(57)【要約】  電気又は電子装置を式(Ｉ) [式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。] で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成されることを特徴とする高分子被膜を有する電気又は電子装置。この種の装置は液体特に環境液体による損傷から保護される。
2009523914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気又は電子装置を式(Ｉ)
【化１】
2009523914.tif 000007
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、また、R4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、また、Xは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に保護高分子層を堆積させるに足る時間にわたり暴露することによって形成される高分子被膜を有する電気又は電子装置。
【請求項２】
通信装置、音響もしくは音声装置、コンピューターもしくはコンピュータ関連部品、屋外照明手段、輸送機関・洗濯機及び食器洗い機に使用される電気もしくは電子装置、又はこれらのうちの任意の装置の部品より選択される請求項1に記載の電気又は電子装置。
【請求項３】
音響又は音声システム装置である請求項2に記載の電気又は電子装置。
【請求項４】
スピーカー、マイクロホン、リンガー又はブザーである請求項3に記載の電気又は電子装置。
【請求項５】
マイクロホンである請求項4に記載の電気又は電子装置。
【請求項６】
マイクロホンは発泡プラスチック製カバーとその表面に存在する高分子層とを含んでなる請求項4に記載の電気又は電子装置。
【請求項７】
電気又は電子装置はプラズマ堆積室内のパルスプラズマに暴露される先行請求項のいずれか1項に記載の電気又は電子装置。
【請求項８】
式(Ｉ)で示される化合物は式(II)
CH2=CH-R5        (II)
(式中R5は請求項1のとおりである)又は式(III )
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5        (III )
(式中nとR5は請求項1のとおりであり、また、R7は水素、C1-10アルキル又はC1-10ハロアルキルである。)
で示される化合物である先行請求項のいずれか1項に記載の電気又は電子装置。
【請求項９】
式(Ｉ)で示される化合物は式(III )で示される化合物である請求項8に記載の電気又は電子装置。
【請求項１０】
式(III )で示される化合物は式(IV)
【化２】
2009523914.tif 000008
(式中R7は請求項8のとおりであり、xは1ないし9の整数である。) 
で示される化合物である請求項9に記載の電気又は電子装置。
【請求項１１】
式(IV)で示される化合物は1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである請求項10に記載の電気又は電子装置。
【請求項１２】
電気又は電子装置を液体による損傷から保護する方法であって、該装置を式(Ｉ)
【化３】
2009523914.tif 000009
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールであり、また、R4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、Xは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、また、tは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を気相状態で含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面に高分子層を堆積させるに足る時間にわたり、暴露する工程を含む方法。
【請求項１３】
電気又は電子装置をプラズマ堆積室内に置き、該プラズマ堆積室内にグロー放電を起こし、また、電圧をパルス場として印加する請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
印加電圧は電力レベルが40〜500Wである請求項12又は請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
電圧はオン時間:オフ時間比が1:500ないし1:1500の範囲内に収まるようなシーケンスでパルス化される請求項12ないし14のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１６】
