(57)【要約】  基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャルによって材料を堆積し、カラム（４）が連続層（５）を与えるように継続することからなる構造体を製造する方法。前記表面は、ナノメートルスケールのバンプ（３）の周期的なアレイを備え、各々のバンプ（３）は、支持領域（３５）を有し、前記バンプ（３）のアレイの周期（３８）を調整することができる、その結晶格子がねじれ角及び／又は傾斜角を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの結晶素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから得られる。前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、連続層（４０）がバンプの存在なしにエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さを有するように調整される。
2009521391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）の結晶面に柱状エピタキシャル成長によって材料を堆積し、カラム（４）が結合して連続層（５）をもたらすまで堆積を継続することからなるエピタキシャル成長された構造体を製造する方法であって、
連続層（４０）がバンプの存在なしに行われるエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さ（３９）を有するように、ナノメートルスケールの周期的なバンプ（３）のアレイを有する基板の表面を提供することからなり、各々のバンプ（３）は、調整されるバンプ（３）のアレイの周期（３８）、アレイの周期（３８）、バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさを調整することができる、カラム（４）に対する支持領域（３５）を有し、且つ、結晶材料を含み、ねじれ及び／又は傾斜角を有する結晶格子を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから直接的または間接的に得られる方法。
【請求項２】
エピタキシャル成長によって堆積される前記材料は、自然の格子パラメータを有し、
前記アレイの周期（３８）、前記バンプの高さ（３６）及びそれらの支持領域（３５）の大きさは、エピタキシャル成長によって堆積された材料が、前記カラムが結合する時にその自然の格子パラメータを回復するように調整されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイに対応して表面レリーフが露出されるまで前記素子（１１）の一方を薄膜化し、次いで、前記他方の素子（１２）によって支持される前記バンプアレイ（３）を形成することによって、前記２つの結合された素子（１１、１２）の前記バンプアレイ（３）をその表面に備える基板（２）を製造することからなることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記薄膜化は、機械磨耗、化学磨耗、破砕、犠牲処理から選択される少なくとも１つの段階を備えることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記バンプ（３）の前記支持領域（３５）の高さ（３６）及び／又は大きさを調整し、及び／又は、前記バンプ（３）の構成材料の格子パラメータを修正するために、前記バンプアレイを処理するための段階を備えることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記バンプ（３）のアレイの処理段階は、注入段階を備えることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記バンプ（３）のアレイの薄膜化段階及び／又は処理段階は、様々な酸化及び還元雰囲気における、少なくとも１つの化学的攻撃及び／又は電気化学的攻撃及び／又は機械的攻撃及び／又はイオン性の攻撃及び／又は光化学的攻撃及び／又は堆積段階を備えることを特徴とする請求項３から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記バンプ（３）のアレイの前記薄膜化段階及び／又は処理段階は、加熱スケジュールの適用を含むことを特徴とする請求項３から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記素子を形成するために、少なくとも２つの部品（１０８、１０７）は、同一の結晶構造体（１００）から得られ、これらの２つの部品が前記結合界面（１１５）の形成に寄与することを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
結合中に、前記２つの部品の結晶格子は、所定のねじれ角及び／又は傾斜角（θ）ほどオフセットされることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記結晶構造体は、前記２つの部品（１０８、１０７）が得られる時にそれらに移動される位置マーク（１０５）を備え、これらの位置マークは、前記ねじれ角及び／又は傾斜角（θ）を調整するために使用されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記素子（１１０）の少なくとも一方は、支持体（１０６）、前記支持体を薄膜化するための停止層（１０２）及び少なくとも１つの結晶層（１０７）の積層体で形成される複合基板であることを特徴とする請求項１から１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記薄膜化段階は、前記複合基板（１１０）に関することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複合基板は、ＳＯＩ基板であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
得られた前記部品（１０７）は、少なくとも前記結晶層を備えることを特徴とする請求項１２から１４の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
結合は、分子結合であることを特徴とする請求項１から１５の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記堆積された材料の組成は、エピタキシャル堆積中に変化することを特徴とする請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
その表面に前記バンプアレイが備えられている前記基板（６４）は、一面がナノスケールのバンプアレイを備える、前記２つの結合された素子から得られるマザー基板（６１）を複製すること、及び、前記バンプアレイを形成する結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイの露出を直接的または間接的にもたらす、前記素子の一方の少なくとも１つの薄膜化段階によって形成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
