(57)【要約】  本発明は、ドーパント、電荷注入層、電極材料、あるいは、ストレージ材料としての平面正方形遷移金属錯体の使用に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品または光電子部品の、有機半導体マトリクス材料をドーピングするためのドーパントとして、または、電荷注入層、電極材料、あるいは、ストレージ材料としての平面正方形遷移金属錯体の使用であって、
上記平面正方形遷移金属錯体が、以下の化学式（Ｉ）または（ＩＩ）；
【化１】
2009537676.tif 000005
【化２】
2009537676.tif 000006
（ここで、
式中のＭは、元素周期表の第８〜１１族に属する遷移金属のうちの１つであり、
また、式中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、及びＸ４は、Ｓ、ＮＲ５、及び、ＰＲ５からなる群からそれぞれ独立して選択される１つであり、当該Ｒ５は、直鎖または分岐アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、縮合芳香環、供与基、及び、受容基からなる群から選択される１つの置換体または非置換体であり、
また、式中のＲ１及びＲ２は、芳香族化合物、複素環式芳香族化合物、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、及び、ニトリルからなる群からそれぞれ独立して選択される１つの置換体または非置換体であり、
また、式中のＬ１及びＬ２は、芳香族アミン、芳香族ホスフィン、ハロゲン、擬ハロゲン、ＮＣＳ、ＳＣＮ、及び、ＣＮからなる群からそれぞれ独立して選択される１つである）
を有していることを特徴とする、平面正方形遷移金属錯体の使用。
【請求項２】
式中の上記Ｍは、ニッケル、銅、パラジウム、白金、鉄、コバルト、ルテニウム、及び、オシミウムからなる群から選択される１つであり、より好ましくは、ニッケル、パラジウム、白金、及び、鉄からなる群からから選択される１つであることを特徴とする請求項１に記載の、平面正方形遷移金属錯体の使用。
【請求項３】
式中の上記Ｒ１及上記Ｒ２は、置換フェニルから選択され、より好ましくは、トリフルオロメチルフェニル、アニシル、トリル、２−ピリジル、メチル、プロピル、イソプロピル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、及び、トリクロロメチルからなる群から選択された１つであることを特徴とする請求項１または２に記載の、平面正方形遷移金属錯体の使用。
【請求項４】
少なくとも１種類の有機マトリクス化合物と、ドーパントとを含有する有機半導体材料であって、
請求項１から３までの何れか１項に記載の平面正方形遷移金属錯体の少なくとも何れかを、上記ドーパントとすることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項５】
マトリクス分子に対するドーパントのドーピングモル比、またはポリマーマトリクス分子をモノマー単位で換算したものに対するドーパントのドーピング比が、２０：１から１：１００，０００の範囲であり、好ましくは１０：１〜１：１，０００の範囲、より好ましくは１：１〜１：１００の範囲であることを特徴とする請求項４に記載の有機半導体材料。
【請求項６】
電子的及び機能的に活性している活性領域を有する電子または光電子部品であって、
請求項１から３までの何れか１項に記載の平面正方形遷移金属錯体の少なくとも何れかが、上記活性領域に含まれていることを特徴とする電子または光電子部品。
【請求項７】
上記活性領域は、電子特性を変えるために少なくとも１種類のドーパントによってドーピングされた有機半導体マトリクス材料を含有しており、
請求項１から３までの何れか１項に記載の平面正方形遷移金属錯体の何れかを上記ドーパントとすることを特徴とする請求項６に記載の電子または光電子部品。
【請求項８】
有機発光ダイオード、光電池、有機太陽電池、有機ダイオード、または、有機電界効果トランジスタの形態であることを特徴とする請求項６または７に記載の電子または光電子部品。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、平面正方形遷移金属錯体の使用に関し、平面正方形遷移金属錯体を、例えば電子または光電子部品に設けられた有機半導体マトリクス材料に対してドーピングを行なうためのドーパントとして用いたり、電子または光電子部品に設けられた電荷注入層として、電極材料として、及びストレージ材料として用いたりする技術に関する。
