(57)【要約】  キャリアと、銅箔とからなる支持基材を準備し、銅箔上の少なくとも一部にニッケルからなる保護膜（１０５）を形成する。そして、保護膜（１０５）上に銅からなる導体パターン（１０）をアディティブ法により形成する。続いて、導体パターン（１０）が形成された基板上に、電子部品（２）をその回路形成面と導体パターン（１０）の形成面とが向かい合うように配置し、配置した電子部品（２）を半硬化状態のコア材（３）と被覆材（４）で被覆する。それから、キャリアを剥離し、アルカリエッチャントを用いて、銅箔をエッチング除去する。そして、電子部品（２）の端子（２０）と導体パターン（１０）の一部とを電気的に接続すると、電子部品内蔵基板（１）が得られる。
2009101723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板と、金属箔とからなる支持基材の前記金属箔上の少なくとも一部に、金属からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に金属からなる導体パターンをアディティブ法により形成する工程と、
前記導体パターンが形成された基板上に、電子部品を該電子部品の回路形成面と前記導体パターンの形成面とが向かい合うように配置する工程と、
前記電子部品を絶縁性樹脂で被覆する工程と、
第１のエッチング液を用いて、前記金属箔をエッチング除去する工程と、
前記電子部品の端子と前記導体パターンの一部とを電気的に接続する工程と、を有し、
前記保護膜は、前記第１のエッチング液に対して、溶解しない、あるいは、前記金属箔に比べてエッチング速度が遅い、
ことを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記金属箔及び前記導体パターンが銅からなり、
前記保護膜が、ニッケル、チタン、錫の内の一種以上の金属からなる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１のエッチング液がアルカリエッチャントである、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品の配置前に、前記導体パターン形成面上に接着樹脂を形成する工程をさらに有し、
前記電子部品と前記基板は、前記接着樹脂を介して接着されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記接着樹脂には、無機フィラーが含まれる、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記導体パターンには、前記電子部品を配置する際の位置決めのためのマークが含まれる、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜は、形成する前記導体パターンのパターン形状に合致するようにして形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記保護膜は、前記金属箔上の全面に形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
第２のエッチング液を用いて、不要な部分の前記保護膜をエッチング除去する工程をさらに有し、
前記導体パターンは、前記第２のエッチング液に対して、溶解しない、あるいは、前記保護膜に比べてエッチング速度が遅い、
ことを特徴とする請求項８に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記接着樹脂の形成領域は、前記電子部品の回路形成面の面積より広い範囲である、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を内部に収容した電子部品内蔵基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化が進展し、それと共に、電子機器の内部に実装される配線板の小型化、高密度化の要請は益々高くなってきている。【０００３】
これに対し、電子部品を配線板内に収容する（内蔵する）ことで、配線板の小型化、高密度化を図る技術が種々提案されている（例えば、特許文献１で開示される技術など）。【０００４】
特許文献１で開示される電子モジュールの製造方法を簡単に説明すると以下の通りとなる。
（１）アルミニウム等の支持板の表面に、銅等からなる導体層が設けられた基材を準備し、この基材の表面（導体層側）にレーザ等を用いて複数の凹部を形成する。これらの凹部は、実装する電子部品の各端子に対応するように形成される。
（２）各端子をそれぞれ対応する各凹部に合わせるようにして、当該電子部品を基材上に配置し、接着層を介して固定する。
（３）電子部品を配置した基材上に、絶縁層と、導体層とを積層し、プレスする。
（４）プレス後の基板に貫通孔を設け、銅めっきにより、基板両主面の導体層を導通させる。
（５）サブトラクティブ法によって導体パターンを形成する。
