(57)【要約】【要約書】 Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるＭｎ濃度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することができる。特に、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。 【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるＭｎ濃度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）が１５％以下であることを特徴とする請求項１記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおける電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおける熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）が５％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用銅合金配線を形成するために有用な、好適な自己拡散抑制機能を備えた、活性な銅の拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる高純度銅マンガン合金、特に均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することが可能な高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の配線材料としてＡｌ合金（比抵抗：３．０μΩ・ｃｍ程度）が使われてきたが、配線の微細化に伴い、より抵抗の低い銅配線（比抵抗：２．０μΩ・ｃｍ程度）が実用化されてきた。銅配線の形成プロセスとしては、配線又は配線溝にＴａやＴａＮなどの拡散バリア層を形成した後、銅をスパッタ成膜することが一般に行われる。銅は通常、純度４Ｎ（ガス成分抜き）程度の電気銅を粗金属として湿式や乾式の高純度化プロセスによって、５Ｎ〜６Ｎの高純度のものを製造し、これをスパッタリングターゲットとして使用していた。【０００３】
上記の通り、半導体用配線として、銅は非常に有効であるが、銅自体が非常に活性な金属で拡散し易く、半導体Ｓｉ基板又はその上の絶縁膜を通してＳｉ基板又はその周囲を汚染するという問題が発生している。特に配線の微細化に伴い、従来のＴａやＴａＮの拡散バリア層を形成するだけでは十分でなく、銅配線材そのものの改良も要求されている。そこで、これまで銅配線材としては、銅（Ｃｕ）にマンガン（Ｍｎ）を添加して、Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎが絶縁膜の酸素と反応して自己形成的にバリア層を形成する、自己拡散抑制機能を備えた銅合金が、提案されている。【０００４】
上記の半導体用銅合金配線は、銅マンガン合金スパッタリングターゲットを用いて形成されるが、半導体デバイスの微細化・高密度化・高集積化、配線層の微細化・多層化が進むに連れて、従来では問題とならなかった、配線層の膜厚やシート抵抗における面内バラツキが、ウエハから得られるチップ（製品）の歩留まりに影響を与えるという問題が発生している。そのため、バラツキの少ない薄膜（配線）を成膜することができる銅マンガン合金スパッタリングターゲットが求められている。【０００５】
Ｃｕ−Ｍｎ合金スパッタリングターゲットの例を、以下に挙げる。
特許文献１には、Ｍｎが０．１〜２０．０ａｔ．％、拡散係数がＣｕの自己拡散係数より小さい不可避的不純物元素の濃度が０．０５ａｔ．％以下、残部がＣｕからなるスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献２には、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＭｎおよび／またはＮｉを０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献３には、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、Ｂと化合物を発現する元素（Ｍｎを含む）を０．１〜２．０原子％含み、残部Ｃｕ及び不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献４には、Ｖ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇの内のグループから選ばれた１種以上の成分とＳｃ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒの内のグループから選ばれた１種以上の成分との合計が０．００５〜０．５質量％となるように含み、酸素：０．１〜５ｐｐｍを含み、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献５には、酸素：６越え〜２０モル％を含有し、さらにＭｏ、Ｍｎ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｇおよびＦｅのうちの１種または２種以上を合計で０．２〜５モル％含有し、残部がＣｕおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットが記載されている。
特許文献６には、Ｍｎ、Ｂ、ＢｉまたはＧｅの金属粉と、Ｘ（Ｃｕを含む）、Ｙを含む合金粉または焼結金属とから形成され、平均粒径０．１〜３００μｍの結晶粒を５０％以上含み、含有ガス量が６００ｐｐｍ以下である焼結スパッタリングターゲット材が記載されている。
特許文献７には、パーティクル発生の抑制に関して、Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、金属系不純物：４０ｐｐｍ以下、酸素：１０ｐｐｍ以下、窒素：５ｐｐｍ以下、水素：５ｐｐｍ以下、炭素：１０ｐｐｍ以下、残部がＣｕであるスパッタリングターゲットについて記載がある。
しかし、以上については、ウエハ上に成膜した銅マンガン合金薄膜の面内バラツキは必ずしも十分でないという問題がある。【０００６】
この他、本出願人により提案された半導体素子の配線材として、Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有しＳｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕである半導体用銅合金配線を形成するためのスパッタリングターゲットが記載されている（特許文献８参照）。
これは自己拡散抑制機能を向上させるために有効であるが、ウエハ上に成膜した銅マンガン合金薄膜の面内バラツキを少なくすることを目的とするものではない。
また、本出願人は、先にＣｕ−Ｍｎ合金からなる半導体用銅合金配線材料を開示し（特許文献９参照）、特にＭｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅの総計が５００ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物であるスパッタリングターゲットを提案した。
これも自己拡散抑制機能を向上させるために有効であるが、ウエハ上に成膜した銅マンガン合金薄膜の面内バラツキを少なくすることを目的とするものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４０６５９５９号公報
【特許文献２】特開２００９−９７０８５号公報
【特許文献３】特開２０１０−２４８６１９号公報
【特許文献４】特開２００２−２９４４３７号公報
【特許文献５】特開２００８−３１１２８３号公報
【特許文献６】特開２００９−７４１１２７号公報
【特許文献７】特開２００７−５１３５１号公報
【特許文献８】特開２００６−７３８６３号公報
【特許文献９】国際公開第２００８／０４１５３５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することを課題とする。これによって、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することを可能とする。また、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた半導体用銅合金配線の形成に有用な高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。  