複製は、前記マザー基板（６１）に適合する型（６３）からナノインプリンティングによって行われることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記型（６３）は、前記マザー基板（６１）からナノインプリンティングによって得られることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
それらが結合し、連続層（５）を形成するように外側に広がるエピタキシャル成長された材料のカラム（４）を備えるエピタキシャル成長された構造体であって、
各々のカラム（４）は、基板（２）の一面に提供されたナノメートルスケールの周期的なバンプアレイのバンプ（３）の支持領域（３５）に位置し、これらのバンプは、結晶欠陥および／又は歪み領域のアレイから直接的または間接的に生じ、前記アレイのバンプ（３）は、前記連続層（５）が、バンプの存在なしに行われたエピタキシャル成長を用いて得られたものより大きい臨界厚さ（３９）を有するように、調整される周期（３８）、高さ（３６）及び支持領域の大きさを有することを特徴とする構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エピタキシャル成長された構造体を製造するための方法に関する。エピタキシャル成長は、ホスト結晶基板の表面に結晶を成長させるための技術であり、ホスト基板の結晶軸に関連する結晶軸を有する層を形成するために使用されることが思い起こされる。ヘテロエピタキシーという用語は、堆積された材料がホスト基板の材料と異なる化学種である場合に使用される。このようにコーティングされた基板は、半導体、光学または光電子デバイスの製造において非常に利点がある。これらの層の結晶成長の最適化によって、これらのデバイスの性能の改善をもたらすことができる。
【背景技術】
【０００２】
ヘテロエピタキシーによる基板への堆積は、臨界厚さと呼ばれる、堆積された層の特定の厚さにおいて又はそれ以上においてミスフィット転位を生成する。この厚さは、エピタキシャル成長された材料とホスト基板の材料との間の格子パラメータの差による。例えば、非特許文献１を参照することができる。格子パラメータは、結晶材料を記述する基本セルの側方寸法である。
【０００３】
この欠点を軽減するための多くの方法がある。このような方法の中の１つは、ホスト基板上に互いに離隔されたカラム（文献によってはアイランドと呼ばれることもある）を成長させるための原始的なエピタキシャル成長を用いることからなる。この利点は、エピタキシャル成長された材料が、カラム形態で成長する場合、ホスト基板の自由表面上の歪みを緩和することができることである。例えば、基板上におけるカラムの圧縮成長において、カラムは、徐々に外側に広がり、その直径は、堆積された材料内の歪みが緩和するために増加する。反対に、カラムの伸長成長に関して、このカラムは、徐々に収縮し、その直径は、その歪みを緩和するために減少する傾向にある。同時に、歪みに関して、側方成長が生じ、それは、カラムの直径を永久的に増加する傾向にある。従って、カラムを外側に広げることを継続することは、連続層を形成するために共に結合することによって終了する。堆積条件は、側方成長及び合体、すなわち、カラムを接触する結合を促進するために修正することができる。カラム間の空間が適切である場合、カラムが出会うまで、エピタキシャル成長された材料は、その歪みの全部または一部を緩和し、それによって、その元の格子パラメータの全部または一部を回復するだろう。緩和の程度は、初期歪みレベルと欠陥発生がないエピタキシャル成長後に得られるレベルとの間の比に対応する緩和割合によって定量化することができる。格子不適合歪みの全体または一部が解消されているので、エピタキシャル堆積を継続することによって、転位がほとんどない又は全くない材料の層が得られる。この層において得ることができる臨界厚さは、ホスト基板の全体表面上に対する標準的または通常のエピタキシャル成長によって得られるものより大きい。
【０００４】
カラムを得るために使用される１つの技術は、ホスト基板の表面上の局在化された成長種を区切ることからなり、これらの成長種は、カラムのベースの表面に対応する適切な表面を有する。この目的のために、成長マスクは、ホスト基板の表面に堆積することができ、このマスクは、ホスト基板を露出する開口部を備えている。これらの開口部の下部において露出された基板は、成長種を形成する。変形例として、非特許文献２に記載されるように、その表面にエピタキシャル成長が可能ではない材料を有する基板に結合される結晶性の薄層を使用することが可能である。この文献では、材料はシリカである。この薄層は、基板を局所的に露出し、それによって成長種を形成する薄層のパッチを区切るために、リソグラフィ及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってエッチングされる。次いで、エピタキシャル成長は、この種子から堆積される材料を成長するために開始される。エピタキシャル成長される材料が成長種のみに堆積されるので、成長は、カラムまたアイランドの形態で起こる。
【非特許文献１】Defects in epitaxial multilayers, Journal of Crystal Growth No．27, pages 118-125, 1974（C．J．W． Matthews and A．E． Blakeslee）
【非特許文献２】Nanoheteroepitaxy: nanofabrication route to improved epitaxial growth, D． Zubia1 et al, Journal of Vac． Sci． Technol． B18(6), Nov．/Dec． 2000, pages 3514-3520
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この方法によって生じる問題は、それが、マスクまたは結晶層をエッチングするためのリソグラフィ工程を必要とし、従って、成長種を画定することを必要とすることである。しかしながら、これらの成長種は、ナノメートルスケールで形成しなければならず、それらの大きさは、通常１から数十ナノメートルであり、それらは、ホスト基板の表面に非常に規則正しく分布しなければならず、これらの種の間の距離は、十から数百ナノメートルのオーダーである。現在のところ、その直径が３００ミリメート以上に達する基板のスケールで、集約的で配列的な方式で前記の成長種を製造するための満足のいく方法が知られていない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ナノメートルスケールのリソグラフィ段階に頼ることなく、ナノスケールでカラムを成長することによってエピタキシャル成長された構造体を製造する方法を提案しようとするものである。この基板は、経済的に得られ、大きな表面積を有してもよい。カラムの位置と形状は、良好な精度で得られる。
