(57)【要約】  パターンが設けられたマスクＭに照明光を照射する照明装置ＩＬにおいて、前記マスクＭ上の第１パターン領域に前記照明光を照射する部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６（第１照射部）と、前記マスクＭ上の前記第１パターン領域と異なる第２パターン領域に前記照明光を照射する部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７（第２照射部）と、入射部１２ａ〜１２ｃから入射した前記照明光を分岐させ、前記第１照射部および前記第２照射部へ異なる光量の前記照明光を導出するライトガイド１３とを備える。
2009128488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが設けられたマスクに照明光を照射する照明装置において、
前記マスク上の第１パターン領域に前記照明光を照射する第１照射部と、
前記マスク上の前記第１パターン領域と異なる第２パターン領域に前記照明光を照射する第２照射部と、
入射部から入射した前記照明光を分岐させ、前記第１照射部および前記第２照射部へ異なる光量の前記照明光を導出する光分岐手段と、
を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記光分岐手段は、前記入射部の縁部から入射した前記照明光を前記第２照射部へ導出することを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光分岐手段は、複数の前記入射部のうち二以上の第１入射部から入射した前記照明光を前記第１照射部へ導出し、前記第１入射部より少ない第２入射部から入射した前記照明光を前記第２照射部へ導出することを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第２照射部による前記第２パターン領域上の前記照明光の照射領域は、前記第１照射部による前記第１パターン領域上の前記照明光の照射領域より小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記光分岐手段は、前記第２照射部へ前記照明光を導出する導出口が、前記第１照射部へ前記照明光を導出する導出口より小さいことを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記光分岐手段は、複数の光ファイバを有し、前記入射部から入射した前記照明光を該光ファイバを介して前記第１および第２照射部へ導出することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記光分岐手段は、偏光に応じて光を分岐させる偏光分岐素子を有し、前記入射部から入射した前記照明光のうち前記偏光分岐素子が分岐させた一方の分岐光を前記第１照射部へ導出し、他方の分岐光を前記第２照射部へ導出することを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
前記光分岐手段は、前記偏光分岐素子に入射させる前記照明光の偏光方向を、前記一方の分岐光に比して前記他方の分岐光の光量が少なくなる偏光方向に設定する複屈折素子を有することを特徴とする請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記光分岐手段は、前記一方の分岐光と前記他方の分岐光との少なくとも一方の偏光を解消させる偏光解消素子を有することを特徴とする請求項７または８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記第１照射部における前記照明光の光路に設けられ、該第１照射部が照射する前記照明光の照射量を変化させる照射量調整機構を備えたことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記第２照射部が照射する前記照明光の光路を開閉する光路開閉機構と、
前記光路開閉機構が光路を開放する場合、前記照射量調整機構によって前記照明光の照射量を減少調整し、前記光路開閉機構が光路を閉じる場合、前記照射量調整機構によって前記照明光の照射量を増加調整する照射量制御部と、
を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記照射量制御部は、前記光路開閉機構が光路を開放する場合、前記第１パターン領域における前記照明光の照射量を、前記第２パターン領域における前記照明光の照射量と等しくすることを特徴とする請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記第２パターン領域は、前記第１パターン領域の所定方向の両端または一端に並設されたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の照明装置と、
パターンが設けられたマスクを保持するマスク保持機構と、
感光基板を保持する基板保持機構と、を備え、
前記照明装置は、前記マスク上の第１および第２パターン領域の少なくとも一方を介して前記照明光を前記感光基板に照射することを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
前記パターンの像を前記感光基板に投影する複数の投影光学モジュールを備え、
前記照明装置は、前記第１照射部および前記第２照射部ごとに異なる前記投影光学モジュールを介して前記照明光を前記感光基板に照射することを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記照明装置が前記感光基板に前記照明光を照射中に、前記基板保持機構を走査方向へ移動させる露光制御部を備え、
前記第２パターン領域は、前記走査方向と交差する非走査方向における前記第１パターン領域の両端または一端に並設されたことを特徴とする請求項１４または１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記マスクに設けられたパターンを前記感光基板に転写する露光工程と、
前記パターンが転写された前記感光基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記感光基板に生成する現像工程と、
前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンが設けられたマスクを照明する照明装置、露光装置及びデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造するために露光装置が用いられている。このフォトリソグラフィの手法を用いた製造工程では、マスク上に形成された原画となるパターンを、照明光により照明し、フォトレジスト等の感光剤が塗布されたプレート（感光基板）上に転写している。【０００３】
