(57)【要約】  基板上にフィン型半導体領域を形成した後、当該基板をチャンバー内に載置し、その後、チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化した後、チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する。その後、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアス電圧を印加し、半導体領域に不純物をドーピングする。
2009066409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、上面及び側面を有する半導体領域を形成する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）よりも後に、チャンバー内に前記基板を載置した後、前記チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）よりも後に、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記基板にバイアス電圧を印加し、前記半導体領域に前記不純物をドーピングする工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスは希ガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希ガスはＮｅであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希ガスはＡｒ又はＸｅであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プロセスガスは希釈ガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希釈ガスはＨｅ又はＨ2 であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記所定値は、前記プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、前記プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスがＮｅを含む場合の前記測定波長は６９３ｎｍであり、
前記着火用ガスがＡｒを含む場合の前記測定波長は７５０ｎｍであり、
前記着火用ガスがＸｅを含む場合の前記測定波長は８２３ｎｍであり、
前記着火用ガスがＮを含む場合の前記測定波長は７４４ｎｍであり、
前記着火用ガスがＯを含む場合の前記測定波長は７７７ｎｍであり、
前記着火用ガスがＦを含む場合の前記測定波長は７０４ｎｍであり、
前記着火用ガスがＳを含む場合の前記測定波長は５４５ｎｍであり、
前記着火用ガスがＣｌを含む場合の前記測定波長は３０９ｎｍであり、
前記着火用ガスがＢｒを含む場合の前記測定波長は４７８ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）において、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記チャンバー内に前記プロセスガスを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体への不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不純物を半導体中に導入する技術として、不純物をイオン化して低エネルギーで半導体中に導入するプラズマドーピング法が知られている。【０００３】
また、プラズマドーピングのプロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウムや水素によって希釈したものが用いられている（特許文献１参照）。
【特許文献１】米国特許第７１９２８５４号明細書
【特許文献２】特許３２０４８３６号公報
【非特許文献１】D.Lenoble 他、Enhanced performance of PMOS MUGFET via integration of conformal plasma-doped source/drain extensions、2006 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers、p.212
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、ヘリウムや水素を大量に含むガスは低い圧力ではプラズマ化（着火）しにくい。従って、ヘリウムや水素を大量に含むプロセスガスをプラズマ化するためには、チャンバー内の圧力を高くする必要がある。図１０は、プロセスガスのみを用いてプラズマドーピング（ＰＤ）を実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示している。図１０に示すように、プロセスガスのみによってプラズマを発生させるためにチャンバー内の圧力を高くしているため、プラズマ発生後、チャンバー内の圧力をプラズマドーピング（ＰＤ）に最適な圧力まで低下させ、その後、被処理基板にバイアスを印加してプラズマドーピングを実施する必要がある。すなわち、プロセスガスのみを用いてプラズマを発生させる場合には、図１０に示すように、圧力調整に比較的長い時間（例えば１５秒程度）を要するため、スループットが低下してしまうという問題がある。【０００５】
前記に鑑み、本発明は、プラズマドーピング処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ところで、プラズマ化しやすいガス（放電しやすいガス）としてアルゴンが知られている（特許文献２参照）。これに着目し、本願発明者らは、プラズマ着火用のガス（以下、着火用ガスと称する）としてアルゴンを用いることにより、プラズマドーピングに適した低圧力で着火用ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、チャンバー内に導入するガスを着火用ガスからプロセスガスに切り換える方法を着想した。【０００７】
そこで、本願発明者らは、この方法を、プラズマドーピングの適用対象として注目されている立体トランジスタを形成する方法（非特許文献１参照）に用いてみた。具体的には、上面及び側面を有する半導体領域（フィン型半導体領域）にプラズマドーピングによって不純物を導入するために、着火用ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プロセスガスを用いてプラズマドーピングを行ってみた。その結果、従来のプラズマドーピング処理と比べて、圧力調整に要する時間がほとんど不要になるため、スループットを向上させることができた。【０００８】
しかしながら、着火用ガスによりプラズマを発生させてフィン型半導体領域に対してプラズマドーピングを行った場合、フィン型半導体領域の上部コーナーが無視できないほど削られてしまうという予期しない新たな問題に直面した。【０００９】
この新たな問題の原因について本願発明者らが検討した結果、次のような知見を得た。【００１０】
プラズマドーピングに用いられるチャンバーにおいては、ガスの供給とガスの排気とを同時に行いながら、チャンバー内が所定の圧力に保持される。従って、着火用ガスによりプラズマを発生させ、その後、着火用ガスの供給を停止すると共にプロセスガスの供給を開始しても、しばらくの間はチャンバー内に着火用ガスが残留している。一方、着火用ガスとして用いるアルゴンガスは、シリコン等の半導体に対して比較的大きいエッチングレートを持っている。すなわち、チャンバー内に着火用ガスが残留している状態でプロセスガスの供給及びバイアスの印加を開始してプラズマドーピングを行った場合には、シリコン等の半導体、特に、フィン型半導体領域の上部コーナーが大きくエッチングされてラウンディングしてしまう。【００１１】
以上の知見に基づき、本願発明者らは、フィン型半導体領域に対するプラズマドーピングにおいて高いスループットを維持しながら上部コーナーの削れを確実に防止する方法として、以下のような発明を想到した。【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に、上面及び側面を有する半導体領域を形成する工程（ａ）と、前記工程（ａ）よりも後に、チャンバー内に前記基板を載置した後、前記チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）よりも後に、前記チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）よりも後に、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記基板にバイアス電圧を印加し、前記半導体領域に前記不純物をドーピングする工程（ｄ）とを備えている。【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。【００１４】
また、本発明の半導体装置の製造方法によると、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアスを印加するため、着火用ガスに起因する半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止することができる。【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記着火用ガスは希ガスを含んでいてもよく、このとき、前記希ガスはＮｅ、Ａｒ又はＸｅであってもよい。これらのガスは放電させやすいため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。また、これらのガスは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。特に、着火用ガスとしてＮｅ（ネオン）ガスを用いた場合、Ａｒ（アルゴン）等と比べてネオンの原子量が小さいため、下記の特段の効果が得られる。【００１６】
まず、Ｎｅガスを用いた場合、スパッタリングレートが小さいので、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。【００１７】
