(57)【要約】  半導体デバイスを形成する方法であって、半導体基板を提供するステップと、該半導体基板にスラリーを塗布するステップとを含み、該スラリーが、該スラリーの上部から第一の無希釈試料を採取するステップ（１２）と、該第一の無希釈試料の第一の粒度分布特性を確定するステップ（１８）と、該スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取するステップ（１４）と、該第二の無希釈試料の第二の粒度分布特性を確定するステップ（１９）と、該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を第一の既定値と比較するステップ（２０）と、を含む試験方法を用いて試験される。
2009512862.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法（１０）であって、
該半導体の基板にスラリーを塗布するステップを特徴とし、該スラリーが、
該スラリーの上部から第一の無希釈試料を採取するステップ（１２）と、
該第一の無希釈試料の第一の粒度分布特性を確定するステップ（１８）と、
該スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取するステップ（１４）と、
該第二の無希釈試料の第二の粒度分布特性を確定するステップ（１９）と、
該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を、第一の既定値と比較するステップ（２０）と
を特徴とする試験方法を用いて試験される、方法。
【請求項２】
該試験方法が
該第一の無希釈試料の第一の大型粒子数を確定するステップ（３２）と、
該第一の大型粒子数を第一の閾値と比較するステップ（３４）と
をさらに特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該試験方法が
該第二の無希釈試料の第二の大型粒子数を確定するステップ（４２）と、
該第二の大型粒子数を第二の閾値と比較するステップ（４４）と
をさらに特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該試験方法が
該第一の大型粒子数と該第二の大型粒子数との差を、第二の既定値と比較するステップ（５０）
をさらに特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
該試験方法が該比較ステップ（２０、４４または５０）に基づき、該スラリーを廃棄するステップ（２４、４８または５４）をさらに特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該試験方法が
該比較ステップ（２０、４４または５０）後に、該スラリーを生産ラインに組み込むステップ（２８または５６）をさらに特徴とする、請求項１または４に記載の方法。
【請求項７】
スラリーを試験する方法であって、該方法が、
該スラリーの上部から第一の無希釈試料を採取するステップ（１２）と、
該第一の無希釈試料の第一の粒度分布特性を確定するステップ（１８）と、
該スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取するステップ（１４）と、
該第二の無希釈試料の第二の粒度分布特性を確定するステップ（１９）と、
該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を、第一の既定値と比較するステップ（２０）と
を特徴とする方法
【請求項８】
該試験方法が
該第一の無希釈試料の第一の大型粒子数を確定するステップ（３２）と、
該第一の大型粒子数を第一の閾値と比較するステップ（３４）と
をさらに特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該試験方法が
該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を該第一の既定値と比較した後、該スラリーを撹拌するステップ（１１０）と、
該スラリーを撹拌した後、該スラリーからフラスコ（２００）内に試料を採取するステップ（１１２）と、
該フラスコ（２００）を撹拌するステップ（１１４）と、
