(57)【要約】Ｎチャネル（１１３、１１５）およびＰチャネル（１１１）トランジスタが、引張ストレッサ層（１２８）および圧縮ストレッサ層（１２６）をそれぞれ付加することによって、拡張される。２つのストレッサ層について、これまで知られていなかった問題が見つかった。ストレッサ層は、両方とも好都合なことに窒化物であっても良いが、ある程度別の仕方で作製される。２つのストレッサはエッチ・レートが異なる。そのため、２つのストレッサ間の界面においてコンタクト・ホールをエッチングするときに有害な影響が出る。ゲートに対するコンタクトは、Ｎチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタとの間の中間であることが好ましい場合が多い。これは一見したところ、２つのストレッサ層間の境界に対して最良の箇所でもある。境界においてコンタクト・エッチングを行なう結果、その下にあるゲート構造またはコンタクト・ホール内の残留窒化物に穴を開ける可能性がある。したがって各コンタクト（１５４）が確実に、コンタクトが通っているストレッサと反対のタイプのストレッサから少なくとも何らかの所定の距離に位置することが有用であることが分かっている。
2009520363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
半導体層の第１の活性部分と半導体層の上に設けられた第１のゲート構造との中に形成される特徴部を含む複数のＮチャネル・トランジスタであって、前記第１のゲート構造は、前記第１の活性部分の外側に位置する部分を有する、複数のＮチャネル・トランジスタと、
半導体層の第２の活性部分と半導体層の上に設けられた第２のゲート構造との中に形成される特徴部を含む複数のＰチャネル・トランジスタであって、前記第２のゲート構造は、前記第２の活性部分の外側に位置する部分を有する、Ｐチャネル・トランジスタと、
Ｐチャネル・トランジスタの上方に位置し、前記第２の活性領域の外側に位置する部分を有する圧縮ストレッサと、
Ｎチャネル・トランジスタ上方に位置し、前記第１の活性部分の外側に位置する部分を有する引張ストレッサであって、それによって境界線が引張ストレッサと圧縮ストレッサとの間の界面に存在する、引張ストレッサと、
前記第１および第２のゲート構造に対するコンタクトであって、集積回路の前記第１および第２のゲート構造に対するコンタクトの実質的にすべてが、前記境界線から少なくとも所定の距離にある、コンタクトと、
を備える集積回路。
【請求項２】
集積回路のコンタクトの少なくとも９５パーセントが、前記境界線から少なくとも前記所定の距離にある、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
集積回路のコンタクトの少なくとも９９パーセントが、前記境界線から少なくとも前記所定の距離にある、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
集積回路のコンタクトのすべてが、前記境界線から少なくとも前記所定の距離にある、請求項３に記載の集積回路。
【請求項５】
圧縮ストレッサおよび引張ストレッサが窒化ケイ素を含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
前記境界線が、（１）引張ストレッサと圧縮ストレッサとのエッジが隣接する箇所、（２）引張ストレッサと圧縮ストレッサとのエッジがオーバーラップする箇所、（３）引張ストレッサと圧縮ストレッサとのエッジがそれらの間にスペースを有する箇所からなる群から選択される箇所にある、請求項１に記載の集積回路。
【請求項７】
前記圧縮ストレッサおよび引張ストレッサが、水素濃度が比較的小さな窒化ケイ素を含み、
前記圧縮ストレッサの窒化物が、不活性プロセス・ガスを用いて二周波ＰＥＣＶＤを用いて堆積され、前記引張ストレッサの窒化物が、不活性プロセス・ガスを用いて単一周波数ＰＥＣＶＤを用いて堆積される、請求項１に記載の集積回路。
【請求項８】
前記圧縮ストレッサが前記第２の活性部分を完全に覆い、前記引張ストレッサが前記第１の活性部分を完全に覆う、請求項７に記載の集積回路。
【請求項９】
第１の複数の前記第１および第２のゲート構造が、ポリシリコンの連続的な導電線を備える、請求項８に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記所定の距離が７０ナノメートルである、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
集積回路の製造方法であって、
半導体層を有する半導体基板を用意すること、
前記半導体層中に活性領域を形成すること、
前記活性領域の上方に位置する部分と前記第１の複数の活性領域の外側に位置する部分とを有するゲート構造を有する第１の導電型のトランジスタを第１の複数の前記活性領域中に、形成することと、
前記活性領域の上方に位置する部分と前記第２の複数の活性領域の外側に位置する部分とを有するゲート構造を有する第２の導電型のトランジスタを第２の複数の前記活性領域中に、形成すること、
第１の応力の層を半導体基板の上方に堆積すること、
前記第１の応力の層をパターニングして、第１の導電型のトランジスタ上方に位置する第１の応力の層の部分を残すこと、
第２の応力の層を半導体層上方に堆積すること、
前記第２の応力の層をパターニングして、第２の型のトランジスタ上方に位置する第２の応力の部分を残すことで、前記第１の応力の層と第２の応力の層との間に境界を設けること、
第１および第２の応力の層を通って第１および第２のゲート構造に至るコンタクトを形成することであって、実質的にすべての集積回路のコンタクトが、境界から少なくとも所定の距離にある、コンタクトを形成すること、
を備える、集積回路の製造方法。
【請求項１２】
第１の応力の層の上方に、第１の応力の層に合わせて選択的にエッチング可能な絶縁層を堆積することをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の応力の層および第２の応力の層が窒化ケイ素を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
誘電体層を前記第２の応力の層および第１の応力の層の上方に堆積することを、コンタクトを形成するステップの前に行なうことをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
すべてのコンタクトのうち少なくとも９５パーセントが、前記境界から離れて配置される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記所定の距離が７０ナノメートルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の導電型のトランジスタがＮチャネル・トランジスタを含み、
前記第２の導電型のトランジスタがＰチャネル・トランジスタを含み、
前記第１の応力が引張応力を含み、
第２の応力が圧縮応力を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の応力の層を形成するステップが、不活性プロセス・ガスを用いずに単一周波数ＰＥＣＶＤを用いて窒化物を堆積することを含み、
前記第２の応力の層を形成するステップが、不活性プロセス・ガスを用いて二周波ＰＥＣＶＤを用いて窒化物を堆積することを含む、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
