(57)【要約】  本発明は、プレート状の第１の部分（３０）を含む集積回路に関する。この構成要素はまた、第１の部分（３０）とは別の、第１の部分（３０）に取り付けられ、変形可能な接続手段（２２）によって第１の部分（３０）に接続され、第１の部分（３０）との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分（３２）を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート状の第１の部分を含む集積回路であって、第１の部分とは別の、第１の部分に取り付けられ、変形可能な機械的接続手段によって第１の部分に接続され、第１の部分との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分を含むことを特徴とする、集積回路。
【請求項２】
接続手段が、少なくとも部分的に金属製である、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
接続手段が、一方の端部において第１の部分に固定され、反対の端部において第２の部分に固定された少なくとも１つの金属ワイヤを含む、請求項１または２に記載の集積回路。
【請求項４】
接続手段が、第１の部分と第２の部分とに接続された少なくとも１つの金属格子を含む、請求項１または２に記載の集積回路。
【請求項５】
接続手段が、銅または金で作られる、請求項１から４のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項６】
第１の部分が、シリコンプレートを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項７】
前記角度が６０°より大きい、請求項１から６のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項８】
前記角度が約９０°の値を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項９】
第２の部分が、電気的要素を保持し、接続手段が、第１の部分によって保持された電気回路と第２の部分によって保持された電気的要素との間の電気的接続に寄与する、請求項１から８のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項１０】
第１の部分が、第１の部分の主要表面に平行な方向の磁界の成分を測定するように構成された少なくとも１つのセンサを保持し、第２の部分が、第２の部分の主要表面に平行な方向の磁界の成分を測定するように構成されたセンサを保持する、請求項１から９のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記センサが、マイクロフラックスゲートセンサである、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記センサが、磁気抵抗センサである、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記センサが、磁気インピーダンスセンサである、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記センサが、ホール効果センサである、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１５】
第１の部分が、複数の接続スタッドを保持し、第２の接続スタッドを有するもう１つの集積回路が、前記第２の接続スタッドの少なくとも１つと前記第１の接続スタッドの１つとの間の電気的接続部を有する第１の部分に接触して取り付けられる、請求項１から１４のいずれか一項に記載の集積回路。
【請求項１６】
第２の部分が、他の集積回路のフランク面付近に在る、請求項１５に記載の集積回路。
【請求項１７】
プレート状構造体から集積回路を製造する方法であって、
特に構造体の第１の部分と構造体の第２の部分とに接触して変形可能な接続手段を堆積させるステップと、
第１の部分と第２の部分とを分離するために構造体をエッチングするステップと、
第１の部分と第２の部分を相対的に移動して接続手段の変形を引き起こすステップと、
第１の部分と第２の部分とを互いに固定するステップとを含む方法。
【請求項１８】
移動が、接続手段によって形成されたヒンジに関する第２の部分の回転であることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
接続手段が、一方の端部において第１の部分に、また他方の端部において第２の部分に固定された少なくとも１つの金属ワイヤを含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