該フラスコ（２００）の撹拌後、既定の時間間隔で既定の時間にわたって該粒度分布を分析するステップ（１１８）と、
該試料の沈降速度を確定するステップ（１２０）と、
該沈降速度を既定の閾値と比較するステップ（１２２）と
をさらに特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
該フラスコ（２００）が円錐形の形状を含む、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には半導体デバイスの形成に関するものであり、より具体的には、半導体デバイス製造に使用するスラリーの試験方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
化学機械研磨（ＣＭＰ）は、半導体基板上に形成された層を平坦化するために半導体業界において用いられる従来のプロセスである。ＣＭＰ中は、研磨パッドおよびスラリーが研磨層に接触配置され、研磨パッドがウェハに対して回転する。使用するスラリーが均質かつ良質であることが重要である。例えば、研磨パッドが回転している間にスラリー粒子が凝集した場合には、スラリー粒子によって研磨層が傷つき、また、残留粒子およびその他の表面欠陥も発生する。
【０００３】
欠陥問題を回避するために半導体製造者は、スラリー品質がＣＭＰ要求事項を満たしていることを確実にしたいと希望する。これは、スラリーがコロイド的に安定していなければならないこと、または粒子凝集の結果生じた大型の凝集体を含むことができないことを意味する。現行のスラリー分析は、不正確または高価な試験方法を伴う。例えば、希釈したスラリー試料に対して試験を行う場合がある。試料が希釈されるために凝集は検出されない。しかしながら希釈しなかった場合、スラリーには凝集問題がある可能性がある。スラリーを希釈すると電解液内における濃度が変化し、スラリー粒子の周りの電気二重層の厚さが増す。従って、粒子は凝集に対して安定化する。いくつかの粒子凝集体がスラリーの希釈前には存在していた場合も、この希釈後にはこの安定化のために再分散する見込みが極めて高い。これが、凝集体検出のためのスラリー希釈が不正確であるという理由である。その他の方法は、スラリーが良質であるかを確定するためにＣＭＰ加工を行ってスラリーを試験するステップを含むために高価である。これは時間、金銭および資源を浪費する。実際、ＣＭＰ加工を行ってスラリーを試験するステップは、スラリーの受入れ前にシリコンウェハ、スラリーそれ自体、労働力および時間を消費する。スラリーを廃棄しなければならなくなった場合には、ＣＭＰ試験スラリーラインを一掃して洗浄しなければならず、それは付加的な資源損失を意味する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、ＣＭＰプロセスに先立ってスラリーを試験する方法を求めるニーズが存在する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
図中の要素は、簡単かつ明瞭にするために描かれたものであり必ずしも縮尺通りに描かれていないことを、当業者は正しく理解する。例えば、図中の幾つかの要素の寸法は、本発明の実施例の理解向上を助けるために、その他の要素に比べて誇張されている場合がある。
【０００６】
スラリー製造者が半導体製造者にスラリーを引き渡す時、半導体製造者は、スラリー品質が良好であることを知りたいと希望する。かかる品質は、スラリー製造者または半導体製造者が確定する。半導体業界においては目下、スラリー製造者によるスラリー品質の適切な保証は提供されておらず、そのため、半導体製造者が品質を確定しなければならない。加えて、スラリーを試験するためのいかなる品質試験または方法も、半導体製造者に対して推奨されていない。また、許容可能な凝集に関するいかなるパラメータも提供されていない。本明細書では、凝集に関してスラリーを試験してスラリーを受け入れるべきかまたは拒絶するべきかを評価する分析方法について考察する。凝集体は凝集の結果生じる。凝集とは、シリカ粒子のような別個のコロイド体が１つに合わさって、大型のコロイド体（凝集体）を形成するプロセスである。凝集体は可逆的性で再分散できる場合も、非可逆性で再分散できない場合もある。
【０００７】
