(57)【要約】  ＥＵＶ放射システムと一緒に使用するための回転可能な汚染バリア（１）。汚染バリア（１）は、放射源（６）からの汚染物質を捕捉するように構成されているブレード構造（２）と、静止フレームと結合し、ブレード構造（２）を回転可能に支承するように構成されている軸受構造と、軸受構造でブレード構造（１２）のバランスをとるために、回転中心軸（１３）に対して変位している偏心質量要素（１２）とを有する。【選択図】      なし
2009532858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射システムと一緒に使用するための回転可能な汚染バリアであって、
放射源からの汚染物質を捕捉するブレード構造と、
静止フレームと結合し、前記ブレード構造を回転可能に支承する軸受構造と、
前記軸受構造で前記ブレード構造のバランスをとるために、回転中心軸に対して変位している偏心質量要素と、
を含むバリア。
【請求項２】
複数の偏心質量要素が、前記回転中心軸に沿って横方向に変位している少なくとも２つの面内に位置する、請求項１に記載のバリア。
【請求項３】
前記偏心質量要素を、前記回転中心軸に対して変位させることができる、請求項１に記載のバリア。
【請求項４】
前記軸受構造の前記汚染バリアの検出されたアンバランスの信号を供給するアンバランスセンサと、
前記信号に応じて前記偏心質量要素を自動的に調整する調整ユニットと、
をさらに備える、請求項３に記載のバリア。
【請求項５】
前記アンバランスセンサが、前記偏心質量要素が位置する横方向の面と同じか又は平行な前記横方向の面内の前記ブレード構造の偏心による変位を測定する、請求項４に記載のバリア。
【請求項６】
前記軸受構造が、真空環境内で動作し、且つ気体軸受を備える、請求項１に記載のバリア。
【請求項７】
前記ブレード構造が、回転可能なシャフトと前記回転可能なシャフトに装着されている複数の緊密に詰め込まれたブレードとを備え、前記ブレードが回転可能なシャフトに対して半径方向に配向している、請求項１に記載のバリア。
【請求項８】
前記偏心質量要素が、前記回転可能なシャフトへの質量の追加、前記回転可能なシャフト上又は前記回転可能なシャフト内の質量のシフト、前記回転可能なシャフトからの質量の除去、又はこれらの任意の組合せを含む、請求項７に記載のバリア。
【請求項９】
前記回転可能なシャフトが、ＥＵＶ放射及び／又はデブリにより複数のブレードに与える熱エネルギーに対して熱安定化される、請求項７に記載のバリア。
【請求項１０】
前記回転シャフトが、前記軸受構造に支承されているシャフト部分と前記ブレード構造へのマウントを提供するシャフト部分を結合する熱安定化結合素子を備える、請求項９に記載のバリア。
【請求項１１】
前記軸受構造に支承されている前記シャフト部分が、モリブデンを含む合金を含み、前記結合素子が、タンタルを含む合金からなる、請求項１０に記載のバリア。
【請求項１２】
回転可能な汚染バリアのバランスをとるためのバランスユニットであって、
前記回転可能な汚染バリアのブレード構造を支承する軸受構造と、
前記ブレード構造の回転中に、前記軸受構造内の前記ブレード構造の検出したアンバランスの信号を供給するアンバランスセンサと、
前記ブレード構造上又はそれへの１つ又は複数の偏心質量要素を提供する位置及びこのような質量の大きさを計算する計算ユニットであって、前記アンバランスセンサに通信可能に結合している計算ユニットと、
を備えるバランスユニット。
【請求項１３】
前記計算ユニットが、横方向の面と同じ又は平行な横方向の面内の１つ又は複数の偏心質量要素の位置を計算し、前記アンバランスセンサユニットが、前記アンバランスを検出する、請求項１２に記載のバランスユニット。
【請求項１４】
前記軸受構造が、真空環境内に装着され、且つ気体軸受を備える、請求項１３に記載のバランスユニット。
【請求項１５】
前記アンバランスセンサユニットが、回転した場合に、前記ブレード構造が前記軸受構造に加える力を測定する複数の力センサを備える、請求項１２に記載のバランスユニット。
【請求項１６】
ＥＵＶ放射システムで使用するための回転可能な汚染バリアのバランスをとるための方法であって、
真空環境内に位置する軸受構造内にブレード構造を支承するステップと、
前記ブレード構造の回転中に、前記軸受構造内の前記ブレード構造のアンバランスを検出するステップと、
前記検出したアンバランスに基づいて、前記ブレード構造上又はそれへの偏心質量要素を提供する位置及びこのような質量の大きさを計算するステップと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記軸受構造で前記ブレード構造のバランスをとるために、前記ブレード構造に偏心質量要素を提供するステップと、
前記アンバランス信号に応じて、前記偏心質量要素を自動的に調整するステップと、
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ＥＵＶ放射システムと一緒に使用するための回転可能な汚染バリアを洗浄するための方法であって、
アンバランスにするために前記汚染バリアの偏心質量要素を調整するステップと、
前記汚染バリアを振動により洗浄するために、前記アンバランスを含む汚染バリアを回転するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを受光するように構成された回転可能な汚染バリアであって、放射源からの汚染物質を捕捉するブレード構造と、静止フレームと結合し、前記ブレード構造を回転可能に支承する軸受構造と、前記軸受構造で前記ブレード構造のバランスをとるために、回転中心軸に対して変位している偏心質量要素とを備える、回転可能な汚染バリアと、
放射ビームを調節する照明システムと、
