(57)【要約】  絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができる配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。  シリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された密着強化層と、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなる第２の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されていることを特徴とする配線基板。【化１０】2009118805.tif 000013前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
2009118805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された密着強化層と、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなる第２の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されていることを特徴とする配線基板。
【化７】
2009118805.tif 000010
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【請求項２】
前記密着強化層を形成する材料は、活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第１項に記載の配線基板。
【請求項３】
前記活性エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、電子線及びエックス線からなる群から選択された１つ或いは複数を組み合わせたエネルギー線である請求の範囲第２項に記載の配線基板。
【請求項４】
前記密着強化層を形成する材料は、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記密着強化層は、前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を前記第２の絶縁膜よりも多く含む請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
多層配線を有する半導体装置であって、前記多層配線が、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された密着強化層と、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなる第２の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されていることを特徴とする半導体装置。
【化８】
2009118805.tif 000011
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【請求項７】
前記密着強化層を形成する材料は、活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第６項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記活性エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、電子線及びエックス線からなる群から選択された１つ或いは複数を組み合わせたエネルギー線である請求の範囲第７項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記密着強化層を形成する材料は、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第６項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記密着強化層は、前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を前記第２の絶縁膜よりも多く含む請求の範囲第６項乃至第９項のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
多層配線を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記多層配線を形成する工程が、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、活性エネルギー線に対して反応性を有する材料からなる密着強化層を形成する工程と、前記密着強化層上に、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜側から前記活性エネルギー線を照射し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化９】
2009118805.tif 000012
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【請求項１２】
前記活性エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、電子線及びエックス線からなる群から選択された１つ或いは複数を組み合わせたエネルギー線である請求の範囲第１１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記密着強化層を形成する材料は、前記活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第１１項または第１２項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記密着強化層を形成する材料は、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む請求の範囲第１１項または第１２項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記密着強化層は、前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を前記第２の絶縁膜よりも多く含む請求の範囲第１１項乃至第１４項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、応答速度の高速化が要求される配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の多層配線は、Ｃｕ配線と層間絶縁膜から構成されるが、この多層配線において、信号伝播速度の低下は配線抵抗と配線間の寄生容量によって決定される。