(57)【要約】  ａ−ＩＴＯ層（１１２）上にＩＺＯ層（１１３）を成膜し、少なくともサブ画素（７１Ｒ・７１Ｇ）に膜厚が異なるレジストパターン（２０２Ｒ・２０２Ｇ）を形成し、アッシングによるレジストパターン（２０２Ｒ・２０２Ｇ）の薄膜化とａ−ＩＴＯ層（１１２）のｐ−ＩＴＯ層（１１４）への転化を利用したエッチング耐性の変化とを利用してａ−ＩＴＯ層（１１２）およびＩＺＯ層（１１３）をエッチングする。
2013047331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのサブ画素における、電界を形成する対の電極のうち、一方の電極が、反射電極層と、該反射電極層上に形成された複数の透明電極層とを備え、表示色が異なるサブ画素間で上記透明電極層の合計の膜厚が異なる表示装置の製造方法であって、
非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を成膜する第１の透明電極層成膜工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第２の透明電極層を成膜する第２の透明電極層成膜工程と、
表示色が異なる複数のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
上記第１のレジストパターンをマスクとして、少なくとも上記第２の透明電極層および非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層をエッチングしてパターニングする透明電極層パターニング工程と、
アッシングにより、上記複数のサブ画素のうち、上記第１のレジストパターンの膜厚が最も薄いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、残るサブ画素の第１のレジストパターンを薄膜化した後、上記薄膜化した第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層、もしくは、上記第２の透明電極層の下層に非晶質の透明電極材料からなる透明電極層が存在する場合には上記第２の透明電極層およびその下層の非晶質の透明電極材料からなる透明電極層をエッチングして除去する、少なくとも１回の透明電極層エッチング工程と、
上記透明電極層エッチング工程の後、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去する第１のレジストパターン除去工程とを備え、
上記透明電極層エッチング工程は、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンのうち第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第２の透明電極層をエッチングして除去するまで繰り返し行われるとともに、
上記透明電極層エッチング工程は、少なくとも、
アッシングにより、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを薄膜化するアッシング工程と、
上記アッシング工程で薄膜化した、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層をエッチングして除去する第２の透明電極層エッチング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を結晶化させて多結晶の第１の透明電極層に転化させる第１の透明電極層結晶化工程とを備え、
上記第１の透明電極層結晶化工程は、上記アッシング工程の直前の工程、または、上記アッシング工程と上記第２の透明電極層エッチング工程との間で行われることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
上記第１の透明電極層がインジウム錫酸化物からなり、上記第２の透明電極層がインジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
上記第１の透明電極層成膜工程の前に、表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層を形成する反射電極層パターニング工程を備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記パターン化された反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜されることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
上記第１の透明電極層成膜工程の前に、反射電極層を成膜する反射電極層成膜工程を備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記第１のレジストパターン形成工程では、各サブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成し、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および反射電極層をエッチングしてパターニングすることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
上記第１の透明電極層成膜工程の前に、
表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層を形成する反射電極層パターニング工程と、
上記パターン化された反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第３の透明電極層を成膜する第３の透明電極層成膜工程とを備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記第３の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および第３の透明電極層をエッチングしてパターニングすることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記第１の透明電極層成膜工程の前に、表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層と、上記反射電極層上に設けられ、上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層とを形成する反射電極層・第４の透明電極層形成工程を備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記パターン化された多結晶の第４の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜されることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
上記第１の透明電極層成膜工程の前に、
表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層と、上記反射電極層上に設けられ、上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層とを形成する反射電極層・第４の透明電極層形成工程と、
上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第３の透明電極層を成膜する第３の透明電極層成膜工程とを備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記第３の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および第３の透明電極層をエッチングしてパターニングすることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
上記反射電極層・第４の透明電極層形成工程は、
反射電極層を成膜する工程と、
上記反射電極層上に、非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層を成膜する第４の透明電極層成膜工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層上に、表示色が異なるサブ画素毎に第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
上記第２のレジストパターンをマスクとして、上記反射電極層および非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層をエッチングしてパターニングする反射電極層・第４の透明電極層パターニング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層を結晶化させて多結晶の第４の透明電極層に転化させる第４の透明電極層結晶化工程とを備えていることを特徴とする請求項６または７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
上記第４の透明電極層がインジウム錫酸化物からなることを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記第３の透明電極層がインジウム亜鉛酸化物からなることを特徴とする請求項５または７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
上記第１のレジストパターン形成工程において、上記第１のレジストパターンは、平面視で上記パターン化された反射電極層と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層よりも大きく形成されていることを特徴とする請求項４〜７の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記反射電極層が、銀、銀合金、およびアルミニウム合金からなる群より選ばれる何れか１種からなることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
上記反射電極層が、アルミニウム層を含むことを特徴とする請求項５または１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
上記対の電極が陽極および陰極であり、上記一方の電極が陽極であるとともに、
上記陽極と陰極とで有機エレクトロルミネッセンス層を挟むように上記陽極、陰極、および有機エレクトロルミネッセンス層を形成することを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つのサブ画素の電極が、反射電極層と、該反射電極層上に形成された複数の透明電極層とを備え、サブ画素間で透明電極層の合計の膜厚が異なっている表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な商品や分野でフラットパネルディスプレイが活用されており、フラットパネルディスプレイのさらなる大型化、高画質化、低消費電力化が求められている。【０００３】
そのような状況下において、有機材料の電界発光（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス、以下「ＥＬ」と記す）を利用した有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置は、全固体型で、低電圧駆動、高速応答性、自発光性、広視野角特性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとして、高い注目を浴びている。【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）が設けられたガラス基板等からなる基板上に、ＴＦＴに電気的に接続された有機ＥＬ素子が設けられた構成を有している。【０００５】
有機ＥＬ素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極、有機ＥＬ層、第２電極が、この順に積層された構造を有している。【０００６】
このような有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置をフルカラー化するための方式としては、例えば、（１）赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列する方式、（２）白色発光の有機ＥＬ素子とカラーフィルタとを組み合わせて各サブ画素における発光色を選択する方式が知られている。【０００７】
近年、これらの方式において、マイクロキャビティ（微小共振器）効果により発光の色度や発光効率を向上させる方法が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。【０００８】
マイクロキャビティとは、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。【０００９】
マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極や陰極の反射率および膜厚、有機層の層厚等を最適に設計することで得ることができる。【００１０】
有機ＥＬ素子に、このような共振構造、つまりマイクロキャビティ構造を導入する方法としては、例えば、発光色毎に各サブ画素における有機ＥＬ素子の光路長を変える方法が知られている。【００１１】
発光色毎に各サブ画素における有機ＥＬ素子の光路長を変える方法としては、反射電極と半透明電極との間に、発光層を含む有機ＥＬ層と透明電極層とを積層する方法が挙げられる。【００１２】
すなわち、例えば、トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、陽極を、反射電極層と透明電極層との積層構造とし、サブ画素毎に、陽極の反射電極層上の透明電極層の膜厚を変える方法が挙げられる。【００１３】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、このように陽極を、反射電極層と透明電極層との積層構造とし、有機ＥＬ層を適宜積層した後、陰極に、半透明電極として、例えば薄膜にした半透明の銀等を用いることで、有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を導入することができる。【００１４】
このように有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を導入すると、発光層から発光され、陰極を通して出射された光のスペクトルは、有機ＥＬ素子がマイクロキャビティ構造を有していない場合よりも急峻になり、また、正面への出射強度が大きく増大する。【００１５】
特許文献１、２には、同一材料の透明電極層を、サブ画素毎に積層数を変えて積層することで有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を導入した有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００７−２８０６７７号公報（２００７年１０月２５日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２００５−１１６５１６号公報（２００５年４月２８日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開２００９−１２９６０４号公報（２００９年６月１１日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上記したように透明電極層の膜厚を変えることでマイクロキャビティ効果を変化させ、発光色を調整する方式の有機ＥＬ表示装置では、透明電極層の膜厚を各色のサブ画素毎に適切に変更する方法は、これまで知られていない。【００１８】
なお、特許文献１には、各色のサブ画素毎に透明電極の膜厚を変更するための方法は開示されていない。【００１９】
一方、特許文献２には、積層する透明電極層に同一材料を使用して各色のサブ画素毎に透明電極の膜厚を変更する方法として、以下の方法が開示されている。【００２０】
まず、レジストパターンを積層するサブ画素を、Ｂ→Ｇ→Ｒの順に変更しながら、反射電極層上に、透明電極層とレジストパターンとを交互に積層する。【００２１】
次いで、Ｒのサブ画素にレジストパターンを積層した後、Ｒのサブ画素のレジストパターンをマスクとして最上層の透明電極層をエッチングし、Ｇのサブ画素のレジストパターンが露出したところで、ＲおよびＧのサブ画素のレジストパターンをマスクにして、上から２番目の透明電極層をエッチングする。【００２２】
その後、Ｂのサブ画素のレジストパターンが露出したところで、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素のレジストパターンをマスクにして、最下層の透明電極層をエッチングすることで、全ての透明電極層をパターン形成する。【００２３】
最後に、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素のレジストパターンをマスクにして、反射電極層をエッチングしてパターニングする。【００２４】
しかしながら、特許文献２では、エッチングおよびレジストの剥離回数を１回まで削減することができるが、レジストパターンの形成工程は３回必要である。また、レジストパターン上に透明電極層を積層するため、レジストと透明電極層との密着性が十分でないと、処理中に透明電極層の膜剥がれが生じて、パターン不良や汚染を招く危険性がある。【００２５】
