(57)【要約】  本発明は、次の工程：（ｉ）炭素粒子の懸濁液を準備する工程；及び（ｉｉ）銀を含有する沈殿が炭素粒子上へ堆積されるように、銀化合物の溶液と還元剤とを供給する工程を含み、その際に炭素粒子は２００nm又はそれ以上の平均直径を有する、銀−炭素をベースとする材料の製造方法に関する。さらに、本発明は、この方法を用いて得ることができる材料並びに低圧動力工学用の回路遮断器におけるこの材料の使用に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（ｉ）炭素粒子の懸濁液を準備する工程；及び
（ｉｉ）銀を含有する沈殿が前記炭素粒子上へ堆積されるように、銀化合物の溶液と還元剤とを供給する工程
を含む銀−炭素をベースとする材料の製造方法であって、前記炭素粒子は２００nm又はそれ以上の平均直径を有する、銀−炭素をベースとする材料の製造方法。
【請求項２】
銀化合物の溶液と還元剤とを、混合しながら、同時にしかし別個に供給しながら、かつ化学量論的に等価な量で反応過程にわたって連続的に添加する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
銀化合物が、硝酸銀、酢酸銀、炭酸銀、クエン酸銀及びシュウ酸銀の群から選択されている銀塩である、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
還元剤が、アスコルビン酸、クエン酸、シュウ酸、ギ酸及びヒドロキシルアミンの群から選択されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
炭素粒子が、グラファイト粉末、炭素繊維及びカーボンブラック並びにこれらの組合せから選択されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
炭素粒子が、２０：１〜１：２０の比でグラファイト粉末及び／又はカーボンブラック：炭素繊維からなる混合物である、請求項５記載の方法。
【請求項７】
炭素粒子が、炭素繊維との組合せでグラファイト粉末１００質量％〜９８質量％及びカーボンブラック０質量％〜２質量％（グラファイト粉末及びカーボンブラックの全質量を基準として）である、請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
炭素粒子が炭素繊維である、請求項５記載の方法。
【請求項９】
炭素繊維が０．５μm〜３０μmの直径を有し、かつ長さが直径よりも少なくとも２倍大きい、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
炭素粒子の平均粒子直径が０．２μm〜１５μmである、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
銀化合物、炭素粒子及び別の成分の割合が、材料中に炭素０．５〜１０質量％、別の成分０〜１質量％、残余の銀が存在するように選択されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｉｉ）において得られたコーティングされた炭素粒子をコールドアイソスタティックプレスし、焼結し、かつ押し出す、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｉｉ）において得られたコーティングされた炭素粒子を、単独焼結により材料に加工する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法により得ることができる材料。
【請求項１５】
材料が接点材料である、請求項１４記載の材料。
【請求項１６】
材料が、炭素０．５〜１０質量％、別の成分０〜１質量％、残余の銀からなる、請求項１４又は１５記載の材料。
【請求項１７】
材料が炭素２〜８質量％を含有する、請求項１６記載の材料。
【請求項１８】
