(57)【要約】酸化インジウムと錫を含有すると共にマグネシウムを含有する酸化物焼結体を具備する酸化インジウム系ターゲットであって、錫及びマグネシウムの含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（−４．１×１０−２Ｌｎ（ｘ）−９．３×１０−２）の値以上であり且つ（−２．５×１０−１Ｌｎ（ｘ）−５．７×１０−１）の値以下の範囲にある。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウムと錫を含有すると共にマグネシウムを含有する酸化物焼結体を具備する酸化インジウム系ターゲットであって、錫及びマグネシウムの含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（−４．１×１０−２Ｌｎ（ｘ）−９．３×１０−２）の値以上であり且つ（−２．５×１０−１Ｌｎ（ｘ）−５．７×１０−１）の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
【請求項２】
請求項１に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（１．３×１０−２Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以上であり且つ（−２．２×１０−３Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘが、０．０１以上であることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容易にアモルファス膜が得られ、そのアモルファス膜は弱酸エッチングにより容易にパターニングでき、さらに容易に結晶化でき、またさらに結晶化した膜は低抵抗で且つ透過率が高い透明導電膜を製造できる酸化インジウム系ターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2の複合酸化物、以下、「ＩＴＯ」という）膜は、可視光透過性が高く、且つ導電性が高いので透明導電膜として液晶表示装置やガラスの結露防止用発熱膜、赤外線反射膜等に幅広く用いられているが、アモルファスな膜とするのが困難であるという問題がある。【０００３】
一方、アモルファスな膜となるものとして、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）透明導電膜が知られているが、かかる膜はＩＴＯ膜より透明性に劣り、黄色みがかるという問題がある。【０００４】
そこで、本出願人は、透明導電膜としてＩＴＯ膜に珪素を添加して所定の条件で成膜したアモルファスな透明導電膜を先に提案した（特許文献１参照）が、珪素を添加すると高抵抗化の傾向があるという問題があった。【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１３５６４９号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑み、容易にアモルファス膜が得られ、そのアモルファス膜は弱酸エッチングにより容易にパターニングでき、さらに容易に結晶化でき、またさらに結晶化した膜は低抵抗で且つ透過率が高い透明導電膜を製造できる酸化インジウム系ターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上述した課題を解決するために種々検討を重ねた結果、バリウムを添加した酸化インジウム系透明導電膜が、低抵抗で透明性に優れたアモルファスな膜で弱酸エッチングにより容易にパターニングでき、またさらに容易に結晶化できることを知見し、先に出願を行った（特願２００７−０９５７８３）。【０００８】
しかしながら、このようなアモルファスな膜が成膜できる添加元素としては、Ｙを添加元素とすると、アモルファスな膜を成膜できる酸化インジウム系ターゲットとなることを知見し、本発明を完成した。【０００９】
かかる本発明の第１の態様は、  酸化インジウムと錫を含有すると共にマグネシウムを含有する酸化物焼結体を具備する酸化インジウム系ターゲットであって、錫及びマグネシウムの含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（−４．１×１０−２Ｌｎ（ｘ）−９．３×１０−２）の値以上であり且つ（−２．５×１０−１Ｌｎ（ｘ）−５．７×１０−１）の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲットにある。【００１０】
