(57)【要約】  隣接する放電セル間のクロストークを低減して維持放電を安定に発生させる。そのために、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたプラズマディスプレイパネルと、画像信号を放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路（４１）とを備え、走査電極同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける上記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで一方の放電セルが非発光になり、かつ他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成する。
2009139151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるサブフィールド法により駆動され、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、前記走査電極と前記維持電極との位置関係が前記表示電極対毎に交番するように前記走査電極および前記維持電極が配列されたプラズマディスプレイパネルと、
画像信号を前記放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備え、
前記画像信号処理回路は、
隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように前記画像データを生成することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記隣接する２つの放電セルは、前記走査電極同士が隣り合って隣接する放電セルであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記画像信号処理回路は、
画像信号にもとづき画像データを生成する画像データ生成部と、
前記画像データ生成部から出力される画像データにおいて、前記隣接する２つの放電セルにおける画像データが、所定の組み合わせになるかどうかを判定するクロストーク判定部と、
前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する画像データ変更部とを備え、
前記クロストーク判定部は、
前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで前記隣接する２つの放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせを前記所定の組み合わせと判定し、
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記１つのサブフィールドと、前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になりかつ前記他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドとの２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加えることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記２つのサブフィールドのうちの一方のサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データに変更を加えるとともに、前記一方のサブフィールドを輝度重みの小さい方のサブフィールドとすることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記一方の放電セルの画像データが、前記他方の放電セルの画像データに等しくなるように、前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加えることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記画像データ変更部は、
変更を加える前の画像データよりも変更を加えた後の画像データの方が階調値が大きくなるように画像データに前記変更を加えるときには、前記変更により非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて１つ以上のサブフィールドが発光から非発光になるように前記画像データにさらに変更を加えることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記少なくとも１つのサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て下に位置する放電セルの発光状態が、配置的に見て上に位置する放電セルの発光状態と同じになるように前記画像データを変更することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記画像信号処理回路は、
画像における垂直方向の輪郭部分を検出するとともに前記隣接する２つの放電セルが前記輪郭部分に含まれるかどうかを判断する垂直輪郭検出部と、
各サブフィールドにおける発光・非発光の組み合わせと表示に使用する階調値とを関連付けた複数のコーディングデータから構成された第１のコーディングテーブルおよび第２のコーディングテーブルを有し画像信号にもとづき画像データを生成する画像データ生成部とを備え、
画像データ生成部は、前記第２のコーディングテーブルを、非発光のサブフィールドがあれば、同一フィールドにおける前記非発光のサブフィールド以降の全てのサブフィールドを非発光にするコーディングデータで構成するとともに、前記垂直輪郭検出部において前記隣接する２つの放電セルが前記輪郭部分に含まれると判断されたときには、前記隣接する２つの放電セルにおける画像データを前記第２のコーディングテーブルを用いて生成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記画像信号処理回路は、
互いに異なる少なくとも２つの階調値を選択し、行列状に組み合わせた複数の放電セルのそれぞれに前記少なくとも２つの階調値のいずれかを割り当ててディザ処理を行うディザ処理部とを備え、
前記ディザ処理部は、
前記行列状に組み合わせた複数の放電セルに前記隣接する２つの放電セルが含まれ、かつ、前記少なくとも２つの階調値に、前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドに前記一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ前記他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが存在する２つの階調値が含まれているときに、前記隣接する２つの放電セルには互いに同じ階調値を割り当て、前記走査電極同士が隣り合わずに隣接する２つの放電セルには互いに異なる階調値を割り当ててディザ処理を行うことを特徴とする請求項２または請求項３または請求項８のいずれか一項に記載の
プラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ディザ処理部は、
前記行列状に組み合わせた複数の放電セルに前記隣接する２つの放電セルが含まれ、かつ、前記少なくとも２つの階調値に、前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドに前記一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ前記他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが存在する２つの階調値が含まれているときに、前記ディザ処理を行うために行列状に組み合わせる放電セルの数を増やすことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、前記走査電極と前記維持電極との位置関係が前記表示電極対毎に交番するように前記走査電極および前記維持電極が配列されたプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、
画像信号を前記放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換するとともに、
隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように前記画像データを生成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封されている。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成する。【０００５】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加（以下、この動作を「走査」とも記す）するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを印加する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。それにより、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電を発生させ、選択的に壁電荷を形成する。【０００６】
続く維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。それにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで選択的に維持放電を起こし、その放電セルを発光させる。これにより画像表示を行う。【０００７】
そして、複数の走査電極は走査電極駆動回路により駆動され、複数の維持電極は維持電極駆動回路により駆動され、複数のデータ電極はデータ電極駆動回路により駆動される。【０００８】
また、表示電極対を構成する走査電極と維持電極とを表示電極対毎に交互に入れ替えて配列したプラズマディスプレイ装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。【０００９】
近年では、パネルの大画面化、高精細化が進み、それにともないパネルにおける電極間容量が増大している。電極間容量の増大は、パネルを駆動する際に発光に寄与することなく無効に消費される無効電力を増大させるため、消費電力を増加させる一因となる。そして、上述した特許文献２に開示されている電極構造を有するパネルでは、維持期間における維持動作の際に、隣接する放電セル間で電圧変化を同相にすることができるため、無効電力の削減を図ることができる。【００１０】
しかしながら、特許文献２に記載されている電極構造を有するパネルでは、走査電極同士が隣り合って隣接する放電セル間で、一方の放電セルから他方の放電セルへ電荷が移動する現象（以下、このような現象を「クロストーク」と呼称する）が発生し、このクロストークに起因する異常な維持放電が発生することがあることがわかった。そして、そのような異常な維持放電は画像表示品質を劣化させてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１８２９８号公報
【特許文献２】特開平８−２１２９３３号公報
【発明の概要】
【００１２】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるサブフィールド法により駆動され、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルと、画像信号を放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備え、画像信号処理回路は、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける１つのサブフィールド以降のサブフィールドで一方の放電セルが非発光になり、かつ他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成することを特徴とする。
【００１３】
これにより、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルにおいて、隣接する放電セル間のクロストークを低減することができるので、維持放電を安定に発生させ、画像表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、同パネルの電極配列図である。
【図３】図３は、同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１における走査電極、維持電極およびデータ電極の配列と放電セルとの関係を概略的に示す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本発明の実施の形態１における隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、同隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、同隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図である。
【図１０】図１０は、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態２における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられた第２のコーディングテーブルの一例を示した図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の一例を簡略的に示す図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、同ディザ処理の一例を簡略的に示す図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、同ディザ処理の一例を簡略的に示す図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、同ディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図である。
【図２０Ｃ】図２０Ｃは、同ディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の他の一例を簡略的に示す図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、同ディザ処理の他の一例を簡略的に示す図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２３Ｃ】図２３Ｃは、同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【図２５】図２５は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。
【図２６】図２６は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成のさらに他の一例を示す回路ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００１７】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００１８】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成されている。そして、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成されている。そして、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００１９】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置されている。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、その内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２０】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列されている。そして、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成されている。したがって、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２２】
また、パネル１０においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの位置関係が表示電極対２４毎に交番するように配列している。具体的には、・・・−走査電極−走査電極−維持電極−維持電極−走査電極−走査電極−維持電極−維持電極−・・・となるように配列している（以下、このような電極配列を「ＡＢＢＡ電極構造」と呼称する。なお、比較のため、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの位置関係が表示電極対２４毎に変化せず、・・・−走査電極−維持電極−走査電極−維持電極−・・・と配列された電極構造を、「ＡＢＡＢ電極構造」と呼称する）。
【００２３】
そして、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されている。そのために、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間に電極間容量Ｃｐが存在する。しかし、本実施の形態では、パネル１０をＡＢＢＡ電極構造としているので、維持期間における維持動作の際に隣接する放電セル間で電圧変化を同相にすることができる。これにより、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減することができる。
【００２４】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について図３を用いて説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル１０を駆動するものとする。このサブフィールド法では、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。
【００２５】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有する構成とすることができる。そして、各サブフィールドでは、この輝度重みに、あらかじめ設定された輝度倍率を乗じた数の維持パルスを発生させる。これにより、維持期間における発光の回数を制御して画像の明るさを調整する。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。こうすることで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２６】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなる。したがって、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００２７】
なお、本発明は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが、本実施の形態に示す上記の値に限定されるものではない。また、輝度重みが昇順に並んだサブフィールド構成に限定されるものでもない。例えば、輝度重みが降順に並んだサブフィールド構成であってもよい。あるいは、輝度重みが昇順になったサブフィールドと輝度重みが降順になったサブフィールドとが交互に並んだサブフィールド構成であってもよい。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００２８】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【００２９】
なお、図３には、書込み期間において最初に走査を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に走査を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００３０】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形を示す。すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）の第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（「選択初期化サブフィールド」と呼称する）の第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを図３に示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データにもとづき選択された電極を表す。
【００３１】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３２】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ１を印加し、さらに電圧Ｖｉ１から、電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形」と呼称する）Ｌ１を印加する。この電圧Ｖｉ１は放電開始電圧以下の電圧であり、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧である。
【００３３】
この上りランプ波形Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３４】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形」と呼称する）Ｌ２を印加する。この電圧Ｖｉ３は維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧であり、電圧Ｖｉ４は放電開始電圧を超える電圧である。
【００３５】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められる。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては順次走査パルス電圧を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。こうして、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００３７】
この書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃ（Ｖｃ＝Ｖａ＋Ｖｓｃｎ）を印加する。
【００３８】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００４０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルを発光させる。
【００４１】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が放電開始電圧を超える。これは、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されるためである。
