(57)【要約】  基板とその上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造において、不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上を実現できる実装構造と、その製造方法を提供する。基板１は、表面に、半導体パッケージを搭載するための複数の電極パッド１２と、電源・グラウンド層１７に電気的に接続された複数の電極パッド１３を持つ。基板１の表面に、電極パッド１３に少なくとも２点で機械的・電気的に接続された導電線材３１を設け、基板１の表面の剛性を高くする。半導体パッケージ４は、電極パッド１２を用いて基板１の表面に機械的・電気的に接続される。導電線材３１により、伝送信号から発生する不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上が実現する。
2009110355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造であって、
前記基板の表面に形成された、前記半導体パッケージを前記基板の表面に搭載するための複数の第１電極パッドと、
前記基板の表面に形成された、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドと、
前記基板の表面において、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材とを備え、
前記半導体パッケージは、前記第１電極パッドを用いて前記基板の表面に機械的・電気的に接続されていることを特徴とする実装構造。
【請求項２】
前記第２電極パッドが、前記電源層もしくはグラウンド層に形成されたクリアランスと重なる位置に配置されている請求項１に記載の実装構造。
【請求項３】
前記第１導電線材が絶縁材料により被覆されている請求項１または２に記載の実装構造。
【請求項４】
前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも１本が、前記基板の表面において少なくとも２点で前記第２電極パッドに接続されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の実装構造。
【請求項５】
前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも２本が、前記基板の表面において交差状または格子状に配置されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の実装構造。
【請求項６】
前記基板が半導体パッケージを含むパッケージ基板とされている請求項１〜４のいずれか１項に記載の実装構造。
【請求項７】
前記パッケージ基板の裏面に、さらに、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第３電極パッドと、前記第３電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第２導電線材とが形成されている請求項６に記載の実装構造。
【請求項８】
前記パッケージ基板の表面と前記半導体パッケージとの間に、少なくとも一つのパッケージ基板が介在せしめられている請求項６または７に記載の実装構造。
【請求項９】
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造の製造方法であって、
半導体パッケージを搭載するための複数の第１電極パッドと、電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドとを、表面に有する基板を準備する工程と、
前記基板の表面に、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材を配置する工程と、
前記基板の表面に、前記第１電極パッドを用いて半導体パッケージを実装する工程とを備えたことを特徴とする実装構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えて前記基板の表面に配置され、その後、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えて前記基板の表面に配置される請求項９に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１１】
前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えてあり、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えてあって、すべての前記第１導電線材が一括して前記基板の表面に配置される請求項９に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１２】
前記基板の表面に前記第１導電線材を配置する工程において、前記第１導電線材と前記第２電極パッドとの機械的・電気的な接続が、ハンダを用いて実施される請求項９〜１１のいずれか１項に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１３】
前記基板の表面に前記第１導電線材を配置する工程において、前記第１導電線材と前記第２電極パッドとの機械的・電気的な接続が、レーザ溶着を用いて実施される請求項９〜１１のいずれか１項に記載の実装構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装構造およびその製造方法に関し、さらに言えば、基板とその上に搭載された半導体パッケージを含み、不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上とを実現する実装構造と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、電子機器の小型化・高密度化とともに伝送信号の高速化が進んでいる。使用される半導体も急速に性能が向上し、半導体チップ内におけるクロック周波数は３〜５ＧＨｚのものが実用化されており、今後１０ＧＨｚ以上のものが実現されると予想されている。また、半導体チップから基板への伝送信号も、１．８〜４ＧＨｚの高周波になると予想されている。【０００３】
このような伝送信号の高速化に伴い、信号伝送に不要な電磁波が放射し易くなる。このような不要な電磁波放射の主たる原因は、配線基板内のグラウンド層や電源層のビアホールの周囲に作成される非導体領域（以下、クリアランスという）にあることはよく知られている。この点を考慮して、以前から、前記クリアランスを補填するように配線経路を形成する、前記クリアランスのサイズを縮小する、といった対策が立てられている。また、プリント配線板では、ストリップライン及びマイクロストリップラインを採用することで、伝送信号からの不要な電磁波放射を抑制している。【０００４】
例えば、特開２００４−２２１４０号公報（特許文献１）の図１に記載されているプリント配線板では、併設されたガードグラウンド配線のレイアウトを工夫することで、高速デジタル信号に対する放射ノイズまたはクロストークノイズを抑制して、所望の高密度配線を実現している。【０００５】
他方、半導体パッケージは様々な電子機器に適用されている。半導体パッケージでは、耐落下衝撃性などの信頼性を確保する必要性があるが、携帯用の電子機器に使用されている半導体パッケージでは、その必要性が特に高い。このため、従来より、その要請に対応した構造が提案されている。【０００６】
例えば、特開平１１−１６３０４９号公報（特許文献２）の図１に記載されている実装構造では、半導体パッケージの裏面に、はんだボールからなるＢＧＡ（Ball Grid Array）が外部電極群として形成されており、それらのはんだボールを用いて当該半導体パッケージを基板の表面に実装した後、前記半導体パッケージと前記基板の間の隙間にアンダーフィル樹脂を注入している。こうすることによって、前記半導体パッケージの投影領域の四隅から内部にやや入り込んだ位置まで、前記アンダーフィル樹脂を侵入させることができる。そして、その状態で加熱することにより、前記アンダーフィル樹脂を硬化させて、所望の耐落下衝撃性を確保している。
【特許文献１】特開２００４−２２１４０号公報（第１１頁、図１）
【特許文献２】特開平１１−１６３０４９号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特開２００４−２２１４０号公報（特許文献１）に開示されたプリント配線板では、伝送信号からの不要な電磁波放射を抑制しているが、それは当該プリント配線板の内部に限定されている。今後、部品内の信号伝送経路の更なる高密度化が進むと、信号配線（信号パターン）を流れる電流の帰路電流を当該信号配線の近くに流すための配線経路の引き回しが困難になるから、プリント配線板（基板）や半導体パッケージなどの部品内だけで不要な電磁波放射を抑制するのが難しくなる。【０００８】
特開平１１−１６３０４９号公報（特許文献２）に開示された実装構造では、実装構造体の耐落下衝撃性を向上するため、アンダーフィル樹脂を半導体パッケージと基板の間の隙間に注入する必要がある。この実装構造では、半導体パッケージを基板上に実装した後、前記隙間にアンダーフィル樹脂を注入してから加熱し硬化させており、当該実装構造の全体の剛性を向上することで耐落下衝撃性を確保しているが、アンダーフィル樹脂の存在によりリワーク作業ができなくなってしまうという難点が生じる。【０００９】
さらに、この実装構造では、半導体パッケージと基板とを接続する接続材料（はんだボール）の間に、高分子材料であるアンダーフィル樹脂が介在するため、伝送される高周波信号の損失が増大してしまうことも懸念される。【００１０】
本発明は、このような事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、半導体パッケージを基板上に実装してなる構造体において、不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上の双方を実現できる実装構造を提供することにある。【００１１】
ここに明記しない本発明の他の目的は、以下の説明及び添付図面から明らかである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）  本発明の第１の観点による実装構造は、
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造であって、
前記基板の表面に形成された、前記半導体パッケージを前記基板の表面に搭載するための複数の第１電極パッドと、
前記基板の表面に形成された、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドと、
前記基板の表面において、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材とを備え、
前記第１半導体パッケージは、前記第１電極パッドを用いて前記基板の表面に機械的・電気的に接続されていることを特徴とするものである。【００１３】
本発明の第１の観点による実装構造では、前記基板の電源層もしくはグラウンド層（以下、電源・グラウンド層とも言う）に電気的に接続するための前記第２電極パッドに少なくとも２点で接続された前記第１導電線材が設けられているので、当該実装構造内の信号伝送線を流れる伝送信号から発生する不要な電磁波放射を抑制することができる。【００１４】