１）Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるＭｎ濃度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット、
２）Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）が１５％以下であることを特徴とする請求項１記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット、
３）Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおける電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット、
４）Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおける熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）が５％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット、を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットは、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、膜厚均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することができ、これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することが可能となる。また、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させることができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明において、Ｃｕ合金に含まれるＭｎは０．０５ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下とするのが望ましい。Ｍｎ０．０５ｗｔ％未満では、自己拡散抑制機能が小さくなり、Ｍｎ２０ｗｔ％を超えると抵抗が増大し、半導体用銅合金配線としての機能は低下するため好ましくない。さらに好ましくは、Ｍｎ０．５〜１０ｗｔ％を含有する銅合金である。
【００１２】
また、本発明において、当該ターゲット表面におけるＭｎ濃度の面内バラツキ（ＣＶ値）を３％以下とするのが望ましい。ターゲット表面におけるＭｎ濃度の面内バラツキが３％を超えると、スパッタリングにより成膜した薄膜に組成ずれが生じ、シート抵抗の変動が増加するため好ましくない。このシート抵抗の変動により、膜厚均一性が評価される。なお、ＣＶ値は、（標準偏差÷平均値）×１００（％）で算出される。
【００１３】
また、本発明において、当該ターゲット表面におけるビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）を１５％以下とするのが望ましい。ターゲット表面におけるビッカース硬さの面内バラツキが１５％を超えると、成膜速度の変動やＭｎのスパッタ率の変動が増加するため好ましくない。したがって、ビッカース硬さの面内バラツキが１５％以下とする。なお、ビッカース硬さの平均値は６０〜９５Ｈｖである。
【００１４】
また、本発明において、当該ターゲット表面における電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）を３％以下とすることが望ましい。また、熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）を５％以下とすることが望ましい。ターゲット表面における電気伝導度の面内バラツキが３％を超えたり、熱伝導度の面内バラツキが５％を超えたりすると、成膜速度の変動やＭｎのスパッタ率の変動が増加するため好ましくない。なお、電気伝導度の平均値は０．１８〜３０μｍ・ｃｍであり、熱伝導度の平均値は２０〜４００Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１である。
【００１５】
また、本発明において、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットの製造は、カーボンルツボ（坩堝）内に純度が６Ｎ以上である高純度銅と純度が５Ｎ以上である添加元素のマンガンを入れて溶解する。または、予め純度が６Ｎ以上である高純度銅をカーボンルツボ（坩堝）内で溶解し、これに５Ｎ以上の純度を有するマンガンを、目的とする成分組成となるように添加することもできる。
【００１６】
このようにして得た合金を鋳造して、Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％の高純度の銅マンガン合金インゴットを得ることができる。その後、この銅マンガン合金のインゴットを、所定の鍛造比で熱間鍛造し、その後所定の圧下率で圧延して圧延板を得る。
これをさらに、所定の温度及び時間で熱処理する。この後、バッキングプレートにボンディングし、仕上げ加工して、前記高純度銅マンガン合金から作製されたスパッタリングターゲット組立体に製造する。
【００１７】
また、本発明において、Ｍｎ組成は、ＩＣＰ−ＡＥＳを用いて計測した。ビッカース硬さは、マツザワ社製のマイクロビッカース計（デジタル微小硬度計）、型番ＭＭＴ−Ｘ７を用いて、荷重１００ｇとして計測した。また、電気伝導度は、ナプソン社製の四探針抵抗測定器、型番ＲＥＳＩＳＴＥＳＴ−９を用いて計測した。また、熱伝導率は、ベテル社製の熱物性顕微鏡、型番ＴＭ−３を用いて計測した。それぞれの面内バラツキは、ターゲット表面における任意の９点を測定して、その平均値と標準偏差から算出して求めた。
【実施例】
【００１８】
次に、実施例に基づいて本発明を説明する。以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。【００１９】
（実施例１、比較例１）
実施例１では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率６０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３５０℃で１時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００２０】
比較例１では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率５０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３００℃で１５分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００２１】
これらのターゲットのＭｎ組成を測定した結果を表１に示す。
表１に示す通り、実施例１のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．４％であり、比較例１の３．８％よりＭｎ組成の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００２２】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例１、比較例１のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表１に示す。ユニフォーミティは、ウエハ上に形成した薄膜の任意の４９点を測定し、その平均値と標準偏差から算出して求めた［（４９点のシート抵抗値の標準偏差）÷（４９点のシート抵抗値の平均値）×１００（％）］。
表１に示す通り、実施例１のターゲットを用いて形成した薄膜は膜厚均一性２．９％であり、比較例１のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．８％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００２３】
【表１】
2013038983.tif 000002
【００２４】
（実施例２、比較例２）
実施例２では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率８０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３５０℃で１時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００２５】
