(57)【要約】  スズ化合物と、錯化剤と、シランカップリング剤とを含有する。これにより、処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面処理剤および表面処理方法を提供する。
2009110364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズ化合物と、錯化剤と、シランカップリング剤とを含有することを特徴とする銅の表面処理剤。
【請求項２】
上記錯化剤として、少なくともチオ尿素もしくはその誘導体を含有することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項３】
さらに、フッ素化合物または有機酸を含有することを特徴とする請求の範囲第１項または第２項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項４】
ｐＨが５以下であることを特徴とする請求の範囲第３項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項５】
上記シランカップリング剤がメルカプト基、エポキシ基またはアミノ基を有するものであることを特徴とする請求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項６】
上記シランカップリング剤が３量体以上のシランカップリング剤縮合体を含んでいることを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項７】
上記スズ化合物の重量に対する上記シランカップリング剤の重量の比が０．００１以上、１００以下の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項８】
上記表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、２００，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項〜第７項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項９】
上記表面処理剤全体に対する上記シランカップリング剤の濃度が１０ｐｐｍ以上、１００，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求の範囲第１項〜第８項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１０】
さらに、還元剤を含有することを特徴とする請求の範囲第１項〜第９項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１１】
さらに、防錆剤を含有することを特徴とする請求の範囲第１項〜第１０項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１２】
上記防錆剤がテトラゾール、トリアゾール、イミダゾール、チオールから選ばれる少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１３】
さらに、金属化合物を含有することを特徴とする請求の範囲第１項〜第１２項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１４】
上記金属化合物がＡｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の金属を含有する化合物であることを特徴とする請求の範囲第１３項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項１５】
銅の表面に請求の範囲第１項〜第１４項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅の表面処理方法。
【請求項１６】
銅の表面を粗化処理することなく、銅の表面に請求の範囲第１項〜第１４項のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅の表面処理方法。
【請求項１７】
銅の表面に酸洗処理、粗化処理、防錆処理、酸化処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させることを特徴とする請求の範囲第１５項に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１８】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、防錆剤、樹脂またはシランカップリング剤を接触させることを特徴とする請求の範囲第１５項〜第１７項のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１９】
請求の範囲第１５項〜第１８項のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により表面処理されてなることを特徴とする銅張り材料。
【請求項２０】
請求の範囲第１９項に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２１】
最外層に請求の範囲第１９項に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅の表面処理剤および表面処理方法、並びに、銅張り材料、多層配線基板および配線基板に関するものである。さらに詳しくは、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑（フラット）な状態に処理することができる銅の表面処理剤および表面処理方法、並びに、上記表面処理方法により表面処理されてなる銅張り材料、多層配線基板および配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的な多層配線基板（ビルドアップ配線基板）は、表面部に銅からなる導電層を有する内層基板が樹脂等の絶縁材を挟んで他の内層基板と積層プレスされることにより製造されている。上記導電層間は、孔壁が銅メッキされたスルーホールと呼ばれる貫通孔により、電気的に接続されている。【０００３】
ここで、上記多層配線基板の配線として上記内層基板の表面部に用いられている銅には、樹脂等の絶縁材との密着性が要求されている。それゆえ、上記内層基板の表面部に用いられている銅の表面と、樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、銅の表面処理が行われるのが一般的である。【０００４】
銅の表面処理方法としては、例えば、銅の表面を塩化銅、硫酸・過酸化水素等でエッチングして銅の表面を粗化させ、銅の表面に凹凸形状の酸化皮膜を付ける方法等が挙げられる。この方法によれば、凹凸形状の酸化皮膜が樹脂等の絶縁材にくい込み、アンカー効果を生じて、銅と樹脂等の絶縁材との密着性が向上する。銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるための他の方法として、粗化させた銅の表面を、スズ、シランカップリング剤等で処理する方法も開発されている（例えば、特許文献１〜３参照）。【０００５】
近年の電子機器・電子部品の小型化、薄型化等に対応するために、多層配線基板を薄くすることが要求されている。さらに、近年の電子機器・電子部品の高周波化、高密度化等に対応するために、多層配線基板の配線の微細化（ファイン化）が要求されている。【０００６】
また、上記多層配線基板の表面部に用いられている銅の表面が粗い場合には、該多層配線基板に表面電流が流れ、電気的損失や信号の遅延が生じるという問題がある。【０００７】
そこで、上記のエッチング等の粗化処理を用いる方法に代わる方法として、内層基板の表面部に用いられている銅の表面に、スズメッキ等によりスズ皮膜を形成する方法が示されている（例えば、特許文献４参照）。さらに、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、内層基板の表面部に用いられている銅の表面にスズメッキした後、硝酸、シランカップリング剤等で処理する方法が示されている（例えば、特許文献５〜９参照）。
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平１０−２８９８３８号公報（公開日：１９９８年１０月２７日）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２０００−３４０９４８号公報（公開日：２０００年１２月８日）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開平１０−２５６７３６号公報（公開日：１９９８年９月２５日）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開平４−２３３７９３号公報（公開日：１９９２年８月２１日）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００５−２３３０１号公報（公開日：２００５年１月２７日）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開平１−１０９７９６号公報（公開日：１９８９年４月２６日）」
【特許文献７】日本国公開特許公報「特開平７−１７００６４号公報（公開日：１９９５年７月４日）」
【特許文献８】日本国公開特許公報「特許第３１３５５１６号公報（公開日：特開平１０−４６３５９号公報、１９９８年２月１７日）」
【特許文献９】日本国公開特許公報「特開２００３−２０１５８５号公報（公開日：２００３年７月１８日）」
【発明の開示】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１〜３に示される銅の表面処理方法では、いずれも性能、特に銅と樹脂等の絶縁材との密着性が不十分であるため、ほとんど実用化されていない。さらに、これらの方法では、粗化処理が銅を溶解するため銅幅が目減りし、これらの方法により表面処理された銅張り材料のファイン化が困難となり、かつ電気損失が大きくなる。さらに、これらの方法では、粗化処理後の経時変化に伴い酸化膜が成長するため不動態化が不十分となり、いずれも性能が劣化する。そのため、後処理としての防錆処理が一般的に行われている。
【０００９】
また、上記特許文献４に示される銅の表面処理方法では、銅の表面をエッチング等の粗化処理する方法と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との密着性が十分ではないという問題点を有している。
【００１０】
また、上記特許文献５〜９に示される銅の表面処理方法では、銅の表面にスズメッキした後、硝酸、シランカップリング剤等で処理するので、処理工程が増加する。さらに、これらの方法でも、銅の表面をエッチング等の粗化処理する方法と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持できないという問題点がある。
