(57)【要約】  本発明は、１個の半導体ダイの実装方法に関し、該方法は、半導体ダイ（２０）をキャリア（１０）上のダイ取付パッド（３４）に実装する工程と、前記半導体ダイ（２０）の第１主電極（３６）および前記キャリア（１０）上の第１コンタクトパッド（１６）を、犠牲基板（５８）によって担持される第１クリップ（５４）と電気的に結合させる工程とを具える。前記方法は、前記第１クリップ（５４）を解放するために、前記犠牲基板（５８）を除去する工程をさらに具える。前記方法は、各々が、複数の半導体ダイ（２０）のためのダイ取付パッド（３４）および第１コンタクトパッド（１６）を有する複数のデバイス領域（１２，１３）を有する適合するキャリアにも拡大されることができる。
2009514242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１個の半導体ダイを、キャリア上のダイ取付パッドに実装する工程と、
犠牲基板によって担持される第１クリップの第１部分を、前記半導体ダイの第１主電極と電気的に結合する工程と、
前記第１クリップを解放するため前記犠牲基板を除去する工程と
を具える半導体ダイの実装方法。
【請求項２】
前記犠牲基板を除去する工程の前に、前記第１クリップの第２部分を、前記キャリア上の第１コンタクトパッドと電気的に結合する工程をさらに具える請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項３】
前記第１主電極および前記第１コンタクトパッドが、前記キャリア上で異なる水平面に位置し、前記第１主電極および前記第１コンタクトパッドの前記異なる水平面を補償するため、前記第１クリップの前記第１および第２部分が異なる高さを有するように、前記犠牲基板を屈曲させる工程をさらに具える請求項２に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項４】
前記第１クリップの第１部分を電気的に結合する工程は、
ある量の導電性接着剤を、前記半導体ダイ上の第１主電極に塗布し、前記第１クリップの前記第１部分を、前記導電性接着剤と接触させ、そして、前記第１クリップの前記第１部分を、前記第１主電極と接着結合するように、前記導電性接着剤を硬化させることをさらに有する請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項５】
前記第１クリップの第１部分を電気的に結合する工程は、
ある量のはんだ付け可能材料を、前記半導体ダイ上の第１主電極に塗布し、前記第１クリップの前記第１部分を、前記はんだ付け可能材料と接触させ、そして、前記第１クリップの前記第１部分を、前記第１主電極と接合するように、前記はんだ付け可能材料をリフローすることをさらに有する請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項６】
前記犠牲基板が第１材料から形成され、かつ前記第１クリップが第２材料から形成され、そして、前記犠牲基板を除去する工程は、前記第２材料に対して選択的な前記第１材料を除去するように前記犠牲基板をエッチングすることをさらに有する請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項７】
前記第１材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、かつ前記第２材料が銅または銅合金であり、そして、前記犠牲基板のエッチングは、少なくとも前記犠牲基板を、前記第２材料に対して選択的に前記第１材料と反応する化学的性質を有するアルカリ浴中に浸漬することをさらに有する請求項６に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項８】
前記アルカリ浴は、水酸化カリウム水溶液または水酸化ナトリウム水溶液の加熱アルカリ浴を具える請求項７に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項９】
前記犠牲基板上に導電材料からなる第１導電材料層を堆積し、そして、前記第１クリップを画定するため、前記第１導電材料層をパターニングすることをさらに有する請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１０】
