(57)【要約】  電子の放出効率が大きい電子放出素子及びこれを備えるディスプレイを提供する。その素子及びディスプレイは、基板上において相互に対向し、所定の間隔だけ離隔するように形成されたギャップにより分離された金属−絶縁体転移物質層と、分離された転移物質層のそれぞれに連結されて転移物質層のギャップに電子を放出させるための電極と、を備える。
2009506495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上において相互に対向し、所定の間隔だけ離隔するように形成されたギャップにより分離された金属−絶縁体転移物質層と、
前記分離された転移物質層のそれぞれに連結されて前記転移物質層のギャップに電子を放出させるための電極と、
を備えることを特徴とする金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項２】
前記基板は、有機物層、無機物層及びこれらの複合層で形成された少なくとも一層、並びに、前記層がパターニングされた構造体のうちの選択されたいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項３】
前記ギャップの幅は、５乃至２００ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項４】
前記ギャップは、前記転移物質層が均一に離隔して溝状形態を有することを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体相転移を利用した電子放出素子。
【請求項５】
前記ギャップは、前記転移物質層が尖った端部を有するように、前記端部が離隔して対向するように配置された形態を有することを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項６】
前記転移物質層は、前記ギャップによって完全に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項７】
前記転移物質層は、前記ギャップを含みつつ、連結されていることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項８】
前記転移物質層は、酸素、炭素、半導体元素（ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族）、転移金属元素、希土類元素、ランタン系元素を含む低濃度の正孔が添加された無機物化合物半導体及び絶縁体、低濃度の正孔が添加された有機物半導体及び絶縁体、低濃度の正孔が添加された半導体、並びに、低濃度の正孔が添加された酸化物半導体及び絶縁体のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項９】
前記電極は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｃ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕの金属、前記金属の化合物、並びに、前記金属及び前記化合物を含む酸化物からなる少なくとも１層であることを特徴とする請求項１に記載の金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上において相互に対向し、所定の間隔だけ離隔するように形成されたギャップにより分離された金属−絶縁体転移物質層と、
前記分離された転移物質層のそれぞれに連結されて前記転移物質層のギャップに電子を放出させるための電極と、
前記電子を視覚的に認識可能な状態に変換させる表示板と、
を備えることを特徴とするディスプレイ。
【請求項１１】
前記ギャップは、前記転移物質層が均一に離隔して溝状形態を有することを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ。
【請求項１２】
前記ギャップは、前記転移物質層が尖った端部を有するように、前記端部が離隔して対向するように配置された形態を有することを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ。
【請求項１３】
前記転移物質層は、前記ギャップによって完全に分離されていることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ。
【請求項１４】
前記転移物質層は、前記ギャップを含みつつ、連結されていることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ。
【請求項１５】
前記ギャップ間の距離は、５乃至２００ｎｍであることを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイ、