ところで、ソース・ドレイン領域やエクステンション領域を形成するためには、ボロンや砒素などの不純物を単結晶シリコン基板中に注入した後、アニールによって注入不純物を電気的に活性化する工程を実施する。ここで、単結晶構造の表面部はプラズマドーピングによってアモルファスに改質されるが、アニール工程で結晶回復が起き、アニール後には単結晶構造を持つソース・ドレイン領域やエクステンション領域が形成される。また、プラズマドーピング時にはＮｅやＡｒ等が微量ではあるものの不純物と共に単結晶シリコン基板中に注入される。しかし、Ｎｅの場合、ＡｒやＸｅと比べて非常に小さいので、ＡｒやＸｅと比べてアニール工程で外方拡散によって単結晶シリコン基板の外部に放出されやすい。一方、ＡｒやＸｅは大きい上にアニール工程で外方拡散を生じにくいので、結晶回復を阻害して結晶欠陥を生じやすい。特に、エクステンション領域のように極めて浅い位置にＰＮ接合を有する不純物領域の形成において、このような結晶欠陥は接合リーク電流の原因になるので、致命的である。尚、エクステンション領域については、現時点でも２０ｎｍ以下の浅接合が求められており、将来的には、１０ｎｍ以下の浅接合が求められている。【００１８】
以上のような理由から、着火用ガスに含まれる希ガスとしてＮｅガスを用いることが特に望ましい。【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記着火用ガスはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含んでいてもよい。これらのガスは放電させやすいため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。【００２０】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記プロセスガスは希釈ガスを含んでいてもよく、このとき、前記希釈ガスはＨｅ又はＨ2 であってもよい。このようにすると、Ｈｅ（ヘリウム）又はＨ2 （水素）の半導体に対するエッチングレートが小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。【００２１】
特に、ヘリウムは希ガスであるので、化学的に極めて安定である。また、ヘリウムの半導体に対するエッチングレートは、他の原子と比べて半導体に対するエッチングレートが小さい水素と比べても、さらに小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。【００２２】
ところで、前述のように、ソース・ドレイン領域やエクステンション領域を形成するためには、ボロンや砒素などの不純物を単結晶シリコン基板中に注入した後、アニールによって注入不純物を電気的に活性化する工程を実施する。ここで、単結晶構造の表面部はプラズマドーピングによってアモルファスに改質されるが、アニール工程で結晶回復が起き、アニール後には単結晶構造を持つソース・ドレイン領域やエクステンション領域が形成される。ここで、プラズマドーピング時にはヘリウムや水素が不純物と共に単結晶シリコン基板中に注入される。しかし、ヘリウムの場合、他の原子と比べて、アニール工程で外方拡散によって単結晶シリコン基板の外部に放出されやすい。従って、アニール工程で良好な結晶回復が起こりやすく、接合リーク電流の小さいＰＮ接合が得られるという特段の効果を奏する。【００２３】
以上のような理由から、希釈ガスとしてヘリウムを用いることが特に望ましい。【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始してもよい。このようにすると、チャンバー内における着火用ガスの残留量を分光測定装置を用いて簡単且つ確実にモニターすることができるので、着火用ガスの残留量の減衰を確実に見極めることができる。従って、着火用ガスに起因する上部コーナーの削れが生じないように、基板にバイアスを印加することができる。【００２５】
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始する場合、前記所定値は、前記プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐであってもよい。すなわち、バイアス印加を開始するタイミングを決定するために、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを予め測定しておいてもよい。着火用ガスの発光強度ｌｉが、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回れば、チャンバー内における着火用ガスの残留量は、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量と同程度になったと考えられる。従って、この時点以降にバイアス印加を開始した場合には、半導体領域の上部コーナーの削れ量は、プロセスガスのみを放電させたときと同程度となる。すなわち、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）を極めて小さくすることができる。【００２６】
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始する場合、前記着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、前記プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことが好ましい。すなわち、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長の選択においては、着火用ガスに特有の発光波長の中から発光強度が強く且つプロセスガスに特有の発光波長に含まれない波長を選択する。このようにすると、着火用ガスの発光強度ｌｉを精度良く測定することができるので、チャンバー内における着火用ガスの残留量を高精度で検出することができる。具体的には、前記着火用ガスがＮｅを含む場合の前記測定波長は６９３ｎｍであり、前記着火用ガスがＡｒを含む場合の前記測定波長は７５０ｎｍであり、前記着火用ガスがＸｅを含む場合の前記測定波長は８２３ｎｍであり、前記着火用ガスがＮを含む場合の前記測定波長は７４４ｎｍであり、前記着火用ガスがＯを含む場合の前記測定波長は７７７ｎｍであり、前記着火用ガスがＦを含む場合の前記測定波長は７０４ｎｍであり、前記着火用ガスがＳを含む場合の前記測定波長は５４５ｎｍであり、前記着火用ガスがＣｌを含む場合の前記測定波長は３０９ｎｍであり、前記着火用ガスがＢｒを含む場合の前記測定波長は４７８ｎｍであることが好ましい。【００２７】
尚、本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）において、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記チャンバー内に前記プロセスガスを導入してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、フィン型半導体領域に対するプラズマドーピングにおいて、高いスループットを維持しながら上部コーナーの削れを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合における着火用ガスのプラズマ発光強度の時間変化の一例を示す図である。
【図４】図４は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉがプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回ったときにバイアス電圧の印加を行っている様子を示す図である。
【図５】図５（ａ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示す図であり、図５（ｂ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示す図である。
【図６】図６は比較例に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図８】図８は、比較例に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示す図である。
【図９】図９は、比較例に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の各ガスの残留量の時間変化の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、プロセスガスのみを用いてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０１    被処理基板
１０２    絶縁層
１０３    フィン型半導体領域
１０４    不純物層
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（実施形態）
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的には、不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図２（ａ）及び（ｂ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。【００３２】
まず、ステップＳ１０１において、例えば単結晶シリコン基板等の被処理基板１０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）内に搬入する。このとき、図２（ａ）に示すように、被処理基板１０１上には絶縁層１０２を介して、上面及び側面を有する複数の半導体領域（フィン型半導体領域）１０３が形成されている。フィン型半導体領域１０３は、例えばシリコン層に対してエッチングを行うことによって形成されたものである。また、フィン型半導体領域１０３は、例えば、幅及び高さが共に３０ｎｍの正方形状の断面、幅が３０ｎｍで高さが１００ｎｍの長方形状の断面、又は幅が１０ｎｍで高さが５０ｎｍの長方形状の断面等を有している。【００３３】
