(57)【要約】【課題】チャック面に対するレチクルの滑りを低減する。【解決手段】例えばマイクロリソグラフィで使用されるレチクル（２５）のような平面体を保持し移動させる装置が開示される。装置の一例はステージ（１２）とチャック本体を含む。ステージは、移動支持面を有する。第１メンブレン（１６ａ，１６ｂ）の基部近傍領域（１８ａ，１８ｂ）は、支持面（１７ａ，１７ｂ）に配置される。第１メンブレンの先端領域（２０ａ，２０ｂ）は、支持面から延び、第１メンブレンが少なくとも部分的にチャックを支持するようにチャック（２２ａ，２２ｂ）とつながる。チャックはそこから複数のピン（４４）が延びる面を含む。その面は先端領域に置かれる。ピンは平面体の領域と接触し平面体を支持するように配置される。支持面の移動に伴うチャックの移動中、該移動によって生じる、ピンに対する平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、ピンの配置が定められる。【選択図】図１
2009537966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面体を保持及び移動させる装置であって、
移動支持面を有するステージと；
チャック本体と；
基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンであって、前記基部近傍領域が前記支持面及び前記支持面から延びた前記先端領域とつながるとともに、少なくとも部分的に前記チャック本体を前記第１メンブレンが支持するように前記チャック本体とつながる、前記第１メンブレンと；を備え、
前記チャック本体は、面及び複数のピンを含み、前記ピンは、前記面に対して延在しかつ、前記面上に並べられかつ、前記面及び先端領域に対して、前記平面体の部分に接触して前記平面体を支持し；
前記支持面の移動に伴う前記チャック本体の移動中、該移動によって生じる、前記ピンに対する前記平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが並べられる、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記チャック本体は、少なくとも１つの真空チャックを含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置において、前記チャック本体は、前記面から延びる壁を含み、前記壁は、前記面及び前記チャック本体に接触する前記平面体の部分と協働して、真空窪みを規定する、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置において、
前記壁は、ランドをそれぞれ有し；
前記ピンは、頂面をそれぞれ有し；
前記装置が前記平面体を保持しているとき、少なくとも前記ピンの前記頂面は集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置において、前記装置が前記平面体を保持しているとき、前記ランドの少なくとも１つは前記頂面とともに集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。
【請求項６】
請求項４に記載の装置において、前記頂面は、前記平面体の下面に接する、装置。
【請求項７】
請求項４に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つのランドは、前記平面体の下面に接触する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置において、前記ピンは、前記支持面によって移動される前記チャック本体の走査方向に、少なくとも１つの縦列に配置される、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置において、前記ピンは、複数の縦列に配置される、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置において、前記ピンは、同じ形状である、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置において、前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置において、前記第１メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置において、前記第１メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置において、
前記チャック本体は、それに対して前記ピンが延びる面を含む第２メンブレンをさらに含み；
前記第２メンブレンは、前記先端領域につながり；
前記ピンは、前記平面体に接して前記第２メンブレンに対して前記平面体の前記部分を支持する、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置において、
