(57)【要約】  本発明の目的は、装置の増設を伴わずに１チップ当たりの検査コストを削減することである。積層された複数の半導体ウェハごとに独立して、対応する半導体ウェハを直接又は間接的に固定するともに、対応する半導体ウェハの位置決め機構を有する複数のウェハステージと、積層された半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられ、半導体ウェハに信号又は電源の伝送を行うプローブカードと、を備える（図１）。
2009107741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の半導体ウェハごとに独立して、対応する前記半導体ウェハを直接又は間接的に固定するとともに、対応する前記半導体ウェハの位置決め機構を有する複数のウェハステージと、
前記積層された複数の半導体ウェハの外側又はその間にて、前記半導体ウェハと対面するように設けられ、前記複数の半導体ウェハに信号又は電源の伝送を行うプローブカードと、
を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
前記半導体ウェハには、複数の被検査チップが形成され、
前記プローブカードは、前記半導体ウェハにおける前記被検査チップと非接触伝送が可能な１又は複数の検査用チップを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体検査装置。
【請求項３】
前記被検査チップは、非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含み、
前記検査用チップは、前記被検査チップの前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含むことを特徴とする請求項２記載の半導体検査装置。
【請求項４】
前記非接触伝送電極は、通信用コイルであることを特徴とする請求項３記載の半導体検査装置。
【請求項５】
所定の前記半導体ウェハを取り外し可能に接着されるシートを備え、
所定の前記ウェハステージは、前記シートを固定可能に構成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項６】
前記シートは、ダイシング用シートであることを特徴とする請求項５記載の半導体検査装置。
【請求項７】
所定の前記ウェハステージは、前記シートを吸着固定可能に構成されることを特徴とする請求項５又は６記載の半導体検査装置。
【請求項８】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、
前記プローブカードは、前記基体に最も近い前記半導体ウェハを固定する前記ウェハステージに埋め込まれている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項９】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、
前記プローブカードは、前記基体に最も近い前記半導体ウェハを固定する前記ウェハステージの内側に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１０】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、
前記半導体検査装置の前記複数の半導体ウェハの、隣り合う２つの半導体ウェハのうち、前記基体側の一の前記半導体ウェハを支える前記ウェハステージが、他の前記半導体ウェハを支える前記ウェハステージの内側に配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１１】
前記半導体ウェハは、前記被検査チップが配された領域以外の領域に各前記被検査チップと電気的に接続されるウェハ電極を有し、
前記シートは、前記ウェハ電極と対面する位置に前記ウェハ電極と接触するシート電極を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１２】
前記基体から最も遠い前記半導体ウェハの前記ウェハ電極と、前記基体から最も遠い前記半導体ウェハの前記ウェハ電極と接触する前記シート電極とを、前記基体側に押し付ける圧着部材をさらに備える、ことを特徴とする請求項１１記載の半導体検査装置。
【請求項１３】
互いに対面する前記プローブカードと前記半導体ウェハの間に介在した絶縁シートを備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１４】
前記半導体ウェハは、前記被検査チップが配された領域以外の領域に各前記被検査チップと電気的に接続されるウェハ電極を有し、
前記絶縁シートは、前記ウェハ電極と対面する位置に前記ウェハ電極と接触するシート電極を有する、
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体検査装置。
【請求項１５】
各前記半導体ウェハは、互いに同一種であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか一に記載の半導体検査装置。
【請求項１６】
独立に位置決め可能な複数のウェハステージのそれぞれに固定され、相互に積層された複数の半導体ウェハと、
該複数の半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられたプローブカードと、
の位置合わせを前記半導体ウェハごとに行う工程を含むことを特徴とする半導体ウェハの位置合わせ方法。
【請求項１７】
前記位置合わせを、前記複数の半導体ウェハのそれぞれ、および前記プローブカードに設けられた非接触伝送電極に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項１６記載の半導体ウェハの位置合わせ方法。
【請求項１８】
（ａ）独立に位置決め可能な複数のウェハステージのそれぞれに固定され、相互に積層された複数の半導体ウェハと、該複数の半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられたプローブカードと、の位置合わせを前記半導体ウェハごとに行う工程と、
（ｂ）前記プローブカードが各前記半導体ウェハに設けられた被検査チップに同時に検査信号を伝送する工程と、
（ｃ）前記検査信号を受けた各前記被検査チップが各々の検査結果を同時に前記プローブカードに伝送する工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
【請求項１９】
前記工程（ｂ）および前記工程（ｃ）は、前記プローブカードに設けられた検査用チップと、前記被検査チップとの間で、非接触伝送により行う、ことを特徴とする請求項１８記載の半導体ウェハの検査方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一に記載の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願についての記載）
