(57)【要約】  凝集と放電遅れ改善効果を両立した酸化マグネシウム結晶体を含むプライミング粒子放出層が配置されたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を製造する方法である。本発明の代表的な実施の形態は、放電空間に露出するように、高温加熱処理された酸化マグネシウム結晶体を含むプライミング粒子放出層が配置されたＰＤＰの製造方法であって、原料の酸化マグネシウム結晶体粉体の熱処理工程において、酸化マグネシウム結晶体粉体の粒子群の形状、サイズを均一にした後に高温加熱処理を行うものである。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された２つの基板構造体間の放電空間に露出するように、高温加熱処理された酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層が配置されたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記酸化マグネシウム結晶体粉体に前記高温加熱処理を行う前に、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記前処理工程では、基板上に設けた凹状孔に前記酸化マグネシウム結晶体粉体を充填して成型することにより、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記凹状孔のサイズが１〜１００μｍであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記前処理工程では、基板上に設けた貫通孔に前記酸化マグネシウム結晶体粉体を押し込んで通過させることにより、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記貫通孔のサイズが１〜１００μｍであることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
対向配置された２つの基板構造体間の放電空間に露出するように、高温加熱処理された酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層が配置されたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記酸化マグネシウム結晶体粉体に前記高温加熱処理を行う際に、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の粒子もしくは複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズが均一であるものを用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
プラズマディスプレイパネルにおける、対向配置された２つの基板構造体間の放電空間に露出するように配置されたプライミング粒子放出層に含まれる、高温加熱処理された酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法であって、
前記酸化マグネシウム結晶体粉体に前記高温加熱処理を行う前に、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程を有することを特徴とする酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法において、
前記前処理工程では、基板上に設けた凹状孔に前記酸化マグネシウム結晶体粉体を充填して成型することにより、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にすることを特徴とする酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法において、
前記凹状孔のサイズが１〜１００μｍであることを特徴とする酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法において、
前記前処理工程では、基板上に設けた貫通孔に前記酸化マグネシウム結晶体粉体を押し込んで通過させることにより、前記酸化マグネシウム結晶体粉体の複数の粒子からなる粒子群の形状、サイズを均一にすることを特徴とする酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法において、
