(57)【要約】  本発明は、半導体処理ツールのためのフィルタリングシステムを提供する。一実施形態においては、フィルタリングシステムは、半導体処理ツールに結び付けられる。本発明のシステムは、ガスフローパスに流体連通する第１および第２のフィルタ層を含む。フローパスは、ヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールなどの揮発性シリカ含有化合物を含むガスストリームである。ガスフローパスは、第１および第２のフィルタ層を通過して、半導体処理ツールに流体連通する。フィルタリングシステムの第１のフィルタ層は、ガスフローパスの途中で第２のフィルタ層の上流に位置すると好ましい。第１および第２のフィルタ層の媒体は、所与の汚染物質濃度にもとづいて選択され用意される。また、本発明は、半導体処理ツールに連通するヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールを含むガスをフィルタリングするための方法を提供し、これは、第１および第２のフィルタ層を含むシステムを使用する。
2009543678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスフローパスがトリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを含む、汚染物質を含むガスフローパスに流体連通する半導体処理ツールのためのフィルタリングシステムであって、
トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能な、通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第１のフィルタ層と、
第１のフィルタ層の上流の第２のフィルタ層を通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第２のフィルタ層と
を含む、フィルタリングシステム。
【請求項２】
ガスフローパスがエアを含む、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３】
第２のフィルタ層が、ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去することが可能である、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項４】
第１のフィルタ層が物理吸着媒体を含む、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項５】
物理吸着媒体が活性炭を含む、請求項４に記載のフィルタリングシステム。
【請求項６】
第２のフィルタ層が化学吸着媒体を含む、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項７】
化学吸着媒体が陽イオン交換樹脂を含む、請求項６に記載のフィルタリングシステム。
【請求項８】
陽イオン交換樹脂がジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項７に記載のフィルタリングシステム。
【請求項９】
ジビニルベンゼンスチレンコポリマーが酸性官能基を含む、請求項８に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１０】
酸性官能基がスルホン酸官能基を含む、請求項９に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１１】
酸性官能基がカルボン酸官能基を含む、請求項１０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１２】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１３】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項１２に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１４】
第１のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項１２に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１５】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１６】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項１５に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１７】
第２のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項１５に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１８】
半導体処理ツールがリソグラフィツールである、請求項１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項１９】
リソグラフィツールがマイクロリソグラフィツールである、請求項１８に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２０】
ガスフローパスがヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを含む、汚染物質を含むガスフローパスに流体連通する半導体処理ツールのためのフィルタリングシステムであって、
ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去することが可能な、通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第１のフィルタ層と、
第１のフィルタ層の上流の第２のフィルタ層を通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第２のフィルタ層と
を含む、フィルタリングシステム。
【請求項２１】
ガスフローパスがエアを含む、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２２】
第２のフィルタ層が、トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能である、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２３】
第１のフィルタ層が化学吸着媒体を含む、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２４】
化学吸着媒体が陽イオン交換樹脂を含む、請求項２３に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２５】
陽イオン交換樹脂がジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項２４に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２６】
ジビニルベンゼンスチレンコポリマーが酸性官能基を含む、請求項２５に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２７】
酸性官能基がスルホン酸官能基を含む、請求項２６に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２８】
酸性官能基がカルボン酸官能基を含む、請求項２７に記載のフィルタリングシステム。
【請求項２９】
