(57)【要約】  改善された半導体シールリングおよびそのための方法が記載される。シールリングは、太層を含み、この太層の少なくともある部分は、個片化の前に個片化通路から取除かれ、これにより個片化処理の間に太層に対するダメージを回避する。薄い防湿バリア層が、太層の少なくとも縁部をシールするように太層の少なくともある部分の上に配されるのが好ましい。能動回路素子の作製のために好ましくは用いられる太い非金属層が、当該太層として有利に用いられ得る（たとえばバルク音波（ＢＡＷ）フィルタ装置における窒化アルミニウム（ＡｌＮ））。薄いアモルファス非金属層（たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）層）が、好ましくは当該太層の上に配されてもよい。代替的には、他の材料が用いられてもよい。
2009538528.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの上に第１の非金属材料の太層を配することと、
前記ウェハの第１のダイと前記ウェハの第２のダイとの間に個片化通路を規定するよう前記太層の第２の部分を選択的に取除くとともに、前記第１のダイの上の前記太層の第１の部分を残すことと、
前記第１のダイを前記第２のダイから分離するよう前記個片化通路に沿って前記ウェハを切断することとを含む、方法。
【請求項２】
前記太層の上に第２の非金属材料の薄層を配することをさらに含み、
前記個片化通路に沿って前記ウェハを切断することにより、前記太層の前記第１の部分と前記ウェハを切断することによって規定される切溝との間に前記薄層の第１の部分が保持され、前記薄層の前記第１の部分は前記太層の前記第１の部分を封入する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の非金属材料は脆性材料を含み、前記第２の非金属材料はアモルファス水分バリア材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の非金属材料は窒化アルミニウムを含み、前記第２の非金属材料は窒化ケイ素を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記太層の前記第１の部分は、前記第１のダイの外周部の近くに連続的に延在し、これにより前記第１のダイの回路網を取囲む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記太層は、少なくとも５００ナノメートルの厚みを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
半導体ダイであって、
第１の切溝縁部を有する基板と、
前記基板の上に配される第１の非金属材料の太層とを含み、前記太層は、前記太層の第１の太縁部と前記第１の切溝縁部との間にマージンを規定し、前記半導体ダイはさらに、
前記太層の上に配される第２の非金属材料の薄層を含み、前記薄層は前記第１の太縁部を封入する、半導体ダイ。
【請求項８】
前記第１の非金属材料は脆性材料を含み、前記第２の非金属材料はアモルファス水分バリア材料を含む、請求項６に記載の半導体ダイ。
【請求項９】
前記第１の非金属材料は窒化アルミニウムを含み、前記第２の非金属材料は窒化ケイ素を含む、請求項７に記載の半導体ダイ。
【請求項１０】
前記半導体ダイはバルク音波（ＢＡＷ）装置である、請求項９に記載の半導体ダイ。
【請求項１１】
前記太層の前記第１の部分は、前記第１のダイの外周部の近くに連続的に延在し、これにより前記第１のダイの回路網を取囲む、請求項７に記載の半導体ダイ。
【請求項１２】
前記太層は、少なくとも５００ナノメートルの厚みを有する、請求項７に記載の半導体ダイ。
【請求項１３】
前記太層は、前記第１の切溝縁部の面に対して接線方向に少なくともある部分が傾斜する断面を有するよう、前記太層の前記第１の太縁部を規定する、請求項７に記載の半導体ダイ。
【請求項１４】
半導体ウェハであって、
第１のダイを含み、前記第１のダイは第１の非金属材料の太層の第１の部分を含み、前記半導体ウェハはさらに、
第２のダイを含み、前記第２のダイは前記第１の非金属材料の前記太層の第２の部分を含み、前記太層の前記第１の部分と前記太層の前記第２の部分とは、前記太層が存在しない個片化通路を規定する、半導体ウェハ。
【請求項１５】