前記第１導電材料層のパターニングは、前記第１クリップの形状と関連する、前記第１導電材料層の領域を保護するためのエッチマスクを適用し、そして、前記エッチマスクから前記第１導電材料層に、前記第１クリップの形状を転写するため、エッチングプロセスを用いて、前記第１導電材料層の保護されていない領域を完全に除去することをさらに有する請求項９に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１１】
前記半導体ダイと前記第１クリップをカプセル化し、それによって、ダイパッケージを画定するため、成形材料からなるボディで、前記キャリアをオーバーモールドすることをさらに有する請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１２】
前記犠牲基板によって担持される第２クリップの第１部分を、前記半導体ダイの第２主電極と電気的に結合する工程と、
前記犠牲基板を除去する工程の前に、前記第２クリップの第２部分を、前記キャリア上の第２コンタクトパッドと電気的に結合する工程と、
前記第２クリップを解放するため、前記犠牲基板を除去する工程と
をさらに具える請求項１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１３】
複数の半導体ダイの各々を、キャリア上の複数のデバイス領域のうち、対応する１個のデバイス領域のダイ取付パッドに実装する工程と、
犠牲基板によって担持される複数の第１クリップの各々の第１部分を、前記半導体ダイのうち、対応する１個の半導体ダイの第１主電極と電気的に結合する工程と、
前記第１クリップを解放するため、前記犠牲基板を除去する工程と
を具える半導体ダイの実装方法。
【請求項１４】
前記犠牲基板を除去する工程の前に、前記第１クリップの各々の第２部分を、前記キャリア上の複数の第１コンタクトパッドのうち、対応する１個の第１コンタクトパッドと電気的に結合する工程をさらに具える請求項１３に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１５】
前記第１主電極および前記第１コンタクトパッドが、前記キャリア上で異なる水平面に位置し、前記第１主電極および前記第１コンタクトパッドの前記異なる水平面を補償するため、前記第１クリップの各々の前記第１および第２部分が異なる高さを有するように、前記犠牲基板を屈曲させる工程をさらに具える請求項１４に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１６】
前記犠牲基板が第１材料から形成され、かつ前記第１クリップが第２材料から形成され、そして、前記犠牲基板を除去する工程は、前記第２材料に対して選択的な前記第１材料を除去するように前記犠牲基板をエッチングすることをさらに有する請求項１３に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１７】
前記第１材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金であり、かつ前記第２材料が銅または銅合金であり、前記犠牲基板のエッチングは、少なくとも前記犠牲基板を、前記第２材料に対して選択的に前記第１材料と反応する化学的性質を有するアルカリ浴中に浸漬することをさらに有する請求項１６に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１８】
前記アルカリ浴は、水酸化カリウム水溶液または水酸化ナトリウム水溶液の加熱アルカリ浴を有する請求項１７に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項１９】
前記犠牲基板上に導電材料からなる第１導電材料層を堆積し、そして、前記第１クリップを画定するため、前記第１導電材料層をパターニングすることをさらに有する請求項１３に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項２０】
前記第１導電材料層のパターニングは、前記第１クリップの各々の形状と関連する、前記第１導電材料層の領域を保護するためのエッチマスクを適用し、そして、