本願は、先の日本特許出願２００８−０４７７３５号（２００８年２月２８日出願）の優先権を主張するものであり、前記先の出願の全記載内容は、本書に引用をもって繰込み記載されているものとみなされる。【０００２】
本発明は、半導体ウェハを検査する半導体検査装置及び半導体ウェハの検査方法に関し、特に、同時に複数枚の半導体ウェハを検査する半導体検査装置、半導体ウェハの位置合わせ方法、及び半導体ウェハの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、半導体ウェハを検査する半導体検査装置には、プローブピンを半導体ウェハ上のパッドに接触させて検査する接触式が一般的に用いられているが、接触式では半導体ウェハに傷が発生したり、接触圧力の調整が難しいといった事情から、近年では、半導体ウェハにおける被検査チップと無線通信により非接触で検査する非接触式が用いられるようになっている。【０００４】
例えば、特許文献１では、無線通信による非接触信号伝送方式として、半導体ウェハ上の半導体チップ（被検査チップ）に通信コイルを形成したものを用い、半導体検査装置のヘッドから検査信号を無線で通信コイルに送信し、当該検査信号を受信した半導体チップの機能を検査した後、検査結果を通信コイルからヘッドに送信することにより検査を行うものが開示されている。この方式では、ヘッド又は半導体ウェハを移動させることにより、半導体ウェハ上の各半導体チップに対して検査を行う。【０００５】
また、特許文献２では、非接触信号伝送を用いたウェハ検査装置として、被検査ウェハと非接触で対向させたデータ送受信装置と、データ送受信装置に接続されたテスタとを備え、被検査ウェハがデータ送受信装置より検査信号を受信して検査を開始し、検査終了後に検査結果をデータ送受信装置に送信するものが開示されている。【０００６】
しかしながら、非接触式の従来技術では、１回で検査できる半導体ウェハが１枚に限られ、１枚の半導体ウェハに形成されたチップ数を超えた数のチップを同時に検査することができないため、１チップ当たりの検査時間を短縮するのに限界があった。また、複数の半導体検査装置を並列に稼動することによって同時に検査できるチップ数を増加させることができるが、これでは半導体検査装置の増設によってコストの増加を招いてしまう。【０００７】
特許文献３では、検査コストを削減する１つの方法として、同測数を増やすことで、１チップ当たりの検査時間を削減している。特許文献３に記載の技術は、ウェハホルダに複数の半導体ウェハを装着し、電極板を半導体ウェハの周縁部の配線に圧着させるバーンイン装置であり、このバーンイン装置によれば、複数の半導体ウェハに電気的に接触して、複数の半導体ウェハを同時にスクリーニングすることが可能である。【０００８】
【特許文献１】特許第３７９８７１６号公報
【特許文献２】特開２００４−２５３５６１号公報
【特許文献３】特開２０００−２６９２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献１−３の開示事項は、本書に引用をもって繰り込み記載されているものとする。以下の分析は、本発明によって与えられたものである。【００１０】
しかしながら、特許文献３では、複数枚の半導体ウェハを同時に検査することができるが、半導体ウェハの周縁部に電極が形成されているため、半導体ウェハ１枚当たりの電極数が限られ、１枚の半導体ウェハに形成されたチップ数の全てを同時に検査することができないおそれがある。また、特許文献３では、半導体ウェハごとの位置合わせする機能がないため、半導体ウェハごとに電極板を半導体ウェハの周縁部の配線に合わせることができないおそれがある。【００１１】
本発明の主な課題は、装置の増設を伴わずに１チップ当たりの検査コストを削減できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の視点においては、半導体ウェハを検査する半導体検査装置であって、積層された複数の半導体ウェハごとに独立して、対応する前記半導体ウェハを直接又は間接的に固定するとともに、対応する前記半導体ウェハの位置決め機構を有する複数のウェハステージと、前記積層された複数の半導体ウェハの外側又はその間にて、前記半導体ウェハと対面するように設けられ、前記複数の半導体ウェハに信号又は電源の伝送を行うプローブカードと、を備えることを特徴とする。【００１３】
本発明の第２の視点においては、半導体ウェハの位置合わせ方法であって、独立に位置決め可能な複数のウェハステージのそれぞれに固定され、相互に積層された複数の半導体ウェハと、該複数の半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられたプローブカードと、の位置合わせを前記半導体ウェハごとに行う工程を含むことを特徴とする。【００１４】
本発明の第３の視点においては、半導体ウェハの検査方法であって、独立に位置決め可能な複数のウェハステージのそれぞれに固定され、相互に積層された複数の半導体ウェハと、該複数の半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられたプローブカードと、の位置合わせを前記半導体ウェハごとに行う工程と、前記プローブカードが各前記半導体ウェハに設けられた被検査チップに同時に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた各前記被検査チップが各々の検査結果を同時に前記プローブカードに伝送する工程と、を含むことを特徴とする。【００１５】
本発明の第４の視点においては、半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェハの位置合わせ方法又は前記半導体ウェハの検査方法の工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体ウェハごとに独立したウェハステージがあり、それぞれが独立して相対的な位置合わせが可能であるため、検査装置の台数を増やすことなく、同時に検査可能なチップ数を増加させ、１チップ当たりの検査時間を短縮することができる。その結果、検査コストの削減が可能となる。また、１ウェハあたりの検査装置の小型化が可能である。また、テスト入出力の多チャンネル化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２のＡ−Ａ´間の断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成を模式的に示した斜視図である。
【図４】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成の変形例を模式的に示した斜視図である。
