(57)【要約】    【課題】  内蔵した電子部品との接続を適切に取ることができる多層プリント配線板の製造方法を提案する。    【解決手段】  コア基板３０に位置決めマーク３１を形成し、該位置決めマーク３１を基準としてＩＣチップ２０のパッド２４への接続用バイアホール６０を層間樹脂絶縁層５０に形成する。このため、ＩＣチップ２０のパッド２４上にバイアホール６０を正確に形成でき、パッド２４とバイアホール６０とを確実に接続させることができる。【選択図】  図７
2009118950.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的に接続させる多層プリント配線板の製造方法であって：
前記基板上の第１の面に導体回路と第１の位置決めマークを形成する工程と；
前記基板に貫通孔を形成する工程と；
前記基板上に第２の面に設けられ、前記貫通孔を塞ぐシール部材を配置する工程と；
前記基板の第１の位置決めマークに基づき、前記貫通孔に電子部品を収容する工程と；
前記基板の第１の面に層間絶縁層を形成する工程と；
前記基板の第１の位置決めマークに基づき、前記層間絶縁層に、前記電子部品の端子へ至るバイアホール用開口を形成する工程とを備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記基板上の第２の面に導体回路と第２の位置決めマークを形成する工程と、
前記シール部材を基板から剥離する工程と、
前記基板の第２の面に層間絶縁層を形成する工程と、
前記基板の第２の位置決めマークに基づき、前記層間絶縁層に、前記電子部品の端子へ至るバイアホール用開口を形成する工程とを備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記シール部材として金属箔を用いることを特徴とする請求項１又は請求項２の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記基板上の第１の面に層間絶縁層を形成する工程において、前記貫通孔の壁面と前記電子部品との間が該層間絶縁層から浸み出した樹脂によって充填されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔に前記電子部品を収容する工程において、前記貫通孔の壁面と前記電子部品との間にできるクリアランスが３０〜２００μｍとなるように前記貫通孔に前記電子部品を収容することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビルドアップ多層プリント配線板の製造方法に関し、特にＩＣチップ等能動素子、チップコンデンサ等の受動素子などの電子部品を内蔵する多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
関連技術の記述
ＩＣチップは、ワイヤーボンディング、ＴＡＢ、フリップチップなどの実装方法によって、プリント配線板との電気的接続を取っていた。また、チップコンデンサは、基板に表面実装されていた。ＩＣチップの実装方法は、ＩＣチップとプリント配線板の間に接続用のリード部品（ワイヤー、リード、バンプ）を介して電気的接続を行っている。それらの各リード部品は、切断、腐食し易く、これにより、ＩＣチップとの接続が途絶えたり、誤作動の原因となることがあった。また、チップコンデンサを表面実装するとＩＣチップまでの配線長が長くなっていた。
このため、コア基板に形成した凹部にＩＣチップを収容し、該コア基板の上に層間樹脂絶縁層と導体回路とを積層させることで、パッケージ基板内にＩＣチップを内蔵させるプリント配線板の製造方法が、特開２００１−３３２８６３号、特開２００２−２４６７５７号に開示されている。
【特許文献１】特開２００１−３３２８６３
【特許文献２】特開２００２−２４６７５７
【０００３】
しかしながら、特開２００１−３３２８６３号の製造方法では、レーザにより基板に位置決めマークとなる窪みを穿設するため、窪み内部に樹脂残滓が残り易く、残滓の凹凸によって画像認識による位置決めマークとの位置合わせが正確に行えないことがある。そのため、該ＩＣチップのパッドとバイアホールとの位置ずれが生じてしまい、電気的接続が取れなくなることがあり得る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、内蔵した電子部品の端子との接続を適切に取ることができる多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、第１の面と、該第１の面とは反対側の第２の面とを有する基板上に層間絶縁層と導体層とを繰り返し形成し、該層間絶縁層にバイアホールを形成し、該バイアホールを介して電気的に接続させる多層プリント配線板の製造方法であって：
前記基板上の第１の面に導体回路と第１の位置決めマークを形成する工程と；
前記基板に貫通孔を形成する工程と；
前記基板上に第２の面に設けられ、前記貫通孔を塞ぐシール部材を配置する工程と；
前記基板の第１の位置決めマークに基づき、前記貫通孔に電子部品を収容する工程と；
前記基板の第１の面に層間絶縁層を形成する工程と；
前記基板の第１の位置決めマークに基づき、前記層間絶縁層に、前記電子部品の端子へ至るバイアホール用開口を形成する工程とを備えることを技術的特徴とする。【０００６】
