(57)【要約】  少なくとも１つの電流バリアを有する発光ダイオードチップが提供される。電流バリアは、接続ボディによって横方向において覆われている領域における放射の生成を低減された電流密度によって選択的に阻止または低減することに適している。電流拡大層は少なくとも１つのＴＣＯを有する。殊に有利な実施形態においては、エピタキシャル半導体層列の半導体材料、電流拡大層の材料、および／または、半導体層列と電流拡大層との間の境界面を有する電流バリアが包含されている。さらに発光ダイオードチップを製造する方法が提供される。
2009521103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップであって、
電磁的な放射の生成に適しているエピタキシャル半導体層列と、電気的な接続ボディと、該接続ボディと導電的に接続されており、ＴＣＯを有する放射透過性の電流拡大層と、少なくとも１つの電流バリアとを有し、該電流バリアは前記接続ボディによって横方向において覆われている領域における前記放射の生成を低減された電流密度によって選択的に阻止または低減する、発光ダイオードチップにおいて、
前記電流バリアが、前記エピタキシャル半導体層列の半導体材料、前記電流拡大層の材料、および／または、前記半導体層列と前記電流拡大層との間の境界面によって形成されていることを特徴とする、発光ダイオードチップ。
【請求項２】
複数の電流バリアが包含されている、請求項１記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
半導体層列において接している半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように弱くドープされているか、ドープされていない半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されている、請求項１または２記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
発光ダイオードチップの動作時に、接している半導体材料と共に阻止方向に動作するｐｎ接合を形成するよう導電性ドープされている半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記エピタキシャル半導体層列の酸化された半導体材料、および／または、イオンまたは原子が注入されることによって、前記電流バリアに接している半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように変性されたエピタキシャル半導体層列の半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記半導体層列内に半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されており、且つ該電流バリアと前記電流拡大層との間に放射生成領域が包含されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記電流拡大層および／または前記電気的な接続ボディに接している半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記ＴＣＯの一部を有する少なくとも１つの電流バリアが包含されており、ＴＣＯの該部分は酸化されている、および／または、イオンまたは原子の注入によって、前記電流拡大層のその他のＴＣＯの導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように変性されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記電流拡大層は前記エピタキシャル半導体層列の半導体層に接しており、前記境界面は、前記電流拡大層と前記半導体層との間に導電性のコンタクトが形成されている第１の部分と、導電性のコンタクトが形成されていない、または前記電流拡大層と前記半導体層との間の前記第１の部分における前記導電性のコンタクトの導電率の１／１０よりも低い導電率を有する導電性のコンタクトが形成されている第２の部分とを有する、請求項１から８までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記電気的な接続ボディは完全にまたは大部分が横方向において前記電流拡大層と重畳している、請求項１から９までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記電流拡大層は部分的にまたは完全に横方向において少なくとも１つの電流バリアと重畳している、請求項１から１０までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
前記電流拡大層の一部は前記接続ボディの半導体層列側とは反対側に配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
横方向において完全に前記接続ボディと重畳しており、且つ該接続ボディから横方向において突出している少なくとも１つの電流バリアが含まれている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
付加的に、前記半導体層列と前記電気的な接続ボディとの間の境界面によって形成されている電流バリアが包含されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１５】
２つの被覆層間に配置されている放射生成領域が包含されており、一方の被覆層と前記電流拡大層との間の前記エピタキシャル半導体層列は１００ｎｍ以下の厚さを有する外側の部分から構成されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１６】
前記半導体層列の前記外側の部分は６０ｎｍ以下の厚さを有する、請求項１５記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１７】
発光ダイオードチップの製造方法であって、
半導体層列をエピタキシャルに成長させるステップと、
ＴＣＯを有する電流拡大層を前記半導体層列上に被着させるステップと、
電気的な接続ボディを前記半導体層列上に被着させるステップとを有する、発光ダイオードチップの製造方法において、
前記半導体層列内、前記電流拡大層内、および／または、前記半導体層列と前記電流拡大層との間の境界面に少なくとも１つの電流バリアを形成することを特徴とする、発光ダイオードチップ。
【請求項１８】
前記電流バリアの形成は、ドープされていない半導体層列の半導体層または、接している半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように弱くドープされた半導体層列の半導体層の被着を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記電流バリアの形成は、前記半導体層列の半導体層は接している半導体材料と一緒に、製造すべき発光ダイオードにおける阻止ダイオードを形成するように半導体層列の半導体層を導電性ドープすることを含む、請求項１７または１８記載の方法。
