(57)【要約】  本発明の発光素子は、基板と、基板の上に形成されＮ−電極及びＰ−電極をそれぞれ備える多数の発光セルが電気的にシリアル接続された第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックとを備え、第１の発光セルブロックの一端のＰ−電極が第２の発光セルブロックの一端のＮ−電極に接続され、第１の発光セルブロックの他端のＮ−電極が第２の発光セルブロックの他端のＰ−電極に接続され、第１の発光セルブロックのそれぞれのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックのそれぞれのＰ−電極、または第１の発光セルブロックのそれぞれのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックのそれぞれのＮ−電極が互いに電気的に接続される。本発明によれば、一部の発光セルに漏れ電流が流れるとしても他の方向の発光セルに交差通電されるようにして漏れ電流による一部発光セルの過負荷を防いで交流型発光素子の均一な発光と寿命の増大を期待できる。【選択図】図１
2009505393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成され、Ｎ−電極及びＰ−電極を備える多数の発光セルが電気的にシリアル接続された第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックと、を備え、
前記第１の発光セルブロックの一端のＰ−電極が第２の発光セルブロックの一端のＮ−電極に接続され、第１の発光セルブロックの他端のＮ−電極が第２の発光セルブロックの他端のＰ−電極に接続され、
前記第１の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極、または、第１の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極が互いに電気的に接続されることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックにフリップボンディングされるサブマウント基板をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記サブマウント基板とそれぞれの発光セルとの間には、金属パッドが形成されることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記サブマウント基板の上には金属配線が形成され、前記金属配線により第１の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極、または、第１の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極が互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記サブマウント基板の金属配線は金属パッドを備え、前記金属パッドは第２の配線により接続されるか、あるいは、金属パッド間配線により接続されることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光セルは、
基板の上に形成されたＮ型半導体層と、
前記Ｎ型半導体層の上の一部領域に形成されたＰ型半導体層と、
前記Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層の上にそれぞれ形成されたＮ−電極及びＰ−電極と、を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子に係り、さらに詳しくは、発光セルがパラレル接続された交流用の発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術による発光素子は、基板の上にバッファ層、Ｎ型半導体層、活性層及びＰ型半導体層を順次に形成し、フォトエッチング工程によりＰ型半導体層及び活性層をドライエッチングして一定のサイズを有する複数の発光セルが基板の上に互いに孤立するように基板を露出させ、Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層の上にオーミックコンタクト用の金属層を形成し、隣り合う発光セルの露出したＮ型金属層とＰ型金属層上の露出した領域との間を互いに電気的に接続するためにフォト工程により金属膜を蒸着した後、金などの導電性物質を用いてエアブリッジ工程により隣り合う発光セル同士を空中において接続する。
【０００３】
