(57)【要約】【課題】露光装置に好ましく用いられる動力機器を提供する。【解決手段】装置を移動させかつ位置決めする動力機器は、流体通路(370)を規定する駆動部(328)と、通路入口(374)と通路出口(376)とを有する循環システム(330)とを備える。循環システムは循環流体(378)を流体通路に導く。循環システムは流体通路に流体的につながった液体セハ゜レータ(384)を有することができる。この構成において、液体(378A)及び気体(378B)用の配管の最適化がそれぞれ可能となる。循環システムは流体通路の少なくとも一部における循環流体の圧力を制御する圧力制御装置(388)を有することができる。この構成において圧力制御装置は通路出口(376)での循環流体の温度が通路入口(374)での循環流体の温度とほぼ等しくなるように、流体通路(370)の近傍における循環流体の圧力を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体を有し、前記導体の近傍に位置する流体通路を規定する駆動部と；
循環流体を前記流体通路に導く循環システムであって、前記流体通路に流体的につながるセパレータを有し、前記セパレータは液体から気体を分離する、前記循環システムと、
を備える動力機器。
【請求項２】
前記セパレータは、前記駆動部の近傍に位置する、請求項１に記載の動力機器。
【請求項３】
前記セパレータは、前記駆動部に固定されかつ前記駆動部とともに移動する、請求項１に記載の動力機器。
【請求項４】
前記循環システムは、前記循環流体を前記流体通路の通路入口に導き、
前記循環流体は、前記通路入口において沸騰温度に対して約１℃の範囲内である、請求項１に記載の循環システム。
【請求項５】
前記流体通路を流れる前記循環流体の少なくとも一部が液体から気体に相変化する、請求項１に記載の動力機器。
【請求項６】
前記流体通路は、前記循環システムからの前記循環流体を受ける通路入口と、通路出口とを有し、前記通路出口での前記循環流体の温度は、前記通路入口での前記循環流体の温度とほぼ等しい、請求項５に記載の動力機器。
【請求項７】
前記循環システムは、前記流体通路の少なくとも一部における前記循環流体の圧力を制御する圧力制御装置を有する、請求項１に記載の動力機器。
【請求項８】
前記流体通路は、前記循環システムからの前記循環流体を受ける通路入口と、通路出口とを有し、前記圧力制御装置は、前記通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を制御する、請求項７に記載の動力機器。
【請求項９】
前記圧力制御装置は、前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度とほぼ等しくなるように、前記循環流体の圧力を制御する、請求項８に記載の動力機器。
【請求項１０】
前記圧力制御装置は、前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度に対して約１℃の範囲内となるように、前記循環流体の圧力を制御する、請求項９に記載の動力機器。
【請求項１１】
前記流体通路は、通路入口を有し、前記循環システムは、前記循環流体を前記通路入口に導くポンプ装置と、前記通路入口付近の前記循環流体の状態を精確に制御する圧力源とを有する、請求項１に記載の動力機器。
【請求項１２】
前記流体通路内における液体の所定レベルを維持するレベル維持器をさらに備える、請求項１に記載の動力機器。
【請求項１３】
請求項１に記載の動力機器を備える分離システム。
【請求項１４】
請求項１に記載の動力機器を備えるステージ装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の動力機器を備える露光装置。
【請求項１６】
基板を用意することと、請求項１５に記載の露光装置を用いて前記基板に像を転写することとを含む物体製造方法。
【請求項１７】
導体を有し、前記導体の近傍に位置する流体通路を規定する駆動部と；
前記流体通路の通路入口に循環流体を導く循環システムであって、前記流体通路の通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を制御する圧力制御装置を有する、前記循環システムと、
を備える動力機器。
【請求項１８】
前記圧力制御装置は、前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度とほぼ等しくなるように、前記通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を制御する、請求項１７に記載の動力機器。
【請求項１９】
前記圧力制御装置は、前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度に対して約１℃の範囲内となるように前記通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を制御する、請求項１３に記載の動力機器。
【請求項２０】
前記循環システムは、前記流体通路に流体的につながったセパレータを有し、前記セパレータは、液体から気体を分離するとともに、前記駆動部の近傍に位置決めされる、請求項１７に記載の動力機器。
【請求項２１】
前記循環流体は、前記通路入口において沸騰温度に対して約１℃の範囲内である請求項１７に記載の動力機器。
【請求項２２】
前記流体通路を流れる前記循環流体の少なくとも一部が液体から気体に相変化する、請求項１７に記載の動力機器。
【請求項２３】
前記流体通路内における液体の所定レベルを維持するレベル維持器をさらに備える、請求項１７に記載の動力機器。
【請求項２４】
請求項１７に記載の動力機器を備える分離システム。
【請求項２５】
請求項１７に記載の動力機器を備えるステージ装置。
【請求項２６】
請求項１７に記載の動力機器を備える露光装置。
【請求項２７】
導体と、前記導体の近傍に位置する流体通路とを有する駆動部の冷却方法であって、
前記流体通路への通路入口に循環流体を導く工程と、
前記循環流体に含まれる液体から気体を分離するセパレータを、前記流体通路の通路出口に流体的につなぐ工程と、
を含む方法。
【請求項２８】
前記循環流体を導く工程は、前記通路入口において沸騰温度に対して約１℃の範囲内である循環流体を導く工程を含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記流体通路の通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を、圧力制御装置で制御する工程をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度とほぼ等しくなるように、前記流体通路の通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を、圧力制御装置で制御する工程をさらに備える、請求項２７に記載の方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法によって冷却される駆動部を用意する工程を備えた、露光装置の製造方法。
【請求項３２】
基板を用意する工程と、
請求項３０に従って製造された露光装置を用いて、像を前記基板に転写する工程と、
を含むウエハの製造方法。
【請求項３３】
導体と、前記導体の近傍に位置する流体通路とを有する駆動部の冷却方法であって、
前記流体通路への通路入口に循環流体を導く工程と、
通路出口の近傍における前記循環流体の圧力を、圧力制御装置で制御する工程と、
を含む方法。
【請求項３４】
