(57)【要約】  薄膜太陽電池モジュールの信頼性、特に電気化学的腐食耐性を向上することを課題とする。本発明では、透光性ガラス基板の一主面上に形成された透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を複数のセルに分離し相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性ガラス基板の周端部における前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層が前記周端部から前記主面周縁に沿って０．５ｍｍ以上にわたって機械的にまたは光ビームにより除去されてなる前記透光性ガラス基板のガラスが露出した周縁露出部を備え、少なくともこの周縁露出部に絶縁コーティング材とその上に封止充填材を備える、薄膜太陽電池モジュール、によって解決する。
2009051122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性ガラス基板の一主面上に形成された透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を複数のセルに分離し相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性ガラス基板の周端部における前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層が前記周端部から前記主面周縁に沿って０．５ｍｍ以上にわたって機械的にまたは光ビームにより除去されてなる前記透光性ガラス基板のガラスが露出した周縁露出部を備え、少なくともこの周縁露出部に絶縁コーティング材とその上に封止充填材を備える、薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
ガラスが露出した前記周縁露出部の表面の凹凸の高低差が１０μｍ以上であって、かつ、前記周縁露出部に絶縁コーティング材が設けられてなるコーティング部の表面の凹凸の高低差が１０μｍ未満である、請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の機械的な除去が、表面研磨法もしくはサンドブラスト法により行われてなる、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項４】
前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の光ビームによる除去が、レーザビームにて行われてなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項５】
前記絶縁コーティング材が液状原料である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項６】
前記液状原料が液状無機原料である、請求項５に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項７】
前記絶縁コーティング材が疎水性シリカを主成分とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記光半導体層がシリコンを主成分とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電に用いられる薄膜太陽電池モジュールの構造に係り、特に、１０年以上あるいは２０年以上の長期間の屋外使用に耐えるために耐候性を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電は、ＣＯ２の発生が少なく、環境にやさしいエネルギー源として利用されており、特に薄膜太陽電池モジュールは製造のためのエネルギーや原料資源の消費が少ないことから注目を集めている。【０００３】
太陽電池モジュールは屋外での使用を前提としており、設置後は例えば２０年以上の長期にわたって連続的に使用される。しかも、設置場所として極寒地から熱帯、砂漠といった多種の環境が想定されている。このことから、太陽電池モジュールには極めて厳しい耐候性仕様が要求される。【０００４】
既に結晶系の太陽電池モジュールにおいては、２０年以上の使用実績があり実用上問題無い程度の信頼性があることが確認されている。しかしながら、薄膜太陽電池モジュールにおいては、１５年程度の実績であり、同モジュールを設置された発電試験プラントで、実用上問題無い程度であるが、いくつかの信頼性の問題が残されている。【０００５】
典型的な問題として非特許文献１には、太陽電池モジュールで、実用上問題無い程度であるが、電気化学的腐食が観察されていることを開示している。薄膜太陽電池モジュールは、太陽電池モジュールの大きさのガラス基板に下地処理をした上で酸化錫（ＳｎＯ２）などの透明電極層を形成し、光半導体層、金属層を積層したデバイス構造を有しており、これらの膜はレーザスクライブ等でパターニングすることで小さな太陽電池セルを直列接続あるいは直並列接続した形に集積し、これらの太陽電池セルをＥＶＡなどの充填材さらに裏側の表層に別のガラス板や単層あるいは複層のフィルムで封止したものに、端子箱やフレームを取り付けた構造を有している。また、ガラス基板の端面から特定の幅の領域においてセルを形成する全ての膜を研磨ホイールやサンドブラストにて除去した周縁露出部を設けている。【０００６】
この文献によれば、腐食は通常、傾斜させて設置した薄膜太陽電池モジュールの下側辺のフレーム下端から起こり、モジュールへの湿気の侵入・浸入に関連したものである。この腐食はまたモジュールに掛かる電圧にも依存し、ガラス表面からのセル構造の消滅あるいは剥離現象となることが示されている。【０００７】
特許文献１には、透光性基板上に形成された、透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を光ビームによる加工によって複数のセルに分離し、相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性基板の周辺部における、前記光半導体層および前記金属層は、機械的、または光ビームで除去されていることを特徴とする薄膜太陽電池モジュールが、開示されている。特許文献１では、絶縁耐圧特性に優れた薄膜太陽電池モジュールを、極めて簡易なプロセスで、高い歩留まりで得ることが可能であることが開示されている。しかしながら、特許文献１であっても、さらなる課題が残されていると認識している。【０００８】
また、特許文献２でも、太陽電池モジュールの合わせガラスの間から水が浸入し、アモルファスシリコン太陽電池層の表裏間、すなわち正負極間でショートする場合があり、製品の信頼性に影響を与えることなどを、問題点として、指摘している。
