(57)【要約】  本発明は、電磁放射線を対物面１６０に対して放射する線源１４２と、電磁放射線を対物面で受光し電磁放射線をワークピースに向けて中継するようになされ、それぞれが多数の目的ピクセルを有する少なくとも２つの空間光変調器と、を備える、像面１５０に配置され電磁放射線に対して感応性のワークピースをパターニングするための装置１００であって、電磁放射線が空間光変調器と照射器の射出瞳の間の光学面すなわち共役光学面に配置されたビーム分離デバイスによって少なくとも２つのビームに分離され、これらのビームが異なる空間光変調器に入射する、装置１００に関する。本発明は又、ワークピースを複数の空間光変調器によりパターニングする方法にも関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
像面に配置され電磁放射線に対して感応性のワークピースをパターニングするための方法であって、
電磁放射線を対物面に対して照射する工程と、
前記照射された電磁放射線を対物面の単一の領域に一連の照射方向を通じて分配する工程と、
前記対物面の前記単一の領域の少なくとも１つの空間光変調器からの前記一連の照射方向を前記ワークピースに対して方向づける工程とを含む方法において、
前記少なくとも１つの空間光変調器からの少なくとも２つの連続する画像は前記ワークピース上で互いに横方向に変位されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記一連の照射方向が単一の電磁放射線源から始まる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記一連の照射方向が２つ以上の電磁放射線源から始まる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電磁放射線が、傾斜又は振動する鏡によって少なくとも２つの異なる照射方向で前記対物面に分配される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電磁放射線が、回転するプリズムによって少なくとも２つの異なる照射方向で前記対物面に分配される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記照射方向が、前記少なくとも１つの空間光変調器に連続して分配される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記照射方向が、前記少なくとも１つの空間光変調器に同時に入射される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記画像が、前記ワークピースが移動する方向から横方向に変位される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
電磁放射線を分配するデバイスと前記少なくとも１つの空間光変調器との間に鏡構成を設ける工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記鏡構成は、互いに離間された一対の鏡である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記鏡が並行である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記鏡が、前記ＳＬＭの１面に対して直交する反射面を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記鏡構成に含まれる前記鏡の少なくとも２つは並行でない、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記電磁放射線を少なくとも２つの異なる照射方向で前記対物面に分配する前記デバイスが回転するレーザ源である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
像面に配置され電磁放射線に対して感応性のワークピースをパターニングするための装置であって、電磁放射線を少なくとも１つの空間光変調器を備える対物面の単一の領域に少なくとも２つの異なる照射方向で分配するデバイスを備える装置において、
前記少なくとも２つの照射方向は、前記少なくとも１つの空間光変調器からの少なくとも２つの横方向に変位した画像を前記像面に形成することを特徴とする、装置。
【請求項１６】
前記少なくとも２つの照射方向が単一の電磁放射線源から始まる、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも２つの照射方向が２つ以上のレーザ源から始まる、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