この後、フォト工程を行い、バンピング用の金属をめっきなどの方法によりＰ型金属層上の領域に５〜３０μｍ程度の厚さに形成して完成する。上記のようにして製作された素子基板を孤立した発光セルの単位に分離して発光セルの上部がパターニングされたサブマウント基板の表面に貼り付けられるようにフリップボンディングを行う。この後、前記サブマウント基板を一定のサイズに切り出してフリップチップ状にし、それぞれのサブマウント基板を組立用のパッケージ基板の上部にダイボンディングを行い、パッケージの電極からサブマウント基板のボンディングパッドに金属線を接続することにより交流型フリップチップが完成する。
【０００４】
このような交流型発光素子は、互いに異なる２方向にそれぞれパラレル接続された電極を有し、交流電源への接続に際して、順方向バイアスにおいては順方向に接続された発光素子列が点灯し、逆方向バイアスにおいては逆方向に接続された発光素子列が点灯するような方式により動作する。
【０００５】
しかしながら、このような集積された交流型発光セルの配列が互いに異なる２方向になっているため、一方の配列の発光素子アレイに電流が順方向に入り込んで点灯されるとき、これらのうち一部の発光セルに漏れ電流が流れる場合、後続する発光セルにおいて過度な電圧降下が起き、過電流が流れて発光セルの発光が一定にならないだけではなく、発光セルが損傷を受けて寿命が短縮することがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上述の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、一部の発光セルにおいて過電流が発生した場合であっても、他の方向の発光セルに交差通電されるようにする発光素子を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、交流型発光素子の均一な発光と寿命の増大を両立させることのできる発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の発光素子は、基板と、前記基板の上に形成され、Ｎ−電極及びＰ−電極を備える多数の発光セルが電気的にシリアル接続された第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックと、を備え、前記第１の発光セルブロックの一端のＰ−電極が第２の発光セルブロックの一端のＮ−電極に接続され、第１の発光セルブロックの他端のＮ−電極が第２の発光セルブロックの他端のＰ−電極に接続され、前記第１の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極、または、第１の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極が互いに電気的に接続される。前記第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックにフリップボンディングされるサブマウント基板をさらに備え、前記サブマウント基板とそれぞれの発光セルとの間には、金属パッドが形成される。
【０００９】
また、前記サブマウント基板の上には金属配線が形成され、前記金属配線により第１の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＰ−電極、または、第１の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極とそれに対応する第２の発光セルブロックの各発光セルのＮ−電極が互いに電気的に接続されることがある。
【００１０】
前記発光セルは、基板の上に形成されたＮ型半導体層と、前記Ｎ型半導体層の上の一部領域に形成されたＰ型半導体層と、前記Ｎ型半導体層及びＰ型半導体層の上にそれぞれ形成されたＮ−電極及びＰ−電極と、を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、交流型発光素子に形成された多数の発光セルをパラレル接続することにより、一部の発光セルにおいて漏れ電流が発生したとしても、他の方向の発光セルに交差通電されるようにして、漏れ電流による一部発光セルの過負荷を防ぐと共に、交流型発光素子の均一な発光と寿命の増大を期待できる発光素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。しかし、本発明は後述する実施の形態に限定されるものではなく、多様な形で実現可能であり、これらの実施の形態は、単なる実例を示すためのものであって、この技術分野における通常の知識を持った者に本発明の範疇を完全に理解させるためのものである。なお、図中、同じ要素には同じ符号を付してある。
【００１３】
