(57)【要約】  本発明は、装置の増設を伴わずに１チップ当たりの検査コストを削減できるようにしたものである。  本発明の半導体検査装置は、１又は複数の被検査チップ（１１，２１）が形成された半導体ウェハ（１０，２０）に信号又は電源の伝送を行うプローブカード（４０）を備え、プローブカード（４０）の第１面に第１の半導体ウェハ（１０）が対面し、かつ、プローブカードの第１面の反対側の第２面に第２の半導体ウェハ（２０）が対面するように構成される。プローブカード（４０）は、第１の半導体ウェハ（１０）における第１の被検査チップ（１１）、及び第２の半導体ウェハ（２０）における第２の被検査チップ（２１）と非接触伝送が可能な１又は複数の検査用チップ（４２）を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は複数の被検査チップが形成された半導体ウェハに信号又は電源の伝送を行うプローブカードを備え、
前記プローブカードの第１面に第１の半導体ウェハが対面し、かつ、前記プローブカードの前記第１面の反対側の第２面に第２の半導体ウェハが対面するように構成されることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
前記プローブカードは、前記第１の半導体ウェハにおける第１の被検査チップ、及び前記第２の半導体ウェハにおける第２の被検査チップと非接触伝送が可能な１又は複数の検査用チップを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置。
【請求項３】
前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップは、非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含み、
前記検査用チップは、前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップの一方又は両方の前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含むことを特徴とする請求項２記載の半導体検査装置。
【請求項４】
前記プローブカードは、基板の片面に前記検査用チップが実装されていることを特徴とする請求項３記載の半導体検査装置。
【請求項５】
前記検査用チップの前記非接触伝送電極は、前記検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置されることを特徴とする請求項４記載の半導体検査装置。
【請求項６】
前記プローブカードは、基板の両面に前記検査用チップが実装されていることを特徴とする請求項３記載の半導体検査装置。
【請求項７】
前記基板の第１面に実装された第１の検査用チップの非接触伝送電極は、前記第１の検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置され、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面に実装された第２の検査用チップの非接触伝送電極は、前記第２の検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置されることを特徴とする請求項６記載の半導体検査装置。
【請求項８】
前記基板は、前記第１の検査用チップと前記第２の検査用チップの間を磁気的に遮蔽する金属層を内蔵していることを特徴とする請求項６又は７記載の半導体検査装置。
【請求項９】
前記プローブカードは、基板に前記検査用チップが埋め込まれていることを特徴とする請求項２記載の半導体検査装置。
【請求項１０】
前記プローブカードは、前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップの一方又は両方の前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含む基板を有し、
前記基板の前記非接触伝送電極は、前記検査用チップと電気的に接続されていることを特徴とする請求項９記載の半導体検査装置。
【請求項１１】
前記基板の前記非接触伝送電極は、前記基板の前記第１の被検査チップ側の面、及び前記第２の被検査チップ側の面の一方又は両方に配置されることを特徴とする請求項１０記載の半導体検査装置。
【請求項１２】
前記第１の半導体ウェハの前記非接触伝送電極は、前記第１の半導体ウェハの前記プローブカード側の面又はその反対面に配され、
前記第２の半導体ウェハの前記非接触伝送電極は、前記第２の半導体ウェハの前記プローブカード側の面又はその反対面に配されることを特徴とする請求項３乃至１１のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１３】
前記非接触伝送電極は、通信用コイルであることを特徴とする請求項３乃至１２のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１４】
前記非接触伝送電極は、容量結合を行うための導体層であることを特徴とする請求項３乃至１２のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１５】
前記プローブカードと前記第１の半導体ウェハの間、及び前記プローブカードと前記第２の半導体ウェハの間の一方又は両方に介在した絶縁体を備えることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１６】
前記第１の半導体ウェハ及び前記第２の半導体ウェハの一方又は両方は、前記被検査チップが配された領域以外の領域に配設されるとともに各前記被検査チップと電気的に接続された電極を有し、
前記電極と接触するとともに前記電極に電源又は信号を供給するプローブ針を備えることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１７】
前記プローブカードは、片面又は両面に複数のプローブピンが配設され、前記プローブピンが前記第１の半導体ウェハ及び前記第２の半導体ウェハの一方又は両方と接触するように構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置。
【請求項１８】
前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハは、互いに同一種又は異種であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１９】
前記プローブカードを着脱可能に支持するカード支持台と、
前記第１の半導体ウェハを支持する第１のウェハステージと、
前記第２の半導体ウェハを支持する第２のウェハステージと、
を備え、
前記カード支持台、前記第１のウェハステージ、及び前記第２のウェハステージのうち少なくとも２つは、位置決め機構を有することを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項２０】
前記プローブカード、前記第１の半導体ウェハ、及び前記第２の半導体ウェハは、水平面に対し垂直に配置されることを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項２１】
第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップ、及び前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップの両方に同時に検査信号を伝送する工程と、
