(57)【要約】  本発明の目的の第一は、光半導体を封止するための樹脂組成物であって、良好な硬化性を有し、かつ貯蔵安定性に優れた封止樹脂層の原料；好ましくはさらに耐候性に優れた封止樹脂層の原料を提供することである。本発明の第一の形態の光半導体用の面封止剤は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）とを含み、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである。
2012176472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、
Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）と、
を含み、
Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである、光半導体用の面封止剤。
【請求項２】
前記アニオン性配位子の価数が前記金属イオンの価数より小さく、かつ
前記アニオン性配位子の半径が２．０Å以上である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項３】
前記３級アミンが、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【化１】
2012176472.tif 000050
（一般式（１）において、
Ｒ１は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す）
【化２】
2012176472.tif 000051
（一般式（２）において、
ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化３】
2012176472.tif 000052
（一般式（３）において、
ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化４】
2012176472.tif 000053
（一般式（４）において、
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化５】
2012176472.tif 000054
（一般式（５）において、
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化６】
2012176472.tif 000055
（一般式（６）において、
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【請求項４】
前記アニオン性配位子が、Ｏ、Ｓ、Ｐからなる群から選ばれ、前記金属イオンに結合しうる原子を２以上有し、かつ前記金属イオンに配位して３〜７員環を形成しうるものである、請求項２に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項５】
前記３級アミンが、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であり、かつ
前記アニオン性配位子が、下記一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物である、請求項３に記載の光半導体用の面封止剤。
【化７】
2012176472.tif 000056
（一般式（７Ａ）において、
ＲＤ１は、フリーまたは水素基であり、
ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基である）
【請求項６】
前記面封止剤の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、前記３級アミン単独の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上移動するピークを含む、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項７】
前記金属イオンに対する前記３級アミンのモル比が、０．５〜６．０である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項８】
前記カルボキシレート化合物が、２−エチルヘキサン酸、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸、安息香酸およびナフテン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項５に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項９】
前記３級アミンが、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンからなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１０】
１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、下記一般式（１１）または（１２）で表される硬化促進剤（ｂ２）とを含み、
Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰａ・ｓである、光半導体用の面封止剤。
【化８】
2012176472.tif 000057
（一般式（１１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示すが；但し、Ｒ１が水素基である場合は、Ｒ２およびＲ４のいずれか一方または両方がアリール基である）
【化９】
2012176472.tif 000058
（一般式（１２）において、ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４は、それぞれ独立に、水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基、ジメチルアミノメチル基を示すが；但し、ＲＡ１，ＲＡ２，ＲＡ３およびＲＡ４の１つ以上はジメチルアミノメチル基である）
【請求項１１】
前記一般式（１１）において、Ｒ１が、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す、請求項１０に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１２】
前記光半導体用の面封止剤は、前記金属錯体（ｂ１）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．３となる範囲で含む、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１３】
前記光半導体用の面封止剤は、前記硬化促進剤（ｂ２）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．１５２となる範囲で含む、請求項１０に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１４】
前記光半導体用の面封止剤は、酸無水物を、酸無水物基／エポキシ基の当量比が０．８〜１．２となる範囲でさらに含む、請求項１または１０に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１５】
含水率が０．１重量％以下である、請求項１または１０に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１６】
有機ＥＬ素子用の面封止剤である、請求項１または１０に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１７】
基板上に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記有機ＥＬ素子を、請求項１または１０に記載の面封止剤で覆う第２の工程と、
前記面封止剤を硬化させた硬化物で、前記有機ＥＬ素子を面封止する第３の工程と、
前記有機ＥＬ素子を面封止する前記硬化物上に、パッシベーション膜を成膜する第４の工程と、を含む、有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１８】
有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と接触しており、前記有機ＥＬ素子を面封止している請求項１または１０に記載の面封止剤の硬化物からなる硬化物層と、
前記硬化物層と接するパッシベーション層と、を含む有機ＥＬデバイス。
【請求項１９】
有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を面封止しており、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されるスペクトルにおいて、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属原子に由来するピークと、窒素原子に由来するピークとが検出され、検出される前記金属原子と前記窒素原子とのモル比が、前記金属原子：前記窒素原子＝１：０．５〜１：６．０であり、かつ前記金属原子の含有量が０．５〜１５質量％であるエポキシ樹脂組成物の硬化物層と、
前記硬化物層と接するパッシベーション層と、を含む、有機ＥＬデバイス。
【請求項２０】
請求項１８に記載の有機ＥＬデバイスを有する、有機ＥＬディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体用の面封止剤、それを用いた有機ＥＬデバイスの製造方法、有機ＥＬデバイスおよび有機ＥＬディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は光半導体デバイスであり、液晶のバックライトや、自発光性の薄型平面表示デバイスとして期待されている。しかしながら有機ＥＬ素子は、水分や酸素に触れると極めて劣化しやすい。つまり、金属電極と有機物ＥＬ層との界面が水分の影響で剥離してしまったり、金属が酸化して高抵抗化してしまったり、有機ＥＬ素子の発光層に含まれる発光材などが水分によって変質してしまったりする。このようなことから、有機ＥＬ素子が発光しなくなったり、輝度が低下してしまったりするという欠点がある。また、無機ＬＥＤなどの光半導体においても、光半導体に接続される電気回路などが水分等と接触することで劣化する場合がある。【０００３】
そこで有機ＥＬ素子などの光半導体を、水分や酸素から保護する方法が多数報告されている。その手法の一つとして、有機ＥＬ素子に（Ａ）グリシジル基を有する化合物と（Ｂ）酸無水物硬化剤とを主成分とする有機ＥＬ封止剤層を積層して（面封止して）、さらにガラスもしくはフィルムをはり合わせる手法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。【０００４】
また、有機ＥＬ素子は、水分や酸素などによって劣化しやすいため、樹脂からなる樹脂層と、無機化合物からなる無機化合物層と、を有する積層膜で封止することが多い。有機ＥＬ素子の積層膜による封止は、１）有機ＥＬ素子を無機化合物層で覆ったのちに、さらに樹脂層で覆う方法と、２）有機ＥＬ素子を樹脂層で覆ったのちに、さらに無機化合物層で覆う方法（特許文献２を参照）とがある。【０００５】
ところで、フォトセンサやＬＥＤなどの封止剤として、Ｚｎ（ＣｎＨ２ｎ＋１ＣＯＯ）２で表される化合物と、イミダゾール化合物とを硬化促進剤として含むエポキシ樹脂組成物が提案されている（例えば特許文献３）。また、パウダーコーディング材として、亜鉛などの金属イオンに、アミン化合物とカルボキシレートがそれぞれ配位した金属錯体を含む組成物なども提案されている（例えば特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−７０２２１号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２３６４号公報
【特許文献３】特開平１０−４５８７９号公報
【特許文献４】国際公開第２００６／０２２８９９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光半導体の面封止剤の粘度が貯蔵条件下で大きく変動すると、光半導体の封止条件を面封止剤の粘度の変化に応じて調整しなくてはならず、光半導体デバイスの製造効率が低下するという問題があった。逆に、面封止剤の貯蔵安定性を向上させると、光半導体を封止する際に、面封止剤が硬化しにくくなる傾向があり、硬化時間が長くなるため、光半導体デバイスの製造効率が低下するという問題があった。【０００８】
また、光半導体、特に有機ＥＬデバイスなどの発光する光半導体は、携帯用電子機器や照明器具などとして使用される場合、長時間日光に曝されるため、耐候性が必要とされる。特に、有機ＥＬ素子用の面封止剤の硬化物が日光などに曝されることで変色すると、トップエミッション型の有機ＥＬデバイスの場合は、光取り出し効率が低下し、また意匠性が悪化するという問題があった。また、バックエミッション型の有機ＥＬデバイスにおいても、意匠性が悪化するという問題があった。【０００９】
これに対して特許文献３の組成物は、硬化性が十分でない場合があった。また、特許文献４の組成物は、貯蔵安定性は比較的改善されうるが、粘度が高いと考えられるため、封止剤としては適さないと考えられる。【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的の第一は、光半導体を封止するための樹脂組成物であって、良好な硬化性を有し、かつ貯蔵安定性に優れた封止樹脂層の原料；好ましくはさらに耐候性に優れた封止樹脂層の原料を提供することである。本発明の目的の第二は、光半導体を封止するための樹脂組成物であって、耐候性に優れた封止樹脂層の原料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第一は、以下の光半導体用の面封止剤に関する。
［１］１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）と、を含み、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである、光半導体用の面封止剤。
［２］  前記アニオン性配位子の価数が前記金属イオンの価数より小さく、かつ前記アニオン性配位子の半径が２．０Å以上である、［１］に記載の光半導体用の面封止剤。
［３］  前記３級アミンが、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物である、［１］または［２］に記載の光半導体用の面封止剤。
【化１】
2012176472.tif 000003
（一般式（１）において、Ｒ１は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す）
【化２】
2012176472.tif 000004
（一般式（２）において、ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化３】
2012176472.tif 000005
（一般式（３）において、ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化４】
2012176472.tif 000006
（一般式（４）において、ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化５】
2012176472.tif 000007
（一般式（５）において、ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化６】
2012176472.tif 000008
（一般式（６）において、ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
［４］  前記アニオン性配位子が、Ｏ、Ｓ、Ｐからなる群から選ばれ、前記金属イオンに結合しうる原子を２以上有し、かつ前記金属イオンに配位して３〜７員環を形成しうるものである、［１］〜［３］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［５］  前記３級アミンが、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であり、かつ前記アニオン性配位子が、下記一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物である、［３］に記載の光半導体用の面封止剤。
【化７】
2012176472.tif 000009
（一般式（７Ａ）において、ＲＤ１は、フリーまたは水素原子であり、ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基である）
［６］  前記面封止剤の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、前記３級アミン単独の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトに対して０．１ｐｐｍ以上移動するピークを含む、［１］〜［５］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［７］  前記金属イオンに対する前記３級アミンのモル比が、０．５〜６．０である、［１］〜［６］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［８］  前記カルボキシレート化合物が、２−エチルヘキサン酸、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸、安息香酸およびナフテン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、［５］に記載の光半導体用の面封止剤。
［９］  前記３級アミンが、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンからなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、［１］〜［８］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。【００１２】
本発明の第二は、以下の光半導体用の面封止剤に関する。
［１０］  １分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、下記一般式（１１）または（１２）で表される硬化促進剤（ｂ２）とを含み、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰａ・ｓである、光半導体用の面封止剤。