【０００２】
有機半導体が、電気特性を変化させる、具体的には導電率を変化させることができることは知られている。また、シリコン半導体のような無機半導体の場合も同じである。当初は低い導電率を上昇させることは、用いるドーパントの種類に応じた半導体のフェルミ準位の変化と同じく、有機半導体マトリクス材料内に電荷担体を生成することによって達成される。ドーピングは、結果として電荷搬送層の抵抗損を低減させて導電率を上昇させ、コンタクトと有機層との間の電荷担体の搬送を改善することになる。
【０００３】
拡散係数が高いアルカリ金属（例：セシウム）またはルイス酸（例：ＦｅＣｌ３）のような無機ドーパントは、電子部品の機能及び安定性に不利に影響することから、有機マトリクス材料内で大抵不利である。更にこれらの材料は、高い揮発性を有するので、気化（蒸発）装置の汚染を招いてしまう。また、ドーパントを提供するために、化学反応を介した半導体マトリクス材料内にドーパントが遊離することが知られている。しかしながら、このような遊離ドーパントの還元電位は、多くは、例えば有機発光ダイオード（OLED：organic light-emitting diodes）のような形態に適用するには充分ではない。また、ドーパントの遊離の際には、別の化合物及び／または電子（例えば電子（状）水素）もまた生成され、これらは、ドープされた層の特性や、対応する電子部品の特性に悪影響をもたらすことになる。
【０００４】
正孔注入層として、受容体様材料もまた用いることができる。従って、例えば、陽極／受容体／ホール輸送体（hole transporter）を有する層構造が生成される。この場合、ホール輸送体は、単一層もしくは混合層（mixed layer）となり得る。具体的には、ホール輸送体はまた、１つの受容体にドープされる。陽極は、例えばＩＴＯとすることができる。受容体層は、例えば０．５〜１００ｎｍ厚とすることができる。
【０００５】
平面正方形遷移金属錯体は、例えばＷＯ２００５／１２３７５４Ａ２にあるように周知である。この錯体は、例えば、能動電子部品や受動電子部品、エレクトロルミネセンス装置（例：有機発光ダイオード）、光電池、発光ダイオード、電界効果トランジスタ、光トランジスタなど非常に多くの形態に適用することが可能である。このような平面正方形遷移金属錯体の使用としては、電荷搬送材料がある。
【０００６】
本発明は、例えば電子または光電子部品に設けられた、半導体マトリクス材料、電荷注入層、電極材料、及び、ストレージ材料の改良を目的とするものである。具体的には、ドープされた半導体マトリクス材料にとってのドーパントとして用いられる化合物であり、マトリクス材料自体に悪影響を与えることなく充分に高い還元電位を実現することができるとともに、マトリクス材料の電荷担体数の効果的な上昇をもたらすことができ、更には、比較的簡易な手法で扱うことが可能な化合物を提供することを目的とするものである。
【０００７】
本発明の更なる目的としては、有機半導体材料を提供するとともに、電子部品や光電子部品を提供することにある。
【０００８】
本発明の第１の目的は、以下の化学式（Ｉ）または（ＩＩ）；
【０００９】
【化１】
2009537676.tif 000002
【００１０】
【化２】
2009537676.tif 000003
（ここで、
式中のＭは、元素周期表の第８〜１１族に属する遷移金属のうちの１つであり、
また、式中のＸ１、Ｘ２、Ｘ３、及びＸ４は、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ５、及び、ＰＲ５からなる群からそれぞれ独立して選択される１つであり、
当該Ｒ５は、直鎖または分岐アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、縮合芳香環、供与基、及び、受容基からなる群から選択される１つの置換体または非置換体であり、
また、式中のＲ１及びＲ２は、芳香族化合物、複素環式芳香族化合物、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、及び、ニトリルからなる群からそれぞれ独立して選択される１つの置換体または非置換体であり、
