(57)【要約】  ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバ（５１）と、ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバ（５３）と、ロードチャンバ及びアンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ（５４ａ、５４ｂ、５４ｃ）及び複数のプロセスモジュール（５２ａ、５２ｂ）とを具備する。搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、複数の搬送チャンバは、ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバ（５４ａ）と、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバ（５４ｃ）と、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバ（５４ｂ）とを含む。
2009060540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置であって、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送するインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項２】
直列的に接続された前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項３】
前記Ｕ字型配置の内側領域に、前記Ｕ字型配置を構成する前記第１の末端搬送チャンバ、前記中間搬送チャンバ及び前記第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも１つに接続された少なくとも１つのプロセスモジュールを具備する請求項２記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項４】
前記プロセスモジュールのうちの１つは略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面が隣接する２つの搬送チャンバに接続され、該１つのプロセスモジュールに接続された搬送チャンバの１つは略方形の平面形状を有し、該１つのプロセスモジュールに接続される側面と直交する側面が隣接するもう一方のプロセスモジュールに接続される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項５】
前記プロセスモジュールのうちの１つは、２つのゲートバルブを介して隣接する２つの搬送チャンバとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きは直交しており、該２つの搬送チャンバのうちの一方は、２つのゲートバルブを介して該１つのプロセスモジュール及びもう１つのプロセスモジュールとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きは直交している請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項６】
前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々は、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項７】
前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら２つの中間搬送チャンバの各々は、ゲートバルブを介して互いに接続され、当該ゲートバルブと直交する向きの別のゲートバルブを介して異なるプロセスモジュールとそれぞれ接続される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項８】
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、前記第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、前記第２のプロセスモジュールの一方の側面は前記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は前記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項９】
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、直交する向きの２つのゲートバルブの一方を介して前方の搬送チャンバに接続され、他方のゲートバルブを介して後方の搬送チャンバに接続される請求項１記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１０】
少なくとも１つのプロセスモジュールの代わりにバッファチャンバを具備し、前記バッファチャンバは、対向する２つのゲートバルブを介して前後の搬送チャンバと接続されるように構成される請求項８又は９記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１１】
１つのプロセスモジュールの代わりに拡張搬送チャンバを具備し、前記拡張搬送チャンバは、略中央部に位置する搬送機構と、その両側に位置する２つのバッファ部とを含む請求項８又は９記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置及び製造方法に関し、より詳細には、コンパクトな構成のインライン型ウェハ搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体ウェハ搬送装置には幾つかの方式があり、そのいずれもが大きな欠点を有している。従来のクラスタ型のウェハ搬送装置は、中央に位置する搬送チャンバの周囲に複数のプロセスモジュールを放射状に配置した構成を有する。このようなクラスタ型ウェハ搬送装置は、設置のために大きなフットプリント（footprint）を必要とする。また、各プロセスモジュールでの処理が完了するたびに、ウェハはバッファ部などに一時的に置かれて次の処理まで待機するので、装置全体の処理速度は比較的遅い。さらに、設計上の都合により、クラスタ型ウェハ搬送装置におけるプロセスモジュールの数は、通常最大で５台又は６台程度に制限されてしまうことが多い。【０００３】
インライン型のウェハ搬送装置はクラスタ型装置と比較して高い処理速度を有する。しかし、直線的な構造を有するため、最新の半導体製造設備の構造には適合しにくい。また、従来のインライン型ウェハ搬送装置においては、半導体製造過程における真空環境においては、ウェハを搬送する際、ウェハ搬送装置の構成部品同士の摩擦により、許容できないレベルのパーティクルが生じることもある。【０００４】
従来のインライン型のウェハ搬送装置の平面図を図１に示す（例えば、特許文献１を参照）。ウェハ搬送装置１０において、各プロセスモジュール１３ａ乃至１３ｇは隣接して配置され、インラインに接続される。各プロセスモジュールはゲートバルブ（図示せず）により分離されている。ウェハは搬送チャンバ１１内のロボット１２によりロードチャンバ１４から最初のプロセスモジュール１３ａに搬送され、各プロセスモジュールにおいて順次に処理される。処理を終えたウェハはロボット１２により最後のプロセスモジュール１３ｇからアンロードチャンバ１５へと搬送される。ウェハを搬送するための余分なロボットや搬送チャンバが不要であるので、ウェハ搬送装置１０に必要とされるフットプリントは比較的小さい。【０００５】
図１に示すインライン型のウェハ搬送装置１０の一部の断面図を図２に示す。ウェハ２１は、キャリア２３に載せられて、あるプロセスモジュールから次のプロセスモジュールへと搬送される。各プロセスモジュール内において、ウェハ２１はリフト台２６によりキャリア２３から持ち上げられて処理され、再びキャリア２３に載せられて次のプロセスモジュールへと搬送される。キャリア２３はローラ２５などの移送機構を利用して移動される。ウェハ２１が隣接する次のプロセスモジュールに搬送される際には、ゲートバルブ２４が開かれ、隣接するプロセスモジュール同士が互いに密閉されない状態となる。あるプロセスモジュールにおける処理を終えたウェハ２１は、次のプロセスモジュールが空くまで待機する。【０００６】
従来の別のインライン型ウェハ搬送装置３０の平面図を図３に示す（例えば、特許文献２参照）。ウェハ搬送装置３０は２つのＦＯＵＰ（front opening unified pod）３１ａ及び３１ｂを具備する。例えば、ＦＯＵＰ３１ａは、未処理ウェハを格納するカセットを各々が有する２つのロードチャンバ３２ａ及び３２ｂを具備し、ＦＯＵＰ３１ｂは、処理済みウェハを格納するカセットを各々が有する２つのアンロードチャンバ３３ａ及び３３ｂを具備する。ウェハ搬送装置３０は、さらに、搬送の際にウェハを一時的に置くためのバッファチャンバ３６ａ乃至３６ｄを具備する。処理の際、ウェハは、搬送チャンバ３４ａ内のロボット３５ａにより、ロードチャンバ３２ａ又は３２ｂ内のカセットから最初のバッファチャンバ３６ａへ搬送される。図示するように、ウェハ搬送装置３０は、バッファチャンバ同士の間に搬送チャンバ３８ａ乃至３８ｃを備えている。各バッファチャンバとそれに隣接する搬送チャンバとの間、各搬送チャンバとそれに隣接するプロセスモジュールとの間には、図示されるようにゲートバルブ３９が設けられている。一旦バッファチャンバ３６ａに置かれたウェハは、搬送チャンバ３８ａ内のロボットによって最初のプロセスモジュール３７ａへ搬送されて処理される。続いて、当該ウェハは、再び搬送チャンバ３８ａ内のロボットにより第２のプロセスモジュール３７ｂへ搬送されて処理される。第２のプロセモジュール３７ｂでの処理を終えたウェハは、搬送チャンバ３８ａのロボットにより第２のバッファチャンバ３６ｂに置かれる。さらに、ウェハは第２の搬送チャンバ３８ｂのロボットによってバッファチャンバ３６ｂから第３のプロセスモジュール３７ｃへ搬送される。以下同様にして、ウェハはプロセスモジュール３７ｃ乃至３７ｆを順に移動して処理される。すべての処理を終えたウェハは、一旦バッファチャンバ３６ｄに置かれた後、搬送チャンバ３４ｂ内のロボット３５ｂにより、ＦＯＵＰ３１ｂのアンロードチャンバ３３ａ又は３３ｂ内のカセットに格納される。ウェハ搬送装置３０は、必要に応じて、プロセスモジュールの数を柔軟に増やせるという利点を有する。【０００７】
