(57)【要約】容量内蔵型プリント回路基板アセンブリ（４００，１１００）を形成する方法である。容量内蔵型プリント回路基板アセンブリは２つの容量内蔵型構造（１１０）を含む。各容量構造（１１０）は、外側電極層（１２０）と内側電極層（１２５）との間に挟まれる結晶化誘電体酸化膜層（１１５）を含み、２つの内側電極層は電気的に一括して接続される。リベットビア（１３１５）及びボタンビア（９１０）により形成される積層ビア（１１１０）、及び非貫通型の積層ビア（１１１１）を使用して、２つの内側電極層を電気的に一括して接続することができる。スピンドルビア（５２５）は、内側層及び外側層を貫通するように形成することができる。多層プリント回路基板は、２つの容量構造を含む容量積層構造（１００）により形成することができる。
2009522776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．５〜５ミルの厚さのガラス繊維強化ポリマーと、
２つの容量構造と、を備え、前記２つの容量構造の間には、ガラス繊維強化ポリマーが挟まれ、前記２つの容量構造の各々は、内側電極層及び外側電極層によって挟まれる２ミクロンよりも薄い結晶化誘電体酸化膜層を備える、容量積層構造。
【請求項２】
１．５〜５ミルの厚さのガラス繊維強化ポリマーと、
２つの容量構造とを備え、前記２つの容量構造の間には、ガラス繊維強化ポリマーが挟まれ、前記２つの容量構造の各々は、内側電極層及び外側電極層によって挟まれる２ミクロンよりも薄い結晶化誘電体酸化膜層を備え、これらの内側電極層はビアによって電気的に一括して接続される、多層プリント回路基板。
【請求項３】
２つの容量内蔵型構造を備え、各容量内蔵型構造は、外側電極層と内側電極層との間に挟まれる結晶化誘電体酸化膜層を含み、２つの内側電極層は電気的に一括して接続される、多層プリント回路基板。
【請求項４】
２つの外側電極層の容量プレート部分から電気的に絶縁された状態を維持しながら、２つの内側電極層を電気的に一括して接続するメッキ貫通穴をさらに備える、請求項３記載の多層プリント回路基板。
【請求項５】
２つの内側電極層を電気的に接続するリベットビアと、そして電気的に絶縁され、かつ２つの外側電極層の内の一方の外側電極層の上に位置するノードとをさらに備える、請求項３記載の多層プリント回路基板。
【請求項６】
２つの容量内蔵型構造の内の第１容量内蔵型構造の内側電極層を、２つの容量内蔵型構造の内の第１容量内蔵型構造の外側電極層の絶縁ノードに電気的に接続するボタンビアをさらに備える、請求項３記載の多層プリント回路基板。
【請求項７】
第１容量内蔵型構造の結晶化誘電体層は２ミクロンよりも薄い、請求項６記載の多層プリント回路基板。
【請求項８】
ボタンビアに重なり、かつ２つの容量内蔵型構造の内の第１容量内蔵型構造の内側電極層を、２つの容量内蔵型構造の一部分ではない金属層に電気的に接続する非貫通型の積層ビアをさらに備える、請求項６記載の多層プリント回路基板。
【請求項９】
容量内蔵型構造を有するプリント回路基板の製造方法において、
２つの容量構造の間に挟まれるポリマー誘電体層を含むプリント回路基板サブアセンブリであって、２つの容量構造の各々が、外側電極層と内側電極層との間に挟まれる結晶化誘電体酸化膜層を含む構成のプリント回路基板サブアセンブリの２つの外側電極層をパターニングしてビア用のビア間隙を設ける工程と、
前記ビア間隙の内部に、プリント回路基板サブアセンブリの内、パターニングの後に残留する複数の層を貫通する第１穴を形成する工程と、
ポリマー誘電体層及び最外層金属層をプリント回路基板サブアセンブリの各側に積層することにより、最外層金属層を有する容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリを形成する工程と、
第２穴を第１穴の外周の内側に容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリを貫通するように形成する工程と、
第２穴の空洞部にメッキを施すことにより、第２穴の空洞部が２つの容量構造の容量プレート部分から電気的に絶縁された状態を維持しながら、これらの最外層金属層を電気的に接続するスピンドルビアを形成する工程とを備える方法。
【請求項１０】
積層する工程の前に、第１穴にポリマー誘電体材料を充填する工程をさらに備える、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
２つの容量構造の内の第１容量構造、及びポリマー誘電体層を貫通する穴を形成することにより、２つの容量構造の内側電極層の一部分を露出させる工程と、
穴にメッキを施すことにより、２つの容量構造の内側電極層を、第１容量構造の外側電極層に電気的に接続する工程と、
第１容量構造の外側電極層の穴の周りに間隙環をパターニングにより形成することによりリベットビアを形成する工程とを、前記積層する工程の前にさらに備え、リベットビアは、２つの容量構造の接続内側電極層のノードであり、ノードは、第１容量構造の外側電極層の容量プレート部分から電気的に絶縁される、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
