(57)【要約】  従来技術よりも更に放電遅れの改善効果を高めることができるＰＤＰ等の技術である。本代表的な実施の形態は、放電空間に露出する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体層（プライミング粒子放出層）を有するＰＤＰの製造方法であって、ＭｇＯ結晶体層は、ＭｇＯ結晶体の粉体（粒子）を含んで成り、酸素を含む雰囲気でＭｇＯ結晶体に熱処理を施すものである。特に、熱処理により、ＭｇＯ結晶体の粒径の下限が５０ｎｍ以上になるようにする。
2009037777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間に露出する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体層を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記ＭｇＯ結晶体層は、ＭｇＯ結晶体の粉体を含んで成るものであり、
前記ＭｇＯ結晶体の粉体を、酸素を含む雰囲気で熱処理を施すこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ＭｇＯ結晶体層における前記ＭｇＯ結晶体の粒径分布における粒径の下限が５０ｎｍ以上になるように、前記熱処理を施すこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記熱処理では、１０００〜２８００℃の温度で、０．１〜４８時間、焼成すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記熱処理よりも前に、前記ＭｇＯ結晶体の粉末に、当該ＭｇＯの融点を下げる働きを持つフラックスを添加し、それより後に、当該ＭｇＯ結晶体の粉末に対し、前記熱処理を施すこと、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記熱処理では、前記フラックスの融点〜２８００℃の温度で、０．１〜１２時間、焼成すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記フラックスは、マグネシウムのハロゲン化合物であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記ハロゲン化合物は、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）であること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記熱処理後のＭｇＯ結晶体を溶剤に分散させてなるＭｇＯ結晶体含有材料を、前記プラズマディスプレイパネルの誘電体層もしくはその上の保護層の表面に層状に配置し、加温により前記溶剤成分を除去することで前記ＭｇＯ結晶体層を形成すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記熱処理後のＭｇＯ結晶体を溶剤に分散させてなるＭｇＯ結晶体含有材料を、前記プラズマディスプレイパネルの誘電体層もしくはその上の保護層の表面に層状に配置し、加温により前記溶剤成分を除去することで前記ＭｇＯ結晶体層を形成すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
プラズマディスプレイパネルにおける放電空間に露出する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体層を構成するＭｇＯ結晶体であって、
前記ＭｇＯ結晶体の粉体を、酸素を含む雰囲気で熱処理を施すことにより、粒径分布における粒径の下限が５０ｎｍ以上になるようにしたこと、を特徴とするＭｇＯ結晶体。
【請求項１１】
放電空間に露出する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体層を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記ＭｇＯ結晶体層は、ＭｇＯ結晶体の粉体を含んで成るものであり、
前記ＭｇＯ結晶体の粉体は、酸素を含む雰囲気で熱処理が施されることにより、粒径分布における粒径の下限が５０ｎｍ以上になっており、