近年、液晶表示素子等の大面積化が要求されており、これに伴って露光装置では露光領域の拡大が望まれている。これに対して、複数の投影光学モジュールを走査方向と交差する方向（非走査方向）に配列し、この複数の投影光学モジュールに対してマスクと感光基板とを走査方向に同期移動させながら、マスク上に形成されたパターンを感光基板上に転写するマルチレンズ方式の露光装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。かかる露光装置では、ライトガイドを用いて光源からの照明光を投影光学モジュールの数に応じて等分割している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２０３８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した露光装置では、転写するパターンの大きさやパターン数に応じて、１枚の感光基板に対して複数回の走査露光を行う必要があり、同じサイズの感光基板に対して異なる回数の走査露光を行う場合がある。例えば、４回の走査露光を行うことにより４面分（２×２面配列）のパターンを転写する場合と、６回の走査露光を行うことにより６面分（３×２面配列）のパターンを転写する場合とがある。通常、１枚の感光基板の処理に要する基板処理時間は、同じサイズの感光基板であっても走査露光回数が多いほど長くなる。【０００６】
これに対して、露光装置にインライン接続されるコータ・デベロッパ等の周辺装置では、一般に、感光基板に転写されるパターンの大きさやパターン数に依らず、感光基板のサイズに応じて基板処理時間が決っている。このため、露光装置とコータ・デベロッパ等の周辺装置とを含む生産ラインでは、露光装置における基板処理時間によってライン全体のスループットが制限される場合があり、例えば、同じサイズの感光基板に対して４回の走査露光と６回の走査露光とを適宜行う必要がある生産ラインでは、６回の走査露光を行う場合の露光装置の基板処理時間によってライン全体のスループットが制限される。【０００７】
本発明の目的は、同じサイズの感光基板に対して異なる回数の走査露光を行う場合に、走査露光回数が多い方の基板処理時間を短縮し、走査露光回数に応じた基板処理時間の差を減少させることが可能な照明装置、露光装置及びデバイス製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の照明装置は、パターンが設けられた物体に照明光を照射する照明装置において、前記物体上の第１パターン領域に前記照明光を照射する第１照射部と、前記物体上の前記第１パターン領域と異なる第２パターン領域に前記照明光を照射する第２照射部と、入射部から入射した前記照明光を分岐させ、前記第１照射部および前記第２照射部へ異なる光量の前記照明光を導出する光分岐手段とを備えたことを特徴とする。【０００９】
また、本発明の露光装置は、本発明の照明装置と、パターンが設けられたマスクを保持するマスク保持機構と、感光基板を保持する基板保持機構とを備え、前記照明装置が前記マスク上の第１および第２パターン領域の少なくとも一方を介して前記照明光を前記感光基板に照射することを特徴とする。【００１０】
また、本発明のデバイス製造方法は、本発明の露光装置を用いて、前記マスクに設けられたパターンを前記感光基板に転写する露光工程と、前記パターンが転写された前記感光基板を現像し、前記パターンに対応する形状の転写パターン層を前記感光基板に生成する現像工程と、前記転写パターン層を介して前記感光基板を加工する加工工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の照明装置、露光装置及びデバイス製造方法によれば、同じサイズの感光基板に対して異なる回数の走査露光を行う場合に、走査露光回数が多い方の基板処理時間を短縮し、走査露光回数に応じた基板処理時間の差を減少させることが可能となり、露光装置とコータ・デベロッパ等の周辺装置とを含む生産ライン全体のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る露光装置の構成を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係るライトガイドの入射部の構成及び入射部における照明光の光量分布を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係るライトガイドの構成を示す図である。
【図５】４回の走査露光を行う場合のマスク及びプレートの構成を示す図である。
【図６】６回の走査露光を行う場合のマスク及びプレートの構成を示す図である。
【図７】４回の走査露光を行う場合のマスク上のパターン領域と部分照明領域の位置関係を示す図である。
【図８】６回の走査露光を行う場合のマスク上のパターン領域と部分照明領域の位置関係を示す図である。
【図９】第１の変形例に係るライトガイドの入射部の構成及び入射部における照明光の光量分布を示す図である。
【図１０】第１の変形例に係るライトガイドの構成を示す図である。
【図１１】第２の変形例に係るライトガイドの入射部の構成及び入射部における照明光の光量分布を示す図である。
【図１２】第２の変形例に係るライトガイドの構成を示す図である。
【図１３】第３の変形例に係るライトガイドの入射部の構成及び入射部における照明光の光量分布を示す図である。
【図１４】第３の変形例に係るライトガイドの構成を示す図である。
【図１５】第２の実施形態に係る視野絞りの開口部及び遮蔽板の構成を示す図である。
【図１６】第３の実施形態に係る照明装置の構成を示す図である。
【図１７】本発明に係る半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】本発明に係る液晶デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係る照明装置、露光装置及びデバイス製造方法について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る露光装置ＥＸの全体構成を示す斜視図である。本実施形態においては、複数の反射屈折型の投影光学モジュールからなる投影光学系ＰＬに対して、マスクＭを保持するマスクステージ（図示せず）と感光基板としてのプレートＰを保持するプレートステージ（図示せず）とを同期移動させつつ、マスクＭに設けられたパターンの像をプレートＰに転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明する。
【００１４】
