(57)【要約】  入力電圧に応答して、対応する電流を発生させる第１の回路と、第１の回路によって発生された電流および入力電圧に応答して、入力電圧の２乗に対応する出力電流を発生させる、好ましくは絶対変調器回路の形態の第２の回路とを備える２乗セルを提供する。一実施形態において、第１の回路は絶対値電圧−電流変換器を含み、別の実施形態においては、第１の回路は線形電圧−電流変換器を含む。温度ならびに広い入力電圧範囲および周波数から独立したセルの正確な２乗性能を向上させるための手法を呈示する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧に応答して、対応する電流を発生させる第１の回路と、
前記第１の回路によって発生された電流および入力電圧に応答して、入力電圧の２乗に対応する出力電流を発生させる第２の回路とを備える、２乗セル。
【請求項２】
第２の回路は、絶対値変調器回路を含む、請求項１に記載の２乗セル。
【請求項３】
第１の回路は、絶対値電圧−電流変換器を含む、請求項１に記載の２乗セル。
【請求項４】
第１の回路は、線形電圧−電流変換器を含む、請求項１に記載の２乗セル。
【請求項５】
第２の回路は、第１のバイポーラトランジスタと第２のバイポーラトランジスタとを含み、それらのコレクタ電極は出力電流ノードに接続され、それらのベース電極は、第１の入力ノードおよび第２の入力ノードに結合されて入力電圧を受取り、それらのエミッタ電極は、それぞれ第１の電流入力ノードおよび第２の電流入力ノードに結合される、請求項３に記載の２乗セル。
【請求項６】
第１の電圧入力ノードおよび第２の電圧入力ノードと、第１のトランジスタのエミッタ電極および第２のトランジスタのエミッタ電極との間にそれぞれ結合された第３のバイポーラトランジスタと第４のバイポーラトランジスタとをさらに備える、請求項５に記載の２乗セル。
【請求項７】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタに対する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタの面積比は、Ａ＞１の場合、それぞれＡ：１である、請求項６に記載の２乗セル。
【請求項８】
第３のトランジスタおよび第４のトランジスタのコレクタ電極は、基準電圧を受取るように接続される、請求項５に記載の２乗セル。
【請求項９】
第３のトランジスタおよび第４のトランジスタのベース電極は、電圧入力ノードにそれぞれ結合され、第３のトランジスタおよび第４のトランジスタのエミッタ電極は、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのエミッタ電極に結合される、請求項５に記載の２乗セル。
【請求項１０】
第１の回路は、第１のトランジスタのエミッタ電極および第１の定電流源の間に結合された第７のバイポーラトランジスタと、第２のトランジスタのエミッタ電極および第２の定電流源の間に結合された第１０のバイポーラトランジスタとを含み、ベース電極は、第１の入力電圧ノードおよび第２の入力電圧ノードにそれぞれ結合される、請求項３に記載の２乗セル。
【請求項１１】
第７のトランジスタと第８のトランジスタとをさらに備え、それらのエミッタ電極は、第５のトランジスタのエミッタ電極および第６のトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合され、ベース電極は入力電圧ノードにそれぞれ結合される、請求項１０に記載の２乗セル。
【請求項１２】
第７のトランジスタおよび第８のトランジスタのコレクタ電極は、基準電圧を受取るように接続される、請求項１０に記載の２乗セル。
【請求項１３】
第１の入力電圧ノードならびに第５のトランジスタおよび第８のトランジスタの間に結
合された第１のエミッタフォロアトランジスタと、第２の入力電圧ノードならびに第６のトランジスタおよび第７のトランジスタの間に結合された第２のエミッタフォロアトランジスタとをさらに備える、請求項１１に記載の２乗セル。
【請求項１４】
