(57)【要約】        本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を開示する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、 極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ２〜Ｃ１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。        本発明による半導体用感光性樹脂除去剤組成物は、ハードベイク、ドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物により変質された感光性樹脂膜を、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ２〜Ｃ１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％と、極性溶剤２０〜４０重量％とからなる半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項２】
前記アミン化合物が、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基が置換された第１アミン、第２アミン、または第３アミンから選択される１種以上の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項３】
前記極性溶剤が、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド(DMAc)、モノメチルホルムアミド、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、またはメトキシプロパノールアセト酸から選択される１種以上の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項４】
前記腐食防止剤が、１−エチルアミノ−２−オクタデシルイミダゾリン、ジ−ｓｅｃ−ブチルサルファイド、ジフェニルスルホキシド、安息香酸、ｍ−メチル安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ベンゼンアセト酸、２−エチル安息香酸、３−エチル安息香酸、２，３，５−トリメチル安息香酸、ケイ皮酸、ヒドロケイ皮酸、４−メチルケイ皮酸、サリチル酸、２−イソプロピル安息香酸、３−イソプロピル安息香酸、４−イソプロピル安息香酸、ベンゼンブタン酸、２，４−ジメチルフェニルアセト酸、２−(４−メチルフェニル)プロパン酸、４−プロピル安息香酸、４−エチルフェニルアセト酸、３−フェニルブタン酸、３−(２−メチルフェニル)プロパン酸、３−(３−メチルフェニル)プロパン酸、ｐ−メチルヒドロケイ皮酸、３−プロピル安息香酸、クレゾール、没食子酸、メチルガレート、ピロガロール(pyrogallol)、ヒドロキシルキノール(Hydroxylquinol)、フロログルシノール、レゾルシノール、またはハイドロキノンから選択される１種以上の化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項５】
前記モノアルコール化合物が、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、イソヘキサノール、イソオクタノール、またはベンジルアルコールから選択される１種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項６】
アンモニウム塩系化合物を、全体組成物に対して０．０１〜３重量％となるようにさらに含有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一つの項に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【請求項７】
前記アンモニウム塩系化合物が、安息香酸アンモニウム(C6H5CO2NH4)、炭酸アンモニウム((NH4)2CO3)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、酢酸アンモニウム (CH3CO2NH4)、ヨウ化アンモニウム(NH4I)、塩化アンモニウム(NH4Cl)、第二リン酸アンモニウム、第一リン酸アンモニウム、 