(57)【要約】  クロストーク成分を低減して高速な並列光伝送を実現可能にした光モジュールを提供する。  光モジュール１０では、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号をそれぞれ伝送する複数のワイヤ２２の長さが最短になるように、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａとドライバＩＣ１５の表面１５ａとが同程度の高さになるように、ドライバＩＣ１５が基板１１上に形成された凹部４０内に配置されている。隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができる。
2009090988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールであって、
電極パターンを有する基板と、
前記基板の電極パターン上に実装された複数の光素子と、
前記基板の電極パターン上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備え、
前記複数の光素子と前記電子素子との間で信号を伝送する伝送線路の長さが最短になるように、前記複数の光素子と前記電子素子が前記基板上に配置されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記複数の光ファイバを保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部をさらに備え、
前記光コネクタ部は、前記基板上で二次元的に位置調整可能であることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
ワイヤ長が最短になるように前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが同程度の高さになるように、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、
前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記凹部は略垂直な壁面を有し、
前記複数の光素子は、前記壁面に近接した位置でかつ前記壁面に沿って整列するように前記基板上に配置され、
前記電子素子は前記壁面に近接した位置で前記凹部内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記電子素子が前記基板上にフリップチップ実装され、
ワイヤ長が最短になるように前記複数の光素子の面と前記基板の面とが同程度の高さになるように、前記複数の光素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、
前記複数の光素子と、前記電子素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記複数の光素子はそれぞれ裏面側から光を出射する面発光型半導体レーザ素子であり、
前記複数の光素子は前記基板上にフリップチップ実装され、
ワイヤ長が最短になるように前記電子素子の表面と前記基板の表面とが同程度の高さになるように、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、
前記電子素子と、前記複数の光素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項７】
前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、
前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されており、
前記複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、前記電子素子の面を前記複数の光素子の面より高くしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項８】
前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、
前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されており、
前記複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、前記複数の光素子の面を前記電子素子の面より高くしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の光モジュール。
【請求項９】
前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の光モジュール。
【請求項１０】
前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の光モジュール。
【請求項１１】
複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールであって、
電極パターンを有する基板と、
前記基板の電極パターン上に実装された複数の光素子と、
前記基板の電極パターン上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備え、
前記複数の光素子と前記電子素子が前記基板上で近接した位置に配置されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項１２】
前記複数の光ファイバを保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部をさらに備え、
前記光コネクタ部は、前記基板上で二次元的に位置調整可能であることを特徴とする請求項１１に記載の光モジュール。
【請求項１３】
前記電子素子と前記複数の光素子が複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の光モジュール。
【請求項１４】
前記複数のワイヤのワイヤ水平方向長さをそれぞれ５００μｍ以下にしたことを特徴とする請求項１３に記載の光モジュール。
【請求項１５】
前記電子素子が前記基板上にフリップチップ実装され、前記複数の光素子と、前記電子素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の光モジュール。
【請求項１６】
前記複数の光素子と電子素子をそれぞれ電気的に接続する前記複数のワイヤと配線とで構成される複数の伝送線路長を５００μｍ以下にしたことを特徴とする請求項１５に記載の光モジュール。
【請求項１７】
前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一つに記載の光モジュール。
【請求項１８】
前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一つに記載の光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光モジュール、特に、ボード間光伝送システムや装置間（筐体間）光伝送システムに用いられ、並列に配置された複数の光ファイバ（チャンネル）で光信号を並列伝送する並列光伝送モジュールとしての光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の発光素子と、複数の発光素子を駆動する電子素子（ＩＣ）とをケース内に収容して一体化した光モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
また、複数のレーザダイオード或いは複数のフォトダイオードと、ＩＣ（各レーザダイオードを駆動するドライバＩＣ或いは各フォトダイオードの出力を処理する増幅用ＩＣ）とを収容してケース内に一体化した光モジュールが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２６１３７２号公報
【非特許文献１】岡安俊幸，“メモリテストシステムにおける高密度インターコネクション”，第二回シリコンアナログＲＦ研究会，2004/8/2