電磁放射線を前記対物面に少なくとも２つの異なる照射方向で分配する前記デバイスが傾斜可能な鏡である、請求項１５に記載の装置。
【請求項１９】
電磁放射線を前記対物面に少なくとも２つの異なる照射方向で分配する前記デバイスが回転可能なプリズムである、請求項１５に記載の装置。
【請求項２０】
前記照射方向が、前記少なくとも１つの空間光変調器に連続して分配される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２１】
前記照射方向が、前記少なくとも１つの空間光変調器に同時に入射される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２２】
前記画像が、前記ワークピースが移動する方向から横方向に変位される、請求項１５に記載の装置。
【請求項２３】
電磁放射線を分配する前記デバイスと前記少なくとも１つの空間光変調器との間に配置された鏡構成をさらに備える、請求項１５に記載の装置。
【請求項２４】
前記鏡構成は、互いに離隔された一対の鏡である、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記鏡が並行である、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記鏡が、前記ＳＬＭの１面に対して直交する反射面を有する、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記鏡構成に含まれる前記鏡の少なくとも２つは並行でない、請求項２３に記載の装置。
【請求項２８】
前記電磁放射線を前記対物面に少なくとも２つの異なる照射方向で分配する前記デバイスが、回転するレーザ源である、請求項１５に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光リソグラフィに関し、具体的には少なくとも１つの空間光変調器（ＳＬＭ）を使用してパターンの直接描画を行うための方法及びデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のＵＶリソグラフィは、新しい高度な並列描画の概念を求めている。光ＭＥＭＳデバイスによる空間光変調は、そのような可能性を与える。ＳＬＭチップは、数百万のそれぞれがアドレス付け可能なピクセルを上面に有する、ＤＲＡＭのようなＣＭＯＳ回路を備え得る。ピクセルは、鏡要素とアドレス電極の間の静電気力の差によって偏向される。ＳＬＭを使用するパターン・ジェネレータは、本発明と同じ譲受人に譲渡された米国特許第６３７３６１９号に記載されている。米国特許第６３７３６１９号は簡単に言うと、ＳＬＭの一連の画像を露光する小型フィールドステッパを開示している。ワークピースは連続的に移動するステージに配置され、パルス電磁放射線源（これはパルス・レーザ、フラッシュ・ランプ、シンクロトロン光源からのフラッシュなどであり得る）がＳＬＭの画像をフラッシュ照射してワークピースに定着させる。ＳＬＭは、ワークピース上に連続的画像が構成されるように、各フラッシュの前に新パターンで再プログラムされる。
【０００３】
従来、集積回路は大体は、集積回路中の１つの層のパターンを構成するマスク又はレチクルを複数枚使用することによって、専ら作製されてきた。今日の集積回路中の層の数は３０層を超えることがある。マスク又はレチクルは、選択されたビームの種類に対して感応性の素材の層を露光するために、例えば電子ビーム又はレーザ・ビームを使用して、リソグラフィの方法で作製されてよい。通常概して透過性であるマスク素材は、その側面の一方の上に不透明素材の薄い層が取り付けられていてよい。不透明素材の薄い層に集積回路の１つの層のパターンが形成されてよい。マスクは通常、集積回路を形成するための半導体基板に印刷されるパターンよりもＮ倍大きいパターンを有する。サイズの縮小は、集積回路を形成するためにマスク（１つ又は複数）を使用し得るステッパ又はスキャナで行われ得る。
【０００４】
近年、従来のマスクを使用する以外の手段によって集積回路を作製する必要性が増えており、そのいくつかの理由としては例えば、マスク（１つ又は複数）を製造する価格が作製の複雑さや少量の集積回路しか必要としない小規模の開発などで上昇していることがある。
【０００５】
残念ながら、現在知られている、従来マスク又はレチクルを使用しない集積回路形成用技術は、すべて欠点及び制限がある。
【０００６】
