(57)【要約】  化学気相成長法用材料は、下記一般式（１）で表される有機シラン化合物を含む。【化１】2009119583.tif 000030・・・・・（１）（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍは０〜２の整数を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）
2009119583.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される有機シラン化合物を含む、化学気相成長法用材料。
【化１】
2009119583.tif 000029
・・・・・（１）
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍおよびｍ’は同一または異なり、０〜２の整数を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）
【請求項２】
ｍ＝ｍ’である、請求項１記載の化学気相成長法用材料。
【請求項３】
ｍ＝ｍ’＝１または２である、請求項２に記載の化学気相成長法用材料。
【請求項４】
ｍ＝０でかつｍ’＝１である、請求項１記載の化学気相成長法用材料。
【請求項５】
ｍ＝２でかつｍ’＝０〜１である、請求項１記載の化学気相成長法用材料。
【請求項６】
ｎ＝１である、請求項１ないし５のいずれかに記載の化学気相成長法用材料。
【請求項７】
ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いられる、請求項１ないし６のいずれかに記載の化学気相成長法用材料。
【請求項８】
ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ、含水分量が０．１％未満である、請求項１ないし７のいずれかに記載の化学気相成長法用材料。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の化学気相成長法用材料を用いて化学気相成長法により形成された、ケイ素含有絶縁膜。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の化学気相成長法用材料を化学気相成長法により基板に堆積させて堆積膜を形成する工程と、
前記堆積膜について、加熱、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれる少なくとも１種の硬化処理を行う工程と、
を含む、ケイ素含有絶縁膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかに記載の化学気相成長法用材料と、空孔形成剤とを化学気相成長法により基板に供給して堆積膜を形成する工程を含む、ケイ素含有絶縁膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のケイ素含有絶縁膜の製造方法により得られる、ケイ素含有絶縁膜。
【請求項１３】
−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ−Ｏ−部位（ここでｎは１〜３の整数を示す。）を含む、請求項９または１２に記載のケイ素含有絶縁膜。
【請求項１４】
比誘電率が３．０以下である、請求項９、１２および１３のいずれかに記載のケイ素含有絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学気相成長法用材料ならびにケイ素含有絶縁膜およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大規模半導体集積回路（ＵＬＳＩ）は、増大する情報処理量や機能の複雑さに対応するため、さらなる高速処理が強く望まれている。ＵＬＳＩの高速化は、チップ内素子の微細化・高集積化や膜の多層化により実現されてきている。しかしながら、素子の微細化に伴い配線抵抗や配線間寄生容量が増大し、配線遅延がデバイス全体の信号遅延の支配的要因となりつつある。この問題を回避するために、低抵抗率配線材料や低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）層間絶縁膜材料の導入が必須の技術となっている。【０００３】
低誘電率の層間絶縁膜としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）の膜密度を低下させたポーラスシリカ膜、Ｆをドープしたシリカ膜であるＦＳＧ、ＣをドープしたＳｉＯＣ膜等の無機系層間絶縁膜や、ポリイミド、ポリアリーレン、ポリアリーレンエーテル等の有機系層間絶縁膜が挙げられる。汎用されている層間絶縁膜の多くが化学気相成長（ＣＶＤ）法によって成膜されているため、化学的気相成長法による提案が多数なされている。とりわけ、反応に使用するシラン化合物に特徴があるものが多数提案されている。例えば、ジアルコキシシランを用いたもの（特開平１１−２８８９３１号公報、特開２００２−３２９７１８号公報）が提案されている。このような材料を用いることで、低誘電率でかつバリアメタル等との密着性が十分確保された膜が得られるとしている。【０００４】
しかしながら、従来のシラン化合物は、化学的に安定であるため化学的気相成長法による成膜時に極度な条件を必要とするものや、逆に化学的に不安定であり、チャンバー内に供給する配管中で反応を起こすものや、さらにはシラン化合物自身の貯蔵安定性が悪いものが存在する。また、選択する化合物によっては、成膜後の絶縁膜の吸湿性が高く、これに伴いリーク電流が高くなる弊害も生じる。さらに、実際の半導体装置の製造工程においては、層間絶縁膜をＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いて加工する工程が多く用いられており、このＲＩＥの際に膜の誘電率が上昇する問題や、その後の洗浄工程で用いられるフッ素酸系の薬液により層間絶縁膜にダメージが入る問題が存在しており、加工耐性が高い層間絶縁膜が求められている。【０００５】
これに対し、我々は２つのケイ素原子を炭素鎖で結合した化合物で、一方のケイ素には一価の炭化水素基のみを置換させ、もう一方のケイ素には１つないし２つのアルコキシ基を有するものを原料とした場合に、加工耐性に優れた膜を得ることができることを報告しているが、この場合得られた膜の機械的強度が不十分であり、さらなる強度向上と加工耐性を具有した層間絶縁膜の開発が求められている。【０００６】
また、特開２００７−３１８０６７号公報には、２つのケイ素原子が炭素鎖を介して結合し、かつ、双方のケイ素原子がアルコキシ基で置換された化合物を上記目的用に供することが開示されている。しかしながら、特開２００７−３１８０６７号公報において実施例として挙げられているのは、２つのケイ素原子がビニレン基を介して結合している化合物のみであり、このような化合物は、前述した加工耐性が必ずしも優れていないという懸念がある。【０００７】
これに対して、本出願人は、２つのケイ素原子が炭素鎖を介して結合している化合物であって、一方のケイ素原子には一価の炭化水素基のみが結合し、もう一方のケイ素原子には１つないし２つのアルコキシ基が結合するものを原料とした場合に、加工耐性に優れた膜を得ることができるとの知見を最近得ている（国際公開公報ＷＯ２００８／０２０５９２）。しかしながら、この場合、得られた膜の機械的強度が不十分であり、さらなる強度向上と加工耐性を具有した層間絶縁膜の開発が求められている。
【発明の開示】
【０００８】
本発明は、低比誘電率で加工耐性が高く、機械的強度が優れたケイ素含有絶縁膜およびその製造方法、ならびに、当該絶縁膜を形成することができる化学気相成長法用材料を提供する。
【０００９】
本発明者らは、ケイ素−炭素−ケイ素骨格を有し、いずれか一方のケイ素に酸素が結合した特定構造の有機シラン化合物が化学的に安定でありながら化学的気相成長法に好適で、更に、この有機シラン化合物を用いることにより、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高い層間絶縁膜材料を形成できることを見出した。
【００１０】
本発明の一態様に係る化学気相成長法用材料は、下記一般式（１）で表される有機シラン化合物を含む。
【００１１】
【化１】
2009119583.tif 000003
【００１２】
・・・・・（１）
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍおよびｍ’は同一または異なり、ｎは１〜３の整数を示す。）
【００１３】
この場合、ｍ＝ｍ’であることが好ましく、ｍ＝ｍ’＝１または２であることがより好ましい。
【００１４】
また、この場合、ｍ＝０でかつｍ’＝１であるであることが好ましい。
【００１５】
さらに、この場合、ｍ＝２でかつｍ’＝０〜１であることが好ましい。
【００１６】
上記化学気相成長法用材料において、ｎ＝１であることができる。
【００１７】
上記化学気相成長法用材料において、ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いられることができる。
【００１８】
上記化学気相成長法用材料において、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ、含水分量が０．１％未満であることができる。
【００１９】
本発明の他の一態様にかかるケイ素含有絶縁膜は、上記化学気相成長法用材料を用いて化学気相成長法により形成される。
【００２０】
本発明の他の一態様にかかるケイ素含有絶縁膜の製造方法は、
上記化学気相成長法用材料を化学気相成長法により基板に堆積させて堆積膜を形成する工程と、
前記堆積膜について、加熱、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれ
る少なくとも１種の硬化処理を行う工程と、
を含む。
【００２１】
上記ケイ素含有絶縁膜の製造方法において、上記化学気相成長法用材料と、空孔形成剤とを化学気相成長法により基板に供給して堆積膜を形成する工程を含む。
【００２２】
本発明の他の一態様にかかるケイ素含有絶縁膜は、上記ケイ素含有絶縁膜の製造方法により得られる。
【００２３】
上記ケイ素含有絶縁膜は、−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ−Ｏ−部位（ここでｎは１〜３の整数を示す。）を含むことができる。
【００２４】
上記ケイ素含有絶縁膜は、比誘電率が３．０以下であることができる。
【００２５】
上記化学気相成長法用材料は、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物を含むことにより、高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、化学的気相成長法に最適であり、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ吸湿性が低く、加工耐性が高い絶縁膜を形成するために用いることができる。
【００２６】
詳細な機構は明らかではないが、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物のうちＲ１ｍ−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ−Ｒ２ｍ’部分がＲＩＥから受けるダメージを弱め、またフッ素酸系の薬液に対する耐性を高める機能として作用し、かつ、−Ｓｉ−（ＯＲ３）３−ｍ部分および−Ｓｉ−（ＯＲ４）３−ｍ’部分が−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合を形成し、３次元の架橋度の高い骨格を形成するため、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ加工耐性が高い絶縁膜を得ることができると推測される。
