(57)【要約】  １つまたはそれ以上のガス放電ランプ（２）を、任意の時点に、及び同時に導通または遮断するように駆動するために直流高電圧から矩形波高電圧が発生され、この矩形波高電圧から基準電圧（Ｖ-）に対して交番する交流電圧が生成され、この交流電圧はランプの第１の電極（４）に供給される。ランプの第２の電極（６）は、基準電圧に選択的に接続される。各ランプを流れる電流は安定化され（２６）、交流電圧はフィルタされてフィルタされた電圧が発生される。フィルタされた電圧の特性が測定されて制御信号が作られ、この制御信号は矩形波電圧の周波数を制御するために使用される。このフィルタリングは、導通している時のランプ及びランプを通って流れる電流を安定化させる手段が呈する応答特性と実質的に同一である応答特性を有している。【選択図】図１
2009514155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたはそれ以上のガス放電ランプ（２）を駆動する方法であって、
入力直流高電圧（Ｖ+−Ｖ-）から実質的に矩形状の高電圧を生成するステップと、
上記矩形電圧から、基準電圧（Ｖ-）に対して交番する交流電圧を生成するステップと、
上記交流電圧を上記ランプの第１の電極（４）に供給するステップと、
上記ランプの第２の電極（６）を上記基準電圧（Ｖ-）に選択的に接続するステップと、を含む方法であって、
上記ランプ毎に、上記ランプを流れる電流を安定化（２６）するステップと、
上記交流電圧をフィルタリングしてフィルタされた電圧を発生するステップと、
上記フィルタされた電圧の特性を測定して制御信号を作るステップと、
上記矩形波電圧の発生中に上記制御信号を使用して上記矩形波電圧の周波数を制御するステップと、を含み、
上記フィルタリングは、導通している時のランプ及び上記ランプを通って流れる電流を安定化させる手段が呈する応答特性と実質的に同一である応答特性を有している、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
導通している時のランプ及び上記ランプを通って流れる電流を安定化させる手段が呈する応答特性は、導通している時の上記ランプの抵抗、及び上記ランプを通って流れる電流を安定化させる手段としての上記抵抗と直列接続された容量の応答特性であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記フィルタリングの応答特性の抵抗値と容量値との積は、導通している時の上記ランプの抵抗値と上記電流安定化手段の容量値との積から＋１０％乃至−１０％だけ異なることができることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
１つまたはそれ以上のガス放電ランプ（２）を駆動するためのガス放電ランプドライバ回路であって、
インバータ（１０，１８，２０）、共振回路（２２，２４）、ランプ（２）毎のランプスイッチ（２８）、及びランプスイッチコントローラ（１６）を含み、
上記インバータは直流高電圧ライン（Ｖ+及びＶ-）に接続され、上記共振回路は上記インバータの出力と、上記直流ラインの一方（Ｖ-）とに接続され、上記共振回路の出力は上記ランプの第１の電極（４）に接続され、上記ランプの第２の電極（６）は上記ランプスイッチ（２８）の対応する１つを介して上記直流ラインの一方（Ｖ-）に接続され、上記ランプスイッチコントローラは上記ランプスイッチに接続され且つ上記ランプスイッチを個々に導通または遮断させるように制御するのに適しており、
各ランプ及びこのランプに接続されたランプスイッチ（２８）毎に電流安定化手段（２６）が上記ランプスイッチと直列に接続され、
フィルタ（３０、３２）が上記第１の電極に接続され、上記交流電圧を受けてそれをフィルタし、フィルタされた電圧を発生し、
電圧検出回路（１４）が上記フィルタされた電圧を受け、上記フィルタされた電圧の特性を測定して制御信号を作るように設けられ、
周波数コントローラ（１２）が上記制御信号を受け、インバータ駆動信号を発生するように設けられ、
上記インバータ駆動信号は上記インバータに供給され、上記インバータは上記制御信号に依存する周波数を有する矩形波電圧を発生し、
上記フィルタは、導通している時の上記ランプ及び上記電流安定化手段が呈する応答特性と実質的に同一の応答特性を有している、