【００１１】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面処理剤および表面処理方法を提供することにある。
【００１２】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、銅の表面処理に用いられる表面処理剤において、上記表面処理剤にスズ化合物と、錯化剤（キレート剤）と、シランカップリング剤とを含めることで、銅の表面にスズとシラン化合物とを化成一体化して共析出させ、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができることを独自に見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１３】
即ち、本発明の銅の表面処理剤は、上記課題を解決するために、スズ化合物と、錯化剤と、シランカップリング剤とを含有することを特徴としている。
【００１４】
上記の発明によれば、スズ化合物と、シランカップリング剤とが表面処理を行う際に共存しているので、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出（付着）させることができる。つまり、本発明の銅の表面処理剤は、銅の表面にスズ、および、シランカップリング剤単量体またはシランカップリング剤縮合体を共析出させることができる。それゆえ、樹脂等の絶縁材との密着性が良好なスズ皮膜、および、樹脂等の絶縁材との密着官能基を有するシラン化合物の双方の作用により、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を付与することができる。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、錯化剤を含有しているので、上記表面処理剤を溶液で用いた場合に、上記錯化剤が銅と錯体を形成して銅の表面の電位が低くなるため還元されやすく、スズが析出しやすくなる。さらに、上記表面処理剤の溶液は、上記錯化剤が溶解した銅のキレートをすることにより、スズ皮膜の均一性を向上させる可能性がある。さらに、上記表面処理剤にフッ素化合物を含めた場合には、上記表面処理剤の溶液ではスズイオンが遊離フッ素により安定化されると考えられ、上記表面処理剤の溶液をより一層濁りの少ない安定な溶液とすることができる。
【００１５】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記錯化剤として、少なくともチオ尿素もしくはその誘導体を含有することが好ましい。
【００１６】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、チオ尿素もしくはその誘導体を含有しているので、チオ尿素もしくはその誘導体が主に錯化剤として働き、銅との錯体を形成して銅表面の電位を下げて還元性を向上させる。さらに、チオ尿素もしくはその誘導体は副次的に還元剤としても働き、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を促進させることができる。
【００１７】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらにフッ素化合物または有機酸を含有することが好ましい。
【００１８】
これにより、本発明の銅の表面処理剤を溶液で用いた場合に、フッ素化合物から遊離したフッ素や有機酸でスズイオンを安定化する。その安定化のメカニズムは明らかではないが、可能性としては、スズイオンと、遊離フッ素もしくは有機酸とが錯体を形成することにより、濁りの少ない安定な溶液になると考えられる。さらに、本発明の銅の表面処理剤の溶液は濁りの少ない安定な溶液となるので、銅の表面に均一なスズ皮膜を形成することができ、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明の銅の表面処理剤は、ｐＨが５以下であることが好ましい。
【００２０】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、安定化しやすくなる。
【００２１】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記シランカップリング剤がメルカプト基、エポキシ基またはアミノ基を有することが好ましい。
【００２２】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、メルカプト基が銅に吸着しやすいので、シランカップリング剤がスズとともに共析出しやすくなる。さらに、メルカプト基はエポキシ樹脂等の絶縁材と反応（架橋）するので、メルカプト基を有するシランカップリング剤が銅の表面に存在していれば、エポキシ樹脂等の絶縁材との密着性が向上する。メルカプト基以外でも、エポキシ基、アミノ基等は絶縁材と反応（架橋）するのでエポキシ樹脂等の絶縁材との密着性が向上する。また、他の官能基として、シランカップリング剤のシラノール基やアルコキシル基がスズ酸化物に吸着する。
【００２３】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記シランカップリング剤が３量体以上のシランカップリング剤縮合体を含んでいることが好ましい。
【００２４】
これにより、３量体以上のシランカップリング剤縮合体は、シランカップリング剤の単量体と比較して、シランカップリング剤が析出しやすいという優位性がある。それゆえ、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより一層向上させることができる。
【００２５】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記スズ化合物の重量に対する上記シランカップリング剤の重量の比が０．００１以上、１００以下の範囲内であることが好ましい。また、本発明の銅の表面処理剤は、上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記スズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上、２００，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることが好ましい。また、本発明の銅の表面処理剤は、上記表面処理剤全体に対する上記シランカップリング剤の濃度が１０ｐｐｍ以上、１００，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることが好ましい。
【００２６】
本発明の銅の表面処理剤は、上記スズ化合物の重量に対する上記シランカップリング剤の重量の比、上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記スズ化合物の濃度、上記表面処理剤全体に対する上記シランカップリング剤の濃度が上記の範囲内にあることで、銅の表面にスズおよびシラン化合物をより確実に共析出させることができる。それゆえ、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより確実に実現することができる。
【００２７】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらに還元剤を含有することが好ましい。
【００２８】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を促進させることができる。
【００２９】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらに防錆剤を含有することが好ましい。また、本発明の銅の表面処理剤は、上記防錆剤がテトラゾール、トリアゾール、イミダゾール、チオールから選ばれる少なくとも一種の化合物であることが好ましい。
【００３０】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるとともに、表面処理後に長期間保存しても銅の性能が変化し難くなる。
【００３１】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらに金属化合物を含有することが好ましい。さらに、上記金属化合物が銀、パラジウム、金、白金、銅から選ばれる少なくとも一種の金属を含有する化合物であることが好ましい。
【００３２】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、金属イオンの緩衝作用により銅の表面にスズ皮膜を均一・安定に形成することができると考えられる。
【００３３】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に上記銅の表面処理剤を接触させることが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面を粗化処理することなく、銅の表面に上記銅の表面処理剤を接触させることが好ましい。
【００３４】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面にスズメッキした後に硝酸、シランカップリング剤等で処理する表面処理方法と比較して、処理工程を一工程減らすことができる。工程削減は単にプロセスコストのみならず、廃水処理低減、後工程の管理リスク低減、さらには次工程のメッキ工程への信頼性低下のリスク低減にもなる。また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面をエッチング等の粗化処理しなくとも十分な密着性を担保できるため、銅の表面を平滑な状態に処理することができる。その結果、本発明の銅の表面処理方法は、多層配線基板の小型化、薄型化、高周波化、高密度化等に対応するのに適している。
【００３５】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に酸洗処理、粗化処理（凹凸処理）、防錆処理、酸化処理、表面調整処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させてもよい。
【００３６】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、酸洗処理、脱脂処理により銅表面の汚れ、酸化物等を除去することができ、粗化処理、防錆処理、酸化処理、表面調整処理により銅表面での化成性向上、銅の性能向上をより一層図ることができる。
【００３７】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、防錆剤や樹脂、シランカップリング剤、およびチタンアルコキシドのうちの少なくとも１つを接触させることが好ましい。
【００３８】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に防錆剤や樹脂、シラン化合物またはチタンアルコキシドが析出するため、銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより一層向上させることができる。
【００３９】
