(57)【要約】  本発明は、ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおいて第１と第２の基板をパターニングする方法に向けられ、方法は、なかでも第１の基板チャック上に第１の基板を配置するステップと、第１の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、第１の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、第２の基板チャック上に第２の基板を同時に配置する間に、ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、第１の基板上のナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、ナノインプリント・モールド・アセンブリを第１の基板上のナノインプリント材料から分離するステップと、第２の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、第２の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を同時に得る間に、第１の基板を第１の基板チャックから取り外し、かつナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、第２の基板上のナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、ナノインプリント・モールド・アセンブリを、第２の基板上のナノインプリント材料から分離するステップとを含み、第１と第２の基板が、実質的に同じ処理条件を受ける。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおいて第１と第２の基板をパターニングする方法であって、
第１の基板チャック上に前記第１の基板を配置するステップと、
前記第１の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、
前記第１の基板とナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、第２の基板チャック上に前記第２の基板を同時に配置する間に、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、前記第１の基板上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを前記第１の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップと、
前記第２の基板上にナノインプリント材料を配置するステップと、
前記第２の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を同時に得る間に、前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外し、かつ前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、前記第２の基板上の前記ナノインプリント材料内にパターンをインプリントするステップと、
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを、前記第２の基板上の前記ナノインプリント材料から分離するステップと
を含み、前記第１と第２の基板が、実質的に同じ処理条件を受ける方法。
【請求項２】
前記第２の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第１の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の基板を配置する前記ステップは、第３の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、かつ前記第２の基板チャック上に配置された前記第３の基板上のナノインプリント材料にパターンを形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の基板と前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の空間関係を得る前記ステップは、同時に第３の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第３の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１と第２の基板に平行な軸の周りで前記第１と第２の基板チャックを並進させるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１と第２の基板に垂直な軸の周りで前記第１と第２の基板チャックを回転させるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ナノインプリント・リソグラフィ・システムにおける第１と第２の基板を処理する方法であって、
第１の基板チャックとナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の第１の空間関係、及び前記第１の空間関係とは異なる、第２の基板チャックと前記ナノインプリント・モールド・アセンブリとの間の第２の空間関係を得るステップを含み、パターンは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを用いて、前記第１の基板チャック上に配置された前記第１の基板上のナノインプリント材料にインプリントされ、同時に前記第２の基板と前記第２の基板チャックと間に所望の空間関係を得るステップを含む方法。
【請求項１１】
前記第１と第２の基板は、実質的に同じ処理条件を受ける請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の基板と前記第２の基板チャックと間に所望の空間関係を得る前記ステップは、前記第２の基板を前記第２の基板チャック上に配置するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の基板と前記第２の基板チャックと間に所望の空間関係を得る前記ステップは、前記第２の基板を前記第２の基板チャック上に配置されることから取り外すステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の基板上に前記ナノインプリント材料を配置するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の基板上の前記ナノインプリント材料から前記ナノインプリント・モールド・アセンブリを分離するステップをさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
第１と第２の基板をパターニングするナノインプリント・リソグラフィ・システムであって、
ナノインプリント・モールド・アセンブリと
前記ナノインプリント・モールド・アセンブリから離間された並進ステージと、
それぞれ前記第１と第２の基板上にナノインプリント流体を配置するための第１と第２の流体ディスペンサと、
前記並進ステージに結合される第１の基板チャックであって、その上に前記第１の基板が配置される、前記基板チャックと、
前記並進ステージに結合される第２の基板チャックであって、その上に前記第２の基板が配置された、前記基板チャックとを備え、
前記並進ステージは、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリに対する第１と第２の位置に前記第１と第２の基板チャックを交互に配置し、前記ナノインプリント・モールド・アセンブリは、前記第１と第２の基板の一方上にパターンをインプリントすることができ、同時に、前記第１と第２の基板の残る基板と前記第１又は第２の基板チャックのいずれかとの間に所望の空間関係を得て、
前記システムが、前記第１と第２の基板が実質的に同じ処理条件を受けるように較正されるナノインプリント・リソグラフィ・システム。
【請求項１９】
前記並進ステージは、テータ・ステージをさらに備え、前記テータ・ステージは、前記テータ・ステージに垂直な軸の周りを回転できる請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
それぞれ前記第１又は第２の基板チャック上に前記第１と第２の基板を配置し、かつさらにそれぞれ前記第１又は第２の基板チャックから前記第１と第２の基板を取り外すロボットをさらに含む請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記システムは、複数の基板チャックをさらに備える請求項１８に記載のシステム。
【請求項２２】
前記システムは、複数の流体ディスペンサをさらに備える請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
第１、第２、第３、第４の基板をパターニングするナノインプリント・リソグラフィ・システムであって、
第１のナノインプリント・モールド・アセンブリと、それぞれその上に配置された前記第１と第２の基板を有する第１と第２の基板チャックとを備える第１のモジュールと、
第２のナノインプリント・モールド・アセンブリと、それぞれその上に配置された前記第１と第２の基板を有する第３と第４の基板チャックとを備える第２のモジュールと、
