(57)【要約】  完全一体化超微小電気機械（ＭＥＭＳ）１×Ｋ波長選択スイッチ（ＷＳＳ）は一体として製造されるＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）アレイ及びＫ＋１個の分散形導波路アレイを備える。一実施形態ではＷＳＳはシリコンの中に製造される。他の実施形態ではＳＩＭのＮ個のアクチュエータが絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウエハのシリコン層にエッチングされる。シリカ層がシリコン層の上に付着され、Ｋ＋１個の導波路アレイ及びＮ個のＳＩＭのためのミラーが該シリカ層にエッチングされる。さらに他の実施形態ではＫ＋１個の分散形導波路アレイが、共通共焦点結合器の微小部分を除き、シリカ、ゾル−ゲル、重合体を含むグループから選択される、シリコン、サファイヤ又は他のガラス絶縁体材料を含むグループから選択される第１のウエハの上に付着される材料を使用して製造され、共通共焦点結合器の残りの部分及びＮ個のＳＩＭがシリコンウエハの中に製造され、第１のウエハ及びシリコンウエハが一体に突き合わせ結合される。
2009511956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎチャネルの多重波入力光信号をスイッチングするための光スイッチング装置であって、
プレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）であって、
Ｋが１以上の整数であるＫ＋１本の入力／出力導波路、
Ｋ＋１個の分散形導波路アレイであって、個々の導波路アレイが前記Ｋ＋１本の入力／出力導波路のうちの異なる１本に結合された結合器、及び第１の端部が前記結合器に接続され、第２の端部が共通共焦点結合器の第１の表面に接続されたアレイ化導波路回折格子（ＡＷＧ）を含むＫ＋１個の分散形導波路アレイ、及び
Ｎが１より大きい整数であるＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）デバイスのアレイであって、個々のＳＩＭデバイスが前記共通共焦点結合器の第２の表面上の異なる位置に配置され、また、第１の分散形導波路アレイから受け取る１チャネルの光を反射して、第２の分散形導波路アレイを介して戻すために個々のＳＩＭデバイスを選択的に回転させることができるアレイ
を含むプレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）からなる光スイッチング装置。
【請求項２】
請求項１記載の光スイッチング装置において、前記ＰＬＣが絶縁体上シリコンウエハを使用して製造された光スイッチング装置。
【請求項３】
請求項１記載の光スイッチング装置において、
前記ＰＬＣが薄い酸化物層及びシリコン層が上に付着したシリコンウエハを使用して製造され、前記シリコン層をエッチングすることによって前記ＳＩＭデバイスのＮ個のアクチュエータが形成され、
前記シリコン層の上にシリカ層が付着され、また、前記Ｋ＋１個の導波路アレイが形成され、かつ、前記ＳＩＭデバイスのためのＮ個のミラーが前記シリカ層にエッチングされた光スイッチング装置。
【請求項４】
請求項１記載の光スイッチング装置において、
前記Ｋ＋１個の分散形導波路アレイが、前記共通共焦点結合器の微小部分を除いて、シリカ、ゾル−ゲル、重合体を含むグループから選択される、シリコン、サファイヤ又は他のガラス絶縁体材料を含むグループから選択される第１のウエハの上に付着される材料を使用して製造され、
前記共通共焦点結合器の残りの部分及び前記Ｎ個のＳＩＭデバイスがシリコンウエハの中に製造され、次に、前記第１のウエハ及びシリコンウエハが一体に突き合わせ結合されて前記ＰＬＣを形成している光スイッチング装置。
【請求項５】
請求項１記載の光スイッチング装置であって、さらに、
Ｋ＋１個の第１の導波路アレイであって、第１の導波路アレイの各々が、前記Ｋ＋１本の入力／出力導波路のうちの異なる１本と、前記Ｋ＋１個の分散形導波路アレイのうちの異なる１個との間で光信号を結合するためのものであり、第１の導波路アレイの各々が、少なくとも２本の導波路を有し、かつ、前記入力光信号のチャネル分離に等しい自由スペクトルレンジを有し、前記第１の導波路アレイが、第１の分散を前記入力光信号に導入する、Ｋ＋１個の第１の導波路アレイ
からなり、
