(57)【要約】  基板上にフィルムまたはコーティングとして施すことができ、かつ、適切な磁気的および電気的な特性を提供することができる材料は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む。材料は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の抵抗率、約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度、約５エルステッドよりも小さい飽和保磁力、および、約１００と約２０００との間の比透磁率を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む材料であって、前記材料は、
約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の抵抗率、
約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度、
約５エルステッドより小さい飽和保磁力、および、
約１００と約２０００との間の比透磁率、
を有することを特徴とする材料。
【請求項２】
前記材料は、基板を被覆しかつ約０．４マイクロメータの厚さを有するフィルムを含むことを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項３】
前記材料は、タングステンおよびリンの両方を含むことを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項４】
前記抵抗率は、約５０μＯｈｍ−ｃｍと約５００μＯｈｍ−ｃｍとの間であることを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項５】
前記飽和磁束密度は、約０．５テスラと約１．６テスラとの間であることを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項６】
前記飽和保磁力は、約０．００１エルステッドと約２．０エルステッドとの間であることを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項７】
前記比透磁率は、約７００と約１０００との間であることを特徴とする請求項１記載の材料。
【請求項８】
１リットル当たり約０．０１モルと約０．０５モルとの間の濃度である１次金属と、
１リットル当たり約０．１モルと約０．５モルとの間の濃度である錯化剤と、
１リットル当たり約０．００１モルと約０．０５モルとの間の濃度である２次金属と、
１リットル当たり約０．５モルと約１．０モルとの間の濃度であるｐＨ緩衝剤と、
１リットル当たり約０．０２モルと約０．１モルとの間の濃度である第１還元剤と、
１リットル当たり約０．０２と約０．１モルとの間の濃度である第２還元剤と、
を含むことを特徴とするめっき槽。
【請求項９】
前記めっき槽のｐＨレベルは、約７．５と約９．７との間であることを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１０】
前記めっき槽の温度は、摂氏約６０度と約９０度との間であることを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１１】
前記１次金属は、（＋２）の酸化状態をとるコバルトを含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１２】
前記錯化剤は、クエン酸塩を含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１３】
前記２次金属は、タングステン酸塩を含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１４】
前記ｐＨ緩衝剤は、ホウ酸塩を含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１５】
前記第１還元剤は、次亜リン酸塩を含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１６】
前記次亜リン酸塩は、アンモニウム次亜リン酸塩を含むことを特徴とする請求項１５記載のめっき槽。
【請求項１７】
前記第２還元剤は、ジメチルアミンボランを含むことを特徴とする請求項８記載のめっき槽。
【請求項１８】
基板を提供する段階と、
前記基板上にシード層を形成する段階と、
