(57)【要約】【課題】  修理ラインで直すことができる欠陥と製造ラインを止めなければならない欠陥であるかを判定できる表示デバイス（５０）の欠陥検出方法を提供する。【解決手段】  表示デバイスの欠陥検出方法は、表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測し（Ｐ３２）、計測された領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された領域をカウントする欠陥カウントステップ（Ｐ３６）と、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップ（Ｐ３８，Ｐ４２）と、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が少ない場合に所定面積内の欠陥密度を計算する欠陥密度計算ステップ（Ｐ３８）と、欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が高い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップ（Ｐ４０，Ｐ４２）と、を備える。【選択図】図８Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる表示デバイスの欠陥検出方法であって、
前記表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測する計測ステップと、
計測された各部分領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する第１判定ステップと、
この第１判定ステップで第１範囲内と判定された領域に対して、該部分領域における特徴量と該部分領域の周囲の部分領域における特徴量との差分を算出する算出部と、
算出部で算出された差分が第２範囲内か否かを判定する第２判定ステップと、
を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項２】
前記表示デバイスの領域は行列に区分けされており、
前記周辺の部分領域は、前記第１範囲内と判定された画素の行方向又は列方向に隣り合う画素であることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出方法。
【請求項３】
前記特徴量は、前記表示デバイスの隔壁高さ、前記隔壁の位置又は前記表示デバイスの電極と電極とのギャップの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の欠陥検出方法。
【請求項４】
前記第１判定ステップで第１範囲外と判定された部分領域と前記第２判定ステップで第２範囲外と判定された部分領域とを欠陥としてカウントする欠陥数カウントステップと、
前記欠陥数カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の欠陥検出方法。
【請求項５】
前記表示デバイスはロール上の可撓性の基板に形成されており、この可撓性の基板は前記行方向に所定速度で送られ、
前記計測ステップでは、前記列方向に伸びるセンサで前記表示デバイスの特徴量を計測するとともに前記可撓性の基板が送られる速度に応じて前記特徴量を逐次更新することで、行列に区分けされた特徴量を計測することを特徴とする請求項２に記載の欠陥検出方法。
【請求項６】
前記表示デバイスの位置を示す指標から位置を特定するステップを備え、
部分領域ごとにその位置が特定されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の欠陥検出方法。
【請求項７】
表示デバイスの欠陥検出方法であって、
前記表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された領域をカウントする欠陥カウントステップと、
前記欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
前記欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が少ない場合に所定面積内の欠陥密度を計算する欠陥密度計算ステップと、
前記欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が高い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項８】
前記欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が低い場合には前記表示デバイスを修理ラインで修理するステップを備えることを特徴とする請求項７に記載の欠陥検出方法。
【請求項９】
前記修理ラインに前記表示デバイスを送る際には、計測された領域の位置情報及び特徴量を含む欠陥データが前記修理ラインに送られることを特徴とする請求項８に記載の欠陥検出方法。
【請求項１０】
前記表示デバイスはロール上の可撓性の基板に形成されており、製造ラインでこの可撓性の基板は前記行方向に所定速度で送られてロール状に巻き取られ、
前記修理ラインでは前記欠陥データに基づいて、ロール状に巻き取られた状態から送り出された前記表示デバイスの欠陥領域を修理することを特徴とする請求項９に記載の欠陥検出方法。
【請求項１１】
複数の画素からなる表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する特徴量判定部と、
この特徴量判定部で第１範囲内と判定された部分領域に対して、その部分領域における特徴量と該部分領域の周辺の部分領域における特徴量との差分を算出し、この差分が第２範囲内か否かを判定する差分判定部と、
を備えたことを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１２】
前記表示デバイスの部分領域は行列に区分けされており、
前記周辺の部分領域は、前記第１範囲内と判定された部分領域に対して行方向又は列方向に隣り合う領域であることを特徴とする請求項１１に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１３】
前記第１判定ステップで第１範囲外と判定された部分領域と前記第２判定ステップで第２範囲外と判定された部分領域とを欠陥領域としてカウントし、そのカウントされた欠陥数が第１閾値より多いか否かを判定する欠陥数判定部と、
所定面積内に占める前記欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部と、
を備えることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１４】
表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントし、第１閾値より欠陥数が多いか否かを判定する欠陥数判定部と、
前記欠陥数判定部で第１閾値より欠陥数が少ないと判定された場合に所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部と、
を備えることを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１５】
前記欠陥領域の位置を特定し位置情報として出力する位置計数部と、
前記欠陥領域と判定された領域の前記位置情報及び前記特徴量を含む欠陥データを記憶する記憶部と、
を備えることを特徴とする請求項１４に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１６】
表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントするとともに、所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部、
を備えることを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、液晶表示素子又は電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：フィールドエミッション・ディスプレイ）などフラットパネル表示素子に関する。またこの表示デバイスの欠陥検出方法及び欠陥検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子などの表示素子は、小型、薄型、低消費電力、及び軽量という特徴を有するため、現在、各種の電子機器に広く用いられている。これら表示素子を駆動する駆動回路又は薄膜トランジスタは、一般にステッパと呼ばれる露光装置を用いて製造されている。【０００３】
しかし、特に液晶表示素子は大型化が進み、第８世代以降になると製造コスト、装置輸送制限など、今までのスケール・アップ延長線上の技術では対応できないところまで達しており多くの難問を抱えている。また、製造コスト低減のために、基板サイズ拡大による高効率化に加えて装置コストの低減、ランニング・コストの低減、大型パネルの歩留まり向上が大きな課題になっている。【０００４】
また、さらには有機ＥＬや電界放出ディスプレイなどが市場に出始めており、これら次世代の表示素子の製造に関しても装置コストの低減、ランニング・コストの低減が大きな課題になっている。【０００５】
特許文献１は、液晶表示素子の装置コストの低減、ランニング・コストの低減の対策として、ロール状の可撓性の基板で液晶表示素子を製造する方法を開示する。
特許文献２は、ラインセンサを用いて高精細に撮影した液晶パネルの画像からラビングムラやギャップムラ等の各種の表示欠陥の種類に応じて解像度を選択して欠陥検出を行うため表示欠陥検出方法を開示する。
【特許文献１】特許第３６９８７４９号公報
【特許文献２】特開２００４−２７９２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の開示する実施例のようにロール状の可撓性の基板は数十メートルから数百メートルに及ぶため、致命的な欠陥箇所が発生している場合には製造ラインを止める必要がある。その一方で簡単に修理できる欠陥箇所もある。
特許文献２は最終製品となった液晶表示素子の完成品を表示欠陥の種類に応じて画像の解像度を選択しているが欠陥を見つけることのみを目的とし、修理しなければならない欠陥か否かを判断していない。【０００７】
