(57)【要約】【課題】本発明は、第二銅イオン源、酸、ニトリル化合物、及びハライドイオン源を含むマイクロエッチング組成物に関する。【解決手段】有機溶剤、モリブデンイオン源、アミン、ポリアミン、及びアクリルアミド等の他の添加剤もまた、本発明の組成物に含んでもよい。本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させる銅又は銅合金表面をマイクロエッチングする方法に関し、方法は銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させる工程、その後、高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる工程を含む。【選択図】なし
2009521597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）第二銅イオン源、
ｂ）酸、
ｃ）ニトリル化合物、及び
ｄ）ハライドイオン源
を含むことを特徴とする金属表面を処理するマイクロエッチング組成物。
【請求項２】
第二銅イオン源が、塩化銅を含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項３】
酸が、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、ギ酸、酢酸、スルファミン酸、及びトルエンスルホン酸からなる群より選択される酸である請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項４】
ブチルカルビトール、ジエチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコール、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される有機溶剤を更に含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項５】
有機溶剤が、ブチルカルビトールを含んでいる請求項４に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項６】
モリブデンイオン源を更に含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項７】
モリブデンイオン源が、モリブデン酸ナトリウム、リンモリブデン酸、モリブデン酸、三酸化モリブデン及びリンモリブデン酸塩からなる群より選択される添加剤である請求項６に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項８】
ニトリル化合物が、アセトニトリル、プロピオニトリル、イソブチロニトリル、アジポニトリル、マロノニトリル（ｍａｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、グルタロニトリル、フタロニトリル、ジシアノアミド、アミノクロニトリル（ａｍｉｎｏｃｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ヒドロキシブチロニトリル、シアノイミダゾール、シアノピリジン、ポリアクリロニトリル共重合体及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるニトリル化合物である請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項９】
ニトリル化合物が、アセトニトリルを含んでいる請求項８に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１０】
ニトリル化合物が、アジポニトリルを含んでいる請求項８に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１１】
第二銅イオン源の濃度が、約１０ｇ/ｌ〜６０ｇ/ｌである請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１２】
第二銅イオン源の濃度が、約２０ｇ/ｌ〜５０ｇ/ｌである請求項９に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１３】
ニトリル化合物の濃度が、約０．０１重量％〜２０重量％である請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１４】
アミンを更に含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１５】
アミンが、Ｎ,Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエチレンテトラアミン、グリシン及びエチレンジアミンテトラ酢酸からなる群より選択されるアミンである請求項１２に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１６】
ポリアミンを更に含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１７】
アクリルアミドを更に含んでいる請求項１に記載のマイクロエッチング組成物。
【請求項１８】
金属表面に高分子材料の接着性を強化させるための金属表面のマイクロエッチング方法であって、
ａ）金属表面をマイクロエッチング組成物と接触させる工程、及び
ｂ）高分子材料を金属表面に接合させる工程