【化８】
2012176472.tif 000010
（一般式（１１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示すが；但し、Ｒ１が水素基である場合は、Ｒ２およびＲ４のいずれか一方または両方がアリール基である）
【化９】
2012176472.tif 000011
（一般式（１２）において、ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４は、それぞれ独立に、水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基、ジメチルアミノメチル基を示すが；但し、ＲＡ１，ＲＡ２，ＲＡ３およびＲＡ４の１つ以上はジメチルアミノメチル基である）
［１１］  前記一般式（１１）において、Ｒ１が、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す、［１０］に記載の光半導体用の面封止剤。【００１３】
［１２］  前記光半導体用の面封止剤は、前記金属錯体（ｂ１）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．３となる範囲で含む、［１］〜［９］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［１３］  前記光半導体用の面封止剤は、前記硬化促進剤（ｂ２）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．１５２となる範囲で含む、［１０］または［１１］に記載の光半導体用の面封止剤。
［１４］  前記光半導体用の面封止剤は、酸無水物を、酸無水物基／エポキシ基の当量比が０．８〜１．２となる範囲でさらに含む、［１］〜［１３］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［１５］  含水率が０．１重量％以下である、［１］〜［１４］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［１６］  有機ＥＬ素子用の面封止剤である、［１］〜［１５］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。【００１４】
本発明の第三は、以下の有機ＥＬデバイスの製造方法等に関する。
［１７］  基板上に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、前記有機ＥＬ素子を、［１］〜［１６］のいずれかに記載の面封止剤で覆う第２の工程と、前記面封止剤を硬化させた硬化物で、前記有機ＥＬ素子を面封止する第３の工程と、前記有機ＥＬ素子を面封止する前記硬化物上に、パッシベーション膜を成膜する第４の工程と、を含む、有機ＥＬデバイスの製造方法。
［１８］  有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子と接触しており、前記有機ＥＬ素子を面封止している［１］〜［１６］のいずれかに記載の面封止剤の硬化物からなる硬化物層と、前記硬化物層と接するパッシベーション層と、を含む有機ＥＬデバイス。
［１９］  有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子を面封止しており、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されるスペクトルにおいて、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属原子に由来するピークと、窒素原子に由来するピークとが検出され、前記検出される金属原子と窒素原子とのモル比が、前記金属原子：前記窒素原子＝１：０．５〜１：６．０であり、かつ前記金属原子の含有量が０．５〜１５質量％であるエポキシ樹脂組成物の硬化物層と、前記硬化物層と接するパッシベーション層と、を含む、有機ＥＬデバイス。
［２０］  ［１８］または［１９］に記載の有機ＥＬデバイスを有する、有機ＥＬディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の第一の形態の面封止剤は、良好な硬化性を有し、かつ貯蔵安定性に優れている。そのため、有機ＥＬ素子などの光半導体の封止条件をある程度一定にすることができ、光半導体の製造効率を高めることができる。また、本発明の第二の形態の面封止剤を用いることで、光半導体の封止膜の耐光性を高めることができ、例えばその透明性を維持することができる。そのため、有機ＥＬ素子などの光半導体が発光する光を高効率に取り出すことができたり、意匠性を維持したりすることができる。また、光半導体に入射する光を大きく減衰させことなく光半導体に取り込むことができる。よって、特に、有機ＥＬ素子の輝度の向上などが実現される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】面封止型の有機ＥＬデバイスの断面を模式的に示す図である。
【図２】面封止型の有機ＥＬデバイスの製造プロセスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
１．エポキシ樹脂組成物について
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（ａ）と、アミン化合物（ｂ）とを含み；さらに、酸無水物（ｃ）などを含みうる。本発明のエポキシ樹脂組成物は、例えば面封止剤、透明フィル剤などの用途；好ましくは面封止剤として用いられうる。なお、透明フィル剤とは、例えば、タッチパネルなどの基板と液晶パネルなどの画像表示装置の間を埋める透明性が要求される材料のことをいう。以下、本発明のエポキシ樹脂組成物が面封止剤として用いられる例で説明する。本発明の面封止剤には、後述する第一または第二の形態の面封止剤が含まれる。
【００１８】
エポキシ樹脂（ａ）について
本発明の面封止剤に含まれるエポキシ樹脂（ａ）は、１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であればよく、分子量などは特に限定されず、分子量分布がないエポキシ樹脂も、分子量分布があるエポキシ樹脂も用いることができる。
【００１９】
１分子内に２個のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の例には、ハイドロキノンジグリシジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、１,４-ブタンジオールジグリシジルエーテル、１,６-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジオールジグリシジルエーテル、１,６-ナフタレンジオールジグリシジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテルなどが含まれる。
【００２０】
１分子内に３個以上のエポキシ基を有する化合物の例には、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ、クレゾールノボラック型エポキシなどが含まれる。
【００２１】
また、エポキシ樹脂は、エポキシ基を有するポリマーまたはオリゴマーを含有していてもよい。エポキシ基を有するポリマーまたはオリゴマーは、特に限定されるわけではないが、エポキシ基を有するビニルモノマーなどを重合して得られる。エポキシ基を有するビニルモノマーの例には、グリシジル（メタ）アクリレート、３,４-エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレートなどの（メタ）アクリレート系モノマーが好ましい。
【００２２】
エポキシ樹脂は、エポキシ基を有するビニルモノマーと、他のビニルモノマーなどとの共重合ポリマーまたはオリゴマーでもよい。他のビニルモノマーの例には、（メタ）アクリレート類が挙げられる。（メタ）アクリレート類のエステル基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ターシャルブチル基、２-エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、イソボロニル基、ラウリル基、ミリスチル基などの、直鎖構造、分岐構造を問わず、非官能性アルキルエステルが好ましい。さらにエポキシ樹脂は、エポキシ基を有するビニルモノマーと、スチレン、α-メチルスチレン、酢酸ビニルなどとの共重合ポリマーであってもよい。
【００２３】
本発明の面封止剤に含まれるエポキシ樹脂（ａ）の好ましい具体例には、四官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ａ-ａ）、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（ａ-ｂ）、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（ａ-ｃ）、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ａ-ｄ）、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（ａ-ｅ）、フルオレン型エポキシ樹脂（ａ-ｆ）、ビスフェノール型３官能エポキシ樹脂（ａ-ｇ）などが含まれる。各エポキシ樹脂の例を以下に構造式で示す。
【化１０】
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【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
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【化１４】
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【化１５】
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【化１６】
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【００２４】
エポキシ樹脂（ａ-ａ）〜（ａ-ｇ）は嵩高い基（アリール基）を有しているので、これらエポキシ樹脂を含む樹脂硬化物の耐熱性が向上しやすい。また、これらエポキシ樹脂を含む樹脂硬化物は、透明性が高まりやすく、接着性も高まりやすい。さらに、これらのエポキシ樹脂を含む面封止剤の粘度は、所望の範囲（Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰａ・ｓ）に調整されやすい。そのため、本発明の面封止剤は、スクリーン印刷などで成膜しやすい。
【００２５】
ところが一方で、これらの嵩高い基を有するエポキシ樹脂を含む樹脂硬化物は、プラズマに曝されることで透明性が低下して、ヘイズ上昇が生じやすい。これに対して、特定のアミン化合物（ｂ２）を配合した本発明の面封止剤は、その樹脂硬化物の透明性の低下やヘイズ上昇が抑制されている。
【００２６】
本発明の面封止剤は、粘度を後述する範囲に調整しやすくするために、エポキシ樹脂（ａ）として、少なくとも低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）を含むことが好ましい。また、本発明の面封止剤に、必要に応じて高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）をさらに添加することで、シート状などの面封止成形物を得ることもできる。
【００２７】
低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）とは、重量平均分子量が２００〜８００であるエポキシ樹脂であり；好ましくは重量平均分子量が３００〜７００であるエポキシ樹脂であればよい。「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ポリスチレンを標準物質とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される。
【００２８】
エポキシ樹脂（ａ-１）の例には、ビスフェノール型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物などが含まれる。ビスフェノール型エポキシ化合物の例には、一般式（Ｘ）で表される化合物が含まれ、好ましい例には、一般式（Ｘ'）で表される化合物が含まれる。
【化１７】
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【００２９】
一般式（Ｘ）において、Ｘは、単結合、メチレン基、イソプロピリデン基、−Ｓ−、又は−ＳＯ２−を示し；Ｒ１は、それぞれ独立して炭素数が１〜５のアルキル基を示し、ｎは、２以上の整数を示し、Ｐは、０〜４の整数を示す。
【００３０】
フェノール誘導体とエピクロロヒドリンとをモノマー成分として含むオリゴマーのフェノール誘導体の例には、ビスフェノール、水素化ビスフェノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなどが含まれる。
【００３１】
低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）の好ましい例には、ビスフェノール型エポキシ化合物、またはビスフェノールとエピクロロヒドリンとをモノマー成分とするオリゴマーが含まれ、より好ましくは前記一般式（Ｘ）において、繰り返し数ｎが２〜４であるオリゴマーである。これは、後述する面封止成形物を得る際に、本発明の面封止剤に、さらに任意に配合されうる高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）との親和性が高いからである。低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）に含まれる繰り返し構造単位は、高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）に含まれる繰り返し構造単位と同じであっても、異なってもよい。
【００３２】
低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）のエポキシ当量は、１００〜８００ｇ／ｅｑであることが好ましい。
【００３３】
本発明の封止用組成物に含まれる低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）は、主に、素子に熱圧着する際の封止用シートの流動性を高めて素子への密着性を高める機能を有する。
【００３４】
本発明の面封止剤を用いて、シート状などの面封止成形物を得ることもできる。面封止成形物には、高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）と、低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）とのいずれか一方または両方が含まれていてもよい。
【００３５】
高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）の例には、フェノール樹脂とエピクロロヒドリンとをモノマー成分として含む樹脂又はオリゴマーが含まれ、好ましくはオリゴマーである。フェノール樹脂とは、ナフトール樹脂などのヒドロキシアリール系樹脂を含む。高分子量のフェノール型エポキシ樹脂（ａ-２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３×１０３〜２×１０４であり、好ましくは３×１０３〜７×１０３である。「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ポリスチレンを標準物質とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される。
【００３６】
エポキシ樹脂（ａ-２）の重量平均分子量（Ｍｗ）を上記の数値範囲とすることで、接着力が強く、透湿度の低い封止膜を作製する面封止成形物を得ることができる。また、重量平均分子量（Ｍｗ）が上記の数値範囲であるエポキシ樹脂（ａ-２）を含む面封止剤は、塗工しやすく、かつシート状に成膜しやすい。
【００３７】
エポキシ樹脂（ａ-２）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、過剰に高くなく、適切に制御されている。このため、本発明の面封止剤を硬化させた硬化物（封止部材）は、透湿性が低く、接着力が高い。
【００３８】
エポキシ樹脂（ａ-２）は、フェノール樹脂とエピクロロヒドリンとをモノマー成分とするオリゴマーであることが好ましい。エポキシ樹脂（ａ-２）のモノマー成分の全てをフェノール樹脂とエピクロロヒドリンとしてもよいし、モノマー成分の一部をフェノール樹脂とエピクロロヒドリン以外の化合物（コモノマー成分）としてもよい。モノマー成分の一部を上記コモノマー成分とすることで、得られるエポキシ樹脂（ａ-２）の重量平均分子量（Ｍｗ）を所望の値に制御しやすくなる。エポキシ樹脂（ａ-２）のモノマー成分を適切に選択することにより、封止用組成物の塗膜表面の平滑性を向上させることができる。
【００３９】
エポキシ樹脂（ａ-２）のエポキシ当量は、５００〜１００００ｇ／ｅｑであることが好ましい。
【００４０】
本発明の面封止成形物に含まれるエポキシ樹脂における、高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）と、低分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）の割合は特に限定されず、所望の粘度が実現できるように組成を調整することが好ましい。高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）の含有量が多過ぎると、硬化物（シール部材）の透湿度が高くなる傾向にある。また、有機ＥＬ素子等に圧着させる際の流動性が低くなり、封止用シートと有機ＥＬ素子等との間に隙間が形成されやすくなる。一方、高分子量のエポキシ樹脂（ａ-１）の含有量が少な過ぎると、ハンドリング性が低下するおそれがある。
【００４１】
アミン化合物（ｂ）
本発明の面封止剤に含まれるアミン化合物（ｂ）は、３級アミンの金属錯体（ｂ１）または特定のアミン化合物（ｂ２）でありうる。これらのアミン化合物（ｂ）は、硬化促進剤として機能しうる。
【００４２】
即ち、本発明の第一の形態の面封止剤は、３級アミンの金属錯体（ｂ１）を含む。３級アミンの金属錯体（ｂ１）は、金属イオンと、当該金属イオンに配位する３級アミンと、当該金属イオンに配位またはイオン結合するアニオン性配位子とを含む。
【００４３】
