(57)【要約】  対応する方法を有する集積回路パッケージであって、第１の電気コンタクトを有する基板と、基板に機械的に結合され、第１の導電ワイヤによって基板の第１の電気コンタクトに電気的に結合される第２の電気コンタクトを有する第１のワイヤボンド集積回路ダイと、導電バンプを用いて、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトに電気的に結合された第３の電気コンタクトを有するフリップチップ集積回路ダイと、フリップチップ集積回路ダイに機械的に結合され、第２の導電ワイヤを用いて、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクト、または、基板の第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合される第４の電気コンタクトを有する第２のワイヤボンド集積回路ダイと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電気コンタクトを有する基板と、
前記基板に機械的に結合され、第１の導電ワイヤによって前記基板の前記第１の電気コンタクトに電気的に結合される第２の電気コンタクトを有する第１のワイヤボンド集積回路ダイと、
導電バンプを用いて、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクトに電気的に結合される第３の電気コンタクトを有するフリップチップ集積回路ダイと、
前記フリップチップ集積回路ダイに機械的に結合され、第２の導電ワイヤによって、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクト、または、前記基板の前記第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合される第４の電気コンタクトを有する第２のワイヤボンド集積回路ダイと、
を備える集積回路パッケージ。
【請求項２】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイは、前記導電バンプを前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクトに電気的に結合するトレースを含む再分布層を有する、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項３】
第２のワイヤボンド集積回路ダイは、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの第１の端部近傍に配置された第５の電気コンタクトと、
再分布層とをさらに有し、
前記再分布層は、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部近傍に配置された第６の電気コンタクトと、
前記第５の電気コンタクトと前記第６の電気コンタクトとを電気的に結合するトレースと有し、
前記第４の電気コンタクトは、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の端部近傍に配置され、
前記第６の電気コンタクトは、前記第２の導電ワイヤによって、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクト、または、前記基板の前記第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合される、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項４】
前記基板と、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイとは、第１の接着剤により機械的に結合され、
前記フリップチップ集積回路ダイと、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイとは、第２の接着剤により機械的に結合される、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項５】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイと、前記フリップチップ集積回路ダイと、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイと、前記導電ワイヤとを囲むカプセル材料をさらに備える、請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項６】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイは、システムオンチップ（ＳｏＣ）電気回路を含み、
前記フリップチップ集積回路ダイは、フラッシュメモリを含み、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイは、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を含む、
請求項１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項７】
集積回路パッケージを製造する方法であって、
第１の電気コンタクトを有する基板を提供する段階と、
第２の電気コンタクトを有する第１のワイヤボンド集積回路ダイを提供する段階と、
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイを前記基板に機械的に結合する段階と、
第１の導電ワイヤを用いて、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクトを、前記基板の前記第１の電気コンタクトに電気的に結合する段階と、
第３の電気コンタクトを有するフリップチップ集積回路ダイを提供する段階と、
