(57)【要約】基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、かつそれぞれの剥離手段が異なる複数のマスクを重ねて形成し、複数のマスクのそれぞれの形状を反映して、順次、プラズマを用いるドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を得る。
2009154173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いるドライエッチングにより基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、かつそれぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することを特徴とする多段型基板の製造方法。
【請求項２】
前記複数のマスクのそれぞれが、（１）フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、及びポリ尿素から選ばれた感光性でない有機高分子材料、（２）フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、及びポリ尿素から選ばれた有機高分子材料を主成分とする感光性を有するフォトレジスト、（３）Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａから選ばれた金属、これら金属の少なくとも２種の合金、並びにこれら金属の酸化物及び窒化物から選ばれた材料、又は（４）半導体膜材料、前記半導体膜材料の酸化物及び窒化物、前記半導体膜材料とタングステン又はモリブデンとの合金、並びにＳｉＯＮから選ばれた材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の多段型基板の製造方法。
【請求項３】
前記マスクの一つが、樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の多段型基板の製造方法。
【請求項４】
前記マスクの一つが、クロム膜又はアルミニウム膜であることを特徴とする請求項１又は３記載の多段型基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板がケイ素からなる表面を有し、前記マスクの一つが酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の多段型基板の製造方法。
【請求項６】
前記マスクの一つとして用いる酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜が、蒸着法、物理気相成長法、化学気相成長法又はスピンコート法によって形成されていることを特徴とする請求項５記載の多段型基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板が酸化ケイ素、窒化ケイ素又はＳｉＯＮからなる表面を有し、前記マスクの一つがケイ素膜からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の多段型基板の製造方法。
【請求項８】
プラズマを用いるドライエッチングにより表面がケイ素からなる基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、それぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクであって、該複数のマスクの一つが蒸着法、物理気相成長法、化学気相成長法又はスピンコート法により形成された酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜からなっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することを特徴とする多段型基板の製造方法。
【請求項９】
前記マスクの一つが、樹脂からなることを特徴とする請求項８記載の多段型基板の製造方法。
【請求項１０】
プラズマを用いるドライエッチングにより酸化ケイ素基板又は窒化ケイ素基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該酸化ケイ素基板又は窒化ケイ素基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、それぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクであって、該複数のマスクの一つがスパッタリング法又は蒸着法により形成されたケイ素膜からなっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することを特徴とする多段型基板の製造方法。
【請求項１１】
前記マスクの一つが、樹脂からなることを特徴とする請求項１０記載の多段型基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多段型基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや、マイクロマシン及びＭＥＭＳデバイスの製造方法では、リソグラフィー技術によるパターンニング技術、真空蒸着法やスパッタリング法といった物理気相成長法及び化学気相成長法等の成膜技術、ウェットエッチング及びドライエッチングのエッチング技術、さらには、基板同士の貼り合わせ技術等を組み合わせることによって、様々な３次元構造を形成している。【０００３】
従来から、基板をエッチングすることによって、例えば、溝加工、薄膜の中空構造、湾曲バー構造といった構造を微細加工により形成することが行われている。このような微細加工によって、電気的及び機械的な特長を生かした様々な機能を有するデバイスの開発が行われている。さらに近年では、エッチングにより形成した微少な領域を利用して、微小化学分析や化学反応や生物的反応を高集積化したデバイス内にて行うμ−ＴＡＳ(Total Analysis Systems)やＬａｂ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ(Laboratory on a chip)と呼ばれるシステムが開発され、実用化されつつある。【０００４】