電圧は電源オン時間が20〜50μsであり、電源オフ時間が1000〜30000μsであるようなシーケンスでパルス化される請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
電圧はパルス場として30秒〜90分間印加される請求項12ないし16のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１８】
電圧はパルス場として5〜60分間印加される請求項17に記載の方法。
【請求項１９】
予備工程で連続出力プラズマが電気又は電子装置に印加される請求項12ないし18のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２０】
予備工程は不活性ガスの存在下に行われる請求項19に記載の方法。
【請求項２１】
式(Ｉ)で示される気相状態の化合物は、パルス電圧を印加しながら、毎分80〜300mgの流量でプラズマ中に導入する請求項12ないし20のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２２】
プラズマは平均電力0.001〜500W/m3の電圧で生成させる請求項12ないし21のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２３】
プラズマは平均電力0.001〜100W/m3の電圧で生成させる請求項22に記載の方法。
【請求項２４】
プラズマは平均電力0.005〜0.5W/m3の電圧で生成させる請求項23に記載の方法。
【請求項２５】
式(Ｉ)で示される化合物は式(II)
CH2=CH-R5        (II)
(式中R5は請求項1のとおりである)又は式(III )
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5        (III )
(式中nとR5は請求項1のとおりであり、また、R7は水素、C1-10アルキル又はC1-10ハロアルキルである。)
で示される化合物である請求項12ないし24のいずれか1項に記載の方法。
【請求項２６】
式(Ｉ)で示される化合物は式(III )で示される化合物である請求項25に記載の方法。
【請求項２７】
式(III )で示される化合物は式(IV)
【化４】
2009523914.tif 000010
(式中R7は請求項8のとおりであり、xは1ないし9の整数である。) 
で示される化合物である請求項26に記載の方法。
【請求項２８】
式(IV)で示される化合物は1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである請求項26に記載の方法。
【請求項２９】
実施例に関連して実質的に詳述したような電気又は電子装置。
【請求項３０】
実施例に関連して実質的に詳述したような、電気又は電子装置を液体による損傷から保護する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体による損傷たとえば環境損傷、特に水等の液体による損傷を防ぐように処理した電子又は電気装置という形の新規な製品並びにその生産方法に関する。
【０００２】
周知のように、電子及び電気装置は液体、たとえば環境液体、特に水の浸入に起因する損傷にきわめて弱い。通常の使用中に又は事故で液体が浸入すると、電子部品がショートし回路基板や電子チップなどが修復不能の損傷をこうむることがある。
【０００３】
この問題は小型の携帯電子機器、たとえば携帯電話、ポケットベル（登録商標）、ラジオ、補聴器、ラップトップ型・ノートブック型・パームトップ型等のコンピューター及び携帯情報端末(PDA)など、外に持ち出されたときに重大な液体の浸入に見舞われる可能性のある装置では特に深刻である。加えて、そうした装置は液体中に落としたり、液体がかかったりするなどして、誤って液体が浸入することも多い。
【０００４】
また、他タイプの電子又は電気装置、たとえば屋外照明装置、電波アンテナ、その他の通信機器などは設置場所の性格上、環境損傷などを特に受けやすい。
【０００５】
しかし、この種の装置はたいてい漏出した液体の浸入によって損傷する。その具体例はキーボードなどのデスクトップ装置や制御室などで使用される計装機器である。
【０００６】
トランスデューサーを使用する音響再生用装置、たとえばスピーカー、マイクロホン、リンガー、ブザーなどでは特有の問題が起こる。これらの装置は、事故の結果か雨や散水などの環境因子に由来するかいずれであれ、液体の浸入による損傷を特に受けやすい。多くの場合、装置に使用されている薄膜又は振動板は、特に最も経済的なものは、ある程度液体吸収性であり、また、たとえば水が浸入するとかなりの量の水を吸収しよう。これはトランスデューサーの動作に相当の悪影響を与え、音響再生の質の低下を招く。