導電バンプを用いて、前記フリップチップ集積回路ダイの前記第３の電気コンタクトを、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクトに電気的に結合する段階と、
第４の電気コンタクトを有する第２のワイヤボンド集積回路ダイを提供する段階と、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイを前記フリップチップ集積回路ダイに機械的に結合する段階と、
第２の導電ワイヤを用いて、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの前記第４の電気コンタクトを、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクト、または、前記基板の前記第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合する段階と、
を備える方法。
【請求項８】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイ上で、前記導電バンプを前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクトに電気的に結合する再分布層を提供することをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの第１の端部近傍に配置される第５の電気コンタクトを提供する段階と、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部近傍に配置された第６の電気コンタクト、および、前記第５の電気コンタクトと前記第６の電気コンタクトとを電気的に結合するトレースを有する再分布層を提供する段階と、
前記第２の導電ワイヤによって、前記再分布層の前記第６の電気コンタクトを、前記第１のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の電気コンタクト、または、前記基板の前記第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合する段階と、をさらに備え、
前記第４の電気コンタクトは、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイの前記第２の端部近傍に配置される、
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板と前記第１のワイヤボンド集積回路ダイとを第１の接着剤を用いて機械的に結合する段階と、
前記フリップチップ集積回路ダイと前記第２のワイヤボンド集積回路ダイとを第２の接着剤を用いて機械的に結合する段階と、
をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイと、前記フリップチップ集積回路ダイと、前記第２のワイヤボンド集積回路ダイと、前記導電ワイヤとをカプセル材料で囲む段階をさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のワイヤボンド集積回路ダイは、システムオンチップ（ＳｏＣ）電気回路を含み、
前記フリップチップ集積回路ダイは、フラッシュメモリを含み、
前記第２のワイヤボンド集積回路ダイは、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を含む、
請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２００７年５月９日に出願の米国特許出願番号１１／８０１、３１７、および、２００６年６月１５日出願の米国仮出願番号６０／８１３、７７８に基づく優先権の利益を主張し、その全体を参照によりここに組み込む。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、概して集積回路の製造に関する。より詳しくは、本発明は、多数の集積回路ダイを単一のパッケージに組み込む込むことに関する。
【背景技術】
【０００３】
集積回路技術においては、多数の集積回路ダイを単一のパッケージに組み込むことにより、例えば、パッケージの設置面積を縮小し、ダイが確実に同じ環境条件の下に置かれるようにすることが望ましい。これらの目的を達成するための１つの方法は、ダイを上に積み重ねていくことである。
【発明の開示】
【０００４】
一般的に、本発明の１つの側面においては、集積回路パッケージは、第１の電気コンタクトを有する基板と、基板に機械的に結合され、第１の導電ワイヤにより基板の第１の電気コンタクトに電気的に結合された第２の電気コンタクトを有する第１のワイヤボンド集積回路ダイと、導電バンプにより第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトに電気的に結合された第３の電気コンタクトを有するフリップチップ集積回路ダイと、フリップチップ集積回路ダイに機械的に結合され、第２の導電ワイヤにより、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクト、または、基板の第１の電気コンタクト、あるいは両方に電気的に結合された第４の電気コンタクトを有する第２のワイヤボンド集積回路ダイと、を備えることを特徴とする。
【０００５】