前記循環流体を導く工程は、前記通路入口において沸騰温度に対して約１℃の範囲内である循環流体を導く工程を含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記循環流体の前記圧力を制御する工程は、前記通路出口での前記循環流体の温度が前記通路入口での前記循環流体の温度とほぼ等しくなるように、圧力を制御する工程を含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
請求項３３に記載の方法によって冷却される駆動部を用意する工程を備えた、露光装置の製造方法。
【請求項３７】
基板を用意する工程と、
請求項３６に従って製造された露光装置を用いて、像を前記基板に転写する工程と、
を含むウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
リソグラフィ露光装置は、一般に、半導体製造工程において、レチクルの像を半導体ウエハに転写するのに使用される。通常、露光装置は、照明源、レチクルを位置決めするレチクルステージ装置、光学機器、半導体ウエハを位置決めするウエハステージ装置、及び測定システムを有する。レチクルからウエハに転写される像の大きさや像形状は、微小である。こうしたことから、ウエハ及びレチクルの精密な位置決めは、高密度の半導体ウエハの製造にとって極めて重要である。
【０００２】
ある装置において、レチクルステージ装置は、レチクルステージと、レチクルを精確に位置決めするための１以上のモータとを含む。同様に、ウエハステージ装置は、ウエハステージと、ウエハを精確に位置決めするための１以上のモータとを含む。精確な相対位置合わせのために、レチクル及びウエハの位置が常に測定システムにモニターされる。続いて、測定システムの情報を用いて、レチクル及び／又はウエハがモータによって移動される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
残念なことに、レチクルステージ装置及びウエハステージ装置のモータに供給される電流は熱を発生し、これはその後に周辺環境に伝わる。熱は、周辺空気の屈折率を変える。これは、測定システムの精度を低下させ、露光装置の位置決め精度を低下させる。また、熱は、露光装置の他の構成要素の膨張を招く。これは、露光装置の精度のさらなる低下につながる。
【０００４】
この問題に対する１つの解決策は、ハウジングを用いて各モータのコイルを囲むとともに、ハウジングに冷却材を流して各モータを積極的に冷やすことである。この種のモータは、冷却材がハウジングに入るための入口と、ハウジングから冷却材が出るための出口とを含む。この構成により、コイルからの熱は、ハウジングを流れる冷却材に移る。
【０００５】
残念なことに、この種の構成は、十分とは言えない。例えば、コイルからの熱は冷却材に移るから、出口における冷却材の温度が入口における温度よりも高い。この温度差の影響が、露光装置の精度に及ぶ可能性がある。例えば、温度差は空気温度の変動を招く可能性があり、これは、測定システムの精度を低下させる。さらに、モータ近くの部品が熱変形する可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、駆動部（mover）と循環システムとを含む動力機器（mover combination）に関する。駆動部は、導体アレイを含む。さらに、駆動部は、導体アレイの近くに位置する流体通路を定める。流体通路は、通路入口と通路出口とを含む。循環システムは、流体通路に循環流体を導く。一実施形態において、循環システムは、流体通路と流体的につながるセパレータを含む。セパレータは、液体から気体を分離する。セパレータは駆動部の近くに位置することができ、また、セパレータは駆動部に固定されかつ駆動部と一緒に移動することができる。この構成における、いくつかの実施形態において、流体通路の近くのセパレータによって気体と液体が分けられ、液体用及び流体通路から出る気体用の各配管を最適化できる。
【０００７】
いくつかの実施形態において、循環システムは通路入口に循環流体を導き、また、通路入口における循環流体は沸騰温度に対して約１℃の範囲内である。また、いくつかの実施形態において、循環流体に移った駆動部からの熱は、流体通路を流れる循環流体の少なくとも一部について液体から気体に相変化させる。
【０００８】
一実施形態において、循環システムは、流体通路の少なくとも一部における循環流体の圧力を制御する圧力制御装置を含む。より具体的には、圧力制御装置は、流体通路の近くの循環流体の圧力を制御できる。この構成により、圧力制御装置は、通路出口における循環流体の温度が通路入口における循環流体の温度とほぼ同じになるように、流体出口の近くの循環流体の圧力を制御できる。
【０００９】
他の実施形態において、循環システムは、循環流体を通路入口に導くポンプ装置と、通路入口付近における循環流体の相を制御するために、通路入口の圧力を精密に制御する圧力源とを含む。いくつかの実施形態において、圧力源は、循環流体の流れの制限なしに循環流体の圧力を調整し、また、圧力源は、単相の液体に作用する。
【００１０】
本発明はまた、（１）動力機器を含む分離システム、（２）動力機器を含むステージ装置、（３）動力機器を含む露光装置、及び（４）露光装置によって像が形成される物体又はウエハに関する。さらに、本発明は、（１）循環システムの形成方法、（２）動力機器の形成方法、（３）ステージ装置の形成方法、（４）露光装置の製造方法、及び物体又はウエハの製造方法に関する。
【００１１】
本発明の特徴は、発明内容はもちろん、その構成及び動作のいずれも、同種の特徴が同種の部分として言及された、添付の図面及び以下の説明から最良に理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の特徴を有する露光装置の簡略的な概略図である。
【図２】本発明の特徴を有する駆動部の斜視図である。
【図３】本発明の特徴を有する動力機器の第１実施形態の簡易的な図である。
【図４】通路入口及び通路出口における循環流体の温度を示す圧力−エンタルピーの図である。
【図５】本発明の特徴を有する動力機器の他の実施形態の簡易的な図である。
【図６】本発明の特徴を有する動力機器のさらに別の実施形態の簡易的な図である。
【図７】本発明の特徴を有する動力機器のさらに別の実施形態の簡易的な図である。
【図８】本発明の特徴を有する導体装置及びレベル維持器の側断面図である。
【図９】本発明の特徴を有する動力機器の他の実施形態の模式的な図である。
【図１０】本発明の特徴を有する導体装置の別の実施形態の部分切断斜視図である。
【図１１Ａ】本発明に係るデバイス製造方法のプロセスを説明するためのフローチャートである。
【図１１Ｂ】デバイス処理の詳細を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は精密機器、すなわち本発明の特徴を有する露光装置１０の概略図である。露光装置１０は、装置フレーム１２、照明系（照射装置）１４、光学機器１６、レチクルステージ装置１８、ウエハステージ装置２０、測定システム２２、及び制御システム２４を備える。露光装置１０の構成のデザインは、露光装置１０の設計要求に応じて様々に変更可能である。
【００１４】
ここで、ステージ装置１８、２０の一方または双方は、一以上の駆動部２８と一以上の循環システム３０（図１ではボックスとして示す）とを有する動力機器２６を含むことができる。一実施形態において、循環システム３０は、一以上の駆動部２８から周辺環境に伝わる熱の量を低減する。この構成によれば、駆動部２８を測定システム２２に近づけて配置でき、及び／又は、駆動部２８からの熱の影響が測定システム２２及び露光装置１０の残りの構成要素の精度に及ぶことが低減される。また、露光装置１０は、高密度の半導体ウエハなどの、高精度のデバイスを製造することができる。
