(57)【要約】  本発明は、基板と、空洞（１０）と、該空洞（１０）を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントから出発する。キャップは空洞（１０）に到達するための進入開口（１６０，１６１，１６２）を有している。本発明の格子は、キャップが、進入開口（１６０，１６１，１６２）を閉鎖するためのダイヤフラム（２ｂ）を有していることを特徴とする、マイクロマシニング型の構成エレメント。
2009521335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、空洞（１０）と、該空洞（１０）を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントであって、キャップが、空洞（１０）に到達するための進入開口（１６０，１６１，１６２）を有している形式のものにおいて、キャップが、進入開口（１６０，１６１，１６２）を閉鎖するためのダイヤフラム（２ｂ）を有していることを特徴とする、マイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項２】
キャップが、薄層キャップである、請求項１記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項３】
ダイヤフラム（２ｂ）が、キャップの下に配置されている、請求項１または２記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項４】
ダイヤフラム（２）が、キャップの上に配置されている、請求項１または２記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項５】
ダイヤフラム（２ｂ）が、キャップの内部で少なくとも１つの層（２）に配置されている、請求項２記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項６】
キャップが、空洞に到達するための進入開口（１６０，１６１，１６２）として少なくとも１つの穿孔された孔（１６０）を有している、請求項１から５までのいずれか１項記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項７】
進入開口（１６０）が、外部から充填材料（７０）によって閉鎖されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のマイクロマシニング型の構成エレメント。
【請求項８】
基板と、空洞（１０）と、該空洞（１０）を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントであって、
−キャップが、空洞（１０）に到達するための進入開口（１６０，１６１，１６２）を有しており、
−キャップが、前記進入開口（１６０，１６１，１６２）を閉鎖するためのダイヤフラム（２ｂ）を有している
形式のマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための方法において、以下のステップ；
（ａ）最上位の層として第１の犠牲層（１１０）を備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを準備し、
（ｂ）ダイヤフラム層（２）を被着させかつ構造化し、
（ｃ）第２の犠牲層（４）を被着させかつ構造化し、
（ｄ）エッチストップ層（３）を被着させかつ構造化し、
（ｅ）キャップ層（１５０）を被着させ、
（ｆ）進入開口（１６０，１６１）を設け、第２の犠牲層（４ｂ）の少なくとも一部を除去し、ダイヤフラム（２ｂ）を露出させ、エッチングによって第１の犠牲層（１００）の少なくとも１つの一部を除去する、
を実施することを特徴とする、マイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための方法。
【請求項９】
−ステップ（ａ）の後でかつステップ（ｂ）の前に下側のエッチストップ層（３０）を被着させかつ構造化し、その後に下側の犠牲層（４０）を被着させかつ構造化し、
−ステップ（ｆ）で進入開口（１６０，１６１，１６２）を設け、この場合、下側の犠牲層（４０）の少なくとも一部をも除去する、
請求項８記載のマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための方法。
【請求項１０】
