(57)【要約】プラズマ生成室で発生したＨＦ由来のラジカルを導入孔を通して処理室に供給し、ラジカル導入孔付近から処理ガスとしてＨＦガス分子を供給することにより励起エネルギーを抑制し、これによりSiに対して選択性を高めて自然酸化膜除去をする、ドライ処理にもかかわらず、高温での処理の必要なWet洗浄と同等の良好な表面平坦性を有する表面処理を行うことができ、さらに表面処理後の基板にSi単結晶膜を成長することが可能となる。Si単結晶膜成膜後の表面には酸素や炭素等の不純物が少ない。Si単結晶膜成長表面にHf等をスパッタした後、酸化・窒化しHfO等の誘電体絶縁膜を形成し、金属電極膜を形成する。これらの工程中、基板は大気に晒されることなく行われ、界面の不純物吸着が抑制され、ヒステリシスの小さいＣ−Ｖ曲線が得られるので、ＭＯＳ−ＦＥＴにあって良好なデバイス特性が実現される。
2009057223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理室内に設置し、
プラズマ生成ガスをプラズマ化し、
該プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板のラジカル通過孔を通して該処理室に導入し、
該処理室に処理ガスを導入して該処理室内でラジカルと混合し、そして
該ラジカルと該処理ガスとの混合雰囲気により該基板表面を洗浄することからなる基板洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはHFを含有するものである基板洗浄方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、該プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板は該プラズマ中のラジカルを該処理室に導入する複数のラジカル導入孔と該処理ガスを該処理室内に導入する複数の処理ガス導入孔とを有し、該ラジカルと該処理ガスをそれぞれの導入孔から該処理室内の基板表面に向かって排出している基板洗浄方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法に従ってIV族半導体基板表面を洗浄室にて洗浄し、洗浄された該基板を該洗浄室から大気に晒すことなくトランスファー室を介してエピタキシャル室へ移送し、該エピタキシャル室内で該基板表面上にエピタキシャル単結晶層をエピタキシャル成長させることからなる半導体素子製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法に従って製造されたエピタキシャル層を有する基板を、該エピタキシャル室から大気に晒すことなくトランスファー室を介してスパッタ室に移送し、
該スパッタ室にて該エピタキシャル層上に誘電体膜をスパッタし、
該誘電体膜を有する基板を該スパッタ室から大気に晒すことなくトランスファー室を介して酸化・窒化室へ移送し、
該酸化・窒化室にて該誘電体膜を酸化・窒化又は酸窒化することからなる半導体素子製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記誘電体膜は、Hf、La、Ta、Al、W、Ti、Si、Geのグループから選択されたもの又はそれらの合金である半導体素子製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、該プラズマガスをプラズマ化する際、プラズマガスに高周波電力を印加してプラズマ化しており、該高周波電力密度は０．００１〜０．２５Ｗ／cm2、望ましくは０．００１〜０．１２５Ｗ／cm2、更に望ましくは０．００１〜０．０２５Ｗ／cm2であることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
請求項２に記載の方法において、洗浄された該IV族半導体材料の基板表面上にエピタキシャル単結晶層を成長させる工程を含む半導体素子製造方法。
【請求項９】
請求項３に記載の方法において、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはＨＦを含有するものである基板洗浄方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法において、洗浄された該IV族半導体材料の基板表面上にエピタキシャル単結晶層を成長させる工程を含む半導体素子製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法において、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはＨＦを含有するものである基板洗浄方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、洗浄された該IV族半導体材料の基板表面上にエピタキシャル単結晶層を成長させる工程を含む半導体素子製造方法。
【請求項１３】
請求項３に記載の方法において、該プラズマガスをプラズマ化する際、プラズマガスに高周波電力を印加してプラズマ化しており、該高周波電力密度は０．００１〜０．２５Ｗ／cm2、望ましくは０．００１〜０．１２５Ｗ／cm2、更に望ましくは０．００１〜０．０２５Ｗ／cm2であることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはＨＦを含有するものである基板洗浄方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法において、洗浄された該IV族半導体材料の基板表面上にエピタキシャル単結晶層を成長させる工程を含む半導体素子製造方法。
【請求項１６】
真空容器内でプラズマ生成ガスからプラズマを生成してラジカルを発生させ、このラジカルと処理ガスとで基板処理を行なうプラズマ分離型の基板処理装置であって、
導入されたプラズマ生成ガスをプラズマ化させるプラズマ生成室、
被処理基板を設置する基板ホルダーを含む処理室、及び
該プラズマ生成室と該処理室との間に複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板とからなる基板処理装置であって、
該プラズマ閉じ込め電極板は中空構造であり、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔が設けられており、該プラズマ閉じ込め電極板には、処理ガスを供給するガス導入管が配置されている基板処理装置において、
該プラズマ生成室内部のプラズマ生成空間には高周波電源から供給される電力によりプラズマを発生させる高周波印加電極を備え、
該高周波印加電極は、該電極を貫く複数の貫通孔を有し、
該プラズマ生成室にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入シャワープレートを更に含み、
該プラズマ生成ガス導入シャワープレートは、該複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板に沿って延在する電極上にプラズマ生成ガスを導入する複数のガス排出口を含むものである基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の基板処理装置において、該電極の複数の貫通孔の全体積をＶ２、該貫通孔を含む電極の全体積をＶ１としたとき、堆積比率Ｖ２／Ｖ１が０．０１〜０．８であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
