(57)【要約】第１パッケージ封止集積回路（ＩＣ）は、パッケージ基板（８０）と、パッケージ基板の第１表面に取り付けられた１つ以上のＩＣダイ（８２）と、１つ以上のＩＣダイ（８２）を少なくとも部分的に取り囲み、かつ、１つ以上のＩＣダイ（８２）に電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材（８４）と、１つ以上のＩＣダイ（８２）及び複数の導電部材（８４）を取り囲む、第１表面上の封止材料（８６）とを有し、複数の導電部材の各導電部材の少なくとも一部分は封止材料（８６）によって露出されている。第２パッケージ封止ＩＣ（９０）は、第１パッケージ封止ＩＣの上に重ねられる。第２パッケージ封止ＩＣ（９０）は、１つ以上のＩＣダイ（９２）と、複数の導電部材とを有し、第２パッケージ封止ＩＣ（９０）の複数の導電部材の各導電部材は、第１パッケージ封止ＩＣの複数の導電部材（８４）のうちの対応する導電部材と接触している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ封止集積回路（ＩＣ）を形成する方法であって、
第１表面を有するパッケージ基板と、第１表面に取り付けられた第１のＩＣダイと、第１のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、第１のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、同複数の導電部材を少なくとも部分的に取り囲む、第１表面上の堰堤部と、を設ける工程と、
パッケージ基板の第１表面に封止材料を供給することによって表面の充填を行う工程と、封止材料は第１のＩＣダイを取り囲み、かつ堰堤部によって少なくとも部分的に囲まれていることと、前記複数の導電部材の各導電部材の一部分は、表面の充填中は露出したままであることと、
を含む方法。
【請求項２】
パッケージ基板は、第１表面に対向し、複数の外部導電部材を有する第２表面を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
パッケージ基板は、第１表面の上に第２のＩＣダイを有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
第２のＩＣダイは第１のＩＣダイの上に位置する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
第１のＩＣダイは複数のボンディングワイヤによって第１表面に接続される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
第１のＩＣダイは複数の導電性バンプによって第１表面に接続される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
第１表面に封止材料を供給することは、第１のＩＣダイと第１表面との間のアンダーフィルとして封止材料を供給することを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
堰堤部は、第１のＩＣダイと共に前記複数の導電部材完全に取り囲む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
パッケージ基板は更に、シールドを取り付けるためのシールド支持体を第１表面の上に含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
シールド支持体は、無線周波数シールド又は電磁干渉シールドのうちの一方又は両方である、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
パッケージ封止集積回路（ＩＣ）を形成する方法であって、
第１表面を有するパッケージ基板と、第１表面に取り付けられた第１のＩＣダイと、第１のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、第１のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、を設ける工程と、
前記複数の導電部材の各導電部材の頂部と物理的に接触するように保護プレートを設ける工程と、
パッケージ基板の第１表面に封止材料を供給する工程と、封止材料は第１のＩＣダイ及び前記複数の導電部材の各導電部材を取り囲むことと、封止材料を供給する間、保護プレートは前記複数の導電部材の各導電部材の頂部と物理的に接触したままであることと、
保護プレートを取り外す工程と、保護プレートを取り外した後、複数の導電部材の各導電部材の頂部は露出したままの状態となることと、
を含む方法。
【請求項１２】
保護プレートは、前記複数の導電部材の対応する頂部を受け入れる複数の窪みを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
保護プレートを設ける工程は更に、
内部に保護プレートを有するモールドチェースを、パッケージ基板の上に設ける工程と、保護プレートはモールドチェース内部で移動可能であることと、