パターン付放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面のパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分上に前記パターン付放射ビームを投影する投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、汚染バリア及び汚染バリアを備えるリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板、通常は基板のターゲット部分に所望のパターンを施す装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。その場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つ又はいくつかのダイの一部を含む）上に転写することができる。パターンの転写は、一般に、基板上に塗布されている放射感光金属化合物（レジスト）の層上に結像させることにより行われる。通常、１つの基板は、連続的にパターン形成される隣接するターゲット部分のネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置は、同時にターゲット部分上に全パターンを露光することにより各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向に平行に又は逆平行に基板を同時にスキャンしながら、この方向（「スキャン方向」）に放射ビームでパターンをスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射されるいわゆるスキャナを含む。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板へパターンを転写することもできる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0003]  ＥＵＶリソグラフィで使用する放射源は、通常、リソグラフィプロセスが行われる光学系及び作業環境にとって有害な汚染物質を発生する。このことは、レーザ誘起プラズマ又は放電プラズマにより動作するＥＵＶ源の場合に特に著しい。それ故、ＥＵＶリソグラフィの場合には、ＥＵＶ源からの放射ビームを調節するために配置されている光学システムの汚染を少なくすることが望ましい。そのため、例えば、欧州特許出願公報ＥＰ１４９１９６３に開示されているようなフォイルトラップが提案されている。フォイルトラップは、多数の緊密に詰め込まれたフォイル又はブレードを使用する。マイクロ微粒子、ナノ微粒子及びイオンのような汚染物質のデブリは、ブレードが形成する壁部により捕捉することができる。それ故、フォイルトラップは、放射源からの汚染物質を捕捉する汚染バリアとして機能する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0004]  ある実施形態の場合には、回転可能なフォイルトラップを、システムの光学軸に沿って、特に極端紫外線放射を供給するように構成されている極端紫外線放射源の前に配向された回転軸の方向を向けて設置することができる。それ故、汚染物質を捕捉するように構成されているブレードを、汚染バリアの回転中心軸に対して半径方向に向けることができ、放射方向にほぼ平行に整合させることができる。十分な高速でフォイルトラップを回転することにより、移動中の汚染物質のデブリを汚染バリアのブレードにより捕捉することができる。設計上の制限があるために、汚染バリアの回転速度を十分高速にすることができる。何故なら、そうしないと、デブリの移動方向に沿ったブレードの長さが、許容できないほど長くなってしまうからである。通常の回転速度は、１５０００〜３００００ＲＰＭである。さらに、フォイルトラップは、（ほぼ）真空状態で動作するので、これにより回転フォイルトラップ用に使用することができる軸受のタイプが特別な制約を受ける。より詳細には、使用することができる軸受の１つのタイプは、気体軸受である。この場合、フォイルトラップの回転軸は、ガス（例えば、空気）圧で支承される。真空状態を劣化しないように、シャフトとこのような軸受との間のギャップは、通常は数ミクロンのような非常に狭いギャップに維持しなければならない。このような配置になっているので、フォイルトラップがアンバランスになる恐れがある。このようなアンバランスは、真空及び／又は装置の動作の障害になる恐れがある。
【０００５】
[0005]  例えば、改良されたバランス特性を有する回転可能な汚染バリアを提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  ある態様によれば、本発明は、ＥＵＶ放射システムと一緒に使用するための回転可能な汚染バリアを提供する。このバリアは、
放射源からの汚染物質を捕捉するブレード構造と、
静止フレームと結合していて、ブレード構造を回転可能に支承する軸受構造と、
軸受構造内のブレード構造のバランスをとるために、回転中心軸に対して変位している偏心質量要素と、
を含む。
【０００７】
[0007]  ある態様によれば、本発明は、回転可能な汚染バリアのバランスをとるためのバランスユニットを提供する。このユニットは、
回転可能な汚染バリアのブレード構造を支承する軸受構造と、
ブレード構造の回転中に、軸受構造内のブレード構造の検出したアンバランスの信号を供給するアンバランスセンサと、
ブレード構造上又はそれへの１つ又は複数の偏心質量要素を提供する位置及びこのような質量の大きさを計算する計算ユニットであって、アンバランスセンサに通信可能に結合している計算ユニットと、
を備える。
【０００８】
