(57)【要約】  ステージを高速化することなく、露光工程のスループットを向上できる露光方法である。レチクル（Ｒ）のパターンに対応するパターンをウエハ（Ｗ）上に形成する露光方法において、照明光学系（２０）からの照明光（ＩＬ）による照明領域（２１Ｒ）でレチクル（Ｒ）のパターンの一部を照明し、偏向ミラー（１５）を回動させることによって、レチクル（Ｒ）に対して照明領域（２１Ｒ）を＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に走査しながら、レチクル（Ｒ）を対応する−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に移動させるとともに、ウエハ（Ｗ）をレチクル（Ｒ）の移動方向に対応する方向に移動させる。
2009088003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光方法において、
前記マスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明し、
前記マスクに対して前記照明領域を所定方向に走査しながら、前記マスクを前記所定方向に対応する方向に移動させるとともに、前記物体を前記マスクの移動方向に対応する方向に移動させることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記照明領域の走査方向と前記マスクの移動方向とは逆方向であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記照明領域内における前記マスクのパターンの像を前記物体上に投影する投影光学系を備え、
前記マスクにおける前記投影光学系の視野内で前記照明領域を前記所定方向に走査することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記照明領域の走査速度は、前記物体に形成される前記パターンの形成条件に基づいて制御されることを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記パターンの形成条件は、前記物体上における照明光の照度情報を有し、
前記照明光の照度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記物体は、感光材料が塗布された基板であり、
前記パターンの形成条件は、前記基板の感度情報を含み、
前記基板の感度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の露光方法。
【請求項７】
前記マスクにおける前記投影光学系の視野内で前記照明領域を前記所定方向に走査するとともに、前記投影光学系の結像性能に応じて、前記物体を前記所定方向に対応する方向に沿って移動することを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項８】
マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光方法において、
前記マスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明し、
前記マスクに対して前記照明領域を所定方向に走査し、
前記パターンの形成条件に基づいて、前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
前記パターンの形成条件は、前記物体上における照明光の照度情報を有し、
前記照明光の照度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項８に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記物体は、感光材料が塗布された基板であり、
前記パターンの形成条件は、前記基板の感度情報を含み、
前記基板の感度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記照明領域内における前記マスクのパターンの一部の像を前記物体上に投影する投影光学系を備え、
前記マスクにおける前記投影光学系の視野内で前記照明領域を前記所定方向に走査するとともに、前記投影光学系の結像性能に応じて、前記物体を前記所定方向に対応する方向に沿って移動することを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記マスクに対して前記照明領域を前記所定方向に走査しながら、前記マスクを前記所定方向に対応する方向に移動させるとともに、前記物体を前記マスクの移動方向に対応する方向に移動させる請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１３】
マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光装置において、
前記マスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、
前記マスクに対して、前記照明領域を所定方向に走査する照明領域走査機構と、
前記マスクに対して前記照明領域を所定方向に走査しながら、前記マスクを前記所定方向に対応する方向に移動させるとともに、前記物体を前記マスクの移動方向に対応する方向に移動する制御装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
前記制御装置は、前記照明領域の走査方向と逆方向に前記マスクを移動することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記照明領域走査機構は、
前記照明光学系の瞳面、該瞳面との共役面、又は前記瞳面もしくは前記共役面の近傍の面に配置されたミラーと、
前記ミラーを前記所定方向に直交する方向に対応する方向に平行な軸の周りに回動するミラー駆動部とを含むことを特徴とする請求項１３又は請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記照明領域走査機構は、
前記ミラーで反射された前記露光光を前記照明領域に導くｆθレンズ系を含むことを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記照明領域走査機構は、
前記マスクのパターン面と共役な面又はこの近傍の面に配置されて、前記照明領域を規定する視野絞りと、