前記シード層上にフィルムを形成する段階であって、前記フィルムは、少なくとも約１００μＯｈｍ−ｃｍの抵抗率および少なくとも約１．０テスラの飽和磁束密度を有する、段階と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記フィルムを形成する段階は、ＣｏＷＢＰフィルムを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記ＣｏＷＢＰフィルムは、約０．００１エルステッドよりも大きくない飽和保磁力、および、少なくとも約７００の比透磁率を有することを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記シード層を形成する段階は、銅、コバルト、ニッケル、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、鉄、およびそれらの合金から成るグループから選択された物質を含む材料を堆積する段階を含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２２】
前記シード層を形成するために前記材料を堆積する段階は、蒸着法を用いて前記材料を堆積する段階を含むことを特徴とする請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記フィルムを形成する段階は、前記フィルムを無電解で堆積する段階を含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２４】
前記基板の表面に磁界を加える段階をさらに含むことを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２５】
前記磁界を加える段階は、前記基板の前記表面に対して平行またはほぼ平行に、約１００エルステッドより大きな強さで前記磁界を加える段階を含むことを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記磁界を加える段階は、約５００エルステッドと約１０００エルステッドとの間の強さで前記磁界を加える段階を含むことを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
基板上にコバルト合金フィルムを形成する方法であって、前記方法は、
コバルト・イオン、
ある量のクエン酸塩、
ホウ酸塩イオン、
ある量のジメチルアミンボラン、および、
タングステン酸塩イオンおよびリン含有化合物の少なくとも１つ、
を含む溶液を提供する段階と、
前記基板に前記溶液を加えることによって、前記コバルト合金フィルムが前記基板上に無電解で堆積する段階と、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２８】
前記溶液のｐＨを、約７．５と約９．７との間になるように調整する段階と、
前記溶液の温度を、摂氏約６０と約９０度との間になるように調整する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記溶液のｐＨを調整する段階は、前記溶液を前記基板に加える前に、前記溶液の重量の約５パーセントと約１５パーセントとの間の濃度でアルカリ剤を加える段階を含むことを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
ボードと、
前記ボード上に搭載された記憶装置と、
前記ボード上に搭載され、かつ前記記憶装置に結合された処理装置と、
から構成され、
前記処理装置は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含むフィルムで被覆された基板を含み、
前記フィルムは、
少なくとも約１００μＯｈｍ−ｃｍの抵抗率、
少なくとも約１．０テスラの飽和磁束密度、
約５エルステッドより小さい飽和保磁力、および、
少なくとも約７００の比透磁率、
を有することを特徴とするシステム。
【請求項３１】
前記フィルムは、約０．４マイクロメータの厚さを有し、
前記抵抗率は、約１４０μＯｈｍ−ｃｍであり、
前記飽和磁束密度は、約１．５テスラであり、
前記飽和保磁力は、約０．１エルステッドであり、
前記比透磁率は、約７００と約８００の間である、
ことを特徴とする請求項３０記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の開示された実施例は、一般に磁気アプリケーションに関し、さらに詳しくは、軟磁性を有する材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体、磁気インダクタ／トランスフォーマ回路、読み取り／書き込み磁気記録ヘッド、センサ・アプリケーション、および他の磁気アプリケーションは、すべて適切な磁気特性および電気特性を具備する材料を必要とする。かかる特性は、しばしば、適切な特性を有するフィルムまたは他のコーティングを材料に施すことにより、その材料に与えられる。スパッタされたフィルムおよびニッケル合金は、かかるコーティングの例である。残念ながら、既存のコーティングは様々な欠点を有しており、要求を満足させられるレベルに達していない。例えば、スパッタリングおよび他の形態の物理蒸着法は、蒸着速度が遅く、かつ頻繁な目標変更が必要であるために、一般に大量生産には適さず、特に約１マイクロメータよりも厚いフィルムの大量生産には不向きである。ニッケル合金については、Ｎｉ＋＋が発癌性を有することから、安全性および環境に対する懸念が持ち上がっている。パーマロイは、しばしば磁性材料として使用されるニッケル鉄化合物であるが、その抵抗率が低いために、高周波動作中に渦電流損が発生するという欠点がある。従って、大量生産が可能であり、かつ、安全性および他の環境に対する懸念が無いような、軟磁性および高電気抵抗率を有する材料に対する要望がある。
