(57)【要約】  少なくとも１つの金属層が含まれている半導体デバイスを基板上に製造するための方法。この方法は、上記基板を除去して第２基板を付着するステップと、少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することによって、少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップとを含む。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、かつ、前記基板上に少なくとも１つの金属層と複数の半導体層とを含む半導体デバイスの形成方法において、
前記基板を除去するとともに、前記半導体デバイスへ第２基板を付着させるステップと、
前記少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することで、前記少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップと
を備える改良。
【請求項２】
前記第２基板が、前記基板が除去される前に前記半導体デバイスに付着される、請求項１に記載の改良。
【請求項３】
前記第２基板が、前記基板が除去された後に前記半導体デバイスに付着される、請求項１に記載の改良。
【請求項４】
前記第２基板が前記半導体デバイスの第２面において前記半導体デバイスに付着され、前記基板が前記半導体デバイスの第１面から除去されており、前記第１面と前記第２面とが異なっている、請求項１に記載の改良。
【請求項５】
前記第１面が前記第２面の反対側にある、請求項４に記載の改良。
【請求項６】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層における複数の箇所に照射される、請求項１に記載の改良。
【請求項７】
前記箇所の数および間隔が、前記少なくとも１つの金属層の金属と、前記少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定される、請求項６に記載の改良。
【請求項８】
前記レーザービームが、前記複数の箇所に連続的に照射される、請求項６に記載の改良。
【請求項９】
電磁放射線の前記ビームの光源と前記半導体デバイスとの間にマスクが配置され、前記マスクが、電磁放射線の前記ビームが通る通路のための少なくとも１つの開口を有する、請求項１に記載の改良。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの開口が、前記少なくとも１つの金属層と実質的に同一に寸法形成され、かつ形作られている、請求項９に記載の改良。
【請求項１１】
前記電磁ビームの照射の持続時間、波長、放射出力、および放射出力密度が、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１２】
前記レーザービームが、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定された周波数および強度のものである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１３】
複数の金属層があり、前記複数の金属層が、連続的に、および同時に、から構成される群より選択される方法でアニーリングされる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１４】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層に直接という態様、および、前記半導体デバイスを介するという態様から構成される群より選択される態様で照射される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１５】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層と前記半導体デバイスとの界面に照射される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの金属層が、オームコンタクト層である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１７】
電磁放射線の前記ビームが、レーザービーム、少なくとも１つの照明装置からの光、および一群の照明装置からの光から構成される群より選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１８】
基板上に形成され、かつ、少なくとも１つの金属層を含む半導体デバイスの形成方法であって、
前記基板を除去するとともに、前記半導体デバイスに第２基板を付着するステップと、
前記少なくとも１つの金属層上に電磁放射線のビームを照射することで前記少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップと
を備える方法。
【請求項１９】
前記第２基板が、前記基板が除去される前に前記半導体デバイスに付着される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２基板が、前記基板が除去された後に前記半導体デバイスに付着される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２基板が、前記半導体デバイスの第２面において前記半導体デバイスに付着され、前記基板が、前記半導体デバイスの第１面から除去されており、前記第１面と前記第２面とが異なっている、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１面が、前記第２面の反対側にある、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層における複数の箇所に照射される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記箇所の数および間隔が、前記少なくとも１つの金属層の金属と、前記少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記レーザービームが、前記複数の箇所に連続的に照射される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
