(57)【要約】  電子デバイスまたは電子デバイスを形成する方法が、低いＬバックグラウンドを達成するように構成された第１の電極を有することができ、または黒色層を有することができる。電子デバイスは、ユーザ表面を含む基板を有することができる。また、電子デバイスは、第１の層、第２の層、および第３の層を含む第１の電極を有することができる。第２の層は第１および第３の層の間にあってもよく、第１の電極は、低いＬバックグラウンドを達成するように構成されてもよい。電子デバイスは、第１の電極と比べてユーザ表面からさらに離れている第２の電極をさらに有することができる。別の実施形態において、第１の電極が、第１の層および第２の層を有することができる。第２の層は電極の仕事関数を決定することができ、第２の層は黒色層であってもよい。電子デバイスを形成するために複数の方法を用いることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ表面を含む基板と、
第１の層、第２の層、および第３の層を含む第１の電極であって、
前記第２の層が前記第１および第３の層の間にあり、
前記第１の電極が、低いＬバックグラウンドを達成するように構成される、第１の電極と、
前記第１の電極と比べて前記ユーザ表面からさらに離れている第２の電極と
を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第２の層がＣｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記第２の層が導電性金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記第１の電極が、前記第２の層の酸化物を実質的に含まないことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記第１の層および前記第３の層の各々が透明な導電性層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１の電極がアノードとして作用し、
前記第２の電極がカソードとして作用することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記第１および第２の電極の間にある有機活性層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項８】
ユーザ表面を含む基板と、
第１の層および第２の層を含む第１の電極であって、
前記第２の層が電極の仕事関数を決定し、
前記第２の層が黒色層である、第１の電極と、
前記第１の電極と比べて前記ユーザ表面からさらに離れている第２の電極とを含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
前記第２の層がＣｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記第２の層が導電性金属酸化物を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記第１の電極が前記第２の層の酸化物を実質的に含まないことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
有機層をさらに含み、
前記有機層が前記第１の電極と接触し、
前記有機層が有機活性層を含むことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記第２の層が１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記第１の電極がアノードとして作用し、
前記第２の電極がカソードとして作用することを特徴とする請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
低いＬバックグラウンドを有する第１の電極を基板の上に形成する工程であって、
第１の層を形成する工程と、
前記第１の層の上に第２の層を形成する工程と、
前記第２の層の上に第３の層を形成する工程とを含む工程と、
前記第１の電極を形成した後に第２の電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする、電子デバイスを形成する方法。
【請求項１６】
前記第２の層がＣｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板を酸素含有材料に暴露する工程をさらに含み、前記第２の層の一部が反応して導電性金属酸化物を形成することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の層を酸素含有材料に暴露する工程をさらに含み、前記第２の層の有意な部分が反応して酸化物を形成することがないことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の層および前記第３の層の各々が透明な導電性層を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の電極を形成した後および前記第２の電極を形成する前に有機活性層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般に、電子デバイスに関し、より詳しくは、低いバックグラウンドルミネセンス、黒色層、またはその任意の組合せを有する電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスは、液晶ディスプレイ（「ＬＣＤ」）、有機発光ダイオード（「ＯＬＥＤ」）ディスプレイ等を含むことができる。ＬＣＤおよびＯＬＥＤディスプレイは、フラットパネルディスプレイの適用のために有望な技術である。反射された周囲放射線は、ディスプレイのユーザにとって問題であることがある。ディスプレイ内で電極のために使用される１つまたは複数の材料は、その厚さが２０ナノメートルを超える場合、鏡のような反射率を有することがある。高い反射率は、照明環境において、特に屋外で使用されるとき、デバイスの不十分な可読性または低いコントラストをもたらすことがある。
【０００３】
反射問題を解決するために、円偏光子をＯＬＥＤディスプレイパネルの前に置く。しかしながら、円偏光子は、ＯＬＥＤからの放射された光の約６０％を阻止することがあり、モジュール厚さおよびコストをかなり増加させることがある。偏光子は典型的に、基板が偏光子とＯＬＥＤとの間にあるように配置される。
【０００４】
ディスプレイのコントラストを改良する別の試みには、エレクトロルミネセントディスプレイのピクセル間での光吸収材料の使用が挙げられる。電極は、このような光吸収材料の間の位置にあってもよい。従って、１つまたは複数の電極からの反射は、電極が、ピクセルのサイズと同じかまたはより大きい部分を含みうるので、依然として問題でありうる。