【００２７】
また、上記ケイ素含有絶縁膜は、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ加工耐性が高い。
【００２８】
さらに、上記ケイ素含有絶縁膜の製造方法によれば、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ加工耐性が高い絶縁膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、本発明について具体的に説明する。【００３０】
１．化学気相成長法用材料およびその製造方法
１．１．化学気相成長法用材料（第１実施形態）
本発明の一実施形態に係る化学気相成長法用材料は、下記一般式（１）で示される有機シラン化合物（以下、「化合物１」ともいう。）を含む。【００３１】
【化２】
2009119583.tif 000004
【００３２】
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示し、Ｒ３およびＲ４は同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示し、ｍおよびｍ’は同一または異なり、０〜２の整数を示し、ｎは１〜３の整数を示す。）【００３３】
上記一般式（１）において、ケース（ｉ）ｍ＝ｍ’であること（機械的強度がより優れた膜が得られる点でより好ましくはｍ＝ｍ’＝１または２）、ケース（ｉｉ）ｍ＝０でかつｍ’＝１であること、ケース（ｉｉｉ）ｍ＝２でかつｍ’＝０〜１であることがそれぞれ好ましい。【００３４】
また、上記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ２は、同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示す。ここで、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基を挙げることができる。Ｒ１およびＲ２としては、メチル基、ビニル基、または水素原子であることが特に好ましい。【００３５】
さらに、上記一般式（１）において、Ｒ３およびＲ４は、同一または異なり、炭素数１〜４のアルキル基、アセチル基、またはフェニル基を示す。ここで、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、上記Ｒ１およびＲ２として例示したものと同様のアルキル基を挙げることができる。Ｒ３およびＲ４としては、メチル基またはエチル基であることが特に好ましい。また、Ｒ３およびＲ４は同一であることが好ましい。【００３６】
加えて、上記一般式（１）において、機械的強度がより優れた膜が得られる点で、また加工耐性が優れた膜が得られる点で、ｎ＝１であることが好ましい。【００３７】
また、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物において、合成および精製の容易性、取り扱いの容易性の観点から、Ｒ１ならびにＲ２において水素原子の総数が０〜２であるのが好ましく、０〜１であるのがより好ましい。有機シラン化合物の低沸点化、及び形成されたケイ素含有膜の機械的強度の向上の観点からはＲ１ならびにＲ２において水素原子の総数が１または２であることが好ましい。【００３８】
１．１．１．ケース（ｉ）
ケース（ｉ）の有機シラン化合物の場合、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物は、双方のケイ素原子の置換度が対称である。すなわち、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物は、双方のケイ素原子が同じ数のＯＲ基（ここで、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基を示す。）によって置換されている。これにより、ケース（ｉ）の有機シラン化合物を用いることにより、加工耐性と機械的強度とのバランスが膜全体で均一である膜を得ることができる。【００３９】
上記一般式（１）において、ｎ＝１でかつｍ＝ｍ’＝０の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００４０】
【化３】
2009119583.tif 000005
【００４１】
上記一般式（１）において、ｎ＝１でかつｍ＝ｍ’＝１の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００４２】
【化４】
2009119583.tif 000006
【００４３】
上記一般式（１）において、ｎ＝１でかつｍ＝ｍ’＝２の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００４４】
【化５】
2009119583.tif 000007
【００４５】
上記一般式（１）において、ｎ＝２でかつｍ＝ｍ’＝０の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００４６】
【化６】
2009119583.tif 000008
【００４７】
上記一般式（１）において、ｎ＝２でかつｍ＝ｍ’＝１の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００４８】
【化７】
2009119583.tif 000009
【００４９】
上記一般式（１）において、ｎ＝２でかつｍ＝ｍ’＝２の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００５０】
【化８】
2009119583.tif 000010
【００５１】
上記一般式（１）において、ｎ＝３でかつｍ＝ｍ’＝０の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００５２】
【化９】
2009119583.tif 000011
【００５３】
上記一般式（１）において、ｎ＝３でかつｍ＝ｍ’＝１の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００５４】
【化１０】
2009119583.tif 000012
【００５５】
上記一般式（１）において、ｎ＝３でかつｍ＝ｍ’＝２の有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００５６】
【化１１】
2009119583.tif 000013
【００５７】
１．１．２．ケース（ｉｉ）
ケース（ｉｉ）の有機シラン化合物を用いて得られた絶縁膜は、機械的強度が非常に優れており、かつ、低誘電率で加工耐性が高い。この場合、詳細な機構は明らかではないが、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物のうち−Ｓｉ−（ＯＲ３）３部分および−Ｓｉ−（ＯＲ４）２部分が−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合を形成し、３次元の架橋度の高い骨格を形成し、この骨格が機械的強度の大きさに寄与し、かつ、−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ−Ｒ２部分がＲＩＥから受けるダメージを弱め、またフッ素酸系の薬液に対する耐性を高めると推測される。【００５８】
なお、ケース（ｉｉ）の場合、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物において、有機シラン化合物の低沸点化、および形成されたケイ素含有膜の機械的強度の向上の観点からは、Ｒ１が水素原子であるのがより好ましい。一方、合成および精製の容易性、取扱の容易性からはＲ１が水素原子以外の基であるのがより好ましい。【００５９】
上記一般式（１）において、ｎ＝１であって、ｍ＝０でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００６０】
【化１２】
2009119583.tif 000014
【００６１】
上記一般式（１）において、ｎ＝２であって、ｍ＝０でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００６２】
【化１３】
2009119583.tif 000015
【００６３】
上記一般式（１）において、ｎ＝３であって、ｍ＝０でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００６４】
【化１４】
2009119583.tif 000016
【００６５】
１．１．３．ケース（ｉｉｉ）
ケース（ｉｉｉ）の有機シラン化合物の場合、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物は、一方のケイ素原子の２つの置換基のみ、あるいは一方のケイ素原子の２つの置換基と他方のケイ素原子の１つの置換基が水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、フェニル基のいずれかで置換されており、酸素原子は一方のケイ素原子の一つの置換基と他方のケイ素原子の２つまたは３つの置換基と結合している。【００６６】
ケース（ｉｉｉ）の有機シラン化合物の場合、詳細な機構は明らかではないが、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物のうちＲ１２−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ部分がＲＩＥから受けるダメージを弱め、またフッ素酸系の薬液に対する耐性を高める機能として作用し、かつ、−Ｓｉ−ＯＲ２部分および−Ｓｉ−（ＯＲ４）ｍ部分が−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−結合を形成し、３次元の架橋度の高い骨格を形成するため、ケース（ｉｉｉ）の有機シラン化合物を用いることにより、機械的強度に優れ、低比誘電率でかつ加工耐性が高い絶縁膜を得ることができると推測される。【００６７】
さらに、ケース（ｉｉｉ）の有機シラン化合物の場合、上記一般式（１）において、機械的強度がより優れた膜が得られる点でｍは３であることが好ましい。【００６８】
加えて、ケース（ｉｉｉ）の有機シラン化合物の場合、上記一般式（１）において、合成および精製の容易性、取り扱いの容易性の観点から、Ｒ１ならびにＲ３において水素原子の総数が０〜２であるのが好ましく、０〜１であるのがより好ましい。また、有機シラン化合物の低沸点化、及び形成された膜の機械的強度向上の観点からはＲ１ならびにＲ３において水素原子の総数が１または２であることが好ましい。【００６９】
上記一般式（１）において、ｎ＝１、ｍ＝２でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００７０】
【化１５】
2009119583.tif 000017
【００７１】
上記一般式（１）において、ｎ＝１、ｍ＝２でかつｍ’＝０である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００７２】
【化１６】
2009119583.tif 000018
【００７３】
上記一般式（１）において、ｎ＝２、ｍ＝２でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００７４】
【化１７】
2009119583.tif 000019
【００７５】
上記一般式（１）において、ｎ＝２、ｍ＝２でかつｍ’＝０である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００７６】
