(57)【要約】導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムおよび方法が開示される。微小特徴被加工物を処理するためのシステムの特定の一実施形態は、処理室および処理室中のはんだ溜まりを含む。はんだ溜まりには、一般に、微小特徴被加工物を受けるように位置する垂直配向を有するスロットが含まれる。いくつかの実施形態では、このシステムは少なくとも部分的にスロットを充填する導電性材料をさらに含み得る。【選択図】図２Ｆ
2009505842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小特徴の被加工物を処理するためのシステムであって、
処理室と、
前記処理室中のはんだ溜まりとを含み、
前記はんだ溜まりは、微小特徴被加工物を受けるように位置するスロットを含み、また、前記スロットがほぼ垂直配向を有する、システム。
【請求項２】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記処理室と作動可能に連結される真空ポンプをさらに含み、
前記真空ポンプが周囲のガスを前記処理室から排出して前記処理室内に真空を作り出すように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記処理室と作動可能に連結されるガス供給をさらに含み、
前記ガス供給が、不活性ガスを前記処理室に流入させて前記処理室内の圧力を所望の圧力まで増加させるように構成される、請求項５に記載のシステム。
【請求項６】
前記不活性ガスがＮ２ガスを含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記処理室に隣接する移送室と、
前記移送室と前記処理室との間の開口部と、
前記開口部を密封可能なように閉じるために設置される扉
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
スロットにおいて被加工物を振動させるか、あるいは移動するための揺動システムをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含み、また、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、また、
前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
微小特徴被加工物を処理するためのシステムであって、
第１の開口部と第２の開口部を含む第１室と、
前記第１室に隣接し、前記第２の開口部と連通する第２室と、
前記第１の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第１の扉および前記第２の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第２の扉と、
前記第２室中のはんだ溜まりと
を含み、ここで、
前記はんだ溜まりはベース部分および少なくとも部分的に前記ベース部分を貫いて延びるスロットを含み、また、
前記スロットがほぼ垂直な配向を有し、微小特徴被加工物を受けるように位置するシステム。
【請求項１４】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１室および前記第２室と作動可能に連結される真空ポンプをさらに含み、前記真空ポンプが周囲のガスを前記第１室および前記第２室から排出して、前記第１室および前記第２室内にそれぞれ真空を作り出すように構成される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１室および前記第２室と作動可能に連結されるガス供給をさらに含み、前記ガス供給が、不活性ガスを前記第１室および前記第２室に送出して、前記第１室内および前記第２室内の圧力を所望の圧力までそれぞれ増加させるように構成される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記不活性ガスがＮ２ガスを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２１】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２２】
前記スロットにおいて被加工物を振動させるか、またあるいは運動させるための揺動システムをさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２３】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含み、また、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、また、
前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２４】
微小特徴被加工物の開口部に導電性材料を堆積させるための装置であって、
ベース部分と、
少なくとも部分的にベース部分を貫いて延び、処理のための微小特徴被加工物を受けるように位置するスリットとを含み、前記スリットの幅が約１ｍｍ以下である、装置。
【請求項２５】
少なくとも部分的に前記スリットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
少なくとも部分的に前記スリットを充填する導電性材料をさらに含み、少なくとも部分的に前記スリットを充填する前記導電性材料が上面を含み、前記スリットに、前記導電性
材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記スリットが、前記被加工物の直径に対応する深さを有する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
処理室をさらに含み、前記はんだ溜まりが前記処理室中にある、請求項２４に記載の装置。
【請求項２９】
微小特徴被加工物の開口部に導電性材料を堆積させるためのシステムであって、
第１の開口部と第２の開口部を含む移送室と、
前記移送室に隣接し、第２の開口部と連通する処理室と、
前記第１の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第１の扉および前記第２の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第２の扉と、