また、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された前記第１導電線材が前記基板の表面に存在するので、アンダーフィル樹脂を前記半導体パッケージと前記基板の表面との間に注入することなく、前記基板の表面側の剛性を高めることができる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性を向上することができる。【００１５】
なお、前記基板は、半導体パッケージを含まないものであってもよいし、半導体パッケージを含むもの（すなわちパッケージ基板）であってもよい。【００１６】
（２）  本発明の第１の観点による実装構造の好ましい例では、前記第２電極パッドが、前記電源層もしくはグラウンド層に形成されたクリアランスと重なる位置に配置される。【００１７】
（３）  本発明の第１の観点による実装構造の他の好ましい例では、前記第１導電線材が絶縁材料により被覆される。【００１８】
（４）  本発明の第１の観点による実装構造のさらに他の好ましい例では、前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも１本が、前記基板の表面において少なくとも２点で前記第２電極パッドに接続される。【００１９】
（５）  本発明の第１の観点による実装構造のさらに他の好ましい例では、前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも２本が、前記基板の表面において交差状または格子状に配置される。【００２０】
（６）  本発明の第１の観点による実装構造のさらに他の好ましい例では、前記基板が半導体パッケージを含むパッケージ基板とされる。【００２１】
（７）  本発明の第１の観点による実装構造のさらに他の好ましい例では、前記パッケージ基板の裏面に、さらに、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第３電極パッドと、前記第３電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第２導電線材とが形成される。【００２２】
（８）  本発明の第１の観点による実装構造のさらに他の好ましい例では、前記パッケージ基板の表面と前記半導体パッケージとの間に、少なくとも一つのパッケージ基板が介在せしめられる。【００２３】
（９）  本発明の第２の観点による実装構造の製造方法は、
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造の製造方法であって、
半導体パッケージを搭載するための複数の第１電極パッドと、電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドとを、表面に有する基板を準備する工程と、
前記基板の表面に、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材を配置する工程と、
前記基板の表面に、前記第１電極パッドを用いて半導体パッケージを実装する工程とを備えたことを特徴とするものである。【００２４】
本発明の第２の観点による実装構造の製造方法では、上述した工程を備えているので、従来の方法を大幅に変更することなく、本発明の第１の観点による実装構造を製造できることが明らかである。【００２５】
（１０）  本発明の第２の観点による実装構造の製造方法の好ましい例では、前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えて前記基板の表面に配置され、その後、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えて前記基板の表面に配置される。【００２６】
（１１）  本発明の第２の観点による実装構造の製造方法の他の好ましい例では、前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えてあり、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えてあって、すべての前記第１導電線材が一括して前記基板の表面に配置される。【００２７】
（１２）  本発明の第２の観点による実装構造の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記基板の表面に前記第１導電線材を配置する工程において、前記第１導電線材と前記第２電極パッドとの機械的・電気的な接続が、ハンダを用いて実施される。【００２８】
（１３）  本発明の第２の観点による実装構造の製造方法のさらに他の好ましい例では、前記基板の表面に前記第１導電線材を配置する工程において、前記第１導電線材と前記第２電極パッドとの機械的・電気的な接続が、レーザ溶着を用いて実施される。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の第１観点による実装構造では、半導体パッケージを基板上に実装してなる構造体において、不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上の双方を実現できるという効果がある。【００３０】
本発明の第２観点による実装構造の製造方法では、従来の方法を大幅に変更することなく、本発明の第１観点による実装構造を製造することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１ＡのＢ−Ｂ部に沿った部分断面図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図２Ｂ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図２ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図３Ａ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図３Ｂ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図３ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図３ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図４Ａ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図４Ｂ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図４ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図４ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図５Ａ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図５Ｂ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図５ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図５ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図６Ａ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図６Ｂ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図７Ａ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図７Ｂ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図７ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図７ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図８Ａ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図８Ｂ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図８ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図８ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図９Ａ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｂ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｃ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｄ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｅ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｆ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｇ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ａ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｄ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｅ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ａ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｄ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１２Ａ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１２Ｂ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１２ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図１３Ａ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１３Ｂ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１３Ｃ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１４Ｂ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１、１ａ  基板１１  ソルダーレジスト１２  半導体パッケージを接続するための電極パッド１３  電源・グラウンド線と接続するための電極パッド１４  信号伝送線１４ａ  電源・グラウンド線１５  絶縁層１６  絶縁層１７  電源・グラウンド層１８  クリアランス２  ハンダ３  絶縁被覆導電線３１  導電線材３２  絶縁被覆３３  絶縁被覆導電線網４、４ａ、４ｂ  半導体パッケージ５１、５１ａ、５１ｂ  パッケージ基板５２、５２ａ  半導体パッケージを接続するための電極パッド５３ａ  電源・グラウンド線と接続するための電極パッド５４  信号伝送線５４ａ、５４ａａ  電源・グラウンド線５５  絶縁層５６  絶縁層５７  電源・グラウンド層５８  クリアランス５９  絶縁層６１、６１ａ  ソルダーレジスト
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面を参照しながら説明する。【００３４】