【図５】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。
【図６】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの回路構成を模式的に示したブロック図である。
【図７】本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置を模式的に示した断面図である。
【図８】本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。
【図９】本発明の実施例２に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図１０のＡ−Ａ´間の断面図である。
【図１０】本発明の実施例２に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。
【図１１】本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図１２のＡ−Ａ´間の断面図である。
【図１２】本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。
【図１３】本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図１４】本発明の実施例５に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図１５】本発明の実施例６に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【図１６】本発明の実施例６に係る半導体検査装置の変形例の構成を模式的に示した断面図である。
【図１７】本発明の実施例７に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１０  第１の半導体ウェハ
１１  第１の被検査チップ
１１ａ  非接触伝送電極
１１ｂ  非接触伝送インタフェース回路
１１ｃ  パッド
１１ｄ  被検査回路
１２  電極（ウェハ電極）
２０  第２の半導体ウェハ
２１  第２の被検査チップ
２１ａ  非接触伝送電極
２２  電極（ウェハ電極）
３０  第３の半導体ウェハ
３１  第３の被検査チップ
３１ａ  非接触伝送電極
３２  電極（ウェハ電極）
４０  半導体検査装置
４１  プローバ
４２  第１のウェハステージ
４２ａ  吸着口
４３  第２のウェハステージ
４３ａ  吸着口
４４  第３のウェハステージ
４４ａ  吸着口
４５  第４のウェハステージ
４６  基体
５０  プローブカード
５１  プローブカード基板
５２  検査用チップ
５２ａ  非接触伝送電極
５２ｂ  非接触伝送インタフェース回路
５２ｃ  検査支援回路
５３  バンプ
５４  電極
６１  第１のシート
６１ａ  電極（シート電極）
６２  第２のシート
６２ａ  電極（シート電極）
６３  第３のシート（他のシート）
６３ａ  電極（シート電極）
６４  圧着リング（圧着部材）
６５  第４のシート
６５ａ  電極（シート電極）
６５ｂ  電極（シート電極）
７０  テスタ
７１  配線
８１  絶縁シート
８１ａ  電極（電極（シート電極））
９０  第４の半導体ウェハ
９２  電極（ウェハ電極）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施形態に係る半導体検査装置では、積層された複数の半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）ごとに独立して、対応する前記半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）を直接又は間接的に固定するとともに、対応する前記半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）の位置決め機構を有する複数のウェハステージ（図１の４２、４３、４４）と、前記積層された複数の半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）の外側又はその間にて、前記半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）と対面するように設けられ、前記複数の半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）に信号又は電源の伝送を行うプローブカード（図１の５０）と、を備える。（形態１）。【００２０】
さらに、以下の形態も可能である。【００２１】
前記半導体ウェハには、複数の被検査チップが形成され、前記プローブカードは、前記半導体ウェハにおける前記被検査チップと非接触伝送が可能な１又は複数の検査用チップを備えることが好ましい（形態１−１）。【００２２】
前記被検査チップは、非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含み、前記検査用チップは、前記被検査チップの前記非接触伝送電極と非接触で信号又は電源の伝送を行う非接触伝送電極を１つ以上含むことが好ましい（形態１−２）。【００２３】
前記非接触伝送電極は、通信用コイルであることが好ましい（形態１−３）。【００２４】
所定の前記半導体ウェハを取り外し可能に接着されるシートを備え、所定の前記ウェハステージは、前記シートを固定可能に構成されることが好ましい（形態１−４）。【００２５】
前記シートは、ダイシング用シートであることが好ましい（形態１−５）。【００２６】
所定の前記ウェハステージは、前記シートを吸着固定可能に構成されることが好ましい（形態１−６）。【００２７】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、前記プローブカードは、前記基体に最も近い前記半導体ウェハを固定する前記ウェハステージに埋め込まれていることが好ましい（形態１−７）。【００２８】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、前記プローブカードは、前記基体に最も近い前記半導体ウェハを固定する前記ウェハステージの内側に配置されていることが好ましい（形態１−８）。【００２９】
前記半導体検査装置の前記複数のウェハステージは、共通の基体に固定され、前記半導体検査装置の前記複数の半導体ウェハの、隣り合う２つの半導体ウェハのうち、前記基体側の一の前記半導体ウェハを支える前記ウェハステージが、他の前記半導体ウェハを支える前記ウェハステージの内側に配置されていることが好ましい（形態１−９）。【００３０】