前記Ｋ＋１個の分散形導波路アレイの各々が、前記入力光信号のすべての前記チャネルの帯域幅に少なくとも等しい自由スペクトルレンジを有し、前記Ｋ＋１個の第１の導波路アレイの各々が、前記Ｋ＋１個の第１の導波路アレイのうちの対応する１つによって前記入力光信号に導入された前記第１の分散に追加される第２の分散を生成し、それにより、Ｎチャネルの個々のチャネル毎に１個の離散光点が生成される光スイッチング装置。
【請求項６】
Ｎチャネルの多重波入力光信号をスイッチングするための光装置を製造する方法であって、該光装置が、
プレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）であって、
Ｋが１以上の整数であるＫ＋１本の入力／出力導波路、
Ｋ＋１個の分散形導波路アレイであって、個々の導波路アレイが、前記Ｋ＋１本の入力／出力導波路のうちの異なる１本に結合された結合器、及び第１の端部が前記結合器に接続され、第２の端部が共通共焦点結合器の第１の表面に接続されたアレイ化導波路回折格子（ＡＷＧ）を備えたＫ＋１個の分散形導波路アレイ、及び
Ｎが１より大きい整数であるＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）デバイスのアレイであって、個々のＳＩＭデバイスが前記共通共焦点結合器の第２の表面上の異なる位置に配置され、また、第１の分散形導波路アレイから受け取る１チャネルの光を反射して、第２の分散形導波路アレイを介して戻すために個々のＳＩＭデバイスを選択的に回転させることができるアレイ
を含むプレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）からなり、該方法が、
薄い酸化物層及びシリコン層が上に付着したシリコンウエハで開始し、前記ＳＩＭデバイスのＮ個のアクチュエータを前記シリコン層にエッチングするステップ、
前記シリコン層の上にシリカ層を付着させるステップ、及び
前記Ｋ＋１個の導波路アレイ及び前記ＳＩＭデバイスのためのＮ個のミラーの両方を前記シリカ層にエッチングするステップ
からなる方法。
【請求項７】
Ｎチャネルの多重波入力光信号をスイッチングするための光装置を製造する方法であって、該光装置が、
プレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）であって、
Ｋが１以上の整数であるＫ＋１本の入力／出力導波路、
Ｋ＋１個の分散形導波路アレイであって、個々の導波路アレイが、前記Ｋ＋１本の入力／出力導波路のうちの異なる１本に結合された結合器、及び第１の端部が前記結合器に接続され、第２の端部が共通共焦点結合器の第１の表面に接続されたアレイ化導波路回折格子（ＡＷＧ）を備えたＫ＋１個の分散形導波路アレイ、及び
Ｎが１より大きい整数であるＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）デバイスのアレイであって、個々のＳＩＭデバイスが前記共通共焦点結合器の第２の表面上の異なる位置に配置され、また、第１の分散形導波路アレイから受け取る１チャネルの光を反射して、第２の分散形導波路アレイを介して戻すために個々のＳＩＭデバイスを選択的に回転させることができるアレイ
を含むプレーナ集積光波回路（ＰＬＣ）からなり、該方法が、
シリカ、ゾル−ゲル、重合体を含むグループから選択される、シリコン、サファイヤ又は他のガラス絶縁体材料を含むグループから選択される第１のウエハの上に付着される材料を使用して、前記共通共焦点結合器の微小部分を除き、前記Ｋ＋１個の分散形導波路アレイを製造するステップ、
前記共通共焦点結合器の残りの部分及び前記Ｎ個のＳＩＭをシリコンウエハの中に形成するステップ、及び
前記第１のウエハとシリコンウエハを一体に突き合わせ結合するステップ
からなる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は波長選択スイッチに関し、より詳細には、一体型超微小電気機械（ＭＥＭＳ）波長選択スイッチ（ＷＳＳ）を実施するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本出願は、参照により本明細書に組み込まれている、２００５年１０月ｘｘ日に出願した同時係属米国特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号、整理番号Ｃ．Ｒ．Ｄｏｅｒｒ  １０４−２２に関する。
