(57)【要約】  膜との相互作用のためにレーザービームを整形するためのシステム及び方法が開示され、レーザービームはビーム経路に沿って進行し、短軸と長軸を備えている。１態様において、システムは、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されたエッジを有する第１の短軸要素と、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されたエッジを有する第２の短軸要素とを含み、ｄ2＜ｄ1である。膜との相互作用のために短軸においてビームを合焦させるための光学系が第２の要素と膜との間でビーム経路に沿って配置される。別の態様において、システムは、短軸要素のエッジの一方又は両方の湾曲を選択的に調整するために動作する機構を有している。
2009514224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザービームを膜との相互作用のために整形するための装置であって、ビームはビーム経路に沿って進行し、短軸と長軸を持っており、前記軸は互いに直交しており、前記装置は、
前記ビームの一部によって照明するために配置され、前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されたエッジを有する第１の短軸要素と、
前記ビームの一部によって照明するために配置され、前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されたエッジを有する第２の短軸要素と、この時ｄ2＜ｄ1であり、
前記第２の短軸要素と前記膜との間でビーム経路に沿って配置され、膜との相互作用のために短軸において前記ビームを合焦させるための光学系とを備える、装置。
【請求項２】
前記第１の短軸要素の前記エッジは前記第２の短軸要素の前記エッジとほぼ平行に整列されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の短軸要素は反射性ビーム分割要素である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の短軸要素は吸収性絞りである請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の短軸要素は屈折性ビーム分割要素である請求項１に記載の装置。
【請求項６】
レーザー源と前記第１の短軸要素との間でビーム経路に沿って配置された合焦光学系をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項７】
レーザー源と前記第１の短軸要素との間でビーム経路に沿って配置された短軸均質化光学系をさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項８】
基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜をラインビームとして整形されたレーザービームにより溶融するためのシーケンシャルラテラル凝固装置であって、ビームはビーム経路に沿って進行し、短軸と長軸を持っており、前記軸は互いに直交しており、前記装置は、
基板を保持するための可動ステージと、
前記ビーム経路でレーザービームを生成するレーザー源と、
前記ビームの一部によって照明するために配置され、前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されたエッジを有する第１の短軸要素と、
前記ビームの一部によって照明するために配置され、前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されたエッジを有する第２の短軸要素と、この時ｄ2＜ｄ1であり、
前記第２の短軸要素と前記膜との間でビーム経路に沿って配置され、膜との相互作用のために短軸において前記ビームを合焦させるための光学系とを備える、装置。
【請求項９】
前記第１の短軸要素の前記エッジは前記第２の短軸要素の前記エッジとほぼ平行に整列されている請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の短軸要素は反射性ビーム分割要素である請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の短軸要素は吸収性絞りである請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１の短軸要素は屈折性ビーム分割要素である請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
レーザー源と前記第１の短軸要素との間でビーム経路に沿って配置された合焦光学系をさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