そこで本発明は、表示素子の配線などの欠陥箇所を製造過程で見つけるとともに、修理ラインで直すことができる欠陥と製造ラインを止めなければならない欠陥であるかを判定できる表示デバイスの欠陥検出方法及び表示デバイスの欠陥検出装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の観点の表示デバイスの欠陥検出方法は、表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測する計測ステップと、計測された各部分領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する第１判定ステップと、この第１判定ステップで第１範囲内と判定された領域に対して、該部分領域における特徴量と該部分領域の周囲の部分領域における特徴量との差分を算出する算出部と、算出部で算出された差分が第２範囲内か否かを判定する第２判定ステップと、を備える。
この欠陥検出方法により、部分領域の特徴量が第１範囲内に入っていても、表示デバイスを見る人間の目は、部分領域とその周辺の部分領域との差異が大きいと輝度ムラとして認識してしまう。このため、部分領域における特徴量と該部分領域の周囲の部分領域における特徴量との差分を算出して輝度ムラの原因となる欠陥を検出する。【０００９】
第２の観点の表示デバイスの欠陥検出方法は、表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された領域をカウントする欠陥カウントステップと、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が少ない場合に所定面積内の欠陥密度を計算する欠陥密度計算ステップと、欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が高い場合には表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、を備える。
第２の観点の表示素子の欠陥検出方法は、表示デバイスの欠陥密度を計算してすることで製造ラインを停止するか否かを判定する。欠陥密度が高いと一箇所に欠陥領域が集中している。このような場合にはその部分を修理するだけでは対応できないので欠陥密度を判定の基準としている。【００１０】
第３の観点の表示デバイスの欠陥検出装置は、表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する特徴量判定部と、この特徴量判定部で第１範囲内と判定された部分領域に対して、その部分領域における特徴量と該部分領域の周辺の部分領域における特徴量との差分を算出し、この差分が第２範囲内か否かを判定する差分判定部と、を備えた。
部分領域の特徴量が第１範囲内に入っていても、表示デバイスを見る人間の目は、部分領域とその周辺の部分領域との差異が大きいと輝度ムラとして認識してしまう。このため、この表示デバイスの欠陥検出装置は、部分領域における特徴量と該部分領域の周囲の部分領域における特徴量との差分を算出して輝度ムラの原因となる欠陥を検出する。【００１１】
第４の観点の表示デバイスの欠陥検出装置は、表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントし、第１閾値より欠陥数が多いか否かを判定する欠陥数判定部と、欠陥数判定部で第１閾値より欠陥数が少ないと判定された場合に所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部と、を備える。
所定面積内に占める欠陥数が第２閾値より多いということは一箇所に欠陥領域が集中していることを意味する。このような場合にはその部分を修理しても修理箇所が目立ってしまうことも多いため、第４の観点の表示デバイスの欠陥検出装置は、欠陥密度を検出している。【００１２】
第５の観点の表示デバイスの欠陥検出装置は、表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントするとともに、所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部、を備える。
第５の観点の表示デバイスの欠陥検出装置は、欠陥密度を検出することで表示デバイスの欠陥検出を行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の表示デバイスの欠陥検出方法及び欠陥検出装置は、表示素子の配線などの欠陥箇所を製造過程で見つけるとともに、修理ラインで直すことができる欠陥と製造ラインを止めなければならない欠陥であるかを判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】可撓性の基板ＦＢに有機ＥＬ素子を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。
【図２】有機ＥＬ素子用の製造装置１００の電極形成工程で回折格子の第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを観察する概念図である。
【図３】発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されたボトムコンタクト型の有機ＥＬ素子の状態を示した図である。
【図４】壁形成工程における第１観察装置ＣＨ１について説明する図である。
【図５】電極形成工程における第２観察装置ＣＨ２について説明する図である。
【図６】ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を形成する切断装置３０の工程における第５観察装置ＣＨ５について説明する図である。
【図７Ａ】第５アライメントセンサＣＡ５から第６観察装置ＣＨ６までの斜視図である。
【図７Ｂ】図７Ａの有機半導体インクの塗布工程及び修理箇所を記憶する工程でのフローチャートである。
【図８Ａ】第５観察装置ＣＨ５で観察される有機ＥＬ素子５０とそれに重ねて表示した行列ＭＡＴ及び行列ＭＡＸのデータＤｎ（ｍ，ｎ）を示している。
【図８Ｂ】行列ＭＡＸのデータＤｎ（ｍ，ｎ）に基づいて欠陥領域を特定していく欠陥判定フローチャートである。
【図８Ｃ】図８Ｂの欠陥判定フローチャートとは異なる別のフローチャートである。
【図９Ａ】修理箇所がある有機ＥＬ素子５０をバッチ処理で修理する修理装置１１０を示した概略図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示したバッチ処理の修理装置１１０の修理フローチャートである。
【図１０】有機ＥＬ素子５０を製造しながら欠陥箇所を観察し、欠陥箇所をインラインで修理する製造＆修理装置２００を示した概略図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本実施形態で説明する表示素子の製造装置は、有機ＥＬ素子、液晶表示素子又は電界放出ディスプレイに適用できる装置である。代表例として有機ＥＬ素子の製造装置及び製造方法について説明する。【００１６】
＜＜有機ＥＬ素子の製造装置＞＞
有機ＥＬ素子の製造においては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、画素電極が形成された基板を形成する必要がある。その基板上の画素電極上に発光層を含む１以上の有機化合物層（発光素子層）を精度良く形成するために、画素電極の境界領域に隔壁ＢＡ（バンク層）を容易に精度良く形成する必要がある。【００１７】
図１は、可撓性の基板に、画素電極及び発光層など有する有機ＥＬ素子５０を製造する製造装置１００の構成を示した概略図である。【００１８】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、ロール状に巻かれた帯状可撓性シート基板ＦＢを送り出すための供給ロールＲＬを備えている。例えばシート基板ＦＢの長さは例えば２００ｍ以上にもなる。供給ロールＲＬが所定速度の回転を行うことで、シート基板ＦＢが搬送方向であるＸ軸方向（長手方向）に送られる。また、有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、複数個所にローラＲＲを備えており、これらローラＲＲが回転することによっても、シート基板ＦＢがＸ軸方向に送られる。ローラＲＲはシート基板ＦＢを両面から挟み込むゴムローラであってもよいし、シート基板ＦＢがパーフォレーションを有するものであればラチェット付きのローラＲＲであってもよい。【００１９】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、その最終工程で、シート基板ＦＢをロール状に巻き取る巻取ロールＲＥを備えている。また、欠陥箇所の修理工程で処理するために、巻取ロールＲＥは、供給ロールＲＬ及びローラＲＲと同期するように所定速度でシート基板ＦＢを巻き取る。【００２０】
＜隔壁形成工程＞
供給ロールＲＬから送り出されたシート基板ＦＢは、最初にシート基板ＦＢに隔壁ＢＡを形成する隔壁形成工程に入る。隔壁形成工程では、インプリントローラ１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。このため、インプリントローラ１０のローラ表面に形成された型形状がシート基板ＦＢに転写される。【００２１】
インプリントローラ１０のローラ表面は鏡面仕上げされており、そのローラ表面にＳｉＣ、Ｔａなどの材料で構成された微細インプリント用モールド１１が取り付けられている。微細インプリント用モールド１１は、薄膜トランジスタの配線用のスタンパー及び表示画素用のスタンパーを有している。また、帯状可撓性シート基板ＦＢの幅方向の両側に第１マークＡＭ及び第２マークＢＭ（図２参照）を形成するため、微細インプリント用モールド１１は、第１マークＡＭ及び第２マークＢＭ用のスタンパーを有している。【００２２】
薄膜トランジスタの配線用及び表示画素用の隔壁ＢＡが形成されると同時に第１マークＡＭ及び第２マークＢＭが形成されるため、隔壁ＢＡと第１マークＡＭ及び第２マークＢＭとの位置精度は、微細インプリント用モールド１１と同じ位置精度となる。【００２３】
インプリントローラ１０のＸ軸方向下流には第１観察装置ＣＨ１が配置されている。第１観察装置ＣＨ１は、薄膜トランジスタの配線用及び表示画素用の隔壁ＢＡが正確に形成されているか否かを観察する。この第１観察装置ＣＨ１は一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラ又はレーザー測長器などで構成される。第１観察装置ＣＨ１の下流には第１アライメントセンサＣＡ１が配置されている。【００２４】
＜電極形成工程＞
シート基板ＦＢは、第１アライメントセンサＣＡ１で第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出された後、さらにＸ軸方向に進むと電極形成工程に入る。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）としては、無機半導体系のものでも有機半導体を用いたものでも良い。この有機半導体を用いて薄膜トランジスタを構成すれば、印刷技術や液滴塗布技術を活用して薄膜トランジスタを形成できる。【００２５】