ことを特徴とするガス放電ランプドライバ回路。
【請求項５】
導通している時の上記ランプ及び上記電流安定化手段が呈する応答特性は、導通している時の上記ランプの抵抗及び上記抵抗と直列接続された上記電流安定化手段の容量の応答特性であることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項６】
上記フィルタの応答特性の抵抗値と容量値との積は、導通している時の上記ランプの抵抗値と上記電流安定化手段の容量値との積から＋１０％乃至−１０％だけ異なることができることを特徴とする請求項５に記載の回路。
【請求項７】
ランプスイッチ（２８）はＭＯＳＦＥＴであって、上記ＭＯＳＦＥＴランプスイッチのために、上記スイッチのドレイン・ソース電圧を制限するのに適当な過電圧保護手段が設けられていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の回路。
【請求項８】
上記過電圧保護手段は、ドレイン・ソース電流を高電圧ライン（Ｖ+）へ転流させるように接続されているダイオード（３６）を含むことを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項９】
上記過電圧保護手段は、上記ダイオード（３６）と並列に接続されている抵抗（３８）を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
上記過電圧保護手段はツェナーダイオードを含み、上記ツェナーダイオードはドレイン電圧を増加させるように接続されており、このドレイン電圧より上では上記ダイオード（３６）及びツェナーダイオードが高電圧ライン（Ｖ+）へ導通するようになっていることを特徴とする請求項８または９に記載の回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特許請求の範囲の請求項１の前文に記載されているガス放電ランプを駆動する方法に関する。本発明は、更に、特許請求の範囲の請求項４に記載されているガス放電ランプを駆動する回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許第６０２３１３１号は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のためのバックライトデバイスを開示しており、このデバイスは出力を制御することができる高電圧発生手段を含んでいる。この高電圧発生手段は、交流出力電圧を発生するインバータを含む。インバータの出力は、赤色光，緑色光，及び青色光をそれぞれ放出することができる３つのガス放電ランプの第１の電極に接続されている。各ランプの第２の電極は、個別の第１の電子スイッチを介して接地電圧ラインに接続されている。インバータは、第２の電子スイッチを介して高電圧源に接続されている。制御回路がこれらのスイッチに接続されていて、それらを導通（オン）及び遮断（オフ）させる。第２のスイッチが導通している時だけ高電圧がインバータに供給されるので、インバータは交流電圧を発生する。３つの第１のスイッチは、一時に１つの第１のスイッチだけが導通するように制御される。異なる第１のスイッチが導通するオン時間の間に、全ての第１のスイッチが導通しないオフ期間が存在する。選択された１つのランプだけが光を放出する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した従来技術のバックライトデバイスを用いると、各ランプは、ある時間の小さい部分の間、特定的にはある時間の１／３より短い間だけしか光を放出することができない。従って、ある時間中に平均してある量の光を得るためには、比較的高いピーク電流をランプに流さなければならない。それ故インバータ、スイッチ、及びランプは、このような高いピーク電流を扱うのに適していなければならず、そのためそれらは比較的嵩張るようになり、そして高価になる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の目的は、上述した従来技術の方法及び回路の欠陥を解消することである。
【０００５】