レーザー源と前記第１の短軸要素との間でビーム経路に沿って配置された短軸均質化光学系をさらに備える請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
膜との相互作用のためにレーザービームを整形するための装置であって、ビームはビーム経路に沿って進行し、短軸及び長軸を持っており、前記軸は互いに直交しており、前記装置は、
前記ビームの一部によって照明するために配置されエッジを有する第１の短軸要素と、
前記ビームの一部によって照明するために配置されエッジを有する第２の短軸要素と、
前記第１の短軸要素の前記エッジの湾曲を調整する機構と、
前記第１の短軸要素と前記膜との間でビーム経路に沿って配置され、膜との相互作用のために短軸において前記ビームを合焦させるための光学系とを備える、装置。
【請求項１６】
前記機構は、第１の短軸要素での前記ビーム経路に垂直な平面において前記第１の短軸要素の前記エッジの湾曲を調整するために動作する請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の短軸要素の前記エッジは、前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されており、前記第２の短軸要素の前記エッジは前記ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されており、この時ｄ2＜ｄ1である請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の短軸要素は反射性ビーム分割要素である請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の短軸要素は吸収性絞りである請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記第１の短軸要素は屈折性ビーム分割要素である請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本発明は、２００５年１０月２８日出願の米国特許出願第１１／２６１９４８号の優先権を主張し、また、２００４年２月１８日出願の「超高エネルギー高安定性ガス放出レーザー表面処理システム（VERY HIGH ENERGY, HIGH STABILITY GAS DISCHARGE LASER SURFACE TREATMENT SYSTEM）」の名称による米国特許出願第１０／７８１２５１号、２００４年７月１日出願の「レーザー薄膜ポリシリコンアニーリング光システム（LASER THIN FILM POLY-SILICON ANNEALING OPTICAL SYSTEM）」の名称による米国特許出願第１０／８８４１０１号、及び２００５年５月２６日日出願の「ラインビームとして整形されたレーザーと基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法（SYSTEMS AND METHODS FOR IMPLEMENTING AN INTERACTION BETWEEN A LASER SHAPED AS A LINE BEAM AND A FILM DEPOSITED ON A SUBSTRATE）」の名称による米国特許出願第１１／１３８００１号に関連しており、これによってこれらの各々の開示は参照によってここに採り入れられる。
【０００２】
（発明の分野）
本発明は、ラインビームとして整形されたレーザー光を生成するためのシステム及び方法に関する。ラインビームとして整形されたレーザー光の用途は、必ずしも以下に限らないが、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造の目的で、溶融部分の再凝固に際して膜の結晶化を誘起するアモルファスシリコン膜の溶融を含む。
【背景技術】
【０００３】
（発明の背景）
例えばガラスなどの基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜のレーザー結晶化は、相対的に高い電子移動度を有する材料膜の生産のための有望な技術を代表している。結晶化されたこの材料はその後、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造するため、１つの特定の応用において相対的に大型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）での使用に適するＴＦＴを製造するために使用することができる。結晶化シリコン膜の他の用途は、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、システムオンパネル（ＳＯＰ）、フレキシブル電子部品、太陽光発電などを含む。より数量的な面では、約９０ｎｍの厚さと約７００ｍｍ以上の幅を有する膜を高速に結晶化させることが可能な大量生産システムが近い将来に市販されるであろう。