金属錯体（ｂ１）における金属イオンは、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる金属イオンであればよい。面封止剤の透明性を向上させるという観点からはＺｎが好ましい。また金属錯体（ｂ１）が２以上の金属イオンを含む場合、そのうち少なくとも１つの金属イオンが、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒから選ばれる金属イオンであればよい。
【００４４】
金属錯体（ｂ１）における３級アミンは、貯蔵条件下での３級アミンの反応性を低下させるためには、金属イオンと錯体を形成でき、かつＮ−Ｈ結合を有しないことが好ましい。また、金属錯体（ｂ１）における３級アミンの分子量は、６５〜３００であることが好ましい。３級アミンの分子量が大きすぎると、金属錯体（ｂ１）の面封止剤への溶解性が低下したり、触媒活性が低下したりすることがあるからである。
【００４５】
金属錯体（ｂ１）における３級アミンは、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。これらの化合物は、環を構成する窒素原子上に共役系の電子雲が集まり、金属イオンと安定に錯体を形成しやすいと考えられる。また、後述するように、これらの化合物を含む面封止剤の硬化物層は、プラズマ処理されても透明性の低下やヘイズ上昇が少なく、良好なプラズマ耐性や耐候性を有すると考えられる。
【化１８】
2012176472.tif 000020
【００４６】
一般式（１）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基である。炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００４７】
Ｒ１は、水素原子以外の置換基（脂肪族炭化水素基、アリール基、水酸基またはシアノエチル基）である。Ｒ１が他の置換基である場合と比較して、Ｒ１が水素原子であると、面封止剤の硬化物からなる封止層が、プラズマなどに曝されることで透明性が低下することがあるからである。
【００４８】
一般式（１）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール、２-フェニル-４-メチルイミダゾールなどが含まれる。
【化１９】
2012176472.tif 000021
【００４９】
一般式（２）において、ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から適宜選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい。
【００５０】
炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００５１】
一般式（２）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エンが含まれる。
【化２０】
2012176472.tif 000022
【００５２】
一般式（３）において、ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から適宜選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい。
【００５３】
炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００５４】
一般式（３）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンが含まれる。
【化２１】
2012176472.tif 000023
【００５５】
一般式（４）において、ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい。
【００５６】
炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００５７】
一般式（４）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の下記式（４−１）で表される化合物が含まれる。
【化２２】
2012176472.tif 000024
【００５８】
一般式（５）において、ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい。
【００５９】
炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００６０】
一般式（５）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の下記式（５−１）で表される化合物が含まれる。
【化２３】
2012176472.tif 000025
【００６１】
一般式（６）において、ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す。ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい。
【００６２】
炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【００６３】
一般式（６）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の下記式（６−１）で表される化合物が含まれる。
【化２４】
2012176472.tif 000026
【００６４】
これらの３級アミンのうち、例えば式（４）で表される化合物のｐＫａは５付近であるのに対し、式（１）で表される化合物のｐＫａは７付近であり、式（２）で表される化合物の一つであるジアザビシクロウンデセンのｐＫａは１２付近である。つまり、式（１）や（２）で表される化合物は、式（４）で表される化合物よりも高い塩基性を示す傾向がある。つまり、金属錯体（ｂ１）における３級アミンは、塩基性度が高く、エポキシ樹脂に対する硬化活性が良好であることから、一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
【００６５】
金属イオンと錯体を形成する３級アミンは、１種類であってもよいし、２種類以上であってもよい。即ち、金属錯体（ｂ１）は、複数の金属イオンを中心金属とする複核錯体であってもよい。
【００６６】
金属錯体（ｂ１）における、金属イオンに対する３級アミンのモル比は、０．５〜６．０であることが好まししく、さらに好ましくは０．６〜２．０である。モル比が０．５以上であると、金属錯体（ｂ１）に配位する３級アミンが多く、面封止剤の硬化性が良好になりやすい。一方、モル比が６．０以下だと、金属錯体（ｂ１）に配位する３級アミンが少ないため、面封止剤の貯蔵安定性が良好となる。モル比が前記範囲内であれば、硬化性と貯蔵安定性のバランスが良好となる。
【００６７】
金属錯体（ｂ１）におけるアニオン性配位子は、Ｏ、Ｓ、Ｐ、ハロゲンからなる群から選ばれる原子を有する酸性基を有し、金属イオンに配位結合またはイオン結合する化合物である。
【００６８】
アニオン性配位子の価数は、金属イオンの価数よりも小さいことが好ましい。金属イオンよりも小さい価数のアニオン性配位子は、１つの金属イオンに、２以上結合することができ、金属錯体（ｂ１）を安定化させることができるためである。
【００６９】
アニオン性配位子の分子量は、１７〜２００であることが好ましい。アニオン性配位子の分子量が１７以上であると、後述するように、金属イオンと３級アミンとの配位結合距離が小さくなりやすいため、金属錯体（ｂ１）の硬化性が損なわれにくいと考えられる。一方、アニオン性配位子の分子量が２００以下であると、アニオン性配位子が大きすぎないため、その立体障害により３級アミンが金属イオンに配位するのを著しく妨げることもないと考えられる。その結果、金属錯体（ｂ１）の貯蔵条件下での安定性が損なわれにくいと考えられる。
【００７０】
アニオン性配位子の半径は、２．０Å以上であることが好ましく、２．４Å以上であることがより好ましい。金属錯体（ｂ１）の硬化性を良好にするためである。例えば、２つのアニオン性配位子が金属イオンに配位している場合、当該金属イオンに３級アミンがさらに配位すると、一方のアニオン性配位子と金属イオンとの結合と、他方のアニオン性配位子−金属イオンとの結合とのなす角度が狭められて安定化すると考えられる。アニオン性配位子の半径が２．０Å以上であると、これらの結合同士のなす角度が狭まりにくいため、金属イオンと３級アミンとの配位結合距離が小さくなりやすいと考えられる。その結果、金属錯体（ｂ１）の硬化性が損なわれにくいと考えられる。金属錯体（ｂ１）の硬化性が損なわれにくいと、特に硬化物の表面の硬化度が高くなりやすい。硬化物の表面の硬化度が高いと、硬化物の表面にパッシベーション層などを形成した際に、硬化物の表面の平滑性が損なわれにくい。そのため、硬化物の外部ヘイズが上昇しにくく、透明性が損なわれにくいと考えられる。
【００７１】
一方、アニオン性配位子の半径の上限は２００Å程度としうる。アニオン性配位子の半径が２００Å以下であると、アニオン性配位子の大きさが、その立体障害により３級アミンが金属イオンに配位するのを顕著に妨げることもないと考えられる。その結果、金属錯体（ｂ１）の貯蔵条件下での安定性が損なわれにくいと考えられる。
【００７２】
アニオン性配位子の半径は、アニオン性配位子のconnolly volumeを求めた後；connolly volumeを真球の体積と仮定したときの半径として算出することができる。
【００７３】
アニオン性配位子のconnolly volumeは、アニオン性配位子の構造を最適化した後、例えばＭａｔｅｒｉａｌ  Ｓｔｕｄｉｏ  ６．０  Ｄｍｏｌ３を用いて計算することができる。アニオン性配位子の構造の最適化は、ＭＭ２（分子力学計算法）や、ＰＢＥ/ＤＮＰ  ４．４で行うことができる。このように、アニオン性配位子の構造を最適化した後、connolly radiusを1.0Åとして、connolly volumeを求める。
【００７４】
例えば、酢酸イオンの半径を計算する場合について説明する。酢酸イオンのconnelly volumeを、前述の方法で求めると、５４．８Åとなる。この体積を、真球の体積として仮定して前記真球の半径を求めると、約２．３６Åとなり、これを酢酸イオン（配位子）の半径とすることができる。
【００７５】
一方、塩化物イオンや硫酸イオンなどの半径は、化学便覧  基礎編  改訂2版  日本化学学会編）に記載のイオン半径（ShannonおよびPrewittによる計算値）とすることができる。
【００７６】
アニオン性配位子の価数は金属イオンの価数よりも小さく、かつアニオン性配位子の半径は２．０Å以上（好ましくは２．４Å以上）であることがより好ましい。
【００７７】
アニオン性配位子は、カルボキシレート化合物、１，３−ジカルボニル化合物、ジチオカルボン酸やそのカルボキシレートアニオン、チオカルボン酸やそのカルボキシレートアニオン、チオノカルボン酸やそのカルボキシレートアニオン、１，３−ジチオカルボニル化合物、硝酸化物イオン、ハロゲンイオンなどでありうる。
【００７８】
カルボキシレート化合物は、下記式（７Ａ）で表される化合物であることが好ましい。
【化２５】
2012176472.tif 000027
【００７９】
一般式（７Ａ）において、ＲＤ１は、フリーまたは水素基を示す。ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基を示す。炭素数１〜１０の炭化水素基は、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール含有基であってよく、炭素数１〜７の直鎖状ないし分岐アルキル基であることが好ましい。ＲＤ１がフリーであるとは、下記式（７Ｂ）のようにカルボキシレート化合物がアニオンになっていることを表す。ＲＤ１が水素基である場合は、水酸基が金属イオンに配位し；ＲＤ１がフリーである場合は、Ｏ−が金属イオンに配位している場合が多い。
【化２６】
2012176472.tif 000028
【００８０】
式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物の例には、炭素数２〜１０のアルキルカルボン酸やそのカルボキシレートアニオン、炭素数７〜１０のアリールカルボン酸やそのカルボキシレートアニオンなどが含まれる。
【００８１】
炭素数１〜１０のアルキルカルボン酸の例には、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、２−エチルヘキサン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸などが含まれ、特にギ酸、酢酸、２−エチルヘキサン酸が好ましい。
【化２７】
2012176472.tif 000029
【００８２】
炭素数７〜１０のアリールカルボン酸の例には、安息香酸、ナフテン酸などが含まれる。
【００８３】
１，３−ジカルボニル化合物は、式（８）で表される化合物であることが好ましい。
Ｒ１−（Ｃ＝Ｏ）−ＣＨ＝Ｃ（Ｏ）−Ｒ２  …（８）
【００８４】
式（８）において、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である。炭素数１〜１０のアルキル基は、メチル基、エチル基などでありうる。炭素数６〜１０のアリール基は、フェニル基、ナフチル基などでありうる。１，３−ジカルボニル化合物の例には、アセチルアセトナートなどが含まれる。
【００８５】
ジチオカルボン酸やそのカルボキシレートアニオンの例には、炭素数１〜１０のアルキルジチオカルボン酸やそのジチオカルボキシレートアニオン、炭素数７〜１５のアリールジチオカルボン酸やそのジチオカルボキシレートアニオンなどが含まれる。
【００８６】
炭素数１〜１０のアルキルジチオカルボン酸の例には、ジチオギ酸、ジチオ酢酸、ジチオプロパン酸、ジチオ−２−エチルヘキサン酸などが含まれる。
【化２８】
2012176472.tif 000030
【００８７】
チオカルボン酸やそのカルボキシレートアニオンの例には、炭素数１〜１０のアルキルチオカルボン酸やそのアルキルチオカルボキシレートアニオン、炭素数７〜１５のアリールチオカルボン酸やそのアリールチオカルボキシレートアニオンなどが含まれる。
【００８８】
炭素数１〜１０のアルキルチオカルボン酸の例には、チオ酢酸、チオ−２−エチルヘキサン酸などが含まれる。
【化２９】
2012176472.tif 000031
【００８９】
チオノカルボン酸やそのカルボキシレートアニオンの例には、炭素数１〜１０のアルキルチオノカルボン酸やそのアルキルチオノカルボキシレートアニオン、炭素数７〜１５のアリールチオノカルボン酸やそのアリールチオノカルボキシレートアニオンなどが含まれる。
【００９０】
炭素数１〜１０のアルキルチオノカルボン酸の例には、チオノ酢酸、チオノ−２−エチルヘキサン酸などが含まれる。
【化３０】
2012176472.tif 000032
【００９１】
１，３−ジチオカルボニル化合物は、式（９）で表される化合物であることが好ましい。
Ｒ３−（Ｃ＝Ｓ）−ＣＨ＝Ｃ（Ｓ）−Ｒ４  …（９）
【００９２】
式（９）において、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数６〜１０のアリール基である。炭素数１〜１０のアルキル基は、メチル基、エチル基などでありうる。炭素数６〜１０のアリール基は、フェニル基、ナフチル基などでありうる。
【００９３】
硝酸化物イオンの例には、ＮＯ３−が含まれる。ハロゲンイオンの例には、Ｂｒ−などが含まれる。
【００９４】
アニオン性配位子に含まれる、Ｏ、Ｓ、Ｐ、ハロゲンから選ばれる原子（金属イオンに結合しうる原子）の数は、１つであっても、２以上であってもよい。金属イオンに結合しうる原子を２以上含むアニオン性配位子は、金属イオンと１つの原子を介して結合してもよいし；２以上の原子のそれぞれを介して結合してもよい。金属イオンと環を形成して金属錯体（ｂ１）を電子的に安定化させやすく、かつ金属錯体（ｂ１）の硬化性を良好に維持するためには、アニオン性配位子に含まれる金属イオンと結合しうる原子の数は２以上であることが好ましい。
【００９５】
金属イオンと結合しうる原子を２以上含むアニオン性配位子は、金属イオンと３〜７員環を形成しうることが好ましい。そのようなアニオン性配位子の好ましい例には、前述の式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物が含まれる。式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物は、カルボニル基を構成する酸素原子またはカルボニル基と隣接する酸素原子のいずれかを介して金属イオンと結合しうる。
【００９６】
金属錯体（ｂ１）は、金属イオンに、前述の一般式（１）〜（３）のいずれかの式で表される３級アミンと、前述の一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物とがそれぞれ配位した化合物であることが好ましい。
【００９７】
金属イオンに配位する３級アミンは、前記一般式（１）〜（３）のうちいずれか１種類であってもよいし、２種類以上であってもよい。
【００９８】
本発明の面封止剤の貯蔵安定性を保ちつつ、有機ＥＬ素子の劣化を抑制できる温度で硬化を進めるためには、金属錯体（ｂ１）は、一般式（１）〜（３）で表される２つのアミン化合物と、一般式（７Ａ）で表される２つのカルボキシレート化合物とが金属イオンに配位した錯体であることが好ましい。
【００９９】
具体的には、下記一般式（１０）で示される金属錯体が好ましい。
【化３１】
2012176472.tif 000033
【０１００】
金属錯体（ｂ１）は、エポキシ樹脂（ａ）や、任意の酸無水物（ｃ）などに溶解しやすいように、それらとの極性が近いほうが好ましい。また、金属錯体（ｂ１）における３級アミンも、エポキシ樹脂（ａ）や、任意の酸無水物（ｃ）などに溶解しやすいように、それらとの極性が近いほうが好ましい。
【０１０１】
３級アミンが金属イオンと錯体を形成しているかどうかは、金属錯体（ｂ１）における３級アミンの１ＨＮＭＲの化学シフトと、３級アミン単独の１ＨＮＭＲの化学シフトとの対比によって確認することができる。即ち、金属錯体（ｂ１）における３級アミンの１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚ）の化学シフトが、３級アミン単独の１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚ）の化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上、好ましくは０．１ｐｐｍ以上、より好ましくは０．４ｐｐｍ以上移動しているピークを含むことによって、３級アミンが金属イオンと錯体を形成しているということを確認できる。ピークの移動量の上限は、特に制限されないが、通常、１ｐｐｍ程度であり、より一般的には０．７ｐｐｍになる場合が多い。
【０１０２】