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特許文献１や非特許文献１に開示された従来の光モジュールでは、シリコン・オプティカルベンチ（ＳｉＯＢ）を用いたパッシブ調芯により、フェルールに保持された複数の光ファイバの各中心と複数の光素子の各光出射部の中心とをそれぞれ一致させるようにしている。この構成の従来技術では、複数の光素子と電子素子（ＩＣ）との間にＳｉＯＢが介在するため、複数の光素子と電子素子を、ＳｉＯＢ上の配線を介して電気的に接続する構成になる。つまり、複数の光素子をＳｉＯＢ上の配線とワイヤで接続し、この配線と電子素子をワイヤで接続する構成になる。これにより、複数の発光素子と電子素子を電気的に接続する複数の伝送線路長が長くなる。このため、隣接する伝送線路間でのクロストーク成分が増え、高速な並列光伝送を実現するのが難しいという問題があった。【０００５】
本発明は、このような従来の問題点に鑑みて為されたもので、その目的は、クロストーク成分を低減して高速な並列光伝送を実現可能にした光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係る光モジュールは、複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールであって、電極パターンを有する基板と、前記基板の電極パターン上に実装された複数の光素子と、前記基板の電極パターン上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備え、前記複数の光素子と前記電子素子との間で信号を伝送する伝送線路の長さが最短になるように、前記複数の光素子と前記電子素子が前記基板上に配置されていることを特徴とする。【０００７】
この構成によれば、隣接する伝送線路間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。【０００８】
請求項２に記載の発明に係る光モジュールは、前記複数の光ファイバを保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部をさらに備え、前記光コネクタ部は、前記基板上で二次元的に位置調整可能であることを特徴とする。【０００９】
この構成によれば、光コネクタ部を基板上で二次元的に位置調整することで、複数の光ファイバと複数の光素子とがそれぞれ光結合するようにアクティブ調芯する構成にしている。このため、上記従来技術のように、パッシブ調芯するためのＳｉＯＢが不要になり、複数の素子と電子素子を基板上で近接した位置に配置することができる。これにより、複数の発光素子と電子素子を電気的に接続する複数の伝送線路長を短くすることができる。なお、ここにいう「複数の光ファイバと複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置」は、複数の光ファイバの各一端部の中心（コア中心）と複数の光素子の各光出射部或いは受光部の中心とが一致する位置をいう。【００１０】
請求項３に記載の発明に係る光モジュールは、ワイヤ長が最短になるように前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが同程度の高さになるように、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されていることを特徴とする。【００１１】
この構成によれば、複数の光素子と電子素子をワイヤボンディング実装した光モジュールにおいて、隣接するワイヤ間でのクロストークを低減することができる。【００１２】
請求項４に記載の発明に係る光モジュールは、前記凹部は略垂直な壁面を有し、前記複数の光素子は、前記壁面に近接した位置でかつ前記壁面に沿って整列するように前記基板上に配置され、前記電子素子は前記壁面に近接した位置で前記凹部内に配置されていることを特徴とする。【００１３】
この構成によれば、複数の光素子と電子素子を更に近くに配置できるので、伝送線路の長さを更に短くすることができる。これにより、隣接する伝送線路間でのクロストークを更に低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。【００１４】
請求項５に記載の発明に係る光モジュールは、前記電子素子が前記基板上にフリップチップ実装され、ワイヤ長が最短になるように前記複数の光素子の面と前記基板の面とが同程度の高さになるように、前記複数の光素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、前記複数の光素子と、前記電子素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする。【００１５】
この構成によれば、電子素子を基板上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。なお、この場合、複数の光素子と電子素子との間で信号を伝送する伝送線路は、電子素子が電気的に接続された基板上の配線と複数のワイヤとで構成される。【００１６】
請求項６に記載の発明に係る光モジュールは、前記複数の光素子はそれぞれ裏面側から光を出射する面発光型半導体レーザ素子であり、前記複数の光素子は前記基板上にフリップチップ実装され、ワイヤ長が最短になるように前記電子素子の表面と前記基板の表面とが同程度の高さになるように、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、前記電子素子と、前記複数の光素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする。【００１７】
この構成によれば、裏面側から光を出射する面発光型半導体レーザ素子（裏面発光型ＶＣＳＥＬ）である複数の光素子を基板上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。なお、この場合、複数の光素子と電子素子との間で信号を伝送する伝送線路は、複数の光素子が電気的に接続された基板上の配線と複数のワイヤとで構成される。【００１８】
請求項７に記載の発明に係る光モジュールは、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されており、前記複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、前記電子素子の面を前記複数の光素子の面より高くしたことを特徴とする。【００１９】
この構成によれば、複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさずに、各ワイヤ長を出来る限り短くすることができる。【００２０】
請求項８に記載の発明に係る光モジュールは、前記電子素子が前記基板上に形成された凹部内に配置され、前記複数の光素子の面と前記電子素子の面とが、前記伝送線路としての複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されており、前記複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、前記複数の光素子の面を前記電子素子の面より高くしたことを特徴とする。【００２１】
この構成によれば、複数のワイヤの各両端で電気的ショートを起こさずに、各ワイヤ長を出来る限り短くすることができる。【００２２】
請求項９に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。【００２３】
この構成によれば、高速並列光伝送が可能な送信側光モジュールを実現することができる。【００２４】
請求項１０に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。【００２５】
この構成によれば、高速並列光伝送が可能な受信側光モジュールを実現することができる。【００２６】
上記課題を解決するために、請求項１１に記載の発明に係る光モジュールは、複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールであって、電極パターンを有する基板と、
前記基板の電極パターン上に実装された複数の光素子と、前記基板の電極パターン上に実装され、前記複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備え、前記複数の光素子と前記電子素子が前記基板上で近接した位置に配置されていることを特徴とする。この構成によれば、複数の発光素子と電子素子を電気的に接続する複数の伝送線路長が短くなり、隣接する伝送線路間でのクロストークを低減することができる。これにより、高速並列光伝送を実現することができる。【００２７】