１つの実施例においてスラリーの品質は、音響減衰スペクトロスコピー（ＡＡＳ）により確定する。ＡＡＳは、スラリーを通過した信号の粘性、散乱および回析損失を測定することにより試料の粒度分布を導き出す。１つの実施例においては、コロイダル・ダイナミクス社製のアコーストサイザーＩＩを用いてＡＡＳを行うことができる。アコーストサイザーＩＩはまた、減衰（すなわちＡＡＳ）モードの代わりに、動電音波振幅（ＥＳＡ）モードも使用することができる。ＥＳＡモードは、試料全体に電圧パルスを印加してコロイド粒子（ほとんど常に帯電している）を前後に振動させる。この運動により音波が発生する。当該音波を、スラリー全体に用いて、それによって新たな音波を発生する。この音波を用いて試料の粒度分布が確定する。図１に示したフロー１０は、ＡＡＳを用いて、スラリーを生産に組み込んで、半導体デバイス形成に使用するべきか、または廃棄するべきかを確定するものであり、かかるフローについて説明する。
【０００８】
通常、スラリーは、トートと呼ばれることもある大型容器（例えば１０００Ｌ）内に貯蔵される。スラリー６２の容器またはトート６０を図２に示す。スラリー６２は任意のスラリーである。スラリー６２の上部から第一の無希釈試料を採取し（１２）（図１）、スラリー６２の下部から第二の無希釈試料６２を採取する（１４）（図１）。第一および第二の無希釈試料は、スラリーを撹拌することなく採取される。換言すれば、試料が採取される時、スラリーは静止状態である。１つの実施例においては、本明細書で考察する無希釈試料は約１００〜１０００ｍｌの溶液である。
【０００９】
第一の無希釈試料の採取（１２）後、第一の無希釈試料を第一の分析ツール内に配置する（１６）。かかるツールは、１つの実施例においてはＡＡＳツールである。第一の分析ツールを用いて、第一の粒度分布特性を確定する（１８）。第一の粒度分布特性を確定する（１８）ために、第一の分析ツールを用いて測定を行う。好ましくは、測定は音響減衰グラフが低周波数で安定するまで行い、第一の安定グラフのみを使用する。第一の測定中、グラフは安定している場合がある。しかしながら、試料内に泡が存在する場合には第一の測定中、グラフは安定しないことがある。ただし、さらなる測定後には泡は消えるはずである。その理由は、測定中、第一の分析ツール内の配管を通ってスラリーが流れ、流れている間の圧力により泡が消えるためである。
【００１０】
第一の粒度分布特性は、測定されたパラメータであるか、または測定されたパラメータから導き出された計算である。例えば１つの実施例においては、第一の分析ツールにより、または第一の分析ツールにより生成されたデータの計算からメジアン粒度（ｄ５０）、最大粒度の８５パーセント（ｄ８５）または最大粒度の１５パーセント（ｄ１５）が確定される。ｄ５０、ｄ８５またはｄ１５パラメータは各々単独で、第一の粒度分布特性となり得る。あるいは、当該パラメータの２つ以上を式中に用いることもできる。１つの実施例においては、当該パラメータの２つの間で引き算を行い、その差を第一の粒度分布特性とする。例えば、第一の粒度分布特性は「ｄ８５?ｄ１５」である。
【００１１】
図３は、１つの実施例に従った第一の粒度分布のグラフ表示７０の一例を示す。Ｘ軸７２は粒度であり、Ｙ軸７４は粒子数である。図３に示した通り、第一の粒度分布曲線７６は正規分布である。要素７１はｄ１５パラメータを表示し、要素７３はｄ５０パラメータを表示し、要素７５はｄ８５パラメータを表示する。よって、ｄ８５パラメータ７５とｄ１５パラメータ７１との差が粒度分布幅である。
【００１２】
第一の粒度分布特性の確定１８後、事前に採取済みでない場合には、スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取する１４。換言すれば、第二の無希釈試料は、当該試料の試験前のいずれの時点でも採取することができ、第一の無希釈試料の採取後または採取直後に（すなわち採取の次のステップで）採取する必要はない。その後、第二の無希釈試料を第一の分析ツール内に配置する（１７）。その後、第一の分析ツールを用いて、第二の粒度分布特性を確定する（１９）。かかる特性は、第一の粒度分布特性に関して既に説明済みの特性とすることができる。ただし、第一の粒度分布特性と第二の粒度分布特性とは同じ特性でなければならないが、特性値は異なる場合がある。例えば、第一の粒度分布特性がｄ５０のみの場合、第二の粒度分布特性もまた、ｄ５０であるが、第一および第二の無希釈試料のｄ５０の数値は異なる場合がある。