請求項１では、基板上の第１の面に導体回路と第１の位置決めマークを形成する。そして、基板に貫通孔を形成し、基板上に第２の面に貫通孔を塞ぐシール部材を配置する。次に、基板の第１の位置決めマークに基づき、貫通孔に電子部品を収容する。そして、基板の第１の面に層間絶縁層を形成し、第１の位置決めマークに基づき層間絶縁層に電子部品の端子へ至るバイアホール用開口を形成する。このため、位置決めマークの画像認識が容易で、電子部品と位置が正確に合うように、基板上の層間絶縁層にバイアホールを形成することができる。
また、第１の位置決めマークに基づき加工を行うこともできる。この場合の加工とは、電子部品であるＩＣチップもしくは基板上に形成されるもの全てを意味する。例えば、ＩＣチップのパッド上のトランジション層、認識文字（アルファベット、数字など）、位置決めマーク等がある。
また、この場合の形成とは、コア基板上に施された層間絶縁層（ガラスクロスなどの補強材が含まれないもの）上に形成される全てのものを意味する。例えば、バイアホール、配線、認識文字（アルファベット、数字など）、位置決めマーク等がある。【０００７】
本願発明に用いられるＩＣチップなどの電子部品を内蔵させる樹脂製基板としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、フェノール樹脂などにガラスエポキシ樹脂などの補強材や心材を含浸させた樹脂、エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグを積層させたものなどが用いられるが、一般的にプリント配線板で使用されるものを用いることができる。それ以外にも両面銅張積層板、片面板、金属膜を有しない樹脂板、樹脂フィルムを用いることができる。ただし、３５０℃以上の温度を加えると、樹脂は溶解、炭化をしてしまう。【０００８】
本願発明に用いられるＩＣチップとしては、ベアーチップでも、ダイパッド上にダイパッドとバイアホールとの接続における仲介層が形成されたものでも、ダイパッド上に再配線層が形成されたものでも、さらに再配線層に柱状電極が接続されたものでも良い。また、再配線層は２層以上あっても良い。  
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
[第１実施形態]
以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、多層プリント配線板１０の断面を示す図７を参照して説明する。【００１０】
図７に示すように多層プリント配線板１０は、ＩＣチップ２０を収容するコア基板３０と、層間樹脂絶縁層５０、層間樹脂絶縁層１５０とからなる。層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０および導体回路５８が形成され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている。【００１１】
ＩＣチップ２０には、パッシベーション膜２２が被覆され、該パッシベーション膜２２の開口内に入出力端子を構成するダイパッド２４、及び、位置決めマーク２３が配設されている。パッド２４の上には、主として銅からなるトランジション層３８が形成されている。【００１２】
層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。ソルダーレジスト層７０の開口部７１下の導体回路１５８には、図示しないドータボード、マザーボード等の外部基板と接続するための半田バンプ７６が設けられている。【００１３】
本実施形態の多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０を予め内蔵させて、該ＩＣチップ２０のパッド２４にはトランジション層を３８を配設させている。このため、リード部品や封止樹脂を用いず、ＩＣチップと多層プリント配線板（パッケージ基板）との電気的接続を取ることができる。【００１４】
また、ダイパッド２４上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２４上の樹脂残りを防ぐことができ、また、後工程の際に酸や酸化剤あるいはエッチング液に浸漬させたり、種々のアニール工程を経てもパッド２４の変色、溶解が発生しない。これにより、ＩＣチップのパッドとバイアホールとの接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２４上に６０μｍ径以上のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホールを確実に接続させることができる。【００１５】
更に、後述する製造工程において、コア基板３０に形成された位置決めマーク３１を基準としてＩＣチップ２０を位置決めし、該位置決めマーク３１に合わせてＩＣチップ２０のパッド２４への接続用バイアホール６０を形成する。このため、ＩＣチップ２０のパッド２４上にバイアホール６０を正確に位置合わせさせ、パッド２４とバイアホール６０とを確実に接続させることができる。【００１６】
引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板の製造方法について、図１〜図６を参照して説明する。先ず、ＩＣチップのパッド上への仲介層３８の形成工程について、図１及び図２を参照して説明する。【００１７】
（１）図１（Ａ）に示すシリコンウエハー２０Ａ上には、パッド２４、位置決めマーク２３、配線（図示せず）が形成され、ダイパッド２２、位置決めマーク２３、及び配線（図示せず）の上にパッシベーション膜２２が被覆され、ダイパッド２２及び位置決めマーク２３上にパッシベーション膜の開口２２ａが設けられている。【００１８】
