(57)【要約】  制御方法によれば、レーザビーム２４の伝送が、基準点２８とレーザビーム２４の源２２の間に配置されたレーザビーム２４をマスキングするための手段３０の助力によって、周期的に中断される。さらに、レーザビーム２４の源２２の伝達パワーが、最小値と最大値の間で変動させられ、したがってレーザビーム２４の源２２の最小パワーでの放射時間が、マスキング手段３０によるレーザビーム２４のマスキング時間と実質的に一致する。最小値が、レーザビーム２４の源２２の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しく、最大値が、多くともその９０％に等しいことが好ましい。
2009539616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビーム（２４）の伝達が、基準点（２８）とレーザビーム（２４）の源（２２）の間に配置されたレーザビーム（２４）をマスキングするための手段（３０）によって周期的に中断されるタイプの、レーザビーム（２４）によって基準点（２８）に伝達されるパワーを制御するための方法であって、
レーザビーム（２４）の源（２２）の放射間隔が、レーザビーム（２４）がマスキング手段（３０）によってマスキングされた間の間隔と実質的に一致するように、レーザビーム（２４）の源（２２）の放射パワーが、最小値と最大値の間で変動させられ、
その最小値は、レーザビーム（２４）の源（２２）の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しいことを特徴とする、方法。
【請求項２】
最大値が、レーザビーム（２４）の源（２２）の最大放射パワーの多くとも９０％に等しい、請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
レーザビーム（２４）の源（２２）が、たとえば赤外線タイプのレーザダイオードであり、
放射パワーが、レーザダイオードの最大放射パワーの１０％である最小値とその７０％である最大値の間で変動される、請求項２に記載の制御方法。
【請求項４】
基準点（２８）に伝達されるパワーの変動が、レーザビーム（２４）によって制御され、
レーザビーム（２４）をマスキングするための手段（３０）が、コンピュータ化された先導手段（３４）によって制御される、請求項１から３のいずれかに記載の制御方法。
【請求項５】
先導手段（３４）は、その温度が基準点（２８）の温度によって影響される１つまたは複数の領域（Ｚ１、Ｚ２）の温度を測定するための手段（４２）にスレーブする、請求項４に記載の制御方法。
【請求項６】
レーザビーム（２４）が、基準点（２８）上に合焦される、請求項１から５のいずれかに記載の制御方法。
【請求項７】
レーザビーム（２４）を放射するレーザ源（２２）と、マスキング間隔中レーザビーム（２４）を周期的に中断するように設計されたレーザビーム（２４）をマスキングするための手段（３０）と、を含むタイプの、レーザビーム（２４）によって基準点（２８）に伝達されるパワーを制御するための装置であって、
レーザビーム（２４）の源（２２）の最小パワーでの放射間隔が、レーザビーム（２４）がマスキング手段（３０）によってマスキングされた間隔と実質的に一致するように、最小値と最大値の間でレーザビーム（２４）の源（２２）の放射パワーを制御するための手段（３２）を含み、
その最小値は、レーザビーム（２４）の源（２２）の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しい、装置。
【請求項８】
レーザ源（２２）が、たとえば赤外線タイプのレーザダイオードを含む、請求項７に記載の制御装置。
【請求項９】
源によって伝達されるレーザビームのパワーを調整する制御手段（３２）およびレーザビーム（２４）をマスキングする手段（３０）を先導するためのコンピュータ化された手段（３４）を含む、請求項７または８に記載の制御装置。
【請求項１０】
先導手段（３４）は、その温度が基準点（２８）の温度によって影響される少なくとも１つの領域（Ｚ１、Ｚ２）の温度に、先導手段（３４）に接続されこの温度を測定するための手段（４２）を使用してスレーブする、請求項７から９のいずれかに記載の制御装置。
【請求項１１】
