(57)【要約】【課題】シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージおよびその方法を提供する。【解決手段】シーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージは、複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板と、基板の上部面に取り付けられる透明基板と、基板の下部面から上部面の複数の電極パッドの下面にわたり形成されたバイア・ホールと、バイア・ホール内の電極パッド下面を除く残りの部分及び基板の裏面全体に形成された保護膜と、バイア・ホール内に形成されたバイア・コンタクトと、基板の裏面のバイア・コンタクト上に形成されたソルダー・バンプとで構成される。【選択図】図１５
2009512213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ・センサーのパッケージング方法において、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板の上部面に透明基板を付着する段階と、
前記基板の下部面を研磨する段階と、
前記基板の下部面から前記基板の上部面の複数の電極パッドの下まで貫くバイア・ホールを形成する段階と、
前記バイア・ホール内部および前記基板の下部面全体に保護膜を形成する段階と、
前記電極パッド上に形成された保護膜を除去し、前記バイア・ホール内にシード層を形成する段階と、
前記シード層上にバイア・コンタクトを形成する段階と、
前記基板下部面の前記バイア・コンタクト上にソルダー・バンプを形成する段階と、
前記基板および透明基板を切断して分離する段階と、
からなることを特徴とするシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項２】
前記基板の上部面に前記透明基板を付着する前に、切断面を基準として両側の電極パッドにわたるようにエポキシ層を形成する段階と、
前記エポキシ層の上部にスペイサーを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハーレペル・パッケージング方法。
【請求項３】
前記バイア・ホールにバイア・コンタクトの形成は、
前記バイア・ホール内部にスパッタリングにより前記シード層を形成する段階と、
半田ペーストを印刷することにより、又は、前記バイア・ホール内の金属層上に金属を鍍金することで、前記バイア・ホールを金属で充填する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項４】
前記透明基板の厚さは、３００−５００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項５】
前記研磨した後の前記基板の厚さが、５０−１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項６】
前記バイア・ホールは、ＲＩＥを利用した乾式食刻で直接形成されるか、又は部分的に未貫通ホールを形成した後、前記基板を貫通しなかった残り部分を乾式食刻または湿式食刻で除去して、前記バイア・ホール形成することを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項７】
前記保護膜は、硝酸溶液による酸化又は低温ＰＥＣＶＤを利用して形成した酸化膜または窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項８】
前記バイア・コンタクトを形成する金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｒおよびＷ又はこれらの合金からなる群から選択された一つの導電性金属であることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサー・ウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項９】
前記ソルダー・バンプは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕの合金、又はＳｎ、Ｃｕ、Ａｕの内の少なくとも二つの合金の何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項１０】
イメージ・センサーのパッケージにおいて、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板と、
前記基板の上部面に付着した透明基板と、
乾式食刻または湿式食刻により、前記基板の下部面から前記基板の上部面の複数の電極パッド下部まで形成されたバイア・ホールと、
前記バイア・ホール内部の前記電極パッド下部面を除いた残り部分と前記基板の下部面全体に形成された保護膜と、
前記バイア・ホール内部に形成されたシード層及びバイア・コンタクトと、
前記基板の下部面の前記バイア・コンタクト上に形成されたソルダー・バンプと、
で構成したことを特徴とするシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１１】