穴を、２つの容量構造の内の第１容量構造の外側電極層にパターニングにより形成する工程と、
穴の底部の結晶化誘電体酸化膜を除去することにより、第１容量構造の内側電極層の一部分を露出させる工程と、
穴の収容部、及び第１容量構造の内側電極層の一部分にメッキを施すことにより、第１容量構造の内側電極層を第１容量構造の外側電極層に電気的に接続する工程と、
第１容量構造の外側電極層の穴の周りに間隙環をパターニングにより形成することによりボタンビアを形成する工程とを、前記積層する工程の前にさらに備え、ボタンビアは、第１容量構造の内側電極層のノードであり、ノードは、第１容量構造の外側電極層の容量プレート部分から電気的に絶縁される、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記積層する工程の後に、
これらの最外層金属層の内の一方の最外層金属層及びポリマー誘電体層を貫通するように、ボタンビアの一部分を露出させる第３穴を形成する工程と、
第３穴の収容部、及びボタンビアの露出部分にメッキを施すことにより、ボタンビアとの電気的接続を行ない、そして第１容量構造の内側電極層を、これらの最外側電極層の内の一方の最外側電極層に電気的に接続する積層ビアノードを形成する工程とを備える、請求項１２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概して、多層プリント回路基板の製造に関し、特に容量層を内蔵する多層プリント回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に関して、小容積は望ましい属性である。論理回路の容積は、論理回路を集積回路に内蔵することによって小さくしている。しかしながら、抵抗体、キャパシタ、及びインダクタのような集中素子の容積を小さくするのは、特に低周波数及び大電流で使用されるキャパシタ及びインダクタに関しては一層困難であることが判明している。多くのアプリケーションにおいて、電源に、そしてバイパスフィルタ処理に、または低周波数結合に使用されるような大容量値のキャパシタは、表面実装パッケージの形態で提供される。
【０００３】
近年、多層回路基板に内蔵するために有用な非常に薄い結晶化誘電体酸化膜層を形成する種々の技術が公開されている。これらの技術によって、これまでの方法よりもずっと高い容量密度が実現する。これらの層との接続、及びこれらの層を貫通しての接続を可能にする方法が開発されているが、この形態における更なる改善を行なって、直接コストを低減し、かつ歩留まりを上げることが望まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
本発明による実施形態を詳細に説明する前に、これらの実施形態は主として、多層プリント回路基板に関連する方法工程及び装置要素の組み合わせとして提示されることを理解されたい。従って、装置要素及び方法工程は必要に応じて、図における従来の記号によって指示されており、これらの図では、本発明の実施形態に対する理解に関連する特定の詳細のみを示して、本明細書における記述の利点を享受するこの技術分野の当業者にとって容易に理解することができる詳細によって開示内容が不明瞭になってしまうことがないようにしている。
【０００５】
本文書では、ｆｉｒｓｔ及びｓｅｃｏｎｄ，ｔｏｐ及びｂｏｔｔｏｍなどのような関係語は、一つのエンティティまたは作用を別のエンティティまたは作用から区別するためにのみ使用することができ、このようなエンティティまたは作用の間の実際のこのような関係または順番を必ず必要とする、または意味するという訳ではない。「ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ」、「ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ」という用語、または他の全てのこれらの変形は包括的な意味で適用されるものであり、一連の要素を備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）プロセス、方法、製品、または装置がこれらの要素のみを含むというのではなく、明らかには列挙されていない、またはそのようなプロセス、方法、製品、または装置に固有の他の要素を含むことができる。「ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ  ａ  ．．．」が前に来る一つの要素は、当該要素が更に制約されるというのではなく、更に別の同じ要素が、当該要素を備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）プロセス、方法、製品、または装置に含まれる状況を排除するものではない。