【化１８】
2009119583.tif 000020
【００７７】
上記一般式（１）において、ｎ＝３、ｍ＝２でかつｍ’＝１である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００７８】
【化１９】
2009119583.tif 000021
【００７９】
上記一般式（１）において、ｎ＝３、ｍ＝２でかつｍ’＝０である有機シラン化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。【００８０】
【化２０】
2009119583.tif 000022
【００８１】
本実施形態に係る化学気相成長法用材料は、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物から主に構成されるのが好ましいが、他の成分を含んでいてもよい。好ましくは、本実施形態に係る化学気相成長法用材料は、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物を３０〜１００％含むのが好ましい。【００８２】
本実施形態に係る化学気相成長法用材料は、ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いることができる。このような絶縁膜は、半導体製造工程中の洗浄工程で汎用されているフッ酸系の薬液に対して高い耐性を有するため、加工耐性が高いという特徴を有する。【００８３】
また、本実施形態に係る化学気相成長法用材料は、上記一般式（１）で表される有機シラン化合物を含有するものであるが、絶縁膜形成用材料として使用する場合
、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素（以下、「不純物」ともいう。）の含有量が１０ｐｐｂ未満であり、かつ含水分量が０．１％未満であることが好ましい。このような絶縁膜形成用材料を用いて絶縁膜を形成することにより、低比誘電率でかつ加工耐性に優れた絶縁膜を収率良く得ることができる。【００８４】
１．２．他のシラン化合物
本発明の一実施形態に係る化学気相成長法用材料は、下記一般式（２）で表されるシラン化合物（以下、「化合物２」ともいう。）、下記一般式（３）で表されるシラン化合物（以下、「化合物３」ともいう。）、および下記一般式（４）で表されるシラン化合物（以下、「化合物４」ともいう。）から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物（以下、「（II）成分」ともいう。）を含むことができる。化合物２〜４については、１種または２種以上を同時に使用してもよい。また、本発明の一実施形態に係る化学気相成長法用材料は、（II）成分とともに、後述する空孔形成剤をさらに含むことができる。【００８５】
Ｒ６ａＳｉ（ＯＲ７）４−ａ  ・・・・・（２）
（式中、Ｒ６は同一または異なり水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ７は同一または異なり、１価の有機基を示し、ａは０〜４の整数を示す。）
Ｒ８ｂ（Ｒ９Ｏ）３−ｂＳｉ−Ｏｅ−Ｓｉ（ＯＲ１０）３−ｃＲ１１ｃ
・・・（３）
（式中、Ｒ８〜Ｒ１１は同一または異なり、それぞれ水素原子、フッ素原子、１価の有機基を示し、ｂおよびｃは同一または異なり、それぞれ０〜３の数を示し、ｅは０または１を示す。）【００８６】
【化２１】
2009119583.tif 000023
【００８７】
・・・・・（４）
（式中、Ｒ１３およびＲ１４は同一または異なり、水素原子、フッ素原子、または１価の有機基より選ばれる基を示し、Ｒ１５は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ２）ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）を示し、ｆは０〜２の整数を示し、ｇは０または１を示し、ｈは２〜３０の数を示す。）【００８８】
本実施形態に係る化学気相成長法用材料が（II）成分を含む場合、化合物１（以下、「（Ｉ）成分」ともいう。）と（II）成分のモル比は、（Ｉ）成分および（II）成分の合計を１００モル％としたとき、（Ｉ）成分が１０モル％〜９０モル％であり、１５モル％〜８５モル％であることがより好ましい。【００８９】
本実施形態に係る化学気相成長法用材料が空孔形成剤を含む場合、比誘電率を低下させ、均一な膜を得る観点から、（Ｉ）成分１００重量部に対して０．０５〜１００００重量部の空孔形成剤を含むことが好ましく、０．１〜５０００重量部の空孔形成剤を含むことがより好ましい。【００９０】
本実施の形態に係るケイ素含有絶縁膜の形成方法において、（Ｉ）成分と（II）成分のモル比は、（Ｉ）成分および（II）成分の合計を１００モル％としたとき、（Ｉ）成分が１０モル％〜９０モル％であり、１５モル％〜８５モル％であることがより好ましい。【００９１】
第１実施形態に係る組成物（化学気相成長法用材料）は、化合物１を含有するため、ケイ素、炭素、酸素、および水素を含む絶縁膜を形成するために用いることができる。このような絶縁膜は、半導体製造工程中の洗浄工程で汎用されているフッ酸系の薬液に対して高い耐性を有するため、加工耐性が高いという特徴を有する。【００９２】
また、第２実施形態に係る組成物（化学気相成長法用材料）は、化合物１に比べて架橋性の置換基が多い化合物２〜４から選ばれる少なくとも１種をさらに含有するものであるため、かかる組成物を用いることによって、さらに機械的強度に優れ、低比誘電率の絶縁膜を形成することができる。【００９３】
１．２．１．化合物２
上記一般式（２）において、Ｒ６，Ｒ７で示される１価の有機基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アリル基、グリシジル基等を挙げることができる。なかでも、Ｒ６，Ｒ７で表される１価の有機基は、アルキル基またはフェニル基であることが好ましい。【００９４】
ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原子等に置換されていてもよい。アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基等を挙げることができる。アルケニル基としては、例えばビニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、３−ヘキセニル基を挙げることができる。【００９５】
化合物２の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジメチルメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチル-n-プロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチル−ｎ−プロポキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニル−エトキシシラン、トリフェニル−ｎ−プロポキシシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン等が挙げられる。【００９６】
これらは１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。【００９７】
１．２．２．化合物３
上記一般式（３）において、Ｒ８〜Ｒ１１で示される１価の有機基としては、上記一般式（２）のＲ６，Ｒ７として例示したものと同様の基を挙げることができる。【００９８】
化合物３の具体例としては、例えばヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，１，３，３−テトラメチルー１，３−ジメトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシー１，３−ジメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げることができる。【００９９】
上述した化合物３は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。【０１００】
１．２．３．化合物４
本実施の形態に係る化合物４は、上記一般式（４）で示される繰り返し構造を有するオリゴマーであり、環状構造を有していてもよい。【０１０１】
上記一般式（４）において、Ｒ１３、Ｒ１４で示される１価の有機基としては、上記一般式（２）のＲ６，Ｒ７として例示したものと同様の基を挙げることができる。【０１０２】
上記一般式（４）において、化合物４としては、オクタメチルトリシラン、オクタエチルトリシラン、１，２，３−トリメトキシ−１，１，２，３，３−ペンタメチルトリシラン、１，２，３−トリメトキシ−１，１，２，３，３−ペンタエチルトリシラン、オクタメトキシトリシラン、オクタエトキシトリシラン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルシクロテトラシロキサンを好ましい例としてあげることができる。【０１０３】
上述した化合物４は、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。【０１０４】
１．３．有機シラン化合物の製造方法
上記一般式（１）で表される有機シラン化合物の製造方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、下記の第１および第２の方法が挙げられる。【０１０５】
１．３．１．第１の方法
第１の方法は、下記一般式（５）で表される有機シラン化合物と下記一般式（６）で示される有機シラン化合物とを金属存在下でカップリング反応させた後、ハロゲン化水素を反応させてフェニル基をハロゲン原子に置換し、その後、オルトギ酸トリアルキルを用いて当該ハロゲン原子をアルコキシ基に置換する方法または有機アミン存在下アルコールを直接作用させる方法である。【０１０６】
【化２２】
2009119583.tif 000024
【０１０７】
・・・・・（５）
（式中、Ｒ１は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはビニル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０〜２の整数を示し、ｎは０〜２の整数を示す。）【０１０８】
【化２３】
2009119583.tif 000025
【０１０９】
・・・・・（６）
（式中、Ｒ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはビニル基を示し、Ｙはハロゲン原子、水素原子、またはアルコキシ基を示し、ｍ’は０〜２の整数を示す。）【０１１０】
上記一般式（５）および（６）において、Ｒ１およびＲ２で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、上記一般式（５）においてＲ１およびＲ２で示される炭素数１〜４のアルキル基として例示したものが挙げられ、Ｘ，Ｙで示されるハロゲン原子としては、例えば、臭素原子、塩素原子が挙げられ、Ｙで示されるアルコキシ基としては、上記一般式（５）において−ＯＲ４で示されるアルコキシ基として例示されるものが挙げられる。【０１１１】
オルトギ酸トリアルキルが有するアルキル基としては、上記一般式（５）においてＲ２またはＲ４で示される炭素数１〜４のアルキル基として例示したものが挙げられ、たとえばオルトギ酸トリメリル、オルトギ酸トリエチル等が挙げられる。またオルトギ酸トリアルキルに換えてアセトンジメチルアセタール等の２以上のアルコキシ基を有する化合物を用いてもよい。【０１１２】
１．３．２．第２の方法