また、本発明の銅張り材料は、上記銅の表面処理方法により表面処理されてなることが好ましい。さらに、本発明の多層配線基板は、上記銅張り材料を備えていることが好ましい。さらに、本発明の配線基板は、最外層に上記銅張り材料を備えていることが好ましい。
【００４０】
これにより、本発明の銅張り材料、多層配線基板および配線基板は、従来の銅の表面処理方法により表面処理された銅張り材料、多層配線基板および配線基板と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することが可能となる。
【００４１】
本発明の他の目的、特徴、および優れた点は、以下に示す記載によって十分分かるであろう。また、本発明の利点は、添付図面を参照した次の説明によって明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明における銅の表面処理方法により表面処理された銅のＳＥＭ外観を示す図である。
【図２】従来の銅の表面処理方法により表面処理された銅ＳＥＭ外観を示す図である。
【図３】従来の銅の表面処理方法により表面処理された銅ＳＥＭ外観を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、本発明について詳しく説明するが、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施し得るものである。具体的には、本発明は下記の実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。なお、本明細書等において、便宜上、「重量ｐｐｍ」を単に「ｐｐｍ」，「重量％」を単に「％」と記載する。【００４４】
（Ｉ）本発明における銅の表面処理剤で表面処理される物質等
本発明における銅の表面処理剤で表面処理される物質は、銅を５０％以上含有するものであれば特に限定されない。つまり、銅を５０％以上含有していれば、銅以外の物質が含まれていても本発明に含まれる。例えば、銅単体、銅を含む銅合金材、クロメート等の表面処理された銅、メッキされた銅などが挙げられる。【００４５】
本発明における銅として、具体的には電子基板、リードフレーム等の電子部品、装飾品、建材等に使用される箔（電解銅箔、圧延銅箔）、めっき膜（無電解銅めっき膜、電解銅めっき膜）、線、棒、管、板など、種々の用途の銅を挙げることができる。上記銅は、黄銅、青銅、白銅、ヒ素銅、ケイ素銅、チタン銅、クロム銅等、その目的に応じて他の元素を含有したものであってもよい。また、近年の高周波の電気信号が流れる銅配線の場合には、銅の表面は平均粗さが０．１μｍ以下の平滑面であることが好ましい。【００４６】
本発明において、銅と密着する樹脂等の絶縁材は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、変性ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル等の熱硬化性樹脂などを挙げることができる。これらの樹脂は官能基によって変性されていてもよく、ガラス繊維、アラミド繊維、その他の繊維等で強化されていてもよい。例えば、ビルドアップ工程でのプリント基板用途では、内層絶縁材、プリプレグ、外層ソルダーレジスト、両絶縁材に対しても優れた密着性を確保できる。【００４７】
（ＩＩ）本発明における銅の表面処理剤に用いられる材料等
本発明の銅の表面処理剤は、スズ化合物と、錯化剤と、シランカップリング剤とを含有するものである。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、フッ素化合物を含有することが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、還元剤を含有することが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、金属化合物を含有することが好ましい。また、本発明の銅の表面処理剤は、必要に応じて、酸・アルカリのｐＨ調整剤を含有していてもよい。【００４８】
また、本発明の銅の表面処理剤は、該表面処理剤の特性を阻害しない限り、上記物質以外の物質（以下、「他の物質」という）を含んでいてもよい。他の物質を含める方法としては、特に限定されるものではない。【００４９】
＜スズ化合物＞
本発明の銅の表面処理剤は、スズ化合物を含有するものである。スズ化合物としては、後述する溶媒に対して可溶性のものであれば特に限定されないが、その溶解性から酸との塩類が好ましい。例えば、硫酸第一スズ、硫酸第二スズ、ホウフッ化第一スズ、フッ化第一スズ、フッ化第二スズ、硝酸第一スズ、硝酸第二スズ、塩化第一スズ、塩化第二スズ、ギ酸第一スズ、ギ酸第二スズ、酢酸第一スズ、酢酸第二スズ等の第一スズ塩や第二スズ塩などが挙げられる。その中でも、スズ皮膜の形成速度が速いという理由から第一スズ塩が好ましく、後述する溶媒との溶液中での安定性が高く、均一なスズ皮膜を形成することができるという理由から、第二スズ塩が好ましい。さらに、銅のエッチングに悪影響を及ぼさないという理由から硫酸第二スズが特に好ましい。【００５０】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記スズ化合物の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上２００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２５ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上２，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、銅および樹脂等の絶縁材との密着性が低下するおそれがあり、好ましくない。一方、２００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面に多量のスズが析出し、スズ皮膜が凝集破壊するおそれがあり、かつ溶液安定性が劣るとの理由から銅の表面にスズ皮膜を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。【００５１】
＜シランカップリング剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、シランカップリング剤を含有するものである。シランカップリング剤としては、後述する溶媒に対して可溶性のものであれば特に限定されない。シランカップリング剤としては、例えば、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等のビニルシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等のエポキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン等のスチリルシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等のメタクリロキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリロキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のウレイドシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のクロロプロピルシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド等のスルフィドシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等のイソシアネートシラン、それらの混合物などが挙げられる。【００５２】
また、銅に吸着しやすいのでスズとともに共析出しやすくなり、エポキシ樹脂等の絶縁材との密着性に優れているという理由からメルカプト基を有するシランカップリング剤、例えばメルカプトシランが好ましく、絶縁材と架橋しやすいという理由から、例えばアミノシラン、エポキシシラン、イソシアネートシランが好ましく、多種の絶縁材との適合性に優れているという理由から、例えばアミノ基を有するシランカップリング剤とエポキシ基を有するシランカップリング剤との混合物、共縮合物（例えばアミノシランとエポキシシランとの共縮合物）が好ましい。また、絶縁材との密着性に優れているという理由からアルコキシル基を有するシランカップリング剤、例えばシラノール、トリシラノール等も好ましい。その中でも、銅とエポキシ樹脂等の絶縁材との密着性を極めて向上させるという理由からメルカプト基を有するシランカップリング剤が特に好ましい。【００５３】
また、本発明の銅の表面処理剤は、シランカップリング剤単量体と比較して析出しやすいという優位性があるという理由から、３量体以上のシランカップリング剤縮合体を含んでいることが好ましい。【００５４】
ここで、シランカップリング剤縮合体を形成する際のシランカップリング剤の縮合率は、次に示す式（１）
ｚ＝ｘ／（ｘ＋ｙ）×１００・・・（１）
［式（１）中、ｘはシランカップリング剤縮合体（２量体以上のシランカップリング剤）のモル比を表し、ｙはシランカップリング剤単量体のモル比を表し、ｚはシランカップリング剤の縮合率（％）を表す］で規定される。【００５５】
なお、シランカップリング剤縮合体またはシランカップリング剤単量体のモル比については、２９Ｓｉ−ＮＭＲを用いて導き出すことができる。具体的には、シランカップリング剤中のケイ素原子が酸素原子を介して他のケイ素原子と結合しているものをシランカップリング剤縮合体とし、上記ケイ素原子が酸素原子を介して他のケイ素原子と結合していないものをシランカップリング剤単量体として、シランカップリング剤縮合体またはシランカップリング剤単量体のモル比を導き出すことができる。【００５６】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記シランカップリング剤の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上１００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１００ｐｐｍ以上５，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは２００ｐｐｍ以上２，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記シランカップリング剤の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、上記スズ皮膜および樹脂等の絶縁材との密着性が低下するおそれがあり、好ましくない。一方、１００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にシラン化合物が吸着してスズを析出させ難くなるおそれがあり、好ましくない。【００５７】
上記スズ化合物の重量に対する上記シランカップリング剤の重量の比は、スズ皮膜の形成とシラン化合物の析出とのバランスがよいとの理由から、好ましくは０．００１以上１００以下、より好ましくは０．０１以上１０以下、特に好ましくは０．０２以上１以下の範囲内である。【００５８】