従来のクラスタ型ウェハ搬送装置の平面図を図４に示す（例えば、特許文献３を参照）。ウェハ搬送装置４０は、ウェハ４６を外部から搬入及び搬出するための入口モジュール４５ａ及び出口モジュール４５ｂ、プロセスモジュール４１ｂ、４１ｃ、４１ｆ及び４１ｇにウェハを搬送するための搬送チャンバ４２ａ及び４２ｂ、並びに、搬送チャンバ４２ａ及び４２ｂ内に設けられた搬送ロボット４３ａ及び４３ｂを具備する。主制御器４７は、各プロセスモジュール制御器Ｐ、入口モジュール４５ａ及び出口モジュール４５ｂ並びにオペレータ制御パネルと標準通信バス４８を介して通じている。入口モジュール４５a内の処理されていないウェハ４６は、搬送チャンバ４２ａ内の搬送ロボット４３ａによりアライナー４４に一旦置かれ、アライナー４４上で向きを調整される。その後、アライナー４４上のウェハは、搬送ロボット４３ａ又は４３ｂにより、例えばプロセスモジュール４１ｂ又は４１ｃに搬送され、処理されて、再びアライナー４４上に戻される。このような作業を繰り返した後、プロセスモジュール４１ｂ、４１ｃ、４１ｆ及び４１ｇでの処理を終えたウェハは、搬送ロボット４３ａにより出口モジュール４５ｂに戻される。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１０２０７８号明細書
【特許文献２】米国特許７２１０２４６号明細書
【特許文献３】特表平１−５０００７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図１及び図２に示すインライン型ウェハ搬送装置１０は、ウェハ搬送装置１０内で処理されるウェハを保持することができる移動式のキャリア２３、及び当該キャリア２３の移動のためのローラ２５などの移送機構を具備する必要がある。この場合、ウェハ搬送装置１０の構成は複雑になり、価格が高価となるという問題がある。また、ローラ２５のような移送機構上でキャリア２３を移動させることにより、これらの構成部品の摩擦によってパーティクルが発生しやすいという問題がある。発生したパーティクルがウェハ搬送装置１０内を搬送されるウェハ２１に付着すると、ウェハ上に形成される膜の品質が劣化する。【０００９】
図３に示す従来のインライン型ウェハ搬送装置３０は、ウェハを一時的に置くためのバッファチャンバ３６ａ乃至３６ｄを必要とするため、装置の複雑さが増すという問題がある。また、これらバッファチャンバが必要であることから、ウェハ搬送装置３０に要求されるフットプリントは大きくなる。さらに、バッファチャンバ３６ａ乃至３６ｄを用いずにウェハ搬送装置３０を実現しようとすれば、例えば、第２のプロセスモジュール３７ｂでの処理を終えたウェハを搬送チャンバ３８ａから次の搬送チャンバ３８ｂへ直接受け渡さなければならない。すなわち、ロボット同士の間でのウェハの受け渡しが必要となる。この構成を採用すると、ウェハ搬送装置３０の動作の精度及び信頼性が低下するという問題が生じる。【００１０】
また、図４に示す従来のクラスタ型ウェハ搬送装置４０は、中央に位置する搬送チャンバ４２ａ及び４２ｂを中心として、プロセスモジュールを放射状に配置する構造を有しており、このためフットプリントが大きいという問題がある。さらに、クラスタ型ウェハ搬送装置４０は、各プロセスモジュールにウェハを搬送する前に、一旦アライナー４４にウェハを置く必要がある。このようなアライナーの必要性から、装置全体のフットプリントがさらに大きくなる。そして、１つの処理を終えるごとにウェハをアライナー４４に置く必要があり、複雑な搬送作業が必要である。【００１１】
上述の従来の問題点を解決すべく、本発明は、パーティクルの発生を抑制することができ、複雑な搬送機構を必要とせず、且つフットプリントが小さい、シンプルな構成のインライン型ウェハ搬送装置を実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明のインライン型ウェハ搬送装置は、ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、ロードチャンバ及びアンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールとを具備する。搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、複数の搬送チャンバは、ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含む。【００１３】
第１の末端搬送チャンバはロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送するように構成される。【００１４】
上記構成において、直列的に接続されたロードチャンバ、第１の末端搬送チャンバ、プロセスモジュールの各々、中間搬送チャンバの各々、第２の末端搬送チャンバ及びアンロードチャンバを全体としてＵ字型に配置してもよい。【００１５】
また、上記Ｕ字型配置の内側領域に、Ｕ字型配置を構成する第１の末端搬送チャンバ、中間搬送チャンバ及び第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも１つに接続された少なくとも１つのプロセスモジュールをさらに設けてもよい。【００１６】
また、プロセスモジュールのうちの１つが略方形の平面形状を有し、４つの側面のうち直交するいずれか２つの側面が、当該プロセスモジュールに隣接する２つの搬送チャンバに接続されてもよい。この場合、ウェハ搬送装置の全体構成は一直線ではなく、当該プロセスモジュールにおいて直角に屈折する。さらに、このプロセスモジュールに接続された一方の搬送チャンバを、略方形の平面形状を有し、当該プロセスモジュールに接続される側面と直交する側面が当該搬送チャンバに隣接するもう１つのプロセスモジュールに接続されるように構成してもよい。この場合、ウェハ搬送装置の全体構成は、当該搬送チャンバにおいて再び直角に屈折する。【００１７】
プロセスモジュール及び搬送チャンバの平面形状は方形に限定されない。円形その他様々な平面形状が可能である。プロセスモジュールのうちの１つは、２つのゲートバルブを介して隣接する２つの搬送チャンバとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きが直交するように構成される。そして、当該２つの搬送チャンバのうちの一方は、２つのゲートバルブを介して当該１つのプロセスモジュール及びもう１つのプロセスモジュールとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きが直交するように構成される。【００１８】
さらに、中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバを設け、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々を、方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続されるように構成してもよい。【００１９】
この構成においても、中間搬送チャンバの平面形状は方形に限定されない。円形その他様々な平面形状が可能である。中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバがさらに設けれ、これら２つの中間搬送チャンバの各々は、ゲートバルブを介して互いに接続される。さらに、これら２つの中間搬送チャンバの各々は、当該ゲートバルブと直交する向きの別のゲートバルブを介して異なるプロセスモジュールとそれぞれ接続される。【００２０】
また、２つのウェハを同時に処理することを可能にするため、各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離して構成されてもよい。ここで、これら第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続される。第２のプロセスモジュールの一方の側面は上記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は上記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続される。【００２１】
上記第１及び第２のプロセスモジュールは、略方形、円形など様々な平面形状を有するように構成することができる。第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、直交する向きの２つのゲートバルブの一方を介して前方の搬送チャンバに接続され、他方のゲートバルブを介して後方の搬送チャンバに接続される。【００２２】
また、直線的ではなく屈折した構造のインライン型ウェハ搬送装置を実現するため、少なくとも１つのプロセスモジュールの代わりにバッファチャンバを使用することができる。当該バッファチャンバは、対向する２つの側面がゲートバルブを介して前後の搬送チャンバと接続されるように構成される。【００２３】
また、Ｕ字型構造を実現すべく、１つのプロセスモジュールの代わりに拡張搬送チャンバを設けてもよい。当該拡張搬送チャンバは、略中央部に位置する搬送機構と、その両側に位置する２つのバッファ部とを含む。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、パーティクルの発生を抑制することができ、複雑な搬送機構を必要とせず、且つフットプリントが小さいインライン型ウェハ搬送装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】従来のインライン型ウェハ搬送装置の平面図である。
【図２】図１に示す従来のインライン型ウェハ搬送装置の一部の断面図である。
【図３】従来の別のインライン型ウェハ搬送装置の平面図である。
【図４】従来のクラスタ型ウェハ搬送装置の平面図である。
【図５】本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の平面図である。
【図６】本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図である。
【図７】本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図である。
【図８】図７に示すインライン型ウェハ搬送装置のその他のバリエーションを示す図である。