【００１５】
複数の図において、Ｘ軸、Ｘ軸に直交するＹ軸、及び、Ｘ軸及びＹ軸に直交するＺ軸が設定された座標系を採用している。なお、これらの軸は、第１、第２、及び第３軸としても参照される。
【００１６】
露光装置１０は、集積回路のパターン（不図示）を、レチクル３２から半導体ウエハ３４上に転写するリソグラフィ装置として特に好ましく用いられる。露光装置１０は、地面、土台、床、あるいは他の支持構造物などの、搭載ベース３６に搭載されている。
【００１７】
リソグラフィ装置としては、様々なタイプがある。例えば、露光装置１０は、レチクル３２とウエハ３４とを同期移動させながら、レチクル３２からウエハ３４にパターン露光する、スキャニング型のフォトリソグラフィシステムとして用いられる。スキャニング型のリソグラフィ装置においては、レチクルステージ装置１８によって光学機器１６の光軸に対して垂直にレチクル３２が移動され、また、ウエハステージ装置２０によって光学機器１６の光軸に対して垂直にウエハ３４が移動される。レチクル３２とウエハ３４との同期移動の間に、レチクル３２とウエハ３４の走査が行われる。
【００１８】
代替的に、露光装置１０は、レチクル３２及びウエハ３４が静止した状態でレチクル３２を露光するステップ・アンド・リピート式のフォトリソグラフィシステムにできる。ステップ・アンド・リピートの工程では、１つのフィールドの露光中において、レチクル３２及び光学機器１６に対して一定位置にウエハ３４がある。その後、連続した複数の露光ステップの間に、光学機器１６の光軸に対して垂直に、ウエハステージ装置２０とともに一定速度でウエハが動かされ、ウエハ３４における次のフィールドが光学機器１６及びレチクル３２に対する露光位置に配置される。このプロセスの後、レチクル３２上の像がウエハ３４の前記フィールドに順次的に露光され、その後、ウエハ３４の次のフィールドが光学機器１６及びレチクル３２に対して位置決めされる。
【００１９】
なお、露光装置１０の使用は、半導体製造用のフォトリソグラフィシステムに限定されない。露光装置１０は、例えば、液晶表示デバイスパターンを矩形のガラスプレートに露光するＬＣＤフォトリソグラフィシステムとして使用でき、あるいは、薄膜磁気ヘッド製造用のフォトリソグラフィシステムとして使用できる。また、本発明は、マスクを基板に近づけて、レンズ機器を使用することなく、マスクからのマスクパターンを基板に露光するプロキシミティ・フォトリソグラフィシステムにも適用可能である。
【００２０】
装置フレーム１２は、剛体であり、露光装置１０の構成部品を支持する。図１に示す装置フレーム１２は、搭載ベース３０上で、ステージ装置１８、２０、光学機器１６、及び照明系１４を支持する。
【００２１】
一実施形態において、照明系１４は、照明源３８、及び照明光学機器４０を含む。照明源３８は、光エネルギーのビーム（光束）を発する。照明光学機器４０は、光エネルギーのビームを、照明源３８から光学機器１６に導く。ビームは、レチクル３２の異なる複数の部分を選択的に照射し、ウエハ３４を露光する。図１では、照明源３８がレチクルステージ装置１８の上方に支持されているように描かれている。しかしながら、通常は、装置フレーム１２の側部の１つに照明源３８が固定され、照明源３８からのエネルギービームが照明光学機器４０によって上方のレチクルステージ装置１８に導かれる。
【００２２】
照明源３８は、ｇ線源（４３６ｎｍ）、ｉ線源（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、あるいは、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）にできる。あるいは、照明源３８は、Ｘ線や電子線などの荷電粒子ビームを発することができる。例えば、電子線を用いる場合には、電子銃の陰極（カソード）として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、あるいは、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。また、電子線を用いる場合には、マスクを用いる構成、マスクを用いずに直接ウエハ上にパターンを形成する構成、のいずれでもよい。
【００２３】
光学機器１６は、レチクル３２を通過してウエハ３４に向かう光を、投影及び／又は集束させる。露光装置１０の設計に応じて、光学機器１６は、レチクル３２上の照明された像を、拡大または縮小することができる。光学機器１６は、縮小システムに限定される必要はない。１倍あるいは拡大システムに対しても同様である。
【００２４】
エキシマレーザのような遠紫外線を使用する場合には、遠紫外線を透過する石英や蛍石などのガラス材を光学機器１６に用いることができる。Ｆ２タイプのレーザやＸ線を使用する場合には、光学機器１６として反射屈折系または屈折系の光学系（レチクルも反射タイプであるのが望ましい）を採用することができ、また、電子線を使用する場合には、光学機器１６として、電子レンズ及び偏向器からなる電子光学系を採用することができる。電子線が通過する光路は真空である必要がある。
【００２５】
波長が２００ｎｍまたはそれ以下の真空紫外光（ＶＵＶ）を使用する露光装置においても、反射屈折系を採用することができる。光学システムの反射屈折型の例は、日本国特開平８−１７１０５４号公報及びそれに対応する米国特許第５，６６８，６７２号明細書や、日本国特開平１０−２０１９５号公報及びそれに対応する米国特許第５，８３５，２７５号明細書に開示されている。ここで、反射光学素子としては、ビームスプリッタと凹面鏡とを有する反射屈折系を採用することができる。日本国特開平８−３３４６９５号及びそれに対応する米国特許第５，６８９，３７７号、日本国特開平１０−３０３９号公報及びこれに対応する米国特許第８７３，６０５号（出願日：１９９７年６月１２日）においても、ビームスプリッタを用いずに凹面鏡を有する光学系からなる反射屈折型を採用しており、本発明に適用可能である。許容される範囲内で、上記の米国特許及び日本国特許出願公開公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００２６】
レチクルステージ装置１８は、レチクル３２を保持しかつ光学機器１６及びウエハ３４に対してレチクル２６を位置決めする。ほぼ同様に、ウエハステージ装置２０は、ウエハ３４を保持しかつレチクル３２における照明部分の投影像に対してウエハ２００を位置決めする。各ステージ装置１８、２０のデザインは、露光装置１０の動作要求に適するように様々に変更可能である。図１において、レチクルステージ装置１８は、レチクル３２を保持するレチクルステージ４２、及び、露光装置１０の他部に対してレチクルステージ４２及びレチクル３２を移動させかつ位置決めするレチクル移動装置４４を含む。例えば、レチクル移動装置４４は、１以上の移動体２８を含むことができ、また、レチクルステージ４２を３つの移動軸に対して移動させる構成とすることができる。あるいは、レチクル移動装置４４は、３以上又は３未満の移動軸に対してレチクルステージ４２を移動させる構成とすることができる。
【００２７】
概ね同様に、ウエハステージ２０は、ウエハ３４を保持するウエハステージ４６と、露光装置１０の他部に対してウエハステージ４６及びウエハ３４を移動させかつ位置決めするウエハ移動装置４８とを含む。例えば、ウエハ移動装置４８は、１以上の移動体２８を含み、また、ウエハステージ４６を３つの移動軸に対して移動させる構成とすることができる。あるいは、ウエハ移動装置４８は、３以上又は３未満の移動軸に対してウエハステージ４６を移動させる構成とすることができる。