低圧動力工学用の回路遮断器における、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の材料の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀−炭素をベースとする材料の製造方法並びにこれから得ることができる材料に関する。前記材料の使用も同様に記載される。
【０００２】
動力工学の電気接点用の材料は通例、銀及び特定の金属及び／又は非金属もしくは酸化物の添加剤からなる。そのような材料は主に粉末冶金学的な経路で製造される。その場合に、成分は粉末形で互いに混合される。
【０００３】
そのような接点材料の使用プロフィールは決定的に、開閉機器タイプ、開閉電流の大きさ及び電気負荷の種類によって決定される。使用条件から、同時に低い接触抵抗で、低い電気的摩耗、すなわち、高い耐浸食性(Abbrandfestigkeit)、及び低い溶接加圧力(Verschweisskraft)に従う一般的な要求が導き出される。
【０００４】
銀−炭素、特に銀−グラファイトをベースとする接点材料は、低圧動力工学(Niederspannungsenergietechnik)における回路遮断器の分野において特に使用されてきた。ここでは、接触片の溶接に対する最高の信頼性が殊に重要である。
【０００５】
これらの材料の加工特性及び接触特性の改善は、さらなる材料開発及び技術開発のための恒常的な動機づけである。その場合に、耐浸食性及び溶接強度の２つの開閉特性の最適化が関心の的である。これらは実際には炭素含量に関して反対である。すなわち、炭素含量が上昇するにつれて、通例、溶接に対する保護はより良好になり、その際に耐浸食性は低下する（E. Vinaricky "Elektrische Kontakte, Werkstoffe und Anwendungen"；第2版, Springer Verlag；2002；p.251-255）。
【０００６】
炭素添加は、そのうえ、材料の機械的硬化を引き起こすので、炭素含量が上昇するにつれて材料の製造性及び加工性がより難しくなる。この効果は特に、双方の成分の粉末冶金学的混合物が押出し(Strangpressen)により緻密化され、かつ再成形されるべきである場合に生じる。約５％を上回る炭素含量の場合には、材料はなお極めて困難に押出可能であるに過ぎない。
【０００７】
欧州特許出願公開(EP-A)第311 134号明細書には、グラファイト２〜７質量％を有する銀からなり、粉末冶金学的に製造された電気接点用の材料及び材料の強度を高める特殊な添加剤が開示されている。
【０００８】
欧州特許出願公開(EP-A)第736 885号明細書には、改善された浸食性を有し、銀−炭素からなる電気接点用の材料が記載されている。この材料は、１５０nm未満の平均一次粒度を有する専らカーボンブラックの形の炭素を含有する。この材料は、コールドアイソスタティックプレス及び焼結によって製造される。
【０００９】
国際公開(WO)第92/18995号パンフレットは、電気接点用の特定の複合材料に関する。この複合材料は銀をベースとしており、かつ炭素０．５〜１０質量％を含有し、その際に１０：１〜１：１０の質量比での炭素繊維との組合せで炭素粉末は銀成分と共に粉末冶金学的に材料に加工される。平均して、炭素繊維の長さは、炭素粉末粒子の直径の二倍よりも長い。
【００１０】
電気接点用の別の複合材料は、欧州特許出願公開(EP-A)第729 162号明細書に開示されている。特殊な粉砕法にかけられた炭素繊維の使用下に製造される。
【００１１】