前記移送室および前記処理室と作動可能に連結され、且つ周囲のガスを前記移送室および前記処理室から排出して、前記移送室および前記処理室内にそれぞれ真空を作り出すように構成される、真空ポンプと、
前記移送室および前記処理室と作動可能に連結され、且つ不活性ガスを前記移送室および前記処理室に送出して、前記移送室および前記処理室内の圧力を第１の圧力から、前記第１の圧力よりも大きい第２の圧力までそれぞれ増加させるように構成される、ガス供給と、
ベース部分および少なくとも部分的に前記ベース部分を貫いて延びるスロットを有する、前記第２室中のはんだ溜まりであって、ここで、
前記スロットが、ほぼ垂直配向を有し、微小特徴被加工物を受けるように位置する
というはんだ溜まりと、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料と
を含む
ことを特徴とする、システム。
【請求項３０】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３２】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３３】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３４】
前記スロットにおいて被加工物を振動させるか、あるいは運動させるための揺動システムをさらに含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３５】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３６】
微小特徴被加工物を処理するためのシステムであって、
処理室と、
処理室中のレセプタクルと
を含み、前記レセプタクルは、微小特徴被加工物を受けるように構成された開口部および深さを有する竪穴を有するベース部分を含み、また、前記開口部の幅が前記深さよりも短い、システム。
【請求項３７】
前記竪穴がスロットを含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記竪穴がスリットまたは溝を含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３９】
少なくとも部分的に前記竪穴を充填する導電性材料をさらに含み、前記導電性材料がＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４０】
前記竪穴の深さが約２００ｍｍであり、また、前記開口部の幅が約１ｍｍ以下である、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４１】
微小特徴被加工物を処理室中で処理するための方法であって、
微小特徴被加工物の先端を、前記被加工物をはんだ溜まりの中のスロットに入れて、前記被加工物を少なくとも部分的に前記スロット内部の導電性材料に浸漬させる段階を含み、前記スロットはほぼ垂直配向を有し、および、
前記処理室中の周囲圧力を、第１の圧力から、前記第１の圧力よりも大きい第２の圧力まで増加させて、少なくとも部分的に前記被加工物の複数個の開口部を前記導電性材料で充填する段階を含む方法。
【請求項４２】
前記被加工物を前記スロットへ入れる前に、前記処理室中の周囲ガスを排出して前記処理室に真空を作り出す段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記被加工物を前記スロットへ入れた後に、前記処理室中の周囲ガスを排出して前記処理室に真空を作り出す、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記処理室内の周囲圧力を増加させる段階が、不活性ガスを前記処理室に流入させて前記第１の圧力から前記第２の圧力まで周囲圧力を増加させることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記処理室内の周囲圧力を増加させる段階が、Ｎ２ガスを前記処理室に流入させて前記第１の圧力から前記第２の圧力まで周囲圧力を増加させることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記被加工物の前記開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填した後、前記はんだ溜まりの中の前記スロットから前記被加工物を取り出す段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
微小特徴被加工物の先端をはんだ溜まりの中のスロットに入れる段階が、前記被加工物を幅約１ｍｍ以下のスロットへ入れることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
前記被加工物が少なくとも部分的に前記導電性材料に浸漬されている間、前記被加工物を揺動する段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
導電性材料を微小特徴被加工物の複数個の開口部に堆積させるための方法であって、
微小特徴被加工物を処理室に挿入する段階と、
周囲ガスを前記処理室から排出して前記処理室に真空を作り出す段階と、
前記被加工物が少なくとも部分的にスリット内部の導電性材料に浸漬されるまで前記被加工物をはんだ溜まりの中の前記スリットに入れる段階と、
不活性ガスを前記処理室に流入させて前記処理室の周囲圧力を増加させ、前記被加工物の前記複数個の開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填する段階とを含む方法。
【請求項５０】
前記被加工物の前記複数個の開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填した後、前記はんだ溜まり中の前記スリットから前記被加工物を取り出す段階をさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記被加工物をはんだ溜まり中のスリットに入れる段階が、前記被加工物を幅約１ｍｍ以下のスリットへ入れることを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