前記半導体ウェハは、前記被検査チップが配された領域以外の領域に各前記被検査チップと電気的に接続されるウェハ電極を有し、前記シートは、前記ウェハ電極と対面する位置に前記ウェハ電極と接触するシート電極を有することが好ましい（形態１−１０）。【００３１】
前記基体から最も遠い前記半導体ウェハの前記ウェハ電極と、前記基体から最も遠い前記半導体ウェハの前記ウェハ電極と接触する前記シート電極とを、前記基体側に押し付ける圧着部材をさらに備えることが好ましい（形態１−１１）。【００３２】
互いに対面する前記プローブカードと前記半導体ウェハの間に介在した絶縁シートを備えることが好ましい（形態１−１２）。【００３３】
前記半導体ウェハは、前記被検査チップが配された領域以外の領域に各前記被検査チップと電気的に接続されるウェハ電極を有し、前記絶縁シートは、前記ウェハ電極と対面する位置に前記ウェハ電極と接触するシート電極を有することが好ましい（形態１−１３）。【００３４】
各前記半導体ウェハは、互いに同一種であることが好ましい（形態１−１４）。【００３５】
本発明の実施形態に係る半導体検査方法では、独立に位置決め可能な複数のウェハステージ（図１の４２、４３、４４）のそれぞれに固定されるとともに、相互に積層された複数の半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）と、該複数の半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）の外側又はその間に、前記半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）と対面するように設けられたプローブカード（図１の５０）と、の位置合わせを前記半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）ごとに行う工程と、前記プローブカード（図３の５０）が各前記半導体ウェハ（図２の１０、２０、３０）に設けられた被検査チップ（図１の１１、２１、３１）に同時に検査信号を伝送する工程と、前記検査信号を受けた各前記被検査チップ（図１の１１、２１、３１）が各々の検査結果を同時に前記プローブカード（図３の５０）に伝送する工程と、を含む。（形態２）。【００３６】
さらに、以下の形態も可能である。【００３７】
前記位置合わせを、前記複数の半導体ウェハのそれぞれ、および前記プローブカードに設けられた非接触伝送電極に基づいて行うことが好ましい（形態２−１）。【００３８】
本発明の実施形態に係る半導体ウェハの検査方法では、（ａ）独立に位置決め可能な複数のウェハステージのそれぞれに固定され、相互に積層された複数の半導体ウェハと、該複数の半導体ウェハの外側又はその間に、前記半導体ウェハと対面するように設けられたプローブカードと、の位置合わせを前記半導体ウェハごとに行う工程と、（ｂ）前記プローブカードが各前記半導体ウェハに設けられた被検査チップに同時に検査信号を伝送する工程と、（ｃ）前記検査信号を受けた各前記被検査チップが各々の検査結果を同時に前記プローブカードに伝送する工程と、を含むことを特徴とする（形態３）。【００３９】
さらに、以下の形態も可能である。【００４０】
前記工程（ｂ）および前記工程（ｃ）は、前記プローブカードに設けられた検査用チップと、前記被検査チップとの間で、非接触伝送により行うことが好ましい（形態３−１）。【００４１】
本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法では、前記半導体検査方法、又は前記半導体ウェハの検査方法の工程を含むことを特徴とする（形態４）。
【実施例１】
【００４２】
本発明の実施例１に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図２のＡ−Ａ´間の断面図である。図２は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。なお、図２では、プローバ４１のヘッド部を省略している。【００４３】
図１及び図２を参照すると、半導体検査装置４０は、同時に複数枚（図では３枚）の半導体ウェハ１０、２０、３０を検査することが可能な装置である。半導体検査装置４０は、プローバ４１と、第１のウェハステージ４２と、第２のウェハステージ４３と、第３のウェハステージ４４と、プローブカード５０と、第１のシート６１と、第２のシート６２と、を有する。【００４４】
プローバ４１は、第１のウェハステージ４２、第２のウェハステージ４３、及び第３のウェハステージ４４を保持する台座部と、プローブカード５０を保持するヘッド部とが回動自在に連結された部材である。【００４５】
第１のウェハステージ４２は、第２の半導体ウェハ２０の下（最下段）に配置された第１の半導体ウェハ１０を保持するステージである。第１のウェハステージ４２は、第２のウェハステージ４３の内側に配置され、プローバ４１の台座部上に固定されている。第１のウェハステージ４２は、第１の半導体ウェハ１０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化が可能な機構を有する。第１のウェハステージ４２は、第１の半導体ウェハ１０をステージ上に固定する手段として、真空吸着手段（図２の吸着口４２ａ）を有する。【００４６】
第２のウェハステージ４３は、第１の半導体ウェハ１０と第３の半導体ウェハ３０の間（中段）に配置された第２の半導体ウェハ２０を第１のシート６１を介して保持するステージである。第２のウェハステージ４３は、第３のウェハステージ４４の内側であって第１のウェハステージ４２の外側に配置され、プローバ４１の台座部上に固定されている。第２のウェハステージ４３は、第２の半導体ウェハ２０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化が可能な機構を有する。第２のウェハステージ４３は、第２の半導体ウェハ２０（第１のシート６１）をステージ上に固定する手段として、真空吸着手段（図２の吸着口４３ａ）を有する。【００４７】
第３のウェハステージ４４は、第２の半導体ウェハ２０の上（最上段）に配置された第３の半導体ウェハ３０を第２のシート６２を介して保持するステージである。第３のウェハステージ４４は、第２のウェハステージ４３の外側に配置され、プローバ４１の台座部上に固定されている。第３のウェハステージ４４は、第３の半導体ウェハ３０の位置合わせ機構として、ｘ、ｙ、ｚ軸方向の移動と、ｘｙ平面の回転と、ｘｙ平面の傾き変化が可能な機構を有する。第３のウェハステージ４４は、第３の半導体ウェハ３０（第２のシート６２）をステージ上に固定する手段として、真空吸着手段（図２の吸着口４４ａ）を有する。【００４８】
プローブカード５０は、半導体ウェハ１０、２０、３０に対して電源と信号の両方又は一方を非接触で伝送する機能、典型的には電磁誘導の原理により非接触で通信を行う通信用コイルを有するカード状の部品である。プローブカード５０は、プローバ４１のヘッド部に固定されている。プローブカード５０は、プローバ４１内に配された配線７１を通じてテスタ７０と電気的に接続されている。なお、プローブカード５０の詳細な構成については、後述する。【００４９】
