(57)【要約】  ｎ型多結晶シリコン基板製の、多結晶シリコン基板用のＨＩＴ構造の製造方法を提供する。まずｎ型多結晶シリコン基板に、比較的高温を用いてリン拡散ステップを施す。その後、表側の拡散層を除去する。前記リン拡散工程により、インゴット鋳造の際に混入する鉄等の不純物を除去し、バルク特性を向上させる。前記リン拡散層はまた、電圧を上昇させるための裏面電界及び低抵抗性の裏側コンタクトとしての役割を果たす。次のステップとして、ｐ型シリコン薄膜を前記基板の表側に堆積させる。この特定の順序により、ｐ型シリコン薄膜を、その堆積温度よりも高温で加熱することを回避することができ、したがってｐ型シリコン薄膜の品質が維持される。
2009512214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供するステップと、
−前記基板の前記裏側に、リン拡散層を提供するステップと、
−前記表側上に、ｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項２】
リン拡散層を提供するステップの後に、水素を含む誘電膜を、裏側の前記リン拡散層上に堆積させるステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
誘電膜を堆積させるステップの後に、アニーリングステップを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
誘電膜が、ＳｉＮを含む請求項２又は３記載の方法。
【請求項５】
ｐ型シリコン薄膜を、２５０℃未満の温度で堆積させる請求項１〜４のいずれか記載の方法。
【請求項６】
誘電膜の水素含有量が、０．５〜１５原子％である請求項２〜５のいずれか記載の方法。
【請求項７】
アニーリングステップを、誘電膜堆積ステップの温度より５０℃を超える高い温度で実施する請求項２〜６のいずれか記載の方法。
【請求項８】
−表側上にＩＴＯを堆積させるステップと、
−誘電膜にパターンを形成して電極コンタクトとするステップと、
−両側に電極を形成するステップ
とをさらに含む請求項２〜７のいずれか記載の方法。
【請求項９】
基板の裏側にリン拡散層を提供するステップが、
−前記基板の両側にリンを拡散して、表側上の拡散層と裏側上の拡散層とを提供するステップと、
−前記表側の拡散層を除去するステップ
とを含む請求項１〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の方法により製造される太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造に関する。本発明は具体的には、ｎ型多結晶シリコン基板を用いた太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）太陽電池は通常、ｐ型基板で製造される。なぜなら、ｐ型はｎ型よりも少数キャリアの拡散距離が長いからである。太陽電池産業用のシリコン供給原料は、集積回路（ＩＣ）産業用の供給原料に大きく左右される。これは、シリコン製造の際、高品質なＳｉはＩＣ産業用に確保され、品質の劣るＳｉが太陽電池産業用の供給原料となるからである。近年、シリコン供給原料が全体的に不足しているため、ｎ型供給原料をより有効に利用することが望ましい。さらに、ｎ型Ｓｉにおける少数キャリアの寿命が相対的に長いため、ｎ型基板で製造された太陽電池はｐ型基板で製造された太陽電池と比較して、優れた特性を有する可能性さえある。しかし、ｎ型多結晶シリコン太陽電池の最も効率的な構造及び製造工程は、特に接合の形成に関して依然として研究の対象である。ｎ型基板で製造される単結晶シリコン太陽電池については、いわゆるＨＩＴ（真性薄膜との異種材料接合（hetero-junction））構造が提案された。この構造は、優れた特性を有することが分かっている。前記ＨＩＴ構造では、単結晶シリコン基板の表側（光入射側）に、高濃度にドープされたｐ型薄膜を堆積（deposit）させ、前記単結晶シリコン基板の裏側に、高濃度にドープされたｎ型薄膜を堆積させる。これらの薄膜は両側とも、２５０℃未満という比較的低温で堆積させる。多結晶シリコン基板に同一の技術を適用すると、太陽電池の特性が不十分であることが判明した。第３１回ＩＥＥＥ光起電力専門家会議議事録（Proceedings of 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference） (Lake Buena Vista, Florida, 2005) p. 866-871の”M. Taguchi, et al.”参照。