エッチングは、加工される基板と溶液との化学反応を利用したウェットエッチングと、主に真空中にて反応性の気体やイオン及びラジカルを衝突させることにより基板を加工するドライエッチングとに分類される。さらに、ドライエッチングには、反応性気体に暴露することで基板をエッチングする反応性ガスエッチングと、プラズマにより気体をイオン化ないしはラジカル化して基板をエッチングするプラズマエッチングとがある。加工される基板の材料と、加工される形状によりこれらの方法は使い分けられている。【０００５】
従来から、ドライエッチングにおいては、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の各種基板を用い、ハロゲン系ガス等をエッチングガスとして用いており、特にケイ素基板の場合、ＳＦ６、ＣＦ４等のフッ素系ガス、Ｃｌ２、ＣＣｌ４等の塩素系ガス、フッ素塩素系ガスをエッチングガスとして用いている。しかし、ドライエッチングでは、エッチングされた側壁が垂直形状を保てないという問題がある。【０００６】
そのため、例えばケイ素基板をドライエッチングする際に、側壁の垂直形状を保つために、エッチングガスとしてＣｘＦｙガスを用い、側壁保護のための炭化フッ素膜の形成を繰り返しながらエッチングする手法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００７】
また、酸化ケイ素基板及び窒化ケイ素基板をドライエッチングする場合、エッチングガスとして、ＣＨＦ３等のガスや、ＣＦ４とＨ２との混合ガス、ＣｘＦｙ（（ｙ／ｘ）＜４）（例えば、Ｃ２Ｆ６等）といったガスを用いることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。【０００８】
上記したようなドライエッチング手法においては、マスクの材質や形状が加工形状に大きく寄与するので、加工形状を所定の形状に保つためには、マスクの材質と形状を適宜選択することが必要である。【０００９】
さらに、遮光膜からなるマスクとネガ型レジストからなるマスクとを重ねて使用し、かつ、パターニングされた側と反対側から全面露光した後に、膜面側を露光するようにした多段エッチング型基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。この場合、各段差のエッチングにおいて基板側からの全面露光工程が必要であり、工程数が多い上、必ずしも精度良く簡便に基板に対して段差加工を行うことができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表平７−５０３８１５号公報（請求の範囲）
【特許文献２】特開２００５−２９８２８３号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開平９−５４４２０号公報（特許請求の範囲）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年の半導体デバイスの高集積化及び複雑化に伴い、その加工工程もより高度化、複雑化している。特に、ＭＥＭＳデバイスのような３次元的な構造を有する加工においては、マスクパターニングとエッチングを繰り返す工程が多く見られる。【００１２】
複雑な段差を持つ溝加工をする場合、例えば、図１に示すような工程を実施する必要がある。図１は、本発明者らが予備実験として行った酸化ケイ素基板を加工した例を模式的に示している。【００１３】
まず、基板１０１上に真空蒸着若しくはスパッタリング法によりＣｒ膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてＣｒ膜をパターニングして第一マスク１０２を形成する（図１（ａ）及び（ｂ））。この基板に対してＣ３Ｆ８ガスを用いてドライエッチングを行って、第一マスク１０２の厚みよりも十分深い第一の溝１０３を形成する（図１（ｃ））。次いで、第一マスク１０２をＣｒ膜用の剥離液により剥離する（図１（ｄ））。かくして得られた基板上に、上記方法と同様にして、Ｃｒ膜の形成及びパターニングを行い、第一の溝１０３の底面の一部を含めて基板表面を覆う第二マスク１０４を形成する（図１（ｅ））。そして、ドライエッチングを行い、第二マスク１０４で覆われていない第一の溝１０３部分を掘り進み、第二の溝１０５を形成する（図１（ｆ））。その後、第二マスク１０４をＣｒ膜用の剥離液により剥離する（図１（ｇ））。このようにして、マスクの形成とドライエッチングとのプロセスを２回繰り返すことにより、２つの段差を有する溝加工を行うことができる。このプロセスによれば、図１（ｅ）に示すように、第二マスク１０４は、第一の溝１０３の側壁の下方部分にいくにつれて膜厚が薄くなると共に、この溝の底面部分に形成される第二マスクの膜厚も側壁と底面との交わった部分にいくにつれて膜厚が薄くなってしまい、その交わった部分の膜厚はより薄くなり（図中のＡ部分）、全体にわたって均一な厚みを有する第二マスク１０４とすることが困難となる。そのため、図１（ｆ）に示すように、２回目のエッチングで第二マスク１０４により覆われた部分のうち膜厚の薄いＡ部分もエッチングされてしまい、いわゆる「す」（図中のＢ部分）が形成されるという問題があることが分かった。【００１４】
また、上記プロセスの場合、第二マスク１０４を形成するために、フォトレジストをスピンコートにより塗布し、パターニングする際に、第一の溝１０３の深さや幅の形状によっては、スピンコートで基板全面にわたって均一にコーティングできなかったり、フォトレジストが溝の底面部や側面部、特に隅部を完全に覆うことができなかったりという不具合が生じ、加工条件が限定されてしまうという問題がある。すなわち、上記例のようにＣｒ膜をマスクとしている場合には、第一の溝１０３の段差部やその側壁に対して、第二マスクとするためのＣｒ膜及びリソグラフィー法を用いて第二Ｃｒマスクをパターニングするためのフォトレジストにより十分覆うことができず、第二マスクに欠陥部が生じてしまい、その欠陥部が深掘りエッチングされて、目的の形状が得られないという問題がある。これは、フォトレジストをマスクとする場合でも同様である。さらには、第一の溝加工部と第二のマスク（溝加工部）とが接するような構造の場合、そのアライメント精度が十分でなく、結果として所望の構造が得られないという問題がある。【００１５】
