(57)【要約】【課題】【解決手段】概して言えば、本発明の実施形態は、基板の最縁部における処理均一性を高めるために、改良されたプラズマ処理機構、装置、及び方法を提供する。実施形態例において、プラズマ処理チャンバを提供する。プラズマ処理チャンバは、基板を受領するように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、更に、内部に複数のガスチャネルを備えた環状リングを含む。環状リングは、基板支持部の外縁部に近接すると共に、環状リングは、基板支持部に結合される。複数のガスチャネルは、基板支持部を取り囲む縁部ガスプレナムに接続される。縁部ガスプレナムは、複数のガス供給チャネルを介して、基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央ガスプレナムに接続される。【選択図】図１
2009527921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理チャンバであって、
基板を受け取るように構成された基板支持部と、
内部に複数のガスチャネルを備えた環状リングと、を備え、
前記環状リングは、前記基板支持部の外縁部に近接されて、基板支持部に結合され、前記複数のガスチャネルは、前記基板支持部を取り囲む縁部ガスプレナムに接続され、前記縁部ガスプレナムは、複数のガス供給チャネルを介して、前記基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央ガスプレナムに接続された
プラズマ処理チャンバ。
【請求項２】
前記複数のガスチャネルは、円筒形であり、前記複数のガスチャネルの直径は、略０．３ｍｍないし略５ｍｍである請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項３】
前記複数のガスチャネルのそれぞれは、前記複数のガスチャネルのそれぞれの垂直軸線から略０度ないし略６０度の角度で、前記基板の中央部の方向を向く請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項４】
少なくとも１２本のガスチャネルが存在する請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項５】
少なくとも６本のガス供給チャネルが存在する請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項６】
前記複数のガスチャネルは、運搬対象の処理調整ガスを、前記基板の縁部表面上方の領域へ方向付けるように構成された請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項７】
前記処理調整ガスは、少なくとも一種類の処理ガスを含む請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項８】
前記複数のガスチャネルは、運搬対象の不活性ガスを前記基板の縁部下方の露出領域へ方向付ける請求項１記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項９】
プラズマ処理システム用の調整ガス組立体であって、
基板支持部の外縁部に近接すると共に、前記プラズマ処理システム内の基板支持部に結合され、前記基板支持部の縁部付近に調整ガスを供給する複数の調整ガスチャネルを内部に備えた環状リングと
前記複数の調整ガスチャネルが接続された、前記基板支持部を取り囲む縁部調整ガスプレナムと、
複数の調整ガス供給チャネルを介して、前記基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央調整ガスプレナムと
を備える調整ガス組立体。
【請求項１０】
前記複数の調整ガスチャネルは、円筒形であり、前記複数の調整ガスチャネルの直径は、略０．３ｍｍないし略５ｍｍである請求項９記載の調整ガス組立体。
【請求項１１】
前記複数の調整ガスチャネルのそれぞれは、前記複数の調整ガスチャネルのそれぞれの垂直軸線から略０度ないし略６０度の角度で、前記基板の中央部の方向を向く請求項９記載の調整ガス組立体。
【請求項１２】
少なくとも１２本の調整ガスチャネルが存在する請求項９記載の調整ガス組立体。