集積回路であって、
複数のＰチャネル・トランジスタであって、Ｐチャネル・トランジスタの外側に位置する部分を有する圧縮ストレッサを複数のＰチャンネル・トランジスタの上方に有する複数のＰチャネル・トランジスタと、
複数のＮチャネル・トランジスタであって、Ｎチャネル・トランジスタの外側に位置する部分を有する引張ストレッサを複数の複数のＮチャネル・トランジスタの上方に有する複数のＮチャネル・トランジスタと、
電気コンタクトを形成する前記Ｎチャネル・トランジスタの外側の領域に位置する前記引張ストレッサを通り、前記Ｎチャネル・トランジスタのゲートに達する第１のコンタクトであって、集積回路の第１のコンタクトの実質的にすべてが、前記圧縮ストレッサのいずれかの部分から少なくとも７０ナノメートル離間している、第１のコンタクトと、
電気コンタクトを形成する前記Ｐチャネル・トランジスタの外側の領域に位置する圧縮ストレッサを通り、前記Ｐチャネル・トランジスタのゲートに達する第２のコンタクトであって、集積回路の第２のコンタクトの実質的にすべてが、前記引張ストレッサのいずれかの部分から少なくとも７０ナノメートル離間している、第２のコンタクトと、
を備える集積回路。
【請求項２０】
前記引張ストレッサが第１の窒化物層を備え、
前記圧縮ストレッサが第２の窒化物層を備え、
集積回路の前記第１のコンタクトの少なくとも９９パーセントが、前記圧縮ストレッサのいずれかの部分から少なくとも７０ナノメートル離間しており、
集積回路の第２のコンタクトの少なくとも９９パーセントが、引張ストレッサのいずれかの部分から少なくとも７０ナノメートル離間している、請求項１９に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般的に、半導体処理に関し、より具体的には、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを有する半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
技術が進歩するにつれて、半導体デバイスおよび集積回路のサイズは絶えず縮小されている。しかし場合によっては、スケーリングの物理限界に達して、デバイス・スケーリング上の問題が生じることがある。その結果、技術の進歩につれて、半導体デバイスの性能を向上させる他の方法が用いられている。たとえばトランジスタのチャネルに応力を加えて、キャリア易動度を向上させて、性能を向上させる。たとえば、Ｐチャネル・トランジスタの場合には、チャネルに一軸圧縮応力を加えることによって、キャリア易動度が向上する。またＮチャネル・トランジスタの場合には、チャネルに一軸引張応力を加えることによって、キャリア易動度が向上する。したがって性能全体を向上させるためには、引張および圧縮のコンタクト・エッチ・ストップ層（ＥＳＬ）ストレッサを両方とも同じ集積回路上で用いて、Ｐチャネル・デバイスおよびＮチャネル・デバイスの両方の性能を向上させることが望ましい。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本発明は、一例として例示されるものであり、添付の図によって限定されるものではない。添付の図において、同様の参照符号は同様の要素を示す。
当業者であれば理解するように、図における要素は、簡単および明瞭を目的として例示されており、必ずしも一定の比率で描かれているわけではない。たとえば、本発明の実施形態の理解の向上を助けるために、図における要素のいくつかの寸法は、他の要素に対して誇張されている場合がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
Ｐチャネル・デバイスおよびＮチャネル・デバイスの両方の性能を向上させることを目的として、ストレッサを用いてもデバイスのチャネルに応力を加えても良い。たとえば、集積回路において、Ｐチャネル・トランジスタ上に圧縮ストレッサを形成しても、Ｎチャネル・トランジスタ上に引張ストレッサを形成しても良い。このように、Ｐチャネル・トランジスタのチャネルに圧縮応力を加えること、およびＮチャネル・トランジスタのチャネルに引張応力を加えることを、どちらも電流フローの方向に行なうことによって、キャリア易動度およびデバイス性能を、Ｐチャネル・トランジスタおよびＮチャネル・トランジスタの両方に対して向上させることができる。これらの圧縮ストレッサおよび引張ストレッサは、コンタクト・エッチ・ストップ層（ＥＳＬ）ストレッサと言っても良い。しかし説明を簡単にするために、これらを単純に、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサまたはストレッサ層と記載する。
【０００５】
圧縮ストレッサおよび引張ストレッサ（またはストレッサ層）を、Ｐチャネル・トランジスタおよびＮチャネル・トランジスタ上にそれぞれ形成する結果、圧縮ストレッサと引張ストレッサとの間に境界線または境界が生じる。これについては後に詳細に説明する。圧縮ストレッサと引張ストレッサとの間のこれらの境界線におけるエッチングについてこれまで知られていなかった問題、たとえばコンタクト開口部を形成する際の問題が見つかっている。図１〜１０を参照して、境界線の形成、およびこれらの境界線によって生じる新たに見つかった問題について、詳細に説明する。図１１〜２２を参照して、この新たに見つかった問題を解決する種々の実施形態について説明する
図１は、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサの両方を有する集積回路（ＩＣ）１０の一部を上から見た図である。ＩＣ１０は、Ｐチャネル・トランジスタ１１とＮチャネル・トランジスタ１３および１５とを備えている。Ｐチャネル・トランジスタ１１は、活性領域１２と、活性領域１２の上に設けられたゲート１４とを有している。トランジスタ１１は、Ｎウェル（図１の上から見た図では見えない）内に形成される。Ｎチャネル・トランジスタ１５は、活性領域２０と、活性領域２０の上に設けられたゲート２２とを有している。例示した実施形態では、ゲート１４およびゲート２２は、連続的なゲート構造１７の一部である。またゲート構造１７は、活性領域１２および２０の外側に位置する部分も含んでいる。ゲート構造１７には、コンタクト部２４が含まれている。コンタクト部２４では、コンタクト開口部３０が後に形成される（したがって、コンタクト開口部３０は点線として示しており、これは開口部自体がまだ存在していないためである）。Ｎチャネル・トランジスタ１３は、活性領域１６と、活性領域１６の上に設けられたゲート構造１８とを含んでいる。なおゲート構造１８は、活性領域１６上にゲートを形成し、活性領域１６の外側に位置する部分も含んでいる。
【０００６】
またＩＣ１０は、Ｐチャネル・トランジスタ１１上に位置する圧縮ストレッサ２６と、Ｎチャネル・トランジスタ１３および１５上に位置する引張ストレッサ２８とを含んでいる。したがって圧縮ストレッサ２６と引張ストレッサ２８との間に境界線が形成されている。たとえば境界線３２が、コンタクト部２４（コンタクト開口部３０が形成される）上に存在している。図２〜１０を参照して分かるように、この境界線があるために、コンタクト開口部３０を形成する際に問題が生じる。
【０００７】
