(57)【要約】集積化されたＤＷＤＭ受信器装置は、サポート部品とサポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板を含む。この基板はシリコン層に重なるシリカ層を含み、第１の表面領域と第２の表面領域とを含む。光学デマルチプレクサは、第１の表面領域と５つの重なったシリコン層の下のシリカ層の中に配置される。光学デマルチプレクサは、複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含む。受信器装置は、第２の表面領域の下のシリカ層の中に位置する１つ以上の反射構造を含む。反射構造のそれぞれは、対応する出力導波路に光学的に結合される。受信器装置は、シリカ・オン・シリコン基板の１０個の第２の表面領域に重なる１つ以上の半導体光検出器アレイチップをも含む。１つ以上の光検出器アレイチップのそれぞれは、対応する反射構造に光学的に結合される１つ以上の光検出器を含む。
2009522622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多チャネルＤＷＤＭ信号を多数の電気信号に変換する、集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置であって、
サポート部品と、
前記サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板であって、該シリカ・オン・シリコン基板がシリコン層に重なるシリカ層を含み、かつ該シリカ・オン・シリコン基板が第１の表面領域と第２の表面領域とを含むようなシリカ・オン・シリコン基板と、
前記シリカ層の中の光学デマルチプレクサであって、該光学デマルチプレクサが前記第１の表面領域の下に位置し、かつ前記シリコン層に重なり、該光学デマルチプレクサが、多チャネルＤＷＤＭ信号を受け取るための少なくとも１つの入力導波路と、１つ以上の光学信号を出力するための複数の出力導波路とを含むような光学デマルチプレクサと、
前記第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造であって、該１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造と、
前記シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上の半導体光検出器アレイチップであって、該１つ以上の光検出器アレイチップのそれぞれが光学信号を対応する電気信号に変換するための１つ以上の光検出器を含み、該１つ以上の光検出器が前記反射構造の対応するものに重なり、かつ光学的に結合されるような半導体光検出器アレイチップと、
光検出器によって変換された電気信号を出力するため１つ以上の出力端子と、
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光学デマルチプレクサはアレイにされた導波路格子を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、表面マウント法を使ってシリカ・オン・シリコン基板にマウントされることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、１つ以上のＩｎＰ光検出器ダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記光学デマルチプレクサは、真性シリカ層の中にドープされたシリカ導波路を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、１つ以上のｐ−ｉ−ｎ（ＰＩＮ）フォトダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれはミラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれは前記シリカ層の中に反射表面を有し、該反射層は、複数の出力導波路の対応するものに対して、また光検出器の対応するものの表面に対して、約４５°の角度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれの反射表面は、さらに金属層を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれは前記シリカ層の中にリセス領域を有し、前記リセス領域の表面は複数の出力導波路の対応するものを終端させ、前記表面は前記導波路に対して約４５°の角度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記サポート部品は金属含有の、あるいはセラミック含有の材料を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記サポート部品は温度調整部品を有し、該温度調整部品は熱電気クーラー（ＴＥＣ）または電気ヒーターを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置であって、該装置は、
サポート部品と、
前記サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板であって、該シリカ・オン・シリコン基板がシリカ層とシリコン層とを含み、かつ該シリカ・オン・シリコン基板が第１の表面領域と第２の表面領域とを含むようなシリカ・オン・シリコン基板と、
前記シリカ層の中のアレイにされた導波路格子であって、該アレイにされた導波路格子が前記第１の表面領域の下に位置し、かつ前記シリコン層に重なり、かつ該アレイにされた導波路格子が複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含むようなアレイにされた導波路格子と、
前記第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造であって、該１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造と、
シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上のＩｎＰ光検出器アレイチップであって、該１つ以上のＩｎＰ光検出器アレイチップのそれぞれが１つ以上のＩｎＰ光検出器を含み、該１つ以上のＩｎＰ光検出器のそれぞれが前記１つ以上の反射構造の対応するものに光学的に結合されているようなＩｎＰ光検出器アレイチップと、
を有することを特徴とする装置。
【請求項１５】
集積化されたＤＷＤＭ受信器装置を作るための方法であって、
シリコン層を提供する段階と、