いくつかの実施形態では、第１のワイヤボンド集積回路ダイは、導電バンプを第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトに電気的に結合するトレースを有する再分布層を有する。いくつかの実施形態では、第２のワイヤボンド集積回路ダイは、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第１の端部近傍に配置された第５の電気コンタクトと、再分布層とを有し、再分布層は、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部近傍に配置された第６の電気コンタクトと、第５および第６の電気コンタクトを電気的に結合するトレースとを有する。第４の電気コンタクトは、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部近傍に配置され、第６の電気コンタクトは、第２の導電ワイヤにより、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクト、または、基板の第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合される。いくつかの実施形態では、基板と、第１のワイヤボンド集積回路ダイとは、第１の接着剤により機械的に結合され、フリップチップ集積回路ダイと、第２のワイヤボンド集積回路ダイとは、第２の接着剤により機械的に結合される。いくつかの実施形態は、第１のワイヤボンド集積回路ダイと、フリップチップ集積回路ダイと、第２のワイヤボンド集積回路ダイと、導電ワイヤとを囲むカプセル材料を有する。いくつかの実施形態では、第１のワイヤボンド集積回路ダイは、システムオンチップ（ＳｏＣ）電気回路を含み、フリップチップ集積回路ダイは、フラッシュメモリを含み、第２のワイヤボンド集積回路ダイは、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を含む。
【０００６】
概して、本発明の一側面は、集積回路パッケージを製造する方法を特徴とする。方法は、第１の電気コンタクトを有する基板を提供する段階と、第２の電気コンタクトを有する第１のワイヤボンド集積回路ダイを提供する段階と、第１のワイヤボンド集積回路ダイを基板に機械的に結合する段階と、第１の導電ワイヤを用い、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトを、基板の第１の電気コンタクトに結合する段階と、第３の電気コンタクトを有するフリップチップ集積回路ダイを提供する段階と、導電バンプを用い、フリップチップ集積回路ダイの第３の電気コンタクトを、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトに電気的に結合する段階と、第４の電気コンタクトを有する第２のワイヤボンド集積回路ダイを提供する段階と、第２のワイヤボンド集積回路ダイを、フリップチップ集積回路ダイに機械的に結合する段階と、第２の導電ワイヤを用い、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第４の電気コンタクトを、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクト、または、基板の第１の電気コンタクト、あるいは両方に電気的に結合する段階と、を備える。
【０００７】
いくつかの実施形態は、第１のワイヤボンド集積回路ダイ上に、導電バンプを第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクトに電気的に結合するトレースを有する再分布層を提供する段階を備える。いくつかの実施形態は、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第１の端部近傍に配置される第５の電気コンタクトを提供する段階と、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部近傍に配置される第６の電気コンタクトと、第５および第６の電気コンタクトを電気的に結合するトレースとを有する再分布層を提供する段階であって、第４の電気コンタクトは、第２のワイヤボンド集積回路ダイの第２の端部に配置される段階と、第２の導電ワイヤにより、再分布層の第６の電気コンタクトを、第１のワイヤボンド集積回路ダイの第２の電気コンタクト、または、基板の第１の電気コンタクト、あるいは、両方に電気的に結合する段階と、を備える。いくつかの実施形態は、第１の接着剤を用いて、基板と第１のワイヤボンド集積回路ダイとを機械的に結合する段階と、第２の接着剤を用いて、フリップチップ集積回路ダイと、第２のワイヤボンド集積回路ダイとを機械的に結合する段階と、を備える。いくつかの実施形態は、第１のワイヤボンド集積回路ダイと、フリップチップ集積回路ダイと、第２のワイヤボンド集積回路ダイと、導電ワイヤとをカプセル材料で囲む段階を有する。いくつかの実施形態では、第１のワイヤボンド集積回路ダイは、システムオンチップ（ＳｏＣ）電気回路を含み、フリップチップ集積回路ダイは、フラッシュメモリを含み、第２のワイヤボンド集積回路ダイは、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を含む。
【０００８】
添付の図面、および、以下の説明において１つ以上の実装が詳しく記載される。説明および図面、また、請求項から他の特徴も明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】必ずしも共通の尺度で描かれてはいないが、本発明のいくつかの実施形態における３つの集積回路ダイのスタックを含む集積回路パッケージの側面図である。
【００１０】
【図２】本発明のいくつかの実施形態における、図１の再分布層の上面図である。
【００１１】
【図３】必ずしも共通の尺度で描かれていないが、本発明のいくつかの実施形態における３つの集積回路ダイのスタックを含み、最上ダイに再分布層を有する集積回路パッケージの側面図である。
【００１２】
【図４】本発明のいくつかの実施形態における、図３の再分布層の上面図である。
【００１３】
【図５】本発明の実施形態における集積回路パッケージを製造するプロセスを示す。
【００１４】