【００２８】
ウエハステージやマスクステージにリニアモータ（ＵＳＰ５，６２３，８５３またはＵＳＰ５，５２８，１１８参照）を用いる場合は、リニアモータとして、エアベアリングを用いたエア浮上型、又はローレンツ力又はリアクタンス力を用いた磁気浮上型のいずれを用いてもよい。許容される範囲内で、上記の米国特許第５，６２３，８５３号及び第５，５２８，１１８号の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００２９】
また、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとが対向した平面モータによって、ステージの１つ又は双方を駆動することができる。この種の駆動システムでは、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方がステージに接続され、他方のユニットがステージの移動面上に搭載される。
【００３０】
上記のようなステージの動きは、フォトグラフィシステムの性能に影響を及ぼす反力を発生させる可能性がある。ウエハ（基板）ステージの移動により発生する反力は、米国特許第５，５２８，１００号及び日本国特開平８−１３６４７５号公報に記載されているような、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がすことが可能である。また、レチクル（マスク）ステージの移動により発生する反力は、米国特許第５，８７４，８２０号及び日本国特開平８−３３０２２４号公報に記載されているような、フレーム部材を用いて機械的に大地に逃がすことが可能である。許容される範囲内において、上記の米国特許第５，５２８，１００号、第５，８７４，８２０号、及び日本国特開平８−３３０２２４号公報の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００３１】
測定システム２２は、（１）光学機器１６又は他の参照部に対するレチクルステージ４２及びレチクル３２の移動、及び（２）光学機器１６又は他の参照部に対するウエハステージ４６及びウエハ３４をモニタする。この情報によって、制御システム２４は、レチクルステージ装置１８を制御してレチクル３２を精確に位置決めすることができ、また、ウエハステージ装置２０を制御してウエハ３４を精確に位置決めすることができる。例えば、測定システム２２は、複数のレーザ干渉計、エンコーダ、及び／又は他の測定装置を利用することができる。
【００３２】
制御システム２４は、レチクルステージ装置１８、ウエハステージ装置２０、測定システム２２、及び１以上の循環システムに電気的に接続されている。制御システム２４は、測定システム２２から情報を受け取り、ステージ移動装置１８，２０を制御してレチクル３２及びウエハ３４を精確に位置決めする。また、制御システム２４は、１以上の循環システム３０の動作を制御する。制御システム２４は、少なくとも１つのプロセッサ及び回路を含む構成にできる。
【００３３】
さらに、露光装置１０は、本発明の特徴を有する動力機器２６を含む１以上の分離システムを含むことができる。例えば、図１において、露光装置１０は、（１）装置フレーム１２を搭載ベース３６に取り付け、装置フレーム１２への振動の原因となる搭載ベースの振動の影響を軽減するフレーム分離システム５０、（２）レチクルステージ装置１８を装置フレーム１２に対して取り付け及び支持し、レチクルステージ装置１８の振動の原因となる装置フレーム１２の振動の影響を軽減するレチクルステージ分離システム５２、（３）ウエハステージ装置２０を搭載ベース３６に対して取り付け及び支持し、ウエハステージ装置２０の振動の原因となる搭載ベース３６の振動の影響を軽減する光学分離システム５４、を含む。この実施形態において、各分離システム５０−５６は、（１）振動を分離する１以上の気体シリンダ５８、及び／又は（２）振動を分離するとともに各装置を制御する、本発明に従って作られた１以上の動力機器２６を含むことができる。
【００３４】
ここに記載される実施形態に係るフォトリソグラフィシステム（露光装置）は、添付の特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造することができる。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、すべての光学系について、光学的精度を達成するための調整が行われる。同様に、すべての機械系及び電気系について、機械的精度及び電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程は、各サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、及び気圧回路の配管接続等を含む。この各種サブシステムからフォトリソグラフィシステムへの組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程がある。各種サブシステムを用いてフォトリソグラフィシステムが組み立てられると、フォトリソグラフィシステム全体としての各種精度を確保するための、総合調整が行われる。なお、露光システムの製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【００３５】
本発明は、液体に適した測定器を用いることによって、液浸タイプの露光装置に適用可能である。例えば、国際公開第９９／４９５０４号は、露光プロセスにおいて基板（ウエハ）と投影レンズ系との隙間に液体を供給する露光装置を開示している。許容される範囲内で、国際公開第９９／４９５０４号の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００３６】
また、本発明は、２以上の基板及び／又はレチクルステージを有する露光装置にも適用可能である。こうした装置では、露光のために他のステージが用いられている間に、並行して又は予備ステップに追加のステージが用いられる。こうしたマルチステージ露光装置は、例えば、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、及びこれらに対応する米国特許第６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０、６３４号に記載されている。さらに、特表２０００−５０５９５８号公報及びこれに対応する米国特許５，９６９，４４１号、また、米国特許第６，２０８，４０７号にも開示されている。許容される範囲内で、上記の米国特許及び日本国特許出願の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００３７】
本発明は、特表１１−１３５４００号に記載されているように、露光のための基板（ウエハ）を保持して移動可能なステージと、各種のセンサや測定ツールを有する計測ステージとを備えた露光装置にも適用可能である。許容される範囲内で、上記の日本国特許出願の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【００３８】
図２は、（１）移動装置４４、４８（図１参照）の１つ又は双方、（２）分離システム５０−５６（図１参照）の１つ又はすべて、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置において、動力機器２２６の一部として使用可能な駆動部２２８の斜視図である。各駆動部２２８のデザインは、装置の動作要求に適するように様々に変更可能である。一実施形態において、駆動部２２８は、マグネット部品２６０と、マグネット部品２６０と相互作用する導体部品２６２とを含む。図２において、導体部品２６２は、固定のマグネット部品２６０に対して移動する。代替的に、例えば、駆動部２２８は、固定の導体部品２６２に対してマグネット部品２６０が移動するように構成することができる。