（２）先ず、シリコンウエハー２０Ａに蒸着、スパッタリングなどの物理的な蒸着を行い、全面に導電性の金属膜（薄膜層）３３を形成させる（図１（Ｂ））。その金属としては、スズ、クロム、チタン、ニッケル、亜鉛、コバルト、金、銅などの金属を１種類以上で形成させる。特に、ニッケル、クロム、チタンで形成するのがよい。界面から湿分の侵入がなく、金属密着性に優れるからである。場合によっては、異なる金属を２層以上で形成させてもよい。厚みとしては、０．００１〜２．０μｍの間で形成させるのがよい。特に、０．０１〜１．０μｍが望ましい。【００１９】
（３）金属膜３３上に、さらに無電解めっきにより、めっき膜３６を形成させてもよい（図１（Ｃ））。形成されるメッキの種類としては銅、ニッケル、金、銀などがある。電気特性、経済性、また、後工程で形成されるビルドアップである導体層は主に銅であることから、銅を用いるとよい。その厚みは０．０１〜５．０μｍの範囲で行うのがよい。０．０１μｍ未満では、全面にめっき膜を形成できず、５．０μｍを越えるとエッチングで除去し難くなったり、位置決めマークが埋まってしまい認識できなくなる。望ましい範囲は、０．１〜３．０μｍである。なお、望ましい第１薄膜層と第２薄膜層との組み合わせは、クロム−銅、クロム−ニッケル、チタン−銅、チタン−ニッケルである。金属との接合性や電気伝達性という点で他の組み合わせよりも優れる。【００２０】
（４）その後、レジスト３５αを施し、パッド２４に対応するパターン３９ａ及び位置決めマーク３９ｂの描かれたマスク３９を載置する（図１（Ｄ））。このマスク３５の位置決めは、位置決めマーク３９ｂ内に、シリコンウエハー２０Ａの位置決めマーク２３が入るように、上方から光を当て、カメラ８０により位置決めマーク２３からの反射光を撮像しながら行う。本実施形態では、位置決めマーク２３上も銅めっき膜３６が形成されているため、反射光がレジスト３５αを透過し易く、基板とマスクの位置合わせが容易にできる。【００２１】
（５）露光、現像してシリコンウエハー２０Ａのパッド２４の上部に開口を設けるようにメッキレジスト３５を形成し、電解メッキを施して電解めっき膜３７を設ける（図２（Ａ））。メッキレジスト３５を除去した後、メッキレジスト３５下の無電解めっき膜３６、金属膜３３を除去することで、ＩＣチップのパッド２４上に仲介層３８を形成する（図２（Ｂ））。ここでは、メッキレジストにより仲介層を加工したが、無電解めっき膜３６の上に電解めっき膜を形成した後、エッチングレジストを形成して、露光、現像して仲介層以外の部分の金属を露出させてエッチングを行い、ＩＣチップのパッド上に仲介層を形成させることも可能である。電解めっき膜は、ニッケル、銅、金、銀、亜鉛、鉄で形成できる。電解めっき膜の厚みは１〜２０μｍの範囲がよい。それより厚くなると、エッチングの際にアンダーカットが起こってしまい、形成される仲介層とバイアホールと界面に隙間が発生することがあるからである。【００２２】
（６）次に、シリコンウエハー２０Ａにエッチング液をスプレイで吹きつけ、仲介層３８の表面をエッチングすることにより粗化面３８αを形成する（図２（Ｃ）参照）。無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。【００２３】
（７）最後に、仲介層３８が形成されたシリコンウエハー２０Ａを、ダイシングなどによって個片に分割してＩＣチップ２０を形成する（図２（Ｄ）参照）。その後、必要に応じて、分割されたＩＣチップ２０の動作確認や電気検査を行なってもよい。ＩＣチップ２０は、パッド２４よりも大きな仲介層３８が形成されているので、プローブピンが当てやすく、検査の精度が高くなっている。【００２４】
引き続き、ＩＣチップ２０のコア基板への収容工程について説明する。
（１）先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを重ね銅箔２６を積層した片面銅張積層板から成る絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料とする（図３（Ａ）参照）。銅箔２６に所定パタンのエッチングレジストを形成し、エッチングレジストの非形成部の銅箔を除去し、エッチングレジストを剥離することで、位置決めマーク３１及び導体回路２８を形成する（図３（Ｂ）参照）。次に、コア基板３０に、ＩＣチップ収容用の貫通孔３２を形成し、貫通孔３２の底部側に樹脂製のテープ２５を貼る（図３（Ｃ）参照）。この場合の貫通孔３２はドリル、レーザー、ルーター加工、金型加工のいずれかで開口させることができる。また、この場合の樹脂製のテープは常温で粘着性のあるものが好ましい。このとき、樹脂製のテープは貫通孔より少し大きめのサイズで部分的に設けても、コア基板の全面に設けても良い。ここでは、加工により貫通孔部を設けているが、開口を設けた絶縁樹脂基板を張り合わせることで、収容部を備えるコア基板を形成できる。ただし、絶縁樹脂基板は、３５０℃以上の温度下では溶解したり、炭化してしまう。【００２５】
（２）その後、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として、ＩＣチップ２０上の位置決めマーク２３を用いてＩＣチップ２０を位置合わせし、ＩＣチップ２０をテープ２５上に載置する（図３（Ｄ）参照）。そして、ＩＣチップ２０の上面を押して貫通孔３２内に完全に収容させる（図４（Ａ）参照）。この場合の貫通孔３２の側壁と貫通孔内に収容されたＩＣチップ２０との間のクリアランスＣを３０〜２００μｍの範囲に調整すればよい。 更に好ましくは、３０〜１００μｍの範囲に調整すればよい。【００２６】
