(57)【要約】  本発明は、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は、機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体（１４）を有する端子支持体結合体（５０）を提供するステップと、表面発光型の半導体ボディ（１）を前記端子支持体結合体（５０）の各端子支持体（１４）上に配置するステップと、半導体装置を個別化するステップとを有する。
2009522757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法において、
機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体（１４）を有する端子支持体結合体（５０）を提供するステップと、
表面発光型の半導体ボディ（１）を前記端子支持体結合体（５０）の各端子支持体（１４）上に配置するステップと、
半導体装置を少なくとも部分的に完成させるステップとを有することを特徴とする、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ポンプ放射源（２）を前記端子支持体結合体（５０）の端子支持体（１４）上に配置するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
ポンプ放射（２）を前記半導体ボディ（１）の放射通過面（１ａ）へと偏向させることに適している少なくとも１つの光学素子（７）を前記端子支持体結合体（５０）の端子支持体（１４）上に配置するステップを有する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記端子支持体（１４）は前記端子支持体結合体（５０）においてマトリクス状に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
同種の構成素子の結合体を前記端子支持体結合体（５０）上に載置する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記端子支持体結合体（５０）は２つの主位置合わせマーク（５１）を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記端子支持体結合体（５０）の前記端子支持体（１４）は少なくとも１つの副位置合わせマーク（１５）を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
共振器載着体（４０）を端子支持体（１４）上に配置するステップを有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載の方法により製造された光学的にポンピングされる半導体装置用の共振器載着体の製造方法において、
機械的に固く相互に接続されている複数の個別支持体領域（３４）を有する支持体結合体（８０）を提供するステップと、
共振器ミラー（３１）を個別支持体領域上に配置するステップと、
個々の共振器載着体（４０）を完成させるステップとを有することを特徴とする、共振器載着体の製造方法。
【請求項１０】
放射偏向素子（３３）を前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域（３４）上に配置するステップを有する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記個別支持体領域（３４）は前記支持体結合体（８０）においてマトリクス状に配置されている、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
同種の構成素子の結合体を前記支持体結合体（８０）上に載置する、請求項９から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域（３４）上に少なくとも１つの構成素子をボンディングにより固定する、請求項９または１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
電気的に接触可能な構造化された金属層（６０）を前記支持体結合体（８０）の個別支持体領域上に被着させる、請求項９または１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
各共振器載着体（４０）を所属の端子支持体（１４）と導電的に接続させる、請求項９から１４までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的にポンピングされる半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
本発明の課題は、半導体装置を殊に低コストで製造することができる方法を提供することである。
【０００３】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、方法は端子支持体結合体が提供されるステップを有する。端子支持体結合体とは有利には、複数の端子支持体を有するパネル（Nutzen）である。このことは端子支持体結合体が機械的に固く相互に結合されている複数の端子支持体を有することを意味する。端子支持体結合体の各端子支持体はこの端子支持体結合体の個別化後に個別の端子支持体を形成する。有利には端子支持体結合体は同種の端子支持体を有する。結合体を個別化する前に、端子支持体結合体の端子支持体を導電的に相互に接続することができる。
【０００４】
端子支持体結合体の端子支持体は例えば基体を有し、この基体は電気的に絶縁されている熱伝性が良好な材料から構成されている。端子支持体の表面には導電性の材料からなる導体路が被着されている。導体路を介して例えば、端子支持体上に被着されている半導体構成素子を電気的に接触させることができる。有利には端子支持体結合体の全ての端子支持体は共通の基体を有し、この基体を介して結合体の端子支持体は機械的に相互に接続されている。
【０００５】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、表面発光型の半導体ボディが端子支持体結合体の端子支持体上に配置される。有利には、端子支持体結合体の各端子支持体上に表面発光型の半導体ボディが配置される。殊に有利には、支持体結合体の各端子支持体上に表面発光型の半導体ボディがちょうど１つ配置される。有利には、表面発光型の半導体ボディは同一または類似する物理的特性を有する同種の半導体ボディである。例えば、これらの半導体ボディを一緒に製造することができる。
【０００６】
半導体ボディは有利には放射通過面を有し、この放射通過面を介して電磁放射を半導体ボディに入力結合させることができ、また電磁放射を半導体ボディから出力結合することができる。殊に放射通過面を介して半導体ボディを光学的にポンピングすることができる。このことは、放射通過面を介して半導体ボディに入力結合されるポンプ放射によって半導体ボディ内では電磁放射が生成され、この電磁放射が放射通過面を介して再び半導体ボディから放出されることを意味している。半導体ボディは、外部に配置されている、すなわち半導体ボディから距離を置いて配置されている共振器ミラーを使用してレーザ放射を生成することに適している。有利には、放射通過面が端子支持体から距離を置いているように半導体ボディは端子支持体上に配置される。殊に有利には、放射通過面が端子支持体に平行に延在する。