第１のエミッタフォロアトランジスタおよび第２のエミッタフォロアトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第３の定電流源と第５の定電流源とを備える、請求項１３に記載の２乗セル。
【請求項１５】
第２の回路は、第１のバイポーラトランジスタと第２のバイポーラトランジスタとを含み、それらのコレクタ電極は出力電流ノードに接続され、それらのベース電極は第１の入力ノードおよび第２の入力ノードにそれぞれ結合されて入力電圧を受取り、それらのエミッタ電極は第１の電流入力ノードおよび第２の電流入力ノードにそれぞれ結合される、請求項４に記載の２乗セル。
【請求項１６】
第１の電圧入力ノードおよび第２の電圧入力ノードと、第１のトランジスタのエミッタ電極および第２のトランジスタのエミッタ電極との間にそれぞれ結合された第３のバイポーラトランジスタと第４のバイポーラトランジスタとをさらに備える、請求項１５に記載の２乗セル。
【請求項１７】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタに対する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタの面積比は、Ａ＞１の場合、それぞれＡ：１である、請求項１６に記載の２乗セル。
【請求項１８】
第３のトランジスタおよび第４のトランジスタのコレクタ電極は、基準電圧を受取るように接続される、請求項１５に記載の２乗セル。
【請求項１９】
第１の回路は、第１のトランジスタのエミッタ電極および第１の定電流源の間に結合された第５のバイポーラトランジスタと、第２のトランジスタのエミッタ電極および第２の定電流源の間に結合された第６のバイポーラトランジスタとを含み、ベース電極は第１の入力電圧ノードおよび第２の入力電圧ノードにそれぞれ結合される、請求項１５に記載の２乗セル。
【請求項２０】
第１の定電流源および第２の定電流源は、絶対温度の２乗に比例する電流を供給する、請求項１９に記載の２乗セル。
【請求項２１】
第７のトランジスタと第８のトランジスタとをさらに備え、それらのエミッタ電極は第５のトランジスタのエミッタ電極および第６のトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合され、ベース電極は入力電圧ノードにそれぞれ結合される、請求項１９に記載の２乗セル。
【請求項２２】
第７のトランジスタおよび第８のトランジスタのコレクタ電極は、第４のトランジスタのエミッタ電極および第３のトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ接続される、請求項２１に記載の２乗セル。
【請求項２３】
第５のトランジスタおよび第８のトランジスタのコレクタ電極は相互接続され、第６のトランジスタおよび第７のトランジスタのコレクタ電極は相互接続される、請求項２２に記載の２乗セル。
【請求項２４】
第１の入力電圧ノードならびに第５のトランジスタおよび第８のトランジスタの間に結合された第１のエミッタフォロアトランジスタと、第２の入力電圧ノードならびに第６の
トランジスタおよび第７のトランジスタの間に結合された第２のエミッタフォロアトランジスタとをさらに備える、請求項２２に記載の２乗セル。
【請求項２５】
第１のエミッタフォロアトランジスタおよび第２のエミッタフォロアトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第３の定電流源と第４の定電流源とを備える、請求項２４に記載の２乗セル。
【請求項２６】
第１の入力電圧ノードならびに第１のトランジスタおよび第４のトランジスタの間に結合された第３のエミッタフォロアトランジスタと、第２の入力電圧ノードおよび第２のトランジスタの間に結合された第２のエミッタフォロアトランジスタとをさらに備える、請求項２４に記載の２乗セル。
【請求項２７】
第３のエミッタフォロアトランジスタおよび第４のエミッタフォロアトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第４の定電流源と第５の定電流源とを備える、請求項２６に記載の２乗セル。
【請求項２８】
