(57)【要約】  発光装置１であって、中央部Ｃが最も高くなるように全体が反った基板２と、基板２の中央部Ｃに実装された発光素子３と、基板２上に発光素子３を取り囲むように設けられた支持部材４と、支持部材４上に発光素子３を取り囲むように、支持部材４に接続された個所以外が基板２の上面と間をあけて設けられた枠体５を備ている。さらに、発光装置１は、発光素子３の下面の高さ位置ｈ１が、枠体５の下面の高さ位置ｈ２よりも高い。
2013035529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部が最も高くなるように全体が反った基板と、
前記基板の前記中央部に実装された発光素子と、
前記基板上に前記発光素子を取り囲むように設けられた支持部材と、
前記支持部材上に前記発光素子を取り囲むように、前記支持部材に接続された個所以外が前記基板の上面と間をあけて設けられた枠体と、を備え、
前記発光素子の下面の高さ位置が、前記枠体の下面の高さ位置よりも高いことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記基板は、断面視して前記基板の中心に対して左右非対称であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置であって、
前記基板は、複数の積層したセラミック層を一体焼成したものであるとともに、前記基板の下面には、前記発光素子に電気的に接続されている一対のメタライズ層が設けられており、
前記基板内には、前記発光素子に前記メタライズ層を電気的に接続する導電体が設けられており、前記一対のメタライズ層の一方に接続された前記導電体は貫通導電体からなり、前記一対のメタライズ層の他方に接続された前記導電体の一部は貫通導電体と前記基板内の層間に沿って設けられている層間導電体とからなることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置であって、
前記層間導電体は、前記発光素子と重なる領域から前記発光素子と重ならない領域にかけて設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発光装置であって、
前記支持部材および前記枠体で囲まれている領域には、前記発光素子の上面から前記枠体の下面と前記基板の上面との間にかけて封止部材が設けられていることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を含む発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子を有する発光装置の開発が進められている。当該発光装置は、消費電力または製品寿命に関して注目されている。なお、発光装置として、基板上に実装した発光素子を取り囲む枠体が、基板の上面と間を空けたものがある（実開昭４９−１０９４７８号公報参照）。基板の上面と枠体の下面との間に隙間が存在すると、発光素子の発する光が枠体で反射しづらく、外部に取り出す光が少なくなる虞がある。【０００３】
本発明は、発光素子の発する光を効率よく枠体で反射し、外部に取り出される光を増やして、輝度を向上することが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００４】
本発明の実施形態に係る発光装置は、中央部が最も高くなるように全体が反った基板と、前記基板の中央部に実装された発光素子と、前記基板上に前記発光素子を取り囲むように設けられた支持部材と、前記支持部材上に前記発光素子を取り囲むように、前記支持部材に接続された個所以外が前記基板の上面と間をあけて設けられた枠体を備えている。さらに、発光装置は、前記発光素子の下面の高さ位置が、前記枠体の下面の高さ位置よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】本発明の一実施形態に係る発光装置の概観を示す断面斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’に沿った発光装置の断面図である。
【図３】図２の一部Ａの拡大断面図である。
【図４】図２の一部Ｂの拡大断面図である。
【図５】図２の基板を示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る発光装置の透過平面図であって、発光素子と一対のメタライズ層との位置関係を示している。
【図７】本実施形態に係る発光装置の底面図であって、メタライズ層のパターニングを示している。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる発光装置の実施形態を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されないものである。
【０００７】
＜発光装置の概略構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る発光装置の概観斜視図であって、その一部を断面視している。図２は、図１に示す発光装置のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。図３は、図２に示す発光装置の一部Ａを拡大した断面図である。図４は、図２に示す発光装置の一部Ｂを拡大した拡大断面図である。図５は、図２に示す発光装置の基板を示した断面図である。なお、図５の一点鎖線は、平面方向に沿った基板の高さ位置を示すための仮想線であって、基板の中央部に合わせた仮想線Ｌ１と、基板２の下面の一端に合わせた仮想線Ｌ２とを示している。図６は、発光装置の透過平面図であって、基板の上面に設けられた発光素子と、基板の下面に設けられた一対のメタライズ層との関係を示している。なお、図６の一点鎖線がメタライズ層の形成されている領域を示している。