請求項１６に記載の基板処理装置において、該高周波印加電極へ印加される高周波電力密度は０．００１〜０．２５Ｗ／cm2、望ましくは０．００１〜０．１２５Ｗ／cm2、更に望ましくは０．００１〜０．０２５Ｗ／cm2であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
請求項１６に記載の基板処理装置において、該プラズマ生成室に導入されるプラズマ生成ガスがＨＦを含むガスであり、かつ該処理室に導入されるガスがＨＦを含むガスであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
請求項１６に記載の基板処理装置からなる基板洗浄室、
基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長室、及び
該基板洗浄室からの基板を大気に晒すことなく該エピタキシャル成長室に移送するトランスファー室とからなる半導体素子製造装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の装置において、誘電体膜を形成するスパッタ室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該スパッタ室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の装置において、誘電体膜を酸化もしくは窒化もしくは酸窒化する酸化・窒化室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室又は該スパッタ室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該酸化・窒化室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子製造におけるIV族半導体表面の処理を含む装置及び製造方法に係る。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体Si基板はウェット洗浄が行われていた。しかし、乾燥時のウォーターマークの完全除去、極薄酸化膜エッチング制御ができない、装置が大型化する等の問題があった。また、半導体基板のウェット洗浄後、大気に露出する時間が長いと表面に自然酸化膜の形成や炭素原子が吸着され、Si単結晶の成膜がされない、凹凸のある膜になる、ゲート絶縁膜界面での不純物準位の発生等の問題が生じる。【０００３】
そこで、成膜前に750℃以上のＵＨＶ真空加熱あるいはＨ2雰囲気で800℃以上の加熱を行い表面の酸化膜を除去していた。しかし、デバイスの微細化が進み誘電体絶縁膜/金属電極を用いると、デバイスはより低温で作成されることが必要となる。今後、650℃以下の温度でのデバイス作成が要求される。したがって、ウェット洗浄では限界があり、真空中で半導体基板の成膜前処理を行うドライ洗浄方法が必要となってきている。例えば、アルゴンプラズマによる逆スパッタ法（特開平10-147877）。しかし、この方法では、半導体基板表面のSi−Si結合も切断されると考えられる。この場合、Siの欠損部分には直ちに酸化膜が形成され、Siの未結合手には汚染物質が付着しやすく、また、スパッタされた酸化物や汚染物質が側壁に再付着するなどの問題が生じ、この結果、後工程に悪影響（エピタキシャル成長の阻害、シリサイド界面に高抵抗部分を形成）を与える。さらにデバイスへの損傷も問題となる。【０００４】
また、特開２００４−６３５２１号には、プラズマ化されたＦ2ガスを用いて基板表面のシリコン酸化膜を除去後、基板表面に付着したＦ成分を除去するための水素ラジカルを照射することが記載されている。さらに、特開平０４−９６２２６号には、Ｆ2ガスを用いてＳｉ自然酸化膜を基板上から除去した後にラジカル化されて水素を基板に照射し、水素で終端させることが記載されている。しかし、プラズマ化されたＦ2ガスの中には、ラジカル化したフッ素ガスだけでなく、イオン化したフッ素ガスも含まれているため、基板表面のシリコン酸化膜を除去した際、表面に凹凸が生じるという問題を生じる。さらに、基板表面にシリコン酸化膜だけでなく基板自体を除去してしまう可能性もある。
また、特開２００１−１０２３１１号には、基板が配置される成膜室に対して導入孔を有するプレートで分離されたプラズマ生成室を有するプラズマ生成部にフッ素等洗浄ガスを供給し、このプラズマ生成部でプラズマを作ってラジカルを発生させ、このフッ素ラジカルを前記導入孔を介して基板が配置された成膜空間に導入し、基板に照射させ、基板を洗浄することが記載されている。しかし、ラジカルの励起エネルギーを抑制した雰囲気に半導体基板表面を晒すことができないため、Siと高い選択性エッチングができず、そのため、表面粗さを損ねることなく自然酸化膜を除去できないという問題を生じる。【０００５】
また、半導体基板をプラズマに露出しているため、Si−Si結合も切断される。この場合、Siの欠損部分には直ちに酸化膜が形成され、Siの未結合手には汚染物質が付着しやすく、さらにスパッタされた酸化物や汚染物質が側壁に再付着するなどの問題が生じ、この結果、後工程に悪影響（エピ成長の阻害、シリサイド界面に高抵抗部分を形成）を与える。さらにデバイスへの損傷も問題となる。また、本公知例は、プラズマにより積極的にガスを分解して、水素基（Hラジカル）および水素イオンを生成する構成である。水素基（Hラジカル）および水素イオンによって、基板表面のフッ素残留物を除去しようとすると、チャンバからの金属汚染の問題、下地Siエッチレートが大きく、エッチングし過ぎるなどの問題がある。また、反応生成物のHFは再付着し易いため、十分なF除去効果が得られない。特開2002-217169には、高速ガス流の摩擦応力による物理的作用とを併用して異物を除去する洗浄工程を真空一貫で行う装置が開示されている。本公知例では、真空搬送での不純物の吸着や自然酸化の発生が抑制され、生産効率が向上することが記載されている。しかしながら、異物を除去できたとしても表面原子層オーダでは自然酸化膜や表面ラフネスが残ってしまう。すなわち、真空一貫での搬送によるデバイス特性向上の効果を得るためには、Siと自然酸化膜との高い選択性エッチングを原子層オーダで制御する洗浄技術と、大気に晒さずに搬送し成膜することが必要である。これにより、半導体／誘電絶縁膜接合における界面準位や膜中の固定電荷が少ない良好なデバイス特性が得られると考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の基板表面の自然酸化膜や有機物を除去する表面処理においては、次の成膜工程まで大気搬送を伴うため大気中成分が基板表面に吸着し、界面に自然酸化膜や炭素原子等の不純物が残留するため、デバイス特性を劣化するという問題があった。また、界面に自然酸化膜や炭素原子等の不純物が残留しないよう、真空中での基板処理を行なうと、基板表面の自然酸化膜、有機物、炭素などの不純物は除去できるが、基板表面の平坦性が劣化するという問題があった。さらに、基板表面の平坦性が良くないと、作成するデバイスの特性が劣化してしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前述の問題を解決する目的でなされたものである。