波長選択スイッチ（ＷＳＳ）は、光ネットワーク化、再構成可能光アド／ドロップ・マルチプレクサ（ＲＯＡＤＭ）の実施、及び網目状ネットワーク化における経路スイッチングのための最も重要なスイッチである。ＷＳＳは、通常は熱光学スイッチングを使用したプレーナ型光波回路（ＰＬＣ）、ＭＥＭＳ微小ミラースイッチングを使用した自由空間光学、及びＰＬＣ技術とＭＥＭＳ技術を混合したいくつかの混成構成で立証されている。ＰＬＣはそのフォームファクタ（実装が平らである）及び頑丈性の点で有利であり、一方、ＭＥＭＳ微小ミラースイッチングは消費電力が少なく、スイッチング状態がマルチステートであり、また、吸光率が大きい点で有利である。２つの技術の直接的な組合せは、ＰＬＣの場合、屈折率が若干大きい固体材料中を光が導かれるのに対して、ＭＥＭＳ微小ミラーは自由空間で作動することによって妨げられている。最近、回転する固体−液浸ミラー設計（図１）が提案され、導波ＰＬＣで立証された（「Solid-Immersion Micromirror with Enhanced Angular Deflection for Silicon-Based Planar Lightwave Circuits」by C-H. Chi et al、published in Proc. of Optical MEMS、2005年8月を参照されたい）。固体−液浸微小ミラー１１０（ミラー１１１を備えた回転部分）は、湾曲したエアギャップ１１２によって残りの導波ＰＬＣ１１３から分離されている。このエアギャップ分離は導波光の波長の１／４（あるいは半波長の追加増分）に等しい。従って、２つの導波領域１１０、１１３とエアギャップ１１２の間の界面からの反射は弱め合って干渉する。ミラー１１１は回転部分１１０中へのエッチング及び表面の金属化によって形成されるか、あるいは導波材料１１０及び空気を使用してブラッグミラー構造を生成することによって形成されている。
【特許文献１】同時係属米国特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号
【非特許文献１】「Solid-Immersion Micromirror with Enhanced Angular Deflection for Silicon-Based Planar Lightwave Circuits」by C-H. Chi et al、published in Proc. of Optical MEMS、2005年8月
【非特許文献２】D.T. Fuchs, et al、「A hybrid MEMS-waveguide wavelength selective cross-connect,」Photon Technol Lett 16、99〜101頁、2004年
【非特許文献３】C.H. Chi et al、「Integrated 1×4 Wss with on-chip MEMS mirrors,」CLEO 05、Baltimore, MD.、“CLEO 05
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）構造によれば、偏向が改善され、また、回折損失が小さくなるが、ＷＳＳを構築するためには、追加構造と共にＰＬＣの上にＳＩＭ構造を一体化しなければならない。ピストン駆動（D.T. Fuchs, et al、「A hybrid MEMS-waveguide wavelength selective cross-connect,」Photon Technol Lett 16、99〜101頁、2004年）、及び傾斜ミラー（C.H. Chi et al、「Integrated 1×4 Wss with on-chip MEMS mirrors,」CLEO 05、Baltimore,MD.、“CLEO 05）を使用した、ＭＥＭＳミラー（非液浸タイプ）とＰＬＣを一体化してＷＳＳを構築する他の試行が報告されている。ＳＩＭユニットとＰＬＣを完全に一体化してプレーナ型波長選択スイッチ（ＷＳＳ）を形成する方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によれば、まとめて一体製造されたＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）のアレイ及びＫ＋１個の分散形導波路アレイを備えた完全に一体化されたプレーナ型Ｎ−ＷＤＭチャネル超微小電気機械（ＭＥＭＳ）１×Ｋ波長選択スイッチ（ＷＳＳ）が説明される。他の実施形態では、一方がシリカ又は重合体などの導波材料を備え、他方がシリコンなどの機械的に強い材料からＳＩＭを構築するためのものである２枚のウエハが使用される。これらの２枚のウエハは、次に互いに突き合わせ結合される。