【０００７】
マイクロホンは開放孔型発泡プラスチックの筐体でトランスデューサーを囲んであるものも多い。しかし、これらは透気性でなければならないため、液体の浸入を完全に防ぐものではない。
【０００８】
従来、この問題にはマイクロホンにさらなる防水機構を導入することで対処してきた。多くの場合、これは装置に施される不透水性の多孔質膜、たとえばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)膜を含んでなる(国際公開WO/01/03468号パンフレット又は米国特許第5,420,570号明細書を参照)。この種の膜はどれもトランスデューサーの感度を低下させるため、音質に悪影響を及ぼすであろう。
【０００９】
他の事例では、英国特許第2,364,463号明細書で開示されているように、ピックアップ装置を挿入するための穴を設けたもっと硬質な無空孔の保護カバーが提供される。この解決策はコストがかかるうえに複雑であり、ある種の限られた状況にしか適さない。
【００１０】
プラズマ堆積技術は種々の表面、特に布帛表面に高分子被膜を堆積させる方法として大いに普及してきた。この技術は、通常の湿式化学法と比べて廃棄物をほとんど発生させないクリーンな乾式法として評価されている。この方法では、電場に置いた有機分子からプラズマを発生させる。基材の存在下にこれを行うと、プラズマ中の化合物のラジカルが基材表面上で重合する。通常の高分子合成法ではモノマー種に酷似する繰り返し単位を含む化学構造が生成しやすいが、プラズマを使用して生成される高分子網目はきわめて複雑なものになることもある。得られる被膜の特性は基材の性質や使用モノマーの性質、堆積条件などに依存する可能性がある。
【発明の開示】
【００１１】
本願の出願人は、特定タイプのモノマーを特定の堆積条件下で使用すれば、高撥液性のナノ被膜を表面に有する電子又は電気装置が生産可能であり、そうした被膜は装置の有効性に悪影響を及ぼさないことを見い出した。
【００１２】
本発明によれば、電子又は電気装置を式(Ｉ)
【化１】
2009523914.tif 000003
【００１３】
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールより選択され、またR4はX-R5基であり、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、またXは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面上に保護高分子層を堆積させるに足る時間にわたり、暴露することによって形成される高分子被膜を有する電子又は電気装置が提供される。
【００１４】
「気相状態の」という表現は本明細書では、単体又は混合体の気体又は蒸気、それにエアロゾルをいう。
【００１５】
用語「保護高分子層」は本明細書では、液体による損傷をある程度防ぐような、また特に(撥油性、撥水性などのような)撥液性の、高分子層をいう。保護対象の装置に損傷を引き起こす液体の例は環境液体たとえば水特に雨、それに事故で漏出するその他任意の油又は液体などである。
【００１６】
用語「電子又は電気装置」は本明細書では、任意の電気もしくは電子機器及びその部品たとえばプリント基板(PCB)、トランジスター、レジスター、電子部品又は半導体チップなどを含む。しかし、被膜が施されるのは具体的には完全組み立て後の装置、たとえば完全組み立て後の携帯電話又はマイクロホンの外表面である。そうした場合に、高分子層が施されるのはたとえば外筐体又は発泡材カバー、それに任意の露出部品たとえばコントロールボタン又はスイッチであり、内部部品にまで液体が及ばないようにするのがその目的である。
【００１７】
本願の出願人は、高分子層が装置の全表面にくまなく、(発泡プラスチックを含めた)異種プラスチック、金属及び/又はガラス表面の組み合わせなど異種基材が使用されている部分も含めて、形成されること、また、驚くべきことに装置全体を撥液性にすることを見い出した。異種素材間に水密処理をしていない、たとえば携帯電話のプッシュボタンのように周りの筐体部分と融合してない場合でも、この方法で堆積させた高分子層は撥液性が高く、ボタンの縁から液体が装置内に入り込むのを防いでくれる。こうして、たとえば携帯電話は一般に液体による損傷に弱いが、本発明の処理後は完全に水に浸しても恒久的な害が及ぶことはない。
【００１８】
被膜の堆積では液体への浸漬を必要としないため、この方法の適用による装置の動作への危険性はゼロである。
【００１９】
本発明の方法はこのように実用性に富むため特に有利である。
【００２０】