第三リン酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、及び硝酸アンモニウムからなる群から選択される１種以上であることを特徴とする、請求項６に記載の半導体用感光性樹脂除去剤組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子類を製造する工程中に感光性樹脂を除去するための除去剤組成物に関するもので、さらに詳細には、写真食刻工程(photolithography)後に進行されるドライエッチング、アッシング(ashing)、またはイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて出てくる金属性副産物のポリマーを、低温で短時間内に容易に除去することができ、また感光性樹脂除去工程の中、下部の金属配線の腐食を最少化することができる感光性樹脂除去剤組成物に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子の製造工程は、半導体基板上に形成された導電層上に感光性樹脂パターンを形成した後、前記パターンをマスクとして導電層パターンを形成する工程を含む。前記マスクとして利用された感光性樹脂パターンは、前記導電層パターン形成工程以後の洗浄工程で、感光性樹脂除去剤により導電層上から除去されなければならない。ところが、最近の半導体素子類製造工程においては、導電層パターンを形成するための導電層エッチング工程が主にドライエッチング工程からなるため、以後の洗浄工程で感光性樹脂を除去することが難しくなった。
【０００３】
ドライエッチング工程は、酸性の液状化学薬品を利用したウェットエッチング工程を代替するもので、プラズマエッチングガスと導電層のような物質膜との間の気相−固相反応を利用してエッチング工程を行う。ドライエッチング工程は、制御が容易でシャープなパターンを得ることができ、最近のエッチング工程の主流をなしている。ドライエッチング法には、様々な種類があるが、導電層をエッチングする工程中に、感光性樹脂膜の表面において、プラズマエッチングガス中のイオン及びラジカルが前記感光性樹脂膜と複雑な化学反応を起こし、感光性樹脂膜を急速に硬化させるため、感光性樹脂の除去が難しくなる。ドライエッチング法の一例としては、反応性イオンエッチング(Reactive ion etching；RIE)があるが、この反応性イオンエッチング法が使用された場合、従来の感光性樹脂除去剤では、感光性樹脂を効率的に除去し難い。
【０００４】
感光性樹脂の除去を難しくする工程の他の例として、イオン注入工程がある。半導体素子の製造工程において、シリコンウェハーの特定領域に導電性を付与するために、リン、砒素、ホウ素などの元素を拡散させる工程である。イオン注入工程において、前記イオンは、感光性樹脂パターンにより覆われていないシリコンウェハー領域にのみ注入されるが、それと同時に、イオン注入工程のマスクとして使用される感光性樹脂パターンの表面が、加速されたイオンビームとの表面化学反応により変性される。従って、イオン注入工程後の感光性樹脂膜は、洗浄工程において、各種溶剤を使用しても除去し難くなる。
【０００５】
上述のドライエッチング工程またはイオン注入工程を経た感光性樹脂膜は、従来の感光性樹脂除去剤では十分除去できず、除去できるとしても、１００℃以上の高温と長時間の浸漬時間を必要とするなど、安定的に洗浄工程を行うことができないため、半導体素子の不良率を増加させる。
【０００６】
一方、近来提案されたアルカノールアミンとジエチレングリコールモノアルキルエーテルからなる感光性樹脂除去剤組成物も、匂いと毒性が少なく、大部分の感光性樹脂膜に対して有効な除去性能を奏する特性のため、広く使用されてきた。しかしながら、前記除去剤組成物も、ドライエッチング工程またはイオン注入工程において、プラズマエッチングガスまたはイオンビームに露出された感光性樹脂膜を、満足のいくほどには除去できないという事実が明かとなり、ドライエッチングとイオン注入工程により変性された感光性樹脂膜を除去できる新しい感光性樹脂除去剤に対する開発が求められている。
【０００７】
上述のように、イオン注入工程を経た感光性樹脂膜を感光性樹脂除去剤で除去することは困難であるが、特に、超高集積回路の製造において、ソース/ドレイン領域を形成するために、高いドーズ量のイオン注入工程を経た感光性樹脂膜を除去することは、さらに困難である。イオン注入工程において、感光性樹脂膜は、高いドーズ量、高エネルギーのイオンビームによる反応熱が主原因となって、感光性樹脂の表面が硬化される。通常、アッシング処理をする半導体ウェハーは、２００℃以上の高温で加熱処理される。この時、感光性樹脂内部に残存する溶剤が気化されて排出されなければならないが、高いドーズ量のイオン注入工程後の感光性樹脂表面には、硬化層が存在するため、これが不可能である。
【０００８】