第１のシート６１は、第２の半導体ウェハ２０を第２のウェハステージ４３に保持させるための補助部材（アダプタ）である。第１のシート６１は、絶縁材料（例えば、ダイシング用シート）よりなる。第１のシート６１のプローブカード５０側の面の中央部分には、第２の半導体ウェハ２０が取り外し可能に接着されている。第１のシート６１のプローブカード５０側の面の反対面の周縁部は、第２のウェハステージ４３に真空吸着固定されている。【００５０】
第２のシート６２は、第３の半導体ウェハ３０を第３のウェハステージ４４に保持させるための補助部材（アダプタ）である。第２のシート６２は、絶縁材料（例えば、ダイシング用シート）よりなり、少なくとも一部は第１のシート６１よりも大きい形状に形成されている。第２のシート６２のプローブカード５０側の面の中央部分には、第３の半導体ウェハ３０が取り外し可能に接着されている。第２のシート６２のプローブカード５０側の面の反対面の周縁部は、第３のウェハステージ４４に真空吸着固定されている。【００５１】
第１の半導体ウェハ１０は、第２の半導体ウェハ２０よりも下に配置された半導体ウェハであり、第１のウェハステージ４２の上面に保持されている。第２の半導体ウェハ２０は、第１の半導体ウェハ１０と第３の半導体ウェハ３０の間に配置された半導体ウェハであり、第１のシート６１を介して第２のウェハステージ４３の上面に保持されている。第３の半導体ウェハ３０は、第２の半導体ウェハ２０よりも上に配置された半導体ウェハであり、第２のシート６２を介して第３のウェハステージ４４の上面に保持されている。第１の半導体ウェハ１０、第２の半導体ウェハ２０、第３の半導体ウェハ３０は、同一サイズでなくてもよい。半導体ウェハ１０、２０、３０は、プローブカード５０に対して非接触で通信可能な機能、典型的には電磁誘導の原理により非接触で通信を行う通信用コイルを有する。なお、半導体ウェハ１０、２０、３０の詳細な構成、及び検査時の動作については、後述する。【００５２】
テスタ７０は、プローブカード５０を介して半導体ウェハ１０、２０、３０をテストする装置である。なお、テスタ７０の動作については、後述する。【００５３】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成について図面を用いて説明する。図３、図４は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの構成を模式的に示した斜視図である。図５は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの構成を模式的に示した斜視図である。図６は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカードの検査用チップ、及び半導体ウェハの被検査チップの回路構成を模式的に示したブロック図である。【００５４】
図３を参照すると、第１の半導体ウェハ１０は、複数の被検査チップ１１を有する。第２の半導体ウェハ２０は、複数の被検査チップ２１を有する。第３の半導体ウェハ３０は、複数の被検査チップ３１を有する。プローブカード５０は、複数の検査用チップ５２を有する。第１の半導体ウェハ１０、第２の半導体ウェハ２０、第３の半導体ウェハ３０、及びプローブカード５０を位置合わせすることにより、１つの検査用チップ５２に対して１つの被検査チップ１１と１つの被検査チップ２１と１つの被検査チップ３１が対応する。なお、被検査チップ１１、２１、３１と検査用チップ５２の大きさは必ずしも同じでなくてよい。また、第１の半導体ウェハ１０の第１の被検査チップ１１と第２の半導体ウェハ２０の第２の被検査チップ２１と第３の半導体ウェハ３０の第３の被検査チップ３１とは、機能の一部が同じで検査ベクトルを一部共有する場合があるので、必ずしも同一の構成でなくてもよい。また、半導体ウェハ１０、２０、３０は、必ずしも同一のウェハサイズでなくてもよい（図４参照）。【００５５】
図５を参照すると、検査用チップ５２には、所定の位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極５２ａが形成されている。被検査チップ１１には、検査用チップ５２の非接触伝送電極５２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極１１ａが形成されている。被検査チップ２１には、検査用チップ５２の非接触伝送電極５２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極２１ａが形成されている。被検査チップ３１には、検査用チップ５２の非接触伝送電極５２ａと対応する位置に電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う非接触伝送電極３１ａが形成されている。検査用チップ５２に対して被検査チップ１１、２１、３１が対応すると、１つの非接触伝送電極５２ａに対して１つの非接触伝送電極１１ａと１つの非接触伝送電極２１ａと１つの非接触伝送電極３１ａが対応する。非接触伝送電極５２ａは、非接触伝送電極１１ａ、２１ａ、３１ａの全てと同時に信号や電源の伝送が可能である。【００５６】
図６を参照すると、検査用チップ５２は、非接触伝送電極５２ａと、非接触伝送インタフェース回路５２ｂと、検査支援回路５２ｃと、を有する。非接触伝送電極５２ａは、非接触伝送電極１１ａ（及び図５の非接触伝送電極２１ａ、３１ａ）に対して電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う通信用コイルである。非接触伝送インタフェース回路５２ｂは、検査支援回路５２ｃから非接触伝送電極５２ａへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換するとともに、非接触伝送電極５２ａから検査支援回路５２ｃへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換する回路である。検査支援回路５２ｃは、テスタ７０による被検査チップ１１（図４の２１、３１）の検査を支援する回路であり、テスタ７０からの信号を所定の処理を行って非接触伝送インタフェース回路５２ｂに向けて出力するとともに、非接触伝送インタフェース回路５２ｂからの信号を所定の処理を行ってテスタ７０に向けて出力する。【００５７】