本発明の課題は、上述の従来技術及び予備実験の問題点を解決することにあり、基板上に複数層のマスクを形成した後、このマスクの数に対応する複数回のドライエッチング工程を実施して、精度良く簡便に基板に対して段差加工を行い、多段型基板を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、基板上にそれぞれが異種材料からなる複数種のマスクを形成した後に、マスクごとにドライエッチング、すなわち多段階エッチングを行うことによって、複数の段差を有する溝加工が可能となり、上記課題を解決できることに気がつき、本発明を完成するに至った。【００１７】
本発明の多段型基板の製造方法は、プラズマを用いるドライエッチングにより基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、かつそれぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することを特徴とする。【００１８】
それぞれが異種材料からなる複数のマスクを重ねて形成した後に、この複数のマスクのそれぞれの形状を反映するドライエッチングを順次行うことによって、精度良く簡便に基板に対して段差加工を行うことができる。また、それぞれのマスクの剥離手段が異なる複数のマスクを重ねて形成するため、下層のマスクに影響を与えることもなく、それぞれのマスクの剥離を行うことができる。【００１９】
前記複数のマスクのそれぞれが、（１）フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、及びポリ尿素から選ばれた感光性でない有機高分子材料、（２）フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、及びポリ尿素から選ばれた有機高分子材料を主成分とする感光性を有するフォトレジスト、（３）Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａから選ばれた金属、これら金属の少なくとも２種の合金、並びにこれら金属の酸化物及び窒化物から選ばれた材料、又は（４）半導体膜材料、前記半導体膜材料の酸化物及び窒化物、前記半導体膜材料とタングステン又はモリブデンとの合金、並びにＳｉＯＮから選ばれた材料で構成されていることが好ましい。【００２０】
前記マスクのうちの一つが、樹脂からなることが好ましい。本発明において樹脂とは、有機高分子材料から構成されるものであれば特に限定されず、好ましくは上記樹脂である。フォトリソグラフィーによってパターニングが可能な感光性樹脂、つまりはフォトレジストであればマスク形成工程が少なく、より好ましい。フォトレジストの主成分としては、上記したような一般的に入手可能なフェノール樹脂（ノボラック樹脂等）、ポリイミド、ポリ尿素、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等が挙げられる。また、フォトレジストではない樹脂の場合、例えば、後述するような方法でこの樹脂材料からなるマスクを形成することができる。【００２１】
前記マスクのうち一つは、Ｃｒ膜又はアルミニウム膜であることが好ましい。Ｃｒは他の物質と化合物を形成し易く、一般的に密着層として用いられる様に様々な材質に直接安定した膜を形成することが可能であり、さらにはそのパターニングもリフトオフ法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法といった従来の手段を用いることで可能となるからである。【００２２】
前記基板の加工面がケイ素である場合、そのマスクの一つが酸化ケイ素又は窒化ケイ素膜からなることが好ましい。この酸化ケイ素又は窒化ケイ素膜は蒸着法やスパッタリング法のような物理気相成長法、化学気相成長法、スピンコート法により形成させることが可能である。【００２３】
また、前記基板の加工面が酸化ケイ素（例えば、水晶や熱酸化膜等）、窒化ケイ素又はＳｉＯＮである場合は、前記マスクの一つがケイ素膜であることが好ましい。ケイ素膜は蒸着法やスパッタリング法のような物理気相成長法、化学気相成長法、スピンコート法等の手段により成膜することが可能である。【００２４】
本発明の多段型基板の製造方法は、プラズマを用いるドライエッチングにより表面がケイ素からなる基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、それぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクであって、該複数のマスクの一つが化学気相成長法により形成された酸化ケイ素膜又は窒化ケイ素膜からなっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することが好ましい。この場合のマスクの一つが、樹脂からなることが好ましい。【００２５】
本発明の多段型基板の製造方法はまた、プラズマを用いるドライエッチングにより酸化ケイ素基板又は窒化ケイ素基板を加工し、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法であって、該酸化ケイ素基板又は窒化ケイ素基板の主面上に、それぞれが異種材料からなり、それぞれの剥離手段が異なっている複数のマスクであって、該複数のマスクの一つがスパッタリング法又は蒸着法により形成されたケイ素膜からなっている複数のマスクを重ねて形成し、該複数のマスクのそれぞれの形状を反映して順次ドライエッチングを行うことによって段差加工を行い、複数の段差を有する多段型基板を製造することが好ましい。この場合のマスクの一つが、樹脂からなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板に対して精度良く簡便に複数の段差加工を行い、多段型基板を製造することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】段差を持つ多段型基板を製造する予備実験の方法を示す模式的工程図。