電気及び電子装置の具体例は通信装置、たとえば携帯電話やポケットベル（登録商標）、ラジオ、音響・音声装置たとえばスピーカー、マイクロホン、リンガー又はブザー、補聴器、パーソナルオーディオ機器たとえばパーソナルCD・カセット・又はMP3プレーヤー、テレビ、携帯型を含めたDVDプレーヤー、ビデオレコーダー、デジタル及び他のセットトップボックス、たとえばSkyボックス、コンピューター及び関連部品、たとえばラップトップ型、ノートブック型又はパームトップ型コンピューター、携帯情報端末(PDA)、キーボードもしくは計装機器、ゲーム機特に携帯型プレーステーションなど、又は屋外照明装置である。
【００２１】
他の具体例は特に液体が浸入する危険性を伴う電機又は電子部品、たとえば輸送手段(航空機や他の輸送機器、たとえば列車、自動車、それに他の、たとえば軍用の乗り物など)や他の洗濯機や食器洗い機などの装置に使用される電気又は電子部品である。
【００２２】
特定の実施形態では、電子又は電気装置はマイクロホンである。前記の方法を用いることにより、非常に有利なマイクロホンが生産された。特に、この方法を用いることの主要な特長、利点は、たとえばマイクロホンの筐体、特に発泡材製カバーを被膜で覆うことにより、音質の低下を何ら招くことなくトランスデューサーが液体の浸入から保護されることである。膜を使用することで実現される保護レベルに匹敵する又は勝る保護レベルが、そうした膜の使用に伴う音質の低下を招くことなく、実現される。
【００２３】
被膜層は発泡材に適用した場合、発泡材の多孔性に影響しない。言い換えると、被膜層は発泡材の細孔を塞ぐ又は透気性に何らかの影響を及ぼすには不十分であるが、細孔の全表面は撥液性なので、発泡材への液体の浸入を防ぐには十分である。
【００２４】
同様の有利性は小型マイクロホンを組み込んだ装置たとえば前記のような通信装置及び音響・音声装置特に携帯電話との関連でも生じ、携帯電話は完成品を被膜で覆うことにより保護レベルがさらに高まる。
【００２５】
この方法で処理した電子又は電気装置は水や油による損傷をかなり受けにくくなる。
【００２６】
プラズマ重合が効率的に起こる厳密な条件は高分子の性質、電気又は電子装置の性質などの因子に応じて異なるが、通常の方法、技術を用いて求められよう。
【００２７】
本発明の方法に用いる好適なプラズマは非平衡プラズマ、たとえば高周波(Rf)、マイクロ波又は直流電流(DC)で生成させるプラズマなどを含む。プラズマが働く圧力は公知のように大気圧でも減圧でもよい。しかし、プラズマは特に高周波(Rf)で生成させる。
【００２８】
気相プラズマの生成には種々のタイプの装置が使用可能である。そうした装置は一般に、そのなかでプラズマを生成させる容器すなわちプラズマ室を具備する。そうした装置の具体例はたとえばその内容を本明細書の一部として援用する国際公開WO2005/089961号及びWO02/28548号パンフレットで開示されているが、他にも数多くの、通常のプラズマ生成装置が利用可能である。
【００２９】
一般に、処理対象品をプラズマ室内に、気相状態で堆積させる物質と共に置き、プラズマ室内にグロー放電を起こし、適当な電圧を印加するが、電圧はパルス状でもよい。
【００３０】
プラズマ室内の使用気体はモノマー化合物単体の蒸気を含んでもよいが、キャリアガス、特にヘリウム又はアルゴンなどの不活性ガスとの混合体でもよい。特にヘリウムは、モノマーの断片化を最小限に抑えられるため、キャリアガスとして好ましい。
【００３１】
混合体として使用するとき、好適には、キャリアガスに対するモノマー蒸気の相対量は常法に従って求める。モノマー添加量は使用する特定モノマーの性質、処理対象の実験用消耗品の性質、プラズマ室の大きさなどにある程度左右されよう。一般に通常のプラズマ室の場合には、モノマー導入量は毎分50〜250mg、たとえば毎分100〜150mgである。ヘリウムなどのキャリアガスは好適には定流量、たとえば5〜90sccm(立方センチメートル毎分)、特に15〜30sccmの流量で導入する。場合によっては、キャリアガスに対するモノマーの比は100:1ないし1:100の範囲内、たとえば10:1ないし1:100の範囲内である。その厳密な比はプロセスの要求流量が確実に実現されるように定める。
【００３２】
あるいはモノマーは、たとえばその内容を本明細書の一部として援用する国際公開WO2003/097245号及びWO03/101621号パンフレットで開示されている要領で、ネブライザーなどのエアロゾル装置を使用してプラズマ室に導入してもよい。
【００３３】
場合により、プラズマ室内に予備的な連続出力プラズマをたとえば2〜10分間、たとえば約4分間発生させてもよい。これは、モノマーを表面に付着させやすくし、重合の進行に伴い被膜を表面上に「成長」させるようにするための、表面前処理工程としての意味をもつ。この前処理工程はモノマーをプラズマ室に導入する前に、不活性ガスだけの存在下に行ってもよい。