前記プラズマディスプレイパネルの誘電体層もしくはその上の保護層の表面に、前記熱処理が施されたＭｇＯ結晶体の粉体を含んで成る前記ＭｇＯ結晶体層が形成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の表示デバイスに関し、特に、プライミング粒子放出層（電子放出層）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは、高精細化が進んでおり、画素数が増加することにより、表示セルの点灯／非点灯を選択決定するアドレス動作の時間が増大する。この増大を抑制するためには、アドレス放電用の電圧（アドレス電圧）のパルス幅を小さくすることが有効である。しかし、電圧を印加してから放電が発生するまでの時間（放電遅れ）には、ばらつきがある。そのため、アドレス電圧のパルス幅が小さ過ぎると、パルスを印加しても放電が発生しないことがあり得る。その場合、サステイン期間で当該表示セルが正しく点灯しない。そのため、画質劣化を招く。【０００３】
ＰＤＰの放電遅れを改善する手段として、前面基板構造体に、プライミング粒子放出層（電子放出層）として、ＭｇＯ結晶体層を設ける技術がある。この技術について、特開２００６−５９７８６号公報（特許文献１）に記載されている。【０００４】
上記ＭｇＯ結晶体層による放電遅れの改善効果は、当該層を構成するＭｇＯ結晶体粉体（粉末）の粒径が大きい程高くなる。例えば、特開２００６−１４７４１７号公報（特許文献２）には、ＭｇＯ結晶体粉末を分級して平均粒径の向上を図る技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００６−５９７８６号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のような技術では、前回の放電からアドレス放電までの休止期間が短い場合には、放電遅れの改善効果がみられるが、長い場合には効果が劣化することがわかっている。【０００６】
また、前述のように、放電遅れの改善効果は、ＭｇＯ結晶体粉体の粒径が大きい程高くなるが、特許文献２のような技術でも、前記休止期間が長くなれば、プライミング粒子放出量が減少することから、放電遅れが悪化する（効果が劣化する）。高コントラスト駆動、高精細駆動を行うためには、更なる放電遅れの改善効果の実現が望まれる。【０００７】
本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、従来技術よりも更に放電遅れの改善効果を高めることができるＰＤＰ等の技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、代表的な実施の形態は、ＰＤＰ等の表示デバイスにおいて、プライミング粒子放出層（電子放出層）として、ＭｇＯ結晶体層を設ける技術であって、以下のような構成を有することを特徴とする。【０００９】
代表的な実施の形態のＰＤＰ製造方法（ＭｇＯ結晶体層の形成方法）は、放電空間に露出するＭｇＯ結晶体層（プライミング粒子放出層）を有するＰＤＰの製造方法であって、ＭｇＯ結晶体層を構成するＭｇＯ結晶体（粉体）に対して、酸化雰囲気（酸素を含む雰囲気）で熱処理を施すものである。熱処理されたＭｇＯ結晶体を用いて、対象面（保護層や誘電体層など）に、所定の特性のＭｇＯ結晶体層を形成する。更に、その熱処理として、所定の熱処理により、当該ＭｇＯ結晶体（粉体）の粒子成長（結晶成長）を促進させることで、当該ＭｇＯ結晶体層のＭｇＯ結晶体粉体の粒径分布における粒径の下限（最小）が５０ｎｍ以上になるようにする。【００１０】
更に、上記粒子成長を効率良く促進させるために、上記所定の熱処理の前に、ＭｇＯ結晶体粉体に対しフラックス（当該ＭｇＯの融点を下げる働きを持つ物質（融剤））を添加する構成としてもよい。当該層の形成は、対象面に、ＭｇＯ結晶体含有材料を塗布や噴霧などの方法により配置し、加温（熱処理）により余分な成分を除去してＭｇＯ結晶体粉体成分を固着させる工程等による。【００１１】
また、上記所定の熱処理は、例えば、フラックスを添加しない構成の場合では、焼成工程として、前記酸化雰囲気で、１０００〜２８００℃の温度（更に限定すれば１３００〜２８００℃の温度）で、０．１〜４８時間（更に限定すれば０．１〜１２時間）、焼成するものである。また、フラックスを添加する構成の場合では、焼成工程として、前記酸化雰囲気で、フラックスの融点〜２８００℃の温度で、０．１〜１２時間、焼成するものである。これらにより、前記粒径下限５０ｎｍ以上にすることが満たされる。【００１２】