【図９】図７に示すインライン型ウェハ搬送装置のその他のバリエーションを示す図である。
【図１０】図７に示すインライン型ウェハ搬送装置のその他のバリエーションを示す図である。
【図１１】図７に示すインライン型ウェハ搬送装置の別の構成例の平面図である。
【図１２】本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図である。
【図１３】図１２に示すインライン型ウェハ搬送装置の別の構成例の平面図である。
【図１４】本発明のインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図である。
【図１５】図１４に示すインライン型ウェハ搬送装置の別の構成例の平面図である。
【図１６】図１４に示すインライン型ウェハ搬送装置の別の構成例の平面図である。
【図１７】図１４に示すインライン型ウェハ搬送装置に類似する構成を用いて実際のプロセスを行う様子を示す図である。
【図１８】図１７記載のインライン型ウェハ搬送装置に２つのプロセスモジュールと１つの中間搬送チャンバをさらに追加して実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図１９】図１７記載のインライン型ウェハ搬送装置に２つのプロセスモジュールと１つの中間搬送チャンバをさらに追加して実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２０】図１８に示すようなインライン型ウェハ搬送装置に、さらに４つのプロセスモジュールと２つの中間搬送チャンバを追加して実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２１】図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置を用いて実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２２】図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置を用いて実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２３】図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置を用いて実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２４】図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置を用いて実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【図２５】図１４に示すものと同様の構成のインライン型ウェハ搬送装置を用いて実際のプロセスを行った場合を示す図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０  ウェハ搬送装置
１１  搬送チャンバ
１２  ロボット
１３ａ−１３ｇ  プロセスモジュール
１４  ロードチャンバ
１５  アンロードチャンバ
２１  ウェハ
２３  キャリア
２４  ゲートバルブ
２５  ローラ
２６  リフト台
３０  ウェハ搬送装置
３１ａ、３１ｂ  ＦＯＵＰ
３２ａ、３２ｂ  ロードチャンバ
３３ａ、３３ｂ  プロセスモジュール
３４ａ、３４ｂ  搬送チャンバ
３５ａ、３５ｂ  ロボット
３６ａ−３６ｄ  バッファチャンバ
３７ａ−３７ｆ  プロセスモジュール
３８ａ−３８ｃ  搬送チャンバ
３９  ゲートバルブ
４０  ウェハ搬送装置
４１ｂ、４１ｃ、４１ｆ、４１ｇ  プロセスモジュール
４２ａ、４２ｂ  搬送チャンバ
４３ａ、４３ｂ  搬送ロボット
４４  アライナー
４５ａ  入口モジュール
４５ｂ  出口モジュール
４６  ウェハ
４７  主制御器
４８  標準通信バス
５０  ウェハ搬送装置
５１  ロードチャンバ
５２ａ、５２ｂ  プロセスモジュール
５３  アンロードチャンバ
５４ａ−５４ｃ  搬送チャンバ
５５ａ−５５ｃ  搬送機構
５６ａ−５６ｆ  ゲートバルブ
６０  ウェハ搬送装置
６１  ロード室
６３  アンロード室
１３６、１３７  クリーンルーム
１５２ｅ  プロセスモジュール
１５８  バッファチャンバ
１６８ａ、１６８ｂ  バッファチャンバ
１６４ｄ  拡張搬送チャンバ
１６５ｄ  搬送機構
１６８ｃ、１６８ｄ  バッファ部
１７０、１８０、１９０、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０  ウェハ搬送装置
１７１、１８１、１９１、２０１、２１１、２２１、２３１、２４１、２５１  ロード室
１７２ａ−１７２ｄ、１８２ａ−１８２ｆ、１９２ａ−１９２ｆ、２０２ａ−２０２ｊ、２１２ａ−２１２ｊ、２２２ａ−２２２ｊ、２３２ａ−２３２ｊ、２４２ａ−２４２ｊ、２５２ａ−２５２ｈ  プロセスモジュール
１７３、１８３、１９３、２０３、２１３、２２３、２３３、２４３、２５３  アンロード室
１７４ａ  末端搬送チャンバ
１７５ａ  ウェハ保持手段
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明のインライン型ウェハ搬送装置の平面図を図５に示す。ウェハ搬送装置５０は、外部から未処理ウェハを搬入するためのロードチャンバ５１、搬送機構５５ａを有する第１の末端搬送チャンバ５４ａ、第１のプロセスモジュール５２ａ、搬送機構５５ｂを有する中間搬送チャンバ５４ｂ、第２のプロセスモジュール５２ｂ、搬送機構５５ｃを有する第２の末端搬送チャンバ５４ｃ、及び処理済みウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバ５３が直列的に接続された構成を有する。第１の末端搬送チャンバ５４ａはロードチャンバ５１と第１のプロセスモジュール５２ａとの間に設けられ、中間搬送チャンバ５４ｂは第１のプロセスモジュール５２ａと第２のプロセスモジュール５２ｂとの間に設けられ、第２の末端搬送チャンバ５４ｃは第２のプロセスモジュール５２ｂとアンロードチャンバ５３との間に設けられている。搬送機構５５ａ乃至５５ｃは、例えば、ウェハを移動させるためのアームを有するロボットとして構成される。ロードチャンバ５１は複数のロード室（図示せず）を有してもよく、アンロードチャンバ５３は複数のアンロード室（図示せず）を有してもよい。【００２８】
外部から搬入された未処理ウェハはロードチャンバ５１内に格納される。搬送機構５５ａは未処理ウェハ５７ａをロードチャンバ５１から第１のプロセスモジュール５２ａへと搬送する。搬送機構５５ｂは第１のプロセスモジュール５２ａでの処理を終えたウェハ５７ｂを第２のプロセスモジュール５２ｂへと搬送する。搬送機構５５ｃは第２のプロセスモジュール５２ｂでの処理を終えたウェハ５７ｃをアンロードチャンバ５３へと搬送する。【００２９】
尚、図５に示すように、ロードチャンバ５１と第１の末端搬送チャンバ５４ａとの間、第１の末端搬送チャンバ５４ａと第１のプロセスモジュール５２ａとの間、第１のプロセスモジュール５２ａと中間搬送チャンバ５４ｂとの間、中間搬送チャンバ５４ｂと第２のプロセスモジュール５２ｂとの間、第２のプロセスモジュール５２ｂと第２の末端搬送チャンバ５４ｃとの間、及び第２の末端搬送チャンバ５４ｃとアンロードチャンバ５３との間にゲートバルブ５６ａ乃至５６ｆをそれぞれ設けてもよい。【００３０】
図５に示すウェハ搬送装置５０は、２つのプロセスモジュール５２ａ及び５２ｂ並びに３つの搬送チャンバ５４ａ、５４ｂ及び５４ｃを具備するが、本実施例のウェハ搬送装置の構成はこれに限定されない。ウェハに対してより多くのプロセスを施す必要がある場合には、所望のプロセスの数に応じて、必要な数の中間搬送チャンバ及びプロセスモジュールを第１の末端搬送チャンバ５４ａと第２の末端搬送チャンバ５４ｃとの間に直列的に配置することによって、本実施例のウェハ搬送装置を柔軟に実施できる。すなわち、ウェハ搬送装置５０は、ロードチャンバ５１とアンロードチャンバ５３との間に、複数の搬送チャンバと複数のプロセスモジュールがゲートバルブにより直列的に接続された構成を有するように構成することができる。搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、ロードチャンバ５１及びアンロードチャンバ５３にはそれぞれ第１の末端搬送チャンバ及び第２の末端搬送チャンバが接続される。【００３１】
ロードチャンバ５１は、外部（大気側）からウェハ搬送装置５０に搬入された未処理ウェハを格納し、真空排気機構（図示せず）を備えている。アンロードチャンバ５３は、外部（大気側）へ搬出される処理済みウェハを格納し、真空排気機構（図示せず）を備えている。【００３２】
図５に示す本実施例のインライン型ウェハ搬送装置を用いたプロセスの一例について説明する。まず、外部（大気側）から未処理ウェハをロードチャンバ５１に搬入して格納し、ロードチャンバ５１内を真空排気機構（図示せず）により真空状態とする。次に、第１の末端搬送チャンバ５４ａとロードチャンバ５１との間のゲートバルブ５６ａ及び第１の末端搬送チャンバ５４ａと第１のプロセスモジュール５２ａとの間のゲートバルブ５６ｂを開く。次に、第１の末端搬送チャンバ５４ａ内の搬送機構５５ａによりロードチャンバ５１内の未処理ウェハを第１のプロセスモジュール５２ａに搬送する。開かれていたゲートバルブを閉じた後、搬送されたウェハに対して、第１のプロセスモジュールにおいて所定の処理（例えば、アニーリング）が施される。【００３３】
次に、第１のプロセスモジュール５２ａと中間搬送チャンバ５４ｂとの間のゲートバルブ５６ｃ及び中間搬送チャンバ５４ｂと第２のプロセスモジュール５２ｂとの間のゲートバルブ５６ｄが開かれ、中間搬送チャンバ５４ｂ内の搬送機構５５ｂにより、第１のプロセスモジュール５２ａ内での処理の済んだウェハを第２のプロセスモジュール５２ｂに搬送する。開かれていたゲートバルブを閉じた後、第２のプロセスモジュール５２ｂ内でウェハに対して所定の処理（例えば、スパッタ処理、エッチング処理など）が施される。【００３４】
