一軸性の薄い負のＡプレートについての屈折率の波長依存性を示す。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】先行技術に対する説明として記載したものである。
【図２】先行技術に対する説明として記載したものである。
【図３】先行技術に対する説明として記載したものである。
【図４】先行技術に対する説明として記載したものである。
【図５】本発明の第１の実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図８】本発明の第４の実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図９】第１および第２の型の遅延層を含む補償構造の構造を示す図である。
【図１０ａ】４５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、非補償液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である。
【図１０ｂ】４５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、図５で示した本発明の実施形態による液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である。
【図１１ａ】５５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、非補償液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である。
【図１１ｂ】５５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、図５で示した本発明の実施形態による液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である
【図１２ａ】６５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、非補償液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である。
【図１２ｂ】６５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、図５で示した本発明の実施形態による液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である。
【図１３】５５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、図６で示した本発明の実施形態による液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である（第２の型の遅延層は遅延パラメータＲＴAC＝１８０ｎｍを有し、第１の型の遅延層は遅延パラメータＲA＝９８ｎｍを有する）。
【図１４】５５０ｎｍに等しい入射光の波長で計算した、図６で示した本発明の第２の実施形態による液晶ディスプレイのコントラスト比を示す図である（第２の型の遅延層は遅延パラメータＲＴAC＝６０ｎｍを有し、第１の型の遅延層は遅延パラメータＲA＝４２４ｎｍを有する）。
【図１５】本発明による、二軸遅延層の形成および薄い複屈折プレートに対する屈折率の波長依存性を示す図である。
【図１６】本発明による、二軸遅延層の形成および薄い複屈折プレートに対する屈折率の波長依存性を示す図である。
【図１７】本発明による、二軸遅延層の形成および薄い複屈折プレートに対する屈折率の波長依存性を示す図である。
【図１８】本発明による、二軸遅延層の形成および薄い複屈折プレートに対する屈折率の波長依存性を示す図である。
【図１９】本発明の１つの実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図２０】本発明の第２の型の遅延層の屈折率のスペクトル依存性を示す図である。
【図２１】図１９で示した本発明の第５の実施形態の計算した視角性能を示す図である。
【図２２】発明の１つの実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図２３】図２２で示した液晶ディスプレイの数値最適化の結果を示す図である。
【図２４】発明の１つの実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図２５】図２４で示した液晶ディスプレイの数値最適化の結果を示す図である。
【図２６】発明の１つの実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図２７】図２６で示した液晶ディスプレイの数値最適化の結果を示す図である。
【図２８】多環式有機化合物の平面分子を概略的に示す図である。
【図２９】平面分子の溶液を示す概略的に示す図である。
【図３０】負のＣプレート形成を引き起こす分子充てんを概略的に示す図である。
【図３１】発明の１つの実施形態による液晶ディスプレイの構造を示す図である。
【図３２】溶液が負のＡプレートを形成する棒状超分子を概略的に示す図である。
【図３３】負のＡプレート形成を引き起こす分子充てんを概略的に示す図である。
【図３４】本発明による負のＡ−型遅延層の屈折率のスペクトル依存性を示す図である。
【図１】
2009540345.tif 000046
【図２】
2009540345.tif 000047
【図３ａ】
2009540345.tif 000048
【図３ｂ】
2009540345.tif 000049
【図４ａ】
2009540345.tif 000050
【図４ｂ】
2009540345.tif 000051
【図５】
2009540345.tif 000052
【図６】
2009540345.tif 000053
【図７】
2009540345.tif 000054
【図８】
2009540345.tif 000055
【図９】
2009540345.tif 000056
【図１０ａ】
2009540345.tif 000057
【図１０ｂ】
2009540345.tif 000058
【図１１ａ】
2009540345.tif 000059
【図１１ｂ】
2009540345.tif 000060
【図１２ａ】
2009540345.tif 000061
【図１２ｂ】
2009540345.tif 000062
【図１３】
2009540345.tif 000063
【図１４】
2009540345.tif 000064
【図１５】
2009540345.tif 000065
【図１６】
2009540345.tif 000066
【図１７】
2009540345.tif 000067
【図１８】
2009540345.tif 000068
【図１９】
2009540345.tif 000069
【図２０】
2009540345.tif 000070
【図２１】
2009540345.tif 000071
【図２２】
2009540345.tif 000072
【図２３】
2009540345.tif 000073
【図２４】
2009540345.tif 000074