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／００５２１１９号明細書
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
電子デバイスまたは電子デバイスを形成する方法は、低いＬバックグラウンドを達成するように構成された第１の電極を有するかまたは黒色層を有することができる。第１の態様において、電子デバイスは、ユーザ表面を含む基板を有することができる。また、電子デバイスは、第１の層、第２の層、および第３の層を含む第１の電極を有することができる。第２の層は、第１および第３の層の間にあってもよく、第１の電極は、低いＬバックグラウンドを達成するように構成されてもよい。電子デバイスは、第１の電極と比べてユーザ表面からさらに離れている第２の電極をさらに有することができる。
【０００７】
第２の態様において、電子デバイスは、ユーザ表面を含む基板を有することができる。また、電子デバイスは、第１の層および第２の層を含む第１の電極を有することができる。第２の層が電極の仕事関数を決定することができ、第２の層が黒色層でありうる。また、電子デバイスは、第１の電極と比べてユーザ表面からさらに離れている第２の電極を有することができる。
【０００８】
第３の態様において、電子デバイスを形成する方法は、低いＬバックグラウンドを有する第１の電極を基板の上に形成する工程を含むことができる。第１の電極を形成する工程は、第１の層を形成する工程と、第１の層の上に第２の層を形成する工程と、第２の層の上に第３の層を形成する工程とを含む工程とを有することができる。また、本方法は、第１の電極を形成した後に第２の電極を形成する工程を含むことができる。
【０００９】
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は例示および説明に役立てるためのものであるにすぎず、添付された特許請求の範囲において定義されるように、本発明を限定するものではない。
【００１０】
ここに示されたコンセプトの理解を助けるために実施形態は添付の図に示される。
【００１１】
図面中の要素は、簡潔にかつ明確にするために例示されたものであり、必ずしも縮尺通りに描かれたものではないことは、当業者には明らかである。例えば、図中の要素のいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解を深める一助となるように、他の要素に対して誇張されている場合もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
電子デバイス、または電子デバイスを形成する方法は、低いＬバックグラウンドを達成するように構成された第１の電極を有することができ、または黒色層を有することができる。第１の態様において、電子デバイスがユーザ表面を含む基板を有することができる。また、電子デバイスは、第１の層、第２の層、および第３の層を含む第１の電極を有することができる。第２の層が第１および第３の層の間にあってもよく、第１の電極は、低いＬバックグラウンドを達成するように構成されてもよい。電子デバイスは、第１の電極と比べてユーザ表面からさらに離れている第２の電極をさらに有することができる。
【００１３】
第１の態様の１つの実施形態において、第２の層が、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことができる。別の実施形態において、第２の層が導電性金属酸化物を含むことができる。さらに別の実施形態において、第１の電極が第２の層の酸化物を実質的に含まなくてもよい。さらなる実施形態において、第１の層および第３の層の各々が透明な導電性層を含むことができる。さらに別の実施形態において、第１の電極がアノードとして作用することができ、第２の電極がカソードとして作用することができる。さらに別の実施形態において、電子デバイスが、第１および第２の電極の間にある有機活性層をさらに含むことができる。
【００１４】
第２の態様において、電子デバイスが、ユーザ表面を含む基板を有することができる。また、電子デバイスが、第１の層および第２の層を含む第１の電極を有することができる。第２の層が電極の仕事関数を決定することができ、第２の層が黒色層であってもよい。また、電子デバイスが、第１の電極と比べてユーザ表面からさらに離れている第２の電極を有することができる。
【００１５】
第２の態様の１つの実施形態において、第２の層が、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことができる。別の実施形態において、第２の層が導電性金属酸化物を含むことができる。さらに別の実施形態において、第１の電極が第２の層の酸化物を実質的に含まなくてもよい。さらなる実施形態において、電子デバイスが有機層をさらに含むことができ、有機層が第１の電極と接触し、有機層が有機活性層を含む。さらに別の実施形態において、第２の層が１０ｎｍ以下の厚さを有する。さらに別の実施形態において、第１の電極がアノードとして作用し、第２の電極がカソードとして作用する。
【００１６】
第３の態様において、電子デバイスを形成する方法が、低いＬバックグラウンドを有する第１の電極を基板の上に形成する工程を含むことができる。第１の電極を形成する工程が、第１の層を形成する工程と、第１の層の上に第２の層を形成する工程と、第２の層の上に第３の層を形成する工程とを含む工程とを有することができる。また、本方法は、第１の電極を形成した後に第２の電極を形成する工程を含むことができる。
【００１７】
第３の態様の１つの実施形態において、第２の層が、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、またはそれらの任意の組合せなどの材料を含むことができる。別の実施形態において、本方法は、基板を酸素含有材料に暴露する工程をさらに含むことができ、そこで第２の層の一部が反応して導電性金属酸化物を形成する。さらに別の実施形態において、本方法は、第２の層を酸素含有材料に暴露する工程をさらに含むことができ、そこで第２の層の有意な部分が反応して酸化物を形成することがない。さらなる実施形態において第１の層および第３の層の各々が透明な導電性層を含む。さらに別の実施形態において、本方法は、第１の電極を形成した後および第２の電極を形成する前に有機活性層を形成する工程をさらに含むことができる。
【００１８】
多くの態様および実施形態が上に記載されているが、例示目的にすぎず、限定されるものではない。本明細書を読むと、当業者は、他の態様および実施形態が本発明の範囲から逸脱せずに可能であることを理解する。
【００１９】
いずれかの１つまたは複数の実施形態の他の特徴および利点が、以下の詳細な説明から、および特許請求の範囲から明らかである。詳細な説明は最初に、用語の定義および説明を記載し、その後、電子デバイスの製造、電子デバイスの動作、利点、最後に実施例を記載する。
【００２０】
（１．用語の定義および説明）