（３）上記工程を経た基板３０の上面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５kg／cm２で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｂ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。このとき、ＩＣチップ１２を収容した後の貫通孔３２内の空隙が層間樹脂絶縁層５０から浸み出した樹脂によって充填され仮硬化されることによってＩＣチップが貫通孔３２内に固定される。この場合の層間樹脂絶縁層５０として、ガラスクロス等の心材をエポキシ樹の樹脂に含浸させて半硬化のシート状に形成したプリプレグを用いることができる。【００２７】
（４）裏面側の樹脂テープ２５を剥離し、基板５０の裏面に熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図４（Ｃ）参照）。本実施形態におけるＩＣチップ２０のコア基板への収容工程によれば、位置決めマーク３１を基準として高精度の位置合わせが可能となるため、貫通孔３２の側壁とＩＣチップ２０との間のクリアランスＣを３０〜２００μｍの範囲に調整することができる。 これにより、層間樹脂層から浸み出した樹脂でＩＣチップを収容した後の貫通孔内の空隙を気泡の残留がなく確実に充填することができるとともに、浸み出し樹脂の量を低減できるため、貫通孔上部領域の層間樹脂絶縁層とそれ以外の領域の層間樹脂層との間での平坦性が確保できる。また、層間樹脂絶縁層としてプリプレグを用いると、ガラスクロス等の心材によって平坦性の確保がより一層可能となる。 また、粘着性のある樹脂製のテープとすることで、ダイアタッチ用の接着剤を別途必要とすることなく、ＩＣチップを貫通孔の所定の位置に固定することが可能となる。【００２８】
（５）次に、層間樹脂絶縁層５０を透過させてカメラ８０により位置決めマーク３１を撮像することで位置合わせを行い、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図４（Ｄ）参照）。クロム酸等を用いて、開口４８内の樹脂残りを除去してもよい。ダイパッド２４上に銅製のトランジション層３８を設けることで、パッド２４上の樹脂残りを防ぐことができ、これにより、パッド２４と後述するバイアホール６０との接続性や信頼性を向上させる。更に、４０μｍ径パッド２４上に６０μｍ以上の径のトランジション層３８を介在させることで、６０μｍ径のバイアホール用開口４８を確実に接続させることができる。なお、ここでは、クロム酸を用いて樹脂残さを除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行うことも可能である。【００２９】
（６）次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層５０の粗化面５０αを設ける（図４（Ｅ）参照）。該粗化面５０αは、０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２〜３μｍの粗化面５０αを設ける。上記以外には、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成することもできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。【００３０】
（７）粗化面５０αが形成された層間樹脂絶縁層５０上に、金属層５２を設ける（図５（Ａ）参照）。金属層５２は、無電解めっきによって形成させる。予め層間樹脂絶縁層５０の表層にパラジウムなどの触媒を付与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属層５２を設ける。その一例として、
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４                  ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                    ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                  ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                  ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピルジル          １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）      ０．１０  ｇ／ｌ
３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。
上記以外でも上述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層５２を層間樹脂絶縁層５０の表面に形成することもできる。このとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層５２の厚さは０．２μｍである。【００３１】