面封止剤中の３級アミンが金属イオンと錯体を形成しているかどうか（面封止剤が金属錯体（ｂ１）を含むかどうか）は、面封止剤の１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトと、３級アミン単独の１ＨＮＭＲの化学シフトとの対比によっても確認することができる。その場合も、前述と同様に、面封止剤の１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚ）の化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、３級アミン単独の１ＨＮＭＲ（ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚ）の化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上、好ましくは０．１ｐｐｍ以上、より好ましくは０．４ｐｐｍ以上移動しているピークを含むことによって、面封止剤中の３級アミンが金属イオンと錯体を形成しているということを確認できる。ピークの移動量の上限も、前述と同様に、１ｐｐｍ程度、好ましくは０．７ｐｐｍ程度でありうる。
【０１０３】
あるいは、面封止剤中の３級アミンが金属イオンと錯体を形成しているかどうか（面封止剤が金属錯体（ｂ１）を含むかどうか）は、面封止剤の１ＨＮＭＲの化学シフトと、金属錯体（ｂ１）単独の１ＨＮＭＲの化学シフトとの対比によっても確認することができる。例えば、面封止剤の１ＨＮＭＲの化学シフト中に、金属錯体（ｂ１）単独の１ＨＮＭＲの化学シフトと同様の化学シフトがあれば、面封止剤が金属錯体（ｂ１）を含んでいると判断できる。
【０１０４】
１ＨＮＭＲにおいて移動するピークは、３級アミンが金属イオンに配位することによって電子状態が変化する水素原子に由来すると考えられる。そのような水素原子は、通常、窒素原子を含む共役系の周辺に存在する水素原子であると考えられる。例えば、３級アミンが式（１）で表されるイミダゾール化合物である場合、１ＨＮＭＲにおいて移動するピークは、４位または５位の水素原子に帰属することが多い。
【０１０５】
窒素原子を含む共役系の周囲に存在する水素原子の周囲に嵩高い基を有していない３級アミンは、共役系に含まれる窒素原子が金属イオンに近づきやすいため、金属イオンに配位しやすいと予想される。
【０１０６】
面封止剤における金属錯体（ｂ１）の含有量は、「金属錯体（ｂ１）の活性官能基（３級アミノ基）／面封止剤に含まれるエポキシ基」の当量比が０．００８〜０．３であることが好ましい。面封止剤の硬化性を高めるためには、０．０１〜０．２であることが好ましく、０．０３〜０．１５２であることがより好ましい。金属錯体（ｂ１）は、一種の金属錯体のみで構成されてもよく、二種以上の金属錯体の組み合わせであってもよい。
【０１０７】
本発明の第二の形態の面封止剤は、特定のアミン化合物（ｂ２）を含む。特定のアミン化合物（ｂ２）は、一般式（１１）または（１２）で表される。
【化３２】
2012176472.tif 000034
【０１０８】
一般式（１１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、アリール含有基、水酸基、シアノエチル基を示す。炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【０１０９】
Ｒ１は、好ましくは、水素原子以外の置換基（脂肪族炭化水素基、アリール基、水酸基またはシアノエチル基）であることが好ましい。Ｒ１が他の置換基である場合と比較して、Ｒ１が水素原子であると、面封止剤の硬化物からなる封止層が、プラズマなどに曝されることで透明性が低下することがあるからである。
【０１１０】
ただし、Ｒ２およびＲ４のいずれか一方または両方がアリール基である場合には、Ｒ１が水素原子であっても構わない。水素原子であるＲ１の反応性を、アリール基であるＲ２およびＲ４が低下させうるからである。
【０１１１】
一般式（１１）で表される化合物は、塩になっていてもよい。塩の例には、塩酸塩、イソシアヌル酸塩、トリアジンイソシアヌル酸塩などが含まれる。
【０１１２】
一般式（１１）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の化合物が含まれる。
【化３３】
2012176472.tif 000035
【０１１３】
一般式（１２）において、ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、アリール含有基、水酸基、ジメチルアミノメチル基を示す。炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基である。アリール含有基の例には、フェニル基、ナフチル基などのアリール基と、ベンジル基などのアリールアルキル基とが含まれる。アリール含有基の構成炭素数は、６〜１１の範囲にあることが好ましい。
【０１１４】
ただし、一般式（１２）において、ＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４のいずれか１つはジメチルアミノ基である。好ましくは、ＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４のうちの２つがジメチルアミノ基であることが好ましく、より好ましくはＲＡ２、ＲＡ３、ＲＡ４の全てがジメチルアミノ基である。一般式（２）のＲＡ１、ＲＡ２、ＲＡ３またはＲＡ４が示すジメチルアミノメチル基は、適度な反応性（求核反応性）を有する。つまり、ジメチルアミノメチル基（Ｍｅ２ＮＣＨ２−）のメチル基（Ｍｅ）がバルキーなアルキル基になると反応性が低下するため、本発明の面封止剤の硬化促進剤としては適さない場合がある。また、ジメチルアミノメチル基（Ｍｅ２ＮＣＨ２−）をジメチルアミノ基（Ｍｅ２Ｎ−）とすると、反応性が高まりすぎるため、貯蔵安定性が低下し本発明の面封止剤の硬化促進剤としては適さない場合がある。なお、ここでいう貯蔵安定性とは、貯蔵条件下で硬化反応が進みにくく、粘度が上昇しにくいことをいう。
【０１１５】
一般式（１２）で表される化合物は、塩になっていてもよい。塩の例には、塩酸塩、２−エチルヘキサン酸塩などが含まれる。
【０１１６】
一般式（１２）で表されるアミン化合物の具体例には、以下の化合物が含まれる。
【化３４】
2012176472.tif 000036
【０１１７】
アミン化合物（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ａ）や、任意の酸無水物（ｃ）などに溶解しやすいように、それらとの極性が近いほうが好ましい。
【０１１８】
面封止剤におけるアミン化合物（ｂ２）の含有量は、「アミン化合物（ｂ２）の活性官能基（３級アミノ基）／面封止剤に含まれるエポキシ基」の当量比が０．００８〜０．１５２であることが好ましく、０．０２〜０．１５であることがより好ましい。アミン化合物（ｂ２）は、一種の化合物のみで構成されてもよく、二種以上の化合物の組み合わせであってもよい。
【０１１９】
酸無水物（ｃ）
本発明の面封止剤は、酸無水物（ｃ）を含んでいてもよい。特に、硬化性樹脂であるエポキシ樹脂と、酸無水物とを含む面封止剤からは、透明性の高い硬化物が得られることがある。芳香族系の酸無水物は着色しているものが多いので、脂肪族系（芳香族系の水添物）の酸無水物が好ましい。封止剤に含まれる酸無水物の例には、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ヘキサクロロエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸などが含まれる。透明性が高いのは脂肪族系の酸無水物であり、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸が用いられる。
【０１２０】
本発明の面封止剤は、「酸無水物基/エポキシ基」の当量比が０．８〜１．２となるように、酸無水物（ｃ）を含有することが好ましい。前記当量比が小さすぎると、室温などの貯蔵条件下での粘度安定性が低下する恐れがある。一方、前記当量比が大きすぎると、未反応の酸無水物が多くなり、透湿度が大きくなるなどして、有機ＥＬ素子の劣化の原因になる恐れがある。
【０１２１】
カップリング剤（ｄ）
本発明の面封止剤は、シランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤などのカップリング剤を含有してもよい。カップリング剤を含む面封止剤は、ガラス基板との密着性が高まる。
【０１２２】
シランカップリング剤の例には、１）エポキシ基を有するシランカップリング剤、２）エポキシ基と反応可能な官能基を有するシランカップリング剤、および３）その他のシランカップリング剤が含まれる。なかでも、封止用組成物のエポキシ樹脂と反応させて、硬化物中に低分子量成分を残さないようにするためには、１）エポキシ基を有するシランカップリング剤、および２）エポキシ基と反応可能な官能基を有するシランカップリング剤を用いることが好ましい。エポキシ基と反応するとは、エポキシ基と付加反応することなどをいう。
【０１２３】
１）エポキシ基を有するシランカップリング剤とは、グリシジル基等のエポキシ基を含むシランカップリング剤であり；その例には、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β-（３,４-エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどが含まれる。
【０１２４】
２）エポキシ基と反応可能な官能基には、１級アミノ基、２級アミノ基等のアミノ基；カルボキシル基等が含まれるほか、エポキシ基と反応可能な官能基に変換される基（例えば、メタクリロイル基、イソシアネート基など）も含まれる。このようなエポキシ基と反応可能な官能基を有するシランカップリング剤の例には、Ｎ-２-（アミノエチル）-３-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ-２-（アミノエチル）-３-アミノプロピルメチルトリメトキシシラン、Ｎ-２-（アミノエチル）-３-アミノプロピルメチルトリエトキシシラン、３-アミノプロピルトリメトキシシラン、３-アミノプロピルトリエトキシシラン、３-トリエトキシシリル-Ｎ-（１,３-ジメチル-ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ-フェニル-３-アミノプロピルトリメトキシシランまたは３-（４-メチルピペラジノ）プロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリル安息香酸、γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、およびγ-イソシアナトプロピルトリエトキシシランなどが含まれる。
【０１２５】
３）その他のシランカップリング剤の例には、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが含まれる。これらのシランカップリング剤は、１種単独であっても、２種以上の組み合わせであってもよい。
【０１２６】
本発明の面封止剤に含まれるシランカップリング剤の分子量は、８０〜８００であることが好ましい。シランカップリング剤の分子量が８００を超えると、密着性が低下したりすることがある。
【０１２７】
本発明の面封止剤におけるシランカップリング剤の含有量は、面封止剤１００質量部に対して、０．０５〜３０質量部であることが好ましく、０．１〜２０質量部であることがより好ましく、０．３〜１０質量部であることがさらに好ましい。
【０１２８】
その他の任意成分（ｅ）
本発明の面封止剤には、本発明の効果を損なわない範囲で、その他の任意成分（ｅ）を含有させることができる。その他の任意成分（ｅ）としては、樹脂成分、充填剤、改質剤、酸化防止剤、安定剤等を挙げることができる。樹脂成分の具体例としては、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン、ポリブタジェン、ポリクロロプレン、ポリエーテル、ポリエステル、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、石油樹脂、キシレン樹脂、ケトン樹脂、セルロース樹脂、フッ素系オリゴマー、シリコン系オリゴマー、ポリスルフィド系オリゴマー等を挙げることができる。これらの樹脂成分は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。ただし、本発明の面封止剤の硬化物に透明性が求められる場合には、エポキシ樹脂と相分離し、かつエポキシ樹脂との屈折率差が大きい成分；具体的には、エポキシ樹脂の硬化物との屈折率差が０．１以上でかつ直径が０．１μｍ以上の無機フィラーや有機フィラーなどを実質的に含まないことが好ましい。
【０１２９】
充填剤の具体例としては、ガラスビーズ、スチレン系ポリマー粒子、メタクリレート系ポリマー粒子、エチレン系ポリマー粒子、プロピレン系ポリマー粒子等を挙げることができる。これらの充填剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３０】
改質剤の具体例としては、重合開始助剤、老化防止剤、レベリング剤、濡れ性改良剤、界面活性剤、可塑剤等を挙げることができる。これらの改質剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。また、安定剤の具体例としては、紫外線吸収剤、防腐剤、抗菌剤等を挙げることができる。これらの安定剤は、一種単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３１】
酸化防止剤とは、プラズマ照射や日光照射により発生するラジカルを失活させるもの（Hindered Amine Light Stabilizer, ＨＡＬＳ）や、過酸化物を分解するものなどをいう。酸化防止剤は、封止剤の硬化物の変色を防ぐことができる。
【０１３２】
ヒンダードアミンの例には、ビス(２,２,６,６-テトラメチルピペリジン-４-イル)セバケート、２,４-ジクロロ-６-ｔｅｒｔ-オクチルアミノ-ｓ-トリアジンと４,４'-ヘキサメチレンビス(アミノ-２,２,６,６-テトラメチルピヘリジン)の重縮合生成物、ビス［１-（２-ヒドロキシ-２-メチルプロポキシ）-２,２,６,６-テトラメチルピペリジン-４-イル］セバケートが含まれる。
【０１３３】
フェノール系酸化防止剤の例には、２,６-ジ-t-ブチル-ｐ-クレゾールなどのモノフェノール類、２,２'-メチレンビス（４-メチル-６-ｔ-ブチルフェノール）等のビスフェノール類、１,１,３-トリス（２-メチル-４-ヒドロキシ-５-ｔ-ブチルフェニル）ブタンなどの高分子型フェノール類が含まれる。
【０１３４】
リン系酸化防止剤は、ホスファイト類から選ばれる酸化防止剤及びオキサホスファフェナントレンオキサイド類から選ばれる着色防止剤が好ましく用いられる。
【０１３５】
特に、紫外線への耐性を付与するという点では、Tinuvin123（ビス(１-オクチロキシ-２,２,６,６-テトラメチル-４-ピペリジル)セバシン酸）、Tinuvin765（ビス(１,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジル)セバシン酸とメチル １,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジルセバシン酸との混合物）、Hostavin PR25（ジメチル ４-メトキシベンジル Idenemalonate）、Tinuvin 312 または Hostavin vsu（エタンジアミド Ｎ-(２-エトキシフェニル)-Ｎ'-(２-エチルフェニル))、CHIMASSORB 119 FL（Ｎ,Ｎ'-ビス(３-アミノプロピル)エチレンジアミン-２,４-ビス[Ｎ-ブチル-Ｎ-(１,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジル)アミノ]-６-クロロ-１,３,５-トリアジン縮合物が好ましい。
【０１３６】
溶剤（ｆ）
本発明の面封止剤は、溶剤（ｆ）を含んでもよい。溶剤（ｆ）は、各成分を均一に分散または溶解させる機能を有する。溶剤（ｆ）は、各種有機溶剤であってもよく、トルエン、キシレン等の芳香族溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；エーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ−ルモノアルキルエーテル等のエーテル類；Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類等が含まれる。特に、本発明の面封止剤に、任意成分である高分子量のエポキシ樹脂（ａ−２）を添加して、面封止成形物を得る場合は、高分子量のエポキシ樹脂（ａ−２）を溶解し易い点から、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒（ケト基を有する溶媒）がより好ましい。
【０１３７】
本発明の面封止剤の、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度は、１０〜１００００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、２００〜１００００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。面封止剤の粘度を上記範囲にすることで、塗工（例えばスクリーン印刷）性が高まり、かつシートなどへの成形が容易になる。面封止剤の粘度は、Ｅ型粘度計（東機産業製  ＲＣ−５００）によって、２５℃の測定温度で測定される。
【０１３８】
本発明の第一の形態の面封止剤の、２５℃で２４ｈｒ保存後の粘度上昇率は、１００％未満であることが好ましく、７０％以下であることがより好ましく、５０％以下であることがさらに好ましい。
【０１３９】
上記粘度上昇率は、以下のようにして算出できる。即ち、前述したように、合成直後の面封止剤の粘度を、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定する。次いで、面封止剤を２５℃、２４ｈｒ保存後の粘度を同様の条件で測定する。得られた測定値をそれぞれ下記式に当てはめて、粘度上昇率を算出する。
粘度上昇率＝粘度変化量（２４ｈｒ後の粘度−合成直後の粘度）／合成直後の粘度×１００
【０１４０】
本発明の面封止剤の含水率は、０．１質量％以下であることが好ましく、０．０６質量％以下であることがより好ましい。有機ＥＬ素子などの光半導体が配置された電気回路は水分により劣化しやすいので、面封止剤の含水率をできるだけ低減することが好ましい。面封止剤の含水率は、試料サンプルを約０．１ｇ計量し、カールフィッシャー水分計を用いて１５０℃に加熱し、その際に発生する水分量を測定することにより求めることができる（固体気化法）。
