(57)【要約】【課題】  反応性高電力パルスマグネトロンスパッタリングプロセスを制御する方法およびデバイスを提供する。【解決手段】  本発明は、反応性高電力パルススパッタリングプロセスの制御に関する。該プロセスを制御する方法を提供する。当該方法は、被制御変数を測定して、測定された被制御変数に基づいて調整可能な変数を変更して、被制御変数を所定の参照値に調整し、放電のパルス周波数を変化させて、調整可能な変数である放電電力を変更する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応性高電力パルススパッタリングプロセスを制御する方法であって、
被制御変数を測定して、測定された前記被制御変数に基づいて調整可能な変数を変更して、前記被制御変数を所定の参照値に調整し、
各放電パルスの形状を維持しつつ放電のパルス周波数を変化させて、前記調整可能な変数である放電電力を変更する
方法。
【請求項２】
前記被制御変数の複数の参照値について、前記調整可能な変数について調整対象の値をそれぞれ１つ決めて格納して、参照値プロセス曲線が記録および格納されて、前記参照値プロセス曲線に基づいて前記被制御変数を前記所定の参照値に調整する
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定の参照値は、前記反応性高電力パルススパッタリングプロセスを不安定な移行範囲において安定化するように選択する
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記被制御変数として利用されるものには、反応ガスの分圧、ターゲット電流、ターゲット電圧、プラズマの発光、スパッタリングチャンバ内の総圧、または前記放電の電圧および／または電流信号の調和解析から導き出される被制御変数がある
請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記反応ガスの分圧は、ラムダプローブまたは質量分析計を用いて測定される
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記放電のパルス周波数は、周波数生成器によって変更される
請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
制御ループは、比例制御、微分制御または積分制御として構成される
請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記制御は、酸素、窒素または酸素および窒素の混合物を反応ガスとして用いて行われる
請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
反応性高電力パルスマグネトロンスパッタリングプロセスを制御する
請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
反応性高電力パルススパッタリング用のデバイスであって、
スパッタリングチャンバと、
原子に細分化されるターゲットが設けられているカソードと、
周期的な放電によってプラズマを蓄積し得る少なくとも１つのコンデンサを持つコンデンサバンクと、
被制御変数を測定することができ、測定される前記被制御変数に基づいて調整可能な変数を変更して前記被制御変数を所定の参照値に調整することができる制御部と
を備え、
前記デバイスは、各放電パルスの形状を維持しつつ前記コンデンサバンクが持つ前記コンデンサによる放電のパルス周波数を変更して、前記調整可能な変数である放電電力を変化させる
を備えるデバイス。
【請求項１１】
前記コンデンサバンクに接続されている周波数生成器
を備え、
前記周波数生成器は、前記コンデンサバンクの前記コンデンサの放電特性を制御することによって前記放電のパルス周波数を変更することができる
請求項１０に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応性高電力パルスマグネトロンスパッタリングプロセスを制御する方法およびデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
当該方法によると、反応性スパッタリングプロセスを安定化させることができ、所望の形態および相組成を有する層を複数基板上に堆積させることができる。
【０００３】
