(57)【要約】【課題】ペルチェ素子の駆動ノイズが撮影画像に重畳するのを防止する。【解決手段】本発明に係る放射線撮像装置は、Ｘ線変換層の温度に基づいて、ペルチェ素子へ印加する電圧を制御するフィードバック処理を行うことによって、Ｘ線変換層の温度を略一定に保つ温度制御手段を有する。該温度制御手段は、各画素ＤＵから電荷の読み出しを開始した後、その電荷をチャージアンプで電圧に変換し、当該電圧についてのＡ／Ｄ変換処理を完了するまでの期間内において、ペルチェ素子に印加される電圧の変動を制限する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記共通電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内において、前記制御電圧の変動を所定の周波数以下に制限することを特徴とする放射線撮像装置
【請求項２】
前記所定の周波数を、直流とすることを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置
【請求項３】
前記温度制御手段は、前記制御電圧の立ち上げ及び立ち下げを、前記読取期間内に行わないようなＰＷＭ制御を行うことを特徴とする請求項２記載の放射線撮像装置 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線を検出して画像信号を出力する放射線撮像装置に関し、特にペルチェ素子を用いて温度制御を行う構成を備えた放射線撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の放射線撮像装置は、図６に示すような構成をとる。放射線撮像装置に入射した放射線は、アモルファスセレンなどの半導体厚膜で構成されるＸ線変換層２により電荷に変換される。当該電荷は、Ｘ線変換層２の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極１と、後述するコンデンサＣａのグランド側との間に印加されたバイアス電圧ＶＡによって、バイアス印加電極１とは逆側に設けられたＴＦＴ基板３により読み出される。当該ＴＦＴ基板は、電荷を収集するためのマトリクス状に設けられた画素電極３１と、画素電極３１に接続されたコンデンサＣａと、当該コンデンサＣａにソースが接続された薄膜トランジスタ素子Ｔｒを有している。なお、単一の画素電極３１が電荷を収集可能な領域を以下適宜画素ＤＵと呼ぶことにする。ＴＦＴ基板３は、同一行に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒのゲートに共通して接続されるゲートラインＧと、同一列に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒのドレインに共通して接続されるデータラインＤをそれぞれ行列の数だけ有している。【０００３】
画素ＤＵで生じた電荷は、対応する画素電極３１を通じてコンデンサＣａに蓄積される。当該蓄積された電荷は、その画素ＤＵが属する列のゲートラインＧの電位がＯＮ電位になったときに薄膜トランジスタ素子ＴｒがＯＮされて、その画素ＤＵが属する列のデータラインＤに読み出される。各行のゲートラインＧの電位は、ゲート駆動回路５によって制御される。【０００４】
一方、ＴＦＴ基板３はアルミ等のベース基板４の一方の面に保持されており、当該ベース基板の他方の面には、アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６が配置されている。ＴＦＴ基板３のデータラインＤと、アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６のチャージアンプ６１とは、フレキシブル基板６３で接続されている。データラインＤに読み出された電荷は、チャージアンプ６１によって電圧に変換され、当該チャージアンプ６１に接続されたＡ／Ｄ変換回路６２によって、画素値に変換された後、メモリ部７１へ保存される。【０００５】
この処理を読み込み対象となる全ての画素ＤＵについて行った後、メモリ部７１に保存された画素値が、画像処理装置８に転送される。これら一連の動作は、コントローラ７により制御されている（例えば特許文献１参照）。【０００６】
このように構成された放射線撮像装置では、温度変化により、Ｘ線変換層２が劣化したり、Ｘ線変換層２を保持する薄膜トランジスタ素子が形成された基板（アクティブマトリクス基板）との熱膨張率の相違から、膜の剥離や割れが生じたりするなどの問題が生じている。【０００７】
そこで、Ｘ線変換層２の温度を検知するサーミスタ９１と、Ｘ線変換層２の温度を変化させるペルチェ素子９２と、検知された温度に基づいて、ペルチェ素子９２への印加電圧を制御する温度制御手段９とを更に備えた放射線撮像装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−３２５６３１号公報