【請求項１６】
前記転移物質層と前記表示板との間に、前記電子が流れる方向を前記表示板に向かわせる透明電極をさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載のディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子及びこれを備えるディスプレイに係り、特に、急激な金属−絶縁体転移を利用した電子放出素子及びこれを備えるディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子は、多様な応用分野を持つ。例えば、ブラウン管ディスプレイの原理を利用した電界放出型ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＥＤ）が研究されてきた。ＦＥＤは、ＦＥＤにおいて使用されて電子を放出する金属チップの酸化、複雑なエッチング技術及び難しいパッケージ技術等の多くの短所を有している。これらの短所を克服するため、金属チップの代わりにカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ；ＣＮＴ）チップを使用する電界放出型ディスプレイが開発されている。しかし、ＣＮＴチップを含むＦＥＤは、カーボンナノチューブを均一に成長させるのに難点がある。
【０００３】
一方、最近、製造工程の簡単な表面伝導電子放出（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ；ＳＣＥ）型ディスプレイが脚光を浴びている。図１は、ＳＣＥ型ディスプレイの原理を概略的に示す平面図である。当該原理は、Ｍ．Ｉ．ＥｌｉｎｓｏｎによりＲａｄｉｏ．Ｅｎｇ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｐｈｙｓ．１０，１９９５に初めて発表され、キャノン株式会社は、上記原理を利用してＦＥＤを製作した。上記ＦＥＤを製作する主要技術は、米国特許第５，６５４，６０７号明細書に公開された。
【０００４】
図１を参照すると、ＳＣＥ型ディスプレイ１０は、基板１２上に溝１６を形成するように、互いに分離されて対向しつつ離隔されるように配置された部分を持つ電極１４を備える。電子は、溝１６を通過しつつ外部に放出される。
【０００５】
しかし、前述したＳＣＥ型ディスプレイ１０は、電子の放出効率が３％以下で非常に低い。また、低い電子の放出効率を克服する技術は、これまでに公表されていない。従って、電子の放出効率が大きい電子放出素子の開発が切実に求められている。
【特許文献１】米国特許第５，６５４，６０７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明が解決しようとする技術的課題は、電子の放出効率が大きい電子放出素子を提供するところにある。
【０００７】
また、本発明が解決しようとする他の技術的課題は、電子の放出効率が大きい上記電子放出素子を含むディスプレイを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記技術的課題を達成するための本発明に係る電子放出素子は、基板と、前記基板上において相互に対向し、所定の間隔だけ離隔するように形成されたギャップ（間隙）により分離された金属−絶縁体転移物質層と、前記分離された転移物質層のそれぞれに連結されて前記転移物質層のギャップに電子を放出させるための電極と、を備える。
【０００９】
このような本発明に係る電子放出素子は、前記ギャップの幅が大きくなると、前記ギャップに電子を放出するための電圧の大きさも大きくなる。前記ギャップは、前記転移物質層が均一に離隔することにより溝状の形態を有し得るものである。離隔されて相互に対向する分離された前記転移物質層が尖った端部を有するように、前記ギャップは形成され得る。
【００１０】
前記転移物質層は、前記ギャップによって完全に分離され得る。また、前記転移物質層の部分は、連結され得る。
【００１１】
上記他の技術的課題を達成するための本発明に係るディスプレイは、基板と、前記基板上において相互に対向し、所定の間隔だけ離隔するように形成されたギャップにより分離された金属−絶縁体転移物質層と、前記分離された転移物質層のそれぞれに連結されて前記転移物質層のギャップに電子を放出させるための電極と、前記電子を視覚的に認識可能な状態に変換する表示板と、を備える。
【００１２】
本発明に係るディスプレイにおいて、前記転移物質層と前記表示板との間には、前記電子が流れる方向を前記表示板に向かわせる透明電極をさらに備え得る。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る電子放出素子によれば、急激な金属−絶縁体転移を利用して、分離された転移物質層のギャップに電子を放出させることによって、電子の放出効率が大きい電子放出素子を提供することができる。