図２は、Ｐチャネル・トランジスタ１１およびＮチャネル・トランジスタ１３を通るように切断したＩＣ１０の断面図である。ＩＣ１０は基板３３を備えている。基板３３は、絶縁層３７の上に半導体層３５を有している。一実施形態では、基板３３は絶縁体上半導体（ＳＯＩ）基板である。一実施形態では、半導体層３５には、半導体材料として、たとえば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素などが含まれる。一実施形態では、絶縁層３７には酸化物が含まれている。代替的な実施形態では、基板３３は、バルク半導体基板に、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素などを含んでいる。この場合、絶縁層３７は存在していない。
【０００８】
トランジスタ１１および１３は、半導体層３５内および上に形成されている。Ｐチャネル・トランジスタ１１においては、半導体層３５の上にゲート誘電体４８が設けられており、ゲート誘電体４８の上にゲート１４が設けられている。またゲート１４の側壁に隣接して、側壁スペーサ４４が設けられている（なお簡単にするために、側壁スペーサ４４は、図１の上から見た図には示していない）。またトランジスタ１１はソース／ドレイン領域３６および３８を備えている。ソース／ドレイン領域３６および３８は、ゲート１４の少なくとも一部の下に設けられており、絶縁体層３７まで延びている。トランジスタ１１のチャネル領域３９の範囲が、ソース／ドレイン領域３６と３８との間であってゲート１４の下に定められている。ソース／ドレイン領域３６および３８とチャネル領域３９とは、トランジスタ１１の活性領域１２内に形成されている。Ｎチャネル・トランジスタ１３では、半導体層３５の上にゲート誘電体５０が設けられており、ゲート誘電体５０の上にゲート１８が設けられている。またゲート１８の側壁に隣接して、側壁スペーサ４６が設けられている（なお簡単にするために、側壁スペーサ４６は、図１の上から見た図には示していない）。またトランジスタ１３はソース／ドレイン領域４０および４２を備えている。ソース／ドレイン領域４０および４２は、ゲート１８の少なくとも一部の下に設けられており、絶縁体層３７まで延びている。トランジスタ１３のチャネル領域４１の範囲が、ソース／ドレイン領域４０と４２との間であってゲート１８の下に定められている。ソース／ドレイン領域４０および４２とチャネル領域４１とは、トランジスタ１３の活性領域１６内に形成されている。トランジスタ１１および１３は、半導体層３５内に形成された分離領域３４によって互いから分離されている。
【０００９】
なお従来の処理および材料を用いて、トランジスタ１１および１３を形成しても良い。またトランジスタ１１および１３はそれぞれ、異なる形状であっても良い。図２は一例として示しているだけである。たとえば、ソース／ドレイン領域３６、３８、４０、および４２が、絶縁体層３７まで完全に延びていなくても、ソース／ドレイン領域３６、３８、４０、および４２が、ハロ領域を含んでいても良い。またトランジスタ１１および１３の各部分（たとえば、ゲート、スペーサ、およびゲート誘電体）には、単一の材料が含まれていても、材料の組み合わせが含まれていても良い。たとえば、トランジスタ１１および１３のゲートは、ポリシリコンであっても、金属ゲートであっても良い。またこのゲートは任意の数の層を含んでいても良い。
【００１０】
さらに図２を参照して、圧縮ストレッサ２６がＰチャネル・トランジスタ１１上に形成され、引張ストレッサ２８がＮチャネル・トランジスタ１３上に形成されている。ストレッサ２６および２８を形成するために、どんなプロセスも使用して良い。たとえば一実施形態では、圧縮ストレッサ層を、基板３３上にブランケット堆積して、Ｎチャネル・デバイスが形成された領域から選択的にエッチングする。選択的なエッチングは、たとえば、Ｐチャネル・デバイスが形成された領域をマスクするマスキング層を用いて行なわれる。選択性エッチングを行なった後の圧縮ストレッサ層の残りの部分によって、圧縮ストレッサ、たとえば圧縮ストレッサ２６が形成される。その後、引張ストレッサ層を、基板３３上にブランケット堆積して、Ｐチャネル・デバイスが形成された領域から選択的にエッチングしても良い。この場合、選択的なエッチングは、たとえば、Ｎチャネル・デバイスが形成された領域をマスクするマスキング層（たとえば、圧縮ストレッサを形成するために用いたマスキング層と逆のパターンを有する）を用いて行なわれる。選択性エッチングを行なった後の引張ストレッサ層の残りの部分によって、引張ストレッサ、たとえば引張ストレッサ２８が形成される。なお圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成する順番は逆にしても、従来の他の処理方法を用いて、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成しても良い。一実施形態では、第１のストレッサ層上に、第１のストレッサに合わせて選択的にエッチングすることができる絶縁層が形成される（第１のストレッサ層は、この段落で示した例では圧縮ストレッサ２６である）。したがってこの絶縁層は、第２のストレッサ層（この段落で前述した例では引張ストレッサ２８である）を選択的にエッチングするときに、エッチ・ストップ層として用いられる。また一実施形態では、障壁層を基板３３上に形成することを、ストレッサ２６および２８を形成する前に行なっても良い。形成は、障壁層がデバイスとストレッサ２６および２８との間に位置するように行なう。なお、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成する結果、圧縮ストレッサと引張ストレッサとの間の界面に境界線が生じる。たとえば図２に例示した圧縮ストレッサ２６と引張ストレッサ２８との間の境界線３２である。
【００１１】
圧縮ストレッサ２６は、チャネル領域３９に圧縮応力を加えるものであればどんな材料であっても良く、たとえば窒化ケイ素材料およびシリコン含有率の低い窒化ケイ素材料である。引張ストレッサ２８は、チャネル領域４１に引張応力を加えるものであればどんな材料であっても良く、たとえば窒化ケイ素材料およびシリコン含有率の低い窒化ケイ素材料である。これらの圧縮ストレッサ層および引張ストレッサ層は、従来の処理技術を用いて形成することができる。一実施形態では、圧縮ストレッサ２６の窒化物は、二周波プラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）プロセスを用いて、標準的な前駆体に加えた不活性ガスたとえばアルゴンを用いて堆積させる。引張ストレッサ２８の窒化物は、単一周波数ＰＥＣＶＤプロセスを用いて、不活性ガスを用いることなく堆積させる。
【００１２】
図３は、Ｎチャネル・トランジスタ１５およびＰチャネル・トランジスタ１１を通るように切断したＩＣ１０の断面図である。図３の断面は、トランジスタ１１のチャネル領域３９を通るとともに、トランジスタ１５のチャネル領域４３を通るように切断したものである。前記したように、これらのチャネル領域は分離領域３４によって分離されている。また断面は、ゲート構造１７を通るように切断したものであり、ゲート構造１７のゲート２２および１４ならびにコンタクト部２４がすべて見えている。また引張ストレッサ２８は、ゲート２２の上に設けられており、ゲート構造１７のコンタクト部２４上まで延びている。圧縮ストレッサ２６は、ゲート１４の上に設けられており、ゲート構造１７のコンタクト部２４上まで延びている。コンタクト部２４は、分離領域３４（フィールド分離と言うこともある）の上に設けられており、活性領域２０および１２の上には設けられていない。また図３の断面内に示しているのは、引張ストレッサ２８と圧縮ストレッサ２６との間の境界線３２である。境界線３２は、コンタクト領域２４の上方であってコンタクト開口部３０が形成される場所にある。したがってコンタクト開口部３０の形成は、境界線３２を通って、その下に設けられたゲート構造１７のコンタクト部２４を露出するように行なわれることに注意されたい。