【請求項１３】
少なくとも６本のガス供給チャネルが存在する請求項９記載の調整ガス組立体。
【請求項１４】
前記複数の調整ガスチャネルは、運搬対象の処理調整ガスを、前記基板支持部により支持された基板の縁部表面上方の領域へ方向付けるように構成される請求項９記載の調整ガス組立体。
【請求項１５】
前記複数の調整ガスチャネルは、運搬対象の不活性ガスを、前記基板支持部により支持された基板の縁部下方の露出領域へ方向付けるように構成される請求項９記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１６】
前複数の調整ガス注入穴は、運搬対象の前記調整ガスを、前記基板の前記縁部と、前記基板の前記縁部の真下とに位置する露出領域へ方向付けるように構成される請求項１０記載のプラズマ処理チャンバ。
【請求項１７】
プラズマ処理チャンバにおいて基板の縁部でのプラズマの均一性を高める方法であって、
基板支持部上方に配置されたガス分配板から処理ガスを供給するステップと、
前記処理ガスを供給するのと同時期に、前記プラズマ処理チャンバの底部領域から、前記処理ガスの少なくとも一種類の成分を含有し、前記基板支持部内に配置された中央ガスプレナムにより供給される調整ガスを導入するステップと、
前記処理チャンバ内の少なくとも一つの電極に電力を供給することでプラズマを発生させるステップと
を備える方法。
【請求項１８】
前記処理ガスは、前記基板の前記端部における前記プラズマ濃度を増加させる請求項１７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体に基づくデバイス（例えば、集積回路またはフラットパネルディスプレイ）の製造では、材料の層を基板表面（例えば半導体ウェーハまたはガラスパネル）に交互に堆積させ、エッチングする場合がある。この技術において周知であるように、材料層（群）の堆積と、材料層（群）のエッチングとは、プラズマ支援堆積及びエッチングを含む様々な手法により達成し得る。プラズマ支援堆積またはエッチングにおいて、基板の実際の堆積またはエッチングは、プラズマ処理チャンバ内部で行われる。堆積またはエッチング処理中には、適切なソースガスからプラズマを形成し、基板上に材料層を堆積させるか、あるいは、エッチングマスクにより保護されていない基板の領域をエッチングし、所望のパターンを残す。
【０００２】
より大きな基板サイズでの次世代のデバイス製造において、特徴サイズの縮小と、新材料の実現とは、プラズマエッチング及びプラズマ堆積処理設備にとって、基板の中心部から最縁部までの均一性または処理結果を維持する上での課題となってきた。大きな基板と、小さなデバイスサイズとは、基板（またはウェーハ）の最縁部付近でのデバイス数の増加をもたらす。これにより、基板最縁部での処理結果の制御は、極めて重要となる。
【０００３】
基板の最縁部では、堆積またはエッチングプラズマの不均一性が、幾つかの要因により増大する。例えば、プラズマエッチング中、基板縁部でのエッチング副生成物の濃度は、基板縁部を越えるエッチング副生成物源の欠如のため、基板中心部とは異なるものとなる。副生成物濃度が低いことで、基板の最縁部では、エッチング均一性が影響を受ける場合がある。加えて、基板温度は、基板縁部において異なる。従来のプラズマエッチングシステムは、通常、基板支持部に基板冷却機構を有し、エッチング処理中、基板を冷却して、基板を特定の温度に維持する。基板最縁部は、基板支持部の外に迫り出しており、基板支持部内の冷却機構から受ける冷却の度合いは、基板の残りの部分と同じではない。基板最縁部での基板温度が異なる場合、基板最縁部でのエッチング不均一性が増大する恐れがある。更に、基板最縁部でのエッチングガス濃度は、基板最縁部でのエッチングガスの過負荷のため、基板の残りの部分におけるエッチングガス濃度とは異なる。過負荷が生じるのは、基板の残りの部分で消費されるエッチングガスと比較して、基板最縁部でのエッチング処理により消費されるエッチングガスが少ないためである。このエッチングガスの過負荷も、基板最縁部におけるエッチング不均一性を増大させる恐れがある。基板最縁部でのＲＦ結合効果も、基板縁部が支持部から迫り出しており、更に基板支持部を取り囲む縁部リングには異なる材料が使用されていることから、基板の残りの部分とは異なる。異なるＲＦ結合効果は、プラズマ生成効率及び濃度に影響を与える可能性があるため、基板最縁部でのエッチング不均一性を増大させる恐れがある。
