(57)【要約】  高い寸法精度を有し、反りや撓みなどが少ないセラミック成形体を容易に効率良く製造する。  セラミック材料とガラス材料を主成分とする基材層（２０）と、基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主たる成分とする第１の拘束層（２２ａ，２２ｂ）と、基材層を焼結させ得る温度で焼結するセラミック材料とガラス材料を主成分とする第２の拘束層（２４ａ，２４ｂ）と、基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主成分とする第３の拘束層（２６ａ，２６ｂ）と、をこの順に積層してなる積層体を準備する。次いで、積層体を、基材層を焼結させ得る温度で焼成し、焼成後の積層体から第１、第２および第３の拘束層を除去し、基材層の焼結体であるセラミック成形体を得る。焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせる。
2009151006.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材料とガラス材料とを主たる成分とする基材層と、
前記基材層の少なくとも一方の主面に接するように配置され、前記基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主たる成分とする第１の拘束層と、
前記基材層を焼結させ得る温度で焼結するセラミック材料とガラス材料とを主たる成分とする第２の拘束層と、
前記基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主たる成分とする第３の拘束層と、
をこの順に積層してなる積層体を準備する工程と、
前記積層体を、前記基材層を焼結させ得る温度で焼成する工程と、
焼成後の前記積層体から前記第１、第２および第３の拘束層を除去し、前記基材層の焼結体であるセラミック成形体を得る工程と、
を備え、
焼成後の、前記基材層と前記第１の拘束層との間の密着力と、前記第２の拘束層と前記第１の拘束層との間の密着力が互いに異なること
を特徴とする、セラミック成形体の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を焼成する工程により、前記基材層と前記第１の拘束層との界面および前記第２の拘束層と前記第１の拘束層との界面にそれぞれ反応層が形成され、前記基材層と前記第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、前記第２の拘束層と前記第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとは互いに異なることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項３】
前記基材層におけるガラス材料の含有量と前記第２の拘束層におけるガラス材料の含有量とが互いに異なることを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項４】
前記基材層におけるセラミック材料の粒径と前記第２の拘束層におけるセラミック材料の粒径とが互いに異なることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項５】
前記基材層におけるガラス材料の軟化点と前記第２の拘束層におけるガラス材料の軟化点とが互いに異なることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項６】
前記基材層および前記第２の拘束層におけるガラス材料はシリカを含んでおり、前記基材層のガラス材料における前記シリカの含有率と前記第２の拘束層のガラス材料における前記シリカの含有率とが互いに異なることを特徴とする、請求項５に記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項７】
前記基材層と前記第２の拘束層の少なくとも一方が導体を有することを特徴とする、請求項５または６に記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項８】
前記導体は銀を含むことを特徴とする、請求項７に記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項９】
前記第１、第２および第３の拘束層を除去する工程は、少なくとも前記第２および第３の拘束層を同時に除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１ないし８のいずれかに記載のセラミック成形体の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミック成形体がセラミック基板であることを特徴とする、請求項１ないし９のいずれかに記載のセラミック成形体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板をはじめとするセラミック成形体の製造方法に関するもので、特に、いわゆる無収縮プロセスによるセラミック成形体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に対する小型化、高精度化、低コスト化への要求が極めて大きい。これに伴って、回路基板などに用いるセラミック基板をはじめとするセラミック成形体に対しても、高精度化などが要求されている。ここで、セラミック成形体とは、導体が形成されているものだけでなく、導体が形成されていないものも含むこととする。【０００３】
一般に、セラミック成形体は、セラミック材料の調合工程、セラミックグリーンシートの成形工程、セラミックグリーンシートの積層工程、および積層体の焼成工程、を経ることによって作製される。積層体は、その焼成工程において、Ｘ−Ｙ方向（以下、「平面方向」と称する。）およびＺ方向（以下、「厚み方向」と称する。）に収縮する。この焼成工程における平面方向の収縮のばらつきは、外部導体パターンの位置精度の低下などの問題を引き起こしかねず、製品の品質に大きく影響する。【０００４】
この問題を解決する方法として、平面方向の収縮を抑制しつつ、厚さ方向にのみ収縮させる、いわゆる無収縮プロセスがたとえば特許文献１によって提案されている。具体的には、図１２に示すように、低温焼成可能なセラミックグリーンシートを必要に応じて積層してなり、焼成後にセラミック成形体となる基材層４０の一方および他方主面に、基材層４０の収縮を抑制するセラミック材料を含む拘束層４８ａ，４８ｂをそれぞれ圧着し、セラミック積層体を作製する。その後、セラミック積層体を低温で焼成する。そして、焼成後に、超音波振動法などの手法により拘束層４８ａ，４８ｂを除去する。【０００５】