[0008]  ある態様によれば、本発明は、ＥＵＶ放射システムで使用するための回転可能な汚染バリアのバランスをとるための方法を提供する。この方法は、
真空環境内に位置する軸受構造でブレード構造を支承するステップと、
ブレード構造の回転中に、軸受構造内のブレード構造のアンバランスを検出するステップと、
検出したアンバランスに基づいて、ブレード構造上又はそれに偏心質量要素を提供する位置及びこのような質量の大きさを計算するステップと、
を含む。
【０００９】
[0009]  ある態様によれば、本発明は、ＥＵＶ放射システムと一緒に使用するための回転可能な汚染バリアを洗浄するための方法を提供する。この方法は、
アンバランスにするために、汚染バリアの偏心質量要素を調整するステップと、
汚染バリアの振動により洗浄するために、アンバランスと一緒に汚染バリアを回転するステップと、
を含む。洗浄は、汚染バリアの通常の動作中間隔を置いて行うことができる。
【００１０】
[0010]  ある態様によれば、本発明は、リソグラフィ装置を提供する。このリソグラフィ装置は、
放射ビームを受光する回転可能な汚染バリアであって、放射源からの汚染物質を捕捉するように構成されているブレード構造と、静止フレームと結合し、ブレード構造を回転可能に支承するように構成されている軸受構造と、軸受構造でブレード構造のバランスをとるために、回転中心軸に対して変位している偏心質量要素とを備える、回転可能な汚染バリアと、
放射ビームを調整する照明システムと、
パターン付放射ビームを形成するために、放射ビームにその断面のパターンを付与することができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分上にパターン付放射ビームを投影する投影システムと、
を備える。
【００１１】
[0011]  ここで、対応する参照符号が対応する部材を示す添付の略図を参照しながら、本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
[0018]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の略図である。この装置は、
[0019]  放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成されている照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0020]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、いくつかのパラメータによりパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成されている第１のポジショナＰＭに接続している支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0021]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、いくつかのパラメータにより基板を正確に位置決めするように構成されている第２のポジショナＰＷに接続している基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0022]  基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成されている投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、
を含む。
【００１３】
[0023]  照明システムは、放射線をある方向に向けたり、整形したり、又は制御したりするための、屈折、反射、磁気、電磁、静電、又は他のタイプの光学コンポーネントのような種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0024]  支持構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び例えば、パターニングデバイスが真空環境内に保持されているかどうかというような他の条件に依存するような方法で、パターニングデバイスを保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空による、静電又は他のタイプのクランピング技術を使用することができる。支持構造は、例えば、必要に応じて固定したり、又は移動したりすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造は、例えば、投影システムに対して所望の位置のところに、確実にパターニングデバイスを位置決めすることができる。本明細書においては、「レチクル」又は「マスク」という用語は、どこで使用した場合でも、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同意語であると見なすことができる。
【００１５】
[0025]  本明細書で使用する場合、「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するというような、放射ビームにその断面のパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを意味するものと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、例えば、パターンが位相シフト特徴又はいわゆるアシスト特徴を含んでいる場合には、基板のターゲット部分の所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意されたい。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路のようなターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に対応する。