【００３９】
図２において、駆動部２２８はリニアモータであり、導体部品２６２は、マグネット部品２６０に対して、Ｘ軸に沿って直線的に移動する。代替的に、例えば、駆動部２２８は、ロータリモータ、ボイスコイルモータ、電磁駆動機、平面モータ、又は別タイプの動力体である。
【００４０】
マグネット部品２６０は、離間マグネットアレイ２６４（仮想的に図示）を１以上含む。例えば、図２において、マグネット部品２６０は、２つの離間マグネットアレイ（図２では上のマグネットアレイのみ図示されている）を含む。各マグネットアレイ２６４は、１以上のマグネットを含むことができる。
【００４１】
図３は、（１）移動装置４４、４８（図１参照）の１つ又は双方、（２）分離システム５０−５６（図１参照）の１つ又はすべて、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置において使用可能な、動力機器３２６の第１実施形態の簡易な図である。図３において、駆動部３２８の導体部品３６２が、より詳細に描かれている。一実施形態において、導体部品３６２は、一軸に沿って並ぶ１以上の導体３６８を有する導体アレイ３６６を含む。
【００４２】
さらに、駆動部３２８は、導体アレイ３６６又は駆動部３２８の他の部分を冷却及び／又はその温度を制御する流体通路３７０を規定する。流体通路３７０の構成及び配置は、駆動部３２８の冷却仕様を満たすために様々に変更可能である。一実施形態において、流体通路３７０は、導体アレイ３６６の近くに配置される。図３において、導体部品３６２は、導体アレイ３６６を囲む、矩形に近いチューブ形状の循環ハウジング３７２を含む。この構成において、循環ハウジング３７２と導体アレイ３６６との空間は、導体アレイ３６６を囲む流体通路３７０を規定し、また、流体通路３７０は、導体アレイ３６６とともに移動する。代替的に、循環ハウジング３７２は、他の形状を有することができ、及び／又は流体通路３７０は、導体アレイ３６６によってその一部又はすべてが囲まれてもよい。さらなる代替案において、例えば、流体通路３７０は、マグネット部品２６０（図２参照）に取り付けることができ、導体アレイ３６６は、流体通路３７０に対して移動することができる。
【００４３】
以下に示すように、流体通路３７０は、循環システム３３０と流体的につながった、１以上の通路入口３７４と、１以上の通路出口３７６とを含む。この構成を有する、いくつかの実施形態において、循環システム３３０は、１以上の通路入口３７４を介して循環流体３７８を循環通路３７０に導き、また、流体通路３７０を通過した循環流体が、１以上の通路出口３７６から出て循環システム３３０に向かう。ここで、通路入口３７４及び／又は通路出口３７６の配置は、導体アレイ３６６の冷却を促すように変更可能である。図３に示す実施形態において、１つの通路入口３７４が導体アレイ３６６の一端に位置し、１つの通路出口３７６が導体アレイ３６６の他端に位置する。代替的に、例えば、１つの通路入口３７４を導体アレイ３６６の中心付近に配置し、かつ複数の通路出口３７６を導体アレイ３６６の反対側の端付近に配置できる、あるいは、１つの通路出口を導体アレイ３６６の中心付近に配置し、かつ複数の通路入口３７４を導体アレイ３６６の反対側の端付近に配置できる。
【００４４】
いくつかの実施形態において、循環システム３３０は、駆動部３２８の外面全体の一部を設定温度に維持するのに使用できる、及び／又は、駆動部３２８から周辺環境への熱伝達量を軽減するのに使用できる。これは、駆動部３２８の影響が駆動部３２８の周辺環境の温度に及ぶのを減らし、駆動部３２８による位置決め精度の向上を可能にする。
【００４５】
循環システム３３０の構成は変形可能である。一実施形態において、循環流体３７８は導体部品３６２の冷却に使用され、このとき、循環流体３７８の状態変化に基づく潜熱の利用により、循環流体３７８が温度上昇しない。いくつかの実施形態において、循環システム３３０は、（１）循環流体３７８が通路入口３７４で主として液体３７８Ａ（小四角に図示される）であり、（２）通路出口３７６での循環流体３７８の温度が通路入口３７４での循環流体３７８の温度とほぼ等しくなるように、通路入口３７４又はその近傍で循環流体３７８の温度を制御し、通路出口３７６又はその近傍で循環流体３７８の圧力を制御する。代替的ないくつかの非排他的実施形態において、循環システム３３０は、通路入口３７４における循環流体３７８の少なくとも約９７、９７、９８、９９、又は１００％が液体３７８Ａとなるように循環流体３７８の温度及び圧力を制御する。また、循環システム３３０は、通路入口３７４において、循環流体３７８が沸騰しない状態沸点近くとなるように、循環流体３７８の温度及び圧力を制御する。例えば、代替的ないくつかの非排他的実施形態において、循環システム３３０は、通路入口３７４での絶対圧力下において、循環流体３７８がその沸騰温度に対して約２℃、１℃、０．８℃、０．６℃、０．５℃、０．４℃、０．３℃、０．２℃、又は０．１℃の範囲内となるように、循環流体３７８の温度及び圧力を制御する。さらに、圧力制御装置３８８は、通路入口３７４での循環流体３７８の温度に対して通路出口３７６での循環流体３７８の温度が約１℃、０．８℃、０．６℃、０．５℃、０．４℃、０．３℃、０．２℃、又は０．１℃の範囲内となるように、通路出口３７６付近の循環流体３７８の圧力を制御する。
【００４６】
また、以下に説明するように、循環流体３７８の少なくとも一部は、流体通路３７０内を移動の間に相変化する。一実施形態において、流体通路３７０中を移動の間に、循環流体３７８の少なくとも一部が、液体３７８Ａから気体３７８Ｂ（小円に図示される）に相変化する。
【００４７】
一実施形態において、循環流体３７８は、実質的に不活性（例えばイナート）な流体である。例えば、ハイドロフロロエーテル（ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｏｅｔｈｅｒ）（例えば、ミネソタ州ミネアポリスの３Ｍ社製造の「ノベック（Ｎｏｖｅｃ）ＨＦＥ」）、フッ化物系不活性液体（ｆｌｕｏｒｉｄｅｓｙｓｔｅｍｉｎａｃｔｉｖｅｌｉｑｕｉｄ）（例えば、ミネソタ州ミネアポリスの３Ｍ社製造の「フラウリナート（Ｆｌｏｕｒｉｎｅｒｔ）」）などが循環物質として使用可能であり、あるいは水も使用可能である。
【００４８】
図３において、循環システム３３０は、ポンプ装置３８０、温度調整装置３８２、セパレータ３８４、レベル維持器３８６、圧力制御装置３８８、コンデンサ３９０、及び貯溜部３９２を有する。これら部品の構成、形状、向き、及び／又は配置は、循環システム３３０の冷却仕様の達成のために変更可能である。また、いくつかの実施形態において、循環システム３３０は、上記よりも少ない部品点数にできる。例えば、循環システム３３０は、レベル維持器３８６を省いて構成できる。また、循環システム３３０は、図３に示されていない、追加の部品を含むことが可能である。例えば、循環システム３３０は、流量計、流量バルブ、温度測定器、リリーフ弁、及び／又は圧力計を含むことが可能である。
【００４９】
また、駆動部３２８の外面及び周辺環境の温度をより精確に制御するために、制御システム２４（図１参照）によって循環システム３３０の１以上の部品が制御され得る。また、１以上の流体路３９４によって循環システム３３０の部品を流体的につなぐことができる。
【００５０】