【特許文献１】国際特許出願公開ＷＯ ２００５／１２５２９８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の製造方法では、電子部品と電気的に接続する導体パターンの形成が、サブトラクティブ法にて行われている。ここで、サブトラクティブ法は、金属箔上や導体層上にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストが形成されていない部分の金属箔や導体層をエッチング液でエッチング除去して導体パターンを形成する方法である（プリント配線技術読本 発行所：日刊工業新聞社 参照）。サブトラクティブ法では、エッチングレジスト下の金属箔や導体層が水平方向に溶解除去される現象が起こる。【０００６】
したがって、形成する導体パターンのファイン化が困難であるという課題がある。そのため、特許文献１で開示される技術では、隣接する端子間のピッチが狭い電子部品、即ち、狭ピッチな端子を有する電子部品を内蔵することが難しくなる。また、電子部品と接続するためのパッド径が十分に確保されず、接続信頼性を損なうおそれもある。【０００７】
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、ファインパターンを形成でき、さらに内蔵する電子部品との接続信頼性も確保し得る電子部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法は、
支持板と、金属箔とからなる支持基材の前記金属箔上の少なくとも一部に、金属からなる保護膜を形成する工程と、
前記保護膜上に金属からなる導体パターンをアディティブ法により形成する工程と、
前記導体パターンが形成された基板上に、電子部品を該電子部品の回路形成面と前記導体パターンの形成面とが向かい合うように配置する工程と、
前記電子部品を絶縁性樹脂で被覆する工程と、
第１のエッチング液を用いて、前記金属箔をエッチング除去する工程と、
前記電子部品の端子と前記導体パターンの一部とを電気的に接続する工程と、を有し、
前記保護膜は、前記第１のエッチング液に対して、溶解しない、あるいは、前記金属箔に比べてエッチング速度が遅い、ことを特徴とする。【０００９】
前記金属箔及び前記導体パターンが銅からなり、
前記保護膜が、ニッケル、チタン、錫の内の一種以上の金属からなることが好ましい。【００１０】
上記の場合、前記第１のエッチング液がアルカリエッチャントであることが好ましい。【００１１】
前記電子部品の配置前に、前記導体パターン形成面上に接着樹脂を形成する工程をさらに有し、前記電子部品と前記基板は、前記接着樹脂を介して接着されることが好ましい。【００１２】
上記の場合、前記接着樹脂には、無機フィラーが含まれることが好ましい。【００１３】
また、前記接着樹脂の形成領域は、前記電子部品の回路形成面の面積より広い範囲であることが好ましい。【００１４】
前記導体パターンには、前記電子部品を配置する際の位置決めのためのマークが含まれていてもよい。【００１５】
前記保護膜は、形成する前記導体パターンのパターン形状に合致するように形成されてもよい。【００１６】
あるいは、前記保護膜は、前記金属箔上の全面に形成されてもよい。【００１７】
上記の場合、第２のエッチング液を用いて、不要な部分の前記保護膜をエッチング除去する工程をさらに有し、
前記導体パターンは、前記第２のエッチング液に対して、溶解しない、あるいは、前記保護膜に比べてエッチング速度が遅いようにすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ファインパターン化が図れ、さらに内蔵する電子部品との接続信頼性も確保できる電子部品内蔵基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】導体パターンの形成工程で使用する支持基材を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの支持基材上に感光性レジストが形成された様子を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａの支持基材上にめっきレジスト層が形成された様子を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ａの支持基材上の一部に保護膜が形成された様子を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｄの保護膜上に銅めっき層が形成された様子を示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ａの支持基材上に導体パターンが形成された様子を示す断面図である。
【図２Ａ】図１Ｆの基板上の一部に接着樹脂が塗布された様子を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの基板に電子部品が実装された様子を示す断面図である。
【図２Ｃ】第１の内層のビアランドを電子部品側から見た平面図である。
【図３Ａ】積層工程を示す断面図（その１）である。
【図３Ｂ】積層工程を示す断面図（その２）である。