【０００４】
レーザー結晶化は、例えば、第１の軸（例えば短軸）において合焦され第２の軸（例えば長軸）において拡大されたレーザー光であるラインビームに光学的に整形されたパルス化レーザー光を用いて実行される。一般に、第１及び第２の軸は互いに直交であり、そして両方の軸とも膜に向けて進行する中心光線に対しほぼ直交である。レーザー結晶化のための例示的なラインビームは、約２０ミクロン未満の膜において例えば３〜４ミクロンのビーム幅、及び約７００ｍｍのビーム長を有するとしてよい。この構成により、膜はビーム幅と平行な方向に走査又はステップされて、例えば９００ｍｍ以上の相当な長さを有する膜を順次溶融させ引き続き結晶化させることができる。
【０００５】
例えばシーケンシャルラテラル凝固（sequential lateral solidification）プロセスなど一部の場合、シリコン膜は、短軸にわたり相対的に均一であり短軸エッジで急激に減衰する強度を有するビーム（すなわち相対的に急峻な短軸側壁を有するビーム）を用いて露光されるように保証されることが望ましい。より具体的には、後縁短軸エッジで急峻な側壁を得ることができないと、隣接パルス間の不十分なオーバラップのために短軸エッジの近くで新しい結晶粒の望ましくない結晶品質をもたらすことがある。また、一部の実装では、表面のむらを低減しより安定したラテラル成長を得るために前縁短軸エッジで急峻な側壁を有することが望ましい。
【０００６】
この整形を達成する１つの方法は、長軸の方向で整列された細長いスリットとして形成された、例えば視野絞りなどの短軸要素でレーザーを合焦させることである。その場合、膜で短軸要素の像を生成するために光学系が使用される。この構成により、相対的に急峻な短軸側壁を有するビームを得ることができる。例えば２０ミクロン未満の膜でのビーム幅といった上で想定された寸法の場合、短軸要素の寸法を相対的にきつい公差に制御することが重要である。スリット形要素を確立することは、２つの相対的に大きいマスブロックの互いのほぼ２０〜１００ミクロンの範囲内への位置決めを含む。従って、位置決めの際のこのごくわずかな誤差がブロックを衝突させ、スリット形要素を決める重大なブロックエッジを損傷させることがある。
【０００７】
付随する高パワーレーザービームによる大きな膜の結晶化を想定する時に考慮しなければならない別の要因は、スリット形短軸要素で発生する熱である。大量の熱はスリット形要素を決める重大なブロックエッジをゆがめることがあり、深刻な場合、レーザービームにおいて望ましくない収差を生じることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のことを念頭におき、出願人は、整形されたラインビームと、基板上に堆積された膜との間の相互作用を実現するためのシステム及び方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
膜との相互作用のためにレーザービームを整形するためのシステム及び方法が提供され、レーザービームはビーム経路に沿って進行し、短軸と長軸を持っている。本発明の実施形態の１態様において、システムは、ビームの一部による照明のために配置され、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されたエッジを有する第１の短軸要素と、ビームの一部による照明のために配置され、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されたエッジを有する第２の短軸要素とを含み、この時ｄ2＜ｄ1である。膜との相互作用のために短軸においてビームを合焦させるための光学系が第２の要素と膜との間でビーム経路に沿って配置されている。
【００１０】
システムの特定の実施態様において、基板上に堆積されたアモルファスシリコン膜をラインビームとして整形されたレーザービームにより溶融するためのシーケンシャルラテラル凝固装置が提供される。装置は、基板を保持するための可動ステージと、ビーム経路でレーザービームを生成するレーザー源とを含む。装置はさらに、ビームの一部による照明のために配置され、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置されたエッジを有する第１の短軸要素と、ビームの一部による照明のために配置され、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置されたエッジを有する第２の短軸要素とを含み、この時ｄ2＜ｄ1である。
【００１１】