【００１３】
第二の無希釈試料の採取、配置および確定を、第一の無希釈試料でのこれら同一のプロセスの前に行えることを、当業者は認めるべきである。
第一および第二の粒度分布特性の確定（１８）および（１９）後、第一の粒度分布特性と第二の粒度分布特性との差を計算する。この差を第一の既定値と比較する（２０）。第一の既定値は、スラリーが「良」または「不良」と見なされる際の閾値である。
【００１４】
１つの実施例においては比較（２０）後、差が第一の既定値を超えるか否かに関する判断（２２）が行われる。別の実施例において判断（２２）は、差が第一の既定値未満であるか否か、というものである。図１に示した実施例を用いると、差が第一の既定値を超えた場合には、スラリーを破棄する（２４）。差が第一の既定値以下であった場合、下記に考察する別の判断が行われる。
【００１５】
ｄ８５とｄ１５との差が第一および第二の粒度分布特性である実施例においては、使用するスラリーがローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ社製のバリアスラリー、ＣＵＳ１３５１である場合、第一の既定値は１〜８ｎｍの数値、より具体的には約４ｎｍである。第一および第二の無希釈試料の第一と第二との粒度分布特性の差が１ｎｍ以下の場合、スラリーは使用可能であることが確信される。しかしながら差が８ｎｍ以上の場合には、スラリーを破棄して欠陥問題を回避しなければならない。換言すれば、スラリーの上部と下部との間における粒度分布が８ｎｍを超えた場合には、スラリーを使用するべきではないが、差が１ｎｍ以下であった場合にはスラリーを使用するべきである。その代わりに、差が１ｎｍを超え８ｎｍ未満であった場合には、スラリーは使用可能である場合も使用不可能である場合もある。その他のスラリーには対応するその他の判断閾値があることを、当業者は認めるべきである。好ましい実施例においては、第一と第二との粒度分布特性の差はゼロであり、これは、スラリーの上部と下部とが同じ粒度分布であることを意味する。しかしながら、小型粒子は凝集して大型粒子になりスラリーの下部に沈降するために、スラリーの下部の方が粒度分布は広くなると考えられる。
【００１６】
図４は、１つの実施例に従った第二の粒度分布のグラフ表示８０の一例を示す。要素８１はｄ１５パラメータを示し、要素８３はｄ５０パラメータを示し、要素８５はｄ８５パラメータを示す。Ｘ軸８２は粒度であり、Ｙ軸８４は粒子数である。曲線８６は曲線７６よりも長く尾を引き、よって、曲線７６に対応するスラリーに比べ、粒度の大きい粒子がより多く存在する。図３の曲線７６が上部スラリーの結果であり図４の曲線８６が下部スラリーの結果であった場合、スラリーは破棄されることになる。その理由は、スラリーの上部と下部との間における粒度分布が余りにも大きくなるためである。換言すれば、スラリーの下部に余りにも多くの大型粒子がある恐れがあり、このスラリーをＣＭＰプロセスに使用した場合には欠陥が生じるはずである。
【００１７】
粒度分布を観察することにより、粒子の沈降および凝集が評価される。粒子の沈降または凝集が多い場合、そのスラリーは破棄するべきであり、生産に組み込むべきではない。
第一の分析ツールにより計算されるパラメータ、または当該ツールにより生成されたデータから計算されるパラメータとして、粒度分布のみを考察したが、ｐＨ、温度、ゼータ電位、導電率および類似パラメータのようなその他のパラメータも確定することができる。当該その他のパラメータを用いて、スラリーを破棄するべきかまたは生産に組み込むべきかの確定を助けることができる。
【００１８】
上記に簡単に記した通り、差が第一の既定値以下であった場合、別の判断（２６）が行われる。判断（２６）は、さらなる試験が希望されるか否かというものである。１つの実施例において判断（２６）は、多くの大型粒子（例えば、直径が５ミクロンを超えるもの）がスラリー内に存在する懸念があるか否かに基づく。スラリー内の粒度分布が二峰性分布（例えばモードが１桁異なる）の場合、第一の分析ツールは二峰性分布について調べることはなく、その代わりに粒子分布の第一のモードを報告するだけである。従って、第二のモードが存在するかを調べるために、別のツールが必要となる。使用することのできる１つのツールは、パーティクル・サイジング・システムズ社製のアキュサイザーＦＸである。このツールは、直径０．５〜２５ミクロンの粒子を光学的に計数し測定する。また、このツールは下記の通り、大型粒子が存在するかをチェックするため、または第一の分析ツールの結果を検証し確認するためにもスラリーを希釈する事なく使用することができる。