前記ステージは、互いに離間した第１及び第２支持面を有し；
前記チャック本体は、第１チャック部及び第２チャック部を含み；
前記第１メンブレンは、前記第１支持面に配置されかつ前記第１支持面から延びる第１メンブレン部と、前記第２支持面に配置されかつ前記第２支持面から延びる第２メンブレン部とを含み；
前記第１チャック部は、前記第１メンブレン部の先端領域に配置され；
前記第２チャック部は、前記第２メンブレン部の先端領域に配置される、装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置において、前記チャック本体は、少なくとも１つの真空チャックを含む、装置。
【請求項１８】
請求項１５に記載の装置において、前記チャック本体は、前記第２メンブレンから延びる壁を含み、前記壁は、前記第２メンブレンと前記チャック本体に接する前記平面体の一部と協働して、真空窪みを規定する、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置において、
前記壁は、ランドをそれぞれ有し、
前記ピンは、頂面をそれぞれ有し、
前記装置が前記平面体を保持しているとき、少なくとも前記ピンの前記頂面は集合的に、前記平面体に接触して前記平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つのランドは集合的に、前記チャック面を規定する、装置。
【請求項２１】
請求項１９に記載の装置において、少なくとも前記頂面は、前記平面体の下面と接する、装置。
【請求項２２】
請求項２０に記載の装置において、前記頂面及び少なくとも１つの前記ランドが、前記平面体の下面と接する、装置。
【請求項２３】
請求項１８に記載の装置において、前記壁は、前記第２メンブレンと一体である、装置。
【請求項２４】
請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、前記支持面によって移動される前記チャック本体の走査方向に少なくとも１つの縦列で配置される、装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置において、前記ピンは、複数の縦列に配置される、装置。
【請求項２６】
請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、同じ形状である、装置。
【請求項２７】
請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。
【請求項２８】
請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。
【請求項２９】
請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。
【請求項３０】
請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。
【請求項３１】
請求項１５に記載の装置において、前記第２メンブレンは、インバー及びゼロデュア（登録商標）からなるグループから選択される材料から作られる、装置。
【請求項３２】
請求項１５に記載の装置において、前記ピンは、前記第２メンブレンと同様の材料からなり、前記第２メンブレンと一体である、装置。
【請求項３３】
請求項１５に記載の装置において、前記壁の少なくとも１つは、前記第２メンブレンと同じ材料からなる、装置。
【請求項３４】
レチクルを保持及び移動させる装置であって、
第１及び第２移動支持面を含むステージと；
前記支持面のそれぞれに配置されかつ第１及び第２チャック部を含むレチクルチャックであって、各チャック部は、第１領域及び第２領域を含む第１メンブレンを含む、前記レチクルチャックと；
前記第１領域は、前記第２領域が前記第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように前記第１及び第２支持面にそれぞれ配置され；
前記第１及び第２チャック部は、前記第２領域にそれぞれ配置され；
各チャック部は、壁と、各面から延びた独立ピンとを含み、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに前記面及び壁が集合的に真空窪みを規定し；
各チャック部において、少なくともピンが前記レチクルの領域と接して前記領域を支持し；
前記ステージによる前記レチクルチャックの移動中、前記移動によって生じるせん断力によって、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが構成及び配置される、装置。
【請求項３５】
請求項３４に記載の装置において、前記独立ピンは、各チャック部の表面上において複数の列に配置される、装置。
【請求項３６】