前記刊行物の場合に、材料は粉末冶金学的に製造されていた。中国特許出願公開(CN-A)第1396025号明細書には、銀−グラファイト材料の化学還元的製造方法が紹介されている。この方法の場合に、約２０nmの大きさを有するグラファイト−ナノ粉末が使用される。グラファイト粉末は反応容器中へ添加され、かつ硝酸銀溶液と混合される。引き続き、ヒドラジン水和物溶液が添加されるので、銀層はグラファイトナノ粉末上へ堆積される。銀層で覆われたグラファイトナノ粉末は、引き続いて、単独プレス(Einzelpressen)及び焼結によってさらに加工される。この方法は、使用されるヒドラジン水和物が健康上憂慮されるべきであり、かつその結果、大工業的な使用にとって望ましくないという欠点を有する。当該発明者らは、そのうえ、この方法を用いて得られた材料が、十分に微細分散しておらずかつ均質でないことを確認した。さらに、材料は非常に硬化し過ぎるので、押出しによる加工は、不可能であるかもしくは費用のかかる条件下でのみ可能である。単独プレスによる中国特許出願公開(CN-A)第1396025号明細書に提案された加工は、経済的な観点から工業的規模でたいていあまり望ましくない。
【００１２】
独国特許出願公開(DE-A)第100 17 282号明細書には、複合粉末を製造する特定の二ノズル沈殿法が記載されている。前記複合粉末は、本発明による材料とは異なり銀−炭素をベースとする材料ではなくて、むしろ銀−酸化スズをベースとする材料である。銀−酸化スズ接点材料及びより一般的に銀−酸化物接点材料は、主に、低圧工学及び高圧電流工学の空気で開閉する防護装置に使用される。それらの機能の主目標設定は、例えばエンジン制御のために、極めて多数の開閉サイクルを保証することである。材料及び開閉機器は、開閉条件に応じて数万（ＡＣ４開閉挙動）ないし百万の開閉サイクル（ＡＣ３もしくはＡＣ１開閉挙動）が可能であるようなものである。相応して、これらの材料は、良好な浸食挙動及び受け入れることができる溶接に対する信頼性を有しなければならない。
【００１３】
銀−炭素をベースとする材料は、それに反して、極めて主に低圧動力工学の回路遮断器（例えば配線用回路遮断器(Leitungsschutzschalter)、エンジン回路遮断器、電源スイッチ）において使用される。スイッチは、ここでは、人間及び設備の安全のために利用される。故障、例えば短絡の場合に、ここでは、溶接信頼性への最高の要求が課され、すなわちこれらは決して溶接してはならない。スイッチは、万一の場合のみ作動すべきであるので、ここでは、明らかにより低い開閉操作数が許容されている。これは、開閉条件に応じて、数ダースのみ、数百ないし最大数千の開閉サイクルを意味しうる。しばしば、構成及び経済的な側面の特異性を考慮するために、非対称な材料対が使用される。これは、材料対、例えばＡｇＣ対Ｃｕ、ＡｇＷ、Ａｇ−金属酸化物又はＡｇＮｉである。銀−酸化スズ材料との比較可能性は故に与えられていない。
【００１４】
本発明の課題は、改善された溶接安定性(Verschweissbestaendigkeit)、耐浸食性(Abbrandfestigkeit)及び／又は加工性を有する、銀−炭素をベースとする材料を提供することであった。
【００１５】
それに応じて、本発明は、次の工程：
（ｉ）炭素粒子の懸濁液を準備する工程；及び
（ｉｉ）銀を含有する沈殿が炭素粒子上へ堆積されるように、銀化合物の溶液と還元剤とを供給する工程
を含み、その際に炭素粒子は２００nm又はそれ以上の平均直径を有する、銀−炭素をベースとする材料の製造方法に関する。
【００１６】
さらに、本発明は、この方法を用いて得ることができる材料並びに低圧動力工学用の回路遮断器におけるこの材料の使用に関する。
【００１７】
図１は、本発明による方法の好ましい一実施態様において使用されることができる装置の略示図を示す。
【００１８】
反応容器（１）中に、炭素粒子の懸濁液（２）が装入される。これは、撹拌機（３）によって強力に混合される。ノズルが懸濁液（２）の液体レベルの下方にある２つの別個の供給管路（４；５）を用いて、この懸濁液にその都度同時に、銀化合物の溶液（４′）及び還元剤（５′）が供給され、それにより、銀を含有する沈殿が、懸濁された炭素粒子上へ堆積される。
【００１９】
本発明による方法の場合に、まず最初に炭素粒子の懸濁液が準備される。炭素粒子は特に制限されていない。銀−炭素をベースとする材料の場合に通常使用される全ての炭素粒子が、使用されることができる。好ましくは、これらは、グラファイト粉末、炭素繊維及びカーボンブラック並びにこれらの組合せから選択され、その際にグラファイト粉末及び炭素繊維が特に好ましい。炭素粒子は、好ましくは５００〜１５ ０００nm、より好ましくは２０００nm〜７０００nmの平均直径を有する。