接続手段が、第１の部分と第２の部分とに接続された少なくとも１つの金属格子を含む、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２１】
接続手段が、銅または金で作られる、請求項１７から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
構造体が、シリコン基板である、請求項１７から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
構造体をエッチングする前に構造体を薄くするステップを含む、請求項１７から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
エッチングステップの前に前記エッチングを受ける領域を部分的に研削するステップを含む、請求項１７から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
接続手段が、導電性材料で作られており、前記方法は構造体の第１の部分または第２の部分によって保持された少なくとも１つの回路と接続手段との間に導体を堆積させるステップを含む、請求項１７から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
接続手段と第１の部分上の回路要素との間に導体を堆積させるステップを更に含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
エッチングが異方性である、請求項１７から２６に記載の方法。
【請求項２８】
エッチングを受けた第２の部分の面が、第１の部分の縁部に組み付けられる、請求項１７から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
エッチングステップが、エッチングを受ける第１、第２の部分の各部分の面に傾斜したプロファイルを形成する、請求項１７から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
移動ステップの後に、第２の部分の傾斜プロファイル面を第２の部分の傾斜プロファイル面に組み付けるステップを含む、請求項２９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電気回路、磁気回路または電子回路、あるいはＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）タイプのこれらの回路を含む少なくとも２つの非平行平面上に分散配置された集積回路とこのような集積回路の製造方法とに関する。これは特に、超小型電子部品、またはマイクロまたはナノ技術の分野からの技法を使用して製造される構成要素の問題であり得る。
【背景技術】
【０００２】
一方の面が電気回路を保持する少なくとも１つのプレート状構造体からなる部分を有する構成要素が頻繁に使用されている。マイクロエレクトロニクスの関連では例えば、基板は磁界センサといった電子回路を保持し得る。
【０００３】
時には、プレートによって画定される平面に対して斜めの、あるいは垂直な平面内に回路の少なくとも一部を配置することが必要とされることがある。
【０００４】
これは特に、例えば米国特許第５，４４６，３０７号明細書に開示されているように、３次元において磁界を測定することが必要とされる場合である。
【０００５】
この文献では、磁気センサは各磁気センサがピラミッド構造体の傾斜した面の１つに垂直な磁界の成分を測定するように配置され、これは磁界の３成分へのアクセスを与える単純な方法である。
【０００６】
しかしながら、ピラミッド構造体を得るために使用される前面エッチング技術は、この構造体のために考えられ得る高さを数マイクロメートルに制限し、またこの解決策がより大きなサイズの（例えば、約１０００μｍの寸法を有する）磁気センサには適用できないこと、およびこの構造体の傾斜した面へのこれらの磁気センサの使用が、基板に対して垂直以外の方向の磁界を効率的に測定できるためには、該傾斜した面の傾斜があまりにも低すぎる（１％未満の傾斜）という結果をもたらすであろうことを意味する。
【０００７】
国際公開第２００６／００１９７８号パンフレットは、同じタイプの解決策を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５，４４６，３０７号明細書
【特許文献２】国際公開第２００６／００１９７８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記２つの発明はまた、電気または超小型電子回路が傾斜した平面上に作られなくてはならず、これが多くの困難を引き起こすという主要な欠点を有する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