かかる第１の態様では、Ｓｎ及びＭｇを所定範囲で含有することにより、１００℃未満の成膜温度でアモルファスな膜が成膜でき、１００〜３００℃でアニールすることにより、結晶化することができる膜が成膜できる。【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（１．３×１０−２Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以上であり且つ（−２．２×１０−３Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲットにある。【００１２】
かかる第２の態様では、Ｓｎ及びＭｇを所定範囲とすることにより、２５０℃でのアニール処理後の比抵抗が３．０×１０−４Ωｃｍ以下の膜を成膜できるものとなる。【００１３】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘが、０．０１以上であることを特徴とする酸化インジウム系ターゲットにある。【００１４】
かかる第３の態様では、Ｓｎ及びＭｇを所定範囲とすることにより、２００℃未満では結晶化しないアモルファスな膜が成膜できるものとなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｓｎ及びＭｇを所定範囲で含有することにより、１００℃未満の成膜温度でアモルファスな膜が成膜でき、１００〜３００℃でアニールすることにより、結晶化することができる。容易にアモルファス膜が得られ、そのアモルファス膜は弱酸エッチングにより容易にパターニングでき、さらに容易に結晶化でき、またさらに結晶化した膜は低抵抗で且つ透過率が高い透明導電性膜を成膜することができる酸化インジウム系ターゲットを提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の成膜例１、２の酸素分圧と抵抗率の関係を示す図である。
【図２】本発明の成膜例３の酸素分圧と抵抗率の関係を示す図である。
【図３】本発明の成膜例１、２のアニール前後の薄膜ＸＲＤパターンを示す図である。
【図４】本発明の成膜例１、２のアニール前後の透過スペクトルを示す図である。
【図５】本発明の成膜例ａ１〜ａ３０の結晶化温度を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の酸化インジウム系スパッタリングターゲットは、酸化インジウムと錫を含有すると共にマグネシウムを含有する酸化物焼結体であり、マグネシウムは、その酸化物のまま、あるいは複合酸化物として、あるいは固溶体として存在していればよく、特に限定されない。【００１８】
ここで、酸化インジウム系ターゲットとは、酸化インジウム系焼結体を具備するターゲットであり、スパッタリングによる透明導電膜の成膜に使用されるスパッタリングターゲットの他、イオンプレーティングによる透明導電膜の成膜に使用されるイオンプレーティング用ターゲット（ペレットともいう）を含むものである。【００１９】
マグネシウム及び錫の含有量は、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（−４．１×１０−２Ｌｎ（ｘ）−９．３×１０−２）の値以上でありかつ（−２．５×１０−１Ｌｎ（ｘ）−５．７×１０−１）の値以下の範囲である。なお、上述した酸化インジウム系ターゲットにより形成された透明導電膜中の添加元素の含有量は、使用した酸化インジウム系ターゲット中の含有量と同一の含有量となる。【００２０】
このような酸化インジウム系ターゲットがスパッタリングターゲットの場合には、ＤＣマグネトロンスパッタリングでスパッタリング可能な程度の抵抗値を有しているので、比較的安価なＤＣマグネトロンスパッタリングでスパッタリング可能であるが、勿論、高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いてもよい。【００２１】
このような酸化インジウム系ターゲットを用いることにより、同一組成の酸化インジウム系透明導電膜が形成できる。このような酸化インジウム系透明導電膜の組成分析は、単膜を全量溶解しＩＣＰで分析してもよい。また、膜自体が素子構成をなしている場合などは、必要に応じてＦＩＢ等により該当する部分の断面を切り出し、ＳＥＭやＴＥＭ等に付属している元素分析装置（ＥＤＳやＷＤＳ、オージェ分析など）を用いても特定することが可能である。【００２２】