【発明の開示】
【０００３】
ここに開示された実施例は、添付の図面に示された図と共に下記の詳細な説明を読むことにより、一層よく理解されるであろう。
【０００４】
実施例を単純かつ明瞭にするために、構造の一般的な手法を示す図、ならびに周知の特徴および技術に関する記述および詳細については、本発明の実施例に関する記述を必要以上に不明瞭にしないために省略する。さらに、図中の要素は、必ずしも寸法どおりに描かれていない。例えば、本発明の実施例についての理解を促すために、図中のいくつかの要素の寸法は、他の要素に比べて拡大される場合がある。異なる図中の同一の参照番号は、同一の要素を示す。
【０００５】
明細書および請求項中の用語「第１」、「第２」、「第３」、「第４」、および同種の用語は、同様の要素間における識別のために使用され、必ずしも特別な連続性または順序を記述するために使用されるものではない。したがって、これらの用語は、適切な状況下では置換可能であると理解されるべきであり、例えば、ここに記述された発明の実施例は、ここに示され、または記述された順序以外の順序で動作することも可能である。同様に、ある方法が、ここでは一連の段階から成ると記述されている場合であっても、ここに示された段階の順序は、必ずしもかかる段階の順序のみによって実行される必要はなく、記述された段階のいくつかが省略されてもよく、および／または、ここに記述されない他のいくつかの段階を、方法に追加することも可能である。さらに、用語「構成する」、「含む」、「有する」、およびそれらのあらゆるバリエーションは、非排他的に包含することを意味し、したがって、列挙された要素を含むプロセス、方法、物品、または装置は、必ずしもそれらの要素に制限されることはなく、そのようなプロセス、方法、物品、または装置に関して明らかには列挙されておらず、また固有である他の要素も含まれることを意図している。
【０００６】
明細書および請求項中の用語「左」、「右」、「前」、「後」、「上」、「下」、「上方」、「下方」、および同種の用語は、必要な場合に説明目的で使用されるが、必ずしも永久的な相対的位置関係を説明するために使用されるものではない。そのように使用される用語は、適切な状況下において置換可能であると理解すべきであり、例えば、ここに記述された本発明の実施例は、ここに図示され、または記述された方向以外の方向でも動作可能である。ここで使用される用語「結合された」は、電気的または非電気的な方法で、直接的または間接的に接続されることを意味する。
【０００７】
本発明の一実施例において、フィルムまたはコーティングとして施すことが可能であり、かつ、磁気アプリケーションに適切な磁気的および電気的な特性を提供することができる材料は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つを含む。材料は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと１０００μＯｈｍ−ｃｍ（オームセンチメートル）との間の電気抵抗率、約０．１テスラと１．８テスラとの間の飽和磁束密度、約５エルステッドより小さい飽和保磁力、および、約１００と２０００との間の比透磁率を有する。
【０００８】
上記範囲内の電気抵抗率および飽和保磁力で、材料は、多数の磁気アプリケーションに対して良好な材料特性を提供する。比較的高い抵抗率は、従来の磁性材料と比較して、高周波動作中の渦電流損を低減するという利点を提供し、また、比較的低い飽和保磁力は、磁気の変化に対応するより素早い応答を可能にするが、それらは磁気アプリケーション内で使用される材料にとって重要な特質である。
【０００９】
ここで図面を参照して、図１は、本発明の実施例に従って、コーティングまたはフィルムとして基板１５０に施された材料１００の断面図である。シード層１２０は、基板１５０と材料１００との間に位置する。例えば、シード層１２０は、銅、コバルト、ニッケル、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、鉄、およびそれらの合金を含む。
【００１０】
材料１００は、コバルト（Ｃｏ）、ボロン（Ｂ）、ならびに、タングステン（Ｗ）およびリン（Ｐ）の少なくとも１つを含む。したがって、材料１００は、様々な可能性がある中で、コバルト、ボロン、タングステン、およびリンのそれぞれを含むＣｏＷＢＰフィルム、コバルト、ボロン、およびリンを含むがタングステンを含まないＣｏＢＰフィルム、コバルト、ボロン、およびタングステンを含むがリンを含まないＣｏＷＢフィルムを含む。
【００１１】
材料１００は、約２０μＯｈｍ−ｃｍと約１０００μＯｈｍ−ｃｍとの間の電気抵抗率（以下、単に「抵抗率」と称する。）を有する。一実施例では、抵抗率は、約５０μＯｈｍ-ｃｍと約５００μＯｈｍ-ｃｍとの間であり、より高い抵抗率値が好ましい。
