(57)【要約】【課題】半導体装置プロセスに基づいて製造された金属ピンを使用して多層パッケージ構造物の層間を容易に電気的に接続することができる方法を提供する。【解決手段】高い段差比を有する金属ピンが下部基板に形成され、ビアホールが上部基板に形成される。金属ピンがビアホールに挿入され、下部基板と上部基板が接着されて電気的に接続される。金属ピンは厚い感光膜をパターニングしてメッキすることによって得られる。金属ピンはパターニングされたポリマーベースのピンの表面にメッキすることによって得られたコア部を有してもよい。はんだ又は金が、信号線と金属ピンの接着及び電気的な接続に使用される。上記電気的な接続方法は、従来の接続方法に比べて、簡単であり、構造的な安定性が改善されている。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの金属ピンを有する第１基板;
前記第１基板の上部に積層され、その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の金属ピンが挿入される少なくとも１つのビアホールを有する第２基板;
前記ビアホールに挿入された前記金属ピンの一端を前記第２信号線に連結する連結部を含み、前記連結部ははんだ部または金属直接接合部であることを特徴とする多層パッケージ構造物。
【請求項２】
前記金属ピンは前記第１信号線上に形成された導電性支持部と、前記導電性支持部の上部に形成された連結部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項３】
前記金属ピンは前記第１信号線上に配置されポリマー材料で形成されたコア部と、前記コア部の外表面にメッキされた連結部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項４】
前記導電性支持部とコア部の一方は階段式構造を有することを特徴とする、請求項２または３に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項５】
前記導電性支持部とコア部の一方は階段式構造を有し、階段式構造の下部が誘電体であることを特徴とする、請求項２または３に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項６】
前記第２信号線は前記ビアホールの位置に形成されたバンプを含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項７】
前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含み、前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項８】
前記第１基板の金属ピンは、階段式構造を有し、前記第２基板の下部面と接触して前記第２基板を支持する第１部分、前記第１部分より小さい面積で前記第１部分上に形成された第２部分及び前記第２部分上に形成された連結部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項９】
その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの第１金属ピンを有する第１基板;
前記第１基板の上部に積層され、その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の第１金属ピンが挿入される少なくとも１つの第１ビアホールと、前記第１ビアホールの上部に配置される少なくとも１つの第２金属ピンを有する第２基板;
前記第２基板の上部に積層され、その上部に形成された第３信号線と、前記第２基板の第２金属ピンが挿入される少なくとも１つの第２ビアホールを有する第３基板;
前記第１、第２ビアホールにそれぞれ挿入された前記第１、第２金属ピンを前記第２、第３信号線にそれぞれ連結する連結部を含むことを特徴とする多層パッケージ構造物。
【請求項１０】
前記第１基板と前記第２基板は、前記第１基板の表面実装部品（ＳＭＤ）、半導体装置、ＭＥＭＳ、集積回路（ＩＣ）を含む半導体装置を実装するための凹溝部をそれぞれ有することを特徴とする、請求項９に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項１１】
前記第１基板は前記第１金属ピンの第１部分によって限定された空間内の前記第１基板上に実装された半導体装置とＳＭＤの一方をさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項１２】
前記第１部分が誘電体であることを特徴とする、請求項８に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項１３】