それに結合された前記第１、第２、第３、第４の基板チャックを有する前記第１と第２のナノインプリント・モールド・アセンブリから離間する並進ステージとを備え、前記並進ステージは、それぞれ前記第１と第２のナノインプリント・モールド・アセンブリに対する第１と第２の位置に前記第１と第２のモジュールを交互に配置し、前記第１の位置において、前記第１のナノインプリント・モールド・アセンブリは、前記第１と第２の基板の一方上にパターンをインプリントすることができ、かつ前記第２のナノインプリント・モールド・アセンブリは、前記第３と第４の基板の一方上にパターンをインプリントすることができ、同時に、前記第１と第２の基板の残る基板と前記第１又は第２の基板チャックのいずれかとの間に所望の空間関係を得て、かつ前記第３と第４の基板の残る基板と前記第３又は第４の基板チャックのいずれかとの間に所望の空間関係を得て、
前記システムは、前記第１、第２、第３、第４の基板が実質的に同じ処理条件を受けるように較正されるナノインプリント・リソグラフィ・システム。
【請求項２４】
前記第１、第２、第３、第４の基板上に流体を配置するための第１と第２の流体ディスペンサをさらに含む請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記並進ステージは、テータ・ステージをさらに備え、前記テータ・ステージは、前記テータ・ステージに垂直な軸の周りを回転できる請求項２３に記載のシステム。
【請求項２６】
それぞれ前記第１、第２、第３、第４の基板チャック上に前記第１、第２、第３、第４の基板を配置し、かつさらにそれぞれ前記第１、第２、第３、第４の基板チャックから前記第１、第２、第３、第４の基板を取り外すロボットをさらに含む請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
第１と第２の基板をパターニングする方法であって、
第１の基板チャック上に前記第１の基板を配置するステップと、
前記第１の基板上に材料を配置するステップと、
前記第１の基板とモールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、かつ第２の基板チャック上に前記第２の基板を同時に配置する間に、前記モールド・アセンブリを用いて、前記第１の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップと、
前記モールド・アセンブリを前記第１の基板上の前記材料から分離するステップと、
前記第２の基板上に材料を配置するステップと、
前記第２の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を同時に得る間に、前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外し、かつ前記モールド・アセンブリを用いて、前記第２の基板上の前記材料内にパターンを形成するステップと、
前記モールド・アセンブリを、前記第２の基板上の前記材料から分離するステップとを含み、
前記第１と第２の基板が、実質的に同じ処理条件を受ける方法。
【請求項２８】
前記第２の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含む請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の基板を取り外す前記ステップは、前記モールド・アセンブリに対して前記第１の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記第２の基板を取り外す前記ステップは、前記モールド・アセンブリに対して前記第２の基板を１８０度フリッピングするステップをさらに含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の基板を配置する前記ステップは、第３の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を得て、かつ前記第２の基板チャック上に配置された前記第３の基板上の材料内にパターンを形成するステップをさらに含む請求項２７に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の基板と前記モールド・アセンブリとの間の空間関係を得る前記ステップは、同時に第３の基板を前記第２の基板チャックから取り外すステップをさらに含む請求項２７に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の基板を前記第１の基板チャックから取り外す前記ステップは、同時に第３の基板を前記第１の基板チャック上に配置するステップをさらに含む請求項２７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
（関連出願の相互引用）
本出願は、すべて参照によって本明細書に組み込まれる、名称「Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｆｏｒ  Ｎａｎｏ−Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｗｉｔｈ  Ｍｕｌｔｉ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｃｈｕｃｋｓ」の２００６年１月２０日に出願された米国特許仮出願第６０／７６０７３８号、名称「Ａｐｐａｒａｔｕｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｎａｎｏ−Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｗｉｔｈ  Ｍｕｌｔｉ−Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｃｈｕｃｋｓ」の２００６年９月２７日に出願された米国特許仮出願第６０／８２７１２５号、及び名称「Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ｆｏｒ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  Ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ，Ａｌｉｇｎｉｎｇ  ａｎｄ  Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｓｉｄｅ  Ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ」の２００５年１２月８日に出願された米国特許仮出願第６０／７４８４３０号の優先権を主張する、名称「Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｄｏｕｂｌｅ−Ｓｉｄｅｄ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  ｏｆ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ」の２００６年１１月３０日に出願された米国特許出願第１１／５６５３５０号の一部継続出願である、名称「Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ  ａｎｄ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ」の２００６年４月３日に出願された米国特許仮出願第６０／７８８８０８号の優先権を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本発明の分野は、一般に構造のナノ製造に関する。より詳細には、本発明は、基板の両面パターニングの方法及びシステムを対象とする。
【背景技術】
【０００３】
ナノ製造は、例えば数ナノメートル以下の程度のフューチャを有する、非常に小さい構造の製造を含む。ナノ製造が相当な影響を有する１つの領域は集積回路の処理である。半導体処理工業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増大しながら、より大きな製造歩留まりに関する努力を続けているので、ナノ製造はますます重要になっている。ナノ製造は、形成された構造の最小フューチャ寸法のさらなる低減を可能にしながら、より大きなプロセス制御を与える。ナノ製造が用いられる開発の他の領域は、生物工学、光学技術、機械システムなどを含む。
【０００４】
ナノ製造技術の一例は、一般にインプリント・リソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリント・リソグラフィ・プロセスは、すべて本発明の譲渡者に譲渡された、名称「Ｍｅｔｈｏｄ  ａｎｄ  ａ  Ｍｏｌｄ  ｔｏ  Ａｒｒａｎｇｅ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ  ｏｎ  ａ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｏ  Ｒｅｐｌｉｃａｔｅ  Ｆｅａｔｕｒｅｓ  ｈａｖｉｎｇ  Ｍｉｎｉｍａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ  Ｖａｒｉａｂｉｌｉｔｙ」の米国特許出願第１０／２６４９６０号として出願された、米国特許出願公開第２００４／００６５９７６号、名称「Ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  Ｆｏｒｍｉｎｇ  ａ  Ｌａｙｅｒ  ｏｎ  ａ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｔｏ  Ｆａｃｉｌｉｔａｔｅ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ」の米国特許出願第１０／２６４９２６号として出願された、米国特許出願公開第２００４／００６５２５２号、名称「Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ  Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」の米国特許第６９３６１９４号などの多くの刊行物に詳細に記載されている。