【００１３】
図４は、引張ストレッサ２８および圧縮ストレッサ２６の上に設けられる誘電体層５２を形成した後のＩＣ１０を示す図である。したがってコンタクト開口部３０は、誘電体層５２ならびにストレッサ２８および２６を通るように形成されることに注意されたい。コンタクト開口部３０は図３において点線で示す。一実施形態では、誘電体層５２には、テトラオルト・シリケート（ＴＥＯＳ）プロセスによって形成される材料が含まれる。
【００１４】
図５に、コンタクト開口部３０を形成した後のＩＣ１０の拡大部分５１を示す。従来のパターニングおよびエッチング技術を用いて、開口部３０を形成しても良い。圧縮ストレッサ２６と引張ストレッサ２８との間の化学的性質の違いにより、ストレッサはエッチ・レートが異なる。その結果、圧縮ストレッサ２６および引張ストレッサ２８の両方を通るように開口部３０内をエッチングしようとした場合、ギャップ（たとえばギャップ５４）が形成され、ギャップ内のその下のゲート・シリサイド（図示せず）がえぐられるかまたは穴を開けられて、開口部３０内のコンタクト部２４の完全な露出が行なわれようとする。すなわちストレッサの一方（たとえば図５の例ではストレッサ２６）のすべての部分を取り除こうとした場合、その下の層に対する損傷が生じ、その結果、コンタクトがさらに不十分になる可能性がある。またストレッサの一部が開口部３０内に残されることもあり、その結果、やはりコンタクトがさらに不十分になる。
【００１５】
図５に示すのは、境界線３２を通るようにエッチングを行なった結果であり、境界線３２の形成を、図２〜４に例示するように圧縮ストレッサおよび引張ストレッサが接触するように行なったときのものである。図６に、ストレッサ間の別のタイプの境界線５５を例示する。これは、ＩＣ１０の拡大部分５１（１つのストレッサが別のストレッサと境界線でオーバーラップし得る）で生じ得るものである。たとえば図６に示すように、圧縮ストレッサ２６が圧縮ストレッサ２８にオーバーラップすることが、その後にコンタクト開口部３０が形成される領域で起こっている。
【００１６】
図７および８に、開口部３０を形成する間に起こる境界線５５の有害な影響を例示する。図５を参照して説明したように、従来のパターニングおよびエッチング技術を用いて開口部３０を形成しても良い。図７に例示するのは、エッチングの一部が終了した後の境界線５５である。引張ストレッサ２８の残留部分５６（圧縮ストレッサ２６によってオーバーラップされていた）が、開口部３０内に残されている。図８に例示するのは、さらにエッチングを行なった後の境界線５５である。残留部分５６が開口部３０内で取り除かれるにつれて、穴を開けるかまたはえぐる領域５７が形成される可能性がある。これらの問題が起こるために、コンタクトがさらに不十分になり、その結果、デバイス性能および回路歩留まりに悪影響が出る。
【００１７】
図９に、ストレッサ間に位置する別のタイプの境界線５８を例示する。これは、ＩＣ１０の拡大部分５１（ストレッサ２８および２６が形成された結果、境界線にギャップ５９が生じる）で起こり得るものである。図１０に、開口部３０を形成する間に生じる境界線５８の悪影響を例示する。前記したように、従来のパターニングおよびエッチング技術を用いて開口部３０を形成しても良い。図１０に例示するのは、ストレッサ２８および２６の不均一なエッチング、およびギャップ５８におけるコンタクト部２４内へのくぼみ６０（すなわち凹部面）の形成である。したがって前述と同様に、ギャップ５８があるために、えぐられるかまたは穴が開く可能性がある。またエッチングが不均一である結果、エッチングが部分的に行なわれることもあり、ストレッサの一部が開口部３０内に残る場合もある。その結果、コンタクトが不十分になる。
【００１８】
ストレッサ境界線（たとえば境界線３２、５５、および５８）を通るように開口部３０を形成することで起こる問題は、これまで分かっていなかった。またこれらの問題は、ＩＣ全体に渡ってかなり頻繁に起こる可能性がある。たとえば、図１に例示するように、ゲートに対するコンタクトは、Ｎチャネル・トランジスタとＰチャネル・トランジスタとの間の中間で形成されることが多い。これは一見したところ、圧縮ストレッサと引張ストレッサとの間の境界線または境界に対して最良の箇所でもある。したがって、これらの問題が分かったことに続いて、これらのストレッサ境界線を通るようにエッチングを行なう祭の有害な影響を防ぐための解決方法が開発された。本発明の実施形態には、これらの境界線を通るようにエッチングを行なうことによって生じる問題に対処する種々の方法が含まれている。
【００１９】
一実施形態では、ストレッサの形成を、コンタクト開口部を形成すべき場所にまたはその付近にストレッサ境界線が位置しないように行なう。たとえば図１１に、本発明の一実施形態による集積回路１１０を上から見た図を例示する。ＩＣ１１０は、Ｐチャネル・トランジスタ１１１とＮチャネル・トランジスタ１１３および１１５とを備える。Ｐチャネル・トランジスタ１１１は、活性領域１１２と、活性領域１１２の上に設けられたゲート１１４とを有している。トランジスタ１１１は、Ｎウェル（図１１の上から見た図では見えない）内に形成される。Ｎチャネル・トランジスタ１１５は、活性領域１２０と、活性領域１２０の上に設けられたゲート１２２とを有する。例示した実施形態では、ゲート１１４およびゲート１２２は、連続的なゲート構造１１７の一部である。ゲート構造１１７には、活性領域１１２および１２０の外側に位置する部分が含まれる。ゲート構造１１７には、コンタクト部１２４が含まれる。コンタクト部１２４では、コンタクト開口部１３０がその後に形成される（したがって、コンタクト開口部１３０が点線として例示され、これは開口部自体がまだ存在していないからである）。一実施形態では、ゲート構造１１７は、ポリシリコンからなる連続的な導電線である。あるいは、ゲート構造１１７は連続的でなくても良い。また他の材料または材料の組み合わせを用いて、ゲート構造１１７を形成しても良い。Ｎチャネル・トランジスタ１１３は、活性領域１１６と、活性領域１１６の上に設けられたゲート構造１１８とを備える。なおゲート構造１１８は、活性領域１１６上にゲートを形成し、活性領域１１６の外側に位置する部分も含んでいる。
【００２０】
またＩＣ１１０は、Ｐチャネル・トランジスタ１１１上に位置する圧縮ストレッサ１２６と、Ｎチャネル・トランジスタ１１３および１１５上に位置する引張ストレッサ１２８とを備える。図１のＩＣ１０の場合と同様に、圧縮ストレッサ１２６と引張ストレッサ１２８との間に境界線が形成されている。たとえば、活性領域１１２と１２０との間に境界線１３２が存在する。しかしＩＣ１０とは異なり、コンタクト開口部１３０を形成すべき場所の下にも場所の付近にも境界線は位置していない。その代わりに、圧縮ストレッサ１２６と引張ストレッサ１２６との境界線が、コンタクト開口部が形成されるゲート構造のコンタクト部の下に生じないように、圧縮ストレッサ１２６が形成されている。さらに圧縮ストレッサ１２６は、コンタクト開口部が形成される場所から少なくとも所定の距離だけ離れて形成されている。一実施形態では、この所定の距離は約７０ナノメートルである。この結果、コンタクト開口部１３０内にさらに良好なコンタクトを形成することができ、その結果、デバイス性能が向上する。別の実施形態では、この所定の距離は約６５ナノメートル以下である。なおこの所定の距離は、プロセス許容誤差の組み合わせ（フォト臨界寸法（ＣＤ）制御、フォト・オーバーレイ制御、およびエッチＣＤ制御を含む）に基づいて選択される任意の値とすることができる。
