(57)【要約】単一ユニットに容易に製作することができる小型構造の利点を提供し、接点材料の高温で誘発される形態学的変化及び結果的な特性への悪影響とは無縁の、ＭＥＭＳ圧電スイッチ（１００）。高温で誘発される形態学的変化とは、無線周波数配線（１２５、１３０）及び短絡バー（１５０）の様な金属接点が、圧電層をアニールするのに必要とされる温度に、又は、誘電層の高温堆積が代わりに使用される場合はその間に遭遇する温度に、曝される時、製作の間に生じる変化を指す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電ＭＥＭＳスイッチを作成する方法において、
基板の上に犠牲層を形成する段階と、
第１電極層を形成する段階と、
アニールされた圧電誘電層を形成する段階と、
第２電極層を形成する段階と、
無線周波数信号配線を、前記第１及び第２電極層に隣接して、前記配線を形成した後の工程で前記配線を高温に曝すこと無く、形成する段階と、
第１ポリマー被覆を形成する段階と、
前記犠牲層を除去する段階と、
第２ポリマー被覆を形成する段階と、
前記第２ポリマー被覆に接点を形成する段階と、
前記第２ポリマー被覆をパターン化する段階と、
片持梁を前記接点に連結させるように、パターン化された誘電層を形成する段階であって、前記片持梁は、前記第１電極層と、前記第２電極層と、前記圧電誘電層を備えている、誘電層を形成する段階と、
前記第２ポリマー被覆を除去する段階と、から成る方法。
【請求項２】
前記第１電極を形成する段階は、金属組成物を堆積させる段階と、堆積された金属をパターン化する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記形成し高温に曝す段階は、高温で、圧電誘電材料を層に堆積させる段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記形成し高温に曝す段階は、圧電誘電材料層を堆積させる段階と、前記層を高温でアニールする段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２電極層を形成する段階は、金属組成物を堆積させる段階と、前記第２電極層をパターン化する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記圧電層に熱を加え、電圧を印加して前記層に極性を与える段階を更に含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲層を除去する段階は、前記第１ポリマー層をパターン化し、エッチングして、そこに貫通穴を形成する段階と、前記貫通穴を通して前記犠牲層を除去する段階と、を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第２ポリマー被覆を形成する段階は、前記犠牲層が除去された空間にポリマーの構造的支持材を提供する段階を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲層は、二酸化ケイ素、ポリシリコン、及びシリコン窒化酸化物の何れかを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１ポリマー被覆は、ポリイミド及びＢＣＢの何れかを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２ポリマー被覆は、ポリイミド及びＢＣＢの何れかを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
圧電ＭＥＭＳスイッチを作成する方法において、
基板の上に犠牲層を形成する段階と、
第１電極層を形成する段階と、
アニールされた圧電誘導材料層を形成する段階と、
第２電極層を形成する段階と、
無線周波数信号配線を、前記第１及び第２電極に隣接して、前記圧電材料を形成し高温に曝す段階の後で、形成する段階と、
第１ポリマー被覆を形成する段階と、
前記犠牲層を除去する段階と、
第２ポリマー被覆を形成する段階と、
前記圧電材料を形成し高温に曝す段階の後で、前記第２ポリマー被覆に接点を形成する段階と、
前記第２ポリマー被覆をパターン化する段階と、
パターン化された誘電層を形成して、前記形成された誘電層の一部が、下にある片持梁を前記接点に接続するようにする段階と、
前記第２ポリマー被覆を除去する段階と、から成る方法。  
【請求項１３】