上述した本発明の目的は、特許請求の範囲の請求項１に記載のガス放電ランプを駆動する方法を提供することによって達成される。本方法においては、ランプは、全ての時間の間、実際的には時間の１％から１００％までの間光を放出するように、または放出しないように個別に制御することができる。従って、ある時間中に、以前と同じ平均強度を得るために、ピーク強度及びピーク電流を以前よりも低くすることができるので、回路及びランプはパワフルである必要も、高価である必要もなくなる。
【０００６】
本発明の上述した目的は、特許請求の範囲の請求項４に記載されているガス放電ランプを駆動する回路を提供することによって達成される。
【０００７】
本発明は、以下の添付図面に基づく説明から明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１に示す回路図は、３つのガス放電ランプ２ａ、２ｂ、及び２ｃ（全体を２で表す）を制御するための安定器を表している。ランプ２は、赤色、緑色、及び青色スペクトル部分のような可視スペクトルの同一の、または異なる部分の光を放出するのに適したものとすることができる。詳述すれば、スペクトル部分は、ランプ２による光放出の制御に依存して、ＣＩＥ（国際照明委員会）によって定義された色度図の適当な部分（色域）をカバーするように選択される。ガス放電ランプ２による光放出の制御は、ランプ２を通る交流ランプ電流の大きさを変えることによって、交流ランプ電流の周波数を変えることによって、または実質的に矩形波の電圧のデューティサイクルを変えることによって遂行することができる。
【０００９】
本明細書においては３つのランプ２を使用する例を説明するが、本発明はそれぞれがスペクトルの何れかの部分の光を放出するようになっている任意の数のランプ２にも適用可能である。
【００１０】
各ランプ２（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、第１の電極４（それぞれ４ａ，４ｂ，４ｃ）及び第２の電極６（それぞれ６ａ，６ｂ，６ｃ）を有している。電極４及び６は、ランプ２の点弧を促進するために加熱手段によって加熱されるタイプとすることができる。図面及び説明の簡易化のため、これらの加熱手段は図示されておらず、また説明も省略する。
【００１１】
図１の回路は、更に、インバータコントローラ１０、周波数コントローラ１２、電圧検出回路１４、電力コントローラ１６、電子スイッチ（特定的には、高電圧ラインＶ+とＶ-との間に直列接続されているＭＯＳＦＥＴ １８及び２０）からなる半ブリッジインバータ出力段、上記ブリッジスイッチ１８，２０の接続ノードとＶ-ラインとの間に直列接続されているインダクタ２２とコンデンサ２４とからなる共振回路（即ち、タンク回路）、各ランプ２（２ａ，２ｂ，２ｃ）の第２の電極６（６ａ，６ｂ，６ｃ）とＶ-ラインとの間に直列に接続されている安定化コンデンサ２６（２６ａ，２６ｂ，２６ｃ）と電子スイッチ（特定的には、ＭＯＳＦＥＴ ２８（２８ａ，２８ｂ，２８ｃ））を含む。
【００１２】
動作中、周波数コントローラ１２は、基準電圧（図示せず）と電圧検出回路１４から受けた電圧とを比較して誤差電圧を発生する。周波数コントローラは、周波数が上記誤差信号に依存する矩形波電圧を発生する電圧制御発振器（ＶＣＯ、図示せず）を含む。上記矩形波電圧は、インバータコントローラ１０へ印加される。インバータコントローラ１０は、スイッチ１８及び２０の制御入力部（ゲート）に相補的な制御信号を供給して、半ブリッジスイッチ１８及び２０を交互にオン・オフさせて、これらのスイッチ１８及び２０及びインダクタ２２の接続ノードに高電圧矩形波を発生させるレベルシフタ（図示せず）を含む。インダクタ２２及びコンデンサ２４からなる共振回路は、基本的には半ブリッジスイッチ１８及び２０の接続ノードにおける矩形波電圧の周波数と同一の共振周波数で共振するように設計されている。その結果、共振回路のインダクタ２２及びコンデンサ２４の接続ノードには、基本的に正弦波状の電圧が発生する。
【００１３】
電力コントローラ１６が、電子スイッチ２８（以下、ランプスイッチという）の制御入力部（ゲート）に接続されている。電力コントローラ１６は、電力コントローラがランプスイッチ２８を制御できるようにする外部データ源（図示せず）からデータを受けることができる。もしランプスイッチ２８が導通すれば、そのランプスイッチ２８と直列に接続されているランプ２を通して交流電流が流れることができる。適切なデータを電力コントローラ１６に供給することによって、即ち、適切なパルス幅の制御信号をランプスイッチ２８に供給することによって、ランプ２の色域内のどの光色をも発生させることができる。