【０００４】
プラズマエッチング処理と同じ要因には影響されないものの、プラズマ堆積処理も、縁部の不均一性の増大を示す。通常、縁部の不均一性は、基板最縁部から２０ｍｍないし３０ｍｍまでに影響を与える。この領域（基板最縁部から２０ｍｍないし３０ｍｍ）内でのプラズマの均一性は、特に基板最縁部から約１０ｍｍ以内で、堆積またはエッチングの不均一性を、基板の残りの部分に比べ大きく悪化させる。縁部均一性が劣悪であれば、基板最縁部から約１０ｍｍ以内のデバイスは使用不可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したことに鑑みて、基板最縁部での処理均一性を高め、半導体基板のデバイスの歩留まりを増加させるために、改良されたプラズマ処理機構を提供する方法及び装置に対する必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
概して言えば、本発明は、基板最縁部での処理均一性を高めるために、改良された処理機構を提供することで、こうした必要性を満たす。本発明は、処理、装置、またはシステムを含む、多数の方法で実現し得ることを理解されたい。以下、本発明の幾つかの実施形態を説明する。
【０００７】
一実施形態では、プラズマ処理チャンバを提供する。プラズマ処理チャンバは、基板を受領するように構成された基板支持部を含む。プラズマ処理チャンバは、更に、内部に複数のガスチャネルを備えた環状リングを含む。環状リングは、基板支持部の外縁部に近接すると共に、環状リングは、基板支持部に結合される。複数のガスチャネルは、基板支持部を取り囲む縁部ガスプレナムに接続される。縁部ガスプレナムは、複数のガス供給チャネルを介して、基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央ガスプレナムに接続される。
【０００８】
別の実施形態では、プラズマ処理システム用の調整ガス組立体を提供する。調整ガス組立体は、内部に複数の調整ガスチャネルを備えた環状リングを含む。環状リングは、基板支持部の外縁部に近接すると共に、環状リングは、プラズマ処理システム内の基板支持部に結合される。複数の調整ガスチャネルは、基板支持部の縁部付近に調整ガスを供給する。調整ガス組立体は、更に、縁部調整ガスプレナムを含み、複数の調整ガスチャネルは、基板支持部を取り囲む縁部ガスプレナムに接続される。加えて、調整ガス組立体は、複数の調整ガス供給チャネルを介して、基板支持部の中央部の内部及び付近に配置された中央調整ガスプレナムに接続される。
【０００９】
更に別の実施形態では、プラズマ処理チャンバ内の基板の縁部内においてプラズマ均一性を向上させる方法を提供する。方法は、基板支持部の上方に配置されたガス分配板から処理ガスを供給するステップを含む。方法は、更に、処理ガスの少なくとも一つの成分を含有する調整ガスを、処理ガスの供給と同時期に、プラズマ処理チャンバの底部領域から基板の外縁部に向けて導入するステップを含む。調整ガスは、基板支持部内に配置された中央ガスプレナムにより供給される。加えて、方法は、処理チャンバ内に少なくとも一つの電極に電力を供給することで、プラズマを生成するステップを含む。
【００１０】
本発明の他の態様及び利点は、本発明の原理を例示する添付図面と併せて、以下の詳細な説明により明らかとなろう。
【００１１】
本発明は、同様の参照数字が同様の構造要素を示す添付図面と併せて、以下の詳細な説明により容易に理解されよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、改良されたプラズマエッチングシステム、方法、及び装置の幾つかの実施形態例を説明する。本明細書に記載の具体的な詳細の一部または全部が無くとも本発明を実現し得ることは、当業者には明らかであろう。更に、本発明をプラズマ堆積用に実施し得ることは、当業者には明らかであろう。
【００１３】