前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含み、前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含むことを特徴とする、請求項１０または１１に記載の多層パッケージ構造物。
【請求項１４】
その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの金属ピンを有する第１基板を準備する段階;
その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の金属ピンが挿入される少なくとも１つのビアホールを有する第２基板を準備する段階;
前記第１基板の金属ピンを前記第２基板のビアホールに挿入する段階;及び
前記ビアホールに挿入された前記金属ピンを前記第２信号線に連結する段階を含むことを特徴とする多層パッケージ構造物の製造方法。
【請求項１５】
前記金属ピンはその端部にはんだメッキ層を有し、前記金属ピンを前記ビアホールに挿入した後、前記はんだメッキ層をリフローさせて前記金属ピンを前記第２信号線に連結することを特徴とする、請求項１４に記載の多層パッケージ構造物の製造方法。
【請求項１６】
前記金属ピンは前記ビアホールの位置に形成されたバンプを含み、前記金属ピンを前記ビアホールに挿入した後、前記バンプに熱と圧力を加えて前記金属ピンを前記第２信号線に連結することを特徴とする、請求項１４に記載の多層パッケージ構造物の製造方法。
【請求項１７】
前記金属ピンはポリマー材料で形成されたコア部と、前記コア部の外表面にメッキされた連結部を含み、
前記金属ピンはポリマー材料をパターニングした後、プラズマで処理してポリマー材料の表面を粗くし、二酸化珪素（ＳｉＯ２）のような誘電体膜を利用してマスキングしてメッキすることによって形成されることを特徴とする、請求項１４に記載の多層パッケージ構造物の製造方法。
【請求項１８】
前記第１基板と前記第２基板を結合する前に前記整列パターンを利用して前記第１基板と前記第２基板を整列する段階をさらに含み、前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含み、前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の多層パッケージ構造物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置のパッケージングに関し、より詳しくは、高い段差比を有する金属ピンを利用した多層パッケージ構造物及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多くの半導体装置の製造工程でパッケージング（ｐａｃａｋｇｉｎｇ）工程は半導体チップを外部環境から保護し、半導体チップを容易に使用できる形状に形成し、半導体チップの動作機能を保護するために実施されている。その結果、パッケージングは、半導体装置の信頼性を向上させる作業である。
最近半導体装置の集積度が向上し、半導体装置の機能が多様化することでパッケージング工程の傾向は次第にパッケージピンの少ない工程から多い多ピン化工程へ移っており、印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ‐Ｃｉｒｃｕｉｔ‐Ｂｏａｒｄ:ＰＣＢ）にパッケージを挿入する構造から表面に実装する方式である表面実装型形態（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）に転換している。このような表面実装型形態のパッケージはＳＯＰ（ＳｍａｌｌＯｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｌｅａｄｅｄ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ‐Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄ Ａｒｒａｙ）及びＣＳＰ（Ｃｈｉｐ‐Ｓｃａｌｅ‐Ｐａｃｋａｇｅ）など、多くの種類が紹介されている。
電子製品の軽薄短小化と関連した技術的要求のうちの１つはチップや配線を小さい面積内に高密度で実装しなければならないことである。このような要求を満足させるために半導体チップと配線を多層構造でパッケージングする多層パッケージが提案された。
従来の多層パッケージはベース層上に積層される少なくとも１つの上部層に複数のビア（ｖｉａ）ホールを形成する。これらビアホール内に電導性物質を充填して、この電導性物質をはんだやスタッドなどを利用してその上/下部に形成された信号線と電気的に連結する。