力を加え、保護プレートを前記複数の導電部材の各導電部材の頂部と物理的に接触させる工程と、
を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
モールドチェースは、モールドチェースと保護プレートとの間に、力を加えるためのバネを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
パッケージ基板は、第１表面の上に第２のＩＣダイを有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
第１のＩＣダイは第１表面に、複数のボンディングワイヤ及び複数の導電性バンプのうちの一方又は両方を使用して接続される、請求項１１記載の方法。
【請求項１７】
パッケージ封止集積回路（ＩＣ）を形成する方法であって、
第１表面を有するパッケージ基板と、第１表面に取り付けられた第１のＩＣダイと、第１のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、第１のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電パッドと、を設ける工程と、
前記複数の導電パッドと物理的に接触するように複数のパッド保護体を設ける工程と、同複数のパッド保護体の各パッド保護体は前記複数の導電パッドの対応する導電パッドと物理的に接触していることと、
パッケージ基板の第１表面に封止材料を供給する工程と、封止材料は第１のＩＣダイと、前記複数のパッド保護体の各パッド保護体のハウジングのうちの少なくとも一部分とを取り囲むことと、
封止材料を供給した後、前記複数のパッド保護体を取り外す工程と、
複数のパッド保護体を取り外した後、前記複数の導電パッドの各導電パッドの少なくとも一部分は封止材料において開口部によって露出されていることと、
を含む方法。
【請求項１８】
更に、前記複数のパッド保護体を取り外した後、封止材料における各開口部の少なくとも一部分を導電材料で充填する工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
複数のパッド保護体を設ける工程は、前記複数のパッド保護体の各パッド保護体を通して真空とする工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２０】
複数のパッド保護体を設ける工程は、力を加え、前記複数のパッド保護体が前記複数の導電パッドと物理的に接触している状態を維持する工程と、封止材料の供給中、前記複数のパッド保護体の各パッド保護体を通じて正圧及び負圧のうちの一方又は両方を加える工程を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項２１】
第１パッケージ封止ＩＣであって、パッケージ基板と、同パッケージ基板の第１表面に取り付けられた１つ以上のＩＣダイと、同１つ以上のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、同１つ以上のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、同１つ以上のＩＣダイ及び同複数の導電部材を取り囲む、第１表面上の封止材料と、を有する第１パッケージ封止ＩＣと、前記複数の導電部材の各導電部材の少なくとも一部分は封止材料によって露出されていることと、
第１パッケージ封止ＩＣの上に重ねられた第２パッケージ封止ＩＣであって、１つ以上のＩＣダイと、第２パッケージ封止ＩＣの前記１つ以上のＩＣダイに電気的に接続された複数の導電部材と、を有する第２パッケージ封止ＩＣと、第２パッケージ封止ＩＣの前記複数の導電部材の各導電部材は、第１パッケージ封止ＩＣの前記複数の導電部材のうちの対応する導電部材と接触していることと、
を備えるパッケージ封止集積回路（ＩＣ）系。
【請求項２２】
第２パッケージ封止ＩＣの前記複数の導電部材は、複数の導電ボール及び複数の導電パッドのうちの一方又は両方を含む、請求項２１記載のパッケージ封止ＩＣ系。
【請求項２３】
更に、第１パッケージ封止ＩＣの上面に実装されたシールド支持体を備える、請求項２１記載のパッケージ封止ＩＣ系。
【請求項２４】
