(57)【要約】式（Ｉ）、（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）〔式中、Ｒ１は、例えば、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニル、カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル又はヘテロアリールスルホニルであり、Ｒ′１は、例えば、フェニレンジスルホニルであり、Ｒ２は、例えば、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル又は（ＩＶ）で置換されているＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；Ａｒ１は、例えば、式（ＩＶ）の基で場合により置換されているフェニルであり；Ａｒ′１は、例えば、式（ＩＶ）の基で場合により置換されているフェニレンであり； Ａ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、例えば、水素、ハロゲン、ＣＮ又はＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；Ｄ２は、例えば、直接結合、Ｏ、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、ＳＯ２、ＯＳＯ２又はＣ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いはＡ３及びＤ２は、一緒になって、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いはＡ２及びＤ２は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；Ｄ３及びＤ４は、例えば、互いに独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン又はＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレンであるが、但し、少なくとも１つのラジカルＲ２、Ａｒ１又はＡｒ１′は、式（ＩＶ）の基を含む〕で示される化合物は、光潜在性の酸供与体として、及び化学的に増幅されたフォトレジストに用いられる対応するポリマーの調製のために適している。
2009541254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩ：
【化８５】
2009541254.tif 000096
〔式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニルスルホニル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルスルホニル、１つ以上のＯで割り込まれているＣ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、又は１つ以上のＯで割り込まれているＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであり；
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニルスルホニル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルスルホニル、割り込まれたＣ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル及び割り込まれたＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されているか；或いは 
Ｒ１は、カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル又はヘテロアリールスルホニルであり、
ここで、基カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル及びヘテロアリールスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており；  
ここで全てのラジカルＲ１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｒ′１は、フェニレンジスルホニル、ナフチレンジスルホニル、下記：
【化８６】
2009541254.tif 000097
ジフェニレンジスルホニル又はオキシジフェニレンジスルホニルであり、
ここで、基フェニレンジスルホニル、ナフチレンジスルホニル、下記：
【化８７】
2009541254.tif 000098
ジフェニレンジスルホニル及びオキシジフェニレンジスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されているか；或いは 
Ｒ′１は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキレンジスルホニル又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキレンジスルホニルであり；
ここで全てのラジカルＲ′１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｒ２は、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、又はＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７、ＯＳＯ２Ｒ７及び／若しくは式ＩＶ：
【化８８】
2009541254.tif 000099
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１は、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、
ここで、基フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びヘテロアリールは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は 
式ＩＶ：
【化８９】
2009541254.tif 000100
の基、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており； 
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントリル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の更なる置換基と又はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントリル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成し； 
ここで全てのラジカルＡｒ１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ａｒ′１は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【化９０】
2009541254.tif 000101
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン若しくは下記：
【化９１】
2009541254.tif 000102
であり；
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【化９２】
2009541254.tif 000103
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン及び下記：
【化９３】
2009541254.tif 000104
は、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
式ＩＶ：
【化９４】
2009541254.tif 000105
の基により置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており、
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【化９５】
2009541254.tif 000106
ヘテロアリーレン、下記：
【化９６】
2009541254.tif 000107
若しくはオキシジフェニレン環の更なる置換基と又はフェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記
【化９７】
2009541254.tif 000108
ヘテロアリーレン、下記：
【化９８】
2009541254.tif 000109
若しくはオキシジフェニレン環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成するか；或いは
Ａｒ′１は、−Ａｒ″１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ１−Ａｒ″１−であり；
ここで全てのラジカルＡｒ′１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており、
Ａｒ″１は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレンであり：
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレンは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており、
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレン環の更なる置換基と又はフェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレン環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成し；
ここで全てのラジカルＡｒ″１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｘ１は、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、Ｓ（ＣＯ）、ＮＲ６（ＣＯ）、ＳＯ、ＳＯ２又はＯＳＯ２であるか；或いは
Ｘ１は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン又はフェニレンであり、ここでこれらのラジカルは、非置換であるか又は１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル、ハロゲン、ＯＲ３及び／若しくはＳＲ６により置換されており；
Ｙ１は、場合により、ＯＲ３、ＳＲ６、ハロゲン、フェニル及び／又は式ＩＶ：
【化９９】
2009541254.tif 000110
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは
Ｙ１は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれ、場合により、式ＩＶ：
【化１００】
2009541254.tif 000111
の基により置換されているＣ２〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ′３は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであるか；或いは 
Ｒ′３は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ′３は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり； 
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ３は、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであり；これらは全て、場合により、式ＩＶ：
【化１０１】
2009541254.tif 000112
の基により置換されているか；或いは
Ｒ３は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ３は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり； 
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ、ベンゾイルオキシ及び／又は式ＩＶ：
【化１０２】
2009541254.tif 000113
の基により置換されているか；或いは
Ｒ３は、水素であり；
Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり；
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１８ジアルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されているか；或いは
Ｒ４及びＲ５は、それらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、ＮＲ８又はＣＯで割り込まれている５員、６員又は７員環を形成し；
Ｒ６は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ６は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり；
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ７は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ７は、フェニル又はナフチルであり、両方とも、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており； 
Ｒ８は、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル又はフェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであり；
Ａｒ２は、フェニル、ビフェニリル又はナフチルであり、
ここで、基フェニル、ビフェニリル及びナフチルは、場合により、１つ以上のＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ａ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、水素、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、ＯＲ３により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであるか；或いはＡ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３又は（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５であり； 
Ｄ２は、直接結合、Ｏ、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ２、ＯＳＯ２，  Ａｒ′２、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは 
Ａ３及びＤ２は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは
Ａ２及びＤ２は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し； 
Ｄ３及びＤ４は、互いに独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ、ＳＯ２、ＯＳＯ２、Ａｒ′２、下記：
【化１０３】
2009541254.tif 000114
Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニレン、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニレンであり；
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニレン、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキレン、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン及び割り込まれたＣ２〜Ｃ１２アルケニレンは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；  
ここで、全てのラジカルＤ３及びＤ４は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ａｒ′2は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン又はヘテロアリーレンであり：
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン及びヘテロアリーレンは、場合により、１つ以上のＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ２ａは、Ｒ２において提示された意味のうちの１つを有するが； 
但し、ラジカルＲ２、Ｒ３、Ａｒ１又はＡｒ１′のうちの少なくとも１つは、式ＩＶの基を含む〕
で示される化合物。
【請求項２】
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであるか；或いは 
Ｒ１が、場合により、１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン又はＮＯ２で置換されているフェニルスルホニルであり：
Ｒ′１が、フェニレンジスルホニル又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキレンジスルホニルであり；
Ｒ２が、ＣＮ又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１が、フェニル、フルオレニル、ナフチル又はヘテロアリールであり、
これらが全て、場合より、１つ以上のＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ７又は式ＩＶ：
【化１０４】
2009541254.tif 000115
の基により置換されており：
Ｒ２ａが、Ｒ２において提示された意味のうちの１つを有し； 
Ａｒ′１が、場合により、式ＩＶ：
【化１０５】
2009541254.tif 000116
の基により置換されているフェニレン又はヘテロアリーレンであるか；或いは
Ａｒ′１が、−Ａｒ″１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ１−Ａｒ″１−であり；
Ａｒ″１が、フェニレン又はナフチレンであり； 
Ｘ１が、Ｏ、ＮＲ６又はＳであり；
Ｙ１が、場合により、式ＩＶ：
【化１０６】
2009541254.tif 000117
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ３が、場合により、式ＩＶ：
【化１０７】
2009541254.tif 000118
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ｒ４及びＲ５が、互いに独立して、水素、場合により式ＩＶ：
【化１０８】
2009541254.tif 000119
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ｄ２が、（ＣＯ）Ｏ、Ａｒ′２、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは 
Ａ３及びＤ２が、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＮ又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは
Ａ２及びＤ２が、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＮ又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；
Ｄ３及びＤ４が、互いに独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、（ＣＯ）Ｏ、Ａｒ′２、下記：
【化１０９】
2009541254.tif 000120
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、１つ以上のＯ、ＣＯ、ＮＲ６及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレンであり； 
Ｒ６が、水素であり；そして
Ａ′２が、フェニレンである 
請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの化合物。
【請求項３】
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであるか；或いはＲ１が、場合によりＣ１〜Ｃ１０ハロアルキル又はＮＯ２により置換されているフェニルスルホニルであり：
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１が、フェニル、フルオレニル、ナフチル又はヘテロアリールであり、これらが全て、式ＩＶ：
【化１１０】
2009541254.tif 000121
の基により置換されており；
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
Ｄ２が、（ＣＯ）Ｏであり；
Ｄ３及びＤ４が、互いに独立して、直接結合、（ＣＯ）Ｏ、Ｏ、下記：
【化１１１】
2009541254.tif 000122
Ｃ２〜Ｃ１８アルキレン、又は１つ以上のＣＯ若しくはＮＲ６で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ２ａが、ＣＮであり；そして
Ｒ６が、水素である
請求項１記載の式Ｉの化合物。
【請求項４】
請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位を含むポリマー。
【請求項５】
請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位に加えて、式Ｖ：
【化１１２】
2009541254.tif 000123
〔式中、
Ａ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、水素、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、ＯＲ３により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであるか；或いはＡ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３又は（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５であり； 
Ａ４は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、
Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニル、
Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであり、
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル及び割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＲ３、（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ及び／又は（４−メチルフェニル）スルホニルオキシにより置換されているか；或いは 
Ａ４は、水素、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７であり；
Ｄ５は、直接結合、Ｏ、ＣＯ、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ２又はＯＳＯ２であるか；或いは 
Ｄ５は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは
Ｄ５は、基Ａｒ′２であり； 
場合により、ラジカルＡ３及びＤ５は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは 
場合により、ラジカルＡ２及びＤ５は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ａｒ′２及びＡｒ２は、請求項１で定義されたとおりである〕
で示される群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される１つ以上の同一又は異なる反復単位を含む、請求項４記載のポリマー。
【請求項６】
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ１８アルキルであり； 
Ａ４が、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであり； 
ここで、基Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキル及び割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルが、場合により、１つ以上のＯＲ３、（ＣＯ）ＯＲ３又はＯ（ＣＯ）Ｒ７で置換されており；
Ｄ５が、（ＣＯ）Ｏであり；
Ｒ３が、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、又は 
１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであるか；或いは 
Ｒ３が、水素であり；
Ｒ７が、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであるか；或いは 
Ｒ７が、水素である
請求項５記載のポリマー。
【請求項７】
下記：
（ａ）酸の作用で硬化する化合物、又はその溶解度が酸の作用で増加する化合物、並びに／或いは 
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は請求項４記載のポリマー
を含む、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物。
【請求項８】
ポジティブレジストである、請求項７記載の化学的に増幅されたフォトレジスト組成物。
【請求項９】
下記：
（ｂ）請求項４記載の少なくとも１つのポリマー
を含む、請求項８記載の化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
下記：
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位を含む少なくとも１つのポリマーと、
請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と、
式ＶＩ：
【化１１３】
2009541254.tif 000124
〔式中、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４及びＡｒ′２は、請求項５で定義されたとおりである〕
で示される群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と
を含む、請求項８記載の化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
下記：
（ａ１）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１つのポリマー；及び／又は
（ａ２）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１つのモノマ−又はオリゴマー溶解抑制剤；及び／又は
（ａ３）少なくとも１つのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物；並びに
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は請求項４記載のポリマー
を含む、請求項８記載の化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
下記：
（ａ１）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１種のポリマー；及び／又は
（ａ２）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１種のモノマ−又はオリゴマー溶解抑制剤；及び／又は
（ａ３）少なくとも１つのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物；並びに
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、請求項１０で定義された式ＶＩの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、請求項８記載の化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物。
【請求項１３】
ネガティブレジストである、請求項７記載の化学的に増幅されたフォトレジスト組成物。
【請求項１４】
下記：
（ａ５）酸の触媒作用を受けると、それ自体で、及び／又は他の成分と架橋反応を起こす成分；並びに
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、請求項１３記載の化学的に増幅されたネガティブフォトレジスト組成物。
【請求項１５】
下記：
（ａ４）結合剤としてアルカリ可溶性樹脂；
（ａ５）酸の触媒作用を受けると、それ自体で、及び／又は結合剤と架橋反応を起こす成分；並びに
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、請求項１３記載の化学的に増幅されたネガティブフォトレジスト組成物。
【請求項１６】
成分（ｂ）、又は成分（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）及び（ｂ）、又は成分（ａ５）及び（ｂ）、又は成分（ａ４）、（ａ５）及び（ｂ）に加えて、更なる添加剤（ｃ）、更なる感光性酸供与体化合物（ｂ１）、他の光開始剤（ｄ）及び／又は増感剤（ｅ）を含む、請求項７〜１５のいずれか１項記載の化学的に増幅されたフォトレジスト組成物。
【請求項１７】
（１）請求項７記載の組成物を基材に適用すること；
（２）組成物を６０℃〜１６０℃の温度で適用後焼き付けすること；
（３）１０nm〜１５００nmの波長の光を用いて像様式に照射すること；
（４）場合により、組成物を６０℃〜１６０℃の温度で曝露後焼き付けすること；及び 
（５）溶媒又はアルカリ性現像水溶液で現像すること
による、フォトレジストの調製プロセス。
【請求項１８】
下記：
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と、請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位とを含む少なくとも１つのポリマー
を含む組成物。
【請求項１９】
下記：
（ａ）酸の作用で硬化する化合物、又はその溶解度が酸の作用で増加する化合物；並びに 
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む組成物。
【請求項２０】
酸の作用下で架橋されうる組成物における光潜在性の酸供与体として及び／又は溶解度が酸の作用下で増加される組成物における溶解増強剤としての、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用。
【請求項２１】
酸の作用下で架橋されうる化合物又はその溶解度が酸の作用下で増加される化合物を架橋するプロセスであって、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、並びに／又は請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを上記の組成物に加え、１０〜１５００nmの波長を有する光により像様式に又は全領域を照射することを含む方法。
【請求項２２】
表面コーティング、印刷インク、印刷版、歯科組成物、カラーフィルター、レジスト、又は画像記録材料若しくはホログラフ像を記録する画像記録材料の調製における感光性酸供与体としての、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用。
【請求項２３】
表面コーティング、印刷インク、印刷版、歯科組成物、カラーフィルター、レジスト、又は画像記録材料若しくはホログラフ像を記録する画像記録材料の調製のための、請求項２１記載のプロセス。
【請求項２４】
カラーフィルター又は化学的に増幅されたレジストの調製における感光性酸供与体としての、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用。
【請求項２５】
カラーフィルター又は化学的に増幅されたレジストの調製のための、請求項２１記載のプロセス。
【請求項２６】
全て、感光性樹脂、及び顔料及び／又は染料を含む、赤色、緑色及び青色の画素及び黒色のマトリックスを透明な基材上に提供すること、並びに基材の表面又はカラーフィルター層の表面のいずれかに透明な電極を提供することにより調製され、前記感光性樹脂が、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により請求項５で定義された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、感光性酸供与体として含む、カラーフィルター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合可能なエチレン性不飽和基を有する新規オキシムスルホネート、前記化合物から誘導される反復単位を含むポリマー、前記化合物及び／又は前記ポリマーを含む化学的に増幅されたフォトレジスト組成物、並びに化学電磁放射線及び電子ビームを用いる照射により活性化されうる潜酸としての化合物及び／又はポリマーの使用に関する。
【０００２】