請求項１２に記載の発明に係る光モジュールは、前記複数の光ファイバを保持し、前記複数の光ファイバと前記複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置で前記基板に固定される光コネクタ部をさらに備え、前記光コネクタ部は、前記基板上で二次元的に位置調整可能であることを特徴とする。この構成によれば、光コネクタ部を基板上で二次元的に位置調整することで、複数の光ファイバと複数の光素子とがそれぞれ光結合するようにアクティブ調芯する構成にしている。このため、上記従来技術のように、パッシブ調芯するためのＳｉＯＢが不要になり、複数の素子と電子素子を基板上で近接した位置に配置することができる。これにより、複数の発光素子と電子素子を電気的に接続する複数の伝送線路長を短くすることができる。なお、ここにいう「複数の光ファイバと複数の光素子とがそれぞれ光結合する位置」は、複数の光ファイバの各一端部の中心（コア中心）と複数の光素子の各光出射部或いは受光部の中心とが一致する位置をいう。【００２８】
請求項１３に記載の発明に係る光モジュールは、前記電子素子と前記複数の光素子が複数のワイヤでそれぞれ直接、電気的に接続されていることを特徴とする。この構成によれば、複数の発光素子と電子素子を電気的に接続する複数のワイヤのワイヤ長が短くなる。これにより、電子素子と複数の光素子をワイヤボンディング実装した光モジュールにおいて、隣接するワイヤ間でのクロストークを低減することができる。【００２９】
請求項１４に記載の発明に係る光モジュールは、前記複数のワイヤのワイヤ水平方向長さをそれぞれ５００μｍ以下にしたことを特徴とする。この構成によれば、１０Ｇｂｉｔ／ｓ（＜８ＧＨｚ）での伝送時の隣接するワイヤ（チャンネル）間でのクロストークを３０ｄＢ以下に抑えることができる。【００３０】
請求項１５に記載の発明に係る光モジュールは、前記電子素子が前記基板上にフリップチップ実装され、前記複数の光素子と、前記電子素子が電気的に接続された前記基板上の配線とが複数のワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする。この構成によれば、複数の光素子と電子素子をそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと配線とで複数の伝送線路がそれぞれ構成され、複数の伝送線路長が短くなる。これにより、電子素子を基板上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。【００３１】
請求項１６に記載の発明に係る光モジュールは、前記複数の光素子と電子素子をそれぞれ電気的に接続する前記複数のワイヤと配線とで構成される複数の伝送線路長を５００μｍ以下にしたことを特徴とする。この構成によれば、１０Ｇｂｉｔ／ｓ（＜８ＧＨｚ）での伝送時の隣接するワイヤ（チャンネル）間でのクロストークを３０ｄＢ以下に抑えることができる。【００３２】
請求項１７に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数の面発光型半導体レーザ素子と、前記複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動する前記電子素子としてのドライバＩＣとを備え、前記複数の面発光型半導体レーザ素子からそれぞれ出射される光信号を前記複数の光ファイバを介して外部へ並列伝送する送信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。この構成によれば、高速並列光伝送が可能な送信側光モジュールを実現することができる。【００３３】
請求項１８に記載の発明に係る光モジュールは、前記光素子としての複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅する機能を有する前記電子素子としての増幅用ＩＣとを備え、外部から前記複数の光ファイバを介して並列伝送された光信号を前記複数のフォトダイオードで受光して電気信号に変換する受信側光モジュールとして構成したことを特徴とする。この構成によれば、高速並列光伝送が可能な受信側光モジュールを実現することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、クロストーク成分を低減して高速な並列光伝送を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光モジュールの主要部を示す斜視図。
【図２】図１の断面図。
【図３】第１実施形態に係るモジュールの概略構成を示す縦断面図。
【図４Ａ】第１実施形態に係る光モジュール全体を示す斜視図。
【図４Ｂ】光ファイバを示す拡大図。
【図４Ｃ】レーザーダイオードアレイの各面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣの接続関係を示す平面図。
【図５】第１実施形態に係る光モジュールを示す分解斜視図。
【図６】光モジュールの光コネクタ部を示す斜視図。
【図７】光コネクタ部に外部のコネクタを装着した状態を示す斜視図。
【図８】第２実施形態に係る光モジュールの主要部を示す斜視図。
【図９】第３実施形態に係る光モジュールの主要部を示す断面図。
【図１０】第４実施形態に係る光モジュールの主要部を示す断面図。
【図１１】第５実施形態に係る光モジュールの主要部を示す断面図。
【図１２】第６実施形態の実施例の説明図。
【図１３】従来モデルと提案モデルの隣接チャンネル間クロストークの比較を示すグラフ。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
次に、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態の説明において同様の部位には同一の符号を付して重複した説明を省略する。
（第１実施形態）
第１実施形態に係る光モジュールを図１乃至図７に基づいて説明する。【００３７】
図１は第１実施形態に係る光モジュールの主要部を示す斜視図、図２は図１の断面図である。図３は光モジュールの概略構成を示す縦断面図である。図４Ａは光モジュール全体を示す斜視図、図４Ｂはその光モジュールに用いる複数の光ファイバの１本を示す拡大図、図４Ｃはその光モジュールに用いるレーザーダイオードアレイの各面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣの接続関係を示す平面図。図５は光モジュールの概略構成を示す分解斜視図、図６は光モジュールの光コネクタ部を示す斜視図、図７はその光モジュールの光コネクタ部に外部のコネクタ（多心用のフェルール型コネクタ）を装着した状態を示す斜視図である。【００３８】
第１実施形態に係る光モジュール１０は、複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールである。この光モジュール１０は、図１および図２に示すように、電極パターン（図示省略）を有する基板１１と、その電極パターン上に整列して実装された複数の光素子と、その電極パターン上に実装され、複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備える。【００３９】
基板１１は、セラミックス基板である。本実施形態では、複数の光素子は、一列に整列された複数の面発光型半導体レーザ素子（光素子）を有するレーザーダイオードアレイ１４で構成されている。図４Ｃで符号１４ａは、レーザーダイオードアレイ１４における複数の面発光型半導体レーザ素子の各光出射部（開口部）を示している。光素子としての面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に光（光信号２３）を出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。また、電子素子は、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動するドライバＩＣ１５である。【００４０】
この光モジュール１０の特徴は、図１および図２に示すように、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号をそれぞれ伝送する複数のワイヤ（伝送線路）２２の長さが最短になるように、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣが基板１１上に配置されている点にある。具体的には、レーザーダイオードアレイ１４の表面（面）１４ａとドライバＩＣ１５の表面（面）１５ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さになるように、ドライバＩＣ１５が基板１１上に形成された凹部４０内に配置されている。【００４１】
