(57)【要約】  パネルの劣化を抑制しつつ、人間の目に明瞭でかつ明るく感じさせる高品質の動画を再生可能な画像表示技術を提供することを図る。上記目的を達成するために、画像表示装置は、流れる電流によって発光輝度が調節される発光素子と、該発光素子が第１輝度で発光する高輝度期間から、該発光素子の発光輝度が第１輝度から第２輝度まで減衰していく輝度減衰期間に切り替える制御部とを備える。そして、該画像表示装置では、発光素子が発光を開始した時点から該発光素子の発光輝度が第１輝度に到達するまでの時間が、輝度減衰期間の第１輝度から第２輝度に減衰するまでの時間よりも短い。
2009104492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流れる電流によって発光輝度が調節される発光素子と、
前記発光素子が第１輝度で発光する高輝度期間から、前記発光素子の発光輝度が前記第１輝度から第２輝度まで減衰していく輝度減衰期間に切り替える制御部と、を備え、
前記発光素子が発光を開始した時点から該発光素子の発光輝度が前記第１輝度に到達するまでの時間が、前記輝度減衰期間の前記第１輝度から前記第２輝度に減衰するまでの時間よりも短いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
付与される電位によって前記発光素子に流れる電流を調整する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタに付与されている電位を調整する第２トランジスタと、を更に備え、
前記第２トランジスタが前記第１トランジスタに付与されている電位を調整することを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像表示装置であって、
前記第１トランジスタの閾値電圧をＶth、前記発光素子の発光輝度に対応する信号電位をＶdt、前記輝度減衰期間において前記発光輝度が前記第１輝度から該第１輝度の１／ｅに至るまでの時間をＴ、および前記輝度減衰期間の開始からの経過時間をｔ、前記輝度減衰期間における前記第１トランジスタのソースを基準としたソースとゲートとの間の電位差をＶgsとしたとき、下式(Ｉ)の関係を満たすことを特徴とする画像表示装置。
(Ｉ)Ｖgs＝Ｖth＋Ｖdt×ｅｘｐ-t/T
【請求項４】
請求項２に記載の画像表示装置であって、
複数の画素回路、を備え、
各前記画素回路が、
前記発光素子と、前記第１および第２トランジスタとを有し、
前記制御部が、
前記複数の画素回路において、略同時に前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記発光素子の発光のために、前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を第１から第３電位に所定の順序で設定し、且つ前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を前記第１電位から前記第１電位と前記第３電位との間の電位である第２電位に変更することで、前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記制御部が、
前記発光素子に印加される電位差を変更することで、前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替えることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescence)素子を備える画像表示装置が知られている。【０００３】
そして、有機ＥＬ素子を備えた画素を構成する回路（画素回路）が多数配置され、有機ＥＬ素子と直列に接続されたトランジスタのゲート電圧が適宜設定されることで、有機ＥＬ素子の発光輝度が調整される所謂アクティブマトリックスタイプの画像表示装置が提案されている（例えば、特開２００７−２０６２７３号公報）。【０００４】
しかしながら、特開２００７−２０６２７３号公報に記載の技術では、１フレームを再生する期間（１フレーム期間）は、略一定の発光輝度で発光する発光期間と、発光のための準備を行う準備期間とを備えて構成される。このため、所謂デューティ（１フレーム期間における発光期間の割合）によって画質が変化してしまう。例えば、視認する者にとっては、デューティが小さくなると移動体の動きが実物よりも軽快なものに感じられ、デューティが大きくなると移動体の動きが実物よりもぎこちないものに感じられる。このように、ぎこちない動きに感じられるのは、人間の目が、時間順次に表示される複数の画像間で、移動体の位置を補間しながら認識しており、補間によって得られた移動体の位置と実画面における移動体の位置とのずれが大きくなるためであると推定される。【０００５】
また、有機ＥＬ素子の劣化を抑制する観点から言えば、有機ＥＬ素子の発光時に流れる電流の最大値（ピーク電流）を下げるために、デューティを大きくする方が好ましいが、デューティを１００％にすると、輝度の割に明るさが感じられない画像となる。【０００６】
なお、所謂パッシブマトリックスタイプの画像表示装置における有機ＥＬ素子の発光輝度の変化を示す波形は幅の狭いパルス波形であり、画素のライン数が増えると各ラインに係る発光時間が短くなる。このため、パッシブマトリックスタイプの画像表示装置では、移動体の動きが実物よりも軽すぎるものに感じられるとともに、高輝度の画像を得ることが難しいといった欠点がある。
【発明の開示】
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、パネルの劣化を抑制しつつ、人間の目に明瞭でかつ明るく感じさせる高品質の動画を再生可能な画像表示技術を提供することを目的とする。
【０００８】
上記課題を解決するため、第１の態様に係る画像表示装置は、流れる電流によって発光輝度が調節される発光素子と、前記発光素子が第１輝度で発光する高輝度期間から、前記発光素子の発光輝度が前記第１輝度から第２輝度まで減衰していく輝度減衰期間に切り替える制御部とを備える。そして、該画像表示装置では、前記発光素子が発光を開始した時点から該発光素子の発光輝度が前記第１輝度に到達するまでの時間が、前記輝度減衰期間の前記第１輝度から前記第２輝度に減衰するまでの時間よりも短い。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の第１〜４実施形態に係る画像表示装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る画素回路を例示する回路図である。
【図３】図３は、本発明の第１実施形態に係る画素回路の動作例を示すタイミングチャートである。
【図４】図４は、発光輝度のパターンを例示する模式図である。
【図５】図５は、発光輝度のパターンを例示する模式図である。
【図６】図６は、発光輝度のパターンを例示する模式図である。
【図７】図７は、本発明の第２実施形態に係る画素回路を例示する回路図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態に係る画素回路の動作例を示すタイミングチャートである。
【図９】図９は、本発明の第３実施形態に係る画素回路を例示する回路図である。
【図１０】図１０は、本発明の第３実施形態に係る画素回路の動作例を示すタイミングチャートである。
【図１１】図１１は、本発明の第４実施形態に係る画素回路を例示する回路図である。
【図１２】図１２は、本発明の同時点灯方式に係る第１および第２変形例の画素回路を例示する回路図である。
【図１３】図１３は、本発明の同時点灯方式に係る第１変形例の画素回路の動作例を示すタイミングチャートである。
【図１４】図１４は、本発明の同時点灯方式に係る第２変形例の画素回路の動作例を示すタイミングチャートである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
＜用語に関する記載＞
本明細書において、「電気的に接続される」という文言は、一方の部材と他方の部材とが配線などを介して常に導電可能に接続されている態様、および一方の部材と他方の部材とが、導電性を有する配線などだけでなく、その他の部材によって間接的に接続されている態様の双方を含む意味で用いられる。つまり、「電気的に接続される」という文言は、その他の部材の状態（例えば、トランジスタのソースとドレインとの間で電流が流れ得る状態）に応じて、一方の部材と他方の部材とが配線およびその他の部材によって導電可能に接続される態様をも含む意味で用いられる。【００１１】
また、本明細書における「ゲート電圧」とは、トランジスタに関し、ソースの電位を基準としたソースとゲートとの電位差のことを言う。【００１２】
また、本明細書における「トランジスタの閾値電圧」とは、トランジスタがオフ状態（いわゆるドレイン電流が流れない状態）からオン状態（ドレイン電流が流れる状態）に移り変わるときの、境界となるゲート電圧のことを言う。【００１３】
＜第１実施形態＞
＜画像表示装置の概略構成＞
図１に示す画像表示装置１００Ａは、動画や静止画などの各種画像を表示する表示パネルを備えた電子機器である。この画像表示装置１００Ａとしては、例えば、薄型テレビなどの比較的大型のものや携帯電話機などの携帯可能な比較的小型のものなどが考えられる。【００１４】
画像表示装置１００Ａは、制御部１１１Ａ、操作部１１２、ＸドライバＸdＡ、専用ドライバＳdＡ、および表示パネル１２１Ａを備える。【００１５】
制御部１１１Ａは、画像表示装置１００Ａの動作を統括制御する。この制御部１１１Ａは、例えば、ＣＰＵ、ＲＡＭ、およびＲＯＭなどを備え、ＲＯＭなどに格納されたプログラムをＣＰＵが読み込んで実行することで、各種動作や制御を実現する。そして、制御部１１１Ａは、ＸドライバＸdＡおよび専用ドライバＳdＡからの信号の送出を制御する機能も有する。なお、制御部１１１Ａの一部の機能または全ての機能については、例えば、専用の論理回路によって実現されても良い。【００１６】
操作部１１２は、例えば、各種ボタンを備え、該各種ボタンが押下されることで、制御部１１１Ａに対して各種信号を送出する。【００１７】
表示パネル１２１Ａは、行列状に配列される多数の画素回路１Ａを有する。【００１８】
画素回路１Ａは、図２に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４、および第１，２コンデンサＣ１，Ｃ２を備える。【００１９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、有機物を主成分として含む発光層を有し、該発光層を流れる電流の量（電流量）によって発光輝度が変化する発光素子である。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとを有する。アノード電極Ｅaは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に正の高電位を付与する電源線との接続点Ｐｔ１に対して導電可能に接続されている。一方、カソード電極Ｅcは、第１トランジスタＱ１を介して接地された電極（接地電極）に対して電気的に接続される。そして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤでは、アノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間における電流によって発光輝度が調節される。【００２０】
第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４は、キャリアが電子であるタイプ（ｎ型）のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor）構造を採用した電界効果トランジスタ（FET:Field Effect Transistor）の一種である薄膜トランジスタ（TFT：Thin Film Transistor）、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。【００２１】
第１トランジスタＱ１は、第１〜３電極Ｅ１〜Ｅ３を有する。第１電極Ｅ１は、カソード電極Ｅcに対して電気的に接続され、第２電極Ｅ２は、接地電極、第２トランジスタＱ２の第５電極Ｅ５、および第２コンデンサＣ２の第１６電極Ｅ１６に対してそれぞれ電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際には、第１電極Ｅｌはドレイン電極（以下「ドレイン」と略称）として機能し、第２電極Ｅ２はソース電極（以下「ソース」と略称）として機能する。第３電極Ｅ３は、ゲート電極（以下「ゲート」と略称）として機能し、第３トランジスタＱ３の第８電極Ｅ８と第１コンデンサＣ１の第１３電極Ｅ１３とに対して電気的に接続されている。第１トランジスタＱ１では、第３電極Ｅ３に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。そして、ドレインとソースとの間における電流量の調整に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量および発光輝度が制御される。【００２２】
また、第１トランジスタＱ１は、ゲートである第３電極Ｅ３の電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る状態（導通状態）と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。そして、第１トランジスタＱ１には、導通状態となる場合のゲート電圧（具体的には、第２電極Ｅ２の電位を基準とした第２電極Ｅ２と第３電極Ｅ３との間の電位差）の下限値（第１トランジスタＱ１の閾値電圧）Ｖthが存在する。【００２３】
第２トランジスタＱ２は、第４〜６電極Ｅ４〜Ｅ６を有する。第４電極Ｅ４は、第１コンデンサＣ１の第１４電極Ｅ１４と第４トランジスタＱ４の第１０電極Ｅ１０と第２コンデンサＣ２の第１５電極Ｅ１５とを導電可能に接続する配線に対して電気的に接続される。つまり、第４電極Ｅ４は、第１０電極Ｅ１０、第１４電極Ｅ１４、および第１５電極Ｅ１５に対して電気的に接続される。第５電極Ｅ５は、第２コンデンサＣ２の第１６電極Ｅ１６に対して電気的に接続されるとともに、第２電極Ｅ２を接地する配線に対して電気的に接続される。つまり、第５電極Ｅ５は、第１６電極Ｅ１６、第２電極Ｅ２、および接地電極に対して電気的に接続される。第６電極Ｅ６は、リセット線Ｌrsに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第２トランジスタＱ２では、ゲートである第６電極Ｅ６に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第４電極Ｅ４と第５電極Ｅ５との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。【００２４】
また、第４電極Ｅ４が第１コンデンサＣ１を介して第３電極Ｅ３に対して接続されており、第６電極Ｅ６に付与される電位が変更されることで、第４電極Ｅ４と第５電極Ｅ５との間の電流が調整される。そして、第１コンデンサＣ１の第１４電極Ｅ１４に蓄積されている電荷が第２トランジスタＱ２を介して接地電極に抜けることで、第１トランジスタＱ１のゲート電圧が調整される。なお、第２トランジスタＱ２は、第１４電極Ｅ１４に付与されている電荷を接地電極に抜くために必要な機能を果たせば良い。そのため、電気容量とトランジスタのサイズが比例するとすれば、例えば、発光のための大電流が流れる第１トランジスタＱ１の１／１０程度の構造的な大きさを有していれば良い。【００２５】
第３トランジスタＱ３は、第７〜９電極Ｅ７〜Ｅ９を有する。そして、第７電極Ｅ７は、カソード電極Ｅcと第１電極Ｅ１とを導電可能に接続する配線に対して電気的に接続されている。第８電極Ｅ８は、第３電極Ｅ３と第１３電極Ｅ１３とを導電可能に接続する配線に対して電気的に接続されている。第９電極Ｅ９は、センス線Ｌsnに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第３トランジスタＱ３は、ゲートである第９電極Ｅ９に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。【００２６】
ところで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、電流値によって発光輝度が制御されるため、発光時における第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsのゆらぎに対して、発光輝度が敏感に変動する。特に、第１トランジスタＱ１がアモルファスシリコンを用いて構成されている場合には、第１トランジスタＱ１毎に閾値電圧（適宜「閾値」と略称する）Ｖthが異なる傾向にある。そこで、画像表示装置１００Ａでは、第１トランジスタＱ１における閾値Ｖthのばらつきを補償する処理（Ｖth補償処理）を実現するために第３トランジスタＱ３が設けられている。【００２７】