特許文献１に記載の方法による拘束層４８ａ，４８ｂは、基材層４０を焼結させ得る温度では焼結しないセラミックグリーンシートからなるため、基材層４０を焼結させ得る温度で焼成する焼成工程において拘束層４８ａ，４８ｂは実質的に収縮しない。そのため、基材層４０の平面方向の収縮を抑えることができ、得られるセラミック成形体の寸法精度を極めて向上させることができる。【０００６】
また、近年、セラミック成形体の中でも、配線などのための導体を有するセラミック成形体（以下、「セラミック基板」と称する。）などにおいては、その高機能化に伴って、その配線を高密度にする要請が高まっている。また、セラミック基板の中にコンデンサなどの回路素子を内蔵することも要求されている。そのため、セラミック基板の一方主面側からの距離と他方主面側からの距離とが互いに等しい位置にある中心面に関して一方側と他方側とで、導体の形成密度や収縮度合いが互いに異なることがあり、焼成時にセラミック基板に反りや撓みなどが発生するという問題が生じている。【０００７】
そこで、たとえば特許文献２では、セラミック基板の各主面上にそれぞれ形成される拘束層の厚みを異ならせることによって、焼成工程におけるセラミック基板の反りや撓みなどを抑制する方法が提案されている。この方法によれば、セラミック基板の平面方向の収縮を抑制すると同時に、反りや撓みなどを抑制することが可能になる。【０００８】
このように、無収縮プロセスにおいては、拘束層の厚みを利用することによって、焼成工程におけるセラミック基板の平面方向の収縮ならびに反りや撓みなどを抑制する力（以下、「拘束力」と称する。）を強めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第２５５４４１５号公報
【特許文献２】特開２００１−６０７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、拘束層の厚みを利用する上述の方法では、拘束層の除去について問題が残る。すなわち、拘束層の厚みが厚いほど、上述した超音波振動法などの手法により除去すべき拘束層の量が多くなるため、拘束層の除去に要する時間が長くなってしまうのである。【００１１】
そこで、本発明の目的は、拘束力を強めるために拘束層を厚くしたとしても、拘束層の除去を容易にすることができる、セラミック成形体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るセラミック成形体の製造方法は、上述した技術的課題を解決するため、セラミック材料とガラス材料とを主たる成分とする基材層と、この基材層の少なくとも一方の主面に接するように配置され、基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主たる成分とする第１の拘束層と、基材層を焼結させ得る温度で焼結するセラミック材料とガラス材料とを主たる成分とする第２の拘束層と、基材層を焼結させ得る温度では焼結しないセラミック材料を主たる成分とする第３の拘束層と、をこの順に積層してなる積層体を準備する工程と、積層体を、基材層を焼結させ得る温度で焼成する工程と、焼成後の積層体から上記第１、第２および第３の拘束層を除去し、基材層の焼結体であるセラミック成形体を得る工程と、を備え、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力が互いに異なることを特徴としている。【００１３】
上述した積層体を焼成する工程により、基材層と第１の拘束層との界面および第２の拘束層と第１の拘束層との界面にそれぞれ反応層が形成されるが、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとは互いに異なることが好ましい。【００１４】
また、基材層におけるガラス材料の含有量と第２の拘束層におけるガラス材料の含有量とが互いに異なることが好ましい。【００１５】
また、基材層におけるセラミック材料の粒径と第２の拘束層におけるセラミック材料の粒径とが互いに異なることが好ましい。【００１６】
また、基材層におけるガラス材料の軟化点と第２の拘束層におけるガラス材料の軟化点とが互いに異なることが好ましい。【００１７】
また、基材層および第２の拘束層におけるガラス材料がシリカを含んでおり、基材層のガラス材料におけるシリカの含有率と第２の拘束層のガラス材料におけるシリカの含有率とが互いに異なることが好ましい。【００１８】
また、基材層と第２の拘束層の少なくとも一方が導体を有することが好ましい。この場合、上記導体が銀を含むことが好ましい。【００１９】
また、上述した第１、第２および第３の拘束層を除去する工程が、少なくとも第２および第３の拘束層を同時に除去する工程を含むことが好ましい。【００２０】
また、本発明に係るセラミック成形体の製造方法は、セラミック成形体がセラミック基板であるとき、有利に適用される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るセラミック成形体の製造方法によれば、基材層はセラミック材料とガラス材料を主たる成分とするため、焼成により、基材層から第１の拘束層へガラス材料が浸透し、基材層と第１の拘束層とは互いに密着される。また、第２の拘束層もセラミック材料とガラス材料を主たる成分とするため、焼成により、第２の拘束層から第１の拘束層へガラス材料が浸透し、第２の拘束層と第１の拘束層とについても互いに密着される。そして、焼成後、第２の拘束層は焼結した状態になるとともに、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせているので、第２の拘束層を容易に除去することができ、よって、第１、第２および第３の拘束層のすべてを容易に除去することができる。したがって、本発明に係るセラミック成形体の製造方法によれば、拘束力を強めるために第１、第２および第３の拘束層の合計厚みを厚くしても、これら拘束層の除去のために長時間要することはない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態によるセラミック成形体の製造方法を適用して製造された、セラミック基板を示す断面図である。
【図２】図１に示すセラミック基板に実装部品を搭載した状態を示す断面図である。
【図３】図１に示すセラミック成形体を製造するために用いる基材層および拘束層を概略的に示す断面図である。
【図４】図３に示す基材層および拘束層を積層して得られた積層体を概略的に示す断面図である。
【図５】図４に示す積層体の焼成した後の状態を概略的に示す断面図であり、さらに、基材層、第１の拘束層および第２の拘束層の様子を拡大して示す断面図である。
【図６】図５に示す焼成後の積層体から拘束層を除去する工程を概略的に示す断面図である。
【図７】図６に示す拘束層の除去工程を実施するための第１の具体例を示す断面図である。