ＵＳ４５４０５９８では、感光性オキシムスルホネート化合物、例えば４−クロロ−α−トリフルオロアセトフェノンオキシムベンゼンスルホネート及び慣用の酸硬化性樹脂を含む表面コーティング組成物が開示されている。ＵＳ５６２７０１１及びＵＳ５７５９７４０では、α−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド及びα−（４−トルエンスルホニルオキシイミノ）−３−チエニルメチルシアニドの、波長３４０〜３９０nmの化学的に増幅されたポジティブ及びネガティブフォトレジストにおける、特に水銀ｉ線の照射領域（３６５nm）のものにおける潜酸触媒としての使用が記載されている。ＧＢ２３０６９５８では、波長１８０〜６００nmのポジティブ及びネガティブフォトレジストにおける、特に３９０nmを越える照射領域のものにおける、潜酸供与体としてのオキシムスルホネートの使用が報告されている。ＵＳ５７１４６２５では、非芳香族α−（アルキルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル及びα−（アルキルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリルが開示されている。ＥＰ２４１４２３では、オキシルスルホネート化合物は、非化学的に増幅されたポジティブレジストにおいて、光潜在性の酸発生剤として約２５％の濃度で用いられている。ＵＳ６２６１７３８及びＷＯ０２／０２５３７６では、オキシムスルホネート化合物は、深ＵＶ領域での用途に特に適切であるポジティブ及びネガティブフォトレジストにおける潜酸供与体として記載されている。ＥＰ１９９６７２（ＵＳ４７３６０５５）では、重合可能な不飽和基を有するオキシムスルホネート及び前記オキシムスルホネートを含むポリマーが、フォトレジストの成分として記載されている。ＵＳ５２１３９４６、ＪＰ１０−２２１８５２−Ａ、ＪＰ１１−２１８９２６−Ａでは、化学的に増幅された組成物のための、結合オキシムスルホネート基を有するポリマーが開示されており、前記オキシムスルホネート基は、スルホネート部分を介してポリマー鎖に固定されている。ＪＰ０５−１９４７７−Ａでは、発色団を介して結合している、結合オキシムスルホネート基を有するポリマーが、非化学的に増幅された組成物のために記載されている。
【０００３】
当該技術において、熱的及び化学的に安定であり、光、ＵＶ線、Ｘ線照射又は電子ビームにより活性化した後、重縮合反応、酸触媒解重合反応、酸触媒求電子置換反応又は保護基の酸触媒除去のような多様な酸触媒反応に触媒として使用することができる、反応性で非イオン性の潜酸供与体の必要性が存在する。深ＵＶ範囲のみならず、例えばｇ線（４３６nm）、ｉ線（３６５nm）、ＫｒＦ（２４８nm）、ＡｒＦ（１９３nm）及びＥＵＶ（１３．５nm）のような広範囲の波長においても高い安定性、高い感受性及び高い解像度を有する潜酸触媒の特別な必要性が存在する。加えて、特にフォトレジスト層が暴露の際に水に浸漬される浸漬リソグラフィーにおいて、水媒質に対して非浸出特性を有する潜酸触媒の新たな必要性が生じている。
【０００４】
驚くべきことに、下記に記載されるように、特定のオキシムスルホネート及びオキシムスルホネートが発色団を介して結合しているポリマーは、安定しており、広範囲の光源に対して極めて活性であることが現在見出されている。本発明のオキシムスルホネート及びオキシムスルホネートが発色団を介して結合しているポリマーは、化学的に増幅されたフォトレジストの用途において、前記の酸触媒反応のための触媒として特に適切である。加えて、本発明のオキシムスルホネート及び発色団を介して結合しているオキシムスルホネートを有するポリマーは、水媒質に対するその非浸出特性のために浸漬リソグラフィーにおいて適切である。更に、本発明のオキシムスルホネート及び発色団を介して結合しているオキシムスルホネートを有するポリマーを含む化学的に増幅されたフォトレジスト組成物は、加工の際の高い焼付け温度に対しても熱的に安定しており、高い写真感度を提供する。
【０００５】
本発明の主題は、式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩ：
【０００６】
【化１】
2009541254.tif 000003
【０００７】
〔式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニルスルホニル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルスルホニル、１つ以上のＯで割り込まれているＣ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、又は１つ以上のＯで割り込まれているＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであり；
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニルスルホニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニルスルホニル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルスルホニル、割り込まれたＣ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル及び割り込まれたＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されているか；或いは 
Ｒ１は、カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル又はヘテロアリールスルホニルであり、
ここで、基カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル及びヘテロアリールスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており；  
ここで全てのラジカルＲ１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｒ′１は、フェニレンジスルホニル、ナフチレンジスルホニル、下記：
【０００８】
【化２】
2009541254.tif 000004
【０００９】
ジフェニレンジスルホニル又はオキシジフェニレンジスルホニルであり、
ここで、基フェニレンジスルホニル、ナフチレンジスルホニル、下記：
【００１０】
【化３】
2009541254.tif 000005
【００１１】
ジフェニレンジスルホニル及びオキシジフェニレンジスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ′３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ′３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ′３、ＯＲ′３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されているか；或いは 
Ｒ′１は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキレンジスルホニル又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキレンジスルホニルであり；
ここで全てのラジカルＲ′１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｒ２は、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、又はＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７、ＯＳＯ２Ｒ７及び／若しくは式ＩＶ：
【００１２】
【化４】
2009541254.tif 000006
【００１３】
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１は、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、
ここで、基フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル及びヘテロアリールは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は 
式ＩＶ：
【００１４】
【化５】
2009541254.tif 000007
【００１５】
の基、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており； 
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントリル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の更なる置換基と又はフェニル、ビフェニリル、ナフチル、アントリル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成し； 
ここで全てのラジカルＡｒ１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ａｒ′１は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【００１６】
【化６】
2009541254.tif 000008
【００１７】
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は下記：
【００１８】
【化７】
2009541254.tif 000009
【００１９】
であり；
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【００２０】
【化８】
2009541254.tif 000010
【００２１】
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン及び下記：
【００２２】
【化９】
2009541254.tif 000011
【００２３】
は、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
式ＩＶ：
【００２４】
【化１０】
2009541254.tif 000012
【００２５】
の基により置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており、
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【００２６】
【化１１】
2009541254.tif 000013
【００２７】
ヘテロアリーレン、下記：
【００２８】
【化１２】
2009541254.tif 000014
【００２９】
若しくはオキシジフェニレン環の更なる置換基と又はフェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記 
【００３０】
【化１３】
2009541254.tif 000015
【００３１】
ヘテロアリーレン、下記：
【００３２】
【化１４】
2009541254.tif 000016
【００３３】
若しくはオキシジフェニレン環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成するか；或いは
Ａｒ′１は、−Ａｒ″１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ１−Ａｒ″１−であり；
ここで全てのラジカルＡｒ′１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており、
Ａｒ″１は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレンであり：
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレンは、場合により、１つ以上の、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／若しくはＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルにより置換されているか；又は
ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／若しくはＯＳＯ２Ｒ７により置換されており、
場合により、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレン環の更なる置換基と又はフェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、ヘテロアリーレン環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成し；
ここで全てのラジカルＡｒ″１は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ｘ１は、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、Ｓ（ＣＯ）、ＮＲ６（ＣＯ）、ＳＯ、ＳＯ２又はＯＳＯ２であるか；或いは
Ｘ１は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン又はフェニレンであり、ここでこれらのラジカルは、非置換であるか又は１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキル、ハロゲン、ＯＲ３及び／若しくはＳＲ６により置換されており；
Ｙ１は、場合により、ＯＲ３、ＳＲ６、ハロゲン、フェニル及び／又は式ＩＶ：
【００３４】
【化１５】
2009541254.tif 000017
【００３５】
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは
Ｙ１は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれ、場合により、式ＩＶ：
【００３６】
【化１６】
2009541254.tif 000018
【００３７】
の基により置換されている、Ｃ２〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ′３は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであるか；或いは 
Ｒ′３は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ′３は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり； 
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ３は、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであり；これらは全て、場合により、式ＩＶ：
【００３８】
【化１７】
2009541254.tif 000019
【００３９】
の基により置換されているか；或いは
Ｒ３は、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ３は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり； 
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ、ベンゾイルオキシ及び／又は式ＩＶ：
【００４０】
【化１８】
2009541254.tif 000020
【００４１】
の基により置換されているか；或いは
Ｒ３は、水素であり；
Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり；
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上の、Ａｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１８ジアルキルアミノ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されているか；或いは
Ｒ４及びＲ５は、それらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、ＮＲ８又はＣＯで割り込まれている５員、６員又は７員環を形成し；
Ｒ６は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ８、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ６は、フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル又はフェナントリルスルホニルであり；
ここで、基フェニル、ナフチル、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイル、ベンゾイル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル及びフェナントリルスルホニルは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ７は、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニルであるか；或いは
Ｒ７は、フェニル又はナフチルであり、両方とも、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており； 
Ｒ８は、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル又はフェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであり；
Ａｒ２は、フェニル、ビフェニリル又はナフチルであり、
ここで、基フェニル、ビフェニリル及びナフチルは、場合により、１つ以上のＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ａ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、水素、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、ＯＲ３により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであるか；或いはＡ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３又は（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５であり； 
Ｄ２は、直接結合、Ｏ、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ２、ＯＳＯ２，  Ａｒ′２、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは 
Ａ３及びＤ２は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは
Ａ２及びＤ２は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；
Ｄ３及びＤ４は、互いに独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ、ＳＯ２、ＯＳＯ２、Ａｒ′２、下記：
【００４２】
【化１９】
2009541254.tif 000021
【００４３】
Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニレン、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニレンであり；
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニレン、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキレン、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニレン及び割り込まれたＣ２〜Ｃ１２アルケニレンは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＨ、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；  
ここで、全てのラジカルＤ３及びＤ４は、場合により、追加的に、酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有する基により置換されており；
Ａｒ′2は、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン又はヘテロアリーレンであり：
ここで、基フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン及びヘテロアリーレンは、場合により、１つ以上のＯＨ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシ、フェノキシ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ、（４−メチルフェニル）スルホニルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシ及び／又はベンゾイルオキシにより置換されており；
Ｒ２ａは、Ｒ２において提示された意味のうちの１つを有するが； 
但し、ラジカルＲ２、Ｒ３、Ａｒ１又はＡｒ１′のうちの少なくとも１つは、式ＩＶの基を含む〕
で示される化合物である。
【００４４】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物は、オキシム部分に隣接するハロアルキル基又はニトリル基を含有すること、並びに発色団部分、すなわちＲ２、Ａｒ１及び／又はＡｒ′１に少なくとも１つの重合可能なエチレン性不飽和基を有することを特徴とする。
【００４５】
興味深いものは、特に、
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであるか；或いは 
Ｒ１が、場合により、１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、ハロゲン又はＮＯ２で置換されているフェニルスルホニルであり：
Ｒ′１が、フェニレンジスルホニル又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキレンジスルホニルであり；
Ｒ２が、ＣＮ又はＣ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１が、フェニル、フルオレニル、ナフチル又はヘテロアリールであり、
これらが全て、場合より、１つ以上のＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ７又は式ＩＶ：
【００４６】
【化２０】
2009541254.tif 000022
【００４７】
の基により置換されており；
Ｒ２ａが、Ｒ２において提示された意味のうちの１つを有し； 
Ａｒ′１が、場合により、式ＩＶ：
【００４８】
【化２１】
2009541254.tif 000023
【００４９】
の基により置換されているフェニレン又はヘテロアリーレンであるか；或いは
Ａｒ′１が、−Ａｒ″１−Ｘ１−Ｙ１−Ｘ１−Ａｒ″１−であり；
Ａｒ″１が、フェニレン又はナフチレンであり； 
Ｘ１が、Ｏ、ＮＲ６又はＳであり；
Ｙ１が、場合により、式ＩＶ：
【００５０】
【化２２】
2009541254.tif 000024
【００５１】
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ３が、場合により、式ＩＶ：
【００５２】
【化２３】
2009541254.tif 000025
【００５３】
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ｒ４及びＲ５が、互いに独立して、水素、場合により式ＩＶ：
【００５４】
【化２４】
2009541254.tif 000026
【００５５】
の基により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ１８アルキルであり；
Ｄ２が、（ＣＯ）Ｏ、Ａｒ′２、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは 
Ａ３及びＤ２が、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＮ又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは
Ａ３及びＤ２が、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＮ又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；
Ｄ３及びＤ４が、互いに独立して、直接結合、Ｏ、Ｓ、ＣＯ、Ｏ（ＣＯ）、（ＣＯ）Ｏ、Ａｒ′２、下記：
【００５６】
【化２５】
2009541254.tif 000027
【００５７】
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレン、１つ以上のＯ、ＣＯ、ＮＲ６及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレンであり； 
Ｒ６が、水素であり；そして
Ａ′２が、フェニレンである 
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物である。
【００５８】
特に興味深いものは、
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルスルホニルであるか；或いはＲ１が、場合によりＣ１〜Ｃ１０ハロアルキル又はＮＯ２により置換されているフェニルスルホニルであり：
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルであり；
Ａｒ１が、フェニル、フルオレニル、ナフチル又はヘテロアリールであり、これらが全て、式ＩＶ：
【００５９】
【化２６】
2009541254.tif 000028
【００６０】
の基により置換されており；
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ４アルキルであり；
Ｄ２が、（ＣＯ）Ｏであり；
Ｄ３及びＤ４が、互いに独立して、直接結合、（ＣＯ）Ｏ、Ｏ、下記：
【００６１】
【化２７】
2009541254.tif 000029
【００６２】
Ｃ２〜Ｃ１８アルキレン、又は１つ以上のＣＯ若しくはＮＲ６で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレンであり；
Ｒ２ａが、ＣＮであり；そして
Ｒ６が、水素である
上記に記載された式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物である。
【００６３】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物は、互いに、又はエチレン性不飽和重合性基を含む他の成分と重合することができる。
【００６４】
したがって、本発明の主題は、また、上記に記載された式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位を含むポリマーである。
【００６５】
興味深いポリマーは、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位に加えて、式Ｖ：
【００６６】
【化２８】
2009541254.tif 000030
【００６７】
〔式中、
Ａ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、水素、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、ＯＲ３により置換されているＣ１〜Ｃ１８アルキルであるか；或いはＡ１、Ａ２及びＡ３は、互いに独立して、Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３又は（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５であり； 
Ａ４は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、
Ｃ１〜Ｃ１２アルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ２〜Ｃ１２アルケニル、
Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであり、
ここで、基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニル及び割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルは、場合により、１つ以上のＡｒ２、ＯＲ３、（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、ＮＲ４Ｒ５、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ、Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシ、フェニルスルホニルオキシ及び／又は（４−メチルフェニル）スルホニルオキシにより置換されているか；或いは 
Ａ４は、水素、ハロゲン、ＮＯ２、ＣＮ、Ａｒ２、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７であり；
Ｄ５は、直接結合、Ｏ、ＣＯ、（ＣＯ）Ｏ、（ＣＯ）Ｓ、（ＣＯ）ＮＲ６、ＳＯ２又はＯＳＯ２であるか；或いは 
Ｄ５は、Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンであるか；或いは
Ｄ５は、基Ａｒ′２であり； 
場合により、ラジカルＡ３及びＤ５は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成するか；或いは 
場合により、ラジカルＡ２及びＤ５は、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合の炭素と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６、ＣＯ、ＳＯ及び／又はＳＯ２で割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを形成し；
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ａｒ′２及びＡｒ２は、上記で定義されたとおりである〕
で示される群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される、１つ以上の同一又は異なる反復単位を含むものである。
【００６８】
本発明の更なる主題は、
Ａ１、Ａ２及びＡ３が、互いに独立して、水素又はＣ１〜Ｃ１８アルキルであり； 
Ａ４が、水素、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであり； 
ここで、基Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、割り込まれたＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、割り込まれたＣ２〜Ｃ１８アルキル及び割り込まれたＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルが、場合により、１つ以上のＯＲ３、（ＣＯ）ＯＲ３又はＯ（ＣＯ）Ｒ７で置換されており；
Ｄ５が、（ＣＯ）Ｏであり；
Ｒ３が、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、又は 
１つ以上のＯ及び／若しくはＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであるか；或いは 
Ｒ３が、水素であり；
Ｒ７が、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、１つ以上のＯ及び／又はＣＯで割り込まれているＣ４〜Ｃ３０シクロアルケニルであるか；或いは 
Ｒ７が、水素である
ポリマーである。
【００６９】
特に興味深いものは、実施例１〜１１及び１２〜３１に提示されている化合物、並びに以下の式（ａ）〜（ｓ） 
【００７０】
【化２９】
2009541254.tif 000031
【００７１】
で示される化合物である。
【００７２】
Ｃ１〜Ｃ１８アルキルは、直鎖又は分岐鎖であり、例えば、Ｃ１〜Ｃ１６−、Ｃ１〜Ｃ１２−、Ｃ１〜Ｃ８−、Ｃ１〜Ｃ６−又はＣ１〜Ｃ４アルキルである。例は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、sec−ブチル、イソブチル、tert−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、２，４，４−トリメチルペンチル、２−エチルヘキシル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル及びオクタデシルであり、好ましくは、メチル、イソプロピル又はブチルのようなＣ１〜Ｃ４アルキルである。
【００７３】
１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６及び／若しくはＣＯ、又はＮＲ８により割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキルは、例えば、非連続Ｏ、Ｓ、ＮＲ６及び／若しくはＣＯ、又はＮＲ８により１〜５回、例えば１〜３回、又は１回若しくは２回割り込まれている。したがって、得られる構造単位は、例えば、Ｏ（ＣＨ２）２ＯＨ、Ｏ（ＣＨ２）２ＯＣＨ３、Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２ＣＨ２ＣＨ３、ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ３、ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ３、〔ＣＨ２ＣＨ２Ｏ〕ｙ−ＣＨ３（ここで、ｙ＝１〜５）、（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）５ＣＨ２ＣＨ３、ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２ＣＨ３、ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ３、Ｓ（ＣＨ２）２ＳＣＨ３、（ＣＨ２）２ＮＨＣＨ３、（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＯ）ＣＨ３、（ＣＨ２）２（ＣＯ）ＯＣＨ３又は（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＯ）ＣＨ３である。
【００７４】
本発明の文脈において、基、例えばアルキル又はアルキレンが１つ以上の定義されたラジカル、例えばＯ、Ｓ、ＮＲ６、ＳＯ２、ＳＯ２Ｏ及び／又はＣＯにより割り込まれている場合、「割り込まれている」ラジカルは、割り込まれている基、例えばアルキル又はアルキレンの間に位置することが意図されるばかりでなく、末端にあることも意図される。
【００７５】
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルは、単環式又は多環式脂肪族環、例えば、単、二又は三環式脂肪族環であり、例は、Ｃ３〜Ｃ２０−、Ｃ３〜Ｃ１８−、Ｃ３〜Ｃ１２−、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキルである。本出願の文脈において、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルは、少なくとも１つの環を含むアルキルとして理解されるべきであり、すなわち、アルキルで置換されている炭素環式脂肪族環もこの定義に包含されている。単環式環の例は、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル又はシクロヘプチルであり、特にシクロペンチル及びシクロヘキシルである。更なる例は、下記：