前記視野絞りを前記所定方向に対応する方向に移動する視野絞り駆動部とを含むことを特徴とする請求項１３から請求項１６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記照明領域内における前記マスクのパターンの一部の像を前記物体上に投影する投影光学系を備え、
前記照明領域走査機構は、前記マスクにおける前記投影光学系の視野内で前記照明領域を前記所定方向に走査することを特徴とする請求項１３から請求項１７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１９】
マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光装置において、
前記マスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、
前記マスクに対して前記照明領域を所定方向に走査する照明領域走査機構と、
前記パターンの形成条件に基づいて、前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御する制御装置と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２０】
前記パターンの形成条件は、前記物体上における照明光の照度情報を含み、
前記照明光の照度情報を計測する照度センサを備え、
前記照明領域走査機構は、前記照度センサで計測される照度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記物体は、感光材料が塗布された基板であり、
前記パターンの形成条件は、前記基板の感度情報を含み、
前記照明領域走査機構は、前記基板の感度情報に応じて前記マスクに対する前記照明領域の走査速度を制御することを特徴とする請求項１９又は請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記照明領域内における前記マスクのパターンの一部の像を前記物体上に投影する投影光学系を有し、
前記制御装置は、前記投影光学系の結像性能に応じて、前記物体を前記所定方向に対応する方向に沿って移動させ、
前記照明領域走査機構は、前記マスクにおける前記投影光学系の視野内で前記照明領域を前記所定方向に走査することを特徴とする請求項１９から請求項２１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記制御装置は、前記マスクに対して前記照明領域を前記所定方向に走査しながら、前記マスクを前記所定方向に対応する方向に移動させるとともに、前記物体を前記マスクの移動方向に対応する方向に移動することを特徴とする請求項１９から請求項２２のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２４】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２５】
請求項１３から請求項２３のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路又は液晶表示素子等のデバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程では、レチクル（又はフォトマスク等）に形成されたパターンを投影光学系を介してレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）の各ショット領域に転写するために、従来はステッパ等の一括露光型の投影露光装置が使用されていた。【０００３】
最近は、投影光学系の大型化を抑制しながら、より大型のデバイス用のパターンをウエハ上に転写するために、露光中に投影光学系に対してレチクル及びウエハを投影倍率を速度比として走査するスキャニング・ステッパ（スキャナ）等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）も使用されている（例えば、特許文献１参照）。また、投影光学系の像面湾曲等の結像特性を補正するために、静止したレチクルのパターン面をスリット状の照明領域で走査しながら、照明領域の位置に応じてレチクル又はウエハの投影光学系の光軸方向の位置（高さ）を制御するようにした露光装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平４−２７７６１２号公報
【特許文献２】特開昭６１−２３２６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
走査型露光装置においてスループットを高めるためには、ステージの走査速度を高める必要がある。しかしながら、走査型露光装置において単にステージの走査速度を高めると、ステージ機構が大型化又は複雑化するとともに、走査露光中のステージの振動が大きくなって、重ね合わせ精度等が低下する恐れがある。また、通常の走査露光時には、レチクルステージ及びウエハステージの速度がそれぞれ投影倍率比で定められる一定の速度に達するまでの整定距離及び整定時間を確保する必要がある。しかしながら、単に走査速度を高めると、これらの整定距離及び整定時間が長くなるため、却って露光時間が長くなる恐れがある。【０００５】
また、従来の照明領域の位置に応じてレチクル又はウエハの高さを制御する露光装置においては、特に露光時間を短縮してスループットを高めることは考慮されていなかった。
本発明はこのような事情に鑑み、ステージの移動速度を高めることなく、露光工程のスループットをより向上できる露光技術、及びこの露光技術を用いるデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による第１の露光方法は、マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光方法において、そのマスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明し、そのマスクに対してその照明領域を所定方向に走査しながら、そのマスクをその所定方向に対応する方向に移動させるとともに、その物体をそのマスクの移動方向に対応する方向に移動させるものである。【０００７】
本発明による第１の露光装置は、マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光装置において、そのマスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、そのマスクに対して、その照明領域を所定方向に走査する照明領域走査機構と、そのマスクに対してその照明領域を所定方向に走査しながら、そのマスクをその所定方向に対応する方向に移動させるとともに、その物体をそのマスクの移動方向に対応する方向に移動する制御装置と、を備えるものである。【０００８】