また、アッシングが進行されるにつれて、感光性樹脂膜内部の内圧が上昇しながら、内部に残存する溶剤により感光性樹脂膜の表面が破裂する現象が生じるが、これをポッピング(popping)現象という。このようなポッピング現象により飛散された表面硬化層は、残渣となって除去し難い。また、前記感光性樹脂表面の硬化層は、熱により形成されるため、不純物イオンであるドーパントが感光性樹脂分子構造中に置換されて架橋反応を起こし、この部位がＯ２プラズマにより酸化される。このように酸化された感光性樹脂膜は、残渣とパーティクルに変わって汚染源となり、超高集積回路の製造時、生産収率を低下させる原因となる。
【０００９】
一方、従来湿式洗浄工程に使用される感光性樹脂除去剤として、有機アミン化合物と各種有機溶剤を混合して製造される感光性樹脂除去剤組成物が提案されている。特に、有機アミン化合物中でモノエタノールアミン(MEA)を必須成分として含む感光性樹脂除去剤組成物が広く使用されている。しかしながら、少ない量の脱イオン水と含有された感光性樹脂除去剤は、リンス過程でアミン及び脱イオン水と反応し、下部金属配線の腐食(pit)が発生する問題点がある。
【００１０】
最近の半導体素子の製造工程では、シリコンウェハーを始めとした各種基板を１１０〜１４０℃の高温で処理するなど、工程条件が厳しくなるにつれて、感光性樹脂が高温でベークされる場合が多くなった。しかしながら、前記例として挙げた感光性樹脂除去剤は、高温でベークされた感光性樹脂に対しては、除去能力が十分ではなかった。前記高温でベークされた感光性樹脂を除去するための組成物として、水及び/またはヒドロキシルアミン化合物を含有する感光性樹脂除去剤組成物が提案された(日本特開平４−２８９８６６号、日本特開平６−２６６１１９号；日本特開平７−６９６１８号；日本特開平８−２６２７４６号；日本特開平９−１５２７２１号；日本特開平９−９６９１１号)。
【００１１】
しかしながら、このような感光性樹脂除去剤組成物も、ドライエッチング、アッシング及びイオン注入工程により硬化された感光性樹脂膜及び前記工程中に下部の金属膜質からエッチングされて発生した金属性副産物により変質された感光性樹脂膜に対する除去性能が十分ではなく、特に、新規金属膜が使用されるか層間絶縁膜として新しい絶縁物質が使用される工程では、パターン側壁に生成される、変性された感光性樹脂膜を除去するには効果的とはいえない。
【００１２】
また、今までは感光性樹脂除去剤組成物として、有機溶媒を主溶媒とする組成物を通常的に使用してきた。しかしながら、有機溶媒は、環境的に有害であるだけではなく、製造費用も相対的に高い。
【００１３】
一方、酸化防止の役割をするヒドラジン水和物及び主溶媒または補助溶媒として水を含有する感光性樹脂除去剤組成物が提案された(大韓民国公開特許公報第２００３−２５５２１号；日本特開２００２−１９６５０９号)。前記組成物は、従来の感光性樹脂除去剤に比べ、水の含有量が多くて、環境親和的な側面で改善されたが、実際に水の含有量を４０％以上とする場合、感光性樹脂に対する溶解性が低下して、感光性樹脂除去性が低下されるか、除去時間がかかるという問題点があって、適用が制限的である。
【００１４】
本発明者らは、４０重量％以上の水とヒドラジン水和物またはアミン化合物及び極性溶剤を含有する感光性樹脂除去剤組成物において、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤と、Ｃ２〜Ｃ１０のモノアルコール化合物を含有する場合、硬化または変性された感光性樹脂を除去するにおいて、反応時間が短縮されて、下部膜質に対する腐食性が著しく改善されることを確認し、本発明を完成した。
【発明の開示】
【発明の効果】
【００１５】
本発明の感光性樹脂除去剤組成物を使用すると、半導体製造工程により硬化または変性された感光性樹脂も短時間に除去することができ、また、除去工程中、下部の金属層の損傷を防止することができる。
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従って、本発明の目的は、半導体製造工程で硬化または変性された感光性樹脂を効果的に除去できる高効率の感光性樹脂除去剤を提供することであり、また、感光性樹脂の下部膜である金属配線に対する腐食を最少化できる感光性樹脂除去剤組成物を提供することである。
【００１７】
本発明の他の目的は、脱イオン水を４０％以上含有することにより、環境親和的で、低コストの感光性樹脂除去剤を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、集積回路、高集積回路、超高集積回路などの半導体素子類を製造する工程中で感光性樹脂を除去するために使用される感光性樹脂除去剤組成物を提供する。より詳細には、ヒドラジン水和物またはアミン化合物３〜２０重量％と、極性溶剤２０〜４０重量％と、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択される腐食防止剤０．０１〜３重量％と、Ｃ２〜Ｃ１０のモノアルコール化合物０．０１〜５重量％と、脱イオン水４０〜７０重量％とからなることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明による感光性樹脂除去剤組成物は、さらに、アンモニウム塩系化合物を、全体組成物の０．０１〜３重量％となるように含有する組成物を含む。