第４トランジスタＱ４は、第１０〜１２電極Ｅ１０〜Ｅ１２を有する。そして、第１０電極Ｅ１０は、第４電極Ｅ４、第１４電極Ｅ１４、および第１５電極Ｅ１５に対して電気的に接続されている。第１１電極Ｅ１１は、画像信号線Ｌdtに対して電気的に接続されている。第１２電極Ｅ１２は、走査信号線Ｌslに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第４トランジスタＱ４は、ゲートである第１２電極Ｅ１２に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。【００２８】
第１コンデンサＣ１は、第１３電極Ｅ１３および第１４電極Ｅ１４を有する。そして、第１３電極Ｅ１３は、第３電極Ｅ３および第８電極Ｅ８に対して電気的に接続され、第１４電極Ｅ１４は、第４電極Ｅ４、第１０電極Ｅ１０、および第１５電極Ｅ１５に対して電気的に接続される。なお、第１コンデンサＣ１の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【００２９】
第２コンデンサＣ２は、第１５電極Ｅ１５および第１６電極Ｅ１６を有する。そして、第１５電極Ｅ１５は、第４電極Ｅ４、第１０電極Ｅ１０、および第１４電極Ｅ１４に対して電気的に接続され、第１６電極Ｅ１６は、第２電極Ｅ２、第５電極Ｅ５、および接地電極に対して電気的に接続される。なお、第２コンデンサＣ２の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【００３０】
このような画素回路１Ａが多数配列された表示パネル１２１Ａでは、図１で示すように、列方向（図１中の上下方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ａに対して共通の画像信号線Ｌdtが電気的に接続され、行方向（図１中の左右方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ａに対して共通の走査信号線Ｌslが電気的に接続される。つまり、表示パネル１２１Ａは、いわゆるアクティブマトリックスタイプの表示パネルとして構成されている。【００３１】
画像信号線Ｌdtは、発光輝度に対応する画像信号（例えば、画素毎では、画素データ信号）に応じた電位を各画素に供給する。また、走査信号線Ｌslは、画像信号線に対して略直交するように設けられ、各画素に走査信号を供給する。なお、走査信号は、画像信号線Ｌdtを介して画素データ信号に応じた電荷を各画素に蓄積させるタイミングを制御する信号である。【００３２】
ＸドライバＸdＡは、制御部１１１Ａからの信号に応答して、画像信号線Ｌdtに対して画素データ信号に応じた電位（以下「画像信号線電位」とも称する）Ｖdtを供給する。なお、制御部１１１Ａは、例えば、外部から送信されてくる画像信号に同期させて、ＸドライバＸdＡから各画像信号線Ｌdtに対する画素データ信号に応じた電位の供給タイミングを制御する信号をＸドライバＸdＡに対して送出する。【００３３】
専用ドライバＳdＡは、制御部１１１Ａからの制御信号に応じた波形で、センス線Ｌsn、走査信号線Ｌsl、リセット線Ｌrs、および接続点Ｐｔ１に対して電位を付与する。この専用ドライバＳdＡは、例えば、第１〜４シフトレジスタを備えて構成され、第１〜４シフトレジスタに格納されたデータに基づいてセンス線Ｌsn、走査信号線Ｌsl、リセット線Ｌrs、および接続点Ｐｔ１に対して電位を付与する機能を有する。【００３４】
例えば、第１シフトレジスタは、センス線Ｌsnに付与する電位（以下「センス線電位」とも称する）Ｖsnのデータを保持する。ここでは、センス線電位Ｖsnとして、所定の高電位ＶgHおよび所定の低電位ＶgLの２値が適宜採用される。第２シフトレジスタは、走査信号線Ｌslに付与する電位（以下「走査信号線電位」とも称する）Ｖslのデータを保持する。ここでは、走査信号線電位Ｖslとして、所定の高電位ＶgHおよび所定の低電位ＶgLの２値が適宜採用される。第３シフトレジスタは、リセット線Ｌrsに付与する電位（以下「リセット線電位」とも称する）Ｖrsのデータを保持する。ここでは、リセット線電位Ｖrsとして、所定の高電位ＶgH（例えば、＋１５Ｖ）、所定の低電位ＶgL（例えば、０Ｖ）、および高電位ＶgHと低電位ＶgLとの間の所定の中電位ＶgM（例えば、＋６Ｖ）の３値が適宜採用される。つまり、各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光のために、第６電極Ｅ６に付与される電位が、低電位ＶgL、中電位ＶgM、および高電位ＶgHに所定の順序で設定される。第４シフトレジスタは、接続点Ｐｔ１すなわち電源線に付与する電位（以下「電源線電位」とも称する）Ｖ1のデータを保持する。ここでは、電源線電位Ｖ1として、所定の高電位Ｖ1H（例えば、＋１０Ｖ）、基準電位（例えば、０Ｖ）ＧＮＤ、および所定の低電位Ｖ1L（例えば、−１０Ｖ）の３値が適宜採用される。【００３５】
そして、第１〜４シフトレジスタで制御されるセンス線電位Ｖsn、走査信号線電位Ｖsl、リセット線電位Ｖrs、および電源線電位Ｖ1は、制御部１１１Ａからの制御信号に応じた波形をそれぞれ示す。【００３６】
＜画像表示装置の駆動＞
画像表示装置１００Ａで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図３で示す駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図３で示す駆動波形は、制御部１１１Ａの制御下で実現される。【００３７】
図３では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)センス線電位（適宜「電位」と略称）Ｖsn、(ｂ)画像信号線電位（適宜「電位」と略称）Ｖdt、(ｃ)走査信号線電位（適宜「電位」と略称）Ｖsl、(ｄ)リセット線電位（適宜「電位」と略称）Ｖrs、(ｅ)接続点Ｐｔ１に付与される電源線電位（適宜「電位」と略称）Ｖ1、の波形が示されている。【００３８】
なお、１回の発光に係る期間は、発光が行われず発光輝度を調整するための準備を行う準備期間Ｐp（時刻ｔ２〜ｔ１９）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐe（〜時刻ｔ２，時刻ｔ１９〜）とを備える。更に、発光期間Ｐeは、初期〜中期にかけて徐々に輝度が増して比較的高輝度で発光する期間（「高輝度期間」とも称する）Ｐe１と、中期〜終期にかけて徐々に発光輝度が減衰していく期間（「輝度減衰期間」とも称する）Ｐe２とを含む。【００３９】
まず、時刻ｔ１では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが、中電位ＶgMから低電位ＶgLに設定される。このとき、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが低電位ＶgLに設定され、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが基準電位ＧＮＤに設定され、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLに設定され、接続点Ｐｔ１の電位Ｖ1が高電位Ｖ1Hに設定されている。ここでは、第２トランジスタＱ２が導通状態から非導通状態へと移行される。【００４０】
次に、時刻ｔ２〜ｔ３では、接続点Ｐｔ１の電位Ｖ1が高電位Ｖ1Hから基準電位ＧＮＤに設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間には電位差が無くなり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光し得ない状態となる。【００４１】
時刻ｔ４〜ｔ５では、接続点Ｐｔ１の電位Ｖ1が基準電位ＧＮＤから低電位Ｖ1Lに設定される。そして、時刻ｔ５〜ｔ８では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際とは逆の電圧が印加されるため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがコンデンサとして働き、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電荷が蓄積される。したがって、アノード電極Ｅa側が相対的に低電位（ここでは、電位Ｖ1Lだけ低電位）となるように、アノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間に電位差が生じる。【００４２】
時刻ｔ６では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。このとき、第２トランジスタＱ２が導通状態となり、第１コンデンサＣ１の第１４電極Ｅ１４が接地された状態となる。【００４３】
時刻ｔ７では、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。このとき、第３トランジスタＱ３が導通状態となる。【００４４】
時刻ｔ８〜ｔ９では、接続点Ｐｔ１の電位Ｖ1が低電位Ｖ1Lから基準電位ＧＮＤに設定される。このとき、アノード電極Ｅaの電位および第２電極Ｅ２の電位がそれぞれ０Ｖと同電位となる。そして、時刻ｔ９〜ｔ１０では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに蓄積されていた電荷が、第３電極Ｅ３に対して付与されて、第１トランジスタＱ１が導通状態となる。その後、第３電極Ｅ３とカソード電極Ｅcとに蓄積されていた電荷が、第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２とを介して接地電極に抜けていき、第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsが、第１トランジスタＱ１の閾値Ｖthに到達すると、第１トランジスタＱ１が非導通状態となる。つまり、時刻ｔ９〜ｔ１０では、いわゆるＶth補償処理が行われる。【００４５】
時刻ｔ１０では、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第３トランジスタＱ３が非導通状態となり、第１トランジスタＱ１のゲート電圧が閾値Ｖthのまま保持されることになる。【００４６】
時刻ｔ１１では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第２トランジスタＱ２が非導通状態となり、第１４電極Ｅ１４が接地された状態が解除される。【００４７】
時刻ｔ１２〜ｔ１３では、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが基準電位ＧＮＤから画素データ信号に応じた任意の正電位ＶdHに設定される。【００４８】
時刻ｔ１４では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。このとき、第４トランジスタＱ４が非導通状態から導通状態に設定される。そして、時刻ｔ１４〜ｔ１５では、第１４電極Ｅ１４に対して、電位Ｖdtが印加された状態となる。つまり、既に第３電極Ｅ３に印加された閾値Ｖthの上に、コンデンサＣ１を介して、画像信号（具体的には、画素データ信号）に対応する電位が付与される。このとき、第３電極Ｅ３に付与される電位が画素データ信号に応じた発光用の電位（以下「発光用電位」とも称する）に設定される。この電位の設定処理は、画像信号線Ｌdtおよび走査信号線Ｌslによって行われ、第２〜４トランジスタＱ２〜Ｑ４が非導通状態となれば、第３電極Ｅ３に付与される電位が発光用電位に設定された状態が保持される。【００４９】
時刻ｔ１５では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第４トランジスタＱ４が導通状態から非導通状態に設定される。【００５０】
時刻ｔ１６〜ｔ１７では、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが画素データ信号に応じた任意の正電位ＶdHから基準電位ＧＮＤに設定される。【００５１】
時刻ｔ１８〜ｔ１９では、接続点Ｐｔ１の電位Ｖ1が基準電位ＧＮＤから高電位Ｖ1Hに設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電圧が印加され、第１トランジスタＱ１のゲート電圧が、閾値Ｖthに対して画素データ信号に応じた値が加算されたものに設定されているため、画素データ信号に応じた電流が第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に流れ始める。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに画素データ信号に応じた電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じた輝度で発光し始める。ここでは、専用ドライバＳdＡが、電位Ｖ1を与える電源線の電位を制御することにより、第３電極Ｅ３の電位が発光用電位に設定された状態で、アノード電極Ｅaと第２電極Ｅ２との間に所定の電位差が印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。【００５２】
時刻ｔ２０では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが低電位ＶgLから中電位ＶgMに設定される。このとき、第６電極Ｅ６に対して中電位ＶgMが印加され、第２トランジスタＱ２が中電位ＶgMに応じた分だけ第４電極Ｅ４と第５電極Ｅ５との間で電流が流れ得る導通状態となる。よって、時刻ｔ２０以降（具体的には、時刻ｔ２０から次回の発光に係る時刻ｔ２）では、第１４電極Ｅ１４と第１５電極Ｅ１５との間で維持されていた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ２を介して徐々に接地電極に抜けていく。このとき、第３電極Ｅ３に付与される電位が徐々に低下するため、第１トランジスタＱ１の第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間を流れる電流量が徐々に低下していき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。ここでは、閾値Ｖthが比較的小さな画素と比較的大きな画素とにおける発光状態の差が出ないように、画素データ信号に応じた電位Ｖdtに応じた電荷のみを抜いて、発光輝度を徐々に減少させている。【００５３】
図４では、横軸が発光の開始からの時間経過を示し、発光開始時における第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsが異なる５つの電圧に設定された場合について、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度のパターンがそれぞれ示されている。５つのパターンは、それぞれ太線、太破線、細線、細一点鎖線、細破線で示されている。また、図４で示す５つのパターンは、２回の連続する発光について示されている。【００５４】
図４で示すように、発光前に設定された各ゲート電圧Ｖgsについて、１回の発光期間は、発光輝度が徐々に上昇して第１輝度としての高輝度（ピーク輝度）で略一定になる期間（以下「高輝度期間」とも称する）と、発光輝度が第１輝度から第２輝度まで徐々に減衰していく期間（以下「輝度減衰期間」とも称する）とを備えて構成される。高輝度期間では、第１トランジスタＱ１のドレインとソースとの間に流れる電流が最大値に至ってからその最大値で保持されるため、発光輝度が徐々に上昇した後に、発光輝度が高輝度で略一定となる。また、輝度減衰期間では、第１４電極Ｅ１４と第１５電極Ｅ１５との間で保持されていた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ２を介して徐々に接地電極に抜けていくことで、第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsが徐々に低下していくため、発光輝度が徐々に減少する。【００５５】