【図４Ａ】図３Ｂの基板からキャリアを剥離した後の様子を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの基板から銅箔を除去した後の様子を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの基板にビアホールが形成された様子を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｃの基板に貫通孔が形成された様子を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｄの基板に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後の様子を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｅの基板のスルーホール導体内部に、スルーホール充填材が充填された様子を示す断面図である。
【図４Ｇ】図４Ｆの基板上にめっきレジスト層が形成された様子を示す断面図である。
【図４Ｈ】図４Ｆの基板のめっきレジスト層の開口部に、銅めっき層が形成された様子を示す断面図である。
【図４Ｉ】図４Ｈの基板からめっきレジスト層を除去した後の様子を示す断面図である。
【図４Ｊ】図４Ｉの基板から銅めっき膜を除去した後の様子を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【図６Ａ】実施形態２の積層工程を示す断面図（その１）である。
【図６Ｂ】実施形態２の積層工程を示す断面図（その２）である。
【図６Ｃ】図６Ｂの基板からキャリアを剥離した後の様子を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃの基板から銅箔を除去した後の様子を示す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｄの基板にビアホール及び貫通孔が形成された様子を示す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｅの基板に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後の様子を示す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｆの基板のスルーホール導体内部に、スルーホール充填材が充填された様子を示す断面図である。
【図６Ｈ】図６Ｇの基板に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後の様子を示す断面図である。
【図６Ｉ】図６Ｈの基板から銅めっき膜を除去した後の様子を示す断面図である。
【図６Ｊ】実施形態２に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【図７Ａ】実施形態３に係る電子部品内蔵基板の製造工程で使用する支持基材を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの支持基材上にめっきレジスト層が形成された様子を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂの基板において、めっきレジスト層の非形成部分に銅めっき層が形成された様子を示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ａの支持基材上に導体パターンが形成された様子を示す断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｄの基板上の一部に接着樹脂が塗布された様子を示す断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｅの基板に電子部品が実装された様子を示す断面図である。
【図７Ｇ】実施形態３の積層工程を示す断面図（その１）である。
【図７Ｈ】実施形態３の積層工程を示す断面図（その２）である。
【図７Ｉ】図７Ｈの基板からキャリアを剥離した後の様子を示す断面図である。
【図７Ｊ】図７Ｉの基板から銅箔及び不要部分のニッケル層を除去した後の様子を示す断面図である。
【図７Ｋ】図７Ｊの基板にビアホール及び貫通孔が形成された様子を示す断面図である。
【図７Ｌ】図７Ｋの基板に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後の様子を示す断面図である。
【図７Ｍ】図７Ｌの基板のスルーホール導体内部に、スルーホール充填材が充填された様子を示す断面図である。
【図７Ｎ】図７Ｍの基板に無電解銅めっき及び電解銅めっきを施した後の様子を示す断面図である。
【図７Ｏ】図７Ｎの基板から銅めっき膜を除去した後の様子を示す断面図である。
【図７Ｐ】実施形態３に係る電子部品内蔵基板の断面図である。
【図８】実施形態３に係る電子部品内蔵基板を使用したビルドアップ多層プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１    電子部品内蔵基板
２    電子部品
３    コア材
４    被覆材
５    接着樹脂
６    充填樹脂
１０、５０、６０、７０  導体パターン
１１  第１の内層のビアランド
１２  ビア導体
１３  第１の内層のスルーホールランド
２０  端子