【００２０】
本発明による感光性樹脂除去剤組成物は、硬化または変性された感光性樹脂膜を効果的に短時間に除去することができて、脱イオン水が４０重量％以上含有されており、後続のリンス工程で容易に除去されるため、下部金属配線に腐食を誘発することがなく、低コストで、且つ有機溶剤の含量が少ないため、廃水処理費用が節減されて、環境親和的な感光性樹脂除去剤組成物である。
【００２１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２２】
前記ヒドラジン水和物またはアミン化合物は、半導体製造工程で使用される感光性樹脂または半導体製造工程で使用されて硬化または変性された感光性樹脂膜を除去するための目的で使用する。前記アミン化合物としては、Ｃ１〜Ｃ５のアルキル基が置換された第１アミン、第２アミン、または第３アミンから選択される１種以上の化合物を使用する。ヒドラジン水和物またはアミン化合物の含量は、全体組成物に対し、３〜２０重量％が好ましく、より好ましくは、５〜２０重量％である。即ち、ヒドラジン化合物またはアミン化合物の含量が３％未満であると、ドライエッチング、アッシング工程などにより変質された側壁感光性樹脂膜を完全に除去し難く、２０重量％を超過すると、アルミニウムなどのような下部金属膜に対する腐食を誘発する可能性がある。  
【００２３】
本発明による組成物に含有される極性溶剤は、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルスルホキシド(DMSO)、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド(DMAc)、モノメチルホルムアミド、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピルセロソルブ、ブチルセロソルブ、またはメトキシプロパノールアセト酸から選択されて、これらの極性溶剤は、高分子樹脂に対する溶解性に優れており、水と非常によく混合されて、ウェッティング(wetting)時間を短縮できるという特徴がある。極性溶剤の含量は、全体組成物に対して２０〜４０重量％が好ましく、より好ましくは、２５〜３５重量％であることが好ましい。極性溶剤の含量が２０％未満であると、除去した側壁感光性樹脂膜に対する膨潤性が低下して、ヒドラジン化合物またはアミン化合物の特性のため、下部金属膜質に対する腐食の問題点がある。４０重量％を超過すると、除去した側壁感光性樹脂膜に対する膨潤性が大きくなるが、相対的にヒドラジン化合物またはアミン化合物の少ない含量による感光性樹脂膜の除去性能が低下するという問題点がある。
【００２４】
本発明の組成物に含有される腐食防止剤は、イミダゾリン誘導体、サルファイド誘導体、スルホキシド誘導体、芳香族系化合物、またはヒドロキシル基を有する芳香族系化合物から選択されて、具体的な化合物としては、１−エチルアミノ−２−オクタデシルイミダゾリン、ジ−ｓｅｃ−ブチルサルファイド、ジフェニルスルホキシド、安息香酸、ｍ−メチル安息香酸、ｐ−メチル安息香酸、ベンゼンアセト酸、２−エチル安息香酸、３−エチル安息香酸、２，３，５−トリメチル安息香酸、ケイ皮酸、ヒドロケイ皮酸、４−メチルケイ皮酸、サリチル酸、２−イソプロピル安息香酸、３−イソプロピル安息香酸、４−イソプロピル安息香酸、ベンゼンブタン酸、２，４−ジメチルフェニルアセト酸、２−(４−メチルフェニル)プロパン酸、４−プロピル安息香酸、４−エチルフェニルアセト酸、３−フェニルブタン酸、３−(２−メチルフェニル)プロパン酸、３−(３−メチルフェニル)プロパン酸、ｐ−メチルヒドロケイ皮酸、３−プロピル安息香酸、クレゾール、没食子酸、メチルガレート、ピロガロール(pyrogallol)、ヒドロキシルキノール(Hydroxylquinol)、フロログルシノール、レゾルシノール、ハイドロキノンなどがある。前記腐食防止剤化合物の含量は、０．０１〜３重量％が好ましく、より好ましくは、０．１〜３重量％である。０．０１％未満であると、下部金属膜質の腐食が深化される問題点があり、３重量％を超過すると、感光性樹脂を除去する能力が低下する問題点及びコスト増加による製品価格上昇の問題点がある。
【００２５】