第２のフィルタ層が物理吸着媒体を含む、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３０】
物理吸着媒体が活性炭を含む、請求項２９に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３１】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３２】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項３１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３３】
第１のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項３１に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３４】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３５】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項３４に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３６】
第２のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項３４に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３７】
半導体処理ツールがリソグラフィツールである、請求項２０に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３８】
リソグラフィツールがマイクロリソグラフィツールである、請求項３７に記載のフィルタリングシステム。
【請求項３９】
フィルタリングシステムを提供するステップと、
ヘキサメチルジシロキサンまたはトリメチルシラノールをより高い汚染物質濃度で含むガスフローパスをフィルタリングシステムに供給するステップと、
フィルタリングシステムの第１のフィルタ層によりガスフローパスからより高濃度の汚染物質を除去するステップと、
フィルタリングシステムの第２のフィルタ層によりガスフローパスからより低濃度の汚染物質を除去するステップと
を含む、半導体処理ツールに連通するガスをフィルタリングするための方法。
【請求項４０】
半導体処理ツールの作動においてガスフローパスを使用するステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去する、通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第１のフィルタ層と、
第１のフィルタ層の上流の第２のフィルタ層を通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第２のフィルタ層と
を有するフィルタリングシステムを提供するステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４２】
フィルタリングシステムにエアフローを流すステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４３】
ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去する第２のフィルタ層を用いてフィルタリングするステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４４】
物理吸着媒体を含む第１のフィルタ層を用いてガスフローをフィルタリングするステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４５】
活性炭を含む物理吸着媒体を用いてガスフローをフィルタリングするステップをさらに含む、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
化学吸着媒体を含む第２のフィルタ層を用いてガスフローをフィルタリングするステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４７】
陽イオン交換樹脂を含む化学吸着媒体を提供するステップをさらに含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
ジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む陽イオン交換樹脂を提供するステップをさらに含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
酸性官能基を含むジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む第２のフィルタ層を用いてフィルタリングするステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項５０】
酸性官能基がスルホン酸官能基を含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
酸性官能基がカルボン酸官能基を含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項５３】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
第１のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項５２に記載の方法。
【請求項５５】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項５６】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
第２のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
半導体処理ツールがリソグラフィツールである、請求項３９に記載の方法。
【請求項５９】
リソグラフィツールがマイクロリソグラフィツールである、請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去する、通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第１のフィルタ層と、
第１のフィルタ層の上流の第２のフィルタ層を通過するガスフローパスから汚染物質を除去するための第２のフィルタ層と
を提供するステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項６１】
ガスフローパスがエアを含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項６２】
第２のフィルタ層が、トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能である、請求項６０に記載の方法。
【請求項６３】
第１のフィルタ層が化学吸着媒体を含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項６４】
化学吸着媒体が陽イオン交換樹脂を含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項６５】
陽イオン交換樹脂がジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項６４に記載の方法。
【請求項６６】
ジビニルベンゼンスチレンコポリマーが酸性官能基を含む、請求項６５に記載の方法。
【請求項６７】
酸性官能基がスルホン酸官能基を含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項６８】