また特に、前記フラックスは、マグネシウム（Ｍｇ）のハロゲン化合物である。また特に、前記ハロゲン化合物は、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）である。また特に、ＭｇＯ結晶体にフラックスとして添加されるハロゲン元素は、１〜１００００ｐｐｍ（重量濃度）である。【００１３】
また、代表的な実施の形態のＭｇＯ結晶体（ＭｇＯ結晶体粉体（粉末））は、前述のいずれかの方法を用いて製造（形成）される。また、代表的な実施の形態のＰＤＰは、前述のいずれかの方法を用いて製造される。【００１４】
以上のようなプライミング粒子放出層（ＭｇＯ結晶体層）の構成により、放電遅れの改善効果が長時間持続する。前回の放電からアドレス放電までの休止期間が長い場合でも、放電遅れの改善効果が効果的に得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。代表的な実施の形態によれば、従来技術よりも更に放電遅れの改善効果を高めることができるＰＤＰ等の技術を提供できる。詳しくは以下である。【００１６】
本ＭｇＯ結晶体（層）は、前記酸化雰囲気での熱処理により、放電遅れの改善効果が長時間持続する。その理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。即ち、理由は、ＭｇＯ（ＭｇＯ結晶体）の酸素欠損が、本来のＭｇＯの電子（プライミング粒子）放出特性を損なっており、前記酸化雰囲気での熱処理によって、当該酸素欠損が抑えられる（これにより本来の電子放出特性が発揮される）、と推測される。【００１７】
更に、本ＭｇＯ結晶体（層）について、前記粒子成長が促進される程度に所定の熱処理を行うことにより、放電遅れの改善効果が小さい、粒径５０ｎｍ未満の粒子を無くすことができ、また当該処理の前の粒子よりも粒径が大きな粒子を製造（形成）することができる。【００１８】
前記特許文献２の方法（分級など）では、処理による粒径の小さな粒子の完全な除去は困難であり、処理前の粒子の粒径以上に粒径の大きな粒子は得られない。よって、本方法では、特許文献２のような方法よりも大きな効果が得られる。【００１９】
また、本ＭｇＯ結晶体に対し、熱処理前にフラックスを添加することにより、少ない熱処理エネルギーで効率良く粒子成長を行うことができる。即ち製造効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態であるＰＤＰの基本的な構造例を、要部を拡大して分解斜視構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態のＰＤＰにおける、ＭｇＯ結晶体層（プライミング粒子放出層）を含む前面基板構造体の断面構成例について示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態であるＭｇＯ結晶体及びＭｇＯ結晶体層の製造フローを示す説明図である。
【図４】本発明の実施例１のＭｇＯ結晶体、ＭｇＯ結晶体層、及びＰＤＰ製造方法において、ＭｇＯ結晶体層をＳＥＭ観察したものを示す図であり、（ａ）は、本実施例１による処理品を、（ｂ）は、酸素無し雰囲気での処理品を、（ｃ）は、従来技術のように、熱処理を行わないで作製した処理品を、それぞれ示す。
【図５】本発明の実施例１において、図４に対応して、ＭｇＯ結晶体層（ＭｇＯ結晶体）を用いたＰＤＰの放電遅れの休止期間に対する依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例２のＭｇＯ結晶体、ＭｇＯ結晶体層、及びＰＤＰ製造方法において、ＭｇＯ結晶体層をＳＥＭ観察したものを示す図である。
【図７】本発明の実施例２において、図６に対応して、ＭｇＯ結晶体層（ＭｇＯ結晶体）を用いたＰＤＰの放電遅れの休止期間に対する依存性を示すグラフである。
【図８】本発明の一実施の形態において、プライミング粒子放出層（ＭｇＯ結晶体層）を有するＰＤＰの放電遅れ（その改善効果）の試験のための測定用の電圧波形を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。【００２２】
＜概要＞