次に、第２のプロセスモジュール５２ｂと第２の末端搬送チャンバ５５ｃとの間のゲートバルブ５６ｅ及び第２の末端搬送チャンバ５５ｃとアンロードチャンバ５３との間のゲートバルブ５６ｆが開かれ、第２のプロセスモジュール５２ｂでの処理の済んだウェハは、第２の末端搬送チャンバ５４ｃ内の搬送機構５５ｃを用いてアンロードチャンバ５３に搬送され、ウェハ搬送装置５０の外部へ搬出される。高いスループットを得るため、各プロセスモジュールでの処理時間はほぼ同一とする必要がある。ウェハ搬送装置５０全体にわたって１枚のウェハを処理するのに要するタクトタイムが３６秒であれば、ウェハ搬送装置５０のスループットは１００ｐｐｈであり、１００枚のウェハを１時間で処理できる。タクトタイムが１２秒であれば、スループットは３００ｐｐｈであり、１時間で３００枚のウェハを処理できる。【００３５】
本実施例のウェハ搬送装置５０は、図２に示すキャリア２３及びローラ２５のような移送機構を必要としない。このため、ウェハの搬送に際してパーティクルが発生しにくい。また、図３に示すようなバッファチャンバを使用する搬送装置と比較して構成がよりシンプルであり、フットプリントが小さい。さらに、このような簡易な構成により、高い信頼性をもつウェハ搬送装置を実現できる。加えて、図４に示すようなクラスタ型搬送装置と比較しても構成が非常にシンプルであり、フットプリントが小さい。このように、本実施例によれば、上述した従来技術の問題点を総合的に解決することが可能である。また、ウェハは搬送装置５０内をロードチャンバ５１からアンロードチャンバ５３へと一方向に搬送される。このため、あるプロセスモジュールでの処理を終えたウェハを次のプロセスモジュールへ搬送するのと同時に、後続のウェハを前者のプロセスモジュールへと搬入することができる。このため、装置全体のスループットを向上させることができる。
【実施例１】
【００３６】
本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図を図６に示す。ウェハ搬送装置６０は、例えば図６に示すように、ロードチャンバ６１、８台の搬送チャンバ、７台のプロセスモジュール及びアンロードチャンバ６３の配置を直線ではなくＵ字型に変形したインライン型構成を有する。図中の矢印はウェハの搬送方向を示す。途中に配置された２つの搬送チャンバ６４ａ及び６４ｂは例えば略方形状の平面形状を有しており、図示するように、隣接する２つの側面がゲートバルブに結合するように構成される。ウェハ搬送装置６０は当該構成によりＵ字型配置を実現している。尚、図５に示したロードチャンバ５１及びアンロードチャンバ５３に代えて、図６のように、ロード室６１及びアンロード室６３を採用してもよい。図５のウェハ搬送装置５０によれば、必要なプロセスの数が増加に伴って装置全体の長さが長くなり、工場等での設置が困難となる可能性がある。この場合に図６の構成を採用すれば、上述の本発明の特徴を活かしつつ、装置の長さの増大をも抑えることができる。
【実施例２】
【００３７】
本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図を図７に示す。ウェハ搬送装置７０は、9台の搬送チャンバと１０台のプロセスモジュールを具備する。これとは異なる数の構成要素を採用することも当然に可能である。図６のようなＵ字型配置の内側の空いている領域に、少なくとも１つの中間プロセスモジュール７２ｂ及び７２ｄを具備する。中間プロセスモジュール７２ｂ、７２ｄは、それぞれ、Ｕ字型配置を構成している少なくとも１つの搬送チャンバに接続される。この構成により、必要なプロセスの数が少ないウェハについては、短時間での処理が可能となる。例えば、図７中の３つのプロセスモジュール７２ａ、７２ｂ及び７２ｃでの処理のみを必要とするウェハは、プロセスモジュール７２ａでの処理後、搬送チャンバ７４ａを介してプロセスモジュール７２ｂへ搬送されて処理され、さらに搬送チャンバ７４ｂを介してプロセスモジュール７２ｃへ搬送されて処理される。これにより、異なる処理を要するウェハごとに柔軟な搬送経路を選択することができ、全体として処理速度を向上させることができる。また、１つのウェハに対して同じ層を連続して積層する場合にも処理を効率よく行える。例えば、同一ウェハ上にアルミ層を連続して２層形成する必要がある場合、１層目をプロセスモジュール７２ａで形成し、２層目をプロセスモジュール７２ｂで形成することができる。ウェハ搬送装置７０は、同一のプロセスモジュールで２つの処理を行う場合と比較して、装置全体の生産性を下げることなく連続処理が可能となるという効果を奏する。【００３８】
本実施例のインライン型ウェハ搬送装置のその他のバリエーション８０、９０及び１００をそれぞれ図８、図９及び図１０に示す。これらの構成もまた図７のウェハ搬送装置７０と同様の効果を奏する。【００３９】
本実施例のインライン型ウェハ搬送装置の別の構成例の平面図を図１１に示す。ウェハ搬送装置１１０は、搬送チャンバ及びプロセスモジュールを交互に隙間なく敷きつめた構成を有する。図７に示すウェハ搬送装置７０により実現される効果のみならず、ウェハに施すべきプロセスの数が増大した場合のフットプリント増大を抑えることも可能である。また、ウェハ搬送装置１１０は、装置全体のスループットを向上させることができる。例えば、図１１中の点線矢印が示すように、プロセスモジュール１１２ａでの処理を終えたウェハを搬送チャンバ１１４ｂを用いてプロセスモジュール１１２ｂへ搬送するのと同時に、第１の末端搬送チャンバ１１４ａを用いて、未処理ウェハをロードチャンバ１１１からプロセスモジュール１１２ａへと搬送することができる。したがって、図７乃至１０の構成のもつ効果を奏する上、装置全体のスループットをさらに向上させることができる。
【実施例３】
【００４０】
本発明によるインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図を図１２に示す。ウェハ搬送装置１２０は、例えば図１２に示すように８台の搬送チャンバと７台のプロセスモジュールを具備し、７つの異なる又は同一のプロセスの連続処理が可能である。図示されるように、ウェハ搬送装置１２０の全体構成は直線的ではなく、プロセスモジュール１２２ａ及び中間搬送チャンバ１２４ａにおいて直角に屈折する。【００４１】
ウェハ搬送装置１２０を構成するプロセスモジュールは、基本的に、対向する側面がゲートバルブを介して隣接する搬送チャンバと接続されるように構成されている。しかし、図示されるような屈折した構成を実現するため、１つのプロセスモジュール１２２ａは、略方形の平面形状を有し、４つの側面のうち直交する２つの側面が２つのゲートバルブを介して隣接する２つの搬送モジュールにそれぞれ接続されるように構成される。同様に、各搬送チャンバは、基本的に、対向する側面がゲートバルブに結合される。しかし、上記プロセスモジュール１２２ａに隣接する１つの搬送チャンバ１２４ａは、略方形の平面形状を有し、４つの側面のうち直交する２つの側面が２つのゲートバルブを介して隣接する２つの搬送モジュールに接続されるように構成される。尚、プロセスモジュール及び搬送チャンバの平面形状は方形に限定されない。例えば、円形その他様々な平面形状を採用できる。この場合、プロセスモジュールのうちの１つ（図１２における１２２ａに対応する）は、２つのゲートバルブを介して隣接する２つの搬送チャンバとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きが直交するように構成される。さらに、当該２つの搬送チャンバのうちの一方（図１２における１２４ａに対応する）は、２つのゲートバルブを介して当該１つのプロセスモジュール及びもう１つのプロセスモジュールとそれぞれ接続され、これら２つのゲートバルブの向きが直交するように構成される。【００４２】
同じく７つのプロセスが可能な図６のウェハ搬送装置６０と比較すると、ロードチャンバ１２１側の列（図１２の下段）とアンロードチャンバ側の列（図１２の上段）との間の隙間をなくすことにより、フットプリントをより小さくすることができる。すなわち、ウェハ搬送装置６０のもつ効果に加えて、フットプリントをより小さくすることが可能であり、また、同等のスループットを実現できるという効果を奏する。【００４３】
本実施例のウェハ搬送装置の別の構成例を図１３に示す。ウェハ搬送装置１３０は、ロードチャンバ１３１側の列（下段）とアンロードチャンバ１３３側の列（上段）との間に余分な隙間がないという点で図１２のウェハ搬送装置１２０と共通する。一方、ウェハ搬送装置１３０は、ロードチャンバ１３１及びアンロードチャンバ１３３と反対側の装置端部において、１つの中間搬送チャンバ１３４ａに隣接する中間搬送チャンバ１３４ｂをさらに具備する点でウェハ搬送装置１２０と異なる。これら隣接する２つの中間搬送チャンバ１３４ａ及び１３４ｂは、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により、互いに接続される。また、中間搬送チャンバ１３４ａ及び１３４ｂの各々は、直交する２つの側面の他方により、隣接するプロセスモジュール１３２ａ及び１３２ｂの各々とそれぞれ接続される。プロセスモジュール１３２ａでの処理を終えたウェハは、搬送チャンバ１３４ａ内の搬送機構１３５ａにより、隣接する搬送チャンバ１３４ｂ内の搬送機構１３５ｂへと受け渡される。【００４４】
尚、中間搬送チャンバの平面形状は略方形に限定されない。例えば、円形その他様々な平面形状を採用することができる。図１３の中間搬送チャンバ１３４ａ及び１３４ｂの各々はゲートバルブを介して互いに接続される。さらに、これら２つの中間搬送チャンバ１３４ａ及び１３４ｂの各々は、当該ゲートバルブと直交する向きの別のゲートバルブを介して異なるプロセスモジュール１３２ａ及び１３２ｂとそれぞれ接続される。【００４５】
当該構成によれば、図１３に示すように、ロードチャンバ１３１とアンロードチャンバ１３３との位置をそろえて配置することができる。ウェハ搬送装置を実際に使用する工場内は、様々なパーティクルレベルのクリーンルームに分離されている。ウェハ搬送装置は、異なるレベルの２つ以上のクリーンルームにまたがって配置されることもある。例えば、ロードチャンバ１３１及びアンロードチャンバ１３３をパーティクル密度が１０ｐｐｍ程度のクリーンルーム１３６に設置し、他の搬送チャンバ及びプロセスモジュールを１０００ｐｐｍ程度のクリーンルーム１３７に設置することもある。このような場合、ロードチャンバとアンロードチャンバの位置を図１３に示すようにそろえたほうが、工場のレイアウトの観点から都合がよい。ウェハ搬送装置１３０のような構成は、この点でさらなる有利な効果を奏する。また、ウェハ搬送装置１３０は、偶数個のプロセスモジュールを含む場合、フットプリントが最も小さくなるという効果を奏する。
【実施例４】
【００４６】
