(57)【要約】【解決手段】本発明は、透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置であり、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いるものであり、その方法は、透明基板上に光吸収層を形成し、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により光吸収層を加熱しながら、光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着することを行うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコン薄膜を製造することができる。【選択図】図３
2009521797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法において、
前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、
ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら、前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程と、を含むことを特徴とする透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記多結晶シリコン薄膜が形成されるうちに、前記透明基板の温度増加を制御するための裏面冷却（back side cooling）を行う工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記光吸収層は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）及びIII〜Ｖ族化合物半導体物質からなる群から選択されるいずれかの一つであることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記光吸収層の自発的温度（spontaneous temperature）は、４５０℃〜１６００℃の範囲に維持されることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン薄膜の製造方法。
【請求項５】
透明基板の表面上に多結晶シリコン薄膜を形成するための装置において、
反応炉の中に備えられて前記透明基板を保持し、前記透明基板に対する裏面冷却を行うための基板ホルダーと、
前記基板ホルダー上にローディングされる所定の光吸収層が形成された透明基板と、
前記光吸収層を加熱して、前記多結晶シリコン薄膜を形成するための反応エネルギーを提供するＲＴＰ光源と、を含むことを特徴とする透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造装置。
【請求項６】
前記基板ホルダーは、上面にコーティングされる反射膜を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造装置。
【請求項７】
前記反応炉の内部工程圧力は、０．１Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒの範囲に維持されることを特徴とする請求項５に記載の透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造装置。
【請求項８】
前記基板ホルダーは、−２０℃〜基板変形点温度の範囲で、前記裏面冷却を制御することを特徴とする請求項５に記載の透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造装置。
【請求項９】
透明基板と、前記透明基板上に形成される多結晶シリコン活性層と、前記多結晶シリコン活性層上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＴＦＴの製造方法において、
前記多結晶シリコン活性層を形成する工程は、
前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、
ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程と、を含むことを特徴とするＴＦＴの製造方法。
【請求項１０】
前記光吸収層は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）及びIII〜Ｖ族化合物半導体物質からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項９に記載のＴＦＴの製造方法。
【請求項１１】
透明基板と、前記透明基板上に形成される多結晶シリコン活性層と、前記多結晶シリコン活性層上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＦＥＴの製造方法において、
前記多結晶シリコン活性層を形成する工程は、
前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、
ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程と、を含むことを特徴とするＦＥＴの製造方法。