本実施の形態のＰＤＰ及びＭｇＯ結晶体（層）及びそれらの製造方法において、ＭｇＯ結晶体を酸化雰囲気で熱処理する。その処理の条件は以下である。酸化雰囲気は、酸素濃度は、１〜１００％であり、温度は、５００〜２８００℃である。また、粒子成長（結晶成長）を促進させる構成の場合は、温度は、１０００〜２８００℃である。また、ＭｇＯ結晶体（粉末）にフラックスを添加する構成の場合は、温度は、フラックス融点〜２８００℃である。【００２３】
フラックスを添加する構成の場合、フラックスの種類としては、ＭｇＯ（ＭｇＯ結晶体）の融点を下げる働きを持つものであれば、特に限定されない。フラックスは、例えば、ハロゲン元素を含む化合物や、Ａｌ（アルミニウム）やＴｉ（チタン）を含む化合物、などがある。特に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を使用すると好ましい。フラックスの添加量は、１〜１０，０００ｐｐｍである。【００２４】
熱処理後のＭｇＯ結晶体の粒度分布は、粒径の下限（最小）が０．０５μｍ（５０ｎｍ）以上で、上限（最大）が２０μｍ以下であることが望ましい。【００２５】
＜ＰＤＰ（基本構造）＞
図１において、本実施の形態のＰＤＰ（パネル）１０の基本構造の一例を示している。画素に対応する表示セルのセット（Ｃｒ，Ｃｇ，Ｃｂ）の部分を示している。なお、説明のために、ｘ方向（第１方向、横方向）、ｙ方向（第２方向、縦方向）、ｚ方向（第３方向、パネル面垂直方向）を有する。【００２６】
本ＰＤＰ１０は、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２を組み合わせて成り、その間に放電空間１６を有する。前面基板構造体１１において、前面ガラス基板１上に、ｘ方向に、表示電極３（３Ｘ，３Ｙ）群が配置されている。表示電極３は、サステイン動作用のサステイン電極３Ｘと、サステイン動作及びスキャン動作用（兼用）のスキャン電極３Ｙと、を有する。表示電極３（３Ｘ，３Ｙ）は、例えば、透明電極とバス電極とから成る。前面ガラス基板１上、表示電極３群は、誘電体層４により覆われている。誘電体層４上に、更に保護層５が形成されている。誘電体層４及び保護層５は、ＰＤＰ１０の表示領域（画面）に対応した全面に形成されている。【００２７】
背面基板構造体１２において、背面ガラス基板２上に、表示電極３と交差するｙ方向に、アドレス電極６群が配置されている。アドレス電極６群は、誘電体層９に覆われている。誘電体層９上、アドレス電極６間に、例えばｙ方向に、隔壁７が形成されている。隔壁７は、単位発光領域（表示セル）に対応して放電空間１６を区画する。アドレス電極６の上方、隔壁７で区画された領域には、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色の蛍光体（蛍光体層）８｛８ｒ，８ｇ，８ｂ｝が、列毎に順に色分けして形成されている。【００２８】
前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とが貼り合わされることでなる内部領域には、放電ガス（例えばＮｅに数％程度のＸｅを混合したガス）が封入されることで、気密な放電空間１６が構成される。ＰＤＰ１０の周縁部は、封着材により貼り合わされる。サステイン電極３Ｘ、スキャン電極３Ｙ、アドレス電極６の交差部分に対応して表示セルが構成される。【００２９】
ＰＤＰ１０の駆動（サブフィールド法及びアドレス表示分離方式）においては、選択する表示セルで、アドレス電極６とスキャン電極３Ｙとの間に、電圧印加により、放電（アドレス放電）を発生させる（アドレス動作期間）。また、選択された表示セルに対し、表示電極３の対（３Ｘ，３Ｙ）の間に、電圧印加により、放電（サステイン放電（表示放電）など）を発生させる（サステイン動作期間）。これらにより、サブフィールドの所望の表示セルにおける発光（点灯）が行われる。また、フィールド中での点灯するサブフィールドを選択することで、画素（表示セル）の輝度が表現される。【００３０】
＜ＰＤＰ（詳細構造）＞
図２において、本実施の形態のＰＤＰ１０の前面基板構造体１１において、保護層５の表面に、放電空間１６に露出して形成される、プライミング粒子放出層（Ｐ層と略称する）１５を有する。Ｐ層１５は、ＭｇＯ結晶体粉体を含んで成るＭｇＯ結晶体層である。あるいは、Ｐ層１５は、フッ素（Ｆ）等のハロゲン元素が添加されたＭｇＯ結晶体粉体を含んで成る。なお、Ｐ層１５では、対象面（保護層５）に対し、ＭｇＯ結晶体粉体が、密あるいは疎に分布する（なお疎に分布する場合も層（膜）と称する）。【００３１】