第２の方法は、下記一般式（７）で表される有機シラン化合物と下記一般式（８）で示される有機シラン化合物とを金属存在下でカップリング反応させた後、アルコールを直接作用させてハロゲン原子をアルコキシ基に変換する方法である。【０１１３】
【化２４】
2009119583.tif 000026
【０１１４】
・・・・・（７）
（式中、Ｒ１は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０〜２の整数を示し、ｎは１〜２の整数を示す。）【０１１５】
【化２５】
2009119583.tif 000027
【０１１６】
・・・・・（８）
（式中、Ｒ２は同一または異なり、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、またはフェニル基を示し、Ｙはハロゲン原子、水素原子、またはアルコキシ基を示し、ｍ’は０〜２の整数を示す（ただし、ＹおよびＲ２のうち少なくとも１つは水素原子である。））【０１１７】
上記一般式（７）および（８）において、Ｒ１およびＲ２で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、上記一般式（１）においてＲ１およびＲ２で示される炭素数１〜４のアルキル基として例示したものが挙げられ、Ｘ，Ｙで示されるハロゲン原子としては、例えば、臭素原子、塩素原子が挙げられる。【０１１８】
第２の方法で使用可能な金属としては、例えば、ヘキサクロロ白金酸等の白金化合物またはロジウム化合物が挙げられる。また、第２の方法で使用可能なアルコールとしては、例えば、炭素数１〜４のアルキル基を有するものが挙げられる。【０１１９】
２．ケイ素含有絶縁膜の製造方法
本発明の一実施形態に係るケイ素含有絶縁膜の製造方法は、限定されるものではないが、化学気相成長法（ＣＶＤ法）による行うことが好ましく、特にプラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）により行うことが好ましい。ＰＥＣＶＤ法装置において、化合物１と、必要に応じて化合物２〜４から選ばれる少なくとも１種の化合物と空孔形成剤とを気化器により気化させて、成膜チャンバー内に導入し、高周波電源により成膜チャンバー内の電極に印加し、プラズマを発生させることにより、成膜チャンバー内の基材にプラズマＣＶＤ膜を形成することができる。【０１２０】
本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜が形成される基材としては、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＣＮ等のＳｉ含有層が挙げられる。この際、成膜チャンバー内には、プラズマを発生させる目的でアルゴン、ヘリウム等のガス、酸素、亜酸化窒素等の酸化剤を導入することができる。ＰＥＣＶＤ装置によって本実施形態に係る化学気相成長法用材料を用いて成膜することにより、半導体デバイス用の低誘電率材料として好適な薄膜（堆積膜）を形成できる。【０１２１】
ＰＥＣＶＤ装置のプラズマ発生方法については、特に限定されず、例えば、誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、ＥＣＲプラズマ等を用いることができる。【０１２２】
このようにして得られたケイ素含有堆積膜の膜厚は０．０５〜５．０μｍであることが好ましい。その後、得られた該堆積膜に対して硬化処理を施すことにより、ケイ素含有絶縁膜を形成することができる。【０１２３】
硬化処理としては、加熱、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれる少なくとも１種であることができ、これらの中から複数の処理を選択して同時に行ってもよい。【０１２４】
加熱により硬化を行う場合は、例えば、化学気相成長法により形成された堆積膜を不活性雰囲気下または減圧下で８０℃〜４５０℃に加熱する。この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、不活性雰囲気下または減圧下で行うことができる。【０１２５】
また、加熱による硬化に加えて、電子線照射、紫外線照射、および酸素プラズマから選ばれる少なくとも１種の処理を行うことで、形成されたケイ素含有絶縁膜の機械的強度を向上させることができる。この場合、ケイ素含有絶縁膜の機械的強度を高めることができる点で、波長２５０ｎｍ以下の紫外線を用いるのが好ましく、波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射するのがより好ましい。【０１２６】
また、堆積膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、あるいは、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択したりすることができる。以上の工程により、ケイ素含有絶縁膜を形成することができる。【０１２７】
３．空孔形成剤
次に、ケイ素含有絶縁膜の製造方法において用いられる空孔形成剤について説明する。空孔形成剤としては、例えば、環構造を有する化合物が挙げられ、好ましくは、分子中に２以上の環を有する化合物（多環性化合物）であり、より好ましくは縮合環を有する化合物であり、例えば、多環性炭化水素または単環性炭化水素や、ヘテロ原子（酸素原子、窒素原子、またはフッ素原子、好ましくは酸素原子）を含む化合物が挙げられる。【０１２８】
比誘電率が低く十分な機械的強度を有する絶縁膜を得るためには、絶縁膜に存在する多孔質の孔の大きさおよび数が重要であり、多孔質の孔の大きさを決定する要素のひとつは、使用する空孔形成剤の種類である。【０１２９】
比誘電率が低く十分な機械的強度を有する絶縁膜を得るためには、空孔形成剤は多環性化合物であることが好ましく、多環性化合物は例えば、３員環化合物または４員環化合物および／または７員環以上の環構造を有する化合物であり、例えば、シクロペンテンオキシドなどのオキサビシクロ化合物またはビジクロヘプタジエン（ＢＣＨＤ）である。【０１３０】
本実施形態に係る化学気相成長法用材料（組成物）が空孔形成剤を含む場合、全有機シラン化合物１００重量部に対して０．０５〜１００００重量部の空孔形成剤を含むことが好ましく、０．１〜５０００重量部の空孔形成剤を含むことがより好ましい。本実施形態に係る化学気相成長法用材料（組成物）において、空孔形成剤の含有量が全有機シラン化合物１００重量部に対して０．０５未満であると比誘電率を低下させることが困難である場合があり、一方、１００００重量部を超えると、均一な膜が得られない場合がある。【０１３１】
３．１．オキサビシクロ化合物
オキサビシクロ化合物としては、例えば、６−オキサビシクロ［３．１．０］ヘキサン（シクロペンテンオキサイド）、７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン（シクロヘキセンオキサイド）、９−オキサビシクロ［６．１．０］ノナン（シクロオクテンオキサイド）、７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン（１，４−エポキシシクロヘキサン）が挙げられる。【０１３２】
また、オキサビシクロ化合物としては、例えば、９−オキサビシクロ［６．１．０］ノン−４−エン化合物が挙げられる。また、オキサビシクロ化合物は例えば、７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン−２−オンや３−オキサビシクロ［３．１．０］ヘキサン−２，４−ジオンなどのように、限定されないが例えば、ケトン、アルデヒド、アミン、アミド、イミド、エーテル、エステル、無水物、カーボネート、チオール、チオエーテルなどの付加的な官能基を有する化合物であってもよい。【０１３３】
３．２．多環性炭化水素
多環性炭化水素は、炭素数が６〜１２であることが好ましく、例えば、２，５−ノルボマジエン（ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエン）、ノルボミレン、２，５−ノルボルナジエン（ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエン）、ノルボルナン（ビシクロ［２．２．１］ヘプタン）、トリシクロ［３．２．１．０］オクタン、トリシクロ［３．２．２．０］ノナン、スピロ［３．４］オクタン、スピロ［４．５］ノナン、スピロ［５．６］デカンなどの結合環炭化水素が挙げられる。【０１３４】
３．３．単環性炭化水素
単環性炭化水素としては、例えば、シクロペンタン、シクロヘキサンなどの炭素数が５〜１２の脂環式炭化水素や、ベンゼン、トルエン、キシレン（ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｎ−キシレン）などの炭素数が６〜１２の芳香族炭化水素が挙げられる。【０１３５】
４．ケイ素含有絶縁膜
本発明の一実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は上記製造方法により得ることができる。【０１３６】
本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は低誘電率でありかつ表面平坦性に優れるため、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体素子用層間絶縁膜として特に優れており、かつ、エッチングストッパー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などに好適に用いることができる。また、本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は例えば、銅ダマシンプロセスによって形成される半導体装置に好適である。【０１３７】
本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は上記化学気相成長法用材料を用いて形成されるため、−Ｓｉ−（ＣＨ２）ｎ−Ｓｉ−Ｏ−部位（ここでｎは１〜３の整数を示す。）を含むことができる。本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は上記部位を有することにより、薬剤耐性に優れ、かつ、加工時に比誘電率の上昇を抑えることができるため、低比誘電率でありかつ加工耐性に優れている。【０１３８】
本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜の比誘電率は、好ましくは３．０以下であり、より好ましくは１．８〜３．０であり、さらに好ましくは２．２〜３．０である。【０１３９】
本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜の弾性率は、好ましくは、４．０〜１８．０ＧＰａであり、より好ましくは４．０〜１５．０ＧＰａであり、さらに好ましくは１０．０〜１２．０ＧＰａであり、硬度は、好ましくは０．１ＧＰａ以上であり、より好ましくは１．０ＧＰａ以上である。これらのことから、本実施形態に係るケイ素含有絶縁膜は、機械的強度、比誘電率などの絶縁膜特性に極めて優れているといえる。【０１４０】
５．実施例
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」および「％」は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量％であることを示している。【０１４１】
５．１．評価方法
各種の評価は、次のようにして行った。【０１４２】
５．１．１．有機シラン化合物中の不純物含有量
精製した有機シラン化合物中の水分量および不純物含有量は、カールフィッシャー水分計（平沼産業社製、微量水分測定装置ＡＱ−７）および原子吸光分光光度計（日立ハイテク社製、偏光ゼーマン原子吸光分光光度計Ｚ−５７００）を用いて測定した。【０１４３】