【０００３】
今日では、多結晶シリコン基板のバルク特性を向上させるために、リン拡散によるゲッタリング（除去）工程（gettering process）が用いられている。この工程により、多結晶インゴットの鋳造工程において混入する鉄等の不純物が除去される。水素を含む膜を堆積させた後にアニーリングする、水素パッシベーションもまた、多結晶シリコン基板のバルク特性を向上させる効果がある。これらの両方の工程はすでに、ｐ型多結晶基板製の太陽電池の製造に用いられている。しかし、ｎ型多結晶シリコン基板におけるＨＩＴ構造の製造にこれらの２つの工程を一体化させることについては、適切な解決法が存在しなかった。これは、リン拡散又は水素パッシベーション等の高温処理をすると、前記基板上に堆積させた薄膜層の品質を維持できないからである。
【非特許文献１】第３１回光起電力専門家会議議事録（M. Taguchi, et al., Proceedings of 31st IEEE Photovoltaic Specialists Conference） (Lake Buena Vista, Florida, 2005) p. 866-871
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、ｎ型多結晶シリコン基板を用い、ＨＩＴ構造を有する太陽電池を製造することである。かかる製造においては、堆積させた薄膜の品質が、他の処理ステップによる影響を受けない。
【０００５】
この目的は、
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供するステップと、
−前記基板の裏側内に、リン拡散層を提供するステップと、
−前記表側上にｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法によって達成される。
【０００６】
本発明によれば、薄膜の異種材料接合は、前記拡散ステップの後に形成される。その結果、前記ｐ型シリコン薄膜を、その堆積温度よりも高温で加熱するのを回避することができ、したがって前記ｐ型シリコン薄膜の品質が維持される。
【０００７】
好適な実施形態において前記方法は、リン拡散ステップの後に、
−水素を含む誘電膜を、前記裏側の拡散層上に堆積させるステップと、
−アニーリングステップ
とを含む。
【０００８】
前記誘電膜を、リン拡散層上に堆積させる。前記誘電膜により、裏側の内部反射が向上し、太陽電池の電流量が増加する。前記アニーリングにより、水素パッシベーションを実施する。このパッシベーションステップは、前記薄膜の異種材料接合の形成前に実施する。この結果、前記ｐ型シリコン薄膜を、その堆積温度よりも高温で加熱するのを回避することができ、したがって、前記ｐ型シリコン薄膜の品質が維持される。
【０００９】
前記誘電体は好ましくは、ＳｉＮを含む。窒化シリコン（ＳｉＮ）を誘電膜に採用する場合、前記ＳｉＮにより、前記薄膜の異種材料接合形成の前処理に用いられる場合があるＮａＯＨ溶液及び希フッ酸から、リン拡散層を保護することができる。
【００１０】
前記基板の裏側のリン拡散層はまず、前記基板の両側にリンを拡散して、表側及び裏側に拡散層を提供し、次に表側の前記拡散層を除去することにより提供される。
【００１１】
本発明はまた、上記方法によって製造される太陽電池に関する。
【００１２】
本発明のさらなる利点及び特徴は、添付の図面を参照した多数の実施形態の記載に基づき明らかになる。
【００１３】