【図２】本発明に従って複数の段差を有する多段型基板を製造する方法を示す模式的工程図。
【図３】実施例１に従って得られた２つの段差を有する多段型基板の加工形状を模式的に示すものであり、（ａ）は加工された基板の上面図、（ｂ）は加工された基板の断面図。
【図４】実施例１に従って２つの段差を有する多段型基板を製造する方法を示す模式的工程図。
【図５】実施例１に従って得られたケイ素基板の断面の電子顕微鏡写真。
【図６】実施例２に従って得られた３つの段差を有する多段型基板を製造する方法を示す模式的工程図。
【図７】実施例３に従って得られた３つの段差を有する多段型基板を製造する方法を示す模式的工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明に係る多段型基板の製造方法の実施の形態によれば、基板の主面上にドライエッチングしない領域を保護するためのマスクを複数層形成した後に、それぞれのマスクの形状を反映するようにドライエッチングを行う。この場合、それぞれのマスクが異種材料からなり、かつそれぞれのマスクの剥離手段がすべて異なっている複数種のマスクを基板上に重ねて形成し、それぞれのマスクの形状を反映するように、プラズマを用いるドライエッチングを順次行うことによって微細な溝加工をするので、微細な複数の段差を有する多段型基板を製造するための溝加工を精度良く、簡便に行うことができる。
【００２９】
本発明に従って加工する基板としては、ドライエッチングできる基板であれば特に制限なく使用することができる。例えば、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、ガラス、石英、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、炭化ケイ素、ガリウム砒素、及び窒化ガリウム等から選ばれた基板、並びにこれら材料の積層物からなる積層基板を使用できる。積層基板の場合、本発明の方法によりエッチングしない層の材料には制限はない。また、光半導体である半導体光増幅器（ＳＯＡ）を実装するための実装台である導波路基板（ＰＬＣ）等も使用できる。さらに、基板表面に、マスクの剥離手段によってダメージを受けることのない材料の膜が形成されている基板であっても同様に使用できる。
【００３０】
基板の形状としては、複数の段差を加工できるものであれば特に制限はなく、平坦な表面を有するものでも、凸状及び／又は凹状の球状表面を有するものでも良い。
【００３１】
本発明によれば、上記したように、複数種のマスクを基板の主面上に積層して設けた後にドライエッチングすることにより、精度良く、簡便に多段階の溝加工が可能になる。
【００３２】
このマスク材料は、加工する基板の種類に応じて適宜選択され、用いる複数のマスク材料は、各マスクの剥離手段が異なるように組み合わせて用いる。
【００３３】
マスク材料としては、例えば、（１）フェノール樹脂（ノボラック樹脂等）、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、ポリ尿素等から選ばれた感光性でない有機高分子材料、（２）フェノール樹脂（ノボラック樹脂等）、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリイミド、ポリ尿素等から選ばれた有機高分子材料を主成分とする樹脂であって感光性を有するフォトレジストや、市販品のＯＦＰＲ（商品名、東京応化工業株式会社製）、ＴＭＳＲ−ｉＮ（商品名、東京応化工業株式会社製）、ＳＵ−８（商品名、化薬マイクロケム株式会社製）、ＺＰＮ（日本ゼオン株式会社製）等から選ばれたフォトレジスト、（３）Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａ等から選ばれた金属、これら金属の少なくとも２種の合金、並びにこれら金属の酸化物及び窒化物（例えば、Ａｌ２Ｏ３及びＡｌＮ）、（４）ケイ素（Ｓｉ）等の半導体膜材料、これらの半導体膜材料の酸化物（例えば、ＳｉＯ２）及び窒化物（例えば、ＳｉｘＮｙ）、これら半導体膜材料とタングステンやモリブデン等との合金（ＷＳｉ、ＭｏＳｉ）、並びにＳｉＯＮ等を使用することができる。この中では、使用の便宜性等を考慮すれば、フォトレジスト及びＣｒが好ましい。
【００３４】
尚、加工表面の材料と同じ材料をマスク材としてしまうと、マスクを剥離する際に基板の加工面にダメージを与えてしまうので、好ましくない。つまりは、加工表面がケイ素である場合、ケイ素はマスクとしては向かない。同様に、石英やＳｉＯ２が加工表面である場合に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をマスクとすることは好ましくない。また、マスクの剥離手段によって加工表面がダメージを受ける組み合わせ、例えば加工表面が石英やＳｉＯ２の場合にＳｉＮやＳｉＯＮをマスクとすると、マスクの剥離手段によって加工表面がダメージを受けるのでマスク材料としては不適切である。一方で、マスク材料の剥離手段が加工表面材料に影響を与えなければ使用できる。例えば、加工表面がケイ素である場合、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）若しくはＳｉＯＮを選択することが可能である。また、加工表面が酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、ＳｉＯＮ等ではケイ素をマスクとして用いることができる。
【００３５】