【００１４】
また、前記電子放出素子を、これを応用した事例でディスプレイに適用すると、電子の放出効率が大きいディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。後述する実施例は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲は後述する実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は、当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。実施例全体にわたって同じ参照符号は同じ構成要素を表す。
【００１６】
本発明の実施例は、急激な金属−絶縁体転移（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ；ＭＩＴ）物質層を利用して、新たな形態の表面伝導の電子放出素子を提供することである。前記電子放出素子は、従来のＳＣＥ型ディスプレイとは異なって、急激な金属−絶縁体転移現象を利用することによって、急激な転移により発生する大量の電流の一部を放出させるものである。これにより、相対的に、本発明の実施例による電子放出素子は、多くの電子を放出させて高い電子放出効率を得ることができる。また、本発明の他の実施例では、前記放出された電子に強い電場により方向性を付与して、ディスプレイとして活用した事例を提示する。
【００１７】
ここで、ＭＩＴ物質層は、電子間のエネルギー変化により急激に絶縁体から金属に相転移する特徴を有する。例えば、絶縁体から金属への相転移は、正孔を注入することにより電子間のエネルギーを変化させることによって、急激に引き起こされる。前記ＭＩＴ物質層は、酸素、炭素、半導体元素（ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族）、転移金属元素、希土類元素、ランタン系元素を含む低濃度の正孔が添加された無機物化合物半導体及び絶縁体、低濃度の正孔が添加された有機物半導体及び絶縁体、低濃度の正孔が添加された半導体、並びに、低濃度の正孔が添加された酸化物半導体及び絶縁体のうち選択された少なくとも一つを含み得る。
【００１８】
図２は、本発明の実施例に適用されたＭＩＴ物質層の電圧（Ｖ）と電流（Ｉ）との関係を例示した図面である。
【００１９】
図２を参照すると、ＭＩＴ物質層は、絶縁体ａから金属状態ｃに急激に電気的特性が変化する臨界電圧ｂを有する。図示された例において、本発明に適用された急激なＭＩＴ物質層の前記臨界電圧ｂは約４５Ｖである。具体的に、両端に降下する電圧が０Ｖから約４５Ｖまではほとんど電流が流れない絶縁体ａであり、約４５Ｖより大きい電圧では金属状態ｃである。即ち、約４５Ｖで電流の不連続ジャンプが起きる。このとき、金属状態ｃは、相対的に多量の電子を含んでいる。前記臨界電圧は、急激なＭＩＴ物質層を備える素子の構造及び使用された物質層の種類等によって電気的特性が変わり得る。
【００２０】
本発明に係る電子放出素子は、相互に分離されて対向しつつ離隔されるように配置された部分を有するＭＩＴ物質層、及び、ＭＩＴ物質層の両端に配置された少なくとも２個の電極を備える。以下、本発明の実施例は、前記ＭＩＴ物質層の形状を中心に区分されて説明される。
【第１実施例】
【００２１】
図３Ａは、本発明の第１実施例による電子放出素子１００（以下、第１電子放出素子）を示す断面図であり、水平構造の２端子素子として具現化された例を図示する。図３Ｂ及び図３Ｃは、それぞれ他の形状のＭＩＴ物質層を有する図３Ａの平面図である。
【００２２】
図３Ａを参照すると、基板１０２上にＭＩＴ物質層１０６が形成されている。ここで、ＭＩＴ物質層１０６は、基板１０２の一部表面上にのみ配置され得る。ＭＩＴ物質層１０６は、第１ギャップ１０８により相互に分離されて対向しつつ離隔されるように配置される。また、基板１０２とＭＩＴ物質層１０６との間にバッファ層１０４をさらに配置することができる。バッファ層１０４は、基板１０２の全面に配置されている。本発明の第１実施例での第１ギャップ１０８は、バッファ層１０４の上面が露出されるように完全に分離されている。分離されたＭＩＴ物質層１０６には、二つの電極、例えば、第１電極１１０と第２電極１１２とがそれぞれコンタクトさせられている。このとき、金属に転移されたＭＩＴ物質層１０６に流れる電流は、基板１０２に水平な方向である。
【００２３】