前記貫通孔のサイズが１〜１００μｍであることを特徴とする酸化マグネシウム結晶体粉体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）およびその製造方法に関し、特に、プライミング粒子放出層（電子放出層）に含まれる酸化マグネシウム結晶体粉体およびその製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは高精細化が進んでおり、画素数が増加することにより表示セルの点灯／非点灯を選択決定するアドレス動作の時間が増大する。この増大を抑制するためには、アドレス放電用の電圧（アドレス電圧）のパルス幅を小さくすることが有効である。しかし、電圧を印加してから放電が発生するまでの時間（放電遅れ）にはばらつきがある。そのため、アドレス電圧のパルス幅が小さすぎると、パルスを印加しても放電が発生しないことがあり得る。その場合、サステイン期間で当該表示セルが正しく点灯せず画質劣化を招く。【０００３】
ＰＤＰの放電遅れを改善する手段としては、特開２００６−５９７８６号公報（特許文献１）に記載されているように、対向配置された２つの基板構造体間の放電空間に露出するように、プライミング粒子放出層（電子放出層）として酸化マグネシウム結晶体層を設ける技術がある。
【特許文献１】特開２００６−５９７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の酸化マグネシウム結晶体層において、より高い放電遅れ改善効果を得る手段として、本発明者等による以前の出願である特願２００７−１２４７１８によれば、酸化マグネシウム結晶体粉体にハロゲン元素を混合して焼成する技術がある。また、同じく本発明者等による以前の出願であるＰＣＴ／ＪＰ２００７／６８３４８によれば、酸化マグネシウム結晶体粉体に対して酸化雰囲気で熱処理をする技術がある。【０００５】
しかしながら、これらの技術によって熱処理した酸化マグネシウム結晶体粉体には、凝集塊が存在している場合がある。大きな凝集塊がＰＤＰ内のプライミング粒子放出層に存在すると、放電の広がりを阻害して表示欠点が発生したり、セル間の特性のばらつきにより表示ムラが発生したりする場合がある。【０００６】
凝集塊を解消する方法としては、熱処理後の酸化マグネシウム結晶体粉体に対して乳鉢と乳棒による粉砕処理を施す方法や、パネルへの湿式塗布時にスラリーに対して超音波などの分散処理を施す方法などがある。しかし、これらの方法では酸化マグネシウムの結晶を破壊し、放電遅れ改善効果を損なう場合がある。【０００７】
本発明は以上のような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱処理した酸化マグネシウム結晶体粉体の凝集抑制と、放電遅れ改善効果とを両立することを可能とする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。すなわち、本発明の代表的な実施の形態によるＰＤＰの製造方法は、放電空間に露出するように、高温加熱処理された酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層が配置されたＰＤＰの製造方法であって、原料の酸化マグネシウム結晶体粉体の粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程を行った後に高温加熱処理を行うことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。すなわち、本発明の代表的な実施の形態によれば、高温加熱時の粒子群同士の接触が少なくなるため、放電遅れ改善効果を損なうことなく凝集が抑制された酸化マグネシウム結晶体粉体を得ることができる。この酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層を配置することにより、放電遅れの改善と、表示欠点、表示ムラの抑制とを両立したＰＤＰを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態１における粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程の例についての概要を示した図である。
【図２】本発明の実施の形態１における前処理工程を含む酸化マグネシウム結晶体粉体およびプライミング粒子放出層の製造フローを示した図である。
【図３】本発明の実施の形態２における粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程の例についての概要を示した図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、粒子（粒子群）を高温加熱した場合の融着の状態の例を示した図である。
【図５】本発明の一実施の形態であるＰＤＰの基本構造の一例を、要部を拡大して分解斜視構成として示した図である。