例えば、当技術分野で知られている直接描画装置の多くは、電子ビーム、典型的には、単純な幾何学形をそれぞれが規定する複数のフラッシュからパターンが組み合わさったいわゆる成形ビーム、に基づいている。ガウシアン・ビームのラスター走査を使用する他のシステムも知られている。ワークピースにパターンを形成するために電子ビーム又はレーザ・ビームを使用する従来のマスク描画装置を使用すると、走査のプロセスが比較的低い走査速度に制限される可能性があり、おそらく最悪なことは、一次元しかスキャンしない可能性がある。
【０００７】
本発明の譲受人の１人による、ＷＯ０１／１８６０６及び米国特許出願第０９／９５４７２１号などの他の特許出願に開示されたＳＬＭ描画装置は、ビットマップ・パターンを許容するという意味ではラスター走査に関するが、個々のピクセルからパターンを形成するのではなく１回のフラッシュでパターンのフレーム全体を印刷する点が独特である。
【０００８】
空間光変調器（ＳＬＭ）は多数の変調器要素を備え、これらは所望のパターンを形成するために所望の方式で設定することができる。反射型ＳＬＭは、マスク又は任意の他のワークピースに所望のパターンを形成するために任意の種類の電磁放射線、例えばＤＵＶ又はＥＵＶ、に露光されてよい。
【０００９】
半導体の設計で特定の層にデータから直接描画する直接描画パターン・ジェネレータは、当業界にとって高い価値がある。しかし近年のチップの複雑性は極めて高く、新技術の世代ごとにさらに複雑になっている。直接描画装置は、３００ミリメートルのウェハに、１回ではなく何百万回も複雑なパターンを描画しなければならない。
【００１０】
ＬＣＤの大面積基板に露光可能である直接描画機が競争力を有するためには、描画時間が約１分でなければならない。この時間は、マスクを作製するのに必要な「日単位」に比べると極めて短い。したがって描画速度は、既存技術に比べて非常に速い（１０００倍以上）。１つ大きな障害となるのがステージ速度で、「極度に高い」ステージ速度を有しなければならないことである。これは、大きな幅で描画することによって回避し得るが、このことは多数の光チャネルとレンズが必要とする可能性があり、これらは共に費用と複雑さを増大させる。
【００１１】
機械的な動きも、量が増える一方でターン・アラウンドに許される時間が激減するにつれて、高いステージ速度の問題となる可能性がある。ターンアラウンド・タイムの短縮と力の増加も、機械構造内に高い周波数域でより大きな振動及び共振を引き起こす可能性がある。描画を開始する前に機械システムを適切に安定させることもかつてなく大きな課題となり得る。
【００１２】
ターンアラウンド・タイムの増大も、描画そのものに必要な貴重な時間を消費する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって本発明の目的は、ワークピースへの形状の印刷が本質的に従来技術より速く及び／又はより融通性のある直接描画の方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この目的はとりわけ、本発明の第１の態様によれば、電磁放射線を対物面に照射する工程と、照射された電磁放射線を対物面の単一の領域に一連の照射方向を通じて分配する工程と、対物面の単一の領域の少なくとも１つの空間光変調器からの一連の照射方向をワークピースに向かって方向づける工程とを備え、少なくとも１つの空間光変調器からの少なくとも２つの連続する画像がワークピース上で互いに横方向に変位される、像面に配置され電磁放射線に対して感応性のワークピースをパターニングするための装置によって達成される。
【００１５】
本発明は又、像面に配置され電磁放射線に対して感応性のワークピースをパターニングするための方法に関し、電磁放射線を少なくとも１つの空間光変調器を備える対物面の単一の領域に少なくとも２つの異なる照射方向で分配するデバイスを含み、少なくとも２つの照射方向は、少なくとも１つの空間光変調器からの少なくとも２つの横方向に変位した画像を像面に形成する。
【００１６】
本発明のさらなる特徴及びその利点は、以下に述べる本発明の好ましい実施例の詳細な説明、及び添付の図１〜６から明らかになろう。これらは、説明のためのみに示されており、したがって本発明を制限するものではない。
【実施例】
【００１７】
図を参照しつつ以下の詳細な説明を述べる。好ましい実施例を説明するが、本発明を説明するためであり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲により定義される。当業者は、以下の記載に対して様々な均等な変形例を認識するであろう。
【００１８】