本発明のインライン型ウェハ搬送装置の別の実施例の平面図を図１４に示す。ウェハ搬送装置１４０は、２つのウェハを同時に処理することが可能となるよう、図５に示す本発明によるウェハ搬送装置５０の構成に変更を加えたものである。ウェハ搬送装置１４０は、図示するように、２つのロード室１４１ａ及び１４１ｂと２つのアンロード室１４３ａ及び１４３ｂとを具備する。ウェハ搬送装置５０におけるプロセスモジュール５２ａは、図１４において、独立に処理可能な一対のプロセスモジュール１４２ａ及び１４２ｅに分離されている。ロード室１４１ａ及び１４１ｂと接続される搬送チャンバ１４４ａは、これらロード室と反対側に、２つのプロセスモジュール１４２ａ及び１４２ｅと接続するための２つの側面を有する。アンロード室１４３ａ及び１４３ｂと接続される搬送チャンバ１４４ｅもまた同様の構成を有する。残りの搬送チャンバ１４４ｂ乃至１４４ｄは、例えば図１４に示すように、上から見て略方形の平面形状を有し、４つの側面を有している。【００４７】
プロセスモジュール１４２ａにおいて、ゲートバルブに結合される隣接する２つの側面のうち一方の側面は、搬送チャンバ１４４ａのロード室とは反対側の側面にゲートバルブを介して接続するように構成される。プロセスモジュール１４２ａの他方の側面は、次の搬送チャンバ１４４ｂのロード室側の側面にゲートバルブを介して接続される。図示するように、プロセスモジュール１４２ｅもまた、プロセスモジュール１４２ａと同様にして搬送チャンバ１４４ａのロード室とは反対側の側面及び搬送チャンバ１４４ｂのロード室側の側面に接続される。【００４８】
その他のプロセスモジュール１４２ｂ乃至１４２ｄ及び１４２ｆ乃至１４２ｈと搬送チャンバ１４４ｂ乃至１４４ｄとは、同様にして図示するように接続される。【００４９】
ウェハ搬送装置１４０において、搬送チャンバ１４４ａは、ロード室１４１ａ及び１４１ｂ、プロセスモジュール１４２ａ、及びプロセスモジュール１４２ｅをそれぞれ接続するための３つの側面を有してもよい。搬送チャンバ１４４ｅもまた同様に構成することができる。その他の搬送チャンバ１４４ｂ乃至１４４ｄは、図示するように、略方形の平面形状を有し、隣接する４つのプロセスモジュールとそれぞれ接続するための４つの側面を有するように構成することができる。これら搬送チャンバ１４４ｂ乃至１４４ｄの平面形状は、例えば略正方状であってもよい。各構成要素をこのように構成することにより、図１４に示すように構成要素を隙間なく接続することができ、ウェハ搬送装置１４０のフットプリントを低減できる。【００５０】
尚、各プロセスモジュール及び搬送チャンバの平面形状は、方形に限定されない。円形その他の様々な平面形状を採用することが可能である。この場合、例えば、プロセスモジュール１４２ａ及び１４２ｅは、それぞれ、直交する向きの２つのゲートバルブの一方を介して前方の第１の末端搬送チャンバ１４４ａに接続され、他方のゲートバルブを介して後方の中間搬送チャンバ１４４ｂに接続される。また、プロセスモジュール１４２ｂ及び１４２ｆは、それぞれ、直交する向きの２つのゲートバルブの一方を介して前方の中間搬送チャンバ１４４ｂに接続され、他方のゲートバルブを介して後方の中間搬送チャンバ１４４ｃに接続される。【００５１】
ウェハ搬送装置１４０によれば、２つのウェハを同時に処理することが可能となる。図１４Ａにおいては、装置の左端に配置された２つのロード室１４１ａ及び１４１ｂが未処理ウェハの蓄積に利用され、装置の右端に配置された２つのアンロード室１４３ａ及び１４３ｂが処理済みウェハの蓄積に利用される。ウェハ搬送装置１４０を使用して２つのウェハを同時に処理する場合、これら２つのウェハは、図１４Ａに示すようにそれぞれ直線的に搬送して各プロセスモジュール内で処理してもよいし、図１４Ｂに示すようにジグザグに搬送して処理してもよい。【００５２】
図１４Ａにおいて、ロード室１４１ａからウェハ搬送装置１４０に搬入されたウェハは上段のプロセスモジュール１４２ａ乃至１４２ｄ内を順に搬送されて、連続的に処理を施され、アンロード室１４３ａから搬出される。プロセスモジュール１４２ａでの処理を終えたウェハが中間搬送チャンバ１４４ｂにより次のプロセスモジュール１４２ｂに搬送されて処理される間に、未処理ウェハが第１の末端搬送チャンバ１４４ａによってロード室１４１ａからプロセスモジュール１４２ａへ搬送されて処理されるため、多数のウェハを高速に処理できる。更に、プロセスモジュール１４２ｂで処理を終えたウェハ（第１のウェハ）が中間搬送チャンバ１４４ｃにより次のプロセスモジュール１４２ｃに搬送されて処理されている間に、プロセスモジュール１４２ａでの処理を終えたウェハ（第２のウェハ）が中間搬送チャンバ１４４ｂにより次のプロセスモジュール１４２ｂに搬送されて処理され、未処理ウェハ（第３のウェハ）が第１の末端搬送チャンバ１４４ａによってロード室１４１ａからプロセスモジュール１４２ａへ搬送されて処理される。このように、本実施例においては、複数のウェハをプロセスチャンバに順次送ることにより同時に処理できるため、スループットの向上を図ることができる。なお、プロセスによっては、１枚目の未処理ウェハをロード室１４１ａに搬送し、プロセスモジュール１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｄで処理を行い、アンロード室１４３aへ搬出した後、２枚目の未処理ウェハをロード室１４１ａに搬入し、プロセスモジュールで処理することも可能である。【００５３】
同様に、図１４Ａにおいてロード室１４１ｂからウェハ搬送装置１４０に搬入されたウェハは、下段のプロセスモジュール１４２ｅ乃至１４２ｈにおいて連続的に処理を施され、アンロード室１４３ｂから搬出される。この場合にも、プロセスモジュール１４２              ｅでの処理を終えたウェハが中間搬送チャンバ１４４ｂにより次のプロセスモジュール１４２ｆに搬送されて処理される間に、未処理ウェハが第１の末端搬送チャンバ１４４ａによってロード室１４１ｂからプロセスモジュール１４２ｅへ搬送されて処理されるため、多数のウェハを高速に処理できる。【００５４】
各チャンバは所望のプロセス順に合わせて配置される。異なるプロセスモジュールを複数含むようにウェハ搬送装置１４０を構成することにより、ウェハ搬送装置１４０内を搬送されるウェハ上に異なる膜を積層して成膜することが可能である。ウェハの処理の順番が固定されている場合には、図１４Ａに示す例のように、ウェハ搬送装置１４０内でウェハを直線的に搬送することにより、高速な処理が可能となる。【００５５】
図１４Ｂに示すように、本実施例のウェハ搬送装置１４０は、ロード室１４１ａから装置内に搬入されたウェハが、予め設定した手順でプロセスモジュール（上段のみ又は下段のみに限定されない）を通過し、処理された後にアンロード室１４３ａ又は１４３ｂから搬出されるように構成することもできる。本実施例は、ウェハが通過するプロセスモジュールを任意に設定できるので、処理の自由度が高くなるという効果を奏する。例えば、同時に処理される２つのウェハ上に異なる構成の積層膜を形成することが可能である。【００５６】
例えば、図１４Ｂの実線矢印で示されるプロセス手順の場合、プロセスモジュール１４２ａでの処理を終えたウェハが中間搬送チャンバ１４４ｂにより次のプロセスモジュール１４２ｆに搬送されて処理される間に、未処理ウェハが第１の末端搬送チャンバ１４４ａによりロード室１４１ｂからプロセスモジュール１４２ａへ搬送されて処理されるため、多数のウェハを高速に処理できる。【００５７】
本実施例のウェハ搬送装置の別の構成例の平面図を図１５に示す。ウェハ搬送装置１５０は、図１４の直線的なウェハ搬送装置１４０を屈折させた構造を有する。あるプロセスモジュールの代わりにバッファチャンバ１５８が挿入されている。バッファチャンバ１５８は、プロセスモジュールとは異なり、対向する２つの側面がゲートバルブを介して隣接する搬送チャンバ１５４ａ及び１５４ｂに接続されるように構成される。当該構成により、図１５に示すような屈折構造が可能となる。プロセスモジュール１５２ａ又は１５２ｂでの処理を終えたウェハは、搬送チャンバ１５４ａ内の搬送機構１５５ａを用いてバッファチャンバ１５８へと搬送される。ウェハはさらに、搬送チャンバ１５４ｂ内の搬送機構１５５ｂにより、バッファチャンバ１５８からプロセスモジュール１５２ｃ又は１５２ｄに搬送されて処理される。尚、バッファチャンバ１５８は、例えば、ウェハの位置や向きのアライメントを行ったり、ウェハに対して加熱処理や冷却処理などを実行するチャンバとして構成してもよい。尚、プロセスモジュールは必ずしも方形の平面形状を有している必要はなく、１５２ｅのように、例えば５角形の平面形状を有してもよい。この場合であっても、本実施例のように、当該プロセスモジュールが隣接する２つの搬送チャンバと余分な隙間なく接するようにウェハ搬送装置１５０を構成することにより、フットプリントをできるだけ小さく抑えることができる。【００５８】
ウェハに対して施すべきプロセスの数が増大すると、図１４に示すウェハ搬送装置１４０の長さもまた増大する。しかし、そのような直線的な構造の装置を設置するスペースが工場内に確保できない場合もありうる。図１５の実施例によれば、１つ又は複数のバッファチャンバを装置内に挿入することにより、設置場所の形状に合わせた構造をもつウェハ搬送装置を容易に実現可能である。【００５９】
本実施例のウェハ搬送装置の別の構成例の平面図を図１６に示す。図１４のウェハ搬送装置１４０をＵ字型とした構成であり、両端部にそれぞれ２つのロード室１４１ａ及び１４１ｂと２つのアンロード室１４３ａ及び１４３ｂとを有する。図１６においては、ロード室１６１ａ及び１６１ｂに搬送チャンバ１６４ａが接続され、当該搬送チャンバ１６４ａに２つのバッファチャンバ１６８ａ及び１６８ｂが接続される。これら２つのバッファチャンバは、次の搬送チャンバ１６４ｂのロード室側の２つの側面にそれぞれ接続される。未処理ウェハは、ロード室１６１ａ又は１６１ｂから搬送チャンバ１６４ａによりバッファチャンバ１６８ａ又は１６８ｂに一旦搬入された後、搬送チャンバ１６４ｂによりプロセスモジュール１６２ａ又は１６２ｂに搬入されて処理される。上述の他の実施例のように、ロード室１６１ａ及び１６１ｂ、搬送チャンバ１６４ａ、バッファチャンバ１６８ａ及び１６８ｂ及び搬送チャンバ１６４ｂに代えて、図１４に示すようなロード室１４１ａ及び１４１ｂ並びに１４４ａからなる構成を採用することもできる。【００６０】