また、レジストが積層された基板をスパッタ装置内に投入すると、ゴミ等の異物が付着し、歩留が低下するおそれがあるとともに、欠陥や膜厚ムラ、膜質ムラ（光学的性質の面内分布）を引き起こす可能性がある。【００２６】
また、特許文献２に記載されているようにレジストパターン上に透明電極を積層する場合、レジストパターンの厚みが厚いと、レジストパターンの陰になる部分が大きくなり、この陰になる部分で透明電極層に欠陥が生じたり、膜厚ムラが発生したりするおそれがある。このため、透明電極層を各色のサブ画素に最適な膜厚に設定することは困難であり、また、高精細のパターンでサブ画素を形成することができない。【００２７】
このため、透明電極層を単純に積層するだけでは、各色のサブ画素毎に透明電極の膜厚を変更することは困難である。【００２８】
各色のサブ画素毎に透明電極の膜厚を変更する方法としては、例えば、以下の方法が考えられる。【００２９】
図１８の（ａ）〜（ｆ）は、サブ画素毎に、陽極の反射電極層上の透明電極層の膜厚を変更する方法の一例を、工程順に示す断面図である。【００３０】
以下に、図１８の（ａ）〜（ｆ）を参照して、上記したようにサブ画素毎に、陽極の反射電極層上の透明電極層の膜厚を変更する方法について説明する。【００３１】
まず、図１８の（ａ）に示すように、支持基板３０１上に、銀（Ａｇ）等の反射電極材料からなる反射電極層３０２を、スパッタリング法等により成膜する。【００３２】
次いで、上記反射電極層３０２上に、各色のサブ画素毎に、フォトリソグラフィにより図示しないレジストパターンを形成し、これらレジストパターンをマスクとして反射電極層３０２をエッチングした後、これらレジストパターンを、レジスト剥離液により剥離洗浄する。【００３３】
これにより、図１８の（ｂ）に示すように、反射電極層３０２を、各色のサブ画素毎に分離するようにパターニングする。【００３４】
次に、図１８の（ｃ）に示すように、反射電極層３０２上に、透明電極層として例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）を成膜してＩＺＯ層３０３を形成し、フォトリソグラフィにより、Ｒのサブ画素のみにフォトレジスト３１１を形成する。【００３５】
次いで、図１８の（ｄ）に示すように、シュウ酸により、露出しているＩＺＯ層３０３をエッチングして除去した後、フォトレジスト３１１を剥離することで、Ｒのサブ画素にのみ、第１のＩＺＯ層として、パターン化されたＩＺＯ層３０３を形成する。【００３６】
その後、図１８の（ｅ）に示すように、Ｒのサブ画素のＩＺＯ層３０３、並びに、ＧおよびＢのサブ画素の反射電極層３０２を覆うように再びＩＺＯを成膜してＩＺＯ層３０４を形成し、さらに、フォトリソグラフィにより、ＲおよびＧのサブ画素のみにフォトレジスト３１２を形成する。【００３７】
その後、図１８の（ｆ）に示すように、フォトレジスト３１２をマスクとしてシュウ酸によりＩＺＯ層３０４をエッチングし、フォトレジスト３１２を剥離することで、サブ画素ＲおよびＧに第２のＩＺＯ層として、パターン化されたＩＺＯ層３０４を形成する。【００３８】
このように、マイクロキャビティ効果を得るために、同一材料の透明電極層を用いてサブ画素毎に透明電極層の積層数を変えようとすると、例えば、サブ画素がＲ、Ｇ、Ｂのサブ画素からなる場合、少なくとも３回のフォトリソグラフィおよびエッチング、レジスト剥離が必要となる。【００３９】
言い換えれば、陽極の反射電極層上の透明電極層の膜厚をサブ画素毎に変更するためには、図１８の（ａ）〜（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィが３回必要となる。なお、反射電極層のパターニングを含めれば、フォトリソグラフィが４回必要となる。また、図１８の（ｆ）において、Ｂの画素にさらに透明電極層を形成する場合には、フォトリソグラフィが４回必要となる。【００４０】
したがって、上記したようにマイクロキャビティ効果を得るために、サブ画素毎に電極の厚みを変えようとすると、少なくとも３回（反射電極層のパターニングのためのフォトリソグラフィを含めれば、少なくとも４回）のフォトリソグラフィおよびエッチング、レジスト剥離を行うための装置が必要となる。このため、製造ラインにおいて必要とされる、上記処理を行うためのフォトリソグラフィ装置（フォトプロセス装置）の数が多くなる。【００４１】
フォトリソグラフィでは、高価な装置や材料を必要とする。したがって、上記したようにサブ画素毎に電極の厚みを変えようとすると、装置全体のコストアップおよびフットプリントの増加に繋がる。【００４２】
さらには、フォトリソグラフィは、一定時間の現像処理やベーク処理等を必要とするため、処理タクトを短くすることが困難である。【００４３】
このため、フォトリソグラフィの回数は、できる限り少ない方が望ましい。【００４４】
また、上記したようにフォトレジストの剥離およびベークを繰り返す場合、その繰り返し回数が多くなると、反射電極層の表面が荒れたり酸化したりして反射効率が低下してしまう。また、反射電極層の表面荒れによる電極間リークが発生し、画素欠陥になるおそれがある。【００４５】
特許文献３には、結晶性の異なるＩＴＯを積層することにより、フォトリソグラフィの回数を減らす手法が開示されている。しかしながら、このような方法を用いたとしても、フォトリソグラフィは少なくとも２回必要となる。【００４６】
また、特許文献３では、第１および第３のサブ画素に結晶性を有するＩＴＯを成膜してパターニングした後、第１のサブ画素と第２のサブ画素とに非晶質のＩＴＯを積層してパターニングすることにより、サブ画素毎に透明電極層の膜厚を変更している。【００４７】
すなわち、特許文献３では、フォトリソグラフィの度に２つのサブ画素に同じ膜厚の透明電極層のパターンを形成し、フォトリソグラフィ毎に透明電極層のパターンを形成するサブ画素を変更することで、フォトリソグラフィの回数を減らしている。【００４８】
このため、特許文献３では、２つの透明電極層の膜厚の組み合わせで各サブ画素の光路長が決定される。したがって、光路長の設定には制約があり、光路長を任意に変更することは困難である。【００４９】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、表示色が異なるサブ画素毎に、反射電極層上の透明電極層の膜厚を変更することができる実用的な表示装置の製造方法を提供するとともに、フォトリソグラフィの回数を削減することにある。
【課題を解決するための手段】
【００５０】
本発明にかかる表示装置の製造方法は、上記の課題を解決するために、少なくとも１つのサブ画素における、電界を形成する対の電極のうち、一方の電極が、反射電極層と、該反射電極層上に形成された複数の透明電極層とを備え、表示色が異なるサブ画素間で上記透明電極層の合計の膜厚が異なる表示装置の製造方法であって、
非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を成膜する第１の透明電極層成膜工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第２の透明電極層を成膜する第２の透明電極層成膜工程と、
表示色が異なる複数のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
上記第１のレジストパターンをマスクとして、少なくとも上記第２の透明電極層および非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層をエッチングしてパターニングする透明電極層パターニング工程と、
アッシングにより、上記複数のサブ画素のうち、上記第１のレジストパターンの膜厚が最も薄いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、残るサブ画素の第１のレジストパターンを薄膜化した後、上記薄膜化した第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層、もしくは、上記第２の透明電極層の下層に非晶質の透明電極材料からなる透明電極層が存在する場合には上記第２の透明電極層およびその下層の非晶質の透明電極材料からなる透明電極層をエッチングして除去する、少なくとも１回の透明電極層エッチング工程と、
上記透明電極層エッチング工程の後、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去する第１のレジストパターン除去工程とを備え、
上記透明電極層エッチング工程は、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンのうち第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第２の透明電極層をエッチングして除去するまで繰り返し行われるとともに、
上記透明電極層エッチング工程は、少なくとも、
アッシングにより、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを薄膜化するアッシング工程と、
上記アッシング工程で薄膜化した、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層をエッチングして除去する第２の透明電極層エッチング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を結晶化させて多結晶の第１の透明電極層に転化させる第１の透明電極層結晶化工程とを備え、
上記第１の透明電極層結晶化工程は、上記アッシング工程の直前の工程、または、上記アッシング工程と上記第２の透明電極層エッチング工程との間で行われることを特徴としている。【００５１】
上記の方法では、非晶質の透明電極材料からなる透明電極層と多結晶の透明電極材料からなる透明電極層とのエッチング耐性の違いによるエッチング選択性を利用して、透明電極層を複数層積層する。【００５２】
上記の方法によれば、非結晶の透明電極材料を多結晶の透明電極材料に転化させることで、エッチング液に対するエッチング耐性を高めることができる。【００５３】
このため、上記の方法によれば、例えばフォトリソグラフィ１回のみで、上記反射電極層上の透明電極層の積層数を、サブ画素間、例えばサブ画素毎に変更することができる。【００５４】
したがって、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、例えば、表示色が異なるサブ画素毎に、上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚を任意に変更することができる。【００５５】
この結果、従来よりもコストダウンおよびフットプリントの低減を図ることができる。【００５６】
また、従来の方法では、フォトレジストの剥離およびベーク工程が多くなるため、反射電極層の表面が荒れたり酸化したりして反射効率が低下したり、反射電極層の表面荒れによる電極間リークが発生し、画素欠陥になるおそれがあった。【００５７】
しかしながら、上記の方法によれば、露光、現像、レジスト剥離処理等の回数を低減させることができるので、そのようなおそれがない。また、処理タクトを短くすることができる。
【発明の効果】
【００５８】
本発明にかかる表示装置の製造方法によれば、以上のように、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第２の透明電極層を成膜し、少なくとも２つのサブ画素に、膜厚が異なるレジストパターンを形成し、アッシングによるレジストパターンの薄膜化と第１の透明電極層の結晶化を利用したエッチング耐性の変化とを利用して上記透明電極層をエッチングすることで、例えばフォトリソグラフィ１回のみで、上記反射電極層上の透明電極層の積層数を、サブ画素間で変更することができる。【００５９】
したがって、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、表示色が異なるサブ画素毎に、上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚を任意に変更することができる。【００６０】
この結果、従来よりもコストダウンおよびフットプリントの低減を図ることができる。【００６１】
また、上記の方法によれば、露光、現像、レジスト剥離処理等の回数を低減させることができるので、反射効率の低下や、反射電極層の表面荒れによる電極間リークの発生による画素欠陥の発生を防ぐことができるとともに、処理タクトを短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、実施の形態１にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図２】実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の要部の概略構成を示す分解断面図である。
【図３】実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置における支持基板の概略構成を示す平面図である。
【図４】図３に示す支持基板における表示領域の要部の構成を示す平面図である。
【図５】実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示パネルを図４に示すＡ−Ａ線で切断したときの有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示す断面図である。
【図６】実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の画像表示方法について説明する模式図である。
【図７】実施の形態１にかかる有機ＥＬ表示装置の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【図８】実施の形態１にかかる有機ＥＬ層の作製工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【図９】（ａ）〜（ｉ）は、実施の形態１にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の他の例を工程順に示す断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｉ）は、実施の形態２にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｉ）は、実施の形態３にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｉ）は、実施の形態４にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｊ）は、実施の形態５にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１４】（ａ）〜（ｊ）は、実施の形態６にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｊ）は、実施の形態７にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における第１電極の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図１６】実施の形態８にかかる有機ＥＬ表示パネルの概略構成を示す断面図である。
【図１７】図１６に示す有機ＥＬ層の作製工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【図１８】（ａ）〜（ｆ）は、サブ画素毎に、陽極の反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚を変更する方法の一例を、工程順に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６３】
以下、本発明の実施の一形態について、詳細に説明する。
【００６４】
〔実施の形態１〕
本実施の形態について図１の（ａ）〜（ｉ）ないし図９の（ａ）〜（ｉ）に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００６５】
＜有機ＥＬ表示装置の概略構成＞
まず、有機ＥＬ表示装置の概略構成について説明する。
【００６６】
図２は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の要部の概略構成を示す分解断面図である。
【００６７】
図２に示すように、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、画素部１０１と回路部１０２とを備えている。
【００６８】
画素部１０１は、有機ＥＬ表示パネル１（表示パネル）で構成されている。また、回路部１０２は、有機ＥＬ表示装置１００を駆動する駆動回路等が設けられた回路基板やＩＣ（集積回路：Integrated Circuits）チップ等で構成されている。
【００６９】
有機ＥＬ表示パネル１は、支持基板１０（被成膜基板、ＴＦＴ基板）上に、有機ＥＬ素子２０および封止樹脂層４１、充填樹脂層４２、封止基板５０が、この順に設けられた構成を有している。
【００７０】
支持基板１０は、ＴＦＴ基板等の半導体基板からなり、例えば、絶縁基板１１上に、能動素子（駆動素子）としてＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）１２（図５参照）等が設けられた構成を有している。