【００１６】
[0026]  パターニングデバイスは、透過型のものであっても、反射型のものであってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネル等がある。マスクは、リソグラフィ業界では周知のものであり、２進、レベンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフト及び種々のハイブリッドマスクタイプのようなマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、異なる方向に入射放射ビームを反射するように、個々のミラーを別々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス配列を使用する。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスが反射する放射ビームにパターンを付与する。
【００１７】
[0027]  本明細書で使用する場合、「投影システム」という用語は、使用している露光放射に適しているか、又は液浸液の使用又は真空の使用のような他の要因に適している、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁及び静電光学システム、又はこれらの任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを含むものとして広義に解釈すべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合には、いかなる場合も「投影システム」というより一般的な用語と同意語であると見なすことができる。
【００１８】
[0028]  本明細書の説明においては、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを使用する）である。別の方法としては、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを使用する）であってもよい。
【００１９】
[0029]  リソグラフィ装置は、２つ（２ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造）を有するタイプのものであってもよい。このような「マルチステージ」装置の場合には、追加のテーブルを並列に使用することもできるし、１つ以上の他のテーブルを露光のために使用しながら、１つ以上のテーブル上で準備ステップを実行することができる。
【００２０】
[0030]  リソグラフィ装置は、また、投影システムと基板との間の空間を満たすように、例えば、水のような比較的屈折率が高い液体により基板の少なくとも一部をカバーするタイプのものであってもよい。液浸液は、また、例えば、マスクと投影システム間の空間のような、リソグラフィ装置内の他の空間にも適用することができる。液浸技術は、投影システムの開口数を増大するための当業者であれば周知の技術である。本明細書で使用する場合、「液浸」という用語は、基板のような構造が液体内に沈むことを意味するものではなく、露光中、投影システムと基板との間に液体が位置することを意味する。
【００２１】
[0031]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受光する。放射源とリソグラフィ装置は、例えば、放射源がエキシマレーザである場合は、別々のエンティティであってもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば、適当な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに移動する。他の場合には、放射源は、例えば、放射源が水銀ランプである場合には、リソグラフィ装置の一部であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、そうしたい場合には、ビームデリバリシステムＢＤと一緒に放射システムと呼ぶことができる。
【００２２】
[0032]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度輝度分布を調整するためにアジャスタを含むことができる。通常、イルミネータの瞳面内の輝度分布の少なくとも１つの外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサのような種々の他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータは、その断面で所望の均一性及び輝度分布を得る目的で、放射ビームを調節するために使用することができる。
【００２３】