電磁放射線の前記ビームの光源と前記半導体デバイスとの間にマスクが配置され、前記マスクが、電磁放射線の前記ビームが通る通路のための少なくとも１つの開口を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの開口が、前記少なくとも１つの金属層と実質的に同一に寸法形成されかつ形作られている、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記電磁ビームの照射の持続時間、波長、放射出力、および放射出力密度が、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定される、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記レーザービームが、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定された周波数および強度のものである、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
複数の金属層があり、前記複数の金属層が、連続的な態様、および、同時的な態様から構成される群より選択される態様でアニーリングされる、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層に直接という態様、および、前記半導体デバイスを介するという態様から構成される群より選択される態様で照射される、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層と前記半導体デバイスとの界面に照射される、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３３】
前記少なくとも１つの金属層が、オームコンタクト層である、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３４】
電磁放射線の前記ビームが、レーザービーム、少なくとも１つの照明装置からの光、および一群の照明装置からの光から構成される群より選択される、請求項１８〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス形成中における光アニーリングに関し、さらに詳しくは、限定はされないものの、基板が除去された後のレーザーあるいは照明装置の使用による、半導体デバイス形成中におけるアニーリングに関する。
【発明の背景】
【０００２】
多くの半導体デバイスは、基板上に数多く形成される。形成中、これらの半導体デバイスは、少なくとも１つの金属層を組み込む。半導体デバイスの形成中にこれらの半導体デバイスに付着された殆どの金属層は、それらの付着に続いてアニーリングされる。アニーリングは通常、炉などの中で、ある時間帯および所定温度に関して行われる。温度は、比較的高く、例えば、ｎ型ＧａＮへのオームコンタクト金属についてのアニーリングは９００℃の温度で行われる（Ｚ．ＦａｎらによるＡｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ｖｏｌ．６８，ｐ．１６７２，１９９６）。比較的高い温度を利用すると、デバイス性能が劣化するという多くの問題がある。例えば、高いアニーリング温度では、デバイス性能を劣化させる好ましくない原子拡散が起きることがある。低い温度で、好ましくは室温でアニーリングが行われることが望ましい。ウェハの上における相異なる材料（例えば、上記基板、エピタキシャル層、金属、誘電体などのような材料）の熱膨張係数の差のために、従来のアニーリングでは、加熱処理がウェハ全体に適用されると、ウェハの中に熱応力が生じることが多い。この応力が適切に緩和されないときには、ウェハの中に亀裂が生じたり、ウェハからの薄膜の剥離が生じたり、あるいはウェハの中における欠陥の生成が引き起こされたりすることが多い。このことは、上記基板が除去されて、上記エピタキシャル層が新しい基板のように作用する別の機械的支持部に接合される、ある種のウェハ形成技術において、特に当てはまる。
【発明の概要】
【０００３】
第１の好ましい態様によれば、少なくとも１つの金属層を含む半導体デバイスを基板上に形成する方法であって、基板の除去および第２基板の付着の後に、上記少なくとも１つの金属層の上に電磁放射線のビームを照射することで、少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップを備える方法が提供される。
【０００４】
第２の好ましい態様によれば、少なくとも１つの金属層を含む半導体デバイスを基板上に形成するための方法であって、この方法が、上記基板を半導体デバイスから除去するステップと、少なくとも１つの金属層上に第２基板を形成するステップと、少なくとも１つの金属層上における複数の箇所に電磁放射線のビームを照射することで少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップとを備える方法が提供される。
【０００５】
両方の態様について、第２基板は、基板が除去される前かあるいは基板が除去された後に、半導体デバイスに付着されてもよい。電磁放射線のビームは、レーザービーム、少なくとも１つの照明装置からの光、あるいは一群の照明装置からの光であってもよい。
【０００６】
