(57)【要約】本発明の目的は、そりが少なく、折曲げ性に優れた光学情報記録媒体用基板を提供することにある。  本発明は、（ｉ）粘度平均分子量１６，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部および（ｉｉ）ベヘン酸モノグリセライドを０．００５〜０．０５重量部を含有する樹脂組成物からなる光学情報記録媒体用基板およびその製造方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）粘度平均分子量１６，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部および（ｉｉ）ベヘン酸モノグリセライドを０．００５〜０．０５重量部を含有する樹脂組成物からなる光学情報記録媒体用基板。
【請求項２】
ベヘン酸モノグリセライドのナトリウム金属塩の含有量が、１ｐｐｍ未満である請求項１記載の基板。
【請求項３】
樹脂組成物が、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．００２〜０．０１重量部含有する請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
芳香族ポリカーボネート樹脂が、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより誘導される繰り返し単位からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
芳香族ポリカーボネート樹脂が、二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重合法で反応させて得られるものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
（ｉ）粘度平均分子量１６，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部および（ｉｉ）ベヘン酸モノグリセライドを０．００５〜０．０５重量部を含有する樹脂組成物を射出成形することからなる光学情報記録媒体用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学情報記録媒体用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、コンパクトディスク、レーザーディスク、光磁気ディスク、デジタルビデオディスクなどの光ディスク、さらには情報面からの信号の読み取りや、書き込みを特徴とする近接場記録情報媒体或いはそれらの基板など光学情報記録媒体用基板の原料として、広く用いられている。
そして、これら基板は、ピットやグルーブの情報信号が刻印されたスタンパーを露出させた金型キャビティに、溶融させた芳香族ポリカーボネート樹脂を射出し、情報信号を転写させる方法によって製造されている。
この基板の製造に芳香族ポリカーボネート樹脂が使用されている理由は、この樹脂が透明性、光学特性、強度、耐熱性、寸法安定性、耐衝撃性などにおいて優れており、しかも成形性にも優れているためである。特に、射出成形法により、光学情報記録媒体の基板を製造すると、スタンパーに刻設した微細な凹凸模様（情報信号）が、正確に基板表面に転写されて、基板のそりや平面性に優れた高品質の基板が得られるからである。
一方、近年の光学情報記録媒体は、当初のＣＤのように基板が単一の一枚からなる形状とは異なってきている。例えばＤＶＤは、厚み０．６ｍｍの基板２枚を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合せている。またブルーレイ（ＢＤと略すことがある）では、ポリカーボネート樹脂から形成された基板の表面に紫外線硬化樹脂からなるカバー層を形成したり、またはカバーフィルムを基板と貼り合わせる形状を有している。
しかしながら、この紫外線硬化樹脂を硬化するための紫外線は、信号読み取り面の側から照射されており、過大な照射がされた場合には、芳香族ポリカーボネート樹脂などが劣化を起こし、該樹脂の分子量低下などを引き起こしてしまう可能性がある。
また、自動車にカーナビゲーションなどの映像機器の導入が普及し、車内で映画などを簡単に視聴できるようになってきた。特に真夏の車内は高温高湿の状態になりやすく、光学情報記録媒体が長時間車内に放置されてしまうとその基板に使用されている樹脂が劣化する。すると、光学情報記録媒体が落下などの衝撃により割れ易くなり問題となっている。
そこで、この問題を解決するために、基本的には、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量を高くすることが効果的である。しかしながら、高い分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、溶融粘度が低下して基板の複屈折が高くなり、光学情報記録媒体としては使用することが出来ない。光学情報記録媒体の基板の成形時に、シリンダ温度を高くした成形機を用いて成形する製造方法が考えられるが、冷却時間が長くなり基板生産性が悪化してしまう。
また、従来の光学情報記録媒体の基板の生産では、シリンダ温度をより低温に設定し、冷却時間を短縮することで、より短時間で光学情報記録媒体の基板を多く生産し、生産性を向上させようとする方法が一般的である。これを達成するにはシリンダ温度を低くしても、芳香族ポリカーボネート樹脂が十分な溶融粘度を得るために該樹脂の分子量を低くすることが一般的である。従って該樹脂の分子量を高くすることは、従来の製造方法とでは合致せず、この問題を解決することはできない。
分子量を調整したポリカーボネート樹脂を用いた光ディスク基板として、０．０６〜０．０９％のステアリン酸モノグリセリドおよび粘度平均分子量１４，０００〜１５，０００のポリカーボネート樹脂を含有する光ディスク基板が提案されている（特許文献１）。この提案は、離型剤の含有量を抑制して成形時の変形を抑制するものであるが、光ディスク基板の強度についての検討がなく課題が残る。
また、粘度平均分子量１０，０００〜１７，０００かつ、重量平均分子量／数平均分子量が２．３以上のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板が提案されている（特許文献２）。この提案は、成形時の割れが少ないというものであるが、その発生原因や長期使用後の割れについては検討されていない。
他の試みとしては、光学用ディスクなどの光学成形品材料として、分岐化ポリカーボネート樹脂を使用することが提案されている（特許文献３、特許文献４）。これらの提案によれば、成形時の糸引きが防止され、複屈折性、強度、連続成形性が改善されるというものであるが、特殊な分岐化ポリカーボネート樹脂を用いる必要がある。