【００１９】
さらなる試験が希望されないと判断された場合には、スラリーを生産に組み込む（２８）べきである。しかしながら更なる試験が希望された場合には、第一の無希釈試料を第二の分析ツール内に配置する（３０）。第一の無希釈試料は、第一の分析ツール内において用いたものとまったく同じ試料であることもできるがその代わりに、容器６０内のスラリー６２の上部から、１つの実施例においてはパイプ６６を用いて採取した別の試料であることもできる。次に、第一の大型粒子数を確定する（３２）（第二の分析ツールが第一の分析ツールのデータを検証するために使用されている場合、第一の粒子数（並びに下記のその他の測定および数値）は大型粒子だけではなく全ての粒子を含むことがある）。大型粒子とは、直径が約１ミクロンを超える粒子、または直径が約１〜２５ミクロンの範囲の粒子である。次に、第一の大型粒子数を第二の既定値と比較する（３４）。
【００２０】
１つの実施例においては比較（３４）後、第一の粒子数が第二の既定値を超えるか否かに関する判断（３６）が行われる。別の実施例において判断（３６）は、当該粒子数が第二の既定値未満であるか否か、というものである。図１に示した実施例を用いると、第一の粒子数が第一の既定値を超えた場合には、スラリーを破棄する（３８）。差が第二の既定値以下であった場合、更なる試験が行われる。１つの実施例において第二の既定値は、１ｍＬ当たり２００〜２０００粒子の範囲である。ここで検討される粒度は、約１ミクロンを超える任意の粒度である。
【００２１】
第一の粒子数が第二の既定値以下であった場合、第二の無希釈試料を第二の分析ツール内に配置する（４０）ことにより試験を続行する。第二の無希釈試料は、第一の分析ツール内において用いたものとまったく同じ試料であってもよいがその代わりに、容器６０内のスラリー６２の下部から、１つの実施例においてはパイプ６４を用いて採取した別の試料であってもよい。
【００２２】
次に、第二の大型粒子数を確定する（４２）。改めて大型粒子とは、直径が５ミクロンを超える粒子、または直径が５〜２５ミクロンの範囲の粒子である。次に、第二の大型粒子数を第三の既定値と比較する（４４）。
【００２３】
１つの実施例においては比較（４４）後、第一の粒子数が第三の既定値を超えるか否かに関する判断（４６）が行われる。別の実施例において判断（４６）は、当該粒子数が第三の既定値未満であるか否か、というものである。図１に示した実施例を用いると、第二の粒子数が第三の既定値を超えた場合には、スラリーを破棄する（４８）。差が第三の既定値以下であった場合、フロー１０が続けられる。１つの実施例において第三の既定値は、１ｍＬ当たり約２００〜２０００粒子の範囲である。ここで検討される粒度は、約１ミクロンを超える任意の粒度である。
【００２４】
第二の粒子数が第三の既定値以下であった場合、フロー１０が続けられ、第一の分析ツールの結果を確認するために、第一の粒子数と第二の粒子数との差が計算される。この差を第四の既定値と比較する（５０）。１つの実施例において第四の既定値は、１ｍＬ当たり約５００〜１００００粒子の範囲である。ここで検討される粒度は、約１ミクロンを超える任意の粒度である。
【００２５】
１つの実施例においては比較（５０）後、差が第四の既定値を超えるか否かに関する判断（５２）が行われる。別の実施例において判断（５２）は、差が第四の既定値未満であるか否か、というものである。図１に示した実施例を用いると、差が第四の既定値を超えた場合には、スラリーを破棄する（５４）。差が第四の既定値以下であった場合には、スラリーを生産に組み込む（５６）。生産に組み込まれる場合、スラリーは生産ライン内に接続されＣＭＰ加工に使用される。より具体的には、本明細書においてスラリーを生産に組み込むステップには、半導体基板を提供するステップと、半導体基板にスラリーを塗布するステップとが含まれる。
【００２６】