【図８】図６に示す拘束層の除去工程を実施するための第２の具体例を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態によるセラミック成形体の製造方法における拘束層の除去工程を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態によるセラミック成形体の製造方法を実施して得られた積層体の焼成した後の状態を概略的に示す断面図であり、さらに、基材層、第１の拘束層および第２の拘束層の様子を拡大して示す断面図である。
【図１１】図１０に示す焼成後の積層体から拘束層を除去する工程を概略的に示す断面図である。
【図１２】従来のセラミック成形体の製造方法を説明するため、セラミック積層体を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
まず、図１を参照して、本発明によって製造されるセラミック成形体の一例としてのセラミック基板２について説明する。
【００２４】
セラミック基板２は、低温焼結セラミック材料からなるセラミック層２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを積層してなる。このセラミック基板２には、導体として、内部導体４および６ならびに外部導体１１が形成されている。内部導体４および６としては、セラミック層２ａ〜２ｄの間の界面に沿って形成されるいくつかの面内導体４、各セラミック層２ａ〜２ｄを厚み方向に貫通するように形成されるいくつかの層間接続導体６がある。外部導体１１は、表面実装部品がセラミック基板２の外表面上に搭載される場合に、接続のために用いられるものである。また、外部導体１１は、図示しないプリント基板などのマザーボードとの接続にも用いられる。
【００２５】
図２に示すように、セラミック基板２には、例えば、チップ型積層セラミックコンデンサのような受動素子１２ａ、および半導体デバイスのような能動素子１２ｂが搭載され、はんだ等の導電性接合材１３を介して電気的に接続される。
【００２６】
本発明によって製造されるセラミック成形体は、図１に示すようなセラミック基板に限定されるものではないが、以下に、セラミック基板の製造方法に沿って、セラミック成形体の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、本発明の第１の実施形態によるセラミック成形体の製造方法について、図３〜図８を参照して説明する。
【００２８】
（１）積層体を準備する工程
図３に示すように、基材層２０を準備するとともに、第１の拘束層２２ａ，２２ｂと、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと、第３の拘束層２６ａ，２６ｂとを準備する。以下の説明において、第１の拘束層２２ａ、第２の拘束層２４ａおよび第３の拘束層２６ａを全体として指すときは、拘束層集合体２８ａと言い、第１の拘束層２２ｂ、第２の拘束層２４ｂおよび第３の拘束層２６ｂを全体として指すときは、拘束層集合体２８ｂと言う。
【００２９】
第１の拘束層２２ａ，２２ｂは主として基材層２０の平面方向の収縮を抑制する機能を有する。また、第２の拘束層２４ａ，２４ｂは主として焼成後に拘束層集合体２８ａ，２８ｂの除去を容易にする機能を有する。さらに、第３の拘束層２６ａ，２６ｂは主として基材層２０の反りや撓みなどを抑制する機能を有する。
【００３０】
ここで、第２の拘束層２４ａ，２４ｂは、第１の拘束層２２ａ，２２ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとに挟まれることによって実質的に拘束作用を発揮する。また、第３の拘束層２６ａ，２６ｂは、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとを通して基材層２０に対する拘束作用を発揮する。これらにより、第１、第２および第３の拘束層は、全体として、焼成工程において基材層２０の平面方向の収縮および反りや撓みなどを抑制するように機能する。
【００３１】
なお、後述する拘束層集合体２８ａ，２８ｂの除去を容易にするために第１の拘束層２２ａ，２２ｂは第３の拘束層２６ａ，２６ｂよりも薄く、拘束力を強めるために第３の拘束層２６ａ，２６ｂを第１の拘束層２２ａ，２２ｂよりも厚く形成するのが好ましい。例えば、第１、第２および第３の拘束層の各々について、複数のシートからなる積層構造とし、シートの積層数を変更することにより、拘束層の各々の厚みを調整できる。
【００３２】
一例として、基材層２０の厚みを３００μｍ、第１の拘束層２２ａ，２２ｂの各厚みを５０μｍ、第２の拘束層２４ａ，２４ｂの各厚みを５０μｍ、第３の拘束層２６ａ，２６ｂの各厚みを３００μｍとすることができる。
【００３３】
なお、拘束層は基材層２０の少なくとも一方の主面に接するように配置されていればよい。ただし、基材層２０の両面に均等に拘束力を与えるためには、図示のように、基材層２０の各主面にそれぞれ拘束層集合体２８ａ，２８ｂを配置するのが好ましい。
【００３４】
次に、基材層２０の形成方法を説明する。基材層２０を形成するにあたっては、まず、セラミック材料とガラス材料とを混合した混合粉末に、バインダー、分散剤、可塑剤および有機溶剤などを各々適量添加し、これらを混合することにより、セラミックスラリーを作製する。
【００３５】
セラミック材料としては、種々のものを用いることが可能であるが、好ましい材料の一例として、アルミナ粉末が挙げられる。
【００３６】
また、ガラス材料としても、種々のものを用いることが可能であるが、好ましい材料の一例として、ホウ珪酸ガラス粉末が挙げられる。
【００３７】
次に、このセラミックスラリーをドクターブレード法などの方法によってシート状に成形し、基材層用のセラミックグリーンシートを作製する。
【００３８】
なお、基材層用のセラミックグリーンシートとしては、低温焼結セラミック材料を主たる成分とするグリーンシートを用いることが好ましい。ここで、低温焼結セラミック材料とは、１０５０℃以下の温度で焼結可能であって、比抵抗の小さな銀や銅などと同時焼成が可能なセラミック材料である。低温焼結セラミックとしては、具体的には、アルミナやフォルステライトなどのセラミック粉末にホウ珪酸ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料などが挙げられる。
【００３９】
次に、得られたセラミックグリーンシートに、必要に応じて層間接続導体を形成するための層間接続導体用孔を設け、この層間接続導体用孔に導電性ペーストまたは導体粉を充填することにより、未焼成の層間接続導体を形成する。また、セラミックグリーンシート上に、必要に応じて、導電性ペーストをスクリーン印刷することによって、未焼成の面内導体または未焼成の外部導体を形成する。図３には、基材層２０上に形成された外部導体２１が図示されている。なお、前述の図１には、上述した層間接続導体６、面内導体４および外部導体１１の一例が図示されている。