【０１４１】
本発明の面封止剤は、光半導体用の面封止剤として好ましく用いられうる。光半導体とは、例えば電気を光に変換して発光する素子である。光半導体の具体的には、無機ＬＥＤ素子、有機ＥＬ素子などが含まれ、好ましくは有機ＥＬ素子である。光半導体は、水分などにより劣化しやすいため、表面を封止する必要がある。
【０１４２】
本発明の面封止剤の硬化物の光線透過率は、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。硬化物の光線透過率が低すぎると、有機ＥＬ素子などの面封止剤として用いた場合に、素子からの光の取り出し効率が低下しやすく、また意匠性も悪化するからである。面封止剤の硬化物の光線透過率の上限値は、一般的には９９％程度としうる。硬化物の光線透過率は、面封止剤に含まれるアミン化合物（ｂ）の種類や量によって調整されうる。
【０１４３】
硬化物の光線透過率の測定は、以下の手順で行うことができる。
１）面封止剤を、基材上に塗布および乾燥させた後、硬化させて、厚み１００μｍの硬化物を得る。
２）得られた硬化物の、波長４５０ｎｍにおける光線透過率を、紫外／可視光光度計（島津製作所製のＭＵＬＴＩＳＰＥＣ−１５００）を用いて測定する。
【０１４４】
本発明の面封止剤は、液状の封止剤として用いられてもよいが、前述の高分子量のエポキシ樹脂（ａ-２）などを添加することで、フィルム状などの封止成形物の一部として用いられてもよい。液状の封止剤として用いる場合には、例えばスクリーン印刷、ディスペンサー塗布などにより有機ＥＬ素子などの光半導体上に塗布し、塗布層を硬化して有機ＥＬ素子などの光半導体を面封止すればよい。また、フィルム状などの封止成形物を用いる場合には、有機ＥＬ素子などの光半導体上にフィルム状の封止剤をラミネートして硬化することで、有機ＥＬ素子などの光半導体を面封止すればよい。
【０１４５】
本発明の面封止剤は、本発明の効果を損なわない限り、任意の方法で製造されうる。例えば、１）エポキシ樹脂（ａ）と硬化促進剤（ｂ）と、他の任意成分を準備する工程と、２）不活性ガス環境下で、各成分を３０℃以下で混合する工程と、を含む方法で製造される。混合は、これらの成分をフラスコに装入して攪拌する方法や、三本ロールで混練する方法が含まれる。本発明の面封止剤をフィルム状に成形する場合には、例えば、液状の面封止剤を剥離基板に塗布し、塗膜を乾燥させ、剥離すればよい。面封止剤の塗布は、スクリーン印刷、ディスペンサー塗布などの手法を用いて行えばよい。
【０１４６】
本発明の第一の形態の面封止剤に含まれる３級アミンは、電子供与性のアニオン性配位子（好ましくはカルボキシレート化合物）が配位した金属イオンと錯体を形成しうるため、金属錯体として適度に固定化される。それにより、室温下などの本発明の面封止剤の通常の貯蔵条件では、３級アミンが金属錯体から脱離しにくくなり、面封止剤中のエポキシ樹脂などの反応を抑制し、面封止剤の貯蔵安定性を向上させうる。一方、本発明の第一の形態の面封止剤が、後述するように有機ＥＬ素子を封止するため、加熱や光照射されると、３級アミンと金属イオンとの配位結合が緩和して、３級アミンがエポキシ樹脂の硬化反応を進めることができると推測される。なお、ここでいう貯蔵安定性とは、貯蔵条件下で硬化反応が進みにくく、粘度が上昇しにくいことをいう。このように、本発明の第一の形態の面封止剤は、良好な硬化性を有しつつ、高い貯蔵安定性を有するため、光半導体の面封止剤として用いた場合の封止工程での作業効率を高めることができる。
【０１４７】
さらに、金属錯体（ｂ１）における３級アミンを、前述の一般式（１）〜（６）で表される化合物とすることで、硬化性を損なわない程度に、貯蔵条件下での３級アミンの反応性を低下させうると考えられる。それにより、後述するように、プラズマ処理したときの硬化物層のヘイズ上昇を抑制、すなわち耐候性を向上できると考えられる。
【０１４８】
本発明の第二の形態の面封止剤に含まれる特定のアミン化合物（ｂ２）は、前述の一般式（１１）または（１２）に示される構造を有する。そのため、硬化性を損なわない程度に、貯蔵条件下でのアミン化合物（ｂ２）の反応性を低下させうると考えられる。それにより、後述するように、プラズマ処理したときの硬化物層のヘイズ上昇を抑制できると考えられる。そのため、本発明の第二の形態の面封止剤を光半導体用の面封止剤として用いた場合に、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ上昇による、光半導体の光の取り出し効率または光の吸収効率の低下を抑制できる。
【０１４９】
なお、本発明のエポキシ樹脂組成物が面封止剤として用いられる例について説明したが、これに限定されない。本発明のエポキシ樹脂組成物は種々の用途にも用いることができる。
【０１５０】
２．有機ＥＬデバイスについて
本発明の有機ＥＬデバイスは、基板上に配置された有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子と接触して、かつ有機ＥＬ素子を覆う（面封止する）樹脂硬化物層と、さらに樹脂硬化物層を覆う封止基板とを含む。有機ＥＬデバイスは、それを含む有機ＥＬディスプレイパネルとして用いられうる。
【０１５１】
本発明の有機ＥＬデバイスの一態様として、１）基板上に配置された有機ＥＬ素子と、２）有機ＥＬ素子と接触して、かつ有機ＥＬ素子を覆う（面封止する）樹脂硬化物層と、３）前記樹脂硬化物層と接触して、前記樹脂硬化物層を覆うパッシベーション層と、４）パッシベーション層を覆う封止基板と、を含む態様があげられる（図１Ａ参照）。ここで樹脂硬化物層が、前述の面封止剤の硬化物であることを特徴とする。
【０１５２】
また、本発明の有機ＥＬデバイスの他の一態様として、１）基板上に配置された有機ＥＬ素子と、２）有機ＥＬ素子と接触して、かつ有機ＥＬ素子を覆う（面封止する）樹脂硬化物層と、３）前記樹脂硬化物層と接触して、前記樹脂硬化物層の端面に配置されたパッシベーション層と、４）樹脂硬化物層とパッシベーション層とを覆う封止基板と、を含む態様があげられる（図１Ｂ参照）。ここで樹脂硬化物層が、前述の面封止剤の硬化物であることを特徴とする。
【０１５３】
図１Ａは、面封止型の有機ＥＬデバイスを模式的に示す断面図である。図１Ａに示されるように、有機ＥＬパネル２０は、基板２２、有機ＥＬ素子２４、および封止基板２６がこの順に積層されている。基板２２と封止基板２６との間には面封止層２８が配置されており、面封止層２８は有機ＥＬ素子２４の周囲を覆っている。このように、面封止層２８は、有機ＥＬ素子２４を面封止している。
【０１５４】
図１Ａに示される有機ＥＬデバイス２０では、面封止層２８が、本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１と、硬化物層２８-１を覆うパッシベーション層２８-２と、さらにパッシベーション層２８-２を覆う第２の樹脂硬化物層２８-３を含む。
【０１５５】
基板２２および封止基板２６は、通常、ガラス基板または樹脂フィルムなどであり、基板２２と封止基板２６の少なくとも一方は、透明なガラス基板または透明な樹脂フィルムである。このような透明な樹脂フィルムの例には、ポリエチレンテレフタレート等の芳香族ポリエステル樹脂等が含まれる。
【０１５６】
有機ＥＬ素子２４がトップエミッション型である場合は、基板２２側から、反射画素電極層３０（アルミニウムや銀などからなる）と、有機ＥＬ層３２と、透明対向電極層３４（ＩＴＯやＩＺＯなどからなる）とを含む。反射画素電極層３０、有機ＥＬ層３２および透明対向電極層３４は、真空蒸着及びスパッタなどにより成膜されてもよい。
【０１５７】
面封止層２８には、本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１と、パッシベーション層２８-２と、第２の樹脂硬化物層２８-３と、を含む。硬化物層２８-１は、有機ＥＬ素子に接していることが好ましい。硬化物層２８−１の厚みは、０．１〜２０μｍであることが好ましい。
【０１５８】
本発明の第一の形態の面封止剤を用いる場合、面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されるスペクトルにおいて、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属原子に由来するピークと、窒素原子に由来するピークとが検出され、検出される金属原子と窒素原子とのモル比が、金属原子：窒素原子＝１：０．５〜１：６．０であることが好ましい。金属原子１モルに対する窒素原子のモル比は、金属錯体（ｂ１）における金属イオンに対する３級アミンの含有量に依存しうる。また、金属原子はＺｎであることが好ましく、その含有量は硬化物中０．５〜１５質量％であることが好ましい。
【０１５９】
ＸＰＳ測定は、ＡＸＩＳ−ＮＯＶＡ（ＫＲＡＴＯＳ社製）を用いて行うことができる。光源は、単色化Ａ１ Ｋαとし；測定領域の径は１００μｍとしうる。
【０１６０】
本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１の光線透過率は、前述の通り、好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、さらに好ましくは８０％以上である。光線透過率が低すぎると、素子からの光の取り出し効率や、素子への光の吸収効率が低下しやすいからである。硬化物層２８-１の光線透過率の上限は、例えば９９％程度としうる。
【０１６１】
面封止層２８を構成するパッシベーション層２８-２は、プラズマ環境下で成膜される無機化合物層であることが好ましい。プラズマ環境下で成膜するとは、例えばプラズマＣＶＤ法で成膜することをいうが、特に限定されず、スパッタ法や蒸着法で成膜してもよい。パッシベーション層２８-２の材質は、透明な無機化合物であることが好ましく、窒化ケイ素、酸化ケイ素、ＳｉＯＮＦ、ＳｉＯＮなどが例示されるが、特に限定されない。パッシベーション層２８-２の厚みは、０．１〜５μｍであることが好ましい。
【０１６２】
パッシベーション層２８-２は、硬化物層２８-１に接触させて成膜してよい。本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１は、たとえプラズマ環境下に曝されても、その透明性を維持することができるからである。
【０１６３】
本発明の有機ＥＬデバイスでは、パッシベーション層２８-２が有機ＥＬ素子２４に直接接触するのではなく、硬化物層２８-１に直接接触して成膜されている。パッシベーション層２８を有機ＥＬ素子２４に直接接触させて成膜しようとすると、有機ＥＬ素子２４の端部が鋭角なため、パッシベーション層２８によるカバレッジが低下することがある。これに対して、本発明の有機ＥＬデバイスでは、有機ＥＬ素子２４を、本発明の面封止剤の硬化物層２８-１で面封止してから、硬化物層２８-１の上にパッシベーション層２８-２を成膜する。硬化物層２８-１で面封止することで、パッシベーション層２８-２の被成膜面をなだらかにすることができ、カバレッジが向上する。
【０１６４】
面封止層２８を構成する第２の樹脂硬化物層２８-３は、硬化物層２８-１と同一の材質（本発明の面封止剤）であっても異なる材質であってもよい。例えば、第２の樹脂硬化物層２８-３の水分含有量は、硬化物層２８-１の水分含有量よりも高くてもよい場合がある。第２の樹脂硬化物層２８-３は、有機ＥＬ素子と直接接触しないからである。また、トップエミッション型の有機ＥＬデバイス（有機ＥＬ素子の発光を封止層２８−３を介して取り出す有機ＥＬデバイス）の場合には、第２の樹脂硬化物層２８-３の光透過率は、樹脂硬化物層２８-１と同様に高い必要がある。
【０１６５】
図１Ｂは、他の面封止型の有機ＥＬデバイスを模式的に示す断面図である。図１Ｂに示されるように、有機ＥＬパネル２０’は、基板２２、有機ＥＬ素子２４、および封止基板２６がこの順に積層されている。基板２２と封止基板２６との間には面封止層２８が配置されており、面封止層２８は有機ＥＬ素子２４の周囲を覆っている。このように、面封止層２８は、有機ＥＬ素子２４を面封止している。
【０１６６】
図１Ｂに示される有機ＥＬデバイス２０’では、面封止層２８が、本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１と、硬化物層２８-１の端面を覆うパッシベーション層２８-２とを含む。図１Ｂに示される有機ＥＬデバイス２０’の他の構成部剤は、図１Ａに示される有機ＥＬデバイス２０の構成部材と同様である。
【０１６７】
本発明の有機ＥＬデバイスは、本発明の効果を損なわない限り、任意の方法で製造されうるが、１）基板上に配置された有機ＥＬ素子を用意する工程と、２）有機ＥＬ素子を、面封止剤で覆い、面封止剤を硬化させて面封止層とする工程と、３）封止基板で封止する工程と、を含む。ここで、面封止層がプラズマに曝される工程が含まれると、本発明の面封止剤の効果が特に有効に発揮される。
【０１６８】
面封止層がプラズマに曝される工程の例には、面封止層にプラズマＣＶＤ法によってパッシベーション膜を成膜する工程や、面封止層にプラズマを照射して表面特性を変化させる工程などが含まれる。表面特性を変化させる（例えば濡れ性を高める）ことで、他の部材との密着性を向上させることができる。特に、本発明の第二の形態の面封止剤からなる封止層はプラズマ耐性に優れており、これらの工程を経ても面封止層の劣化が少なく、例えば高い透明性が維持される。
【０１６９】
図２には、本発明の有機ＥＬデバイスの製造プロセスが模式的に示される。まず、有機ＥＬ素子２４が積層された基板２２を用意する（図２Ａ）。有機ＥＬ素子には、反射画素電極層３０と、有機ＥＬ層３２と、透明対向電極層３４とが含まれるが、さらに他の機能層を有していてもよい。次に、基板２２に積層された有機ＥＬ素子２４上に（透明対向電極層３４を覆うように）、本発明の液状の面封止剤を塗布するか、またはフィルム状の面封止剤をラミネートした後、硬化させて硬化物層２８-１を成膜する（図２Ｂ）。
【０１７０】
次に、硬化物層２８-１上に、パッシベーション層２８-２を成膜する（図２Ｃ）。パッシベーション層（透明無機化合物層）２８-２は、任意の方法、例えばプラズマＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法などで成膜されうる。なかでも、プラズマＣＶＤ法で成膜すると、本発明の効果が顕著に奏される。つまり、パッシベーション層２８-２をプラズマＣＶＤ法で成膜するときに、硬化物層２８-１がスパッタ法などに比べて顕著にプラズマに曝されるにも係わらず、硬化物層２８-１の透明性が維持される。このように、本発明の面封止剤は、プラズマＣＶＤ法でパッシベーション層を成膜する工程を含む製造プロセスにおいて、特に好ましく用いることができる。
【０１７１】
次に、パッシベーション層２８-２を樹脂層で覆い（図２Ｄ）、さらに封止基板２６を重ねあわせて、この状態で樹脂層を硬化させて第２の樹脂硬化物層２８-３とするとともに、封止基板２６をはり合わせる（図２Ｅ）。このようにして、本発明の有機ＥＬデバイス２０が得られる。
【０１７２】
図２では、基板２２に、１つの有機ＥＬ素子２４を形成して、それを封止するフローを示したが；基板２２に形成した複数の有機ＥＬ素子２４を、同様の手順で１回のフローで封止することができる。
【０１７３】
本発明の第一の形態の面封止剤は、有機ＥＬ素子などの光半導体の劣化が生じにくい傾向がある。この理由は、必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。即ち、面封止剤に含まれる３級アミンが移動しやすい状態であると、３級アミンと有機ＥＬ素子の電荷輸送層や発光層を構成する金属とが相互作用して、有機ＥＬ素子の状態を変化させ、素子の劣化を生じやすいと考えられる。これに対して本発明の第一の形態の面封止剤に含まれる３級アミンは、予め金属イオンと錯体を形成しているため、３級アミンの周辺が嵩高くなっている。そのため、３級アミンと有機ＥＬ素子の電荷輸送層や発光層との相互作用が生じにくく、有機ＥＬ素子などの劣化を抑制しうると推定される。
【０１７４】
このような素子の劣化が生じているかどうかは、以下の方法で評価されうる。即ち、蒸着法で有機ＥＬ素子を作製する。作製した素子上に、面封止剤を塗布した後、熱硬化させて当該素子を封止し、サンプル１を得る。一方、作製した素子の周囲を、当該素子に接しないように面封止剤で同様にして封止（中空封止）し、サンプル２を得る。そして、サンプル１とサンプル２の、初期発光特性や寿命、信頼性を測定し、両者を比較する。両者の評価結果に差がなければ、面封止剤と素子との相互作用に起因する素子の劣化はないと判断されうる。具体的には、国際公開第２０１０／０３５５０２号に記載の劣化試験方法と同様の方法で評価することもできる。
【実施例】
【０１７５】
１．第一の形態の面封止剤の評価
１−１．金属錯体（ｂ１）の合成
金属錯体（ｂ１−０）の合成
国際公開第２００６／０２２８９９号に記載された金属アミジン錯体の合成方法に従って、Ｚｎイオンを中心金属にして、１つのＺｎイオンにカルボキシレート化合物として２分子の２−エチルヘキサン酸と、３級アミンとして２分子の１−メチルイミダゾールが配位した金属錯体（ｂ１−０）を合成した。得られた金属錯体（ｂ１−０）における金属イオンに対する３級アミンのモル比は、２．０であった。前記金属錯体（ｂ１−０）について、1H NMR、13C NMR、FD MS、Ｃ，Ｈ，Ｎの元素分析の結果を以下に示す。これらの結果から、金属錯体（ｂ１−０）は上記一般式（１０）の構造であると推定される。【０１７６】
1H NMR （270 MHz, CDCl3）： d 0.89 (t, J = 7.6 Hz, 12 H), 1.22-1.30 (m, 8 H), 1.42-1.67 (m, 8 H), 2.32 (td, J = 6.9 Hz, 3.0 Hz, 2 H), 3.69 (s, 6 H), 6.84 (s, 2 H), 7.37 (s, 2 H), 8.15 (s, 2 H).;
13C NMR (68 MHz, CDCl3): d 183.7, 139.9, 129.0, 120.0, 49.1, 32.6, 30.1, 26.1,22.9, 14.1, 12.3.FD MS m/z (relative intensity): 82.1 (60), 127.1 (30), 725.3 (100), 1427.6 (20).Anal. Calcd for ZnC24H42N4O4: C, 55.9; H, 8.2; N, 10.9.【０１７７】
金属錯体（ｂ１−１）の合成
５Ｌフラスコに、亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）を７６８．１９ｇ（２．１８ｍｏｌ）投入し、イソプロピルアルコールを１５００ｇ加えて、常温常圧下、約１５０ｒｐｍで撹拌した。次いで、亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）が完全に溶解したのを確認後、１，２-ＤＭＺ（１，２−ジメチルイミダゾール）を２１０ｇ（２．１８ｍｏｌ）加えて、撹拌を続けた。次いで、１，２-ＤＭＺを４２ｇ（０．４４ｍｏｌ）さらに加えて、撹拌を続けた。その後、撹拌を停止し、得られた溶液を３Ｌのフラスコに移してエバポレーションによりイソプロピルアルコールを留去し、液状の金属錯体（ｂ１−１）を得た。金属イオンに対する３級アミンのモル比は１．２であった。【０１７８】
