(57)【要約】  本発明は、光学デバイスおよびその製造方法に関する。光学デバイスは、一方の表面に凹部を有する支持部材（５）と、前記支持部材（５）の前記凹部の内面と対向して配置された光学素子（２）と、前記支持部材（５）の前記凹部の内面を被覆するとともに、前記光学素子（２）と電気的に接続された光反射性を有する電極層（４）と、前記電極層（４）と前記光学素子（２）との間に介在し、電気絶縁性および透光性を有する材料層（３）と、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面に凹部を有する支持部材と、
前記支持部材の前記凹部の内面と対向して配置された光学素子と、
前記支持部材の前記凹部の内面を被覆するとともに、前記光学素子と電気的に接続された光反射性を有する電極層と、
前記電極層と前記光学素子との間に介在し、電気絶縁性および透光性を有する材料層と、
を備えたことを特徴とする、光学デバイス。
【請求項２】
前記光学素子は、前記電極層と対向する第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、該第１の主面と該第２の主面に連続する側面とを有しており、
前記光学素子の前記側面は、前記第１の主面から前記第２の主面に向かうにつれて該光学素子の幅が広がるように傾斜していることを特徴とする、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記光学素子はＬＥＤ素子であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記光学素子の前記第２の主面が、前記凹部の周囲に位置する前記支持部材の前記一方の表面よりも、前記凹部の底面から離間していることを特徴とする、請求項２又は３に記載の光学デバイス。
【請求項５】
前記光学素子と前記電極層とは、光反射性を有する導電体によって電気的に接続されており、
前記導電体が、前記光学素子の前記第１の主面に接合されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の光学デバイス。
【請求項６】
前記支持部材は、前記一方の表面に前記凹部を複数有しており、
前記電極層は、複数の前記凹部の内面を被覆するとともに、隣接する該各凹部の領域とを連続的に被覆していることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の光学デバイス。
【請求項７】
一方の表面に凹部を有する保護層と、接着層と、前記保護層に前記接着層を介して接合される支持基体とを有する支持部材、及び、前記保護層の凹部に対向して配置された光学素子を有する光学デバイスの製造方法であって、
前記光学素子が前記保護層の凹部に対向して配置された構造体を準備する工程と、
前記保護層に前記接着層を介して前記支持基体を加圧して接合する工程と、
を備えることを特徴とする、光学デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえばＬＥＤ素子等の、半導体層が積層されてなる発光素子を含む光学デバイスは、発光電力効率に優れるため、信号表示用のほか、高輝度の照明装置としても用いられている。特に、冷陰極管などの他の光学機器と比べて小型化、薄型化が可能であるため、たとえば液晶ディスプレイのバックライトや、画像形成装置の静電潜像の書き込み用の露光などに好適に用いられる。
たとえば従来のＬＥＤ（Light Emitting Diode）光学デバイスは、たとえば気相成長法などによって、土台基板の表面に一導電型半導体層と逆導電型半導体層とが順次積層されて形成されている。半導体製造プロセスを進めるにあたって、基板のハンドリングのためには、この土台基板はある程度の強度を有する必要がある。このため、この土台基板は、気相成長された発光素子部分の厚みに比べて、充分大きな厚さを備えておく必要がある。一方、ＬＥＤ光学デバイスでは、発光素子からの発光が指向性をもたないので、発光素子からの発光のうち土台基板の側に向けて進行する光の成分は、土台基板に吸光・遮光されてしまう。したがって、ＬＥＤ光学デバイスにおいては、土台基板はデバイス性能を劣化させてしまう。例えば、特開平６−３０２８５７号公報では、土台基板上に複数の結晶成長層が積層されてなる発光素子の上面に、ウエハーボンディング手法を用いて第２の基板を接合し、その後に土台基板を除去して、発光ダイオードを製造している。