不活性ガスを前記処理室に流入させて周囲圧力を増加させる段階が、Ｎ２ガスを前記処理室に流入させることを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
前記被加工物が少なくとも部分的に前記導電性材料に浸漬されている間、被加工物を揺動する段階をさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５４】
前記処理室に隣接する移送室をさらに含む方法であって、前記方法が、
前記被加工物を前記処理室に挿入する前に前記被加工物を前記移送室に挿入する段階と、
前記被加工物を前記処理室に挿入する前に前記移送室中の周囲ガスを排出して前記移送室に真空を作り出す段階と
をさらに含み、また、
微小特徴被加工物を処理室に挿入する段階が、前記被加工物を前記移送室から前記処理室へ移動させる段階を含む、請求項４９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムおよび方法に向けられる。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ電子デバイス、微小機械デバイス、およびその他の微小特徴的構造をもつデバイスは、一般に、被加工物上に数層の構成部品を構築することにより形成される。マイクロ電子デバイスの場合、複数個のダイが単一の被加工物上で加工され、各ダイは一般に集積回路と、集積回路に連結された複数個のボンドパッドを含む。ダイは互いに分離され、パッケージ化されて、モジュールに取り付けることができるかまたはその他の製品に導入することのできるような個々のマイクロ電子デバイスを形成する。
【０００３】
このようなダイを加工およびパッケージ化する一態様は、異なる層に位置する導電性部品を電気的に接続する配線を形成することである。一部の用途では、ダイを完全に貫通するかまたはダイのかなりの部分を貫いて延びる配線を形成することが望ましい。そのような配線は、ダイの１つの面に隣接するボンドパッドまたはその他の導体素子とダイのもう１つの面に隣接するその他の導体素子を電気的に接続する。例えば、ウエハを貫く配線は、被加工物の前面および／または裏面に、被加工物の前面において対応するボンドパッドと一直線に並ぶようにして、深いビアを形成することにより構築される。ビアは、多くの場合末端の閉じたブラインドビアである。ブラインドビアは、次に、導電性の充填材料で満たされる（例えば、被加工物をはんだ槽に浸漬することによる）。さらなる処理の後、被加工物を薄くして仕上がりのダイの厚みを減らすことができる。はんだボールまたはその他の外部電気接点はその後、被加工物の裏面および／または前面のウエハを貫く配線に取り付けられる。はんだボールまたは外部コンタクトは、ダイを被加工物から単一化する前に取り付けても、後に取り付けてもよい。
【０００４】
図１は、微小特徴被加工物の開口部にはんだを堆積させるための従来のシステム１０の部分的な垂直断面の略図である。システム１０は、室２０、はんだ槽３０、および処理用の室２０中の被加工物４０を含み得る。はんだ槽３０は、一般に、融けたはんだまたは導電性材料の入った平らでふたのない容器である。はんだ槽３０のサイズは、一般に被加工物を処理中にはんだ槽３０の中で完全に浸漬させることができるように被加工物４０のサイズに対応している。一実施形態では、例えば、はんだ槽３０には、ＡｕＳｎはんだ（すなわち、約８０パーセントの金および２０パーセントの錫を含むはんだ）で満たされた、比較的大きく深い容器（例えば、約９インチ×９インチ×０．７５インチ）が含まれ得る。被加工物４０は、少なくとも部分的に被加工物４０を貫いて延びる複数個の開口部またはビア（図示せず）を含み得る。下に考察されるように、開口部は、少なくとも部分的にはんだ槽３０のはんだで満たされる。
【０００５】
作業中、被加工物４０は、室２０の中ではんだ槽３０より上に位置し、室２０内部の空気またはその他のガスは排出されて室２０内に真空を作り出す。次に、被加工物４０を少なくとも部分的にはんだ槽３０に浸漬する（破線で示される）。次に、室２０を所望の圧力まで（例えば、窒素（Ｎ２）ガスを用いて）加圧すると室２０の内側と被加工物４０内部の開口部の内側との差圧により、はんだ槽３０のはんだが被加工物４０の開口部に吸い込まれる。次に、被加工物４０をはんだ槽３０から取り出し、冷却する。被加工物４０は、その後、さらなる処理のために室２０から取り出してよい。
【０００６】
導電性材料を被加工物の開口部に堆積させるための従来のシステム、例えばシステム１０のはんだ槽３０などには、いくつかの欠点が含まれる。システム１０の１つの欠点は、はんだ槽３０をはんだで満たしておくことが非常に高価につき得ることである。例えば、ＡｕＳｎはんだを用いる実施形態では、被加工物４０を処理するためのはんだ槽３０に適当な量のはんだを保持するために優に１０万ドル以上の費用がかかる可能性がある。被加工物４０の開口部は非常に小さく、開口部を満たすのにごくわずかなはんだ材料しか必要としないので、はんだ槽３０内の多くのはんだは、処理の後、無駄になる。
【０００７】
上記の従来のアプローチのもう一つの欠点は、被加工物がはんだ槽３０から取り出される時に、被加工物４０の露出した表面積が大きいことである。ドロスは被加工物４０がはんだ槽３０から取り出されたほぼ直後に被加工物４０の上に生じ始める。この酸化は、被加工物４０中の汚染または不具合を除去するかおよび／または招くためのさらなる処理段階を必要とし得る。上記の従来のアプローチのさらにもう一つの欠点は、はんだ槽３０中の被加工物４０が比較的浮力があり、被加工物４０をはんだで完全に覆うことが困難であり得ることである。結果として、はんだは開口部を完全に満たすことができないか、および／またははんだは被加工物４０の全域に均一に分布されない可能性がある。従って、はんだまたはその他の導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムおよび方法を改良する必要性がある。
【発明の開示】
【０００８】
Ａ．概説／概要
本発明は、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムおよび方法に向けられる。微小特徴被加工物を処理するためのシステムの特定の一実施形態は、処理室および処理室中のはんだ溜まりを含む。はんだ溜まりは、一般に、微小特徴被加工物を受けるように位置する垂直配向を有するスロットを含む。いくつかの実施形態では、システムは、少なくとも部分的にスロットを充填する導電性材料をさらに含み得る。