【０００７】
より正確には、本発明は、基板の結晶面に柱状エピタキシャル成長によって材料を堆積し、カラムが結合して連続層をもたらすまで堆積を継続することからなるエピタキシャル成長された構造体を製造する方法である。この方法は、連続層がバンプの存在なしに行われるエピタキシャル成長を用いて得られる厚さより大きい臨界厚さ（３９）を有するように、ナノメートルスケールの周期的なバンプのアレイを有する基板の表面を提供することからなり、各々のバンプ（３）が、調整されるバンプ（３）のアレイの周期（３８）、アレイの周期（３８）、バンプの高さ（３８）及びそれらの支持領域（３５）の大きさを調整することができる、カラム（４）に対する支持領域（３５）を有し、且つ、結晶材料を含み、ねじれ及び／又は傾斜角を有する結晶格子を有し及び／又は界面格子不適合を有する２つの素子（１１、１２）間の結合界面（１５）の近傍に位置する結晶領域（１６）内に生成される結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイから直接的または間接的に得られる。
【０００８】
エピタキシャル成長によって堆積された前記材料が、前記カラムが結合する時にその自然の格子パラメータを回復するように、前記アレイの周期、前記バンプの高さ及びそれらの支持領域の大きさが調整されることが好ましい。
【０００９】
その表面にバンプのアレイが備えられる前記基板は、前記結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイに対応して表面レリーフが露出されるまで前記素子の一方を薄膜化することによって形成することができ、次いで、このレリーフは、前記バンプのアレイを形成し、このバンプアレイは、前記他の素子によって担持される。
【００１０】
薄膜化は、機械磨耗、化学磨耗、破砕、犠牲処理から選択される少なくとも１つの段階を備えてもよい。
【００１１】
前記方法は、前記バンプの支持領域の高さ及び／又は大きさを調整し、及び／又は、前記バンプの構成材料の格子パラメータを修正するために、前記バンプアレイを処理するための段階を備えてもよい。
【００１２】
前記バンプアレイの処理段階は、注入段階を備えてもよい。
【００１３】
前記バンプアレイの薄膜化及び／又は処理段階は、少なくとも１つの化学的攻撃及び／又は電気化学的攻撃及び／又は機械的攻撃及び／又はイオン性の攻撃及び／又は光化学的攻撃及び／又は堆積段階を備えてもよい。
【００１４】
前記バンプアレイの薄膜化段階及び／又は処理段階は、様々な酸化または還元雰囲気における加熱スケジュールを含んでもよい。
【００１５】
前記素子を形成するために、少なくとも２つの部品は、同一の結晶構造体から得ることができ、これらの２つの部品は、前記結合界面の形成に寄与する。
【００１６】
結合時に、前記２つの部品の結晶格子は、好ましくは、所定のねじれ角及び／又は傾斜角ほどオフセットされる。
【００１７】
前記結晶構造体は、好ましくは、前記２つの部品が得られる時にそれらに移動（トランスファー）される位置マークを備え、これらの位置マークは、前記ねじれ及び／又は傾斜角を調整するために使用される。
【００１８】
前記素子の少なくとも一方は、キャリア、前記キャリアを薄膜化するための停止層及び少なくとも１つの結晶層を含む積層体で形成される複合基板である。
【００１９】
前記薄膜化段階は、好ましくは、前記複合基板に関する。
【００２０】
前記複合基板は、ＳＯＩ基板であってもよい。
【００２１】
前記複合基板から得られた部品は、少なくとも結晶層を備える。
【００２２】
結合は、分子結合であってもよい。
【００２３】
前記堆積された材料の組成は、エピタキシャル堆積中に変化することが可能である。
【００２４】
変形例として、その表面に前記バンプアレイが備えられた前記基板は、一面がナノスケールのバンプアレイを備える、前記２つの結合された素子から得られるマザー基板を複製すること、及び、前記バンプアレイを形成する結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイの露出を直接的または間接的にもたらす、前記素子の一方の少なくとも１つの薄膜化段階によって製造することができる。
【００２５】
複製は、前記マザー基板に適合する型を用いてナノインプリントによって行うことができる。
【００２６】
前記型は、前記マザー基板からナノインプリントによって得ることができる。
【００２７】
また、本発明は、それらが結合し、連続層を形成するように外側に広がるエピタキシャル成長された材料のカラムを備えるエピタキシャル成長された構造体に関する。各々のカラムは、基板の一面に提供されたナノメートルスケールの周期的なバンプアレイの１つのバンプにおける支持領域に位置し、これらのバンプは、結晶欠陥及び／又は歪み領域のアレイから直接的または間接的に生じ、前記アレイのバンプは、前記連続層が、バンプの存在なしに行われたエピタキシャル成長を用いて得られたものより大きい臨界厚さを有するように調整されるそれらの周期、高さ及び支持領域の大きさを有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明は、添付の図面を参照して、単に例示する目的で与えられ、限定されるものではない実施形態の例の説明を読むことによって理解されるだろう。
【００２９】
本発明によるエピタキシャル成長された構造体を製造する方法の第１例の様々な段階を示す図１Ａから１Ｇを参照する。本発明の方法の主題は、図１Ｄに示されるようにナノメートルスケールのバンプアレイ３を有する基板２の自由結晶表面１上の柱状成長によってエピタキシャル成長された材料の堆積から開始することによるエピタキシャル成長された構造体を製造することからなる。これらのバンプの大きさは、１ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーであり、典型的には２０ナノメートルである。この基板２は、ナノ構造化された基板と呼ぶことができる。図１Ｅに示されるように、カラム４は、これらのバンプ３の上と、これに関して残りの部分にある支持領域とも呼ばれる、バンプの端部領域３５との上に、より正確に位置する。これらの支持領域３５は、カラム４のベースを形成する。この堆積は、カラム４が均一な連続層５を達成及び形成するまで従来技術のように継続する。バンプの大きさ及びバンプアレイの周期は、この堆積された材料が、例えば、合体の時点、すなわちカラム４が共に結合する時点で最も起こり得る所望の歪み緩和割合を有するように適合される。大きさとは、それらの高さ３６及び支持領域３５の大きさを意味する。従って、エピタキシー堆積が継続されると形成される均一な連続層５は、完全に又は部分的に緩和された歪みも有する。それは、事前のカラム成長がない通常のエピタキシーによって得られるものより大きい臨界厚さ３９を有するだろう。
【００３０】