温度測定手段（４２）が、領域（Ｚ１、Ｚ２、Ｒ）の赤外線画像を形成するための手段（４６）を含む赤外線高温計（４４）を含む、請求項１０に記載の制御装置。
【請求項１２】
はんだ付けされる部材（１２）が、支持材（１４）の第１のサイド（Ｆ１）に取り付けられるように意図され、
実質的にはんだ付けされる部材（１２）の位置で支持材（１４）の第２のサイド（Ｆ２）上にビーム（２４）を放射するレーザビーム源（２２）を含むタイプの、第１（Ｆ１）および第２（Ｆ２）の背中合わせのサイドを含む支持材（１４）に部材（１２）をはんだ付けするための装置であって、
レーザビーム（２４）が第２のサイド（Ｆ２）上に合焦される点を形成する基準点（２８）にレーザビーム（２４）によって伝達されるパワーを制御する、請求項７から１１のいずれかに記載の制御装置を含むことを特徴とする、装置。
【請求項１３】
マスキング手段（３０）から基準点（２８）にレーザビーム（２４）をガイドする、光ファイバ（３８）と、光ファイバ（３８）の上流端部中にビーム（２４）を合焦するためのアップストリーム手段（４０）と、を含むガイド手段（３６）を含む、請求項１２に記載のはんだ付け装置。
【請求項１４】
光ファイバ（３８）の下流端部によって放射されるレーザビーム（２４）を基準点（２８）上に合焦するためのダウンストリーム手段（２６）を含む、請求項１３に記載のはんだ付け装置。
【請求項１５】
金属部（ＰＭ）が第１（Ｆ１）および第２（Ｆ２）の背中合わせのサイドを含み、はんだ付けされる部材（１２）が金属部（ＰＭ）の第１のサイド（Ｆ１）に取り付けられるように意図されており、合成材料（ＰＳ）から製作された部分によって少なくとも部分的に囲繞された金属部（ＰＭ）を含む支持材（１４）上に部材（１２）をはんだ付けするための方法であって、
部材（１２）は、請求項１２から１４のいずれかに記載のはんだ付け装置によって、支持材（１４）の金属部（ＰＭ）上にはんだ付けされ、
レーザビーム（２４）が、金属部（ＰＭ）の第２のサイド（Ｆ２）上に合焦されることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
部材（１２）が、半導体チップである、請求項１５に記載のはんだ付け方法。
【請求項１７】
支持材（１４）の金属部（ＰＭ）が、電気部材のコネクタ（１６）、特に自動車のオルタネータ端子と電気的に接触しているように意図され、
合成材料（ＰＳ）から製作された部分が、金属部（ＰＭ）を電気的に絶縁する、請求項１５または１６に記載のはんだ付け方法。
【請求項１８】
はんだ付け装置が、請求項１０または１１に記載の制御装置を含み、
先導手段（３４）は、その温度が基準点（２８）の温度によって影響される第１の領域（Ｚ１）の温度にスレーブし、
この第１の領域（Ｚ１）が、はんだ付けされる部材（１２）の表面の一部分上に位置する、請求項１５から１７のいずれかに記載のはんだ付け方法。
【請求項１９】
制御手段（３４）は、その温度が基準点（２８）の温度によって影響される第２の領域（Ｚ２）の温度にスレーブし、
この第２の領域（Ｚ２）が、支持材（１４）の表面の一部分上に、特に合成材料（ＰＳ）から製作された部分の近傍で金属部（ＰＭ）上に位置する、請求項１８に記載のはんだ付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーを制御するための方法および装置、および特に部材を支持材にはんだ付けするための方法および装置に関する。
【０００２】
本発明は、より詳しくは、金属部を含む支持材に半導体チップをはんだ付けすることに適用され、金属部を電気的に絶縁するように意図された合成材料から製作された部分によって少なくとも部分的に金属部を囲繞することが可能である。
【背景技術】
【０００３】
従来の方法では、はんだは、はんだペースト、またははんだ付けされる部材、たとえば半導体チップと支持材の間に挿入される、ディスクまたは矩形に切断された薄いストリップから構成される。
【０００４】
はんだは、融点が半導体チップ、およびその半導体チップがはんだ付けされる支持材の融点より低い、鉛錫合金などの材料から一般に製作される。
【０００５】
そこで、チップ、はんだおよび支持材からなるアセンブリが、はんだの融点まで加熱され、はんだが溶融し、そして凝固することによってチップを支持材に取り付けることができる。