別の態様において、システムは、膜との相互作用のためにレーザービームを整形するために備えられている、ビームの一部による照明のために配置されエッジを有する短軸要素と、エッジの湾曲を選択的に調整するために動作する機構を含む。１構成において、その機構は、短軸要素でのレーザーのビーム経路に垂直である平面においてエッジの湾曲を調整するために動作可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
初めに図１に言及すれば、全体としてシステム１０と指示された、アモルファスシリコン膜１２を結晶化させるための生産システムの主要構成要素の縮尺通りではない概略図が示されている。図示の通り、システム１０は、パルス化レーザービームを生成するためのレーザー源２０、パルス持続時間を増大させるためのパルスストレッチャ２２及び、ビームを能動的にステアするための機構及び／又はアクティブビームエキスパンダを有するビーム送出装置２４を含む。
【００１３】
概説すれば、レーザー源２０は、パワー発振器とパワー増幅器を有する２チャンバレーザーであり、従って、しばしばＰＯＰＡレーザー源とも呼ばれる。上述の結晶化プロセスの１つの実装において、６ｋＨｚ（６０００パルス／秒）ＰＯＰＡレーザーが約１５０ｍＪのパルスエネルギーにより使用される。この構成により、７３０ｍｍ×９２０ｍｍの膜が約７５秒で（６０パーセントのオーバラップで）処理される。パワー発振器とパワー増幅器は各々、２つの細長い電極、例えばＸｅＣｌ、ＸｅＦなどの適するレーザーガス、電極と１つ以上の水冷フィン付き熱交換器（図示せず）との間でガスを循環させるためのタンジェンシャルファンを含む放出チャンバを備える。
【００１４】
固体レーザー、１チャンバを有するエキシマーレーザー、例えば発振器チャンバと２つの増幅チャンバ（増幅チャンバは並列又は直列）といった２つを超えるチャンバを有するエキシマーレーザー、又は１つ以上のエキシマー増幅チャンバを入れている固体レーザーを含む、他の形式のレーザー源がシステム１０において使用できるであろうことは十分に理解するべきである。他の設計も可能である。２チャンバのガス放出パルス化レーザー源２０に関するさらなる詳細は、２００３年７月３０日出願の「２チャンバガス放出レーザーのための制御システム（CONTROL SYSTEM FOR A TWO CHAMBER GAS DISCHARGE LASER）」の名称による米国特許出願第１０／６３１３４９号、２００３年１月３１日出願の「ガス放出レーザーのための自動ガス制御システム（AUTOMATIC GAS CONTROL SYSTEM FOR A GAS DISCHARGE LASER）」の名称による米国特許出願第１０／３５６１６８号、２００３年１２月１８日出願の「ガス放出ＭＯＰＡレーザーシステムの出力を制御するための方法及び装置（METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING THE OUTPUT OF A GAS DISCHARGE MOPA LASER SYSTEM）」の名称による米国特許出願第１０／７４０６５９号、２００３年９月３０日出願の「ガス放出ＭＯＰＡレーザースペクトル解析モジュール（GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE）」の名称による米国特許出願第１０／６７６９０７号、２００３年９月３０日出願の「ガス放出ＭＯＰＡレーザースペクトル解析モジュールのための光学マウント（OPTICAL MOUNTINGS FOR GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE）」の名称による米国特許出願第１０／６７６２２４号、２００３年９月３０日出願の「ガス放出ＭＯＰＡレーザースペクトル解析モジュール（GAS DISCHARGE MOPA LASER SPECTRAL ANALYSIS MODULE）」の名称による米国特許出願第１０／６７６１７５号、２００３年７月３０日出願の「２チャンバガス放出レーザーのための制御システム（CONTROL SYSTEM FOR A TWO CHAMBER GAS DISCHARGE LASER）」の名称による米国特許出願第１０／６３１３４９号、２００３年７月２４日出願の「超狭帯域２チャンバ高ＲＥＰレートのガス放出レーザー（VERY NARROW BAND, TWO CHAMBER, HIGH REP-RATE GAS DISCHARGE LASER）」の名称による米国特許出願第１０／６２７２１５号、２００３年６月２５日出願の「磁気回路素子を冷却するための方法及び装置（METHOD AND APPARATUS FOR COOLING MAGNETIC CIRCUIT ELEMENTS）」の名称による米国特許出願第１０／６０７４０７号、２００４年８月２０日出願の「２チャンバガス放出レーザーシステムのためのタイミング制御（TIMING CONTROL FOR TWO-CHAMBER GAS DISCHARGE LASER SYSTEM）」の名称による米国特許出願第１０／９２２６９２号、「高ＲＥＰレートＭＯＰＡレーザーシステム（HIGH REP RATE MOPA LASER SYSTEM）」の名称による米国特許第６６２５１９１号、及び「基本的モジュール式ＭＯＰＡレーザーシステム（BASIC MODULAR MOPA LASER SYSTEM）」の名称による米国特許第６５６７４５０号に見ることができ、これによってこれらの全部の開示は参照によってここに採り入れられる。