特開平６−３０２８５７号公報記載の製造方法で製造された発光ダイオードでは、発光素子の上面に第２の基板が直接接合されており、発光素子の上面からの光は第２の基板によって吸光・遮光されてしまう。また、特開平６−３０２８５７号公報記載の製造方法では、発光素子の上面と第２の基板とを、加熱および加圧することで接合しているため、発光素子の特性が劣化したり、素子自体が損傷する可能性も比較的高い。
また、受光素子を含む光学デバイスの場合、多数の受光素子を剛性を有する基板上にマトリクス状に配置することで多くの光量を受光するように一般的に構成されている。しかしながら、多数の受光素子が剛性を有する基板上に配置されるため、光学デバイスを曲面に追従させて配置することが困難である。また、このような受光素子は、光源に臨む面においてのみ受光可能であるので、該面に到来する光以外の光を受光することができない。
【発明の開示】
【０００３】
本発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、比較的高い指向性をもって、比較的多くの光量の光を出射、または比較的多くの光量の光を受光することができる光学デバイスを提供することを第１の目的とする。また、本発明は、光学素子の特性劣化を抑制できる光学デバイスの製造方法を提供することを第２の目的とする。
本発明の一形態に係る光学デバイスは、一方の表面に凹部を有する支持部材と、前記支持部材の前記凹部の内面と対向して配置された光学素子と、前記支持部材の前記凹部の内面を被覆するとともに、前記光学素子と電気的に接続された光反射性を有する電極層と、前記電極層と前記光学素子との間に介在し、電気絶縁性および透光性を有する材料層と、を備えたことを特徴とする。
また本発明の一形態に係る光学デバイスの製造方法は、一方の表面に凹部を有する保護層と、接着層と、前記保護層に前記接着層を介して接合される支持基体とを有する支持部材、及び、前記保護層の凹部に対向して配置された光学素子を有する光学デバイスの製造方法であって、前記光学素子が前記保護層の凹部に対向して配置された構造体を準備する工程と、前記保護層に前記接着層を介して前記支持基体を加圧して接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
【図１】本発明の第１の実施形態である光学デバイスの構成を示す平面図である。
【図２】図１の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態である光学デバイスの構成を示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施形態に係る光学デバイスの製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下図面を参考にして本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
図１及び図２に示すように、光学デバイス１は、光学素子２と、透光性材料層３と、電極層４と、保護層５と、第１電極配線６と、第２電極配線７とを含む。本実施形態の光学デバイス１では、光学素子２が複数設けられ、マトリクス状に配置されている。なお、図１に示す光学デバイス１では、縦に４つ、横に４つ、計１６個の光学素子２が配置されているが、数はこれに限らず、少なくても多くてもよいし、縦と横の配置数は、同じであっても異なっていてもよい。
製造方法については後述するが、光学素子２は、エピタキシャル成長により半導体層が積層されてなる半導体光学素子である。たとえば、光学素子２は、一導電型半導体層２ａと、一導電型半導体層２ａに積層される逆導電型半導体層２ｂと、一導電型半導体層２ａと逆導電型半導体層２ｂとの接合部分２ｃを含み、発光素子または受光素子として働く。
一導電型半導体層２ａは、たとえば一導電型の不純物がドーピングされたＧａＡｓによって形成される。
逆導電型半導体層２ｂは、たとえば逆導電型の不純物がドーピングされたＧａＡｓによって形成される。
複数の光学素子２は、露出面２ｄを露出させるように透光性材料層３に埋没した状態で、互いに間隔を空けて配置されている。各光学素子２は、複数の半導体層の各端面によって形成される側面において透光性材料層３と接合されている。光学素子２の側面は、露出面２ｄに向かって光学素子２の幅が広くなるように傾斜している。
