(57)【要約】(課題)記録媒体に対し磁気情報を記録する主磁極の幅の精度が高い磁気ヘッドを提供する。(解決手段)基板と、前記基板上に設けられ、幅広部と前記幅広部から延在し且つ前記幅広部から離れるほど厚くなる狭隘部とを備え、前記狭隘部が、上面と、前記上面の幅よりも狭く前記幅広部へ近づくほど広い幅を有する下面とを有する磁極と、前記磁極上に設けられ、非磁性且つ非導電性である絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ、前記磁極と磁気的に接続する補助磁極層とを有することを特徴とする磁気ヘッド。
2009153837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ、幅広部と前記幅広部から延在し且つ前記幅広部から離れるほど厚くなる狭隘部とを備え、前記狭隘部が、上面と、前記上面の幅よりも狭く前記幅広部へ近づくほど広い幅を有する下面とを有する磁極と、
前記磁極上に設けられ、非磁性且つ非導電性である絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記磁極と磁気的に接続する補助磁極層と
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
前記狭隘部の上面が略一定の幅を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記磁極が強磁性材料からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記狭隘部の、前記狭隘部と前記幅広部の延在方向に垂直な断面において、前記第１面上の上辺とそれに隣接する側辺とがなす角をα（°）とし、前記狭隘部の端部において厚さをｈとし前記第２面上の下辺の幅をｎ３とすると、下辺の幅がｎ３Ａである前記狭隘部の任意の断面の高さｈＡが下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
ｈＡ＝ｈ−（ｎ３Ａ−ｎ３）／２ｔａｎ（９０°−α）      （１）
【請求項５】
前記狭隘部は、前記幅広部に近づくに従って厚さが大きくなる部分を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
基板上に磁極層を形成する工程と、
前記磁極層を、幅広部と前記幅広部から延在する狭隘部とを備え、前記狭隘部の幅が前記基板に近いほど狭く且つ前記狭隘部の幅が幅広部に近づくほど広くなるように加工する工程と、
前記狭隘部の厚さが前記幅広部から離れるに従って厚くなるように前記狭隘部の上面を加工する工程と、
前記磁極層の上に非磁性且つ非導電性を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記磁極層と磁気的に接続する補助磁極層を形成する工程と
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記狭隘部の上面を加工する工程が、前記狭隘部の厚さが前記幅広部から離れるに従って厚く、前記狭隘部の幅が略一定になるように前記狭隘部の上面を加工する工程である
ことを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記狭隘部の上面を加工する工程において、前記狭隘部の上面をエッチングによって加工することを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記狭隘部の上面を加工する工程が、前記狭隘部の上にレジストパターンを形成する工程と、イオンミリングを用いて狭隘部の上面をエッチングする工程とを含んでなることを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記狭隘部の上面を加工する工程が、前記狭隘部と前記幅広部の延在方向に垂直な断面において、上辺と隣接する側辺とがなす角をα（°）、目標とする上辺の長さをａとすると、上辺の長さがｂである前記狭隘部を、厚さが（ｂ−ａ）／ｔａｎ（９０°−α）だけ低くなるように加工する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記狭隘部の上面を加工する工程が、更に、前記狭隘部の厚さが前記幅広部に近づくに従って大きくなる部分を形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられ、幅広部と前記幅広部から延在し且つ前記幅広部から離れるほど厚くなる狭隘部とを備え、前記狭隘部が、上面と、前記上面の幅よりも狭く前記幅広部へ近づくほど広い幅を有する下面とを有する磁極と、
前記磁極上に設けられ、非磁性且つ非導電性である絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記磁極と磁気的に接続する補助磁極層と
を有することを特徴とする磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドに対向し、前記磁気ヘッドから印加される磁界により磁気情報を記録すことが可能な磁気記憶媒体と
を備えることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体へ磁気情報の書き込みを行うことが可能な磁気ヘッド、その磁気ヘッドの製造方法、及びその磁気ヘッドを備えた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のコンピュータや通信で扱う情報量の増大は目覚しいものがある。これらの情報を記録する磁気記憶装置に対する大容量化（高記録密度化）に対する要求が高まっている。磁気記憶装置の記録密度の向上を図るため、磁気ヘッドの浮上面（記録媒体に対向する面）における主磁極の幅（記録媒体におけるトラック幅に対応する幅）をより小さくした磁気ヘッドが提案されている。主磁極は、コイルにより磁界が誘導される幅広の磁界誘導部と、磁界誘導部に隣接し浮上面に近づくにつれて細くなる形状（いわゆるテーパ形状）を有するフレア部と、フレア部に隣接する細幅の先端部とを有する。先端部は磁気ヘッドの浮上面に露出している。【０００３】
磁気ヘッドを構成する種々の層を積層させた後、通常、浮上面側を研磨する。磁気ヘッドの浮上面から記憶媒体に向けて効率よく磁場を放出する観点から、先端部の長さ（浮上面に垂直な方向の長さ。いわゆる「スロートハイト」。）は小さいほうが好ましい。このため、現状、スロートハイトが数百ｎｍ程度になるように先端部を研磨する。この研磨の際、主磁極の幅を一定に加工するため、通常、先端部は一定の幅となるように設計される。【０００４】