前記エッチマスクから前記第１導電材料層に、前記第１クリップの各々の形状を転写するため、エッチングプロセスを用いて、前記第１導電材料層の保護されていない領域を完全に除去すること
をさらに有する請求項１９に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項２１】
前記複数の半導体ダイと前記複数の第１クリップをカプセル化するため、成形材料からなるボディで、前記キャリアをオーバーモールドすることをさらに有する請求項１３に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項２２】
前記デバイス領域のうちの対応する１個のデバイス領域および前記半導体ダイのうち対応する１個の半導体ダイを各々含む複数のダイパッケージを画定するため、前記キャリアから前記デバイス領域を分離する工程をさらに具える請求項２１に記載の半導体ダイの実装方法。
【請求項２３】
１個の半導体ダイ、１個のキャリア、１個の第１クリップおよび１個のボディを具える半導体パッケージであって、
前記半導体ダイは、１個の第１主電極を有し、
前記キャリアは前記半導体ダイを支持し、前記半導体ダイと結合されるダイ取付パッドと第１コンタクトパッドとを有する少なくとも１つのデバイス領域を含み、前記半導体ダイの前記第１主電極は、前記半導体ダイが前記ダイ取付パッドと結合されるときに露出され、
前記第１クリップは、前記第１コンタクトパッドと、前記半導体ダイの前記第１主電極とを電気的に結合させ、前記第１クリップは、犠牲基板によって支持され、該犠牲基板は、前記第１クリップが前記第１コンタクトパッドおよび前記第１主電極に取り付けられた後に除去され、
前記ボディは、成形材料からなり、少なくとも部分的に前記デバイス領域、前記半導体ダイ、および前記第１クリップをカプセル化する
半導体パッケージ。
【請求項２４】
前記半導体ダイが第２主電極をさらに含み、かつ前記キャリアの前記デバイス領域が第２コンタクトパッドを含み、
さらに、前記第２コンタクトパッドを、前記半導体ダイの前記第２主電極と電気的に結合させる第２クリップを具え、該第２クリップは、前記犠牲基板によって支持され、該犠牲基板は、前記第２クリップが前記第２コンタクトパッドおよび前記第２主電極に取り付けられた後に除去される請求項２３に記載の半導体パッケージ。
【請求項２５】
成形材料からなる前記ボディが、少なくとも部分的に前記第２クリップをカプセル化する請求項２４に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、チップ実装に関し、特に、クリップボンディングを利用して、半導体ダイの電極を、キャリア上のデバイス領域のコンタクトパッドに電気的に結合するダイパッケージの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を担持する半導体ダイまたチップは、チップパッケージの中に実装され、その後、表面がプリント配線基板（ＰＷＢ）またはプリント回路基板（ＰＣＢ）のような基板に実装され、電子アセンブリを形成する。半導体ダイの実装は、様々な重要な機能を提供する。これら機能としては、湿気および他の不利な環境要素からの前記半導体ダイの保護、外部回路への電気的接続、および、前記半導体ダイによって発生する熱負荷の温度管理などが挙げられる。
【０００３】
チップパッケージの一般的なタイプは、表面実装型デバイス（ＳＭＤ）である。これは、はんだボンディングによって、前記プリント配線基板上の相補的なコンタクトパッドに接続されるコンタクトパッドを含む。前記チップパッケージは、位置決めマシンによって、前記プリント配線基板上の指定位置の上に操作され、その後、はんだボンドによって、前記プリント配線基板に電気的に結合される。前記プリント配線基板は、前記チップパッケージを実装し、かつ、保持するための物理的構造を提供する。これは、前記コンタクトパッドから延在し、前記チップパッケージの内側にある前記半導体チップを、前記プリント配線基板に実装された、個別の受動素子または他の半導体チップのような、他の構成部材と電気的に相互接続させるための、導電性トレースのパターンと同様である。これら追加の構成部材は、前記チップパッケージの内側にある半導体チップの前記集積回路に電力を供給し、前記集積回路を制御し、またその他にも、前記集積回路と電気的に相互作用するために用いられる回路を含む。