を含み、前記マイクロエッチング組成物が
i）第二銅イオン源、
ii）酸、
iii）ニトリル化合物、及び
iv）ハライドイオン源
を含むことを特徴とする金属表面に高分子材料の接着性を強化させるための金属表面のマイクロエッチング方法。
【請求項１９】
金属表面をマイクロエッチング組成物と接触させる工程は、噴霧、浸漬、又は流し掛け（ｆｌｏｏｄ）で達成される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第二銅イオン源が、塩化銅を含んでいる請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
酸が、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、ギ酸、酢酸、スルファミン酸、及びトルエンスルホン酸からなる群より選択される酸である請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
マイクロエッチング組成物が、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコール、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される有機溶剤を更に含んでいる請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
有機溶剤が、ブチルカルビトールを含んでいる請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
マイクロエッチング組成物が、モリブデンイオン源を更に含んでいる請求項１８に記載の方法。
【請求項２５】
モリブデンイオン源が、モリブデン酸ナトリウム、リンモリブデン酸、及びモリブデン酸、三酸化モリブデン及びリンモリブデン酸塩からなる群より選択される添加剤である請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
ニトリル化合物が、アセトニトリル、プロピオニトリル、イソブチロニトリル、アジポニトリル、マロノニトリル（ｍａｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、グルタロニトリル、フタロニトリル、ジシアノアミド、アミノクロニトリル（ａｍｉｎｏｃｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ヒドロキシブチロニトリル、シアノイミダゾール、シアノピリジン、ポリアクリロニトリル、ポリアクリロニトリル共重合体及びこれらの組み合わせからなる群より選択される請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
ニトリル化合物が、アセトニトリルを含んでいる請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ニトリル化合物が、アジポニトリルを含んでいる請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
マイクロエッチング組成物が、アミンを更に含んでいる請求項１８に記載の方法。
【請求項３０】
アミンが、Ｎ,Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエチレンテトラアミン、グリシン及びエチレンジアミンテトラ酢酸からなる群より選択されるアミンである請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
マイクロエッチング組成物が、ポリアミンを更に含んでいる請求項１８に記載の方法。
【請求項３２】
マイクロエッチング組成物が、アクリルアミドを更に含んでいる請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の製造における銅及び銅合金面等の金属表面の処理に有用なマイクロエッチング組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子素子の軽量化と小型化に対する要求がますます増えているため、１つ以上の回路中間層を含むプリント回路が今日では顕著に使用されている。
【０００３】
多層プリント基板の製造を成功させるには、銅と樹脂層を一緒にボンディングすることが必要である。しかしながら、銅と樹脂層のダイレクトボンディングは、必ずしも十分な接合強度となるとは限らない。従って、銅表面を粗化することで銅と樹脂との接合強度を向上させることは一般的であり、これにより、銅と樹脂層との間の機械的接合が強化できる。表面粗化は、バフ研磨機、洗浄機を使用する機械的清浄、又は化学的清掃により提供してもよい。
【０００４】
化学的処理方法の１つにおいて、銅表面に亜酸化銅、酸化第二銅等の酸化皮膜を形成することで銅表面を粗化する。酸化被膜の形成によりピンクの銅表面が黒褐色に変わり、銅表面に微細な起伏を形成して、銅表面と樹脂との間に連結効果を生じ、よって接合強度が向上する。
【０００５】
誘電体の銅回路トレースへの付着性を向上させるもう１つの方法は、マイクロエッチング技術の使用である。マイクロエッチングにおいて、銅、例えば銅回路トレースではない部分をエッチングにより完全に除去する。代わりに、表面が限定的にエッチング（又は、酸化）されるため、エッチングされた銅の原パターンをそのまま残す。概して、元の表面からマイクロエッチングの深さを測定すると、銅の表面は、深さ約２０〜約５００マイクロインチだけがエッチングされる。これは、適切なマイクロエッチング組成物を選択して、エッチング液のパラメータ（例えば、濃度、温度、組成等）に従ってエッチングの範囲を制限することで達成される。