しかし、フレア部と先端部とが接合する部分では、主磁極を形成する際に使用されるレジストの形状精度に由来する不可避の形状訛りが生じている。すなわち、先端部とフレア部との接合部近傍において、先端部の幅はフレア部から遠ざかるほど連続的に小さくなっている。このように幅が連続的に変化しているのは、接合部から浮上面方向に数百ｎｍの範囲である。一方、研磨精度に由来するスロートハイトの誤差は、現状数十ｎｍ程度である。この研磨精度の誤差が主磁極幅に誤差を生じさせるおそれがある。
【特許文献１】特開２００１−７６３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、磁気情報を記録する磁気ヘッドの主磁極の幅を一定にするための構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、
基板と、
前記基板上に設けられ、幅広部と前記幅広部から延在し且つ前記幅広部から離れるほど厚くなる狭隘部とを備え、前記狭隘部が、上面と、前記上面の幅よりも狭く前記幅広部へ近づくほど広い幅を有する下面とを有する磁極と、
前記磁極上に設けられ、非磁性且つ非導電性である絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、前記磁極と磁気的に接続する補助磁極層と
を有することを特徴とする磁気ヘッドが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、浮上面の研磨の際に加工精度の範囲の誤差が生じても、所定の主磁極幅を有する磁極を備えた磁気ヘッドが得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態により得られた磁気ヘッドを備える磁気記録装置を示す概略的な平面図である。
【図２】図２は、本実施形態により得られた磁気ヘッドを備える磁気記録装置を示す概略図である。
【図３】図３は、磁気ヘッドの第１実施形態の概略的構成を示す断面図である。
【図４】図４Ａ〜４Ｂは、磁気ヘッドの第１実施形態の概略的構成を示す断面図である。
【図５】図５は、磁気ヘッドの第１実施形態の概略的構成を示す断面図である。
【図６】図６は、磁気ヘッドの第１実施形態のうち主磁極層の、基板の主面に平行な断面を同一平面上に重ねて表示した概略図である。
【図７】図７Ａ〜７Ｂは、磁気ヘッドの第１実施形態のうち主磁極層の部分模式図である。
【図８】図８は、磁気ヘッドの第１実施形態のうち主磁極層の断面図である。
【図９】図９は、磁気ヘッドの別の実施形態の概略的構成を示す断面図である。
【図１０】図１０は、磁気ヘッドの別の実施形態の概略的構成を示す断面図である。
【図１１】図１１Ａ〜１１Ｅは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を示す模式的断面図である。
【図１２】図１２Ａ〜１２Ｆは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、強磁性層の形成方法を示す模式的断面図である。
【図１３】図１３は、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、図１３を用いて説明した形成方法により得られた強磁性層の斜視図である。
【図１４】図１４は、図１３における部分Ｔを拡大した、強磁性層４０の上面を示す平面図である。
【図１５】図１５Ａ〜１５Ｄは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、強磁性層の上面を加工する工程を示す模式的断面図である。
【図１６】図１６Ａ〜１６Ｅは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、強磁性層の上面を加工した後の強磁性層を示す部分断面図である。
【図１７】図１７Ａ〜１７Ｂは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、強磁性層の上面を加工する前における強磁性層の断面の一例を示す断面図である。
【図１８】図１８Ａ〜１８Ｂは、磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態において、強磁性層の上面を加工する際の強磁性層の断面の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０００９】
７    基板
８ａ〜８ｄ    コイル
９    絶縁層
１０Ａ、１０Ｂ    接続層
１１    主磁極層
１２    絶縁層
１３ａ〜１３ｅ    樹脂層
１４    トレーリングシールド層
１５    リターンヨーク層
１６    浮上面
１７    絶縁層
２１    絶縁層
３０    レジスト層
３１    レジスト層の端部
４０    強磁性層
４１    磁界誘導部
４２    フレア部
４２ａ    フレア部の先端
４３    先端部
４３ａ    幅変化部
４３ｂ    幅一定部
４４    主磁極部
４５    フレア支持部
４６    幅広支持部
４８    支持部
４９    傾斜面
５０    レジスト層
１０１    磁気ディスク装置
１０２    ハウジング
１０３    回転軸
１０４    磁気ディスク
１０５    ヘッドスライダ
１０６    サスペンション
１０７    アーム軸
１０８    キャリッジアーム
１０９    電磁アクチュエータ
１１０    制御部
１１１ａ、１１１ｂ    配線
１１２    ＣＰＵ
１１４    ＲＡＭ
１１５    ＲＯＭ
１１７    バス
１１９    出力回路
１２１    スライダ基板
１２２    磁気ヘッド
１２３    記録ヘッド
１２４    再生ヘッド
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態の構成を図１から図１８を用いて説明する。
−磁気ディスク装置−
まず、磁気ヘッドの使用態様である磁気ディスク装置について、図１及び図２を用いて簡単に説明する。なお、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。図１は、本実施形態により得られた磁気ヘッドを備える磁気記録装置（ハードディスクドライブ：ＨＤＤ）を示す概略的な平面図である。【００１１】