本発明者らの検討結果によれば、プラズマによって生成したラジカルを、プラズマ生成室と処理室を分離する隔壁板に設けられた複数の孔から処理室に導入し、別途処理室に導入した処理ガスとこのラジカルを混合することで、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制し、これによりSiと高い選択性を持った基板表面処理が可能となるため、基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となることが見出された。【０００８】
本発明は
基板を処理室内に設置し、
プラズマ生成ガスをプラズマ化し、
該プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板のラジカル通過孔を通して該処理室に導入し、
該処理室に処理ガスを導入して該処理室内でラジカルと混合し、そして
該ラジカルと該処理ガスとの混合雰囲気により該基板表面を洗浄することからなる基板洗浄方法である。
また、該基板の表面はIV族半導体材料であり、該プラズマ生成ガスと処理ガスはHFを含有するものである基板洗浄方法である。
また、該プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板は該プラズマ中のラジカルを該処理室に導入する複数のラジカル導入孔と該処理ガスを該処理室内に導入する複数の処理ガス導入孔とを有し、該ラジカルと該処理ガスをそれぞれの導入孔から該処理室内の基板表面に向かって排出している基板洗浄方法である。
また、前述の基板洗浄方法でIV族半導体基板表面を洗浄室にて洗浄し、洗浄された該基板を該洗浄室から大気に晒すことなくトランスファー室を介してエピタキシャル室へ移送し、該エピタキシャル室内で該基板表面上にエピタキシャル単結晶層をエピタキシャル成長させることからなる半導体素子製造方法である。【０００９】
また、前述の基板洗浄方法で製造されたエピタキシャル層を有する基板を、該エピタキシャル室から大気に晒すことなくトランスファー室を介してスパッタ室に移送し、
該スパッタ室にて該エピタキシャル層上に誘電体膜をスパッタし、
該誘電体膜を有する基板を該スパッタ室から大気に晒すことなくトランスファー室を介して酸化・窒化室へ移送し、
該酸化・窒化室にて該誘電体膜を酸化・窒化又は酸窒化することからなる半導体素子製造方法である。
また、前述の半導体製造方法で、前記誘電体膜は、Hf、La、Ta、Al、W、Ti、Si、Geのグループから選択されたもの又はそれらの合金である半導体素子製造方法。
また前述の基板洗浄方法において、該プラズマガスをプラズマ化する際、プラズマガスに高周波電力を印加してプラズマ化しており、該高周波電力密度は０．００１〜０．２５Ｗ／cm2、望ましくは０．００１〜０．１２５Ｗ／cm2、更に望ましくは０．００１〜０．０２５Ｗ／cm2であることを特徴とする基板洗浄方法である。【００１０】
また、真空容器内でプラズマ生成ガスからプラズマを生成してラジカルを発生させ、このラジカルと処理ガスとで基板処理を行なうプラズマ分離型の基板処理装置であって、
導入されたプラズマ生成ガスをプラズマ化させるプラズマ生成室、
被処理基板を設置する基板ホルダーを含む処理室、及び
該プラズマ生成室と該処理室との間に複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板とからなる基板処理装置であって、
該プラズマ閉じ込め電極板は中空構造であり、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔が設けられており、該プラズマ閉じ込め電極板には、処理ガスを供給するガス導入管が配置されている基板処理装置において、
該プラズマ生成室内部のプラズマ生成空間には高周波電源から供給される電力によりプラズマを発生させる高周波印加電極を備え、
該高周波印加電極は、該電極を貫く複数の貫通孔を有し、
該プラズマ生成室にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入シャワープレートを更に含み、
該プラズマ生成ガス導入シャワープレートは、該複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板に沿って延在する電極上にプラズマ生成ガスを導入する複数のガス排出口を含むものである基板処理装置である。
また、前述の基板処理室において、該電極の複数の貫通孔の全体積をＶ２、該貫通孔を含む電極の全体積をＶ１としたとき、堆積比率Ｖ２／Ｖ１が０．０１〜０．８であることを特徴とする基板処理装置である。【００１１】
また、基板処理装置において、該高周波印加電極へ印加される高周波電力密度は０．００１〜０．２５Ｗ／cm2、望ましくは０．００１〜０．１２５Ｗ／cm2、更に望ましくは０．００１〜０．０２５Ｗ／cm2であることを特徴とする基板処理装置である。
前述の基板処理装置において、該プラズマ生成室に導入されるプラズマ生成ガスがＨＦを含むガスであり、かつ該処理室に導入されるガスがＨＦを含むガスであることを特徴とする基板処理装置である。
また、前述の基板処理装置からなる基板洗浄室、
基板上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長室、及び
該基板洗浄室からの基板を大気に晒すことなく該エピタキシャル成長室に移送するトランスファー室とからなる半導体素子製造装置である。
また、前述の装置において、誘電体膜を形成するスパッタ室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該スパッタ室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置である。
また、前述の装置において、誘電体膜を酸化もしくは窒化もしくは酸窒化する酸化・窒化室を更に含み、該洗浄室又は該エピタキシャル成長室又は該スパッタ室からの基板を大気に晒すことなく該トランスファー室を介して該酸化・窒化室に移送されるよう構成されている半導体素子製造装置である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、半導体基板表面の自然酸化膜や有機不純物を従来のウェット洗浄よりも低減できる基板処理をすることができた。また、基板表面の平坦性を損ねることなく自然酸化膜や有機物を除去できた。
半導体基板表面の自然酸化膜や有機不純物汚染を除去するために、プラズマ生成ガスと処理ガスとしてのＨＦまたは少なくともＨＦガスを含む混合ガスを用い、プラズマ生成室からラジカルを処理室に導入し、同時に処理室にＨＦを構成元素とするガス分子を導入することにより、上記ラジカルの励起エネルギーを抑制した雰囲気に半導体基板表面を晒して、基板表面の平坦性を損ねることなく自然酸化膜や有機物を除去できた。半導体基板の金属汚染やプラズマダメージを生じることも無い。また、従来のウェット洗浄では、アニール処理等の後処理を併用し、複数の工程を必要としていた基板処理が１つの工程で済むようになり効率よく所定の効果を得ることができるため、コストも低減でき、処理速度の大幅な向上が図れた。さらに、プラズマ生成ガスにシャワープレートを備えることにより均一に生成ガスを導入することができ、電極部に貫通する孔を備えることにより低電力でも放電でき、生成したプラズマ中のラジカルを複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板を備えることにより処理室に均一にラジカルが導入できた。原子層オーダーで表面荒さが少ない表面処理を実現することにより、その表面上に単結晶Si、SiGe膜を得ることが可能となった。