しかし、前記従来の連結方法はバンプが広がったり滑ることによって電導性物質と信号線との間の電気的連結レベルを要求どおりに得られない。またこの連結方法は工程が非常に複雑であるため製造原価が高い。また、多層間に介された接着剤によって電導性物質が信号線と結合されるので、構造的に不安定な短所がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、本発明の目的の１つは、多層に積層されたチップ間の電気的な連結を容易にすることによって価格競争力を確保することができる多層パッケージ構造物及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、従来のはんだバンプを利用して対象要素を電気的に連結するとバンプが広がったり滑ったりすることによって悪化していた対象要素間の電気的な連結を改善することができる多層パッケージ構造物及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、少なくとも１つの上部層を接着剤及び金属ピンによって固定することによって構造的に安定した多層パッケージ構造物及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記目的を達成するために本発明の一観点による多層パッケージ構造物は、その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの金属ピンを有する第１基板;前記第１基板の上部に積層され、その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の金属ピンが挿入される少なくとも１つのビアホールを有する第２基板;前記ビアホールに挿入された前記金属ピンを前記第２信号線に連結する連結部（又ははんだ部）を含む。
前記金属ピンは、導電性であって、前記第１信号線上に形成された支持部と、前記支持部の上部に形成された連結部を含むことができる。
【０００５】
前記金属ピンは前記第１信号線上に配置されポリマー材料で形成されたコア部と、前記コア部の外表面にメッキされた連結部を含むことができる。
【０００６】
前記支持部またはコア部は階段式構造を有する。
【０００７】
前記第２信号線は前記ビアホールの位置に形成されたバンプを含むことができる。
前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含み、前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含むことができる。
本発明の他の観点によると、多層パッケージ構造物は、その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの第１金属ピンを有する第１基板;前記第１基板の上部に積層され、その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の第１金属ピンが挿入される少なくとも１つの第１ビアホールと、前記第１ビアホールの上部に配置される少なくとも１つの第２金属ピンを有する第２基板;前記第２基板の上部に積層され、その上部に形成された第３信号線と、前記第２基板の第２金属ピンが挿入される少なくとも１つの第２ビアホールを有する第３基板;前記第１、第２ビアホールにそれぞれ挿入された前記第１、第２金属ピンを前記第２、第３信号線にそれぞれ連結する連結部（又ははんだ部）を含む。
前記第１基板と前記第２基板はＭＥＭＳ、集積回路（ＩＣ）を含む装置を実装するための凹溝部をそれぞれ有することができる。
前記第１基板の第１金属ピンは階段式構造を有する。前記第１金属ピンは前記第２基板の下部面と接触して前記第２基板を支持する第１部分、前記第１部分より狭い面積を持ち前記第１部分上に形成された第２部分及び前記第２部分上に形成された連結部を含む。前記第１基板は前記第１金属ピンの第１部分によって限定された空間内の前記第１基板上に実装されたＭＥＭＳ、ＩＣを含む装置をさらに含むことができる。
前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含む。前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含むことができる。
本発明の他の観点によると、多層パッケージ構造物の製造方法は、その上部に形成された第１信号線と、前記第１信号線と連結されて高い段差比を有する少なくとも１つの金属ピンを有する第１基板を準備する段階;その上部に形成された第２信号線と、前記第１基板の金属ピンが挿入される少なくとも１つのビアホールを有する第２基板を準備する段階;前記第１基板の金属ピンを前記第２基板のビアホールに挿入する段階;及び前記ビアホールに挿入された前記金属ピンを前記第２信号線に連結する段階を含む。
前記金属ピンはその端部にはんだメッキ層または金のような金属直接接合層を有し、前記金属ピンを前記ビアホールに挿入した後、前記はんだメッキ層をリフローさせて前記金属ピンを前記第２信号線に連結することができる。