基板と、空洞（１０）と、該空洞（１０）を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントであって、
−キャップが、空洞（１０）に到達するための進入開口（１６０，１６１，１６２）を有しており、
−キャップが、前記進入開口（１６０，１６１，１６２）を閉鎖するためのダイヤフラム（２ｂ）を有している
形式のマイクロマシニング型の構成エレメントを閉鎖するための方法において、以下のステップ；
（Ａ）空洞（１０）内の内部雰囲気を調節し、
（Ｂ）ダイヤフラム（２ｂ）を当て付けることによって進入開口（１６０，１６１，１６２）を閉鎖することにより空洞（１０）を機械的に閉鎖し、
（Ｃ）材料塗布によって進入開口（１６０）を閉鎖する
を実施することを特徴とする、マイクロマシニング型の構成エレメントを閉鎖するための方法。
【請求項１１】
ステップ（Ｂ）で、空洞（１０）と当該構成エレメントの周辺環境との間に誘導された圧力差によって進入開口（１６０，１６１，１６２）の一部にダイヤフラム（２ｂ）を当て付ける、請求項１０記載のマイクロマシニング型の構成エレメントを閉鎖するための方法。
【請求項１２】
ステップ（Ｂ）で、誘導された静電気的な力作用によって進入開口（１６０，１６１，１６２）の一部にダイヤフラム（２ｂ）を当て付ける、請求項１１記載のマイクロマシニング型の構成エレメントを閉鎖するための方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
背景技術
本発明は、基板と、空洞と、該空洞を画定する、つまり該空洞の輪郭を仕切るキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントに関する。キャップは空洞に到達するための進入開口を有している。
【０００２】
マイクロマシニング型の構成エレメントには特殊な使用目的のために、あるいはまたそれ自体の保護の目的だけでも、キャップが設けられる。とりわけ、当該構成エレメントにキャップを取り付けるためのガラスフリットボンディングまたはアノードボンディングが知られている。欧州特許第１２７４６４８号明細書には、薄い層を用いたパッケージング、つまりいわゆるＯＭＭキャップ装着が記載されている（ＯＭＭ＝表面マイクロマシニング技術）。この技術の基本は、マイクロマシニング型の機能エレメントを内蔵した空洞の上に、エピタキシャルポリシリコンから成る穿孔された層を形成する。穿孔（Perforation）はマイクロマシニング型の構成エレメントの作製時に、外部から空洞への到達を可能にする。
【０００３】
キャップ閉鎖部、正確には穿孔閉鎖部としては、慣用の半導体技術が記載されている（たとえば酸化物析出または窒化物析出）。しかし、この半導体技術は固有の機能エレメントに対して厳格な境界条件を課す。この場合、真空法、ひいては相応して低い構成部分内圧が知られている。この場合、内部雰囲気の組成は当然、あまり重要にはならない。
【０００４】
発明の利点
発明の開示
本発明は、基板と、空洞と、該空洞を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントから出発する。キャップは空洞に到達するための進入開口を有している。本発明の核心となる特徴は、キャップが、進入開口を閉鎖するためのダイヤフラムを有していることにある。
【０００５】
キャップが薄層キャップであると有利である。ダイヤフラムが１つの層構造の形で形成可能であると特に好都合である。
【０００６】
当該構成エレメントの有利な構成では、ダイヤフラムがキャップの下に配置されている。このことはダイヤフラムを有するキャップの比較的単純な構造を可能にし、外側で露出している進入開口を通じた空洞への簡単な到達を可能にし、そして空洞内の高い圧力を封入することを可能にする。
【０００７】
当該構成エレメントのさらに別の有利な構成では、ダイヤフラムがキャップの上に配置されている。このことは空洞内の特に小さな内圧を封入することを可能にする。
【０００８】
当該構成エレメントの第３の有利な構成では、ダイヤフラムが、キャップの内部で少なくとも１つの層に配置されている。このような配置形式では、空洞内の高い内圧をも低い内圧をも封入することができるので有利である。さらに、キャップが内部にダイヤフラムを有していないことが有利である。したがって単純な、特に平滑な空洞上面を形成することが可能となり、この空洞上面は空洞内部の、場合によっては存在する可動のマイクロマシニング構造体を妨げない。キャップ内面はこの場合、キャップの方向におけるマイクロマシニング構造体の変位のためのストッパとしても働くことができるので有利である。