近年、デバイスの高集積化により配線幅、配線間隔が狭くなり、配線抵抗が上昇し、配線間の寄生容量が増大している。絶縁膜の容量は配線厚を薄くして断面積を小さくすることで低減できるが、配線厚を薄くするとさらに配線抵抗の上昇を招くために高速化に繋がらない。高速化を図るためには、配線の低抵抗化と絶縁膜の低誘電率化が必須である。また、配線の低抵抗化と絶縁膜の低誘電率化とは、デバイスの性能を支配する大きな要素となることが予想される。しかし、絶縁膜を低誘電率化するため有機基の含有量を増やすと膜が疎水化し絶縁膜同士の密着性が低下する。
上述したように、積層した絶縁膜同士の密着性が低下した場合、研磨工程で膜剥がれが生じて、歩留り及び信頼性が低下する。これを抑制するため、密着性強化材料やプラズマ、オゾンによる密着性強化手法が検討されているが、十分な課題の解決には至っていない（例えば、特許文献１参照）。
以上より、多層配線に低誘電率層間絶縁膜を適用する際には密着性の強化が重要な課題となっている。
また、下記特許文献２〜３には、絶縁膜に電子線を照射する技術が開示されている。【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４１８７５号公報
【特許文献２】特開２００５−６４５１６号公報
【特許文献３】特開２００６−２６１４４０号公報
【発明の開示】
【０００４】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができる配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
前記課題を解決するための手段としては、後述する通りである。即ち、
本発明の配線基板は、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された密着強化層と、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなる第２の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されていることを特徴とする。
【化１】
2009118805.tif 000003
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【０００６】
該配線基板においては、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されているので、絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができる。
【０００７】
本発明の半導体装置は、多層配線を有する半導体装置であって、前記多層配線が、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された密着強化層と、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなる第２の絶縁膜とを有し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されていることを特徴とする。
【化２】
2009118805.tif 000004
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【０００８】
該半導体装置においては、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とが、前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されているので、絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができる。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、多層配線を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記多層配線を形成する工程が、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、活性エネルギー線に対して反応性を有する材料からなる密着強化層を形成する工程と、前記密着強化層上に、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物からなる第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜側から前記活性エネルギー線を照射し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【化３】
2009118805.tif 000005
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【００１０】
該半導体装置の製造方法においては、シリコン化合物からなる第１の絶縁膜が形成され、前記第１の絶縁膜上に、活性エネルギー線に対して反応性を有する材料からなる密着強化層が形成され、前記密着強化層上に、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物からなる第２の絶縁膜が形成され、前記第２の絶縁膜側から前記活性エネルギー線が照射され、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分が形成される。
【化４】
2009118805.tif 000006
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
【００１１】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、前記目的を達成することができる。