第３のエミッタフォロアトランジスタおよび第４のエミッタフォロアトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第１の整形抵抗と第２の整形抵抗とを備える、請求項２７に記載の２乗セル。
【請求項２９】
第５のトランジスタおよび第６のトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第３の整形抵抗と第４の整形抵抗とを備える、請求項２７に記載の２乗セル。
【請求項３０】
第７のトランジスタのエミッタ電極は、第３の整形抵抗と第１の定電流源との間のノードに接続され、第８のトランジスタのエミッタ電極は、第４の整形抵抗と第２の定電流源との間のノードに接続される、請求項２９に記載の２乗セル。
【請求項３１】
第１のトランジスタおよび第４のトランジスタのエミッタ電極にそれぞれ結合された第５の整形抵抗と第６の整形抵抗とを備える、請求項２７に記載の２乗セル。
【請求項３２】
電圧入力ノード、電流入力ノードならびに電流出力ノードを有する絶対値電圧および電流変調器と、
電圧入力ノードおよび電流出力ノードを有する電圧−電流変換器とを備え、
変調器および変換器の電圧入力ノードは、入力電圧を受取るように接続され、
変調器の入力電流ノードは、変換器の出力電流を受取るように接続される、２乗セル。
【請求項３３】
変換器は絶対電圧−電流変換器である、請求項３２に記載の２乗セル。
【請求項３４】
変換器は線形電圧−電流変換器である、請求項３２に記載の２乗セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本開示は、入力信号の２乗に正確に対応する出力信号を発生させるための新規な回路構造に向けられる。
【背景技術】
【０００２】
背景情報
入力信号を２乗するための回路は複数の実用的な用途を有し、その中には対数増幅器およびそれらを実現するＲＭＳ−ＤＣ変換器が含まれる。このような増幅器は、ＲＦ信号の電力を測定するためのシステムに利用されることが多い。そうするには、能力的に増幅器が、広いダイナミックレンジに亘って真の２乗一致性を示すこと、および温度から相対的に独立していることが必要となる。ここに呈示される主題は、これらの特性を実現するための新規な回路を呈示する。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
開示の概要
ここに呈示するのは２乗セルであり、入力電圧に応答して，対応する電流を発生させる第１の回路と、第１の回路によって発生された電流および入力電圧に応答して、入力電圧の２乗に対応する出力電流を発生させる第２の回路とを備える。第２の回路は、絶対値変調器回路を含み得る。第１の回路は、絶対値、または代替的に線形の電圧−電流変換器を含み得る。当該回路は、利点として、差動対構成のバイポーラトランジスタからなり、テール電流は絶対温度の２乗に比例する。高周波動作に対して適度なトランジスタサイズを維持しながら高い有効トランジスタ面積比を実現するため、かつ正確な２乗特性を精度よく実現するため、抵抗を組込み得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
詳細な説明
ここに示す原則によれば、新規な２乗回路またはセルは回路１００によって実現され、その一実施形態は図１に機能的に示され、２乗すべき電圧入力信号は、絶対値電圧−電流変調器１０２および絶対値電圧−電流変換器１０４の電圧入力に与えられる。変換器１０４は、入力電圧に比例する電流を変調器１０２の電流入力に与える。与えられた電圧入力および電流入力に応答して、変調器は、入力電圧の２乗に比例する出力電流を発生させる。
【０００５】
説明するように、変調器１０２および変換器１０４はバイポーラトランジスタを用いて実現され、トランジスタの種別に依存して規定の極性を有する、大きさが小さい入力信号に応答して、指数相互コンダクタンス特性を固有に示す。説明する例において、トランジスタはｎｐｎ型であり、トランジスタの熱電圧（約２３ｍｖ）よりも大きい印加された正の電圧に応答して、ベースが活性領域に駆動される。ここで説明する回路は、もちろんいずれの種別のトランジスタでも実現し得る。変調器１０２は、入力電圧の絶対値の関数である出力電流を生成して所望の２乗信号を発生させるように、バイポーラ入力電圧信号およびバイポーラ入力電流信号に応答するように構成される。