【０００９】
キャップが、空洞に到達するための進入開口として少なくとも１つのパーフォレーション孔、つまり穿孔された孔を有していることも有利である。当該構成エレメントの有利な構成では、進入開口が、外部から充填材料によって閉鎖されている。すなわち、ダイヤフラムによる機械的な閉鎖の他に、永続的な、特に気密な閉鎖が与えられている。
【００１０】
本発明は、基板と、空洞と、該空洞を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントのための作製方法にも関する。キャップは空洞に到達するための進入開口を有している。本発明による方法の本質は、適当に構造化された層から進入開口を閉鎖するためのダイヤフラムを作製することにある。ダイヤフラム層と犠牲層とエッチストップ層とキャップ層とを被着させかつ構造化することにより、マイクロマシニング型の構成エレメントの上にキャップを提供することをできる。このキャップはエッチング過程の後に、固有のキャップの下に配置されたダイヤフラムを用いて機械的に閉鎖可能となる進入路を提供する。
【００１１】
本発明による作製方法の有利な実施態様では、上で挙げた層の前に付加的なエッチストップ層および付加的な犠牲層の作製によって、内側に位置するダイヤフラムを備えたキャップが提供される。このようなダイヤフラムは２つの変位方向で操作され得るので有利である。
【００１２】
本発明はさらに、基板と、空洞と、該空洞を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントであって、キャップが、空洞に到達するための進入開口を有しており、キャップが、前記進入開口を閉鎖するためのダイヤフラムを有している形式のマイクロマシニング型の構成エレメントを閉鎖するための方法に関する。該方法は、次のような主要ステップを有している。すなわち、まず、規定の組成および規定の圧力を有する空洞内の内部雰囲気を調節し、その後にダイヤフラムを当て付けることによって空洞に到達するための進入開口を機械的に閉鎖し、引き続き、材料塗布によって進入開口を閉鎖する。このような方法では、内部雰囲気の調節と、空洞の閉鎖とが互いに分離されており、ひいては互いに十分に独立している。
【００１３】
当該閉鎖方法の有利な実施態様では、空洞と当該構成エレメントの周辺環境との間に誘導された圧力差によって進入開口の一部にダイヤフラムが当て付けられる。これにより、進入路の機械的な閉鎖を特に簡単にかつ構成エレメントにおける直接の操作なしに行うことができるので有利である。
【００１４】
前記閉鎖方法のさらに別の有利な実施態様では、誘導された静電気的な力作用によって進入開口の一部にダイヤフラムが当て付けられる。これにより、進入路の機械的な閉鎖を少なくとも部分的に空洞内および当該構成エレメントの周辺環境内の圧力特性とは無関係に独立して行うことができるので有利である。
【００１５】
本発明は、キャップＥＰＩにおける穿孔部を、クラシカルな半導体技術（たとえばＣＶＤ、真空）の使用下に、規定された内圧における意図された内部雰囲気が調節されるように閉鎖することが望ましい。本発明は、所属の方法を有する層列として認められる。特に、説明したい思想は空洞内での導体路を有する相乗効果を生ぜしめ、この導体路は電気的な線路としても、進入開口を閉鎖するためのダイヤフラムとしても働くことができる。
【００１６】
特に有利な実施態様は穿孔された孔の下側におけるフレキシブルなダイヤフラムである。このダイヤフラムは空洞の通気を可能にし、この場合、ガス状の被覆体（たとえば付着防止被覆）および充填ガスが進入し得る。空洞外側範囲における著しい圧力低下により、ダイヤフラムは下方から孔を介して押圧され、シールが得られることにより、閉鎖が達成される。これに直接に続いて、同一の設備において孔を閉鎖するためのクラシカルな半導体被覆プロセス（たとえばＣＶＤまたはスパッタリング）が実施される。
【００１７】
これによって、適当なプロセス実施および孔ジオメトリにおいて、付加手間なしに半導体技術を用いた閉鎖が可能となる。この閉鎖は圧力ならびに組成に関する内部雰囲気の調節を可能にしかつ引き続き無制限の処理を可能にする（構成部分ストレスおよび付着防止被覆の耐性における境界条件は別として）。
【００１８】
本発明のさらに別の実施態様は請求項２以下に記載されている。
【００１９】
図面
図１は、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの前段階におけるキャップの層構造を示す断面図であり、