本発明によれば、絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができる配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の配線基板の一例を示す図（その１）である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の配線基板の一例を示す図（その２）である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１）である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その２）である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その３）である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その４）である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その５）である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その６）である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その７）である。
【図２Ｈ】図２Ｈは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その８）である。
【図２Ｉ】図２Ｉは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その９）である。
【図２Ｊ】図２Ｊは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１０）である。
【図２Ｋ】図２Ｋは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１１）である。
【図２Ｌ】図２Ｌは、本発明の半導体装置の製造方法の一例を示す工程図（その１２）である。
【図３】図３は、高圧水銀ランプの発光スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（配線基板）
本発明の配線基板は、第１の絶縁膜（図１Ａ及び図１Ｂにおける１）と、密着強化層（図１Ａ及び図１Ｂにおける２）と、第２の絶縁膜（図１Ａ及び図１Ｂにおける３）とを有してなり、更に必要に応じて、その他の層（図１Ｂにおける４）を有する。【００１４】
＜第１の絶縁膜と第２の絶縁膜との結合＞
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分によって結合されている。
【化５】
2009118805.tif 000007
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。【００１５】
前記一般式（１）で表される構造を有する構成成分は、前記第１の絶縁膜の表面上に前記密着強化層を形成し、前記密着強化層の表面上に前記第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜の上方から活性エネルギー線を照射する（図１Ａ及び図１Ｂ参照）ことにより生成される。即ち、前記密着強化層と前記第１及び第２の絶縁膜との界面に形成されたＳｉ−ＣＸＨＹに活性エネルギー線を反応させることで、Ｈ引き抜きによるラジカル重合（下記反応式（１））が進行する。
２Ｓｉ−ＣＨ３→Ｓｉ−ＣＸＨＹ−Ｓｉ＋Ｈ２  ・・・反応式（１）【００１６】
また、前記密着強化層は、前記Ｓｉ−ＣＸＨＹ−Ｓｉで表される構造を有する構成成分を前記第２の絶縁膜よりも多く含むことが好ましく、前記密着強化層中に含まれる前記Ｓｉ−ＣＸＨＹ−Ｓｉで表される構造を有する構成成分の割合（Ａ）と、前記第２の絶縁膜中に含まれる前記Ｓｉ−ＣＸＨＹ−Ｓｉで表される構造を有する構成成分の割合（Ｂ）との比Ａ／Ｂが１．１以上であることがより好ましい。【００１７】
また、前記密着強化層と、前記第１及び第２の絶縁膜との界面にＳｉ−ＯＨが形成されている場合は、このＳｉ−ＯＨに活性エネルギー線を反応させることで、Ｈ引き抜きによるラジカル重合（下記反応式（２））が進行する。
２Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ２Ｏ  ・・・反応式（２）
なお、前記第１及び第２の絶縁膜との界面におけるＳｉ−ＯＨは、オゾン、活性酸素、プラズマ、紫外線、電子線、Ｘ線の少なくとも１つを照射することによって形成されるものである。このＳｉ−ＯＨが形成されることにより、前記第１及び第２の絶縁膜との界面が親水化される。【００１８】
前記Ｓｉ−ＣＸＨＹ−Ｓｉで表される構造を有する構成成分、前記Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉで表される構造を有する構成成分の存在は、ＦＴ−ＩＲ、ＸＰＳにより確認することが可能である。【００１９】
＜密着強化層と第１及び第２の絶縁膜との判別＞
前記密着強化層と前記第１の絶縁膜（下層）及び第２の絶縁膜(上層)との判別は、Ｘ線光電子分析装置（ＡＸＩＳ−ＨＳｉ，クレイトスアナリティカル）を用いて組成分析することにより行った。前記第２の絶縁膜表面から、深さ（前記第１の絶縁膜）方向に組成分布を取得する過程において、炭素の組成が４％上昇した測定点から第１の絶縁膜(下層)に到達するまでの範囲を密着強化層とした。【００２０】
＜第１の絶縁膜＞
前記第１の絶縁膜としては、シリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等が挙げられる。【００２１】
＜密着強化層＞
前記密着強化層としては、前記第１の絶縁膜上に形成されたものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記密着強化層を形成する材料が、赤外線、可視光、紫外線、電子線、Ｘ線等の活性エネルギー線に対して反応性を有する材料、例えば、活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシラン含む材料、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む材料が好ましい。【００２２】
＜＜活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシラン＞＞