【００２０】
炭素粒子は例えば、球状及び繊維状の炭素粒子に区分されることができる。球状の炭素粒子、例えばグラファイト粉末及びカーボンブラックは、通例、本質的に球状の形状を有する。この場合に、"球状"は、粒子が、３つの全ての空間方向で本質的に同じ長さ寸法を有することを意味する。球状の炭素粒子の平均直径は２００nm又はそれ以上である。それとは異なるのは、繊維状の炭素粒子、例えば炭素繊維である。繊維状の炭素粒子は、ここでは、１つの空間方向で、他の２つの空間方向よりも大きな寸法を有する粒子として定義されている。典型的には、繊維直径に対する繊維長は、少なくとも２：１、好ましくは少なくとも５：１の比を有する。最大繊維長は、繊維直径に対比して例えば２０：１である。繊維状の炭素粒子の平均直径（繊維直径）は２００nm又はそれ以上である。典型的な繊維状の炭素粒子は、０．５〜３０μm、好ましくは１〜２０μm、特に好ましくは３〜１０μmの直径を有し、かつその都度相応する繊維長を有する。
【００２１】
一実施態様において、炭素粒子は、２０：１から１：２０までの比でグラファイト粉末及び／又はカーボンブラック：炭素繊維からなる混合物である。好ましくは、混合物は、炭素繊維との組合せで、グラファイト粉末１００質量％〜９８質量％及びカーボンブラック０質量％〜２質量％（グラファイト粉末及びカーボンブラックの全質量を基準として）からなる。これは、耐浸食性及び溶接安定性が特殊な開閉機器のために互いに調整されなければならない場合に有利である。他の一実施態様において、グラファイト粉末のみが炭素粒子として使用される。これは、最適な溶接信頼性が達成されるべきである場合に興味深い。第三の実施態様において、炭素繊維のみが炭素粒子として使用される。これによって、耐浸食性は高められることができる。
【００２２】
炭素粒子は液体中に懸濁されている。液体の種類は特に制限されていない。しかしながら、炭素粒子、銀化合物、還元剤又は銀含有沈殿のいずれとも、反応すべきではない。適した液体の例は、水、適した有機溶剤（例えばアルコール）及びこれらの組合せである。さらに、炭素粒子の懸濁を容易にするために、湿潤助剤、例えば界面活性剤が使用されることができる。好ましくは水が使用される。
【００２３】
懸濁液中の炭素粒子の濃度は、同様に特に制限されていない。これは、通例、懸濁液が適した粘度を有し、かつその後の還元が有利に進行するように選択される。しかしながら、高すぎる液体含分は、回避されるべきである、それというのも、液体は再び除去されなければならないからである。最適濃度は、当業者によって問題なく適宜選択されることができる。これは好ましくは、懸濁液中で炭素粒子０．１〜２５質量％の範囲内である。
【００２４】
銀を含有する沈殿を炭素粒子上へ堆積させるために、銀化合物の溶液と還元剤とが炭素粒子の懸濁液に添加される。銀化合物の溶液は、還元剤の前、後又は同時に、炭素粒子の懸濁液に添加されることができる。好ましい添加法は、独国特許出願公開(DE-A)第100 17 282号明細書に記載されている。記載された方法は、酸化スズ粒子上への銀を含有する沈殿の化学還元的沈殿に関する。しかしながら、炭素粒子上への銀を含有する沈殿の化学還元的沈殿のために類似して使用されることができる。
【００２５】
使用される銀化合物は、特に制限されておらず、かつ例えば各々可溶性の銀塩であってよい。これらの例は、硝酸塩、酢酸塩、炭酸塩、クエン酸塩及びシュウ酸塩である。好ましくは硝酸塩が使用される。使用される銀化合物は、好ましくは、水中又は適した有機溶剤（例えばアルコール）中に溶解される。通例、水が溶剤として使用される。
【００２６】
銀を含有する沈殿は、好ましくは金属銀である。
【００２７】