さらに、超高分子量のポリカーボネート樹脂を混合する方法についての提案がある（特許文献５）。しかし、一般に光ディスク用に使用されているポリカーボネート樹脂は、混合する超高分子量ポリカーボネート樹脂との分子量の乖離が大きいため、超高分子量ポリカーボネートを混合すると光学的に不均一になり微小な白筋や成形時にシルバー、デラミ現象が生じたり、機械的強度にむらが生じたりする欠点があり、光学用途には不向きである。
【特許文献１】特開平０４−１６８１５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２８４１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４８１３２号公報
【特許文献４】特開昭６０−２１５０１９号公報
【特許文献５】特開平０４−３４２７６０号公報
【発明の開示】
【０００３】
本発明の目的は、複屈折などの光学特性に優れ、グルーブやピットなど高密度な情報信号が正確に転写された光学情報記録媒体用基板を提供することにある。また本発明の目的は、平面性および剛性に優れ、そりが少なく、振動時の面振れの少ない該基板を提供することにある。また本発明の目的は、折曲げ性に優れた該基板を提供することにある。
また本発明の目的は、成形サイクルを上げても安定して基板を取り扱うことができ、短時間で多量の基板を成形することができる基板の製造方法を提供することにある。
本発明者は、特定の粘度平均分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂およびベヘン酸モノグリセライドを所定量含有する樹脂組成物から基板を形成すると、高温、高湿度の環境に維持した後、折曲げても割れ難い基板が得られることを見出した。
また該樹脂組成物から基板を製造する方法によれば、得られる基板にはそりが発生し難く、該製造方法は、ハイサイクル成形性に優れることを見出した。本発明において、ハイサイクル成形性とは、成形サイクルを上げても安定して基板を取り扱うことができ短時間で多量の基板を成形することができることをいう。
本発明は、以下の発明を包含する。
１．  （ｉ）粘度平均分子量１６，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部および（ｉｉ）ベヘン酸モノグリセライドを０．００５〜０．０５重量部を含有する樹脂組成物からなる光学情報記録媒体用基板。
２．  ベヘン酸モノグリセライドのナトリウム金属塩の含有量が、１ｐｐｍ未満である前項１記載の基板。
３．  樹脂組成物が、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを０．００２〜０．０１重量部含有する前項１または２に記載の基板。
４．  芳香族ポリカーボネート樹脂が、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより誘導される繰り返し単位からなる前項１〜３のいずれか１項に記載の基板。
５．  芳香族ポリカーボネート樹脂が、二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重合法で反応させて得られるものである前項１〜４のいずれか１項に記載の基板。
６．  （ｉ）粘度平均分子量１６，０００〜１８，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部および（ｉｉ）ベヘン酸モノグリセライドを０．００５〜０．０５重量部を含有する樹脂組成物を射出成形することからなる光学情報記録媒体用基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
図１は、光ディスク基板を冶具にセットし、圧力をかける折り曲げ試験を示す概略図である。
【符号の説明】
【０００５】
１    冶具
２    光ディスク基板
３    冶具間の幅が１２ｃｍである。
４    冶具間の幅が２ｃｍである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
＜樹脂組成物＞
（芳香族ポリカーボネート樹脂）
芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常、二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重合法または溶融重合法で反応させて得られるものである。ここで使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステルなどが挙げられる。これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
なかでもビスフェノールＡ｛２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン｝、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましい。
特に、ビスフェノールＡ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれる少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましい。とりわけビスフェノールＡの単独重合体が好ましい。
芳香族ポリカーボネート樹脂中の２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導される単位の含有量は、好ましくは８０モル％以上、より好ましくは９０モル％以上、さらに好ましくは９５モル％以上である。
特に好ましくは２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンから誘導される単位のみからなることが好ましい。すなわち、芳香族ポリカーボネート樹脂は、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンより誘導される繰り返し単位からなることが好ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂は、二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重合法で反応させて得られるものが好ましい。