【００７６】
【化３０】
2009541254.tif 000032
【００７７】
のような構造である。多環式環の例は、ペルヒドロアントラシル、ペルヒドロフェニアトリル、ペルヒドロナフチル、ペルヒドロフルオレニル、ペルヒドロクリセニル、ペルヒドロピセニル、アダマンチル、ビシクロ〔１．１．１〕ペンチル、ビシクロ〔４．２．２〕デシル、ビシクロ〔２．２．２〕オクチル、ビシクロ〔３．３．２〕デシル、ビシクロ〔４．３．２〕ウンデシル、ビシクロ〔４．３．３〕ドデシル、ビシクロ〔３．３．３〕ウンデシル、ビシクロ〔４．３．１〕デシル、ビシクロ〔４．２．１〕ノニル、ビシクロ〔３．３．１〕ノニル、ビシクロ〔３．２．１〕オクチル、下記：
【００７８】
【化３１】
2009541254.tif 000033
【００７９】
などである。また、アルキル置換多環式架橋環は、本発明の文脈において、定義「シクロアルキル」に包含されることが意図され、例えば、下記：
【００８０】
【化３２】
2009541254.tif 000034
【００８１】
などである。
【００８２】
また、「スピロ」シクロアルキル化合物は、本発明の文脈において、定義Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキルに包含され、例えば、スピロ〔５．２〕オクチル、スピロ〔５．４〕デシル、スピロ〔５．５〕ウンデシルである。本発明の化合物におけるそれぞれの定義の対象となる多環式シクロアルキル基の更なる例は、ＥＰ８７８７３８、第１１及び１２頁に示されており、ここで、式（１）〜（４６）に、結合を達成するために「イル（ｙｌ）」を加えなければならない。当業者はこの事実を認識している。
一般に脂環式環は、反復構造単位を形成することができる。
【００８３】
１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６及び／又はＣＯにより割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルは、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６及び／又はＣＯにより割り込まれている単又は多環式脂肪族環であり、例えば下記：
【００８４】
【化３３】
2009541254.tif 000035
【００８５】
である。
【００８６】
Ｃ２〜Ｃ１２アルケニルラジカルは、例えば、単又は多不飽和、直鎖又は分岐鎖であり、例えば、Ｃ２〜Ｃ８−、Ｃ２〜Ｃ６−又はＣ２〜Ｃ４アルケニルである。例は、アリル、メタリル、ビニル、１，１−ジメチルアリル、１−ブテニル、３−ブテニル、２−ブテニル、１，３−ペンタジエニル、５−ヘキセニル又は７−オクテニル、特にアリル又はビニルである。
【００８７】
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルケニルは、単環式又は多環式の単又は多不飽和環、例えば、単環式、二環式、三環式又は四環式の単又は多不飽和環であり、例は、Ｃ４〜Ｃ２０−、Ｃ４〜Ｃ１８−、Ｃ４〜Ｃ１２−、Ｃ４〜Ｃ１０シクロアルケニルである。シクロアルケニルの例は、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、シクロヘプテニルである。架橋アルケニル基も上記の定義に包含されており、例えば下記：
【００８８】
【化３４】
2009541254.tif 000036
【００８９】
など、特にシクロペンテニル、シクロヘキセニル、下記：
【００９０】
【化３５】
2009541254.tif 000037
【００９１】
である。１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６及び／又はＣＯにより割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルは、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６及び／又はＣＯにより割り込まれている単環式又は多環式の単又は多不飽和環であり、例えば下記：
【００９２】
【化３６】
2009541254.tif 000038
【００９３】
である。
【００９４】
Ｃ１〜Ｃ１８アルキレンは、直鎖又は分岐鎖アルキレンである。例は、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレンである。
【００９５】
１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）、Ｓ（ＣＯ）、ＮＲ６（ＣＯ）、ＳＯ、ＳＯ２及び／又はＯＳＯ２により割り込まれているＣ２〜Ｃ１８アルキレンは、例えば、「非連続Ｏ」により、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）、Ｓ（ＣＯ）、ＮＲ６（ＣＯ）、ＳＯ、ＳＯ２及び／又はＯＳＯ２により１〜５回、例えば１〜３回、又は１回若しくは２回割り込まれている。本出願の文脈において、この定義「割り込まれている」は、アルキル鎖の一端又は両端に結合している前記の定義された基を１つ以上有するＣ２〜Ｃ１８アルキレンを含むことも意図される。したがって、得られる構造単位は、例えば、−Ｏ（ＣＨ２）２−、−Ｏ（ＣＨ２）２ＯＣＨ２−、−Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）２−、−Ｓ（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）２ＮＨ−、−（ＣＨ２）２Ｏ（ＣＯ）ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２Ｏ（ＳＯ２）ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨＣＯ−である。
【００９６】
Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレンは、単環式又は多環式脂肪族環、例えば、単環式、二環式又は三環式脂肪族環であり、例は、Ｃ３〜Ｃ２０−、Ｃ３〜Ｃ１８−、Ｃ３〜Ｃ１２−、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキレンである。単環式環の例は、シクロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シクロヘキシレン又はシクロヘプチレンである。多環式環の例は、ペルヒドロアントラシレン、ペルヒドロフェニアトリレン、ペルヒドロナフチレン、ペルヒドロフルオレニレン、ペルヒドロクリセニレン、ペルヒドロピセニレン、アダマンチレン、ビシクロ〔１．１．１〕ペンチレン、ビシクロ〔４．２．２〕デシレン、ビシクロ〔２．２．２〕オクチレン、ビシクロ〔３．３．２〕デシレン、ビシクロ〔４．３．２〕ウンデシレン、ビシクロ〔４．３．３〕ドデシレン、ビシクロ〔３．３．３〕ウンデシレン、ビシクロ〔４．３．１〕デシレン、ビシクロ〔４．２．１〕ノニレン、ビシクロ〔３．３．１〕ノニレン、ビシクロ〔３．２．１〕オクチレン、下記：
【００９７】
【化３７】
2009541254.tif 000039
【００９８】
などである。「スピロ」シクロアルキレン化合物も、本発明の文脈における定義Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレンに包含され、例えば、スピロ〔５．２〕オクチレン、スピロ〔５．４〕デシレン、スピロ〔５．５〕ウンデシレンである。本発明の化合物それぞれの定義の対象となる多環式シクロアルキレン基の更なる例は、ＥＰ８７８７３８、第１１及び１２頁に示されており、ここで、式（１）〜（４６）に、２つの結合を達成するために「イレン（ｙｌｅｎｅ）」を加えなければならない。当業者はこの事実を認識している。
【００９９】
１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）、ＮＲ６ＣＯにより割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルキレンは、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）、ＳＣＯ、ＮＲ６ＣＯにより割り込まれている単環式又は多環式脂肪族環であり、例えば下記：
【０１００】
【化３８】
2009541254.tif 000040
【０１０１】
である。
【０１０２】
Ｃ２〜Ｃ１２アルケニレンラジカルは、例えば、単又は多不飽和、直鎖又は分岐鎖であり、例えば、Ｃ２〜Ｃ８−、Ｃ２〜Ｃ６−又はＣ２〜Ｃ４アルケニレンである。例は、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＨ２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ３）−、下記：
【０１０３】
【化３９】
2009541254.tif 000041
【０１０４】
である。
【０１０５】
Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルケニレンは、単環式又は多環式の単又は多不飽和環、例えば、単環式、二環式、三環式又は四環式の単又は多不飽和環であり、例は、Ｃ４〜Ｃ２０−、Ｃ４〜Ｃ１８−、Ｃ４〜Ｃ１２−、Ｃ４〜Ｃ１０シクロアルケニレンである。例は、下記：
【０１０６】
【化４０】
2009541254.tif 000042
【０１０７】
などである。
【０１０８】
１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）及び／又はＮＲ６（ＣＯ）により割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニレンは、１つ以上のＯ、Ｓ、ＮＲ６、Ｏ（ＣＯ）、ＳＣＯ、ＮＲ６（ＣＯ）により割り込まれている環式又は多環式の単又は多不飽和環であり、例えば下記：
【０１０９】
【化４１】
2009541254.tif 000043
【０１１０】
などである。
【０１１１】
置換されているフェニルは、フェニル環において、１〜５つ、例えば１、２又は３つ、特に１又は２つの置換基を有する。置換は、好ましくはフェニル環の４−、３，４−、３，５−又は３，４，５位においてである。
【０１１２】
ラジカルのフェニル、ビフェニル、ナフチル、フルオレニル、フェナントリル、アントラシル及びヘテロアリールが１つ以上のラジカルにより置換されている場合、これらは、例えば一置換から五置換、例えば一置換、二置換又は三置換、特に一置換又は二置換されている。
【０１１３】
Ａｒ１が、１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７により置換されているフェニル、ビフェニル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７が、フェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の更なる置換基と又はフェニル、ビフェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル若しくはヘテロアリール環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成する場合、例えば、以下の構造単位：
【０１１４】
【化４２】
2009541254.tif 000044
【０１１５】
などが得られる。
【０１１６】
Ａｒ１において、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキルが、ビフェニル、ナフチル又はフルオレニルの炭素原子のうちの１個と前記環の別の炭素原子とのアルキレン架橋を形成する場合、特にエチレン、プロピレン及びブチレン架橋を形成し、例えば以下の構造：
【０１１７】
【化４３】
2009541254.tif 000045
【０１１８】
などが得られる。これに関する本出願の定義も、分岐アルキレン架橋：
【０１１９】
【化４４】
2009541254.tif 000046
【０１２０】
を包含することが意図される。前記アルキレン架橋が更なるフェニル環と縮合している場合、以下の構造が提示される。
【０１２１】
【化４５】
2009541254.tif 000047
【０１２２】
Ａｒ′１が、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【０１２３】
【化４６】
2009541254.tif 000048
【０１２４】
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン又は下記：
【０１２５】
【化４７】
2009541254.tif 000049
【０１２６】
であり、これらが全て、１つ以上のＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７により置換され、置換基Ｃ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、（ＣＯ）Ｒ７、（ＣＯ）ＯＲ３、（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、Ｏ（ＣＯ）Ｒ７、Ｏ（ＣＯ）ＯＲ３、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ４Ｒ５、ＮＲ６（ＣＯ）Ｒ７、ＮＲ６（ＣＯ）ＯＲ３、ＯＲ３、ＮＲ４Ｒ５、ＳＲ６、ＳＯＲ７、ＳＯ２Ｒ７及び／又はＯＳＯ２Ｒ７が、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記：
【０１２７】
【化４８】
2009541254.tif 000050
【０１２８】
ヘテロアリーレン、オキシジフェニレン若しくは下記：
【０１２９】
【化４９】
2009541254.tif 000051
【０１３０】
の環の更なる置換基と又はフェニレン、ビフェニレン、ナフチレン、下記 
【０１３１】
【化５０】
2009541254.tif 000052
【０１３２】
ヘテロアリーレン、下記：
【０１３３】
【化５１】
2009541254.tif 000053
【０１３４】
若しくはオキシジフェニレン環の炭素原子のうちの１個と、ラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及び／又はＲ７を介して５員、６員又は７員環を形成する場合、例えば、以下の構造単位
【０１３５】
【化５２】
2009541254.tif 000054
【０１３６】
などが得られる。
【０１３７】
カンホリル、１０−カンホリルは、カンファー−１０−イル、すなわち下記：
【０１３８】
【化５３】
2009541254.tif 000055
【０１３９】
である。
【０１４０】
Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルは、例えば、Ｃ２〜Ｃ１２、Ｃ２〜Ｃ８−、Ｃ２〜Ｃ６−又はＣ２〜Ｃ４アルカノイルであり、ここでアルキル部分は、直鎖又は分岐鎖である。例は、アセチル、プロピオニル、ブタノイル又はヘキサノイルであり、特にアセチルである。
【０１４１】
Ｃ１〜Ｃ１８アルコキシは、例えば、Ｃ１〜Ｃ１２−、Ｃ１〜Ｃ８−、Ｃ１〜Ｃ６−、Ｃ１〜Ｃ４アルコキシであり、直鎖は分岐鎖である。例は、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、オクチルオキシ及びドデシルオキシである。
【０１４２】
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオにおいて、アルキル部分は、例えば、直鎖又は分岐鎖である。例は、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ又はブチルチオである。
【０１４３】
Ｃ２〜Ｃ１８アルコキシカルボニルは、（Ｃ１〜Ｃ１７アルキル）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−であり、ここでＣ１〜Ｃ１７アルキルは、直鎖は分岐鎖であり、適した数の炭素原子まで上記で定義されたとおりである。例は、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル又はペントキシカルボニルのような、Ｃ２〜Ｃ１０−、Ｃ２〜Ｃ８−、Ｃ２〜Ｃ６−又はＣ２〜Ｃ４アルコキシカルボニルである。
【０１４４】
Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキルは、例えば、ハロゲンで一置換又は多置換されているＣ１〜Ｃ８−、Ｃ１〜Ｃ６−又はＣ１〜Ｃ４アルキルであり、アルキル部分は、例えば、上記で定義されたものである。例えば、アルキルラジカルにおいて１〜２３個のハロゲン置換基が存在する。例は、クロロメチル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、ノナフルオロブチル又は２−ブロモプロピルであり、特にトリフルオロメチル又はトリクロロメチルである。好ましいものは、Ｃ１〜Ｃ１０フルオロアルキルである。
【０１４５】
Ｃ１〜Ｃ１０ハロアルキレンは、ハロゲンにより一置換又は多置換されている直鎖又は分岐鎖アルキレンであり、アルキレン部分は、例えば、上記で定義されたものである。例は、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、ジブロモメチレンである。
【０１４６】
Ｃ２〜Ｃ１０ハロアルカノイルは、（Ｃ１〜Ｃ９ハロアルキル）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−であり、ここでＣ１〜Ｃ９ハロアルキルは、適した数の炭素原子まで上記で定義されたとおりである。例は、クロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチル、ペンタフルオロプロピオニル、ペルフルオロオクタノイル又は２−ブロモプロピオニルであり、特にトリフルオロアセチル又はトリクロロアセチルである。
【０１４７】
ハロベンゾイルは、ハロゲン及び／又はＣ１〜Ｃ４ハロアルキルにより一置換又は多置換されているベンゾイルであり、Ｃ１〜Ｃ４ハロアルキルは上記で定義されたとおりである。例は、ペンタフルオロベンゾイル、トリクロロベンゾイル、トリフルオロメチルベンゾイルであり、特にペンタフルオロベンゾイルである。
【０１４８】
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素であり、特に塩素又はフッ素であり、好ましくはフッ素である。
【０１４９】
フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルは、例えば、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、α−メチルベンジル又はα，α−ジメチルベンジルであり、特にベンジルである。
【０１５０】
Ｒ４及びＲ５が、それらが結合している窒素原子と一緒になって、場合により、Ｏ、ＮＲ６又はＣＯ−で割り込まれている５員、６員又は７員環を形成する場合、例えば以下の構造：
【０１５１】
【化５４】
2009541254.tif 000056
【０１５２】
などが得られる。
【０１５３】
定義Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニル、カンホリルスルホニル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルスルホニル及びＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルスルホニルは、スルホニル基（−ＳＯ２−）に結合している、上記で詳細に記載された対応するラジカルＣ１〜Ｃ１８アルキル、カンホリル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキル及びＣ３〜Ｃ３０シクロアルキルを意味する。したがって、フェニルスルホニル、ナフチルスルホニル、アントラニルスルホニル及びフェナントリルスルホニルも、スルホニル基に結合している対応するラジカルを意味する。
【０１５４】
Ｃ２〜Ｃ１８アルカノイルオキシは、（Ｃ１〜Ｃ１７アルキル）−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−であり、ここでＣ１〜Ｃ１７アルキルは、直鎖は分岐鎖であり、適した数の炭素原子まで上記で定義されたとおりである。例は、アセチルオキシ、エタノイルオキシ、プロパノイルオキシ、ブタノイルオキシ又はヘキサノイルオキシのような、Ｃ２〜Ｃ１０−、Ｃ２〜Ｃ８−、Ｃ２〜Ｃ６−又はＣ２〜Ｃ４アルカノイルオキシである。
【０１５５】
Ｃ１〜Ｃ１８アルキルスルホニルオキシは、（Ｃ１〜Ｃ１８アルキル）−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−であり、ここでＣ１〜Ｃ１８アルキルは、直鎖は分岐鎖であり、適した数の炭素原子まで上記で定義されたとおりである。例は、メタンスルホニルオキシ、プロパンスルホニルオキシ又はヘキサンスルホニルオキシのような、Ｃ１〜Ｃ１０−、Ｃ１〜Ｃ８−、Ｃ１〜Ｃ６−又はＣ１〜Ｃ４アルキルスルホニルオキシである。
したがって、フェニルスルホニルオキシ及び（４−メチルフェニル）スルホニルオキシは、−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−基に結合している対応するラジカルを意味する。
【０１５６】
本出願において、用語「ヘテロアリール」は、非置換及び置換されているラジカルを意味し、例えば、３−チエニル、２−チエニル、下記：
【０１５７】
【化５５】
2009541254.tif 000057
【０１５８】
（ここで、Ｒ４及びＲ５は、上記で定義されたとおりである）、チアントレニル、イソベンゾフラニル、キサンテニル、フェノキサンチイニル、下記：
【０１５９】
【化５６】
2009541254.tif 000058
【０１６０】
（ここで、Ｙは、Ｓ、Ｏ又はＮＲ６であり、そしてＲ６は、上記で定義されたとおりである）である。その例は、ピラゾリル、チアゾリル、オキサゾリル、イソチアゾリル又はイソキサゾリルである。また含まれるものは、例えば、フリル、ピロリル、１，２，４−トリアゾリル、下記：
【０１６１】
【化５７】
2009541254.tif 000059
【０１６２】
又は縮合芳香族基を有する５員環の複素環であり、例えば、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチエニル、ベンゾフラニル、ベンゾオキサゾリル及びベンゾチアゾリルである。
【０１６３】
「ヘテロアリール」の他の例は、ピリジル、特に３−ピリジル、下記：
【０１６４】
【化５８】
2009541254.tif 000060
【０１６５】
（ここでＲ３は、上記で定義されたとおりである）、ピリミジニル、ピラジニル、１，３，５−トリアジニル、２，４−、２，２−若しくは２，３−ジアジニル、インドリジニル、イソインドリル、インドリル、インダゾリル、プリニル、イソキノリル、キノリル、フェノキサジニル又はフェナジニルである。本出願において、用語「ヘテロアリール」は、また、ラジカルのチオキサンチル、キサンチル、下記：
【０１６６】
【化５９】
2009541254.tif 000061
【０１６７】
（ここで、ｍは、０又は１であり、そしてＲ３、Ｒ４、Ｒ５は、上記で定義されたとおりである）、下記：
【０１６８】
【化６０】
2009541254.tif 000062
【０１６９】
アントラキノニルも意味する。ヘテロアリールは、それぞれ、上記又は請求項１で示された置換基を有することができる。
【０１７０】
フェニレンは、下記：
【０１７１】
【化６１】
2009541254.tif 000063
【０１７２】
である。ナフチレンは下記：
【０１７３】
【化６２】
2009541254.tif 000064
【０１７４】
である、ジフェニレンは、下記：
【０１７５】
【化６３】
2009541254.tif 000065
【０１７６】
である  オキシジフェニレンは、下記：
【０１７７】
【化６４】
2009541254.tif 000066
【０１７８】
である、ヘテロアリーレンは、上記に記載されたヘテロアリール環の二価ラジカルであり、例えば下記：
【０１７９】
【化６５】
2009541254.tif 000067
【０１８０】
である。
【０１８１】
ラジカルＡ３及びＤ２が、それらが結合しているエチレン性不飽和二重結合と一緒になって、場合により、１つ以上のＯ、Ｓ、Ｎ、ＮＲ６又はＣＯで割り込まれているＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルを形成する場合、例えば、以下の構造：
【０１８２】
【化６６】
2009541254.tif 000068
【０１８３】
などが得られる。
【０１８４】
酸の作用で切断される−Ｏ−Ｃ−結合又は−Ｏ−Ｓｉ−結合を有し、ラジカルＡｒ１及びＡｒ′１の置換基である基は、酸と反応した後、アルカリ性現像液において式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの化合物の溶解度を増加させる酸開裂基である。この効果は、例えば、ＵＳ４８８３７４０に記載されている。
そのような置換基として適切な基の例は、既知のオルトエステル、トリチル及びベンジル基、カルボン酸のtert−ブチルエステル、フェノールのtert−ブチルカーボネート又はフェノールのシリルエーテルであり、例えば、−ＯＳｉ（ＣＨ３）３、−ＣＨ２（ＣＯ）ＯＣ（ＣＨ３）３、−（ＣＯ）ＯＣ（ＣＨ３）３、−Ｏ−（ＣＯ）ＯＣ（ＣＨ３）３又は下記：
【０１８５】
【化６７】
2009541254.tif 000069
【０１８６】
であり、ここで、Ｚ１及びＺ２は、互いに独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ５アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、フェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであるか、又はＺ１及びＺ２は、一緒になってＣ２〜Ｃ５アルキレンであり、そして
Ｚ３は、非置換若しくはハロゲン置換Ｃ１〜Ｃ５アルキル、非置換若しくはハロゲン置換Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、又はフェニル−Ｃ１〜Ｃ３アルキルであるか、或いはＺ１及びＺ２が一緒になってＣ２〜Ｃ５アルキレンではない場合、Ｚ３及びＺ２は、一緒になって、Ｃ２〜Ｃ５アルキレンであることができ、これは、−Ｏ−原子又は−Ｓ−原子で割り込まれていることができる。
【０１８７】
請求項及び明細書全体における用語「及び／又は」或いは「又は／及び」は、定義された代替物（置換基）のうちの１つが存在しうるばかりでなく、定義された代替物（置換基）の幾つかが一緒に存在しうる、すなわち異なる代替物（置換基）の混合物も存在しうることを表すことが意図される。
用語「場合により置換されている」は、非置換であるか又は置換されていることを意味する。
用語「少なくとも」は、１つ又は１つを超える、例えば、１又は２又は３つ、好ましくは１又は２つを定義することが意図される。
【０１８８】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩのオキシムスルホネートは、一般に、文献に記載されている方法により、例えば式Ｉ″又はＩＩ″の適切な遊離オキシム（Ｒ１＝Ｈ）を、所望の（例えば、スルホン基を含む）酸ハロゲン化物、又は式Ｖ若しくはＶＩの酸無水物（例えば、Ｒ１Ｃｌ、Ｒ１Ｆ又はＲ１−Ｏ−Ｒ１）と反応させることにより調製することができる。
【０１８９】
【化６８】
2009541254.tif 000070
【０１９０】
Ｒ1、Ｒ２、Ａｒ1及びＡｒ１′は、上記で定義されたとおりである。
これらの反応は、通常、例えばトルエン、塩化メチレン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）若しくはジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）のような不活性溶媒において、塩基、例えばピリジン、トリエチルアミンのような第三級アミンの存在下で実施されるか、又はオキシムの塩を所望の酸塩化物と反応させることにより実施される。これらの方法は、例えばＥＰ４８６１５に開示されている。オキシムのナトリウム塩は、例えば、該当のオキシムをジメチルホルムアミド中のナトリウムアルコラートと反応させて得ることができる。そのような反応は当業者に周知であり、一般に、−１５〜＋５０℃、好ましくは０〜２０℃の範囲の温度で実施される。
【０１９１】
出発材料として必要なオキシムは、標準的な化学の教科書（例えば、J. March, Advanced Organic Chemistry, 4th Edition, Wiley Interscience, 1992）又は専門的な研究論文、例えば、S.R. Sandler & W. Karo, Organic functional group preparations, Vol. 3, Academic Pressに記載されている多様な方法により得ることができる。
最も都合の良い方法の１つは、例えば、ケトンをヒドロキシアミン又はその塩と、エタノール又はエタノール水溶液のような極性溶媒で反応させることである。この場合、酢酸ナトリウムのような塩基を加えて、反応混合物のｐＨを制御する。反応速度がｐＨ依存性であることは周知であり、塩基は、反応の始まりに又は反応の間に連続して加えることができる。ピリジンのような塩基性溶媒を、塩基及び／又は溶媒若しくは共溶媒として使用することもできる。反応温度は、一般的に混合物の還流温度であり、通常約６０〜１２０℃である。
オキシムの別の都合の良い合成は、亜硝酸又は亜硝酸アルキルによる「活性」メチレン基のニトロソ化である。例えば、Organic Syntheses coll. Vol. VI (J. Wiley & Sons, New York, 1988), pp 199 and 840に記載されているアルカリ条件と、例えば、Organic Synthesis coll. vol V, pp 32 and 373, coll. vol. III, pp 191 and 513, coll. vol.II, pp. 202, 204 and 363に記載されている酸性条件の両方が、本発明の化合物の出発材料として使用されるオキシムの調製に適している。亜硝酸は、通常、亜硝酸ナトリウムから生じる。亜硝酸アルキルは、例えば、亜硝酸メチル、亜硝酸エチル、亜硝酸イソプロピル、亜硝酸ブチル、亜硝酸イソアミルであることができる。
【０１９２】
記載されている合成によって、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の異性体形態の形成をもたらすことができる。オキシイミノ基の二重結合は、シン（シス、Ｚ）及びアンチ（トランス、Ｅ）形の両方で、又は２つの幾何異性体の混合物として存在することができる。本発明において、個別の幾何異性体及び２つの幾何異性体の任意の混合物の両方を使用することができる。したがって、本発明は、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の異性体形態の混合物にも関する。
【０１９３】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の個別の幾何異性体（Ｚ及びＥ形）及び２つの幾何異性体の任意の混合物を使用することができるが、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの特定の配座（仮にＥ形とする）の化合物が、他の配座（仮にＺ形とする）の化合物よりも熱的に安定していることが見出されている。したがって、本発明の化合物の好ましい使用は、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の単一の熱的により安定している異性体（仮にＥ形とする）の使用である。
【０１９４】
出発材料として必要なオキシムの合成によって、異性体形態の混合物の形成をもたらすことができる。驚くべきことに、出発材料として必要なオキシムの異性体形態の混合物は、酸を用いる処理により、単一の異性体形態（仮にＥ形とする）に変換されることが見出されている。出発材料としてこれらのオキシムの単一異性体（Ｅ形）を使用して、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の熱的により安定している単一の異性体が得られる。したがって、本発明は、また、１）オキシムの対応する異性体混合物を酸で処理することによりオキシムの単一の異性体形態へ変換すること、及び２）オキシムの単一の異性体形態を所望の酸ハロゲン化物又は酸無水物と反応させることによって、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物の熱的により安定している異性体を合成するプロセスに関する。
【０１９５】
オキシムの異性体混合物の、所望の単一異性体への変換反応は、通常、塩化メチレン、酢酸エチル、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド又は無水酢酸のような不活性溶媒において、塩酸、硫酸、酢酸、硝酸、トリフルオロ酢酸又はトリフルオロメタンスルホン酸のような酸の存在下で実施される。変換反応は、酸性溶媒、例えばギ酸、酢酸において、場合により塩酸、硫酸、硝酸、トリフルオロ酢酸又はトリフルオロメタンスルホン酸のような他の酸の存在下で実施することもできる。そのような反応は、通常、−１５℃〜＋１２０℃、好ましくは０℃〜８０℃、より好ましくは５℃〜４０℃の範囲の温度で実施される。化合物は当業者に既知の方法、例えば、蒸留、再結晶、クロマトグラフ法により単離される。
出発材料として式Ｉ′及びＩＩ′の化合物のオキシムを得る従来の方法の例は、上記に提示されている。
【０１９６】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩのオキシムスルホネートは、少なくとも１つの式ＩＶの重合可能なエチレン性不飽和二重結合基を有する。したがって、ポリマーは、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩのオキシムスルホネートを用いて、文献に記載されている方法により、例えばフリーラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、制御フリーラジカル重合などにより調製することができる。
フリーラジカル重合は、通常、例えば水、メタノール、２−プロパノール、１，４−ジオキサン、１，４−ジオキサン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ピロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、乳酸エチル（ＥＬ）のような不活性溶媒、又は溶媒なしで、酸素無含有雰囲気下で実施される。例えば、過酸化ジベンゾイル、過酸化ジアセチル、ジ−ｔ−ブチルペルオキサレート及び過酸化ジクミルのような過酸化物；例えば、アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ）、１，１′−アゾビス（１−シクロヘキサンニトリル）、２，２−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、ジメチル２，２′−アゾビス（イソブチレート）及び２，２′−アゾビス〔２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド〕のようなアゾ化合物；並びに例えば、Ｆｅ２＋／Ｈ２Ｏ２及び過酸化ジベンゾイル／ジメチルアニリンのようなレドックス系が、フリーラジカル重合の開始剤として使用される。そのような反応は当業者に周知であり、一般に、−１０℃〜１５０℃、好ましくは、４０℃〜１２０℃の範囲の温度で実施される。更に、フリーラジカル重合では、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤又は非イオン性界面活性剤を加えることができ、すなわち乳化重合である。