また、以下の説明においては、図１中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がプレートＰに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がプレートＰに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ直交座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、この実施形態ではマスクＭ及びプレートＰを同期移動させる方向（走査方向）をＸ軸方向に設定している。
【００１５】
露光装置ＥＸは、マスクＭを均一に照明するための照明光を射出する照明装置ＩＬを備えている。照明装置ＩＬは、超高圧水銀ランプ等の放電ランプからなる３個の光源２ａ，２ｂ，２ｃを備えている。図２に示すように、光源２ａより射出した照明光は、楕円鏡４ａにより集光され、照明リレー光学系６ａによりライトガイド１３の入射部１２ａに集光される。なお、光源２ｂより射出した照明光は、楕円鏡４ｂ、及び照明リレー光学系６ｂを介してライトガイド１３の入射部１２ｂに集光され、光源２ｃより射出した照明光は、楕円鏡４ｃ、及び照明リレー光学系６ｃを介してライトガイド１３の入射部１２ｃに集光される。
【００１６】
ライトガイド１３は、複数の光ファイバを、その入射側と射出側とにおいてランダムに束ねた光ファイバ束であるランダムライトガイドファイバを用いて構成され、３個の入射部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ（図２においては、入射部１２ａのみを示す）及び７個の射出部１４ａ〜１４ｇ（図２においては、射出部１４ｇのみを示す）を備えている。入射部１２ａ〜１２ｃに入射した照明光は、ライトガイド１３の内部を伝播し、７個の射出部１４ａ〜１４ｇに分岐されて射出する。
【００１７】
入射部１２ａ〜１２ｃは、図３に示すように、複数の光ファイバが円形状に束ねられた円形部８ａ，８ｂ，８ｃ（図中右上がり斜線で示す領域）と、その周縁部で複数の光ファイバが輪帯状に束ねられた輪帯部９ａ，９ｂ，９ｃ（図中左上がり斜線で示す領域）によりそれぞれ構成されている。なお、入射部１２ａ〜１２ｃの周囲に示す円形状の領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、照明光により照明される領域を示している。円形部８ａ〜８ｃに入射した照明光は、射出部１４ｂ〜１４ｆから導出され、輪帯部９ａ〜９ｃに入射した照明光は、図４に示すように、射出部１４ａ，１４ｇから導出される。
【００１８】
ここで、図３において入射部１２ａ〜１２ｃに集光される照明光の光量分布ＬＱＤを示しているが、入射部１２ａ〜１２ｃの輪帯部９ａ〜９ｃに集光される照明光の光量は、円形部８ａ〜８ｃに集光される照明光の光量と比較して少なくなる。したがって、円形部８ａ〜８ｃに入射し、射出部１４ｂ〜１４ｆから導出される照明光の光量は、輪帯部９ａ〜９ｃに入射し、射出部１４ａ，１４ｇから導出される照明光の光量より多くなる。また、射出部１４ｂ〜１４ｆから導出される照明光の光量は、入射部１２ａ〜１２ｃから入射する照明光を射出部１４ａ〜１４ｇに均等に分岐して射出させる場合に比して、増大されている。
【００１９】
ライトガイド１３の７個の射出部１４ａ〜１４ｇから導出された各照明光は、マスクＭを部分的に照明する部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７（部分照明光学系ＩＬ２，ＩＬ４は図示せず）にそれぞれ入射する。
【００２０】
図２に示すように、ライトガイド１３の射出部１４ｇの近傍には、シャッタ２０ｇが配置されている。シャッタ２０ｇは、射出部１４ｇから射出した照明光の光路を遮断する遮断部材を有しており、この遮断部材を照明光の光路に対して挿脱することでその光路を選択的に開閉（開放および遮断）する。
【００２１】
シャッタ２０ｇを通過した照明光は、減光フィルタ２１ｇに入射する。減光フィルタ２１ｇは、光透過率がＸ方向に連続的に異なるように形成された透過率可変フィルタであり、シャッタ２０ｇとコリメートレンズ１６ｇとの間の光路に対して挿脱可能に構成されている。減光フィルタ２１ｇを光路に対してＸ方向に適当量挿入することにより、減光フィルタ２１ｇを通過する照明光の光量を変化させることができ、部分照明光学系ＩＬ７を介した照明光により照明するマスクＭ上の照射量を調整することができる。
【００２２】
減光フィルタ２１ｇを通過した照明光は、コリメートレンズ１６ｇにより平行光束にされ、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ１７ｇに入射する。フライアイレンズ１７ｇに入射した照明光は、フライアイレンズ１７ｇを構成する多数のレンズエレメントにより波面分割され、その後側焦点面（射出面近傍）にレンズエレメントの数と同数の発光像からなる二次光源（面光源）を形成し、コンデンサレンズ１８ｇによりマスクＭ上の部分照明領域Ｉ７（図１参照）をほぼ均一に照明する。なお、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ６は、部分照明光学系ＩＬ７と同一の構成を有しており、マスクＭ上のそれぞれ対応する部分照明領域Ｉ１〜Ｉ６をほぼ均一に照明する。
【００２３】
部分照明領域Ｉ７からの照明光は、部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７に対応するように配列された複数の投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７（図１においてＰＬ２，ＰＬ４は図示せず）のうち、投影光学モジュールＰＬ７に入射する。図２に示すように、投影光学モジュールＰＬ７は、マスクＭに設けられたパターンのうち部分照明領域Ｉ７内に位置するパターンの中間像を形成する第１反射屈折光学系ＰＬ１１と、部分照明領域Ｉ７内のパターンの投影像（等倍正立像）をプレートＰ上に形成する第２反射屈折光学系ＰＬ１２とを備えている。
【００２４】
同様に、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ６に対応する部分照明領域Ｉ１〜Ｉ６からの各照明光は、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ６に対応して設けられている投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ６にそれぞれ入射する。投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ６は、投影光学モジュールＰＬ７と同一の構成を有しており、それぞれ対応する部分照明領域Ｉ１〜Ｉ６内のパターンの投影像をプレートＰ上に形成する。ここで、部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７は、投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７内に設けられた図示しない視野絞りによってそれぞれ規定されている。なお、投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７は、Ｙ方向において投影光学モジュールＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６が投影光学モジュールＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７の間にそれぞれ位置するように千鳥状に配置されている。