【特許文献２】特開２００３−０１４８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ペルチェ素子９２の駆動に伴って、画像にノイズがのるという問題が生じている。発明者の実験により、特に図７に示すような線状のノイズが重畳することが確認された。当該ノイズが重畳する場所やタイミングが不特定であることから、一律の補正を行うことができないという問題もある。本件発明者は、実験により、上記課題が、ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの期間内において、前記ペルチェ素子９２の駆動電圧の変動が生じたときに発生すること、及び、そのときの変動の周波数が大きいと、ノイズが顕著に現れることを見出した。本件発明は、ペルチェ素子による温度制御を伴った放射線撮像装置において、当該ノイズを抑制して、ノイズの少ない高品質の画像を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明による放射線撮像装置は、放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記共通電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内において、前記制御電圧の変動を所定の周波数以下に制限することを特徴とする。【００１０】
また、前記所定の周波数は、直流とすることが望ましく、前記温度制御手段は、前記制御電圧の立ち上げ及び立ち下げを、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの期間以外の期間に行うようなＰＷＭ制御を行うことが望ましい。【００１１】
（作用）本発明は、上記期間内にペルチェ素子の駆動電圧の変動が抑制されており、画像に重畳するノイズが抑制される。上記期間内に電圧を全く変動させないようにすれば、ペルチェ素子の駆動に起因するノイズが重畳しなくなる。更に、電圧制御とすると、基準電圧と制御対象電圧との差（ドロップ電圧）に相当する電力が浪費される。また、浪費した電力に相当する発熱が生ずるため、その発熱による放射線撮像装置の温度上昇を招き温度制御効率が低下する。この点、ＰＷＭ制御とすれば、電力の浪費を最小限とすることができるが、パルス制御ゆえ、電圧の立ち下げ、立ち上がり時に大きな電圧の変動が生ずることになる。従って、画像に重畳するノイズも大きくなる。当該課題は、ペルチェ素子の駆動電圧をＯＮ／ＯＦＦする切替が、前記読取期間内に行われないように制御することにより解決される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明による放射線撮像装置によれば、ペルチェ素子の駆動に起因するノイズが画像に重畳せず、もしくは、抑制されて、良好な画像を提供することができる。更に、ＰＷＭ制御を採用した上記発明の構成により、電力消費を最小限にすることができ、かつ、ペルチェ素子の駆動によるノイズの重畳をなくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の放射線撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。
【図３】本発明の第２実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。
【図４】本発明の第３実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。
【図５】本発明の第４実施例に係る温度制御手段の構成を示す図である。
【図６】従来の放射線撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図７】従来の放射線撮像装置で得られた、ノイズが重畳した画像である。
【符号の説明】
【００１４】
１     バイアス印加電極２     Ｘ線変換層３     ＴＦＴ基板３１   画素電極Ｄ     データラインＧ     ゲートラインＣｓ   コンデンサＴｒ   薄膜トランジスタ４     ベース基板５     ゲート駆動回路６     アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６１   チャージアンプ６２   Ａ／Ｄ変換回路６３   フレキシブル基板７     コントローラ７１   メモリ部８     画像処理部９     温度制御手段９１   サーミスタ９２   ペルチェ素子９３   Ａ／Ｄ変換回路９４   Ｄ／Ａ変換回路 