アニオン重合は、通常、例えばトルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ピリジン、ジメチルスルホキシドのような不活性溶媒において、水−及び酸素無含有雰囲気下で実施される。例えば、Ｌｉ、Ｎａ及びＫのようなアルカリ金属；並びに例えば、ブチルリチウム、ベンジルリチウム、トリメチルシリルメチルリチウム、フェニルマグネシウムブロミドのような有機金属化合物が、アニオン重合において開始剤として使用される。そのような反応は当業者に周知であり、一般に、−１００℃〜８０℃、好ましくは、−８０℃〜５０℃の範囲の温度で実施される。
【０１９７】
カチオン重合は、通常、例えばトルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、ジクロロメタン、ジオキサンのような不活性溶媒において実施される。例えば、ＨＣｌ、硫酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、フルオロスルホン酸のようなブレンステッド酸；及び例えばＢＦ３、ＡｌＣｌ３、ＴｉＣｌ４、ＳｎＣｌ４、ＦｅＣｌ３のようなルイス酸と、例えばＨＣｌ、Ｈ２Ｏ、トリフルオロ酢酸、メタノールのような助触媒が、カチオン重合において開始剤として使用される。そのような反応は当業者に周知であり、一般に、−１００℃〜８０℃、好ましくは、−８０℃〜５０℃の範囲の温度で実施される。
ラジカル、アニオン及びカチオン重合によるポリマーの調製は、標準的な化学の教科書、例えばG. Allen and J. C. Bevington, Comprehensive Polymer Science, Vol 3, Pergamon Press, 1989に記載されている。
式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、例えばC. J. Hawker, A. W. Bosman, E. Harth, Chem. Rev. 101, 3661 (2001)に記載されているニトロ−酸化物仲介ラジカル重合（ＮＯＲ）のような制御されたフリーラジカル重合、K. Matyjaszewski, J. Xia, Chem. Rev. 101, 2921 (2001)に記載されている原子移動ラジカル重合（ＡＴＲＰ）、G. Moad, Y. K. Chong, A. Postma, E. Rizzardo, S. H. Thang, Polymer 46 8458 (2005)に記載されているラジカル連鎖移動で仲介された重合などによって合成することもできる。
式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの化合物から誘導される１つの反復単位を含むホモポリマー、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び場合により式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むコポリマーを、上記に記載された重合方法により調製することができる。
【０１９８】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、感光性酸供与体として使用することができる。
したがって、本発明の主題は、下記：
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び上記に記載された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含む少なくとも１つのポリマー 
を含む組成物、並びに、下記：
（ａ）酸の作用で硬化する化合物、又はその溶解度が酸の作用で増加する化合物；及び 
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により、上記に記載された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む組成物である。
【０１９９】
式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、フォトレジストにおける感光性酸供与体として使用することができる。レジスト系は、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに／或いは、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを含む系の、現像工程の後の像様の照射により調製することができる。
【０２００】
したがって、本発明は、下記：
（ａ）酸の作用で硬化する化合物、又はその溶解度が酸の作用で増加する化合物、並びに／或いは 
（ｂ）請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は上記に記載されたポリマー
を含む、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物に関する。
一般に、
（ｉ）本発明の化合物は、成分（ａ）として、酸の作用により硬化する化合物又はその溶解度が酸の作用により増加する化合物、及び成分（ｂ）として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの光潜在性の酸発生化合物を含むか；或いは 
（ｉｉ）組成物は、上記に記載された成分（ａ）、及び酸不安定基を含有しない、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物を重合又は共重合することにより調製されるポリマーを含むか；或いは 
（ｉｉｉ）組成物は、上記に記載された成分（ａ）、及び酸不安定基を含有する、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物を重合又は共重合することにより調製されるポリマーを含むか；或いは 
（ｉｖ）組成物は、酸不安定基を含有する、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物を重合又は共重合することにより調製されるポリマーを含む。
後者の（ｉｖ）の場合において、ポリマーは、また、成分（ａ）と成分（ｂ）の両方を構成する。
【０２０１】
化学的に増幅されたフォトレジストは、放射線感受性成分が触媒量の酸を供給し、それが次にレジストの少なくとも１つの酸感受性成分の化学反応に触媒作用を及ぼすレジスト組成物であることが理解される。結果として、レジストの照射領域と非照射領域との間に溶解度の差が誘導される。この方法の触媒特性のため、１つの酸分子が、あらゆる二次反応により捕捉又は破壊されない限り、反応性ポリマーマトリックスを通して拡散して、１つの反応部位から次の反応部位へと複数の部位で反応を誘発することができる。したがって、レジストの暴露領域と非暴露領域との間に溶解度における高い差を誘導するために、少ない酸濃度で十分である。そのため、潜酸化合物を少ない濃度でしか必要としない。その結果、光学画像化の暴露波長において高いコントラスト及び高い透明度を有するレジストが配合され、それは、次に、高い感光性をもつ急勾配の垂直な像プロフィールを作り出す。しかし、この触媒処理の結果、レジストを保管する間、又は処理の間に酸が発生しないように、潜酸触媒が化学的及び熱的に非常に安定であること（照射されない限り）が必要であり、ほとんどの場合、触媒反応を開始させる又は完了させるために、後暴露焼付け工程が必要となり、溶解度に差をもたらすことになる。また、マイクロエレクトロニクス製造工程におけるこれらのレジストの適用を妨害するあらゆる粒子の発生を防ぐため、液体レジスト配合物及び固体レジストフィルム中の潜触媒が良好な溶解度を有することが必要である。
【０２０２】
対照的に、化学的に増幅された機構に基づかないポジティブレジスト材料は、高濃度の潜酸を含有しなければならず、それは、アルカリ性現像液において暴露領域の溶解度の増加に寄与するのは、暴露下で潜酸から生じる酸濃度のみだからである。少ない酸濃度は、そのようなレジストの溶解速度の変化に対して僅かな効果しかなく、反応は、ここでは典型的には後暴露焼付けなしで進行するので、潜酸の化学及び熱安定性に関する要件は、化学的に増幅されたポジティブレジストよりも厳しくない。これらのレジストは、また、暴露領域においてアルカリ性現像液中で十分な溶解度を達成するのに十分な酸を生じるため、より高い暴露量を必要とし、また、比較的低い光透過性（高濃度の潜酸が必要なため）、またそのために低い解像度及び傾斜像という難点がある。したがって非化学的に増幅する技術に基づくレジスト組成物は、化学的に増幅されたレジストと比較して、感光性、解像度及び画質において劣っている。
【０２０３】
上記から、潜触媒の化学及び熱安定性は、化学的に増幅されたレジストにとって極めて重要であり、非化学的に増幅されたレジストで作用しうる潜酸は、異なる酸拡散要件、酸強度要件、並びに熱及び化学安定性要件のため、化学的に増幅されたレジストに適用できるとは限らないことが明らかになる。
【０２０４】
レジストの照射の間又は後で、レジスト材料の酸触媒反応の結果として起こるレジストの照射部分と非照射部分の溶解度の差は、どのような更なる構成成分がレジストに存在するかによって２つの種類が存在しうる。本発明の組成物が、照射後に現像液中で組成物の溶解度を増加させる成分を含む場合、レジストはポジティブである。
したがって、本発明は化学的に増幅されたポジティブフォトレジストに関する。
他方では、配合物の成分が、照射後に組成物の溶解度を減少させる場合、レジストはネガティブである。
したがって、本発明は化学的に増幅されたネガティブフォトレジストにも関する。
【０２０５】
興味深いものは、上記に記載された式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを成分（ｂ）として含む、上記に記載された化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物である。
特に興味深いものは、成分（ｂ）が、請求項１記載の式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と、
上記に記載された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と、
式ＶＩ：
【０２０６】
【化６９】
2009541254.tif 000071
【０２０７】
〔式中、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４及びＡｒ′２は、上記で定義されたとおりである〕
の群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位と
を含む少なくとも１つのポリマーである、化学的増幅されたポジティブフォトレジスト組成物である。
【０２０８】
レジスト配合物に追加的に存在するアルカリ可溶性結合剤樹脂の溶解速度を非照射領域において減速させ、そして非照射領域において実質的にアルカリ不溶性であるため、アルカリ溶液で現像した後で非照射領域にレジストフィルムが残留するが、酸の存在下で開裂するか、又は反応生成物がアルカリ性現像液中で可溶性になるように転位されうるモノマー又はポリマー化合物は、以降、溶解抑制剤と呼ぶ。
【０２０９】
本発明は、特別の実施態様として、下記：
（ａ１）酸の存在下で分解し、かつ照射領域においてアルカリ性現像水溶液中でレジストフィルムの溶解度を増加させる酸不安定基を有する、少なくとも１つのポリマー、並びに／或いは 
（ｂ）式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたポジティブアルカリ現像性フォトレジスト組成物を含む。
【０２１０】
本発明の更なる実施態様は、下記：
（ａ２）酸の存在下で分解し、かつアルカリ性現像水溶液中で溶解度を増加させる少なくとも１つの酸不安定基を有する、少なくとも１つのモノマー又はオリゴマー溶解抑制剤、及び少なくとも１つのアルカリ可溶性ポリマー、並びに／或いは 
（ｂ）式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたポジティブアルカリ現像性フォトレジスト組成物である。
【０２１１】
本発明の別の特別の実施態様は、下記：
（ａ１）酸の存在下で分解し、かつ照射領域においてアルカリ性現像液中で溶解度を増加させる酸不安定基を有する、少なくとも１つのポリマー；
（ａ２）酸の存在下で分解し、かつ照射領域においてアルカリ性溶解度を増加させる少なくとも１つの酸不安定基を有する、少なくとも１つのモノマー又はオリゴマー溶解抑制剤；、
（ａ３）アルカリ性現像液において実質的に不溶性である非照射領域にレジストフィルムを依然として保持する濃度での、少なくとも１つのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物、並びに／或いは 
（ｂ）式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマー 
を含む、化学的に増幅されたポジティブアルカリ現像性フォトレジスト組成物である。
【０２１２】
したがって、本発明は、下記：
（ａ１）酸の存在下で分解し、かつアルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する、少なくとも１つのポリマー、及び／又は
（ａ２）酸の存在下で分解し、かつアルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する、少なくとも１つのモノマ−又はオリゴマー溶解抑制剤、及び／又は
（ａ３）少なくとも１つのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物；並びに
（ｂ）感光性酸供与体として、式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたフォトレジスト組成物に関する。
好ましくは、組成物は、下記：
（ａ１）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１種のポリマー；及び／又は
（ａ２）酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を有する少なくとも１種のモノマ−又はオリゴマー溶解抑制剤；及び／又は
（ａ３）少なくとも１つのアルカリ可溶性モノマー、オリゴマー又はポリマー化合物；並びに
（ｂ）式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、上記に記載された式ＶＩの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により上記に記載された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物である。
【０２１３】
組成物は、成分（ｂ）に加えて、他の感光性酸供与体及び／又は（ｃ）他の添加剤を含むことができる。
【０２１４】
酸の存在下で分解し、かつアルカリ現像液において溶解度を増加させる酸不安定基を有するポリマーは、感光性酸供与体基をポリマー中に含むことができる。そのようなポリマーは、化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物において、感光性酸供与体として、そして酸の作用によって溶解度を増加させるポリマーとして、同時に作動することができる。
【０２１５】
本発明は、下記：
（ｂ）感光性酸供与体として、そして酸の作用によって溶解度を増加させる化合物として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、並びに／或いは、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び上記に記載された式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたポジティブフォトレジスト組成物に関する。
【０２１６】
化学的に増幅されたポジティブレジスト系は、例えば、E. Reichmanis, F. M. Houlihan, O. Nalamasu, T. X. Neenan, Chem. Mater. 1991, 3, 394;又はC. G. Willson, Introduction to Microlithography, 2nd. Ed.; L. S. Thompson, C. G. Willson, M. J. Bowden, Eds., Amer. Chem. Soc., Washington DC, 1994, p. 139に記載されている。
【０２１７】
酸の存在下で分解して芳香族ヒドロキシ基、カルボン酸基、ケト基及びアルデヒド基を生じ、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基の適切な例は、例えば、アルコキシアルキルエーテル基、テトラヒドロフラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエーテル基、tert−アルキルエステル基、トリチルエーテル基、シリルエーテル基、アルキルカーボネート基、例としてはtert−ブチルオキシカルボニルオキシ−、トリチルエステル基、シリルエステル基、アルコキシメチルエステル基、クミルエステル基、アセタール基、ケタール基、テトラヒドロピラニルエステル基、テトラフラニルエステル基、第三級アルキルエーテル基、第三級アルキルエステル基などである。そのような基の例には、メチルエステル及びtert−ブチルエステルのようなアルキルエステル、メトキシメチルエスエル、エトキシメチルエステル、１−エトキシエチルエステル、１−イソブトキシエチルエステル、１−イソプロポキシエチルエステル、１−エトキシプロピルエステル、１−（２−メトキシエトキシ）エチルエステル、１−（２−アセトキシエトキシ）エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、１−〔２−（１−アダマンチルカルボニルオキシ）エトキシ〕エチルエステル、テトラヒドロ−２−フリルエステル及びテトラヒドロ−２−ピラニルエステルのようなアセタール型エステル、並びにイソボルニルエステルのような脂環式エステルが挙げられる。
【０２１８】
酸の作用より分解して、このポリマーを含むレジストフィルムの溶解度をアルカリ性現像液中で増強することができる官能基を有するポリマーは、本発明のポジティブレジストに組み込むことができ、その主鎖及び／又は側鎖、好ましくはその側鎖に酸不安定基を有ししてもよい。
【０２１９】
本発明における使用に適切な酸不安定基を有するポリマーは、アルカリ可溶性基を部分的に若しくは完全に対応する酸不安定基に変換するか、又は予め酸不安定基が結合しているモノマーを直接（共）重合する、例えば、ＥＰ２５４８５３、ＥＰ８７８７３８、ＥＰ８７７２９３、ＪＰ−Ａ−２−２５８５０、ＪＰ−Ａ−３−２２３８６０及びＪＰ−Ａ−４−２５１２５９に開示されているものと同様のポリマー反応により得ることができる。
【０２２０】
本発明における、ポリマー主鎖に酸不安定側基を有するポリマーは、好ましくは、例えば、相対的に低い後暴露焼付け温度（典型的には室温から１１０℃）で完全に開裂するシリルエーテル、アセタール、ケタール及びアルコキシアルキルエステル基（「低活性化エネルギー保護基」と呼ぶ）を有するポリマー、並びに、例えば、酸の存在下で脱保護反応を完了させるためにより高い焼付け温度（典型的には＞１１０℃）を必要とする、エステル結合の酸素原子に隣接して第二級又は第三級炭素原子を含むtert−ブチルエステル基、又はtert−ブチルオキシカルボニル（ＴＢＯＣ）基、又は他のエステル基（「高活性化エネルギー保護基」と呼ぶ）を有するポリマーである。ハイブリッド系も適用することができ、ここでは、高活性化エネルギー保護基、並びに低活性化エネルギー保護基の両方が、１つのポリマー内に存在する。あるいは、それぞれ化学的に異なる保護基を利用するポリマーのポリマーブレンドを、本発明の感光性ポジティブレジスト組成物に使用することができる。
【０２２１】
酸不安定基を有する好ましいポリマーは、下記の特定のモノマー型を含むポリマー及びコポリマーである：
１）酸の存在下で分解し、かつアルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる酸不安定基を含む、モノマー、及び
２）酸不安定基を含まず、アルカリ性溶解度に寄与する基を含まないモノマー、及び／又は
３）ポリマーのアルカリ性水溶液における溶解度に寄与するモノマー。
【０２２２】
１）型のモノマーの例は下記である：
ｔ−ブチルアクリレートを含むブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレートを含むブチルメタクリレート、３−オキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロピラニル（メタ）アクリレート、２−メチル−アダマンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、（２−テトラヒドロピラニル）オキシノルボルニルアルコールアクリレート、（２−テトラヒドロピラニル）オキシメチルトリシクロドデカンメタノールメタクリレート、トリメチルシリルメチル（メタ）アクリレート、（２−テトラヒドロピラニル）オキシノルボニルアルコールアクリレート、（２−テトラヒドロピラニル）オキシメチルトリシクロドデカンメタノールメタクリレート、トリメチルシリルメチル（メタ）アクリレート、ｏ−／ｍ−／ｐ−（３−オキソシクロヘキシルオキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（１−メチル−１−フェニルエトキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−テトラヒドロピラニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−アダマンチルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−シクロヘキシルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−ノルボルニルオキシスチレンのような非環状又は環状第二級及び第三級アルキル（メタ）アクリレート、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルスチレンを含むｏ−／ｍ−／ｐ−ブトキシカルボニルスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（３−オキソシクロヘキシルオキシカルボニル）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（１−メチル−１−フェニルエトキシカルボニル）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−アダマンチルオキシカルボニルスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−シクロヘキシルオキシカルボニルスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−ノルボルニルオキシカルボニルスチレンのような非環状又は環状アルコキシカルボニルスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルオキシスチレンを含むｏ−／ｍ−／ｐ−ブトキシカルボニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（３−オキソシクロヘキシルオキシカルボニルオキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（１−メチル−１−フェニルエトキシカルボニルオキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−アダマンチルオキシカルボニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−シクロヘキシルオキシカルボニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−ノルボルニルオキシカルボニルオキシスチレンのような非環状又は環状アルコキシカルボニルオキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−ブトキシカルボニルメトキシスチレン、ｐ−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（３−オキソシクロヘキシルオキシカルボニルメトキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−（１−メチル−１−フェニルエトキシカルボニルメトキシ）スチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメトキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−アダマンチルオキシカルボニルメトキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−シクロヘキシルオキシカルボニルメトキシスチレン、ｏ−／ｍ−／ｐ−ノルボルニルオキシカルボニルメトキシスチレン、トリメチルシロキシスチレン、ジメチル（ブチル）シロキシスチレンのような非環状又は環状アルコキシカルボニルアルコキシスチレン、イソプロペニルアセテートのような不飽和アルキルアセテート、及びこれらの誘導体。
【０２２３】
低活性化エネルギー酸不安定基を有する１）型のモノマーには、例えば、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）−スチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルプロポキシ）メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシエトキシ）−スチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシ−１−メチルプロポキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−エトキシエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−（１−エトキシフェニル−エトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−プロポキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−プロポキシエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−プロポキシエトキシ）―メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシ−１−メチルプロポキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシ−１−メチルプロポキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシプロポキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソプロポキシプロポキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−ブトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−ブトキシエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソブトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−tert−ブトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−ペントキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−イソアミルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ｎ−ヘキシルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−シクロヘキシルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−トリメチルシリルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−トリメチルシリルオキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−ベンジルオキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−メトキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレン、ｐ−又はｍ−（１−トリメチルシリルオキシ−１−メチルエトキシ）スチレン、ｐ−又はｍ−（１−トリメチルシリルオキシ−１−メチルエトキシ）−メチルスチレンが挙げられる。アルコキシアルキルエステル酸不安定基を有するポリマーの他の例は、ＵＳ５２２５��１６及びＥＰ８２９７６６において提示されている。アセタール保護基を有するポリマーの例は、ＵＳ５６７０２９９、ＥＰ７８０７３２、ＵＳ５６２７００６、ＵＳ５５５８９７６、ＵＳ５５５８９７１、ＵＳ５４６８５８９、ＥＰ７０４７６２、ＥＰ７６２２０６、ＥＰ３４２４９８、ＥＰ５５３７３７に提示され、ACS Symp. Ser. 614, Microelectronics Technology, pp. 35-55 (1995)及びJ. Photopolymer Sci. Technol. Vol. 10, No. 4 (1997), pp. 571-578に記載されている。本発明において使用されるポリマーはこれらに限定されない。
【０２２４】
酸不安定基としてアセタール基を有するポリマーに関して、例えば、H.-T. Schacht, P. Falcigno, N. Muenzel, R. Schulz, and A. Medina, ACS Symp. Ser. 706 (Micro- and Nanopatterning Polymers), p. 78-94, 1997; H.-T. Schacht, N. Muenzel, P. Falcigno, H. Holzwarth, and J. Schneider, J. Photopolymer Science and Technology, Vol.9, (1996), 573-586において記載されているように、酸不安定架橋を組み込むことが可能である。この架橋系は、レジストパターンの耐熱性の観点から好ましい。
【０２２５】
高活性化エネルギー酸不安定基を有するモノマーは、例えば、ｐ−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン、tert−ブチル−アクリレート、tert−ブチル−メタクリレート、２−メチル−２−アダマンチル−メタクリレート、イソボルニル−メタクリレートである。
【０２２６】
特にＡｒＦレジスト技術に適切な１）型のモノマーには、例えば、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート、２−エチル−２−アダマンチルアクリレート、２−ｎ−ブチル−２−アダマンチルアクリレート、２−ｎ−ブチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート、２−（１−アダマンチル）イソプロピルメタクリレート、２−（１−アダマンチル）イソプロピルアクリレート、２−（１−アダマンチル）イソブチルメタクリレート、２−（１−アダマンチル）イソブチルアクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルアクリレート、１−メチルシクロヘキシルメタクリレート、１−メチルシクロヘキシルアクリレート、１−エチルシクロヘキシルメタクリレート、１−エチルシクロヘキシルアクリレート、１−（ｎ−プロピル）シクロヘキシルメタクリレート、１−（ｎ−プロピル）シクロヘキシルアクリレート、テトラヒドロ−２−メタクリロイルオキシ−２Ｈ−ピラン及びテトラヒドロ−２−アクリロイルオキシ−２Ｈ−ピランが含まれる。酸不安定アダマンチル部分を含む他のモノマーは、ＪＰ−Ａ−２００２−１２６５５３０、ＪＰ−Ａ−２００２−３３８６２７、ＪＰ−Ａ−２００２−１６９２９０、ＪＰ−Ａ−２００２−２４１４４２、ＪＰ−Ａ−２００２−１４５９５４、ＪＰ−Ａ−２００２−２７５２１５、ＪＰ−Ａ−２００２−１５６７５０、ＪＰ−Ａ−２００２−２６８２２２、ＪＰ−Ａ−２００２−１６９２９２、ＪＰ−Ａ−２００２−１６２７４５、ＪＰ−Ａ−２００２−３０１１６１、ＷＯ０２／０６９０１Ａ２、ＪＰ−Ａ−２００２−３１１５９０、ＪＰ−Ａ−２００２−１８２３９３、ＪＰ−Ａ−２００２−３７１１１４、ＪＰ−Ａ−２００２−１６２７４５に開示されている。
酸不安定基を有する特定のオレフィンも、例えば、ＪＰ−Ａ−２００２−３０８９３８、ＪＰ−Ａ−２００２−３０８８６９、Ｐ−Ａ−２００２−２０６００９、ＪＰ−Ａ−２００２−１７９６２４、ＪＰ−Ａ−２００２−１６１１１６に示されているように、ＡｒＦレジスト技術において適している。
【０２２７】
２）型のコモノマーの例は下記である：
スチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、α−メチルナフチレン、アセナフチレンのような芳香族ビニルモノマー、ビニルノルボルナン、ビニルアダマンタン、ビニルシクロヘキサンのようなビニル脂環式化合物、メチルメタクリレート、アクリロニトリル、ビニルシクロヘキサン、ビニルシクロヘキサノールのようなアルキル（メタ）アクリレート、イタコン酸無水物、並びに無水マレイン酸。
【０２２８】
特にＡｒＦレジスト技術に適切な２）型コモノマーには、例えば、アルファ−アクリロイルオキシ−ガンマ−ブチロラクトン、アルファ−メタクリロイルオキシ−ガンマ−ブチロラクトン、アルファ−アクリロイルオキシ−ベータ、ベータ−ジメチル−ガンマ−ブチロ−ラクトン、アルファ−メタクリロイルオキシ−ベータ、ベータ−ジメチル−ガンマ−ブチロラクトン、アルファ−アクリロイルオキシ−アルファ−メチル−ガンマ−ブチロラクトン、アルファ−メタクリロイルオキシ−アルファ−メチル−ガンマ−ブチロラクトン、ベータ−アクリロイルオキシ−ガンマ、ベータ−メタクリロイルオキシ−アルファ−メチル−ガンマ−ブチロラクトン、５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン、２−ノルボルネン、メチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、tert−ブチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、１−メチルシクロヘキシル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、２−メチル−２−アダマンチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、２−エチル−２−アダマンチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、２（５Ｈ）−フラノン、３−ビニル−ガンマ−ブチロラクトン、３−メタクリロイルオキシビシクロ〔４，３，０〕ノナン、３−アクリロイルオキシビシクロ〔４，３，０〕ノナン、１−アダマンチルメタクリレート、１−アダマンチルアクリレート、３−メタクリロイルオキシメチルテトラシクロ〔４，４，０，１２，５，１７，１０〕ドデカン、３−アクリロイルオキシメチルテトラシクロ〔４，４，０，１２，５，１７，１０〕ドデカン、２−メタクリロイルオキシノルボルナン、２−アクリロイルオキシノルボルナン、２−メタクリロイルオキシイソボルナン、２−アクリロイルオキシイソボルナン、２−メタクリロイルオキシメチルノルボルナン、２−アクリロイルオキシメチルノルボルナンが含まれる。