次に、ステップＳ１０２において、着火用ガスとして例えばネオンガスの真空容器内への導入を開始する。尚、真空容器内においてはガス供給とガス排気とを同時に行うことによって圧力が所望値、具体的には、後述する不純物ドーピングに最適な圧力にできるだけ近い圧力に保持される。また、着火用ガスとして、ネオンに代えて、ネオンとヘリウムとを５０質量％対５０質量％の割合で混合したガスを用いてもよい。その理由は、ヘリウムはプロセスガスの希釈ガスとして特に望ましく、ネオンは着火用ガスとして特に望ましく、これらを混合することによって、着火が容易に行えるという効果及び生産性を向上できるという効果が得られるからである。また、別の理由は、着火プロセスからドーピングプロセスまで連続性を損なうことなくプロセスを移行させていくことができるので、プラズマのインピーダンスの変化が少なくなり、マッチャーの整合を得やすいという効果が得られるからである。以上の理由から、ネオンとプロセスガス用の希釈ガスとを混合したガスを着火用ガスとして用いることが望ましく、さらに、プロセスガス用の希釈ガスとしては、特にヘリウムを用いることが望ましい。【００３４】
次に、ステップＳ１０３において、真空容器内にソースパワー（プラズマ生成用高周波電力）を印加して着火用ガスからなるプラズマを発生させる。ここで、プラズマ着火時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが２５０Ｗであり、基板温度が２０℃である。【００３５】
次に、ステップＳ１０４において、真空容器内の着火用ガスつまりネオンガスのプラズマ発光強度の測定を開始する。プラズマ発光強度の測定には例えば分光測定装置を用いる。分光測定装置には、例えば真空容器壁部に取り付けられた光ファイバーを通じてプラズマ発光の光が伝送される。【００３６】
次に、ステップＳ１０５において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始する。プロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウム（Ｈｅ）や水素（Ｈ2 ）によって希釈したものを用いるが、本実施形態では、例えばＢ2 Ｈ6 をＨｅで希釈したものを用いる。尚、プロセスガス中おけるＢ2 Ｈ6 濃度は例えば３質量％である。【００３７】
次に、ステップＳ１０６において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値、具体的には、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐ以下になったかどうかを判定する。プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐについては、プラズマドーピング開始前に予め測定しておく。【００３８】
ステップＳ１０６で着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値以下になっていないと判定された場合、ステップＳ１０７において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉのモニタリングを継続して行い、ステップＳ１０６の判定を繰り返し行う。【００３９】
一方、ステップＳ１０６で着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値以下になっていると判定された場合、ステップＳ１０８において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉのモニタリングをやめて、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始する。これにより、ステップＳ１０９において、図２（ｂ）に示すように、フィン型半導体領域１０３への不純物（本実施形態ではボロン）の導入が行われ、それによって、フィン型半導体領域１０３の上部及び側部に不純物層１０４が形成される。ここで、不純物導入時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが５００Ｗであり、バイアス電圧（Ｖｐｐ）が２００Ｖであり、基板温度が２０℃であり、不純物のドーピング時間（バイアス電圧の印加時間）は３０秒である。すなわち、本実施形態では、プラズマ着火時のチャンバー内圧力と不純物導入時のチャンバー内圧力とは同じ０．９Ｐａである。【００４０】
尚、図２（ｂ）において、ステップＳ１０９の不純物ドーピングを行う前のフィン型半導体領域１０３の形状を破線で示しているが、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域１０３の上部コーナーの削れはほとんど見られない。【００４１】
また、本実施形態においては、ステップＳ１０９の不純物ドーピングを行っている間に、ステップＳ１１０において、バックグラウンドの発光強度、つまりプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐの測定を行い、当該測定値を次回のプラズマドーピング処理におけるステップＳ１０６の判定に用いる。【００４２】
次に、ステップＳ１１１において、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を停止すると共に、プロセスガスの真空容器内への導入を停止する。すなわち、ステップＳ１０９の不純物ドーピングをやめる。【００４３】
最後に、ステップＳ１１２において、不純物層１０４が形成されたフィン型半導体領域１０３を有する被処理基板１０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）外へ搬出する。【００４４】
以上に説明したように、本実施形態によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。【００４５】
また、本実施形態によると、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアスを印加するため、着火用ガスに起因する半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止することができる。【００４６】
また、本実施形態によると、着火用ガスとして、放電させやすいネオンガスを用いるため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。また、ネオンガスは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。ここで、着火用ガスとして、ネオン（Ｎｅ）ガスに代えて、アルゴン（Ａｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いた場合にも同様の効果が得られる。また、着火用ガスがＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含む場合も、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。尚、着火用ガスとしてネオンガスを用いた場合、Ａｒ等と比べてネオンの原子量が小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。【００４７】
また、本実施形態によると、半導体に対するエッチングレートが小さいＨｅ（ヘリウム）からなる希釈ガスをプロセスガスが含むため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。また、ヘリウムは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。ここで、希釈ガスがＨ2 （水素）からなる場合にも同様の効果が得られる。【００４８】
また、本実施形態によると、ステップＳ１０６において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始する。このため、チャンバー内における着火用ガスの残留量を分光測定装置を用いて簡単且つ確実にモニターすることができるので、着火用ガスの残留量の減衰を確実に見極めることができる。従って、着火用ガスに起因する上部コーナーの削れが生じないように、基板にバイアスを印加することができる。また、前述の所定値として、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを用いるため、バイアス印加開始時点では、チャンバー内における着火用ガスの残留量は、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量と同程度になっていると考えられる。従って、バイアス印加による半導体領域の上部コーナーの削れ量は、プロセスガスのみを放電させたときと同程度となる。すなわち、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）を極めて小さくすることができる。【００４９】
図３は、本実施形態のプラズマドーピングを実施する場合における着火用ガスのプラズマ発光強度の時間変化の一例を示している。図３に示すように、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時にプロセスガスの真空容器内への導入を開始した後、着火用ガスのプラズマ発光強度、つまり真空容器内における着火用ガスの残留量は時間と共に減少していく。但し、チャンバー内における着火用ガスの残留量が、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量に近づくと、着火用ガスのプラズマ発光強度の減少は緩やかになり、やがて検出限界（下限）に達する。【００５０】
図４は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉがプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回ったときにバイアス電圧の印加を行っている様子を示している。【００５１】