【０００９】
導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムのもう一つの実施形態は、第１の開口部および第２の開口部を有する移送室、ならびに、移送室に隣接し、第１の開口部と連通する処理室を含み得る。このシステムはまた、第１の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第１の扉と、第２の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第２の扉も含む。このシステムは、（ａ）移送室および処理室に連結された真空ポンプ、ならびに（ｂ）移送室と処理室に連結されたガス供給をさらに含み得る。真空ポンプは、周囲のガスを移送室および処理室から排出して、移送室および処理室内にそれぞれ真空を作り出すように構成される。ガス供給は、不活性ガスを移送室および処理室に流入させて移送室および処理室内の圧力をそれぞれ第１の圧力から第１の圧力よりも大きい第２の圧力まで増加させるように構成される。このシステムはまた、第２の室中のはんだ溜まりも含む。はんだ溜まりには、ベース部分および少なくとも部分的にベース部分を貫いて延びるスロットが含まれ得る。スロットは概して垂直な配向を有し、微小特徴被加工物を受けるように位置する。このシステムはまた、少なくとも部分的にスロットを充填する導電性材料を含む。
【００１０】
本発明のさらにもう一つの態様は、処理室で微小特徴被加工物を処理するための方法に向けられる。この方法は、微小特徴被加工物の先端をはんだ溜まりの中のスロットに入れる段階を含む。スロットはほぼ垂直な配向を含み、被加工物は、被加工物の少なくとも一部分がスロット内部の導電性材料に浸漬されるまでスロットに入れられる。この方法はまた、処理室の中の周囲圧力を第１の圧力から第１の圧力よりも大きい第２の圧力まで増加させて、被加工物の複数個の開口部を少なくとも部分的に導電性材料で満たすことも含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
用語「微小特徴被加工物」は、その上でおよび／またはその中で、マイクロ電子デバイス、微小機械デバイス、データ記憶素子もしくは層、ビアもしくは導電線、微小光学的特徴的構造、微小機械的特徴的構造、および／または微生物的特徴的構造が加工される、または加工することのできる基板を包括するために全体を通して用いられる。例えば、微小特徴被加工物は、半導体ウエハ、例えばケイ素または砒化ガリウムウエハ、ガラス基板、絶縁基板、および多くのその他の種類の材料であってよい。用語「ガス」は、定まった形状を有さず、利用可能な空間の体積に合わせる任意の形式の物質を包括するものとして、本明細書の全体を通して用いられ、具体的には、蒸気（すなわち、臨界温度よりも低い温度であるため、等温圧縮により液化または凝固しうるようなガス）を含む。本発明の特定の実施形態の多くの具体的な詳細は、これらの実施形態の十分な理解をもたらすために、以下の説明および図２Ａ〜図３に示される。しかし、当業者であれば、本発明がこれらの詳細のいくつかを含まなくとも実施されうるか、または本発明にさらなる詳細を加えることができることを理解する。周知の構造および機能は、本発明の実施形態の説明を不必要に曖昧にすることを避けるために詳細に示されていないし説明されてもいない。文脈的に許容される場合には、単数形または複数形の語はそれぞれ複数形または単数形の語も含む。さらに、「または」（or）という語が、２つ以上の項目のリストに関してその他の項目を含まずに単一の項目のみを意味すると明確に限定されていない場合、そのようなリストでの「または」の使用は、（ａ）リスト中の任意の単一項目、（ｂ）リスト中のすべての項目、または（ｃ）リスト中の項目の任意の組合せを含むと解釈される。さらに、用語「含む」は、少なくとも列挙される特徴を含むことを意味し、且つどれだけ多数の同じ特徴および／またはさらなる種類の特徴も除外されないということを意味するために本明細書全体を通して用いられる。
【００１２】
Ｂ．導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムおよび方法の実施形態
図２Ａ〜図２Ｈは、本発明の実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を図示する。より具体的には、図２Ａ〜図２Ｈは、はんだまたはその他の導電性材料を微小特徴被加工物Ｗの開口部（図示せず）に堆積させるためのはんだ溜まり２３０を含むシステム２００を示す垂直断面図である。図１に関して上に記載される従来のはんだ槽システムと比較して、システム２００のいくつかの実施形態は、（ａ）システム２００内で必要とされるはんだまたは導電性材料の量を実質的に低減する、ならびに（ｂ）はんだ溜まり２３０から取り出した後の被加工物Ｗの露出表面積を有意に減少させ、したがって、被加工物Ｗのドロスおよび／または酸化を減らすと期待されている。
【００１３】
図２Ａは、被加工物Ｗがシステム２００に導入される前の初期段階のシステム２００の断面の部分的略図である。システム２００には、第１室２１０（例えば、搬送またはロードロック室）および第１室２１０に隣接する第２室２２０（例えば、処理室）が含まれ得る。第１室２１０は、被加工物Ｗが処理のために第２室２２０に移送される前に、被加工物Ｗを外部環境から隔離するように構成される。第１室２１０には、第１室２１０を外部環境から隔てている第１の扉２１２と、第１室２１０を第２室２２０から隔てている第２の扉２１４が含まれ得る。下により詳細に記載されるように、第１扉２１２および第２の扉２１４を動かして、被加工物Ｗを第１室２１０および第２室２２０に進入および退出させられる。第１室２１０および第２室２２０は、システム２００内で用いられうる多様な種類の異なる被加工物を入れることのできる大きさに作ることができる。その他の実施形態では、第１室２１０および第２室２２０は、お互いに対して異なる配向および／または異なる構成を有し得る。システム２００はまた、第１室２１０および第２室２２０と作動可能に連結される真空ポンプ２１６およびガス供給２１７を含み、それぞれの室内の圧力を制御する（例えば、第１室２１０および第２室２２０にガスを排出および／または供給
することによる）。
【００１４】