本実施形態では、透光性材料層３は、全ての光学素子２と一体的に接合し、電極層４の全面にわたって設けられている。なお、透光性材料層３は、逆導電型半導体層２ｂと電極層４との間の電気絶縁性を確保しつつ、光学素子２を保持することができれば、電極層４の一部のみを被覆していてもよい。たとえば、透光性材料層３が独立した複数部分に分かれており、各光学素子２をそれぞれ保持するように設けられていてもよい。
光学素子２の厚みは、たとえば２μｍ〜１０μｍとすればよい。また、透光性材料層３の厚みとしては、たとえば０．２μｍ〜１００μｍとすればよい。
透光性材料層３は、光学素子２との接合性、後述の電極層４との接合性を備え、透光性を有していればどのような材質で構成されていても構わないが、たとえば、発光素子のモールド樹脂として一般的に使用されるエポキシ樹脂材料、アクリル系樹脂材料、ポリイミドなどを用いることができる。なお、透光性の樹脂であることにも限定されず、透光性を有する材料であれば特に限定されない。
さらに、光学デバイス１全体としては、曲面への貼り付けや電子ペーパの光源として使用するために、変形可能であることが好ましい。この場合、透光性材料層３が可撓性を有することが好ましい。
電極層４は、透光性材料層３と接合して設けられ、導電性を有する。電極層４は、光学素子２と電気的に導通しており、複数の光学素子２の共通電極として機能する。また、光学素子２が発光素子の場合、電極層４は、光学素子２から放射され透光性材料層３を透過した光を反射して、光学素子２の露出面２ｄ側に出射する。なお、光学素子２が受光素子の場合、電極層４は、光学素子２の露出面２ｄ側から透光性材料層３に入射し、透光性材料層３を透過した光を反射して光学素子２へと集光する。
電極層４は、たとえば、金、銅等で構成されていることが好ましい。電極層４の厚みとしては、たとえば０．２μｍ〜１０μｍとすればよい。
電極層４と光学素子２との電気的導通は、透光性材料層３を厚み方向に貫通する貫通孔（コンタクトホール）内に設けられた導電体４ａによってなされている。このコンタクトホール内の導電体４ａは、たとえば、コンタクトホールの内面を被覆する導電層か、コンタクトホール内に充填された導電性材料によって構成されている。本実施形態では、コンタクトホール内を電極層４と同じ導電性材料で充填している。
コンタクトホールは、光学素子２の露出面２ｄとは反対側の面２ｅから電極層４に達するまで形成されている。
導電体４ａは、光学素子２の面２ｅ全体と接合している。導電体４ａと光学素子２の面２ｅとの電気抵抗（コンタクト抵抗）を低くするには、導電体４ａと光学素子２の面２ｅとの接合面積は、大きい方が好ましい。本実施形態では、導電体４ａが光学素子２の面２ｅ全体と接合しているので、電気抵抗（コンタクト抵抗）は比較的小さくされている。さらに、導電体４ａが、光学素子２の面２ｅ全体と接合しているので、光学素子２の面２ｅから出射される光は、この導電体４ａとの接合面によって良好に反射される。また、導電体４ａは、光学素子２の面２ｅから電極層４に向かって徐々に幅が広がる角錐台形状に形成されている。導電体４ａの側面は反射面として働き、かかる側面で光学素子２からの発光を反射して、光学素子２の露出面２ｄ側に出射する。なお、導電体４ａは、光学素子２の面２ｅ全体と接合していることに限定されず、光学素子２の面２ｅの一部分のみと接合していてもよい。また、導電体４ａの形状は角錐台形状に限定されず、導電体４ａの側面が例えば光学素子２の面２ｅから略垂直に延びる直方体形状であってもよい。
導電体４ａの材質としては、たとえば、金、銀、銅、アルミニウムなどを用いることができる。
光学デバイス１では、光学素子２の発光または受光にともなって発生する熱が、電極層４に比較的良好に伝わり、この電極層４から比較的良好に放熱される。電極層４は、保護層５の表面全体を被覆するように設けられており、光学素子２の数に対し、表面積の割合も比較的大きい。また、光学素子２と電極層４とが、たとえば金属からなる、熱伝導性が比較的高い導電体４ａとで繋がっている。また、光学素子２と電極層４との間隙も比較的小さい。そのため、光学デバイス１では、各光学素子２から発せられた熱が、導電体４ａを介して電極層４に良好に伝導する。この熱は、電極層４全体に拡散して良好に放熱される。したがって、光学素子２の温度上昇を抑制することができる。