（第１実施形態）
図１Ａ乃至Ｃは、本発明の第１実施形態の実装構造を示す。図１Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図１Ｂおよび図１Ｃは、図１ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００３５】
本第１実施形態の実装構造は、図１Ａ乃至Ｃに示すように、矩形の基板１と、その上に搭載された矩形の平面形状を持つチップ状の半導体パッケージ４とを備えている。図１Ａから分かるように、半導体パッケージ４の大きさは基板１よりも小さい。【００３６】
基板１は、積層形成された二つの絶縁層１５および絶縁層１６を備えている。基板１の表面すなわち上位にある絶縁層１５の表面には、半導体パッケージ４を搭載するための複数の円形の電極パッド１２と、複数の絶縁被覆導電線３の導電線材３１を機械的・電気的に接続するための複数の円形の電極パッド１３とが形成されている。電極パッド１３は、電極パッド１２よりも小さい。基板１の表面の電極パッド１２および１３以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜１１で覆われている。電極パッド１２および１３の各々とソルダーレジスト膜１１の間には隙間があいている。【００３７】
基板１の裏面すなわち下位にある絶縁層１６の表面には、電源層もしくはグラウンド層となる導電層（以下、これを電源・グラウンド層と称する）１７が所定パターンで形成されている。【００３８】
基板１の表面に配置された電極パッド１２の各々は、半導体パッケージ４の裏面に設けられた複数の電極パッド（図示せず）に対応した大きさを持つ。基板１の内部には、基板１（すなわち絶縁層１５および１６）をその厚さ方向に貫通する複数の信号伝送線１４が形成されている。電極パッド１２の各々の裏面には、対応する信号伝送線１４の上端が機械的・電気的に接続されている。各信号伝送線１４は、絶縁層１６より下部に配置されている装置（図示省略）に電気的に接続されている。【００３９】
基板１の内部には、さらに、基板１（すなわち絶縁層１５および１６）をその厚さ方向に貫通する複数の電源・グラウンド線１４ａが形成されている。電極パッド１３の各々の裏面には、対応する電源・グラウンド線１４ａの上端が機械的・電気的に接続されている。各電源・グラウンド線１４ａの下端は、基板１の裏面（すなわち絶縁層１６の表面）にある電源・グラウンド層１７に機械的・電気的に接続されている。基板１の表面に配置された電極パッド１３の各々は、対応する電源・グラウンド線１４ａに対応した大きさを持つ。【００４０】
半導体パッケージ４（の電極パッド）とそれに対応する基板１の表面の電極パッド１２とは、それぞれ、ボール状のハンダ２によって機械的・電気的に相互接続されており、これによって半導体パッケージ４は基板１上に実装されている。【００４１】
電極パッド１２は、基板１の表面に、縦方向（図１Ａでは上下方向）と横方向（図１Ａでは左右方向）に、それぞれ間隔をあけて複数列で配置されている。ここでは、電極パッド１２は、縦方向に４列、横方向に４列で、略等間隔に配置されている。つまり、電極パッド１２は、４行４列のマトリックス状に配置されているのである。【００４２】
電極パッド１３も、電極パッド１と同様に、基板１の表面に、縦方向（図１Ａでは上下方向）と横方向（図１Ａでは左右方向）に、それぞれ間隔をあけて複数列で配置されている。ここでは、電極パッド１３は、縦方向に５列、横方向に５列で、略等間隔に配置されている。つまり、電極パッド１３は、５行５列のマトリックス状に配置されているのである。電極パッド１３は、電極パッド１２の各々を取り囲むように配置されている。つまり、電極パッド１２の各々を囲む正方形（矩形）を想定すると、その正方形の四つの角にそれぞれ電極パッド１３を配置した形になっている。【００４３】
基板１の表面には、さらに、１０本の絶縁被覆導電線３が配置されている。各絶縁被覆導電線３は、導電線材３１と、その全周を覆う絶縁被覆３２とから構成されている。この場合、導電線材３１が絶縁被覆３２で覆われているため、ブリッジ等により生じる短絡が防止される利点がある。【００４４】
絶縁被覆導電線３は、直線状であって、縦方向（図１Ａでは上下方向）または横方向（図１Ａでは左右方向）に整列している五つの電極パッド１３を機械的・電気的に相互接続している。絶縁被覆導電線３は、４行４列のマトリックス状に配置された電極パッド１２の当該マトリックスの各行と各列に沿って縦方向または横方向に延在しており、全体で縦５本、横５本の直線からなる格子を形成している。その結果、電極パッド１２の各々は、４本の絶縁被覆導電線３の隣接する二つの電極パッド１３間にある部分によって囲まれている。つまり、電極パッド１２の各々は、絶縁被覆導電線３によって区切られているのである。これを電極パッド１３について言えば、各電極パッド１３は、絶縁被覆導電線３の交差箇所にそれぞれ配置されている、と言うことができる。【００４５】
絶縁被覆導電線３の交差箇所（すなわち電極パッド１３のある箇所）の各々には、ボール状のハンダ２が設けられている。絶縁被覆導電線３の各々は、当該交差箇所において絶縁被覆３２が剥離されていて、内部の導電線材３１が露出している。このため、各交差箇所で交差する２本の絶縁被覆導電線３は、機械的・電気的に相互接続されていると共に、対応する電極パッド１３とも機械的・電気的に接続されている。各電極パッド１３は、対応する電源・グラウンド線１４ａを介して、基板１の裏面にある電源・グラウンド層１７に機械的・電気的に接続されているので、すべての絶縁被覆導電線３が電源・グラウンド層１７に電気的に接続されていることになる。【００４６】
各絶縁被覆導電線３は、各交差箇所において、導電線材３１が予め平坦化されている。このため、２本の絶縁被覆導電線３が重なる各交差箇所においても、その高さが交差箇所以外の部分よりも高くならず、しかも、交差している絶縁被覆導電線３が安定した状態で相互接続される。各交差箇所における導電線材３１の断面形状は、円形のみならず、半円形、長方形、正方形、楕円形などでもよい。要は、各交差箇所の高さが、絶縁被覆導電線材３の高さと同等もしくはそれよりも低ければよい。【００４７】
交差箇所は、図１Ａのように、平面十字状に交差する箇所と、平面Ｔ字状またはＬ字状に交差する箇所がある。【００４８】
絶縁被覆導電線３は、交差箇所以外ではソルダーレジスト１１の上に配置されるので、ソルダーレジスト１１は絶縁被覆導電線３を保護する役目も持っている。【００４９】
すべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１は、基板１の表面に配置されていると共に、電極パッド１３と電源・グラウンド線１４ａを介して電源・グラウンド層１７に電気的に接続されているので、当該実装構造の内部で発生する不要な電磁波放射が抑制されるという効果が得られる。また、すべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１が、半導体パッケージ４の直下において、基板１の表面にある電極パッド１３と機械的・電気的に接続されているため、当該実装構造の全体の剛性が高くなる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性が向上するという効果も得られる。【００５０】
本発明の第１実施形態の実装構造では、以上述べたように、基板１の表面に形成された、半導体パッケージ４を基板１の表面に搭載するための複数の電極パッド１２と、基板１の表面に形成された、基板１の電源・グラウンド層１７に電気的に接続するための複数の電極パッド１３と、基板１の表面において電極パッド１３に少なくとも２点で接続された導電線材３１とを備え、半導体パッケージ４と電極パッド１２の相互接続は、接続材料としてのハンダ２を用いて実施され、導電線材３１と電極パッド１３の相互接続も、接続材料としてのハンダ２を用いて実施されている。【００５１】
このように、電源・グラウンド層１７に電気的に接続するための電極パッド１３に少なくとも２点で接続された導電線材３１が設けられているので、当該実装構造を流れる伝送信号から発生する不要な電磁波放射を抑制することができる。【００５２】
また、基板１の表面に導電線材３１が存在するので、アンダーフィル樹脂を半導体パッケージ４と基板１の表面との間に注入することなく、基板１の表面側の剛性を高めることができる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性を向上することができる。【００５３】
（第２実施形態）
図２Ａ乃至Ｃは、本発明の第２実施形態の実装構造を示す。図２Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図２Ｂおよび図２Ｃは、図２ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００５４】
本第２実施形態の実装構造は、基板１を貫通する複数の信号伝送線１４が基板１の裏面に露出する箇所に電源・グラウンド層１７が存在している。各信号伝送線１４が電源・グラウンド層１７を貫通して絶縁層１６から下部において実装装置（図面においては省略）に接続されている以外は、上述した第１実施形態の場合と同じ構成である。よって、本実施形態では、上述した第１実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００５５】
図２Ｂに示すように、信号伝送線１４の各々と電源・グラウンド層１７の間には、クリアランス１８が形成されている。各導電線材３１は、基板１の表面（ソルダーレジスト膜１１の上）において、対応するクリアランス１８のほぼ真上（ほぼ重なる）の位置にある。【００５６】
本第２実施形態の実装構造においては、基板１の表面にあって電源・グラウンド層１７に電気的に接続された電極パッド１３が、電源・グラウンド層１７と信号伝送線１４の各々との間のクリアランス１８のほぼ真上の位置に配置されているため、信号伝送線１４を流れる電流の帰路電流を当該信号伝送線１４の近くに通すことができるため、上述した第整１実施形態の場合と同じ効果に加えて、クリアランス１８が原因で発生する不要な電磁波放射が減少し、他の伝送経路に与える影響を低減することができるという効果が得られる。【００５７】
（第３実施形態）
図３Ａ乃至Ｃは、本発明の第３実施形態の実装構造を示す。図３Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図３Ｂおよび図３Ｃは、図３ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００５８】
本第３実施形態の実装構造は、上記第２実施形態において、絶縁被覆されていない導電線材３１を使用している点を除き、上述した第２実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００５９】
本第３実施形態の実装構造では、絶縁被覆されていない導電線材３１を使用しているため、絶縁被覆導電線３よりも直径が小さくなる。このため、半導体パッケージ４との接続用の電極パッド１２の配置間隔（ピッチ）を、上述した第２実施形態の場合より狭くすることができると共に、半導体パッケージ４と基板１の表面との間隔も、上述した第２実施形態の場合より狭くすることができる。このため、より高性能の半導体素子を持つ半導体パッケージ４を適用することが可能になる。よって、上述した第２実施形態の場合と同じ効果に加えて、より高性能の実装構造が得られるといった効果が得られる。【００６０】
（第４実施形態）
図４Ａ乃至Ｃは、本発明の第４実施形態の実装構造を示す。図４Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図４Ｂおよび図４Ｃは、図４ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００６１】