【０００８】
発光装置１は、中央部Ｃが最も高くなるように全体が反った基板２と、基板２の中央部Ｃに実装された発光素子３と、基板２上に発光素子３を取り囲むように設けられた支持部材４と、支持部材４上に発光素子３を取り囲むように、支持部材４に接続された個所以外が基板２の上面と間をあけて設けられた枠体５を備えている。さらに、発光装置１は、発光素子３の下面の高さ位置ｈ１が、枠体５の下面の高さ位置ｈ２よりも高くなるように設定されている。なお、発光素子３は、例えば、発光ダイオードであって、半導体を用いたｐｎ接合中の電子と正孔が再結合することによって、外部に向かって光を放出する。
【０００９】
基板２は、中央部Ｃが上方に突出するように全体が反っている。基板２は、絶縁性の基板であって、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、基板２は、基板２の熱膨張を調整することが可能な金属酸化物微粒子を分散させた高分子樹脂を用いることができる。なお、基板２は、複数の積層したセラミック層２ａを、中央部が最も高くなるようにして反った外部基板上に設けて、一体焼成したものである。なお、基板２の熱膨張率は、例えば４×１０−６／Ｋ以上８×１０−６／Ｋ以下に設定されている。
【００１０】
基板２は、平面視して円形状であって、直径が例えば２ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されている。もしくは、基板２は、平面視して四角状であって、一辺が例えば２ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されている。また、基板２の上下方向の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。基板２は、基板２の上面のうち中央部Ｃがその周囲よりも上方に位置している。そして、基板２の上面の端部の高さ位置に対して、基板２の上面の中央部Ｃの高さ位置は、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下上方に位置している。
【００１１】
基板２の下面には、一対のメタライズ層６が設けられている。一対のメタライズ層６は、一方が発光素子３の一方電極と電気的に接続され、他方が発光素子３の他方電極と電気的に接続されるものである。メタライズ層６は、基板２の下面を平面視したときに、左右対称となるように形成されている。メタライズ層６は、基板２の中央部Ｃと重なる領域から基板２の端部にかけて形成されている。または、メタライズ層６は、外形が基板２の外形と同じ形状に形成されることにより、基板２とメタライズ層６との間で発生する熱膨張差に起因した応力が、外形が異なる部位に集中することなく分散されるため、基板２へのクラックやメタライズ層６の剥がれを抑制することができる。
【００１２】
メタライズ層６は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。メタライズ層６は、例えば、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを、基板２となるセラミックグリーンシートに所定パターンで印刷して、焼成することにより得られる。メタライズ層６の上下方向の厚みは、例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下に設定されている。なお、メタライズ層６の熱膨張率は、例えば１０×１０−６／Ｋ以上２０×１０−６／Ｋ以下に設定されている。
【００１３】
メタライズ層６は、図７に示すように、基板２の下面に設けられている。基板２の下面に設けられた一対のメタライズ層６同士は、間を空けて配置されている。基板２の下面に形成されたメタライズ層６は、平面視して基板２の中心線を除いて、基板２の下面全体にパターン形成されている。メタライズ層６同士の間は、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。基板２は、未焼成の基板２の下面に一対のメタライズ層６を印刷し、さらに、未焼成の基板２を焼成することで、基板２とメタライズ層６との熱膨張差を利用して、基板２全体を反らせることができる。基板２の下面に、熱膨張係数が基板２より大きくなるメタライズ層６が形成されているため、基板２は基板２の上方に向かって凸となるように基板２全体が反る。この際、一対のメタライズ層６同士は間が空いていることで、熱膨張・収縮時に一対のメタライズ層６同士の間から応力を逃がすことができ、メタライズ層６が基板２の下面から剥離するのを抑制することができる。なお、基板２およびメタライズ層６の具体例としては、平面視したときの基板２の一辺の長さが５ｍｍ、メタライズ層６同士の間の長さが１ｍｍ、メタライズ層６の長辺が５ｍｍ、メタライズ層６の短辺が２ｍｍに設定されている。また、基板２の上下方向の厚みが１ｍｍ、メタライズ層６の上下方向の厚みが２０μｍに設定されている。