また、本発明による第２の露光方法は、マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光方法において、そのマスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明し、そのマスクに対して所定方向にその照明領域を走査し、そのパターンの形成条件に基づいて、そのマスクに対するその照明領域の走査速度を制御するものである。【０００９】
本発明による第２の露光装置は、マスクに形成されたパターンに対応するパターンを物体上に形成する露光装置において、そのマスクに形成されたパターンの一部を所定形状の照明領域で照明する照明光学系と、そのマスクに対してその照明領域を所定方向に走査する照明領域走査機構と、そのパターンの形成条件に基づいて、そのマスクに対するその照明領域の走査速度を制御する制御装置とを備えるものである。
また、本発明によるデバイス製造方法は、本発明の露光方法又は露光装置を用いて基板を露光することと、その露光された基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１の露光方法及び装置によれば、マスクと物体との移動に加えて照明領域の走査を行っている。従って、ステージによるマスク及び物体の移動速度を高めることなく、１回の走査露光に要する時間を短縮して、露光工程のスループットを向上できる。
本発明の第２の露光方法及び装置によれば、パターンの形成条件に基づいて、マスクに対する照明領域の走査速度の制御を行っている。従って、照明領域の走査速度を高めることができ、露光工程のスループットを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態の露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）は、走査露光時における図１の照明領域２１Ｒ、レチクルステージＲＳＴ、及びウエハステージＷＳＴの位置関係の変化を示す図である。
【図３】走査露光時における図１のウエハＷ上のショット領域ＳＡと露光領域２１Ｗとの位置関係の変化を示す図である。
【図４】上記の実施形態の露光方法と他の露光方法との比較の説明に供する図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の第３の実施形態の露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図７】デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００１２】
Ｒ…レチクル、ＰＬ，ＰＬＡ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、１４Ａ…固定ブラインド１４Ａ、１４Ｃ…ブラインド、１５…偏向ミラー、２０，２０Ａ，２０Ｂ…照明光学系、２１Ｒ…照明領域、２１Ｗ…露光領域、３１…主制御系、３３…ステージ制御系、１００，１００Ａ，１００Ｂ…露光装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施形態］
以下、本発明の好ましい第１の実施形態につき図１〜図４を参照して説明する。
図１は、本実施形態のスキャニング・ステッパ（スキャナ）型の走査露光型の露光装置（投影露光装置）１００の概略構成を示す。図１において、露光装置１００は、露光用の光源１と、光源１からの露光用の照明光（露光光）ＩＬを用いて転写用のパターンが形成されたレチクル（マスク）Ｒの照明領域２１Ｒを照明する照明光学系２０と、レチクルＲを駆動するレチクルステージＲＳＴとを備えている。さらに、露光装置１００は、レチクルＲの照明領域２１Ｒ内のパターンの像をウエハ（物体）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを駆動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系３１と、露光量制御系３２と、ステージ制御系３３と、その他の処理系等と、これらの部材を支持するフレーム（不図示）とを備えている。以下、図１において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ（図２（Ａ）参照）に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向に沿ってＹ軸を取り、その走査方向に直交する非走査方向に沿ってＸ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転方向をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向とも呼ぶ。【００１４】
光源１としてはＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が使用されている。なお、露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ光源（波長２４８ｎｍ）、Ｆ2 レーザ光源（波長１５７ｎｍ）などの紫外パルスレーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）なども使用できる。露光量制御系３２は、主制御系３１からの制御情報（例えばウエハＷ上のレジストの適正露光量（感度）、ステージの走査速度等）、及び照明光学系２０内で照明光ＩＬの照度（パルスエネルギー×周波数）をモニタする光電センサであるインテグレータセンサ（不図示）の検出信号に基づいて、ウエハＷに対して適正露光量で露光が行われるように、光源１の発振周波数、平均パルスエネルギー、発光タイミング等を制御する。【００１５】
照明光学系２０において、光源１からミラー２を介して入射して、レンズ３Ａ及び３Ｂによって断面形状が所定形状に整形された照明光ＩＬが、ミラー４を介してレボルバ５に固定された回折光学素子６Ａに入射して、照明光学系２０の瞳面１８（図２（Ａ）参照）で所定の光量分布（例えば、円形分布）が得られるように複数方向に回折される。レボルバ５には、別の回折特性を持つ回折光学素子６Ｂ，６Ｃ等も取り付けられている。例えば、回折光学素子６Ｂに入射した照明光ＩＬは、所定の光量分布として輪帯状分布が得られるように回折され、また、回折光学素子６Ｃに入射した照明光ＩＬは、所定の光量分布として２極分布又は４極分布が得られるように回折される。駆動部５ａを介してレボルバ５の回転角を制御することで、設定された照明条件に対応して、照明光ＩＬの光路上に回折光学素子６Ａ，６Ｂ，６Ｃ等の何れかが設置される。【００１６】