ここで、輝度減衰期間において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が画素データ信号に応じた所定の高輝度（ピーク輝度）から該ピーク輝度の１／ｅに至るまでの時間をＴ、輝度減衰期間の開始からの経過時間をｔとすると、輝度減衰期間における第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsの減衰は下式(１)の関係で示される。【００５６】
Ｖgs＝Ｖth＋Ｖdt×ｅｘｐ-t/T  ・・・(１)
ここで、上述したように、Ｖthは第１トランジスタＱ１の閾値電圧であり、Ｖdtは発光用電位のうちの画像信号に対応する信号電位である。【００５７】
このようにして、動画を構成する各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｐeにおいて、制御部１１１Ａによる制御によって第６電極Ｅ６に付与される電位が変更されることで、第２トランジスタＱ２によって第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsが調整される。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じたピーク輝度で発光する高輝度期間から、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間に切り替わる。換言すれば、制御部１１１Ａにより、第６電極Ｅ６に付与される電位が低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられる。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光を開始した時点から該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が第１輝度に到達するまでの時間が、輝度減衰期間の第１輝度から第２輝度に減衰するまでの時間よりも短く設定されている。このため、動画中の移動体の動きを、人間の目にとってより自然に感じさせることができる。【００５８】
なお、第６電極Ｅ６に付与する中電位ＶgMを適宜調整することで、輝度減衰期間における発光輝度の減衰のカーブを変更して、所望カーブとすることが可能である。つまり、発光輝度の減衰カーブを制御されたカーブとすることが可能である。【００５９】
例えば、輝度減衰期間において第２トランジスタＱ２を介して単位時間当たりに接地電極に抜かれる電荷の量（リーク量）が多くなれば、図５に示すように発光時間が全体として短くなる、すなわちデューティが小さくなるため、人間の目には画面が比較的暗く感じ、移動体の動きが軽いものに感じられる。ここで「軽い」とは、表示される画像の間隔が開いているため、画像が瞬時に移動するように感じる状態をいい、映像そのものが不安定に感じてしまう。一方、単位時間当たりのリーク量が少なくなれば、図６に示すように発光時間が全体として長くなる、すなわちデューティが大きくなるため、人間の目には画面が比較的明るく感じ、移動体の動きが重いものに感じられる。ここで「重い」とは、表示される画像の間隔が詰まりすぎているため、映像が細かく振動しながらゴツゴツと動くように感じる状態をいう。つまり、リーク量を任意に設定することで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流が減衰する特性（減衰特性）が変更され、動画の画質を変えて、人間の目に明るく且つ自然に見える動画を実現することができる。【００６０】
そして、１回の発光期間Ｐeにおける全体的な発光輝度（発光期間Ｐeに係る発光輝度の時間積分で得られる値）は、発光輝度の減衰によって比較的小さなものとなるが、画素データ信号に応じたピーク輝度の発光は行われる。このため、１秒間に所定数（例えば６０）以上のフレームが順次表示される場合には、人間の目には、発光期間中は、ピーク輝度で継続して発光しているように見える。したがって、ピーク輝度が適宜設定されると、少ない電力で明るく感じる画像の実現が可能となり、リーク量が適宜調整されると、消費電力の増加を極力伴わず、人間の目に明るく且つ自然に見える動画が実現される。【００６１】
また、画素データ信号に応じた電位Ｖdtに応じた電荷が徐々に接地電極に抜かれるが、例えば、この電位Ｖdtに応じて第１４電極Ｅ１４に印加された電位がほぼ零に到達するまで、発光輝度の減衰が行われると、各フレームが自然に切り替わるような感じを与えるため、好適である。【００６２】
より具体的には、例えば、ピーク輝度の１／１０よりも低い輝度まで発光輝度を減衰させることが好ましく、ピーク輝度の１／１００以下まで低い輝度まで発光輝度を減衰させることが更に好ましい。別の観点から言えば、例えば、表示パネル１２１Ａの前面に配置された透明基板（前面ガラス）の反射率（例えば、数％程度）と同等程度の輝度まで発光輝度を減衰させることが好ましい。上記範囲内においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは自発光素子であるため、明るい画素および暗い画素についてもコントラストに対する影響が小さくなる。【００６３】
なお、単位時間当たりのリーク量を多くして発光輝度を素早く下げるときには、第２トランジスタＱ２に比較的大きな電流を流せば良く、第２トランジスタＱ２の特性のばらつきよる画質のばらつきが発生し難い。【００６４】
また、本実施形態に係る画像表示装置１００Ａでは、制御部１１１Ａにより、表示パネル１２１Ａに配列される複数の画素回路１Ａにおいて、略同時に発光が開始され、略同時に高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２へと切り替わる。つまり、画面全体において同じタイミングで発光輝度の減衰が始まり、発光輝度が零に向けて徐々に減衰していく。なお、画面の一部の所定の領域ごとに減衰させてもよい。なお、略同時とは、複数の画素回路が１ｍｓ以内の時間帯で高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替わることをいう。【００６５】
以上のように、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａでは、各フレームの発光期間Ｐeにおいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２へと切り替えられる。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度の最大値を抑えつつ、徐々に発光輝度を低下させた後に、次のフレームの発光を行うことができる。したがって、表示パネル１２１Ａの劣化を抑制しつつ、人間の目に明瞭でかつ明るく感じさせる高品質の動画を再生することができる。【００６６】
また、輝度減衰期間Ｐe２では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光を調整する第１トランジスタＱ１のゲート電圧Ｖgsの絶対値が指数関数に従って減衰する。このため、動画中の移動体の動きを、人間の目にとってより自然に感じさせることができる。【００６７】
また、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が、略同時に減衰し始めて、略同時にノイズに紛れて感じられなくなる程度(すなわち、コントラストで許容される輝度)まで低下する。このため、例えば、複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが時間順次に消えていくような不自然な画像となることが回避される。【００６８】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａでは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流を調整する第１トランジスタＱ１が接続されていた。これに対して、本発明の第２実施形態に係る画像表示装置１００Ｂでは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電流を調整する第１トランジスタＱ２１が接続されている。但し、各フレームの発光期間Ｐeにおいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２へと切り替えられる点については、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと第２実施形態に係る画像表示装置１００Ｂとで共通している。【００６９】
第２実施形態に係る画像表示装置１００Ｂは、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと比較して、全体構成はほぼ同様であるが、画素回路１Ａが画素回路１Ｂに変更され、表示パネル１２１Ａが複数の画素回路１Ｂが配列された表示パネル１２１Ｂに変更され、制御部１１１Ａが異なる動作を制御する制御部１１１Ｂに変更され、専用ドライバＳdＡが専用ドライバＳdＢに変更されたものとなっている。以下、第２実施形態に係る画像表示装置１００Ｂについて、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと同様な部分については同様な符号を付して説明を省略しつつ、異なる部分について説明する。【００７０】
図７の第２実施形態に係る画素回路１Ｂは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第１〜４トランジスタＱ２１〜Ｑ２４、および第１，２コンデンサＣ２１，Ｃ２２を備える。【００７１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に負の電位を付与する電源線との接続点Ｐｔ２２に対して導電可能に接続されている。一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaは、第１トランジスタＱ２１を介して接続点Ｐｔ２１に対して導電可能に接続されている。【００７２】
第１〜４トランジスタＱ２１〜Ｑ２４は、第１実施形態に係る第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。【００７３】
第１トランジスタＱ２１は、第１〜３電極Ｅ２１〜Ｅ２３を有する。第１電極Ｅ２１は、アノード電極Ｅa、第２トランジスタＱ２２の第５電極Ｅ２５、および第２コンデンサＣ２２の第１６電極Ｅ３６に対して電気的に接続される。第２電極Ｅ２２は、接続点Ｐｔ２１および第３トランジスタＱ２３の第７電極Ｅ２７に対して電気的に接続される。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際には、第２電極Ｅ２２はドレインとして機能し、第１電極Ｅ２１はソースとして機能する。また、第３電極Ｅ２３は、ゲートとして機能し、第３トランジスタＱ２３の第８電極Ｅ２８と第１コンデンサＣ２１の第１３電極Ｅ３３とに対して電気的に接続される。そして、第１トランジスタＱ２１では、ゲートである第３電極Ｅ２３に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第１電極Ｅ２１と第２電極Ｅ２２との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。そして、ドレインとソースとの間における電流量の調整に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量および発光輝度が制御される。【００７４】
また、第１トランジスタＱ２１は、ゲートである第３電極Ｅ２３に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。そして、第１トランジスタＱ２１には、導通状態となる場合のゲート電圧（具体的には、第１電極Ｅ２１の電位を基準とした第１電極Ｅ２１と第３電極Ｅ２３との間の電位差）の下限値（第１トランジスタＱ２１の閾値電圧）Ｖthが存在する。【００７５】
第２トランジスタＱ２２は、第４〜６電極Ｅ２４〜Ｅ２６を有する。そして、第４電極Ｅ２４は、第１コンデンサＣ２１の第１４電極Ｅ３４と第４トランジスタＱ２４の第１０電極Ｅ３０と第２コンデンサＣ２２の第１５電極Ｅ３５とに対して電気的に接続される。第５電極Ｅ２５は、第２コンデンサＣ２２の第１６電極Ｅ３６とアノード電極Ｅaと第１電極Ｅ２１とに対して電気的に接続される。第６電極Ｅ２６は、センス線Ｌsnに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第２トランジスタＱ２２では、ゲートである第６電極Ｅ２６に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第４電極Ｅ２４と第５電極Ｅ２５との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。【００７６】
また、第４電極Ｅ２４が第１コンデンサＣ２１を介して第３電極Ｅ２３に対して接続されており、第６電極Ｅ２６に付与される電位が変更されることで、第４電極Ｅ２４と第５電極Ｅ２５との間の電流が調整される。そして、第１コンデンサＣ２１の第１４電極Ｅ３４に蓄積されている電荷が第２トランジスタＱ２２および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して接続点Ｐｔ２２に抜けることで、第１トランジスタＱ２１のゲート電圧が調整される。なお、第２トランジスタＱ２２は、第１４電極Ｅ３４に付与されている電荷を接地電極に抜くために必要な機能を果たせば良い。そのため、電気容量とトランジスタのサイズが比例するとすれば、例えば、発光のための大電流が流れる第１トランジスタＱ２１の１／１０程度の構造的な大きさを有していれば良い。【００７７】
また、第２トランジスタＱ２２は、第１トランジスタＱ２１における閾値Ｖthのばらつきを補償するＶth補償処理を実現する。【００７８】
第３トランジスタＱ２３は、第７〜９電極Ｅ２７〜Ｅ２９を有する。第７電極Ｅ２７は、第２電極Ｅ２２と接続点Ｐｔ２１とに対して電気的に接続されている。第８電極Ｅ２８は、第３電極Ｅ２３と第１３電極Ｅ３３とに対して電気的に接続されている。第９電極Ｅ２９は、リセット線Ｌrsに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第３トランジスタＱ２３は、ゲートである第９電極Ｅ２９に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。【００７９】
第４トランジスタＱ２４は、第１０〜１２電極Ｅ３０〜Ｅ３２を有する。第１０電極Ｅ３０は、第４電極Ｅ２４、第１４電極Ｅ３４、および第１５電極Ｅ３５に対して電気的に接続されている。第１１電極Ｅ３１は、画像信号線Ｌdtに対して電気的に接続されている。第１２電極Ｅ３２は、走査信号線Ｌslに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第４トランジスタＱ２４は、ゲートである第１２電極Ｅ３２に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。【００８０】
第１コンデンサＣ２１は、第１３電極Ｅ３３と第１４電極Ｅ３４とを有する。第１３電極Ｅ３３は、第３電極Ｅ２３と第８電極Ｅ２８とに対して電気的に接続され、第１４電極Ｅ３４は、第４電極Ｅ２４と第１０電極Ｅ３０と第１５電極Ｅ３５とに対して電気的に接続される。なお、第１コンデンサＣ２１の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【００８１】
第２コンデンサＣ２２は、第１５電極Ｅ３５と第１６電極Ｅ３６とを有する。第１５電極Ｅ３５は、第４電極Ｅ２４と第１０電極Ｅ３０と第１４電極Ｅ３４とに対して電気的に接続され、第１６電極Ｅ３６は、第５電極Ｅ２５とアノード電極Ｅaと第１電極Ｅ２１とに対して電気的に接続される。なお、第２コンデンサＣ２２の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【００８２】
このような画素回路１Ｂが多数配列された表示パネル１２１Ｂでは、図１で示すように、列方向（図１中の上下方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ｂに対して共通の画像信号線Ｌdtが電気的に接続され、行方向（図１中の左右方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ｂに対して共通の走査信号線Ｌslが電気的に接続される。つまり、表示パネル１２１Ｂは、いわゆるアクティブマトリックスタイプの表示パネルとして構成されている。【００８３】