図５（ａ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示している。尚、図５（ａ）においては、エッチング前の形状を破線で、エッチング後の形状を実線で示している。図５（ａ）に示すように、ｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行うと、凸型シリコンの凸部上面のエッチング量はコーナーも含め、凸型シリコンの基部上面のエッチング量と同程度の１ｎｍ以下に抑制されている。【００５２】
一方、図５（ｂ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示している。尚、図５（ｂ）においては、エッチング前の形状を破線で、エッチング後の形状を実線で示している。図５（ｂ）に示すように、ｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行うと、凸型シリコンのコーナーを除く凸部上面のエッチング量は、凸型シリコンの基部上面のエッチング量と同程度の１ｎｍ以下に抑制されているものの、凸部コーナーのエッチング量は非常に大きく、１０ｎｍ程度にも達する。【００５３】
尚、本実施形態において、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことが好ましい。すなわち、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長の選択においては、着火用ガスに特有の発光波長の中から発光強度が強く且つプロセスガスに特有の発光波長に含まれない波長を選択する。このようにすると、着火用ガスの発光強度ｌｉを精度良く測定することができるので、チャンバー内における着火用ガスの残留量を高精度で検出することができる。【００５４】
着火用ガスに特有の発光波長は、例えば、Ｎｅでは３３２ｎｍ、３７８ｎｍ、６９３ｎｍ、７０３ｎｍ、８３８ｎｍ，１１１８ｎｍであり、Ａｒでは７０７ｎｍ、７５０ｎｍ、７６４ｎｍ、８１２ｎｍ、９１２ｎｍであり、Ｘｅでは４８４ｎｍ、５４２ｎｍ、８２３ｎｍ、８８２ｎｍであり、Ｎでは１２０ｎｍ、５７５ｎｍ、７４４ｎｍであり、Ｏでは３９７ｎｍ、４６５ｎｍ、７７７ｎｍであり、Ｆでは６８６ｎｍ、７０４ｎｍであり、Ｓでは１４３ｎｍ、１８１ｎｍ、５４５ｎｍであり、Ｃｌでは２５６ｎｍ、３０９ｎｍであり、Ｂｒでは４７０ｎｍ、４７８ｎｍ、４８１ｎｍである。一方、プロセスガスに特有の発光波長（正確にはプロセスガスの大部分を占める希釈ガスの発光波長）は、例えば、Ｈでは１２２ｎｍ、４８６ｎｍ、６５６ｎｍであり、Ｈｅでは３８９ｎｍ、５８８ｎｍ、１０８３ｎｍ、２０５９ｎｍである。従って、着火用ガスの好ましい測定波長は、例えば、Ｎｅについては６９３ｎｍであり、Ａｒについては７５０ｎｍであり、Ｘｅについては８２３ｎｍであり、Ｎについては７４４ｎｍであり、Ｏについては７７７ｎｍであり、Ｆについては７０４ｎｍであり、Ｓについては５４５ｎｍであり、Ｃｌについては３０９ｎｍであり、Ｂｒについては４７８ｎｍである。【００５５】
また、本実施形態において、ステップＳ１０５において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始したが、これに代えて、着火用ガスの真空容器内への導入を停止した後、真空容器内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、真空容器内にプロセスガスを導入してもよい。具体的には、着火用ガスの真空容器内への導入を停止した後、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値、例えば、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐ以下になったら、プロセスガスの真空容器内への導入を開始し、その後、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始してもよい。【００５６】
（比較例）
以下、比較例に係る半導体装置の製造方法、具体的には、不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、比較例に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図７（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。【００５７】
まず、ステップＳ２０１において、被処理基板２０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）内に搬入する。このとき、図７（ａ）に示すように、被処理基板２０１上には絶縁層２０２を介して、上面及び側面を有する複数の半導体領域（フィン型半導体領域）２０３が形成されている。フィン型半導体領域２０３は、例えばシリコン層に対してエッチングを行うことによって形成されたものである。【００５８】
次に、ステップＳ２０２において、着火用ガスとして例えばアルゴンガスの真空容器内への導入を開始する。尚、真空容器内においてはガス供給とガス排気とを同時に行うことによって圧力が所望値、具体的には、後述する不純物ドーピングに最適な圧力にできるだけ近い圧力に保持される。【００５９】
次に、ステップＳ２０３において、真空容器内にソースパワー（プラズマ生成用高周波電力）を印加して着火用ガスからなるプラズマを発生させる。ここで、プラズマ着火時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが２５０Ｗであり、基板温度が２０℃である。【００６０】
次に、ステップＳ２０４において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始する。プロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウム（Ｈｅ）や水素（Ｈ2 ）によって希釈したものを用いるが、本比較例では、例えばＢ2 Ｈ6 をＨｅで希釈したものを用いる。尚、プロセスガス中おけるＢ2 Ｈ6 濃度は例えば３質量％である。【００６１】
次に、ステップＳ２０５において、被処理基板２０１へのバイアス電圧の印加を開始する。これにより、ステップＳ２０６において、図７（ｂ）に示すように、フィン型半導体領域２０３への不純物（本比較例ではボロン）の導入が行われ、それによって、フィン型半導体領域２０３の上部及び側部に不純物層２０４が形成される。ここで、不純物導入時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが５００Ｗであり、バイアス電圧（Ｖｐｐ）が２００Ｖであり、基板温度が２０℃であり、不純物のドーピング時間（バイアス電圧の印加時間）は３０秒である。すなわち、本実施形態では、プラズマ着火時のチャンバー内圧力と不純物導入時のチャンバー内圧力とは同じ０．９Ｐａである。【００６２】
尚、図７（ｂ）において、ステップＳ２０６の不純物ドーピングを行う前のフィン型半導体領域２０３の形状を破線で示しているが、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域２０３の上部コーナーの削れが非常に大きくなっている。【００６３】
次に、ステップＳ２０７において、被処理基板２０１へのバイアス電圧の印加を停止すると共に、プロセスガスの真空容器内への導入を停止する。すなわち、ステップＳ２０６の不純物ドーピングをやめる。【００６４】
最後に、ステップＳ２０８において、不純物層２０４が形成されたフィン型半導体領域２０３を有する被処理基板２０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）外へ搬出する。【００６５】
図８は、比較例に係るプラズマドーピング（ＰＤ）を実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示している。図８に示すように、比較例によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。【００６６】
図９は、比較例に係るプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の各ガスの残留量の時間変化の一例を示している。図９に示すように、着火用ガスによりプラズマを発生させ、その後、着火用ガスの供給を停止すると共にプロセスガスの供給を開始しても、しばらくの間はチャンバー内に着火用ガスが残留している。【００６７】
比較例においては、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認することなく、被処理基板２０１にバイアス電圧を印加するため、チャンバー内に着火用ガスが残留している状態でプロセスガスの供給及びバイアスの印加が開始されてしまう。また、着火用ガスとして用いるアルゴンガスは、シリコン等の半導体に対して比較的大きいエッチングレートを持っている。その結果、図７（ｂ）に示すように、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域２０３の上部コーナーの削れが非常に大きくなってしまう。【００６８】
すなわち、比較例によると、立体トランジスタ等の３Ｄデバイスの形状が許容できないほど変形してしまう可能性が大きい。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、立体トランジスタ等の３Ｄデバイスの形成に適用した場合には、高いスループットを維持しながら半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止できるという効果が得られ、非常に有用である。
【図１】
2009066409.tif 000003
【図２】
2009066409.tif 000004
【図３】
2009066409.tif 000005
【図４】
2009066409.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年2月24日(2010.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体への不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
