(57)【要約】  絶縁性の非磁性膜（３２）にはヘッド素子（３３）およびヒータ（６１）が埋め込まれる。非磁性膜（３２）の空気流出側端面には導電端子（７１ａ、７１ｆ）が形成される。ヒータ（６１）および導電端子（７１ａ、７１ｆ）は導電パターン（７３）で電気的に接続される。導電パターン（７３）には放熱体（７４ａ、７４ｂ）が接触する。ヘッド素子（３３）の突き出しの実現にあたってヒータ（６１）に電力が供給される。ヒータ（６１）は発熱する。ヒータ（６１）の熱は配線パターン（７３）に伝達される。熱は導電パターン（７３）から放熱体（７４ａ、７４ｂ）に伝達される。放熱体（７４ａ、７４ｂ）は非磁性膜（３２）に熱を放出する。その結果、配線パターン（７２）から導電端子（７１ａ、７１ｆ）に熱の伝達はできる限り抑制される。例えば導電端子（７１ａ、７１ｆ）上に接合される接合材の溶融やマイグレーションは回避される。
2009066362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれるヒータと、非磁性膜の空気流出側端面に形成される導電端子と、ヒータおよび導電端子を電気的に接続する導電パターンと、導電パターンに接触して導電パターンから伝達される熱を放出する放熱体とを備えることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記放熱体は導電金属材料から構成されることを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項１に記載のヘッドスライダにおいて、前記放熱体および前記ヒータの間の距離は前記放熱体および前記導電端子の間の距離よりも大きいことを特徴とするヘッドスライダ。
【請求項４】
支持体と、支持体に支持されるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれるヒータと、非磁性膜の空気流出側端面に形成される導電端子と、ヒータおよび導電端子を電気的に接続する導電パターンと、導電パターンに接触して導電パターンから伝達される熱を放出する放熱体とを備えることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項５】
請求項４に記載の記憶媒体駆動装置において、前記放熱体は導電金属材料から構成されることを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【請求項６】
請求項４に記載の記憶媒体駆動装置において、前記放熱体および前記ヒータの間の距離は前記放熱体および前記導電端子の間の距離よりも大きいことを特徴とする記憶媒体駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶媒体駆動装置に関し、特に、こういった記憶媒体駆動装置に組み込まれるヘッドスライダに関する。
【背景技術】
【０００２】
ヘッドスライダの空気流出側端の素子内蔵膜には電磁変換素子が埋め込まれる。例えば特許文献１に開示されるように、電磁変換素子にはヒータが搭載される。ヒータは発熱に基づきヘッドスライダの熱膨張を誘引する。電磁変換素子の先端はヘッドスライダの表面で盛り上がる。こういった盛り上がりに基づき電磁変換素子の浮上量は制御される。電磁変換素子は最大限に磁気ディスクの表面に接近することができ、磁気情報の記録密度は高められる。【０００３】
また、電磁変換素子には放熱体が搭載される。ヒータの熱は放熱体に伝達される。そして、ヒータの熱は放熱体から周囲の絶縁層に放出される。その結果、ヒータの過度の温度上昇は回避される。こうしたヒータには配線パターンが接続される。配線パターンは、ヘッドスライダの空気流出側端面に形成される導電端子に接続される。導電端子は、ヘッドサスペンション上の導電端子にはんだといった接合材で接続される。こうしてヒータに電流が供給される。その結果、ヒータは発熱することができる。
【特許文献１】日本国特開２００７−１２１０８号公報
【発明の開示】
【０００４】
放熱体は例えば導電材料から構成される。仮にヒータおよび放熱体が接触すると、放熱体には電流が供給される。放熱体の発熱に基づき突き出し量の制御の精度は低下する。したがって、ヒータおよび放熱体の間に絶縁層が挟み込まれなければならない。しかも、配線パターンは銅といった高熱伝導性の導電材料から構成されることから、ヒータの熱は配線パターンを伝って導電端子に伝達されてしまう。こうした熱ははんだを溶融させる場合がある。溶融せずともはんだでマイグレーションが引き起こされる。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、接合材の溶融を回避することができるヘッドスライダおよび記憶媒体駆動装置を提供することを目的とする。
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明によれば、スライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれるヒータと、非磁性膜の空気流出側端面に形成される導電端子と、ヒータおよび導電端子を電気的に接続する導電パターンと、導電パターンに接触して導電パターンから伝達される熱を放出する放熱体とを備えることを特徴とするヘッドスライダが提供される。