【００１５】
図１を続ければ、システム１０はさらに、例えば波面及び／又はビームポインティングといった１つ以上のビーム特性を測定し、アクティブステアリングユニット及び／又はアクティブビームエキスパンダによる使用のための制御信号を生成するための安定化計測学モジュール２６を含む。システム１０はまた、ビーム均質化、ビーム整形及び／又はビーム合焦のための光学系モジュール２８、例えばガラスとすることができる基板３２上に堆積されたシリコン膜１２を保持し位置決めするための可動ステージシステム３０も含む。緩衝材（図示せず）がガラスとシリコン膜１２との間に挿入されてもよい。
【００１６】
概説すれば、図１に示され以下でより詳細に説明するシステム１０は、約２０ミクロン以下の膜１２において例えば３〜４ミクロンの幅（短軸）を有し、そして７００ｍｍ以上の長さ（長軸）と約±３０〜５０ミクロンの焦点深度（ＤＯＦ）を有する、例えばラインビームといった合焦した細いビーム３４を生成するように構成される。合焦した細いビームの各パルスはアモルファスシリコンのストリップを溶融するために使用され、パルスの終了後、溶融したストリップは結晶化する。詳細には、溶融したストリップは、結晶粒が短軸と平行な方向で成長するラテラル成長プロセスで結晶化する。結晶粒は、両エッジから内方へ（短軸と平行に）成長し交わって、シリコン膜の平面から延びるストリップの中心に沿ったリッジ（いわゆる結晶粒界突起）を生成する。その後ステージは、第１のストリップの一部に平行でありそれにオーバラップする第２のストリップを露光するために、増分的又は連続的のいずれかで移動させられる。露光の間、第２のストリップは溶融し、引き続き再結晶化する。リッジを再溶融するために十分なオーバラップが使用される。リッジを再溶融することによって、相対的に平坦な膜表面（例えば〜１５ｎｍのピーク‐ピーク値）が維持される。以下、細ビーム方向性結晶化（ＴＤＸ；thin beam, directional crystallization）と称するこのプロセスは一般に、膜全体が結晶化されるまで繰り返される。
【００１７】
図２は、共通のビーム経路４２に沿って配置された均質化ユニット３６、短軸整形ユニット３８、短軸合焦／長軸拡大光学系ユニット４０を含む光学系モジュール２８の例を示す。使用された場合、均質化ユニット３６は、短軸でビームを均質化するための、例えばレンズ配列、分散遅延装置などの１つ以上の光学系を含み、さらに長軸でビームを均質化するための、例えばレンズ配列、分散遅延装置などの１つ以上の光学系を含む。
【００１８】
短軸整形ユニット３８はおそらく図２と３Ａとの相互参照により最善に理解できよう。それらに見られるように、短軸整形ユニット３８は、ビームの一部による照明のために配置され、そして膜１２（図１参照）から、ビーム経路４２に沿って距離ｄ1に配置されたエッジ４６を有する短軸要素４４を有し、かつ、ビームの一部による照明のために配置され、そしてビーム経路４２に沿って膜１２から距離ｄ2に配置されたエッジ５０を有する短軸要素４８を含み、ここでｄ2＜ｄ1である。ビーム経路４２に沿ったこれらの距離ｄ1とｄ2は必ずしも直線距離であるわけではないことは十分に理解するべきである。図示の通り、ビーム経路４２に沿って進行するビームのある部分は要素４４、４８にぶつかるが、ビームの一部はどちらの要素とも接触することなく短軸整形ユニット３８を通過することができる。ビーム経路４２に沿った要素４８からの要素４４の分離は、それらの要素での発熱に関係する問題を低減又は排除し、かつ／又はきつい公差での互い及びビームに対する要素の位置決めを助成する。１つ以上のアクチュエータ（図示せず）が、ビーム経路４２に対し直交する要素４４、４８間の間隔を調整するために要素４４、４８の一方又は両方に沿って配置される。
【００１９】
システム１０に関し、要素４４、４８は膜１２に入射するビームを効果的に開口制限することができる。ビームのテールにおける過剰エネルギーは、膜１２ではなく、要素４４、４８において減衰される。また、有利なことに、短軸整形ユニット３８におけるあらゆる小さなビームポインティングのずれも、短軸整形ユニット３８におけるビームがビーム経路４２に対し直交する要素４４、４８間の間隔よりもわずかに大きいという事実のために補償される。
【００２０】