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係る放射線撮像装置の概要を、図１（ａ）、（ｂ）に示す。温度制御手段９が、コントローラ７と接続されている点を除き、基本的に図６に示す従来技術と同様の構成である。【００１６】
コントローラ７は、画像処理装置８から、フレーム同期信号を得る。ここで、フレーム同期信号は、一般に、最小フレームを３３ｍｓとし、操作者によって図示しないＸ線発生装置に設定されたＸ線照射予定時間よりも長く、かつ最小フレームの整数倍の期間毎に発生されるパルス列である。システムによっては当該フレーム同期信号が固定されている場合もある。一方、フレーム同期信号は、Ｘ線発生装置にも送られており、当該フレーム同期信号を基準にして、放射線撮像装置に対しＸ線を照射する。【００１７】
入射したＸ線は、半導体厚膜で構成されるＸ線変換層２により電荷に変換される。当該電荷は、Ｘ線変換層２の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極１に印加されたバイアス電圧ＶＡによって、バイアス印加電極１とは逆側にマトリクス状に設けられた画素電極３１に収集される。また、当該収集された電荷は、画素電極３１のそれぞれに対応して設けられたコンデンサＣａに蓄積される。更に、当該蓄積された電荷は、画素電極３１に及びコンデンサＣｓにソースが接続された薄膜トランジスタ素子ＴｒをＯＮしたときに、同一列に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒが接続されたデータラインＤに読み出される。【００１８】
コントローラ７は、フレーム同期信号の立ち下がりから（Ｘ線照射期間＋ブランク期間）経過後に、ゲート駆動回路５を作動させて、薄膜トランジスタ素子Ｔｒを順次ＯＮにする。データラインＤに読み出された電荷は、データラインＤに接続されたチャージアンプ６１によって電圧に変換され、当該チャージアンプ６１に接続されたＡ／Ｄ変換回路６２によって、デジタル値に変換されて、メモリ部７１へ保存するとともに、対象となる全ての画素ＤＵからの読み込みを完了し、デジタル値をメモリ部７１へ保存した後、当該メモリ部７１に保存されたデータを画像処理部８へ送信する。更にコントローラ７は、読取期間中信号を温度制御手段９に出力する。【００１９】
温度制御手段９は、サーミスタ９１と、ペルチェ素子９２と、サーミスタ９１の電圧信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路９３と、ペルチェ素子９２に対して電圧を出力するＤ／Ａ変換回路９４と、ＣＰＵ９０とを有している。当該ＣＰＵ９０に搭載されたソフトウエアは、コントローラ７が出力する読取期間中信号及びＡ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力とし、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力するペルチェ素子９２の制御電圧値を決定する。当該ソフトウエア、および、コントローラ７の構成について、以下の実施例１〜３で詳細に説明する。【００２０】
（第１実施例）本実施例について、図２を参照して説明する。図２は、上述のフレーム同期信号（Ｉ）、上述のＸ線照射期間（II）、読取期間中信号（III）、及び、ペルチェ素子９２に本来印加すべき駆動電圧（IV）、及び、ペルチェ素子９２に実際に印加する駆動電圧（V）を、それぞれ時刻を一致させて表示したものである。【００２１】
コントローラ７は、上記ゲート駆動回路５を作動させた後、読み込み対象となる全ての画素ＤＵに対応する電圧をデジタル値に変換し終えるまでの期間においてＨレベル、それ以外の期間にはＬレベルになるような読取期間中信号（III）を出力する。なお、フレーム周期は、２６６ｍｓ、読取期間は１２０ｍｓ程度を想定している。読取期間は、（チャージアンプ６１の電圧が安定する時間＋Ａ／Ｄ変換回路６２の変換時間）ｘ画素数の時間を要する。ただし、Ａ／Ｄ変換回路を複数設けて並列に動作させることにより、読取期間を短縮することができる。【００２２】
本実施例に係るソフトウエアは、下記ステップＳ１１−Ｓ１５を、所定の周期で繰り返すフィードバック制御タスクを有する。【００２３】
（ステップＳ１１）Ａ／Ｄ変換回路９３から、サーミスタ９１の電圧信号値Ｉａｄを読み込む。また、コントローラ７から読取期間中信号（III）を読み込む。【００２４】
（ステップＳ１２）あらかじめ保存された、サーミスタ９１の温度がＴ１のときのＡ／Ｄ変換回路９３から読み込まれた値Ｉ１と、サーミスタ９１の温度がＴ２のときのＡ／Ｄ変換回路９３から読み込まれた値Ｉ２、及び、Ｉａｄから、線形近似により、現在温度Ｔを求める。最も単純には、次のように求める。Ｔ＝｛（Ｔ１−Ｔ２）・（Ｉ１−Ｉａｄ）／（Ｉ１−Ｉ２）｝＋Ｔ１【００２５】