有機半導体を用いた薄膜トランジスタの内、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）が特に好ましい。図１の電極形成工程では、ＦＥＴのボトムゲート型の有機ＥＬ素子５０で説明する。シート基板ＦＢ上にゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐを形成した後、有機半導体層ＯＳを形成する。【００２６】
電極形成工程では、第１アライメントセンサＣＡ１から位置情報を受けて液滴をシート基板ＦＢに塗布する液滴塗布装置２０を使用する。液滴塗布装置２０は、インクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。インクジェット方式としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。液滴塗布法は、材料の使用に無駄が少なくしかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できる。以下にゲート電極Ｇ用の液滴塗布装置２０は、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇと末尾にＧなどを付けて区別する。他の液滴塗布装置２０も同様である。なお、液滴塗布法により塗布されるメタルインクＭＩの一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。【００２７】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、メタルインクＭＩを、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ内に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などによりメタルインクＭＩを乾燥又は焼成（ベーキング）させる。これらの処理で、ゲート電極Ｇが形成される。メタルインクＭＩは、粒子径が約５ｎｍほどの導電体が室温の溶媒中で安定して分散をする液体であり、導電体として、カーボン、銀（Ａｇ）又は金（Ａｕ）などが使われる。【００２８】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの下流には第２観察装置ＣＨ２が配置されている。第２観察装置ＣＨ２は、ゲートバスラインＧＢＬにメタルインクＭＩが塗布され導線として機能しているか否かを観察する。この第２観察装置ＣＨ２は一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第２観察装置ＣＨ２の下流には第２アライメントセンサＣＡ２が配置されている。【００２９】
次に、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは、第２アライメントセンサＣＡ２から位置情報を受けてポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクをスイッチング部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。これらの処理で、ゲート絶縁層Ｉが形成される。【００３０】
絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉの下流には第３観察装置ＣＨ３が配置されている。第３観察装置ＣＨ３は、電気絶縁性インクが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第３観察装置ＣＨ３も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第３観察装置ＣＨ３の下流には第３アライメントセンサＣＡ３が配置されている。【００３１】
次に、ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤは、第３アライメントセンサＣＡ３から位置情報を受けてメタルインクＭＩを、ソースバスラインＳＢＬの隔壁ＢＡ内及び画素電極Ｐの隔壁ＢＡ内に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫでメタルインクＭＩを乾燥又は焼成（ベーキング）させる。これらの処理で、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐが接続された状態の電極が形成される。【００３２】
ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置２０ＳＤの下流には第４観察装置ＣＨ４が配置されている。第４観察装置ＣＨ４は、メタルインクＭＩが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第４観察装置ＣＨ４も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第４観察装置ＣＨ４の下流には第４アライメントセンサＣＡ４が配置されている。【００３３】
次に、互いにつながったソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを、第４アライメントセンサＣＡ４から位置情報を受けて切断装置３０で切断する。切断装置３０としてはフェムト秒レーザーが好ましい。チタンサファイアレーザーを使ったフェムト秒レーザー照射部は、７６０ｎｍ波長のレーザー光ＬＬを１０ＫＨｚから４０ＫＨｚのパルスで左右前後に振りながら照射する。【００３４】
切断装置３０は、フェムト秒レーザーを使用するため、サブミクロンオーダの加工が可能であり、電界効果型トランジスタの性能を決めるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔を正確に切断する。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄと間隔は、２０μｍから３０μｍ程度である。この切断処理により、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとが分離された電極が形成される。フェムト秒レーザー以外に、炭酸ガスレーザー又はグリーンレーザーなどを使用することも可能である。また、レーザー以外にもダイシングソーなどで機械的に切断してもよい。【００３５】
切断装置３０の下流には第５観察装置ＣＨ５が配置されている。第５観察装置ＣＨ５は、正確にソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとに間隔が形成されているか否かを観察する。この第５観察装置ＣＨ５も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第５観察装置ＣＨ５の下流には第５アライメントセンサＣＡ５が配置されている。【００３６】
次に、有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳは、第５アライメントセンサＣＡ５から位置情報を受けてソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間のスイッチング部に有機半導体インクを塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより有機半導体インクを乾燥又は焼成させる。これらの処理で、有機半導体層ＯＳが形成される。【００３７】
なお、有機半導体インクを形成する化合物は、単結晶材科でもアモルファス材料でもよく、低分子でも高分子でもよい。特に好ましいものとしては、ペンタセンやトリフェニレン、アントラセン等に代表される縮環系芳香族炭化水素化合物の単結晶又はπ共役系高分子が挙げられる。【００３８】
有機半導体液滴塗布装置２０ＯＳの下流には第６観察装置ＣＨ６が配置されている。第６観察装置ＣＨ６は、有機半導体インクが正確な位置に塗布されているか否かを観察する。この第６観察装置ＣＨ６も一次元ＣＣＤ又は二次元ＣＣＤからなるカメラで構成される。第６観察装置ＣＨ６の下流には第６アライメントセンサＣＡ６が配置されている。【００３９】
＜発光層形成工程＞
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、画素電極Ｐ上に有機ＥＬ素子の発光層ＩＲの形成工程を引き続き行う。
発光層形成工程では、液滴塗布装置２０を使用する。上述したようにインクジェット方式又はディスペンサー方式を採用することができる。また本実施形態では詳述しないが印刷ローラで発光層を形成することもできる。【００４０】
発光層ＩＲは、ホスト化合物とリン光性化合物（リン光発光性化合物ともいう）とが含有される。ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物である。リン光性化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温においてリン光発光する。【００４１】
赤色発光層用の液滴塗布装置２０Ｒｅは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＲ溶液を画素電極Ｐ上に塗布し、乾燥後の厚み１００ｎｍになるように成膜を行う。Ｒ溶液は、ホスト材のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に赤ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
続いて、緑色発光層用の液滴塗布装置２０Ｇｒは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＧ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｇ溶液は、ホスト材ＰＶＫに緑ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。【００４２】
さらに、青色発光層用の液滴塗布装置２０ＢＬは、第６アライメントセンサＣＡ６から位置情報を受けてＢ溶液を画素電極Ｐ上に塗布する。Ｂ溶液は、ホスト材ＰＶＫに青ドーパント材を１、２−ジクロロエタン中に溶解した溶液とする。
その後、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより発光層溶液を乾燥し硬化させる。【００４３】
発光層形成工程の下流には第７観察装置ＣＨ７が配置されている。第７観察装置ＣＨ７は、適切に発光層が形成されているか否かを観察する。第７観察装置ＣＨ７の下流には第７アライメントセンサＣＡ７が配置されている。【００４４】
次に、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉは第７アライメントセンサＣＡ７から位置情報を受けて、ポリイミド系樹脂又はウレタン系樹脂の電気絶縁性インクを、後述する透明電極ＩＴＯとショートしないように、ゲートバスラインＧＢＬ又はソースバスラインＳＢＬの一部に塗布する。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などにより電気絶縁性インクを乾燥し硬化させる。【００４５】
絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉの下流には第８観察装置ＣＨ８が配置されている。第８観察装置ＣＨ８は、電気絶縁性インクが塗布されているか否かを観察する。第８観察装置ＣＨ８の下流には第８アライメントセンサＣＡ８が配置されている。【００４６】
その後、ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴは、第８アライメントセンサＣＡ８から位置情報を受けて赤色、緑色及び青色発光層の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide インジウムスズ酸化物）インクを塗布する。ＩＴＯインクは、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）に数％の酸化スズ（ＳｎＯ２）を添加した化合物であり、その電極は透明である。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。透明導電膜は、透過率が９０％以上であることが好ましい。そして、熱処理装置ＢＫで熱風又は遠赤外線などの放射熱などによりＩＴＯインクを乾燥し硬化させる。【００４７】
ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置２０ＩＴの下流には第９観察装置ＣＨ９が配置されている。第９観察装置ＣＨ９は、電気絶縁性インクが塗布されているか否かを観察する。
なお、有機ＥＬ素子５０は、正孔輸送層及び電子輸送層を設ける場合があるが、これらの層も印刷技術や液滴塗布法技術を活用すればよい。【００４８】
有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、主制御部９０を有している。第１観察装置ＣＨ１ないし第９観察装置ＣＨ９で観察した信号及び第１アライメントセンサＣＡ１ないし第８アライメントセンサＣＡ８でのアライメント信号は、主制御部９０に送られる。また主制御部９０は、供給ロールＲＬ及びローラＲＲの速度制御を行う。【００４９】
＜＜アライメントマーク＆カウンターマークの形成＞＞
熱転写ローラ１５及び熱処理装置ＢＫを経ることにより、シート基板ＦＢがＸ軸方向及びＹ軸方向に伸縮したりする。そのため有機ＥＬ素子用の製造装置１００は、熱転写ローラ１５の下流には第１アライメントセンサＣＡ１を配置し、熱処理装置ＢＫの後には第２アライメントセンサＣＡ２から第８アライメントセンサＣＡ８を配置している。また、インプリント不良、塗布不良などが発生した場合に欠陥箇所を特定してその箇所を除去又は修理する場合にも、その欠陥箇所を特定しなければならない。このため、本実施形態では第１マークＡＭをＸ軸方向の位置を確認するカウンターマークとしても利用している。【００５０】
図２を使って、有機ＥＬ素子用の製造装置１００の電極形成工程の制御を説明する。
図２（ａ）において、シート基板ＦＢは、シート基板ＦＢの幅方向であるＹ軸方向に並ぶ薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡ及び画素用の隔壁ＢＡに対して、シート基板ＦＢの両側にそれぞれ少なくとも１つの第１マークＡＭを有している。また、例えば５０個の第１マークＡＭに対して１つの第２マークＢＭが第１マークＡＭの隣に形成されている。シート基板ＦＢは例えば２００ｍと長いため、第２マークＢＭはどこの行の薄膜トランジスタの配線用の隔壁ＢＡ及び画素用の隔壁ＢＡかを一定間隔ごとに確認し易くするために設けられている。一対の第１アライメントセンサＣＡ１は、この第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出し、その検出結果を主制御部９０に送る。【００５１】
微細インプリント用モールド１１は、第１マークＡＭ及び第２マークＢＭと電界効果型トランジスタのゲートバスラインＧＢＬ及びソースバスラインＳＢＬとの位置関係を規定している。【００５２】
従って、主制御部９０は、一対の第１マークＡＭを検出することで、Ｘ軸方向のずれ、Ｙ軸方向のずれ及びθ回転も検出される。また、シート基板ＦＢ両側だけでなく中央領域に第１マークＡＭを設けても良い。【００５３】
第１アライメントセンサＣＡ１は、Ｘ軸方向に送られるシート基板ＦＢを常時観察し、その第１マークＡＭの画像を主制御部９０に送っている。主制御部９０は位置計数部９５を内部に備えており、位置計数部９５はシート基板ＦＢの形成された有機ＥＬ素子５０のうち、Ｙ軸方向に並ぶ有機ＥＬ素子５０の何番目の行であるかをカウントする。主制御部９０ではローラＲＲの回転を制御しているため、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの位置に何番目の行の有機ＥＬ素子５０が送られているか、また第２観察装置ＣＨ２の位置に何番目の行の有機ＥＬ素子５０が送られているかを把握することができる。【００５４】
位置計数部９５は第１アライメントセンサＣＡ１から送られた第２マークＢＭの画像に基づいて、第１マークＡＭによる行数の数え間違いがないかを確認する。例えば、微細インプリント用モールド１１の第１マークＡＭの箇所に不良があり、行数を正確に把握できないことを防止している。【００５５】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、Ｙ軸方向に配置されており、複数列のノズル２２をＹ軸方向に配置し、またＸ軸方向も複数行のノズル２２が配置している。ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは、第１アライメントセンサＣＡ１に基づく主制御部９０からの位置信号に応じて、ノズル２２からメタルインクＭＩを塗布するタイミング、メタルインクＭＩを塗布するノズル２２を切り換える。【００５６】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの下流には熱処理装置ＢＫが配置されており、熱処理装置ＢＫはゲート用液滴塗布装置２０Ｇで塗布されたメタルインクＭＩを乾燥させる。その熱処理装置ＢＫの下流には第２観察装置ＣＨ２が配置される。【００５７】
第２観察装置ＣＨ２は観察した画像信号を主制御部９０に送り、主制御部９０ではゲート用液滴塗布装置２０ＧがメタルインクＭＩを塗布しなければならない領域と観察した画像信号とを比較することで、メタルインクＭＩの塗布の欠陥箇所を特定する。この欠陥箇所は、Ｙ軸方向に関しては画像処理によって何列目の有機ＥＬ素子５０のどの位置にあったか、又は第１マークＡＭから何ｍｍ離れた位置にあったかが特定される。Ｘ軸方向の欠陥箇所は、位置計数部９５に基づいて何番目の行の有機ＥＬ素子５０にあったかが特定され、その行の有機ＥＬ素子５０のどの位置にあったかが特定される。【００５８】
第１マークＡＭと第２マークＢＭは回折格子ＧＴで構成されている。第１マークＡＭは、図２（ｂ）の上段に示すようなＸ軸方向及びＹ軸方向に配置されるドット状の回折格子ＧＴである。ドット状の回折格子ＧＴの断面は図２（ｂ）の下段に示す形状である。なお、第２マークＢＭについて図示しないが第２マークＢＭも第１マークＡＭと同様なドット状の回折格子ＧＴである。【００５９】
図２（ｃ）に第１マークＡＭ又は第２マークＢＭを検出するアライメントセンサＣＡを示す。第１マークＡＭ又は第２マークＢＭを検出するためには、これら第１マークＡＭ又は第２マークＢＭに対して、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（λ＝０．６３２８μｍ）などのコヒーレント光を照射する。そして、レンズＬＥＮを介してドット状の回折格子ＧＴからの±ｎ次像（ｎ＝  １，  ２，．．．）を検出する。【００６０】
このドット状の回折格子ＧＴの間隔すなわち格子定数をＬとし、コヒーレント光の波長をλとし、コヒーレント光の照射角とアライメントセンサＣＡのは一方向との角度をθとすると、Ｌｓｉｎθ  ＝  ｎλ（ｎ＝  ±１，  ±２，．．．）の関係が成り立つ。【００６１】
図２（ｃ）に示すグラフに示すように、アライメントセンサＣＡはドット状の回折格子ＧＴが存在する箇所では波形状の信号を検出し、回折格子がない箇所では信号が検出されない。このため、位置計数部９５は、検出された信号をデジタル化して、シート基板ＦＢの形成された有機ＥＬ素子５０のうち、Ｙ軸方向に並ぶ有機ＥＬ素子５０の何番目の行であるかをカウントする。従って、高速にかつ正確に有機ＥＬ素子５０の位置を把握することができる。また第１マークＡＭ又は第２マークＢＭが回折格子であるため、汚れなどの影響を受けにくい。【００６２】
＜＜電界効果型トランジスタの隔壁に形成された有機ＥＬ素子５０＞＞
図３は、発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されたボトムコンタクト型の有機ＥＬ素子の状態を示した図である。有機ＥＬ素子５０は、シート基板ＦＢにゲート電極Ｇ、ゲート絶縁層Ｉ、及び画素電極Ｐが形成され、さらに有機半導体層ＯＳ、発光層ＩＲ及びＩＴＯ電極が形成されている。【００６３】
図３において、シート基板ＦＢは耐熱性の樹脂フィルムで構成されている。具体的には、シート基板ＦＢとして、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂などが使用される。【００６４】
上述したように、シート基板ＦＢは、隔壁形成工程で熱転写の熱処理を受け、各種インクは熱処理装置ＢＫで乾燥又は焼成（ベーキング）しなければならいため、２００度Ｃ前後に加熱されることになる。シート基板ＦＢは、熱を受けても寸法が変わらないように熱膨張係数が小さい方が好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。【００６５】
図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、隔壁ＢＡが存在することにより、正確で均一な電極又は発光層などを形成することができる。シート基板ＦＢがローラＲＲにより高速にＸ軸方向（長手方向）に送られるため、液滴塗布装置２０が正確に液滴を塗布できない可能性がある場合でも、正確で均一な電極又は発光層などを形成することができる。
なお、製造装置１００は図３に示した電界効果型トランジスタ以外にもいろいろな電界効果トランジスタを製造することができる。例えばトップゲート型の電界効果型トランジスタであっても、シート基板ＦＢ上に塗布するインクの順番を入れ替えるなどして形成することができる。【００６６】
＜＜観察装置ＣＨ＞＞
以下、図４から図７を使って、各種観察装置ＣＨについて説明する。