前記アニールされた圧電層を形成する段階は、高温で、圧電誘電材料を層に堆積させる段階を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アニールされた圧電層を形成する段階は、圧電誘電材料層を堆積させる段階と、前記層を高温でアニールする段階と、を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記圧電層に熱を加え電圧を印加して前記層に極性を与える段階を更に含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲層を除去する段階は、前記第１ポリマー被覆をパターン化し、エッチングして、前記第１ポリマー被覆の貫通穴を通して前記犠牲層へのアクセスを提供する段階と、前記貫通穴を通して犠牲層の材料を湿式エッチングで除去する段階と、を含んでいる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記犠牲層は、酸化ケイ素、シリコン窒化酸素物、及びポリシリコンの何れかを備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１及び第２ポリマー被覆は、それぞれ、ポリイミド又はＢＣＢの何れか１つを備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
圧電ＭＥＭＳスイッチにおいて、
第１金属接点と、
ブームの第１端部の第２金属接点であって、前記第２接点は、前記第１接点から間隔を空けて配置されている、第２金属接点と、
前記ブームと機械的に連通している片持梁であって、前記片持梁は、犠牲材料を除去することにより作られた空間の上方を伸長しており、前記片持梁は、犠牲材料を、前記空間から除去した時に通した貫通穴を有しており、前記片持梁は、アクチュエータを備えている層状構造を有しており、前記アクチュエータは、一対の電極層の間に配置された圧電層を備えており、前記片持梁は、作動時には撓んで、前記第２接点が往復運動を行って前記第１接点と電気的に連通する、片持梁と、を備えているスイッチ。
【請求項２０】
前記第１及び第２金属接点は、前記片持梁の前記圧電層をアニーリングするために、又は前記圧電層の高温堆積に、必要となる温度に曝されることに起因する形態学的な変化とは無縁である、請求項１９に記載のスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概括的には、半導体スイッチに関する。より厳密には、本発明は、圧電ＭＥＭＳスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
超小型電気機械システムは、「ＭＥＭＳ」と略記されるが、その使用は、様々な用途において急速に普及している。ＭＥＭＳは、半導体チップ上に構築されている超小型機械デバイスである。１９８０年代以来の研究により、ＭＥＭＳデバイスは、１９９０年代中期に商品として実用化され始めた。それらの製品は、圧力、温度、化学及び振動の感知器、光反射板及びスイッチ、並びにエアバッグ用加速度計、車両制御機器、ペースメーカー、及びゲーム機器を作成するのに使用されている。また、この技術は、インクジェット印字ヘッド、読み取り／書き込みヘッド用小型アクチュエータ、及び光線を適切な出力ポートに反射する全光学スイッチを作成するのにも使用されている。
【０００３】
ＭＥＭＳは、しばしば、スイッチを作動させるため一対の電極に連結されている圧電構成要素を利用しているデバイスと組み合わせて使用される。通常、圧電ＭＥＭＳスイッチの製造の間に、スイッチは、圧電構成要素がアニーリングされるとき、又は高温堆積が使用される場合に堆積処理を施すときに、高熱の加熱処理（約５５０℃以上、しばしば６６０―７００℃）に曝される。このような高温は、スイッチ接点の様な金属スイッチ構成要素を形態学的に顕著に劣化させ、更にその電気的特性に悪影響を及ぼす。
【０００４】
ＭＥＭＳスイッチの金属構成要素を高温に曝すことを回避するため、様々な試みが行われてきた。例えば、米国特許公告第２００４−９４８１５号は、どの様な高温処理の後にでも、別個のウェーハ上のスイッチの２つの接点のそれぞれを整えることにより製作される嵩高スイッチを示している。ウェーハは、その後、接点がスイッチとなりこれを形成するように積重ねられる。この方法では、結果的に、製造に経費の掛かる嵩高スイッチとなってしまう。
【０００５】