【００１４】
基板２内には、発光素子３とメタライズ層６とを電気的に接続する導電体８が設けられている。導電体８は、基板２内の貫通導電体７、層間導電体８ａ等の導電部材を含んでいる。基板２内は、基板２の内外を電気的に導通する、導電体８の一方である貫通導電体７が設けられている。発光素子３の一方電極とメタライズ層６の一方とを電気的に接続するものである。貫通導電体７は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。貫通導電体７は、焼成前の基板２に対して、例えば、パンチング加工またはレーザ加工を行なったものに対して、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを印刷し、焼成することにより得られる。
【００１５】
貫通導電体７は、中央部Ｃに設けられている。貫通導電体７は、基板２の上面から下面にかけて連続して設けられた円柱体である。貫通導電体７の上部が発光素子３と接続され、貫通導電体７の下部がメタライズ層６と接続される。貫通導電体７は、円柱体の直径が、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。
【００１６】
また、基板２内には、発光素子３の他方電極とメタライズ層６の他方とを電気的に接続する導電体８の他方が設けられている。他方の導電体８の一部は、層間導電体８ａとして設けられている。層間導電体８ａは、基板２内の層間に沿って設けられている。そして、導電体８の他方の一部である層間導電体８ａは、発光素子３と重なる領域から発光素子３と重ならない領域にかけて設けられている。導電体８は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、アルミニウム、銀、金またはプラチナ等の導電材料からなる。導電体８は、焼成前のセラミック層２ａを少なくとも二層準備して、それぞれに対して、例えば、パンチング加工またはレーザ加工を行ない、タングステン等の粉末に有機溶剤を添加して得た金属ペーストを所定の配線パターンに印刷し、焼成することにより得られる。
【００１７】
発光素子３の一方の電極が一方の導電体８としての貫通導電体７と電気的に接続され、発光素子３の他方の電極が他方の導電体８と電気的に接続される。基板２は、基板２内に設けられた一方の導電体８と他方の導電体８が、断面視して基板２内に非対称に配置されることで、基板２を全体的により反った形状に熱変形することができるとともに、基板２の反り量や反り形状を制御することができる。さらに、基板２は、断面視して基板２の中心に対して左右非対称であることにより、基板２に方向性を示すマーカ等を設けることなく、複数の基板２をトレー等の配列された収納部に収納する際に生じる、異なる方向への基板２の傾きや、貫通導電体７の上部と導電体８における異なる方向への位置ズレにより、所望の方向に配列されずに収納された基板２を検出するとともに、基板２の収納方向を容易に修正することができる。
【００１８】
発光素子３は、基板２の中央部Ｃ上に実装される。発光素子３は、基板２の中央部Ｃに露出した貫通導電体７の上部と導電体８の上部に対して、例えば、ろう材または半田を介して電気的に接続される。
【００１９】
発光素子３は、透光性基体と、透光性基体上に形成される光半導体層とを有している。透光性基体は、有機金属気相成長法または分子線エピタキシャル成長法等の化学気相成長法を用いて、光半導体層を成長させることが可能なものであればよい。透光性基体に用いられる材料としては、例えば、サファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、シリコンカーバイド、シリコンまたは二ホウ化ジルコニウム等を用いることができる。なお、透光性基体の厚みは、例えば５０μｍ以上１０００μｍ以下である。
【００２０】
光半導体層は、透光性基体上に形成された第１半導体層と、第１半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２半導体層とから構成されている。
【００２１】
第１半導体層、発光層および第２半導体層は、例えば、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素等のIII−Ｖ族半導体、あるいは、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたは窒化インジウム等のIII族窒化物半導体などを用いることができる。なお、第１半導体層の厚みは、例えば１μｍ以上５μｍ以下であって、発光層の厚みは、例えば２５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であって、第２半導体層の厚みは、例えば５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、このように構成された発光素子３では、例えば３７０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下の波長範囲の励起光を発する素子を用いることができる。
【００２２】
支持部材４は、基板２上に中央部Ｃを取り囲むようにして設けられている。支持部材４は、枠体５を支持するものである。支持部材４は、基板２の上面の高さ位置が基板２の上面の一端と他端とで異なっていても、支持部材４の上下方向の厚みを基板２と接触する個所ごとに調整することができ、支持部材４の上面の高さ位置は、一定の特定の高さとなるようにすることができる。なお、ここで一定の高さとは、支持部材４の上面の高さ位置が、枠体５の下面の高さ位置と合うことをいう。