【０００４】
チップパッケージを形成するために、前記半導体チップは、リードフレームのような金属キャリアの正面側に実装される。導電性パスは、前記半導体チップ上のコンタクトまたはボンドパッドと、前記キャリアの前記正面側上のコンタクトまたはボンドパッドとの間に設置される。これら導電性パスを設置する１つの方法は、ワイヤボンディングプロセスである。このプロセスにおいて、個々のリードは、前記チップボンドパッドから、前記チップの周辺端部を外側に超えて、前記キャリアボンドパッドまで延在する。ファインワイヤによって画定される前記リードは、反対端ごとに、対応するボンドパッドと接着される。前記リードおよびボンドパッドによって定立される前記導電性パスは、電力および信号配分のためのチップ−キャリア相互接続を供給する。前記結合された半導体ダイおよびキャリアは、成形材料からなる保護ボディの中にカプセル化され、前記半導体ダイおよびリードを保護するシールパッケージを形成する。前記キャリアコンタクトパッドは、前記カプセル化されたパッケージによって、前記パッケージをプリント配線基板に実装するために露出される。
【０００５】
パワーエレクトロニクスパッケージは、高電流容量を有するパワー半導体ダイのための、機械的支持、デバイス保護、冷却、および電気的接続ならびに絶縁を提供する。パワーエレクトロニクスパッケージの全体的な性能は、前記実装によって影響される。特に、パワー半導体ダイは、頂面上にボンドパッドを具える。このボンドパッドは、典型的に、少量の割合のシリコンを含有するアルミニウム合金によって構成される。前記アルミニウムボンドパッドは、典型的に、前記パワー半導体ダイのソースおよびゲートとのトップサイド接続を提供する。従来のワイヤボンドプロセスは、前記アルミニウムボンドパッドとの電気的接続を形成するのに用いられることができる。しかしながら、ワイヤ−ボンド接続は、限定されたコンタクト領域を有し、したがって、デバイス操作の間中、深刻な電気抵抗および熱発生のソースとなる。
【０００６】
ワイヤボンディングの様々な不利益のため、パッケージ製造業者は、前記ダイパッケージの内側における前記パワー半導体ダイの前記アルミニウムボンドパッドとの電気的接触を定立するために、ワイヤボンドの代わりとして、導電性クリップの使用という手段を用いた。前記導電性クリップは典型的に、前記パワー半導体ダイの上を覆う位置に個々に配置され、そして、多少の接着剤またははんだを用いて、前記アルミニウムコンタクトパッドと接着される。前記ボンドは、ワイヤボンディングを用いて得られるものよりも非常に大きいコンタクト領域の上方に延在する。これは、前記コンタクトの前記通電容量を向上させる。しかしながら、従来のクリップボンディング操作は、各々がリードフレーム上のダイ取付パッドに取り付けられる裏面を有する複数のパワー半導体ダイの各々に対する個別的なピックおよびプレイス操作を必要とする。これは、プロセススループットを極めて限定し、高容量実装操作を妨害する。代案として、別のトップリードフレームは、下方のリードフレームに取り付けられる複数のパワー半導体ダイの各々の前記アルミニウムコンタクトパッドと接着されることができ、その後、前記導電性クリップを画定するための組み立ての間中、パンチングによって曲げられる。同様に、これは、プロセススループットを極めて限定し、高容量実装操作を妨害し、これは、実装のコストを増加させる。組み立ての間の高利回りのため、前記トップリードフレームは、複数の半導体ダイの各々の前記アルミニウムコンタクトパッドに正確に位置を合わせられなければならない。組み立ておよび成形材料を用いるカプセル化後、前記トップリードフレームは、追加的な金属物を表し、この金属物は、別個のパッケージへの単独化の間中、切断されなければならない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