また、この光モジュール１０では、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を近くに配置できるようにして、複数のワイヤ２２を短くするために、凹部４０の壁面４０ａを略垂直にしている。そして、レーザーダイオードアレイ１４は、壁面４０ａに近接した位置で基板１１上に配置され、ドライバＩＣ１５は壁面４０ａに近接した位置で凹部４０内に配置されている。【００４２】
レーザーダイオードアレイ１４は、基板１１の表面１１ａ上に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。ドライバＩＣ１５は、その一部を基板１１の凹部４０内に収容させて、その凹部４０の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４０は、略垂直な壁面４０ａを有する矩形の穴である。レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４０ａの近くになるように基板の表面１１ａ上に配置されている。一方、ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４０ａの近くになるように凹部４０の底面に配置されている。このようにして、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。そして、ドライバＩＣ１５とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とが、すなわち、ドライバＩＣ１５の表面１５ａ上の電極とレーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａ上の各面発光型半導体レーザ素子の電極とが、伝送線路としての複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されている（図１、図２および図４Ｃ参照）。【００４３】
つまり、ドライバＩＣ１５とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が、上記従来技術のようにＳｉＯＢ上の配線を介さずに、複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。これにより、ドライバＩＣ１５からレーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子には、各ボンディングワイヤ２２を介して変調信号が入力され、レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子から変調信号により変調された光信号２３が出射されるようになっている。また、ドライバＩＣ１５と基板１１の電極パターンとは、図示を省略した複数のボンディングワイヤで電気的に接続されている。図４Ｃで符号２２ａは、各面発光型半導体レーザ素子の電極に融着されたボールである。【００４４】
光モジュール１０はさらに、図３、図４Ａおよび図５に示すように、光コネクタ部１２と、カバー１３と、２本のガイドピン３２とを備えている。【００４５】
光コネクタ部１２は、図４Ａ〜図４Ｃおよび図６に示すように、複数の光ファイバ１６を一列に（図３で紙面に垂直な方向に）整列させて保持している。この光コネクタ部１２は、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａ（図４Ｂ参照）の中心（コア中心）とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致するようにアクティブ調芯した後、基板１１の表面１１ａ上に固定される。これにより、レーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａからの各出射光（光信号２３）は、複数の光ファイバ１６の対応する光ファイバの一端部１６ａにそれぞれ光結合するようになっている。【００４６】
また、光コネクタ部１２は、図６に示すように、左右の側壁部１７を有する。両側壁部１７の下端面１７ａが基板１１の表面１１ａとそれぞれ摺動可能に接している。複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致するように、光コネクタ部１２を基板１１の表面１１ａ内で二次元的に動かしてアクティブ調芯した後、光コネクタ部１２の両側壁部１７の下端面１７ａを基板１１の表面１１ａに接着等により固定する。【００４７】
さらに、光コネクタ部１２は、図６に示すように、複数の光ファイバ１６が嵌合する一列に整列した複数のファイバ保持孔１２ａと、これらのファイバ保持孔１２ａの両側に設けられた２つのガイドピン孔１２ｂとを有する。２つのガイドピン孔１２ｂに、２つのガイドピン３２がそれぞれ嵌合可能になっている。【００４８】
２つのガイドピン３２には、図７に示す外部のコネクタである多心光ファイバコネクタ（以下、ＭＴコネクタという。）３０の２つの貫通孔がそれぞれ嵌合可能になっている。ＭＴコネクタ３０の２つの貫通孔を２つのガイドピン３２にそれぞれ嵌合させることにより、ＭＴコネクタ３０に保持された多心光ファイバ（多心テープ光ファイバ）３１の各光ファイバの中心（コア中心）と、光コネクタ部１２に保持された複数の光ファイバ１６の各中心（コア中心）とが一致した状態で、ＭＴコネクタ３０が図７に示すように光コネクタ部１２に装着されるようになっている。【００４９】
カバー１３は、図３、図４Ａおよび図５に示すように、光コネクタ部１２を装着するための開口部１３ａを有し、レーザーダイオードアレイ１４、ドライバＩＣ１５などの部品全体を覆うように基板１１に接着等により固定される。このカバー１３は、熱伝導率の高い材料、例えばＣｕ（銅）とＷ（タングステン）の合金で作製されている。【００５０】
また、光コネクタ部１２の側面とカバー１３の開口部１３ａとの間の隙間には、図３に示すように樹脂封止剤或いは接着剤等の樹脂１８が充填されている。ドライバＩＣ１５とカバー１３との間のギャップ（空間）には、熱伝導性と絶縁性を有するシリコーンゲル１９が封止剤として充填されている。また、複数の光ファイバ１６の一端部１６ａとレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａとの間の空間には、透明なシリコーンゲル２０が封止剤として充填されている。【００５１】
以上のように構成された第１実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
○レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号をそれぞれ伝送する複数のワイヤ（伝送線路）２２の長さが最短になるように、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣが基板１１上に配置されている。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。【００５２】
○レーザーダイオードアレイ１４の表面（面）１４ａとドライバＩＣ１５の表面（面）１５ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さになるように、ドライバＩＣ１５が凹部４０内に配置され、表面１４ａと表面（面）１５ａとが伝送線路としての複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されているので、複数のワイヤ２２のワイヤ長Ｌ（図２参照）が短くなる。これにより、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５をワイヤボンディング実装した光モジュールにおいて、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができる。【００５３】