前記活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシランとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
これらの中でも、不飽和結合を有するビニル系のアルコキシシラン化合物が、特に好ましい。【００２３】
＜＜塩基性添加剤＞＞
前記塩基性添加剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オルガノアルコキシシランに塩基性を付与するものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、オルガノアルコキシシランとの親和性が高い点で、窒素含有塩基性官能基を有する添加剤が好ましい。
前記窒素含有塩基性官能基を有する添加剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、１，２−エタンジアミン、Ｎ−{(エテニルフェニル)メチル}などが挙げられる。【００２４】
＜＜オルガノアルコキシシラン＞＞
前記塩基性添加剤と共に添加されるオルガノアルコキシシランとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、Ｎ−{３−（トリメトキシシリル）プロピル}などが挙げられる。【００２５】
＜第２の絶縁膜＞
前記第２の絶縁膜としては、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等の多孔質膜が挙げられる。【００２６】
＜その他の層＞
前記その他の層としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。【００２７】
（半導体装置）
本発明の半導体装置は、多層配線を有してなり、更に必要に応じて、その他の部材を有する。【００２８】
＜多層配線＞
前記多層配線は、前記第１の絶縁膜と、前記密着強化層と、前記第２の絶縁膜とを有してなり、更に必要に応じて、その他の層を有する。【００２９】
＜＜第１の絶縁膜＞＞
前記第１の絶縁膜としては、シリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等が挙げられる。【００３０】
＜＜密着強化層＞＞
前記密着強化層としては、前記第１の絶縁膜上に形成されたものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記密着強化層を形成する材料が、赤外線、可視光、紫外線、電子線、Ｘ線等の活性エネルギー線に対して反応性を有する材料、例えば、活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシラン含む材料、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む材料が好ましい。【００３１】
＜＜第２の絶縁膜＞＞
前記第２の絶縁膜としては、前記密着強化層上に形成され、シリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等の多孔質膜が挙げられる。【００３２】
＜＜その他の層＞＞
前記その他の層としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、配線層と、前記第１の絶縁膜、前記密着強化層及び前記第２の絶縁膜以外の層間絶縁膜とが挙げられる。【００３３】
＜＜＜配線層＞＞＞
前記配線層としては、その材料、構造、厚みなどについては、特に制限なく、目的に応じて適宜選択することができるが、回路の集積度を向上させる点で、前記構造としては、積層構造（多層構造）であるのが好ましい。【００３４】
＜＜＜層間絶縁膜＞＞＞
前記層間絶縁膜としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ストッパ膜などが挙げられ、具体的には、例えば、プラズマＣＶＤ法により形成されたCarbon  Doped  ＳｉＯ２膜、ＳｉＣ：Ｈ膜、ＳｉＣ：Ｎ膜、ＳｉＣ：Ｏ：Ｈ膜、及びＳｉＯ２膜や、スピンコート法により形成された有機ＳＯＧ及び無機ＳＯＧなどが挙げられる。これらの中でも、前記第２の絶縁膜（多孔質膜）の形成がスピンコート法により行われる場合、有機ＳＯＧ及び無機ＳＯＧが好ましい。この場合、前記第２の絶縁膜（多孔質膜）及び前記層間絶縁膜の形成及び紫外線硬化（紫外線キュア）を一括で行うことができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
前記層間絶縁膜の材料、形状、構造、厚み、密度などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記厚みとしては、５〜３００ｎｍが好ましく、５〜１８０ｎｍがより好ましい。
前記厚みが５ｎｍ未満であると、前記露光光による前記層間絶縁膜へのダメージの付与が著しくなることがあり、３００ｎｍを超えると、膜の上下でキュアの進行度合いに違いが生じることがある。
また、前記密度としては、１〜３ｇ／ｃｍ３が好ましく、１〜２．５ｇ／ｃｍ３がより好ましい。
前記密度が、１ｇ／ｃｍ３未満であると、膜強度が著しく低下することがあり、３ｇ／ｃｍ３を超えると、前記層間絶縁膜を低誘電率に維持することが困難となることがある。【００３５】
＜その他の部材＞
前記その他の部材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極等の各種半導体装置における一般的な構成部材が挙げられる。【００３６】
（半導体装置の製造方法）
前記半導体装置の製造方法は、前記多層配線を形成する多層配線形成工程を少なくとも含む。【００３７】
＜多層配線形成工程＞
前記多層配線形成工程は、前記多層配線を形成する工程である。
前記多層配線形成工程は、第１の絶縁膜形成工程と、前記密着強化層形成工程と、第２の絶縁膜形成工程と、活性エネルギー照射工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。【００３８】
＜＜第１の絶縁膜形成工程＞＞
前記第１の絶縁膜形成工程は、第１の絶縁膜を形成する工程である。具体的には、前記シリコン化合物を含む塗布液を２，０００ｒｐｍでスピンコートし、１５０℃、２５０℃、３５０℃の温度で各１分間ずつプリベークして塗布液における水、エタノール等の溶媒を揮発させ、第１の絶縁膜を形成する。前記スピンコート条件としては、例えば、回転数が１００〜１０，０００ｒｐｍ程度、好ましくは、８００〜５，０００ｒｐｍであり、時間が１秒〜１０分間程度、好ましくは、１０〜９０秒間である。また、前記プリベークは、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜３５０℃が好ましい。また、前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、オクタン、デカン、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