図１において、回折光学素子６Ａを通過した照明光ＩＬは、リレーレンズ７（又はズームレンズでもよい）により集光され、１対のプリズム８及び９よりなるアキシコン系を経てオプティカル・インテグレータとしてのフライアイレンズ１０の入射面に集光される。フライアイレンズ１０の射出面が照明光学系２０の瞳面である。また、プリズム８及び９の間隔を制御することで、その射出面における光量分布を半径方向に調整でき、コヒーレンスファクタ（σ値）を調整できる。なお、フライアイレンズ１０の近傍に、開口絞り１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ等が形成された開口絞り板１１を配置してもよい。また、フライアイレンズ１０の代わりに波面分割数のより大きいマイクロフライアイ等を使用してもよい。【００１７】
フライアイレンズ１０を通過した照明光ＩＬは、リレーレンズ１３Ａを経て、レチクルＲ上の照明領域２１Ｒの形状を規定する固定ブラインド（固定視野絞り）１４Ａ、及び照明領域２１Ｒの走査方向及びこれに直交する非走査方向の幅を制御する可動ブラインド（可動視野絞り）１４Ｂを順次通過する。可動ブラインド１４Ｂは、レチクルＲのパターン面（レチクル面）とほぼ共役な面に配置され、固定ブラインド１４Ａは、そのレチクル面と共役な面から僅かにデフォーカスされた面に配置されている。ブラインド１４Ａ，１４Ｂを通過した照明光ＩＬは、第１コンデンサレンズ１３Ｂ、光路を折り曲げるとともに回動可能な偏向ミラー１５、及び第２コンデンサレンズ１６を経て、レチクルＲのパターン領域２２内の照明領域２１Ｒを均一な照度分布で照明する。レンズ３Ａ，３Ｂから第２コンデンサレンズ１６までの部材を含んで照明光学系２０が構成されている。照明領域２１Ｒの形状（可動ブラインド１４Ｂが開いているときの形状）は、非走査方向（Ｘ方向）に細長い矩形である。なお、照明領域２１Ｒの形状は、Ｙ方向の幅が一定の円弧状等でもよい。【００１８】
図１の本実施形態において、偏向ミラー１５の中心は、照明光学系２０の瞳面との共役面上に位置している。また、偏向ミラー１５は、照明光学系２０の光軸を通り、Ｘ軸に平行（非走査方向に平行）な軸１７ａの周りに不図示の保持部材を介して回動可能に支持されている。偏向ミラー１５の基準角度は、照明光学系２０の光軸に対して４５°で傾斜した状態である。偏向ミラー１５を軸１７ａの周りにその基準角度を中心とする所定の角度範囲内で、時計周り又は反時計周りに一定の角速度で回転するためのモータを含む駆動部１７がフレーム（不図示）に固定されている。ステージ制御系３３が、走査露光中にレチクルステージＲＳＴ（又はウエハステージＷＳＴ）の位置及び速度に応じて駆動部１７を介して偏向ミラー１５の傾斜角度及び回転速度を制御する。
なお、偏向ミラー１５の代わりに、多数のマイクロミラーを平面に配列したデジタルマイクロミラーデバイスを使うことも可能である。このデジタルマイクロミラーデバイスを使った場合、ステージ制御系３３は、レチクルステージＲＳＴ（又はウエハステージＷＳＴ）の位置及び速度に応じて、各マイクロミラーの傾斜角度及び傾斜（回転）速度を制御すればよい。【００１９】
また、照明光学系２０中の第２コンデンサレンズ１６は、少なくともＹ方向（走査方向）において入射光の角度と射出光のＹ方向の位置とが比例するｆθ特性を有するレンズ系である。第２コンデンサレンズ１６は、例えばＹ方向に屈折力を持つ複数のシリンドリカルレンズとＸ方向に屈折力を持つ複数のシリンドリカルレンズとを組み合わせて構成してもよい。さらに、第２コンデンサレンズ１６として全方向にｆθ特性を持つｆθレンズを使用してもよい。【００２０】
このように駆動部１７によって回動される偏向ミラー１５と、Ｙ方向にｆθ特性を持つ第２コンデンサレンズ１６とを組み合わせることで、レチクル面において照明領域２１Ｒをその短辺方向である＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に所定のストローク内で指定された一定の速度で走査することができる。照明領域２１Ｒの走査時のＹ方向のストロークは、一例として、照明領域２１Ｒの少なくとも一部が投影光学系ＰＬの物体側の有効視野ＰＬef（図３（Ａ）参照）内に入っている範囲である。【００２１】
また、実際の走査露光時には、照明領域２１Ｒとレチクルステージ（レチクルＲ）ＲＳＴとのＹ方向の相対速度が一定であればよい。そのため、例えば走査露光の開始時及び終了時にレチクルステージＲＳＴ（及びウエハステージＷＳＴ）が加速及び減速しているときに、それぞれ照明領域２１Ｒの走査速度を減速及び加速して、相対速度を一定にして、露光を行うことも可能である。従って、照明領域２１Ｒの走査速度は走査露光中にも制御可能である。【００２２】
また、第２コンデンサレンズ１６として通常のレンズ（いわゆるｆｔａｎθ特性を持つレンズ）を使用することも可能であり、この場合には、照明領域２１Ｒの走査速度が一定又は所定の特性で変化するように偏向ミラー１５の回転速度を制御すればよい。
図１において、照明光ＩＬのもとで、レチクルＲのパターン面（物体面）上の照明領域２１Ｒ内のパターンは、両側（又は物体側に片側）テレセントリックの投影光学系ＰＬを介して投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等の縮小倍率）で、ウエハＷの表面（像面）の一つのショット領域ＳＡ上の非走査方向に細長い露光領域２１Ｗ（照明領域２１Ｒと共役な領域）内に投影される。ウエハＷは、例えばシリコン又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の半導体からなる円板状の基材の表面にレジスト（感光材料）を塗布したものである。投影光学系ＰＬは例えば屈折系であるが、反射屈折系等も使用できる。【００２３】
また、投影光学系ＰＬはＹ方向に倒立像を形成するため、走査露光時のレチクルＲの走査方向（＋Ｙ方向又は−Ｙ方向）に対してウエハＷの走査方向は逆方向（−Ｙ方向又は＋Ｙ方向）となる。なお、投影光学系ＰＬとして、Ｙ方向に正立像を形成する光学系も使用可能である。この場合には、走査露光時のレチクルＲ及びウエハＷの走査方向は同じ方向となる。【００２４】