【請求項１２】
前記光吸収層は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）及びIII〜Ｖ族化合物半導体物質からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項１１に記載のＦＥＴの製造方法。
【請求項１３】
透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体において、
前記透明基板上に形成される光吸収層と、
ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に形成される多結晶シリコン薄膜を備えることを特徴とする透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体。
【請求項１４】
前記光吸収層は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）及びIII〜Ｖ族化合物半導体物質からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項１３に記載の透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多結晶シリコン薄膜の製造方法、製造装置及びその構造体に関し、特に、ＲＴＰ（Rapid Thermal Process）光源を熱処理源ではない多結晶シリコン蒸着（ＲＴＰ−ＣＶＤ）のためのエネルギー源として使うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコンを製造できる透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコン（Polycrystalline Silicon：Poly-Si）は、無定形シリコン（Amorphous Silicon：a-Si）より電気的特性が優れているため、薄膜トランジスター素子だけでなく太陽電池など様々な電子素子などに応用されている。一般的には、多結晶シリコンの電子素子は、シリコンや石英材質の基板を用いて形成されるが、材料が効果であるという短所があった。このような短所を考慮して、低価のガラスやプラスチック材質の透明基板が提案された。しかしながら、透明基板は高温工程（６００℃以上）で脆弱であるという重要な欠点を有している。それによって基板の熱的損傷や変形が頻繁に発生している。
【０００３】
一方、多結晶シリコンの製造方法は、無定形シリコン薄膜をまず成形した後、レーザーなどの光学エネルギーまたは熱エネルギーによって無定形シリコン薄膜を結晶化させる無定形シリコンの多結晶化方法や、低温ポリシリコン気相蒸着法（ＬＴＰＳ−ＰＥＣＶＤ）などによって基板上に多結晶シリコンを直接蒸着する気相蒸着法などがある。
【０００４】
しかしながら、無定形シリコンの多結晶化方法は、レーザーの照射やＲＴＰ工程などによる後続の熱処理工程を必要とする。そのため、製造効率が低く、結晶化時間を長く要するという欠点があった。また、気相蒸着法は、６００℃以上の高温でシリコン薄膜が蒸着されなければならないから、低い軟化温度を有する安価なガラスやプラスチック材質の透明基板を用いることができない。そのため、気相蒸着法はコスト面において不利である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は透明基板を用いた多結晶シリコン薄膜の製造方法及び製造装置に関するものであり、従来技術の一以上の欠点等を改善しうるものである。
【０００６】
本発明の目的は、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として使うことで、電気的特性が良好な多結晶シリコンを製造することである。
【０００７】
本発明のさらに目的とするところは、光吸収層が透明基板の光エネルギーによる表面効率を向上させ、基板ホルダーにより裏面冷却を供することで、透明基板の高温工程で生じる脆弱性を克服することである。
【０００８】
本発明のそれ以外の利点や目的や特徴は、以下の説明に記載されており、これを参照すれば当業者に明らかになるであろう。本発明の目的や利益は、詳細な説明や請求の範囲や添付図面において示される構造により理解され、達成されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するため、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法は、透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法において、前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造方法は、透明基板の表面上に多結晶シリコン薄膜を形成するための装置において、反応炉の中に備えられて前記透明基板を保持し、前記透明基板に対する裏面冷却を行うための基板ホルダーと、前記基板ホルダー上にローディングされる所定の光吸収層が形成された透明基板と、前記光吸収層を加熱して、前記多結晶シリコン薄膜を形成するための反応エネルギーを提供するＲＴＰ光源と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