図１に示した磁気ディスク装置１０１は、外装として図に示すようなハウジング１０２を有する。ハウジング１０２の内部には、回転軸１０３に装着されて矢印１２０の方向に回転する磁気ディスク１０４と、磁気ディスク１０４に対して情報記録と情報再生を行う磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダ１０５と、ヘッドスライダ１０５を保持するサスペンション１０６と、サスペンション１０６が固定されてアーム軸１０７を中心に磁気ディスク１０４の表面に沿って移動するキャリッジアーム１０８と、キャリッジアーム１０８を駆動する電磁アクチュエータ１０９とが設けられている。なお、ハウジング１０２にはカバー（図示せず）が取り付けられて、ハウジング１０２とカバーで形成された内部空間に上述の構成部品が収容される。【００１２】
磁気ディスク装置１は、更に、図２に示すように、磁気ディスク装置１０１の動作を制御する制御部１１０を有する。制御部１１０は、例えばハウジング１０２内部に設けられたコントロールボード（不図示）に搭載される。制御部１１０は、図２に示すように、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１１２、ＣＰＵ１１２が処理するデータ等を一時的に記憶させておくＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１１４、制御用のプログラム等を格納するＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１１５、外部に対して信号の入出力を行う入出力回路１１９、これらの回路間で信号を伝送するバス１１７を含む。【００１３】
また、図２に示すように、ヘッドスライダ１０５はスライダ基板１２１に形成された磁気ヘッド１２２を有する。磁気ヘッド１２２は、例えば、制御回路１１０内の入出力回路１１９と配線１１１ａ、１１１ｂによって接続され、磁気ディスク１０４への情報の記録（ライト動作）及び磁気ディスク１０４に記憶された情報の再生（リード動作）を行う。このリード動作またはライト動作を行う際に、電磁アクチュエータ１０９によってキャリッジアーム１０８が駆動され、磁気ヘッド１２１を磁気ディスク１０４上の所望のトラックに移動する。
−磁気ヘッド−
図３〜５は、本発明の磁気ヘッドの第１実施形態である磁気ヘッドを示す断面図である。ここでは、単磁極型の垂直磁気ヘッドからなる記録ヘッド部を有する磁気ヘッドを示す。図３は、記憶媒体に対向する面（浮上面）に垂直であり且つ記憶媒体の直径方向に垂直な面を示す。図４Ａ及び４Ｂは、浮上面を示す平面図である。図５は、主磁極層及び鍍金ベースの基板の主面に平行な断面を同一平面上に重ねて表示した図である。【００１４】
以下の説明では、Ｘ軸方向は記憶媒体の直径方向であり、Ｙ軸方向は記憶媒体に対して遠ざかる方向であり、Ｚ軸は基板上に積層されている各層の積層方向（以下、「基板からの積層方向」と呼称する。）であり、また、磁気ヘッドに対する媒体の移動方向である。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに垂直である。また、Ｘ軸方向の距離を「幅」、Ｙ軸方向の距離を「長さ」、Ｚ軸方向の距離を「厚さ」とそれぞれ表記する。磁気ヘッドにおいて、Ｙ軸方向のうちの浮上面（エアベアリング面：ＡＢＳ）に近い側を「浮上面側」、浮上面から遠ざかる側を「ハイト側」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図３以降においても同様とする。【００１５】
以下、図３を参照しながら、第１の実施形態である磁気ヘッドを説明する。本実施形態に係る磁気ヘッドは、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に磁気記録用のデバイスとして搭載されるものである。この磁気ヘッドは、例えば、アルティック（Ａｌ２Ｏ３ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板７上に、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；以下、単に「アルミナ」という。）よりなる絶縁層９と、垂直記録方式により記憶媒体上の記録面の任意の位置に情報を記録可能な記録ヘッド部１２３と、アルミナよりなるオーバーコート層（図示せず）とがこの順に積層された構成をなしている。【００１６】
アルティック基板７の上に、絶縁層９が形成されている。絶縁層９はアルミナなどの非磁性非導電性材料からなる。絶縁層９には、加熱器（図示せず）が埋め込まれていてもよい。加熱器は記録ヘッド部１１１を加熱することにより、それらを膨張させ、浮上面側に突き出させることを可能にする。磁気ディスク装置においては、この突出量の制御によって、再生、記録に適した浮上量になるように制御することができる。【００１７】
記録ヘッド部１２３は、例えば、主磁極層１１、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、１０Ｂ、コイル８ａ〜８ｄ（以下、コイル８と総称する場合がある。）、樹脂層１３ａ〜１３ｅ（以下、レジスト１３と総称する場合がある。）、リターンヨーク層１５、絶縁層１２、１７を有する。【００１８】
主磁極層１１、接続層１０Ｂ、リターンヨーク層１５、接続層１０Ａ、及びトレーリングシールド層１４は、それぞれ磁性材料からなり、磁気的に接続されている。これら磁性材料からなる部分とコイル８とは絶縁層１２、１７及び樹脂層１３により電気的に遮蔽されている。コイル８、レジスト１３、及び接続層１０Ａは基板から遠い側の表面は研磨され、略同一平面上に位置する。【００１９】
コイル８ａ〜８ｄは、通電することにより磁界を発生させることができる。発生した磁界が主磁極層１１へ誘導され、主磁極層１１の先端から放出されることにより、記録媒体へ磁気情報が記録されうる。このコイル８ａ〜８ｄは、例えば、銅（Ｃｕ）などの導電性材料により構成されている。コイルの厚さは例えば１〜３μｍ程度である。尚、接続層１０Ｂのハイト側に位置するコイルは図示していない。【００２０】
主磁極層１１は、主に、コイル８Ａ及び８Ｂにおいて発生した磁束を収容し、その磁束を磁気ディスク（図示せず。）に向けて放出するものである。主磁極層１１は、通常、浮上面１６側が露出している。この主磁極層１１は強磁性材料を含んでいる。強磁性材料としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄系合金（Ｆｅ−Ｍ；Ｍは４Ａ，５Ａ，６Ａ，３Ｂ，４Ｂ族の金属元素）、あるいはこれらの各合金の窒化物などが挙げられる。主磁極層１１の膜厚は約０．１μｍ〜０．５μｍである。ここで、主磁極層１１は本発明における「磁極」「磁極層」の一具体例に相当する。【００２１】