＜錯化剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、錯化剤を含有するものである。ここで、本明細書でいう錯化剤とは、銅に配位してキレートを形成し、銅表面の電位を下げ還元しやすいような状態にし、スズ表面に樹脂等の絶縁材密着層を形成しやすくするものを意味する。錯化剤としては、例えば、チオ尿素、エチレンチオウレア、ジエチルチオ尿素、ジブチルチオ尿素などのチオ尿素誘導体、チオ硫酸、シアン類等が挙げられる。その中でも、上記表面処理剤を溶液で用いた場合に、より一層濁りの少ない安定な溶液とすることができ、かつ銅との錯体を形成しやすく、銅の表面の電位を低くするためより一層スズ皮膜を形成しやすくすることができるという理由からチオ尿素が好ましい。なお、錯化剤には、副次的に後述する還元剤としても働くものもある。その中で、チオ尿素は、副次的に後述する還元剤としても働くものである。【００５９】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記錯化剤の濃度は、好ましくは０．０１％以上５０％以下、より好ましくは０．１％以上３０％以下、特に好ましくは１％以上１５％以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記錯化剤の濃度が０．０１％未満であると、銅表面に錯体を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、５０％を超えると、銅の溶解性が悪くなり、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。【００６０】
＜還元剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、還元剤を含有していることが好ましい。還元剤としては、例えば、チオ尿素、ジエチルチオ尿素、水素化ホウ素カリウム、ジメチルアミノボラン、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ホルムアルデヒド等が挙げられる。その中でも、スズ化合物に電子を付加して、スズ単体、酸化スズ等からなるスズ皮膜を形成しやすいという理由から少なくともチオ尿素を含有することが好ましい。【００６１】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記還元剤の濃度は、好ましくは０．０１％以上５０％以下、より好ましくは０．１％以上３０％以下、特に好ましくは１％以上１５％以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記還元剤の濃度が０．０１％未満であると、上記スズ皮膜を形成しないおそれがあり、好ましくない。一方、５０％を超えると、スズが溶解し難くなるとの理由から銅の表面にスズ皮膜を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。【００６２】
＜フッ素化合物、有機酸＞
本発明の銅の表面処理剤は、フッ素化合物または有機酸を含有していることが好ましい。フッ素化合物としては、例えば、フッ化水素、ホウフッ化水素酸、酸性フッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化アンモニウム、ケイフッ化水素等が挙げられる。その中でも、上記表面処理剤を溶液で用い、ｐＨが５以下である場合に、スズイオンが安定的に存在し、より一層濁りの少ない安定な溶液とすることができるという理由からフッ化水素、酸性フッ化ナトリウムが好ましい。有機酸は、イセチオン酸、メタンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ホスホン酸が望ましい。【００６３】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記フッ素化合物および有機酸の合計の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上２００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２５ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物および有機酸の合計の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、スズイオンが安定化し難いおそれがあり、好ましくない。一方、２００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物および有機酸の合計の濃度が５，０００ｐｐｍ以下であると、銅の表面に形成されるスズ皮膜が厚くなること、多孔質（ポーラス）になること等で不均一になるおそれがないため、より好ましい。【００６４】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記フッ素化合物に由来する遊離フッ素の濃度は、好ましくは０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、特に好ましくは２ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物中の遊離フッ素の濃度が０．１ｐｐｍ未満であると、スズイオンが安定的に存在し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、１００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。遊離のフッ素の濃度は、フッ素イオン量として通常のイオンメーターにより測定することができる。【００６５】
ここで、遊離フッ素（フッ素イオン）について以下に説明する。本発明の銅の表面処理剤の溶液には、遊離フッ素が存在していることが好ましい。上記遊離フッ素を存在させるには、上記表面処理剤にフッ素化合物を含めておく。上記遊離フッ素は、上記表面処理剤の溶液中におけるスズ化合物の安定性を向上させる作用を有している。さらに、上記遊離フッ素は、上記表面処理剤の溶液による表面処理の対象である銅に対しての上記スズ化合物の反応を促進する作用も有している。【００６６】
＜防錆剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、防錆剤を含有していることが好ましい。防錆剤としては、例えば、アミノテトラゾール、メチルメルカプトテトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノメルカプトトリアゾール、イミダゾール、メチルイミダゾール、トリアジンチオール、トリメルカプトトリアジン若しくはこれらの塩、またはこれらの類似化合物；メルカプトシラン；チオグリコール酸；チオグリセロール；グアニルチオ尿素；チオ尿素類；等が挙げられる。その中でも、銅表面での防錆機能と化成性との両立という理由から、テトラゾール、トリアゾール、イミダゾール、チオール類の防錆剤が好ましい。【００６７】
＜金属化合物＞
本発明の銅の表面処理剤は、金属化合物を含有していることが好ましい。金属化合物としては、金属塩等が挙げられる。また、金属化合物としては、例えば、アルミニウム化合物、ジルコニル化合物、チタニウム化合物、カルシウム化合物、ナトリウム化合物、マグネシウム化合物、ストロンチウム化合物、マンガン化合物、バナジウム化合物、イットリウム化合物、ニオブ化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、銀化合物、鉄化合物、パラジウム化合物、コバルト化合物、銅化合物、ニッケル化合物等が挙げられる。その中でも、スズと共析出しやすいと考えられ、より緻密なスズ膜を与えるという理由から銀化合物、パラジウム化合物、金化合物、白金化合物、銅化合物が好ましい。中でも、ファイン配線間吸着等の電気信頼性における抵抗値の低下、メッキ前処理として必要な皮膜除去性、基材である銅の防錆性、コストの面から銀化合物がより好ましい。【００６８】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記金属化合物の濃度は、好ましくは１ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以上２，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記金属化合物の濃度が１ｐｐｍ未満であると、フッ素と錯体を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、１０，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。【００６９】
＜ｐＨ調整剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、必要に応じて、酸・アルカリのｐＨ調整剤を含有していてもよい。ここで、本発明の銅の表面処理剤は、ｐＨが５以下であることが好ましい。酸のｐＨ調整剤としては、無機酸および有機酸から選択される少なくとも１種の酸を使用することができる。本発明で使用することができる酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、ホウフッ化水素酸、リン酸などの無機酸；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のカルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸等の芳香族スルホン酸などの有機酸；が挙げられる。その中でも、樹脂等の絶縁材との密着層を形成する速度、スズ化合物の溶解性等という理由から硫酸が好ましい。【００７０】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記ｐＨ調整剤の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以上２，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記ｐＨ調整剤の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、スズ化合物が溶解し難くなり、フッ素がスズとの錯体を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、１０，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。【００７１】
＜他の物質＞
本発明の銅の表面処理剤は、樹脂等の絶縁材との均一な密着層を形成するための界面活性剤、樹脂等の絶縁材との密着層の形成を促進するための重合開始剤等、必要に応じて、銅の表面にスズ皮膜を形成しながらシラン化合物を析出させる反応を阻害しないような種々の添加剤を含有してもよい。【００７２】
＜後処理剤＞