酸性官能基がカルボン酸官能基を含む、請求項６６に記載の方法。
【請求項６９】
第２のフィルタ層が物理吸着媒体を含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項７０】
物理吸着媒体が活性炭を含む、請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項６９に記載の方法。
【請求項７２】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項７３】
第１のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項６９に記載の方法。
【請求項７４】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項６０に記載の方法。
【請求項７５】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項７４に記載の方法。
【請求項７６】
第２のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項６０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本出願は、参照により本明細書に全内容が組み込まれる２００６年７月１３日出願の米国出願第６０／８３０，７３７号の優先権を主張するものである。
【０００２】
ガスの全体的な品質が、半導体製造用設備内において重要な問題になりつつある。一般的には、半導体処理ツールのために使用されるエアから歩留まりを低下させる汚染物質を除去するために、多大な取り組みがなされる。例えば、汚染物質は、蒸着形成により半導体処理ツールの性能を抑制するおそれのある、ガス中に存在する分子化合物であると考えられる。リソグラフィツールでは、ガスは、ツールのコンポーネントを浄化するおよび作動させるために使用される。通常は、揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質は、これらのガス中に、リソグラフィツールのレンズを損傷させるおそれのあるレベルで存在する。
【０００３】
典型的には、ヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールなどの揮発性シリカ含有化合物が、例えば投影レンズなどのリソグラフィツールのレンズに付着し、分子膜を形成する。これらの分子膜は、光を物理的に吸収しおよび散乱させ、これが、波面品質を歪める。波面品質が歪められると、リソグラフィツールの像が、収差を生じまたは不正確に形成され、レチクル上への正確な回路パターンの形成を阻害する。また、汚染物質は、分子膜の形成に加えて、リソグラフィツールのレンズを劣化させるおそれがある。例えば、ヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールは、投影レンズを不可逆的に劣化させ、製造歩留まりの低下を招くおそれがある。
【０００４】
揮発性シリカ含有化合物であるヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールなどの汚染物質は、マイクロリソグラフィツールにおいて特に懸念を生じさせる。他の一般的なリソグラフィツールの汚染物質としては、臭化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸または塩酸などの酸、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、アンモニア、水酸化アンモニウム、トリメチルアミン、メチルピロリジン、トリエチルアミン、メチルアミンシクロヘキシルアミン、エタノールアミン、ヘキサメチルジシラザン、ジメチルアミン、ジメチルアミノエタノールまたはモルホリンなどの塩基、炭化水素またはシリコーンなどの縮合性物質、およびホウ酸、有機リン酸化合物またはヒ酸塩などのドーパントが含まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，４４７，５８４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７４０，１４７号明細書
【特許文献３】米国特許第６，６１０，１２８号明細書
【特許文献４】米国特許第６，７６１，７５３号明細書
【特許文献５】米国特許第５，６０７，６４７号明細書
【特許文献６】米国特許第５，５８２，８６５号明細書
【特許文献７】米国特許第５，８３４，１１４号明細書
【特許文献８】米国特許第６，２０７，４６０号明細書
【特許文献９】米国特許第６，０９６，２６７号明細書
【特許文献１０】米国特許第６，２９６，８０６号明細書
【特許文献１１】米国特許第５，２０４，０５５号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，３４０，６５６号明細書
【特許文献１３】米国特許第５，３８７，３８０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しばしば、半導体処理ツール内のガスからのヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールの除去は、混合された化学吸着性媒体および物理吸着性媒体を有するフィルタエレメントによって実施される。例えば、このようなフィルタエレメントは、活性炭と混合された酸性陽イオン交換樹脂を含むことが可能である。これらの化学吸着性媒体および物理吸着性媒体からなるフィルタエレメントは、リソグラフィツールに設置するまたは結合させることが可能である。混合された媒体を有するフィルタエレメントの１つの欠点は、媒体が異なる速度で消耗し、最適時期に達する前のフィルタエレメント交換を要する可能性がある点である。また、このような消耗速度の差は、汚染物質の濃度およびタイプが変わることによって激しくなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体処理ツールのためのフィルタリングシステムを提供する。本発明のシステムは、ガスストリームすなわちガスフローパスにより半導体処理ツールに供給される流体をフィルタリングすると好ましい。一実施形態においては、システムは、ガスフローパス内に存在する汚染物質を除去するための第１のフィルタ層を含む。ガスフローパスは、第１のフィルタ層を通過し、半導体処理ツールに流体連通する。さらに、システムは、ガスフローパスから汚染物質を除去するための第２のフィルタ層を含み、ガスフローパスは、第１のフィルタの上流の第２のフィルタを通過する。本発明のシステムは、フィルタエレメントが、異なる速度で消耗する混合された媒体を有するという上述の欠点を解消することが可能である。
【０００８】
例えば、マイクロリソグラフィツールを、ヘキサメチルジシロキサンまたはトリメチルシラノールをより高い汚染物質濃度で含むガスフローパスに加えることが可能である。これらの分子化合物は、従来型のフィルタエレメント中に混合される化学吸着媒体および物理吸着媒体を異なる速度で消耗させ、結果として所与の媒体の最適時期に達する前の交換をもたらすおそれがある。本発明のシステムが第２のフィルタ層の上流に第１のフィルタ層を含むことによって、特定の汚染物質濃度にもとづいて化学吸着媒体および物理吸着媒体を選択し用意することが可能であるため、このような最適時期に達する前の媒体の交換を解消することができる。
【０００９】