上記第１〜第３実施形態の実装構造では、絶縁被覆導電線３または絶縁被覆されていない導電線材３１を格子状に配置しているが、本発明ではそれらを必ずしも格子状に配置する必要はない。【００６２】
そこで、本第４実施形態の実装構造では、上記第２実施形態において電極パッド１３の５行５列のマトリックスに沿って配置されていた１０本の絶縁被覆導電線３のうち、当該マトリックスの外枠の四辺に配置されていた４本の絶縁被覆導電線３を除いている。これに合わせて、当該マトリックスの外周の四つの角にあった電極パッド１３（４個）も除かれている。本第４実施形態の実装構造は、これらの点を除いて、上述した第２実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００６３】
本第４実施形態の実装構造では、上述した構成を有しているから、搭載機により絶縁被覆導電線３を電極パッド１３上に載置する工程数が減少する。よって、上述した第２実施形態の場合と同じ効果に加えて、絶縁被覆導電線３の載置工程数の削滅と、絶縁被覆導電線材３の使用量削減に伴う材料費の削滅により、製造コストが低減するという効果も得られる。【００６４】
（第５実施形態）
図５Ａ乃至Ｃは、本発明の第５実施形態の実装構造を示す。図５Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図５Ｂおよび図５Ｃは、図５ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００６５】
本第５実施形態の実装構造では、上記第２実施形態において電極パッド１３の５行５列のマトリックスに沿って配置されていた１０本の絶縁被覆導電線３のうち、当該マトリックスの左右方向に延在する５本の絶縁被覆導電線３を除いている。換言すれば、当該マトリックスの上下方向のみに５本の絶縁被覆導電線３を配置したものである。本第５実施形態の実装構造は、これらの点を除いて、上述した第２実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００６６】
本第５実施形態の実装構造では、上述した構成を有しているから、搭載機により絶縁被覆導電線３を電極パッド１３上に載置する工程数が減少する。よって、上述した第２実施形態の場合と同じ効果に加えて、絶縁被覆導電線３の載置工程数の削滅と、絶縁被覆導電線材３の使用量削減に伴う材料費の削滅により、製造コストが低減するという効果も得られる。【００６７】
なお、本第５実施形態では、電極パッド１３の５行５列のマトリックスに沿って５本の絶縁被覆導電線３が配置されているが、絶縁被覆導電線３の数は少なくとも１本あれば足りる。したがって、５本の絶縁被覆導電線３のうち最大４本を省略することができる。【００６８】
（第６実施形態）
図６Ａ乃至Ｃは、本発明の第６実施形態の実装構造を示す。図６Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図６Ｂおよび図６Ｃは、図６ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００６９】
本第６実施形態の実装構造では、上記第２実施形態において電極１３の５行５列のマトリックスに沿って配置されていた１０本の絶縁被覆導電線３のうち、当該マトリックスの外枠に沿って延在する４本の絶縁被覆導電線３を残して、他の６本の絶縁被覆導電線３を除いている。換言すれば、当該マトリックスの外枠のみに４本の絶縁被覆導電線３を配置したものである。本第６実施形態の実装構造は、これらの点を除いて、上述した第２実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００７０】
本第６実施形態の実装構造では、上述した構成を有しているから、搭載機により絶縁被覆導電線３を電極パッド１３上に載置する工程数が減少する。よって、上述した第２実施形態の場合と同じ効果に加えて、絶縁被覆導電線３の載置工程数の削滅と、絶縁被覆導電線材３の使用量削減に伴う材料費の削滅により、製造コストが低減するという効果も得られる。【００７１】
（第７実施形態）
図７Ａ乃至Ｃは、本発明の第７実施形態の実装構造を示す。図７Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図７Ｂおよび図７Ｃは、図７ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００７２】
本第７実施形態の実装構造では、上記第２実施形態において電極パッド１３の５行５列のマトリックスに沿って配置されていた１０本の絶縁被覆導電線３のうち、当該マトリックスの上下方向に延在する１本の絶縁被覆導電線３とその左右方向に延在する１本の絶縁被覆導電線３とを残して、他の８本の絶縁被覆導電線３を除いている。換言すれば、当該マトリックスの上下方向と左右方向にそれぞれ１本の絶縁被覆導電線３を配置したものである。本第７実施形態の実装構造は、これらの点を除いて、上述した第２実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００７３】
本第７実施形態の実装構造では、上述した構成を有しているから、搭載機により絶縁被覆導電線３を電極パッド１３上に載置する工程数が減少する。よって、上述した第２実施形態の場合と同じ効果に加えて、絶縁被覆導電線３の載置工程数の削滅と、絶縁被覆導電線材３の使用量削減に伴う材料費の削滅により、製造コストが低減するという効果も得られる。【００７４】
なお、本第７実施形態では、電極パッド１３の５行５列のマトリックスの上下方向と左右方向にそれぞれ１本の絶縁被覆導電線３が配置されているが、その上下方向または左右方向に絶縁被覆導電線３を追加して配置してもよい。【００７５】
（第８実施形態）
図８Ａ乃至Ｃは、本発明の第８実施形態の実装構造を示す。図８Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４と基板１との間を上面から見た透視図である。図８Ｂおよび図８Ｃは、図８ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【００７６】
本第８実施形態の実装構造では、上記第４実施形態において、電極パッド１３の５行５列のマトリックスに沿って配置されている８本の絶縁被覆導電線３の各々の両端にある電極パッド１３と電源・グラウンド線１４ａを残し、それ以外の位置にある電極パッド１３と電源・グラウンド線１４ａを省略している。これは、各絶縁被覆導電線３は、少なくとも２箇所で、電極パッド１３と電源・グラウンド線１４ａとを介して電源・グラウンド層１７に電気的に接続されていれば足りるからである。本第８実施形態の実装構造は、これらの点を除いて、上述した第４実施形態の場合と同じ構成である。よって、上述した第４実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００７７】
本第８実施形態の実装構造では、上述した構成を有しているから、搭載機により絶縁被覆導電線３を電極パッド１３上に載置する工程数が減少すると共に、電極パッド１３の数とハンダ２の使用量が減少する。よって、上述した第４実施形態の場合と同じ効果に加えて、絶縁被覆導電線３の載置工程数の削滅と、絶縁被覆導電線材３の数と電極パッド１３の数とハンダ２の使用量削減に伴う費用の削滅により、製造コストが低減するという効果も得られる。【００７８】
（第９実施形態）
図９Ａ乃至Ｇは、本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を示す。図９Ａ乃至Ｇはその製造方法を工程順に示す断面図である。本実施形態では、上述した第１実施形態の実装構造が製造されるので、上述した第１実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【００７９】
最初に、４行４列のマトリックス状に配置された電極パッド１２と、５行５列のマトリックス状に配置された電極パッド１３を表面に備えた基板１を準備する。この時の基板１の状態は、図９Ａのようになる。ただし、ソルダーレジスト膜１１は省略している。【００８０】
次に、図９Ｂのように、基板１の表面にある電極パッド１２と１３の上に、それぞれ、所定量のペースト状ハンダ２を供給（載置）する。【００８１】
次に、５本の絶縁被覆導電線材３を、電極１３上のハンダ２に重なるように縦方向（横方向でもよい）に載置する。この時の状態は図９Ｃのようになる。【００８２】
次に、載置された上記絶縁被覆導電線材３と、次の載置される絶縁被覆導電線材３との交差箇所に、それぞれ、所定量のペースト状ハンダ２を供給（載置）する。この時の状態は図９Ｄのようになる。【００８３】
次に、他の５本の絶縁被覆導電線材３を、電極１３上のハンダ２に重なるように横方向（縦方向でもよい）に載置する。この時の状態は図９Ｅのようになり、絶縁被覆導電線材３は格子状になっている。【００８４】
次に、電極パッド１２の上のハンダ２に重なるように、半導体パッケージ４を載置する。この時の状態は図９Ｆのようになる。【００８５】
最後に、基板１と半導体パッケージ４の積層体に対してハンダ・リフロー工程を実施し、ハンダ２を一時的に溶融させてから硬化させると、半導体パッケージ４は電極パッド１２を介して基板１の表面に実装され、それと同時に、絶縁被覆導電線材３は電極パッド１３を介して基板１の表面に格子状に実装される。こうして、上記第１実施形態の実装構造が得られる。【００８６】
本第９実施形態の実装構造の製造方法は、上述した工程を経て実施されるものであるから、従来の実装工程を大幅に変更することなく実施することが可能である。【００８７】
なお、この製造方法により、上述した第２〜第８実施形態の実装構造を製造することもできることは言うまでもない。【００８８】
（第１０実施形態）
図１０Ａ乃至Eは、本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を示す。図１０Ａ〜Eはその製造方法を工程順に示す断面図である。本実施形態では、上述した第９実施形態の製造方法において、絶縁被覆導電線材３を搭載する工程で、１０本の絶縁被覆導電線材３（絶縁被覆はなくてもよい）を予め格子状に交差・接合して形成された絶縁被覆導電線網３３を使用した点を除き、上述した第９実施形態の実装構造の製造方法と同一である。【００８９】
まず、上述した第９実施形態と同様に、４行４列のマトリックス状に配置された電極パッド１２と、５行５列のマトリックス状に配置された電極パッド１３を表面に備えた基板１を準備してから（図１０Ａ）、基板１の表面にある電極パッド１２と１３の上に、それぞれ、所定量のペースト状ハンダ２を供給（載置）する（図１０Ａ）。【００９０】
次に、１０本の絶縁被覆導電線材３を予め格子状に交差・接合してなる絶縁被覆導電線網３３を電極パッド１３の上のハンダ２上に載置する（図１０Ｃ）。【００９１】
その後、絶縁被覆導電線網３３を構成する絶縁被覆導電線材３の交差箇所の各々にハンダ２を載置してから（図１０Ｄ）、電極パッド１２の上のハンダ２に重なるように半導体パッケージ４を載置する。【００９２】
最後に、上述した第９実施形態と同様にハンダ・リフロー工程を実施すると、上記第１実施形態の実装構造が得られる。【００９３】
本第１０実施形態の実装構造の製造方法は、上述した工程を経て実施されるものであるから、上述した第９実施形態と同様に、従来の実装工程を大幅に変更することなく実施することが可能である。【００９４】
なお、絶縁被覆導電線網３３は、レーザなどを使用した抜き打ち加工によって形成してもよい。【００９５】
（第１１実施形態）