基板１０２としては、特に制限はないが、有機物層、無機物層、及び、これらの複合層で形成された少なくとも一層、並びに、それらの層がパターニングされた構造体のうちから選択されたいずれか一つであり得る。例えば、サファイア単結晶、シリコン、ガラス、水晶、化合物半導体及びプラスチック等の多様な物質を使用することができる。但し、ガラスやプラスチックの場合は反応温度の制限があり、プラスチックの場合にはフレキシブル基板として使用することができる。長さが約８インチ以上の基板１０２を形成するためには、基板１０２は、シリコン、ガラス及び水晶、例えば、絶縁体上のシリコン（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：ＳＯＩ）により形成される。
【００２４】
バッファ層１０４は、ＭＩＴ物質層１０６の結晶性を改善し、付着力を向上させるためのものである。このために、ＭＩＴ物質層１０６の格子定数と類似した値を持つ結晶性薄膜を使用することが望ましい。例えば、バッファ層１０４は、酸化アルミニウム膜、高誘電膜、結晶性金属膜及びシリコン酸化膜のうち少なくともいずれか一つの膜を使用することができる。このとき、酸化アルミニウム膜は、結晶性がある程度維持されれば十分であり、シリコン酸化膜は、可能な限り薄く形成することが望ましい。特に、結晶性の優秀な高誘電膜、例えば、ＴｉＯ２膜、ＺｒＯ２膜、Ｔａ２Ｏ５膜及びＨｆＯ２膜又はこれらの混合膜及び／又は結晶性金属膜を含む多層膜をバッファ層１０４として形成することができる。
【００２５】
二つの電極１１０、１１２は、導電性物質であれば適用には制限がない。例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｃ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕの金属、前記金属の化合物、並びに、前記金属及び前記化合物を含む酸化物からなる少なくとも１層であり得る。ここで、前記金属の化合物にはＴｉＮ及びＷＮがあり、前記金属及び前記化合物を含む酸化物には、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）及びＡＺＯ（Ａｌ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯがある。
【００２６】
第１ギャップ１０８は、多様な形態の空間を形成することができる。図３Ｂ及び図３Ｃにおいて提示する第１ギャップ１０８は、他の形態に製作することができる可能性を提示するものであり、これにより、本発明の第１ギャップ１０８は、これに限定されずに多様に変形されて形成することができる。説明の便宜のために、図３Ｂでの第１ギャップは参照番号１０８ａ、図３Ｃでの第１ギャップは参照番号１０８ｂが付される。
【００２７】
図３Ｂを参照すると、第１ギャップ１０８ａは、ＭＩＴ物質層１０６が均一に離隔されて溝状形態を有する。第１ギャップ１０８ａは、通常の方法によりＭＩＴ物質層１０６をエッチングして形成することができる。第１ギャップ１０８ａは、電子を放出するＭＩＴ物質層１０６の断面を最大限に確保させる形態である。第１ギャップ１０８ａによれば、相対的に広い範囲で電子を第１ギャップ１０８ａ内に放出することができる。これにより、第１ギャップ１０８ａは、広い範囲で電子を放出させて、これを利用する電子放出素子に有効に適用することができる。
【００２８】
図３Ｃを参照すると、第１ギャップ１０８ｂは、ＭＩＴ物質層１０６が尖った端部を有するように、前記端部が離隔して対向するように配置された形態を有する。第１ギャップ１０８ｂは、通常の方式を利用してＭＩＴ物質層１０６をエッチングして形成することができる。第１ギャップ１０８ｂは、電子を放出するＭＩＴ物質層１０６の断面を最小にする形態である。第１ギャップ１０８ｂによれば、相対的に狭い範囲で電子を第１ギャップ１０８ｂ内に放出することができる。また、第１ギャップ１０８ｂは、図３Ｂの第１ギャップ１０８ａに比べて構造的に電子の放出効率を高めることができる。これにより、第１ギャップ１０８ｂは狭い範囲で電子を放出させて、これを利用する電子放出素子に有効に適用することができる。
【００２９】
図４は、第１電子放出素子１００を利用して放出された電子の放出電流を示すグラフである。ここで、第１電子放出素子１００は、電子の放出効率を高めるために前記図３Ｃの形態を有するように製作された。具体的には、ＭＩＴ物質層１０６はＶＯ２、そして、二つの電極１１０、１１２は、積層されたＣｒ及びＣｕを使用した。第１ギャップ１０８ｃは約１００ｎｍであり、分離されたＭＩＴ物質層１０６のパターンの長さは約５００ｎｍであった。
【００３０】
図４を参照すると、二つの電極１１０、１１２に電圧を加えることにより、第１電子放出素子は、約５８０Ｖで急激に電子を放出する（ｄ）。ここで、電子放出素子１００が急激に電子を放出する電圧、例えば、約５８０Ｖを放出電圧と定義する。急激な電子の放出は、前記放出電圧により電子を急激に放出する前に、ＭＩＴ物質層１０６が絶縁体から金属に転移されたことを意味する。具体的には、図２から分かるように、ＭＩＴ物質層１０６は、放出電圧より低い臨界電圧（図２のｂ）で既に金属に転移されている。これにより、放出電圧に至れば、金属状態のＭＩＴ物質層１０６に充満した電子は、第１ギャップ１０８ｃに放出される。