第１のダイは第２の非金属材料の薄層の第１の部分を含み、前記第２のダイは前記第２の非金属材料の前記薄層の第２の部分を含み、前記薄層の前記第１の部分は、前記太層の前記第１の部分の第１の個片化通路縁部を封入し、前記薄層の前記第２の部分は、前記太層の前記第２の部分の第２の個片化通路縁部を封入する、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【請求項１６】
前記第１の非金属材料は脆性材料を含み、前記第２の非金属材料はアモルファス水分バリア材料を含む、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【請求項１７】
前記第１の非金属材料は窒化アルミニウムを含み、前記第２の非金属材料は窒化ケイ素を含む、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【請求項１８】
前記太層の前記第１の部分は、前記第１のダイの外周部の近くに連続的に延在し、これにより前記第１のダイの回路網を取囲む、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【請求項１９】
前記太層は、少なくとも５００ナノメートルの厚みを有する、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【請求項２０】
前記太層は、第１の切溝縁部の面に対して接線方向に少なくともある部分が傾斜する断面を有するよう、前記太層の第１の太縁部を規定する、請求項１４に記載の半導体ウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の背景
１．発明の分野
この発明は、一般的には半導体装置の製造に関し、より特定的には、個片化の間およびその後に半導体ダイを保護するための処理および方法に関する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
２．背景技術
半導体装置はしばしば、装置外周部の周りに保護シールリングを有するように設計される。このようなシールリングは、半導体ウェハから当該装置の鋸引きによる個片化のための整列特性を提供し、鋸引きによる個片化処理の間に欠けおよび／またはひびに対するバリアを提供し、長期間の信頼性を維持するよう水分浸透に対するバリアとして作用する。シールリングは、装置の内部にあるとともに、半導体処理の間に塗布されるアルミニウムのような積層金属層から典型的に形成される。バルク音波（bulk acoustic wave;ＢＡＷ）フィルタフローのようなある半導体処理フローでは、これらの金属層は利用不可能であるか、規定不可能であるか、または望ましくなく、従来のシールリング技術を実行不能にする。したがって、積層金属層に依拠しない改善された半導体シールリングが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
発明の概要
改善された半導体シールリングおよびそのための方法が記載される。シールリングは、太層を含み、この太層の少なくともある部分は、個片化の前に個片化通路から取除かれ、これにより個片化処理の間に太層に対するダメージを回避する。薄い防湿バリア層が、太層の少なくとも縁部をシールするように太層の少なくともある部分の上に配されるのが好ましい。能動回路素子の作製のために好ましくは用いられる太い非金属層が、当該太層として有利に用いられ得る（たとえばバルク音波（ＢＡＷ）フィルタ装置における窒化アルミニウム（ＡｌＮ））。薄いアモルファス非金属層（たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）層）が、好ましくは当該太層の上に配されてもよい。代替的には、他の材料が用いられてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
発明の詳細な説明
この発明は、改善された半導体シールリングおよびそのための方法を対象とする。以下の記載は、この発明の実現例に関する具体的な情報を含む。当業者ならば、この発明は本出願において具体的に論じられるのと異なる態様で実現されてもよいということを認識するであろう。さらに、この発明の具体的な詳細のいくつかは、この発明を不明確にしないように論じられない。本出願において記載されない具体的な詳細は、当業者の知識の範囲内である。