このような本発明の酸化インジウム系ターゲットは、Ｓｎ及びＭｇが所定範囲で含有されているので、１００℃より低い温度条件で成膜を行うことにより、アモルファス状の状態の膜が成膜できる。また、このようなアモルファスな膜は、弱酸性のエッチャントでのエッチングを行うことができるという利点がある。ここで、本件明細書では、エッチングは、パターニング工程に含まれるもので、所定のパターンを得るためのものである。【００２３】
また、得られる透明導電膜の抵抗率は添加元素の種類、含有量によっても異なるが、抵抗率が１．０×１０-4〜１．０×１０-3Ω・ｃｍである。【００２４】
さらに、成膜した膜の結晶化温度は含有される添加元素の含有量によって異なり、含有量が上昇するほど上昇するが、１００℃〜３００℃の温度条件でアニールすることにより、結晶化させることができる。このような温度領域は通常の半導体製造プロセスで使用されているので、このようなプロセスの中で結晶化させることもできる。なお、この温度範囲の中で、１００℃〜３００℃で結晶化するものが好ましく、１５０℃〜２５０℃で結晶化するのがさらに好ましく、２００℃〜２５０℃で結晶化するものが最も好ましい。【００２５】
ここで、アニールとは、大気中、雰囲気中、真空中などにおいて、所望の温度にて一定時間加熱することをさす。その一定時間とは、一般に数分から数時間程度であるが、工業的には効果が同じであれば短い時間が好まれる。【００２６】
このようにアニールにより結晶化された後の透明導電膜は、短波長側の透過率が向上し、例えば、波長４００〜５００ｎｍの平均透過率が８５％以上となる。また、これによって、ＩＺＯで問題となっているような膜が黄色みがかるという問題もない。なお、一般に短波長側の透過率は、高ければ高い方が好まれる。【００２７】
一方、結晶化された透明導電膜は、エッチング耐性が向上し、アモルファスな膜ではエッチングが可能な弱酸性のエッチャントではエッチングできなくなる。これによって後工程での耐腐食性や、デバイス自体の耐環境性が向上する。【００２８】
このように本発明では、添加元素の含有量を変化させることにより、成膜される膜の結晶化温度を調整できるので、成膜後、結晶化温度以上の温度の熱処理を受けないようにして、アモルファス状態を維持するようにしてもよいし、成膜後パターニングした後、結晶化する温度以上の温度で熱処理して結晶化し、耐エッチング特性を変化させるようにしてもよい。【００２９】
ここで、マグネシウム及び錫の含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（１．３×１０−２Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以上でありかつ（−２．２×１０−３Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以下の範囲にあると、２５０℃でのアニール処理後の比抵抗が３．０×１０−４Ωｃｍ以下の低抵抗な膜が成膜できるものとなり、好ましい。【００３０】
さらに、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘが、０．０１以上であること、結晶化温度が２００℃以上となり、２００℃未満では結晶化しないアモルファスな膜を成膜できるものとなり、成膜プロセスを考慮するとさらに好ましいものとなる。【００３１】
次に、本発明に係る酸化インジウム系ターゲットの製造方法について説明するが、これは単に例示したものであり、製造方法は特に限定されるものではない。【００３２】
まず、本発明の酸化インジウム系ターゲットを構成する出発原料としては、一般的には構成元素の酸化物を用いるが、これらの単体、化合物、複合酸化物等を原料としてもよい。単体、化合物を使う場合はあらかじめ酸化物にするようなプロセスを通すようにする。【００３３】
これらの原料粉を、所望の配合率で混合し、成形する方法は特に限定されず、従来から公知の各種湿式法又は乾式法を用いることができる。【００３４】
乾式法としては、コールドプレス（Ｃｏｌｄ  Ｐｒｅｓｓ）法やホットプレス（Ｈｏｔ  Ｐｒｅｓｓ）法等を挙げることができる。コールドプレス法では、混合粉を成形型に充填して成形体を作製し、焼成させる。ホットプレス法では、混合粉を成形型内で焼成、焼結させる。【００３５】