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメートなどが使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメートなどが挙げられる。
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を界面重合法または溶融重合法によって反応させて芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、二価フェノールの酸化防止剤などを使用してもよい。また芳香族ポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐芳香族ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物であってもよい。
界面重合法または溶融重合法によって反応させて芳香族ポリカーボネート樹脂を製造する方法は周知である。例えば特開平２００１−２２５５０３号、特開２００３−３０１０９９号、米国公開公報ＵＳ２００５／０１０６３５０Ａ１号などを参照することができる。
芳香族ポリカーボネート樹脂は一般的には重合体の末端ＯＨが単官能フェノール類で封止されている。これら単官能フェノール類の内、下記式（１）
2009148174.tif 000002
｛式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９のアルキル基もしくはフェニルアルキル基（アルキル部分の炭素数１〜９）であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。｝
で表される単官能フェノール類が好ましく、より好ましくはアルキル置換もしくはフェニルアルキル置換のフェノール類であり、特に好ましくはｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールまたはｐ−クミルフェノールである。
これらの単官能フェノール類の末端停止剤は、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
芳香族ポリカーボネート樹脂は、従来公知の方法（界面重合法、溶融重合法など）により製造した後、有機溶媒溶液状態において、純水を用いての芳香族ポリカーボネート樹脂中のアルカリ成分の抽出除去や有機溶媒溶液からの粒子化（造粒）を経た濾過処理を行い精製することが好ましい。
造粒（脱溶媒）後の粒状原料を、芳香族ポリカーボネート樹脂の貧溶媒や非溶媒で洗浄して低分子量成分や未反応成分などの不純物や異物を除去することも好ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の貧溶媒または非溶媒として、アセトンなどのケトン類、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられる。
射出成形に供するためのペレット状芳香族ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）では芳香族ポリカーボネート樹脂の溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどの手段により異物を除去したりすることが好ましい。いずれにしても射出成形前の芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウムだけでなく、異物、不純物、溶媒などの含有量も極力低くしておくことが肝要である。
（粘度平均分子量）
芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍ）は、１６，０００〜１８，０００である。芳香族ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍ）は、特に１６，５００〜１７，５００であることが好ましい。１６，０００未満の場合には、情報記録媒体の基板の環境変化に対する折曲げ性が劣化し、落下などの衝撃により割れ易くなるからである。一方、１８，０００を超えると、溶融粘度が低下して基板の複屈折が高くなり、光学情報記録媒体としては好ましくない。
この粘度平均分子量（Ｍ）は、塩化メチレン１００ｍｌに芳香族ポリカーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液を用いて測定された比粘度（ηＳＰ）を次式に挿入して求める。
ηＳＰ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ（但し［η］は極限粘度）
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ｃ＝０．７
（ベヘン酸モノグリセライド）
樹脂組成物は、ベヘン酸モノグリセライドを含有する。ベヘン酸モノグリセライドは、長鎖脂肪酸であるベヘン酸とグリセリンのモノエステルである。
特に、ベヘン酸モノグリセライド中のナトリウム金属含有量は１ｐｐｍ未満が好ましい。更に好ましくは０．５ｐｐｍ以下である。このベヘン酸モノグリセライド中のナトリウム金属含有量は下記の方法にて測定する。すなわちサンプル５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに溶解し、ここに純水８０ｍｌを添加・攪拌し、純水に溶解しているナトリウム金属をイオンクロマトグラフィーにて定量する。このナトリウム金属含有量が１ｐｐｍ以上になると製造されたディスク基板は色相が悪化する。ナトリウム金属含有量が１ｐｐｍ未満のベヘン酸モノグリセライドは、ベヘン酸モノグリセライドを通常の方法で製造した後、分子蒸留などにより精製して製造することができる。専門の製造業者（例えば、理研ビタミン（株））にスペックを指定して製造してもらうことができる。
ベヘン酸モノグリセライドの含有量は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、０．００５〜０．０５重量部、好ましくは０．０１〜０．０５重量部である。
（リン化合物）
樹脂組成物は、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選らばれる少なくとも１種のリン化合物を含有することができる。かかるリン化合物の含有量は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、０．０００１〜０．０５重量部が好ましく、０．０００５〜０．０２重量部がより好ましく、０．００２〜０．０１重量部が特に好ましい。このリン化合物を配合することにより、樹脂組成物の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
かかるリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選ばれる少なくとも１種のリン化合物であり、好ましくは下記式
2009148174.tif 000003
2009148174.tif 000004
［式中、Ｒ９〜Ｒ２２は、それぞれ独立に、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなどの炭素原子数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネチルなどの炭素原子数７〜１８のアラルキル基を表し、また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよい。］よりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物である。
上記式［２］で示されるリン化合物としては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、などが挙げられる。
上記式［３］で示されるリン化合物としては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられる。
上記式［４］で示されるリン化合物としては、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトなどが挙げられる。
また上記式［５］で示される化合物としては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げられる。
上記式［６］で示される化合物としては、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。
これらのリン化合物のなかで、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトが好ましく使用される。もっとも好ましいのは、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトである。
樹脂組成物は、芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを好ましくは０．００２〜０．０５重量部、より好ましくは０．００２〜０．０１重量部含有する。
（酸化防止剤）
樹脂組成物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤が挙げられる。酸化防止剤として、トリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１，６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい含有量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂１００重量部に対して、０．０００１〜０．０５重量部である。
（その他の添加剤）
樹脂組成物は、ベヘン酸モノグリセライドやリン化合物の他に、紫外線吸収剤、帯電防止剤などの各種添加剤などを単独でまたは２種以上含有することができる。芳香族ポリカーボネート樹脂と、ベヘン酸モノグリセライドなどその他の添加剤をブレンドするには、例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、スーパーミキサー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などが用いられる。こうして得られた樹脂組成物のパウダーやペレットは、そのままでも良いが、溶融押出機で一旦ペレット状にしてから、射出成形法に供することができる。
＜基板の製造方法＞
本発明の基板は、上記樹脂組成物を射出成形して製造することができる。射出成形機（射出圧縮成形機を含む）としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
射出成形の条件としてはシリンダ温度が、好ましくは２６０〜４５０℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、並びに金型温度が好ましくは５０〜１８０℃、より好ましくは７０〜１３５℃である。シリンダ温度および金型温度をこの範囲にすることにより、光学的に優れた光学情報記録媒体用基板を得ることができる。
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
（折り曲げ性）
本発明の光学情報記録媒体用基板は、環境変化に対する折曲げ性を有する。これは、成形時における折り曲げ性に優れるばかりで無く、過酷な環境の変化後においてもなお、折り曲げ性に優れる基板である。
この測定方法は、光ディスク基板を冶具に垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮し、１ＭＰａの圧力を掛けることで判別する（図１）。
更に、光ディスク基板を温度８０℃、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、上述の試験を実施する。
（ハイサイクル成形性）
本発明の基板の製造方法は、ハイサイクル成形性を有する。該製造方法によれば、得られる基板のそりが少なく生産性の向上が可能になる。
ハイサイクル成形性は、タンジェンシャルチルト（基板に対して接線方向へのそり）で判別する。ＪＩＳ規格［ＪＩＳ  Ｘ  ６２４１  ；１９９７  およびＪＩＳ  Ｘ  ６２４５；１９９９、｛対応；ＩＳＯ／ＩＥＣ  １６４４８（Ｍａｙ  １９９９）およびＩＳＯ／ＩＥＣ  ２０５６３（２００１）｝］に定められたタンジェンシャルチルト最大値、最小値のそれぞれの絶対値が０．３°以内であることが好ましい。０．３°を超えるとフォーカスエラーやトラッキングエラーを起こしやすくなり、基板としての機能を損なうことになるため好ましくない。
このタンジェンシャルチルトの測定方法は、次の通りである。ジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにて、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下で光ディスクの中心から５８ｍｍ部におけるタンジェンシャルチルト（接線方向のそり）を測定する。
＜光学情報記録媒体用基板および光学情報記録媒体＞