米国特許公告第２００５−０１５１４４４号に記載されている様な、より典型的な設計では、ＭＥＭＳスイッチは、単一ウェーハ上に製作されており、金属接点は、圧電アニーリング段階の間に高温に曝される。この公告は、多層圧電（ＰＺＴ）フィルムを使用しているＭＥＭＳスイッチを示している。これは、湿式エッチングで除去される犠牲層としてＰＥＣＶＤ  ＳｉＯ２を使用している。
【０００６】
従って、スイッチの金属構成要素をアニーリング温度に曝さないＭＥＭＳスイッチの作成方法を開発することが望まれている。加えて、スイッチの小型サイズを維持し、且つスイッチの各接点を別々に構築するため多層ウェーハの使用を回避することが望まれている。更に、本開示の他の望ましい特徴及び特性は、添付図面及び上記技術分野及び背景技術と併せて、以下の詳細な説明及び特許請求の範囲から明白となるであろう。
【特許文献１】米国特許公告第２００４−９４８１５号
【特許文献２】米国特許公告第２００５−０１５１４４４号
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明は、詳細な説明及び特許請求の範囲を添付図面と併せて考察すれば、より完全に理解頂けるであろう。なお、添付図面は、概略的であり、縮尺が合っておらず、例証目的を意図しており、各図を通して、同様の参照番号は同様な要素を表している。
【０００８】
以下の詳細な説明は、単に性質を例証するものに過ぎず、本開示技術又は適用及び技術の使用を限定することを意図してはいない。更に、先に述べた技術分野、背景、概要、又は以下の詳細な説明に提示されている、明示又は暗示されている理論によって拘束されることを意図してはいない。
【０００９】
本開示のＭＥＭＳ圧電スイッチは、小型の構造、単一ユニットでの製作の容易性の利点を提供し、高温によって誘発される電極材の形態学的変化がない。用語「高温によって誘発される」形態学的変化は、無線周波配線及び短絡バーの様な金属接点が、圧電層をアニールするのに必要な温度、又は圧電層の高温堆積の様な工程が代わりに使用される場合にはその工程の間に遭遇する温度に曝される時に、製作の間に起こる変化を意味している。通常、これらの温度は、約５５０℃から約７００℃までの範囲にある。高温によって誘発される形態学的変化には、制限するわけではないが、接点の露出面の粗面化、及び導電率、抵抗等の電気的特性に悪影響を及ぼす金属の構造的変化が含まれる。本開示のスイッチは、犠牲層、適した二酸化ケイ素、ポリシリコン、シリコン窒化酸化物等を含む方法を用いて、単一ベース基板の上に構築することにより製作することができる。加えて、ポリイミド、ＢＣＢ等の様なポリマー材は、構造を作り出し、一体のデバイスとしてスイッチの構成要素を一体に保持するため、選択的に使用されている。以下の開示から明白となるように、ポリマー及び犠牲層は、ポリマーは犠牲層が除去される間に他の構成要素を保護しなければならないため、犠牲層がポリマーに重大な悪影響を及ぼすことのない技法で除去されるように、選択されねばならない。
【００１０】
本開示は、開示された実施形態の例を示す図面を考察することで、より容易に理解頂けるであろう。
【００１１】
前置きとして、説明及び請求項における用語「第１」「第２」「第３」「第４」などは、使用する場合は、同様の要素間の識別のために使用しており、必ずしも特定の連続的又は年代的順序を記述するものではない。この様に使用されている用語は、適切な状況の下では置き換えることができ、ここで説明している本発明の実施形態は、例えば、図解又は他の方法で説明されている順番とは違う順序で作動させることができるものと理解されたい。更に、用語「備える」「含む」「有する」及びそれらの派生語は、非排他的な含有を包含する様に意図されており、或る要素のリストを備えている処理、方法、物品、又は装置は、必ずしもそれらの要素に限定されるわけではなく、明示的にリストに載っていない、又はそのような処理、方法、物品、又は装置に固有の他の要素を含んでいてもよい。
【００１２】
更に、説明及び特許請求の範囲で用語「左」「右」「前」「後」「頂部」「底部」「上」「下」及び類似用語を用いている場合、それらは、説明を目的に用いられており、必ずしも、永久的な相対位置を述べているのではない。その様に用いられている用語は、適切な環境の下では交換することができ、ここに記載している本発明の実施形態は、図示されている方位以外の方位、又はここに記載されている以外の方法で作動させることができるものと理解されたい。
【００１３】