前記金属ピンはその端部にはんだメッキ層を有し、前記金属ピンを前記ビアホールに挿入した後、前記挿入された金属ピンに熱と圧力を加えて前記金属ピンを前記第２信号線に連結することができる。
前記金属ピンは前記ビアホールの位置に形成されたバンプを含み、前記金属ピンを前記ビアホールに挿入した後、前記バンプに熱と圧力を加えて前記金属ピンを前記第２信号線に連結することができる。
前記金属ピンはポリマー材料で形成されたコア部と前記コア部の外表面にメッキされた連結部を含む。前記金属ピンはポリマー材料をパターニングした後、プラズマで処理してポリマー材料の表面を粗くし、二酸化珪素（ＳｉＯ２）を含む誘電体膜を利用してマスキングしてメッキすることによって形成することができる。
前記第１基板は前記第２基板との整列のための整列パターンをさらに含み、前記第２基板は、この第２基板を貫通し、前記整列パターンが挿入される第２ビアホールをさらに含む。前記第１基板と前記第２基板を結合する前に前記整列パターンを利用して前記第１基板と前記第２基板を整列する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明による金属ピンを利用した多層間電気的連結方法は、従来のビアホールを金属材料で充填した後、バンプ（スタッド又ははんだ）を利用して行ってきた電気的連結方法と比較して非常に工程が簡単である。したがって、多層構造を有するパッケージにおいてその製造原価を大きく減らすことができ、また金属ピンを利用して積層する場合には金属ピンが構造体を固定（又は支持）する役割を果たす。その結果、構造的にも安定した多層パッケージ構造物の実現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の様々な実施例を、添付した図面を参照して詳しく説明する。
図１乃至図３は本発明の実施例による異なるタイプの金属ピンを有する下部基板の構造を示す断面図である。
まず、図１を参照すると、下部基板１００は電気信号線４（以下「信号線」）が上部に形成されたベース基板２と、ベース基板２の上部面上に形成されて高い段差比（ａｓｐｅｃｔ-ｒａｔｉｏ）を有する金属ピン１０を含む。各金属ピン１０は支持部６と連結部８を含む。
金属ピン１０のより詳細な形態は、電気信号線４が形成されたベース基板２上にメッキにより金属層を形成する。その後、信号線４を含むベース基板２に厚い感光膜（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｆｉｌｍ）を塗布し、メッキする領域を露光してパターニングする。露光した部分の金属層に銅をメッキして金属ピン１０の支持部６を形成する。その後、銅メッキ部分にニッケル、はんだ（または金）を順次にメッキして金属ピン１０の連結部８を形成する。図１に示すように金属ピン１０は高い段差比を有する。
図２は変形例で、ポリマー材料をコア部として使用する金属ピンの構造を示す。
図２を参照すると、下部基板１１０は、信号線４が上部に形成されたベース基板２と金属ピン２０を含む。前記各金属ピン２０はポリマー材料を使用して形成されたコア部１２と前記コア部１２の外表面上に形成された連結部１４を含む。
金属ピン２０のより詳細な形態は、パターニングが可能な厚いポリマー材料を利用してピン構造を形成した後、ポリマーの表面をプラズマを利用して粗くし、スパッタコーティングを利用して全面を金属層で覆う。このようにするとポリマー材料の粗い面の全面に金属層を形成することができる。二酸化珪素（ＳｉＯ２）のような絶縁マスク物質を形成した後、その上に銅、ニッケル、はんだまたは金をメッキする。表面が粗くなったポリマー材料のみ選択的にメッキされて図２のような金属ピン２０を形成することができる。
図３は別の金属ピン３０を有する下部基板１２０を示す。図１に示す金属ピン１０の支持部６は階段式構造を有する。下部基板１２０の各階段式構造を有する支持部２２は第１部分２４と第２部分２６を含む。
図３に示された下部基板１２０は図１で説明した製造方法を反復的に利用して得られる。階段式構造を有する金属ピン３０のより詳細な形成方法は、まず、フォトレジストフィルム（ＰＲ）を利用したパターニングを２回行い、銅をメッキ領域に厚くメッキして支持部２２の第１、第２部分（２４、２６）を形成する。その後、ニッケル、はんだまたは金を順次にメッキして連結部２８を形成する。
このような階段構造はポリマー材料をコア部として有する金属ピンを反復製作する方法、金属のみからなる構造とポリマー材料をコア部として有する金属構造を混合して製作する方法、支持部の第１部分を誘電体で形成する方法の全てに適用することができる。
図３に示すように、支持部２６の第１部分２４として誘電体を使用する場合には金属層を誘電体２４上に形成し、フォトレジストフィルムを使用してパターニングする。その後、メッキを行うことによって支持部２２の第２部分２６と連結部２８を形成する。