【００２５】
さらに、露光装置ＥＸは、図２に示すように、マスクＭを照明する照明光の照射量の調整等を行う制御部３０、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７の各シャッタ（シャッタ２０ｇを含む７つのシャッタ）をそれぞれ開閉駆動するシャッタ駆動部３２、及び部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７の各減光フィルタ（減光フィルタ２１ｇを含む７つの減光フィルタ）をそれぞれＸ方向に移動させるフィルタ駆動部３４を備えている。
【００２６】
この露光装置ＥＸにおいては、照明装置ＩＬによりマスクＭを照明し、マスクステージとプレートステージとを投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７に対してＸ方向に同期移動させつつスキャン露光（走査露光）を行うことにより、マスクＭに形成されたパターンの投影像をプレートＰに転写する。なお、マスクステージ及びプレートステージをＸ方向に移動させる駆動部（図示せず）は、制御部３０により駆動制御される。
【００２７】
ところで、露光装置ＥＸでは、プレートＰに転写するパターンの大きさやパターン数に応じて、プレートＰに対して複数回の走査露光を行う必要があり、同じサイズのプレートＰに対して異なる回数の走査露光を行う場合がある。例えば、図５に示すように、マスクＭ１のパターン領域Ｍ１０に２面分のパターンを設け、４回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に８面分（２×４面配列）のパターンを転写する場合、あるいは図６に示すように、マスクＭ２のパターン領域Ｍ２０に１面分のパターンを設け、６回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に６面分（３×２面配列）のパターンを転写する場合などがある。
【００２８】
図７は、マスクＭ１上のパターン領域Ｍ１０と、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７のそれぞれにより照明される部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７との位置関係を示す図である。図８は、マスクＭ２上のパターン領域Ｍ２０と部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７との位置関係を示す図である。ここで、パターン領域Ｍ１０（斜線で示す領域）は、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６によって照明光が照射される第１パターン領域ＰＡ１と、この第１パターン領域ＰＡ１のＹ方向の両端部に並設され、部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７によって照明光が照射される第２パターン領域ＰＡ２とを含み、パターン領域Ｍ２０は、第２パターン領域ＰＡ２のみを含んでいる。
【００２９】
図７に示すように、パターン領域Ｍ１０のＹ方向における幅は、図８に示すパターン領域Ｍ２０のＹ方向における幅より広く、パターン領域Ｍ１０のＹ方向における両端縁は、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７のうちＹ方向の両端に配置された部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７が照明する部分照明領域Ｉ１，Ｉ７内にある。したがって、図５に示すように４回の走査露光を行う場合には、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７をすべて用いてマスクＭ１の照明を行うことによりパターン領域Ｍ１０内のパターンをプレートＰに転写する。
【００３０】
この場合、制御部３０は、パターンの転写にあたって、例えば走査露光の開始前にシャッタ駆動部３２に対して制御信号を出力し、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７の各シャッタによって照明光の光路を開放する。また、制御部３０は、フィルタ駆動部３４に対して制御信号を出力し、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７の各減光フィルタをそれぞれＸ方向に適当量移動させて、部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７における照明光の照射量を等しくする。この際、制御部３０は、部分照明領域Ｉ２〜Ｉ６における照明光の照射量を減少調整する。
【００３１】
一方、図８に示すように、パターン領域Ｍ２０のＹ方向における両端縁は、部分照明光学系ＩＬ２，ＩＬ６が照明する部分照明領域Ｉ２，Ｉ６内にある。したがって、図６に示すように６回の走査露光を行う場合には、部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７を用いてマスクＭ２の照明を行なわず、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６のみを用いてマスクＭ２の照明を行うことによりパターン領域Ｍ２０内のパターンをプレートＰ上に転写する。
【００３２】
この場合、制御部３０は、パターンの転写にあたって、例えば走査露光の開始前にシャッタ駆動部３２に対して制御信号を出力し、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６の各シャッタによって照明光の光路を開放するとともに、部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７の各シャッタによって照明光の光路を閉じる（遮断する）。また、制御部３０は、フィルタ駆動部３４に対して制御信号を出力し、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６の各減光フィルタをそれぞれＸ方向に適当量移動させて、部分照明領域Ｉ２〜Ｉ６における照明光の照射量を等しくする。この際、制御部３０は、部分照明領域Ｉ２〜Ｉ６における照明光の照射量を増加調整する。