【０００５】
前述の各米国特許出願公開や米国特許に開示されるインプリント・リソグラフィ技術は、ポリマー化可能な層内のレリーフ・パターンの形成、及び下にある基板へのレリーフ・パターンに対応するパターンの転写を含む。基板は、そのパターニングを容易にするように所望の位置を得るために、移動ステージ上に配置される。このために、テンプレートが、テンプレートと基板との間に存在する成形可能液体を有する基板から離して用いられる。液体は、固化された層を形成するように固化され、固化された層は、それに記録されたパターンを有し、記録されたパターンは、液体と接触するテンプレートの表面の形状に一致する。テンプレートは、次に、テンプレートが基板から離れるようにように、固化された層から分離させられる。基板と固化された層は、次に、固化された層内のパターンに対応するレリーフ画像を基板に転写するためのプロセスを受ける。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１を参照すると、第１の基板１２ａ上にレリーフ・パターンを形成するシステム１０が示される。第１の基板１２ａは、第１の基板チャック１４ａに結合される。第１の基板チャック１２ａは、参照によって本明細書に組み込まれる、名称「Ｈｉｇｈ−Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ａｎｄ  Ｇａｐ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｓｔａｇｅｓ  ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」の米国特許第６８７３０８７号に記載されるような、真空、ピン・タイプ、溝タイプ、又は電磁的なものを含むがこれらに制限されない任意のチャックでよい。第１の基板チャック１４ａは、第１の基板１２ａに面する空洞１６ａを備えている。第１の基板１２ａと第１の基板チャック１４ａは、第１と第２のステージ１８、２０上に支持され、第１のステージ１８は、第１の基板チャック１４ａと第２のステージ２０との間に配置される。さらに第１と第２のステージ１８、２０は、ベース２２上に配置される。第１のステージ１８は、第１の軸の周りの動きを与えることができ、一方、第２のステージ２０は、第２の軸の周りの動きを与えることができ、第２の軸は、第１の軸に垂直であり、すなわち、第１と第２の軸はｘとｙ軸である。本発明における例示的なステージは、両方ともＣａｌｉｆｏｒｎｉａ州ＩｒｖｉｎｅのＮｅｗｐｏｒｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから、部品番号ＸＭ２００Ｌ３５０及びＸＭ２００Ｓ５０で入手できる。第１の基板１２ａは、さらにスルーウェイ２４ａを備えている。しかしながら、さらなる実施形態において、第１の基板１２ａは、実質的にスルーウェイ２４ａがなくてもよい。
【０００７】
パターニング表面３０を有し、そこから第１の基板１２ａに向いて広がっているメサ２８を有するテンプレート２６が、第１の基板１２ａから離されている。メサ２８は、モールド２８と呼ばれることもある。メサ２８は、ナノインプリント・モールド２８と呼ばれることもある。さらなる実施形態において、テンプレート２６は、実質的にモールド２８がなくてもよい。テンプレート２６及び／又はモールド２８は、溶融シリカ、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサン・ポリマー、ホイケイ酸ガラス、フルオロカーボン・ポリマー、金属、硬化サファイヤを含むがそれらに限定されないそのような材料から形成される。示されるようにパターニング表面３０は、複数の離間された凹部３２と突出部３４によって形成されるフューチャを備えている。しかしながら、さらなる実施形態において、パターニング表面３０は、実質的に平滑及び／又は平坦でよい。パターニング表面３０は、独創的なパターンを形成することができ、独創的なパターンは、以下でさらに議論される第１の基板１２ａ上に形成されるパターンの基礎を形成する。テンプレート２６は、テンプレート・チャック３６に結合され、テンプレート・チャック３６は、名称「Ｈｉｇｈ−Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ａｎｄ  Ｇａｐ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｓｔａｇｅｓ  ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」の米国特許第６８７３０８７号に記載されるような、真空、ピン・タイプ、溝タイプ、又は電磁的なものを含むがこれらに制限されない任意のチャックでよい。さらにテンプレート・チャック３６は、テンプレート２６とモールド２８の移動を容易にするためにインプリント・ヘッド３８に結合される。一例において、インプリント・ヘッド３８は、３ボイス・コイル・アクチュエータ（図示されず）又は他のリニア・アクチュエータ（図示されず）によって制御される３自由度（２つの傾斜動き及び１つの並進動き）ステージでよい。
【０００８】
システム１０は、さらに第１の流体ディスペンサ４０ａを備える。第１の流体ディスペンサ４０ａは、以下にさらに記載される、基板の上にポリマー材料４２ａを配置するように第１の基板１２ａと流体連通される。示されるように第１の流体ディスペンサ４０ａは、テンプレート・チャック３６に結合されるが、さらなる実施形態において、第１の流体ディスペンサ４０ａは、システム１０の任意の部品、すなわちテンプレート２６又はインプリント・ヘッド３８に結合される。さらにシステム１０は、任意の数の流体ディスペンサを備えることができ、第１の流体ディスペンサ４０ａは、その内に複数のディスペンス・ユニットを備えている。本発明における例示的な流体ディスペンサは、英国Ｃａｍｂｒｉｇｅに所在するＸａａｒ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから部品名称Ｌｅｏｐａｒｄで入手できる。
【０００９】
ポリマー材料４２ａは、例えば、ドロップ・ディスペンス、スピン・コーティング、浸漬コーティング、薄膜堆積、厚膜堆積、などの任意に知られている技術を使用して第１の基板１２ａ上に配置される。示されるようにポリマー材料４２ａは、複数の離間された液滴４４ａとして第１の基板１２ａ上に配置される。一例において、複数の液滴４４ａの各液滴は、ほぼ６ピコリットルの単位体積を有する。典型的にポリマー材料４２ａは、所望の容積が、以下にさらに記載される、モールド２８と第１の基板１２ａとの間に定められる前に、第１の基板１２ａ上に配置される。しかしながらポリマー材料４２ａは、所望の容積が得られた後で容積を満たすこともできる。
【００１０】
システム１０は、経路５０に沿ってエネルギー４８を向けるためのエネルギー４８のソース４６をさらに備える。インプリント・ヘッド３８及び第１と第２のステージ１８、２０は、以下にさらに記載される、経路５０に重ね合わされかつ経路５０内に配置されるように、それぞれモールド２８と第１の基板１２ａを配置するように構成される。インプリント・ヘッド３８、第１と第２のステージ１８、２０、又はそれらの組合せのいずれかは、ポリマー材料４２ａによって満たされる、それらの間に所望の容積を形成するために、モールド２８と第１の基板１２ａとの間との距離を変えることができる。一例においてソース４６は、Ｈｅランプ又はＨｅ／Ｘｅランプ、あるいは３００ｎｍから３８０ｎｍの範囲でＵＶを放出するＬＥＤベースのソースでよい。
【００１１】
図１及び図２を参照して、システム１０は、第１の基板チャック１４ａ上に第１の基板１２ａを配置し、かつ第１の基板チャック１４ａから第１の基板１２ａを取り外すためのロボット５２をさらに備える。ロボット５２は、当技術で知られている任意のハンドリング・ロボットでよい。一例においてロボット５２は、駆動手段５６に結合されたアーム５４を備える。アーム５４は、第１の基板１２ａを扱うためにそれに結合されたエンド・エフェクタ５８をさらに有する。一例においてエンド・エフェクタ５８は、それぞれ上に配置されたポリマー材料４２ａを有する第１の基板１２ａの領域、すなわち基板１２ａの能動領域と接触することなく、基板１２ａを保持するためのエッジ・グリッピング又は薄い空気空洞チャックでよい。駆動手段５６は、アーム５４を拡張又は収縮し、アーム５４を水平方向に円形に移動し、又はアーム５４に任意の所望の動き与えることができる。駆動手段５６は、上述の第１と第２の軸の周りに動きを与えることもできる。駆動手段５６は、その軸の周り、すなわち継ぎ手５９の周りで回転することもできる。アーム５４は、以下にさらに記載される、モールド２８に対して第１の基板１２ａを１８０°フリップするために軸５５の周りで回転することもできる。さらにアーム５４は、継ぎ手５７の周りで回転することもできる。さらにロボット５２は、第１の基板チャック１４ａと基板カセット（図示されず）との間に第１の基板１２ａを輸送する。基板カセット（図示されず）は、その中に複数の基板を備えている。
【００１２】