ここで、どのようにしてバンプ３がナノメートルスケールで得られるかが示されるだろう。それらは、例えば、１または数十ナノメートルのオーダーの大きさを有する実質的に平行六面体体積であってもよい。
【００３１】
ナノメートルスケールのこのバンプアレイ３を得るためのいくつかの単純な方法は、特許出願ＦＲ−Ａ−２７６６６２０に説明されている。２つの面１０、１３が、所定の角度θと、ゼロである、結果として得られる結晶格子の垂直軸間の傾斜角とによってオフセットされる結晶格子を有するようにすることによって、例えば、第１素子１１の結晶材料の一面１０を第２素子１２の結晶材料の一面１３に対して分子結合することによって開始することが可能である。分子結合を用いて、共有結合は、組み立てられる面の２つの結晶格子の間に形成される。
【００３２】
角度θは、ねじれ角として知られ、それは、これに関して残り部の部分で使用される用語である。
【００３３】
例えば結晶方向＜００１＞を有する２つのシリコンウエハ間の結合に関して、所定のねじれ角θを導入することによって正方配列の転位が生成される。ねじれ角の導入によって一次元配列の転位が生成される。
【００３４】
図１Ａは、２つの素子１１、１２の接触を示し、この２つの素子１１、１２のねじれ角θと結晶格子を示す。分子結合を用いたこの結合が行われ、原子間結合は、２つの素子１１、１２の間に設定され、それらの角度のオフセットのおかげで、周期的なアレイの結晶欠陥の形成及び／又は結合界面１５の近傍に位置する結晶領域１６を有する歪み場１４をもたらす。図１Ｂは、結合後に得られる構造体を示す断面であり、結晶欠陥のアレイ及び／又は得られる歪み場を示す。変形又は補足として、結晶欠陥の他のアレイ及び／又は歪み場を得るために２つのアレイ間の傾斜角及び／又は格子不整合を調整することも可能である。図１及び２の例において、生成されたアレイが必然的にねじれ角に依存するので、この傾斜角及び格子不整合が最小化されることが考えられる。
【００３５】
結合は、高温結合または低温結合でありえる。それは、好ましくは、結晶欠陥及び／又は歪み場１４のこのアレイを得るために熱処理によって強化される。これらの結晶欠陥は、転位であってもよい。結晶領域１６は、限られた厚さ（数十ナノメートル）であり、界面１５の付近に位置する。結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイ１４は、ナノメートルスケールのバンプのアレイのソースである。
【００３６】
結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイの周期は、２つの素子１１、１２の結晶格子のねじれ角θに依存する。図１Ａを参照することができる。
【００３７】
続いて、２つの組み立てられた素子１１、１２の一方は、例えば研削、機械的又は化学的磨耗によって薄くし、結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイ１４の存在によって自由表面上のバンプ及びリセスの緩和パターンが生じるようになる。相互に、このリセスは、結晶欠陥に相当し、バンプは、結晶領域１６の結晶材料に相当するかもしれない。それは、これらのバンプ３の上にあり、さらには端部または成長されるカラムである支持領域３５の上にある。生じたバンプのアレイを示す図１Ｃを参照することができる。得られた構造化した表面は、第１素子１１に位置してもよく、それは、図１Ｃに示されるように２つの素子１１、１２を覆ってもよく、素子１１が完全に除去される場合、それは、第２素子１２に位置してもよい。
【００３８】
次いで、図１Ｄに示されるような表面レリーフをさらに増加し、バンプ３の高さ３６とそれらの支持領域３５の大きさを調整するために、任意の表面処理を行うことができる。例えば、化学薬品浴は、結晶欠陥の近傍を攻撃することなく結晶欠陥１４を選択的に攻撃するために使用することができる。これは、ナノ構造化された基板、すなわち、リセス６によって分離されたバンプ３のアレイを有する基板をもたらし、これらのバンプは、ナノスケールで採寸されている。２つの素子１１、１２の間のねじれ角は、以前に見られたように結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイの周期を調整し、従ってバンプ３の間の周期３８も調整する。結晶材料としてのシリコンに関して、ねじれ角の調整が百のオーダーの程度の精度で行われる場合、例えば、ナノメートルの数十分の一のオーダーの精度で数ナノメートルから数百ナノメートルの範囲まで及ぶ高度に微調整される方式でこの周期３８を調整し制御することが可能である。この精度は、特許出願ＦＲ−Ａ１−２８１９０９９で教示されるように、同一の初期構造体から２つの素子１１、１２を取り出し、この２つの素子を分離する前に１つ又は複数の位置マークをこの構造体に予め提供することによって、得ることができる。次いで、要求されるものの全ては、位置マークを用いてそれらを組み立てる前に２つの素子の相対的な角度の位置を正確に制御することである。この方法は、図２を参照してさらに記載される。明らかに他の方法があるが、前述の認識は、素子１１、１２の組み立てられる面１０、１３に存在する結晶格子の結晶方向を有するに違いない。これらの方法は、このような良好な精度を常にもたらすものではなく、特にそれらは、傾斜角の最小化を可能にせず、それは、管理しなければならない更なる一次元配列の転位の開始を引き起こし、ねじれ角によって生じる結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイと相互に作用する。
【００３９】
この周期３８は、エピタキシャル成長された材料の厚さに関連して、カラムが加わらなければならない時間を制御するために使用することができる要素の一方である。それは、ねじれ角に依存する。バンプ３のアレイを露出するための動作及び任意にバンプ３のレリーフを高めるための処理動作は、バンプ３の支持領域３５の高さ３６及び大きさが変更されることを可能にする。アレイの周期３８は、ねじれ角によって固定され、バンプの間の間隔３７は、支持領域３５の大きさと同時に変化する。
【００４０】
変形例として、例の素子１２において薄くされてない素子は、図１Ｆに示されるようなエッチング停止層１２．２を覆う結晶材料のフィルム１２．１を有する積層体で形成され得る。他のものを有するこの素子の組立体は、前述のように実施することができる。停止層１２．２は、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アモルファスシリコンで作ることができる。このフィルム１２．１は、ホスト結晶材料として後に記載される材料の１つ、例えばシリコンから選択してもよい。
【００４１】
図１Ｆに示されるような素子１２を用いることの利点は、処理中に、停止層１２．２がリセス６で局所的に露出され、この理由により、２つの別の材料が、有利には一方のみがエピタキシャル成長を可能にする表面上で得られる。第２の利点は、バンプの高さ及び側方寸法を独立に制御するための能力である。
【００４２】