前面ガラス基板１は、ガラス等の透明材料を使用できる。表示電極３は、例えば、ＩＴＯ等による幅が広く放電ギャップを形成する透明電極３ａと、Ｃｕ，Ｃｒ等の金属による幅が狭く電極抵抗を下げるバス電極３ｂと、から構成できる。電極形状は、特に限定されないが、例えば、透明電極３ａは、板状あるいは表示セル毎のＴ字形状などであり、バス電極３ｂは、直線状である。表示電極３は、隣接するサステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙの対により表示ラインを構成する。電極配列構成としては、非放電領域（逆スリット）となる表示電極３対を設けるノーマル構成や、表示電極３（３Ｘ，３Ｙ）を等間隔で交互に配列し、隣接するすべての表示電極３対により表示ラインを構成する所謂ＡＬＩＳ構成が可能である。【００３２】
誘電体層４は、例えば、前面ガラス基板１上、低融点ガラスペーストをスクリーン印刷法などにより塗布し、焼成することで形成される。保護層５は、誘電体層４の保護や、２次電子を放出する等の機能を持つ。保護層５は、例えば、ＭｇＯ、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等の金属酸化物から成り、好ましくは、２次電子放出係数の高いＭｇＯ層から成る。保護層５は、例えば、電子ビーム蒸着法（あるいはスパッタ法、塗布方法など）により形成される。【００３３】
背面基板構造体１２は、公知技術を用いて例えば以下のように作製できる。背面ガラス基板２、アドレス電極６、誘電体層９等は、前面側同様に作製できる。隔壁７は、例えば、低融点ガラスペースト等の材料による層を形成し、これをサンドブラスト等の方法により、パターニングし、焼成することで形成できる。隔壁７は、例えば、ｙ方向のみのストライプ形状、あるいは、ｘ方向及びｙ方向の隔壁部を持つボックス形状などが可能である。蛍光体８は、Ｒ，Ｇ，Ｂ毎に、例えば、隔壁７間の領域に、蛍光体ペーストを、スクリーン印刷法、ディスペンサ等の方法により塗布し、焼成することで形成される。【００３４】
＜プライミング粒子放出層（ＭｇＯ結晶体層）＞
Ｐ層（ＭｇＯ結晶体層）１５は、ＰＤＰ１０を構成する基板構造体において放電空間に露出するいずれかの箇所に配置される。例えば、誘電体層４上に直接に配置する構成、あるいは、誘電体層４上の保護層５上に配置する構成などが可能である。本実施の形態では、図２のように、前面基板構造体１１において保護層５上に配置する構成である。放電空間１６に露出してＰ層１５が配置される構成とすることにより、Ｐ層１５（それを構成するＭｇＯ結晶体粉体）により、放電空間１６にプライミング粒子を放出する機能、及びＰＤＰ１０での放電遅れが改善される効果などが得られる。【００３５】
Ｐ層１５は、プライミング粒子放出粉体材料を有して成る。プライミング粒子放出粉体材料としては、ＭｇＯ結晶体粉体（粉末）、あるいはハロゲン元素を添加したＭｇＯ結晶体粉体などから成る。【００３６】
添加されるハロゲン元素の種類は、例えば、フッ素（Ｆ）、塩素、臭素、ヨウ素などのうち１種または２種以上から成る。フッ素を用いる場合、放電遅れの改善効果が長時間持続することが確認されている。添加されるハロゲン元素の量は、例えば１〜１００００ｐｐｍである。ハロゲン元素含有物質としては、例えば、Ｍｇのハロゲン化物であるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）や、Ａｌ，Ｌｉ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｃａ，Ｃｅのハロゲン化物が挙げられる。【００３７】
ＭｇＯ結晶体粉体を含む物質の焼成は、例えば１０００〜１７００℃の範囲内で行う。ＭｇＯ結晶体、あるいはハロゲン元素を添加したＭｇＯ結晶体は、好ましくは、粉体状であり、粒径が前述の所定範囲内（５０ｎｍ〜２０μｍ）になることが好ましい。特に、粒径の下限（最小）が所定程度以上（５０ｎｍ以上）であることが好ましい。粒径が小さ過ぎると、Ｐ層１５による放電遅れの改善効果が小さい。また逆に、粒径が大き過ぎると、Ｐ層１５が均一に形成されにくい。【００３８】
ＭｇＯ結晶体は、電子線の照射によって特定波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するＣＬ（カソード・ルミネッセンス）発光を行うという特性を有している。ＭｇＯ結晶体の製造方法は、Ｍｇ蒸気と酸素とを反応させる気相法によることが好ましい。気相法を用いることで、高純度の単結晶体が得られる。【００３９】