本明細書中に用いられる各参照番号の左端の桁は、参照番号が最初に現れる図番を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の複数の実施形態は、集積回路ダイのスタックを有する集積回路パッケージを提供する。いくつかの実施形態によれば、集積回路パッケージは、基板と、当該基板上のワイヤボンド集積回路ダイと、当該ワイヤボンド集積回路ダイ上のフリップチップ集積回路ダイと、当該フリップチップ集積回路ダイ上の第２のワイヤボンド集積回路ダイとを備える。下のワイヤボンド集積回路ダイのコンタクトは、基板コンタクトとワイヤボンディングされる。ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）コンタクトでありうるフリップチップ集積回路ダイのコンタクトは、導電バンプによって、第１のワイヤボンド集積回路ダイのコンタクトに接続される。上のワイヤボンド集積回路ダイのコンタクトは、下のワイヤボンド集積回路ダイ、または、基板のコンタクト、あるいは両方とワイヤボンディングされる。
【００１６】
ワイヤボンド集積回路ダイのいずれか、または、両方の上で再分布層が用いられうる。再分布層は、下のワイヤボンド集積回路ダイ上で用いられることにより、導電バンプと下のワイヤボンド集積回路ダイにおけるワイヤボンドパッドとを接続する。例えば、上のワイヤボンド集積回路ダイが大きすぎて一端からしかワイヤボンディングできない場合、上のワイヤボンド集積回路ダイ上に他の再分布層が用いられることにより、上のワイヤボンド集積回路ダイの一方の端部におけるワイヤボンドパッドともう一方の端部におけるワイヤボンドパッドとを接続しうる。
【００１７】
下のワイヤボンド集積回路ダイと基板とを機械的に結合し、また、上のワイヤボンド集積回路ダイとフリップチップ集積回路ダイとを機械的に結合するために接着剤が用いられうる。下のワイヤボンド集積回路ダイとフリップチップ集積回路ダイとの間の機械的結合は、導電バンプによって実現するが、接着剤を用いたアンダーフィル技術によって強化されてもよい。接着剤は、銀エポキシなどを含んでよい。集積回路ダイのスタックおよびボンディングワイヤを囲むためのカプセル材料が用いられてよい。
【００１８】
いくつかの実施形態では、下のワイヤボンド集積回路ダイは、システムオンチップ（ＳｏＣ）電気回路を含み、フリップチップ集積回路ダイは、フラッシュメモリを含み、上のワイヤボンド集積回路ダイは、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）を含む。他の実施形態では、他の集積回路が用いられうる。
【００１９】
図１は、必ずしも共通の尺度で描かれてはいないが、本発明のいくつかの実施形態における３つの集積回路ダイのスタックを含む集積回路パッケージ１００の側面図である。集積回路パッケージ１００は、基板１０２と、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４と、フリップチップ集積回路ダイ１０６と、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８とを備える。
【００２０】
基板１０２は、他のデバイス、端子などに接続されうる電気コンタクト１１０を有する。ワイヤボンド集積回路ダイ１０４は、導電ワイヤ１２４Ａにより基板１０２の電気コンタクト１１０に接続される電気コンタクト（すなわちワイヤボンドパッド）１１２を有する。導電ワイヤ１２４Ａは、金線などとして実装されうる。
【００２１】
フリップチップ集積回路ダイ１０６は、導電バンプ１２０によりワイヤボンド集積回路ダイ１０４のワイヤボンドパッド１１２に接続される電気コンタクト（すなわちボール）１１４を有する。いくつかの実施形態では、導電バンプ１２０とワイヤボンドパッド１１２のいくつかまたはすべてとを接続するために再分布層（ＲＤＬ）１２２が用いられる。
【００２２】
図２は、本発明のいくつかの実施形態における、図１の再分布層１２２の上面図である。再分布層１２２は、フリップチップ集積回路ダイ１０６のそれぞれの導電バンプ１２０への接続のための電気コンタクト（すなわちバンプパッド）２０２、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４のそれぞれのワイヤボンドパッド１１２への接続のための電気コンタクト２０４、および、それぞれのバンプパッド２０２と電気コンタクト２０４とを接続する導電トレース２０６を含む。
【００２３】
図１を再び参照すると、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８は、電気コンタクト（すなわちワイヤボンドパッド）１１６を有する。ワイヤボンドパッド１１６は、導電ワイヤ１２４Ｂにより基板１０２の電気コンタクト１１０に接続されうるか、または、導電ワイヤ１２４Ｃによりワイヤボンド集積回路ダイ１０４のワイヤボンドパッド１１２に接続されうるか、あるいは、どちらにも接続されうる。導電ワイヤ１２４ＢおよびＣは、金線などとして実装されうる。
【００２４】
さまざまな実施形態においては、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４におけるワイヤボンドパッド１１２のいくつかまたはすべては、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４内の集積回路に電気的に結合される。しかしながら、いくつかの実施形態では、ワイヤボンドパッド１１２のいくつかは、集積回路には結合されず、その代わりに、集積回路パッケージ１００の他の構成要素間の接続のために提供される。例えば、ワイヤボンドパッド１１２のいくつかは、フリップチップ集積回路ダイ１０６のボール１１４と、基板１０２の電気コンタクト１１０との間の接続を提供する。他の例としては、導電ワイヤ１２４Ｂが用いられない実施形態において、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８のワイヤボンドパッド１１６と、基板１０２の電気コンタクト１１０との間の接続を提供すべくワイヤボンドパッド１１２のいくつかが用いられうる。