図６を参照すると、被検査チップ１１は、非接触伝送電極１１ａと、非接触伝送インタフェース回路１１ｂと、パッド１１ｃと、被検査回路１１ｄと、を有する。非接触伝送電極１１ａは、非接触伝送電極５２ａに対して電気的に非接触で電源や信号の伝送を行う通信用コイルである。非接触伝送インタフェース回路１１ｂは、被検査回路１１ｄから非接触伝送電極１１ａへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換するとともに、非接触伝送電極１１ａから被検査回路１１ｄへ出力するための電源や信号の伝送形式を変換する回路である。パッド１１ｃは、被検査回路１１ｄの入出力用の電極パッドである。被検査回路１１ｄは、検査の対象となる回路であり、非接触伝送インタフェース回路１１ｂ及びパッド１１ｃとの間で信号や電源の入出力を行う。【００５８】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置について図面を用いて説明する。図７は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置におけるプローブカード、及び半導体ウェハの非接触伝送電極の配置を模式的に示した断面図である。【００５９】
図７を参照すると、プローブカード５０では、プローブカード基板５１の第１の半導体ウェハ１０側の面にバンプ５３を介して検査用チップ５２がフリップチップ接続されており、非接触伝送電極５２ａが検査用チップ５２のプローブカード基板５１側の面の反対面に配設されている。第１の半導体ウェハ１０は、非接触伝送電極１１ａが第１の半導体ウェハ１０のプローブカード基板５１側の面に配設されている。第２の半導体ウェハ２０は、非接触伝送電極２１ａが第２の半導体ウェハ２０のプローブカード基板５１側の面に配設されている。第３の半導体ウェハ３０は、非接触伝送電極３１ａが第３の半導体ウェハ３０のプローブカード基板５１側の面に配設されている。なお、非接触伝送電極１１ａ、２１ａ、３１ａ、５２ａの配置の向き（チップの上面又は下面）は、適宜変更してもよい。【００６０】
次に、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作について図面を用いて説明する。図８は、本発明の実施例１に係る半導体検査装置の正誤判定動作の一例を模式的に示した図である。【００６１】
まず、正誤判定動作する前に、半導体ウェハ１０、２０、３０を半導体検査装置４０にセットして、半導体ウェハ１０、２０、３０の位置合わせを行う（図１参照）。なお、ここでの位置合わせは、水平方向の位置合わせ及び高さ方向の位置合わせの両方を含む。第１の半導体ウェハ１０を第１のウェハステージ４２に吸着固定し、その後、第２の半導体ウェハ２０が接着された第１のシート６１を第２のウェハステージ４３に載せ、第２の半導体ウェハ２０を第１の半導体ウェハ１０に対しておおよその位置合わせを行い、第１のシート６１を第２のウェハステージ４３に吸着固定する。その後、第３の半導体ウェハ３０が接着された第２のシート６２を第２のウェハステージ４３に載せ、第３の半導体ウェハ３０を第２の半導体ウェハ２０に対しておおよその位置合わせを行い、第２のシート６２を第３のウェハステージ４４に吸着固定する。その後、プローブカード５０を第３の半導体ウェハ３０上にセットし、ステージ４２、４３、４４を操作することによりプローブカード５０に対して半導体ウェハ１０、２０、３０の位置合わせを行う。ここで、位置合わせにおいては、半導体ウェハ１０、２０、３０とプローブカード５０に予め目合わせのための非接触伝送電極を設け、プローブカード５０の目合わせのための非接触伝送電極と半導体ウェハ１０、２０、３０の目合わせのための非接触伝送電極との間で、伝送信号強度が最大になるようにステージ４２、４３、４４の位置を合わせる。なお、通常の検査に用いる非接触伝送電極が目合わせのための非接触伝送電極を兼ねてもよい。その後、半導体ウェハ１０、２０、３０の正誤判定を行う。また、半導体ウェハ１０、２０、３０の位置合わせは、正誤判定の途中に行うことも可能で、温度変動などにより判定中に半導体ウェハやプローブカードが伸縮した場合でも、その都度位置を微調整し、正確な正誤判定を行うことができる。【００６２】
正誤判定では、図８を参照すると、テスタ７０は、テスト開始にあたって、テスト信号（例えば、「０１１０」）を、検査用チップ５２を介して第１の被検査チップ１１、第２の被検査チップ２１、及び第３の被検査チップ３１に同時に送信する。ここで、同時とは、第１の検査チップ１１、第２の検査チップ２１、第３の検査チップ３１に同時刻にテスト信号を送信することに加えて、半導体ウェハ１０、２０、３０を半導体検査装置４０にセットして位置合わせを行った後、第１の検査チップ１１、第２の検査チップ２１、第３の検査チップ３１のそれぞれに適したテスト信号を送信して、所定のテストを行うことも含む。【００６３】
次に、第１の被検査チップ１１、第２の被検査チップ２１、及び第３の被検査チップ３１は、テスタ７０からのテスト信号を受信した後、テストを開始し、テスト結果（例えば、第１の被検査チップ１１のテスト結果「１０１０」、第２の被検査チップ２１のテスト結果「１０１１」、第３の被検査チップ３１のテスト結果「１０１１」）を、検査用チップ５２を介してテスタ７０に送信する。【００６４】
次に、テスタ７０は、第１の被検査チップ１１、第２の被検査チップ２１、及び第３の被検査チップ３１からのテスト結果を受信することにより、当該テスト結果と期待値（例えば、期待値「１０１１」）を比較する。比較の結果、テスト結果と期待値が異なる場合、テスタ７０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図８では第１の被検査チップ１１）をＮＧと判定する。一方、テスト結果と期待値が同じ場合、テスタ７０は、当該テスト結果に対応する被検査チップ（図８では第２の被検査チップ２１、第３の被検査チップ３１）をＧＯＯＤと判定する。なお、検査支援回路（図６の５２ｃ）自体が、テスト信号の生成を行うこと、又は、及び検査結果と期待値の比較を行うことも可能である。【００６５】
実施例１によれば、半導体ウェハ１０、２０、３０ごとに独立したウェハステージ４２、４３、４４があり、それぞれが独立して相対的な位置合わせが可能であるため、プローブカード５０と複数枚の半導体ウェハ１０、２０、３０との間で非接触で信号を伝送して検査することにより、検査装置の台数を増やすことなく同時に検査可能なチップ数が増加し、１チップあたりの検査時間を短縮することができる。その結果、検査コスト削減が可能である。また、１ウェハあたりの検査装置の小型化が可能である。また、テスト入出力の多チャンネル化が可能である。また、半導体ウェハ１０、２０、３０の位置合わせは、検査中の補正（キャリブレーション）にも行うことができる。なお、図１はウェハステージが４２、４３、４４が下側の基体４６に固定され、プローブカードが上側に固定されている例であるが、ウェハステージが４２、４３、４４が上側の基体に固定され、プローブカードが下側に固定されている構成とすることもできる。
【実施例２】
【００６６】