シリカ層の中に、光学デマルチプレクサであって、該シリカ層がシリコン層の上に位置し、該光学デマルチプレクサが複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含むような光学マルチプレクサを形成する段階と、
前記シリカ層の中に、１つ以上の反射構造であって、前記１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造を形成する段階と、
シリカ層の上に、１つ以上の半導体光検出器アレイチップであって、該１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれが１つ以上の光検出器を含み、該１つ以上の光検出器のそれぞれが前記１つ以上の反射構造の対応するものに重なるような半導体光検出器アレイチップをマウントする段階と、
前記シリコン層をサポート部品に取り付ける段階と、
を有し、
前記光学デマルチプレクサを形成する段階は、
前記シリコン層の上に第１のドープされないシリカサブ層を形成する段階と、
第１のドープされないシリカサブ層の上にドープされたシリカサブ層を形成する段階と、
ドープされたシリカサブ層の少なくとも第２の部分をエッチングする段階と、
エッチングされたドープされたシリカサブ層と前記第１のドープされないシリカサブ層の上に第２のドープされないシリカサブ層を堆積する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、ＩｎＰで作られた１つ以上の光検出器ダイオードを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記光学デマルチプレクサはアレイにされた導波路格子を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記１つ以上の反射構造を形成する段階は、
シリカ層の第１の領域の中に、リセス領域であって、該リセス領域が第１の表面と第２の表面とを含み、該第１の表面が前記出力導波路の対応するものを終結させ、該第２の表面が前記出力導波路から間隔をあけられ、前記出力導波路に対して約４５°の角度で配置されるようなリセス領域を形成する段階と、
金属層を使って前記第２の表面をコーティングする段階と、
を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記１つ以上の反射構造を形成する段階は、内部全反射を可能にするために、前記１つ以上の出力導波路に約４５°の切断面を作り、前記導波路の端部表面を形成する段階を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップを形成する段階は、表面マウント法を使って行なわれることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップを形成する段階は、表面マウントプロセスにおいて金属はんだを使って行なわれることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記サポート部品は温度調整部品を有し、該温度調整部品は熱電気クーラー（ＴＥＣ）または電気ヒーターを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファイバ光学伝送技術に関わる。特にとりわけ、本発明は、光学伝送システムのサイズとコストを減らすための、集積化された光学受信器のための方法とシステムを提供する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、単なる例によって、ＩｎＰ光検出器を使用する高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）光学伝送システムに適用された。しかし本発明は、より広い範囲の適用性を有している、ということが理解されよう。１９９０年代半ばの、その最初の展開以来、高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）は、長距離および地域的バックボーン伝送ネットワークのための、最有力の技術になった。そして、地下鉄エリアネットワークへ向かってその道を徐々に進んでいる。光学伝送システムは、通常、１つ以上のラインカード(linecard)を含む。ラインカードは１つまたは幾つかの光学部品のまわりに構築される。例えば、送信ファイバからの受け取ったＤＷＤＭ光学信号は、まず、ＤＭＵＸフィルターを含んだデマルチプレクサ・ラインカードを通過する。一般に使われるＤＭＵＸフィルターは、シリカ・オン・シリコンから作られた、アレイにされた導波路格子（ＡＷＧ）をベースにしている。それぞれＩＴＵ−Ｔ標準による波長におけるデマルチプレクサ・ラインカードからの光学出力は、次に受信器ラインカードに供給される。ラインカード間の光学接続は、一般に光学ファイバによって作られる。通常、受信器カードは、光検出器、例えば、さらなる処理のために光学入力を電気信号に変換する、ｐ−ｉ−ｎ（ＰＩＮ）フォトダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）を含む。光検出器パッケージの中の光検出器チップは、通常、ＩｎＰ半導体化合物から作られる。
【０００３】
これらの従来のＤＷＤＭシステムはいくつかの領域で有用であるにもかかわらず、それらは、より広範囲の用途でそれらの有効性を制限する多くの制限をもつ。これらの限界のいくつかを以下に述べ、そして本発明の実施形態に基づく、改善された技術を提示する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明はファイバ光学伝送システムを対象としている。さらにとりわけ本発明は、光学伝送器システムのサイズとコストを減らすための集積化された光学受信器に対する方法とシステムを提供する。本発明は、単なる例によって、ＩｎＰ光検出器を使用するＤＷＤＭ光学伝送システムに適用された。しかし本発明は、さらにより広い範囲の適用性を有している、ということが理解されよう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の特定の実施の態様は、多チャネルＤＷＤＭ信号を多数の電気信号に変換する、集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置を提供する。この装置は、とりわけ、サポート部品と該サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板を含む。シリカ・オン・シリコン基板は第１の表面領域と第２の表面領域をも含む。