マスク材料として上記樹脂から選ばれた感光性でない有機高分子材料を用いる場合、この樹脂からなるマスクは次のようにして作製できる。例えば、（１）金属や樹脂で作製された目的の形にそって穴が開けられている薄い板や膜を基板の上に置き、その上からスプレーコートやスピンコート、蒸着などの方法でマスク材料の樹脂を付け、その後、薄い板や膜を取り除くことにより、目的とするパターンを有するマスクを作製できる。（２）予め基板の上にパターニングしたフォトレジスト上からスプレーコートやスピンコート、蒸着等の方法でマスク材料の樹脂を付け、その後レジストをアルカリ系溶液（例えば、東京応化工業株式会社製のレジスト剥離液１０５）等で取り除くことにより、目的とするパターンを有するマスクを作製できる。（３）マスク材料の樹脂を基板上にコーティングし、その樹脂膜上にフォトレジストを形成し、このレジストをパターニングし、その後Ｏ２アッシング等を行い、樹脂膜をエッチング加工し、最後にフォトレジストをアルカリ系溶液（例えば、東京応化工業株式会社製のレジスト剥離液１０５）等で取り除くことにより、目的とするパターンを有するマスクを作製できる。
【００３６】
次に、上記したマスク材料の成膜方法と剥離手段との関係を表１に纏めて示すが、これは単なる例示であって、本発明の目的を達成できるものであれば、これらに制限されないことは当然である。
【００３７】
【表１】
2009154173.tif 000003
【００３８】
また、先にも記述したが、マスクの剥離手段によって加工表面がダメージを受けるような材料をマスクとすることは好ましくない。
【００３９】
表１に例示したようなマスク材料から所望のマスク材料を選択し、剥離手段の異なるマスク材料を適宜組み合わせ、異種材料からなる複数のマスクを基板の主面上に重ねて形成した後、マスクごとにドライエッチングすれば、各エッチング後に、下層のマスクに悪影響を及ぼすことなく、それぞれのマスク材料に応じた剥離手段によりマスクの剥離が可能となる。この場合、表１において、マスク材料をグループ分けしたが、同じグループであろうと異なるグループであろうと、選択するマスク材料のそれぞれに対する剥離手段が異なるマスク材料を選択すればよい。
【００４０】
例えば、フォトレジストの場合、ＯＦＰＲ（商品名、東京応化工業株式会社製）膜では、アセトンやメチルピロリドンにより剥離が可能であり、また、ＳＵ−８（商品名、化薬マイクロケム株式会社製）膜では、アセトンやメチルピロリドン等の有機溶媒に対して耐性があるが、強酸化剤の剥離液や酸素プラズマによるアッシングにより剥離が可能である。このように、マスク材料が同じフォトレジストであっても、剥離手段が異なるフォトレジストを用いることにより、下層のマスクに悪影響を与えることなく、本発明を実施できる。
【００４１】
次いで、上記表１に示したマスク材料と剥離手段との代表的な組み合わせの例について、２つの段差を有する多段階溝加工を実施する場合を例にとり、表２に纏めて示す。表２は、基板表面上にマスク１（下部マスク）及びマスク２(上部マスク)を順次形成して溝加工をする場合について、マスク１の材料及びその剥離手段とマスク２の材料及びその剥離手段との好ましい関係を例示する。２つより多い段差を有する多段階溝加工を実施する場合も、各マスク材料と剥離手段とを上記に準じて適宜組み合わせ、複数のマスクを順次形成して溝加工すれば良い。
【００４２】
【表２】
2009154173.tif 000004
【００４３】
本発明によれば、ケイ素からなる表面を有する基板を段差加工する際には、複数のマスクの一つが酸化ケイ素又は窒化ケイ素から作製されていることが好ましく、この場合、本発明の加工法によれば、より精度良く簡便に段差加工を行うことが可能である。基板表面がケイ素からなっていれば、ケイ素単独からなる基板であっても、最上層がケイ素からなっている貼り合わせ基板でも良い。また、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の成膜手段としては、スパッタリング法や化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を採用すればよい。
【００４４】
上記した基板、マスク材料、成膜方法及び剥離手段を用い、本発明に従って、エッチングにより段差加工を行って、複数の段差を有する多段型基板を製造する方法において、２つの段差を有する多段階の溝加工について、図２（ａ）〜（ｇ）に示す加工プロセスに従って以下説明する。
【００４５】
まず、基板２０１上に、表１に示す成膜方法により、第一マスクとなるマスク材料からなる膜を形成し、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングして第一マスク２０２を形成する（図２（ａ）及び（ｂ））。かくして得られた第一マスク２０２の表面を含む基板２０１の表面上に、第一マスク２０２と異なる材料からなり、かつ剥離手段の異なる材料で第二マスクとなる膜を形成し、パターニングして第一マスク２０２上及び基板２０１の表面上の一部に第二マスク２０３を形成する（図２（ｃ））。次いで、得られた基板に対してドライエッチングして、第二マスク２０３の形状を反映する溝２０４を掘り、溝２０４を有する基板２０１ａを得る（図２（ｄ））。その後、第二マスク２０３を剥離し、第一マスク２０２及び基板２０１ａの表面を露出させる（図２（ｅ））。この状態でドライエッチングを行って、第一マスク２０２で覆われていない溝２０４部分と基板２０１ａの表面とを掘り進み、第一マスク２０２の形状を反映する溝２０５を形成し、溝２０４及び２０５を有する基板２０１ｂを得る（図２（ｆ））。最後に、第一マスク２０２を剥離すれば、溝２０４及び２０５を接して有する基板２０１ｂが得られ（図２（ｇ））、２つの段差を有する多段階の溝加工が精度よく簡便に実施できる。
【００４６】
上記したように、本発明によれば、基板に設ける溝の加工は小さい溝加工から大きい溝加工へと行われるため、エッチングするパターンとしては、先にエッチングするパターンよりも後でエッチングするパターンの方が大きくなる。
【００４７】
３つ以上の段差を有する多段階の溝加工の場合についても、図２（ａ）〜（ｇ）に示すプロセスに準じて、複数のマスクの形成、各ドライエッチング、各マスクの剥離を行うことにより、各マスクの形状を反映する溝を掘り、複数の段差を有する多段階の溝加工を実施できる。