前記基板の上部面と前記透明基板との間にエポキシ層とスペイサーとを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１２】
前記透明基板の厚さが、３００−５００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１３】
前記基板の厚さが、５０−１００μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１４】
前記保護膜が、酸化膜または窒化膜であることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１５】
前記バイア・コンタクトを形成する金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡＩ、Ｎｉ、ＣｒおよびＷ及びこれらの合金の群から選択された一つの導電性金属からなることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１６】
前記ソルダー・バンプは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕの合金、又はＳｎ／Ａｕの合金の中の何れか一つであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージおよびその製造方法に関する。
【０００２】
より詳しくは、センシング部および電極パッドを含むイメージ・センサー構成要素が形成された上部面と、上部面に対向された下部面として電極パッドを直接連結するシリコン・バイア・コンタクトを形成して下部面に露出したシリコン・バイア・コンタクトにソルダー・バンプを形成し、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）と接着するシリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージおよびその方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的に、イメージ・センサーは、光学映像を電気的信号に変換させる半導体モジュールとして、映像信号を保存、送信およびディスプレー装置として表わすために使う。イメージ・センサーは、電位の井戸（Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｗｅｌｌ）の深さを電位を伝達しようとする方向に連続的に調節し、電荷を送る電荷結合素子（Ｃｈａｒｇｅ−ＣｏｕＰｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ、以下ＣＣＤ）イメージ・センサーと、ーつのピクセル単位のセル（Ｃｅ１１）の内部にーつ以上のトランジスクと、光センサーとして動作するフオト・ダイオードとからなるシーモス（ＣＭＯＳ）イメージ・センサーに大きく分類される。
【０００４】
ＣＣＤイメージ・センサーは、ＣＭ０Ｓイメージ・センサーに比ペて、ノイズが少なく、イメージ品質が優秀であり、デジタル・カメラに適合している。これに反してＣＭＯＳイメージ・センサーは、おおむねＣＣＤイメージ・センサーに比べて生産単価と消費電力が低く、周辺回路のチップと統合しやすいという長所がある。特に、ＣＭ０Ｓイメージ・センサーは、一般的な半導体製造技術として生産することができ、増幅および信号処理のような機能を遂行する周辺システムとの統合がしやすく、生産原価を低＜することが可能である。さらに、処理速度が速く、ＣＣＤイメージ・センサーに比べて１％程度消費電力が小さいことが特徴である。したがって、ＣＭＯＳイメージ・センサーは、携帯電話と個人携帯端末機（ＰＤＡ）用カメラに利用することに適合していたが、最近ＣＭＯＳイメージ・センサー技術の進歩によりＣＣＤとＣＭＯＳイメージ・センサー間の境界が崩れている。
【０００５】
即ち、ＣＭＯＳイメージ・センサーは、当初ＶＧＡ級のカメラフォン用のイメージ・センサーとして利用されてきたが、最近の技術発展によって２Ｍａｇａ画素程度のカメラ・フォン用のイメージ・センサーとして採用される等その技術開発速度が非常に早＜なっている。
【０００６】
ところで、今までは、イメージ・センサー・チップのためのパッケージを利用して、ワイヤー・ボンディング（Ｗｉｒｅ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）によってモジュール化が進行している。しかし、ワイヤー・ボンディング工程によると、センサーの窓（ウインドウ）に画像欠陥を起こす異質物が発生し、モジュール組み立ての際、収率を減少させる間題が発生し、モジュールの厚さと横、縦サイズが大きくなってモジュールの小型化が困難である。
【０００７】
最近の新しいカメラ・モジュール化方法として、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  ＤＩＳｐｌａｙ）パネル製造技術において使われた異方性伝導フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を活用したＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ＰＣＢ）技術が活用初期段階にある。大韓民国公開特許第２００３−００６９３２１号明細書は、基板状態においてパッケージング工程を終わらせるフリップ・チップ（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ）Ａｕバンピング工程とＣＯＦ実装技術を使った撮像素子パッケージおよびその製造方法を開示している。