【００７１】
有機ＥＬ素子２０は、ＴＦＴ１２に接続されている。有機ＥＬ素子２０上には、乾燥剤を含有した接着性を有する充填樹脂層４２が形成されている。充填樹脂層４２を構成する充填樹脂は、支持基板１０、封止基板５０、および封止樹脂層４１で囲まれた空間に充填されている。
【００７２】
なお、有機ＥＬ表示装置１００は、支持基板１０側から光を射出するボトムエミッション型であってもよく、封止基板５０側から光を射出するトップエミッション型であってもよい。
【００７３】
支持基板１０および封止基板５０に用いられるベース基板としては、例えばガラスやプラスチック等を用いることができる。一例として、例えば、無アルカリガラス基板等のガラス基板を用いることができる。
【００７４】
但し、これに限定されるものではなく、光を射出しない側の基板としては、金属板等の不透明材料を用いることもできる。
【００７５】
トップエミッション型の場合、封止基板５０としては、ＣＦ（カラーフィルタ：Color Filter）層が形成された基板を用いてもよい。また、ボトムエミッション型の場合、支持基板１０側にＣＦ層を形成していてもよい。
【００７６】
このようにＣＦ層を併用する場合、有機ＥＬ素子２０から出射した光のスペクトルをＣＦ層によって調整することができる。
【００７７】
以下、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装置１００がトップエミッション型である場合を例に挙げて説明する。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、上記したように例えばボトムエミッション型であってもよい。
【００７８】
本実施の形態にかかる封止基板５０は、図２に示すように、例えば、絶縁基板５１上に、ＣＦ層５２およびＢＭ（ブラックマトリクス：Black Matrix）５３（図５参照）等が設けられた構成を有している。
【００７９】
有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が水分や酸素によって損傷しないように、該有機ＥＬ素子２０が積層された支持基板１０を、枠状の封止領域Ｌに設けられた封止樹脂層４１および充填樹脂層４２を介して封止基板５０と貼り合わせることで、これら一対の基板（支持基板１０、封止基板５０）間に封入されている。
【００８０】
有機ＥＬ表示パネル１は、このように有機ＥＬ素子２０が支持基板１０と封止基板５０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
【００８１】
また、支持基板１０における枠状の封止領域Ｌの外側には、電気配線端子２（電気接続部、接続端子）等が形成された端子部領域Ｒ３が設けられている。
【００８２】
電気配線端子２は、回路部１０２の接続端子１０３が接続される接続端子であり、金属等の配線材料により形成されている。
【００８３】
回路部１０２には、例えば、フレキシブルフィルムケーブル等の配線や、ドライバ等の駆動回路等が設けられている。
【００８４】
回路部１０２は、図２に示すように、端子部領域Ｒ３に設けられた電気配線端子２を介して有機ＥＬ表示パネル１と接続されている。
【００８５】
＜支持基板１０の構成＞
ここで、端子部領域Ｒ３を含む、支持基板１０における各領域について、図３を参照して以下に説明する。
【００８６】
図３は、有機ＥＬ表示装置１００における支持基板１０の概略構成を示す平面図である。
【００８７】
図３に示すように、支持基板１０の能動面（能動素子形成面）である一方の主面には、表示領域Ｒ１、第２電極接続領域Ｒ２、端子部領域Ｒ３、および、枠状の封止領域Ｌが設けられている。
【００８８】
＜表示領域Ｒ１＞
表示領域Ｒ１（表示部）は、支持基板１０の中央部に設けられており、例えば矩形状に形成されている。表示領域Ｒ１には、複数のサブ画素７１（図４および図５参照）からなる画素アレイが形成されている。なお、表示領域Ｒ１の構成については後で詳述する。
【００８９】
＜第２電極接続領域Ｒ２＞
第２電極接続領域Ｒ２は、有機ＥＬ素子２０における第２電極３１（図５参照）が接続される領域である。第２電極接続領域Ｒ２は、例えば、表示領域Ｒ１の２組の対となる辺のうち、一方の組の対となる辺の外側に、それぞれ対向する辺に沿って形成されている。
【００９０】
これら第２電極接続領域Ｒ２には、それぞれ接続部６０（接続電極）が形成されている。接続部６０は、第２電極３１が接続される部分であり、金属材料により形成されている。
【００９１】
＜封止領域Ｌ＞
封止領域Ｌには、上記したように、支持基板１０と封止基板５０とを貼り合わせるための封止樹脂層４１が形成されている。
【００９２】
封止領域Ｌは、図３に示すように、表示領域Ｒ１および第２電極接続領域Ｒ２を囲むように枠状に形成されている。
【００９３】
＜端子部領域Ｒ３＞
端子部領域Ｒ３は、上記したように、画素部１０１と回路部１０２との接続に用いられる領域である。端子部領域Ｒ３は、枠状の封止領域Ｌの外側に、この枠状の封止領域Ｌに沿って設けられている。
【００９４】
具体的には、図３に示すように、端子部領域Ｒ３は、各第２電極接続領域Ｒ２の外側に、各第２電極接続領域Ｒ２に沿って形成されている。また、端子部領域Ｒ３は、表示領域Ｒ１における、上記第２電極接続領域Ｒ２が設けられていない、他方の組の対となる辺の外側に、それぞれ対向する辺に沿って形成されている。
【００９５】
なお、端子部領域Ｒ３は、全ての辺に存在している必要はなく、例えば、何れか一辺のみに集中して形成されていてもよい。
【００９６】
＜表示領域Ｒ１の構成＞
次に、表示領域Ｒ１の構成について説明する。
【００９７】
図４は、支持基板１０における表示領域Ｒ１の要部の構成を示す平面図であり、図５は、有機ＥＬ表示パネル１を図４に示すＡ−Ａ線で切断したときの有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図である。
【００９８】
図４および図５に示すように、表示領域Ｒ１は、有機ＥＬ素子２０が形成された複数の画素７０で構成されている。
【００９９】
各画素７０は、それぞれ、複数のサブ画素７１で構成されている。有機ＥＬ表示装置１００は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、例えば、図５に示すように、赤（Ｒ）色に発光するサブ画素７１（以下、「サブ画素７１Ｒ」と記す）、緑（Ｇ）色に発光するサブ画素７１（以下、「サブ画素７１Ｇ」と記す）、青（Ｂ）色に発光するサブ画素７１（以下、「サブ画素７１Ｂ」と記す）の、３つのサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂで１つの画素７０が構成されている。
【０１００】
表示領域Ｒ１には、これらＲ、Ｇ、Ｂの各色の発光色を有する有機ＥＬ素子２０からなる各色のサブ画素７１が、マトリクス状に配列されている。本実施の形態では、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂは、支持基板１０の能動面におけるＸ軸方向（横方向）およびＹ軸方向（縦方向）のうちの一方の方向（例えばＸ軸方向）に、同じ発光色のサブ画素７１が隣り合い、他方の方向（例えばＹ軸方向）に、異なる発光色のサブ画素７１が隣り合うように配列されている。
【０１０１】
図４および図５に示すように、表示領域Ｒ１には、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に、複数の信号線１４（配線）が配されている。
【０１０２】
信号線１４は、例えば、画素を選択する複数の線（ゲート線）、データを書き込む複数の線（ソース線）、有機ＥＬ素子２０に電力を供給する複数の線（電源線）等から構成されている。
【０１０３】
なお、ゲート線は、例えばＸ軸方向に沿って敷設されており、ソース線は、ゲート線と交差するように、例えばＹ軸方向に沿って敷設されている。
【０１０４】
また、ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、ソース線には、ソース線を駆動する図示しないデータ線駆動回路が接続されている。
【０１０５】
各サブ画素７１は、これら信号線１４で囲まれた領域に配列されている。すなわち、これら信号線１４で囲まれた領域が１つのサブ画素７１であり、サブ画素７１毎に、各色の発光領域７２が画成されている。
【０１０６】
これら信号線１４は、表示領域Ｒ１の外で、回路部１０２の外部回路と接続されている。回路部１０２から信号線１４に対して電気信号を入力することで、信号線１４の交差部に配された有機ＥＬ素子２０を駆動（発光）させることができる。
【０１０７】
各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂには、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２がそれぞれ設けられている。
【０１０８】
信号線１４は、これら各サブ画素７１に設けられたＴＦＴ１２に接続されている。アクティブマトリクス型の場合、各サブ画素７１には、少なくとも１つのＴＦＴ１２が配されている。
【０１０９】
なお、各サブ画素７１には、書き込まれた電圧を保持するキャパシタや、ＴＦＴ１２の特性バラつきを補償するための補償回路がさらに形成されていてもよい。
【０１１０】
各サブ画素７１の発光強度は、信号線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
【０１１１】
＜支持基板１０の断面構成＞
図４および図５に示すように、支持基板１０は、ベース基板として絶縁基板１１を備えている。
【０１１２】
図５に示すように、表示領域Ｒ１において、支持基板１０は、ガラス基板等の透明な絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）および信号線１４、層間絶縁膜１３（平坦化膜）、エッジカバー１５等が形成された構成を有している。
【０１１３】
絶縁基板１１上には、信号線１４が設けられているとともに、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂに対応して、それぞれＴＦＴ１２が設けられている。なお、ＴＦＴの構成は従来よく知られている。また、ＴＦＴ１２は既知の方法にて作製される。したがって、ＴＦＴ１２における各層の図示並びに説明は省略する。
【０１１４】
層間絶縁膜１３は、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂおよび信号線１４を覆うように、絶縁基板１１上に、絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
【０１１５】
層間絶縁膜１３上には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１が形成されている。
【０１１６】
また、層間絶縁膜１３には、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。これにより、ＴＦＴ１２は、コンタクトホール１３ａを介して、有機ＥＬ素子２０に電気的に接続されている。
【０１１７】
エッジカバー１５は、第１電極２１の端部（パターン端部）で、後述する有機ＥＬ層４３が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極３１とが短絡することを防止するための絶縁層（障壁）である。
【０１１８】
エッジカバー１５は、層間絶縁膜１３上に、第１電極２１の端部（パターン端部）を被覆するように形成されている。
【０１１９】
エッジカバー１５には、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが設けられている。これにより、第１電極２１は、図５に示すように、エッジカバー１５のない部分（開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ）で露出している。この露出部分が各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂの発光領域７２となる。
【０１２０】
＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
本実施の形態では、発光色が白（Ｗ）色の発光層を使用し、各サブ画素７１にマイクロキャビティ構造を導入することで上記したようにフルカラーの画像表示を実現している。
【０１２１】
このとき、前記したようにＣＦ層５２を併用することで、有機ＥＬ素子２０から出射した光のスペクトルをＣＦ層５２によって調整することができる。
【０１２２】
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１、有機ＥＬ層４３、第２電極３１が、この順に積層されている。
【０１２３】
第１電極２１は、上記有機ＥＬ層４３に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、コンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
【０１２４】
また、第２電極３１は、上記有機ＥＬ層４３に電子を注入（供給）する機能を有する層である。
【０１２５】
このようにＷ発光の発光層とＣＦ層５２とを組み合わせる場合、キャリア発生層を介してキャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）および発光層が積層される。
【０１２６】
具体的には、第１電極２１と第２電極３１との間には、図５に示すように、有機ＥＬ層４３として、第１電極２１側から、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、第１発光層２４、電子輸送層２５、キャリア発生層２６、正孔輸送層２７、第２発光層２８、電子輸送層２９、および電子注入層３０が、この順に形成されている。なお、第１発光層２４および第２発光層２８の発光色は異なっており、それらの発光色の重ね合わせにより、Ｗ発光が得られる。
【０１２７】
上記発光色の組み合わせとしては、例えば、青色光と橙色光との組み合わせ、青色光と黄色光との組み合わせ等が挙げられる。また、後述するように第１発光層２４および第２発光層２８に加えて第３発光層を積層することで３色の発光色の重ね合わせによりＷ発光を得る場合、上記発光色の組み合わせとしては、赤色光、青色光、緑色光の組み合わせが挙げられる。
【０１２８】
なお、本実施の形態では、第１発光層２４として青色の発光色の発光層を形成し、第２発光層２８として橙色の発光色の発光層を形成した。
【０１２９】
このように発光層として第１発光層２４および第２発光層２８を積層する場合、第１発光層２４および第２発光層２８から出射された光の混合に対してマイクロキャビティ効果が加味された光が有機ＥＬ素子２０により得られる。また、その光を、封止基板５０に設けられたＣＦ層５２によって調整することで、所望のスペクトルを有する光を外部に取り出すことができる。このようにＷ発光の発光層とマイクロキャビティ効果とＣＦ層５２とを組み合わせることで、色純度を高めることができる。
【０１３０】
正孔注入層２２は、第１電極２１から有機ＥＬ層４３への正孔注入効率を高める機能を有する層である。一方、電子注入層３０は、第２電極３１から有機ＥＬ層４３への電子注入効率を高める機能を有する層である。
【０１３１】
また、正孔輸送層２３は、第１発光層２４への正孔輸送効率を高める機能を有する層であり、正孔輸送層２７は、第２発光層２８への正孔輸送効率を高める機能を有する層である。
【０１３２】
一方、電子輸送層２５は、第１発光層２４への電子輸送効率を高める機能を有する層であり、電子輸送層２９は、第２発光層２８への電子輸送効率を高める機能を有する層である。
【０１３３】
第１発光層２４および第２発光層２８は、それぞれ、第１電極２１側から注入された正孔と第２電極３１側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。第１発光層２４および第２発光層２８は、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【０１３４】
また、キャリア発生層２６は、第１発光層２４側に電子を、第２発光層２８側に正孔を供給するための層である。
【０１３５】
すなわち、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を１ユニットと考えれば、第１発光層２４側のユニットと、第２発光層２８側のユニットとが、キャリア発生層２６を介して接続されていることになる。
【０１３６】
このようにＷ発光の発光層（例えば第１発光層２４および第２発光層２８）とＣＦ層５２とを組み合わせた有機ＥＬ表示装置１００では、マイクロキャビティ効果あるいはＣＦ層５２あるいはその他の方法で各サブ画素７１の発光色を変更するため、発光層をサブ画素７１毎に塗り分ける必要はない。
【０１３７】
このため、本実施の形態では、図５に示すように、正孔注入層２２、正孔輸送層２３、第１発光層２４、電子輸送層２５、キャリア発生層２６、正孔輸送層２７、第２発光層２８、電子輸送層２９、電子注入層３０、および第２電極３１は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、支持基板１０における表示領域Ｒ１の全面に渡って一様に形成されている。
【０１３８】