（８）上記処理を終えた基板３０に、市販の感光性ドライフィルム５４αを貼り付け、パッドに対応するパターン５３ａ及び位置決めマーク５３ｂの描かれたフォトマスクフィルム５３を載置する。このマスク５３の位置決めは、リング状の位置決めマーク５３ｂに、コア基板３０側の位置決めマーク３１が入るように、上方から光を当て、カメラ８０により位置決めマーク３１からの反射光を撮像しながら行う。なお、上述したように位置決めマーク３１に銅めっき膜を設け、表面の反射率を高めることも可能である。【００３２】
（９）、その後、１００ｍＪ／cm２で露光してから、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける（図５（Ｃ））。【００３３】
（１０）次に、以下の条件で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜５６を形成する（図５（Ｄ）参照）。なお、電解めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。【００３４】
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅              ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）
１９．５  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／dm２  
時間                  ６５分
温度              ２２±２℃【００３５】
（１１）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層５２と電解めっき膜５６からなる厚さ１６μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８α、６０αを形成する（図６（Ａ）参照）。【００３６】
（１２）次いで、上記（３）〜（１１）の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成する（図６（Ｂ）参照）。【００３７】
（１３）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得る。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によった。【００３８】
（１４）次に、基板３０に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／cm２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口７１を形成する（図６（Ｃ）参照）。【００３９】
（１５）次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成することで、導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図６（Ｄ）参照）。【００４０】
（１６）この後、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、ＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ることができる（図７参照）。【００４１】
上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層５０、１５０に熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを用いた。この代わりに、層間樹脂絶縁層５０にエポキシ系樹脂フィルムを用いることができる。このエポキシ系樹脂フィルムには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。【００４２】
本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。【００４３】
[第１実施形態の改変例]
第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の製造方法について、図８を参照して説明する。第１実施形態では、基板の貫通孔３２の底部側に樹脂製のテープを設けた。この代わりに、第１実施形態の改変例では、銅箔を設ける。【００４４】
貫通孔３２を形成し、底部側に裏面側導体回路２８と同じ厚みの銅箔２７を配置する（図８（Ａ）、図８（Ｂ）、図８（Ｃ））。そして、銅箔２７の上に接着剤２９を塗布し、ＩＣチップ２０を収容する（図８（Ｄ）、図８（Ｅ））。以降の工程は、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。第１実施形態の改変例では、裏面側導体回路２８と同じ厚みの銅箔２７を用いることで、第１実施形態よりも基板３０に対するＩＣチップ２０の位置決め精度を高めることが可能になる。【００４５】
[第２実施形態]
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板について、図１１を参照して説明する。
上述した第１実施形態では、多層プリント配線板内にＩＣチップを収容した。これに対して、第２実施形態では、多層プリント配線板１０内にチップコンデンサ１２０を収容し、表面にＩＣチップ１４０を実装してある。多層プリント配線板１０は、ドータボード９０に実装されている。【００４６】