○光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に位置調整することで、複数の光ファイバ１６とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とがそれぞれ光結合するようにアクティブ調芯する構成にしている。つまり、このアクティブ調芯により、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致させる。このため、上記従来技術のように、パッシブ調芯するためのＳｉＯＢが不要になり、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を基板１１上で近接した位置に配置することができる。これにより、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５を電気的に接続する複数のワイヤ２２のワイヤ長Ｌを短くすることができ、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができる。【００５４】
○凹部４０の壁面４０ａを略垂直にしているので、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を近くに配置することができ、複数のワイヤ２２を短くすることができる。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。
（第２実施形態）
第２実施形態に係る光モジュール１０Ａを図８に基づいて説明する。【００５５】
上記第１実施形態では、ドライバＩＣ１５をワイヤボンディングにより基板１１の電極パターン上に実装している。これに対して、第２実施形態に係る光モジュール１０Ａの特徴は次の構成にある。【００５６】
・図８に示すように、ドライバＩＣ１５が基板１１の電極パターン上にフリップチップ実装されている。【００５７】
・レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａと基板１１の表面１１ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さになるように、レーザーダイオードアレイ１４が基板１１上に形成された凹部４１内に配置されている。【００５８】
・レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子と、ドライバＩＣ１５が電気的に接続された基板１１上の配線とが複数のワイヤ２２で電気的に接続されている。
その他の構成は、上記第１実施形態の光モジュール１０と同様である。【００５９】
このような構成により、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号をそれぞれ伝送する複数のワイヤ（伝送線路）２２の長さが最短になるようにしている。【００６０】
レーザーダイオードアレイ１４は、その全体を基板１１の凹部４１内に収容させて、その凹部４１の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４１は、略垂直な壁面４１ａを有しかつレーザーダイオードアレイ１４の高さと略同じ深さを有する矩形の穴である。レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４１ａの近くになるように凹部４１内に配置されている。一方、ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４１ａの近くになるように基板１１の電極パターン上に実装されている。このようにして、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。そして、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子と、ドライバＩＣ１５が電気的に接続された配線（電極パターンの一部）とが複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。【００６１】
このような構成を有する第２実施形態によれば、上記第１実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。【００６２】
○ドライバＩＣ１５を基板１１上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。なお、この場合、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号を伝送する伝送線路は、ドライバＩＣ１５が電気的に接続された基板１１上の配線と複数のワイヤ２２とで構成される。【００６３】
○凹部４１の壁面４１ａを略垂直にしているので、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を近くに配置することができ、複数のワイヤ２２を短くすることができる。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。
（第３実施形態）
第３実施形態に係る光モジュール１０Ｂを図９に基づいて説明する。【００６４】
上記第１および第２実施形態では、レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に、表面１４ａ側から光（光信号２３）を出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。これに対して、この光モジュール１０Ｂで用いるレーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に、裏面１４ｂ側から光（光信号２３）を出射する裏面発光型ＶＣＳＥＬである。【００６５】
この光モジュール１０Ｂの特徴は次の構成にある。
・レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子は、裏面発光型ＶＣＳＥＬである。【００６６】
・図９に示すように、複数の面発光型半導体レーザ素子を有するレーザーダイオードアレイ１４は基板１１上にフリップチップ実装されている。【００６７】
・ドライバＩＣ１５の表面１５ａと基板１１の表面１１ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さになるように、ドライバＩＣ１が基板１１上に形成された凹部４２内に配置されている。【００６８】
・ドライバＩＣ１５と、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が電気的に接続された基板１１上の複数の配線（電極パターンの一部）とが複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。
その他の構成は、上記第１実施形態の光モジュール１０と同様である。【００６９】
このような構成により、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号をそれぞれ伝送する複数のワイヤ（伝送線路）２２の長さが最短になるようにしている。【００７０】
ドライバＩＣ１５は、その全体を基板１１の凹部４２内に収容させて、その凹部４２の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４２は、略垂直な壁面４２ａを有しかつドライバＩＣ１５の高さと略同じ深さを有する矩形の穴である。ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４２ａの近くになるように凹部４２内に配置されている。一方、レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４２ａの近くになるように基板１１の電極パターン上に実装されている。そして、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が電気的に接続された配線（電極パターンの一部）と、ドライバＩＣ１５とが複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。【００７１】
このような構成を有する第３実施形態によれば、上記第１実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。【００７２】