この停止層１２．２は、部分的に攻撃することができ、又は全く攻撃することができない。攻撃は、還元または酸化雰囲気において乾式または湿式攻撃であってもよく、化学的、イオン性、電気化学的、光化学的、熱的な攻撃であってもよい。例えば、攻撃は、バンプ７の側方寸法を調整するための結晶材料における攻撃と比べて停止層１２．２において非常に遅い速度であってもよい。図１Ｇを参照することができる。
【００４３】
バンプの高さを増加するために、停止層は、フィルム１２．１の材料と下層とに対して選択的にエッチングしてもよい。
【００４４】
エピタキシャル成長によって、バンプ３の支持領域３５にカラムが生じるが、明らかにリセス内である。バンプの大きさを調整することによって、リセスが材料で完全に満たされることを可能にしないことが求められる。例えば、１０ナノメートルのオーダーの高さ３６及び３ナノメートルのオーダーの空間３７を有して十分に高く接近したバンプ３に関して、カラム成長は、カラム４を形成する材料の緩和及び歪みが緩和されている均一の連続層の形成を可能にするリセス６の成長から十分に独立される。
【００４５】
バンプの高さ３６、それらの支持領域３５の大きさ及びそれらの周期３８である３つのパラメータに従うことによって、異なる格子パラメータの材料を適切なバンプアレイを備えた所定の材料の基板２の上に成長することが可能である。
【００４６】
エピタキシャル成長の後、連続層５は、要求される厚さ及び結晶品質を得ることができる。この層５における臨界厚さ３９は、構造化されていないホスト基板を用いて得られる厚さより常に大きい。この臨界厚さ３９を超えると、この層内の欠陥割合（レート）は、ホスト基板を構造化することなく同一の厚さの層を用いて得られるものより小さくなるだろう。
【００４７】
一例として、ホスト結晶材料、すなわち、バンプの材料、または、しばしばバンプ３が備えられる基板２の材料は、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、ガリウム砒素ＧａＡｓ、シリコンカーバイドＳｉＣ、インジウムリンＩｎＰ、サファイヤ、ダイヤモンド、ジルコニウム、マグネシウム酸化物ＭｇＯでありえ、これらの材料を単独または組み合わせて用いることができる。エピタキシャル成長によって堆積される材料は、シリコンＳｉ、ゲルマニウムＧｅ、窒化ガリウムＧａＮ、ダイヤモンド、シリコンカーバイドＳｉＣ、インジウムリンＩｎＰ、ガリウム砒素ＧａＡｓ、インジウム砒素ＩｎＡｓ、シリコンゲルマニウムＳｉｘＧｅ１−ｘ、例えばＩｎＧａＡｓタイプのＩＩＩ−Ｖ化合物、または、例えばＣｄＴｅタイプのＩＩ−ＶＩ化合物から選択することができ、これらの材料を単独または組合せて用いることができる。その連続部分におけるエピタキシャル成長された層の材料は、一般にホスト基板２の材料とは異なる。
【００４８】
エピタキシャル成長中に堆積される材料の組成に変化を生じさせることは利点があるかもしれない。例えば、シリコンの構造化された基板において、０＜α＜１である第１の値αと、０≦β＜１である第２の値β（有利には、β＝０）との間の変数ｘを有してＳｉｘＧｅ１−ｘを成長することが可能である。変化は、線形であっても線形でなくてもよい。エピタキシャル成長は、ゲルマニウムを用いて継続することができる。ＳｉｘＧｅ１−ｘ（変数ｘを有する）のエピタキシャル成長が構造化されていない基板上で行われるより、ゲルマニウム層における等価な臨界厚さにおいて、非常に小さい厚さは、支持領域３５における変数ｘを有するエピタキシャル成長されたＳｉｘＧｅ１−ｘ層において必要とされる。
【００４９】
従来技術と比較して本発明の方法の１つの利点は、リソグラフィ段階が要求されない、又は、その歪みが良く緩和されるエピタキシャル成長された層をこれらの開口部がもたらすような密度と寸法を有する開口部をエッチングすることが困難であるマスクが要求されないということである。本発明の方法に関して、非常に正確に制御された周期を有するマスクにエッチングされた開口部の密度より大きいバンプ密度を得ることが可能であり、マスク開口部より小さい支持領域を有するバンプを得ることを可能にするので、エピタキシャル成長された層のより良い応力緩和を得ることが容易になるだろう。形成されたエピタキシャル成長された層５は、可能な限り最小化された歪み、従って可能な限り高い歪み緩和を有するかもしれない。この層の成長は、あらゆる塑性緩和なしに行われてもよく、従って、この塑性緩和の理由で通常生じる欠陥の形成を避ける。それにも関わらず、必要であれば、この臨界厚さを超えることが可能であろう。この場合、欠陥を有する層が得られるが、本発明なしで得られる層より少量で得られるだろう。エピタキシャル成長された層の材料は、場合によっては非常に様々な格子パラメータ、例えば、バンプアレイが備えられるホスト基板１２の基板の格子パラメータと数％異なる格子パラメータを有してもよい。
【００５０】
本発明の他の利点は、バンプの形成が、組み立てられた素子の大きさに関係なく非常に正確な方式と良好な規則性で、非常に小さい寸法で集合的に行われるということである。この方法は、例えば、直径１００ミリメートルと、より大きい直径１５０、２００または３００ミリメートルの基板との両方に対して同じ歪みを用いて適用される。これらの寸法は、シリコン基板において標準的な産業用の大きさである。従来の方法に関して、マスクのエッチングは、より小さい基板よりも大きな基板において時間がかかり且つコストが嵩み、例えば５０ミリメートル未満の小さなサイズの基板において常に利用可能であるとは限らないリソグラフィ技術に頼った。
【００５１】
図２Ａから２Ｋを参照して、本発明の方法の他の例は、特許出願ＦＲ−Ａ−２８１９０９９及び特許出願ＦＲ−Ａ−２８１５１２１の教示に基づいて以下に記載されるだろう。この方法は、非常に正確な方法で互いに相対的に順番にそれらを配向させることによって２つの素子を組み立てることからなり、この精度は、サンプルの素子が１つ又はそれ以上の位置マークを運ぶようにこれらの位置マークが備えられる１つの同じ結晶基板、例えば半導体から２つの素子が取られているという事実による。この方法は、傾斜角を最小化する、場合によっては相殺するという利点を有する。特許出願ＦＲ−Ａ−２８１５１２１のように、これらの素子の１つは、支持体、支持体薄膜化のための停止層、及び、少なくとも組み立てられる素子を形成する結晶層で形成された複合基板に含まれる。それは、例えば、絶縁基板上の半導体、ＳＯＩであってもよい。ＳＯＩ基板は、絶縁層の一方の側に位置する半導体材料の２つの層を備えてもよい。半導体材料の層の一方は、他方より厚くなくてもよい。より厚い方の基板は、複合体基板の支持体に対応し、絶縁層は、支持体薄膜化のための停止層に対応し、より厚くない層は、組み立てられる素子に対応する。絶縁基板上の半導体が他の素子と組み立てられるのは、より厚くない層を用いてである。
【００５２】
この例では、出発基板は、＜００１＞方向に配向した自由面１０１を有する、例えばシリコンである結晶性半導体材料のベース基板１００である。この基板の直径は、１００ミリメートルでありえるが、より小さい基板を使用することができ、また、直径１５０、２００、または、３００ミリメートルでさえもあるより大きな基板を使用することができる。この＜００１＞配向の選択によって、バンプアレイが、４のオーダーの対称性を有して得られることを可能になる。その表面が、他の結晶配向、例えば＜１１１＞結晶配向を有するベース基板を使用することも明らかに可能であり、この＜１１１＞結晶配向は、バンプアレイに３のオーダーの対称性を与えるだろう。