上述したように、基板サイズの増加と、特徴サイズの縮小とのため、多数のデバイスが基板最縁部に存在する。基板最縁部における処理均一性を高めることで、基板最縁部のデバイスの歩留まりが向上する。本発明の一実施形態は、基板最縁部に処理調整ガス源を提供する。以下の本発明の様々な実施形態の説明のために、エッチングプラズマを例として使用する。しかしながら、プラズマ堆積及びプラズマ堆積チャンバにも概念を応用可能である。
【００１４】
プラズマエッチング処理において、エッチング速度は、基板最縁部における異なるエッチング副生成物濃度、異なる基板温度、異なるエッチングガス濃度、及び異なるＲＦ結合効果のため、基板最縁部において大幅に低下する傾向にある。基板最縁部でのエッチング速度を増加させるために、異なる濃度の反応ガス（群）をガス分配板の中央部及び縁部から供給する二重ガス供給を含め、多数の仕組みが試行されてきた。二重ガス供給は、基板最縁部におけるエッチング速度を増加させるが、本明細書に記載の実施形態により改善される。二重ガス供給の詳細は、本発明の譲受人に譲渡された２００２年８月１３日発行の米国特許第６，４３２，８３１号「半導体処理用のガス分配装置」において説明される。
【００１５】
一実施形態において、処理調整ガスは、基板縁部のすぐ隣にある調整ガス源から供給される。図１は、基板支持部を取り囲む調整ガス源を有するプラズマ処理装置１００の断面図である。この実施形態は、導電材料で形成され、電源（図示無し）と適切に作用可能に結合された、電極でもある基板支持部１４５を含む。ＲＦ電源は、多重周波数電源にしてよい。例えば、電源は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、及び／または６０ＭＨｚの混合周波数を有することが可能である。プラズマは、処理チャンバ内部の処理ガスに対する電極（または基板支持部１４５）に、ＲＦ電力を連絡させた時に生成し得る。処理ガスは、同じく電極となり得るガス分配板１２０へのガス供給１９０を介して、処理チャンバに供給される。
【００１６】
基板支持部１４５は、調整ガス組立体１５０の一部である調整ガス注入チャネル１５１を提供する縁部リング１６０に取り囲まれる。縁部リング１６０は、シリコン等の半導体材料、または絶縁体で作成してよい。縁部リング１６０の下方には、縁部調整ガスプラナム１５２と調整ガス供給チャネル１５４とを収容する結合リング１６２がある。縁部調整ガスプラナム１５２及び調整ガス供給チャネルも、調整ガス組立体１５０の一部である。結合リング１６２は、石英等の誘電材料により作成してよい。結合リング１６２は、縁部リング１６０と基板支持部１４５の下端部との間を接続する。
【００１７】
一実施形態では、縁部リング１６０の隣にスペーサリング１７０を配置する。スペーサリング１７０は、石英等の絶縁体で作成してよい。スペーサリングは、絶縁材１７１の上に配置される。絶縁材１７１は、石英等の絶縁体で作成してよい。絶縁材１７１は、基板支持部１４５に対する絶縁材１７１の取り付けを可能にする周辺リング１７２に結合される。周辺リングは、セラミック等の絶縁体で作成してよい。縁部リング１６０、結合リング１６２、及び周辺リング１７２は、固定具１６１により共に固定し得る。一実施形態において、固定具１６１は、ボルトにしてよい。適切な固定具のみをここで使用し得ることは、当業者には理解されよう。
【００１８】
調整ガス供給チャネル１５４は、接合部１５９において、縁部調整ガスプレナム１５２と交わる。結合リング１６２と基板支持部１４５の下部との間の接触面には、随意的な接触面プレナム１５７が存在してもよい。結合リングは、固定具１５８により基板支持部１４５に固定される。調整ガス供給チャネル１５４は、基板支持部内に配置された中央調整ガスプレナム１５３に接続される。調整ガス（群）は、調整ガス容器（群）１５６から調整ガスライン１５５を介して中央調整ガスプレナム１５３へ供給される。本明細書で説明した調整ガスは、単一のガスまたはガス混合物にすることができる。二種類以上の調整ガスが使用される場合、二台以上のガス容器が存在してもよいことを理解されたい。
【００１９】
基板１４０は、周知のシステム及び方法を使用して、基板支持部１４５に対して静電気的にクランプまたは「チャック」させ得る。こうした周知のシステム及び方法は、チャッキング及びチャッキング解除の目的で高圧電極（図示無し）を組み込んだ基板支持部１４５（または電極）を誘電材料により被覆することを含む。
【００２０】