図４は隔壁形成工程における第１観察装置ＣＨ１について説明する図である。図４（ａ−１）は、微細インプリント用モールド１１でプリントされたシート基板ＦＢの上面図である。また、図４（ａ−２）はｃ−ｃ断面図であり、（ｂ）は第１観察装置ＣＨ１で隔壁ＢＡの観察を行っている概念図である。【００６７】
微細インプリント用モールド１１で形成されたシート基板ＦＢの隔壁ＢＡは、配線などの下地となるものであり、後工程のメタルインクＢＩの塗布に際して正確に隔壁ＢＡが形成されているか否かは重要である。図４（ａ−２）において示すように、本来は実線のような隔壁ＢＡが形成されるべきであるが、微細インプリント用モールド１１にゴミが付着したりシート基板ＦＢにゴミが付着したりして、正確な形状でない不良隔壁Ｅ−ＢＡが形成されることがある。このためメタルインクＭＩが塗布される隔壁ＢＡ間の溝部ＧＲが正確に形成されていない。【００６８】
図４（ｂ）に示す第１観察装置ＣＨ１は、例えばレーザー測定器であり、レーザー光源ＬＥＤ、レンズＬＥＮ及びセンサＳＥＮから構成される。そしてレーザー光源ＬＥＤをシート基板ＦＢに照射してその反射光をセンサＳＥＮで受光して隔壁ＢＡの高さを測定する。【００６９】
図５は電極形成工程における第２観察装置ＣＨ２について説明する図である。図５（ａ−１）は、電極形成工程を終えたシート基盤ＦＢの上面図である。また、図５（ａ−２）はそのｃ−ｃ断面図であり、（ｂ）は第２観察装置ＣＨ２でゲートバスラインＧＢＬの観察を行っている概念図である。【００７０】
本来ならば、図５（ａ−１）に示されるように、ゲートバスラインＧＢＬ用の隔壁ＢＡ間の溝部ＧＲに正確にメタルインクＭＩが塗布され、熱処理装置ＢＫでメタルインクＭＩを乾燥又は焼成させると図５（ａ−２）に示すようにメタルインクＭＩは薄膜となる。しかし、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇのノズル２２の故障などにより、隔壁ＢＡの上にメタルインクＭＩが塗布されたり設計とは異なった箇所にメタルインクＭＩが塗布されたりすることがある。【００７１】
図５（ｂ）に示す第２観察装置ＣＨ２は一次元又は二次元カメラからなり、第２観察装置ＣＨ２は例えばシート基板ＦＢの下面からランプＬＡＭで照明し、その透過光を観察する。図５（ｂ）に示すように、隔壁ＢＡの上にメタルインクＭＩが塗布されている状態が観察できる。なお、シート基板ＦＢは透過性のものが多いため、前半の工程（第４観察装置ＣＨ４で観察される工程）まではランプＬＡＭをシート基板ＦＢの下面に配置した方が、反射光を観察するよりも観察し易い。【００７２】
図６はソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を形成する切断装置３０の工程における第５観察装置ＣＨ５について説明する図である。図６（ａ）は、切断を終えたシート基盤ＦＢの上面図である。また、図６（ｂ）はそのｃ−ｃ断面図であり第５観察装置ＣＨ５で切断を観察している概念図である。【００７３】
すでに、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの周りには、ゲート電極Ｇとゲート絶縁層Ｉとが形成されている。このため第５観察装置ＣＨ５は透過光でソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔を観察することは困難である。そこで、第５観察装置ＣＨ５の周りにランプＬＡＭを配置してソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの周りを観察する。【００７４】
＜＜修理箇所の特定＞＞
図７Ａは、第４アライメントセンサＣＡ５から第５観察装置ＣＨ５までの斜視図である。修理箇所の特定は他の工程でも基本的に同様であるが、切断装置３０によるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隔の観察を代表例として説明する。【００７５】
第４アライメントセンサＣＡ４は主制御部９０に接続されており、第４アライメントセンサＣＡ４は第１マークＡＭの画像信号を主制御部９０に送る。主制御部９０は、画像信号に基づいてシート基板ＦＢのＹ軸方向の位置及び傾きを測定し、また、シート基板ＦＢの両側の第１マークＡＭを測定することによりシート基板ＦＢのＹ軸方向の伸びも測定する。【００７６】
主制御部９０はローラＲＲの回転も制御しているためシート基板ＦＢのＸ軸方向の移動速度も把握できており、第１マークＡＭに基づき切断装置３０に各有機ＥＬ素子５０のソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙を形成するように信号を出力する。切断装置３０からはレーザーが照射され、ガルバノミラー３２などによって所定の位置にレーザーの向きを調整する。【００７７】
主制御部９０は、その内部にＸ軸方向の位置をカウントする位置計数部９５、欠陥箇所つまり修理しなければならない修理箇所として特定する修理箇所特定部９６及び有機ＥＬ素子５０の設計寸法、修理箇所などを記憶する記憶部９７を有している。修理箇所特定部９６は、特徴量判定部９６１、差分判定部９６２、欠陥数判定部９６３及び欠陥密度判定部９６４を備えている。【００７８】
第５観察装置ＣＨ５は、その内部にレンズＬＥＮと一次元ＣＣＤとを備えており、その一次元ＣＣＤの画像信号が主制御部９０に送られる。主制御部９０は、切断装置３０で形成されたソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙の状態を把握することできる。修理箇所特定部９６は、記憶部９６に記憶されている設計値、つまりソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙と実際に切断装置３０で塗布されたソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙とを比較し、異なる箇所を欠陥箇所として特定する。修理箇所特定部９６は、この欠陥箇所が第１マークＡＭに対してＸ軸方向及びＹ軸方向にどれぐらいの距離（μｍ）であるかを特定できるとともに、位置制御部９５のカウントにより何行目の有機ＥＬ素子５０であるかをも特定する。特定した修理箇所は記憶部９７に記憶され、修理工程でこの修理箇所のデータが使用される。【００７９】
図７Ｂは、図７Ａのソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙の形成工程及び修理箇所を記憶する工程でのフローチャートである。
ステップＰ１１において、アライメントセンサＣＡ５が第１マークＡＭを撮影し、主制御部９０に画像信号を送る。
ステップＰ１２において、主制御部９０は、第１マークＡＭの位置を算出するとともに、位置計数部９５が有機ＥＬ素子５０の行数をカウントする。第１マークＡＭは切断装置３０がソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの位置決めに使用されるとともに、有機ＥＬ素子５０の行数を特定することにも使用される。なお、図２で説明した第２マークＢＭを第４アライメントセンサＣＡ４が撮影することにより、有機ＥＬ素子５０の行数を特定してもよい。【００８０】
ステップＰ１３では、第１マークＡＭの位置及び記憶部９７に記憶されているソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙位置に基づいて、切断装置３０からレーザーをシート基板ＦＢに照射する。【００８１】
ステップＰ１４では、第５観察装置ＣＨ５はソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙状態の画像信号を修理箇所特定部９６に送る。シート基板ＦＢがＸ軸方向に移動するため、第５観察装置ＣＨ５はＹ軸方向に伸びる一次元ＣＣＤであればよい。シート基板ＦＢの移動速度が速いためにソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙の画像信号にノイズが多くある場合にはシート基盤ＦＢが移動する速度に合わせてＣＣＤの蓄積箇所をずらしていくフレーム蓄積型メモリーを接続した二次元ＣＣＤを用意すればよい。この方式はＴＤＩ（Time Delayed
Integration）方式と一般に呼ばれているＣＣＤの読み出し方式の一種である。【００８２】
次に、ステップＰ１５では、修理箇所特定部９６は、記憶部９７に記憶されているソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙と実際の間隙状態の画像信号とを比較して、欠陥箇所を特定する。この欠陥箇所の特定については詳細を図８Ａ、図８Ｂ及び図８Ｃで説明する。
ステップＰ１６では、欠陥箇所は修理されるべき修理箇所として、行数及び第１マークＡＭの位置からの距離として記憶部９７に記憶される。【００８３】
図８Ａ（ａ）は、第５観察装置ＣＨ５で観察される有機ＥＬ素子５０とそれに重ねて表示した行列ＭＡＴを示している。
第５観察装置ＣＨ５の一次元ＣＣＤは、Ｙ軸方向の画素ピッチごとに画像データを出力することが可能であり、またシート基板ＦＢがＸ軸方向に一定速度で移動するためサンプリングタイムを調整することで、シート基板ＦＢのＸ軸方向の画像データを所定ピッチごとに出力することが可能である。すなわち、有機ＥＬ素子５０に対して細分化した部分領域の画像データを得ることができる。この画像データは行列ＭＡＴとして記憶部９７に記憶される。【００８４】
図８Ａ（ａ）に示すように、第１マークＡＭがシート基板ＦＢに形成されているため、細分化された部分領域の画像データはＸ軸方向及びＹ軸方向の位置情報と関連付けられる。なお、図７Ａに示した第５観察装置ＣＨ５の一次元ＣＣＤの画素ピッチ及びレンズＬＥＮの倍率などを変更することで、細分化される部分領域の大きさを変更することが可能である。【００８５】
図８Ａ（ｂ）は、記憶部９７に行列ＭＡＴとして記憶される細分化された部分領域を示した図である。細分化された部分領域は、領域の位置情報とともにｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））として記憶部９７に記憶される。但し、一次元ＣＣＤの画素ピッチなどに合わせてｋ行ｈ列分の行列ＭＡＸを規定する必要はない。第５観察装置ＣＨ５は、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙の観察するのが主目的であるから、有機ＥＬ素子５０の画素ごとに１つの行列を構成し、部分領域の位置情報とともにソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙を記憶部９７に記憶すればよい。【００８６】
修理箇所特定部９６は、記憶部９７に記憶された行列ＭＡＸのデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））に基づいて、欠陥領域を特定する。この欠陥領域の特定について図８Ｂで詳細に説明する。