（ステップＳ１３）目標温度Ｔ０と、現在温度Ｔとの関係から、ペルチェ素子に出力すべき電圧値Ｖｐを決定する。最も単純な差分制御であれば、Ｖｐ＝α・（Ｔ０−Ｔ）とすればよい。αは係数であって、大きいほど追従が早くなるが、ハンチングの原因にもなるため、系の熱的な時定数に応じて最適な値に設定する。当該制御をＰＩＤ制御とするときは、所定回数前から現在までの温度Ｔをメモリに記憶しておき、積分値、微分値にそれぞれ係数を乗じて、上記の差分制御の値に加えることにすればよい。Ｖｐを決定する方法は、他の公知の制御技術によって、容易に置き換えることができ、どのように決定するかは、本発明の本質に関わらないため、詳細な説明を省略する。【００２６】
（ステップＳ１４）読取期間中信号（III）がＨレベル（図２の区間Ｂ）のときは、Ｖｐの変化を制限するように、Ｖｐの値を計算し直す。例えば、次の通りＶｐを再計算することにより、図２のような制限後の駆動電圧（Ｖ）が得られる。
【数１】
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なお、Ｖｔｈ＝０とすれば、読取期間中信号（III）がＨレベルのときは、ペルチェ素子９２の駆動電圧が全く変動しなくすることができる。これは、駆動電圧の変動の周波数が０であることに相当する。【００２７】
（ステップＳ１５）決定されたＶｐを、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力する。出力したＶｐを、Ｖｐｒｅｖとして保存する。【００２８】
なお、所定の周期は、ＣＰＵ９０の処理能力の範囲内で、できるだけ短くすることが望ましい。例えば、数１０ＭＨｚ程度のクロックで動作する組み込み用のＣＰＵを用いる場合には、周期を数ｍｓ〜２０ｍｓ程度にすることができる。その他、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）により構成されたロジックで同様の動作をさせることで、より高速な動作が期待できる。【００２９】
本実施例では、単純に前回の出力値との差分がある閾値を超えないように計算し直すこととしたが、所定期間前のＶｐの履歴を保存しておき、一次元のフーリエ変換をした後に、所定の閾値よりも高い周波数成分を除去した後、逆フーリエ変換を施して、Ｖｐを計算し直すこととするなど、種々の再計算方法に置き換え可能である。すなわち、読取期間中におけるペルチェ素子９２の駆動電圧の周波数が、他の期間（の一部）よりも低くなるようにする限りにおいて、再計算などの方法を種々変更可能であり、本発明はこれらを全て包含する。【００３０】
（第２実施例）次に本発明の第２実施例について、図３を参照して説明する。図３も図２と同様、各信号の時間的な変化を示したものである。本実施例のプログラムにおける、フィードバック制御タスクは、以下のステップＳ２１−２４を所定の周期で繰り返し実行する。なお、プログラム以外の構成については、第１実施例と同様であるので説明を省略する。【００３１】
（ステップＳ２１）Ａ／Ｄ変換回路９３から、サーミスタ９１の電圧信号値Ｉａｄを読み込む。【００３２】
（ステップＳ２２）第１実施例におけるステップＳ１２と同様であるので、説明を省略する。【００３３】
（ステップＳ２３）第１実施例におけるステップＳ１３と同様であるので、説明を省略する。【００３４】
（ステップＳ２４）決定されたＶｐを、デューティー比Ｄに変換してＰＷＭタスクへ通知する。Ｖｐを、Ｖｐｒｅｖとして保存する。ここで、デューティー比Ｄは次のように計算する。Ｄ＝Ｖｐ／Ｖｍａｘ  Ｖｍａｘは、Ｄ／Ａ変換回路が出力することのできる最大値である。従って、−１≦Ｄ≦１である。【００３５】
一方、ＰＷＭタスクは、フィードバック制御タスクよりも短い周期で以下のステップＰ２１−Ｐ２５を繰り返し実行する。【００３６】
（ステップＰ２１）コントローラ７から読取期間中信号（III）を読み込む。【００３７】
（ステップＰ２２）Ｄ／Ａ変換回路９４に出力するべき電圧Ｖｓを次のように決定する。
【数２】
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Ｃはカウンタ変数である。また、Ｃｍａｘは、Ｃの最大値であって、ＰＷＭ波形の分解能に相当する。【００３８】
（ステップＰ２３）読取期間中信号（III）がＨレベル（図２の区間Ｂ）のときは、Ｖｓを前回のＶｓであるＶｓｐｒｅｖで置き換える。すなわち、読取期間中信号（III）がＨレベルのときにＶｓの状態が変わることがないようにする。【００３９】
（ステップＰ２４）また、決定されたＶｓを、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力する。出力したＶｓを、Ｖｓｐｒｅｖとして保存する。【００４０】
（ステップＰ２５）Ｃをインクリメントする。Ｃ＞Ｃｍａｘなら、Ｃに０を代入する。【００４１】