【特許文献１】特開２０００−２６１０１９号公報
【特許文献２】特開平９−３３１０７９号公報
【非特許文献１】D. Carlson 他、Proc. NCPV and Solar Program Meeting 2003 pp946-949、NREL/CD-520-33586 Page 946
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
発明者らが、特許文献１のような薄膜太陽電池モジュールにおいて、使用条件がある特定の場合などに観察した現象も原理的には、非特許文献１で推定されている現象と、ある程度類似した現象であると思われる。すなわち、フレーム等に残留した水分などが、太陽電池セルが形成されたガラス基板と裏側表層のガラスやフィルムとの間にある充填材そのもの、あるいはガラス基板と充填材の隙間の何れかに、湿気が侵入・浸入したものと推定している。その湿気が上記周縁露出部を経由してセル領域にまで到達して、電気化学的反応がその部分で起こったのかもしれないと推定している。【００１０】
この、実用上は問題無い程度であるが、さらなる課題として残されている信頼性の問題を解決する手段としては、この非特許文献１には下記のような対策案が開示されている。
一般的な方法として、プラスチックフレームの使用、モジュール端部のシールの改善、淀んだ水の蓄積を避けるためのフレームに水抜き穴を設けるなどの対策、などである。【００１１】
これらの方法は、発明者らも効果を一部確認しているが、いくつかのさらなる課題を含んでいる。まず、プラスチックフレームについては金属フレームと比較して強度が低いことが主な課題となる。また、モジュールの端部のシールは確実にできれば極めて有効な手段であるが、実際の製造工程では僅かのシールの隙間が生じるとその部分から水分の浸入が起こる可能性が有る。フレームの水抜き穴については、太陽電池設置当初は有効に働くことがわかっているが、長期間の使用の間に泥や埃が穴に詰まると効果が薄れてくる可能性が有る。したがって、これらの対策は補助手段としては有効であるが本質的な解決手段としては、課題が残っているようである。【００１２】
非特許文献１ではさらに周縁露出部の透明電極層に着目した改善を試みている。例えば周縁露出部の幅を広くすると水分の浸入経路を長くすることができるので、発電領域への水分の浸入を抑制し、電気化学的腐食を遅延させることが可能であるが記載されている。また、非特許文献１では、透明電極層の硬度を高めることで電気化学的腐食を抑制することが可能であることを記載している。しかしながら非特許文献１のいずれの改善も本質的に問題を解決するに至っていない状況である。【００１３】
この課題に対して、発明者らは、特許文献１に記載されているように、この周縁露出部の内側には、光ビームにより、太陽電池セル部と前記周縁露出部とを電気的に分離する絶縁分離線が形成することが有効であることを発見した。しかしながら、光ビームによる絶縁分離線の部分が電気化学的腐食を抑制する効果があることを発見したものの、依然として電気化学的腐食の可能性が残り、特に絶縁分離線の幅が狭くなると抑制効果が損なわれる可能性が有ると考えている。【００１４】
一方で、この課題に有効と思われる手段として、特許文献２に記載されているようにガラス基板の太陽電池セルが形成されている全面を酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁体層で被覆する技術が開示されている。この文献では、有機金属化合物を主成分とし、反応触媒によって常温で加水分解と脱水縮合反応を起こす塗布型の液体ガラスをロールコーターで塗布すること、またスパッタやＣＶＤ等の真空製膜技術で被覆することが開示されている。この方法は、絶縁層の厚みが十分に厚くピンホールやクラックなどの欠陥が存在せず、セルとの密着性が十分であれば、素子を水分から保護することが可能である。しかし、少なくとも薄膜太陽電池モジュールにおいて実用化・工業化された実績は無いようである。太陽電池セルの集積で生じる凹凸の高低差が１μｍ程度あること、更にセルの製造工程でのパーティクルの付着、それぞれを考慮すると実用的な被覆膜を形成することは困難であること、安定した特性を有するのに必要な厚みは１００μｍ程度になると思われるがそうなるとそのような厚みに適した製膜方法が少ないこと、また、特殊材料になるためコスト増になることも懸念されること、などが実用化できない原因と思われる。【００１５】
以上の通り、ガラス基板に太陽電池セルが形成されている薄膜太陽電池モジュールに生じる電気化学的腐食を解決することが、長期信頼性を担保するうえで極めて重要であり、抜本的な対策が必要とされている。【００１６】
しかしながら、上述の様に、腐食を遅延することが可能でも、コストや再現性を考慮して有効な手段が存在しているとは言い難かった。【００１７】
本発明では、薄膜太陽電池モジュールの信頼性、特に電気化学的腐食耐性を向上することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の第１は、
透光性ガラス基板の一主面上に形成された透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を複数のセルに分離し相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、前記透光性ガラス基板の周端部における前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層が前記周端部から前記主面周縁に沿って０．５ｍｍ以上にわたって機械的にまたは光ビームにより除去されてなる前記透光性ガラス基板のガラスが露出した周縁露出部を備え、少なくともこの周縁露出部に絶縁コーティング材とその上に封止充填材を備える、薄膜太陽電池モジュール、である。【００１９】
本発明は、また、ガラスが露出した前記周縁露出部の表面の凹凸の高低差が１０μｍ以上であって、かつ、前記周縁露出部に絶縁コーティング材が設けられてなるコーティング部の表面の凹凸の高低差が１０μｍ未満である、請求項１に記載の薄膜太陽電池モジュール、である。【００２０】
本発明は、また、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の機械的な除去が、表面研磨法もしくはサンドブラスト法により行われてなる、薄膜太陽電池モジュール、である。微粒子の吹き付けによる機械的なエッチング法のうち、一般的な方法が、サンドブラスト法である。【００２１】
本発明は、また、前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の光ビームによる除去が、レーザビームにて行われてなる、薄膜太陽電池モジュール、である。【００２２】