[0033]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されていて、パターニングデバイスによりパターン形成されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射する。パターニングデバイスＭＡを横切った後で、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は容量センサ）の助けを借りて、例えば、放射ビームＢの経路内で異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、例えば、マスクライブラリから機械的に検索した後で、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために、第１のポジショナＰＭ及び他の位置センサＩＦ１を使用することができる。通常、第１のポジショナＰＭの一部を形成しているロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けを借りて、支持構造ＭＴを移動することができる。同様に、第２のポジショナＰＷの一部を形成しているロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより、基板テーブルＷＴを移動することができる。（スキャナに対向している）ステッパの場合には、支持構造ＭＴを、ショートストロークアクチュエータだけに接続することもできるし、又は固定することもできる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイス整合マークＭ１、Ｍ２及び基板整合マークＰ１、Ｐ２により整合することができる。図では、基板整合マークは、専用のターゲット部分に位置しているが、これらのマークは、（スクライブレーン整合マークと呼ばれる）ターゲット部分間の空間内に位置させることもできる。同様に、パターニングデバイスＭＡ上に２つ以上のダイが位置している場合には、パターニングデバイス整合マークをダイ間に位置させることができる。
【００２４】
[0034]  図の装置は、下記のモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
【００２５】
[0035]  １．ステップモードの場合には、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、本質的に固定されていて、一方、放射ビームに付与された全パターンは、１回だけターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回静止露光）。その後で、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップモードの場合には、１回の静止露光により結像されるターゲット部分Ｃのサイズは、露光フィールドの最大のサイズにより制限される。
【００２６】
[0036]  ２．スキャンモードの場合には、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同時にスキャンされ、一方、放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性により決めることができる。スキャンモードの場合には、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光によるターゲット部分の（非スキャン方向の）幅を制限する。一方、スキャン運動の長さが、ターゲット部分の（スキャン方向の）高さを決める。
【００２７】
[0037]  ３．他のモードの場合には、支持構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスを保持している状態で本質的に固定されていて、放射ビームに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。このモードの場合には、通常、脈動放射源が使用され、基板テーブルＷＴが移動する度に、又はスキャン中の連続している放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、容易に上記タイプのプログラマブルミラーアレイのようなプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに適用することができる。
【００２８】
[0038]  上記使用モードを組み合わせることもできるし、及び／又は修正することもできるし、全く異なる使用モードを使用することもできる。
【００２９】
[0039]  本発明の１つ又は複数の実施形態の原理を、任意の回転可能なブレード構造を有する回転可能な汚染バリアに適用することができるが、図２は、回転可能な汚染バリア又はフォイルトラップ１の例示としての実施形態である。この場合、ブレード構造２は、その上に装着されているブレード又はフォイル４を含む中心回転シャフト３を備える。バリア１は、通常、放射投影ビームを供給するために、放射システム５で又はそれと一緒に使用される。ある実施形態の場合には、放射システム１は、極端紫外線放射を供給するように構成されている極端紫外線放射源６を備える。図２においては、破線は、通常は、スズ、リチウム、又はキセノン源のようなレーザ誘起プラズマ源又はプラズマ放電源であるＥＵＶ源６からのＥＵＶ放射線７を表しているが、他の放射源、特に放射源６から放出され、リソグラフィ装置（図示せず）の下流の光学系の損傷を防止するために捕捉しなければならない、高速粒子と一緒にＥＵＶ放射線を生成する任意の他の放射源を使用することもできる。この目的のために、ブレード構造２は、放射源６からの汚染物質を捕捉するように構成されている複数の緊密に詰め込まれたブレード４を備える。例示としての実施形態の場合には、ブレード４は、汚染バリア１の中心回転シャフト３に対して半径方向に配向している。ブレード４が回転することにより、高速で移動している粒子、特に放射源６から遠ざかる方向に移動しているスズの粒子及びガス状及びイオン状の粒子を捕捉することができ、一方、ＥＵＶ放射線は、光速で移動するので、ブレード４によりそれほど妨害されないで移動することができる。
【００３０】