【０００６】
はんだ付けされる部材が、支持材の第１のサイドに取り付けられるように意図され、実質的にはんだ付けされる部材の位置で支持材の第２のサイド上にビームを放射するレーザビーム源を含むタイプの、第１および第２の背中合わせのサイドを含む支持材に部材をはんだ付けするための装置が、最新技術ですでに知られている。
【０００７】
このタイプのはんだ付け装置は、たとえばＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７に記載されている。そして、この特許は、支持材の第２のサイド上にレーザビームを加えることを提案している。レーザビームによって発生する熱が支持材の厚みを横切って伝搬する。はんだがその融点に達したとき、はんだが溶融し、支持材の第１のサイド上に部材をはんだ付けすることができる。この文献に記載された支持材は、セラミック材料から製作される。
【０００８】
しかし、上記に述べたタイプの装置が、電気的絶縁材を形成する合成材料（プラスチック）によって囲繞された金属部を含むバイマテリアルの支持材に、半導体チップなどの部材をはんだ付けすることができることが望ましい。
【０００９】
合成材料から製作された部分は、融点がはんだの融点より一般に低い。熱が支持材の横方向にわたっても伝搬するので、その結果、合成材料から製作された部分は、支持材上にチップをはんだ付けするとき、レーザビームによって支持材に伝達されるパワーが効果的に制御されない限り、損傷する恐れがある。
【００１０】
レーザビームによって基準点に伝達されるパワーを制御するための方法は、最新技術において、特にＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７によれば、レーザビームの伝送が、基準点とレーザビーム源の間に配置されたレーザビームをマスキングするための手段によって周期的に中断されるタイプが、すでに知られている。
【００１１】
しかし、ＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７に記載の制御方法では、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーを十分正確に制御することが可能ではない。
【００１２】
ＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７では、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーは、レーザビーム源と基準点の間に位置し、そしてウィンドウを形成する角度セクタが切り抜かれたディスクであって、ディスクが回転されたとき、レーザビームを周期的に通過させるディスクを含むマスキング手段によって制御される。
【００１３】
ＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７では、レーザビームによって伝達されるパワーが中断されるときの間隔が、ディスクの回転の角速度および／またはディスクのウィンドウの角度を調節することによって調節される。
【００１４】
しかし、ＧＢ−Ａ−１  ２５０  ８４７で提案されたマスキング手段は、レーザビームを部分的にだけマスキングする間の過渡時期にわたって徐々にレーザビームを覆い、そして覆わなくなるという欠陥がある。
【００１５】
この過渡期は、比較的長くなることがあり、マスキング手段を構成する構成要素の機械的摩耗の影響を受けるので、変わり易い。
【００１６】
その結果、これらの過渡期の間、伝達されるパワーが最大値からゼロまで徐々に変動し、このパワーの変化が比較的大きいことがあるので、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーを制御することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】英国特許出願公開第１２５０８４７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、たとえばバイマテリアルの金属−プラスチック支持材上に位置した基準点にレーザビームによって伝達されるパワーの制御を最適化し、特に、バイマテリアル支持材を介した熱の横方向の伝搬を制限し、したがって合成材料から製作された支持材の部分を高温から保護することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