ＩＣチップ１４０の電源パッド１４４Ｐとチップコンデンサ１２０の端子１２４とは、コア基板３０の上面側のバイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−半田バンプ７６Ｕを介して接続されている。チップコンデンサ１２０の端子１２４とドータボード９０の電源パッド９４Ｐとは、コア基板３０の下面側のバイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−半田バンプ７６Ｄを介して接続されている。【００４７】
一方、ＩＣチップ１４０の信号用パッド１４４Ｓと、ドータボード９０の信号用パッド９４Ｓとは、半田バンプ７６Ｕ−導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール６０−コア基板３０のスルーホール１３６−バイアホール６０−導体回路５８−バイアホール１６０−導体回路１５８−半田バンプ７６Ｄを介して接続されている。【００４８】
この第２実施形態においては、コア基板３０のスルーホール１３６を構成する貫通孔１３５が、コア基板の位置決めマーク３１を基準として形成されている。【００４９】
第２実施形態では、ＩＣチップ１４０の直下にチップコンデンサ１２０を配置するので、ＩＣチップとチップコンデンサとの配線長さが短縮され、また、チップコンデンサ１２０の下面で配線を接続するため、チップコンデンサ１２０とドータボード９０との配線長さが短縮される。これにより、配線での電圧降下を低減し、電圧降下によるＩＣチップ１４０の誤動作を防ぐことができる。【００５０】
引き続き、第２実施形態の多層プリント配線板１０の製造方法について、図９及び図１０を参照して説明する。【００５１】
（１）先ず、ガラスクロス等の心材にエポキシ等の樹脂を含浸させたプリプレグを重ね両面に銅箔２６を積層した両面銅張積層板から成る絶縁樹脂基板（コア基板）３０を出発材料とする（図９（Ａ）参照）。両面の銅箔２６に所定パタンのエッチングレジストを形成し、エッチングレジストの非形成部の銅箔を除去し、エッチングレジストを剥離することで、位置決めマーク３１及び導体回路２８を形成する（図９（Ｂ）参照）。次に、コア基板３０に、チップコンデンサ収容用の貫通孔３２、スルーホール用貫通孔１３５を形成し、裏面側に樹脂製のテープ２５を貼る（図９（Ｃ）参照）。【００５２】
（２）その後、貫通孔３２に、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として、チップコンデンサ１２０を位置合わせし、テープ２５上に載置する（図９（Ｄ）参照）。そして、貫通孔１３５にめっき膜１３３を設けスルーホール１３６を形成する（図９（Ｅ）参照）。【００５３】
（３）上記工程を経た基板５０の上面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５kg／cm２で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図１０（Ａ）参照）。【００５４】
（４）裏面側の樹脂製のテープ２５を剥離し、基板５０の裏面に熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層５０を設ける（図１０（Ｂ）参照）。【００５５】
（４）次に、層間樹脂絶縁層５０を透過させてカメラ８０により位置決めマーク３１を撮像することで位置合わせを行い、ＣＯ２ガスレーザにて、上面側層間樹脂絶縁層５０及び下面側層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図１０（Ｃ）参照）。【００５６】
以降、第１実施形態と同様にして、層間樹脂絶縁層５０上に導体回路５８を形成し、バイアホール用開口４８にバイアホール６０を形成する（図１０（Ｄ）参照）。第１実施形態と同様に、更に、上層の層間樹脂絶縁層１５０、導体回路１５８、バイアホール１６０、ソルダーレジスト７０及びパッド７６Ｕ、７６Ｄを形成する（図１１参照）。【００５７】
本願発明の製造方法により、電子部品であるＩＣチップ、チップコンデンサが内蔵された基板でもＩＣチップ、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層のバイアホールとが確実に接続できるので、電気的接続性が向上する。【００５８】
[第３実施形態]
引き続き、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板について、図１５を参照して説明する。
第３実施形態の多層プリント配線板は、絶縁樹脂基板（コア基板）３０内に収容されるＩＣチップ２０には、樹脂層８０と、バイアホール８２、導体回路８４から成る再配線層が形成されている。該再配線層を構成する導体回路８４上には、絶縁樹脂層２５０と、柱状電極２６０とが形成される。更に、柱状電極２６０の上層には、バイアホール１６０および導体回路１５８が形成されている樹脂絶縁層１５０が設けられる。樹脂絶縁層１５０上のソルダーレジスト層７０の開口７１には、半田バンプ７６が設けられている。【００５９】
第３実施形態の多層プリント配線板の製造方法について、図１２〜図１４を参照して説明する。
（１）樹脂層８０と、バイアホール８２、導体回路８４から成る再配線層が形成されたＩＣチップ２０を用意する（図１２（Ａ））。ＩＣチップ２０の上面に絶縁樹脂層２５０を形成する。そして、ＩＣチップ２０の位置決めマーク２３ａを基準として、レーザにより筒状の開口２６２を絶縁樹脂層２５０に形成する（図１２（Ｂ））。【００６０】
（２）絶縁樹脂層２５０表面、及び、開口２６２内に無電解銅めっき膜２５２を形成する（図１２（Ｃ））。【００６１】
（３）めっきレジスト２５４を形成し、めっきレジスト２５４の非形成部、及び、開口２６２内に電解銅めっき２５６を形成する（図１３（Ａ））。【００６２】