還元剤として、銀化合物を還元できる全ての化合物が考慮に値する。典型的な例は、アスコルビン酸、クエン酸、シュウ酸、ギ酸及びヒドロキシルアミンである。還元剤は、同様に、水又は適した有機溶剤（例えばアルコール）中に溶解されてよく、かつ溶解された形で供給されることができる。
【００２８】
炭素粒子上への銀を含有する沈殿の一様な沈殿析出を達成するために、銀化合物及び還元剤は、好都合には同時に、しかし別個に供給しながら及び化学量論的に等価な量で還元過程にわたって連続的に添加される。強力混合は同様に還元の間に有利である。供給は有利には、液体表面の下方で行われる。
【００２９】
銀化合物及び炭素粒子の割合は、材料の使用目的に依存しており、かつ当業者により適宜選択されることができる。有利には、材料中に、炭素が０．５〜１２質量％、好ましくは１〜１２質量％、より好ましくは２〜１０質量％、さらにより好ましくは２〜８質量％含まれている。材料中に、別の成分又は不純物が１質量％までの量で含まれていてよい。材料中の残りの含分は銀である。
【００３０】
本発明による方法は、銀−炭素をベースとする材料の製造を可能にする。本発明による方法を用いて、常用の粉末冶金学的混合法の場合よりも炭素粒子のより均一な分布が達成されることができる。これは、混合するのが困難な繊維状の粒子又は極めて微細な粒子の場合に特に有利である。さらに、より高い延性が達成されるので、例えば押出しの際及びその後の成形の際の加工性は軽減される。別の利点は、本発明による方法を用いて、粉末冶金学的な混合に基づく方法と比較してより高い充填度が達成されることができることである。従って、貴金属である銀の節約が可能である。さらに、粉末冶金学的混合を用いて製造された材料と比較して、回路遮断器中でのより良好な開閉挙動が観察される。
【００３１】
銀を含有する沈殿でコーティングされた炭素粒子は、引き続いて溶剤から分離され、場合により乾燥され、ついでさらに加工されることができる。単独焼結(Einzelsintern)が可能であるにもかかわらず、これは経済的な理由から、好ましくない。好ましい一実施態様において、コーティングされた炭素粒子は、コールドアイソスタティックプレスされ、焼結され、かつ押し出される。しかしながら、各々知られた他の方法が、さらなる加工のために使用されることができる。
【００３２】
コールドアイソスタティックプレスのための典型的な条件は、６０〜９０MPaである。焼結は、典型的には、Ｎ2／Ｈ2（５０：５０）のような保護ガス下に８００〜９００℃で実施される。引き続き、押出しが実施される。そのためには、ボルト(Bolzen)は、誘導加熱により、プレス前に、例えば７５０〜８５０℃に予熱され、ついで直ちに予熱された容器(Rezipienten)（例えば４００〜５００℃）中へ導入され、かつ選択された雌型を経て定義された雄型中へプレスされる。
【００３３】
本発明による方法により製造された材料は、特に均質でかつ分散された分布によって特徴づけられている。さらに、これらは意外に、変わらないか又は場合によりより良好な耐浸食性での傑出した溶接安定性及びより高い炭素含量でも良好な加工挙動を有する。
【００３４】
得られる銀−炭素をベースとする材料は、これまで銀−炭素をベースとする材料が使用されている全ての使用分野において使用されることができる。しかしながら、これらは低圧動力工学における回路遮断器に特に適している。
【実施例】
【００３５】
以下の実施例は、本発明を説明するものである。これらは、しかしながら限定するものとみなされるべきではない。むしろ保護範囲は請求の範囲によって決定されている。
【００３６】
次の省略形が使用される：
ＥＳ  単独焼結
ＮＣＦ  湿式化学的沈殿
ＳＰ  押出し
例１
材料Ａを、比較として押出しにより製造する。
【００３７】