主磁極層１１について、図４Ａ及び４Ｂを用いて更に説明する。図４Ａ及び４Ｂは、浮上面１６を示す概略平面図であり、主磁極層１１と、トレーリングシールド層１４のみが示されている。図４Ａに示すように、主磁極層１１の浮上面側の断面は、逆台形の形状を有する。断面がこのような逆台形の形状を有しているのは、磁気ヘッドが記録動作を行う際、磁気記憶媒体の円周方向（トラック方向）に対する磁気ヘッドの傾き角（スキュー角）によって、主磁極層１１が記録を行いたくないトラックに磁気情報を書き込んでしまうのを抑制するためである。尚、図４Ｂに示すように、主磁極層１１の浮上面側の断面は、逆三角形であってもよい。逆台形及び逆三角形の側方は図示されないアルミナなどの非磁性絶縁物で埋められる。【００２２】
主磁極層１１について、図５を用いて更に説明する。図５は、主磁極層の、基板の主面に平行な断面の概略図である。図５に示すように、主磁極層１１は、絶縁層を設けた基板（図示せず。）上に、磁界誘導部４１から延在するフレア部４２及びフレア部の先端４２ａを備える。磁界誘導部４１は、コイルにより記録するための磁界が誘導される比較的幅が広い部分である。磁界誘導部４１の幅ｉは、フレア部４２の幅ｊ以上である。磁界誘導部の幅ｉは、例えば、数十μｍである。フレア部４２は、磁界誘導部４１に誘導された磁界を絞り込み、フレア部の先端へと誘導する部分である。フレア部４２の幅ｊは磁界誘導部４１に近づくほど大きく、先端へ近づくほど小さい、いわゆるテーパ形状を有する。フレア部の幅ｊの範囲は、例えば０．１〜３０μｍ程度である。フレア部の先端４２ａは、浮上面１６側から磁気記憶媒体に向けて磁界を放出し、情報を記録するための部分である。フレア部の先端の幅ｋは、例えば、数十〜百数十ｎｍ程度である。フレア部の先端４２ａのテーパの程度は、フレア部４２のそれよりもよりも小さい。フレア部の先端４２ａの長さｋ０（一般にスロートハイトと呼ばれる）は、例えば百数十ｎｍである。フレア部のうち、先端４２ａを除いた長さｊ０は、例えば１００〜１５０ｎｍである。【００２３】
尚、図５において、理想的なフレア部の先端４２ａの形状が破線Ｒ１、Ｒ２により示されている。しかし、フレア部４２とフレア部の先端４２ａの境界付近に、不可避の形状訛りが生じる。この形状訛りは、主磁極層１１を形成する際に使用されるレジスト層の形状精度に由来する。レジスト層の形成方法については後述する。【００２４】
主磁極層１１について、図６を用いて更に説明する。図６は、図５に示される主磁極層１１のうち点線で囲まれた部分Ｔの拡大斜視図である。フレア部の先端４２ａの幅は基板７に近いほど小さい。例えば浮上面１６の上辺の幅ｎ１は下辺の幅ｎ３よりも大きい。上辺と下辺の間の幅ｎ２は幅ｎ１より小さく幅ｎ３より大きい。浮上面１６から磁界誘導部側へ所定の長さＬＣまでの範囲内において、フレア部の先端４２ａの上面の幅は略一定である。例えば、浮上面１６における上辺の幅ｎ１は、浮上面１６から長さＬＡだけ離れた位置Ａにおける上辺の幅ｎ１Ａ、及び長さＬＢだけ離れた位置Ｂにおける上辺の幅ｎ１Ｂ、浮上面１６から長さＬＣだけ離れた位置Ｃにおける上辺の幅ｎ１Ｃに等しい。また、浮上面１６から磁界誘導部側へ所定の長さＬＣまでの範囲内において、フレア部の先端４２ａの厚さは磁界誘導部４１から離れるほど大きい。例えば、浮上面１６におけるフレア部の厚さｈは、浮上面１６から長さＬＣだけ離れた位置ＣにおけるｈＣよりも大きい。【００２５】
主磁極層１１について、図７Ａ及び７Ｂを用いて更に説明する。図７Ａ及び７Ｂは、図５に示される主磁極層１１のうち点線で囲まれた部分Ｔの模式図である。図７Ａの上図は上面図であり、下図は上図のＰ１−Ｐ２断面を示す断面図である。また、図７Ｂは図７Ａの主磁極層１１の浮上面における断面、及び位置Ａ並びに位置Ｂにおける浮上面に平行な断面を示す断面図である。フレア部の先端４２ａの幅は、図７Ｂの主磁極層１１の断面図に示されるように、図示されない基板に近づくほど小さい。換言すれば、フレア部の先端４２ａの幅は、図３において絶縁層１２に接する面から絶縁層９に接する面へ近づくほど小さい。また、フレア部の先端４２ａの厚さは、図７Ａの下図に示されるように、浮上面１６に近づくほど、即ち磁界誘導部から離れるほど大きい。例えば、浮上面１６における厚さをｈ、位置Ａにおける厚さをｈＡ、位置Ｂにおける厚さをｈＢ、位置Ｃにおける厚さをｈＣとすると、ｈ＞ｈＡ＞ｈＢ＞ｈＣである。また、フレア部の先端４２ａの下面内及び下面からの距離が同じ面内において、フレア部の先端４２ａの幅は、浮上面１６に近づくほど、即ち磁界誘導部から離れるほど小さい。例えば、図７Ｂに示されるように、フレア部の先端４２ａの下面において、浮上面における幅をｎ３、位置Ａにおける幅をｎ３Ａ、位置Ｂにおける幅をｎ３Ｂ、位置Ｃにおける幅をｎ３Ｃとすると、ｎ３＜ｎ３Ａ＜ｎ３Ｂ＜ｎ３Ｃである。一方、フレア部の先端４２ａの上面において、浮上面における幅をｎ１、位置Ａにおける幅をｎ１Ａ、位置Ｂにおける幅をｎ１Ｂ、位置Ｃにおける幅をｎ１Ｃとすると、ｎ１、ｎ１Ａ、ｎ１Ｂ、ｎ１Ｃは略同一である。これは、フレア部の先端４２ａの幅が基板に近づくほど小さく、磁界誘導部から離れるほどほど小さく、且つフレア部の先端４２ａの厚さが磁界誘導部から離れるほど大きくなるように、フレア部の先端４２ａを形成することにより実現可能である。このようなフレア部の先端４２ａの形状を有する磁気ヘッドは、磁気ヘッドを構成する各層を積層した後に、浮上面側を研磨する際に、加工精度の範囲の誤差が生じても浮上面における主磁極層１１の上辺の幅（いわゆる主磁極幅）は一定となる。つまり、現在の浮上面１６よりも過剰に研磨が行われたとしても、所定の主磁極幅を満たす磁気ヘッドが得られる。【００２６】
図８は、フレア部の先端４２ａの浮上面と位置Ｂにおける浮上面に平行な断面の一例を示す断面図である。図８において、浮上面１６における断面ＰＱＲＳと、位置Ａにおける断面ＰＡＱＡＲＡＳＡとは重ねて表示されている。例えば、図８に示すように、フレア部の先端４２aの浮上面１６と位置Ａにおける断面において、側辺ＰＱと、側辺ＰＡＱＡとは平行である。また、側辺ＲＳと、側辺ＲＡＳＡとは平行である。このように浮上面１６と位置Ａにおける断面の対応する側辺が互いに平行である場合、位置Ａにおける厚さｈＡは、テーパ角θ、上辺と側辺とがなす角α、浮上面１６における厚さｈ、浮上面１６における下辺の幅ｎ３、位置Ａにおける下辺の幅ｎ３Ａを用いて下記式（１）のように表される。【００２７】
ｈＡ＝ｈ−（ｎ３Ａ−ｎ３）／２ｔａｎθ
＝ｈ−（ｎ３Ａ−ｎ３）／２ｔａｎ（９０°−α）      （１）