【００３４】
次いで好適には、プラズマをパルスプラズマに切り換えて、少なくともモノマーが存在するときに、重合を進行させるようにする。
【００３５】
いずれの場合も、グロー放電は好適にはたとえば13.56MHzの高周波電圧を印加して点火する。高周波電圧は好適には電極を使用して印加する。電極はプラズマ室内部、外部いずれの電極でもよいが、プラズマ室が比較的大きい場合には内部電極とする。
【００３６】
気体、蒸気、混合気体又はエアロゾルは好適には少なくとも1sccmの流量で、好ましくは1〜100sccmの範囲内の流量で、導入する。
【００３７】
モノマー蒸気は好適には、パルス電圧を印加しながら、モノマーの性質に応じて毎分80〜300mgたとえば毎分約120mgの流量で導入する。
【００３８】
気体又は蒸気はプラズマ領域内に引き込ませてもポンプで送り込んでもよい。特に、プラズマ室を使用するときは、排気ポンプを使用してプラズマ室を減圧し、気体又は蒸気をプラズマ室内に引き込ませるのもよいし、液体の場合と同様にプラズマ室内にポンプで送り込む又は噴射するのもよい。
【００３９】
重合は好適には、0.1〜200mtorr、好適には約80〜100mtorrの圧力に維持した式(Ｉ)で示される化合物の蒸気を使用して行う。
【００４０】
印加場は好適には電力レベルが40〜500W、好適にはピーク電力レベルが約100Wであり、パルス場として印加される。パルスの印加は、平均電力をごく低くするようなシーケンスで、たとえばオン時間:オフ時間比が1:500ないし1:1500の範囲内に収まるようなシーケンスで行う。そうしたシーケンスの具体例は、オン時間が20〜50μsたとえば約3μsであり、オフ時間が1000〜30000μs、特に約20000μsであるようなシーケンスである。こうして得られる一般的な平均電力は0.01Wである。
【００４１】
パルス場印加時間は、式(Ｉ)で示される化合物及び電子又は電気装置の性質にもよるが、好適には30秒〜90分、好ましくは5〜60分である。
【００４２】
使用プラズマ室は好適には多数の電子又は電気装置を収納するに足る容量とするが、特に小さいサイズの装置の場合には、たとえば2万個までのマイクロホンを楽に同時処理しうるし、また適正サイズの設備であれば、さらに多数個の処理が可能である。
【００４３】
本発明に従う電子又は電気装置を生産するための特に好適な装置及び方法は国際公開WO2005/089961号パンフレットで開示されており、その内容は本明細書の一部として援用する。
【００４４】
特にこのタイプの大容量プラズマ室を使用するときは、プラズマはパルス場としての電圧を使用して、平均電力0.001〜500W/m3、たとえば0.001〜100W/m3、好適には0.005〜0.5W/m3で生成させる。
【００４５】
これらの条件は、大きなプラズマ室を使用して、たとえばプラズマ帯の容量が500cm3超、たとえば0.5m3以上、たとえば0.5m3〜10m3、好適には約1m3であるプラズマ室を使用して、高品質の均一な被膜を堆積させるのに特に好適である。このようにして形成される被膜は機械的強度に優れる。
【００４６】
プラズマ室の寸法は処理対象の特定の電子又は電気装置を収納するように選定する。たとえば、立方体型のプラズマ室は一般に広範囲の用途に好適であろうが、もし必要なら、長く伸ばした直方体型のプラズマ室にしても、また円筒型や他の任意好適な形状にしてもよい。
【００４７】
プラズマ室はバッチ法を見越した密封性容器でもよいし、また連続法への使用を可能にする電子又は電気装置の入口と出口を備えたものでもよい。特に後者の場合には、プラズマ室内にプラズマ放電を発生させるために必要な圧力条件を、大容量ポンプを使用して、維持する。「笛吹き音を伴う漏出」のある装置ではそれが普通である。しかし、ある種の品目は大気圧又は大気圧に近い圧力で処理することが可能であり、「笛吹き音を伴う漏出」の必要がない。
【００４８】
使用モノマーは前述の式(Ｉ)で示されるモノマー類から選定する。R1、R2、R3及びR5の好適なハロアルキル基はフルオロアルキル基である。このアルキル鎖は直鎖、分岐鎖いずれでもよいし、環状部分を含んでもよい。
【００４９】
R5のアルキル鎖は好適には炭素原子を2個以上、好適には2〜20個、好ましくは6〜12個含む。
R1、R2及びR3のアルキル鎖は一般に炭素原子数1〜6であるのが好ましい。
好ましくは、R5はハロアルキル基であり、なお好ましくはペルハロアルキル基、特に式CmF2m+1(式中mは1以上、好適には1ないし20、好ましくは4ないし12の整数、たとえば4、6又は8である)で示されるペルフルオロアルキル基である。
R1、R2及びR3のアルキル基は好適には炭素原子数が1ないし6である。