更に、シールド支持体に実装された無線周波数シールド及び電磁干渉シールドのうちの一方又は両方を備える、請求項２３記載のパッケージ封止ＩＣ系。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は集積回路パッケージに関する。より詳細には、本発明は積層型モールド成形パッケージ及び同パッケージの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層型パッケージは反ることが多く、そのため他のパッケージとの接続の信頼性が不充分である。一般的に、このような積層型パッケージは、基板と、基板の頂部上のモールド成形ダイとを含む。通常、ダイを覆うモールドは基板の表面全体を覆う訳ではない。このような積層型パッケージでは、薄い基板は、モールドによって全体が支持されていうる訳ではなく、より反り易い。この反りは、基板とモールドとの熱膨張率が異なることによって生じる。積層型パッケージは、パッケージの上にパッケージが積層されるパッケージ・オン・パッケージ構造を有することもあり、半田ボールを使用して相互に接続されることもある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の積層型パッケージをパッケージ・オン・パッケージ構造に使用する場合、積層型パッケージが反ることによって、積層されるパッケージ間の接続が不充分となる。従来、この問題は、積層されるパッケージを相互に接続する半田ボールの直径及びピッチを大きくすることにより解決されてきた。しかしながら、半田ボールの直径及びピッチを大きくすると幾つかの問題が発生する。例えば、比較的大きな半田ボールを使用すると、基板においてダイ及び金属配線に利用可能な面積が小さくなる。更に、比較的大きな半田ボールを使用すると、パッケージ・オン・パッケージ構造の高さが大きくなる。
【０００４】
従って、積層型モールド成形パッケージ、及び当該パッケージの形成方法を改善する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一態様では、パッケージ封止集積回路などの積層型パッケージを形成する例示としての方法を提供する。例示としての方法では、第１表面を有するパッケージ基板と、第１表面に取り付けられた第１のＩＣダイと、第１のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、第１のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、複数の導電部材を少なくとも部分的に取り囲む、第１表面上の堰堤部と、が設けられる。この例示としての方法では、更に、パッケージ基板の第１表面に封止材料を供給することによって表面の充填が行われ、封止材料は第１のＩＣダイを取り囲み、かつ、堰堤部によって少なくとも部分的に囲まれており、複数の導電部材の各導電部材の一部分は、表面の充填中は露出したままである。
【０００６】
別の態様では、パッケージ封止集積回路を形成する例示としての別の方法を提供する。この方法では、第１表面を有するパッケージ基板と、第１表面に取り付けられた第１のＩＣダイと、第１のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、第１のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、が設けられる。この方法では更に、複数の導電部材の各導電部材の頂部と物理的に接触するように保護プレートが設けられる。この方法では更に、パッケージ基板の第１表面に封止材料が供給され、封止材料は第１のＩＣダイ及び複数の導電部材の各導電部材を取り囲み、封止材料を供給する間、保護プレートは複数の導電部材の各導電部材の頂部と物理的に接触したままである。この方法では、保護プレートが取り外され、保護プレートが取り外された後、複数の導電部材の各導電部材の頂部は露出したままの状態となる。
【０００７】
更に別の態様では、パッケージ封止集積回路を提供する。このパッケージ封止集積回路は第１パッケージ封止ＩＣと、第１パッケージ封止ＩＣの上に重ねられた第２パッケージ封止ＩＣとを含む。第１パッケージ封止ＩＣは、パッケージ基板と、パッケージ基板の第１表面に取り付けられた１つ以上のＩＣダイと、１つ以上のＩＣダイを少なくとも部分的に取り囲み、かつ、１つ以上のＩＣダイに電気的に接続されている、第１表面上の複数の導電部材と、１つ以上のＩＣダイ及び複数の導電部材を取り囲む、第１表面上の封止材料とを有し、複数の導電部材の各導電部材の少なくとも一部分が封止材料によって露出されている。第２パッケージ封止ＩＣは、１つ以上のＩＣダイと、第２パッケージ封止ＩＣの１つ以上のＩＣダイに電気的に接続された複数の導電部材と、を有し、第２パッケージ封止ＩＣの複数の導電部材の各導電部材は、第１パッケージ封止ＩＣの複数の導電部材のうちの対応する導電部材と接触している。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の一実施形態による例示としての基板片の平面図である。積層型パッケージを形成するプロセスの一部分として、複数の基板ユニットを含む基板片１０を形成することができる。基板片１０は、後の工程でダイを取り付け可能な、ダイ取り付け領域１６を含むことができる。基板片１０は更に、ダイのワイヤボンディングを行うためのボンディングポスト１８を含むことができる。図１には、ダイのワイヤボンディングを行うためのボンディングポスト１８を示しているが、フリップチップボンディングなど、他の技術を用いてダイを基板片１０に接続することもできる。基板片１０は更に、複数の積層型パッケージを接続するための接続パッド２０を含むことができる。図１には２行／２列の接続パッド２０を示しているが、２行／２列よりも多い又は少ない行／列の構成を使用することもできる。