プラズマスパッタリングは、特にセラミックまたはその他の多成分の機能層によって基板をコーティングするための技術として確立されている。ここで、反応性スパッタリングプロセスとは、反応ガス雰囲気において金属ターゲットのスパッタリングを行って、ターゲット材料と処理ガスの複数の成分のうち１つとを含む化合物を基板に堆積させるプロセスである。
【０００４】
しかし、反応性スパッタリングには本来、反応ガスの分圧を一定に変更することができないことから生じる問題がある。このため、パラメータの範囲は「化合物モード」および「金属モード」と定義される範囲に分けられる。「化合物モード」では、反応ガスの分圧が高く、ターゲット表面は完全に反応生成物で被覆され、化学量論層が基板に形成されている。「金属モード」は、スパッタリングチャンバ内の反応ガスの分圧が低く、基板上には広範囲にわたって金属ターゲット面が形成され金属層が成長している。これらの範囲の間の移行状態を常に維持するのは一般的に言って不可能であり、処理状態が不安定になってしまう。そのような処理状態が発生する様子を以下で説明する。一例として反応ガスをＯ２として説明するが、以下で引用するメカニズムは、Ｎ２、ＣＨＸ等におけるスパッタリングについても当てはまる。
【０００５】
マグネトロンスパッタリングの開始時において、反応ガスがスパッタリングチャンバに加えられる。続いて、ターゲット表面において互いに競合する成長およびエッチングプロセスが行われる。Ｏ２の分圧が低い場合には、酸化物による被覆の成長速度が遅く、酸化物層をスパッタリングで除去するのでエッチングプロセスが主に行われる。このため、ターゲット表面は完全に金属のままとなる。この状態では、ターゲットが効率的にゲッターポンプとして動作しているので、安定していると言える。該ゲッターポンプの総ポンプ能力は通常、実際に排気に利用されているターボポンプのポンプ能力の倍数に等しい。
【０００６】
反応ガスの分圧を大きくすると、ターゲット表面で酸化物層が成長する速度が幾分速くなる。イオン流量密度が低くこのためエッチング速度が遅い場合、成長プロセスが主に行われる。このようにして、反応生成物によって被覆され「汚染ターゲット領域」と呼ばれるターゲット領域が形成される。
【０００７】
金属に比べて、このような汚染ターゲット領域は常に、スパッタリング収率がより低くなっており、スパッタリングされるターゲット材料が少ない。この結果、ターゲットから除去される材料の量が少なくなり、ターゲットのポンプ能力が低減され、反応ガスの分圧がさらに大きくなる。
【０００８】
反応ガスの分圧が臨界値を超えるとすぐに、自己強化効果が発生する。これは、反応ガスの分圧が大きくなったことによって、ターゲットのゲッターポンプとしてのポンプ能力が低減し、その結果、反応ガスの分圧がさらに大きくなるためである。このような不安定性は、金属モードから化合物モードへの移行の特徴である。
【０００９】
これら２つの状態間での不定な移行を安定化させることが技術的に非常に注目を集めている。低いスパッタリング収率に起因して化合物モードでの成長速度が低い一方、化合物モードでは反応ガスが過多になると層成長が起こり、その結果、層の特性が好ましくないものになってしまう。移行範囲においては、「化合物モード」に比べて化学量論層がより早い速度で堆積されるだけでなく、ほかの範囲では実現し得ない層特性が実現される。Ａｌがドーピングされた酸化亜鉛の堆積を例に挙げると、移行範囲で堆積が行われた場合に限って、材料の光透過性が高くなると共に導電性が高くなる。また、反応ガスの分圧は一般的に金属モードにおいて低すぎるので、吸収性の半化学量論的化合物が成長する。
【００１０】
しかし、所望の化学量論層が高速度で堆積され得るのは、プロセスが「移行モード」と呼ばれる不安定な移行範囲において正確に実行された場合である。このような不定の移行状態である「移行モード」の安定化は、ソースの動的挙動を考慮するので、技術的な関心が寄せられている不安定な動作点を維持することができる制御回路によって可能となる。
【００１１】
このため、２つの堆積工程（化合物モードおよび金属モード）間では、一定に移行させることができず、反応ガスの分圧の平均を安定化させるための安定した動作点が存在しない。技術的に注目されているように移行範囲で該プロセスを実行できるように構成するためには、測定されるプロセスパラメータ（被制御変数）に応じて外部の調整可能な変数を常に適応させる能動制御システムが必要となる（能動プロセス制御）。ここで、プロセス安定化のために、プラズマ発光または反応ガス成分の分圧等の主要プロセスパラメータに応じて、放電パラメータ、ターゲット電圧またはターゲット電流を適応させることが知られている。この場合、放電パラメータ、カソード電圧またはカソード電流が調整可能な変数として用いられる。また、反応ガスの流量そのものを調整可能な変数として利用することも知られている。どちらのシステムも広く利用されている。