【０００７】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体が別のステップにおいて個々の端子支持体に個別化される。個々の端子支持体はそれぞれ１つの光学的にポンピング可能な半導体装置の端子支持体を表す。
【０００８】
光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の少なくとも１つの実施形態によれば、方法が以下のステップを有する：先ず、機械的に固く相互に接続されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体が提供される。続けて、表面発光型の半導体ボディが端子支持体結合体の各端子支持体上に配置される。最後のステップにおいては、例えば端子支持体結合体が個別化され個々の半導体装置が製造される。
【０００９】
少なくとも１つの実施形態によれば、方法は端子支持体結合体の端子支持体上にポンプ放射源が被着される別のステップを有する。ポンプ放射源は例えば端面放射型の半導体レーザまたは端面放射型の半導体レーザバーを有することができる。さらにポンプ放射源は熱伝素子を有することができ、この熱伝素子上に半導体レーザが被着されている。有利には、結合体の各端子支持体上にちょうど１つのポンプ放射源が配置され、このポンプ放射源は同一の端子支持体上に配置されている表面発光型の半導体ボディを光学的にポンピングすることに適している。
【００１０】
少なくとも１つの実施形態によれば、本方法の１つのステップにおいて、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している光学素子が端子支持体結合体の端子支持体上に配置される。有利には、端子支持体結合体の各端子支持体上に少なくとも１つのその種の光学素子が配置される。有利には、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適しているように光学素子が端子支持体上に配置される。このことは、ポンプ放射が完成した半導体装置の動作時にポンプ放射源から直接的に半導体ボディの放射通過面へと配向されるのではなく、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させる少なくとも１つの光学素子をポンプ放射が通過するか、その種の光学素子に入射することを意味している。
【００１１】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射を光学的な屈折によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち、光学素子の放射通過面を通過する際に、ポンプ放射は光学素子と周囲の物質、例えば空気との屈折率の差に基づき、光学素子の通過後に半導体ボディの放射通過面へと配向されているように偏向される。
【００１２】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射を反射によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち光学素子は反射性の光学素子である。有利には、光学素子はポンプ放射を１回の反射によって半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している。すなわち、光学素子は有利には光導体であり、この光導体においてポンプ放射は複数回の反射により偏向される。例えば光学素子は高反射性ミラーである。
【００１３】
本方法により製造された半導体装置の動作時に、ポンプ放射は例えば少なくともある区間において半導体ボディの放射通過面に対して差し当たり平行にまたは実質的に平行に延びる。ポンプ放射は例えば半導体ボディの放射通過面を超えて延びていてもよい。すなわちポンプ放射は半導体ボディに入射せずに、差し当たり半導体ボディを超えて延びる。反射性の光学素子はポンプ放射の方向において半導体ボディに後置されている。ポンプ放射は半導体ボディ、したがって半導体ボディの放射通過面を横切った後に、反射性の光学素子に入射する。反射性の光学素子による反射によってポンプ放射は半導体ボディの放射通過面へと偏向される。
【００１４】
偏向されたポンプ放射を少なくとも短い区間にわたり、このポンプ放射が反射性の光学素子に入射する前に有しているポンプ放射の方向とは逆方向に延ばすことができる。
【００１５】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、光学素子はポンプ放射が半導体ボディの実装面の方向へと偏向されることに適しているよう配置される。すなわち、ポンプ放射は光学素子に入射する前に差し当たり所定の区間にわたり実装平面に平行に延びるか、実装平面から距離を置いて延びる。いずれの場合にも、ポンプ放射はこの区間にわたり実装面の上方の所定の高さに延び、有利には半導体ボディの放射通過面の上方にも延びる。光学素子はポンプ放射を下方に向かって、つまり実装面の方向、したがって半導体ボディの放射通過面の方向へと偏向させることに適している。
【００１６】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、半導体ボディがこの半導体ボディの実装面においてポンプ放射源と光学素子との間に配置される。すなわちポンプ放射は半導体ボディの放射通過面へと偏向される前に半導体ボディを超えて延びる。例えば、ポンプ放射源、半導体ボディおよび光学素子をこの順序で一直線に配置することができる。
【００１７】
光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体が端子支持体結合体においてマトリクス状に配置されている。すなわち、端子支持体結合体は複数の行および列を有し、端子支持体結合体の各端子支持体はマトリクス素子を形成する。すなわち、結合体の各端子支持体には一義的に所定数の行と列が対応付けられている。端子支持体結合体のマトリクス状の構造によって殊に簡単なやり方で、結合体における複数の構成素子を同時に端子支持体結合体上、したがって結合体の個々の端子支持体上にそれぞれ配置することができる。
【００１８】
つまり本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、結合体における同種の構成素子が端子支持体結合体上に被着される。例えば同種の構成素子は光学素子でよい。光学素子を例えばストライプ状の結合体として構成することができる。例えば各結合体は、端子支持体結合体の列の数に対応させることができる複数の光学素子を有する。有利には、端子支持体結合体の少なくとも２つの行に同種の構成素子のその種の結合体が配置される。殊に有利には、端子支持体結合体の各行に同種の構成素子のその種の結合体が配置される。すなわち、結合体の各端子支持体上には同数の構成素子、例えばちょうど１つのその種の構成素子が存在する。端子結合体の個々の行への実装を連続的または同時に行うことができる。
【００１９】