本発明のシステムは、揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を含むガスフローパスに流体連通する第１および第２のフィルタ層を含む。例えば、揮発性シリカ含有化合物であるヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールは、ガスフロー中に存在することが可能である。一実施形態においては、ガスフローパス中のヘキサメチルジシロキサンの汚染物質濃度が、トリメチルシラノールの汚染物質濃度よりも高い。トリメチルシラノールなどの他の揮発性シリカ含有化合物と比較してより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンについては、第１および第２のフィルタ層は、物理吸着媒体および化学吸着媒体をそれぞれ含む。
【００１０】
ヘキサメチルジシロキサンなどの他の揮発性シリカ含有化合物よりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを有するガスフローについては、本発明のシステムのための第１および第２のフィルタ層は、化学吸着媒体および物理吸着媒体をそれぞれ含む。化学吸着媒体は、トリメチルシラノールと比較してより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能であると好ましい。また、さらには、物理吸着媒体は、ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去することが可能である。
【００１１】
一実施形態においては、本発明のシステムは、物理吸着媒体を有する第１のフィルタ層を含む。例示の物理吸着媒体は、活性炭を含むことが可能である。物理吸着媒体の活性炭は、非処理のまたは処理済みのおよび粒状加工済みのものであることが可能である。また、本発明のシステムは、化学吸着媒体を含む第２のフィルタ層を有する。例えば、第２のフィルタ層のための化学吸着媒体は、陽イオン交換樹脂を含むことが可能である。陽イオン交換樹脂は、少なくとも１つの酸性官能基を有するジビニルベンゼンスチレンコポリマーなどのコポリマーを含むと好ましい。
【００１２】
本発明のシステムのための別の実施形態は、化学吸着媒体を有する第１のフィルタ層を含む。また、本発明のシステムは、物理吸着媒体を有する第２のフィルタ層を含む。ガスフローパスは、第１および第２のフィルタ層を通過して、半導体処理ツールに案内されると好ましい。例えば、ガスフローパスに流体連通する半導体処理ツールは、リソグラフィツール、エッチングツール、蒸着ツール、または注入ツールを含むことが可能である。本発明のシステムは、それらのような半導体処理ツールに結び付けられて、ツール内を循環するガスをフィルタリングすることが可能である。
【００１３】
また、本発明は、半導体処理ツールに連通するガスをフィルタリングするための方法を提供する。一実施形態においては、この方法は、第１および第２のフィルタ層を含むシステムを提供する。また、この方法は、システムにガスフローパスを供給することを含む。例えば、フローパスは、ヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールなどの揮発性シリカ含有化合物を含むガスストリームである。ガスフローパス中に存在する汚染物質は、システムの第１および第２のフィルタ層により除去される。また、ガスフローパスは、半導体処理ツールの作動において使用される。また、本発明の方法は、例えば第１のフィルタ層の前に、第２のフィルタ層により汚染物質を除去するなど、任意の適切な順序において実施することが可能である。
【００１４】
また、添付の図面と組み合わせることにより、本発明の以下の詳細な説明から本発明の他の特徴および利点が明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明のフィルタリングシステムの図である。
【図２】本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。
【図３】本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。
【図４】本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。
【図５】本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。
【図６】本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。
【図７】本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。
【図８】本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。
【図９】本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。
【図１０】本発明の方法の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
特に明記しない限り、以下の定義が、本明細書において使用される用語の意味および例となる。また、これらの定義は、当業者が予期し得るいずれの意味をも包含するものとして意図される。
【００１７】
「汚染物質濃度」または「濃度」という語およびそれらの派生語は、エアまたはガスなどの流体中に存在する汚染物質のレベルを概して意味する。例えば、汚染物質のレベルは、ガスの中に存在する分子化合物の重量、量、モル数、質量、パーセンテージ、濃度、またはそれらの組合せにもとづくものであることが可能である。
【００１８】
本発明は、半導体処理ツールのためのフィルタリングシステムを提供する。好ましい一実施形態においては、フィルタリングシステムは、半導体処理ツールに結び付けられる。例えば、フィルタリングシステムは、半導体処理ツールに設置するまたは結合するように構成することが可能である。本発明のシステムは、ガスフローパスに流体連通する第１および第２のフィルタ層を含む。ガスフローパスは、第１および第２のフィルタ層を通過して、半導体処理ツールに流体連通する。第１のフィルタ層は、ガスフローパスの途中で第２のフィルタ層の上流に位置する。
【００１９】
本発明のシステムのための第１および第２のフィルタ層の媒体は、特定の汚染物質濃度を前提として選択され、用意される。他の揮発性シリカ含有化合物と比較してより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンについては、第１および第２のフィルタ層は、物理吸着媒体および化学吸着媒体をそれぞれ含むと好ましい。他の揮発性シリカ含有化合物よりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを有するガスフローについては、システムのための第１および第２のフィルタ層は、化学吸着媒体および物理吸着媒体をそれぞれ含む。
【００２０】
化学吸着媒体は、トリメチルシラノールと比較してより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能である。フィルタリングシステムのフィルタ層のための例示の化学吸着媒体は、化学的に酸性のコポリマーなどの陽イオン交換樹脂である。さらに、物理吸着媒体は、ヘキサメチルジシロキサンよりも高濃度のトリメチルシラノールを除去することが可能である可能性がある。フィルタ層のための物理吸着媒体は、活性炭を含むことが可能であり、活性炭は、非処理のまたは処理済みのおよび粒状加工済みのものが可能である。物理吸着媒体は、結合剤材料によって一体的に保持されてブロック状に形成することが可能である。例示の物理吸着媒体は、化学的に酸性のものが可能であり、石炭などの有機源から得ることが可能である。
【００２１】