また、第１の工程により基板表面処理、第２の工程により単結晶成膜を大気に晒すことなく真空中を搬送することにより、界面の不純物が大気搬送の場合よりも少ないため、良好なデバイス特性を得ることができた。
また、第１の工程により基板表面処理、第２の工程により単結晶成膜、第３の工程により誘電体材料をスパッタ成膜、第４の工程により酸化、窒化、酸窒化し、更に第５の工程により金属材料をスパッタ成膜を、全て大気に晒すことなく真空中で搬送することで、半導体／絶縁膜接合の界面の不純物が大気搬送の場合よりも少ないため、従来の酸化膜同等の界面準位密度、膜中の固定電荷密度が得られ、ヒステリシスが小さいＣ−Ｖ曲線が得られ、リーク電流が小さくなり、良好なデバイス特性を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明で使用する成膜装置の構成例を示す模式図である。
【図２】本発明で使用する装置に設置されているコントローラの模式図である。
【図３】本発明で使用する表面処理装置の構成例を示す模式図である。
【図４】本発明で使用する表面処理装置の高周波印加電極部の構成例を示す模式図である。
【図５】本発明で使用する表面処理装置のプラズマ閉じ込め電極板部の構成例を示す模式図である。
【図６】本発明の実施例によって得られた高周波電力密度を変更した場合の自然酸化膜／Ｓｉを示すグラフである。
【図７】本発明で使用するＵＶ、Ｘ線、マイクロ波励起ラジカル表面処理装置の構成例を示す模式図である。
【図８】本発明で使用する触媒化学励起ラジカル表面処理装置の構成例を示す模式図である。
【図９】本発明で使用する表面処理方法を示す模式図である。
【図１０】本発明で使用する搬送コントローラプログラムのフローチャートである。
【図１１】本発明で使用する成膜コントローラプログラムのフローチャートである。
【図１２】本発明の実施例によって得られた基板処理後の表面粗さ(Ra)を示すグラフと表面のSEM像である。
【図１３】本発明の実施例によって得られたプラズマ生成ガス比率を変更した場合の処理室ガス比率に対する表面粗さ(Ra)を示すグラフである。
【図１４】本発明の実施例によって得られたSi及びSiGe成長後の表面のSEM像である。
【図１５】本発明の実施例によって得られた界面の酸素及び炭素の原子密度を示すグラフである。
【図１６】本発明の実施例によって得られたＣ−Ｖ曲線である。
【図１７】本発明の実施例によって得られた界面準位密度と固定電荷密度の従来の酸化膜との比較例である。
【図１８】本発明の実施例によって得られた等価酸化膜厚（EOT）とリーク電流の関係を示すグラフである。
【図１９】本発明の処理によりつくられたＭＯＳ−ＦＥＴの図である。
【図２０】本発明のプラズマ生成ガスのプラズマ室へのガス導入シャワープレートの効果を示す、シリコン酸化膜エッチング速度の基板面内分布の図である。
【実施例】
【００１４】
本発明の実施例を以下に説明する。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
本実施例では、図１に示した成膜装置１において、図３に示される表面処理装置１００を用いた第１の工程を行いSi基板上に形成された自然酸化膜及び有機物を除去するプロセスに、本発明を適用した例について述べる。
サンプルとして用いた基板５は清浄空気中に放置して自然酸化膜が形成されている直径300mmのSi単結晶基板である。基板５は、図示しない基板搬送機構によりロードロック室５０へ搬送され、載置される。次に、図示しない排気系によりロードロック室５０は減圧される。所定の圧力、具体的には１Ｐａ以下まで減圧後、ロードロック室と搬送室の間の図示しないゲートバルブが開かれ、トランスファー室の図示しない搬送機構によって、搬送室６０を介して表面処理装置１００のへ搬送し、基板ホルダー１１４上に載置する。【００１５】
図３は、本発明の表面処理装置１００の説明図である。
表面処理装置１００は、基板５を載置することができる基板ホルダー１１４を備えた処理室１１３と、プラズマ生成室１０８から構成されている。処理室１１３とプラズマ生成室１０８は、複数のラジカル通過孔１１１を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０で分離されている。【００１６】
プラズマ生成ガスは、プラズマ生成ガス供給系１０１とプラズマ生成ガス供給管１０２を輸送され、プラズマ生成ガス導入シャワープレート１０７のプラズマ生成ガス導入孔１０６からプラズマ生成室１０８のプラズマ生成空間１０９へ導入される。これにより、プラズマ生成ガスがプラズマ生成室１０８のプラズマ生成空間１０９に均一に導入することが可能である。
図２０は、本実施例における、プラズマ生成ガス導入シャワープレート１０７の効果を説明する図である。プラズマ生成ガスとしてＨＦガス１００ｓｃｃｍを使用し、高周波電力密度０．０１Ｗ／ｃｍ２、処理室圧力５０Ｐａの条件において、処理室に置いた基板のシリコン酸化膜エッチング速度を測定した。図２０において、横軸は基板面内の位置を示し、縦軸は中心のエッチング速度で規格化したシリコン酸化膜のエッチング速度を示す。図２０に示すように、プラズマ生成ガス導入シャワープレートを使用した場合９０１と、従来の導入方法であるシャワープレートを使用しない横方向からの導入の場合９０２とを比較すると、シャワープレートによる導入の場合９０１の方が、エッチング速度面内均一性が良好であった。これは、プラズマ生成空間１０９への均一なガス導入により、プラズマ生成空間１０９で均一な活性種濃度分布が得られ、これが反映されたためと推察される。従って、後述の高周波印加電極１０４の貫通孔１０５による均一なプラズマ生成と相乗された効果により、処理室に導入されるラジカル供給がより均一となることが示された。【００１７】
高周波印加電極１０４はプラズマ生成室１０８を上下の２つの区域に仕切るよう上のプラズマ生成ガス導入シャワープレート１０７に沿って又は下のプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０に沿って延在している。また、高周波印加電極１０４は貫通する孔１０５を備えている。高周波電源１０３により高周波電力が高周波印加電極１０４へ印加されることにより、プラズマが生成される。
プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０は、プラズマ生成室１０８と処理室１１３との間を区切るプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板の機能を有している。このプラズマ閉じ込め電極板１１０には、プラズマ室内のプラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを処理室１１３に通過させるラジカル導入孔１１１が設けられている。
プラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０は、中空構造となっており、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔が設けられている。この中空構造へ処理ガスを供給することによって、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔１１２から処理室へ処理ガスが均一供給できる構造となっている。処理ガス導入孔１１２は、ラジカル導入孔１１１付近に開口している。処理ガスは、処理ガス供給系１１６から処理ガス供給管１１５を通じて輸送され、処理室側に開口された複数の処理ガス導入孔１１２から処理室へ導入される。前述のラジカル導入孔１１１から導入されたプラズマ生成ガスに由来するラジカルと、処理ガス導入孔１１２から導入された処理ガスの分子は、処理室１１３内で初めて混合され、基板５の表面へ供給される構造となっている。【００１８】
前述のように、処理室１１３とプラズマ生成室１０８を分離しているプラズマ閉じ込め電極板１１０に設けられているラジカル導入孔１１１から、プラズマ生成ガスに由来するラジカルが、処理室１１３へ導入される。ここで、プラズマ生成室１０８からプラズマ閉じ込め電極板１１０のラジカル導入孔１１１を通過して処理室１１３に導入されるのは、ラジカルなどの電気的に中性な分子、あるいは原子であり、プラズマ中のイオンは処理室１１３にほとんど導入されない。プラズマ生成室１０８において、イオン密度がおよそ１×１０１０個／ｃｍ３であるとき、処理室においてのイオン密度はおよそ５×１０２個／ｃｍ３であり、実に１０００万分の１以下にイオンの密度は減少させられており、実質処理室に導入されるイオンはほとんどないと言って良い。これに対してラジカルは、その寿命にもよるが、プラズマ生成室で発生したラジカルのうち数％から数十％程度が処理室へ輸送される。【００１９】
なお、高周波印加電極１０４の貫通孔１０５は、図４に示すような形態のものを用いた。この電極貫通孔１０５により、電極は０．２５Ｗ／ｃｍ２以下の低電力でもより均一に放電できるので、処理室に均一にラジカルが導入される。電極貫通孔を含む高周波印加電極の全体堆積Ｖ１と電極貫通孔の体積Ｖ２の体積比率は、Ｖ２／Ｖ１ ＝ ０．０１〜０．８であることが好ましく、複数の電極貫通孔の全体積Ｖ２があまり大きいと、Ｖ２／Ｖ１＜０．０１ではラジカル分布の悪化が確認された。また、Ｖ２／Ｖ１＞０．８では、放電ができなかった。【００２０】
次に本発明の図１の成膜装置１を使用した半導体素子の製造方法について説明する。
まず、第１の工程の基板処理工程とその条件について説明する。第１の工程で使用する装置は図３に示す基板処理装置１００である。【００２１】
プラズマ生成ガスとしてＨＦを100sccmプラズマ生成室１０８に供給し、プラズマ生成部でプラズマを発生させ、生成したプラズマ中のラジカルを複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０に形成されたラジカル導入孔１１１を介して処理室１１３に供給した。上記ラジカルの励起エネルギーを抑制するため、処理ガスとしてＨＦを１００ｓｃｃｍを処理室１１３に処理ガス導入孔１１２から供給した。プラズマ生成のための高周波電力密度は０．０１Ｗ／ｃｍ２、圧力は５０Ｐａ、処理時間は５ｍｉｎ、基板５の温度は２５℃とした。
図１２に、本発明の第１の工程後の表面粗さを調べ、従来のドライ処理、およびウェット処理の結果と比較して示す。図１２に示される通り、本発明の第１の工程を使用して得られた表面粗さＲａは０．１８ｎｍと、希フッ酸溶液によるウェット処理(Wet洗浄)を行った場合の表面粗さＲａの０．１７ｎｍとほぼ同等の良好な表面粗さが得られている。また、処理ガスにＨＦガスを供給しない場合、表面粗さＲａは２．０ｎｍと荒れている。さらに、処理時間を１０ｍｉｎと延長した場合でも表面粗さＲａは０．１９ｎｍと荒れていないことが確認された。表面平坦性が向上した理由については、Siに対し表面自然酸化膜や有機物が選択的に除去された為である。プラズマにより生成した励起エネルギーの高いＨＦと別途処理ガスとして導入した励起していないＨＦを衝突させることにより、励起エネルギーが抑制されたＨＦが生成され、これが表面のSi原子をエッチングすることなく、表面自然酸化膜を選択的に除去していると推察される。これらの結果から、本発明を使用することにより、高温の前処理を必要としないドライ洗浄において、ウェット洗浄と同等の表面平坦性を実現できることが確認された。
なお、本発明における表面平坦性は、プラズマにより生成した励起エネルギーの高いＨＦと別途処理ガスとして導入した励起していないＨＦを混合して衝突させることにより、励起エネルギーが抑制されたＨＦが生成されれば良い。従って、これが実現される状態であれば、本実施例の構成に限定されるものではない。
すなわち、本実施例ではプラズマにより生成したラジカルを、プラズマ閉じ込め電極板にある複数の貫通孔であるラジカル導入孔を通じて基板に向けて供給しながら、同時に電極板に設けた複数の処理ガス供給孔から処理ガスを供給したが、平坦性を得るためには必ずしもこの構造である必要はなく、ＨＦガスが含まれたガスをプラズマ化し、イオンの大部分を遮蔽し中性活性種のみ輸送できるような装置で励起された活性種のみを処理室に導入し、さらに処理室のいずれかの場所から励起しないＨＦガスを導入することで、実現可能である。
しかし、均一性の観点からは、とりわけ大口径の基板に対して均一な処理をすることが必要である場合には、ラジカルと励起しない処理ガスの両方を均一に基板へ供給する必要がある。そのため、本実施例のように、基板に対向した位置にある電極板からラジカルをシャワー供給し、さらに同時に処理ガスをシャワー供給できるような構造が望ましい。【００２２】
なお、本実施例でのラジカル生成は、高周波印加によるプラズマ生成により行なったが、マイクロ波によるプラズマ生成、その他の方法でも良く、具体的には図７に示すＵＶ、Ｘ線、マイクロ波励起や、図８に示す触媒化学励起で発生させてもよい。図７ではＵＶ、Ｘ線、マイクロ波が導入室２０３からプラズマガスに照射されプラズマガスをプラズマ化している。５は基板、２０１はプラズマ生成ガス供給系、２０２はプラズマガス生成供給管、２０４は複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板、２０５はラジカル導入孔、２０７は処理室、２０８は基板ホルダー、２０９は処理ガス供給管、２１０は処理ガス供給系、２１１は排気系である。処理ガスシステムは図３の構成と同じである。図８は加熱触媒体３０３によりガスをプラズマ化させる構成である。５は基板、３０１はプラズマ生成ガス供給系、３０２はプラズマ生成ガス供給管、３０４は複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板、３０５はラジカル導入孔、３０６は処理ガス導入孔、３０７は処理室、３０８は基板ホルダー、３０９は処理ガス供給管、３１０は処理ガス供給系、３１１は排気系である。処理ガスシステムは図３の構成と同じである。【００２３】
プラズマ生成室に導入するプラズマ生成ガスは、本実施例ではＨＦのみを用いたが、少なくともＨＦを含んでいれば良く、具体的にはＨＦをＡｒで希釈したものを用いても良い。プラズマを発生させ、プラズマ閉じ込め電極板１１０を介すことにより、処理室１１３にはラジカルが導入される。さらに処理室１１３に導入する処理ガスは、本実施例ではＨＦのみを用いたが、少なくともＨＦを含んでいれば良く、具体的にはＨＦをＡｒで希釈したものを用いても良い。プラズマ閉じ込め電極板１１０のラジカル導入孔１１１から処理室１１３に導入されたラジカルと、処理ガス導入孔１１２から導入される処理ガスが混合されることによりラジカルの励起エネルギーが抑制された雰囲気を作り出して、基板であるＳｉに対して基板表面の自然酸化膜と有機物を選択的に除去することによって、表面粗さを抑えながら基板表面処理を行なうことができる。【００２４】