下記式（１）の関係を満たすとき、浮上面における上辺の幅ｎ１と位置Ａにおける上辺の幅ｎ１Ａとが等しくなる。同様の関係は、浮上面１６と位置Ｂにおける断面、及び浮上面１６と位置Ｃにおける断面との間にも成り立つ。【００２８】
再び図３を参照しながら、第１の実施形態である磁気ヘッドを説明する。【００２９】
鍍金ベース（図示せず）は主磁極層１１の基板側に位置する。主磁極層１１を鍍金法により形成する際に電極として機能する層である。鍍金ベースは、導電性を有する任意の材料により構成されうる。鍍金ベースに含まれる材料は、例えばタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）などの中から少なくとも１種類が選択される。尚、主磁極層１１が鍍金法を用いて形成されない場合、鍍金ベースは設けられない。【００３０】
トレーリングシールド層１４は、主に、主磁極層１１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由してリターンヨーク層１５に環流させる際に、主磁極層の書き込み磁界の磁界勾配を急峻にする機能を担う。また、トレーリングシールド層１４は、主磁極層１１を周囲から磁気的に遮蔽する機能も担う。トレーリングシールド層１４は、通常、浮上面１６側が露出している。このトレーリングシールド層１４は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。ここで、トレーリングシールド層１４は本発明における「補助磁極層」の一具体例に相当する。【００３１】
リターンヨーク層１５は、記録ヘッド部１１１において、主磁極層１１から放出された磁束をハードディスク（図示せず。）を経由して環流させる機能を担うものである。このリターンヨーク層１５は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚みは約１．０μｍ〜４．０μｍである。リターンヨーク層１５は本発明における「補助磁極層」の一具体例に対応する。【００３２】
樹脂層１３ａ〜１３ｅは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）などにより構成されている。樹脂層１３ａ〜１３ｅは、尚、樹脂層１３ａ〜１３ｅの代わりに、アルミナ等のセラミックスを配置しても良い。ここで、樹脂層１３ａ〜１３ｅは、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。【００３３】
絶縁層１２は、コイル８と主磁極層１１との間の電気的な絶縁性を確保することが可能であり且つ非磁性である材料により構成されている。絶縁層１２は、例えば、アルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）などの非磁性非導電性材料により構成されている。また、絶縁層１２のうち浮上面側に、ルテニウム（Ｒｕ）や銅（Ｃｕ）などの導電性を有する非磁性材料が用いられてもよい。絶縁層１２の厚みは、浮上面側において約数十〜数百ｎｍ、ハイト側で約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層１２は、複数の材料から構成されていても良いし、互いに異なる材料からなる複数の層からなっていてもよい。ここで、絶縁層１２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。【００３４】
絶縁層１７は、コイル８及び樹脂層１３を覆うように設けられる。絶縁層１７は、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ２）やフォトレジストなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは例えば約０．１μｍ〜１．０μｍである。絶縁層１７がフォトレジストからなる場合、通常、上記樹脂層１３と一体形成される。ここで、絶縁層１２は、本発明における「絶縁層」の一具体例に対応する。【００３５】
接続層１０Ａは、リターンヨーク層１５とトレーリングシールド１４との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル８よりも浮上面側に位置する。また、接続層１０Ｂは、リターンヨーク層１５と主磁極層１１との間を磁気的に連結させるためのものであり、通常、コイル８よりもハイト側に位置する。接続層１０Ａ及び１０Ｂは、例えばパーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されている。接続層１０Ａは本発明における「補助磁極層」の一具体例に対応する。【００３６】
オーバーコート層（図示せず。）は、記録ヘッド部１２３を保護するため、記録ヘッド部１２３の上面に設けられる。オーバーコート層を構成する材料は特に限定されない。オーバーコート層は、例えば、アルミナから構成されうる。【００３７】
上記各層は、例えば、メッキ処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法などを利用したパタニング技術、並びに機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して、図３の下方の層から上方の層へ向かって順に、セラミック材料よりなる基板７上に積層することにより製造可能である。磁気ヘッドの製造方法の詳細は後述する。【００３８】
磁気ヘッド１２２を磁気ディスクに配置して、記憶媒体上の記録層に情報を記録したい場合、主磁極層１１の近傍のコイル８に電流を流して所定の磁束を生成する。このコイル８にて生成された磁束は、主磁極層１１を通過し、浮上面１６から記憶媒体（図示せず）の表面へ流れる。記録層に流れ込んだ磁界は磁束に流出し、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、及びリターンヨーク層１５へと流入する。上記の主磁極層１１、記憶媒体（図示せず）、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、リターンヨーク１５、接続層１０Ｂにより磁気回路が形成される。この磁気回路を利用して、記憶媒体の記憶媒体面に対して垂直な方向の磁化（情報）を記録層に記録することができる。上記磁気ヘッドは、磁気ヘッドを構成する各層を積層した後に、浮上面側を研磨する際に、加工精度の範囲の誤差が生じても主磁極幅は一定となる。つまり、浮上面１６が過剰に研磨されたとしても、所定の主磁極幅を満たす磁気ヘッドが得られる。【００３９】