したがって本発明は特に、互いに傾斜した面、場合によっては大きな傾斜を有する、特にプレート状構造体から始まってこの構造体の残り部分に対して傾斜した平面を有する構成要素を製造するための代替解決策を提案することを目的とする。この傾斜した平面は有利には、傾斜の前または後にマイクロエレクトロニクスに関連した磁気センサまたは他の任意の超小型電子装置を含み得る。
【００１１】
この点に関して本発明は、プレート状の第１の部分（一般的な方法で回路を保持する）を含む集積回路であって、第１の部分とは別の、第１の部分に取り付けられ、変形可能な機械的接続手段によって第１の部分に接続され、第１の部分との間で非ゼロの角度を形成する少なくとも１つのプレート状の第２の部分を含むことを特徴とする集積回路を提案する。
【００１２】
これら２つの部分は別々であるのでこれらは独立しており（少なくとも集積回路を製造するプロセスの一部の際には）、また変形可能な接続手段によって保持されているにもかかわらず、それらの互いの最終位置にまで互いに関して自由に動かされ得る。
【００１３】
したがって、これらの要素（このような電気回路）のすべては、同じ平面内の２つの部分上に作られることが可能であって、この後に一方の部分は２つの非平行な面上に分散配置された要素を得るために他方の部分に関して動かされる。
【００１４】
接続手段は少なくとも部分的に、例えば、接続手段が適切な場合には導体としても使用されることを可能にする金属製である。
【００１５】
実際には接続手段は、一方の端部において第１の部分に、他方の端部において第２の部分に固定された少なくとも１つの金属ワイヤを含み得る。もう１つの実施形態では、接続手段は第１の部分と第２の部分とに接続された少なくとも１つの金属格子を含み得る。
【００１６】
接続手段は、それらの柔軟性のために特に適切な銅または金で作られ得る。
【００１７】
例えば、第１の部分はシリコンプレートを含む。
【００１８】
例えば、本発明によれば、第１、第２の部分の間の角度は、６０°より大きいか、約９０°に等しいか、例えば１０°以内に等しい。
【００１９】
第２の部分が電気的要素を保持するとき、接続手段は第１の部分によって保持された電気回路と第２の部分によって保持された電気回路との間の電気的接続に寄与し得る。
【００２０】
例えば、第１の部分によって保持された電気回路は、第１の部分の主要面に平行な方向の磁気成分を測定するように構成された少なくとも１つのセンサを含み、第２の部分は第２の部分の主要面に平行な方向の磁界の成分を測定するように構成されたセンサを保持し得る。
【００２１】
例えば、これらのセンサは、マイクロフラックスゲートセンサ、磁気抵抗センサ、磁気インピーダンスセンサまたはホール効果センサである。
【００２２】
第１の部分が複数の第１の接続スタッドを保持するとき、第２の接続スタッドを有するもう１つの集積回路は、上記第２の接続スタッドの少なくとも１つと上記第１の接続スタッドの１つとの間の電気的接続によって第１の部分と接触して取り付けられ得る（例えば、異方性導体によるか、熱圧着による導電性ボールの介在のおかげで）。これは特にコンパクトな構造体を作り出す。
【００２３】
それから第２の部分は、他方の集積回路のフランク面近くに存在でき、これがアセンブリをより一層コンパクトにする。
【００２４】
以下に説明される一実施形態において、プレートは、従来マイクロテクノロジーで、例えば、シリコン、ゲルマニウム（またはＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ材料）といった半導体材料で使用される基板から得られ、次いでプレートはこのような基板の典型的な寸法を前提として本質的に剛性である（すなわち、本質的に湾曲不可能である）。
【００２５】
本発明はまた、プレート状構造体（一般に回路を保持する）から集積回路を製造する方法であって、
特に構造体の第１の部分と構造体の第２の部分とに接触して変形可能な接続手段を堆積させるステップと、
第１の部分と第２の部分とを分離するために構造体をエッチングするステップと、
第１の部分と第２の部分を相対的に移動して接続手段の変形を引き起こすステップと、
第１の部分と第２の部分とを互いに固定するステップとを含む、方法を提案する。
【００２６】
この方法は、移動ステップの後に、第１、第２の部分を（直接的に、または他の部分を介して）これらの部分のそれぞれの主要面の間に存在する非ゼロの角度で互いに固定するステップを含み得る。
【００２７】
例えば、この移動は、接続手段によって形成されるヒンジに関する第２の部分の回転である。