後述の実施形態の詳細を扱う前に、いくつかの用語が定義または明らかにされる。以下に記載された実施形態の詳細を説明する前に、いくつかの用語が定義され、説明される。用語「周囲放射線」は、電子デバイスのユーザ側に入射する放射線を意味することが意図される。周囲放射線が、かかる放射線は電子デバイスから生じる場合があるが、電子デバイスの外側の放射線源から生じる場合があり、または人間、壁、または電子デバイスの外側の他の物体によって反射された放射線である場合がある。
【００２１】
用語「アレイ」、「周辺回路」、及び「遠隔回路」は、電子デバイスの異なる領域又は異なる構成要素を意味する目的で用いられる。例えば、アレイが、（通常が、行と列とで表される）規則的な配列に、ピクセル、セル、あるいはその他の構造物を含んでもよい。アレイ内のピクセル、セル、あるいはその他の構造物が、周辺回路によって制御されてもよく、この周辺回路が、アレイと同じ基板上にあるが、アレイ自体の外部にあってもよい。遠隔回路が、通常は周辺回路からは離れており、（通常は周辺回路を介して）アレイに信号を送信またはアレイから信号を受信できる。また、遠隔回路が、アレイに無関係な機能を果たしてもよい。遠隔回路が、アレイを有する基板上に存在するかまたは存在しなくてもよい。
【００２２】
用語「黒色層」は、電子デバイス上に入射する、目標波長または波長のスペクトルの周囲放射線の約１０％以下が電子デバイスの外側に反射されることを可能にする、単独のまたは１つまたは複数の他の層との組合せの層を意味することが意図される。
【００２３】
金属酸化物、金属窒化物、または金属オキシ窒化物に対して用語「導電性」は、酸素、窒素、またはそれらの組合せをも含む金属含有材料を意味することが意図され、そこでこのような金属含有材料が、酸素および窒素が存在しないときのこのような金属含有材料の体積抵抗率よりも２桁以下、大きい体積抵抗率を有する。例えば、ＲｕＯ２が、Ｒｕの体積抵抗率よりも２桁以下、大きい体積抵抗率を有する導電性金属酸化物である。
【００２４】
電子構成要素、回路、またはそれらの一部に対して、用語「電気接続された」またはそのいずれかの変種は、２つ以上の電子構成要素、回路、または少なくとも１つの電子構成要素と少なくとも１つの回路との任意の組合せが、それらの間にあるどんな介在電子構成要素をも有さないことを意味することが意図される。寄生抵抗、寄生容量、または両方がこの定義のために電子構成要素であると考えられない。１つの実施形態において、電子構成要素は、それらが互いに電気的に短絡して実質的に同じ電圧であるときに電気接続される。電気接続は、光信号を伝送することを可能にする１つまたは複数の接続部を含むことに留意すべきである。例えば、電子構成要素は、このような電子構成要素の間で光信号を伝送することを可能にする光ファイバーラインを用いて一緒に電気接続されうる。
【００２５】
用語「電気的に結合された」またはそのいずれかの変種は、信号（例えば、電流、電圧、または光信号）が一方から他方に搬送されるように２つ以上の電子構成要素、回路、システム、または（１）少なくとも１つの電子構成要素、（２）少なくとも１つの回路、または（３）少なくとも１つのシステムの任意の組合せの電気接続、連結、または結合を意味することが意図される。「電気的に結合された」の非限定的な例としては、電子構成要素、回路の間の直接電気接続もしくはそれらの間に電気接続されたスイッチ（例えば、トランジスタ）を有する電子構成要素または回路が挙げられる。
【００２６】
用語「電極」は、電子構成要素内でキャリアを移動させるように構成された部材、構造物、またはそれらの組合せを意味することが意図される。例えば、電極が、アノード、カソード、コンデンサ電極、ゲート電極等であってもよい。電極が、トランジスタ、コンデンサ、抵抗体、インダクタ、ダイオード、電子構成要素、電源の一部、またはそれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００２７】
用語「電子構成要素」は、電気または電気放射（例えば、電気光学的）機能を果たす回路の最低レベルの単位を意味することが意図される。電子構成要素は、トランジスタ、ダイオード、抵抗体、コンデンサ、インダクタ、半導体レーザー、光スイッチ等を含んでもよい。電子構成要素は、寄生抵抗（例えば、ワイヤの抵抗）または寄生容量（例えば、異なった電子構成要素に電気接続された２つの導体の間の容量結合であり、そこで導体の間のコンデンサは故意でないかまたは偶発的である）を有さない。
【００２８】
用語「電子デバイス」は、適切に電気的に接続され、適切な電位を供給されたとき、集団的にある機能を行う一まとまりの回路、電子構成要素、またはこれらの組合せを意味するものとする。電子デバイスが、システムの構成要素を含み、またはシステムの構成要素になることが可能である。電子デバイスの例としては、ディスプレイ、センサアレイ、コンピュータシステム、アビオニクスシステム、自動車、携帯電話、他の一般消費者用および工業用電子製品が挙げられる。
【００２９】
層または材料に言及するとき、用語「高い仕事関数」は、約４．４ｅＶより大きい仕事関数を有する層または材料を意味することが意図される。
【００３０】
用語「入射放射線」は、層、部材、または構造物の表面において、このような放射線の強度、位相角、または両方を含めた放射線を意味することが意図される。
【００３１】
用語「低いＬバックグラウンド」は、（本明細書に後に記載された）周囲コントラスト比（Ａｍｂｉｅｎｔ  Ｃｏｎｔｒａｓｔ  Ｒａｔｉｏ）試験を用いて、電子デバイス上に入射する周辺光の約３０％以下がデバイスから反射されることを意味することが意図される。
【００３２】
層または材料に言及するとき、用語「低い仕事関数」は、約４．４ｅＶ以下の仕事関数を有する層または材料を意味することが意図される。
【００３３】
用語「有機活性層」は、１つもしくは複数の有機層を意味するものとし、この場合、有機層の少なくとも一部が、単独でまたは異種材料と接触したとき、整流化接合部を形成できるものである。
【００３４】
用語「有機層」は、層の少なくとも１つが炭素および少なくとも１つの他の元素、例えば水素、酸素、窒素、フッ素等を含む材料を含む、１つまたは複数の層を意味することが意図される。
【００３５】
用語「屋外」は、日光の強度またはその欠如によって周辺光がかなり変化する場所を意味することが意図される。屋外はまた、建築物の外部の他に、ドーム形スタジアム内の周辺光レベルは天候、時刻、または両方によってかなり変化するので、ドーム内に透明なまたは半透明なパネルを有するドーム形スタジアムの内部を含めてもよいことに留意すべきである。
【００３６】
用語「放射線放射構成要素」は、適切にバイアスをかけられるとき、目標波長または波長のスペクトルの放射線を放射する電子構成要素を意味することが意図される。放射線が、可視光スペクトル内または可視光スペクトルの外側（ＵＶまたはＩＲ）であってもよい。発光ダイオードが、放射線放射構成要素の例である。
【００３７】