以下では、第１の発光セルブロックと第２の発光セルブロックが別々になっているように記述するが、これは１枚の基板の上に形成された発光セルであることに留意されたい。
【００１４】
図１から図６は、本発明の一実施形態による発光素子を説明するための図である。
【００１５】
本発明の一実施形態による発光素子は、図１及び図２に示すように、基板１００上の一方の側に多数の順方向バイアス発光セル２５０ａが第１の配線２００によりシリアル接続された第１の発光セルブロックと、基板１００上の他方の側に多数の逆方向バイアス発光セル２５０ｂが第１の配線２００によりシリアル接続された第２の発光セルブロックと、第１の発光セルブロックの発光セル２５０ａとそれに対応する第２の発光セルブロックの発光セル２５０ｂとの間を電気的に接続する第２の配線２１０と、を備えている。
【００１６】
基板１００とは、発光素子を製作するための通常のウェーハを言うものであり、サファイアまたはＳｉＣなどを用いる。この実施形態においては、サファイア製の結晶成長の基板が用いられている。すなわち、上述した多層の構造は結晶成長の基板の上にエピタキシャル成長により形成される。
【００１７】
発光セル２５０は、基板１００の上に形成されたバッファ層１１０と、バッファ層１１０の上に形成されたＮ型半導体層１２０と、Ｎ型半導体層１２０上の所定の領域に形成された活性層１４０と、活性層１４０の上に形成されたＰ型半導体層１６０と、Ｎ型半導体層１２０の上に形成されたＮ−電極１２５と、Ｐ型半導体層１６０の上に形成されたＰ−電極１６５と、を備えている。
【００１８】
バッファ層１１０は、結晶の成長時に基板と後続層との間の格子不整合を低減するための層であって、窒化物半導体材料であるＡｌＮあるいはＧａＮを含む。
【００１９】
Ｎ型半導体層１２０は、電子が生成される層であって、Ｎ型化合物半導体層とＮ型クラッド層から形成される。このとき、Ｎ型化合物半導体層としては、Ｎ型不純物がドープされているＧａＮを用いる。
【００２０】
活性層１４０は、電子及び正孔が再結合される領域であって、所定のバンドギャップを有し、量子井戸構造に形成可能である。また、活性層１４０にはＩｎＧａＮが含まれていてもよく、活性層１４０を構成する物質の種類に応じて電子及び正孔が結合して発する光の発光波長が変わる。このため、目標とする波長に応じて組成が制御された半導体材料を活性層として用いることが好ましい。
【００２１】
Ｐ型半導体層１６０は、正孔が生成される層であって、Ｐ型クラッド層とＰ型化合物半導体層から形成される。このとき、Ｐ型化合物半導体層としては、Ｐ型不純物がドープされているＡｌＧａＮを用いる。
【００２２】
Ｎ−電極１２５とＰ−電極１６５は発光セル２５０を外部の配線と電気的に接続するためのものであって、Ｎ−電極１２５はＴｉ／Ａｕの積層構造にしてもよい。Ｐ−電極１６５は、透明な導電性薄膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）であって、第１の配線２００を介して入力される電圧をＰ型半導体層１６０に均一に伝える。
【００２３】
また、第１の配線２００は、金などの導電性物質からめっきなどの方法により形成されて、隣り合うＮ型半導体層とＰ型半導体層との間を接続する。
【００２４】
第２の配線２１０は、第１の発光セルブロックの発光セル２５０ａとそれに対応する第２の発光セルブロックの発光セル２５０ｂとの間を電気的に接続し、金（Ａｕ）などの金属から形成される。すなわち、図２に示すこの実施形態の等価回路のように、第２の配線２１０により順方向及び逆方向のバイアス発光セル２５０ａ、２５０ｂがパラレル接続されて、交流電源の印加時に一部の発光セルにおいて過電流が発生したとしても、他の方向の発光セルに交差通電されて過電流による発光セル２５０の損傷を防ぐことができる。
【００２５】
図３から図６は、本発明の一実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【００２６】
以下、上述した発光素子の製造工程を図３から図６に基づいて説明する。先ず、サファイア基板１００の上にバッファ層１１０、Ｎ型半導体層１２０、活性層１４０及びＰ型半導体層１６０を順次に形成する（図３）。次いで、全体の構造の上に感光膜を塗布した後、マスクを用いたフォトエッチング工程を行うことで、それぞれのセルをパターニングするための第１の感光膜パターンを形成する。
【００２７】
次いで、第１の感光膜パターンをエッチングマスクとするエッチング工程により、一部の領域からＰ型半導体層、活性層、Ｎ型半導体層及びバッファ層を除去し、そして、第１の感光膜パターンを除去して発光セルパターンを物理的・電気的に絶縁する（図４）。
【００２８】
次いで、全体の構造の上に感光膜を塗布した後、マスクを用いたフォトエッチング工程を行うことで第２の感光膜パターンを形成する。