【０００６】
マイクロエッチング液は、過酸化水素、及び硫酸、リン酸等の無機酸からなってもよい。しかしながら、これらの組成物は、過酸化水素の分解により不安定であるため、エッチング速度のばらつき、銅以外の金属の変色、及び他の問題が生じる。
【０００７】
特許文献１及び２に開示するように、他の種類のマイクロエッチング液は、第二銅イオン源、有機酸、及びハロゲンイオン源を使用しており、その主題を参照することにより全体を本願に援用する。しかしながら、これらのエッチング液は、銅表面を所望の深さよりも深くエッチングする可能性がある。
【０００８】
金属のエッチング深さが浅いと、少なくとも３つの理由から有利である。第１の理由は、エッチング深さが浅いと表面から除去される金属がより少ないため、よって、より多くの元の金属断面をそのまま残すためである。これは、回路トレースのインピーダンス、又は抵抗許容差が維持されなければならないことが特に重要であり、なぜならば、これらの特性が回路の断面積に直接関係するためである。第２の理由は、金属のエッチング深さが浅いと、欠陥部分を再加工する機会が与えられるためである。最後の理由は、金属のエッチング深さが浅いと、接着促進組成物に堆積する金属の割合が減るためである。マイクロエッチング組成物に堆積する金属は、組成物の最終的な可使時間に影響するため、エッチング深さが浅いと、マイクロエッチング組成物の１ガロン当たりの処理可能な金属の最大平方フィートの観点から、マイクロエッチング液の可使時間が延びる。
【０００９】
先行技術に示したいくつかの困難を克服する一方で、銅、又は銅合金表面に所望の程度のマイクロエッチングを提供可能な改良されたマイクロエッチング組成物が今だに必要とされている。
【００１０】
よって、本発明の発明者等は、所望の表面属性を備える粗面を提供すると同時に、銅表面のエッチングの程度を減らすことができる第二銅イオン系マイクロエッチング組成物を見出した。本発明の発明者等は、マイクロエッチング組成物に、任意で添加剤を一緒に加えてニトリルを使用すると、先行技術の組成物と比べて有効な結果を示すことを見出した。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，４２６，０２０号明細書（岡田等）
【特許文献２】米国特許第５，８０７，４９３号明細書（牧等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、改良されたマイクロエッチング組成物及びその使用方法に関し、銅又は銅合金表面とそれに塗布される樹脂組成物との間の接合強度を向上するために、銅及び銅合金表面を粗化することに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
よって、本発明は、以下のａ）〜ｄ）を含むマイクロエッチング組成物に関する。
ａ）第二銅イオン源
ｂ）酸
ｃ）ニトリル化合物、及び
ｄ）ハライドイオン源
【００１４】
本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させるために銅又は銅合金表面をマイクロエッチングする方法に関し、方法は以下の工程を含む。
１）銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させ、その後
２）高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる。
【００１５】
本発明の発明者等は、従来のマイクロエッチング組成物と比較して、接着促進性を良好に維持しながら、上記の組成物が膜形成中にエッチングされる銅の量を大きく減らすことを見出した。提案されたプロセスは、特に多層プリント基板の作製に適している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、以下のａ）〜ｄ）を含む改良されたマイクロエッチング組成物に関する。
ａ）第二銅イオン源
ｂ）酸
ｃ）ニトリル化合物、及び
ｄ）ハライドイオン源
【００１７】
第二銅イオン源は、銅、銅合金等の金属を酸化する酸化剤の機能を有する。酸化剤としての第二銅イオン源を使用することで、マイクロエッチング組成物が金属表面における適切なエッチング速度、及びエッチング深さを示すことが確実になる。塩化第二銅、臭化銅、水酸化第二銅は、本発明で使用可能な第二銅イオン源の例である。好適な実施形態において、第二銅イオン源が塩化第二銅である。第二銅イオン源の濃度は、概して、約１０ｇ／ｌ〜６０ｇ／ｌであり、より好ましくは、約２０ｇ／ｌ〜５０ｇ／ｌである。
【００１８】
酸は、好ましくは、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、ギ酸、酢酸、スルファミン酸、及びトルエンスルホン酸からなる群より選択される無機酸、又は有機酸であり、当業者に公知の他の酸もまた本発明の実施に使用可能である。
【００１９】