システム２００は、第２室２２０内にはんだ溜まりまたはレセプタクル２３０をさらに含む。はんだ溜まり２３０は、ベース部分２３２およびベース部分２３２を少なくとも部分的に貫いて延びるスロット２３４（すなわち、スリットまたは溝）を含む。導電性材料（例えば、はんだ）２３６は少なくとも部分的にスロット２３４を充填する。スロット２３４は、被加工物が処理のために少なくとも部分的に導電性材料２３６に浸漬される時に被加工物Ｗを受けるように構成される。はんだ溜まり２３０は、図１に関して上に記載される従来のはんだ槽３０とは、スロット２３４がほぼ垂直配向を有する点で異なる。スロット２３４は、従って幅がその深さよりも実質的に短い垂直な容器（例えば、竪穴）の一実施形態である。従って、被加工物Ｗも一般に被加工物Ｗがスロット２３４に入れられる時に垂直配向を含み（図２Ｄ〜図２Ｇに関して下に詳細に説明されるとおり）、一般にはんだ槽３０に浸漬した被加工物４０の水平配向とは対照的である。
【００１５】
スロット２３４の内部の導電性材料２３６には、はんだ材料（例えば、ＡｕＳｎはんだ）、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の適した導電性材料を含むことができる。はんだ溜まり２３０の一つの特徴として、図２Ｆに関して下に詳細に説明されるとおり、被加工物Ｗは、スロット２３４の内部の導電性材料２３６を押しのけるので、導電性材料２３６は被加工物Ｗの大部分の表面を少なくとも部分的に覆うことになる、ということがある。このため、スロット２３４を、導電性材料２３６で部分的に充填するだけでよい。
【００１６】
次に、図２Ｂに関して、第１室２１０の第１の扉２１２を開け、被加工物Ｗを、適した移送機構（図示せず）を用いて第１室２１０内の第１の位置まで動かす（矢印Ｅで示される）。被加工物Ｗは、第１室２１０の中でいくつかの異なる配向を有し得る。例えば、被加工物Ｗは、第１室２１０に関して、ほぼ水平に配向（実線で示される）されてもよいし、またはほぼ垂直に（破線で示される）配向されてもよい。さらなる実施形態では、被加工物Ｗはその他の配向を有し得る。
【００１７】
次に、図２Ｃに関して、被加工物Ｗを第１の位置まで移動させ、真空ポンプ２１６が第１室２１０内の周囲のガスを排出するかあるいは除去して第１室２１０に真空を作り出した後、第１の扉２１２は閉じている。次にガス供給２１７が不活性ガス（例えば、Ｎ２ガス）を第１室２１０に送出して第１室２１０の圧力を所望の圧力まで増加させる。その他の実施形態では、その他の適した不活性ガスを用いてもよい。排出／送出段階は、第１室２１０内がほぼ無酸素な環境に達するまで何回でも繰り返してよい。このようにして、第１室２１０は、被加工物を処理している間、第１室２１０と第２室２２０の両方がほぼ無酸素な環境を有するように、第２室２２０内の環境の汚染を防ぐバッファまたは入口室の役割を果たす。
【００１８】
次に、図２Ｄに関して、第２の扉２１４は開かれ（第１室２１０にほぼ無酸素な環境が作り出された後）、被加工物Ｗは第２室２２０内の第２の位置へ移動される（矢印Ｅで示される）。図示される実施形態では、例えば、被加工物Ｗは、加工軸Ｐに沿ってはんだ溜まり２３０のスロット２３４とほぼ一直線に並ぶ第２の位置まで移動される。その他の実施形態では、被加工物Ｗは、スロット２３４および／またははんだ溜まり２３０に対して異なる位置および／または配向にあってよい。次に、図２Ｅに関して、第２の扉２１４は閉じられ、真空ポンプ２１６は第２室２２０内の周囲のガスを排出するかあるいは除去して第２室２２０に真空を作り出す。
【００１９】
次に、被加工物Ｗを加工軸Ｐに沿って、処理のためにはんだ溜まり２３０のスロット２３４の中に移動する。図２Ｆは、さらに具体的に、スロット２３４の内部の導電性材料２
３６に少なくとも部分的に浸漬した被加工物Ｗの拡大した垂直断面図である。被加工物Ｗの第１の端部または先端部Ｗ１はスロット２３４の底部に近接し、被加工物Ｗの第２の端部または終端部Ｗ２は、スロット２３４の頂上部に近接する。スロット２３４は、被加工物Ｗの厚さＤ２よりも大きな幅Ｄ１を有し得る。従って、被加工物Ｗは、被加工物Ｗとスロット２３４の側壁との間に導電性材料２３６が被加工物Ｗの大部分の表面を概して覆うための十分な隙間をもってスロット２３４の内部に収まることができる。その他の実施形態では、スロット２３４の幅Ｄ１および／または被加工物Ｗの厚さＤ２は、お互いに対して異なっているかまたは異なる比率を有し得る。なお、さらなる実施形態では、被加工物Ｗは、スロット２３４内で異なって位置してもよい。例えば、被加工物Ｗは、スロット２３４の１つの側壁にぴったりくっついて位置するか、または被加工物Ｗは、被加工物Ｗの片側がもう一方よりも隙間が多くなるように、スロット２３４内で中心を外れて位置してよい。
【００２０】
被加工物Ｗをはんだ溜まり２３０中の導電性材料２３６の中で浸漬した後、ガス供給２１７は不活性ガス（例えば、Ｎ２ガス）を第２室２２０に送出して第２室２２０内部の圧力を所望の圧力（例えば、大気圧）まで増加させてよい。いくつかの実施形態では、第２室２２０は、「過剰加圧した」（すなわち圧力が大気圧よりも大きくなりうる）状態であってよい。第２室２２０の圧力を増加させることにより、第２室２２０の内部と被加工物Ｗの開口部の内部（例えば、止り孔またはブラインドビア）の間に圧力差が生じ、それにより導電性材料２３６が開口部の中に押し込まれて被加工物Ｗの開口部が少なくとも部分的に充填される。この明細書の目的において、「止り孔」または「ブラインドビア」とは、ごく部分的に材料を貫いて延びるか、あるいは１つの末端で閉じられている孔または開口部をさす。
【００２１】
いくつかの実施形態では、はんだ溜まり２３０および／または被加工物Ｗを、浸漬後に（例えば、超音波または音波を用いて）揺動して何らかの振動または動きをはんだ溜まり２３０および／または被加工物Ｗに与え、開口部の内側に閉じ込められた空気をさらに追い出すことができる。場合によっては、被加工物Ｗの揺動は、開口部の内部の導電性材料２３６の被覆率の向上に役立ち得る。さらに、その他の実施形態では、図２Ｅおよび図２Ｆに関して上に記載される段階（工程）を逆転することができる。例えば、被加工物Ｗは、第２室２２０内の周囲のガスを排出して第２室２２０に真空を作り出す前に、スロット２３４の内部の導電性材料２３６に浸漬することができる。
【００２２】