図２は、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントを、開放された状態で示す断面図であり、
図３は、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの別の前段階におけるキャップの層構造を示す断面図であり、
図４は、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明による別のマイクロマシニング型の構成エレメントを、開放された状態で示す断面図であり、
図５および図６は、閉鎖部のフレキシブルなダイヤフラムのジオメトリ的な１実施例を例示的に示す図であり、
図７は、閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための本発明による方法のステップを示すフローチャートであり、
図８、図９および図１０は、図２に示したマイクロマシニング型のキャップを閉鎖するために閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを使用するための本発明による種々のステップを示す断面図である。
【００２０】
図１１は、マイクロマシニング型のキャップを閉鎖するための方法ステップを示すフローチャートである。
【００２１】
実施例の説明
以下に、本発明の実施例を図面につき詳しく説明する。
【００２２】
図１には、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの前段階におけるキャップの層構造が示されている。マイクロマシニング型の構造体（詳しく図示しない）の上には、あとで犠牲層を成す層、この実施例ではポリシリコン犠牲層１１０が析出される。このポリシリコン犠牲層１１０の堆積および化学機械的なポリッシング（ＣＭＰ）の後に、下側の窒化物層２、ポリシリコン層４および上側の窒化物層３が順次に析出され、かつ構造化（パターン化）される。その上には、キャップエピタキシ層１５０が被着される。ポリシリコン層４はこの場合、部分範囲４ａと部分範囲４ｂとを有している。下側の窒化物層２は部分範囲４ｂからポリシリコン犠牲層１１０へ到達するための進入路を有している。上側の窒化物層３はキャップエピタキシ層１５０から部分範囲４ｂへ到達するための進入路を有している。部分範囲４ａはこの場合には、ジオメトリ的（幾何学的）に部分範囲４ｂとは分離されていて、電気的な導体路を成している。後続の犠牲層エッチングの際の保護部として部分範囲４ａは窒化物で被覆されている。
【００２３】
図２には、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントが、開放された状態で図示されている。この場合、シリコンのエッチングによってキャップエピタキシ層１５０にパーフォレーション部、つまり穿孔部１６０が形成される。引き続き、ポリシリコン層４の部分範囲４ｂが犠牲層として同じくエッチングによって除去される。ポリシリコン犠牲層１１０は同じくエッチングによって少なくとも部分的に除去される。したがって、犠牲層エッチング時の穿孔部１６０の開放後に、形成されたキャップの上側から空洞１０へ到達するための進入路１６０，１６１が形成される。この進入路は引き続き、マイクロマシニング型の構造体を付着防止被覆しかつ規定の組成および規定の圧力の内部雰囲気を提供するために利用され得る。下側の窒化物層２はダイヤフラム２を形成する。このダイヤフラム２は、上側の窒化物層３の方向における変位によって進入路１６０，１６１を閉鎖するために適している。ダイヤフラム２は、少なくとも部分的に上側の窒化物層３に固定されている取付け範囲２ａと、少なくとも１つの穿孔開口１６０に向かい合って配置されている閉鎖範囲２ｂとを有している。
【００２４】
図３には、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの別の前段階におけるキャップの層構造が示されている。本発明のこの構成では、ポリシリコン犠牲層１１０にまず内側の窒化物層３０が、そしてこの窒化物層３０に内側のポリシリコン層４０が、それぞれ被着されかつ構造化される。その上には、既に説明したように下側の窒化物層２および別の層が被着されかつ構造化される。
【００２５】