図１Ａ〜１Ｈに、本発明の実施形態による太陽電池の実際的な形成例を示す。図２に、前記製造工程に対応するフローチャートを示す。第１ステップにおいて、ｎ型多結晶シリコン基板を用意する。図１Ａ及び図２のステップ２０１を参照。次にステップ２０２において、基板１の両側上に、リン拡散層２及び２’を形成し、かかる層は例えばＮ２／Ｏ２／ＰＯＣｌ３混合雰囲気において、温度８００℃〜８８０℃で形成される。結果を図１Ｂに示す。この拡散はまた、リンのガラスペーストをコーティングした後に、Ｎ２雰囲気で実施してもよい。次にステップ２０３において、ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合気体を用い、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）により、温度３００℃〜５００℃で基板１の裏側上に窒化シリコン膜３を堆積させる。プラズマは、平行平板を用いる直流プラズマ、石英管を用いるマイクロ波遠隔プラズマ、アーク放電を用いる膨張熱プラズマ等の、任意の種類を適用してよい。熱ＣＶＤもまた、適用することができる。これらの種類の方法を用い、窒化シリコン膜３内に、数パーセントの含有量で水素を含有させる。ステップ２０３の結果を図１Ｃに示す。ステップ２０３で窒化シリコン膜を堆積させた後、前記堆積温度より５０℃を超える高い温度で、基板１をアニーリングする。ステップ２０４を参照。前記アニーリングは、例えば温度７００℃〜８００℃で約数秒間実施してよい。前記アニーリングの温度は好ましくは、１０００℃以下である。次にステップ２０５において、表側のリン拡散層２’を、例えば１０％ＮａＯＨ溶液を温度約９０℃で用いて除去する。結果を図１Ｄに示す。裏側の窒化シリコン膜３は、前記ＮａＯＨ溶液によるエッチング(etching)をほとんど受けない。その結果、前記裏側のリン拡散層は、ＮａＯＨ溶液から保護される。前記リン層２’を除去した後、かかる表面に、３％ＮａＯＨ等の化学溶液又は反応性イオンエッチング法等の別の方法によりテクスチャ（texture）を形成する。
【００１４】
次にステップ２０６において、前記基板の表側表面を、半導体用のいわゆる「ＲＣＡ洗浄」により洗浄する。前記洗浄法には、約６０℃のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ、ＨＦ浸漬、約７０℃のＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ、及び再度ＨＦ浸漬という化学処理が含まれる。この洗浄方法はより単純化することができ、又はプラズマ洗浄法等の他の方法を用いることもできる。
【００１５】
次にステップ２０７において、Ｈ２／ＳｉＨ４／Ｂ２Ｈ６混合気体を用い、ＰＥＣＶＤにより、温度１５０℃〜２５０℃でｐ型薄膜シリコン層４を表側表面に堆積させる。図１Ｅも参照。前記薄膜シリコン層４は、微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）又はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含んでよい。前記薄膜シリコン層４はまた、単一のｐ型層又はｐ型シリコン層と真性層との多層を備えてよい。堆積温度は、前記アニーリング工程の温度よりも低温である限り、２５０℃よりもさらに高温であってもよい。ステップ２０４を参照。前記堆積方法は、熱ＣＶＤ等の他の方法であってもよい。
【００１６】
ステップ２０８において、Ａｒ／Ｏ２混合気体及びＩＴＯターゲットを用い、スパッタリングにより、温度１５０℃〜２５０℃でインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層５を表側表面に堆積させる。図１Ｆを参照。真空蒸着法等の他の堆積方法を用いてもよい。別法として、酸化亜鉛等の別の種類の透明な導電性膜を用いることもできる。次に、例えばフォトリソグラフィー法（photolithographic process）により、前記裏側の窒化シリコン層３の中にコンタクトホールを形成する。図１Ｇ及び図２のステップ２０９を参照。別法として、印刷可能なエッチングペースト（ドイツ、Merck KGaA社製）を用いたスクリーン印刷により、窒化シリコン層３の中にコンタクトホールを作製してもよい。最後にステップ２１０において、表側コンタクト６及び裏側コンタクト７を、銀ペーストを用い、スクリーン印刷により形成する。結果を図１Ｈに示す。前記ペーストの燃焼温度は、好ましくはステップ２０７の温度よりも低温である。
【００１７】