システム１０に関し、短軸要素４４、４８は短軸整形ユニット３８について図３Ａに図示の通り吸収性絞りでもよく、短軸要素４４’、４８’は短軸整形ユニット３８’について図３Ｂに図示の通り反射性ビーム分割要素でもよく、又は短軸要素４４”、４８”は短軸整形ユニット３８”について図３Ｃに図示の通り屈折性ビーム分割要素でもよい。ここで使用された時、用語「吸収性絞り」は絞りが反射及び屈折される入射光の合計よりも多くの入射光を吸収する絞りを意味し、用語「反射性要素」は要素が吸収及び屈折される入射光の合計よりも多くの入射光を反射する要素を意味し、そして用語「屈折性要素」は要素が吸収及び反射する入射光の合計よりも多くの入射光を屈折させる要素を意味する。
【００２１】
図２はまた、光学系モジュール２８が、短軸整形ユニット３８からビーム経路４２に沿って光を受光する短軸合焦／長軸拡大光学系ユニット４０を含んでもよいことを示している。一般に、ビームは初めに短軸整形ユニット３８の、又はその近くの平面に合焦され、この焦点面はその後、膜１２で所望の強度プロフィールを生成するために短軸で（短軸合焦／長軸拡大光学系ユニット４０によって）結像される。１実施において、膜１２における所望の強度プロフィールは、約３〜４μｍのビーム幅（ＦＷＨＭ）、プロフィールの平頂部に沿って約５％向上した強度一様性、及び１０％ないし９０％の全強度で約３μｍ未満となる急峻なエッジ勾配を含む。
【００２２】
ビーム経路４２に沿った要素４８に対する要素４４の変位（すなわちｄ1−ｄ2）が、膜１２における像のシフトにつながる。例えば、１つの光学設定において、約１ｍｍの変位（すなわちｄ1−ｄ2）は、約１６〜２０μｍの膜１２における像のシフトにつながる。膜１２の焦点深度は短軸合焦／長軸拡大光学系ユニット４０の開口数ＮＡに依存しているが、一般に±３０〜５０μｍである。従って、１ｍｍの絞りの変位に起因する像のシフト（２０μｍ）はＤＯＦ（±３０〜５０μｍ）より小さい。１態様において、ビーム経路４２に沿った要素４８に対する要素４４の変位（すなわちｄ1−ｄ2）は、短軸要素の変位に起因する像のシフトがＤＯＦより小さいような範囲内に保たれる。
【００２３】
図４は、短軸要素１４４のエッジ１４６の湾曲を調整するための機構１００ａを例示している。システムでは、機構１００ａが、エッジ１４６を図示の通りまっすぐにするために使用されている。代替として、又はそれに加えて、エッジ１４６を、要素１４８のエッジ１５０にほぼ平行にし及び／又は平行に維持するために、機構１００ａが使用される。湾曲調整機構１００ｂもまた、図示の通り、要素１４８のエッジ１５０のために設けられる。例えば、約５〜１０μｍの膜１２におけるビーム幅と１０×の短軸焦点倍率について、要素１４４のエッジ１４６”と要素１４８のエッジ１５０は約１０μｍの範囲内で平行に保たれ、ビームエッジを膜１２において約１μｍの範囲内で平行に保つことができる。
【００２４】
動作中、ねじロッド１０２をチューブ１０４に対して回転させて、ロッド１０２に取り付けられたブロック１０６をロッド１０２の軸に沿って並進させることができる。この移動は、ばね１０８を圧縮し、ロッド１０２とチューブ１０４を軸方向の反対側に移動させる。その結果は、要素１４４がわずかに凹面湾曲（点線）を備えるエッジ１４６’を有する第１の形状から要素１４４がほぼまっすぐであるエッジ１４６”を有する第２の形状への要素１４４の湾曲の変化である。機構１００ａは、２０００年７月２５日に交付され、「両方向帯域幅制御を備える格子アセンブリ（Grating Assembly with Bi-directional Bandwidth Control）」の名称による米国特許第６０９４４４８号にさらに詳細に開示され、記載されたような、格子の湾曲を調整するために使用される機構に類似しており、これによってその内容は参照によってここに採り入れられる。また、１９９２年３月１０日に交付され、「スペクトルナローイング技法（Spectral Narrowing Technique）」の名称による米国特許第５０９５４９２号において格子の湾曲を調整するために以前に開示された機構は、短軸要素の湾曲を調整するために使用することができる。米国特許第５０９５４９２号の内容はこれによって参照によってここに採り入れられる。さらに、１９９９年１０月１９日に交付され、「超狭帯域レーザー（Very Narrow Band Laser）」の名称による米国特許第５９７００８２号において格子の湾曲を調整するために以前に開示された機構は、短軸要素の湾曲を調整するために使用することができる。米国特許第５９７００８２号の内容はこれによって参照によってここに採り入れられる。
【００２５】
