(57)【要約】本発明は、近赤外領域に優れた発光特性を有する近赤外強発光性希土類錯体を提供するためになされた。本発明の近赤外強発光性希土類錯体は、その構造が以下の一般式（１）（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）で表されることを特徴とする。【化１】2009110199.tif 000013
2009110199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項２】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000005
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１に記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項３】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000006
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項４】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項５】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いたセキュリティインク。
【請求項６】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000007
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項５に記載のセキュリティインク。
【請求項７】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000008
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項５又は６に記載のセキュリティインク。
【請求項８】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のセキュリティインク。
【請求項９】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた発光光源。
【請求項１０】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000009
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項９に記載の発光光源。
【請求項１１】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000010
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項９又は１０に記載のセキュリティインク。
【請求項１２】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の発光光源。
【請求項１３】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた測定用標識剤。
【請求項１４】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000011
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項１３に記載の測定用標識剤。
【請求項１５】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000012
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のセキュリティインク。
【請求項１６】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の測定用標識剤。
【請求項１７】
有機化合物と１２座で配位結合したＹｂ錯体を配合した物品の近赤外光を測定することにより、前記物品を識別する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の励起光を照射することにより近赤外領域の光を発する近赤外強発光性希土類錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光機能材料や発光体材料として各種の希土類錯体が開発されている。このうち、特に近赤外領域で発光する希土類錯体は、その不可視性からセキュリティ関連分野での利用が期待され、生体高透過性からバイオ関連に用いるラベリング剤としての利用が期待されている。また、近赤外領域の光は光情報通信分野においても利用価値が高い。【０００３】
本発明者らは、＋３価の希土類錯体を含有する組成物が優れた発光特性を有することを見出しており、特に、近赤外領域に優れた発光特性を示す発光体として強発光性ネオジム錯体を開発した（非特許文献１）。このネオジム錯体の近赤外領域における有機媒体中の発光量子収率は約3%である。
また、スイスのブンズリーらは近赤外領域の発光量子収率が2.1%のイッテルビウム錯体を発表した（非特許文献２）。さらに本発明者も、近年、近赤外領域における発光量子収率が約7.4%のイッテルビウム錯体を発表した（非特許文献３）。
【非特許文献１】Y.Hasegawa et al., Angew.Chem.Int.Ed., 39,357(2000)
【非特許文献２】J.G.Bunzli et al., Eur. J. Inorg. Chem., 23, 4739(2005).
【非特許文献３】Y.Hasegawa et al., 日本化学会春季年会(2007),Jpn. J. Appl. Phys. in press
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、近赤外領域で発光する種々の希土類錯体の開発が進められているが、いずれも発光量子収率が低く、発光特性が満足できるレベルに達していない。このため、光機能材料として十分な発光強度を得るためには多量の錯体が必要である。【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、近赤外領域に優れた発光特性を有する近赤外強発光性希土類錯体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
低振動型構造として分子振動が小さくなるように錯体を分子設計すれば、分子振動により励起された電子が失活することを抑制して、発光量子収率を高めた構造とすることができる。この点を考慮して、近赤外領域で高い発光量子収率が得られる希土類錯体について発明者らは鋭意研究を重ねた。【０００７】
その結果、ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた希土類三元錯体の近赤外領域の発光量子収率が、公知の近赤外発光性希土類錯体に比して著しく大きくなることを見出し、本発明を完成するに至った。本明細書では、このような希土類錯体を近赤外強発光性希土類錯体と呼ぶ。
リン酸二重結合は低振動型構造として知られており、このような構造を有する配位子が配位することにより、本発明の希土類錯体では電子の失活が抑制されて、発光量子収率が
向上したものと思われる。【０００８】
特に本発明は、以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000003
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
で表される近赤外強発光性希土類錯体に係る。【０００９】
さらに、本発明は一般式（１）中、Ｚで示される配位子が以下の一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000004
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表される近赤外強発光性希土類錯体に係る。【００１０】