また、式中のＬ１及びＬ２は、芳香族アミン、芳香族ホスフィン、ハロゲン、擬ハロゲン（pseudohalogen）、ＮＣＳ、ＳＣＮ、及び、ＣＮからなる群からそれぞれ独立して選択される１つである）
を有する平面正方形遷移金属錯体によって実現することができる。
【００１１】
また好ましくは、式中のＭは、ニッケル、銅、パラジウム、白金、鉄、ルテニウム、及び、オシミウムからなる群から選択される１つであり、より好ましくは、ニッケル、コバルト、及び、鉄からなる群から選択される１つである。
【００１２】
また、好ましくは、式中のＲ１及びＲ２は、置換フェニルから選択され、より好ましくは、トリフルオロメチルフェニル、アニシル、トリル、２−ピリジル、メチル、プロピル、イソプロピル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、及び、トリクロロメチルからなる群から選択された１つである。
【００１３】
本発明の更なる目的は、請求項４に基づいた有機半導体材料によって実現することができるとともに、請求項６に基づいた電子部品または光電子部品によって実現することができる。更に好適な形態は従属請求項において特定している。
【００１４】
驚くことには、本発明に係る遷移金属錯体を用いた場合には、周知の受容体化合物の場合と比べてはるかに強く、且つ／または安定なドーパントを実現することができることが示された。ここで、周知の受容体化合物とは、有機半導体マトリクス材料との混合体として、ｐ−ドーパントである中性の形態の平面正方形遷移金属錯体を含む化合物である。具体的には、本発明に係る遷移金属錯体を用いた場合には、電荷搬送層の導電率が飛躍的に上昇し、及び／または、それらを電子部品として適用した場合にコンタクトと有機層との間の電荷担体の遷移を著しく改善することができた。尚、本発明は、この概念に限定されるものではなく、本発明に係る遷移金属錯体がドープ層に用いられると、電荷移動錯体（CT complexes）が形成、具体的には、少なくとも１つの電子がそれぞれ周囲にあるマトリクス材料から移動することによってＣＴ化合物が形成されることが考えられる。また、マトリクス材料上にモバイルホール（mobile holes）を有するマトリクス材料の陽イオンが形成されることも考えられる。このようなマトリクス材料は、ドープされていないマトリクス材料の導電率と比較した場合に、より大きな導電率を得ることができる。ドープされていないマトリクス材料の導電率は、一般に１０−８ｓ／ｃｍ未満で、具体的には、１０−１０ｓ／ｃｍ未満であることが好ましい。ここで付記するが、マトリクス材料は、充分に純度が高いものである。このような純度は、従来法によって得ることができ、例えば、勾配昇華によって得ることができる。ドーピングすることによって、このようなマトリクス材料の導電率を、１０−８ｓ／ｃｍよりも大きくすることができ、このましくは、１０−５ｓ／ｃｍよりも大きくすることが可能である。これで、特に、酸化電位が−０．５Ｖ  vs.  Ｆｃ／Ｆｃ＋よりも大きく、好ましくは０Ｖ  vs.  Ｆｃ／Ｆｃ＋よりも大きく、より好ましくは＋０．２Ｖ  vs.  Ｆｃ／Ｆｃ＋よりも大きいマトリクス材料を提供することができる。尚、Ｆｃ／Ｆｃ＋とは、フェロセン／フェロセニウムの酸化還元対を示しており、電位の電気化学的測定において、シクロボルタンメトリーのように基準として用いられるものである。
【００１５】
更に、本発明として決定されるものとして、上述した平面正方形遷移金属錯体が、電子部品において注入層として使用することも可能であることである。好ましくは、同じくドープされた、電子部品において電極と半導体層との間の注入層として使用することである。上述した平面正方形遷移金属錯体はまた、本発明によれば、電荷担体生成層の一部として用いることもでき、例えば、別のｐ−ドープもしくはｎ−ドープ層のような層として使用することができる。本発明に係る使用によれば、上述した平面遷移化合物は、好ましくは孤立分子であり、よって、それぞれの半導体層内に孤立分子として存在していることがより好ましい。孤立分子とは、互いに化学結合によって固定されていて、及び／またはマトリクスに化学結合によって固定されているか、別の化合物に化学結合によって固定されているものである。本発明に係る錯体は、大気に対する反応性に関して驚くほど高い安定性を有する。