【００３３】
この第１の実施形態に係る露光装置ＥＸによれば、射出部１４ｂ〜１４ｆから導出させる照明光の光量を、入射部１２ａ〜１２ｃから入射する照明光を射出部１４ａ〜１４ｇに均等に分岐して射出させる場合に比して増大させているため、同じサイズのプレートＰに対して異なる回数の走査露光（例えば４回または６回の走査露光）を行う場合に、走査露光回数が多い方の露光処理における照明光の照射量を、走査露光回数に関わりなく等しい照射量とする従来技術に比して増加させることができ、走査露光回数が多い方の基板処理時間を短縮することができる。したがって、走査露光回数に応じた基板処理時間の差（例えば４回の走査露光による基板処理時間と６回の走査露光による基板処理時間との差）を減少させることができ、露光装置ＥＸとコータ・デベロッパ等の周辺装置とを含む生産ライン全体のスループットを向上させることができる。
【００３４】
なお、第１の実施形態においては、ライトガイド１３が３個の入射部１２ａ〜１２ｃを備えているが、第１の変形例として図９及び図１０に示すような１個の入射部１２を備えたライトガイド２３を用いてもよい。この場合、入射部１２は、図９に示すように、複数の光ファイバが円形状に束ねられた円形部８（図中右上がり斜線で示す領域）と、その周縁部で複数の光ファイバが輪帯状に束ねられた輪帯部９（図中左上がり斜線で示す領域）により構成されている。そして、図１０に示すように、円形部８に入射した照明光は射出部１４ｂ〜１４ｆに分岐されて部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６へ導出され、輪帯部９に入射した照明光は射出部１４ａ，１４ｇに分岐されて部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７へ導出される。ライトガイド２３を用いる場合にも、ライトガイド１３を用いる場合と同様に、円形部８に入射し、射出部１４ｂ〜１４ｆから導出される照明光の光量は、輪帯部９に入射し、射出部１４ａ，１４ｇから導出される照明光の光量より多くなる。
【００３５】
また、第１の実施形態においては、円形部８ａ〜８ｃに入射した照明光を射出部１４ｂ〜１４ｆから導出し、輪帯部９ａ〜９ｃに入射した照明光を射出部１４ａ，１４ｇから導出しているが、第２の変形例として図１１及び図１２に示すようにライトガイド１３’を用い、円形部８ａ，８ｃ及び入射部１２ｂ（円形部８ｂおよび輪帯部９ｂ）に入射する照明光を射出部１４ｂ〜１４ｆから導出し、輪帯部９ａ，９ｃに入射する照明光を射出部１４ａ，１４ｇからそれぞれ導出する構成にしてもよい。このライトガイド１３’では、ライトガイド１３と比較して、射出部１４ａ，１４ｇに対応させる光ファイバの長さを短くすることができ、射出部１４ａ，１４ｇから導出する照明光の透過率を向上させることができるとともに、ライトガイドのコストダウンを図ることができる。
【００３６】
また、本発明に係る露光装置が１１個の部分投影光学系を備える場合には、第３の変形例として図１３及び図１４に示すように、３個の第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄから入射した照明光を第１射出部１４０ｃ〜１４０ｉから射出させ、１個の第２入射部１２０ｂから入射した照明光を第２射出部１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｊ，１４０ｋから射出させるライトガイド１３０を用いることができる。この場合、第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄに入射した照明光は第１射出部１４０ｃ〜１４０ｉに均等に分岐されて、それぞれ対応する部分照明光学系へ導出され、第２入射部１２０ｂに入射した照明光は第２射出部１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｊ，１４０ｋに均等に分岐されて、それぞれ対応する部分投影光学系へ導出される。
【００３７】
射出部１４０ａ〜１４０ｋそれぞれの面積を同一にするのが望ましいため、第２入射部１２０ｂの面積は第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄそれぞれの面積より大きく構成されている。即ち、第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄそれぞれの面積をＳ１、第２入射部１２０ｂの面積をＳ２、射出部１４０ａ〜１４０ｋそれぞれの面積をＳ３としたとき、（１）及び（２）式の関係が成り立つ。
【００３８】
Ｓ１＝Ｓ３×７／３  （１）
Ｓ２＝Ｓ３×４      （２）
したがって、第２入射部１２０ｂの面積Ｓ２は、（１）及び（２）式より、第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄそれぞれの面積Ｓ１の４×（３／７）≒１．７倍にするのが望ましい。なお、図１３及び図１４においては、３個の第１入射部１２０ａ，１２０ｃ，１２０ｄ及び１個の第２入射部１２０ｂを備えているが、２個以上の第１入射部及び第１入射部より少ない第２入射部を備えていればよい。また、図１３及び図１４においては、７個の第１射出部１４０ｃ〜１４０ｉ及び４個の第２射出部１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｊ，１４０ｋを備えているが、少なくとも１個の第１射出部及び第２射出部を備えていればよい。
【００３９】
また、第１の実施形態においては、Ｙ方向において両端に設置されている部分照明光学系ＩＬ１及びＩＬ７からの照明光を遮断する例を挙げて説明したが、マスクＭのパターン領域の大きさに対応させて部分照明光学系ＩＬ１またはＩＬ７からの照明光を遮断するようにしてもよい。また、他の部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６の少なくとも１つからの照明光を遮断する構成にしてもよい。
【００４０】