図９、１０は、それぞれ本発明の磁気ヘッドの別の実施形態を示す断面模式図である。図９、１０は、記憶媒体に対向する面（浮上面）を示す概略平面図である。これらの磁気ヘッドの、浮上面に平行な主磁極層の断面、及び基板の主面に平行な主磁極層の断面の形状は、それぞれ図４Ａ〜８を用いて説明した断面形状と同様であるため省略する。上記実施形態の磁気ヘッドにおいて、トレーリングシールド層１４、接続層１０Ａ、１０Ｂが設けられているが、例えば図９のように、トレーリングシールド１４、接続層１０Ａ、１０Ｂが設けられていなくても良い。【００４０】
また、本発明の磁気ヘッドは、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであってもよく、例えば、図１０に示されるように、基板７上に絶縁層９と再生ヘッド部１２４と記録ヘッド部１２３とオーバーコート層（図示せず）とがこの順に積層された構成であってもよい。再生ヘッド部１２４は、例えば、下部シールド層３と、ギャップ膜４と、上部シールド層６とがこの順に積層された構成をなしている。ギャップ膜４には、浮上面１６に一端面が露出するように、磁気再生デバイスとしての磁気抵抗効果素子（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｅｆｆｅｃｔ  ｅｌｅｍｅｎｔ。以下、ＭＲ素子と略記する。）５が埋設されている。【００４１】
下部シールド層３および上部シールド層６は、主に、ＭＲ素子５を周囲から磁気的に遮蔽するものである。これらの下部シールド層３および上部シールド層６は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（以下、単に「パーマロイ（商品名）」という）；Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、それらの厚みは約１．０μｍ〜２．０μｍである。【００４２】
ギャップ膜４は、下部シールド層３や上部シールド層６からＭＲ素子５を電気的に分離するものである。このギャップ膜４は、例えば、アルミナなどの非磁性非導電性材料により構成されており、その厚みは約０．１μｍ〜０．２μｍである。【００４３】
ＭＲ素子５として、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ  Ｍａｇｎｅｔｏ−ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）等の磁気抵抗効果を示す感磁性膜を用いた素子が利用されうる。【００４４】
図９、１０に示される磁気ヘッドは、図３〜８に示される磁気ヘッドと同様、磁気ヘッドを構成する各層を積層した後に、浮上面側を研磨する際に、加工精度の範囲の誤差が生じても主磁極幅は一定となる。つまり、浮上面１６が過剰に研磨されたとしても、所定の主磁極幅を有する主磁極層を備えた磁気ヘッドが得られる。
−磁気ヘッドの製造方法−
図１１Ａ〜１１Ｅは、本発明の磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を示す模式的断面図であり、図３〜８を用いて説明した磁気ヘッドと同様の構成を有する磁気ヘッドの製造途中における積層体において、最終的に得られる磁気ヘッドの浮上面に相当する断面の形状を示す模式的断面図である。尚、上記実施形態の磁気ヘッドの説明と重複する部分については、説明を省略する。【００４５】
まず、図１１Ａに示すように、アルティック等の基板７上にアルミナ等の絶縁層（図示せず）を形成し、更に、絶縁層を形成した基板７上にルテニウム等の鍍金ベース層（図示せず）をスパッタリング法等によって形成する。次に、図１１Ｂに示すように、図示されない絶縁層及び鍍金ベース層が設けられた基板７の上に強磁性層４０を形成する。この強磁性層４０は、最終的に得られる磁気ヘッドにおいて主磁極層１１となる。【００４６】
図１２Ａ〜１２Ｆは、強磁性層４０の形成方法を示す模式的断面図である。この模式的断面図は、主磁極層１１の先端の断面（すなわち、得られる磁気ヘッドにおける浮上面に相当する断面）を示している。【００４７】
まず、図１２Ａに示されるように、基板７の表面にレジスト層３０を塗布する。使用されるレジストはポジ型であってもネガ型であってもよい。続いて、図１２Ｂに示されるように、レジスト層３０を通常のフォトリソグラフィの技術を用いてパタニングする。具体的には、例えば、そのレジスト層３０上に露光用のマスクを配置した状態で露光を行った後、レジスト層３０の感光した部分を現像により除去する。このマスクは、最終的に得られる主磁極層１１の、基板７の主面の方向を見たときにおけるパターン形状を反映した開口部を有する開口型のマスクである。使用する露光装置（露光条件）および現像液の種類は、任意に設定可能である。現像後のレジスト層３０の端部（エッジ）３１は、図１２Ｂに示されるように略垂直に立ち上がっている。尚、現像後、レジスト層の開口部３２の幅は、浮上面に相当する断面から所定の距離の範囲内において、浮上面から磁界誘導部に近づく方向へ遠ざかるほど大きい。このレジスト層３０を所定温度の加熱炉に入れてレジスト層３０をリフロー（流動化）させると、図１２Ｃのように端部３１がテーパ形状を有するレジスト層３０を得ることができる。尚、リフローさせた後、浮上面に相当する断面に平行な断面において、レジスト層３０の端部のテーパ角は通常一定である。このとき、レジスト層の開口部３２の幅は、浮上面に相当する断面から所定の距離の範囲内において、浮上面から磁界誘導部に近づく方向へ遠ざかるほど大きい。次いで、図１２Ｄに示すようにテーパのついたレジスト層３０に強磁性材料（例えば、パーマロイ）による鍍金を行い、強磁性層４０が形成される。図１２Ｅに示されるようにレジスト層３０の除去した後、図１２Ｆに示されるように強磁性層４０をイオンミリングによりスリミングする。図１２Ｆにおいて強磁性層４０の形状は逆台形を保っているが、先端部の幅がより小さい場合やイオンミリングをより多く実施すれば前述したように逆三角形になる。なお、図１２Ａ〜１２Ｆに示す製造フローでは、イオンミリングにより形成したパターン（強磁性材料によるメッキパターン）の側面だけではなく上面もイオンによるエッチングが行われるので、パターン厚（即ち、メッキ厚）も減少することになる。【００４８】