前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップが各々の検査結果を同時又は順次、前記プローブカードに伝送する工程と、
を含むことを特徴とする半導体検査方法。
【請求項２２】
第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードの前記第１の半導体ウェハ側に配された第１の検査用チップが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップに、前記プローブカードの第２の半導体ウェハ側に配された第２の検査用チップが前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップに、同時に又は独立に検査信号を伝送する工程と、
前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップが前記第１の検査用チップに、前記検査信号を受けた前記第２の被検査チップが前記第２の検査用チップに、同時に又は独立に検査結果を伝送する工程と、
を含むことを特徴とする半導体検査方法。
【請求項２３】
請求項２１又は２２記載の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の記載］
本発明は、日本国特許出願：特願２００８−０２５４４５号（２００８年  ２月  ５日出願）の優先権主張に基づくものであり、同出願の全記載内容は引用をもって本書に組み込み記載されているものとする。
本発明は、半導体ウェハを検査する半導体検査装置及び半導体検査方法に関し、特に、同時に２枚の半導体ウェハを検査する半導体検査装置及び半導体検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハを検査する半導体検査装置は、プローブピンを半導体ウェハ上のパッドに接触させて検査する接触式が一般的に用いられているが、接触式では半導体ウェハに傷が発生したり、接触圧力の調整が難しいといった事情から、近年では、半導体ウェハにおける被検査チップと無線通信又は容量結合により非接触で検査する非接触式が用いられるようになっている。【０００３】
例えば、特許文献１では、無線通信による非接触信号伝送方式として、半導体ウェハ上の半導体チップ（被検査チップ）に通信コイルを形成したものを用い、半導体検査装置のヘッドから検査信号を無線で通信コイルに送信し、当該検査信号を受信した半導体チップの機能を検査した後、検査結果を通信コイルからヘッドに送信することにより検査を行うものが開示されている。この方式では、ヘッド又は半導体ウェハを移動させることにより、半導体ウェハ上の各半導体チップに対して検査を行う。【０００４】
また、特許文献２では、容量結合による非接触信号伝送方式として、電圧プローブチップにおいて、ＬＳＩチップのモニタしようとする信号線に相対向するようにセンサ部が形成され、当該センサ部を誘電体膜で被覆したものを用いて、ＬＳＩチップの信号線の電圧変化を、静電誘導による誘起電圧として電圧プローブチップで検出することによりチップごとに検査を行うものが開示されている。【０００５】
さらに、特許文献３では、非接触信号伝送を用いたウェハ検査装置として、被検査ウェハと非接触で対向させたデータ送受信装置と、データ送受信装置に接続されたテスタとを備え、被検査ウェハがデータ送受信装置より検査信号を受信して検査を開始し、検査終了後に検査結果をデータ送受信装置に送信するものが開示されている。【０００６】
【特許文献１】特許第３７９８７１６号公報
【特許文献２】特許第３７９３９４５号公報
【特許文献３】特開２００４−２５３５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上の特許文献１〜３の全開示内容は、本書に引用をもって繰り込み記載されているものとする。
以下の分析は、本発明の観点から与えられる。
ところで、半導体ウェハの検査では、被検査チップの縮小化や複雑化等に伴い検査コストの増加が問題となっている。検査コストを削減する１つの方法として、同測数を増やすことで、１チップ当たりの検査時間を削減することである。しかしながら、従来の手法では、１回で検査できる半導体ウェハが１枚に限られ、１枚の半導体ウェハに形成されたチップ数を超えた数のチップを同時に検査することができないため、１チップ当たりの検査時間を短縮するのに限界があった。また、複数の半導体検査装置を並列に稼動することによって同時に検査できるチップ数を増加させることができるが、これでは半導体検査装置の増設によってコストの増加を招いてしまう。【０００８】
本発明の主な課題は、装置の増設を伴わずに１チップ当たりの検査コストを削減できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の視点においては、半導体ウェハを検査する半導体検査装置であって、１又は複数の被検査チップが形成された半導体ウェハに信号又は電源の伝送を行うプローブカードを備え、前記プローブカードの第１面に第１の半導体ウェハが対面し、かつ、前記プローブカードの前記第１面の反対側の第２面に第２の半導体ウェハが対面するように構成されることを特徴とする。【００１０】
本発明の第２の視点においては、半導体ウェハを検査する半導体検査方法であって、第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップ、及び前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップの両方に同時に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップが各々の検査結果を同時又は順次、前記プローブカードに伝送する工程と、を含むことを特徴とする。【００１１】
本発明の第３の視点においては、半導体ウェハを検査する半導体検査方法であって、第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードの前記第１の半導体ウェハ側に配された第１の検査用チップが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップに、前記プローブカードの第２の半導体ウェハ側に配された第２の検査用チップが前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップに、同時に又は独立に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップが前記第１の検査用チップに、前記検査信号を受けた前記第２の被検査チップが前記第２の検査用チップに、同時に又は独立に検査結果を伝送する工程と、を含むことを特徴とする。【００１２】
本発明の第４の視点においては、半導体装置の製造方法であって、前記半導体検査方法の工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被検査チップを形成した半導体ウェハをプローブカードの両面に配置することにより、検査装置の台数を増やすことなく、同時に検査可能なチップ数を増加させ、１チップ当たりの検査時間を短縮することができる。その結果、検査コストの削減が可能となる。また、１ウェハあたりの検査装置の小型化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２のＡ−Ａ´間の断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した第２の半導体ウェハ側から見た平面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成を模式的に示した斜視図である。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの回路構成を模式的に示したブロック図である。