第２基板は、基板が上記半導体デバイスの第１面から除去された半導体デバイスの第２面において半導体デバイスに付着することができ、第１面と第２面とは異なっている。第１面は、第２面の反対側にあってもよい。
【０００７】
レーザービームの照射の持続時間はまた、少なくとも１つの金属層の金属と、少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定することができる。レーザービームは、少なくとも１つの金属層の金属と、少なくとも１つの金属層の厚さと、半導体デバイスの材料とによって決定された周波数および強度のものであってもよい。
【０００８】
複数の金属層があってもよい。複数の金属層は、連続的にアニーリングされても、同時にアニーリングされてもよい。レーザービームは、複数の箇所に連続的に照射されてもよい。
【０００９】
レーザービームは、少なくとも１つの層に直接照射されてもよく、あるいは、半導体デバイスを介して少なくとも１つの層に照射されてもよい。レーザービームは、少なくとも１つの金属層と半導体デバイスとの界面に照射されてもよい。
【００１０】
電磁放射線のビームは、少なくとも１つの金属層における複数の箇所に照射してもよい。
【００１１】
上記両方の態様について、前記箇所の数および間隔は、少なくとも１つの金属層の金属と、少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定することができる。
【００１２】
電磁放射線のビームの光源と半導体デバイスとの間にマスクを配置することができ、この遮蔽物たるマスクには少なくとも１つの開口があり、この開口は、電磁放射線のビームが通る上記少なくとも１つの開口の通路である。少なくとも１つの開口は、少なくとも１つの金属層と実質的に同一に寸法形成され、かつ形作られてもよい。
【００１３】
本発明を充分に理解するために、また、実際的効果を容易に果たすために、本発明の好ましい実施形態を非限定的な例としてだけ、次に説明することとする。この説明は、添付の例示的図面を参照する。
【好ましい実施形態の詳細な説明】
【００１４】
図面を参照すると、基板３が示されており、この基板３上はエピタキシャル層１および量子井戸層であり、これらの層は半導体デバイスの始めから共にある。図２に示されるように、基板３は、任意の公知技術によって量子井戸層２およびエピタキシャル層１から除去される。エピタキシャル層１上には第２基板４（例えば、銅のような基板）が付加される（図３）。図４および図５には、次に、エピタキシャル層１の上にオームコンタクト層５が形成されることが示されている。これらはすべて、本発明者らの先願であるＰＣＴ／ＳＧ２００３／０００２２２号、ＰＣＴ／ＳＧ２００３／０００２２３号、ＰＣＴ／ＳＧ２００５／０００６１号、ＰＣＴ／ＳＧ２００５／００００６２号、ＳＧ２００５０６３０１−１号およびＳＧ２００５０６８９７−８号のうちの１つ以上によるものであってもよく、これらの内容は、その全体が参照により本明細書に援用される。
【００１５】
第２基板４は、基板３が半導体デバイス２０の第１面３０から除去された半導体デバイス２０の第２面３２に形成されるのが好ましく、第１面３０と第２面３２とは異なっている。好ましくは、第１面３０と第２面３２とが反対側の面であることである。第２基板４は、基板３が除去される前かあるいは除去された後かのいずれかに、第２面に形成することができ、あるいは第２面に付着することができる。
【００１６】
図６には、電磁放射線のビーム１６を発生させるための装置１４が示されている。この装置１４は、レーザー、少なくとも１つの照明装置、あるいは一群の照明装置であってもよい。基板４は、基板４上に形成された複数の半導体デバイス２０を有する。１２個の半導体デバイス２０が示されているが、これらは任意の適切な数であってもよい。オームコンタクト層５が形成された後に（基板３の除去の後に）、オームコンタクト層５は、これらのコンタクト層がエピタキシャル層１に一層強く接合することができるように、アニーリングされる。このことは、オームコンタクト層５とエピタキシャル層１とがこれらの界面で融合する形態によるものである。
【００１７】
装置１４によってビーム１６が発生される。ビーム１６は、装置１４がレーザーであるときにはレーザービームであり、装置１４が少なくとも１つの照明装置か、あるいは一群の照明装置であるときには、所望の周波数の光である。ビーム１６は、オームコンタクト層５の露出面に焦点が合わされる。したがって、オームコンタクト層５はビーム１６によって加熱される。オームコンタクト層５の固有熱伝導率のために、ビーム１６は、オームコンタクト層５の表面の全体へ照射する必要がない。
【００１８】
ビーム１６は１つの半導体デバイス２０に照射されるように示されている。このビームは、２つ以上の半導体デバイス２０へ同時に照射されてもよく、すべての半導体デバイス２０に同時に照射されてもよい。
【００１９】
図８に示されるように、オームコンタクト層５の熱伝導率は、加熱がオームコンタクト層５の隣接区域３０に限定されること、したがって、エピタキシャル層１のすべてが加熱されるわけではないことを意味している。このようにして、エピタキシャル層１の中の熱は、エピタキシャル層１を通して分散され、また、エピタキシャル層１と第２基板４との界面に影響を及ぼすことがない。したがって、エピタキシャル層１と第２基板４との界面における温度は、オームコンタクト層５とエピタキシャル層１との界面における温度よりも低い。
【００２０】
電磁ビーム１６の適用の持続時間、波長、放射出力、および放射出力密度は、少なくとも１つの金属層５の金属、少なくとも１つの金属層５の厚さ、および半導体デバイス２０の材料によって決定することができる。
【００２１】