図４は本発明によるボンディングバンプとビアホールが形成された上部基板２２０を示す断面図である。
図示するように、上部基板２２０は次のように製造される。まず、電気的信号線２０４を別のベース基板２０２の上部面に形成し、メッキのための金属層を前記他のベース基板２０２に形成する。パターニングとメッキを利用して、前記他のベース基板２０２の所定領域にバンプ２０６を形成し、そこにボンディングする時に熱と圧力が加えられるビアホールを形成する。上述のように、ビアホールは、ボンディングする時に上部層と下部層との間を電気的に連結する。これらの連続工程が完了した後、前記他のベース基板２０２を逆にしてバンプ２０６の対応位置に前記ビアホール２０８を形成する。特にビアホール２０８はプラズマまたは化学的エッチング方法などを利用して形成する。必要な場合、スクリーン印刷法またはディスペンサーを使用して前記他のベース基板２０２の裏面に接合のためのエポキシ層２１０を形成することもできる。
図５は、図４に示すバンプ２０６がなくビアホール２０８が完全に貫通した構造を有する上部基板２３０の構造を示す。図５に示す上部基板２３０の構造は次のように製造される。図４で説明した製作方法と同様に、別のベース基板２０２上に別の信号線２１４を形成した後、前記他のベース基板２０２を逆にしてこのベース基板２０２を貫通するビアホール２０８を形成する。特に前記ビアホール２０８は、化学的エッチング方法、レーザー又は機械的なドリルなどの機械的な方法を使用して形成する。必要な場合には前記他のベース基板２０２の裏面にエポキシ層２１０を形成する。
図６と図７は、本発明の実施例による電気的連結のための多層パッケージ構造物を示す。特に多層パッケージ構造物は、それぞれ図１と図５で説明した方法に基づいて製造された下部基板１００と上部基板２３０を積層することによって得られる。
図６を参照すると、まず、金属ピン１０が形成された下部基板１００とビアホール２０８が形成された上部基板２３０を相互に整列する。下部基板１００を上部基板２３０に嵌め合わせ、必要な場合にはエポキシ層２１０によって下部基板１００と上部基板２３０が容易に接着するように圧力を加える。この時、金属ピン１０は、連結部８（つまり、はんだ部分）が外部に突出するようにビアホール２０８の深さよりさらに高くなければならない。
このように突出した連結部８にリフロー処理が行われると、連結部８が元の形状からボール状に変化する。連結部８のこの変化した形状を図７に示す。ボール状連結部を符号８’で示す。この形状の変化により前記他の信号線２１４と電気的に連結される。
図８と図９は、図６と図７で説明した電気的連結方法を変形した方法を使用した多層パッケージ構造物を示す。特に金属直接接合層部分（はんだ又は金をベースとした層）に熱と機械的な力を加えて電気的接合をなす。この変形した電気的連結方法は図１乃至図３で説明した金属ピン１０，２０，３０に対して適用が可能であり、特に、図２に示す金属ピン２０の場合に効果的に使用できる方法である。
上述した電気的連結方法と同様に、この変形した電気的連結方法は、連続した操作によって、金属ピン２０と周辺部の電極とを電気的に連結する。より具体的には、ポリマー材料をコア部１２として有する金属ピン２０をビアホール２０８に整列して嵌め込む。その後、突き出た金属ピン２０の端部に熱と機械的圧力を加えて電気的連結をなすようにする。
図１０は、本発明の他の実施例による他の連結方法を使用した多層パッケージ構造物を示す。この多層パッケージ構造物は、図４に示す構造と実質的に同じ構造の上部基板２４０と、図１に示す構造と実質的に同じ構造の下部基板３００とを使用して得られる。上部基板２４０と下部基板３００を相互に整列したとき、下部基板３００の金属ピン６０は見えない。このように、下部基板３００は、上部基板２４０と下部基板３００を整列させるためにさらに整列パターン６２を有する。この整列パターン６２が挿入されるビアホール７８は上部基板２４０を貫通して形成され、この整列パターン６２はビアホール７８から見えるようにする。整列パターン６２は、上部基板２４０と下部基板３００の結合のために使用することができるだけでなく、結合した後に上部基板２４０と下部基板３００を安定的に支持することもできる。上部基板２４０の上端に熱と圧力を加えると、金属ピン６０が挿入された別のビアホール８２の上部バンプ７６から熱と圧力が金属ピン６０に伝達され、その結果、金属ピン６０の連結部５８が溶融して上部基板２４０の信号線７４と下部基板３００の対応する金属ピン６０が電気的に連結される。
図１１と図１２は、図１０で説明した他の電気的連結方法を使用した好ましい３層のパッケージ構造物を示す。