５．１．２．比誘電率測定
８インチシリコンウエハ上に、ＰＥＣＶＤ法により後述する条件によりケイ素含有絶縁膜を形成した。得られた膜に、蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成し、比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルについて、周波数１００ｋＨｚの周波数で、横河・ヒューレットパッカード（株）製、ＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣＶ法により当該絶縁膜の比誘電率を測定した。Δｋは、２４℃、４０％ＲＨの雰囲気で測定した比誘電率（ｋ＠ＲＴ）と、２００℃、乾燥窒素雰囲気下で測定した比誘電率（ｋ＠２００℃）との差（Δｋ＝ｋ＠ＲＴ−ｋ＠２００℃）である。かかるΔｋにより、主に、膜の吸湿による比誘電率の上昇分を評価することができる。通常、Δｋが０．１５以上であると、吸水性の高い有機シリカ膜であるといえる。【０１４４】
５．１．３．絶縁膜の硬度および弾性率（ヤング率）評価
ＭＴＳ社製超微少硬度計(Ｎａｎｏｉｎｄｅｎｔａｔｏｒ ＸＰ)にバーコビッチ型圧子を取り付け、得られた絶縁膜のユニバーサル硬度を求めた。また、弾性率は連続剛性測定法により測定した。【０１４５】
５．１．４．薬液耐性
ケイ素含有絶縁膜が形成された８インチウエハを、０．２％の希フッ酸水溶液中に室温で３分間浸漬し、浸漬前後のケイ素含有絶縁膜の膜厚変化を観察した。下記に定義する残膜率が９９％以上であれば、薬液耐性が良好であると判断する。【０１４６】
残膜率（％）＝（浸漬後の膜の膜厚）÷（浸漬前の膜の膜厚）×１００
Ａ：残膜率が９９％以上である。【０１４７】
Ｂ：残膜率が９０％以上９９％未満である。【０１４８】
Ｃ：残膜率が７０％以上９０％未満である。【０１４９】
Ｄ：残膜率が７０％未満である。【０１５０】
５．１．５．プラズマアッシング耐性評価
ケイ素含有絶縁膜が形成された８インチウエハを、東京エレクトロン社製プラズマアッシング装置を用いて、窒素および水素を用いる有機フォトレジストアッシング条件に暴露し、絶縁膜の暴露前後の誘電率変化よりプラズマアッシング耐性を評価した。暴露前後の誘電率変化に応じて次のように評価した。【０１５１】
Ｓ  比誘電率の上昇値が０．１未満
Ａ  比誘電率の上昇値が０．１以上０．２未満
Ｂ  比誘電率の上昇値が０．２以上０．５未満
Ｃ  比誘電率の上昇値が０．５以上【０１５２】
５．２．化学気相成長法用材料の製造例
５．２．１．合成例１
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２２２ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびメチルジフェニルクロロシラン２３３ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加した後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた後減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、ビス（ジフェニルメチルシリル）メタン３３４ｇ（収率８２％）を得た。【０１５３】
ガス導入管および乾燥管を備えた３つ口フラスコに、ビス（ジフェニルメチルシリル）メタン２０４ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、乾燥塩化水素ガスを３時間導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去して得られた粗生成物を蒸留で分離することで、ビス（ジクロロメチルシリル）メタン９１ｇ（収率７５％）を得た。【０１５４】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、ビス（ジクロロメチルシリル）メタンを８５ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１４９ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン７２ｇ（収率８６％）を得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．３％であった。また、残存水分量は１１７ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．０ｐｐｂ、Ｋ＝１．２ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．３ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成用材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１５５】
５．２．２．合成例２
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２２２ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびジフェニルクロロシラン２１９ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加した後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた後減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジシラブタン３２４ｇ（収率８２％）を得た。【０１５６】
次いで、ガス導入管および乾燥管を備えた３つ口フラスコに、１，１，３，３−テトラフェニル−１，３−ジシラブタン１９８ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、乾燥塩化水素ガスを３時間導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去して得られた粗生成物を蒸留で分離することで、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジシラブタン８６ｇ（収率７５％）を得た。【０１５７】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、１，１，３，３−テトラクロロ−１，３−ジシラブタンを８６ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１４９ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジシラブタン６７ｇ（収率８６％）を得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．３％であった。また、残存水分量は１３１ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．４ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．５ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１５８】
５．２．３．合成例３
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にビス（ジクロロシリル）メタン２１４ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル４２４ｇを２時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、ビス（ジメトキシシリル）メタンを１６９ｇ（収率８５％）得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．１％であった。また、残存水分量は１７６ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．６ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．９ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１５９】
５．２．４．合成例４
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジフェニルシラン２２２ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびトリフェニルクロロシラン３２０ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、１，１，１，３，３−ペンタフェニル−１，３−ジシラブタンを４１０ｇ（収率８７％）得た。【０１６０】
次いで、ガス導入管および乾燥管を備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３，３−ペンタフェニル−１，３−ジシラブタン２３５ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、乾燥塩化水素ガスを３時間導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去してから、この粗生成物を蒸留で分離することで、１，１，１，３，３−ペンタクロロ-１，３−ジシラブタンを１０５ｇ（収率８０％）得た。【０１６１】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３，３−ペンタクロロ−１，３−ジシラブタンを１０５ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１７０ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−１，３−ジシラブタンを７０ｇ（収率７３％）得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．３％であった。また、残存水分量は１２９ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．３ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．１ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１６２】
５．２．５．合成例５
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）ジメチルフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）ジメチルフェニルメチルシラン１６０ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびメチルジフェニルクロロシラン２３３ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、２−メチル−２，４，４−トリフェニル−２，４−ジシラペンタンを３０４ｇ（収率８８％）で得た。【０１６３】