前記第１の絶縁膜としては、シリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等が挙げられる。【００３９】
＜＜密着強化層形成工程＞＞
前記密着強化層形成工程は、前記第１の絶縁膜上に、前記活性エネルギー線に対して反応性を有する材料からなる密着強化層を形成する工程である。具体的には、前記第１の絶縁膜上に、前記活性エネルギー線に対して反応性を有する材料を含む塗布液を１，５００ｒｐｍでスピンコートし、１５０℃の温度で１分間プリベークして塗布液における水、エタノール等の溶媒を揮発させ、密着強化層を形成する。前記スピンコート条件としては、例えば、回転数が１００〜１０，０００ｒｐｍ程度、好ましくは８００〜５，０００ｒｐｍであり、時間が１秒〜１０分間程度、好ましくは、１０〜９０秒間である。また、前記プリベークは、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜３５０℃が好ましい。また、前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、オクタン、デカン、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
前記密着強化層としては、前記第１の絶縁膜上に形成されたものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記密着強化層を形成する材料が、赤外線、可視光、紫外線、電子線、Ｘ線等の活性エネルギー線に対して反応性を有する材料、例えば、活性エネルギー線に対して反応性を有するオルガノアルコキシシラン含む材料、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランを含む材料が好ましい。【００４０】
＜＜第２の絶縁膜形成工程＞＞
前記第２の絶縁膜形成工程は、前記密着強化層上に、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物からなる第２の絶縁膜を形成する工程である。具体的には、前記密着強化層上に、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物を含む塗布液を２，０００ｒｐｍでスピンコートし、１５０℃、２５０℃、３５０℃の温度で各１分間ずつプリベークして塗布液における水、エタノール等の溶媒を揮発させ、第２の絶縁膜を形成する。前記スピンコート条件としては例えば、回転数が１００〜１０，０００ｒｐｍ程度、好ましくは、８００〜５，０００ｒｐｍであり、時間が１秒〜１０分間程度、好ましくは、１０〜９０秒間である。また、前記プリベークは、目的に応じて適宜その温度、雰囲気等の条件を選択することができるが、前記温度としては、５０〜３５０℃が好ましい。また、前記溶媒としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シクロヘキサン、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、オクタン、デカン、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
前記第２の絶縁膜としては、前記活性エネルギー線が透過可能なシリコン化合物からなるものであれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ケイ素の他に炭素、酸素、窒素、水素等の少なくともいずれかを含むＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜等の多孔質膜が挙げられる。【００４１】
＜＜活性エネルギー照射工程＞＞
前記活性エネルギー照射工程は、前記第２の絶縁膜側から前記活性エネルギー線を照射し、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に、下記一般式（１）で表される構造を有する構成成分を形成する工程である。
【化６】
2009118805.tif 000008
前記一般式（１）において、Ｘ＝２Ｙであり、Ｘは１以上の整数を表す。
ここで、「第２の絶縁膜側から活性エネルギーを照射」とは、図１Ｂのように、第２の絶縁膜だけでなく、それ以外の層（例えば、図１Ｂにおけるその他の層４）をも介して活性エネルギーを照射することを含むものである。
前記活性エネルギー線は、赤外線、可視光、紫外線、電子線及びエックス線からなる群から選択された１つ或いは複数を組み合わせたエネルギー線であり、中でも、図３に示す発光スペクトル、照度を有する高圧水銀ランプ（ＵＶＬ−７０００Ｈ４−Ｎ、ウシオ電機）の紫外線が好ましい。【００４２】
＜＜その他の工程＞＞
前記その他の工程としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記活性エネルギー照射と同時に５０〜４７０℃の熱処理を行う熱処理工程、第１及び第２の絶縁膜の界面にＳｉ−ＯＨを形成して親水化すべく、オゾン、活性酸素、プラズマ、紫外線、電子線、Ｘ線の少なくともいずれかを照射する照射工程等が挙げられる。【００４３】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は下記実施例により限定されるものではない。【００４４】
−第１の絶縁膜形成材料の調製−
ポリカルボシラン（「ＮＩＰＳＩ−Ｌ」；日本カーボン製、重量平均分子量＝約４００）１０ｇ、メチルイソブチルケトン６０ｇ（０．６ｍｏｌ）、及びエタノール９ｇ（０．２ｍｏｌ）を、反応容器に仕込み、６０℃の恒温下で、６０〜６１質量％の硝酸水１０ｇ（水において０．１ｍｏｌ）を、滴下ロートにて２ｍＬ／ｍｉｎの条件で滴下し、滴下終了後７時間の熟成反応を行った。
次いで、分液ロートにて、反応物をジエチルエーテルに溶解させ、多量の水と炭酸水素ナトリウムを添加し、ｐＨが５になるまで水洗し、過剰の硝酸を除去した。硝酸除去に使用した水を除去するため、ろ過を行った後、メチルイソブチルケトン２００ｍＬを添加し、ロータリーエバポレータにて反応溶液が１００ｍＬになるまでジエチルエーテルを除去し、第１の絶縁膜材料を調製した。