必要なことは、したがって、ダイパッケージの内側の半導体ダイとのクリップボンディング方法であり、これは、前記ダイパッケージの内側の半導体ダイの前記ボンドパッドとの電気的接点を定立するための導電性クリップに依存する従来の実装方法の不利な点を克服する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一の実施形態において、１個の半導体ダイの実装方法は、１個の半導体ダイを、キャリア上のダイ取付パッドに実装する工程と、犠牲基板によって担持される第１クリップの第１部分を、前記半導体ダイの第１主電極と電気的に結合する工程とを具える。前記方法は、前記第１クリップを解放するために、前記犠牲基板を除去する工程をさらに具える。
【０００９】
本発明の別の実施形態において、複数の半導体ダイの実装方法は、前記複数の半導体ダイの各々を、キャリア上の複数のデバイス領域のうち対応する１個のダイ取付パッドに実装する工程を具える。前記方法は、犠牲基板によって担持される複数の第１クリップの各々の第１部分を、前記半導体ダイのうち対応する１個の半導体ダイの第１主電極と電気的に結合する工程と、その後、前記第１クリップを解放するために、前記犠牲基板を除去する工程とをさらに具える。
【００１０】
この発明の詳細な説明の一部に取り入れられ、そしてこの発明の詳細な説明の一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を示し、上で与えられた本発明の一般的な説明および以下で与えられる実施形態の詳細な説明とともに、本発明の原則を説明するのに役立つ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、パワー半導体ダイ用パッケージの形成方法を提供する。本発明は、これから、添付図面を参照してより詳細に説明されるであろう。
【００１２】
図１に関し、そして、本発明の実施形態によれば、１個のリードフレームまたはキャリア１０は、複数のデバイス領域からなるマトリックスまたはアレイを含む。前記デバイス領域は、図１において、一対のデバイス領域１２，１３からなり、略平面１４にわたって配置される。ここで用いられる「垂直」という用語は、前記略平面１４に実質的に直角をなす方向を意味し、「水平」という用語は、前記略平面１４に実質的に平行な方向を意味する。第１コンタクトパッド１６および第２コンタクトパッド１８を含む複数のコンタクトパッド１６，１８は、前記デバイス領域１２，１３の各々に隣接して位置し、存在するのであれば、前記キャリア１０の他のデバイス領域の各々に隣接して位置する。前記コンタクトパッド１６，１８は、前記デバイス領域１２,１３の各々に取り付けられる１個の半導体チップまたはダイ２０との接続を定立(establish)するために使用される。以下に示すデバイス領域１２の説明は、デバイス領域１２と実質的に同一であるデバイス領域１３にも同様に適用される。前記キャリア１０の追加部分（図示せず）は、前記デバイス領域１２，１３と結合し、前記コンタクトパッド１６，１８は、連続構造を形成するようになる。例えば、キャリア１０は、同一出願人による米国特許出願番号第１０／５１０，５９１号公報および米国特許出願番号第１０／５１０，５５８号公報に記載された１個のキャリアを構成することができる。これら出願の各々は、ここで参照することにより、全体として本出願に組み込まれる。
【００１３】
デバイス領域１２の第１コンタクトパッド１６は、前記キャリア１０の、前記半導体ダイ２０と同じ側に、第１金属被覆層２２を含み、かつ前記キャリア１０の反対側に、第２金属被覆層２４を含み、完成したパッケージ（図示せず）と、プリント配線基板のような基板との間の電気接点を定立するのに用いられる。同様に、デバイス領域１２の第２コンタクトパッド１８は、前記キャリア１０の、前記半導体ダイ２０と同じ側に、第１金属被覆層２６を含み、かつ前記キャリア１０の反対側に、第２金属被覆層２８を含む。前記第２金属被覆層２４，２８は、完成したパッケージ（図示せず）内部の前記半導体ダイ２０と、プリント配線基板のような基板（図示せず）との間の電気接点を定立するのに用いられる。
【００１４】
多少の導電性接着物質３０は、前記第１コンタクトパッド１６の前記第１金属被覆層２２の露出面２１に適用される。前記導電性接着物質３０は、例えば、導電性接着剤、若しくは、はんだペーストまたははんだのような、はんだ合金材料などである。別の多少の導電性接着物質３２は、前記第２コンタクトパッド１８の前記第１金属被覆層２６の露出面２５に適用される。他の因子の中で、前記導電性接着物質３０，３２の各々の正確な体積および質量は、前記領域次第であり、これらを横切って、電気的、機械的および熱的接点は定立される。