【図２５】
2009540345.tif 000075
【図２６】
2009540345.tif 000076
【図２７】
2009540345.tif 000077
【図２８】
2009540345.tif 000078
【図２９】
2009540345.tif 000079
【図３０】
2009540345.tif 000080
【図３１】
2009540345.tif 000081
【図３２】
2009540345.tif 000082
【図３３】
2009540345.tif 000083
【図３４】
2009540345.tif 000084
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶ディスプレイであって、
垂直配向モード液晶セルと、
前記液晶セルの両側に配列された２つの偏光子と、
前記液晶セルと前記偏光子の１つとの間に配置された少なくとも１つの補償構造と、
を備え、
前記偏光子は互いに垂直な透過軸を有し、前記補償構造は、共役π系と、超分子間で非共有結合を形成することができる官能基とを有する少なくとも１つの多環式有機化合物を含む超分子を有する少なくとも１つの遅延層を含み、
前記有機化合物は一般構造式Ｉを有し、Ｓｙｓは可視スペクトル範囲において実質的に透明であり、Ｓｙｓは構造ＩＩ〜ＸＬＶＩＩＩを含むリスト由来の一般構造式を有するか、または
前記有機化合物は構造ＸＬＩＸ〜ＬＸＩＩのうちの一つに対応する一般構造式を有するアセナフトキノキサリン誘導体である、液晶ディスプレイ。
【化１】
2009540345.tif 000085
（式中、
Ｓｙｓは少なくとも部分的に共役させた実質的に平面の多環式分子系であり、
Ｘはカルボン酸基−ＣＯＯＨであり、
ｍは０、１、２、３または４であり；
Ｙはスルホン基−ＳＯ３Ｈであり、
ｎは０、１、２、３または４であり；
Ｚはカルボキサミド基であり、
ｐは０、１、２、３または４であり；
Ｑはスルホンアミドであり、
ｖは０、１、２、３または４であり；
Ｄは対イオンであり、
ｓは前記分子の中性状態を提供する対イオンの数であり；
ＲはＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、Ｃｌ、Ｂｒ、ＮＯ２、Ｆ、ＣＦ３、ＣＮ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＯＣＯＣＨ３、ＯＣＮ、ＳＣＮ、ＮＨ２、およびＮＨＣＯＣＨ３を含むリストから選択される置換基であり、
ｗは０、１、２、３または４である。）
【化２】
2009540345.tif 000086
2009540345.tif 000087
2009540345.tif 000088
2009540345.tif 000089
2009540345.tif 000090
2009540345.tif 000091
【化３】
2009540345.tif 000092
2009540345.tif 000093
【請求項２】
前記対イオンは、Ｈ+、ＮＨ４+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｌｉ+、Ｂａ++、Ｃａ++、Ｍｇ++、Ｓｒ++
、Ｃｓ++、Ｐｂ++、およびＺｎ++のイオンを含むリストから選択される、請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３】
前記有機化合物は以下の構造１〜７のうちの１つに対応する一般構造式を有するオリゴフェニル誘導体である、請求項１または２に記載の液晶ディスプレイ。
【化４】
2009540345.tif 000094
【請求項４】
前記有機化合物はビベンズイミダゾール誘導体であり、構造８〜９のうちの１つに対応する一般構造式を有する請求項１または２に記載の液晶ディスプレイ。
【化５】
2009540345.tif 000095
2009540345.tif 000096
【請求項５】
前記有機化合物は「トリアジン」誘導体であり、構造１０〜１２のうちの１つに対応する一般構造式を有する請求項１または２に記載の液晶ディスプレイ。
【化６】
2009540345.tif 000097
【請求項６】
前記有機化合物は６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体である、請求項１または２に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項７】
前記６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は少なくとも１つのカルボン酸基−ＣＯＯＨを含み、ｍは１、２または３であり、前記誘導体は構造１３〜２５を含む群由来の一般構造式を有する、請求項６記載の液晶ディスプレイ。
【化７】
2009540345.tif 000098
2009540345.tif 000099
【請求項８】
前記６，７−ジヒドロベンズイミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−６−オン誘導体は少なくとも１つの前記スルホン基−ＳＯ３Ｈを含み、ｎは１、２または３であり、前記誘導体は構造２６〜３４を含むリスト由来の一般構造式を有する、請求項６記載の液晶ディスプレイ。
【化８】
2009540345.tif 000100
2009540345.tif 000101
【請求項９】
前記液晶セルは、
互いに対向し、互いに略平行な第１および第２の基板と、
前記第２の基板に面する前記第１の基板の第１の表面上に設けられた第１の電極と、
前記第１の基板に面する前記第２の基板の第２の表面上に設けられた第２の電極と、
前記第１の基板の前記第１の表面上に、前記第１の電極を覆うように設けられた第１の分子整列膜と、
前記第２の基板の前記第２の表面上に、前記第２の電極を覆うように設けられた第２の分子整列膜と、
前記第１および第２の基板の間に閉じ込められ、負誘電異方性の液晶分子を含む液晶層と、
を備える、請求項１〜８のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１０】
前記遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる二軸遅延層である、請求項１〜９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１１】
前記遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略垂直になるように配列される、請求項１０に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１２】
前記遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略平行になるように配列される、請求項１０に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１３】