【００４２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超える。これにより再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こる。そして、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与える。こうすることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４４】
そして、維持期間の最後には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する傾斜波形電圧（以下、「消去ランプ波形」と呼称する）Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電（以下、「消去放電」と呼称する）が発生する。この消去放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００４５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００４６】
第２ＳＦの初期化期間では、第１ＳＦにおける初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形Ｌ４を印加する。
【００４７】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。このように第２ＳＦにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００４８】
第２ＳＦの書込み期間においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。
【００４９】
第２ＳＦの維持期間においては、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとにあらかじめ定められた数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる。
【００５０】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。
【００５１】
以上が、パネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００５２】
なお、本実施の形態では、上述したように、パネル１０をＡＢＢＡ電極構造にしている。そのため、隣接する放電セルでは、走査電極２２と走査電極２２とが隣り合い、維持電極２３と維持電極２３とが隣り合う。したがって、隣接する放電セル間で、維持パルス電圧の変化を同相にすることができ、無効電力を削減することができる。例えば、ＡＢＡＢ電極構造を有するパネルを駆動する場合と比較して、無効電力を約２５％削減できることが確認された。
【００５３】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００５４】
画像信号処理回路４１は、あらかじめ設定されたサブフィールド構成（このフィールド構成は、１フィールドのサブフィールド数および各サブフィールドの輝度重みのことである）と、プラズマディスプレイ装置１において設定された最小階調値（例えば、「０」）から最大階調値（例えば、「２２６」）までの階調値と、各階調値のそれぞれに設定されたコーディングデータ（各サブフィールドにおける発光・非発光を表すデータ）とが互いに関連付けられてまとめられたデータ群（以下、「コーディングテーブル」と記す）を有する。そして、そのコーディングテーブルにもとづき、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇを放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。なお、本実施の形態における画像信号処理回路４１は、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルの画像データが、所定の条件に合致するときに、画像データを変更する処理をあわせて行う。すなわち、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける１つのサブフィールド以降のサブフィールドで一方の放電セルが非発光になり、かつ他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成する。これにより、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１では、隣接する放電セル間でのクロストークを低減して異常な維持放電の発生を防止し、画像表示品質の向上を実現している。この詳細については図面を用いて後述する。
【００５５】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖからの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００５６】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換する。そして、タイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００５７】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路と、走査パルス発生回路と、維持パルス発生回路とを有する（図示せず）。初期化波形発生回路は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査ＩＣを備え、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。維持パルス発生回路は、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。そして、走査電極駆動回路４３は、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【００５８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路（図示せず）を備えている。そして、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００５９】
次に、画像信号処理回路４１の詳細について説明する。図５は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路４１の構成の一例を示す回路ブロック図である。なお、図５には、本実施の形態におけるクロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。
【００６０】
画像信号処理回路４１は、画像データ生成部５０と、クロストーク判定部５８と、画像データ変更部５９とを有する。画像データ生成部５０は、画像信号にもとづき画像データを生成する。クロストーク判定部５８は、画像データ生成部５０から出力される画像データにおいて、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データが所定の組み合わせになるかどうかを判定する。画像データ変更部５９は、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する。
【００６１】
画像データ生成部５０は、コーディングテーブル５２と、階調値変換部５１と、コーディング部５３とを有する。階調値変換部５１は、画像信号をコーディングテーブル５２に備えられた表示に使用する階調値（以下、「表示用階調」とも記す）に変換する。コーディング部５３は、階調値変換部５１から出力される階調値にもとづきコーディングテーブル５２からコーディングデータを読み出して、画像データを生成する。
【００６２】
コーディングテーブル５２は、あらかじめ設定されたコーディングテーブル（例えば、図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブル）が、半導体メモリー等の任意に読み出し可能な記憶素子に記憶されて構成されたものである。
【００６３】
図６Ａ、図６Ｂは、本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図である。図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブルは、１フィールドを第１ＳＦから第８ＳＦまでの８つのサブフィールドで構成し、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドがそれぞれ（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有するときのコーディングテーブルの一例である。そして、表示に使用する最小階調値「１」から最大階調値「２２６」までの複数の階調値と各階調値に対応するコーディングデータとが関連付けられてまとめられたものである。
【００６４】
なお、図６Ａ、図６Ｂにおいて、「１」で示すサブフィールドは、書込みを行うサブフィールド、すなわち発光サブフィールドであることを表し、「０」で示すサブフィールドは、書込みを行わないサブフィールド、すなわち非発光サブフィールドであることを表す。
【００６５】
そして、階調値変換部５１は、画像信号の大きさに応じて図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルに記された表示用階調値のうちのいずれかの階調値を選択して出力する。例えば、画像信号が階調値「４５」に相当する大きさであれば、表示用階調値「４５」を出力する。あるいは、画像信号が階調値「１１０」に相当する大きさであれば、表示用階調値「１１０」を出力する。また、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルに記された表示用階調値に画像信号の大きさに相当する階調値がなければ、最も近い階調値を選択して出力する。例えば、画像信号が階調値「４４」に相当する大きさのときには、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルには階調値「４４」がないので、階調値「４４」に最も近い表示用階調値「４５」を選択して出力する。
【００６６】
そして、コーディング部５３は、階調値変換部５１から出力されてくる表示用階調値にもとづきコーディングテーブル５２からコーディングデータを読み出す。例えば、階調値変換部５１から表示用階調値「４５」が出力されてきたときには、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドに「１、１、１、１、０、１、０、０」という発光状態が割り当てられたコーディングデータをコーディングテーブル５２から読み出す。また、階調値変換部５１から、例えば表示用階調値「１１０」が出力されてきたときには、同様に「１、１、１、０、１、１、１、０」というコーディングデータを読み出す。そして、読み出したコーディングデータを画像データとして後段に出力する。
【００６７】
画像データ生成部５０は、このようにして、画像信号から画像データを生成する。なお、画像信号の大きさに相当する階調値が表示用階調値に含まれていないときには、例えば、一般に用いられている誤差拡散法（画像信号と表示用に選択した階調値との差を周囲の画素に拡散する手法）やディザ法（互いに異なる複数の階調値を用いて、別の階調値を擬似的に表示する手法）等を用いればよい。そうすることで、画像信号の大きさに相当する階調値を擬似的に表示することができる。例えば、画像信号が階調値「８５」に相当する大きさのときには、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルには表示用の階調値として階調値「８５」が含まれていないので、階調値「８５」をパネル１０に直接表示することはできない。しかし、誤差拡散法やディザ法等を用いることで、擬似的に階調値「８５」を表示することができる。
【００６８】
クロストーク判定部５８は、現在の画像データと、メモリー５７によって１水平期間遅延された画像データとから、それらの画像データが割り当てられる放電セルが走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルかどうかを判定する。そして、現在の画像データと１水平期間遅延された画像データとが所定の組み合わせになるかどうかを判定する。そして、画像データ変更部５９では、クロストーク判定部５８におけるそれら２つの判定結果にもとづき、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する。次に、この詳細について、図面を用いて説明する。
【００６９】
図７は、本発明の実施の形態１における走査電極２２、維持電極２３およびデータ電極３２の配列と放電セルとの関係を概略的に示す図である。本実施の形態におけるパネル１０はＡＢＢＡ電極構造を有するため、走査電極２２と維持電極２３とは、互いの位置関係が表示電極対２４毎に交番するように配列されている。そのため、図面における上下方向に隣接する放電セルは、同じ電極同士が隣り合った隣接となる。具体的には、走査電極２２同士が隣り合った隣接か、または維持電極２３同士が隣り合った隣接かのいずれかになる。したがって、維持期間における維持動作の際に、隣接する放電セル間の電圧変化を同相にすることができる。これにより、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減することができる。
【００７０】
一方、ＡＢＢＡ電極構造を有するパネル１０では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル（以下、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルの一例として配置的に見て上に配置された放電セルを「放電セルＡ」とし、配置的に見て下に配置された放電セルを「放電セルＢ」として説明を行う。また、以下、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルを、単に「隣接する放電セル」とも記す）が所定のパターンで発光するときに、隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすいことが確認された。具体的には、次の２つの条件の両方にあてはまるときにクロストークが発生しやすいことが確認された。
１：１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールド（例えば、第３ＳＦ）で、隣接する放電セルの一方の放電セル（例えば、放電セルＡ）が発光になり、かつ他方の放電セル（例えば、放電セルＢ）が非発光になる。
２：同一フィールドにおける上述したサブフィールド（例えば、第３ＳＦ）以降のサブフィールド（例えば、第４ＳＦ〜第８ＳＦ）で上述した一方の放電セル（放電セルＡ）が非発光になり、かつ上述した他方の放電セル（放電セルＢ）が発光になる。
【００７１】
このような画像データの組み合わせのときに、隣接する放電セル間（ここでは、放電セルＡと放電セルＢとの間）にクロストークが発生しやすい。
【００７２】
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃは、本発明の実施の形態１における隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図である。
【００７３】
例えば、放電セルＡを階調値「１９６」で発光させ、放電セルＢを階調値「１０２」で発光させるとする。このとき、図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブルにもとづく第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドにおける発光状態は、図８Ａに示すように、放電セルＡで「１、１、１、１、１、０、１、１」となり、放電セルＢで「１、１、１、１、０、１、１、０」となる。このような発光パターンで放電セルＡと放電セルＢとを発光させると、第１ＳＦから第４ＳＦまではともに同じ発光状態である。しかし、第５ＳＦでは、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となり、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となる。そうすると、第６ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＡでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７４】
また、放電セルＡを階調値「２７」で発光させ、放電セルＢを階調値「１０２」で発光させるとする。そうすると、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドにおける発光状態は、図８Ｂに示すように、放電セルＡで「１、１、０、１、１、０、０、０」となり、放電セルＢで「１、１、１、１、０、１、１、０」となる。このような発光パターンでは、第３ＳＦで放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、放電セルＡ、放電セルＢともに発光となる第４ＳＦを間に挟んで、続く第５ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となる。そうすると、第５ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＢでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７５】
また、放電セルＡを階調値「５７」で発光させ、放電セルＢを階調値「１９２」で発光させるとする。そうすると、図８Ｃに示すように、第３ＳＦで放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、第４ＳＦ、第５ＳＦを間に挟んで、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となる。そうすると、第６ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＢでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７６】
このように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが所定の発光パターンで発光すると、すなわち上述した２つの条件にあてはまるパターンで発光すると、隣接する放電セル間にクロストークが発生し、本来非発光の放電セルに、このクロストークに起因する異常な維持放電が発生することがあることが確認された。
【００７７】
これは、次のような理由によるものと考えられる。ＡＢＢＡ電極構造のパネル１０では同種の電極同士が隣り合う（走査電極−走査電極、または維持電極−維持電極）ため、印加される維持パルスが同相となる。その結果、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減する効果が得られる。一方で、ＡＢＢＡ電極構造の放電セルは、印加される維持パルスが同相となる分、ＡＢＡＢ電極構造の放電セルと比較して、列方向に隣接する放電セル間における電界の差が小さくなって電荷の移動が発生しやすい。
【００７８】
例えば、放電セルＡと放電セルＢとの間では、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光のときには、維持放電で発生した電荷が放電セルＡから放電セルＢに向かって移動するクロストークが発生することがある。この電荷は完全に放電セルＢ内に移動してしまうのではなく、放電セルＡの走査電極２２と放電セルＢの走査電極２２との間に留まって蓄積される。そして、次に放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となるサブフィールドの最初の維持動作で、放電セルＢで発生した維持放電が走査電極２２間に蓄積された電荷を介して放電セルＡに漏れ込む。パネル１０における放電セルでは、書込みがなされていなくとも、一旦維持放電が発生すると、以降、維持放電が継続して発生する。したがって、放電セルＡでは、書込みがなされていないにもかかわらず、放電セルＢから漏れ込んできた維持放電が種火となって、維持放電が発生する。このようにして、放電セルＡで異常な維持放電が発生するものと考えられる。
【００７９】
そこで、本実施の形態では、上述した２つの条件にあてはまる画像データの組み合わせを所定の組み合わせとする。すなわち、
１：走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで、隣接する放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になる。
２：同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になり、かつ上述の他方の放電セルが発光になる。
この２つの条件に共にあてはまる画像データの組み合わせを所定の組み合わせとし（以下、このような画像データの組み合わせを「クロストーク発生条件」と呼称する）、この所定の組み合わせが発生しないように画像データを生成する。すなわち、クロストーク発生条件を回避するように画像データを生成する。
【００８０】
具体的には、クロストーク判定部５８において、まず、現在の画像データが割り当てられる放電セルと、メモリー５７によって１水平期間遅延された画像データとが割り当てられる放電セルとが、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルかどうかを判定する。
【００８１】
例えば、パネル１０における電極配列が図２に示すような配列であれば、配置的に見て上から１番目の放電セルと２番目の放電セルとは走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルとなり、配置的に見て上から２番目の放電セルと３番目の放電セルとは維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セルとなる。したがって、配置的に見て上から（２Ｎ＋１）番目の放電セルと（２Ｎ＋２）番目の放電セル（Ｎは０以上の整数）とは走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルと判定することができる。
【００８２】
次に、それらの画像データが、クロストーク発生条件に該当するかどうかを判定する。この判定は、例えば、現在の画像データと１水平期間遅延された画像データとでサブフィールド毎に排他的論理和をとり、その結果が「１」となるサブフィールドが２つ以上あって、かつ、それらのサブフィールドで画像データが反転しているかどうかを検出することで行うことができる。
【００８３】