なお、図５では、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を１ユニットとしたときに、第１発光層２４側のユニットと、第２発光層２８側のユニットとが、キャリア発生層２６を介して接続されている場合を例に挙げて説明したが、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０１３９】
例えば、第３発光層を有するユニットを同様に積層してもよいし、４つ以上のユニットを積層することもできる。
【０１４０】
また、第２発光層２８と第３発光層とが直接積層された積層構造を有していてもよい。
【０１４１】
さらには、図示していないが、必要に応じて、正孔、電子といったキャリアの流れをせき止めるキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。例えば、発光層と電子輸送層との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。同様に、発光層と正孔輸送層との間にキャリアブロッキング層として電子ブロッキング層を追加することで、電子が正孔輸送層に抜けるのを阻止することができる。
【０１４２】
また、電子輸送層とキャリア発生層との間に電子注入層を挿入することもできる。
【０１４３】
有機ＥＬ素子２０の構成の一例としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成およびこれらの層の組み合わせを採用することができる。
（１）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／電子輸送層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第２発光層）／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（２）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／電子輸送層／電子注入層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第２発光層）／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（３）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第２発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（４）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第１発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／キャリア発生層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第２発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／電子輸送層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第２発光層）／電子輸送層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第３発光層）／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第１発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／キャリア発生層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第２発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／キャリア発生層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第３発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／電子輸送層／キャリア発生層／正孔輸送層／発光層（第２発光層）／発光層（第３発光層）／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第１発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／キャリア発生層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層（第２発光層）／発光層（第３発光層）／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
また、本実施の形態では、キャリア発生層を介してキャリア輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）およびＷ発光の発光層（第１発光層２４、第２発光層２８）を設けるものとし、Ｗ発光の発光層として、第１発光層２４および第２発光層２８の少なくとも２つの発光層を設けた場合を例に挙げて説明した。
【０１４４】
しかしながら、発光層以外の有機層は有機ＥＬ層４３として必須の層ではなく、また、発光層は、少なくとも１つ設けられていればよい。有機ＥＬ層４３の構成は、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
【０１４５】
したがって、上記有機ＥＬ素子２０は、一例として、例えば、（９）に示す層構成を有していてもよい。
（９）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層（第１発光層）／電子輸送層／電子注入層／第２電極
また、一つの層が複数の機能を有していてもよく、例えば、正孔注入層と正孔輸送層とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、互いに一体化して設けられていてもよい。すなわち、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層を設けてもよい。
【０１４６】
同様に、電子輸送層と電子注入層とは、上記したように互いに独立した層として形成されていてもよく、電子輸送層兼電子注入層として、互いに一体化して設けられていてもよい。
【０１４７】
なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極３１を陰極としたものである。第１電極２１を陰極とし、第２電極３１を陽極とする場合には、有機ＥＬ層４３の積層順は反転する。
【０１４８】
なお、第１電極２１を半透明電極とし、第２電極３１を反射電極とすることで、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子２０が形成される。
【０１４９】
一方、第１電極２１を反射電極とし、第２電極３１を半透明電極とすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子２０が形成される。
【０１５０】
なお、有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
【０１５１】
＜画像表示方法＞
図６は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の画像表示方法について説明する模式図である。なお、図６では、有機ＥＬ素子２０の光路にかかる要部の構成を簡略化して示している。
【０１５２】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、マイクロキャビティ構造を有している。
【０１５３】
マイクロキャビティとは、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。
【０１５４】
マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極や陰極の反射率および膜厚、有機層の膜厚等を最適に設計することで得ることができる。
【０１５５】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ素子２０は、トップエミッション型の有機ＥＬ素子であり、図６に示すように、陰極であり発光を取り出す側の第２電極３１が半透明電極（半透過反射電極）として機能し、陽極であり発光を取り出さない側の第１電極２１が、反射電極層１１１を有することで反射電極として機能する。
【０１５６】
このため、第１電極２１と第２電極３１との間に設けられた有機ＥＬ層４３における発光層（図５に示す例では第１発光層２４および第２発光層２８）から発光された光は、第１電極２１における反射電極層１１１と第２電極３１との間で反射を繰り返す。
【０１５７】
このとき、図６に示すように、発光色毎に、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける有機ＥＬ素子２０の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂを変えることで、上記発光層から発光した光が第１電極２１の反射層と第２電極３１との間で往復し、特定波長の光の強度が増幅される。
【０１５８】
本実施の形態では、反射電極層１１１上に透明電極層１２１を設け、この透明電極層１２１の膜厚をサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に変更することで、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける有機ＥＬ素子２０の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂを変更している。
【０１５９】
具体的には、本実施の形態では、図５および図６に示すように、第１電極２１を、サブ画素７１Ｂでは反射電極層１１１のみで形成し、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇを、反射電極層１１１と透明電極層１２１との積層構造とし、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける反射電極層１１１上の透明電極層１２１を１層または２層で構成することで、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける透明電極層１２１の膜厚を変更している。
【０１６０】
なお、図５および図６に示す例では、サブ画素７１Ｂにおける透明電極層１２１の膜厚を０（ゼロ）としているが、後述する実施の形態に示すように、サブ画素７１Ｂにも透明電極層１２１が設けられていてもよい。また、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける反射電極層１１１上の透明電極層１２１は、１層または２層に限定されない。
【０１６１】
このように、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける透明電極層１２１の膜厚を変更することで、マイクロキャビティ効果を変化させ、発光色を調整することができる。
【０１６２】
各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける有機ＥＬ素子２０の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂ、すなわち、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおけるマイクロキャビティ構造内での光路の光学距離は、共振させるべき光の波長と一定関係を有するように設定される。
【０１６３】
つまり、上記したように各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける第１電極２１の反射電極層１１１と第２電極３１との間の距離を調整することで、光路長が一致した波長の光の強度が共振によって強まり、第２電極３１側から、波長の一致した光のみが出射される。一方、それ以外の光路長のずれた波長の光は強度が弱まる。
【０１６４】
したがって、これら光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂは、第２電極３１からの放出光の色に応じた光学長に設定される。
【０１６５】
本実施の形態に示すように、例えば、サブ画素７１における表示色が、Ｒ、Ｇ、Ｂである場合、各光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂは、これらＲ、Ｇ、Ｂの各色の発光スペクトルピーク波長に一致するように、各光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂが、光路長７３Ｒ＞光路長７３Ｇ＞光路長７３Ｂの順に短くなるように、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける透明電極層１２１の膜厚が設定される。
【０１６６】
但し、各光の共振に適した光路長は複数存在するため、必ずしも光路長７３Ｒ＞光路長７３Ｇ＞光路長７３Ｂの順に短くならなくてもよく、それ以外の関係をもたせることも可能である。
【０１６７】
すなわち、Ｒ光の有機ＥＬ層４３に重なる透明電極層１２１は、Ｒ光の共振に適した厚さに設定され、Ｇ光の有機ＥＬ層４３に重なる透明電極層１２１はＧ光の共振に適した厚さに設定され、Ｂ光の有機ＥＬ層４３に重なる透明電極層１２１はＢ光の共振に適した厚さ（本実施の形態では厚さゼロ）に設定される。これにより、色純度が高い光を放出することができ、有機ＥＬ表示装置１００の色再現性を向上させることができる。
【０１６８】
＜有機ＥＬ表示装置１００の製造方法＞
次に、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【０１６９】
まず、有機ＥＬ素子２０における各層の材料および積層方法の概略について説明する。
【０１７０】
＜有機ＥＬ素子２０における各層の材料および積層方法の概略＞
第１電極２１は、電極材料をスパッタ法等で形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング等により、個々のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂに対応してパターン形成される。
【０１７１】
第１電極２１としては、様々な導電性材料を用いることができるが、上記したように、絶縁基板１１側に光を放射するボトムエミッション型の有機ＥＬ素子２０の場合、半透明である必要がある。
【０１７２】
一方、絶縁基板１１とは反対側から光を放射するトップエミッション型の有機ＥＬ素子２０の場合には、第２電極３１が半透明である必要がある。
【０１７３】
有機ＥＬ素子２０がトップエミッション型である場合、第１電極２１における反射電極層１１１には、不透明な電極を用いることが望ましい。反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｇ合金、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金、およびこれら電極材料からなる層を含む積層体（積層膜）を用いることができる。
【０１７４】
また、透明電極層１２１に用いられる透明電極材料としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）等を用いることができる。
【０１７５】
一方、第２電極３１には、半透明電極を用いることが望ましい。半透明電極としては、例えば、金属の半透明電極単体、金属の半透明電極層と透明電極層との積層体を用いることができるが、反射率・透過率の観点から、銀が好ましい。
【０１７６】
また、第１電極２１および第２電極３１の積層方法としては、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ（chemical vapor deposition、化学蒸着）法、プラズマＣＶＤ法、印刷法等を用いることができる。
【０１７７】
本実施の形態では、光路長の差によって出射される発光色を制御するために、第１電極２１または第２電極３１（図５および図６に示す例では第１電極２１）における透明電極層１２１の厚みをサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に変更することで、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにマイクロキャビティ構造を導入している。
【０１７８】
なお、このように透明電極層１２１の厚みを変更することでサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにマイクロキャビティ構造を導入する方法については、後で詳述する。
【０１７９】
有機ＥＬ層４３の材料としては、既知の材料を用いることができる。
【０１８０】
正孔注入層、正孔輸送層、あるいは正孔注入層兼正孔輸送層の材料としては、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、およびこれらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物等の鎖状式あるいは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー等が挙げられる。