図１を参照すると、システム１０は、プロセッサ５８によって調整され、プロセッサ５８は、第１と第２のステージ１８、２０と、インプリント・ヘッド３８と、第１の流体ディスペンサ４０ａと、ソース４６と、ロボット５２とデータ通信し、メモリ６０内に格納されたコンピュータ可読プログラムで動作する。
【００１３】
図１及び図３を参照すると、従来技術によれば、第１の基板１２ａを処理するための処理流れが示される。ステップ７０で、第１の基板１２ａは、第１の基板チャック１４ａ上に配置される。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０は、ロボット５２が、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置するように、ロボット５２に対する所望の空間関係で第１の基板チャック１４ａを配置する。ロボット５２は、第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）から移送し、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。ステップ７２で、第１と第２のステージ１８、２０は、所望の位置が、第１の基板１２ａと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第１の基板１２ａを並進させる。結果として第１の流体ディスペンサ４０ａは、上述のように第１の基板１２ａ上にポリマー材料４２ａを配置する。ポリマー材料４２ａは、ナノインプリント材料でよい。
【００１４】
ステップ７４で、所望の空間関係が、第１の基板１２ａとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第１の基板１２ａが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ａが、第１の基板１２ａとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。モールド２８と液滴４４ａとの接触の前に、凹部３２の充填を容易にするために、モールド２８と液滴４４ａとの間の雰囲気は、ヘリウムで飽和され、あるいは完全に排気され、又はヘリウムの部分的に排気された雰囲気である。さらにステップ７４で、所望の容積がポリマー材料４２ａで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生じさせることができ、エネルギー４８は、第１のポリマー材料４２ａを、第１の基板１２ａとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。
【００１５】
ステップ７６で、モールド２８は、第１の基板１２ａ上に配置されたポリマー材料４２ａから分離される。ステップ７８で、第１の基板１２ａが第１の基板チャック１４ａから外される。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０は、ロボット５２が、第１の基板チャック１４ａから第１の基板１２ａを取り外し、かつ第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）内に配置するように、ロボット５２に対する所望の空間関係に第１の基板１２ａを配置する。
【００１６】
このために、一例において、第１の基板１２ａをパターニングする前述のプロセスは、３４秒の基板毎の全プロセス時間を有する。より詳細には、前述のパターニング・プロセスの各ステップに対する時間は、表１により明瞭に示される。
【００１７】
【表１】
2009524249.tif 000003
【００１８】
このために、第１の基板１２ａを処理する前述の方法のステップが順次実行される。結果として、システム１０の一部は、全能力で動作しなくてもよく、すなわち、システム１０の一部は、システム１０の残る部分に対してアイドル状態のままでよい。より詳細には、１）第１の基板チャック１４ａ上に第１の基板１２ａを配置する（ステップ１）、２）第１の基板１２ａとモールド２８との間に所望の空間関係を得て、ポリマー材料４２ａが、第１の基板１２ａとモールド２８との間の所望の容積を満たし、かつポリマー材料４２ａを固化し及び／又は架橋する（ステップ３）、３）第１の基板チャック１４ａから第１の基板１２ａを取り外す（ステップ５）のステップは、第１の基板１２ａを処理するプロセス時間の大部分を含む。結果として、なかでも、インプリント・ヘッド３８及び／又はテンプレート２６及び／又はモールド２８及び／又はロボット５２は、全能力で動作しなくてもよく、すなわち、望ましくない時間に対してアイドル状態のままである。このために、システム１０の効率を最大化するために、基板をパターニングする前述の方法の最適化は、望ましく、より詳細には、ステップ１、３、５の最適化が望ましい。結果として、望ましいことがある、複数の基板を処理するスループットにおける全体の増大（及び同様に、基板毎の全プロセス時間の低減）が得られる。このために、複数の基板を同時に処理するシステム及び方法が、以下に記載される。
【００１９】
図４を参照すると、第１の実施形態のシステム１０’が示されている。システム１０’は、図１に関して上述されたシステム１０と類似するが、システム１０’は、第２の基板チャック１４ｂに結合された第２の基板１２ｂを備えている。第２の基板１２ｂと第２の基板チャック１４ｂは、図１に関して上述されたように、それぞれ第１の基板１２ａと第１の基板チャック１４ａに類似する。第２の基板チャック１４ｂは、第２の基板１２ｂに面する空洞１６ｂを備えている。第２の基板１２ｂと第２の基板チャック１４ｂは、第１と第２のステージ１８、２０上で支持される。第２の基板１２ｂは、さらにスルーウェイ２４ｂを備えている。しかしながら、さらなる実施形態において、第２の基板１２ｂは、実質的にスルーウェイ２４ｂがなくてもよい。
【００２０】
システム１０’は、さらに第１の流体ディスペンサ４０ａに類似する第２の流体ディスペンサ４０ｂを備える。示されるように第２の流体ディスペンサ４０ｂは、テンプレート・チャック３６に結合されるが、さらなる実施形態において、第２の流体ディスペンサ４０ｂは、システム１０の任意の部品、すなわちテンプレート２４又はインプリント・ヘッド３８に結合される。第２の流体ディスペンサ４０ｂの制御は、第２の流体ディスペンサ４０ｂと通信するプロセッサ５８によって調整される。図示の簡略性のために、ロボット５２は、２つの別個の本体として示され、プロセッサ５８と第１と第２のステージ１８、２０との間の結合が示されていないことに留意されたい。
【００２１】
図５と図６を参照すると、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂを処理するための処理流れが示される。ステップ１００で、第１の基板１２ａは、第１の基板チャック１４ａ上に配置される。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０は、ロボット５２が、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置するように、ロボット５２に対する所望の空間関係で第１の基板チャック１４ａを配置する。ロボット５２は、第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）から移送し、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。
【００２２】
図５と図７を参照すると、ステップ１０２で、第１と第２のステージ１８、２０は、第１の基板１２ａ上にポリマー材料４２ａを配置するために、所望の位置が、第１の基板１２ａと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第１の基板チャック１４ａを並進させる。
【００２３】
図５と図８を参照すると、ステップ１０４で、所望の空間関係が、第１の基板１２ａとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第１の基板１２ａが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ａが、第１の基板１２ａとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。さらにステップ１０４で、所望の容積がポリマー材料４２ａで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ａを、第１の基板１２ａとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。このために、第２の基板１２ｂの処理は、第１の基板１２ａの処理と同時に行うことができる。より詳細には、ステップ１０６で、ステップ１０４と同時に、ロボット５２は、第２の基板１２ｂを基板カセット（図示されず）から移送し、第２の基板１２ｂを第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。
【００２４】
図５と図９を参照すると、ステップ１０８で、モールド２８は、第１の基板１２ａ上に配置されたポリマー材料４２ａから分離される。さらなる実施形態において、ステップ１０８は、ステップ１０４とステップ１０６と同時に行うことができる。
【００２５】
図５と図１０を参照すると、ステップ１１０で、第１と第２のステージ１８、２０は、第２の基板１２ｂ上にポリマー材料４２ｂを配置するために、所望の位置が、第２の基板１２ｂと第２の流体ディスペンサ４０ｂとの間で得られるように、第２の基板チャック１４ｂを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ｂは、複数の離間した液滴４４ｂとして第２の基板１２ｂ上に配置される。