本発明の実施例２に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図９は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図１０のＡ−Ａ´間の断面図である。図１０は、本発明の実施例２に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。【００６７】
実施例１ではプローブカード（図１の５０）が第３の半導体ウェハ（図１の３０）の上に配置しているが、実施例２では、プローブカード５０を第１のウェハステージ４２に埋め込み、プローバ４１のヘッド部を廃止したものである。その他の構成及び動作は、実施例１と同様である。【００６８】
実施例２によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、プローバ４１のヘッドが不要になる。また、半導体ウェハに加えてプローブカード５０も独立に位置合わせ可能であるため、半導体ウェハとプローブカード相互の位置合わせの自由度を増すことができる。このため、半導体ウェハ相互の位置関係は保持したいが、プローブカードとの位置関係を微調整したい場合などに、半導体ウェハとプローブカード相互の位置合わせを容易に行うことができる。なお、図９はウェハステージが４２、４３、４４が下側の基体４６に固定され、プローブカードが下側のウェハステージ４２に固定されている例であるが、ウェハステージが４２、４３、４４が上側の基体に固定され、プローブカードが上側のウェハステージに固定されている構成とすることもできる。また、プローブカード５０はウェハステージ４２に埋め込まれていてもよいし、一部が突き出していてもよい。この構成によれば、プローブカード５０分の省面積化が可能である。
【実施例３】
【００６９】
本発明の実施例３に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１１は、本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した図１２のＡ−Ａ´間の断面図である。図１２は、本発明の実施例３に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した展開平面図である。【００７０】
実施例２ではプローブカード（図９の５０）を第１のウェハステージ（図９の４２）に埋め込んだ構成となっているが、実施例３では、プローブカード５０と第１のウェハステージ４２を分離し、プローブカード５０を第１のウェハステージ４２の内周側に配置している。プローブカード５０は、プローバ４１の台座部上に固定されている。その他の構成及び動作は、実施例２と同様である。【００７１】
実施例３によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、プローバ４１のヘッドが不要になる。なお、図１１はウェハステージが４２、４３、４４が下側の基体４６に固定され、プローブカードが下側の基体４６に固定されている例であるが、ウェハステージが４２、４３、４４が上側の基体に固定され、プローブカードが上側の基体に固定されている構成とすることもできる。この構成によれば、プローブカード５０分の省面積化が可能である。
【実施例４】
【００７２】
本発明の実施例４に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１３は、本発明の実施例４に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００７３】
実施例１（図１参照）ではプローブカード（図１の５０）と半導体ウェハ（図１の１０、２０、３０）の間の伝送を非接触伝送のみで行っているが、実施例４では、電源やクロック信号などの共通の信号を、シート６１、６２、６３に設けられた電極６１ａ、６２ａ、６３ａと、半導体ウェハ１０、２０、３０に設けられた電極１２、２２、３２とを接触させて各半導体ウェハ１０、２０、３０の各被検査チップ（図３の１１、２１、３１）に伝送するようにし、その他の信号については非接触伝送により伝送を行っている。その他の構成は、実施例１と同様である。【００７４】
第１の半導体ウェハ１０は、第１の半導体ウェハ１０のプローブカード５０側の面の周縁部に、第１のシート６１の電極６１ａと接触する電極１２を有する。電極１２は、被検査チップ（図３の１１）が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ（図３の１１）と電気的に接続されている。【００７５】
第２の半導体ウェハ２０は、第２の半導体ウェハ２０のプローブカード５０側の面の周縁部に、第２のシート６２の電極６２ａと接触する電極２２を有する。電極２２は、被検査チップ（図３の２１）が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ（図３の２１）と電気的に接続されている。【００７６】
第３の半導体ウェハ３０は、第３の半導体ウェハ３０のプローブカード５０側の面の周縁部に、第３のシート６３の電極６３ａと接触する電極３２を有する。電極３２は、被検査チップ（図３の３１）が配設されている領域以外の領域に配設されており、配線（図示せず）を通じて各被検査チップ（図３の３１）と電気的に接続されている。第３の半導体ウェハ３０は、プローブカード５０の径よりも大きく構成されている。【００７７】
第１のシート６１は、第１の半導体ウェハ１０側の面に第１の半導体ウェハ１０の電極１２と接触させるための電極６１ａを有する。電極６１ａは、第１のシート６１、第２のウェハステージ４３、及びプローバ４１内の配線７１を通じてテスタ７０と電気的に接続されている。第１のシート６１及び第２のウェハステージ４３は、配線７１の構成部として、コネクタ等の接続手段（図示せず）を有する。【００７８】
第２のシート６２は、第２の半導体ウェハ２０側の面に第２の半導体ウェハ２０の電極２２と接触させるための電極６２ａを有する。電極６２ａは、第２のシート６２、第３のウェハステージ４４、及びプローバ４１内の配線７１を通じてテスタ７０と電気的に接続されている。第２のシート６２及び第３のウェハステージ４４は、配線７１の構成部として、コネクタ等の接続手段（図示せず）を有する。【００７９】
第３のシート６３は、第３の半導体ウェハ３０の電極３２と電気的に接触させるための電極８１ａを有する絶縁シートである。第３のシート６３は、プローブカード５０の外側にて、圧着リング６４の第３の半導体ウェハ３０側の面に取り付け固定されている。第３のシート６３は、第３の半導体ウェハ３０側の面に第３の半導体ウェハ３０の電極３２と接触させるための電極６３ａを有する。電極６３ａは、第３のシート６３、圧着リング６４、及びプローバ４１内の配線７１を通じてテスタ７０と電気的に接続されている。【００８０】