ポンプ装置３８０は、循環システム３３０及び流体通路３７０内で循環流体３７８を移動させる。図３において、ポンプ装置３８０は、ポンプ及びポンプを駆動するモータを含む。ポンプ装置３８０によって循環流体３７８を流体通路３７０に送る割合は、駆動部３２８の冷却仕様に合うように変更可能である。
【００５１】
温度調整装置３８２は、循環システム３３０内の循環流体３７８の温度を調整する。図３において、温度調整装置３８２は、循環流体３７８の温度を調整し、通路入口３７４又はその近傍にあって流体通路３７０に向かう循環流体３７８の温度を精確に制御する。温度調整装置３８２は、ヒーター及び／又はチラーを含むことができる。一実施形態において、温度調整装置３８２は、熱電式熱交換器である。図３において、温度調整装置３８２に対する入口部はポンプ装置３８０の出口部に流体的につながり、温度調整装置３８２の出口部は流体通路３７０の通路入口３７４に流体的につながる。
【００５２】
セパレータ３８４は、循環流体３７８の液体３７８Ａから気体３７８Ｂを分離する。セパレータ３８４の使用により、気体３７８Ｂのみがコンデンサ３９０に導かれる。その結果、いくつかの実施形態において、流体通路３７０における液体３７８Ａ及び気体３７８Ｂ用の配管の最適化がそれぞれ可能となる。
【００５３】
セパレータ３８４の構成及び配置は、循環システム３３０の仕様を達成するように変更可能である。適切な気体／液体セパレータ３８４は、２つの出口、すなわち、気体取出口と液体取出口とを有するチャンバを含み、気体取出口は、液体取出口よりも物理的に高い位置に配置される。この実施形態において、セパレータの機能は重力の利用に基づき、より重い液体から気体が分離される。より軽い気体がチャンバの上部にのぼり、より重い液体がチャンバの下部にたまるようになる。
【００５４】
一実施形態において、セパレータ３８４は、導体部品３６２に取り付けられ、導体部品３６２とともに移動する。図３において、セパレータ３８４は、通路出口３７６に隣接しかつその近傍に位置し、通路出口３７６は、セパレータ３８４の入口部に直接的に流体的につながる。また、図３において、セパレータ３８４は、レベル維持器３８６を介して貯溜部３９２に流体的につながった液体出口部３８４Ａと、圧力制御装置３８８に対する入口部に流体的につながったガス出口部３８４Ｂとを含む。
【００５５】
代替的に、セパレータ３８４は導体部品３６２から離れて配置でき、及び／又は、導体部品３６２はセパレータ３８４に対して移動できる。この構成において、通路出口３７６は、セパレータ３８２の入口部に流体的に接続したままである。
【００５６】
レベル維持器３８６は、流体通路３７０内における液体３７８Ａの所定レベル（液面、液面高さ）を維持する。この構成において、いくつかの実施形態において、レベル維持器３８６は、すべての導体３６８が少なくとも部分的に液体３７８内となることを確実にする。適切なレベル維持器３８６について図８に示すとともに、以下説明する。図３において、レベル維持器３８６に対する入口部はセパレータ３８２の出口部３８４Ａに流体的につながる。代替的に、例えば、レベル維持器３８６に対する入口部が通路出口３７６に直接に接続することが可能である。
【００５７】
さらに、圧力制御装置３８８は、通路出口３７６又はその近傍における循環流体３７８の温度を精確に制御するために、流体通路３７０の少なくとも一部における循環流体３７８の圧力を精確に制御する。いくつかの実施形態において、圧力制御装置３８８は、通路出３７６又はその近傍の循環流体３７８の圧力を精確に制御する。この構成により、圧力制御装置３８８は、通路出口３７６での循環流体３７８の温度が通路入口３７４での循環流体３７８の温度とほぼ等しくなるように、通路出口３７６又はその付近における循環流体３７８の圧力を調整できる。この構成により、循環流体３７８の温度上昇なく、駆動部３２８を所定の設定温度に維持するのに循環流体３７８を使用でき、駆動部３２８からの熱の影響が周辺環境に及ぶのが著しく低減される。
【００５８】
代替的に、例えば、圧力制御装置３８８は、通路出口３７６での循環流体３７８の温度が通路入口３７４での循環流体３７８の温度に対して所定量の差（例えば１℃）となるように、通路出口３７６又はその付近における循環流体３７８の圧力を調整するのに使用できる。
【００５９】
非排他的な例において、適切な圧力制御装置３８８は、電子レギュレータ、ポンプ、又は容量可変チャンバー（例えばベローズ）を有することができる。圧力制御装置３８８による循環流体３７８の圧力変化量は、循環流体３７８の種類、駆動部３２８の構成、及び循環システム３３０の他部の構成に応じて、変更可能である。代替的ないくつかの非排他的実施形態において、圧力制御装置３８８は、循環流体３７８の圧力を、約０．５、１、２、３、４、又は５ＰＳＩ（重量ポンド毎平方インチ、Pound-force per Square Inch）下げる。
【００６０】
圧力制御装置３８８は、オープンループ方式、又はクローズドループフィードバック制御の使用によって制御され得る。フィードバックは、温度が調整される位置に配置された温度又は圧力センサ３９５に基づく。
【００６１】
図３において、圧力制御装置２８８は、コンデンサ３９０の出口部に接続される。代替的に、例えば、通路出口３７６からセパレータ３８４が離れている場合、圧力制御装置３８８は、通路出口３７６とセパレータ３８４に対する入口部との間で通路出口３７６に接続される。また、代替的に、圧力制御装置３８８は、セパレータ３８４とコンデンサ３９０との間に接続され得る。
【００６２】
コンデンサ３９０は、セパレータ３８４から気体３７８Ｂを受け取り、その気体３７８Ｂを凝縮して液体にし、このとき目標入口温度からのずれは最小であり、その後に貯溜部３９２に送られる。一実施形態において、コンデンサ３９ーの入口部は、セパレータ３８４の気体出口部３８４Ｂと流体的につながる。この構成により、セパレータ３８４から出た気体３７８Ｂはすべて凝縮されて液体３７８Ａになる。一実施形態において、コンデンサ３９０は、気体３７８Ｂを凝縮して液体３７８Ａにする熱交換器を有する。
【００６３】
貯溜部３９２は、セパレータ３８４からの液体３７８Ａ、及びコンデンサ３９０からの液体３７８Ａを受け取る。一実施形態において、貯溜部３９２に対する第１入口部がレベル維持器３８６の流体出口部と流体的に接続され、貯溜部３９２に対する第２入口部が圧力制御装置３８８を介してコンデンサ３９０の出口部と流体的に接続される。
【００６４】
循環システム３３０の動作は、図３を参照してさらに説明され得る。この実施形態において、流体通路３７０内を流れる沸点付近の液体３７８Ａとして、循環流体３７８が通路入口３７４に供給される。循環流体３７８は導体３６８に沿って流れ、その間、導体３６８からの熱が循環流体３７８に伝わり、導体３６８が冷却される。この構成において、導体３６８から循環流体３７８への熱伝達によって、循環流体３７８の一部が次第に気体３７８Ｂに変化する（すなわち、液体から気体に状態変化する）。換言すると、流体通路３７０内における循環流体３７８の移動の間、循環流体３７８は、導体３６８の熱を吸収し、循環流体３７８の少なくとも一部が液体３７８Ａの状態から気体３７８Ｂの状態に変化する。導体３６８は、循環流体３７８の相変化によって熱吸収されて冷却される。いつくかの実施形態において、導体３６８の冷却の間、循環流体３７８の温度は上昇しない。
【００６５】
図３に示すように、通路入口３７４での循環流体３７８に含まれる液体３７８Ａの量は、通路出口３７６での循環流体３７８に含まれる液体３７８Ａの量よりも多い。これは、流体通路３７０を流れる間に、液体３７８Ａの一部が気体に相変化したことによる。この構成における、一の非排他的実施形態において、通路入口３７４での循環流体３７８に含まれる液体３７８Ａの割合は約１００％であり、通路出口３７６での循環流体３７８に含まれる液体３７８Ａの量の割合は約１〜５０％であり、通路出口３７６での循環流体３７８に含まれる気体３７８Ｂの割合は約５０〜９９％である。