【０００６】
２つの容量内蔵型構造を有する独創的な多層プリント回路基板の実施形態について本明細書において説明するが、これらの実施形態には、現在広く利用されている多層プリント回路基板の製造技術を独特な形で適用することができる。
【０００７】
図１を参照すると、本発明の或る実施形態による、ポリマー誘電体層１０５を２つの容量構造１１０の間に挟んだ状態で備えるプリント回路基板サブアセンブリ１００の断面図が示される。２つの容量構造１１０の各容量構造は、結晶化誘電体酸化膜層１１５を、外側電極層１２０と内側電極層１２５との間に挟んだ状態で含む。ポリマー誘電体層１０５は通常、ＦＲ４で指示されるプリント回路基板材料のようなエポキシまたはガラス充填エポキシであり、そして通常、４０〜１５０ミクロンの膜厚範囲である。結晶化誘電体層１１５は種々の誘電体酸化物の内のいずれかの誘電体酸化物を含むことができ、誘電体酸化物として、チタン酸鉛ジルコニウム（ＰＺＴ）、チタン酸鉛ランタンジルコニウム（ＰＬＺＴ）、チタン酸鉛カルシウムジルコニウム（ＰＣＺＴ）、チタン酸鉛ランタン（ＰＬＴ）、チタン酸鉛（ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰＺ）、ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰＭＮ）、チタン酸バリウム（ＢＴＯ）、またはチタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴＯ）を挙げることができる。結晶化誘電体層１１５は、約０．１〜約２ミクロンの膜厚を有することができ、そして多くの環境において、約０．２〜約０．６ミクロンの膜厚とすることができ、更に１０００ｐＦ／ｍｍ２（ピコファラド／ｍｍ２）超の容量を実現する。本明細書において使用する「ｓａｎｄｗｉｃｈｅｄ（挟んだ状態で）」という用語は、第１層が第２層と第３層との間に配置されることを意味し、この場合、第２層及び第３層は同じ材料により形成される。他の層を第１層と第２層との間に、そして／または第１層と第３層との間に配置することができるが、他の層が、第２層及び第３層の合計膜厚の有意な部分を占めるように厚さ方向に積み重なるということはなく、この場合の「有意な」という用語は、本文では２０パーセント超を指す。
【０００８】
内側電極層及び外側電極層は、通常は銅である導電材料により形成され、導電材料は通常、５〜２５ミクロン厚の範囲である膜厚を有する。本発明の利点は、上に列挙した値よりも更に大きい、または小さい値を有する電極及びポリマー誘電体層により得られ、そして電極材料は他の金属または合金により形成することができる。
【０００９】
或る実施形態では、図１に示す工程におけるプリント回路基板サブアセンブリ１００は、ガラス充填ポリマーであるポリマー誘電体層１０５により形成されており、ガラス充填ポリマーは、少なくとも１５ミクロンの膜厚であり、かつ１００ミクロン未満の膜厚、通常は６０ミクロン未満の膜厚である。この形態では、プリント回路基板サブアセンブリ１００は、独自の２重の容量積層構造であり、２重の容量積層構造は、一つの工場で形成し、そして別の工場に出荷して完成版の多層プリント回路基板を形成するために構造的に十分に強固であり、更に直径が約６０ミクロンと非常に小さい穴をレーザ穴開け加工により形成するために十分に薄く、レーザ穴開け加工を独自のビア形成技術と組み合わせて使用することにより、非常に高い表面密度の非常に薄い多層プリント回路基板アセンブリを形成することができ、この多層プリント回路基板アセンブリは従来の多層プリント回路基板アセンブリよりもずっと大きい値の内蔵型容量を有する。
【００１０】
図２を参照すると、パターニング工程が完了した後のプリント回路基板サブアセンブリ１００の断面図が示される。リソグラフィ及びエッチングを利用する技術のような、広く採用されてきた従来のパターニング技術を使用することができる。パターニング工程によって、外側電極層１２０の材料の内、ビアを形成する予定の部分が除去されている状態のビア間隙２０５，２１０が得られる。ビア間隙２０５は、外側電極層の中の直径が２５０〜５００ミクロンの範囲である円形開口の形態とすることができ、そしてビア間隙２１０は、外側電極層の中の直径が５００〜７５０ミクロンの範囲である円形開口の形態とすることができる。
【００１１】
図３を参照すると、第１穴３０５をビア間隙２１０に形成する工程が完了した後のプリント回路基板サブアセンブリ１００の断面図が示される。第１穴３０５は、ビア間隙２１０の領域に残留するプリント回路基板サブアセンブリ１００の複数の層を貫通する。第１穴３０５は、種々の方法の内のいずれか一つの方法により形成することができ、これらの方法として、紫外光（ＵＶ）レーザ穴開け加工、及び機械穴開け加工のような従来から使用される方法を挙げることができる。第１穴３０５は４００〜６００ミクロンの範囲の直径を有することができる。
【００１２】