少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体は少なくとも２つの主位置合わせマークを有する。端子支持体結合体上の主位置合わせマークは、例えば画像処理システムを用いた実装マシンにおいて端子支持体結合体の方向決定のために使用される。端子支持体結合体の個々の端子支持体における個々の構成素子の少なくともおおよその搭載位置を２つの主位置合わせマークの位置に依存して計算することができる。「少なくともおおよその」とは主位置合わせマークに基づき、結合体における個々の端子支持体の位置を少なくとも求めることができるということを意味している。端子支持体上自体には画像処理システムのための別のオリエンテーションガイド、例えば副位置合わせマークを配置することができる。
【００２０】
主位置合わせマークを例えば、端子支持体結合体の２つの対角において、上述の構成素子が搭載されている端子支持体結合体の上面に設けることができる。主位置合わせマークは端子支持体結合体の構造化部または位置合わせチップでよく、これらは端子支持体結合体の実装前に端子支持体結合体上に固定される。
【００２１】
少なくとも１つの実施形態によれば、端子支持体結合体の少なくとも１つの端子支持体が少なくとも１つの副位置合わせマークを有する。有利には、結合体の各端子支持体が少なくとも１つの副位置合わせマークを有する。殊に有利には、各端子支持体が複数の副位置合わせマークを有する。副位置合わせマークは例えば、端子支持体における個々の構成素子の搭載位置をマークしている搭載構造体によって形成されている。搭載構造体は例えばフォト技術により構造化された薄膜層でよい。
【００２２】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、１つのステップにおいて共振器載着体が結合体の端子支持体上に配置される。有利には、結合体の各端子支持体上にちょうど１つの共振器載着体が配置される。共振器載着体は、半導体ボディの主放射方向において半導体ボディの放射通過面に後置されているように配置される。
【００２３】
共振器載着体は例えば第２の支持体、個別支持体を有し、この支持体上には共振器ミラーが固定されている。共振器載着体は有利には半導体ボディの実装面上方においてこの半導体ボディの実装面に平行にまたは実質的に平行に配置されている。
【００２４】
例えば、各端子支持体上にはスペーサ素子が配置されており、このスペーサ素子上には共振器載着体が固定される。スペーサ素子は例えば端子支持体上に固定される。スペーサ素子上には共振器載着体が固定されている。
【００２５】
少なくとも１つの実施形態によれば、スペーサ素子は光学素子を有するか、光学素子は光学素子から形成されている。例えばスペーサ素子は、ポンプ放射を半導体ボディの放射通過面へと偏向させることに適している光学素子を有することができるか、スペーサ素子をその種の光学素子から構成することができる。
【００２６】
しかしながらさらには、半導体装置のスペーサ素子が別の光学的な機能を利用することも考えられる。例えば、スペーサ素子の内の１つがポンプ放射の方向を変更することに適していてもよく、その結果ポンプ放射がスペーサ素子の通過後には半導体ボディの実装面から距離を置いている。
【００２７】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、共振器載着体が端子支持体上に配置するために以下のステップにより製造される：先ず支持体結合体が提供される。有利には支持体結合体が有利には複数の個別支持体領域を有し、これらの個別支持体領域は機械的に固く相互に接続されている。
【００２８】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、各個別支持体領域上に共振器ミラーが配置される。有利には、各個別支持体領域上には共振器ミラーがちょうど１つ配置される。後続のステップにおいては、共振器載着体が例えば支持体結合体の個別支持体への個別化により完成される。
【００２９】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、放射偏向素子が支持体結合体の個別支持体領域上に配置される。有利には、放射偏向素子は偏向ミラーであり、この偏向ミラーは共振器において回転された基本波長の電磁放射に対して高反射性である。有利には、各個別支持体領域上には偏向素子がちょうど１つ配置される。偏向素子は例えば偏向ミラーでよい。動作時に半導体ボディから放出される電磁放射は先ず偏向素子に入射し、この偏向素子から共振器ミラーに入射する。共振器ミラーからレーザ放射は再び偏向素子へと反射され、偏向素子はこの放射を放射通過面を介して半導体ボディへと偏向させる。半導体ボディは例えば反射性の層列、例えばブラッグミラーを有し、この層列はこのようにして形成されたレーザ共振器の別の共振器ミラーを形成する。
【００３０】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、個別支持体は支持体結合体においてマトリクス状に配置されている。すなわち、支持体結合体は複数の行および列を有し、支持体結合体の個別支持体領域はそれぞれマトリクス素子を形成する。すなわち、支持体結合体の各個別支持体には一義的に所定数の行および列が対応付けられている。端子支持体結合体のマトリクス状の構成によって例えば殊に簡単なやり方で、結合体内の複数の構成素子を同時に支持体結合体上、したがって各個別支持体領域上に配置することができる。つまり本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、結合体における同種の構成素子が支持体結合体上に被着される。例えば同種の構成素子は光学素子、例えば共振器ミラーでよい。光学素子を例えばストライプ状の結合体として構成することができる。その種のストライプ状の結合体は有利には、支持体結合体の列の数に対応する複数の光学素子を有する。有利には、支持体結合体の各行に、同種の構成素子からなるその種のストライプ状の結合体が配置されるので、結合体の各個別支持体領域上には同数のそれらの構成素子、例えばそれぞれちょうど１つのその種の構成素子が配置される。支持体結合体の個々の行への実装を連続的または同時に行うことができる。
【００３１】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、支持体結合体の個別支持体領域上には少なくとも１つの構成素子がボンディングを用いて固定される。有利には、各個別支持体領域上に少なくとも１つの構成素子がボンディングを用いて固定される。例えば構成素子を「ダイレクトボンディング（Direct Bonding）」または陽極接合により固定することができる。構成素子は有利には以下の構成素子の内の少なくとも１つである：偏向素子、共振器ミラー、周波数変換素子。殊にボンディングを用いることにより、支持体結合体上に配置されている構成素子を同時に固定することも可能である。
【００３２】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、構成素子を支持体結合体上に配置する前に構造化された金属コーティング部が個別支持体領域上に被着される。有利には、各個別支持体領域上には構造化された金属コーティング部が被着される。金属コーティング部は有利には、金属コーティング部を接触させるための電気的なコンタクト個所を有する。有利には各個別支持体領域が金属コーティング部を有し、この金属コーティング部を用いて本方法により製造された半導体装置における共振器載着体の温度を高める、および／または、求めることができる。有利には共振器載着体の温度を金属コーティング部により高め、また求めることができる。金属コーティング部は有利には構造化された金属コーティング部である。例えば、金属コーティング部はメアンダ状に構成されているか、金属コーティング部は複数の切欠きを有する。金属コーティング部は有利には以下の金属：白金、金のうちの少なくとも１つを含有するか、その金属から構成される。