【請求項２０】
前記半導体層を部分的に除去する、請求項１８または１９記載の方法。
【請求項２１】
前記電流バリアの形成は、前記半導体層列のエピタキシャル成長後の該半導体層列へのイオンまたは原子の注入を含む、請求項１７から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
前記イオンまたは前記原子を前記半導体層列の放射生成領域を通過させて注入する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記電流バリアの形成は、前記半導体層列の外側の層の一部および／または電流拡大層の一部を酸化させるか、外部イオンまたは外部原子の拡散により設けることを含み、該部分は接している半導体材料または電流拡大層の他の部分の導電率の１／１０よりも低い導電率を有する、請求項１７から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
前記半導体層列との導電性のコンタクトが形成されるように前記電流拡大層の第１の部分を前記半導体層列上に被着させ、前記半導体層列との導電性のコンタクトが形成されないように、または前記電流拡大層の第１の部分と前記半導体層との間の前記コンタクトの導電率の１／１０よりも低い導電率を有する導電性のコンタクトが形成されるように前記電流拡大層の第２の部分を前記半導体層列上に被着させる、請求項１７から２３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２５】
前記電流バリアの形成は、前記半導体層列の外面の一部の粗面化および前記電流拡大層の粗面化部への被着を含む、請求項１７から２４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２６】
前記電流拡大層を前記電気的な接続ボディの後段に被着させる、請求項１７から２５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
前記電気的な接続ボディを完全に前記電流拡大層上に被着させる、請求項１７から２５までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁的な放射の生成に適しているエピタキシャル半導体層列と、電気的な接続ボディと、この接続ボディと導電的に接続されている放射透過性の電流拡大層とを有する発光ダイオードチップに関する。電流拡大層は、半導体層列に被着されている、少なくとも１つのＴＣＯ（Transparent Conductive Oxide）、すなわち放射透過性の導電性材料を有する。
【０００２】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第102005061797.2号の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により本願に取り入れられる。
【０００３】
US 6,459,098 B1には、光の出力結合側に多層の窓部分を有する発光ダイオードが記載されている。窓部分はｐ型にドープされたＧａＰからなる第１の半導体層と、ｐ型にドープされたＧａＡｓからなる第２の半導体層ならびに酸化インジウム（ＩＴＯ）からなるアモルファス導電層とを有する。ＩＴＯ層および第２の半導体層には切欠き部が設けられており、この切欠き部内にチタン／金からなる電気的な接続ボディが設けられるので、この接続ボディは第１の半導体層上に直接的に載置されている。
【０００４】
接続ボディと第１の半導体層との間にはショットキーダイオードコンタクトが形成されているので、電流は実質的に接続ボディから第１の半導体層へ直接的に供給されるのではなく、先ず側方の第２の半導体層およびＩＴＯ層に注入される。これによって発光ダイオードチップにおいて接続ボディの下方において垂直に配置されている領域における低減された光生成が達成される。ここで「接続ボディの下方において垂直に」という方向の表記は半導体層列の半導体層の主延在面を基準とする。
【０００５】
接続ボディと第１の半導体層との間におけるショットキーダイオードコンタクトの形成に代わり、US 6,459,098 B1には接続ボディと第１の半導体層との間に酸化シリコンからなる絶縁層を形成することが記載されている。これによって同様に、電気的な接続ボディから第１の半導体層への直接的な電流注入が十分に阻止される。
【０００６】
US 5,717,226には、US 6,459,098に記載されている発光ダイオードチップと同様の多層の窓部分を光出力結合面上に有している発光ダイオードチップが開示されている。
【０００７】
本発明の課題は、従来の発光ダイオードチップに比べて、電磁放射の生成時および出力結合時に高効率を達成することができ、また廉価に製造することができる、冒頭で述べたような発光ダイオードチップを提供することである。さらにその種の発光ダイオードチップの相応の製造方法も提供されるべきである。
【０００８】
この課題は、請求項１に記載されている発光ダイオードチップならびに請求項１７に記載されている方法によって解決される。発光ダイオードチップおよび方法の有利な発展形態および有利な実施形態は従属請求項に記載されている。
【０００９】
少なくとも１つの電流バリアを有する発光ダイオードチップが提供される。電流バリアは、接続ボディによって横方向において覆われている領域における放射生成を低減された電流密度によって選択的に阻止または低減することに適している。「横方向」とは、エピタキシャル半導体層列の半導体層の主延在方向の延在方向に対して平行に延びる方向と解される。
【００１０】
接続ボディは、低減された電流密度によって放射生成が選択的に阻止または低減されている領域と重畳する。すなわち接続ボディはこの領域を部分的または完全に覆う。殊に接続ボディは横方向において完全にこの領域と重畳する。接続ボディによって横方向において覆われている領域は接続ボディの下方において垂直に半導体層列内に配置されている。
【００１１】
電流バリアによってより少ない電流が接続ボディの下方の領域に注入される。このことは、この領域において電磁放射が生成されない、または殆ど生成されないこと、またそれにより電流バリアを有していない従来の電気的なコンタクト構造に比べて、電気的な接続ボディによる放射の吸収が少ないことを意味している。同時に電流拡大層が殊に良好な電流拡大のために提供される。殊に、半導体層の主延在方向において典型的には０．００４ｍｍ2の面積を有する非常に小さい発光ダイオードチップにおいては、これにより効率を著しく改善することができる。
【００１２】
電流拡大層は殊に半導体材料を有していない。
【００１３】
有利には複数の電流バリアが含まれており、これによって接続ボディの下方の不所望な領域における電磁放射の生成を十分に回避または低減することができる。
【００１４】
殊に有利には少なくとも１つの電流バリアが含まれており、この電流バリアはエピタキシャル半導体層列の材料、電流拡大層の材料および／または半導体層列と電流拡大層との間の境界面を有する。有利には、電流バリアがエピタキシャル半導体層列の材料、電流拡大層の材料からなる、および／または、半導体層列と電流拡大層との間の境界面によって形成されている。
