(57)【要約】  薄膜トランジスタを製造する方法であって、基材を提供する工程、インクジェット印刷によりゲート電極インクを塗布する工程、インクジェット印刷により絶縁体インクを重ねて塗布する工程、インクジェット印刷により半導体インクを塗布する工程、およびインクジェット印刷によりソースおよびドレイン電極インクを塗布する工程を有する方法を提供する。ある実施形態では、半導体インクは溶媒および半導体材料を含み、半導体材料は１〜９９．９重量％のポリマーおよび０．１〜９９重量％の本明細書に記載する官能化ペンタセン化合物を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを製造する方法であって、
基材を提供する工程、
インクジェット印刷によりゲート電極インクを塗布する工程、
インクジェット印刷により絶縁体インクを重ねて塗布する工程、
インクジェット印刷により半導体インクを塗布する工程、および
インクジェット印刷によりソースおよびドレイン電極インクを塗布する工程を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ゲート電極インクが直接前記基材に塗布される方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記絶縁体インクが前記ゲート電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布される方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記半導体インクが前記絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記ソースおよびドレイン電極インクが前記半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、前記ソースおよびドレイン電極インクが前記絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記半導体インクが前記ソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記半導体インクが直接前記基材に塗布され、前記ソースおよびドレイン電極インクが前記半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記絶縁体インクが前記ソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記ゲート電極インクが前記絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記ソースおよびドレイン電極インクが直接前記基材に塗布され、前記半導体インクが前記ソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記絶縁体インクが前記半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、前記ゲート電極インクが前記絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記半導体インクが溶媒および半導体材料を含み、前記半導体材料が、
１〜９９．９重量％のポリマー、および
０．１〜９９重量％の次式Ｉの化合物を含み、
【化１】
2009522774.tif 000007
式中、各Ｒ１は独立してＨおよびＣＨ３から選択され、各Ｒ２は独立して分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアルコール、分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルケン、Ｃ４〜Ｃ８アリール若しくはヘテロアリール、Ｃ５〜Ｃ３２アルキルアリール若しくはアルキル−ヘテロアリール、フェロセニル、またはＳｉＲ３３から選択され、各Ｒ３は独立して水素、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール、または分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１０アルケンから選択される方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、各Ｒ１がＨであり、各Ｒ２がＳｉＲ３３であり、各Ｒ３が独立して水素、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール、または分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１０アルケンから選択される方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、各Ｒ１がＨであり、各Ｒ２がＳｉＲ３３であり、各Ｒ３が独立して分枝状または非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカンから選択される方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、式Ｉの化合物が６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）である方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、前記ポリマーが１ｋＨｚで３．３を超す誘電率を有する方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、前記ポリマーがポリ（４−シアノメチルスチレン）およびポリ（４−ビニルフェノール）から成る群から選択される方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法であって、前記ポリマーがポリ（４−ビニルフェノール）である方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の方法であって、前記ポリマーがシアノ基を有するポリマーである方法。