５１  第２の内層のスルーホールランド
６１  第１の外層のビアランド
８０  スルーホール導体
８１  第１の外層のスルーホールランド
８２  第２の外層のスルーホールランド
１０５、５０５  保護膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法について、図面を参照して説明する。【００２２】
［実施形態１］
図５は、実施形態１の製造方法により製造された電子部品内蔵基板１の概略断面図である。この電子部品内蔵基板１は、例えば、多層プリント配線板のコア基板等として使用される。【００２３】
電子部品内蔵基板１は、電子部品２と、電子部品２を内蔵するための貫通部（開口部）を有するコア材３と、コア材３の貫通部を被覆するようにしてコア材３に積層される被覆材４と、接着樹脂５と、充填樹脂６と、内層の導体パターン１０、５０と、外層の導体パターン６０、７０と、スルーホール導体８０とからなる。【００２４】
コア材３は、例えば、ガラスクロス、アラミド不織布やガラス不織布にエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、ポリイミド樹脂等を含浸させた基材から構成され、その厚さは約１５０μｍである。
被覆材４は、コア材３と同様に、ガラス繊維で強化された樹脂基材であってもよいし、無機フィラーと熱硬化性樹脂からなる樹脂基材であってもよい。無機フィラーの量は３０ｗｔ％から９０ｗｔ％であるのが好ましい。被覆材４の厚さは、約５０μｍである。
また、コア材３、被覆材４は、ガラス繊維で強化された基材であって、さらに、無機フィラーを３０〜６０ｗｔ％含んでいても良い。【００２５】
導体パターン１０は、電子部品内蔵基板１の第１面側（電子部品２の回路形成面と対向する側）の内部（以下、第１の内層という。）に形成されている。導体パターン１０の厚みは、約２０μｍであって、その一部が、第１の内層のビアランド１１やスルーホール導体８０に接続している第１の内層のスルーホールランド１３となる。第１の内層のビアランド１１は、ＩＣチップ等の電子部品２の端子２０と電気的に接続しているビア導体１２と電気的に接続している。【００２６】
接着樹脂５は、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーを含む絶縁性樹脂であり、電子部品２の固定強度を確保すると共に、電子部品２と絶縁材（例えば、コア材３、被覆材４や充填樹脂６）との熱膨張率のギャップによって発生する歪みを吸収する役割を担う。接着樹脂５は、熱硬化性樹脂と７０〜９０ｗｔ％の無機フィラーからなることが好ましい。【００２７】
充填樹脂６は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることが好ましい。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ２などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。【００２８】
導体パターン５０は、電子部品内蔵基板１の第２面（第１面と反対側の主面）の内側（以下、第２の内層という。）に形成され、スルーホール導体８０に接続している第２の内層のスルーホールランド５１を有している。その厚さは、約２０μｍである。第１の内層のスルーホールランド１３と第２の内層のスルーホールランド５１は、スルーホール導体８０を介して電気的に接続している。【００２９】
導体パターン６０は、電子部品内蔵基板１の第１面上（以下、第１の外層という。）に形成されていて、第１の外層のビアランド６１と、スルーホール導体８０に接続している第１の外層のスルーホールランド８１とを含む。導体パターン６０の厚さは、約２０μｍである。第１の外層のビアランド６１と第１の内層のビアランド１１は、ビア導体１２を介して電気的に接続している。ビア導体１２は、ビアホールが銅めっき等で充填されたフィルドビアである。【００３０】
導体パターン７０は、電子部品内蔵基板１の第２面上（以下、第２の外層という。）に形成されていて、スルーホール導体８０に接続している第２の外層のスルーホールランド８２を含む。導体パターン７０の厚さは、約２０μｍである。【００３１】
第１の内層のビアランド１１と第１の外層のビアランド６１との間と、第１の内層のスルーホールランド１３と第１の外層のスルーホールランド８１との間には、保護膜１０５が介在している。
また、第２の内層のスルーホールランド５１と第２の外層のスルーホールランド８２との間には、保護膜５０５が介在している。【００３２】
続いて、図１Ａ〜図４Ｊを参照して、電子部品内蔵基板１の製造方法を説明する。【００３３】
（１）導体パターン１０の形成工程（図１Ａ〜図１Ｆ）
先ず、図１Ａに示す支持基材１００を準備する。支持基材１００は、厚さ約３μｍの銅箔１０１と、厚さ約７５μｍのキャリア１０２とから構成される。キャリア（支持板）１０２は、銅からなり、図示しない接着層（剥離層）を介して、銅箔１０１と剥離（分離）可能に接着している。【００３４】
この支持基材１００の表面（銅箔１０１側）にドライフィルム状の感光性レジスト１０３をラミネートする（図１Ｂ参照）。