【００２１】
図１２に、Ｎチャネル・トランジスタ１１５およびＰチャネル・トランジスタ１１１を通るように切断したＩＣ１１０の断面図を示す。ＩＣ１１０は基板１３３を備えている。基板１３３は、絶縁層１３７の上に半導体層１３５を有している。一実施形態では、基板１３３は絶縁体上半導体（ＳＯＩ）基板である。一実施形態では、半導体層１３５には、半導体材料として、たとえば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素などが含まれる。一実施形態では、絶縁層１３７には酸化物が含まれていても良い。代替的な実施形態では、基板１３３は、バルク半導体基板に次のものを含んだものであっても良い、たとえば、シリコン、ゲルマニウム、シリコン・ゲルマニウム、ガリウム・ヒ素などである。この場合、絶縁層１３７は存在していない。
【００２２】
図１２の断面は、トランジスタ１１５のチャネル領域１４３とトランジスタ１１４のチャネル領域１３９とを通るように切断したものである。これらのチャネル領域は、分離領域１３４によって分離されている。また断面は、ゲート構造１１７を通るように切断したものであり、ゲート構造１１７のゲート１２２および１１４ならびにコンタクト部１２４がすべて見えている。また引張ストレッサ１２８は、ゲート１２２の上に設けられており、ゲート構造１１７のコンタクト部１２４上まで延びている。圧縮ストレッサ１２６は、ゲート１１４の上に設けられており、ゲート構造１１７のコンタクト部１２４上まで延びている。コンタクト部１２４は、分離領域１３４（フィールド分離と言うこともある）の上に設けられており、活性領域１２０および１１２の上には設けられていない。また図１２の断面内に示しているのは、引張ストレッサ１２８と圧縮ストレッサ１２６との間に位置し、コンタクト領域１２４の上方にある境界線１３２である。しかし例示した実施形態では、圧縮ストレッサ１２６の境界線はコンタクト部１２４上で、引張ストレッサ１２８と比べてさらに延長されている。したがってコンタクト開口部３０は、境界線１３２を通っては形成されていない。一実施形態では、境界線１３２は、少なくとも７０ナノメートルだけ開口部１３０から離れている。したがって、開口部３０を形成してその下のゲート構造１７のコンタクト部２４を露出する際には、ストレッサ境界線を通ってエッチングする必要も、ストレッサ境界線から所定の距離内でエッチングする必要もない。
【００２３】
前記したストレッサ２６および２８を形成するために用いた一般的な方法および材料が、ここでもストレッサ１２６および１２８に対して適用される。しかし図１６〜２１のレイアウトを参照して説明するように、ストレッサ１２６および１２８を形成するための新しいマスクを規定することが、コンタクト開口部が境界線上またはその付近にあるという問題が回避されるように行なわれる。これらの新しいマスク（およびこれらのマスクの逆）を、ストレッサ２６および２８について前述したように用いて、圧縮ストレッサ層の一部を選択的にエッチングして圧縮ストレッサ１２６を形成し、また引張ストレッサ層の一部を選択的にエッチングして引張ストレッサ１２８を形成しても良い。なお一実施形態では、圧縮ストレッサ１２８の形成は、すべてのＰチャネル活性部分（たとえば活性領域１２０および１１６）を完全に覆うように行ない、また引張ストレッサ１２６の形成は、すべてのＮチャネル活性部分（たとえば活性領域１１２）を完全に覆うように行なう。したがって圧縮ストレッサ１２８および引張ストレッサ１２６はそれぞれ、単一の連続的な層であっても、または多くの別個の部分を必要に応じて含んで、Ｐチャネル・トランジスタおよびＮチャネル・トランジスタをそれぞれ必要に応じて覆うものであっても良い。
【００２４】
圧縮ストレッサ２６は、圧縮応力をチャネル領域３９に加えるものであればどんな材料であっても良く、たとえば、窒化ケイ素材料およびシリコン含有率の低い窒化ケイ素材料である。引張ストレッサ２８は、チャネル領域４１に引張応力を加えるものであればどんな材料であっても良く、たとえば窒化ケイ素材料およびシリコン含有率の低い窒化ケイ素材料である。これらの圧縮ストレッサおよび引張ストレッサ層は、従来の処理技術を用いて形成することができる。一実施形態では、圧縮ストレッサ２６の窒化物は、二周波プラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）プロセスを用いて、標準的な前駆体に加えた不活性ガスたとえばアルゴンを用いて堆積させる。引張ストレッサ２８の窒化物は、単一周波数ＰＥＣＶＤプロセスを用いて、不活性ガスを用いることなく堆積させる。
【００２５】
さらに図１２を参照して、トランジスタ１１１および１１３は半導体層１３５内および上に形成されている。図１２には図示していないが、各Ｎチャネル・トランジスタ１１５およびＰチャネル・トランジスタ１１１は、半導体層１３５の活性領域１４３および１３９の上であってゲート１２２および１１４の下にそれぞれ、ゲート誘電体を備えている。またゲート１２２および１１４に隣接して、側壁スペーサ（図１２では見えない）を形成しても良い。各トランジスタ１１５および１１１は、活性領域１２０および１１２内にそれぞれソース／ドレイン領域を備えている。これらも図１２では見えない。なぜならば、断面は、各トランジスタのソース／ドレイン領域間に位置するチャネル領域１４３および１３９を通るように切断したものであるからである。
【００２６】
トランジスタ１１５および１１１のソース／ドレイン領域は、従来のプロセスおよび材料を用いて形成しても良く、またソース／ドレイン領域３６、３８、４０、および４２について前述したどの記載も、トランジスタ１１５および１１１のソース／ドレイン領域に対して適用される。
【００２７】
なお従来の処理および材料を用いて、トランジスタ１１１および１１５を形成しても良い。またトランジスタ１１１および１１５はそれぞれ、異なる形状であっても良い。図１２は単に一例として示している。またトランジスタ１１１および１１５の各部分（たとえば、ゲート、スペーサ、およびゲート誘電体）には、単一の材料が含まれていても、材料の組み合わせが含まれていても良い。たとえば、トランジスタ１１１および１１５のゲートはポリシリコンであっても、金属ゲートであっても良い。またこのゲートは任意の数の層を含んでいても良い。
【００２８】
図１３に、引張ストレッサ１２８および圧縮ストレッサ１２６の上に設けられる誘電体層１５２を形成した後のＩＣ１１０を例示する。したがってコンタクト開口部１３０は、誘電体層１５２ならびにストレッサ１２８および１２６を通して形成されることに注意されたい。これは図１３において、点線によって示されている。一実施形態では、誘電体層１５２には、テトラオルト・シリケート（ＴＥＯＳ）プロセスによって形成される材料が含まれていても良い。また誘電体層１５２には、単一の膜が含まれていても、複数の膜が含まれていても良い。また誘電体層１５２は、中間層誘電体層または金属間誘電体層と言うこともある。
【００２９】