図１及び図２は、本開示の圧電ＭＥＭＳスイッチの上面図及び断面図をそれぞれ表している。スイッチ１００は、ベース基板１１０の上に製作されている。スイッチは、基板１１０の上に設置されているＲＦ配線１２５（入力）及び１３０（出力）として示されている一対の接点を含んでおり、短絡バー１５０がＲＦ線の上方に垂下していて、これは開状態のスイッチを表している。短絡バー１５０は、短絡バーを片持梁６２０に機械的に連結する上部誘電層８００の一部であるブーム８１０の中に形成され、ブームによって支持されている。図示の実施形態では、誘電体が、デバイスの殆ど全上面を覆っており８００強度を付加している。他の実施形態は、より少ない誘電体を使用し、選択された領域のみ覆っている。
【００１４】
図示のように、片持梁６２０は、基板１１０に固定されている一端６２５を有しており、その構造体の大部分は、基板１１０から垂下され、間隔を空けて配置されている。この分離空間１８０には、後で説明するように、初期製造段階では犠牲材料が詰まっている。
【００１５】
片持梁６２０は、圧電層３００を間に挟んでいる一対の電極層２００、４００を含む層状構造を有している。片持梁６２０の曲げ運動は、電極層２００、４００及び圧電層３００で形成されているアクチュエータによって引き起こされる。片持梁６２０は、可撓性を有しており、曲がる時には、外端部６４５は上下に動く（往復運動を行う）ことができ、その間、片持梁は、反対側の端部６２５で固定された状態に保持されている。この往復運動は、短絡バー１５０を下方に動かし、ＲＦ配線１２５、１３０と電気的に連通させる。作動していない時には、片持梁６２０は、弛緩位置に、即ち、図の配位に基づく水平位置にある。片持梁６２０は、ここでは長方形に示されている貫通穴６３０を有しているが、他の形状でも使用できる。貫通穴は、片持梁６２０の下方の空間１８０まで伸長しており、後で示すように、犠牲材料は、この空間１８０から貫通穴６３０を通して除去される。機械的に、貫通穴６３０も、片持梁６２０が撓み易いようにしている。
【００１６】
図３から図８は、図２、図３のスイッチを製作する方法の或る実施例の各段階を示している。図３を参照すると、犠牲層１２０が、ベース基板１１０の上に形成されている。犠牲層は、二酸化ケイ素、ポリシリコン、シリコン窒化酸化物等でできている。犠牲層１２０の形成は、どの様な従来式の又は今後開示されることになる処理で行ってもよく、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングによる堆積、パターン化を含んでいてもよい。
【００１７】
図４では、第１電極層２００が、層１２０を覆って形成されている。電極層は、プラチナの様な、高温による影響を被らない、又は深刻な影響を被らない、どの様な適した高電導材料でもよい。層は、適していれば、どの様な既知の技法で、又はこれから開発される技法によって、堆積させてもよい。同様に、層は、既知の、又はこれから開発される技法、例えばフォトリソグラフィ及びＨＦ酸エッチングによってパターン化処理を施してもよい。パターン化及びエッチングは、電極層２００に、最終的に、図１、図２に示す貫通穴６３０として形成される、全ての層を貫通して伸長する貫通穴２３０を作り出すことに留意されたい。貫通穴は、片持梁６２０を作成するために後で説明するように、層１２０を除去するために使用される。
【００１８】
圧電層３００は、パターン化された電極層２００を覆って共形に形成されている。この層３００は、高温で堆積されるので、堆積される時にアニールされる。代わりに、堆積させ、その後アニールしてもよい。何れにしろ、こうして作り出されたデバイスは、高温に曝されることになる。本開示によれば、高温によって悪影響を被る可能性のある金属接点は、まだ作り出されていない。圧電層は、ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＡｌＮ、ＺｎＯなどの様な、どの様な適した圧電材料でできていてもよい。第２電極４００は、圧電層を覆って作成され、層状になった圧電アクチュエータが完成する。
【００１９】
図５では、第２電極４００と圧電層３００が、パターン化される。パターン化によって、貫通穴２３０の層１２０までの伸長部が作り出されていることを留意されたい。必要な場合には、圧電層は、周知のように加熱及び電圧印加によりここで極性を与えてもよい。
【００２０】
図６では、ＲＦ配線１２５（図示せず）、１３０が、堆積され、パターン化される。それらの配線は、積み重ねられた電極２００、４００及び圧電層３００に隣接しており、スタックの端末部６４５からは間隔を空けて配置されている。図示の実施形態では、それらの線は、基板１１０の上に堆積されているが、基板１１０の上の別の層の上に敷設されていてもよい。