【００５３】
この基板１００は、続いて結合される結晶表面を有する２つの部品をそこから取ることを可能にするように処理されるだろう。自由面１０１を熱酸化することによる酸化物層１０２を形成することによって開始することが可能である。この酸化物層１０２は、４００ナノメートル程度の厚さを有してもよい。この段階は、図２Ａに示される。この酸化物層１０２は、続いて薄膜化停止層として使用されるだろう。
【００５４】
次いで、このベース基板１００は、埋め込まれた弱い領域を生成することを可能にし、続いてこの弱められた領域における破砕を生じさせることができる注入されたイオン、例えば水素イオンまたは他のあらゆる気体種のイオンを用いて弱体化されるだろう。この弱められた領域１０４によって、注入深さのオーダーの距離にある酸化物層１０２の下に、ベース基板１００のシリコンに位置する平面の形成が見込まれる。注入は、酸化物層１０２の自由表面１０１から行われる。シリコン基板に対する注入エネルギーは、例えば、７６ｋｅＶ程度であり、水素イオンの投量は、６×１０１６原子／ｃｍ２程度であってもよい。これらの条件の下、４００ナノメートルの酸化物層１０２において、弱められた領域１０４は、酸化物層１０２の自由表面から約７６０ナノメートルの位置にある。図２Ｂを参照する。
【００５５】
次いで、１つ又はそれ以上の位置マーク１０５は、酸化物層１０２及びベース基板１００の下層の半導体において、例えばフォトリソグラフィ及び化学、イオンまたは他のエッチングによって形成され、これらの位置マーク１０５は、酸化物層１０２に対して弱められる領域１０４上のベース基板１００に侵入する。これらの位置マークをエッチングするための他の方法は使用することができ、例えば、レーザーを用いることができる。この位置マーク１０５は、完全にベース基板１００を通過することができる。これらの位置マーク１０５を示す図２Ｃを参照することができる。これらの位置マーク１０５は、特許出願ＦＲ−Ａ−２８１９０９９で説明されるように配置することができ、分度器などの目盛を刻んだスケールの形態を仮定することができる。この目盛は、例えば、度、１０分の１度、１００分の１度、１０００分の１度を示してもよい。２つの位置マークがある場合、それらは、ベース基板１００とは全く正反対に位置してもよい。
【００５６】
次いで、図２Ｄによれば、図２Ｃの構造体は、例えばシリコンである補助基板１０６上に組み立てられる。この組立体は、酸化物層１０２を担持する面を用いて形成される。この組立方法は、親水性分子結合を使用してもよい。
【００５７】
次いで、破砕は、例えば５００度で１時間の熱処理を用いて、弱められた領域１０４の平面に沿って行われる。この熱処理は、分子結合を強化する利点がある。次いで、図２Ｅに示されるような２つの素子１１０、１０８が得られる。この例では、素子１１０の一方は、セミコンダクターオンインシュレータータイプの基板であり、進行中のケースにおいては、それは、シリコンオンインシュレーターであり、それは、補助基板１０６、酸化物層１０２、破砕によってベース基板１００から得られたシリコンの結晶薄膜１０７の積層体で形成される。他方の素子１０８は、ベース基板１００の残りの部分に相当する。この２つの素子１０８、１１０は、共に位置マーク１０５が備えられ、ベース基板１００から生じる結晶部分１０７、１０８を備える。
【００５８】
素子１１０は、この例ではＳＯＩ基板タイプであるが、明らかに位置マーク１０５が消えることが生じないように、位置マーク１０５を備えるこの薄膜１０７の側部を焼き鈍し、酸化及び研磨に曝すことができる。この処理の終わりに、このシリコンの薄膜１０７が例えば１００ナノメートルのオーダーの厚さを維持するように、分割が行われる。他方の素子１０８は、この例では固体であるが、明らかに位置マーク１０５が消えることが生じないように、後続の結合に適合する研磨表面を得るために位置マーク１０５を担持するその面を研磨に曝すことができる。それは、２つの結晶部品１０７、１０８上の位置マーク１０５を用いて非常に正確な方法で決定したねじれ角を導入することによって、例えば疎水結合である分子結合によって結合界面において互いに結合されるこれらの２つの結晶部品１０８、１０７である。このねじれ角の値は、０．４４°でありえ、または例えば１．１°でありえる。これらの値によって、それぞれ５０及び２０ナノメートルの周期を有する対称性４の結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイが生成するだろう。分子結合段階を示す図２Ｆを参照することができる。この段階において、一般的に熱処理は、７００度で１時間にわたり結合を強化するために行われる。
【００５９】
変形例として、固体のベース基板を用いてではなく、支持体２０１を用いた以前に定義された複合ベース基板２００、支持体薄膜化停止層２０２及び少なくとも１つの結晶層２０３を用いて開始することが可能である（図４Ａ）。結晶薄膜２０３．１は、結晶層２０３から得られ、他の支持体２０５上に移動される（図４Ｂ）。次いで、得られた構造体は、複合基板２００によって初期に担持された位置マーク１０５によって最も正確な方法で決定されたねじれ角を導入することによって、薄膜が取られた複合基板２００の残りの部分と組み立てることができる（図４Ｃ）。
【００６０】
カラムにおいてベースとして作用するナノメートルスケールのバンプの周期的なアレイは、ここで形成される。この説明は、図２Ｆで得られた構造体から続くが、この説明は、図４Ｃで得られた構造体に適用することもできる。
【００６１】
素子１１の一方が薄膜化される代わりに、図１において記載されるように結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイが露出されるまで、結晶欠陥及び／又は歪み場のアレイを露出することなく素子１１０、１０８の一方が薄膜化される。記載された例では、セミコンダクターオンインシュレーター基板によって形成される素子１１０は、薄膜化されるだろう。変形例として、特に出発基板が図４において記載されるような複合材である場合、図４Ｄに示されるように支持体２０１から開始して停止層２０２まで基板２００を薄くすることが明らかに可能である。
【００６２】
素子１１０の薄膜化は、図２Ｄのベース基板１００から得られる薄膜１０７を完全にまたは一部残しておくことからなる。薄膜化するために、第１に、ＳＯＩ基板１１０の最も厚いシリコン部分で形成される補助基板１０６は、除去される。この除去は、例えば当業者に周知の機械的な方法を用い、次いで例えばＴＭＡＨ（トリメチル水酸化アンモニウム）を用いた化学的な方法で行うことができる。化学的な攻撃は、酸化物層１０２で停止する。この段階は、図２Ｇに示される。
【００６３】
