(57)【要約】【課題】  放射源で生成される有害な汚染物質を取り除く。【解決手段】  回転可能汚染障壁（１）が開示される。障壁は、ＥＵＶ放射源（２）から生じる汚染物質を捕捉するための複数の緊密にパッキングされたブレード（５）を含む。ブレードは、汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向される。汚染障壁は、中心回転軸に対して内側区分（７）と外側区分（８）に区分される。これにより、より高い回転速度が、汚染障壁で損なわれることなく実現できる。【選択図】  図２
2009537981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射システム中で使用するための回転可能汚染障壁であって、前記汚染障壁がＥＵＶ放射源から生じる汚染物質を捕捉するための複数の緊密にパッキングされたブレードを備え、前記ブレードが前記汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向され、前記汚染障壁は前記中心回転軸に対して内側区分と外側区分とに区分される、回転可能汚染障壁。
【請求項２】
前記内側区分および前記外側区分を接続するコネクタをさらに備える、請求項１に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項３】
前記内側区分が、回転する内側シャフトに取り付けられた複数の緊密にパッキングされた内側ブレードを備え、前記外側区分が前記内側区分を備える中空外側シャフトを備え、複数の緊密にパッキングされた外側ブレードが前記中空外側シャフトに接続されている、請求項１に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項４】
前記内側シャフトおよび前記外側シャフトがスポークによって接続された、請求項３に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項５】
前記内側区分および前記外側区分が切頭円錐として形成された、請求項１に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項６】
前記内側円錐が、頂点角度３０度〜４０度の間の範囲にあり、前記外側円錐が、頂点角度４５度〜５５度の間の範囲にある、請求項５に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項７】
内側区分円周の周囲のホイルの数が外側シャフト円周の周囲のホイルの数よりも少ない、請求項１に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項８】
前記内側および外側区分が異なる回転速度で回転する、請求項７に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項９】
前記内側区分の前記回転速度が前記外側区分の前記回転速度より速い、請求項８に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項１０】
前記外側区分が、遠心分離される物質の流れを軸端から前記第１の区分を離れるように案内する案内構造体を備える、請求項１に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項１１】
前記案内構造体が、デブリを前記第１の区分から前記外側シャフトを通って遠心分離されるように案内するための、前記外側シャフト中の開口を備える、請求項１０に記載の回転可能汚染障壁。
【請求項１２】
ＥＵＶ放射ビームを供給するためのＥＵＶ放射源と、前記ＥＵＶ放射源から生じる汚染物質を捕捉するための複数の緊密にパッキングされたブレードを備える回転可能汚染障壁であって、前記ブレードが前記汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向され、前記汚染障壁が前記中心回転軸に対して内側区分と外側区分に区分される汚染障壁とを備える放射システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成された支持体であって、前記パターニングデバイスが断面状のパターンを備える放射の前記ビームを与えて、パターニングされた放射ビームを形成することができる、支持体と、
基板を支えるように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分の上に前記パターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、汚染障壁およびそれを備えるリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを、基板の上、通常は基板のターゲット部分の上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の作製に使用できる。この例では、マスクまたはレチクルと呼ばれることもあるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されうる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つのダイ、１つのダイの部分、またはいくつかのダイ）の上に転写できる。パターンの転写は、通常基板上に与えられた放射に感応する物質（レジスト）の層の上での結像により行われる。全体として、１つの基板は、連続的にパターニングされる近接するターゲット部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体が一時にターゲット部分に露光することによってターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームによって所与の方向（「走査」方向）にスキャンする一方で、同時に基板をこの方向と平行して、または逆平向にスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターニングデバイスから基板へのパターンの転写を、パターンを基板上にインプリントすることにより行うこともまた可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶリソグラフィで使用される放射源は通常、リソグラフィのプロセスが実施される光学環境および作業環境にとって有害な汚染物質を生成する。