【００１６】
〔合成方法〕
本発明に係る平面正方形遷移金属錯体は、従来周知の方法によって合成することができ、或る程度は工業的入手が可能である。このような化合物の合成は、例えば、以下のような文献に記載されており、本願はこれらの内容を参照する。尚、文献は、一例にすぎない。Schrauzer et alによれば、上述のような遷移金属錯体は、１，２−ジケトンまたは２−ヒドロキシケトンと、五硫化リンと、適切な遷移金属塩とから得られると、J. Am. Chem. Soc. (1965) 87/7 1483-9 に記載されている。また、本発明に基づけば、硫黄を有する遷移金属カルボニルと、アセチレンとを用いた変形例であっても上述した錯体を得ることができる。Davison et al. Inorg. Chem. (1964) 3/6 814も参照文献である。遷移金属カルボニルに代えて、他の一般的な０価の遷移金属化合物、例えば、シクロオクタジエニルやホスフィンなどであっても用いることができ、また、純粋な遷移金属も用いることができ、これは、G.N. Schrauzer et al. Z. Naturforschg. (1964) 19b, 192-8.に基づいている。
【００１７】
〔ドーピング〕
とりわけ、例えば、Ｚｎ（ＺｎＰｃ）、Ｃｕ（ＣｕＰｃ）、Ｎｉ（ＮｉＰｃ）または他の金属といったフタロシアン錯体が、ｐ−ドーピング可能なマトリクス材料として用いることができ、フタロシアン配位子を置換することも可能である。更に、アリール化またはヘテロアリール化アミン、及びベンジジン誘導体もまた、置換もしくは非置換のマトリクス材料として用いることができ、特に、らせん状のもの（例えば、ＴＰＤ、α−ＮＰＤ、ＴＤＡＴＡ、らせん状ＴＴＢ）も用いることができる。好ましくは、マトリクス材料としてＮＰＤを用いることができる。
【００１８】
【表１】
2009537676.tif 000004
多環芳香族炭化水素に加えて、複素環式芳香族化合物（特に、イミダゾール、チオフェン、チアゾール誘導体、ヘテロトリフェニレンなど）もまたマトリクス材料として用いることができ、更には、二量体、オリゴマー、または、重合体の複素環式芳香族化合物であってもよい。複素環式芳香族化合物は、好ましくは置換体で、とりわけアリール置換体（例えば、フェニル−またはナフチル−置換体）が好ましい。また、これらはらせん状化合物としても存在することができる。
【００１９】
上述したマトリクス材料は、本発明の範囲内において互いに混合したり、他の材料を混合したりすることも可能である。また、半導体、とりわけホール導電性を有する他の適切な有機マトリクス材料もまた用いることができる。
【００２０】
〔ドーピング濃度〕
ドーパントは、マトリクス分子に対して、または、ポリマーマトリクスのモノマー単位に対して、１：１以下のドーピング濃度で存在することが好ましい。例えば、ドーピング濃度は１：２以下、とりわけ１：５以下であるか１：１０以下であることが好ましい。ドーピング濃度は２０：１〜１：１００，０００の範囲とすることができ、とりわけ１０：１〜１：１，０００、好ましくは１：１〜１：１００とすることが好ましい。ただし、これに限定されるものではない。
【００２１】
〔ドーピングの実施〕
本発明に係る化合物を用いて、或るマトリクス材料のドーピングを行なう場合、次の１つまたは複数の組み合わせによって行なうことができる。
ａ）  マトリクス材料のもとなるものと、ドーパントの一つとを真空中で蒸気混合する（mixed evaporation）。
ｂ）  基板上で、マトリクス材料の連続堆積と、ｐ−ドーパントの連続堆積を行なった後に、ドーパントを内側に拡散させる（具体的には、熱処理を行なうことによって）。
ｃ）  ｐ−ドーパントの溶液を用いてマトリクス層のドーピングを行なった後に当該溶液の蒸発を行なう（具体的には、熱処理を行なうことによって）。
ｄ）  マトリクス材料層の上に提供されたドーパントの層によって当該マトリクス材料をドーピングする。
ｅ）  マトリクス分子とドーパントの溶液を準備し、例えば当該溶液の溶媒を蒸発させるかもしくはスピンコーティングするなどの従来方法を用いて、当該溶液に由来する層を準備する。
【００２２】
よって、このような手法によって得られる有機半導体のｐ−ドープされた層は、他の手法によっても得ることができる。
【００２３】
〔半導体層〕