【００２８】
接続手段は、プレート状構造体によって保持された回路を製造する技術ステップの少なくとも１つの際に堆積させられ得る。
【００２９】
本方法はまた、構造体をエッチングする前に構造体を薄くするステップおよび／またはエッチングステップの前に上記エッチングを受ける領域を部分的に研削するステップを含み得る。
【００３０】
接続手段が導電性材料で作られるとき、これら種々の要素への電気的接続を行うために構造体の第１の部分または第２の部分によって保持される少なくとも１つの回路と接続手段との間に導体を堆積させるステップが存在し得る。
【００３１】
導体が第２の部分の回路と接続手段との間に堆積させられると、本方法は、前に作られた接続部を拡張するために、接続手段と第１の部分上の回路要素との間に導体を堆積させるステップを更に含み得る。
【００３２】
エッチングは、正確に局所化された異方性エッチングであり得る。
【００３３】
エッチングを受けた第２の部分の面（後面）は、第１の部分の縁部（すなわち、プレートの主要面とは異なる第１の部分の横方向の面）に組み付けられ得る。
【００３４】
もう１つの実施形態において、エッチングステップは、エッチングを受ける第１、第２の部分の各々の部分の面上に傾斜したプロファイルを形成できる。次いで移動ステップは、第２の部分の傾斜したプロファイル面の近くに（または、第２の部分の傾斜したプロファイル面と接触するように）第２の部分の傾斜したプロファイルを動かすことができ、次いでこの移動ステップの後に第２の部分の傾斜プロファイル面に対して第２の部分の傾斜プロファイルを組み付ける更なるステップが存在する可能性があり、これは特にコンパクトで丈夫な構造体を作り出す。この組立てプロセスは、これら２つの部分を互いに接着することを含み得る（例えば、２つの部分間の隙間を更に修復し得る接着剤のビーズを堆積させることによって）。
【００３５】
本発明の他の特徴と利点は、添付図面を参照しながら以下の説明を考慮すればより明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の教示による集積回路を製造するステップの２つを示す図である。
【図２】本発明の教示による集積回路を製造するステップの２つを示す図である。
【図３】集積回路の部分のうちの１つを曲げる前の、このような方法によって得られた集積回路の斜視図である。
【図４】図３からの集積回路ともう１つの集積回路とのアセンブリを示す図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の図である。
【図６】本発明の第３の実施形態の図である。
【図７】本発明の第３の実施形態の図である。
【図８】前の実施形態において与えられた変形可能な接続手段に対する代替手段を示す図である。
【図９】前の実施形態において与えられた変形可能な接続手段に対する代替手段を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
図１は、その前面に３個の磁界センサ１２、１４、１６を含む電気回路の要素が堆積されたここではシリコンの基板１０を示す。
【００３８】
各センサ１２、１４、１６は、所与の方向の磁界を測定するように構成されており、したがって３個の磁界センサ１２、１４、１６は、空間内の３方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）に投影された局所的磁界の、すなわちこの磁界の３成分の測定値を取得するように設けられている。
【００３９】
第１のセンサ１２と第２のセンサ１４は、基板１０の第１の領域２に位置しており、Ｙ方向とＸ方向の磁界のそれぞれの成分を測定するために互いに垂直に配置される。（これら２つの方向Ｘ、Ｙは、基板１０の前面に本質的に平行である。）
基板１０の第２の領域４は、第３のセンサ１６を保持する。この例では、このセンサは第２のセンサ１４と平行であるが、以下に説明される方法で基板１０の前面（上記の要素を保持する）に法線となる（すなわち垂直な）Ｚ方向の磁界の成分を測定するように意図されている。
【００４０】
各磁気センサは、例えば、マイクロフラックスゲート技術を使用して製造される。代替として、これらは磁気抵抗センサ（特にＡＭＲ、ＧＭＲまたはＴＭＲセンサ）、磁気インピーダンス（ＭＩ）センサ、またはホール効果センサであり得る。
【００４１】
基板１０の前面はまた、接続スタッド１８の一部が導体２０（例えば、場合によっては絶縁材料の層によって基板から分離された導電性トラック）によって対応するセンサに接続された接続スタッド１８を保持する。
【００４２】