【００１５】
これによって電流バリアを接続ボディの配置および伸張に依存せずに構成することができる。さらには電流バリアのこの種の構成により、発光ダイオードチップを技術的に簡単で廉価な方法で製造することができる。
【００１６】
半導体層列と電流拡大層との間の境界面とは、正確に数学的な意味における面ではなく、境界面効果が重要である境界領域であると解される。この意味において、境界面の僅かな部分は半導体層列および電流拡大層のボディ内へと延びている。すなわち境界面は本発明において通常の場合厚みを有する。
【００１７】
エピタキシャル半導体層列の半導体材料および電流拡大層の材料とは殊に、ＴＣＯを有するエピタキシャル半導体層列または電流拡大層内には通常の場合含有されている材料の通常の全ての特性を必ずしも有している必要はない変性された材料でもあると解される。例えば、電流拡大層の材料は変性されていない材料とは異なり電気的に絶縁されているように変性させることができる。エピタキシャル半導体層列の材料を例えば、規則的な格子構造が部分的または完全に破壊されているように変性させることができる。
【００１８】
電流拡大層と放射生成領域との間に配置されている半導体層列の半導体層は好適には２００Ωｓｑ、有利には６００Ωｓｑ、殊に有利には２０００Ωｓｑよりも大きい層抵抗を有する。これによって、電流が横方向において放射生成が不所望である領域内に流れることが十分に回避される。
【００１９】
有利な実施形態によれば、少なくとも１つの電流バリアが発光ダイオード内に含まれており、この電流バリアはドープされていないか、この電流バリアに接している半導体層列の半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように弱くドープされている。
【００２０】
付加的にまたは択一的に、有利には、半導体材料が接している半導体材料と共に発光ダイオードチップの動作時に阻止方向に動作するｐｎ接合を形成するように導電性ドープされている半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが含まれている。
【００２１】
半導体材料を有する電流バリアによって、その製造を有利には部分的または完全に半導体層列を製造するためのエピタキシャルプロセス統合することができる。
【００２２】
発光ダイオードチップにおいて別の有利な実施形態によれば、エピタキシャル半導体層列の酸化された半導体材料、および／または、イオンまたは原子が注入されることによって、電流バリアに接している半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように変性されたエピタキシャル半導体層列の半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが含まれている。
【００２３】
有利には、半導体層列内に半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが含まれており、電流バリアと電流拡大層との間に放射生成領域が配置されている。
【００２４】
付加的または択一的に、殊に有利には、電流拡大層および／または電気的な接続ボディに接している半導体材料を有する少なくとも１つの電流バリアが発光ダイオードチップ内に含まれている。
【００２５】
別の有利な実施形態によれば、ＴＣＯの一部を有する少なくとも１つの電流バリアが発光ダイオードチップ内に含まれており、ＴＣＯのこの部分は酸化されている、および／または、イオンまたは原子の注入によって、電流拡大層のその他のＴＣＯの導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように変性されている。
【００２６】
有利には、電流拡大層がエピタキシャル半導体層列の半導体層に接しており、境界面は第１の部分および第２の部分を有する。第１の部分においては電流拡大層と半導体層との間に導電性コンタクトが形成されている。第２の部分においては導電性コンタクトが形成されていない、または導電性コンタクトが境界面の第１の部分におけるコンタクトの導電率の１／１０よりも低い導電率を有する。
【００２７】
好適な実施形態によれば、電気的な接続ボディが完全にまたはその大部分が横方向において電流拡大層と重畳している。
【００２８】
有利には、電流拡大層が部分的にまたは完全に横方向において少なくとも１つの電流バリアと重畳している。殊に有利には、電流拡大層が発光ダイオードチップの全ての電流バリアと横方向において部分的または完全に重畳している。
【００２９】
有利には、電流拡大層の一部が接続ボディの半導体層列側とは反対側に配置されている。これによって、接続ボディと電流拡大層との間の殊に良好な導電性接続部を形成することができる。
【００３０】
発光ダイオードチップの有利な実施形態においては、横方向において完全に接続ボディと重畳しており、且つ接続ボディから横方向において突出している少なくとも１つの電流バリアが含まれている。電流バリアの拡張部は半導体層列の層の主延面に平行であり、この主延在面に沿った接続ボディの拡張部よりも大きい。
【００３１】
有利には、発光ダイオードチップの好適な実施形態においては、半導体層列と電気的な接続ボディとの間の境界面によって形成されている電流バリアが付加的に含まれている。ここで「境界面」とは電流拡大層と半導体層列との間の境界面と同様に解される。
【００３２】
有利には、発光ダイオードチップにおいては２つの被覆層間に配置されている放射生成領域が含まれ、一方の被覆層と電流拡大層との間のエピタキシャル半導体層列は、１００ｎｍ以下の厚さを有する外側の部分からなる。
【００３３】
殊に、そのように形成される発光ダイオードチップの半導体層列においては半導体材料を有する電流拡大層が設けられていない。その種の電流拡大層を省略することによって、半導体層列をより薄く構成することができ、このことは製造における手間とコストを付加的に節約する。殊に有利には、半導体層列の外側の部分は６０ｎｍ以下の厚さを有する。
【００３４】
半導体層列がエピタキシャルに成長され、ＴＣＯを有する電流拡大層が半導体層列上に被着され、電気的な接続ボディが半導体層列に被着される発光ダイオードの製造方法が提供される。
【００３５】
本方法において有利には、半導体層列において、電流拡大層内および／または半導体層列と電流拡大層との間の境界面内に電流バリアが形成される。電流バリアのこの種の形成を有利には技術的に簡単且つ殊に廉価に実施することできる。
【００３６】
本方法において有利には、電流バリアの形成は、ドープされていない半導体層列の半導体層または、接している半導体材料の導電率の１／１０よりも低い導電率を有するように弱くドープされた半導体層列の半導体層の被着を含む。好適には外部層が続けて部分的に除去される。
【００３７】
付加的または択一的に電流バリアの形成は、半導体層が接している半導体材料と一緒に製造すべき発光ダイオードにおける阻止ダイオードを形成するように半導体層列の半導体層を導電性ドープすることを含む。これによって効果的な電流バリアが有利には、半導体層列を成長させるエピタキシャルプロセスに僅かな手間で組み込まれる。続けて、または前もって外部層が効果的には部分的に除去される。