また、第１の実施形態においては、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７のそれぞれがシャッタ及び減光フィルタを備えているが、少なくともＹ方向の一方の端部に位置する部分照明光学系（例えばＩＬ１）にのみシャッタを備え、シャッタを含まない部分照明光学系（例えばＩＬ２〜ＩＬ７）にのみ減光フィルタを備えるようにしてもよい。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施形態に係る露光装置について説明する。なお、第２の実施形態に係る露光装置の構成は、上述したライトガイド１３及び投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７の構成が変更されている点を除き第１の実施形態に係る露光装置と同一の構成を有する。従って、第２の実施形態の説明においては、第１の実施形態に係る露光装置の構成と同一の構成には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００４２】
第２の実施形態に係る照明装置ＩＬが備えるライトガイドは、３個の入射部及び７個の射出部を備えており、ライトガイドの３個の入射部に入射した照明光は、ライトガイドの内部を伝播し、７個の射出部より均等に分岐されて射出する。即ち、７個の射出部から射出される各照明光の照射量は同一である。
【００４３】
また、第２の実施形態に係る投影光学系ＰＬを構成する投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７のそれぞれは、第１反射屈折光学系により中間像が形成される位置に視野絞りを備えており、投影光学モジュールＰＬ１及びＰＬ７の視野絞りの開口部の形状は、投影光学モジュールＰＬ２〜ＰＬ６の視野絞りの開口部の形状と異なる。
【００４４】
図１５は、投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７それぞれの視野絞りの開口部の形状を示す図である。投影光学モジュールＰＬ１の視野絞りの開口部ｆ１及び投影光学モジュールＰＬ７の視野絞りの開口部ｆ７は、平行な対辺のうち短辺が＋Ｘ方向に位置し、露光幅（台形の高さ）ｄを有する台形状を有している。投影光学モジュールＰＬ３の視野絞りの開口部ｆ３及び投影光学モジュールＰＬ５の視野絞りの開口部ｆ５は、平行な対辺のうち短辺が＋Ｘ方向に位置し、露光幅（台形の高さ）Ｄ（Ｄ＞ｄ）を有する台形状を有している。投影光学モジュールＰＬ２の視野絞りの開口部ｆ２、投影光学モジュールＰＬ４の視野絞りの開口部ｆ４及び投影光学モジュールＰＬ６の視野絞りの開口部ｆ６は、平行な対辺のうち短辺が−Ｘ方向に位置し、高さＤ（Ｄ＞ｄ）を有する台形状を有している。
【００４５】
また、投影光学モジュールＰＬ２は視野絞りの近傍に遮蔽板４０ｂを備えている。遮蔽板４０ｂは、視野絞りの開口部ｆ２の露光幅Ｄを変更するために用いられ、視野絞りの開口部ｆ２を通過する照明光の光路に対して挿脱可能に構成されている。遮蔽板４０ｂを光路中に挿入または退避することにより、視野絞りの開口部ｆ２の露光幅Ｄが変化し、露光幅Ｄを変化させることにより部分照明光学系ＩＬ２及び投影光学モジュールＰＬ２を介した照明光による露光量を変化させることができる。即ち、遮蔽板４０ｂを光路中に挿入することにより露光幅Ｄを短くした場合、露光量は減少し、遮蔽板４０ｂを光路中から退避させることにより露光幅Ｄに変更を加えなかった場合、露光量は大きくなる。このように、遮蔽板４０ｂを光路に対して挿脱することにより露光量の調整を行うことができる。  
なお、投影光学モジュールＰＬ３〜ＰＬ６のそれぞれも視野絞りの近傍に遮蔽板４０ｂと同一の構成を有する遮蔽板４０ｃ〜４０ｆ（図示せず）を備えている。また、遮蔽板４０ｂ〜４０ｆは、遮蔽板駆動部（図示せず）によりＸ方向の移動が制御されており、遮蔽板駆動部は、制御部３０によりその駆動が制御されている。
【００４６】
この露光装置において４回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に８面分のパターンを転写する場合、走査露光の開始前に、制御部３０は、部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７のシャッタ２０ａ〜２０ｇの通過部を射出部１４ａ〜１４ｇから導出される照明光の光路中に配置し、光路を開放する。次に、制御部３０は、投影光学モジュールＰＬ２〜ＰＬ６の遮蔽板４０ｂ〜４０ｆを駆動するために遮蔽板駆動部に対して制御信号を出力し、遮蔽板４０ｂ〜４０ｆをＸ方向に移動させて、視野絞りの開口部ｆ２〜ｆ６の露光幅Ｄを変化させる。具体的には、視野絞りの開口部ｆ２〜ｆ６の露光幅Ｄが視野絞りの開口部ｆ１，ｆ７の露光幅ｄと同一になる位置に遮蔽板４０ｂ〜４０ｆを配置する。遮蔽板４０ｂ〜４０ｆが挿入され、視野絞りの開口部ｆ１〜ｆ７の露光幅がすべてｄに設定されることにより、投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７を介した照明光による露光量は同一の大きさになる。その後、制御部３０は、駆動部に対して制御信号を出力し、４回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に８面分のパターンの転写を行う。
【００４７】
また、６回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に６面分のパターンを転写する場合、走査露光の開始前に、制御部３０は、部分照明光学系ＩＬ１，ＩＬ７のシャッタ２０ａ，２０ｇの遮断部を射出部１４ａ，１４ｇから導出される照明光の光路中に配置し、光路を閉じ、部分照明光学系ＩＬ２〜ＩＬ６のシャッタ２０ｂ〜２０ｆの通過部を射出部１４ｂ〜１４ｆから導出される照明光の光路中に配置し、光路を開放する。次に、制御部３０は、遮蔽板駆動部に対して制御信号を出力し、遮蔽板４０ｂ〜４０ｆをＸ方向に移動させ、光路中から退避させる。遮蔽板４０ｂ〜４０ｆが退避されることにより、視野絞りの開口部ｆ２〜ｆ６の露光幅はＤに設定され、投影光学モジュールＰＬ２〜ＰＬ６を介した照明光による露光量は増大する。その後、制御部３０は、駆動部に対して制御信号を出力し、６回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に６面分のパターンの転写を行う。なお、この場合には、各部分照明光学系ＩＬ１〜ＩＬ７が備える減光フィルタ２１ａ〜２１ｇは、光路中から退避されている。
【００４８】
この第２の実施形態に係る露光装置によれば、同じサイズのプレートＰに対して４回または６回の走査露光を行う場合に、走査露光回数の多い６回の走査露光における露光量を増加させることができるため、６回の走査露光の露光処理時間を短縮することができる。したがって、４回の走査露光の露光処理時間と６回の走査露光の露光処理時間との差を減少させることができ、露光装置とコータ・デベロッパ等の周辺装置とからなる生産ライン全体のスループットを向上させることができる。
【００４９】
なお、上述の第１及び第２の実施形態においては、ライトガイドが３個または４個の入射部を備えているが、１個以上の入射部を備えていればよい。また、ライトガイドが７個または１１個の射出部を備えているが、例えば５個など複数の射出部を備えていればよい。
