(57)【要約】  本発明は、融点が低く液体としての取扱いが可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定な、ＣＶＤ（化学気相成長）法によるニッケル含有膜形成に、好適にはニッケルシリサイド膜形成において、容易に良好な膜を形成することが出来るニッケル含有膜形成材料を提供することを目的とする。本発明のニッケル膜含有形成材料は、下記式（１）の構造で示される化合物からなることを特徴とする。[化１]2009081797.tif 000008ここで、Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子、または下記式（２）の構造で示される基である。また、ａおよびｂは、それぞれ０〜４の整数であり、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａおよびｂは、０＜ａ＋ｂ≦４を満たす。[化２]2009081797.tif 000009  ここで、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、各々独立に、炭素数１〜２のアルキル基である。
2009081797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）の構造式で示される化合物からなることを特徴とするニッケル含有膜形成材料。
【化１】
2009081797.tif 000006
（式（１）において、Ｃ5Ｈ(5-a)およびＣ5Ｈ(5-b) は、シクロペンタジエニル環を表す。Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素原子、または下記式（２）の構造式で示される基である。また、ａおよびｂは、それぞれ０〜４の整数であり、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａおよびｂは、０＜ａ＋ｂ≦４を満たす。）
【化２】
2009081797.tif 000007
（式（２）において、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、各々独立に、炭素数１〜２のアルキル基である。）
【請求項２】
前記式（２）において、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5が、全てメチル基であることを特徴とする請求項１に記載のニッケル含有膜形成材料。
【請求項３】
前記式（１）の構造式で示される化合物が、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルまたは（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルであることを特徴とする請求項１に記載のニッケル含有膜形成材料。
【請求項４】
ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いてニッケル含有膜を形成するための材料であることを特徴とする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のニッケル含有膜形成材料。
【請求項５】
前記ニッケル含有膜が、ニッケルシリサイド膜であることを特徴とする、請求項４に記載のニッケル含有膜形成材料。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のニッケル含有膜形成材料を用いて形成されたニッケルシリサイド膜。
【請求項７】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のニッケル含有膜形成材料を用いて、ＣＶＤ（化学気相成長）法にてニッケルシリサイド膜を形成することを特徴とするニッケルシリサイド膜の製造方法。
【請求項８】
ニッケルシリサイド膜のシリコン源として、前記式（２）の構造で示される基中のケイ素を利用することを特徴とする請求項７に記載のニッケルシリサイド膜の製造方法。
【請求項９】
前記ニッケル含有膜形成材料が、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルまたは（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルであることを特徴とする、請求項７または請求項８に記載のニッケルシリサイド膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＶＤ（化学気相成長）法によりニッケル含有膜を形成するための材料、好適には、ＣＶＤ法によりニッケルシリサイド膜を形成するための、ニッケル含有膜材料、および該材料を用いたニッケルシリサイド膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体デバイスにおける技術の進歩は著しく、さらなる高速動作を可能とするために、高度化と微細化が急速に行われ、その為の材料開発が盛んに行われている。【０００３】
配線材料には低抵抗材料が次々に導入され、ゲート電極やソース、ドレインの拡散層上にシリサイド膜を形成することにより、更なる低抵抗化が行われている。ここで使われているシリサイド膜に、チタンシリサイドやコバルトシリサイドよりも低抵抗なニッケルシリサイドを導入することが検討されている。【０００４】
このニッケルシリサイドの形成は、これまでスパッタリング法により行われてきた。しかし、スパッタリング法は、半導体素子への物理的な損傷が懸念されると共に、均一に成膜することが難しいなどの理由から、近年、ＣＶＤ法によるニッケルシリサイドの形成が検討されている。【０００５】