短軸要素のエッジの湾曲を調整するための機構は、図３Ａに図示された要素（すなわち、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置された短軸要素とビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置された短軸要素であり、この時ｄ2＜ｄ1）のようなビーム経路に沿ってオフセットされた要素に使用することができ、又は、短軸要素のエッジの湾曲を調整するための機構は、ビーム経路に沿って整列された要素（すなわち、ビーム経路に沿って膜から距離ｄ1に配置された短軸要素及びビーム経路に沿って膜から距離ｄ2に配置された短軸要素であり、この時ｄ2＝ｄ1）に使用することができる。一部の構成において、単一の短軸要素が図３Ａ〜Ｃ及び４に図示された要素の対の代わりに使用されて、リーディングエッジに影響を受けないまま急峻なトレーリングエッジ勾配を有するビームプロフィール（すなわちエッジはＴＤＸプロセスの間に再溶融されない材料に対応している）を生成する。
【００２６】
以上に開示された本発明の実施形態の態様は単に好ましい実施形態であるように意図されており本発明の開示をいかなる形でも限定しようとするものではなく、特に特定の好ましい実施形態のみに限定しようとするものではないことは、当業者によって理解されるであろう。開示された本発明の実施形態の開示された態様には、当業者によって理解され認識されるはずである多くの変更及び修正を行うことができる。添付のクレームは、適用範囲及び意味において、本発明の実施形態の開示された態様だけでなく、当業者には明らかであるような均等物や他の修正及び変更をも包括するように意図されている。米国特許法第１１２条を満たすために要求される詳細に関しこの特許出願において記載され説明された「ラインビームとして整形されたレーザーと基板上に堆積された膜との間で相互作用を実現するためのシステム及び方法」の実施形態の特定の態様は、上に述べた実施形態の態様のいずれかの上述の目的、それらによって解決されるべき課題、又はそれらのいずれかの他の理由又は目的を完全に達成することができるが、本発明の記載された実施形態の現在記載された態様が、本発明によって広範に想定された内容を単に例示し説明し代表しているにすぎないことは当業者によって理解されるべきである。実施形態の現在記載され主張された態様の適用範囲は、明細書の教示に基づき当業者には現時点で明らかであるか又は明らかになり得る他の実施形態を完全に包括する。本件の「ラインビームとして整形されたレーザーと基板上に堆積された膜との間で相互作用を実現するためのシステム及び方法」の適用範囲は添付のクレームだけによってもっぱらかつ完全に限定され、添付のクレームの具述以外の何ものにもよらない。単数での当該クレームにおける要素への言及は、明示的にそのように述べられていない限り当該クレームの要素を「１つかつ唯一の」と解釈することを意味するように意図されてないし、そのように意味してもおらず、そうではなくむしろ「１つ以上の」ということである。当業者にとって既知であるか又は後に知られることになる実施形態の上述の態様の要素のいずれかとの構造上及び機能的な均等物は全部、参照によってここに明白に採り入れられ、本件のクレームによって包含されるように意図されている。明細書及び／又はクレームにおいて使用され本出願における明細書及び／又はクレームにおいて明白に意味を与えられたあらゆる用語は、あらゆる辞書又は当該用語の他の一般に使用されている意味に関わらず、その意味を有するものとする。実施形態のいずれかの態様として明細書において検討された装置又は方法は、この出願において開示された実施形態の態様によって解決しようとする個々すべての課題に対処するように意図されていないし必要もなく、本件のクレームによって包含されるように意図されていないし必要もない。本開示におけるいかなる要素、構成要素又は方法ステップも、その要素、構成要素又は方法ステップがクレームにおいて明示的に具述されているかどうかに関わらず公衆に供されるように意図されていない。添付のクレームにおけるいかなるクレーム要素も、その要素が語句「ための手段」を用いて明白に具述されていない限り、又は方法クレームの場合にその要素が「行為」の代わりに「ステップ」として具述されていない限り、米国特許法第１１２条第６段落の規定の下に解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】アモルファスシリコン膜を結晶化させるための例示的な生産システムの主要な構成要素の概略図を示す。
【図２】ビーム均質化、ビーム整形及び／又はビーム合焦のための光学系モジュールの概略図を示す。
【図３】Ａ：吸収性絞りを有する短軸ビーム整形構成要素の概略図、Ｂ：反射性ビーム分割要素を有する短軸ビーム整形構成要素の概略図、Ｃ：屈折性ビーム分割要素を有する短軸ビーム整形構成要素の概略図を示す。
【図４】短軸要素のエッジの湾曲を調整するための機構の概略図を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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