図４を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ４００の断面図が示される。容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００は、ポリマー誘電体層４０５及び最外層金属層４１０を、プリント回路基板サブアセンブリ１００の各側に積層した後に形成される。ポリマー誘電体層４０５及び最外層金属層４１０は、樹脂被覆箔（ＲＣＦ）のような単一部材とすることができる、または含浸層（ガラス繊維強化Ｂステージポリマー）及び金属箔のような２つの個別要素とすることができる。他のプロセスを使用することができる。この積層工程によって、通常、２５〜１００ミクロンの範囲に収まるポリマー誘電体層４０５、及び通常、５〜４０ミクロンの範囲に収まる最外層金属層４１０が得られる。
【００１３】
プロセスによって、当該プロセスの性質上、ポリマー誘電体層１０５の領域４１５の第１穴３０５を十分に充填することができない場合、第１穴３０５にポリマー材料を十分に充填するプロセスが、積層を開始する前に必要になる。含浸層及び金属箔を使用するプロセスのような或るプロセスによって、穴を十分に充填することができる。「十分に充填する」という表現は、第１穴３０５に対する充填を十分に行なって、次に形成される第２穴（以下に説明する）に関する次のバレルメッキ工程によって、一方の最外層金属層４１０から他方の最外層金属層４１０に達する信頼度の高い電気的連続性が実現する必要があることを意味する。
【００１４】
積層プロセスが完了すると、最外層金属層を有する容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００が形成される。
図５を参照すると、本発明の或る実施形態による容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００の断面図が示される。容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００は、穴形成プロセス及びメッキプロセスが完了した後の様子として示される。穴形成プロセスの結果として、第２穴５０５が第１穴の外周の内側に容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００を貫通するように形成される。第２穴５０５は十分に小さい−通常、１２５〜２５０ミクロンの範囲−ので、予測されるプロセス変動の全てを受けながらも、十分な量のポリマー材料が第２穴の空洞部と、エッジ５２０のような第１穴３０５の空洞部のエッジとの間に残留する。このプロセスの間、貫通穴５１０（通常、直径が１２５〜２５０ミクロン）及び非貫通型の微細ビア穴５１５（通常、直径が５０〜１２５ミクロン）のような他の穴を容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００に形成することができる。
【００１５】
ここで、これらの穴によって、内側電極層及び外側電極層の両方の一部分が削減され、これらの削減部分を利用することにより、キャパシタの容量プレートを形成することができ、容量プレートは、これらの容量構造１１０の内の一方の構造の内側電極層及び外側電極層の残留材料によって形成されることを理解されたい。内側電極層または外側電極層の内の一方の電極層のノード群を接続する孤立した状態の銅円筒体または銅「ラナー」のような、内側電極層及び外側電極層の内の一方の、または他方の電極層の中の他のパターンによって更に、これらの容量構造１１０の内の一方の構造の内側電極層または外側電極層の残留材料または容量プレート部分が削減され得る。このような削減は通常、内側電極層または外側電極層の無視できるほどの小さな部分であり、そしてこのような削減に伴なって、各容量構造１１０の初期容量の内の無視できる程度の部分が削減される。
【００１６】
第２穴５０５、貫通穴５１０、及び非貫通型の微細ビア穴５１５は、機械穴開け加工、またはＵＶレーザ穴開け加工、またはＣＯ２レーザ穴開け加工のような従来のプロセス、或いはこれらの方法の組み合わせを使用して形成することができる。他のプロセスを使用することができる。
【００１７】
第２穴５０５の空洞部に対して、第２穴を形成した後にメッキを施す。通常、穴５１０，５１５のような他の穴の空洞部に対して、ほぼ同時にメッキを施す。電解メッキのような従来のメッキ法を使用することにより通常、１０〜４０ミクロンの範囲の厚さの金属メッキを形成することができる。一の実施形態では、公知のメッキ法を使用することにより、非貫通型の微細ビア５１５に金属をほぼ充填することができる。穴の空洞部にメッキを施す場合、メッキ層を最外側層に同時に付加することができる。第２穴５０５にメッキを施すことにより固有のメッキ貫通穴が形成され、メッキ貫通穴はスピンドルビア５２５と表記され、スピンドルビアによって最外層金属層を電気的に接続し（空洞部のメッキ金属によって）、スピンドルビア（第２穴）５０５の空洞部は、２つの容量構造の内側電極層及び外側電極層の容量プレート部分から電気的に絶縁されたままの状態となる。