【０００９】
基板片１０は更に堰堤壁１２，１４を含むことができる。堰堤壁１２，１４を使用することにより、封止材料が積層型パッケージの外周を超えて流れ出す現象を防止することができる。堰堤壁１２，１４は、半田ボールを銅片上に配置することによって形成することができる。これに代えて、堰堤壁１２，１４は、導電材料又は非導電材料を含む任意の適切な堰堤壁材料を堆積することによって形成することもできる。更に、壁１３，１５のような別の壁を、適切な堰堤壁材料を堆積することによって形成することもできる。壁１３，１５は、ダイ取り付け領域１６に取り付けられるダイの無線周波数シールドとして機能することができる。これに加えて、又はこれに代えて、壁１３，１５は、電磁干渉などの干渉からダイを遮蔽するように機能することができる。また、図１に示すのはソーの通過路の方向２２であり、この方向に沿って基板片１０が個片化され得る。図１には、１行の複数の基板ユニットを有する基板片１０を示しているが、２行以上の基板ユニットからなる基板ユニットのアレイを使用することもできる。次に、図２を参照すると、積層型パッケージを形成するプロセスの一部分として、ボンディングポスト１８及びボンディングワイヤ１９を使用して、基板片１０にダイ２４のワイヤボンディングが行われ得る。
【００１０】
図３は、本発明の一実施形態による、堰堤部、シールド壁、及び導電性ボールを有する図２の例示としての基板の断面図である。この工程の一部分として、堰堤部２６、シールド支持体３１、及び導電性ボール３０を、導電材料のリフローにより形成することができる。堰堤部２６（導電性ボールを使用して形成することができる）、導電性ボール３０、及びシールド支持体は事前に形成することができ、かつそれぞれの接続領域に取り付けることができる。
【００１１】
図４は、本発明の一実施形態による、堰堤部間に封止材料が分配された図３の例示としての基板の断面図である。図示のように、積層型パッケージを形成する次の工程として、例えば、ディスペンサ３２を使用して、基板片１０の上面に封止材料３４を分配することができる。堰堤部２６は、封止材料３４が積層型パッケージの外周を超えて流れ出す現象を防止するように作用する。従来のいずれの封止材料も、この工程の一部分として使用することができる。外部導電性ボール３６は、基板片１０の下面に形成することができる。これに代えて、事前に形成された外部導電性ボール３６を基板片１０の下面に取り付けることもできる。図５を参照すると、フリップチップダイ３８も積層型パッケージの一部分として使用することができる。封止材料３４は、フリップチップダイ３８と基板片１０の上面との間のアンダーフィルとして機能することができる。最終工程の一部分として、積層型パッケージを個片化することができる。ダイは、ワイヤボンディング及びフリップチップボンディング以外のプロセスを使用して、基板片１０に取り付けられてもよい。
【００１２】
本発明の別の実施形態によれば、成形プロセスを使用して積層型パッケージを形成することもできる。図６は、本発明の一実施形態による、成形プロセスの一部分として使用することができる真空支援型パッド保護体を有する例示としての上部モールドチェース（ｍｏｌｄ  ｃｈａｓｅ）の平面図である。上部モールドチェース５０は、真空ハウジング５１内に配置される真空支援型パッド保護体５２を含むことができる。真空ハウジング５１は上部モールドチェース５０の材料と同じ材料からなってもよい。更に、図７には示さないが、例えば、真空支援型パッド保護体５２によって覆われる領域を狭くするために、真空支援型パッド保護体５２又は真空ハウジング５１にインサートを追加することによって、パッド幅を可変とすることができる。上部モールドチェース５０は更に真空チューブ５４を含むことができる。真空チューブ５４を使用して、真空支援型パッド保護体５２と接続パッド６６との界面をほぼ気密状態とすることにより、成形材料が接続パッド６６上の領域に流れ込む現象を防止する。上部モールドチェース５０は更に射出成形チューブ５６を含むことができる。成形材料は、射出成形チューブ５６を使用して射出され得る。次に、図７を参照すると、モールドチェース内部の基板の断面図が示される。基板６０は、自身に取り付けられたダイ６２を含み、上部モールドチェース５０と下部モールドチェース５８との間に保持されることができる。成形材料６４（図８に示す）は射出成形チューブ５６を使用して射出されることができる。真空チューブ５４は、成形材料が接続パッド６６上の領域に流れ込む現象を防止するために用いられる。別の例では、真空支援型パッド保護体５２を通して真空とする代わりに、真空支援型パッド保護体５２を通して正圧を加えて、成形材料が接続パッド６６上の領域に流れ込む現象を防止することができる。正圧を加えること、真空とすることまたはその両方を成形プロセス中に制御することによって、接続パッド６６上への流出を防止することができる。更に図８を参照すると、成形材料６４は、ダイ６２が占める領域と、真空支援型パッド保護体５２によって保護される領域とを除き、上部モールドチェース５０と基板６０との間の領域を充填するように示されている。