ウェハ搬送装置１６０は、図示するように、ウェハ搬送装置１６０のロード室側の構成（図１６の上段部分）とアンロード室側の構成（図１６の下段部分）とを接続するための拡張搬送チャンバ１６４ｄを具備することを特徴としている。図１４における１つのプロセスモジュールを１つの拡張搬送チャンバ１６４ｄに置き換えた構成である。本実施例のウェハ搬送装置は、図１４のようにプロセスモジュールを２つずつ並列に並べて構成されている。したがって、図６や図７のように上段部分と下段部分との間に通常の搬送チャンバやプロセスモジュールを挿入しても、これらは、図１４の上段部分と下段部分とを接続するのに十分な大きさを有していないため、Ｕ字型構成は実現できない。図１６に示す実施例においては、通常の搬送チャンバをより拡張した構成の拡張搬送チャンバ１６４ｃを用いることにより、Ｕ字型構成を実現することが可能となっている。【００６１】
拡張搬送チャンバ１６４ｃは、略中央部に位置する搬送機構１６５ｄと、その両側に位置するバッファ部１６８ｃ及び１６８ｄとを有する。ウェハは拡張搬送チャンバ１６４ｄに隣接する搬送チャンバ１６４ｃによってバッファ部１６８ｃに置かれ、搬送機構１６５ｄにより反対側のバッファ部１６８ｄへと移され、さらに拡張搬送チャンバ１６４ｄに隣接する搬送チャンバ１６４ｅにより、その後のプロセスモジュールへと搬送される。【００６２】
ウェハ搬送装置１６０は、そのＵ字型構成により、ロード室１６１ａ及び１６１ｂとアンロード室１６３ａ及び１６３ｂとの位置をそろえて配置することができる。このため、ウェハ搬送装置１６０は、図１３のウェハ搬送装置１３０と同様、異なるレベルの２つのクリーンルーム１６６及び１６７にまたがって配置しやすいという特徴を有する。このほかにも、様々な形状の拡張搬送チャンバ１６４ｄを利用することにより、設置スペースのレイアウトに応じた構造のインライン型ウェハ搬送装置を柔軟に実現することができる。【００６３】
図１４に示す本実施例のウェハ搬送装置に類似する構成のインライン型ウェハ搬送装置１７０を用いて実際のプロセスを行う様子を図１７に示す。LaHfOxやLaAlOxなど、半導体デバイスに用いられる絶縁膜をウェハ上に成膜することを想定している。【００６４】
まず、ロード室１７１の外部（大気側）から未処理ウェハをロード室１７１に搬入した後、真空排気機構（図示せず）を用いて、ロード室１７１を真空排気する。次に、第１の末端搬送チャンバ１７４ａ内の搬送機構を構成する第１のウェハ保持手段１７５ａを用いて未処理ウェハを第１のプロセスモジュール１７２ａに搬入し、ウェハからのガス抜き（デガス）あるいはウェハのプリクリーニングを行う。次に、第２のプロセスモジュール１７２ｂ内で、ＲＦスパッタによりウェハ上にLaHfOxやLaAlOx あるいはこれらの積層膜を成膜する。例えば、第２のプロセスモジュール１７２ｂは、ターゲット材料LaHfOxやLaAlOxを保持するカソード電極を内部に具備する。ガス導入口（図示せず）から、第２のプロセスモジュール１７２ｂ内に例えばアルゴン（Ａｒ）ガスが導入され、さらにカソード電極にＲＦ電力が印加されると、プロセスモジュール１７２ｂ内にプラズマが発生する。プラズマから引き出されたＡｒイオン等がターゲットに衝突し、スパッタ粒子としてウェハ上に所望の膜が形成される。必要に応じて第３のプロセスモジュール１７２ｃ内においてウェハに対してＵＨＶアニールを行い、さらに第４のプロセスモジュール１７２ｄ内での所定の処理を行った後、最終的に処理済みウェハをアンロード室１７３から搬出する。各搬送チャンバは、図示するように、２つのアームを備えたダブルアーム構成としてもよい。【００６５】
図１８は、図１７記載のインライン型ウェハ搬送装置に第５のプロセスモジュール１８２ｅ及び第６のプロセスモジュール１８２ｆと１つの中間搬送チャンバをさらに追加して実際のプロセスを行った場合を示したものである。メモリーデバイスに使用されるビアホール埋め込みを含む配線用Al膜の成膜フローを想定し、膜構成を、例えば、Ti(20nｍ)/TiN(60nm)/Seed-Al(200nm)/Fill-Al(450nm)とした。【００６６】
まず、ロード室１８１に外部（大気側）から未処理ウェハを搬入し、ロード室１８１を真空排気する。次に、第１のプロセスモジュール１８２ａに未処理ウェハを搬入した後、ウェハのデガスを行い、第２のプロセスモジュール１８２ｂ内でウェハ表面のプレクリーニングを行う。次に第３のプロセスモジュール１８２ｃにウェハを搬入し、チタン膜（例えば、20nm）とTiN膜（例えば、60nm）を順次成膜する。次に、ウェハを第３のプロセスモジュール１８２ｃから第４のプロセスモジュール１８２ｄに搬入し、Seed-Al膜（例えば、200nm）を成膜する。次に、ウェハを第４のプロセスモジュール１８２ｄから第５のプロセスモジュール１８２ｅに搬入し、Fill-Al膜（例えば、450nm）を成膜する。次に、ウェハを第５のプロセスモジュール１８２ｅから第６のプロセスモジュール１８２ｆに搬入し、上記ウェハを冷却した後、アンロード室１８３から外部（大気側）に搬出する。なお、図１８においては、１８２ｃでＴｉ膜を２０nm成膜し、１８２ｄでＳｅｅｄ−Ａｌ膜を２００ｎｍ成膜しているが、１８２ｃのプロセスモジュールを２つ用意し、１つ目のプロセスモジュールでＴｉ膜を１０nm成膜、２つ目のプロセスモジュールでＴｉ膜を１０nm成膜し、合計でＴｉ膜を２０nm成膜することも可能である。例えば、１８２ｃの成膜に２分、１８２ｄの成膜に１分を要する場合には、１８２ｃのチャンバを２つ用意することにより、処理待ちのウエハを無くすることができ、結果的にスループットの向上を図ることができる。【００６７】
図１９は、図１７記載のインライン型ウェハ搬送装置に第５のプロセスモジュール１９２ｅ及び第６のプロセスモジュール１９２ｆと１つの中間搬送チャンバをさらに追加して、実際のプロセスを行った場合を示したものである。想定したプロセスは、磁性膜の積層膜をエッチングした後、大気開放することなくCVDでカバー膜を成膜する加工／成膜一貫プロセスである。例えば、エッチングする被エッチング膜の構成はPR/Ta/TMRである。未処理ウェハはロード室１９１に搬入される。先ず必要に応じ、第１のプロセスモジュール１９２ａにおいてレジストのトリミングを行い、第２のプロセスモジュール１９２ｂにおいてそのレジストをマスクとしてCF4系のガスでTa膜の反応性イオンエッチング（RIE）を行う。更にレジスト剥離を目的に同一のプロセスモジュール１９２ｂ内でレジストを除去する。ウェハを第３のプロセスモジュール１９２ｃに搬送した後、CH3OHプロセスでTMR構造の磁性膜積層膜のRIEを行う。更にウェハを第４のプロセスモジュール１９２ｄに搬送し、CH3OHでのRIE後の表面クリーニングを目的にイオンビームエッチング（IBE）を行う。IBE後のウェハを真空一貫で搬送した後、第５のプロセスモジュール１９２ｅにおいて、プラズマCVDまたはリモートプラズマCVDで窒化膜または酸化膜、カーボン膜などを成膜する。第６のプロセスモジュール１９２ｆでの所定の処理を行った後、ウェハはアンロード室１９３から搬出される。【００６８】
図２０は、図１８に示すようなインライン型ウェハ搬送装置に、さらに４つのプロセスモジュールと２つの中間搬送チャンバを追加した構成のウェハ搬送装置２００を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）に使用される記憶セル部のTMR積層膜の成膜フローを想定した。膜構成を、例えば、Ta(20nm)/Ru(5 nm)/IrMn (7 nm) /CoFe (2.5 nm) /Ru (0.9 nm) /CoFeB (3 nm) /MgO (1 nm) /CoFeB (3 nm) /Ta (2 nm) /Ru (10 nm) /Ta (30 nm)とした。【００６９】
第１のプロセスモジュール２０２ａにおいてエッチング処理を行った後、第２のプロセスモジュール２０２ｂにおいてTa膜(例えば、20 nm)を、第３のプロセスモジュール２０２ｃにおいてRu膜(例えば、5 nm) を、第４のプロセスモジュール２０２ｄにおいてIrMn膜(例えば、7 nm)およびCoFe膜(例えば、2.5nm)を、第５のプロセスモジュール２０２ｅにおいてRu膜 (例えば、0.9 nm) およびCoFeB膜(例えば、3 nm) を、それぞれDCスパッタにより成膜する。さらに、第６のプロセスモジュール２０２ｆにおいてMgO膜 (例えば、1nm) をRFスパッタにより成膜し、第７のプロセスモジュール２０２ｇにおいてCoFeB膜 (例えば、3nm)およびTa膜 (例えば、2nm) を、第８のプロセスモジュール２０２ｈにおいてRu膜 (例えば、10nm)を、第９のプロセスモジュール２０２ｉにおいてTa膜 (例えば、30nm) をDCスパッタで成膜する。さらに第１０のプロセスモジュール２０２ｊにおいて所定の処理を行う。上記プロセスはMgO膜をRFスパッタで成膜している。なお、図２０においては、２０２ｂでＴａ膜を２０nm成膜し、２０２ｃでＲｕ膜を５ｎｍ成膜しているが、２０２ｂのプロセスモジュールを２つ用意し、１つ目のプロセスモジュールでＴａ膜を１０nm成膜、２つ目のプロセスモジュールでＴａ膜を１０nm成膜し、合計でＴａ膜を２０nm成膜することも可能である。例えば、２０２ｂの成膜に２分、２０２ｃの成膜に１分を要する場合には、２０２ｂのチャンバを２つ用意することにより、処理待ちのウェハを無くすることができ、結果的にスループットの向上を図ることができる。【００７０】
図２１は、図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置２１０を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。MRAMに使用される記憶セル部のTMR積層膜の成膜フローを想定した。膜構成を、例えば、Ta(20nm)/Ru(5 nm)/IrMn (7 nm) /CoFe (2.5 nm) /Ru (0.9 nm) /CoFeB (3 nm) /MgO (1 nm) /CoFeB (3 nm) /Ta (2 nm) /Ru (10 nm) /Ta (30 nm)とした。【００７１】