上記の工程は一例に過ぎず、他の公知の処理技術で部分的に置換又は拡大してもよい。基板の両側にリンを拡散した後に表側の拡散層を除去する代わりに、基板１の表側をある種のコーティングで保護することにより、裏側だけに拡散を施し、除去工程を省くこともできる。
【００１８】
以下に、他の実際的な実施例をいくつか用いて本発明をさらに説明する。
【００１９】
研究室において、抵抗率０．５〜３オーム・ｃｍのｎ型ｍｃ−Ｓｉ基板を備える厚さ２００〜２４０μｍのウェハー２４０個を用意した。これらのウェハーは、寸法１２５×１２５ｍｍ２（幅及び奥行き）の１つの角柱からスライスし、前記角柱は、１つの鋳造インゴットから切り出した。元のインゴットにおける位置に従い、前記ウェハーに１番〜２４０番の番号をつけた。前記ウェハーを６枚ごとに特定のグループに配置し、６つのグループに分けた。各グループにつきウェハー４０枚とした。以下、前記グループを、グループＢ、グループＣ、グループＤ、グループＥ、グループＦ、及びグループＧと呼ぶ。
グループＢ：１番、７番、１３番…、２３５番
グループＣ：２番、８番、１４番…、２３６番
グループＤ：３番、９番、１５番…、２３７番
グループＥ：４番、１０番、１６番…、２３８番
グループＦ：５番、１１番、１７番…、２３９番
グループＧ：６番、１２番、１８番…、２４０番
【００２０】
［グループＢ］
グループＢは、本発明の典型例である。図１Ｈに示す太陽電池構造を、図２に示す工程により製造する。各処理ステップにおける特定の処理条件は以下の通りである。
ステップ２０２：リンのガラスコーティングを用いた、温度８３０℃〜８５０℃でのリン拡散。
ステップ２０３：石英管を用いた、温度３５０℃〜４００℃でのマイクロ波遠隔プラズマ。
ステップ２０４：温度６５０℃〜７５０℃での５〜２０秒のアニーリング。
ステップ２０５：表側のリンドープ層除去後の、テクスチャのない表面。
ステップ２０６：「ＲＣＡ洗浄」による表面洗浄。
ステップ２０７：ＳｉＨ４／Ｈ２／Ｂ２Ｈ６混合気体を用いた、１３．５６ＭＨｚ、温度２００℃での平行平板プラズマ助長ＣＶＤによるｐ型／真性ａ−Ｓｉ堆積。
ステップ２０８：温度２００℃でのＩＴＯマグネトロンスパッタリング。
ステップ２０９：印刷可能なエッチングペーストを用いた、スクリーン印刷によるコンタクトパターン形成（contact patterning）。
ステップ２１０：銀ペーストによるスクリーン印刷及び２００℃での焼成。
【００２１】
［グループＣ］
グループＣは、従来の工程により作製した従来のＨＩＴ構造を有する参考グループであった。この製造工程のフローチャートを図３に示す。まずステップ３０１において、ｎ型多結晶シリコン基板を用意する。次に洗浄ステップ３０６が続き、これは図２のステップ２０６と同じである。さらにステップ３０７が続き、ここで、図２のステップ２０７で行われたようにｐ型シリコン薄膜の堆積を行う。次のステップ３０７’では、ＳｉＨ４／Ｈ２／ＰＨ３混合気体を用いた、１３．５６ＭＨｚ、温度２００℃での平行平板プラズマ助長ＣＶＤによるｎ型／真性ａ−Ｓｉ堆積を行う。次のステップ３０８では、前記基板の両側にＩＴＯ層を堆積させる。最後に、両側に電極を形成する。ステップ３１０を参照。
【００２２】
図４に、図３の処理ステップの結果を示す。この太陽電池は、ｎ型多結晶シリコン基板４０１を備える。前記基板の表側に、ｐ型薄膜シリコン層４０４を作製する。前記薄膜シリコン層４０４上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層４０５を作製する。前記ＩＴＯ層４０５上に、表側コンタクト４０６を形成する。前記基板の裏側に、ｎ型／真性ａ−Ｓｉ薄膜堆積層４１４を作製する。前記ｎ型シリコン薄膜堆積層４１４上に、ＩＴＯ層を堆積させる。層４１５を参照。
【００２３】
［グループＤ］
グループＤは、実施形態に従って作製された太陽電池である。グループＤの太陽電池は、裏側に窒化シリコン膜を有さない。この作製工程を図５に示す。この工程は、相対的に費用の高いＳｉＮ工程が除外されているので、グループＢの製造工程よりも単純である。この実施形態は、ｎ型多結晶シリコン基板を用意するステップ５０１で始まる。ステップ５０２で、基板の両側にリン拡散層を形成する。次にステップ５０５で、表側の拡散層を除去する。これは、ＯＭＲ８５（東京応化工業（株）から入手可能）等のネガ型フォトレジストで裏側をコーティングするステップと、次にＨＮＯ３／ＨＦ＝１０：１から成る溶液で前記表側を約１分間エッチングするステップとを含むエッチング方法によって達成される。最後に前記ＯＭＲ８５を、ＯＭＲ除去剤（東京応化工業（株））を用いて除去する。次に、ステップ２０６と全く同じように、洗浄ステップ５０６を実施する。このステップの後にステップ５０７が続き、ステップ２０７で実施したように、ｐ型シリコン薄膜を堆積させる。図２を参照。次に、ステップ２０８と全く同じようにステップ５０８を実施する。最後に、両側に電極を形成する。ステップ５１０を参照。