より詳細には、
一体型プレーナ型光波回路（ＰＬＣ）であって、
Ｋが１以上の整数であるＫ＋１本の入力／出力導波路、
Ｋ＋１個の分散形導波路アレイであって、個々の導波路アレイが、Ｋ＋１本の入力／出力導波路のうちの異なる１本に結合された結合器、及び第１の端部が結合器に接続され、第２の端部が共通共焦点結合器の第１の表面に接続されたアレイ化導波路回折格子（ＡＷＧ）を備えたＫ＋１個の分散形導波路アレイ、及び
Ｎが１より大きい整数であるＮ個の固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）デバイスのアレイであって、個々のＳＩＭデバイスが共通共焦点結合器の第２の表面上の異なる位置に配置され、また、第１の分散形導波路アレイから受け取る１チャネルの光を反射して、第２の分散形導波路アレイを介して戻すために選択的に回転させることができるアレイ
を含む一体型プレーナ型光波回路（ＰＬＣ）を備えた、Ｎチャネルの多重波入力光信号をスイッチングするための光装置が開示される。
様々な他の実施形態では、集積ＰＬＣは、
（Ａ）光を導き、かつ、スイッチングするためにシリコンを使用し、
（Ｂ）スイッチングのために使用されるシリコンの上に付着したシリカなどの導波材料を使用し、
（Ｃ）一方がシリカなどの導波材料を備え、もう一方がシリコンからＳＩＭデバイスを構築するためのものである２枚のウエハを使用し、これらの２枚のウエハを互いに突き合わせ結合することによって
製造することができる。
【０００５】
本発明の他の態様によれば、節（Ｂ）及び（Ｃ）で上述した実施形態のＷＳＳを製造するための方法が開示される。
本発明の他の態様、特徴及び利点は、以下の詳細な説明、特許請求の範囲及び添付の図面から、より完全に明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１は、絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）ウエハの中に製造された従来技術による固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）構造を示したものである。ＳＩＭ１１０は、ミラー１１１が中にエッチングされた回転可能部分を備えている。ＳＩＭ１１０は湾曲したエアギャップ１１２によって残りの導波ＰＬＣ１１３から分離されている。このエアギャップは導波光の波長の１／４（あるいは半波長の追加増分）に等しい。従って、２つの導波領域１１０、１１３とエアギャップ１１２の間の界面からの反射は弱め合って干渉する。ＳＩＭは電気接地された端子１１５に接続されたたわみアーム１１４によって支えられている。回転コーム駆動ユニット１１６の一部はたわみアーム１１４に接続されており、それにより、ＳＩＭ１１０はコーム駆動ユニット１１６の第２の部分にそれぞれ接続されている制御端子１１７又は１１８のいずれかに適切な電圧が印加されると、時計方向又は反時計方向１１９のいずれかに回転することができる。この方法によれば、光ビーム１２０が様々な方向、例えば１２１、１２２に反射するようにＳＩＭ１１０を制御することができる。
【０００７】
図２を参照すると、ＳＩＭデバイスのアレイと共にＰＬＣを備えた波長選択スイッチ（ＷＳＳ）２００の完全に一体化された構造の本発明による一ＰＬＣ実施形態が示されている。ＷＳＳ２００は、Ｋが１以上の整数である１×Ｋ個のファンクショナリティを有しており、Ｎが１より大きい整数であるＮ波長チャネルを有する稠密波長分割多重化（ＤＷＤＭ）信号などの多重波入力光信号ＩＮを備えた単一の入力ファイバ２０１が存在していることを意味している。ＷＳＳ２００は、Ｎチャネルのうちの任意のチャネルをＫ本の出力ファイバ２０２、ＯＵＴ１〜ＯＵＴＫのうちの任意の出力ファイバに分配することができる。また、ＷＳＳ２００スイッチはＫ×１個のファンクショナリティを逆に動作させ、入力と出力を逆にすることも可能である。Ｋ＋１本の入力／出力ファイバの各々は、Ｋ＋１個の結合器２０３．１〜２０３．Ｋ＋１のうちの関連する１つに光を導く導波路２０２．１〜２０２．Ｋ＋１のうちの１つに取り付けられている。個々の結合器、例えば２０３．１は、導波路からアレイ化導波路回折格子（ＡＷＧ）、例えば２０４．１に光を結合している。すべてのＡＷＧ２０４．１〜２０４．Ｋ＋１は、共通共焦点結合器２０６の同じ共焦点表面２０５に終端している。上で説明した、導波路、結合器、関連するＡＷＧ及び共通共焦点結合器２０６のＫ＋１個の構造は、自由スペクトルレンジ（ＦＳＲ）又はＮ個のＷＤＭチャネルによって占有される少なくとも帯域幅に等しい帯域幅を個々に有するＫ＋１個の分散形導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１を表している。