[0040]  それ故、フォイルトラップ１は、放射源６からの汚染物質を捕捉するための汚染バリアとして機能する。通常、ブレード４は、０．３〜５ｍｍの間隔で配置されていて、ほぼ矩形の形をしている。都合の良いことに、放射源６は、図２の場合には、フォイルトラップ１の回転軸３と一致する汚染バリア５の光学中心を形成している複数のブレード４を通して延長面の交点のところに位置する。この中心に位置するＥＵＶ源６のような理想的な点の場合には、放射線は、ブレード４の向きにほぼ平行な方向に通過する。それ故、ＥＵＶ放射線の遮蔽は小さく、（ある実施形態の場合には、それに応じて機械的統合性に悪影響を与えないで小型に維持される）ブレードの厚さのところだけで遮蔽が行われる。ブレードの通常の厚さの値は、放射線の約１０％を遮蔽することができる約１００ミクロンである。
【００３１】
[0041]  図３は、図２の回転フォイルトラップの軸方向の断面図の略図である。より詳細には、図３は、この実施形態の場合には、シャフト３を囲んでいる２つの気体軸受９を備える軸受構造８内に装着されている中心回転シャフト３を示す。気体軸受９は、真空環境内で動作するので、シャフト３と軸受９との間のギャップ１０は特別な制約を受ける。例えば、ギャップ１０は、真空環境に対して問題を起こさないように非常に狭いものでなければならない。それ故、シャフト３の偏心的な運動を低減するか又は最小限度まで少なくすると、ギャップ１０をもっと狭くすることができる。そうすると真空環境内での動作に有利になる。
【００３２】
[0042]  図３は、慣性軸１１のモデル化した略図である。図４は、軸方向に沿って見た慣性軸を示す、Ｉ−Ｉ線に沿って切断した図３の回転フォイルトラップの横方向の概略断面図である。硬質の細長い本体の場合の慣性軸は、（幾何学的な）回転中心軸１３と一致していないことを概略示す、軸の各端部のところの２つの中心からずれている質量１２で表すことができる。
【００３３】
[0043]  慣性軸の偏心を低減又は除去するために、回転中心軸１３の横方向の少なくとも２つの面１４内に１つ又は複数の偏心質量要素（図６参照）を設置することができる。ある実施形態の場合には、１つ又は複数の補正質量が、（以下に説明するように）測定の際に同じ面１４内に設けられているが、ブレード構造２の特定の幾何学的形状を考慮に入れた場合には、他の横方向の面も使用することができる。
【００３４】
[0044]  ある実施形態の場合には、ブレード構造２のアンバランスは、回転中心軸１３に沿って相互に離れている２つの面１４の１次元の力を検出する２つの力センサ１５により測定される。ブレード構造２は、測定方向とは異なるもう１つの方向にしっかりと装着される（図５参照）。それ故、力センサ１５は、横方向の面のブレード構造２の偏心による変位を測定する。ある実施形態の場合には、同様に、この面において、幾何学的なズレを知るための必要な再計算をしなくてもすむように、回転中心軸１３に対して１つ又は複数の偏心質量要素（図６参照）が設けられている。
【００３５】
[0045]  シャフト３は、さらに、気体軸受９により支承されているシャフト部分をブレード４が装着されているシャフト部分１７に接続している結合素子１６を備える。結合素子１６は、８００〜１２００℃の関連動作温度範囲のためにモリブデン合金であってもよいシャフト３の材料と比較すると、熱伝導率が比較的低い材料から作られている。断熱効果のある結合素子１６に適している材料としては、タンタルがある。何故なら、その場合、例えば、シャフト３と結合素子１６の熱膨張係数がほぼ一致するからである（モリブデンの場合には、５μ／ｍ・Ｋ、一方、タンタルの場合には、６μ／ｍ・Ｋ）。
【００３６】
[0046]  図５は、本発明のある実施形態によるバランスユニット１８の概略分解図である。バランスユニットは、フォイルトラップ、特にブレード構造２のバランス特性を試験するための試験装置として使用することができる。ブレード構造２（気体軸受構造８を含む）は、図５に示すように、フォイルトラップの動作環境から取り出して、装置１８に挿入することができる。ブレード構造２は脆いので、バランス手順は真空状態で行わなければならない。それ故、バランスユニットは、真空チャンバ（図示せず）内で動作する。さらに、（最初の）試験回転周波数は、通常、約２０〜５０Ｈｚであり、フォイルトラップの動作回転周波数より遥かに低い。
【００３７】
[0047]  バランスがとれている状態の場合には、ブレード構造２の回転周波数は、通常、１０高い係数である。図２のところで説明したように、力センサ１５は、ブレード構造２のアンバランスを直接測定するために、１つの方向の力の変動を検出するためのものである。別の方法としては、他のアンバランス検出方法を使用することができる。特に、接点のないタイプ等であってもよい変位センサを使用することができる。気体軸受構造８は、１つの方向への運動自由度を効果的に制限する硬質フレーム２０内に装着されているリーフスプリング１９により安定化される。さらに、回転センサが、ブレード構造２の回転角度及び／又は速度を検出するために設置されている（図示せず）。力センサ１５からの検出した力の変動、及び回転センサからの回転角度に基づいて、計算ユニット（図示せず）は、ブレード構造に１つ又は複数の偏心質量要素を追加する位置ならびに追加すべき質量の大きさを計算する。
【００３８】
[0048]  図６は、測定するアンバランスを自動的に調整するために使用することができる実際的な実施形態を示す。この実施形態を使用すれば、フォイルトラップ１の動作環境で連続的に動作を行うことができる。より詳細には、ブレードがブレード構造２で事故により喪失するか変形した場合、又は放射源６からの衝突デブリの不均一な広がりによりバランスが失われた場合には、バランス重量を調整することによりバランスを回復することができる。
【００３９】