【００６６】
なお、導体３６８からの熱が循環流体３７８に伝わるとともに、循環流体３７８が導体３６８を横切って移動するのに伴い、循環流体３７８の圧力が変化する可能性がある。圧力制御装置３８８は、こうした圧力変化の補償、及び通路出口３７６での循環流体３７８の目標温度の達成のために使用できる。
【００６７】
図４は、圧力−エンタルピー図であり、循環流体３７８が流体通路３７０（図３参照）内を移動するときの循環流体３７８（図３参照）の温度を線Ｔｐとして示している。図４において、（１）一定の第１温度を線Ｔ１で示し、（２）第１温度よりも高い一定の第２温度を線Ｔ２で示し、（３）飽和液線を曲線ＳＬＬで示す。線ＳＬＬの一方の側において循環流体３７８は液体であり、線ＳＬＬの他方の側において循環流体３７８は液体と気体とが混ざっている。
【００６８】
線Ｔｐの左端は、通路入口３７４（図３参照）における循環流体３７８の入口温度Ｔｉ及び入口圧力Ｐｉを示し、線Ｔｐの右端は、通路出口３７６（図３参照）における循環流体３７８の出口温度Ｔｏ及び出口圧力Ｐｏを示す。上記したように、循環システム３３０（図３参照）は、通路入口３７４付近の入口温度Ｔｉ及び通路出口３７６付近の出口圧力Ｐｏを制御する。この実施形態において、循環流体３７８が通路入口３７４に入ったとき、循環流体３７８はすべて液相（Ｔｉの状態１）であり、入口温度Ｔｉは第１温度Ｔ１と等しい。また、循環流体３７８が流体通路３７０を流れるとき、流体通路３７０内の流れに伴う圧力低下がある（状態１から状態３への圧力低下）。また、通路出口３７６において、圧力制御装置３８８（図３参照）によって出口圧力（Ｐｏ）が調整されることにより、循環流体３７８が所定温度で沸騰し（状態３の圧力が温度Ｔ１における沸騰圧力に調整される）、出口温度ＴｏがＴ１及びＴｉと等しくなる。
【００６９】
換言すると、通路入口３７４から循環流体３７８が移動するのに伴い、循環流体３７８はまず導体３６８（図３参照）から顕熱を得て、循環流体３７８の温度が上昇する（状態１から状態２、Ｔ１からＴ２）。そこでの圧力に対応する沸騰温度に温度が達すると、液体が飽和し沸騰し始める（状態２）。その領域においては、流れの中での少しの圧力低下によって温度が降下する。混相（液体＋蒸気、状態３）の循環流体３７８は、通路出口３７６においてセパレータ３８４（図３参照）に達する。
【００７０】
入口温度Ｔｉ及び出口温度ＴｏはＴ１とほぼ同じである。しかしながら、ＴｉとＴｏとの間にはわずかな温度変化がある。具体的には、状態１から状態２に向かって緩やかな温度の上昇があり、その後に状態２から状態３に向かって小さい温度降下がある。いくつかの実施形態において、この温度変化は状態１から状態２及び／又は状態２から状態３への圧力降下を減らすことによって少なくすることができ、これは駆動部から除去される熱の温度の一定につながる。また、循環流体３７８の適切な選択は、温度変化の軽減に役立つ可能性がある。
【００７１】
代替的に、（１）駆動部の目標温度と異なるように入口温度Ｔｉを調整すること、（２）駆動部の目標温度と異なる温度で液体が沸騰するように出口温度Ｐｏを調整すること、のいずれか、また、（３）流体通路３７０の適切な構成によって、（４）循環システム３３０の適切な構成によって、及び／又は（１）から（４）の組み合わせの使用することによって、温度変化を少なくできる。
【００７２】
図５は、動力機器５２６の他の実施形態を示す模式図であり、これは（１）１つ又は双方の移動装置４４、４８（図１参照）、（２）分離システム５０−５６（図１参照）の１つ又はすべて、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置、において使用可能である。この実施形態において、導体部品５６２は、図３に示した上記の対応部品と同様である。また、循環システム５３０は、ポンプ装置５８０、温度調整装置５８２、セパレータ５８４、レベル維持器５８６、圧力制御装置５８８、コンデンサ５９０、及び貯溜部５９２を有し、これらは図３に示した上記対応部品と同様の動作を行う。しかしながら、この実施形態では、循環システム５３０は、大気圧より低い圧力下で動作するように構成され、圧力制御装置５８８は、セパレータ５８４の気体出口部５８４Ｂにコンデンサ５９０を介して接続された真空源である。
【００７３】
この実施形態において、圧力制御装置５８８は、セパレータ５８４とコンデンサ５９０との間に位置する。また、圧力制御装置５８８は、前記の実施形態において説明したものと同様の機能を得るように制御される。
【００７４】
他の実施形態において、ほぼすべての液体が通路出口５７６で気体に変換されるように通路入口５７４に供給される液体の量を調整可能である。通路出口５７６から出た気体は、温度分布仕様に従って飽和又は過熱される。この構成において、循環システム５３０は、セパレータ５８４及び液体出口部５８４Ａを省いて構成可能である。
【００７５】
図６は、動力機器６２６の別の実施形態を示す模式図であり、（１）移動装置４４、４８（図１参照）の１つ又は双方、（２）１つ又はすべての分離システム５０−５６（図１参照）、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置、において使用可能である。この実施形態において、動力機器６２６は、図３に示した上記対応部品とそれぞれ同様の、２つの導体部品６６２（離れた２つの駆動部）を含む。
【００７６】
この実施形態において、循環システム６３０は、ポンプ装置６８０、温度調整装置６８２、一対のセパレータ６８４、一対のレベル維持器６８６、圧力制御装置６８８、コンデンサ６９０、及び貯溜部６９２を有し、これらは図３に示した上記対応部品と同様である。しかしながら、この実施形態では、循環システム６３０は、離れた２つの駆動部６２８の温度を制御する能力を有するように構成される。換言すると、循環システム６３０は、共通部品を共有することによって、複数の駆動部６２８の表面温度を制御する能力を含むよう拡張され得る。この実施形態において、循環システム６３０は、ほぼ同じ温度となるように駆動部６２８を制御する。
【００７７】
図７は、動力機器７２６の別の実施形態を示す模式図であり、これは、（１）移動装置４４、４８（図１参照）の１つ又は双方、（２）１つ又はすべての分離システム５０−５６（図１参照）、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置、において使用可能である。この実施形態において、動力機器７２６は、２つの導体部品７６２（離れた２つの駆動部）を含み、これらは図３に示した上記対応部品と同様である。
【００７８】
この実施形態において、循環システム７３０は、ポンプ装置７８０、温度調整装置７８２、一対のセパレータ７８４、一対のレベル維持器７８６、一対の圧力制御装置７８８、コンデンサ７９０、及び貯溜部７９２を含み、これらは図３に示した上記対応部品と同様である。この実施形態においても、循環システム７３０は、２つの駆動部７２８の温度を制御する能力を有するように構成される。しかしながら、この実施形態では、循環システム７３０は、それぞれ異なる温度制御仕様を有する駆動部７２８の温度を制御できる。具体的には、分かれた圧力制御装置７８８によって、循環システム７３０における各駆動部７２８の通路出口７７６付近の圧力制御が可能になる。この構成において、各流体通路内の循環流体の温度を制御するために、圧力を独立して制御可能である。
【００７９】