図８Ｂは、行列ＭＡＸのデータＤｎ（ｍ，ｎ）に基づいて欠陥領域を特定し、図１の製造装置１００によるライン停止又は図９Ａなどで説明する修理装置１１０による修理などを判定していく欠陥判定フローチャートである。【００８７】
ステップＰ３１において、ｋ行ｈ列分の行列ＭＡＴのデータＤｎ（ｍ，ｎ）設定する。このフローチャートでは、説明を簡単にするため有機ＥＬ素子５０の１画素（ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及び画素電極Ｐがそれぞれ１つ）に対して、１行１列分のデータＤｎ（ｍ，ｎ）が割り振られているものとする。
ステップＰ３２において、有機ＥＬ素子５０を第５観察装置ＣＨ５で観測する。これによって行列ＭＡＴのデータＤｎ（ｍ，ｎ）が修理箇所特定部９６に送られる。第５観察装置ＣＨ５はソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙を観察するものであるから、第５観察装置ＣＨ５が観察する特徴量である間隙である。Ｄｎ（ｍ，ｎ）は例えば間隙＝２５μｍとした寸法データであり、Ｄｎ（ｍ，ｎ）＝２５μｍが修理箇所特定部９６に送られる。【００８８】
ステップＰ３３において、修理箇所特定部９６の特徴量判定部９６１（図７Ａ参照）は、間隙データであるＤｎ（ｍ，ｎ）が第１範囲Ａ１内であるか否かを判定する。第１範囲Ａ１内は例えば２０μｍから３０μｍである。特徴量判定部９６１はデータＤｎ（ｍ，ｎ）＝２５μｍであればステップＰ３４に進み、データＤｎ（ｍ，ｎ）＝１５μｍ又は３５μｍであれば第１範囲Ａ１外としてステップＰ３６に進む。【００８９】
ステップＰ３４では、差分判定部９６２がデータＤｎ（ｍ，ｎ）とその周辺領域のデータとを比較する。具体的には特徴量であるデータＤｎ（ｍ、ｎ）と１行前の画素のデータＤｎ（ｍ−１、ｎ）との差分を計算する。つまりΔＤｎ１＝｜Ｄｎ（ｍ，ｎ）−Ｄｎ（ｍ−１，ｎ）｜を計算する。またデータＤｎ（ｍ、ｎ）と１列隣りの画素のデータＤｎ（ｍ，ｎ−１）及びＤｎ（ｍ，ｎ＋１）との差分を計算する。つまり、ΔＤｎ２＝｜Ｄｎ（ｍ，ｎ）−Ｄｎ（ｍ，ｎ−１）｜及びΔＤｎ３＝｜Ｄｎ（ｍ，ｎ）−Ｄｎ（ｍ，ｎ＋１）｜を計算する。【００９０】
ステップＰ３５では、差分判定部９６２が差分ΔＤｎ１、ΔＤｎ２及びΔＤｎ３が第２範囲Ａ２内であるか否かを判定する。差分ΔＤｎ１、ΔＤｎ２及びΔＤｎ３がすべて第２範囲Ａ２内であればステップＰ３７に進み、一つでも第２範囲Ａ２外であればステップＰ３６に進む。第２範囲Ａ２は例えば０〜５μｍである。【００９１】
ステップＰ３４及びＰ３５において、特徴量判定部９６１が第１範囲Ａ１内と判定していてもさらに差分判定部９６２が第２範囲Ａ２内であるかを判定する理由は次のとおりである。つまり、有機ＥＬ素子５０におけるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙は、発光輝度に大きく影響するものである。ある画素とその周辺の画素とで輝度が大きく異なると、人間の目は輝度ムラなど違和感を受け易いため欠陥領域として取り扱う。その一方で、徐々に輝度が変化していれば人間の目は輝度ムラとは感じない。データＤｎ（１、１）とデータＤｎ（ｋ、ｈ）とがそれぞれ２１μｍと２９μｍであってもその途中の変化が小さければ人間の目は輝度ムラと認識しない。【００９２】
ステップＰ３６では、データＤｎ（ｍ、ｎ）を欠陥領域としてその欠陥領域の数をカウントしていく。
ステップＰ３７では、データＤｎ（ｍ、ｎ）の有機ＥＬ素子５０の画素は良品と判定する。【００９３】
ステップＰ３８において、欠陥数判定部９６３は欠陥数Ｎ１が第１閾値Ｂ１以下であるか否かを判定する。欠陥数Ｎ１が第１閾値Ｂ１より多ければ欠陥数Ｎ１が多すぎて修理で対応できないとしてステップＰ４２に進み製造装置１００のラインを停止する。そして製造装置１００の保守を行う。欠陥数Ｎ１が第１閾値Ｂ１より少なければ欠陥数Ｎ１は製造装置１００を停止するほどではなく修理で基本的に対応できるとしてステップＰ３９に進む。【００９４】
ステップＰ３９では、欠陥密度判定部９６４が（ｍ−ｒ，ｎ−ｒ）と（ｍ＋ｒ，ｎ＋ｒ）に挟まれた正方領域内の欠陥数Ｎ２を計算する。なお、正方領域内でなく長方形領域であってもよい。
ステップＰ４０では、欠陥密度判定部９６４が正方領域内の欠陥数Ｎ２が第２閾値Ｂ２以下であるか否かを判定する。正方領域内の欠陥数Ｎ２すなわち欠陥密度が第２閾値Ｂ２より高ければ欠陥数Ｎ２が一箇所に集まりすぎているため修理で対応できないとしてステップＰ４２に進み製造装置１００のラインを停止する。そして製造装置１００の保守を行う。欠陥密度が第２閾値Ｂ２より低ければ修理ラインで修理するようにステップＰ４１に進む。【００９５】
ステップＰ４１では図９Ａで説明する修理装置１１０などで欠陥領域を修理する。欠陥密度が第２閾値Ｂ２より低いということは、欠陥領域が分散していることを意味する。従って修理しても修理領域が目立たない。なお、記憶部９７に位置情報とともに記
憶されたデータ（Ｄｎ（ｍ、ｎ））が修理装置１１０の修理用主制御部１９０に送られる。
ステップＰ４２では製造装置１００のラインを停止し、欠陥が発生しないように保守作業がなされる。【００９６】
図８Ｃは、図８Ｂの欠陥判定フローチャートとは異なる別のフローチャートである。この図８Ｃは図８ＢのステップＰ３８及びステップＰ３９を省いたフローチャートである。
欠陥数判定部９６３がなくても欠陥数Ｎ１が多い場合には、欠陥密度判定部９６４で欠陥数Ｎ２が第２閾値Ｂ２以上になる場合も多いため、ステップＰ３８及びステップＰ３９を省いても同様な結果を得ることができる。【００９７】
なお、図８Ａないし図８Ｃでは、第５観察装置ＣＨ５によるソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間隙に関する観察を説明した。しかし、行列ＭＡＴのデータＤｎ（ｍ，ｎ）を使った欠陥検出は、第１観察装置ＣＨ１による隔壁ＢＡの高さ検出、第３観察装置ＣＨ３によるメタルインクＭＩの塗布位置などにも同様に適用できる。【００９８】
＜有機ＥＬ素子の修理装置＞
図９Ａは、修理箇所がある有機ＥＬ素子５０をバッチ処理で修理する修理装置１１０を示した概略図である。修理装置１１０は修理用主制御部１９０で制御される。修理用主制御部１９０は、修理用位置計数部１９５と修理用記憶部１９７とを有している。これらは製造装置１００の位置計数部９５と記憶部９７と基本的に同じであるが、修理用記憶部１９７には、製造装置１００の修理箇所特定部９６で特定されて記憶部９７で記憶された修理箇所が転送されている。【００９９】
有機ＥＬ素子用の修理装置１１０は、隔壁修理用ディスペンサー１６０、レーザーザッピング装置１７０、ゲート用修理液滴塗布装置１２０Ｇ、絶縁層用の修理液滴塗布装置１２０Ｉ、ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の修理液滴塗布装置２０ＳＤ、修理切断装置１３０、有機半導体用の修理液滴塗布装置２０ＯＳ、及びリムーバー１１５を備えている。修理液滴塗布装置１２０及び修理切断装置１３０は製造装置１００の液滴塗布装置２０及び切断装置３０と同じであるので説明を割愛する。【０１００】
隔壁修理用ディスペンサー１６０は、粘性の高い紫外線硬化性樹脂ＨＲを塗布する。紫外線硬化樹脂ＨＲは、空気圧などにより隔壁修理用ディスペンサー１６０のノズルを介してシート基板ＦＢに塗布される。これにより、紫外線硬化樹脂の隔壁ＢＡが形成される。シート基板ＦＢに形成された紫外線硬化樹脂ＨＲの隔壁ＢＡは、水銀ランプなどの紫外線ランプ１６５によって硬化される。【０１０１】
隔壁ＢＡが修理されると、ゲート用修理液滴塗布装置１２０ＧなどでメタルインクＭＩなどが塗布され有機ＥＬ素子５０を修理していく。有機ＥＬ素子用の修理装置１１０の最後の工程にリムーバー１１５が配置されている。リムーバー１１５は、インプリントによる隔壁ＢＡが設計値より高く飛び出した箇所、硬化した紫外線硬化性樹脂ＨＲが設計値より高く飛び出した箇所などを削除したり、設計値と異なった箇所に塗布されたメタルインクＭＩなどを削除したりする。具体的にはレーザーなどで欠陥箇所を昇華させたりナイフ１１７で欠陥箇所を削り取ったりする。【０１０２】
有機ＥＬ素子用の修理装置１１０は、製造装置１００が最終工程でシート基板ＦＢをロール状に巻き取った巻取ロールＲＥを、修理用供給ロールＦＲＬに装着する。そのため、修理装置１１０は、基本的に製造装置１００の進行方向であった＋Ｘ軸方向とは逆の−Ｘ軸方向にシート基板ＦＢを送り出す。すなわち、修理装置１１０は製造装置１００で巻き取った巻取ロールＲＥの終端から始端方向へとシート基板ＦＢを送り出し、修理用巻取ロールＦＲＥがシート基板ＦＢを巻き取る。【０１０３】
修理用供給ロールＦＲＬ及び修理用巻取ロールＦＲＥは、製造装置１００の供給ロールＲＬ及び巻取ロールＲＥに比べて速度可変の可変量が大きくできるようになっている。２００ｍ以上のシート基板ＦＢに終端から１０２ｍから１０５ｍに修理箇所が複数あったとすると、修理用供給ロールＦＲＬ及び修理用巻取ロールＦＲＥは終端から１０２ｍ近傍まで高速に回転しその後低速で回転して、シート基板ＦＢを終端から１０２ｍの箇所の修理箇所に移動させる。修理装置１１０はこのような動作をすることで、バッチ処理で行う修理時間を短縮することができる。【０１０４】
修理用供給ロールＦＲＬの−Ｘ軸方向下流には第１１アライメントセンサＣＡ１１が配置されている。第１１アライメントセンサＣＡ１１は、第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出する。２００ｍ以上のシート基板ＦＢで終端から１０２ｍから１０５ｍに修理箇所がある場合には高速にシート基板ＦＢを送り出す。このため修理用主制御部１９０は、有機ＥＬ素子５０の複数行ごとに形成されている第２マークＢＭの画像信号に基づいて、シート基板ＦＢの送り位置を確認する。そして修理箇所に近づいてきたら第１マークＡＭを使って修理箇所の有機ＥＬ素子５０の行数までシート基板ＦＢを送り出す。【０１０５】
修理装置１１０の最終工程では、修理が完全に行われたかを確認するための第１１観察装置ＣＨ１１が配置される。第１１観察装置ＣＨ１１は最終工程だけでなく修理工程ごとに設けてもよい。
なお、図９Ａにおいては、発光層用の液滴塗布装置２０以降の修理工程の説明を割愛したが発光層用の修理液滴塗布装置１２０を設けてもよいことはいうまでもない。【０１０６】
図９Ｂは、図９Ａに示したバッチ処理の修理装置１１０の修理フローチャートである。
ステップＰ９１において、修理用記憶部１９７は製造装置１００の記憶部９７より修理箇所のデータを受け取る。これにより修理用主制御部１９０は、修理すべき修理箇所を把握する。
ステップＰ９２において、修理用主制御部１９０は、修理箇所の行数に基づいて、修理用供給ローラＦＲＬなどの回転速度を決定する。例えば製造装置１００で巻き取られた巻取ロールＲＥの終端に近い箇所に修理箇所があるのであれば、修理用供給ローラＦＲＬなどの回転を低速に決定する。逆に巻取ロールＲＥの終端から離れた箇所に修理箇所があるのであれば、修理用供給ローラＦＲＬなどの回転を高速に決定する。このように回転速度を制御することにより修理箇所までの移動時間を短縮させる。修理用主制御部１９０は、この決定した回転速度でシート基板ＦＢを−Ｘ軸方向に送り出す。【０１０７】