受信器装置はシリカ層の中に光学デマルチプレクサを含む。光学デマルチプレクサは、第１の表面領域の下に位置し、シリコン層に重なる。光学デマルチプレクサは、多チャネルＤＷＤＭ信号を受信するための少なくとも１つの入力導波路と、１つ以上の逆多重化された(demultiplexed)光学信号を伝送するための複数の出力導波路と、を含む。この受信器装置は、第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造をも含む。反射構造のそれぞれは、複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合される。この受信器装置は、シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上の半導体光検出器アレイチップをさらに含む。１つ以上の光検出器アレイチップは、光学信号を対応する電気信号に変換するための１つ以上の光検出器を含む。光検出器のそれぞれは、反射構造の対応するものに重なり、反射構造に光学的に結合される。一実施の態様において、受信器装置は、光検出器によって変換された電気信号を出力するための１つ以上の出力端子をも含む。
【０００６】
他の実施の態様において、本発明は、とりわけ、サポート部品と、前記サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板を含む、集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置を提供する。シリカ・オン・シリコン基板は、シリカ層とシリコン層とを含む。シリカ・オン・シリコン基板は第１の表面領域と第２の表面領域をも含む。特定の実施の態様において、受信器装置は、シリカ層の中のアレイにされた導波路格子を含む。アレイにされた導波路格子は第１の表面領域の下に位置し、かつシリコン層に重なる。アレイにされた導波路格子は、複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含む。受信器装置は、第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造をも含む。反射構造のそれぞれは、出力導波路の対応するものに光学的に結合される。受信器装置は、シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上のＩｎＰ光検出器アレイチップをも含む。光検出器アレイチップのそれぞれは、１つ以上のＩｎＰ光検出器を含み、該１つ以上のＩｎＰ光検出器のそれぞれが反射構造の対応するものに光学的に結合されている。
【０００７】
さらに他の実施の態様において、本発明は、集積化されたＤＷＤＭ受信器装置を作るための方法を提供する。この方法は、シリコン層を提供する段階と、シリコン層の上に位置する、シリカ層の中の光学デマルチプレクサを形成する段階とを含む。光学デマルチプレクサは、複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含む。この方法は、シリカ層の中に、１つ以上の反射構造を形成する段階を含む。反射構造のそれぞれは、出力導波路の対応するものに光学的に結合される。この方法は、シリカ層の上に、１つ以上の半導体光検出器アレイチップをマウントする段階を含む。１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれが１つ以上の光検出器を含み、該光検出器のそれぞれは反射構造の対応するものに重なる。この方法は、シリコン層を、温度調整部品を含みうるサポート部品に取り付ける段階をも含む。特定の実施の態様において、光学デマルチプレクサは以下のプロセスを使って形成される：
シリコン層の上に第１のドープされないシリカサブ層を形成する段階、
第１のドープされないシリカサブ層の上にドープされたシリカサブ層を形成する段階、
ドープされたシリカサブ層の少なくとも第２の部分をエッチングする段階、
エッチングされたドープされたシリカサブ層と第１のドープされないシリカサブ層の上に第２のドープされないシリカサブ層を堆積する段階。
【０００８】
方法の特定の実施の態様において、半導体光検出器アレイチップのそれぞれはＩｎＰで作られた１つ以上の光検出器ダイオードを含む。一実施の態様において、光学デマルチプレクサはアレイにされた導波路格子を有する。特定の実施の態様において、反射構造を形成する段階は、シリカ層の第１の領域の中にリセス領域を形成する段階を含む。リセス領域は、第１の表面と第２の表面とを含む。第１の表面は出力導波路の対応するものを終結させ、第２の表面は出力導波路から間隔をあけられ、出力導波路に対して約４５°の角度で配置される。そして第２の表面は金属層を使ってコーティングされる。他の実施の態様において、反射構造は、内部全反射を可能にするために、出力導波路に約４５°の切断面を作り、導波路の端部表面を形成する。一実施の態様において、半導体光検出器アレイチップは、表面マウント法を使ってマウントされる。特定の実施の態様において、表面マウントプロセスにおいて金属はんだが使われる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、ＩｎＰ基板の上にモノリシックに集積化されたＤＷＤＭ受信器のような従来技術を超えて、多くの利益が達成される。例えば、ある特定の実施の態様において、本発明の実施の態様は、光学伝送システムの端子のサイズとコストを減らすため、半導体ＩｎＰ光検出器チップをシリカ／シリコンＡＷＧ基板と一体化するための方法とシステムを提供する。シリカ・オン・シリコンに対する１ユニット領域当たりの処理費用がＩｎＰに対するものよりも２オーダー低い規模でありうるので、本発明の実施の態様によるＡＷＧは、遥かに低いコストで作ることができる。シリカ・オン・シリコンＡＷＧは、とても成熟した技術である。例えば、伝送損失は、ＩｎＰから作られたものよりもシリカ・オン・シリコンから作られたＡＷＧにおいて、ずっと小さい。従来のＩｎＰモノリシック集積法と比較して、本発明の実施の態様によるＩｎＰチップの上には非常に少ない素子が存在するので、ＩｎＰチップ製造歩留りはずっと高い。本発明の実施の態様によれば、ＡＷＧなしで、ＩｎＰチップをずっと小さくもできる。高い歩留りと小さなサイズは、本発明の実施の態様に従ったハイブリッド集積化のために使われるＩｎＰチップのコストを著しく減らす。
【００１０】