第１のプロセスモジュール２１２ａにおいてエッチング処理を行った後、第２のプロセスモジュール２１２ｂにおいてTa膜(例えば、20 nm)を、第３のプロセスモジュール２１２ｃにおいて Ru膜(例えば、5 nm)を、第４のプロセスモジュール２１２ｄにおいてIrMn膜 (例えば、7 nm)及びCoFe膜 (例えば、2.5 nm)を、第５のプロセスモジュール２１２ｅにおいてRu 膜(例えば、0.9 nm)及びCoFeB膜 (例えば、3 nm)を、第６のプロセスモジュール２１２ｆにおいてMg膜 (例えば、1 nm)を成膜し、第７のプロセスモジュール２１２ｇにおいて当該Mg膜を酸化する。さらに、第８のプロセスモジュール２１２ｈにおいてCoFeB膜 (例えば、3nm)及びTa 膜(例えば、2nm)を、第９のプロセスモジュール２１２ｉにおいてRu膜 (例えば、10nm) を、第１０のプロセスモジュール２１２ｊにおいてTa 膜(例えば、30nm)を成膜する。上記プロセスにおいて、Mg膜をDCスパッタで成膜した後、酸化によりMgO膜を形成している。第１のプロセスモジュール２１２ａはエッチングモジュールであり、第７のプロセスモジュール２１２ｇは酸化モジュールである。なお、図２１においては、２１２ｂでＴａ膜を２０nm成膜し、２１２ｃでＲｕ膜を５ｎｍ成膜しているが、２１２ｂのプロセスモジュールを２つ用意し、１つ目のプロセスモジュールでＴａ膜を１０nm成膜、２つ目のプロセスモジュールでＴａ膜を１０nm成膜し、合計でＴａ膜を２０nm成膜することも可能である。例えば、２１２ｂの成膜に２分、２１２ｃの成膜に１分を要する場合には、２１２ｂのチャンバを２つ用意することにより、処理待ちのウエハを無くすることができ、結果的にスループットの向上を図ることができる。【００７２】
図２２は、図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置２２０を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。半導体デバイスに用いられる絶縁膜であるCrOx/AlOx積層膜、CrOxの単層膜又はAlOxの単層膜の成膜フローを想定している。第２のプロセスモジュール２２２ｂにおいてCr膜を成膜した後、第３のプロセスモジュール２２２ｃにおける酸化プロセスにより、CrOx膜を形成する。AlOx膜の形成に関しても同様であり、第６のプロセスモジュール２２２ｆにおいてAl膜を成膜した後、第７のプロセスモジュール２２２ｇにおける酸化プロセスでAlOx膜を形成する。必要な膜厚に応じて、図２２に示すようにCr成膜モジュール（２２２ｂ、２２２ｄ）と酸化モジュール（２２２ｃ、２２２ｅ）を複数セット（図示せず）用意し、戻り搬送無しでCrOxの成膜を行う。また、必要な膜厚に応じて、Al成膜モジュール（２２２ｆ、２２２ｈ）と酸化モジュール（２２２ｇ、２２２ｉ）を複数セット（図示せず）用意し、戻り搬送無しでAlOxの成膜を行う。所望のCrOx/AlOx積層膜、CrOxの単層膜又はAlOxの単層膜の成膜完了後、第１０のプロセスモジュール２２２ｊにおいてアニール処理を行う。なお、図２２において、第１のプロセスモジュール２２２ａはデガスモジュールであり、第３のプロセスモジュール２２２ｃ、第５のプロセスモジュール２２２ｅ、第７のプロセスモジュール２２２ｇ及び第９のプロセスモジュール２２２ｉは、酸化モジュールであり、第１０のプロセスモジュール２２２ｊはアニールモジュールである。【００７３】
図２３は、図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置２３０を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。半導体デバイスに用いられる絶縁膜であるCrOx/AlOx積層膜、CrOxの単層膜又はAlOxの単層膜の成膜フローを想定している。第２のプロセスモジュール２３２ｂにおいてCr膜を成膜した後、第３のプロセスモジュール２３２ｃにおける酸化プロセスによりCrOx膜を形成する。AlOx膜の形成に関しても同様であり、第６のプロセスモジュール２３２ｆにおいてAl膜を成膜した後、第７のプロセスモジュール２３２ｇにおける酸化プロセスでAlOx膜を形成する。必要な膜厚に応じて、Cr成膜モジュール（２３２ｂ、２３２ｄ）と酸化モジュール（２３２ｃ、２３２ｅ）を複数セット（図示せず）用意し、成膜及び酸化を戻り搬送で繰り返す。仮に、20nmのCrOx膜を成膜する際には、1nmのCr膜を成膜した後、酸化モジュールにてCrOx膜を2nm形成し、これらの作業を10回繰り返してCrOx膜（20nm）の成膜を行う。AlOx膜についても同様である。所望のCrOx/AlOx積層膜、CrOxの単層膜又はAlOxの単層膜の成膜を完了した後、第１０のプロセスモジュール２３２ｊにおいてアニール処理を行う。なお、図２３においても、第１のプロセスモジュール２３２ａはデガスモジュールであり、第３のプロセスモジュール２３２ｃ、第５のプロセスモジュール２３２ｅ、第７のプロセスモジュール２３２ｇ及び第９のプロセスモジュール２３２ｉは、酸化モジュールであり、第１０のプロセスモジュール２３２ｊはアニールモジュールである。【００７４】
図２４は、図２０と同様のインライン型ウェハ搬送装置２４０を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。半導体デバイスに用いられる絶縁膜であるLaAlOx膜の成膜フローを想定している。第２のプロセスモジュール２４２ｂにおいてLaとAlのコスパッタ（Co-Sputtering）でLaAl合金を成膜した後、第３のプロセスモジュール２４２ｃにおける酸化プロセスによりLaAlOx膜を形成する。更に第４のプロセスモジュール２４２ｄにおいてLaとAlのコスパッタでLaAl膜を成膜した後、第５のプロセスモジュール２４２ｅにおける酸化プロセスによりLaAlOx膜を形成する。同様に成膜（第６のプロセスモジュール２４２ｆ）と酸化（第７のプロセスモジュール２４２ｇ）、成膜（第８のプロセスモジュール２４２ｈ）と酸化（第９のプロセスモジュール２４２ｉ）を繰り返す。所望のLaAlOx膜を形成する為に上記セットを繰り返す。【００７５】
なお、図２４においても、第１のプロセスモジュール２４２ａはデガスモジュールであり、第３のプロセスモジュール２４２ｃ、第５のプロセスモジュール２４２ｅ、第７のプロセスモジュール２４２ｇ及び第９のプロセスモジュール２４２ｉは、酸化モジュールであり、第１０のプロセスモジュール２４２ｊはアニールモジュールである。【００７６】
図２５は、図１４に示すものと同様の構成のインライン型ウェハ搬送装置２５０を用いて実際のプロセスを行った場合を示したものである。メモリー系デバイスに使用されるビアホール埋め込みを含む配線用Al成膜の成膜フローを想定している。膜構成は、例えば、Ti(20nｍ) / TiN(60nm) / Seed-Al(200nm) / Fill-Al(450nm) /TiN(100nm)とした。まず、ロード室２５１に外部（大気側）から未処理ウェハを搬入し、ロード室２５１内を真空排気する。次に、第１のプロセスモジュール２５２ａに未処理ウェハを搬入した後、ウェハのデガスを行い、続いて、第２のプロセスモジュール２５２ｂ内でウェハ表面のプレクリーニングを行う。次に、第３のプロセスモジュール２５２ｃにウェハを搬入し、チタン膜(例えば、20nm)とTiN膜(例えば、60nm)を順次成膜する。次に、ウェハを第４のプロセスモジュール２５２ｃから第４のプロセスモジュール２５２ｄに搬入し、Seed-Al膜(例えば、200nm)を成膜する。次に、ウェハを第４のプロセスモジュール２５２ｄから第５のプロセスモジュール２５２ｅに搬入し、Fill-Al膜(例えば、450nm )を成膜する。次に、ウェハを第５のプロセスモジュール２５２ｅから第６のプロセスモジュール２５２ｆに搬入し、上記ウェハを冷却する。その後、第７又は第８のプロセスモジュール２５２ｇ又は２５２ｈにてTiNのARC Capを成膜し、アンロード室２５３から外部（大気側）に処理済みウェハを搬出する。【００７７】
図２５においては、第１のプロセスモジュール２５２ａはデガスモジュールであり、第２のプロセスモジュール２５２ｂはプレクリーニングモジュールであり、第６のプロセスモジュール２５２ｆは冷却モジュールである。なお、図２５においては、２５２ｃでＴｉ膜を２０nm成膜し、２５２ｄでＳｅｅｄ−Ａｌ膜を２００ｎｍ成膜しているが、２５２ｃのプロセスモジュールを２つ用意し、１つ目のプロセスモジュールでＴｉ膜を１０nm成膜し、２つ目のプロセスモジュールでＴｉ膜を１０nm成膜し、合計でＴｉ膜を２０nm成膜することも可能である。例えば、２５２ｃの成膜に２分、２５２ｄの成膜に１分を要する場合には、２５２ｃのチャンバを２つ用意することにより、処理待ちのウエハを無くすることができ、結果的にスループットの向上を図ることができる。【００７８】
尚、図１７乃至２５に示す実施例において、各プロセスモジュールはダブルアーム構成として図示されているが、シングルアーム構成とすることも可能である。
【図１】
2009060540.tif 000003
【図２】
2009060540.tif 000004
【図３】
2009060540.tif 000005
【図４】
2009060540.tif 000006
【図５】
2009060540.tif 000007
【図６】
2009060540.tif 000008
【図７】
2009060540.tif 000009
【図８】
2009060540.tif 000010
【図９】
2009060540.tif 000011
【図１０】
2009060540.tif 000012
【図１１】
2009060540.tif 000013
【図１２】
2009060540.tif 000014
【図１３】
2009060540.tif 000015
【図１４】
2009060540.tif 000016
【図１５】
2009060540.tif 000017
【図１６】
2009060540.tif 000018
【図１７】
2009060540.tif 000019
【図１８】
2009060540.tif 000020
【図１９】
2009060540.tif 000021
【図２０】
2009060540.tif 000022
【図２１】
2009060540.tif 000023
【図２２】
2009060540.tif 000024
【図２３】
2009060540.tif 000025
【図２４】
2009060540.tif 000026
【図２５】
2009060540.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（削除）