この目的のために、本発明は、上記に述べたタイプの制御方法であって、レーザビーム源の最小パワーでの放射間隔が、レーザビームがマスキング手段によってマスキングされた間の間隔と実質的に一致するように、レーザビーム源の放射パワーが最小値と最大値の間で変動させられ、最小値は、レーザビーム源の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しい、制御方法に関する。
【００２０】
マスキング間隔がレーザビーム源の最小パワーでの放射間隔と実質的に一致しているので、レーザビームが部分的にマスキングされた間の過渡期が、レーザビームが最小パワーである間の間隔に対応する。
【００２１】
したがって、過渡期の間のパワー変化が小さくなり、基準点に伝達されるパワーが正確に制御され、支持材を介した熱の横方向の伝搬が制限される。
【００２２】
最大値が、レーザビーム源の最大放射パワーの多くとも９０％に等しいことが好ましい。この場合、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーも、レーザビーム源の最大伝達パワーの少なくとも１０％に等しい最小値と、多くともその９０％に等しい最大値の間で変動する。
【００２３】
したがって、放射パワーが、レーザ源の最大放射パワーの１０％および９０％にそれぞれ対応する最小値と最大値の間で変動することを考慮すると、ビームが部分的にマスキングされたときの間隔中、基準点に伝達されるパワーは、レーザビームによって基準点に伝達される最大パワーの１０％を超えることがない。
【００２４】
特に、レーザ源は、たとえば赤外線タイプのレーザダイオードとすることができる。この場合、レーザダイオードの寿命を保つために、ダイオードの放射パワーは、レーザダイオードの最大放射パワーの１０％である最小値とその７０％である最大値の間で、変動させる。
【００２５】
本発明による伝達されるパワーを制御する方法は、次の任意選択の特徴をさらに含むことができる：
レーザビームによって基準点に伝達されるパワーの変動および光ビームをマスキングするための手段が、コンピュータ化された先導手段によって制御される、
先導手段は、基準点と熱的に接触した部材の温度を測定するための手段を使用して、スレーブする、
レーザビームは、基準点上に合焦される。
【００２６】
本発明は、レーザビームを放射するレーザ源と、マスキング間隔中レーザビームを周期的に中断するように設計されたレーザビームをマスキングするための手段と、を含むタイプの、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーを制御するための装置であって、レーザビーム源の最小パワーでの放射間隔が、レーザビームがマスキング手段によってマスキングされた間隔と実質的に一致するように、最小値と最大値の間でレーザビーム源の放射パワーを制御するための手段を含み、その最小値は、レーザビーム源の最大放射パワーの少なくとも１０％に等しいことを特徴とする、制御装置にも関する。
【００２７】
本発明による伝達されるパワーを制御するための装置は、次の任意選択の特徴をさらに含むことができる：
レーザ源は、たとえば赤外線タイプのレーザダイオードを含む、
本装置は、レーザビームによって基準点に伝達されるパワーのための制御手段を先導し、かつレーザビームをマスキングするための手段を調整するためのコンピュータ化された手段を含む、
先導手段は、その温度が基準点の温度によって影響される少なくとも１つの領域の温度に、先導手段に接続されこの温度を測定するための手段を使用して、スレーブする、
温度測定手段は、該領域の赤外線画像を形成するための手段を含む赤外線高温計を含む。
【００２８】
本発明は、はんだ付けされる部材が、支持材の第１のサイドに取り付けられるように意図され、実質的にはんだ付けされる部材の位置で支持材の第２のサイド上にビームを放射するレーザビーム源を含むタイプの、第１および第２の背中合わせのサイドを含む支持材に部材をはんだ付けするための装置であって、レーザビームが第２のサイド上に合焦される点を形成する基準点に、レーザビームによって伝達されるパワーを先導するための上記に述べたような先導装置を含むことを特徴とする、はんだ付け装置にさらに関する。