[0049]  図２及び図５のところで詳細に説明したアンバランス測定センサ１５の他に、参照符号２２により概略示す偏心によるアンバランス信号に応じて、１つ又は複数の偏心質量要素を自動的に調整するために調整ユニット２１を設置することができる。通常、回転中心軸１３に沿って、これら調整ユニット２１のうちの少なくとも２つをフォイルトラップ１の細長い幾何学的形状をバランスさせるために使用することができる。ある実施形態の場合には、調整ユニット２１は、シャフト３に対して自由に設置することができ、回転中心軸１３に対して調整することができる効果的な偏心質量を提供することができる一対の回転可能な質量要素２３を含む。追加的又は代替的に、回転可能なシャフト３から又はそれへの質量の追加、シフト及び／又は除去を含む１つ又は複数の（効果的な）偏心質量要素を提供するための他のタイプのものを使用することもできる。図５のところで詳細に説明したバランスユニットを使用するような、非自動的調整の場合には、バランスをとる１つの方法は、回転可能なシャフト内に偏心的孔部を設けることである。ある実施形態の場合には、自動バランスユニット又は他のバランス機構の１つの態様は、バリア１を洗浄する場合に、洗浄サイクルに効果がある場合がある振動を起こす一時的なアンバランスを生成することができるようにすることである。
【００４０】
[0050]  本文中においては、ＩＣを製造する際のリソグラフィ装置について特に説明したが、本明細書に記載するリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気領域メモリ用の案内及び検出パターン、平面ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造のような他の用途にも使用することができることを理解されたい。当業者であれば、このような他の用途の場合、本明細書で使用する「ウェーハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義語と見なすことができることを理解することができるだろう。本明細書に記載する基板は、例えば、（通常、基板にレジストの層を塗布し、露光したレジストを現像するためのツールである）トラック、計測学ツール及び／又は検査ツールで露光の前又は後で処理することができる。適用することができる場合には、本明細書の開示は、このような及び他の基板処理ツールにも適用することができる。さらに、基板は、例えば、多重層ＩＣを生成するために、２回以上処理することができ、それ故、本明細書で使用する基板という用語は、すでに複数の処理層を含んでいる基板も意味する場合がある。
【００４１】
[0051]  今まで、光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用について説明してきたが、本発明は、例えば、インプリントリソグラフィのような他の用途にも使用することができ、上記説明から分かるように、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスの形態は、基板上に生成されたパターンを定義する。パターニングデバイスの形態は、電磁放射、熱、圧力又はこれらの組合せを適用することにより、その上でレジストが硬化する基板に塗布されたレジストの層内に圧着することができる。パターニングデバイスは、レジストから移動し、レジストが硬化した後で、その中にパターンが残る。
【００４２】
[0052]  本明細書で使用する場合、「放射線」及び「ビーム」という用語は、（例えば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍ、あるいはその辺りの波長を有する）紫外線（ＵＶ）放射、及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）、ならびにイオンビーム又は電子ビームのような粒子ビームを含むすべてのタイプの電磁放射を含む。
【００４３】
[0053]  「レンズ」という用語は、前後関係から、屈折、反射、磁気、電磁及び静電光学コンポーネントを含む種々のタイプの光学コンポーネントのうちの任意のもの又はこれらの組合せを意味する場合がある。
【００４４】
[0054]  今まで、本発明の特定の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の方法とは別の方法で実行することができることを理解することができるだろう。例えば、本発明は、上記方法を記述している機械可読命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はその内部にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形をとることもできる。
【００４５】
[0055]  上記説明は例示としてのものであって、本発明を制限するものではない。それ故、当業者であれば、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなしに、上記発明を種々に修正することができるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】[0012]  本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置である。
【図２】[0013]  本発明のある実施形態による回転可能なフォイルトラップの全体的な配置である。
【図３】[0014]  図２の回転フォイルトラップの軸方向の概略断面図である。
【図４】[0015]  図３の回転フォイルトラップの横方向の概略断面図である。
【図５】[0016]  本発明のある実施形態によるバランスユニットの概略分解図である。
【図６】[0017]  自動バランス機構のある実施形態である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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