【０２２９】
３）型のコモノマーの例は下記である：
ヒドロキシスチレンのようなビニル芳香族化合物、メタクリル酸、エチルカルボニルオキシスチレンのようなアクリル酸化合物、及びこれらの誘導体。これらのポリマーは、例えば、ＵＳ５８２７６３４、ＵＳ５６２５０２０、ＵＳ５４９２７９３、ＵＳ５３７２９１２、ＥＰ６６０１８７、ＵＳ５６７９４９５、ＥＰ８１３１１３及びＥＰ８３１３６９に記載されている。更なる例は、クロトン酸、イソクロトン酸、３−ブテン酸、アクリル酸、４−ペンテン酸、プロピオン酸、２−ブチン酸、マレイン酸、フマル酸及びアセチレンカルボン酸である。本発明において使用されるポリマーはこれらに限定されない。
【０２３０】
特にＡｒＦレジスト技術に適切な３）型のコモノマーには、例えば、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート、２−ヒドロキシ−５−ノルボルネン、５−ノルボルネン−２−カルボン酸、１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、２−ヒドロキシ−１−エチル５−ノルボルネン−２−カルボキシレート、５−ノルボルネン−２−メタノール、８−ヒドロキシメチル−４−メタクリロイルオキシメチルトリシクロ〔５．２．１．０２．６〕デカン、８−ヒドロキシメチル−４−アクリロイルオキシメチルトリシクロ〔５．２．１．０２．６〕デカン、４−ヒドロキシメチル−８−メタクリロイルオキシメチルトリシクロ〔５．２．１．０２．６〕デカン、４−ヒドロキシメチル−８−アクリロイルオキシメチルトリシクロ〔５．２．１．０２．６〕デカンが含まれる。
【０２３１】
ＡｒＦ技術に適切なラクトン部分を含む他のモノマーは、例えば、ＪＰ−Ａ−２００２−６５０２、ＪＰ−Ａ−２００２−１４５９５５、ＥＰ１１２７８７０Ａ１、ＪＰ−Ａ−２００２−３５７９０５、ＪＰ−Ａ−２００２−２９６７８３に開示されている。ＡｒＦ技術に適切な他のオレフィンは、例えば、ＪＰ−Ａ−２００２−３５１０７８、ＪＰ−Ａ−２００２−２３４９１８、ＪＰ−Ａ−２００２−２５１００９、ＥＰ１１２７８７０Ａ１、ＪＰ−Ａ−２００２−３２８４７５、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０６９、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６８９、ＪＰ−Ａ−２００２−２０２６０４、ＷＯ０１／８６３５３、ＪＰ−Ａ−２００２−２３３７１、ＪＰ−Ａ−２００２−７２４８４、ＪＰ−Ａ−２００２−２０２６０４、ＪＰ−Ａ−２００１−３３０９５９、ＪＰ−Ａ−２００２−３５３７、ＪＰ−Ａ−２００２−３０１１４、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０７１、ＪＰ−Ａ−２００２−２５１０１１、ＪＰ−Ａ−２００３−１２２０１０、ＪＰ−Ａ−２００２−１３９８３７、ＪＰ−Ａ−２００３−１９５５０４、ＪＰ−Ａ−２００１−２６４９８４、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０６９、ＪＰ−Ａ−２００２−３２８４７５、ＵＳ６３７９８６１、ＵＳ６５９９６７７、ＵＳ２００２／１１９３９１、ＵＳ６２７７５３８、ＵＳ２００３／７８３５４において公表されている。
【０２３２】
ポリマー中の酸不安定モノマーの含有量は、広範囲に変わることができ、他のコモノマーの量及び脱保護ポリマーのアルカリ性溶解度に左右される。典型的には、ポリマーにおける酸不安定基を有するモノマーの含有量は５〜６０mol％である。含有量が少なすぎると、現像速度が遅くなりすぎ、照射領域でのレジストの残留物に終わる。酸不安定モノマーの含有量が多すぎると、現像後のレジストパターンは不十分にしか画定されず（浸食されている）、細密な造形はもはや解像できなくなり、及び／又はレジストは現像の際に基材への接着力を失う。好ましくは、酸不安定基を有するコポリマーは、約３，０００〜約２００，０００、より好ましくは約５，０００〜約５０，０００のＭWを有し、約３以下の分子量分布、より好ましくは約２以下の分子量分布を有する。非フェノール性ポリマー、例えば、ｔ−ブチルアクリレート又はｔ−ブチル−メタクリレートのようなアルキルアクリレートと、ビニルノルボナニル又はビニルシクロヘキサノール化合物のようなビニル脂環式化合物とのコポリマーも、そのようなフリーラジカル重合又は他の既知の手順により調製することができ、適切には、約８，０００〜約５０，０００のＭWを有し、約３以下の分子量分布を有する。
適切には他のコモノマーを、ポリマーなどのガラス移転点を制御する目的で適当な量で加えることができる。
【０２３３】
本発明において、酸不安定基を有する２つ以上のポリマーの混合物を使用することができる。例えば、アセタール基又はテトラヒドロピラニルオキシ基のような極めて容易に開裂される酸不安定基を有するポリマーと、例えば第三級アルキルエステル基のようなあまり容易には開裂しない酸開裂性基を有するポリマーとの混合物を使用することができる。また、tert−ブチルエステル基と２−メチル−アダマンチル基、又は１−エトキシ−エトキシ基とテトラヒドロピラニルオキシ基のような異なる酸開裂性基を有する２つ以上のポリマーをブレンドすることにより、異なる大きさの酸開裂性基を組み合わせることができる。非架橋樹脂と架橋樹脂の混合物も使用することができる。本発明におけるこれらのポリマーの量は、固体成分の総量に基づいて、好ましくは３０〜９９重量％、より好ましくは５０〜９８重量％である。酸不安定基を有さないアルカリ可溶性樹脂又はモノマー若しくはオリゴマー化合物を、アルカリ溶解度を制御するために組成物に更に組み込むことができる。
異なる酸不安定基を有するポリマーのポリマーブレンドの例は、ＥＰ７８０７３２、ＥＰ６７９９５１及びＵＳ５８１７４４４に提示されている。
【０２３４】
好ましくは、モノマー及びオリゴマー溶解抑制剤（ａ２）が本発明において使用される。
本発明に使用される酸不安定基を有するモノマー又はオリゴマー溶解抑制剤は、分子構造に、酸の存在下で分解して、アルカリ性現像水溶液において溶解度を増加させる少なくとも１つの酸不安定基を有する化合物である。例は、アルコキシメチルエーテル基、テトラヒドロフラニルエーテル基、テトラヒドロピラニルエーテル基、アルコキシエチルエーテル基、トリチルエーテル基、シリルエーテル基、アルキルカーボネート基、トリチルエステル基、シリルエステル基、アルコキシメチルエステル基、ビニルカルバメート基、第三級アルキルカルバメート基、トリチルアミノ基、クミルエステル基、アセタール基、ケタール基、テトラヒドロピラニルエステル基、テトラフラニルエステル基、第三級アルキルエーテル基、第三級アルキルエステル基などである。本発明に使用される酸分解性溶解抑制化合物の分子量は、３，０００以下、好ましくは１００〜３，０００、より好ましくは２００〜２，５００である。
【０２３５】
酸不安定基を有するモノマー及びオリゴマー溶解抑制剤の例は、ＥＰ０８３１３６９において式（Ｉ）〜（ＸＶＩ）として記載されている。酸不安定基を有する他の適切な溶解抑制剤は、ＵＳ５３５６７５２、ＵＳ５０３７７２１、ＵＳ５０１５５５４、ＪＰ−Ａ−１−２８９９４６、ＪＰ−Ａ−１−２８９９４７、ＪＰ−Ａ−２−２５６０、ＪＰ−Ａ−３−１２８９５９、ＪＰ−Ａ−３−１５８８５５、ＪＰ−Ａ−３−１７９３５３、ＪＰ−Ａ−３−１９１３５１、ＪＰ−Ａ−３−２００２５１、ＪＰ−Ａ−３−２００２５２、ＪＰ−Ａ−３−２００２５３、ＪＰ−Ａ−３−２００２５４、ＪＰ−Ａ−３−２００２５５、ＪＰ−Ａ−３−２５９１４９、ＪＰ−Ａ−３−２７９９５８、ＪＰ−Ａ−３−２７９９５９、ＪＰ−Ａ−４−１６５０、ＪＰ−Ａ−４−１６５１、ＪＰ−Ａ−１１２６０、ＪＰ−Ａ−４−１２３５６、ＪＰ−Ａ−４−１２３５６７、ＪＰ−Ａ−１−２８９９４６、ＪＰ−Ａ−３−１２８９５９、ＪＰ−Ａ−３−１５８８５５、ＪＰ−Ａ−３−１７９３５３、ＪＰ−Ａ−３−１９１３５１、ＪＰ−Ａ−３−２００２５１、ＪＰ−Ａ−３−２００２５２、ＪＰ−Ａ−３−２００２５３、ＪＰ−Ａ−３−２００２５４、ＪＰ−Ａ−３−２００２５５、ＪＰ−Ａ−３−２５９１４９、ＪＡ−３−２７９９５８、ＪＰ−Ａ−３−２７９９５９、ＪＰ−Ａ−４−１６５０、ＪＰ−Ａ−４−１６５１、ＪＰ−Ａ−１１２６０、ＪＰ−Ａ−４−１２３５６、ＪＰ−Ａ−４−１２３５７、並びに日本国特許出願番号３−３３２２９、３−２３０７９０、３−３２０４３８、４−２５４１５７、４−５２７３２、４−１０３２１５、４−１０４５４２、４−１０７８８５、４−１０７８８９、４−１５２１９５、４−２５４１５７、４−１０３２１５、４−１０４５４２、４−１０７８８５、４−１０７８８９及び４−１５２１９５に示されている。
【０２３６】
組成物は、また、ポリマー溶解抑制剤、例えばＵＳ５３５４６４３に記載されているポリアセタール又は例えばＵＳ５４９８５０６に記載されているポリ−Ｎ，Ｏ−アセタールを、アルカリ可溶性ポリマーと組み合わせて、又は曝露後に現像液においてレジストフィルムの溶解度を増加させる酸不安定基を含有するポリマーと組み合わせて、又は両方の種類のポリマーと組み合わせて含有することができる。
【０２３７】
酸不安定基を有する溶解抑制剤が、式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩのスルホネート誘導体、アルカリ可溶性ポリマー及び／又は酸不安定基を有するポリマーと組み合わせて本発明において使用される場合、溶解抑制剤の量は、感光性組成物の全固体成分の総量に基づいて、３〜５５重量％、好ましくは５〜４５重量％、最も好ましくは１０〜３５重量％である。
【０２３８】
アルカリ水溶液に可溶性のポリマー（ａ３）は、本発明において好ましく使用される。これらのポリマーの例には、ノボラック樹脂、水素化ノボラック樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリ（ｏ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｍ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲン−又はアルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ヒドロキシスチレン／Ｎ置換マレイミドコポリマー、ｏ／ｐ−及びｍ／ｐ−ヒドロキシスチレンコポリマー、部分的ｏ−アルキル化ポリ（ヒドロキシスチレン）〔例えば、５〜３０mol％のヒドロキシル基の置換度を有するｏ−メチル化、ｏ−（１−メトキシ）エチル化、ｏ−（１−エトキシ）エチル化、ｏ−２−テトラヒドロピラニル化及びｏ−（ｔ−ブトキシカルボニル）メチル化ポリ（ヒドロキシスチレン）〕、ｏ−アシル化ポリ（ヒドロキシスチレン）〔例えば、５〜３０mol％のヒドロキシル基の置換度を有するｏ−アセチル化及びｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化ポリ（ヒドロキシスチレン）〕、スチレン／無水マレイン酸コポリマー、スチレン／ヒドロキシスチレンコポリマー、α−メチルスチレン／ヒドロキシスチレンコポリマー、カルボキシル化メタクリル樹脂、並びにこれらの誘導体が挙げられる。更に適切なものは、ポリ（メタ）アクリル酸〔例えば、ポリ（アクリル酸）〕、（メタ）アクリル酸／（メタ）アクリレートコポリマー〔例えば、アクリル酸／メチルアクリレートコポリマー、メタクリル酸／メチルメタクリレートコポリマー又はメタクリル酸／メチルメタクリレート／ｔ−ブチルメタクリレートコポリマー〕、（メタ）アクリル酸／アルケンコポリマー〔例えば、アクリル酸／エチレンコポリマー〕、（メタ）アクリル酸／（メタ）アクリルアミドコポリマー〔例えば、アクリル酸／アクリルアミドコポリマー〕、（メタ）アクリル酸／塩化ビニルコポリマー〔例えば、アクリル酸／塩化ビニルコポリマー〕、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニルコポリマー〔例えば、アクリル酸／酢酸ビニルコポリマー〕、マレイン酸／ビニルエーテルコポリマー〔例えば、マレイン酸／メチルビニルエーテルコポリマー〕、マレイン酸モノエステル／メチルビニルエステルコポリマー〔例えば、マレイン酸モノメチルエステル／メチルビニルエーテルコポリマー〕、マレイン酸／（メタ）アクリル酸コポリマー〔例えば、マレイン酸／アクリル酸コポリマー又はマレイン酸／メタクリル酸コポリマー〕、マレイン酸／（メタ）アクリレートコポリマー〔例えば、マレイン酸／メチルアクリレートコポリマー〕、マレイン酸／塩化ビニルコポリマー、マレイン酸／酢酸ビニルコポリマー及びマレイン酸／アルケンコポリマー〔例えば、マレイン酸／エチレンコポリマー及びマレイン酸／１−クロロプロペンコポリマー〕である。
【０２３９】
しかし、本発明に使用されるアルカリ可溶性ポリマーは、これらの例に限定されると解釈されるべきではない。
特に好ましいアルカリ可溶性ポリマー（ａ３）は、ノボラック樹脂、ポリ（ｏ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｍ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、それぞれのヒドロキシスチレンモノマーと、例えば、ｐ−ビニルシクロヘキサノール、アルキ置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、部分的ｏ−又はｍ−アルキル化及びｏ−又はｍ−アシル化ポリ（ヒドロキシスチレン）とのコポリマー、スチレン／ヒドロキシスチレンコポリマー、並びにα−メチルスチレン／ヒドロキシスチレンコポリマーである。ノボラック樹脂は、主成分として１つ以上の所定のモノマーを、１つ以上のアルデヒドと、酸触媒の存在下で付加縮合することにより得られる。
【０２４０】
アルカリ可溶性樹脂の調製に有用なモノマーの例には、フェノール、クレゾール、すなわちｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びｏ−クレゾール、キシレノール、例えば２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール及び２，３−キシレノール、アルコキシフェノール、例えばｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−ブトキシフェノール及びｐ−ブトキシフェノール、ジアルキルフェノール、例えば２−メチル−４−イソプロピルフェノール、並びにｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール及びナフトールを含む他のヒドロキシル化芳香族化合物のような、ヒドロキシル化芳香族化合物が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２つ以上の混合物として使用することができる。ノボラック樹脂の主要なモノマーは、上記の例に限定されると解釈されるべきではない。
ノボラックを得るためにフェノール化合物と重縮合するアルデヒドの例には、ホルムアルデヒド、ｐ−ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピオンアルデヒド、β−フェニルプロピオンアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド，ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、クロロアセトアルデヒド、及びクロロアセトアルデヒドジエチルアセタールのようなこれらから誘導されるアセタールが挙げられる。これらのうち好ましいものは、ホルムアルデヒドである。
これらのアルデヒドは、単独で又は２つ以上を組み合わせて使用することができる。酸触媒の例には，塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシュウ酸が挙げられる。
【０２４１】
このようにして得られるノボラック樹脂の重量平均分子量は、適切には１，０００〜３０，０００である。重量平均分子量が１，０００より低い場合、現像の際に非照射領域において膜の減少が大きくなる傾向がある。重量平均分子量が５０，０００を超える場合、現像速度が遅くなりすぎる。ノボラック樹脂の分子量の特に好ましい範囲は、２，０００〜２０，０００である。
ノボラック樹脂以外のアルカリ可溶性ポリマーとして上記に示されたポリ（ヒドロキシスチレン）、並びにその誘導体及びコポリマーは、それぞれ２，０００以上、好ましくは４，０００〜２００，０００、より好ましくは５，０００〜５０，０００の重量平均分子量を有する。改善された耐熱性を有するポリマーフィルムを得る観点から、重量平均分子量は、望ましくは、少なくとも５，０００以上である。
本発明の文脈における重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーにより決定され、ポリスチレン基準を用いて検量されるものが意図される。
【０２４２】
本発明において、アルカリ可溶性ポリマーを２つ以上の混合物として使用することができる。アルカリ可溶性ポリマーと、酸の作用で分解して、アルカリ性現像溶液において溶解度を増強させる基を有するポリマーとの混合物が使用される場合、アルカリ可溶性ポリマーの添加量は、感光性組成物の総量（溶媒を除く）に基づいて、好ましくは８０重量％まで、より好ましくは６０重量％まで、最も好ましくは４０重量％までである。８０重量％を超える量は、レジストパターンが厚さの著しい減少を被り、劣った画像及び低い解像度をもたらすため望ましくない。
アルカリ可溶性ポリマーを、酸の作用で分解してアルカリ性現像溶液において溶解度を増強させる基を有するポリマーを用いることなく、溶解抑制剤と一緒に使用する場合、アルカリ可溶性ポリマーの量は、好ましくは４０〜９０重量％、より好ましくは５０〜８５重量％、最も好ましくは６０〜８０重量％である。その量が４０重量％より少ない場合、感受性の低減のような望ましくない結果が引き起こされる。一方、９０重量％を超えると、レジストパターンが膜厚の著しい減少を被り、劣った解像度及び画像再生をもたらす。
【０２４３】
化学的に増幅された系における本発明のスルホネート誘導体の使用は、ポリマーから保護基を除去する原則により機能し、一般にポジティブレジストを生じる。ポジティブレジストは、多くの用途において、特にその高い解像度のためネガティブレジストよりも好まれる。しかし、ポジティブレジストの高度な解像度という利点をネガティブレジストの特性と組み合わせるため、ポジティブレジスト構造を使用してネガティブ像を生成することも興味深い。これは、例えばＥＰ３６１９０６に記載されている、いわゆる画像反転工程を導入して達成することができる。このために、像様式に照射されたレジスト材料を、現像工程の前に、例えば気体塩基で処理し、それにより、生じた酸を像様式に中和する。次に全領域にわたって２回目の照射及び熱後処理を実施し、次にネガ像を慣用の方法により現像する。
【０２４４】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、ＡｒＦレジスト技術において、すなわち、画像化工程においてＡｒＦエキシマーレーザー（１９３nm）を使用する技術において、光潜在性の酸として特に適している。この技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、下記において公表されている：
Proceeding of SPIE 2438, 474 (1995)；Proceeding of SPIE 3049, 44 (1997)；Proceeding of SPIE 3333, 144 (1998)；J. Photopolym. Sci. Technol. 14, 631 (2001)；Proceeding of SPIE 3333, 546 (1998)；J. Photopolym. Sci. Technol. 13, 601 (2000)；ＪＰ２００１−２４２６２７Ａ；ＪＰ２００１−２９０２７４Ａ；ＪＰ２００１−２３５８６３Ａ；ＪＰ２００１−２２８６１２Ａ；Proceeding of SPIE 3333, 144 (1998)；ＪＰ２００１−５１８４Ａ、三菱レイヨンから市販されているLithomax alpha-7K；ＪＰ２００１−２７２７８３Ａ；米国特許出願０９／４１３７６３（１９９９年１０月７日出願）；ＥＰ１０９１２４９；ＪＰ２０００−２９２９１７Ａ；ＪＰ２００３−２４１３８５Ａ；J. Photopolym. Sci. Technol. 14, 631 (2001)；Proceeding of SPIE 3333, 11 (1998)；ACS 1998 (University of Texas)；ＪＰ２００１−２９０２７４Ａ；ＪＰ２００１−２３５８６３Ａ；ＪＰ２００１−２２８６１２Ａ；Proceeding of SPIE 3999, 13 (2000)；ＪＰ２００１−２９６６６３Ａ；米国特許出願０９／５６７８１４（２０００年５月９日出願）；ＥＰ１１２８２１３；Proceeding of SPIE 3049, 104 (1997)；J. Photopolym. Sci. Technol. 10, 521 (1997)；ＪＰ２００１−２９０２７４Ａ；ＪＰ２００１−２３５８６３Ａ；ＪＰ２００１−２２８６１２Ａ；Proceeding of SPIE 4345, 680 (2001)；J. Vac. Sci. Technol. B 16(6), p. 3716, 1998；Proceeding of SPIE 2724, 356 (1996)；Proceeding of SPIE 4345, 67 (2001)；Proceeding of SPIE 3333, 546 (1998)；Proceeding of SPIE 4345, 87 (2001)；Proceeding of SPIE 4345, 159 (2001)；Proceeding of SPIE 3049, 92 (1997)；Proceeding of SPIE 3049, 92 (1997)；Proceeding of SPIE 3049, 92 (1997)；Proceeding of SPIE 3999, 2 (2000)；Proceeding of SPIE 3999, 23 (2000)；Proceeding of SPIE 3999, 54 (2000)；Proceeding of SPIE 4345, 119 (2001）。
【０２４５】
前記の公報に開示されている配合物は、参照として本明細書に組み込まれる。本発明の化合物は、これらの引用された公報に記載されている全てのポリマー／コポリマー及び組成物において光潜在性の酸として使用するのに特に適していることが理解される。
【０２４６】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、二層レジストにおいて光潜在性の酸として適している。この技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、Proc. SPIE 4345, 361-370 (2001)、Proc. SPIE 4345, 406-416 (2001)、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０７３、ＪＰ−Ａ−２００２−３０１１６、ＪＰ−Ａ−２００２−３０１１８、ＪＰ−Ａ−２００２−７２４７７、ＪＰ−Ａ−２００２−３４８３３２、ＪＰ−Ａ−２００３−２０７８９６、ＪＰ−Ａ−２００２−８２４３７、ＵＳ２００３／６５１０１、ＵＳ２００３／６４３２１において公表されている。
【０２４７】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、多層レジストにおいて光潜在性の酸として適している。この技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−２００３−１７７５４０、ＪＰ−Ａ−２００３−２８０２０７、ＪＰ−Ａ−２００３−１４９８２２、ＪＰ−Ａ−２００３−１７７５４４において公表されている。
【０２４８】
微細孔パターンを作製するために、熱流処理(thermal flow process)又は化学収縮技術(chemical shrink technology)、いわゆるＲＥＬＡＣＳ（化学収縮補助解像度増強リソグラフィー（resolution enhancement lithography assisted by chemical shrink））プロセスを、化学的に増幅されたレジストに適用する。本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、熱流処理又はＲＥＬＡＣＳプロセスのためのレジストにおいて光潜在性の酸として適している。これらの技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−２００３−１６７３５７、ＪＰ−Ａ−２００１−３３７４５７、ＪＰ−Ａ−２００３−６６６２６、ＵＳ２００１／５３４９６、Proceeding of SPIE 5039, 789 (2003)、IEDM98, Dig., 333 (1998)、Proceeding Silicon Technology 11, 12 (1999)において公表されている。
【０２４９】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、Ｆ２レジスト技術において、すなわち、画像化工程においてＦ２エキシマーレーザー（１５７nm）を使用する技術において、光潜在性の酸として適している。この技術は、１５７nmで高い透明度を有する特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。この用途に適切なポリマーの例は、例えば、Proc. SPIE 3999, 330-334 (2000)、Proc. SPIE 3999, 357-364 (2000)、Proc. SPIE 4345, 273-284 (2001)、Proc. SPIE 4345, 285-295 (2001)、Proc. SPIE 4345, 296-307 (2001)、Proc. SPIE 4345, 327-334 (2001)、Proc. SPIE 4345, 350-360 (2001)、Proc. SPIE 4345, 379-384 (2001)、Proc. SPIE 4345, 385-395 (2001)、Proc. SPIE 4345, 417-427 (2001)、Proc. SPIE 4345, 428-438 (2001)、Proc. SPIE 4345, 439-447 (2001)、Proc. SPIE 4345, 1048-1055 (2001)、Proc. SPIE 4345, 1066-1072 (2001)、Proc. SPIE 4690, 191-199 (2002)、Proc. SPIE 4690, 200-211 (2002)、Proc. SPIE 4690, 486-496 (2002)、Proc. SPIE 4690, 497-503 (2002)、Proc. SPIE 4690, 504-511 (2002)、Proc. SPIE 4690, 522-532 (2002)、ＵＳ２００２００３１７１８、ＵＳ２００２００５１９３８、ＵＳ２００２００５５０６０、ＵＳ２００２００５８１９９、ＵＳ２００２０１０２４９０、ＵＳ２００２０１４６６３９、ＵＳ２００３０００３３７９、ＵＳ２００３００１７４０４、ＷＯ２００２０２１２１２、ＷＯ２００２０７３３１６、ＷＯ２００３００６４１３、ＪＰ−Ａ−２００１−２９６６６２、ＪＰ−Ａ−２００１−３５０２６３、ＪＰ−Ａ−２００１−３５０２６４、ＪＰ−Ａ−２００１−３５０２６５、ＪＰ−Ａ−２００１−３５６４８０、ＪＰ−Ａ−２００２−６０４７５、ＪＰ−Ａ−２００２−９０９９６、ＪＰ−Ａ−２００２−９０９９７、ＪＰ−Ａ−２００２−１５５１１２、ＪＰ−Ａ−２００２−１５５１１８、ＪＰ−Ａ−２００２−１５５１１９、ＪＰ−Ａ−２００２−３０３９８２、ＪＰ−Ａ−２００２−３２７０１３、ＪＰ−Ａ−２００２−３６３２２２、ＪＰ−Ａ−２００３−２９２５、ＪＰ−Ａ−２００３−１５３０１、ＪＰ−Ａ−２００３−２９２５、ＪＰ−Ａ−２００３−１７７５３９、ＪＰ−Ａ−２００３−１９２７３５、ＪＰ−Ａ−２００２−１５５１１５、ＪＰ−Ａ−２００３−２４１３８６、ＪＰ−Ａ−２００３−２５５５４４、ＵＳ２００３／３６０１６、ＵＳ２００２／８１４９９に記載されているフルオロポリマーである。Ｆ２レジストに適切な他のポリマーは、例えば、Proc. SPIE 3999, 365-374 (2000)、Proc. SPIE 3999, 423-430 (2000)、Proc. SPIE 4345, 319-326 (2001)、ＵＳ２００２００２５４９５、ＪＰ−Ａ−２００１−２９６６６４、ＪＰ−Ａ−２００２−１７９７９５、ＪＰ−Ａ−２００３−２０３３５、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０７３、ＪＰ−Ａ−２００２−５５４５６、ＪＰ−Ａ−２００２−３４８３３に記載されているケイ素含有ポリマーである。例えばＪＰ−Ａ−２００２−１９６４９５に記載されている（メタ）アクリロニトリルモノマー単位を含有するポリマーも、Ｆ２レジストに適している。
【０２５０】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、ＥＵＶレジスト技術において、すなわち、画像化工程において極紫外（１３nm）の光源を使用する技術において、光潜在性の酸として適している。この技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−２００２−５５４５２、ＪＰ−Ａ−２００３−１７７５３７、ＪＰ−Ａ−２００３−２８０１９９、ＪＰ−Ａ−２００２−３２３７５８、ＵＳ２００２／５１９３２において公表されている。
【０２５１】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、ＥＢ（電子ビーム）又はＸ線レジストにおいて、すなわち、画像化工程においてＥＢ又はＸ線を使用する技術において、光潜在性の酸として適している。これらの技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−２００２−９９０８８、ＪＰ−Ａ−２００２−９９０８９、ＪＰ−Ａ−２００２−９９０９０、ＪＰ−Ａ−２００２−２４４２９７、ＪＰ−Ａ−２００３−５３５５、ＪＰ−Ａ−２００３−５３５６、ＪＰ−Ａ−２００３−１６２０５１、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０６８、ＪＰ−Ａ−２００２−３３３７１３、ＪＰ−Ａ−２００２−３１８９２において公表されている。
【０２５２】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、浸漬リソグラフィーのための化学的に増幅されたレジストにおいて光潜在性の酸として適している。この技術は、Proceeding of SPIE 5040, 667 (2003)、Proceeding of SPIE 5040, 679 (2003)、Proceeding of SPIE 5040, 690 (2003)、Proceeding of SPIE 5040, 724 (2003)に記載されているように、光源とレジストの間に液体媒質を使用してレジストパターンの最小形状を低減する。
【０２５３】
本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、ポジティブ及びネガティブ感光性ポリイミドにおいて光潜在性の酸として適している。この技術は、特定のポリマー／コポリマーの使用を必要とする。適切な配合物及び適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−９−１２７６９７、ＪＰ−Ａ−１０−３０７３９３、ＪＰ−Ａ−１０−２２８１１０、ＪＰ−Ａ−１０−１８６６６４、ＪＰ−Ａ−１１−３３８１５４、ＪＰ−Ａ−１１−３１５１４１、ＪＰ−Ａ−１１−２０２４８９、ＪＰ−Ａ−１１−１５３８６６、ＪＰ−Ａ−１１−８４６５３、ＪＰ−Ａ−２０００−２４１９７４、ＪＰ−Ａ−２０００−２２１６８１、ＪＰ−Ａ−２０００−３４３４８、ＪＰ−Ａ−２０００−３４３４７、ＪＰ−Ａ−２０００−３４３４６、ＪＰ−Ａ−２０００−２６６０３、ＪＰ−Ａ−２００１−２９０２７０、ＪＰ−Ａ−２００１−２８１４４０、ＪＰ−Ａ−２００１−２６４９８０、ＪＰ−Ａ−２００１−２５５６５７、ＪＰ−Ａ−２００１−２１４０５６、ＪＰ−Ａ−２００１−２１４０５５、ＪＰ−Ａ−２００１−１６６４８４、ＪＰ−Ａ−２００１−１４７５３３、ＪＰ−Ａ−２００１−１２５２６７、ＪＰ−Ａ−２００１−８３７０４、ＪＰ−Ａ−２００１−６６７８１、ＪＰ−Ａ−２００１−５６５５９、ＪＰ−Ａ−２００１−３３９６３、ＪＰ−Ａ−２００２−３５６５５５、ＪＰ−Ａ−２００２−３５６５５４、ＪＰ−Ａ−２００２−３０３９７７、ＪＰ−Ａ−２００２−２８４８７５、ＪＰ−Ａ−２００２−２６８２２１、ＪＰ−Ａ−２００２−１６２７４３、ＪＰ−Ａ−２００２−１２２９９３、ＪＰ−Ａ−２００２−９９０８４、ＪＰ−Ａ−２００２−４０６５８、ＪＰ−Ａ−２００２−３７８８５、ＪＰ−Ａ−２００３−２６９１９において公表されている。
前記の公報に開示されている配合物は、参照として本明細書に組み込まれる。本発明の化合物は、これらの引用された公報に記載されている全てのポリマー／コポリマー及び組成物において光潜在性の酸として使用するのに特に適していることが理解される。
【０２５４】
ネガティブレジストを生成する酸感受性成分は、特に、酸（例えば、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの照射の際に形成される酸）により触媒作用を受ける場合、それ自体で、及び／又は組成物の１つ以上の更なる成分と架橋反応を起こすことができる化合物であることを特徴とする。例えばこの種類の化合物は、例えばアクリル、ポリエステル、アルキド、メラミン、尿素、エポキシ及びフェノール樹脂又はこれらの混合物のような既知の酸硬化性樹脂である。アミノ樹脂、フェノール樹脂及びエポキシ樹脂が極めて適している。この種類の酸硬化性樹脂は一般に既知であり、例えば、Ullmann's Encyclopaedie der technischen Chemie" [Ullmanns Enceclopedia of Technical Chemistry], 4th Edition, Vol. 15 (1978), p. 613-628に記載されている。架橋剤成分は、ネガティブレジスト組成物の全固形分に基づいて、２〜４０重量％、好ましくは５〜３０重量％の濃度で存在するべきである。
【０２５５】
本発明の主題は、また、化学的に増幅されたネガティブフォトレジスト組成物である。
【０２５６】
本発明は、また、下記：
（ａ５）酸の触媒作用を受けると、それ自体で、及び／又は他の成分と架橋反応を起こす成分；並びに
（ｂ）感光性酸供与体として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物；及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位、及び場合により式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたネガティブフォトレジスト組成物に関する。
【０２５７】
本発明は、特別の実施態様として、下記：
（ａ４）結合剤としてアルカリ可溶性樹脂、