【００３３】
金属コーティング部は有利にはさらにコンタクト個所を有し、このコンタクト個所により金属コーティング部を電気的に接触させることができる。金属コーティング部に電流を流すことによって、共振器載着体の温度を完成した半導体装置の動作時に所期のように高めることができる。このようにして周波数変換素子を例えば所定の動作温度に加熱することができる。さらには、例えば金属コーティング部の温度に依存する電気抵抗を測定することによって、金属コーティング部の温度、したがって共振器載着体および周波数変換素子の温度を求めることができる。
【００３４】
このために有利には金属コーティング部が制御装置と接続され、この制御装置は外部から設定される金属コーティング部の温度を調整し、制御することに適している。制御装置は例えばマイクロプロセッサを有することができる。制御装置を半導体装置の端子支持体上に配置することができる。このために、光学的にポンピングされる半導体装置を製造するための方法の１つのステップにおいては、端子支持体結合体の各端子支持体上に１つの制御装置を配置することができる。しかしながら、制御装置が半導体装置の外部に配置され、この半導体装置と導電的に接続されることも考えられる。
【００３５】
本方法の少なくとも１つの実施形態によれば、各共振器載着体はこの共振器載着体が配置される端子支持体と導電的に接続される。この接続を例えば端子ワイヤを用いて行うことができ、この端子ワイヤにより金属コーティング部のコンタクト個所が端子支持体と接続される。
【００３６】
以下では本発明による方法ならびにこの方法により製造される半導体装置を複数の実施例および所属の図面に基づき詳細に説明する。
図１Ａは、半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図１Ｂは、第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図１Ｃは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
図１Ｄは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。
図１Ｅは、半導体装置の第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図１Ｆは、第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
図２Ａは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。
図２Ｂは、本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。
図２Ｃは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。
図２Ｄは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。
図２Ｅおよび２Ｆは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の種々の方向からの概略的な断面図を示す。
図２Ｇは、第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
図２Ｈは、所属の概略的な平面図を示す。
図３Ａ，３Ｂ，３Ｃおよび３Ｄは、本方法の実施例による共振器載着体４０の製造工程を概略的な平面図で示す。
図３Ｅは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な断面図を示す。
図３Ｆは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な平面図を示す。
図４Ａ〜４Ｄは、本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラー３１を製造するための製造方法を示す。
図５は、本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０を示す。
図６Ａは、本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０の概略的な平面図を示す。
図６Ｂは、端子支持体５０の裏面の概略的な平面図を示す。
図６Ｃは、端子支持体５０の概略的な断面図を示す。
図６Ｄは、端子支持体結合体５０の端子支持体１４の概略的な平面図を示す。
【００３７】
実施例および図面において、同一の構成要素または同じ働きをもつ構成要素にはそれぞれ同じ参照番号が付されている。図示されている構成要素は縮尺通りに示されたものではなく、より良い理解のためにはむしろ個々の要素が誇張的に拡大して示されている場合もある。
【００３８】
図１Ａは、半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
【００３９】
ポンプユニットは端子支持体１４を有する。ここで説明する表面発光型の半導体装置の底部面積、すなわち端子支持体１４の底部面積は有利には３０ｍｍ2〜１５０ｍｍ2である。この実施例において端子支持体１４は基体１２、下面メタライジング１１ならびに構造化された上面メタライジング１３を有する。端子支持体１４は有利にはＤＢＣ（Direct Bonded Copper）複合材料である。基体１２は例えばＡｌＮのようなセラミック材料から構成されている。基体１２の厚さは有利には０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ、殊に有利には０．３８ｍｍである。上面メタライジング１３ならびに下面メタライジング１１は例えば銅から構成されており、また０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ、有利には０．２ｍｍの厚さを有する。有利には、銅は約４００Ｗ／ｍＫの高い熱伝導率を有する。ＡｌＮ基体１２との接合によって、端子支持体１４の表面における実効熱膨張係数は低減される。このことは熱膨張係数が低い半導体ボディの実装にとって有利である。
【００４０】
構造化された上面メタライジング１３は導体路を形成し、端子支持体１４上に固定された能動的な半導体素子はこの導体路を介して電気的に接触される。
【００４１】
図１Ａを参照しながら説明した端子支持体１４の代わりに、例えばＡｌＮから構成されているセラミック基体１２を有する端子支持体１４も使用することができる。この場合、基体１２の上面に上面メタライジング１３を被着させることができる。このために金メタライジングがマスクを用いて基体１２に直接的に、例えばスパッタリングまたは蒸着により構造化されている。金層の厚さは最大で１μｍ、有利には最大で５００ｎｍである。その種の端子支持体はＤＢＣ端子支持体に比べて表面が殊に平坦である点で優れている。基体１２の厚さは有利には最大で１ｍｍ、殊に有利には最大で０．７ｍｍである。例えば白金またはＮｉＣｒから構成することができるか、これらの材料の内の少なくとも１つを含有する、例えばはんだ材料のための金属性の遮断部を蒸着またはスパッタリングによって端子支持体１４上に直接的に析出し構造化することができる。