用語「放射線応答構成要素」は、適切にバイアスをかけられるとき、目標波長または波長のスペクトルの放射線に応答することができる電子構成要素を意味することが意図される。放射線が、可視光スペクトル内または可視光スペクトルの外側（ＵＶまたはＩＲ）であってもよい。ＩＲセンサおよび光電池が、放射線検出構成要素の例である。
【００３８】
用語「整流化接合部」は、半導体層内の接合部、または、半導体層と異種材料との間の界面によって形成される接合部を意味するものとし、この場合、一方のタイプの電荷キャリアが、反対方向と比較して、一方向へ接合部を通じてより容易に流れるものである。ｐｎ接合が、ダイオードとして使用できる整流化接合部の一例である。
【００３９】
用語「基材」は、硬質または可撓性のどちらであってもよく、ガラス、ポリマー、金属、またはセラミック材料、またはそれらの組合せなどが挙げられるがそれらに限定されない１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含んでもよい加工物を意味することが意図される。
【００４０】
層、材料、または構造物に言及するとき、用語「透明な」は、このような層、材料、または構造物が、目標波長または波長のスペクトルの放射線の少なくとも７０％をこのような層、材料、または構造物を通して透過させることができることを意味することが意図される。
【００４１】
用語「ユーザ表面」は、電子デバイスの通常動作中に主に使用される電子デバイスの表面を意味することが意図される。ディスプレイの場合、ユーザから見た電子デバイスの表面が、ユーザ表面である。センサまたは光電池の場合、ユーザ表面が、検出されるかまたは電気的エネルギーに変換される放射線を主に伝送する表面である。電子デバイスは１つより多いユーザ表面を有してもよいことに留意すべきである。
【００４２】
用語「可視光線スペクトル」は、４００〜７００ｎｍに相当する波長を有する放射線スペクトルを意味することが意図される。
【００４３】
本明細書中で用いられるとき、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含める（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、「含める（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する（ｈａｓ）」、「有する（ｈａｖｉｎｇ）」またはそれらの他のいずれかの変型が、非限定的な包含を扱うものとする。例えば、一連の特徴を含む方法（ｐｒｏｃｅｓｓ、ｍｅｔｈｏｄ）、物品、または装置はそれらの特徴だけに必ずしも制限されず、特に記載されていないかまたはかかる方法（ｐｒｏｃｅｓｓ、ｍｅｔｈｏｄ）、物品、または装置に固有の他の特徴を含めてもよい。さらに、特に相反する記載がない限り、「または（ｏｒ）」は包括的な「または」を指し、限定的な「または」を指さない。例えば、条件ＡまたはＢが、以下のいずれか１つによって満たされる。Ａが真であり（または存在する）かつＢが偽である（または存在しない）、Ａが偽であり（または存在しない）かつＢが真である（または存在する）、ＡおよびＢの両方が真である（か、または存在する）。
【００４４】
また、単数形（「ａ」または「ａｎ」）の使用が、ここに記載された要素および構成要素を記載するために使用される。これが、単に便宜上のために、および本発明の範囲の一般的な意味を提供するために使用される。この説明が、１つまたは少なくとも１つを含めるように読まれるべきであり、また、他の意味であることが明白でない限り、単数は複数を含める。
【００４５】
元素の周期表の縦列に相当する族番号が、ＣＲＣ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、第８１版（２０００〜２００１年）に見られるように「新表記法（Ｎｅｗ  Ｎｏｔａｔｉｏｎ）」規約を使用する。
【００４６】
特に記載しない限り、本明細書中で用いられるすべての技術用語および科学用語が、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解される同じ意味を有する。本明細書に記載された方法および材料と同様なまたは等価な方法および材料を本発明の実施形態の実施または試験において用いることができるが、適した方法および材料は以下に記載される。本明細書に記載されたすべての出版物、特許出願、特許、および他の文献が、特定の節が引用されるのでなければ、それらの全体において参照によって援用するものとする。対立する場合、定義を含めて本明細書が統括する。さらに、材料、方法、および実施例は例示にすぎず、限定的であることを意図しない。
【００４７】
ここに記載されていない範囲まで、特定の材料、処理動作、および回路に関する多くの詳細は従来のものであり、有機発光ダイオードディスプレイ、光検出器、光電池、および半導体部材技術のテキストおよびその他の情報源に見出すことができる。反射、コントラスト比に関するコンセプト、およびその他の同様な原理が、２００３年９月８日に出願されたユー（Ｙｕ）ら（以下、ユー（Ｙｕ））による「低いバックグラウンド輝度を有する有機電子デバイス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｌｏｗ  Ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ  Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ）」と題された米国特許公開公報（特許文献１）に、より詳細に記載されている。
【００４８】
（２．電子デバイスの製造）
本明細書に記載されたコンセプトが、低いＬバックグラウンドを達成するように構成されている電極のための層の組成物および厚さを決定するために使用できる。１つの実施形態において、電極内のいずれかの１つまたは複数の層の厚さを調節して、低いＬバックグラウンドを達成することができる。
【００４９】
図１は、基板２０の上に第１の電極２６を形成した後の部分的に完成された電子デバイスの一部の断面の図を示す。基板２０は硬質または可撓性のどちらであってもよく、ガラス、ポリマー、金属またはセラミック材料またはそれらの組合せなどがあるがそれらに限定されない、１つまたは複数の材料の１つまたは複数の層を含んでもよい。１つの実施形態において、基板２０は、電子デバイスに対応した目標波長または波長のスペクトルに対して実質的に透明である。例えば、電子デバイスは、可視光線スペクトル内の放射線を放射してもよく、従って、基板２０は、可視光線スペクトル内の放射線に対して透明である。別の例において、電子デバイスは、赤外線放射線に応答してもよく、従って基板２０は赤外線放射線に対して透明である。
【００５０】
基板２０は、ユーザ表面２２および一次表面２４を含む。ユーザ表面２２が、電子デバイスを使用するときにユーザから見た基板２０の表面であってもよい。一次表面２４は、電子デバイスの電子構成要素の少なくとも一部を製造することができる表面であってもよい。図示されないが、制御回路が基板２０内にあってもよく、そこで各制御回路は第１の相応する電極２６に電気接続される。