【００２６】
図５と図１１を参照すると、ステップ１１２で、所望の空間関係が、第２の基板１２ｂとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第２の基板１２ｂが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ｂが、第２の基板１２ｂとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第２の基板チャック１４ｂを配置する。さらにステップ１１２で、所望の容積がポリマー材料４２ｂで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ｂを、第２の基板１２ｂとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ１１４で、ステップ１１２と同時に、ロボット５２は、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａから取り外し、かつ第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）内へ配置することができ、さらにロボット５２は、図１２に示されるように、第３の基板１２ｃを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。ロボット５２は、図１２に示されるように、第３の基板１２ｃを基板カセット（図示されず）から移送し、第３の基板１２ｃを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。
【００２７】
図５と図１２を参照すると、ステップ１１６で、モールド２８は、第２の基板１２ｂ上に配置されたポリマー材料４２ｂから分離される。さらなる実施形態において、ステップ１１６は、ステップ１１２とステップ１１４と同時に行うことができる。
【００２８】
図５と図１３を参照すると、ステップ１１８で、第１と第２のステージ１８、２０は、第３の基板１２ｃ上にポリマー材料４２ｃを配置するために、所望の位置が、第３の基板１２ｃと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第３の基板１２ｃを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ｃは、複数の離間した液滴４４ｃとして第３の基板１２ｃ上に配置される。
【００２９】
図５と図１４を参照すると、ステップ１２０で、所望の空間関係が、第３の基板１２ｃとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第３の基板１２ｃが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ｃが、第３の基板１２ｃとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。さらにステップ１２０で、所望の容積がポリマー材料４２ｃで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ｃを、第３の基板１２ｃとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ１２２で、ステップ１２０と同時に、ロボット５２は、第２の基板１２ｂを第２の基板チャック１４ｂから取り外し、かつ第２の基板１２ｂを基板カセット（図示されず）内へ配置することができ、さらにロボット５２は、第４の基板（図示されず）を第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。ロボット５２は、第４の基板（図示されず）を基板カセット（図示されず）から移送し、第４の基板を第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。両方とも第１の基板１２ａに類似する第３の基板１２ｃと第４の基板（図示されず）は、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに類似した前述の処理条件を受けることができる。
【００３０】
図４、図５を参照すると、さらに第１の基板１２ａのパターニングと同時に、追加の基板（図示されず）は、第２の基板１２ｂのパターニング前に第２の基板チャック１４ｂ上でパターニングされる。より詳細にはステップ１２６で、ステップ１００と同時に、第２の基板チャック１４ｂ上に前に配置されかつその上に配置されたポリマー材料（図示されず）を有する追加の基板（図示されず）は、図１１に示されるステップ１１２に類似して、その上に形成されたパターンを有する。さらに、ステップ１２８で、モールド２８は、図１２に示されるステップ１１６に類似して、追加の基板（図示されず）上に配置されたポリマー材料（図示されず）から分離される。このために、ステップ１０６は、図１４に示されるステップ１２２に類似して、追加の基板（図示されず）を取り外すことをさらに含む。さらにステップ１００は、図１１に示されるステップ１１４に類似して、前にパターニングされかつ第１の基板１２ａの前に第１の基板チャック１４ａ上に配置された第２の追加の基板（図示されず）を取り外すことをさらに含む。
【００３１】
さらなる実施形態において、第１の流体ディスペンサ４０ａと第２の流体ディスペンサ４０ｂは、システム１１０の外側に配置され、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂは、システム１１０の外側でその上に配置された、それぞれポリマー材料４２ａ、４２ｂを有する。まださらなる実施形態において、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂ上のポリマー材料４２ａ、４２ｂの配置は、任意でよい。
【００３２】
このために、一例において、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに対する前述のパターニング・プロセスは、２０秒の基板毎の全プロセス時間を有する。より詳細に、前述のパターニング・プロセスの各ステップに対する時間が、表２により明瞭に示される。
【００３３】
【表２】
2009524249.tif 000004
【００３４】
このために、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂを処理する前述の方法のステップは、並列に実行される。より詳細には、１）基板チャック上に基板を配置する又は基板チャックから基板を取り外すステップ、２）基板とモールドとの間に所望の空間関係を得て、ポリマー材料が、基板とモールドとの間の所望の容積を満たし、かつポリマー材料を固化し及び／又は架橋する、あるいはモールドをポリマー材料から分離するステップが、並列に行われる。結果として、望ましいことがある、複数の基板を処理するスループットにおける全体の増大（及び同様に、基板毎の全プロセス時間の低減）が、得られる。
【００３５】
図４を参照すると、さらなる実施形態において、第１と第２のステージ１８、２０は、第１と第２のステージ１８に直交して延びる第３の軸、すなわちｚ軸の周りで回転することができ、かつ１８０°より大きく回転する。
【００３６】
図４と図１５を参照すると、前述のように、前述の方法は、それぞれ第１の基板１２ａの第１の面６２ａと第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂにパターンを形成するために用いられる。このために、さらなる実施形態において、それぞれ第１の基板１２ａの第２の面６４ａと第２の基板１２ｂの第２の面６４ｂにパターンを形成することが望ましく、第２の面６４ａ、６４ｂは、それぞれ第１の面６２ａ、６２ｂとは反対側に配置される。
【００３７】
図６と図１５を参照すると、図４に示される、第１の基板１２ａの第１の面６２ａと第２の面６４ａ、及びに第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂと第２の面６４ｂを処理するための処理流れが示される。これは、パターニングされた媒体インプリントの範囲であることが望ましい。ステップ２００で、第１の基板１２は、第１の基板チャック１４ａ上に配置される。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０は、ロボット５２が、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置するように、ロボット５２に対する所望の空間関係で第１の基板チャック１４ａを配置する。ロボット５２は、第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）から移送し、第１の面６２ａが、第１の基板チャック１４ａとは反対側に配置されるように、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。
【００３８】
図７と図１５を参照すると、ステップ２０２で、第１と第２のステージ１８、２０は、所望の位置が、第１の基板１２ａの第１の面６２ａ上にポリマー材料４２ａを配置するために、第１の基板１２ａと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第１の基板１２ａを並進させる。
【００３９】