本発明のある特定の実施の態様によれば、従来の技術よりも受信感度を＞＝１０ｄＢ増やす結果となる表面照明ＡＰＤを使うための方法が提供される。この改良は、光学増幅器なしで長距離伝送を可能にできる。さらに、最終的な装置に関して、本発明の特定の実施の態様によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器のサイズは、モノリシックに集積化されたＤＷＤＭ受信器に匹敵する。従って、集積化されたＤＷＤＭ受信器の小さなサイズの利点は、本発明のある特定の実施の態様によって維持される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の種々のさらなる目的、特徴、および利点は、以下の詳細な記載、および添付の図面を参照することによって、一層完全に理解することができる。
【００１２】
本発明はファイバ光学伝送システムを対象としている。さらにとりわけ本発明は、光学伝送器システムのサイズとコストを減らすための、集積化された光学受信器のための方法とシステムを提供する。本発明は、単なる例によって、ＩｎＰ光検出器を使用するＤＷＤＭ光学伝送システムに適用された。しかし本発明は、より広い範囲の適用性を有している、ということが理解されよう。
【００１３】
従来のＤＷＤＭシステムの光学部品は、通常、個々にパッケージされる。パッケージコストは、大いに部品の価格を決めている。例えば、高速度の（＞〜１０Ｇｂｐｓ）の裸のＰＩＮチップが単に数ドルの費用しかかからない一方で、パッケージングされたＰＩＮは、主としてパッケージのコストに起因して数百ドルの値段で売られている。従って、従来のＤＷＤＭシステムデザインによってさらにコストを減らすことは困難である。さらに、個別の部品でそれぞれ作られた多数のラインカードは、ＤＷＤＭ端末のサイズを減らすことを難しくしている。
【００１４】
ここ数年間で、単独のＩｎＰチップ上に多数の光検出器およびＡＷＧをモノリシックに集積化する努力がなされてきた。このようにして、ＤＷＤＭ端末のサイズは著しく減少しうる。モノリシックな集積化方法は、ＩｎＰチップ処理技術に重く頼っており、それはまだ成熟に至っていない。ＩｎＰ処理の歩留りは、一つの素子チップのためでさえも、シリコン処理と比較して低い。一つのチップ上の集積化された多数の素子により、歩留りは指数関数的に減少する傾向がある。しかも、受動的な（パッシブな）素子であるＡＷＧは、通常、光検出器のような活性な（アクティブな）素子よりはるかに大きな集積化されたチップの領域を占める。これは、高価なＩｎＰ材料の非能率的な使用につながる。
【００１５】
一般的に大雑把に言えば、ＩｎＰウェハのサイズは、シリコンウェハより１オーダー（一桁）小さな規模である。例えば、ＩｎＰウェハの直径は、シリコンウェハが８”あるいは１２”でさえもあるのと比較して、通常、２”（インチ）または３”である。ＩｎＰウェハのためのユニット領域当たりの処理コストは、シリコンウェハに対するものより２オーダー高い規模でありうる。高い処理コストと結びついた低いチップ歩留りは、ＤＷＤＭ受信器をモノリシックに集積化することを不経済にする。さらに、ＩｎＰ  ＡＷＧは大きなオン・チップ挿入損失を持っている傾向がある。その損失は、実際的なシステムに信号振幅変動をもたらすような入力光学信号の分極に依存する傾向もある。入力光学ファイバとＩｎＰ受信器導波路との間の空間モード不整合も追加的損失を招く。従って、モノリシックに集積化されたＤＷＤＭ受信器の性能は、従来のＤＷＤＭシステムで使われるＤＭＵＸ／個々の受信器の組み合わせのそれよりもしばしば劣る。上記のことから、ＤＷＤＭ受信器デザインのための改善された技術が要求されると見られる。
【００１６】
実施形態に応じて、本発明は使われうる種々の特徴を含む。これらの特徴は以下を含む：
【００１７】
１．シリカ・オン・シリコン平面光波回路（ＰＬＣ）から作られた、アレイにされた導波路格子（ＡＷＧ）上にマウントされたＩｎＰ表面から成る、１つ以上の多数（多重）の光検出器アレイチップをもったハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器；
【００１８】
２．それぞれのＡＷＧ出力導波路からの光学出力を、対応する表面マウントされた光検出器に光学結合するために、ＰＬＣ上の４５°反射器によって９０°反射させるための方法；そして、
【００１９】
３．＞＝１０ｄＢの受信感度の増加をもたらすことができ、そして光学増幅器なしで長距離伝送を可能にする、表面照明されたＡＰＤを使うための方法。
【００２０】
示すように、上記特徴は、１つ以上の実施形態でありうる。これらの特徴は単なる例であって、不当に本願の範囲を限定すべきものではない。当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。
【００２１】
図１Ａは、本発明の一実施形態によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の、単純化された平面図である。この図は単なる例であって、不当にここでの特許請求の範囲を限定するべきではない。当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。示すように、ハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器１００は、シリコンベンチ１０１を含む。特定の実施形態において、シリコンベンチ１０１はシリカ・オン・シリコン基板を含む。ハイブリッド受信器１００はシリコンベンチ内の光学デマルチプレクサをも含む。特定の実施形態において、光学デマルチプレクサは、シリコンベンチ内のシリカ・オン・シリコン平面光波回路（ＰＬＣ）に作られた、アレイにされた導波路格子（ＡＷＧ）１１０を含む。ハイブリッド受信器１００はさらに、１つ以上の光検出器アレイチップ、例えば１１４、を含む。好ましい実施形態において、光検出器アレイチップはＩｎＰに作られた光検出器を含む。特定の実施形態において、それぞれのＩｎＰ光検出器アレイチップは、１つ以上の光検出器、例えば１１５を含む。もちろん、他のバリエーション、変更、および選択肢がありうる。
【００２２】
特定の実施形態において、ＡＷＧ１１０は、１つの光学入力ポート１１２、多数の出力ポート１１３、および格子導波路１１６を含む。一実施形態において、入力ポート１１２は、光学送信システムに結合されうる、ＤＷＤＭ光学信号を受信するための、光学ファイバ１１９に光学的に結合される。例えば、出力および入力ポートは、すべて導波路の形態で実装できる。特定の実施形態において、格子導波路１１６は、入力および出力ポートに結合するために多くの導波路を含む。これらの導波路は、波長分割多重化および逆多重化機能を遂行するために、さまざまな長さをもつ。特定の実施形態において、出力ポートのそれぞれは逆多重化された光学信号を出力する。いくつかの実施形態において、ＡＷＧのそれぞれの出力ポートは、光伝送に関係する中心波長と通過バンド（帯域）をもつ。特定の実施形態において、中心波長は、ＩＴＵ−Ｔ標準によって定義された周波数、例えば１９３．１ＴＨｚ、に関連する特定の波長に対応している。