次に、レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上に吸着保持され、レチクルステージＲＳＴはレチクルベース２４上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、例えば同期誤差（又はレチクルＲのパターン像とウエハＷ上の露光中のショット領域との位置ずれ量）を補正するようにＸ方向、Ｙ方向、及びθＺ方向に微動して、レチクルＲの走査を行う。レーザ干渉計２５Ｘ及び２５Ｙによって、例えば投影光学系ＰＬを基準として少なくともレチクルステージＲＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置が分解能０．５〜０．１ｎｍ程度で計測されるとともに、θＺ方向の回転角が計測され、計測値がステージ制御系３３及び主制御系３１に供給される。ステージ制御系３３は、その計測値及び主制御系３１からの制御情報に基づいて、不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してレチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。【００２５】
図１において、ウエハＷは、ウエハホルダ（不図示）を介してウエハステージＷＳＴ上に保持され、ウエハステージＷＳＴはウエハベース２６上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動するＸＹステージ２７と、Ｚチルトステージ２８とを備えている。Ｚチルトステージ２８は、不図示のオートフォーカスセンサによるウエハＷのＺ方向の位置の計測値に基づいて、ウエハＷのフォーカシング及びレベリングを行う。ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向の位置及びθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向の回転角等は、レーザ干渉計２９Ｘ，２９Ｙによって位置分解能０．５〜０．１ｎｍ程度で計測される。この計測値及び主制御系３１からの制御情報に基づいて、ステージ制御系３３は不図示の駆動機構（リニアモータなど）を介してウエハステージＷＳＴの動作を制御する。【００２６】
また、投影光学系ＰＬの側面にはウエハＷ上のアライメントマークを計測するためのオフ・アクシス方式のアライメントセンサＡＬＧが配置されており、この検出結果に基づいて主制御系３１はウエハＷのアライメントを行う。なお、レチクルＲのアライメントを行うために、レチクルＲのアライメントマークの位置を検出するレチクルアライメント系（不図示）も設けられている。【００２７】
次に、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）及び図３（Ａ）〜図３（Ｆ）を参照して、ウエハの一つのショット領域ＳＡに走査露光方式でレチクルＲのパターンの像を露光する際の動作を説明する。図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、走査露光時における図１の照明領域２１Ｒ、レチクルステージＲＳＴ、及びウエハステージＷＳＴの位置関係の変化を示す図である。図３（Ａ）〜図３（Ｆ）は、走査露光時における図１のウエハＷ上のショット領域ＳＡと露光領域２１Ｗとの位置関係の変化を示す図である。【００２８】
図３（Ａ）において、投影光学系ＰＬのウエハ側の視野を円形の視野ＰＬｆとして、その視野ＰＬｆ内で有効に結像が行われる、ＸＬ方向の幅ＬＸで、Ｙ方向の長さＨの矩形の領域が有効視野ＰＬefである。有効視野ＰＬefは視野ＰＬｆに内接している。露光領域２１Ｗ（図１の全開時の照明領域２１Ｒと共役な領域）のＸ方向の長さＬＸは、有効視野ＰＬefの幅と同じであり、露光領域２１ＷのＹ方向の幅（スリット幅）Ｄは、一例として有効視野ＰＬefの長さＨのほぼ１／２である。【００２９】
また、図２（Ａ）において、走査露光時のレチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）のＹ方向の走査速度ＶＲに対して、照明領域２１ＲのＹ方向の走査速度は例えば数分の１から数倍程度の範囲内である。さらに、本実施形態では、レチクルＲの走査方向ＳＤＲに対して照明領域２１Ｒの走査方向ＳＤＩは逆方向に設定される。この場合、ウエハＷの走査方向ＳＤＷに対して露光領域２１Ｗの走査方向も逆方向となる。これによって、レチクルＲと照明領域２１Ｒとの相対走査速度は、レチクルＲのみを走査する場合に比べて速くなり、露光時間が短縮され、レチクルＲの走査距離を短縮できる。以下では、一例として、照明領域２１ＲのＹ方向の走査速度をレチクルＲの走査速度ＶＲの１／２として説明する。【００３０】
先ず、レチクルＲ及びウエハＷのアライメント後に、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴの移動（助走）が開始され、照明領域２１Ｒへの照明光ＩＬの照射が開始される。そして、図２（Ａ）に示すように、レチクルステージＲＳＴによってレチクルＲを照明領域２１Ｒに対して走査方向ＳＤＲ（ここでは−Ｙ方向）に一定速度ＶＲで移動するのに同期して、ウエハステージＷＳＴによってウエハＷを露光領域２１Ｗに対して走査方向ＳＤＷ（ここでは＋Ｙ方向）に一定速度β・ＶＲ（βは投影倍率）で移動する。さらに、偏向ミラー１５を駆動して照明領域２１Ｒをレチクル面において走査方向ＳＤＩ（ここでは＋Ｙ方向）に速度ＶＲ／２で走査する。【００３１】
図２（Ａ）は、照明光ＩＬによるウエハＷの露光が始まる時点の状態を示している。この状態では、図３（Ａ）に示すように、ウエハＷ上のショット領域ＳＡと露光領域２１Ｗ（この段階では全部が図１の可動ブラインド１４Ｂによって遮光されている）とは、ショット領域ＳＡの＋Ｙ方向の端部と露光領域の−Ｙ方向の端部とが接しており、ショット領域ＳＡの＋Ｙ方向の端部は、投影光学系ＰＬの有効視野ＰＬefの＋Ｙ方向の端部からδＬ（＝２Ｄ／３）だけ内側にずれている。さらに、露光領域２１Ｗが−Ｙ方向に走査されるとともに、ショット領域ＳＡが＋Ｙ方向に移動して、図３（Ｂ）に示すように、ショット領域ＳＡの＋Ｙ方向の端部が有効視野ＰＬefの＋Ｙ方向の端部に合致すると、その端部に全開した露光領域２１Ｗの＋Ｙ方向の端部も合致する。なお、レチクルＲは図１のパターン領域２２の像がショット領域ＳＡに合致するように、ウエハＷに同期して移動している。【００３２】