【００３８】
本方法の有利な実施形態によれば、半導体層列のエピタキシャル成長後にイオンまたは原子を半導体層列に注入する電流バリアの形成を含む。殊に有利には、イオンまたは原子が半導体層列の放射生成領域を通過して注入される。驚くべきことに、このことは放射生成領域を破壊することなく実現できることが判明した。
【００３９】
本方法の別の有利な実施形態においては、半導体層列の外側の層の一部および／または電流拡大層の一部を酸化させるか、外部イオンまたは外部原子の拡散により設け、この部分が接している半導体材料または電流拡大層の他の部分の導電率の１／１０よりも低い導電率を有する、電流バリアの形成を含む。
【００４０】
有利には、本方法において電流拡大層の第１の部分は、半導体層列との導電性のコンタクトが生じるように半導体層列上に被着される。さらに電流拡大層の第２の部分は、半導体層列との導電性コンタクトが生じない、または電流拡大層の第１の部分と半導体層列との間のコンタクトの導電率の１／１０よりも低い導電率を有する導電性コンタクトが生じるように半導体層列上に被着される。
【００４１】
殊に有利には、電流バリアの形成は付加的または択一的に、半導体層列の外面の一部を粗面化させ、電流拡大層をこの外面に被着させることを含む。殊に粗面化を、例えば電流拡大層が十分に高いスパッタリングエネルギで相応の外面にスパッタリングされることによって、電流拡大層の被着中にも行うことができる。
【００４２】
別の有利な実施形態においては電流拡大層が電気的な接続ボディの後段に被着される。択一的に、電気的な接続ボディは好適には完全に電流拡大層上に被着される。
【００４３】
発光ダイオードチップおよび方法のさらなる利点、有利な実施形態および発展形態は以下において図１から図１３ｃを参照しながら説明する実施例より明らかになる。ここで
図１は、第１の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図２は、第２の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図３は、第３の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図４は、第４の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図５は、第５の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図６は、第６の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図７は、第７の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図８は、第８の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
図９ａから図９ｅは、本発明による方法の第１の実施例におけるステップの種々の段階を概略的な側面図で示したものである。
図１０ａから図１０ｆは、本発明による方法の第２の実施例におけるステップの種々の段階を概略的な側面図で示したものである。
図１１ａおよび図１１ｂは、本発明による方法の第３の実施例におけるステップの種々の段階を概略的な側面図で示したものである。
図１２ａから図１２ｃは、本発明による方法の第４の実施例におけるステップの種々の段階を概略的な側面図で示したものである。
図１３ａから図１３ｃは、本発明による方法の第５の実施例におけるステップの種々の段階を概略的な側面図で示したものである。
【００４４】
実施例および図面において、同一の構成要素または同じ働きをもつ構成要素にはそれぞれ同じ参照番号が付されている。図示されている構成要素ならびにそれらの構成要素相互の大きさの比率は縮尺通りに示していない。むしろ図面における幾つかの細部はより良い理解のために誇張して大きく描かれている。
【００４５】
図１から８に示されている発光ダイオードチップはそれぞれ基板１１およびこの基板１１上に配置されているエピタキシャル半導体層列１を有する。基板１１は成長基板でよい。すなわちこの場合、半導体層列１は基板１１上にエピタキシャルに成長されている。
【００４６】
択一的な場合、基板１１は単なる支持体基板である。すなわち、半導体層列１はこの基板上にエピタキシャルに成長されるのではなく、例えばボンディングまたは接着により基板１１上に被着されている。半導体層列はこの場合、成長基板１１とは異なる成長基板上に例えばエピタキシャル成長によって製造される。成長基板を部分的にまたは完全に除去することができるか、例えば半導体層列１の基板１１側とは反対側において、完全に発光ダイオードチップ内に含ませることができる（図示せず）。
【００４７】
発光ダイオードチップはそれぞれ電気的な接続ボディ２と、この電気的な接続ボディ２と導電的に接続されている電気的な電流拡大層３とを有する。
【００４８】
電気的な接続ボディ２は、発光ダイオードチップによってその動作時に生成される電磁放射に対して非透過性である。この接続ボディ２は例えばボンディングパッドとして構成されており、１つの金属または複数の異なる金属を、例えば種々の層および／または合金の形で有する。ボンディングパッドにおける使用に一般的に慣例であるあらゆる金属を使用することができる。
【００４９】
電流拡大層３は発光ダイオードチップによって生成される放射に対して少なくとも部分的に透過性である。この電流拡大層は例えば大部分がＴＣＯ、すなわち放射透過性の導電性材料、例えば酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムスズまたは酸化亜鉛からなる。電流拡大層３は例えばＡｌ0.02Ｚｎ0.98Ｏからなり、例えば５００ｎｍの厚さを有する。
【００５０】
付加的に例えば電流拡大層３は、例えば数ｎｍの厚さでＴＣＯと半導体層列との間に配置されている金属を有することができる。厚さが薄いことに基づきその種の金属層は、使用される金属材料が基本的に電磁放射に対して反射性または吸収性である場合であっても同様に放射透過性である。しかしながら有利には、電流拡大層はＴＣＯと半導体層列１との間にその種の放射透過性の金属層を有していない。
【００５１】
半導体層列１は例えば基板１１と電流拡大層３との間に、基板１１から順に第１の被覆層１２、放射生成領域を備えた活性層１３、第２の被覆層１４およびコンタクト層１５を有する。半導体層をそれぞれ別個の半導体層から構成することができるか、複数の半導体層を備えた層列を有することができる。
【００５２】
半導体層列は例えば亜燐酸塩化合物半導体材料をベースとする。これらは蛍光体を含有する半導体材料、例えば系ＡｌnＧａmＩｎ1-n-mＰ（ただし０≦ｎ≦１，０≦ｍ≦１およびｎ＋ｍ≦１）からなる半導体材料である。本明細書において亜燐酸塩化合物半導体材料をベースとする放射放出型の発光ダイオードチップとは殊に、半導体層列が亜燐酸塩化合物半導体材料系からなる材料を有する少なくとも１つの単一層を含む発光ダイオードチップと解される。有利には、半導体層列が複数のその種の層を有する。
【００５３】