【００２３】
図１Ｂは、本発明の実施形態によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器１００の単純化された断面図である。この図は単なる例であって、不当にここでの特許請求の範囲を限定するべきではない。当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。示すように、導波路は、シリコン基板１２４の上のドープされないシリカ層１２２に囲まれた、ドープされたシリカ領域１２１を含む。特定の実施形態において、ドープされたシリカ領域１２１は、ドープされないシリカ領域より高い誘電率をもつ。特定の実施形態において、ドープされたシリカ領域１２１は、ドープされないシリカ領域より高い屈折率をもつ。特定の例において、ドープされたシリカ領域１２１は約１．４７の屈折率をもち、ドープされないシリカ領域は約１．４５の屈折率をもつ。図１Ｂにおいて、導波路１２１は、入力ポート１１２、格子導波路１１６、および出力ポート１１３における導波路の一部の部分断面図を示すために使われている。
【００２４】
本発明の実施形態によれば、集積化された受信器１００は、１つ以上の光検出器アレイチップを含み、それぞれの光検出器アレイチップは１つ以上の光検出器を含むことができる。図１Ａに示した特定の実施形態において、集積化された受信器１００は光検出器アレイチップ１１４を含む。この特定の例において、アレイチップは、ＩｎＰで作られた８つの光検出器を含む。特定の実施形態において、光検出器はｐ−ｉ−ｎ（ＰＩＮ）フォトダイオードを含む。他の実施形態において、光検出器はアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）を含む。表面照明されたＡＰＤの使用は、光学増幅器なしで長距離の伝達を可能にする、＞＝１０ｄＢの受信感度の増加をもたらすことができる。従来の技術において、ＡＰＤは、通常、個々にパッケージされた受信器において使われていた。本発明の実施形態は、ＡＰＤをもつ集積化されたＤＷＤＭ受信器のための方法を提供する。本発明のいくつかの実施形態によれば、光検出器アレイは一つの光検出器チップでもありうる。光検出器の機能は、電気リード（図面に示さない）を通して、それぞれの光学信号を対応する電気信号出力に変換することである。あるいは、電気信号は、後続増幅器によって送る前に増幅することができる。後続増幅器はＰＬＣ上、あるいは別個の基板上のいずれかにマウントされうる。もちろん、当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。
【００２５】
図１Ａに示すように、本発明のいくつかの実施形態によれば、光検出器アレイチップが、ＡＷＧ１１０の出力ポート１１３の近傍においてシリコンベンチ１０１の一部の上にマウントされる。一実施形態において、このマウントは、金属はんだを用いた表面マウントプロセスを使って行なわれ、光検出器に対する機械的強度と電気的接続の両方を提供する。実施形態に応じて、適切な接着剤を使った他のボンディング法も利用できる。
【００２６】
本発明の特定の実施形態によれば、シリコンベンチは、図１Ｂで示すようにサポート部品１３０の上にマウントされる。特定の実施形態において、サポート部品１３０は、任意選択的なサブマウント１３２(submount)および温度調整部品１３４を含む。温度調整部品は、導波路、ＡＷＧ、および光検出器のような光学部品を、適切な動作温度、例えば〜２５℃に保つ。特定の実施形態において、温度調整部品は熱電気クーラー（ＴＥＣ）を含む。一実施形態では、動作温度において、ＡＷＧ出力ポートの中心波長は、ＩＴＵ−Ｔグリッド、例えば１９３．１ＴＨｚ、１９３．２ＴＨｚ、１９３．３ＴＨｚなどに、実質的に位置する。通常、ＡＷＧの中心波長は〜０．０１ｎｍ／℃だけ温度によってシフトしうる。いくつかの実施形態において、サポート部品１３０は、温度調整部品１３４上のサブマウント１３２をも含む。一実施形態において、サブマウント１３２は機械的な力または熱伝導を提供する金属またはセラミックスを含んだ材料から作られる。
【００２７】
図２Ａは、本発明の他の実施形態によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の、単純化された拡大平面図である。この図は単なる例であって、不当に本願の範囲を限定すべきものではない。当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。図２Ａに示すように、ハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器２００は、アレイにされた導波路格子（ＡＷＧ）（図示せず）のような光学デマルチプレクサに結合された導波路２１１、２１２、および２１３を含む。例として、図１Ａで記載したように、導波路とＡＷＧは、シリカ・オン・シリコン平面光波回路（ＰＬＣ）に作られる。集積化された受信器２００も光検出器２１４、２１５、および２１６を含む。光検出器の例は、図１Ａと図１Ｂに関連して上述した。
【００２８】
図２Ｂは、本発明の一実施形態によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器２００の、単純化された拡大断面図である。この図は単なる例であって、不当にここでの特許請求の範囲を限定するべきではない。当業者ならば、多くの変化、変更、および選択肢を理解するであろう。示すように、受信器２００の断面図は、シリコン基板２２４上のドープされないシリカ層２２２に囲まれたシリカ導波路２１３を含む。一実施形態では、出力導波路２１３の終端において、ＰＬＣのシリカ層内に４５°のミラー２２５が形成される。一実施形態において、それぞれの出力導波路から出る光はＰＬＣの表面に反射し、そして対応する光検出器、例えば２１４によって集められる。一実施形態において、ミラーはエッチングプロセスを使って形成され、シリカ層内のリセスと傾斜した反射面を形成する。他の実施形態において、その他の従来的な集積化された回路またはＭＥＭＳプロセス技術を、４５°ミラーを形成するの使うことができる。ある特定の実施形態において、ミラー表面は高い反射率を持った、アルミニウムのような金属で覆われる。本発明の特定の実施形態において、この配置の集光効率は９０％程度に高くあり得る。
【００２９】