次に、ガス導入管、ならびに乾燥管を備えた３つ口フラスコに、２−メチル−２，４，４−トリフェニル−２，４−ジシラペンタン１７３ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、３時間乾燥塩化水素ガスを導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去してから、この粗生成物を蒸留で分離することで、２，２，４−トリクロロ−４−メチル−２，４−ジシラペンタンを７８ｇ（収率７０％）得た。【０１６４】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、２，２，４−トリクロロ−４−メチル−２，４−ジシラペンタンを７８ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１４９ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、２，２，４−トリメトキシ−４−メチル−２，４−ジシラペンタンを６２ｇ（収率８６％）得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．１％であった。また、残存水分量は１２７ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．１ｐｐｂ、Ｋ＝１．０ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．３ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１６５】
５．２．６．合成例６
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）ジフェニルビニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）ジフェニルビニルシラン２３４ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびジフェニルビニルクロロシラン２５０ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加した後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた後、該有機相を減圧濃縮して得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、ビス（ジフェニルビニルシリル）メタン２８１ｇ（収率６５％）を得た。【０１６６】
次いで、ガス導入管および乾燥管を備えた３つ口フラスコに、ビス（ジフェニルビニルシリル）メタン２１６ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、乾燥塩化水素ガスを３時間導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去して得られた粗生成物を蒸留で分離することにより、ビス（ジクロロビニルシリル）メタン１０６ｇ（収率８０％）で得た。【０１６７】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、ビス（ジクロロビニルシリル）メタンを９３ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１４９ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、ビス（ジメトキシビニルシリル）メタン５５ｇ（収率６３％）を得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９９．２％であった。また、残存水分量は１０７ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝０．８ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．７ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成用材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１６８】
５．２．７．合成例７
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）ビニルジフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）ビニルジフェニルシラン２３４ｇを１時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびトリフェニルクロロシラン３２０ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加した後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Ｌで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮し、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、１，１，１，３，３−ペンタフェニル−３−ビニル−１，３−ジシラプロパンを３６７ｇ（収率７６％）得た。【０１６９】
次に、ガス導入管および乾燥管を備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３，３−ペンタフェニル−３−ビニル−１，３−ジシラプロパン２４１ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、乾燥塩化水素ガスを３時間導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去してから、この粗生成物を蒸留で分離することで、１，１，１，３，３−ペンタクロロ−３−ビニル−１，３−ジシラプロパンを１０３ｇ（収率７５％）得た。【０１７０】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３，３−ペンタクロロ−３−ビニル−１，３−ジシラプロパンを１０３ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１４８ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−ビニル−１，３−ジシラプロパンを７９ｇ（収率８９％）得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９８．６％であった。また、残存水分量は１６２ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．０ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７１】
５．２．８．合成例８
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム３０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）ジビニルフェニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）ジビニルフェニルメチルシラン１８４ｇを1時間かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびトリフェニルクロロシラン３２０ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、３％塩化アンモニウム水溶液を加え反応を失活させ、ジエチルエーテル５００ｍｌを添加後、有機相を３％塩化ナトリウム水溶液１Lで２回洗浄した。この有機相を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、この粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィーで分離することにより、１，１，１，３−テトラフェニル−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパンを２６０ｇ（収率６０％）で得た。【０１７２】
次に、ガス導入管、ならびに乾燥管を備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３−テトラフェニル−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパン２１６ｇおよびベンゼン５００ｍｌを加え、さらに塩化アルミニウム１．５ｇを加えた。室温で撹拌しながら、３時間乾燥塩化水素ガスを導入し続けた。ここにアセトン５ｍｌを加えた後、ろ過で塩を除去し、さらに減圧濃縮して溶媒を除去してから、この粗生成物を蒸留で分離することで、１，１，１，３−テトラクロロ−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパンを１００ｇ（収率７５％）で得た。【０１７３】
次いで、冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコに、１，１，１，３−テトラクロロ−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパンを１００ｇ加え、次いで滴下ロートからオルトギ酸トリメチル１５９ｇを１時間かけて室温で滴下した。滴下後、室温で２日撹拌し、反応液を蒸留で分離することで、１，１，１，３−テトラメトキシ−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパンを６３ｇ（収率６８％）得た。この化合物のＧＣ法で得られた純度は９８．９％であった。また、残存水分量は１１２ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．０ｐｐｂ、Ｋ＝１．９ｐｐｂ、Ｆｅ＝２．０ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７４】
５．２．９．合成例９
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にトルエン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながらエチルジクロロシラン１２９ｇおよびビニルエチルジクロロシラン１５５ｇを加えた。しばらく撹拌し、ここにクロロ白金酸１００ｍｇを加え、１００℃で５時間反応させた。これを室温まで冷却させたのち、ピリジン２３８ｇを加え撹拌しながら、エタノール１４０ｇを滴下して加えた。滴下後室温で３時間反応させた後、生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、１，２−ビス（ジエトキシエチルシリル）エタン２３２ｇ（収率７２％）を得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．４％であった。また、残存水分量は４１ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．１ｐｐｂ、Ｋ＝１．５ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．８ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成用材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７５】
５．２．１０．合成例１０