【００２４】
前記基板の両側にリン拡散層を形成する代わりに、例えば前記拡散ステップの間、表合せの配置（front-to-front configuration）を用いて裏側のみにリン拡散層を形成することが可能である。したがって、表側の拡散層は形成されないので除去は必要ない。この場合、洗浄ステップも必要ない。
【００２５】
結果として製造される太陽電池構造を、図６に示す。前記太陽電池は、ｎ型多結晶基板６０１を備える。裏側に、リン拡散層６０２を形成する。表側に、ｐ型薄膜シリコン層６０４を堆積させ、異種材料接合を形成する。表側の薄膜シリコン層６０４上に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層６０５を堆積させる。前記太陽電池は、表側コンタクト６０６及び裏側コンタクト６０７をさらに備える。
【００２６】
［グループＥ］
グループＥでは、ＳｉＮ膜３中の水素含有量は０．３原子％未満であるが、グループＢでは５〜１０原子％である。前記ＳｉＮ膜３中の水素含有量は、フーリエ変換赤外分光分析を用い、前記ＳｉＮ膜３中のＳｉ−Ｈ結合及びＮ−Ｈ結合が吸収する赤外線を測定することにより決定した。この製造工程のフローチャートを図７に示す。この実施形態の具体的な処理ステップは、ステップ７０３及び７０４以外、グループＢの処理ステップと同じである。図２を参照。ステップ７０３では、ＳｉＨ４／ＮＨ３混合気体を用い、温度８００℃で熱ＣＶＤによりＳｉＮを堆積させる。ステップ７０４では、温度８５０℃〜９００℃で、５〜２０秒間アニーリングステップを実施する。
【００２７】
［グループＦ］
グループＢでは、ＳｉＮ膜中の水素含有量は５〜１０原子％であるが、グループFでは２０〜２５原子％である。作製工程は、ＳｉＮ膜の堆積時の堆積温度以外はグループＢで用いられた工程と同じである。図２のステップ２０３も参照。グループＦにおける堆積温度は１３０℃〜１７０℃である。
【００２８】
［グループＧ］
グループＧでは、ＳｉＮ堆積後のアニーリングステップが除外される。この作製工程のフローチャートを図８に示す。図２のフローチャートと比較すると、ステップ２０４が除外されている。ステップ８０２〜８１０は、ステップ２０２〜２１０と各々同一である。
【００２９】
［結論］
完成した電池の電流−電圧特性を、ＩＥＣ６０９０４に記載の手順で測定した。各グループの電池特性の平均値を表Ｉに示す。この表において、Ｊｓｃは短絡電流、Ｖｏｃは開放電圧、さらにＦＦは曲線因子である。
【００３０】
【表１】
2009512214.tif 000003
【００３１】
グループＤをグループＣと比較すると、短絡電流Ｊｓｃ及び開放電圧Ｖｏｃが向上していることが分かる。これは間違いなく、裏側のリンドープ層２の存在によるものである。リン拡散の工程で、鋳造されたウェハー中に混入した鉄が、拡散したリン原子により除去（getter）され、その結果基板の品質が向上した。図２のステップ２０２参照。
【００３２】
グループＧをＤと比較すると、特にＪｓｃが向上していることが分かる。これは主に、裏側のＳｉＮ膜３のためである。図１Ｈを参照。この層は、入射光の内部反射を増強する。これと同じ効果は、例えば酸化チタンと同様の光学特性を有する他の誘電膜でも期待できる。
【００３３】
グループＢをグループＥ、Ｆ、及びＧと比較すると、適切な水素含有量とＳｉＮ堆積後のアニーリングステップとの両方により、Ｊｓｃ及びＶｏｃがさらに向上することが明らかである。これは、適切な条件下でアニーリングすると、ＳｉＮ膜３における水素が基板内の欠陥を不活性化（passivate）するためである。
【００３４】