【０１８１】
電子輸送層、電子注入層、あるいは電子輸送層兼電子注入層の材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体等が挙げられる。
【０１８２】
発光層の材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール等が挙げられる。
【０１８３】
なお、発光層には、それぞれ、単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。
【０１８４】
キャリア発生層の材料としては、酸化モリブデンや五酸化バナジウム等の金属酸化物、あるいはそれらと芳香族炭化水素やカルバゾール誘導体等とを共蒸着したもの、ＡｕやＡｇの金属薄膜、ＩＺＯやＩＴＯ等の透明導電層（透明電極層）、等が挙げられる。
【０１８５】
＜有機ＥＬ表示装置１００の製造方法＞
次に、有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【０１８６】
但し、本実施の形態に記載されている各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一実施の形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
【０１８７】
まず、図７を参照して、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの概要について説明する。
【０１８８】
図７は、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【０１８９】
また、前記したように、本実施の形態に記載の積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極３１を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極３１を陽極とする場合には、第１電極２１と第２電極３１とで、その材料並びに厚みが反転する。
【０１９０】
まず、ステップＳ１において、既知の方法で、絶縁基板１１の表示領域Ｒ１上に、図５に示すように、ＴＦＴ１２、信号線１４、層間絶縁膜１３、およびコンタクトホール１３ａを形成する。
【０１９１】
本実施の形態のようにトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００を製造する場合、絶縁基板１１としては、例えば、板厚０．７〜１．１ｍｍの無アルカリガラス基板等のガラス基板あるいはプラスチック基板が用いられる。
【０１９２】
なお、絶縁基板１１のＸ軸方向およびＹ軸方向の大きさは、用途等に応じて適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。なお、本実施の形態では、板厚０．７ｍｍの無アルカリガラス基板を使用した。
【０１９３】
層間絶縁膜１３およびコンタクトホール１３ａは、公知の技術でＴＦＴ１２並びに信号線１４等が形成された絶縁基板１１上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで形成される。
【０１９４】
なお、層間絶縁膜１３としては、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。層間絶縁膜１３の膜厚としては、ＴＦＴ１２による段差を補償することができればよく、特に限定されるものではない。本実施の形態では、例えば、アクリル樹脂を、約２μｍの膜厚で成膜した。
【０１９５】
なお、この工程で、ＴＦＴ１２を駆動するためのゲートラインおよびソースライン等の信号線１４が端子部領域Ｒ３まで引き出されるようにパターン形成される。また、この工程で、例えば、図３に示すように、第２電極接続領域Ｒ２に、接続部６０をパターン形成する。
【０１９６】
次に、ステップＳ２において、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に厚みの異なる第１電極２１を作製する。なお、上記したように有機ＥＬ表示装置１００がトップエミッション型である場合の第１電極２１の作製方法については、後で詳述する。
【０１９７】
その後、ステップＳ３で、層間絶縁膜１３上に、第１電極２１の端部（パターン端部）を被覆するとともに、図４に示すようにサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に開口部１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂが形成されるようにエッジカバー１５を作製する。
【０１９８】
層間絶縁膜１３同様、エッジカバー１５には、既知の感光性樹脂を用いることができる。上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等が挙げられる。
【０１９９】
エッジカバー１５は、隣り合うサブ画素７１における第１電極２１の層厚の違いによる段差を補償するとともに、上記第１電極２１の端部で、第１電極２１と第２電極３１とが短絡することを防止するために、第１電極２１の膜厚が最も厚いサブ画素７１Ｒにおける第１電極２１の表面からの高さが、例えば約１μｍとなるように設定される。
【０２００】
本実施の形態では、サブ画素７１Ｒにおける第１電極２１の表面からの高さが約１μｍとなるように、層間絶縁膜１３の表面からの高さが約１．２μｍのアクリル樹脂からなるエッジカバー１５をパターニング形成した。
【０２０１】
以上の工程により、第１電極２１およびエッジカバー１５が形成された支持基板１０が作製される。
【０２０２】
次に、ステップＳ４で、上記のような工程を経た支持基板１０に対し、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理を施した後、図５に示すように第１電極２１およびエッジカバー１５を被覆するように、支持基板１０の表示領域Ｒ１の全面に有機ＥＬ層４３を作製する。なお、有機ＥＬ層４３の作製方法については後で具体的に説明する。
【０２０３】
その後、ステップＳ５で、既知の方法で、第２電極３１を形成する。具体的には、第２電極３１を、表示領域Ｒ１の全面に形成するとともに、第２電極接続領域Ｒ２の接続部６０と電気的に接続するため、それらの領域が露出するように、例えば蒸着用のマスクを用いた蒸着法によりパターン形成する。なお、第２電極３１の作製には、有機ＥＬ層４３と同様の方法を用いることができる。
【０２０４】
第２電極３１の膜厚は、１０〜３０ｎｍであることが好ましい。第２電極３１の膜厚が１０ｎｍ未満の場合には光の反射が十分行えず、マイクロキャビティ効果を十分得ることができないおそれがある。一方、第２電極３１の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が下がって輝度が低下するおそれがある。本実施の形態では、第２電極３１としてＡｇを２０ｎｍの膜厚で形成した。
【０２０５】
これにより、支持基板１０上に、第１電極２１、有機ＥＬ層４３、および第２電極３１からなる有機ＥＬ素子２０を形成した。
【０２０６】
次いで、ステップＳ６で、図２に示すように、有機ＥＬ素子２０が形成された支持基板１０と封止基板５０とを、封止樹脂層４１にて貼り合わせ、有機ＥＬ素子２０の封入を行う。
【０２０７】
また、有機ＥＬ素子２０の封入は、例えば、以下のようにして行うことができる。
【０２０８】
まず、図３に示す支持基板１０における表示領域Ｒ１および第２電極接続領域Ｒ２を囲む枠状の封止領域Ｌに、図２に示すように封止樹脂層４１を形成する。
【０２０９】
次いで、支持基板１０と封止樹脂層４１とで囲まれた空間に、第２電極３１を覆うように、酸素や水分が外部から有機ＥＬ素子２０内に浸入することを阻止する保護膜として、乾燥剤を含有した接着性を有する充填樹脂層４２を充填する。
【０２１０】
充填樹脂層４２には、例えば、エポキシ樹脂等が用いられる。充填樹脂層４２の膜厚は、例えば１〜２０μｍである。
【０２１１】
その後、この封止樹脂層４１を介して、支持基板１０と封止基板５０とを貼り合わせる。
【０２１２】
これにより、支持基板１０と封止基板５０と封止樹脂層４１および充填樹脂層４２とにより、有機ＥＬ素子２０が密封される。
【０２１３】
封止基板５０としては、例えば、０．４〜１．１ｍｍの板厚を有するガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板が用いられる。なお、本実施の形態では、板厚０．７ｍｍの無アルカリガラス基板を用いた。
【０２１４】
その後、ステップＳ７において、図２に示すように、支持基板１０の端子部領域Ｒ３の電気配線端子２に、例えば図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、回路部１０２の接続端子１０３を接続する。このようにして、有機ＥＬ表示装置１００が製造される。
【０２１５】
なお、封止基板５０のＸ軸方向およびＹ軸方向の大きさは、目的とする有機ＥＬ表示装置１００のサイズにより適宜調整してもよく、支持基板１０における絶縁基板１１と略同一のサイズの絶縁基板を使用し、有機ＥＬ素子２０を封止した後で、目的とする有機ＥＬ表示装置１００のサイズに従って分断してもよい。
【０２１６】
＜有機ＥＬ層４３の作製工程の流れ＞
次に、図５に示す構成を有する有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げて、ステップＳ４における有機ＥＬ層４３の作製工程の流れの概要について説明する。
【０２１７】
図８は、有機ＥＬ層４３の作製工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【０２１８】
但し、図８に示す積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極３１を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極３１を陽極とする場合には、有機ＥＬ層４３の積層順は反転する。
【０２１９】
図７に示すステップＳ４では、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理が施された支持基板１０に対し、図８に示すように、まず、正孔注入層２２を、第１電極２１およびエッジカバー１５を被覆するように、支持基板１０の表示領域Ｒ１の全面に、蒸着によりパターン形成する（ステップＳ１１）。
【０２２０】
上記パターン形成には、例えば真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法では、表示領域Ｒ１の全面が開口したマスク（オープンマスク）が密着固定された支持基板１０の被蒸着面を蒸着源に対向させて、蒸着源からの蒸着粒子（成膜材料）を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させる。これにより、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域Ｒ１の全面に均一に蒸着させる。
【０２２１】
なお、上記蒸着は、例えば、表示領域Ｒ１の全面が開口したオープンマスクを、支持基板１０に対しアライメント調整を行った後に密着して貼り合わせ、支持基板１０とオープンマスクとを共に回転させながら、蒸着源より飛散した蒸着粒子を、オープンマスクの開口部を通じて表示領域Ｒ１に蒸着させてもよく、上記オープンマスクを使用し、支持基板１０とオープンマスクとが密着固定された状態で蒸着源を走査して蒸着するようなスキャン蒸着を行ってもよい。
【０２２２】
なお、ここで表示領域Ｒ１の全面に蒸着とは、隣接した色の異なるサブ画素間に渡って途切れなく蒸着することを意味する。
【０２２３】
上記蒸着には、従来と同様の真空蒸着装置を用いることができる。したがって、ここでは、真空蒸着装置並びに蒸着方法の詳細については、その説明並びに図示を省略する。
【０２２４】
なお、上記したように真空蒸着装置を用いて蒸着膜を成膜する場合、該真空蒸着装置は、真空ポンプによって、１．０×１０−４Ｐａ以上の真空到達率に設定されていることが望ましい。言い換えれば、真空チャンバ内の圧力は、１．０×１０−４Ｐａ以下に設定されていることが望ましい。
【０２２５】
蒸着粒子の平均自由行程は、１．０×１０−３Ｐａよりも高い真空度となることで、必要十分な値が得られる。一方、真空度が１．０×１０−３Ｐａよりも低いと、同平均自由行程が短くなるため、蒸着粒子が散乱されて、被成膜基板である支持基板１０への到達効率が低下したり、不要な領域へ蒸着粒子が付着したりする。このため、真空チャンバは、上記真空到達率に設定されていることが望ましい。
【０２２６】
次いで、ステップＳ１２において、オープンマスクを使用し、正孔輸送層２３を、正孔注入層２２を被覆するように、正孔注入層２２と同じパターンで、正孔注入層２２と同様にして、表示領域Ｒ１の全面にパターン形成（蒸着）する。
【０２２７】
その後、オープンマスクを使用し、上記正孔輸送層２３を被覆するように、正孔注入層２２および正孔輸送層２３と同じパターンで、正孔注入層２２および正孔輸送層２３と同様にして、表示領域Ｒ１の全面に、各ステップで、第１発光層２４（ステップＳ１３）、電子輸送層２５（ステップＳ１４）、キャリア発生層２６（ステップＳ１５）、正孔輸送層２７（ステップＳ１６）、第２発光層２８（ステップＳ１７）、電子輸送層２９（ステップＳ１８）、電子注入層３０（ステップＳ１９）を、この順に、一様にパターン形成（蒸着）する。
【０２２８】
これら有機ＥＬ層４３の膜厚は、例えば従来と同様に設定される。
【０２２９】
なお、正孔注入層２２と正孔輸送層２３とは、上記したように独立した層として形成されていてもよく、前記したように一体化されていてもよい。各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍである。また、正孔注入層２２と正孔輸送層２３との合計の膜厚は、例えば２〜２００ｎｍである。
【０２３０】
また、電子輸送層２９と電子注入層３０とは、上記したように独立した層として形成されていてもよく、前記したように一体化されていてもよい。
【０２３１】
電子輸送層２５、電子輸送層２９、電子注入層３０の各々の膜厚としては、例えば、１〜１００ｎｍである。また、電子輸送層２９と電子注入層３０との合計の膜厚は、例えば２０〜２００ｎｍである。
【０２３２】
第１発光層２４および第２発光層２８の各々の膜厚は、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０２３３】
また、キャリア発生層２６の膜厚は、例えば、１〜３０ｎｍである。
【０２３４】
本実施の形態では、正孔注入層２２として膜厚２ｎｍの銅フタロシアニンを成膜した。また、正孔輸送層２３として、膜厚３０ｎｍのＮＰＢ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）を成膜した。
【０２３５】
また、電子輸送層２５および電子輸送層２９として、それぞれ膜厚４０ｎｍのオキサジアゾール誘導体を成膜した。また、電子注入層３０として、膜厚１ｎｍのフッ化リチウムを成膜した。
【０２３６】
また、第１発光層２４および第２発光層２８として、それぞれイリジウム錯体をゲスト材料とし、ホスト材料としてＣＢＰ（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル）を共蒸着したものを膜厚３０ｎｍで成膜した。また、キャリア発生層２６として、酸化モリブデンとＮＰＢとを共蒸着したものを、膜厚１０ｎｍで成膜した。
【０２３７】
なお、第３発光層を有するユニットを積層する場合、例えば、ステップＳ１８とステップＳ１９との間に、二点鎖線で示すように、キャリア発生層（ステップＳ２１）、正孔輸送層（ステップＳ２２）、第３発光層（ステップＳ２３）、電子輸送層（ステップＳ２４）を、この順に、一様にパターン形成（蒸着）する。
【０２３８】
この場合のキャリア発生層、正孔輸送層、第３発光層、電子輸送層の材料および膜厚としては、例えば、第２発光層２８を有するユニットと同様に設定すればよい。
【０２３９】
このような有機ＥＬ表示装置１００において、信号線１４からの信号入力によりＴＦＴ１２をＯＮ（オン）させると、第１電極２１から有機ＥＬ層４３へホール（正孔）が注入される。一方で、第２電極３１から有機ＥＬ層４３に電子が注入され、正孔と電子とが各発光層内で再結合し、再結合した正孔および電子がエネルギーを失活する際に、光として出射される。
【０２４０】
本実施の形態では、第１発光層２４および第２発光層２８は、異なる発光色の発光層であり、第１発光層２４および第２発光層２８から出射された光の混合がマイクロキャビティ効果を受けた結果の光が有機ＥＬ素子２０により得られる。
【０２４１】
＜第１電極２１の作製方法＞
次に、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法（すなわち、サブ画素７１毎に光路長が異なる電極の作製方法）について説明する。
【０２４２】
図１の（ａ）〜（ｉ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０２４３】
まず、図５に示す層間絶縁膜１３およびコンタクトホール１３ａが形成された支持基板１０上に、図１の（ａ）に示すように、金属材料等の反射電極材料からなる反射電極層１１１を、スパッタリング法等により成膜する。
【０２４４】