調製された第１の絶縁膜形成材料の固形分濃度は１５．６質量％（ポリカルボシラン樹脂の重量平均分子量；４００）であった。【００４５】
−第２の絶縁膜形成材料の調製−
テトラエトキシシラン  ２０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、メチルトリエトキシシラン  １７．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン２３．６ｇ（０．１ｍｏｌ）、及びメチルイソブチルケトン３９．６ｇを、２００ｍｌの反応容器に仕込み、１質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を１６．２ｇ（０．９ｍｏｌ）を１０分間で滴下し、滴下終了後２時間の熟成反応を行った。
次に、硫酸マグネシウム５ｇを添加し、過剰の水分を除去した後、ロータリーエバポレータにて熟成反応により生成したエタノールを反応溶液が５０ｍｌになるまで除去した。
得られた反応溶液にメチルイソブチルケトンを２０ｍｌ添加し、２００℃のオーブンによりメチルイソブチルケトンを除去し、第２の絶縁膜形成材料を調製した。
調製された第２の絶縁膜形成材料の固形分濃度は１８．２質量％（シロキサン樹脂の重量平均分子量；１７２，０００）であった。【００４６】
（実施例１）
＜多層配線及び半導体装置の製造＞
本発明の多層配線及び半導体装置を以下のようにして製造した。まず、図２Ａに示すように、半導体基板１０に、ＬＯＣＯＳ（LOCal  Oxidation  of  Silicon）法により素子分離膜１２を形成した。素子分離膜１２により、素子領域１４が画定された。なお、半導体基板１０としては、シリコン基板を用いた。
次いで、素子領域１４上に、ゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１８を形成した。次に、ゲート電極１８の側面に、サイドウォール絶縁膜２０を形成した。更に、サイドフォール絶縁膜２０及びゲート電極１８をマスクとして、半導体基板１０内に、ドーパント不純物を導入することにより、ゲート電極１８の両側の半導体基板１０内に、ソース／ドレイン拡散層２２を形成した。その結果、ゲート電極１８とソース／ドレイン拡散層２２とを有するトランジスタ２４が形成された。
図２Ｂに示すように、トランジスタ２４が形成された半導体基板１０の全面に、ＣＶＤ法により、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜２６を形成した。そして、層間絶縁膜２６上に、プラズマＣＶＤ法により形成したＳｉＮ膜からなる膜厚５０ｎｍのストッパ膜２８を形成した。なお、ストッパ膜２８は、後述する工程において、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりタングステン膜３４等を研磨する際にはストッパとして機能し（図２Ｃ参照）、多孔質絶縁膜３８等に溝４６を形成する際には、エッチングストッパとして機能する（図２Ｆ参照）。次いで、フォトグラフィ技術を用いて、ソース／ドレイン拡散層２２に達するコンタクトホール３０を形成した（図２Ｂ参照）。
次に、全面にスパッタ法により膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜からなる密着層３２を形成した。なお、密着層３２により、後述する導体プラグ３４の下地に対する密着性を確保することができる。次いで、密着層３２の全面に、ＣＶＤ法により膜厚１μｍのタングステン膜３４を形成した後、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）によりストッパ膜２８の表面が露出するまで、密着層３２及びタングステン膜３４を研磨した。その結果、図２Ｃに示すように、コンタクトホール３０内に、タングステンからなる導体プラグ３４が埋め込まれた。【００４７】
次いで、全面に、前記第１の絶縁膜形成材料をスピンコートし、２００℃でプリベークして塗布液における溶剤を揮発させ、図２Ｄに示すように、膜厚５０ｎｍのポリカルボシランからなる層間絶縁膜（第１の絶縁膜）３６を形成した。
その後、層間絶縁膜３６の全面に、ビニルトリアセトキシシラン（サイラエース  Ｓ２００、チッソ株式会社製、１質量％）を含む塗布液をスピンコートし、１００℃でプリベークして塗布液における溶媒を揮発させ、密着強化層（不図示）を形成した（密着性強化層形成処理）。
さらに、密着強化層の全面に、前記第２の絶縁膜形成材料をスピンコートし、２００℃でプリベークして塗布液における溶媒を揮発させ、多孔質シリカからなる多孔質絶縁膜（第２の絶縁膜）３８を厚みが１６０ｎｍとなるように形成した。そして、多孔質絶縁膜３８に、図３に示す発光スペクトル及び照度を有する紫外線（活性エネルギー線）を２５０ｍＷ／ｃｍ２（ＵＶＤ−Ｓ２５４、ウシオ電機）の照度で１０分間照射し、層間絶縁膜３６と多孔質絶縁膜３８とを結合した。
次に、図２Ｅに示すように、多孔質絶縁膜３８が形成された半導体基板１０上の全面に、ＣＶＤ法により、膜厚３０ｎｍの層間絶縁膜４０を形成した。【００４８】
次いで、図２Ｆに示すように、層間絶縁膜４０の全面に、スピンコート法を用いて、フォトレジスト膜４２を形成した。そして、フォトリソグラフィ技術を用い、フォトレジスト膜４２に開口部４４を形成した。ここで、開口部４４は、後述する第１層目の配線（第１金属配線層）５０（図２Ｇ参照）を形成するためのものであり、配線幅１００ｎｍ、配線間隔１００ｎｍとなるような寸法の開口を有する。
そして、フォトレジスト膜４２をマスクとして、層間絶縁膜４０、多孔質絶縁膜３８、及び層間絶縁膜３６に対してエッチング処理を行った。なお、エッチング処理は、ＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを原料としたフッ素プラズマを用いて行った。このとき、ストッパ膜２８が、エッチングストッパとして機能した。このようにして、層間絶縁膜４０、多孔質絶縁膜３８及び層間絶縁膜３６に、配線を埋め込むための溝（トレンチ）４６が形成された。なお、導体プラグ３４の上面は、溝４６内に露出した状態となった。その後、フォトレジスト膜４２を剥離した。