そして、これら２つの条件に合致する画像データが生成されたとき、クロストーク判定部５８において、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データはクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定する。そして、その画像データに対して、画像データ変更部５９は、クロストーク発生条件を回避するように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。すなわち、次の２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドを含む１つ以上のサブフィールドにおいて、隣接する放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。その２つのサブフィールドの１つは、隣接する放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるサブフィールドである。そして、もう１つのサブフィールドは、同一フィールドにおけるそのサブフィールド以降のサブフィールドで、上述の一方の放電セルが非発光になりかつ上述の他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドである。
【００８４】
図９Ａ、図９Ｂ、図１０は、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図である。
【００８５】
例えば、図９Ａに示すように、第５ＳＦでは放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となり、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第５ＳＦでは放電セルＢが発光に、第６ＳＦでは放電セルＢが非発光になるように、画像データを変更する。これにより、第５ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となり、第６ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。
【００８６】
また、図９Ｂに示すように、第３ＳＦでは放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、放電セルＡ、放電セルＢともに発光となる第４ＳＦを間に挟んで、続く第５ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第３ＳＦでは放電セルＢが非発光に、第５ＳＦでは放電セルＢが発光になるように、画像データを変更する。これにより、第３ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となり、第５ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。なお、図９Ｂでは、第６ＳＦも第５ＳＦと同様に放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となっているが、第３ＳＦにおいて放電セルＢが非発光になるように画像データを変更しているので、クロストーク発生条件は回避される。
【００８７】
図１０は、クロストーク発生条件に該当するサブフィールドの組み合わせが１フィールド内に複数含まれる一例を示す図である。図１０に示すように、第３ＳＦ、第４ＳＦでは放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、第５ＳＦ、第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第３ＳＦで放電セルＢが非発光に、第５ＳＦで放電セルＢが発光になるように画像データを変更しても、第４ＳＦ、第６ＳＦがクロストーク発生条件に該当する。その場合は、さらに、第４ＳＦでは放電セルＢが非発光に、第５ＳＦでは放電セルＢが発光になるように画像データを変更する。これにより、第３ＳＦ、第４ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となり、第５ＳＦ、第６ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。
【００８８】
このように、画像データ変更部５９においてクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する構成とすることで、隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、クロストークに起因する異常な維持放電の発生を防止して、画像表示品質を向上させることができる。
【００８９】
以上説明したように、本実施の形態では、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になり、かつ上述の他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成する。
【００９０】
すなわち、クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときに、画像データ変更部５９は、クロストーク発生条件を回避するように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。すなわち、次の２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドを含む１つ以上のサブフィールドにおいて、隣接する放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。その２つのサブフィールドの１つは隣接する２つの放電セルにおいて一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるサブフィールドである。そして、もう１つのサブフィールドは、同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になりかつ上述の他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドである。これにより、隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、クロストークに起因する異常な維持放電の発生を防止して、画像表示品質を向上させることができる。
【００９１】
なお、図９Ａ、図９Ｂでは、隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て下に位置する放電セル（例えば、放電セルＢ）の発光状態を、配置的に見て上に位置する放電セル（例えば、放電セルＡ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。図示はしないが、例えば、隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て上に位置する放電セル（放電セルＡ）の発光状態を、配置的に見て下に位置する放電セル（放電セルＢ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成としてもよい。しかし、配置的に見て下に位置する放電セル（例えば、放電セルＢ）の発光状態を、配置的に見て上に位置する放電セル（例えば、放電セルＡ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成は、時間的に後に使用する画像データを変更する構成にできるので、時間的に先に使用する画像データを変更する構成よりも制御を簡易化することができる。
【００９２】
また、図９Ａ、図９Ｂでは、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールド（例えば、図９Ａでは第５ＳＦと第６ＳＦ、図９Ｂでは第３ＳＦと第５ＳＦの２つのサブフィールド）において、隣接する放電セルの発光状態が同じになるように画像データを変更する構成例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、放電セルＢの発光パターンが放電セルＡの発光パターンと同じになるように画像データを変更してもよい。すなわち放電セルＢの画像データが放電セルＡの画像データと同じになるように画像データを変更してもよい。図１１Ａ、図１１Ｂは、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。
【００９３】
クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときには、次のように画像データを変更してもよい。すなわち、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、放電セルＢの発光パターンが放電セルＡの発光パターンと同じになるように画像データを変更してもよい。言い換えると、放電セルＢの画像データが放電セルＡの画像データと同じになるように画像データを変更してもよい。例えば、図１１Ａに示す例では、放電セルＢの画像データは「１、１、１、１、０、１、１、０」である。そして、放電セルＡの画像データは「１、１、１、１、１、０、１、１」である。したがって、放電セルＢの画像データを「１、１、１、１、１、０、１、１」に変更し、放電セルＡの画像データと同じにする。あるいは、図１１Ｂに示す例では、放電セルＢの画像データは「１、１、１、１、０、１、１、０」である。そして、放電セルＡの画像データは「１、１、０、１、１、０、０、０」である。したがって、放電セルＢにおける画像データを「１、１、０、１、１、０、０、０」に変更し、放電セルＡの画像データと同じにする。このような構成であっても、上述と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
あるいは、クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときに、上述した２つのサブフィールドのうちの一方のサブフィールドにおいて、隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように画像データを変更することでクロストーク発生条件を回避することができるときには、必ずしも複数のサブフィールドで発光状態を変更する必要はない。図１２Ａ、図１２Ｂは、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。図１２Ａはクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドのうち時間的に先に発生するサブフィールドにおいて画像データを変更する例を示す図である。そして、図１２Ｂはクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドのうち時間的に後に発生するサブフィールドにおいて画像データを変更する例を示す図である。
【００９５】
例えば、図１２Ａに示す例では、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドは、第３ＳＦ、第５ＳＦである。この２つのサブフィールドのいずれのサブフィールドであっても、放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせることで、クロストーク発生条件を回避することができる。したがって、このようなときには、いずれか一方のサブフィールドにおける発光状態を変えるように画像データを変更するように構成してもよい。このとき、輝度重みの小さい方のサブフィールド（図１２Ａに示す例では、時間的に先に発生する第３ＳＦ）における発光状態を放電セルＡと放電セルＢとで互いにあわせるように画像データを変更すれば、クロストークの発生を低減するために画像データを変更するときの輝度の変化をより少なくすることが可能となるので、さらに画像表示品質を向上させることが可能となる。
【００９６】
図１２Ｂに示す例では、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドは、第５ＳＦ、第６ＳＦである。時間的に先に発生する第５ＳＦにおいて放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせても、引き続き第６ＳＦと第８ＳＦとがクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドとして残る。しかし、時間的に後に発生する第６ＳＦでは、例えば放電セルＢを発光から非発光に変更して放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせれば、クロストーク発生条件を回避することができる。したがって、このようなときには、クロストーク発生条件を回避することが可能となる方のサブフィールド（図１２Ｂに示す例では、時間的に後に発生する第６ＳＦ）において発光状態を放電セルＡと放電セルＢとで互いにあわせるように画像データを変更すればよい。
【００９７】
なお、本実施の形態では、クロストーク判定部５８において、画像データを用いてクロストーク発生条件の判定を行う構成を説明した。しかし、例えば、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせを記憶部等にあらかじめ記憶させておくことで、クロストーク発生条件に該当するかどうかの判定を、階調値変換部５１から出力される階調値を用いて行うことも可能である。
【００９８】
なお、画像データを変更することで発生する本来の階調値との差は、ディザ法等の一般に用いられている画像処理手法を用いて補正する構成とすることが望ましい。
【００９９】
図１３は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。なお、図１３には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素については同一の符号を付与し、説明を省略する。
【０１００】
画像信号処理回路４１０は、画像データ生成部５０１、クロストーク判定部５８、画像データ変更部５９に加え、ディザ処理部５４と、減算部５５と、加算部５６と、逆変換部６０とを有する。
【０１０１】
画像データ生成部５０１は、図５に示したコーディングテーブル５２およびコーディング部５３と階調値変換部６６とを有する。図５に示した階調値変換部５１は、画像信号の大きさに応じてコーディングテーブル５２に備えられた表示用階調値のうちのいずれかの階調値を選択すると説明した。しかし、図１３に示す階調値変換部６６は、後段にディザ処理部５４があるので、表示用階調に限定されることなく、画像信号の大きさに応じて最適な階調値を出力するものとする。
【０１０２】
逆変換部６０は、画像データ変更部５９から出力される画像データを階調値に逆変換する。
【０１０３】
減算部５５は、ディザ処理部５４から出力される階調値と逆変換部６０から出力される階調値との差を算出する。したがって、減算部５５からは、画像信号にもとづき設定された階調値と、画像データ変更部５９において変更された画像データにもとづく階調値との差が出力される。
【０１０４】
加算部５６は、階調値変換部６６から出力される階調値に、減算部５５からの出力値を加算する。したがって、加算部５６からは、画像信号にもとづく本来の階調値に、画像データ変更部５９において画像データを変更することで発生した誤差が補正された階調値が出力される。
【０１０５】
ディザ処理部５４では、互いに異なる２つ以上の階調値を用いて他の階調値を擬似的に表示する一般に知られたディザ処理を行う。これにより、表示用階調に含まれる階調値を用いて、表示用階調に含まれない階調値を擬似的に表示することができる。
【０１０６】
このような構成とすることで、画像データ変更部５９において発生する本来の階調値との誤差を補正することができる。したがって、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１０７】
なお、画像データ変更部５９においては、変更を加える前の画像データよりも変更を加えた後の画像データの方が階調値が大きくなるように画像データに変更を加えるときには、次の変更をさらに加えてもよい。すなわち、その変更により非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて、１つ以上のサブフィールドが発光から非発光になるように画像データにさらに変更を加える構成としてもよい。
【０１０８】
図１４は、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。例えば、図１４に示す例では、放電セルＢに割り当てる画像データの第５ＳＦを非発光サブフィールドから発光サブフィールドに変更している。この変更は、放電セルＢの階調値を大きくする変更である。したがって、このようなときに、第５ＳＦよりも輝度重みの小さい第１ＳＦから第４ＳＦにおいて１つ以上のサブフィールド（図１４では、第１ＳＦ、第２ＳＦ、第４ＳＦ）を発光から非発光にするように、画像データにさらに変更を加える。これにより、クロストークの発生を低減するために画像データを変更するときの輝度の変化を抑えることが可能となる。したがって、さらに画像表示品質を向上させることが可能となる。ただし、非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて、どれだけの数のサブフィールドを発光から非発光に変更するかは、パネルの特性に応じて適切に設定することが望ましい。
【０１０９】
なお、本実施の形態では、１フィールドを１つの単位期間として、クロストークを低減する制御を行う構成を説明した。しかし、クロストークの発生原因となる走査電極２２間に蓄積される電荷は、全セル初期化動作によって消去されることも確認された。したがって、１フィールドに２回以上の全セル初期化を行う構成では、全セル初期化動作から次の全セル初期化動作までの期間を１つの単位期間として、本実施の形態に示したクロストークを低減する制御を行う構成とすることが望ましい。
【０１１０】
（実施の形態２）
図１５は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。
【０１１１】
図１５に示す画像信号処理回路４１１は、垂直輪郭検出部６１と、画像データ生成部６２と、選択部７０とを有する。
【０１１２】
垂直輪郭検出部６１は、画像における垂直方向の輪郭（以下、「垂直輪郭」と呼称する）部分を検出するとともに、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルが垂直輪郭に含まれるかどうかを判定する。垂直輪郭の検出は、例えば、現在の画像信号とメモリー（図示せず）によって１水平期間遅延された画像信号との差の絶対値が、垂直輪郭検出用に設定されたしきい値以上かどうかを判定することで行うことができる。なお、現在の画像信号が、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルに割り当てられるかどうかの判定は、クロストーク判定部５８と同様の構成で行うことができるので、説明を省略する。
【０１１３】
画像データ生成部６２は、第１の階調値変換部６３と、第１のコーディング部６５と、第１のコーディングテーブル６４と、第２の階調値変換部６７と、第２のコーディング部６８と、第２のコーディングテーブル６９とを有する。なお、本実施の形態では、第１の階調値変換部６３、第１のコーディング部６５および第１のコーディングテーブル６４は、それぞれ、図５に示した階調値変換部５１、コーディング部５３およびコーディングテーブル５２と同様のものであるものとして、説明を省略する。しかし、第１のコーディングテーブル６４は何らコーディングテーブル５２と同様の構成に限定されるものではない。
【０１１４】
図１６は、本発明の実施の形態２における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられた第２のコーディングテーブルの一例を示した図である。図１６に示す第２のコーディングテーブルは、１フィールドを第１ＳＦから第８ＳＦまでの８のサブフィールドで構成し、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドがそれぞれ（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有するときのコーディングテーブルの一例である。
【０１１５】
図１６に示す第２のコーディングテーブルは、非発光のサブフィールドがあれば、同一フィールドにおける上述の非発光のサブフィールド以降の全てのサブフィールドを非発光にするコーディングデータで構成されている。したがって、第２のコーディングテーブルが有するコーディングデータには、発光サブフィールドと発光サブフィールドとの間に非発光サブフィールドが挟まれるようなコーディングデータは含まれない。また、非発光サブフィールドと非発光サブフィールドとの間に発光サブフィールドが挟まれるようなコーディングデータも含まれない。したがって、隣接する放電セルに割り当てる画像データを、第２のコーディングテーブルに含まれるコーディングデータから生成すれば、どのような組み合わせであってもクロストーク発生条件を回避することができる。
【０１１６】
そして、第２の階調値変換部６７は、図１６に示す第２のコーディングテーブルに記された表示用階調値のうちのいずれかの階調値を画像信号の大きさに応じて選択して出力する。そして、第２のコーディング部６８は、第２の階調値変換部６７から出力されてくる階調値にもとづき第２のコーディングテーブル６９からコーディングデータを読み出して出力する。
【０１１７】
画像データ生成部６２は、このようにして、第１のコーディングテーブル６４にもとづく画像データ、および第２のコーディングテーブル６９にもとづく画像データの２つの画像データを生成する。
【０１１８】
そして、選択部７０は、垂直輪郭検出部６１からの出力にもとづき、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが垂直輪郭部分に含まれているときには第２のコーディングテーブル６９にもとづき生成された画像データを選択する。そして、そうでないときには第１のコーディングテーブル６４にもとづき生成された画像データを選択して出力する。
【０１１９】
垂直輪郭部分は、輝度の変化が大きいため、隣接する放電セル間にクロストークが発生したときに、より大きな画質劣化として認識されやすい。しかし、本実施の形態によれば、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが垂直輪郭部分に含まれているときには第２のコーディングテーブル６９にもとづき画像データを生成することができる。したがって、輝度の変化が大きい垂直輪郭部分におけるクロストークをより効果的に防止することが可能となる。
【０１２０】
なお、データ電極駆動回路４２においては、発光させる放電セル（以下、「発光セル」と呼称する）と非発光の放電セル（以下、「非発光セル」と呼称する）とが隣接する箇所が増えるほど、消費電力が増大する。しかし、第２のコーディングテーブル６９は、発光サブフィールドが連続し、また非発光サブフィールドが連続するコーディングデータで構成されている。そのため、第２のコーディングテーブル６９を用いて画像データを生成することで、発光セルと非発光セルとが隣接する確率を低くすることができる。これにより、データ電極駆動回路４２における消費電力を低減することができる。すなわち、本実施の形態では、垂直輪郭部分においてデータ電極駆動回路４２の消費電力を低減する効果もあわせて得ることができる。
【０１２１】
なお、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図５に示した構成とを組み合わせた画像信号処理回路を構成することもできる。図１７は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。図１７には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素、および図１５に示す画像信号処理回路４１１と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１２２】