複数の金属（ここでは銅）トラック（またはワイヤ）２２は、ここでは絶縁体２４（例えば、酸化シリコン）を介在した状態で第１の領域２と第２の領域４の各領域に侵入して、第１の領域２と第２の領域４との間の境界において基板１０の前面に等しく堆積させられている。
【００４３】
実際には絶縁層２４は、上記の要素を絶縁するために基板１０の全面に亘って広がり得る。
【００４４】
金属トラック２２のいくつかは、例えば、導体２６によって第２の領域４において磁気センサ１６に電気的に接続される。これらの同じ金属トラック２２はまた、導体２８によって第１の領域２において接続スタッド１８の１つに電気的に接続される。
【００４５】
したがって、基板１０の第２の領域４における磁気センサ１６は、特に金属トラック２２の少なくとも１つを介して基板１０の第１の領域２における接続スタッド１８に電気的に接続される。
【００４６】
種々の導体２０、２６、２８は例えば、基板１０によって保持された他の要素の製造時に（例えば、場合によっては同じ技術ステップ時に金属トラック２２と同じ技法によって）堆積された銅または金のトラックである。代替として、導体は基板によって保持された他の要素の構成後に製造された金ワイヤによって形成され得る。
【００４７】
複数の構成要素（集積回路）が集合的集積回路製造技術を使用して同じ基板１０から取得され得ることはここで留意され得る。したがって図１において、第１のセンサ１２付近に配置された磁界センサ１６’と第３のセンサ１６付近に配置された磁界センサ１２’とが見られることが可能であり、これらのセンサ１６’、１２’各々は、上記に説明され、また並行して得られたタイプと同じタイプの構成要素のために意図されている。
【００４８】
いったん上記の、図１に見られる種々の要素が基板１０の前面に堆積させられると、基板１０の後面は、第１の領域２と第２の領域４との間の境界に位置する限定された範囲の部分の上で、基板の全厚さを除去するようにエッチングされる。例えば、このステップでは、フォトリソグラフィーを用いて保持されるべき基板の一部分（実際には基板のほとんどすべて）を保護して、後面に異方性エッチング、例えば、深部反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）を加えることによって、あるいは化学エッチング（例えば、基板１０がシリコン製であるときにはＫＯＨを使用すること）によって製造が行われる。
【００４９】
考えられ得る一実施形態において、この後面エッチングステップは、同じ基板から形成された種々の構成要素を分離できる。代替として、同じ基板から製造された異なる構成要素が後のステップで分離され得ることは当然である。
【００５０】
更に、エッチングされた部分における金属トラック２２の下に配置された絶縁層２４を除去するために、もう１つのエッチングステップ（例えば、適切な反応性イオンエッチングまたはイオン機械加工）が使用され得る。
【００５１】
これは、図２に表された集積回路、したがって上記の基板の第１の領域２に対応する第１の基板部分３０と上記の第２の領域４に対応する第２の基板部分３２とを含む集積回路を製造する。
【００５２】
特に前述のエッチングを用いて領域２、４間の境界３における基板の（および絶縁層２４の）全除去のために、第１の部分３０はギャップ３１によって第２の部分３２から分離され、これでこれら２つの部分３０、３２は金属トラック２２だけによって機械的に互いに接続されている。
【００５３】
得られた集積回路はまた、図３に斜視図で示されている。
【００５４】
金属トラック２２の表面に対して垂直な変形可能性のおかげで金属トラック２２からなるヒンジによって与えられる集積回路の屈曲可能性（すなわち図３の矢印Ｒによって示されたように第１の部分３０に関して第２の部分３２を回転させる可能性）のおかげで、第２の部分３２は以下に説明されるように、例えば、最大９０°の角度に第１の部分３０に関して傾けられることが可能であり、このことがこの場合、磁界のＺ方向の成分を効率的に測定できるようにセンサ１６が方位付けられることを可能にする。
【００５５】
次いで第１の部分と第２の部分は、直接（例えば、接着剤によって）または以下に説明されるようにもう１つの部分を介して互いに固定され得る（すなわち第２の部分は第１の部分に関して動けなくされ得る）。
【００５６】
図４は、もう１つの集積回路３４（例えば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））がフリップチップ技法を使用して取り付けられた同じ構成要素を示す。
【００５７】
この技法を使用して接触子を保持する集積回路３４の面は、ボールボンディング技法を使用してマイクロ回路３４の対応する接触子（またはスタッド）に接続スタッド１８の各々を電気的に接続する、集積回路３４と構成要素との間の導電性ボール３６によって磁界センサ１２、１４、１６と接続スタッド１８とを保持する構成要素の前面に接触して配置される。