【０００８】
図１は、従来技術にともなうＣＩＳ（ＣＭＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ）チップを使ったカメラ・モジュールを示した図面である。
【０００９】
また、図１に図示されたように、ＣｌＳチップ（１０５）上に形成されたソルダー・バンプ（Ｓｏｌｄｅｒ  ＢｕｍＰ、１２０ｂ）を異方性伝導フィルム（１０４）の伝導性ボールを通じて、フレキシブル回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ、以下ＦＰＣ、１０３）の外部電極パッド（１２０ａ）と連結してＣＩＳチップのポンディングを完了する。以後、レンズ（１００）、レンズ・ハウジング（１０１）および赤外線フィルター（図示していない）等を装着することによって、カメラ・モジュールを完成する。このように異方性伝導フィルム技術を活用することによって、ＣＩＳのための別途のパッケージが必要なく、ＣＩＳ（１０５）チップを直接ＦＰＣ（１０３）に接合できる。
【００１０】
しかし、前記のようなフリップ・チップ方式は、イメージ・センシングをするためのセンシング部（１０６）が必然的に前記異方性伝導フィルム（１０４）に向かわなければならないので、前記ＣＩＳチップ（１０５）をＦＰＣ（１０３）に接合する際、異方性伝導フィルム（１０４）等から発生した汚染物質が、ＣＩＳチップのセンシング部（１０６）に入り、製造工程上の収率を大きく低下させる問題点がある。
【００１１】
このような問題を解決するために、イスラエルのＳｈｅｌｌｃａｓｅ社では、基板を食刻し、前記基板のセンシング部と同じ平面上に形成された電極パッドに連結する電極を基板裏面（センシング部の反対面）に延長してＣＩＳチップのセンシング部を異方性伝導フィルムの反対側へ向かうようにして、ＦＰＣと接合できる技術を開発した。
【００１２】
図２乃至図６は、Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージ製造工程に対する断面図である。
【００１３】
まず、図２に示されたように、所定の工程を経て、基板（２００）の第１面（２００ａ）に電極パッド（２０１）と撮像のためのセンシング部（２０２）等のＣＩＳ構成成分を形成する。以下において記述するイメージ・センサー・パッケージ製造工程完了の後、切断面（２５０）に沿って切断することによってチップとチップを分離することになる。
【００１４】
次に、図３に示されたように、前記基板（２００）の第１面にエポキシ（ｅｐｏｘｙ、２０３）を使って第１ガラス基板（２０４）を付着する。
【００１５】
次に、図４に示されたように、前記基板（２００）の第１面に存在する電極パッド（２０１）が露出するまで、前記基板を第２面（２Ｏ０ｂ）から円（２０６）の中に図示されたように食刻（２０６）した後、エポキシ（２０３ａ）を利用して第２ガラス基板（２０７）を付着する。
【００１６】
次に、図５に示されたように、前記第２ガラス基板（２０７）を食刻した後、導電体を形成してパターニングし、外部電極（２０８）を形成する。前記外部電極（２０８）は、前記電極パッド（２０１）とティー接合（Ｔ−ｃｏｎｔａｃｔ、２０９）を形成する。
【００１７】
次に、図６に図示されたように、前記第２ガラス基板（２０７）と前記外部電極（２０８）上に絶縁膜（２１１）を蒸着し、パターニングして、ソルダー・バンプが形成される領域を露出させた後、ソルダー・バンプ（２１０）を形成して、前記基板（２００）を切断面（２５０）に沿って切断することによって、チップとチップの間を分離する。その後、  所定の工程を経て、カメラのような映像装置モジュールとして組み立てが成される。
【００１８】
しかし、前記のようなイメージ・センサー・パッケージ製造方法は、前記テイー接合する部位において導電体の亀裂およぴその亀裂による停電が発生しやすい。また、外部電極を形成するためのパターニング工程もしなければなれず、外部電極を保護用またはソルダー・マスク用の絶縁膜を形成しなければならないなど、製造工程が複雑であり、収率が低い問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
したがって、本発明の目的は、前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、イメージ・センシング部に異質物が入ることを防止するものである。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、イメージ・センサー・モジュールの厚さを減少させたイメージ・センサー・パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本願の第１発明によるイメージ・センサーのパッケージング方法は、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板の上部面に透明基板を付着する段階と、
前記基板の下部面を研磨し、基板の不要部分を除去する段階と、
前記基板の下部面から前記基板の上部面の複数の電極パッドの下まで貫くバイア・ホールを形成する段階と、