【図６】本発明の一実施の形態のＰＤＰにおけるプライミング粒子放出層を含む前面基板構造体の断面構成の例を示した図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。【００１２】
＜概要＞
本発明の一実施の形態であるＰＤＰの製造方法では、プライミング粒子放出層において、上述した課題である、熱処理した酸化マグネシウム結晶体の凝集抑制と、放電遅れ改善効果との両立を実現させるため、酸化マグネシウム結晶体粉体の熱処理工程において、熱処理を行う前に、原料の酸化マグネシウム結晶体粉体の粒子群の形状、サイズを均一にすることで、高温加熱処理時の粒子群同士の接触を少なくする。【００１３】
ここで、粒子もしくは粒子群の凝集は、高温加熱時に接する粒子（粒子群）同士が融着することで起こる。図４は、粒子（粒子群）を高温加熱処理した場合の融着の状態の例を示した図である。図４（ａ）に示すように、高温加熱時に、粒子（粒子群）４０の形状、サイズが均一でない場合は、粒子（粒子群）４０同士の接触が大きくなり、高温加熱後の融着４１の面積が大きくなるため、凝集が強くなる。これに対し、図４（ｂ）に示すように、粒子（粒子群）４０の形状、サイズが均一である場合は、粒子（粒子群）４０同士の接触が最小限に抑えられ、高温加熱後の融着４１の面積が少なくなり、凝集が弱くなる。【００１４】
従って、酸化マグネシウム結晶体粉体に高温加熱処理を行う前に、粒子（粒子群）の形状、サイズが均一でない場合にはこれらを均一にして、粒子（粒子群）同士の接触を少なくすることで、高温加熱処理時の粒子（粒子群）同士の融着による凝集が抑制される。凝集が抑制された酸化マグネシウム結晶体粉体をプライミング粒子放出層に用いることによって、放電遅れの改善と、表示欠点、表示ムラの抑制とを両立したＰＤＰを実現することができる。【００１５】
＜ＰＤＰ（基本構造）＞
図５は、本発明の一実施の形態であるＰＤＰ（パネル）１の基本構造の一例を示した図である。図５では、画素に対応する表示セルのセット（Ｃｒ、Ｃｇ、Ｃｂ）の部分を示している。なお、説明のために、ｘ方向（第１方向、横方向）、ｙ方向（第２方向、縦方向）、ｚ方向（第３方向、パネル面垂直方向）を図示している。【００１６】
ＰＤＰ１は、前面基板構造体１０と、背面基板構造体２０とを組み合わせて成り、その間に放電空間２６を有する。前面基板構造体１０においては、前面ガラス基板１１上に、ｘ方向に表示電極１２（１２Ｘ、１２Ｙ）群が配置されている。表示電極１２は、サステイン動作用のサステイン電極１２Ｘと、サステイン動作およびスキャン動作（兼用）のスキャン電極１２Ｙとを有する。表示電極１２（１２Ｘ、１２Ｙ）は、例えば、透明電極とバス電極とからなる。前面ガラス基板１１上で、表示電極１２群は、誘電体層１３により覆われている。誘電体層１３上に、さらに保護層１４が形成されている。誘電体層１３および保護層１４は、ＰＤＰ１の表示領域（画面）に対応した全面に形成されている。【００１７】
背面基板構造体２０においては、背面ガラス基板２１上に、表示電極１２と交差するｙ方向にアドレス電極２２群が配置されている。アドレス電極２２群は、誘電体層２３に覆われている。誘電体層２３上のアドレス電極２２間に対応する位置に、例えばｙ方向に、隔壁２４が形成されている。隔壁２４は、単位発光領域（表示セル）に対応して放電空間２６を区画する。アドレス電極２２の上方（ｚ方向）の隔壁２４で区画された領域には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の蛍光体（蛍光体層）２５（２５ｒ、２５ｇ、２５ｂ）が、領域（列）毎に順に色分けして形成されている。【００１８】
前面基板構造体１０と背面基板構造体２０とが貼り合わされることによって形成される内部領域には、放電ガス（例えばＮｅに数％程度のＸｅを混合したガス）が封入されることで、気密な放電空間２６が構成される。ＰＤＰ１の周縁部は、封着材により貼り合わされる。サステイン電極１２Ｘ、スキャン電極１２Ｙ、アドレス電極２２の交差部分に対応して表示セルが構成される。【００１９】
ＰＤＰ１の駆動（サブフィールド法およびアドレス表示分離方式）においては、選択する表示セルで、アドレス電極２２とスキャン電極１２Ｙとの間に電圧印加により放電（アドレス放電）を発生させる（アドレス動作期間）。また、選択された表示セルに対して、表示電極１２の対（１２Ｘ、１２Ｙ）の間に電圧印加により放電（サステイン放電（表示放電）など）を発生させる（サステイン動作期間）。これらにより、サブフィールドの所望の表示セルにおける発光（点灯）が行われる。また、フィールド中での点灯するサブフィールドを選択することで、画素（表示セル）の輝度が表現される。【００２０】
＜ＰＤＰ（詳細構造）＞