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にトルエン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながらトリクロロシラン１３５ｇおよびエチルビニルジエトキシシラン１７４ｇを加えた。しばらく撹拌した後、さらにクロロ白金酸１００ｍｇを加えて、１００℃で５時間反応させた。これを室温まで冷却させた後、ピリジン１５８ｇを加え撹拌しながら、エタノール１３８ｇを滴下して加えた。滴下後、室温で３時間反応させた後、生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、１，１，１，４，４−ペンタエトキシ−１，４−ジシラヘキサンを２２０ｇ（収率６５％）得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．０％であった。また、残存水分量は１８５ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．７ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７６】
５．２．１１．合成例１１
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にトルエン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながらエチルジクロロシラン１２９ｇおよびビニルジエチルクロロシラン１４９ｇを加えた。しばらく撹拌し、ここにクロロ白金酸１００ｍｇを加え、１００℃で５時間反応させた。これを室温まで冷却させたのち、ピリジン２３８ｇを加え撹拌しながら、エタノール１４０ｇを滴下して加えた。滴下後室温で３時間反応後、生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、３，３，６−トリエトキシ−６−エチル−３，６−ジシラオクタン２１５ｇ（収率７０％）を得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．４％であった。また、残存水分量は４５ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．８ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．３ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７７】
５．２．１２．合成例１２
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にトルエン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながらトリクロロシラン１３５ｇおよびエチルビニルエトキシシラン１３０ｇを加えた。しばらく撹拌し、ここにクロロ白金酸１００ｍｇを加え、１００℃で５時間反応させた。これを室温まで冷却させたのち、ピリジン１５８ｇを加え撹拌しながら、エタノール１３８ｇを滴下して加えた。滴下後室温で３時間反応後、生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、１、１，１，４−テトラエトキシ−１，４−ジシラヘキサン１９０ｇ（収率６５％）を得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．０％であった。また、残存水分量は１８５ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．７ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７８】
５．２．１３．参考合成例１
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）トリメチルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）トリメチルシラン５５ｇを３０分かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびメチルトリメトキシシラン２３７ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(トリメチルシリル)メチル]メチルジメトキシシラン７５ｇ（収率６０％）で得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．４％であった。また、残存水分量は１２０ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．５ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．１ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１７９】
５．２．１４．参考合成例２
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にマグネシウム２０ｇおよびＴＨＦ５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながら（クロロメチル）メチルジビニルシラン２５ｇを加えた。しばらく撹拌し、発熱を確認した後、滴下ロートから（クロロメチル）メチルジビニルシラン４８ｇを３０分かけて加えた。滴下終了後、液温が室温に戻ったのを確認した後、フラスコにＴＨＦ２５０ｍｌおよびテトラメトキシシラン１１５ｇの混合液を加え、続いて、７０℃で６時間加熱還流することにより、反応を完結させた。反応液を室温まで冷却した後、生成したマグネシウム塩および未反応のマグネシウムを濾別し、濾液を分留することで、[(メチルジビニルシリル)メチル]トリメトキシシラン７６ｇ（収率６５％）で得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．３％であった。また、残存水分量は１１６ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．９ｐｐｂ、Ｋ＝２．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝２．０ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１８０】
５．２．１５．参考合成例３
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にＴＨＦ５００ｍｌおよび１，２−ビス（トリエトキシシリル）ビニレン３５３ｇを加え、室温で撹拌しながらエチルマグネシウムブロミドの１ｍｏｌ／ＬのＴＨＦ溶液を２Ｌ加えた。６０℃で５時間反応させた後、これを室温まで冷却してから生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、１，２−ビス（ジエトキシエチルシリル）ビニレン１６１ｇ（収率５０％）を得た。ＧＣ法で得られた純度は９８．２％であった。また、残存水分量は８８ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．２ｐｐｂ、Ｋ＝１．７ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．０ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成用材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１８１】
５．２．１６．参考合成例４
冷却コンデンサーおよび滴下ロートを備えた３つ口フラスコを５０℃で減圧乾燥した後、窒素充填した。次いで、フラスコ内にトルエン５００ｍｌを加え、室温で撹拌しながらエチルジクロロシラン１２９ｇおよびビニルトリエチルシラン１４２ｇを加えた。しばらく撹拌し、ここにクロロ白金酸１００ｍｇを加え、１００度で５時間反応させた。これを室温まで冷却させたのち、ピリジン１６０ｇを加え撹拌しながら、エタノール１００ｇを滴下して加えた。滴下後室温で３時間反応後、生成した塩を濾別し、濾液を分留することで、［（トリエチルシリル）エチル］エチルジエトキシシラン１８０ｇ（化合物Ｃと標記、収率６２％）を得た。ＧＣ法で得られた純度は９９．２％であった。また、残存水分量は９５ｐｐｍ、ケイ素、炭素、酸素、および水素以外の元素の含有量（金属不純物含有量）は、Ｎａ＝１．６ｐｐｂ、Ｋ＝１．１ｐｐｂ、Ｆｅ＝１．８ｐｐｂであり、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｔの各元素は検出限界値（０．２ｐｐｂ）以下であった。以上の結果より、本合成例で得られた有機シラン化合物は、絶縁膜形成材料としての十分な純度を備えていることが確認された。【０１８２】
５．３．ケイ素含有絶縁膜の形成例
５．３．１．実施例１
ユーテック社製２周波プラズマＣＶＤ装置を用い、シリカ源としてビス（トリメトキシシリル）メタン（ガス流量：０．３ｓｃｃｍ）を用い、空孔形成剤としてビシクロ−（２．２．１）−ヘプタ−２，５−ジエン（ガス流量：０．６ｓｃｃｍ）を用い、Ａｒのガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦ上部シャワーヘッド電力３００Ｗ（２７．１２ＭＨｚ）、下部基板電力１５０Ｗ（３８０ｋＨｚ）、基板温度３００℃、反応圧力１０Ｔｏｒｒとして、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１８３】
５．３．２．実施例２
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタンとした以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１８４】
５．３．３．実施例３
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例２で合成した１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジシラブタンを用いたこと、及びＯ２ガスをガス流量１．０ｓｃｃｍで供給したこと以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１８５】
５．３．４．実施例４
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例３で合成したビス(ジメトキシシリル)メタンを用いたこと、及びＯ２ガスをガス流量１．０ｓｃｃｍで供給したこと以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１８６】
実施例１〜６および比較例１〜３でそれぞれ得られたケイ素含有膜の評価結果を表１に示す。【０１８７】
５．３．５．実施例５
ユーテック社製２周波プラズマＣＶＤ装置を用い、シリカ源として合成例４で合成した１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−１，３−ジシラブタン（ガス流量：０．３ｓｃｃｍ）を用い、また、空孔形成剤としてビシクロ−［２．２．１］−ヘプタ−２，５−ジエン（ガス流量：０．６ｓｃｃｍ）を用い、Ａｒのガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦ上部シャワーヘッド電力３００Ｗ（２７．１２ＭＨｚ）、下部基板電力１５０Ｗ（３８０ｋＨｚ）、基板温度３００℃、および反応圧力１０Ｔｏｒｒとして、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１８８】
５．３．６．実施例６