図９には第２実施形態が示されている。本実施形態は、ビーム１６がレーザービームであるときに使用してもよいが、ビーム１６が光からなるときには使用すべきである。光源１４と半導体デバイス２０との間にはマスク２４が配置されている。マスク２４は、アニーリングされる区域、この場合にはオームコンタクト層５のそれと実質的に同一であるような大きさおよび形状にされているのが好ましい、少なくとも１つの開口２６を有する。このようにして、開口２６を通過する光２８は、オームコンタクト層５にだけ接し、エピタキシャル層１には接しない。遮蔽物２４には、オームコンタクト層５と同数の開口２６があってもよく、また、これらの開口の箇所および間隔はオームコンタクト層５と同一であってもよい。
【００２２】
本実施形態には、形成時間の低減、ウェハの交差汚染の危険性の低減、および生産性の増大という利点が備わっている。本実施形態によれば、装置の修理および局部アニーリングも可能になる。
【００２３】
本発明を使用することで、半導体デバイス形成に局部光アニーリングが利用され、ここで、初めのウェハ基板は除去されて、前記光アニーリングの前かあるいは後かのいずれかに、半導体層が新しい基板に移される。レーザーアニーリングおよび照明装置アニーリングの両方を使用することができる。レーザーアニーリングは、レーザービームをアニーリングが必要な区域へ導くことによって、その区域に照射され得る。照明装置、一群の照明装置、あるいは拡張レーザービームによって発生した幅広の光ビームはまた、ウェハの全表面に照射することができ、また、前記界面に到達する前に著しく吸収されることなく、光がウェハのある層（あるいは基板）を通過することができるように選択される場合には、ウェハの中における界面に照射することができる。
【００２４】
上記方法は、例えば第２基板４のような、一層実質的な金属層をアニーリングするために利用することもできる。この場合には、第２基板４が高い伝導率を有する金属（銅）の層であるので、ビーム１６は、金属層４の全体に照射する必要がなく、金属層４のアニーリングが起きる金属層４の表面における複数の箇所へ連続的に照射される。これらの箇所の数および間隔、それぞれの箇所でのビーム１６の照射の持続時間、レーザービーム１６の強度およびレーザービーム１６の周波数は、金属層４の金属、および金属層４の厚さによって決定される。あるいは、ビーム１６は、複数の箇所へ同時に照射することができる。好ましくは、アニーリングを最大限にするために、ビーム１６の照射の順序が金属層４の中における熱の流れに合致していることである。ビーム１６が照明装置あるいは一群の照明装置からのものである場合は、開口２６は、金属層４の大きさ、形状、間隔および箇所に実質的に合致するように、寸法形成され、形作られ、間隔が置かれるとともに配置される。
【００２５】
ビーム１６は、少なくとも１つの金属層２２に直接照射されてもよく、あるいは、半導体デバイス２０を通して少なくとも１つの金属層２２に照射されてもよい。後者の場合、ビーム１６は少なくとも１つの金属層２２と半導体デバイス２０との界面に照射されるのが好ましい。
【００２６】
少なくとも１つの金属層２２の中に２つ以上の層が存在する場合、それぞれの層は、連続的にアニーリングされてもよく、あるいは、同時にアニーリングされてもよい。
【００２７】
ビーム１６の性質は、オーム層あるいは金属層５、およびエピタキシャル層１の材料に大きく左右される。この性質には、オーム層あるいは金属層５の厚さが含まれる。レーザービーム１６について、レーザーの性質、特にレーザー波長およびレーザー条件は、このようにして決定される。レーザー条件には、レーザーのパルス幅、パルスの数、パルスの周波数、およびレーザービームの出力および密度が含まれる。
【００２８】
本発明の好ましい実施形態は上において説明されてきたが、設計あるいは構成の細部における多くの変形および修正は、本発明から逸脱することなく行うことができるということが当業者にとって理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】好ましい方法が実施される好ましい形態の半導体デバイスの概略的垂直断面図である。
【図２】第１基板が除去された後の図１に対応している図である。
【図３】第２基板が形成された後の図１および図２に対応している図である。
【図４】オームコンタクト層が形成された後の図１〜図３に対応している側面図である。
【図５】図４に対応している上面図である。
【図６】アニーリングの間における、図４および図５の半導体デバイスの概略的上面図である。
【図７】図６に対応している側面図である。
【図８】図７に対応している局部的側面図である。
【図９】第２実施形態の図６に対応している概略的側面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、かつ、前記基板上に少なくとも１つの金属層と複数の半導体層とを含む半導体デバイスの形成方法において、
前記基板を除去するとともに、前記半導体デバイスへ第２基板を付着させるステップと、
前記少なくとも１つの金属層上に直接、電磁放射線のビームを照射することで、前記少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップと
を備える改良。
【請求項２】
前記第２基板が、前記基板が除去される前に前記半導体デバイスに付着される、請求項１に記載の改良。
【請求項３】
前記第２基板が、前記基板が除去された後に前記半導体デバイスに付着される、請求項１に記載の改良。
【請求項４】
前記第２基板が前記半導体デバイスの第２面において前記半導体デバイスに付着され、前記基板が前記半導体デバイスの第１面から除去されており、前記第１面と前記第２面とが異なっている、請求項１に記載の改良。
【請求項５】
前記第１面が前記第２面の反対側にある、請求項４に記載の改良。
【請求項６】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層における複数の箇所に照射される、請求項１に記載の改良。
【請求項７】