【図６】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置（片面型）を模式的に示した断面図である。
【図７】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置（片面型）の第１の変形例を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置（片面型）の第２の変形例を模式的に示した断面図である。
【図９】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの片面型の変形例を模式的に示した断面図である。
【図１０】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置（両面型）を模式的に示した断面図である。
【図１１】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの両面型の変形例を模式的に示した断面図である。
【図１２】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの埋込型の変形例を模式的に示した断面図である。
【図１３】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの基板電極型の変形例を模式的に示した断面図である。
【図１４】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。
【図１５】本発明の実施例２に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。
【図１６】本発明の実施例２に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置を模式的に示した断面図である。
【図１７】本発明の実施例２に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。
【図１８】本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図１９】本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２０のＢ−Ｂ´間の断面図である。
【図２０】本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した第２の半導体ウェハ側から見た平面図である。
【図２１】本発明の実施例４に係る半導体検査装置の変形例の構成を模式的に示した断面図である。
【図２２】本発明の実施例５に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図２３】本発明の実施例６に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【００１５】
１０  第１の半導体ウェハ
１１  第１の被検査チップ
１１ａ  非接触伝送電極
１１ｂ  非接触伝送インタフェース回路
１１ｃ  パッド
１１ｄ  被検査回路
２０  第２の半導体ウェハ
２１  第２の被検査チップ
２１ａ  非接触伝送電極
３０  半導体検査装置
３１  プローバ
３２  第１のステージ
３３  第２のステージ
４０、６０  プローブカード
４１、６１  プローブカード基板
４１ａ  金属層
４１ｂ  非接触伝送電極
４２、４２Ａ、４２Ｂ、６２Ａ、６２Ｂ  検査用チップ
４２ａ、６２ａ  非接触伝送電極
４２ｂ  非接触伝送インタフェース回路
４２ｃ  検査支援回路
４３、６３  プローブカード支持台
４４、６４  バンプ
５０  テスタ
５１  配線
７０  絶縁膜
７１  第１のプローブ針
７２  第２のプローブ針
７３  プローブピン
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施形態１に係る半導体検査装置では、１又は複数の被検査チップ（図６の１１、２１）が形成された半導体ウェハ（図６の１０、２０）に信号又は電源の伝送を行うプローブカード（図６の４０）を備え、前記プローブカード（図６の４０）の第１面に第１の半導体ウェハ（図６の１０）が対面し、かつ、前記プローブカード（図６の４０）の前記第１面の反対側の第２面に第２の半導体ウェハ（図６の２０）が対面するように構成される（形態１）。
さらに、以下の形態も可能である。
前記プローブカードは、前記第１の半導体ウェハにおける第１の被検査チップ、及び前記第２の半導体ウェハにおける第２の被検査チップと非接触伝送が可能な１又は複数の検査用チップを備えることが好ましい（形態１−１）。
前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップは、非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含み、前記検査用チップは、前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップの一方又は両方の前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含むことが好ましい（形態１−２）。
前記プローブカードは、基板の片面に前記検査用チップが実装されていることが好ましい（形態１−３）。
前記検査用チップの前記非接触伝送電極は、前記検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置されることが好ましい（形態１−４）。
前記プローブカードは、基板の両面に前記検査用チップが実装されていることが好ましい（形態１−５）。
前記基板の第１面に実装された第１の検査用チップの非接触伝送電極は、前記第１の検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置され、前記基板の前記第１面の反対側の第２面に実装された第２の検査用チップの非接触伝送電極は、前記第２の検査用チップの前記基板側の面又はその反対面に配置されることが好ましい（形態１−６）。
前記基板は、前記第１の検査用チップと前記第２の検査用チップの間を磁気的に遮蔽する金属層を内蔵していることが好ましい（形態１−７）。
前記プローブカードは、基板に前記検査用チップが埋め込まれていることが好ましい（形態１−８）。
前記プローブカードは、前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップの一方又は両方の前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含む基板を有し、前記基板の前記非接触伝送電極は、前記検査用チップと電気的に接続されていることが好ましい（形態１−９）。
前記基板の前記非接触伝送電極は、前記基板の前記第１の被検査チップ側の面、及び前記第２の被検査チップ側の面の一方又は両方に配置されることが好ましい（形態１−１０）。