請求項３４に記載の装置において、各チャック部の少なくとも１つの壁が接触ランドを備える、装置。
【請求項３７】
請求項３６に記載の装置において、各チャック部における少なくとも１つの接触ランド及び前記ピンの頂部が集合的に、平坦かつレチクルの部分を保持するよう構成されるチャック面を規定する、装置。
【請求項３８】
請求項３４に記載の装置において、少なくとも１つのチャック部における前記ピンは、実質的に同じ形状である、装置。
【請求項３９】
請求項３４に記載の装置において、前記ピンは、実質的に同じ剛性を有する、装置。
【請求項４０】
請求項３４に記載の装置において、少なくともいくつかの前記ピンは、様々な剛性を有する、装置。
【請求項４１】
請求項３４に記載の装置において、前記第１メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。
【請求項４２】
請求項３４に記載の装置において、前記第１メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。
【請求項４３】
請求項３４に記載の装置において、各チャック部は、前記面を含む第２メンブレンを含む、装置。
【請求項４４】
請求項４３に記載の装置において、前記第２メンブレンは、実質的に一様の厚みを有する、装置。
【請求項４５】
請求項４３に記載の装置において、前記第２メンブレンは、様々な厚みを有する、装置。
【請求項４６】
処理装置と；
前記処理装置に対して平面体を保持及び移動させるための、請求項１に記載の装置と、を備える、処理システム。
【請求項４７】
レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板に刻む結像光学系と；
前記結像光学系に対して置かれ、移動支持面を含むレチクルステージと；
前記支持面に配置され、少なくとも１つのチャック部を含むレチクルチャックと；を備え、
前記チャック部は、基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンであって、前記基部近傍領域が前記支持面及び前記支持面から延びた前記先端領域とつながり、かつ少なくとも部分的に前記レチクルチャックを前記第１メンブレンが支持するように前記チャック部とつながる、前記第１メンブレンを含み；
前記チャック部は、面及び前記面から延びる複数のピンを含み、前記面は、前記第１メンブレンの前記先端領域に置かれ、前記ピンは、前記面上に並べられかつ、前記レチクルの部分に接して前記面に対して前記レチクルを支持し；
前記支持面の移動に伴う前記レチクルチャックの移動中、該移動によって生じる、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが並べられる、マイクロリソグラフィシステム。
【請求項４８】
請求項４７に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いたマイクロリソグラフィ処理を少なくとも含むプロセスによって製造されたマイクロ電子デバイス。
【請求項４９】
請求項４７に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いて実行されるマイクロリソグラフィプロセス。
【請求項５０】
レチクル上に規定されたパターンをリソグラフィック基板に刻む結像光学系と；
前記結像光学系に対して置かれ、第１及び第２移動支持面を含むレチクルステージと；
前記支持面に配置されかつ第１及び第２チャック部を含むレチクルチャックであって、各チャック部はそれぞれ第１領域及び第２領域を含む第１メンブレンを含む、前記レチクルチャックと；を備え、
前記第１領域は、前記第２領域が前記第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように前記第１及び第２支持面にそれぞれ配置され；
前記第１及び第２チャック部は、前記第２領域にそれぞれ配置され；
各チャック部は、面と、壁と、前記面から延びた独立ピンとを含み、レチクルの各領域が前記チャック部に置かれたときに、前記面及び壁が集合的に真空窪みを規定し；
少なくとも前記ピンが前記レチクルの領域と接して前記レチクルを支持するように構成され；
前記ステージによる前記レチクルチャックの移動中、前記移動によって生じるせん断力によって生じる、前記ピンに対する前記レチクルの滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、前記ピンが構成及び配置される、マイクロリソグラフィシステム。
【請求項５１】
請求項５０に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いたマイクロリソグラフィ処理を少なくとも含むプロセスによって製造されたマイクロ電子デバイス。
【請求項５２】