６３μm未満の粒子直径を有する銀ノズル噴霧粉末１９kgを、グラファイト粉末１kg（ｄ50 ４．４μm）と乾式混合した。混合物を、引き続き、６０MPaのプレス圧でボルトにコールドアイソスタティックプレスし、Ｈ2／Ｎ2（５０：５０）保護ガス下に焼結させ、７８０℃へのボルトの誘導予熱後に押し出した。押し出された線材から、スイッチ表面が押出し方向に対して垂直であるようにスイッチ試料を作り上げた。それゆえ、押出しにより繊維状にばらばらに引き出されたグラファイト粒子凝集物はスイッチ表面に対して垂直であった。凝集物の場合に、平均直径は本質的には、凝集物を構成している粒子の平均直径を基準としている。ろう付け可能及び溶接可能な層を製造するために、前記部材を空気中で５２０℃で約１５min焼成し、引き続いてのこ引きしたので、焼成されていないスイッチ表面が提供された。
【００３８】
例２
本発明による材料Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＩを、化学還元的沈殿及び押出しにより製造した。
【００３９】
材料Ｂ
炭素含分５質量％を有する複合粉末のバッチ１．５kgを製造するために、硝酸銀２２４４g、グラファイト粒子７５g（ｄ50＝４．４μm）及びアスコルビン酸１１８６．６gを使用した。グラファイト粒子を、分散剤を用いて蒸留水中に懸濁させ、その後、反応容器中へ移した。硝酸銀を、３．５モル濃度溶液として及びアスコルビン酸を、１．７モル濃度溶液として調合した。図１に略示的に示されている通りの２つの別個の供給により、かつ高エネルギー撹拌系を用いる同時の強力混合下で化学量論量を同時に及び一様に添加することによって、金属銀を、約１３０g/minの一定速度でグラファイト粒子上へ沈殿させた。こうして製造されたコーティングされたグラファイト粒子を、ヌッチェを用いて液体から分離し、洗浄し、乾燥し、かつ２５０μmに予備ふるい分けした。さらなる加工を、例１のように押出しにより行った。
【００４０】
スイッチ試料の試料採取も再び、スイッチ表面が押出し方向に対して垂直であるように行った。しかしここでは、実際に個々に埋め込まれた粒子に基づいて、前記構造は、グラファイト粒子の繊維質の配向がほぼ識別されることができないほど均質であった。
【００４１】
材料Ｃ、Ｄ及びＥ
材料Ｃ、Ｄ及びＥを、材料Ｂのように製造したが、その他の炭素含量もしくは炭素タイプが使用されたという差異を有していた。材料Ｃは、グラファイト粒子６質量％を含有し、材料Ｄは、グラファイト粒子４質量％及び炭素繊維２質量％を含有し、かつ材料Ｅはグラファイト粒子７質量％を含有していた。
【００４２】
材料Ｉ
材料Ｉを、材料Ｂのように製造したが、スイッチ試料の試料採取の際にスイッチ表面が押出し方向に対して平行に配向されていたという差異を有していた。
【００４３】
例３
材料Ｆを、比較として単独焼結により製造した。
【００４４】
６３μm未満の粒子直径を有する銀ノズル噴霧粉末２kgを、グラファイト粉末１００g（ｄ50＝４．４μm）と乾式混合した。引き続いて混合物を単独焼結した。このためには、粉末混合物を、相応するプレス型中へ充填し、プレスし（約２００MPa）、保護ガス雰囲気下に焼結した（焼結温度：８８０℃；ｔ＝３h、雰囲気Ｎ2／Ｈ2 ８０／２０；引き続き約８００MPaでの較正プレス）。ろう付け可能及び溶接可能な層を製造するために、ここではまず最初に、全試料量の約１０％の純銀層をプレス型中へ導入した。引き続き、粉末混合物を添加した。
【００４５】
例４
本発明による材料Ｇ及びＨを、化学還元的沈殿及び単独焼結により製造した。
【００４６】
材料Ｇ
炭素含分５質量％を有する複合粉末のバッチ１．５kgを製造するために、硝酸銀２２４４g、グラファイト粒子７５g（ｄ50＝４．４μm）及びアスコルビン酸１１８６．６gを使用した。グラファイト粒子を、分散剤を用いて蒸留水中に懸濁させ、その後、反応容器中へ移した。硝酸銀を、３．５モル濃度溶液として及びアスコルビン酸を、１．７モル濃度溶液として調合した。図１に略示的に示されている通りの２つの別個の供給により、かつ高エネルギー撹拌系を用いる同時の強力混合下で化学量論量を同時に及び一様に添加することによって、金属銀を、約１３０g/minの一定速度でグラファイト粒子上へ沈殿させた。こうして製造されたコーティングされたグラファイト粒子を、ヌッチェを用いて液体から分離し、洗浄し、乾燥し、かつ２５０μmに予備ふるい分けした。さらなる加工を、例３のように単独焼結技術により行った。