【００１２】
測定されるプロセスパラメータの場合も、同様にさまざまなパラメータを利用することが可能である。反応ガスの分圧は、酸素の場合、質量分析計とλプローブとによって直接測定することができる。チャンバの総圧は入力変数として使用され得る。他の可能性を挙げると、プラズマの発光を測定することもできる。最後に、複数の異なる材料に対してカソード電圧を測定することも適切である。交番磁界で操作されるプラズマにおいては、この目的は、放電の電圧および電流信号のフーリエ変換を分析することによって、達成される。このため、例えば、発光分光器を用いることによって、プラズマ内の金属原子の放出を記録することができ、発光強度の参照値からの逸脱の程度を均一にするべく反応ガスの流量を変更する。他の例を挙げると、金属酸化物の堆積中において酸素の分圧が、λプローブによって観察され、参照値から逸れると生成器の放電電力を適応させる。
【００１３】
マグネトロンスパッタリングとは、高品質の層をさまざまな基板上に堆積させるための公知の方法であって、大規模産業用で変更が容易な方法である。当該方法は特に、セラミックまたはその他の多成分の層を堆積させるのに適している。
【００１４】
比較的新しいマグネトロンスパッタリング方法に、高電力パルスマグネトロンスパッタリング（ＨＰＰＭＳまたはＨＩＰＩＭＳ）と呼ばれるものがある。Ｄ．Ｊ．Ｃｈｒｉｓｔｉｅ、真空科学技術ジャーナル（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ａ  ２３（２００５）、３３０ページから３３５ページ、およびＫｏｕｚｎｅｔｓｏｖ，Ｖ．、Ｍａｃａｋ，Ｋ．、Ｓｃｈｎｅｉｄｅｒ，Ｊ．Ｍ．、Ｈｅｌｍｅｒｓｓｏｎ，Ｕ．、Ｐｅｔｒｏｖ，Ｉ．「非常に高いターゲットの電力密度を用いる新しいパルスマグネトロンスパッタリング技術（Ａ  ｎｏｖｅｌ  ｐｕｌｓｅｄ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｕｔｉｌｉｓｉｎｇ  ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈ  ｔａｒｇｅｔ  ｐｏｗｅｒ  ｄｅｎｓｉｔｉｅｓ）、表面およびコーティング技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  ａｎｄ  Ｃｏａｔｉｎｇｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）１２２  （１９９９）、２９０−３ページ）」を参照されたい。ここで、プラズマは高電力密度の個々のパルスによって励起される。プラズマ自体は、コンデンサバンクを周期的に放電させることによって蓄積される。注目されているパルスプロセスは、ターゲットに対する電力密度がＤＣ動作時の通常値の約３０倍から１００倍に到達するものである。電力密度としては、１ｋＷ／ｃｍ２をはるかに超えるレベルが可能である。このような条件下では、マグネトロン放電はアーク放電への移行中において発生する。その結果、スパッタリングされるターゲット材料のイオン化が増える。金属のスパッタリングについては、従来技術の場合は１％未満であったのに比べ８０％を超えるイオン化がすでに実現されている（Ｄ．Ｊ．Ｃｈｒｉｓｔｉｅ他、第４８回ＳＶＣ議事録（２００５）を参照のこと）。
【００１５】
ＨＰＰＭＳに基づく反応性スパッタリングに関しては、現在の技術水準において既にさまざまな研究が知られている。能動制御を利用する場合、反応ガスの流量が常に、移行範囲の放電を安定化させるために、調整可能な変数として利用されている（例えば、Ｄ．Ａ．  Ｇｌｏｃｋｅｒ他、第４７回ＳＶＣ議事録（２００４）、１８３ページ、およびＷ．Ｄ．Ｓｐｒｏｕｌ他、第４７回ＳＶＣ議事録（２００４）、９６ページ以下を参照されたい）。ガスの流量を制御する構成には、新しいソフトウェアを書き込む必要がなく既存の任意のハードウェアを利用し得るという利点がある（このため、制御を新しく構築する必要はなく、機能ガスの流量制御を持つ設備が必要となる）。しかし、反応ガスの流量を変化させることによって動作点を調整することには、制御速度が比較的遅くなってしまうという欠点がある。概して、プロセスにおいて少しの遅延でガスの流量を適応させると、目立ってしまう。さらに、例えば適切なガス分配器および質量流量制御器等の、高速ガス流量制御に必要なデバイスは高価であるという問題もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