【００１８】
図６を参照すると、本発明の或る実施形態による容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００の断面図が示される。図２を参照しながら上に説明したような従来のパターニングプロセスを使用してノード、ラナー、孤立状態のキャパシタ外側プレート、及び他の従来の導電ノードを最も外側の層４１０の上に形成する。例えば、スピンドルビア５２５は最も外側の層４１０の他の部分から絶縁され、そして非貫通型の微細ビア６０５が形成されて、容量構造１１０の孤立状態のキャパシタ外側プレートを、容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００の最も外側の表面に電気的に接続している。
【００１９】
図７を参照すると、本発明の或る実施形態による容量内蔵型多層プリント回路基板サブアセンブリ７００の断面図が示される。更に別の積層プロセス及び更に別のパターニングプロセスによって、プリント回路基板層７０５を容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ４００の各側に付加して、容量内蔵型多層プリント回路基板サブアセンブリ７００を形成し、容量内蔵型多層プリント回路基板サブアセンブリ７００は、表面実装部品を表面ノード７１０，７１５，７２０，７２５に取り付けることを除いて完成させることができる、または更に多くの層を従来の方法により付加する対象となるサブアセンブリとすることができる。図７に示す例では、貫通穴ビア５１０によって、２つの容量構造１１０の内側電極層を、ジグザグ状表面微細ビア７２０に接続し、非貫通型の微細ビア５１５によって、２つの容量構造１１０の外側電極層を、ジグザグ状表面微細ビア７１５に接続し、そしてスピンドルビア５０５によって、第１表面微細ビア７１０を第２表面ビア７２５に接続する。
【００２０】
ここで、図７では、従来のジグザグ状ビアが、これらのビアを使用して、２つの容量構造１１０の内側電極層及び外側電極層を、容量内蔵型多層プリント回路基板サブアセンブリ７００の表面金属層に接続するものとして示されていることに注目されたい。この構成では、容量内蔵型多層プリント回路基板サブアセンブリ７００の重要な領域を使用する。容量構造１１０の内側電極層との接続を行なうための機械穴開け加工貫通穴５１０を使用する処理でも、機械穴開け加工穴が通常は大きいので、重要な領域を使用する（レーザ穴開け加工微細ビアの通常の７５〜１２５ミクロンと比較すると通常、２５０ミクロンの直径となる）。２つの容量構造１１０の内側電極層及び外側電極層を接続するために必要な領域の大きさを低減するための独自の方法について、図８〜１４を参照しながら以下に説明する。
【００２１】
図８を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ８００の断面図が示される。プリント回路基板サブアセンブリ８００は、図１を参照しながら説明したサブアセンブリと同じプリント回路基板サブアセンブリ１００により形成することができる。図８に示す製造工程では、直径が５０ミクロンと非常に小さくすることができる間隙８０５が、２つの容量構造１１０の第１容量構造８１５の外側電極層８１０の中に、従来のパターニング方法を使用してパターニングにより形成されている。新規の方法によって、間隙８０５を更に小さくすることができる。結晶化誘電体酸化膜の薄膜層が間隙の底部から除去されており、この除去部分は間隙穴８０５と別の呼び方をすることができる、または単に穴８０５と呼ぶことができ、この穴によって第１容量構造８１５の内側電極層の一部分が露出する。この除去は、ＣＯ２レーザアブレーション法のような従来の方法を使用して行なうことができる。エッチングのような他の方法を使用することができる。穴８０５の空洞部、及び第１容量構造８１５の内側電極層の一部分に対して、銅のような導電性金属のメッキが従来の方法を使用して施されている。これにより、第１容量構造８１５の内側電極層と外側電極層との間を電気的に接続する。勿論、穴８２０のような、穴８０５と同様の他の穴をこの工程で同じプロセス、または同様のプロセスを使用して形成し、そして当該穴にメッキを施すことができる。
【００２２】