画像信号処理回路４１２は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１５に示す垂直輪郭検出部６１、画像データ生成部６２、選択部７０とを有する。例えば、このような構成とすることで、垂直輪郭部分に含まれない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができるので、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１２３】
また、図示はしないが、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図１３に示した構成とを組み合わせて画像信号処理回路を構成することも可能である。
【０１２４】
（実施の形態３）
図１８は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。なお、図１８には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１および図１３に示す画像信号処理回路４１０と同じ構成要素については同一の符号を付与し、説明を省略する。
【０１２５】
画像信号処理回路４１３は、図１３に示す画像データ生成部５０１に加え、ディザ処理部７１と、クロストーク判定部７２とを有する。
【０１２６】
階調値変換部６６は、図１３で示した階調値変換部６６と同様に、表示用階調に限定されることなく、画像信号の大きさに応じた階調値を出力する。
【０１２７】
ディザ処理部７１は、階調値変換部５１から出力される階調値が表示用階調に含まれない階調値のときには、表示用階調の中から互いに異なる少なくとも２つの階調値を選択する。そして、行列状に組み合わせた複数の放電セル（以下、「放電セル群」と呼称する）のそれぞれに、選択された階調値のうちのいずれかを割り当てる。こうして、一般に知られたディザ処理を行い、表示用階調に含まれない階調値を擬似的に表示できるようにする。さらに、本実施の形態におけるディザ処理部７１は、クロストーク判定部７２における判定結果に応じてディザ処理を変更する。この詳細は後述する。
【０１２８】
クロストーク判定部７２は、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが記憶部７３にあらかじめ記憶されてある。そして、ディザ処理部７１において選択された複数の階調値に、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが含まれているかどうかを判定する。具体的には、例えば、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃに示したように、２つの階調値のそれぞれを画像データに変換したときに、次の２つの条件にともにあてはまるとき、クロストーク発生条件に該当する階調値と判定する。
１：１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになる。
２：同一フィールドにおける上述したのサブフィールド以降のサブフィールドに、上述の一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ上述の他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが含まれる。
【０１２９】
また、クロストーク判定部７２は、ディザ処理部７１において設定された放電セル群に、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれているかどうかを判定する。
【０１３０】
次に、本実施の形態におけるディザ処理について説明する。図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の一例を簡略的に示す図である。なお、図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃに示す各ブロックはそれぞれが放電セルを表し、Ｇは緑色で発光する放電セルを表し、Ｂは青色で発光する放電セルを表し、Ｒは赤色で発光する放電セルを表す。また、放電セル内に記した数値は、その放電セルに割り当てられた階調値を表す。
【０１３１】
例えば、図１９Ａに示すように、Ｇの放電セルを階調値「５５」で発光させたいとき、コーディングテーブル５２の表示用階調に階調値「５５」が含まれていなければ、表示用階調に含まれる階調値から、平均値が「５５」になるように、複数の階調値を選択する。例えば、階調値「５３」および階調値「５７」を選択する。そして、選択した階調値を、図１９Ｂに示すように、行列状に組み合わせた放電セル（例えば、２行２列の放電セル）の各放電セルに割り当てる。これにより、擬似的に階調値「５５」を表示することができる。このとき、解像度の劣化を防止するために、行方向（以下、「水平方向」と記す）に隣接する放電セルおよび列方向（「垂直方向」と記す）に隣接する放電セルはそれぞれが互いに異なる階調値になるように、各放電セルに各階調値を割り当てる。なお、水平方向に関しては、Ｂの放電セルおよびＲの放電セルが間に挟まれる構成となるが、本実施の形態では説明を簡略化するために、「隣接する」という表現を用いる。
【０１３２】
ディザ処理部７１では、このように一般に知られたディザ処理を行い、コーディングテーブル５２の表示用階調に含まれる複数の階調値を用いて、表示用階調に含まれない階調値（以下、「中間階調値」とも記す）を擬似的に表示できるようにする。また、図示はしないが、各放電セルに割り当てる階調値をフィールド毎に互いに入れ替えることで、より自然に中間階調値を表示することができる。
【０１３３】
なお、ディザ処理は同色の放電セル間で行うため、以下の図面では、図１９Ｃに示すように、同色の放電セル間に挟まれる他の色の放電セルを省略して図示するものとする。
【０１３４】
そして、本実施の形態におけるディザ処理部７１は、クロストーク判定部７２における判定結果に応じて上述したディザ処理に変更を加える。
【０１３５】
具体的には、クロストーク判定部７２において、ディザ処理部７１で選択された階調値に上述したクロストーク発生条件に該当する階調値が含まれていると判定され、かつディザ処理部７１で設定された放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれていると判定されたときに、ディザ処理部７１は、クロストーク発生条件を回避するようにディザ処理を変更する。
【０１３６】
すなわち、ディザ処理部７１は、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、ディザ処理用に選択した階調値を放電セル群の各放電セルに割り当てる。
【０１３７】
図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図である。なお、図２０Ａ、図２０Ｂでは、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルを視覚的にわかりやすく示すために、維持電極２３およびデータ電極３２を省略して、放電セルと走査電極２２とを図示している。また、ここでは、図２０Ａに破線で示すように、２行２列の行列状に組み合わせた４つの放電セル（以下、ｎ行ｍ列の行列状に組み合わせた放電セルを「ｎ×ｍの放電セル」と表す）をディザ処理に用いる１つの放電セル群としたときの例を示す。
【０１３８】
例えば、図２０Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）が図２０Ｃに示すようにクロストーク発生条件に該当するときには、ディザ処理部７１は、クロストーク発生条件を回避するようにディザ処理を変更する。すなわち、図２０Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、各放電セルに割り当てる階調値の配置位置を変更する。
【０１３９】
図２１Ａ、図２１Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の他の一例を簡略的に示す図である。
【０１４０】
例えば、図２１Ａに示すように、２×２の放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）が上述したクロストーク発生条件に該当し、さらに、同様の放電セル群が２組隣接するときには、次のように階調値の配置位置を変更する。すなわち、図２１Ｂに破線で示すように、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして図２１Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。なお、このとき、水平方向に隣接する放電セルは同じ階調値にならないようにする。
【０１４１】
このようにディザ処理を変更することにより、クロストーク発生条件を回避することができ、ディザ処理を行うことで発生するおそれのあるクロストークを低減して、画像表示品質を向上させることができる。
【０１４２】
図２２Ａ、図２２Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【０１４３】
例えば、図２２Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）がクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２１Ｂに示した構成と同様に、図２２Ｂにおいても、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして、図２２Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。なお、このとき、水平方向に隣接する放電セルは同じ階調値にならないようにする。
【０１４４】
このようにディザ処理を変更することによっても、クロストーク発生条件を回避し、ディザ処理を行うことで発生するおそれのあるクロストークを低減することができる。
【０１４５】
以上説明したように、本実施の形態では、ディザ処理部７１において選択された複数の階調値に、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが含まれているかどうか、およびディザ処理部７１において設定された放電セル群に、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれているかどうかをクロストーク判定部７２において判定する。そして、その判定結果に応じて、ディザ処理部７１では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、ディザ処理用に選択された各階調値を放電セル群の各放電セルに割り当てる。このような構成にすることで、クロストーク発生条件を回避しながらディザ処理を行うことが可能となる。したがって、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、画像表示品質を向上させることができる。
【０１４６】
なお、図示はしないが、各放電セルに割り当てる階調値をフィールド毎に互いに入れ替える構成とすることが望ましい。それにより、より自然に中間階調値を表示することができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態では、クロストーク判定部７２を設け、クロストーク判定部７２においてクロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせの判定を行う構成を説明した。しかし、例えば、ディザ処理部７１において、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが選択されたときには自動的に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルに同じ階調値を割り当てないようにディザ処理を行う構成としてもよい。
【０１４８】
なお、本発明においてディザ処理に用いる階調値の数は、何ら上述した構成に限定されるものではない。ディザ処理に用いる階調値の数は３つあるいはそれ以上であってもよい。
【０１４９】
図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。例えば、図２３Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために４つの階調値（例えば、階調値「４３」、階調値「４９」、階調値「５３」および階調値「５７」）が選択され、そのうちの１組（例えば、階調値「４３」および階調値「４９」）と残りの１組（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）とがそれぞれクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２３Ｂに示すように、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。例えば、このような構成としてもよい。
【０１５０】
なお、本発明においてディザ処理に用いる放電セルの組み合わせは、何ら上述した構成に限定されるものではない。図２４Ａ、図２４Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。例えば、図２４Ａに示すように、１つの放電セル群が２×３の行列状に組み合わせた６つの放電セルからなり、その中に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「４５」および階調値「４９」）がクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２４Ｂに示すように、放電セル群を構成する放電セルの数はそのままにし、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。例えば、このような構成としてもよい。
【０１５１】
なお、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図５に示した構成とを組み合わせた画像信号処理回路を構成することもできる。図２５は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。図２５には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１および図１８に示す画像信号処理回路４１３と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１５２】
画像信号処理回路４１４は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１８に示す画像データ生成部５０１、ディザ処理部７１、クロストーク判定部７２とを有する。例えば、このような構成とすることで、ディザ処理を行わない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができる。これにより、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１５３】
また、図２５に示した構成に、実施の形態２で図１５に示した構成をさらに組み合わせて画像信号処理回路を構成することも可能である。図２６は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成のさらに他の一例を示す回路ブロック図である。図２６には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素、図１５に示す画像信号処理回路４１１と同じ構成要素、および図１８に示す画像信号処理回路４１３と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１５４】
画像信号処理回路４１５は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１５に示す垂直輪郭検出部６１、選択部７０と、図１５に示す画像データ生成部６２に図１８に示すディザ処理部７１、クロストーク判定部７２を組み込んだ画像データ生成部７４とを有する。例えば、このような構成とすることで、垂直輪郭部分に含まれる放電セルに関しては、実施の形態２に示した構成で画像データを生成し、垂直輪郭部分に含まれない放電セルに関しては、実施の形態３に示した構成でディザ処理を行い、垂直輪郭部分に含まれず、かつディザ処理を行わない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができる。これにより、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１５５】
なお、本発明における実施の形態では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル間におけるクロストークを低減する構成を説明した。しかし、同様の電荷の移動は維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル間でも発生すると考えられる。そして、維持期間において最初に維持パルスを印加する電極を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとするような構成では、維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル間に、クロストークによる異常な維持放電が発生する可能性が高いと考えられる。したがって、そのような構成では、上述した「走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル」を「維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル」に置き換えて同様の構成とすることで、上述と同様の効果を得ることができる。
【０１５６】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な各数値は、実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではない。各数値は、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。
【０１５７】
なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ波形Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する構成を説明した。しかし、消去ランプ波形Ｌ３を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。あるいは、消去ランプ波形Ｌ３ではなく、いわゆる細幅消去パルスにより消去放電を発生させる構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１５８】
本発明は、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルにおいて、隣接する放電セル間のクロストークを低減して維持放電を安定に発生させることができる。したがって、画像表示品質を向上させることができ、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【符号の説明】
【０１５９】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル（プラズマディスプレイパネル）
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１，４１０，４１１，４１２，４１３，４１４，４１５    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０，６２，７４，５０１    画像データ生成部
５１，６６    階調値変換部
５２    コーディングテーブル
５３    コーディング部
５４    ディザ処理部
５５    減算部
５６    加算部
５７    メモリー
５８，７２    クロストーク判定部
５９    画像データ変更部
６０    逆変換部
６１    垂直輪郭検出部
６３    第１の階調値変換部
６４    第１のコーディングテーブル
６５    第１のコーディング部
６７    第２の階調値変換部
６８    第２のコーディング部
６９    第２のコーディングテーブル
７０    選択部
７１    ディザ処理部
７３    記憶部
【図１】
2009139151.tif 000003
【図２】
2009139151.tif 000004
【図３】
2009139151.tif 000005
【図４】
2009139151.tif 000006
【図５】
2009139151.tif 000007
【図６Ａ】
2009139151.tif 000008
【図６Ｂ】
2009139151.tif 000009
【図７】
2009139151.tif 000010
【図８Ａ】
2009139151.tif 000011
【図８Ｂ】
2009139151.tif 000012
【図８Ｃ】
2009139151.tif 000013
【図９Ａ】
2009139151.tif 000014
【図９Ｂ】
2009139151.tif 000015
【図１０】
2009139151.tif 000016
【図１１Ａ】
2009139151.tif 000017
【図１１Ｂ】
2009139151.tif 000018
【図１２Ａ】
2009139151.tif 000019
【図１２Ｂ】
2009139151.tif 000020
【図１３】
2009139151.tif 000021
【図１４】
2009139151.tif 000022
【図１５】
2009139151.tif 000023
【図１６】
2009139151.tif 000024
【図１７】
2009139151.tif 000025
【図１８】
2009139151.tif 000026
【図１９Ａ】
2009139151.tif 000027
【図１９Ｂ】
2009139151.tif 000028
【図１９Ｃ】
2009139151.tif 000029
【図２０Ａ】
2009139151.tif 000030
【図２０Ｂ】
2009139151.tif 000031
【図２０Ｃ】
2009139151.tif 000032
【図２１Ａ】
2009139151.tif 000033
【図２１Ｂ】
2009139151.tif 000034
【図２２Ａ】
2009139151.tif 000035
【図２２Ｂ】
2009139151.tif 000036
【図２３Ａ】
2009139151.tif 000037
【図２３Ｂ】
2009139151.tif 000038
【図２３Ｃ】
2009139151.tif 000039
【図２４Ａ】
2009139151.tif 000040
【図２４Ｂ】
2009139151.tif 000041
【図２５】
2009139151.tif 000042
【図２６】
2009139151.tif 000043
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。そして、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極が形成され、それらデータ電極を覆うように誘電体層が形成され、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁が形成されている。そして、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封されている。密封された内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成する。