Yb3+、Er3+、Nd3+は近赤外領域で優れた発光特性を示す。従って、本発明の近赤外強発光性希土類錯体の中心イオンとしてYb3+、Er3+、Nd3+を用いることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る近赤外強発光性希土類錯体によれば、近赤外領域で高い発光量子収率を示すため、セキュリティ関連、バイオ・メディカル関連及び光情報通信関連の用途に有用であり、例えばセキュリティインクや、バイオラベリング剤、医療用レーザー、光ファイバーなどに使用できる。  
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施例であるYb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の化学式を示す図。
【図２】Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体と、比較例のYb錯体（Yb(CH3COO)3、Yb(PMS)3(H2O)n）の発光スペクトルを示す図。
【図３】Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体と、比較例のYb錯体（Yb(CH3COO)3、Yb(PMS)3(H2O)n)の発光量子収率を示す表。
【図４】Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の吸収スペクトルを示す図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を製造例、実施例に基づき詳細に説明する。
[製造例１]
Yb(PMS)3(H2O)8錯体の合成
酸化イッテルビウム（Yb2O3: 7.0g, 17.8mmol）を水200mlに分散し、ビストリフルオロメタンスルホニルイミド(CF3SO2NH SO2 CF3(PMS): 10.0g, 35.6mmol)を加えて120時間室温で撹拌した。その後濾過をして未反応のYb2O3を取り除き、ろ液中の水を留去することで目的物である白色固体を得た。収量は10.9 gであった。得られたYb(PMS)3(H2O)8錯体の元素分析結果を以下に示す。
元素分析：C6H16F18O20S6Yb
実測値：C, 6.06; H, 1.19; N, 3.63 %
計算値：C, 6.23; H, 1.39; N, 3.63 %【００１４】
[製造例２]
1,1'-ビフェニル-2,2'-ジイルビスジフェニルホスフィンオキシドの合成
1,1'-ビフェニル-2,2'-ジイルビスジフェニルホスフィン（(C6H5)2P(C6H4)-(C6H4)P(C6H5)2 (BIPHEP) 1.0g）をジクロロメタン60mlに溶解し、氷冷下３０％過酸化水素水を５ml滴下して６時間撹拌した。得られた反応溶液を水で数回洗浄し、ジクロロメタン層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。その後、硫酸マグネシウムを濾過で取り除き、得られた溶液からジクロロメタンを留去することで白色固体を得た。得られた白色固体を水／エタノールで再結晶することにより目的化合物を得た。1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm)の測定結果を以下に示す。
1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm): δ7.7, 7.55, 7.4, 7.2, 6.9 (m, aromatic C-H)【００１５】
[実施例１]
Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の合成
上述した方法で得られたYb錯体（Yb(PMS)3(H2O)8: 0.13g, 0.12mmol）と1,1'-ビフェニル-2,2'-ジイルビスジフェニルホスフィンオキシド(BIPHEPO: 0.2g, 0.36mmol)を100mlのメタノールに溶かし、12時間加熱還流を行った。12時間後、濾過によって不純物を取り除き、メタノールを減圧留去により白色生成物を得た。この粉体を水に分散して未反応のYb(PMS)3(H2O)8錯体を除去した後、濾過を行い、真空乾燥することで白色の目的化合物を得た。収量は92mg、収率は28%であった。得られたYb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体のIR(cm-1)、1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm)、及び元素分析の結果を以下に示す。また、Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の化学式を図１に示す。
IR(cm-1)：1645(C=C, st), 1439, 1352(S=O, st), 1190, 1134, 1055(P=O, C-F, C-N, st)
1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm): δ7.5, 7.3 (m, aromatic C-H) 
元素分析: C114H84F18N3O18P6S6Yb
実測値：C, 50.98; H, 3.09; N, 1.59 %
計算値：C, 51.14; H, 3.16; N, 1.57 %【００１６】
[発光量子収率及び発光スペクトル]
実施例１で得られたYb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体のジメチルスルホキシド-d6溶液（Ybイオン濃度：10mM)の発光スペクトル及び発光量子収率を測定した(励起波長：940nm)。また、Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体と同様の条件で、比較例としての２つのYb錯体、Yb(CH3COO)3及びYb(PMS)3(H2O)n(n=1〜10）の発光スペクトル及び発光量子収率を測定した。Yb(CH3COO)3は標準錯体であり、市販品を用いた。発光量子収率は、Yb(CH3COO)3の発光量子収率を1.5%としたときの相対％である。結果を図２及び図３に示す。【００１７】
[吸収スペクトル]
実施例１のYb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体のジメチルスルホキシド-d6溶液（Ybイオン濃度：10mM)を、紫外可視近赤外透過型分光光度計を用いて吸収スペクトルを測定した。その結果を図４に示す。【００１８】
図２及び図３から明らかなように、実施例１のYb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体は近赤外領域(９８０nm付近）に強発光を示し、その発光量子収率は比較例に比べて予想を超える大きな値を示した。また、「背景技術」の欄で示した非特許文献１〜３に記載のイッテルビウム錯体、ネオジム錯体と比べても発光量子収率が飛躍的に向上していることが分かる。
従って、近赤外領域で優れた発光特性を示す実施例１の希土類錯体は、少量でも十分な発光強度を得ることができる。このため、セキュリティインク等のセキュリティ関連分野や生体標識等のバイオ関連分野において有用である。【００１９】
また、図４に示す通り、Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体は900nm〜1050nmにその中心イオンYb3+のｆ−ｆ遷移によるブロードな吸収ピークが生じている。このような吸収特性は、Yb(PMS)3(BIPHEPO)3錯体と例えばEL等の広域発光体との組み合わせに大きな効果をもたらすものと考えられる。【００２０】
なお、イッテルビウム（Ｙｂ）の他、エルビウム（Ｅｒ）及びネオジム（Ｎｄ）も近赤外領域に発光スペクトルを有する希土類元素として知られている。従って、本発明の近赤外強発光性希土類錯体の中心イオンとして、Yb3+の他、Er3+、Nd3+を用いた場合でも同様の効果が期待できる。以下に、これらEr3+、Nd3+を用いた本発明の希土類錯体の合成方法の例を示す。【００２１】
[実施例２]
Nd(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の合成