これは、レーザが生成するプラズマまたは放電プラズマによって動作するＥＵＶ源で、特に生じやすい。したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＶＵ源から生じる放射のビームを調節するように構成された光学システムの汚染を制限したいとの願望がある。この目的のために、例えば、欧州特許出願第ＥＰ１４９１９６３号に開示されたようなホイルトラップが提案されている。ホイルトラップは、多数の緊密にパッキングされたホイルまたはブレードを使用する。ミクロ粒子、ナノ粒子、イオンのような汚染デブリは、ブレードが与える壁の中に捕捉できる。したがってホイルトラップは、汚染物質を放射源から捕捉する汚染障壁として機能する。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  ある実施形態において、回転可能ホイルトラップは、特に極端紫外線放射を与えるように構成された極端紫外線放射源の前で、回転軸がシステムの光軸に沿うように配向されてよい。汚染物質を捕捉するように構成されたブレードは、したがって汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向されてよく、放射の方向に実質的に平行に位置あわせされてよい。充分に高い速度でホイルトラップを回転することにより、移動する汚染デブリが、汚染障壁のブレードにより捕捉されうる。設計上の制約により、他の手段ではデブリの移動する方向に沿うブレードの長さが受け入れがたく大きくなるために、汚染障壁の回転速度は極めて高いことがある。典型的な回転速度は１５０００〜３００００ＲＰＭであり、この速度は汚染障壁の金属化合物中にかなりの応力を、特に、放射源の動作温度において生じる可能性があり、その場合、汚染障壁が、６００℃よりかなり高い温度にまで加熱しうる。さらに、可能性ある汚染障壁の破壊は機械に有害となる可能性があり、大きな出費となるダウンタイムを生じさせうる。ある実施形態において、放射の投影ビームを与えるように構成された放射システムは、放射源から生じる汚染物質を捕捉するように構成された複数の緊密にパッキングされたブレードを備える回転可能汚染障壁を備える。
【０００５】
[0005]  より堅固で、汚染障壁がより高い強度を持ち、特に、ブレードが堅牢な放射システムを提供することが望ましい。本発明の態様によれば、ＥＵＶ放射源から生じる汚染物質を捕捉する複数の緊密にパッキングされたブレードを備える、ＥＵＶシステム中で使用されるための回転可能汚染障壁が提供され、ブレードが汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向される。汚染障壁はそれぞれ、中心回転軸に対して内側区分と外側区分に区分される。
【０００６】
[0006]  ある実施形態において、リソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射ビームを供給するためのＥＵＶ放射源を備える放射システムと、ＥＵＶ放射源から生じる汚染物質を捕捉するための複数の緊密にパッキングされたブレードを備える回転可能汚染障壁とを含む。ブレードは、汚染障壁の中心回転軸に対して放射状に配向される。汚染障壁は、中心回転軸に対して内側区分と外側区分に区分される。本装置は、パターニングデバイスを支持するために構成された支持体も含む。パターニングデバイスは、断面状のパターンを備える放射のビームを与えて、パターニングされた放射ビームを形成することができる。本装置は、基板を支えるように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分の上にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムとをさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
[0007]  これより本発明の実施形態を、例示のみを目的として、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しつつ説明する。
【０００８】
【図１】[0008]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0009]本発明の実施形態による回転ホイルトラップの一般的な設定を示す図である。
【図３】[0010]本発明による実施形態の概略図である。
【図４】[0011]図３に示す実施形態の断面図である。
【図５】[0012]本発明による回転ホイルトラップの別の実施形態の図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0013]  図１は、本発明の実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。本装置は、発放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された発光システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、あるパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造体（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト被覆ウェーハ）Ｗを支えるように構築され、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、放射ビームＢにパターニングデバイスＭＡによって与えられるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つまたは複数のダイを備える）上に投影する投影システム（例えば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１０】