図９を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ８００の断面図が示される。次に、メッキにより形成されている外側電極層８１０をパターニングすることにより、穴８０５の周りに間隙環９０５を設ける。従って、ここではボタンビアと命名されるビア９１０が形成されており、このビアは、第１容量構造８１５の内側電極層のノードである。ボタンビア９１０は、第１容量構造８１５の外側電極層の容量プレート部分９１５から電気的に絶縁される。更に、結晶化誘電体酸化膜層の膜厚が薄い（２ミクロン未満）ので、ボタンビアの底部のメッキ部分は、外側電極メッキ層８１０の表面の下方、１０ミクロン未満の位置に表面を有する。この形態は、ボタンビアの窪みが１０ミクロン未満となっている様子を最も良く表わすことができる、すなわち以下に説明するように独特の形で利用される形態である。この形態は更に、ビアホール内をめっき金属により充填するビアフィリングめっき方法を利用することなく独特の形で実現することができ、このめっき方法は、長い時間を要するので、ここで使用する従来のメッキ法よりもコストが高く付く。勿論、ボタンビア９２０のような他のボタンビアは、ボタンビア９１０に関するこの工程で、該当する穴にメッキを施すことにより形成することができ、そしてスピンドルビア用に形成されている間隙９２５のような他のパターンを形成することができる。
【００２３】
図１０を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ８００の断面図が示される。この工程では、間隙穴１００５がスピンドルビア用に、図３を参照しながら第１穴３０５に関して説明した方法と同じ方法により形成されている。
【００２４】
図１１を参照すると、本発明の或る実施形態による容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ１１００の断面図が示される。この工程では、ポリマー誘電体層及び最外層金属層がプリント回路基板サブアセンブリ８００の各側に、図４を参照しながら上に説明したように積層されている。更に、ボタンビア９１０の一部分を露出させる穴１１０５が、複数の最外層金属層の内の一つの最外層金属層、及びポリマー誘電体を貫通して、リソグラフィ及びエッチング、またはＵＶレーザアブレーション法またはＣＯ２レーザアブレーション法のような従来の方法、或いはこれらの方法の組み合わせを使用して形成されている。次に、穴１１０５の空洞部、及びボタンビアの露出部分にメッキを施すことにより、ボタンビア９１０及び非貫通型の積層ビア１１１１を含む積層ビア１１１０を、積層ビア１１１０によって、第１容量構造８１５の内側電極層が、容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリ１１００の最外層金属層に電気的に接続されるように形成する、または２つの内蔵型容量構造の一部分ではない全ての金属層を形成する。この積層ビアは非常に実用的である、というのは、ボタンビア９１０の窪みが小さく、これによって、ボタンビア９１０の露出表面に対するメッキを確実に施すことができるからである。これとは異なり、これまでのメッキ法により形成される内側層ビアとのこれまでの接続では、ジグザグ状ビア手法を使用し、この手法では、多層プリント回路基板において相対的に有意な横方向領域を使用してしまう。非貫通型の積層ビア１１１１がボタンビアに重ならせる（完全に重なることもある）ことができる形態は、本発明のこれらの実施形態の独自の形態である。この工程では、スピンドルビア１１１５が形成されているだけでなく、第２容量構造１１２０の別の積層ビア、及び非貫通型の微細ビア１１２５のような非貫通型の標準的な微細ビアも形成されている。
【００２５】
図１２を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ１２００の断面図が示される。プリント回路基板サブアセンブリ１２００は、図１を参照しながら説明したサブアセンブリと同じプリント回路基板サブアセンブリ１００により形成することができる。図１２に示す製造工程では、穴１２０５が、２つの容量構造１１０の内の第１容量構造１２１０、及びポリマー誘電体層１０５を下方に向かって、第２容量構造１２１５の表面に達するまで（更には、恐らくは当該表面をわずかに下方に超えて）貫通するように形成されて、２つの容量構造１１０の両方の内側電極層の一部分が露出している。これらの部分は、第１容量構造１２１０の内側電極層のエッジ、及び第２容量構造１２１５の表面を含む。穴１２０５は、ＵＶ（紫外光）またはＣＯ２レーザアブレーション法、或いはこれらの２つのレーザアブレーション法の組み合わせを使用して形成することができる。例えば、ＵＶ（紫外光）レーザアブレーション法を使用して第１容量構造１２１０を貫通するように切除し、続いてポリマー及びガラス材料を迅速に焼き切るが、金属を迅速に焼き切ることがないＣＯ２レーザを使用してポリマー誘電体層１０５を貫通するように切除し、そして切除を第２容量構造の内側電極層の表面で更に正確に停止させることができる。次に、穴１２０５（空洞部分及び底部分）に、電解メッキのようなメッキを施す。電解メッキによるメッキによって、２つの容量構造１１０の内側電極層を、第１容量構造１２１０の外側電極層に電気的に接続する。
【００２６】