本発明の代案の実施形態において、９０°の光反射は、導波路にわたって、ＰＬＣに対して４５°切断面から内部全反射によって作ることもできる。例えば、内部全反射を可能にするような４５°端面導波路をもった出力導波路の終端点において、シリカ層内にギャップが形成される。特定の実施形態において、このような切断面は、ダイヤモンド・ソーあるいは集光イオンビーム（ＦＩＢ）エッチングによって作られうる。シリカと空気の界面における内部全反射のための臨界角は、〜４２°と計算できる（シリカの屈折率が１．５であると想定した場合）。従って、４５°切断面をもった本発明の実施形態によれば、事実上すべての導波路からの光はＰＬＣの表面に反射される。もちろん、他の変化、変更、および選択肢も可能である。
【００３０】
図３Ａは、本発明の代案の実施形態による、パッケージ化されハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の、単純化された平面図である。図３Ｂは、図３Ａのパッケージされハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された断面概略図である。これらの図は単なる例であって、不当に本願の範囲を限定すべきものではない。当業者ならば、他の変化、変更、および選択肢を理解するであろう。図３Ａに示すように、パッケージ化されたＤＷＤＭ受信器３００は、パッケージ３０１の中に機能ブロック１０１を含む。一実施形態において、機能ブロック１０１は、図１Ａに関連して上述したブロック１０１に類似した受信機能を遂行するための、光検出器チップ、ＡＷＧ、サブマウント、およびＴＥＣなどを含む。一実施形態において、パッケージ化されたＤＷＤＭ受信器３００は、光検出器の電気信号レベルを引き上げるための、後続電気増幅器３０３を含むことができる。示すように、パッケージされたＤＷＤＭ受信器３００は、変換された電気信号を出力するための出力端子３１０をも含む。一実施形態において、出力端子３１０は、電気接続部３０５を介して機能ブロック１０１内の光検出器に結合される。代案の実施形態において、出力端子３１０は３０３のような後続増幅器に結合できる。一実施形態において、受信器は、通常、多チャネルＤＷＤＭ信号を受信するための光学ファイバピグテール３１９(pigtail)を通した一つの光学入力をもつ。特定の実施形態において、受信器は、ＡＷＧの温度、光検出器のＤＣバイアス、およびそれぞれのチャネルに対する受信電気信号の出力を制御し監視する多数の電気的入力および出力接続をもつこともできる。
【００３１】
図４Ａは、本発明の一実施形態による集積化されたＤＷＤＭ受信器を作るための方法の、単純化されたフローチャートである。この図は単なる例であって、不当にここでの特許請求の範囲を限定するべきではない。当業者ならば、他の変化、変更、および選択肢を理解するであろう。この方法は、以下のように概説することができる。
１．（プロセス４１０）シリコン層を提供する段階、
２．（プロセス４２０）シリコン層の上のシリカ層の中に光学デマルチプレクサを形成する段階、
３．（プロセス４３０）シリカ層内に反射構造を形成する段階、
４．（プロセス４４０）光検出器アレイチップをマウントする段階、
５．（プロセス４５０）シリコン層をサポート部品に取り付ける段階。
【００３２】
示すように、図４は、集積化されたＤＷＤＭ受信器装置を作るための方法を提供する。この方法は、（プロセス４１０）シリコン層を提供する段階と、（プロセス４２０）シリコン層の上に位置するシリカ層の中に光学デマルチプレクサを形成する段階とを含む。一実施形態において、光学デマルチプレクサは、複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路を含む。特定の実施形態において、光学デマルチプレクサは、アレイ導波路格子を含む。特定の実施形態において、光学デマルチプレクサは以下のプロセスを使って形成される：
シリコン層の上に第１のドープされないシリカサブ層を形成する段階；
第１のドープされないシリカサブ層の上に、ドープされたシリカサブ層を形成する段階；
ドープされたシリカサブ層の少なくとも第２の部分をエッチングする段階；
エッチングされたドープされたシリカサブ層と第１のドープされないシリカサブ層の上に第２のドープされないシリカサブ層を堆積する段階。
【００３３】
プロセス４３０において、この方法は、シリカ層に１つ以上の反射構造を形成する段階を含む。反射構造のそれぞれは、複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合される。特定の実施形態において、反射構造は、まずシリカ層の第１の領域にリセス領域を形成することによって形成される。このリセスは、出力導波路の対応するもの終端させる第１の表面を含む。このリセス領域は、また、出力導波路から間隔をあけられ、出力導波路に対して約４５°の角度で配置される。一例において、水平な出力導波路によって発せられる光信号は４５°で反射され、以下で述べるように反射表面上にマウントされた光検出器の方へと方向付けられる。ミラーの反射を改善するために、アルミニウムのような金属コーティングを反射表面上に形成することができる。他の実施形態において、反射構造は、導波路を終端させる４５°表面を形成するための切断面を作ることによって形成される。この４５°表面は、表面に到着する光信号の内部全反射を可能にする。
【００３４】
プロセス４４０では、この方法は、１つ以上の半導体光検出器アレイチップをシリカ層の上にマウントする段階を含む。特定の実施形態において、光検出器アレイチップのそれぞれは１つ以上のＩｎＰ光検出器ダイオード、例えばｐ−ｉ−ｎダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）を含む。このマウントは、例えば表面マウント法を使って行うことができる。特定の実施形態において、金属はんだが使われる。それぞれの光検出器は反射構造に重なり、その反射構造に光学的に結合される。適切な配置により、それぞれの光検出器は、反射構造から反射された対応するデマルチプレクサの出力導波路からの光信号を受け取る。最終的にこの方法は、シリカ・オン・シリコン基板をサポート部品に取り付ける段階（プロセス４５０）を含む。一実施形態において、サポート部品は温度調整部品をも含む。
【００３５】
プロセスの上記手順は、本発明の一実施形態による、集積化されたＤＷＤＭ受信器装置を作るための方法を提供する。示すように、この方法は、シリカ・オン・シリコン基板の中に光学デマルチプレクサを作る方法と、基板の１部の上に光検出器アレイチップをマウントする方法と、デマルチプレクサと光検出器とを光学的に結合するために基板内に反射構造を形成する段階と、を含んだプロセスの組み合わせを利用する。いくつかの段階を追加すること、１つ以上の段階を削除すること、ここでの特許請求の範囲を逸脱することのない異なった手順における１つ以上の段階を提供すること、のような他の選択肢も提供できる。ここでの方法のさらなる詳細は本明細書を通じて見いだすことができる。