図６は、本発明の一実施の形態のＰＤＰ１における、プライミング粒子放出層を含む前面基板構造体１０の断面構成の例を示した図である。ＰＤＰ１の前面基板構造体１０は、保護層１４の表面に、放電空間２６に露出して形成されるプライミング粒子放出層１５を有する。プライミング粒子放出層１５は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体粉体を含んでなる酸化マグネシウム結晶体層である。あるいは、プライミング粒子放出層１５は、フッ素（Ｆ）等のハロゲン元素が添加された酸化マグネシウム結晶体粉体を含んでなる。なお、プライミング粒子放出層１５では、対象面（保護層１４）に対し、酸化マグネシウム結晶体粉体が、密あるいは疎に分布する（なお、疎に分布する場合も層（膜）と称する）。【００２１】
前面ガラス基板１１には、ガラス等の透明材料を使用することができる。表示電極１２は、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等による幅が広く放電ギャップを形成する透明電極１２ａと、Ｃｕ、Ｃｒ等の金属による幅が狭く電極抵抗を下げるバス電極１２ｂとから構成できる。電極形状は、特に限定されないが、例えば、透明電極１２ａは板状あるいは表示セル毎のＴ字形状などであり、バス電極１２ｂは直線状である。【００２２】
表示電極１２は、隣接するサステイン電極１２Ｘとスキャン電極１２Ｙの対により表示ラインを構成する。電極配列構成としては、非放電領域（逆スリット）となる表示電極１２の対を設けるノーマル構成や、表示電極１２（１２Ｘ、１２Ｙ）を等間隔で交互に配列し、隣接するすべての表示電極１２の対により表示ラインを構成するいわゆるＡＬＩＳ（Alternate Lighting of Surfaces Method）構成が可能である。【００２３】
誘電体層１３は、例えば、前面ガラス基板１１上に低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法などにより塗布し、焼成することで形成される。保護層１４は、誘電体層１３の保護や、２次電子を放出する等の機能を持つ。保護層１４は、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等の金属酸化物から成り、好ましくは、２次電子放出係数の高い酸化マグネシウム層からなる。保護層１４は、例えば、電子ビーム蒸着法（あるいはスパッタ法、塗布方法など）により形成される。【００２４】
背面基板構造体２０は、公知技術を用いて例えば以下のように作製できる。背面ガラス基板２１、アドレス電極２２、誘電体層２３等については、前面基板構造体１０の場合と同様に作製できる。隔壁２４は、例えば、ｙ方向のみのストライプ形状、あるいは、ｘ方向およびｙ方向の隔壁部を持つボックス形状などが可能である。蛍光体２５は、Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に、例えば、隔壁２４の間の領域に蛍光体ペーストをスクリーン印刷法、ディスペンサ等の方法により塗布し、焼成することで形成される。【００２５】
＜プライミング粒子放出層（酸化マグネシウム結晶体層）＞
プライミング粒子放出層（酸化マグネシウム結晶体層）１５は、ＰＤＰ１を構成する基板構造体において、放電空間２６に露出するいずれかの箇所に配置される。例えば、誘電体層１３上に直接配置する構成、あるいは、誘電体層１３上の保護層１４上に配置する構成などが可能である。本実施の形態では、図６に示すように、前面基板構造体１０において、保護層１４上に配置する構成とする。放電空間２６に露出してプライミング粒子放出層１５が配置される構成とすることにより、プライミング粒子放出層１５（これを構成する酸化マグネシウム結晶体粉体）により、放電空間２６にプライミング粒子を放出する機能、およびＰＤＰ１での放電遅れが改善される効果などが得られる。【００２６】
プライミング粒子放出層１５は、プライミング粒子放出粉体材料を有してなる。プライミング粒子放出粉体材料は、酸化マグネシウム結晶体粉体（粉末）、あるいはハロゲン元素を添加した酸化マグネシウム結晶体粉体などからなる。【００２７】
添加されるハロゲン元素の種類は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素、臭素、ヨウ素などのうち１種または２種以上からなる。フッ素を用いる場合、放電遅れの改善効果が長時間持続することが確認されている。添加されるハロゲン元素の量は、例えば１〜１００００ｐｐｍである。ハロゲン元素含有物質としては、例えば、マグネシウムのハロゲン化物であるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）や、Ａｌ、Ｌｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅのハロゲン化物が挙げられる。【００２８】