【００４０】
上記導電性ペーストに含まれる導電材料または導体粉を構成する導電材料としては、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ａｕなどの、低融点金属であり、かつ比抵抗の小さい金属を用いることができる。
【００４１】
次に、第１の拘束層２２ａ，２２ｂの形成方法を説明する。第１の拘束層２２ａ，２２ｂを形成するにあたっては、基材層２０の焼成温度では実質的に焼結しないアルミナ粉末などのセラミック材料に、バインダー、分散剤、可塑剤および有機溶剤などを各々適量添加し、これらを混合することにより、セラミックスラリーを作製する。
【００４２】
アルミナ粉末は、性状や特性の安定した粉末を得ることが容易で、基材層を焼結させ得る温度では焼結せず、拘束力を発揮するセラミック材料として、望ましい条件を備えている。
【００４３】
なお、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを構成するセラミック材料は、基材層２０の焼成工程で実質的に焼結しないセラミック材料であればよく、アルミナの他にも、ジルコニアやマグネシアなどの種々のセラミック材料を使用することが可能である。ただし、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの境界近辺にガラスを多く存在させるためには、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとが互いの間である程度の親和性を有し、基材層２０の表層と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの接触している境界で、基材層２０の表層のガラスが第１の拘束層２２ａ，２２ｂを適度に濡らす必要がある。そして、そのためには、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを構成するセラミック材料として、基材層２０を構成するセラミック材料と同種のセラミック材料を用いることが好ましい。
【００４４】
次に、このセラミックスラリーをシート状に成形して、第１の拘束層用セラミックグリーンシートを作製し、これを必要に応じて積層して第１の拘束層２２ａ，２２ｂとする。
【００４５】
なお、後述するように、拘束力を強めるための拘束層集合体２８ａ，２８ｂ全体の厚みは除去容易な第３の拘束層２６ａ，２６ｂによって調整できるため、第１の拘束層２２ａ，２２ｂは焼成後の除去を容易にするために第３の拘束層２６ａ，２６ｂよりも薄く形成するのが好ましい。
【００４６】
次に、第２の拘束層２４ａ，２４ｂの形成方法を説明する。第２の拘束層２４ａ，２４ｂを形成するにあたっては、セラミック材料とガラス材料とを混合した混合粉末に、バインダー、分散剤、可塑剤および有機溶剤などを各々適量添加し、これらを混合することにより、セラミックスラリーを作製する。
【００４７】
セラミック材料としては、種々のものを用いることが可能であるが、好ましい材料の一例として、アルミナ粉末が挙げられる。
【００４８】
また、ガラス材料としても、種々のものを用いることが可能であるが、好ましい材料の一例として、ホウ珪酸ガラス粉末が挙げられる。
【００４９】
次に、このセラミックスラリーをシート状に成形して、第２の拘束層用セラミックグリーンシートを作製し、これを必要に応じて複数枚積層して第２の拘束層２４ａ，２４ｂとする。
【００５０】
なお、第２の拘束層２４ａ，２４ｂは、第１の拘束層２２ａ，２２ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂが第２の拘束層２４ａ，２４ｂの平面方向の収縮および反りや撓みなどを抑制できる程度に薄く形成するのが好ましい。このように薄くされても、拘束層集合体の除去を容易にすることができるからである。
【００５１】
次に、第３の拘束層２６ａ，２６ｂの形成方法を説明する。第３の拘束層２６ａ，２６ｂは、第１の拘束層２２ａ，２２ｂと同様の手順により形成する。なお、後述するように、第３の拘束層２６ａ，２６ｂは容易に除去することができるため、拘束力を強めるために、比較的多数のグリーンシートを積層するなどして、第１の拘束層２２ａ，２２ｂよりも厚く形成するのが好ましい。
【００５２】
次に、図４に示すように、基材層２０、第１の拘束層２２ａ，２２ｂ、第２の拘束層２４ａ，２４ｂ、および第３の拘束層２６ａ，２６ｂを、この順序に積層し、静水圧プレスなどの方法により、例えば、５〜２００ＭＰａの圧力でプレスして圧着する。これによって、基材層２０の上下両側に、拘束層集合体２８ａ，２８ｂが配設された構造を有する未焼成の積層体を作製する。
【００５３】
なお、この実施形態では、外部導体２１は基材層２０にのみ形成されている。
【００５４】
（２）積層体を焼成する工程
次に、積層体を、基材層２０を焼結させ得る温度で焼成する。基材層２０の焼成温度は、その材料として低温焼結セラミック材料を用いる場合には、１０５０℃以下であり、特に８００〜１０５０℃であることが好ましい。なお、焼成温度は、第１の拘束層２２ａ，２２ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂが焼結する温度未満の温度であれば、基材層２０が焼結する温度以上であってもよい。このとき、積層体に対し、上下方向から一定の圧力を加えながら焼成してもよいし、圧力を加えず、無加圧の状態で焼成してもよい。
【００５５】
焼成により、基材層２０のガラス材料が第１の拘束層２２ａ，２２ｂに浸透し、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面に反応層が形成される。これにより、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとは互いに密着される。また、第２の拘束層２４ａ，２４ｂもガラス材料を有するため、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面および第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとの界面にも同様に反応層が形成され、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂおよび第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂはそれぞれ互いに密着される。
【００５６】
そして、第１の拘束層２２ａ，２２ｂは、基材層２０を焼結させ得る温度では実質的に焼結しないため、焼成によって実質的に収縮しない。そのため、第１の拘束層２２ａ，２２ｂに密着された基材層２０は、その平面方向の収縮が実質的に抑制される。これにより、外部導体２１の位置精度を保持することができる。