不純物を半導体中に導入する技術として、不純物をイオン化して低エネルギーで半導体中に導入するプラズマドーピング法が知られている。
【０００３】
また、プラズマドーピングのプロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウムや水素によって希釈したものが用いられている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７１９２８５４号明細書
【特許文献２】特許３２０４８３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】D.Lenoble 他、Enhanced performance of PMOS MUGFET via integration of conformal plasma-doped source/drain extensions、2006 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers、p.212
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、ヘリウムや水素を大量に含むガスは低い圧力ではプラズマ化（着火）しにくい。従って、ヘリウムや水素を大量に含むプロセスガスをプラズマ化するためには、チャンバー内の圧力を高くする必要がある。図１０は、プロセスガスのみを用いてプラズマドーピング（ＰＤ）を実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示している。図１０に示すように、プロセスガスのみによってプラズマを発生させるためにチャンバー内の圧力を高くしているため、プラズマ発生後、チャンバー内の圧力をプラズマドーピング（ＰＤ）に最適な圧力まで低下させ、その後、被処理基板にバイアスを印加してプラズマドーピングを実施する必要がある。すなわち、プロセスガスのみを用いてプラズマを発生させる場合には、図１０に示すように、圧力調整に比較的長い時間（例えば１５秒程度）を要するため、スループットが低下してしまうという問題がある。
【０００７】
前記に鑑み、本発明は、プラズマドーピング処理のスループットを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ところで、プラズマ化しやすいガス（放電しやすいガス）としてアルゴンが知られている（特許文献２参照）。これに着目し、本願発明者らは、プラズマ着火用のガス（以下、着火用ガスと称する）としてアルゴンを用いることにより、プラズマドーピングに適した低圧力で着火用ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、チャンバー内に導入するガスを着火用ガスからプロセスガスに切り換える方法を着想した。
【０００９】
そこで、本願発明者らは、この方法を、プラズマドーピングの適用対象として注目されている立体トランジスタを形成する方法（非特許文献１参照）に用いてみた。具体的には、上面及び側面を有する半導体領域（フィン型半導体領域）にプラズマドーピングによって不純物を導入するために、着火用ガスを用いてプラズマを発生させ、その後、プロセスガスを用いてプラズマドーピングを行ってみた。その結果、従来のプラズマドーピング処理と比べて、圧力調整に要する時間がほとんど不要になるため、スループットを向上させることができた。
【００１０】
しかしながら、着火用ガスによりプラズマを発生させてフィン型半導体領域に対してプラズマドーピングを行った場合、フィン型半導体領域の上部コーナーが無視できないほど削られてしまうという予期しない新たな問題に直面した。
【００１１】
この新たな問題の原因について本願発明者らが検討した結果、次のような知見を得た。
【００１２】
プラズマドーピングに用いられるチャンバーにおいては、ガスの供給とガスの排気とを同時に行いながら、チャンバー内が所定の圧力に保持される。従って、着火用ガスによりプラズマを発生させ、その後、着火用ガスの供給を停止すると共にプロセスガスの供給を開始しても、しばらくの間はチャンバー内に着火用ガスが残留している。一方、着火用ガスとして用いるアルゴンガスは、シリコン等の半導体に対して比較的大きいエッチングレートを持っている。すなわち、チャンバー内に着火用ガスが残留している状態でプロセスガスの供給及びバイアスの印加を開始してプラズマドーピングを行った場合には、シリコン等の半導体、特に、フィン型半導体領域の上部コーナーが大きくエッチングされてラウンディングしてしまう。
【００１３】
以上の知見に基づき、本願発明者らは、フィン型半導体領域に対するプラズマドーピングにおいて高いスループットを維持しながら上部コーナーの削れを確実に防止する方法として、以下のような発明を想到した。
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板上に、上面及び側面を有する半導体領域を形成する工程（ａ）と、前記工程（ａ）よりも後に、チャンバー内に前記基板を載置した後、前記チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化する工程（ｂ）と、前記工程（ｂ）よりも後に、前記チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する工程（ｃ）と、前記工程（ｃ）よりも後に、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記基板にバイアス電圧を印加し、前記半導体領域に前記不純物をドーピングする工程（ｄ）とを備えている。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の半導体装置の製造方法によると、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアスを印加するため、着火用ガスに起因する半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止することができる。
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記着火用ガスは希ガスを含んでいてもよく、このとき、前記希ガスはＮｅ、Ａｒ又はＸｅであってもよい。これらのガスは放電させやすいため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。また、これらのガスは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。特に、着火用ガスとしてＮｅ（ネオン）ガスを用いた場合、Ａｒ（アルゴン）等と比べてネオンの原子量が小さいため、下記の特段の効果が得られる。
【００１８】
まず、Ｎｅガスを用いた場合、スパッタリングレートが小さいので、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。
【００１９】
ところで、ソース・ドレイン領域やエクステンション領域を形成するためには、ボロンや砒素などの不純物を単結晶シリコン基板中に注入した後、アニールによって注入不純物を電気的に活性化する工程を実施する。ここで、単結晶構造の表面部はプラズマドーピングによってアモルファスに改質されるが、アニール工程で結晶回復が起き、アニール後には単結晶構造を持つソース・ドレイン領域やエクステンション領域が形成される。また、プラズマドーピング時にはＮｅやＡｒ等が微量ではあるものの不純物と共に単結晶シリコン基板中に注入される。しかし、Ｎｅの場合、ＡｒやＸｅと比べて非常に小さいので、ＡｒやＸｅと比べてアニール工程で外方拡散によって単結晶シリコン基板の外部に放出されやすい。一方、ＡｒやＸｅは大きい上にアニール工程で外方拡散を生じにくいので、結晶回復を阻害して結晶欠陥を生じやすい。特に、エクステンション領域のように極めて浅い位置にＰＮ接合を有する不純物領域の形成において、このような結晶欠陥は接合リーク電流の原因になるので、致命的である。尚、エクステンション領域については、現時点でも２０ｎｍ以下の浅接合が求められており、将来的には、１０ｎｍ以下の浅接合が求められている。
【００２０】
以上のような理由から、着火用ガスに含まれる希ガスとしてＮｅガスを用いることが特に望ましい。
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記着火用ガスはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含んでいてもよい。これらのガスは放電させやすいため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記プロセスガスは希釈ガスを含んでいてもよく、このとき、前記希釈ガスはＨｅ又はＨ2 であってもよい。このようにすると、Ｈｅ（ヘリウム）又はＨ2 （水素）の半導体に対するエッチングレートが小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。
【００２３】
特に、ヘリウムは希ガスであるので、化学的に極めて安定である。また、ヘリウムの半導体に対するエッチングレートは、他の原子と比べて半導体に対するエッチングレートが小さい水素と比べても、さらに小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。
【００２４】
ところで、前述のように、ソース・ドレイン領域やエクステンション領域を形成するためには、ボロンや砒素などの不純物を単結晶シリコン基板中に注入した後、アニールによって注入不純物を電気的に活性化する工程を実施する。ここで、単結晶構造の表面部はプラズマドーピングによってアモルファスに改質されるが、アニール工程で結晶回復が起き、アニール後には単結晶構造を持つソース・ドレイン領域やエクステンション領域が形成される。ここで、プラズマドーピング時にはヘリウムや水素が不純物と共に単結晶シリコン基板中に注入される。しかし、ヘリウムの場合、他の原子と比べて、アニール工程で外方拡散によって単結晶シリコン基板の外部に放出されやすい。従って、アニール工程で良好な結晶回復が起こりやすく、接合リーク電流の小さいＰＮ接合が得られるという特段の効果を奏する。