ステップＰ９３では、修理用主制御部１９０は修理用供給ローラＦＲＬなどが高速回転か否かを判断する。高速回転であればステップＰ９４に進み、低速回転であればステップＰ９７へ進む。【０１０８】
ステップＰ９４では、修理用位置計数部１９５が図２に示した第１マークＡＭ又は第２マークＢＭに基づいて有機ＥＬ素子５０の行数をカウントする。この行数のカウントは、シート基板ＦＢが−Ｘ軸方向に送られるため行数が減っていくカウントになる。【０１０９】
ステップＰ９５では、修理用位置計数部１９５による行数をカウント結果に基づいて、修理用主制御部１９０は修理箇所に近づいてきたか否かを判断する。近づいてきたらステップＰ９６に進み、まだ近づいていないようであればステップＰ９４へ戻る。
ステップＰ９６では、修理用主制御部１９０は修理用供給ローラＦＲＬなどの回転を低速にする。また、修理記憶部１９７に記憶されている修理箇所データに基づいて修正装置を選択、あらかじめ欠陥のＹ方向位置に移動する。こうすることで、修正時間を短縮することができる。【０１１０】
次に、ステップＰ９７では、第１マークＡＭに基づいて行数をカウントするとともに、第１マークＡＭをアライメントマークとして位置を確認する。修理用主制御部１９０はシート基板ＦＢのＹ軸方向のずれ及び傾きなどを確認する。【０１１１】
ステップＰ９８では、第１マークＡＭの位置及び修理記憶部１９７に記憶されている修理箇所データに基づいて、修正装置１１０の位置をＸ、Ｙの片方または両方に微調整し、有機ＥＬ素子５０の欠陥箇所を修理する。隔壁ＢＡの不良であれば隔壁修理用ディスペンサー１６０、レーザーザッピング装置１７０又はリムーバー１１５がその欠陥箇所を修理する。画素領域のメタルインクＭＩの塗布不良であれば、レーザーザッピング装置１７０で不良のメタルインクＭＩを取り除き、修理液滴塗布装置１２０ＳＤでメタルインクＭＩを新たに塗布する。このように修理用主制御部１９０は修理箇所の不良内容に応じて適宜適切な修理工程を選択する。修正装置は、同じものを複数有することで、Ｙ方向への移動を短くしたり、無くすことができる。また同時に修理することも可能である。【０１１２】
ステップＰ９９では、第１１観察装置ＣＨ１１は修理状態の画像信号を修理用主制御部１９０に送る。そして修理箇所が完全に修復されているかを確認する。
すべての修理箇所の修理が完了したら、ローラＦＲＬなどを逆回転させて、製造装置１００で巻き取られた状態と同じ状態にする（Ｐ１００）。【０１１３】
なお、修理用供給ローラＦＲＬなどによるシート基板ＦＢの送り速度を、低速と高速との２段階にしたが３段階以上の速度変化にしてもよく、これら速度制御はＰＩＤ制御などのフィードバック制御を行うことが好ましい。
また、上記フローチャートでは、修理装置１１０は、−Ｘ軸方向にシート基板ＦＢを送っている最中に第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを確認して修理を行っていた。しかし、修理装置１１０は、いったんシート基板ＦＢを−Ｘ軸方向にすべて送ってからシート基板ＦＢをＸ軸方向に送る最中に修理してもよい。【０１１４】
＜有機ＥＬ素子の製造＆修理装置＞
図１０は、有機ＥＬ素子５０を製造しながら欠陥箇所を観察し、欠陥箇所があった場合には欠陥箇所をインラインで修理する製造＆修理装置２００を示した概略図である。なお、図１０では発光層工程以降の工程は図示していない。また図１０では、図１で示した製造装置１００又は図９Ａで示した修理装置１１０と同じ装置については同じ符号を付している。【０１１５】
供給ロールＲＬから送り出されたシート基板ＦＢは、インプリントローラ１０でシート基板ＦＢを押圧するとともに、押圧した隔壁ＢＡが形状を保つように熱転写ローラ１５でシート基板ＦＢをガラス転移点以上に熱する。【０１１６】
インプリントローラ１０のＸ軸方向下流には第１観察装置ＣＨ１、隔壁修理用ディスペンサー１６０、レーザーザッピング装置１７０が配置されている。レーザーザッピング装置１７０の下流にはゲート用修理液滴塗布装置１２０Ｇが配置されている。第１観察装置ＣＨ１は、薄膜トランジスタの配線用の及び表示画素用の隔壁ＢＡが正確に形成されているか否かを観察する。この第１観察装置ＣＨ１で隔壁ＢＡに欠陥箇所を発見すると、隔壁修理用ディスペンサー１６０は、紫外線硬化樹脂ＨＲをシート基板ＦＢに塗布する。そして紫外線ランプ１４４で樹脂を硬化させて欠陥箇所の隔壁ＢＡを修理する。また余分に隔壁ＢＡが形成されていればレーザーザッピング装置１７０で余分な隔壁ＢＡを除去する。レーザーザッピング装置１７０の下流には第１アライメントセンサＣＡ１が配置されている。【０１１７】
シート基板ＦＢは、第１アライメントセンサＣＡ１で第１マークＡＭ及び第２マークＢＭを検出された後、電極形成工程に入る。
電極形成工程では、ゲート用液滴塗布装置２０Ｇは第１アライメントセンサＣＡ１から位置情報を受けてメタルインクＭＩを、ゲートバスラインＧＢＬの隔壁ＢＡ間の溝部ＧＲに塗布する。そして、熱処理装置ＢＫでメタルインクＭＩを乾燥又は焼成させる。【０１１８】
ゲート用液滴塗布装置２０Ｇの下流には第２観察装置ＣＨ２、その下流にはゲート用修理液滴塗布装置１２０Ｇが配置されている。第２観察装置ＣＨ２は、ゲートバスラインＧＢＬにメタルインクＭＩが塗布され導線として機能しているか否かを観察する。この第２観察装置ＣＨ２でゲートバスラインＧＢＬに欠陥箇所を発見すると、ゲート用修理液滴塗布装置１２０Ｇは、メタルインクＭＩをシート基板ＦＢに塗布する。ゲート用修理液滴塗布装置１２０Ｇの下流には第２アライメントセンサＣＡ２が配置されている。【０１１９】
以下、絶縁層用の液滴塗布装置２０Ｉなども同じように、製造工程の後に、観察工程があり、その観察工程で欠陥箇所が発見されれば、修理工程で欠陥箇所が修理される。なお、図１０の製造＆修理装置２００では、リムーバー１１５が有機半導体用の修理液滴塗布装置２０ＯＳの後に設けられているが、インプリントローラ１０の後、各液滴塗布装置２０の後などに複数設けてもよい。【０１２０】
なお、有機ＥＬ素子５０を製造する時間と同じ工程の欠陥箇所を修理する時間とは必ずしも一致しない。またインプリント工程又は各塗布工程も同じ時間で作業が終わらない。このため、インラインで製造又は修理する場合にはもっとも時間がかかる工程の速度に合わせて供給ローラＲＬなどを回転させなければならない。これでは生産性を高めることができないので、例えばもっとも時間がかかる工程がリムーバー１１５で欠陥箇所を削除する工程であればリムーバー１１５を２台配置したり、図１０の下段左端のようにシート基板ＦＢを弛ませるようにしたりしてできるだけ生産性を高めるようにする。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
有機ＥＬ素子の製造装置及び修理装置について説明してきたが、製造装置及び修理装置は、電界放出ディスプレイ及び液晶表示素子などにも適用できる。本実施形態は有機半導体を用いた薄膜トランジスタで説明してきたが、アモルファスシリコン系の無機半導体の薄膜トランジスタであってもよい。
また、実施形態の製造装置１００、修理装置１１０及び製造＆修理装置２００には熱処理装置ＢＫを設けたが、メタルインクＭＩ又は発光層溶液などの改良によって熱処理が必要でないインク又は溶液が提案されている。このため、本実施例においても熱処理装置ＢＫを必ず設ける必要はない。
【符号の説明】
【０１２２】
１０      インプリントローラ
１１      微細インプリント用モールド
１５      熱転写ローラ
２０      液滴塗布装置（２０ＢＬ  …青色発光層用の液滴塗布装置、２０Ｇ  …ゲート用液滴塗布装置、２０Ｇｒ  …緑色発光層用の液滴塗布装置、２０Ｉ  …絶縁層用の液滴塗布装置、２０Ｒｅ  …赤色発光層用の液滴塗布装置、２０ＩＴ  …ＩＴＯ電極用の液滴塗布装置、２０ＯＳ  …有機半導体液滴塗布装置、２０ＳＤ  …ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の液滴塗布装置）
２２      ノズル
３０      切断装置、      １３０  修理用切断装置
５０      有機ＥＬ素子
９０      主制御部
９５      位置計数部
９６      修理箇所特定部  （９６１…特長量判定部、９６２…差分判定部、９６３…欠陥数判定部、９６４…欠陥密度判定部）
９７      記憶部
１９０    修理用主制御部
１００    有機ＥＬ素子の製造装置
１１０    有機ＥＬ素子の修理装置
１２０      修理用液滴塗布装置（１２０Ｇ  …ゲート用の修理液滴塗布装置、１２０Ｉ  …絶縁層用の修理液滴塗布装置、１２０ＯＳ  …有機半導体陽の修理液滴塗布装置、１２０ＳＤ  …ソース用及びドレイン用並びに画素電極用の修理液滴塗布装置）
１６０    隔壁修理用ディスペンサー
１７０    レーザーザッピング装置
ＡＭ      第１マーク（アライメントマーク）
ＢＡ      隔壁
ＢＫ      熱処理装置
ＣＡ      アライメントセンサ
Ｄ        ドレイン電極
ＦＢ      シート基板
Ｇ        ゲート電極
ＧＢＬ    ゲートバスライン
Ｉ        ゲート絶縁層
ＩＲ      発光層
ＩＴＯ    透明電極
ＬＡＭ    照明光源
ＬＥＮ    レンズ
ＬＥＤ    レーザーエミッテングダイオード
ＬＬ      レーザー光
ＯＳ      有機半導体層
Ｐ        画素電極
ＰＲＴ    印字装置
ＲＬ      供給ロール
ＲＲ      ローラ
Ｓ        ソース電極
ＳＢＬ    ソースバスライン
【図１】
2009044519.tif 000003
【図２】
2009044519.tif 000004
【図３】
2009044519.tif 000005
【図４】
2009044519.tif 000006
【図５】
2009044519.tif 000007
【図６】
2009044519.tif 000008
【図７Ａ】
2009044519.tif 000009
【図７Ｂ】
2009044519.tif 000010
【図８Ａ】
2009044519.tif 000011
【図８Ｂ】
2009044519.tif 000012
【図８Ｃ】
2009044519.tif 000013
【図９Ａ】
2009044519.tif 000014
【図９Ｂ】
2009044519.tif 000015
【図１０】
2009044519.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月29日(2010.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素からなる表示デバイスの欠陥検出方法であって、