専用ドライバＳdＢは、制御部１１１Ｂからの制御信号に応じた波形で、リセット線Ｌrs、センス線Ｌsn、走査信号線Ｌsl、および接続点Ｐｔ２２に対して電位を付与する。【００８４】
この専用ドライバＳdＢは、例えば、第２１〜２４シフトレジスタを備えて構成され、第２１〜２４シフトレジスタに格納されたデータに基づいて、リセット線Ｌrs、センス線Ｌsn、走査信号線Ｌsl、および接続点Ｐｔ２２に対して電位を付与する機能を有する。【００８５】
例えば、第２１シフトレジスタは、リセット線電位Ｖrsのデータを保持する。ここでは、リセット線電位Ｖrsとして、電位ＶgH，ＶgLの２値が適宜採用される。第２２シフトレジスタは、センス線電位Ｖsnのデータを保持する。ここでは、センス線電位Ｖsnとして、高電位ＶgH（例えば、＋１５Ｖ）、低電位ＶgL（例えば、−１０Ｖ）、および高電位ＶgHと低電位ＶgLとの間の中電位ＶgM（例えば、０Ｖ）の３値が適宜採用される。つまり、各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光のために、第６電極Ｅ２６に付与される電位が、低電位ＶgL、中電位ＶgM、および高電位ＶgHに所定の順序で設定される。第２３シフトレジスタは、走査信号線電位Ｖslのデータを保持する。ここでは、走査信号線電位Ｖslとして、電位ＶgH，ＶgLの２値が適宜採用される。第２４シフトレジスタは、接続点Ｐｔ２２すなわち電源線に付与する電位（電源線電位）Ｖ22のデータを保持する。ここでは、電源線電位Ｖ22として、正の高電位Ｖ1H（例えば、＋１０Ｖ）、基準電位（例えば、０Ｖ）ＧＮＤ、および負の低電位Ｖ1L（例えば、−１０Ｖ）の３値が適宜採用される。【００８６】
そして、第２１〜２４シフトレジスタで制御されるリセット線電位Ｖrs、センス線電位Ｖsn、走査信号線電位Ｖsl、および電源線電位Ｖ22は、制御部１１１Ｂからの制御信号に応じた波形をそれぞれ示す。【００８７】
画像表示装置１００Ｂで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図８で示す駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図８で示す駆動波形は、制御部１１１Ｂの制御下で実現される。【００８８】
図８では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)リセット線電位Ｖrs、(ｂ)センス線電位Ｖsn、(ｃ)画像信号線電位Ｖdt、(ｄ)走査信号線電位Ｖsl、(ｅ)電源線電位Ｖ22、の波形が示されている。【００８９】
なお、１回の発光に係る期間は、発光が行われず発光輝度を調整するための準備を行う準備期間Ｐp（時刻Ｔ２〜Ｔ１８）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐe（〜時刻Ｔ２，時刻Ｔ１８〜）とを備える。更に、発光期間Ｐeは、初期〜中期にかけて発光輝度が徐々に増していって比較的高輝度で発光する高輝度期間Ｐe１と、中期〜終期にかけて徐々に発光輝度が減衰していく輝度減衰期間Ｐe２とを含む。【００９０】
以下、図８で示すタイミングチャートに沿って、画素回路１Ｂの動作を説明する。なお、本動作中では、接続点Ｐｔ２１には、常に所定の基準電位ＧＮＤが印加される。【００９１】
まず、時刻Ｔ１では、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが、中電位ＶgMから高電位ＶgHに設定される。このとき、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが低電位ＶgLに設定され、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが基準電位ＧＮＤに設定され、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLに設定され、接続点Ｐｔ２２の電位Ｖ22が低電位Ｖ1Lに設定されている。ここでは、第２トランジスタＱ２２が相対的に少量の電流を流し得る導通状態から相対的に多量の電流を流し得る導通状態へと移行される。【００９２】
次に、時刻Ｔ２〜Ｔ３では、接続点Ｐｔ２２の電位Ｖ22が低電位Ｖ1Lから基準電位ＧＮＤに設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間の電位差が無くなり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光し得ない状態となる。【００９３】
時刻Ｔ４〜Ｔ５では、接続点Ｐｔ２２の電位Ｖ22が基準電位ＧＮＤから高電位Ｖ1Hに設定される。そして、時刻Ｔ５〜Ｔ７では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際とは逆の電圧が印加されるため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがコンデンサとして働き、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電荷が蓄積される。具体的には、アノード電極Ｅa側が相対的に低電位（ここでは、電位Ｖ1Hだけ低電位）となるように、アノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間に電位差が生じる。【００９４】
時刻Ｔ６では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。このとき、第３トランジスタＱ２３が導通状態となり、第３電極Ｅ２３および第１３電極Ｅ３３が接地された状態となる。【００９５】
時刻Ｔ７〜Ｔ８では、接続点Ｐｔ２２の電位Ｖ22が高電位Ｖ1Hから基準電位ＧＮＤに設定される。時刻Ｔ８〜Ｔ９では、アノード電極Ｅaに蓄積された負の電荷が、第１コンデンサＣ２１を介して第３電位Ｅ２３に作用するとともに、第１電極Ｅ２１と第２電極Ｅ２２とを介して接続点Ｐｔ２１に抜けていく。そして、第１トランジスタＱ２１のゲート電圧Ｖgsが、第１トランジスタＱ２１の閾値Ｖthに到達すると、第１トランジスタＱ２１が非導通状態となる。このとき、第１コンデンサＣ２１の第１３電極Ｅ３３と第１４電極Ｅ３４との間に、閾値Ｖthに対応する電位差が設定される。つまり、時刻Ｔ８〜Ｔ９では、いわゆるＶth補償処理が行われる。【００９６】
時刻Ｔ９では、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定され、時刻Ｔ１０では、リセット線Ｌrsの電位Ｖrsが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第２トランジスタＱ２２および第３トランジスタＱ２３はともに非導通状態となり、第１３電極Ｅ３３と第１４電極Ｅ３４との間の電位差が閾値Ｖthのまま保持される。【００９７】
時刻Ｔ１１〜Ｔ１２では、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが基準電位ＧＮＤから画素データ信号に応じた任意の正電位ＶdHに設定される。【００９８】
時刻Ｔ１３では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。このとき、第４トランジスタＱ２４が非導通状態から導通状態に設定される。そして、時刻Ｔ１３〜Ｔ１４では、第１４電極Ｅ３４に対して、電位Ｖdtが印加された状態となる。このとき、第１コンデンサＣ２１に設定された電位差Ｖthの上に、画像信号（具体的には、画素データ信号）に応じた発光用の電位（発光用電位）が付与され、第３電極Ｅ２３には、閾値Ｖthに発光用電位が加算された電位が付与される。コンデンサＣ２１を介して、第３電極Ｅ２３に付与する電位を発光用電位に設定する処理は、画像信号線Ｌdtおよび走査信号線Ｌslによって行われ、第２〜４トランジスタＱ２２〜Ｑ２４が非導通状態となれば、ゲート電圧Ｖgsが発光用電位に応じた値に保持される。【００９９】
時刻Ｔ１４では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第４トランジスタＱ２４が導通状態から非導通状態に設定される。【０１００】
時刻Ｔ１５〜Ｔ１６では、画像信号線Ｌdtの電位Ｖdtが画素データ信号に応じた任意の正電位ＶdHから基準電位ＧＮＤに設定される。【０１０１】
時刻Ｔ１７〜Ｔ１８では、接続点Ｐｔ２２の電位Ｖ22が基準電位ＧＮＤから低電位Ｖ1Lに設定される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電圧が印加され、第１トランジスタＱ２１のゲート電圧Ｖgsが、閾値Ｖthに画素データ信号に応じた値を加算したものに設定されているため、画素データ信号に応じた電流が第２電極Ｅ２２と第１電極Ｅ２１との間に流れ始める。すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに画素データ信号に応じた電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じた輝度で発光し始める。ここでは、専用ドライバＳdＢが、電位Ｖ22を与える電源線の電位を制御することにより、第３電極Ｅ２３の電位が発光用電位に設定された状態で、カソード電極Ｅcと第２電極Ｅ２２との間に所定の電位差が印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。【０１０２】
時刻Ｔ１９では、センス線Ｌsnの電位Ｖsnが低電位ＶgLから中電位ＶgMに設定される。このとき、第６電極Ｅ２６に対して中電位ＶgMが印加され、第２トランジスタＱ２２が中電位ＶgMに応じた分だけ第４電極Ｅ２４と第５電極Ｅ２５との間で電流が流れ得る導通状態となる。よって、時刻Ｔ１９以降（具体的には、時刻Ｔ１９から次回の発光に係る時刻Ｔ２）では、第１４電極Ｅ３４と第１５電極Ｅ３５との間で保持されていた画素データ信号に応じた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ２２を介して徐々に接続点Ｐｔ２２に抜けていく。このとき、第３電極Ｅ２３に付与される電位が徐々に低下するため、第１トランジスタＱ２１のゲート電圧Ｖgsが低下していくとともに、第１トランジスタＱ２１の第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間を流れる電流量が徐々に低下し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。【０１０３】
ここで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度の時間的な変化のパターンについては、図４で示した第１実施形態に係るパターンと同様であり、高輝度期間Ｐe１と輝度減衰期間Ｐe２とを備えて構成される発光期間Ｐeが実現される。また、輝度減衰期間Ｐe２における第１トランジスタＱ２１のゲート電圧Ｖgsの減衰については、第１実施形態と同様に上式(１)で示した関係を満たす。【０１０４】
このようにして、動画を構成する各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｐeにおいて、制御部１１１Ｂによる制御によって第６電極Ｅ２６に付与される電位が変更されることで、第２トランジスタＱ２２によって第１トランジスタＱ２１のゲート電圧Ｖgsが調整される。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じたピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２に切り替わる。換言すれば、制御部１１１Ｂにより、第６電極Ｅ２６に付与される電位が低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられる。【０１０５】
また、第１実施形態と同様に、制御部１１１Ｂにより、表示パネル１２１Ｂに配列される複数の画素回路１Ｂにおいて、略同時に発光が開始され、略同時に高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２へと切り替わる。つまり、画面全体において同じタイミングで発光輝度の減衰が始まり、発光輝度が零に向けて徐々に減衰していく。【０１０６】
＜第３実施形態＞
上記第１および第２実施形態に係る画像表示装置１００Ａ，１００Ｂでは、第１トランジスタＱ１，Ｑ２１のゲートの電位を画素データ信号に応じた画像信号線Ｌdtの電位によって設定することで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が調整された。これに対して、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃでは、画素回路１Ｃに供給する電流量を適宜設定することで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流を調節して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が調整される。但し、各フレームの発光期間Ｐeにおいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２へと切り替えられる点については、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１００Ａ，１００Ｂと第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃとで共通している。【０１０７】
第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃは、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１００Ａ，１００Ｂと比較して、全体構成はほぼ同様であるが、画素回路１Ａ，１Ｂが画素回路１Ｃに変更され、表示パネル１２１Ａ，１２１Ｂが複数の画素回路１Ｃが配列された表示パネル１２１Ｃに変更され、制御部１１１Ａ，１１１Ｂが異なる動作を制御する制御部１１１Ｃに変更され、ＸドライバＸdＡがＸドライバＸdＣに変更され、専用ドライバＳdＡ，ＳdＢが専用ドライバＳdＣに変更されたものとなっている。以下、第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃについて、第１および第２実施形態に係る画像表示装置１００Ａ，１００Ｂと同様な部分については同様な符号を付して説明を省略しつつ、異なる部分について説明する。【０１０８】
図９の第３実施形態に係る画素回路１Ｃは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第１〜４トランジスタＱ４１〜Ｑ４４、および第１コンデンサＣ４１を備える。【０１０９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に正の電位を付与する電源線との接続点Ｐｔ４１に対して導電可能に接続されている。一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcは、第１トランジスタＱ４１を介して接地された電極（接地電極）に対して電気的に接続される。【０１１０】
第１〜４トランジスタＱ４１〜Ｑ４４は、第１，２実施形態に係る第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４，Ｑ２１〜Ｑ２４と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。【０１１１】
第１トランジスタＱ４１は、第１〜３電極Ｅ４１〜Ｅ４３を有する。第１電極Ｅ４１は、カソード電極Ｅcに対して電気的に接続され、第２電極Ｅ４２は、第３トランジスタＱ４３の第８電極Ｅ４８と第１コンデンサＣ１の第１１電極Ｅ５１と接地電極とに対して電気的に接続される。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際には、第１電極Ｅ４１はドレインとして機能し、第２電極Ｅ４２はソースとして機能する。また、第３電極Ｅ４３は、ゲートとして機能し、第２トランジスタＱ４２の第５電極Ｅ４５と第１コンデンサＣ４１の第１０電極Ｅ５０とに対して電気的に接続される。したがって、第１トランジスタＱ４１では、ゲートである第３電極Ｅ４３に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第１電極Ｅ４１と第２電極Ｅ４２との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。そして、ドレインとソースとの間における電流量の調整に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量および発光輝度が制御される。【０１１２】