図１１を参照すると、ＭＥＭＳ４３０と集積回路（ＩＣ）４２０を下部基板４００に実装するため、下部基板４００と最初の上部基板５００のそれぞれに溝（４０４、５１０）を形成する。図１２を参照すると、下部基板４００は、図３で説明した金属ピン構造を持つように設計され、層間に空間が生成されている。この空間にＭＥＭＳ４３０とＩＣ４２０が実装される。
より具体的には、図１２において、第１金属ピン４５０は階段状に形成される。各第１金属ピン４５０は、第１部分４５２、第２部分４５４及びはんだ部４５６を含む。第１部分４５２は、最初の上部基板５２０を支持するためにこの上部基板５２０の下部面の下に配置される。第２部分４５４は、第１部分４５２よりも小さい面積を持つことにより第１部分４５２に形成される。はんだ部４５６は、第２部分４５４に形成される。
最初の上部基板５２０はその上部に形成された第２金属ピン５１９を含み、最初の上部基板５２０に積層された次の上部基板６００と電気的に連結される。第２金属ピン５１９は、次の上部基板６００の対応する位置に形成されたビアホールに挿入される。
本発明の好ましい実施例は、添付図面を参照して説明されるが、本発明は、提供した好ましい実施例及び図面に限定して解釈されるべきではなく、通常の知識を有する者によって、本発明の趣旨から外れないように細部を変更することも理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
本発明の上記特徴は、添付図面に基づく好ましい実施例の説明により理解される。
【図１】電導性物質で形成され、高い段差比を持つ金属ピンを有する下部基板の構造を示す断面図である。
【図２】ポリマー材料をコア部として使用し、高い段差比を持つ金属ピンを有する下部基板の構造を示す断面図である。
【図３】高い段差比を持ち、２回の反復工程を通じて形成された階段形態の構造の金属ピンを有する下部基板の構造を示す断面図である。
【図４】図１乃至図３に示す下部基板の金属ピンを挿入するためのビアホールが形成された上部基板の構造を示す断面図である。
【図５】図１乃至図３に示す下部基板の金属ピンを挿入するためのビアホールが形成された上部基板の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例であり、上部基板と下部基板が結合する時、電気的連結をなすための連結部の断面図である。
【図７】本発明の実施例であり、上部基板と下部基板が結合する時、電気的連結をなすための連結部の断面図である。
【図８】本発明の他の実施例であり、上部基板と下部基板が結合する時、電気的連結をなすための連結部の断面図である。
【図９】本発明の他の実施例であり、上部基板と下部基板が結合する時、電気的連結をなすための連結部の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例であり、上部基板と下部基板が結合する時、電気的連結をなすための連結部の断面図である。
【図１１】図１に示す金属ピンを有する下部基板と、図４に示すビアホールを有する上部基板とを積層することによって得られた３層構造の多層パッケージモジュールを示す断面図である。
【図１２】図３に示す金属ピンを有する下部基板と、図４に示すビアホールを有する上部基板とを積層することによって得られた３層構造の多層パッケージモジュールを示す断面図である。
【符号の説明】
【００１１】
２    ベース基板
４    信号線
６、２２    支持部
８、１４、２８、５８    連結部
１０、２０、３０、６０    金属ピン
１２    コア部
２４    第１部分
２６    第２部分
６２    整列パターン
７４、２１４    信号線
７６、２０６    バンプ
７８、８２、２０８    ビアホール
１００、１１０、１２０、３００、４００    下部基板
２０２    ベース基板
２１０    エポキシ層
２２０、２３０、２４０、５００、５２０    上部基板
４２０    ＩＣ
４３０    ＭＥＭＳ
４５０    第１金属ピン
４５２    第１部分
４５４    第２部分
４５６    はんだ部
５１９    第２金属ピン
【図１】
2009528707.tif 000003
【図２】
2009528707.tif 000004
【図３】
2009528707.tif 000005
【図４】
2009528707.tif 000006
【図５】
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【図６】
2009528707.tif 000008
【図７】
2009528707.tif 000009
【図８】
2009528707.tif 000010
【図９】
2009528707.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2009528707.tif 000014
【国際調査報告】
2009528707.tif 000015
2009528707.tif 000016