【００２１】
図７では、図６の構造が、共形のポリマー被覆５００で覆われている。ポリマー被覆は、ポリイミド、ＢＣＢ、などでできていてもよい。図８では、ポリマー被覆５００は、酸素プラズマの様な何らかの適した技法によって、貫通穴２３０を覆っているポリマーを除去するため、パターン化される。図８のように、貫通穴２３０からポリマー遮蔽材が無くなると、エッチング技法、例えば湿式ＨＦ酸エッチング法を使用して、犠牲層１２０が除去される。
【００２２】
図９では、第２ポリマー被覆７００が塗布されている。被覆は、貫通穴２３０と、以前に犠牲層１２０が占めていた空間１８０との中に伸長しているフィンガー７２０を有していることに留意されたい。フィンガー７２０は、構造に幾らかの支持力を提供している。
【００２３】
図１０では、第２ポリマー被覆７００は、短絡バー１５０の様な接点を受け入れる凹部を形成するため、パターン化される。その後、短絡バー１５０は、何らかの適した金属堆積技法を使用して堆積され、図示のようにパターン化される。
【００２４】
図１１では、ポリマー被覆７００は、その一部を除去して片持梁６２０を露出させる（即ち、片持梁６２０の一部を露出させる）ため、パターン化される。図１２では、誘電体が、露出した（ポリマーに被覆されていない）片持梁の表面を覆って形成されている。これは、短絡バー１５０を片持梁６２０に機械的に接続するブーム８１０を作り出している。絶縁体は、更に、図示のように、片持梁６２０に、幾らかの構造的な補強を、その基板１１０に接続されている固定端部６４５で提供している。誘電層は、二酸化ケイ素、窒化ケイ素などでできていてもよい。
【００２５】
先に論じた図２に示す完成したＭＥＭＳスイッチを形成するため、図１２のポリマー被覆７００が除去される。除去は、どの様な既知の、又はこれから開発されることになる、例えば乾燥除去処理、酸素プラズマの様な技法によっても、実施することができる。
【００２６】
要約すれば、本開示は、接点に高温によって誘発される形態学的変化が発生せず、単一基板の上に形成することができ、且つ犠牲層の除去を必要とする工程で作成される、ＭＥＭＳデバイスに関するものである。デバイスを形成する間、ポリマー層は、可撓性を有する片持梁と、間隔を空けて所定の位置に配置されている短絡バーとを、誘電材が堆積されて短絡バーを片持梁に接続するまで、保持する。
【００２７】
本開示は、基板の上に犠牲層を形成する段階を含んでいる、圧電ＭＥＭＳスイッチを作成する方法を含んでいる。犠牲層は、酸化ケイ素、酸素窒化ケイ素、又はポリシリコンであってもよい。本方法は、更に、第１電極層を形成する段階を含んでいる。第１電極層を形成する段階は、金属組成物を堆積する段階と、第１電極をパターン化する段階を含んでいる。本方法は、アニールされた圧電誘電材料層を形成する段階を含んでいる。アニールされた層を形成する段階は、高温で、圧電誘電材料を層に堆積する段階を含んでいてもよい。アニールされた層を形成する段階は、そうでなければ、圧電誘電材料層を堆積させる段階と、この層を高温でアニールする段階を含んでいてもよい。本方法は、更に、圧電層に熱を加え電圧を印加して、圧電層に極性を与える段階も含んでいる。更に、本方法は、第２電極層を形成する段階を含んでいる。第２電極を形成する段階は、金属組成物を堆積させる段階と、第２電極をパターン化する段階を含んでいる。無線周波数信号配線は、第１及び第２電極に隣接して、配線を形成する後の工程で配線を高温に曝すこと無く、形成される。更に、本方法は、第１ポリマー被覆を形成する段階と、犠牲層を除去する段階を含んでいる。犠牲層を除去する段階は、第１ポリマー被覆をパターン化し、エッチングして、その中に貫通穴を形成する段階と、貫通穴を通して犠牲材料を湿式エッチングで除去する段階を含んでいる。第２ポリマー被覆が形成され、接点が、第２ポリマー被覆に形成される。第２ポリマー被覆は、パターン化される。パターン化された誘電層は、第１電極、第２電極、及び圧電層で構成されている片持梁を接点に連結するように形成される。第２ポリマー被覆が、除去される。第１及び第２ポリマー被覆は、それぞれ、ポリイミド又はＢＣＢの何れでもよい。
【００２８】