適切なニトリル化合物は、モノニトリル、ジニトリル、及びポリニトリル（ｍｕｌｔｉｎｉｔｒｉｌｅｓ）等が挙げられる。適切なモノニトリルは、式：Ｈ−ＲＣＮで表され、式中、Ｒは置換、若しくは非置換アルキレン（好ましくは、炭素数１〜８）、置換、若しくは非置換アリーレン（好ましくは、ベンゼン）、又は、置換、若しくは非置換アルキルアリーレン（好ましくは、炭素数７〜１２）である。より大きいＲ基は、溶解性が低く、基板に残留物を残す傾向があり、加えられる材料の重量に比べてより少ないニトリル基となり、逆に言えば、好適なより小さい分子よりも適切でない。置換基又はＲには、ハロゲン、水酸基、ＮＨ２、ＣＯＯＨ、又は、イミダゾール、ピリジン、及びトリアゾール等の複素環グループを含みえる。好適なモノニトリルは、アセトニトリル、プロピオニトリル、イソブチロニトリル、ジシアノアミド、アミノクロニトリル（ａｍｉｎｏｃｒｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ヒドロキシブチロニトリル、シアノイミダゾール、及シアノピリジン等が挙げられる。アセトニトリルが特に好ましい。
【００２０】
ジニトリルもまた、本発明の使用に適している。適切なジニトリルは、一般的に、式：ＮＣ−Ｒ−ＣＮで示され、式中、Ｒは、置換、若しくは非置換アルキレン（好ましくは、炭素数１〜８）、置換、若しくは非置換アリーレン（好ましくは、ベンゼン）、又は、置換、若しくは非置換アルキルアリーレン（好ましくは、炭素数７〜１２）である。アルキルアリーレンとは、１つ以上のアルキル側鎖を有するアリール、及びアリール、アルキル、又は１つがアリールに且つ１つがアルキルのいずれかに結合する２つのＣＮ基を意味する。より大きいモノニトリルに関して上記に示す理由のため、例示よりも大きいＲ基を有するジニトリルは、より好ましくない。置換基又はＲには、ハロゲン、水酸基、ＮＨ２、ＣＯＯＨ、又はイミダゾール、ピリジン、及びトリアゾール等の複素環グループを含みえる。好適なジニトリルは、マロノニトリル（ｍａｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、スクシノニトリル、ジシアノイミダゾール、グルタロニトリル、アジポニトリル及びフタロニトリル等が挙げられる。アジポニトリルが特に好ましい。
【００２１】
ポリニトリル（ｍｕｌｔｉｎｉｔｒｉｌｅｓ）もまた、本発明の使用に適している。ポリニトリル（ｍｕｌｔｉｎｉｔｒｉｌｅｓ）は、概して、２より多いシアノ基を１つの分子中に有する化学物質である。適切なポリニトリル（ｍｕｌｔｉｎｉｔｒｉｌｅｓ）は、ポリアクリロニトリル及びその共重合体等が挙げられる。好適なポリニトリル（ｍｕｌｔｉｎｉｔｒｉｌｅｓ）は、ポリアクリロニトリル、及びポリアクリロニトリル−ｃｏ−アクリル酸等が挙げられる。
【００２２】
ニトリル化合物の濃度は、概して、約０．０１重量％〜２０重量％、より好ましくは、約０．０５重量％〜１０重量％である。
【００２３】
マイクロエッチング組成物は、また、マイクロエッチング組成物のマトリックスにハライドイオンを提供する化合物であるハライドイオン源も含む。ハライドイオンは、金属（すなわち、銅）の溶解を補助し、優れた接着性及びはんだ付け性を有する銅表面の作製を確実にするために使用する。フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン等がハライドイオン源として使用できるが、塩化物イオンが概して好ましい。ハライドイオンは、溶液中でハライドイオンを分離できる化合物として組成物に加えられる。好適なハライドイオン源は、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、及び塩化カリウム等のアルカリ金属塩、塩素酸ナトリウム、及び塩素酸カリウム等のオキソハライド（ｏｘｏｈａｌｉｄｅｓ）、塩酸等のハロゲン含有鉱酸、及び塩化銅等が挙げられる。
【００２４】
マイクロエッチング組成物の性能を最適にするために、他の添加剤を本発明の組成物に含んでもよい。これらの、添加剤は、概して、有機溶剤、アミン、ポリアミン、アクリルアミド、及びモリブデンイオンからなる群より選択される。
適切な有機溶剤は、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールブチルエーテル、及びプロピレングリコール等が挙げられる。有機溶剤は、また、本発明のマイクロエッチング組成物から析出する固体を溶解するために使用することもできる。
適切なアミンは、Ｎ,Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリエチレンテトラアミン、グリシン及びエチレンジアミンテトラ酢酸等が挙げられる。適切なポリアミンは、Ｐ−４００（ポリエチレンイミン、Ｍｎ４２３、アルドリッチケミカル社から入手可能）等が挙げられる。
適切なモリブデンイオン源は、本発明の水溶液に溶解するモリブデン含有イオン等が挙げられる。好適なモリブデンイオン源は、モリブデン酸ナトリウム、及びリンモリブデン酸等のモリブデン酸塩である。他の適切なモリブデンイオン源は、モリブデン酸、三酸化モリブデン及びリンモリブデン酸塩等が挙げられる。
【００２５】
本発明は、また、高分子材料に対する銅表面の接着性を強化させる銅又は銅合金表面の改良されたマイクロエッチング方法に関し、方法は、以下の工程を含む。
１）銅又は銅合金表面を本発明の組成物と接触させ、その後
２）高分子材料を銅又は銅合金表面に接合させる。
【００２６】
ここでは銅表面を参照するが、処理される金属表面は、銅、銅合金、ニッケル及び鉄等の様々な金属を含んでもよい。しかしながら、金属表面が銅又は銅合金を含む場合に、本発明のプロセスは、最良の結果を生じる。高分子材料は、プリプレグ材料、画像形成可能な誘電体、パターン形成用感光性樹脂（ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ  ｒｅｓｉｎｓ）、ソルダーレジスト、接着剤、又はポリマーエッチングレジスト等の多様な高分子材料であってもよい。