【００５８】
集積回路３４は更に、外部装置および／または遠隔電源および／または送信アンテナに集積回路３４を接続するための手段３８を含む。
【００５９】
したがって、集積回路３４は、センサ１２、１４、１６によって測定された磁界の成分を（例えば、ディジタル形式で）表す処理信号を例えば、集積回路の接続手段３８において生成するために、信号整形と、電力供給と、磁気センサ１２、１４、１６との間で送受信される電気信号のための信号処理機能と、を与えることができる。
【００６０】
前述のようにセンサ１２、１４はそれぞれ、ＹおよびＸ方向の磁界成分を測定する。
【００６１】
Ｚ方向（既に述べられたように、基板１０の主要面に垂直な方向）の磁界の成分をセンサ１６によって取得するために、第２の部分３２は、金属トラック２２の柔軟性（例えば、金属トラック２２が可塑性金属、ここでは銅または代替として金で作られているという事実から結果的に得られる）のために破損の危険なしに変形を可能にする、金属トラック２２によって形成されたヒンジにおいて第１の部分３０に関して折り曲げられる。
【００６２】
図４に示された実施形態において、この折り曲げは、図４の矢印Ｒによって示された基板の平面を形成する軸の１つ（ここではＹ軸）の周りの回転に対応し、これは基板によって形成された平面の上方における第２の部分３２の位置決めを可能にし、更に第２の部分３２のための機械的ストッパを与え得る集積回路３４の一方の縁部（ここでは集積回路３４のフランク面）付近に第１、第２のセンサ１２、１４を有する。したがって、第２の部分３２は、例えば、第２の部分３２を集積回路３４に接着することによって集積回路３４を介して第１の部分３０に固定され得る。
【００６３】
これは、第３の磁界センサ１６が他の２つのセンサ１２、１４を含む平面に対して傾斜した（ここでは垂直な）平面内に配置された特にコンパクトな磁界測定装置を作り出し、この磁界測定装置は磁界の３成分の効率的測定を保証する。
【００６４】
既に上記に示されたように、主要な基板（第１の部分３０）の平面に垂直な平面に配置されたこの第３の磁気センサ１６との間の電気接続が、特に接続スタッド１８の主要部分に、したがって導電性ボール３６を介して集積回路３４に、電気的に接続された変形した金属トラック２２のいくつかによって与えられることは留意される。
【００６５】
したがって金属トラック２２の柔軟な変形は、２つの基板部分の互いの機械的保持の保証を与えるばかりでなく、一方の部分の他方の部分に関する強い傾斜にもかかわらずこれら２つの部分の間の接続の電気的導通を保証する。
【００６６】
図５は、本発明の第２の実施形態による構成要素の図である。
【００６７】
この第２の実施形態において、この構成要素は、第１の基板部分１０２（図示されていないが電気および／または電子回路の要素を保持し得る）と、基板１０２の厚さと比較して薄い第２の部分１０４（これは、図示されていないが基板の平面に関して傾けられた平面内に配置することが必要とされる回路を保持する）とを含む。第１の部分１０２と第２の部分１０４は、ギャップ１０３によって分離されており、第１の実施形態を参照しながら前に説明された金属トラックに類似した複数の金属トラック（またはストリップ）１０５によって機械的に接続される。
【００６８】
図５の構成要素は、例えば、エッチングが第２の部分１０４において厚さの一部だけとギャップ１０３において厚さの全部とを除去した図５の破線で表されたプレート状シリコン基板から得られる。
【００６９】
これをするために、第１のエッチングステップは例えば、第２の部分１０４の厚さだけを残して基板の厚さの一部を除去するために第１の部分１０２だけをカバーするマスクを使用して達成され、次いで第２のエッチングステップは、第１、第２の部分１０２、１０４の間の境界領域を除いて第１、第２の部分１０２、１０４のすべてをカバーするマスクであって、基板が限定された範囲のこの境界領域における基板の厚さだけを完全に除去されることを可能にし、それによってギャップ１０３を得ることを可能にするマスクを用いて達成される。
【００７０】
代替として、この境界領域と第２の部分１０４とをエッチングする後続のステップ時に、境界領域は基板の厚さを完全にエッチングされるが第２の部分１０４は必要な残留厚さを保持するように、境界領域の機械的事前研削は、ギャップ１０３を受けるように意図される（例えば、１個の研削工具または一連の研削工具を用いて）。
【００７１】
当然ながら、今言及されたエッチングステップに先立って、基板全体を薄くする研削ステップが設けられ得る。この可能性はまた、他の実施形態に関しても考えられ得る。
【００７２】