請求項５０に記載のマイクロリソグラフィシステムを用いて実行されるマイクロリソグラフィプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この開示は、特に、マイクロリソグラフィック・インプリンティングを含むプロセスによって製造可能な半導体マイクロデバイス、ディスプレイ、及び他の精密構造を有する製品の製造に用いられる主要なイメージング技術であるマイクロリソグラフィに関する。より具体的には、この開示は、レチクル及び他の平面体を保持する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的な投影マイクロリソグラフィシステムにおいて、露光用感光基板の表面に投影されるパターンは、「マスク」とも呼ばれる「レチクル」によって規定される。マイクロリソグラフィシステムにおいて、レチクルは、リソグラフィック露光の間に、要求に応じて精密かつ高精細な移動が可能なステージに搭載される。レチクルステージ上に搭載されているレチクルは、光ビーム（例えば、遠紫外又は真空紫外光のビーム）によって照明される。レチクルからのビームは下流に伝わり、ビームは照明パターンの空間像を運ぶ。この下流のビームは、「パターンビーム」又は「像ビーム」と呼ばれ、要求に応じてパターンビームを条件付けかつ成形する投影光学系を通り、フォーカスされたパターンの像を露光用感光リソグラフィック基板（例えば、レジストが塗布された半導体ウエハ）の表面に形成する。露光のためには、基板もまた「基板ステージ」又は「ウエハステージ」と呼ばれる移動可能なステージに搭載される。
【０００３】
リソグラフィック露光の実行中にレチクル（一般には水平に）を保持するために、レチクルステージには、レチクルステージの移動面に配置される「レチクルチャック」が備えられる。レチクルチャックは、精巧なレチクルの損傷を避けながらのイメージングに好適な手法でレチクルを保持する。例えば、いくつかのレチクルチャックは、レチクルに対する真空力を使ってレチクルを保持する。他のレチクルチャックは、静電気又はローレンツ力を使ってレチクルを保持する。光ビームがレチクルを通過するマイクロリソグラフィシステムにおいて、レチクルチャックは通常、レチクルの周辺周りに（又は少なくとも２つの対向する側部に沿って）、レチクルを保持（チャック）するよう構成され、これにより、レチクルのパターン領域の支持を避けている。レチクルの質量によって、支持されていないレチクルの中央領域は、重力でたわむ傾向にある。たわみはレチクルを変形させ、何らかの手法において修正又は補償しなければ、マイクロリソグラフィシステムにおける結像性能の品質低下を招く可能性がある。
【０００４】
マイクロリソグラフィシステムの性能に関して２つの重要な手段は、オーバーレイ及び結像の品質である。結像品質は解像度、正確性、鮮明性、コントラストなどの様々なパラメータを含む。「オーバーレイ」は、現在の像を結像目標位置に位置づける精密性及び正確性に関する。例えば、適切なオーバーレイは、基板上にすでに形成された下層構造に像が位置合わせされることを要求する。
【０００５】
チャックされたレチクルの変形は、オーバーレイ及び結像の品質に直接的な影響を及ぼす。レチクルのたわみが避けられないとき、理想的な変形は、走査軸（ｙ軸）に関して最大で２次（放物線状）である。下流の光学系（例えば、投影光学系）に対する適切な調整は、この種のレチクル変形を補償できるものの、通常はレチクルごとに変形が異なるので、異なるレチクルがチャックされる度に下流の光学系を調整するのは実用的でない。
【０００６】
チャックされたレチクルについて、レチクルがチャックに接している複数の領域において局部的な摩擦力が確立され、こうした摩擦力はレチクルステージの移動の間、チャック上におけるレチクルの位置を保持するための鍵となる。しかし、こうした摩擦力は、レチクルステージの加速及び減速時におけるレチクルとチャックとの間の局所的なせん断応力に打ち勝つには十分でない可能性がある。せん断応力は、チャックに対してレチクルが滑る原因となり得る。また、レチクル滑りの結果、加速又は減速の後に、レチクル及びチャックが元の形状や元の位置関係に戻らない可能性がある。このような場合、レチクル及びチャック内に生み出される残留応力が、リソグラフィック露光時のレチクルステージの走査動作中における不都合なゆがみの原因となり得る。レチクル滑りが招く他の結果として、レチクルと、レチクルの位置を決定するのに用いられる干渉計との間の相対位置の再現不能な変化がある。この変化はオーバーレイの精度に直接的に影響する。
【０００７】
これらの課題に対して、従来より、レチクルステージ全体にわたる熱的及び機械的な歪みを制御する試みがなされている。しかしながら、マイクロリソグラフィシステムの継続的世代においてステージのより高い加速性が要求される中、またオーバーレイの仕様水準が厳しくなる中で、この試みの限界が明らかになってきている。
【０００８】