前記第１の半導体ウェハの前記非接触伝送電極は、前記第１の半導体ウェハの前記プローブカード側の面又はその反対面に配され、前記第２の半導体ウェハの前記非接触伝送電極は、前記第２の半導体ウェハの前記プローブカード側の面又はその反対面に配されることが好ましい（形態１−１１）。
前記非接触伝送電極は、通信用コイルであることが好ましい（形態１−１２）。
前記非接触伝送電極は、容量結合を行うための導体層であることが好ましい（形態１−１３）。
前記プローブカードと前記第１の半導体ウェハの間、及び前記プローブカードと前記第２の半導体ウェハの間の一方又は両方に介在した絶縁体を備えることが好ましい（形態１−１４）。
前記第１の半導体ウェハ及び前記第２の半導体ウェハの一方又は両方は、前記被検査チップが配された領域以外の領域に配設されるとともに各前記被検査チップと電気的に接続された電極を有し、前記電極と接触するとともに前記電極に電源又は信号を供給するプローブ針を備えることが好ましい（形態１−１５）。
前記プローブカードは、片面又は両面に複数のプローブピンが配設され、前記プローブピンが前記第１の半導体ウェハ及び前記第２の半導体ウェハの一方又は両方と接触するように構成されることが好ましい（形態１−１６）。
前記第１の半導体ウェハと前記第２の半導体ウェハは、互いに同一種又は異種であることが好ましい（形態１−１７）。
前記プローブカードを着脱可能に支持するカード支持台と、前記第１の半導体ウェハを支持する第１のウェハステージと、前記第２の半導体ウェハを支持する第２のウェハステージと、を備え、前記カード支持台、前記第１のウェハステージ、及び前記第２のウェハステージのうち少なくとも２つは、位置決め機構を有することが好ましい（形態１−１８）。
前記プローブカード、前記第１の半導体ウェハ、及び前記第２の半導体ウェハは、水平面に対し垂直に配置されることが好ましい（形態１−１９）。【００１７】
本発明の実施形態２に係る半導体検査方法では、第１の半導体ウェハ（図６の１０）と第２の半導体ウェハ（図６の２０）の間に配されたプローブカード（図６の４０）が前記第１の半導体ウェハ（図６の１０）に形成された第１の被検査チップ（図６の１１）、及び前記第２の半導体ウェハ（図６の２０）に形成された第２の被検査チップ（図６の２１）の両方に同時に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップ（図６の１１）及び前記第２の被検査チップ（図６の２１）が各々の検査結果を同時又は順次、前記プローブカード（図６の４０）に伝送する工程と、を含む（形態２）。
さらに、以下の形態も可能である。
第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップ、及び前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップの両方に同時に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップ及び前記第２の被検査チップが各々の検査結果を同時又は順次、前記プローブカードに伝送する工程と、を含むことが好ましい（形態２−１）。
第１の半導体ウェハと第２の半導体ウェハの間に配されたプローブカードの前記第１の半導体ウェハ側に配された第１の検査用チップが前記第１の半導体ウェハに形成された第１の被検査チップに、前記プローブカードの第２の半導体ウェハ側に配された第２の検査用チップが前記第２の半導体ウェハに形成された第２の被検査チップに、同時に又は独立に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップが前記第１の検査用チップに、前記検査信号を受けた前記第２の被検査チップが前記第２の検査用チップに、同時に又は独立に検査結果を伝送する工程と、を含むことが好ましい（形態２−２）。【００１８】
本発明の実施形態３に係る半導体検査方法では、第１の半導体ウェハ（図１０の１０）と第２の半導体ウェハ（図１０の２０）の間に配されたプローブカード（図１０の４０）の前記第１の半導体ウェハ（図１０の１０）側に配された第１の検査用チップ（図１０の４２Ａ）が前記第１の半導体ウェハ（図１０の１０）に形成された第１の被検査チップ（図１０の１１）に、前記プローブカード（図１０の４０）の第２の半導体ウェハ（図１０の２０）側に配された第２の検査用チップ（図１０の４２Ｂ）が前記第２の半導体ウェハ（図１０の２０）に形成された第２の被検査チップ（図１０の２１）に、同時に又は独立に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた前記第１の被検査チップ（図１０の１１）が前記第１の検査用チップ（図１０の４２Ａ）に、前記検査信号を受けた前記第２の被検査チップ（図１０の２１）が前記第２の検査用チップ（図１０の４２Ｂ）に、同時に又は独立に検査結果を伝送する工程と、を含む（形態３）。
【実施例１】
【００１９】
本発明の実施例１に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２のＡ−Ａ´間の断面図である。図２は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した第２の半導体ウェハ側から見た平面図である。なお、図２では、図１の第２のステージ３３及びプローバ３１のヘッド部を省略している。【００２０】
図１及び図２を参照すると、半導体検査装置３０は、同時に２枚の半導体ウェハ１０、２０を検査することが可能な装置である。半導体検査装置３０は、プローバ３１と、第１のステージ３２と、第２のステージ３３と、プローブカード４０と、プローブカード支持台４３と、を有する。【００２１】
プローバ３１は、第１のステージ３２及びプローブカード支持台４３を保持する台座部と、第２のステージ３３を保持するヘッド部とが回動自在に連結された部材である。【００２２】
第１のステージ３２は、プローブカード４０の下側に配された第１の半導体ウェハ１０を保持するステージである。第１のステージ３２は、プローバ３１の台座部上に固定されている。第１のステージ３２は、第１の半導体ウェハ１０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化を有する。なお、プローブカード支持台４３及び第２のステージ３３の両者に位置合わせ機構があれば、第１のステージ３２に位置合わせ機構を有さなくてもよい。第１のステージ３２は、第１の半導体ウェハ１０をステージ上に固定する手段として、真空吸着手段、把持手段などを有する。【００２３】
第２のステージ３３は、プローブカード４０の上側に配された第２の半導体ウェハ２０を保持するステージである。第２のステージ３３は、プローバ３１のヘッド部上に固定されている。第２のステージ３３は、第２の半導体ウェハ２０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化が可能な機構を有する。なお、プローブカード支持台４３及び第１のステージ３２の両者に位置合わせ機構があれば、第２のステージ３３に位置合わせ機構を有さなくてもよい。第２のステージ３３は、第２の半導体ウェハ２０をステージ上に固定する手段として、真空吸着手段、把持手段などを有する。【００２４】