また、第二の分析ツールは、スラリーを生産に組み込むべきかまたは破棄するべきかを確定するために、異なる方法においても使用される。この方法を図５のフロー１００に示す。フロー１００は独立した方法として、または第一の分析ツールと共に用いることができる。１つの実施例において第一の分析ツールと共にフロー１００を用いるためには、判断（２６）の答えが「はい」であり、更なる試験が希望された場合に、プロセス（３０）〜（５６）を行う代わりにフロー１００を用いることができる。別の実施例においてはスラリーの組み込み（５６）の代わりに、フロー１００を用いて追加試験が行われる。
【００２７】
フロー１００では最初に、スラリーを撹拌する（１１０）。これは、容器６０を撹拌することにより行われる。容器６０を撹拌する１つのやり方は、生産に使用するツールに容器６０を接続して当該生産ツールを用いてスラリーを撹拌するというものである。あるいは、その他の方法も用いることができる。１つの実施例においては容器６０内で約２０分間、スラリーを撹拌する（１１０）。スラリーの撹拌（１１０）後、スラリーから第三の無希釈試料を採取する（１１２）。試料を採取する直前にスラリーを撹拌するために、スラリーまたは容器のどの部分（例えば上部または下部）から試料を採取するかは重要ではない。撹拌によりスラリーは均等になるはずである。
【００２８】
第三の無希釈試料は、フラスコまたは任意の種類の適切な容器内に収容される。図６は、１つの実施例においてスラリー２０１を保持するために用いられるフラスコ２００の一例を示す。このフラスコ２００は円錐形の形状を有し、沈降物２０３がフラスコの下部へ移動して集まることを可能にする。１つの実施例において、スラリーをツール内に取り込むために使用するパイプ２０５は、フラスコの下部に向けられ、従って沈降物が存在する場合には検出されることが見込まれる。
【００２９】
次に、第三の無希釈試料を撹拌する（１１４）。その理由は、試験を開始する直前に試料を撹拌するべきであるためである。試料の混合に十分な撹拌を行うこともできる。１つの実施形態において試料は、およそ数秒〜１分間、撹拌される。次に、第三の無希釈試料の撹拌を終了し（１１６）、試験を開始する。撹拌の終わりから試験までの時間遅延は、最小限であるべきである。
【００３０】
第三の無希釈試料を試験するために、既定の時間間隔で既定の時間にわたって第三の無希釈試料の粒度分布を分析する（１１８）。１つの実施例において既定の時間間隔は約５分であり、既定の時間は約１時間以下、より具体的には約２０分間である。この分析（１１８）は、既定の時間間隔で行われる逐次沈降試験である。フラスコの下部の粒度分布は、沈降が生じているかを調べるために各々の既定の時間間隔ごとに分析される。
【００３１】
分析（１１８）に基づき、所定の粒度について第三の無希釈試料の沈降速度を確定する（１２０）。これは、各測定に関する粒度分布を観察することにより行われる。１つの実施例においては、直径１〜５ミクロンの粒子の沈降速度が分析される。別の実施例においては、スラリー内に直径約１５ミクロンの粒子が見られ、それに伴い、これらの粒子の沈降速度もまた検討される。凝集または沈降が生じた場合、粒度分布は大型粒子の数の増加を示す。
【００３２】
沈降速度の確定（１２０）後、沈降速度を第五の既定値と比較する（１２２）。比較後、沈降速度が、１つの実施例においては第五の既定値を超えるか否かに関して判断（１２４）が行われる。別の実施例において判断（１２４）は、沈降速度が第五の既定値未満であるか否か、というものである。図５に示した実施例を用いると、差が第五の既定値を超えた場合には、スラリーを破棄する（１２６）。差が第五の既定値以下であった場合には、スラリーを生産に組み込む（１２８）。１つの実施例において第五の既定値は、１分間につき１ｍＬ当たり約２０〜２００粒子である。生産に使用するのに適したスラリーは、１分間につき１ｍＬ当たり約２０粒子未満の速度のような低沈降速度のものである。しかしながら処分するべきスラリーは、１分間につき１ｍＬ当たり約２００粒子を超える速度のような高沈降速度のものである。
【００３３】
これまで、半導体デバイスの形成に使用するスラリーの試験方法が提供されてきたことを正しく理解するべきである。本方法はＣＭＰ加工に先立って行うことができ、無希釈スラリー試料を試験するものであるために先行技術の試験よりも信頼性が高い。
【００３４】