比較例２では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率４０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３００℃で１５分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００２６】
これらのターゲットのＭｎ組成及びビッカース硬さを測定した結果を表２に示す。
表２に示す通り、実施例２のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．３％であり、比較例２の３．８％よりＭｎ組成の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例２のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１４．２％であり、比較例２の１６．５％より、ビッカース硬さの面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００２７】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例２、比較例２のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表２に示す。
表２に示す通り、実施例２のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．７％であり、比較例２のターゲットを用いた場合の膜厚均一性５．２％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００２８】
【表２】
2013038983.tif 000003
【００２９】
（実施例３、比較例３）
実施例３では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率７０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、４００℃で１時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００３０】
比較例３では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率５０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、２００℃で１５分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００３１】
これらのターゲットのＭｎ組成及び電気伝導度を測定した結果を表３に示す。
表３に示す通り、実施例３のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．１％であり、比較例３の３．７％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例３の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．４％であり、比較例３の４．２％より、電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００３２】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例３、比較例３のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表３に示す。
表３に示す通り、実施例３のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性３．２％であり、比較例３のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．３％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００３３】
【表３】
2013038983.tif 000004
【００３４】
（実施例４、比較例４）
実施例４では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、４００℃で１時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００３５】
比較例４では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率４０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、２００℃で１５分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００３６】
これらのターゲットのＭｎ組成、ビッカース硬さ及び電気伝導度を測定した結果を表４に示す。
表４に示す通り、実施例４のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．７％であり、比較例４の４．６％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例４のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１２．４％であり、比較例４の１５．２％よりビッカース硬さのバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例４の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．９％であり、比較例３の３．４％より、電気伝導度のバラツキが少ないターゲットが得られた。【００３７】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例４、比較例４のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表４に示す。
表４に示す通り、実施例４のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．５％であり、比較例４のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．９％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００３８】
【表４】
2013038983.tif 000005
【００３９】
（実施例５、比較例５）
実施例５では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率６０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３５０℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００４０】
比較例５では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率５０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３００℃で３０分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００４１】
これらのターゲットのＭｎ組成及び熱伝導度を測定した結果を表５に示す。
表５に示す通り、実施例５のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．４％であり、比較例５の３．９％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例５の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は４．７％であり、比較例５の５．９％より熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００４２】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例５、比較例５のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表５に示す。
表５に示す通り、実施例５のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．７％であり、比較例５のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．７％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００４３】
【表５】
2013038983.tif 000006
【００４４】