一般的には、ガスストリームの中に存在するトリメチルシラノールは、周囲条件下におけるヘキサメチルジシロキサン加水分解による生成物であると考えられる。化学的に酸性の媒体が存在する場合に、エアなどの流体中の被加湿ガス状のヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールの汚染物質は、平衡を確立する。例示の平衡は、トリメチルシラノールに対するヘキサメチルジシロキサンの比率が約０．９対０．５となる。トリメチルシラノールおよびヘキサメチルジシロキサンの汚染物質は、対等な速度で従来の混合された活性炭媒体および陽イオン交換樹脂媒体の中に伝播するが、トリメチルシラノールは、ヘキサメチルジシロキサンよりも速く活性炭媒体を通過することを、このような比率を利用して説明することが可能である。
【００２２】
図１は、本発明のフィルタリングシステムの図である。図示されるように、本発明のシステム２は、流体フローパスすなわち流体ストリーム４を含む。流体フローパス４は、例えばガスストリームなどのガスフローパスであると好ましい。一実施形態においては、ガスフローパスは、実質的にはエアである。システム２の流体フローパス４は、エアと、揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質とを含むことが可能である。揮発性シリカ含有化合物の例としては、ガス状または蒸気状のヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールが含まれる。また、流体フローパス４は、例えば埃、糸くずおよび製造ごみなどの微粒子を含むことが可能である。
【００２３】
さらに、システムの流体フローパス４は、臭化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸または塩酸などの酸、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、アンモニア、シクロヘキシルアミン、水酸化物、トリメチルアミン、メチルピロリジン、トリエチルアミン、メチルアミン、アンモニウム、エタノールアミン、ジメチルアミン、モルホリン、ヘキサメチルジシラザンまたはジメチルアミノエタノールなどの塩基、炭化水素またはシリコーンなどの縮合性物質、およびホウ酸、有機リン酸化合物またはヒ酸塩などのドーパントを含む汚染物質を含むことが可能である。また、図示されるように、図１のシステム２は、第１のフィルタ層６を含む。第１のフィルタ層６は、流体フローパス４に流体連通する。
【００２４】
一実施形態においては、図１の流体フローパスは、第１のフィルタ層６を通過する。また、図示されるように、流体フローパスは、システム２の第２のフィルタ層８に流体連通する。例えば、流体フローパス４は、第２のフィルタ層８を通過する。図１のシステム２の第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８は、流体フローパス４から汚染物質を除去することが可能である。第１および第２のフィルタ層は、それらを通過する流体フローパス４内に存在する特定の揮発性シリカ含有化合物を除去するための種々の媒体を有すると好ましい。
【００２５】
第１のフィルタ層６は、流体フローパス４の途中で第２のフィルタ層８の上流に位置する。一実施形態においては、第１のフィルタ層は、トリメチルシラノールと比較して、流体フローパス４中でより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去するための物理吸着媒体を含む。システムの第２のフィルタ層８は、ヘキサメチルジシロキサンと比較して、フローパス中に存在するより高濃度のトリメチルシラノールを除去するための化学吸着媒体を含むことが可能である。代替としては、本発明のシステムは、化学吸着媒体および物理吸着媒体をそれぞれ含む第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８を含むことが可能である。
【００２６】
また、システム２は、流体フローパス４から微粒子を除去するための第３のフィルタ層を含むことが可能である。第３のフィルタ層は、それを通過する流体フローパス４から微粒子を除去するための微粒子媒体を含むと好ましい。第３のフィルタ層は、流体フローパス４の途中で第１のフィルタ層６または第２のフィルタ層８の上流または下流に配設することが可能である。システム２の第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８はそれぞれ、フィルタ部材を含むことが可能である。本発明のシステムのための例示のフィルタ部材は、複数のフィルタエレメントを含むことが可能である。
【００２７】
一実施形態においては、第１および第２のフィルタ部材は、複数のハニカムフィルタエレメントまたはプリーツフィルタエレメントを含むことが可能である。また、図示されるように、図１のシステム２は、半導体処理ツール１０を含む。システム２の流体フローパス４は、ツール１０に流体連通するのが好ましい。例えば、流体フローパス４は、半導体クリーンルーム内に配設されるツール１０に流体連通することが可能である。第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８は、例えば半導体処理ツール１０に設置するまたは結合するように構成することが可能である。例えば、フィルタ層は、ツール中を循環するエアをフィルタリングするためにツールに組み込むことが可能である。
【００２８】
半導体処理ツール１０に結び付けられる第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８はそれぞれ、流体フローパス４から揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を除去することが可能である。第１のフィルタ層６および第２のフィルタ層８が、流体フローパス４から汚染物質を除去し、流体フローパス４が、ツール１０に流体連通可能であると好ましい。例示の半導体処理ツールには、リソグラフィツール、エッチングツール、蒸着ツールまたは注入ツールが含まれる。半導体クリーンルームのリソグラフィツールが、本発明のフィルタリングシステムを有するマイクロリソグラフィツールであると好ましい。
【００２９】
一実施形態においては、第１または第２のフィルタ層のための化学吸着媒体が、陽イオン交換樹脂を含む。第１または第２のフィルタ層のための化学吸着媒体は、化学的に酸性であることが可能であると好ましい。化学吸着媒体は、例えばガスストリームなどの流体中に存在する揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を除去することが可能である。第１または第２のフィルタ層のための化学吸着媒体は、汚染物質を有するガスフローパスが通過可能になるように流体透過性である。本発明のシステムは、ガスフローパスの途中で物理吸着媒体の上流または下流に化学吸着媒体を含むことが可能である。
【００３０】
本発明のシステムの第１または第２のフィルタ層は、浮遊汚染物質に結合することが可能な少なくとも１つの陽イオン交換樹脂を含む不織複合材料を使用することが可能である。化学吸着媒体を含む例示の第１のまたは第２のフィルタ層およびこれらのフィルタ層を製造する方法は、米国特許第６，４４７，５８４号明細書、米国特許第６，７４０，１４７号明細書、米国特許第６，６１０，１２８号明細書および米国特許第６，７６１，７５３号明細書に概して記載され、これらは参照により本明細書に組み込まれる。また、フィルタ層は、化学吸着媒体を不織複合材料または担体材料にドライ塗布し、次いでこれを加熱しカレンダリングすることによって製造することが可能である。
【００３１】
例えば、このような不織複合材料は、ポリエステルであることが可能である。一実施形態においては、化学吸着媒体は、酸性官能基を含む多孔質ジビニルベンゼンスチレンコポリマーである。例示の酸性官能基には、スルホン酸官能基およびカルボン酸官能基が含まれる。化学吸着媒体は、約５０から４００オングストローム（Å）の範囲内の孔サイズを有することが可能である。さらに、この媒体の表面積は、１グラム当たり約２０平方メートル超であることが可能である。例えば、ベンゼンスチレンコポリマーの酸性官能基は、１グラム当たり約１ミリ当量よりも高い酸性レベルを有することも可能である。