【００５１】
多数の導電性材料を第１の電極２６のために使用することができる。第１の電極２６内の１つまたは複数の層は、１つまたは複数の元素金属（例えば、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ等）、金属合金（例えば、Ｍｇ−Ａｌ、Ｌｉ−Ａｌ等）、導電性金属酸化物（例えば、ＲｕＯ２、ＩｒＯ２、ＯｓＯｘ、ＲｈＯｘ等）、導電性金属合金酸化物（例えば、ＩｎＳｎＯ、ＡｌＺｎＯ、ＡｌＳｎＯ等）、導電性金属窒化物（例えば、ＷＮ、ＴａＮ、スズ等）、導電性金属合金窒化物（例えば、ＴｉＳｉＮ、ＴａＳｉＮ等）、導電性金属オキシ窒化物、導電性金属合金オキシ窒化物、ドープされた第１４族材料（例えば、Ｃ（例えば、ナノチューブ）Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、またはＳｉＧｅ）、第１３〜１５族半導体材料（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、またはＧａＩｎＡｓ）、第１２〜１６族半導体材料（例えば、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、またはＺｎＳＳｅ）、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。
【００５２】
元素金属は、本質的に単一元素からなり別の金属元素との均質な合金または別の元素との分子化合物ではない層を指す。金属合金の目的のために、ケイ素は金属と考えうる。多くの実施形態において、金属は、元素金属としてでも分子化合物（例えば、金属酸化物、または金属窒化物）の一部としてでも、遷移金属（元素の周期表の第３〜１２族の元素）であってもよい。
【００５３】
特定の実施形態において、第１の電極２６内の層は、その酸化および還元状態において導電性である材料（例えば、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、ＩｎＳｎ、ＡｌＺｎ、ＡｌＳｎ等）を含んでもよい。別の特定の実施形態において、層は、層を形成する間および電子デバイスのいずれかの他の後続の製造中に室温より高い温度（例えば、４０℃以上）において酸素含有材料と接触するときに酸素とあまり反応しない場合がある。酸素含有材料は、層に直接暴露されるかまたは層に拡散する周囲からの酸素、水、またはオゾンを含む場合があり、あるいは異なった隣接した層から生じる場合がある。この特定の実施形態において、層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、他の適した耐酸化性材料、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。
【００５４】
層の材料を選択した後、当業者は、ユー（Ｙｕ）の式を用いて材料の厚さを調整して低いＬバックグラウンドを達成することができることを理解する。計算は単一厚さをもたらすことができるが、典型的に、製造のための理由で許容範囲の厚さの範囲が与えられてもよい。厚さが範囲外にならない限り、適度に許容範囲のＬバックグラウンドが達成されてもよい。
【００５５】
当業者は、それらがＬバックグラウンドを達成することができ、電子デバイスの許容範囲の電気および放射線関連性能を依然として有することができる場合があることを理解する。例えば、第１の電極２６は、抵抗、エレクトロマイグレーション、または他のデバイス性能または信頼度の理由によって決定された最小厚さを有してもよい。最大厚さは、次に形成された層の段差被覆あるいはリソグラフィ制約などのステップ高問題によって限定される場合がある。さらに、第１の電極２６内の層の最小厚さと最大厚さとの間の範囲は、適切なデバイス性能を達成しながらなおかつ低いＬバックグラウンドを生じる複数の厚さを選択できる場合がある。
【００５６】
図１に示された実施形態において、第１の電極２６の各々が、層２６２、２６４、および２６６を含む。層２６６が、次に形成された有機活性層に最も近くにあり、従って、第１の電極２６の仕事関数を決定する。１つの実施形態において、第１の電極２６は、アノードとして作用することができ、層２６６内の材料の仕事関数は４．４ｅＶ以上であってもよい。特定の実施形態において、層２６６は、第１２、第１３および第１４族金属の混合金属酸化物を含むことができる。層２６６の材料の非限定的な特定の例には、インジウムスズ酸化物（「ＩＴＯ」）、ジルコニウムスズ酸化物（「ＺＴＯ」）、アルミニウムスズ酸化物（「ＡＴＯ」）、金、銀、銅、ニッケル、セレン、またはそれらの任意の組合せなどがある。
【００５７】
層２６４は、その酸化および還元状態において導電性である材料（例えば、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｒｈ、ＩｎＳｎ、ＡｌＺｎ、ＡｌＳｎ等）を含んでもよい。別の特定の実施形態において、層は、層を形成する間および電子デバイスのいずれかの他の後続の製造中に室温より高い温度（例えば、４０℃以上）において酸素含有材料と接触するときに酸素とあまり反応しない場合がある。酸素含有材料は、層に直接暴露されるかまたは層に拡散する周囲からの酸素、水、またはオゾンを含む場合があり、あるいは異なった隣接した層から生じる場合がある。この特定の実施形態において、層は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、他の適した耐酸化性材料、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。さらに別の実施形態において、層２６４はＣｒを含むことができる。
【００５８】
層２６２は、第１の電極２６に対して記載された１つまたは複数の材料を含んでもよい。層２６２の組成物は、層２６４および２６６の各々に比べて同一または異なっていてもよい。１つの特定の実施形態において、層２６２および２６６は、実質的に同じ組成物を含んでもよい。層２６４内の１つまたは複数の材料は、基板２０にあまりよく付着しない場合がある。層２６２は、基板２０と層２６４との間の付着層として作用する場合がある。
【００５９】
１つの実施形態において、目標波長または波長のスペクトルの放射線が、第１の電極２６を通して透過される。従って、第１の電極２６内の層の厚さは、目標波長または波長のスペクトルの放射線のかなりの部分が第１の電極２６を通して透過されるように、厚すぎない。また、層２６２、２６４、２６６、またはそれらの任意の組合せの厚さを調節して低いＬバックグラウンドを達成してもよい。従って、２層の代わりに３層を有することによって、厚さを選択してなおかつ低いＬバックグラウンドを達成するときに、より大きな可撓性を得ることができる。特定の実施形態において、目標波長または波長のスペクトルの放射線の第１の電極２６による透過または反射が、低いＬバックグラウンドを達成するために最適化されない場合がある。