本開示は、更に、圧電ＭＥＭＳスイッチを作成する方法を提供しており、この方法は、基板の上に犠牲層を形成する段階と、第１電極層を形成する段階と、アニールされた圧電誘電材料層を形成する段階を含んでいる。アニールされた圧電層を形成する段階は、高温で、圧電誘電材料を層に堆積させる段階を含んでいてもよい。或いは、アニールされた圧電層を形成する段階は、圧電誘電材料層を堆積させる段階と、この層を高温でアニールする段階を含んでいてもよい。更に、本方法は、第２電極を形成する段階と、無線周波数信号配線を、第１及び第２電極に隣接して、圧電材料を形成し高温に曝した後で形成する段階と、第１ポリマー被覆を形成する段階と、犠牲層を除去する段階と、第２ポリマー被覆を形成する段階と、接点を、第２ポリマーに、圧電材料を形成し高温に曝した後で形成する段階と、第２ポリマー被覆をパターン化する段階と、パターン化された誘電層を形成して、形成された誘電層の一部が下にある片持梁を接点に接続するようにする段階と、パターン化された第２ポリマー被覆を除去する段階と、を含んでいる。
【００２９】
上記方法は、随意的に、圧電層に熱を加え、電圧を印加して、層に極性を与える段階を含んでいる。更に、犠牲層を除去する段階は、第１ポリマー被覆をパターン化し、エッチングして、第１ポリマー被覆の貫通穴を介して犠牲層へのアクセスを提供する段階と、貫通穴を通して犠牲層を湿式エッチングで除去する段階と、を含んでいてもよい。犠牲層は、酸化ケイ素、シリコン窒化酸化物、又はポリシリコンでもよい。第１及び第２ポリマー被覆は、それぞれ、ポリイミド又はＢＣＢの何れでもよい。
【００３０】
本開示は、更に、圧電ＭＥＭＳスイッチを提供しており、このＭＥＭＳスイッチは、第１金属接点と、ブームの第１端部に在り、第１接触部から間隔を空けて配置されている第２金属接点と、を含んでいる。片持梁は、ブームと機械的に連通している。片持梁は、犠牲材料の除去によって作られた空間の上方を伸長している。片持梁は、貫通穴を有しており、その穴を通して犠牲層が空間から除去された。片持梁は、一対の電極層の間に配置された圧電層を含んでいる層状構造のアクチュエータを有している。作動時には片持梁が撓んで、第２接点は、往復運動を行い、第１接点と電気的に連通する。第１及び第２金属接点は、片持梁の圧電層のアニーリング、又は圧電層の高温堆積のために必要となるような温度に曝されることにより引き起こされる形態学的な変化とは無縁である。
【００３１】
ＭＥＭＳデバイスの少なくとも１つの例示的な実施形態を、作成方法と共に、以上の詳細な説明で提示してきたが、非常に多くのバリエーションが存在するものと理解されたい。更に、ここに記載した例示的な１つ又は複数の実施形態は、本開示で請求している本発明の範囲、適用性、又は構成に何ら制限を加えることを意図するものではないものと理解されたい。そうではなく、以上の詳細な説明は、当業者に、説明した１つ又は複数の実施形態及びそのバリエーションを実施するための便利な道筋を提供することになる。それらのバリエーションは、特許請求の範囲及びそれら請求項の要素の法的等価物の範囲内に在る。従って、様々な変更を、特許請求の範囲に述べる本発明の範囲を逸脱すること無く、要素の機能及び配置に施すことができるものと理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本開示による圧電ＭＥＭＳスイッチの実施形態の上面図である。
【図２】図１の実施形態の断面図である。
【図３】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図４】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図５】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図６】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図７】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図８】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図９】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図１０】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図１１】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図１２】図１のスイッチを製作する方法の或る実施例の段階を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
2009528667.tif 000015