【００１５】
前記半導体ダイ２０は、前記第１および第２コンタクトパッド１６，１８に隣接して位置する前記キャリア１０上の、１個のダイ取付パッド３４に取り付けられる。前記半導体ダイ２０は、第１主電極３６および第２主電極３８を含み、前記第１主電極３６は、前記ダイ取付パッド３４から遠方の頂面３５上に配置され、前記第２主電極３８は、前記ダイ取付パッド３４に近い底面３９上に配置される（図３Ａ）。半導体ダイ２０は、比較的小さい制御電極４０も含む。この制御電極４０は、前記頂面３５上に配置され、前記第１主電極３６から電気的に絶縁される。前記半導体ダイ２０がパワートランジスタである場合、前記第１主電極３６は、ソースコンタクトパッドとなり、前記第２主電極３８は、ドレインコンタクトパッドを構成し、そして、前記制御電極４０は、ゲートコンタクトパッドとなる。使用中、前記制御電極４０は、当業者によって理解されているような、外部制御装置からの制御信号に応じて、前記第１主電極３６と前記第２主電極３８との間を流れる電流を調節する。前記第１主電極３６および前記制御電極４０は、少量のシリコンを含有するアルミニウム合金からなることができる。
【００１６】
前記第２主電極３８は、導電層４２によって前記ダイ取付パッド３４と結合される（図３Ａ）。前記導電層４２は、導電性接着剤または高温度、熱伝導性はんだ、多くの場合、共晶はんだからなる。導電層４２は、前記第２主電極３８と前記ダイ取付パッド３４との間の直接的な電気接続を提供する。
【００１７】
前記第１主電極３６の露出面４３上に、多少の導電性接着物質４４が配置される。前記導電性接着物質４４は、例えば、導電性接着剤、若しくは、はんだペーストまたははんだのような、はんだ合金材料などである。別の多少の導電性接着物質４６は、前記制御電極４０の露出面上に配置される。他の因子の中で、前記導電性接着物質４４，４６の各々の正確な体積および質量は、前記領域次第であり、これらを横切って、電気的、機械的および熱的接点は定立される。
【００１８】
図２によれば、パターニングされ、そして予め成形されたトップフレーム５０は、前記キャリア１０から間隔を置いて、概ね上方に横たわるような関係で位置付けられる。前記トップフレーム５０は、前記半導体ダイ２０および前記第１および第２コンタクトパッド１６，１８と接触するよう、矢印５２によって示されるように、垂直に移動される。なお、図２中、図１およびその後の処理段階においても同じ形態である構成部材については、同じ参照符号を用いて言及している。
【００１９】
前記トップフレーム５０は、第１クリップ５４および第２クリップ５６を含む複数のクリップ５４，５６を含み、これらクリップ５４，５６は、犠牲基板５８上に担持され、かつ接着される。前記犠牲基板５８は、適切なウェットまたはドライエッチングプロセスによってエッチングされることができる材料からなる。前記エッチングプロセスは、前記第１および第２クリップ５４，５６を構成する導電材料（例えば金属）に対して選択的な、そして前記キャリア１０にダメージを与えることのないプロセスである。同様に、前記第１および第２クリップ５４，５６を構成する導電材料は、適切なウェットまたはドライエッチングプロセスによってエッチングされることができる。前記エッチングプロセスは、前記犠牲基板５８を構成する材料に対して選択的な、そして前記キャリア１０にダメージを与えることのないプロセスである。前記第１および第２クリップ５４，５６は、前記犠牲基板５８の領域によって互いに分離されている。前記犠牲基板５８が除去される場合、以下に記載されるように、前記第１および第２クリップ５４，５６は、互いに電気的に絶縁されている。
【００２０】