[0014]  発光システムは、放射を方向付け、形付け、制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型もしくは他の型の光学コンポーネント、またはその任意の組合せなどの様々な種類の光学コンポーネントを含みうる。
【００１１】
[0015]  支持構造体は、パターニングデバイスを支持する、すなわちその重量を支える。支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、およびパターニングデバイスが真空環境で支えられているか否かなどの他の条件に依存する形式で、パターニングデバイスを支える。支持構造体は、機械式、真空式、静電気式、または他のパターニングデバイスを支えるためのクランプ技法を使用しうる。支持構造体は、例えば、必要に応じて固定されまたは移動可能でありうる、フレームまたはテーブルであってよい。支持構造体は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置であるよう保証しうる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」の使用はすべて、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義だとみなしうる。
【００１２】
[0016]  本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、断面状のパターンを備える放射ビームを与え、パターンを基板のターゲット部分中に生成するために使用しうる任意のデバイスを参照すると広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分中の所望のパターンに厳密に対応しない可能性があることに留意すべきである。一般的に、放射ビームに与えられたパターンは、ターゲット部分中に生成されるデバイス中の、集積回路などの特定機能層に対応する。
【００１３】
[0017]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレー、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィではよく知られ、バイナリ、レベンソン型（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ）位相シフト、およびハーフトーン型（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）位相シフト、ならびに様々なハイブリッドマスクの型などのマスクの型を含む。プログラマブルミラーアレーのある例では、小型ミラーのマトリックス配置を使用し、そのそれぞれが入射放射ビームを異なる方向で反射するように別個に傾斜されることができる。傾斜ミラーは、放射ビームにパターンを与え、放射ビームはミラーマトリックスにより反射される。
【００１４】
[0018]  本明細書で使用される用語「投影システム」は、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型および静電気型光学システム、またはその任意の組合せを、使用される露光放射、または液浸液の使用もしくは真空の使用などその他の要因に適切であるように含む、任意の種類の投影システムを包含すると幅広く解釈されるべきである。本明細書における用語「投影レンズ」の使用は、より一般的な用語である「投影システム」と同義だとみなしうる。
【００１５】
[0019]  本明細書の記載において、本装置は反射型（例えば反射性マスクを使用する）である。あるいは、本装置は透過型（例えば透過性マスクを使用する）でありうる。
【００１６】
[0020]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型式でありうる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルが平行して使用されてよく、または予備ステップは１つまたは複数のテーブル上で実施される一方で、１つまたは複数の他のテーブルが露光のために使用されてよい。
【００１７】
[0021]  リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的高い屈折率の液体、例えば水によって覆われ、投影システムと基板の間のスペースが充填される型式であってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置の他のスペース、例えばマスクと投影システムの間に与えられてもよい。液浸技法は、投影システムの開口数を増加させることが当技術分野ではよく知られている。本明細書で使用される用語「液浸」は、基板などの構造体を液中に沈めなければならないことを意味するものではなく、液が露光中に投影システムと基板の間に位置することを意味するに過ぎない。
【００１８】