【０００８】
当分野で知られているように、個々のＡＷＧ２０４．１〜２０４．Ｋ＋１からの放射光は、第２の共焦点平面２０７に向かって直線的に分散する。Ｋ＋１個のＡＷＧが同じ自由空間領域２０６に取り付けられているが、表面２０５に沿った位置が異なっているため、個々のＡＷＧの直線分散光はそれぞれ異なる入射角で第２の表面２０７で重畳することになる。従って、第２の表面２０７は回転固体液浸ＭＥＭＳ微小ミラー（ＳＩＭ）アレイ２２０．１〜２２０．Ｋを配置するには理想的である。個々のミラーはＤＷＤＭ信号のＮチャネルの各々の焦点が衝突する第２の表面２０７の円弧に沿って配置されている。個々のミラーは単一ＤＷＤＭチャネルの帯域幅を切り換えるべく個々に制御されており（あるいはチャネルの帯域を切り換えるように設計することができる）、従って反射した光は所望の分散形導波路アレイを介して所望の出力ポート／ファイバに結合することになる。実例として、図２には、ファイバ２０１が入力ＤＷＤＭ信号を受け取る入力ポートＩＮであり、ファイバ２０２がＫ個の出力ポートＯＵＴ１〜ＯＵＴＫとして機能する１×Ｋスイッチとして示されている。従ってＷＳＳ２００によって、ＳＩＭデバイス２２０．１〜２２０．Ｋのうちの関連する１つを使用して、入力ポートＩＮで受け取った任意の単一ＤＷＤＭチャネルをＫ個の出力ポートＯＵＴ１〜ＯＵＴＫのうちの１つに切り換えることができる。
【０００９】
本発明によれば、追加導波路アレイ、例えば２２２をＫ＋１個の結合器２０３．１〜２０３．Ｋ＋１の各々の前段に追加することができる。追加導波路アレイ及び分散導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１とのその相互作用の使用については、参照により本明細書に組み込まれている本出願人らの同時係属米国特許出願第ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ号に詳細に記載されている。追加導波路アレイ２２２は、ＤＷＤＭ信号のチャネル分離に等しい自由スペクトルレンジ（ＦＳＲ）を有しており、一方、Ｋ＋１個の分散導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１のＦＳＲは、Ｎ個のＷＤＭチャネルによって占有される少なくとも帯域幅に等しい帯域幅を有している。導波路アレイ２２２は異なる長さを有する複数の導波路を備えており、長さの差によって、第２の共焦点表面２０７に形成される離散光点の各々の帯域幅を設定するＦＳＲが決まる。実例として、導波路アレイ２２２はマッハ−ツェンダー干渉計として、あるいは良く知られている導波路回折格子ルータとして実施することができる。入力導波路アレイ２２２は周波数の関数としてその位置がシフトする空間モードを生成する。移動する入力空間モード（入力導波路アレイ２２２によって生成される）と、Ｋ＋１個の分散形導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１による直線分散との相互作用により、第２の共焦点表面２０７の離散光点に分散する光信号が得られる。従って、例えば、導波路アレイ２２２と分散アレイ例えば２１０．１とを組み合わせることにより、回転ＳＩＭ２２０．１〜２２０．Ｋのうちの異なる１つの中心に衝突するＮ個の導波路チャネルの各々の離散光点が生成される。「集束した」離散光点を使用することにより、微小ミラーの縁に当たる光の問題（その様々な回転位置のうちの任意の位置における）、あるいはＳＩＭデバイスとＳＩＭデバイスの間のギャップ間領域に当たる光の問題が除去される。
【００１０】