【００１２】
特定の実施例では、抵抗率は、材料１００の蒸着中に使用されるめっき槽に変更を加えることにより変化する。以下、それぞれが様々な濃度範囲を有する、コバルト、タングステン酸塩、およびリン含有化合物を含む特定のめっき槽について記述する。その特定のめっき槽に関連して、コバルトの濃度が増加すると抵抗率は減少する傾向があり、一方、リンを含む化合物または（特に）タングステン酸塩の濃度が増加すると抵抗率は増加する傾向がある。
【００１３】
材料１００は、約０．１テスラと約１．８テスラとの間の飽和磁束密度を有する。一実施例では、飽和磁束密度は、約０．５テスラと約１．６のテスラとの間であるが、より高い値が好ましい。再び、上述された（そして以下でより詳細に記述される）特定のめっき槽に関連して、コバルトの濃度が増加すると飽和磁束密度は約１．８テスラの値まで増加する傾向がある。
【００１４】
材料１００は、さらに、約５．０エルステッドより小さい飽和保磁力を有する。一実施例では、飽和保磁力は約０．００１エルステッドと約２．０エルステッドとの間であるが、より低い値が好ましい。
【００１５】
さらに、材料１００は、約１００と約２０００との間の比透磁率を有する。一実施例では、比透磁率は、約７００と約１０００との間であるが、より高い値が好ましい。
【００１６】
前述のように、材料１００は、磁気記録ヘッドおよび記録媒体、磁気インダクタ／トランスフォーマ回路、センサ・アプリケーション等のような様々な磁気アプリケーションにおいて用途を見出すことができる。さらに、材料１００は、オンチップ・インダクタの一部、または集積シリコン電圧レギュレータ（ＩＳＶＲ）の一部を形成することができる。さらに、図１を参照して、上述のように、材料１００は、基板１５０に施されたフィルムまたはコーティングであるとみなすことができる。このように施されるので、材料１００は、非常に多様な厚さにフィルムを形成することができ、例えば、一実施例では、材料１００は約１０ナノメータ程度の薄さを有し、また、他の実施例では、材料１００は約１ミリメータ程度の厚さを有する。例えば、上述のオンチップ・インダクタ・アプリケーションでは、材料１００は、約０．１マイクロメータと約１０マイクロメータとの間の厚さを有する。
【００１７】
材料１００の特定のフィルムの厚さは、抵抗率、飽和磁束密度、飽和保磁力、および比透磁率うちの１つ以上に影響を与える。例えば、約０．４マイクロメータのフィルムの厚さは、材料１００に対して、約１４０μＯｈｍ−ｃｍの抵抗率、約１．５テスラの飽和磁束密度、約０．１エルステッドの飽和保磁力、および約７００と約８００との間の比透磁率を与える。
【００１８】
スパッタまたは他のドライ蒸着プロセスのようなドライ・プロセスを用いて基板１５０に材料１００を施すことは可能であるが、上述したように、このようなドライ・プロセスは非能率的であるため、大量生産には不向きである。ウエット・プロセスもまた、基板１５０に材料１００を施すために用いることができる。例えば、少なくとも１つの実施例において、電気めっき、電気泳動蒸着、無電解蒸着等のような電気化学蒸着技術が使用されるが、これはドライ・プロセスよりも大量生産に適している。
【００１９】
無電解蒸着が用いられる実施例では、基板１５０は、蒸着プロセスの一部として、めっき溶液またはめっき槽内に入れられる。本発明の一実施例に従った水性めっき槽は、１リットル当たり約０．０１モルと約０．０５モルとの間の濃度の１次金属、１リットル当たり約０．１モルと約０．５モルとの間の錯化剤、１リットル当たり約０．００１モルと約０．０５モルとの間の濃度の２次金属、１リットル当たり約０．５モルと約１．０モルとの間の濃度のｐＨ緩衝剤、１リットル当たり約０．０２モルと約０．１モルとの間の濃度の第１還元剤、および、１リットル当たり約０．０２と約０．１モルとの間の濃度の第２還元剤を含む。
【００２０】
特定の実施例では、めっき槽のｐＨレベルは、約７．５と約９．７との間である。同一または他の実施例では、めっき槽の温度は、摂氏約６０度と摂氏約９０度との間である。特定の実施例では、ｐＨは、約８．３と約９．７との間の範囲に制限され、また温度は、摂氏約６０と約８０度との間の範囲に制限される。定められたｐＨおよび温度範囲の上限を超過するめっき槽は不安定になる。定められたｐＨおよび温度範囲の下限を下回るｐＨ値あるいは温度を有するめっき槽は、フィルムにとって許容できるものであるが、おそらく蒸着プロセスは、ｐＨ値および温度が定められた範囲内にある場合よりもゆっくりと進行するであろう。
【００２１】
一実施例では、１次金属は（＋２）の酸化状態をとるコバルトを含み、錯化剤はクエン酸塩を含み、２次金属はタングステン酸塩（ＷＯ４２−）を含み、ｐＨ緩衝剤はホウ酸塩（ＢＯ３３−）を含み、第１還元剤は次亜リン酸塩（Ｈ２ＰＯ２−）を含み、第２還元剤はジメチルアミンボランを含む。
【００２２】