このため本発明は、動作点の安定化を簡単、高速且つ簡潔に行うことができプロセス特性を変えることのない、高電力パルススパッタリングにおいて反応性プロセスを安定化させるための方法およびデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明が提案する解決方法の基本的な概念は、現在の技術水準で行われているように放電を安定化させるために反応ガスの流量を調整可能な変数として利用するのではなく、高電力パルススパッタリングにおける放電電力を、制御ループ（後述）を用いて適応させるという点にある。
【００１８】
ここで、基本的に問題となるのは、各放電パルスにおいて電力密度が変化するので、プロセス特性が大きく変わり、イオン化レートも従って顕著に変わることである。このため、反応性高電力パルススパッタリングプロセスは、パルス当たりの電力を適応させることによっては安定化され得ない。この問題は、各放電パルスの形状を維持しつつ放電周波数を適応させることによって解決される。この結果、プロセス特性を変化させることなく平均電力を変化させる。
【００１９】
パルス周波数が十分に高い場合には、所望の動作点での放電を安定化させることができる。
【００２０】
２つのパルス間の間隔においてターゲット状態に相当な変化がなければ、周波数は十分に高いと言える。材料に応じて、周波数は２０Ｈｚを超えている必要があり、１００Ｈｚを超えているのが好ましい。より高周波数になると、プロセス制御が向上することが期待され、高電力スパッタリングの場合は、周波数の上限はターゲットの許容熱負荷量によって決まる。
【００２１】
本発明によれば、周波数を変化させることによって放電電力を適応させるが、このような構成は以下の内容を考慮して実現されている。
【００２２】
パルス状プラズマ放電のためにターゲットに印加される平均電力は、以下の式に従って計算される。
【数１】
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式中で、ｆは放電の周波数を示し、Ｗｐｕｌｓはパルス当たりのエネルギーを示す。１つのパルス内では電流経路および電圧経路に基づいて、以下の式で表されるようなエネルギーが生成されている。
【数２】
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【００２３】
このため、１つのパルス期間にわたって積分を実行しなければならない。パルス期間τと周波数ｆを含む積は「デューティーサイクルη」とも呼ばれる。電力を変化させることによって高電力パルススパッタリングの反応性プロセスを制御するべく、パルス当たりのエネルギーＷｐｕｌｓまたは周波数ｆを基本的に式（１）に従って変化させ得る。しかし、高電力パルススパッタリングの場合、パルス当たりの電力を変化させると放電特性が大きく変化し得る。電力密度が非常に高い場合には、スパッタリングされる材料のイオン化が増えるので基板に対する粒子流が大きく変わる。このため、パルス当たりのエネルギー（またはパルス当たりの電力）を変化させると、イオン化が常に変化することになり、その結果、長期間にわたってもプロセスの安定度を向上させるという目的に対して、逆効果となってしまう。
【００２４】
周波数またはデューティーサイクルを変化させると、各パルスの形状およびスパッタリングされる種の組成は、平均電力Ｐに関わらず、変わらない。本発明ではこのように周波数を変化させることによって、放電特性を変化させることなく、電力を適応させることによってプロセスの安定化を可能とする。
【００２５】
本発明は、反応性高電力パルススパッタリングプロセス（特に、マグネトロンスパッタリングプロセス）を制御する方法を提供する。当該方法によると、制御回路または制御ループを用いて、放電のパルス周波数を変更して、調整可能な変数として、放電電力を常時連続的に適応させる。
【００２６】