【００４８】
上記方法において溝２０４及び２０５を形成するドライエッチング工程について、以下説明する。
【００４９】
上記したようにして第二マスク２０３を形成した基板に対して、ＤＲＩＥ（深掘り反応性イオンエッチング）法によりドライエッチングを行う。まず、真空槽内に搬入した基板を静電チャック上に載置して静電チャック上に密着させ、真空槽内の真空排気を行うと共に、基板下部に冷却用の不活性ガスを導入して放電時の基板の表面が所定の温度（例えば、８０〜１００℃）となるように冷却する。次いで、保護膜形成用ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８等のガス）を導入して真空槽内が所定の圧力（例えば、１〜１０Ｐａ、好ましくは２Ｐａ）になるように調整し、アンテナに対し所定の電力（例えば、５００Ｗ〜１ｋＷ）を所定の時間（例えば、５〜２０秒間、好ましくは１５秒間）印加し、基板全体に保護膜をつける。その後、反応ガス（例えば、ＳＦ６ガス等）を導入して真空槽内が所定の圧力（例えば、１〜１０Ｐａ、好ましくは５Ｐａ）になるように調整し、アンテナに対し所定の電力（例えば、５００Ｗ〜１ｋＷ）を、また、基板に対してバイアスパワーとして所定の電力（例えば、３０〜１００Ｗ）を所定の時間（例えば、５〜２０秒間、好ましくは１５秒間）印加して基板をエッチングする。上記保護膜をつける工程及び基板のエッチング工程を繰り返し、側壁を保護しながら垂直にエッチングを行う。
【００５０】
上記ドライエッチングにおいては、例えば、ケイ素、酸化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、炭化ケイ素、ガリウム砒素、窒化ガリウム等からなる基板を用いる場合、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から選ばれた少なくとも１種のハロゲン系ガスをエッチングガスとして用いることが好ましい。
【００５１】
ケイ素基板の場合には、さらにＳＦ６、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳｉＦ４、ＢＦ３、ＣＢｒＦ３及びＸｅＦ２等から選ばれたフッ素系ガス、並びにＣｌ２、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４、ＰＣｌ３、ＢＣｌ３及びＨＣｌ等から選ばれた塩素系ガスや、ＣｌＣｌｍＦｎのようなフッ素塩素系ガスをエッチングガスとして用いることができる。
【００５２】
また、酸化ケイ素基板及び窒化ケイ素基板をドライエッチングする場合、エッチングガスとして、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ等のガスや、ＣＦ４とＨ２との混合ガス、ＣｘＦｙ（（ｙ／ｘ）＜４）、例えばＣ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８といったガスを用いることもできる。
【００５３】
上記二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）基板をドライエッチングする場合、まず、真空槽内に搬入した基板を静電チャック上に載置して静電チャック上に密着させ真空槽内の真空排気を行うとともに、基板下部に冷却用の不活性ガスを導入して放電時の基板の表面温度が８０〜１００℃となるように冷却した。次いで、Ｃ３Ｆ８ガスを導入して真空槽内が０．５〜５Ｐａ（好ましくは、０．５Ｐａ）になるように調整し、アンテナに対し５００Ｗ〜２ｋＷの電力を、基板に対してバイアスパワーとして５０〜５００Ｗの電力を印加して、基板をエッチングすることができる。
【００５４】
本発明により多段階エッチングしたことによる溝形状への影響に関し、各エッチングにおいてエッチング条件が同一であると、最初にエッチングした形状は、後のエッチング工程の時に浅くなる方向にズレを起こす。よって、目的の形状を得るために、形状がどの程度変化するかをあらかじめ確認しておき、その変化を考慮して、最初にエッチングする部分ではあらかじめ深くしておくなどの調整をすればよい。また、ガスが十分に入り込む開口の場合であれば、バイアスパワーをほとんど印加せず、エッチングを進めることである程度エッチングレート差を少なくすることが可能である。
【００５５】
上記では、基板の主面上に複数のマスクを形成し、ドライエッチングにより順次掘り進み、基板の底面を残すようにした場合について説明した。しかし、本発明に従って製造される多段型基板の用途によっては、エッチングを進めて基板底面を抜き、基板を貫通するようにエッチングしても良いし、また、基板厚さが厚い場合などには基板の主面と反対側から同様にしてエッチングして掘り進んで、貫通させても良い。
【実施例１】
【００５６】
本実施例では、図３（ａ）及び（ｂ）に示す基板３０１の加工形状、並びに図４（ａ）〜（ｊ）に示す加工プロセスに従って行った段差を２つ有する溝加工について説明する。【００５７】
本実施例で加工した後の形状を示す図３（ａ）は基板の上面図であり、図３（ｂ）はその断面図であり、１８０×６０μｍの長方形の溝３０２と、Φ３０μｍの円形の溝３０３とを段差をもって形成した。【００５８】
図４を参照すれば、まず、基板（ケイ素基板）４０１上にプラズマ支援型ＣＶＤ法を用いて、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）ガスにより酸化ケイ素膜４０２を１μｍ形成した（図４（ａ）及び（ｂ））。この酸化ケイ素膜４０２上にフォトレジストであるＯＦＰＲ（商品名、東京応化工業株式会社製）膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングしてパターン４０３を形成し（図４（ｃ））、このパターン４０３をマスクとしてＣ４Ｆ８、Ｃ３Ｆ８のプラズマにより、上記酸化ケイ素膜４０２をドライエッチングして、基板４０１表面を露出せしめた（図４（ｄ））。次いで、ＯＦＰＲからなるパターン４０３をアセトンで剥離し、酸化ケイ素膜のパターンを露出せしめ、第一マスク４０２'とした（図４（ｅ））。続いて、第一マスク４０２'及び基板４０１の表面上にＯＦＰＲ膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングして第二マスク４０４を形成した（図４（ｆ））。【００５９】