そして、ラミネートした感光性レジスト１０３に、所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光し、アルカリ水溶液で現像する。
その結果、導体パターン１０に相当する部分のみが開口しためっきレジスト層１０４が形成される（図１Ｃ参照）。【００３５】
続いて、図１Ｃの基板を水洗し、乾燥させた後、電解ニッケルめっきを行い、厚さ約３μｍの保護膜１０５を形成する（図１Ｄ参照）。
それから、さらに電解銅めっきを行い、保護膜１０５上に、厚さ約２０μｍの銅めっき層１０６を形成する（図１Ｅ参照）。
そして、めっきレジスト層１０４を除去し、水洗乾燥すると、導体パターン１０が形成された図１Ｆの基板が得られる。【００３６】
図１Ｆに示すように、アライメントマーク１０７が導体パターン１０と同時に形成される。アライメントマーク１０７は、電子部品２を配置（実装）する際の位置決めのためのマークである。アライメントマーク１０７は、電子部品２の各端子２０に到達するビアホールを形成するときやスルーホール導体８０用の貫通孔を形成するときの位置決め用のマークとして用いられてもよい。
また、第１の内層のビアランド１１も導体パターン１０と同時に形成される。【００３７】
以上の工程では、めっきレジストパターンの非形成部分にめっきを成長させて、導体パターン１０を形成している（いわゆる、アディティブ法）。そのため、本実施形態では、導体パターン１０の形状を保持することができ、ファイン化が図れる。
アディテブ法はフルアディティブ法とセミアディティブ法を含む。両者の工程は、周知（例えば、プリント配線技術読本 発行所：日刊工業新聞社 参照）なので、詳しい説明は省略する。【００３８】
（２）電子部品２の実装工程（図２Ａ〜図２Ｃ）
続いて、図１Ｆの基板の導体パターン１０上に接着樹脂５を塗布する（図２Ａ参照）。接着樹脂５は、上述したように、例えば、シリカやアルミナ等の無機フィラーを含む絶縁性樹脂である。ここで、フィラーとは、最長長／最短長のアスペクト比が１〜１．２である分散材をいう。接着樹脂５は、少なくとも第１の内層のビアランド１１を覆うよう、所定領域に塗布される。この塗布領域は、電子部品２の回路形成面の面積より広い範囲であるのが好ましい。【００３９】
接着樹脂５の塗布後、電子部品２をいわゆるフェースダウン方式にて、図２Ａの基板上に配置する。その際、図２Ｂに示すように、電子部品２の各端子２０と第１の内層の各ビアランド１１は位置合わせされている。電子部品２と第１の内層のビアランド１１の位置合わせのために、アライメントマーク１０７が利用される。
第１の内層のビアランド１１は、図２Ｃに示すように、内部に開口部を有する、例えば、ドーナツ状の導体パターンである。図２Ｃは、第１の内層のビアランド１１を電子部品２側から見た平面図である。【００４０】
（３）積層工程（図３Ａ、図３Ｂ）
続いて、図３Ａに示すように、図２Ｂの基板上（電子部品２の配置面上）に、開口部を有するコア材３と、被覆材４と、導体パターン５０が形成された基板５００とを載置し、加熱圧着する。
これにより、図２Ｂの基板に、コア材３と、被覆材４と、基板５００とが積層された図３Ｂの基板が得られる。
ここで、加熱圧着工程前のコア材３と被覆材４は半硬化状態の基材である。したがって、加熱圧着工程で、コア材３と被覆材４に含まれる樹脂成分がコア材３の開口部に流出する。これにより、コア材３の開口部は充填樹脂６で充填される。【００４１】
基板５００は、上述した図１Ａの支持基材１００から図１Ｆの基板を得るまでの方法（導体パターン１０の形成工程）と同様の工程を得て作成される。
即ち、先ず、支持基材１００と同様の構成の支持基材（厚さ約３μｍの銅箔５０１と、厚さ約７５μｍのキャリア（支持板）５０２とから構成される。）を準備する。そして、かかる支持基材上にドライフィルム状の感光性レジストをラミネートする。それから、ラミネートした感光性レジストに所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させ、露光・現像することで、導体パターン５０に相当する部分のみが開口しためっきレジスト層が形成される。
そして、めっきレジスト層形成後の基板を水洗乾燥した後、電解ニッケルめっきと、電解銅めっきを行い、めっきレジスト層を除去すると、保護膜５０５上に導体パターン５０が形成された基板５００が得られる。【００４２】
（４）後工程（図４Ａ〜図４Ｊ）
続いて、図３Ｂの基板からキャリア１０２と、キャリア５０２とを剥離（分離）し、図４Ａの基板を得る。
そして、図４Ａの基板から銅箔１０１と、銅箔５０１とをエッチングにより除去し、図４Ｂの基板を得る。
本実施形態では、この際のエッチング液（エッチャント）としてアルカリエッチャント（アルカリアンモニア性の水溶液）を使用する。かかるアルカリエッチャントでは、ニッケルは溶けない、あるいは、少なくとも銅より溶解速度が著しく遅くなる。したがって、保護膜１０５、５０５がエッチングレジストとして機能し、内層の導体パターン１０、５０は、エッチングの影響を受けず保護されることになる。【００４３】
続いて、炭酸ガス（ＣＯ２）レーザやＵＶ−ＹＡＧレーザ等により、図４Ｂの基板の所定箇所にビアホール１０８を形成する（図４Ｃ参照）。具体的には、図４Ｃに示すように、第１の内層のビアランド１１によって囲まれる領域の接着樹脂５が、上記レーザ等により、対応する端子２０に達するまで削り取られる。【００４４】