【０００５】
本出願における図面および付随する詳細な説明は、この発明の単なる例示的な実施例を対象にする。簡潔さを維持するよう、この発明の原理を用いるこの発明の別の実施例は、本出願において具体的に記載されず、これら図面によって具体的に示されない。なお、同様の参照番号は概して、さまざまな図面において同様の要素を指し示す。
【０００６】
シールリング作成のための方法は、鋸引き整列、欠け低減、および水分バリアといった
目標を達成するように層の選択的除去を伴う。積層金属層に依拠することなく効果的な欠けの低減を提供する改善されたシールリングは、たとえばＢＡＷフィルタ装置において有用である。ＢＡＷフィルタ装置では、当該装置の能動回路素子を作製する処理において用いられる高配向のＡｌＮ圧電フィルムが典型的に備え付けられる。好ましい解決策では、２つの層の考慮を伴う。第１の層ＡｌＮは、装置の中心的な機能において用いられ、したがって既にウェハ上に存在する。ＢＡＷフィルタ処理では、このＡｌＮ層は、かなり太く（たとえば１〜２μｍ）なり得、脆性破壊の影響を受けやすいパックされた粒状構造において配向され得、かなりのフィルム応力を有し得る。これらの特性の各々は鋸にて著しい欠けを引起し得るので、この層の鋸引きが困難なものになり得る。したがって、鋸引き作業の間にダイが欠ける量を低減することを達成するよう、鋸通路から当該ＡｌＮを取除くことは重要であるとともに新規である。さらに有益であるのは、通路からＡｌＮを取除くのにエッチング処理を用いることであり、これにより、効果的な長期間の水分バリアを提供するよう選択され得るその後に続くパッシベーションフィルムがスムーズにこの境界をカバーおよびシールするように、ＡｌＮの縁部上にテーパされた断面を残す。たとえば、ＳｉＮの第２の層が装置全体をカバーするよう用いられ得、当該ＡｌＮをカバーすることにより水分バリアとして作用する。ＳｉＮは、トポロジーを等角的にカバーするのに良好な高密度なフィルムであり、良好な水分バリアとして公知であるので、よい選択である。通路において当該ＳｉＮをパターニングする必要がないということがわかっている。なぜならば、このさらに薄いアモルファスフィルムを通るダイシングでは、重大な欠けは引起されないからである。さらに有利なことに、ＡｌＮの除去により強く可視的なコントラストが作り出され、鋸引きによる個片化のために装置の縁部を規定する。
【０００７】
少なくとも１つの実施例に従うと、半導体基板の上に配される１つ以上の層は、鋸通路として用いられることになる半導体ウェハの領域において選択的に取除かれる。好ましくは、回路形成のために既に必要とされている層が選択的に取除かれる。好ましくは、このような層はかなりの厚さのものである。好ましくは、残る材料の縁部にて、テーパされた断面が規定される。材料が取除かれることにより良好な水分バリアが提供されないならば、必要に応じて、付加的なパッシベーション層を用いることができる。パッシベーション材料を選択的に終端させることにより、金属のシールリングに優るスペースの節約の利点が与えられる。金属のシールリングは内部回路網に対して固有の幅および間隔を有するので、金属のシールリングがウェハ上において面積の増大を必要とする際に、対処するべく装置の二次元的な増大が必要となる。したがって、付加的な金属層が集積回路処理において利用可能であっても、従来の積層金属シールリングの代わりに、またはそれに加えて、ここに示すような改善されたシールリングを用いることで利点が得られ得る。少なくとも１つの実施例に従うと、薄層（たとえばＳｉＮ層）は、それ自体では薄すぎるので、シリコンウェハの欠けを抑制することができないかもしれない。しかしながら、太層（たとえばＡｌＮ層）ならば、シリコンウェハの欠けを抑制するのに十分太くあり得（ただし自身が欠けないように通路から取除かれるという条件である）、これにより従来の金属シールリングの機能の少なくとも一部として機能する。しかし、太層（たとえばＡｌＮ層）は、それ自体では、長期間にわたる信頼性を維持する適切な防湿バリアを提供し得ない。しかしながら、この太層またはそのある部分を封入する薄層（たとえばＳｉＮ層）が、防湿バリアとして作用することにより、シーリング機能が提供され得る。したがって、少なくとも１つの実施例に従って作製される太層および薄層は、シールリングにとって有益な属性を提供し得、従来の金属シールリングに取って代わり得る。
【０００８】