Gilissen等の米国特許第６，９５６，２２２号には、この課題を解決するためのひとつの取り組みが開示されており、すなわち、テーブル上で延在する「ピンプルプレート（pimple plate）」にレチクルが置かれ、ピンプルプレートとテーブルとの間にはすき間が設けられる。ピンプルプレートは、硬質材料（ガラス又はセラミック）からなり、レチクルに接する多数の突起を有する。レチクルは、静電吸着によって、ピンプルプレート上に保持される。ピンプルプレートは、静電吸着によって、メンブレン上に保持される。ピンプルプレートの下側は、テーブルに設けられた支持ピンによって支持されている。ピンプルは、３方向（ｘ、ｙ、ｚ）すべてにおいて高剛性を有する。残念ながら、レチクルを保持しているレチクルステージの加速及び減速中に、レチクルについてピンプルプレートに対して許容できない量の滑りが生じ、また、ピンプルプレートについてメンブレンに対して許容できない量の滑りが生じる。
【０００９】
Donders等の米国特許第６，４８０，２６０号には、この課題を解決するための他の取り組みが開示されており、本内容をここに援用する。この２６０特許によれば、（ｙ方向（走査方向）に対する）レチクルの２つの対向する側（側面）領域が、互いに平行に配置される「従属部材」に補助されて、レチクルステージに保持される。好ましい実施形態において、各従属部材は、レチクルの側領域に沿った、またレチクルステージの側領域に沿った、縦に延びる細長い形状を有する。従属部材の１つの側領域は、レチクルステージの側領域に配置され、従属部材の他の側領域は、片持ち式でレチクルステージの端部から張り出している。各従属部材の片持ちの側領域の全長に沿って延び、また上方に突出された短い壁が「真空スペース」を取り囲みかつ規定する。壁及び真空スペースは集合的にレチクル「チャック」を規定する。対応するレチクルの下側は、集合的に「チャック面」となる壁の頂部（ランド）上に実際は置かれる。真空スペースを真空にすることにより、レチクルがチャック面に保持される。従属部材は、ｚ方向に従属性を示し、レチクルの形状に従って若干たわむものの、壁と同様に、それらはｘ−ｙ方向に高剛性を有する。少なくとも３つのピンがチャックの下側とレチクルステージの上面との間で延在する（すなわち、１つのチャックの真下に２つのピンがあり、他のチャックの真下に１つのピンがある）。１以上のピンが真空スペースに配置可能であり、レチクルにおけるチャック領域に対して追加的な支持がなされ、これらの構成は、「ピンチャック」と呼ばれる。この方法においても、チャックされたレチクルを支持しているレチクルステージの加速及び減速中において、チャック面に対して許容できない量のレチクルの滑りがいまだ生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第６，９５６，２２２号
【特許文献２】米国特許第６，４８０，２６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来のレチクルチャックのこうした事情に鑑みると、レチクルのキネマティック支持を維持しつつ、チャック面に対するレチクルの滑りがより低減された（又は完全に解消された）状態で、レチクルステージ上にレチクルがチャックされれば有利である。こうした目標の達成は、リソグラフィック露光中におけるオーバーレイのエラーなどの実質的な原因を取り除くだろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１態様に従えば、レチクルなどの平面体を保持及び移動させる装置が提供される。装置の一実施形態は、ステージ及びチャック本体を含む。ステージは、移動支持面を有する。装置は、基部近傍領域と先端領域とを含む第１メンブレンを含む。基部近傍領域は支持面につながる。先端領域は支持面から延び、第１メンブレンが少なくとも部分的にチャック本体を支持するように、チャック本体につながる。チャック本体は、面と多数のピンを含む。面は、第１メンブレンの先端領域に置かれる。ピンは、面に対して延在しかつ、面上に並べられかつ、平面体の部分に接して面に対して平面体を支持する。支持面の移動に伴うチャック本体の移動中、その移動によって生じる、ピンに対する前記平面体の滑りが各ピンで実質的に同じとなるように、ピンが並べられる。
【００１３】
上記概要の装置のある実施形態において、ステージは、互いに離間した（しかし望ましくは同期的に移動する）第１及び第２支持面を有する。チャック本体は、第１チャック部と第２チャック部を有し、第１メンブレンは、第１支持面に配置されかつ第１支持面から延びる第１メンブレン部と、第２支持面に配置されかつ第２支持面から延びる第２メンブレン部とを含む。第１チャック部は、第１メンブレン部の先端領域に配置され、第２チャック部は、第２メンブレン部の先端領域に配置される。
【００１４】
チャック本体は、例えばレチクルのための、少なくとも１つの真空チャックを含むことができる。この構成及び他の構成において、チャック本体は、面から延びる壁を含むことができる。壁は、望ましくは、面及びチャック本体に接する平面体の部分と協働して、真空窪み（キャビティ）を規定する。