前記遅延層は、その長手方向軸が前記速い主軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含み、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で異方性分極率を有する、請求項１０〜１２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１４】
前記補償構造は、第１の型の遅延層の面内に実質的に存在する遅いおよび速い主軸を有する第１の型の少なくとも１つの遅延層と、第２の型の遅延層の面に対し略垂直に誘導される光軸を有する第２の型の少なくとも１つの遅延層と、を備える、請求項１〜９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１５】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｎ＝ｎｓ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である、請求項１４記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１６】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｎ＞ｎｆ  および  ｜ｎｎ−ｎｓ｜／（ｎｎ＋ｎｓ）＜０．１
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項１４記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１７】
前記第１の型の遅延層は、その長手方向軸が前記速い主軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含む、請求項１５または１６に記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１８】
前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で概ね等方性の分極率を有する、請求項１７記載の液晶ディスプレイ。
【請求項１９】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ、ｎｓ＞ｎｎ  および  ｜ｎｎ−ｎｆ｜／（ｎｎ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項１４記載の液晶ディスプレイ。 
【請求項２０】
前記第１の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｎ＞ｎｆ
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる二軸遅延層である、請求項１４記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２１】
前記第１の型の遅延層は、その長手方向軸が前記速い主軸に略平行になるように配向された棒状超分子を含み、前記棒状超分子はその長手方向軸に垂直な面内で異方性分極率を有する、請求項２０記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２２】
前記第１の型の遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略垂直になるように配列される、請求項１４〜２１のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２３】
前記第１の型の遅延層は、前記遅延層の前記速い軸が、前記隣接する偏光子の透過軸に略平行になるように配列される、請求項１４〜２１のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２４】
前記第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｆ＝ｎｓ＞ｎｎ
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられる１軸遅延層である、請求項１４〜２３のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２５】
前記第２の型の遅延層は、可視スペクトル範囲の電磁放射線に対する条件：
ｎｓ＞ｎｆ＞ｎｎ  および  （ｎｓ−ｎｆ）／（ｎｓ＋ｎｆ）＜０．１
に従う、それぞれ、速い主軸および遅い主軸に対応する２つの面内屈折率（ｎｆおよびｎｓ）、ならびに垂直方向の１つの屈折率（ｎｎ）により特徴づけられるわずかに二軸の遅延層である、請求項１４〜２１のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２６】
前記第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向されたシート状超分子を含む、請求項１４〜２５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２７】
前記第２の型の遅延層は、その長手方向軸が前記遅延層の表面に略垂直になるように配向された棒状超分子を含む、請求項１４〜２５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２８】
前記第２の型の遅延層は、その面が前記遅延層の表面に略平行になるように配向された平面多環式有機化合物を含む、請求項２５〜３６のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項２９】
前記第２の型の遅延層は、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）を含む、請求項１４〜２５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３０】
前記補償構造は、前記第１の型の遅延層に比べ、前記液晶セルにより近接して配置された第２の型の遅延層を含む、請求項１４〜２９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３１】
前記補償構造は、前記第２の型の遅延層に比べ、前記液晶セルにより近接して配置された第１の型の遅延層を含む、請求項１４〜２９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３２】
前記補償構造は、第１の型の１つの遅延層の両側に配列された第２の型の第１および第２の遅延層を含む、請求項１４〜２９のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【請求項３３】
前記液晶セルの両側に配置された、少なくとも２つの補償構造を含む、請求項１〜３２のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。
【国際調査報告】
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2009540345.tif 000104
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