上記方法で得られた基板に対して、ＤＲＩＥ法によりドライエッチングを行った。まず、真空槽内に搬入した基板を静電チャック上に載置して静電チャック上に密着させ、真空槽内の真空排気を行うとともに、基板下部に冷却用の不活性ガスを導入して放電時の基板の表面温度が８０〜１００℃となるように冷却した。次いで、Ｃ４Ｆ８ガスを導入して真空槽内が２Ｐａになるように調整し、アンテナに対し５００Ｗ〜１ｋＷの電力を１５秒間印加し、基板全体に保護膜をつけた。その後、反応ガスであるＳＦ６ガスを導入して真空槽内が５Ｐａになるよう調整し、アンテナに対し５００Ｗ〜１ｋＷの電力を、基板に対してバイアスパワーとして３０〜１００Ｗの電力を、それぞれ１５秒間印加して、第二マスク４０４の形状を反映するように基板をドライエッチングした。上記保護膜をつける工程及び基板のドライエッチング工程を繰り返し、側壁を保護しながら垂直にエッチングを行った。【００６０】
かくして、ＯＦＰＲからなる第二マスク４０４の形状を反映した、深さ２０．５μｍの溝４０５が形成され、溝４０５を有する基板４０１ａが得られた（図４（ｇ））。次いで、第二マスク４０４をアセトンで剥離した（図４（ｈ））後、酸化ケイ素からなる第一マスク４０２'をマスクとして、上記ＤＲＩＥ法と同条件でドライエッチングを行った後、マスク４０２'を剥離した。その結果、深さ４２．８μｍ（ｔ２）の溝４０６ａと深さ１２．２μｍ（ｔ１）の溝４０６ｂとの２段階の溝が形成された基板４０１ｂが得られた（図４（ｉ）、図４（ｊ））。この２段階の溝の深さｔ１及びｔ２（図３（ｂ））は、上記方法で加工したケイ素基板の断面の電子顕微鏡写真を示す図５から観測した。【００６１】
本実施例により、精度良く簡便に基板に対して段差加工を行うことができた。【００６２】
上記溝４０６ｂの深さは、図４（ｇ）及び（ｈ）にて示した溝４０５の深さと異なる。この原因は、２番目にエッチングする際に、最初にエッチングして得られた溝４０５の部分へのエッチング速度と、第一マスク４０２'をマスクとしてエッチングした残りの部分へのエッチング速度との間に差が生じたためである。各溝の深さを同一にすることが求められる場合には、上記したエッチング速度の差分による形状変化を予め考慮して、先にエッチングする部分の形状を深くするような条件でエッチングすればよい。【００６３】
この各溝の深さに関しては、エッチング速度等のエッチング条件を適宜設定すれば、加工された基板の使用目的に合わせて任意の深さの溝を容易に形成することができる。例えば、各溝の深さを同一にすることが求められる場合であっても、また、各溝の深さを異なるようにすることが求められる場合であっても、エッチング条件を適宜設定すれば可能である。また、ドライエッチングする際に、基板に印加する電圧（バイアスパワー）を高くして、エッチング速度に差がない条件を設定することによって、各溝の深さを同一にすることもできるし、このバイアスパワーを任意に変化させて、エッチング速度等の条件を設定することによっても、各溝の深さを任意に設定することができる。
【実施例２】
【００６４】
本実施例では、図６（ａ）〜（ｏ）に示す加工プロセスに従って、段差を３つ有する溝加工について説明する。【００６５】
まず、ケイ素基板６０１上に、スパッタリング法あるいは蒸着法を用いて、Ａｌ膜６０２を１μｍ形成した（図６（ａ）及び（ｂ））。このＡｌ膜６０２上にフォトレジストであるＯＦＰＲ（商品名、東京応化工業株式会社製）膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、パターン６０３を得た（図６（ｃ））。パターン６０３をマスクとしてＡｌ膜６０２をＡｌエッチング液（関東化学株式会社製）でウェットエッチングして、基板６０１の表面を露出せしめた（図６（ｄ））後に、パターン６０３をアセトンで剥離して、Ａｌ膜である第一マスク６０２'を得た（図６（ｅ））。かくして得られた第一マスク６０２'の表面及び露出した基板６０１の表面上に、プラズマ支援型ＣＶＤ法を用いて、シラン（ＳｉＨ４）ガスと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）ガスとにより酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜６０４を１μｍ形成した（図６（ｆ））。【００６６】
この酸化ケイ素膜６０４上にＯＦＰＲ膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、パターン６０５を得た（図６（ｇ））。パターン６０５をマスクとしてＣ３Ｆ８のプラズマにより、酸化ケイ素膜６０４をドライエッチングして基板表面を露出せしめ、パターン６０５をアセトンにて剥離し、酸化ケイ素膜からなる第二マスク６０４'を得た（図６（ｈ））。かくして得られた基板上に、第二マスク６０４'の表面を含めてＯＦＰＲ膜を形成し、フォトリソグラフィーによってパターニングし、第三マスク６０６を形成した（図６（ｉ））。【００６７】
上記方法で得られた基板に対して、実施例１記載の方法に従って、ＤＲＩＥ法を用い、同様の条件で、保護膜をつける工程及びドライエッチング工程を繰り返し、側壁を保護しながら垂直にエッチングを行った。すなわち、ＯＦＰＲからなる第三マスク６０６の形状を反映するようにドライエッチングし、溝を有する基板６０１ａを得た（図６（ｊ））。【００６８】
次いで、第三マスク６０６をアセトンで剥離した（図６（ｋ））後に、酸化ケイ素膜からなる第二マスク６０４'の形状を反映するように上記ＤＲＩＥ法と同じ条件でドライエッチングし、２段の溝を有する基板６０１ｂを得た（図６（ｌ））。その後、第二マスク６０４'をフッ酸で剥離した（図６（ｍ））。最後に、Ａｌ膜からなる第一マスク６０２'の形状を反映するようにドライエッチングを行って、３段の溝を有する基板６０１ｃを得た（図６（ｎ））後、Ａｌエッチング液を用いて、第一マスク６０２'を剥離した（図６（ｏ））。【００６９】