図１３は、図１２Ａ〜１２Ｆを用いて説明した形成方法により得られた強磁性層の斜視図である。図１３は磁気ヘッドとして未だ完成しておらず、製造途中の鍍金ベース層上に形成した強磁性層のパターンを示すものである。強磁性層４０は、得られる磁気ヘッドにおいて主磁極層１１となる主磁極部４４と、製造中に主磁極部４４の形状を保持するために主磁極部４４と一体となっている支持部４８とを含んでなる。主磁極部１１は、磁界誘導部４１とフレア部４２と先端部４３の一部とからなる。磁界誘導部４１とフレア部４２と先端部４３とは磁気的に接続されている。磁界誘導部４１の積層方向に垂直な断面における幅ｉ（Ｘ軸方向の長さ）は、フレア部４２の幅ｊ以上である。磁界誘導部４１は図示されないコイルにより磁界が誘導される。フレア部４２は、磁界誘導部４１及び先端部４３に隣接する。フレア部４２の幅ｊは磁界誘導部４１から先端部４３に近づくにつれて細くなるテーパ形状を有する。先端部４３はフレア部４２に隣接する。先端部４３は磁極幅を一定に加工する便宜上、長手方向の端部を除き、通常ほぼ一定の幅ｋを有する。先端部４３の幅ｋは、フレア部４２のハイト側の幅ｊ以下である。フレア部４２と先端部４３の境界付近（先端部４３の長手方向の端部）には、図１２Ｃにおけるレジスト層３０の形状精度に由来する不可避の形状訛りが生じている。よって、先端部４３のフレア部４２に近い端における幅は、図５〜７を用いて説明したフレア部の先端４２ａの形状と同様に、磁界誘導部４１から離れるにしたがって徐々に狭くなる。支持部４８は、細幅であり且つ高さが幅に較べて高いフレア部４２の先端、及び先端部４３が磁気ヘッドの製造途中で倒れたり曲がったりすることを防ぐ目的で設けられる。支持部４８と磁界誘導部４１とは、フレア部４２及び先端部４３を挟むように設けられる。即ち、支持部４８と磁界誘導部４１とがフレア部４２及び先端部４３を支えるようにパターン形成されている。支持部４８の形状は、この目的を達成可能なものであれば特に限定されないが、例えば、本実施形態のようにテーパ形状を有するフレア支持部４５、幅広支持部４６から構成される形状を採用することができる。フレア支持部４５の幅ｑは、先端部４３の幅ｋ以上であり、幅広支持部４６の幅ｍ以下である。【００４９】
磁界誘導部４１の幅ｉは、例えば数十μｍ程度である。フレア部４２の幅ｊの範囲は、例えば０．１〜３０μｍ程度である。先端部４３の幅ｋは、例えば、数十〜百数十ｎｍ程度である。フレア支持部４５の幅qの範囲は、例えば０．１〜１０μｍ程度である。フレア支持部４５の長さqｚは、例えば１００〜１５０ｎｍである。幅広支持部４６の幅ｒは、例えば５〜１０μｍ程度である。尚、本実施形態において磁界誘導部４１の幅ｉは幅広支持部４６の幅ｒよりも大きいが、幅広支持部４６の幅ｒが磁界誘導部の幅ｉよりも大きくてもよい。【００５０】
先端部４３からなる架橋の長さｋｚは例えば１〜２μｍである。後工程において、強磁性層４０が支持部４８側から線分Ｅ１−Ｅ２を通るＹ軸に垂直な断面まで研磨されることにより、所定のスロートハイトを有する主磁極層１１を得ることができる。線分Ｅ１−Ｅ２を通るＹ軸に垂直な断面は磁気ヘッドにおける浮上面の一部を構成する。【００５１】
図１４は、図１３における部分Ｔを拡大した、強磁性層４０の上面を示す平面図である。フレア部４２及び先端部４３の境界付近の形状は、実線で示されるように直線的ではない。これは、図１２Ａ〜１２Ｆを用いて説明した強磁性層の形成方法におけるレジスト層３０の形状訛りに由来する。レジスト層３０は、図１４における点線Ｒ１、Ｒ２で示されるような直線的な形状に対応した形状の露光用のマスクによって形成される。しかし、露光の際の光の回り込みの影響により、得られるレジスト層３０のフレア部４２及び先端部４３の境界付近の形状は、直線的ではない。幅変化部４３ａのＹ軸方向の長さは、現状、百数十ｎｍ程度である。【００５２】
再び図１１Ａ〜１１Ｅを用いて、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法について説明する。その後、強磁性層４０を覆うように絶縁層２１を設け、図１１Ｃに示される積層体を得る。絶縁層２１は、例えばアルミナなどの非磁性非導電性材料から構成される。絶縁層２１は例えばスパッタリング法により形成することができる。次いで、図１１Ｄに示されるように、絶縁層２１の上面を強磁性層４０が露出し、その上面が平坦になるまでＣＭＰによって研磨を行う。【００５３】
次いで、強磁性層４０の上面を、磁界誘導部４１から離れるにしたがって厚さが大きくなるように加工する。図１５Ａ〜１５Ｄは強磁性層の上面を加工する工程を示す模式的断面図である。図１５Ａは、図１３に示される強磁性層のＦ１−Ｆ２を通りＸ軸に垂直な断面形状を示す部分断面図である。強磁性層４０の上面のうち、加工対象となりうる部分は磁界誘導部４１から離れるに従がって幅が広くなる部分、即ち、フレア部４２、及び先端部４３のうちフレア部４２に近い部分４３ａ（以下、幅変化部４３ａと称呼する。）である。まず、図１５Ｂに示されるように、強磁性層４０の上面にパタニングされたレジスト層５０を設ける。強磁性層４０の上面のうち、加工したい部分にはレジスト層５０が設けられていない。レジスト層５０は、通常のフォトリソグラフィの技術を用いて形成することができる。レジスト層５０の詳細については図１３におけるレジスト層３０と同様であるため省略する。その後、イオンミリング等のエッチングによりレジストが設けられていない部分５１に露出した強磁性層４０を除去し、図１５Ｃに示されるように、強磁性層４０の上面に段差を形成する。この際、レジスト層５０が、強磁性層４０へのイオンミリングにおいて放射されるイオンビームに対して影となる。このため、レジストの形状又はイオンビームの入射角度を制御することにより、強磁性層４０の厚さが磁界誘導部（図示せず）からフレア部４２に向かって延在する方向に連続的に変化するように、強磁性層４０の上面を加工することができる。例えば、レジスト層５０厚さやレジスト層５０の側壁のテーパ角等を調整することで、露出した強磁性層４０の上面うちレジスト層５０付近の部分Ｕの厚さや上面の勾配を任意に制御することができる。その後、図１５Ｄに示されるように、レジスト層５０を除去する。【００５４】
なお、段差の形状は、図１５に示される形状に限定されるものではない。図１６Ａ〜１６Ｅは強磁性層の上面を加工した後の強磁性層を示す部分断面図である。例えば図１６Ａに示されるように、厚さや上面の勾配が制御された部分Ｕがフレア部４２及び幅変化部４３ａにわたって設けられていてもよい。また、図１６Ｂに示されるように、部分Ｕがフレア部４２に設けられていてもよい。【００５５】