図１は、少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の平面図である。半導体ウェハ１０１は、複数の個片化通路１０６によって互いに分離される複数のダイ１０２を含む。例示的なダイ１０３は、個片化通路１０５によって例示的なダイ１０４から分離される。
【０００９】
図２は、少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１のある部分の平面図である。半導体ウェハ１０１のある部分は、ダイ１０３および１０４ならびにダイ１０３と１０４との間に規定される個片化通路１０５を含む。ダイ１０３は、例示的な能動回路素子２０５および２０６のような能動回路素子と、例示的な導電性相互接続部２０３、２０９、および２１０のような導電性相互接続部（たとえばビア部）を含む。ダイ１０４は、例示的な能動回路素子２０７および２０８のような能動回路素子と、例示的な導電性相互接続部２０４、２１１、および２１２のような導電性相互接続部（たとえばビア部）とを含む。縁部２１３が、ダイ１０３と個片化通路１０５との間の境界を規定する。縁部２１４が、ダイ１０４と個片化通路１０５との間の境界を規定する。部分２０２が、他の図に関連して参照されるように、図２において示される半導体１０１の当該部分の部分を示す。
【００１０】
図３は、少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の平面図である。部分２０２は、ダイ１０３のダイ部分３０３と、ダイ１０４のダイ部分３０４と、切断通路１０５の通路部分３０５とを含む。ダイ部分３０３は、導電性相互接続部２０３の少なくともある部分を含む。導電性相互接続部２０３は、ボンディングワイヤパッド３０１において終端する。ダイ部分３０４は、導電性相互接続部２０４の少なくともある部分を含む。導電性相互接続部２０４は、ボンディングワイヤパッド３０２において終端する。縁部３１２は、ダイ部分３０３と通路部分３０５との間の境界を規定する。縁部３１３は、ダイ部分３０４と通路部分３０５との間の境界を規定する。
【００１１】
図４は、少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。部分２０２は、基板４０１と、基板４０１の上に作製される特徴部とを含む。「〜の上」という用語（「〜の上に存在する」という用語も同様）は、当該特徴部が、基板４０１の表面の近傍にあるが、それに必ずしも隣接しない層において作製されるということを示すよう用いられる。たとえば、基板４０１の表面と当該特徴部との間に１つ以上の介在層が存在してもよく、当該特徴部は１つ以上の層で実現されてもよい。さらに、「〜の上」という用語（「〜の上に存在する」という用語も同様）は、絶対的な方向性を示すことを意図しない。（たとえば、特徴部が基板４０１の、絶対的な方向性の意味で言う「下」になるように半導体ウェハ１０１が反転されると、当該特徴部はここで用いられる「〜の上」という言葉のように、基板４０１の「上」に残ったままになる。）
導電性相互接続部２０３および２０４は基板４０１の上に作製される。第１の太層部分４０２と第２の太層部分４０３とを含む、第１の非金属材料の太層が、導電性相互接続部２０３および２０４ならびに基板４０１の上に作製される。第１の非金属材料は脆性材料であるのが好ましく、「脆性」とは、個片化の間に構造的なダメージ（たとえば、欠け、ひび、破損など）を受けがちである材料のことを指す。このような「脆性」は、太層が非常に太く（たとえば５００ナノメートルの太さ（たとえば１〜２マイクロメートルの厚さ）より大きい）、太層がパックされた粒状構造において配向し、および／または太層がかなりのフィルム応力を示すといった特性によって例示され得る。「非金属」という用語は、窒化物（たとえばＡｌＮおよび／またはＳｉＮ）のような非金属化合物において金属原子の存在を除外することを意図しない。むしろ、このような化合物は、金属特性を示さないので非金属として考えられる。
【００１２】