前記第１および第２クリップ５４，５６は、導電材料からなる第１導電材料層から形成される。この第１導電材料層は、表面上(nominally)均一な厚さを有し、前記犠牲基板５８上に、電気メッキのような従来のプロセスによって堆積され、または従来のプロセスによって積層される。この第１導電材料層は、前記第１および第２クリップ５４，５６を画定するために、従来のリソグラフィおよびウェットまたはドライエッチングプロセスによってパターニングされる。この方法は、エッチマスクを用いて前記金属層の部分を保護し、そして前記犠牲基板５８を構成する材料に対して選択的に、前記層の保護されていない部分を除去する。エッチングは、サブトラクティブプロセスとし、このプロセス中、前記層のマスクされていない部分は、液体薬品中で溶解される（すなわちウェットエッチング）か、または揮発性ガス組成物に変換される（すなわちドライエッチング）。
【００２１】
本発明の一実施形態において、第１および第２クリップ５４，５６へとパターニングされる前記金属シートは、銅、または、組成の大部分が銅である銅合金からなる。また、前記犠牲基板５８は、アルミニウム、または、組成の大部分がアルミニウムであるアルミニウム合金からなる。この場合、前記パターンは、前記銅または銅合金上に、リソグラフィに適用されることができ、その後、アルミニウムに対して選択的なウェット銅エッチングが続く。
【００２２】
第２クリップ５６よりも面積が大きい第１クリップ５４は、第１部分である主パッド６０と、この主パッド６０から離れて延在する付属肢またはアーム６２とを含む。第２クリップ５６は、犠牲基板５８上を、第１クリップ５４のアーム６２と同じ方向に一般的に延在するストリップ６４からなる。前記トップフレーム５０は、一対の、滑らかにカーブし、かつ略平行なベンド６６，６８を含む。これらベンド６６，６８は、前記トップフレーム５０を変形することによって形成される。ベンド６６は、前記アーム６２の、第１クリップの第２部分である自由端部７０およびストリップ６４の、第２クリップの第２部分である端部７２の高さを変化させるよう作用し、前記半導体ダイ２０の前記頂面３５と、前記第１および第２コンタクトパッド１６，１８のそれぞれの露出された頂面２１，２５との間の高さの相対的な違いを計上する。
【００２３】
図３によれば、前記トップフレーム５０は移動され、前記導電性接着物質４４，４６は、第１クリップ５４の前記主パッド６０の底部側と、前記ストリップ６４の端部７４の底部側にそれぞれ接触するようになる。図３中、図２およびその後の処理段階においても同じ形態である構成部材については、同じ参照符号を用いて言及している。前記トップフレーム５０における前記ベンド６６の存在のため、第１クリップ５４の前記アーム６２の前記自由端部７０および第２クリップ５６のストリップ６４の前記端部７２は、前記導電性接着物質３０，３２に接触する。前記導電性接着物質が、はんだまたははんだペーストである場合、はんだプロセスは、前記第１および第２クリップ５４，５６、前記第１および第２コンタクトパッド１６，１８および前記半導体ダイ２０の間の、金属接着または金属間化合物接着を定立するのに用いられる。前記はんだプロセスは、一般的に、ウェーブソルダリング、赤外線（ＩＲ）リフローソルダリング、対流ＩＲリフローソルダリング、または気相リフローソルダリングによって完了される。前記導電性接着物質が接着剤である場合、加熱のような硬化プロセスは、対応する接着結合を定立するのに用いられる。
【００２４】
図４によれば、前記犠牲基板５８は、ウェットまたはドライエッチングプロセスを用いて除去される。前記エッチングプロセスは、前記キャリア１０および前記第１および第２クリップ５４，５６を構成する材料に対して選択的に、犠牲基板５８を構成する材料を除去する。図４中、図３およびその後の処理段階においても同じ形態である構成部材については、同じ参照符号を用いて言及している。前記第１および第２クリップ５４，５６は、したがって、前記犠牲基板５８から解放され、そして解放後、互いに電気的に絶縁される。例えば、前記第１および第２クリップ５４，５６が銅または銅合金からなり、かつ前記犠牲基板５８がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる場合、前記犠牲基板５８をエッチングにより完全に除去するのに十分な時間、適切なウェットエッチング液は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液または水酸化ナトリウム溶液からなる加熱アルカリ浴である。前記エッチング時間は、前記第１および第２クリップ５４，５６を独立して、電気的に絶縁された構造になるよう残し、前記第１および第２クリップ５４，５６を犠牲基板５８から自由にする。前記エッチング時間は、前記犠牲基板５８の厚さに依存するであろう。前記エッチング液浴を、例えば５０℃まで加熱することは、前記エッチング速度を高め、それ故に、前記エッチング時間を減少させる。