【００５７】
また、第２の拘束層２４ａ，２４ｂは、基材層２０を焼結させ得る温度で焼結するけれども、第１の拘束層２２ａ，２２ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂに密着されているため、その平面方向の収縮が実質的に抑制され、厚み方向にのみ収縮する。そのため、第２の拘束層２４ａ，２４ｂは、第１の拘束層２２ａ，２２ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとに挟まれることによって実質的に拘束作用を発揮する。
【００５８】
さらに、第３の拘束層２６ａ，２６ｂは、基材層２０を焼結させ得る温度では実質的に焼結しないため、焼成によって実質的に収縮しない。そして、第３の拘束層２６ａ，２６ｂと第２の拘束層２４ａ，２４ｂとは互いに密着されるため、第３の拘束層２６ａ，２６ｂは第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとを通して基材層２０を拘束し、基材層２０の反りや撓みなどを抑制するように作用する。
【００５９】
図５には、焼成後の積層体が概略的に断面で示されているとともに、その一部、すなわち、基材層２０、第１の拘束層２２ｂおよび第２の拘束層２４ｂの様子が拡大されて断面で示されている。
【００６０】
本発明に係るセラミック成形体の製造方法においては、焼成後の、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力と、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力とが互いに異なるという性質を備えていることが必要である。
【００６１】
ここで、密着力とは、ある層と他の層とが互いに密着する強さのことである。また、密着力が強いとは、ある層と他の層とが互いに強く密着されているため、ある層に対して他の層が比較的除去されにくいことを意味し、密着力が弱いとは、ある層と他の層との互いの密着が弱いため、ある層に対して他の層が比較的除去されやすいことを意味する。
【００６２】
図５に示すように、上記の性質を備えるために、この実施例形態では、焼成によって基材層２０と第１の拘束層２２ｂとの界面２７ａに形成される反応層２５ａの厚みＬ１と、第２の拘束層２４ｂと第１の拘束層２２ｂとの界面２７ｂに形成される反応層２５ｂの厚みＬ２を異ならせている。第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとの界面にも反応層２５ｃが形成される。
【００６３】
具体的には、基材層２０に外部導体２１を形成し、第２の拘束層２４ｂには外部導体を形成しないようにする。一般に、導体は、そこに含まれる金属材料が焼成中に拡散することによって、ガラス材料の軟化点を下げる特性を有する。したがって、外部導体２１に含まれる金属材料が基材層２０中に拡散することによって、基材層２０のガラス材料の軟化点が下がると、基材層２０から第１の拘束層２２ｂへのガラス材料の浸透は早い時点で始まる。
【００６４】
そのため、各層のガラス材料などが同じものである場合、外部導体２１を有する基材層２０から第１の拘束層２２ｂへのガラス材料の浸透量は、外部導体を有しない第２の拘束層２４ｂから第１の拘束層２２ｂへのガラス材料の浸透量よりも多くなる。その結果、焼成によって基材層２０と第１の拘束層２２ｂとの界面２７ａに形成される反応層２５ａの厚みＬ１が、第２の拘束層２４ｂと第１の拘束層２２ｂとの界面２７ｂに形成される反応層２５ｂの厚みＬ２よりも厚くなるのである。この場合、焼成後の、基材層２０と第１の拘束層２２ｂとの間の密着力は、第２の拘束層２４ｂと第１の拘束層２２ｂとの間の密着力よりも強くなる。
【００６５】
外部導体２１は銀を含むことが好ましい。銀は拡散しやすいからである。
【００６６】
なお、図５は反応層２５ａ，２５ｂをモデル的に示すものであり、実際には各層と反応層の間に明確な境界ができるわけではない。
【００６７】
（３）積層体から第１、第２および第３の拘束層を除去する工程
次に、焼成後の積層体から、第１、第２および第３の拘束層を除去する。
【００６８】
図６に示すように、この実施形態では、第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを容易に剥離除去することができる。これにより、後述する除去方法を必要とする拘束層は第１の拘束層２２ａ，２２ｂのみとなるため、すべての拘束層の除去に要する時間を短くすることが可能になる。
【００６９】
このように第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを容易に剥離除去することができるのは、焼成後に、第２の拘束層２４ａ，２４ｂが焼結した状態であるのに加え、焼成後の、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が弱くなることに起因している。
【００７０】
なお、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとは、第２の拘束層２４ａ，２４ｂのガラス材料が第３の拘束層２６ａ，２６ｂに浸透することによって密着されているため、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂを同時に除去することができる。
【００７１】
また、焼成後の、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも著しく強い場合には、焼成後に第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂが剥離していることがある。この場合、第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを除去する工程を省くことができるため、拘束層の除去に要する時間をさらに短縮することができる。
【００７２】
なお、上記のように、焼成後の、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力を、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも著しく強くさせるには、基材層２０が導体を有するだけでなく、基材層２０のガラス材料におけるシリカの含有率が第２の拘束層２４ａ，２４ｂのガラス材料におけるシリカの含有率よりも低いなど、後述の条件を加えればよい。
【００７３】
次に、基材層２０に残存した第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する。