【０００５】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加（以下、この動作を「走査」とも記す）するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを印加する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。それにより、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電を発生させ、選択的に壁電荷を形成する。
【０００６】
続く維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。それにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで選択的に維持放電を起こし、その放電セルを発光させる。これにより画像表示を行う。
【０００７】
そして、複数の走査電極は走査電極駆動回路により駆動され、複数の維持電極は維持電極駆動回路により駆動され、複数のデータ電極はデータ電極駆動回路により駆動される。
【０００８】
また、表示電極対を構成する走査電極と維持電極とを表示電極対毎に交互に入れ替えて配列したプラズマディスプレイ装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００９】
近年では、パネルの大画面化、高精細化が進み、それにともないパネルにおける電極間容量が増大している。電極間容量の増大は、パネルを駆動する際に発光に寄与することなく無効に消費される無効電力を増大させるため、消費電力を増加させる一因となる。そして、上述した特許文献２に開示されている電極構造を有するパネルでは、維持期間における維持動作の際に、隣接する放電セル間で電圧変化を同相にすることができるため、無効電力の削減を図ることができる。
【００１０】
しかしながら、特許文献２に記載されている電極構造を有するパネルでは、走査電極同士が隣り合って隣接する放電セル間で、一方の放電セルから他方の放電セルへ電荷が移動する現象（以下、このような現象を「クロストーク」と呼称する）が発生し、このクロストークに起因する異常な維持放電が発生することがあることがわかった。そして、そのような異常な維持放電は画像表示品質を劣化させてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１８２９８号公報
【特許文献２】特開平８−２１２９３３号公報
【発明の概要】
【００１２】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるサブフィールド法により駆動され、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルと、画像信号を放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備え、画像信号処理回路は、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける１つのサブフィールド以降のサブフィールドで一方の放電セルが非発光になり、かつ他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成することを特徴とする。
【００１３】
これにより、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルにおいて、隣接する放電セル間のクロストークを低減することができるので、維持放電を安定に発生させ、画像表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図４】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図５】本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図
【図６Ａ】本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図
【図６Ｂ】本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図
【図７】本発明の実施の形態１における走査電極、維持電極およびデータ電極の配列と放電セルとの関係を概略的に示す図
【図８Ａ】本発明の実施の形態１における隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図
【図８Ｂ】同隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図
【図８Ｃ】同隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図
【図９Ａ】本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図
【図９Ｂ】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図
【図１０】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図
【図１１Ａ】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図
【図１１Ｂ】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図
【図１２Ａ】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図
【図１２Ｂ】同クロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するさらに他の一例を示す図
【図１３】本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図
【図１４】本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図
【図１５】本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図
【図１６】本発明の実施の形態２における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられた第２のコーディングテーブルの一例を示した図
【図１７】本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図
【図１８】本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図
【図１９Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理の一例を簡略的に示す図
【図１９Ｂ】同ディザ処理の一例を簡略的に示す図
【図１９Ｃ】同ディザ処理の一例を簡略的に示す図
【図２０Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図
【図２０Ｂ】同ディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図
【図２０Ｃ】同ディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図
【図２１Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理の他の一例を簡略的に示す図
【図２１Ｂ】同ディザ処理の他の一例を簡略的に示す図
【図２２Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２２Ｂ】同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２３Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２３Ｂ】同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２３Ｃ】同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２４Ａ】本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２４Ｂ】同ディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図
【図２５】本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図
【図２６】本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成のさらに他の一例を示す回路ブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００１７】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００１８】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成されている。そして、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成されている。そして、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００１９】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置されている。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、その内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２０】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列されている。そして、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成されている。したがって、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２２】
また、パネル１０においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの位置関係が表示電極対２４毎に交番するように配列している。具体的には、・・・−走査電極−走査電極−維持電極−維持電極−走査電極−走査電極−維持電極−維持電極−・・・となるように配列している（以下、このような電極配列を「ＡＢＢＡ電極構造」と呼称する。なお、比較のため、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの位置関係が表示電極対２４毎に変化せず、・・・−走査電極−維持電極−走査電極−維持電極−・・・と配列された電極構造を、「ＡＢＡＢ電極構造」と呼称する）。
【００２３】
そして、図１、図２に示したように、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとは互いに平行に対をなして形成されている。そのために、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間に電極間容量Ｃｐが存在する。しかし、本実施の形態では、パネル１０をＡＢＢＡ電極構造としているので、維持期間における維持動作の際に隣接する放電セル間で電圧変化を同相にすることができる。これにより、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減することができる。
【００２４】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について図３を用いて説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法によってパネル１０を駆動するものとする。このサブフィールド法では、１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。そして、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。
【００２５】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８のサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有する構成とすることができる。そして、各サブフィールドでは、この輝度重みに、あらかじめ設定された輝度倍率を乗じた数の維持パルスを発生させる。これにより、維持期間における発光の回数を制御して画像の明るさを調整する。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行う。こうすることで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００２６】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなる。したがって、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００２７】
なお、本発明は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが、本実施の形態に示す上記の値に限定されるものではない。また、輝度重みが昇順に並んだサブフィールド構成に限定されるものでもない。例えば、輝度重みが降順に並んだサブフィールド構成であってもよい。あるいは、輝度重みが昇順になったサブフィールドと輝度重みが降順になったサブフィールドとが交互に並んだサブフィールド構成であってもよい。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００２８】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【００２９】
なお、図３には、書込み期間において最初に走査を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に走査を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００３０】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形を示す。すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）の第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（「選択初期化サブフィールド」と呼称する）の第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを図３に示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データにもとづき選択された電極を表す。
【００３１】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００３２】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ１を印加し、さらに電圧Ｖｉ１から、電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形」と呼称する）Ｌ１を印加する。この電圧Ｖｉ１は放電開始電圧以下の電圧であり、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧である。
【００３３】
この上りランプ波形Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００３４】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形」と呼称する）Ｌ２を印加する。この電圧Ｖｉ３は維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧であり、電圧Ｖｉ４は放電開始電圧を超える電圧である。
【００３５】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められる。そして、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００３６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては順次走査パルス電圧を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。こうして、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００３７】
この書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃ（Ｖｃ＝Ｖａ＋Ｖｓｃｎ）を印加する。
【００３８】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００３９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００４０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルを発光させる。
【００４１】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が放電開始電圧を超える。これは、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されるためである。
【００４２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００４３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓを印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超える。これにより再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こる。そして、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与える。こうすることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００４４】
そして、維持期間の最後には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する傾斜波形電圧（以下、「消去ランプ波形」と呼称する）Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電（以下、「消去放電」と呼称する）が発生する。この消去放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００４５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００４６】
第２ＳＦの初期化期間では、第１ＳＦにおける初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形Ｌ４を印加する。
【００４７】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。このように第２ＳＦにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００４８】
第２ＳＦの書込み期間においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。
【００４９】
第２ＳＦの維持期間においては、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとにあらかじめ定められた数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる。
【００５０】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルスの発生数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。
【００５１】
以上が、パネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００５２】
なお、本実施の形態では、上述したように、パネル１０をＡＢＢＡ電極構造にしている。そのため、隣接する放電セルでは、走査電極２２と走査電極２２とが隣り合い、維持電極２３と維持電極２３とが隣り合う。したがって、隣接する放電セル間で、維持パルス電圧の変化を同相にすることができ、無効電力を削減することができる。例えば、ＡＢＡＢ電極構造を有するパネルを駆動する場合と比較して、無効電力を約２５％削減できることが確認された。
【００５３】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００５４】
画像信号処理回路４１は、あらかじめ設定されたサブフィールド構成（このフィールド構成は、１フィールドのサブフィールド数および各サブフィールドの輝度重みのことである）と、プラズマディスプレイ装置１において設定された最小階調値（例えば、「０」）から最大階調値（例えば、「２２６」）までの階調値と、各階調値のそれぞれに設定されたコーディングデータ（各サブフィールドにおける発光・非発光を表すデータ）とが互いに関連付けられてまとめられたデータ群（以下、「コーディングテーブル」と記す）を有する。そして、そのコーディングテーブルにもとづき、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇを放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。なお、本実施の形態における画像信号処理回路４１は、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルの画像データが、所定の条件に合致するときに、画像データを変更する処理をあわせて行う。すなわち、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける１つのサブフィールド以降のサブフィールドで一方の放電セルが非発光になり、かつ他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成する。これにより、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１では、隣接する放電セル間でのクロストークを低減して異常な維持放電の発生を防止し、画像表示品質の向上を実現している。この詳細については図面を用いて後述する。
【００５５】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈおよび垂直同期信号Ｖからの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００５６】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換する。そして、タイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００５７】