【００２９】
続けて、第２の感光膜パターンをエッチングマスクとするエッチング工程を行うことで、一部の領域からＰ型半導体層及び活性層を除去してＮ型半導体層１２０を露出させる（図５）。このとき、Ｎ型半導体層１２０も所定の厚さで一緒に除去することがある。この後、第２の感光膜パターンを所定のストリップ工程により除去する。
【００３０】
次いで、Ｐ型半導体層１６０の上に透明な導電性薄膜を形成してＰ−電極１６５を作る。すなわち、Ｐ型半導体層１６０を露出させる第３の感光膜パターンを形成した後、Ｐ−電極１６５をその上部に形成し、ストリップ工程により第３の感光膜パターンを除去すれば、Ｐ型半導体層１６０の上にＰ−電極１６５が形成される。次いで、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）及び銅（Ｃｕ）などの金属性の導電性膜からＮ型半導体層１２０の上にＮ−電極１２５を形成する。次いで、隣り合う一方の発光セルのＮ−電極と他方の発光セルのＰ−電極との間をエアブリッジ工程またはステップカバレジ工程により第１の配線２００を介して接続して第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックを製作する（図６）。
【００３１】
上記のような第１の発光セルブロック両端のＮ−電極及びＰ−電極と、アノード及びカソードが逆方向となる第２の発光セルブロック両端のＰ−電極及びＮ−電極との間を接続し、第１の発光セルブロックの発光セル２５０ａとそれに対応する第２の発光セルブロックの発光セル２５０ｂとの間をエアブリッジ工程またはステップカバレジ工程により第２の配線２１０を介して接続して交流型発光素子を完成する（図１参照）。
【００３２】
このとき、発光セルは第２の配線によりＰ−電極同士が接続される。言うまでもなく、これとは異なり、Ｎ−電極同士が接続されてもよい。また、上述した工程においては、第１の配線と第２の配線を２回の工程に亘って形成しているが、一回の工程により第１の配線と第２の配線とを同時に形成することもできる。
【００３３】
エアブリッジ工程は、次のようにして行われる。互いに接続するチップ間にフォト工程により感光液を塗布し且つ現像して感光膜パターンを形成し、その上に金属などの物質を真空蒸着などの方法により先ず薄膜として形成し、さらにその上にめっきまたは金属蒸着などの方法により金含有の導電性物質を所定の厚さに塗布する。次いで、ソルベントなどの溶液により感光膜パターンを除去すれば、導電性物質の下部は完全に除去されてブリッジ状の導電性物質のみが空間に形成される。
【００３４】
また、ステップカバレジ工程は、次のようにして行われる。すなわち、互いに接続するチップ間にフォト工程を用いて感光液を塗布し且つ現像して、互いに接続される部分だけを残して他の部分は感光膜パターンで覆い、その上にめっきまたは金属蒸着などの方法により金含有の導電性物質を所定の厚さに塗布する。次いで、ソルベントなどの溶液により感光膜パターンを除去すれば、導電性物質に覆われていない部分は完全に除去され、覆われた部分だけが残されて接続するチップ間を電気的に接続する。
【００３５】
以下、本発明の他の実施形態として、サブマウント基板の金属バンプによりそれぞれの対応する発光セルが接続されるフリップチップ構造に適用したものについて説明する。下記の実施形態においては、上述した実施形態と重複する部分の説明は省く。
【００３６】
図７から図９は、本発明の他の実施形態を説明するための図である。
【００３７】
図７は、本発明の他の実施形態による発光素子を示すものであって、基板１００上の一方の側に多数の順方向バイアス発光セル２５０ａがシリアル接続された第１の発光セルブロックと、基板１００上の他方の側に多数の逆方向バイアス発光セル２５０ｂがシリアル接続された第２の発光セルブロックとを備える第１の基板と、第１の基板にフリップボンディングされ、第１の発光セルブロックの発光セル２５０ａのＰ−電極１６５とそれに対応する第２の発光セルブロックの発光セル２５０ｂのＰ−電極１６５のそれぞれとの間を互いに電気的に接続するサブマウント基板３００と、を備えている。
【００３８】
金属バンプは、サブマウント基板３００とフリップボンディングするためのものであって、Ｐ−電極１６５の上に形成され、所定の時間及び所定の温度下で超音波接合工程またはリフローはんだ付け工程によりフリップボンディングされる。金属バンプ１８０としては、金（Ａｕ）または鉛（Ｐｂ）／錫（Ｓｎ）などが使用可能であるが、この実施形態においては鉛（Ｐｂ）／錫（Ｓｎ）を用いている。
【００３９】