【００３６】
本発明により、従来技術を超えて多くの利益が達成される。例えば、ある特定の実施形態において、本発明の実施形態は、光学伝送システムの端子のサイズとコストを減らすために、半導体ＩｎＰ光検出器チップをシリカ／シリコンＡＷＧ基板に集積するための方法と装置を提供する。シリカ・オン・シリコンに対する１ユニット領域当たりの処理費用がＩｎＰに対するものよりも２オーダー低い規模でありうるので、本発明の実施形態によるＡＷＧは、遥かに低いコストで作ることができる。シリカ・オン・シリコンＡＷＧは、とても成熟した技術である。例えば、伝送損失は、ＩｎＰから作られたものよりもシリカ・オン・シリコンから作られたＡＷＧにおいて、ずっと小さい。本発明の実施形態によれば、従来のＩｎＰモノリシック集積法と比較してＩｎＰチップ上にずっと少ない素子が存在するので、ＩｎＰチップ製造歩留りはずっと高い。本発明の一実施形態によれば、ＡＷＧなしで、ＩｎＰチップをずっと小さくもできる。高い歩留りと小さなサイズは、本発明の実施形態に従ったハイブリッド集積化のために使われるＩｎＰチップのコストを著しく減らす。
【００３７】
本発明のいくつかの実施の態様によれば、従来の技術よりも受信感度を＞＝１０ｄＢ増やす結果となる表面照明ＡＰＤを使うための方法が提供される。この改良は、光学増幅器なしで長距離伝送を可能にできる。さらに、最終的な装置に関して、本発明の特定の実施形態によるハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器のサイズは、モノリシックに集積化されたＤＷＤＭ受信器に匹敵する。従って、集積化されたＤＷＤＭ受信器の小さなサイズの利点は、本発明のある特定の実施形態によって維持される。
【００３８】
本発明の好ましい実施形態を示し、述べてきたが、その一方で、本発明がそれらの実施形態のみに限定されるものでない、ということは明白であろう。特許請求の範囲に記述されるような本発明の精神と範囲から逸脱することのない、多数の変更、交換、変化、代用、および均等物は、当業者には明白であろう。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】本発明の一実施形態による、ハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された平面概略図である。
【図１Ｂ】本発明の上記実施形態による、図１Ａのハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された断面図である。
【図２Ａ】本発明の他の実施形態による、ハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された拡大平面図である。
【図２Ｂ】本発明の上記実施形態による、図２Ａのハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された拡大断面図である。
【図３Ａ】本発明の代案の実施形態による、パッケージ化されたハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の単純化された平面概略図である。
【図３Ｂ】図３Ａのパッケージ・ハイブリッド集積化されたＤＷＤＭ受信器の、単純化された断面概略図である。
【図４】本発明の一実施形態による、集積化されたＤＷＤＭ受信器で作るための方法の、単純化されたフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１００  ＤＷＤＭ受信器（ハイブリッド受信器）
１０１  シリコンベンチ
１１０  導波路格子（ＡＷＧ）
１１２  入力ポート
１１３  出力ポート
１１４  光検出器アレイチップ
１１６  格子導波路
１１９  光学ファイバ
１２１  シリカ領域
１２２  シリカ層
１２４  シリコン基板
１３０  サポート部品
１３２  サブマウント
１３４  温度調整部品
２００  ＤＷＤＭ受信器
２１１、２１２、２１３導波路
２１４  光検出器
２２２  シリカ層
２２４  シリコン基板
２２５  ミラー
３００  ＤＷＤＭ受信器
３０１  パッケージ
３０３  後続電気増幅器
３０５  電気接続部
３１０  出力端子
３１９  光学ファイバピグテール
【図１Ａ】
2009522622.tif 000003
【図１Ｂ】
2009522622.tif 000004
【図２Ａ】
2009522622.tif 000005
【図２Ｂ】
2009522622.tif 000006
【図３Ａ】
2009522622.tif 000007
【図３Ｂ】
2009522622.tif 000008
【図４】
2009522622.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多チャネルＤＷＤＭ信号を多数の電気信号に変換する、集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置であって、
サポート部品と、
前記サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板であって、該シリカ・オン・シリコン基板がシリコン層に重なるシリカ層を含み、かつ該シリカ・オン・シリコン基板が第１の表面領域と第２の表面領域とを含むようなシリカ・オン・シリコン基板と、
前記シリカ層の中の光学デマルチプレクサであって、該光学デマルチプレクサが前記第１の表面領域の下に位置し、かつ前記シリコン層に重なり、該光学デマルチプレクサが、多チャネルＤＷＤＭ信号を受け取るための少なくとも１つの入力導波路と、１つ以上の光学信号を出力するための複数の出力導波路とを含むような光学デマルチプレクサと、
前記第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造であって、該１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造と、
前記シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上の半導体光検出器アレイチップであって、該１つ以上の光検出器アレイチップのそれぞれが光学信号を対応する電気信号に変換するための１つ以上の光検出器を含み、該１つ以上の光検出器が前記反射構造の対応するものに重なり、かつ光学的に結合されるような半導体光検出器アレイチップと、
光検出器によって変換された電気信号を出力するため１つ以上の出力端子と、