本発明は、また、前記絶縁コーティング材が液状原料である、薄膜太陽電池モジュールである。【００２３】
このようにして得られた周縁露出部上に接して設けられる絶縁コーティング材には、周縁露出部に存在するクラックの隙間を充填できる特性を有し、特に真空などを要せず塗布コーティング可能で、乾燥などの処理にて硬質な膜となる液状原料を用いることが好ましく。水分吸収などにより特性の変化しない液状無機材料が好適に用いられる。【００２４】
本発明は、また、前記液状原料が液状無機原料である、薄膜太陽電池モジュールである。【００２５】
また、絶縁コーティング材の特性として、後述する理由により基板に対する付着力が、充填材と基板の付着力を上回ることが望ましい。【００２６】
本発明は、また、前記絶縁コーティング材が疎水性シリカを主成分とする、薄膜太陽電池モジュール、である。【００２７】
本発明は、また、前記光半導体層がシリコンを主成分とする、薄膜太陽電池モジュール、である。【００２８】
この様な透光性ガラス基板を用いる構造の太陽電池モジュールに本発明は摘要できるが、現在主流になっているシリコン薄膜を光半導体に用いた太陽電池にさらに適している。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によると、透光性ガラス基板を用いる太陽電池の信頼性、特に電気化学的腐食現象に代表される基板の端部からの水分の浸入に関連する信頼性を大幅に改善した薄膜太陽電池モジュールを低コストかつ工業的に効率的な方法で提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の薄膜太陽電池モジュールの端の部分の断面図
【図２】本発明の薄膜太陽電池モジュールの基板を上面からみた俯瞰図
【図３】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の模式図
【図４】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング前の顕微鏡写真
【図５】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング後の顕微鏡写真
【図６】本発明の実施例３における薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の顕微鏡写真
【図７】本発明の比較例２における薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング後の状態の顕微鏡写真
【符号の説明】
【００３１】
１    透光性ガラス基板
２    透明電極層
４    光半導体層
６    裏面電極層（金属層）
８    充填材
９    カバーフィルム
１１ａ，ｂ    両端のストリング
１２    ストリング分離用加工部
１３    レーザ絶縁分離線
１５    周縁露出部
１６    バスバー電極
１８    絶縁コーティング層
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の具体的な構成について説明する。【００３３】
本発明の薄膜太陽電池モジュールにおいて透光性ガラス基板には青板ガラス、白板ガラス、硼ケイ酸ガラスなどの薄膜太陽電池モジュールに一般に用いられているものが用いられる。ナトリウム等の半導体に影響がある不純物が含まれる青板ガラスや白板ガラス等のガラスを使用するときはこれらの不純物の拡散を防止するために酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等のアルカリバリア層を形成したり、透明電極層の光散乱を助長するためにシリカビーズなどの下地層を設ける場合があるが、本発明でも、これらについても好適に使用することが可能である。【００３４】
透明電極層としては、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ等を用いることが出来る。【００３５】
光半導体層としては、シリコンを主成分とする層、例えばｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ層の積層構造を用いることが出来る。また、光半導体層としては、近年においては、ｉ型微結晶Ｓｉ層を発電層とした太陽電池に用いられる光半導体層、あるいはａ−Ｓｉと微結晶Ｓｉの太陽電池を積層したタンデム太陽電池に用いられる光半導体層、更には、ＣＩＳ，ＣｄＴｅ、ＣＩＧＳ等の化合物半導体などの光半導体層が開発されており、これらを用いた薄膜太陽電池についても本発明を利用することができる。【００３６】
金属層としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉおよびこれらと金属酸化物との積層体等を用いることが出来る。金属酸化物としては酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが有力であるがこれらに限定されるものではない。【００３７】
これらの層は、レーザスクライブ等の方法により加工され、周知の構造で、集積化される。上記、透明電極層、光半導体層、金属層、集積化された太陽電池セル群の両端には電極取り出し用の配線を形成するための領域があり、好ましくは、半田メッキ銅箔が特殊半田にて接続さ
る。【００３８】
周縁部の機械的なエッチングは、表面研磨法やサンドブラストにて行われる。表面研磨法は金属の回転盤に研磨剤が固着された、あるいは、硬質の金属の表面加工した研磨ホイールを用いて行われる。研磨ホイールの端部を周縁部に沿って移動することにより帯状の
周縁露出部を形成することが出来る。サンドブラストは微粒子をノズルから吹き付けて行われる。微粒子の材料は、ガラスビーズやアルミナセラミック等があり、粒径も各種存在し、所定の加工度合に合せて適宜選択できる。この場合の加工面は磨りガラス状となり、
表面に微細な凹凸が形成される。【００３９】
また、周縁露出部の幅は、適宜設計でなされるものであるが、太陽電池の安全規格であるＩＥＣ６１７３０に適合させる場合では６００Ｖ仕様の太陽電池モジュールで６．４ｍｍ幅以上が必要である。しかし、本発明が有効に働くためには、少なくとも絶縁の観点からは０．５ｍｍ以上の幅が必要である（０．５ｍｍ以上の幅が有れば良い）が、工業規格の他、透光性ガラス基板に対する太陽電池セルの出力に必要な面積の割合、電気化学的腐食を防止するために必要な距離等を各種考慮して適宜選択することが可能である。【００４０】
周縁部の機械的エッチングに代えて、光ビームによる除去も可能である。ＱスイッチＹＡＧレーザを、例えば０．４ｍｍ〜１ｍｍ角程度の矩形に成型した光ビームを、一部重なるように略連続的に照射することにより、矩形の除去痕が加工面に並んだ形状の加工が可能である。この場合、加工した面の大部分の面積で鏡面状の加工が可能であるが、矩形のビームスポットの境界の部分で表面が荒れた形状となっていることが判明した。【００４１】