次いで、酸化物層１０２は、例えばＨＦである弗酸水溶液を用いて攻撃することによって除去される。この弗酸の濃度は、１０％であってもよい。次いで、この薄膜１０７は、薄膜化され、例えばその厚さが２０ナノメートル未満まで減少される。
【００６４】
この薄膜化は、化学的攻撃及び／又は熱酸化に続く化学的攻撃からなってもよく、化学的攻撃は、弗酸水溶液を用いることもできる。一連の熱酸化及びそれに続く化学的攻撃は、犠牲処理に相当する。この点で、薄膜化された膜１０７の自由表面１１１は、結晶欠陥及び／又は歪み場１１４のアレイの存在を露出しない。図２Ｈに示された構造体が得られる。以下の段階は、図２Ｉに示されるが、その自由面１１１が結晶欠陥及び／又は結合界面１１５の付近の歪み場１１４のアレイの存在を露出するような、薄くされた膜１０７を処理することからなる。この処理は、好ましくは歪み領域を攻撃する化学的攻撃であってもよい。この処理の後、ナノスケールのバンプ１３０のアレイを有する表面が得られる。この化学的攻撃は、弗散及び三酸化クロムＣｒＯ３／ＨＦ、弗酸及び硝酸ＨＮＯ３／ＨＦ、重クロム酸イオン及び弗酸Ｃｒ２Ｏ７−−／ＨＦを含有する化学水溶液を用いて行ってもよい。これらの溶液に対して、酢酸を加えることができ、及び／又は、エタノールまたはプロパノールなどのアルコール及び／又はアンモニアを加えることができる。特にバンプの高さ１３６及びそれらの支持領域１３５の大きさを調整するために、露光段階は、他の化学的攻撃、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、酸化及び脱酸、電気化学攻撃、光化学攻撃、材料堆積などの他の表面処理段階によって完成することができる。一般的には、例えば、１ナノメートルの膜に相当するゲルマニウムを堆積することが可能である。堆積は、この例ではシリコンである支持領域１３５上に必須的に行われる。次いで、ゲルマニウムに対するシリコンの選択的エッチングによってバンプの高さを増加することが可能である。支持領域１３５上に位置するゲルマニウムの薄膜は、円柱状のエピタキシャル成長の段階の前に任意に除去されてもよい。
【００６５】
例えば、高さが約１０ナノメートルのバンプ１３０を得ることが可能であり、２つの隣接するバンプ１３０は、４ナノメートル程度離隔されており、アレイの周期は、２０ナノメートル程度である。この周期が、支持領域およびその後の又は前の空間によって形成された間隔に相当することは明らかである。
【００６６】
変形例として又は組み合わせて、露光段階は、加熱スケジュールからなってもよい。この加熱スケジュールは、特定のガスの存在における任意の焼き鈍し又は真空焼き鈍しの形態で提供されてもよい。この熱スケジュールの目的は、界面１１５の付近に位置する、すなわち薄膜１０７の自由表面１１１に対して埋められている結晶欠陥及び／又は歪み場１１４のアレイのトポロジーに依存するバンプ１３０とリセスを生じることによって、薄膜１０７の自由表面のトポロジーの変化を生じさせることである。
【００６７】
拡散またはイオン注入によって薄膜１０７または他の素子１０８に化学種を加えたりするなどの他の方法は、結晶欠陥及び／又は歪み場１１４のアレイを露出するために使用することができる。化学種の添加は、加熱スケジュールと組み合わせることができ、この添加は、加熱スケジュールの適用の前に及び／又は後に及び／又は最中に行うことができる。この加えられた化学種は、金、銅、チタン、アルミニウムまたはシリコンに対するボロンなどのドーパントでありえる。この加えられた化学種は、この欠陥及び／又は最大歪み領域に局在化する。それで、バンプアレイを露出するために、例えば選択的エッチング段階を使用することが可能である。
【００６８】
露出は、薄膜化される素子（薄膜１０７または素子１０８）の、化学的及び／又は電気化学的及び／又はイオン性の及び／又は光化学的及び／又は機械的な攻撃によって得ることもできる。同様に、この攻撃は、加熱スケジュールと組み合わせることができ、それは、加熱スケジュールの適用の前に及び／又は後に及び／又は最中に行うことができる。
【００６９】
この攻撃段階は、様々な酸化または還元雰囲気で行うことができる。
【００７０】
この段階で、バンプアレイが、特に格子パラメータに関して、続くエピタキシャル成長により適合するようにバンプアレイを修正することも可能である。支持領域を広げるために、すなわち、それらの表面を増加するために、例えばシリコンバンプにおいて、例えば、支持領域１３５にボロン、砒素、シリコン、ゲルマニウムを注入することも可能である。この注入は、それにも関わらず、支持領域の結晶品質を後続のエピタキシャル成長における満足のいく品質を保証するように保たなければならない。この注入は、注入された種の拡散段階と関連することができる。
【００７１】
次いで、エピタキシャル成長される材料、例えばゲルマニウムの堆積を進めることが可能である。この場合、エピタキシャル成長は、例えば気相エピタキシャル成長または分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）であってもよい。６００℃のオーダーの温度で行われるこの堆積段階は、２つの図２Ｊ及び２Ｋに示され、一方はカラム堆積に相当し、他方は、カラムが結合した後の連続層の堆積に相当する。
【００７２】
堆積の開始において、カラム１４０は、図２Ｊに示されるようなバンプ支持領域１３５に形成される。堆積が続けられ、カラム１４０は、外部に広がり、それらの直径が増加し、結合によって停止する。次いで、連続層１５０は、図２Ｋに示すような形状となる。バンプ１３０に堆積される材料は、カラム１４０の直径を修正することによってその歪みを緩和させる。格子パラメータの測定によって、堆積された材料の歪み緩和割合が示される。ねじれ角の調節及びバンプアレイ１３０の形成における制御に関して、カラム１４０の幾何学的パラメータ、すなわち、それらのベース断面及びそれらの間隔は、バンプ１３０の支持領域１３５の大きさ、それらの高さ１３６及びそれらの間隔１３７に基づいて、高い精度で制御することができる。これらの寸法パラメータに対する制御に関して、例えばその歪み緩和割合ができるだけ高い連続層１５０を得ることが可能である。カラム１４０の形成、及び、従って連続層１５０の形成は、費用が嵩み且つ時間がかかるナノリソグラフィ技術に頼ることなく、ベース基板の全体表面上に再現可能な方法で行うことができる。
【００７３】
本発明の一用途では、得られた露出した連続層１５０は、それが結晶学的関係を有したり有しなかったりする他の基板に移動（転写）することができる。エピタキシャル成長された連続層を受けるための他の基板は、例えばプラスチック材料でありえ、ガラスまたは例えばシリコンである半導体材料などの他の結晶材料、シリカまたはシリコンカーバイドなどの半導体材料のカーバイドでさえある材料の酸化物でありえる。この移動は、埋め込まれた弱体化された領域を提供することができるガス種を注入し、続いて、例えば、特許出願ＦＲ−Ａ−２６８１４７２に記載されるような加熱及び／又は機械的な処理によってこの領域を破砕することによって行うことができる。
【００７４】