また、第１トランジスタＱ４１は、ゲートである第３電極Ｅ４３に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。そして、第１トランジスタＱ４１には、導通状態となる場合のゲート電圧（具体的には、第２電極Ｅ４２の電位を基準とした第２電極Ｅ４２と第３電極Ｅ４３との間の電位差）の下限値（第１トランジスタＱ４１の閾値電圧）Ｖthが存在する。【０１１３】
第２トランジスタＱ４２は、第４〜６電極Ｅ４４〜Ｅ４６を有する。そして、第４電極Ｅ４４は、第３トランジスタＱ４３の第７電極Ｅ４７および第９電極Ｅ４９と第４トランジスタＱ４４の第１３電極Ｅ５３とに対して電気的に接続される。第５電極Ｅ４５は、第３電極Ｅ４３と第１コンデンサＣ４１の第１０電極Ｅ５０とに対して電気的に接続される。第６電極Ｅ４６は、イールド線Ｌydに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第２トランジスタＱ４２では、ゲートである第６電極Ｅ４６に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第４電極Ｅ４４と第５電極Ｅ４５との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。【０１１４】
また、第５電極Ｅ４５が第３電極Ｅ４３に対して接続されており、第６電極Ｅ４６の電位が変更されると、第４電極Ｅ４４と第５電極Ｅ４５との間の電流が調整される。このとき、第１トランジスタＱ４１の第３電極Ｅ４３に付与されている電荷が第２トランジスタＱ４２および第３トランジスタＱ４３を介して接地電極に抜け、第１トランジスタＱ４１のゲート電圧が調整される。なお、第２トランジスタＱ４２は、第１トランジスタＱ４１の第３電極Ｅ４３の電荷を接地電極に抜くために必要な機能を果たせば良い。そのため、電気容量とトランジスタのサイズが比例するとすれば、例えば、発光のための大電流が流れる第１トランジスタＱ４１の１／１０程度の構造的な大きさを有していれば良い。【０１１５】
第３トランジスタＱ４３は、第７〜９電極Ｅ４７〜Ｅ４９を有する。第７電極Ｅ４７は、第２トランジスタＱ４２の第４電極Ｅ４４と第４トランジスタＱ４４の第１３電極Ｅ５３と第９電極Ｅ４９とに対して電気的に接続されている。第８電極Ｅ４８は、第２電極Ｅ４２と第１コンデンサＣ４１の第１１電極Ｅ５１と接地電極とに対して電気的に接続されている。第９電極Ｅ４９は、第４電極Ｅ４４と第７電極Ｅ４７と第１３電極Ｅ５３とに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第３トランジスタＱ４３では、第７電極Ｅ４７と第９電極Ｅ４９とが電気的に接続され、同電位に設定される。このため、第７電極Ｅ４７に付与される電位が上昇すれば、第８電極Ｅ４８を基準とした第８電極Ｅ４８と第９電極Ｅ４９との間の電位差が、第３トランジスタＱ４３の閾値Ｖthを超えて、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態となる。なお、第８電極Ｅ４８と第９電極Ｅ４９との間の電位差が閾値Ｖthを下回ると、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態に設定される。【０１１６】
第４トランジスタＱ４４は、第１２〜１４電極Ｅ５２〜Ｅ５４を有する。第１２電極Ｅ５２は、電流を供給する配線（電流供給線）Ｌctに対して電気的に接続されている。第１３電極Ｅ５３は、第４電極Ｅ４４と第７電極Ｅ４７と第９電極Ｅ４９とに対して電気的に接続されている。第１４電極Ｅ５４は、走査信号線Ｌslに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第４トランジスタＱ４４は、ゲートである第１４電極Ｅ５４に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。【０１１７】
第１コンデンサＣ４１は、第１０電極Ｅ５０と第１１電極Ｅ５１とを有する。第１０電極Ｅ５０は、第３電極Ｅ４３と第５電極Ｅ４５とに対して電気的に接続され、第１１電極Ｅ５１は、第２電極Ｅ４２と第８電極Ｅ４８と接地電極とに対して接続されている。なお、第１コンデンサＣ４１の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【０１１８】
このような画素回路１Ｃが多数配列された表示パネル１２１Ｃでは、図１で示すように、列方向（図１中の上下方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ｃに対して共通の電流供給線Ｌctが電気的に接続され、行方向（図１中の左右方向）に沿って並ぶ複数の画素回路１Ｃに対して共通の走査信号線Ｌslが電気的に接続される。【０１１９】
ＸドライバＸdＣは、制御部１１１Ｃからの信号に応答して、電流供給線Ｌctに対して画素データ信号に応じた電流（以下「供給電流」とも称する）Ｉctを供給する。なお、制御部１１１Ｃは、例えば、外部から送信されてくる画像信号に同期させて、ＸドライバＸdＣから各電流供給線Ｌctに対する画素データ信号に応じた電流の供給タイミングを制御する信号をＸドライバＸdＣに対して送出する。【０１２０】
専用ドライバＳdＣは、制御部１１１Ｃからの制御信号に応じた波形で、走査信号線Ｌsl、イールド線Ｌyd、および接続点Ｐｔ４１に対して電位を付与する。この専用ドライバＳdＣは、例えば、第４１〜４３シフトレジスタを備えて構成され、第４１〜４３シフトレジスタに格納されたデータに基づいて走査信号線Ｌsl、イールド線Ｌyd、および接続点Ｐｔ４１に対して電位を付与する機能を有する。【０１２１】
例えば、第４１シフトレジスタは、接続点Ｐｔ４１に付与する電位（電源線電位）Ｖ４１のデータを保持する。ここでは、電位Ｖ４１として、一定の高電位Ｖ４１（例えば、＋１０Ｖ）が採用される。第４２シフトレジスタは、走査信号線Ｌslに付与する電位（走査信号線電位）Ｖslのデータを保持する。ここで、走査信号線電位（適宜「電位」と略称する）Ｖslとして、所定の高電位ＶgH、低電位ＶgLの２値が適宜採用される。また、第４３シフトレジスタは、イールド線Ｌydに付与する電位（イールド線電位）Ｖydのデータを保持する。ここで、イールド線電位（適宜「電位」と略称する）Ｖydとして、所定の高電位ＶgH、低電位ＶgL、および高電位ＶgHと低電位ＶgLとの間の中電位ＶgMの３値が適宜採用される。ここでは、各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光のために、第６電極Ｅ４６に付与される電位が、低電位ＶgL、中電位ＶgM、および高電位ＶgHに所定の順序で設定される。なお、例えば、高電位ＶgHを１、低電位ＶgLを０とした場合には、中電位ＶgMが０．４程度に設定される。【０１２２】
そして、第４１〜４３シフトレジスタで制御される電源線電位Ｖ４１、走査信号線電位Ｖsl、およびイールド線電位Ｖydは、制御部１１１Ｃからの制御信号に応じた波形をそれぞれ示す。【０１２３】
画像表示装置１００Ｃで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図１０で示す駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図１０で示す駆動波形は、制御部１１１Ｃの制御下で実現される。【０１２４】
図１０では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)供給電流Ｉct、（ｂ）走査信号線Ｌslの電位Ｖsl、（ｃ）イールド線Ｌydの電位Ｖyd、の波形が示されている。【０１２５】
なお、１回の発光に係る期間は、発光が行われず発光輝度を調整するための準備を行う準備期間Ｐp（時刻Ｔ２１〜Ｔ２３）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐe（〜時刻Ｔ２１，時刻Ｔ２３〜）とを備える。更に、発光期間Ｐeは、初期〜中期にかけて発光輝度が徐々に増していって比較的高輝度で発光する高輝度期間Ｐe１と、中期〜終期にかけて徐々に発光輝度が減衰していく輝度減衰期間Ｐe２とを含む。【０１２６】
以下、図１０で示すタイミングチャートに沿って、画素回路１Ｃの動作を説明する。なお、本動作中では、接続点Ｐｔ４１には、常に所定の高電位が印加される。【０１２７】
まず、時刻Ｔ２１では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが、中電位ＶgMから高電位ＶgHに設定される。このとき、電流供給線Ｌctから供給される供給電流Ｉctが第１の所定値である零Ｃ0に設定され、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLに設定されている。ここでは、第２トランジスタＱ４２が相対的に少量の電流を流し得る導通状態から相対的に多量の電流を流し得る導通状態へと移行される。【０１２８】
次に、時刻Ｔ２２〜Ｔ２３では、供給電流Ｉctが零Ｃ0から任意の値Ｃdに設定される。ここで、任意の値Ｃdは、画素データ信号に応じた値であり、第１トランジスタＱ４１および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流したい電流と等価な値となっている。【０１２９】
時刻Ｔ２３では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。時刻Ｔ２３〜Ｔ２４では、第４トランジスタＱ４４が導通状態となり、電流供給線Ｌctからの任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが、第４トランジスタＱ４４を介して第３トランジスタＱ４３の第７電極Ｅ４７および第９電極Ｅ４９に付与される。そして、第９電極Ｅ４９の電位、すなわち第３トランジスタＱ４３のゲート電圧が上昇し、第３トランジスタＱ４３の第７電極Ｅ４７および第９電極Ｅ４９が、第７電極Ｅ４７と第８電極Ｅ４８との間を任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電位に設定される。【０１３０】
このとき、第２トランジスタＱ４２が導通状態であり、第９電極Ｅ４９に付与される電位と同じ電位が、第１トランジスタＱ４１の第３電極Ｅ４３に付与される。つまり、第１トランジスタＱ４１のゲート電圧が上昇し、第１電極Ｅ４１と第２電極Ｅ４２との間に任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電圧に設定される。したがって、時刻Ｔ２３〜Ｔ２４では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間を流れる電流が上昇し、画素データ信号に応じた任意の値Ｃdの供給電流Ｉctと等価な値に至る。【０１３１】
別の観点から言えば、第３電極Ｅ４３に対して、画像信号（具体的には、画素データ信号）に応じた発光用の電位（発光用電位）が付与される。なお、第３電極Ｅ４３に付与する電位を発光用電位に設定する処理は、電流供給線Ｌctおよび第３トランジスタＱ４３によって行われる。そして、ここでは、専用ドライバＳdＣが、走査信号線Ｌsl、イールド線Ｌyd、および接続点Ｐｔ４１に与える電位を制御することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。【０１３２】
時刻Ｔ２４では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第２トランジスタＱ４２が導通状態から非導通状態に設定され、第１トランジスタＱ４１のゲート電圧が、第１電極Ｅ４１と第２電極Ｅ４２との間に任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電圧に保持される。つまり、第３電極Ｅ４３に付与される電位が、第１コンデンサＣ４１の第１０電極Ｅ５０と第１１電極Ｅ５１との間の電位差によって保持される。そして、時刻Ｔ２４〜Ｔ２７では、第１トランジスタＱ４１のゲート電圧が変更されないため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがピーク輝度で発光する。【０１３３】
時刻Ｔ２５では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが高電位ＶgHから低電位ＶgLに変更され、第４トランジスタＱ４４が導通状態から非導通状態に設定される。このとき、第３トランジスタＱ４３への電流の供給も停止されるため、第３トランジスタＱ４３の第７電極Ｅ４７と第８電極Ｅ４８との間の電流が減少して流れなくなる。【０１３４】
時刻Ｔ２５〜Ｔ２６では、供給電流Ｉctが任意の値Ｃdから零Ｃ0に設定される。【０１３５】
時刻Ｔ２７では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが、低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更される。第６電極Ｅ４６に対して中電位ＶgMが印加されると、第２トランジスタＱ４２が中電位ＶgMに応じた分だけ第４電極Ｅ４４と第５電極Ｅ４５との間で電流が流れ得る導通状態となる。このとき、第３電極Ｅ４３と第１０電極Ｅ５０との間で保持されていた画素データ信号に応じた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ４２を介して第３トランジスタＱ４３に徐々に流れていく。そして、第３トランジスタＱ４３では、第７電極Ｅ４７および第９電極Ｅ４９に付与される電位が高まって、第３トランジスタＱ４３が導通状態となり、第３電極Ｅ４３と第１０電極Ｅ５０との間で保持されていた電荷が、第３トランジスタＱ４３を介して徐々に接地電極に抜けていく。【０１３６】
このとき、第３電極Ｅ４３に付与される電位が徐々に低下するため、第１トランジスタＱ４１のゲート電圧Ｖgsが低下していくとともに、第１トランジスタＱ４１の第１電極Ｅ４１と第２電極Ｅ４２との間を流れる電流量が徐々に低下し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。その後、次の発光に係る時刻Ｔ２１において、イールド線Ｌydの電位Ｖydが高電位ＶgHとなると、第３電極Ｅ４３の電位が、第１電極Ｅ４１と第２電極Ｅ４２との間に電流が流れ得ない電位となり、発光期間Ｐeが終了する。【０１３７】
ここで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度の時間的な変化のパターンについては、図４で示した第１および第２実施形態に係るパターンと同様であり、高輝度期間Ｐe１と輝度減衰期間Ｐe２とを備えて構成される発光期間Ｐeが実現される。また、輝度減衰期間Ｐe２における第１トランジスタＱ４１のゲート電圧Ｖgsの減衰については、第１および第２実施形態と同様に上式(１)で示した関係を満たす。【０１３８】
このようにして、動画を構成する各フレームに対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｐeにおいて、制御部１１１Ｃによる制御によって第６電極Ｅ４６に付与される電位が変更されることで、第２トランジスタＱ４２によって第１トランジスタＱ４１のゲート電圧Ｖgsが調整される。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じた所定のピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２に切り替わる。換言すれば、制御部１１１Ｃにより、第６電極Ｅ４６に付与される電位が低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられる。【０１３９】
また、第１および第２実施形態と同様に、制御部１１１Ｃにより、表示パネル１２１Ｃに配列される複数の画素回路１Ｃにおいて、略同時に発光が開始され、略同時に高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２へと切り替わる。つまり、画面全体において同じタイミングで発光輝度の減衰が始まり、発光輝度が零に向けて徐々に減衰していく。【０１４０】