【００６０】
１つの実施形態において、第１の電極２６は、約１０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有することができる。特定の実施形態において、層２６４は、１０ｎｍ以下の厚さを有することができ、別の実施形態において、少なくとも２ｎｍの厚さを有することができる。別の特定の実施形態において、層２６４は、６ｎｍ以下の厚さを有してもよく、さらに別の特定の実施形態において、４ｎｍ以下の厚さを有してもよい。層２６４は、同じピクセルの異なったサブピクセル内に同じ厚さまたは異なった厚さを有してもよい。
【００６１】
１つの実施形態において、第１の電極２６は、ステンシルマスクを基板２０の上に置いて従来のまたは所有権のある物理蒸着技術を用いて、図１に示されるような第１の電極２６を蒸着することによって形成される。別の実施形態において、第１の電極２６が、第１の電極２６の層２６２、２６４、および２６６のいずれかの単一層または組合せをブランケット蒸着することによって形成される。次に、マスキング層（示されない）が、第１の電極２６を形成するために残っていなければならない層の一部の上に形成される。従来のまたは所有権のあるエッチング技術を用いて層の露出部分を除去し、第１の電極２６を残す。エッチングの後、マスキング層が、従来のまたは所有権のある技術を用いて除去される。
【００６２】
有機層３０は、図２に示されたように第１の電極２６および基板２０の上に形成される。有機層３０は、１つまたは複数の層を含んでもよい。例えば、有機層は、有機活性層、バッファ層、電子注入層、電子輸送層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、または正孔ブロッキング層、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。１つの実施形態において、有機層３０は、第１の有機層３２および有機活性層３４、３６、および３８を含んでもよい。
【００６３】
有機層３０内の層のいずれかの単一層または組合せは、以下に記載されたような適切な材料のスピンコーティング、蒸気蒸着（化学的または物理的）、印刷（インクジェット印刷、スクリーン印刷、溶液分配（平面図から見られるように、ストリップまたは他の所定の幾何学的形状またはパターンにおいて液体組成物を分配する）、またはそれらの任意の組合せ）、他の堆積技術、またはそれらの任意の組合せなど、従来のまたは所有権のある技術によって形成されてもよい。有機層３０内の層のいずれかの単一層または組合せは堆積後に硬化されてもよい。
【００６４】
図２に示されるように、第１の有機層３２は、バッファ層、電子ブロッキング層、正孔注入層、正孔輸送層、またはそれらの任意の組合せとして作用することができる。１つの実施形態において、第１の有機層は単一層を含み、別の実施形態において、第１の有機層３２は複数の層を含むことができる。第１の有機層３２は、第１の有機層３２が提供する機能に応じて選択されてもよい１つまたは複数の材料を含んでもよい。１つの実施形態において、第１の有機層３２がバッファ層として作用する場合、第１の有機層は、ＯＬＥＤディスプレイにおいて使用されるように、バッファ層において使用するために適している従来のまたは所有権のある材料を含んでもよい。別の実施形態において、第１の有機層３２が正孔輸送層として作用する場合、第１の有機層は、正孔輸送層において使用するために適している従来のまたは所有権のある材料を含んでもよい。１つの実施形態において、第１の有機層３２の厚さは、第１の電極２６から離隔された位置の基板２０の上で測定されるとき、約５０〜３００ｎｍの範囲の厚さを有してもよい。別の実施形態において、第１の有機層３２は、上に記載された範囲よりも薄いかまたは厚くてもよい。
【００６５】
有機活性層３４、３６、３８、またはそれらの任意の組合せの組成物は、電子デバイスの適用に依存することがある。１つの実施形態において、有機活性層３４、３６、および３８が、放射線放射構成要素において使用される。特定の実施形態において、有機活性層３４は青色発光材料を含むことができ、有機活性層３６は緑色発光材料を含むことができ、有機活性層３８は赤色発光材料を含むことができる。図示されないが、構造物（例えば、井戸構造物、カソードセパレータ等）が、異なった有機活性層からの材料が第１の電極２６の上の位置において互いに接触する可能性を低減するために第１の電極２６の間にあってもよい。単色ディスプレイのために、有機活性層３４、３６、および３８は、実質的に同じ組成を有してもよい。別の実施形態において、有機活性層３４、３６、および３８を、図２に示された基板２０の一部の上に実質的に連続している有機活性層によって置き換えることができる。別の実施形態において、有機活性層３４、３６、３８、またはそれらの任意の組合せが、放射線センサ、光電池等の放射線応答構成要素において用いられてもよい。
【００６６】
有機活性層３４、３６、および３８の各々が、有機電子デバイスにおいて有機活性層として通常に用いられる材料を含むことができ、１つまたは複数の小分子材料、１つまたは複数のポリマー材料、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。本明細書を読めば、当業者は、有機活性層３４、３６、および３８の各々について適切な材料、層または両方を選択することができる。１つの実施形態において、有機活性層３４、３６、および３８の各々が約４０〜１００ｎｍの範囲の厚さを有し、さらに別の特定の実施形態において、約７０〜９０ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００６７】
別の実施形態において、有機層３０は、厚さと共に変化する組成物を有する単一層を含んでもよい。例えば、第１の電極２６に最も近い組成物が、正孔輸送担体として作用することができ、次の組成物は有機活性層として作用することができ、第１の電極２６から最も離れた組成物は電子輸送担体として作用することができる。同様に、電荷注入、電荷ブロッキング性、または電荷注入、電荷輸送、および電荷ブロッキング性の任意の組合せの機能を有機層３０に組み込むことができる。１つまたは複数の材料が、有機層の厚さの全てまたは一部だけにわたって存在してもよい。
【００６８】
図示されないが、正孔ブロッキング層、電子注入層、電子輸送層、またはそれらの任意の組合せが有機層３０の一部であってもよく、有機活性層３４、３６、および３８の上に形成されてもよい。電子輸送層は、次に形成された第２の電極（すなわち、カソード）から電子を注入することができ、有機活性層３４、３６、および３８に移すことができる。正孔ブロッキング層、電子注入層、電子輸送層、またはそれらの任意の組合せは典型的に、約３０〜５００ｎｍの範囲の厚さを有する。
【００６９】