走査電極駆動回路４３は、初期化波形発生回路と、走査パルス発生回路と、維持パルス発生回路とを有する（図示せず）。初期化波形発生回路は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査ＩＣを備え、書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。維持パルス発生回路は、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。そして、走査電極駆動回路４３は、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【００５８】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路（図示せず）を備えている。そして、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００５９】
次に、画像信号処理回路４１の詳細について説明する。図５は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路４１の構成の一例を示す回路ブロック図である。なお、図５には、本実施の形態におけるクロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。
【００６０】
画像信号処理回路４１は、画像データ生成部５０と、クロストーク判定部５８と、画像データ変更部５９とを有する。画像データ生成部５０は、画像信号にもとづき画像データを生成する。クロストーク判定部５８は、画像データ生成部５０から出力される画像データにおいて、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データが所定の組み合わせになるかどうかを判定する。画像データ変更部５９は、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する。
【００６１】
画像データ生成部５０は、コーディングテーブル５２と、階調値変換部５１と、コーディング部５３とを有する。階調値変換部５１は、画像信号をコーディングテーブル５２に備えられた表示に使用する階調値（以下、「表示用階調」とも記す）に変換する。コーディング部５３は、階調値変換部５１から出力される階調値にもとづきコーディングテーブル５２からコーディングデータを読み出して、画像データを生成する。
【００６２】
コーディングテーブル５２は、あらかじめ設定されたコーディングテーブル（例えば、図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブル）が、半導体メモリー等の任意に読み出し可能な記憶素子に記憶されて構成されたものである。
【００６３】
図６Ａ、図６Ｂは、本発明の実施の形態１における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられたコーディングテーブルの一例を示した図である。図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブルは、１フィールドを第１ＳＦから第８ＳＦまでの８つのサブフィールドで構成し、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドがそれぞれ（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有するときのコーディングテーブルの一例である。そして、表示に使用する最小階調値「１」から最大階調値「２２６」までの複数の階調値と各階調値に対応するコーディングデータとが関連付けられてまとめられたものである。
【００６４】
なお、図６Ａ、図６Ｂにおいて、「１」で示すサブフィールドは、書込みを行うサブフィールド、すなわち発光サブフィールドであることを表し、「０」で示すサブフィールドは、書込みを行わないサブフィールド、すなわち非発光サブフィールドであることを表す。
【００６５】
そして、階調値変換部５１は、画像信号の大きさに応じて図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルに記された表示用階調値のうちのいずれかの階調値を選択して出力する。例えば、画像信号が階調値「４５」に相当する大きさであれば、表示用階調値「４５」を出力する。あるいは、画像信号が階調値「１１０」に相当する大きさであれば、表示用階調値「１１０」を出力する。また、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルに記された表示用階調値に画像信号の大きさに相当する階調値がなければ、最も近い階調値を選択して出力する。例えば、画像信号が階調値「４４」に相当する大きさのときには、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルには階調値「４４」がないので、階調値「４４」に最も近い表示用階調値「４５」を選択して出力する。
【００６６】
そして、コーディング部５３は、階調値変換部５１から出力されてくる表示用階調値にもとづきコーディングテーブル５２からコーディングデータを読み出す。例えば、階調値変換部５１から表示用階調値「４５」が出力されてきたときには、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドに「１、１、１、１、０、１、０、０」という発光状態が割り当てられたコーディングデータをコーディングテーブル５２から読み出す。また、階調値変換部５１から、例えば表示用階調値「１１０」が出力されてきたときには、同様に「１、１、１、０、１、１、１、０」というコーディングデータを読み出す。そして、読み出したコーディングデータを画像データとして後段に出力する。
【００６７】
画像データ生成部５０は、このようにして、画像信号から画像データを生成する。なお、画像信号の大きさに相当する階調値が表示用階調値に含まれていないときには、例えば、一般に用いられている誤差拡散法（画像信号と表示用に選択した階調値との差を周囲の画素に拡散する手法）やディザ法（互いに異なる複数の階調値を用いて、別の階調値を擬似的に表示する手法）等を用いればよい。そうすることで、画像信号の大きさに相当する階調値を擬似的に表示することができる。例えば、画像信号が階調値「８５」に相当する大きさのときには、図６Ａ、図６Ｂのコーディングテーブルには表示用の階調値として階調値「８５」が含まれていないので、階調値「８５」をパネル１０に直接表示することはできない。しかし、誤差拡散法やディザ法等を用いることで、擬似的に階調値「８５」を表示することができる。
【００６８】
クロストーク判定部５８は、現在の画像データと、メモリー５７によって１水平期間遅延された画像データとから、それらの画像データが割り当てられる放電セルが走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルかどうかを判定する。そして、現在の画像データと１水平期間遅延された画像データとが所定の組み合わせになるかどうかを判定する。そして、画像データ変更部５９では、クロストーク判定部５８におけるそれら２つの判定結果にもとづき、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する。次に、この詳細について、図面を用いて説明する。
【００６９】
図７は、本発明の実施の形態１における走査電極２２、維持電極２３およびデータ電極３２の配列と放電セルとの関係を概略的に示す図である。本実施の形態におけるパネル１０はＡＢＢＡ電極構造を有するため、走査電極２２と維持電極２３とは、互いの位置関係が表示電極対２４毎に交番するように配列されている。そのため、図面における上下方向に隣接する放電セルは、同じ電極同士が隣り合った隣接となる。具体的には、走査電極２２同士が隣り合った隣接か、または維持電極２３同士が隣り合った隣接かのいずれかになる。したがって、維持期間における維持動作の際に、隣接する放電セル間の電圧変化を同相にすることができる。これにより、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減することができる。
【００７０】
一方、ＡＢＢＡ電極構造を有するパネル１０では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル（以下、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルの一例として配置的に見て上に配置された放電セルを「放電セルＡ」とし、配置的に見て下に配置された放電セルを「放電セルＢ」として説明を行う。また、以下、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルを、単に「隣接する放電セル」とも記す）が所定のパターンで発光するときに、隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすいことが確認された。具体的には、次の２つの条件の両方にあてはまるときにクロストークが発生しやすいことが確認された。
１：１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールド（例えば、第３ＳＦ）で、隣接する放電セルの一方の放電セル（例えば、放電セルＡ）が発光になり、かつ他方の放電セル（例えば、放電セルＢ）が非発光になる。
２：同一フィールドにおける上述したサブフィールド（例えば、第３ＳＦ）以降のサブフィールド（例えば、第４ＳＦ〜第８ＳＦ）で上述した一方の放電セル（放電セルＡ）が非発光になり、かつ上述した他方の放電セル（放電セルＢ）が発光になる。
【００７１】
このような画像データの組み合わせのときに、隣接する放電セル間（ここでは、放電セルＡと放電セルＢとの間）にクロストークが発生しやすい。
【００７２】
図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃは、本発明の実施の形態１における隣接する放電セル間にクロストークが発生しやすい画像データの組み合わせの一例を示す図である。
【００７３】
例えば、放電セルＡを階調値「１９６」で発光させ、放電セルＢを階調値「１０２」で発光させるとする。このとき、図６Ａ、図６Ｂに示すコーディングテーブルにもとづく第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドにおける発光状態は、図８Ａに示すように、放電セルＡで「１、１、１、１、１、０、１、１」となり、放電セルＢで「１、１、１、１、０、１、１、０」となる。このような発光パターンで放電セルＡと放電セルＢとを発光させると、第１ＳＦから第４ＳＦまではともに同じ発光状態である。しかし、第５ＳＦでは、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となり、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となる。そうすると、第６ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＡでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７４】
また、放電セルＡを階調値「２７」で発光させ、放電セルＢを階調値「１０２」で発光させるとする。そうすると、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドにおける発光状態は、図８Ｂに示すように、放電セルＡで「１、１、０、１、１、０、０、０」となり、放電セルＢで「１、１、１、１、０、１、１、０」となる。このような発光パターンでは、第３ＳＦで放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、放電セルＡ、放電セルＢともに発光となる第４ＳＦを間に挟んで、続く第５ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となる。そうすると、第５ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＢでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７５】
また、放電セルＡを階調値「５７」で発光させ、放電セルＢを階調値「１９２」で発光させるとする。そうすると、図８Ｃに示すように、第３ＳＦで放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、第４ＳＦ、第５ＳＦを間に挟んで、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となる。そうすると、第６ＳＦにおいて、非発光であるはずの放電セルＢでクロストークを原因とする異常な維持放電が発生することがある。
【００７６】
このように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが所定の発光パターンで発光すると、すなわち上述した２つの条件にあてはまるパターンで発光すると、隣接する放電セル間にクロストークが発生し、本来非発光の放電セルに、このクロストークに起因する異常な維持放電が発生することがあることが確認された。
【００７７】
これは、次のような理由によるものと考えられる。ＡＢＢＡ電極構造のパネル１０では同種の電極同士が隣り合う（走査電極−走査電極、または維持電極−維持電極）ため、印加される維持パルスが同相となる。その結果、パネル１０を駆動する際の無効電力を削減する効果が得られる。一方で、ＡＢＢＡ電極構造の放電セルは、印加される維持パルスが同相となる分、ＡＢＡＢ電極構造の放電セルと比較して、列方向に隣接する放電セル間における電界の差が小さくなって電荷の移動が発生しやすい。
【００７８】
例えば、放電セルＡと放電セルＢとの間では、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光のときには、維持放電で発生した電荷が放電セルＡから放電セルＢに向かって移動するクロストークが発生することがある。この電荷は完全に放電セルＢ内に移動してしまうのではなく、放電セルＡの走査電極２２と放電セルＢの走査電極２２との間に留まって蓄積される。そして、次に放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となるサブフィールドの最初の維持動作で、放電セルＢで発生した維持放電が走査電極２２間に蓄積された電荷を介して放電セルＡに漏れ込む。パネル１０における放電セルでは、書込みがなされていなくとも、一旦維持放電が発生すると、以降、維持放電が継続して発生する。したがって、放電セルＡでは、書込みがなされていないにもかかわらず、放電セルＢから漏れ込んできた維持放電が種火となって、維持放電が発生する。このようにして、放電セルＡで異常な維持放電が発生するものと考えられる。
【００７９】
そこで、本実施の形態では、上述した２つの条件にあてはまる画像データの組み合わせを所定の組み合わせとする。すなわち、
１：走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで、隣接する放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になる。
２：同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になり、かつ上述の他方の放電セルが発光になる。
この２つの条件に共にあてはまる画像データの組み合わせを所定の組み合わせとし（以下、このような画像データの組み合わせを「クロストーク発生条件」と呼称する）、この所定の組み合わせが発生しないように画像データを生成する。すなわち、クロストーク発生条件を回避するように画像データを生成する。
【００８０】
具体的には、クロストーク判定部５８において、まず、現在の画像データが割り当てられる放電セルと、メモリー５７によって１水平期間遅延された画像データとが割り当てられる放電セルとが、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルかどうかを判定する。
【００８１】
例えば、パネル１０における電極配列が図２に示すような配列であれば、配置的に見て上から１番目の放電セルと２番目の放電セルとは走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルとなり、配置的に見て上から２番目の放電セルと３番目の放電セルとは維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セルとなる。したがって、配置的に見て上から（２Ｎ＋１）番目の放電セルと（２Ｎ＋２）番目の放電セル（Ｎは０以上の整数）とは走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルと判定することができる。
【００８２】
次に、それらの画像データが、クロストーク発生条件に該当するかどうかを判定する。この判定は、例えば、現在の画像データと１水平期間遅延された画像データとでサブフィールド毎に排他的論理和をとり、その結果が「１」となるサブフィールドが２つ以上あって、かつ、それらのサブフィールドで画像データが反転しているかどうかを検出することで行うことができる。
【００８３】
そして、これら２つの条件に合致する画像データが生成されたとき、クロストーク判定部５８において、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データはクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定する。そして、その画像データに対して、画像データ変更部５９は、クロストーク発生条件を回避するように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。すなわち、次の２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドを含む１つ以上のサブフィールドにおいて、隣接する放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。その２つのサブフィールドの１つは、隣接する放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるサブフィールドである。そして、もう１つのサブフィールドは、同一フィールドにおけるそのサブフィールド以降のサブフィールドで、上述の一方の放電セルが非発光になりかつ上述の他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドである。
【００８４】
図９Ａ、図９Ｂ、図１０は、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する一例を示す図である。
【００８５】
例えば、図９Ａに示すように、第５ＳＦでは放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となり、続く第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第５ＳＦでは放電セルＢが発光に、第６ＳＦでは放電セルＢが非発光になるように、画像データを変更する。これにより、第５ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となり、第６ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。
【００８６】
また、図９Ｂに示すように、第３ＳＦでは放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、放電セルＡ、放電セルＢともに発光となる第４ＳＦを間に挟んで、続く第５ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第３ＳＦでは放電セルＢが非発光に、第５ＳＦでは放電セルＢが発光になるように、画像データを変更する。これにより、第３ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となり、第５ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。なお、図９Ｂでは、第６ＳＦも第５ＳＦと同様に放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となっているが、第３ＳＦにおいて放電セルＢが非発光になるように画像データを変更しているので、クロストーク発生条件は回避される。
【００８７】
図１０は、クロストーク発生条件に該当するサブフィールドの組み合わせが１フィールド内に複数含まれる一例を示す図である。図１０に示すように、第３ＳＦ、第４ＳＦでは放電セルＡが非発光、放電セルＢが発光となり、第５ＳＦ、第６ＳＦでは逆に、放電セルＡが発光、放電セルＢが非発光となるような画像データが発生したとする。そのときには、第３ＳＦで放電セルＢが非発光に、第５ＳＦで放電セルＢが発光になるように画像データを変更しても、第４ＳＦ、第６ＳＦがクロストーク発生条件に該当する。その場合は、さらに、第４ＳＦでは放電セルＢが非発光に、第５ＳＦでは放電セルＢが発光になるように画像データを変更する。これにより、第３ＳＦ、第４ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに非発光となり、第５ＳＦ、第６ＳＦでは放電セルＡ、放電セルＢともに発光となって、クロストーク発生条件を回避することができる。
【００８８】
このように、画像データ変更部５９においてクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更する構成とすることで、隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、クロストークに起因する異常な維持放電の発生を防止して、画像表示品質を向上させることができる。
【００８９】
以上説明したように、本実施の形態では、隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になり、かつ上述の他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように画像データを生成する。
【００９０】
すなわち、クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときに、画像データ変更部５９は、クロストーク発生条件を回避するように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。すなわち、次の２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドを含む１つ以上のサブフィールドにおいて、隣接する放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データ生成部５０から出力される画像データに変更を加える。その２つのサブフィールドの１つは隣接する２つの放電セルにおいて一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるサブフィールドである。そして、もう１つのサブフィールドは、同一フィールドにおける上述のサブフィールド以降のサブフィールドで上述の一方の放電セルが非発光になりかつ上述の他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドである。これにより、隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、クロストークに起因する異常な維持放電の発生を防止して、画像表示品質を向上させることができる。