プローブカード４０は、半導体ウェハ１０、２０に対して電源と信号の両方又は一方を非接触で伝送する機能を有するカード状の部品である。なお、プローブピンを接触させて電源と信号の両方又は一方を伝送する構成については、実施例５（図２２）を参照されたい。プローブカード４０は、外周部にて着脱自在にプローブカード支持台４３に支持されている。プローブカード４０は、プローブカード支持台４３及びプローバ３１内に配された配線５１を通じてテスタ５０と電気的に接続されている。なお、プローブカード４０の詳細な構成については、後述する。【００２５】
プローブカード支持台４３は、プローブカード４０を着脱自在に支持するための台である。プローブカード支持台４３は、プローバ３１の台座部上に固定されている。プローブカード支持台４３は、プローブカード４０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化を有する。なお、第１のステージ３２及び第２のステージ３３の両者に位置合わせ機構があれば、プローブカード支持台４３に位置合わせ機構を有さなくてもよい。プローブカード支持台４３は、プローバ３１の台座部と着脱自在な構成であってもよい。【００２６】
第１の半導体ウェハ１０は、プローブカード４０の下側に配置された半導体ウェハであり、第１のステージ３２の上面に保持されている。第２の半導体ウェハ２０は、プローブカード４０の上側に配置された半導体ウェハであり、第２のステージ３３の下面に保持されている。第１の半導体ウェハ１０と第２の半導体ウェハ２０は、同一サイズでなくてもよい。半導体ウェハ１０、２０は、プローブカード４０に対して非接触で通信可能な機能を有する。なお、半導体ウェハ１０、２０の詳細な構成、及び検査時の動作については、後述する。【００２７】
テスタ５０は、プローブカード４０を介して半導体ウェハ１０、２０をテストする装置である。なお、テスタ５０の動作については、後述する。【００２８】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成について図面を用いて説明する。図３は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成を模式的に示した斜視図である。図４は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。図５は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの回路構成を模式的に示したブロック図である。【００２９】
図３を参照すると、第１の半導体ウェハ１０は、複数の被検査チップ１１を有する。第２の半導体ウェハ２０は、複数の被検査チップ２１を有する。プローブカード４０は、複数の検査用チップ４２を有する。第１の半導体ウェハ１０、第２の半導体ウェハ２０、及びプローブカード４０を位置合わせすることにより、１つの検査用チップ４２に対して１つの被検査チップ１１と１つの被検査チップ２１が対応する。なお、被検査チップ１１、２１と検査用チップ４２の大きさは必ずしも同じでなくてよい。また、第１の半導体ウェハ１０の第１の被検査チップ１１と第２の半導体ウェハ２０の第２の被検査チップ２１とは、機能の一部が同じで検査ベクトルを一部共有する場合があるので、必ずしも同一の構成でなくてもよい。【００３０】
図４を参照すると、検査用チップ４２には、所定の位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極４２ａが形成されている。被検査チップ１１には、検査用チップ４２の非接触伝送電極４２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極１１ａが形成されている。被検査チップ２１には、検査用チップ４２の非接触伝送電極４２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極２１ａが形成されている。検査用チップ４２に対して被検査チップ１１と被検査チップ２１が対応すると、１つの非接触伝送電極４２ａに対して１つの非接触伝送電極１１ａと１つの非接触伝送電極２１ａが対応する。非接触伝送電極４２ａは、非接触伝送電極１１ａ、２１ａの両方と同時に信号や電源の伝送が可能である。【００３１】
図５を参照すると、検査用チップ４２は、非接触伝送電極４２ａと、非接触伝送インタフェース回路４２ｂと、検査支援回路４２ｃと、を有する。非接触伝送電極４２ａは、非接触伝送電極１１ａ（及び図４の非接触伝送電極２１ａ）に対して電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う通信用コイルである。非接触伝送インタフェース回路４２ｂは、検査支援回路４２ｃから非接触伝送電極４２ａへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換するとともに、非接触伝送電極４２ａから検査支援回路４２ｃへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換する回路である。検査支援回路４２ｃは、テスタ５０による被検査チップ１１（及び図４の被検査チップ２１）の検査を支援する回路であり、テスタ５０からの信号を所定の処理を行って非接触伝送インタフェース回路４２ｂに向けて出力するとともに、非接触伝送インタフェース回路４２ｂからの信号を所定の処理を行ってテスタ５０に向けて出力する。【００３２】
図５を参照すると、被検査チップ１１は、非接触伝送電極１１ａと、非接触伝送インタフェース回路１１ｂと、パッド１１ｃと、被検査回路１１ｄと、を有する。非接触伝送電極１１ａは、非接触伝送電極４２ａに対して電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う通信用コイルである。非接触伝送インタフェース回路１１ｂは、被検査回路１１ｄから非接触伝送電極１１ａへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換するとともに、非接触伝送電極１１ａから被検査回路１１ｄへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換する回路である。パッド１１ｃは、被検査回路１１ｄの入出力用の電極パッドである。被検査回路１１ｄは、検査の対象となる回路であり、非接触伝送インタフェース回路１１ｂ及びパッド１１ｃとの間で信号や電源の入出力を行う。【００３３】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置について図面を用いて説明する。図６〜図８、図１０は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置を模式的に示した断面図である。図９、図１１〜図１３は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの変形例を模式的に示した断面図である。【００３４】
プローブカード４０が検査用チップ４２をプローブカード基板４１の片面に実装した例（片面型）として、図６を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ４４を介して検査用チップ４２がフリップチップ接続されており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。【００３５】
半導体ウェハ１０、２０の配置関係に係る変形例（片面型）として、図７を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ４４を介して検査用チップ４２がフリップチップ接続されており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設されている。【００３６】