[0022]  図１を参照し、イルミネータＩＬは、放射ビームを放射源ＳＯから受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマーレーザである場合、別個のエンティティであってよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとはみなされず、および放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムの支援により伝えられる。他の例では、例えば放射源が水銀灯であるとき、放射源は、リソグラフィ装置と一体であってよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムとあわせて、放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0023]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するためのアジャスタを備えてよい。一般的に、イルミネータの瞳面強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般的にそれぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）は、調節可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの様々な他のコンポーネントを備えてよい。イルミネータは、放射ビームを調節して、その断面で所望の均質性と強度分布を得るために使用されてよい。
【００２０】
[0024]  放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルＭＴ）に支持されるパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。横方向マスクＭＡを有する放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に集束させる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の支援により、基板テーブルＷＴは正確に移動でき、例えば、放射ビームＢの経路中の異なるターゲット部分Ｃを位置決めする。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリからの機械的回復後、またはスキャン中に、正確にマスクＭＡを放射ビームＢの経路に関して位置決めすることができる。概して、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の支援により実現されうる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールの支援により実現されうる。ステッパの場合は、（スキャナと異なり）マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみと接続してもよく、または固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰＩ、Ｐ２を使用して位置あわせされうる。図示された基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有しているが、ターゲット部分の間のスペース（これらはけがき線アライメントマークとして知られる）に位置してよい。同様に、２つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられる状況においては、マスクアライメントマークは、ダイの間に位置してよい。
【００２１】
[0025]  記載の装置は、以下のモードの少なくとも１つに使用できる。
【００２２】
[0026]  １．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止する一方、放射ビームに与えられるパターン全体は、一時（すなわち１回の静的露光）にターゲット部分Ｃに投影される。基板テーブルＷＴは、その後Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光されることができるようにする。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大寸法は、１回の静的露光で像を形成するターゲット部分Ｃの寸法を限定する。
【００２３】
[0027]  ２．スキャンモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃ上に投影されている間に同時に（すなわち１回の動的露光）でスキャンされる。基板テーブルＷＴのマスクテーブルＭＴに対する速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大特性および像反転特性によって決定されてよい。スキャンモードにおいて、露光フィールドの最大寸法は、１回の動的露光でのターゲット部分の（非走査方向の）幅を限定し、スキャン動作の長さはターゲット部分の（走査方向の）高さを決定する。
【００２４】
[0028]  ３．別のモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基本的に静的なままプログラマブルパターニングデバイスを支え、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される間に、基板テーブルＷＴが移動し、またはスキャンされる。本モードにおいて、一般的にパルス放射源が使用され、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴのそれぞれの移動後、またはスキャン中の連続する放射パルスの中間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上述した型式のプログラマブルミラーアレーなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００２５】
[0029]  上述した使用されるモードに対する組合せおよび／または変形、あるいは全く異なる使用モードもまた、使用されてよい。
【００２６】