【００２５】
以上のような理由から、希釈ガスとしてヘリウムを用いることが特に望ましい。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始してもよい。このようにすると、チャンバー内における着火用ガスの残留量を分光測定装置を用いて簡単且つ確実にモニターすることができるので、着火用ガスの残留量の減衰を確実に見極めることができる。従って、着火用ガスに起因する上部コーナーの削れが生じないように、基板にバイアスを印加することができる。
【００２７】
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始する場合、前記所定値は、前記プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐであってもよい。すなわち、バイアス印加を開始するタイミングを決定するために、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを予め測定しておいてもよい。着火用ガスの発光強度ｌｉが、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回れば、チャンバー内における着火用ガスの残留量は、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量と同程度になったと考えられる。従って、この時点以降にバイアス印加を開始した場合には、半導体領域の上部コーナーの削れ量は、プロセスガスのみを放電させたときと同程度となる。すなわち、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）を極めて小さくすることができる。
【００２８】
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始する場合、前記着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、前記プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことが好ましい。すなわち、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長の選択においては、着火用ガスに特有の発光波長の中から発光強度が強く且つプロセスガスに特有の発光波長に含まれない波長を選択する。このようにすると、着火用ガスの発光強度ｌｉを精度良く測定することができるので、チャンバー内における着火用ガスの残留量を高精度で検出することができる。具体的には、前記着火用ガスがＮｅを含む場合の前記測定波長は６９３ｎｍであり、前記着火用ガスがＡｒを含む場合の前記測定波長は７５０ｎｍであり、前記着火用ガスがＸｅを含む場合の前記測定波長は８２３ｎｍであり、前記着火用ガスがＮを含む場合の前記測定波長は７４４ｎｍであり、前記着火用ガスがＯを含む場合の前記測定波長は７７７ｎｍであり、前記着火用ガスがＦを含む場合の前記測定波長は７０４ｎｍであり、前記着火用ガスがＳを含む場合の前記測定波長は５４５ｎｍであり、前記着火用ガスがＣｌを含む場合の前記測定波長は３０９ｎｍであり、前記着火用ガスがＢｒを含む場合の前記測定波長は４７８ｎｍであることが好ましい。
【００２９】
尚、本発明の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）において、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記チャンバー内に前記プロセスガスを導入してもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によると、フィン型半導体領域に対するプラズマドーピングにおいて、高いスループットを維持しながら上部コーナーの削れを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合における着火用ガスのプラズマ発光強度の時間変化の一例を示す図である。
【図４】図４は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉがプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回ったときにバイアス電圧の印加を行っている様子を示す図である。
【図５】図５（ａ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示す図であり、図５（ｂ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示す図である。
【図６】図６は比較例に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【図８】図８は、比較例に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示す図である。
【図９】図９は、比較例に係る半導体装置の製造方法においてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の各ガスの残留量の時間変化の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、プロセスガスのみを用いてプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（実施形態）
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法、具体的には、不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図２（ａ）及び（ｂ）は本実施形態に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【００３３】
まず、ステップＳ１０１において、例えば単結晶シリコン基板等の被処理基板１０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）内に搬入する。このとき、図２（ａ）に示すように、被処理基板１０１上には絶縁層１０２を介して、上面及び側面を有する複数の半導体領域（フィン型半導体領域）１０３が形成されている。フィン型半導体領域１０３は、例えばシリコン層に対してエッチングを行うことによって形成されたものである。また、フィン型半導体領域１０３は、例えば、幅及び高さが共に３０ｎｍの正方形状の断面、幅が３０ｎｍで高さが１００ｎｍの長方形状の断面、又は幅が１０ｎｍで高さが５０ｎｍの長方形状の断面等を有している。
【００３４】
次に、ステップＳ１０２において、着火用ガスとして例えばネオンガスの真空容器内への導入を開始する。尚、真空容器内においてはガス供給とガス排気とを同時に行うことによって圧力が所望値、具体的には、後述する不純物ドーピングに最適な圧力にできるだけ近い圧力に保持される。また、着火用ガスとして、ネオンに代えて、ネオンとヘリウムとを５０質量％対５０質量％の割合で混合したガスを用いてもよい。その理由は、ヘリウムはプロセスガスの希釈ガスとして特に望ましく、ネオンは着火用ガスとして特に望ましく、これらを混合することによって、着火が容易に行えるという効果及び生産性を向上できるという効果が得られるからである。また、別の理由は、着火プロセスからドーピングプロセスまで連続性を損なうことなくプロセスを移行させていくことができるので、プラズマのインピーダンスの変化が少なくなり、マッチャーの整合を得やすいという効果が得られるからである。以上の理由から、ネオンとプロセスガス用の希釈ガスとを混合したガスを着火用ガスとして用いることが望ましく、さらに、プロセスガス用の希釈ガスとしては、特にヘリウムを用いることが望ましい。
【００３５】
次に、ステップＳ１０３において、真空容器内にソースパワー（プラズマ生成用高周波電力）を印加して着火用ガスからなるプラズマを発生させる。ここで、プラズマ着火時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが２５０Ｗであり、基板温度が２０℃である。
【００３６】
次に、ステップＳ１０４において、真空容器内の着火用ガスつまりネオンガスのプラズマ発光強度の測定を開始する。プラズマ発光強度の測定には例えば分光測定装置を用いる。分光測定装置には、例えば真空容器壁部に取り付けられた光ファイバーを通じてプラズマ発光の光が伝送される。
【００３７】
次に、ステップＳ１０５において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始する。プロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウム（Ｈｅ）や水素（Ｈ2 ）によって希釈したものを用いるが、本実施形態では、例えばＢ2 Ｈ6 をＨｅで希釈したものを用いる。尚、プロセスガス中おけるＢ2 Ｈ6 濃度は例えば３質量％である。
【００３８】
次に、ステップＳ１０６において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値、具体的には、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐ以下になったかどうかを判定する。プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐについては、プラズマドーピング開始前に予め測定しておく。
【００３９】
ステップＳ１０６で着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値以下になっていないと判定された場合、ステップＳ１０７において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉのモニタリングを継続して行い、ステップＳ１０６の判定を繰り返し行う。
【００４０】