後処理剤として、シランカップリング剤、チタンアルコキシド、樹脂、防錆剤等があげられるが、絶縁材と密着する官能基を有するものであれば任意の化合物を使用できる。また、これらを組み合わせて用いることもできる。絶縁材と密着する官能基としてはエポキシ基、シラノール基、イミド基、イソシアネート基、カルボキシル基、ホスホン基、カルボニル基、メルカプト基等があげられる。上記樹脂としては、上記官能基を有するものであればよく、例えばポリアクリル酸、その誘導体等のアルクル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアリルアミン等があげられる。これら後処理剤を用いる際の濃度としては、１０ｐｐｍ以上２０，０００ｐｐｍ以下の範囲内が好ましい。【００７３】
（ＩＩＩ）本発明における銅の表面処理剤の製造方法
本発明の銅の表面処理剤は、従来公知の混合方法・混合装置により混合される。本発明の銅の表面処理剤に含有される物質を混合する順番は、特に限定されない。また、上記物質は、一度に混合してもよく、分割して混合してもよい。【００７４】
（ＩＶ）本発明における銅の表面処理剤を含む溶液
本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に、上記表面処理剤を溶液として接触させることが好ましい。上記溶液は、溶質である上記表面処理剤と溶媒とから構成される。本発明に用いられる溶媒は、上記表面処理剤を溶解することができれば特に限定されない。例えば、水、および有機溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、ｎ−へプタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン等の炭化水素；ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンおよびトリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン、メチルセルソルブ等のエーテル類；メタノール、エタノール、メトキシプロパノール等のアルコール類；などが挙げられる。上記溶媒は、単独で用いてもよく、適宜２種類以上を混合して用いてもよい。また、上記水としては、イオン交換水、純水、超純水等のイオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。【００７５】
上記溶液中の上記有機溶媒の濃度は、溶液の温度、上記表面処理剤の成分等によって決まり特に限定されるものではないが、環境配慮の理由から、好ましくは０％以上１０％以下、より好ましくは０％以上１％以下、特に好ましくは０％以上０．１％以下の範囲内である。【００７６】
ここで、本発明は、銅の安定した表面処理を行うことも目的の１つとしているため、上記溶液中における上記表面処理剤の濃度が低濃度であってもよい。それゆえ、本発明における銅の表面処理剤は、従来の銅の表面処理剤と比較して、銅の表面をエッチング等の粗化処理しないという点で優れている。【００７７】
（Ｖ）本発明における銅の表面処理方法
本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させる方法である。さらに、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面を粗化処理することなく、銅の表面に上記表面処理剤を接触させてもよい。【００７８】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させる方法としては特に限定されない。例えば、上記表面処理剤を含む溶液に銅を浸漬させる方法、銅の表面に上記表面処理剤を含む溶液をスプレーによって噴射する方法、銅の表面に上記表面処理剤を含む溶液を塗布する方法等が挙げられる。また、上記表面処理剤は、一度に接触させてもよく、分割して接触させてもよい。【００７９】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させる際の温度は、上記表面処理剤の成分等によって決まり特に限定されるものではないが、反応性に優れているとの理由から、好ましくは１０℃以上６０℃以下、より好ましくは２０℃以上５０℃以下、特に好ましくは３０℃以上４０℃以下の範囲内である。【００８０】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させる時間は、上記表面処理剤の成分等によって決まり特に限定されるものではないが、反応性に優れているとの理由から、好ましくは１秒以上６００秒以下、より好ましくは５秒以上３００秒以下、特に好ましくは１５秒以上１２０秒以下の範囲内である。【００８１】
本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させる前に、酸等により前処理してもよい。また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、さらに上記表面処理剤等により後処理してもよい。上記後処理後には、水洗してから乾燥させても、水洗せずに乾燥させてもよい。また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、熱処理等を行ってもよい。【００８２】
（ＶＩ）本発明における銅張り材料
本発明の銅張り材料は、上記銅の表面処理方法により表面処理されてなるものである。上記銅の表面処理方法により表面処理される前の銅張り材料としては、一般的な電子基板、リードフレーム等の電子部品、装飾品、建材等を挙げることができる。本発明の銅張り材料は、銅の表面全体が上記表面処理方法により表面処理されているものに限定されず、銅の表面の一部が上記表面処理方法により表面処理されているものも本発明に含まれる。【００８３】
（ＶＩＩ）本発明における多層配線基板
本発明の多層配線基板（ビルドアップ配線基板）は、上記銅張り材料を備えているものである。本発明の多層配線基板は、従来公知の多層配線基板の製造方法により製造されるものである。具体的には、表面部が銅からなる導電層を有する内層基板が、樹脂等の絶縁材を挟んで他の内層基板と積層プレスされることにより製造される。多層配線基板（ビルドアップ配線基板）には、一括ラミネーション方式のビルドアップ基板と、シーケンシャルビルドアップ方式のビルドアップ基板とがある。【００８４】
本発明における多層配線基板には、最外層に上記銅張り材料を備えている外層基板および単層基板を含む。また、上記外層基板には、最外層面に上記銅張り材料を片面または両面に備えている片面または両面の外層基板を含む。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例および比較例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００８６】
〔実施例１〕
＜銅の表面処理工程＞
厚さ３５μｍの電解銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名：「Ｆ−ＷＳ箔」）を、水道水で希釈した硫酸および過酸化水素の水溶液（硫酸の濃度３％、過酸化水素の濃度１％）に３０℃・６０秒の条件で浸漬させた後、水道水で洗浄した。【００８７】
次に、上記処理を行った電解銅箔を、所定の表面処理剤（成分等については後述する）の溶液に４０℃・６０秒の条件で浸漬させた後、水道水で洗浄し、８０℃・５分の条件で乾燥させた。【００８８】
＜所定の表面処理剤の成分等＞
上記所定の表面処理剤には、スズ化合物としての硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ、試薬）と、錯化剤としてのチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％、試薬）と、シランカップリング剤としての５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ、信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−８０３」）とを含めた。その後、水酸化ナトリウムを添加して、上記表面処理剤を含む溶液のｐＨを３とした。【００８９】
＜多層配線基板製造工程＞
得られた電解銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性を評価するため、上記電解銅箔の両面にビルドアップ配線板用絶縁材（松下電工株式会社製汎用プリプレグ、ＦＲ−４）を重ねて、１５０℃・２０ｋｇ／ｍ２→１５０℃・３０ｋｇ／ｍ２・０．５時間→１８０℃・３０ｋｇ／ｍ２・１．５時間の条件で加熱しながら積層プレスし、その後に、８０℃・１．５時間の条件で冷却した。その後プレスを終了し、２０℃・２０分間の条件で冷却した。【００９０】
＜銅の表面処理後の物性＞
（１）銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量
銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量は、精密天秤により、エッチング前後の重量変化を測定して求めた。その結果、エッチング量が０．１ｇ／ｍ２未満である状態を「○」とし、０．１ｇ／ｍ２以上１ｇ／ｍ２以下である状態を「△」とし、１ｇ／ｍ２を超える状態を「×」とした。【００９１】
（２）銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観
銅の表面処理後における電解銅箔の外観は、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope、日本電子株式会社製、商品名：「ＪＳＭ５３１０」）により、倍率を１０００倍および５０００倍にして目視にて評価した。その結果、凹凸がない（平坦な）状態を「○」とし、凹凸がある状態を「×」とした。【００９２】
図１，２は、実施例１における銅のＳＥＭ外観を示したものである。図１に示すように、本発明の銅の表面処理剤により表面処理を行った銅は、凹凸がない状態であった。なお、図２は、前処理として硫酸・過酸化水素の水溶液（従来の銅の表面処理剤）により表面処理を行った後の銅のＳＥＭ外観を示したものである。【００９３】
（３）銅の表面処理後における電解銅箔のスズ・シラン化合物の皮膜量
銅の表面処理後における電解銅箔のスズ・シラン化合物の皮膜量は、蛍光Ｘ線（株式会社島津製作所製、商品名：「ＸＲＦ１７００」）による測定により、スズ元素もしくはシラン元素の量として測定した。【００９４】
（４）銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性
多層配線基板の銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性、即ち多層配線基板における絶縁材からの銅箔の引き剥がし強さは、万能試験機（株式会社エー・アンド・デイ製、商品名：「テンシロン」）により、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準拠してロードセル１００ｋｇ／ｍ２、レンジ２％、クロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャートスピード２０ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。【００９５】
（５）上記物性の評価結果