図１１Ａ乃至Ｄは、本発明の１１実施形態の実装構造の製造方法を示す。図１１Ａ乃至Ｄはその製造方法を工程順に示す断面図である。本実施形態では、上述した第９実施形態の製造方法において、絶縁被覆導電線材３を搭載する工程で、絶縁被覆導電線材３（絶縁被覆はなくてもよい）をレーザ溶着によって電極パッド１３上に機械的・電気的に接続する点を除き、上述した第９実施形態の実装構造の製造方法と同一である。【００９６】
まず、上述した第９実施形態と同様に、４行４列のマトリックス状に配置された電極パッド１２と、５行５列のマトリックス状に配置された電極パッド１３を表面に備えた基板１を準備してから（図１１Ａ）、５本の絶縁被覆導電線材３を、電極パッド１３に重なるように横方向（縦方向でもよい）に載置する。そして、レーザ溶着によって、これらの絶縁被覆導電線材３を電極パッド１３の上に接続する。この時の状態は図１１Ｂのようになる。【００９７】
次に、他の５本の絶縁被覆導電線材３を、電極パッド１３に重なるように縦方向（横方向でもよい）に載置する。そして、レーザ溶着によって、これらの絶縁被覆導電線材３を電極パッド１３の上に接続する。この時の状態は図１１Ｃのようになり、絶縁被覆導電線材３は格子状になっている。【００９８】
次に、電極パッド１２の上にハンダ２を載置してから、それに重なるように半導体パッケージ４を載置する。最後に、上述した第９実施形態と同様に、ハンダ・リフロー工程を実施し、半導体パッケージ４を電極パッド１２を介して基板１の表面に実装する。こうして、上記第１実施形態の実装構造が得られる。【００９９】
本第１１実施形態の実装構造の製造方法は、上述した工程を経て実施されるものであるから、従来の実装工程を大幅に変更することなく実施することが可能である。【０１００】
なお、半導体パッケージ４を搭載する工程において、電子機器の実装工程で一般的に使用されている圧接工法を用いてもよい。【０１０１】
（第１２実施形態）
図１２Ａ乃至Ｃは、本発明の第１２実施形態の実装構造を示す。図１２Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４ａとパッケージ基板５１との間を上面から見た透視図である。図１２Ｂおよび図１２Ｃは、図１２ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【０１０２】
本第１２実施形態の実装構造は、図１２Ａ乃至Ｃに示すように、矩形の基板１ａと、その上に搭載された矩形の平面形状を持つパッケージ基板５１と、その上に搭載された矩形の平面形状を持つチップ状の半導体パッケージ４とを備えている。パッケージ基板５１の表面には、矩形の平面形状を持つチップ状の半導体パッケージ４ａが搭載されている。図１２Ａから分かるように、パッケージ基板５１の大きさは基板１よりも小さく、半導体パッケージ４ａの大きさはパッケージ基板５１よりも小さく、半導体パッケージ４の大きさはパッケージ基板５１とほぼ同じである。【０１０３】
したがって、本第１２実施形態の実装構造は、上記第１実施形態の実装構造において、半導体パッケージ４ａを含むパッケージ基板５１を基板１の代わりに使用すると共に、そのパッケージ基板５１の裏面（すなわち半導体パッケージ４とは反対側の主面）に基板１ａを追加装着したものに相当する。また、半導体パッケージ４ａ上に重ねて半導体パッケージ４が実装されているから、この実装構造はPackage-On-Package（ＰｏＰ）構造となっている。【０１０４】
基板１ａは、上記第１実施形態で使用された基板１と同様に、積層形成された二つの絶縁層１５および絶縁層１６を備えており、基板１ａの表面（すなわち上位にある絶縁層１５の表面）には、パッケージ基板５１を搭載するための複数の円形の電極パッド１２が形成されている。電極パッド１２は、ここでは、基板１ａの表面に、縦方向（図１２Ａでは上下方向）に７列、横方向（図１２Ａでは左右方向）に７列、それぞれ略等間隔に配置されており、７行７列のマトリックスを構成している。電極パッド１２の各々は、パッケージ基板５１の裏面に設けられた複数の電極パッド５２ａに対応した大きさを持つ。【０１０５】
基板１ａの表面には、絶縁被覆導電線３の導電線材３１を機械的・電気的に接続するための電極パッド１３は形成されていない。基板１ａの表面には、絶縁被覆導電線３（やその導電線材３２）が配置されないからである。基板１ａの表面の電極パッド１２以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜１１で覆われている。電極パッド１２の各々とソルダーレジスト膜１１の間には隙間があいている。基板１ａの裏面（すなわち下位にある絶縁層１６の表面）には、電源・グラウンド層１７は形成されていない。基板１ａには絶縁被覆導電線３（やその導電線材３２）が配置されないため、不要であるからである。【０１０６】
基板１ａの内部には、上記第１実施形態で使用された基板１と同様に、基板１ａ（すなわち絶縁層１５および１６）をその厚さ方向に貫通する複数の信号伝送線１４が所定パターンで形成されている。電極パッド１２の各々の裏面には、対応する信号伝送線１４の上端が機械的・電気的に接続されている。各信号伝送線１４は、絶縁層１６より下部に配置されている装置（図示省略）に電気的に接続されている。【０１０７】
基板１ａの内部には、電源・グラウンド線１４ａは存在していない。これは、電源・グラウンド線１４ａが接続されるべき電源・グラウンド層１７が基板１ａの裏面に形成されないためである。【０１０８】
基板１ａの表面の電極パッド１２と、それに対応するパッケージ基板５１の電極パッド５２ａとは、それぞれ、ボール状のハンダ２によって機械的・電気的に相互接続されており、これによって、基板１ａ上にパッケージ基板５１が実装されている。【０１０９】
パッケージ基板５１は、絶縁層５５および５６と、電源・グラウンド層５７（これは所定パターンを持つ）と、絶縁層５９とをこの順に積層して構成されている。パッケージ基板５１の表面（すなわち絶縁層５５の表面）の中央部には、半導体パッケージ４ａが実装されている。【０１１０】
パッケージ基板５１の表面には、さらに、半導体パッケージ４ａを囲むように、半導体パッケージ４を搭載するための複数の円形の電極パッド５２と、複数の絶縁被覆導電線３の導電線材３１を機械的・電気的に接続するための複数の円形の電極パッド５３とが形成されている。電極パッド５３は、電極パッド５２よりも小さい。パッケージ基板５１の表面の電極パッド５２および５３と半導体パッケージ４ａ以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜６１で覆われている。電極パッド５２および５３の各々とソルダーレジスト膜６１の間、そして半導体パッケージ４ａとソルダーレジスト膜６１の間には、それぞれ隙間があいている。電極パッド５２の各々は、当該実装構造の最上部に配置される半導体パッケージ４の裏面に設けられた複数の電極パッド（図示せず）に対応した大きさを持つ。【０１１１】
パッケージ基板５１の裏面（すなわち絶縁層５９の表面）には、上述したように、基板１ａとの接続用の電極パッド５２ａが設けられていて、パッケージ基板５１の裏面の電極パッド５２ａ以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜６１ａで覆われている。電極パッド５２ａの各々とソルダーレジスト膜６１ａの間には隙間があいている。【０１１２】
パッケージ基板５１の内部には、パッケージ基板５１（すなわち絶縁層５５および５６と電源・グラウンド層５７と絶縁層５９）をその厚さ方向に貫通する複数の信号伝送線５４が形成されている。電極パッド５２の各々の裏面と、半導体パッケージ４ａの電極パッド（図示せず）の各々には、対応する信号伝送線５４の上端が機械的・電気的に接続されている。各信号伝送線５４は、パッケージ基板５１の裏面にある対応する電極パッド５２ａに電気的に接続されている。【０１１３】
パッケージ基板５１の内部には、さらに、絶縁層１５および１６をそれらの厚さ方向に貫通する複数の電源・グラウンド線５４ａが形成されている。電極パッド５３の各々の裏面には、対応する電源・グラウンド線５４ａの上端が機械的・電気的に接続されている。各電源・グラウンド線５４ａの下端は、パッケージ基板５１の内部にある電源・グラウンド層５７に機械的・電気的に接続されている。パッケージ基板５１の表面に配置された電極パッド５３の各々は、対応する電源・グラウンド線５４ａに対応した大きさを持つ。【０１１４】
半導体パッケージ４の複数の電極パッド（図示せず）と、それらに対応するパッケージ基板５１の表面の電極パッド５２とは、それぞれ、ボール状のハンダ２によって機械的・電気的に相互接続されている。半導体パッケージ４は、こうして、半導体パッケージ４ａと重なり合う形でパッケージ基板５１上に実装されている。半導体パッケージ４と半導体パッケージ４ａの対向する面の間には隙間があいており、両パッケージ４および４ａは相互接続されてはいない。【０１１５】
半導体パッケージ４は、パッケージ基板５１の表面のハンダ２および電極パッド５２と、パッケージ基板５１の内部の信号伝送線５４と、パッケージ基板５１の裏面の電極パッド５２ａおよびハンダ２と、基板１ａの表面の電極パッド１２と、基板１ａの内部の信号伝送線１４とを介して、基板１ａの下部に配置されている装置（図示省略）に電気的に接続されている。同様に、半導体パッケージ４ａは、パッケージ基板５１の内部の信号伝送線５４と、パッケージ基板５１の裏面の電極パッド５２ａおよびハンダ２と、基板１ａの表面の電極パッド１２と、基板１ａの内部の信号伝送線１４とを介して、同装置に電気的に接続されている。【０１１６】
パッケージ基板５１の表面にある電極パッド５２は、半導体パッケージ４ａの周りに、縦方向（図１２Ａでは上下方向）に１列、横方向（図１２Ａでは左右方向）に１列で、略等間隔に配置されている。これは、縦方向に６列、横方向に６列のマトリックスから中央にある縦方向の４列と横方向の４列を除き、その除かれた箇所に半導体パッケージ４ａを配置したものに相当する。【０１１７】
パッケージ基板５１の表面にある電極パッド５３も、電極パッド５２と同様に、縦方向に２列、横方向に２列で、略等間隔に配置されている。これは、縦方向に７列、横方向に７列のマトリックスから中央にある縦方向の３列と横方向の３列を除いたものに相当する。電極パッド５３は、電極パッド５２の各々を取り囲むように配置されている。つまり、電極パッド５２の各々を囲む正方形（矩形）を想定すると、その正方形の四つの角にそれぞれ電極パッド５３を配置した形になっている。【０１１８】
パッケージ基板５１の表面（ソルダーレジスト６１の上）には、さらに、複数の絶縁被覆導電線３が配置されている。各絶縁被覆導電線３は、上記第１実施形態で使用したものと同じである。絶縁被覆導電線３は、直線状であって、縦方向または横方向に整列している電極パッド５３を機械的・電気的に相互接続している。絶縁被覆導電線３の配置は、縦方向に７列、横方向に７列のマトリックスから中央にある縦方向の３列と横方向の３列を除いたものに相当する。電極パッド５２の各々は、４本の絶縁被覆導電線３の隣接する二つの電極パッド５３間にある部分によって囲まれていて、絶縁被覆導電線３によって区切られている。これを電極パッド５３について言えば、各電極パッド５３は、絶縁被覆導電線３の交差箇所にそれぞれ配置されている、と言うことができる。【０１１９】
絶縁被覆導電線３の交差箇所（すなわち電極パッド５３のある箇所）の各々には、ボール状のハンダ２が設けられている。絶縁被覆導電線３の各々は、当該交差箇所において絶縁被覆３２が剥離されていて、内部の導電線材３１が露出している。このため、各交差箇所で交差する２本の絶縁被覆導電線３は、機械的・電気的に相互接続されていると共に、対応する電極パッド５３とも機械的・電気的に接続されている。各電極パッド５３は、対応する電源・グラウンド線５４ａを介して、パッケージ基板５１の電源・グラウンド層５７に機械的・電気的に接続されているので、すべての絶縁被覆導電線３が電源・グラウンド層５７に電気的に接続されていることになる。【０１２０】