図８は、導体部品８６２及びレベル維持器８８６の一実施形態を示す側断面図であり、ここで説明した循環システムに使用可能である。この実施形態において、レベル維持器８８６は、流体通路８７０内における液体の所定レベル８９３を維持する。この構成において、いくつかの実施形態において、レベル維持器８８６は、すべての導体８６８が少なくとも部分的に液体内となることを確実にする。図８において、セパレータは図示されていない。この実施形態において、レベル維持器８８６は、反転したＵ字状の管部である。この構成において、反転したＵ字状の頂部が流体通路８７０における循環流体のレベル８９３を維持する。
【００８０】
図９は、動力機器９２６の別の実施形態を示す模式図であり、これは（１）１つ又は双方の移動装置４４、４８（図１参照）、（２）分離システム５０−５６（図１参照）の１つ又はすべて、又は（３）製造及び／又は検査にかかる他の種類の装置、において使用可能である。この実施形態において、導体部品９６２は、図３に示した上記の対応部品と同様である。
【００８１】
この実施形態において、循環システム９３０は、ポンプ装置９８０、温度調整装置９８２、コンデンサ９９０、及び貯溜部９９２を含み、これらは図３に示した上記対応部品と同様である。しかしながら、この実施形態では、循環システム９３０は、循環流体９７８が通路入口９７４で主として液体９７８Ａ（小四角に図示される）となるように、循環流体９７８の入口圧力を精確に制御する圧力制御装置９９６を含む。
【００８２】
代替的ないくつかの非排他的実施形態において、循環システム９３０は、通路入口９７４における循環流体９７８の少なくとも約９５、９８、９９、又は１００％が液体９７８Ａとなるように循環流体９７８の温度及び圧力を制御する。また、循環流体９７８の少なくとも一部は、流体通路９７０内を移動の間に相変化する。具体的には、一実施形態において、流体通路９７０中を移動の間に、循環流体９７８の少なくとも一部が、液体９７８Ａから気体９７８Ｂ（小円に図示される）に変化する。
【００８３】
図９において、循環システム９３０はさらに、循環流体９７８の流量を計測する流量計９９７、及び循環流体９７８の流量を選択的に調整する流量バルブ装置９９８を含む。
【００８４】
また、図９において、循環システム９３０は、セパレータ及び／又はレベル維持器を含むことができる。また、１以上の部品が制御システム２４（図１参照）によって制御され得る。
【００８５】
この実施形態において、圧力制御装置９９６は、循環流体９７８の圧力を精確に調整し、通路入口９７４での循環流体９７８の流体状態を精確に制御し、システムを通路入口９７４の流体状態が適切な均衡にする。温度調整装置は、入口部での流体の温度を精確に制御する。また、一実施形態において、圧力制御装置９９６は、コンデンサ９９０の出口部と貯溜部９８０に対する入口部との間に配置される。この構成において、圧力制御装置９９６は、単相の循環流体９７８に従って動作する。
【００８６】
圧力制御装置９９６による循環流体９７８の圧力変化量は、循環流体９７８の望ましい流体状態が実現するように変更可能である。代替的ないくつかの非排他的実施形態において、圧力制御装置９９６は、通路入口９７４での循環流体９７８の圧力を、少なくとも約０．５、１、２、３、４、又は５ＰＳＩ減らす。換言すると、代替的ないくつかの非排他的実施形態において、圧力制御装置９９６は、通路入口９７４での循環流体９７８の圧力を、約０〜１、０〜２、又は０〜５ＰＳＩの範囲で減らす。
【００８７】
図１０は、導体部品１０６２の別の実施形態を示す部分的な断面斜視図であり、循環ハウジング１０７２及び導体１０６８の詳細を含む。図１０において、導体１０６８は、Ｘ軸に沿って並ぶ。この実施形態において、流体通路１０７０は、導体１０６８の高さに合わせられたＺ軸に沿った通路高さ１０００、導体１０６８に合わせられたＹ軸に沿った通路幅１００２、及び複数からなる導体１０６８に合わせられたＸ軸に沿った通路長さ１００４を含む。
【００８８】
一実施形態において、通路高さ１０００は、通路幅１００２及び通路長さ１００４よりも小さい。また、一実施形態において、流体通路１０７０の最小寸法は、鉛直にかつ重力１００６に沿ってまた同軸に配置され、また、流体通路１０７０の最大寸法は、水平に配置されている。図１０において、通路高さ１０００が重力１００６に沿っている。これらの構成において、Ｚ軸に沿った循環流体（図１０では不図示）の密度勾配は、流体通路１０７０の底での沸騰を抑制するのに十分である。この構成において、最小寸法が重力と同軸であるから、流体通路１０７０内での循環流体の沸騰がより均一になる。よって、水平配置の導体アレイ１０６４は、より均質な蒸発を得ることができ、循環流体の相変化に伴ってより多くの熱を除去することができる。
【００８９】
半導体デバイスは、図１１Ａに概略的に示すプロセスによって、上記のシステムを用いて製造される。ステップ１１０１において、デバイスの機能及び特性の設計が行われる。次に、ステップ１１０２において、前記設計ステップに従ったパターンを有するマスク（レチクル）が設計され、並行したステップ１１０３において、シリコン材料からウエハが製造される。ステップ１１０４において、本発明に係る上記のフォトリソグラフィシステムによって、ステップ１１０２で設計されたマスクパターンが、ステップ１１０３からのウエハ上に露光される。ステップ１１０５において、半導体デバイスが組み立てられ（ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程を含む）、最後に、ステップ１１０６においてデバイスが検査される。
【００９０】
図１１Ｂは、半導体デバイスの製造の場合における上記のステップ１１０４の詳細なフローの一例を示す。図１１Ｂにおいて、ステップ１１１１（酸化ステップ）において、ウエハ表面が酸化する。ステップ１１１２（ＣＶＤステップ）において、ウエハ表面に絶縁膜が形成される。ステップ１１１３（電極形成ステップ）において、蒸着によってウエハ上に電極が形成される。ステップ１１１４（イオン打込みステップ）において、ウエハにイオンが打ち込まれる。以上のステップ１１１１〜１１１４は、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択される。
【００９１】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。後処理工程では、まず、ステップ１１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤が塗布される。次に、ステップ１１１６（露光ステップ）において、上記の露光装置を用いて、マスク（レチクル）の回路パターンがウエハに転写される。続くステップ１１１７（現像ステップ）において、露光されたウエハが現像され、ステップ１１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分（露光された材料表面）がエッチングにより取り除かれる。ステップ１１１９（フォトレジスト除去ステップ）において、エッチング後の不要な残りのレジストが取り除かれる。こうした前処理工程と後処理工程との繰り返しによって、多数の回路パターンが形成される。
【００９２】
なお、上述した詳細な説明において開示した内容は、本発明の好ましい実施形態の一例であって、本発明は、ここで示した構成やデザインの詳細に限定されることはなく、添付のクレームの記載によってのみ限定される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【国際調査報告】
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