【００３２】
一実施形態においては、第１または第２のフィルタ層が、例えば不織の繊維基材材料またはポリエステル材料などの材料の全体にわたって分散される化学吸着媒粒子を含む。フィルタ層の化学吸着媒体粒子は、陽イオン交換樹脂を含むことが可能であると好ましい。例えば、これらの媒体粒子は、化学的に酸性であることが可能である。そのような媒体粒子は、約０．３から１．２ミリメートル（ｍｍ）の例示的な粒子サイズを有することが可能である。さらには、化学吸着媒体粒子が、例えば１グラム当たり約０．３ミリリットルの多孔度および２５０Åの平均孔径を有することが可能である。
【００３３】
本発明のシステムの第１または第２のフィルタ層のための化学吸着媒体は、エアストリーム中のガス状または蒸気状の分子化合物を除去するのに特に有効である。さらには、化学吸着媒体は、例えば微粒子のサイズが媒体の孔よりも大きい場合などに、ガスストリームから微粒子を除去可能である可能性がある。別の実施形態では、本発明のシステムの第１または第２のフィルタ層は、物理吸着媒体を含むことが可能である。例示の物理吸着媒体は、活性炭である。活性炭は、米国特許第５，６０７，６４７号明細書および米国特許第５，５８２，８６５号明細書に概して記載され、これらは参照により本明細書に組み込まれる。
【００３４】
本発明のシステムの第１または第２のフィルタ層のための物理吸着媒体が、非処理活性炭を含むと好ましい。物理吸着媒体は、例えば米国特許第５，８３４，１１４号明細書などに記載の合成炭素材料を代替的に含むことが可能であり、これは、参照により本明細書に組み込まれる。また、例示の合成炭素材料は、物理吸着媒体のための活性炭と組み合わせて使用することが可能である。一実施形態においては、物理吸着媒体を含むフィルタ層は、非処理の粒状活性炭を含み、この活性炭は、ガスストリーム中に存在する揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を除去することが可能である。
【００３５】
第１または第２のフィルタ層のための物理吸着媒体は、汚染物質を有するガスフローパスが通過可能になるように流体透過性である。本発明のシステムは、ガスフローパスの途中で化学吸着媒体の上流または下流に物理吸着媒体を含むことが可能である。物理吸着媒体を含む第１または第２のフィルタ層が、例えばガスストリームなどの流体中に存在するヘキサメチルジシロキサンと比較してより高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去することが可能であると好ましい。また、第１のまたは第２のフィルタ層のための物理吸着媒体は、例えば微粒子のサイズが媒体の孔よりも大きい場合などに、ガスストリームから微粒子を除去可能である可能性がある。
【００３６】
一実施形態においては、本発明のシステムのフィルタ層は、任意の適切な長さ、幅または高さの寸法を有することが可能である。フィルタ層の寸法は、所与の半導体処理ツールと共に使用するために選択されるまたは適合されることが好ましい。また、さらには、フィルタ層はそれぞれ、フィルタ部材を含むことが可能である。例えば、フィルタ部材は、約１インチのプリーツ間隔を有する複数のプリーツフィルタエレメントを含むことが可能である。フィルタ部材のプリーツ間隔は、ガスストリーム中に存在する汚染物質の濃度およびタイプによって決まることが可能である。また、フィルタ層は、粒子媒体またはビード媒体を含む床を含むことが可能である。
【００３７】
また、フィルタリングシステムは、フィルタ層のメンテナンスまたは交換が必要となる時を決定する検出装置を含むことが可能である。このような装置の例示のタイプは、米国特許第６，２０７，４６０号明細書、米国特許第６，０９６，２６７号明細書および米国特許第６，２９６，８０６号明細書に概して記載され、これらは参照により本明細書に組み込まれる。検出装置は、本発明のシステムのガスフローパスに流体連通すると好ましい。例えば、この装置は、半導体処理ツール内を循環する微粒子および汚染物質の濃度を評価することが可能である。これらの濃度は、フィルタ層の性能の指標となることが可能であり、これによって、揮発性シリカ含有化合物の濃度が所与のしきい値を超過する場合には、フィルタ層のメンテナンスまたは交換に関するオプションを決定することが可能となる。
【００３８】
また、本発明のシステムのフィルタ層は、モニタリングデバイスに流体連通するためのサンプリングポートを含むことが可能であり、このモニタリングデバイスは、フィルタ層の性能を評価する。サンプリングポートは、第１のフィルタ層と第２のフィルタ層との間に設置することが可能であると好ましい。サンプリングポートに流体連通するモニタリングデバイスは、任意の適切なタイプのものが可能である。例示のデバイスには、濃縮器、クロマトグラフ、分光器、検出器、またはそれらの組合せが含まれる。本発明のシステムのフィルタ層は、微粒子または汚染物質からガスストリームを部分的に、実質的にまたは完全にフィルタリングすることが可能である。
【００３９】
さらに、本発明のシステムのフィルタ層は、任意の適切なタイプの構成を有することが可能である。例えば、フィルタ層は、媒体保持のための穿孔性材料またはスクリーンを有する金属製エンクロージャなどの従来型のトレイおよびラック装置を含むことが可能である。上述のように、本発明のシステムのためのフィルタ層は、ハニカムエレメントを含むまたは形成することが可能である。また、例示のハニカムエレメントは、部分的にまたは全体的に占めるハニカムタイプ構造体によって保持される化学吸着媒体または物理吸着媒体を含むことが可能である。一実施形態においては、フィルタ層は、担体構造の多孔性タイプまたはハニカムタイプの構造体を含むことが可能である。
【００４０】
代替としては、本発明のシステムの第１または第２のフィルタ層が、プリーツエレメントを含む従来型のエアフィルタ内に配置される、織成のまたは不織のポリマー繊維のマットであることが可能である。図２は、本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。図示されるように、プリーツエレメント１２が、フィルタ層１６のフレーム１４の各表面上に露出されている。一実施形態においては、フィルタ層１６を、従来のまたは修正された積層構成体において使用することが可能である。例えば、フィルタ層は、そのような積層構成体中の既存のフィルタ層の好都合な交換に適する寸法を有することが可能である。
【００４１】
図３は、本発明のシステムの例示の第１および第２のフィルタ層の図である。図示されるように、第１のフィルタ層１８および第２のフィルタ層２０は、互いに連通するように配設することが可能である。例えば、第１のフィルタ層１８は、第２のフィルタ層２０の表面上に配設することが可能である。また、第１および第２のフィルタ層は、カバーシートを含むことが可能である。図３においては、第２のフィルタ層２０は、カバーシート２２を有する。カバーシート２２は、ポリエステル不織材料であることが可能である。第１および第２のフィルタ層は、揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を除去するための化学吸着媒体または物理吸着媒体を含むと好ましい。
【００４２】
図４は、本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。図示されるように、フィルタ層２４が、カバーシート２６を含む。一実施形態においては、カバーシートは、ポリエステル不織材料を含む。フィルタ層２４は、化学吸着媒体または物理吸着媒体を含むと好ましい。また、図５は、本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。図示されるように、フィルタ層２８が、第１のカバーシート３０および第２のカバーシート３２を含む。また、フィルタ層２８は、第１のカバーシート３０上に配設される本体部分３４を含む。