【００１５】
壁はランドをそれぞれ有し、ピンは頂面をそれぞれ有する。装置が前記平面体を保持しているとき、ピンの頂面（及び適宜にランドの少なくとも１つ）は集合的に、平面体に接して平面体を少なくとも部分的に支持するチャック面を規定する。ピンの頂面（及び適宜にランドの少なくとも１つ）が、平面体の下面と接する。壁は面と一体にできる。少なくとも壁の１つが面と異なる材料からなりかつ、面に配置することが可能である。
【００１６】
ピンは、支持面によって移動されるチャック本体の走査方向に少なくとも１つの縦列に配置できる。  ピンは、複数の縦列に配置できる。ピンは、実質的に同じ剛性又は様々な剛性を有することができる。
【００１７】
装置は、そこからピンが延びる面を含む第２メンブレンを含むことができる。第２メンブレンは、実質的に一様の厚さ又は様々な厚さを有することができる。第２メンブレンは、インバー、及びゼロデュア（登録商標）などからなることができるが、これらに限定されない。ピンは、第２メンブレンと一体にでき、また、第２メンブレンと同じ材料からなることが可能である。
【００１８】
第２メンブレンを含む実施形態において、壁の少なくとも１つが第２メンブレンと同じ材料からなることができる。
【００１９】
他の態様に従えば、レチクルを保持及び移動させる装置が提供される。こうした装置の実施形態は、第１及び第２移動支持面を有するステージを備える。装置はまた、支持面に配置されるレチクルチャックを備える。レチクルチャックは、第１及び第２チャック部を含む。各チャック部は、第１領域及び第２領域を有する第１メンブレンをそれぞれ含む。第１領域は、第２領域が第１及び第２支持面から互いに向かって延びるように第１及び第２支持面にそれぞれ配置される。第１及び第２チャック部は、第２領域にそれぞれ配置される。各チャック部は、面（これは第１メンブレン又は第１メンブレンの一部に配置される第２メンブレンの一部にできる）と、壁と、面から延びる独立ピンとをそれぞれ含む。レチクルの各領域がチャック部に置かれたときに面及び壁が集合的に真空窪みを規定する。壁は、ランドをそれぞれ備え、これらはコンタクト又は非コンタクトのランドとなり得るものであり、コンタクトランドはレチクルの下面に接し、非コンタクトランドは接しない。少なくともピン（及び適宜に少なくとも１つのランド）がレチクルの領域と接してレチクルを支持する。ステージによるレチクルチャックの移動中、移動によって生じるせん断力によって、ピン（及びコンタクトランド）に対するレチクルの滑りが各ピン及びコンタクトランドで実質的に同じとなるように、ピンが構成及び配置される。
【００２０】
代替的な実施形態において、上記概要のように、ピン、ピンの列、壁、ランド、真空窪みなどについて、様々な構成が考えられる。ある実施形態において、各チャック部のピンの頂部（及びランド）は、一の面内に置かれ、レチクルの部分を保持するように構成されるチャック面を集合的に規定する。
【００２１】
本発明について前述の及び追加の特徴部分及び利点は、添付の図を参照した、以下の詳しい説明から容易に明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１Ａ】平面体を保持及び移動させるための装置の一例としての、キネマティックレチクルチャックの第１の代表的実施形態を示す平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡにおけるＢ−Ｂ線に沿った断面立面図である。
【図２】チャックされたレチクルの２次変形を示しており、走査軸に関して放物線状の輪郭を示している。
【図３Ａ】ピンが同じ長さでない第４の代表的実施形態におけるキネマティックレチクルチャックの一部を示す模式的な正面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示したキネマティックレチクルチャックの代替的な構成の一部を示す模式的な正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の説明は、代表的な実施形態を説明するものであって、発明を限定する意図はない。
【００２４】
以下の説明において、「上（up）」、「下（down）」、「上の（upper）」、「下の（lower）」、「水平の（horizontal）」、「鉛直の（vertical）、「左の（left）」、「右の（right）」などの用語が使用される。これらの用語は、相対関係を扱う際に、その説明をある程度明確にするものである。しかし、これらの用語は、関係、位置、及び／又は方向性について絶対的なものを示すことを意図するものではない。例えば、物体に関し、その物体を単にひっくり返すことで「上」面は「下」面となり得る。しかしながらこれは同じ物体である。
【００２５】