Ｐ層１５の基本的な形成方法は、例えば以下である。粉末状のＭｇＯ結晶体粉体を、溶媒（溶剤）に混合、分散等させて成る、ペーストやスラリーなどの状態の物（プライミング粒子放出粉体含有材料）を用意する。そして、この材料を、対象面に対し、噴霧（散布）や塗布などの方法により成膜する。例えばスラリーの噴霧の方法、あるいは、印刷法などによるペーストの塗布の方法などを使用できる。また、成膜された材料を、乾燥や焼成することで溶剤成分等を除去し、粉体成分を対象面に固着させることで、Ｐ層１５として完成する。Ｐ層１５は、例えば、対象面（保護層５表面）の全面に所定の厚さとなるように形成される。【００４０】
［実施例１］
図３〜図５等を用いて、本発明の実施例１のＭｇＯ結晶体（３１ｂ）、及びそれによるＰ層１５を有するＰＤＰ１０、等を説明する。実施例１の構成は以下である。【００４１】
図３において、本ＭｇＯ結晶体（３１ｂ）及びＭｇＯ結晶体層（Ｐ層）１５の製造フローを示している（ただし実施例１ではフラックス３２の添加は不要）。熱処理前の材料となるＭｇＯ結晶体３１ａ（プライミング粒子放出粉体）として、宇部マテリアルズ株式会社製、商品名：気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ）を用いる。このＭｇＯ結晶体３１ａに対し、酸化雰囲気として、窒素（Ｎ）：酸素（Ｏ）＝４：１である雰囲気中で、１４５０℃、４時間で、熱処理を施した（工程Ｓ１）。これにより、熱処理後のＭｇＯ結晶体３１ｂが生成される。【００４２】
上記熱処理後のＭｇＯ結晶体３１ｂを、溶剤３３であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）１Ｌに対し、２ｇの割合（２ｇ／Ｌ）で混合し、超音波分散機で分散させる（工程Ｓ２）。これによりスラリー３４が作製される。【００４３】
上記スラリー３４を、保護層５（ＭｇＯ層）が蒸着により形成済みである前面基板構造体１１の保護層５表面（対象面）に対し、塗装用スプレーガン等を用いた噴霧（散布）または塗布などにより、当該層（膜）を形成する。そして、当該層（スラリー３４）を、加温により乾燥（溶剤成分除去等）させることで、Ｐ層１５として完成させた（工程Ｓ３）。上記のスラリー３４の形成（塗布）の量は、２ｇ／ｍ２となるようにした。【００４４】
このようにしてＰ層１５が形成された前面基板構造体１１を用いて、ＰＤＰ１０を作製した。【００４５】
実施例１における熱処理（Ｓ１）では、それにより、ＭｇＯ結晶体３１ａの粒子成長（結晶成長）を促進させる。即ち、粒子同士の融解、結合などにより、粒径が大きい粒子を生成するようにしている。これにより、Ｐ層１５のＭｇＯ結晶体３１ｂの粒径分布における粒径の下限（最小）が５０ｎｍ以上になるようにしている（５０ｎｍ未満の小さい粒径の粉体をほぼ無くす）。【００４６】
図４において、上記方法により作製したＭｇＯ結晶体層１５を、ＳＥＭ（電子顕微鏡）観察したものを示している。図４（ａ）は、本ＭｇＯ結晶体層１５を示す。比較のために、図４（ｂ）は、熱処理（工程Ｓ１）を行うが、その雰囲気を、窒素（Ｎ）：酸素（Ｏ）＝１：０、即ち酸素無しの雰囲気（窒素雰囲気）として、その他同様に処理することで作製したものを示す。また、図４（ｃ）は、従来技術のように、熱処理（工程Ｓ１）を行わないで作製したものを示す。【００４７】
図４（ａ），図４（ｂ）のように熱処理を施したＭｇＯ結晶体層は、それらの雰囲気の違いに依らずに、図４（ｃ）のように従来技術の熱処理を施していないものに比べて、最小粒子サイズが向上している。即ち熱処理前よりも粒径の下限が大きくなっている。【００４８】
図５において、図４と対応したグラフとして、上記ＭｇＯ結晶体層１５（ＭｇＯ結晶体３１ｂ）を用いたＰＤＰ１０の放電遅れ（［μｓ］）の休止期間（［μｓ］）に対する依存性を示している。ａは、図４（ａ）に対応する酸化雰囲気処理品（ＭｇＯ結晶体３１ｂ及びＭｇＯ結晶体層１５）の特性を示す。ｂは、図４（ｂ）に対応する酸素無し雰囲気処理品の特性を示す。ｃは、図４（ｃ）に対応する未処理品（熱処理無しのＭｇＯ結晶体層）の特性を示す。【００４９】
ａの酸化雰囲気処理品は、ｃの未処理品に比べ、放電遅れの改善効果がみられる（特に、休止期間が長い場合）。その一方、ｂの酸化無し雰囲気処理品は、逆に、放電遅れの特性（効果）が悪化している（特に、休止期間が長い場合）。このような結果は、本実施の形態におけるａの酸化雰囲気処理の効果を示唆している。【００５０】