[0030]  図２は、放射の投影ビームを与えるように構成された放射システム１を概略で示す。放射システム１は、極端紫外線放射を与えるように構成された極端紫外線放射源２を備える。図において、破線はＥＵＶ源２から生じるＥＵＶ放射３を示し、通常スズ、リチウムまたはキセノン源などのレーザ誘起プラズマ源またはプラズマ放電源であるが、他の放射源も可能であり、具体的には、リソグラフィ装置（図示せず）の下流光学装置への損傷を阻止するために捕捉されるべき、放射源２から逃れ出る速い粒子との組合せでＥＵＶ放射を生成する任意の他の放射源も可能である。さらに、放射源２から生じる汚染物質を捕捉するように構成された複数の緊密にパッキングされたブレード５を備える回転可能汚染障壁４が、提供される。ブレード５は、汚染障壁４の中心回転軸６に対して放射状に配向される。障壁の別の名称は、（回転可能）ホイルトラップである。ブレード５の回転により、速く移動する粒子、具体的には放射源２から放散するスズ粒子ならびに気体粒子およびイオン状粒子を捕捉することができ、一方、ＥＵＶ放射は光速のために、概ねブレード５に妨害されずに移動できる。
【００２７】
[0031]  ホイルトラップ４は、したがって放射源２から生じる汚染物質を捕捉する汚染障壁として機能する。通常、ブレード５は、０．３〜５ｍｍの距離で離れて配置され、全体として矩形の形状を有する。有利には、放射源２は、汚染障壁１の光学中心を画定する複数のブレード５を通って延在する平面の交点に位置し、これは図２中でホイルトラップ４の中央軸６と合致する。ＥＵＶ源２がこの中心上にあるような理想的な点では、放射は、ブレード５の配向に対して概ね平行な方向を通ることになる。これにより、ＥＵＶ放射の遮蔽は低く、ブレードの（ある実施形態によると機械の完全性を損ねることなく小型に保たれる）厚さにわたってのみ遮蔽が発生する。ブレードの厚さの典型的な値は、約１００ミクロンでありえ、これは放射の約１０パーセントの遮蔽をもたらしうる。高い回転速度のために、特に、６００℃をかなり超える汚染障壁の高いプロセス温度で、かなりの応力が、ブレード５に生じうる。例えば、プラズマ源２では、推定粒子速度は約６００〜１０００Ｗ／Ｓでありうる。ブレード５の典型的な外形寸法は、半径方向長さ４０〜５０ｍｍ、軸方向長さ１５〜２５ｍｍである。ブレードの典型な厚さは、８０〜１２０マイクロメータである。そのような外形寸法のために、ブレード５は、１５０００〜３００００ＲＰＭの速度で回転するときに、約１００〜２００Ｎ／ｍｍ２の張力を受けうる。
【００２８】
[0032]  構造的な完全性を改善するために、本発明によると、汚染障壁４は、中心回転軸６に関して、内側区分７と外側区分８にそれぞれ区分される。したがって、ブレード５に対する引張応力が減少する。ブレード５の第１区分および／または第２区分における典型的な半径長さは、１５〜５０ｍｍでありうる。
【００２９】
[0033]  したがって、放射源２から発する頂点角度約５０度を有する円錐区分にわたる、より高い角度範囲の放射が達成できる。したがって、大量の受光が可能となり、そのためリソグラフィ装置に、より高い放射力を伝える。
【００３０】
[0034]  例えば、汚染障壁は、頂点角度約３０度〜４０度にわたる切頭円錐形状の内側区分７、および頂点角度４５度〜５５度の間の範囲にある中空切頭円錐形状の外側区分８を備えうる。したがって、内側区分７によると放射源から発する角度区分が約１０度〜３５度の範囲でありうるし、外側区分８によると放射源から発する角度区分が約３５度〜５０度の範囲でありうる。
【００３１】
[0035]  そのため、ブレード物質の引張クリープ強度が、考えうる制限要因ではないため、ブレード厚さ（削減可能である）などのホイルトラップ４の他の構造上のフィーチャを最適化して、透過率、ブレードの洗浄可能性の改善、あるいは物質コストおよび／または許容要件の削減を行いうる。
【００３２】
[0036]  本設計は、従来方式の回転ホイルトラップ４と比較してほぼ２倍の透過が可能であると推定されるが、外側区分８用支持構造体が光透過に幾分の支障を与えうる。しかし、ホイルトラップが、放射状に従来の構造体より長く延在可能であるため、より大量の光をリソグラフィ装置に透過させうる。
【００３３】
[0037]  図３に示す実施形態をさらに詳細に述べると、汚染障壁４は、内側カップの形状で、外側リングの形状の外側区分８と一体化している内側区分７を備える。理解しやすくするためのみの目的で、２つの内側ブレード９、および２つの外側ブレード１０が示されている。
【００３４】
[0038]  内側区分および外側区分は、相互に接続せずに装備することも実施可能だが、本実施形態において内側区分７と外側区分８の間の接続は、４つの接続スポーク１１で形成されている。内側カップは、一体構造で形成されることが可能で、つまり、複数の内側ブレード９が取り付けられた回転シャフト１２を備える。示される本実施形態において、シャフト１２は中央固定軸１３の周囲を、例えば空気ベアリングを使用して回転する。外側区分８は、それに取り付けられた外側ブレード１０を有する中空シャフト１４またはリング構造体として形成される。一実施形態において、外側区分８は、例えばＨａｉｎｅｓ２８２（商標）のような、市販で入手可能の合金製の一体成型の部品として形成できる。ブレード厚さは、１００〜３００マイクロメータの範囲でありうる。この素材は、鍛錬されたガンマ−プライム強化合金で、５６〜６０重量パーセントのニッケル、１７〜２１重量パーセントのクロム、８〜１２重量パーセントのコバルト、８〜９重量パーセントのモリブデン、１〜２重量パーセントのアルミニウムおよび１．５〜２．５重量パーセントのチタンを含む。特に、この素材は、１０００時間で１パーセントのクリープについて示すクリープ強度値が、温度９２７℃で３３Ｎ／ｍｍ２、温度８７１℃で６８Ｎ／ｍｍ２、温度８１６℃で１４５Ｎ／ｍｍ２および温度７６０℃で２４１Ｎ／ｍｍ２である。そのため、信頼できる構造的な完全性を提供することができ、作業温度８００℃において１０００時間での１パーセントのクリープ生成について１００ＭＰａを超えるクリープ強度を有する。そのため、実質的に、ブレード５の半径の長さは制限され、ブレード５に影響を与える遠心力も、この設計によって制限される。外側区分８にかかる遠心力は、リング構造体１４に影響を及ぼし、内側区分７のブレード５上にかかる遠心力には追加されない。スポークは、回転ホイルトラップ４にかかる加速する回転力および遠心力に耐えるために、好ましくは比較的硬い。その結果、中空外側シャフト１４を備える区分された構成では、ホイルトラップ４に好適な温度分布が得られる。別に、Ｉｎｃｏｎｅｌ（登録商標）ａｌｌｏｙ７１８が、使用されてもよく、これは５０〜５５％のニッケルおよび１７〜２１％のクロムを含むが、コバルトの含有量はＨａｉｎｅｓ２８２（商標）よりも低い。