本発明による組成物に含有されるモノアルコールは、Ｃ２〜Ｃ１０のアルキル基あるいはアルアルキル基に一つのヒドロキシ基を有する化合物であって、感光性樹脂膜の除去工程で均一度を改善し、前記ヒドラジン水和物またはアミン化合物及び極性溶剤の反応性を向上させる役割をする。前記モノアルコール化合物は、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、イソヘキサノール、イソオクタノール、またはベンジルアルコールからなら群から一つ以上の化合物を選択して使用することが好ましい。前記モノアルコールの含量は、全体組成物に対し０．０１〜５重量％が好ましく、より好ましい含量範囲は、０．１〜５重量％である。０．０１％未満であると、相安定性を増加できず、感光性樹脂を円滑に除去することができなくなり、５重量％を超過すると、組成物の製造費用などを考慮した工業的な側面で非経済的である。
【００２６】
本発明による組成物の主要構成成分である脱イオン水の含量は、全体組成物に対して４０〜７０重量％であり、より好ましくは、４５〜６５重量％であることが好ましい。４０重量％未満であると、製造費用や工程時間を短縮して生産性を極大化することができなくなり、７０重量％を超過すると、感光性樹脂膜に対する除去性能が大いに低下する。
【００２７】
本発明による組成物は、下部金属層の損傷を防止するために、アンモニウム系化合物をさらに含有してもよいが、その含量は、全体組成物に対して０．０１〜３重量％が好ましく、より好ましくは、０．１〜３重量％とする。含量が０．０１％未満であると、下部金属膜質の腐食が発生する恐れがあり、３重量％を超過すると、感光性樹脂を除去する能力が低下する問題点がある。前記アンモニウム塩系化合物としては、安息香酸アンモニウム(C6H5CO2NH4)、炭酸アンモニウム((NH4)2CO3)、水酸化アンモニウム(NH4OH)、酢酸アンモニウム (CH3CO2NH4)、ヨウ化アンモニウム(NH4I)、塩化アンモニウム(NH4Cl)、第二リン酸アンモニウム、第一リン酸アンモニウム、 第三リン酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、または硝酸アンモニウムから、単独または混合して使用することができる。
【００２８】
以下、実施例を通じて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明の範囲がこれら実施例に限定されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
(実施例１)感光性樹脂除去剤の製造
製造例１〜６及び比較例１〜２で製造した感光性樹脂除去剤を用意した。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
(実施例２)金属配線試片の製造
８"インチシリコンウェハーにシリコンオキシド膜を形成した後、金属配線層をＴｉ/ＴｉＮ  １５０Å/Ａｌ  ８０００Å/ＴｉＮ  １００Åで沈着した後、通常のフォトリソグラフィー工程を進行して、所定パターンを形成した。前記感光性樹脂(シプリＵＶ−６)パターンが形成された試片を製造した後、ドライエッチング工程を進行した。
【００３２】
ドライエッチング装置(Applied  Material社、モデル名：P/5000)で、ＣＦ４/Ｏ２混合ガスをエッチングガスとして使用し、感光性樹脂パターンで覆われていない下部の金属配線層をエッチングして、金属配線パターンを形成した。次いで、アッシング装備(モデル名：TCA-2400)を利用し、Ｏ２/Ｎ２混合ガスを反応ガスとして利用してアッシング工程を進行し、図１〜図３のような試片を製造した。
【表２】
2009505132.tif 000004
【００３３】
(実施例３)感光性樹脂除去剤の性能評価
製造例１〜６、比較例１〜２で製造した感光性樹脂除去剤組成物に実施例２で製造した試片を浸漬し、金属配線形成工程及びビアホール(Via hole)形成工程に、製造例１〜６は、工程温度５５℃で工程時間８分間それぞれ適用し、比較例１は、工程温度６５℃で工程時間１０分間適用して、比較例２は、工程温度７０℃で工程時間２０分間適用し、それぞれの工程における感光性樹脂の除去程度及び下部金属膜質の腐食程度を評価して、下記表２に示した。
【００３４】
【表３】
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【００３５】
上記表２は、本発明による感光性樹脂除去剤及び従来の半導体工程で使用される感光性樹脂(PR)除去剤の性能を比較した結果である。
【００３６】
本発明の感光性樹脂除去剤により、金属配線形成工程及びビアホール形成工程において感光性樹脂をそれぞれアッシングした場合、各工程で感光性樹脂がきれいに除去されたことが、上記表２及び図３〜図１４から分かる。前記図３〜図４は、前記実施例２で製造した試片を、製造例１で製造した組成物で処理した後、電子顕微鏡で撮影したものであって、図３及び図４は、製造例１を処理した結果であり、図５及び図６は、製造例２を処理した結果であり、図７及び図８は、製造例３を処理した結果であり、図９及び図１０は、製造例４を処理した結果であり、 図１１及び図１２は、製造例５を処理した結果であり、 図１３及び図１４は、製造例６を処理した結果である。