【請求項１６】
請求項８に記載の方法であって、前記ポリマーが次式の繰り返し単位を有する、実質的にフッ素化されていない有機ポリマーであり、
【化２】
2009522774.tif 000008
式中：
各Ｒ１は独立してＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アリール基、または架橋可能な基を含む有機基であり、
各Ｒ２は独立してＨ、アリール基、またはＲ４であり、
各Ｒ３は独立してＨまたはメチルであり、
各Ｒ５は独立してアルキル基、ハロゲン、またはＲ４であり、
各Ｒ４は独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含み、ＣＮ基あたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、
ｎ＝０〜３であるが、
前記ポリマー内の少なくとも１つの繰り返し単位にＲ４が含まれることを条件とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット印刷による薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
米国特許第６，６９０，０２９Ｂ１号は、ある種の置換ペンタセンおよびそれらを使用して製造した電子装置を開示しているとされている。
【０００３】
ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ２号は、トップゲート型の薄膜トランジスタにおけるある種の置換ペンタセンおよびポリマーを開示しているとされている。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
要約すると、本発明は、薄膜トランジスタを製造する方法を提供し、この方法が、基材を提供する工程、インクジェット印刷によりゲート電極インクを塗布する工程、インクジェット印刷により絶縁体インクを重ねて塗布する工程、インクジェット印刷により半導体インクを塗布する工程、およびインクジェット印刷によりソースおよびドレイン電極インクを塗布する工程を提供する。ある実施形態では、ゲート電極インクが直接基材に塗布される。ある実施形態では、絶縁体インクがゲート電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布される。ある実施形態では、半導体インクが絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、ソースおよびドレイン電極インクが半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される。ある実施形態では、ソースおよびドレイン電極インクが絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、半導体インクがソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布される。ある実施形態では、半導体インクが直接基材に塗布され、ソースおよびドレイン電極インクが半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、絶縁体インクがソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、ゲート電極インクが絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される。ある実施形態では、ソースおよびドレイン電極インクが直接基材に塗布され、半導体インクがソースおよびドレイン電極インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、絶縁体インクが半導体インクの少なくとも一部に重ねて塗布され、ゲート電極インクが絶縁体インクの少なくとも一部に重ねて塗布される。ある実施形態では、半導体インクは溶媒および半導体材料を含み、この半導体材料は、
１〜９９．９重量％のポリマー、および
０．１〜９９重量％の次式Ｉの化合物を含み、
【０００５】
【化１】
2009522774.tif 000003
【０００６】
式中、各Ｒ１は独立してＨおよびＣＨ３から選択され、各Ｒ２は独立して分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアルコール、分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルケン、Ｃ４〜Ｃ８アリール若しくはヘテロアリール、Ｃ５〜Ｃ３２アルキルアリール若しくはアルキル−ヘテロアリール、フェロセニル、またはＳｉＲ３３から選択され、各Ｒ３は独立して水素、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール、または分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１０アルケンから選択される。ある実施形態では、ポリマーは、１ｋＨｚで３．３を超す誘電率を有し、一般にポリ（４−シアノメチルスチレン）およびポリ（４−ビニルフェノール）から成る群から選択される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