ＣＶＤ法は、膜形成材料を揮発させてガス状態で流し、反応器内で化学反応を利用して、シリコン基板上に膜を形成させる方法である。ＣＶＤ法は、減圧下で行うことにより、低温での成膜を行うことが出来るが、用いる膜形成材料の違いにより、成膜する際の条件が大きく異なる。このとき用いる膜形成材料に求められる特性として、高い蒸気圧を有すること、取扱いの点から液体であること、などが挙げられる。【０００６】
これまでに提案されているニッケル膜形成材料の中で、液体として取扱い可能な化合物としては、コバルトセンにアルキル基を導入したビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケル（特許文献１）や、シクロペンタジエニルアリルニッケル（特許文献２）、テトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケル（特許文献３）が報告されている。【０００７】
ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルやシクロペンタジエニルアリルニッケルなどは、配位子のシクロペンタジエンが二量化しやすいため、その製造工程における取扱いに注意を要し、二量化した際には熱分解を行う必要があるなど、工業的に生産していく上では合成及び保管の点で課題がある。また、テトラキス（トリフルオロホスフィン）ニッケルは、合成原料としてビス（アルキルシクロペンタジエニル）ニッケルを用いることから、前記化合物と同様の課題があるといえる。【０００８】
そのため、ＣＶＤ法によるニッケル含有膜形成をより容易に行うためには、融点が低く、液体としての利用が可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらに工業的に合成容易で安定な材料の開発が望まれている。
【特許文献１】特開２００３−３２８１３０号公報
【特許文献２】特開２００５−９３７３２号公報
【特許文献３】特開２００６−４５６４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、融点が低く液体としての取扱いが可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定な、ＣＶＤ法によるニッケル含有膜形成に、好適にはＣＶＤ法によるニッケルシリサイド膜形成に適した、ニッケル含有膜形成材料を提供することにある。【００１０】
また、本発明の他の目的は、上記ニッケル含有膜形成材料を用いたニッケルシリサイド膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題に対する検討を行った結果、下記式１の構造で示されるニッケル含有膜形成材料が、融点が低く液体としての利用が可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定なＣＶＤ法によるニッケル含有膜形成に、好適にはニッケルシリサイド膜形成に適する膜形成材料であることを見出した。【００１２】
すなわち、本発明は以下の１．〜９．に関する。
１．下記式１の構造で示されることを特徴とするニッケル含有膜形成材料。【００１３】
【化１】
2009081797.tif 000003
【００１４】
（式（１）において、Ｃ5Ｈ(5-a)およびＣ5Ｈ(5-b) は、シクロペンタジエニル環を表す。Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素、または下記式（２）の構造式で示される基である。また、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａおよびｂは、０＜ａ＋ｂ≦４を満たす整数である。）【００１５】
【化２】
2009081797.tif 000004
【００１６】
（式（２）において、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、各々独立に、炭素数１〜２のアルキル基である。）
２．前記式２において、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5が、全てメチル基であることを特徴とする前記１．に記載のニッケル含有膜形成材料。
３．前記式（１）の構造式で示される化合物が、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルまたは（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルであることを特徴とする前記１．に記載のニッケル含有膜形成材料。
４．ＣＶＤ（化学気相成長）法を用いてニッケル含有膜を形成するための材料であることを特徴とする、前記１．〜前記３．のいずれか１つに記載のニッケル含有膜形成材料。
５．前記ニッケル含有膜が、ニッケルシリサイド膜であることを特徴とする、前記４．に記載のニッケル含有膜形成材料。
６．前記１．〜５．のいずれか１つに記載のニッケル含有膜形成材料を用いて形成されたニッケルシリサイド膜。
７．前記１．〜５．のいずれか１つに記載のニッケル含有膜形成材料を用いて、ＣＶＤ（化学気相成長）法にてニッケルシリサイド膜を形成することを特徴とするニッケルシリサイド膜の製造方法。
８．ニッケルシリサイド膜のシリコン源として、前記式（２）の構造で示される基中のケイ素を利用することを特徴とする前記７．に記載のニッケルシリサイド膜の製造方法。
９．前記ニッケル含有膜形成材料が、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルまたは（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルであることを特徴とする、前記７．または前記８．に記載のニッケルシリサイド膜の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、融点が低く液体としての利用が可能であり、かつ高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定な、ＣＶＤ法によるニッケル含有膜形成、好適にはＣＶＤ法によるニッケルシリサイド膜形成に適した、ニッケル含有膜形成材料が提供される。【００１８】