かくして、精度良く簡便に、３段階の溝が形成された多段階構造基板を得ることができた。
【実施例３】
【００７０】
本実施例では、図７（ａ）〜（ｏ）に示す加工プロセスに従って、実施例２と異なる基板、マスクの材料及び剥離手段を用いて行った段差を３つ有する溝加工について説明する。【００７１】
まず、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）基板７０１上に、スパッタリング法あるいは蒸着法を用いて、Ｃｒ膜７０２を１μｍ形成した（図７（ａ）及び（ｂ））。このＣｒ膜７０２上にフォトレジストであるＯＦＰＲ（商品名、東京応化工業株式会社製）膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、パターン７０３を得た（図７（ｃ））。パターン７０３をマスクとしてＣｒ膜７０２をＣｒエッチング液（林純薬工業株式会社製）でウェットエッチングして、基板７０１の表面を露出せしめた（図７（ｄ））。その後、パターン７０３をアセトンで剥離し、Ｃｒ膜の第一マスク７０２'を得た（図７（ｅ））。かくして得られた第一マスク７０２'の表面及び露出した基板７０１の表面上に、スパッタリング法あるいはプラズマ支援型ＣＶＤ法を用いて、Ｓｉ膜７０４を形成した（図７（ｆ））。【００７２】
このＳｉ膜７０４上にＯＦＰＲ膜を形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、パターン７０５を得た（図７（ｇ））。パターン７０５をマスクとして、水酸化カリウム溶液で、Ｓｉ膜７０４をウェットエッチングして基板表面を露出せしめ、パターン７０５をアセトンにて剥離し、Ｓｉ膜からなる第二マスク７０４'を得た（図７（ｈ））。かくして得られた基板上に、第二マスク７０４'の表面を含めてＯＦＰＲ膜を形成し、フォトリソグラフィーによってパターニングし、第三マスク７０６を形成した（図７（ｉ））。【００７３】
上記方法で得られた基板に対して、まず、真空槽内に搬入した基板を静電チャック上に載置して静電チャック上に密着させ、真空槽内の真空排気を行うとともに、基板下部に冷却用の不活性ガスを導入して放電時の基板の表面温度が８０〜１００℃となるように冷却した。次いで、Ｃ３Ｆ８ガスを導入して真空槽内が０．５Ｐａになるように調整し、アンテナに対し５００Ｗ〜２ｋＷの電力を、基板に対してバイアスパワーとして５０〜５００Ｗの電力を印加して、ＯＦＰＲからなる第三マスク７０６の形状を反映するようにドライエッチングし、溝を有する基板７０１ａを得た（図７（ｊ））。【００７４】
次いで、第三マスク７０６をアセトンで剥離した（図７（ｋ））後に、Ｓｉからなる第二マスク７０４'の形状を反映するように、上記と同様なプロセス条件でドライエッチングし、２段の溝を有する基板７０１ｂを得た（図７（ｌ））。その後、Ｓｉ膜からなる第二マスク７０４'を水酸化カリウム溶液で剥離した（図７（ｍ））。最後に、Ｃｒ膜からなる第一マスク７０２'の形状を反映するように、上記と同様なプロセス条件でドライエッチングを行って、３段の溝を有する基板７０１ｃを得た（図７（ｎ））後、Ｃｒエッチング液（林純薬株式会社製）を用いて、第一マスク７０２'を剥離した（図７（ｏ））。【００７５】
かくして、精度良く簡便に、３段階の溝が形成された多段階構造基板を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明によれば、基板に対して、精度良く簡便に多段階の段差加工を行うことができるので、本発明は、半導体デバイスやマイクロマシン及びＭＥＭＳデバイス等の技術分野における微細加工に利用可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１０１  基板                          １０２  第一マスク
１０３  第一の溝                      １０４  第二マスク
１０５  第二の溝                      ２０１、２０１ａ、２０１ｂ  基板
２０２  第一マスク                    ２０３  第二マスク
２０４、２０５  溝                    ３０１  基板
３０２、３０３  溝                    ４０１、４０１ａ、４０１ｂ  基板
４０２  酸化ケイ素膜                  ４０２'  第一マスク
４０３  パターン                      ４０４  第二マスク
４０５、４０６ａ、４０６ｂ  溝
６０１、６０１ａ、６０１ｂ、６０１ｃ  ケイ素基板
６０２  Ａｌ膜                        ６０２'第一マスク
６０３  パターン                      ６０４  酸化ケイ素膜
６０４'  第二マスク                  ６０５  パターン
６０６  第三マスク
７０１、７０１ａ、７０１ｂ、７０１ｃ  二酸化ケイ素基板
７０２  Ｃｒ膜                        ７０２'第一マスク
７０３  パターン                      ７０４  Ｓｉ膜
７０４'  第二マスク                  ７０５  パターン
７０６  第三マスク
【図１】
2009154173.tif 000005
【図２】
2009154173.tif 000006
【図３】
2009154173.tif 000007
【図４】
2009154173.tif 000008
【図５】
2009154173.tif 000009
【図６】
2009154173.tif 000010
【図７】
2009154173.tif 000011
【国際調査報告】
2009154173.tif 000012
2009154173.tif 000013
2009154173.tif 000014
2009154173.tif 000015