薄膜トランジスタは、軽量且つ安価で再生が容易な電子装置の開発において有望である。本発明は、全てインクジェットによる完全付加的な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【０００８】
薄膜トランジスタは４つの原理構造において公知である。図１はトップコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタ、図２はボトムコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタ、図３はトップコンタクト／トップゲート型薄膜トランジスタ、図４はボトムコンタクト／トップゲート型薄膜トランジスタを示す。各図において、薄膜トランジスタ１００は、基材１０、ゲート電極２０、絶縁体層３０、半導体層４０、ソース電極５０、およびドレイン電極６０を有する。一般に、ソース電極５０およびドレイン電極６０はそれぞれゲート電極２０とわずかに重なり合う。
【０００９】
図３および４に示すトップゲート型の設計では、ゲート電極２０は絶縁体層３０の上にあり、ゲート電極２０および絶縁体層３０は共に半導体層４０の上にある。図１および２に示すボトムゲート型の設計では、ゲート電極２０は絶縁体層３０の下にあり、ゲート電極２０および絶縁体層３０は共に半導体層４０の下にある。そのため、インクジェット印刷技術によるボトムゲート型設計の製造では、前もってコーティングした絶縁体層を分解または溶解することなくこれらの層に溶媒として塗布可能な半導体を必要とする。
【００１０】
インクジェット印刷は、例えば多色図を含む図形の印刷などで当該技術分野において公知である。インクジェット印刷では、インクの微小な液滴を正確に配置することができる。本発明の実践において、熱、圧電、および連続インクジェットシステムを含むいずれか好適なインクジェット印刷システムを使用可能である。最も一般的には圧電インクジェットシステムが用いられる。インクジェット印刷に有用なインクは、一般にサイズが５００ｎｍを超す微粒子を含まないものであり、より一般的にはサイズが２００ｎｍを超す微粒子を含まないものである。インクジェット印刷に有用なインクは、一般に好適なレオロジー特性を有する必要がある。
【００１１】
薄膜トランジスタのインクジェット印刷では、前もって塗布したインクに損傷を与えることなく塗布可能なインクを使用する必要がある。本発明のインクおよび材料は、各層がインクジェット印刷で製造された薄膜トランジスタの構成を可能にする。その結果、比較的安価であるが正確な技術を使用して電子回路を作製することができる。さらに、本発明のある実施形態では、トランジスタの製造に付加工程しか必要としない。つまり、エッチングやその他の物質除去工程を無くすことができる。
【００１２】
本発明で有用な半導体インクは、一般に溶媒および半導体材料を含み、半導体材料は一般にポリマーおよび半導体化合物を含む。溶媒には、ケトン、芳香族炭化水素などのいずれか好適な溶媒を使用してもよい。一般に溶媒は有機溶媒である。一般に溶媒は非プロトン性溶媒である。
【００１３】
本発明で有用な半導体インクは、いずれか好適なポリマーを含有してもよい。一般に、ポリマーは１ｋＨｚで３．３を超す誘電率、より一般的には３．５を超す誘電率、更に一般的には４．０を超す誘電率を有する。ポリマーは、一般に少なくとも１，０００の分子量、より一般的には少なくとも５，０００の分子量を有する。一般的なポリマーには、ポリ（４−シアノメチルスチレン）およびポリ（４−ビニルフェノール）が挙げられる。シアノプルランも使用可能である。
【００１４】
また、一般的なポリマーには、本明細書に参照として組み込まれた米国特許公開番号２００４／０２２２４１２Ａ１号に記載されたポリマーが挙げられる。この特許に記載されたポリマーには、次式の繰り返し単位を有する、実質的にフッ素化されていない有機ポリマーが含まれる。
【００１５】
【化２】
2009522774.tif 000004
【００１６】
式中：
各Ｒ１は独立してＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、アリール基、または架橋可能な基を含む有機基であり、
各Ｒ２は独立してＨ、アリール基、またはＲ４であり、
各Ｒ３は独立してＨまたはメチルであり、
各Ｒ５は独立してアルキル基、ハロゲン、またはＲ４であり、
各Ｒ４は独立して、少なくとも１つのＣＮ基を含み、ＣＮ基あたり約３０〜約２００の分子量を有する有機基であり、
ｎ＝０〜３であるが、
ポリマー内の少なくとも１つの繰り返し単位にＲ４が含まれることを条件とする。
【００１７】
インク内の半導体材料は、１〜９９．９重量％、より一般的には１〜１０重量％の量でポリマーを含む。
【００１８】
本発明で有用な半導体インクは、いずれか好適な半導体化合物を含有してもよい。半導体化合物は、次式Ｉの官能化ペンタセン化合物であってもよい。
【００１９】
【化３】
2009522774.tif 000005
【００２０】
式中、各Ｒ１は独立してＨおよびＣＨ３から選択され、各Ｒ２は独立して分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１８アルキルアルコール、分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１８アルケン、Ｃ４〜Ｃ８アリール若しくはヘテロアリール、Ｃ５〜Ｃ３２アルキルアリール若しくはアルキル−ヘテロアリール、フェロセニル、またはＳｉＲ３３から選択され、各Ｒ３は独立して水素、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカン、分枝状若しくは非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルキルアルコール、または分枝状若しくは非分枝状Ｃ２〜Ｃ１０アルケンから選択される。一般に、各Ｒ１はＨである。一般に、各Ｒ２はＳｉＲ３３である。より一般的には、各Ｒ２はＳｉＲ３３であり、各Ｒ３は独立して分枝状または非分枝状Ｃ１〜Ｃ１０アルカンから選択される。最も一般的には、化合物は次式ＩＩに示す６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）である。