【００４７】
材料Ｈ
材料Ｈを、材料Ｇのように製造したが、グラファイト粒子６質量％が使用されたという差異を有していた。
【００４８】
検査法
平均粒子直径の決定
球の直径は、本質的に球状の粒子の場合に、粒子直径として定義される。非球状の粒子の場合に、最短直径が粒子直径として定義される。例えば、繊維状の粒子の場合に、繊維の直径は粒子直径として定義される。平均粒子直径の決定のために、少なくとも２５個の粒子の粒子直径を、例えば顕微鏡により決定する。引き続き、平均値を計算する。
【００４９】
開閉挙動
材料の開閉挙動を、スイッチオンモデルスイッチ並びにスイッチオフモデルスイッチにおいて調べた。
【００５０】
スイッチオンモデルスイッチ及びスイッチオフモデルスイッチは、"Ueber den Einfluss des Herstellverfahrens auf das Schaltverhalten von Kontaktwerkstoffen der Energietechnik"、Poniatowski, Schroeder, Schulz；7. Int. Tagung ueber elektrische Kontakte, Paris 1974に記載された試験装置に相当する。
【００５１】
溶接加圧力
スイッチオン過程の場合の溶接加圧力を測定するために、前記装置には圧力測定セルが設けられており、このセルは、溶接の無電流分離の際に施与されるべき力を測定する（溶接加圧力と呼ばれる）ことを可能にした。
【００５２】
比浸食(Spezifischer Abbrand)
比浸食は、その都度秤量することにより、特定の数の開閉後の接触片の質量損失が測定され、かつ同様に特定のアークエネルギーにより除されることによって決定される。
【００５３】
具体的な開閉条件
スイッチオン試験：試験電流＝７００A、２３０V、交流
３００開閉
圧力測定セルを用いる溶接加圧力の測定、９５％値の記載、すなわち測定された溶接加圧力の９５％が、記載された値を下回る
長く引き出された炭素粒子の配向  押出し方向に対して、ひいてはスイッチ表面に対して常に垂直；材料Ｉのみが平行に配向されていた。
【００５４】
単独焼結された材料の場合に、スイッチ表面は一軸プレス方向に対して常に垂直である。
【００５５】
スイッチオフ試験：試験電流＝１３００A；２３０V、交流、磁気吹消し場(magnetisches Blasfeld) ３０mT/kA
１５０開閉
長く引き出された炭素粒子の配向  押出し方向に対して、ひいてはスイッチ表面に対して常に垂直；材料Ｉのみが平行に配向されていた。
【００５６】
単独焼結された材料の場合に、スイッチ表面は一軸プレス方向に対して常に垂直である。
【００５７】
例５
この例において、スイッチオンモデルスイッチにおいて、押出しもしくは単独焼結により製造された材料の溶接挙動を調べた。
【００５８】
【表１】
2009504907.tif 000003
【００５９】
同じグラファイト含量の場合に、比較材料Ａ１及びＡ２と比較して溶接加圧力のおおよそ半減が観察されうる（試料Ａ１及びＡ２を試料Ｂ１及びＢ２と比較）。本発明による方法は、さらにまた、５％よりも高いグラファイト含量にも調節することを可能にする、それというのも、銀マトリックス中への炭素粒子の均質埋め込みによって依然として十分に良好な加工特性が実現されることができるからである。それに反して、比較材料Ａ１及びＡ２の場合に、通例、約５％よりも有意により高いグラファイト含量が使用されるべきではない、それというのも、その後のより高い加工出費が、対応してより良好な開閉特性によって正当化されることができないからである。
【００６０】