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記Ｕ字型配置の内側領域に、前記Ｕ字型配置を構成する、前記第１の末端搬送チャンバ、前記中間搬送チャンバ及び前記第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも１つに両端が接続された少なくとも１つのプロセスモジュールを具備することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項４】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記プロセスモジュールのうちの１つは、直交する２つの側面が隣接する２つの搬送チャンバに接続され、該１つのプロセスモジュールに接続された搬送チャンバの１つは、該１つのプロセスモジュールに接続される側面と直交する側面にて隣接するもう一方のプロセスモジュールに接続されていることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項５】
（削除）
【請求項６】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々は、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項７】
（削除）
【請求項８】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、前記第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、前記第２のプロセスモジュールの一方の側面は前記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は前記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項９】
（削除）
【請求項１０】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、前記第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、前記第２のプロセスモジュールの一方の側面は前記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は前記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、
前記プロセスモジュールの少なくとも１つにおいて、前記第１のプロセスモジュールおよび前記第２のプロセスモジュールの少なくとも一方の代わりにバッファチャンバを具備し、前記バッファチャンバは、対向する２つのゲートバルブを介して前後の搬送チャンバと接続されるように構成されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１１】
（削除）
【請求項１２】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記Ｕ字型配置の内側領域に、前記Ｕ字型配置を構成する、前記第１の末端搬送チャンバ、前記中間搬送チャンバ及び前記第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも２つに接続された少なくとも２つのプロセスモジュールを具備することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１３】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々は、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１４】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
Ｕ字型屈折部分に配置された１つのプロセスモジュールの代わりに拡張搬送チャンバを具備し、前記拡張搬送チャンバは、該拡張搬送チャンバの前段に配置された中間搬送チャンバから前記拡張搬送チャンバの後段に配置された中間搬送チャンバへとウェハを搬送することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項１５】
前記拡張搬送チャンバは、略中央部に位置する搬送機構と、該搬送機構の両側に位置する２つのバッファ部とを含むことを特徴とする請求項１４に記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成22年3月9日(2010.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記Ｕ字型配置の内側領域に、前記Ｕ字型配置を構成する、前記第１の末端搬送チャンバ、前記中間搬送チャンバ及び前記第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも１つに両端が接続された少なくとも１つのプロセスモジュールを具備することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項２】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記プロセスモジュールのうちの１つは、直交する２つの側面が隣接する２つの搬送チャンバに接続され、該１つのプロセスモジュールに接続された搬送チャンバの１つは、該１つのプロセスモジュールに接続される側面と直交する側面にて隣接するもう一方のプロセスモジュールに接続されていることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項３】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々は、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項４】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、前記第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、前記第２のプロセスモジュールの一方の側面は前記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は前記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項５】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
各プロセスモジュールは、独立に処理可能な第１のプロセスモジュールと第２のプロセスモジュールとにそれぞれ分離され、
前記第１のプロセスモジュール及び第２のプロセスモジュールは、それぞれ、隣接する２つの側面を有し、前記第１のプロセスモジュールの一方の側面は前方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は後方の搬送チャンバの１つの側面にゲートバルブを介して接続され、前記第２のプロセスモジュールの一方の側面は前記前方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、他方の側面は前記後方の搬送チャンバの別の１つの側面にゲートバルブを介して接続され、
前記プロセスモジュールの少なくとも１つにおいて、前記第１のプロセスモジュールおよび前記第２のプロセスモジュールの少なくとも一方の代わりにバッファチャンバを具備し、前記バッファチャンバは、対向する２つのゲートバルブを介して前後の搬送チャンバと接続されるように構成されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項６】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
前記Ｕ字型配置の内側領域に、前記Ｕ字型配置を構成する、前記第１の末端搬送チャンバ、前記中間搬送チャンバ及び前記第２の末端搬送チャンバのうち少なくとも２つに接続された少なくとも２つのプロセスモジュールを具備することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項７】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
Ｕ字型屈折部分に配置された前記中間搬送チャンバのうちの１つに隣接する１つの中間搬送チャンバをさらに具備し、これら隣接する２つの中間搬送チャンバの各々は、略方形の平面形状を有し、直交する２つの側面の一方により互いに接続され、他方の側面により隣接するプロセスモジュールに接続されることを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項８】
ウェハを外部から搬入するためのロードチャンバと、
ウェハを外部へ搬出するためのアンロードチャンバと、
前記ロードチャンバ及び前記アンロードチャンバの間に直列的に接続された複数の搬送チャンバ及び複数のプロセスモジュールと
を具備するインライン型ウェハ搬送装置において、
搬送チャンバとプロセスモジュールとは交互に接続され、
前記複数の搬送チャンバは、前記ロードチャンバに接続される第１の末端搬送チャンバと、前記アンロードチャンバに接続される第２の末端搬送チャンバと、その他の１つ又は複数の中間搬送チャンバとを含み、
前記第１の末端搬送チャンバは前記ロードチャンバから最初のプロセスモジュールへウェハを搬送し、前記中間搬送チャンバの各々は前後に位置するプロセスモジュール間でウェハを搬送し、前記第２の末端搬送チャンバは最後のプロセスモジュールから前記アンロードチャンバへウェハを搬送し、
前記プロセスモジュール及び前記搬送チャンバは、略方形の平面形状を有し、
直列的に接続された、前記ロードチャンバ、前記第１の末端搬送チャンバ、前記プロセスモジュールの各々、前記中間搬送チャンバの各々、前記第２の末端搬送チャンバ及び前記アンロードチャンバが全体としてＵ字型に配置され、
Ｕ字型屈折部分に配置された１つのプロセスモジュールの代わりに拡張搬送チャンバを具備し、前記拡張搬送チャンバは、該拡張搬送チャンバの前段に配置された中間搬送チャンバから前記拡張搬送チャンバの後段に配置された中間搬送チャンバへとウェハを搬送することを特徴とするインライン型ウェハ搬送装置。
【請求項９】
前記拡張搬送チャンバは、略中央部に位置する搬送機構と、該搬送機構の両側に位置する２つのバッファ部とを含むことを特徴とする請求項８に記載のインライン型ウェハ搬送装置。
【国際調査報告】
2009060540.tif 000028
2009060540.tif 000029
2009060540.tif 000030
2009060540.tif 000031