ＨＦの総ガス流量に対する比率は、０．２〜１．０であることが、基板処理後の表面粗さの観点から望ましい。このことを確認した実験結果について、次に説明する。
図１３は、プラズマ生成ガスと処理ガスにＨＦとＡｒの混合ガスを使用した場合の表面粗さのＨＦ混合比率依存性を示す。図１３に示すように、処理ガスのＨＦとＡｒの混合比率を変えることにより、自然酸化膜除去後の表面粗さが変化した。ＨＦガス流量を増やすことにより、表面粗さが減少できた。なお、プラズマ生成室１０８に供給するプラズマ生成ガスとしてＨＦガスを使用し、複数のラジカル通過孔を備えたプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板１１０に形成されたラジカル導入孔１１１を介してラジカルを供給した場合でも、処理ガスがＡｒのみの場合には、基板表面の自然酸化膜は除去できず、表面処理の目的を達することができなかった。また、プラズマ生成ガスとしてＨＦガスを使用し、処理ガスとして何も流さなかった場合について調べると、表面粗さのＲａは２．５ｎｍと、ＨＦを流した場合と比べ悪化した。また、本実施例ではＳｉ基板を用いたが、本発明の基板表面処理はＳｉ基板の表面処理に限るものではない。具体的にはＳｉ、ＳｉＧｅなどのIV族半導体で基板の表面が構成されていれば良く、さらに具体的にはガラス基板上に貼り合わせられたり、又は堆積された薄いＳｉ層などのIV族半導体の表面の自然酸化膜や有機物汚染除去などの基板表面処理に適用できるものである。
なお、高周波印加電極１０４に印加する高周波電力密度は、０．００１〜０．２５W/cm2であることが好ましい。
図６は、プラズマ生成ガスにＨＦガス、処理ガスにＨＦを用いた場合の、自然酸化膜とＳｉのエッチング速度比である自然酸化膜／Ｓｉの高周波電力密度依存性である。高周波電力密度を減少させることにより、Ｓｉのエッチングが抑制され、自然酸化膜のみ選択的にエッチングされる。ここで、自然酸化膜のエッチング量をＳｉのエッチング量で割った値を自然酸化膜／Ｓｉとする。高周波電力密度が小さくなるとＳｉのエッチング量が相対的に減少するため自然酸化膜／Ｓｉが増加する。一方、高周波電力密度が大きくなるとＳｉのエッチングが顕著に起こり、自然酸化膜／Ｓｉは減少する。ここで、高周波電力密度が大きくなるとＳｉのエッチングが起こるため、表面が荒れてしまう。表面の荒れを少なくするためには、自然酸化膜／Ｓｉを大きくし、高周波電力密度を少なくする必要がある。このため、高周波電力密度は上述の０．００１〜０．２５W/cm2の範囲内、望ましくは０．００１〜０．１２５W/cm2、さらに望ましくは０．００１〜０．０２５W/cm2が選ばれる。【００２５】
次に第２の工程のSi及びSiGeエピタキシャル単結晶成長工程とその条件について説明する。
図１に示した成膜装置１を用いて、図３に示される表面処理装置１００を用いた第１の工程を行うことにより、Si基板上に形成された自然酸化膜を除去した後、真空トランスファーチャンバー６０を通して第２の工程を行うＣＶＤ装置２０に搬送し、表面処理処理後の表面にSi及びSiGeの単結晶膜を成長するプロセスについて述べる。【００２６】
第１の工程により表面処理し、第２の工程を行うＣＶＤ装置２０内で基板温度600℃、Si2H6を36sccm供給し、圧力を2E-3Paで保持し、3min処理した。その後、基板温度600℃、Si2H6とGeH4を36sccm供給し、圧力を4E-3Paで保持し、3min処理した。この結果、図１４に示すようにSi上のSiGe単結晶成長表面は、希フッ酸処理を用いたウェット洗浄(Wet洗浄)を行った表面と同等の表面粗さとなっており、良好なSiGe単結晶膜が得られた。また、図１５に示すように、ウェット洗浄を行った後に上記Si/SiGe成長を行った場合に比べて、本実施例の方がSi基板と成長したSi界面の酸素及び炭素の原子密度が少ない。具体的には、界面の酸素及び炭素の原子密度が2×1020atoms/cm3以下である。これは、基板洗浄後の表面を大気に晒すことなく真空搬送を行うことにより、表面への酸素、炭素不純物の吸着を抑制できたためである。ＣＶＤ装置２０におけるＳｉ及びＳｉＧｅの単結晶膜を成長するプロセスにおいては、Ｓｉ2Ｈ6とＧｅＨ4などの水素化物ガスや、それにＢ2Ｈ6、ＰＨ3、ＡｓＨ3などのドーピング材料ガスを混合して使用しても良い。又、Ｓｉ2Ｈ6の代わりにＳｉＨ4も用い得る。【００２７】
次に第３の工程の誘電体膜スパッタ成膜工程と、第４の形成誘電体膜の工程の酸化・窒化工程と、第５の工程の電極スパッタ工程について説明する。
第２の工程後、基板をトランスファーチャンバー６０を通してスパッタ装置４０で誘電体材料をスパッタ成膜する第３の工程を行い、この基板をトランスファーチャンバー６０を通して酸化・窒化装置３０で誘電体材料を酸化する第４の工程を行い、その後、基板をトランスファーチャンバー６０を通してスパッタ装置４０で金属電極材料をスパッタする第５の工程を行うプロセスを行い、FETデバイスを製造する。なお、装置１０〜５０は、それぞれの搬送又はプロセスコントローラ７０〜７４により制御されている。
尚、第３の工程における誘電体材料成膜は、スパッタリングの他、ＣＶＤによるものであっても良い。同様に、第５の工程における金属電極材料成膜は、スパッタリングの他、ＣＶＤによるものであっても良い。【００２８】
図３に示される表面処理装置１００において、第１の工程を行い、自然酸化膜を除去し、第２の工程を行い、Si単結晶膜を成長させ、その後、基板５を真空トランスファーチャンバー６０を通して誘電体・電極スパッタ装置４０に大気に晒すことなく搬送し、Hfをスパッタ成膜し、成膜した誘電体材料を酸化するため真空のトランスファーチャンバー６０を通して酸化・窒化装置３０に誘電体材料表面を大気に晒すことなく搬送し、プラズマ及びラジカル酸化を行い、さらに基板５を真空トランスファーチャンバー６０を通して誘電体・電極スパッタ装置４０に大気に晒すことなく搬送し、TiN電極をスパッタ成膜しデバイス特性評価を行った結果、図１６、図１７、図１８に示すデータが得られた。【００２９】
図１５は、本発明と従来の技術(第１の工程の変わりにWet洗浄した場合)により作成したサンプルの電極部に電圧を印加し、キャパシタンスを測定したＣ−Ｖ曲線である。従来の技術と比較し、従来が３０ｍＶ程のヒステリシスであったものが、ヒステリシスが１０ｍＶと小さい結果が得られている。【００３０】
図１７は、本発明によって得られた界面準位密度と固定電荷密度の従来の技術(第１の工程の変わりにWet洗浄した場合)との比較結果である。本発明のプロセスでサンプルを作成し、Ｃ−Ｖ曲線から界面準位密度と固定電荷密度を計算した結果、固定電荷密度、界面準位密度が従来よりも小さくなっている。これは、図１５に示すように、第１の工程の基板洗浄後に第２の工程により成膜したSi表面の酸素、炭素の表面不純物が少ないためである。即ち、ドライ洗浄後の真空一貫処理の効果である。【００３１】