半導体ウェハ１０、２０の配置関係に係る変形例（片面型）として、図８を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ４４を介して検査用チップ４２がフリップチップ接続されており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。図８の例では、検査用チップ４２と第１の被検査チップ１１の非接触伝送電極４２ａ、１１ａの位置関係と、検査用チップ４２と第２の被検査チップ２１の非接触伝送電極４２ａ、２１ａの位置関係とが違うので、第１の半導体ウェハ１０と第２の半導体ウェハ２０が非接触伝送電極１１ａ、２１ａの位置に関して面対称にする必要がある。【００３７】
片面型のプローブカード４０に係る変形例として、図９（Ａ）を参照すると、プローブカード４０は、図６〜図８と同様に、プローブカード基板４１（配線基板）の下側の面に検査用チップ４２が実装されているが、非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設してもよい。また、図９（Ｂ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の上側の面に検査用チップ４２を実装してもよく、非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設してもよい。また、図９（Ｃ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の上側の面に検査用チップ４２を実装し、非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設してもよい。【００３８】
プローブカード４０が検査用チップ４２をプローブカード基板４１の両面に実装した例（両面型）として、図１０を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ４４を介して検査用チップ４２Ａがフリップチップ接続されており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設されている。また、プローブカード４０は、プローブカード基板４１の第２の半導体ウェハ２０側の面にもバンプ４４を介して検査用チップ４２Ｂがフリップチップ接続されており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に配設されている。非接触伝送電極１１ａ、２１ａ、４２ａには通信コイルが用いられ、磁気結合により非接触伝送を行うので、プローブカード基板４１において磁束を遮蔽する膜（例えば、金属層４１ａ）を設けている。【００３９】
両面型のプローブカード４０に係る変形例として、図１１（Ａ）を参照すると、プローブカード４０は、図１０と同様に、プローブカード基板４１（配線基板）の両面に検査用チップ４２Ａ、４２Ｂが実装されているが、検査用チップ４２Ａの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設し、検査用チップ４２Ｂの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設してもよい。また、図１１（Ｂ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の両面に検査用チップ４２Ａ、４２Ｂが実装され、検査用チップ４２Ａの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設し、検査用チップ４２Ｂの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設してもよい。また、図１１（Ｃ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）の両面に検査用チップ４２Ａ、４２Ｂが実装され、検査用チップ４２Ａの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面に配設し、検査用チップ４２Ｂの非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設してもよい。【００４０】
プローブカード４０が検査用チップ４２をプローブカード基板４１に埋め込んだ例（埋込型）として、図１２（Ａ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）内に検査用チップ４２が埋め込まれており、非接触伝送電極４２ａが検査用チップ４２の下側の面に配設されている。また、図１２（Ｂ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）内に検査用チップ４２が埋め込まれ、非接触伝送電極４２ａを検査用チップ４２の上側の面に配設してもよい。【００４１】
検査用チップ４２に非接触伝送電極を設けないでプローブカード基板４１に非接触伝送電極を設けた例（基板電極型）として、図１３（Ａ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）内に検査用チップ４２が埋め込まれており、非接触伝送電極４１ｂがプローブカード基板４１の下側の面に配設され、非接触伝送電極４１ｂと検査用チップ４２が電気的に接続されている。また、図１３（Ｂ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）内に検査用チップ４２が埋め込まれており、非接触伝送電極４１ｂがプローブカード基板４１の上側の面に配設され、非接触伝送電極４１ｂと検査用チップ４２が電気的に接続されている。また、図１３（Ｃ）を参照すると、プローブカード４０は、プローブカード基板４１（配線基板）内に検査用チップ４２が埋め込まれており、非接触伝送電極４１ｂがプローブカード基板４１の両面に配設され、非接触伝送電極４１ｂと検査用チップ４２が電気的に接続されている。なお、図１３ではプローブカード基板４１内に検査用チップ４２が埋め込まれた形態を示したが、プローブカード基板４１上に検査用チップ４２をフリップチップ接続した形態であってもよい。【００４２】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作について図面を用いて説明する。図１４は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。【００４３】
まず、テスタ５０は、テスト開始にあたって、テスト信号（例えば、「０１１０」）を、検査用チップ４２を介して第１の被検査チップ１１及び第２の被検査チップ２１に同時に送信する。【００４４】
次に、第１の被検査チップ１１及び第２の被検査チップ２１は、テスタ５０からのテスト信号を受信した後、テストを開始し、テスト結果（例えば、第１の被検査チップ１１のテスト結果「１０１０」、第２の被検査チップ２１のテスト結果「１０１１」）を、検査用チップ４２を介してテスタ５０に送信する。【００４５】