変形例によると（以下の実施形態を参照のこと）、上記の処理は以下のように実行され得る。被制御変数の複数の参照値について、調整可能な変数について調整対象の値をそれぞれ１つ決めて格納して、参照値プロセス曲線を記録および格納して、先に格納された参照値プロセス曲線に基づいて被制御変数を所定の参照値に調整する。所定の参照値または動作点は、反応性高電力パルススパッタリングプロセスが不安定な移行範囲において安定化されるように選択され得る。本発明に係る方法の変形例の実施形態において被制御変数として利用され得るのは、反応ガスの分圧、ターゲット電流またはターゲット電圧、または現在の技術水準で公知のように、プラズマの発光または放電の電圧および／または電流信号の調和解析から導き出される被制御変数等がある。
【００２７】
本発明によると、反応性高電力パルススパッタリングプロセスを制御する方法およびデバイスが提供される。当該方法の特徴は、被制御変数を適切に測定することに基づいて、所望の動作点（不安定な移行範囲または移行モードが選択されるのが好ましい）において放電を実行することを目的としてパルス周波数（または、代替例としてデューティサイクルが挙げられる）を適応させることによって放電電力を適応させることにある。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、プロセス特性に悪影響を与えることなく、放電周波数に基づいて放電電力を高速且つ簡単に適応させることによって、簡潔な方法で所望の動作点を調整することが可能となる。このため、本発明は反応性高電力パルススパッタリングプロセスを簡単に安定化させることができ、所望の形態および相組成を持つ層を簡単に基板上に堆積させることができる。
【００２９】
以上のような構成とすると、イオン化度が高いＰＶＤ法において構造が複雑な材料の完全な反応プロセスを利用することができるようになる。特に、本発明に係る方法を用いることによって薄膜（例えば、ＺｎＯ：Ａｌ薄膜）の核生成プロセスを改善することができ、非常に質の高い結晶成長用のアプローチをより薄い膜に対して応用することができるようになる。このため、結晶化度および電気比抵抗が改善された（例えば４００μΩｃｍ未満）薄膜を形成することができる。本発明に係る方法によると、特に伝導性があり透明なＴＣＯ薄膜を堆積させることができる。このような薄膜（例えば、厚みが１００ｎｍから１５０ｎｍの範囲内）はフラットスクリーンで利用され得るという利点を持つ。このため、本発明に係る方法によれば、４００ｎｍ未満の厚みを有する薄膜を堆積させることに加えて基板温度が低い状態で基板に対して堆積を行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】放電周波数と酸素の分圧との間の関係を示す曲線の例を示す図である。
【００３１】
【図２】本発明に係る方法を実施できる設備の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明に係る方法またはデバイスは、以下に記載する例で説明されるように構成または使用され得る。
【００３３】
本発明に係るプロセスの例を以下で説明する。アルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛層の反応性ＨＰＰＭＳスパッタリングを調査する。ここで、寸法が７５０×８８ｍｍ２であるカソードを有するコーティング設備を利用する。カソードは亜鉛で形成されていてアルミニウムの割合は１．０重量パーセントである。チャンバには、動作ガスとしてアルゴンが封入され、反応ガスとして酸素が封入される。放電は、Ｃｈｒｉｓｔｉｅ，Ｄ．Ｊ．、Ｔｏｍａｓｅｌ，Ｆ．、Ｓｐｒｏｕｌ，Ｗ．Ｄ．、Ｃａｒｔｅｒ，Ｄ．Ｃ．、「高ピーク電力マグネトロンスパッタリング用のアークハンドリングを有する電源（Ｐｏｗｅｒ  ｓｕｐｐｌｙ  ｗｉｔｈ  ａｒｃ  ｈａｎｄｌｉｎｇ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈ  ｐｅａｋ  ｐｏｗｅｒ  ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）」「真空科学技術ジャーナル（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ａ２２（２００４）、ページ１４１５−９）」に記載されている生成器によって発生させる。コンデンサの充電電圧は１０００Ｖである。
【００３４】