湿式法としては、例えば、濾過式成形法（特開平１１−２８６００２号公報参照）を用いるのが好ましい。この濾過式成形法は、セラミックス原料スラリーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型であって、１個以上の水抜き孔を有する成形用下型と、この成形用下型の上に載置した通水性を有するフィルターと、このフィルターをシールするためのシール材を介して上面側から挟持する成形用型枠からなり、前記成形用下型、成形用型枠、シール材、およびフィルターが各々分解できるように組立てられており、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水する濾過式成形型を用い、混合粉、イオン交換水と有機添加剤からなるスラリーを調製し、このスラリーを濾過式成形型に注入し、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂後、焼成する。【００３６】
コールドプレス法や湿式法で成形したものの焼成温度は、１３００〜１６５０℃が好ましく、さらに好ましくは、１５００〜１６５０℃であり、その雰囲気は大気雰囲気、酸素雰囲気、非酸化性雰囲気、または真空雰囲気などである。一方、ホットプレス法の場合は、１２００℃付近で焼結させることが好ましく、その雰囲気は、非酸化性雰囲気や真空雰囲気などである。なお、各方法において焼成した後には、所定寸法に成形・加工のための機械加工を施しターゲットとする。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明をスパッタリングターゲットを例とした実施例に基づいて説明するが、これに限定されるものではない。【００３８】
（スパッタリングターゲット製造例１）（Ｍｇ−ＩＴＯ）
（Ｍｇ添加ＩＴＯ、Ｍｇ＝０．０２−Ｓｎ＝０．１）
純度＞９９．９９％のＩｎ２Ｏ３粉、ＳｎＯ２粉、および炭酸水酸化マグネシウム粉（ＭｇＯ含有量４１．５ｗｔ％）を用意した。【００３９】
まず、Ｉｎ２Ｏ３粉８７．３ｗｔ％及び炭酸水酸化マグネシウム粉１２．７ｗｔ％の比率で、全量２００ｇ用意し、乾燥状態でボールミル混合し、大気中１４００℃で３時間仮焼し、ＭｇＩｎ２Ｏ４粉を得た。【００４０】
次いで、上記ＭｇＩｎ２Ｏ４粉４．６ｗｔ％、Ｉｎ２Ｏ３粉８４．５ｗｔ％およびＳｎＯ２粉１０．９ｗｔ％の比率で全量約１．０ｋｇ用意（各金属原子の組成は、Ｉｎ＝８８．０ａｔ．％、Ｓｎ＝１０．０ａｔ．％、Ｍｇ＝２．０ａｔ．％である）し、これをボールミル混合した。その後バインダーとしてＰＶＡ水溶液を添加して混合、乾燥し、コールドプレスして成形体を得た。この成形体を、大気中６００℃で１０時間、６０℃／ｈの昇温で脱脂し、次いで、酸素雰囲気下、１５５０℃で８時間焼成して焼結体を得た。焼成条件は具体的には、室温から８００℃まで２００℃／ｈで昇温し、８００℃から１５５０℃まで４００℃／ｈで昇温し、８時間保持した後、１５５０℃から室温まで１００℃／ｈの条件で冷却という条件である。その後、この焼結体を加工してターゲットを得た。このときの密度は７．０２ｇ／ｃｍ３であった。【００４１】
同様にして、Ｍｇ＝０．０５−Ｓｎ＝０．１０、Ｍｇ＝０．１２−Ｓｎ＝０．１０のスパッタリングターゲットを製造した。【００４２】
また、同様にして、表１に示す組成のスパッタリングターゲットを製造した。【００４３】
【表１】
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【００４４】
（成膜例１〜３）
成膜例１〜３を以下の通り実施した。【００４５】
各製造例１のターゲットのうち、Ｍｇ＝０．０２−Ｓｎ＝０．１０を成膜例１、Ｍｇ＝０．０５−Ｓｎ＝０．１０を成膜例２、Ｍｇ＝０．１２−Ｓｎ＝０．１０を成膜例３とし、これを４インチのＤＣマグネトロンスパッタ装置にそれぞれ装着し、基板温度を室温（約２０℃）、酸素分圧を０〜３．０ｓｃｃｍの間で変化させながら（０〜１．１×１０-2Ｐａに相当）、各成膜例１〜３の透明導電膜を得た。【００４６】
スパッタの条件は、以下の通りとし、厚さ１２００Åの膜を得た。
ターゲット寸法  ：φ＝４ｉｎ．  ｔ＝６ｍｍ
スパッタ方式  ：ＤＣマグネトロンスパッタ
排気装置  ：ロータリーポンプ＋クライオポンプ
到達真空度  ：５．３×１０-６［Ｐａ］