次いで、全面にスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＴａＮからなるバリア膜（図示せず）を形成した。なお、バリア膜は、後述する配線中のＣｕが、多孔質絶縁膜３８中に拡散するのを防止する機能を有する。次に、全面にスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＣｕからなるシード膜（図示せず）を形成した。なお、シード膜は、電気めっき法によりＣｕからなる配線を形成する際、電極として機能する。このようにして、図２Ｇに示すように、バリア膜とシード膜とからなる積層膜４８を形成した。
次に、電気めっき法により膜厚６００ｎｍのＣｕ膜５０を形成した。
更に、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により層間絶縁膜４０の表面が露出するまで、Ｃｕ膜５０及び積層膜４８を研磨した。その結果、溝４６内に、Ｃｕからなる配線５０が埋め込まれた。以上の配線５０の製造プロセスは、シングルダマシン法と称される工法である。【００４９】
続いて、前記第１の絶縁膜形成材料をスピンコートし、２００℃でプリベークして塗布液における溶剤を揮発させ、図２Ｇに示すように、膜厚５０ｎｍのポリカルボシランからなる層間絶縁膜５２を形成した。
その後、層間絶縁膜５２の全面に、ビニルトリアセトキシシラン（サイラエース  Ｓ２００、チッソ株式会社、１質量％）を含む塗布液をスピンコートし、１００℃でプリベークして塗布液における溶媒を揮発させ、密着強化層（不図示）を形成した（密着性強化層形成処理）。
次いで、図２Ｈに示すように、密着強化層の全面に、多孔質絶縁膜３８の形成と同様な方法により、膜厚１８０ｎｍの多孔質シリカからなる多孔質絶縁膜５４を形成した。続いて、多孔質絶縁膜５４に紫外線（活性エネルギー線）を２５０ｍＷ／ｃｍ２（ＵＶＤ−Ｓ２５４、ウシオ電機）の照度で１０分間照射し、層間絶縁膜５２と多孔質絶縁膜５４とを結合した。なお、紫外線の照射は、多孔質絶縁膜３８に対する照射と同様な条件で行った。
次に、多孔質絶縁膜５４が形成された半導体基板１０上の全面に、前記第１の絶縁膜形成材料をスピンコートし、２００℃でプリベークして塗布液における溶剤を揮発させ、膜厚５０ｎｍのポリカルボシランからなる層間絶縁膜５６を形成した。
その後、層間絶縁膜５６の全面に、ビニルトリアセトキシシラン（サイラエース  Ｓ２００、チッソ株式会社、１質量％）を含む塗布液をスピンコートし、１００℃でプリベークして塗布液における溶媒を揮発させ、密着強化層（不図示）を形成した（密着性強化層形成処理）。
次に、図２Ｉに示すように、多孔質絶縁膜３８の形成と同様な方法により、膜厚１６０ｎｍの多孔質シリカからなる多孔質絶縁膜５８を形成した。続いて、多孔質絶縁膜５８に紫外線（活性エネルギー線）を２５０ｍＷ／ｃｍ２（ＵＶＤ−Ｓ２５４、ウシオ電機）の照度で１０分間照射し、層間絶縁膜５６と多孔質絶縁膜５８とを結合した。なお、紫外線の照射は、多孔質絶縁膜３８に対する照射と同様な条件で行った。続いて、多孔質絶縁膜５８上の全面に、ＣＶＤ法により、膜厚３０ｎｍの層間絶縁膜６０を形成した。【００５０】
次いで、図２Ｊに示すように、全面にスピンコート法によりフォトレジスト膜６２を形成した。そして、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜６２に開口部６４を形成した。ここで、開口部６４は、第１層目の配線（第１金属配線層）５０に達するコンタクトホール６６を形成するためのものである。続いて、フォトレジスト膜６２をマスクとして、層間絶縁膜６０、多孔質絶縁膜５８、層間絶縁膜５６、多孔質絶縁膜５４、及び層間絶縁膜５２に対してエッチング処理を行った。なお、エッチング処理は、ＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを原料としたフッ素プラズマを用い、エッチングガスの組成比やエッチングの際の圧力等を適宜変化させることにより行った。このようにして、配線５０に達するコンタクトホール６６が形成された。その後、フォトレジスト膜６２を剥離した。【００５１】
次いで、図２Ｋに示すように、全面にスピンコート法により、フォトレジスト膜６８を形成した。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜６８に開口部７０を形成した。ここで、開口部７０は、第２層目の配線（第２金属配線層）７６ａ（図２Ｌ参照）を形成するためのものである。
次に、フォトレジスト膜６８をマスクとして、層間絶縁膜６０、多孔質絶縁膜５８及び層間絶縁膜５６に対してエッチング処理を行った。なお、エッチング処理には、ＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを原料としたフッ素プラズマを用いた。このようにして、層間絶縁膜６０、多孔質絶縁膜５８及び層間絶縁膜５６に配線７６ａを埋め込むための溝７２を形成された。溝７２は、コンタクトホール６６と繋がった状態となった。
次いで、全面に、スパッタ法により膜厚１０ｎｍのＴａＮからなるバリア膜（図示せず）を形成した。なお、バリア膜は、後述する配線７６ａ及び導体プラグ７６ｂ中のＣｕが多孔質絶縁膜５４及び５８に拡散するのを防止する機能を有する。次に、全面にスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＣｕからなるシード膜（図示せず）を形成した。なお、シード膜は、電気めっき法によりＣｕからなる配線７６ａ及び導体プラグ７６ｂを形成する際、電極として機能する。このようにして、バリア膜とシード膜とからなる積層膜７４を形成した。
次に、電気めっき法により膜厚１，４００ｎｍのＣｕ膜７６を形成した。
更に、化学的機械研磨法（ＣＭＰ）により層間絶縁膜６０の表面が露出するまで、Ｃｕ膜７６及び積層膜７４を研磨した。その結果、コンタクトホール６６内に、Ｃｕからなる導体プラグ７６ｂが埋め込まれるとともに、溝７２内にＣｕからなる配線７６ａが埋め込まれた。なお、導体プラグ７６ｂと配線７６ａとは一体に形成された。以上の導体プラグ７６ｂ及び配線７６ａを一括して形成する製造プロセスは、デュアルダマシン法と称される工法である。
次に、全面に、ＣＶＤ法により、膜厚３０ｎｍの層間絶縁膜７８を形成した。
この後、これらの工程を適宜繰り返すことにより、図示しない第３層目の配線（第３金属配線層）を形成し、半導体装置を製造した。
以上のようにして、１００万個の導体プラグが電気的に直列に接続されるように配線及び導体プラグを形成し、歩留りを測定したところ、１００％であった。【００５２】