【００３７】
その反面、従来の感光性樹脂除去剤である比較例１及び比較例２の場合、感光性樹脂がきれいに除去できず、図１５〜図１８から分かるように、金属配線パターン上に感光性樹脂が除去されずに残っている。図１５及び図１６は、比較例１を処理した結果であり、図１７及び図１８は、比較例２を処理した結果である。本発明による感光性樹脂除去剤に比べ、除去効率が劣っていることが分かる。また、金属配線パターンの種類によって、感光性樹脂除去性能を確認した結果、本発明の感光性樹脂除去剤により、パターンに関係なく感光性樹脂がきれいに除去されたことが分かる。
【００３８】
また、前記表２の結果から分かるように、本発明による感光性樹脂除去剤組成物は、金属配線形成工程及びビアホール形成工程で感光性樹脂をそれぞれアッシングした場合、比較例の組成物に比べ、下部金属膜に対する腐食性がなかった。比較例１及び２の組成物は、一部腐食を進行させ、感光性樹脂除去性能の評価においても、本発明による組成物に比べ、除去効率が劣っていた。
【００３９】
本発明による感光性樹脂除去剤組成物は、低い工程温度の５５℃で８分間程度の処理でも、金属配線に対する腐食無しに、感光性樹脂を効率的に除去できる組成物であることを確認した。従って、本発明による感光性樹脂除去剤は、工程時間を短縮することができて効率的であり、水の含量が高いため新環境的であって、製造費用が低いため経済的である。
【００４０】
また、本発明による組成物は、脱イオン水が４０％以上含有され、後続のリンス工程で容易に除去されるため、下部金属配線の腐食を防止し、組成物製造費用の節減及び廃水の低減を図り、工程時間を短縮して生産性を極大化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明による除去剤組成物で処理する前の金属パターンの電子顕微鏡写真であって、図１は、金属配線である。
【図２】本発明による除去剤組成物で処理する前の金属パターンの電子顕微鏡写真であって、図２は、ビアホール(Via Hole)である。
【図３】図３は、製造例１で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図４】図４は、製造例１で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図５】図５は、製造例２で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図６】図６は、製造例２で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図７】図７は、製造例３で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図８】図８は、製造例３で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図９】図９は、製造例４で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図１０】図１０は、製造例４で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図１１】図１１は、製造例５で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図１２】図１２は、製造例５で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図１３】図１３は、製造例６で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図１４】図１４は、製造例６で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図１５】図１５は、比較例１で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図１６】図１６は、比較例１で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図１７】図１７は、比較例２で製造した組成物を処理した金属配線写真である。
【図１８】図１８は、比較例２で製造した組成物を処理したビアホール写真である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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