Ａｒ圧力  ：４．０×１０-1［Ｐａ］
酸素圧力：０〜１．１×１０-2［Ｐａ］
水圧力：５．０×１０−６［Ｐａ］
基板温度：室温
スパッタ電力  ：１３０Ｗ  （電力密度１．６Ｗ／ｃｍ2）
使用基板  ：コーニング＃１７３７（液晶ディスプレイ用ガラス）  ｔ＝０．８ｍｍ【００４７】
各酸素分圧で成膜した膜の抵抗率と、各膜を２５０℃でアニールした後の抵抗率とを測定した。結果を図１及び図２に示す。【００４８】
この結果、何れの場合にも最適酸素分圧が存在することがわかった。【００４９】
また、何れの場合においても、室温成膜の最適酸素分圧と、２５０℃アニール後に最も抵抗率が低い成膜時の酸素分圧とが異なることがわかった。表２は室温成膜の最適酸素分圧と２５０℃アニール後に最も抵抗率が低い成膜時の酸素分圧を示す。よって、実施例１〜１６では、２５０℃アニール後に最も抵抗率が低い成膜時の酸素分圧で成膜し、その後、２５０℃でアニールした方が、最も低抵抗の膜が得られることがわかった。【００５０】
下記表２には、最適酸素分圧の変化があったものを○、最適酸素分圧の変化がなかったものを×として示した。【００５１】
（試験例１）
成膜例１〜３において、室温成膜時における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ１３ｍｍ角の大きさに切り出し、これらのサンプルを大気中にて２５０℃で１時間アニールした。成膜例１、２のアニール前後の薄膜ＸＲＤパターンを図３に示す。また、成膜例１〜３に関し、室温成膜時と２５０℃アニール後の結晶状態について、アモルファスはａ、結晶はｃとし、これらを表２に示す。【００５２】
この結果、室温成膜の成膜例１、２の場合、成膜時にはアモルファスな膜であるが、２５０℃１時間のアニールで結晶化することが確認された。一方、添加量が多い成膜例３では、成膜時にアモルファスでも２５０℃アニールでは結晶化せず、さらに３００℃でのアニールでも結晶化しないことが確認された。【００５３】
（試験例２）
成膜例で成膜した各透明導電膜の、室温成膜時における最適酸素分圧成膜時の抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を測定した。また、試験例１のアニール後のサンプルについて測定した抵抗率も測定した。これらの結果を表２に示す。【００５４】
この結果、成膜例１、２の場合には、抵抗率が１０-4台Ω・ｃｍであることがわかった。【００５５】
しかしながら、成膜例３では、抵抗率が１０−３台Ω・ｃｍと高抵抗になることがわかった。【００５６】
（試験例３）
成膜例１〜３において、室温成膜における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ１３ｍｍ角の大きさに切り出し、透過スペクトルを測定した。また、試験例１のアニール後の膜についても同様に透過スペクトルを測定した。これらの結果を図４に示す。また、各成膜例１〜３のアニール後の平均透過率を表２に示す。【００５７】
これらの結果より、成膜してアニール前における透過スペクトルは２５０℃で１時間のアニールにより、吸収端が低波長側にシフトして色味が改善することがわかった。【００５８】
（試験例４）
成膜例１〜３において、室温成膜における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ１０×５０ｍｍの大きさに切り出し、エッチング液としてＩＴＯ−０５Ｎ（シュウ酸系、関東化学（株）製）（シュウ酸濃度５０ｇ／Ｌ）を用い、温度３０℃で、エッチングが可能か否かについて確認した。また、試験例１のアニール後のサンプルについても同様に確認した。これらの結果を、エッチング可を「○」、エッチング不可を「×」として表２に示す。【００５９】
この結果、成膜例１〜３は全てアモルファス膜であることから、弱酸性のエッチングで可能であることがわかった。【００６０】
【表２】
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【００６１】
（成膜例ａ１〜ａ３０）
上述したとおり製造した表１に示す組成のターゲットを用い、これを４インチのＤＣマグネトロンスパッタ装置にそれぞれ装着し、基板温度を室温（約２０℃）、酸素分圧を０〜３．０ｓｃｃｍの間で変化させながら（０〜１．１×１０-2Ｐａに相当）、各組成の透明導電膜を得た。【００６２】
スパッタの条件は、以下の通りとし、厚さ１２００Åの膜を得た。