ところで、画素回路に供給する電流量を適宜設定することで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流を調節する方式については、従来より、発光輝度が比較的低い状態（暗い発光）を実現するために画素回路に供給する電流量が少量となる場合には、第１トランジスタＱ１を流れる電流を所望の電流に精度良く設定するためには長時間を要するといった問題があった。したがって、動画を構成するフレームの時間間隔を考慮すると、発光輝度の調整を精度良く行うことが困難であった。【０１４１】
これに対して、本発明の第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃでは、発光期間Ｐeにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流が徐々に減衰する。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流が直ぐに減少する場合と比較して、１回の発光期間Ｐe全体における発光輝度（発光期間Ｐeに係る発光輝度の時間積分で得られる値）を等価な値とするためには、ピーク輝度を上昇させる必要がある。したがって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流を調整する際における供給電流Ｉctの値が相対的に高くなり、発光輝度が比較的低い状態（暗い発光）を行う際の電流量の調節を精度良く行うことが可能となる。つまり、動画における暗部の描写が精度良く行われ、画質の向上が図られる。そして、中電位ＶgMの値を適宜設定することで、デューティを適宜自由に設定することにより、画質の向上を適宜図ることも可能である。例えば、発光輝度の減衰の存在により、ぎこちないものとは感じさせない動画の表示が可能となる。【０１４２】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄは、第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃと同様に、画素回路に供給する電流量を適宜設定することで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が調整される方式の画像表示装置である。しかしながら、第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄは、第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃと比較して、画素回路１Ｃが構成の異なる画素回路１Ｄに変更されたものとなっている。【０１４３】
第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄは、第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃと比較して、全体構成はほぼ同様であるが、画素回路１Ｃが画素回路１Ｄに変更され、表示パネル１２１Ｃが複数の画素回路１Ｄが配列された表示パネル１２１Ｄに変更されたものとなっている。以下、第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄについて、第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃと同様な部分については同様な符号を付して説明を省略しつつ、異なる部分について説明する。【０１４４】
図１１の第４実施形態に係る画素回路１Ｄは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第１〜４トランジスタＱ６１〜Ｑ６４、および第１コンデンサＣ６１を備える。【０１４５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に正の電位を付与する電源線との接続点Ｐｔ６１に対して導電可能に接続されている。一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcは、第１トランジスタＱ６１を介して接地された電極（接地電極）に対して電気的に接続される。【０１４６】
第１〜４トランジスタＱ６１〜Ｑ６４は、第１〜３実施形態に係る第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４，Ｑ２１〜Ｑ２４，Ｑ４１〜Ｑ４４と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。【０１４７】
第１トランジスタＱ６１は、第１〜３電極Ｅ６１〜Ｅ６３を有する。第１電極Ｅ６１は、カソード電極Ｅcに対して電気的に接続され、第２電極Ｅ６２は、接地電極と第３トランジスタＱ６３の第８電極Ｅ６８と第１コンデンサＣ１の第１１電極Ｅ７１とに対して電気的に接続される。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際には、第１電極Ｅ６１はドレインとして機能し、第２電極Ｅ６２はソースとして機能する。また、第３電極Ｅ６３は、ゲートとして機能し、第２トランジスタＱ６２の第５電極Ｅ６５と第１コンデンサＣ６１の第１０電極Ｅ７０と第３トランジスタＱ６３の第９電極Ｅ６９に対して電気的に接続される。そして、第１トランジスタＱ６１では、ゲートである第３電極Ｅ６３に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第１電極Ｅ６１と第２電極Ｅ６２との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。そして、ドレインとソースとの間における電流量の調整に伴い、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量および発光輝度が制御される。【０１４８】
また、第１トランジスタＱ６１は、ゲートである第３電極Ｅ６３に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。そして、第１トランジスタＱ６１には、導通状態となる場合のゲート電圧（具体的には、第２電極Ｅ６２の電位を基準とした第２電極Ｅ６２と第３電極Ｅ６３との間の電位差）の下限値（第１トランジスタＱ６１の閾値電圧）Ｖthが存在する。【０１４９】
第２トランジスタＱ６２は、第４〜６電極Ｅ６４〜Ｅ６６を有する。第４電極Ｅ６４は、第３トランジスタＱ６３の第７電極Ｅ６７と第４トランジスタＱ６４の第１３電極Ｅ７３（すなわち電流の供給源）とに対して電気的に接続される。第５電極Ｅ６５は、第３電極Ｅ６３と第１コンデンサＣ６１の第１０電極Ｅ７０と第３トランジスタＱ６３の第９電極Ｅ６９とに対して電気的に接続される。第６電極Ｅ６６は、イールド線Ｌydに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第２トランジスタＱ６２では、ゲートである第６電極Ｅ６６に付与される電位、詳細にはゲートとソースとの間の電圧によって、第４電極Ｅ６４と第５電極Ｅ６５との間、すなわちドレインとソースとの間の電流が調整される。【０１５０】
ここでは、第５電極Ｅ６５が第３電極Ｅ６３に対して電気的に接続されており、第６電極Ｅ６６に付与される電位が変更されることで、第４電極Ｅ６４と第５電極Ｅ６５との間の電流が調整される。このとき、第１トランジスタＱ６１の第３電極Ｅ６３に付与されている電荷が第２トランジスタＱ６２および第３トランジスタＱ６３を介して接地電極に抜けることで、第１トランジスタＱ６１のゲート電圧が調整される。なお、第２トランジスタＱ６２は、第１トランジスタＱ６１の第３電極Ｅ６３の電荷を接地電極に抜くために必要な機能を果たせば良い。そのため、電気容量とトランジスタのサイズが比例するとすれば、例えば、発光のための大電流が流れる第１トランジスタＱ６１の１／１０程度の構造的な大きさを有していれば良い。【０１５１】
第３トランジスタＱ６３は、第７〜９電極Ｅ６７〜Ｅ６９を有する。第７電極Ｅ６７は、第４電極Ｅ６４と第４トランジスタＱ６４の第１３電極Ｅ７３（すなわち電流の供給源）に対して電気的に接続されている。第８電極Ｅ６８は、第２電極Ｅ６２と第１コンデンサＣ６１の第１１電極Ｅ７１と接地電極とに対して電気的に接続されている。第９電極Ｅ６９は、第３電極Ｅ６３と第５電極Ｅ６５と第１コンデンサＣ１の第１０電極Ｅ７０とに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。そして、第３トランジスタＱ６３では、第９電極Ｅ６９に付与される電位が変更されることで、第７電極Ｅ６７と第８電極Ｅ６８との間の電流が調整される。【０１５２】
そして、第３トランジスタＱ６３では、第７電極Ｅ６７と第９電極Ｅ６９とが第２トランジスタＱ６２を介して電気的に接続される。よって、例えば、第２トランジスタＱ６２が導通状態にある場合には、第７電極Ｅ６７と第９電極Ｅ６９とが短絡し同電位となる。このとき、第７電極Ｅ６７および第９電極Ｅ６９の電位が上昇すれば、第８電極Ｅ６８を基準とした第８電極Ｅ６８と第９電極Ｅ６９との間の電位差が、第３トランジスタＱ６３の閾値Ｖthを超えて、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態となる。なお、第８電極Ｅ６８と第９電極Ｅ６９との間の電位差が閾値Ｖthを下回ると、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態に設定される。【０１５３】
第４トランジスタＱ６４は、第１２〜１４電極Ｅ７２〜Ｅ７４を有する。第１２電極Ｅ７２は、電流を供給する配線（電流供給線）Ｌctに対して電気的に接続されている。第１３電極Ｅ７３は、第４電極Ｅ６４と第７電極Ｅ６７とに対して電気的に接続されていている。第１４電極Ｅ７４は、走査信号線Ｌslに対して電気的に接続され、ゲートとして機能する。したがって、第４トランジスタＱ６４は、ゲートである第１４電極Ｅ７４に付与される電位により、ドレインとソースとの間で電流が流れ得る導通状態と、ドレインとソースとの間で電流が流れ得ない非導通状態とに選択的に設定される。そして、第４トランジスタＱ６４が導通状態の場合には、第１３電極Ｅ７３は、電流供給線Ｌctからの電流を第２および第３トランジスタＱ６２，Ｑ６３に供給する供給源として機能する。【０１５４】
第１コンデンサＣ６１は、第１０電極Ｅ７０および第１１電極Ｅ７１を有する。そして、第１０電極Ｅ７０は、第３電極Ｅ６３と第５電極Ｅ６５と第９電極Ｅ６９に対して電気的に接続され、第１１電極Ｅ７１は、第２電極Ｅ６２と第８電極Ｅ６８と接地電極とに対して電気的に接続されている。なお、第１コンデンサＣ６１の保持容量は所定値（例えば、１ｐＦ）に設定されている。【０１５５】
画像表示装置１００Ｄにおいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際の信号波形（駆動波形）を示すタイミングチャートは、図１０で示した第３実施形態に係るタイミングチャートと同じものとなる。但し、第４実施形態に係る画素回路１Ｄと第３実施形態に係る画素回路１Ｃとは構成が異なるため、画素回路１Ｄにおける電荷および電流の流れについては、画素回路１Ｃのものとは異なる。なお、画像表示装置１００Ｄで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図１０で示す駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。【０１５６】
以下、図１０で示したタイミングチャートに沿って、画像表示装置１００Ｄの動作について説明する。なお、本動作では、接続点Ｐｔ６１には、常に所定の高電位が印加される。【０１５７】
まず、時刻Ｔ２１では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが、中電位ＶgMから高電位ＶgHに設定される。このとき、電流供給線Ｌctから供給される供給電流Ｉctが第１の所定値である零Ｃ0に設定され、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLに設定されている。ここでは、第２トランジスタＱ６２が相対的に少量の電流を流し得る導通状態から相対的に多量の電流を流し得る導通状態へと移行される。【０１５８】
次に、時刻Ｔ２２〜Ｔ２３では、供給電流Ｉctが零Ｃ0から画素データ信号に応じた任意の値Ｃd、すなわち第１トランジスタＱ６１および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流したい電流と等価な値に設定される。【０１５９】
時刻Ｔ２３では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが低電位ＶgLから高電位ＶgHに設定される。時刻Ｔ２３〜Ｔ２４では、第４トランジスタＱ６４が導通状態となり、電流供給線Ｌctからの任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが、第４トランジスタＱ６４を介して第３トランジスタＱ６３の第７電極Ｅ６７に付与されるとともに、第２トランジスタＱ６２を介して第９電極Ｅ６９に付与される。そして、第９電極Ｅ６９の電位、すなわち第３トランジスタＱ６３のゲート電圧が上昇し、第３トランジスタＱ６３の第７電極Ｅ６７および第９電極Ｅ６９が、第７電極Ｅ６７と第８電極Ｅ６８との間を任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電位に設定される。【０１６０】
このとき、第９電極Ｅ４９と第３電極Ｅ６３とが直接電気的に接続されているため、第９電極Ｅ６９の電位と同じ電位が第３電極Ｅ６３に付与される。つまり、時刻Ｔ２３〜Ｔ２４では、第１トランジスタＱ６１のゲート電圧が上昇し、第１電極Ｅ６１と第２電極Ｅ６２との間に任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電圧に設定される。したがって、時刻Ｔ２３〜Ｔ２４では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaとカソード電極Ｅcとの間を流れる電流が上昇し、画素データ信号に応じた任意の値Ｃdの供給電流Ｉctと等価な値に至る。【０１６１】
別の観点から言えば、第３電極Ｅ６３に対して、画像信号（具体的には、画素データ信号）に応じた発光用の電位（発光用電位）が付与される。なお、第３電極Ｅ６３に付与する電位を発光用電位に設定する処理は、電流供給線Ｌctおよび第３トランジスタＱ６３によって行われる。そして、ここでは、専用ドライバＳdＣが、走査信号線Ｌsl、イールド線Ｌyd、および接続点Ｐｔ６１に与える電位を制御することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。【０１６２】
時刻Ｔ２４では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが高電位ＶgHから低電位ＶgLに設定される。このとき、第２トランジスタＱ６２が導通状態から非導通状態に設定され、第１トランジスタＱ６１のゲート電圧が、第１電極Ｅ６１と第２電極Ｅ６２との間に任意の値Ｃdの供給電流Ｉctが流れるような電圧に保持される。具体的には、第３電極Ｅ６３に付与される電位が、第１コンデンサＣ６１の第１０電極Ｅ７０と第１１電極Ｅ７１との間の電位差によって保持される。そして、時刻Ｔ２４〜Ｔ２７では、第１トランジスタＱ６１のゲート電圧が変更されないため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがピーク輝度で発光する。なお、このとき、第９電極Ｅ６９の電位は第３電極Ｅ６３の電位と略同一であるため、第３トランジスタＱ６３は導通状態にある。【０１６３】
時刻Ｔ２５では、走査信号線Ｌslの電位Ｖslが高電位ＶgHから低電位ＶgLに変更され、第４トランジスタＱ６４が導通状態から非導通状態に設定される。このとき、第３トランジスタＱ６３への電流の供給も停止され、第７電極Ｅ６７と第８電極Ｅ６８との間の電流が減少して流れなくなる。【０１６４】
時刻Ｔ２５〜Ｔ２６では、供給電流Ｉctが任意の値Ｃdから零Ｃ0に設定される。【０１６５】
時刻Ｔ２７では、イールド線Ｌydの電位Ｖydが、低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更される。第６電極Ｅ６６に対して中電位ＶgMが印加されると、第２トランジスタＱ６２が中電位ＶgMに応じた分だけ第４電極Ｅ６４と第５電極Ｅ６５との間で電流が流れ得る導通状態となる。そして、第３電極Ｅ６３と第１０電極Ｅ７０と第９電極Ｅ６９との間で保持されていた画素データ信号に応じた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ６２を介して第３トランジスタＱ６３に流れていく。このとき、第３トランジスタＱ６３が導通状態であるため、第３電極Ｅ６３と第１０電極Ｅ７０と第９電極Ｅ６９との間で保持されていた電荷が、第２トランジスタＱ６２および第３トランジスタＱ６３を介して徐々に接地電極に抜けていく。【０１６６】