すなわち、このニッケル含有膜形成材料を用いることで、ＣＶＤ法によりニッケル含有膜、好適にはニッケルシリサイド膜を容易に形成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、ＣＶＤ装置の模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明のニッケル含有膜形成材料について、詳細に説明する。【００２１】
本発明のニッケル含有膜形成材料は、上記式（１）で示される構造式を有する化合物（以下、単にニッケル化合物ということがある。）からなる。【００２２】
ここで、上記式（１）のＣ5Ｈ(5-a)およびＣ5Ｈ(5-b) は、シクロペンタジエニル環を表す。Ｒ1およびＲ2は、各々独立に、水素、または上記式（２）で示される構造式を有する基である。また、ａおよびｂは、０〜４の整数であり、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａおよびｂは、０＜ａ＋ｂ≦４を満たす。【００２３】
また、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａ＝ｂ＝１、すなわちａ＋ｂ＝２の条件を満たす前記化合物の合成が最も容易に行うことができる。さらに、ａ＋ｂ＝１の条件を満たす前記化合物は、その合成の難易度は高いが、ＣＶＤ法によるニッケル含有膜を形成するために要求される物性がより優れている。そのため、Ｒ1およびＲ2が共に水素であるものを除き、ａおよびｂが、０＜ａ＋ｂ≦２を満たすとき、より好ましいニッケル含有膜形成材料を得ることができる。【００２４】
上記式（２）の Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、各々独立に、水素または炭素数１〜２のアルキル基のいずれかである。炭素数１〜２のアルキル基としては、メチル基、エチル基があげられる。Ｒ3、Ｒ4およびＲ5としては、ニッケル含有膜形成材料の合成が容易であり、かつ、分子量が最も小さくなるので、メチル基が好ましい。よって、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5のすべてがメチル基であることが好ましい。【００２５】
本発明に係るニッケル含有膜形成材料に使用される前記ニッケル化合物としては、（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（Ｉ））、（シクロペンタジエニル）（エチルジメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（II））、（シクロペンタジエニル）（ジエチルメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（III））、（シクロペンタジエニル）（トリエチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（IV））、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（Ｖ））、ビス（エチルジメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（VI））、ビス（ジエチルメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（VII））、ビス（トリエチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（VIII））、（シクロペンタジエニル）（１、３−ビス（トリメチルシリル）シクロペンタジエニル）ニッケル（下記式（IX））などが例示される。【００２６】
【化３】
2009081797.tif 000005
【００２７】
これらのニッケル化合物の中で、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルが、高い蒸気圧を有し、さらには工業的に合成容易で安定であるため、ＣＶＤ法によるニッケル含有膜、中でもニッケルシリサイド膜形成に適した膜形成材料に用いる化合物として特に好ましい。【００２８】
また、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、二量化しにくい。これは、立体障害によるものであると考えられる。このため、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、その製造工程において取扱いが容易であり、工業的に生産していく上で合成及び保管に関する負担が小さい。【００２９】
本発明のニッケル含有膜形成材料に使用されるニッケル化合物としては、1)融点が低いこと、2)蒸気圧１Torrとなる温度が低いこと、3)安定であることが、ＣＶＤ法を用いたニッケル含有膜、中でもニッケルシリサイド膜形成のために好ましい。すなわち、1)融点は、成膜工程初期の環境温度以下であることが好ましく、例えば５０℃以下であることがより好ましく、2)蒸気圧１Torrとなる温度は、工業的に生産する上では１５０℃以下であることが好ましく、3)さらに５００℃まで加熱したときの揮発率は９９．５％以上であることが好ましい。この条件を満たすニッケル化合物であると、好適なニッケル含有膜形成材料が得られる。【００３０】