【００１４】
電力コントローラ１６は、ランプスイッチ２８ａ，２８ｂ，２８ｃを個々に導通または遮断させるように、即ち、任意の時点に、そしてランプスイッチ２８の他のスイッチと同時に導通または遮断させるように制御することができる。これは、ランプ２によって供給される光強度（例えば、ランプ電力）の制御に問題をもたらすが、それに関して以下に説明する。
【００１５】
ガス放電ランプ２は、定電圧源と殆ど同じように、即ち、ランプ電圧（ランプだけにまたがる電圧）が殆ど一定であるように挙動する。ランプ２の光放出パワーを一定に維持したいものとしよう。ランプ２を通る電流を測定し、それを一定に維持するように制御することができる。ランプ電圧が一定であれば、光放出パワーは一定に保たれる。ランプ２を通る電流は、ランプ２と直列のコンデンサ２６のインピーダンスを変化させることによって、即ち、電流の周波数を変化させることによって変化させることができる。しかしながら、この周波数はランプ２及びコンデンサ２６の全ての直列回路に印加されている。したがって、１つのランプ２を通る電流を一定に保つために周波数を制御すると、他のランプ２を通る電流に影響し、直列回路にまたがる電圧が変化し、上記他のランプ２内の電流を一定に保持するように周波数が変化し、その結果最初のランプ２を通る電流が変化するので、それを一定に保つための制御が必要になる等々、ランプ電流の制御が不安定になって光フリッカを発生しかねない。
【００１６】
もし、個々のランプ２を通る電流を制御する代わりに、導通中のランプ２の合計負荷を通って流れる合計電流を制御したいものとすれば、合計電流を測定するためにある付加的な直列負荷が必要になる。これは、エネルギの損失を意味する。また、合計電流の基準値または目標値を決定するために、任意の時点にどの、またはどれ程多くのランプ２が導通しているかを知る必要がある。これは、実際的ではない。
【００１７】
本発明によれば、ランプ２で表す合計負荷と並列に、ランプ２及びこれと直列な安定化コンデンサ２６が呈するインピーダンス及び応答特性と（理論的に）同一のインピーダンス及び応答特性を有するフィルタが接続されている。図１に示すように、このフィルタは、ランプ２の第１の電極４とＶ-ラインとの間に接続されたコンデンサ３０及び抵抗３２の直列接続からなる簡単なＲＣネットワークとすることができる。好ましくは、これらは次の条件を満たすべきである。
Ｃ30・Ｒ32＝Ｃ26・Ｒlamp          （１）
但し、
Ｃ30は、コンデンサ３０の値であり、
Ｒ32は、抵抗３２の値であり、
Ｃ26は、安定化コンデンサ２６の値であり、そして
Ｒlampは、導通している時のランプ２の平均抵抗値である。
【００１８】
このようなフィルタ３０，３２を用いると、それらのノード電圧は、ランプに供給される電流の周波数の全ての値に対して、ランプ２とコンデンサ２６の直列回路のノードの電圧に比例する。以下に説明するように、制御によって周波数が変化すると、コンデンサ２６のインピーダンスが変化するので、ランプ２とコンデンサ２６の直列回路及びフィルタ３０，３２にまたがる電圧が変化する。これらのランプ２及びコンデンサ２６は実質的に同一であるから個々のランプ電流は全て同相であり、周波数の制御に及ぼすそれらの影響も同一になるので安定な制御を行うことができる。
【００１９】
電圧検出回路１４には、フィルタのコンデンサ３０と抵抗３２のノードに現れる交流電圧が印加される。電圧検出回路１４は、二乗平均平方根（ＲＭＳ）値のような上記電圧の特性の値を決定する。この値は、ランプ２の電力を制御するために、周波数コントローラ１２をも含む制御ループ内においてフィードバック値として使用することができる。
【００２０】
バックライトデバイスのような照明システムのランプが、導通している時に異なる抵抗値を呈する可能性があることに注目されたい。製造時には、同じ型のランプは＋／−１０％までの抵抗値分布を有することができる。このような変動は、ランプに直列に抵抗を挿入することによって、そして多分、上述した条件（１）を満足するようにこの抵抗を調整することによって補償することができる。実際には、上述した条件（１）を満足させるには、そして各ランプと直列に付加的な要素を使用することなく要望される周波数及び電力補償を達成するには、上記分布の平均値を適用することが適当である。
【００２１】
数値例を示す。