本発明で用いる上述している電子不足な遷移金属錯体化合物によって製造される半導体層は、直線形状に形成することも可能である。例えば、導電経路やコンタクトのような形状を形成することが可能である。
【００２４】
室温で１０−５ｓ／ｃｍ以上の高い導電率、例えば１０−３ｓ／ｃｍ以上の高い導電率を有する半導体層を実現するためには、例えば、らせん状ＴＴＢもしくはＺｎＰｃをマトリクスとして用いる場合、本発明で用いる電子不足な遷移金属錯体化合物をドーパントとして用いる。フタロシアニン亜鉛をマトリクスとして用いる場合には、１０−８ｓ／ｃｍよりも高い導電率、例えば１０−６ｓ／ｃｍの導電率を有するものが得られた。従前はこのマトリクスを有機受容体でドープしたとしてもこのような高い導電率を有するものを得ることはできなかった。なぜなら、マトリクスの酸化電位が低すぎたからである。尚、ドープしていないフタロシアニンの導電率は最大で１０−１０ｓ／ｃｍである。
【００２５】
尚、ドーパントを有した層または構造は、それぞれ、１つまたは互いに異なる複数の電子不足な遷移金属錯体化合物を含んでいるものであってもよい。
【００２６】
〔電子部品〕
複数の電子部品やこれらを具備する機器は、上述した化合物を、特定の層や電気配線経路の形状で設けることができるｐ−ドープされた有機半導体材料を製造するために用いたｐ−ドープされた有機半導体層を用いて製造することができる。本願において電子部品とは、光電子部品を有するものも含まれる。導電性または発光特性などのように電子的・機能的にアクティブである当該部品の一領域の電気特性は、上述した化合物によって劇的に変化することができる。よって、ドープされた層の導電性は、改善され、及び／または当該ドープされた層へのコンタクトの電荷担体注入の改善を実現することができる。
【００２７】
本発明は、具体的には、例えば、１０３〜１０７、好ましくは１０４〜１０７ もしくは １０５〜１０７の高い整流比（rectification ratio）を有する有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）や、有機太陽電池や、電界効果トランジスタや、有機ダイオードを含むものであってもよく、電子不足な遷移金属錯体化合物を用いて製造された有機電界効果トランジスタを含むものであってもよい。
【００２８】
有機マトリクス材料に基づいたｐ−ドープされた層は、例えば、電子部品における以下の層構造内に存在することができ、個々の層のベース材料またはマトリクス材料としては以下のものが好ましい。
ｐ−ｉ−Ｍ：  ｐドープ半導体−絶縁体−金属
Ｍ−ｉ−ｐ：  金属−絶縁体−ｐドープ半導体
ｐ−ｉ−ｎ：  ｐドープ半導体−絶縁体−ｎドープ半導体
ｎ−ｉ−ｐ：  ｎドープ半導体−絶縁体−ｐドープ半導体
尚、「ｉ」は非ドープ層であり、「ｐ」はｐドープされた層である。コンタクト材料は、ここではホール注入され、ｐ側では例えばＩＴＯまたはＡｕの層またはコンタクトが提供され、ｎ側では、ＩＴＯ、Ａｌ、または、Ａｇの層またはコンタクトが提供される。
【００２９】
上述構造においては、「ｉ」層はまた、必要とあれば省略して、ｐ−ｎまたはｎ−ｐトランジスタを有する層配列としてもよい。
【００３０】
しかしながら、上述した化合物の使用は上述した実施形態に限定されるものではない。すなわち、上述した層構造には、別の適切な層の導入によって追加されたり、あるいは別の適切な層の導入によって修飾されたりすることができる。具体的には、そのような層排列（とりわけｐｉｎ−もしくはこの逆の構成）を有するＯＬＥＤｓが、上述した化合物によって製造される。
【００３１】
具体的には、金属−絶縁体−ｐドープ半導体（ｍｉｐ：metal-insulator-p-doped semiconductors）型の有機ダイオードまたは、これにｐｉｎ型（例えば、亜鉛フタロシアンをベースとしたもの）を加えた有機ダイオードは、上述したｐ−ドーパントの補助によって製造することができる。これらのダイオードは、整流速度が１０５以上を示す。更に、ｐ−ｎトランジスタを有した電子部品は、本発明に基づいたドーパントを使用することによって製造することができる。この場合、同じ半導体材料が、ｐ−ドープの側と、ｎ−ドープの側との双方（ｐ−ｎ−ホモ接合）に用いられ、上述した電子不足な遷移金属錯体化合物がｎ−ドープ半導体材料に使用される。
【００３２】