前記バイア・ホール内部および前記基板の下部面全体に保護膜を形成する段階と、
前記電極パッド上に形成された保護膜を除去し、前記バイア・ホール内にシード層を形成する段階と、
金属で前記バイア・ホールを充填することで、前記バイア・ホール上にバイア・コンタクトを形成する段階と、
前記基板下部面の前記バイア・コンタクト上にソルダー・バンプを形成する段階と、
前記基板および透明基板を切断して分離する段階とから構成される。
【００２２】
また、本願の第２発明のイメージ・センサーのパッケージは、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板と、
前記基板の上部面に付着した透明基板と、
前記基板の下部面から前記基板の上部面の複数の電極パッド下部まで形成されたバイア・ホールと、
前記バイア・ホール内部の前記電極パッド下部面を除いた残り部分と前記基板の下部面全体に形成された保護膜と、
前記バイア・ホール内部に形成されたバイア・コンタクトと、
前記基板の下部面の前記バイア・コンタクト上に形成されたソルダー・バンプと、
で構成したものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の前記目的と技術的構成およびそれにともなう作用効果に関する詳しい事項は、以下において詳細に説明される。
【００２４】
図７乃至図１６は、本発明の一実施例にともなうシリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法の断面図である。
【００２５】
図７に示されたように、基板（３００）は、上部に所定の工程を経て、外部回路との電気的接続のための電極パッド（３０１）とイメージ・センシングのためのセンシング部（３０２）が形成されている。前記基板（３００）は、多数のチップとして構成されており、チップ製造工程完了後に、パッケージングのために、チップ間を切断するという工程を遂行する。前記切断工程のための切断面（３０３）を基準として、チップとチップの間を分離することになる。前記基板（３００）はシリコン基板、すなわちウェハー（ｗａｆｅｒ）である。
【００２６】
次に、図８に図示されたように、前記基板（３００）の上部に透明基板（３０４）を付着する。前記透明基板（３０４）は、ガラス基盤（ｇｌａｓｓ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）にすることが好ましく、厚さは３００−５００μｍが好ましい。前記透明基板（３０４）を付着させるために、切断面（３０３）を基準として両側の電極パッド（３０１）にわたるようエポキシ層（ｅｐｏｘｙ  ｌａｙｅｒ、３０５）を形成する。また、前記透明基板（３０４）と基板（３００）の間に空間を設けるために、スペイサー（ｓｐａｃｅｒ、３０６）を前記エポキシ層（３０５）上部に形成する。その後、前記基板（３００）と前記透明基板（３０４）を接着する。これによって、今後の工程において、基板（３００）の上部に形成されたセンシング部（３０２）および電極パッド（３０１）は、外部の不純物から完壁に保護され、不純物による不良率を画期的に減少することができる。
【００２７】
次に、図９に示されたように、前記基板（３００）の下段部を研磨する。前記研磨する工程は、今後、基板（３００）にバイア・ホールを形成する過程において、工程を容易にするために、堅固性（Ｄｕｒａｂｉｌｉｔｙ）を考慮し、クラインディング後の前記基板（３００）の厚さを、５０−１００μｍとすることが好ましい。
【００２８】
次に、図１０に示されたように、前記基板（３００）の下部から上部に形成された電極パッド（３０１）の下部まで貫くバイア・ホールを（３０７）を形成する。前記バイアホールを（３０７）を形成する方法は、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用した乾式食刻で直接形成したり、部分的な未貫通ホールを形成した後、前記基板（３００）の貫通されなかった残り部分を乾式食刻または湿式食刻として除去し、形成することができる。この際、バイア・ホールの直径は、数μｍから数千μｍまでが可能であるが、２００μｍ以内において形成することが好ましい。前記バイア・ホール（３０７）の形状は、円形を基本とするものの三角形、四角形または多角形のように多様な形状が可能である。また、前記基板（３００）の下部に形成された貫通ホールの断面積が、前記電極パッド（３０１）側の断面積より大きい場合と、小さい場合、または同じである場合ある。
【００２９】
次に、図１１に示されたように、前記バイア・ホール（３０７）の内部および基板（３００）の下部面の全体にかけて、電極間の絶縁のために保護膜（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、３０８）を形成する。前記保護膜（３０８）は、酸化膜または窒化膜として形成されることが好ましい。前記保護膜（３０８）は、低温ＰＥＣＶＤ（Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐａｒａｔｕｒｅ  Ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、  ＰＥＣＶＤ）で蒸着することが好ましい。
【００３０】