本発明によれば、分散形導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１及びＳＩＭ２２０．１〜２２０．Ｋのアレイを備えたＷＳＳ２００は、良く知られている処理技法及び超微小機械加工技法を使用して、シリコンなどの同じ材料から一体で製造することができる。絶縁体上シリコンＳＯＩプラットフォーム又はウエハ（シリコンをベースとする薄い酸化物層及びシリコン層）を使用し、酸化物層に対するフルエッチングを使用してＳＩＭデバイスが画定され、一方、時限エッチングを使用して、光を導くためのリッジ型導波路が画定される。
【００１１】
図４Ａを参照すると、図２に示すＷＳＳ２００の他の製造実施形態が示されている。図４Ａは図２に示すＷＳＳ２００の断面Ａ−Ａの側断面図を示したものである。この実施形態は絶縁体上シリコンＳＯＩウエハ４０１で開始されている。ＳＩＭアクチュエータ（回転コーム駆動ユニット１１６及びたわみアーム１１４）が領域４０２にエッチングされる。アクチュエータはアクチュエータの下方の露出した酸化物層４０３をエッチングすることによって開放される。シリカが領域４０４に付着され（ウエハ４０５全体に）、Ｋ＋１個の導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１が領域４０４に形成される（クラッド、コア、クラッド）。次に、ＳＩＭデバイス２２０．１〜２２０．Ｋの各々の回転可能ミラー部分が領域４０６のシリカにエッチングされる（領域４０７が除去される）。
【００１２】
図３を参照して、ＷＳＳ２００を実施するための好ましい技法について説明する。好ましい導波材料は一般的にはシリカ３０１であり、また、好ましい超微小機械加工材料はシリコン３０２であるため、２つの異なるウエハ３０１及び３０２を突き合わせ結合することができる。この構造の場合、光処理タスクのほとんどを実行する、導波路、結合器、ＡＷＧ実施態様及び共焦点結合器３０６のほとんどの部分３０９（湾曲した第１の表面３０５から縁３１０までの部分を含む）を始めとするエレメントを備えた分散形導波路アレイ２１０．１〜２１０．Ｋ＋１は、良く知られている技法を使用してシリカウエハ３０１中に実施される。シリカは、共焦点結合器のほとんどの部分３０９の縁３１０で切断され、研磨されている。共焦点結合器の残りの（つまりわずかな）部分３０４（共通共焦点結合器３０６の残りの部分を含む）は、上で参照した固体−液浸微小ミラー物品で説明した良く知られている超微小機械加工技法を使用して、ＳＩＭ２２０．１〜２２０．Ｋのアレイと共にシリコンウエハ３０２の中に製造されている。シリコンウエハ３０２の部分３０４の左側は、切断され、かつ、研磨されており、縁３１０に沿って、シリカウエハ３０１の部分３０９の研磨された右側に突き合わせ結合されている。屈折率整合接着剤を有利に使用することができる。図４Ｂは、突き合わせ結合の断面を示したものである。シリカよりシリコンの方が屈折率が大きいため、共焦点自由空間領域３０６の第２の表面３０７の曲率半径は図２に示す共焦点自由空間領域２０６の第２の表面２０７の曲率半径より大きくなっている。この半径が大きくなる割合は、シリカに対するシリコンの屈折率の比率に等しい（大よそ３．５／１．５＝２．３３３）。これは微小ミラーの傾斜角範囲も同じ割合で減少し、ＳＩＭデバイスの設計が容易になるため、さらに有利である。
【００１３】
また、分散導波路アレイのうちの１つに異なる回折次数を持たせることができ、従ってマルチプレクサ／デマルチプレクサとして機能させることができることに留意されたい。
本発明は、開示した特定の実施形態に限定されず、特許請求の範囲で定義されている本発明の精神及び範囲には改変を包含することが意図されていることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術による固体−液浸微小ミラー（ＳＩＭ）構造を示す図である。
【図２】ＳＩＭのアレイを備えた波長選択スイッチ（ＷＳＳ）の完全に一体化された構造の本発明による一実施形態を示す図である。
【図３】ＳＩＭのアレイを備えた波長選択スイッチ（ＷＳＳ）の完全に一体化された構造の本発明による他の実施形態を示す図である。
【図４】Ａ、Ｂはそれぞれ図２及び３に示すＷＳＳの側断面図である。
【図１】
2009511956.tif 000003
【図２】
2009511956.tif 000004
【図３】
2009511956.tif 000005
【図４】
2009511956.tif 000006
【国際調査報告】
2009511956.tif 000007
2009511956.tif 000008
2009511956.tif 000009