次に、図２Ｇに関して、被加工物Ｗをはんだ溜まり２３０から取り出し、第２室２２０の中で選択された時間放冷する。図２Ｈに関して、被加工物Ｗは第２室２２０から外に移動され、第１室２１０を通り抜けて、さらなる処理のために第１の扉２１２から出る（矢印Ｘで示される）。
【００２３】
導電性材料２３６を微小特徴被加工物の開口部Ｗに堆積させるための上記のシステム２００の一つの特徴は、システム２００が、図１に関して上に記載される従来のシステムよりも有意に少ない導電性材料を用いることである。例えば、はんだ溜まり２３０のスロット２３４の深さは、一般に約２００ｍｍであり、スロット２３４の幅Ｄ１（図２Ｆ）は約１ｍｍである。従って、スロット２３４の全容積は約４０，０００ｍｍ３である。さらに、多くの用途において、処理に必要な導電性材料２３６の容積は、被加工物Ｗがスロットの内部で有意な量の導電性材料２３６を押し出すため、スロット２３４の全容積よりも少なくすることができる。その一方、従来のシステム１０のはんだ槽３０の容積は約９９５，５００ｍｍ３であり、はんだ槽３０は一般に処理用の導電性材料を満量またはほぼ満量の状態で保つ。従って、従来のはんだ槽３０ははんだ溜まり２３０よりも有意に多くの導電性材料２３６を必要とする。従って、システム２００が処理にあたり必要とする導電性材料２３６は、実質的に少ないため、従来のシステム１０と比較してより安価で稼動でき
る。ＡｕＳｎはんだを用いる実施形態、例えば、はんだ溜まり２３０を含むシステム２００では、優に１０万ドル以上相当のはんだを必要とし得る図１のはんだ槽３０と比較して、多数の被加工物を処理しても数千ドル相当のはんだしか必要としない。さらに、はんだ溜まり２３０が過剰な量の導電性材料を必要としないので相当な量の導電性材料２３６が処理後も無駄にならない。
【００２４】
システム２００のもう一つの特徴は、はんだ溜まり２３０のスロット２３４の内部の導電性材料２３６の露出した上部表面積が、はんだ槽３０の露出した上部表面積よりも有意に少ないことである。例えば、スロット２３４の露出した上部表面積はわずか約２００ｍｍ２であるが、はんだ槽の露出した上部表面積は約５２，２００ｍｍ２を超える（約９インチ×９インチ平方）。この特徴の１つの利点は、導電性材料２３６の露出した上部表面積を減らすことによって、導電性材料２３６のドロス暴露および被加工物Ｗの酸化を有意に減少させることができる。この特徴は、従来のシステムと比較して、システム２００で処理された被加工物Ｗの品質を向上させることができる。
【００２５】
図３は、本発明のもう一つの実施形態に従う第２室２２０のはんだ溜まり３３０の垂直断面図である。はんだ溜まり３３０には、ベース部分３３２および少なくとも部分的にベース部分３３２を貫いて延びるスロット３３４が含まれ得る。はんだ溜まり３３０は、スロット３３４に、第２室２２０に通じて延びる水平面に対して約４５度の角度で傾斜がつけられている点で、上記のはんだ溜まり２３０とは異なる。スロット３３４の傾斜のつけられた配向は、特に開口部に貫通孔が含まれる実施形態において、被加工物Ｗの開口部からガス泡を除去する際に役立ち得る。その他の実施形態では、スロット３３４は、水平面に対して異なる角度で傾斜がつけられてよく（例えば、約４５度〜約９０度の間）、またはスロット３３４に、異なる方向またははんだがスロット３３４から流出しない任意の適した角度で傾斜をつけてもよい。
【００２６】
前述の内容から、本発明の特定の実施形態が説明を目的として本明細書に記載されるが、本発明から逸脱することなく様々な変更形態がなされうることは当然理解される。例えば、はんだ溜まり２３０はさらなる特徴、例えば処理中に導電性材料２３６および／または被加工物Ｗを加熱するための１つ以上の加熱器を含んでよい。さらに、システム２００は、第２室２２０に複数個の被加工物を処理するために１つ以上のはんだ溜まり２３０を含んでよい。特定の実施形態との関連で説明された本発明の態様は、その他の実施形態で組み合わせてもよいし排除してもよい。さらに、本発明の特定の実施形態に関する利点がそれらの実施形態の状況で記載されているが、その他の実施形態もそのような利点を示す可能性があり、必ずしも全ての実施形態が、本発明の範囲内にあるそのような利点を示す必要はない。従って、本発明は付属の特許請求の範囲に限定される場合を除き、限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】先行技術に従う、はんだを微小特徴被加工物の開口部に堆積させるためのシステムの部分的な垂直断面の略図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｇ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図２Ｈ】本発明の一実施形態に従う、導電性材料を微小特徴被加工物の開口部に堆積させるための方法の様々な段階を示す。
【図３】本発明のもう一つの実施形態に従って構成される、はんだ溜まりの垂直断面図である。
【図１】
2009505842.tif 000003
【図２Ａ】
2009505842.tif 000004
【図２Ｂ】
2009505842.tif 000005
【図２Ｃ】
2009505842.tif 000006
【図２Ｄ】
2009505842.tif 000007
【図２Ｅ】
2009505842.tif 000008
【図２Ｆ】
2009505842.tif 000009
【図２Ｇ】
2009505842.tif 000010
【図２Ｈ】
2009505842.tif 000011
【図３】
2009505842.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小特徴の被加工物を処理するためのシステムであって、
処理室と、
前記処理室中のはんだ溜まりとを含み、
前記はんだ溜まりは、微小特徴被加工物を受けるように位置するスロットを含み、また、前記スロットがほぼ垂直配向を有する、システム。
【請求項２】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記処理室と作動可能に連結される真空ポンプをさらに含み、
前記真空ポンプが周囲のガスを前記処理室から排出して前記処理室内に真空を作り出すように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記処理室と作動可能に連結されるガス供給をさらに含み、