電極層４の下面側には、保護層５が設けられていれる。本実施形態では、保護層５が、透光性材料層３、電極層４および光学素子２を支持する支持部材として機能する。また、保護層５の、光学素子２に対応する領域には、凹部が形成されている。この部分では、保護層５に設けられている電極層４も凹状とされ、この凹部を埋めるように透光性材料層３が設けられている。すなわち、光学デバイス１は、一方の表面に凹部を有する保護層５（支持部材）と、保護層５の凹部の内面と対向して配置された光学素子２と、保護層５の凹部の内面を被覆するとともに、光学素子２と電気的に接続された光反射性を有する電極層４と、電極層４と光学素子２との間に介在し、電気絶縁性および透光性を有する透光性材料層３と、を備えている。
なお、保護層５は、電極層４と比較的良好な接合性を備えていればよい。また、光学デバイス１を、曲面への貼り付けや電子ペーパの光源として使用するためには、保護層５が可撓性を有していることが好ましく、特に、透光性材料層３と同程度の可撓性を有していることが好ましい。保護層５の材料は、たとえばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂等の樹脂材料、又はガラス系材料などであってもよい。保護層５の厚みとしては、たとえば２μｍ〜１００μｍであればよい。
本実施形態において、凹部の内面形状は、光学素子２から放射された光を、光学素子の露出面２ｄと略垂直な方向に反射するような形状とされている。これにより、光学素子２からの発光を、比較的高い指向性で、所定の方向に向けて照射することが可能である。
また、本実施形態では、光学素子２の側面は、光学素子２の幅が露出面２ｄに向かうにつれて広くなるように傾斜している。これにより、光学素子２の側面から出射される光が、比較的大きな割合で電極層４に到達し、電極層４によって反射されて、高い指向性をもって発光デバイス１から出射される。したがって、発光デバイス１から放射される光の量は比較的大きくなる。保護層５の凹部の内面形状は、光学素子２の側面の傾斜に応じて設定すればよい。
また、光学素子２の面２ｅは、保護層５の凹部の周囲に位置する上面５ａと、凹部の底面との間の位置に配置されている。すなわち、光学素子２の面２ｅは、保護層５の凹部の内部に配置され、光学素子２の少なくとも一部が保護層５の上面５ａから突出して配置されている。このため、光学素子２が発光素子の場合、光学素子２から発光される光は、凹部の内面を被覆する反射電極層４に到達するのみでなく、その一部が、保護層５の上面５ａ上の電極層４にも到達し易い。それ故、かかる光は、この上面５ａ上の電極層４で反射される。これにより、光学デバイス１から出射される光の濃度ムラが比較的少なくなり、かつ指向性も比較的高くなっている。
光学素子２が受光素子の場合、凹部の内面を被覆する反射電極層４で反射した光のみでなく、保護層５の上面５ａ上の電極層４で反射した光も光学素子２に入射し易くなる。このため、光学デバイス１では、光学素子２の受光光量を増大させることができる。
また、光学デバイス１が全体として可撓性を有する場合、光学デバイス１を曲面に追従させることができる。
なお、凹部の周囲の保護層５の上面５ａを被覆する電極層４上にも、透光性材料層３は配置されており、この部分の透光性材料層３によって各光学素子２同士が比較的良好に絶縁されている。
透光性樹脂層３の表面には、複数の光学素子２の各露出面２ｄを電気的に接続する第１電極配線６、第２電極配線７が設けられている。図１の左右方向に沿って延びた第１電極配線６、および図１の上下方向に沿って延びた第２電極配線７は、マトリクス状に配置された光学素子２の各露出面２ｄの中央部分を連結するように格子状に設けられている。
また、電極層４との導通のために、取出電極端子８が、透光性材料層３を貫通して設けられている。取出電極端子８は、その一方の面が電極層４に接触し、他方の面が透光性材料層３から露出している。一方、透光性材料層３の表面には、第１電極配線６同士を接続する第１共通電極９と、第２電極配線７同士を接続する第２共通電極１０とが設けられている。光学素子２が発光素子の場合、光学素子２に対して通電するため、取出電極端子８は、外部電源の一方端子に接続され、第１共通電極９および第２共通電極１０は、該外部電源の他方端子に接続される。光学素子２が受光素子の場合、取出電極端子８、第１共通電極９および第２共通電極１０は、光学素子２で発生した電流を取り出すための端子として機能する。