本発明は、機械的エッチングの後、研磨剤の除去等のために基板を洗浄し、周縁露出部に絶縁コーティング材をコーティングされてなる薄膜太陽電池モジュールに関する。【００４２】
本発明では、少なくとも周縁露出部にコーティングがなされていることが必須であり、そのコーティングには、刷毛塗り、スピンコート、ロールコート、スプレー、ディスペンス等の塗布方法が適宜利用できる。コーティング範囲も、透光性ガラス基板の全域から、周縁露出部のみの領域まで適宜選択することが可能である。【００４３】
絶縁コーティング材は、塗布する段階で液状のものが望ましい。周縁露出部の表面は、洗浄を経たにも係らず、ガラスの細かな粒子が物理的な接着力で残っている場合が有るため図３に示すように、粒子と透光性ガラス基板の表面の間に空隙が残ったり、粒子とガラスが部分的に接着しているために浮いている部分が存在している。これらの部分の隙間にコーティング材を浸透させることが本発明の技術の効果を得るために重要である。コーティング材を適切に塗布すると、塗布前の磨りガラス様の散乱が収まったり、研磨傷が見えなくなったりすることを目視で観察することができる。【００４４】
絶縁コーティング材の性質としては、硬化した状態で、少なくとも封止に用いる材料の熱による膨張・収縮、湿気などによる膨潤などで発生する応力を起因としてガラスと剥離しないことが必須であり、さらに材料そのものの水分等による膨潤が無いことが好ましい。また、ガラス中の不純物の滲出を押えるバリア性を有することが好ましい。コーティング剤としては、無機系、有機系について特にこだわりはないが、前記の膨張の抑制やバリア性の観点から、硬化する無機材料が最も好ましく用いられる。【００４５】
これらの性質を有する具体的な材料例としては、無機系としてはテトラアルコキシシラン系、液状ガラス、ポリシラザン系の材料が用いられ、有機系としては、アクリル系、ポリエステル系、ポリウレタン系、エポキシ系の材料などが用いられる。【００４６】
これらの性質を有するものとして、発明者らは各種コーティング材を鋭意検討した結果、疎水性シリカを主成分とするコーティング材、具体的にはポリシラザン系コーティング材が最も優れた特性を有することを発見した。【００４７】
これらの材料は、一般的には溶液の形で用いられる。溶液の粘度については低粘度であることが好ましいが、塗布方法や乾燥条件等に合わせて、濃度の調整や別溶剤の添加により粘度を調整し、好適な条件にて用いられることが可能である。【００４８】
この後は、従来からの封止技術を利用することが可能であり、以後の封止工程として例えば特開２０００−０７７３８３に記載の方法が適宜用いられる。【００４９】
封止に用いる封止充填材として例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を用いることができる。さらにその上にカバーフィルムとして、例えばＡｌ箔の両面をＰＶＦ（商品名：テドラー（登録商標））フィルムでサンドイッチしたものを積層し、これらを真空ラミネート法で溶融密着硬化してモジュールのラミネート部を製造することもできる。【００５０】
ラミネート部に端子箱を取付け、ラミネートの端部にブチルゴムを塗布し、ＥＰＤＭなどのガスケットを嵌め込んで、アルミフレームを取り付けて薄膜太陽電池モジュールを完成することができる。【００５１】
本発明の薄膜太陽電池モジュールの電気化学的腐食の評価方法は、概略としては非特許文献１に記載された方法が一般的である。【００５２】
太陽電池セルの正極と負極とを短絡してケーブルに接続し、フレームを設けない太陽電池モジュール（ラミネート）を６０℃の温湯に浸漬する。太陽電池セル側をマイナス電位、温湯をプラス電位になる様にして直流電源に接続し、太陽電池セル部分の変色を１日単位ごとに観察する方法で評価した。【００５３】
コーティング材を施さない場合では４０日程度で変化が見られたが、本発明の構造であると６０日でも、また１５０日でも、全く変化が見られないことが判った。【００５４】
発明者らは当初特許文献１に記載の構造の太陽電池が前記電気化学的な腐食を抑制する効果が十分あり、十分な信頼性を有すると考えていたが、実際には、透光性ガラス基板の周端部の各層の除去をしない場合と比較して顕著な効果を観察することができなかった。非特許文献１の観察も同様な状況である。【００５５】
その原因について調べるために、前記透光性ガラス基板の周端部における前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層を機械的あるいは光ビームの物理的な方法で除去した周縁露出部１５を観察した結果、図３の様にガラスの微粉末と思われる粒子２０、２１が残留しており、超音波洗浄をしてもまだ残留していることが判明した。この粒子は、充填材及び裏面のフィルム等で封止した後、充填材と引き剥がすと、透光性ガラス基板から粒子が剥がれることが観察された。【００５６】
このことから、長期の使用中に粒子の固着強度が損なわれ、その部分に関連して僅かに隙間が生じることで、水分の進入経路（浸入経路）が形成されたと考えられる。この部分に絶縁コーティング材を塗布するなどの方法で設けて硬化させた後に、充填材を設けて封止した結果、電気化学的腐食が大幅に減少することが観察された。絶縁コーティング材の塗布によりブラスト面の磨りガラス状の外観が透明に変化した。このことからガラス微粉末と基板の間にコーティング材が充填され、ガラス面から剥離物がなくなった結果、水分の進入経路（浸入経路）が大幅に減少したことが信頼性向上の効果を得ることにつながったものと考えている。【００５７】
疎水性シリカを含むコーティング材を塗布した面は、荒れたガラス面と比較して充填材との隙間が極めて少なくなり水分の経路が減少するという効果がある。【００５８】
疎水性シリカを含むコーティング材を塗布した面は、また、酸化セリウム系の研磨剤にて鏡面仕上げしたガラス面と比較して、ガラスに含まれるナトリウムなどの元素の遮断効果がある。このようなガラス面は、イオン性の不純物を含まないことから通常のガラスと比較して高抵抗であり、そのことから腐食に関与するイオンの伝導を抑制することができる。【００５９】
さらに、通常の親水性のコーティング材と比較すると、材料そのものが水分を寄せ付けないことから、充填材とコーティング表面界面の水分侵入・浸入そのものを抑制する効果もあると思われる。【００６０】
形状的な水分経路の遮断、腐食原因不純物の遮断、高抵抗、疎水性による水分の遮断という疎水性シリカの四つの効果が、電気化学的腐食を大幅に改善することにつながると考えられ、それらを塗布・乾燥という簡便な方法で実現する点が本発明の優れたところである。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明の実施の形態に係る種々の実施例について説明する。【００６２】