（ａ５）酸の触媒作用を受けると、それ自体で、及び／又は結合剤と架橋反応を起こす成分、並びに
（ｂ）感光性酸供与体として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び場合により式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む、化学的に増幅されたネガティブアルカリ現像性フォトレジストを含む。
【０２５８】
組成物は、成分（ｂ）に加えて、他の感光性酸供与体（ｂ１）、他の光開始剤（ｄ）及び／又は他の添加剤（ｃ）を含むことができる。
【０２５９】
酸硬化性樹脂（ａ５）として特に好ましいものは、非エーテル化又はエーテル化メラミンのようなアミノ樹脂、尿素、グアニジン又はビウレット樹脂、特にメチル化メラミン樹脂又はブチル化メラミン樹脂、対応するグリコールウリル及びウロンである。この文脈において「樹脂」とは、一般にオリゴマーも含む慣用の技術的な混合物と、純粋であり高純度の化合物の両方であることが理解される。Ｎ−ヘキサ（メトキシメチル）メラミン及びテトラメトキシメチルグリコリル並びにＮ，Ｎ′−ジメトキシメチルウロンは、最も好ましい酸硬化性樹脂である。
【０２６０】
ネガティブレジストにおける式Ｉ、ＩＩ又はＩＩＩの化合物の濃度は、一般に、組成物の全固形分に基づいて、０．１〜３０重量％、好ましくは２０重量％までである。１〜１５重量％が特に好ましい。
【０２６１】
適切であれば、ネガティブ組成物は、皮膜形成ポリマー結合剤（ａ４）を含むことができる。この結合剤は、好ましくはアルカリ可溶性フェノール樹脂である。このために好適なものは、例えば、アルデヒド、例えばアセトアルデヒド又はフルフルアルデヒド、特にホルムアルデヒドから、及びフェノール、例えば非置換フェノール、ｐ−クロロフェノールのようなモノ−若しくはジクロロ置換フェノール、ｏ−、ｍ−若しくはｐ−クレゾールのようなＣ１〜Ｃ９アルキルでモノ−若しくはジ置換されているフェノール、種々のキシレノール、ｐ−tert−ブチルフェノール、ｐ−ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、レゾルシノール、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン又は２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導されるノボラックである。また適切なものは、エチレン性不飽和フェノールに基づいたホモ−及びコポリマーであり、例えば、ｐ−ビニルフェノール若しくはｐ−（１−プロペニル）フェノールのようなビニル−及び１−プロペニル置換フェノールのホモポリマー、又はこれらのフェノールと、１つ以上のエチレン性不飽和物質、例えばスチレンとのコポリマーである。結合剤の量は、一般に３０〜９５重量％、又は好ましくは４０〜８０重量％であるべきである。
【０２６２】
スルホネート誘導体を酸発生剤として使用することもでき、例えば、ネガティブレジスト系においてポリ（グリシジル）メタクリレートの酸触媒架橋において光化学的に活性化することができる。そのような架橋反応は、例えば、Chae et al. in Pollimo 1993, 17(3), 292に記載されている。
【０２６３】
本発明の、適切な配合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物と、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーとを使用するネガティブレジストに適切なポリマー／コポリマーの調製は、例えば、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６８８、ＪＰ−Ａ−２００３−１１４５３１、ＪＰ−Ａ−２００２−２８７３５９、ＪＰ−Ａ−２００１−２５５６５６、ＪＰ−Ａ−２００１−３０５７２７、ＪＰ−Ａ−２００３−２３３１８５、ＪＰ−Ａ−２００３−１８６１９５、ＵＳ６５７６３９４において公表されている。
【０２６４】
ポジティブ及びネガティブレジスト組成物は、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの感光性酸供与体化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーに加えて、更なる感光性酸供与体化合物（ｂ１）、更なる添加剤（ｃ）、他の光開始剤（ｄ）及び／又は増感剤（ｅ）を含むことができる。
したがって、本発明の主題は、また、成分（ａ）及び（ｂ）、又は成分（ａ１）、（ａ２）、（ａ３）及び（ｂ）、又は成分（ａ４）、（ａ５）及び（ｂ）に加えて、更なる添加剤（ｃ）、更なる感光性酸供与体化合物（ｂ１）、他の光開始剤（ｄ）及び／又は増感剤（ｅ）を含む、上記に記載された化学的に増幅されたレジスト組成物である。
【０２６５】
ポジティブ及びネガティブレジストにおける本発明のスルホネート誘導体は、他の既知の光潜在性の酸（ｂ１）、例えば、オニウム塩、６−ニトロベンジルスルホネート、ビス−スルホニルジアゾメタン化合物、シアノ基含有オキシムスルホネート化合物などと一緒に使用することもできる。化学的に増幅されたレジストのための既知の光潜在性の酸の例は、ＵＳ５７３１３６４、ＵＳ５８００９６４、ＥＰ７０４７６２、ＵＳ５４６８５８９、ＵＳ５５５８９７１、ＵＳ５５５８９７６、ＵＳ６００４７２４、ＧＢ２３４８６４４、特にＥＰ７９４４５７及びＥＰ７９５７８６に記載されている。
光潜在性の酸の混合物が本発明のレジスト組成物に使用される場合、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩのスルホネート誘導体又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーと他の光潜在性の酸（ｂ１）の、混合物における重量比は、好ましくは１：９９〜９９：１である。
【０２６６】
式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物又はＩ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーとの混合に使用されることが適切である光潜在性の酸の例は、下記である：
（１）オニウム塩化合物、例えば、
ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩。好ましいものは、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、（ヒドロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミド、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム、トリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチド、トリフェニルスルホニウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、トリフェニルスルホニウム（オクタフルオロブタン−１，４−ジスルホニル）イミド、トリフェニルスルホニウムトリス（トリフルオロメタンスルホニル）メチドなどであり、ヨードニウムカチオンは、４−メチルフェニル−４′−イソブチルフェニルヨードニウム又は４−メチルフェニル−４′−イソプロピルフェニルヨードニウムであることもできる。特に好ましいものは、トリフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートである。他の例は、ＪＰ−Ａ−２００２−２２９１９２、ＪＰ−Ａ−２００３−１４０３３２、ＪＰ−Ａ−２００２−１２８７５５、ＪＰ−Ａ−２００３−３５９４８、ＪＰ−Ａ−２００３−１４９８００、ＪＰ−Ａ−２００２−６４８０、ＪＰ−Ａ−２００２−１１６５４６、ＪＰ−Ａ−２００２−１５６７５０、ＵＳ６４５８５０６、ＵＳ２００３／２７０６１、ＵＳ５５５４６６４に記載されている。
【０２６７】
（２）ハロゲン含有化合物、
ハロアルキル基含有複素環式化合物、ハロアルキル基含有炭化水素化合物など。好ましいものは、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンなどのような（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体；１，１−ビス（４−クロロフェニル）２，２，２−トリクロロエタンなどである。
【０２６８】
（３）例えば下記式：
【０２６９】
【化７０】
2009541254.tif 000072
【０２７０】
のスルホン化合物であり、ここでＲａ及びＲｂは、互いに独立して、アルキル、シクロアルキル又はアリールであり、それぞれ少なくとも１つの置換基を有することができ、例えば下記：
【０２７１】
【化７１】
2009541254.tif 000073
【０２７２】
である。そのような化合物は、例えば、ＵＳ２００２／０１７２８８６−Ａ、ＪＰ−Ａ−２００３−１９２６６５、ＵＳ２００２／９６６３に開示されている。更なる例は、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホン及びそれらのα−ジアゾ誘導体などである。好ましいものは、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタンである。
（４）スルホネート化合物、例えば、
アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート、イミドスルホネートなど。好ましいイミドスルホネート化合物は、例えば、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−メチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミドなどである。
他の適切なスルホネート化合物は、好ましくは、例えば、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフレート、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−ベンジルシアニド、α−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−４−メトキシベンジルシアニド、α−（４−トルエン−スルホニルオキシイミノ）−２−チエニルメチルシアニド、α−（メタンスルホニルオキシイミノ）−１−シクロヘキセニルアセトニトリル、α−（ブチルスルホニルオキシイミノ）−１−シクロペンテニルアセトニトリル、（４−メチルスルホニルオキシイミノ−シクロヘキサ−２，５−ジエニリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−フェニル−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−プロピルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−（１０−カンホスルホニルオキシイミノ）−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−メチルフェニル）−アセトニトリル、（５−メチルスルホニルオキシイミノ−５Ｈ−チオフェン−２−イリデン）−（２−クロロフェニル）−アセトニトリル、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−〔４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−プロパンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ〕−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−プロパンスルホネート、２，２，２−トリフルオロ−１−｛４−（３−〔４−｛２，２，２−トリフルオロ−１−（１−ｐ−トルエンスルホニルオキシイミノ）−エチル｝−フェノキシ〕−プロポキシ）−フェニル｝−エタノンオキシム１−ｐ−トルエンスルホネート、２−〔２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロ−１−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ）−ヘプチル〕−フルオレン、２−〔２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ）−ブチル〕−フルオレン、２−〔２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−（ノナフルオロブチルスルホニルオキシイミノ）−ペンチル〕−フルオレンなどである。
【０２７３】
本発明の放射線感受性組成物において、特に好ましいスルホネート化合物には、ピロガロールメタンスルホン酸トリエステル、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−ビシクロ−〔２，２，１〕−ヘプタ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（カンファニルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ）フタルイミドなどが含まれる。
（５）キノンジアジド化合物、例えば、
ポリヒドロキシ化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル化合物。好ましいものは、１，２−キノンジアジドスルホニル基、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル基などを有する化合物である。特に好ましいものは、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル基又は１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル基を有する化合物である。特に適切なものは、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，４，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，３，２，６′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，３′，４，４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３′，４，４′，５′，６−ヘキサヒドロキシベンゾフェノンなどのような（ポリ）ヒドロキシフェニルアリールケトンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル；ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２、２−ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）プロパン、２、２−ビス−（２，３，４−トリドロキシフェニル）プロパンなどのようなビス〔（ポリ）ヒドロキシフェニル〕アルカンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル；４，４′−ジヒドロキシトリフェニルメタン、４，４′，４"−トリヒドロキシトリフェニルメタン、４，４′，５，５′−テトラメチル−２，２′，２"−トリヒドロキシトリフェニルメタン、２，２，５，５′−テトラメチル−４，４′，４"−トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−〔１−（ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル〕フェニル）エタンなどのような（ポリ）ヒドロキシフェニルアルカンの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル；２，４，４−トリメチル−２′，４′，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバン、２，４，４−トリメチル−２′，４′，５′，６，７−ペンタヒドロキシ−２−フェニルフラバンなどのような（ポリ）ヒドロキシフェニルフラバンの１，２−キノンジアジゾスルホン酸エステルである。
本発明の化合物との混合に使用するのに適切である光潜在性の酸の他の例は、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６７８、ＪＰ−Ａ−２００３−５３７２、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６７７、ＪＰ−Ａ−２００２−３５７９０４、ＪＰ−Ａ−２００２−２２９１９２に記載されている。
【０２７４】
本発明のポジティブ及びネガティブフォトレジスト組成物は、場合により、フォトレジストに慣用的に使用される１つ以上の添加剤（ｃ）を当業者に既知の慣用の量で含有することができ、例えば、染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、流動性向上剤、湿潤剤、定着剤、チキソトロープ剤、着色剤、充填剤、溶解促進剤、酸増幅剤、光増感剤及び有機塩基性化合物である。
本発明のレジスト組成物に使用できる有機塩基性化合物の更なる例は、フェノールよりも強力な塩基の化合物であり、特に窒素含有塩基性化合物である。これらの化合物は、例えばテトラアルキルアンモニウム塩のようなイオン性であるか、又は非イオン性であることができる。好ましい有機塩基性化合物は、異なる化学環境を有する窒素原子を、１分子当たり２個以上有する窒素含有塩基性化合物である。特に好ましくは、少なくとも１つの置換又は非置換アミノ基及び少なくとも１つの窒素含有環構造の両方を含有する化合物、並びに少なくとも１つのアルキルアミノ基を有する化合物である。そのような好ましい化合物の例には、グアニジン、アミノピリジン、アミノアルキルピリジン、アミノピロリジン、インダゾール、イミダゾール、ピラゾール、ピラジン、ピリミジン、プリン、イミダゾリン、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン及びアミノアルキルモルホリンが挙げられる。適切なものは、非置換の化合物又は置換されているその誘導体の両方である。好ましい置換基には、アミノ、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ、ヒドロキシ及びシアノが含まれる。特に好ましい有機塩基性化合物の特定の例には、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３−テトラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルホリン及びＮ−（２−アミノエチル）モルホリンが挙げられる。
適切な有機塩基化合物の他の例は、ＤＥ４４０８３１８、ＵＳ５６０９９８９、ＵＳ５５５６７３４、ＥＰ７６２２０７、ＤＥ４３０６０６９、ＥＰ６１１９９８、ＥＰ８１３１１３、ＥＰ６１１９９８及びＵＳ５４９８５０６、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６７７、ＪＰ−Ａ−２００３−４３６７８、ＪＰ−Ａ−２００２−２２６４７０、ＪＰ−Ａ−２００２−３６３１４６、ＪＰ−Ａ−２００２−３６３１４８、ＪＰ−Ａ−２００２−３６３１５２、ＪＰ−Ａ−２００３−９８６７２、ＪＰ−Ａ−２００３−１２２０１３、ＪＰ−Ａ−２００２−３４１５２２に記載されている。しかし、本発明に適切な有機塩基性化合物は、これらの例に限定されない。
窒素含有塩基性化合物は、単独で、又はそれらの２つ以上を組み合わせて使用することができる。窒素含有塩基性化合物の添加量は、感光性樹脂組成物（溶媒を除く）の１００重量部当たり、通常０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５重量部である。その量が０．００１重量部よりも少ない場合、本発明の効果を得ることができない。一方、１０重量部を超える場合、感受性の減少及び非暴露部分の現像性に障害が起きやすくなる。
組成物は、例えば、ＥＰ７１０８８５、ＵＳ５６６３０３５、ＵＳ５５９５８５５、ＵＳ５５２５４５３及びＥＰ６１１９９８に記載されているような、化学線で分解する塩基性有機化合物（「自殺塩基」）を更に含有することができる。
【０２７５】
本発明の組成物に適切な染料（ｃ）の例は、油溶性染料及び塩基性染料、例えば、Oil Yellow #101、Oil Yellow #103、Oil Pink #312、Oil Green BG、Oil Blue BOS、Oil Blue #603、Oil Black BY、Oil Black BS、Oil Black T-505（全てOrient Chemical Industries Ltd., Japanの製造）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレット、（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）及びメチレンブルー（ＣＩ５２０１５）である。
【０２７６】
スペクトル増感剤（ｅ）を更に加えて、遠紫外線よりも長い波長の領域において吸収を示すように光潜在性の酸を増感することができ、それにより、本発明の感光性組成物を、例えば、ｉ線又はｇ線放射線に敏感にすることができる。適切なスペクトル増感剤の例には、ベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ′−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、チオキサントン、２−クロロチオキアントン、アントロン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビンＴ、９，１０−ジフェニルアントラセン、９−フロオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、２−ニトロフロオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン、１，２、−ベンゾアントラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンゾアントロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、３−アシルクマリン誘導体、３，３′−カルボニル−ビス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）、３−（アロイルメチレン）チアゾリン、エオシン、ローダミン、エリトロシン及びコロネンが挙げられる。しかし、適切なスペクトル増感剤は、これらの例に限定されない。
これらのスペクトル増感剤は、光源から放射される遠紫外線を吸収する光吸収剤として使用することもできる。この場合、光吸収剤は、基材からの光の反射を減少させ、レジストフィルム内の多重反射の影響を軽減し、それにより、定常波の影響を減少させる。
そのような化合物の特定の例は、下記である：
１．チオキサントン類
チオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、２−ドデシルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−メトキシカルボニルチオキサントン、２−エトキシカルボニルチオキサントン、３−（２−メトキシエトキシカルボニル）−チオキサントン、４−ブトキシカルボニルチオキサントン、３−ブトキシカルボニル−７−メチルチオキサントン、１−シアノ−３−クロロチオキサントン、１−エトキシカルボニル−３−クロロチオキサントン、１−エトキシカルボニル−３−エトキシチオキサントン、１−エトキシカルボニル−３−アミノチオキサントン、１−エトキシカルボニル−３−フェニルスルフリルチオキサントン、３，４−ジ−〔２−（２−メトキシエトキシ）エトキシカルボニル〕−チオキサントン、１，３−ジメチル−２−ヒドロキシ−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン２−エチルヘキシルエーテル、１−エトキシカルボニル−３−（１−メチル−１−モルホリノエチル）−チオキサントン、２−メチル−６−ジメトキシメチル−チオキサントン、２−メチル−６−（１，１−ジメトキシベンジル）−チオキサントン、２−モルホリノメチルチオキサントン、２−メチル−６−モルホリノメチルチオキサントン、Ｎ−アリルチオキサントン−３，４−ジカルボキシイミド、Ｎ−オクチルチオキサントン−３，４−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−チオキサントン−３，４−ジカルボキシイミド、１−フェノキシチオキサントン、６−エトキシカルボニル−２−メトキシチオキサントン、６−エトキシカルボニル−２−メチルチオキサントン、チオキサントン−２−カルボン酸ポリエチレングリコールエステル、２−ヒドロキシ−３−（３，４−ジメチル−９−オキソ−９Ｈ−チオキサントン−２−イルオキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパンアミウムクロリド；
２．ベンゾフェノン類 
ベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェノン、４，４′−ジメトキシベンゾフェノン、４，４′−ジメチルベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（メチルエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４′−ビス（ｐ−イソプロピルフェノキシ）ベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン、３−メチル−４′−フェニル−ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチル−４′−フェニル−ベンゾフェノン、４−（４−メチルチオフェニル）−ベンゾフェノン、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、メチル−２−ベンゾイルベンゾエート、４−（２−ヒドロキシエチルチオ）−ベンゾフェノン、４−（４−トリルチオ）ベンゾフェノン、１−〔４−（４−ベンゾイル−フェニルスルファニル）−フェニル〕−２−メチル−２−（トルエン−４−スルホニル）−プロパン−１−オン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルベンゼンメタンアミニウムクロリド、２−ヒドロキシ−３−（４−ベンゾイルフェノキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパンアミニウムクロリド一水和物、４−（１３−アクリロイル−１，４，７，１０，１３−ペンタオキサチリデシル）−ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−〔２−（１−オキソ−２−プロペニル）オキシ〕エチル−ベンゼンメタンアミニウムクロリド；
３．クマリン類
Coumarin 1、Coumarin 2、Coumarin 6、Coumarin 7、Coumarin 30、Coumarin 102、Coumarin 106、Coumarin 138、Coumarin 152、Coumarin 153、Coumarin 307、Coumarin 314、Coumarin 314T、Coumarin 334、Coumarin 337、Coumarin 500、３−ベンゾイルクマリン、３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジメトキシクマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン、３−ベンゾイル−６，８−ジクロロクマリン、３−ベンゾイル−６−クロロ−クマリン、３，３′−カルボニル−ビス〔５，７−ジ（プロポキシ）−クマリン〕、３，３′−カルボニル−ビス（７−メトキシクマリン）、３，３′−カルボニル−ビス（７−ジエチルアミノ−クマリン）、３−イソブチロイルクマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジメトキシ−クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジエトキシ−クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジブトキシクマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジ（メトキシエトキシ）−クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジ（アリルオキシ）クマリン、３−ベンゾイル−７−ジメチルアミノクマリン、３−ベンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、３−イソブチロイル−７−ジメチルアミノクマリン、５，７−ジメトキシ−３−（１−ナフトイル）−クマリン、５，７−ジエトキシ−３−（１−ナフトイル）−クマリン、３−ベンゾイルベンゾ〔ｆ〕クマリン、７−ジエチルアミノ−３−チエノイルクマリン、３−（４−シアノベンゾイル）−５，７−ジメトキシクマリン、３−（４−シアノベンゾイル）−５，７−ジプロポキシクマリン、７−ジメチルアミノ−３−フェニルクマリン、７−ジエチルアミノ−３−フェニルクマリン、ＪＰ０９−１７９２９９−Ａ及びＪＰ０９−３２５２０９−Ａに開示されているクマリン誘導体、例えば７−〔｛４−クロロ−６−（ジエチルアミノ）−Ｓ−トリアジン−２−イル｝アミノ〕−３−フェニルクマリン；
４．３−（アロイルメチレン）−チアゾリン類
３−メチル−２−ベンゾイルメチレン−β−ナフトチアゾリン、３−メチル−２−ベンゾイルメチレン−ベンゾチアゾリン、３−エチル−２−プロピオニルメチレン−β−ナフトチアゾリン；
５．ローダニン類
４−ジメチルアミノベンザルローダニン、４−ジエチルアミノベンザルローダニン、３−エチル−５−（３−オクチル−２−ベンゾチアゾリニリデン）−ローダニン、ＪＰ０８−３０５０１９Ａに開示されている式〔１〕、〔２〕、〔７〕のローダニン誘導体；
６．他の化合物
アセトフェノン、３−メトキシアセトフェノン、４−フェニルアセトフェノン、ベンジル、４，４′−ビス（ジメチルアミノ）ベンジル、２−アセチルナフタレン、２−ナフトアルデヒド、ダンシル酸誘導体、９，１０−アントラキノン、アントラセン、ピレン、アミノピレン、ペリレン、フェナントレン、フェナントレンキノン、９−フルオレノン、ジベンゾスベロン、クルクミン、キサントン、チオミヒラーケトン、α−（４−ジメチルアミノベンジリデン）ケトン、例えば２，５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）シクロペンタノン、２−（４−ジメチルアミノ−ベンジリデン）−インダン−１−オン、３−（４−ジメチルアミノ−フェニル）−１−インダン−５−イル−プロペノン、３−フェニルチオフタルイミド、Ｎ−メチル−３，５−ジ（エチルチオ）−フタルイミド、Ｎ−メチル−３，５−ジ（エチルチオ）フタルイミド、フェノチアジン、メチルフェノチアジン、アミン、例えばＮ−フェニルグリシン、エチル４−ジメチルアミノベンゾエート、ブトキシエチル４−ジメチルアミノベンゾエート、４−ジメチルアミノアセトフェノン、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、２−（ジメチルアミノ）エチルベンゾエート、ポリ（プロピレングリコール）−４−（ジメチルアミノ）ベンゾエート、ピロメテン、例えば１，３，５，７，９−ペンタメチルピロメテンＢＦ２錯体、２，８−ジエチル−１，３，５，７，９−ペンタメチルピロメテンＢＦ２錯体、２，８−ジエチル−５−フェニル−１，３，７，９−テトラメチルピロメテンＢＦ２錯体、９，１０−ビス（フェニルエチニル）−１，８−ジメトキシアントラセン、ベンゾ〔１，２，３−ｋｌ：４，５，６−ｋ′ｌ′〕ジオキサンテン。
【０２７７】
更なる適切な添加剤（ｃ）は、「酸増幅剤」であり、それは酸形成を加速させるか、又は酸濃度を上昇させる化合物である。そのような化合物を、本発明の、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩのスルホネート誘導体又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーと組み合わせて、ポジティブ若しくはネガティブレジストにおいて又は画像化系において、並びに全てのコーティング用途において使用することもできる。そのような酸増幅剤は、例えば、Arimitsu, K. et al. J. Photopolym. Sci. Technol. 1995, 8, pp 43; Kudo, K. et al. J. Photopolym. Sci. Technol. 1995, 8, pp 45; Ichimura, K. et al. Chem: Letters 1995, pp 551に記載されている。
【０２７８】
解像度、パターンプロフィール、プロセス寛容度、ラインエッジの粗さ、安定性のようなレジスト機能を改善する他の添加剤（ｃ）は、ＪＰ−Ａ−２００２−１２２９９２、ＪＰ−Ａ−２００２−３０３９８６、ＪＰ−Ａ−２００２−２７８０７１、ＪＰ−Ａ−２００３−５７８２７、ＪＰ−Ａ−２００３−１４０３４８、ＪＰ−Ａ−２００２−６４９５、ＪＰ−Ａ−２００２−２３３７４、ＪＰ−Ａ−２００２−９０９８７、ＪＰ−Ａ−２００２−９１００４、ＪＰ−Ａ−２００２−１３１９１３、ＪＰ−Ａ−２００２−１３１９１６、ＪＰ−Ａ−２００２−２１４７６８、ＪＰ−Ａ−２００１−３１８４６４、ＪＰ−Ａ−２００１−３３０９４７、ＪＰ−Ａ−２００３−５７８１５、ＪＰ−Ａ−２００３−２８０２００、ＪＰ−Ａ−２００２−２８７３６２、ＪＰ−Ａ−２００１−３４３７５０に記載されている。そのような化合物を、本発明の、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩのスルホネート誘導体又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーと組み合わせて、ポジティブ又はネガティブレジストにおいて使用することもできる。
【０２７９】
通常、本発明の感光性組成物を基材に適用するには、組成物を適した溶媒に溶解する。これらの溶媒の好ましい例には、二塩化エチレン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、２−エトキシエチルアセテート、２−エトキシエタノール、ジエチルグリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン及びテトラヒドロフランが挙げられる。これらの溶媒は、単独で、又は混合物として使用することができる。溶媒の好ましい例は、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート及び乳酸エチルのようなエステルである。そのような溶媒の使用は、本発明の、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩにより表されるスルホネート誘導体又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーが、それらと良好な相溶性を有し、それらにおいてより良好な溶解性を有するので有益である。
【０２８０】