太層において、第１の太層部分４０２と第２の太層部分４０３との間にギャップが規定される。第２の非金属材料の薄層４１１が、第１の太層部分４０２、第２の太層部分４０３、および随意であるが、ギャップの上に配される。薄層４１１は好ましくはパッシベーション層であり、好ましくはひび割れしにくい（たとえばアモルファス層として形成される）。さらに、薄層４１１は、好ましくは第１の太層部分４０２および第２の太層部分４０３の縁部をシールするよう防湿バリアを提供する材料から形成されるのが好ましい。薄層４１１は、太層より実質的に薄いので、第１の太層部分４０２と第２の太層部分４０３とを等角的にコーティングし、ギャップの近くにある第１の太層部分４０２および第２の
太層部分４０３の縁部を完全に封入する。したがって、薄層４１１の露出表面は、凸凹を示し、ギャップの領域の少なくともある部分において窪む。
【００１３】
太層において他の特徴部（たとえば能動回路特徴部）を規定するのに用いられる処理を用いてギャップが規定されてもよいので、集積回路の作製において既に用いられ、かつこのような利用のために既にパターニング（たとえばエッチング）されている太層を用いるのが好ましい。以前から存在する太層を用いる場合、太層の通路部分は、通路のためのマスク部分を加えてビア部のための部分をマスクし、これにより太層の通路部分とビア部分とを同時に取除くためのマスクを形成することによって、ビア部から太層のビア部分を取除く際に、通路から除去され得る。これにより、半導体作製処理にさらなる処理ステップを加えることを避ける。好適に太い層（たとえばＡｌＮ層）がまだ存在しなくても、任意の好適に太い層が配され得、通路から選択的に除去され得、次いで任意の好適な薄い不浸透の層（たとえばＳｉＮ層）と重ねられ、これにより従来の金属シールリングに対する代替物が得られる。図４に示される例において理解され得るように、太層のある部分を選択的に除去するとともに薄層を配することにより、太層の下側表面の少なくともある部分が、薄層の下側表面の少なくともある部分と同一平面上になるのが好ましい。
【００１４】
好ましくは個片化通路の上に存在するギャップの上述した少なくともある部分における薄層の窪みは、個片化（すなわちダイシング）通路の位置についての可視標識を与える。当該標識は個片化（すなわちダイシング）処理の間に個片化通路の位置を特定するのに有用である。概略的に示されるように、この窪みは、たとえば照射源（たとえば光源）４０４および４０５によって斜めから光で照らされてもよく、これにより、窪みにおいて、照射角度により、たとえば距離４０８および距離４１０で示される領域にわたって１つ以上の影が落ちる一方、他の領域、たとえば距離４０８および４１０で示される影の領域の間に位置する距離４０９で示される領域にわたってより多くの照射が与えられる。影とより多くの照射を受ける領域との間の照度の差は、たとえば、観察機器（たとえば顕微鏡）４０６を用いて観察者４０７が見る際に観察され得る。このような観察は、ダイを個片化（すなわちダイシング）するのに用いる切断機器（たとえば鋸）の適切な位置を決定するよう用いられ得る。
【００１５】
図５は、少なくとも１つの実施例に従った、個片化の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。個片化が個片化面５１６に沿って行なわれた後、基板４０１の基板部分５０１が基板４０１の基板部分５０２から分離され、薄層４１１の薄層部分５０３が薄層４１１の薄層部分５０３から分離される。薄層部分５０３は、第１の太層部分４０２および基板部分５０１の上に存在する。薄層部分５０４は、第２の太層部分４０３および基板部分５０２の上に存在する。
【００１６】
薄層部分５０３は、第１の太層部分４０２を越えて延在するとともに、第１の太層部分４０２の第１の太層部分端部５０８を完全に封入する薄層部分５０６を含む。薄層部分５０４は、第２の太層部分４０３を越えて延在するとともに、第１の太層部分４０３の第２の太層部分縁部５０９を完全に封入する薄層部分５０７を含む。第１の太層部分４０２および第２の太層部分４０３は相対的に太く、たとえば、厚さ５１５は５００ナノメートルより大きい（たとえば１〜２μｍ）。
【００１７】
個片化は、個片化面５１６と、基板部分５０１の基板表面５１２と、基板部分５０２の基板表面５１３と、薄層部分５０３の薄層部分表面５１０と、薄層部分５０４の薄層部分表面５１１とに沿って、切溝５１４を規定する。なお、個片化面５１６は面として記載され、切溝５１４、基板表面５１２、基板表面５１３、薄層部分表面５１０、および薄層部分表面５１１は平坦な属性を有するように示されるが、個片化の結果得られる固有の粗さにより、それらの平坦な属性には、理想的でない属性の理想的概念が与えられると理解さ