（実施例１）
図１は、本発明の一実施例に係る薄膜太陽電池モジュールを示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、次のように製造される。まず、面積９２ｃｍ×４６ｃｍ、厚さ４ｍｍの低鉄分ソーダライムガラスからなる透光性ガラス基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のバリア層（厚さ１０００Å）、酸化錫層（厚さ８０００Å）２を形成した。複数のセルを集積化するため、この酸化錫膜２をレーザスクライブでパターニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透明電極スクライブ線を示す。【００６３】
なお、基板の周囲から５ｍｍの位置に、全周にわたり周縁部と太陽電池活性部とを電気的に分離するために、図２に示すように、ストリング分離用の加工部１２の他に、レーザスクライブによるパターニングを施した。参照符号１３は、それによって形成されたレーザ絶縁分離線を示す。【００６４】
パターニング方法としては、基板１をＸＹテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて、分離加工を行った。レーザの運転条件は、第２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍＷ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０ｍｍである。【００６５】
また、半田メッキ銅箔を用いて電極取り出し用の配線を形成するための領域１３を、両
端にあるストリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残した。【００６６】
このようにしてパターニングされた酸化錫膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内において、ａ−Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成した。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ−Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍのシラン（ＳｉＨ４）を用い、ｐ型半導体層とｎ型半導体層を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍに水素希釈したＢ２Ｈ６とＰＨ３とを２０００ｓｃｃｍ混入させた。【００６７】
また、ｐ型半導体層の形成では、３０ｓｃｃｍのＣＨ４も混入させることにより、炭素合金化を行った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ１Ｔｏｒｒ、０．５Ｔｏｒｒ、１Ｔｏｒｒであった。形成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０Å、３２００Å、３００Åと推定される。【００６８】
このようにして光半導体各層の製膜を行った後、基板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて、ａ−Ｓｉ層４を、ＳｎＯ２層２のパターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパターニングを行った。レーザの運転条件は、第２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍＷ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符号５は、半導体スクライブ線を示す。【００６９】
その後、マグネトロンスパッタ法により、ＲＦ放電で酸化亜鉛（ＺｎＯ）ターゲットを用いて、パターニングされたａ−Ｓｉ層４上に、１０００Åの膜厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガス圧力２ｍＴｏｒｒ、放電パワー２００Ｗ、製膜温度２００℃であった。【００７０】
次に、ＺｎＯ層上に、同じマグネトロンスパッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流放電および室温で、２０００Åの膜厚の金属層（裏面電極層）６を形成した。
スパッタ条件は、アルゴンガス圧力２ｍＴｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。【００７１】
最後に、マグネトロンスパッタ装置から基板１を取り出して、Ｘ−Ｙテ−ブル上にセットして、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いてＡｇ層およびａ−Ｓｉ層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成した。レーザの運転条件は、ａ−Ｓｉ層４の加工条件と全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は約１０ｍｍである。【００７２】
また、酸化錫膜２のときと同様に、基板の周囲から５ｍｍの位置に全周にわたり周縁部と太陽電池活性部とを電気的に分離するために、ストリング分離用の加工部の他にレーザによるパターニングを施した。分割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括するように加工した。【００７３】
次に、このパターニングラインの外側０．５ｍｍのさらに外側の部分を全周にわたって、サンドブラスト装置を用いて研磨幅７ｍｍ、約２μｍの深さで研磨を行った。即ち、金属電極層６、酸化亜鉛（ＺｎＯ）層、ａ−Ｓｉ層４および酸化錫膜２の膜厚全体を除去するとともに、ガラス基板１の表面部分を除去して周縁露出部１５を形成した。【００７４】
その後、前述した配線用の位置１４に特殊半田１７にて半田メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を半田付けして、電極取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリングに平行となっている。【００７５】