次いで、上記反射電極層１１１上に、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、フォトリソグラフィによりレジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂ（第２のレジストパターン）を形成する。その後、各レジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂをマスクとして反射電極層１１１をエッチングした後、これらレジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂをレジスト剥離液により剥離洗浄する。
【０２４５】
これにより、図１の（ｂ）に示すように、反射電極層１１１を、各色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に分離するようにパターニングする。すなわち、各色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎にパターン化された反射電極層１１１を形成する。
【０２４６】
上記反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、非晶質（アモルファス）のＩＴＯと電食反応しない反射電極材料が好ましく、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金、およびＡｌ合金からなる群より選ばれる何れか１種を用いることができる。そのなかでも、ＡｇまたはＡｇ合金が好適である。
【０２４７】
また、反射電極層１１１の厚みは、例えば、５０〜１５０ｎｍに設定される。本実施の形態では、反射電極層１１１として、電極厚１００ｎｍのＡｇ電極を作製した。
【０２４８】
なお、上記エッチングには、エッチング液として、例えば、リン酸・硝酸・酢酸の混合液や塩化第二鉄等のエッチング液を用いたウェットエッチングが用いられる。また、レジスト剥離液には、例えば、モノイソプロパノールアミン等が用いられる。
【０２４９】
次に、図１の（ｃ）に示すように、上記支持基板１０上に、反射電極層１１１を覆うように、透明電極層１２１である、非晶質（アモルファス）のＩＴＯ（以下、「ａ−ＩＴＯ」と記す）層１１２（第１の透明電極層）およびＩＺＯ層１１３（第２の透明電極層）を、例えばスパッタリングにより、この順に積層する。
【０２５０】
このとき、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３は、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３の合計の膜厚が、光路長が最も長いサブ画素７１Ｒの光路長７３Ｒが得られるような膜厚に設定される。
【０２５１】
ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚は、例えば、４０〜５０ｎｍに設定される。また、ＩＺＯ層１１３の膜厚は、例えば、４５〜５５ｎｍに設定される。本実施の形態では、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚を４５ｎｍ、ＩＺＯ層１１３の膜厚を５０ｎｍとした。
【０２５２】
続いて、図１の（ｄ）に示すように、サブ画素７１Ｒおよびサブ画素７１Ｇに、フォトリソグラフィにより、平面視で、パターン化された反射電極層１１１と重畳するように、平面視で、パターン化された反射電極層１１１と同じパターンを有し、かつ、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで厚みの異なるレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇ（第２のレジストパターン）を形成する。
【０２５３】
本実施の形態では、二重露光を行うことによって、サブ画素７１Ｒのレジストパターン２０２Ｒの方がサブ画素７１Ｇのレジストパターン２０２Ｇよりも厚くなるように、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとでレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇの膜厚を変更している。
【０２５４】
二重露光では、まず、例えば、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにそれぞれレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇが形成されるように、フォトレジストの第１露光（フル露光）を行う。その後、サブ画素７１Ｇのレジストパターン２０２Ｇを構成するフォトレジストが完全に露光されないような露光量で、サブ画素７１Ｇのフォトレジストを第２露光（ハーフ露光）する。これにより、現像後に、サブ画素７１Ｇのレジストパターン２０２Ｇの膜厚が減少し、サブ画素７１Ｒのレジストパターン２０２Ｒの膜厚よりも小さくなる。
【０２５５】
本実施の形態では、第１露光および第２露光にステッパ露光機を使用し、第１露光の露光量を５０ｍＪ／ｃｍ２、第２露光の露光量を３０ｍＪ／ｃｍ２とすることで、サブ画素７１Ｒに膜厚１．６μｍのレジストパターン２０２Ｒを形成し、サブ画素７１Ｇに膜厚０．８μｍのレジストパターン２０２Ｇを形成した。
【０２５６】
なお、本実施の形態では、二重露光によりサブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとでフォトレジストの露光量を変更したが、ハーフトーンマスクを用いて、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで露光量を変更してもよい。
【０２５７】
その後、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇでマスクされていないａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３（すなわち、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ以外のａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３）を一括してウェットエッチングする。
【０２５８】
上記エッチング液としては、シュウ酸等を用いることができる。
【０２５９】
これにより、図１の（ｅ）に示すように、上記ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３からなる透明電極層１２１を、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ毎にパターン化する。
【０２６０】
なお、このとき、反射電極層１１１であるＡｇはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。このため、図１の（ｅ）に示すように、サブ画素７１Ｇには、反射電極層１１１のみが残る。
【０２６１】
続いて、ドライエッチング装置を用いてアッシング処理してレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇの表面を分解・除去して退行させることにより、図１の（ｆ）に示すように、サブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２０２Ｒを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇを完全に除去する。これにより、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１３の表面を露出させる。
【０２６２】
上記アッシング処理には、例えばＯ２アッシング処理を用いることができる。本実施の形態では、ドライエッチング装置として東京エレクトロン社製の「ＨＴシリーズ」を使用し、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇが完全に除去されるまでアッシング処理を行った。
【０２６３】
その後、上記支持基板１０を熱処理（アニール）することにより、図１の（ｇ）に示すように、ａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させる。
【０２６４】
なお、上記熱処理における処理温度並びに処理時間は、ａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させることができるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。
【０２６５】
本実施の形態では、２００℃で１時間、熱処理を行った。これにより、ａ−ＩＴＯが結晶性のＩＴＯ（以下、「ｐ−ＩＴＯ」と記す）に転化した。この結果、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇでは、ＩＺＯ層１１３の下層のａ−ＩＴＯ層１１２が、図１の（ｇ）に示すように、ｐ−ＩＴＯ層１１４に転化した。
【０２６６】
なお、ａ−ＩＴＯからｐ−ＩＴＯへの転化においては、膜厚の減少等はなく、ａ−ＩＴＯの成膜時の膜厚が維持される。
【０２６７】
その後、サブ画素７１Ｒに残ったレジストパターン２０２Ｒをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２ＲでマスクされていないＩＺＯ層１１３をウェットエッチングする。
【０２６８】
このときのエッチング液としては、シュウ酸等、図１の（ｅ）に示す工程で、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３のエッチングに使用したエッチング液と同様のエッチング液を使用することができる。
【０２６９】
このとき、ｐ−ＩＴＯ層１１４（多結晶の第１の透明電極層）であるｐ−ＩＴＯは、上記エッチング液（シュウ酸）でエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。
【０２７０】
また、前記したように、反射電極層１１１であるＡｇはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。このため、サブ画素７１Ｂの反射電極層１１１はエッチングにより除去されずに残る。
【０２７１】
したがって、図１の（ｇ）に示すウェットエッチング工程では、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１３として用いられるＩＺＯのみがエッチングされる。
【０２７２】
この結果、図１の（ｈ）に示すように、サブ画素７１Ｇでは、透明電極層１２１としてｐ−ＩＴＯ層１１４のみが残り、ｐ−ＩＴＯ層１１４からなる透明電極層１２１とその下の反射電極層１１１との積層構造を有する第１電極２１が得られる。
【０２７３】
また、サブ画素７１Ｂでは、反射電極層１１１からなる第１電極２１が得られる。
【０２７４】
その後、図１の（ｉ）に示すように、サブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒが完全に除去されるまでアッシング処理を行い、サブ画素７１ＲにおけるＩＺＯ層１１３の表面を露出させる。これにより、サブ画素７１Ｒでは、上層側からＩＺＯ層１１３およびｐ−ＩＴＯ層１１４がこの順に積層された透明電極層１２１とその下の反射電極層１１１との積層構造を有する第１電極２１が得られる。
【０２７５】
上記アッシング処理には、図１の（ｆ）に示す工程同様、例えばＯ２アッシング処理を用いることができる。また、上記アッシング処理には、図１の（ｆ）に示す工程で用いたドライエッチング装置と同じドライエッチング装置を用いることができる。
【０２７６】
なお、このとき、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒを除去してもよい。
【０２７７】
以上の処理を経ることによって、図１の（ｉ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０２７８】
本実施の形態では、このようにして第１電極２１を形成した後、ステップＳ３に示すように、エッジカバー１５を作製する。
【０２７９】
＜効果＞
本実施の形態によれば、フォトリソグラフィ１回のみで、透明電極層の積層数、言い換えれば第１電極２１の厚みを、サブ画素７１毎に任意に変更することができる。また、本実施の形態によれば、反射電極層１１１のパターニングも含めても２回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。したがって、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、第１電極２１の膜厚、言い換えれば、有機ＥＬ素子２０の光路長を、サブ画素７１毎に変更することができる。
【０２８０】
したがって、従来よりもコストダウンおよびフットプリントの低減を図ることができる。
【０２８１】
また、前記したように従来の方法では、フォトレジストの剥離およびベーク工程が多くなるため、反射電極層の表面が荒れたり酸化したりして反射効率が低下したり、反射電極層の表面荒れによる電極間リークが発生し、画素欠陥になるおそれがあった。
【０２８２】
しかしながら、本実施の形態によれば、露光、現像、レジスト剥離処理等の回数を低減させることができるので、そのようなおそれがなく、有機ＥＬ用基板である支持基板１０の品質を向上させることができる。また、処理タクトを短くすることができる。
【０２８３】
次に、本実施の形態にかかる各種変形例について説明する。
【０２８４】
＜第１電極２１の作製方法の変形例＞
本実施の形態では、図１の（ｆ）に示すようにアッシング処理によりサブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２０２Ｒの薄膜化およびサブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇの除去を行った後、図１の（ｇ）に示すように熱処理によりａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させる場合を例に挙げて説明した。
【０２８５】
しかしながら、図１の（ｆ）に示す工程と図１の（ｇ）に示す工程とは、工程順を入れ替えることができる。
【０２８６】
図９の（ａ）〜（ｉ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の他の例を工程順に示す断面図である。
【０２８７】
図９の（ａ）〜（ｅ）に示す工程は、図１の（ａ）〜（ｅ）に示す工程と同じである。本変形例では、図９の（ｅ）に示す、図１の（ｅ）で説明した工程の後、アッシング処理することなく、図１の（ｆ）に示すように、支持基板１０を熱処理することにより、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇのａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させる。
【０２８８】
なお、ここでも、上記熱処理における処理温度並びに処理時間は、ａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させることができるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。
【０２８９】
本変形例でも、２００℃で１時間、熱処理することで、ＩＺＯ層１１３の下層のａ−ＩＴＯ層１１２であるａ−ＩＴＯがｐ−ＩＴＯに転化してなるｐ−ＩＴＯ層１１４を形成した。
【０２９０】
本変形例では、その後、ドライエッチング装置を用いて、図１の（ｆ）に示す工程と同様にしてアッシング処理することで、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇの表面を分解・除去して退行させる。これにより、図９の（ｇ）に示すように、サブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２０２Ｒを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇを完全に除去する。これにより、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１３の表面を露出させる。
【０２９１】
その後、サブ画素７１Ｒに残ったレジストパターン２０２Ｒをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２ＲでマスクされていないＩＺＯ層１１３をウェットエッチングする。
【０２９２】
この結果、図９の（ｈ）に示すように、図１の（ｈ）同様、サブ画素７１Ｇでは、透明電極層１２１としてｐ−ＩＴＯ層１１４のみが残り、ｐ−ＩＴＯ層１１４からなる透明電極層１２１とその下の反射電極層１１１との積層構造を有する第１電極２１が得られる。
【０２９３】
後は、図９の（ｈ）・（ｉ）に示すように、図１の（ｈ）・（ｉ）と同様にしてウェットエッチングおよびレジストパターン２０２Ｒの除去を行うことで、図９の（ｉ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０２９４】
＜有機ＥＬ素子２０の封止方法の変形例＞
また、本実施の形態では、上記したように、乾燥剤を含有した接着性の充填樹脂層４２を有機ＥＬ素子２０上に形成することで、支持基板１０と封止基板５０との貼り合せ、並びに、有機ＥＬ素子２０の封入を行う場合を例に挙げて説明した。