れるべきである。
【００１８】
第１の太層部分縁部５０８および第２の太層部分縁部５０９をそれぞれ封入することにより、個片化の後でも、薄層部分５０６および５０７は長期間の信頼性を維持する防湿バリアを提供し、第１の太層部分４０２および第２の太層部分４０３の欠けを防ぐ。薄層部分５０６と第１の太層部分４０２との間、および薄層部分５０７と第２の太層部分４０３との間の不連続性は、薄層部分５０６および５０７において始まり得る如何なるひびも止める助けをする。これにより、第１の太層部分４０２および第２の太層部分４０３を保護する。さらに、太層は金属シールリングに従来用いられる積層金属層よりも太いことが好ましいので、第１の太層部分４０２および第２の太層部分４０３は、従来の金属シールリングよりも視覚的にさらに顕著であり得、これにより個片化ツール（たとえば鋸）をガイドするさらによい目印を提供する。以前から配されていた層において規定される特徴部の上に付加的な層が配されるので、積層特徴部の高さは累積的である。そのため、実施例は、基板の上での層の積み重ねの中で、任意の高さで位置してもよい層とともに実施され得る。したがって、太層が基板の近くに位置するとともに、１つ以上の他の層によって覆われても、ここに記載される１つ以上の実施例に従って利点が得られ得る。
【００１９】
図６は、少なくとも１つの実施例に従った、任意の下位層の配置の後であるが太層の配置の前である半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。太層の配置の前に、部分２０２は基板４０１ならびに導電性相互接続部２０３および２０４を含む。
【００２０】
図７は、少なくとも１つの実施例に従った、太層の配置の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。太層の配置の後、部分２０２は基板４０１と、導電性相互接続部２０３および２０４と、太層７０１とを含む。なお、太層７０１は選択的に配される必要はないが、基板４０１の上に存在する全表面にわたって配されてもよい。
【００２１】
図８は、少なくとも１つの実施例に従った、太層の少なくとも一部分の選択的な除去の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。太層の少なくとも一部分の選択的除去（たとえばエッチング）の後、ギャップ８０２が第１の太層部分４０２と第２の太層部分４０３との間に規定され、太層７０１の取除かれた部分の下に以前存在した表面８０１を露出する。
【００２２】
図９は、少なくとも１つの実施例に従った、半導体ウェハ１０１のある部分の部分の断面図であり、そこでは太縁部９０１および９０２が傾斜のある断面を有する。図５および図８で示されるように、ギャップ８０２は第１の太層部分縁部５０８と第２の太層部分縁部５０９とが個片化面５１６と実質的に平行な断面を有するように規定されてもよいが、代替的には、ギャップ８０２は第１の太層部分縁部９０１と第２の太層部分縁部９０２とが個片化面５１６と実質的に平行ではないように規定されてもよい。たとえば、第１の太層部分縁部９０１と第２の太層部分縁部９０２とは、個片化面５１６に対して傾斜するように示される。このようなテーパされたまたは傾斜が付けられた縁部は、薄層部分５０６が太層部分縁部９０１を封入するように薄層部分５０３の配置を制御するとともに、薄層部分５０７が太層部分縁部９０２を封入するように薄層部分５０４の配置を制御するために有利であり得る。
【００２３】
図１０は、少なくとも１つの実施例に従った、半導体ウェハ１０１のある部分の部分の断面図であり、そこでは太縁部１００１および１００２が湾曲した断面を有する。選択的な除去処理（たとえば等方エッチング処理）の中には、太縁部１００１および１００２のような、湾曲した断面を有する縁部を有する特徴部を残しがちなものもある。このような湾曲した断面は、連続的な単一の曲率半径または変動する曲率半径を有してもよく、湾曲する断面の同じおよび／または反対の側上での曲率半径を含む。このような湾曲した断面