一方、ステップＳ１０６で着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値以下になっていると判定された場合、ステップＳ１０８において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉのモニタリングをやめて、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始する。これにより、ステップＳ１０９において、図２（ｂ）に示すように、フィン型半導体領域１０３への不純物（本実施形態ではボロン）の導入が行われ、それによって、フィン型半導体領域１０３の上部及び側部に不純物層１０４が形成される。ここで、不純物導入時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが５００Ｗであり、バイアス電圧（Ｖｐｐ）が２００Ｖであり、基板温度が２０℃であり、不純物のドーピング時間（バイアス電圧の印加時間）は３０秒である。すなわち、本実施形態では、プラズマ着火時のチャンバー内圧力と不純物導入時のチャンバー内圧力とは同じ０．９Ｐａである。
【００４１】
尚、図２（ｂ）において、ステップＳ１０９の不純物ドーピングを行う前のフィン型半導体領域１０３の形状を破線で示しているが、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域１０３の上部コーナーの削れはほとんど見られない。
【００４２】
また、本実施形態においては、ステップＳ１０９の不純物ドーピングを行っている間に、ステップＳ１１０において、バックグラウンドの発光強度、つまりプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐの測定を行い、当該測定値を次回のプラズマドーピング処理におけるステップＳ１０６の判定に用いる。
【００４３】
次に、ステップＳ１１１において、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を停止すると共に、プロセスガスの真空容器内への導入を停止する。すなわち、ステップＳ１０９の不純物ドーピングをやめる。
【００４４】
最後に、ステップＳ１１２において、不純物層１０４が形成されたフィン型半導体領域１０３を有する被処理基板１０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）外へ搬出する。
【００４５】
以上に説明したように、本実施形態によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。
【００４６】
また、本実施形態によると、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアスを印加するため、着火用ガスに起因する半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止することができる。
【００４７】
また、本実施形態によると、着火用ガスとして、放電させやすいネオンガスを用いるため、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。また、ネオンガスは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。ここで、着火用ガスとして、ネオン（Ｎｅ）ガスに代えて、アルゴン（Ａｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いた場合にも同様の効果が得られる。また、着火用ガスがＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含む場合も、不純物ドーピング時と同程度の低圧力でもプラズマ発生を容易に行うことができるので、スループットが確実に向上する。尚、着火用ガスとしてネオンガスを用いた場合、Ａｒ等と比べてネオンの原子量が小さいため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。
【００４８】
また、本実施形態によると、半導体に対するエッチングレートが小さいＨｅ（ヘリウム）からなる希釈ガスをプロセスガスが含むため、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）をより確実に防止することができる。また、ヘリウムは化学的に安定しているため、プラズマドーピング処理を安定的に実施することができる。ここで、希釈ガスがＨ2 （水素）からなる場合にも同様の効果が得られる。
【００４９】
また、本実施形態によると、ステップＳ１０６において、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始する。このため、チャンバー内における着火用ガスの残留量を分光測定装置を用いて簡単且つ確実にモニターすることができるので、着火用ガスの残留量の減衰を確実に見極めることができる。従って、着火用ガスに起因する上部コーナーの削れが生じないように、基板にバイアスを印加することができる。また、前述の所定値として、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを用いるため、バイアス印加開始時点では、チャンバー内における着火用ガスの残留量は、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量と同程度になっていると考えられる。従って、バイアス印加による半導体領域の上部コーナーの削れ量は、プロセスガスのみを放電させたときと同程度となる。すなわち、半導体領域の上部コーナーの削れ（ラウンディング）を極めて小さくすることができる。
【００５０】
図３は、本実施形態のプラズマドーピングを実施する場合における着火用ガスのプラズマ発光強度の時間変化の一例を示している。図３に示すように、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時にプロセスガスの真空容器内への導入を開始した後、着火用ガスのプラズマ発光強度、つまり真空容器内における着火用ガスの残留量は時間と共に減少していく。但し、チャンバー内における着火用ガスの残留量が、チャンバー内やプロセスガスなどに元来含まれている微少量に近づくと、着火用ガスのプラズマ発光強度の減少は緩やかになり、やがて検出限界（下限）に達する。
【００５１】
図４は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉがプロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐを下回ったときにバイアス電圧の印加を行っている様子を示している。
【００５２】
図５（ａ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示している。尚、図５（ａ）においては、エッチング前の形状を破線で、エッチング後の形状を実線で示している。図５（ａ）に示すように、ｌｉ≦ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行うと、凸型シリコンの凸部上面のエッチング量はコーナーも含め、凸型シリコンの基部上面のエッチング量と同程度の１ｎｍ以下に抑制されている。
【００５３】
一方、図５（ｂ）は、図３に示す着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの時間変化においてｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行った場合における凸型シリコンのエッチング形状を模式的に示している。尚、図５（ｂ）においては、エッチング前の形状を破線で、エッチング後の形状を実線で示している。図５（ｂ）に示すように、ｌｉ＞ｌｐであるときにバイアス電圧の印加を行うと、凸型シリコンのコーナーを除く凸部上面のエッチング量は、凸型シリコンの基部上面のエッチング量と同程度の１ｎｍ以下に抑制されているものの、凸部コーナーのエッチング量は非常に大きく、１０ｎｍ程度にも達する。
【００５４】
尚、本実施形態において、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことが好ましい。すなわち、着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長の選択においては、着火用ガスに特有の発光波長の中から発光強度が強く且つプロセスガスに特有の発光波長に含まれない波長を選択する。このようにすると、着火用ガスの発光強度ｌｉを精度良く測定することができるので、チャンバー内における着火用ガスの残留量を高精度で検出することができる。
【００５５】
着火用ガスに特有の発光波長は、例えば、Ｎｅでは３３２ｎｍ、３７８ｎｍ、６９３ｎｍ、７０３ｎｍ、８３８ｎｍ，１１１８ｎｍであり、Ａｒでは７０７ｎｍ、７５０ｎｍ、７６４ｎｍ、８１２ｎｍ、９１２ｎｍであり、Ｘｅでは４８４ｎｍ、５４２ｎｍ、８２３ｎｍ、８８２ｎｍであり、Ｎでは１２０ｎｍ、５７５ｎｍ、７４４ｎｍであり、Ｏでは３９７ｎｍ、４６５ｎｍ、７７７ｎｍであり、Ｆでは６８６ｎｍ、７０４ｎｍであり、Ｓでは１４３ｎｍ、１８１ｎｍ、５４５ｎｍであり、Ｃｌでは２５６ｎｍ、３０９ｎｍであり、Ｂｒでは４７０ｎｍ、４７８ｎｍ、４８１ｎｍである。一方、プロセスガスに特有の発光波長（正確にはプロセスガスの大部分を占める希釈ガスの発光波長）は、例えば、Ｈでは１２２ｎｍ、４８６ｎｍ、６５６ｎｍであり、Ｈｅでは３８９ｎｍ、５８８ｎｍ、１０８３ｎｍ、２０５９ｎｍである。従って、着火用ガスの好ましい測定波長は、例えば、Ｎｅについては６９３ｎｍであり、Ａｒについては７５０ｎｍであり、Ｘｅについては８２３ｎｍであり、Ｎについては７４４ｎｍであり、Ｏについては７７７ｎｍであり、Ｆについては７０４ｎｍであり、Ｓについては５４５ｎｍであり、Ｃｌについては３０９ｎｍであり、Ｂｒについては４７８ｎｍである。
【００５６】
また、本実施形態において、ステップＳ１０５において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始したが、これに代えて、着火用ガスの真空容器内への導入を停止した後、真空容器内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、真空容器内にプロセスガスを導入してもよい。具体的には、着火用ガスの真空容器内への導入を停止した後、着火用ガスのプラズマ発光強度ｌｉの測定値が所定値、例えば、プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐ以下になったら、プロセスガスの真空容器内への導入を開始し、その後、被処理基板１０１へのバイアス電圧の印加を開始してもよい。