上記物性の評価結果は、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が３５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【００９６】
〔実施例２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【００９７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１３７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【００９８】
〔実施例３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【００９９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１１０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．１０ｋＮ／ｍであった。【０１００】
〔実施例４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からジエチルチオ尿素（表面処理剤全体に対するジエチルチオ尿素の濃度：５％）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が３５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．７０ｋＮ／ｍであった。【０１０２】
〔実施例５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：１０，０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：１０，０００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１０２４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．６ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．７０ｋＮ／ｍであった。【０１０４】
〔実施例６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）から５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：２００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が２５２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【０１０６】
〔実施例７〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）から５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：５０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が２．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１０８】
〔実施例８〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加し、上記表面処理剤を含む溶液のｐＨを１に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が８６２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【０１１０】
〔実施例９〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加し、上記表面処理剤を含む溶液のｐＨを５に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１９ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【０１１２】
〔実施例１０〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）から３０％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（表面処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が８９ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．１０ｋＮ／ｍであった。【０１１４】
〔実施例１１〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランから３−メルカプトプロピルトリメトキシシランとエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ４０３」）とを１：１で混合して５％に希釈した混合物（表面処理剤全体に対する上記混合物の濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１３５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が１．０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１１６】
〔実施例１２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランから３−メルカプトプロピルトリメトキシシランとアミノシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ９０３」）とを１：１で混合して５％に希釈した混合物（表面処理剤全体に対する上記混合物の濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５９ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が１．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１１８】
〔実施例１３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランから３−メルカプトプロピルトリメトキシシランとイソシアネートシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＥ９００７」）とを１：１で混合して５％に希釈した混合物（表面処理剤全体に対する上記混合物の濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１２０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．６ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．１０ｋＮ／ｍであった。【０１２０】
〔実施例１４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシランとアミノシランとを１：１で混合して５％に希釈した混合物（表面処理剤全体に対する上記混合物の濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１６３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が１．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．１０ｋＮ／ｍであった。【０１２２】
〔実施例１５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にチオ硫酸ナトリウム（表面処理剤全体に対するチオ硫酸ナトリウムの濃度：１０００ｐｐｍ、試薬）を追加し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が８７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．６ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【０１２４】
〔実施例１６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤に次亜リン酸ナトリウム（表面処理剤全体に対する次亜リン酸ナトリウムの濃度：１０００ｐｐｍ、試薬）を追加し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１１３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【０１２６】
〔実施例１７〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤に硝酸アルミニウム（表面処理剤全体に対する硝酸アルミニウムの濃度：１０００ｐｐｍ、試薬）を追加し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１２６ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【０１２８】
〔実施例１８〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤に防錆剤としてのアミノテトラゾール（表面処理剤全体に対するアミノテトラゾールの濃度：１０００ｐｐｍ、試薬）を追加し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１０５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１３０】
〔実施例１９〕
電解銅箔の酸洗を、硫酸および過酸化水素の水溶液から硫酸の水溶液（硫酸の濃度３％）に変更し、所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１３１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１２３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【０１３２】
〔実施例２０〕
電解銅箔の酸洗を、硫酸および過酸化水素の水溶液から、硫酸、過酸化水素および防錆剤としてのチオグリセロールの水溶液（硫酸の濃度３％、過酸化水素の濃度１％、チオグリセロールの濃度１％）に変更し、所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１３３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が９８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．５０ｋＮ／ｍであった。【０１３４】