【０００６】
図１をより詳細に参照し、入力電圧Ｖｉｎが、変調器１０２および変換器１０４の電圧入力ノードに共通して印加される。変換器１０４は、｜Ｖｉｎ｜に比例する自身の出力電流Ｉｘを、図示した変調器１０２の入力電流ノードに供給する。変調器１０２は、入力電
圧の絶対値および自身に与えられた入力電流の両方に応答して、入力電圧の２乗に対応する出力電流Ｉｏｕｔを発生させる。
【０００７】
この動作は、以下の式によって定量化することができる：
【０００８】
【数１】
2009505285.tif 000003
【０００９】
したがって、変調器１０２によって発生された出力電流は、入力電圧の２乗に比例する。
【００１０】
この開示の原則は、図１の構造の、図２に示した例示的な回路実施例を考慮すれば、よりよく理解し得る。図２を参照し、変換器１０４は、図示のように相互接続されたバイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ４を含み、トランジスタＱ１およびＱ２のベース電極は、エミッタフォロアＱ９を介して入力電圧信号Ｖｉｎｐからバッファされた、正の方向に向かう成分Ｖｘｐを共通して受取る。トランジスタＱ９は、正のレールと負のレールとの間に接続され、エミッタ定電流源Ｉｅを有する。トランジスタＱ１およびＱ３のエミッタは、定電流源Ｉｓを介して接地レールに共通接続される。トランジスタＱ１のコレクタは、出力電流成分Ｉｘｐを変調器１０２に供給するように接続される。
【００１１】
同様に、トランジスタＱ３およびＱ４のベース電極は、エミッタフォロアトランジスタＱ１０を介して入力電圧信号Ｖｉｎｎからバッファされた、負の方向に向かう成分Ｖｘｎを共通して受取る。トランジスタＱ１０は、レールと別のエミッタ定電流源Ｉｅとの間に接続される。変換器１０４に印加される電圧ＶｘｎおよびＶｘｐは、トランジスタＱ９およびＱ１０によるＤＣレベルシフタによって低減される入力電圧ＶｉｎｎおよびＶｉｎｐと大きさが等しい。
【００１２】
トランジスタＱ２およびＱ４のエミッタは、定電流源Ｉｓを介して負のレールに共通接続される。トランジスタＱ２およびＱ３のコレクタは、正のレールに共通接続される。トランジスタＱ１およびＱ４のコレクタは、出力電流成分ＩｘｐおよびＩｘｎをそれぞれ変調器１０２に供給するように接続される。これらの電流成分は、トランジスタＱ２およびＱ３によって供給される零入力ＤＣ電流とともに、入力電圧ＶｉｎｐおよびＶｉｎｎの大きさに比例する。２つの電流源Ｉｓを流れる電流は、トランジスタＱ１、Ｑ２およびＱ３、Ｑ４によってそれぞれ共有される。
【００１３】
変調器１０２は、図示のように相互接続されたトランジスタＱ５〜Ｑ８を含む。トランジスタＱ５およびＱ６のエミッタは、ノードＩｘｐに共通接続され、コレクタはＩｏｕｔノードおよび正のレールにそれぞれ接続される。それに応じて、トランジスタＱ７およびＱ８のエミッタはノードＩｘｎに共通接続され、コレクタは正のレールおよびＩｏｕｔノードにそれぞれ接続される。変調器１０２は、トランジスタＱ５、Ｑ７およびＱ６、Ａ８のベースにおいて入力電圧の正の成分および負の成分Ｖｉｎｐ、Ｖｉｎｎを受取る。トラ
ンジスタＱ１によって流される電流Ｉｘｐは、トランジスタＱ５およびＱ６によって、これらのトランジスタのサイズ比に比例して共有される。それに応じて、変換器１０４のトランジスタＱ４によって流される電流Ｉｘｎは、トランジスタＱ７およびＱ８によって、トランジスタ比に応じて比例して共有される。Ｑ５およびＱ８のコレクタは、出力ノードＩｏｕｔにおいて相互接続される。図２のトランジスタＱ１〜Ｑ８間のこの１：Ａというサイズ比の意義について次に説明する。
【００１４】
トランジスタの「サイズ」とは、そのトランジスタの有効エミッタ面積のことである。同じバイアス状態が与えられる同様な１対のトランジスタの各トランジスタは、自身のサイズに比例した電流を流すと認識することで、トランジスタサイズの意義を理解することができる。つまり、一対のうちの一方のトランジスタのサイズ（エミッタ面積）が、当該対の他方のトランジスタの２倍である場合、当該一方のトランジスタは、バイアスが同じとすると、２倍の電流を流すことになる。