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光学デマルチプレクサはアレイにされた導波路格子を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、１つ以上のＩｎＰ光検出器ダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、少なくとも１つのｐ−ｉ−ｎ（ＰＩＮ）フォトダイオードまたはアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれはミラー構造を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれは前記シリカ層の中に反射表面を有し、該反射層は、複数の出力導波路の対応するものに対して、また光検出器の対応するものの表面に対して、約４５°の角度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれの反射表面は、さらに金属層を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記１つ以上の反射構造のそれぞれは前記シリカ層の中にリセス領域を有し、前記リセス領域の表面は複数の出力導波路の対応するものを終端させ、前記表面は前記導波路に対して約４５°の角度であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記サポート部品は温度調整部品を有し、該温度調整部品は熱電気クーラー（ＴＥＣ）または電気ヒーターを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
集積化された高密度波長分割多重方式（ＤＷＤＭ）受信器装置であって、該装置は、
サポート部品と、
前記サポート部品に重なるシリカ・オン・シリコン基板であって、該シリカ・オン・シリコン基板がシリカ層とシリコン層とを含み、かつ該シリカ・オン・シリコン基板が第１の表面領域と第２の表面領域とを含むようなシリカ・オン・シリコン基板と、
前記シリカ層の中のアレイにされた導波路格子であって、該アレイにされた導波路格子が前記第１の表面領域の下に位置し、かつ前記シリコン層に重なり、かつ該アレイにされた導波路格子が複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含むようなアレイにされた導波路格子と、
前記第２の表面領域の下にあるシリカ層に位置する１つ以上の反射構造であって、該１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造と、
シリカ・オン・シリコン基板の第２の表面領域に重なる１つ以上のＩｎＰ光検出器アレイチップであって、該１つ以上のＩｎＰ光検出器アレイチップのそれぞれが１つ以上のＩｎＰ光検出器を含み、該１つ以上のＩｎＰ光検出器のそれぞれが前記１つ以上の反射構造の対応するものに光学的に結合されているようなＩｎＰ光検出器アレイチップと、
を有することを特徴とする装置。
【請求項１１】
集積化されたＤＷＤＭ受信器装置を作るための方法であって、
シリコン層を提供する段階と、
シリカ層の中に、光学デマルチプレクサであって、該シリカ層がシリコン層の上に位置し、該光学デマルチプレクサが複数の出力導波路と少なくとも１つの入力導波路とを含むような光学マルチプレクサを形成する段階と、
前記シリカ層の中に、１つ以上の反射構造であって、前記１つ以上の反射構造のそれぞれが複数の出力導波路の対応するものに光学的に結合されるような反射構造を形成する段階と、
シリカ層の上に、１つ以上の半導体光検出器アレイチップであって、該１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれが１つ以上の光検出器を含み、該１つ以上の光検出器のそれぞれが前記１つ以上の反射構造の対応するものに重なるような半導体光検出器アレイチップをマウントする段階と、
前記シリコン層をサポート部品に取り付ける段階と、
を有し、
前記光学デマルチプレクサを形成する段階は、
前記シリコン層の上に第１のドープされないシリカサブ層を形成する段階と、
第１のドープされないシリカサブ層の上にドープされたシリカサブ層を形成する段階と、
ドープされたシリカサブ層の少なくとも第２の部分をエッチングする段階と、
エッチングされたドープされたシリカサブ層と前記第１のドープされないシリカサブ層の上に第２のドープされないシリカサブ層を堆積する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップのそれぞれは、ＩｎＰで作られた１つ以上の光検出器ダイオードを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学デマルチプレクサはアレイにされた導波路格子を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つ以上の反射構造を形成する段階は、
シリカ層の第１の領域の中に、リセス領域であって、該リセス領域が第１の表面と第２の表面とを含み、該第１の表面が前記出力導波路の対応するものを終結させ、該第２の表面が前記出力導波路から間隔をあけられ、前記出力導波路に対して約４５°の角度で配置されるようなリセス領域を形成する段階と、
金属層を使って前記第２の表面をコーティングする段階と、
を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つ以上の反射構造を形成する段階は、内部全反射を可能にするために、前記１つ以上の出力導波路に約４５°の切断面を作り、前記導波路の端部表面を形成する段階を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記１つ以上の半導体光検出器アレイチップを形成する段階は、表面マウント法、または表面マウントプロセスにおいて金属はんだを使って行なわれることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記サポート部品は温度調整部品を有し、該温度調整部品は熱電気クーラー（ＴＥＣ）または電気ヒーターを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の好ましい実施形態を示し、述べてきたが、その一方で、本発明がそれらの実施形態のみに限定されるものでない、ということは明白であろう。特許請求の範囲に記述されるような本発明の範囲から逸脱することのない、多数の変更、交換、変化、代用、および均等物は、当業者には明白であろう。
【国際調査報告】
2009522622.tif 000010
2009522622.tif 000011