本例では、反応ガスの分圧または酸素の分圧を測定することを目的としてλプローブを利用する。コンデンサバンクのコンデンサの放電は、周波数生成器を用いて行い、放電の周波数を簡単に調整できるようにする。
【００３５】
まず、参照値プロセス曲線を記録する。ここで、酸素の分圧は放電周波数ｆの関数として記録される。この点に関して、図１に示す曲線１は、放電周波数ｆ（横軸）を大きくした場合の酸素の分圧（縦軸）の変化の様子を示し、曲線２は放電周波数ｆを小さくした場合の酸素の分圧の変化の様子を示す。放電周波数ｆ（調整または変更される調整可能な変数である）と酸素の分圧（測定される被制御変数）との間には絶対的な関係はないが、先行する放電の履歴に応じて異なる曲線が得られることが分かる。このような効果は、反応性スパッタリングプロセスにおいてはヒステリシスとして既に知られている。図１では、放電電力を変化させつつ、制御に基づいて動作点を安定化させる、アルミニウムがドーピングされ、酸素が加えられる亜鉛ターゲットの反応性スパッタリングプロセスのヒステリシスが示されている。
【００３６】
本発明によると、酸素の分圧をさまざまな値に変化させた場合に、制御回路を用いて放電を安定化する。制御回路は、この目的を達成するべく、測定される酸素の分圧（測定される被制御変数）の参照値からの逸脱を小さく留める。ここにおいて、以下で詳述するように、放電周波数を参照値プロセス曲線（Ｓ曲線）に従って変更する。
【００３７】
参照値曲線（Ｓ曲線）を生成するべく、制御ループにおいて酸素の分圧の参照値を継続して大きくして、曲線を記録する。酸素の分圧の参照値を安定化させるために必要な放電周波数ｆが、デバイスのメモリに格納される。図１の曲線３は、このようにして得られたプロセス曲線を示す。同図から分かるように、酸素の分圧のより広い範囲が安定化されている。何よりも、関心が寄せられている不安定な移行範囲において、参照値から大きく逸脱していない。図１に示すように、動作点の安定化のために必要な周波数ｆを変更するのみである。しかし、すべての動作点で安定したプロセス制御が可能である。
【００３８】
図２は、本発明に係る方法を実施できる設備の構成を示す概略図である。発振回路２は電力部に接続されている。この発振回路は、コンデンサ２ｂおよびコイル２ａを有する。電力部によって、規定電圧Ｕｃをコンデンサ２ｂに印加することができる（コンデンサを充電）。コンデンサ２ｂは続いて、スイッチ３を用いて発振回路のコイル２ａに基づいて放電を行いプラズマを生成する。コンデンサに蓄積されるエネルギーは、Ｅｐｕｌｓ＝０．５＊Ｃ＊Ｕｃ２（Ｃはコンデンサ２ｂの容量、Ｕｃ＝コンデンサの負荷電圧）と表される。このエネルギーの放電は、以下に説明するように誘導性２ａによって生じて、プラズマＢを発生させる。酸素の分圧はλプローブ５が決定する。λプローブが決定する酸素の分圧の値に基づいて、周波数生成器４の周波数が変化し、この変化は上述したようにＰＩＤ制御６によって実現され、この結果、放電のパルス周波数が変更される。
【００３９】
上述した例の場合は、アルミニウムの濃度が１．０重量パーセントであるＺｎ／Ａｌカソードに対して、酸素とアルゴンを含む雰囲気中でスパッタリングが行われる。ガスの流量はコーティングプロセス中は一定に保たれる。アルゴンの流量とポンプ速度は、総圧が６５０ｍＰａから８００ｍＰａの間に収まるように適応させる。酸素の流量は、金属モードおよび酸化物モードを共に、ほかの変更を必要とすることなく、所与の規定ターゲット電圧に対して安定化できるように選択される（以下を参照のこと）。堆積工程は、摂氏２００度に加熱される基板上と同様に、加熱されていない（室温の）基板上で実施され得る。例えば、基板として利用され得る。７００Ｖと１２００Ｖの間の値をターゲット電圧として利用することができる。酸素の分圧は、例えば、３２．５ｍＰａと４５ｍＰａの間の一定値に調整することができる。上述したように、室温での堆積と例えば加熱された基板（基板温度が摂氏２００度）に対する堆積はどちらも可能である。基板温度を摂氏２００度として堆積を行っている場合には、酸素の分圧は例えば４５ｍＰａと７０ｍＰａとの間の値を取るように高めに設定するとしてもよい。
【００４０】
上述した参照値プロセス曲線（Ｓ曲線）については、以下に示すパラメータを利用した。
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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