【００７４】
第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する方法としては、例えば、以下に示す各方法によることができる。図７および図８は第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去するための各方法を示す概略工程図である。なお、図７および図８において、基材層２０に形成された外部導体は省略している。
【００７５】
第１の方法として、超音波照射により第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する方法がある。
【００７６】
図７に示すように、洗浄槽５０に洗浄液５２を入れ、洗浄槽５０中に備えられた洗浄かご５４に被洗浄物である焼成後の積層体を入れる。そして、超音波発振子５６を使用して洗浄液５２中に超音波を照射して、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する。
【００７７】
この方法により、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去し、積層体から基材層２０の焼結体であるセラミック成形体を取り出すことで、セラミック成形体としてのセラミック基板を作製する。
【００７８】
また、第２の方法として、ブラストノズルを用いて、水、または水と砥粒とを圧縮空気とともに吹き付ける方法により第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する方法がある。
【００７９】
図８に示すように、積層体の第１の拘束層２２ａに、水６２と圧縮空気６４の混合体からなる吐出物６８を、ブラストノズルの吐き出し口であるノズル６６から加速しながら吹き付ける。なお、吐出物６８としては、砥粒を予め分散させた水と圧縮空気との混合体からなる吐出物を用いてもよい。
【００８０】
そして、ノズル６６を図中矢印Ａ方向に順次操作しながら、連続的に吐出物６８を吹き付けると、水および圧縮空気、または砥粒を分散させた水および圧縮空気の物理的な作用によって、第１の拘束層２２ａは徐々に除去される。このような操作を焼成後の積層体の両主面に実施することにより、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去する。
【００８１】
このとき、水、または砥粒を分散させた水は、空気などを圧縮した圧縮ガスによって加速しながら吹き付けることが望ましい。すなわち、水、砥粒、圧縮ガスの相乗作用によって、必要かつ十分に第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去できる。
【００８２】
砥粒としては、アルミナ、シリカ、炭化ケイ素、炭化ホウ素、ジルコニア及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種からなるものを用いることができる。砥粒は、その平均粒径が数μｍ〜数百μｍであることが望ましい。また、上記水に代えて、アルコール類、ケトン類などを用いてもよい。
【００８３】
この方法により、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去し、積層体から基材層２０の焼結体であるセラミック成形体を取り出すことで、セラミック成形体としてのセラミック基板を作製する。
【００８４】
なお、上記の各方法を組み合わせて、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを除去してセラミック成形体としてのセラミック基板を作製してもよい。
【００８５】
また、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとを剥離除去せずに、第１ないし第３の拘束層のすべてを上記の方法により除去してもよい。この実施形態では、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が比較的弱いため、第２の拘束層２４ａ，２４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとを上記の方法によって容易に除去することができる。その結果、すべての拘束層の除去に要する時間を短縮することができる。
【００８６】
さらに、第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂの剥離除去と、第１の拘束層２２ａ，２２ｂの上述の方法による除去を同時に並行して行ってもよい。例えば、第２の拘束層２４ａ，２４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを剥離しながら、第１の拘束層２２ａ，２２ｂを上記の超音波照射によって除去する場合などである。
【００８７】
上記実施形態によれば、拘束力を強めるために拘束層を厚くしたとしても、拘束層の除去を容易にすることができる。すなわち、焼成によって焼結する第２の拘束層を第１の拘束層と第３の拘束層の間に挟み込むことによって第２の拘束層と第３の拘束層とは容易に除去することができるため、拘束力を強くするために必要な第３の拘束層の厚みを適宜選択することができる。
【００８８】
次に、本発明の第２の実施形態によるセラミック成形体の製造方法について、以下に説明する。第２の実施形態によって製造されるセラミック成形体は、第１の実施形態によって製造されるセラミック成形体と同様の構造を有する。
【００８９】
まず、第１の実施形態の場合と同様に、基材層、第１の拘束層、第２の拘束層および第３の拘束層を作製する。
【００９０】
第２の実施形態では、基材層のガラス材料におけるシリカの含有率よりも第２の拘束層のガラス材料におけるシリカの含有率が低くなるように第２の拘束層を作製する。
【００９１】
ガラス材料における修飾酸化物の含有率を高くし、シリカの含有率を低くすることで、ガラス材料の軟化点が下がる。ガラス材料の軟化点が下がるとガラス材料の浸透がより早い時点で始まるため、焼成後のガラス材料の浸透量を多くさせることができる。なお、修飾酸化物としては、例えば、アルカリ金属酸化物などが挙げられる。
【００９２】
次に、第１の実施形態の場合と同様に、基材層、第１の拘束層、第２の拘束層、第３の拘束層を積層した積層体を準備する工程、積層体を焼成する工程を経て、焼成後のセラミック成形体を作製する。
【００９３】
次に、焼成後の積層体から、第１、第２および第３の拘束層を除去する。
【００９４】
図９に示すように、焼成後、第２の拘束層３４ａ，３４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを剥離除去する。このとき、第１の拘束層２２ａ，２２ｂは、基材層２０に残存する部分３２ｂ，３２ｃと第２の拘束層３４ａ，３４ｂに密着したまま剥離する部分３２ａ，３２ｄとに分断される。