このように制御することで、本来、図３の（IV）のような波形で駆動すべきところを、（V）のような波形に制限されるため、区間Ｂにおいて、ペルチェ素子９２の駆動電圧を変化させること無く、ＰＷＭ制御を行うことができる。なお、本実施例によれば、ＰＷＭの制御周期と、フレーム同期信号の周期とを全く独立に制御することができるため、制御の独立性の観点からも有効である。【００４２】
（第３実施例）本発明の第３実施例について、図４を参照して説明する。図４も図３と同様、各信号の時間的な変化を示したものである。本実施例のプログラムなどは、実施例２と同様であって、コントローラ７の動作のみ相違する。【００４３】
コントローラ７は、上記ゲート駆動回路５を逐次作動させる。このとき、ゲートラインＧを所定行駆動させるたびに、短期間のウエイトを挿入する。この状態で、ゲートラインＧを駆動し始めてから、所定行の画素ＤＵに対応する電圧をデジタル値に変換し終えるまでの期間においてＨレベル、それ以外の期間にはＬレベルになるような読取期間中信号（III）を出力する（図４）。そうすると、信号状態の変位が可能な期間Ｂが分散されることになる。【００４４】
所定行は、１行であってもよく、全行の半数程度であってもよい。フレーム周期の範囲内でＸ線照射、読取動作を行うことができる限りにおいて、できるだけ所定行を少なくして、多くのウエイトを挿入することが望ましい。【００４５】
このように構成することにより、ＰＷＭ波形の制限が緩和されつつ、読取期間中にペルチェ素子９２の駆動電圧を変化させることを無くすることができる。【００４６】
（第４実施例）上記実施例２〜３と同様の機能を、ハードウエアで実現した構成を、実施例４として、図５に示す。なお、本実施例における温度制御手段９以外の構成、及び、Ａ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力として出力を決定するフィードバック制御の方法については、他の実施例と同様であるので説明を省略する。【００４７】
本実施例に係る温度制御手段９は、サーミスタ９１と、ペルチェ素子９２と、サーミスタ９１の電圧信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路９３と、ペルチェ素子９２の駆動電圧を、ＰＷＭ波形で制御するＰＷＭ制御回路９６と、コントローラ７から読取期間中信号（III）の立ち上がり時点におけるＰＷＭ制御回路９５の出力電圧を、当該読取期間中信号（III）がＨレベルの間保持するサンプリングホールド回路９５と、ＣＰＵ９０とを有している。当該ＣＰＵ９０に搭載されたソフトウエアは、Ａ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力とし、ＰＷＭ制御回路９６に対する、デューティー比を計算し出力する。当該機能によって、電力消費を最小限にすることができ、かつ、ペルチェ素子の駆動によるノイズの重畳をなくすることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年8月2日(2010.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記共通電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段によって前記スイッチング素子を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内における前記ペルチェ素子への印加電圧の変動を所定の周波数以下に制限することを特徴とする放射線撮像装置
【請求項２】
前記読み取り期間内における前記ペルチェ素子への印加電圧を、直流とすることを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記温度制御手段は、前記制御電圧の立ち上げ及び立ち下げを、前記読取期間内に行わないようなＰＷＭ制御を行うことを特徴とする請求項２記載の放射線撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成23年4月28日(2011.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記バイアス印加電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、
前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段によって前記スイッチング素子を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内における前記ペルチェ素子への印加電圧の変動を、他の期間における周波数よりも低い所定の周波数以下に制限することを特徴とする放射線撮像装置。
【国際調査報告】
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