図２は、調整ガス供給組立体１５０の上面図の実施形態を示す。中央調整ガスプレナム１５３は、調整ガス容器１５６から調、整ガスライン１５５を介して、調整ガスの供給を受ける。中央調整ガスプレナム１５３は、中央調整ガスプレナム２５３を中心に均等に分布させた六本の調整ガス供給チャネル１５４を介して、縁部調整ガスプレナム１５２へ調整ガスを供給する。六本より多いまたは六本未満の調整ガス供給チャネル１５４があってもよいことを理解されたい。調整ガス供給チャネル１５４は、中央調整ガスプレナム１５３の外周を囲んで均等に分布させている。調整ガス供給チャネル１５４は、接合部１５９において、縁部調整ガスプレナム１５２と交わる。縁部調整ガスプレナムの最上部と、調整ガス注入シャネル１５１の底部とには、調整ガス注入チャネル底部１５１Ｂが位置する。図２には、中性ガス注入チャネル最上部１５１Ｔ及び調整ガス注入チャネル１５１も図示している。図２に図示したように、多数の調整ガス注入チャネルが存在できる。一実施形態において、調整ガス注入チャネル１５１の数は、約１２ないし約１２００本の範囲にしてよい。通常、調整ガス注入チャネルは、直径約０．３ｍｍないし約５ｍｍの円筒である。一実施形態において、注入チャネル１５１の直径は、０．５ｍｍである。しかしながら、調整ガス注入チャネルは、円筒形にする必要はなく、円錐または逆円錐等、他の形状にすることもできる。図２の実施形態は、調整ガス注入チャネル１５１が基板の中心の方向を向いていることを示している。しかしながら、調整ガス注入チャネル１５１は、必ずしも基板の中心の方向を向いているとは限らない。チャネル１５１が基板の縁部（または外周）に向かっている限り、調整ガスを所望の領域、即ち基板縁部へ送給できる。調整ガスは、最初に中央調整ガスプレナム１５３に供給して、縁部調整ガスプレナム１５２へ調整ガスを均一に分配する。
【００２１】
図３Ａは、図１の円１２５内を拡大して実施形態を示している。この実施形態において、調整ガス注入チャネル１５１Ａは、垂直軸線Ｘから角度αでドリル加工される。角度αは、約０度ないし約６０度、好ましくは、約１０度ないし約３０度にすることができる。調整ガス注入チャネル１５１Ａの角度αは、基板表面へ運搬される調整ガスの方向に影響するため、基板縁部近くで調整ガスがどのように分布するかに影響を与える。調整ガスは、基板縁部の表面上方の領域１７５に向けられる。高アスペクト比接触（ＨＡＲＣ）エッチングを一例として使用すると、ＨＡＲＣ用の処理ガスは、Ｏ2 、ＣＦ4 、Ｃ4 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 、及びＡｒ等のガスを含む。Ｃ4 Ｆ6 及びＣ4 Ｆ8 は、エッチングした接触側壁を保護する側壁ポリマの作成を助ける重合ガスである。Ｏ2 、ＣＦ4 、Ｃ4 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 、及びＡｒ等の追加調整ガス、あるいは、こうしたガスの組み合わせは、基板最縁部におけるエッチング均一性を高めるために基板縁部へ供給し得る。一実施形態において、流量は、約１ｓｃｃｍないし約２０ｓｃｃｍにしてよい。別の例は、フォトレジストのアッシングにおいて酸素を主反応ガスである場合のフォトレジストのアッシングである。したがって、本明細書において説明した実施形態において、Ｏ2 を調整ガスとして使用できる。Ｏ2 調整ガスの流量は、一実施形態において約１ｓｃｃｍないし約２０ｓｃｃｍにしてよい。Ｏ2 調整ガスは、Ｈｅ等の不活性ガスにより希釈することも可能である。
【００２２】
図３Ｂは、基板最縁部でのエッチング均一性を高めるために、基板縁部において調整ガスを使用する処理フローを示す。動作３０１において、エッチングガス（またはガス混合物）を、ガス分配板等の主ガスソース、及び更に調整ガス注入穴から、プラズマ処理チャンバへ供給する。動作３０３において、電極に電力を供給することで、エッチングプラズマを生成する。調整ガスの導入により、基板縁部でのエッチング速度を増加させ、基板最縁部でのエッチング均一性を向上できる。通常、縁部の不均一性により、基板最縁部から約１０ｍｍ以内のデバイスは使用不可能となる。しかしながら、縁部不均一性は、基板最縁部から２０ｍｍないし３０ｍｍまでに影響する。調整ガスの導入により、縁部不均一性を大幅に改善可能であり、あるいは完全に除去することさえ可能である。