さらに、好ましい実施例は、アナログ型の、すなわちオンとオフの間に２つ以上又は単一の中間的なレベルがある、ＳＬＭを参照しつつ説明されている。当業者には、アナログ型以外のＳＬＭ、例えばＴｅｘａｓ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製のデジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）などのデジタルＳＬＭを同様に使用し得る状況があるだろうことは、明白であろう。又さらに、好ましい実施例は、エキシマ・レーザ源を参照して説明されている。当業者には、エキシマ・レーザ以外のパルス電磁放射線源、例えばＮｄ−ＹＡＧレーザ、イオン・レーザ、チタン・サファイア・レーザ、自由電子レーザ又は他のパルス型の基本的な周波数レーザ、フラッシュ・ランプ、レーザ・プラズマ源、シンクロトロン光源などが本発明の方法に使用され得ることは明白である。
【００１９】
図１ａは本発明のパターン・ジェネレータ１００の第１の実施例の概略上面図、図１ｂは概略側面図を示す。パターン・ジェネレータは、真のＳＬＭ１１０、第１の鏡１１６、第２の鏡１１８、レンズ１２０、及びレーザ源１４２を備える。
【００２０】
電磁放射線源１４２からの電磁放射ビーム１３０、１３２、１３４は、真のＳＬＭ１１０及びレンズ１２０を介して像面１５０に対して方向づけられる。図の実施例において、真のＳＬＭ１１０は、３つの異なる照射方向から照射される。第１の電磁放射ビーム１３０は、真のＳＬＭ１１０を第１の照射方向から照射している。第２の電磁放射ビーム１３２は、真のＳＬＭ１１０を第２の方向から照射している。第３の電磁放射ビーム１３４は、真のＳＬＭ１１０を第３の方向から照射している。同時の照射で、ワークピース上に３つの同一画像が並んで生成される。第２の実施例では、第１、第２、及び第３の電磁放射ビームが真のＳＬＭ１１０を連続して照射している。第１のビームは、第１の鏡１１６に反射されてから真のＳＬＭ１１０に入射してよく、真のＳＬＭ１１０に反射された後に第２の鏡１１８に反射されてよい。第３のビームは、第２の鏡１１８に反射されてから真のＳＬＭ１１０に入射してよく、真のＳＬＭ１１０に反射された後に第１の鏡１１６に反射されてよい。真のＳＬＭ１１０の第１の照射方向は、第１の仮想ＳＬＭの位置１１２から始まるように見える。真のＳＬＭ１１０の第３の照射方向は、第２の仮想ＳＬＭの位置１１４から始まるように見える。連続の照射は、ワークピース上に並ぶ３つの同一画像、又は少なくとも１つの同一ではない画像を生成し得る。３つの同一画像は、異なる照射方向の間のＳＬＭのパターンを変えないことによって生成してよい。少なくとも１つの同一ではない画像は、少なくとも２つの照射方向の間のＳＬＭのパターンを変えることによって生成してよい。
【００２１】
第１の仮想ＳＬＭの位置１１２、真のＳＬＭ１１０、及び第２の仮想ＳＬＭの位置は、対物面１６０に位置する。真のＳＬＭ１１０並びに第１及び第２の仮想ＳＬＭ１１２及び１１４の画像は、それぞれ像面１５０に位置する。第１の画像１２２は、第２の仮想ＳＬＭの位置、すなわち第３の照射方向１３４に対応する。第２の画像１２４は、真のＳＬＭ、すなわち第２の照射方向１３２に対応する。第３の画像１２６は、第１の仮想ＳＬＭの位置、すなわち第１の照射方向１３０に対応する。
【００２２】
図１ｂは、図１ａに示された実施例の側面図を示す。図１ｂは、レーザ源、鏡１１８及び真のＳＬＭ１１０の位置の実施例を示す。ＳＬＭ１１０のピクセルが第１のパターンに設定されるとき、真のＳＬＭ１１０に対する第１の放射線の入射ビーム１３２は、図１ｂの第１の方向１７０に中継され、図１ａの経路１３２に沿って引き返す。真のＳＬＭ１１０のピクセルが第２のパターンに設定されるとき、起点１４２から別の角度を有し１３０の方向に沿って方向づけられた第２の放射線の入射ビームが使用される。この第２のビームは、１１６で反射された後にＳＬＭを照射し、画像を含むビームが１１８で反射されて、１３４と反対方向にさらなる経路を備え、１１４に仮想の画像源位置を形成する。ＳＬＭが第３のパターンに設定されるとき、第２のビームと反対方向の角度を有する第３のソース・ビームがＳＬＭを照射し、第２の光線と同様に光線経路に沿って仮想画像１１２を形成する。画像の形成に使用されない電磁放射線は、概してビーム１８０の方向を進みそこで適切に除去される。
【００２３】