前記ガス供給が、不活性ガスを前記処理室に流入させて前記処理室内の圧力を所望の圧力まで増加させるように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記不活性ガスがＮ２ガスを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記処理室に隣接する移送室と、
前記移送室と前記処理室との間の開口部と、
前記開口部を密封可能なように閉じるために設置される扉
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
スロットにおいて被加工物を振動させるか、あるいは移動するための揺動システムをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含み、また、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、また、
前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
微小特徴被加工物を処理するためのシステムであって、
第１の開口部と第２の開口部を含む第１室と、
前記第１室に隣接し、前記第２の開口部と連通する第２室と、
前記第１の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第１の扉および前記第２の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第２の扉と、
前記第２室中のはんだ溜まりと
を含み、ここで、
前記はんだ溜まりはベース部分および少なくとも部分的に前記ベース部分を貫いて延びるスロットを含み、また、
前記スロットがほぼ垂直な配向を有し、微小特徴被加工物を受けるように位置するシステム。
【請求項１４】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１室および前記第２室と作動可能に連結される真空ポンプをさらに含み、前記真空ポンプが周囲のガスを前記第１室および前記第２室から排出して、前記第１室および前記第２室内にそれぞれ真空を作り出すように構成される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記第１室および前記第２室と作動可能に連結されるガス供給をさらに含み、前記ガス供給が、不活性ガスを前記第１室および前記第２室に送出して、前記第１室内および前記第２室内の圧力を所望の圧力までそれぞれ増加させるように構成される、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記不活性ガスがＮ２ガスを含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２０】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２１】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２２】
前記スロットにおいて被加工物を振動させるか、またあるいは運動させるための揺動システムをさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２３】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料をさらに含み、また、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、また、
前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項２４】
微小特徴被加工物の開口部に導電性材料を堆積させるための装置であって、
ベース部分と、
少なくとも部分的にベース部分を貫いて延び、処理のための微小特徴被加工物を受けるように位置するスリットとを含み、前記スリットの幅が約１ｍｍ以下である、装置。
【請求項２５】
少なくとも部分的に前記スリットを充填する導電性材料をさらに含む、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
少なくとも部分的に前記スリットを充填する導電性材料をさらに含み、少なくとも部分的に前記スリットを充填する前記導電性材料が上面を含み、前記スリットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記スリットが、前記被加工物の直径に対応する深さを有する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
処理室をさらに含み、前記はんだ溜まりが前記処理室中にある、請求項２４に記載の装置。
【請求項２９】
微小特徴被加工物の開口部に導電性材料を堆積させるためのシステムであって、
第１の開口部と第２の開口部を含む移送室と、
前記移送室に隣接し、第２の開口部と連通する処理室と、
前記第１の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第１の扉および前記第２の開口部を密封可能なように閉じるために設置される第２の扉と、
前記移送室および前記処理室と作動可能に連結され、且つ周囲のガスを前記移送室および前記処理室から排出して、前記移送室および前記処理室内にそれぞれ真空を作り出すように構成される、真空ポンプと、
前記移送室および前記処理室と作動可能に連結され、且つ不活性ガスを前記移送室および前記処理室に送出して、前記移送室および前記処理室内の圧力を第１の圧力から、前記第１の圧力よりも大きい第２の圧力までそれぞれ増加させるように構成される、ガス供給と、
ベース部分および少なくとも部分的に前記ベース部分を貫いて延びるスロットを有する、前記第２室中のはんだ溜まりであって、ここで、
前記スロットが、ほぼ垂直配向を有し、微小特徴被加工物を受けるように位置する
というはんだ溜まりと、
少なくとも部分的に前記スロットを充填する導電性材料と
を含む
ことを特徴とする、システム。
【請求項３０】
導電性材料が、ＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３１】
前記スロットの幅が約１ｍｍ以下である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３２】