第１の被覆層１２および第２の被覆層１４は例えば異なる導電型でドープされたＡｌＩｎＰを有する。コンタクト層１５は例えばＡｌ0.5Ｇａ0.5ＡＳを含有する。活性層は慣用のｐｎ接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（ＳＱＷ構造）あるいは多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有することができる。その種の構造は当業者に周知であり、したがってここではこれ以上詳細に説明しない。活性層は例えば種々のＡｌＧａＩｎＰ材料を含有する。基板１１は例えばＧａＡｓからなる。コンタクト層１５および第２の被覆層１４はそれぞれ例えば約７００Ωｓｑの横方向導電性を有する。
【００５４】
択一的に、半導体層列は他の化合物半導体材料系をベースとしてもよい。基本的に適している択一的な材料系は窒化物化合物半導体材料、例えば系ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（ただし０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１且つｘ＋ｙ≦１）からなる材料である。
【００５５】
図１に示されている発光ダイオードチップにおいては電流拡大層３は平坦な層の形で半導体層列１のコンタクト層１５上に構成されている。電気的な接続ボディ２は電流拡大層３上に被着されている。電気的な接続ボディ２は電流拡大層３に直接的に接しており、エピタキシャル半導体層列１には接していない。換言すれば、接続ボディ２は半導体層列１から距離を置いている。
【００５６】
半導体層列１は図１に示した実施例においては、電流バリア４として機能する領域を有する。この領域内では半導体層列１の半導体材料が例えばイオンの注入によって、その導電率が例えば第１の被覆層１２の変性されていない領域の１／２０以下の導電率を有するように変性されている。
【００５７】
電流バリア４は実質的に第１の被覆層１２内に配置されている。さらに電流バリア４は接している基板１１および接している活性層１３にも部分的に広がっている。
【００５８】
電流バリア４の半導体材料は例えば陽子により変性されている。発光ダイオードチップはこの電流バリア４以外に、図１に明示的には示していない場合であっても、さらに別の電流バリアを有することができる。
【００５９】
電流バリア４は発光ダイオードチップの動作時にこの発光ダイオードチップの半導体層列１を流れる電流を、接続ボディ２によって少なくとも部分的に覆われている活性層の領域における電磁放射の生成が選択的に低減されるように遮断する。電気的な接続ボディ２によって横方向において覆われている領域において生成される電磁放射は別の領域に比べて殊に高い確率でこの電気的な接続ボディ２に入射し、またこの電気的なボディ２によって吸収される。したがってこの領域において生成される放射を選択的に低減することによって、電気的な接続ボディ２によって吸収される放射も著しく低減され、発光ダイオードチップの全体の効率が高められる。
【００６０】
付加的に、電流拡大層３を流れる電流が効果的に発光ダイオードチップの横方向の断面全体またはほぼ全体にわたり効果的に拡大され、殊にその領域において電気的な接続ボディ２によって覆われていない半導体層列１に供給される。
【００６１】
ＴＣＯを有する電流拡大層３を使用することによって、有利には半導体層列１の内部における半導体材料からなる電流拡大層を省略することができる。通常の場合、半導体材料からなる電流拡大層は非常に高く導電性にドープされており、このことは弱くドープされている半導体材料に比べて大抵の場合は吸収効率が高いという欠点を有する。さらに半導体材料からなる電流拡大層は通常の場合、可能な限り良好な電流拡大を保証するために数μｍの厚さを有する。
【００６２】
したがって半導体材料からなるこの種の電流拡大層を省略することにより、半導体層列の内部における電磁放射の吸収が低減され、さらには半導体層列を製造するためのより廉価なエピタキシャルプロセスによって製造コストも低下させることができる。
【００６３】
図１から８に示されている発光ダイオードチップのエピタキシャル半導体層列１は半導体材料からなる電流拡大層を包含していない。図１に示されている発光ダイオードチップの半導体層列１は第２の被覆層１４と電流拡大層３との間において例えば５〜５０ｎｍの厚さを有するコンタクト層１５から構成されている。前述したように、コンタクト層１５は殊に複数の半導体層を有することもできる。
【００６４】
図２に示されている発光ダイオードチップは少なくとも２つの電流バリア４１，４２を有する。第１の電流バリア４１は半導体層列１内に構成されている。この第１の電流バリア４１を実質的に図１に基づき説明した電流バリア４と同様に形成することができる。第１の電流バリア４１は例えば完全に第１の被覆層１２内に配置されている。
【００６５】
第２の電流バリア４２は接続ボディ２と半導体層列１のコンタクト層１５との間の境界領域内に構成されている。接続ボディ２は半導体層列１と直接的に接している。接続ボディ２は境界面にショットキーコンタクトが形成されているようにコンタクト層１５上に被着されている。ショットキーコンタクトの電位バリアは発光ダイオードチップに電圧を印加した際に動作方向において拡大する。これによってコンタクト層１５と接続ボディ２との間の境界面を流れる電荷の輸送が十分に低減される。
【００６６】
電流拡大層３は図２に示されている発光ダイオードチップにおいて接続ボディ２上に被着されている。接続ボディ２と接していないコンタクト層１５の外面の領域においては電流拡大層３が半導体層列１と直接的に接している。
【００６７】
電流拡大層３は電気的な接続ボディ２の半導体層列１側とは反対側の外面上に延びている。これによって電流拡大層３と接続ボディ２との間の横方向の重畳部分が形成されており、この重畳部分は、電気的な接続ボディが例えば電流拡大層３上に被着されており、且つ部分的に電流拡大層３を超えて突出している場合のように、金属的な接続ボディ２が横方向において電流バリア４２の領域を超えて延びることはなく、電流拡大層と接続ボディとの間の接続部の導電率を高める。
【００６８】
図２に基づき説明した実施例と同様に、図３に示した発光ダイオードチップにおいても、電流拡大層３は電気的な接続ボディ２の半導体層列１側とは反対側の外面上に延びている。
【００６９】
さらに発光ダイオードチップは、この発光ダイオードチップの動作時に阻止性のｐｎ接合によって形成されている電流バリア４を有する。このために半導体層列１は例えば、接しているコンタクト層１５と共に阻止性のｐｎ接合を形成するように導電性にドープされている半導体層１６を有する。例えば半導体層１６はｎ型にドープされており、コンタクト層１５はｐ型にドープされている。
【００７０】
半導体層１６は電気的な接続ボディ２と直接的に接している。接続ボディ２と半導体層１６との間には阻止性のｐｎ接合の形の電流バリア４の他にショットキーコンタクトを形成することができる。半導体層１６の側縁部および接続ボディ２の側縁部は電流拡大層３によって覆われている。
【００７１】