図１４に、コンタクト開口部１３０を形成した後のＩＣ１１０を例示する。従来のマスキング、パターニング、およびエッチング技術を用いて、コンタクト開口部１３０が誘電体層１５２および圧縮ストレッサ１２６を通って形成され、その下にあるゲート構造１１７のコンタクト部１２４が露出している。なお引張ストレッサ１２８と圧縮ストレッサ１３２との間の境界線１３２は、コンタクト開口部１３０から離れて配置されているため、コンタクト開口部１３０を形成する際には、境界線１３２を通るエッチングは必要ではない。したがって、図４〜１０を参照して前述した境界線３２に伴う問題は、図１４の実施形態では存在しない。したがって、ストレッサ間（たとえば引張ストレッサと圧縮ストレッサとの間）の境界線を、開口部が形成される箇所から所定の距離だけ離して配置することによって、改善された開口部（たとえば改善されたコンタクト開口部１３０）を形成することができる。その結果、コンタクトが改善されるため、デバイスが改善される。
【００３０】
圧縮ストレッサ１２６の形成は、コンタクト開口部１３０が完全に圧縮ストレッサ１２６を通って形成されるように行なわれているが、代替的な実施形態では、引張ストレッサ１２８をゲート構造１１７のコンタクト部分１２４上でさらに延長して、図１４の断面において、境界線１３２がコンタクト開口部１３０の右側に開口部１３０から離れて位置するように構成することができる。この実施形態では、引張ストレッサ１２８を通してコンタクト開口部を形成して、その下にあるゲート構造１１７のコンタクト部２４を露出させるのであって、圧縮ストレッサ１２６を通して形成するのではない。したがって、コンタクト開口部１３０を境界線１３２から離れて配置する（多くの異なる方法で実現することができる）限りは、コンタクト開口部１３０を形成する際に、単一のストレッサ層（すなわち圧縮ストレッサ１２６のみか引張ストレッサ１２８のみ）を通るようにエッチングを行なうことが要求されるため、図４〜１０を参照して前記した問題が回避される。
【００３１】
図１５に、コンタクト開口部１３０に導電性材料１５４が充填されたＩＣ１１０を例示する。従来の充填および化学的機械研磨（ＣＭＰ）技術を用いて、コンタクト開口部１３０に導電性材料１５４を充填しても良い。またＩＣ１１０には誘電体層１５６が含まれ、これは誘電体層１５２の上に設けられている。誘電体層１５６には導電性部分１５８が含まれ、これは導電性材料１５４に接触している。その結果、ゲート構造１１７のコンタクト部１２４に対してコンタクトが形成されている。一実施形態では、導電性材料１５４には、たとえばタングステンが含まれ、導電性部分１５８には、たとえば銅が含まれている。なお導電性部分１５８に対して用いる導電性材料は、導電性材料１５４と異なっていても良い。一実施形態では、少なくとも１つの障壁層（または他のタイプの層）が、導電性材料１５４と導電性部分１５８との間に含まれていてる。そして処理を、当該技術分野で知られているように続けて、誘電体層１５６および導電性部分１５８の上に設けられる任意の数の金属層およびビア層を形成して、ＩＣ１１０のデバイス間で信号を送り、またＩＣ１１０の入力／出力（Ｉ／Ｏ）ボンド・パッドに信号を送るようにしても良い。
【００３２】
図１６に、本発明の一実施形態によるＩＣレイアウト２００を上から見た図を例示する。次にＩＣレイアウト２００を、当該技術分野で知られているように用いて、ＩＣ（たとえばＩＣ１０および１１０）を形成することができる。たとえばレイアウト２００の層を用いて、ＩＣを形成するために用いられる異なるマスクを形成しても良い。レイアウト２００は、Ｐチャネル領域２０２を備えていて、この領域はＰチャネル・トランジスタが形成される場所に対応しており、またＮチャネル領域２０４を備えていて、この領域はＮチャネル・トランジスタが形成される場所に対応している。例示した実施形態では、領域２０２および２０４は、境界線２０１（点線で表わしている）によって分離されている。一実施形態では、境界線２０１はＮウェルの境界線を表わしていても良く、この場合に境界線２０１は、領域２０２に対するＮウェルのアウトラインを表わす。あるいは、境界線２０１はＰ型拡散の境界線を表わしていても良く、この場合に境界線２０１は、領域２０２に対するＰ型拡散のアウトラインを表わす。したがって、以下のことに注意されたい。レイアウト２００のＮウェル境界線またはＰ型拡散境界線のいずれかを用いて、Ｎ型領域とＰ型領域との間（Ｎチャネル・トランジスタの形成とＰチャネル・トランジスタの形成とにそれぞれ対応する領域の間）の境界線を示すことができる。あるいは、他のレイアウト、特徴部を用いて境界線２０１を示しても良い。
【００３３】
一実施形態では、境界線２０１（Ｎウェル領域またはＰ型拡散領域のアウトラインを示していようと、境界線を規定するために用いる任意の他の層のアウトラインを示していようと）によって、境界線（たとえば前述の境界線３２または１３２）が、レイアウト２００に対応する集積回路において、圧縮ストレッサと引張ストレッサとの間に形成される場所が表わされる。たとえば、一実施形態では、レイアウト２００を用いて、境界線２０１を用いて第１のマスクを形成する。これは、Ｐチャネル領域内に圧縮ストレッサを形成するために用いられる。この第１のマスクは、Ｐ型領域（たとえば領域２０２（境界線２０１によって規定される））を保護して、すべてのＮ型領域を露出させる。圧縮ストレッサ２８および１２８ならびに引張ストレッサ２６および１２６の形成に関して前述したように、圧縮ストレッサ層をＩＣ基板上（たとえばゲート構造１７または１１７上）に形成しても良い。この場合、次に第１のマスクを用いて、圧縮ストレッサ層のうちＩＣのＮチャネル領域上に形成された部分を取り除く。同様に、レイアウト２００を用いて、境界線２０１を用いて第２のマスクを形成する。これは、Ｎチャネル領域内に引張ストレッサを形成するために用いられる。この第２のマスクは、第１のマスクの逆とすることができる。すなわち第２のマスクは、Ｎ型領域（たとえば領域２０４）を保護して、すべてのＰ型領域（たとえば領域２０２（境界線２０１によって規定される））を露出させる。その結果、引張ストレッサ層を、ＩＣ基板上（たとえばゲート構造１７または１１７上）に形成しても良い。この場合、次に第２のマスクを用いて、引張ストレッサ層のうちＩＣのＰチャネル領域上に形成された部分を取り除く（なお代替的な実施形態では、第２のマスクを用いて最初に引張ストレッサを形成しても良く、次に第１のマスクを用いて圧縮ストレッサを形成しても良い）。したがって、どのようにしてレイアウト２００の境界線２０１を用いて、Ｎチャネル・トランジスタおよびＰチャネル・トランジスタにそれぞれ対応する引張ストレッサおよび圧縮ストレッサを有するＩＣを形成するためのマスクを形成できるかを理解することができる。
【００３４】