【００２３】
支持部材４は、基板２上に、例えばスパッタリング法または印刷塗布法を用いて設けられる。支持部材４は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂またはガラス等の透光性材料からなる。支持部材４は、軟化物を硬化させたものであって、基板２の上面の高さ位置に合わせて変形することで、枠体５の下面の高さ位置が一定の高さとなるようにすることができる。なお、支持部材４の上下方向の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されている。
【００２４】
支持部材４は、基板２上に軟化させた状態で被着させて、その上に枠体５を設けて、さらに軟化物を熱硬化させたものである。このようにして、支持部材４は、枠体５を基板２上に固定することができる。
【００２５】
基板２を全体的に反らせることで、基板２の上面の端部の高さ位置が、断面視して左右非対称となりやすい。そして、硬化前に自由に変化可能な軟化物である支持部材４を用いて、枠体５を基板２の上面の端部に設けることで、枠体５の下面の高さ位置が発光素子３に対して所望しない傾斜角度の状態にならないようにすることができる。その結果、基板２上の発光素子３に対して所望する状態で枠体５を基板２上に固定することができる。なお、ここで、断面視とは、基板２の中心をとおり、基板２の上面に垂直な断面をいう。
【００２６】
また、支持部材４は、発光装置１を断面側視した際に、基板２上面と枠体５下面との間隔が広い部位の厚みが、基板２上面と枠体５下面との間隔が狭い部位と比較して大きいことが好ましい。その結果、基板２上面と枠体５下面との間隔が広い部位の隙間に充填される封止部材９が熱膨張しても、厚みが大きくされた支持部材４によって枠体５を基板２に強固に接合できるため、枠体５が基板２から剥がれることが抑制されるとともに、封止部材９が基板２の上面と枠体５の下面との間隔が広い方向に熱膨張することにより、封止部材９に生じる応力が封止部材９の内部で分散されるとともに減少する。その結果、封止部材９は、基板２や枠体５から剥がれることが抑制される。
【００２７】
枠体５は、基板２上の発光素子３を取り囲むように、支持部材４上に設けられている。枠体５は、基板２とは別体に設けられる。枠体５は、平面視して、枠体５の内壁面の形状を円形とすると、発光素子３が発光する光を全方向に反射させて外部に放出することができる。
【００２８】
枠体５は、例えば、アルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。また、枠体５は、例えば、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を所望の形状に形成して焼結された多孔質材料から構成されてもよい。枠体５を多孔質材料から構成した場合は、発光素子３からの光が、多孔質材料から成る枠体５の表面で拡散して反射される。
【００２９】
また、枠体５の内壁面は、枠体５で囲まれる領域が下部から上部に向かって幅広に大きくなる傾斜面と、上端内側には段差５ａとなるように形成されている。なお、枠体５の内壁面には、例えば、タングステン、モリブデン、銅または銀等から成る金属層が形成されてもよい。この金属層は、発光素子３の発する光を反射させる機能を有する。
【００３０】
また、枠体５の内壁面の傾斜角度は、枠体５の下面に対して例えば５５度以上７０度以下の角度に設定されている。そして、枠体５の内壁面に対して、枠体５の下面に沿った平面方向に進行してきた光を枠体５の上方に向かって反射しやすくすることができる。また、鍍金金属層の表面は、算術平均粗さＲａが例えば、１μｍ以上３μｍ以下に設定されている。
【００３１】
枠体５の段差５ａは、波長変換部材１０を支持する機能を有している。段差５ａは、枠体５の上部の一部を内側に向けて切り欠いたものであって、枠体５の内周面を一周するように連続して設けられており、波長変換部材１０の端部を支持することができる。
【００３２】
また、枠体５の下面の高さ位置ｈ２は、発光素子３の下面の高さ位置ｈ１よりも下方に位置している。発光素子３の発する光は、発光素子３の上面や側面からも放射される。基板２の中央部Ｃを上方に反らせることで、発光素子３の実装される位置も高くすることができる。そして、発光素子３の側面から枠体５に向かって進行する光が、枠体５の内壁面にて反射されて、上方に向かって進行させることができ、波長変換部材１０を介して発光装置１の外部に取り出される光を向上させることができるとともに輝度を向上させることができる。
【００３３】
枠体５の下面のうち、支持部材４と接触する個所以外は、基板２の上面と間をあけて設けられている。そして、枠体５で囲まれる領域に、光透過性の封止部材９が充填されている。封止部材９は、発光素子３を封止するとともに、発光素子３から発せられる光が透過する機能を備えている。
【００３４】