〔実施例２１〕
電解銅箔の酸洗を、硫酸および過酸化水素の水溶液から、二塩化パラジウムおよび塩化第二銅の水溶液（二塩化パラジウムの濃度０．０３％、塩化第二銅の濃度１％、ｐＨ２）に変更し、所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１３５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が７７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．４ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．５０ｋＮ／ｍであった。【０１３６】
〔実施例２２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含む後処理剤（後処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１３７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１３７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１３８】
〔実施例２３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を追加し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含む後処理剤（後処理剤全体に対する３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１３９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１３７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が２．５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．５０ｋＮ／ｍであった。【０１４０】
〔実施例２４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【０１４２】
〔実施例２５〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤にメタンスルホン酸（表面処理剤全体に対するメタンスルホン酸の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１９２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．８０ｋＮ／ｍであった。【０１４４】
〔実施例２６〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤に硝酸銀（表面処理剤全体に対する硝酸銀の濃度：５０ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が２５２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．９０ｋＮ／ｍであった。【０１４６】
〔実施例２７〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、所定の表面処理剤に塩化パラジウム（表面処理剤全体に対する塩化パラジウムの濃度：５０ｐｐｍ、試薬）を追加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が２１３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．９０ｋＮ／ｍであった。【０１４８】
〔実施例２８〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈したエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」）を含む後処理剤（後処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が２．３ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１５０】
〔実施例２９〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈したエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」）を含む後処理剤（後処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１５１】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１３７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．７ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．４０ｋＮ／ｍであった。【０１５２】
〔実施例３０〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈したポリアクリル酸（日本純薬株式会社製、分子量２０，０００）を含む後処理剤（後処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１５３】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１５４】
〔実施例３１〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈したポリアクリル酸（日本純薬株式会社製、分子量２０，０００）およびエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」）を含む後処理剤（後処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１０００ｐｐｍ、エポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１５５】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が２．５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１５６】
〔実施例３２〕
所定の表面処理剤に含まれる所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤を５％に希釈した３−メルカプトプロピルトリメトキシシランからエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ−４０３」、表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０００ｐｐｍ）に変更し、上記表面処理剤の溶液に浸漬させた電解銅箔を５％に希釈したチタンアルコキシド（マツモトファインケミカル株式会社製、商品名：「オルガチックスＴＣ−４００」）を含む後処理剤（後処理剤全体に対するチタンアルコキシドの濃度：１０００ｐｐｍ）で処理し、その後、水道水で洗浄しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１５７】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が１５８ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０．２ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．２０ｋＮ／ｍであった。【０１５８】
〔比較例１〕
厚さ３５μｍの電解銅箔を、硫酸・過酸化水素の水溶液および所定の表面処理剤の溶液に浸漬させる処理を、塩化銅４％、酢酸５％、およびアミノテトラゾール０．３％を含む水溶液に６０秒間浸漬するエッチング粗化処理（凹凸処理）に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１５９】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「×」、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が１．００ｋＮ／ｍであった。【０１６０】
図３は、比較例１における銅のＳＥＭ外観を示したものである。図３に示すように、従来の銅の表面処理剤により表面処理を行った銅は、凹凸がある状態であった。【０１６１】
〔比較例２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物としての硫酸スズと、錯化剤としてのチオ尿素と、シランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランとを、塩化銅（表面処理剤全体に対する塩化銅の濃度：１％、試薬）と、酢酸（表面処理剤全体に対する酢酸の濃度：１０％、試薬）と、アミノテトラゾール（表面処理剤全体に対するアミノテトラゾールの濃度：０．３％、試薬）とに変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６２】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「△」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「×」、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．４０ｋＮ／ｍであった。【０１６３】
〔比較例３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物としての硫酸スズと、錯化剤としてのチオ尿素と、シランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランとを、硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１０％、試薬）と、過酸化水素（表面処理剤全体に対する過酸化水素の濃度：３％、試薬）と、アミノテトラゾール（表面処理剤全体に対するアミノテトラゾールの濃度：０．３％）とに変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６４】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「×」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「×」、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．２０ｋＮ／ｍであった。【０１６５】