ビアホール１０８の形成後、メカニカルドリル等を用いた既知の穴あけ工法により、図４Ｃの基板に貫通孔１０９をあける（図４Ｄ参照）。【００４５】
続いて、ビアホール１０８の底部や貫通孔１０９の内面に残留するスミア等を除去する処理（デスミア処理）を行う。デスミア処理は、過マンガン酸塩法を用いて行う。具体的には、先ず、図４Ｄの基板にコンディショナー（樹脂膨潤）処理を施した後、過マンガン酸塩：４０〜８０ｇ／ｌ、温度：５０〜８０℃のデスミア処理液に５〜２０分程度浸せきする。それから、水洗いし、中和溶液に浸せきし、水洗乾燥させる。その結果、図４Ｄの基板からスミアが除去され、清浄な面が露出する。【００４６】
デスミア処理後、図４Ｄの基板を錫−パラジウムの錯塩（またはコロイド）を含む触媒化液に浸せきして、無電解銅めっきを開始させる触媒を当該基板の両主面と、ビアホール１０８の内面と、貫通孔１０９の内面とに吸着させる。
そして、この触媒が吸着した基板を無電解銅めっき液に浸せきすると、基板の両主面に無電解銅めっき膜が形成される。続いて、形成された無電解銅めっき膜をシード層として、この上に電解銅めっき膜を形成し、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなる銅めっき膜１１５を形成する。この時、同時に、ビアホール１０８内や貫通孔１０９の表面にも銅めっき膜１１５が形成され、ビア導体１２、スルーホール導体８０が形成される（図４Ｅ参照）。【００４７】
次に、スルーホール導体８０の内部に無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなるスルーホール充填材８３を充填し、乾燥させ、硬化させる（図４Ｆ参照）。この場合の充填法としては、例えば、スクリーン印刷等の既知の工法が採用できる。【００４８】
スルーホール充填材８３の充填後、図４Ｆの基板の両主面にそれぞれドライフィルム状の感光性レジストをラミネートする。そして、各感光性レジストに、それぞれ所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させ、紫外線で露光し、アルカリ水溶液で現像する。
その結果、導体パターン６０、７０に相当する部分のみが開口しためっきレジスト層１１６、５０６が形成される（図４Ｇ参照）。【００４９】
続いて、図４Ｇの基板を水洗し、乾燥させた後、無電解銅めっき、電解銅めっきを行う。これにより、めっきレジスト層１１６、５０６の開口部に厚さ約２０μｍの銅めっき層１１７が形成される（図４Ｈ参照）。
それから、めっきレジスト層１１６、５０６を除去し、水洗乾燥することで、図４Ｉの基板が得られる。【００５０】
そして、図４Ｉの基板の両主面上の銅めっき膜１１５をエッチングして除去することで、導体パターン６０、７０が形成される（図４Ｊ参照）。また、同時に、スルーホール充填材８３を覆うスルーホールカバーリング膜１１８が形成される。
導体パターンは、所謂、セミアディティブ法で形成されている。この際のエッチング液も上記同様、アルカリエッチャントを使用する。これにより、保護膜１０５、５０５がエッチングレジストとして機能し、内層の導体パターン１０、５０は、エッチングの影響を受けず保護される。【００５１】
次に、露出した保護膜１０５、５０５を選択的にエッチングすると図５に示す電子部品内蔵基板１が得られる。この際のエッチング液は、ニッケルを溶解し銅を溶解しないエッチング液、あるいは、ニッケルの溶解速度／銅の溶解速度比が大きなエッチング液を用いる。例えば、過水、硝酸、燐酸等の混合液のエッチング液である。この工程により、第１の内層の導体パターン１０a（第１の内層の導体パターン１０の内、第１の内層のビアランド１１及び第１の内層のスルーホールランド１３を除いた部分）と第２の内層の導体パターン５０a（第２の内層の導体パターン５０の内、第２の内層のスルーホールランド５１を除いた部分）は、コア基板の表面に対し凹形状となる。【００５２】
なお、電子部品内蔵基板の第１面側に形成されている内層の導体パターンがアライメントマークを含む場合、第１の内層の導体パターン１０aは、アライメントマークを含まない。同様に、電子部品内蔵基板の第２面側に形成されている内層の導体パターンがアライメントマークを含む場合、第２の内層の導体パターン５０aは、アライメントマークを含まない。【００５３】
以上のようにして製造された電子部品内蔵基板１は、以下のような優れた特徴を有する。【００５４】
（１）電子部品２の端子２０と電気的に接続する導体パターン１０がアディティブ法にて形成されるので、導体パターン１０のファインパターン化が容易となる。これにより、第１の内層の導体パターン１０aや第１の内層のビアランド１１がファインに形成されるので、狭ピッチな端子を有する電子部品を内蔵しやすくなる。また、第１の内層の導体パターン１０aのファイン化により、内層のビアランド径を大きくできる。そのため、電子部品と内層のビアランドとの位置合わせが容易となり、さらに、電子部品の端子と内層のビアランドとの接続信頼性も高くなる。【００５５】