【０００７】
こうしたヘッドスライダでは、ヘッド素子の突き出しの実現にあたってヒータに電力が供給される。ヒータは発熱する。ヒータの熱は導電パターンに伝達される。ヒータと導電端子との間で導電パターンには放熱体が接触する。熱は導電パターンから放熱体に伝達される。放熱体は非磁性膜に熱を放出する。その結果、導電パターンから導電端子に熱の伝達はできる限り抑制される。例えば導電端子上に接合される接合材の溶融やマイグレーションは回避される。
【０００８】
前記放熱体は導電金属材料から構成されればよい。こうして放熱体が導電金属材料から形成されれば、放熱体の抵抗率は低く設定される。たとえ放熱体に電流が流れても、ヒータへの電流の供給は妨げられない。これにより、ヒータには正確な電流値で電流が供給される。その結果、ヘッド素子の突き出し量は高い精度で制御される。
【０００９】
前記放熱体および前記ヒータの間の距離は、前記放熱体および前記導電端子の間の距離よりも大きく設定される。こうして放熱体はヒータやヘッド素子から十分に遠ざけられる。この構成により、放熱体から放出される熱のヒータやヘッド素子への到達は防止される。その結果、ヒータは高い精度でヘッド素子を突き出させることができる。
【００１０】
以上のようなヘッドスライダは記憶媒体駆動装置に組み込まれる。記憶媒体駆動装置は、支持体と、支持体に支持されるスライダ本体と、スライダ本体の空気流出側端面に積層される絶縁性の非磁性膜と、非磁性膜に埋め込まれるヘッド素子と、ヘッド素子に関連付けられて非磁性膜に埋め込まれるヒータと、非磁性膜の空気流出側端面に形成される導電端子と、ヒータおよび導電端子を電気的に接続する導電パターンと、導電パターンに接触して導電パターンから伝達される熱を放出する放熱体とを備える。こうした記憶媒体駆動装置では前述と同様の作用効果が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】記憶媒体駆動装置に組み込まれる浮上ヘッドスライダの一具体例を示す拡大斜視図である。
【図３】浮上ヘッドスライダに搭載される電磁変換素子の構造を概略的に示す正面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】浮上ヘッドスライダおよびフレキシャを接続する接合材の構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。
【図６】浮上ヘッドスライダの空気流出側端面の様子を概略的に示す部分透視側面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。【００１３】
図１は本発明に係る記憶媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばアルミニウムといった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形される。【００１４】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の回転軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば５４００ｒｐｍや７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。【００１５】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には、支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型される。【００１６】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１の先端には後述のフレキシャが張り合わせられる。フレキシャにはいわゆるジンバルばねが区画される。こうしたジンバルばねの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対してその姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。【００１７】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。【００１８】
こういった浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジ１６が支軸１８回りで回転すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。【００１９】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２４といった動力源が接続される。このＶＣＭ２４の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。【００２０】