それとは異なり、本発明による材料は、６及び７質量％のグラファイト含量でも良好に加工されることができる。グラファイト含量が増加する場合に、溶接加圧力はもう一度さらに低下するが、しかし意外なことに、浸食はおおよそ同じ水準のままであるのに対し、前記技術文献において炭素含量が上昇するにつれて浸食は増加することが報告されている（Vinaricky参照；第１表参照）。本発明による方法は、グラファイトの一部を炭素繊維により置換することも可能にする。溶接加圧力は、その場合に比較材料と比較して幾分低下されるが、浸食は炭素含量が高められた場合に上昇しない（第１表及び第３表参照）。故に、ここでも、より高い炭素含量に調節すること、ひいては銀を節約することが可能である。スイッチ表面が押出し方向に対して平行に配向されている場合に、本発明による材料が、肯定的な開閉結果を提供することも特に興味深い。技術文献（Vinaricky, p.252）においては、そのような配向の場合に、垂直の配向と比較して浸食のほぼ倍加が観察される。そのような材料は、他の配向に基づくスイッチ片が、押出し方向に対して垂直の配向を有するスイッチ片が製造されなければならない場合よりも、明らかにより高い収率で押出物から製造されることができるという大きな利点を有する。これは経済的に有利である。
【００６１】
【表２】
2009504907.tif 000004
【００６２】
単独焼結された材料の場合に、溶接加圧力は一般的に極めて僅かであるので、ここでは、際立った差異が確認されることができない。本発明による方法の利点は、ここでは、比較的より良好な浸食挙動にある（第４表参照）。
【００６３】
例６
この例において、押出しもしくは単独焼結により製造された材料の浸食挙動を、スイッチオンモデルスイッチにおいて調べた。
【００６４】
【表３】
2009504907.tif 000005
【００６５】
耐浸食性は、確かに同じ炭素含量の場合に、比較材料の場合よりも良好ではないが、
しかしこの耐浸食性は、より高い炭素含量の場合にも変わらないままであるのに対し、技術水準においては、これがさもなければ一般的に炭素含量が上昇する場合に低下することが報告されている（Vinaricky参照）。すなわち、より高い炭素含量を有する材料のより良好な溶接安定性を利用することが可能であり、それにより浸食挙動は明らかにより劣悪にはならない。銀節約による経済的な利点が付け加わる。積極的な別の側面として、平行の配向を有する材料Ｉの場合にも依然として良好な加工性を挙げることができる。
【００６６】
【表４】
2009504907.tif 000006
【００６７】
単独焼結された材料は、押し出された材料よりも一般的により劣悪な浸食挙動を示す。しかし、第４表中の値は、本発明による材料の場合にこの性質の劣悪化が、比較材料の場合ほど重大な程度と思われないことを示している。
【００６８】
例７
この例において、スイッチオフモデルスイッチにおける浸食挙動を調べる。
【００６９】
【表５】
2009504907.tif 000007
【００７０】
スイッチオフモデルスイッチにおいて、スイッチオンモデルスイッチの場合と匹敵しうる印象が示されている。ここでも、より高い炭素含量までの浸食安定性は変わらないままであるか、もしくはそれどころかなお幾分改善される（第５表参照）。
【００７１】
【表６】
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【００７２】
スイッチオフ試験の際の単独焼結された試料の結果は、スイッチオン試験の傾向に再び対応する。本発明による材料は、比較材料よりも良好である。この利点は炭素６質量％の場合にも得られたままである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明による方法の好ましい一実施態様において使用されることができる装置の略示図。
【符号の説明】
【００７４】
１  反応容器、  ２  炭素粒子の懸濁液、  ３  撹拌機、  ４  供給管路、  ４′  銀化合物の溶液、  ５′  還元剤
【図１】
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【国際調査報告】
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