【００２５】
図５によれば、前記第１および第２コンタクト１６，１８は、標準製造プロセスによって、前記半導体ダイ２０をプリント配線基板（図示せず）のような基板と電気的に結合させる用意ができている。なお図５中、図４およびその後の処理段階においても同じ形態である構成部材については、同じ参照符号を用いて言及している。複数のダイパッケージ８０，８２は、成形材料からなるボディ８４を、前記キャリア１０に適用することによって完成される。これは、当業者によって理解されるような、すべての適切な成形技術によって行われる。例えば、前記ボディ８４は、適切な成形トレイ中でオーバーモールドすることによって、前記キャリア１０に適用されることができる。成形材料からなる前記ボディ８４は、オーブン硬化のような従来から知られた技術を用いて、硬化され(cure)、そして、少なくとも部分的に硬化(hardened)される。例えば、前記成形材料ボディ８４は、前記キャリア１０の上方に、トランスファーまたはインジェクション成形によって形成されることができる。前記成形材料ボディ８４は、前記キャリア１０、第１および第２コンタクトパッド１６，１８、および半導体ダイ２０を完全にカプセル化し、第１および第２コンタクトパッド１６，１８のそれぞれの第２金属被覆層２４，２８を除いて、すべてのオープンスペースを充填する。前記第２金属被覆層２４，２８は、外部からの成形材料によって汚染されない限り露出される。
【００２６】
各々が１個の半導体ダイ２０を含む前記ダイパッケージ８０，８２は、前記デバイス領域１２，１３間のラインに沿って、成形材料からなる前記ボディ８４を切断することによって、分離または単独化される。前記単独化操作は、当業者に知られたウェーハ切断法を用いる切断のような技術を用いて行われることができる。前記複数のダイパッケージ８０，８２は、単独化された後、前記基板（例えばプリント配線基板）に電気的に実装されることができる。前記外側の成形材料本ボディ８４は、周囲の汚染の侵入を防止する。
【００２７】
本発明が様々な実施形態の記載によって説明されている一方で、そして、これら実施形態がかなり詳細に記載されている一方で、添付の特許請求の範囲を、そのような詳細に制限または多少なりとも限定されることは、出願人の意図するところではない。追加的な利点および修正は、当業者にとって容易であろう。それ故に、本発明の上位の態様は、したがって、上述した発明の詳細な説明、発明を実施するための最良の形態、ならびに実施例によって限定されるものではない。したがって、発展は、そのような詳細から、出願人の全般的な発明コンセプトの範囲から逸脱することなく形成されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に従う様々な処理段階を示す複数のデバイス領域を有するキャリアの一対のデバイス領域の概略図である。
【図２】本発明の実施形態に従う様々な処理段階を示す複数のデバイス領域を有するキャリアの一対のデバイス領域の概略図である。
【図３】本発明の実施形態に従う様々な処理段階を示す複数のデバイス領域を有するキャリアの一対のデバイス領域の概略図および前記キャリアの概略的な側面図である。
【図４】本発明の実施形態に従う様々な処理段階を示す複数のデバイス領域を有するキャリアの一対のデバイス領域の概略図である。
【図５】本発明の実施形態に従う様々な処理段階を示す複数のデバイス領域を有するキャリアの一対のデバイス領域の概略図である。
【図１】
2009514242.tif 000003
【図２】
2009514242.tif 000004
【図３】
2009514242.tif 000005
【図３Ａ】
2009514242.tif 000006
【図４】
2009514242.tif 000007
【図５】
2009514242.tif 000008
【国際調査報告】
2009514242.tif 000009
2009514242.tif 000010
2009514242.tif 000011