【００４２】
端子支持体１４上には表面発光型の半導体ボディ１が被着されている。表面発光型の半導体ボディ１は例えば端子支持体１４上にはんだ付けされているか、接着されている。有利には表面発光型の半導体ボディ１ははんだ接合により端子支持体１４上に固定されている。このために薄膜はんだが殊に適している。すなわち表面発光型の半導体ボディ１は、スパッタリングまたは蒸着によって析出されているはんだを用いて固定されている。はんだは有利には以下の材料のうちの少なくとも１つを含有するか、その材料から構成されている：ＡｕＳｎ，Ｓｎ，ＳｎＡｇ，Ｉｎ，ＩｎＳｎ。有利には、はんだ層の厚さは１μｍ〜５μｍである。
【００４３】
表面発光型の半導体ボディ１は反射層列および放射生成層列を有する。反射層列は有利には反射性の金属層、ブラッグミラーまたはこれらの反射層の組合せである。有利には反射層列が、有利には屈折率差の大きい複数の半導体層組のブラッグミラーである。有利にはブラッグミラーが２０〜３０またはそれ以上の一連の半導体層組を有し、これによりミラーの９９．９％またはそれ以上の殊に高い反射率が生じる。有利にはブラッグミラーが半導体ボディ１のその他の半導体層と一緒にエピタキシャルに製造される。ブラッグミラーは有利には、半導体ボディ１の端子支持体１４と対向する側に配置されている。
【００４４】
半導体ボディの放射生成層列は、放射生成に適しているｐｎ接合部および／または単一量子井戸構造および／または有利には多重量子井戸構造、殊に有利にはドープされていない多重量子井戸構造を有する。本明細書において量子井戸構造の概念には、キャリアの閉じこめ（「confinement」）によってそのエネルギ状態が量子化されるあらゆる構造が含まれる。殊に、量子井戸構造の概念には量子化の次元数に関する規定は含まれない。したがって量子井戸構造には、例えば、量子箱、量子細線、量子点およびこれらの構造のあらゆる組み合わせが含まれる。
【００４５】
有利には、放射生成層列はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を基礎とする。つまり、放射生成層列はＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成されている少なくとも１つの層を有する。有利には、放射生成層列は窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体または殊に有利にはヒ化物化合物半導体材料を基礎とする。
【００４６】
本発明との関連において「窒化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が窒化物Ｖ属化合物半導体材料、有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＮ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、ＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＮ材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎ）の主要な構成要素のみが含まれている。
【００４７】
本発明との関連において「リン化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＰ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、その物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｐ)の主要な構成要素のみが含まれている。
【００４８】
本発明との関連において「ヒ化物化合物半導体を基礎とする」とは、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が有利にはＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＡｓ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を含有することを意味している。ここで、この材料は必ずしも上述の式に従った数学的に正確な組成を有していなくてもよい。むしろこの材料は、その物理特性を実質的に変化させない１つまたは複数のドーパントならびに付加的な構成要素を含有していてもよい。しかしながら分かり易くするために、僅かな量の他の材料によって部分的に置換されている可能性があるにしても、上述の式には結晶格子（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ａｓ）の主要な構成要素のみが含まれている。
【００４９】
これらの材料の特徴は容易に高い内部量子効率を達成できることであり、また紫外線スペクトル領域（殊に窒化物を基礎とする化合物半導体材料）から可視スペクトル領域（殊にリン化物を基礎とする化合物半導体材料）にわたり赤外線スペクトル領域（殊にヒ化物を基礎とする化合物半導体材料）までの放射に適している。
【００５０】
有利には、半導体ボディの放射生成層列はヒ化物化合物半導体材料を基礎とする。赤外線スペクトル領域にある放射、殊に８００ｎｍ〜１１００ｎｍの波長領域にある放射をこの材料系において殊に効率的に生成することができる。例えば、支持体はガリウムヒ化物を含有し、放射生成層列またはこの層列の少なくとも１つの層が材料系ＡｌｎＧａｍＩｎ1-ｎ-ｍＡｓ（但し０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１，且つｎ＋ｍ≦１）を基礎とする。
【００５１】
さらに端子支持体１４上にはポンプ放射源２が配置されている。ポンプ放射源２は例えば端面発光型の半導体レーザならびに熱伝素子２ａを有する。熱伝素子２ａは有利には良好な熱伝性を有する材料、例えばダイヤモンド、窒化アルミニウムまたは炭化シリコンから構成されているか、これらの材料の内の少なくとも１つを含有する。ポンプ放射源２は端子ワイヤ２ｂを用いて端子支持体１４に導電的に接続されている。有利にはポンプ放射源２ははんだ接合により端子支持体１４上に固定されている。このために薄膜はんだが殊に適している。すなわちポンプ放射源２は、スパッタリングまたは蒸着によって析出されているはんだを用いて固定されている。はんだは有利には以下の材料のうちの少なくとも１つを含有するか、その材料から構成されている：ＡｕＳｎ，Ｓｎ，ＳｎＡｇ，Ｉｎ，ＩｎＳｎ。有利には、はんだ層の厚さは１μｍ〜５μｍである。
【００５２】
ポンプ放射源２にはレンズ３が後置されている。レンズ３は例えば、ポンプ放射源２から放出されたポンプ放射１７の高速軸視準（ＦＡＣ；fast axis collimination）に使用される。レンズ３はこのために非球面状に湾曲した放射放出面を有し、またこのレンズ３をＧａＰのような高屈折性材料から構成することができる。
【００５３】
ポンプ放射源２の主放射方向においてレンズ３には別の光学素子４が後置されている。光学素子４は有利には通過するポンプ放射を屈折させることに適している。例えば光学素子４はポンプ放射１７を端子支持体１４から離れる方向に屈折または偏向させることに適している。光学素子４は有利にはガラスを含有する。
【００５４】