封止部材９は、基板２の上面と枠体５の下面との間にまで充填されることで、基板２と枠体５との接着力を向上させることができ、基板２に対して枠体５が剥離するのを効果的に抑制することができる。また、基板２全体を反らせることで、枠体５の下面のうち、発光素子３側から発光素子３から離れる方向に向かって、枠体５の下面と基板２の上面との間を大きく設定することができる。その結果、封止部材９が、枠体５の下面と基板２の上面との間の狭い個所から広い個所にかけて充填することができ、アンカー効果によって封止部材９が基板２の上面と枠体５の下面との間から抜けにくくすることができる。
【００３５】
封止部材９は、枠体５で囲まれる領域であって、段差５ａの高さ位置よりも低い位置まで充填される。なお、封止部材９は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂が用いられる。なお、封止部材９の熱伝導率は、例えば、０．１４Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上０．２１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００３６】
波長変換部材１０は、発光素子３の発する光の波長を変換する機能を有している。波長変換部材１０は、発光素子３から発せられる光が内部に入射して、内部に含有される蛍光体１１が励起されて、光を発するものである。
【００３７】
波長変換部材１０は、例えば、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスからなり、その絶縁樹脂、ガラス中に、例えば４３０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の蛍光を発する青色蛍光体、例えば５００ｎｍ以上５６０ｎｍ以下の蛍光を発する緑色蛍光体、例えば５４０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の蛍光を発する黄色蛍光体、例えば５９０ｎｍ以上７００ｎｍ以下の蛍光を発する赤色蛍光体が含有されている。波長変換部材１０として透光性ガラスが用いられる場合には、発光装置１の気密性を向上させることができる。
【００３８】
また、蛍光体１１は、波長変換部材１０中に均一に分散するようにしている。なお、波長変換部材１０の熱伝導率は、例えば０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。波長変換部材１０の熱膨張率は、例えば０．８×１０−５／Ｋ以上８×１０−５／Ｋ以下に設定されている。波長変換部材１０の屈折率は、例えば、１．３以上１．６以下に設定されている。例えば、波長変換部材１０の材料の組成比を調整することで、波長変換部材１０の屈折率を調整することができる。
【００３９】
また、波長変換部材１０の全体の厚みは、例えば、０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されており、且つ厚みが一定に設定されている。ここで、厚みが一定とは、厚みの誤差が０．５μｍ以下のものを含む。波長変換部材１０の厚みを一定にすることにより、波長変換部材１０内で励起される光の量を一様になるように調整することができ、波長変換部材１０における輝度ムラを抑制することができる。
【００４０】
枠体５の段差５ａ上に、波長変換部材１０の端部が接着部材１２を介して固定されている。接着部材１２は、波長変換部材１０を枠体５に固着するものである。接着部材１２は、波長変換部材１０の端部上から枠体５の段差５ａ個所にかけて設けられている。また、接着部材１２は、例えば、シリコーン樹脂、アクリル樹脂またはエポキシ樹脂等の透光性の絶縁樹脂、透光性のガラスが用いられる。なお、接着部材１２の熱伝導率は、例えば０．１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上０．８Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。接着部材１２の熱膨張率は、例えば０．８×１０−５／Ｋ以上８×１０−５／Ｋ以下に設定されている。
【００４１】
本実施形態に係る発光装置１は、発光素子３の下面の高さ位置ｈ１が、枠体５の下面の高さ位置ｈ２よりも上方に位置することで、発光素子３の側面から横方向に進行する光は、枠体５の内壁面で反射されやすい。発光素子３の発する光の多くが枠体５の内壁面にて反射されて波長変換部材１０に向かって進行する。その結果、波長変換部材１０で波長変換されて発光装置１から外部に取り出される光を向上させることができるとともに輝度を向上させることができる。
【００４２】
また、基板２は、断面視して左右対称に設定されている方が、基板２と配線パターンの熱膨張率の違いによって、断面視して基板２を左右対称とすることは難しい。また、仮に、配線パターンを基板２の中心に対して左右対称とすることで、基板２を左右対称に反らせることもできるが、配線パターンの自由度を制限することになる。一方、本実施形態に係る発光装置１は、基板２内の配線パターンの自由度を確保することで、基板２を左右非対称に設定しても、支持部材４を変形して枠体５の高さ位置を調整することができ、発光素子３と枠体５との相対的に配置関係を良好に設定することができる。その結果、発光装置１から所望する角度で光を外部に取り出すことができる。
【００４３】
また、基板２内の層間導電体８ａは、基板２内の層間に沿って設けることで、発光素子３の発光時に変換される熱を、発光素子３から導電体８を介して、基板２の多くの領域に伝えることができる。さらに、基板２に伝わった熱は、基板２の側面または基板２の下面から外部に向かって放熱されて、発光装置１の内部が高温になって、内部が破壊されるのを抑制することができる。