に対して、任意の数の線が接してもよい。湾曲した断面１００２に接する線の例は、個片化面５１６と、基板表面５１３および薄層部分表面５１１を含む切溝縁部とに対してある角度で交差する接線１００３である。したがって、太層は、第１の切溝縁部の面および／または個片化面５１６に対して少なくともある部分が接線方向に傾斜する断面を有するように太層の太縁部を規定すると言える。図９の線形の第１および第２の太層部分縁部９０１および９０２では、無限の曲率半径を有する湾曲した断面を考慮してもよいので、線形の第１および第２の太層部分縁部９０１および９０２は、第１の切溝縁部の面および／または個片化面５１６に対して接線方向に少なくともある部分が傾斜する断面を有するとも言える。したがって、図１０に示される湾曲した断面は、有限の曲率半径を有する湾曲した断面の特別の場合であると考えられ得る。
【００２４】
図１１は、少なくとも１つの実施例に従った、半導体ダイ１０３の太層取囲回路網のある部分を有する半導体ダイ１０３の平面図である。図１について言及したように、ダイ１０３は、例示的な能動回路素子２０５および２０６のような能動回路素子と、例示的な導電性相互接続部２０３、２０９、および２１０のような導電性相互接続部（たとえばビア部）と、縁部２１３とを含む。第１の非金属層の太層の少なくとも一部分１１０１が、ダイ１０３の回路網（たとえばこれらの能動回路素子）を取囲む。たとえば、ダイ１０３が長方形ならば、当該少なくとも一部分１１０１は、ダイ１０３の第１の縁部の近くの第１の部分１１０２と、ダイ１０３の第２の縁部の近くの第２の部分１１０３と、ダイ１０３の第３の縁部の近くの第３の部分１１０４と、ダイ１０３の第４の縁部の近くの第４の縁部１１０５とを含んでもよく、第１、第２、第３、および第４の部分１１０２、１１０３、１１０４、および１１０５は好ましくは、ダイ１０３の回路網を完全に取囲む太層の連続的な部分を形成するよう互いに隣接する。
【００２５】
図１２は、少なくとも１つの実施例に従った方法のフロー図である。この方法は、ステップ１２０１、１２０２、１２０３、１２０４、１２０５、１２０６、１２０７、１２０８、および１２０９のうちの少なくとも１つを含む。ステップ１２０１では、少なくとも１つの下位層が基板の上に配される。このような層は、たとえばエッチングによりパターニングされてもよく、これにより当該少なくとも１つの下位層の少なくともある部分を残すとともに当該少なくとも１つの下位層の少なくとも別の部分を取除く。ステップ１２０１から、当該方法はステップＳ１２０２に続く。ステップ１２０２では、第１の非金属材料の太層が半導体ウェハの上に配される。ステップ１２０２から、この方法はステップ１２０３に続く。ステップ１２０３では、ウェハの第１のダイとウェハの第２のダイとの間に個片化通路を定義するよう太層の少なくとも第２の部分が選択的に取除かれるとともに、当該第１のダイの上の太層の少なくとも第１の部分は残される。
【００２６】
ステップ１２０３は、ステップ１２０４および／またはステップ１２０５を含んでもよい。ステップ１２０４では、少なくとも１つの能動回路素子が、太層の少なくともある部分を保持することにより規定される。たとえば、バルク音波（ＢＡＷ）装置において、ＡｌＮの太層の少なくともある部分が、ＢＡＷ装置の能動回路素子として機能するよう保持されてもよい。ステップ１２０５では、垂直ではない断面（すなわち、第１の切溝縁部の面および／または個片化面に対して少なくともある部分が接線方向に傾斜する断面）が、太層の保持された部分の縁部の上にて規定される。ステップ１２０３から、この方法はステップ１２０６に続く。
【００２７】
ステップ１２０６では、第２の非金属材料の薄層が、太層の少なくとも１つの保持された部分の上を含んで、ダイの上に配される。ステップ１２０６から、この方法はステップ１２０７へと続く。ステップ１２０７では、太層のある部分が、個片化通路の少なくともある部分の中において選択的に取除かれる。薄層が脆性でなくても、個片化通路の少なくともある部分から薄層の少なくともある部分を取除くことにより、個片化処理の間に当該
個片化通路のよりよい視覚的な規定を与える助けになり得る。薄層が脆性であるならば、個片化通路の少なくともある部分から薄層の少なくともある部分を取除くことで、ひびを低減する助けとなり得、個片化通路のよりよい視覚的な規定を提供する助けとなる。ステップ１２０７から、この方法はステップ１２０８に続く。ステップ１２０８では、個片化通路は、個片化通路の位置特定を容易にするよう照射を受ける。ステップ１２０８から、この方法はステップ１２０９へと続く。ステップ１２０９では、第１のダイを第２のダイから分離するよう、ウェハは個片化通路に沿って切断される。この切断は、太層の第１の部分とウェハを切断することにより規定される切溝との間に薄層の第１の部分を保持するように個片化通路に沿って行なわれるのが好ましく、薄層の第１の部分は太層の第１の部分を封入する。