また、図１６Ｃに示されるように、幅変化部４３ａに設けられた部分Ｕの磁界誘導部４１側に、磁界誘導部４１に近づくに従って厚さが大きくなる部分Ｖが設けられていてもよい。磁気ディスク装置では、磁気記録媒体上のデータは磁気ヘッドによって読み書きされるが。磁気記録媒体の単位面積当たりの記録容量を大きくするためには、トラック幅方向（磁極幅方向：Ｘ軸方向）及びビット長方向（磁極厚さ方向：Ｚ軸方向）の双方の密度を向上させる必要がある。トラック幅が小さくなると、主磁極幅を小さくする必要がある。しかし、主磁極幅が小さくなると、主磁極層から磁気記録媒体に誘導される記録磁界の出力を減らすことになる。よって主磁極から出力される記録磁界の低下により、書込み不良の発生が懸念される。磁界誘導部４１に近づくにしたがって厚さが大きくなる部分Ｖは、主磁極幅を小さくすることにより低下した記録磁界の出力を補い、書き込み不良の発生を回避する働きを有する。図１６Ｄに示されるように、部分Ｕはフレア部４２及び幅変化部４３ａにわたって設けられ、更に部分Ｕの磁界誘導部４１側に部分Ｖが設けられていてもよい。また、図１６Ｅに示されるように、部分Ｕはフレア部４２に設けられ、更に部分Ｕの磁界誘導部４１側に部分Ｖが設けられていてもよい。図１６Ａ〜１６Ｅに示される形状の強磁性層は、レジスト層の形状を変えることでそれぞれ形成できる。【００５６】
上記イオンミリングを利用した磁極の上面を加工する工程を、図１７Ａ〜１７Ｂを用いて更に説明する。図１７Ａ〜１７Ｂは、強磁性層の上面を加工する前における強磁性層の一例を示す模式的部分断面図である。図１７Ａは、図１３における部分Ｔを拡大した、基板の主面に平行な断面である。また、図１７Ｂは、図１７Ａにおける、Ｙ軸に平行（浮上面に平行）な断面である。後述する浮上面１６を形成するための研磨加工において、研磨の誤差をｆとする。加工狙い位置Ｍから幅一定部４３ｂに向かってｆ／２の位置（位置Ｄ）のＹ軸に垂直な断面の上辺の長さをｄとする。位置Ｍから磁界誘導部（図示せず）に向かってｆ／２の位置（位置Ｅ）での上辺の長さｅとする。位置Ｄと位置Ｅの間の任意の位置Ｐにおける、Ｙ軸に垂直な断面の上辺の長さをｐとする。上辺の長さはｄ＜ｐ＜ｅ関係を満たす。強磁性層４０の、位置Ｄと位置Ｅとの間において、Ｙ軸に平行な断面のテーパ角をθ（一定）とする（断面において上辺と側辺のなす角をα（一定）とする）。また、位置Ｄ、Ｅ、Ｐにおける対応する側辺は互いに平行であるとする。強磁性層４０の上面を加工する前において、位置Ｄと位置Ｅとの間において強磁性層４０の厚さはいずれもｈＤとする。今、目標とする主磁極幅をｄとする。【００５７】
図１８Ａは、位置Ｄ及び位置ＰにおけるＹ軸に垂直な強磁性層４０の断面を重ねて示した模式図である。加工前の位置Ｐの上面を基準として除去されるべき深さをｈ１、上面の加工後において位置Ｐの厚さをｈＰとする。【００５８】
図１８Ａに示される強磁性層４０の断面形状の幾何学的関係から、位置Ｄから位置Ｅまでの間の任意の位置Ｐにおいて下記式（２）の関係を満たすように強磁性層４０を除去することで、位置Ｄと位置Ｅとの間のＹ軸に垂直な任意の断面の上辺の幅を一定にすることができる。【００５９】
ｈ１＝（ｐ−ｄ）／２ｔａｎθ
＝（ｐ−ｄ）／２ｔａｎ（９０°−α）      （２）
図１８Ｂを用いて、上記式（２）を満たすために必要なレジスト層５０の形状を説明する。上記式（２）の条件を満たす強磁性層４０の上面は、図１８Ｂに示されるように、イオンミリングの際にマスクとして使用するレジスト層５０のテーパ角φや膜厚ｍを調整することで任意に形成することができる。【００６０】
強磁性層４０の上面の加工例を以下に示す。まず、上記公知の方法により、強磁性材料（例えば、パーマロイ）からなり、厚さｈＤが３００ｎｍ、テーパ角θが１２°の強磁性層を形成した。後述する浮上面１６を形成するために行われる研磨加工の誤差ｆは４０ｎｍであった。よって、図１７における位置Ｄと位置Ｅとの間の距離は４０ｎｍとした。位置Ｄ及び位置Ｅにおける強磁性層４０のＹ軸に垂直な断面の上辺の幅は、走査型電子顕微鏡により測定すると、それぞれ１７６ｎｍ、１９１ｎｍであった。よって位置Ｄ−Ｅ間に必要な高低差ｈ２は以下のように算出された。【００６１】
ｈ２＝（１９１ｎｍ−１７８ｎｍ）／２ｔａｎ１２°＝３５．３ｎｍ
次いで強磁性層４０上にレジストを塗布し、露光、現像を施すことで、逆テーパ形状を有するレジスト層５０を形成する。本実験例では、逆テーパのパターンが容易に形成できる電子線リソグラフィーを利用し、レジスト膜厚ｍが３５００Å、テーパ角φが８°のレジスト層５０を形成した。次いで、レジスト層５０が形成された強磁性層４０の上面に対してイオンミリングを行うことで、傾斜面４９を形成した。位置Ｄと位置Ｅにおける強磁性層４０の上面の高低差ｈ２を走査型電子顕微鏡を用いて測定したところは３７ｎｍだった。【００６２】
再び図１１Ａ〜１１Ｅを用いて、本実施形態の磁気ヘッドの製造方法について説明する。その後、図１１Ｅに示すように、絶縁層１２及びトレーリングシールド層１４を積層体の上面に順に形成する。また、図示されないが、図１１Ｄの紙面奥の位置には、コイル（図示せず）、樹脂層（図示せず）、及びそのコイル並びに樹脂層を覆うように設けられる絶縁層（図示せず）が設けられる。ここで、コイルは図３におけるコイル８に対応し、樹脂層は図３における樹脂層１３に対応し、絶縁層は図３における絶縁層１７に対応する。更に、トレーリングシールド層１４と強磁性層４０とを磁気的に接続するため、図３に示される接続層１０Ａ、１０Ｂ及びリターンヨーク層１５に対応する層（図示せず）が設けられる。これらの層は、例えば、メッキ処理やスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ法やエッチング法などを利用したパタニング技術、並びに機械加工や研磨加工などの研磨技術を含む既存の薄膜プロセスを使用して形成することが可能である。次いで、上面全体にオーバーコート層（図示せず）をスパッタリング法を用いて設ける。【００６３】
その後、図１３における強磁性層４０の支持部４８側から線分Ｅ１−Ｅ２を通るＹ軸に垂直な断面に対応する位置まで、得られた積層体を研磨する。この研磨により、図３〜８を用いて説明したような形状を有する主磁極層１１を備えた磁気ヘッドを得ることができる。この研磨により、図３〜７における浮上面１６が形成される。研磨の手段は特に限定されないが、例えばダイシングソーなどを用いた研磨が挙げられる。尚、図１３における支持部４８の線分Ｅ１−Ｅ２に略平行な任意の断面において切断した後に、図１３における強磁性層４０の支持部４８側から線分Ｅ１−Ｅ２を通るＹ軸に垂直な断面に対応する位置まで、強磁性層４０を研磨してもよい。この研磨工程において、加工精度の範囲内の誤差が生じたとしても、主磁極層１１の浮上面近傍における幅は略一定になる。よって本実施形態の磁気ヘッドの製造方法によれば、所望の主磁極幅を有する主磁極層を備えた磁気ヘッドを、精度よく製造することができる。【００６４】
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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