本発明の基板として、デジタルビデオディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどで代表されるデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）の基板、ブルーレイディスク（ＢＤ）の基板などが挙げられる。
本発明の基板は、光学情報記録媒体の支持基板として好適に用いられる。光学情報記録媒体として、基板、基板上に形成された反射層、および反射層上に形成された光透過層を有してなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録および／または再生を行う方式の光ディスク、例えばＢＤやＨＤ  ＤＶＤ、更にはホログラムディスクに代表される大容量ディスクが挙げられる。
光学情報記録媒体は、片面に反射層および／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法などのＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法など、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光学情報記録媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
例えば、ＤＶＤやＨＤ  ＤＶＤの場合、厚み０．６ｍｍの第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ第二の基板の第一の基板側には反射層および／または記録層が形成されてなり、第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う。第二の基板は、レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
または、第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ第一、第二の基板の互いに対向する側にそれぞれ第一、第二の反射層および／または第一、第二の記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う光ディスクである。第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
例えば、ＢＤの場合、光ディスク基板は、片面に反射層および／または記録層を形成する必要がある。記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法などのＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法など、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
また、反射層および／または記録層上に光透過性のカバー層を形成する。光透過性のカバー層はレーザー光を通過する材料よりなり、かかる材料としては好適にポリカーボネート樹脂が用いられる。例えば、溶融押出法により形成されたポリカーボネートシートや溶液流延法により形成されたポリカーボネートキャスティングフィルムが挙げられる。光透過性のカバー層を形成する手段は、例えば、記録層上にポリカーボネートからなるシートやフィルムなどの透明板を粘着剤などで貼り合わせる方法が挙げられる。さらにこの光透過性のカバー層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。
光学情報記録媒体は、上述したように支持基板、該基板上に形成された反射層、および該反射層上に形成された光透過性ポリカーボネートフィルムのカバー層を有してなり、カバー層側からレーザー光を入射して記録および／または再生を行う方式の光ディスク、例えばＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（ＢＤ）やホログラムディスクに代表される高密度光ディスク用基板が挙げられる。特に、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（記録型）の場合、１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜および記録膜保護膜よりなる記録層、並びに光透過性のカバー層を形成することにより作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。
カバーフィルムを形成する際に使用される接着剤には、紫外線硬化性の高分子材料を主成分として用いてもよい。この場合、紫外線硬化性の高分子材料は、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体であるのが好ましく、紫外線硬化性基は不飽和基であり、かつ、前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は１００，０００以上であるのが好ましい。例えば、紫外線硬化性の高分子材料として、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物などが用いられる。または、紫外線硬化性基を有しないアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよい。その他に、接着剤としては、紫外線硬化性を有しないポリマー成分と紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。いずれの場合であっても、硬化させる前は粘着性を示し、硬化後は強固な接着性および適度な硬さを有するものであるのが好ましい。
記録膜は追記型光ディスクの場合、基板上に、レーザー光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素などが用いられる。
書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅなどの希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄなどの人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金などを用いることができる。
また記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＺｒＯ２などの酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系などの窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３などの硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。