【００３１】
一方、放出電圧は、第１ギャップ１０８の幅、ＭＩＴ物質層１０６の形態、使用されたＭＩＴ物質層１０６の種類等により決定され得る。例えば、第１ギャップ１０８の幅を縮小すれば、放出電圧を大きく減少させることができる。第１ギャップ１０８の幅は５乃至２００ｎｍであることが望ましい。また、本発明に係る第１電子放出素子は、急激な金属−絶縁体転移を利用することによって、従来の電子放出素子より相対的に多量の電子を放出することができる。即ち、急激な金属−絶縁体転移により転移された金属は、図２で説明したように多量の電流を示すためである。本発明に係る第１電子放出素子は、単に電子が放出されることを原理的に説明するものに過ぎず、前記放出電圧は必要に応じて多様な値に調節することができる。
【第２実施例】
【００３２】
図５は、本発明の第２実施例による電子放出素子２００（以下、第２電子放出素子）を示す断面図であり、水平構造の２端子素子として具現化された例を図示する。
【００３３】
図５を参照すると、基板２０２上にＭＩＴ物質層２０６が形成されている。ここで、ＭＩＴ物質層２０６は、基板２０２の一部表面上にのみ配置され得る。ＭＩＴ物質層２０６は、第２ギャップ２０８により相互に分離されて対向しつつ離隔されるように配置される。また、基板２０２とＭＩＴ物質層２０６との間にバッファ層２０４をさらに配置することができる。バッファ層２０４は、基板２０２の全面に配置されている。本発明の第２実施例での第２ギャップ２０８は、ＭＩＴ物質層２０６の一部が除去されて形成されたものである。ＭＩＴ物質層２０６には二つの電極、例えば、第１電極２１０と第２電極２１２とがコンタクトさせられている。
【００３４】
前記第２電子放出素子２００の動作は、図３Ａ乃至図４を参照して説明した第１メモリ素子１００と同一である。第２ギャップ２０８がＭＩＴ物質層２０６を部分的に除去して形成されたことを除いては、その製造方法及び構造も、前述した第１電子放出素子１００と同一である。但し、第２電子放出素子は、第１電子放出素子とは異なる形態で製作することができる可能性を提示したものであり、従って、本発明に係る電子放出素子は、前記第１電子放出素子や第２電子放出素子に限定されずに多様に変形された形態で製造することができる。
【００３５】
＜電子放出素子を利用したディスプレイ＞
図６は、本発明に係る電子放出素子を利用した事例であり、ディスプレイを提示した断面図である。ここで、電子放出素子は、第１電子放出素子１００を使用した。
【００３６】
図６を参照すると、第１電子放出素子１００は、放出される電子を視覚的に認識可能な状態に変換させる表示板３０６、例えば、蛍光板を備える。表示板３０６の下面には、例えば、ＩＴＯのような透明電極３０４及びアノード電極３０２が順次に付着され得る。このとき、透明電極３０４により形成された電場によりｚ軸方向に移動する電子は、表示板３０６に衝突して光を放射させる。
【００３７】
本発明は、図面に示す実施の形態について参考までに説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施の形態が可能であるという点を理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のＳＣＥ型ディスプレイを説明するために概略的に示す平面図である。
【図２】本発明に適用されたＭＩＴ物質層における電圧（Ｖ）と電流（Ｉ）との関係を例示した図面である。
【図３Ａ】本発明に係る第１電子放出素子を示す断面図であり、水平構造の２端子素子として具現化された例を示す図面である。
【図３Ｂ】他の形状のＭＩＴ物質層が適用された第１電子放出素子を示す平面図である。
【図３Ｃ】他の形状のＭＩＴ物質層が適用された第１電子放出素子を示す平面図である。
【図４】図３Ａの第１電子放出素子を利用して放出された電子の放出電流を示すグラフである。
【図５】本発明に係る第２電子放出素子を示す断面図であり、水平構造の２端子素子として具現化された例を示す図面である。
【図６】本発明に係る電子放出素子を利用した事例であり、ディスプレイを示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
2009506495.tif 000008
【図５】
2009506495.tif 000009
【図６】
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【国際調査報告】
2009506495.tif 000011
2009506495.tif 000012