【００９５】
基材層２０に残存する部分３２ｂ，３２ｃが生じるのは、基材層２０で外部導体２１が形成された部分である。外部導体２１に含まれる金属の拡散によりガラス材料の軟化点が下がるため、外部導体２１の付近では、基材層２０から第１の拘束層２２ａ，２２ｂへのガラス材料の浸透が比較的早い時点で始まる。そのため、外部導体２１の付近では、焼成後の基材層２０から第１の拘束層２２ａ，２２ｂへのガラス材料の浸透量が多くなる。その結果、外部導体２１の付近では、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面に形成される反応層の厚みが、第２の拘束層３４ａ，３４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面に形成される反応層の厚みよりも厚くなる。すなわち、外部導体２１の付近では、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が、第２の拘束層３４ａ，３４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも強くなるため、第１の拘束層２２ａ，２２ｂには基材層２０に残存する部分３２ｂ，３２ｃが生じる。
【００９６】
他方、第２の拘束層３４ａ，３４ｂに密着したまま剥離する部分３２ａ，３２ｄが生じるのは、基材層２０で外部導体２１が形成されていない部分においてである。
【００９７】
ここで、基材層２０のガラス材料におけるシリカの含有率は、第２の拘束層３４ａ，３４ｂのガラス材料におけるシリカの含有率よりも高い。シリカの含有率を高くすることでガラス材料の軟化点が高くなる。そのため、外部導体２１が形成されていない部分では、基材層２０から第１の拘束層２２ａ，２２ｂへのガラス材料の浸透が遅く、ガラス材料の浸透量が少なくなる。その結果、外部導体２１が形成されていない部分では、焼成によって基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面に形成される反応層の厚みが、第２の拘束層３４ａ，３４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの界面に形成される反応層の厚みよりも薄くなる。すなわち、外部導体２１が形成されていない部分では、基材層２０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が、第２の拘束層３４ａ，３４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも弱くなるため、第２の拘束層３４ａ，３４ｂに密着したまま剥離する部分３２ａ，３２ｄが生じる。
【００９８】
次に、基材層２０に残存した第１の拘束層３２ｂ，３２ｃを除去し、積層体から基材層２０の焼結体であるセラミック成形体を取り出すことで、セラミック成形体を作製する。具体的には、第１の実施形態の場合と同様の方法により、基材層２０に残存した第１の拘束層３２ｂ、３２ｃを除去する。
【００９９】
上記第２の実施形態では、第２および第３の拘束層のみならず第１の拘束層の一部も同時に剥離することができるため、拘束層の除去に要する時間をさらに短くすることができる。
【０１００】
次に、本発明の第３の実施形態によるセラミック成形体の製造方法について、以下に説明する。第３の実施形態によって製造されるセラミック成形体は、第１の実施形態によって製造されるセラミック成形体と同様の構造を有する。
【０１０１】
まず、第１の実施形態の場合と同様に、基材層、第１の拘束層、第２の拘束層および第３の拘束層を作製する。
【０１０２】
次に、第１の実施形態の場合と同様に、基材層、第１の拘束層、第２の拘束層および第３の拘束層を積層した積層体を準備する工程、積層体を焼成する工程を経て、焼成後のセラミック成形体を作製する。
【０１０３】
図１０に示すように、第３の実施形態では、基材層３０におけるセラミック材料３３ａよりも粒径が小さいセラミック材料３３ｂを用いて第２の拘束層４４ａ，４４ｂを作製する。第２の拘束層４４ａ，４４ｂにおけるセラミック材料の粒径が小さくなるほど、焼成時の第１の拘束層２２ａ，２２ｂへのガラス材料の浸透量は多くなる。その結果、焼成によって基材層３０と第１の拘束層２２ｂとの界面３７ａに形成される反応層３５ａの厚みＬ３が、第２の拘束層４４ｂと第１の拘束層２２ｂとの界面３７ｂに形成される反応層３５ｂの厚みＬ４よりも薄くなる。この場合、焼成後の、基材層３０と第１の拘束層２２ｂとの間の密着力は、第２の拘束層４４ｂと第１の拘束層２２ｂとの間の密着力よりも弱くなる。
【０１０４】
第２の拘束層４４ａ，４４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとの界面にも反応層３５ｃが形成されるため、第２の拘束層４４ａ，４４ｂと第３の拘束層２６ａ，２６ｂとも互いに密着される。なお、図１０は反応層をモデル的に示すものであり、実際には各層と反応層の間に明確な境界ができるわけではない。
【０１０５】
次に、焼成後の積層体から、第１、第２および第３の拘束層を除去する。
【０１０６】
図１１に示すように、焼成後、第１の拘束層２２ａ，２２ｂ、第２の拘束層４４ａ，４４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂは、同時に剥離除去することができる。
【０１０７】
基材層３０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂの剥離が容易になるのは、焼成後の、基材層３０と第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力よりも、第２の拘束層４４ａ，４４ｂと第１の拘束層２２ａ，２２ｂとの間の密着力が強くなることに起因している。
【０１０８】
このように、第３の実施形態では、積層体から第１の拘束層２２ａ，２２ｂ、第２の拘束層４４ａ，４４ｂおよび第３の拘束層２６ａ，２６ｂを除去し、積層体から基材層３０の焼結体であるセラミック成形体を取り出すことで、セラミック成形体を作製する。
【０１０９】
なお、除去後のセラミック成形体には僅かに第１の拘束層２２ａ，２２ｂの残渣がある場合がある。この場合には、第１の実施形態の場合と同様の方法によって、これを除去する。
【０１１０】
上記実施例３では、第１、第２および第３の拘束層を一括除去することができるため、拘束層の除去に要する時間を著しく短くすることが可能になる。
【０１１１】
なお、本発明に係るセラミック成形体の製造方法は、上記実施形態によるものに限定されない。
【０１１２】