【００５０】
次に、本発明の第３の実施形態に係る露光装置について説明する。なお、第３の実施形態に係る露光装置の構成は、上述した照明装置ＩＬが照明装置ＩＬ’に変更されている点を除き第１の実施形態に係る露光装置と同一の構成を有する。従って、第３の実施形態の説明においては、第１の実施形態に係る露光装置の構成と同一の構成には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００５１】
図１６は、第３の実施形態に係る照明装置ＩＬ´の構成を示す図である。図１６に示すように、照明装置ＩＬ´は、照明光を供給するためのレーザ光源４２を備えている。レーザ光源４２から射出した照明光は、照明リレー光学系４３、ミラー４４を介して、λ／２板４５に入射する。λ／２板４５は、照明光に含まれる直線偏光の向きを変える複屈折素子であり、光軸に対して回転可能に構成されている。λ／２板４５を回転させて、所定の位置に配置することにより、照明光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分の比率を調整する。λ／２板４５を通過した照明光は、偏光ビームスプリッタ（以下、ＰＢＳという）４６に入射する。ＰＢＳ４６は、照明光の偏光に応じて照明光を分岐させるために用いられ、照明光に含まれるＰ偏光成分を透過させ、照明光に含まれるＳ偏光成分を反射させる。
【００５２】
ＰＢＳ４６を透過した照明光のＰ偏光成分は、λ／２板４７ａを介して、ＰＢＳ４８ａに入射する。ＰＢＳ４８ａにより反射された照明光のＳ偏光成分は、偏光解消素子４９ａを通過する。偏光解消素子４９ａは、レーザ光である照明光を非偏光の光に変換するために用いられる。偏光解消素子４９ａから射出された非偏光の照明光は、フライアイレンズ１７ａに入射する。
【００５３】
ＰＢＳ４６を透過した照明光と同様に、ＰＢＳ４８ａ，４８ｃを透過した照明光のＰ偏光成分は、λ／２板４７ｃ，４７ｅを介して、ＰＢＳ４８ｃ，４８ｅに入射する。ＰＢＳ４８ｃ，４８ｅにより反射された照明光のＳ偏光成分は、偏光解消素子４９ｃ，４９ｅを通過し、フライアイレンズ１７ｃ，１７ｅに入射する。同様に、ＰＢＳ４８ｅを透過した照明光のＰ偏光成分は、ミラー５０ｂにより反射され、偏光解消素子４９ｇを通過し、フライアイレンズ１７ｇに入射する。
【００５４】
一方、ＰＢＳ４６により反射された照明光のＳ偏光成分は、ミラー５１により反射され、ＰＢＳ４６を透過した照明光と同様に、λ／２板４７ｂ，４７ｄを介して、ＰＢＳ４８ｂ，４８ｄに入射する。ＰＢＳ４８ｂ，４８ｄにより反射された照明光のＳ偏光成分は、偏光解消素子４９ｂを通過し、フライアイレンズ１７ｂ，１７ｄに入射する。同様に、ＰＢＳ４８ｄを透過した照明光のＰ偏光成分は、ミラー５０ａにより反射され、偏光解消素子４９ｆを通過し、フライアイレンズ１７ｆに入射する。
【００５５】
なお、λ／２板４７ａ〜４７ｅはλ／２板４５と、ＰＢＳ４８ａ〜４８ｅはＰＢＳ４６と、偏光解消素子４９ｂ〜４９ｇは偏光解消素子４９ａと、同一の構成を有している。また、λ／２板４５，４７ａ〜４７ｅを回転移動させるλ／２板駆動部（図示せず）がλ／２板４５，４７ａ〜４７ｅ毎に備えられており、これらλ／２板駆動部は、制御部３０によりその駆動が制御されている。
【００５６】
この露光装置において４回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に８面分のパターンを転写する場合、走査露光の開始前に、制御部３０は、λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを回転移動させるためにλ／２板駆動部に対して制御信号を出力し、λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを回転移動させて、照明光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分の比率をそれぞれ設定する。具体的には、λ／２板４５を透過した照明光がＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝３：４の比率となるようにλ／２板４５を回転させる。同様に、λ／２板４８ａにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：３、λ／２板４８ｂ，４８ｃにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：２、λ／２板４８ｄ，４８ｅにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：１の比率となるように各λ／２板４８ａ〜４８ｅを回転させる。各λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを通過することにより照明光のＳ偏光成分及びＰ偏光成分は所定の比率に設定され、各部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７を照射する照明光の照射量は同一の量となる。その後、制御部３０は、駆動部に対して制御信号を出力し、４回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に８面分のパターンの転写を行う。
【００５７】
また、６回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に６面分のパターンを転写する場合、走査露光の開始前に、制御部３０は、λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを回転移動させるためのλ／２板駆動部に対して制御信号を出力し、λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを回転移動させて、照明光に含まれるＳ偏光成分とＰ偏光成分の比率をそれぞれ設定する。λ／２板４５においてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝３：２、λ／２板４８ａにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝０：２、λ／２板４８ｂにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：２、λ／２板４８ｃ，４８ｄにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：１、λ／２板４８ｅにおいてはＳ偏光成分：Ｐ偏光成分＝１：０の比率となるように各λ／２板４８ａ〜４８ｅを回転させる。各λ／２板４５，４８ａ〜４８ｅを通過することにより照明光のＳ偏光成分及びＰ偏光成分は所定の比率に設定され、部分照明領域Ｉ１，Ｉ７を照明する照明光の照射量は０となり、部分照明領域Ｉ２〜Ｉ６を照射する照明光の照射量は同一の量となる。その後、制御部３０は、駆動部に対して制御信号を出力し、６回の走査露光を行うことによりプレートＰ上に６面分のパターンの転写を行う。