このとき、第３電極Ｅ６３に付与される電位が徐々に低下するため、第１トランジスタＱ６１のゲート電圧Ｖgsが低下していくとともに、第１トランジスタＱ６１の第１電極Ｅ６１と第２電極Ｅ６２との間を流れる電流量が徐々に低下し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。その後、次の発光に係る時刻Ｔ２１において、イールド線Ｌydの電位Ｖydが高電位ＶgHとなると、第３電極Ｅ６３の電位が、第１電極Ｅ６１と第２電極Ｅ６２との間に電流が流れ得ない電位となり、発光期間Ｐeが終了する。【０１６７】
ここで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度の時間的な変化のパターンについては、図４で示した第１〜３実施形態に係るパターンと同様であり、高輝度期間Ｐe１と輝度減衰期間Ｐe２とを備えて構成される発光期間Ｐeが実現される。また、輝度減衰期間Ｐe２における第１トランジスタＱ６１のゲート電圧Ｖgsの減衰については、第１〜３実施形態と同様に上式(１)で示した関係を満たす。【０１６８】
このようにして、動画を構成する各フレームにおける有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光期間Ｐeにおいて、制御部１１１Ｃによる制御によって第６電極Ｅ６６に付与される電位が変更されることで、第２トランジスタＱ６２によって第１トランジスタＱ６１のゲート電圧Ｖgsが調整される。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じた所定の高輝度（ピーク輝度）で発光する高輝度期間Ｐe１から、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２に切り替わる。換言すれば、制御部１１１Ｃにより、第６電極Ｅ６６に付与される電位が低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられる。【０１６９】
また、第１〜３実施形態と同様に、制御部１１１Ｃにより、表示パネル１２１Ｄに配列される複数の画素回路１Ｄにおいて、略同時に発光が開始され、略同時に高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２へと切り替わる。つまり、画面全体において同じタイミングで発光輝度の減衰が始まり、発光輝度が零に向けて徐々に減衰していく。【０１７０】
ところで、上述した第３実施形態に係る画像表示装置１００Ｃでは、時刻Ｔ２７で、電位Ｖydが、低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更されると、第３電極Ｅ４３と第１０電極Ｅ５０との間で保持されていた画素データ信号に応じた電位すなわち電荷が、第２トランジスタＱ４２を介して第３トランジスタＱ４３に徐々に流れていく。そして、第７電極Ｅ４７と第９電極Ｅ４９とに付与される電位が高まってから、第３トランジスタＱ４３が導通状態となり、第３電極Ｅ４３と第１０電極Ｅ５０との間で保持されていた電荷が、第３トランジスタＱ４３を介して徐々に接地電極に抜けていく。したがって、イールド線Ｌydの電位Ｖydを、低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更してから、実際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が減衰し始めるまでに若干の遅れが生じる。【０１７１】
これに対して、第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄでは、第３電極Ｅ６３と第９電極Ｅ６９とが直接電気的に接続されているため、時刻Ｔ２７になる前から、第３トランジスタＱ６３が導通状態にある。したがって、イールド線Ｌydの電位Ｖydを、低電位ＶgLから中電位ＶgMに変更すると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が直ぐに減衰し始める。つまり、第２トランジスタＱ６２のゲート電位の変更に応答して輝度減衰期間Ｐe２が素早く開始される。このように、第４実施形態に係る画像表示装置１００Ｄでは、イールド線Ｌydの電位Ｖydの変更に対する発光輝度の減衰の応答性が良い。【０１７２】
また、第３トランジスタＱ６３の第９電極Ｅ６９と第８電極Ｅ６８との間に生じる寄生容量を利用することで、第１コンデンサＣ６１の容量を低減することも可能である。【０１７３】
また、画素回路の小型化を図る上では、第２トランジスタＱ４２，Ｑ６２のサイズを必要最小限の大きさとすることが好ましい。但し、第３実施形態に係る画素回路１Ｃでは、第３トランジスタＱ４３のゲートである第９電極Ｅ４９と第１トランジスタＱ４１のゲートである第３電極Ｅ４３との間に第２トランジスタＱ４２が存在している。そして、この第２トランジスタＱ４２が小型であれば、第９電極Ｅ４９の電位が第３電極Ｅ４３の電位に反映されるまでにある程度の時間を要することになる。つまり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光開始からピーク輝度に達するまでにある程度の時間を要してしまい、発光輝度がピーク輝度まで到達して安定化する容易さ、いわゆるセトリング特性が悪いと言える。【０１７４】
これに対して、第４実施形態に係る画素回路１Ｄでは、第９電極Ｅ６９と第３電極Ｅ６３とが直接電気的に接続されている。このため、第９電極Ｅ６９の電位が第３電極Ｅ６３の電位に直ぐに反映され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光開始からピーク輝度に達するまでの時間が短縮化される。【０１７５】
＜変形例＞
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。【０１７６】
例えば、上記第１〜４実施形態に係る画素回路１Ａ〜１Ｄでは、第１〜４トランジスタＱ１〜Ｑ４，Ｑ２１〜Ｑ２４，Ｑ４１〜Ｑ４４，Ｑ６１〜Ｑ６４として、ｎ型のトランジスタを用いたが、これに限られず、ｐ型のトランジスタを用いて、画素回路を構成しても良い。なお、ｐ型のトランジスタを用いた画素回路を実現するためには、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの接続態様および電位の設定をそれぞれ逆転させれば良い。【０１７７】
また、上記実施形態では、有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置を挙げて説明したが、本発明の適用対象はこれに限られず、例えば、無機材料によって構成されたＥＬ素子など、電流量によって発光輝度が調整されるタイプ（電流制御型）の発光素子が配列された画像表示装置一般に本発明を適用しても良い。【０１７８】
また、上記第１〜４実施形態では、各フレームの発光期間の途中で、第２トランジスタＱ２，Ｑ２２，Ｑ４２，Ｑ６２によってゲート電圧Ｖgsが低下されることで、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが画素データ信号に応じた所定のピーク輝度で発光する高輝度期間Ｐe１から、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度がピーク輝度から減衰していく輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられたが、これに限られない。【０１７９】
例えば、画像表示装置が、表示パネルに配列される多数の画素回路が同時に点灯する方式（同時点灯方式）の画像表示装置である場合には、各フレームの発光期間の途中で、専用ドライバによって電源線の電位が異なる電位に変更されることにより、アノード電極と第２電極との間に印加される電位差が、異なる電位差に変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられても良い。また、各フレームの発光期間の途中で、Ｘドライバによって第１トランジスタのゲート電極に付与される電位（発光用電位）が異なる電位に変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられても良い。【０１８０】
○第１変形例に係る画像表示装置：
第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅは、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと比較して、画素回路１Ａを含む表示パネル１２１Ａが、異なる構成を有する画素回路１Ｅを含む表示パネル１２１Ｅに変更され、専用ドライバＳdＡが、異なる機能を有する専用ドライバＳdＥに変更され、制御部１１１Ａが、異なる制御を行う制御部１１１Ｅに変更されたものとなっている。その他の構成については、第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅは、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと同様な構成を有する。なお、ここでは、第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅのうち、第１実施形態に係る画像表示装置１００Ａと同様な構成については、同じ符号を付して説明を省略する。【０１８１】
図１２で示されるように、画素回路１Ｅは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、第１トランジスタＱ８１、第２トランジスタＱ８２、およびコンデンサＣ８１を備える。【０１８２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極Ｅaは、給電線のうちで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に高電位側となる電源線としてのＶDD線Ｌvdに対して電気的に接続される。一方、カソード電極Ｅcは、給電線のうちで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光時に低電位側となる電源線としてのＶSS線Ｌvsに対して第１トランジスタＱ８１を介して電気的に接続される。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発光時と逆の電圧が印加されるとコンデンサとして機能する。【０１８３】
第１トランジスタＱ８１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して電気的に直列に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにおける電流量を調整することで有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度を制御するトランジスタである。ここでは、第１トランジスタＱ８１は、第１実施形態に係る第１トランジスタＱ１と同様に、ｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。【０１８４】
そして、この第１トランジスタＱ８１は、第１〜３電極Ｅ８１〜Ｅ８３を有する。第１電極Ｅ８１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する際、すなわち有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際にドレインとして機能する。一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して逆方向に電流が流れる際には、逆にソースとして機能する。第２電極Ｅ８２は、ＶSS線Ｌvsに対して電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して順方向の電流が流れる際にソースとして機能する。一方、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して逆方向に電流が流れる際には、逆にドレインとして機能する。第３電極Ｅ８３は、いわゆるゲートであり、コンデンサＣ８１の一方の電極（第７電極Ｅ８７）に対して電気的に接続される。【０１８５】
また、第１トランジスタＱ８１では、第３電極Ｅ８３に印加される電位、より詳細には第１電極Ｅ８１または第２電極Ｅ８２と第３電極Ｅ８３との間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第１電極Ｅ８１と第２電極Ｅ８２との間において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第３電極Ｅ８３に印加される電位により、第１トランジスタＱ８１は、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。【０１８６】
第２トランジスタＱ８２は、第１トランジスタＱ８１が通電状態となる場合の、第１トランジスタＱ８１の第２電極Ｅ８２に対する第３電極Ｅ８３の電位の下限値（閾値Ｖth）を検出するとともに、第１トランジスタＱ８１のゲート電圧を、閾値Ｖthに調整するトランジスタである。なお、ここでは、第２トランジスタＱ８２も、第１トランジスタＱ８１と同様にｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。【０１８７】
この第２トランジスタＱ８２は、第４から第６電極Ｅ８４〜Ｅ８６を有する。第４電極Ｅ８４は、第１トランジスタＱ８１の第１電極Ｅ８１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極Ｅcとに対して導電可能に接続される。第５電極Ｅ８５は、接続点Ｔ１を介して第１トランジスタＱ８１の第３電極（ゲート）Ｅ８３とコンデンサＣ８１とに対して導電可能に接続される。第６電極Ｅ８６は、いわゆるゲートであり、走査信号線Ｌssに対して電気的に接続される。【０１８８】
また、第２トランジスタＱ８２では、第６電極Ｅ８６に印加される電位、より具体的には第４電極Ｅ８４または第５電極Ｅ８５と第６電極Ｅ８６との間（すなわちゲートとソースとの間）に印加される電圧値が調整されることで、第４電極Ｅ８４と第５電極Ｅ８５との間において流れる電流の量（電流量）が調整される。そして、この第６電極Ｅ８６に印加される電位により、第２トランジスタＱ８２は、ドレインとソースとの間において電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。【０１８９】
そして、第２トランジスタＱ８２は、発光前において各画素ごとに第１トランジスタＱ８１のゲート電圧を閾値Ｖthに合わせることで、第１トランジスタＱ８１における閾値Ｖthのばらつきを補償する機能（Ｖth補償機能）を実現する。【０１９０】
コンデンサＣ８１は、第１トランジスタＱ８１の第３電極Ｅ８３に対して電気的に接続される第７電極Ｅ８７と、画像信号線Ｌisに対して電気的に接続される第８電極Ｅ８８とを備える。【０１９１】
なお、ここでは、１つの画素回路１Ｅに着目して説明したが、表示パネル１２１Ｅ全体では、画素回路１Ｅが多数存在する。このため、走査信号線Ｌssも多数存在する。そこで、以下では、多数の走査信号線Ｌssを、適宜「第Ｎ走査信号線（Ｎは自然数）Ｌss」と称する。【０１９２】
画像表示装置１００Ｅで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図１３で示される駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図１３で示す駆動波形は、制御部１１１Ｅの制御下で実現される。【０１９３】
図１３では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)ＶDD線Ｌvdに印加される電位（電位Ｖdd）、(ｂ)ＶSS線Ｌvsに印加される電位（電位Ｖss）、(ｃ)第１走査信号線Ｌssに印加される信号の電位（電位Ｖls１）、(ｄ)第２走査信号線Ｌssに印加される信号の電位（電位Ｖls２）、(ｅ)画像信号線Ｌisに印加される信号の電位（電位Ｖlis）の波形が示されている。【０１９４】