図１から明らかなように、キャリッジブロック１７上には、フレキシブルプリント基板ユニット２５が配置される。フレキシブルプリント基板ユニット２５は、フレキシブルプリント基板２６に実装されるヘッドＩＣ（集積回路）２７を備える。ヘッドＩＣ２７は電磁変換素子の読み出しヘッド素子および書き込みヘッド素子に接続される。接続にあたってフレキシャ２８が用いられる。フレキシャ２８は個々の浮上ヘッドスライダ２２およびフレキシブルプリント基板２６を接続する。ヘッドサスペンション２１はいわゆるロングテール型に形成される。【００２１】
磁気情報の読み出し時には、このヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の読み出しヘッド素子に向けてセンス電流が供給される。同様に、磁気情報の書き込み時には、ヘッドＩＣ２７から電磁変換素子の書き込みヘッド素子に向けて書き込み電流が供給される。センス電流の電流値は特定の値に設定される。ヘッドＩＣ２７には、収容空間内に配置される小型の回路基板や、ベース１３の底板の裏側に取り付けられるプリント回路基板（図示されず）から電流が供給される。【００２２】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成されるスライダ本体３１を備える。スライダ本体３１の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜３２が積層される。この素子内蔵膜３２に前述の電磁変換素子３３が組み込まれる。電磁変換素子３３の詳細は後述される。【００２３】
スライダ本体３１は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成されればよい。素子内蔵膜３２は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成されればよい。スライダ本体３１は媒体対向面すなわち浮上面３４で磁気ディスク１４に向き合う。浮上面３４には平坦なベース面３５すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体３１の前端から後端に向かって浮上面３４には気流３６が作用する。【００２４】
浮上面３４には、前述の気流３６の上流側すなわち空気流入側でベース面３５から立ち上がる１筋のフロントレール３７が形成される。フロントレール３７はベース面３５の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、浮上面３４には、気流の下流側すなわち空気流出側でベース面３５から立ち上がるリアレール３８が形成される。リアレール３８はスライダ幅方向の中央位置に配置される。【００２５】
浮上面３４には、空気流出側でベース面３５から立ち上がる左右１対の補助リアレール３９、３９がさらに形成される。補助リアレール３９、３９はベース面３５の左右の縁に沿ってそれぞれ配置される。その結果、補助リアレール３９、３９同士はスライダ幅方向に間隔を空けて配置される。補助リアレール３９、３９同士の間にリアレール３８は配置される。【００２６】
フロントレール３７、リアレール３８および補助リアレール３９、３９の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）４１、４２、４３が規定される。空気軸受け面４１、４２、４３の空気流入端は段差でレール３７、３８、３９の頂上面に接続される。磁気ディスク１４の回転に基づき生成される気流３６は浮上面３４に受け止められる。このとき、段差の働きで空気軸受け面４１、４２、４３には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３７の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。【００２７】
空気軸受け面４２の空気流出側でリアレール３８には電磁変換素子３３が埋め込まれる。電磁変換素子３３は、後述されるように、素子内蔵膜３２の表面に読み出しヘッド素子の読み出しギャップや書き込みヘッド素子の書き込みギャップを臨ませる。ただし、空気軸受け面４２の空気流出側で素子内蔵膜３２の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜３２の表面で露出する書き込みギャップの先端や読み出しギャップの先端を覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。【００２８】
図３は電磁変換素子３３の様子を詳細に示す。電磁変換素子３３は、例えば、ＣＰＰ構造読み取り素子４５と薄膜磁気ヘッド素子４６とを備える。ＣＰＰ構造読み取り素子４５は、周知の通り、磁気ディスク１４から作用する磁界に応じて変化する抵抗に基づき２値情報を検出することができる。薄膜磁気ヘッド素子４６は、周知の通り、例えば導電コイルパターン（図示されず）で生起される磁界を利用して磁気ディスク１４に２値情報を書き込むことができる。ＣＰＰ構造読み取り素子４５および薄膜磁気ヘッド素子４６はアルミナ膜４７とアルミナ膜４８との間に挟み込まれる。アルミナ膜４７は前述の素子内蔵膜３２の上側半層すなわちオーバーコート膜を構成する。アルミナ膜４８は素子内蔵膜３２の下側半層すなわちアンダーコート膜を構成する。【００２９】