【００９１】
なお、図９Ａ、図９Ｂでは、隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て下に位置する放電セル（例えば、放電セルＢ）の発光状態を、配置的に見て上に位置する放電セル（例えば、放電セルＡ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。図示はしないが、例えば、隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て上に位置する放電セル（放電セルＡ）の発光状態を、配置的に見て下に位置する放電セル（放電セルＢ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成としてもよい。しかし、配置的に見て下に位置する放電セル（例えば、放電セルＢ）の発光状態を、配置的に見て上に位置する放電セル（例えば、放電セルＡ）の発光状態にあわせるように画像データを変更する構成は、時間的に後に使用する画像データを変更する構成にできるので、時間的に先に使用する画像データを変更する構成よりも制御を簡易化することができる。
【００９２】
また、図９Ａ、図９Ｂでは、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールド（例えば、図９Ａでは第５ＳＦと第６ＳＦ、図９Ｂでは第３ＳＦと第５ＳＦの２つのサブフィールド）において、隣接する放電セルの発光状態が同じになるように画像データを変更する構成例を説明した。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、放電セルＢの発光パターンが放電セルＡの発光パターンと同じになるように画像データを変更してもよい。すなわち放電セルＢの画像データが放電セルＡの画像データと同じになるように画像データを変更してもよい。図１１Ａ、図１１Ｂは、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。
【００９３】
クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときには、次のように画像データを変更してもよい。すなわち、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、放電セルＢの発光パターンが放電セルＡの発光パターンと同じになるように画像データを変更してもよい。言い換えると、放電セルＢの画像データが放電セルＡの画像データと同じになるように画像データを変更してもよい。例えば、図１１Ａに示す例では、放電セルＢの画像データは「１、１、１、１、０、１、１、０」である。そして、放電セルＡの画像データは「１、１、１、１、１、０、１、１」である。したがって、放電セルＢの画像データを「１、１、１、１、１、０、１、１」に変更し、放電セルＡの画像データと同じにする。あるいは、図１１Ｂに示す例では、放電セルＢの画像データは「１、１、１、１、０、１、１、０」である。そして、放電セルＡの画像データは「１、１、０、１、１、０、０、０」である。したがって、放電セルＢにおける画像データを「１、１、０、１、１、０、０、０」に変更し、放電セルＡの画像データと同じにする。このような構成であっても、上述と同様の効果を得ることができる。
【００９４】
あるいは、クロストーク判定部５８において走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルにおける画像データがクロストーク発生条件を満たす組み合わせであると判定されたときに、上述した２つのサブフィールドのうちの一方のサブフィールドにおいて、隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように画像データを変更することでクロストーク発生条件を回避することができるときには、必ずしも複数のサブフィールドで発光状態を変更する必要はない。図１２Ａ、図１２Ｂは、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。図１２Ａはクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドのうち時間的に先に発生するサブフィールドにおいて画像データを変更する例を示す図である。そして、図１２Ｂはクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドのうち時間的に後に発生するサブフィールドにおいて画像データを変更する例を示す図である。
【００９５】
例えば、図１２Ａに示す例では、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドは、第３ＳＦ、第５ＳＦである。この２つのサブフィールドのいずれのサブフィールドであっても、放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせることで、クロストーク発生条件を回避することができる。したがって、このようなときには、いずれか一方のサブフィールドにおける発光状態を変えるように画像データを変更するように構成してもよい。このとき、輝度重みの小さい方のサブフィールド（図１２Ａに示す例では、時間的に先に発生する第３ＳＦ）における発光状態を放電セルＡと放電セルＢとで互いにあわせるように画像データを変更すれば、クロストークの発生を低減するために画像データを変更するときの輝度の変化をより少なくすることが可能となるので、さらに画像表示品質を向上させることが可能となる。
【００９６】
図１２Ｂに示す例では、クロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドは、第５ＳＦ、第６ＳＦである。時間的に先に発生する第５ＳＦにおいて放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせても、引き続き第６ＳＦと第８ＳＦとがクロストーク発生条件に該当する２つのサブフィールドとして残る。しかし、時間的に後に発生する第６ＳＦでは、例えば放電セルＢを発光から非発光に変更して放電セルＡと放電セルＢとの発光状態を互いにあわせれば、クロストーク発生条件を回避することができる。したがって、このようなときには、クロストーク発生条件を回避することが可能となる方のサブフィールド（図１２Ｂに示す例では、時間的に後に発生する第６ＳＦ）において発光状態を放電セルＡと放電セルＢとで互いにあわせるように画像データを変更すればよい。
【００９７】
なお、本実施の形態では、クロストーク判定部５８において、画像データを用いてクロストーク発生条件の判定を行う構成を説明した。しかし、例えば、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせを記憶部等にあらかじめ記憶させておくことで、クロストーク発生条件に該当するかどうかの判定を、階調値変換部５１から出力される階調値を用いて行うことも可能である。
【００９８】
なお、画像データを変更することで発生する本来の階調値との差は、ディザ法等の一般に用いられている画像処理手法を用いて補正する構成とすることが望ましい。
【００９９】
図１３は、本発明の実施の形態１における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。なお、図１３には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素については同一の符号を付与し、説明を省略する。
【０１００】
画像信号処理回路４１０は、画像データ生成部５０１、クロストーク判定部５８、画像データ変更部５９に加え、ディザ処理部５４と、減算部５５と、加算部５６と、逆変換部６０とを有する。
【０１０１】
画像データ生成部５０１は、図５に示したコーディングテーブル５２およびコーディング部５３と階調値変換部６６とを有する。図５に示した階調値変換部５１は、画像信号の大きさに応じてコーディングテーブル５２に備えられた表示用階調値のうちのいずれかの階調値を選択すると説明した。しかし、図１３に示す階調値変換部６６は、後段にディザ処理部５４があるので、表示用階調に限定されることなく、画像信号の大きさに応じて最適な階調値を出力するものとする。
【０１０２】
逆変換部６０は、画像データ変更部５９から出力される画像データを階調値に逆変換する。
【０１０３】
減算部５５は、ディザ処理部５４から出力される階調値と逆変換部６０から出力される階調値との差を算出する。したがって、減算部５５からは、画像信号にもとづき設定された階調値と、画像データ変更部５９において変更された画像データにもとづく階調値との差が出力される。
【０１０４】
加算部５６は、階調値変換部６６から出力される階調値に、減算部５５からの出力値を加算する。したがって、加算部５６からは、画像信号にもとづく本来の階調値に、画像データ変更部５９において画像データを変更することで発生した誤差が補正された階調値が出力される。
【０１０５】
ディザ処理部５４では、互いに異なる２つ以上の階調値を用いて他の階調値を擬似的に表示する一般に知られたディザ処理を行う。これにより、表示用階調に含まれる階調値を用いて、表示用階調に含まれない階調値を擬似的に表示することができる。
【０１０６】
このような構成とすることで、画像データ変更部５９において発生する本来の階調値との誤差を補正することができる。したがって、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１０７】
なお、画像データ変更部５９においては、変更を加える前の画像データよりも変更を加えた後の画像データの方が階調値が大きくなるように画像データに変更を加えるときには、次の変更をさらに加えてもよい。すなわち、その変更により非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて、１つ以上のサブフィールドが発光から非発光になるように画像データにさらに変更を加える構成としてもよい。
【０１０８】
図１４は、本発明の実施の形態１におけるクロストーク発生条件を回避するように画像データを変更するときのさらに他の一例を示す図である。例えば、図１４に示す例では、放電セルＢに割り当てる画像データの第５ＳＦを非発光サブフィールドから発光サブフィールドに変更している。この変更は、放電セルＢの階調値を大きくする変更である。したがって、このようなときに、第５ＳＦよりも輝度重みの小さい第１ＳＦから第４ＳＦにおいて１つ以上のサブフィールド（図１４では、第１ＳＦ、第２ＳＦ、第４ＳＦ）を発光から非発光にするように、画像データにさらに変更を加える。これにより、クロストークの発生を低減するために画像データを変更するときの輝度の変化を抑えることが可能となる。したがって、さらに画像表示品質を向上させることが可能となる。ただし、非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて、どれだけの数のサブフィールドを発光から非発光に変更するかは、パネルの特性に応じて適切に設定することが望ましい。
【０１０９】
なお、本実施の形態では、１フィールドを１つの単位期間として、クロストークを低減する制御を行う構成を説明した。しかし、クロストークの発生原因となる走査電極２２間に蓄積される電荷は、全セル初期化動作によって消去されることも確認された。したがって、１フィールドに２回以上の全セル初期化を行う構成では、全セル初期化動作から次の全セル初期化動作までの期間を１つの単位期間として、本実施の形態に示したクロストークを低減する制御を行う構成とすることが望ましい。
【０１１０】
（実施の形態２）
図１５は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。
【０１１１】
図１５に示す画像信号処理回路４１１は、垂直輪郭検出部６１と、画像データ生成部６２と、選択部７０とを有する。
【０１１２】
垂直輪郭検出部６１は、画像における垂直方向の輪郭（以下、「垂直輪郭」と呼称する）部分を検出するとともに、走査電極２２同士が隣り合って隣接する２つの放電セルが垂直輪郭に含まれるかどうかを判定する。垂直輪郭の検出は、例えば、現在の画像信号とメモリー（図示せず）によって１水平期間遅延された画像信号との差の絶対値が、垂直輪郭検出用に設定されたしきい値以上かどうかを判定することで行うことができる。なお、現在の画像信号が、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルに割り当てられるかどうかの判定は、クロストーク判定部５８と同様の構成で行うことができるので、説明を省略する。
【０１１３】
画像データ生成部６２は、第１の階調値変換部６３と、第１のコーディング部６５と、第１のコーディングテーブル６４と、第２の階調値変換部６７と、第２のコーディング部６８と、第２のコーディングテーブル６９とを有する。なお、本実施の形態では、第１の階調値変換部６３、第１のコーディング部６５および第１のコーディングテーブル６４は、それぞれ、図５に示した階調値変換部５１、コーディング部５３およびコーディングテーブル５２と同様のものであるものとして、説明を省略する。しかし、第１のコーディングテーブル６４は何らコーディングテーブル５２と同様の構成に限定されるものではない。
【０１１４】
図１６は、本発明の実施の形態２における表示用階調と各階調値におけるコーディングデータとが関連付けられた第２のコーディングテーブルの一例を示した図である。図１６に示す第２のコーディングテーブルは、１フィールドを第１ＳＦから第８ＳＦまでの８のサブフィールドで構成し、第１ＳＦから第８ＳＦまでの各サブフィールドがそれぞれ（１、２、４、８、１６、３０、５７、１０８）の輝度重みを有するときのコーディングテーブルの一例である。
【０１１５】
図１６に示す第２のコーディングテーブルは、非発光のサブフィールドがあれば、同一フィールドにおける上述の非発光のサブフィールド以降の全てのサブフィールドを非発光にするコーディングデータで構成されている。したがって、第２のコーディングテーブルが有するコーディングデータには、発光サブフィールドと発光サブフィールドとの間に非発光サブフィールドが挟まれるようなコーディングデータは含まれない。また、非発光サブフィールドと非発光サブフィールドとの間に発光サブフィールドが挟まれるようなコーディングデータも含まれない。したがって、隣接する放電セルに割り当てる画像データを、第２のコーディングテーブルに含まれるコーディングデータから生成すれば、どのような組み合わせであってもクロストーク発生条件を回避することができる。
【０１１６】
そして、第２の階調値変換部６７は、図１６に示す第２のコーディングテーブルに記された表示用階調値のうちのいずれかの階調値を画像信号の大きさに応じて選択して出力する。そして、第２のコーディング部６８は、第２の階調値変換部６７から出力されてくる階調値にもとづき第２のコーディングテーブル６９からコーディングデータを読み出して出力する。
【０１１７】
画像データ生成部６２は、このようにして、第１のコーディングテーブル６４にもとづく画像データ、および第２のコーディングテーブル６９にもとづく画像データの２つの画像データを生成する。
【０１１８】
そして、選択部７０は、垂直輪郭検出部６１からの出力にもとづき、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが垂直輪郭部分に含まれているときには第２のコーディングテーブル６９にもとづき生成された画像データを選択する。そして、そうでないときには第１のコーディングテーブル６４にもとづき生成された画像データを選択して出力する。
【０１１９】
垂直輪郭部分は、輝度の変化が大きいため、隣接する放電セル間にクロストークが発生したときに、より大きな画質劣化として認識されやすい。しかし、本実施の形態によれば、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが垂直輪郭部分に含まれているときには第２のコーディングテーブル６９にもとづき画像データを生成することができる。したがって、輝度の変化が大きい垂直輪郭部分におけるクロストークをより効果的に防止することが可能となる。
【０１２０】
なお、データ電極駆動回路４２においては、発光させる放電セル（以下、「発光セル」と呼称する）と非発光の放電セル（以下、「非発光セル」と呼称する）とが隣接する箇所が増えるほど、消費電力が増大する。しかし、第２のコーディングテーブル６９は、発光サブフィールドが連続し、また非発光サブフィールドが連続するコーディングデータで構成されている。そのため、第２のコーディングテーブル６９を用いて画像データを生成することで、発光セルと非発光セルとが隣接する確率を低くすることができる。これにより、データ電極駆動回路４２における消費電力を低減することができる。すなわち、本実施の形態では、垂直輪郭部分においてデータ電極駆動回路４２の消費電力を低減する効果もあわせて得ることができる。
【０１２１】
なお、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図５に示した構成とを組み合わせた画像信号処理回路を構成することもできる。図１７は、本発明の実施の形態２における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。図１７には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素、および図１５に示す画像信号処理回路４１１と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１２２】
画像信号処理回路４１２は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１５に示す垂直輪郭検出部６１、画像データ生成部６２、選択部７０とを有する。例えば、このような構成とすることで、垂直輪郭部分に含まれない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができるので、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１２３】
また、図示はしないが、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図１３に示した構成とを組み合わせて画像信号処理回路を構成することも可能である。
【０１２４】
（実施の形態３）
図１８は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の一例を示す回路ブロック図である。なお、図１８には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１および図１３に示す画像信号処理回路４１０と同じ構成要素については同一の符号を付与し、説明を省略する。
【０１２５】
画像信号処理回路４１３は、図１３に示す画像データ生成部５０１に加え、ディザ処理部７１と、クロストーク判定部７２とを有する。
【０１２６】
階調値変換部６６は、図１３で示した階調値変換部６６と同様に、表示用階調に限定されることなく、画像信号の大きさに応じた階調値を出力する。
【０１２７】
ディザ処理部７１は、階調値変換部５１から出力される階調値が表示用階調に含まれない階調値のときには、表示用階調の中から互いに異なる少なくとも２つの階調値を選択する。そして、行列状に組み合わせた複数の放電セル（以下、「放電セル群」と呼称する）のそれぞれに、選択された階調値のうちのいずれかを割り当てる。こうして、一般に知られたディザ処理を行い、表示用階調に含まれない階調値を擬似的に表示できるようにする。さらに、本実施の形態におけるディザ処理部７１は、クロストーク判定部７２における判定結果に応じてディザ処理を変更する。この詳細は後述する。
【０１２８】
クロストーク判定部７２は、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが記憶部７３にあらかじめ記憶されてある。そして、ディザ処理部７１において選択された複数の階調値に、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが含まれているかどうかを判定する。具体的には、例えば、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃに示したように、２つの階調値のそれぞれを画像データに変換したときに、次の２つの条件にともにあてはまるとき、クロストーク発生条件に該当する階調値と判定する。
１：１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになる。
２：同一フィールドにおける上述したのサブフィールド以降のサブフィールドに、上述の一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ上述の他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが含まれる。
【０１２９】
また、クロストーク判定部７２は、ディザ処理部７１において設定された放電セル群に、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれているかどうかを判定する。
【０１３０】
次に、本実施の形態におけるディザ処理について説明する。図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の一例を簡略的に示す図である。なお、図１９Ａ、図１９Ｂ、図１９Ｃに示す各ブロックはそれぞれが放電セルを表し、Ｇは緑色で発光する放電セルを表し、Ｂは青色で発光する放電セルを表し、Ｒは赤色で発光する放電セルを表す。また、放電セル内に記した数値は、その放電セルに割り当てられた階調値を表す。
【０１３１】
例えば、図１９Ａに示すように、Ｇの放電セルを階調値「５５」で発光させたいとき、コーディングテーブル５２の表示用階調に階調値「５５」が含まれていなければ、表示用階調に含まれる階調値から、平均値が「５５」になるように、複数の階調値を選択する。例えば、階調値「５３」および階調値「５７」を選択する。そして、選択した階調値を、図１９Ｂに示すように、行列状に組み合わせた放電セル（例えば、２行２列の放電セル）の各放電セルに割り当てる。これにより、擬似的に階調値「５５」を表示することができる。このとき、解像度の劣化を防止するために、行方向（以下、「水平方向」と記す）に隣接する放電セルおよび列方向（「垂直方向」と記す）に隣接する放電セルはそれぞれが互いに異なる階調値になるように、各放電セルに各階調値を割り当てる。なお、水平方向に関しては、Ｂの放電セルおよびＲの放電セルが間に挟まれる構成となるが、本実施の形態では説明を簡略化するために、「隣接する」という表現を用いる。
【０１３２】
ディザ処理部７１では、このように一般に知られたディザ処理を行い、コーディングテーブル５２の表示用階調に含まれる複数の階調値を用いて、表示用階調に含まれない階調値（以下、「中間階調値」とも記す）を擬似的に表示できるようにする。また、図示はしないが、各放電セルに割り当てる階調値をフィールド毎に互いに入れ替えることで、より自然に中間階調値を表示することができる。
【０１３３】
なお、ディザ処理は同色の放電セル間で行うため、以下の図面では、図１９Ｃに示すように、同色の放電セル間に挟まれる他の色の放電セルを省略して図示するものとする。
【０１３４】
そして、本実施の形態におけるディザ処理部７１は、クロストーク判定部７２における判定結果に応じて上述したディザ処理に変更を加える。