前記表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測する計測ステップと、
計測された各部分領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する第１判定ステップと、
この第１判定ステップで第１範囲内と判定された領域に対して、該部分領域における特徴量と該部分領域の周囲の部分領域における特徴量との差分を算出する算出部と、
算出部で算出された差分が第２範囲内か否かを判定する第２判定ステップと、
を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項２】
前記表示デバイスの領域は行列に区分けされており、
前記周辺の部分領域は、前記第１範囲内と判定された画素の行方向又は列方向に隣り合う画素であることを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出方法。
【請求項３】
前記特徴量は、前記表示デバイスの隔壁高さ、前記隔壁の位置又は前記表示デバイスの電極と電極とのギャップの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の欠陥検出方法。
【請求項４】
前記第１判定ステップで第１範囲外と判定された部分領域と前記第２判定ステップで第２範囲外と判定された部分領域とを欠陥としてカウントする欠陥数カウントステップと、
前記欠陥数カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
を備えることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の欠陥検出方法。
【請求項５】
前記表示デバイスはロール上の可撓性の基板に形成されており、この可撓性の基板は前記行方向に所定速度で送られ、
前記計測ステップでは、前記列方向に伸びるセンサで前記表示デバイスの特徴量を計測するとともに前記可撓性の基板が送られる速度に応じて前記特徴量を逐次更新することで、行列に区分けされた特徴量を計測することを特徴とする請求項２に記載の欠陥検出方法。
【請求項６】
前記表示デバイスの位置を示す指標から位置を特定するステップを備え、
部分領域ごとにその位置が特定されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の欠陥検出方法。
【請求項７】
表示デバイスの欠陥検出方法であって、
前記表示デバイスを部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された領域をカウントする欠陥カウントステップと、
前記欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が多い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
前記欠陥カウントステップで第１閾値より欠陥数が少ない場合に所定面積内の欠陥密度を計算する欠陥密度計算ステップと、
前記欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が高い場合には前記表示デバイスの製造ラインを停止するステップと、
を備えることを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項８】
前記欠陥密度計算ステップで第２閾値より欠陥密度が低い場合には前記表示デバイスを修理ラインで修理するステップを備えることを特徴とする請求項７に記載の欠陥検出方法。
【請求項９】
前記修理ラインに前記表示デバイスを送る際には、計測された領域の位置情報及び特徴量を含む欠陥データが前記修理ラインに送られることを特徴とする請求項８に記載の欠陥検出方法。
【請求項１０】
前記表示デバイスはロール上の可撓性の基板に形成されており、製造ラインでこの可撓性の基板は前記行方向に所定速度で送られてロール状に巻き取られ、
前記修理ラインでは前記欠陥データに基づいて、ロール状に巻き取られた状態から送り出された前記表示デバイスの欠陥領域を修理することを特徴とする請求項９に記載の欠陥検出方法。
【請求項１１】
複数の画素からなる表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された領域の特徴量が第１範囲内か否かを判定する特徴量判定部と、
この特徴量判定部で第１範囲内と判定された部分領域に対して、その部分領域における特徴量と該部分領域の周辺の部分領域における特徴量との差分を算出し、この差分が第２範囲内か否かを判定する差分判定部と、
を備えたことを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１２】
前記表示デバイスの部分領域は行列に区分けされており、
前記周辺の部分領域は、前記第１範囲内と判定された部分領域に対して行方向又は列方向に隣り合う領域であることを特徴とする請求項１１に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１３】
前記第１判定ステップで第１範囲外と判定された部分領域と前記第２判定ステップで第２範囲外と判定された部分領域とを欠陥領域としてカウントし、そのカウントされた欠陥数が第１閾値より多いか否かを判定する欠陥数判定部と、
所定面積内に占める前記欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部と、
を備えることを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１４】
表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントし、第１閾値より欠陥数が多いか否かを判定する欠陥数判定部と、
前記欠陥数判定部で第１閾値より欠陥数が少ないと判定された場合に所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部と、
を備えることを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１５】
前記欠陥領域の位置を特定し位置情報として出力する位置計数部と、
前記欠陥領域と判定された領域の前記位置情報及び前記特徴量を含む欠陥データを記憶する記憶部と、
を備えることを特徴とする請求項１４に記載の表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１６】
表示デバイスの欠陥検出装置において、
前記表示デバイスの部分領域ごとに特徴量を計測し、計測された部分領域の特徴量に基づいて欠陥領域と判定された部分領域の欠陥数をカウントするとともに、所定面積内に占める欠陥数を計算し、所定面積内に占める前記欠陥数が第２閾値より多いか否かを判定する欠陥密度判定部、
を備えることを特徴とする表示デバイスの欠陥検出装置。
【請求項１７】
複数の画素領域が配列される表示領域を有する表示デバイスの製造方法であって、
前記複数の画素領域のそれぞれにパターンを形成する素子形成工程と、
前記表示領域において少なくとも１つの前記画素領域を含んで区分けされる複数の部分領域を設定したとき、該部分領域に形成された前記パターンの状態を計測する計測工程と、
計測された前記パターンの状態が所定の基準範囲内である第１状態か、基準範囲外である第２状態かを表す第１判定情報を得る第１判定工程と、
前記複数の部分領域のうち、互いに近傍の少なくとも２つの前記部分領域のそれぞれについて得られた前記第１判定情報を比較し、比較した該第１判定情報のそれぞれが共に前記第２状態のときは表示ムラを表す第２判定情報を得る第２判定工程と、
を有することを特徴とする表示デバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記基準範囲は、前記パターンの形状に関する値に基づき設定されること、
を特徴とする請求項１７に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記基準範囲は、前記パターンの位置に関する値に基づき設定されること、
を特徴とする請求項１７又は請求項１８に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記基準範囲は、予め設計された前記パターンの状態と前記計測工程において計測された前記パターンの状態との差分に基づいて設定されること、
を特徴とする請求項１７から請求項１９のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記第２判定工程は、前記少なくとも２つの前記部分領域における互いの前記パターンの状態の差分に基づき、前記第２判定情報を得ること、
を特徴とする請求項１７から請求項２０のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記第２判定情報は、複数の前記部分領域において得られた複数の前記第１判定情報のうち、前記複数の部分領域における前記第２状態の密度が所定の閾値より高い場合、前記第２判定情報を得ることを含むこと、
を特徴とする請求項１７から請求項２１のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記パターンの状態は、前記パターンの形状、前記パターンの位置、及び前記パターンのギャップのうち少なくとも１つを含むこと、
を特徴とする請求項１７から請求項２２のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記第２判定情報に基づき、前記表示デバイスの製造ラインを停止する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１７から請求項２３のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２５】
前記第２判定情報に基づき、前記パターンを修復する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１７から請求項２３のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記表示領域が設けられるロール状の基板を送り出す工程を有する、
ことを特徴とする請求項１７から請求項２５のいずれか一項に記載の表示デバイスの製造方法。
【国際調査報告】
2009044519.tif 000017
2009044519.tif 000018
2009044519.tif 000019
2009044519.tif 000020
2009044519.tif 000021
2009044519.tif 000022
2009044519.tif 000023
2009044519.tif 000024