○裏面発光型ＶＣＳＥＬである複数の面発光型半導体レーザ素子を有するレーザーダイオードアレイ１４を基板１１上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。なお、この場合、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５との間で信号を伝送する伝送線路は、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が電気的に接続された基板１１上の複数の配線（電極パターンの一部）と複数のワイヤ２２とで構成される。【００７３】
○凹部４２の壁面４２ａを略垂直にしているので、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を近くに配置することができ、複数のワイヤ２２を短くすることができる。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。
（第４実施形態）
第４実施形態に係る光モジュール１０Ｃを図１０に基づいて説明する。【００７４】
上記第１実施形態の光モジュール１０では、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａとドライバＩＣ１５の表面１５ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さにして、複数のワイヤ２２の長さを最短にしている。これに対して、この光モジュール１０Ｃの特徴は次の構成にある。【００７５】
・ドライバＩＣ１５が基板１１上に形成された凹部４３内に配置されている。【００７６】
・レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａの電極とドライバＩＣ１５の表面１５ａの電極とが、複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されている。【００７７】
・複数のワイヤ２２の各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、ドライバＩＣ１５の表面１５ａをレーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａより高くした。
その他の構成は、上記第１実施形態の光モジュール１０と同様である。【００７８】
このような構成を有する第４実施形態によれば、上記第１実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。【００７９】
複数のワイヤ２２の各両端で電気的ショートを起こさずに、各ワイヤ長を出来る限り短くすることができる。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。【００８０】
（実施例）
上記光モジュール１０Ｃにおいて、複数のワイヤ２２として、φ２５μｍの金ワイヤを使用した。また、ワイヤ２２のループ高さをＨとし、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａからドライバＩＣ１５の表面１５ａまでの高さをＨＤとすると、ＨＤ＝Ｈ−（２５μｍ×２）となるように、ドライバＩＣ１５の表面１５ａをレーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａより高くした。レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａ上にボール２２ａを実装した。【００８１】
この実施例によれば、ワイヤ２２の両端で電気的なショートを起こさずに、複数のワイヤ２２のワイヤ長を出来る限り短くすることができた。
（第５実施形態）
第５実施形態に係る光モジュール１０Ｄを図１１に基づいて説明する。【００８２】
上記第１実施形態の光モジュール１０では、レーザーダイオードアレイ１４の表面４ａとドライバＩＣ１５の表面１５ａとがワイヤ長が最短になるように同程度の高さにして、複数のワイヤ２２の長さを最短にしている。これに対して、この光モジュール１０Ｃの特徴は次の構成にある。【００８３】
・ドライバＩＣ１５が基板１１上に形成された凹部４４内に配置されている。【００８４】
・レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａの電極とドライバＩＣ１５の表面１５ａの電極とが、複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されている。【００８５】
・複数のワイヤ２２の各両端で電気的ショートを起こさない範囲で、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａをドライバＩＣ１５の表面１５ａをより高くした。
その他の構成は、上記第１実施形態の光モジュール１０と同様である。【００８６】
このような構成を有する第５実施形態によれば、上記第１実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。【００８７】
複数のワイヤ２２の各両端で電気的ショートを起こさずに、各ワイヤ長を出来る限り短くすることができる。これにより、隣接するワイヤ２２間でのクロストークを低減することができ、高速並列光伝送を実現することができる。【００８８】
（実施例）
上記光モジュール１０Ｄにおいて、複数のワイヤ２２として、φ２５μｍの金ワイヤを使用した。また、ワイヤ２２のループ高さをＨとし、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａからドライバＩＣ１５の表面１５ａまでの高さをＨＤとすると、ＨＤ＝Ｈ−（２５μｍ×２）となるように、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａをドライバＩＣ１５の表面１５ａより高くした。ドライバＩＣ１５の表面１５ａ上にボール２２ａを実装した。【００８９】
この実施例によれば、ワイヤ２２の両端で電気的なショートを起こさずに、複数のワイヤ２２のワイヤ長を出来る限り短くすることができた。【００９０】
（第６実施形態）
第６実施形態に係る光モジュールの構成は、図１乃至図７に基づいて説明した第１実施形態に係る光モジュールと同様である。
第６実施形態に係る光モジュールを図１乃至図７、図１２、図１３に基づいて説明する。【００９１】
図１は第６実施形態に係る光モジュールの主要部を示す斜視図、図２は図１の断面図である。図３は光モジュールの概略構成を示す縦断面図である。図４Ａは光モジュール全体を示す斜視図、図４Ｂはその光モジュールに用いる複数の光ファイバの１本を示す拡大図、図４Ｃはその光モジュールに用いるレーザーダイオードアレイの各面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣの接続関係を示す平面図。図５は光モジュールの概略構成を示す分解斜視図、図６は光モジュールの光コネクタ部を示す斜視図、図７はその光モジュールの光コネクタ部に外部のコネクタ（多心用のフェルール型コネクタ）を装着した状態を示す斜視図である。【００９２】
第６実施形態に係る光モジュール１０は、複数の光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールである。この光モジュール１０は、図１および図２に示すように、電極パターン（図示省略）を有する基板１１と、その電極パターン上に整列して実装された複数の光素子と、その電極パターン上に実装され、複数の光素子と電気的に接続された電子素子と、を備える。【００９３】
基板１１は、セラミックス基板である。本実施形態では、複数の光素子は、一列に整列された複数の面発光型半導体レーザ素子（光素子）を有するレーザーダイオードアレイ１４で構成されている。図４Ｃで符号１４ａは、レーザーダイオードアレイ１４における複数の面発光型半導体レーザ素子の各光出射部（開口部）を示している。光素子としての面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に光（光信号２３）を出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。【００９４】