各絶縁被覆導電線３は、上記第１実施形態と同様に、各交差箇所において、導電線材３１が予め平坦化されているため、２本の絶縁被覆導電線３が重なる各交差箇所においても、その高さが交差箇所以外の部分よりも高くならず、しかも、交差している絶縁被覆導電線３が安定した状態で相互接続される。交差箇所は、図１２Ａのように、平面Ｔ字状またはＬ字状に交差する箇所がある。【０１２１】
すべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１は、パッケージ基板５１の表面に配置されていると共に、電極パッド５３と電源・グラウンド線５４ａを介して電源・グラウンド層５７に電気的に接続されているので、当該実装構造の内部で発生する不要な電磁波放射が抑制されるという効果が得られる。また、すべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１が、半導体パッケージ４の直下において、パッケージ基板５１の表面にある電極パッド５３と機械的・電気的に接続されているため、当該実装構造の全体の剛性が高くなる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性が向上するという効果も得られる。【０１２２】
本発明の第１２実施形態の実装構造では、以上述べたように、パッケージ基板５１の表面に形成された、半導体パッケージ４をパッケージ基板５１の表面に搭載するための複数の電極パッド５２と、パッケージ基板５１の表面に形成された、パッケージ基板５１の電源・グラウンド層５７に電気的に接続するための複数の電極パッド５３と、パッケージ基板５１の表面において電極パッド５３に少なくとも２点で接続された導電線材３１とを備え、半導体パッケージ４と電極パッド５２の相互接続は、接続材料としてのハンダ２を用いて実施され、導電線材３１と電極パッド５３の相互接続も、接続材料としてのハンダ２を用いて実施されている。【０１２３】
このように、電源・グラウンド層５７に電気的に接続するための電極パッド５３に少なくとも２点で接続された導電線材３１が設けられているので、当該実装構造を流れる伝送信号から発生する不要な電磁波放射を抑制することができる。【０１２４】
また、パッケージ基板５１の表面に導電線材３１が存在するので、アンダーフィル樹脂を半導体パッケージ４とパッケージ基板５１の表面との間に注入することなく、パッケージ基板５１の表面側の剛性を高めることができる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性を向上することができる。【０１２５】
さらに、パッケージ基板５１は非常に薄くて反りやすいという難点を有しているが、本第１２実施形態の実装構造では、そのパッケージ基板５１の反りを低減することができるという利点もある。【０１２６】
（第１３実施形態）
図１３Ａ乃至Ｃは、本発明の第１３実施形態の実装構造を示す。図１３Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４ａとパッケージ基板５１ａとの間を上面から見た透視図である。図１３Ｂおよび図１３Ｃは、図１３ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【０１２７】
本第１３実施形態の実装構造は、図１３Ａ乃至Ｃに示すように、上記第１２実施形態の実装構造において、半導体パッケージ４ａを含むと共に絶縁被覆導電線材３を表面にのみ備えたパッケージ基板５１の代わりに、半導体パッケージ４ａを含むと共に絶縁被覆導電線材３を表裏両面に備えたパッケージ基板５１ａを使用したものに相当する。よって、上述した第１２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【０１２８】
パッケージ基板５１ａの裏面には、基板１ａとの接続用の複数の円形の電極パッド５２ａに加えて、複数の絶縁被覆導電線３の導電線材３１を機械的・電気的に接続するための複数の円形の電極パッド５３ａが形成されている。電極パッド５３ａは、電極パッド５２ａよりも小さい。パッケージ基板５１ａの裏面の電極パッド５２ａおよび５３ａ以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜６１ａで覆われている。電極パッド５２ａおよび５３ａの各々とソルダーレジスト膜６１ａの間には、隙間があいている。【０１２９】
パッケージ基板５１ａの内部には、パッケージ基板５１ａ（すなわち絶縁層５５および５６と電源・グラウンド層５７と絶縁層５９）をその厚さ方向に貫通する複数の信号伝送線５４に加えて、絶縁層５９を貫通する複数の電源・グラウンド線５４ａａが形成されている。電極パッド５３ａの各々の裏面には、対応する電源・グラウンド線５４ａａの下端が機械的・電気的に接続されている。各電源・グラウンド線５４ａａは、パッケージ基板５１ａの内部にある電源・グラウンド層５７に電気的に接続されている。電極パッド５３ａの各々は、対応する電源・グラウンド線５４ａａに対応した大きさを持つ。【０１３０】
パッケージ基板５１ａの裏面にある電極パッド５２ａは、縦方向（図１３Ａでは上下方向）に７列、横方向（図１３Ａでは左右方向）に７列で、略等間隔に配置されており、縦方向に７列、横方向に７列のマトリックスを構成している。【０１３１】
パッケージ基板５１ａの裏面にある電極パッド５３ａも、電極パッド５２ａと同様に、縦方向に８列、横方向に８列で、略等間隔に配置されており、縦方向に８列、横方向に８列のマトリックスを構成している。電極パッド５３ａは、電極パッド５２ａの各々を取り囲むように配置されている。つまり、電極パッド５２ａの各々を囲む正方形（矩形）を想定すると、その正方形の四つの角にそれぞれ電極パッド５３ａを配置した形になっている。【０１３２】
パッケージ基板５１の裏面（ソルダーレジスト６１ａの上）には、さらに、複数の絶縁被覆導電線３が配置されている。各絶縁被覆導電線３は、上記第１実施形態で使用したものと同じである。絶縁被覆導電線３は、直線状であって、縦方向または横方向に整列している電極パッド５３ａを機械的・電気的に相互接続している。絶縁被覆導電線３の配置は、縦方向に７列、横方向に７列のマトリックス状である。電極パッド５２ａの各々は、４本の絶縁被覆導電線３の隣接する二つの電極パッド５３ａ間にある部分によって囲まれていて、絶縁被覆導電線３によって区切られている。これを電極パッド５３ａについて言えば、各電極パッド５３ａは、絶縁被覆導電線３の交差箇所にそれぞれ配置されている、と言うことができる。【０１３３】
絶縁被覆導電線３の交差箇所（すなわち電極パッド５３ａのある箇所）の各々には、上記第１実施形態と同様に、ボール状のハンダ２が設けられている。絶縁被覆導電線３の各々は、当該交差箇所において絶縁被覆３２が剥離されていて、内部の導電線材３１が露出している。このため、各交差箇所で交差する２本の絶縁被覆導電線３は、機械的・電気的に相互接続されていると共に、対応する電極パッド５３ａとも機械的・電気的に接続されている。各電極パッド５３ａは、対応する電源・グラウンド線５４ａａを介して、パッケージ基板５１ａの電源・グラウンド層５７に機械的・電気的に接続されているので、パッケージ基板５１の裏面にあるすべての絶縁被覆導電線３が、電源・グラウンド層５７に電気的に接続されていることになる。【０１３４】
各絶縁被覆導電線３は、上記第１実施形態と同様に、各交差箇所において、導電線材３１が予め平坦化されているため、２本の絶縁被覆導電線３が重なる各交差箇所においても、その高さが交差箇所以外の部分よりも高くならず、しかも、交差している絶縁被覆導電線３が安定した状態で相互接続される。パッケージ基板５１の裏面には半導体パッケージが存在しないので、交差箇所は、上記第１実施形態と同様に、平面十字状に交差する箇所と、平面Ｔ字状またはＬ字状に交差する箇所がある。【０１３５】
本第１３実施形態の実装構造では、上述したように、パッケージ基板５１ａの表面に配置されている絶縁被覆導電線材３の導電線材３１のすべてが、電極パッド５３と電源・グラウンド線５４ａを介して電源・グラウンド層５７に電気的に接続されているだけでなく、パッケージ基板５１ａの裏面に配置されている絶縁被覆導電線材３の導電線材３１のすべても、電極パッド５３ａと電源・グラウンド線５４ａａを介して同じ電源・グラウンド層５７に電気的に接続されているので、上記第１２実施形態の実装構造に比べて、当該実装構造の内部で発生する不要な電磁波放射がいっそう抑制されるという効果が得られる。【０１３６】
また、パッケージ基板５１ａの表面に配置されたすべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１が、パッケージ基板５１ａの表面にある電極パッド５３と機械的・電気的に接続されているだけでなく、パッケージ基板５１ａの裏面に配置されたすべての絶縁被覆導電線材３の導電線材３１も、パッケージ基板５１ａの裏面にある電極パッド５３ａと機械的・電気的に接続されているため、上記第１２実施形態の実装構造に比べて、当該実装構造の全体の剛性がいっそう高くなる。このため、アンダーフィル樹脂を半導体パッケージ４とパッケージ基板５１ａの表面との間に注入することなく、当該実装構造の耐落下衝撃性が上記第１２実施形態の実装構造よりもさらに向上するという効果も得られる。【０１３７】
さらに、非常に薄くて反りやすいパッケージ基板５１ａの反りがいっそう低減されるという利点もある。【０１３８】
（第１４実施形態）
図１４Ａ乃至Ｃは、本発明の第１４実施形態の実装構造を示す。図１４Ａは、当該実装構造を構成する半導体パッケージ４ａとパッケージ基板５１との間を上面から見た透視図である。図１４Ｂおよび図１４Ｃは、図１４ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線にそれぞれ沿った部分断面図である。【０１３９】
本第１４実施形態の実装構造は、図１４Ａ乃至Ｃに示すように、上記第１２実施形態の実装構造において、半導体パッケージ４とパッケージ基板５１の間に、半導体パッケージ４ｂを含むパッケージ基板５１ｂをさらに追加したものに相当する。よって、上述した第１２実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。【０１４０】
パッケージ基板５１ｂの構成は、絶縁被覆導電線３が設けられていない点を除いて、上記第１２実施形態で使用されたパッケージ基板５１とほぼ同じである。【０１４１】
すなわち、パッケージ基板５１ｂは、絶縁層５５および５６と、電源・グラウンド層５７（これは所定パターンを持つ）と、絶縁層５９とをこの順に積層して構成されている。パッケージ基板５１ｂの表面（すなわち絶縁層５５の表面）の中央部には、半導体パッケージ４ｂが実装されている。【０１４２】
パッケージ基板５１ｂの表面には、さらに、半導体パッケージ４ｂを囲むように、半導体パッケージ４を搭載するための複数の円形の電極パッド５２が形成されている。複数の絶縁被覆導電線３の導電線材３１を機械的・電気的に接続するための電極パッド５３は、形成されていない。パッケージ基板５１ｂの表面の電極パッド５２と半導体パッケージ４ｂ以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜６１で覆われている。電極パッド５２の各々とソルダーレジスト膜６１の間、そして半導体パッケージ４ｂとソルダーレジスト膜６１の間には、それぞれ隙間があいている。電極パッド５２の各々は、当該実装構造の最上部に配置される半導体パッケージ４の裏面に設けられた複数の電極パッド（図示せず）に対応した大きさを持つ。【０１４３】