【００４３】
本発明のシステムのフィルタ層の例示のカバーシートは、ポリエステル、ポリアミド、ポリプロピレンまたはそれらの任意の組合せなどのフィルタリング不織材料または非フィルタリング不織材料を含むことが可能である。例えば、フィルタリング不織材料を含むカバーシートは、それを通過するガスストリーム中に存在する微粒子を除去することが可能である。また、カバーシートを使用して、ハニカムエレメントまたはプリーツエレメントを保持することが可能である。さらに、カバーシートは、例えば活性炭または、スルホン化ジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含むビードなどの所与の媒体を保持することが可能である。フィルタ層のためのカバーシートは、例えばポリエステルまたはポリプロピレンなどの化学的に不活性な材料を含むことが可能であると好ましい。
【００４４】
例えば、本発明のシステムのフィルタ層は、任意の適切なコンテナまたはフレーム構造物によって保持することが可能である。また、このようなコンテナまたはフレーム構造物は、フィルタ層の交換の容易化において有効である。上述のように、フィルタ層は、プリーツエレメントを有するフィルタ部材を含むことが可能である。プリーツエレメントは、フィルタ部材の表面積を増大させることが可能であり、これは、プリーツエレメントを通過するガスフローパス内に存在する微粒子または汚染物質の除去を促進することが可能である。図６は、本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。図示されるように、フィルタ部材３６が、複数のプリーツエレメント３８を含む。プリーツエレメント３８のそれぞれが、化学吸着媒体または物理吸着媒体を含む。
【００４５】
図７は、本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。図示されるように、フィルタ部材４０が、複数のエレメント４２を含む。エレメント４２は、アコーディオンタイプ構造体４４になるようにプリーツ加工されると好ましい。構造体４４は、ガスストリームが通過する前部４８および後部５０を有するコンテナ４６内に保持することが可能である。さらに、図８は、本発明のシステムのためのフィルタ層の例示のフィルタ部材の図である。図８は、複数のエレメント５４を含むフィルタ部材５２を図示する。一実施形態においては、エレメント５４は、多段階フィルタリングのための複数のアコーディオンタイプ構造体５８を提供するように、コンテナ５６中で連続的にプリーツ加工される。
【００４６】
一実施形態においては、本発明のシステムのフィルタ層が、イオン交換樹脂を含むことが可能である。このイオン交換樹脂は、１グラム当たり約３００ミリリットルよりも高い多孔度を有することが可能である。本発明のシステムのフィルタ層の交換樹脂は、１グラム当たり約１．８ミリ当量の化学的酸性サイト濃度を有する陽イオン交換樹脂であることが可能であると好ましい。例えば、フィルタ層のための交換樹脂は、１グラム当たり約４５平方メートルの表面積を有することが可能である。フィルタ層のための例示の樹脂は、商品名ＡＭＢＥＲＬＹＳＴ（Ｒｏｈｍ  ａｎｄ  Ｈａｓｓ  Ｃｏｍｐａｎｙ、１００  Ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ  Ｍａｌｌ  Ｗｅｓｔ、Ｐｈｉｌａｄｅｌｐｈｉａ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ、１９１０６）の名称で市販されている。
【００４７】
本発明のシステムのフィルタ層が対等な使用期間で消耗するように製造することが可能であると好ましい。例えば、本発明は、同時にメンテナンスまたは交換を要するフィルタ層を使用することを企図する。一実施形態においては、物理吸着媒体が化学吸着媒体よりも先に消耗する傾向があるため、化学吸着媒体を含むフィルタ層は物理吸着媒体を有する層よりも薄く製造することが可能である。対等な使用期間で消耗するフィルタ層を用いるフィルタリングシステムは、任意の発生し得るダウンタイムを統合することによって作動コストを低減させることが可能である。
【００４８】
図９は、本発明のシステムの例示のフィルタ層の図である。一実施形態においては、フィルタ層６２が、大表面積フィルタ部材を含む。さらには、フィルタ層６２は、化学吸着媒体または物理吸着媒体と、結合剤タイプ材料とを含むことが可能である。フィルタ層６２は、米国特許第５，２０４，０５５号明細書、米国特許第５，３４０，６５６号明細書および米国特許第５，３８７，３８０号明細書によって概して説明されるように製造することが可能であり、これらは参照により本明細書に組み込まれる。大表面積フィルタ部材を含むフィルタ層は、例えば複合材料６４などの上に配設される媒体を含むと好ましい。また、結合剤タイプ材料を媒体に添加して、媒体の結合を促進することが可能である。
【００４９】
図１０は、本発明の方法の図である。エアを含む流体フローパスなどのガスストリームをフィルタリングするために、方法６６が実施されるが、この流体フローパスは、半導体処理ツールに連通することが可能である。図示されるように、方法６６は、本発明のフィルタリングシステムが提供されるステップ６８を含む。本発明のシステムは、第１および第２のフィルタ層を含むと好ましい。また、方法６６は、流体フローパスがフィルタリングシステムに供給されるステップ７０を含む。例えば、流体フローパスは、微粒子および揮発性シリカ含有化合物などの汚染物質を含むガスストリームであることが可能である。
【００５０】
一実施形態においては、方法６６は、第１のフィルタ層によって流体フローパス内に存在する汚染物質が流体フローパスから除去されるステップ７２を含む。例えば、フローパスは、ヘキサメチルジシロキサンおよびトリメチルシラノールなどの揮発性シリカ含有化合物を含むエアストリームであることが可能である。図示されるように、図１０の方法６６は、第２のフィルタ層によって流体フローパスからの汚染物質が流体フローパスから除去されるステップ７４を含む。第１および第２のフィルタ層は、化学吸着媒体および物理吸着媒体をそれぞれ含むと好ましい。
【００５１】
上述のように、本発明のシステムのための第１および第２のフィルタ層の媒体は、特定の汚染物質濃度を前提として選択され、用意される。他の揮発性シリカ含有化合物に比較してより高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンについては、第１および第２のフィルタ層が、物理吸着媒体および化学吸着媒体をそれぞれ含むと好ましい。他の揮発性シリカ含有化合物より高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを有する流体フローパスについては、このシステムのための第１および第２のフィルタ層は、化学吸着媒体および物理吸着媒体をそれぞれ含む。
【００５２】
また、図１０の方法６６は、流体フローパスが半導体処理ツールに案内されるステップ７６を含む。処理ツールは、半導体クリーンルーム内に配設されると好ましい。上述のように、流体フローパスは、ツールに流体連通する。例えば、流体フローパスは、マイクロリソグラフィツールなどのリソグラフィツールに流体連通することが可能である。また、図１０の方法６６は、例えば第１のフィルタ層の前に、第２のフィルタ層によって汚染物質を除去するなどの、任意の適切な順序において実施することが可能である。
【００５３】
本明細書においては、好ましい実施形態と共に本発明を説明したが、当業者は、前述の明細書の読後に、本明細書に記載されるシステムまたは方法に対する変形、本明細書に記載されるシステムまたは方法の均等物による代替、および本明細書に記載されるシステムまたは方法に対する他のタイプの変更を行うことが可能である。また、上述の各実施形態には、他の実施形態のいずれかまたは全てについて開示されたような変形形態が共に含まれるまたは組み込まれることが可能である。したがって、本明細書に関する特許証によって与えられる保護の幅および範囲は、添付の特許請求の範囲およびその任意の均等物に含まれる定義によってのみ限定されることが意図される。