超音波接合工程は、金属バンプ１８０が金（Ａｕ）などの溶融点が高温の場合に用いる工程であって、垂直方向に圧力を加え、且つ、水平方向に６０ＫＨｚ程度の超音波振動を加えて常温下で貼り合わせる。圧力と振動により酸化膜が破壊されて金属接触が発生し、常温下で作業するため冷間接合部（ｃｏｌｄ  ｗｅｌｄ）を形成する。
【００４０】
リフローはんだ付け工程は、金属バンプ１８０が鉛（Ｐｂ）／錫（Ｓｎ）などの低融点合金の場合に用いる工程であって、クリームはんだが供給され、電子部分が実装されているプリント回路配線板をはんだ付け温度が設定されている高温雰囲気の加熱炉に通すことによりプリント回路配線板と電子部分との間を電気的に接続するものである。リフローはんだ付け工程には、加熱源により、赤外線リフロー、熱風リフロー、赤外線および熱風リフロー及び不活性溶剤の気化潜熱による方式などがある。
【００４１】
第１の発光セルブロックは、順方向バイアス発光セル２５０ａがシリアル接続されたものであって、金属配線となる第１の配線２００により接続される。第２の発光セルブロックは、第１の発光セルブロックと同じ構造であるが、逆方向バイアス発光セル２５０ｂが第１の配線２００によりシリアル接続されたものであって、交流電源の印加に際し、正の電圧のときに第１の発光セルブロックが点灯され、負の電圧のときに第２の発光セルブロックが点灯される。
【００４２】
サブマウント基板３００は発光セル２５０の放熱及び外部電源の印加を行うためのものであって、サブマウント基板３００の上において金属配線を介して第１の発光セルブロックの発光セルの電極と第２の発光セルブロックの発光セルの電極との間を接続する。すなわち、サブマウント基板３００の上に金属パッド３２０を形成して、順方向バイアス発光セル２５０ａのＰ−電極１６５とそれに対応する逆方向バイアス発光セル２５０ｂのＰ−電極１６５のそれぞれとの間を電気的に接続する。このとき、金属パッド３２０は、図８に示すように、第２の配線２１０ａにより接続してもよく、図９に示すように、サブマウント基板３００に金属パッド３２０を形成するときに金属パッド３２０間を接続する金属パッド間配線２１０ｂを形成して接続してもよい。
【００４３】
発光セルは、上記の一実施形態による発光セルにおいてＰ−電極１６５の上に形成された金属バンプ１８０をさらに備える。Ｐ−電極１６５は、オーミック電極であって、第１の配線２００を介して入力される電圧をＰ型半導体層１６０に均一に伝える。
【００４４】
図１０から図１２は、本発明の他の実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【００４５】
以下、上述した発光素子の製造工程を図１０から図１２に基づいて説明する。本発明の他の実施形態による発光素子は、上記の一実施形態の方法と同様にして基板１００の上に半導体層を形成し、隣り合う一方の発光セルのＮ−電極と他方の発光セルのＰ−電極との間をエアブリッジ工程またはステップカバレジ工程により第１の配線２００を介して接続する工程を行った後、Ｐ−電極１６５の上に鉛（Ｐｂ）／錫（Ｓｎ）などの合金形の金属バンプ１８０を貼り付けて第１の発光セルブロック及び第２の発光セルブロックを製作する（図１０）。
【００４６】
このとき、金属バンプ１８０の溶融時に金属バンプ１８０が濡れて他の部分に流れることを防ぐために、図示しない保護層を金属バンプ１８０の周りに形成してもよい。保護層は、絶縁の役割に加えて、発光セル２５０を不純物や水分などから保護する役割も兼ねる。
【００４７】
第１の発光セルブロック両端のＰ−電極及びＮ−電極と、第２の発光セルブロック両端のＮ−電極及びＰ−電極との間を接続して第１の基板を完成する。
【００４８】
一方、サブマウント基板３００は、下部層がＳｉＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、ＡｌＮ、金属などの電気伝導性及び熱伝導性を有する物質であって、別の鋳型を用いて製造される。下部層上の全面に電流が１μＡ以下で流れる誘電物質、または電流がまったく流れない絶縁物質から誘電体膜３１０を形成する。このとき、サブマウント基板３００の下部層として導電性物質を用いない場合には、誘電体膜３１０を形成しないこともある。この実施形態においては、熱伝導率を高める目的で、電気伝導性に優れた金属性物質を用いている。このため、誘電体膜３１０を形成して十分な絶縁を行わせてもよい。次いで、第１の基板の金属バンプ１８０が濡れてサブマウント基板３００に貼り付けられるようにサブマウント基板３００の誘電体膜３１０の上にクロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属をスクリーン印刷法または所定のマスクパターンを用いた蒸着工程により金属パッド３２０を形成する。
【００４９】
金属パッド３２０を形成した後、サブマウント基板３００の両端に外部と接続されるボンディングパッド３３０ａ、３３０ｂを形成してサブマウント基板３００を完成する（図１１）。