・入力直流高電圧（Ｖ+マイナスＶ-）は、３００Ｖとすることができる。
・ランプ２の第１の電極４における電圧は、４００Ｖｒｍｓとすることができる。
・ランプ電流の周波数は、２０乃至２００ｋＨｚとすることができる。
・ランプスイッチ２８への制御信号は、７５乃至１５０Ｈｚの繰り返し周波数を有することができる。
【００２２】
図２は、本発明による回路の好ましい実施形態の回路図を示している。図２の回路には、図１の回路に、ランプスイッチ２８を保護するための過電圧保護手段が付加されている。過電圧保護手段は、ランプ２（２ａ，２ｂ，２ｃ）毎にダイオード３６（３６ａ，３６ｂ，３６ｃ）を含んでいる。ランプスイッチ２８がＭＯＳＦＥＴである場合には、上記ダイオード３６はランプスイッチ２８のドレインと、直流高電圧ラインの一方とに接続される。図２の例では、ダイオード３６のアノードがランプスイッチ２８のドレインに接続され、ダイオード３６のカソードがＶ+ラインに接続されている。これによって、ランプスイッチ２８が選択されていない場合に、ランプスイッチ２８の固有ドレイン・ソース容量にまたがって高電圧が蓄積されるのを防ぐ。ダイオード３６を用いない場合には、上記電圧は直流高電圧の５倍の値にも到達し、ランプスイッチ２８を破壊する可能性がある。
【００２３】
より好ましくは、過電圧保護手段は、ランプスイッチ２８（２８ａ，２８ｂ，２８ｃ）毎に抵抗３８（３８ａ，３８ｂ，３８ｃ）を含む。抵抗３８は対応するダイオード３６（３６ａ，３６ｂ，３６ｃ）に並列に接続されている。ランプスイッチ２８が選択されていない場合、抵抗３８はランプスイッチ２８のドレイン電圧を、ラインＶ+における直流高電圧付近に保つ。このようにして、ＭＯＳＦＥＴスイッチ２８のドレイン・ソース間の寄生容量が最小化される。このような抵抗３８は、例えば、１００ｋΩ乃至１ＭΩの高い値を有することができる。
【００２４】
更に好ましくは、過電圧保護手段は、ツェナーダイオード（図示せず）をも含むことができる。このツェナーダイオードは上記ダイオード３６と直列に接続される。図２の例では、上記ツェナーダイオードのカソードをダイオード３６のカソードに接続する（抵抗３８は両者にまたがって接続されたままとすることができる）。全てのランプスイッチ２８に対して単一のツェナーダイオードを使用してもよい。このようにすると、ＭＯＳＦＥＴランプスイッチ２８のドレイン電圧のしきい値より上では、高周波数電流はＭＯＳＦＥＴを通って流れずに、ＭＯＳＦＥＴ及びツェナーダイオードに接続されているダイオード３６を通って流れるように転流させられ、しきい値はＶ+ラインの電圧、プラス、ツェナーダイオードのツェナー電圧まで高められる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明による３つのガス放電ランプのための安定器の実施形態を示す回路図である。
【図２】過電圧保護手段によって補足された図１の回路図である。
【符号の説明】
【００２６】
２，２ａ  ガス放電ランプ
４    第１の電極
６    第２の電極
１０  インバータコントローラ
１２  周波数コントローラ
１４  電圧検出回路
１６  電力コントローラ
１８，２０  ブリッジスイッチ
２２  インダクタ
２４  コンデンサ
２６，２６ａ−２６ｃ  安定化コンデンサ
２８，２８ａ−２８ｃ  ランプスイッチ
３０  コンデンサ
３２  抵抗
３６，３６ａ−３６ｃ  ダイオード
３８，３８ａ−３８ｃ  抵抗
【図１】
2009514155.tif 000003
【図２】
2009514155.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたはそれ以上のガス放電ランプ（２）を駆動する方法であって、
入力直流高電圧（Ｖ+−Ｖ-）から実質的に矩形状の高電圧を生成するステップと、
上記矩形電圧から、基準電圧（Ｖ-）に対して交番する交流電圧を生成するステップと、
上記交流電圧を上記ランプの第１の電極（４）に供給するステップと、
上記各ランプの第２の電極（６）を上記基準電圧（Ｖ-）に選択的に接続するステップと、を含む方法であって、
上記交流電圧をフィルタリングしてフィルタされた電圧を発生するステップと、
上記フィルタされた電圧の特性を測定して制御信号を作るステップと、
上記矩形波電圧の発生中に上記制御信号に基づいて上記矩形波電圧の周波数を制御するステップと、を含み、