図８と図１５を参照すると、ステップ２０４で、所望の空間関係が、第１の基板１２ａとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第１の基板１２ａが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ａが、第１の基板１２ａとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。さらにステップ１０４で、所望の容積がポリマー材料４２ａで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ａを、第１の基板１２ａの第１の面６２ａとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。このために、第２の基板１２ｂの処理は、第１の基板１２ａの処理と同時に行うことができる。より詳細には、ステップ２０６で、ステップ２０４と同時に、ロボット５２は、第２の基板１２ｂを基板カセット（図示されず）から移送し、第１の面６２ｂが第２の基板チャック１４の反対側に配置されるように、第２の基板１２ｂを第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。
【００４０】
図９と図１５を参照すると、ステップ２０７で、モールド２８は、第１の基板１２ａの第１の面６２ａ上に配置されたポリマー材料４２ａから分離される。さらなる実施形態では、ステップ２０７は、ステップ２０４、ステップ２０６と同時に行うことができる。
【００４１】
図１０と図１５を参照すると、ステップ２０８で、第１と第２のステージ１８、２０は、所望の位置が、第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂ上にポリマー材料４２ｂを配置するために、第２の基板１２ｂと第２の流体ディスペンサ４０ｂとの間で得られるように、第２の基板１２ｂを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ｂは、複数の離間した液滴４４ｂとして第２の基板１２ｂ上に配置される。
【００４２】
図１５と図１６を参照すると、ステップ２１０で、所望の空間関係が、第２の基板１２ｂとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第２の基板１２ｂが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ｂが、第２の基板１２ｂとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第２の基板チャック１４ｂを配置する。さらにステップ２１０で、所望の容積がポリマー材料４２ｂで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ｂを、第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ２１２で、ステップ２１０と同時に、ロボット５２は、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａから取り外し、かつ第１の基板１２ａをモールド２８に対して１８０°フリップするためにその軸の周りでアーム５４を回転することができ、さらにロボット５２は、図１７に示されるように、第２の面６４ａが第１の基板チャック１４ａの反対側に配置されるように、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。さらにポリマー材料４２ａは、ポリマー材料４２ａに対する損傷を妨げないにしても最小化するために、第１の基板チャック１４ａの空洞１６ａ内に配置される。
【００４３】
図１５と図１７を参照すると、ステップ２１６で、モールド２８は、第２の基板１２ｂ上に配置されたポリマー材料４２ｂから分離される。さらなる実施形態において、ステップ２１６は、ステップ２１０及びステップ２１２と同時に行うことができる。
【００４４】
図１５と図１８を参照すると、ステップ２１８で、第１と第２のステージ１８、２０は、所望の位置が、第１の基板１２ａ上にポリマー材料４２ａ’を配置するために、第１の基板１２ａと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第１の基板１２ａを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ａ’は、複数の離間した液滴４４ａ’として第１の基板１２ａ上に配置される。
【００４５】
図１５と図１９を参照すると、ステップ２２０で、所望の空間関係が、第１の基板１２ａとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第１の基板１２ａが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ａ’が、第１の基板１２ａとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。さらにステップ２２０で、所望の容積がポリマー材料４２ａ’で満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ａ’を、第１の基板１２ａの第２の面６４ａとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ２２２で、ステップ２２０と同時に、ロボット５２は、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａから取り外し、かつ第２の基板１２ｂをモールド２８に対して１８０°フリップするためにその軸の周りでアーム５４を回転することができ、さらにロボット５２は、図２０に示されるように、第２の面６４ｂが第２の基板チャック１４ｂの反対側に配置されるように、第２の基板１２ｂを第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。さらにポリマー材料４２ｂは、ポリマー材料４２ｂに対する損傷を妨げないにしても最小化するために、第２の基板チャック１４ｂの空洞１６ｂ内に配置される。
【００４６】
図１５と図２０を参照すると、ステップ２２４で、モールド２８は、第１の基板１２ａの第２の面６４ａ上に配置されたポリマー材料４２ａ’から分離される。さらなる実施形態において、ステップ２２４は、ステップ２２０、ステップ２２２と同時に行うことができる。
【００４７】
図１５と図２１を参照すると、ステップ２２６で、第１と第２のステージ１８、２０は、所望の位置が、第２の基板１２ｂと第２の流体ディスペンサ４０ｂとの間で得られるように、第２の基板１２ｂの第２の面６４ｂ上にポリマー材料４２ｂ’を配置するために、第２の基板チャック１４ｂを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ｂ’は、複数の離間した液滴４４ｂ’として第２の基板１２ｂ上に配置される。
【００４８】
図１５と図２２を参照すると、ステップ２２８で、所望の空間関係が、第２の基板１２ｂとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第２の基板１２ｂが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ｂ’が、第２の基板１２ｂとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第２の基板チャック１４ｂを配置する。さらにステップ２２８で、所望の容積がポリマー材料４２ｂ’で満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ｂ’を、第２の基板１２ｂの第２の面６４ｂとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ２３０で、ステップ２２８と同時に、ロボット５２は、第１の基板１２ａを第１の基板チャック１４ａから取り外し、かつ第１の基板１２ａを基板カセット（図示されず）内に配置することができ、さらにロボット５２は、第３の基板１２ｃを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。ロボット５２は、第３の基板１２ｃを基板カセット（図示されず）から移送することができ、第１の面６２ｃが、第１の基板チャック１４ａの反対側に配置されるように、第３の基板１２ｃを第１の基板チャック１４ａ上に配置する。
【００４９】
図１５と図２３を参照すると、ステップ２３２で、モールド２８は、第２の基板１２ｂ上に配置されたポリマー材料４２ｂ’から分離される。さらなる実施形態において、ステップ２３２は、ステップ２２８及びステップ２３０と同時に行うことができる。
【００５０】
図１５と図２４を参照すると、ステップ２３４で、第１と第２のステージ１８、２０は、第３の基板１２ｃ上にポリマー材料４２ｃを配置するために、所望の位置が、第３の基板１２ｃと第１の流体ディスペンサ４０ａとの間で得られるように、第３の基板１２ｃを並進させる。示されるように、ポリマー材料４２ｃは、複数の離間した液滴４４ｃとして第３の基板１２ｃ上に配置される。
【００５１】