【００２９】
本発明によるはんだ付け装置は、次の任意選択の特徴をさらに含むことができる：
本装置は、マスキング手段から基準点にレーザビームをガイドする、光ファイバ、および光ファイバの上流端部中にビームを合焦するためのアップストリーム手段を含むガイド手段を含む、
本装置は、光ファイバの下流端部から放射されるレーザビームを基準点上に合焦するためのダウンストリーム手段を含む。
【００３０】
本発明は、金属部が第１および第２の背中合わせのサイドを含み、はんだ付けされる部材が金属部の第１の面に取り付けられるように意図されており、合成材料から製作された部分によって少なくとも部分的に囲繞された金属部を含む支持材上に部材をはんだ付けするための方法であって、該部材は、上記に述べたはんだ付け装置によって支持材の金属部上にはんだ付けされ、レーザビームが、金属部の第２のサイド上に合焦されることを特徴とする、はんだ付け方法にも関する。
【００３１】
本発明によるはんだ付け方法は、次の任意選択の特徴をさらに含むことができる：
該部材は、半導体チップである、
支持材の金属部は、電気部材のコネクタ、特に自動車のオルタネータ端子と電気的に接触しているように意図され、合成材料から製作された部分は、金属部を電気的に絶縁する、
はんだ付け装置は、前に述べた制御システムを含み、先導手段は、その温度が基準点の温度によって影響される第１の領域の温度にスレーブし、この第１の領域は、はんだ付けされる部材の表面の一部分上に配置される、
先導手段は、その温度が基準点の温度によって影響される第２の領域の温度にスレーブし、この第２の領域は、支持材の表面の一部分上に、特に合成材料から製作された部分の近傍で金属部上に配置される。
【００３２】
例として提示した以下の説明を、添付図面を参照して読むと、本発明をもっと容易に理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による、支持材上に部材をはんだ付けするための装置の概略図である。
【図２】レーザビームのマスキング手段の状態の変化を時間の関数として示すグラフである。
【図３】レーザビーム源によって放射されるパワーの変化を時間の関数として示すグラフである。
【図４】レーザビームによって基準点に伝達されるパワーの変化を時間の関数として示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１に、全体参照１０で表示される本発明によるはんだ付け装置を示す。
【００３５】
装置１０は、自動車のオルタネータ（示さず）の電気コネクタ１６に接続されるように意図された支持材１４に部材１２をはんだ付けするために使用される。
【００３６】
この説明する実施例では、部材１２は、従来の半導体チップである。
【００３７】
さらに、この説明する実施例では、支持材１４は、合成材料（プラスチック）から製作された部分ＰＳによって少なくとも部分的に囲繞された特に銅の金属部ＰＭを含む。
【００３８】
金属部ＰＭは、第１Ｆ１および第２Ｆ２の背中合わせのサイドを含み、部材１２は、第１のサイドＦ１に取り付けられるように意図される。サイドＦ１は、ニッケル薄層によってメッキすることが好ましい。
【００３９】
金属部ＰＭは、良好な熱的、電気的な伝導性を確保する。それは、コネクタ１６に電気的に接続される。合成部分ＰＳは、金属部ＰＭを電気的に絶縁する。
【００４０】
はんだ１８を形成する材料は、半導体チップ１２と支持材１４の間に挿入される。従来の方法では、はんだ１８は、はんだペースト、またはディスクまたは矩形に切断された薄いストリップから構成される。
【００４１】
はんだ１８を溶融するために使用される熱が、ビーム２４を放射するレーザ源２２からのエネルギーからもたらされる。
【００４２】
レーザ源２２は、たとえば、赤外線タイプのレーザビームを放射するレーザダイオードを含むことができる。
【００４３】
レーザビーム２４は、ダウンストリーム合焦手段２６によって、部材１２の位置において、支持材１４の金属部ＰＭの第２のサイドＦ２上に位置した基準点２８上に合焦される。
【００４４】