次に、図１２に示されたように、バイア・ホール（３０７）内部の電極パッド（３０１）の露出のために、バイア・ホール（３０７）底面部、すなわち電極パッド領域に蒸着されている保護膜（３０８）を除去する。
【００３１】
次に、図１３と図１４に示されたように、バイア・ホール（３０７）内部にスパッタリング工程で、シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ、３０９）を形成した後、半田ペーストを印刷又は鍍金によって、バイア・コンタクト（Ｖｉａ  Ｃｏｎｔａｃｔ、３１０）を形成する。この際、使われる金属は、伝導性物質すなわち、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｒおよびＷ、又はこれらの合金のような導電性金属であれば何であっても使用可能である。
【００３２】
次に、図１５に示されたように、基板（３００）の下部面のバイア・コンタクト（３１０）が形成された領域に、ソルダー・バンプ（Ｓｏｌｄａｒ  Ｂｕｍｐ、３１１）を形成する。前記ソルダー・バンプは、導電性物質であれば何であっても可能であるが、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕの合金、Ｓｎ／Ａｕの合金などが好ましい。
【００３３】
最後に、図１６に図示されたように、基板（３００）および透明基板（３０４）を切断面（３０３）に沿って切断（ｄｉｃｉｎｇ）し、チップとチップの間を分離する。
【００３４】
詳述した本発明の実施例の過程を通じて、イメージ・センサー・チップが完成される。その後、前記分離したイメージ・センサーチップは、基板下部に生成されたソルダー・バンプを通じてＦＰＣまたは印刷回路基板に付着させることによって、外部回路と接続することになる。以後、レンズおよびレンズ・ハウジングなどを組み立てて、カメラのような映像装置を構成する。
【００３５】
本発明は、好ましい実施例をあげて図示し説明しているが、前記の実施例に限らず、多くの変形が、本発明の技術的思想内において、当分野の通常の知識を持つものにより可能であることは明白である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
したがって、本発明によると、センシング部および電極パッドを含むイメージ・センサー構成要素が形成された基板の上部面に、基板の下部面から電極パッドまで連結するバイア・コンタクトを簡単に形成することができる。また、基板下部面に露出されたバイア・コンタクト上にソルダー・バンプを形成した後、イメージ・センサー構成要素のない下部面を通じて、外部回路と連結することによって、各種の汚染物がセンシング部に引入されて発生するパッケージング工程の際の収率低下を防ぐことができる。
【００３７】
また、基板の厚さの不必要な部分を除去することによって、完成されたイメージ・センサー・モジュールの厚さを減らすことができる。
【００３８】
また、徐々に小型化されているイメージ・センサーを含む半導体素子のＣＳＰ（ＣｈｉＰ  Ｓｃａ１ｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）を効果的に具現することもでき、さらに、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）等に応用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来技術によるＣＭＯＳイメージ・センサー・チップ（ＣＩＳ）を用いたカメラモジュールを示す図である。
【図２】Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージを製造するための工程を示す断面図である。
【図３】Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージを製造するための工程を示す断面図である。
【図４】Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージを製造するための工程を示す断面図である。
【図５】Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージを製造するための工程を示す断面図である。
【図６】Ｓｈｅｌｌｃａｓｅ社のＣＩＳパッケージを製造するための工程を示す断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図８】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図９】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の好適な実施例に従って、シリコン・バイア・コンタクトを利用したシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ・センサーのパッケージング方法において、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板の上部面に透明基板を付着する段階と、
前記基板の下部面を研磨する段階と、
前記基板の下部面を乾式食刻或いは湿式食刻し、前記基板の上部面の複数の電極パッドの下まで貫くバイア・ホールを形成する段階と、