本発明は、ｎ型多結晶シリコン基板製の多結晶シリコン基板用のＨＩＴ構造を製造する方法を提供する。前記リン拡散の工程により、インゴット鋳造の際に混入する鉄等の不純物が除去され、バルク特性が向上する。前記リン拡散層はまた、電圧を上昇させるための裏面電界及び低抵抗性の裏側コンタクトとしての役割を果たす。上記誘電膜の水素含有量は好ましくは、０．５〜１５％である。前記誘電膜を堆積温度より５０℃を超える高い温度でアニーリングすると、前記誘電膜の水素が放出されて基板内に浸透する。このようにして、バルク内部の多結晶シリコンが不活性化され、太陽電池の特性が向上する。
【００３５】
上記のように、前記薄膜の異種材料接合の形成前に、リン拡散、誘電膜堆積、及び水素パッシベーションといった高温処理を実施する。その結果、前記堆積後に、堆積温度よりも高温で薄膜を加熱することを回避することができ、前記薄膜の品質が維持される。さらに、窒化シリコン（ＳｉＮ）を誘電膜に採用する場合、ＳｉＮにより、前記薄膜の異種材料接合形成の前処理に必要なＮａＯＨ溶液及び希フッ酸から、リン拡散層を保護することができる。したがって本発明により、高温処理と異種材料接合形成とを組み合わせることが可能である。
【００３６】
本発明を採用することにより、ｎ型多結晶−Ｓｉ基板における従来のＨＩＴ構造と比較して、０．６〜１．８ポイントの変換効率の向上が見込まれる。
【００３７】
当業者であれば、上記の記載に基づきその変型に想到すると理解される。これらの変型は、添付の請求の範囲に記載の本発明の範囲内に存在すると見なされる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１Ａ〜１Ｈは、本発明の第１の実施形態の実際的な形成例である。
【図２】図２は、図１Ａ〜１Ｈの形成に対応する製造工程のフローチャートである。
【図３】図３は、従来技術による太陽電池の製造工程のフローチャートである。
【図４】図４は、図３の製造工程により得られる太陽電池である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施形態による太陽電池の製造工程のフローチャートである。
【図６】図６は、図５の製造工程により得られる太陽電池である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施形態による製造工程のフローチャートである。
【図８】図８は、本発明の第４の実施形態による製造工程のフローチャートである。
【図１】
2009512214.tif 000004
【図２】
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【図３】
2009512214.tif 000006
【図４】
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【図５】
2009512214.tif 000008
【図６】
2009512214.tif 000009
【図７】
2009512214.tif 000010
【図８】
2009512214.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年8月14日(2007.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供するステップと、
−前記基板の両側にリンを拡散して、前記表側上の拡散層と前記裏側上の拡散層とを提供するステップと、
−前記表側の拡散層を除去するステップと、
−前記基板の前記表側にテクスチャを形成するステップと、
−前記表側上に、ｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項２】
基板表側のテクスチャの形成を、化学溶液を用いて実施する請求項１記載の方法。
【請求項３】
化学溶液が、３％ＮａＯＨ溶液である請求項２記載の方法。
【請求項４】
基板表側のテクスチャの形成を、反応性イオンエッチング法により実施する請求項１記載の方法。
【請求項５】
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供するステップと、
−前記基板の前記裏側に、リン拡散層を提供するステップと、
−水素を含む誘電膜を、前記裏側の前記リン拡散層上に堆積させるステップと、