次に、テスタ５０は、第１の被検査チップ１１及び第２の被検査チップ２１からのテスト結果を受信することにより、当該テスト結果と期待値（例えば、期待値「１０１１」）を比較する。比較の結果、テスト結果と期待値が異なる場合、テスタ５０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図１４では第１の被検査チップ１１）をＮＧと判定する。一方、テスト結果と期待値が同じ場合、テスタ５０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図１４では第２の被検査チップ２１）をＧＯＯＤと判定する。なお、検査支援回路（図５の４２ｃ）自体が、テスト信号の生成を行うこと又は、及び検査結果と期待値の比較を行うことも可能である。【００４６】
実施例１によれば、被検査チップ１１、２１を形成した半導体ウェハ１０、２０をプローブカード４０の両面に配置することにより、半導体検査装置の台数を増やすことなく、同時に検査可能なチップ数を増加させることができ、１チップ当たりの検査時間を短縮することができる。その結果、検査コストの削減が可能となる。また、従来の半導体検査装置と比較して、１ウェハあたりの半導体検査装置の小型化が可能である。
【実施例２】
【００４７】
本発明の実施例２に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１５は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。図１６は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置を模式的に示した断面図である。なお、図１５は、実施例１の図４に対応する。【００４８】
実施例１では磁気結合を利用して検査用チップ（図４の４２）と被検査チップ（図４の１１、２１）の間の非接触伝送を行っているが、実施例２では、検査用チップ６２Ａ、６２Ｂと被検査チップ１１、２１の間の非接触伝送を、容量結合を利用して行うようにしている。その他の構成は、実施例１と同様である。【００４９】
図１５を参照すると、検査用チップ６２Ａ、６２Ｂには、所定の位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極６２ａが形成されている。被検査チップ１１には、検査用チップ６２Ａの非接触伝送電極６２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極１１ａが形成されている。被検査チップ２１には、検査用チップ６２Ｂの非接触伝送電極６２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極２１ａが形成されている。【００５０】
図１６を参照すると、容量結合では非接触伝送電極が対面する必要があるので、プローブカード６０は、プローブカード基板６１の両面に検査用チップ６２Ａ、６２Ｂが実装されている。プローブカード６０は、プローブカード基板６１の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ６４を介して検査用チップ６２Ａがフリップチップ接続されており、非接触伝送電極６２ａが検査用チップ６２のプローブカード基板６１側の面の反対面に配設されている。また、プローブカード６０は、プローブカード基板６１の第２の半導体ウェハ２０側の面にもバンプ６４を介して検査用チップ６２Ｂがフリップチップ接続されており、非接触伝送電極６２ａが検査用チップ６２のプローブカード基板６１側の面の反対面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板６１側の面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板６１側の面に配設されている。非接触伝送電極１１ａ、２１ａ、６２ａには、容量結合に適した導体層が用いられる。【００５１】
次に、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の正誤判定動作について図面を用いて説明する。図１７は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。【００５２】
まず、テスタ５０は、テスト開始にあたって、テスト信号（例えば、「０１１０」）を、検査用チップ６２Ａを介して第１の被検査チップ１１に送信するとともに、検査用チップ６２Ｂを介して第２の被検査チップ２１に送信する。【００５３】
次に、第１の被検査チップ１１及び第２の被検査チップ２１は、テスタ５０からのテスト信号を受信した後、テストを開始する。第１の被検査チップ１１は、テスト結果（例えば、第１の被検査チップ１１のテスト結果「１０１０」）を、検査用チップ６２Ａを介してテスタ５０に送信する。第２の被検査チップ２１は、テスト結果（例えば、第２の被検査チップ２１のテスト結果「１０１１」）を、検査用チップ６２Ｂを介してテスタ５０に送信する。【００５４】
次に、テスタ５０は、第１の被検査チップ１１及び第２の被検査チップ２１からのテスト結果を受信することにより、当該テスト結果と期待値（例えば、期待値「１０１１」）を比較する。比較の結果、テスト結果と期待値が異なる場合、テスタ５０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図１７では第１の被検査チップ１１）をＮＧと判定する。一方、テスト結果と期待値が同じ場合、テスタ５０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図１７では第２の被検査チップ２１）をＧＯＯＤと判定する。なお、検査支援回路（図５の４２ｃに相当）自体が、テスト信号の生成を行うこと又は、及び検査結果と期待値の比較を行うことも可能である。【００５５】
実施例２によれば、実施例１と同様な効果を奏する。
【実施例３】
【００５６】
本発明の実施例３に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１８は、本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００５７】
実施例３に係る半導体検査装置では、実施例１に係る半導体検査装置（図１参照）のプローブカード４０と半導体ウェハ１０、２０との間に膜厚が均一な絶縁膜７０を介在させたものである。その他の構成は、実施例１と同様である。なお、絶縁膜７０の介在は、実施例２に適用することも可能である。【００５８】
実施例３によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、プローブカード４０の撓みを回避することができる。
【実施例４】
【００５９】
本発明の実施例４に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１９は、本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２０のＢ−Ｂ´間の断面図である。図２０は、本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した第２の半導体ウェハ側から見た平面図である。図２１は、本発明の実施例４に係る半導体検査装置の変形例の構成を模式的に示した断面図である。なお、図２０では、図１９の第２のステージ３３、プローバ３１のヘッド部、及び第２のプローブ針７２を省略している。【００６０】
実施例１では検査用チップ（図４の４２）と被検査チップ（図４の１１、２１）の間の伝送を非接触伝送のみで行っているが、実施例４では、電源やクロック信号などの共通の信号についてのみプローブ針７１、７２と半導体ウェハ１０、２０を接触させて各被検査チップ１１、２１に伝送するようにし、その他の信号については非接触伝送により伝送を行っている。その他の構成は、実施例１と同様である。なお、プローブ針７１、７２と半導体ウェハ１０、２０の接触に関しては、実施例２、３に適用することも可能である。【００６１】