更に、本発明に係るＴＦＴの製造方法は、透明基板と、前記透明基板上に形成される多結晶シリコン活性層と、前記多結晶シリコン活性層上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＴＦＴの製造方法において、前記多結晶シリコン活性層を形成する工程は、前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程とを含むことを特徴とする。
【００１２】
そして、本発明に係るＦＥＴの製造方法は、透明基板と、前記透明基板上に形成される多結晶シリコン活性層と、前記多結晶シリコン活性層上に形成されるゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えたＦＥＴの製造方法において、前記多結晶シリコン活性層を形成する工程は、前記透明基板の表面上に光吸収層を形成する工程と、ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に多結晶シリコン薄膜を蒸着する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体は、透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体において、前記透明基板上に形成される光吸収層と、ＲＴＰ光源の照射により前記光吸収層を加熱しながら前記光吸収層上に形成される多結晶シリコン薄膜を備えることを特徴とする。
【００１４】
好適には、光吸収層は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）及びIII〜Ｖ族化合物半導体物質からなる群から選択されることが望ましい。
【００１５】
なお、本発明の要約や詳細な説明は、単なる例示であり、本発明の説明を目的とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＲＴＰ光源を、熱処理源ではなく、多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いることで、電気的特性が良好な多結晶シリコンを製造できるという長所を有する。
【００１７】
また、本発明は、ガラスまたはプラスチック材質の透明基板の光透過率を抑制する光吸収層及び裏面冷却に供せられる基板ホルダーの採用によって、高熱工程に脆弱であるという透明基板の短所を克服し、電気的特性が良好な多結晶シリコンを透明基板上に製造できるという長所を有する。
【００１８】
更に、本発明は、安価なガラスやプラスチック材質の透明基板上にも良質の多結晶シリコンを形成することができるので、コスト面において優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付されている図面を参照しながら、本発明に係る好適な実施形態について説明する。なお、可能な限り、同じ符号番号はこれらの図面を通じて同一部分又は同種の部分について用いられるであろう。
【００２０】
図１と図２は、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造工程図である。図３は、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造工程において、基板ホルダー上に透明基板が安着されている状態図である。図４は、本発明における基板ホルダーの平面図である。
【００２１】
図１に示されているように、透明基板１０上に光吸収層１２が低温ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）または熱的ＣＶＤ法などによって５００℃以下で蒸着される。
【００２２】
光吸収層１２は、透明基板１０が有している光源の光透過率を抑制することで、光源による基板表面の加熱効率を改善させる。即ち、光吸収層１２は、その表面において発生される光源吸収によって多結晶シリコン形成反応のための表面エネルギーを供給している。
【００２３】
光吸収層１２は、例えば、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）などの、吸光係数（extinction coefficient）が高い物質を用いることができる。なお、これらの吸光係数は、可視光線（４４０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を基準にして０．０１以上である。
【００２４】
図２に示されているように、所定の光源からの光源エネルギーを用いて光吸収層１２の加熱による反応エネルギーを供給しながら、蒸着させようとする前駆物質、例えばシリコンソースガスを反応炉に流入させて、光吸収層１２上に多結晶シリコン薄膜１４を所定の厚さに形成する。
【００２５】
光源としては、可視光線のハロゲンランプや紫外線があげられ、又はこれらを併用することもできる。用いることができる光源の波長は、１５０ｎｍ〜２００００００ｎｍである。光源の照射角度は、基板に対して１０°〜１７０°であることがあげられる。その他にも、レーザーも光源として用いることができる。
【００２６】
特に、この光源は、ＲＴＰに供せられるＲＴＰ光源である。従来では、ＲＴＰ光源は、加熱処理源だけに用いられていたが、本発明ではＲＴＰ光源は多結晶シリコン蒸着のためのエネルギー源として用いられるという相違点を有する。