得られた金属錯体（ｂ１−１）の１Ｈ ＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3）： δ 0.82 (t, J = 6.8 Hz, 12 H),  1.18-1.23 (m, 8 H), 1.30-1.57 (m, 8H), 2.22 (td, J = 6.9Hz, 3.0Hz, 2 H),   2.51 (s, 3.7 H), 3.57 (s, 3.7 H), 6.76(s, 1.2 H), 7.06(s, 1.2H).【０１７９】
次に、１，２-ＤＭＺ（１，２−ジメチルイミダゾール）の１H ＮＭＲを測定した。
1HNMR（270 MHz、CDCl3）： δ 2.34 (s, 3 H), 3.54 (s, 3 H), 6.76 (s, 1 H), 6.85 (s, 1 H).【０１８０】
金属錯体（ｂ１−１）の１ＨＮＭＲシフトと１，２-ＤＭＺ（１，２−ジメチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、５位の水素原子に帰属するピーク（６．８５→７．０６）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化３５】
2012176472.tif 000037
【０１８１】
金属錯体（ｂ１−２）の合成
３級アミンを１Ｂ２ＭＺ（１−ベンジル−２−メチルイミダゾール）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が０．８となるように、２−エチルヘキサノエート亜鉛や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−２）を得た。【０１８２】
得られた金属錯体（ｂ１−２）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3、標準物質TMS）： δ 0.83 (t, J = 8.1 Hz, 12 H), 1.19-1.28 (m, 8 H), 1.34-1.61 (m, 8 H), 2.22 (td, J = 4.8 Hz, 1.9 Hz, 2 H), 2.50(s, 1.8 H), 5.04 (s, 1.2 H), 6.80 (d, J = 1.6 Hz, 0.6 H), 7.06-7.11 (m, 1.8 H), 7.32-7.38 (m,2.4 H).【０１８３】
次に、１Ｂ２ＭＺ（１−ベンジル−２−メチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3） ： d 2.31 (s, 3H), 5.02 (s, 2 H), 6.82 (d, J = 0.68 Hz, 1 H), 6.94 (d, J = 0.68 Hz,1 H), 7.05 (dd, J = 8.5 Hz, 0.8 Hz, 2 H), 7.27-7.36 (m, 4 H).【０１８４】
金属錯体（ｂ１−２）の１ＨＮＭＲシフトと１Ｂ２ＭＺ（１−ベンジル−２−メチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、２位のメチル基の水素原子に帰属するピーク（２．３１→２．５０）と、５位の水素原子に帰属するピーク（６．９４→７．０６−７．１１）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化３６】
2012176472.tif 000038
【０１８５】
金属錯体（ｂ１−３）の合成
３級アミンを１ＢＭＩ１２（１−イソブチル−２−メチルイミダゾール）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が０．８となるように亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−３）を得た。【０１８６】
得られた金属錯体（ｂ１−３）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3）： δ 0.83 (t, J = 7.0 Hz, 12 H), 0.91 (t, J = 4.1 Hz, 3 H), 0.94 (d, J = 6.5 Hz, 3 H), 1.18-1.26 (m, 8 H), 1.26-1.58 (m, 8 H), 2.03 (qt, J = 13.5, 0.5 Hz, 1 H), 2.23 (td, J = 4.8 Hz, 1.9 Hz, 2 H), 2.50 (s, 3 H), 3.63 (d, 7.3 Hz, 2 H), 6.74 (d, J = 9.7 Hz, 1 H), 7.10 (d, J = 1.4 Hz, 1 H).【０１８７】
次に、１ＢＭＩ１２（１−イソブチル−２−メチルイミダゾール）の１Ｈ ＮＭＲを測定した。
1H NMR（270MHz、CDCl3、標準物質TMS）： δ 0.90 (t, J = 4.1 Hz, 3 H), 0.91 (d, J = 6.5 Hz, 3 H), 1.97 (qt, J = 13.5, 0.5 Hz, 1 H), 2.35 (s, 3 H), 3.61 (d, J = 7.3 Hz, 2 H), 6.77 (d, J = 1.4 Hz, 1 H), 6.87 (d, J = 1.4 Hz, 1 H).【０１８８】
金属錯体（ｂ１−３）の１ＨＮＭＲシフトと１ＢＭＩ１２（１−イソブチル−２−メチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、２位のメチル基の水素原子に帰属するピーク（２．３５→２．５０）と、５位の水素原子に帰属するピーク（６．８７→７．１０）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化３７】
2012176472.tif 000039
【０１８９】
金属錯体（ｂ１−４）の合成
３級アミンを１ＭＩ（１−メチルイミダゾール）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が２．０となるように２−エチルヘキサノエート亜鉛や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−４）を得た。【０１９０】
得られた金属錯体（ｂ１−４）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270MHz、CDCl3）： δ = 0.89 (t, J = 7.6 Hz, 12 H), 1.22-1.30 (m, 8 H), 1.42-1.67 (m, 8 H), 2.32(td, J = 6.9 Hz, 3.0 Hz, 2 H), 3.69 (s, 6 H), 6.84(s, 2 H),7.37 (s, 2 H), 8.15(s, 2 H).【０１９１】
次に、１ＭＩ（１−メチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270MHz、CDCl3、標準物質TMS）：δ= 3.66 (s, 3 H), 6.87 (s, 1 H), 7.02 (s, 1 H), 7.40 (s, 1 H).【０１９２】
金属錯体（ｂ１−４）の１ＨＮＭＲシフトと１ＭＩ（１−メチルイミダゾール）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、２位の水素原子に帰属するピーク（７．４０→８．１５）と、４位の水素原子に帰属するピーク（７．０２→７．３７）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化３８】
2012176472.tif 000040
【０１９３】
金属錯体（ｂ１−５）の合成
３級アミンを１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が０．２となるように２−エチルヘキサノエート亜鉛や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−５）を得た。【０１９４】
得られた金属錯体（ｂ１−５）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270MHz、CDCl3）： δ 0.82 (t, J = 7.8 Hz, 12 H), 1.15-1.25 (m, 8 H), 1.29-1.61 (m, 8 H), 2.23 (td, J = 8.4, 5.7 Hz, 2 H), 5.14 (s, 0.4 H), 7.01 (d, J = 1.4 Hz, 0.2 H), 7.07 (dd, J= 6.5, 1.6 Hz, 0.4 H), 7.27 (d, J = 3.8 Hz, 0.2 H), 7.33-7.45 (m, 1.2 H), 7.58-7.61 (m, 2 H).【０１９５】
次に、１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270MHz、CDCl3）：δ =  5.18  (s, 2 H), 6.93 (d, J =  3.2 Hz, 1 H), 7.03 (dd, J = 3.2, 1.4 Hz, 2 H), 7.18 (d, J = 3.8 Hz, 1 H), 7.23-7.41 (m, 6 H), 7.51-7.58 (m, 2 H).【０１９６】
金属錯体（ｂ１−５）の１Ｈ ＮＭＲシフトと１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、５位の水素原子に帰属するピーク（７．１８→７．２７）、フェニル基の水素原子（７．２３−７．４１→７．３３−７．４５）、フェニル基の水素原子（７．５１−７．５８→７．５８−７．６１）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化３９】
2012176472.tif 000041
【０１９７】
金属錯体（ｂ１−６）の合成
３級アミンをＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が１．０となるように２−エチルヘキサノエート亜鉛や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−６）を得た。【０１９８】
得られた金属錯体（ｂ１−６）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3）：δ 0.85 (t, J = 7.3 Hz, 12 H), 1.19-1.27 (m, 8 H), 1.29-1.67 (m, 14 H), 1.82 (quin, J = 5.9 Hz, 2 H), 2.21 (td, J = 8.1, 3.2 Hz, 2 H), 2.63-2.65 (m, 2 H), 3.21-3.41 (m, 6 H).【０１９９】
次に、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン）の１ＨＮＭＲを測定した。
1HNMR（270 MHz、CDCl3、標準物質TMS）：δ 1.58-1.68 (m, 6 H), 1.78 (quin, J = 6.2 Hz, 2 H), 2.36-2.40 (m, 2 H), 3.17-3.29 (m, 6 H).【０２００】
金属錯体（ｂ１−６）の１ＨＮＭＲシフトとＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、２、９および１１位の水素原子に帰属するピーク（３．１７−３．２９→３．２１−３．４１）、６位の水素原子（２．３６−２．４０→２．６３−２．６５）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化４０】
2012176472.tif 000042
【０２０１】
金属錯体（ｂ１−７）の合成
３級アミンをＤＢＮ（１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エン）に変更し、かつ金属イオンに対する３級アミンのモル比が１．０となるように２−エチルヘキサノエート亜鉛や３級アミンの仕込み量を変更した以外は合成例１と同様にして液状の金属錯体（ｂ１−７）を得た。【０２０２】
得られた金属錯体（ｂ１−７）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3）：δ 0.85 (t, J = 6.8 Hz, 12 H), 1.19-1.29 (m, 8 H), 1.33-1.64 (m, 8 H), 1.82 (quin, J = 5.7 Hz, 2 H), 1.94 (quin, J = 7.8 Hz, 2 H), 2.21 (td, J = 8.1, 3.2 Hz, 2 H), 2.81 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 3.19 (t, J = 5.9 Hz, 2 H), 3.33-3.41 (m, 4 H).【０２０３】
次に、ＤＢＮ（１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エン）の１ＨＮＭＲを測定した。
1H NMR（270 MHz、CDCl3）：δ 1.76 (quin, J = 3.2 Hz, 2 H), 1.89 (quin, J = 3.0 Hz, 2 H), 2.42 (t, J = 8.1 Hz, 2 H), 3.18 (t, J = 5.9 Hz, 2 H), 3.23-3.34 (m, 4 H). 【０２０４】
金属錯体（ｂ１−７）の１ＨＮＭＲシフトとＤＢＮ（１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エン）の１ＨＮＭＲシフトの対比から、７位の水素原子に帰属するピーク（２．４２→２．８１）、４、９位の水素原子（３．２３−３．３４→３．３３−３．４１）が移動していると推測される。下記式において、移動が確認されたピークに帰属する水素原子の位置を、○で示した。
【化４１】
2012176472.tif 000043
【０２０５】
得られた金属錯体（ｂ１−１）〜（ｂ１−７）の組成および１ＨＮＭＲのピーク移動量を、表１にまとめた。表中の金属錯体の欄の数値は質量比を示す。
【表１】
2012176472.tif 000044
【０２０６】
１−２．面封止剤の評価
以下の原料を用いて、面封止剤を調製した。【０２０７】
＜エポキシ樹脂（ａ）＞
３官能エポキシ樹脂：分子量５９２（VG-3101L、プリンテック社製）
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：分子量３３８（YL-983U、ジャパンエポキシレジン社製）
ビスフェノールE型エポキシ樹脂：エポキシ当量１５５〜１７５（R1710、プリンテック社製）【０２０８】
＜金属錯体（ｂ１）＞
前述で合成した金属錯体（ｂ１−０）〜（ｂ１−１）を用いた。
＜アミン化合物（ｂ２）＞
１,２-ジメチルイミダゾール（キュアゾール 1.2DMZ、四国化成製）
１-ベンジル-２-メチルイミダゾール（キュアゾール 1B2MZ、四国化成製）
１-ベンジル-２-フェニルイミダゾール（キュアゾール 1B2PZ、四国化成製）
１-イソブチル-２-メチルイミダゾール（JERキュアIBMI12、ジャパンエポキシレジン製）
２,４,６-トリス[(ジメチルアミノ)メチル]フェノール（JERキュア 3010、ジャパンエポキシレジン製）
トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール・トリ（２−エチルヘキソシエート）（K-61B、エアプロダクツジャパン製）
２-フェニル-４-メチルイミダゾール（キュアゾール 2P4MZ、四国化成製）【０２０９】
＜比較用アミン化合物＞
２-エチル-４-メチルイミダゾール（キュアゾール 2E4MZ、四国化成製）
ジアザシクロウンデセンフタル酸塩（SA-810、サンアプロ製）【０２１０】
＜酸無水物（ｃ）＞
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸とヘキサヒドロ無水フタル酸との混合物（リカシッドMH-700、新日本理化製）【０２１１】
＜シランカップリング剤（ｄ）＞
３-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、分子量２３６（KBM-403、信越化学製）【０２１２】
（実施例１〜１０および比較例１）
窒素で置換したフラスコで、表２に示す組成のエポキシ樹脂１００重量部と、８４重量部の酸無水物と、４重量部のシランカップリング剤と、表２に示す重量部の金属錯体（ｂ１−０）または比較用アミン化合物とを攪拌混合して、面封止剤を得た。【０２１３】
実施例１〜１０および比較例１で得られた面封止剤の粘度を測定した。面封止剤の合成直後の粘度（０ｈ）と、合成後に面封止剤を２５℃で２４時間ないし４８時間保存した後の粘度を、それぞれＥ型粘度計（BROOKFIEL社製デジタルレオメーター型式DII-III  ULTRA）を用いて、２５℃、１ｒｐｍで測定した。そして、測定された値を、それぞれ下記式に当てはめて粘度の上昇率を求めた。
上昇率（％）＝（Δ粘度変化量（２４ｈｒまたは４８ｈｒ後の粘度−合成直後の粘度）／合成直後の粘度）×１００【０２１４】
そして、合成直後の粘度から２５℃で２４時間貯蔵した後の粘度上昇率が５０％以下のものは○、５０％超１００％未満であるものは△、１００％を超えるものは×と評価した。また合成直後の粘度から２５℃で４８時間貯蔵した後の粘度の上昇率が１００％以下のものは○、１００％超２００％未満であるものは△、２００％を超えるものは×と評価した。測定結果を表２に示す。【０２１５】
実施例１〜１０および比較例１で得られた面封止剤の硬化性を、以下の手法で評価した。各面封止剤を、大気中で３０分間加熱して硬化させた硬化物の流動性とタック性を、鉛筆硬度を用いて評価した。硬化物に流動性がなく、かつタック性がない状態を○、流動性がある状態を×、タック性が残っている状態を△として評価した。【０２１６】
また、得られた面封止剤の水分含有量をカールフィッシャー法で測定したところ、実施例１〜１０および比較例１の面封止剤の含水率は、いずれも０．１重量％以下であった。【０２１７】
硬化物層の調製
実施例１〜１０および比較例１で得られた面封止剤を、予めオゾン処理によって洗浄したガラス基板（７ｃｍ×７ｃｍ×０．７ｍｍ厚）に、スクリーン印刷機（Screen Printer Model 2200、MITANI製）を用いて印刷した。面封止剤の塗布は、乾燥状態で５ｃｍ×５ｃｍ×３μｍ厚となるように行った。印刷したガラス基板を、１００℃に加熱したホットプレート上で３０分間加熱して、硬化物層とした。【０２１８】
硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。その後、硬化物層を形成したガラス基板を、プラズマ処理装置（ヤマト科学製、機種名ＰＤＣ２１０、平行平板型）に設置し、酸素流量２０ｍＬ/分、ＲＦ出力５００Ｗの条件で２０分間プラズマ処理を実施した。そして、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。それぞれのヘイズ測定値を、表２に示す。【０２１９】
プラズマ照射後のヘイズが１０％以下のものを○、１０％超〜３０％以下のものを△、３０％を超えるものを×として評価した。【０２２０】
このように、プラズマ処理し、ヘイズの変化を評価することで、有面封止剤の硬化物にプラズマが照射される工程を含む有機ＥＬデバイスの製法において、好適な面封止剤であるか否かを評価できるとともに、耐候性の加速評価も可能となる。【０２２１】
実施例１〜１０および比較例１の面封止剤の評価結果を表２に示す。
【表２】
2012176472.tif 000045
【０２２２】
実施例および比較例のいずれの面封止剤についても、プラズマ処理前の硬化物層のヘイズは十分に低減されている。そして、実施例１〜１０の面封止剤は、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値が３０％未満に抑制されているのに対して、比較例１の面封止剤は、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値が４０％を超えている。【０２２３】
また、比較例１の面封止剤が硬化性は良好なものの、貯蔵安定性が低いのに対し、実施例１〜８の面封止剤は硬化性も高く、かつ貯蔵安定性も良好であることがわかる。特に実施例２、５〜８の面封止剤は、４８時間貯蔵後でも粘度上昇率が低くかつ硬化性が良好であることがわかる。【０２２４】
（実施例１１〜２３および２５、比較例２）
窒素で置換したフラスコで、表３〜５に示す組成のエポキシ樹脂１００重量部と、８４重量部の酸無水物と、４重量部のシランカップリング剤と、表３〜５に示す重量部の金属錯体またはアミン化合物とを攪拌混合して、面封止剤を得た。なお、実施例１１〜１３で用いた金属錯体は、前述で合成した金属錯体（ｂ１−１）〜（ｂ１−３）を用いた。【０２２５】
（実施例２４）
金属錯体に代えて、亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）と１，２−ＤＭＺとをそれぞれ単独で添加した以外は、実施例１１と同様にして面封止剤を得た。【０２２６】
実施例１１〜２５および比較例２で得られた面封止剤の粘度を、前述と同様にして測定した。さらに、錯体化による安定化度を以下のようにして算出した。即ち、３級アミンと、亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）とを別々に配合した面封止剤の２４ｈｒ後の粘度上昇率（錯体化していない場合の上昇率）を、３級アミンと亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）とを錯体化させた金属錯体を含む面封止剤の２４ｈｒ後の粘度上昇率で除した値を「錯体化による安定化度」として算出した。錯体化による安定化度が１よりも大きいと、錯体化により安定性が高められたことを示し、１よりも小さいと錯体化により安定性が低下していることを示す。【０２２７】
なお、後述する表３〜５において、「錯体化していない場合の上昇率」は、３級アミンが「１，２−ＤＭＺ」である場合は、実施例２４の２４ｈｒ後の上昇率を用い；「ＩＢＭＩ１２」である場合は、実施例２５の２４ｈｒ後の上昇率を用い；「１Ｂ２ＭＺ」である場合は、実施例１０の２４ｈｒ後の上昇率を用いた。【０２２８】
実施例１１〜２５および比較例２で得られた面封止剤の硬化性を、前述と同様にして評価した。【０２２９】
硬化物層の調製
実施例１１〜２３および比較例２で得られた面封止剤を、予めオゾン処理によって洗浄したガラス基板（７ｃｍ×７ｃｍ×０．７ｍｍ厚）に、スクリーン印刷機（Screen Printer Model 2200、MITANI製）を用いて印刷した。面封止剤の塗布は、乾燥状態で５ｃｍ×５ｃｍ×３μｍ厚となるように行った。面封止剤を印刷したガラス基板を、１００℃に加熱したホットプレート上で３０分間加熱して、硬化物層とした。【０２３０】
硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。その後、硬化物層を形成したガラス基板を、スパッタ薄膜形成装置（(株)アルバック製、JSP-8000）に設置し、下記条件で厚み５０ｎｍのＳｉＯ２を成膜した。そして、成膜処理後の硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。
＜プレスパッタ条件＞
ターゲット：ＳｉＯ２
ガス種：Ａｒ
ガス流量：１５ｓｃｃｍ
圧力：４．８×１０−１Ｐａ
電源：交流電源（周波数１３．５６ＭＨｚ）
入力電力：３００Ｗ
時間：１２０秒間
温度：室温
＜成膜条件＞
ターゲット：ＳｉＯ２
ガス種：Ａｒ
ガス流量：１５ｓｃｃｍ
圧力：４．８×１０−１Ｐａ
電源：交流電源（周波数１３．５６ＭＨｚ）
入力電力：３００Ｗ
時間：２５００秒間
温度：室温【０２３１】
成膜処理後のヘイズが２５％以下のものを○、２５％超〜４０％以下のものを△、４０％を超えるものを×として評価した。【０２３２】
スパッタ法による成膜処理後のヘイズが低いということは、硬化物層の特に表面の硬化度が比較的高いため、成膜処理後の硬化物層の表面が平滑であること（外部ヘイズが低いこと）を意味する。一方、スパッタ法による成膜処理後のヘイズが高いということは、硬化物層、特にその表面の硬化度が比較的低いため、成膜処理により硬化物層の表面が粗になったこと（外部ヘイズが高いこと）を意味する。なお、スパッタ法による成膜処理後のヘイズが高いということは、必ずしも面封止剤の硬化物の耐候性が低いことを意味するものではない。【０２３３】
実施例１１〜１６の測定結果を表３に示し；実施例１７〜２１の測定結果を表４に示し；実施例２２〜２５および比較例２の測定結果を表５に示す。表中の、金属錯体中のアニオン径とは、アニオン性配位子の半径を示す。アニオン性配位子の半径は、Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｓｔｕｄｉｏ  6.0 Dmol3を用いてconnolly volumeを得た後；connolly volumeを真球の体積と仮定したときの半径として算出した。一方、塩化物イオンや硫酸イオンの半径は、化学便覧  基礎編  改訂2版  日本化学学会編）に記載のイオン半径（ShannonおよびPrewittによる計算値）を用いた。
【表３】
2012176472.tif 000046
【表４】
2012176472.tif 000047
【表５】
2012176472.tif 000048
【０２３４】
表３〜５に示されるように、実施例１１〜２３の面封止剤は、良好な硬化性を示しつつ、錯体化による安定化度が１よりも大きく、面封止剤の貯蔵安定性が高いことが示される。具体的には、（錯体化していない）３級アミンのみを添加した実施例２５および３級アミンと亜鉛ビス（２−エチルヘキソエート）とを（錯体化せずに）別々に添加した実施例２４の面封止剤は、２４ｈｒ後の粘度上昇率がやや高めであるのに対し；実施例１１〜１２および１７〜２３の面封止剤は、２４ｈｒ後の粘度上昇率が低く、３級アミンの錯体化により面封止剤の貯蔵安定性が向上することが示される。一方、比較例２の面封止剤は、３級アミンを含まないことから、硬化性が低く、硬化物の評価ができなかった。【０２３５】
なかでも、実施例１１〜１６および１８〜２０の面封止剤の硬化物は、成膜処理後のヘイズが低く、透明性が良好に維持されることがわかる。これは、実施例１１〜１６および１８〜２０の面封止剤の硬化物の表面の硬化性が高いため、成膜面が粗化されることによる外部ヘイズの上昇を低減できたためと考えられる。【０２３６】
２．第二の形態の面封止剤の評価
（実施例２６〜３４、比較例３〜４）
窒素で置換したフラスコで、表６に示す組成のエポキシ樹脂１００重量部と、８５重量部の酸無水物と、４重量部のシランカップリング剤と、表６に示す重量部のアミン化合物とを攪拌混合して、面封止剤を得た。【０２３７】
実施例２６〜３４および比較例３〜４で得られた面封止剤の粘度を測定した。Ｅ型粘度計（BROOKFIEL社製デジタルレオメーター型式DII-III  ULTRA）を用いて、２５℃における面封止剤の粘度を測定した。測定結果を表６に示す。【０２３８】
実施例２６〜３４および比較例３〜４で得られた面封止剤の硬化性を、以下の手法で評価した。各面封止剤を、２枚のＮａＣｌ結晶板（厚み５ｍｍ）の間に挟んでサンプルを用意した。２枚のＮａＣｌ結晶板（２センチ角）の間に面封止剤を封入し、ＮａＣｌ結晶板同士の間隔が１５μｍとなるようにした。このサンプルを、１００℃で３０分熱処理した前後の赤外線透過スペクトルを、ＦＴ-ＩＲ測定装置によって測定した。得られたスペクトルに基づき、エポキシ基の逆対称環伸縮に由来する吸収ピーク（９１０ｃｍ−１付近）高さを、ベンゼン環の環内Ｃ-Ｃ伸縮に由来する吸収ピーク（１６００ｃｍ−１付近）高さで除して規格化した。そして、熱処理によるエポキシ基由来のピークの減少度合いからエポキシ基の反応率を算出した。【０２３９】
熱処理前のエポキシ基ピークの規格値をｘ１、熱処理後のエポキシ基ピークの規格値をｘ２とした場合、｛（ｘ１−ｘ２）／ｘ１｝×１００（％）で算出される値をエポキシ転化率として算出した。エポキシ転化率が、８０％以上である場合に、評価を○とした。【０２４０】
硬化物層の調製
実施例２６〜３４および比較例３〜４で得られた面封止剤を、予めオゾン処理によって洗浄したガラス基板（７ｃｍ×７ｃｍ×０．７ｍｍ厚）に、スクリーン印刷機（Screen Printer Model 2200、MITANI製）を用いて印刷した。面封止剤の塗布は、乾燥状態で５ｃｍ×５ｃｍ×３μｍ厚となるように行った。印刷したガラス基板を１００℃に加熱したホットプレート上で３０分間加熱して硬化物層とした。【０２４１】
硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。その後、硬化物層を形成したガラス基板を、プラズマ処理装置（ヤマト科学製、機種名ＰＤＣ２１０、平行平板型）に設置し、酸素流量２０ｍＬ/分、ＲＦ出力５００Ｗの条件で２０分間プラズマ処理を実施した。そして、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値（％）を、ヘイズメーター（東京電飾製、機種名TC-H3DPK）を用いて測定した。それぞれのヘイズ測定値を、表６に示す。【０２４２】
このようにプラズマ処理し、ヘイズの変化を評価することで、面封止剤の硬化物にプラズマが照射される工程を含む有機ＥＬデバイスの製法において、好適な面封止剤であるか否かを評価できるとともに、耐候性の加速評価も可能となる。
【表６】
2012176472.tif 000049
【０２４３】
実施例２６〜３４および比較例３〜４のいずれの面封止剤についても、プラズマ処理前の硬化物層のヘイズは十分に低減されている。そして、実施例２６〜３４の面封止剤については、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値が３０％未満に抑制されているのに対して、比較例３〜４の面封止剤については、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値が５０％を超えている。【０２４４】
特に、実施例２６〜３２の面封止剤については、プラズマ処理後の硬化物層のヘイズ値が２０％未満に抑制されている。このことは、硬化促進剤のイミダゾール環の１位に結合している水素原子が、他の置換基に置換されていると、プラズマによるヘイズ上昇がより効果的に抑制できることを示唆している。【０２４５】
本出願は、２０１１年６月２３日出願の特願２０１１−１３９５７８および２０１１年７月１２日出願の特願２０１１−１５４３５２に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
【産業上の利用可能性】
【０２４６】
本発明の第一の形態の面封止剤は、良好な硬化性を有し、かつ貯蔵安定性に優れている。そのため、光半導体デバイスの製造効率を高めることができる。また、本発明の第二の形態の面封止剤の硬化物層で面封止された光半導体を具備する光半導体デバイスデバイスは、硬化物層のヘイズ上昇が抑制される。特に、プラズマ処理をされたときのヘイズ上昇が効果的に抑制される。従って、硬化物層上に、プラズマＣＶＤで無機化合物層を成膜しても、硬化物層の透明性を維持することができる。よって、本発明の光半導体デバイス、特に有機ＥＬデバイスは、光取出し効率が高まる。
【符号の説明】
【０２４７】
２０，２０’  有機ＥＬデバイス
２２  基板
２４  有機ＥＬ素子
２６  封止基板
２８  面封止層
２８−１  硬化物層
２８−２  パッシベーション層
２８−３  第２の樹脂硬化物層
３０  反射画素電極層
３２  有機ＥＬ層
３４  透明対向電極層
【図１】
2012176472.tif 000059
【図２】
2012176472.tif 000060
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、
Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）と、
を含み、
Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである、光半導体用の面封止剤。
【請求項２】
前記アニオン性配位子の価数が前記金属イオンの価数より小さく、かつ
前記アニオン性配位子の半径が２．０Å以上である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項３】
前記３級アミンが、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物である、請求項１または２に記載の光半導体用の面封止剤。
【化１】
2012176472.tif 000061
（一般式（１）において、
Ｒ１は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す）
【化２】
2012176472.tif 000062
（一般式（２）において、
ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化３】
2012176472.tif 000063
（一般式（３）において、
ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化４】
2012176472.tif 000064
（一般式（４）において、
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化５】
2012176472.tif 000065
（一般式（５）において、
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化６】
2012176472.tif 000066
（一般式（６）において、
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【請求項４】
前記アニオン性配位子が、Ｏ、Ｓ、Ｐからなる群から選ばれ、前記金属イオンに結合しうる原子を２以上有し、かつ前記金属イオンに配位して３〜７員環を形成しうるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項５】
前記３級アミンが、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であり、かつ
前記アニオン性配位子が、下記一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物である、請求項３または４に記載の光半導体用の面封止剤。
【化７】
2012176472.tif 000067
（一般式（７Ａ）において、
ＲＤ１は、フリーまたは水素基であり、
ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基である）
【請求項６】
前記面封止剤の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、前記３級アミン単独の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上移動するピークを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項７】
前記金属イオンに対する前記３級アミンのモル比が、０．５〜６．０である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項８】
前記カルボキシレート化合物が、２−エチルヘキサン酸、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸、安息香酸およびナフテン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項５〜７のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項９】
前記３級アミンが、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンからなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１０】
前記光半導体用の面封止剤は、前記金属錯体（ｂ１）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．３となる範囲で含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１１】
前記光半導体用の面封止剤は、酸無水物を、酸無水物基／エポキシ基の当量比が０．８〜１．２となる範囲でさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１２】
含水率が０．１重量％以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１３】
有機ＥＬ素子用の面封止剤である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１４】
基板上に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記有機ＥＬ素子を、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面封止剤で覆う第２の工程と、