有機層３０内の層のいずれか１つまたは複数を従来のまたは所有権のある技術を用いてパターン化して、電気的接触（示されない）が次に形成される有機層３０の一部を除去してもよい。典型的に、電気的接触領域は、周辺回路がアレイに信号を送信またはアレイから信号を受信できるようにアレイのエッジの近くまたはアレイの外側にある。
【００７０】
図３に示されるように第２の電極４０は、有機層３０の上に形成される。１つの実施形態において、第２の電極４０はカソードとして作用することができる。電子デバイスのアレイは、１つまたは複数の共通のカソードを有することができ、そこで各々の共通のカソードが、複数の電子構成要素によって共有される。さらに別の実施形態（示されない）において、第２の電極４０は、アレイ内の各々の電子放射線放射または放射線応答構成要素のための１つのカソードを含むことができる。
【００７１】
１つの実施形態において、第２の電極４０は、低い仕事関数層４２と、良い導電率を提供するのを助ける導電性層４４とを含むことができる。低い仕事関数層４２は、第１族金属（例えば、Ｌｉ、Ｃｓ等）、第２族（アルカリ土類）金属、ランタニドおよびアクチニドなどの希土類金属、前述の金属のいずれかを含む合金、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。また、低い仕事関数を有する導電性ポリマーが用いられてもよい。導電性層４４は、第１の電極２６に対して前に記載された材料など、ほぼあらゆる導電性材料を含んでもよい。導電性層４４は、主に、抵抗を比較的低く維持したまま電流が流れるのを可能にするその能力のために用いられる。導電性層４４のための典型的な材料には、アルミニウム、銀、銅、またはそれらの任意の組合せなどがある。
【００７２】
第１の電極２６に対して記載されたいずれか１つまたは複数の形成技術を用いて、第２の電極４０を形成することができる。多くの適用において、第２の電極４０の厚さは、約５〜５００ｎｍの範囲であってもよい。放射線が第２の電極４０を通して透過されない場合、厚さの上限は５００ｎｍより大きくてもよい。
【００７３】
任意の数の、前に記載されたかまたは付加的な層を用いて、示されていない他の回路が形成されてもよい。図示されないが、付加的な絶縁層および相互接続レベルを形成して、アレイの外側にあってもよい外周領域の回路（示されない）を可能にすることができる。このような回路は、行または列デコーダ、ストロボ（例えば、行アレイストロボ、列アレイストロボ等）、センス増幅器、またはそれらの任意の組合せを含んでもよい。
【００７４】
デシカント５４を有する蓋５２をアレイの外側の（図４に示されない）位置において基板２０に取り付けて、実質的に完成された電子デバイスを形成する。間隙５６が、第２の電極４０とデシカント５４との間にあってもなくてもよい。蓋およびデシカントのための材料および取り付け方法が、従来のものであるかまたは所有権のあるものである。蓋５２は典型的に、電子デバイスのユーザ側の反対側の電子デバイスの側にある。さらに、必要に応じて、放射線は、基板２０の代わりにまたはそれと共に蓋５２を通して透過されてもよい。その場合、十分な放射線を通過させることができるように蓋５２およびデシカント５４を設計することができる。
【００７５】
他の実施形態において、第１および第２の電極２６および４０を逆にすることができる。この実施形態において、第２の電極４０が、第１の電極２６と比べて基板２０のユーザ側２２により近いのがよい。第２の電極４０が、（示されない）制御回路に各々接続されている複数の第２の電極を含むことができる。また、第１の電極２６が、共通の第１の電極によって置き換えられうる。さらに別の実施形態において、制御回路が、他のタイプの電極に比べて基板２０からさらに離れている１つのタイプの電極に接続されてもよい。
【００７６】
（３．電子デバイスの作動）
ディスプレイの動作中、適切な電位を第１および第２の電極２６および４０にかけて放射線を有機層３０から放射させる。より具体的には、光が放射されるとき、第１および第２の電極２６および４０の間の電位差は、電子・正孔対が有機層３０内で結合することを可能にし、その結果、光または他の放射線を電子デバイスから放射することができる。ディスプレイにおいて、行および列に信号を与えて適切なピクセルを活性化し、ディスプレイを人間が理解できる形式のビューアにすることができる。
【００７７】
光検出器などの放射線検出器の動作中、センス増幅器をアレイの第１の電極２６または第２の電極４０に結合して、放射線が電子デバイスによって受容されるときにかなりの電流フローを検出することができる。光電池などのボルタ電池において、光または他の放射線を、外部エネルギー源なしに流れることができるエネルギーに変換することができる。本明細書を読めば、当業者は、それらの特定の要求に最も適するように電子デバイス、周辺回路、および場合によっては遠隔回路を設計することができる。
【００７８】
（４．別の実施形態）
別の実施形態において、層２６６は存在していない。この特定の層において、図５に示されるように層２６４は、電極６６の仕事関数を決定することができる。層２６４は、前に記載されたような１つまたは複数の材料および厚さのいずれかを有することができる。層２６４は黒色層として作用することができる。層２６４は、第１の有機層３２、有機活性層３４、３６、３８、またはそれらの任意の組合せを含むことができる有機層３０と直接接触していてもよい。
【００７９】
（５．利点）
本明細書を読めば、当業者は、第１の電極２６内の各層または層の組合せの組成物、厚さ、または両方を調節して低いＬバックグラウンドを達成してもよいことを理解する。電子デバイス内のいずれかの単一層または組合せの層を上に記載された計算を行うときに使用することができる。１つの実施形態において、第１の電極２６内の層の１つだけを考えてもよく、別の実施形態において、第１の電極２６内の層の組合せだけを考えてもよい。
【００８０】
１つの実施形態において、層２６４は、高温（室温より高い）において酸素の存在によって悪影響を及ぼされない多数の異なった材料を含むことができる。１つの特定の実施形態において、材料は高温において（周囲またはそれにすぐ隣接した別の材料からの）酸素と反応して導電性金属酸化物を形成することができる。別の特定の実施形態において、材料は、このような材料を含む層を形成する間またはその後に見られるように、高温において酸素とあまり反応しない場合がある。
【００８１】
１つの実施形態において、層２６４は有機層３０と直接接触してもよい。特定の実施形態において、第１の有機層３２は腐蝕性であってもよい。例えば、第１の有機層は、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳまたはＰＡＮＩ−ＰＳＳを含んでもよい。層２６４は、容易に腐蝕されないか（例えば、著しく酸化されない）またはこのような腐蝕によって悪影響を及ぼされない（例えば、導電性金属酸化物、窒化物、またはオキシ窒化物を形成することができる）材料を含むことができる。層２６６が存在してＩＴＯを含む場合、層２６６と接触している腐蝕性層によって悪影響を及ぼされない可能性がいっそう高い。