（２）また、製造過程において、保護膜１０５が、エッチングレジストとして機能し、導体パターン１０を保護するため、導体パターン１０のパターン形状が損なわれ難い。そのため、ファインパターンが維持できる。また、第１の内層のビアランド１１及びこれに接続するビア導体１２の形状も保護膜１０５によって保護されるため、電子部品２との接続信頼性も確保できる。【００５６】
［実施形態２］
続いて、実施形態２に係る電子部品内蔵基板の製造方法について、図６Ａ〜図６Ｊを用いて説明する。なお、実施形態１と共通する部分については、同一符号を付し、説明を省略する。
実施形態１では、図３Ａの工程において、電子部品２を搭載した図２Ｂの基板と、コア材３（Ｂ−ｓｔａｇｅの基材）と、被覆材４（Ｂ−ｓｔａｇｅの基材）と、導体パターン５０が形成された基板５００とを積層した。
その代わり、実施形態２では、図６Ａに示すように、電子部品２を搭載した基板（図２Ｂの基板）と、コア材３と被覆材６００（銅箔６０１と絶縁材６０２とからなるＢ−ｓｔａｇｅの片面銅張積層板。絶縁材６０２は、被覆材４と同様の材質である。）を積層した。【００５７】
次に、図６Ｂに示すように、図６Ａで積層した各基材を加熱加圧することで、一体化した。この工程で、実施形態１と同様に、コア材３や被覆材６００の絶縁材６０２から熱硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂と無機フィラーがコア材３の貫通孔部（開口部）に流れ込むことで、コア材３の開口部は充填樹脂６で充填される。【００５８】
次に、図６Ｃに示すように、キャリア（支持板）１０２を剥離した。
そして、図６Ｃの基板から、第１面側の銅箔１０１のみをエッチング除去した（図６Ｄ参照）。使用したエッチング液は実施形態１の図４Ｂの工程で用いたエッチング液と同様である。なお、第２面側の銅箔６０１はレジストで保護した。【００５９】
次に、図６Ｅに示すように、アライメントマーク１０７を利用して、ビアホール１０８や第１の内層のスルーホールランド１３の部分に貫通孔６０３を形成した。
そして、図６Ｆに示すように、基板全体に無電解銅めっき、電解銅めっきを行って、ビア導体１２、スルーホール導体６０４を形成した。
次に、図６Ｇに示すように、スルーホール導体６０４の内部に無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなるスルーホール充填材６０５を充填した。
そして、図６Ｇの基板の両主面上に、無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜を形成した（図６Ｈ参照）。
次に、図６Ｉに示すように、不要部分の銅めっき膜を溶解除去して導体パターン６０６を形成した。本実施形態では、サブトラクティブ法により、導体パターン６０６を形成した。なお、実施形態１と同様に、セミアディティブ法により導体パターンを形成してもよい。
導体パターン６０６の形成の際、同時に、スルーホール充填材６０５上にスルーホールカバーリング膜６０７を形成した。【００６０】
そして、第１面側の保護膜１０５を除去することで、図６Ｊに示す電子部品内蔵基板が得られた。【００６１】
実施形態２の電子部品内蔵基板は、第２面側において、絶縁材６０２（即ち、電子部品内蔵用の絶縁性樹脂）の内部に導体パターンが形成されていない。このように、電子部品内蔵用の絶縁性樹脂に導体パターンが埋設されていないと、電子部品内蔵基板の第２面上において、内蔵する電子部品の直上部に導体パターンを形成しやすくなる。なぜなら、電子部品と導体パターン間の絶縁ギャップを十分とれるようになるからである。【００６２】
［実施形態３］
続いて、実施形態３に係る電子部品内蔵基板の製造方法について、図７Ａ〜図７Ｐを用いて説明する。なお、実施形態１、２と共通する部分については、同一符号を付し、説明を省略する。【００６３】
先ず、銅箔１０１と、キャリア１０２とから構成される支持基材１００を準備した。そして、図７Ａに示すように、この支持基材１００の表面（銅箔１０１側）に厚さ約３μｍのニッケル層７０１を形成した。このときニッケルは層７０１は、銅箔１０１の全面に形成した。
続いて、この支持基材１００の表面（銅箔１０１側）にめっきレジストを形成し、写真法により、めっきレジストをパターン化した（めっきレジスト層１０４の形成）（図７Ｂ参照）。
そして、図７Ｃに示すように、めっきレジスト層１０４の非形成部分に、電解銅めっき膜（銅めっき層１０６）を形成した。
次に、図７Ｄに示すように、めっきレジスト層１０４を除去した。
次に、実施形態１と同様の工程で（図２Ａ、図２Ｂ参照）、電子部品２を実装した（図７Ｅ、図７Ｆ参照）。【００６４】
そして、実施形態２と同様の工程で（図６Ａ、図６Ｂ参照）、電子部品２を搭載した基板と、コア材３と被覆材６００を積層した（図７Ｇ、図７Ｈ参照）。
次に、図７Ｉに示すように、キャリア（支持板）１０２を剥離した。
次に、実施形態１、２と同様のエッチング液を用いて、銅箔１０１を選択的にエッチング除去し、そして、不要部分のニッケル層７０１を選択的にエッチング除去した。これにより、保護膜７０２が形成された（図７Ｊ参照）。この際のエッチング液は、メック社製のＮＰ−１８６５を用いた。【００６５】
次に、図７Ｊの基板に貫通孔７０３を形成した。また、実施形態１、２と同様に、保護膜７０２をコンフォーマルマスクとして、電子部品２の端子２０に到達するビアホール７０４を形成した（図７Ｋ参照）。