図４には、閉鎖部付きのキャップを備えた本発明による別のマイクロマシニング型の構成エレメントが、開放された状態で図示されている。図２に示したエッチングプロセスが、図３に示した補足された層構造に使用された後に、ダイヤフラム２の下で内側の窒化物層３０も露出される。この内側の窒化物層３０は進入路１６２を有しており、この進入路１６２は進入路１６０，１６１に接続されている。ダイヤフラム２を内側の窒化物層３０に当て付けることにより、進入路１６２を機械的に閉鎖することができる。既に図２につき説明したように、ダイヤフラム２は、上側の窒化物層３の方向におけるダイヤフラム２の閉鎖範囲２ｂの変位によって進入路１６０，１６１を閉鎖するためにも適している。
【００２６】
図５および図６には、閉鎖部のフレキシブルなダイヤフラムのジオメトリ的なバリエーションが例示的に図示されている。図面には、取付け範囲２ａと閉鎖範囲２ｂと結合部２ｃとを備えたダイヤフラム２が図示されている。黒色の円マーキングはダイヤフラム２に関する穿孔された孔（上では空洞に到達するための進入路とも呼ばれていた）１６０の位置を表している。符号１６１は層２を貫いた進入路を示している。閉鎖範囲２ｂはダイヤフラム２のシール面を形成しており、取付け範囲２ａはダイヤフラム２の枠縁部を形成している。取付け範囲２と閉鎖範囲２ｂとの間の結合部２ｃは形状、個数および寸法の点で種々様々に形成されていてよいが、しかしフレキシブルな特性を有していると有利である。図５および図６はこのために可能となる実施例を例示的に示している。しかし、本発明は図示の例に限定されるものではない。
【００２７】
図７には、閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための本発明による方法のステップが概略的に示されている。基板と、空洞１０と、この空洞１０を画定するキャップとを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための方法が記載されている。この場合、キャップは空洞１０に到達するための進入開口１６０，１６１，１６２を有している。さらに、キャップはこれらの進入路１６０，１６１，１６２を閉鎖するためのダイヤフラム２ｂを有している。作製方法は以下のステップにより特徴付けられている：
（ａ）最上位の層として第１の犠牲層１１０を備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを準備し、
（ｂ）ダイヤフラム層２を被着させかつ構造化し、
（ｃ）第２の犠牲層４を被着させかつ構造化し、
（ｄ）エッチストップ層３を被着させかつ構造化し、
（ｅ）キャップ層１５０を被着させ、
（ｆ）進入開口１６０，１６１を設け、第２の犠牲層４ｂの少なくとも一部を除去し、ダイヤフラム２ｂを露出させ、第１の犠牲層１１０の少なくとも一部をエッチングにより除去する。
【００２８】
前記方法の１実施例では、付加的にステップ（ａ）の後でかつステップ（ｂ）の前に、下側のエッチストップ層３０が被着されかつ構造化され、その後に下側の犠牲層４０が被着されかつ構造化される。さらに、ステップ（ｆ）において、進入開口１６０，１６１，１６２が設けられ、この場合、下側の犠牲層４０の少なくとも一部も除去される。
【００２９】
図８、図９および図１０には、図２に示したマイクロマシニング型のキャップを閉鎖するために閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを使用するための本発明によるステップが示されている。
【００３０】
１つまたは複数のオプショナルなプロセスステップ、たとえば空洞１０の内部の表面の付着防止被覆の後に、ステップ（Ａ）において空洞１０内の穿孔開口１６０を通じた内部雰囲気の調節が行われる。この調節は特に内部雰囲気の組成および圧力を包含することができる。
【００３１】
引き続き、第２のステップ（Ｂ）において、設備の迅速なポンプ排出、ひいてはマイクロマシニング型の構成エレメントおよびその空洞１０の外部環境における迅速な圧力低下が行われる。内部雰囲気と外部雰囲気との間に生じる圧力差はダイヤフラム２に作用する力を生ぜしめ、その結果、閉鎖範囲２ｂが空洞上面に圧着される。その結果、穿孔開口１６０は内部から機械的に閉鎖される。
【００３２】
第３のステップ（Ｃ）において、材料塗布による外部からの穿孔開口１６０の閉鎖が行われる。このことは、慣用の半導体技術、たとえばＣＶＤまたはスパッタリングによって行なわれ得る。
【００３３】