レーザビーム２４によって伝達されるパワーを制御するために、装置１０は、まず、レーザビーム２４の伝達を周期的に中断するように意図されたレーザビーム２４をマスキングするための手段３０と、次に、レーザ源２２の放射パワーを制御するための手段３２と、を含む。
【００４５】
マスキング手段３０は、たとえば従来タイプのダイヤフラムを含む。
【００４６】
マスキング手段３０は、レーザビーム２４がマスキングされていないとき、「開」と言い、したがってすべてのビームパワーが伝達され、そうでないときは「閉」と言う。
【００４７】
制御手段３２およびマスキング手段３０は、コンピュータ化された手段３４によって、たとえばコンピュータによって制御される。
【００４８】
支持材１４の近傍でさらにスペースを持たせるために、レーザ源２２は、この支持材１４からある距離離れた状態にしておく。手段３６が、源２２から基準点２８にレーザビーム２４をガイドする。
【００４９】
例示された実施例では、手段３６は、光ファイバ３８、および光ファイバ３８中にレーザビーム２４を合焦するためのアップストリーム手段４０を含む。
【００５０】
必要な場合、光ファイバ３８は、支持材１４と、源２２やダイヤフラム３０などの大きい装置要素の間で比較的長い距離を可能にするために、長さが５０メートルまでとすることができる。
【００５１】
レーザビーム２４によって伝達されるパワーの制御を最適化するために、先導手段３４は、先導手段３４に接続された温度計測手段４２によって、その温度が基準点２８の温度によって影響される少なくとも１つの領域の温度にスレーブする。
【００５２】
例示された実施例では、先導手段３４は、その温度が基準点２８の温度によって影響される第１の領域Ｚ１および第２の領域Ｚ２の温度にスレーブする。
【００５３】
第１の領域Ｚ１は、部材１２の表面の一部分上に、たとえばこの部材１２のはんだ１８と接触した領域と反対側の領域上に位置する。部材１２は、はんだ１８および支持材の金属部ＰＭを介して基準点２８と熱的に接触している。
【００５４】
第２の領域Ｚ２は、支持材１４の表面の一部分上に、特に、合成材料ＰＳから製作された部分の近傍で金属部ＰＭのサイドＦ１上に位置する。
【００５５】
温度計測手段４２は、従来のカメラおよび領域Ｚ１およびＺ２を取り囲む領域Ｒの赤外線画像を形成するための手段４６を含む赤外線高温計４４を含むことができる。
【００５６】
手段４６が、たとえば、領域Ｒの寸法に適合され、該当領域または構成要素、たとえば半導体チップ１２の良好な分解能を得るために十分な拡大率を有する広角対物レンズを含むことができる。
【００５７】
本発明のはんだ付け方法によれば、レーザビーム２４は、基準点２８上に合焦され、レーザビーム２４によって基準点２８に伝達されるパワーは、まず、マスキング手段３０を用いてレーザビーム２４の伝達を周期的に中断することによって、次に、レーザビーム２４の源２２の最小パワーでの放射間隔が、レーザビーム２４がマスキング手段３０によってマスキングされた間隔と実質的に一致するように、最小値と最大値の間でレーザビーム２４の源２２の放射パワーを変動させることによって制御される。
【００５８】
用語「周期的」は、「おおよそ規則的なやり方で」と言うような意味として本発明の文脈で理解しなければならない。
【００５９】
図２に示すレーザビーム２４のマスキング手段３０の状態の変化を時間の関数として示すグラフを検討すると、マスキング手段３０が開状態「Ｏ」にある間隔Ｐ１、およびマスキング手段３０が閉状態「Ｆ」にある間隔Ｐ２が見られる。
【００６０】
間隔Ｐ２は、手段３０がレーザビーム２４を部分的にマスキングする間の過渡的なサブ間隔Ｔを含むことに留意されたい。
【００６１】
Ｐ１が５００から１０００ｍｓの間にあり、Ｐ２が２００から５００ｍｓの間にあることが好ましい。一般に、この場合、Ｔは、５０から１００ｍｓの間にある。
【００６２】
図３に示すレーザ源２２によって放射されるパワーの変化のグラフを検討すると、レーザビーム２４の源２２の最小パワーでの放射間隔が、レーザビーム２４のマスキング間隔Ｐ２と実質的に一致することが分かる。レーザビーム２４の源２２の放射パワーは、レーザビーム２４の源２２の最大放射パワーＰｅの１０％である最小値とその９０％である最大値の間で変動させることが好ましいことも分かる。
【００６３】