例えば分子結合によってエピタキシャル成長された層の自由表面をホスト基板に結合し、粉砕、研磨または適切な化学的攻撃を用いて、成長が行われた初期基板を除去することもできる。他の変形例は、エピタキシャル成長された層を移動するための機械的な移動を用いることからなることができ、連続層の下にあるカラムの間に存在するボイドによって生じる脆弱性の利点がある。これらの段階は、多数の図面を拡大しなければならないことを避けるために示されていない。
【００７５】
本発明の一変形例によれば、コストを削減するために、図１および２にまさに記載されているようにナノメートルスケールのバンプアレイが備えられた単一基板２または１２０を製造し、この基板を１回または複数回ナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）を用いて複写することが可能である。
【００７６】
この技術は、図３Ａに示されるような基板６３によって担持された、例えば樹脂からなる層６２を用いて基板６１のバンプアレイの型（マザー基板）を製造することからなる。この移動は、例えば熱エンボス加工または紫外性露光（図３Ｂ）によって行うことができる。次いで、この基板６３は、例えばシリコンであるが、マスクのような透かし細工の樹脂層６２を用いてエッチングされる。エッチングは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）でありえる。パターンは、基板６３に得られ、それは、マザー基板６１のバンプアレイのパターンと結合し、続いて型として使用される。図３Ｃが参照される。
【００７７】
次に、結晶基板６４は、例えば高分子樹脂の層６５でコーティングされる。型のインプリント６３は、図３Ｄ及び３Ｅに示されるように、例えば、熱エンボス加工または紫外性露光を用いて高分子層６５に形成される。次いで、結晶基板６４は、図３Ｆに示されるように高分子樹脂の層６５に残されたインプリントを用いてエッチングされる。次いで、マザー基板と実質的に等価なバンプアレイを備えたマザー基板６１のレプリカが得られる。このナノインプリントリソグラフィ技術は、例えば、“Replication of sub-40nm gap nanoelectrodes over an 8-in. Substrate by nanoimprint lithography”（Tallal J．et al, Microelectronic engineering, 2005, vol．78-79 pages 676 to 681）という文献に記載されている。
【００７８】
本発明のいくつかの実施形態が示され具体的に記載されているが、本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更または修正を行うことができることは理解されるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１Ａ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｂ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｃ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｄ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｅ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｆ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図１Ｇ】本発明の方法の第１例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ａ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｂ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｃ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｄ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｅ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｆ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｇ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｈ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｉ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｊ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図２Ｋ】本発明の方法の他の例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ａ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ｂ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ｃ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ｄ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ｅ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図３Ｆ】本発明の方法の更なる例に従ってエピタキシャル成長された構造体を製造する段階を示す。
【図４Ａ】固体基板の代わりに図２に示される例の複合基板の使用を示す。
【図４Ｂ】固体基板の代わりに図２に示される例の複合基板の使用を示す。
【図４Ｃ】固体基板の代わりに図２に示される例の複合基板の使用を示す。
【図４Ｄ】固体基板の代わりに図２に示される例の複合基板の使用を示す。
【符号の説明】
【００８０】
２  基板
３  バンプ
４  カラム
５  連続層
１１  素子
１２  素子
１５  結合界面
１６  結晶領域
３５  支持領域
３６  バンプの高さ
３８  アレイの周期
３９  臨界厚さ
４０  連続層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図２Ｊ】
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【図２Ｋ】
2009521391.tif 000020
【図３Ａ】
2009521391.tif 000021
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【国際調査報告】
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