本実施形態において光学デバイス１の厚みは、透光性材料層３、電極層４および保護層５の厚みによって決まり、２μｍ〜２００μｍと比較的薄く形成することができる。第１の実形形態の光学デバイス１のみで取り扱う場合、光学デバイス１の厚みが、たとえば５０μｍ〜２００μｍと比較的厚いことが好ましい。
図３は、本発明の第２の実施形態である光学デバイス１１の構成を示す断面図である。本実施形態の光学デバイス１１は、第１の実施形態である光学デバイス１が、支持基体１２をさらに有する構成となっている。この第２の実施形態においては、第１の実施形態の保護層５が、接着層１３を介して支持基体１２と接合されている。
なお、支持基体１２および接着層１３以外の構成については、第１の実施形態で示した光学デバイス１の各構成と同じであるので、同じ参照符号を付して説明を省略する。この第２の実施形態では、支持基体１２、接着層１３及び保護層５の集合体によって支持部材が構成されている。
支持基体１２は、板状またはフィルム状の部材で、透光性材料層３、電極層４及び保護層５に比べて剛性が高い材質で構成される。たとえば、セラミックス、ガラス、エポキシ系樹脂、シリコン、ＳｉＣ、および有機フィルムなどが挙げられる。支持基体１２の厚みは、たとえば４０μｍ〜５０００μｍとされる。支持基体１２を備えた構成とすると、光学デバイス１の厚みを比較的薄く構成しても、光学デバイス全体の取り扱いが比較的容易となる。たとえば、透光性材料層３と電極層４と保護層５との厚みの合計を、２μｍ〜５０μｍと、比較的小さくすることができる。
第２の実施形態では、支持基体１２を設けることにより、光学デバイス１１の機械的強度がより高くなっている。接着層１３は、保護層５と支持基体１２とが接着可能な材質で構成され、後述する製造工程において、支持基体１２を保護層５に接合する際に緩衝材として機能する。このような特性を有する接着層１３の材質としては、たとえば、ＢＣＢ、ポリイミド、エポキシ系樹脂、ＵＶ硬化樹脂などの有機材料や、はんだなどを用いればよい。
次に、光学デバイス１の製造方法について説明する。
図４Ａ〜図４Ｇは、本実施形態の光学デバイス１及び１１の製造方法を示す工程図である。
図４Ａに示すように、まず土台基板１００の表面に複数の結晶層が積層されてなる半導体層１０１を形成する。
土台基板１００は、半導体層をエピタキシャル成長させるために一時的に使用する基板である。土台基板１００は、高抵抗または絶縁性を有し、たとえばノンドープのシリコン（Ｓｉ）またはガリウム砒素（ＧａＡｓ）によって形成されている。土台基板１００をＳｉによって形成した場合、ハンドリングや加工の容易性、および製造コストの面等で有利である。
半導体層１０１は、一導電型半導体層１０１ａ及び逆導電型半導体層１０１ｂをこの順に土台基板１００上に積層して形成されている。半導体層１０１の各層は、たとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって形成される。
次に、図４Ｂに示すように、半導体層１０１を加工して、土台基板１００上に複数の独立した光学素子２を形成する。光学素子２は、半導体層１０１上にフォトリソグラフィーによって所望のマスクパターンを形成した後、土台基板１００の表面が露出するまでエッチングすることによって形成される。このエッチング処理では、たとえばウエットエッチングを行い、土台基板１００から上面に近づくに従って幅が次第に小さくなるような、いわゆるメサ形状断面を有する光学素子２を形成する。このウエットエッチングでは、好ましくは異方性エッチングによって、所定のメサ形状の光学素子２を形成する。
次に、図４Ｃに示すように、光学素子２の上面および側面を被覆するように透光性樹脂材料を塗布するとともに、塗布した透光性樹脂材料を硬化させて透光性材料層３を形成する。次いで、光学素子２上の透光性材料層３をエッチングしてコンタクトホールを形成する。そして、導電体４ａでコンタクトホールを充填するとともに、透光性材料層３および導電体４ａを被覆するように電極層４を形成する。