（実施例６、比較例６）
実施例６では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率８０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３５０℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００４５】
比較例６では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率３０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、３００℃で３０分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００４６】
これらのターゲットのＭｎ組成、ビッカース硬さ及び熱伝導度を測定した結果を表６に示す。
表６に示す通り、実施例６のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．２％であり、比較例６の４．２％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例６のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１４．８％であり、比較例６の１９．２％よりビッカース硬さの面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例６の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は３．３％であり、比較例６の５．２％より熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００４７】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例６、比較例６のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表６に示す。
表６に示す通り、実施例６のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．４％であり、比較例６のターゲットを用いた場合の膜厚均一性５．２％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００４８】
【表６】
2013038983.tif 000007
【００４９】
（実施例７、比較例７）
実施例７では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率７０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００５０】
比較例７では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率５０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、２００℃で３０分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００５１】
これらのターゲットのＭｎ組成、電気伝導度及び熱伝導度を測定した結果を表７に示す。
表７に示す通り、実施例７のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．３％であり、比較例７の３．９％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例７の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．６％であり、比較例７の４．７％より電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例７の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は４．５％であり、比較例７の５．４％より熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００５２】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例７、比較例７のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表７に示す。
表７に示す通り、実施例７のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．８％であり、比較例７のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．８％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００５３】
【表７】
2013038983.tif 000008
【００５４】
（実施例８、比較例８）
実施例８では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００５５】
比較例８では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×６０ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ２００とした。その後、圧下率３０％で圧延してφ４４０×１０ｔとした。
次に、２００℃で３０分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径４３０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００５６】
これらのターゲットのＭｎ組成、ビッカース硬さ、電気伝導度及び熱伝導度を測定した結果を表８に示す。
表８に示す通り、実施例８のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．３％であり、比較例８の４．３％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例８のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１３．８％であり、比較例８の１８．０％より電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例８の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．８％であり、比較例８の５．２％より電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例８の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．６％であり、比較例８の５．３％より熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００５７】
次に、スパッタリングによって形成した薄膜の膜質評価として、実施例８、比較例８のターゲットをスパッタして成膜し、形成した薄膜のシート抵抗値を測定し、その膜厚均一性（ユニフォーミティ）を算出した。その結果を表８に示す。
表８に示す通り、実施例８のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性３．１％であり、比較例８のターゲットを用いた場合の膜厚均一性４．６％に比べて、長時間スパッタリングを続けても、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示していた。【００５８】
【表８】
2013038983.tif 000009
【００５９】
（実施例９、比較例９）
実施例９では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×１５１ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２２０とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ７００×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径６５０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００６０】
比較例９では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×１５１ｔとした後、鍛造比２．３で鍛造してφ４００とした。その後、圧下率３０％で圧延してφ７００×１０ｔとした。