図１５と図２５を参照すると、ステップ２３６で、所望の空間関係が、第３の基板１２ｃとモールド２８との間で得られる。より詳細には、第１と第２のステージ１８、２０とインプリント・ヘッド３８は、第３の基板１２ｃが、モールド２８と重ね合わされ、かつさらなるポリマー材料４２ｃが、第３の基板１２ｃとモールド２８との間の所望の容積を満たすように、第１の基板チャック１４ａを配置する。さらにステップ２３６で、所望の容積がポリマー材料４２ｃで満たされた後、ソース４６は、エネルギー４８、例えば広帯域紫外放射線を生成することができ、エネルギー４８は、ポリマー材料４２ｃを、第３の基板１２ｃの第１の面６２ｃとモールド２８のパターニング表面３０の形状に一致させて固化させ及び／又は架橋させる。ステップ２３８で、ステップ２３６と同時に、ロボット５２は、第２の基板１２ｂを第２の基板チャック１４ｂから取り外し、かつ第２の基板１２ｂを基板カセット（図示されず）内に配置することができ、さらにロボット５２は、追加の基板（図示されず）を第２の基板チャック１４ｂに配置する。ロボット５２は、追加の基板（図示されず）を基板カセット（図示されず）から移送し、追加の基板（図示されず）を第２の基板チャック１４ｂ上に配置する。第３の基板１２ｃ及び追加の基板は、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂと類似して、前述の処理条件を受けることができる。
【００５２】
図４と図１５を参照すると、さらに第１の基板１２ａのパターニングと同時に、追加の基板（図示されず）は、第２の基板１２ｂのパターニング前に第２の基板チャック１４ｂ上でパターニングされる。より詳細にはステップ２４０で、ステップ２００と同時に、第２の基板チャック１４ｂに前に配置されかつその上に配置されたポリマー材料（図示されず）を有する追加の基板（図示されず）は、図２２に示されるステップ２２８に類似して、その第２の面上に形成されたパターンを有する。さらに、ステップ２４２で、モールド２８は、図２３に示されるステップ２３２に類似して、追加の基板（図示されず）上に配置されたポリマー材料（図示されず）から分離される。このために、ステップ２０６は、図２５に示されるステップ２３８に類似して、追加の基板（図示されず）を取り外すことをさらに含む。さらにステップ２００は、図２２に示されるステップ２３０に類似して、前にパターニングされかつ第１の基板１２ａの前に第１の基板チャック１３ａ上に配置された第２の追加の基板（図示されず）を取り外すことをさらに含む。
【００５３】
このために、一例において、第１の基板１２ａの第１の面６２ａと第２の面６４ａ、及び第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂと第２の面６４ｂをパターニングする前述のプロセスは、４０秒の基板毎の全プロセス時間を有する。より詳細に、前述のパターニング・プロセスの各ステップに対する時間が、表３により明瞭に示される。
【００５４】
【表３】
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2009524249.tif 000006
【００５５】
このために、第１の基板１２ａの第１の面６２ａと第２の面６４ａ、及び第２の基板１２ｂの第１の面６２ｂと第２の面６４ｂを処理する前述の方法のステップは、並列に実行される。より詳細には、表２に関して上述されたステップに類似して、１）基板チャック上に基板を配置する又は基板チャックから基板を取り外すステップ、２）基板とモールドとの間に所望の空間関係を得て、ポリマー材料が、基板とモールドとの間の所望の容積を満たし、かつポリマー材料を固化され及び／又は架橋される、又はモールドをポリマー材料から分離するステップが、並列に行われる。結果として、望ましいことがある、複数の基板を処理するスループットにおける全体の増大（及び同様に、基板毎の全プロセス時間の低減）が、得られる。このために、上述のプロセスは、特にステップ・アンド・リピート・システム及び全ウェハ・システムを含む、インプリント・リソグラフィ・システムで用いることができる。システムの選択は、当業者には知られており、典型的に所望される特定の応用に応じる。
【００５６】
図２６を参照すると、さらなる実施形態において、システム１１０は、任意の数の基板チャックを備えている。一例において、システム１１０は、第１のモジュール６６ａと第２のモジュール６６ｂを備えている。第１のモジュール６６ａは、第１の基板チャック１４ａと第２の基板チャック１４ｂを備えることができ、第２のモジュール６６ｂは、第３の基板チャック１４ｃと第４の基板チャック１４ｄを備えている。第３の基板チャック１４ｃと第４の基板チャック１４ｄは、図４に関して上述される、それぞれ第１の基板チャック１４ａと第２の基板チャック１４ｂに類似する。このために、第３の基板チャック１４ｃと第４の基板チャック１４ｄは、図４に関して上述された第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに類似して、その上に配置された第３の基板１２ｃと第４の基板１２ｄを有することができ、図１５に関して上述された実質的に同じ処理条件を受ける。より詳細には、第１のモジュール６６ａと第２のモジュール６６ｂの処理は、並列して行われ、すなわち、第１のモジュール６６ａと第２のモジュール６６ｂの各モジュールは、同時に図１５に関して上述されたプロセスを受ける。
【００５７】
一例において、第１のモジュール６６ａの第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂの一方の基板、及び第２のモジュール６６ｂの第３の基板１２ｃと第４の基板１２ｄの一方の基板が、パターニングされ、一方、同時に第１のモジュール６６ａの第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂの残る基板、及び第２のモジュール６６ｂの第３の基板１２ｃと第４の基板１２ｄの残る基板が、入力／出力プロセスにある。より詳細には、第１の基板１２ａは、図８と図１５に関して上述されたステップ２０４と２０６に類似してパターニングされ、第３の基板１２ｃは、図１５と図２２に関して上述されたステップ２２２と２２６に類似してパターニングされる。同時に、第２の基板１２ｂは、図８と図１５に関して上述されたステップ２０６に類似して第２の基板チャック１４ｂ上に配置され、第４の基板１２ｄは、図１５と図２５に関して上述されたステップ２３０に類似して（又は、図１５と図１９に関して上述されたステップ２２２に類似して）、第４の基板チャック１４ｄから取り外される（又は取り外されかつフリップされる）。図示を簡略化するために、テンプレート２６が破線の矩形として示されることに留意されたい。
【００５８】
図２７を参照すると、さらなる例において、第２の基板１２ｂは、図８と図１５に関して上述されたステップ２０４、２０６に類似してパターニングされ、第４の基板１２ｄは、図１５と図２２に関して上述されたステップ２２６に類似してパターニングされる。同時に、第１の基板１２ａは、図８と図１５に関して上述されたステップ２０６に類似して第１の基板チャック１４ａ上に配置され、第３の基板１２ｃは、図１５と図２５に関して上述されたステップ２３０に類似して（又は、図１５と図１９に関して上述されたステップ２２２に類似して）、第３の基板チャック１４ｃから取り外される（又は取り外されかつフリップされる）。
【００５９】
このために、第１のモジュール６６ａと第２のモジュール６６ｂ、及び図１５に関して上述されたプロセスを用いて、第１と第２の面に形成されたパターンを有する基板は、ｎ秒毎に形成され、ここでｎ秒は、基板の面をパターニングする時間である。
【００６０】
図２８を参照すると、その上に配置された第１の基板１２ａを有する第１の基板チャック１４ａの断面図が示される。第１の基板チャック１４ａは、第１の基板１２ａの能動領域８０の周りに配置された複数のランド６８を備えている。第１の基板チャック１４ａは、空洞１６ａ内に所望の圧力を得ることを容易にするために、ポンプ・システム８４を流体連通するスルーウェイ８２をさらに備えている。ポンプ・システム８４の制御は、プロセッサ５８によって調整される。
【００６１】
さらに、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂが実質的に同一の処理条件を受けることが望ましい。このために、図２９を参照すると、図４に示される第１の基板１２ａの部分８６が示され、部分８６は、第１の基板１２ａの複数の第１の面６２ａの平坦性のレベルを表示する。第１の面６２ａは、複数の丘と谷を備えるが、丘８８と谷９０だけが示されている。第１の面６２ａの複数の丘と谷は、平面「ａ」として示される複数の第１の面６２ａの平均平面を形成する。しかしながら、第１の面６２ａの複数の丘と谷は、異なる大きさだけ平面「ａ」から逸脱することができ、簡略性のために各逸脱は、Δdev1として規定される。より詳細には、丘８８の頂点は、大きさΔ1だけ平面「ａ」から逸脱することができ、谷９０の最下点は、大きさΔ2だけ平面「ａ」から逸脱する。上記は、第１の基板１２ａの第２の面６４ａ、及び第２の基板１２ｂの第１の面６２ａと第２の面６４ｂに等しく適用される。図３０を参照すると、図４に示される第１の基板チャック１４ａの部分９２が示され、部分９２は、第１の基板チャック１４ａの複数の表面９４のレベルを表示する。表面９４は、複数の丘と谷を備えるが、丘９６と谷９８だけが示される。表面９４の複数の丘と谷は、平面「ｂ」として示される複数の表面９４の平均平面を形成する。しかしながら、表面９４の複数の丘と谷は、異なる大きさだけ平面「ｂ」から逸脱することができ、簡略性のために各逸脱は、Δdev2として規定される。より詳細には、丘９６の頂点は、大きさΔ3だけ平面「ｂ」から逸脱することができ、谷９８の最下点は、大きさΔ4だけ平面「ｂ」から逸脱する。上記は、第２の基板チャック１２ｂに等しく適用される。このために、基板チャック１４ｂの表面９４の厚みにおける逸脱Δdev2は、第１の基板１２ａの第１の面６２ａ（又は第２の面６４ａ）の厚みにおける逸脱Δdev1より小さい。結果として、実質的に同じ処理条件に第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂを受けさせることが容易になる。