【００１５】
図２の回路を考慮すると、トランジスタＱ１、Ｑ４、Ｑ５およびＱ８は１のサイズを有するように算術的に正規化されて示され、トランジスタＱ２、Ｑ３、Ｑ６およびＱ７は比Ａ（Ａは１よりも大きい比）を有するようなサイズである。トランジスタＱ２、Ｑ３、Ｑ６およびＱ７は、共通してバイアスがかけられると、比ＡにてＱ１、Ｑ４、Ｑ５およびＱ８よりも多くの電流を流す。
【００１６】
図２の回路を説明する以下の式を得ることができ、ここで、Ｉｓはトランジスタの飽和電流であり、Ｖｔはトランジスタの熱電圧であり、Ａは説明したようにトランジスタ比であり、Ｖｘｐ、Ｖｘｎ、ＶｉｎｐおよびＶｉｎｎは回路図に示したとおりである：
【００１７】
【数２】
2009505285.tif 000004
【００１８】
Ｖｉｎ＞０（Ｖｉｎ＝Ｖｉｎｐ−Ｖｉｎｎ＝Ｖｘｐ−Ｖｘｎ）であるとき、トランジスタＱ５は電流を流し始める。変調器１０２は、入力電圧Ｖｉｎに比例して、トランジスタＱ５を流れる出力電流を生成し、トランジスタＱ８には電流はほとんど流れない。Ｖｉｎ＜０（Ｖｉｎ＝Ｖｉｎｐ−Ｖｉｎｎ＝Ｖｘｐ−Ｖｘｎ）であるとき、トランジスタＱ８が電流を流し始める。変調器１０２は、入力電圧Ｖｉｎに比例する、トランジスタＱ８を流れる出力電流を生成し、トランジスタＱ５には電流はほとんど流れない。この出力電流の共有は、入力電圧の極性および大きさに依存して継続的に変動する。
【００１９】
トランジスタＱ５およびＱ７は、それぞれＩｘｐおよびＩｘｎを供給するように、Ｑ５およびＱ８に相補的に動作する。トランジスタＱ６およびＱ７は比Ａであり、トランジスタＱ５およびＱ８よりも多くの電流を流す。電圧−電流変換器１０４の出力によって供給されるトランジスタＱ５およびＱ８の被制御コレクタ電流の和は、変調器１０２の出力電流を構成する。この出力は、入力電圧Ｖｉｎの２乗に対応する。同様に、変換器１０４について、トランジスタＱ２およびＱ３はトランジスタＱ１、Ｑ４に相補的に接続され、トランジスタ比はＡであり、零入力電流を供給する。上記は以下のように定量化することができる：
【００２０】
【数３】
2009505285.tif 000005
【００２１】
ここでＯ（ｘ4）は、大きさが小さい高次項を表わしており、無視することができる。
図２の回路実施例において、上記の電圧−電流変換器１０４および電圧−電流変調器１０２は、両方とも絶対値回路である。出力電流Ｉｏｕｔは、式（３）に記載した２乗関係に正確に一致すると見られる。つまりＩｏｕｔは、ｘ＜１であるときｘによく適合する。言い換えれば、ＩｏｕｔはＶｔまでの入力電圧の２乗に直線的に比例する。
【００２２】
絶対値Ｖ−Ｉ変換器１０４を線形Ｖ−Ｉ変換器１０６に置換えた第２の実施形態を図３に示し、回路実施例を図４に示す。絶対電圧−電流変調器１０２のトランジスタＱ５〜Ｑ８は、図２に示した構成と同様に動作するように構成され、説明は繰り返さない。線形電圧−電流変換器１０６は、図示のように相互接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ４を含む。トランジスタＱ１およびＱ２のベースは、エミッタフォロアＱ９およびＱ１１を介してＶｉｎｐを受取るように共通接続される。トランジスタＱ３およびＱ４のベースは、エミッタフォロアＱ１０およびＱ１２を介してＶｉｎｎを受取るように共通接続される。トランジスタＱ１およびＱ３のエミッタは、絶対温度の２乗に比例して、絶対温度の２乗に比例する電流を流す電流源Ｉｐｔａｔ＊＊２に共通接続される。トランジスタＱ２およびＱ４のエミッタは、同様な電流源Ｉｐｔａｔ＊＊２に共通接続される。エミッタフォロアＱ１
１およびＱ１２は正のレールと負のレールとの間に接続され、各々のエミッタ回路は定電流源Ｉｅ２を有する。エミッタフォロアＱ９およびＱ１０は同様に構成され、各々のエミッタ回路は抵抗Ｒｓおよび定電流源Ｉｅ１を有する。フォロアＱ１１およびＱ１２のエミッタ回路における電流源Ｉｅ１およびＩｅ２は、それぞれゼロ温度係数電流源である。テール電流Ｉ１およびＩ２は、絶対温度の２乗に比例する。上記のように発生されたテール電流は、増幅器の出力電流を温度から独立させるために必要である。抵抗Ｒｅは、トランジスタＱ１、Ｑ４、Ｑ５およびＱ７のエミッタ回路内にある。抵抗ＲｅおよびＲｓの機能について、以下に説明する。