−前記表側上に、ｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項６】
誘電膜を堆積させるステップの後に、アニーリングステップを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
誘電膜が、ＳｉＮを含む請求項５記載の方法。
【請求項８】
ｐ型シリコン薄膜を、２５０℃未満の温度で堆積させる請求項１〜７のいずれか記載の方法。
【請求項９】
誘電膜の水素含有量が、０．５〜１５原子％である請求項５〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
アニーリングステップを、誘電膜堆積ステップの温度より５０℃を超える高い温度で実施する請求項６〜９のいずれか記載の方法。
【請求項１１】
−表側上にＩＴＯを堆積させるステップと、
−誘電膜にパターンを形成して電極コンタクトとするステップと、
−両側に電極を形成するステップ
とをさらに含む請求項５〜１０のいずれか記載の方法。
【請求項１２】
基板の裏側にリン拡散層を提供するステップが、
−前記基板の両側にリンを拡散して、表側上の拡散層と裏側上の拡散層とを提供するステップと、
−前記表側の拡散層を除去するステップ
とを含む請求項５〜１１のいずれか記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか記載の方法により製造される太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供し、前記表側が光入射側であるステップと、
−前記基板の両側にリンを拡散して、前記表側上の拡散層と前記裏側上の拡散層とを提供するステップと、
−水素を含む誘電膜を、前記裏側のリン拡散層上に堆積させるステップと、
−前記表側の拡散層を除去するステップと、
−前記拡散層の除去後に、前記基板の前記表側にテクスチャを形成するステップと、
−前記表側上に、ｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項２】
基板表側のテクスチャの形成を、化学溶液を用いて実施する請求項１記載の方法。
【請求項３】
化学溶液が、３％ＮａＯＨ溶液である請求項２記載の方法。
【請求項４】
基板表側のテクスチャの形成を、反応性イオンエッチング法により実施する請求項１記載の方法。
【請求項５】
−表側及び裏側を有するｎ型多結晶シリコン基板を提供するステップと、
−前記基板の前記裏側に、リン拡散層を提供するステップと、
−水素を含む誘電膜を、前記裏側の前記リン拡散層上に堆積させるステップと、
−前記表側上に、ｐ型シリコン薄膜を堆積させるステップ
とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項６】
誘電膜を堆積させるステップの後に、アニーリングステップを含む請求項１〜５のいずれか記載の方法。
【請求項７】
誘電膜が、ＳｉＮを含む請求項１又は５記載の方法。
【請求項８】
ｐ型シリコン薄膜を、２５０℃未満の温度で堆積させる請求項１〜７のいずれか記載の方法。
【請求項９】
誘電膜の水素含有量が、０．５〜１５原子％である請求項５〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
アニーリングステップを、誘電膜堆積ステップの温度より５０℃を超える高い温度で実施する請求項６〜９のいずれか記載の方法。
【請求項１１】
−表側上にＩＴＯを堆積させるステップと、
−誘電膜にパターンを形成して電極コンタクトとするステップと、
−両側に電極を形成するステップ
とをさらに含む請求項５〜１０のいずれか記載の方法。
【請求項１２】
基板の裏側にリン拡散層を提供するステップが、
−前記基板の両側にリンを拡散して、表側上の拡散層と裏側上の拡散層とを提供するステップと、
−前記表側の拡散層を除去するステップ
とを含む請求項５〜１１のいずれか記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか記載の方法により製造される太陽電池。
【国際調査報告】
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