前記面封止剤を硬化させた硬化物で、前記有機ＥＬ素子を面封止する第３の工程と、
前記有機ＥＬ素子を面封止する前記硬化物上に、パッシベーション膜を成膜する第４の工程と、
を含む、有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１５】
有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と接触しており、前記有機ＥＬ素子を面封止している請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面封止剤の硬化物からなる硬化物層と、
前記硬化物層と接するパッシベーション層と、
を含む有機ＥＬデバイス。
【請求項１６】
有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を面封止しており、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されるスペクトルにおいて、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属原子に由来するピークと、窒素原子に由来するピークとが検出され、検出される前記金属原子と前記窒素原子とのモル比が、前記金属原子：前記窒素原子＝１：０．５〜１：６．０であり、かつ前記金属原子の含有量が０．５〜１５質量％であるエポキシ樹脂組成物の硬化物層と、
前記硬化物層と接するパッシベーション層と、
を含む、有機ＥＬデバイス。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の有機ＥＬデバイスを有する、有機ＥＬディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第一は、以下の光半導体用の面封止剤に関する。
［１］１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）と、を含み、Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである、光半導体用の面封止剤。
［２］  前記アニオン性配位子の価数が前記金属イオンの価数より小さく、かつ前記アニオン性配位子の半径が２．０Å以上である、［１］に記載の光半導体用の面封止剤。
［３］  前記３級アミンが、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物である、［１］または［２］に記載の光半導体用の面封止剤。
【化１】
2012176472.tif 000068
（一般式（１）において、Ｒ１は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す）
【化２】
2012176472.tif 000069
（一般式（２）において、ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化３】
2012176472.tif 000070
（一般式（３）において、ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化４】
2012176472.tif 000071
（一般式（４）において、ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化５】
2012176472.tif 000072
（一般式（５）において、ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化６】
2012176472.tif 000073
（一般式（６）において、ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
［４］  前記アニオン性配位子が、Ｏ、Ｓ、Ｐからなる群から選ばれ、前記金属イオンに結合しうる原子を２以上有し、かつ前記金属イオンに配位して３〜７員環を形成しうるものである、［１］〜［３］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［５］  前記３級アミンが、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であり、かつ前記アニオン性配位子が、下記一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物である、［３］に記載の光半導体用の面封止剤。
【化７】
2012176472.tif 000074
（一般式（７Ａ）において、ＲＤ１は、フリーまたは水素原子であり、ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基である）
［６］  前記面封止剤の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、前記３級アミン単独の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上移動するピークを含む、［１］〜［５］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［７］  前記金属イオンに対する前記３級アミンのモル比が、０．５〜６．０である、［１］〜［６］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
［８］  前記カルボキシレート化合物が、２−エチルヘキサン酸、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸、安息香酸およびナフテン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、［５］に記載の光半導体用の面封止剤。
［９］  前記３級アミンが、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンからなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、［１］〜［８］のいずれかに記載の光半導体用の面封止剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
特に、紫外線への耐性を付与するという点では、Tinuvin123（ビス(１-オクチロキシ-２,２,６,６-テトラメチル-４-ピペリジル)セバケート）、Tinuvin765（ビス(１,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジル)セバケートとメチル １,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジルセバケートとの混合物）、Hostavin PR25（ジメチル ４-メトキシベンジル Idenemalonate）、Tinuvin 312 または Hostavin vsu（エタンジアミド Ｎ-(２-エトキシフェニル)-Ｎ'-(２-エチルフェニル))、CHIMASSORB 119 FL（Ｎ,Ｎ'-ビス(３-アミノプロピル)エチレンジアミン-２,４-ビス[Ｎ-ブチル-Ｎ-(１,２,２,６,６-ペンタメチル-４-ピペリジル)アミノ]-６-クロロ-１,３,５-トリアジン縮合物）が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
図１Ａは、面封止型の有機ＥＬデバイスを模式的に示す断面図である。図１Ａに示されるように、有機ＥＬデバイス２０は、基板２２、有機ＥＬ素子２４、および封止基板２６がこの順に積層されている。基板２２と封止基板２６との間には面封止層２８が配置されており、面封止層２８は有機ＥＬ素子２４の周囲を覆っている。このように、面封止層２８は、有機ＥＬ素子２４を面封止している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
図１Ｂは、他の面封止型の有機ＥＬデバイスを模式的に示す断面図である。図１Ｂに示されるように、有機ＥＬデバイス２０’は、基板２２、有機ＥＬ素子２４、および封止基板２６がこの順に積層されている。基板２２と封止基板２６との間には面封止層２８が配置されており、面封止層２８は有機ＥＬ素子２４の周囲を覆っている。このように、面封止層２８は、有機ＥＬ素子２４を面封止している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
図１Ｂに示される有機ＥＬデバイス２０’では、面封止層２８が、本発明の面封止剤の硬化物からなる硬化物層２８-１と、硬化物層２８-１の端面を覆うパッシベーション層２８-２とを含む。図１Ｂに示される有機ＥＬデバイス２０’の他の構成部材は、図１Ａに示される有機ＥＬデバイス２０の構成部材と同様である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
このように、プラズマ処理し、ヘイズの変化を評価することで、面封止剤の硬化物にプラズマが照射される工程を含む有機ＥＬデバイスの製法において、好適な面封止剤であるか否かを評価できるとともに、耐候性の加速評価も可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４６】
本発明の第一の形態の面封止剤は、良好な硬化性を有し、かつ貯蔵安定性に優れている。そのため、光半導体デバイスの製造効率を高めることができる。また、本発明の第二の形態の面封止剤の硬化物層で面封止された光半導体を具備する光半導体デバイスは、硬化物層のヘイズ上昇が抑制される。特に、プラズマ処理をされたときのヘイズ上昇が効果的に抑制される。従って、硬化物層上に、プラズマＣＶＤで無機化合物層を成膜しても、硬化物層の透明性を維持することができる。よって、本発明の光半導体デバイス、特に有機ＥＬデバイスは、光取出し効率が高まる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１分子内に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（ａ）と、
Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属イオンと、前記金属イオンと錯形成が可能であって、Ｎ−Ｈ結合を有さない３級アミンと、分子量が１７〜２００のアニオン性配位子とを含む金属錯体（ｂ１）と、
を含み、
Ｅ型粘度計により２５℃、１．０ｒｐｍで測定した粘度が１０〜１００００ｍＰa・sである、光半導体用の面封止剤。
【請求項２】
前記アニオン性配位子の価数が前記金属イオンの価数より小さく、かつ
前記アニオン性配位子の半径が２．０Å以上である、請求項１に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項３】
前記３級アミンが、下記一般式（１）〜（６）のいずれかで表される化合物である、請求項１または２に記載の光半導体用の面封止剤。
【化１】
2012176472.tif 000075
（一般式（１）において、
Ｒ１は、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示す）
【化２】
2012176472.tif 000076
（一般式（２）において、
ＲＢ１、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＢ１、ＲＢ２、ＲＢ３、ＲＢ４、ＲＢ５から選択された複数の基が互いに連結して、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化３】
2012176472.tif 000077
（一般式（３）において、
ＲＣ１、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ２は、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＣ１、ＲＣ２、ＲＣ３、ＲＣ４、ＲＣ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化４】
2012176472.tif 000078
（一般式（４）において、
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＥ１、ＲＥ２、ＲＥ３、ＲＥ４、ＲＥ５から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化５】
2012176472.tif 000079
（一般式（５）において、
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＦ１、ＲＦ２、ＲＦ３、ＲＦ４、ＲＦ５、ＲＦ６、ＲＦ７から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【化６】
2012176472.tif 000080
（一般式（６）において、
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４は、それぞれ独立に水素基、炭素数１〜１７のヘテロ原子を含有してもよい脂肪族炭化水素基、水酸基、アリール含有基またはシアノエチル基を示し；
ＲＧ１、ＲＧ２、ＲＧ３、ＲＧ４から選択された複数の基が互いに連結し、脂環式環、芳香族環、または酸素、窒素、硫黄から選ばれるヘテロ原子を含有する複素環を形成してもよい）
【請求項４】
前記アニオン性配位子が、Ｏ、Ｓ、Ｐからなる群から選ばれ、前記金属イオンに結合しうる原子を２以上有し、かつ前記金属イオンに配位して３〜７員環を形成しうるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項５】
前記３級アミンが、前記一般式（１）〜（３）のいずれかで表される化合物であり、かつ
前記アニオン性配位子が、下記一般式（７Ａ）で表されるカルボキシレート化合物である、請求項３または４に記載の光半導体用の面封止剤。
【化７】
2012176472.tif 000081
（一般式（７Ａ）において、
ＲＤ１は、フリーまたは水素基であり、
ＲＤ２は、水素基、炭素数１〜１０の炭化水素基または水酸基である）
【請求項６】
前記面封止剤の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトのうち３級アミンに由来する化学シフトが、前記３級アミン単独の、ＣＤＣｌ３中、２５℃、２７０ＭＨｚにおける１ＨＮＭＲの化学シフトに対して０．０５ｐｐｍ以上移動するピークを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項７】
前記金属イオンに対する前記３級アミンのモル比が、０．５〜６．０である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項８】
前記カルボキシレート化合物が、２−エチルヘキサン酸、ギ酸、酢酸、ブタン酸、２-エチルブタン酸、２，２−ジメチルブタン酸、３−メチルブタン酸、２，２-ジメチルプロパン酸、安息香酸およびナフテン酸からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項５に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項９】
前記３級アミンが、１，８−ジアゾビシクロ［５，４，０］ウンデカ−７−エン、１−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、1−イソブチル−２−メチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾールおよび１，５−ジアゾビシクロ［４，３，０］ノン−５−エンからなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１０】
前記光半導体用の面封止剤は、前記金属錯体（ｂ１）を、３級アミンの活性官能基／エポキシ基の当量比が０．００８〜０．３となる範囲で含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１１】
前記光半導体用の面封止剤は、酸無水物を、酸無水物基／エポキシ基の当量比が０．８〜１．２となる範囲でさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１２】
含水率が０．１重量％以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１３】
有機ＥＬ素子用の面封止剤である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の光半導体用の面封止剤。
【請求項１４】
基板上に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、
前記有機ＥＬ素子を、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面封止剤で覆う第２の工程と、
前記面封止剤を硬化させた硬化物で、前記有機ＥＬ素子を面封止する第３の工程と、
前記有機ＥＬ素子を面封止する前記硬化物上に、パッシベーション膜を成膜する第４の工程と、
を含む、有機ＥＬデバイスの製造方法。
【請求項１５】
基板上に配置された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と接触しており、前記有機ＥＬ素子を面封止している請求項１〜１３のいずれか一項に記載の面封止剤の硬化物からなる硬化物層と、
前記硬化物層を覆う封止基板と、
を含む有機ＥＬデバイス。
【請求項１６】
基板上に配置された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子を面封止しており、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）で測定されるスペクトルにおいて、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｃａ、Ａｌ、Ｃｄ、Ｌａ、Ｚｒからなる群から選ばれる１種類以上の金属原子に由来するピークと、窒素原子に由来するピークとが検出され、検出される前記金属原子と前記窒素原子とのモル比が、前記金属原子：前記窒素原子＝１：０．５〜１：６．０であり、かつ前記金属原子の含有量が０．５〜１５質量％であるエポキシ樹脂組成物の硬化物層と、
前記硬化物層を覆う封止基板と、
を含む、有機ＥＬデバイス。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の有機ＥＬデバイスを有する、有機ＥＬディスプレイパネル。
【国際調査報告】
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