【００５８】
この第３の実施形態に係る露光装置によれば、同じサイズのプレートＰに対して４回または６回の走査露光を行う場合に、走査露光回数の多い６回の走査露光においてレーザ光源４２から射出した照明光の光量を５等分し、５等分された各照明光は部分照明領域Ｉ２〜Ｉ６のそれぞれを照射する。また、走査露光回数の少ない４回の走査露光においてレーザ光源４２から射出した照明光を７等分し、７等分された各照明光は部分照明領域Ｉ１〜Ｉ７のそれぞれを照射する。したがって、６回の走査露光における照明光の照射量を増加させることができるため、６回の走査露光の露光処理時間を短縮することができる。したがって、４回の走査露光の露光処理時間と６回の走査露光の露光処理時間との差を減少させることができ、露光装置とコータ・デベロッパ等の周辺装置とからなる生産ライン全体のスループットを向上させることができる。
【００５９】
上述の各実施形態においては、マスクステージとプレートステージとを投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７に対してＸ方向に同期移動させてスキャン露光（走査露光）を行っているが、プレートステージのみを投影光学モジュールＰＬ１〜ＰＬ７に対してＸ方向に同期移動させてスキャン露光（走査露光）を行う構成にしてもよい。
【００６０】
次に、本発明に係る露光装置を用いたデバイス製造方法について説明する。図１７は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウエハに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、本発明に係る露光装置を用いてマスクに形成されたパターンをウエハ上の各ショット領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウエハの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。その後、ステップＳ４６によってウエハ表面に形成されたレジストパターンを加工用のマスクとし、ウエハ表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。
【００６１】
ここで、レジストパターンとは、本発明にかかる露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が形成されたフォトレジスト層（転写パターン層）であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウエハ表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウエハ表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、本発明にかかる露光装置は、フォトレジストが塗布されたウエハを感光基板としてパターンの転写を行う。
【００６２】
図１８は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。この図に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）、セル組立工程（ステップＳ５４）およびモジュール組立工程（ステップＳ５６）を順次行う。
【００６３】
ステップＳ５０のパターン形成工程では、プレートとしてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、本発明にかかる露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、本発明にかかる露光装置を用いてフォトレジスト層に、マスクに設けられたパターンの投影像を転写する露光工程と、パターンの投影像が転写されたプレートの現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層（転写パターン層）の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層を形成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板を加工する加工工程とが含まれている。
【００６４】
ステップＳ５２のカラーフィルタ形成工程では、Ｒ（Ｒｅｄ）、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ）、Ｂ（Ｂｌｕｅ）に対応する３つのドットの組をマトリクス状に多数配列するか、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップＳ５４のセル組立工程では、ステップＳ５０によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップＳ５２によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップＳ５６のモジュール組立工程では、ステップＳ５４によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
【００６５】
また、本発明は、半導体デバイスまたは液晶デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【符号の説明】
【００６６】
２ａ〜２ｃ…光源、４ａ〜４ｃ…楕円鏡、１２ａ〜１２ｃ…入射部、１３…ライトガイド、１４ａ〜１４ｇ…射出部、１６ｇ…コリメートレンズ、１７ａ〜１７ｇ…フライアイレンズ、１８ｇ…コンデンサレンズ、３０…制御部、３２…シャッタ駆動部、３４…フィルタ駆動部、４０ｂ…遮蔽板、４２…レーザ光源、４５，４８ａ〜４８ｅ…λ／２板、４６，４７ａ〜４７ｅ…偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、４９ａ〜４９ｇ…偏光解消素子、ＥＸ…露光装置、ｆ１〜ｆ７…視野絞りの開口部、Ｉ１〜Ｉ７…部分照明領域、ＩＬ，ＩＬ´…照明装置、ＩＬ１〜ＩＬ７…部分照明光学系、ＰＬ…投影光学系、ＰＬ１〜ＰＬ７…部分投影光学系、Ｍ…マスク、Ｐ…プレート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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