ＣＰＰ構造読み取り素子４５は例えばスピンバルブ膜やトンネル接合膜といった磁気抵抗効果膜４９を備える。磁気抵抗効果膜４９は上側電極５１および下側電極５２に挟み込まれる。上側電極５１および下側電極５２は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気抵抗効果膜４９の上側境界面および下側境界面にそれぞれ接触する。上側電極５１および下側電極５２の働きで磁気抵抗効果膜４９にセンス電流は供給される。上側電極５１および下側電極５２は導電性を備えるだけでなく同時に軟磁性を備えてもよい。上側電極５１および下側電極５２が例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）といった導電性の軟磁性体で構成されると、上側電極５１および下側電極５２は同時にＣＰＰ構造読み取り素子４５の上部および下部シールド層として機能することができる。こうして上側電極５１および下側電極５２は読み出しギャップを規定する。【００３０】
薄膜磁気ヘッド素子４６は、スライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う上部磁極層５３と、同様にスライダ本体３１の表面で露出する前端で磁気ディスク１４に向き合う下部磁極層５４とを備える。上部磁極層５３および下部磁極層５４は例えばＦｅＮやＮｉＦｅから形成されればよい。上部磁極層５３および下部磁極層５４は協働して薄膜磁気ヘッド素子４６の磁性コアを構成する。【００３１】
上部磁極層５３および下部磁極層５４の間には例えばアルミナ製の非磁性ギャップ層５５が挟み込まれる。周知の通り、後述の薄膜コイルパターンで磁界が生起されると、非磁性ギャップ層５５の働きで、上部磁極層５３と下部磁極層５４とを行き交う磁束は磁気ディスク１４に向かって漏れ出る。漏れ出る磁束がギャップ磁界すなわち記録磁界を形成する。こうして上部磁極層５３および下部磁極層５４が書き込みギャップを規定する。【００３２】
図４を併せて参照し、下部磁極層５４は、上側電極５１上で任意の基準平面５６に沿って広がる。この基準平面５６はアルミナ製の非磁性層５７の表面で規定される。非磁性層５７は上側電極５１上に均一な厚みで積層形成されればよい。非磁性層５７は上側電極５１と下部磁極層５４との間で磁気的な結合を断ち切る。【００３３】
下部磁極層５４上には薄膜コイルパターン５８が配置される。薄膜コイルパターン５８は１平面に沿って渦巻き状に広がる。薄膜コイルパターン５８は下部磁極層５４上で絶縁層５９に埋め込まれる。絶縁層５９の表面に前述の上部磁極層５３が形成される。上部磁極層５３は薄膜コイルパターン５８の中心位置で下部磁極層５４に磁気的に連結される。薄膜コイルパターン５８に電流が供給されると、上部磁極層５３および下部磁極層５４に磁束が発生する。【００３４】
素子内蔵膜３２には電磁変換素子３３に関連づけられてヒータが組み込まれる。このヒータは、例えば下部磁極層５４および薄膜コイルパターン５８の間で絶縁層５９に埋め込まれる電熱線６１で構成される。電熱線６１は例えば空気軸受け面４２に直交する仮想平面に沿って広がればよい。電熱線６１には例えばＷ（タングステン）やＴｉＷ（チタンタングステン）が用いられればよい。電熱線６１には任意の電力供給回路が接続される。電力供給回路は電熱線６１に電力を供給する。電力の供給に応じて電熱線６１は発熱する。電熱線６１の温度は電力量で決定される。【００３５】
薄膜コイルパターン５８は例えば素子内蔵膜３２に比べて大きな熱膨張係数を有することから、電熱線６１に電力が供給されると、電熱線６１の熱に基づき薄膜コイルパターン５８は膨張する。その結果、薄膜コイルパターン５８の前端は素子内蔵膜３２の表面で盛り上がる。いわゆる突き出しが形成される。こうしてＣＰＰ構造読み取り素子４５および薄膜磁気ヘッド素子４６は磁気ディスク１４に向かって変位する。いわゆる熱アクチュエータは構築される。例えば薄膜磁気ヘッド素子４６の突き出し量に応じて薄膜磁気ヘッド素子４６の浮上量は決定される。【００３６】
図５に示されるように、フレキシャ２８は、ヘッドサスペンション２１に固定される固定板６５を備える。固定板６５には、表面で浮上ヘッドスライダ２２を受け止める支持板６６が接続される。固定板６５および支持板６６は１枚の板ばね材から形成される。板ばね材は例えば均一な板厚のステンレス鋼から構成される。支持板６６すなわち浮上ヘッドスライダ２２は背面でヘッドサスペンション２１の表面に区画される突起に受け止められる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２は固定板６５に対して姿勢を変化させることができる。【００３７】