【００１３】
図９は、本発明の一実施形態による例示としての積層型パッケージの断面図である。積層型パッケージは、基板６０に取り付けられ、上部が成形材料６４に覆われているダイ６２を含むことができる。積層型パッケージは更に、真空支援型パッド保護体５２によって保護される領域に充填されている導電材料６８を含むことができる。導電材料６８は、従来のプロセスを使用して充填され、次いで、例えば半田スキージを使用して、周りの高さに揃えられることができる。導電材料６８はリフロー可能であり、積層型パッケージは必要に応じて研磨されてよい。また、半田ボールは接続パッド６６の上の領域に挿入されてもよく、次いでリフローが行われ、導電材料６８を形成してもよい。更に、外部導電性ボール６３は、積層型パッケージを他のパッケージ又はプリント回路基板など、他の部品に接続するために、基板６０の下面に形成される。図９には基板６０にダイ６２のワイヤボンディングが行われている様子を示しているが、ダイ６２は基板６０に、フリップチップボンディングのような他の技術を使用して取り付けられてよい。更に、積層型パッケージは、他の例示としての成形プロセスを使用して形成されてもよい。例えば、以下に説明するように、導電性ボール保護プレートを備えるモールドチェースを使用して積層型パッケージを形成することもできる。
【００１４】
図１０に示すように、上部モールドチェース７０は、導電性ボール保護プレート７２を含むことができる。上部モールドチェース７０は更に射出成形チューブ７６を含むことができる。次に、図１１を参照すると、モールドチェース内部の基板８０の断面図が示される。基板８０は、自身に取り付けられたダイ８２を含み、上部モールドチェース７０と下部モールドチェース７８との間に保持されることができる。成形材料８６（図１２に示す）は射出成形チューブ７６を使用して射出されることができる。導電性ボール保護プレート７２に形成される位置合わせ用窪み７３が導電性ボール７４の頂部を覆うことにより、成形材料８６が導電性ボール７４の上に流れ出す現象を防止することができる。従って、成形材料の射出に続いて導電性ボール保護プレート７２を取り除いた後、導電性ボール７４の頂部を露出したままの状態とすることができる。例えば、導電性ボール保護プレート７２はバネ７７を使用して上部成形プレート７０に接続することができる。バネ７７によって導電性ボール保護プレート７２に圧力を加え、導電性ボール保護プレート７２が成形材料８６によって押し上げられることがないようにする。更に図１２を参照すると、成形材料８６は、ダイ８２が占める領域を除き、導電性ボール保護プレート７２と基板８０との間の領域を充填するように示されている。成形材料８６は、ダイ８２のアンダーフィルとしても示される。
【００１５】
図１３は、本発明の一実施形態による例示としての積層型パッケージの断面図である。積層型パッケージは、基板８０に取り付けられ、上部が成形材料８６に覆われているダイ８２を含むことができる。積層型パッケージは更に導電性ボール７４を含むことができ、導電性ボール７４の頂部は成形材料８６によって覆われないので、露出している。更に、外部導電性ボール８８は、積層型パッケージを他のパッケージ又はプリント回路基板など、他の部品に接続するために、基板８０の下面に形成される。図１３には基板８０にダイ８２のフリップチップボンディングが行われている様子を示しているが、ダイ８２は基板８０に、ワイヤボンディングのような他の技術を使用して取り付けられてよい。
【００１６】
図１４は、本発明の一実施形態による例示としてのパッケージ・オン・パッケージ構造の断面図である。一般に、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）構造１００は、複数のパッケージを積層することにより形成することができる。例えば、ＰＯＰ構造１００は、上側パッケージ９０を別の積層型パッケージの上に含むことができる。パッケージ９０は、封止材料９８で封止された状態のダイ９２及びダイ９４を含むことができる。パッケージ９０は更に、パッケージ９０を別のパッケージに接続する接続パッド９６を含むことができる。従って、図１４に示すように、導電性ボール７４を接続パッド９６に接続して、パッケージ９０を別の積層型パッケージに接続することができる。上述のいずれの積層型パッケージもＰＯＰ構造１００の一部分として使用することができる。図１４には非積層型パッケージを積層型パッケージの上に重ねた様子を示しているが、積層型パッケージを積層型パッケージの上に重ねることもできる。更に、任意の数のパッケージ、積層型パッケージまたはその両方を互いの上に重ねることができる。各パッケージ、積層型パッケージまたはその両方は、１つ以上のダイを含むことができる。外部導電性ボール８８は、必要に応じて、また必要な場合に、任意のパッケージの下面又は上面に形成されてよい。
【００１７】