図４に示されている発光ダイオードチップにおいては、同様に半導体層列１の半導体層１６を備えた電流バリア４が含まれている。電流バリア４を例えば図３に基づき前述した実施例と同様に構成することができる。択一的に、半導体層１６は例えば導電性にドープされていないか、非常に弱くしか導電性にドープされており、これにより半導体層１６は導電性を有していないか、コンタクト層１５の導電率の１／２０よりも小さい導電率を有する。この場合、電流バリア４は図４に示されているように実質的に半導体層１６によって形成される。
【００７２】
図３に示した実施例とは異なり、この図４に示されている発光ダイオードチップにおいて接続ボディ２は半導体層１６から距離を置いている。接続ボディ２と半導体層１６との間には電流拡大層３が延在している。例えば、半導体層１６は完全に電流拡大層３によって覆われている。電気的な接続ボディ２は例えば電流拡大層３上に直接的に被着されている。これによってより面積の大きい境界面が生じ、また接続ボディ２と電流拡大層３との間に殊に良好な導電性コンタクトを形成することができる。
【００７３】
図５に示されている発光ダイオードチップにおいては、電流バリア４を図４または図３に基づき前述した実施例と同様に構成することができる。電流バリア４によって部分的または実質的に形成されている半導体層１６の半導体層列１側とは反対側に電流拡大層３が部分的に延びている。電気的な接続ボディ２は、一部が直接的に半導体層１６に接しており、別の部分が横方向において半導体層１６上に被着されている電流拡大層３の部分と重畳するように半導体層列１に被着されている。
【００７４】
電流バリア４に付加的に、図５に示されている発光ダイオードチップにおいても半導体層１６と電気的な接続ボディ２との間に電位バリアを有するショットキーコンタクトを形成することができ、この電位バリアは発光ダイオードチップの動作時に阻止される。
【００７５】
図６から図８に示されている発光ダイオードチップにおいては、接続ボディ２がそれぞれ半導体層列から距離を置いている。半導体層列１上にはそれぞれ電流拡大層３が被着されており、接続ボディ２は電流拡大層３上に配置されている。
【００７６】
図６および図８に示されている発光ダイオードチップにおいてはそれぞれ電流バリア４が、電流拡大層３と半導体層列１との間の境界面によって形成されている。図６による実施例においては、電流拡大層３が第１の部分３１および第２の部分３２を有し、これらの部分はそれぞれＴＣＯを含有する。ＴＣＯとして電流拡大層３の両方の部分３１，３２においては例えば酸化亜鉛のような同種また同一の材料が使用されている。
【００７７】
電流拡大層３の第１の部分３１と半導体層列１のコンタクト層１５との間には良好な導電性コンタクトが形成されており、このコンタクトは有利にはオーム特性を有する。すなわちこのコンタクトは実質的に、印加される電圧と電流の線形の関係を有する。電流拡大層３の第１の部分３１は、半導体層列１の外面の中央領域において切欠きが設けられている平坦な層である。
【００７８】
電流拡大層３の第２の部分３２は、切欠きを満たし、したがって同様に半導体層列１に直接的に接しているように第１の部分３１上に被着されている。もっとも電流拡大層３の第２の部分と半導体層列１のコンタクト層１５との間には導電性コンタクトが形成されていないか、導電性の低いコンタクトが形成されている。例えば、電流拡大層３の第２の部分３２と半導体層列１との間の境界面の導電率は第１の部分３１と半導体層列１との間の境界面に形成されているコンタクトの導電率の１／２０よりも低い。
【００７９】
一方では電流拡大層３の第１の部分３１と半導体層列１との間の境界面に関する導電性と、他方では電流拡大層３の第２の部分３２と半導体層列１との間の境界面に関する導電性とが異なることによって、例えば、電流拡大層３の両方の部分３１，３２が異なるやり方で被着される方法が達成することができる。これに関して後記において例示的な方法と関連させながら詳細に説明する。
【００８０】
図８に示されている発光ダイオードチップは前述の図６の発光ダイオードチップとは、電流拡大層３がワンピースで形成されており、殊に単一の方法ステップで被着させることができる点で異なる。それにもかかわらず、電流拡大層３と半導体層列１との間の発光ダイオードチップの外部領域においては良好な電気的なコンタクトが形成されているが、発光ダイオードチップの中央領域においては良好な電気的なコンタクトは形成されていない。
【００８１】
中央領域においては電流拡大層３と半導体層列１との間に電流バリア４が形成されている。例えば、電流拡大層３はこの領域においてコンタクト層１５と共にショットキーコンタクトを形成し、このショットキーコンタクトは発光ダイオードチップに動作電圧を印加した際に阻止特性を有する。電流拡大層３と半導体層列１との間の境界面は電流バリア４の中央領域において例えば、その他の領域における電流拡大層３と半導体層列１との間の導電率の１／２５よりも小さい導電率を有する。
【００８２】
電流拡大層３と半導体層列１とのこの種の選択的な電気的な接続を例えば、半導体層列１の表面が電流バリア４のために設けられている領域において電流拡大層３を被着する前に事前処理されることによって達成することができる。このこともまた方法の実施例と関連させて後記において詳細に説明する。
【００８３】
図７に示されている発光ダイオードチップの実施例は、電流拡大層３の材料からなる電流バリア４を有する。このために電流拡大層の部分領域３３は、この部分３３の導電率が著しく、例えば９５％低減されているように変性されている。
【００８４】
電気的な接続ボディ２はこの実施例において変性された部分３３、すなわち電流バリア４上に被着されている。それにもかかわらず電流拡大層３のその他の領域との良好な導電性コンタクトが形成されているようにするために、接続ボディ２が電流バリア４から横方向において突出しており、電流拡大層３の良好な導電性の部分との横方向の重畳部が生じる。重畳している領域においては、接続ボディ２が電流拡大層３の良好な導電性の部分と導電的に接続されている。
【００８５】
図９Ａから図９Ｅには例示的な方法の種々の段階が示されており、この方法においては先ず図９Ａに示されているように成長基板１１が準備される。続けて基板１１上には図９Ｂに示されているように半導体層列１がエピタキシャルに成長される。択一的に、基板１１を備えたまたは備えていない完成した半導体層列１を提供することも考えられる。
【００８６】
さらなるステップにおいてイオンが半導体層列１に注入される。このイオンの注入が発光ダイオードチップの横方向の全体の断面にわたり行われないようにするために、半導体層列１には予めマスク７が設けられる。このマスク７はイオン放射６に対して非透過性であり、第１の電流バリア４１のために設けられている領域の上方には切欠きを有する。
【００８７】
イオンとしては、半導体層列１の部分領域内の導電性を破壊するか少なくとも顕著に低減させることに適している全ての種類のイオンが適している。例えば陽子が使用される。この陽子は説明する実施例においては、放射生成領域を含む活性層１３と通過し、活性層１３と基板１１との間に配置されている第１の被覆層１２に注入されるほどの高いエネルギで半導体層列１に照射される。これによって図９ｃに示されているように第１の電流バリア４１が半導体層列１内に形成される。