【００５０】
一実施形態では、R1、R2及びR3のうち少なくとも1つは水素である。特定の実施形態ではR1、R2及びR3はすべて水素である。ただし、さらなる実施形態ではR3はメチル又はプロピルなどのアルキル基である。
【００５１】
Xが-C(O)O(CH2)nY-基であるとき、nは好適なスペーサー基を与える整数である。特にnは1ないし5、好ましくは約2である。
【００５２】
Yの好適なスルホンアミド基は式N(R7)SO2-で示される基を含む(式中R7は水素又はアルキルたとえばC1-4アルキル特にエチル又はメチルである)。
【００５３】
一実施形態では、式(Ｉ)で示される化合物は式(II)
CH2=CH-R5        (II)
(式中R5は式(Ｉ)との関連で定義したとおりである。)
で示される化合物である。
【００５４】
式(II)で示される化合物では、式(Ｉ)のXは結合である。
ただし、好ましい実施形態では式(II)で示される化合物は式(III )
CH2=CR7C(O)O(CH2)nR5        (III )
(式中nとR5は式(Ｉ)との関連で定義したとおりであり、R7は水素、C1-10アルキル又はC1-10ハロアルキルである。)
で示されるアクリレートである。特にR7は水素又はC1-6アルキル、たとえばメチルである。式(III )で示される化合物の具体例は式(IV)
【００５５】
【化２】
2009523914.tif 000004
【００５６】
(式中R7は前記のとおりであり、また、特に水素であり、xは1ないし9、たとえば4ないし9、好ましくは7である。その場合には、式(IV)で示される化合物は1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレートである。)
で示される化合物である。
【００５７】
さらなる態様では、本発明は電気又は電子装置を液体による損傷から保護する方法であって、該装置を式(Ｉ)
【００５８】
【化３】
2009523914.tif 000005
【００５９】
[式中R1、R2及びR3は独立に水素、アルキル、ハロアルキル又は場合によりハロ置換されたアリールであり、またR4はX-R5基であるが、式中R5はアルキル又はハロアルキル基であり、Xは結合、式-C(O)O(CH2)nY-で示される基(式中nは1ないし10の整数であり、Yは結合又はスルホンアミド基である)、又は-(O)pR6(O)q(CH2)t-基(式中R6は場合によりハロ置換されたアリールであり、pは0又は1、qは0又は1であり、またtは0であるか又は1ないし10の整数であり、ただしqが1ならばtは0以外である)である。]
で示される化合物を気相状態で含んでなるパルスプラズマに、該装置の表面に保護高分子層を堆積させるに足る時間にわたり、暴露する工程を含む方法を提供する。
【００６０】
保護対象の装置に損傷を引き起こす液体の例は環境液体、たとえば水特に雨、それに事故で装置上に漏出する他の任意の液体である。
【００６１】
好適には、電気又は電子装置はプラズマ堆積室内に置き、該プラズマ堆積室内にグロー放電を起こし、また、電圧をパルス場として印加する。
【００６２】
この方法に使用する好適なモノマー及び反応条件は前記のとおりである。
以下、実施例をもって本発明を詳しく説明する。
【実施例】
【００６３】
実施例１
マイクロホン
100個一組のマイクロホンを処理容量約300リットルのプラズマ室内に置いた。プラズマ室を必要な気体又は蒸気の供給管に、質量流量制御器及び/または質量流量計並びに混合噴射装置を適宜介して、接続した。
プラズマ室を基準圧の3〜10mtorrまで排気し、次いで80mtorrに達するまでヘリウムを20sccmで導入した。次に300W、13.56MHzの高周波を使用して連続プラズマを4分間発生させた。
【００６４】
その後、式
【化４】
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【００６５】
で示される1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルアクリレート(CAS# 27905-45-9)を毎分120ミリグラムずつプラズマ室内に導入し、プラズマをオン時間30マイクロ秒、オフ時間20ミリ秒のパルスプラズマに切り換え、ピーク電力レベルを100Wとして40分間保った。40分経過後、処理用気体及び蒸気とともにプラズマ出力を止め、プラズマ室を排気して基準圧に戻した。次いで空気を入れて大気圧に戻し、マイクロホンを取り出した。
【００６６】
処理したマイクロホンは水の浸入を防ぐ撥水撥油性被膜で覆われていることが判明した。
【国際調査報告】
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