【００５７】
（比較例）
以下、比較例に係る半導体装置の製造方法、具体的には、不純物注入にプラズマドーピングを用いた半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、比較例に係る半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図７（ａ）及び（ｂ）は比較例に係る半導体装置の製造方法の主要工程を示す断面図である。
【００５８】
まず、ステップＳ２０１において、被処理基板２０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）内に搬入する。このとき、図７（ａ）に示すように、被処理基板２０１上には絶縁層２０２を介して、上面及び側面を有する複数の半導体領域（フィン型半導体領域）２０３が形成されている。フィン型半導体領域２０３は、例えばシリコン層に対してエッチングを行うことによって形成されたものである。
【００５９】
次に、ステップＳ２０２において、着火用ガスとして例えばアルゴンガスの真空容器内への導入を開始する。尚、真空容器内においてはガス供給とガス排気とを同時に行うことによって圧力が所望値、具体的には、後述する不純物ドーピングに最適な圧力にできるだけ近い圧力に保持される。
【００６０】
次に、ステップＳ２０３において、真空容器内にソースパワー（プラズマ生成用高周波電力）を印加して着火用ガスからなるプラズマを発生させる。ここで、プラズマ着火時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが２５０Ｗであり、基板温度が２０℃である。
【００６１】
次に、ステップＳ２０４において、着火用ガスの真空容器内への導入を停止すると同時に、プロセスガスの真空容器内への導入を開始する。プロセスガスとしては、ボロンや砒素などの不純物を含むガスをヘリウム（Ｈｅ）や水素（Ｈ2 ）によって希釈したものを用いるが、本比較例では、例えばＢ2 Ｈ6 をＨｅで希釈したものを用いる。尚、プロセスガス中おけるＢ2 Ｈ6 濃度は例えば３質量％である。
【００６２】
次に、ステップＳ２０５において、被処理基板２０１へのバイアス電圧の印加を開始する。これにより、ステップＳ２０６において、図７（ｂ）に示すように、フィン型半導体領域２０３への不純物（本比較例ではボロン）の導入が行われ、それによって、フィン型半導体領域２０３の上部及び側部に不純物層２０４が形成される。ここで、不純物導入時の条件は、例えば、チャンバー内圧力が０．９Ｐａであり、ソースパワーが５００Ｗであり、バイアス電圧（Ｖｐｐ）が２００Ｖであり、基板温度が２０℃であり、不純物のドーピング時間（バイアス電圧の印加時間）は３０秒である。すなわち、本実施形態では、プラズマ着火時のチャンバー内圧力と不純物導入時のチャンバー内圧力とは同じ０．９Ｐａである。
【００６３】
尚、図７（ｂ）において、ステップＳ２０６の不純物ドーピングを行う前のフィン型半導体領域２０３の形状を破線で示しているが、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域２０３の上部コーナーの削れが非常に大きくなっている。
【００６４】
次に、ステップＳ２０７において、被処理基板２０１へのバイアス電圧の印加を停止すると共に、プロセスガスの真空容器内への導入を停止する。すなわち、ステップＳ２０６の不純物ドーピングをやめる。
【００６５】
最後に、ステップＳ２０８において、不純物層２０４が形成されたフィン型半導体領域２０３を有する被処理基板２０１をプラズマドーピング装置のチャンバー（真空容器）外へ搬出する。
【００６６】
図８は、比較例に係るプラズマドーピング（ＰＤ）を実施する場合におけるチャンバー内の圧力の時間変化の一例を示している。図８に示すように、比較例によると、プロセスガスとは別に着火用ガスを用いるため、低圧力でプラズマを発生させることができる。すなわち、プラズマ着火時と不純物ドーピング時との間の圧力差を低減できるので、圧力調整に要する時間がほとんど不要となり、スループットを向上させることができる。
【００６７】
図９は、比較例に係るプラズマドーピングを実施する場合におけるチャンバー内の各ガスの残留量の時間変化の一例を示している。図９に示すように、着火用ガスによりプラズマを発生させ、その後、着火用ガスの供給を停止すると共にプロセスガスの供給を開始しても、しばらくの間はチャンバー内に着火用ガスが残留している。
【００６８】
比較例においては、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認することなく、被処理基板２０１にバイアス電圧を印加するため、チャンバー内に着火用ガスが残留している状態でプロセスガスの供給及びバイアスの印加が開始されてしまう。また、着火用ガスとして用いるアルゴンガスは、シリコン等の半導体に対して比較的大きいエッチングレートを持っている。その結果、図７（ｂ）に示すように、不純物ドーピング時におけるフィン型半導体領域２０３の上部コーナーの削れが非常に大きくなってしまう。
【００６９】
すなわち、比較例によると、立体トランジスタ等の３Ｄデバイスの形状が許容できないほど変形してしまう可能性が大きい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、立体トランジスタ等の３Ｄデバイスの形成に適用した場合には、高いスループットを維持しながら半導体領域の上部コーナーの削れを確実に防止できるという効果が得られ、非常に有用である。
【符号の説明】
【００７１】
１０１    被処理基板
１０２    絶縁層
１０３    フィン型半導体領域
１０４    不純物層
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、上面及び側面を有する半導体領域を形成する工程（ａ）と、
前記工程（ａ）よりも後に、チャンバー内に前記基板を載置した後、前記チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化する工程（ｂ）と、
前記工程（ｂ）よりも後に、前記チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する工程（ｃ）と、
前記工程（ｃ）よりも後に、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記基板にバイアス電圧を印加し、前記半導体領域に前記不純物をドーピングする工程（ｄ）とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスは希ガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希ガスはＮｅであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希ガスはＡｒ又はＸｅであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスはＮ、Ｏ、Ｓ、Ｃｌ又はＢｒを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プロセスガスは希釈ガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記希釈ガスはＨｅ又はＨ2 であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｄ）において、前記着火用ガスの発光強度ｌｉを測定し、当該測定値が所定値以下になってから、前記基板への前記バイアス電圧の印加を開始することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記所定値は、前記プロセスガスのみを放電させたときの発光強度ｌｐであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスの発光強度ｌｉの測定波長は、前記プロセスガスに特有の発光波長に含まれないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記着火用ガスがＮｅを含む場合の前記測定波長は６９３ｎｍであり、
前記着火用ガスがＡｒを含む場合の前記測定波長は７５０ｎｍであり、
前記着火用ガスがＸｅを含む場合の前記測定波長は８２３ｎｍであり、
前記着火用ガスがＮを含む場合の前記測定波長は７４４ｎｍであり、
前記着火用ガスがＯを含む場合の前記測定波長は７７７ｎｍであり、
前記着火用ガスがＦを含む場合の前記測定波長は７０４ｎｍであり、
前記着火用ガスがＳを含む場合の前記測定波長は５４５ｎｍであり、
前記着火用ガスがＣｌを含む場合の前記測定波長は３０９ｎｍであり、
前記着火用ガスがＢｒを含む場合の前記測定波長は４７８ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｃ）において、前記チャンバー内における前記着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、前記チャンバー内に前記プロセスガスを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009066409.tif 000013
【図２】
2009066409.tif 000014
【図３】
2009066409.tif 000015
【図４】
2009066409.tif 000016
【図５】
2009066409.tif 000017
【図６】
2009066409.tif 000018
【図７】
2009066409.tif 000019
【図８】
2009066409.tif 000020
【図９】
2009066409.tif 000021
【図１０】
2009066409.tif 000022
【国際調査報告】
2009066409.tif 000023
2009066409.tif 000024