当業者であれば、上述のめっき槽は、ここで記述されたＣｏＷＢＰフィルム、ＣｏＢＰフィルム、ＣｏＷＢフィルムまたは同種のものを生成するだけでなく、ある特定の点において、さらに変更を加え得ることを理解できるであろう。一例として、タングステン酸塩または他の２次金属が、めっき槽から除かれてもよい。他の例として、次亜リン酸塩または他の還元剤が、めっき槽から除かれてもよい。当業者であれば、タングステン酸塩が除かれた場合は、生成されるフィルム（例えばＣｏＢＰ）は、タングステン酸塩が存在するめっき槽から生成されたフィルムよりも、熱に対する安定性が低いことが解るであろう。さらに、次亜リン酸塩が除かれた場合は、生成されるフィルム（例えばＣｏＷＢ）は、コバルトの結晶化をそれほど効率的に示さないことが解るであろう。
【００２３】
例えば、次亜リン酸塩は、アンモニウム次亜リン酸塩、ナトリウム次亜リン酸塩、カリウム次亜リン酸塩、または同種のものを含む。当業者であれば、アンモニウム次亜リン酸塩を使用した場合は、少なくともナトリウム次亜リン酸塩を使用した場合に生じるナトリウム汚染問題を生じさせないことが解るであろう。特定の配合にかかわらず、次亜リン酸塩は電子ソースとして貢献し、その結果、金属は、めっき槽内に存在する金属イオンから生成される（上述の実施例では、次亜リン酸塩は、コバルト・イオンからコバルトを生成可能である）。さらに、次亜リン酸塩は、材料１００においてリンのソースである。
【００２４】
クエン酸塩または他の錯化剤は、コバルトまたは他のイオンの周囲に合成され、それがめっき槽から沈殿するのを防止することによって溶液中でイオンを維持する。タングステン酸塩は、タングステンのソースである。ホウ酸塩あるいは他のｐＨ緩衝剤は、めっき槽のためにｐＨのバリエーションを最小限にする。ジメチルアミンボランまたは他の２次還元剤もまた、電子のソースの役割を果たし、上述の目的に役立ち、さらに材料１００においてボロンのソースである。
【００２５】
図２は、本発明の実施例に従って、磁気アプリケーションまたは他のアプリケーションにおいて使用される構造を形成するための方法２００を示すフローチャートである。少なくとも一実施例において、構造は、基板に施されるフィルムあるいは他のコーティングを含む。例えば、フィルムは、コバルト、パーマロイ、または軟磁性を示す他の物質を含む。
【００２６】
方法２００の段階２１０では、基板が提供される。例えば、基板は、図１に示される基板１５０に類似する。
【００２７】
方法２００の段階２２０では、基板上にシード層が形成される。例えば、シード層は、図１に示されるシード層１２０に類似する。シード層は、典型的には比較的薄く、フィルムの性質に依存して、おそらく５から１０ナノメータである。
【００２８】
一実施例において、段階２２０は、銅、コバルト、ニッケル、プラチナ、パラジウム、ルテニウム、鉄、およびそれらの合金から成るグループから選択された物質を含む材料を堆積することを含む。シード層を堆積するためには、ドライ・プロセスおよびウエット・プロセスの両方を用いることができる。例えば、シード層を形成するために材料を堆積することは、物理蒸着法（ＰＶＤ）または同種の蒸着法を使用して、材料を堆積することを含む。
【００２９】
方法２００の段階２３０では、フィルムが少なくとも約１００μＯｈｍ−ｃｍの抵抗率および少なくとも１．０テスラの飽和磁束密度を有するように、フィルムがシード層上に形成される。特定の実施例では、段階２３０は、さらに、約０．００１エルステッドよりも大きくない飽和保磁力、および少なくとも約７００の比透磁率を有するフィルムを形成することを含む。例えば、フィルムは、図１に示される材料１００に類似する。
【００３０】
一実施例では、段階２３０は、フィルムを無電解で堆積することを含む。他の実施例では、段階２３０は、他の電気化学またはウエット化学技術を使用し、または、スパッタリングまたは他の物理蒸着技術を使用して、フィルムを堆積することを含む。上述したように、段階２３０は、ＣｏＷＢＰフィルム、ＣｏＷＢフィルム、ＣｏＢＰフィルム、または同種のものを形成することを含む。
【００３１】
方法２００の段階２４０では、基板の表面に磁界が加えられる。一実施例では、段階２４０は、段階２３０と同時に行われる。他の実施例では、段階２４０は、段階２３０に続く加熱工程の間に行なわれる。さらに、他の実施例では、段階２４０は段階２３０と併合され、その結果、段階２３０に、シード層上にフィルムを形成することおよび基板の表面に磁界を加えることの両方が組み込まれる。
【００３２】
例えば、段階２４０は、基板の表面に対して平行またはほぼ平行に、約１００エルステッドより大きい強さで磁界を加えることを含む。特定の例として、段階２４０は、約５００エルステッドと約１０００エルステッドとの間の強さで磁界を加えることを含む。磁界は、永久磁石または電磁石を使用して加えられる。基板表面に対して平行またはほぼ平行に磁界を加えることは、一軸異方性を誘導するために必要であり、それは磁気インダクタおよび他の磁気回路の高い透磁率および線形動作を得るために必要である。
【００３３】