前記バイア・ホール内部および前記基板の下部面全体に保護膜を形成する段階と、
前記電極パッド上に形成された保護膜を除去し、前記バイア・ホール内にシード層を形成する段階と、
前記シード層上にバイア・コンタクトを形成する段階と、
前記基板下部面の前記バイア・コンタクト上にソルダー・バンプを形成する段階と、
前記基板および透明基板を切断して分離する段階と、
からなることを特徴とするシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項２】
前記基板の上部面に前記透明基板を付着する前に、切断面を基準として両側の電極パッドにわたるようにエポキシ層を形成する段階と、
前記エポキシ層の上部にスペイサーを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハーレペル・パッケージング方法。
【請求項３】
前記バイア・ホールにバイア・コンタクトの形成は、
前記バイア・ホール内部にスパッタリングにより前記シード層を形成する段階と、
前記バイア・ホール内の金属層上に金属を鍍金することで、前記バイア・ホールを金属で充填する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項４】
前記透明基板の厚さは、３００−３５０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項５】
前記研磨した後の前記基板の厚さが、５０−７０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項６】
前記バイア・ホールは、ＲＩＥを利用した乾式食刻で直接形成されるか、又は部分的に未貫通ホールを形成した後、前記基板を貫通しなかった残り部分を乾式食刻または湿式食刻で除去して、前記バイア・ホール形成することを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項７】
前記保護膜は、低温ＰＥＣＶＤを利用して形成した酸化膜または窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項８】
前記バイア・コンタクトを形成する金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、ＣｒおよびＷ又はこれらの合金からなる群から選択された一つの導電性金属であることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサー・ウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項９】
前記ソルダー・バンプは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕの合金、又はＳｎ、Ｃｕ、Ａｕの内の少なくとも二つの合金の何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージング方法。
【請求項１０】
イメージ・センサーのパッケージにおいて、
複数の電極パッドを含むイメージ・センサーの構成要素が形成された基板と、
前記基板の上部面に付着した透明基板と、
乾式食刻または湿式食刻により、前記基板の下部面から前記基板の上部面の複数の電極パッド下部まで形成されたバイア・ホールと、
前記バイア・ホール内部の前記電極パッド下部面を除いた残り部分と前記基板の下部面全体に形成された保護膜と、
前記バイア・ホール内部に形成されたシード層及びバイア・コンタクトと、
前記基板の下部面の前記バイア・コンタクト上に形成されたソルダー・バンプと
で構成したことを特徴とするシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１１】
前記基板の上部面と前記透明基板との間にエポキシ層とスペイサーとを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１２】
前記透明基板の厚さが、３００−３５０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１３】
前記基板の厚さが、５０−７０μｍであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１４】
前記保護膜が、酸化膜または窒化膜であることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１５】
前記バイア・コンタクトを形成する金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡＩ、Ｎｉ、ＣｒおよびＷ及びこれらの合金の群から選択された一つの導電性金属からなることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【請求項１６】
前記ソルダー・バンプは、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕの合金、又はＳｎ／Ａｕの合金の中の何れか一つであることを特徴とする請求項１０に記載のシーモス・イメージ・センサーのウェハー・レべル・パッケージ。
【国際調査報告】
2009512213.tif 000019
2009512213.tif 000020