【００２１】
【化４】
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【００２２】
半導体材料は、式Ｉまたは式ＩＩの化合物を０．１〜９９重量％の量で含む。
【００２３】
いずれか好適な絶縁体インクを使用してもよく、これには本明細書に参照として組み込まれた米国特許申請番号１１／２８２，９２３号に開示されている成分が挙げられる。
【００２４】
本発明の目的および利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料およびその量は、他の諸条件および詳細と同様に本発明を不当に制限するものと解釈すべきではない。
【実施例】
【００２５】
他に言及のない限り、全ての試薬はウィスコンシン州ミルウォーキー（Milwaukee）のアルドリッチ・ケミカル株式会社（Aldrich Chemical Co）から得たか、または入手可能であり、または既知の方法によって合成してもよい。
【００２６】
材料は、次の供給元から得たものを精製せずに使用した。
【００２７】
ポリエチレンナフタレート（napthalate）（ＰＥＮ）、デュポン・テイジン・フィルムズ（Dupont Teijin films）、Ｑ６５Ａ  ＰＥＮ。
【００２８】
カボット（Cabot）銀インク、インクジェット銀伝導体（Inkjet Silver Conductor）、バルク固有抵抗４〜３２ｍＷｃｍ、カボット・プリンタブル・エレクトロニクス・アンド・ディスプレイズ（Cabot Printable Electronics and Displays）（ニューメキシコ州アルバカーキ）。
【００２９】
ペルフルオロチオフェノール、アルドリッチ・ケミカル社（Aldrich Chemical Company）。
【００３０】
トルエン、ＥＭＤケミカルズ社（EMD Chemicals, Inc.）（ニュージャージー州ギブズタウン）。
【００３１】
シクロヘキサノン、ＥＭＤケミカルズ社（EMD Chemicals, Inc.）（ニュージャージー州ギブズタウン）。
【００３２】
６，１３−ジ（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）は、実施例１において米国特許第６，６９０，０２９Ｂ１号に開示された方法で合成した。
【００３３】
ポリ（４−ビニルフェノール）、分子量９，０００〜１１，０００、比重１．１６（ＰＶＰ）、ポリサイエンス社（Polyscience, Inc.）（ペンシルベニア州ウォーリントン）。
【００３４】
ペンタエリスリトールテトラアクリレート（ＳＲ４４４）、サートマー（Sartomer）（ペンシルベニア州ウエストチェスター）。
【００３５】
イルガキュア（Irgacure）８１９、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ（Ciba specialty Chemicals）（スイス、バーゼル）。
【００３６】
予備実施例−ポリマーＡの調製
ポリマーＡは、本明細書に参照として組み込まれた米国特許公開番号２００４／０２２２４１２Ａ１号に記載されているニトリル含有スチレン−無水マレイン酸コポリマーである。その合成方法は、前記特許の表題「実施例１、ポリマー１の合成（Example 1, Synthesis of Polymer 1）」の１０７および１０８段落に次のように記載されている。
【００３７】
磁性攪拌器および窒素注入口に適した２５０ｍＬの三首フラスコに、３−メチルアミノプロピオニトリル（アルドリッチ（Aldrich））８．３２ｇを加え、更にスチレン−無水マレイン酸コポリマー（サートマー（Sartomer）（ペンシルベニア州エクストンから入手可能なＳＭＡ１０００樹脂））２０．００ｇを無水ジメチルアクリルアミド（DMAc、アルドリッチ（Aldrich））５０ｍＬに溶解した溶液を加えた。混合物を室温で３０分間撹拌した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン（DMAP）（０．１８ｇ、９９％、アルドリッチ（Aldrich））を加え、次に溶液を１１０℃で１７時間加熱した。溶液を室温まで放冷し、機械的に撹拌しながらイソプロパノール１．５Ｌにゆっくり注いだ。形成された黄色の沈殿を濾過によって収集し、減圧下（約３０ｍｍＨｇ）、８０℃で４８時間乾燥した。収率：２６．０ｇ。
【００３８】
この物質２０ｇを無水ＤＭＡｃ５０ｍＬに溶解し、次にグリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）（サートマー（Sartomer））２８．００ｇ、ヒドロキノン（Ｊ．Ｔ．ベーカー（J.T. Baker）（ニュージャージー州フィリップスバーグ）０．２０ｇ、およびＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン（アルドリッチ（Aldrich））０．５ｇを加えた。混合物に窒素を送った後、５５℃で２０時間加熱した。溶液を室温まで放冷した後、機械的に撹拌しながらヘキサンおよびイソプロパノールの混合物（２：１（ｖ／ｖ）、ＧＲ、Ｅ．Ｍ．サイエンス（E.M. Science））１．５Ｌにゆっくり注いだ。形成された沈殿をアセトン５０ｍＬに溶解し、更に２回沈殿させた。１回目の沈殿には上記と同じ溶媒混合物を使用し、２回目の沈殿にはイソプロパノールを使用した。固体（ポリマーＡ）を濾過によって収集し、減圧下（約３９９Ｐａ（３０ｍｍＨｇ））、５０℃で２４時間乾燥した。収率：２２．３０ｇ。ＦＴ−ＩＲ（被膜）：３４３３、２２４９、１７２３、１６３７、１４５８、１２９０、１１６０、および７０４ｃｍ−１。Ｍｎ（数平均分子量）＝８，０００ｇ／モル、Ｍｗ（重量平均分子量）＝２２，０００ｇ／モル。Ｔｇ＝１０５℃。誘電率＝約４．６。