【００２８】
なお、図１２の１つ以上のステップが省略されてもよい。たとえば、ステップ１２０７が省略される場合、この方法はステップ１２０６からステップ１２０８へと続き得る。第１の非金属材料は脆性材料を含むのが好ましく、第２の非金属材料はアモルファス水分バリア材料を含むのが好ましい。第１の非金属材料は窒化アルミニウムを含むのが好ましく、第２の非金属材料は窒化ケイ素を含むのが好ましい。太層の第１の部分は、好ましくは、第１のダイの外周部の近くに連続的に延在し、これにより第１のダイの回路網を取囲む。太層は、好ましくは少なくとも５００ナノメートルの厚みを有する。
【００２９】
この発明の上記の記載から、この発明の範囲から逸脱することがなければ、この発明の概念を実施するためにさまざまな技術が用いられ得ることは明らかである。さらに、この発明はある実施例を具体的に参照して記載されてきたが、当業者ならば、この発明の精神および範囲から逸脱することがなければ、その形態および詳細において変更がなされ得るということを理解するであろう。したがって、記載された実施例はすべての面において、説明的であって、限定的ではないと考えられるべきである。さらに、この発明はここに記載された特定の実施例に限定されず、この発明の範囲から逸脱することがなければ多くの再構成例、修正例、および代替例が可能であるということは理解されるべきである。
【００３０】
このように、改善された半導体シールリングおよびそのための方法が記載された。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の平面図である。
【図２】少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１のある部分の平面図である。
【図３】少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の平面図である。
【図４】少なくとも１つの実施例に従った半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。
【図５】少なくとも１つの実施例に従った、個片化の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。
【図６】少なくとも１つの実施例に従った、任意の下位層の配置の後であるが太層の配置の前である半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。
【図７】少なくとも１つの実施例に従った、太層の配置の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。
【図８】少なくとも１つの実施例に従った、太層の少なくとも一部分の選択的な除去の後の半導体ウェハ１０１の部分の部分２０２の断面図である。
【図９】少なくとも１つの実施例に従った、太縁部９０１および９０２が傾斜のある断面を有する、半導体ウェハ１０１の部分の部分の断面図である。
【図１０】少なくとも１つの実施例に従った、太縁部１００１および１００２が湾曲した断面を有する、半導体ウェハ１０１の部分の部分の断面図である。
【図１１】少なくとも１つの実施例に従った、半導体ダイ１０３の太層取囲回路網のある部分を有する半導体ダイ１０３の平面図である。
【図１２】少なくとも１つの実施例に従った方法のフロー図である。
【図１】
2009538528.tif 000003
【図２】
2009538528.tif 000004
【図３】
2009538528.tif 000005
【図４】
2009538528.tif 000006
【図５】
2009538528.tif 000007
【図６】
2009538528.tif 000008
【図７】
2009538528.tif 000009
【図８】
2009538528.tif 000010
【図９】
2009538528.tif 000011
【図１０】
2009538528.tif 000012
【図１１】
2009538528.tif 000013
【図１２】
2009538528.tif 000014
【国際調査報告】
2009538528.tif 000015