図１の成膜装置１は、一連のプロセスを真空一貫で行うためのコントローラを各プロセス装置と搬送装置毎に設けられており、すなわち、搬送コントローラ７０は、装置からの入力信号を入力部で信号を受け取り、プロセッサでフローチャートで動作させるようにプログラムされた搬送用プログラムを動かし、真空トランスファーを通しての基板の各プロセス装置への移動の動作指示を装置に出力できるようになっている。また、プロセスコントローラＡ〜Ｄ（７１〜７４）は、プロセス装置からの入力信号を受け取り、処理をフローチャートで動作させるようにプログラムされたプログラムを動かし、動作指示を装置に出力できるようになっている。コントロール７０又は７１〜７４の構成は図２に示すもので、入力部８２、プログラム及びデータを有する記憶部８３、プロセッサ８４及び出力部８５からなり、基本的にはコンピュータ構成であり、対応の装置を制御している。【００３２】
図９に搬送コントローラ７０とプロセスコントローラＡ〜Ｄ７１〜７４の行う制御を示す。ステップ６１０で自然酸化膜付きSi基板が準備される。搬送コントローラ７０はロードロック装置５０によるトランスになるよう制御する（ステップ６１１）。更に表面処理装置１００の真空度を１Ｅ−４Ｐａ以上になるように指示をし、基板Ｓを表面処理装置１００内にトランスファーチャンバ６０を介して移動し、基板ホルダー上に配置する。プロセスコントローラＡ７１は、前述の第１の工程の表面処理を基板５に行う手順を制御する（ステップ６１３）。【００３３】
搬送コントローラ７０は、ＣＶＤ成膜装置２０の真空度を１Ｅ−４Ｐａ以下になるよう真空排気する制御を行い、表面処理装置１００内の基板５をトランスファーチャンバ６０を介してＣＶＤ成膜装置２０内に配置する。【００３４】
プロセスコントローラＢ７２は、ＣＶＤ成膜装置２０内で上述した第２の工程の単結晶成長処理を行う制御をする（ステップ６１５）。その後直ちに第３の工程の誘電体・電極スパッタ成膜をするためトランスファーチャンバ６０を介して誘電体・電極スパッタ装置４０内に移動させる（ステップ６１６）。【００３５】
プロセスコントローラＣ７３は、誘電体・電極スパッタ装置４０内で、第３の工程の成膜処理を行う制御をする（ステップ６１７）。搬送コントローラ７０は酸化・窒化装置３０内の真空度を１Ｅ−４Ｐａ以下にして、誘電体・電極スパッタ装置４０内の基板５を酸化・窒化装置３０内へトランスファーチャンバ６０を介して移動させる（ステップ６１８）。プロセスコントローラＤ７４は、酸化・窒化装置３０内で第４の工程を行う制御をする（ステップ６１９）。その後直ちに第５の工程の金属電極スパッタ成膜をするためトランスファーチャンバ６０を介して誘電体・電極スパッタ装置４０内に移動させる（ステップ６２０）。プロセスコントローラＣ７３は、誘電体・電極スパッタ装置４０内で、実施例３の成膜処理を行う制御をする（ステップ６２１）。その後、搬送コントローラ７０は、ロードロック装置５０によりトランスファーチャンバ６０内を大気に開放する（ステップ６２２）。【００３６】
上述の本発明の処理によって、図１９のMOS電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）９０が製造された。Ｓｉ基板９１におけるソース領域９２とドレイン領域９３との間のゲート電極９４下の誘電体ゲート絶縁膜９５として、HfO膜が用いられた。このゲート絶縁膜９５として、他に、Hf、La、Ta、Al、W、Ti、Si、Geもしくはそれらの合金膜であることが望ましく、さらに具体的にはHfN、HfON、HfLaO、HfLaN、HfLaON、HfAlLaO、HfAlLaN、HfAlLaON、LaAlO、LaAlN、LaAlON、LaO、LaN、LaON、HfSiO、HfSiONが採用され得、比誘電率は３．９〜１００の範囲にある。そして固定電荷密度は０〜１×１０11cm-2である。又、ゲート絶縁層の膜厚は０．５nm〜５．０nmとされている。【００３７】
ここで、「固定電荷」とは、固定酸化膜電荷とも称するが、SiO2膜中に存在し、電界などで移動せず固定された状態の電荷を云う。固定酸化膜電荷は酸化膜の構造欠陥により生じ、酸化膜の形成状態や熱処理に依存する。また通常Si−SiO2界面近傍にはシリコンの未結合手（ダングリングボンド）に起因するプラスの固定電荷が存在する。固定酸化膜電荷は、ＭＯＳ構造のＣ−Ｖ特性をゲート電圧軸に沿って平行移動させる。固定電荷密度は、Ｃ−Ｖ法で測定される。【００３８】
図１９のＭＯＳ−ＦＥＴのゲート電極９４として、Ti、Al、TiN、TaN、W等の金属、ポリシリコン（Ｂ（ボロン）−ｄｏｐｅ：ｐ−Ｔｙｐｅ又はＰ（リン）−ｄｏｐｅ：ｎ−Ｔｙｐｅ）又はＮｉ−ＦＵＳＩ（フルシリサイド）が用いられる。【００３９】
本発明に従って、自然酸化膜が形成されたSi基板を表面処理し、大気に晒すことなくSi単結晶膜を成長し、さらに大気に晒すことなくHf等の誘電膜をスパッタ成膜し酸化・窒化した半導体／絶縁膜接合は、固定電荷や界面準位が大気搬送の接合よりも少ないため、図１６のようなヒステリシスが小さいＣ−Ｖ曲線が得られ、リーク電流が小さくなり、良好なデバイス特性が得られた。「界面準位」とは、異種の半導体接合界面、半導体と金属や絶縁体との接合界面に形成される電子のエネルギー準位を云う。界面では半導体面は原子間の結合が切れた状態になるためダングリングボンドと呼ばれる未結合状態ができ、電荷を捕獲できるエネルギー準位を形成する。界面の不純物や欠陥も電荷を捕獲するエネルギー準位、即ち界面準位を形成する。一般に、界面準位は応答時間が遅く、また不安定であり、デバイス特性に悪影響を及ぼすことが多い。界面準位が少ないほどよい界面といえる。界面準位密度はＣ−Ｖ法で測定される。【００４０】
なお、本発明の成膜装置では図１に示される通り、表面処理ユニット１００、ＣＶＤ成膜ユニット２０、誘電体・電極スパッタユニット３０、酸化・窒化ユニット４０、ロードロック室５０、搬送室６０は各１つずつの構成を使用しているが、各ユニットは必ずしも１つずつである必要はなく、スループットや膜の構成などのために複数のユニットを備えても構わない。例えば、ロードロックはスループットを上げるためにロードとアンロードの機能を分けた複数のロードロックで置き換えても構わない。また例えば、スパッタユニット３０は誘電体膜を形成するためのユニットと電極を形成するためのユニットの２つ以上のスパッタユニットで置き換えても構わない。
ただし本発明の平坦な表面を維持しながらドライ基板表面処理を行なうことが可能な基板処理方法を有効に使用するためには、表面処理ユニット１００、ＣＶＤ成膜ユニット２０、ロードロック室５０、搬送室６０を少なくとも１つ以上備えていることが好ましい。この構成を持つことにより、ロードロックがあるため安定した雰囲気の減圧状態で高いスループットでドライ基板表面処理を行なうことが可能となり、大気中に基板を持ち出すことなく真空中を搬送室を通してＣＶＤ成膜ユニットへ搬送し、成膜を行なうことによって、Ｓｉ基板表面とＣＶＤ成膜したＳｉ／ＳｉＧｅ層との界面状態を良好に保つことが可能となるからである。【００４１】
またさらに、本発明の平坦な表面を維持しながらドライ基板表面処理を行なうことが可能な基板処理方法を有効に使用するためには、表面処理ユニット１００、誘電体・電極スパッタユニット３０、ロードロック室５０、搬送室６０を少なくとも１つ以上備えていることが好ましい。この構成を持つことにより、ロードロックがあるため安定した雰囲気の減圧状態で高いスループットでドライ基板表面処理を行なうことが可能となり、大気中に基板を持ち出すことなく真空中を搬送室を通して誘電体・電極スパッタユニット３０へ搬送し、成膜を行なうことによって、Ｓｉ基板表面と、その上にスパッタ成膜した、絶縁膜の基礎となる誘電体膜または導電性膜との界面状態を、良好に保つことが可能となるからである。【００４２】