【０１３５】
具体的には、クロストーク判定部７２において、ディザ処理部７１で選択された階調値に上述したクロストーク発生条件に該当する階調値が含まれていると判定され、かつディザ処理部７１で設定された放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれていると判定されたときに、ディザ処理部７１は、クロストーク発生条件を回避するようにディザ処理を変更する。
【０１３６】
すなわち、ディザ処理部７１は、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、ディザ処理用に選択した階調値を放電セル群の各放電セルに割り当てる。
【０１３７】
図２０Ａ、図２０Ｂ、図２０Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理を変更するときの一例を簡略的に示す図である。なお、図２０Ａ、図２０Ｂでは、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルを視覚的にわかりやすく示すために、維持電極２３およびデータ電極３２を省略して、放電セルと走査電極２２とを図示している。また、ここでは、図２０Ａに破線で示すように、２行２列の行列状に組み合わせた４つの放電セル（以下、ｎ行ｍ列の行列状に組み合わせた放電セルを「ｎ×ｍの放電セル」と表す）をディザ処理に用いる１つの放電セル群としたときの例を示す。
【０１３８】
例えば、図２０Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）が図２０Ｃに示すようにクロストーク発生条件に該当するときには、ディザ処理部７１は、クロストーク発生条件を回避するようにディザ処理を変更する。すなわち、図２０Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、各放電セルに割り当てる階調値の配置位置を変更する。
【０１３９】
図２１Ａ、図２１Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理の他の一例を簡略的に示す図である。
【０１４０】
例えば、図２１Ａに示すように、２×２の放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）が上述したクロストーク発生条件に該当し、さらに、同様の放電セル群が２組隣接するときには、次のように階調値の配置位置を変更する。すなわち、図２１Ｂに破線で示すように、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして図２１Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。なお、このとき、水平方向に隣接する放電セルは同じ階調値にならないようにする。
【０１４１】
このようにディザ処理を変更することにより、クロストーク発生条件を回避することができ、ディザ処理を行うことで発生するおそれのあるクロストークを低減して、画像表示品質を向上させることができる。
【０１４２】
図２２Ａ、図２２Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。
【０１４３】
例えば、図２２Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）がクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２１Ｂに示した構成と同様に、図２２Ｂにおいても、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして、図２２Ｂに示すように、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。なお、このとき、水平方向に隣接する放電セルは同じ階調値にならないようにする。
【０１４４】
このようにディザ処理を変更することによっても、クロストーク発生条件を回避し、ディザ処理を行うことで発生するおそれのあるクロストークを低減することができる。
【０１４５】
以上説明したように、本実施の形態では、ディザ処理部７１において選択された複数の階調値に、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが含まれているかどうか、およびディザ処理部７１において設定された放電セル群に、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれているかどうかをクロストーク判定部７２において判定する。そして、その判定結果に応じて、ディザ処理部７１では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、ディザ処理用に選択された各階調値を放電セル群の各放電セルに割り当てる。このような構成にすることで、クロストーク発生条件を回避しながらディザ処理を行うことが可能となる。したがって、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル間におけるクロストークの発生を低減し、画像表示品質を向上させることができる。
【０１４６】
なお、図示はしないが、各放電セルに割り当てる階調値をフィールド毎に互いに入れ替える構成とすることが望ましい。それにより、より自然に中間階調値を表示することができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態では、クロストーク判定部７２を設け、クロストーク判定部７２においてクロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせの判定を行う構成を説明した。しかし、例えば、ディザ処理部７１において、クロストーク発生条件に該当する階調値の組み合わせが選択されたときには自動的に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルに同じ階調値を割り当てないようにディザ処理を行う構成としてもよい。
【０１４８】
なお、本発明においてディザ処理に用いる階調値の数は、何ら上述した構成に限定されるものではない。ディザ処理に用いる階調値の数は３つあるいはそれ以上であってもよい。
【０１４９】
図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。例えば、図２３Ａに示すように、１つの放電セル群に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために４つの階調値（例えば、階調値「４３」、階調値「４９」、階調値「５３」および階調値「５７」）が選択され、そのうちの１組（例えば、階調値「４３」および階調値「４９」）と残りの１組（例えば、階調値「５３」および階調値「５７」）とがそれぞれクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２３Ｂに示すように、１つの放電セル群を、２×２の行列状に組み合わせた４つの放電セルから、２×４の行列状に組み合わせた８つの放電セルに増やす。そして、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。例えば、このような構成としてもよい。
【０１５０】
なお、本発明においてディザ処理に用いる放電セルの組み合わせは、何ら上述した構成に限定されるものではない。図２４Ａ、図２４Ｂは、本発明の実施の形態３におけるディザ処理のさらに他の一例を簡略的に示す図である。例えば、図２４Ａに示すように、１つの放電セル群が２×３の行列状に組み合わせた６つの放電セルからなり、その中に走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルが含まれ、かつ、ディザ処理に用いるために選択された階調値（例えば、階調値「４５」および階調値「４９」）がクロストーク発生条件に該当するとき、次のように階調値の配置位置を変更する構成としてもよい。すなわち、図２４Ｂに示すように、放電セル群を構成する放電セルの数はそのままにし、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セルは互いに同じ階調値になるように、かつ走査電極２２同士が隣り合わずに隣接する放電セルは互いに異なる階調値になるように、各階調値を各放電セルに割り当てる。例えば、このような構成としてもよい。
【０１５１】
なお、本実施の形態に示した構成と、実施の形態１で図５に示した構成とを組み合わせた画像信号処理回路を構成することもできる。図２５は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成の他の一例を示す回路ブロック図である。図２５には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１および図１８に示す画像信号処理回路４１３と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１５２】
画像信号処理回路４１４は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１８に示す画像データ生成部５０１、ディザ処理部７１、クロストーク判定部７２とを有する。例えば、このような構成とすることで、ディザ処理を行わない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができる。これにより、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１５３】
また、図２５に示した構成に、実施の形態２で図１５に示した構成をさらに組み合わせて画像信号処理回路を構成することも可能である。図２６は、本発明の実施の形態３における画像信号処理回路の構成のさらに他の一例を示す回路ブロック図である。図２６には、クロストークを低減する制御に関する回路ブロックを示し、それ以外の回路ブロックは省略している。また、図５に示す画像信号処理回路４１と同じ構成要素、図１５に示す画像信号処理回路４１１と同じ構成要素、および図１８に示す画像信号処理回路４１３と同じ構成要素についてはそれぞれ同一の符号を付与し説明を省略する。
【０１５４】
画像信号処理回路４１５は、図５に示すクロストーク判定部５８、画像データ変更部５９と、図１５に示す垂直輪郭検出部６１、選択部７０と、図１５に示す画像データ生成部６２に図１８に示すディザ処理部７１、クロストーク判定部７２を組み込んだ画像データ生成部７４とを有する。例えば、このような構成とすることで、垂直輪郭部分に含まれる放電セルに関しては、実施の形態２に示した構成で画像データを生成し、垂直輪郭部分に含まれない放電セルに関しては、実施の形態３に示した構成でディザ処理を行い、垂直輪郭部分に含まれず、かつディザ処理を行わない放電セルに関しては、実施の形態１に示した構成で画像データを変更することができる。これにより、画像表示品質をさらに向上させることができる。
【０１５５】
なお、本発明における実施の形態では、走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル間におけるクロストークを低減する構成を説明した。しかし、同様の電荷の移動は維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル間でも発生すると考えられる。そして、維持期間において最初に維持パルスを印加する電極を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとするような構成では、維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル間に、クロストークによる異常な維持放電が発生する可能性が高いと考えられる。したがって、そのような構成では、上述した「走査電極２２同士が隣り合って隣接する放電セル」を「維持電極２３同士が隣り合って隣接する放電セル」に置き換えて同様の構成とすることで、上述と同様の効果を得ることができる。
【０１５６】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な各数値は、実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではない。各数値は、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。
【０１５７】
なお、本発明の実施の形態では、消去ランプ波形Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する構成を説明した。しかし、消去ランプ波形Ｌ３を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。あるいは、消去ランプ波形Ｌ３ではなく、いわゆる細幅消去パルスにより消去放電を発生させる構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１５８】
本発明は、走査電極と維持電極との位置関係が表示電極対毎に交番するように走査電極および維持電極が配列されたパネルにおいて、隣接する放電セル間のクロストークを低減して維持放電を安定に発生させることができる。したがって、画像表示品質を向上させることができ、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【符号の説明】
【０１５９】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル（プラズマディスプレイパネル）
２１    前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１，４１０，４１１，４１２，４１３，４１４，４１５    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
５０，６２，７４，５０１    画像データ生成部
５１，６６    階調値変換部
５２    コーディングテーブル
５３    コーディング部
５４    ディザ処理部
５５    減算部
５６    加算部
５７    メモリー
５８，７２    クロストーク判定部
５９    画像データ変更部
６０    逆変換部
６１    垂直輪郭検出部
６３    第１の階調値変換部
６４    第１のコーディングテーブル
６５    第１のコーディング部
６７    第２の階調値変換部
６８    第２のコーディング部
６９    第２のコーディングテーブル
７０    選択部
７１    ディザ処理部
７３    記憶部
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けるサブフィールド法により駆動され、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、前記走査電極と前記維持電極との位置関係が前記表示電極対毎に交番するように前記走査電極および前記維持電極が配列されたプラズマディスプレイパネルと、
画像信号を前記放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する画像信号処理回路とを備え、
前記画像信号処理回路は、
隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように前記画像データを生成することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記隣接する２つの放電セルは、前記走査電極同士が隣り合って隣接する放電セルであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記画像信号処理回路は、
画像信号にもとづき画像データを生成する画像データ生成部と、
前記画像データ生成部から出力される画像データにおいて、前記隣接する２つの放電セルにおける画像データが、所定の組み合わせになるかどうかを判定するクロストーク判定部と、
前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加え新たな画像データを生成する画像データ変更部とを備え、
前記クロストーク判定部は、
前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで前記隣接する２つの放電セルの一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせを前記所定の組み合わせと判定し、
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記１つのサブフィールドと、前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になりかつ前記他方の放電セルが発光になる最初のサブフィールドとの２つのサブフィールドのうちの少なくとも一方のサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加えることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記２つのサブフィールドのうちの一方のサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルが、ともに発光、またはともに非発光になるように、画像データに変更を加えるとともに、前記一方のサブフィールドを輝度重みの小さい方のサブフィールドとすることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記一方の放電セルの画像データが、前記他方の放電セルの画像データに等しくなるように、前記画像データ生成部から出力される画像データに変更を加えることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記画像データ変更部は、
変更を加える前の画像データよりも変更を加えた後の画像データの方が階調値が大きくなるように画像データに前記変更を加えるときには、前記変更により非発光から発光に変更されるサブフィールドよりも輝度重みの小さいサブフィールドにおいて１つ以上のサブフィールドが発光から非発光になるように前記画像データにさらに変更を加えることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記画像データ変更部は、
前記クロストーク判定部において前記隣接する２つの放電セルにおける画像データは前記所定の組み合わせであると判定されたときに、前記少なくとも１つのサブフィールドにおいて、前記隣接する２つの放電セルのうち配置的に見て下に位置する放電セルの発光状態が、配置的に見て上に位置する放電セルの発光状態と同じになるように前記画像データを変更することを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記画像信号処理回路は、
画像における垂直方向の輪郭部分を検出するとともに前記隣接する２つの放電セルが前記輪郭部分に含まれるかどうかを判断する垂直輪郭検出部と、
各サブフィールドにおける発光・非発光の組み合わせと表示に使用する階調値とを関連付けた複数のコーディングデータから構成された第１のコーディングテーブルおよび第２のコーディングテーブルを有し画像信号にもとづき画像データを生成する画像データ生成部とを備え、
画像データ生成部は、前記第２のコーディングテーブルを、非発光のサブフィールドがあれば、同一フィールドにおける前記非発光のサブフィールド以降の全てのサブフィールドを非発光にするコーディングデータで構成するとともに、前記垂直輪郭検出部において前記隣接する２つの放電セルが前記輪郭部分に含まれると判断されたときには、前記隣接する２つの放電セルにおける画像データを前記第２のコーディングテーブルを用いて生成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記画像信号処理回路は、
互いに異なる少なくとも２つの階調値を選択し、行列状に組み合わせた複数の放電セルのそれぞれに前記少なくとも２つの階調値のいずれかを割り当ててディザ処理を行うディザ処理部とを備え、
前記ディザ処理部は、
前記行列状に組み合わせた複数の放電セルに前記隣接する２つの放電セルが含まれ、かつ、前記少なくとも２つの階調値に、前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドに前記一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ前記他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが存在する２つの階調値が含まれているときに、前記隣接する２つの放電セルには互いに同じ階調値を割り当て、前記走査電極同士が隣り合わずに隣接する２つの放電セルには互いに異なる階調値を割り当ててディザ処理を行うことを特徴とする請求項２または請求項３または請求項８のいずれか一項に記載の
プラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記ディザ処理部は、
前記行列状に組み合わせた複数の放電セルに前記隣接する２つの放電セルが含まれ、かつ、前記少なくとも２つの階調値に、前記複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドが一方の階調値では発光サブフィールドになり、かつ他方の階調値では非発光サブフィールドになるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドに前記一方の階調値では非発光サブフィールドになり、かつ前記他方の階調値では発光サブフィールドになるサブフィールドが存在する２つの階調値が含まれているときに、前記ディザ処理を行うために行列状に組み合わせる放電セルの数を増やすことを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えるとともに、前記走査電極と前記維持電極との位置関係が前記表示電極対毎に交番するように前記走査電極および前記維持電極が配列されたプラズマディスプレイパネルを駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設け、
画像信号を前記放電セルにおけるサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換するとともに、
隣接する２つの放電セルにおいて、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうちの１つのサブフィールドで一方の放電セルが発光になり、かつ他方の放電セルが非発光になるとともに、同一フィールドにおける前記１つのサブフィールド以降のサブフィールドで前記一方の放電セルが非発光になり、かつ前記他方の放電セルが発光になるような画像データの組み合わせが発生しないように前記画像データを生成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
2009139151.tif 000079
【図２３Ｃ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５】
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【図２６】
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【国際調査報告】
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