【００２５】
集積回路ダイ１０４から１０８、および、導電ワイヤ１２４は、カプセル材料１２６により囲まれうる。
【００２６】
図１は、集積回路ダイ１０４から１０８それぞれの２つの端部における接続を示しているが、３つ以上の端部が図１に示すように接続されてもよい。しかしながら、いくつかの実施形態では、一番上のワイヤボンド集積回路ダイ１０８は大きいので、その端部の１つ以上は、ワイヤボンディングされることができない。これらの実施形態では、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８の一番上に再分布層が用いられることにより、もう一方の端部と電気コンタクト１１６とを接続する。
【００２７】
図３は、必ずしも共通の尺度で描かれていないが、本発明のいくつかの実施形態における３つの集積回路ダイのスタックを含み、最上ダイに再分布層を有する集積回路パッケージ３００の側面図である。図３からわかるように、一番上のダイであるワイヤボンド集積回路ダイ１０８の左端は、下のワイヤボンド集積回路ダイ１０４からかなり張り出しているので、左端にある電気コンタクト１１６のためのワイヤボンディングは、不可能である。このような実施形態では、左端のワイヤボンドパッド１１６と、右端のワイヤボンドパッド１１６のいくつかとを接続するために再分布層（ＲＤＬ）３０２が用いられる。
【００２８】
図４は、本発明のいくつかの実施形態における、図３の再分布層３０２の上面図である。再分布層３０２は、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８の左端におけるそれぞれのワイヤボンドパッド１１６との接続のための電気コンタクト４０２、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８の右端におけるそれぞれのワイヤボンドパッド１１６との接続のための電気コンタクト４０４、および、それぞれの電気コンタクト４０２および４０４を接続する導電トレース４０６を含む。
【００２９】
図５は、本発明の実施形態における集積回路パッケージを製造するプロセス５００を示す。例えば、プロセス５００は、図１の集積回路パッケージ１００、および、図３の集積回路パッケージ３００を製造するために用いられうる。説明を明確にするために、ここで採り上げるのは、図１の集積回路パッケージ１００に関するプロセス５００である。説明される実施形態では、プロセス５００の構成要素は、一列で表されているが、他の実施形態では、他の配列もあり得ることが本記載を読了後の当業者には明らかであろう。
【００３０】
図５を参照すると、プロセス５００は、電気コンタクト１１０を有する基板１０２を提供する（ステップ５０２）。プロセス５００は、ワイヤボンドパッド１１２を有するワイヤボンド集積回路ダイ１０４も提供する（ステップ５０４）。プロセス５００は、例えば、銀エポキシなどの接着剤を用いて、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４と基板１０２とを機械的に結合する（ステップ５０６）。プロセス５００は、導電ワイヤ１２４Ａを用いて、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４のワイヤボンドパッド１１２と基板１０２の電気コンタクト１１０とを電気的に結合する（ステップ５０８）。
【００３１】
プロセス５００は、ボール１１４を有するフリップチップ集積回路ダイ１０６を提供し（ステップ５１０）、導電バンプ１２０を用いて、ボール１１４を、ワイヤボンド集積回路ダイ１０４のワイヤボンドパッド１１２に電気的に結合する（ステップ５１２）。いくつかの実施形態では、再分布層１２２は、図２を参照して先に詳述されたように、ワイヤボンドパッド１１２を導電バンプ１２０に電気的に結合するよう用いられる。
【００３２】
プロセス５００は、ワイヤボンドパッド１１６を有するワイヤボンド集積回路ダイ１０８を提供し（ステップ５１４）、例えば銀エポキシなどの接着剤を用いて、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８をフリップチップ集積回路ダイ１０６に機械的に結合する（ステップ５１６）。プロセス５００は、導電ワイヤ１２４Ｃを用いて、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８のワイヤボンドパッド１１６をワイヤボンド集積回路ダイ１０４のワイヤボンドパッド１１２に電気的に結合する（ステップ５１８）か、または、導電ワイヤ１２４Ｂを用いて、ワイヤボンドパッド１１６を基板の１０２の電気コンタクト１１０に電気的に結合する（ステップ５２０）か、あるいは、両方に結合する。いくつかの実施形態では、再分布層３０２は、図４に関連して先に詳細に説明されたように、ワイヤボンド集積回路ダイ１０８の一方の端部におけるワイヤボンドパッド１１６と、もう一方の端部におけるワイヤボンドパッド１１６とを電気的に結合するために用いられる。
【００３３】
最後に、プロセス５００は、集積回路ダイ１０４から１０８と、導電ワイヤ１２４とをカプセル材料１２６によって囲む（ステップ５２２）。
【００３４】
これまで本発明の多数の実装が説明されてきた。しかしながら、本発明の趣旨および範囲に逸脱せずにさまざまな修正がなされうることが理解できよう。したがって、他の実装も添付の請求項の範囲に含まれる。
【図１】
2009540606.tif 000003
【図２】
2009540606.tif 000004
【図３】
2009540606.tif 000005
【図４】
2009540606.tif 000006
【図５】
2009540606.tif 000007
【国際調査報告】
2009540606.tif 000008
2009540606.tif 000009
2009540606.tif 000010