ターゲット寸法  ：φ＝４ｉｎ．  ｔ＝６ｍｍ
スパッタ方式  ：ＤＣマグネトロンスパッタ
排気装置  ：ロータリーポンプ＋クライオポンプ
到達真空度  ：５．３×１０-５［Ｐａ］
Ａｒ圧力  ：４．０×１０-1［Ｐａ］
酸素圧力：０〜１．１×１０-2［Ｐａ］
水圧力：５．０×１０−５［Ｐａ］
基板温度：室温
スパッタ電力  ：１３０Ｗ  （電力密度１．６Ｗ／ｃｍ2）
使用基板  ：コーニング＃１７３７（液晶ディスプレイ用ガラス）  ｔ＝０．８ｍｍ【００６３】
ここで、室温成膜の最適酸素分圧と、２５０℃アニール後に最も抵抗率が低い成膜時の酸素分圧とが異なるサンプルが多かったが、組成によっては、最適酸素分圧に変化がなかった。【００６４】
下記表３には、最適酸素分圧の変化があったものを○、最適酸素分圧の変化がなかったものを×として示した。【００６５】
また、各組成の室温成膜時における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ１３ｍｍ角の大きさに切り出し、これらのサンプルを大気中にて２５０℃で１時間アニールし、室温成膜時と２５０℃アニール後の結晶状態について、アモルファスはａ、結晶はｃとし、これらを表３に示した。【００６６】
また、各組成の結晶化温度を測定し、表３に示した。結晶化温度は１００℃で成膜した後、結晶化する温度であり、１００℃成膜でアモルファスとならないものは１００℃未満とした。【００６７】
さらに、成膜した各透明導電膜の、室温成膜時における最適酸素分圧成膜後、アニールして結晶化したサンプルの抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）を測定した。これらの結果を表３に示す。【００６８】
また、室温成膜における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ１３ｍｍ角の大きさに切り出し、アニール後の膜について透過スペクトルを測定した。アニール後の平均透過率を表３に示す。【００６９】
また、室温成膜における最適酸素分圧にて製造し、アニールして結晶化した後の透明導電膜を、それぞれ１０×５０ｍｍの大きさに切り出し、エッチング液としてＩＴＯ−０５Ｎ（シュウ酸系、関東化学（株）製）（シュウ酸濃度５０ｇ／Ｌ）を用い、温度３０℃で、エッチングが可能か否かについて確認した。これらの結果を、エッチング可を「○」、エッチング不可を「×」として表３に示す。【００７０】
これらの結果を図５に示す。図において、１００℃未満の成膜温度でアモルファス膜として成膜でき、１００〜３００℃で結晶化できるサンプルを●、それ以外を▲で示した。【００７１】
この結果、マグネシウム及び錫の含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（−２．５×１０−２Ｌｎ（ｘ）−５．８×１０−２）の値以上であり且つ（−１．０×１０−１Ｌｎ（ｘ）−５．０×１０−２）の値以下の範囲にあると、１００℃より低い温度条件で行うことにより、アモルファス状の状態で成膜され、且つ成膜後、１００℃〜３００℃でアニールすることにより、結晶化する膜が成膜できることがわかった。【００７２】
また、Ｓｎ及びＭｇの含有量が、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘで表される（１．３×１０−２Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以上でありかつ（−２．２×１０−３Ｌｎ（ｘ）＋２．０×１０−１）の値以下の範囲にあると、２５０℃アニール処理後の比抵抗が３．０×１０−４Ωｃｍ以下と、特に低抵抗な膜を成膜できるものとなり、さらに好ましいことがわかった。【００７３】
さらに、インジウム１モルに対しての錫のモル比ｙが、０．２３以下であり、インジウム１モルに対するマグネシウムのモル比ｘが、０．０１以上となると、成膜されたアモルファスな膜が、２００℃未満のアニール温度では、結晶化せず、２００℃以上のアニール温度で結晶化する透明導電膜を成膜できるものとなり、成膜プロセスを考慮するとより好ましいものとなることがわかった。【００７４】
【表３】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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