酸化マグネシウム結晶体粉体を含む物質の焼成は、例えば１０００〜１７００℃の範囲内で行う。酸化マグネシウム結晶体粉体、あるいはハロゲン元素を添加した酸化マグネシウム結晶体粉体に熱処理を行った後の粒径は、所定範囲内（５０ｎｍ〜２０μｍ）になることが好ましい。粒径が小さ過ぎるとプライミング粒子放出層１５による放電遅れの改善効果が小さい。また、逆に粒径が大きすぎるとプライミング粒子放出層１５が均一に形成されにくい。【００２９】
プライミング粒子放出層１５の基本的な形成方法は、例えば以下の通りである。酸化マグネシウム結晶体粉体を溶媒（溶剤）に混合等させてなるペーストやスラリーなどの状態の物（プライミング粒子放出粉体含有材料）を用意する。この材料を、対象面に対して噴霧（散布）や塗布などの方法により成膜する。例えばスラリーの噴霧の方法、あるいは、印刷法などによるペーストの散布の方法などを使用できる。また、成膜された材料を乾燥や焼成することで溶剤成分等を除去し、粉体成分を対象面に固着させることで、プライミング粒子放出層１５として完成する。プライミング粒子放出層１５は、例えば、対象面（保護層１４の表面）の全面に所定の厚さとなるように形成される。【００３０】
＜実施の形態１＞
以下に、本発明の実施の形態１である酸化マグネシウム結晶体粉体およびこの酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層１５を有するＰＤＰ１の製造方法について説明する。本実施の形態のＰＤＰ１の製造方法は、酸化マグネシウム結晶体粉体の原料粉末を高温加熱処理する前に、粒子群同士の形状、サイズを均一にする前処理工程を有するものである。【００３１】
図１は、本実施の形態における粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程の例についての概要を示した図であり、図２は、本実施の形態における上記前処理工程を含む酸化マグネシウム結晶体粉体およびプライミング粒子放出層１５の製造フローを示した図である。【００３２】
図２において、本実施の形態では、高温加熱処理（工程Ｓ２）を行う前の原料粉末１０３として、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体粉体２０１に、フラックス（酸化マグネシウムの融点を下げる働きを持つ物質（融剤））２０２として、マグネシウムのハロゲン化物であるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を添加したものを用いる。【００３３】
ここで、酸化マグネシウム結晶体粉体２０１には、宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ）を用い、フラックス２０２にはフルウチ化学株式会社製、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）（純度９９．９９％）を用い、これらをモル比でＭｇＯ：ＭｇＦ２＝１：０．０００１の比率となるように混合したものとする。なお、原料粉末１０３の状態は、乾燥粉末状以外に、揮発性溶媒と混合したスラリー状や、バインダを混合したものであってもよい。【００３４】
この原料粉末１０３に対して、粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程（工程Ｓ１）として、例えば、図１に示すような処理を行う。図１において、まず表面に複数の凹状孔１０２を設けた基板１０１を用意する。凹状孔１０２のサイズ（開口部の幅および深さ）は、加熱処理後の粉体の粒度分布、許容凝集上限の設計、熱処理条件、表示セルのサイズ等に依存するが、１μｍ〜１００μｍであることが望ましい。【００３５】
基板１０１の材質は特に限定されないが、金属、ガラス、樹脂などを用いることができる。本実施の形態では、ガラスを用いた平板の基板１０１の表面にサンドブラスト法によって開口部の幅５０μｍ、深さ２５μｍの凹状孔１０２を形成したものとする。なお、基板１０１は平板以外の、例えばロール状などであってもよい。また、凹状孔１０２の形状は、図１では半球状として図示されているが、特にこれに限定されない。【００３６】
この基板１０１上の凹状孔１０２に、スキージ１０４等を用いて原料粉末１０３を刷りきりで充填する。その後、基板１０１を裏返して振動等を与えることによって、凹状孔１０２の形状、サイズに均一に成型された原料粉末１０３からなる粒子群１０５が得られる。【００３７】
次に、得られた粒子群１０５を高温加熱用トレイに回収し、図２における高温加熱処理（工程Ｓ２）を行う。原料粉末１０３にスラリー、バインダを混合した場合は、回収前に乾燥処理を行う。また粒子群１０５同士の接触を最小限に抑えるために、回収後から高温加熱処理までは、得られた粒子群１０５に対して振動、圧力等を加えないよう注意する。本実施の形態では、得られた粒子群１０５を、酸化雰囲気として、窒素（Ｎ）：酸素（Ｏ）＝４：１の雰囲気中で、１４５０℃、４時間の熱処理を施す。【００３８】