図３（Ｂ）の状態からさらに露光領域２１Ｗ及びショット領域ＳＡが図３（Ｃ）及びこれに対応する図２（Ｂ）の状態まで移動すると、露光領域２１Ｗはショット領域ＳＡのＹ方向の中央に位置している。さらに露光領域２１Ｗが−Ｙ方向に走査され、ショット領域ＳＡが＋Ｙ方向に移動して、図３（Ｄ）に示すように、ショット領域ＳＡ及び露光領域２１Ｗの−Ｙ方向の端部が有効視野ＰＬefの−Ｙ方向の端部に合致すると、その端部の外にはみ出る露光領域２１Ｗの部分は、図１の可動ブラインド１４Ｂで遮光される。そして、図３（Ｅ）及び対応する図２（Ｃ）に示すように、ショット領域ＳＡと露光領域２１Ｗとが離れるときにショット領域ＳＡへのレチクルＲのパターンの像の露光が終了し、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴは減速を開始して、照明光ＩＬの照射が停止される。【００３３】
次に、ウエハステージＷＳＴのステップ移動によってウエハＷ上の次のショット領域が走査開始位置に来た後、照明光ＩＬの照射を開始して、図２（Ａ）の状態とは逆に、レチクルステージＲＳＴ（レチクルＲ）を＋Ｙ方向に移動し、ウエハステージＷＳＴ（ウエハＷ）を−Ｙ方向に移動し、照明領域２１Ｒを＋Ｙ方向に走査することによって、当該ショット領域にレチクルＲのパターンの像が露光される。このようなステップ・アンド・スキャン動作と、照明領域２１Ｒ（露光領域２１Ｗ）の走査との組み合わせによって、ウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターンの像が露光される。【００３４】
本実施形態においては、図３（Ｆ）に示すように、露光領域２１Ｗの露光開始時の位置３４Ａから露光終了時までのＹ方向への走査距離をＳＹ２（ほぼ５Ｄ／３）とすると、ショット領域ＳＡの露光開始直後の位置３４Ｂから露光終了直後までのＹ方向への走査距離ＳＹ１（加減速を含まない距離）は、次のようにショット領域ＳＡの長さＬＹよりも短くなる。【００３５】
ＳＹ１＝ＬＹ＋Ｄ−ＳＹ２  …（１）
これは、レチクルステージＲＳＴの走査距離がレチクルＲのパターン領域２２の長さよりも短くなることを意味する。従って、図１のレチクルベース２４のＹ方向の長さを短くできるため、ステージ機構を小型化できる。さらに、照明領域２１ＲとレチクルＲとの相対走査速度が通常の走査露光時の３／２倍になり、走査時間が２／３に減少するため、１回のショット領域の露光時間がほぼ２／３に短縮されて、露光工程のスループットが向上する。【００３６】
次に、露光領域２１Ｗ等とウエハ上のショット領域ＳＡとの関係を示す図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を参照して、本実施形態の露光方法（図４（Ａ））と、通常の走査露光方法（図４（Ｂ））及び一括露光方法（図４（Ｃ））との比較を行う。この場合、ウエハ上のショット領域ＳＡの形状は全部の露光方法で共通に幅ＬＸで長さＬＹであるとする。また、通常の走査露光方法でも、本実施形態と同様に走査方向に幅Ｄの露光領域２１Ｗを用いるものとする。先ず、図４（Ａ）に示す本実施形態の露光方法における投影光学系ＰＬのウエハ側の円形の視野ＰＬｆの直径をφ１とする。【００３７】
次に、図４（Ｂ）は、静止している露光領域２１Ｗに対してウエハのショット領域ＳＡが走査される通常の走査露光方法を示す。図４（Ｂ）における投影光学系の円形の視野ＰＬｆ２の直径をφ２とする。通常の走査露光方法におけるショット領域ＳＡの走査距離ＳＹ１’は、次のようにショット領域ＳＡの長さＬＹよりも長くなる。
ＳＹ１’＝ＬＹ＋Ｄ  …（２）
これと式（１）との比較より、本実施形態では、通常の走査露光方式に比べて走査距離がＳＹ２だけ短縮されることが分かる。【００３８】
なお、図４（Ｂ）では視野ＰＬｆ２に露光領域２１Ｗが内接しているため、直径φ２は本実施形態の図４（Ａ）の直径φ１よりも小さくなる。ただし、一例として、露光領域２１ＷのＹ方向の幅Ｄを８ｍｍ、Ｘ方向の幅ＬＸを２６ｍｍ、ショット領域ＳＡのＹ方向の長さを３３ｍｍとする。そして、本実施形態のウエハＷの走査速度に対する露光領域２１Ｗの逆方向の走査速度を１／２とすると、図４（Ａ）の有効視野ＰＬefのＹ方向の長さ（図４（Ｄ）の長さＨに相当する）はほぼ１６．５ｍｍとなる。従って、図４（Ｂ）の視野ＰＬｆ２の直径φ２（ほぼ２７．２ｍｍ）を１００％としたときの、図４（Ａ）の本実施形態の視野ＰＬｆの直径φ（ほぼ３０．８ｍｍ）はほぼ１１３％となる。従って、本実施形態の投影光学系の視野は通常の走査露光方式の投影光学系の視野に対してほぼ１３％大きいだけでよい。【００３９】
これに対して、図４（Ｃ）の一括露光方法における投影光学系の視野ＰＬｆ３はショット領域ＳＡが内接する大きさである。従って、視野ＰＬｆ３の直径φ３（ほぼ４２ｍｍ）は、通常の走査露光方式の視野ＰＬｆ２に比べてほぼ５４％大きくなる。
また、図４（Ａ）の本実施形態の露光方法において、図４（Ｄ）に示すように、有効視野ＰＬefの全体を幅Ｈの静止している露光領域３５Ｗとした場合には、走査露光時のショット領域ＳＡの走査距離ＳＹ３が次式のように通常の走査露光方式よりもかなり長くなってしまい、ステージ機構が大型化するので好ましくない。【００４０】
ＳＹ３＝ＬＹ＋Ｈ  …（３）
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）図１の露光装置１００による露光方法は、レチクルＲに形成されたパターンに対応するパターンをウエハＷ上に形成する露光方法において、レチクルＲに形成されたパターンの一部を矩形の照明領域２１Ｒで照明し、偏向ミラー１５、第２コンデンサレンズ１６、及び駆動部１７（照明領域走査機構）によってレチクルＲに対して照明領域２１Ｒをその短辺方向（所定方向）であるＹ方向に走査している。そして、この走査中に、ステージ制御系３３、レチクルステージＲＳＴ、及びウエハステージＷＳＴを含む装置（制御装置）によってレチクルＲを照明領域２１Ｒの走査方向に平行なＹ方向に移動させるとともに、ウエハＷをレチクルＲの移動方向に対応するＹ方向に移動させている。【００４１】
本実施形態によれば、レチクルＲとウエハＷとの移動に加えて照明領域２１Ｒ（ひいては露光領域２１Ｗ）の走査を行っている。従って、ステージＲＳＴ，ＷＳＴによるレチクルＲ及びウエハＷの移動速度を高めることなく、１回の走査露光に要する時間を短縮して、露光工程のスループットを向上できる。
また、照明領域２１Ｒの走査方向の位置が変化すると、それに応じてウエハＷ上の露光領域２１Ｗの走査方向の位置が変化するため、照明領域２１Ｒ（露光領域２１Ｗ）の走査の位置決め精度は、レチクルステージＲＳＴ（ウエハステージＷＳＴ）の位置決め精度よりも格段に（例えば１/１０００程度）緩く（粗く）できる。従って、スループットを高めると同時に、露光精度（重ね合わせ精度等）を高く維持できる。【００４２】