【００２３】
トランジスタＱ２およびＱ３のコレクタは、ＩｘｐおよびＩｘｎにそれぞれ結合され得る。その結果、所与のＶｉｎに対して出力電流が２倍になる。しかし、これによりＩｘｐおよびＩｘｎの成分として零入力電流Ｉｑが生じる。
【００２４】
上記は以下の数式からよりよく理解することができる。
【００２５】
【数４】
2009505285.tif 000006
【００２６】
図４において入力信号の大きさの広い範囲に亘って２乗特性と一致させるために、トランジスタＱ２およびＱ３のコレクタは、トランジスタ対Ｑ５、Ｑ６およびＱ８、Ｑ３のエミッタにそれぞれ接続される。トランジスタＱ１、Ｑ４、Ｑ５およびＱ７のエミッタ回路の各々に抵抗Ｒｅが加えられ、より正確に回路の２乗動作に適合するようにサイズが定められる。
【００２７】
ＤＣ零入力電流を最小化し、かつ２乗関係に一致させるためには、高いトランジスタ比Ａが望ましい。しかし、これは高周波性能の低下を招き得る。したがって、抵抗ＲｓをＱ９およびＱ１０のエミッタ回路に付加して、高周波動作に対して適度なサイズＡを維持しながら所望のトランジスタ有効面積比を実現する。これは以下からよりよく理解し得る。
【００２８】
一般に、サイズＡのトランジスタについて：
【００２９】
【数５】
2009505285.tif 000007
【００３０】
第２項は、Ｖｔに比例するオフセット電圧である。したがって、図示のように実現されるエミッタ抵抗Ｒｓを有するトランジスタは、（正規化された）１のサイズにオフセット電圧を加えたトランジスタに等しく、オフセット電圧はオフセット電流およびＲｓの積によって導入することができる。トランジスタＱ９およびＱ１０のエミッタ回路における定電流源Ｉｅ１およびＩｅ２は、ゼロ温度係数電流源であって、ＤＣオフセットを温度から独立させる。これは、比較的大きな入力電圧での２乗対温度に対する出力一致性を部分的に補償することになる。
【００３１】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、ここに記載した増幅器の電流出力が、理想的な２乗性能にどのように一致するかを示す。図５（ａ）において、理想的な２乗関数であるものからの出力電流の偏差が示され、入力電圧（この例では１００ｍｖ）の特定の範囲内においてほぼ完全な２乗を表わす。図５（ｂ）は、同じ例に関連して、実際の出力電流を入力電圧の関数として示す。
【００３２】
この開示においては、本発明の好ましい実施形態およびその多様性のいくつかの例を示し、記載したに過ぎない。本発明はさまざまな他の組合せおよび環境において使用することが可能であり、ここに述べた発明の概念の範囲内で変更または修正を行なうことが可能であると理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本開示の一実施形態に係る２乗セルの実施例を示す簡略化した図である。
【図２】図１に対応する、より詳細な回路図である。
【図３】本開示の一実施形態に係る２乗セルの実施例を示す簡略化した図である。
【図４】図３に対応する、より詳細な回路図である。
【図５（ａ）】シミュレーションによって得られた、２乗セルからの出力信号の特性を表わすグラフである。
【図５（ｂ）】シミュレーションによって得られた、２乗セルからの出力信号の特性を表わすグラフである。
【図１】
2009505285.tif 000008
【図２】
2009505285.tif 000009
【図３】
2009505285.tif 000010
【図４】
2009505285.tif 000011
【図５（ａ）】
2009505285.tif 000012
【図５（ｂ）】
2009505285.tif 000013
【国際調査報告】
2009505285.tif 000014
2009505285.tif 000015
2009505285.tif 000016