本開示において、「レチクル」は、マイクロリソグラフィ及び関連技術において使用される、パターンを決定づける物体（パターンマスター）を示すのに用いられる。マイクロリソグラフィによく用いられる、パターンマスターを示す他の用語として「マスク」があり、「レチクル」は、マスク及びマイクロリソグラフィに用いられる他のパターンマスターを含むものとして理解されるだろう。
【００２６】
＜第１の代表的実施形態＞
図１Ａ及び１Ｂは、キネマティックレチクルチャック１０の第１の代表的実施形態を示す。図１Ａは、ｘ−ｙ平面に関する平面図であり、ｙ方向が走査方向である。レチクルステージ１２の左部１４ａ及び右部１４ｂが示されており、それぞれ各支持面１７ａ，１７ｂが現れている。部分１４ａ，１４ｂは、ｙ方向において互いに平行に延び、ｘ方向において互いに対向する。支持面１７ａ，１７ｂには、フレキシブル部材（ここでは第１メンブレン（第１膜状部材）と称する）１６ａ，１６ｂがそれぞれ取り付けられている。各第１メンブレン１６ａ，１６ｂは、レチクルステージ１２の支持面１７ａ，１７ｂにそれぞれ取り付けられた第１の側領域１８ａ，１８ｂと、各部分１４ａ，１４ｂから片持ち式に張り出した第２の側領域２０ａ，２０ｂとを有する。つまり、第１の側領域１８ａ，１８ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「近接した」領域であり、第２の側領域２０ａ，２０ｂは、第１メンブレン１６ａ，１６ｂにおける（支持面１７ａ，１７ｂに対してそれぞれ）「先端の」領域である。各第２の側領域２０ａ，２０ｂの上方に向いた表面には、真空チャック２２ａ，２２ｂが搭載されている。真空チャック２２ａ，２２ｂは、レチクル２５を支持する。
【００２７】
図１Ｂに示すように、各真空チャック２２ａ，２２ｂとそれぞれの第２の側領域２０ａ，２０ｂとの間には、真空チャックを第２の側領域のそれぞれの表面から（ｚ方向に）わずかに持ち上げるスペーサ２４ａ，２４ｂがある。
【００２８】
真空チャック２２ａは、スペーサ２４ａの上面に搭載されている。真空チャック２２ａは、基部（第２メンブレン又はウェブとも称する）２８を含み、そこから壁３０，３２がｚ方向に突出されている。
【００２９】
壁３０，３２は、「ランド」と呼ばれる上面３４，３６をそれぞれ有する。図においては、第２メンブレン２８の表面の上方において、すべてのランドが同じ高さとなっているが、これに限定されない。
【００３０】
本実施形態において、ランド３４，３６のすべては、第２メンブレン２８の上方において実質的に同じ高さを有しており、ｘ−ｙ方向に延在しかつレチクルが置かれる「チャック面」を規定する（図１Ｂ）。レチクル２５、第２メンブレン２８、及び壁３０，３２はまとめて、真空窪み３３を規定し、これは、第２メンブレン２８を通って延びるポート４６を介して真空引きされる。真空窪み３３内の減圧は、レチクルをランド３４，３６におしつける。
【００３１】
本実施形態は、従来のレチクルチャックで生じる重要な課題、すなわち、真空チャックがレチクルに接触する箇所で生じる、不均一なせん断力による滑りの課題を解決する。本実施形態において、真空チャック２２ａ，２２ｂ上でレチクルが滑るような大きさを有する加速又は減速をレチクル２５が受けたとしても、真空チャックにレチクルが接触している各箇所における滑りポイント（せん断応力の大きさ）は実質的に同じである。
【００３２】
第１メンブレン１６ａ，１６ｂ及び第２メンブレン２８，２８ｂを製造するための材料の例として、インバー、及びゼロデュア（ドイツ、ショット社製のガラスセラミックの登録商標）が挙げられる。負担をより少なくする利用のために、いくつかの金属を代替的に使用可能である。特に望ましい材料は、極低熱膨張率を有しており、上述のリストはレチクルを製造するための候補となる材料リストと似ている。レチクルチャックは、これらの材料のいずれかで作成可能であり、第１メンブレンと同じ材料又は異なる材料で作成可能である。
【００３３】
壁３０，３２及びランド３４，３６は、第２メンブレン２８と同じ材料で作成する必要はない。
【００３４】
本実施形態において、壁３０，３２はランド３４，３６をそれぞれ有し、それらはすべて（ピンの頂部として）同じｘ−ｙ面内にある。このことは、本実施形態において、第２メンブレン２８の上面に対して、壁３０，３２のすべてが等しい高さである構成によって達成される。しかし、本実施形態のように、すべてのランドが同じ平面にあることには限定されない。代替的な実施形態において、後述するように、壁の少なくとも１つ（例えば、外側の壁）が他の壁（例えば、内側の壁）よりも短くでき、これにより、短い壁のランドがピン頂部のｘ−ｙ面よりも低く置かれ、ランドとレチクルの下側との間のギャップがそのまま残る。
【００３５】
本実施形態において、壁３０，３２ｄは互いに連続的であるが、これに限定されない。少なくとも１つの短い壁又はその長さに沿った少なくとも１つのギャップを有する壁を有する真空チャックは、真空窪み３３用の漏れやすいシールを形成する。
【００３６】