【００３５】
[0039]  図４は、図３に示すホイルトラップのすべての内側ブレード９および外側ブレード１０が取り付けられた断面図である。本発明の一実施形態において、内側区分の円周周囲のホイルの数は、外側シャフトの円周周囲のホイルの数より少ない。例えば、より高密度のブレード構造体を、外側区分８上に配置するほうが簡単な場合がある。また、ブレード厚さは様々でよく、例えば、より薄い厚さのブレードを備えるブレード構造体を、外側区分８に与えるほうが簡単な場合がある。
【００３６】
[0040]  図４の実施形態において、堆積デブリ、例えば、スズプラズマ源から生じた堆積スズを内側区分７から外側区分８に案内するために、案内構造体１５を外側リング１４中に備えてよい。具体的には、これは、貫通孔または溝の形状の複数の開口１６によって与えうる。溝は、デブリが第１の区分から、リング１４を通して回転して離れ、汚染障壁４から放射状に遠心分離されることができるように案内しうる。
【００３７】
[0041]  図５に示される実施形態において、内側区分７および外側区分８は、互いに接続されず、反対方向に、および／または異なる回転速度で回転することもできる。例えば、内側区分は外側区分８よりも高い速度で回転可能であるが、その理由は外側区分８がより高密度の構成のブレードを備えることができ、そのために外側区分８の方向に移動するデブリについてのデブリの抑制率が拡大するためである。
【００３８】
[0042]  本明細書において、ＩＣ製造にリソグラフィ装置を使用することについて特に言及できるが、本明細書に記載されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の案内および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの作製などの他の用途を有しうることが理解されるべきである。当業者は、このような別の用途において、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の使用はそれぞれ、より一般的な用語である「基板」または「ターゲット部分」と同義だとみなしうることを、理解するだろう。本明細書で言及される基板は、露光の前後に、例えばトラック（通常基板のレジスト層に与えられ、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で処理されうる。本明細書の開示は、該当する場合、そのようなおよび他の基板処理ツールに適用しうる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために複数回処理されてよく、そのため本明細書で使用される用語、基板は既に複数の処理された層を含む基板についても言及しうる。
【００３９】
[0043]  上で、光リソグラフィに関して本発明の実施形態を使用することについて特に言及したが、本発明が、例えばインプリントリソグラフィなどの他の用途で使用することができ、また状況が許すかぎり光リソグラフィに限定されるものではないことが理解されるべきである。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイス中のトポグラフィは、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジスト層上に押圧されてよく、そこでレジストは、電磁放射、熱、圧力またはその組合せを与えられて、硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後にレジストから外され、中にパターンを残す。
【００４０】
[0044]  本明細書で使用される用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＬＴＶ）放射（例えば波長約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍを有する）および極端紫外線（ＥＵＴ）放射（例えば波長が５〜２０ｎｍの範囲である）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含めたすべての型式の電磁放射を包含する。
【００４１】
[0045]  用語「レンズ」は、状況が許す場合に、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型および静電気型光学コンポーネントを含めた、様々な型式の光学コンポーネントのうち任意の１つまたは組合せを言及しうる。
【００４２】
[0046]  上で、本発明の特定の実施形態を記載したが、本発明は、記載された以外の手段でも実現されうることが理解されよう。例えば本発明は、上記で開示された方法を記述する機械読取可能命令の１つまたは複数のシークエンスを含むコンピュータプログラム、または中に保存されたそのようなコンピュータプログラムを有するデータ保存媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光学ディスク）の形態をとりうる。
【００４３】
[0047]  上の記載は説明のみが意図されており、限定することは意図されていない。したがって、上に記載した特許請求の範囲を逸脱することなく本発明に対して修正を行いうることは、当業者にとって明白であろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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