【００２７】
金属表面は、浸漬、噴霧、及び流し掛け（ｆｌｏｏｄ）等の様々な方法でマイクロエッチング組成物によって処理可能である。処理中の接着促進組成物の温度は、華氏８０度〜華氏１５０度であってもよく、好ましくは華氏９０度〜華氏１２０度である。処理時間は、処理、及び処理方法によって変わるが、１５秒〜１５分、好ましくは、３０秒〜２分であってもよい。
【実施例】
【００２８】
以下の実施例は、本発明の実例であるが、これらに限定されない。
実施例１
従来の塩化銅／塩化ナトリウムマイクロエッチング系にアセトニトリルを添加剤として用いて試験した。
変更した系は以下の組成物を有した。
塩化銅             ４３ｇ／ｌ
塩化ナトリウム     ４８ｇ／ｌ
アセトニトリル     ２００ｇ／ｌ
塩酸               ｐＨ１．０になる量
より高い濃度のアセトニトリルを使用するまでは、溶液は、従来の溶液よりもよい結果を示さなかった。アセトニトリル２００ｍｌ／ｌを加えた際に、エッチング深さが１７０マイクロインチの茶色いマットな表面を得た。
エッチング深さを減らすために、塩化銅の濃度を４３ｇ／ｌから１５ｇ／ｌに減らし、塩化ナトリウムを加えなかった。エッチング深さが、約５９マイクロインチに減った。表面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の画像を図１Ａに示す。
【００２９】
そして、人為的に溶液を熟成させるため、銅を５．３ｇ／ｌ加えた。塩化ナトリウムを加えてエッチング速度を制御し、塩酸を加えてｐＨを調製した。得られたエッチング深さは約２２マイクロインチであった。表面のＳＥＭ画像を図１Ｂに示す。また、銅を６．１ｇ／ｌ加えると、得られたエッチング深さは約６９マイクロインチであった。表面のＳＥＭ画像を図１Ｃに示す。
このように、アセトニトリルを塩化銅マイクロエッチング液に加えると有効な結果となることが分かる。
【００３０】
実施例２
本発明により、また、塩化銅／塩化ナトリウムマイクロエッチング系においてアジポニトリルの有効性を試験するため下記溶液を調製した。
塩化銅             ７４ｍｌ／ｌ（４３ｇ／ｌ)
塩化ナトリウム     ４８ｇ／ｌ
アジポニトリル     ２ｍｌ／ｌ
塩酸               ｐＨ１．０になる量
得られたエッチング深さは約６０マイクロインチであった。表面のＳＥＭ画像を図２Ａに示す。
Ｐ−４００（ポリエチレンイミン、Ｍｎ−４２３）（アルドリッチケミカル社より入手可能）が組成物に加えられ、得られたエッチング深さは約６５マイクロインチであった。表面のＳＥＭ画像を図２Ｂに示す。
銅を加えた後の溶液中に形成された固体を観察すると、黄色い固体層が銅表面に存在した。
【００３１】
ブチルカルビトールを使用して固体を溶解するため以下の溶液を調製した。
塩化銅                    ７４ｍｌ／ｌ
塩化ナトリウム            ４４ｇ／ｌ
ブチルカルビトール        ２００ｍｌ／ｌ
アジポニトリル            ２ｍｌ／ｌ
最初に得られたエッチング深さは８１マイクロインチであり、表面のＳＥＭ画像を図２Ｃに示す。その後、銅を濃度５．３ｇ／ｌで加えると、得られたエッチング深さは７５マイクロインチであった。表面のＳＥＭ画像を図２Ｄに示す。
塩化銅濃度を約３６ｍｌ／ｌ（２１．５ｇ／ｌ）に減らし、ブチルカルビトール濃度を約１００ｍｌ／ｌ（９７ｇ／ｌ）に減らした。溶液は、同様のエッチング性を示した。銅１０ｇ／ｌを加え、一晩で少量の結晶を形成させ、これをブチルカルビトール５０ｍｌ／ｌを加えて溶解した。
このように、ニトリル化合物を塩化銅マイクロエッチング液に加えると、先行技術に比べて有効な結果が得られることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１Ａ】図１Ａは、ニトリル源としてアセトニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を示す。
【図１Ｂ】１Ｂは、ニトリル源としてアセトニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図１Ｃ】１Ｃは、ニトリル源としてアセトニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、ニトリル源としてアジポニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図２Ｂ】２Ｂは、ニトリル源としてアジポニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図２Ｃ】２Ｃは、ニトリル源としてアジポニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図２Ｄ】２Ｄは、ニトリル源としてアジポニトリルを使用する本発明により調製した微細粗面のＳＥＭ画像を示す。
【図１Ａ】
2009521597.tif 000003
【図１Ｂ】
2009521597.tif 000004
【図１Ｃ】
2009521597.tif 000005
【図２Ａ】
2009521597.tif 000006
【図２Ｂ】
2009521597.tif 000007
【図２Ｃ】
2009521597.tif 000008
【図２Ｄ】
2009521597.tif 000009
【国際調査報告】
2009521597.tif 000010