パッケージ基板５１ｂの裏面（すなわち絶縁層５９の表面）には、パッケージ基板５１との接続用の電極パッド５２ａが設けられていて、パッケージ基板５１ｂの裏面の電極パッド５２ａ以外の箇所は、絶縁性のソルダーレジスト膜６１ａで覆われている。電極パッド５２ａの各々とソルダーレジスト膜６１ａの間には隙間があいている。【０１４４】
パッケージ基板５１ｂの内部には、パッケージ基板５１ｂ（すなわち絶縁層５５および５６と電源・グラウンド層５７と絶縁層５９）をその厚さ方向に貫通する複数の信号伝送線５４が形成されている。電極パッド５２の各々の裏面と、半導体パッケージ４ｂの電極パッド（図示せず）の各々には、対応する信号伝送線５４の上端が機械的・電気的に接続されている。各信号伝送線５４は、パッケージ基板５１ｂの裏面にある対応する電極パッド５２ａに電気的に接続されている。パッケージ基板５１ｂの内部には、電源・グラウンド線５４ａは存在しない。【０１４５】
パッケージ基板５１ｂの裏面にある電極パッド５２ａは、パッケージ基板５１の表面にある対応する電極パッド５２と機械的・電気的に接続されている。【０１４６】
半導体パッケージ４は、パッケージ基板５１ｂの表面にある電極パッド５２を用いて、パッケージ基板５１ｂに機械的・電気的に接続されている。【０１４７】
本第１４実施形態の実装構造では、上述したように、半導体パッケージ４と基板１ａの間に、半導体パッケージ４ａを含むパッケージ基板５１と半導体パッケージ４ｂを含むパッケージ基板５１ｂとが積層されているが、パッケージ基板５１の表面に、電源・グラウンド層５７に電気的に接続するための電極パッド５３に少なくとも２点で接続された複数の絶縁被覆導電線材３の導電線材３１が設けられているので、当該実装構造を流れる伝送信号から発生する不要な電磁波放射を抑制することができる。【０１４８】
また、パッケージ基板５１の表面に導電線材３１が存在するので、アンダーフィル樹脂をパッケージ基板５１ｂとパッケージ基板５１の間に注入することなく、パッケージ基板５１の表面側の剛性を高めることができる。このため、当該実装構造の耐落下衝撃性を向上することができる。【０１４９】
さらに、パッケージ基板５１および５１ｂはいずれも非常に薄くて反りやすいという難点を有しているが、本第１４実施形態の実装構造では、それらパッケージ基板５１および５１ｂの反りを低減することができるという利点もある。【０１５０】
（その他の実施形態）
上述した第１〜第１４の実施形態は、本発明の好適な例を示すものである。したがって、本発明はこれら実施形態に限定されず、種々の変形が可能なことは言うまでもない。
【実施例】
【０１５１】
次に、以下において本発明の実施例を説明し、本発明をいっそう具体的に説明する。【０１５２】
（実装構造）
使用した半導体パッケージ４は、ボール径０．２４ｍｍ、ボールピッチ０．４ｍｍ、ボール間隔０．１６ｍｍ、ボール数３０４個のＢＧＡのフルグリッドタイプのものとした。半導体パッケージ４としては、ＢＧＡ型に限らず、ＬＧＡやＣＳＰといった一般的に使用されるパッケージ形状のものに加え、ベアチップ形状のものを使用してもよい。また、フルグリッドタイプだけでなく、パッケージ中央に電極を持たないタイプや、パッケージ外周部のみに電極を持つタイプのいずれを使用してもよい。【０１５３】
（絶縁被覆導電線材３）
上述の通り、ＢＧＡのボール間隔は０．１６ｍｍであるため、この間隔に十分収まる大きさである直径０．１ｍｍの導電線材３１を使用した。導電線材３１には、銅（Ｃｕ）線材を用いた。ボール間隔に収まる程度の径に加工が可能な微細な導電線材３１であれば、使用することができるため、導電線材３１はニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）といった線材を使用することもできる。【０１５４】
導電線材３１の絶縁被覆３２には、電子機器における導電線材の絶縁被覆に一般的に用いられるフッ素樹脂が使用可能であるが、ここではポリイミドを使用した。本発明の実装構造における微細な導電線材３１を実現でき、かつリフロー工程に対する耐熱性を持つ絶縁材料であれば、いずれも使用することができる。ポリイミドなどの樹脂材料だけでなく、ステアタイトや窒化ケイ素といった絶縁性のセラミック材料を適用することもできる。【０１５５】
（基板１）
基板１の表面に形成される電極パッド１２および電極パッド１３としては、Ｃｕの表面にＮｉ及びＡｕのメッキを施したものを使用した。電極パッド１２および１３の直径は、いずれも０．２ｍｍとした。電極パッド１２と１３の間隔は、０．２ｍｍと十分に広く、ＢＧＡとＣｕ線材の搭載および接続に対しても十分な大きさであった。【０１５６】
信号伝送線１４は、電源・グラウンド層１７のクリアランス１８の位置を通り抜けるように配線してあり、また、クリアランス１８のほぼ真上の位置において基板１の表面に導電線材３１が設けられていた。【０１５７】
（ハンダ２）
ハンダ２として使用されるハンダ材は、鉛フリー・ハンダであり、その組成はＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕとした。これは電気機器に一般的に多用されるものである。【０１５８】
（製造方法）
最初に、基板１の表面にある電極パッド１２と１３に、ハンダペーストを印刷法により供給した。ハンダの供給は、印刷法に限定されず、ジェットディスペンサーを用いた方法でもよい。次に、公知の搭載機を用いて、半導体パッケージ４を搭載するための電極パッド１２の各々を取り囲むように、また、電源・グラウンド層１７に接続された電極パッド１３に重なるように、絶縁被覆導電線材３としてのＣｕ線材を複数本、一方向に配置した。その後、ハンダ２を、配置したＣｕ線材の上に印刷法により供給した後、同じ搭載機を用いて、先に配置したＣｕ線材と直交する方向に複数のＣｕ線材を配置した。こうして、Ｃｕ線材は格子状に配置された。【０１５９】
各Ｃｕ線材の交差部は予め平坦化してあるので、交差部は高くならず、かつ安定した状態で接続できる。交差する箇所のＣｕ線材の断面形状は、円形のみならず、半円形、長方形、正方形、楕円形といった形状でもよい。各交差箇所の高さは、Ｃｕ線材の高さ（太さ）と同等もしくは低ければよい。なお、ハンダによる接続に限定されず、Ｃｕ線材をレーザ溶着により接続することも可能である。また、Ｃｕ線材は、予め網状に形成した後に基板１上に配置してもよい。【０１６０】
続いて、公知の搭載機を用いて、Ｃｕ線材が配置されていない電極パッド１２の上に、ＢＧＡ型の半導体パッケージ４を載置した。【０１６１】
こうして、基板１上にＣｕ線材（絶縁被覆導電線材３）と半導体パッケージ４の配置が完了すると、ハンダ・リフロー工程を実施し、電極パッド１２を用いて半導体パッケージ４を基板１の表面に実装する。こうして、本発明の実装構造が得られる。【０１６２】
以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記によって限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。【０１６３】
この出願は、２００８年３月５日に出願された日本出願特願２００８−０５５６４０、及び、２００８年８月１２日に出願された日本出願２００８−２０８２６２を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明は、実装構造およびその製造方法に関し、さらに言えば、基板とその上に搭載された半導体パッケージを含み、不要な電磁波放射の抑制と耐落下衝撃性の向上とを実現する実装構造と、その製造方法に利用することができる。
【図１Ａ】
2009110355.tif 000003
【図１Ｂ】
2009110355.tif 000004
【図１Ｃ】
2009110355.tif 000005
【図２Ａ】
2009110355.tif 000006
【図２Ｂ】
2009110355.tif 000007
【図２Ｃ】
2009110355.tif 000008
【図３Ａ】
2009110355.tif 000009
【図３Ｂ】
2009110355.tif 000010
【図３Ｃ】
2009110355.tif 000011
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2009110355.tif 000013
【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2009110355.tif 000019
【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
2009110355.tif 000023
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図９Ｆ】
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【図９Ｇ】
2009110355.tif 000033
【図１０Ａ】
2009110355.tif 000034
【図１０Ｂ】
2009110355.tif 000035
【図１０Ｃ】
2009110355.tif 000036
【図１０Ｄ】
2009110355.tif 000037
【図１０Ｅ】
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【図１１Ａ】
2009110355.tif 000039
【図１１Ｂ】
2009110355.tif 000040
【図１１Ｃ】
2009110355.tif 000041
【図１１Ｄ】
2009110355.tif 000042
【図１２Ａ】
2009110355.tif 000043
【図１２Ｂ】
2009110355.tif 000044
【図１２Ｃ】
2009110355.tif 000045
【図１３Ａ】
2009110355.tif 000046
【図１３Ｂ】
2009110355.tif 000047
【図１３Ｃ】
2009110355.tif 000048
【図１４Ａ】
2009110355.tif 000049
【図１４Ｂ】
2009110355.tif 000050
【図１４Ｃ】
2009110355.tif 000051
【手続補正書】
【提出日】平成22年9月1日(2010.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造であって、
前記基板の表面に形成された、前記半導体パッケージを前記基板の表面に搭載するための複数の第１電極パッドと、
前記基板の表面に形成された、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドと、
前記基板の表面において、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材とを備え、
前記半導体パッケージは、前記第１電極パッドを用いて前記基板の表面に機械的・電気的に接続されていることを特徴とする実装構造。
【請求項２】
前記第２電極パッドが、前記電源層もしくはグラウンド層に形成されたクリアランスと重なる位置に配置されている請求項１に記載の実装構造。
【請求項３】
前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも１本が、前記基板の表面において少なくとも２点で前記第２電極パッドに接続されている請求項１又は２に記載の実装構造。
【請求項４】
前記第１導電線材が複数本あり、それら第１導電線材の少なくとも２本が、前記基板の表面において交差状または格子状に配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の実装構造。
【請求項５】
前記基板が半導体パッケージを含むパッケージ基板とされている請求項１〜４のいずれか１項に記載の実装構造。
【請求項６】