【００２７】
多結晶シリコン薄膜１４が形成される際には、光吸収層１２の自発的温度（spontaneous temperature）は、４５０℃〜１６００℃の範囲で維持される。ここで、加熱された光吸収層１２は、シリコンを含むガスに多結晶シリコン薄膜１４を形成するのに必要な反応エネルギーを提供する。
【００２８】
図３と図４を参照すれば、本発明では、透明基板１０の裏面冷却（backside cooling）を行うための基板ホルダー２０が使われており、基板ホルダー２０は、基板の裏面冷却効率を向上させるための冷却チャンネル２２、及び基板の変形などを防止するための真空吸着チャンネル２４などを備えている。真空吸着チャンネル２４は変形が僅かである場合には使用しなくてもよい。
【００２９】
そして、基板ホルダー２０の上面には反射膜２６がコーティングされることが望ましい。反射膜２６は、一部の光吸収層１２を透過する光が光吸収層１２に再反射させることができる。反射膜２６は、例えば金コーティングの如き、反射効率が高い物質で表面コーティングを行うことによって形成される。
【００３０】
透明基板１０上に形成される光吸収層１２の加熱による反応エネルギーを提供しながら光吸収層１２上に多結晶シリコン薄膜１４を形成する間、基板ホルダー２０は透明基板１０を冷却させて透明基板１０の温度上昇を制御する。好適には、基板ホルダー２０は、基板の効率的加熱及び冷却を行うために、基板に変形及び熱的損傷を与えない、−２０℃〜基板変形点温度の範囲で温度を選択して裏面冷却を制御することが望ましい。
【００３１】
冷却チャンネル２２は、透明基板１０と基板ホルダー２０との間に熱伝導率が高いガスなどを注入することに用いられる。この冷却チャンネル２２によって、熱伝導効率や基板全体の温度均一性を改善できる。注入するガスとしては、比熱が高いガスとしてヘリウム（He）ガスを用いることができ、そのガスの圧力は０．１Ｔｏｒｒ〜５００Ｔｏｒｒの範囲である。
【００３２】
真空吸着チャンネル２４は、加熱された基板表面と基板の間の温度差に起因する応力の増加による基板の変形を防ぐために用いられる。このとき、真空吸着である場合の圧力は０．１ｍＴｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒの範囲である。
【００３３】
反応炉の中で多結晶シリコンを形成する化学物質は、ガスを含むシリコン（Si）またはゲルマニウム（Ge）があげられる。例えば、SiH4、Si2H6、ＤＣＳなどがあげられる。また、III−Ｖ族の化合物半導体物質の形成も可能である。
【００３４】
多結晶シリコンの形成中に、リン（P）、ホウ素（B）ヒ素（As）などを含む化学物質を使って、in-situでのドーピングが可能である。例えば、PH3、B2H6、BH3などがあげられる。
【００３５】
シリコンソースガスの均一な分布のために雰囲気ガスを用いることができる。このような雰囲気ガスとしては、水素（H2）、アルゴン（Ar2）、ヘリウム（He2）、窒素（N2）などがあげられる。
【００３６】
好適には、反応炉の内部工程圧力は、０．１Ｔｏｒｒ〜１０００Ｔｏｒｒの範囲に維持されることが望ましい。
【００３７】
多結晶シリコン蒸着工程において生じる副生成物がが反応炉の内部に蓄積されて汚染粒子の原因となる。このような汚染粒子の除去のため、リモートクリーン方式によりフッ素ガスを注入させる。また、フッ化水素（HF）蒸気を注入させて、反応炉の内部に沈積された汚染物質を除去することもできる。
【００３８】
図５は、従来技術により製造された多結晶シリコンの粒径分布を示す図である。図６は、本発明により製造された多結晶シリコンの粒径分布を示す図である。
【００３９】
図５に示す従来技術により製造された多結晶シリコンは、その粒径が非常に不規則に分布するが、図６の本発明により製造された多結晶シリコンは、その粒径が規則的に分布する。
【００４０】
この結晶の粒径の分布は、ポリシリコンの電気的特性と密接な関連性を有する。図５のように結晶の粒径の分布が不均一な場合には、シリコンの電気的特性がその粒径によって変化することが起こりうる。そのため、粒径は基板内の素子性能の再現性と均一性に悪影響を与えかねない。一方、本発明は、図６に示すように光吸収層により結晶粒径を均一に制御でき、同一の基板内の素子の均一な電気的特性を得ることができる。
【００４１】
即ち、本発明では、光吸収層として用いられる膜の構造により多結晶シリコンの結晶粒径を均一に制御することで、同一の基板内の素子について均一な電気的特性を得ることができる。
【００４２】
上記で説明された透明基板を用いる多結晶シリコン製造方法は、ＴＦＴを製造する工程において最も重要な工程であり、その他の工程は公知の工程によることができる。
【００４３】
本発明に係るＴＦＴの製造方法の特徴は、透明基板上に形成した光吸収層の加熱に供する反応エネルギーを提供しながら多結晶シリコンを蒸着することであり、基板の損傷や変形を生じずに電気的特性が良好なＴＦＴを得ることができる。
【００４４】
図７は、本発明に係る製造方法により製造されたＴＦＴの概略断面図である。このＴＦＴは、透明基板１０と、透明基板１０上に形成される光吸収層１２と、光吸収層１２上に形成される多結晶シリコン活性層として機能する多結晶シリコン薄膜１４と、多結晶シリコン薄膜１４上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えている。