ここで、この基板を洗浄後、周縁露出部１５に絶縁コーティング剤であるポリシラザン溶液（比較的、疎水性の材料である）をスプレー塗布した。本実施例にて選択したのは、パーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル２０％希釈品でパラジウム系の硬化触媒を含むもの（製品名：アクアミカ（登録商標）、型番：ＮＬ１２０Ａ、製造元：クラリアント社）である。室温にて１時間放置し養生したのち、乾燥オーブンにて１５０℃３時間乾燥した。表面を観察したところ、図４の状態は磨りガラス状であったのが、図５の様に光の散乱がかなり低減し、コーティング後は図５のごとく通常のガラスの様になった。この材料は以後もゆっくりと硬化が進み絶縁コーティング層１８が形成された。【００７６】
以上のように構成されるセルをモジュ−ル化するために、ＥＶＡシート８とフッ素系フィルムからなる保護フィルム９を真空ラミネータを用いて被覆して封止し（封止工程）、端子箱を取り付けた（端子箱取り付け工程）。実験サンプルのため、この工程を経た後の状態でサンプルの評価を実施した。【００７７】
このようにして得た太陽電池モジュ−ルについて、１００ｍＷ／ｃｍ２のＡＭ１．５ソーラーシミュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１２４０ｍＡ、開放電圧４４．２Ｖ、曲線因子０．６８、最大出力３７．３Ｗであった。【００７８】
次に、取り出し端子のプラスマイナス両極を電気的に短絡させ、端子とフレーム間に直流電圧１００Ｖを、セル部の電位が負になる様に印加し、５０℃の温湯に太陽電池モジュール浸漬させて経過を観察した。【００７９】
６０日後および１５０日後に観察したが、外観、特性とも変化が無かった。【００８０】
（実施例２）
絶縁コーティング材として、ホウ珪酸ガラスの溶液（比較的、親水性の材料である）を
用いた他は、実施例１と同じ構成である。本実施例のコーティングは、特許第３６４８１
０４号に記載の方法（製品名：ウォーターコート、製造元：エヌエム）を用いた。具体的
には特殊セラミック焼結体中に高圧水を通し、周縁露出部を当該高圧水で洗浄することで
コーティングを行った。６０日後観察したが、実施例と同様に外観、特性とも変化が無か
った。なお、１００日後観察したところ、電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起
因すると思われる変色が見られた。【００８１】
（比較例１）
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例１と同じ構成である。４３日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。
（実施例３）
図１は、本発明の一実施例に係る薄膜太陽電池モジュールを示す断面図である。図１に示す太陽電池モジュールは、次のように製造される。まず、面積９８ｃｍ×９５ｃｍ、厚さ５ｍｍの低鉄分ソーダライムガラスからなる透光性ガラス基板１上に、熱ＣＶＤ法により酸化ケイ素（ＳｉＯ２）のバリア層（厚さ１０００Å）、酸化錫層（厚さ８０００Å）２を形成した。複数のセルを集積化するため、この酸化錫膜２をレーザスクライブでパターニングし、透明電極とした。なお、参照符号３は、透明電極スクライブ線を示す。なお、基板の周囲から５ｍｍの位置に、全周にわたり周辺部（周縁部）と太陽電池活性部を電気的に分離するために、図２に示すように、ストリング分離用の加工部１２の他に、レーザスクライブによるパターニングを施した。参照符号１３は、それによって形成されたレーザ絶縁分離線を示す。
パターニング方法としては、基板１をＸＹテーブル上にセットし、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いて、分離加工を行った。レーザの運転条件は、第２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍｗ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。分離幅は５０μｍ、ストリング（個別太陽電池）の幅は約１０ｍｍである。【００８２】
また、半田メッキ銅箔を用いて電極取り出し用の配線を形成するための領域１３を、両端にあるストリング１１ａ，１１ｂの外側に、３．５ｍｍの幅で残した。
このようにしてパターニングされた酸化錫膜２の上に、分離形成型装置のプラズマＣＶＤ室内において、ａ−Ｓｉ層４をプラズマＣＶＤ法により形成した。即ち、２００℃で、ｐ型ａ−ＳｉＣ：Ｈ半導体層、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層、およびｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ半導体層を順次堆積して、ＰＩＮ接合を構成する積層ａ−Ｓｉ層４を形成した。各層を形成するためには、流量がそれぞれ１００ｓｃｃｍ、５００ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍのシラン（ＳｉＨ４）を用い、ｐ型半導体層とｎ型半導体層を形成する場合にはそれぞれ１０００ｐｐｍに水素希釈したＢ２Ｈ６とＰＨ３を２０００ｓｃｃｍ混入させた。【００８３】
また、ｐ型半導体層の形成には、３０ｓｃｃｍのＣＨ４も混入させることにより、炭素合金化を行った。各層を形成するための投入パワーは、それぞれ２００Ｗ、５００Ｗ、３ｋＷであり、反応圧力はそれぞれ１ｔｏｒｒ、０．５ｔｏｒｒ、１ｔｏｒｒであった。形成した層の膜厚は、製膜時間からそれぞれ１５０Å、３２００Å、３００Åと推定される。【００８４】
このようにして光半導体各層の製膜を行った後、基板１をＸ−Ｙテーブル上にセットして、ＱスイッチＹＡＧレーザーを用いて、ａ−Ｓｉ層４を、ＳｎＯ2層２のパターニング位置から１００μｍづつ左にずらしてパターニングを行った。レーザの運転条件は、第２高調波５３２ｎｍを用い、パルス幅３ｋＨｚ、平均出力５００ｍＷ、パルス幅１０ｎｓｅｃであった。なお、焦点位置をずらすこととで、分離幅を１００μｍにした。参照符号５は、半導体スクライブ線を示す。【００８５】
その後、マグネトロンスパッタ法により、ＲＦ放電で酸化亜鉛（ＺｎＯ）ターゲットを用いて、パターニングされたａ−Ｓｉ層４上に、１０００Åの膜厚のＺｎＯ層（図示せず）を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗ、製膜温度２００℃であった。【００８６】
次に、ＺｎＯ層上に、同じマグネトロンスパッタ装置のＡｇターゲットを用いることにより、直流放電および室温で、２０００Åの膜厚の金属層（裏面電極層）６を形成した。スパッタ条件は、アルゴンガス圧力２ｍｔｏｒｒ、放電パワー２００Ｗであった。【００８７】
最後に、マグネトロンスパッタ装置から基板１を取り出して、Ｘ−Ｙテ−ブル上にセットして、ＱスイッチＹＡＧレーザを用いてＡｇ層およびａ−Ｓｉ層４をパターニングして、半導体スクライブ線５から１００μｍ離れた位置に裏面電極スクライブ線７を形成した。レーザの運転条件は、ａ−Ｓｉ層４の加工条件と全く同じであった。分離幅は７０μｍ、ストリング幅は約１０ｍｍである。【００８８】