本実施例ではＣＶＤ成膜ユニット２０の詳細は図示していないが、チャンバと、基板を保持するための基板ホルダーと保持された基板を加熱するための基板加熱機構と、ＣＶＤ成膜を行なうための原料ガスを含むガスを供給するためのガス導入機構と、チャンバ内部を排気するための排気手段を備えているエピタキシャル成膜ユニットであれば良い。
同様にスパッタユニット３０の詳細は図示していないが、チャンバと、基板を保持するための基板ホルダーと、チャンバ内にガスを導入する機構と、チャンバ内を排気する排気手段、および誘電体又は導電性金属のターゲットを設置するためのスパッタリングカソード、そして高周波電力供給機構又は直流電力供給機構があれば良い。
なお、スパッタユニット３０の図示しない誘電体又は導電性金属のターゲットを設置するためのスパッタリングカソードは、１つである必要はない。連続または連続しない複数の膜を成膜するため、複数のターゲットを設置するための複数のスパッタリングカソードを備えても良い。また、成膜分布の均一性の観点から、基板ホルダーは載置された基板を回転させるために回転する機構を備えることが好ましい。また、反応性スパッタによる成膜が行なえるように、スパッタユニット３０のガス導入機構は、Ａｒなどの不活性ガスのみならず、Ｎ２やＯ２などの反応性ガス、またはそれら反応性ガスとＡｒガスとの混合ガスも導入できるようになっていることが好ましい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（削除）
【請求項２】
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【請求項３】
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【請求項４】
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【請求項５】
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【請求項６】
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【請求項７】
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【請求項８】
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【請求項９】
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【請求項１０】
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【請求項１１】
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【請求項１２】
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【請求項１３】
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【請求項１４】
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【請求項１５】
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【請求項１６】
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【請求項１７】
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【請求項１８】
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【請求項１９】
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【請求項２０】
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【請求項２１】
（削除）
【請求項２２】
（削除）
【請求項２３】
処理室内に配置された半導体基板の表面を処理する方法であって、
プラズマ生成室内においてＨＦを含有するプラズマ生成ガスを励起して、プラズマを生成し、
該プラズマ中のラジカルを、該プラズマ生成室から該処理室へと選択的に導入し、
該処理室内に、励起されていないＨＦを含有する処理ガスを導入し、
該処理室内に導入されたラジカルと該処理ガスとの混合した雰囲気によって、該半導体基板の表面を処理している方法。
【請求項２４】
該処理ガスが、総処理ガス量に対し０．２〜１．０の比率のＨＦを少なくとも含み、好ましくは実質的にＨＦからなる請求項２３の方法。
【請求項２５】
該プラズマ生成ガスが、実質的にＨＦからなる請求項２３の方法。
【請求項２６】
該ラジカルの該処理室への選択的導入は、該プラズマ室と該処理室とを仕切るプラズマ閉じ込め電極板のラジカル通過孔を通して、該プラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを該プラズマ室から該処理室へ導入することで、行なわれている請求項２３の方法。
【請求項２７】
該半導体基板はＳｉ基板であり、Ｓｉ基板の自然酸化膜をエッチング除去して該Ｓｉ基板を洗浄処理している請求項２３の方法。
【請求項２８】
ＭＯＳ構造におけるゲート絶縁膜を形成する方法において、
請求項２７の方法にてＳｉ基板の表面洗浄をし、
該表面洗浄されたＳｉ基板を大気に晒すことなくエピタキシャル室に移動させ、該エピタキシャル室で該表面洗浄されたＳｉ基板上にエピタキシャル層を形成し、
該エピタキシャル層が形成されたＳｉ基板を大気に晒すことなくスパッタ室に移動させ、該エピタキシャル層上に誘電体膜をスパッタリングで形成し、そして
該誘電体膜の形成されたＳｉ基板を大気に晒すことなく酸化・窒化室に移動させ、該誘電体膜を酸化・窒化又は酸窒化して該ゲート絶縁膜を形成している方法。
【請求項２９】
該誘電体膜は、Ｈｆ、Ｌａ、Ｔａ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅのグループから選択されたもの又はそれらの合金である請求項２８の方法。
【請求項３０】
半導体基板の表面を処理する処理室を含む半導体基板処理装置において、
ＨＦを含有するプラズマ生成ガスを励起して、プラズマを生成するプラズマ生成室、
該プラズマ中のラジカルを、該プラズマ生成室から該処理室へ選択的に導入する手段、及び
該処理室内に、励起されていないＨＦを含有する処理ガスを導入する手段、とからなり、
該処理室内に導入されたラジカルと該処理ガスとの混合した雰囲気によって、該半導体基板の表面を処理している半導体基板処理装置。
【請求項３１】
該ラジカルの該処理室への選択的導入手段は、該プラズマ室と該処理室とを仕切るプラズマ閉じ込め電極板であって、該プラズマ閉じ込め電極板には該プラズマ室と該処理室とを連通するラジカル通過孔が設けられ、該ラジカル通過孔を通して該プラズマ中のイオンを遮蔽しラジカルを該プラズマ室から処理室に導入している請求項３０の半導体基板処理装置。
【国際調査報告】
2009057223.tif 000023
2009057223.tif 000024
2009057223.tif 000025
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