前記箇所の数および間隔が、前記少なくとも１つの金属層の金属と、前記少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定される、請求項６に記載の改良。
【請求項８】
前記レーザービームが、前記複数の箇所に連続的に照射される、請求項６に記載の改良。
【請求項９】
電磁放射線の前記ビームの光源と前記半導体デバイスとの間にマスクが配置され、前記マスクが、電磁放射線の前記ビームが通る通路のための少なくとも１つの開口を有する、請求項１に記載の改良。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの開口が、前記少なくとも１つの金属層と実質的に同一に寸法形成され、かつ形作られている、請求項９に記載の改良。
【請求項１１】
前記電磁ビームの照射の持続時間、波長、放射出力、および放射出力密度が、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１２】
前記レーザービームが、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定された周波数および強度のものである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１３】
複数の金属層があり、前記複数の金属層が、連続的に、および同時に、から構成される群より選択される方法でアニーリングされる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの金属層が、オームコンタクト層である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１５】
電磁放射線の前記ビームが、レーザービーム、少なくとも１つの照明装置からの光、および一群の照明装置からの光から構成される群より選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の改良。
【請求項１６】
基板上に形成され、かつ、少なくとも１つの金属層を含む半導体デバイスの形成方法であって、
前記基板を除去するとともに、前記半導体デバイスに第２基板を付着するステップと、
前記少なくとも１つの金属層上に直接、電磁放射線のビームを照射することで前記少なくとも１つの金属層をアニーリングするステップと
を備える方法。
【請求項１７】
前記第２基板が、前記基板が除去される前に前記半導体デバイスに付着される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２基板が、前記基板が除去された後に前記半導体デバイスに付着される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２基板が、前記半導体デバイスの第２面において前記半導体デバイスに付着され、前記基板が、前記半導体デバイスの第１面から除去されており、前記第１面と前記第２面とが異なっている、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１面が、前記第２面の反対側にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
電磁放射線の前記ビームが、前記少なくとも１つの金属層における複数の箇所に照射される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記箇所の数および間隔が、前記少なくとも１つの金属層の金属と、前記少なくとも１つの金属層の厚さとによって決定される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記レーザービームが、前記複数の箇所に連続的に照射される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
電磁放射線の前記ビームの光源と前記半導体デバイスとの間にマスクが配置され、前記マスクが、電磁放射線の前記ビームが通る通路のための少なくとも１つの開口を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの開口が、前記少なくとも１つの金属層と実質的に同一に寸法形成されかつ形作られている、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記電磁ビームの照射の持続時間、波長、放射出力、および放射出力密度が、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定される、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記レーザービームが、前記少なくとも１つの金属層の金属、前記少なくとも１つの金属層の厚さ、および前記半導体デバイスの材料によって決定された周波数および強度のものである、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
複数の金属層があり、前記複数の金属層が、連続的な態様、および、同時的な態様から構成される群より選択される態様でアニーリングされる、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの金属層が、オームコンタクト層である、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
電磁放射線の前記ビームが、レーザービーム、少なくとも１つの照明装置からの光、および一群の照明装置からの光から構成される群より選択される、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【国際調査報告】
2009520376.tif 000012
2009520376.tif 000013
2009520376.tif 000014