また、酸化錫膜２のときと同様に、基板の周囲から９ｍｍの位置に全周にわたり周辺部（周縁部）と太陽電池活性部を電気的に分離するために、ストリング分離用の加工部の他にレーザによるパターニングを施した。分割幅は１５０μｍで酸化錫膜２の分離部１３を包括するように加工した。【００８９】
次に、研磨剤付きナイロンブラシからなるホイールを用い、前記パターニングラインの外側２ｍｍの部分を全周にわたり、ホイールを回転させその縁面をガラス基板に接触させることによる方法で、研磨幅７ｍｍで研磨を行った。即ち、金属電極層６、酸化亜鉛（ＺｎＯ）層、ａ−Ｓｉ層４および酸化錫膜２の膜厚全体を除去するとともに、ガラス基板１の表面部分を除去して周縁露出部１５を形成した。形成された周縁露出部を顕微鏡で観察したところ、ホイールの回転方向に筋状の模様が見られ、詳細観察の結果、それが物理的な凹凸であり、その高低差は大きいもので２０〜５０μｍであった。【００９０】
その後、前述した配線用の位置１４に特殊半田１７にて半田メッキ銅箔からなるバスバー電極１６を半田付けして、電極取り出しのための配線を行った。この電極１６はストリングに平行となっている。【００９１】
ここで、周縁露出部１５に絶縁コーティング剤であるポリシラザン溶液（比較的、疎水性の材料である）をスプレー塗布した。本実施例にて選択したのは、パーヒドロポリシラザンのジブチルエーテル２０％希釈品でパラジウム系の硬化触媒を含むもの（製品名：アクアミカ、型番：ＮＬ１２０Ａ、製造元：クラリアント社）である。室温にて１時間放置し養生したのち、乾燥オーブンにて１５０℃３時間乾燥した。表面を観察したところ、磨りガラス状であったのが光の散乱がかなり低減し、通常のガラスの様になった。顕微鏡および段差計により表面の凹凸を調べたところ、５μｍ以下の比較的平滑な表面が得られた。この材料は以後もゆっくりと硬化が進み絶縁コーティング層１８が形成された。【００９２】
以上のように構成されるセルをモジュ−ル化するために、ＥＶＡシート８とフッ素系フィルムからなる保護フィルム９を真空ラミネータを用いて被覆して封止し、端子箱を取り付けた。実験サンプルのためこの工程の状態でサンプルの評価を実施した。【００９３】
このようにして得た太陽電池モジュ−ルについて、１００ｍＷ／ｃｍ２のＡＭ１．５ソーラーシミュレーターを用いて、電流電圧特性を測定した。その結果、測定された太陽電池の特性は、短絡電流１．２２Ａ、開放電圧９５．６Ｖ、曲線因子０．６７、最大出力７８．６Ｗであった。【００９４】
次に、取り出し端子のプラスマイナス両極を電気的に短絡させ、端子とフレーム間に直流電圧１００Ｖを、セル部の電位が負になる様に印加し、５０℃の温湯に太陽電池モジュール浸漬させて経過を観察した。【００９５】
１００日後観察したが、外観、特性とも変化が無かった。【００９６】
（実施例４）
周辺部（周縁部）の研磨方法として、ホイール研磨の代わりにサンドブラスト研磨を行った。すなわち、サンドブラスト装置にて、平均粒度６０μｍのホワイトアルミナを噴射することで周縁露出部を形成した。形成された周縁露出部を顕微鏡で観察した結果、全体的に凹凸が見られ、その高低差は約２０μｍであった。その後は実施例３と同様の方法で太陽電池モジュールを得た。【００９７】
得られた太陽電池モジュールを実施例３と同様に試験した結果、１００日後の観察においても外観、特性とも変化がなかった。【００９８】
（比較例２）
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例３と同じ構成である。３０日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。【００９９】
（比較例３）
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例４と同じ構成である。４３日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。【０１００】
以上のように、薄膜をはじめとする太陽電池モジュールにおいて、透光性ガラス基板上に設けた透明電極層や光半導体層、および金属層（裏面金属層）を除去することにより発生する周縁露出部に対し、前記各層を除去したことにより発生する著しい凹凸が発生した場合でも、その表面に絶縁コーティング剤を設け、コーティング表面の凹凸を減少させることによって、太陽電池の電気化学的腐食に関する耐久性と信頼性を大幅に向上させることが可能となる。これは、絶縁コーティングをしない場合は前回ガラス表面と封止充填材との間に空隙が発生し、この空隙が水分等の浸入を容易にすることを可能とし、太陽電池の電気化学的腐食に対する耐久性を低下させたものと考えている。前記空隙の発生する理由としては、第一に、封止充填材をガラス基板上に設ける際に、通常溶融して設ける封止充填材の粘度が十分低くないために、ガラス基板の凹凸に追随できなくなること、第二に、ガラス基板と封止充填材の線膨張係数の際に生じる応力が特定の部分に集中しやすくなること、そして第三に、封止充填材の経時的な物性変化等により封止充填材に対する応力が特定の部分に集中しやすくなる可能性が高いこと、などが挙げられる。
【図１】
2009051122.tif 000003
【図２】
2009051122.tif 000004
【図３】
2009051122.tif 000005
【図４】
2009051122.tif 000006
【図５】
2009051122.tif 000007
【図６】
2009051122.tif 000008
【図７】
2009051122.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月17日(2010.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の、前記絶縁コーティング材は液状ポリシラザン系コーティング材の硬化物である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【図１】本発明の薄膜太陽電池モジュールの端の部分の断面図
【図２】本発明の薄膜太陽電池モジュールの基板を上面からみた俯瞰図
【図３】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の模式図
【図４】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング前の顕微鏡写真
【図５】本発明の薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング後の顕微鏡写真