【００８２】
層２６４の厚さは、実質的に均一であってもよく、青色光に調整された空洞共振器として作用するように選択されてもよい。層２６４のこのような厚さは、電子デバイスから放射された青色光の強度を改良するのを助けることができる。電子デバイスから放射された緑色光および赤色光の強度はもっと低くてもよいが、しかしながら、低めの緑色および赤色の強度は、緑色発光構成要素および赤色発光構成要素を少し強くする（例えば、電流を大きくする）ことによって補償されうる。さらに別の実施形態において、層２６４が、青色、緑色、および赤色発光構成要素の各々について異なった厚さを有してもよい。
【００８３】
本明細書に記載された実施形態は、電子デバイス領域内の現在使用している材料の取り替えを必要とせず既存の材料が電子デバイス内で使用されてもよいので、通常の電子デバイスに比べて低いＬバックグラウンドを提供する費用効果が高い製造可能な解決をもたらすことができる。現在使用している材料を利用できることによって、集積化を簡単にし、デバイスの再設計の可能性、材料の併用可能性またはデバイスの信頼度の問題を低減する。
【００８４】
本明細書に記載された実施形態は、多くの適用に適合させることができ、従来の電子デバイスに比べて比較的高いコントラストを提供する費用効果が高い製造可能な解決をもたらすことができる。本実施形態は円偏光子の必要性をなくすことができる。低いＬバックグラウンドが、低い反射率の電気デバイスを設計することによって達成されうる。作用を受けた層は、電子デバイスの全厚さにあまり影響を与えない。
【実施例】
【００８５】
本明細書に記載されたコンセプトは、以下の実施例にさらに記載されるが、それらは特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を限定しない。以下の実施例において、アノードは、カソードと比べて、低いＬバックグラウンドにより大きな影響を与えることが示される。カソードの情報は実施例１に提供され、アノードの情報は実施例２に提供される。
【００８６】
（実施例１）
実施例１は、カソード中の１つまたは複数の層の組成物、厚さまたは両方が低いＬバックグラウンドを達成するために適していない場合があることを示す。カソード中にＳｍ層を含むカソードを有するように電子デバイスを製造することができる。カソードは、ＢａまたはＬｉＦが低い仕事関数層として使用されるかどうかに応じて、Ｂａ／Ａｌ／Ｓｍ／ＡｌまたはＬｉＦ／Ａｌ／Ｓｍ／Ａｌのサンドイッチを含むことができる。図６〜８は、Ｓｍ層を含むカソードについて、輝度、ＣＩＥｙ（色彩）、および反射率のグラフを示す。Ｓｍ層の様々な厚さにおいての輝度および色彩性質は許容範囲であるが、最小反射率は、青色光スペクトル内の周波数（約４７０ｎｍ）において比較的高い。最小反射率は２０％より高い。人間の目は、緑色光スペクトル（５００〜６００ｎｍ）に比べて青色光スペクトル（４００〜５００ｎｍ）内の放射線に対してそれほど感受性ではない。
【００８７】
（実施例２）
実施例２は、アノード中の１つまたは複数の層の組成物、厚さまたは両方が実施例１のカソードに比べて低いＬバックグラウンドを達成するためにより有効である場合があることを示す。アノード中にＲｕまたはＣｒ層を含むカソードを有するように電子デバイスを製造することができる。アノードは、ＩＴＯ／Ｒｕ／ＩＴＯまたはＩＴＯ／Ｃｒ／ＩＴＯのサンドイッチを含むことができる。図９〜１１は、ＲｕまたはＣｒ層を含むアノードについて、輝度、ＣＩＥｙ、および反射率のグラフを示す。輝度は、実施例１のカソードについてほど良くない。しかしながら、色彩は改善され、最小反射率はかなり低くなり、緑色光スペクトル（波長範囲５００〜６００ｎｍ）に相当する、目の感受性範囲において非常に低い。最小反射率は１０％未満であり、特定の実施形態において５％未満である。従って、実施例２のアノードは、実施例１のカソードよりも低いＬバックグラウンドを達成する。
【００８８】
上述した概要及び実施例の動作の全てが必要とされるわけではなく、特定の動作の一部は必要とされないことがあること、及び１つまたは複数の更なる動作が上述したものに追加して実行されてもよいことに留意すべきである。さらに、動作を列記する順序が、必ずしも実行する順序ではない。
【００８９】
先述の明細書において、コンセプトを具体的な実施形態を参照して記載した。しかしながら、当業者は、特許請求の範囲に記載したように本発明の範囲から逸脱せずに様々な改良および変更を行うことができることを理解する。したがって、明細書および図は限定される意味においてではなく例示の意味にとられるべきであり、かかる改良の全てを本発明の範囲内に含めることを意図する。
【００９０】
利点、他の有利な点、および問題の解決を、特定の実施形態に対して上に記載した。しかしながら、利点、有利な点、問題の解決、およびいずれかの利点、有利な点または解決をもたらすかもしくはより顕著なものにする場合があるいかなる特徴も、いずれかまたは全ての特許請求の範囲の重要かつ必要とされるかまたは本質的な特徴であると解釈されねばならない。
【００９１】
明快にするために、別々の実施形態の場合において本明細書に記載された特定の特徴はまた、１つの実施形態において組み合わせて提供されてもよいことは理解されるはずである。逆に、簡単にするために、１つの実施形態の場合において記載される様々な特徴は別々にまたは任意のより小さい組合せで提供されてもよい。さらに、範囲で記載された値への言及には、その範囲内の各々のおよび全ての値が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】第１の電極を形成した後の基板の一部の断面を示す図である。
【図２】有機層を形成した後の図１の基板の断面を示す図である。
【図３】第２の電極を形成した後の図２の基板の断面を示す図である。
【図４】実質的に完成された電子デバイスを形成した後の図３の基板の断面を示す図である。
【図５】第１の電極が図１〜３の第１の電極と比べて異なった組成を有する、別の実施形態を示す図である。
【図６】Ｓｍ層を有するカソードを有する電子デバイスについて、輝度を示すグラフである。
【図７】Ｓｍ層を有するカソードを有する電子デバイスについて、色彩を示すグラフである。
【図８】Ｓｍ層を有するカソードを有する電子デバイスについて、反射率を示すグラフである。
【図９】ＲｕまたはＣｒ層を有するアノードを有する電子デバイスについて、輝度を示すグラフである。
【図１０】ＲｕまたはＣｒ層を有するアノードを有する電子デバイスについて、色彩を示すグラフである。
【図１１】ＲｕまたはＣｒ層を有するアノードを有する電子デバイスについて、反射率を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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