【００８８】
図９Ｄにおいては、第２の注入ステップにおいて第２の電流バリア４２が半導体層列１内にどのように形成されるかが概略的に示されている。このために例えば同一のマスクを使用することができる。例えば負に帯電されたイオンが使用される。
【００８９】
第２の電流バリア４２は第２の被覆層１４内に配置されており、この第２の被覆層１４は半導体層列１における活性層１３の第１の被覆層１２側とは反対側に設けられている。２つの電流バリア４１，４２によって活性層１３の中央領域が効果的に電流から遮蔽され、この領域における電磁放射の生成は電流バリアを備えていない発光ダイオードチップに比べて著しく低減されている。
【００９０】
２つの電流バリアを形成した後にマスク材料７が例えばエッチングにより除去される。続けて、電流拡大層３が例えばスパッタリングにより半導体層列１上に被着される。図９Ｅに示されているように、電流拡大層３上には接続ボディ２が例えば金属性の材料の蒸着により形成され、必要に応じて構造化される。
【００９１】
図１０Ａから図１０Ｆに基づき概略的に示されている方法においては、図１０Ａに示されているように成長基板１１１が提供され、続けて図１０Ｂに示されているようにエピタキシャル半導体層列１が被着される。半導体層列１は、成長基板１１１から順に、電流バリアのために設けられている第２の半導体層列１６２、コンタクト層１５、第２の被覆層１４、活性層１３、第１の被覆層１２ならびに電流バリアのために設けられている第１の半導体層１６１を有する。
【００９２】
電流バリアのために設けられている第１の半導体層１６１および第２の半導体層１６２は例えばドープされていない半導体材料からなり、この半導体材料は導電性を有していないか、非常に弱い導電性しか有していない。択一的に、これらの半導体層がそれぞれの接している半導体層と共に、製造される発光ダイオードチップにおける阻止性のｐｎ接合を形成するようにこれらの半導体層は導電性ドープされている。
【００９３】
電流バリアのために設けられている第１の半導体層１６１は例えば半導体層列１の最後の層としてエピタキシャルに成長される。続けて、図１０Ｂに示されているように、層の一部は半導体層列１の中央において残されたままであり、したがって第１の電流バリア４１が形成されるようにこれらの層は例えばリソグラフィにより部分的に除去される。
【００９４】
さらなるステップにおいては、裏面側の電気的な接続ボディ８が第１の電流バリア４１および第１の被覆層１２の露出されている部分上に被着される。これは図１０Ｃに示されている。裏面側の接続ボディは例えば、第１の被覆層１２との導電性コンタクトを形成することにも適しており、また製造すべき発光ダイオードチップにより生成することができる電磁放射を反射させることにも適している材料を有する。
【００９５】
さらなるステップにおいては、成長基板１１１が半導体層列１から剥がされる。さらに、電流バリアのために設けられている第２の半導体層１６２が第１の半導体層１６１と同様にリソグラフィ法により構造化される。すなわちこの第２の半導体層１６２は部分的に除去され、中央の領域が残されたままにされる。半導体層１６２の残された部分は第２の電流バリア４２を形成する。
【００９６】
択一的に、この本方法においては電流バリアのために設けられている第２の半導体１６２を基板上にエピタキシャルに成長させるのではなく、非導電性または殆ど導電性ではない基板を使用し、この基板の第１の部分を第２の電流バリア４２のために使用することも考えられる。このことは例えば基板を薄くすることより行われる。基板の残された部分を例えば半導体層１６１，１６２と同様に構造化することができる。
【００９７】
続けて、電流拡大層３がコンタクト層１５および電流バリア４２上に被着される。図１０Ｅに示されているように、電流拡大層３上には第２の電流バリア４２の上方に電気的な接続ボディ２が形成される。
【００９８】
図１０Ｅには既に完成された発光ダイオードチップが示されている。この発光ダイオードチップは半導体層列１の電流拡大層３側とは反対側に基板を有していない。そのように構成された発光ダイオードチップを例えばケーシング内に実装することができる。
【００９９】
選択的に、図１０Ｅに示されている構造体を図１０Ｆに示されているように支持体基板１１０上に被着することもできる。この被着は例えばボンディング、例えば適切なはんだまたは接着剤を用いて行われる。接着のために殊に導電性の接着剤を使用することもでき、このことは支持体基板１１０も導電性である場合には殊に好適である。
【０１００】
図１１Ａおよび図１１Ｂに基づき説明する本方法の実施例においては半導体層列１が提供される。半導体層列１の外面、例えばコンタクト層１５が続けて、電流バリアを形成するために設けられている部分領域１５０において事前処理される。この事前処理において半導体層列１の外面の部分領域１５０が例えば粗面化される。粗面化は例えば粒子を打ち込むことによって行われ、このために例えばアルゴンプラズマを使用することができる。
【０１０１】
そのように事前処理された部分領域１５０は構造の大きさが小さく、また構造の深さが浅い細かな粗面部を有する。構造化要素の大きさおよび構造化深さは例えば２００ｎｍ〜１００ｎｍである。続けて、例えば酸化亜鉛のようなＴＣＯがコンタクト層１５に被着され、これはスパッタリングによって行うことができる。事前処理された部分領域１５０内には導電性を有してないコンタクトまたはその他の領域に比べて非常に低い導電性を有するコンタクトが電流拡大層３とコンタクト層１５との間に形成される。これによって部分領域１５０内には技術的に簡単なやり方で電流バリア４が形成される。図１１Ｂに示されているように、電流拡大層３上には例えば電流バリア４の上方に接続ボディ２が形成される。
【０１０２】
図１２Ａから図１２Ｃにおいては、マルチピースの電流拡大層３が製造される、および／または、電流拡大層３が複数の別個のステップにおいて被着される方法が示されている。
【０１０３】
この方法においては、図１２Ａに示されているように先ず半導体層列１が準備される。続けて、電流拡大層３の第１の部分３１が従来のやり方で、半導体層列１との良好な導電性コンタクトが形成されるように半導体層列１上に被着される。図１２Ｂに示されているように、電流拡大層３の第１の部分３１は平坦な層の形で被着され、続けて電流バリアのために設けられている領域において除去される。電流拡大層３の第１の部分３１の被着は例えば酸化亜鉛のようなＴＣＯのスパッタリングによって行われる。スパッタリングプロセスにおいては、スパッタリングされる微粒子は数電子ボルト、例えば５ｅ．Ｖ以下の運動エネルギを有する。
【０１０４】
続いて電流拡大層３の第２の部分３２が第１の部分３１上に被着される。このために同様にスパッタリングが使用され、このスパッタリングプロセスは電流拡大層３の第１の部分を被着するためのスパッタリングプロセスよりも遥かに高いスパッタリングエネルギでもって行われる。換言すれば、スパッタリングされる微粒子は第２のスパッタリングプロセスにおいて著しく高い運動エネルギを有する。このことは第１のスパッタリングプロセスにおける運動エネルギよりも僅かに高いオーダである。例えば第２のスパッタリングプロセスにおける運動エネルギは係数１０〜２０大きい。