【図６】本発明の実施例２における薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の顕微鏡写真
【図７】本発明の比較例２における薄膜太陽電池モジュールの周縁露出部の絶縁コーティング後の状態の顕微鏡写真
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
これらの層は、レーザスクライブ等の方法により加工され、周知の構造で、集積化される。上記、透明電極層、光半導体層、金属層、集積化された太陽電池セル群の両端には電極取り出し用の配線を形成するための領域があり、好ましくは、半田メッキ銅箔が特殊半田にて接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
また、半田メッキ銅箔を用いて電極取り出し用の配線を形成するための領域14を、両端にあるストリング11a,11bの外側に、3.5mmの幅で残した。 
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
(参考例１)
絶縁コーティング材として、ホウ珪酸ガラスの溶液(比較的、親水性の材料である)を用いた他は、実施例1と同じ構成である。本実施例のコーティングは、特許第3648104号に記載の方法(製品名:ウォーターコート、製造元:エヌエム)を用いた。具体的には特殊セラミック焼結体中に高圧水を通し、周縁露出部を当該高圧水で洗浄することでコーティングを行った。60日後観察したが、実施例と同様に外観、特性とも変化が無かった。なお、100日後観察したところ、電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
(比較例1)
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例1と同じ構成である。43日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。
(実施例２)
図1は、本発明の一実施例に係る薄膜太陽電池モジュールを示す断面図である。図1に示す太陽電池モジュールは、次のように製造される。まず、面積98cm×95cm、厚さ5mmの低鉄分ソーダライムガラスからなる透光性ガラス基板1上に、熱CVD法により酸化ケイ素(SiO2)のバリア層(厚さ1000Å)、酸化錫層(厚さ8000Å)2を形成した。複数のセルを集積化するため、この酸化錫膜2をレーザスクライブでパターニングし、透明電極とした。なお、参照符号3は、透明電極スクライブ線を示す。なお、基板の周囲から5mmの位置に、全周にわたり周辺部(周縁部)と太陽電池活性部を電気的に分離するために、図2に示すように、ストリング分離用の加工部12の他に、レーザスクライブによるパターニングを施した。参照符号13は、それによって形成されたレーザ絶縁分離線を示す。
パターニング方法としては、基板1をXYテーブル上にセットし、QスイッチYAGレーザを用いて、分離加工を行った。レーザの運転条件は、第2高調波532nmを用い、パルス幅3kHz、平均出力500mw、パルス幅10nsecであった。分離幅は50μm、ストリング(個別太陽電池)の幅は約10mmである。 
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
(実施例３)
周辺部(周縁部)の研磨方法として、ホイール研磨の代わりにサンドブラスト研磨を行った。すなわち、サンドブラスト装置にて、平均粒度60μmのホワイトアルミナを噴射することで周縁露出部を形成した。形成された周縁露出部を顕微鏡で観察した結果、全体的に凹凸が見られ、その高低差は約20μmであった。その後は実施例２と同様の方法で太陽電池モジュールを得た。 
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
得られた太陽電池モジュールを実施例２と同様に試験した結果、100日後の観察においても外観、特性とも変化がなかった。 
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
(比較例2)
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例２と同じ構成である。30日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。 
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
(比較例3)
絶縁コーティングをしなかった他は、実施例３と同じ構成である。43日後に電極の端の部分に僅かな電気化学的な腐食に起因すると思われる変色が見られた。 
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性ガラス基板の一主面上に形成された透明電極層、光半導体層および金属層の少なくとも一部を複数のセルに分離し相互に電気的に集積化してなる薄膜太陽電池モジュールであって、
前記透光性ガラス基板の周端部における前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層が前記周端部から前記主面周縁に沿って0.5mm以上にわたって機械的にまたは光ビームにより除去されてなる前記透光性ガラス基板のガラスが露出した周縁露出部を備え、
少なくともこの周縁露出部に液状ポリシラザン系コーティング材の硬化物とその上に封止充填剤を備える、薄膜太陽電池モジュール。
【請求項２】
ガラスが露出した前記周縁露出部の表面の凹凸の高低差が10μm以上であって、かつ、前記周縁露出部に絶縁コーティング材が設けられてなるコーティング部の表面の凹凸の高低差が10μm未満である、請求項1に記載の薄膜太陽電池モジュール。 
【請求項３】
前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の機械的な除去が、表面研磨法もしくはサンドブラスト法により行われてなる、請求項1または2に記載の薄膜太陽電池モジュール。 
【請求項４】
前記透明電極層、前記光半導体層および前記金属層の光ビームによる除去が、レーザビームにて行われてなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池モジュール。 
【請求項５】
前記光半導体層がシリコンを主成分とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜太陽電池モジュール。
【国際調査報告】
2009051122.tif 000010
2009051122.tif 000011
2009051122.tif 000012
2009051122.tif 000013