（２）また、本実施形態では、照明領域２１Ｒの走査方向とレチクルＲの移動方向とは逆方向であり、その結果として露光領域２１Ｗの走査方向とウエハＷの移動方向とは逆方向である。これによって、照明領域２１ＲとレチクルＲとの相対走査速度を最大（両者の走査速度の和）にできるため、スループットを最も高くできる。
（３）また、本実施形態では、照明光学系２０の瞳面との共役面に配置された偏向ミラー１５を回動させて照明領域２１Ｒを走査しているため、簡単な機構で照明領域２１Ｒを走査できるとともに、照明領域２１Ｒのみを照明すればよいため、照明光ＩＬの利用効率が高い。なお、照明光学系２０の瞳面、又はその瞳面若しくはその共役面の近傍に走査用のミラーを設置してもよい。【００４３】
また、図１において、偏向ミラー１５を回動させることなく、又はこの偏向ミラー１５の回動動作と併用して、レチクル面との共役面又はこの近傍の面において、固定ブラインド１４Ａ（視野絞り）を開口の短辺方向に一定速度又は可変速度で走査してもよい。このように固定ブラインド１４Ａを走査する機構は、単にスライド式の駆動部を設ければよいため、構成が簡単である。ただし、固定ブラインド１４Ａを走査する場合には、照明光ＩＬで走査範囲の全部を照明しておく必要がある。【００４４】
（４）また、本実施形態では、照明領域２１Ｗ内におけるレチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを備え、レチクルＲにおける投影光学系ＰＬの視野内で（有効視野に照明領域２１Ｒの少なくとも一部が入る状態で）照明領域２１ＲをＹ方向に走査している。
この場合、投影光学系ＰＬが縮小倍率であれば、レチクルＲの位置及び速度の制御精度、並びに照明領域２１Ｒの位置及び速度の制御精度を粗くすることが可能で、照明領域２１Ｒの走査が容易になる。【００４５】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態につき図５を参照して説明する。図５において図１に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。
図５は、本実施形態の露光装置１００Ａを示す。図５において、露光装置１００Ａの照明光学系２０Ａ内には、照明光ＩＬの一部を分岐するビームスプリッタ３６と、ビームスプリッタ３６で分岐した光束を集光レンズ（不図示）を介して受光する光電センサであるインテグレータセンサ３７とが配置されている。インテグレータセンサ３７の検出信号ＤＳは露光量制御系３２に供給され、その検出信号ＤＳから露光量制御系３２は照明光ＩＬのレチクルＲ上及びウエハＷ上での照度を間接的にモニタする。モニタ結果は主制御系３１を介してステージ制御系３３に供給される。なお、インテグレータセンサ３７の代わりに、例えば光源１の近傍に配置した光電センサを用いてもよい。【００４６】
また、レチクルステージＲＳＴＡは、レチクルベース２４Ａ上でレチクルＲの二次元的な位置を微調整する機能を有する。従って、レチクルステージＲＳＴＡは、必ずしもレチクルＲをＹ方向に走査する機能を備えていない。さらに、投影光学系ＰＬＡは、レチクルＲのパターン領域２２内の全部のパターンを一括してウエハＷ上のショット領域ＳＡに露光できるだけの物体側の視野を備えている。この他の露光装置１００Ａの構成は図１の露光装置１００と同様である。【００４７】
本実施形態においては、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域ＳＡに露光する際に、レチクルＲ及びウエハＷを実質的に静止させた状態で、偏向ミラー１５の回動によってレチクルＲのパターン領域２２の全面で照明光ＩＬの照明領域２１Ｒが＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に走査される。この際に、ウエハＷ上のレジストの感度（適正露光量）をＥＰＨ、照明領域２１Ｒと共役な露光領域２１ＷのウエハＷに対するＹ方向の走査速度をＶ２１Ｗ、露光領域２１ＷのＹ方向の幅をＤ、照明光ＩＬの照度（パルスエネルギーと周波数との積）をＰＩＬとすると、ステージ制御系３３は走査速度Ｖ２１Ｗを次のように設定する。【００４８】
Ｖ２１Ｗ＝Ｄ・ＰＩＬ／ＥＰＨ  …（４）
従って、レジストの感度ＥＰＨ及び照明光ＩＬの照度ＰＩＬ（パターンの形成条件）に応じて、露光領域２１Ｗの走査速度Ｖ２１Ｗ、ひいては照明領域２１Ｒの走査速度が制御される。
また、照明領域２１Ｒの走査中に、投影光学系ＰＬによるＹ方向の倍率誤差等を補正するように、または、レチクルＲとウエハＷのショット領域ＳＡとの位置合わせ誤差を低減するように、ウエハステージＷＳＴ側ではウエハＷをＸ方向、Ｙ方向、θＺ方向に微動する。これによって、ウエハＷの各ショット領域にレチクルＲのパターンの像が高精度に露光される。
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様に、レチクルステージＲＳＴＡがレチクルＲをＹ方向の走査する機能を備えていても良い。【００４９】
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
（１）図５の露光装置１００Ａによる露光方法は、レチクルＲに形成されたパターンに対応するパターンをウエハＷ上に形成する露光方法において、照明光学系２０Ａからの照明光ＩＬでレチクルＲに形成されたパターンの一部をＸ方向に細長い照明領域２１Ｒで照明し、偏向ミラー１５、第２コンデンサレンズ１６、駆動部１７を含む機構（照明領域走査機構）によってレチクルＲに対して照明領域２１Ｒの短辺方向（所定方向）であるＹ方向に照明領域２１Ｒを走査し、ステージ制御系３３（制御装置）によってそのパターンの形成条件に基づいて、レチクルＲに対する照明領域２１Ｒの走査速度を制御している。【００５０】
従って、ステージによるレチクルＲ及びウエハＷの移動をほとんど行うことなく、照明領域２１Ｒの走査速度を高めることによって、露光時間を短縮して露光工程のスループットを向上できる。さらに、そのパターンの形成条件に基づいて照明領域２１Ｒの走査速度を制御しているため、ウエハＷ上のレジストを適正露光量で露光できる。
（２）また、パターンの形成条件が、ウエハＷ上における照明光の照度情報を有しており、その照明光の照度情報に応じてレチクルＲに対する照明領域２１Ｒの走査速度を制御しているため、その照度が変動しても適正露光量で露光できる。【００５１】