【００３９】
（実施例１）
銀インクおよび絶縁体（ポリマーＡ）インクは液適量５０ｐｌのスペクトラ（Spectra）インクジェットプリントヘッドＳＭ−１２８を使用し、半導体（ＴＩＰＳ−ＰＶＰ）インクは液適量３０ｐｌのスペクトラ（Spectra）インクジェットプリントヘッドＳＥ−１２８を使用して、全てインクジェット印刷による完全付加的なトランジスタの配列を３０４ｄｐｉで１枚のＰＥＮフィルムに印刷した。層は、１．ゲート、２．絶縁体、３．ソース／ドレイン、および４．半導体の順番で、図５に示すパターンと次の方法に従って印刷した。
【００４０】
ゲート電極（１×１ｍｍ、プローブパッド１×１ｍｍを備える）をＰＥＮ基材上にカボット（Cabot）銀インクを使用して印刷した。この材料を１２５℃で１０分間加熱して硬化させた。絶縁体層は、１５重量％のポリマーＡ、１．５重量％のイルガキュア（Irgacure）８１９光開始剤、および１．５重量％のペンタエリスリトールテトラアクリレート架橋剤（ＳＲ４４４）のイソホロン溶液である。この絶縁体層を、ストリップの半分が覆われて残りの露出した半分が電気接点となるようにゲート電極の上に印刷した。この層を窒素環境で一群の短波ＵＶランプ（２５４ｎｍ）下に７分間置いて硬化させた。ソース電極およびドレイン電極の一対（１×１ｍｍ）は、ゲート電極とそれぞれ一直線になり、ソース電極とドレイン電極との間に１００ミクロンのチャネルが形成されるように、ゲート電極の上に重ねて印刷した。ただし、ゲート電極と重なる量は最小限に抑えた。これらの電極もカボット（Cabot）銀インクを使用してインクジェット印刷で印刷し、次に１２５℃で１０分間加熱した。その後、このサンプルを０．１ミリモルのペルフルオロチオフェノールのトルエン溶液で１時間処理した。サンプルはトルエンで洗浄し、乾燥した。半導体溶液は、１０重量％のＰＶＰおよび０．８重量％のＴＩＰＳのシクロヘキサノン溶液である。この半導体溶液を、半導体材料が隣接したトランジスタに触れずにソースおよびドレイン電極間のチャネル部分を覆うように、インクジェットで短い線状に印刷した。次いでこのサンプルを１２０℃で１０分間加熱した。図６は、２．０ｍｍのスケールバーを有する、得られた装置の１つの顕微鏡写真である。
【００４１】
図７は、得られた装置から次のように測定した、性能値のグラフである。トランジスタ性能は、半導体パラメータ分析器（Semiconductor Parameter Analyzer）（モデル４１４５Ａ、ヒューレット−パッカード（Hewlett-Packard）（カリフォルニア州パロアルト）から入手可能）を使用して、空気中、室温で試験した。ドレイン−ソース電流（Ｉｄｓ）の平方根を、ゲート−ソースバイアス（Ｖｇｓ）の関数として、−４０Ｖの一定のドレイン−ソースバイアス（Ｖｄｓ）で＋１０Ｖ〜−４０Ｖまでプロットした。次式を使用し、
Ｉｄｓ＝μＣ×Ｗ／Ｌ×（Ｖｇｓ−Ｖｔ）２／２
ゲート絶縁体の比キャパシタンス（Ｃ）、チャネルの幅（Ｗ）およびチャネルの長さ（Ｌ）を用いて、曲線の直線部分から飽和電界効果移動度を計算した。この直線適合のｘ軸外挿を、閾値電圧（Ｖｔ）として取得した。さらに、ＩｄをＶｇｓの関数としてプロットして、Ｖｔを含む曲線の一部分に沿って直線適合が描かれる曲線を得た。この線の傾きの逆数は、閾値下の傾き（Ｓ）であった。オンオフ比を、Ｉｄｓ−Ｖｇｓ曲線の最小および最大ドレイン電流（Ｉｄｓ）値間の差として取得した。図７において、線Ａはドレイン電流の測定値（Ｉｄｓ）、線Ｂはドレイン電流の測定値（Ｉｄｓ）の平方根、線Ｃはゲート電流の測定値（Ｉｇｓ）である。
【００４２】
本発明の様々な修正および変更は、本発明の範囲および原理から逸脱することなく当業者には明白であり、また、本発明は、上記で説明した例示的な実施形態に不当に限定して理解すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】トップコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタに存在する層の概略図。
【図２】ボトムコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタに存在する層の概略図。
【図３】トップコンタクト／トップゲート型薄膜トランジスタに存在する層の概略図。
【図４】ボトムコンタクト／トップゲート型薄膜トランジスタに存在する層の概略図。
【図５】実施例１のボトムコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタの概略図。
【図６】２．０ｍｍのスケールバーを有する、実施例１のボトムコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタの顕微鏡写真。
【図７】実施例１のボトムコンタクト／ボトムゲート型薄膜トランジスタの性能値のグラフ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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