〔比較例４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤としてのチオ尿素を含めなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６６】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．００ｋＮ／ｍであった。【０１６７】
〔比較例５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸スズ（表面処理剤全体に対する硫酸スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、シランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含めなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６８】
その結果、銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観が「○」、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量が３２５ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜量が０ｍｇ／ｍ２、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が０．３０ｋＮ／ｍであった。【０１６９】
〔実施例のまとめ〕
表１に、銅の表面処理後における上記物性の評価結果をまとめた。【０１７０】
【表１】
2009110364.tif 000003
【０１７１】
実施例１と実施例２とを比較すると、実施例２では実施例１と比べてスズ化合物としての硫酸スズの濃度を増加させることにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７２】
実施例２と実施例３とを比較すると、実施例３では実施例２と比べてフッ素化合物としてのフッ化水素を含めることにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７３】
実施例３と実施例４とを比較すると、実施例４では実施例３と比べて錯化剤としてのチオ尿素をジエチルチオ尿素に変更することにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は低下するものの、十分な密着性は維持しているという結果になった。【０１７４】
実施例３と実施例５とを比較すると、実施例５では実施例３と比べてスズ化合物としての硫酸スズの濃度を大幅に増加させることにより、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量は大幅に増加し、上記電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は低下するものの、十分な密着性は維持しているという結果になった。【０１７５】
実施例３と実施例６，７とを比較すると、実施例６では実施例３と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度を減少させることにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は低下するものの、十分な密着性は維持しているという結果になった。一方、実施例７では実施例３と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランの濃度を増加させることにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７６】
実施例３と実施例８，９とを比較すると、実施例８では実施例３と比べて表面処理剤の溶液のｐＨを３から１に低下させることにより、銅の表面処理後における電解銅箔のスズの皮膜量は大幅に増加し、上記電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は低下するものの、十分な密着性は維持しているという結果になった。一方、実施例９では実施例３と比べて表面処理剤の溶液のｐＨを３から５に上昇させることによっても、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は同等であるという結果になった。【０１７７】
実施例３と実施例１０〜１４とを比較すると、実施例１０〜１４では実施例３と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを他のシランカップリング剤（２種類のシランカップリング剤の混合物）に変更することにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７８】
実施例３と実施例１５，１７とを比較すると、実施例１５，１７では実施例３と比べて金属化合物を含めることによっても、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は同等であるという結果になった。【０１７９】
実施例３と実施例１６とを比較すると、実施例１６では実施例３と比べて還元剤を含めることによっても、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は同等であるという結果になった。【０１８０】
実施例３と実施例１８とを比較すると、実施例１８では実施例３と比べて防錆剤を含めることによって、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８１】
実施例３と実施例１９とを比較すると、実施例１９では実施例３と比べて酸洗に過酸化水素を含めないことによっても、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は同等であるという結果になった。【０１８２】
実施例３と実施例２０とを比較すると、実施例２０では実施例３と比べて酸洗に防錆剤を含めることによって、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８３】
実施例３と実施例２１とを比較すると、実施例２１では実施例３と比べて酸洗の際に貴金属処理を行うことによって、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８４】
実施例３と実施例２２，２３とを比較すると、実施例２２，２３では実施例３と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランで後処理することによって、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。特に、実施例２３では、後処理後に水道水で洗浄しないことにより、上記多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性がさらに向上するという結果になった。【０１８５】
実施例２と実施例２４〜２７とを比較すると、実施例２４〜２７では実施例２と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランをエポキシシランに変更することにより、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性は低下するものの、十分な密着性は維持しているという結果になった。実施例２４〜２７の中で実施例２６，２７では、ＡｇまたはＰｄを含有する金属化合物を追加することにより、上記密着性が向上するという結果になった。【０１８６】
実施例２と実施例２８〜３２とを比較すると、実施例２８〜３２では実施例２と比べて防錆剤、樹脂またはシランカップリング剤としてのエポキシシラン、ポリアクリル酸またはチタンアルコキシドで後処理することによって、銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８７】
実施例１〜３２と比較例１〜３とを比較すると、比較例１〜３では実施例１〜３２と比べてスズ化合物およびシランカップリング剤を含んだ表面処理剤を用いておらず、エッチング等の粗化処理（凹凸処理）を行っているので、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観に凹凸が見られるという結果になった。【０１８８】
実施例２と比較例４とを比較すると、比較例４では実施例２と比べて錯化剤としてのチオ尿素を含んでいないので、銅の表面処理後における電解銅箔のスズおよびシラン化合物の皮膜は形成されず、上記電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性がなくなるという結果になった。【０１８９】
実施例２と比較例５とを比較すると、比較例５では実施例２と比べてシランカップリング剤としての３−メルカプトプロピルトリメトキシシランを含んでいないので、銅の表面処理後における電解銅箔のシラン化合物の皮膜は形成されず、上記電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が低下するという結果になった。【０１９０】
本発明の銅の表面処理剤は、以上のように、スズ化合物と、錯化剤と、シランカップリング剤とを含有するものである。【０１９１】
それゆえ、本発明の銅の表面処理剤は、処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができるという効果を奏する。【０１９２】
発明の詳細な説明の項においてなされた具体的な実施形態または実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する請求の範囲内において、いろいろと変更して実施することができるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明の銅の表面処理剤および表面処理方法は、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができるため、近年の電子機器・電子部品の高周波化、高密度化等に対応することができる。また、従来の粗化処理（凹凸処理）では、処理後に酸化膜が成長し、電子機器・電子部品としての機能を発揮しないため、多くの場合には後処理として防錆処理を施していた。また、数ミクロン銅エッチングするため、多大な廃水処理コストがかかっていた。本発明の銅の表面処理剤は、密着および防錆（不動態化）を同時に行うため、従来の粗化処理と比較して、電子機器・電子部品の生産工程を削減することができる。さらに、皮膜形成過程において銅の溶解を従来の１／１０以下に抑えることができるため、大幅な排水処理負荷低減となる。具体的には、本発明の銅の表面処理剤および表面処理方法は、微細（ファイン）配線を有するプリント配線基板、半導体実装品、液晶デバイス、エレクトロルミネッセンス等の各種電子機器・電子部品に利用することが可能である。
【図１】
2009110364.tif 000004
【図２】
2009110364.tif 000005
【図３】
2009110364.tif 000006
【国際調査報告】
2009110364.tif 000007
2009110364.tif 000008