また、電子素子は、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子を駆動するドライバＩＣ１５である。図１および図２に示すように、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。具体的には、レーザーダイオードアレイ１４は、基板１１の表面１１ａ上に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。ドライバＩＣ１５は、その一部を基板１１の凹部４０内に収容させて、その凹部４０の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４０は、略垂直な壁面４０ａを有する矩形の穴である。レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４０ａの近くになるように基板の表面１１ａ上に配置されている。一方、ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４０ａの近くになるように凹部４０の底面に配置されている。このようにして、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。そして、ドライバＩＣ１５の表面１５ａ上の電極とレーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａ上の各面発光型半導体レーザ素子の電極とが、複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されている（図１、図２および図４Ｃ参照）。【００９５】
つまり、ドライバＩＣ１５とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が、上記従来技術のようにＳｉＯＢ上の配線を介さずに、複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。これにより、ドライバＩＣ１５からレーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子には、各ボンディングワイヤ２２を介して変調信号が入力され、レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子から変調信号により変調された光信号２３が出射されるようになっている。また、ドライバＩＣ１５と基板１１の電極パターンとは、図示を省略した複数のボンディングワイヤで電気的に接続されている。図４Ｃで符号２２ａは、各面発光型半導体レーザ素子の電極に実装されたボールである。【００９６】
光モジュール１０はさらに、図３、図４Ａおよび図５に示すように、光コネクタ部１２と、カバー１３と、２本のガイドピン３２とを備えている。【００９７】
光コネクタ部１２は、図４Ａ〜図４Ｃおよび図６に示すように、複数の光ファイバ１６を一列に（図３で紙面に垂直な方向に）整列させて保持している。この光コネクタ部１２は、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａ（図４Ｂ参照）の中心（コア中心）とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致するようにアクティブ調芯した後、基板１１の表面１１ａ上に固定される。これにより、レーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａからの各出射光（光信号２３）は、複数の光ファイバ１６の対応する光ファイバの一端部１６ａにそれぞれ光結合するようになっている。【００９８】
また、光コネクタ部１２は、図６に示すように、左右の側壁部１７を有する。両側壁部１７の下端面１７ａが基板１１の表面１１ａとそれぞれ摺動可能に接している。複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致するように、光コネクタ部１２を基板１１の表面１１ａ内で二次元的に動かしてアクティブ調芯した後、光コネクタ部１２の両側壁部１７の下端面１７ａを基板１１の表面１１ａに接着等により固定する。【００９９】
さらに、光コネクタ部１２は、図６に示すように、複数の光ファイバ１６が嵌合する一列に整列した複数のファイバ保持孔１２ａと、これらのファイバ保持孔１２ａの両側に設けられた２つのガイドピン孔１２ｂとを有する。２つのガイドピン孔１２ｂに、２つのガイドピン３２がそれぞれ嵌合可能になっている。【０１００】
２つのガイドピン３２には、図７に示す外部のコネクタであるＭＴコネクタ３０の２つの貫通孔がそれぞれ嵌合可能になっている。ＭＴコネクタ３０の２つの貫通孔を２つのガイドピン３２，３２にそれぞれ嵌合させることにより、ＭＴコネクタ３０に保持された多心光ファイバ（多心テープ光ファイバ）３１の各光ファイバのコア中心と、光コネクタ部１２に保持された複数の光ファイバ１６の各コア中心とが一致した状態で、ＭＴコネクタ３０が図７に示すように光コネクタ部１２に装着されるようになっている。【０１０１】
カバー１３は、図３、図４Ａおよび図５に示すように、光コネクタ部１２を装着するための開口部１３ａを有し、レーザーダイオードアレイ１４、ドライバＩＣ１５などの部品全体を覆うように基板１１に接着等により固定される。このカバー１３は、熱伝導率の高い材料、例えばＣｕ（銅）とＷ（タングステン）の合金で作製されている。【０１０２】
また、光コネクタ部１２の側面とカバー１３の開口部１３ａとの間の隙間には、図３に示すように樹脂封止剤或いは接着剤等の樹脂１８が充填されている。ドライバＩＣ１５とカバー１３との間のギャップ（空間）には、熱伝導性と絶縁性を有するシリコーンゲル１９が封止剤として充填されている。また、複数の光ファイバ１６の一端部１６ａとレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａとの間の空間には、透明なシリコーンゲル２０が封止剤として充填されている。【０１０３】
以上のように構成された第６実施形態によれば、以下の作用効果を奏する。
○レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されているので、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５を電気的に接続する複数の伝送線路長が短くなり、隣接する伝送線路間でのクロストークを低減することができる。これにより、高速並列光伝送を実現することができる。【０１０４】
○光コネクタ部１２を基板１１上で二次元的に位置調整することで、複数の光ファイバ１６とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とがそれぞれ光結合するようにアクティブ調芯する構成にしている。つまり、このアクティブ調芯により、複数の光ファイバ１６の各一端部１６ａの中心とレーザーダイオードアレイ１４の各光出射部１４ａの中心とが一致させる。このため、上記従来技術のように、パッシブ調芯するためのＳｉＯＢが不要になり、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５を基板１１上で近接した位置に配置することができる。これにより、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５を電気的に接続する複数のワイヤ２２の長さ（伝送線路長）を短くすることができ、隣接する伝送線路間でのクロストークを低減することができる。【０１０５】
○ドライバＩＣ１５とレーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が複数のワイヤ２２でそれぞれ直接、電気的に接続されているので、複数のワイヤ２２のワイヤ長Ｌ（図２参照）が短くなる。これにより、ドライバＩＣ１５とレーザーダイオードアレイ１４をワイヤボンディング実装した光モジュールにおいて、隣接するワイヤ間でのクロストークを低減することができる。【０１０６】
（実施例）
上記第６実施形態において、複数のワイヤ２２のワイヤ水平方向長さ（ワイヤ長）Ｌをそれぞれ５００μｍ以下にした。本実施例では、各ワイヤ２２に、図１２に示す形状のものを用いた。また、レーザーダイオードアレイ１４の表面１４ａとドライバＩＣ１５の表面１５ａを同一の高さになるようにしている。また、複数のワイヤ２２間のピッチを２５０μｍとした。【０１０７】
図１３のグラフは、隣接するワイヤ間（隣接チャンネル間）のクロストークを従来モデルと提案モデルで比較した結果を示している。ここで、従来モデルは、上記従来技術のように複数の光素子をＳｉＯＢ上の配線とワイヤで接続し、この配線と電子素子をワイヤで接続する構成した光モジュールである。提案モデルは、上記第６実施形態で説明した光モジュール１０である。図１３の横軸はドライバＩＣから各面発光型半導体レーザ素子へワイヤ２２を介して伝送される変調信号の周波数（GHz）を、縦軸はチャンネル間でのクロストーク成分を表すＳパラメータ(Scattering Parameter)をそれぞれ示している。【０１０８】