次に、２００℃で３０分間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径６５０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００６１】
これらのターゲットのＭｎ組成、ビッカース硬さ、電気伝導度及び熱伝導度を測定した結果を表９に示す。
表９に示す通り、実施例９のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．２％であり、比較例９の４．４％よりＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例８のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１３．６％であり、比較例９の１８．２％より電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例９の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．６％であり、比較例９の５．３％より電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例９の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．７％であり、比較例９の５．４％より熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。
また表８、表９の結果より、Ｍｎ組成、ビッカース硬さ、電気伝導度、熱伝導度の面内バラツキはターゲット径に依存しない結果であった。【００６２】
【表９】
2013038983.tif 000010
【００６３】
（実施例１０）
実施例１０では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は０．５ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×１５１ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２２０とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ７００×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径６５０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００６４】
実施例１１では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１０ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×１５１ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２２０とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ７００×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径６５０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００６５】
実施例１２では、純度６Ｎの高純度銅（Ｃｕ）を、カーボンルツボ（坩堝）を用いて高真空雰囲気中で溶解した。また、純度５Ｎの高純度マンガン（Ｍｎ）を調整し、銅の溶湯に投入した。Ｍｎ量は１５ｗｔ％に調整した。
前記Ｍｎを投入して溶解した後、この銅マンガン合金の溶湯を、高真空雰囲気中で水冷銅鋳型に鋳込んでインゴットを得た。次に、製造したインゴットの表面層を除去してφ１８０×１５１ｔとした後、鍛造比４．８で鍛造してφ２２０とした。その後、圧下率９０％で圧延してφ７００×１０ｔとした。
次に、４００℃で２時間熱処理後、ターゲット全体を急冷してターゲット素材とした。これを機械加工で直径６５０ｍｍ、厚さ７ｍｍのターゲットに加工した。【００６６】
これらのターゲットのＭｎ組成、ビッカース硬さ、電気伝導度及び熱伝導度を測定した結果を表１０に示す。
表１０に示す通り、実施例１０のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．１％、実施例１１のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．２％、実施例１２のＭｎ組成の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．２％、でありＭｎ組成のバラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例１０のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１３．２％、実施例１１のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１２．３％、実施例１２のビッカース硬さの面内バラツキ（ＣＶ値）は１１．９％であり、硬さの面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例１０の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．３％、実施例１１の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．２％、実施例１２の電気伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．６％であり、電気伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。また、実施例１０の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．１％、実施例１１の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．４％、実施例１２の熱伝導度の面内バラツキ（ＣＶ値）は２．６％であり、熱伝導度の面内バラツキが少ないターゲットが得られた。【００６７】
【表１０】
2013038983.tif 000011
【００６８】
なお、上記実施例１０−１２より、Ｍｎ量が０．０５〜２０ｗｔ％の範囲内であれば、同様の効果が得られることを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
本発明は、銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供するものであり、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、スパッタリングにより成膜した膜の膜質を改善するものである。特に、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。そして、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた、半導体用銅マンガン合金配線の形成に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特許第４０６５９５９号公報
【特許文献２】特開２００９−９７０８５号公報
【特許文献３】特開２０１０−２４８６１９号公報
【特許文献４】特開２００２−２９４４３７号公報
【特許文献５】特開２００８−３１１２８３号公報
【特許文献６】特開２００９−７４１２７号公報
【特許文献７】特開２００６−７３８６３号公報
【特許文献８】国際公開第２００８／０４１５３５号
【特許文献９】特開２００７−５１３５１号公報
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特許第４０６５９５９号公報
【特許文献２】特開２００９−９７０８５号公報
【特許文献３】特開２０１０−２４８６１９号公報
【特許文献４】特開２００２−２９４４３７号公報
【特許文献５】特開２００８−３１１２８３号公報
【特許文献６】特開２００９−７４１２７号公報
【特許文献７】特開２００７−５１３５１号公報
【特許文献８】特開２００６−７３８６３号公報
【特許文献９】国際公開第２００８／０４１５３５号
【国際調査報告】
2013038983.tif 000012
2013038983.tif 000013
2013038983.tif 000014
2013038983.tif 000015