前記スロットの深さが約２００ｍｍであり、幅が約１ｍｍ以下である、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３３】
被加工物をさらに含み、前記被加工物が、前記被加工物を少なくとも部分的に貫いて延びる複数個の開口部を含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３４】
前記スロットにおいて被加工物を振動させるか、あるいは運動させるための揺動システムをさらに含む、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３５】
少なくとも部分的に前記スロットを充填する前記導電性材料が上面を含み、前記スロットに、前記導電性材料の前記上面に対して約４５度〜９０度の間の角度で傾斜がつけられている、請求項２９に記載のシステム。
【請求項３６】
微小特徴被加工物を処理するためのシステムであって、
処理室と、
処理室中のレセプタクルと
を含み、前記レセプタクルは、微小特徴被加工物を受けるように構成された開口部および深さを有する竪穴を有するベース部分を含み、また、前記開口部の幅が前記深さよりも短い、システム。
【請求項３７】
前記竪穴がスロットを含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記竪穴がスリットまたは溝を含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３９】
少なくとも部分的に前記竪穴を充填する導電性材料をさらに含み、前記導電性材料がＡｕＳｎはんだ、はんだ、はんだ合金、またはケイ素よりも低い融点を有するその他の導電性材料を含む、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４０】
前記竪穴の深さが約２００ｍｍであり、また、前記開口部の幅が約１ｍｍ以下である、請求項３６に記載のシステム。
【請求項４１】
微小特徴被加工物を処理室中で処理するための方法であって、
微小特徴被加工物の先端を、前記被加工物をはんだ溜まりの中のスロットに入れて、前記被加工物を少なくとも部分的に前記スロット内部の導電性材料に浸漬させる段階を含み、前記スロットはほぼ垂直配向を有し、および、
前記処理室中の周囲圧力を、第１の圧力から、前記第１の圧力よりも大きい第２の圧力まで増加させて、少なくとも部分的に前記被加工物の複数個の開口部を前記導電性材料で充填する段階を含む方法。
【請求項４２】
前記被加工物を前記スロットへ入れる前に、前記処理室中の周囲ガスを排出して前記処理室に真空を作り出す段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記被加工物を前記スロットへ入れた後に、前記処理室中の周囲ガスを排出して前記処理室に真空を作り出す、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記処理室内の周囲圧力を増加させる段階が、不活性ガスを前記処理室に流入させて前記第１の圧力から前記第２の圧力まで周囲圧力を増加させることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記処理室内の周囲圧力を増加させる段階が、Ｎ２ガスを前記処理室に流入させて前記第１の圧力から前記第２の圧力まで周囲圧力を増加させることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
前記被加工物の前記開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填した後、前記はんだ溜まりの中の前記スロットから前記被加工物を取り出す段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
微小特徴被加工物の先端をはんだ溜まりの中のスロットに入れる段階が、前記被加工物を幅約１ｍｍ以下のスロットへ入れることを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
前記被加工物が少なくとも部分的に前記導電性材料に浸漬されている間、前記被加工物を揺動する段階をさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
導電性材料を微小特徴被加工物の複数個の開口部に堆積させるための方法であって、
微小特徴被加工物を処理室に挿入する段階と、
周囲ガスを前記処理室から排出して前記処理室に真空を作り出す段階と、
前記被加工物が少なくとも部分的にスリット内部の導電性材料に浸漬されるまで前記被加工物をはんだ溜まりの中の前記スリットに入れる段階と、
不活性ガスを前記処理室に流入させて前記処理室の周囲圧力を増加させ、前記被加工物の前記複数個の開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填する段階とを含む方法。
【請求項５０】
前記被加工物の前記複数個の開口部を少なくとも部分的に前記導電性材料で充填した後、前記はんだ溜まり中の前記スリットから前記被加工物を取り出す段階をさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記被加工物をはんだ溜まり中のスリットに入れる段階が、前記被加工物を幅約１ｍｍ以下のスリットへ入れることを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
不活性ガスを前記処理室に流入させて周囲圧力を増加させる段階が、Ｎ２ガスを前記処理室に流入させることを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
前記被加工物が少なくとも部分的に前記導電性材料に浸漬されている間、被加工物を揺動する段階をさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５４】
前記処理室に隣接する移送室をさらに含む方法であって、前記方法が、
前記被加工物を前記処理室に挿入する前に前記被加工物を前記移送室に挿入する段階と、
前記被加工物を前記処理室に挿入する前に前記移送室中の周囲ガスを排出して前記移送室に真空を作り出す段階と
をさらに含み、また、
微小特徴被加工物を処理室に挿入する段階が、前記被加工物を前記移送室から前記処理室へ移動させる段階を含む、請求項４９に記載の方法。