界面活性剤を溶媒に加えることができる。適切な界面活性剤の例には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンアセチルエーテル及びポリオキシエチレンオレイルエーテル；ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル、例えばポリオキシエチレン、オクチルフェノールエーテル及びポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル；ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ソルビタン／脂肪酸エステル、例えばソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノーパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエートのような非イオン性界面活性剤；F-top EF301、EF303及びEF352（New Akita Chemical Company, Japan製造)、Megafac F171及びF17.3（Dainippon Ink & Chemicals, Inc,. Japan製造), Fluorad FC430及びFC431（Sumitomo 3M Ltd., Japan製造)、Asahi Guard AG710及びSurflon S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105及びSC106 (Asahi Grass Col, Ltd., Japan製造）；オルガノシロキサンポリマーKP341 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Japan製造); 並びにアクリル又はメタクリル（コ）ポリマーPoly-flow Now.75及びNO.95 (Kyoeisha Chemical Co., Ltd., Japan製造）のようなフルオロケミカル界面活性剤が挙げられる。他の例は、ＪＰ−Ａ−２００１−３１８４５９、ＪＰ−Ａ−２００２−６４８３に記載されている。界面活性剤の添加量は、通常、本発明の組成物の固体成分１００重量部当たり、２重量％以下、望ましくは０．５重量部以下である。界面活性剤を、単独で、又はそれらの２つ以上を組み合わせて添加することができる。
【０２８１】
溶液は既知の被覆方法、例えば、スピンコート、浸漬、ナイフコート、流し塗り技術、はけ塗り、噴霧及びロールコートにより基材に均一に適用される。感光層を仮の軟質支持体に適用し、次に被膜移転（積層）により最終基材を被覆することも可能である。適用される量（コーティング厚）及び基材の性質（コーティング基材）は、所望の適用分野により左右される。コーティング厚の範囲は、原則的に、およそ０．０１μmから１００μmを超える値を含むことができる。
【０２８２】
被覆操作の後、一般に溶媒を加熱により除去し、基材上にフォトレジストの層をもたらす。乾燥温度は、当然のことながら、レジストの特定の成分が反応又は分解する温度よりも低くなければならない。一般に、乾燥温度は６０〜１６０℃の範囲である。
【０２８３】
次にレジストコーティングを、像様式に照射する。表現「像様式に照射する(image-wise irradiation)」は、化学線を使用する所定のパターンによる照射、すなわち、所定のパターンを含むマスク、例えば、透明マスク、クロムマスク又はレチクルを通す照射、及び例えばコンピューター制御によりレジスト表面に直接書き込みを行い、それにより画像を生成する、レーザー光線及び電子ビームを使用する照射の両方を含む。パターンを生成する他の方法は、例えばホログラフ用途において使用されるように、２つのビーム又は画像を干渉させることによる。例えば、A. Bertsch; J.Y. Jezequel; J.C. AndreによりJournal of Photochemistry and Photobiology A: Chemistry 1997, 107 pp. 275-28において及びK. P. NicolayによりOffset Printing 1997, 6, pp. 34-37において記載されているように、画素を１個ずつアドレスしてデジタル画像を生成することができる、液晶製のマスクを使用することも可能である。
【０２８４】
照射、そして必要であれば熱処理の後、組成物の照射された部位（ポジティブレジストの場合）又は非照射部位（ネガティブレジストの場合）を、現像液を使用するそれ自体既知の方法により除去する。
触媒反応を加速させ、したがって現像液中でレジストコーティングの照射部分と非照射部分の溶解度に十分な差を発生させるため、好ましくはコーティングを現像する前に加熱する。加熱は、照射の際に実施又は開始することもできる。６０〜１６０℃の温度が好ましく使用される。時間の長さは加熱方法により左右され、必要であれば最適な長さは、数回の日常的な実験によって当業者により容易に決定することができる。一般に数秒から数分である。例えば、ホットプレートを使用する場合、１０〜３００秒の長さが極めて適切であり、対流式オーブンを使用する場合、１〜３０分の長さが極めて適切である。レジストの非照射部位において、本発明の潜酸供与体がこれらの加工条件下で安定であることが重要である。
【０２８５】
次にコーティングを現像し、照射後、現像液においてより可溶になったコーティング部分を、除去する。必要であれば、加工物を僅かに撹拌する、現像液浴中で被膜を穏やかにはけ塗りする、又は噴霧現像すると、この加工工程を加速することができる。レジスト技術に慣用のアルカリ性現像水溶液を、例えば現像に使用することができる。そのような現像液は、例えば、水酸化ナトリウム又はカリウム、対応する炭酸塩、炭酸水素塩、ケイ酸塩又はメタケイ酸塩を含むが、好ましくは、アンモニア又はアミン、例えばエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、アルカノールアミン、例えばジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、第四級水酸化アンモニウム、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム又は水酸化テトラエチルアンモニウムのような金属非含有塩基を含む。現像液は、一般に０．５Nまでであるが、通常、使用前に適切な方法で希釈される。
【０２８６】
例えば、およそ０．１〜０．３の規定度を有する溶液が好適である。現像液の選択は、光硬化性表面コーティングの性質、特に使用される結合剤又は得られる光分解生成物の性質に左右される。現像水溶液は、必要であれば比較的少量の湿潤剤及び／又は有機溶媒を含むこともできる。現像液に添加することができる典型的な有機溶媒は、例えば、シクロヘキサノン、２−エトキシエタノール、トルエン、アセトン、イソプロパノール、また、これらの溶媒の２つ以上の混合物である。典型的な水性／有機現像液系は、Butylcellosolve（登録商標）／水に基づいている。
【０２８７】
本発明の主題は、また、
（１）上記に記載された組成物を基材に適用すること；
（２）組成物を６０℃〜１６０℃の温度で適用後焼き付けすること；
（３）１０nm〜１５００nmの波長の光を用いて像様式に照射すること；
（４）場合により、組成物を６０℃〜１６０℃の温度で曝露後焼き付けすること；及び 
（５）溶媒又はアルカリ性現像水溶液で現像すること 
による、フォトレジストの調製プロセスである。
【０２８８】
好ましくは、像様の照射が１５０〜４５０nmの範囲、特に１９０〜２６０nmの範囲の波長の単色又は多色放射線を用いて実施されるプロセスである。
【０２８９】
フォトレジスト組成物は、全ての基材に、当業者に既知の全ての暴露技術を用いて使用することができる。例えば、ケイ素、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、アンチモン化インジウムのような半導体基板、更に、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、シロキサンのような酸化物又は窒化物層で覆われた基板、並びに、金属基板及びアルミニウム、銅、タングステンなどのような金属による金属コーティング基板を使用することができる。基材を、フォトレジストによるコーティングの前に、ポリマー材料、例えばポリマー材料の有機反射防止被膜、絶縁層及び誘電被膜により被覆することもできる。
【０２９０】
フォトレジスト層は、直接書き込み、すなわちステップアンドリピートモード若しくはスキャンモードによるレーザー光線若しくは投影リソグラフィー、又はマスクを介した密着焼付けのような全ての慣用の技術により暴露することができる。
【０２９１】
投射リソグラフィーの場合、干渉性、部分的な干渉性又は非干渉性照射のような広範囲の光学的条件を使用できる。これには、軸外照明技術、例えば、レンズの中心を除く、レンズの特定の領域のみに放射線を通過させる環状照明及び四極照明が含まれる。
【０２９２】
パターンを複製するのに使用されるマスクは、硬質マスク又は軟質マスクであることができる。マスクは、透明、半透明及び不透明のパターンを含むことができる。パターンのサイズは、投射光学の解像限度又はそれより小さく、マスクを通過した後の照射の空中像、強度及び位相変調を変更するような特定の方向でマスク上に設けられたパターンを含むこともできる。これには、位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクが含まれる。
【０２９３】
フォトレジスト組成物のパターン加工は、あらゆる所望の幾何学様式及び形状、例えば、密集及び分離線、接触孔、溝、点などのパターンを発生させるために使用することができる。
【０２９４】
本発明のフォトレジストは、優れたリソグラフ特性、特に、高い感受性及び画像化放射のための高いレジスト透明性を有する。
【０２９５】
本発明の組成物の使用が可能な領域は次である：エッチングレジスト、イオン注入レジスト、電気めっきレジスト又は半田レジストのような電子工学用フォトレジストとしての使用、集積回路又は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）レジストの製造、オフセット印刷版又はスクリーン印刷ステンシルのような印刷版の製造、成形品のエッチング又はステレオリソグラフィー若しくはホログラフ技術における使用であり、これらは、多様な用途、例えば、J. Photochem. Photobio.A, 158, 163 (2003), Chem. Mater. 14, 3656 (2002)に記載されている３Ｄ光学式情報記憶に用いられている。
本発明の組成物は、半導体デバイスの金属間誘電層、緩衝層、不動態化コーティングの作製に適しており、オプトエレクトロニクスの導波管の作製に適している。ＭＥＭＳ（微小電気機械系）用途では、本発明の組成物を、エッチングレジスト、材料付着用の成形型、及びデバイス自体の三次元物体として使用することができる。コーティング基材及び加工条件は適宜変更される。そのような例は、ＵＳ６３９１５２３に記載されている。
【０２９６】
上記に記載された増感剤化合物と組み合わせた、本発明の、式Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの化合物、並びに式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、例えばＷＯ０３／０２１３５８に記載されているホログラフデータ記憶（ＨＤＳ）系に使用することもできる。
【０２９７】
本発明の組成物は、また、木材、織物、紙、セラミック、ガラス、特に膜の形態のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン又は酢酸セルロースのようなプラスチックを含む全種類の基材のコーティング組成物として適しているが、特にＮｉ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｏ又は特にＣｕ及びＡｌ、また、Ｓｉ、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のような金属のコーティングに極めて適しており、画像が像様の照射によりこれらに適用される。
【０２９８】
本発明は、また、酸の作用下で架橋されうる組成物における光潜在性の酸供与体として及び／又は溶解度が酸の作用下で増加される組成物における溶解増強剤としての、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用に関する。
本発明の主題は、更に、酸の作用下で架橋されうる化合物を架橋するプロセスであり、この方法は、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを上記の組成物に加え、１０〜１５００nmの波長を有する光により像様式に又は全領域を照射することを含む。
本発明は、また、着色及び非着色表面コーティング、接着剤、積層接着剤、構造接着剤、感圧接着剤、印刷インク、印刷版、レリーフ印刷版、平版印刷版、凹版印刷版、プロセスレス印刷版、スクリーン印刷ステンシル、歯科組成物、カラーフィルター、スペーサー、エレクトロルミネセンスディスプレー及び液晶ディスプレー（ＬＣＤ）、導波管、光スイッチ、カラー校正刷り系、レジスト、電子機器用フォトレジスト、電気めっきレジスト、液体及び乾燥膜の両方のためのエッチレジスト、はんだレジスト、ＵＶ及び可視レーザー直接画像化系のためのフォトレジスト材料、プリント回路基板の連続堆積層における誘電層の形成のためのフォトレジスト材料、画像記録材料、ホログラフ画像を記録するための画像記録材料、光学情報記憶又はホログラフデータ記憶、脱色材料、画像記録材料のための脱色材料、マイクロカプセルを使用する画像記録材料、磁気記録材料、マイクロメカニカル部品、めっきマスク、エッチマスク、ガラスファイバーケーブルコーティング、マイクロエレクトロニクス回路の調製における、感光性酸供与体としての、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用、特に、表面コーティング、印刷インク、印刷版、歯科組成物、カラーフィルター、レジスト又は画像記録材料若しくはホログラフ画像を記録するための画像記録材料の調製における、感光性酸供与体としての、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び場合により式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用、並びに、着色及び非着色表面コーティング、接着剤、積層接着剤、構造接着剤、感圧接着剤、印刷インク、印刷版、レリーフ印刷版、平版印刷版、凹版印刷版、プロセスレス印刷版、スクリーン印刷ステンシル、歯科組成物、カラーフィルター、スペーサー、エレクトロルミネセンスディスプレー及び液晶ディスプレー（ＬＣＤ）、導波管、光スイッチ、カラー校正刷り系、レジスト、電子機器用フォトレジスト、電気めっきレジスト、液体及び乾燥膜の両方のためのエッチレジスト、はんだレジスト、ＵＶ及び可視レーザー直接画像化系のためのフォトレジスト材料、プリント回路基板の連続堆積層における誘電層の形成のためのフォトレジスト材料、画像記録材料、ホログラフ画像を記録するための画像記録材料、光学情報記憶又はホログラフデータ記憶、脱色材料、画像記録材料のための脱色材料、マイクロカプセルを使用する画像記録材料、磁気記録材料、マイクロメカニカル部品、めっきマスク、エッチマスク、ガラスファイバーケーブルコーティング、マイクロエレクトロニクス回路の調製プロセス、特に、表面コーティング、印刷インク、印刷版、歯科組成物、カラーフィルター、レジスト又は画像記録材料若しくはホログラフ画像を記録するための画像記録材料の調製プロセスに関する。
【０２９９】
本発明の主題は、また、カラーフィルター又は化学的に増幅されたレジスト材料の調製における、感光性酸供与体としての、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩ又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーの使用、並びにカラーフィルター又は化学的に増幅されたレジスト材料の調製プロセスである。
【０３００】
本発明は、更に、全て、感光性樹脂、及び顔料及び／又は染料を含む、赤色、緑色及び青色の画素及び黒色のマトリックスを透明な基材上に提供すること、並びに基材の表面又はカラーフィルター層の表面のいずれかに透明な電極を提供することにより調製され、前記感光性樹脂が、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、感光性酸供与体として含む、カラーフィルターに関する。
当業者は、例えば、ＪＰ−Ａ−９−２０３８０６、ＪＰ−Ａ−１０−２８２６５０、ＪＰ−Ａ−１０−３３３３３４、ＪＰ−Ａ−１１−１９４４９４、ＪＰ−Ａ−１０−２０３０３７、ＪＰ−Ａ−２００３−５３７１に示されているような、有色画素を提供するのに適切な顔料又は染料、並びに黒色マトリックス、及び対応する適切な樹脂について認識している。
【０３０１】
既に上記に記載されているように、光架橋性組成物において、スルホネート誘導体が潜硬化触媒として作用する。光で照射されると酸を放出し、それは架橋反応を触媒する。加えて、放射により放出された酸は、例えば、ポリマー構造からの適切な酸感受性保護基の除去、又はポリマー主鎖に酸感受性基を含有するポリマーの開裂を触媒することができる。他の用途は、例えば、酸感受性保護基で保護されている顔料のｐＨ又は溶解度の変化に基づいた、例えば、変色系である。
【０３０２】
本発明のスルホネート誘導体は、例えば、ＪＰ−Ａ−Ｈ４−３２８５５２又はＵＳ５２３７０５９に記載されているように、化合物が、ｐＨが変化すると色彩が変化する着色剤と一緒に使用される場合、いわゆる「プリントアウト(print out)」画像の生成に使用することもできる。そのような変色系は、熱又は放射線に感受性のある製品を監視するために、ＥＰ１９９６７２に従って使用することもできる。
変色に加えて、（ＥＰ６４８７７０、ＥＰ６４８８１７及びＥＰ７４２２５５に記載されている）可溶性顔料分子の酸触媒脱保護の際に顔料結晶を沈殿させることが可能であり、これは、潜顔料前駆体の色彩が、沈殿した顔料結晶の色彩と異なる場合、例えばＥＰ６５４７１１に記載のカラーフィルターの製造に使用することができるか、又はプリントアウト画像及び表示器の用途に使用することができる。
【０３０３】
ｐＨ感受性染料又は潜顔料をスルホネート誘導体と組み合わせて使用する組成物は、ガンマ線、電子ビーム、ＵＶ若しくは可視光線のような電磁線の指示器、又は簡単な使い捨て線量計として使用することができる。特に、ＵＶ又はＩＲ光のようなヒトの目に不可視の光では、そのような線量計が興味深い。
【０３０４】
最後に、アルカリ性現像水溶液において可溶性が乏しいスルホネート誘導体は、光誘導変換により遊離酸にして現像液に可溶性にすることができ、それにより、これらを適切な皮膜形成樹脂と組み合わせて溶解度増強剤として使用することができる。
【０３０５】
酸触媒により、したがって、本発明の、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの光潜在性の酸又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーにより架橋することができる樹脂は、例えば、多官能価アルコール、又はヒドロキシ基含有アクリル及びポリエステル樹脂、又は部分的に加水分解されているポリビニルアセタール若しくはポリビニルアルコールと多官能価アセタール誘導体との混合物である。特定の条件下において、例えば、アセタール官能化樹脂の酸触媒自己縮合も可能である。
【０３０６】
適切な酸硬化性樹脂は、一般に、その硬化を酸触媒により加速することができる全ての樹脂、例えばアミノプラスト又はフェノールレゾール樹脂である。これらの樹脂は、例えば、メラミン、尿素、エポキシ、フェノール、アクリル、ポリエステル及びアルキド樹脂であるが、特にアクリル、ポリエステル又はアルキド樹脂とメラミン樹脂との混合物である。また、含まれるものは、改質された表面コーティング樹脂、例えば、アクリル改質ポリエステル及びアルキド樹脂である。アクリル、ポリエステル及びアルキド樹脂という表現に網羅される樹脂の個別の種類の例は、例えば、Wagner, Sarx, Lackkunstharze (Munich, 1971), pp. 86-123 and pp. 229-238又はUllmann, Encyclopaedie der techn. Chemie, 4th Ed., Vol. 15 (1978), pp. 613-628又はUllmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry, Verlag Chemie, 1991, Vol. 18, p. 360 ff., Vol. A19, p. 371 ff.に記載されている。
【０３０７】
コーティング用途において、表面コーティングは、好ましくはアミノ樹脂を含む。その例は、エーテル化または非エーテル化メラミン、尿素、グアニジン又はビウレット樹脂である。酸触媒は、メチル化又はブチル化メラミン樹脂（Ｎ−メトキシメチル−若しくはＮ−ブトキシメチル−メラミン）又はメチル化／ブチル化グリコールウリルのようなエーテル化アミノ樹脂を含む表面コーティングの硬化において特に重要である。他の樹脂組成物の例は、多官能価アルコール、又はヒドロキシ基含有アクリル及びポリエステル樹脂、又は部分的に加水分解されているポリビニルアセテート若しくはポリビニルアルコールと、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−カルボン酸の誘導体のような多官能価ジヒドロプロパニル誘導体との混合物である。ポリシロキサンも、酸触媒を使用して架橋することができる。これらのシロキサン基含有樹脂は、例えば、酸触媒加水分解により自己縮合することができるか、又は多官能価アルコール、ヒドロキシ基含有アクリル若しくはポリエステル樹脂、部分的に加水分解されているポリビニルアセタート、又はポリビニルアルコールのような樹脂の第二の成分と架橋できるかのいずれかである。この種類のポリシロキサンの重縮合は、例えば、J.J. Lebrun, H. Pode, Comprehensive Polymer Science, Vol. 5, p. 593, Pergamon Press, Oxford, 1989に記載されている。表面コーティングの調製に適切な他のカチオン重合性材料は、カチオン機構により重合されうるエチレン性不飽和化合物であり、例としては、ビニルエーテル、例えばメチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル；環状ビニルエーテル、例えば３，４−ジヒドロ−２−ホルミル−２Ｈ−ピラン（二量体アクロレイン）又は２−ヒドロキシメチル−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランの３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−カルボン酸エステル；ビニルエステル、例としては酢酸ビニル及びステアリン酸ビニル；モノ−及びジオレフィン、例としてはａ−メチルスチレン、Ｎ−ビニルピロリドン又はＮ−ビニルカルバゾールである。
【０３０８】
特定の目的のため、重合性不飽和基を含むモノマー又はオリゴマー構成成分を有する樹脂混合物が使用される。そのような表面コーティングは、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを使用して硬化することもできる。そのプロセスにおいて、ラジカル重合開始剤又は光開始剤を追加的に使用することができる。前者は加熱処理の際に不飽和基の重合を開始させ、後者はＵＶ照射の際に重合を開始させる。
【０３０９】
本発明は、また、下記：
（ｂ）感光性酸供与体として、そして酸の作用によって溶解度を増加させる化合物として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、並びに／或いは、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む組成物に関する。
【０３１０】
本発明は、更に、下記：
（ａ）酸の作用で硬化する化合物、又はその溶解度が酸の作用で増加する化合物；並びに 
（ｂ）感光性酸供与体として、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの少なくとも１つの化合物、及び／又は、式Ｉ、ＩＩ及び／又はＩＩＩの化合物から誘導される少なくとも１つの反復単位及び式Ｖの群から選択されるエチレン性不飽和化合物から誘導される反復単位を含むポリマー
を含む組成物に関する。
【０３１１】
本発明によると、式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、更なる感光性酸供与体化合物（ｂ１）、更なる光開始剤（ｄ）、増感剤（ｅ）及び／又は添加剤（ｃ）と一緒に使用することができる。
適切な感光性酸供与体化合物（ｂ１）、増感剤（ｅ）及び添加剤（ｃ）は上記に記載されている。
【０３１２】
追加の光開始剤（ｄ）の例は、ラジカル光開始剤、例としてはベンゾフェノン、アセトフェノン誘導体の種類からのものであり、例としては、α−ヒドロキシシクロアルキルフェニルケトン、ジアルコキシアセトフェノン、α−ヒドロキシ−若しくはα−アミノ−アセトフェノン、４−アロイル−１，３−ジオキソラン、ベンゾインアルキルエーテル及びベンジルケタール、フェニルグリオキサレート、二量体フェニルグリオキサレート、モノアシルホスフィンオキシド、ビスアシルホスフィンオキシド又はチタノセンである。特に適切な追加の光開始剤の例は、１−（４−ドデシルベンゾイル）−１−ヒドロキシ−１−メチル−エタン、１−（４−イソプロピルベンゾイル）−１−ヒドロキシ−１−メチル−エタン、１−ベンゾイル−１−ヒドロキシ−１−メチル−エタン、１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）−ベンゾイル〕−１−ヒドロキシ−１−メチル−エタン、１−〔４−（アクリロイルオキシエトキシ）−ベンゾイル〕−１−ヒドロキシ−１−メチル−エタン、ジフェニルケトン、フェニル−１−ヒドロキシ−シクロヘキシルケトン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−ベンジル−１−ジメチルアミノ−プロパン、（４−モルホリノベンゾイル）−１−（４−メチルベンジル）−１−ジメチルアミノ−プロパン、１−（３，４−ジメトキシフェニル）−２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−ブタン−１−オン、（４−メチルチオベンゾイル）−１−メチル−１−モルホリノ−エタン、ベンジルジメチルケタール、ビス（シクロペンタジエニル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−ピリル−フェニル）チタン、オキソ−フェニル酢酸２−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−エチルエステルオキソ−フェニル酢酸１−メチル−２−〔２−（２−オキソ−２−フェニル−アセトキシ）−プロポキシ〕−エチルエステル、トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、トリメチルベンゾイルフェニルエトキシ−ホスフィンオキシドビス（２，６−ジメトキシ−ベンゾイル）−（２，４，４−トリメチル−ペンチル）−ホスフィンオキシド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−２，４−ジペンチルオキシフェニル−ホスフィンオキシド又はビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニル−ホスフィンオキシドである。更なる適切な追加の光開始剤は、ＵＳ４９５０５８１、第２０欄、３５行目から第２１欄、３５行目において見出される。他の例は、トリハロメチルトリアジン誘導体又はヘキサアリールビスイミダゾリル化合物である。追加の光開始剤の更なる例は、例えば、ＵＳ４７７２５３０、ＥＰ７７５７０６、ＧＢ２３０７４７４、ＧＢ２３０７４７３及びＧＢ２３０４４７２に記載されているホウ酸塩化合物である。ホウ酸塩化合物は、好ましくは、例えば染料カチオンのような電子受容体化合物又はチオキサントン誘導体と組み合わせて使用される。
【０３１３】
追加の光開始剤の更なる例は、過酸化物化合物、例えば、過酸化ベンゾイル（他の適切な過酸化物はＵＳ４９５０５８１、第１９欄、１７行目から２５行目に記載されている）、又はカチオン性光開始剤、例えば、芳香族スルホニウム若しくはヨードニウム塩、例えば、ＵＳ４９５０５８１、第１８欄、６０行目から第１９欄、１０行目に見られるもの、又はシクロペンタジエニル−アレーン−鉄（ＩＩ）錯体塩、例えば、（η6−イソプロピルベンゼン）（η5−シクロペンタジエニル）−鉄（ＩＩ）ヘキサフルオロホスフェートである。
【０３１４】
表面コーティングは、有機溶媒又は水中の表面コーティング樹脂の溶液又は分散体であることができるが、溶媒なしであることもできる。特に興味深いものは、低溶媒含有量を有する表面コーティング、いわゆる「ハイソリッド表面コーティング」及び粉末コーティング組成物である。表面コーティングは、例えば、多層コーティング用の仕上ラッカーとして自動車産業において使用されるクリアラッカーであることができる。これらは、無機又は有機化合物であることができる顔料及び／又は充填剤、並びに金属効果仕上用の金属粉末を含むこともできる。
【０３１５】
表面コーティングは、比較的少量の表面コーティング技術に慣用の特化された添加剤、例えば、流動性向上剤、チキソトロープ剤、均展剤、消泡剤、湿潤剤、定着剤、光安定剤、酸化防止剤又は増感剤を含むこともできる。
【０３１６】
ＵＶ吸収剤、例えば、ヒドロキシフェニル−ベンゾトリアゾール、ヒドロキシフェニル−ベンゾフェノン、シュウ酸アミド又はヒドロキシフェニル−ｓ−トリアジン型のものを、本発明の組成物に光安定剤として加えることができる。個別の化合物又はそれらの化合物の混合物は、立体障害アミン（ＨＡＬＳ）を加えて、又は加えないで使用することができる。
【０３１７】
そのようなＵＶ吸収剤及び光安定剤の例は下記である：
１．２−（２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール類、例えば、２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ジ−tert−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（５′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ジ−t−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾール、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾール、２−（３′−sec−ブチル−５′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−４′−オクチルオキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ジ−tert−アミル−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３′，５′−ビス（ａ，ａ―ジメチルベンジル）−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾール、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−（２−オクチロオキシカルボニルエチル）フェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−５′−〔２−（２−エチル−ヘキシルオキシ）−カルボニルエチル〕−２′−ヒドロキシフェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−（２−メトキシカルボニルエチル）フェニル）−５−クロロ−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−（２−メトキシカルボニルエチル）フェニル）−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−（２−オクチルオキシカルボニルエチル）フェニル）−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−５′−〔２−（２−エチルヘキシルオキシ）カルボニルエチル〕−２′−ヒドロキシフェニル）−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−ドデシル−２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）−ベンゾトリアゾールと、２−（３′−tert−ブチル−２′−ヒドロキシ−５′−（２−イソオクチルオキシカルボニルエチル）フェニル−ベンゾトリアゾールとの混合物、２，２′−メチレン−ビス〔４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−ベンゾトリアゾール−２−イル−フェノール〕；２−〔３′−tert−ブチル−５′−（２−メトキシカルボニルエチル）−２′−ヒドロキシ−フェニル〕−ベンゾトリアゾールとポリエチレングリコール３００とのエステル交換生成物；〔Ｒ−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ（ＣＨ２）３〕２−（ここで、Ｒ＝３′−tert−ブチル−４′−ヒドロキシ−５′−２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イルフェニル）。
２．２−ヒドロキシベンゾフェノン類、例えば、４−ヒドロキシ、４−メトキシ、４−オクチルオキシ、４−デシルオキシ、４−ドデシルオキシ、４−ベンジルオキシ、４，２′，４′−トリヒドロキシ又は２′−ヒドロキシ−４，４′−ジメトキシ誘導体。
３．非置換か又は置換されている安息香酸のエステル類、例えば、４−tert−ブチル−フェニルサリチレート、フェニルサリチレート、オクチルフェニルサリチレート、ジベンゾイルレゾルシノール、ビス（４−tert−ブチルベンゾイル）レゾルシノール、ベンゾイルレゾルシノール、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸２，４−ジ−tert−ブチルフェニルエステル、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシルエステル、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸オクタデシルエステル、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸２−メチル−４，６−ジ−tert−ブチルフェニルエステル。
４．アクリレート類、例えば、ａ−シアノ−ｂ，ｂ−ジフェニルアクリル酸エチルエステル又はイソオクチルエステル、ａ−カルボメトキシ−ケイ皮酸メチルエステル、ａ−シアノ−ｂ−メチル−ｐ−メトキシ−ケイ皮酸メチルエステル又はブチルエステル、ａ−カルボメトキシ−ｐ−メトキシ−ケイ皮酸メチルエステル、Ｎ−（ｂ−カルボメトキシ−ｂ−シアノビニル）−２−メチル−インドリン。