【００４４】
さらに、導電体８の層間導電体８ａは、発光素子３と重なる領域から発光素子３と重ならない領域にかけて連続して設けられることで、発光素子３からすぐに効率よく発光素子３の発する熱を導電体８に伝えることでき、発光素子３が高温になるのを効果的に抑制することができる。
【００４５】
また、封止部材９は、支持部材４および枠体５で囲まれる領域に、発光素子３の上面から枠体５の下面と基板２の上面との間にかけて設けられることで、発光素子３を有効に封止するとともに、基板２と枠体５との接着力を良好に維持することができる。
【００４６】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４７】
＜発光装置の製造方法＞
ここで、図１に示す発光装置１の製造方法を説明する。まず、基板２を準備する。基板２が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得る。そして、混合物から複数のグリーンシートを作製する。
【００４８】
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、基板２となるセラミックグリーンシートにメタライズパターンを所定パターンで印刷し、複数のセラミックグリーンシートを積層したものを、上面が上方に突出するように反った外部基板上に配置して焼成することで、基板２を準備することができる。
【００４９】
次に、枠体５を準備する。枠体５は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウムまたは酸化イットリウム等のセラミック材料を準備する。そして、枠体５の型枠内に、セラミック材料を充填して乾燥させた後に、焼成することで枠体５を準備することができる。
【００５０】
次に、基板２上に、枠体５を支持部材４を介して、枠体５の下面が平面に沿った状態となるように位置合わせする。そして、支持部材４を硬化させることで、枠体５を基板２上に固定することができる。なお、支持部材４は、枠体５の下面の全てに被着しないようにし、枠体５の下面のうち発光素子３と近い側の端部が基板２の上面と間があくように位置合わせする。そして、基板２上の中央部Ｃの上面であって枠体５で囲まれた領域に発光素子３を実装する。
【００５１】
そして、基板２上の枠体５で囲まれた領域に、例えばシリコーン樹脂からなる封止部材９を充填して、枠体５の下面と基板２の上面との間にまで埋めるようにする。
【００５２】
次に、波長変換部材１０を準備する。波長変換部材１０は、未硬化の樹脂に蛍光体を混合して、例えばドクターブレード法、ダイコーター法、押し出し法、スピンコート法またはディップ法等のシート成形技術を用いて作製することができる。また、波長変換部材１０は、未硬化の波長変換部材１０を型枠に充填し、硬化して取り出すことによっても得ることができる。
【００５３】
そして、準備した波長変換部材１０を枠体５の段差５ａ上に位置合わせして、接着部材１２としてのシリコーン樹脂を介して接着する。このようにして、発光装置１を製造することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年1月30日(2014.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部が最も高くなるように全体が反った基板と、
前記基板の前記中央部に実装された発光素子と、
前記基板上に前記発光素子を取り囲むように設けられた支持部材と、
前記支持部材上に前記発光素子を取り囲むように、前記支持部材に接続された個所以外が前記基板の上面と間をあけて設けられた枠体と、
前記枠体で囲まれる領域に充填された光透過性の封止部材と、
を備え、
前記発光素子の下面の高さ位置が、前記枠体の下面の高さ位置よりも高いとともに、
前記枠体の下面のうち、前記発光素子側から前記発光素子から離れる方向に向かって、前記枠体の下面と前記基板の上面との間を大きくしたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記基板は、複数の積層したセラミック層を一体焼成したものであるとともに、前記基板の下面には、前記発光素子に電気的に接続されている一対のメタライズ層が設けられており、
前記基板内には、前記発光素子に前記メタライズ層を電気的に接続する導電体が設けられており、前記一対のメタライズ層の一方に接続された前記導電体は貫通導電体からなり、前記一対のメタライズ層の他方に接続された前記導電体の一部は貫通導電体と前記基板内の層間に沿って設けられている層間導電体とからなることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置であって、
前記層間導電体は、前記発光素子と重なる領域から前記発光素子と重ならない領域にかけて設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発光装置であって、
前記支持部材および前記枠体で囲まれている領域には、前記発光素子の上面から前記枠体の下面と前記基板の上面との間にかけて封止部材が設けられていることを特徴とする発光装置。
【国際調査報告】
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