フレキシャ２８は例えば下地絶縁膜６７を備える。下地絶縁膜６７は部分的に支持板６６や固定板６５の表面に張り合わせられる。下地絶縁膜６７の表面には相互に並列に伸びる例えば６筋の導電層すなわち配線パターン６８が形成される。配線パターン６８には例えばＣｕ（銅）といった導電材料が用いられればよい。下地絶縁膜６７には例えばポリイミド樹脂といった樹脂材料が用いられればよい。【００３８】
浮上ヘッドスライダ２２の空気流出側端面より空気流出側では下地絶縁膜６７の表面に例えば６つの導電パッド６９が形成される。各導電パッド６９は各配線パターン６８に連続する。その一方で、浮上ヘッドスライダ２２の空気流出側端面には例えば６つの第１〜第６導電パッド７１ａ〜７１ｆが形成される。第１〜第６導電パッド７１ａ〜７１ｆは対応の導電パッド６９に個別に接合材すなわちはんだ７２で接続される。導電パッド６９、７１は例えば銅といった導電材料から形成される。【００３９】
図６に示されるように、第１導電パッド７１ａおよび第６導電パッド７１ｆは前述の電熱線６１に電気的に接続される。第２導電パッド７１ｂおよび第３導電パッド７１ｃは前述の薄膜コイルパターン５８に電気的に接続される。同様に、第４導電パッド７１ｄおよび第５導電パッド７１ｅは前述の上側電極５１および下側電極５２にそれぞれ電気的に接続される。接続にあたって素子内蔵膜３２内を延びる導電パターンすなわち配線パターン７３が用いられる。配線パターン７３は銅といった導電材料から形成される。【００４０】
ここでは、第１導電パッド７１ａおよび電熱線６１を接続する配線パターン７３と、第６導電パッド７１ｆおよび電熱線６１を接続する配線パターン７３とに放熱体７４ａ、７４ｂがそれぞれ接触する。放熱体７４ａ、７４ｂは素子内蔵膜３２内に埋め込まれればよい。放熱体７４ａ、７４ｂには例えば銅やＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）といった導電金属材料が用いられる。放熱体７４ａおよび電熱線６１の間の距離は放熱体７４ａおよび第１導電パッド７１ａの間の距離よりも大きく設定される。同様に、放熱体７４ｂおよび電熱線６１の間の距離は放熱体７４ｂおよび第６導電パッド７１ｆの間の距離よりも大きく設定される。【００４１】
ここでは、放熱体７４ａ、７４ｂは例えば直方体の薄板から構成される。薄板は浮上ヘッドスライダ２２の空気流出側端面に平行な仮想平面に沿って広がればよい。仮想平面内で薄板の幅は配線パターン７３の幅よりも大きく設定される。放熱体７４ａ、７４ｂおよび空気流出側端面の距離は、配線パターン７３および空気流出側端面の距離よりも大きく設定されてもよく、小さく設定されてもよい。その他、放熱体７４ａ、７４ｂは、配線パターン７３を含む仮想平面内に配置されてもよい。【００４２】
以上のようなＨＤＤ１１では、薄膜磁気ヘッド素子４６の突き出しの実現にあたって電熱線６１に電力が供給される。電熱線６１は発熱する。配線パターン７３は高熱伝導材料から構成されることから、熱は配線パターン７３にも伝達される。電熱線６１と第１導電パッド７１ａおよび第６導電パッド７１ｆとの間で配線パターン７３には放熱体７４ａ、７４ｂが接触する。熱は配線パターン７３から放熱体７４ａ、７４ｂに伝達される。放熱体７４ａ、７４ｂは素子内蔵膜３２に熱を放出する。その結果、配線パターン７３から第１導電パッド７１ａや第６導電パッド７１ｆに熱の伝達はできる限り抑制される。こうしてはんだ７２の溶融やマイグレーションは回避される。【００４３】
しかも、放熱体７４ａ、７４ｂは導電金属材料から形成されることから、放熱体７４ａ、７４ｂの抵抗率は低く設定される。たとえ放熱体７４ａ、７４ｂに電流が通電しても、電熱線６１への電流の供給は妨げられない。電熱線６１には正確な電流値で電流が供給される。薄膜磁気ヘッド素子４６の突き出し量は高い精度で制御される。加えて、放熱体７４ａ、７４ｂは薄膜磁気ヘッド素子４６や電熱線６１から十分に遠ざけられる。放熱体７４ａ、７４ｂから放出される熱の電熱線６１への到達は防止される。その結果、電熱線６１は高い精度で薄膜磁気ヘッド素子４６を突き出させることができる。【００４４】
ここで、放熱体７４ａ、７４ｂが配線パターン７３に接触する場合と接触しない場合の効果を検証する。検証にあたって、例えば同一の表面積Ｓおよび同一の長さＬを有する直方体の銅と直方体のアルミナとが用意された。銅およびアルミナの両端の温度差はΔＴで規定される。このとき、直方体の一端から他端に移動する熱量ＱはｋＳΔＴ／Ｌの式で定義される。銅は例えば４００［Ｗ／ｍＫ］程度の熱伝導率ｋを有する。アルミナは例えば２０［Ｗ／ｍＫ］程度の熱伝導率ｋを有する。前述の式より熱量Ｑは熱伝導率ｋに比例する。したがって、例えば銅から形成される放熱体７４ａ、７４ｂが配線パターン７３に接触すると、配線パターン７３および放熱体７４ａ、７４ｂの間にアルミナの絶縁層が挟み込まれる場合に比べて、熱の伝達効率は飛躍的に向上する。
【図１】
2009066362.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
2009066362.tif 000009
2009066362.tif 000010