本発明のニッケル含有膜形成材料は、上記ニッケル化合物のみからなっていてもよく、また上記ニッケル化合物の他、本発明の目的を達成できる範囲内で、その他の物質を含有することもできる。たとえば後述のように、本発明のニッケル含有膜形成材料を用いてＣＶＤ法によりメタルシリサイド膜を製造する場合には、本発明のニッケル含有膜形成材料は、上記ニッケル化合物の他、シリコン源となる後述の化合物を含有することができる。【００３１】
本発明におけるニッケル含有膜を形成する方法としては、ＣＶＤ法を利用するのが好ましいが、ニッケル含有膜形成材料の蒸気を利用する成膜方法であればＣＶＤ法に限定されるものではない。【００３２】
また、メタルシリサイド膜の一般的な製造方法は、金属源となる金属化合物とシリコン源となるシラン化合物とを反応させる方法である。【００３３】
本発明のニッケルシリサイド膜の製造方法は、上記ニッケル化合物をニッケル源として用いることが必須である。シリコン源としては、特に制限は無いが、例えばＳｉnＨ(2n+2)（ｎは１〜３の整数）またはＲnＳｉＨ(4-n)（ｎは１〜３の整数、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基）で示される化合物であることが好ましい。このような化合物として、シラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、ジシラン、トリシランを使用することが好ましい。【００３４】
また、上記式（２）で示される構造を有する基を有するニッケル化合物からなるニッケル含有膜形成材料においては、ニッケル化合物中のケイ素をシリコン源として利用して、ニッケルシリサイド膜を形成することが出来る。但し、他のシリコン源を併用して、ニッケルシリサイド膜を形成することも可能である。併用されるシリコン源としては、ＳｉnＨ(2n+2)（ｎは１〜３の整数）またはＲnＳｉＨ(4-n)（ｎは１〜３の整数、Ｒは炭素数１〜３のアルキル基）で示される化合物が好ましい。このような化合物として、シラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、エチルシラン、ジエチルシラン、トリエチルシラン、ジシラン、トリシランが好ましく例示される。【００３５】
ニッケルシリサイド膜の成膜方法としては、ニッケル源を分解する各種のＣＶＤ法を利用することができる。すなわち、ＣＶＤ法として、ニッケル源を、熱的に分解する熱的ＣＶＤ法、熱及び光により分解する光ＣＶＤ法、プラズマで活性化し光分解するプラズマＣＶＤ法、レーザーで活性化し光分解するレーザー補助ＣＶＤ法、イオンビームで活性化し光分解するイオンビーム補助ＣＶＤ法などがあげられ、これらの方法をニッケルシリサイド膜の成膜に利用することが出来る。【００３６】
ニッケルシリサイド膜を成膜する際の反応圧力としては、０．０１〜７６０Ｔｏｒｒが好ましく、より好ましくは０．１〜７６０Ｔｏｒｒ、さらに好ましくは１〜７６０Ｔｏｒｒである。また、反応温度としては、５０〜８００℃が好ましく、さらに好ましくは１００〜５００℃である。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［合成例１］
窒素置換した３０００ｍＬフラスコ中で、シクロペンタジエニルナトリウムのテトラヒドロフラン溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ、８００ｍＬ）をよく乾燥したテトラヒドロフラン（１Ｌ）に溶解し、０℃に冷却した。ここにトリメチルシリルクロリド（１８０ｇ）を窒素気流下で１時間かけて滴下した後、０℃でさらに２時間攪拌した。その後、ろ過により塩を取り除き、ろ液を蒸留することによりトリメチルシリルシクロペンタジエン（７０ｇ）を得た。上記操作を繰り返して、トリメチルシリルシクロペンタジエン１４０ｇを得た。【００３８】
窒素置換した１０００ｍＬフラスコ中で、トリメチルシリルシクロペンタジエン（８６ｇ）をよく乾燥したテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却した。ここにｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、２５０ｍＬ）を２時間かけて滴下した後、１時間撹拌しつつ室温まで昇温し、トリメチルシリルシクロペンタジエニルナトリウムのテトラヒドロフラン溶液を得た。【００３９】
これとは別に、窒素置換した２０００ｍＬフラスコ中で、塩化ニッケル（ＩＩ）４０ｇをよく乾燥したテトラヒドロフラン（２５０ｍＬ）に懸濁させた。この溶液に、先に調製したトリメチルシリルシクロペンタジエニルナトリウムのテトラヒドロフラン溶液を１時間かけて滴下し、その後１時間還流させた。２時間かけて室温に冷却し、室温で１０時間攪拌した後、蒸留により溶媒を留去した。よく乾燥したヘキサン（１５０ｍＬ）を加えて塩を析出させた後、窒素雰囲気下でろ過することにより取り除き、ろ液を蒸留することにより、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（４５．７ｇ）を得た（収率４４％）。
［評価例１］
上記、合成例１で得られたビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルの融点は１５℃であった。そして、示差熱熱重量同時測定装置を用いた蒸発速度を測定し、アントワンの式より蒸気圧を算出した。このとき、拡散定数を求めるにあたり、Ｇｉｌｌｉｌａｎｄの式における、ニッケルの沸点分子容を原子体積の３倍と仮定した。その結果、蒸気圧１Ｔｏｒｒとなる温度が１０８℃であった。また、５００℃まで加熱したときの揮発率は９９．９％であった。【００４０】
比較化合物として、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケルの蒸気圧、揮発率の測定を上記のビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルと同様の方法で行った。その結果、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケルは、融点０℃以下、蒸気圧１Ｔｏｒｒとなる温度が９３℃であった。また、５００℃まで加熱したときの揮発率は９８．８％であった。【００４１】