真のＳＬＭは、偏向型ＳＬＭ、すなわち、Ｔｅｘａｓ  ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社の提供するＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）、又は回折型ＳＬＭであってよい。回折型ＳＬＭは、様々な種類であってよく、１つはＭｉｃｒｏｎｉｃ  Ｓｉｇｍａという装置に使用されているアナログ偏向型のＳＬＭであり、他の型にはＳｉｌｉｃｏｎ  Ｌｉｇｈｔ  Ｍａｃｈｉｎｅ社が提供するＧＬＶ（回折格子ライトバルブ：Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｌｉｇｈｔ  Ｖａｌｖｅ）があり、第３の型にはピストン型ピクセル、すなわち上下に移動するピクセル、を備えるＳＬＭがある。ＧＬＶ型ピクセル、及びピストン型ピクセルではピクセルが対で機能し、一方、Ｍｉｃｒｏｎｉｃｓ  Ｓｉｇｍａという装置が使用するアナログ偏向型ＳＬＭは単一のピクセルからの入射光を回折する。空間光変調器は、本実施例では反射型空間光変調器として説明されている。反射型ＳＬＭは、変調器のピクセル要素であるマイクロミラーを備えてもよいが、例えば、塑粘性の層に基づく変調器などの他の反射型空間光変調器も使用可能である。図１ａ及び図１ｂで異なる種類のＳＬＭは異なる入射及び出射ビーム角度を有しており、これらの図は、入射ビーム角度が垂線に対して１２度で、出力ビームがＳＬＭ面の垂線方向に並行であるＴｅｘａｓ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社のＳＬＭのビーム構成を示す。
【００２４】
この電磁放射線は、本発明の実施例によれば、真のＳＬＭ１１０を異なる３方向１３０、１３２、１３４で照射する。方向は、図１ｂの位置１４２に通常配置される様々なデバイスによって操向されてよい。
【００２５】
この種の操向デバイスの第１の実施例は、図３に示す偏向可能な鏡１８０である。レーザ源１４２がレーザ・ビーム１２５を照射し、これは偏向可能な鏡１８０に入射する。偏向可能な鏡は、電磁放射線を異なる３方向１３０、１３２、１３４に中継することができる。
【００２６】
この種の操向デバイスの第２の実施例は、図４に示す回転軸１８７の周囲を回転する回転体ポリゴン１８５である。レーザ・ビーム１２５は、回転体ポリゴン１８５の一側面１８６によって偏向可能である。回転体ポリゴンの第１の位置は、レーザ・ビームを第１の方向１３０に偏向してよい。レーザ・ビームの第２の位置はレーザ・ビームを第２の方向１３２に偏向し、回転体ポリゴンの第３の位置はレーザ・ビームを第３の方向１３４に偏向してよい。第１、第２、及び第３の方向は、回転体ポリゴンの同じ側面又は回転体ポリゴンの異なる側面によって反射されてよい。
【００２７】
電磁放射線を異なる方向に操向する他の形態は、レーザ源を回転する支持体に配置することであってよい。異なる照射方向１３０、１３２、１３４は、支持体を回転するだけで実現できる。本発明のさらに他の実施例として、異なる照射方向１３０、１３２、１３４は、適切な照射方向を有する様々なレーザ源を使用するだけで実現できる。第１のレーザ源は第１の画像１２２を形成するために使用され、第２のレーザ源は第２の画像１２４を形成するために使用され、第３のレーザ源は第３の画像１２６を形成するために使用される。第１、第２、及び第３のレーザ源は、同期しないパルス・レーザ源であり、すなわち第１のレーザ源は第２及び第３のレーザ源がフラッシュ照射しないときにフラッシュ照射し、第２のレーザ源は第１及び第３のレーザ源がフラッシュ照射しないときにフラッシュ照射し、第３のレーザ源は第１及び第２のレーザ源がフラッシュ照射しないときにフラッシュ照射する。照射線量は、異なる照射方向の間で異ならせてよく、すなわちＳＬＭ画像１２２は第１の線量を、ＳＬＭ画像１２４は第２の線量を、及びＳＬＭ画像１２６は第３の線量を受けてよい。この方法は、画像フレーム・レートが可能レーザ・パルス反復頻度を典型的に３倍以上超える高速ＳＬＭで特に魅力的である。
【００２８】
真のＳＬＭ１１０のパターンは、異なる照射方向１３０、１３２、１３４間で同一であるか、少なくとも２つの異なる照射方向の間で異なっていてよい。
【００２９】
図５及び図６は、本発明の他の実施例を示す。図５では、第１の鏡１１６及び第２の鏡１１８は真のＳＬＭに向かう方向に狭まる間隔を有する。図６では、第１及び第２の鏡は真のＳＬＭ１１０に向かう方向に広がる間隔を有する。鏡１１６、１１８の一方又は両方を傾斜させることにより、例えばシステム中の光学場湾曲及び他の光学誤差により生じる一部の焦点誤差を補正してよい。図５では、真のＳＬＭ１１０、第１の仮想ＳＬＭの位置１１２、及び第２の仮想ＳＬＭの位置１１４は湾曲する対物面１６０を形成する。第１の画像１２２、第２の画像１２４、及び第３の画像１２６は湾曲する像面１５０を形成する。図５では、真のＳＬＭと仮想ＳＬＭの位置である１１２と１１４の間の距離は像面１５０中の対応する画像１２２、１２４、１２６の間の距離より短いように示されているが、これは光線経路を主な点を表す説明の形で描く上でのことに過ぎない。実際の実施例では、画像１２２、１２４、１２６は、投影光学機器によってサイズが縮小され得る。
【００３０】