以降の工程（図７Ｌから図７Ｐ）は、実施形態２と同様（図６Ｆから図６Ｊ）である。
なお、図７Ｐの電子部品内蔵基板において、両主面上の導体パターンは、セミアディティブ法を使用して、形成されてもよい。【００６６】
図８は、図７Ｐの電子部品内蔵基板をコア基板として使用したビルドアップ多層プリント配線板の例である。図８のビルドアップ多層プリント配線板の製造工程を簡単に説明する。
先ず、コア基板（即ち、図７Ｐの電子部品内蔵基板）の第１面及び第２面上に、それぞれ層間樹脂絶縁層８０１及び８０２を形成する。その後、コア基板に形成されている導体パターン１０、６０６に到達する開口部を層間樹脂絶縁層８０１、８０２に設ける。この時、スルーホールカバーリング膜やビア導体に到達する開口部を形成することも可能である。続いて、層間樹脂絶縁層８０１及び８０２上に、それぞれ導体パターン８０３及び８０４を形成する。その際、同時に層間樹脂絶縁層８０１及び８０２の開口部に、それぞれビア導体８０５及び８０６を形成する。これにより、導体パターン１０と導体パターン８０３が接続し、導体パターン６０６と導体パターン８０４が接続する。【００６７】
ここでは、実施形態３のコア基板を例にとって、ビルドアップ多層プリント配線板の製造方法などを説明した。同様な方法により、実施形態１のコア基板（図５参照）上や実施形態２のコア基板（図６Ｊ参照）上に、ビルドアップ層を形成して、ビルドアップ多層プリント配線板を製造することも勿論可能である。【００６８】
実施形態１、２では、コア基板の第１面側の導体パターン１０ａの表面は、コア基板の第１面に対して凹んでいる。それに対し、実施形態３では、コア基板の第１面側の導体パターン１０ａの表面は、コア基板の第１面とほぼ同一面に位置している。そのため、ビルドアップ多層プリント配線板の製造においては、実施形態１、２のコア基板よりも、実施形態３のコア基板を使用する方が、ビア導体を形成するための開口の深さを浅くできる。その結果、コア基板の導体パターンと層間樹脂絶縁層上の導体パターンとの接続信頼性が高くなりやすいといえる。【００６９】
以上の各実施形態で、本発明に係る電子部品内蔵基板の製造方法を説明したが、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。【００７０】
例えば、保護膜１０５、７０２には、ニッケル以外にもチタンや錫等を採用することができる。【００７１】
本出願は、２００８年２月１１日にされた、米国仮特許出願６１／０２７６６０に基づく。本明細書中に、その明細書、特許請求の範囲、図面全体を参照して取り込むものとする。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明に係る電子部品内蔵基板は、小型化、高機能化が図れ、さらには電子部品の接続信頼性を確保し得る。したがって、携帯電話に代表されるモバイル機器への適用が期待できる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
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【図６Ｉ】
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【図６Ｊ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
2009101723.tif 000039
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
2009101723.tif 000041
【図７Ｈ】
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【図７Ｉ】
2009101723.tif 000043
【図７Ｊ】
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【図７Ｋ】
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【図７Ｌ】
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【図７Ｍ】
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【図７Ｎ】
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【図７Ｏ】
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【図７Ｐ】
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【図８】
2009101723.tif 000051
【国際調査報告】
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2009101723.tif 000053
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