図１９及び図２０を参照すると、第１の半導体ウェハ１０は、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面の反対面に非接触伝送電極１１ａが配設されており、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面の反対面に第１のプローブ針７１と接触する電極パッド（図示せず）を有する。第１のプローブ針７１と接触する電極パッドは、被検査チップ１１が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ１１と電気的に接続されている。第２の半導体ウェハ２０は、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に非接触伝送電極２１ａが配設されており、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に第２のプローブ針７２と接触する電極パッド（図示せず）を有する。第２のプローブ針７２と接触する電極パッドは、被検査チップ１１が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ１１と電気的に接続されている。第２の半導体ウェハ２０は、第１の半導体ウェハ１０と重なり合わない領域ができるように配置される。【００６２】
第１のプローブ針７１は、第１の半導体ウェハ１０に電源やクロック信号などの共通の信号を供給するためのプローブ針であり、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設された電極パッド（図示せず）と接触する。第１のプローブ針７１は、プローバ３１の台座部に固定されており、配線（図示せず）を通じてテスタ（図１の５０に相当）と電気的に接続されている。第２のプローブ針７２は、第２の半導体ウェハ２０に電源やクロック信号などの共通の信号を供給するためのプローブ針であり、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面に配設された電極パッド（図示せず）と接触する。第２のプローブ針７２は、プローバ３１のヘッド部に固定されており、配線（図示せず）を通じてテスタ（図１の５０に相当）と電気的に接続されている。【００６３】
図１９の変形例として、図２１を参照すると、第１の半導体ウェハ１０は、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に非接触伝送電極１１ａが配設されており、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に第１のプローブ針７１と接触する電極パッド（図示せず）を有する。第１のプローブ針７１と接触する電極パッドは、被検査チップ１１が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ１１と電気的に接続されている。第２の半導体ウェハ２０は、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面の反対面に非接触伝送電極２１ａが配設されており、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面の反対面に第２のプローブ針７２と接触する電極パッド（図示せず）を有する。第２のプローブ針７２と接触する電極パッドは、被検査チップ１１が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ１１と電気的に接続されている。第２の半導体ウェハ２０は、第１の半導体ウェハ１０と重なり合わない領域ができるように配置される。【００６４】
第１のプローブ針７１は、第１の半導体ウェハ１０に電源やクロック信号などの共通の信号を供給するためのプローブ針であり、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板４１側の面に配設された電極パッド（図示せず）と接触する。第１のプローブ針７１は、プローバ３１の台座部に固定されており、配線（図示せず）を通じてテスタ（図１の５０に相当）と電気的に接続されている。第２のプローブ針７２は、第２の半導体ウェハ２０に電源やクロック信号などの共通の信号を供給するためのプローブ針であり、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板４１側の面の反対面に配設された電極パッド（図示せず）と接触する。第２のプローブ針７２は、プローバ３１のヘッド部に固定されており、配線（図示せず）を通じてテスタ（図１の５０に相当）と電気的に接続されている。【００６５】
実施例４によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、電源やクロック信号などの共通の信号をプローブ針７１、７２から供給することができ、被検査チップ１１、２１における非接触伝送電極１１ａ、２１ａの個数を減らすことができる。
【実施例５】
【００６６】
本発明の実施例５に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図２２は、本発明の実施例５に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００６７】
実施例１ではプローブカード（図１の４０）と半導体ウェハ（図１の１０、２０）の間の伝送を非接触伝送のみで行っているが、実施例５では、プローブカード４０と半導体ウェハ１０、２０の間の伝送をプローブピン７３による接触伝送のみで行っている。プローブピン７３は、プローブカード４０の両面に配設されており、半導体ウェハ１０、２０のパッド（図５のパッド１１ｃに相当）と接触し、配線５１を通じてテスタ５０と電気的に接続されている。【００６８】
実施例５によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、半導体ウェハ１０、２０に非接触伝送電極を設けないこともできる。
【実施例６】
【００６９】
本発明の実施例６に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図２３は、本発明の実施例６に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図である。【００７０】
実施例１ではプローブカード（図１の４０）及び半導体ウェハ（図１の１０、２０）を横置き（水平置き）としているが、実施例６では、プローブカード４０及び半導体ウェハ１０、２０を縦置き（垂直置き）としたものである。その他の構成は実施例１と同様である。なお、プローブカード４０及び半導体ウェハ１０、２０の縦置きに関しては、実施例２〜５に適用することも可能である。【００７１】
実施例６によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、プローブカード４０が撓むことなく検査を行うことができる。
なお、前述の特許文献等の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【国際調査報告】
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