５．立体障害アミン類、例えば、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジル）セバケート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−ピペリジル）スクシネート、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）セバケート、ｎ−ブチル−３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシベンジル−マロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）エステル、１−ヒドロキシエチル−２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロキシピペリジンとコハク酸の縮合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ヘキサメチレンジアミンと４−tert−オクチルアミノ−２，６−ジクロロ−１，３，５−ｓ−トリアジンの縮合物、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ニトリロトリアセテート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタンテトラオエート、１，１′−（１，２−エタンジイル）−ビス（３，３，５，５−テトラメチル−ピペラジノン）、４−ベンゾイル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ステアリルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）−２−ｎ−ブチル−２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−tert−ブチルベンジル）マロネート、３−ｎ−オクチル−７，７，９，９−テトラメチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４．５〕デカン−２，４−ジオン、ビス（１−オクチルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）セバケート、ビス（１−オクチルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）スクシネート、Ｎ，Ｎ′−ビス（２，２，６，６−テトラ−メチル−４−ピペリジル）ヘキサメチレンジアミンと４−モルホリノ−２，６−ジクロロ−１，３，５−トリアジンの縮合物、２−クロロ−４，６−ジ（４−ｎ−ブチルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）−１，３，５−トリアジンと１，２−ビス（３−アミノプロピルアミノ）エタンの縮合物、２−クロロ−４，６−ジ（４−ｎ−ブチルアミノ−１，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジル）−１，３，５−トリアジンと１，２−ビス（３−アミノプロピルアミノ）エタンの縮合物、８−アセチル−３−ドデシル−７，７，９，９−テトラメチル−１，３，８−トリアザスピロ〔４．５〕デカン−２，４−ジオン、３−ドデシル−１−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ピロリジン−２，５−ジオン、３−ドデシル−１−（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）−ピロリジン−２，５−ジオン。
６．シュウ酸ジアミド類、例えば、４，４′−ジオクチルオキシ−オキサニリド、２，２′−ジエトキシ−オキサニリド、２，２′−ジ−オクチルオキシ−５，５′−ジ−tert−ブチル−オキサニリド、２，２′−ジドデシルオキシ−５，５′−ジ−tert−ブチル−オキサニリド、２−エトキシ−２′−エチル−オキサニリド、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−ジメチルアミノプロピル）オキサルアミド、２−エトキシ−５−tert−ブチル−２′−エチルオキサニリド及びこれと２−エトキシ−２′−エチル−５，４′−ジ−tert−ブチル−オキサニリドとの混合物、ｏ−とｐ−メトキシ−ジ−置換オキサニリドの混合物及びｏ−とｐ−エトキシ−ジ−置換オキサニリドの混合物。
７．２−（２−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリアジン類、例えば、２，４，６−トリス（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−プロピルオキシ−フェニル）−６−（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−４，６−ビス（４−メチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−ブチルオキシ−プロピルオキシ）フェニル〕−４，６−ビス（２，４−ジメチル−フェニル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−オクチルオキシ−プロピルオキシ）フェニル〕−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−〔４−ドデシル−／トリデシル−オキシ−（２−ヒドロキシプロピル）オキシ−２−ヒドロキシ−フェニル〕−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン。
８．ホスファイト類及びホスホナイト類、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルアルキルホスファイト、フェニルジアルキルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジステアリル−ペンタエリトリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−tert−ブチルフェニル）ホスファイト、ジイソデシルペンタエリトリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−tert−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト、ビス（２，６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト、ビス−イソデシルオキシ−ペンタエリトリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−tert−ブチル−６−メチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト、ビス−（２，４，６−トリ−tert−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスファイト、トリステアリル−ソルビトールトリホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−tert−ブチルフェニル）−４，４′−ビフェニレンジホスファイト、６−イソオクチルオキシ−２，４，８，１０−テトラ−tert−ブチル−１２Ｈ−ジベンゾ〔ｄ，ｇ〕−１，３，２−ジオキサホスホシン、６−フルオロ−２，４，８，１０−テトラ−tert−ブチル−１２−メチル−ジベンゾ〔ｄ、ｇ〕−１，３，２−ジオキサホスホシン、ビス（２，４−ジ−tert−ブチル−６−メチルフェニル）メチルホスファイト、ビス（２，４−ジ−tert−ブチル−６−メチルフェニル）エチルホスファイト。
【０３１８】
このような光安定剤を、例えば、隣接する表面コーティング層に加えることができ、そこから、保護される焼付ラッカーの層に徐々に拡散する。隣接する表面コーティング層は、焼付ラッカーの下の下塗り又は焼付ラッカーの上の仕上ラッカーであることができる。
【０３１９】
例えば、スペクトル感受性をシフト又は増加させ、照射時間を短縮することができる、及び／又は他の光源を使用できるようにする光増感剤を樹脂に加えることも可能である。光増感剤の例は、芳香族ケトン又は芳香族アルデヒド（例えば、ＵＳ４０１７６５２に記載されている）、３−アシル−クマリン（例えば、ＵＳ４３６６２２８、ＥＰ７３８９２８、ＥＰ２２１８８に記載されている）、ケト−クマリン（例えば、ＵＳ５５３４６３３、ＥＰ５３８９９７、ＪＰ８２７２０９５−Ａに記載されている）、スチリル−クマリン（例えば、ＥＰ６２４５８０に記載されている）、３−（アロイルメチレン）−チアゾリン、チオキサントン、ペリレンのような縮合芳香族化合物、芳香族アミン（例えば、ＵＳ４０６９９５４又はＷＯ９６／４１２３７に記載されている）、又はカチオン性及び塩基性の着色剤（例えば、ＵＳ４０２６７０５に記載されている）、例えばエオシン、ローダニン及びエリトロシン着色剤、ならびに例えば、ＪＰ８３２０５５１−Ａ、ＥＰ７４７７７１、ＪＰ７０３６１７９−Ａ、ＥＰ６１９５２０、ＪＰ６１６１１０９−Ａ、ＪＰ６０４３６４１、ＪＰ６０３５１９８−Ａ、ＷＯ９３／１５４４０、ＥＰ５６８９９３、ＪＰ５００５００５−Ａ、ＪＰ５０２７４３２−Ａ、ＪＰ５３０１９１０−Ａ、ＪＰ４０１４０８３−Ａ、ＪＰ４２９４１４８−Ａ、ＥＰ３５９４３１、ＥＰ１０３２９４、ＵＳ４２８２３０９、ＥＰ３９０２５、ＥＰ５２７４、ＥＰ７２７７１３、ＥＰ７２６４９７又はＤＥ２０２７４６７に記載されている染料及び顔料である。
【０３２０】
他の慣用の添加剤は、意図される使用に応じて、蛍光増白剤、充填剤、顔料、着色剤、湿潤剤又は流動性向上剤及び定着剤である。
【０３２１】
厚みがあり、着色されたコーティングを硬化するには、ＵＳ５０１３７６８に記載されているように、マイクロガラスビーズ又は粉末ガラス繊維を加えることが適している。
【０３２２】
スルホネート誘導体を、例えば、ハイブリッド系に使用することもできる。これらの系は、２つの異なる反応機構により完全に硬化される配合物に基づいている。その例は、酸触媒架橋反応又は重合反応を受けることのできる成分を含むが、第二の機構により架橋される更なる成分も含む系である。第二の機構の例は、ラジカル完全硬化、酸化架橋又は湿度開始架橋である。第二の硬化機構を、純粋に熱的に、必要であれば適切な触媒を用いて開始することができるか、又は第二の光開始剤を使用して光により開始することもできる。適切な追加の光開始剤は、上記に記載されている。
【０３２３】
組成物がラジカル架橋性成分を含む場合、特に、着色された（例えば、二酸化チタンにより）組成物の硬化処理を、熱条件下でラジカル形成する成分、例えば、２，２′−アゾビス（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）のようなアゾ化合物、トリアジン、ジアゾスルフィド、ペンタアザジエン、又は例えばヒドロペルオキシド若しくはペルオキシカルボネートのようなペルオキシ化合物、例としては、例えばＥＰ２４５６３９に記載されているtert−ブチルヒドロペルオキシドを加えることにより助けることもできる。コバルト塩のようなレドックス開始剤を加えると、空気中の酸素を用いる酸化架橋により硬化を助けることができる。
【０３２４】
表面コーティングは当該技術に慣用の方法のうちの１つ、例えば、噴霧、塗布又は浸漬により適用することができる。適切な表面コーティングが使用される場合、例えば陽極電気泳動塗装による電気的適用も可能である。乾燥させた後、表面コーティング膜を照射する。必要であれば、次に表面コーティング膜を熱処理により完全に硬化させる。
【０３２５】
式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを、複合材料から製造されている成形品の硬化に使用することもできる。複合材料は、光硬化配合物で含浸されている自立マトリックス材料、例えば、ガラス繊維織物からなる。
【０３２６】
スルホネート誘導体を、ガラス、アルミニウム及びスチール表面の表面処理及び清浄に適している組成物において、光により活性化されうる酸発生剤として使用できることが、ＥＰ５９２１３９により知られている。そのような化合物をオルガノシラン系に使用すると、遊離酸を使用する場合に得られるものよりも著しく良好な保存安定性を有する組成物をもたらす。式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物、又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーは、この用途にも適している。
【０３２７】
本発明のスルホネート誘導体は、酸誘導変換を受けるポリマーを、フォトリソグラフィーを使用して必要な特性を有する状態にすることに使用することもできる。例えば、スルホネート誘導体は、例えばM.L. Renak; C. Bazan; D. Roitman; Advanced materials 1997, 9, 392に記載されているように、共役放射ポリマーにパターン形成するために使用することができる。そのようなパターン化放射ポリマーは、ディスプレー及びデータ記憶媒体の製造に使用することができるマイクロスカラーパターン化発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造するために使用することができる。同様に、ポリイミドの前駆体（例えば、現像液において溶解度を変化させる酸不安定保護基を有するポリイミド前駆体）を照射して、パターン化ポリイミド層を形成することができ、それは、マイクロチップ及びプリント回路基板の製造における保護コーティング、絶縁層及び緩衝層として役立つことができる。
【０３２８】
本発明の配合物は、プリント回路基板のための連続堆積系、集積回路の製造のための圧力緩衝層において使用されるので、相似コーティング、光画像形成性絶縁層及び誘電体として使用してすることもできる。
【０３２９】
例えばポリアニリンのような共役ポリマーを、プロトンドープにより半導性から伝導性状態に変換できることが知られている。本発明のスルホネート誘導体を、絶縁材料（非暴露領域）に埋め込まれた伝導構造（暴露領域）を形成するため、そのような共役ポリマーを含む組成物を像様式に照射するのに使用することもできる。これらの材料は、電気及び電子デバイスを製造する配線又は接続部品として使用することができる。
【０３３０】
式Ｉ、ＩＩ若しくはＩＩＩの化合物又は式Ｉ、ＩＩ及び／若しくはＩＩＩの化合物から誘導される反復単位を含むポリマーを含む組成物に適切な放射源は、波長がおよそ１５０〜１５００、例えば１８０〜１０００、又は好ましくは１９０〜７００ナノメータの放射線を放射する放射線源、並びにｅ−ビーム放射線及びＸ線のような高エネルギー電磁線である。点光源及び平面投光器（ランプカーペット）の両方が適している。例は、カーボンアーク灯、キセノンアーク灯、中圧、高圧及び低圧水銀灯、場合により金属ハロゲン化物でドープされているもの（メタルハライドランプ）、マイクロ波励起金属蒸気灯、エキシマーランプ、超化学線蛍光管、蛍光灯、アルゴン白熱電球、電子閃光電球、写真投光照明、シンクロトロン又はレーザープラズマにより発生する電子ビーム及びＸ線ビームである。放射線源と照射される本発明の基材との距離は、意図される使用、並びに放射線源の種類及び／又は強度により、例えば２cm〜１５０cmに変わることができる。適切な放射線源は、特に、所望であれば放射線から他の波長の輝線を取り除くことのできる水銀蒸気灯、特に中圧及び高圧水銀灯である。これは特に比較的に短い波長の放射線の場合である。しかし、適した波長範囲で放射できる低エネルギーランプ（例えば、蛍光管）を使用することも可能である。その例は、Philips TL03ランプである。使用することができる他の種類の放射線源は、小帯域放射源又は大帯域（白色光）源のいずれかとして、全スペクトルを通して異なる波長を放射する発光ダイオード（ＬＥＤ）である。また、適切なものは、レーザー放射線源、例えばエキシマーレーザーであり、例としては、２４８nmで照射するＫｒ−Ｆレーザー、１９３nmで照射するＡｒ−Ｆレーザー又は１５７nmで照射するＦ2レーザーである。可視領域及び赤外領域のレーザーを使用することもできる。特に適切なものは、３６５、４０５及び４３６ナノメータの波長の水銀ｉ、ｈ及びｇ線の放射線である。光源としては、更に、１３nmのＥＵＶ（極紫外）も適している。適切なレーザー光線源は、例えば、４５４、４５８、４６６、４７２、４７８、４８８及び５１４ナノメータの波長で放射線を放射するアルゴンイオンレーザーである。１０６４nmで発光するＮｄ−ＹＡＧレーザー、並びにその第二及び第三高調波（それぞれ５３２nm及び３５５nm）を使用することもできる。また、適切なものは、例えば、４４２nmで放射するヘリウム／カドミウムレーザー又はＵＶ領域で放射するレーザーである。この種類の照射では、光重合性コーティングと接触してポジティブ又はネガティブレジストを製造するフォトマスクの使用は絶対に必要なことではなく、制御されたレーザー光線により、コーティングに直接書き込むことができる。この目的のためには、本発明の材料の高い感受性が非常に有利であり、比較的に低い強度で速い書き込み速度を可能にする。照射すると、表面コーティングの照射部分における組成物中のスルホネート誘導体が分解して、酸を形成する。
【０３３１】
高い強度の放射線による慣用のＵＶ硬化と対照的に、本発明の化合物を用いると、活性化は比較的に低い強度の放射線の作用により達成される。そのような放射線には、例えば、昼光（日光）及び昼光と同等の放射線源が含まれる。日光は、ＵＶ硬化に慣用的に使用される人工放射線源の光とスペクトル組成及び強度が異なる。本発明の化合物の吸収特性は、硬化のために天然放射線源として日光を利用するには好適である。本発明の化合物を活性化するのに使用できる昼光同等人工光源は、低強度の投光器、例えば、Philips TL05特殊蛍光灯又はPhilips TL09特殊蛍光灯のような特定の蛍光灯であることが理解される。高昼光含有量を有するランプ及び昼光自体は、特に、十分に不粘着になるように表面コーティング層の表面を硬化することができる。この場合、高価な硬化装置は不必要であり、組成物は特に外面の仕上げに使用することができる。昼光又は昼光同等光源による硬化は、省エネルギー型の方法であり、外面の塗装において揮発性有機成分の放出を防止する。平面部品に適しているコンベアベルト法と対照的に、昼光硬化は、静止又は固定物品及び構造物の外面仕上げに使用することもできる。
硬化される表面コーティングを、日光又は昼光同等光源に直接暴露することができる。しかし硬化は、透明層（例えば、ガラスパネル又はプラスチックシート）の後側で実施することもできる。
【０３３２】
下記の実施例は本発明をより詳細に説明する。記載の残りの部分及び請求項において、部及び百分率は、特に記述のない限り重量に基づいている。炭素原子を３個より多く有するアルキルラジカルが、特定の異性体の記載がなく言及される場合、それぞれの場合でｎ−異性体を意味する。
【０３３３】
実施例１：
【０３３４】
【化７２】
2009541254.tif 000074
【０３３５】
１．１：
【０３３６】
【化７３】
2009541254.tif 000075
【０３３７】
酢酸２−フェノキシエチルエステル１０ｇ（５５．５mmol）を、ＣＨ２Ｃｌ２  ６０mlに加え、氷浴で冷却した。溶液に、ＡｌＣｌ３  ２５．９ｇ（１９４mmol）を加え、続いて５Ｈ−オクタフルオロペンタノイルクロリド１３．７ｇ（５５．５mmol）を滴加した。反応混合物を室温で一晩撹拌し、氷水に注ぎ、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。有機相を水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残渣を、溶離剤として酢酸エチル／ヘキサン（１：９）を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製して、実施例１．１の標記化合物を無色の液体として得た。構造を１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）により確認した。δ〔ｐｐｍ〕：２．１０（ｓ，３Ｈ），４．２８（ｔ，２Ｈ），４．４６（ｔ，２Ｈ），６．１６（ｔｔ，１Ｈ），７．０１（ｄ，２Ｈ），８．０８（ｄ，２Ｈ）。
【０３３８】
１．２：
【０３３９】
【化７４】
2009541254.tif 000076
【０３４０】
実施例１．２の化合物１４．５ｇ（３５．５mmol）をエタノール８０mlに溶解した。溶液に、ヒドロキシアンモニウムクロリド５．９２ｇ（８５．２mmol）及びピリジン１６．９ｇ（２１３mmol）を加えた。反応混合物を一晩還流し、溶媒をロータリーエバポレーターで留去した。残渣を水に注ぎＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。有機相を１N  ＨＣｌ、水、ブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥した。ＭｇＳＯ４を濾過により除去した後、１M  ＨＣｌ／ＣＨ３ＣＯ２Ｈ  ３５mlを溶液に加え、室温で一晩撹拌した。反応混合物を水及びブラインで洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。生成物を更に精製することなく次の工程に使用した。構造を１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）により確認した。δ〔ｐｐｍ〕：２．１０（ｓ，３Ｈ），４．２１（ｔ，２Ｈ），４．４４（ｔ，２Ｈ），６．０５（ｔｔ，１Ｈ），６．９８（ｄ，２Ｈ），７．３７（ｄ，２Ｈ），８．８２（ｂｒ  ｓ，１Ｈ），−１３７．７４（ｄ，２Ｆ），−１２９．７１（ｓ，２Ｆ），−１２２．６８（ｓ，２Ｆ），−１１０．６１（ｓ，２Ｆ）。スペクトルは、化合物が単一の異性体であることを示し、これを仮にＥ−配座と呼んだ。
【０３４１】
１．３：
【０３４２】
【化７５】
2009541254.tif 000077
【０３４３】
実施例１．２の化合物１０．３ｇ（２４．３mmol）をメタノール８０mlに溶解した。溶液に、炭酸カリウム１．６８ｇ（１２．２mmol）を加えた。反応混合物を室温で１．５時間撹拌し、水に注ぎ、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。有機相を１N  ＨＣｌ及び水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残渣を、溶離剤として酢酸エチル／ヘキサン（１：３）を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製して、実施例１．３の標記化合物を無色の液体として得た。構造を１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）により確認した。δ〔ｐｐｍ〕：４．００（ｓ，２Ｈ），４．１２（ｔ，２Ｈ），６．０５（ｔｔ，１Ｈ），６．９８（ｄ，２Ｈ），７．３６（ｄ，２Ｈ），９．１７（ｓ，１Ｈ），−１３７．７９（ｄ，２Ｆ），−１２９．７４（ｓ，２Ｆ），−１２２．６５（ｓ，２Ｆ），−１１０．５２（ｓ，２Ｆ）。スペクトルは、化合物が単一の異性体であることを示し、これを仮にＥ−配座と呼んだ。
【０３４４】
１．４：
【０３４５】
【化７６】
2009541254.tif 000078
【０３４６】
実施例１．３の化合物５．７ｇ（１５．０mmol）をＣＨ２Ｃｌ２  ３０mlに溶解し、氷浴で冷却した。溶液に、２．６−ルチジン２．４１ｇ（２２．５mmol）を加え、続いてノナフルオロブタンスルホン酸無水物１０．５ｇ（１８．０mmol）を滴加した。反応混合物を室温で３時間撹拌し、氷水に注ぎ、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。有機相を１N  ＨＣｌ及び水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残渣を、溶離剤として酢酸エチル／ヘキサン（１：３）を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製して、実施例１．４の標記化合物を白色の固体として得た。構造を１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）により確認した。δ〔ｐｐｍ〕：４．０１（ｍ，２Ｈ），４．１６（ｔ，２Ｈ），６．０６（ｔｔ，１Ｈ），７．０５（ｄ，２Ｈ），７．３６（ｄ，２Ｈ），−１３７．６４（ｄ，２Ｆ），−１２９．０５（ｓ，２Ｆ），−１２６．２１（ｓ，２Ｆ），−１２２．１５（ｓ，２Ｆ），−１２１．５２（ｓ，２Ｆ），−１１０．２９（ｓ，２Ｆ），−１０７．４４（ｓ，２Ｆ），−８１．１０（ｓ，３Ｆ）。スペクトルは、化合物が単一の異性体であることを示し、これを仮にＥ−配座と呼んだ。
【０３４７】
１．５：
【０３４８】
【化７７】
2009541254.tif 000079
【０３４９】
実施例１．４の化合物４．７ｇ（７．１３mmol）をＣＨ２Ｃｌ２  ３０mlに溶解し、氷浴で冷却した。溶液に、塩化メタクリロイル０．８９ｇ（８．５５mmol）を加え、続いてトリエチルアミン０．９４ｇ（９．２７mmol）を滴加した。反応混合物を０℃で１時間撹拌し、氷水に注ぎ、ＣＨ２Ｃｌ２で抽出した。有機相を１N  ＨＣｌ及び水で洗浄し、ＭｇＳＯ４で乾燥し、濃縮した。残渣を、溶離剤として酢酸エチル／ヘキサン（１：９）を使用するカラムクロマトグラフィーにより精製して、実施例１．５の標記化合物を無色の液体として得た。構造を１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ３）により確認した。δ〔ｐｐｍ〕：１．９５（ｓ，３Ｈ），４．３０（ｔ，２Ｈ），４．５３（ｔ，２Ｈ），５．６０（ｓ，１Ｈ），６．０６（ｔｔ，１Ｈ），６．１３（ｓ，１Ｈ），７．０４（ｄ，２Ｈ），７．３６（ｄ，２Ｈ），−１３７．６３（ｄ，２Ｆ），−１２９．０８（ｓ，２Ｆ），−１２６．２３（ｓ，２Ｆ），−１２２．１７（ｓ，２Ｆ），−１２１．５４（ｓ，２Ｆ），−１１０．３４（ｓ，２Ｆ），−１０７．４５（ｓ，２Ｆ），−８１．１４（ｓ，３Ｆ）。スペクトルは、化合物が単一の異性体であることを示し、これを仮にＥ−配座と呼んだ。
【０３５０】
実施例２〜１１：
実施例２〜１１の化合物は、対応する抽出物を使用し、実施例１に記載された方法に従って得た。生成物の構造及び物理データを表１に提示する。
【０３５１】
【表１】
2009541254.tif 000080
2009541254.tif 000081
2009541254.tif 000082
【０３５２】
実施例１２：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例１＝４０：４０：２０：２）
【０３５３】
【化７８】
2009541254.tif 000083
【０３５４】
２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＥＡＭＡ）１４．９ｇ（６０mmol）、ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート（ＢＬＭＡ）１０．２ｇ（６０mmol）、３−ヒドロキシ−１−アダマンチルメタクリレート（ＨＭＡ）７．１ｇ（３０mmol）、実施例１  ２．１９ｇ（３mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ３．５ｇ（１５mmol）を、ＴＨＦ  ３００mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ８７００及び４８００であった。
【０３５５】
実施例１３：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例１＝４０：４０：２０：５）
【０３５６】
【化７９】
2009541254.tif 000084
【０３５７】
ＥＡＭＡ  １４．９ｇ（６０mmol）、ＢＬＭＡ  １０．２ｇ（６０mmol）、ＨＭＡ  ７．１ｇ（３０mmol）、実施例１  ５．５ｇ（７．５mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ３．５ｇ（１５mmol）を、ＴＨＦ  ３００mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ９８００及び５３００であった。
【０３５８】
実施例１４：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例１＝４０：２０：４０：２）
【０３５９】
【化８０】
2009541254.tif 000085
【０３６０】
ＥＡＭＡ  ２４．８ｇ（１００mmol）、ＢＬＭＡ  ９．６ｇ（５０mmol）、ＨＭＡ  ２３．６ｇ（１００mmol）、実施例１  ３．６６ｇ（５mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ５．８ｇ（２５mmol）を、ＴＨＦ  ３００mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ９９００及び５６００であった。
【０３６１】
実施例１５：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例１＝４０：２０：４０：５）
【０３６２】
【化８１】
2009541254.tif 000086
【０３６３】
ＥＡＭＡ  ２４．８ｇ（１００mmol）、ＢＬＭＡ  ９．６ｇ（５０mmol）、ＨＭＡ  ２３．６ｇ（１００mmol）、実施例１  ９．１ｇ（１２．５mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ５．８ｇ（２５mmol）を、ＴＨＦ  ３００mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ１１０００及び６２００であった。
【０３６４】
実施例１６：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例２＝４０：２０：４０：５）
【０３６５】
【化８２】
2009541254.tif 000087
【０３６６】
ＥＡＭＡ  ２．４８ｇ（１０mmol）、ＢＬＭＡ  ０．９６ｇ（５mmol）、ＨＭＡ  ２．３６ｇ（１０mmol）、実施例２  ０．７９ｇ（１．２５mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ０．５８ｇ（２．５mmol）を、ＴＨＦ  ３０mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ１２０００及び７３００であった。
【０３６７】
実施例１７：（ＥＡＭＡ／ＢＬＭＡ／ＨＭＡ／実施例２＝４０：４０：２０：５）
【０３６８】
【化８３】
2009541254.tif 000088
【０３６９】
ＥＡＭＡ  ３．６８ｇ（１４．８mmol）、ＢＬＭＡ  ２．５１ｇ（１４．８mmol）、ＨＭＡ  １．４５ｇ（７．４mmol）、実施例２  １．１７ｇ（１．８５mmol）及びWako Pure Chemical Industries, Ltd.により製造された重合開始剤V-601  ０．８６ｇ（３．７mmol）を、ＴＨＦ  ４５mlに溶解し、次に重合を、還流条件下、窒素雰囲気下で３時間実施した。重合溶液をヘキサンに注いで、白色の沈殿物を生じた。白色の粉末を濾過し、ＴＨＦに再び溶解し、ＣＨ３ＯＨ／Ｈ２Ｏ溶液に再沈殿させ、濾過し、真空下で乾燥した。ポリスチレン標準を使用するＧＰＣ測定によると、得られたポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、それぞれ９７００及び５２００であった。
【０３７０】
実施例１８〜３１：
実施例１８〜３１の化合物は、対応する抽出物を使用し、実施例１２に記載された方法に従って得た。生成物の構造及び分子量を表２に提示する。
【０３７１】
【表２】
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2009541254.tif 000090
【化８４】
2009541254.tif 000091
【０３７２】
実施例３２：
ポジティブ型フォトレジスト組成物は、表３に示された成分を混合及び溶解することによって調製した。それぞれのポジティブトーンフォトレジスト組成物では、以下に開示された手順によりレジストパターンを形成することによってリソグラフィー特性について評価した。
【０３７３】
【表３】
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（ｃ）−１：トリ（ｎ−ペンチル）アミン
（ｓ）−１：溶媒のＰＧＭＥＡとＰＧＭＥ（重量比８：２）の混合物
（ｓ）−２：溶媒のＰＧＭＥＡとＰＧＭＥ（重量比６：４）の混合物
〔〕内の数字は、重量部で表した成分の量を示す
【０３７４】
８インチの半導体シリコンウエハーに、反射防止コーティング用有機化合物のARC29A（商標）（Brewer Science）を含む組成物を、スピナーを使用してコーティングし、続いて、ホットプレートにより２０５℃で６０秒間乾燥及び焼き付け処理をして、７７nmの厚さを有する反射防止コーティングを形成した。コーティングに、ポジティトーンレジスト組成物を、スピナーを使用して被覆し、続いてホットプレートにより、表３に提示したＰＡＢ温度で６０秒間乾燥及び後適用焼き付け処理をして、１５０nmの厚さを有するフォトレジスト層を形成した。フォトレジスト層を、マスクパターン（６％ハーフトーンレチクル）を通して、ＡｒＦ暴露機械NSR-S302（Nikon Co．により製造；ＮＡ（開口数）＝０．６０、２／３環状照明）により、波長１９３nmのＡｒＦエキシマーレーザー光線に像様式に暴露した。 
次に層を、表４に提示したＰＥＢ温度でホットプレートにより６０秒間後暴露焼き付けし、２．３８重量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液により２３℃で３０秒間現像し、続いて水で３０秒間すすぎ、乾燥して、レジストパターンを形成した。
感受性
１：１ライン及びスペースのレジストパターン（Ｌ／Ｓパターン）を形成するために、Ｌ／Ｓパターン（ライン幅：１２０nm、ピッチ：２４０nm）に最適な暴露線量を決定した（感光性：Ｅｏｐ、ｍＪ／ｃｍ２）。
解像度
フォトレジストの微細形状は、前記のＥｏｐ決定におけるマスクパターンのサイズを変えることによって決定した。
【０３７５】
【表４】
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【０３７６】
上記に記載された結果から明らかなように、超微細レジストパターンを、実施例３２に記載されたポジティトーンフォトレジスト組成物により形成できることが確認された。
浸出物の測定
ポジティブ型フォトレジスト組成物は、表５に示された成分を混合及び溶解することによって調製した。
【０３７７】
【表５】
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（ａ）−１：２−メタクリロイルオキシ−２−エチルアダマンタン／アルファ−メタクリロイルオキシ−ガンマ−ブチロラクトン／１−メタクリロイルオキシ−３−ヒドロキシアダマンタン（モル比４：４：２、Ｍｗ＝１００００、Ｍｎ＝５６００）のコポリマー
（ｂ）−１：４−メチルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート 
（ｓ）−２：溶媒のＰＧＭＥＡとＰＧＭＥ（重量比６：４）の混合物
【０３７８】
レジストフィルムは、ポジティブ型フォトレジスト配合物１０〜１２及び比較配合物１を用いて上記に記載した方法に従って調製した。次に一滴の純水（５０μL）を、VRC310S（S. E. S. Co. Ltd.から入手可能）により、室温で一定の線速度の円運動によってウエハーの中心から動かした。液滴が接触したレジストフィルムの総接触領域は、２２１．５６cm２であった。
次に、液滴を収集し、Agilent-HP1100 LC-MSD（Agilent Technologies Inc.から入手可能）により分析して、暴露前のレジストフィルムの浸出物の量（mol/cm２）を決定した。
結果を表６にまとめた。
【０３７９】
【表６】
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【０３８０】
配合物１０〜１２の浸出物の量は、比較配合物１よりもはるかに少なかった。したがって、本発明のポジティブ型フォトレジスト組成物は、浸漬暴露において浸出を抑制することができるので、浸漬暴露に適していることが見出された。
【国際調査報告】
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