ユーテック社製２周波プラズマＣＶＤ装置を用い、シリカ源として合成例５で得られた２，２，４−トリメトキシ−４−メチル−２，４−ジシラペンタンを用いこのガス流量を０．３ｓｃｃｍ、また空孔形成剤としてビシクロ−［２．２．１］−ヘプタ−２，５−ジエンを用いこのガス流量を０．６ｓｃｃｍ、Ａｒのガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦ上部シャワーヘッド電力３００Ｗ（２７．１２ＭＨｚ）、下部基板電力１５０Ｗ（３８０ｋＨｚ）、基板温度３００℃、反応圧力１０Ｔｏｒｒとして、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１８９】
５．３．７．比較例１
実施例６と同一の装置を用い、シリカ源としてメチルトリメトキシシランを用いた以外は実施例６と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９０】
５．３．８．比較例２
実施例６と同一の装置を用い、シリカ源として、参考合成例１で得られた［（トリメチルシリル）メチル］メチルジメトキシシランを用いた以外は実施例６と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９１】
５．３．９．実施例７
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例６で合成したビス（ジメトキシビニルシリル）メタン（ガス流量：０．３ｓｃｃｍ）を用い、空孔形成剤としてシクロペンテンオキシド（ガス流量：０．６ｓｃｃｍ）を用いた以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１９２】
５．３．１０．実施例８
実施例５と同一の装置を用い、シリカ源として合成例７で合成した１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−ビニル−１，３−ジシラプロパン、空孔形成剤としてシクロペンテンオキシドを用い、これらのガス流量を０．６ｓｃｃｍとした以外は実施例５と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１９３】
５．３．１１．実施例９
実施例６と同一の装置を用い、シリカ源として合成例８で得られた１，１，１，３−テトラメトキシ−３，３−ジビニル−１，３−ジシラプロパン、また空孔形成剤としてシクロペンテンオキシドを用いこのガス流量を０．６ｓｃｃｍとした以外は実施例６と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９４】
５．３．１２．比較例３
実施例９と同一の装置を用い、シリカ源としてビニルトリメトキシシランを用いた以外は実施例１１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９５】
５．３．１３．比較例４
実施例９と同一の装置を用い、シリカ源として参考合成例２で得られた[(メチルジビニルシリル)メチル]トリメトキシシランを用いた以外は実施例１１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９６】
５．３．１４．実施例１０
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例９で合成した１，２−ビス（ジエトキシエチルシリル）エタン（ガス流量：０．３ｓｃｃｍ）を用い、空孔形成剤としｐ−キシレン（ガス流量：０．６ｓｃｃｍ）を用いた以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１９７】
５．３．１５．実施例１１
実施例５と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１０で合成した１，１，１，４，４−ペンタエトキシ−１，４−ジシラヘキサン、空孔形成剤としてシクロペンテンオキシドを用い、これらのガス流量を０．６ｓｃｃｍとした以外は実施例５と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０１９８】
５．３．１６．実施例１２
実施例６と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１１で得られた３，３，６−トリエトキシ−６−エチル−３，６−ジシラオクタン、また空孔形成剤としてｐ−キシレンを用いこのガス流量を０．６ｓｃｃｍとした以外は実施例６と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０１９９】
５．３．１７．実施例１３
実施例６と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１２で合成した１，１，１，４−テトラエトキシ−１，４−ジシラヘキサンを用いたこと、空孔形成剤としてｐ−キシレンを用いこのガス流量を０．６ｓｃｃｍとしたこと、及びＯ２ガスをガス流量１．０ｓｃｃｍで供給したこと以外は実施例６と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２００】
５．３．１８．比較例５
実施例１０と同一の装置を用い、シリカ源として参考合成例３で合成した１，２−ビス（ジエトキシエチルシリル）ビニレンを用いた以外は実施例１０と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２０１】
５．３．１９．比較例６
実施例１２と同一の装置を用い、シリカ源として参考合成例４で得られた[(トリエチルシリル)エチル]エチルジエトキシシランを用いた以外は実施例３と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０２０２】
５．３．２０．実施例１４
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタン（ガス流量；０．０６ｓｃｃｍ）及びジエトキシメチルシラン（ガス流量：０．２４ｓｃｃｍ）とした以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２０３】
５．３．２１．実施例１５
実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタン（ガス流量；０．２４ｓｃｃｍ）及びジエトキシメチルシラン（ガス流量：０．０６ｓｃｃｍ）とした以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２０４】
５．３．２２．実施例１６
合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタンとジエトキシメチルシランとを２０：８０のモル比で混合し、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン及びジエトキシメチルシランと空孔形成剤とを１：１の重量比で混合し、化学気相成長法用材料を調製した。実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として、調製した化学気相成長法用材料を用いた以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２０５】
５．３．２３．実施例１７
合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタンとジエトキシメチルシランとを８０：２０のモル比で混合し、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン及びジエトキシメチルシランと空孔形成剤とを１：１の重量比で混合し、化学気相成長法用材料を調製した。実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として、調製した化学気相成長法用材料を用いた以外は実施例１と同一条件にて、シリコン基板上にケイ素含有膜０．５μｍを成膜した。【０２０６】
５．３．２４．実施例１８
合成例１で合成したビス（ジメトキシメチルシリル）メタンとビシクロ−（２．２．１）−ヘプタ−２，５−ジエンとを１：１の重量比で混合し、化学気相成長法用材料を調製した。実施例１と同一の装置を用い、シリカ源として調製した化学気相成長法用材料（ガス流量：０．３ｓｃｃｍ）を用い、Ａｒのガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦ上部シャワーヘッド電力３００Ｗ（２７．１２ＭＨｚ）、下部基板電力１５０Ｗ（３８０ｋＨｚ）、基板温度３００℃、反応圧力１０Ｔｏｒｒとして、シリコン基板上にケイ素含有絶縁膜０．５μｍを成膜した。【０２０７】
５．４．評価結果
実施例１〜１８および比較例１〜６で得られたケイ素含有絶縁膜の評価結果を表１に示す。【０２０８】
【表１】
2009119583.tif 000028
【０２０９】
実施例１〜１８で得られたケイ素含有膜は、機械的強度に非常に優れ、比誘電率および吸湿性を示す指標であるΔｋが低く、さらには、薬液耐性やアッシング耐性においても優れていた。なお、実施例１〜９のケイ素含有膜におけるアッシング耐性は、実施例１０〜１３のケイ素含有膜におけるアッシング耐性と比較してさらに優れていた。このことは、膜形成に使用する原料ケイ素化合物の骨格構造がＳｉ−ＣＨ２−Ｓｉであるものの方が、Ｓｉ−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉのものに比べ、形成された膜におけるアッシング耐性が優れていることを意味している。とりわけ、２つのケイ素原子同士を結合する炭素鎖がメチレン鎖で、かつ、各ケイ素原子が１価の炭化水素基（例えば、炭素数１〜４のアルキル基、ビニル基、またはフェニル基等）で置換されている有機ケイ素化合物を用いて形成された実施例２、３及び７の膜は、薬液耐性およびアッシング耐性がいずれも非常に優れていた。【０２１０】
これに対して、比較例１で得られた膜は、実施例１〜６でそれぞれ得られた膜と比較して、比誘電率およびΔｋはほぼ同等なものの、機械的強度および薬液耐性やアッシング耐性が劣っていた。比較例２で得られた膜は、実施例１〜６でそれぞれ得られた膜と比較して、比誘電率、Δｋ、および薬液耐性やアッシング耐性はほぼ同等なものの、機械的強度がやや低かった。【０２１１】
また、比較例３で得られた膜は、実施例７で得られた膜と比較して、比誘電率およびΔｋはほぼ同等なものの、機械的強度および薬液耐性やアッシング耐性が劣っていた。比較例４で得られた膜は、実施例７〜９で得られた膜と比較して、比誘電率、Δｋ、および薬液耐性やアッシング耐性はほぼ同等なものの、機械的強度がやや低かった。【０２１２】
さらに、比較例５では、実施例１０で使用した有機シラン化合物中のエチレン鎖をビニレン鎖に置き換えた有機シラン化合物を使用して膜を形成した。比較例５の膜は、比誘電率、Δｋ、および機械的強度は実施例１０〜１３の膜とほぼ同等なものの、実施例１０〜１３の膜と比較して薬液耐性やアッシング耐性が低いことがわかった。比較例６で得られた膜は、実施例１０〜１３で得られた膜と比較して、比誘電率、Δｋ、および薬液耐性やアッシング耐性はほぼ同等なものの、機械的強度がやや低かった。【０２１３】
以上により、本発明に係るケイ素含有膜は、機械的強度に優れ、比誘電率が低く、さらには耐吸湿性、薬液耐性およびアッシング耐性などの加工耐性、ならびに保存安定性においても優れているため、半導体素子などの層間絶縁膜として好適に用いることができる。【０２１４】
本発明に係る実施の形態の説明は以上である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【国際調査報告】
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2009119583.tif 000033
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