図１３のグラフにおいて、曲線ａは、従来モデルにおける、変調信号の周波数を変化させた場合のＳパラメータを示している。この曲線ａから、従来モデルでは、３ＧＨｚを超える伝送帯域では、隣接するワイヤ（チャンネル）間でのクロストークを３０ｄＢ以下に抑えることができないことが分かる。【０１０９】
また、図１３のグラフでは、上記光モジュール１０において水平方向長さ（ワイヤ長）Ｌを、２００μｍ、３００μｍ、４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ、７００μｍ、８００μｍ、９００μｍ、および１０００μｍにした場合に、変調信号の周波数を変化させた場合のＳパラメータを、曲線ｂ、曲線ｃ、曲線ｄ、曲線ｅ、曲線ｆ、曲線ｇ、曲線ｈ、曲線ｉ、および曲線ｋでそれぞれ示している。曲線ｂ、曲線ｃ、曲線ｄおよび曲線ｅから、ワイヤ水平方向長さＬを５００μｍ以下にすることで、１０Ｇｂｉｔ／ｓ信号伝送に必要とされる８ＧＨｚまでの伝送帯域において隣接するワイヤ（チャンネル）間でのクロストークを３０ｄＢ以下に抑えることができることが分かる。【０１１０】
（第７実施形態）
第７実施形態に係る光モジュールの構成は、図８に基づいて説明した第２実施形態に係る光モジュールと同様である。
第７実施形態に係る光モジュール１０Ａを図８に基づいて説明する。【０１１１】
上記第６実施形態では、ドライバＩＣ１５をワイヤボンディングにより基板１１の電極パターン上に実装している。これに対して、第７実施形態に係る光モジュール１０Ａでは、図８に示すように、ドライバＩＣ１５が基板１１の電極パターン上にフリップチップ実装されている。レーザーダイオードアレイ１４は、その全体を基板１１の凹部４１内に収容させて、その凹部４１の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４１は、略垂直な壁面４１ａを有しかつレーザーダイオードアレイ１４の高さと略同じ深さを有する矩形の穴である。レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４１ａの近くになるように凹部４１内に配置されている。一方、ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４１ａの近くになるように基板１１の電極パターン上に実装されている。このようにして、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。そして、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子と、ドライバＩＣ１５が電気的に接続された配線（電極パターンの一部）とが複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。【０１１２】
その他の構成は、上記第６実施形態の光モジュール１０と同様である。
このような構成を有する第７実施形態によれば、上記第６実施形態の奏する作用効果に加えて、以下の作用効果を奏する。【０１１３】
○レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子とドライバＩＣ１５をそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ２２と、ドライバＩＣ１５が電気的に接続された配線とで複数の伝送線路がそれぞれ構成され、複数の伝送線路長が短くなる。これにより、ドライバＩＣ１５を基板１１の電極パターン上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。【０１１４】
○複数の伝送線路長を５００μｍ以下にすることで、８ＧＨｚまでの伝送帯域において伝送時の隣接するワイヤ（チャンネル）間でのクロストークを３０ｄＢ以下に抑えることができる。【０１１５】
（第８実施形態）
第８実施形態に係る光モジュールの構成は、図９に基づいて説明した第３実施形態に係る光モジュールと同様である。
第８実施形態に係る光モジュール１０Ｂを図９に基づいて説明する。【０１１６】
上記第６および第７実施形態では、レーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に、表面側から光（光信号２３）を出射するＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）である。これに対して、この光モジュール１０Ｇで用いるレーザーダイオードアレイ１４の各面発光型半導体レーザ素子は、基板面に垂直な方向に、裏面側から光（光信号２３）を出射する裏面発光型ＶＣＳＥＬである。【０１１７】
この光モジュール１０Ｂでは、図９に示すように、レーザーダイオードアレイ１４をフリップチップ実装により基板１１の電極パターン上に実装している。ドライバＩＣ１５は、その全体を基板１１の凹部４２内に収容させて、その凹部４２の底面に、例えばダイアタッチ剤で接着されて実装されている。凹部４２は、略垂直な壁面４２ａを有しかつドライバＩＣ１５の高さと略同じ深さを有する矩形の穴である。ドライバＩＣ１５は、その端面が壁面４２ａの近くになるように凹部４２内に配置されている。一方、レーザーダイオードアレイ１４は、その端面が壁面４２ａの近くになるように基板１１の電極パターン上に実装されている。このようにして、レーザーダイオードアレイ１４とドライバＩＣ１５が基板１１上で近接した位置に配置されている。そして、レーザーダイオードアレイ１４の複数の面発光型半導体レーザ素子が電気的に接続された複数の配線（電極パターンの一部）と、ドライバＩＣ１５とが複数のワイヤ２２でそれぞれ電気的に接続されている。
その他の構成は、上記第６実施形態の光モジュール１０と同様である。【０１１８】
このような構成を有する第８実施形態によれば、上記第６実施形態の奏する作用効果に加えて以下の作用効果を奏する。【０１１９】
裏面発光型ＶＣＳＥＬである複数の面発光型半導体レーザ素子を有するレーザーダイオードアレイ１４を基板１１上にフリップチップ実装した光モジュールにおいて、隣接する伝送線路でのクロストークを低減することができる。【０１２０】
なお、この発明は以下のように変更して具体化することもできる。
・上記各実施形態では、送信側光モジュールとして構成した光モジュール１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄについて説明したが、本発明はこれに限定されない。光モジュール１０，１０Ａ，１０Ｂ、１０Ｃ，１０Ｄにおいて、レーザーダイオードアレイ１４に代えて一列に整列された複数のフォトダイオード素子（光素子）を有するフォトダイオードアレイを用いる。そして、ドライバＩＣ１５に代えて、各フォトダイオードの出力電流を電圧に変換して増幅するTIA（Transimpedance Amplifier）機能を備えた増幅用ＩＣを用いて受信側光モジュールとして構成した光モジュールにも本発明は適用可能である。【０１２１】
・また、レーザーダイオードアレイ１４に代えて、複数の面発光型半導体レーザ素子（光素子）が一列に整列されて実装された光モジュール、或いは、フォトダイオードアレイに代えて複数のフォトダイオード（光素子）が一列に整列されて実装された光モジュールにも本発明は適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
光通信の分野において利用することが可能であり、光ファイバで光信号を並列伝送する光モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ：光モジュール
１１：基板
１１ａ：表面
１２：光コネクタ部
１３：カバー
１４：レーザーダイオードアレイ
１４ａ：表面
１５：ドライバＩＣ（電子素子）
１５ａ：表面
１６：光ファイバ
１６ａ：一端部
２２：ワイヤ
２３：光信号
３０：多心光ファイバコネクタ（ＭＴコネクタ）
３１：多心光ファイバ（多心テープ光ファイバ）
４０，４１，４２，４３，４４：凹部
４０ａ，４１ａ，４２ａ，４３ａ，４４ａ：壁面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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