【００２３】
図３Ｃは、図１の円１２５部分を拡大した別の実施形態を示す。調整ガス注入チャネルは、不活性ガスを基板１４０の下方の領域１２６へ供給し、基板１４０の下方の露出領域１２６におけるエッチング副生成物の堆積を防止するために使用できる。この実施形態において、調整ガス注入チャネル１５１Ｂは、垂直軸線Ｘから角度βでドリル加工される。角度βは、約０度ないし約９０度、好ましくは、約３０度ないし約６０度にすることができる。調整ガス注入チャネル１５１Ｂの角度βは、基板表面へ運搬される不活性ガスの方向に影響するため、基板縁部の裏側近くで不活性ガスがどのように分布するかに影響を与える。調整ガス注入チャネル最上部１５１ＢＴは、基板１４０の下方にある。調整ガス注入チャネルの最上部は、基板縁部と基板縁部の真下とに位置する露出領域１２７へ不活性ガスを方向付け、エッチング副生成物が基板１４０の縁部の下にある露出領域１２６へ入るのを防止し、これにより裏側での堆積を防ぐ。基板の裏側に堆積するエッチング副生成物（ポリマ）は、ベベルポリマとも呼ばれ、洗浄が非常に困難であり、粒子を発生させる恐れがある。ＨｅまたはＡｒ等の不活性ガスは、調整ガス注入チャネル１５１Ｂへ供給可能である。一実施形態において、不活性ガスは、総流量約１０ｓｃｃｍないし約２００ｓｃｃｍで流動させることができる。
【００２４】
図３Ｄは、基板裏側でのエッチング副生成物の堆積を防止するために、基板縁部において調整ガスを使用する処理フローを示す。動作３０５において、エッチングガス（またはガス混合物）をガス分配板等の主ガスソースから供給し、不活性ガスを調整ガス注入穴から基板縁部下方の露出領域へ供給する。動作３０７において、電極（群）に電力を供給することで、エッチングプラズマを生成すると共に、不活性ガスを基板縁部下方の露出領域へ注入し、エッチング副生成物が基板縁部下方の露出領域において堆積するのを防ぐ。基板縁部下方の露出領域への不活性ガスの導入により、露出領域におけるエッチング副生成物の堆積は、大幅な低減または完全な除去が可能となる。
【００２５】
チャンバの底部領域から基板縁部に向けた調整ガスの注入の概念は、あらゆる処理チャンバに使用できる。基板の堆積またはエッチングに使用される非プラズマ処理チャンバでも、この概念を利用できる。プラズマ処理チャンバでは、プラズマ源は、誘導性、容量性、または誘導性及び容量性の両方の組み合わせにすることができる。本発明の概念は、限定ではなく半導体基板、フラットパネルディスプレイ、及びソーラパネルを含む、あらゆる種類の基板を処理するために使用できる。
【００２６】
以上、理解を明確にする目的から、ある程度詳細に上記発明を説明してきたが、添付特許請求の範囲内で一定の変更及び変形を実施し得ることは明らかであろう。したがって、本発明は、例示的なものであって限定的なものではないと見做されるべきであり、本発明は、本明細書に記載の詳細に限定されるべきではなく、添付特許請求の範囲及び等価物の範囲内で変形し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】基板エッチングシステムの一実施形態の概略断面図である。
【図２】調整ガス組立体の実施形態の上面図である。
【図３Ａ】図１の拡大領域１２５の実施形態を示す図である。
【図３Ｂ】基板最縁部でのエッチング均一性を高めるために、基板縁部において調整ガスを使用する処理フローを示す図である。
【図３Ｃ】図１の拡大領域１２５の別の実施形態を示す図である。
【図３Ｄ】基板裏側でのエッチング副生成物の堆積を防止するために、基板縁部において調整ガスを使用する処理フローを示す図である。
【図１】
2009527921.tif 000003
【図２】
2009527921.tif 000004
【図３Ａ】
2009527921.tif 000005
【図３Ｂ】
2009527921.tif 000006
【図３Ｃ】
2009527921.tif 000007
【図３Ｄ】
2009527921.tif 000008
【国際調査報告】
2009527921.tif 000009
2009527921.tif 000010
2009527921.tif 000011
2009527921.tif 000012