光学素子４には円柱レンズ５ならびに球面レンズ６が後置されている。レンズ５，６は通過するポンプ放射の低速軸視準（ＳＡＣ；slow axis collimination）および／または高速軸視準に使用される。例えば、２つのレンズ５，６を非球面状に湾曲した放射通過面を有する単一の円柱レンズに置換することもできる。ポンプ放射はレンズ５，６から偏向素子７に到達する。
【００５５】
偏向素子７は例えばガラスを含有し、表面発光型の半導体ボディと対向する面はポンプ放射に対して高反射性にコーティングされている。偏向素子７は、有利には入射したポンプ放射１７が鋭角で放射通過面１ａに入射するようにこのポンプ放射１７を半導体ボディ１の放射通過面１ａに偏向する。
【００５６】
さらにスペーサ素子８を端子支持体１４上に配置することができる。素子８，４，７は同様に成形されており、また同一の材料から構成されている素子である。これらの素子は反射性に構成された表面、反射防止性に構成された表面またはコーティングされていない表面ならびに端子支持体１４上におけるその方向によってのみ区別される。
【００５７】
図１Ｂは、第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
【００５８】
図１Ｂから見て取れるように、端子支持体１４上にはさらに温度センサ９が取り付けられており、この温度センサ９は例えばＮＴＣ抵抗を有する。温度センサ９を用いて端子支持体１４の平均温度を求めることができる。端子支持体１４の平均温度に依存して、例えば端子支持体１４の下面に配置することができる熱電式の冷却器を用いてポンプユニットの動作温度を調整することができる。有利には、ポンプユニットの動作温度は２０℃〜３５℃、殊に有利には２５℃である。
【００５９】
図１Ｃは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
【００６０】
ポンプユニットには表面発光型の半導体ボディ１の主放射方向において共振器載着体４０が後置されている。
【００６１】
ポンプユニットは上述したような端子支持体１４を有する。ポンプユニットはさらにポンプ放射源２を有し、このポンプ放射源２にはＦＡＣレンズ３が後置されている。ポンプ放射はＦＡＣレンズ３から光学素子４に入射し、この光学素子４はポンプ放射１７を端子支持体１４から遠ざかる方向に屈折させる。続けてポンプ放射は非球面レンズ１６を通過する。この非球面レンズ１６はポンプ放射を視準するために設けられている。この非球面レンズ１６からポンプ放射は偏向素子７に入射し、この偏向素子７はポンプ放射を表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面１ａへと偏向させる。ポンプ放射１７により半導体ボディ１においては基本周波数のレーザ放射１８が生成される。基本周波数のレーザ放射１８は、共振器載着体４０の支持体３４内に設けられている切欠き３０を通過し共振器載着体４０に入射する。レーザ放射は例えばドーブプリズムによって形成されている偏向素子３３から共振器ミラー３１の方向へと偏向される。レーザ共振器においては有利には非線形光学結晶３１が配置されており、この非線形光学結晶３１は例えば通過するレーザ放射の周波数倍化のために使用される。このようにして生成され変換された放射１９の大部分は偏向素子３３を通過して半導体装置から出力結合される。
【００６２】
有利には非線形光学結晶３１は以下の結晶の内の少なくとも１つを有する：三ホウ酸リチウム、例えばＬｉＢ3Ｏ5（ＬＢＯ）、三ホウ酸ビスマス、例えばＢｉＢ3Ｏ6（ＢｉＢＯ）、チタン燐酸カリウムＫＴｉＯＰＯ4（ＫＴＰ）、酸化マグネシウムドープされたコングルエント組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のニオブ酸リチウム、例えばＭｇＯ：ｓ−ＬｉＮｂＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＮ）、酸化マグネシウムドープされたストイキオメトリ組成のタンタル酸リチウム、例えばＭｇＯ：ＬｉＴａＯ3（ＭｇＯ：ＳＬＴ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＮｂＯ3（ＳＬＮ）、ストイキオメトリ組成のＬｉＴａＯ3（ＳＬＴ）、ＲＴＰ（ＲｂＴｉＯＰＯ4）、ＫＴＡ（ＫＴｉＯＡｓＯ4）、ＲＴＡ（ＲｂＴｉＯＡｓＯ4）、ＣＴＡ（ＣｓＴｉＯＡｓＯ4）。
【００６３】
有利には、非線形光学結晶は通過する放射の周波数の２倍化に適している。
【００６４】
さらにレーザ共振器内には周波数選択素子、例えばエタロンまたは複屈折フィルタを配置することができ、これらはレーザのスペクトル的に安定した狭帯域の動作を有利には容易にする。
【００６５】
図１Ｄは、第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。
【００６６】
図１Ｅは、第１または第２の実施例による、受動的な光学素子が取り付けられる前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
【００６７】
図１Ｆは、第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
【００６８】
図１Ｅおよび１Ｆから見て取れるように、端子支持体１４は副位置合わせマーク１５を有する。副位置合わせマーク１５は、フォト技術により構造化された薄膜として実施されている搭載構造体である。
【００６９】
副位置合わせマークは画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用され、これにより端子支持体１４上の半導体装置の個々の素子の搭載位置が求められる。個々の素子に関する搭載精度は有利には±５μｍ〜±５０μｍである。殊に有利には、搭載精度は少なくとも±１０μｍである。
【００７０】
図２Ａは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。この実施例においては、半導体装置の底部面積、すなわち端子支持体１４の面積が最初の２つの実施例に比べて約３０％低減されている。図１Ａから図１Ｆを参照しながら説明した実施例とは異なり、この実施例においてはポンプ放射源２、表面発光型の半導体ボディ１ならびに偏向光学系７が一直線に配置されていない。
【００７１】
ポンプ放射はポンプ放射源２を出発して先ずＦＡＣレンズ３を通過する。このＦＡＣレンズ３からポンプ放射は、例えばビーム通過プリズム（Durchstrahlprisma ）または平行六面体によって形成されている光学素子４を通過する。続いてポンプ放射は偏向ミラー４５によって非球面円柱レンズ４６へと配向され、この非球面円柱レンズ４６によりポンプ放射はさらに視準される。この非球面円柱レンズ４６からポンプ放射は偏向光学系７に入射し、この偏向光学系７はポンプ放射を表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面へと偏向させる。
【００７２】
図２Ｂは、本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。
【００７３】
図２Ｃは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。
【００７４】
図１Ａから図１Ｆを参照しながら説明した実施例とは異なり、第３の実施例においては偏向光学系３３がドーブプリズムではなく、平行六面体によって形成されている。
【００７５】