しかし図４〜１０を参照して前記したように、ストレッサの境界線において問題が起こることがある（これらの境界線は、ストレッサを形成するために用いるマスクを生成するために使用されたレイアウト２００の境界線（たとえば境界線２０１）に対応する）。またレイアウト２００には、複数のコンタクト開口部２０６〜２１５が含まれている。これらは、コンタクトがレイアウト２００に対して形成される場所を表している。コンタクト開口部のうち、境界線２０１にオーバーラップして位置するもの、境界線２０１に隣接して位置するもの、または境界線２０１から所定の距離内にあるものは、境界線２０１を用いて形成されるストレッサ境界線から悪影響を受ける場合がある。たとえば、例示した実施形態では、コンタクト開口部２０６、２０７、２０９、２１２、２１４、および２１５は、影響を受ける可能性のあるコンタクト開口部の一部である場合がある。したがって、図１７〜２１を参照して説明するように、境界線２０１を変更して、ストレッサ境界線の影響を受けるコンタクト開口部がまったくないか実質的にまったくないようにする。次にこの変更した境界線を用いて、前記したように、第１のマスクおよび第２のマスクを形成する。これらのマスクは、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成するときに用いられる。その結果、変更後は、結果として生じるレイアウトにおいて、実質的にすべてのコンタクト開口部が、いずれかのストレッサ境界線から少なくとも所定の距離（たとえば７０ナノメートル）に位置する。なおレイアウト２００の例示した実施形態では、コンタクト開口部（たとえばコンタクト開口部２０６、２０７、２０９、２１２、２１４、および２１５）は、矩形として例示している。しかし代替的な実施形態では、それらは任意の他の形状（たとえば四角形）とすることができる。
【００３５】
図１７〜２１に、境界線２０１を変更するために講じても良い種々の繰り返しを例示する。これらの繰り返しは、たとえば、レイアウトを生成するために用いるコンピュータ・システム上でソフトウェアを実行することによって行なっても良い。例示した実施形態では、前述したように、出発境界線（境界線２０１）は、Ｎウェル境界線またはＰ型拡散境界線のいずれかに対応しても、境界線を規定するために用いられる任意の他の層に対応しても良い。図１７に例示するのは第１の繰り返しである。ここでは、境界線２０１上にあるかまたは境界線２０１から所定の距離にある各コンタクト開口部が拡大されている。したがって、コンタクト開口部２０６、２１７、２０９、２１２、２１４、および２１５はすべて拡大されており、その結果、拡大されたコンタクト開口部２１６〜２２１にそれぞれなっている。一実施形態では、境界線２０１から約７０ナノメートル以内にあるすべてのコンタクト開口部が拡大されている。また一実施形態では、コンタクト開口部は約７０ナノメートルだけ拡大されている。あるいは、約６０〜８０ナノメートルの範囲にあるすべてのコンタクト開口部が、約６０〜８０ナノメートルだけ拡大されている。
【００３６】
図１８に新しい境界線２０３を例示する。この境界線２０３は、出発境界線２０１と拡大されたコンタクト開口部２１６〜２２１の境界線とを用いて規定されている。その結果、コンタクト開口部２０６〜２１５のうち、実際に当初の境界線２０１上にあるものもなく、境界線２０１とオーバーラップするものもないことに注意されたい。さらに、どちらの領域（領域２０４かまたは領域２０２）にコンタクト開口部の大部分が存在しているかに依存して、コンタクト開口部がその領域に残るように境界線が取られる。たとえば、コンタクト開口部２０６および２０７は大部分が領域２０２に存在しているので、境界線２０３を開口部２０６および２０７の左側に引いて、開口部２０６および２０７が領域２０２に残れるようにする。同様に、境界線２０３を開口部２０９および２１２の右側に引いて、それらが領域２０４に残れるようにする。しかし代替的な実施形態では、境界線２０３が別の仕方で引かれる。たとえば別の実施形態では、代替的なアプローチとして、次のようなものが用いられる。すなわち、境界線から所定の距離にあるかまたは所定の距離内にあるコンタクトの大部分について、境界線を移動させる方向は、コンタクト・エッチング・プロセスが最適な方のストレッサ膜上にコンタクトがくるような方向である。
【００３７】
図１９に、境界線２０３を変更して新しい境界線２２２を形成した後のレイアウト２００を例示する。この繰り返しでは、コンタクト開口部から所定の距離内にある境界線がさらに拡張されている（当初の変更と同じ方向である）。たとえば、境界線２２２が以下のように拡張されていることに注意されたい。すなわち、開口部２０６から距離２２３だけさらに左側に拡張されている。開口部２０７から距離２２４だけさらに左側に拡張されている。開口部２０９から距離２２８だけさらに右側に拡張されている。開口部２１２から距離２３０だけさらに右側に拡張されている。開口部２１４から距離２３６だけさらに左側に拡張されている。開口部２１５から距離２３８だけさらに左側に拡張されている。その結果、境界線２０３の一部（図１９に破線として示す）が変更されて、境界線２２２（図１９に小さい点線として示す）になっている。いくつかの実施形態では、境界線の拡張は、最大で約６０〜８０ナノメートルだけ行なわれる。
【００３８】
しかしこの繰り返しの後に、これらの拡張のいずれかによって、境界線が他の開口部または他の能動回路に近すぎることにならないかどうかが判定される。たとえば、図１９では、開口部２０８と境界線２２２との間の距離２２６と、開口部２１０と境界線２２２との間の距離２３２とは近すぎる。たとえば、これらは、ほぼ６０〜８０ナノメートルの範囲内である。したがって、これらの境界線を次に後退させて、他の開口部または能動回路に近すぎないようにしても良い。
【００３９】
したがって図２０に示すように、境界線２２２を変更して、開口部２０８と境界線２２２との間の距離２４４が図１９の距離２２６よりも長くなるようにしている。同様に、開口部２１０と境界線２２２との間の距離２４８は、図１９の距離２３２よりも長い。したがって十分な距離が、境界線２２２と開口部２０８および２１０との間にあるので、開口部がストレッサ境界線から悪影響を受けることはない。また境界線を開口部２１０から後退させた後、境界線２２２によって、まっすぐなエッジが開口部２０９と２１０との間から開口部２１２と２１３との間まで延びることにも注意されたい。この結果、後にさらに説明するように、もっと簡単なマスクを容易に形成することができる。しかし代替的な実施形態では、多くの異なるタイプの基準を用いて境界線を変更して、ストレッサ境界線の問題を防ぐとともに、マスク・デザインを過度に複雑にすることがないようにする。
【００４０】
何らかの距離だけ後退させた後に、レイアウト２００をもう一度検査して、より直線状に単純化しても良いノッチまたはタブがないかどうかを判定しても良い。この結果、たとえば、もっと簡単なマスク・デザインを容易に形成することができる。たとえば、図２０を参照して、開口部２１４および２１５からもっと左側に境界線が拡張されているために、開口部２１４および２１５の拡張部分間に小さいノッチ２４０が存在することに注意されたい。ノッチ２４０が十分に小さくて（種々の実施形態において、幅２４１が約１８０〜２８０ナノメートル未満である）、またノッチ内に他の開口部も特徴部もない場合には、ノッチを取り除くことができる。このことを、たとえば図２１に例示する。
【００４１】
同様に（しかし図２１には例示していないが）、開口部間にタブが形成された場合（たとえば境界線２２２のエッジが、代わりに開口部２１４および２１５の右側に拡張されると、開口部２１４と２１４との間の左側にタブが延びる）、タブを識別することができ、同様に取り除くことができる。その結果、図２１の太字の破線は、最終的な境界線２２２の一例を示している。この境界線を用いて、前記したように、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成することができる。たとえば、この最終的な境界線２２２を用いて、前記した第１および第２のマスクを形成して、圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成しても良い。
【００４２】