【００５０】
この後、フリップチップ工程により第１の基板とサブマウント基板３００とを貼り合わせる（図１２）。すなわち、第１の基板のＰ−電極１６５の上に形成された金属バンプ１８０の形状をリフローはんだ付け工程により球状にし、順方向バイアス発光セル２５０ａのＰ−電極１６５と逆方向バイアス発光セル２５０ｂのＰ−電極１６５のそれぞれをサブマウント基板３００の金属パッド３２０の上に貼り付ける。
【００５１】
このとき、金属パッド３２０により順方向バイアス発光セル２５０ａのＰ−電極１６５と順方向バイアス発光セル２５０ａに対応する逆方向バイアス発光セル２５０ｂのＰ−電極１６５との間が電気的に接続される。金属パッド３２０同士は、第２の配線２１０により接続されるか、あるいは、金属パッド３２０の形成時に配線の形状を模した形状に形成して互いに接続されるように製作してもよい。
【００５２】
以上においては、サブマウント基板３００上の金属配線により各発光セルブロック間の電極を接続しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１の基板上において各発光セルブロック間の電極を接続することもできる。すなわち、上述の実施形態と同じ方法により第１の基板上において第１の発光セルブロックの発光セル２５０ａのＰ−電極１６５とそれに対応する第２の発光セルブロックの発光セル２５０ｂのＰ−電極１６５それぞれとの間を第２の配線２１０により電気的に接続することができる。
【００５３】
フリップチップ工程は、リフローはんだ付け工程を用いて金属バンプ１８０を貼り付けることから、自己整列（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｉｎｇ）効果が得られる。
【００５４】
上記工程後、サブマウント基板３００を所定のサイズに切り出してフリップチップ状にし、それぞれのサブマウント基板３００が図示しない組立用のパッケージ基板の上部に取り付けられるようにダイボンディングを行い、組立用のパッケージ基板の電極からサブマウント基板３００のボンディングパッド３３０ａ、３３０ｂに配線を接続することにより交流用のフリップチップを完成する。
【００５５】
ダイボンディングは、半導体部品の組立技術の一つであって、半導体チップをパッケージに取り付ける技術である。半導体チップをパッケージに固定させ、且つ、チップとパッケージとの間の電気的な接続を行うものであって、通常、熱圧着または超音波接合方式が用いられる。
【００５６】
以上、本発明の範囲は上述した実施形態により制限されるものではなく特許請求の範囲に基づき定められ、特許請求の範囲により定められた範囲内で、この技術分野における通常の知識を持った者であれば誰でも種々の変更実施を行うことが可能なことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態による発光素子の平面図である。
【図２】本発明による発光素子の等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図７】本発明の他の実施形態による発光素子の斜視図である。
【図８】本発明の他の実施形態によるサブマウント基板の平面図である。
【図９】本発明の他の実施形態によるサブマウント基板の平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による発光素子の製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００    基板
１１０    バッファ層
１２０    Ｎ型半導体層
１２５    Ｎ−電極
１４０    活性層
１６０    Ｐ型半導体層
１６５    Ｐ−電極
１８０    金属バンプ
２００    第１の配線
２１０    第２の配線
２５０    発光セル
３００    サブマウント基板
３２０    金属パッド
３３０    ボンディングパッド
【図１】
2009505393.tif 000003
【図２】
2009505393.tif 000004
【図３】
2009505393.tif 000005
【図４】
2009505393.tif 000006
【図５】
2009505393.tif 000007
【図６】
2009505393.tif 000008
【図７】
2009505393.tif 000009
【図８】
2009505393.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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