【００６２】
さらに第１の流体ディスペンサ４０ａと第２の流体ディスペンサ４０ｂは、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂが実質的に同じ処理条件を受けることができるように、互いに対して較正される。より詳細には、第１の流体ディスペンサ４０ａは、第１の基板１２ａ上に容積Ｖ1のポリマー材料４２ａを配置するようにプロセッサ５８によって命令されるが、第１の流体ディスペンサ４０ａは、第１の基板１２ａ上に容積Ｖ2のポリマー材料４２ａを配置することができ、容積Ｖ2は容積Ｖ1とは異なり、容積Ｖ1は所望の容積である。これは、第１の流体ディスペンサ４０ａの誤較正の結果であり、すなわち命令された容積とは異なる流体の容積のディスペンスの結果でよい。このために、容積Ｖ1とＶ2との差異は、計算され、メモリ６０に格納されたコンピュータ可読プログラムで動作するプロセッサ５８は、第１の流体ディスペンサ４０ａが第１の基板１２ａ上に容積Ｖ1を配置するように、誤較正を補償するために第１の基板１２ａ上に容積Ｖ3を配置するように第１の流体ディスペンサ４０ａを命令する。上記は、第２の流体ディスペンサ４０ｂに等しく適用される。このために、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂが実質的に同じ処理条件を受けることは容易にされる。
【００６３】
さらに、それぞれ第１の基板１２ａ上に配置されたポリマー材料４２ａと、第２の基板１２ｂ上に配置されたポリマー材料４２ｂは、異なる基板チャック上に配置される結果としての異なる蒸発条件を受け、したがって、ポリマー材料４２ａと４２ｂの容積は、異なることがあり、望ましくない。より詳細には、ポリマー材料４２ａ、第１の基板１２ａ、第１の基板チャック１４ａに関連する空気流れと環境の温度は、ポリマー材料４２ｂ、第２の基板１２ｂ、第２の基板チャック１４ｂに関連する環境とは異なることがある。結果として、第１の流体ディスペンサ４０ａは、第１の基板１２ａ上に容積Ｖ4のポリマー材料４２ａを配置し、第２の流体ディスペンサ４０ｂは、上述の蒸発条件を補償するために第２の基板１２ｂ上に容積Ｖ4とは異なる容積Ｖ5のポリマー材料４２ｂを配置することができ、ポリマー材料４２ａと４２ｂが蒸発条件に晒された後、ポリマー材料４２ａと４２ｂは、それぞれ容積Ｖ6及びＶ7を含み、容積Ｖ6及びＶ7は、実質的に同一である。
【００６４】
さらに、それぞれ第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂに対する第１の流体ディスペンサ４０ａと第２の流体ディスペンサ４０ｂの幾何位置は、第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂが実質的に同じ処理条件を受けることを容易にするために、実質的に同じでよい。より詳細には、第１の流体ディスペンサ４０ａと第１の基板１２ａとの間の距離は、第２の流体ディスペンサ４０ｂと第２の基板４０ｂとの間の距離と実質的に同じでよい。
【００６５】
第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂが実質的に同じ処理条件を受けることをさらに容易にするために、第１の基板チャック１４ａと第２の基板チャック１４ｂの表面９４の反射率は、第１の材料４２ａと第２の材料４２ｂの固化及び／又は架橋が、実質的に同じでよいように、実質的に同じでよい。
【００６６】
上述された本発明の実施形態は例示である。多くの変化及び修正が、上述された開示に行われることができ、本発明の範囲内に留まる。したがって、本発明の範囲は、上記記載によって制限されるべきではなく、代わりに、それらの完全な等価物の範囲に加えて請求項を参照して決定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】従来技術による基板から離間したモールドを有するリソグラフィ・システムの簡略化された面図である。
【図２】図１に示される基板を扱うロボットの上方から下方への図である。
【図３】図１に示される基板をパターニングする方法を示す流れ図である。
【図４】それぞれ第１と第２の基板チャック上に配置された第１と第２の基板から離間したモールドを有するリソグラフィ・システムの簡略化された面図である。
【図５】図４に示される第１と第２の基板をパターニングする方法を示す流れ図である。
【図６】図４に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、ロボットが第１の基板チャック上に第１の基板を配置する。
【図７】図６に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第１の基板がその上に配置された材料を有する。
【図８】図７に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第１の基板上に配置された材料と接触し、ロボットが第２の基板チャック上に第２の基板を配置する。
【図９】図８に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第１の基板上の材料から分離される。
【図１０】図９に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第２の基板がその上に配置された材料を有する。
【図１１】図１０に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上に配置された材料と接触し、ロボットが第１の基板チャックから第１の基板を取り外す。
【図１２】図１１に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上の材料から分離され、第３の基板が第１の基板チャック上に配置される。
【図１３】図１２に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第３の基板がその上に配置された材料を有する。
【図１４】図１３に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第３の基板上に配置された材料と接触し、ロボットが第２の基板チャックから第２の基板を取り外す。
【図１５】図４に示される第１と第２の基板の第１と第２の面をパターニングする方法を示す流れ図である。
【図１６】図１０に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上に配置された材料と接触し、ロボットがモールドに対して第１の基板をフリッピングする。
【図１７】図１６に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上の材料から分離され、第１の基板が第２の位置で第１の基板チャック上に配置される。
【図１８】図１７に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第１の基板がその上に配置された材料を有する。
【図１９】図１８に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第１の基板上に配置された材料と接触し、ロボットがモールドに対して第２の基板をフリッピングする。
【図２０】図１９に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第１の基板上の材料から分離され、第２の基板が第２の位置で第２の基板チャック上に配置される。
【図２１】図２０に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第２の基板がその上に配置された材料を有する。
【図２２】図２１に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上に配置された材料と接触し、ロボットが第１の基板チャックから第１の基板を取り外す。
【図２３】図２２に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第２の基板上の材料から分離され、第３の基板が第１の基板チャック上に配置される。
【図２４】図２３に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、第３の基板がその上に配置された材料を有する。
【図２５】図２４に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された面図であり、モールドが第３の基板上に配置された材料と接触し、ロボットが第２の基板チャックから第２の基板を取り外す。
【図２６】図４に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された上方から下方への図であり、リソグラフィ・システムがそれぞれ第１と第２の基板チャックを備える第１と第２のモジュールを有し、第１の基板がパターニングされる。
【図２７】図４に示されるリソグラフィ・システムの簡略化された上方から下方への図であり、リソグラフィ・システムがそれぞれ第１と第２の基板チャックを備える第１と第２のモジュールを有し、第２の基板がパターニングされる。
【図２８】その上に配置された基板を有する基板チャックの簡略化された面図である。
【図２９】図４に示される基板の一部の分解図である。
【図３０】図４に示される基板チャックの一部の分解図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【国際調査報告】
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