前記パッケージ基板の裏面に、さらに、前記基板の電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第３電極パッドと、前記第３電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第２導電線材とが形成されている請求項５に記載の実装構造。
【請求項７】
基板と、当該基板上に搭載された半導体パッケージとを含む実装構造の製造方法であって、
半導体パッケージを搭載するための複数の第１電極パッドと、電源層もしくはグラウンド層に電気的に接続された複数の第２電極パッドとを、表面に有する基板を準備する工程と、
前記基板の表面に、前記第２電極パッドに少なくとも２点で機械的・電気的に接続された第１導電線材を配置する工程と、
前記基板の表面に、前記第１電極パッドを用いて半導体パッケージを実装する工程とを備えたことを特徴とする実装構造の製造方法。
【請求項８】
前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えて前記基板の表面に配置され、その後、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えて前記基板の表面に配置される請求項７に記載の実装構造の製造方法。
【請求項９】
前記第１導電線材が複数本あり、その一部が第１方向に揃えてあり、前記第１導電線材の残りが前記第１方向とは異なる第２方向に揃えてあって、すべての前記第１導電線材が一括して前記基板の表面に配置される請求項７に記載の実装構造の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の表面に前記第１導電線材を配置する工程において、前記第１導電線材と前記第２電極パッドとの機械的・電気的な接続が、ハンダを用いて実施される請求項７〜９のいずれか１項に記載の実装構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１ＡのＢ−Ｂ部に沿った部分断面図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図２Ｂ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図２ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図２ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図３Ａ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図３Ｂ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図３ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図３ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図４Ａ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図４Ｂ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図４ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図４ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図５Ａ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図５Ｂ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図５ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第５実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図５ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図６Ａ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図６Ｂ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図６ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第６実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図６ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図７Ａ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図７Ｂ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図７ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第７実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図７ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図８Ａ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図８Ｂ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図８ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第８実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図８ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図９Ａ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｂ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｃ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｄ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｅ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｆ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図９Ｇ】本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ａ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｄ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１０Ｅ】本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ａ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｂ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｃ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１１Ｄ】本発明の第１１実施形態の実装構造の製造方法を工程毎に示す、上面からの透視図である。
【図１２Ａ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１２Ｂ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１２ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第１２実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１２ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図１３Ａ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１３Ｂ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１３Ｃ】本発明の第１３実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１３ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【図１４Ａ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、上面からの透視図である。
【図１４Ｂ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１４ＡのＡ−Ａ線に沿った部分断面図である。
【図１４Ｃ】本発明の第１４実施形態の実装構造の概略構成を示すもので、図１４ＡのＢ−Ｂ線に沿った部分断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
（第９実施形態）
図９Ａ乃至Ｇは、本発明の第９実施形態の実装構造の製造方法を示す。図９Ａ乃至Ｇはその製造方法を工程順に示す上面図である。本実施形態では、上述した第１実施形態の実装構造が製造されるので、上述した第１実施形態の構成と共通する部分には同一符号を付して、その説明を省略する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次に、５本の絶縁被覆導電線材３を、電極パッド１３上のハンダ２に重なるように縦方向（横方向でもよい）に載置する。この時の状態は図９Ｃのようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
次に、他の５本の絶縁被覆導電線材３を、電極パッド１３上のハンダ２に重なるように横方向（縦方向でもよい）に載置する。この時の状態は図９Ｅのようになり、絶縁被覆導電線材３は格子状になっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
（第１０実施形態）
図１０Ａ乃至Eは、本発明の第１０実施形態の実装構造の製造方法を示す。図１０Ａ〜Eはその製造方法を工程順に示す上面図である。本実施形態では、上述した第９実施形態の製造方法において、絶縁被覆導電線材３を搭載する工程で、１０本の絶縁被覆導電線材３（絶縁被覆はなくてもよい）を予め格子状に交差・接合して形成された絶縁被覆導電線網３３を使用した点を除き、上述した第９実施形態の実装構造の製造方法と同一である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
まず、上述した第９実施形態と同様に、４行４列のマトリックス状に配置された電極パッド１２と、５行５列のマトリックス状に配置された電極パッド１３を表面に備えた基板１を準備してから（図１０Ａ）、基板１の表面にある電極パッド１２と１３の上に、それぞれ、所定量のペースト状ハンダ２を供給（載置）する（図１０Ｂ）。
【国際調査報告】
2009110355.tif 000052
2009110355.tif 000053
2009110355.tif 000054
2009110355.tif 000055
2009110355.tif 000056
2009110355.tif 000057
2009110355.tif 000058
2009110355.tif 000059