＜密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定＞
密着強化層中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の割合（Ａ）、及び、第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の割合（Ｂ）は、ＸＰＳ測定により得られたＳｉ  ２ｐスペクトルを波形分離することで測定した。測定したＡ及びＢの比を算出することでＡ／Ｂを得た。結果を表１に示す。【００５３】
＜密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法＞
第１及び第２の絶縁膜同士の密着性は、シリコン基板上に第１の絶縁膜と第２の絶縁膜、および前記絶縁膜の界面に密着強化層が形成された試料を１０個作製し、Stud-pull試験機(セバスチャンファイブ、クアッドグループ)にて引っ張り強度試験を実施して膜剥れが確認された試料の数により評価した。結果を表１に示す。また、膜剥れが確認された試料の引っ張り強度の測定値の平均を算出して、算出した値を密着強度を算出した。結果を表１に示す。なお、膜剥れが全く確認されない条件においては、引っ張り強度試験の測定上限値が６００（ｋｇ／ｃｍ２）であるため、密着強度は６００（ｋｇ／ｃｍ２）より大とした。【００５４】
（実施例２）
実施例１において、活性エネルギー線として紫外線を照射する代わりに、加速電圧が２．５ＫｅＶの電子線を照射した以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００５５】
（実施例３）
実施例１における密着強化層形成用の塗布液に含まれるビニルトリアセトキシシランの代わりに、
ビニルトリス（メトキシエトキシ）シランを用いた以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００５６】
（実施例４）
実施例３において、活性エネルギー線として紫外線を照射する代わりに、加速電圧が２．５ＫｅＶの電子線を照射した以外は、実施例３と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００５７】
（実施例５）
実施例１における密着強化層形成用の塗布液に含まれるビニルトリアセトキシシランの代わりに、
ビニルトリメトキシシランを用いた以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００５８】
（実施例６）
実施例５において、活性エネルギー線として紫外線を照射する代わりに、加速電圧が２．５ＫｅＶの電子線を照射した以外は、実施例５と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００５９】
（実施例７）
実施例１における密着強化層形成用の塗布液に含まれるビニルトリアセトキシシランの代わりに、
３−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランを用いた以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６０】
（実施例８）
実施例７において、活性エネルギー線として紫外線を照射する代わりに、加速電圧が２．５ＫｅＶの電子線を照射した以外は、実施例７と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６１】
（実施例９）
実施例１における密着強化層形成用の塗布液に含まれるビニルトリアセトキシシランの代わりに、１，２−エタンジアミン、Ｎ−{３−（トリメトキシシリル）プロピル}、及びＮ−{（エテニルフェニル）メチル}の混合物（Ｚ−６０３２、東レ株式会社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６２】
（実施例１０）
実施例９において、活性エネルギー線として紫外線を照射する代わりに、加速電圧が２．５ＫｅＶの電子線を照射した以外は、実施例９と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６３】
（比較例１）
実施例１における、「密着性強化層形成処理」及び「活性エネルギー線（紫外線）照射」を行わない以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６４】
（比較例２）
実施例１における、「密着性強化層形成処理」を行わない以外は、実施例１と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。【００６５】
（比較例３）
実施例２における、「密着性強化層形成処理」を行わない以外は、実施例２と同様にして、多層配線及び半導体装置の製造、密着強化層及び第二の絶縁膜中のＳｉ−ＣｘＨｙ−Ｓｉ結合の測定、及び密着性（膜剥がれ数及び密着強度）の評価方法を行った。結果を表１に示す。
【００６６】
【表１】
2009118805.tif 000009
【００６７】
表１より、実施例１〜１０は、比較例１〜３と比較して、歩留り及び密着強度が向上していることが分かる。よって、本発明によれば、絶縁膜同士の密着性を向上して、半導体装置の多層配線形成プロセスにおける歩留り及び信頼性を向上することができることが分かる。
【図２Ａ】
2009118805.tif 000014
【図２Ｂ】
2009118805.tif 000015
【図２Ｃ】
2009118805.tif 000016
【図２Ｄ】
2009118805.tif 000017
【図２Ｅ】
2009118805.tif 000018
【図２Ｆ】
2009118805.tif 000019
【図２Ｇ】
2009118805.tif 000020
【図２Ｈ】
2009118805.tif 000021
【図２Ｉ】
2009118805.tif 000022
【図２Ｊ】
2009118805.tif 000023
【図２Ｋ】
2009118805.tif 000024
【図２Ｌ】
2009118805.tif 000025
【図１Ａ】
2009118805.tif 000026
【図１Ｂ】
2009118805.tif 000027
【図３】
2009118805.tif 000028
【国際調査報告】
2009118805.tif 000029
2009118805.tif 000030
2009118805.tif 000031
2009118805.tif 000032