図２Ｄは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。
【００７６】
図２Ｅおよび２Ｆは、第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の種々の方向からの概略的な断面図を示す。
【００７７】
図２Ｅから見て取れるように、第２の実施例による半導体装置においては、必要に応じて表面発光型の半導体ボディ１の放射通過面１ａにおいて反射されるポンプ放射は非線形光学結晶には入射しない。このようにして有利には、殊に安定した周波数変換を行うことができる。何故ならば、非線形光学結晶３２は反射されたポンプ放射１７によって加熱される可能性がないからである。
【００７８】
図２Ｇは、第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。図２Ｈは、所属の概略的な平面図を示す。
【００７９】
図２Ｇおよび２Ｈから見て取れるように、端子支持体１４は副位置合わせマーク１５を有する。すなわち端子支持体１４には搭載構造体１５が構造化されており、この搭載構造体１５は画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用される。副位置合わせマーク１５は、フォト技術により構造化された薄膜として実施されている搭載構造体である。
【００８０】
副位置合わせマークは画像処理システムのためのオリエンテーションガイドとして使用され、これにより端子支持体１４上の半導体装置の個々の素子の搭載位置が求められる。個々の素子に関する搭載精度は有利には±５μｍ〜±５０μｍである。殊に有利には、搭載精度は少なくとも±１０μｍである。
【００８１】
例えば、端子支持体１４の幅ｙは９ｍｍ〜１３ｍｍ、有利には約１０ｍｍである。端子支持体４の長さｘは９ｍｍ〜１４ｍｍ、例えば１２ｍｍである。
【００８２】
図３Ａ，３Ｂ，３Ｃおよび３Ｄは、本方法の実施例による共振器載着体４０の製造工程を概略的な平面図で示す。図３Ｅは、そのようにして製造された共振器載着体４０の概略的な断面図を示す。
【００８３】
図３Ａには支持体結合体８０が示されており、この支持体結合体８０は複数の個別支持体領域３４のマトリクス状の配置構成を有する。支持体結合体８０は例えばシリコンウェハによって形成されている。シリコンウェハは例えば６インチまたは８インチのシリコンウェハである。各個別支持体領域３４は切欠き３０、例えば孔を有する。切欠き３０は共振器載着体４０へと入射する、または共振器載着体４０から放出されたレーザ放射を通過させることができる。
【００８４】
後続のステップ（図３Ｂを参照されたい）においては、構造化金属コーティング部６０が個別支持体領域３４上に構造化される。金属コーティング部６０は例えばメアンダ状の白金コーティング部によって形成されており、この白金コーティング部はコンタクト個所６１を用いて電気的に接触される。
【００８５】
図３Ｃを参照しながら説明するステップにおいては、偏向ミラー３３、非線形光学結晶３４ならびに共振器ミラー３１のような光学素子が個別支持体領域３４上に配置される。有利には光学素子が結合体の形で、例えば複数の共振器ミラー３１を有するストライプとして支持体結合体８０上に配置される。このようにして複数の個別支持体領域３４上にそれぞれ１つの光学素子を同時に配置することができる。光学素子を例えば接着させることができる。有利には光学素子がボンディングを用いて、例えば陽極接合により個別支持体領域３４上に固定される。
【００８６】
続くステップにおいては支持体結合体８０を図３Ｄに示されているように矢印に沿って個別化することができる。結合体内に配置されている光学素子も個別化することができる。これにより複数の共振器載着体４０が得られる。この種の共振器載着体は例えば図３Ｅに概略的に示されている。
【００８７】
図３Ｆは、共振器載着体４０の概略的な平面図を示す。有利には、共振器載着体４０の長さはｃ＝８ｍｍ〜ｃ＝１２ｍｍ、例えばｃ＝１０ｍｍである。共振器載着体４０の幅は有利にはｄ＝１．７５ｍｍ〜ｄ＝３ｍｍであり、例えばｄ＝２．１５ｍｍである。
【００８８】
図４Ａ〜４Ｄを参照しながら、本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラー３１を製造するための製造方法を説明する。この製造方法においては、ガラスウェハ７０内に例えばシリコン球が形成され、これにより複数の共振器ミラー３１をアレーで形成することができる。図４Ａは、このようにして形成されたアレーの所属の概略的な平面図を示す。
【００８９】
図４Ｂは線７２に沿ったアレー７０の個別化を示す。これによって図４Ｃに示されたマイクロミラー３１のストライプが形成される。その種のマイクロミラーのバーは例えば約１００ｍｍの長さｌを有する。個々のマイクロミラー３１相互間の間隔ｐは約２ｍｍである。バーの高さｈは有利には約２ｍｍであり、幅ｂは有利には０．７ｍｍ〜２．５ｍｍである。
【００９０】
マイクロミラーのその種のバーを例えば図３Ａ〜３Ｄに示されているような支持体結合体８０上に被着することができ、またこの支持体結合体８０と一緒に個別化することができる。しかしながら、個別支持体領域３４上に被着する前にストライプを個々の共振器ミラー３１に個別化することも考えられる。その種の共振器ミラー３１は図４Ｄにおいて平面図および断面図で概略的に示されている。
【００９１】
図５は、本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０を示す。
【００９２】
端子支持体結合体５０は主位置合わせマーク５１を有し、この主位置合わせマーク５１は端子支持体結合体５０の２つの対角に配置されている。主位置合わせマーク５１は、例えば端子支持体結合体５０の材料における薄膜構造化部である。さらに主位置合わせマーク５１は、例えばシリコン、ガラスまたはセラミックから構成することができる位置合わせチップであってもよい。この位置合わせチップは薄膜構造化部を有することができる。主位置合わせマークは端子支持体結合体５０上の全ての構成素子の位置合わせに使用される。端子支持体結合体５０はパネルを形成する。パネルにおける個別構成素子が１つのユニットを表すので、以下の実装プロセスが可能である：
−複数の構成素子をストライプとして１つのステップで実装し、後にパネルと一緒に個別化する、
−プリズムのストライプまたはレンズのストライプを被着する、
−バキュームツールにおいてマトリクス状に自動調整されて装填されている個々の部品を実装する。
【００９３】
端子支持体結合体５０における端子支持体１４の規則的なマトリクス状の配置構成に基づき、複数の構成素子を１つのステップで連続的または同時に配置することができる。
【００９４】
端子支持体結合体の個別化を例えばソーイングまたはスクライビングおよび破断によって行うことができる。端子支持体結合体５０は有利には接着フィルム上でフレームに張設される。
【００９５】
端子支持体結合体５０は有利には５０ｍｍ×５０ｍｍ〜２００ｍｍ×２００ｍｍの大きさを有する。この端子支持体結合体５０は円形または矩形であってよい。有利には端子支持体の上面の表面粗さは１μｍ以下である。これにより端子支持体上の個々の構成素子の殊に精確な位置合わせが実現される。
【００９６】
図６Ａは、本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体１４を有する端子支持体結合体５０の概略的な平面図を示す。