なお、１回の発光に係る期間は、発光が行われず発光輝度を調整するための準備を行う準備期間Ｐp（時刻Ｔ３１〜Ｔ３６）と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが実際に発光する発光期間Ｐe（時刻Ｔ３６〜Ｔ３８）とを備える。更に、発光期間Ｐeは、初期〜中期にかけて徐々に輝度が増して比較的高輝度で発光する期間（高輝度期間）Ｐe１（時刻Ｔ３６〜Ｔ３７）と、中期〜終期にかけて徐々に発光輝度が減衰していく期間（輝度減衰期間）Ｐe２（時刻Ｔ３７〜Ｔ３８）とを含む。【０１９５】
まず、時刻Ｔ３１〜Ｔ３２では、ＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが、高電位ＶDDに設定される。また、ＶSS線Ｌvsの電位Ｖssが、高電位ＶDDに設定され、全走査信号線Ｌssに印加される電位ＶlsＮが、高電位ＶgHに設定され、画像信号線Ｌisに印加される信号の電位Ｖlisが、基準電位ＧＮＤに設定される。このとき、第２トランジスタＱ８２は導通状態となり、第１トランジスタＱ８１については、ＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとが略同電位であるため、第１トランジスタＱ８１が実質的に非導通状態（オフ状態）となる。そして、ＶDD線Ｌvdから第２トランジスタＱ８２を介してコンデンサＣ８１に向けて電流が流れ、コンデンサＣ８１に所定量の電荷が蓄積される。【０１９６】
次に、時刻Ｔ３２〜Ｔ３３では、ＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが、所定の負電位−Ｖpに設定される。また、ＶSS線Ｌvsの電位Ｖssが、基準電位ＧＮＤに設定され、全走査信号線Ｌssに印加される電位ＶlsＮが、低電位ＶgLに設定され、画像信号線Ｌisに印加される信号の電位Ｖlisが、正電位ＶdHに設定される。このとき、第２トランジスタＱ８２は非導通状態となる。一方、第１トランジスタＱ８１については、画像信号線Ｌisにおける正電位ＶdHの印加により、第３電極（ゲート）Ｅ８３に正電位ＶdHに応じた正電位が印加され、導通状態となる。そして、ＶDD線ＬvdよりもＶSS線Ｌvsの方がＶpだけ電位が高いため、ＶSS線Ｌvsから第１トランジスタＱ８１を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに向けて電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤにＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとの間の電位差に応じた所定量の電荷が蓄積される。【０１９７】
次に、時刻Ｔ３３〜Ｔ３４では、ＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが、基準電位ＧＮＤに設定される。また、ＶSS線Ｌvsの電位Ｖssが、基準電位ＧＮＤに維持され、全走査信号線Ｌssに印加される電位ＶlsＮが、高電位ＶgHに設定され、画像信号線Ｌisに印加される信号の電位Ｖlisが、正電位ＶdHに維持される。このとき、第２トランジスタＱ８２が導通状態となる。そして、第１トランジスタＱ８１については、時刻Ｔ３３〜Ｔ３４の初期では、コンデンサＣ８１に蓄積された電荷と画像信号線Ｌisに印加された正電位ＶdHにより、導通状態となる。したがって、コンデンサＣ８１に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサＣ８１から第２トランジスタＱ８２および第１トランジスタＱ８１を順次に介してＶSS線Ｌvsに向けて流れる。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに蓄積された電荷に伴う電流が、第１トランジスタＱ８１を介してＶSS線Ｌvsに向けて流れる。ところが、コンデンサＣ８１に蓄積された電荷に伴う電流が、コンデンサＣ８１からＶSS線Ｌvsに向けて流れるにつれて、コンデンサＣ８１に蓄積された電荷が減少する。このため、第１トランジスタＱ８１の第２電極Ｅ８２に対する第３電極Ｅ８３の電位（ゲート電圧）Ｖgsが実質的に閾値Ｖthまで減少すると、第１トランジスタＱ８１が非導通状態となる。このとき、コンデンサＣ８１には、閾値Ｖthに応じた電荷が蓄積された状態となる。したがって、時刻Ｔ３３〜Ｔ３４では、閾値Ｖthに応じた電荷がコンデンサＣ８１に蓄積されて、画素ごとに異なる閾値Ｖthのばらつきが補償される。【０１９８】
次に、時刻Ｔ３４〜Ｔ３５では、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ基準電位ＧＮＤが印加されるとともに、画素データ信号に応じた電荷の蓄積を行う処理（データ書込処理）の対象画素において、走査信号線Ｌssに高電位ＶgHが印加され、画像信号線Ｌisに電位（ＶdH−Ｖdata）が印加される。なお、電位Ｖdataは、画素データ信号の電位であり、画像を構成する画素の輝度の階調に対応する値に応じた電位である。このとき、第２トランジスタＱ８２については、走査信号線Ｌssによるゲートへの高電位ＶgHの印加により、導通状態となる。一方、第１トランジスタＱ８１については、画像信号線Ｌisに対して、時刻Ｔ３３〜Ｔ３４における正電位ＶdH以下の電位（ＶdH−Ｖdata）が印加され、ゲート電圧が閾値Ｖth以下となるため、非導通状態となる。したがって、時刻Ｔ３４〜Ｔ３５では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤから第２トランジスタＱ８２を介してコンデンサＣ８１に向けて電流が流れる。その結果、コンデンサＣ８１に既に蓄積された閾値Ｖthに応じた電荷の上に電位Ｖdataに応じた電荷が加算されて蓄積される。【０１９９】
次に、時刻Ｔ３５〜Ｔ３６では、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsにそれぞれ所定の負電位−Ｖpが印加され、全走査信号線Ｌssに低電位ＶgLが印加され、画像信号線Ｌisに正電位ＶdHが印加される。このとき、第２トランジスタＱ８２が非導通状態となり、第１トランジスタＱ８１が導通状態となる。そして、ＶDD線ＬvdとＶSS線Ｌvsとの間に電位差がなく、ＶSS線Ｌvsが負電位−Ｖpに設定されているため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに蓄積された電荷が、ＶSS線Ｌvsに抜けて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに蓄積された電荷が一掃される。【０２００】
次に、時刻Ｔ３６〜Ｔ３７では、ＶDD線Ｌvdに正の高電位ＶDDが印加される一方で、ＶSS線Ｌvsに基準電位ＧＮＤが印加されるとともに、走査信号線Ｌssに低電位ＶgLが印加され、画像信号線Ｌisに正電位ＶdHが印加される。このとき、第２トランジスタＱ８２が非導通状態となる。一方、第１トランジスタＱ８１については、画像信号線Ｌisに対して正電位ＶdHが印加されるため、時刻Ｔ３５〜Ｔ３６においてコンデンサＣ８１に蓄積された電荷量（電位Ｖdataに応じた電荷量）に応じた電位分だけ第１トランジスタＱ８１のゲート電圧Ｖgsが閾値Ｖthよりも高くなり、導通状態となる。そして、ＶDD線ＬvdがＶSS線Ｌvsよりも電位ＶDD分だけ高電位であり、第１トランジスタＱ８１が電位Ｖdataに応じた電流が流れる導通状態となる。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに対して電位Ｖdataに応じた電流が流れる。その結果、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが電位Ｖdataに応じた輝度で発光する。ここでは、専用ドライバＳdＥが、ＶDD線ＬvdおよびＶSS線Ｌvsに付与する電位を制御することにより、第３電極Ｅ８３の電位が発光用電位に設定された状態で、アノード電極Ｅaと第２電極Ｅ８２との間に所定の電位差が印加され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。【０２０１】
そして、時刻Ｔ３７〜Ｔ３８では、制御部１１１Ｅの制御下で、専用ドライバＳdＥにより、時間の経過とともにＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが、高電位ＶDDから基準電位ＧＮＤに徐々に近づくように低下される。このとき、第１トランジスタＱ８１の第１電極Ｅ８１と第２電極Ｅ８２との間を流れる電流量が徐々に低下していき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。【０２０２】
○第２変形例に係る画像表示装置：
第２変形例に係る画像表示装置１００Ｆは、第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅと比較して、制御部１１１Ｅが、異なる制御を行う制御部１１１Ｆに変更されたものとなっている。その他の構成については、第２変形例に係る画像表示装置１００Ｆは、第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅと同様な構成を有する。なお、ここでは、第２変形例に係る画像表示装置１００Ｆのうち、第１変形例に係る画像表示装置１００Ｅと同様な構成については、同じ符号を付して説明を省略する。【０２０３】
画像表示装置１００Ｆで動画などを構成する複数フレームを時間的に連続して表示する場合には、図１４で示される駆動波形がフレーム数に応じた回数分、時間順次に繰り返される。なお、図１４で示す駆動波形は、制御部１１１Ｆの制御下で実現される。なお、第２変形例に係るタイミングチャート（図１４）では、第１変形例に係るタイミングチャート（図１３）と比較して、時刻Ｔ３７以降の駆動波形が異なっている。したがって、ここでは、時刻Ｔ３７以降の駆動波形について説明する。【０２０４】
時刻Ｔ３７〜Ｔ３８では、制御部１１１Ｆの制御下で、ＸドライバＸdＡにより、ＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが高電位ＶDDに維持されるとともに、時間の経過とともに画像信号線Ｌisに印加される信号の電位Ｖlisが、正電位ＶdHから基準電位ＧＮＤに徐々に近づくように低下される。このとき、第３電極Ｅ８３に付与される電位が徐々に低下するため、第１トランジスタＱ８１の第１電極Ｅ８１と第２電極Ｅ８２との間を流れる電流量が徐々に低下していき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度が徐々に減衰していく。【０２０５】
なお、ここでは説明を省略するが、第１変形例の制御と、第２変形例の制御とを組み合わせた構成を採用しても良い。例えば、同時点灯方式の画像表示装置において、各フレームの発光期間の途中で、専用ドライバＳdＥによってＶDD線Ｌvdの電位Ｖddが異なる電位に変更されるとともに、ＸドライバＸdＡによって発光用電位が異なる電位に変更されることで、高輝度期間Ｐe１から輝度減衰期間Ｐe２に切り替えられても良い。【０２０６】
＜その他＞
以上説明したように、本発明は、発光期間の途中における、電源線の電圧（電源電圧）の変更、画像信号線の電圧（データ電圧）の変更、画素データ信号に対応する電圧を保持するコンデンサの放電等の各種手法によって、電圧の印加に応答して迅速に発光を行う発光素子において発光輝度がゆっくり且つ徐々に減衰して、消灯されるものである。【０２０７】
ところで、表示パネルを構成する発光素子の材料を、発光素子に対する電圧の印加を停止させることで、自然に発光輝度を徐々に減衰させる手法が考えられる。しかしながら、仮に、表示パネルを構成する各色（例えば、赤、緑、青など）の光を発する発光素子の材料を、発光素子に対する電圧の印加の停止に応じて自然に発光輝度が減衰する材料とした場合には、各色の発光素子における点灯および消灯の特性が異なる。このため、このような条件下で、発光素子の発光輝度を自然に減衰させた場合には、各色の発光素子の消灯等の速度が不揃いとなり、画質の低下を招く。【０２０８】
これに対して、本発明では、発光期間の途中における、電源線の電圧（電源電圧）の変更、画像信号線の電圧（データ電圧）の変更、画素データ信号に対応する電圧を保持するコンデンサの放電等の各種手法によって、各色の発光素子における点灯および消灯の特性に拘わらず、発光素子の発光輝度の減衰のカーブを所望のカーブに設定することができる。例えば、速く消灯する傾向のある発光材料については、この消灯に要する時間を延ばし、ゆっくりと消灯する傾向のある発光材料については、この消灯に要する時間を短縮するといった調整が可能となる。したがって、本発明によれば、各色の発光素子の消灯等の速度が揃うため、パネルの劣化を抑制しつつ、人間の目に明瞭でかつ明るく感じさせる高品質の動画を再生させることが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年4月21日(2010.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、第１の態様に係る画像表示装置は、流れる電流によって発光輝度が調節される発光素子と、前記発光素子が第１輝度で発光する高輝度期間から、前記発光素子の発光輝度が前記第１輝度から第２輝度まで減衰していく輝度減衰期間に切り替える制御部とを備える。また、該画像表示装置は、付与される電位によって前記発光素子に流れる電流を調整する第１トランジスタと、前記第１トランジスタに付与されている電位を調整する第２トランジスタとを備える。そして、該画像表示装置では、前記発光素子が発光を開始した時点から該発光素子の発光輝度が前記第１輝度に到達するまでの時間が、前記輝度減衰期間の前記第１輝度から前記第２輝度に減衰するまでの時間よりも短い。更に、該画像表示装置では、前記制御部が、前記発光素子の発光のために、前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を第１から第３電位に所定の順序で設定し、且つ前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を前記第１電位から前記第１電位と前記第３電位との間の電位である第２電位に変更することで、前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流れる電流によって発光輝度が調節される発光素子と、
前記発光素子が第１輝度で発光する高輝度期間から、前記発光素子の発光輝度が前記第１輝度から第２輝度まで減衰していく輝度減衰期間に切り替える制御部と、
付与される電位によって前記発光素子に流れる電流を調整する第１トランジスタと、
前記第１トランジスタに付与されている電位を調整する第２トランジスタと、を備え、
前記発光素子が発光を開始した時点から該発光素子の発光輝度が前記第１輝度に到達するまでの時間が、前記輝度減衰期間の前記第１輝度から前記第２輝度に減衰するまでの時間よりも短く、
前記制御部が、
前記発光素子の発光のために、前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を第１から第３電位に所定の順序で設定し、且つ前記第２トランジスタのゲートに付与される電位を前記第１電位から前記第１電位と前記第３電位との間の電位である第２電位に変更することで、前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替えることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記第１トランジスタの閾値電圧をＶth、前記発光素子の発光輝度に対応する信号電位をＶdt、前記輝度減衰期間において前記発光輝度が前記第１輝度から該第１輝度の１／ｅに至るまでの時間をＴ、および前記輝度減衰期間の開始からの経過時間をｔ、前記輝度減衰期間における前記第１トランジスタのソースを基準としたソースとゲートとの間の電位差をＶgsとしたとき、下式(Ｉ)の関係を満たすことを特徴とする画像表示装置。
(Ｉ)Ｖgs＝Ｖth＋Ｖdt×ｅｘｐ-t/T
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像表示装置であって、
複数の画素回路、を備え、
各前記画素回路が、
前記発光素子と、前記第１および第２トランジスタとを有し、
前記制御部が、
前記複数の画素回路において、略同時に前記高輝度期間から前記輝度減衰期間に切り替えることを特徴とする画像表示装置。
【国際調査報告】
2009104492.tif 000017
2009104492.tif 000018
2009104492.tif 000019
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