透光性樹脂材料は、たとえば、スピンコート法、スプレイコート法、ディップ法等によって塗布され、オーブン、ホットプレート、キュア炉によって熱硬化され、これにより、透光性材料層３が形成される。たとえば、厚さ２μｍの光学素子２が形成されている場合、たとえば透光性樹脂材料を２μｍの厚さに塗布する。これにより、図４Ｃに示すような、光学素子２の表面に応じた形状を有する透光性材料層３が形成される。光学素子２と同程度の厚さに透光性樹脂層３を形成することで、透光性樹脂層３は、光学素子２の形状に対応した形状となる。
また、透光性樹脂材料を、たとえば５０〜１００μｍと比較的厚く塗布した後、公知のフォトリソグラフィー法およびエッチング法によって、この透光性樹脂材料の表面に凹部を形成してもよい。こうすると、凹部を所望の位置に、比較的高い自由度で形成することができる。
電極層４は、たとえば公知の薄膜形成法、たとえば電子ビーム蒸着法や抵抗加熱蒸着法によって形成すればよい。
次に、図４Ｄに示すように、電極層４上に保護層材料を塗布するとともに、塗布した保護層材料を硬化させて保護層５を形成する。
保護層材料は、たとえばスピンコート法、スプレイコート法、ディップ法等によって塗布され、オーブン、ホットプレート、キュア炉によって熱硬化される。
次に、図４Ｅに示すように、土台基板１００を除去する。土台基板１００の除去は、エッチングによって可能である。土台基板１００がシリコンからなり、光学素子２がＧａＡｓからなる場合は、シリコンを選択的にエッチングするエッチング剤を用いてエッチングを行うことで容易に土台基板１００を除去することができる。また、たとえば、半導体層１０１の成長に先がけて、土台基板１００の表面に犠牲層を形成しておき、この犠牲層を選択的にエッチング除去することで、土台基板１００を分離してもよい。
最後に、図４Ｆに示すように、第１電極配線６、第２電極配線７、取出電極端子８、第１共通電極９及び第２共通電極１０を形成して光学デバイス１を得る。
なお、図４Ｇに示すように、光学デバイス１を得た後に、保護層５上に接着層１３を形成し、支持基体１２を接合して、第２の実施形態である光学デバイス１１を作製することも可能である。
なお、第２の実施形態である光学デバイス１１は、たとえば以下のように作製することができる。
保護層５を形成するまでの工程は、上記の図４Ａ〜図４Ｄに示した工程と同じであるが、図４Ｄに示した工程の後、土台基板１００を除去せずに残した状態で、保護層５上に接着層１３を形成する。この後、接着層１３に比較的剛性が高い支持基体１２を接合する。接着層１３と支持基体１２との接合は、接着層１３と支持基体１２とを加圧するとともに加熱して行う。
支持基体１２の接合時に、光学素子２は保護層５および接着層１３により保護されているので、支持基体１２の接合に係る加熱や加圧による光学素子２の特性劣化や損傷を抑制することができる。
支持基体１２を接合した後は、図４Ｅおよび図４Ｆの工程と同じく、土台基板１００の除去および電極配線等の形成を行うことで、支持基体１２を有する光学デバイス１１が得られる。
このようにして、製造時（特に支持基体との接合時）の光学素子の特性劣化を比較的低減しつつ、比較的薄くて小型の光学デバイスを製造することができる。
以上、本発明の光学デバイスおよび光学デバイスの製造方法について説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。
本実施形態の変形例として、光学素子２は、非晶質層からなる有機ＥＬ素子であってもよい。また本実施形態の変形例として、保護層５に設けられる各凹部に、複数の光学素子２が配置されてもよい。
また、図１に示す光学デバイス１からなる光源を複数用いてマトリクス状に配置した表示装置を構成することもできる。このような表示装置は、マトリクス状に配置した光源を選択的に発光させることで、文字や図形等を表示することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
2009119847.tif 000008
【図４Ｄ】
2009119847.tif 000009
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【国際調査報告】
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2009119847.tif 000014
2009119847.tif 000015
2009119847.tif 000016