図１３を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ１２００の断面図が示される。図１３に示す製造工程では、間隙環１３０５が、第１容量構造１２１０の外側電極層の穴１２０５の周りに、リソグラフィ及びエッチングのような従来のパターニング方法を使用してパターニングにより形成されている。従って、２つの容量構造１１０の接続内側電極層のノードであるリベットビア（ｒｉｖｅｔ  ｖｉａ）１３１５が形成される。ノード１３１５は、第１容量構造１２１０の外側電極層の容量プレート部分１３１０から電気的に絶縁される。
【００２７】
図１４を参照すると、本発明の或る実施形態によるプリント回路基板サブアセンブリ１２００の断面図が示される。図１４に示す製造工程では、図３及び図１０を参照しながら上に説明した第１穴３０５及び穴１００５のようなスピンドル穴に対応する穴が形成されている。この時点で、プリント回路基板サブアセンブリ１２００を更に、図１１を参照しながら説明した方法により処理して、容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリと同様であり、かつ積層ビア１１１０をリベットビア１３１５及び非貫通型のジグザグ状ビアで入れ替えた構成の容量内蔵型プリント回路基板サブアセンブリが得られる。別の構成として、リベットビアがビアフィリングめっき方法を使用してメッキ形成される場合、非貫通型のジグザグ状ビアを使用することができる。
【００２８】
リベットビア１３１５によって、図５に示すメッキ形成貫通穴５１０よりも優れたサイズ縮小効果が２つの理由により得られる。第１の理由として、当該リベットビアが機械穴開け加工ではなくレーザにより形成されるので、当該リベットビアの直径を小さくすることができる、例えば機械穴開け加工に対応する２５０ミクロンに対してレーザに対応する１２５ミクロンになるからである。第２の理由として、当該リベットビアによって容量構造１１０の両方の内側層をプリント回路基板サブアセンブリ１２００の一方の側の最外層金属層に、余分な空間を反対側の最も外側の層に形成することなく電気的に接続するからである。
【００２９】
プリント回路基板サブアセンブリ１００，８００，及び１２００は一つのプリント回路基板サブアセンブリの異なる部分とすることができる、または４層プリント回路基板の異なる部分とすることができることを理解されたい。
【００３０】
本明細書のこれまでの記述では、本発明の特定の実施形態について説明してきた。しかしながら、この技術分野の当業者であれば、種々の変形及び変更を、以下の請求項に示す本発明の技術範囲から逸脱しない限り加え得ることが分るであろう。従って、本明細書及び図は制限的な意味としてではなく例示として捉えられるべきであり、このような変更の全てが本発明の技術範囲に含まれるものである。効果、利点、問題解決法は、そして全ての効果、利点、または問題解決法をもたらし、またはさらに顕著にさせる要素（群）は決して、いずれかの請求項、または全ての請求項の必須の、必要な、または基本的な特徴、或いは要素であると解釈されるべきではない。本発明は、本出願の係属中に為される全ての補正を含む添付の請求項、及び登録時の請求項の全ての等価物によってのみ規定される。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図２】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図３】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図４】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図５】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図６】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図７】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図である。
【図８】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図９】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１０】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１１】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１２】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１３】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１４】本発明の或る実施形態による組み立ての種々の工程における多層プリント回路基板サブアセンブリの断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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