（４）めっきレジストを剥離すると共に、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜２５２を除去し、開口２６２内に無電解銅めっき膜２５２及び電解銅めっき２５６から成る柱状電極２６０を形成する。そして、柱状電極２６０の絶縁樹脂層２５０から露出部に粗化層２６０αを形成する（図１３（Ｂ））。【００６３】
（５）コア基板３０の貫通孔３２の底部に樹脂製テープ２５を貼る。次に、コア基板３０の位置決めマーク３１を基準として、ＩＣチップ２０上の位置決めマーク２３を用いてＩＣチップ２０を位置合わせし、ＩＣチップ２０の上面を押して貫通孔３２内に完全に収容させる（図１３（Ｃ））。【００６４】
（６）絶縁樹脂層２５０上に、シクロオレフィン系樹脂からなる樹脂絶縁層１５０を設けてから、裏面のテープ２５を剥離する。コア基板の裏面側に樹脂層５０を設ける。そして、ＣＯ２ガスレーザにて、樹脂絶縁層１５０にバイアホール用開口１５０ａを設ける。その後、酸化剤等に浸漬させることによって、樹脂絶縁層１５０の粗化面１５０αを設ける（図１３（Ｃ））。【００６５】
（７）層間樹脂絶縁層１５０上に、無電解銅めっき膜１５２を設ける（図１４（Ａ）参照）。【００６６】
（８）上記処理を終えた基板３０にめっきレジスト５４を設ける。そして、電解めっきを施して、電解めっき膜１５６を形成する（図１４（Ｂ））。【００６７】
（１０）めっきレジスト１５４をで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解銅めっき膜１５２をエッチングにて溶解除去し、無電解銅めっき膜１５２と電解めっき膜１５６からなる導体回路１５８及び１バイアホール６０を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって粗化面１５８αを形成する（図１４（Ｃ）参照）。【００６８】
（１１）次に、開口７１を備えるソルダーレジスト層７０を形成し、開口７１内の導体回路にニッケルめっき層７２、金めっき層７４を形成する。そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、リフローすることにより、半田バンプ７６を形成する。これにより、再配線層の形成されたＩＣチップ２０を内蔵し、半田バンプ７６を有する多層プリント配線板を得ることができる（図１５参照）。【００６９】
[第４実施形態]
引き続き、本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板について、図１６を参照して説明する。
上述した第３実施形態では、ＩＣチップの再配線層の導体回路上に柱状電極を形成し、該柱状電極上に、バイアホール１６０および導体回路１５８を備える樹脂絶縁層１５０が設けられた。これに対して、第４実施形態では、ＩＣチップ２０の再配線層の導体回路８４上に、バイアホール１６０および導体回路１５８を備える樹脂絶縁層１５０が設けられている。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、第１実施形態の改変例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第２施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第３実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１５】本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１６】本発明の第４実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
２０  ＩＣチップ（電子部品）
２４  パッド
２５  テープ
２７  銅箔
３０  コア基板
３２  貫通孔
３８  トランジション層
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７６  半田バンプ
１２０  チップコンデンサ（電子部品）
１４０  ＩＣチップ
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
１６０  バイアホール
【図１】
2009118950.tif 000003
【図２】
2009118950.tif 000004
【図３】
2009118950.tif 000005
【図４】
2009118950.tif 000006
【図５】
2009118950.tif 000007
【図６】
2009118950.tif 000008
【図７】
2009118950.tif 000009
【図８】
2009118950.tif 000010
【図９】
2009118950.tif 000011
【図１０】
2009118950.tif 000012
【図１１】
2009118950.tif 000013
【図１２】
2009118950.tif 000014
【図１３】
2009118950.tif 000015
【図１４】
2009118950.tif 000016
【図１５】
2009118950.tif 000017
【図１６】
2009118950.tif 000018
【国際調査報告】
2009118950.tif 000019
2009118950.tif 000020
2009118950.tif 000021
2009118950.tif 000022