【０２９５】
しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。支持基板１０、封止基板５０、および封止樹脂層４１で囲まれた空間に封止樹脂を充填する代わりに、上記空間に不活性ガスを封入した中空構造としてもよい。また、それに加えて、中空構造内に乾燥剤を塗布あるいは貼付した構造を有していてもよい。但し、封止基板５０側から光を射出する場合、乾燥剤によって遮光されないようにする必要がある。
【０２９６】
また、本実施の形態では、支持基板１０上に、有機ＥＬ素子２０および封止樹脂層４１、充填樹脂層４２、封止基板５０が、この順に設けられた構成を有している場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。
【０２９７】
例えば、有機ＥＬ素子２０の封止性能をより向上するために、有機ＥＬ素子２０の上に、図示しない無機膜や有機・無機の混合積層膜等が積層されていてもよい。
【０２９８】
さらに、無機膜や有機・無機の混合積層膜等だけで有機ＥＬ素子２０の封止性能が十分であれば、封止樹脂層４１や封止基板５０、充填樹脂層４２を省くこともできる。
【０２９９】
また、本実施の形態では、枠状に形成された封止樹脂層４１を介して、支持基板１０と封止基板５０とを貼り合わせることによって、有機ＥＬ素子２０の封止を行う場合を例に挙げて説明した。
【０３００】
しかしながら、有機ＥＬ素子２０の封止方法はこれに限定されるものではなく、例えば封止樹脂の代わりにフリットガラス（粉末ガラス）を枠状に形成して、有機ＥＬ素子２０の封止を行ってもよい。
【０３０１】
＜画素構成の変形例＞
また、本実施の形態では、１つの画素７０が、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂで構成されている場合を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではない。１つの画素７０は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等、Ｒ、Ｇ、Ｂ以外の３色のサブ画素７１で構成されていてもよい。
【０３０２】
また、本実施の形態では、上記したように、ＴＦＴ１２を各サブ画素７１に形成したアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げている。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、有機ＥＬ素子２０の駆動方式に影響されないようであれば、ＴＦＴが形成されていないパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の製造についても、本発明を適用することができる。
【０３０３】
＜有機ＥＬ層４３の作製方法の変形例＞
また、本実施の形態では、有機ＥＬ層４３を真空蒸着法により作製する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、有機ＥＬ層４３の作製方法はこれに限定されるものではなく、インクジェット法、レーザ転写法等、従来公知の有機膜の成膜方法を適宜選択・採用することができることは、言うまでもない。
【０３０４】
＜表示装置の変形例＞
また、本実施の形態では、本実施の形態で製造される表示装置として、発光素子に有機ＥＬ素子を用いた表示装置を例に挙げて説明した。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、例えば無機ＥＬ素子のような微小共振器として構成することが可能な発光素子を用いた表示装置にも広く適用が可能である。
【０３０５】
〔実施の形態２〕
本実施の形態について主に図１０の（ａ）〜（ｉ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３０６】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３０７】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の構成は、実施の形態１と同じである。本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の作製方法が、実施の形態１と異なっている。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法について説明する。
【０３０８】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１０の（ａ）〜（ｉ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０３０９】
本実施の形態では、まず、図５に示す層間絶縁膜１３およびコンタクトホール１３ａが形成された支持基板１０上に、図１０の（ａ）に示すように、金属材料等の反射電極材料からなる反射電極層１１１、透明電極層１２１であるａ−ＩＴＯ層１１２（第１の透明樹脂層）およびＩＺＯ層１１３（第２の透明樹脂層）を、例えばスパッタリングにより、この順に積層する。
【０３１０】
本実施の形態でも、上記反射電極材料としては、実施の形態１と同様の反射電極材料を用いることができる。また、反射電極材料の厚み（すなわち反射電極層１１１の厚み）も実施の形態１と同様に設定することができる。なお、本実施の形態では、反射電極層１１１として、実施の形態１と同じく、電極厚１００ｎｍのＡｇ電極を作製した。
【０３１１】
また、本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３は、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３の合計の膜厚が、光路長が最も長いサブ画素７１Ｒの光路長７３Ｒが得られるような膜厚に設定される。本実施の形態でも、実施の形態１と同じく、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚を４５ｎｍ、ＩＺＯ層１１３の膜厚を５０ｎｍとした。
【０３１２】
次いで、図１０の（ｂ）に示すように、上記ＩＺＯ層１１３上に、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、フォトリソグラフィにより、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に厚みの異なるレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂ（第１のレジストパターン）を形成する。
【０３１３】
本実施の形態では、三重露光を行うことによって、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂのレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂの膜厚が、サブ画素７１Ｒのレジストパターン２１１Ｒ＞サブ画素７１Ｇのレジストパターン２１１Ｇ＞サブ画素７１Ｂのレジストパターン２１１Ｂとなるように、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂのレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂの膜厚を変更している。
【０３１４】
三重露光では、まず、例えば、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにそれぞれレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂが形成されるように、フォトレジストの第１露光（フル露光）を行う。その後、サブ画素７１Ｇのレジストパターン２１１Ｇを構成するフォトレジストが完全に露光されないような露光量で、サブ画素７１Ｇのフォトレジストを第２露光（ハーフ露光）する。また、サブ画素７１Ｂのレジストパターン２１１Ｂを構成するフォトレジストが完全に露光されないような露光量（但し、第３露光の露光量＞第２露光の露光量）で、サブ画素７１Ｂのフォトレジストを第３露光（ハーフ露光）する。
【０３１５】
これにより、現像後に、サブ画素７１Ｇ・７１Ｂのレジストパターン２１１Ｇ・２１１Ｂの膜厚が減少し、上記したように、レジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂの膜厚が、レジストパターン２１１Ｒ＞レジストパターン２１１Ｇ＞レジストパターン２１１Ｂの順に小さくなる。
【０３１６】
本実施の形態では、第１露光〜第２露光にそれぞれステッパ露光機を使用し、第１露光の露光量を７０ｍＪ／ｃｍ２、第２露光の露光量を２０ｍＪ／ｃｍ２、第３の露光量を４０ｍＪ／ｃｍ２とすることで、サブ画素７１Ｒに膜厚２．４μｍのレジストパターン２１１Ｒを形成し、サブ画素７１Ｇに膜厚１．６μｍのレジストパターン２１１Ｇを形成し、サブ画素７１Ｂに膜厚０．８μｍのレジストパターン２１１Ｂを形成した。
【０３１７】
なお、本実施の形態では、三重露光によりサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎にフォトレジストの露光量を変更したが、ハーフトーンマスクを用いて、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に露光量を変更してもよい。
【０３１８】
また、第１露光（フル露光）後、サブ画素７１Ｇ・７１Ｂのレジストパターン２１１Ｇ・２１１Ｂを構成するフォトレジストが完全に露光されないような露光量で、サブ画素７１Ｇ・７１Ｂのフォトレジストを第２露光（ハーフ露光）した後、サブ画素７１Ｂのレジストパターン２１１Ｂを構成するフォトレジストが完全に露光されないような露光量で、サブ画素７１Ｂのフォトレジストのみをさらに第３露光（ハーフ露光）してもよい。
【０３１９】
その後、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂの第１電極２１が分離するように、各レジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂでマスクされていない反射電極層１１１、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３を一括してウェットエッチングする。
【０３２０】
なお、上記エッチング液としては、例えば、リン酸・硝酸・酢酸の混合液や塩化第二鉄等のエッチング液を用いることができる。
【０３２１】
これにより、図１０の（ｃ）に示すように、上記反射電極層１１１、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３からなる透明電極層１２１を、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎にパターン化する。
【０３２２】
続いて、実施の形態１と同様のドライエッチング装置を用いてアッシング処理してレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂの表面を分解・除去して退行させることにより、図１０の（ｄ）に示すように、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおけるレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｂにおけるレジストパターン２１１Ｂを完全に除去する。これにより、サブ画素７１ＢにおけるＩＺＯ層１１３の表面を露出させる。
【０３２３】
その後、残ったレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇでマスクされていない、サブ画素７１Ｂのａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３を一括してウェットエッチングする。
【０３２４】
上記エッチング液としては、シュウ酸等を用いることができる。
【０３２５】
なお、このとき、反射電極層１１１であるＡｇはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。このため、図１０の（ｅ）に示すように、サブ画素７１Ｇには、反射電極層１１１のみが残る。
【０３２６】
続いて、図１０の（ｄ）と同様にして、ドライエッチング装置を用いて再度アッシング処理してレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇの表面を分解・除去して退行させることにより、図１０の（ｆ）に示すように、サブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２１１Ｒを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２１１Ｇを完全に除去する。これにより、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１３の表面を露出させる。
【０３２７】
その後、上記支持基板１０を熱処理することにより、図１の（ｇ）に示すように、ａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させる。
【０３２８】
なお、図１０の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程は、図１の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程と同じである。したがって、本実施の形態では、図１０の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程については、その説明もしくは詳細を省略する。
【０３２９】
＜変形例＞
また、本実施の形態でも、図１０の（ｉ）に示す工程では、図１の（ｉ）に示す工程と同じく、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２１１Ｒを除去してもよい。
【０３３０】
また、本実施の形態でも、図１０の（ｆ）および図１０の（ｇ）に示す工程は、図９の（ｆ）および図９の（ｇ）で説明したように、図１の（ｆ）および図１の（ｇ）に示す工程と同じく、互いに工程順を入れ替えることができる。
【０３３１】
＜効果＞
以上の処理を経ることによって、本実施の形態でも、図１０の（ｉ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を任意に変えることができる。
【０３３２】
また、本実施の形態では、上記したように、反射電極層１１１上に、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３をこの順に積層した後、サブ画素毎に膜厚が異なるレジストパターン２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂを用いて、反射電極層１１１、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３を、一括してエッチングすることで、反射電極層１１１のパターニングを含めて１回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。
【０３３３】
したがって、処理タクトをさらに短くすることができるとともに、従来よりもコストダウンおよびフットプリントの低減を図ることができる。
【０３３４】
〔実施の形態３〕
本実施の形態について主に図１１の（ａ）〜（ｉ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３３５】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３３６】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極２１の積層構造およびステップＳ２に示す第１電極２１の作製方法が実施の形態１と異なることを除けば、実施の形態１と同じである。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法および積層構造について説明する。
【０３３７】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１１の（ａ）〜（ｉ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０３３８】
図１１の（ａ）〜（ｃ）に示す工程は、実施の形態１とは異なる反射電極材料を使用する点を除けば、図１の（ａ）〜（ｃ）に示す工程と同じである。したがって、本実施の形態では、図１１の（ａ）〜（ｃ）に示す工程については、その説明を省略する。
【０３３９】
本実施の形態では、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料として、Ａｇ（銀）またはＡｇ合金に代えて、Ａｌ（アルミニウム）またはＡｌ合金を使用する。なお、反射電極層１１１としては、表面にＡｌ層を有する積層電極を用いてもよい。表面にＡｌ層を有する積層電極としては、例えば、ＡｌとＭｏ（モリブデン）との積層体、あるいは、ＡｌとＴｉ（チタン）との積層体等が挙げられる。
【０３４０】
この場合、反射電極層１１１の厚みは、例えば、１００〜３００ｎｍに設定される。本実施の形態では、反射電極層１１１として、電極厚１００ｎｍのＡｌ電極を作製した。