光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザー光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザー光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。
一方、レーザー光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザーで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下であることが好ましく、さらには８０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下であることがより好ましい。
このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒなどの１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導率低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
【実施例】
【０００７】
以下に実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明は何らこれに限定されるものではない。なお、評価は下記の方法に従った。
１．溶融粘度
得られたペレットを、１２０℃にて５時間乾燥後、キャピログラフ［東洋精機社製、Ｄ１］によりキャピラリー長１０ｍｍ、キャピラリー直径１．０ｍｍ、炉体温度２８０℃、せん断速度６．０１×１０３ｓｅｃ−１にて測定した。
２．タンジェンシャルチルト
ジャパン・イー・エム（株）製３次元形状測定器ＤＬＤ−３０００Ｕにて、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下で光ディスクの中心から５８ｍｍ部におけるタンジェンシャルチルト（接線方向のそり）を測定した。
３．折り曲げ試験
光ディスク基板を冶具に、図１のように垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮した。最大１ＭＰａの圧力が基板にかかる。１２０ｍｍから２０ｍｍまで折り曲げる過程で基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
４．環境負荷後の折り曲げ試験
光ディスク基板を温度８０度、湿度８５％ＲＨの環境下に９６時間置き、その後、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの常温常湿下で２４時間放置後、折り曲げ試験を実施した。基板が割れた物を×、割れなかったものを○とした。
実施例１
（ペレットの製造）
ビスフェノールＡを繰り返し単位とし、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１７，０００の粉粒状ポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、ナトリウム金属塩の含有量が１ｐｐｍ未満であるベヘン酸モノグリセライド（０．０４５重量部）、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト（０．００３重量部）を添加し、２４０〜２８０℃の温度範囲で３０ｍｍ単軸押出機によりスレッドを押出しカッターでペレット化した。溶融粘度は、表１に示す。
（光ディスク基板の製造）
得られたペレットを、１２０℃にて５時間乾燥後、射出成形機［住友重機社製、ＳＤ−４０Ｅ］により、表１記載のシリンダ温度および、金型温度、金型内冷却時間で直径１２０ｍｍφ、厚さ１．１ｍｍの光ディスク基板を射出成形した。成形サイクル試験、強度試験の結果は、表１および表２に示す。
実施例２
粘度平均分子量１７，５００の芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に行った。
実施例３
粘度平均分子量１６，５００の芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に行った。
比較例１
粘度平均分子量１５，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に行った。
比較例２
粘度平均分子量１９，０００の芳香族ポリカーボネート樹脂を用いたこと以外は、実施例１と同様に行った。
【表１】
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実施例および比較例から次のことが明らかである。
実施例１〜３は、タンジェンシャルチルトの絶対値が０．３°以下であった。また、折り曲げ試験および環境負荷後の折り曲げ試験も良好であった。環境変化に対する折曲げ性とハイサイクル成形性を有することが明らかである。
比較例１は、タンジェンシャルチルトが０．３°を超えた。冷却時間不足と考えられる。また環境負荷後の折り曲げ試験が不良であった。環境変化に対する折曲げ性とハイサイクル成形のどちらにも問題を有する。
比較例２は、タンジェンシャルチルトが０．３°を超えた。ハイサイクル成形に問題を有する。
発明の効果
本発明の光学情報記録媒体用基板は、複屈折などの光学特性に優れ、グルーブやピットなど高密度な情報信号が正確に転写されている。また本発明の基板は、平面性および剛性に優れ、そりが少なく、振動時の面振れが少ない。また本発明の基板は、折曲げ性に優れ、落下などの衝撃により割れ難く、非常に取り扱いが容易である。特に本発明の基板は、高温、高湿度の環境に維持した後、折曲げても割れ難い。また本発明の基板は、長期かつ過酷な環境下での保管が容易であり、光学情報記録媒体用基板として有用である。
また本発明の基板の製造方法は、成形サイクルを上げても安定して基板を取り扱うことができ、短時間で多量の基板を成形することができる（ハイサイクル成形）。
【産業上の利用可能性】
【０００８】
本発明の光学情報記録媒体用基板は、デジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）の基板、ブルーレイディスク（ＢＤ）の基板などに用いることができる。
【図１】
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【国際調査報告】
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