以上の結果から、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケルより低い蒸気圧を示したが、揮発率９９．９％と分子量は大きいが揮発性に優れるものであった。【００４２】
このことから、ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、ＣＶＤ法によりニッケル含有膜を形成するための膜形成材料として適している。
［実施例１］
図１に示した装置を用いて、シリコン基板上に、合成例１にて得られたビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルのＣＶＤ法によるニッケルシリサイド膜形成を行った。【００４３】
ビス（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルを原料容器に入れ、容器を６０℃に加熱し、キャリアガスとして水素ガスを ４００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流し、反応容器に導入した。このとき、系内は１０〜２０Ｔｏｒｒに減圧され、反応容器内に設置した基板は３００℃に加熱されている。【００４４】
Ｘ線光電子分析装置（ＸＰＳ）を用いて、この膜の組成を調べると、ニッケル及びケイ素の存在が確認された。さらに、Ｘ線回折装置を用いた測定から、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。
［合成例２］
窒素置換した１０００ｍＬフラスコ中で、合成例１で合成したトリメチルシリルシクロペンタジエン（６９ｇ）とシクロペンタジエン（３３ｇ）をよく乾燥したテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）に溶解し、０℃に冷却した。ここにｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．６ｍｏｌ／Ｌ、３８０ｍＬ）を１時間かけて滴下した後、１時間撹拌しつつ室温まで昇温し、トリメチルシリルシクロペンタジエニルナトリウムおよびシクロペンタジエニルナトリウムのテトラヒドロフラン溶液を得た。【００４５】
これとは別に、窒素置換した２０００ｍＬフラスコ中で、塩化ニッケル（ＩＩ）６５ｇをよく乾燥したテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）に懸濁させた。この溶液に、先に調製したトリメチルシリルシクロペンタジエニルナトリウムおよびシクロペンタジエニルナトリウムのテトラヒドロフラン溶液を１時間かけて滴下し、その後６０℃で５時間反応させた。２時間かけて室温に冷却し、室温で１０時間攪拌した後、蒸留により溶媒を留去した。よく乾燥したヘキサン（２００ｍＬ）を加えて塩を析出させた後、窒素雰囲気下でろ過することにより取り除き、ろ液を蒸留することにより、（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケル（４８．０ｇ）を分離して得た（収率１８％）。
［評価例２］
上記、合成例２で得られた（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルの融点は２５℃であった。そして、示差熱熱重量同時測定装置を用いた蒸発速度を測定し、アントワンの式より蒸気圧を算出した。このとき、拡散定数を求めるにあたり、Ｇｉｌｌｉｌａｎｄの式における、ニッケルの沸点分子容を原子体積の３倍と仮定した。その結果、蒸気圧１Ｔｏｒｒとなる温度が１０１℃であった。また、５００℃まで加熱したときの揮発率は９９．９％であった。【００４６】
以上の結果から、（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケルより低い蒸気圧を示したが、融点が低く、揮発率９９．９％と、取扱いおよび揮発性に優れるものであった。【００４７】
このことから、（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルは、ＣＶＤ法によりニッケル含有膜を形成するための膜形成材料として適している。
［実施例２］
図１に示した装置を用いて、シリコン基板上に、合成例２にて得られた（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルのＣＶＤ法によるニッケルシリサイド膜形成を行った。【００４８】
（シクロペンタジエニル）（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）ニッケルを原料容器に入れ、容器を６０℃に加熱し、キャリアガスとして水素ガスを ４００ｍｌ／ｍｉｎの流量で流し、反応容器に導入した。このとき、系内は１０〜２０Ｔｏｒｒに減圧され、反応容器内に設置した基板は３００℃に加熱されている。【００４９】
Ｘ線光電子分析装置（ＸＰＳ）を用いて、この膜の組成を調べると、ニッケルが５１％、ケイ素が３８％存在していることが確認された。さらに、Ｘ線回折装置による分析の結果、ＮｉＳｉ及びＮｉ2Ｓｉのピークが検出されたことから、この膜がニッケルシリサイド膜であることが確認された。
【図１】
2009081797.tif 000010
【国際調査報告】
2009081797.tif 000011
2009081797.tif 000012
2009081797.tif 000013
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