【図１】
2009543678.tif 000003
【図２】
2009543678.tif 000004
【図３】
2009543678.tif 000005
【図４】
2009543678.tif 000006
【図５】
2009543678.tif 000007
【図６】
2009543678.tif 000008
【図７】
2009543678.tif 000009
【図８】
2009543678.tif 000010
【図９】
2009543678.tif 000011
【図１０】
2009543678.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタリングシステムを提供するステップと、
ヘキサメチルジシロキサンまたはトリメチルシラノールのいずれかをより高い汚染物質濃度で含むガスフローパスをフィルタリングシステムに供給するステップと、
フィルタリングシステムの第１のフィルタ層によりガスフローパスからより高濃度の汚染物質を除去するステップと、
フィルタリングシステムの第２のフィルタ層によりガスフローパスからより低濃度の汚染物質を除去するステップであって、第１のフィルタ層がガスフローパスの途中で第２のフィルタ層の上流に位置するステップと
を含む、半導体処理ツールに連通するガスをフィルタリングするための方法。
【請求項２】
半導体処理ツールの作動においてガスフローパスを使用するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１のフィルタ層が、トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
フィルタリングシステムにエアフローを流すステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２のフィルタ層が、ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のフィルタ層が物理吸着媒体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
物理吸着媒体が活性炭を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第２のフィルタ層が化学吸着媒体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
化学吸着媒体が陽イオン交換樹脂を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
陽イオン交換樹脂がジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第２のフィルタ層が、酸性官能基を含むジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
酸性官能基がスルホン酸官能基またはカルボン酸官能基を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントまたはプリーツエレメントを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントまたはプリーツエレメントを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
半導体処理ツールがリソグラフィツールである、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
リソグラフィツールがマイクロリソグラフィツールである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
第１のフィルタ層が、ヘキサメチルジシロキサンよりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを除去する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ガスフローパスがエアを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
第２のフィルタ層が、トリメチルシラノールよりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを除去することが可能である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
第１のフィルタ層が化学吸着媒体を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
化学吸着媒体が陽イオン交換樹脂を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
陽イオン交換樹脂がジビニルベンゼンスチレンコポリマーを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
ジビニルベンゼンスチレンコポリマーが酸性官能基を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
酸性官能基がスルホン酸官能基またはカルボン酸官能基を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
第２のフィルタ層が物理吸着媒体を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
物理吸着媒体が活性炭を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
第１のフィルタ層が第１のフィルタ部材を含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
第１のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】
第１のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
第２のフィルタ層が第２のフィルタ部材を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項３３】
第２のフィルタ部材がハニカムエレメントを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
第２のフィルタ部材がプリーツエレメントを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項３５】
化学吸着媒体が化学的に酸性である、請求項８に記載の方法。
【請求項３６】
化学吸着媒体が化学的に酸性である、請求項２２に記載の方法。
【請求項３７】
第１のフィルタ層および第２のフィルタ層を含むフィルタシステムを作成する方法であって、
第２のフィルタ層の上流に第１のフィルタ層を配置するステップと、
ｉ）フィルタシステムを用いて浄化すべきガスフロー体がトリメチルシラノールの汚染物質濃度よりも高い汚染物質濃度のヘキサメチルジシロキサンを含む場合には、第１のフィルタ層については物理吸着媒体を、および第２のフィルタ層については化学吸着媒体を選択する、あるいは、ｉｉ）フィルタシステムを用いて浄化すべきガスフロー体がヘキサメチルジシロキサンの汚染物質濃度よりも高い汚染物質濃度のトリメチルシラノールを含む場合には、第１のフィルタ層については化学吸着媒体を、および第２のフィルタ層については物理吸着媒体を選択するステップと
を含む、方法。
【国際調査報告】
2009543678.tif 000013
2009543678.tif 000014
2009543678.tif 000015