（３）また、そのパターンの形成条件が、ウエハＷのレジストの感度情報を含み。その感度情報に応じてレチクルＲに対する照明領域２１Ｒの走査速度を制御しているため、様々な感度のレジストをそれぞれ適正露光量で露光できる。
（４）また、本実施形態でも、照明領域２１Ｗ内におけるレチクルＲのパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを備え、レチクルＲにおける投影光学系ＰＬの視野内で（有効視野に照明領域２１Ｒの少なくとも一部が入る状態で）照明領域２１ＲをＹ方向に走査している。【００５２】
この場合、投影光学系ＰＬが縮小倍率であれば、照明領域２１Ｒの位置及び速度の制御精度を粗くすることが可能で、照明領域２１Ｒの走査が容易になる。
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態につき図６を参照して説明する。図６において図５に対応する部分には同一符号を付してその詳細な説明を省略する。【００５３】
図６は、本実施形態の露光装置１００Ｂを示す。図６において、露光装置１００Ｂの照明光学系２０Ｂ内の、レチクル面との共役面又はその近傍にレチクルＲ上の照明領域２１Ｒの形状を規定する開口が形成されたブラインド（視野絞り）１４Ｃが、その開口の短辺方向（レチクルＲ上のＹ方向に対応する方向）に可動に配置されている。また、ブラインド１４Ｃをその短辺方向に一定速度又は所定特性の速度で走査するリニアモータ及びリニアエンコーダを含む駆動部１９がフレーム（不図示）に支持されている。駆動部１９の動作はステージ制御系３３によって制御される。本実施形態の偏向ミラー１５は固定されている。この他の露光装置１００Ｂの構成は図５の露光装置１００Ａと同様である。【００５４】
本実施形態では、レチクルＲのパターンを投影光学系ＰＬを介してウエハＷ上の各ショット領域ＳＡに露光する際に、レチクルＲ及びウエハＷを実質的に静止させた状態で、ブラインド１４Ｃの走査によってレチクルＲのパターン領域２２の全面で照明光ＩＬの照明領域２１Ｒが＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に走査される。この際に、上記の式（４）に基づいて露光領域２１Ｗの走査速度Ｖ２１Ｗ、ひいては照明領域２１Ｒの走査速度が制御される。これによって、ウエハＷの各ショット領域にレチクルＲのパターンの像が高精度に露光される。【００５５】
なお、図５及び図６の実施形態においても、偏向ミラー１５の回動とブラインド１４Ａ（又は１４Ｃ）の走査とを組み合わせて照明領域２１Ｒを走査してもよい。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のデバイス（電子デバイス、マイクロデバイス）を製造する場合、このデバイスは、図７に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置１００，１００Ａ，１００Ｂによりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。【００５６】
言い換えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置又は露光方法を用いてウエハＷを露光する工程と、露光されたウエハＷを処理する工程（ステップ２２４）とを含んでいる。このデバイス製造方法によれば、露光装置のステージ機構を簡素化できるとともに、露光時間を短縮できるため、半導体デバイス等を高スループットに製造できる。
なお、本発明は、投影光学系を用いることなくマスクのパターンをウエハ（又はガラスプレート等）上に露光するプロキシミティ方式等の露光装置にも適用することができる。【００５７】
また、本発明は、国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレット等で開示されている、露光時に投影光学系の先端の光学部材とウエハとの間に液体を供給する液浸型の露光装置にも適用できる。
また、本発明は、半導体デバイスの製造プロセスへの適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレート等に形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置の製造プロセスや、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム)、セラミックスウエハ等を基板として用いる薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスの製造プロセスにも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、製造工程にも適用することができる。【００５８】
なお、上記の実施の形態の露光装置は、複数のレンズ及びミラーから構成される照明光学系、並びに複数のレンズ等を含む投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をして、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより製造することができる。なお、その露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。【００５９】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。また、明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約を含む２００８年１月１０日付け提出の日本国特許出願第２００８−３７４０号の全ての開示内容は、そっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
【図１】
2009088003.tif 000003
【図２】
2009088003.tif 000004
【図３】
2009088003.tif 000005
【図４】
2009088003.tif 000006
【図５】
2009088003.tif 000007
【図６】
2009088003.tif 000008
【図７】
2009088003.tif 000009
【国際調査報告】
2009088003.tif 000010
2009088003.tif 000011
2009088003.tif 000012
2009088003.tif 000013
2009088003.tif 000014
2009088003.tif 000015
2009088003.tif 000016