具体的には、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせるために、例えば、次のような条件の少なくとも１つが選択されるのが好ましい。
【０１１３】
第１の条件は、基材層におけるガラス材料の含有量と第２の拘束層におけるガラス材料の含有量とを互いに異ならせることである。これにより、基材層から第１の拘束層へのガラス材料の浸透量と第２の拘束層から第１の拘束層へのガラス材料の浸透量とを互いに異ならせることができる。その結果、焼成による、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとが異なることになる。すなわち、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを異ならせることができる。
【０１１４】
第２の条件は、基材層におけるセラミック材料の粒径と第２の拘束層におけるセラミック材料の粒径とを互いに異ならせることである。セラミック材料の粒径が小さくなるほど、ガラス材料の浸透量が多くなる。その結果、焼成による、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとが互いに異なることになる。すなわち、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせることができる。
【０１１５】
第３の条件は、基材層におけるガラス材料の軟化点と第２の拘束層におけるガラス材料の軟化点とを互いに異ならせることである。基材層と第２の拘束層との間で、ガラス材料の軟化点を互いに異ならせることによって、ガラス材料が第１の拘束層に浸透し始める温度を互いに異ならせることができる。そのため、焼成後のガラス材料の浸透量を、基材層と第２の拘束層との間で互いに異ならせることができる。その結果、焼成による、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとが互いに異なることになる。すなわち、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力を異ならせることができる。
【０１１６】
基材層におけるガラス材料の軟化点と第２の拘束層におけるガラス材料の軟化点とを互いに異ならせるためには、例えば、基材層のガラス材料におけるシリカの含有率と第２の拘束層のガラス材料におけるシリカの含有率とを互いに異ならせることが好ましい。
【０１１７】
また、基材層におけるガラス材料の軟化点と第２の拘束層におけるガラス材料の軟化点とを互いに異ならせるためには、基材層と第２の拘束層のいずれか一方または両方が導体を有することが好ましい。導体は、そこに含まれる金属材料が焼成中に拡散するとガラス材料の軟化点を下げる特性を有するからである。そのため、導体を有する部分ではガラス材料の浸透が比較的早い時点で始まり、その結果、導体を有する部分においては、ガラス材料の浸透量を比較的多くすることができる。また、基材層と第２の拘束層との両方が導体を有する場合であっても、その位置や形成密度によって上記の密着力を異ならせることができる。例えば、表面に導体を有する方が、密着力がより強くなる。
【０１１８】
第４の条件は、基材層におけるガラス材料の粒径と第２の拘束層におけるガラス材料の粒径とを互いに異ならせることである。これにより、ガラス材料の浸透量を基材層と第２の拘束層との間で異ならせることができる。その結果、焼成による、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと、第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとが互いに異なることになる。すなわち、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせることができる。
【０１１９】
第５の条件は、第１の拘束層を複数のグリーンシートから構成し、基材層に接するグリーンシートにおけるセラミック材料の粒径と第２の拘束層に接するグリーンシートにおけるセラミック材料の粒径とを互いに異ならせることである。第１の拘束層におけるセラミック材料の粒径が小さくなるほど、ガラス材料と結合する表面積が多くなるため、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とを互いに異ならせることができる。
【０１２０】
なお、本発明のセラミック成形体の製造方法において、焼成後の、基材層と第１の拘束層との間の密着力と、第２の拘束層と第１の拘束層との間の密着力とが互いに異なる場合とは、焼成による、基材層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みと第２の拘束層と第１の拘束層との界面に形成される反応層の厚みとが互いに異なる場合に限定されるものではない。反応層の厚みが同一であっても、反応層にて生成した相の状態、具体的には、反応層の構成成分の結合状態や生成した相の成分が互いに異なることによって密着力が互いに異なる場合も含まれる。
【符号の説明】
【０１２１】
２  セラミック基板
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ  セラミック層
４  面内導体
６  層間接続導体
１１，２１  外部導体
１２ａ  受動素子
１２ｂ  能動素子
１３  導電性接合材
２０，３０，４０  基材層
２２ａ，２２ｂ，３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ  第１の拘束層
２４ａ，２４ｂ，３４ａ，３４ｂ，４４ａ，４４ｂ  第２の拘束層
２５ａ，２５ｂ，２５ｃ，３５ａ，３５ｂ，３５ｃ  反応層
２６ａ，２６ｂ  第３の拘束層
２７ａ，３７ａ  基材層と第１の拘束層との界面
２７ｂ，３７ｂ  第２の拘束層と第１の拘束層との界面
２８ａ，２８ｂ，４８ａ，４８ｂ  拘束層
３３ａ，３３ｂ  セラミック材料
５０  洗浄槽
５２  洗浄液
５４  洗浄かご
５６  超音波発振子
６２  水
６４  圧縮空気
６６  ノズル
６８  吐出物
【図１】
2009151006.tif 000003
【図２】
2009151006.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009151006.tif 000008
【図７】
2009151006.tif 000009
【図８】
2009151006.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2009151006.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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