図３は、本発明の実施例に従って、基板上でコバルト・フィルムを形成する方法３００を示すフローチャートである。方法３００の段階３１０では、コバルト・イオン、ある量のクエン酸塩、ホウ酸塩イオン、ある量のジメチルアミンボラン、ならびに、タングステン酸塩イオンおよびリン含有化合物の少なくとも１つを含む溶液が提供される。例えば、リン含有化合物は、アンモニウム次亜リン酸塩、ナトリウム次亜リン酸塩、カリウム次亜リン酸塩、または同種のもののような次亜リン酸塩を含む。
【００３４】
方法３００の段階３２０では、溶液のｐＨが約７．５と約９．７との間に調整される。一実施例では、段階３２０は、基板に溶液を加える前に、溶液の重量の約５パーセントと約１５パーセントとの間の濃度で、アルカリ剤を溶液に加えることを含む。例えば、アルカリ剤は、テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）［（ＣＨ３）４ＮＯＨ］、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、または同種のものである。
【００３５】
方法３００の段階３３０では、溶液の温度が摂氏約６０度と約９０度との間になるように調整される。方法３００の段階３４０では、基板に溶液が加えられ、その結果、コバルト合金フィルムが基板上に無電解で堆積される。段階３４０または方法３００の他の段階は、さらに、方法２００の段階２４０に関して上述されたように、基板の表面に磁界を加えることを含む。
【００３６】
図４は、本発明の実施例に従った材料が使用されるシステム４００の概要図である。図４に示されるように、システム４００は、ボード４１０、ボード４１０に搭載された記憶装置４２０、ボード４１０に搭載されかつ記憶装置４２０に結合された処理装置４３０を含む。処理装置４３０は、コバルト、ボロン、ならびに、タングステンおよびリンの少なくとも１つ（それは、一実施例では、アンモニウム次亜リン酸塩、ナトリウム次亜リン酸塩、カリウム次亜リン酸塩、または同種のものの形である。）を含有するフィルム（図４に示さず）で被覆された基板（図４に示さず）を含む。
【００３７】
例えば、基板およびフィルムは、それぞれ、基板１５０および材料１００に類似し、それらの両方は図１に示されるが、少なくとも１つの実施例では、フィルムは、約１００μＯｈｍ−ｃｍの抵抗率、少なくとも約１．０テスラの飽和磁束密度、および、約０．００１エルステッドよりも大きくない飽和保磁力、および少なくとも約７００の比透磁率を有する。
【００３８】
特定の実施例では、フィルムは、約０．４マイクロメータの厚さを有し、抵抗率は約１４０μＯｈｍ−ｃｍであり、飽和磁束密度は約１．５テスラであり、飽和保磁力は約０．１エルステッドであり、比透磁率は約７００と約８００との間である。
【００３９】
本発明は特定の実施例について記述されたが、当業者であれば、本発明の精神または範囲から逸脱することなく様々な変更を行なうことができることを理解するであろう。従って、本発明の実施例の開示は、本発明の範囲を例示することを意図しており、制限することを意図するものではない。本発明の範囲は、添付の請求項によって請求された範囲についてのみ制限されることを意図している。例えば、ここで記述された材料、めっき槽、および関連する方法およびシステムは、様々な実施例において実施することができること、さらには、これらの特定の実施例についての記述は、必ずしもあらゆる実施例についての完全な記述でないことは、当業者にとって容易に明白になるであろう。
【００４０】
さらに、利点、他の効果、および問題解決手段が特定の実施例に関して記述された。しかしながら、利点、効果、問題解決手段、ならびに、かかる利点、効果、問題解決手段を生ぜしめ、またはより表明するためのあらゆる要素は、請求項のいずれかまたは全てにおいて、重大な、要求された、または必須の特徴または要素であると解釈すべきではない。
【００４１】
さらに、ここに示された実施例および制限は、その実施例および／または制限が、（１）請求項中で明らかに主張されていないこと、および（２）均等論の下で請求項中の明白な要素および／または制限であるかまたは潜在的な均等物である場合であっても、公有主義の下で社会に提供されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例に従って、コーティングまたはフィルムとして下方の基板に施された材料の断面図である。
【図２】本発明の実施例に従って、磁気アプリケーションおよび他のアプリケーション内で使用される構造を形成する方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施例に従って、基板上でコバルト・フィルムを形成する方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施例に従って、材料が使用されるシステムの概要図である。
【図１】
2009538003.tif 000003
【図２】
2009538003.tif 000004
【図３】
2009538003.tif 000005
【図４】
2009538003.tif 000006
【国際調査報告】
2009538003.tif 000007
2009538003.tif 000008