上記熱処理後の酸化マグネシウム結晶体粉体２０３を、溶剤２０４であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）１Ｌに対して２ｇの割合（２ｇ／Ｌ）で混合し（工程Ｓ３）、スラリー２０５を得る。【００３９】
このスラリー２０５を、図６における保護層１４（酸化マグネシウム層）が蒸着により形成済みである前面基板構造体１０の保護層１４表面（対象面）に対し、塗装用スプレーガン等を用いた噴霧（散布）または塗布などにより、当該層（膜）を形成する。そして、当該層（スラリー２０５）を加温により乾燥（溶剤成分除去等）させることで、プライミング粒子放出層１５として完成させる（工程Ｓ４）。なお、スラリー２０５の形成（塗布）の量は、２ｇ／ｍ２となるようにする。【００４０】
上記の工程によりプライミング粒子放出層１５が形成された前面基板構造体１０を用いて、図５に示す構成のＰＤＰ１を作製する。【００４１】
以上のように、プライミング粒子放出層１５を作製する工程において、上記前処理工程（工程Ｓ１）を有することによって、酸化マグネシウム結晶体粉体２０１からなる粒子群１０５の形状、サイズを均一にすることができ、高温加熱処理（工程Ｓ２）時の粒子群１０５同士の接触を少なくすることによって、放電遅れ改善効果を損なうことなく、凝集が抑制された酸化マグネシウム結晶体粉体２０３を得ることができる。この酸化マグネシウム結晶体粉体２０３を含むプライミング粒子放出層１５を配置することにより、放電遅れの改善と、表示欠点、表示ムラの抑制とを両立したＰＤＰ１を実現することができる。【００４２】
＜実施の形態２＞
本発明の実施の形態２である酸化マグネシウム結晶体粉体およびこの酸化マグネシウム結晶体粉体を含むプライミング粒子放出層１５を有するＰＤＰ１の製造方法は、実施の形態１の図２に示す酸化マグネシウム結晶体粉体２０３およびプライミング粒子放出層１５の製造フローにおける、原料粉末１０３の粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程（工程Ｓ１）において、別な手段を用いるものである。他の工程の処理内容等は実施の形態１と同様である。【００４３】
図３は、本実施の形態における粒子群の形状、サイズを均一にする前処理工程（工程Ｓ１）の例についての概要を示した図である。まず表面に複数の貫通孔１０６を設けた基板１０１を用意する。貫通孔１０６のサイズ（開口部の幅および基板の厚さ）は、加熱処理後の粉体の粒度分布、許容凝集上限の設計、熱処理条件、表示セルのサイズ等に依存するが、１μｍ〜１００μｍであることが望ましい。【００４４】
基板１０１の材質は特に限定されないが、金属、ガラス、樹脂などを用いることができる。また、基板１０１は、板状であってもよいし、ワイヤ等を編み込んだ形状のものであってもよい。本実施の形態では、基板１０１は、ＳＵＳワイヤを開口部の幅５０μｍとなるように編み込んだものとする。なお、貫通孔１０６の形状は、図３では円柱状として図示されているが、特にこれに限定されない。【００４５】
この基板１０１の貫通孔１０６に、スキージ１０４等を用いて一定の圧力で原料粉末１０３を押し込み、貫通孔１０６を通過させる。これにより、貫通孔１０６を通過した原料粉末１０３からなる粒子群１０５の形状、サイズは均一なものとなる。なお、原料粉末１０３には、実施の形態１と同様のものを用いる。また、実施の形態１と同様に、原料粉末１０３の状態は、乾燥粉末状以外に、揮発性溶媒と混合したスラリー状や、バインダを混合したものであってもよい。【００４６】
以上のように、実施の形態１と同様に、プライミング粒子放出層１５を作製する工程において、上記前処理工程（工程Ｓ１）を有することによって、酸化マグネシウム結晶体粉体２０１からなる粒子群１０５の形状、サイズを均一にすることができ、高温加熱処理（工程Ｓ２）時の粒子群１０５同士の接触を少なくすることによって、放電遅れ改善効果を損なうことなく、凝集が抑制された酸化マグネシウム結晶体粉体２０３を得ることができる。この酸化マグネシウム結晶体粉体２０３を含むプライミング粒子放出層１５を配置することにより、放電遅れの改善と、表示欠点、表示ムラの抑制とを両立したＰＤＰ１を実現することができる。【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、ＰＤＰおよびその製造方法に利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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