図６では、第１及び第２の鏡は、真のＳＬＭ１１０に向かう方向に広がる間隔を有する。図６で、真のＳＬＭ１１０、第１の仮想ＳＬＭの位置１１２、及び第２の仮想ＳＬＭの位置１１４は湾曲する対物面１６０を形成する。第１の画像１２２、第２の画像１２４及び第３の画像１２６は湾曲する像面１５０を形成する。図５では、真のＳＬＭと仮想ＳＬＭの位置である１１２と１１４の間の距離は像面１５０中の対応する画像１２２、１２４、１２６間の距離より長いように示されているが、これも光線経路を主な点を表す説明の形で描く上でのことに過ぎない。実際の実施例では、画像１２２、１２４、１２６は、投影光学機器によってサイズが縮小され得る。鏡１１６、１１８が並行であれば、平坦な像面及び平坦な対物面が生じる。鏡１１６、１１８が並行でなければ、非平坦像面及び非平坦対物面が生じる。
【００３１】
鏡１１６、１１８は可動であってよく、すなわち光軸に対して所望の角度に設定し得る。鏡１１６又は１１８の一方を他方の鏡１１６又は１１８に比べてさらに偏向させ、すなわちそれによって光軸に対して鏡に非対称を生じさせてもよく、これによって非対称な湾曲像面が生じる。この特性は、仮想源画像の性能／配置を微調整するために使用されてよい。
【００３２】
異なるＳＬＭ１１０、１１２、１１４からのビームは、選択されている描画法に従って、互いに隣接する、又は互いに隣接しない様々な地点でワークピース１３４に到達し得る。図２は、図１ａ、図５、又は図６に示された実施例からのＳＬＭ画像の可能な構成を示す。
【００３３】
図２は、個々の露光がそれ自体では感応層を露光するのに充分な照度を有さないが、それらの組合せで感応層を露光するマルチプル・パス法の実施例を示す。図２は、ＳＬＭ１１０からの画像３２２、３２４、３２６を、真と仮想の画像源の間の不可避であるが小さな間隙を埋めるためにワークピースに配置できる方法に関する実施例の概略を示す。画像３２２、３２４及び２３６は、本質的にワークピースが移動する方向から横方向に変位されている。画像３２２は仮想ＳＬＭの位置１１２に対応してよく、画像３２４は真のＳＬＭ１１０に対応してよく、画像３２６は仮想ＳＬＭの位置１１４に対応してよい。図２のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦは、ワークピースの様々な位置に対する画像３２２、３２４、及び３２６の位置を示す。示された実施例において、画像は互いに部分的に重なり合っているが、一旦パターンが完成すると適切な形で互いにつき合わされる。
【００３４】
電磁放射線源は、出力波長が３５１ナノメートル、３０８ナノメートル、２４８ナノメートル、又は１９３ナノメートルのエキシマ・レーザであってよい。しかし、上述した波長より長いか、又は短い波長も使用可能である。
【００３５】
ある実施例では様々なＳＬＭ、すなわち仮想ＳＬＭ１１２、１１４、又は真のＳＬＭ１１０、からの放射照度を変えて、ＣＤ制御（ＣＤＣ：ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌ）を向上させることも可能である。マルチパス描画法を使用するある実施例では、第１のパスはワークピースに対する第１の照度で描画され、第２のパスは照度で描画され、第１及び第２のパスが同じ露光に属すことも可能である。
【００３６】
ステージ画像検出器は、ＳＬＭの焦点、並行移動、回転、傾斜及び曲率／平坦度を計測可能である。焦点、並行移動、回転、傾斜及び曲率／平坦度の要求された仕様からの乖離はなんであれ、空間光変調器とワークピースの間に配置されたステージ、鏡、及び／又はレンズの配置の適切な調整により調整可能である。ＳＬＭの位置合せの一部は、ＳＬＭにロードされるパターン情報を伝達するデータ経路で遂行することができる。例えば、ＳＬＭの回転誤差は、鏡を回転させることでも、又はワークピースに印刷されるＳＬＭ用のパターンのデジタル記述でも実行することができる。
【００３７】
本発明は、好ましい実施例及び上に詳細を述べる例を参照して開示されているが、これらの例は限定を意図するものではなく説明を意図していることが理解されている。当業者は変更及び組合せを容易に思いつくだろうことが予期されるが、これらの変更及び組合せは本発明の精神及び特許請求の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明の第１の実施例の上面概略図である。
【図１Ｂ】図１に示す実施例の概略側面図である。
【図２】図１に示す機械を使用する描画原理の実施例の概略図である。
【図３】ファン・アウト・デバイスの第１の実施例の図である。
【図４】ファン・アウト・デバイスの他の実施例の図である。
【図５】本発明の第２の実施例の図である。
【図６】本発明の第３の実施例の図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2009521108.tif 000011