なお代替的な実施形態では、はるかに多い繰り返しを行なって、レイアウト２００および境界線２２２をさらに単純化しても、他の特徴部を考慮しても良い。また境界線を延ばすこと、境界線を後退させること、ギャップおよびタブを取り除くこと、もっと真っ直ぐな境界線エッジを形成すること、またはこれらの任意の組み合わせからなるさらなる繰り返しを、必要に応じて取っても良い。そしてレイアウト２００の結果として生じる境界線を用いて、レイアウト２００により製造されるＩＣの圧縮ストレッサおよび引張ストレッサを形成することが、たとえば従来の処理技術を用いて可能である。また一実施形態では、市販の電子設計自動化（ＥＤＡ）ツールを用いて、図１７〜２１について説明したマスク生成アルゴリズムを行なっても良いことに注意されたい。
【００４３】
図２２に、実質的にすべてのコンタクトが、いずれかのストレッサ境界線から所定の距離に位置するＩＣ３００を上から見た図の例を示す。たとえば、例示した実施形態では、ＩＣ３００にはストレッサ３０２および３０４が含まれており、たとえば、ストレッサ３０２は、引張ストレッサまたは圧縮ストレッサの一方であり、又はストレッサ３０４は引張ストレッサまたは圧縮ストレッサの他方である。したがって、ストレッサ間に位置する多くの境界線が形成される。しかしコンタクト３０５〜３２５はすべて、境界線から離れて位置するように形成されている。一実施形態では、すべてのコンタクト３０５〜３２５は、ストレッサ境界線から少なくとも７０ナノメートルだけ離れて位置する。なお、図１６〜２１を参照して説明したようなレイアウトの変更は、コンタクト開口部が確実にストレッサ境界線上に現れないようにするための方法の一例に過ぎない。あるいは、レイアウトを変更する他の方法、またはコンタクト開口部もしくはコンタクトを配置する他の方法、またはストレッサを形成する他の方法を用いて、ＩＣの実質的にすべてのコンタクトが確実に、いずれかのストレッサ境界線から少なくとも所定の距離だけ離れて位置するようにしても良い。なお一実施形態では、ＩＣの実質的にすべてのコンタクトとは、コンタクトの少なくとも９５パーセント、より好ましくはコンタクトの少なくとも９９パーセントを指す。また例示した実施形態では、コンタクト（たとえばコンタクト３０５〜３２５）を四角形として例示しているが、代替的な実施形態では、それらを任意の形状とすることができる。
【００４４】
本発明を実施する装置は、大部分について、当業者に知られている電子部品および回路からなるため、回路の詳細は、前述したように必要であると考えられる程度以上には説明しない。これは、本発明の基礎をなす考え方を理解および認識させるためであり、また本発明の教示を混乱させることもなく、教示からそれることもないようにするためである。
【００４５】
前記の明細書において、本発明を特定の実施形態を参照して説明した。しかし当業者であれば理解するように、添付の請求項において述べるような本発明の範囲から逸脱することなく、種々の変更および変形を行なうことができる。したがって明細書および図は、限定的な意味ではなく例示的な意味で考えるべきであり、このような変更はすべて本発明の範囲に含まれることが意図される。
【００４６】
また説明および請求項における「正面」、「背面」、「最上部」、「底部」、「の上」、「の下」、「右側」、「左側」などの用語は、もしあれば、説明を目的として用いられており、必ずしも永続的な相対位置を記載するためではない。次のことが理解される。以上のように用いられる用語は適切な状況の下で交換可能であり、すなわち、たとえば本明細書に記載した本発明の実施形態が、例示されているかそうでなければ本明細書に記載されている方位以外の方位でも動作できるようにすることができる。
【００４７】
以上、特定の実施形態について、利益、他の優位性、および問題の解決方法について説明してきた。しかし利益、優位性、または問題の解決方法、および何らかの利益、優位性、解決方法を生じさせるかまたはより明白にし得るどんな要素も、何れかのまたは全ての請求項の重要であるか、必要であるか、または不可欠である特徴または要素として解釈してはならない。本明細書で用いる場合、用語「含む」、「含んでいる」またはこれらのどんな他の活用形も、包括的に含めることに及ぶことが意図されている。すなわち、要素のリストを含むプロセス、方法、物品、または装置には、これらの要素が含まれているだけでなく、明白にはリストにされていない他の要素、またはこのようなプロセス、方法、物品、もしくは装置に固有の他の要素が、含まれていても良い。
【００４８】
用語「複数」は、本明細書で用いる場合、２つまたは２つを超えると規定される。用語「他の」は、本明細書で用いる場合、少なくとも２番目またはそれを超えると規定される。
【００４９】
用語「結合される」は、本明細書で用いる場合、「接続される」であるが、必ずしも直接的には行なわれておらず、また必ずしも機械的には行なわれていないと規定される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】集積回路の一部を上から見た図である。
【図２】図１の集積回路を第１の方向に沿って見た断面図である。
【図３】図１の集積回路を第２の方向に沿って見た断面図およびその後の処理を示す図である。
【図４】図１の集積回路を第２の方向に沿って見た断面図およびその後の処理を示す図である。
【図５】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図６】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図７】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図８】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図９】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図１０】図４の集積回路においてコンタクト開口部を形成する間に生じ得る種々の異なる状況および問題の拡大図である。
【図１１】本発明の一実施形態による集積回路の一部を上から見た図である
【図１２】処理の種々の段階の間における図１１の集積回路を示す断面図である。
【図１３】処理の種々の段階の間における図１１の集積回路を示す断面図である。
【図１４】処理の種々の段階の間における図１１の集積回路を示す断面図である。
【図１５】処理の種々の段階の間における図１１の集積回路を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図１７】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図１８】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図１９】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図２０】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図２１】本発明の実施形態による集積回路に対するレイアウトを形成する種々の段階における集積回路のレイアウトを例示する図である。
【図２２】本発明の一実施形態による集積回路を上から見た図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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