【００４５】
透明基板１０の上面には光吸収層１２が形成されている。光吸収層１２の上面には多結晶シリコン活性層として機能する多結晶シリコン薄膜１４が設けられている。これはドーピングされたソース、ドレイン及びこれらの間のチャンネルに区分される。多結晶シリコン薄膜１４上には絶縁層が形成されており、ここでソースと、ドレインに対応する部分には、その上からのソース電極とドレイン電極のコンタクトのためのコンタクトホールが形成されている。
【００４６】
このようなＴＦＴを製造することにおいて、本発明は、多結晶シリコン活性層として機能する多結晶シリコン薄膜１４を形成する工程に適用することができる。即ち、本発明における多結晶シリコン活性層は基板１０の表面上に光吸収層１２を形成し、光源の照射を通じて光吸収層１２を加熱しながら光吸収層１２上に多結晶シリコン薄膜１４を気相蒸着する工程によって製造される。
【００４７】
図８は、本発明に係る製造方法により製造された電界効果トランジスター（ＦＥＴ）の概略断面図である。このＦＥＴは、基板１０と、基板１０上に形成される光吸収層１２と、光吸収層１２上に形成される多結晶シリコン薄膜１４と、多結晶シリコン薄膜１４上に形成されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成されるゲートを備えており、ゲートの両側にはソース領域とドレイン領域が形成される。ここで、多結晶シリコン薄膜１４は多結晶シリコン活性層として機能する。
【００４８】
このようなＦＥＴを製造することにおいて、本発明は、多結晶シリコン活性層として機能する多結晶シリコン薄膜１４を形成する工程に適用することができる。即ち、本発明における多結晶シリコン活性層は、基板１０の表面上に光吸収層１２を形成し、光源の照射により光吸収層１２を加熱しながら、光吸収層１２上に多結晶シリコン薄膜１４を気層蒸着することにより製造される。
【００４９】
図９は、本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体の断面図である。透明基板１０上に光吸収層１２と多結晶シリコン薄膜１４が順に蒸着される。
【００５０】
透明基板１０はガラスまたはプラスチック材質を用いられる。
【００５１】
透明基板１０上には光吸収層１２が形成されている。上記したように、光吸収層１２の材料は、シリコン（Si）、アモルファスシルコン（a-Si）、ゲルマニウム（Ge）、シリコンカーバイド（SiC）、アモルファスカーボン（a-C）、ガリウムヒ素（GaAs）、シリコンゲルマニウム（SiGe）からなる群から選択される少なくとも一つを用いることができ、III〜Ｖ族化合物半導体物質も用いることができる。
【００５２】
光吸収層１２上には多結晶シリコン薄膜構造体１４が形成されている。
【００５３】
上記した多結晶シリコン薄膜構造体は、電子素子の一つの構成要素として、ＴＦＴ液晶ディスプレイ（thin film transistor liquid crystal display：ＴＦＴ  ＬＣＤ）、低温ポリシコンＴＦＴ液晶ディスプレイ（low temperature polysilicon-TFT LCD：ＬＴＰＳ−ＴＦＴ  ＬＣＤ）、有機ＥＬ（organic light emitting diode：ＯＬＥＤ）、太陽電池、その他透明基板上に多結晶シリコン薄膜を必要とする如何なる装置等に用いることができる
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造工程図である。
【図２】本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造工程図である。
【図３】本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜の製造工程において基板ホルダー上に透明基板が安着されている状態図である。
【図４】本発明における基板ホルダーの平面図である。
【図５】従来技術により製造された多結晶シリコンの結晶粒径分布を示す図である。
【図６】本発明により製造された多結晶シリコンの結晶粒径分布を示す図である。
【図７】本発明に係る製造方法により製造されたＴＦＴの概略断面図である。
【図８】本発明に係る製造方法により製造されたＦＥＴの概略断面図である。
【図９】本発明に係る透明基板を用いる多結晶シリコン薄膜構造体の断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  透明基板
１２  光吸収層
１４  多結晶シリコン薄膜
２０  基板ホルダー
２２  冷却チャンネル
２４  真空吸着チャンネル
２６  反射膜
【図１】
2009521797.tif 000003
【図２】
2009521797.tif 000004
【図３】
2009521797.tif 000005
【図７】
2009521797.tif 000006
【図８】
2009521797.tif 000007
【図９】
2009521797.tif 000008
【図４】
2009521797.tif 000009
【図５】
2009521797.tif 000010
【図６】
2009521797.tif 000011
【国際調査報告】
2009521797.tif 000012
2009521797.tif 000013