【０１０５】
この方法により、電流拡大層３の第２の部分３２と半導体層列１との間には導電性のコンタクトは形成されないか、第１の部分３１と半導体層列１との間に比べて非常に低い導電性を有するコンタクトが形成される。この発光ダイオードチップにおいて電流拡大層３の第２の部分３２と半導体層列１のコンタクト層１５との間の境界面は電流バリア４を形成する。図１２Ｃに示されているように、電流拡大層３上には電流バリア４の上方に接続ボディ２が形成される。
【０１０６】
図１３Ａから図１３Ｃに示されている本方法の実施例においては、図１３Ａに示されているように電流拡大層３の部分領域または半導体層列のコンタクト層１５の部分領域が原子またはイオン９の注入によって変性されることによって電流バリア４が形成される。
【０１０７】
このために変性すべき層の上には、拡散粒子９に対して非透過性である適切なマスク材料からなるマスク７が形成される。拡散のために、電流拡大層３または半導体層１５の導電性を著しく低減することに適している粒子が選択される。例えばリチウムまたは銅が注入され拡散される。
【０１０８】
択一的に、層の変性された部分を酸化させることも考えられる。マスク７によって覆われていない箇所はこのためにＯ２プラズマを用いて、または酸化炉において十分に高い温度で処理される。これによって同様に図１３Ｂに示されているように、材料の導電性を選択的に低減または破壊することができ、これにより電流バリア４を形成することができる。
【０１０９】
図１３Ｃに示されているように、電流バリア４の上に直接的に電気的な接続ボディ２が形成され、この接続ボディ２の上に続けて電流拡大層３が被着される。接続ボディ２の一部は１つのステップにおいて電流拡大層３の選択的な除去により露出されるので、発光ダイオードチップは接続ボディ２の上方において導電的に外部から接触することができる。
【０１１０】
本発明を上記においては幾つかの実施例に基づいて説明したが、本発明はそれらの実施例に制限されるものではない。むしろ本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴の組み合わせ各々が含まれ、このことはそのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていないにしてもあてはまる。本発明は殊に、エピタキシャル半導体層列の半導体材料、電流拡大層の材料、および／または、半導体層列と電流拡大層との間の境界面によって形成されている電流バリアを有していない発光ダイオードチップも含まれる。発光ダイオードチップが例えば、半導体層列と電気的な接続ボディとの間の境界面、例えばショットキーコンタクトによって形成されている電流バリアのみを有していることも考えられる。この種の電流バリアを同様に有利には前述の種々の特徴と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】第１の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図２】第２の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図３】第３の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図４】第４の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図５】第５の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図６】第６の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図７】第７の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図８】第８の実施例による発光ダイオードチップの概略的な断面図を示す。
【図９ａ】本発明による方法の第１の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図９ｂ】本発明による方法の第１の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図９ｃ】本発明による方法の第１の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図９ｄ】本発明による方法の第１の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図９ｅ】本発明による方法の第１の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ａ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ｂ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ｃ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ｄ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ｅ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１０ｆ】本発明による方法の第２の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１１ａ】本発明による方法の第３の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１１ｂ】本発明による方法の第３の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１２ａ】本発明による方法の第４の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１２ｂ】本発明による方法の第４の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１２ｃ】本発明による方法の第４の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１３ａ】本発明による方法の第５の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１３ｂ】本発明による方法の第５の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１３ｃ】本発明による方法の第５の実施例におけるステップを概略的な側面図で示したもの。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１０Ｅ】
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【図１０Ｆ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【国際調査報告】
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