この第２の実施形態において、特に以下に示される回転方向Ｒ’に曲げる場合には、第２の部分１０４の厚さは、ほぼギャップ１０３の幅（すなわち第１の部分１０２と第２の部分１０４との間の距離）である（また好ましくは、この幅より僅かに小さい）。
【００７３】
したがって、第２の部分１０４は、第１の実施形態に関連して言及された方向と同じ回転方向Ｒに、またはその反対方向Ｒ’に金属トラック１０５によって形成されたヒンジの周りに折り曲げることによって動かされる可能性はなく、それによって第２の部分１０４はいったん傾けられると、金属トラック１０５を保持する第１の部分１０２の平面下に留まる。
【００７４】
後者の場合、第２の部分１０４の厚さは、第２の部分１０４の著しい傾斜を防止し得る全体的サイズ問題を回避する。
【００７５】
図６は、このような問題が回避されるもう１つの実施形態を示す。
【００７６】
この目的を達成するために、第２の部分２０４が前述の金属トラックに類似した金属トラック２０５によって形成されたヒンジの周りに曲げられたときに、第２の部分２０４に対して４５°に近い角度に傾斜した面が４５°に近い角度に傾斜した第１の部分２０２の面と向き合い、したがって第１の部分２０２に関する第２の部分２０４の回転（Ｒ’方向の）時に、これらの部分の相互の機械的妨害なしに、第２の部分２０４の折り曲げ角度が、例えば、最大９０°に達し得るように（図６の参照符号２０４’の破線で表されている）、基板の第１の部分２０２と基板の第２の部分２０４との間のギャップ２０３は、例えば、ＫＯＨタイプのシリコンエッチング溶剤を用いて傾斜したエッチングプロファイルを有する。これに関連して、Ｒ方向（Ｒ’方向とは反対方向）の回転もまた可能である。
【００７７】
図７は、折り曲げて接着する前の基板の平面内の第２の部分２０４の延長部が、図７に示された特にコンパクトな装置の折り曲げ後の製造と、その後の接着剤のビーズ２０６の堆積とを可能にする基板の厚さに限定される変形例を示す。傾斜面の角度が４５°に近いとき、接着剤接合部２０６は折り曲げ角を９０°の角度に近づけるように、あるいは９０°の角度を達成するように僅かに補正できる。
【００７８】
図８は、本発明のもう１つの実施形態の平面図を示す。
【００７９】
この実施形態において、プレート状の第１の部分３０２は、プレート状の第２の部分３０４から分離されており、変形されるように構成された金属要素３０５によってプレート状の第２の部分３０４に接続される。金属要素３０５がストリップの形態に作られることと、これらのうちのいくつかは例えば、補強するために（金属ストリップ内の機械的応力を生成する角点を形成する組ひもによって）、あるいはより一般的には各ストリップの機械的曲げ抵抗を用途の要件に適応させるために、１つ以上の孔３０６を含むこととに留意されたい。
【００８０】
第１の部分３０２は、接続ランド３０８と参照符号３１０によって概略図的に示された回路（例えば、第１の集積回路）とを含む。第２の部分３０４は、例えば、図８の説明図において誘導性構成要素３１２と磁気抵抗性蛇行部３１４とを含む第２の集積回路３１１を保持する。
【００８１】
図８に見られるように、いくつかの接続スタッド３０８は、第１の集積回路３１０に電気的に接続されるが、第２の集積回路３１１の回路３１２、３１４は、特に変形可能金属トラック３０５を介して他の接続スタッド３０８に接続される。金属トラック３０５を介して第１の集積回路３１０に接続される（接続スタッド３０８にではなく）第２の集積回路３１１の回路３１２、３１４の少なくとも一部のための用意は同様に存在し得る。
【００８２】
構成要素は、変形可能金属トラック３０５によって形成されたヒンジの周りに図８に示された装置を折り曲げることによって、すなわち第１の部分３０２に関して第２の部分３０４を動かす（ここでは回転させる）ことによって得られる。
【００８３】
したがって、第２の部分３０４内の回路３１２、３１４は、第１の部分３０２に対して傾けられた（例えば、９０°の角度に）平面内に位置し得るが、この動きの際に変形された金属トラック３０５は、第２の部分３０４の要素３１２、３１４と第１の部分３０２のスタッドおよび回路３０８、３１０との間に前述の電気的接続を与え続ける。
【００８４】
図９は、変形可能な接続手段が複数のトラックまたはストリップ（部分的格子）の形態を取らずに、その代わりにヒンジの大部分（または全部）をカバーする１つの格子であって、ある場合にはこの格子によって接合される第１の部分４０２と第２の部分４０４との間により良好な機械的接続を保証する格子の形態を取る。
【００８５】
上述された実施形態は単に、本発明の使用の可能な例を構成している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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