図１５は、本発明の一実施形態による例示としての別の積層型パッケージの断面図である。積層型パッケージは、基板８０に取り付けられ、上部が成形材料８６に覆われているダイ８２を含むことができる。積層型パッケージは更に導電性ボール７４を含むことができ、導電性ボール７４の頂部は成形材料８６によって覆われることがないので、露出している。更に、外部導電性ボール８８は、積層型パッケージを他のパッケージ又はプリント回路基板など、他の部品に接続するために、基板８０の下面に形成される。図１５には基板８０にダイ８２のフリップチップボンディングが行われている様子を示しているが、ダイ８２は基板８０に、ワイヤボンディングのような他の技術を使用して取り付けられてよい。積層型パッケージは更に接続パッド８５を含み、接続パッド８５は接続ボール８７などのシールド支持体を有する。更に、無線周波数シールド又は電磁干渉シールドのようなシールドをシールド支持体／接続ボール８７の上に実装することができる。図１５には接続ボール８７をシールド支持体として示しているが、他の種類のシールド支持体を使用することもできる。
【００１８】
図１６は、本発明の一実施形態による例示としての別のパッケージ・オン・パッケージ構造２００の断面図である。一般に、パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）構造２００は、複数のパッケージを積層することにより形成することができる。例えば、ＰＯＰ構造２００は、上側パッケージ９０を別の積層型パッケージの上に含むことができる。パッケージ９０は、封止材料９８で封止された状態のダイ９２及びダイ９４を含むことができる。パッケージ９０は更に、パッケージ９０を別のパッケージに接続する接続パッド９６を含むことができる。従って、図１６に示すように、導電性ボール７４を接続パッド９６に接続して、パッケージ９０を別の積層型パッケージに接続することができる。上述のいずれの積層型パッケージもＰＯＰ構造２００の一部分として使用することができる。図１６には、非積層型パッケージを積層型パッケージの上に重ねた様子を示しているが、積層型パッケージを積層型パッケージの上に重ねることもできる。更に、任意の数のパッケージ、積層型パッケージまたはその両方を互いの上に重ねることができる。各パッケージ、積層型パッケージまたはその両方は、１つ以上のダイを含むことができる。外部導電性ボール８８は、必要に応じて、また必要な場合に、任意のパッケージの下面又は上面に形成されてよい。更に、パッケージ・オン・パッケージ構造２００はシールド９１を含むことができ、シールド９１は無線周波数シールド又は電磁干渉シールドとして機能することができる。例えば、下側パッケージの上面に設けられる接続パッド９３を形成することができ、次に接続パッド９３の上に接続ボール９５のようなシールド支持体を実装することができる。次に、シールド９１を接続ボール９５に取り付けることができる。図１６には接続ボール９５をシールド支持体として示しているが、他の種類のシールド支持体を使用することもできる。シールド支持体として機能する接続ボール８７，９５は基板を介してボール８８に電気的に接続されることができ、ボール８８は所望の位置に接地されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による例示としての基板片の平面図。
【図２】本発明の一実施形態による、ワイヤボンディングの行われたダイを有する図１の例示としての基板片の断面図。
【図３】本発明の一実施形態による、堰堤部及び導電性ボールを有する図２の例示としての基板片の断面図。
【図４】本発明の一実施形態による、堰堤部間に封止材料が分配された図３の例示としての基板片の断面図。
【図５】本発明の一実施形態による、フリップチップダイを有する例示としての基板片の断面図。
【図６】本発明の一実施形態による真空支援型パッド保護体を有する例示としての上部モールドチェースの平面図。
【図７】本発明の一実施形態によるモールドチェース内部の基板の断面図。
【図８】本発明の一実施形態による、基板の頂部に射出成形される基板の断面図。
【図９】本発明の一実施形態による例示としての積層型パッケージの断面図。
【図１０】本発明の一実施形態による導電性ボール保護プレートを含む例示としての上部モールドチェースの平面図。
【図１１】本発明の一実施形態によるモールドチェース内部の基板の断面図。
【図１２】本発明の一実施形態による、基板の頂部に射出成形される基板の断面図。
【図１３】本発明の一実施形態による例示としての別の積層型パッケージの断面図。
【図１４】本発明の一実施形態による例示としてのパッケージ・オン・パッケージ構造の断面図。
【図１５】本発明の一実施形態によるシールドを有する例示としての積層型パッケージの断面図。
【図１６】本発明の一実施形態による例示としての別のパッケージ・オン・パッケージ構造の断面図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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