この変形として、他の最小値および最大値が可能である。最小値が、レーザビーム２４の源２２の最大放射パワーＰｅの少なくとも１０％に等しく、最大値が多くてもその９０％に等しいことを保証するように、配慮されることが好ましい。
【００６４】
さらに、図４に示すレーザビーム２４によって基準点２８に伝達されるパワーのグラフを検討すると、レーザビーム２４によって基準点２８に伝達されるパワーが、
間隔Ｐ１中、レーザビーム２４の最大伝達パワーＰｔの９０％に等しい、
サブ間隔Ｔ中を除き、間隔Ｐ２中ゼロである（サブ間隔Ｔ中、実際には、伝達されるパワーが、最大伝達パワーＰｔの１０％である値とゼロの間で変動する）ことが分かる。
【００６５】
この変形として、源２２が、たとえば赤外線タイプのレーザダイオードの場合、レーザビーム２４を放射するレーザダイオードの放射パワーは、レーザダイオードの寿命を保つために、レーザダイオードの最大放射パワーＰｅの１０％である最小値とその７０％である最大値の間で変動させることができる。それゆえ、間隔Ｐ１中、レーザビーム２４によって基準点２８に伝達されるパワーは、レーザビーム２４の最大伝達パワーＰｔの７０％に等しい。
【００６６】
その結果、レーザビーム２４の源２２の最小パワーでの放射間隔が、レーザビーム２４がマスキング手段３０によってマスキングされた間隔と実質的に一致するような方法で、レーザビーム２４の源２２の放射パワーが最小値と最大値の間で変動するので、伝達されるパワーの制御は、その持続間隔がマスキング手段３０の摩耗に特に依存することがある特に過渡的なサブ間隔Ｔ中で、最適化される。
【００６７】
図４に示す伝達されるパワーのパルスによって、基準点２８に伝達されるレーザビーム２４のパワーを効果的に制御することができる。必要な場合、他の部材をはんだ付けするために、完全に安全な状態でレーザビーム２４を合焦させる位置を変化させるために、マスキング手段３０は、閉の状態にしておき、源２２によって放射されるパワーは、Ｐｅの１０％の値に維持することができる。
【００６８】
装置１０によって実施される本発明によるはんだ付け方法は、以下により詳しく説明される。
【００６９】
最初に、マスキング手段３０が、開であると考える。この状態は、図２、３および４のグラフ中の間隔Ｐ１に対応する。この場合、レーザビーム２４の源２２によって放射されるパワーは、レーザビーム２４の源２２の最大放射パワーＰｅの９０％の最大値に対応する。
【００７０】
したがって、レーザビーム２４によって基準点２８に伝達されるパワーは、最大伝達パワーＰｔの９０％に等しい。
【００７１】
レーザ源２２のエネルギーによって基準点２８に加えられる熱は、特に、
熱が、はんだ１８、半導体チップ１２およびこのチップ１２上に位置する領域Ｚ１に到達するまで、金属部ＰＭのサイドＦ２からサイドＦ１に、
合成材料ＰＳから製作された部分の近傍のサイドＦ１の領域Ｚ２に達するように、サイドＦ１およびＦ２に実質的に平行に、支持材１４を介して伝搬する。
【００７２】
したがって、領域Ｚ１、Ｚ２の温度が上昇する。
【００７３】
先導手段３４は、手段４２によって計測された領域Ｚ１、Ｚ２の温度にスレーブして、これらの温度の関数としてＰ１とＰ２の間の割合を変化させる。たとえば、領域Ｚ１の温度がはんだ１８の融点に達したとき、または領域Ｚ２の温度が、合成材料ＰＳから製作された部分を損傷する恐れがある臨界温度に達したとき、手段３４は、Ｐ１を減少し、Ｐ２を増加するように手段３０および手段３２を制御し、それによって基準点２８が受け取るパワーを減少する。
【００７４】
明らかに、これの変形として、先導手段３４は、単一の該当する領域の温度に、または３つ以上の該当する領域の温度にスレーブすることができる。
【００７５】
過渡的なサブ間隔Ｔ中、源２２によって放射されるパワーがこの過渡的なサブ間隔Ｔ中に最小であるので、基準点２８に伝達されるパワーは、常に、レーザビーム２４の基準点２８への最大伝達パワーＰｔの１０％以下であることに留意されたい。
【００７６】
したがって、本発明によるはんだ付け方法は、レーザビーム２４によって伝達されるパワーの最適制御をもたらす。
【図１】
2009539616.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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