上記フィルタリングは、導通している時のランプと上記ランプの第２の電極を上記基準電圧に接続するインピーダンスとの直列接続が呈するインピーダンス及び応答特性と実質的に同一であるインピーダンス及び応答特性を有している、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記フィルタリングのインピーダンス及び応答特性は、導通している時の上記ランプの抵抗及び上記抵抗と直列接続された容量（２６）のインピーダンス及び応答特性であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記フィルタリングのインピーダンス及び応答特性の抵抗値と容量値との積は、導通している時の上記ランプの抵抗値と上記容量（２６）の容量値との積から＋１０％乃至−１０％だけ異なることができることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
１つまたはそれ以上のガス放電ランプ（２）を駆動するためのガス放電ランプドライバ回路であって、
インバータ（１０，１８，２０）、共振回路（２２，２４）、ランプ（２）毎のランプスイッチ（２８）、及びランプスイッチコントローラ（１６）を含み、
上記インバータは直流高電圧ライン（Ｖ+及びＶ-）に接続され、上記共振回路は上記インバータの出力と、上記直流ラインの一方（Ｖ-）とに接続され、上記共振回路の出力は各ランプの第１の電極（４）に接続され、各ランプの第２の電極（６）は対応するランプスイッチ（２８）を介して上記直流ラインの一方（Ｖ-）に接続され、上記ランプスイッチコントローラは各ランプスイッチに接続され且つ各ランプスイッチを個々に導通または遮断させるように制御するのに適しており、
インピーダンスが各ランプと直列に接続され、
フィルタ（３０、３２）が各第１の電極に接続され、上記交流電圧を受けてそれをフィルタし、フィルタされた電圧を発生し、
電圧検出回路（１４）が上記フィルタされた電圧を受け、上記フィルタされた電圧の特性を測定して制御信号を作るように設けられ、
周波数コントローラ（１２）が上記制御信号を受け、インバータ駆動信号を発生するように設けられ、
上記インバータ駆動信号は上記インバータに供給され、上記インバータは上記制御信号に依存する周波数を有する矩形波電圧を発生し、
上記フィルタは、導通している時の上記ランプ及び上記インピーダンスの直列接続が呈するインピーダンス及び応答特性と実質的に同一のインピーダンス及び応答特性を有している、
ことを特徴とするガス放電ランプドライバ回路。
【請求項５】
上記フィルタのインピーダンス及び応答特性は、導通している時の上記ランプの抵抗及び上記抵抗と直列接続された容量（２６）のインピーダンス及び応答特性であることを特徴とする請求項４に記載の回路。
【請求項６】
上記フィルタのインピーダンス及び応答特性の抵抗値と容量値との積は、導通している時の上記ランプの抵抗値と上記容量（２６）の容量値との積から＋１０％乃至−１０％だけ異なることができることを特徴とする請求項５に記載の回路。
【請求項７】
ランプスイッチ（２８）はＭＯＳＦＥＴであって、上記ＭＯＳＦＥＴランプスイッチのために、上記スイッチのドレイン・ソース電圧を制限する過電圧保護手段が設けられていることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の回路。
【請求項８】
上記過電圧保護手段は、ドレイン・ソース電流を高電圧ライン（Ｖ+）へ転流させるように接続されているダイオード（３６）を含むことを特徴とする請求項７に記載の回路。
【請求項９】
上記過電圧保護手段は、上記ダイオード（３６）と並列に接続されている抵抗（３８）を含むことを特徴とする請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
上記過電圧保護手段はツェナーダイオードを含み、上記ツェナーダイオードはドレイン電圧を増加させるように接続されており、このドレイン電圧より上では上記ダイオード（３６）及びツェナーダイオードが高電圧ライン（Ｖ+）へ導通するようになっていることを特徴とする請求項８または９に記載の回路。
【国際調査報告】
2009514155.tif 000005
2009514155.tif 000006
2009514155.tif 000007