前述の明細においては、本発明について特定の実施例を参照して説明してきた。しかしながら、下記の特許請求の範囲に記す通りの本発明の範囲から逸脱することなく様々な修正および変更を行うことができることを、当業者は正しく理解する。従って、本明細書および図は、制限的趣旨というよりもむしろ例示的なものと見なされるべきであり、全てのかかる修正は、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
【００３５】
上記では特定の実施例に関して、利益、その他の利点および問題解決を説明してきた。しかしながら、利益、利点、問題解決、および利益、利点または解決をもたらすかまたはより顕著にする要素は、一部または全部の請求項の重大、必要または本質的な特徴または要素と解釈されるべきではない。本明細書において使用する場合、「含む」という用語は、要素リストを含むプロセス、方法、品目または装置が単にそれらの要素を含むだけでなく、また、明示されていないかまたは当該プロセス、方法、品目もしくは装置に固有の、その他の要素も含むほど、包括的包含を扱うものであることが意図される。本明細書において使用する場合、個数表示のない単数形名詞は、１つではなく１つ以上のものとして定義される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】一例として示した本発明の１つの実施例に従ったフローであって、半導体デバイスを試験し、スラリーを使用して半導体デバイスを形成するために用いられる。
【図２】一例として示した本発明の１つの実施例に従ったスラリー充填容器であって、試料が採取される場所が示されている。
【図３】一例として示した本発明の１つの実施例に従った第一の粒度分布のグラフ表示である。
【図４】一例として示した本発明の１つの実施例に従った第二の粒度分布のグラフ表示である。
【図５】一例として示した本発明の１つの実施例に従った別のフローであって、スラリーを試験し、半導体デバイスを形成するために用いられる。
【図６】一例として示した本発明の１つの実施例に従ったフラスコの一例であって、図５のフローに従ってスラリー試料を保持するために使用される。
【図１】
2009512862.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法（１０）であって、
該半導体の基板にスラリーを塗布するステップを含み、該スラリーが、
該スラリーの上部から第一の無希釈試料を採取するステップ（１２）と、
該第一の無希釈試料の第一の粒度分布特性を確定するステップ（１８）と、
該スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取するステップ（１４）と、
該第二の無希釈試料の第二の粒度分布特性を確定するステップ（１９）と、
該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を、第一の既定値と比較するステップ（２０）と
を含む試験方法を用いて試験される、方法。
【請求項２】
該試験方法が
該第一の無希釈試料の第一の大型粒子数を確定するステップ（３２）と、
該第一の大型粒子数を第一の閾値と比較するステップ（３４）と
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該試験方法が
該第二の無希釈試料の第二の大型粒子数を確定するステップ（４２）と、
該第二の大型粒子数を第二の閾値と比較するステップ（４４）と
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該試験方法が
該第一の大型粒子数と該第二の大型粒子数との差を、第二の既定値と比較するステップ（５０）
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
スラリーを試験する方法であって、該方法が、
該スラリーの上部から第一の無希釈試料を採取するステップ（１２）と、
該第一の無希釈試料の第一の粒度分布特性を確定するステップ（１８）と、
該スラリーの下部から第二の無希釈試料を採取するステップ（１４）と、
該第二の無希釈試料の第二の粒度分布特性を確定するステップ（１９）と、
該第一の粒度分布特性と該第二の粒度分布特性との差を、第一の既定値と比較するステップ（２０）と
を含む、方法
【国際調査報告】
2009512862.tif 000009
2009512862.tif 000010
2009512862.tif 000011