電子不足な遷移金属錯体化合物は、もし、例えば純粋なもしくは実質的に純粋な形態の注入層のように他の部品に比べて支配的であれば、本発明に基づいて、電子部品に用いられるだけでなく、層、導電経路、ポイントコンタクトなどにも用いることができる。
【００３３】
本発明に関する他の課題や利点は、以下の実施例に沿って説明することによって明らかとなるだろう。尚、これらの実施例が本発明の範囲を制限する要因にはならないことを付記する。
【００３４】
〔適用例〕
非常に電子不足な遷移金属錯体化合物は非常に高純度で提供される。
【００３５】
電子不足な遷移金属錯体化合物はマトリクス材料と同時に蒸着される。マトリクス材料としては、実施形態に基づいてらせん状ＴＴＢまたはα−ＮＰＤを用いることができる。ｐ−ドープ及びマトリクス材料は、真空蒸着システムにおいてｐ−ドーパントとマトリクス材料とが１：１０であるドーピング速度で、基板上に層が沈降するような手法で蒸着することができる。
【００３６】
ｐ−ドーパントでドープされた有機半導体材料の層は、ガラス基板の上に配置されたＩＴＯ層の上に提供される。ｐ−ドープ有機半導体層の提供の後、有機発光ダイオードを製造するために、例えば適切な金属を蒸着にてｐ−ドープ有機半導体層の上に提供することによって金属カソードが提供される。尚、有機発光ダイオードはまた、層配列がガラス基板−金属カソード−ｐドープ有機層−透明導電カバー層からなるいわゆる逆層構造（inverted layer construction）を有してもよい。尚、更に別の層を、個々に示した層の間に配置することができる。
【００３７】
〔実施例１〕
マトリクス材料であるらせん状ＴＴＢのドーピングのために、中性ニッケル錯体であるビス（ｃｉｓ−１，２−ビス[トリフルオロメチル]エチレン−１，２−ジチオラト）ニッケルが用いられた。ドーパント：マトリクス材料が１：１０であるドープ速度で行なわたドープされた層は、らせん状ＴＴＢとともにマトリクスとドーパントの混合蒸着によって生成された。導電率は、２×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【００３８】
〔実施例２〕
マトリクス材料であるα−ＮＰＤのドーピングのために、中性ニッケル錯体であるビス（ｃｉｓ−１，２−ビス[トリフルオロメチル]エチレン−１，２−ジチオラト）ニッケルが用いられた。ドーパント：マトリクス材料が１：１０であるドープ速度で行なわたドープされた層は、α−ＮＰＤとともにマトリクスとドーパントの混合蒸着によって生成された。導電率は、２×１０−７Ｓ／ｃｍであった。
【００３９】
〔実施例３〕
マトリクス材料であるＺｎＰｃのドーピングのために、中性コバルト錯体であるビス（ｃｉｓ−１，２−ビス[トリフルオロメチル]エチレン−１，２−ジチオラト）コバルトが用いられた。ドーパント：マトリクス材料が１：１０であるドープ速度で行なわたドープされた層は、ＺｎＰｃとともにマトリクスとドーパントの混合蒸着によって生成された。導電率は、２×１０−４Ｓ／ｃｍであった。
【００４０】
〔実施例４〕
マトリクス材料であるＺｎＰｃのドーピングのために、中性鉄錯体であるビス（ｃｉｓ−１，２−ビス[トリフルオロメチル]エチレン−１，２−ジチオラト)鉄が用いられた。ドーパント：マトリクス材料が１：１０であるドープ速度で行なわたドープされた層は、ＺｎＰｃとともにマトリクスとドーパントの混合蒸着によって生成された。導電率は、３×１０−３Ｓ／ｃｍであった。
【００４１】
〔実施例５〕
マトリクス材料であるＺｎＰｃのドーピングのために、中性ニッケル錯体であるビス（ｃｉｓ−１，２−ビス[トリフルオロメチル]エチレン−１，２−ジチオラト）ニッケルが用いられた。ドーパント：マトリクス材料が１：１０であるドープ速度で行なわたドープされた層は、ＺｎＰｃとともにマトリクスとドーパントの混合蒸着によって生成された。導電率は、４×１０−５Ｓ／ｃｍであった。
【００４２】
本願明細書および特許請求の範囲において言及している本発明の特徴は、個々にまたはそれらを組み合わせることによって本発明の様々な実施形態を実現するための要点である。
【国際調査報告】
2009537676.tif 000007
2009537676.tif 000008
2009537676.tif 000009
2009537676.tif 000010
2009537676.tif 000011
2009537676.tif 000012