上述したYb錯体と同様の合成方法によって得られたNd錯体（Nd(PMS)3(H2O)8：0.31g, 0.3mmol）と1,1'-ビフェニル-2,2'-ジイルビスジフェニルホスフィンオキシド(BIPHEPO: 0.5g, 0.9mmol)を100mlのメタノールに溶かし、12時間加熱還流を行った。12時間後、濾過によって不純物を取り除き、メタノールを減圧留去により薄紫色生成物を得た。
この粉体を水に分散して未反応のNd(PMS)3(H2O)8錯体を除去した後、濾過を行い、真空乾燥することで薄紫色の目的化合物を得た。収量は230mg、収率は29%であった。得られたNd(PMS)3(BIPHEPO)3錯体のIR(cm-1)、1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm)、及び元素分析の結果を以下に示す。
IR(cm-1): 1635(C=C, st), 1352(S=O, st), 1192, 1142, 1053(P=O, C-F, C-N, st)
1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm): δ7.5, 7.2 (m, aromatic C-H) 
元素分析: C114H84F18N3NdO18P6S6
実測値：C, 51.69; H, 3.13; N, 1.48 %
計算値：C, 51.70; H, 3.20; N, 1.59 %【００２２】
[実施例３]
Er(PMS)3(BIPHEPO)3錯体の合成
上述したYb錯体と同様の合成方法によって得られたEr錯体（Er(PMS)3(H2O)8: 0.31g, 0.3mmol）と1,1'-ビフェニル-2,2'-ジイルビスジフェニルホスフィンオキシド(BIPHEPO: 0.5g, 0.9mmol)を100mlのメタノールに溶かし、12時間加熱還流を行った。12時間後、濾過によって不純物を取り除き、メタノールを減圧留去し、さらにヘキサンを加えて共沸留去して、ピンク色生成物を得た。【００２３】
この粉体を水に分散して未反応のEr(PMS)3(H2O)8錯体を除去した後、濾過を行い、真空乾燥することでピンク色の目的化合物を得た。収量は12mg、収率は1.5%であった。得られたEr(PMS)3(BIPHEPO)3錯体のIR(cm-1)、1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm)、及び元素分析の結果を以下に示す。
IR(cm-1): 1628(C=C, st), 1350(S=O, st), 1182, 1136, 1053(P=O, C-F, C-N, st)
1H-NMR(アセトン-d6, 標準物質TMS; ppm): δ7.5, 7.4 (m, aromatic C-H) 
元素分析: C114ErH84F18N3O18P6S6
実測値：C, 50.89; H, 3.02; N, 1.42 %
計算値：C, 51.26; H, 3.17; N, 1.57 %
【図１】
2009110199.tif 000014
【図２】
2009110199.tif 000015
【図３】
2009110199.tif 000016
【図４】
2009110199.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成22年8月27日(2010.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項２】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000018
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１に記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項３】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000019
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１又は２に記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項４】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の近赤外強発光性希土類錯体。
【請求項５】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いたセキュリティインク。
【請求項６】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000020
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項５に記載のセキュリティインク。
【請求項７】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000021
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項５又は６に記載のセキュリティインク。
【請求項８】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のセキュリティインク。
【請求項９】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた発光光源。
【請求項１０】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000022
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項９に記載の発光光源。
【請求項１１】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000023
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光光源。
【請求項１２】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の発光光源。
【請求項１３】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を用いた測定用標識剤。
【請求項１４】
錯体構造が以下の一般式（１）
【化１】
2009110199.tif 000024
（式中、Ｌｎ(III)は３価の希土類イオンを示す。nは３以上の整数を示し、Ｘは同一または異なる水素原子、重水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１からＣ２０の基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホニル基、シアノ基、シリル基、ホスホン酸基、ジアゾ基、メルカプト基のいずれかを示す。Ｚは二座の配位子を示す。）
である請求項１３に記載の測定用標識剤。
【請求項１５】
Ｚが一般式（２）
【化２】
2009110199.tif 000025
（式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なって、水素原子を含まないＣ１からＣ２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。）
で表されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の測定用標識剤。
【請求項１６】
ＬｎがＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄから成る群から選ばれる一種であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれかに記載の測定用標識剤。
【請求項１７】
ビフェニル基を有する二座のリン酸配位子を３個以上と、この配位子とは異なる二座の配位子を３個、配位させた近赤外強発光性希土類錯体を配合した物品の近赤外光を測定することにより、前記物品を識別する方法。
【国際調査報告】
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