圧着リング６４は、第３のシート６３の電極６３ａを第３の半導体ウェハ３０の電極３２に圧着させるためのリング状の弾性部材である。圧着リング６４は、プローブカード５０の外側にてプローバ４１のヘッド部に固定されている。圧着リング６４の第３の半導体ウェハ３０側の面には、第３のシート６３が取り付けられている。【００８１】
なお、図１３では、第３のシート６３の電極６３ａと接触するものが第３のシート６３の電極６３ａとしているが、圧着リング６４、第３のシート６３、及び電極６３ａの代わりにプローブ針を用いてもよい。【００８２】
実施例４によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、電源やクロック信号などの共通の信号を第３のシート６３の電極６３ａから供給することができ、被検査チップ（図３の１１、２１、３１）における非接触伝送電極（図５の１１ａ、２１ａ、３１ａ）の個数を減らすことができる。また、電極６１ａ、６２ａ、６３ａを半導体ウェハの周縁部の電極１２、２２、３２に合わせることができる。
【実施例５】
【００８３】
本発明の実施例５に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１４は、本発明の実施例５に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００８４】
実施例４（図１３参照）ではプローブカード（図１３の５０）の外側に圧着リング（図１３の６４）、及び第３のシート（図１３の６３）を配設して、第３のシート（図１３の６３）にも受けられた電極（図１３の６３ａ）を第３の半導体ウェハ（図１３の３０）の電極（図１３の３２）に接触させていたが、実施例５では、圧着リング（図１３の６４）、及び第３のシート（図１３の６３）を廃止し、プローブカード５０を第３の半導体ウェハ３０の径と同等又はそれ以上とし、プローブカード５０と第３の半導体ウェハ３０の間に絶縁シート８１を配設し、絶縁シート８１に設けられた電極８１ａを第３の半導体ウェハ３０の電極３２に接触させるようにしたものである。その他の構成は、実施例４と同様である。【００８５】
絶縁シート８１は、第３の半導体ウェハ３０の電極３２と電気的に接触させるための電極８１ａを有する絶縁シートである。絶縁シート８１は、プローブカード５０の第３の半導体ウェハ３０側の面に取り付け固定されている。絶縁シート８１は、第３の半導体ウェハ３０側の面に第３の半導体ウェハ３０の電極３２と接触させるための電極８１ａを有する。電極８１ａは、絶縁シート８１、プローブカード５０、及びプローバ４１内の配線７１を通じてテスタ７０と電気的に接続されている。プローブカード５０によって絶縁シート８１を第３の半導体ウェハ３０側に押し付けることで、電極３２、８１ａ同士を圧着させることができる。【００８６】
実施例５によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、電源やクロック信号などの共通の信号を絶縁シート８１の電極８１ａから供給することができ、被検査チップ（図３の１１、２１、３１）における非接触伝送電極（図５の１１ａ、２１ａ、３１ａ）の個数を減らすことができる。
【実施例６】
【００８７】
本発明の実施例６に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１５は、本発明の実施例６に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００８８】
実施例６は、実施例４（図１３参照）における電気的接触を、実施例２（図９参照）と同様にプローブカード５０を第１のウェハステージ４２に埋め込んだ形態に適用したものである。つまり、実施例２ではプローブカード（図９の５０）と半導体ウェハ（図９の１０、２０、３０）の間の伝送を非接触伝送のみで行っているが、実施例６では、電源やクロック信号などの共通の信号を、シート６１、６２、６３に設けられた電極６１ａ、６２ａ、６３ａと、半導体ウェハ１０、２０、３０に設けられた電極１２、２２、３２とを接触させて各半導体ウェハ１０、２０、３０の各被検査チップ（図３の１１、２１、３１）に伝送するようにし、その他の信号については非接触伝送により伝送を行っている。その他の構成は、実施例４と同様である。なお、半導体ウェハ１０、２０、３０、シート６１、６２、６３、及び圧着リング６４の構成については、実施例４の説明を参照されたい。【００８９】
実施例６によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、電源やクロック信号などの共通の信号を第３のシート６３の電極６３ａから供給することができ、被検査チップ（図３の１１、２１、３１）における非接触伝送電極（図５の１１ａ、２１ａ、３１ａ）の個数を減らすことができる。【００９０】
また、図１６のように、第３の半導体ウェハ３０上に第４のシート６５を配置し、第４のシート６５上にプローブカード５０を配置し、プローブカード５０上に絶縁シート８１を配置し、絶縁シート８１上に第４の半導体ウェハ９０を配置することができる。つまり、プローブカード５０を半導体ウェハ３０、９０間（半導体ウェハ１０、２０、３０、９０間のいずれかの間でも可）に配置した構成とすることもできる。
【実施例７】
【００９１】
本発明の実施例７に係る半導体検査装置について図面を用いて説明する。図１７は、本発明の実施例７に係る半導体検査装置の構成を模式的に示した断面図である。【００９２】
実施例７は、実施例４（図１３参照）における電気的接触を、実施例３（図１１参照）と同様にプローブカード５０を第１のウェハステージ４２の内側に配置した形態に適用したものである。つまり、実施例３ではプローブカード（図１１の５０）と半導体ウェハ（図１１の１０、２０、３０）の間の伝送を非接触伝送のみで行っているが、実施例７では、電源やクロック信号などの共通の信号を、シート６１、６２、６３に設けられた電極６１ａ、６２ａ、６３ａと、半導体ウェハ１０、２０、３０に設けられた電極１２、２２、３２とを接触させて各半導体ウェハ１０、２０、３０の各被検査チップ（図３の１１、２１、３１）に伝送するようにし、その他の信号については非接触伝送により伝送を行っている。その他の構成は、実施例４と同様である。なお、半導体ウェハ１０、２０、３０、シート６１、６２、６３、及び圧着リング６４の構成については、実施例４の説明を参照されたい。【００９３】
実施例７によれば、実施例１と同様な効果を奏するとともに、電源やクロック信号などの共通の信号を第３のシート６３の電極６３ａから供給することができ、被検査チップ（図３の１１、２１、３１）における非接触伝送電極（図５の１１ａ、２１ａ、３１ａ）の個数を減らすことができる。【００９４】
本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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