［実施例２］
次に、図６，図７等を用いて、本発明の実施例２のＭｇＯ結晶体（３１ｂ）、及びＰ層１５を有するＰＤＰ１０、等を説明する。実施例２の構成は以下である。【００５１】
前記図３において（実施例２ではフラックス３２の添加が必要）、実施例２では、熱処理前の材料として、実施例１同様のＭｇＯ結晶体３１ａ（気相法高純度超微粉マグネシア（２０００Ａ））と、それに添加するフラックス３２として、フルウチ化学株式会社製、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）（純度９９．９９％）と、を用いる。これら（３１ａ，３２）を、ＭｇＯ：ＭｇＦ２＝１：０．０００１の比率（モル比）に秤量し、タンブラー混合機を用いて混合した。混合した粉末を、酸化雰囲気として、窒素（Ｎ）：酸素（Ｏ）＝４：１の雰囲気中で、１４５０℃、４時間で、熱処理を施した（工程Ｓ１）。これにより、熱処理後のＭｇＯ結晶体３１ｂが生成される。なお、このＭｇＯ結晶体３１ｂは、フラックス３２の添加により、実施例１で生成したＭｇＯ結晶体３１ｂとは異なっている。【００５２】
このように処理した粉体（３１ｂ）は、凝集している状態の物を含んでいるので、乳棒と乳鉢を用いて凝集解砕（凝集物を乳鉢に入れて乳棒ですり潰し等）して、粒径がある程度に均一である粉体状にした。その後は、実施例１と同様の工程（Ｓ２，Ｓ３）により、Ｐ層１５を有する前面基板構造体１１、及びＰＤＰ１０を作製した。【００５３】
図６において、上記方法により作製したＭｇＯ結晶体層１５を、ＳＥＭ観察したものを示している。図６のように、本ＭｇＯ結晶体層１５のＭｇＯ結晶体（３１ｂ）粉体では、前記図４と比べても、最小粒子サイズが向上しており、粒度分布における粒径の下限が５０ｎｍ（０．０５μｍ）以上になっている。【００５４】
図７において、図６と対応したグラフとして、上記ＭｇＯ結晶体層１５（ＭｇＯ結晶体３１ｂ）を用いたＰＤＰ１０の放電遅れの休止期間に対する依存性を示している。Ａは、図６に対応する、ＭｇＦ２を添加した後に酸化雰囲気で熱処理したもの（ＭｇＯ結晶体３１ｂ及びＭｇＯ結晶体層１５）の特性を示す。Ｃは、図４（ｃ）同様の未処理品（熱処理無しのＭｇＯ結晶体層）の特性を示す。【００５５】
このように、Ａの処理品は、Ｃの未処理品に比べ、大幅に、放電遅れの改善効果がみられる（特に、休止期間が長い場合）。【００５６】
以上のように、実施例１，２によれば、ＭｇＯ結晶体（３１ｂ）の粒径が大きくなることにより、放電遅れの改善効果が高められている。【００５７】
＜放電遅れ＞
図８において、補足として、Ｐ層（ＭｇＯ結晶体層）１５を有するＰＤＰ１０の放電遅れ（その改善効果）の試験のための測定用の電圧波形を示している。この電圧波形を表示セルの電極（３Ｘ，３Ｙ，６）に印加することにより、放電遅れの効果を試験することができる。【００５８】
リセット放電期間（Ｔ１）では、サステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙとの間でのリセット放電の発生により、電荷状態をリセットする。予備放電期間（Ｔ２）では、特定の表示セルを選択した後に、サステイン電極３Ｘとスキャン電極３Ｙとの間で放電を発生させて、Ｐ層１５の粉体を励起させる。その後、休止期間（Ｔ３）を経由した後、アドレス放電期間（Ｔ４）にアドレス電極６に電圧を印加する。この電圧の印加時から実際に放電が開始されるまでの時間を測定する。この時間（遅れ）が小さい程、特性として良好である。【００５９】
Ｐ層１５による放電遅れの改善効果は、ＭｇＯ結晶体粉体の粒径が大きい程高くなるが、休止期間（Ｔ３）が長くなれば、プライミング粒子放出量が減少することから、放電遅れが悪化する。【００６０】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は、ＰＤＰ等の表示デバイスに利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図４】
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【図６】
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【国際調査報告】
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