第１メンブレン１６ａ，１６ｂの第１の側領域１８ａ，１８ｂは、適切な様々な手段によって、レチクルステージの各支持面１７ａ，１７ｂに取り付け可能である。典型的な手段としては接着手段が含まれる。
【００３７】
上述した実施形態において、各真空チャック２２ａ，２２ｂは、独立して立つピン４４からなる複数の列を含む（２つの列が図示されている）。
【００３８】
本実施形態に基づくレチクルチャックに置かれたレチクルは、重力による撓みが生じ得るとされ、これは、この方法で支持される物体にとって概ね避けられない。図２は、理想的なレチクルの変形形状を示す。この理想的な変形は、走査軸（ｙ軸）に関して最大で２次のものである。
【００３９】
すでに述べたように、マイクロリソグラフィシステムの性能に関して２つの重要な手段は、オーバーレイ及び結像である。保持されたレチクルの変形は、オーバーレイ及び結像に直接的な影響を及ぼす。しかし、その変形が走査軸に関して最大で２次（放物線状）であるとき、下流の光学系について、変形の影響を補償するための調整が容易に可能である。本実施形態はこの目標を達成する。また、異なるレチクルは異なる平坦性（フラットネス）を有するものの、本実施形態において、レチクルチャックはレチクルをキネマティックに支持しており、そのため、レチクルのフラットネスの違いが、保持に伴うレチクルの変形に影響しない。また、レチクルステージがｙ方向に繰り返し加減速される状況にあっても、本実施形態はレチクルを確実に保持する。したがって、オーバーレイにおけるエラーが最小化される。
【００４０】
＜第２の代表的実施形態＞
通常の接触応力に対するせん断応力の割合が、真空チャックに接触するレチクルのすべての箇所で実質的に等しくなるように、様々な実施形態が構成される。代替的に、その応力を望ましい方法でポイントごとに変えるために、レチクルと真空チャックとの間のせん断応力を振り分けることができる。簡単な実施形態において、ピンのせん断／曲げ剛性を制御可能に変化させることによってこの変化が達成される。例えば、ピンのサイズ（長さ）を変化させることで、それらのせん断／曲げ剛性の相応の変化を生み出すことができる。
【００４１】
実施例を、図３Ａ及び３Ｂに示す。図３Ａに、レチクル２５の一部分、レチクルステージ部１４、及び第１メンブレン１６ａを、真空チャック１２０とともに示す。真空チャック１２０は、先端の短い壁１２２、基部に近い長い壁１２４、及び階段状の第２メンブレン（ウェブ）１２８の表面から上方に延在する独立したピン１２６ａ，１２６ｂ、１２６ｃを含む。なお、第２メンブレン１２８は、第１メンブレン１６ａを単に延ばしたものとすることができる。例として、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃは、０．２５から２．５ｍｍまで高さが変化する。レチクル２５は、ピン１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃの頂部上のみならず、壁１２２，１２４によって規定されるランド１３０ａ，１３０ｂ上にも置かれる。ランド１３０ａ，１３０ｂは、レチクル２５におけるチャック部分の真下の領域を囲み、真空窪み１３２を規定する。
【００４２】
代替的構成を示す図３Ｂにおいて、真空チャック１４０の壁１４２，１４４は、独立ピン１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃよりも短い。壁１４２，１４４が備えるランド１４８ａ，１４８ｂは、真空窪み１５０の規定にあたって、レチクル２５の下面に真空の「シール」を効果的にもたらす。基部１５２は階段状からなり、これはピン１４６ａ−１４６ｃの異なる長さに対応している。なお、ウェブの厚さも変化している。
【００４３】
この典型的な実施形態は、レチクルとレチクルチャックとの間のせん断応力を所定の方法で分配することによって、レチクルが滑ることなく、レチクルのより高い加速を可能にする。
【００４４】
典型的な様々な実施形態の内容について開示したが、本発明の範囲はそれらの実施形態に限定さない。一方、本発明は、添付の請求の範囲に規定された、本発明の精神と範囲内にあるすべての変形、代替、及び等価物を含むものとする。
【符号の説明】
【００４５】
１０：レチクルチャック、１２：レチクルステージ、１４：レチクルステージ部、１６ａ，１６ｂ：メンブレン、１７ａ，１７ｂ：支持面、２２ａ，２２ｂ：真空チャック、２４ａ，２４ｂ：スペーサ、２５：レチクル、２８：メンブレン、３０，３２：壁、３４，３６：ランド、４４：ピン、１２０：真空チャック、１２２，１２４：壁、１２６ａ，１２６ｂ，１２６ｃ：ピン、１２８：メンブレン、１３０ａ，１３０ｂ：ランド、１４０：真空チャック、１４２，１４４：壁、１４６ａ，１４６ｂ，１４６ｃ：ピン、１４８ａ，１４８ｂ：ランド
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【国際調査報告】
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