キャップ上面における載着されたフレキシブルなダイヤフラムの形の変化形または上で図３および図４につき説明したようなダイヤフラム２の下でのシール面および貫通開口１６２を備えた別の層３０により、本発明の別の構成において、やはり空洞１０内の低い内圧を封入するために同じメカニズムを使用することができる。このためには、相応して第１のステップ（Ａ）において内部雰囲気が調節され、第２のステップ（Ｂ）においてマイクロマシニング型の構成エレメントおよびその空洞１０の外部の周辺環境における迅速な圧力増大が、たとえばガスを用いた設備の通気によって生ぜしめられる。引き続き、第３のステップ（Ｃ）において、材料塗布による外部からの穿孔開口１６０の閉鎖が行われる。ダイヤフラムが外部に配置されている場合には、ダイヤフラム全体を空洞外面における材料塗布によって固定しかつシールすることもできる。
【００３４】
図１１には、マイクロマシニング型のキャップを閉鎖するための方法ステップが概略的に示されている。この方法は以下の主要方法ステップを有している：
（Ａ）空洞１０内の内部雰囲気を調節し、
（Ｂ）ダイヤフラム２ｂを進入路に当て付けることにより空洞１０を機械的に閉鎖し、
（Ｃ）材料塗布により外部から穿孔開口１６０を閉鎖する。
【００３５】
本発明の１実施例では、ステップ（Ｂ）においてダイヤフラム２ｂが、空洞１０と構成エレメントの周辺環境との間の誘導された圧力差により、進入開口１６０，１６１，１６２の一部に当て付けられる。
【００３６】
本発明の別の実施例では、ステップ（Ｂ）においてダイヤフラム２ｂが、誘導された静電気的な力作用により進入開口１６０，１６１，１６２の一部に当て付けられる。
【００３７】
上で説明したマイクロマシニング型の構成エレメントは、シリコンを主体とした構成エレメントであると有利である。マイクロマシニング型の構成エレメントは、たとえば作動素子（アクチュエータ）または測定素子（センサ）であってよい。マイクロマシニング型の構成エレメントが、ヨーレートセンサまたは加速度センサとして形成されていると特に有利である。
【００３８】
上で説明した作製方法のプロセスステップは図面を見易くするために単純化されていて、たとえば犠牲層エッチングのための保護構造体を含んでいない。ダイヤフラムはたとえば窒化物層として形成されている。別の可能な適当な材料は同じく酸化物および金属（たとえばタングステン）である。酸化物犠牲層を備えた本発明の構成では、プロセスを僅かに変えることによってフレキシブルなダイヤフラムをポリシリコンから作製することもできる。
【００３９】
上記実施例の他にも別の実施例が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの前段階におけるキャップの層構造を示す断面図である。
【図２】閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントを、開放された状態で示す断面図である。
【図３】閉鎖部付きのキャップを備えた本発明によるマイクロマシニング型の構成エレメントの別の前段階におけるキャップの層構造を示す断面図である。
【図４】閉鎖部付きのキャップを備えた本発明による別のマイクロマシニング型の構成エレメントを、開放された状態で示す断面図である。
【図５】閉鎖部のフレキシブルなダイヤフラムのジオメトリ的な１実施例を例示的に示す図である。
【図６】閉鎖部のフレキシブルなダイヤフラムのジオメトリ的な別の実施例を例示的に示す図である。
【図７】閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを作製するための本発明による方法のステップを示すフローチャートである。
【図８】図２に示したマイクロマシニング型のキャップを閉鎖するために閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを使用するための本発明による１ステップを示す断面図である。
【図９】図２に示したマイクロマシニング型のキャップを閉鎖するために閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを使用するための本発明による別のステップを示す断面図である。
【図１０】図２に示したマイクロマシニング型のキャップを閉鎖するために閉鎖部付きのキャップを備えたマイクロマシニング型の構成エレメントを使用するための本発明によるさらに別のステップを示す断面図である。
【図１１】マイクロマシニング型のキャップを閉鎖するための方法ステップを示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009521335.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2009521335.tif 000015
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