【００９７】
端子支持体結合体５０の長さｆは例えば１００ｍｍ〜１２０ｍｍ、有利には１１０ｍｍである。端子支持体結合体５０の幅ｅは有利には４５ｍｍ〜６５ｍｍ、例えば５５ｍｍである。この実施例において端子支持体結合体５０は１１×４の端子支持体１４を有する。
【００９８】
図６Ｂは、端子支持体結合体５０の裏面の概略的な平面図を示す。
【００９９】
図６Ｃは、端子支持体結合体５０の概略的な断面図を示す。例えば窒化アルミニウムを含有するか、窒化アルミニウムから構成されている基体１２の幅ｊは有利には０．２５ｍｍ〜０．４５ｍｍ、例えば０．３８ｍｍである。例えば銅から構成されている下面メタライジング１１の厚さｉは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ、例えば０．３ｍｍの厚さを有する。例えば銅から構成されている、構造化された上面メタライジング１３の厚さｇは有利には０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ、例えば０．２５ｍｍの厚さを有する。
【０１００】
図６Ｄは、端子支持体結合体５０の端子支持体１４の概略的な平面図を示す。端子支持体１４はワイヤボンディング面１６３を有し、このワイヤボンディング面１６３はボンディングワイヤを用いて端子支持体１４上に構成素子を電気的に接触させるために設けられている。さらに端子支持体１４ははんだ面１６４を有し、このはんだ面１６４上に能動的な構成素子を取り付けることができる。さらに端子支持体１４ははんだストップ層１６５を有する。
【０１０１】
本発明のうちの１つの方法により製造される半導体装置は殊にその小型の構造を特徴とする。これにより例えば数ｍｍ、有利には最長で１５ｍｍ、殊に有利には最長で１０ｍｍの共振器長が実現される。その種の短い共振器長によりレーザ生成時の殊に迅速な応答時間が実現され、これは例えば光学式投影の用途にとって有利である。さらに本発明のうちの１つの方法により製造される半導体装置は殊に、動作時に熱が発生する構成素子、例えばポンプ放射源および表面発光型の半導体ボディが高い熱伝導率を有する支持体上に平面実装で取り付けられていることを特徴とする。これによって動作時に生じる熱を直接的に支持体に排出することができるので、例えば所定の角度だけ向きを変える必要はない。さらには、ポンプユニットと共振器載着体の熱分離は非線形光学結晶の殊に安定した温度を実現する。このようにして例えば、可視領域の殊に均等なレーザ放射を生成することができる。
【０１０２】
本発明は実施例に基づいた説明に制限されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。
【０１０３】
本明細書は、ドイツ連邦共和国特許出願第102005063103.7号および102006017293.0号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１Ａ】半導体装置の第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
【図１Ｂ】第１の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
【図１Ｃ】第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
【図１Ｄ】第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な斜視図を示す。
【図１Ｅ】半導体装置の第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
【図１Ｆ】第１または第２の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
【図２Ａ】第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な斜視図を示す。
【図２Ｂ】本方法により製造された半導体装置の第１の角度での概略的な斜視図を示す。
【図２Ｃ】第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の第２の角度での概略的な斜視図を示す。
【図２Ｄ】第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な平面図を示す。
【図２Ｅ】第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
【図２Ｆ】第３の実施例による、本方法により製造された半導体装置の概略的な断面図を示す。
【図２Ｇ】第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な断面図を示す。
【図２Ｈ】第３の実施例による、受動的な光学素子が実装される前の、本方法により製造された半導体装置のポンプユニットの概略的な平面図を示す。
【図３Ａ】本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。
【図３Ｂ】本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。
【図３Ｃ】本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。
【図３Ｄ】本方法の実施例による共振器載着体の製造工程を示す。
【図３Ｅ】共振器載着体の概略的な断面図を示す。
【図３Ｆ】共振器載着体の概略的な平面図を示す。
【図４Ａ】本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。
【図４Ｂ】本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。
【図４Ｃ】本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。
【図４Ｄ】本方法の実施例に従い実施されるような共振器ミラーを製造するための製造方法を示す。
【図５】本方法の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体を示す。
【図６Ａ】本方法の別の実施例において使用されるような、マトリクス状に配置されている複数の端子支持体を有する端子支持体結合体の概略的な平面図を示す。
【図６Ｂ】端子支持体の裏面の概略的な平面図を示す。
【図６Ｃ】端子支持体の概略的な断面図を示す。
【図６Ｄ】端子支持体結合体の端子支持体の概略的な平面図を示す。
【図１Ａ】
2009522757.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２Ａ】
2009522757.tif 000009
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
2009522757.tif 000015
【図２Ｈ】
2009522757.tif 000016
【図３Ａ】
2009522757.tif 000017
【図３Ｂ】
2009522757.tif 000018
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【国際調査報告】
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