【０３４１】
なお、本実施の形態でも、反射電極層１１１のエッチングには、実施の形態１同様、エッチング液として、例えば、リン酸・硝酸・酢酸の混合液や塩化第二鉄等のエッチング液を用いたウェットエッチングが用いられる。
【０３４２】
また、本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、ａ−ＩＴＯ層１１２（第１の透明樹脂層）およびＩＺＯ層１１３（第２の透明樹脂層）は、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３の合計の膜厚が、光路長が最も長いサブ画素７１Ｒの光路長７３Ｒが得られるような膜厚に設定される。本実施の形態でも、実施の形態１と同じく、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚を４５ｎｍ、ＩＺＯ層１１３の膜厚を５０ｎｍとした。
【０３４３】
本実施の形態では、図１１の（ｃ）に示す工程の後、図１１の（ｄ）に示すように、実施の形態１と同様に二重露光を行うことによって、サブ画素７１Ｒおよびサブ画素７１Ｇに、フォトリソグラフィにより、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで厚みの異なるレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇ（第１のレジストパターン）を形成する。
【０３４４】
なお、このときの二重露光の条件は、実施の形態１と同じ条件に設定した。これにより、本実施の形態では、実施の形態１同様、サブ画素７１Ｒに膜厚１．６μｍのレジストパターン２０２Ｒを形成し、サブ画素７１Ｇに膜厚０．８μｍのレジストパターン２０２Ｇを形成した。
【０３４５】
但し、本実施の形態では、図１１の（ｄ）に示すように、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇは、平面視で、反射電極層１１１のパターン端部を覆うように、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける各反射電極層１１１のパターンよりも広く形成した。
【０３４６】
なお、本実施の形態における、各反射電極層１１１のパターン端部からの平面視でのレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇのはみ出し量は、それぞれ５μｍに設定した。
【０３４７】
なお、本実施の形態では、二重露光によりサブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとでフォトレジストの露光量を変更したが、実施の形態１同様、ハーフトーンマスクを用いて、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで露光量を変更してもよいことは、言うまでもない。
【０３４８】
続いて、図１１の（ｅ）に示すように、本実施の形態でも、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇでマスクされていないａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３（すなわち、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ以外のａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３）を一括してウェットエッチングする。
【０３４９】
なお、上記エッチング液としては、実施の形態１同様、シュウ酸等を用いることができる。
【０３５０】
これにより、図１１の（ｅ）に示すように、上記ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３からなる透明電極層１２１を、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ毎にパターン化する。
【０３５１】
なお、このとき、Ａｇ同様、反射電極層１１１であるＡｌはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。このため、図１１の（ｅ）に示すように、サブ画素７１Ｇには、反射電極層１１１のみが残る。
【０３５２】
なお、本実施の形態では、図１１の（ｄ）に示したように、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇは、平面視で、反射電極層１１１のパターン端部を覆うように、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける各反射電極層１１１のパターンよりも広く形成している。
【０３５３】
このため、本実施の形態では、上記エッチングにより、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇで覆われた、反射電極層１１１の周囲の透明電極層１２１（図１１の（ｄ）に示す例では、少なくともａ−ＩＴＯ層１１２）が、エッチング除去されずに、反射電極層１１１を覆うように残る。
【０３５４】
このため、本実施の形態では、反射電極層１１１とａ−ＩＴＯ層１１２との接触部が露出しない。反射電極材料にＡｌあるいは電食耐性を施していないＡｌ合金を使用する場合、上記接触部が露出していると、洗浄時やエッジカバー１５の現像時等に、ＡｌとＩＴＯとの電食反応が生じて、ＡｌおよびＩＴＯが損傷するおそれがある。
【０３５５】
しかしながら、本実施の形態によれば、上記したように反射電極材料にＡｌあるいは電食耐性を施していないＡｌ合金を使用した場合でも、このような問題が発生することはない。
【０３５６】
続いて、図１０の（ｆ）に示すように、図１の（ｆ）と同様にアッシング処理を行い、サブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２０２Ｒを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇを完全に除去する。
【０３５７】
なお、図１１の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程は、図１の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程と同じであり、反射電極層１１１がｐ−ＩＴＯ層１１４で覆われていることを除けば、第１電極２１の作製過程および最終的に得られる第１電極２１の積層構造は、実施の形態１と同じである。
【０３５８】
したがって、本実施の形態では、図１１の（ｆ）〜（ｉ）に示す工程について、その説明を省略する。但し、本実施の形態でも、実施の形態１と同様の変形が可能であることは、言うまでもない。
【０３５９】
＜効果＞
以上のように、本実施の形態でも、フォトリソグラフィ１回のみで、図１１の（ｉ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を任意に変えることができる。また、本実施の形態でも、反射電極層１１１のパターニングも含めても２回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。
【０３６０】
また、本実施の形態によれば、電食反応によるＡｌやＩＴＯの損傷を生じることなく、反射電極層１１１にＡｌあるいは電食耐性を施していないＡｌ合金を用いた第１電極２１を形成することができる。
【０３６１】
＜変形例＞
なお、本実施の形態では、上記したように反射電極層１１１がＡｌまたはＡｌ合金からなる層を含む場合を例に挙げて説明したが、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、実施の形態１で例示した反射電極材料と同様の反射電極材料を用いてもよいことは、言うまでもない。
【０３６２】
〔実施の形態４〕
本実施の形態について主に図１２の（ａ）〜（ｉ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３６３】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、３との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０３６４】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極２１の積層構造およびステップＳ２に示す第１電極２１の作製方法が実施の形態１と異なることを除けば、実施の形態１と同じである。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法および積層構造について説明する。
【０３６５】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１２の（ａ）〜（ｉ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０３６６】
図１２の（ａ）・（ｂ）に示す工程は、実施の形態３における図１１の（ａ）・（ｂ）に示す工程と同じである。したがって、図１２の（ａ）・（ｂ）に示す工程については、その説明を省略する。
【０３６７】
本実施の形態でも、実施の形態３同様、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料として、Ａｌを使用する。なお、本実施の形態では、反射電極層１１１として、実施の形態３と同じく、電極厚１００ｎｍのＡｌ電極を作製した。
【０３６８】
また、反射電極層１１１のエッチングには、実施の形態３と同様のウェットエッチングを用いた。
【０３６９】
次ぎに、図１２の（ｃ）に示すように、反射電極層１１１を覆うように、透明電極層１２１であるＩＺＯ層１１３（第３の透明電極層）、ａ−ＩＴＯ層１１２（第１の透明電極層）、ＩＺＯ層１１５（第２の透明電極層）を、例えばスパッタリングにより、この順に積層する。
【０３７０】
このとき、ＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、ＩＺＯ層１１５は、これらＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、ＩＺＯ層１１５の合計の膜厚が、光路長が最も長いサブ画素７１Ｒの光路長７３Ｒが得られるような膜厚に設定される。
【０３７１】
なお、この場合にも、ＩＺＯ層１１３の膜厚は、例えば、２０〜３０ｎｍに設定され、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚は、例えば、１５〜２５ｎｍに設定される。また、ＩＺＯ層１１５の膜厚は、例えば、４５〜５５ｎｍに設定される。
【０３７２】
本実施の形態では、ＩＺＯ層１１３の膜厚を２５ｎｍ、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚を２５ｎｍ、ＩＺＯ層１１５の膜厚を５０ｎｍとした。
【０３７３】
続いて、図１２の（ｄ）に示すように、実施例１と同様に二重露光を行うことによって、サブ画素７１Ｒおよびサブ画素７１Ｇに、フォトリソグラフィにより、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで厚みの異なるレジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇ（第１のレジストパターン）を形成する。
【０３７４】
なお、本実施の形態でも、このときの二重露光の条件は、実施の形態１と同じ条件に設定した。これにより、本実施の形態でも、実施の形態１同様、サブ画素７１Ｒに膜厚１．６μｍのレジストパターン２０２Ｒを形成し、サブ画素７１Ｇに膜厚０．８μｍのレジストパターン２０２Ｇを形成した。
【０３７５】
但し、本実施の形態でも、二重露光によりサブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとでフォトレジストの露光量を変更する代わりに、ハーフトーンマスクを用いて、サブ画素７１Ｒとサブ画素７１Ｇとで露光量を変更してもよいことは、言うまでもない。
【０３７６】
続いて、図１２の（ｅ）に示すように、レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２Ｒ・２０２ＧでマスクされていないＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１５（すなわち、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ以外のＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１５）を一括してウェットエッチングする。
【０３７７】
なお、上記エッチング液としては、実施の形態１同様、シュウ酸等を用いることができる。
【０３７８】
これにより、図１２の（ｅ）に示すように、上記ＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１５からなる透明電極層１２１を、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎にパターン化する。
【０３７９】
なお、このとき、反射電極層１１１であるＡｌはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。このため、図１２の（ｅ）に示すように、サブ画素７１Ｇには、反射電極層１１１のみが残る。
【０３８０】
続いて、図１２の（ｆ）に示すように、図１の（ｆ）と同様にアッシング処理を行い、サブ画素７１Ｒにおけるレジストパターン２０２Ｒを薄膜化する一方、サブ画素７１Ｇにおけるレジストパターン２０２Ｇを完全に除去する。これにより、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１５の表面を露出させる。
【０３８１】
その後、図１２の（ｇ）に示すように、図１の（ｇ）と同様に支持基板１０を熱処理することにより、ａ−ＩＴＯ層１１２を結晶化させる。これにより、本実施の形態でも、ａ−ＩＴＯがｐ−ＩＴＯに転化した。この結果、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇでは、ＩＺＯ層１１５の下層のａ−ＩＴＯ層１１２が、図１２の（ｇ）に示すように、ｐ−ＩＴＯ層１１４に転化した。
【０３８２】
その後、サブ画素７１Ｒに残ったレジストパターン２０２Ｒをマスクとして、エッチング液を用いて、レジストパターン２０２ＲでマスクされていないＩＺＯ層１１５をウェットエッチングする。
【０３８３】
このときのエッチング液としては、シュウ酸等、図１２の（ｅ）に示す工程で、ＩＺＯ層１１３、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１５のエッチングに使用したエッチング液と同様のエッチング液を使用することができる。
【０３８４】
このとき、ｐ−ＩＴＯ層１１４であるｐ−ＩＴＯは、上記エッチング液（シュウ酸）でエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。
【０３８５】
また、前記したように、反射電極層１１１であるＡｌはエッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。
【０３８６】
したがって、上記エッチング工程では、サブ画素７１ＧにおけるＩＺＯ層１１５として用いられるＩＺＯのみがエッチングされる。
【０３８７】
この結果、図１２の（ｈ）に示すように、サブ画素７１Ｇでは、透明電極層１２１としてｐ−ＩＴＯ層１１４およびその下のＩＺＯ層１１３のみが残り、ｐ−ＩＴＯ層１１４およびＩＺＯ層１１３からなる透明電極層１２１とその下の反射電極層１１１との積層構造を有する第１電極２１が得られる。
【０３８８】
また、サブ画素７１Ｂでは、反射電極層１１１からなる第１電極２１が得られる。
【０３８９】
その後、図１２の（ｉ）に示すように、サブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒが完全に除去されるまでアッシング処理を行い、サブ画素７１ＲにおけるＩＺＯ層１１５の表面を露出させる。これにより、サブ画素７１Ｒでは、上層側からＩＺＯ層１１５、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３がこの順に積層された透明電極層１２１とその下の反射電極層１１１との積層構造を有する第１電極２１が得られる。
【０３９０】
上記アッシング処理には、図１の（ｆ）および図１２の（ｆ）に示す工程と同様のアッシング処理並びにドライエッチング装置を用いることができる。
【０３９１】
＜効果＞
以上の処理を経ることによって、本実施の形態でも、図１２の（ｉ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０３９２】
また、本実施の形態によれば、反射電極層１１１であるＡｌとＩＴＯ層との間にＩＺＯ層が介在しているため、ＡｌとＩＴＯ層とが直接接触しておらず、電食反応の発生を抑制することができる。
【０３９３】
＜変形例＞
なお、本実施の形態でも、図１２の（ｉ）に示す工程では、図１の（ｉ）に示す工程と同じく、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒを除去してもよい。
【０３９４】
また、本実施の形態でも、図１２の（ｆ）および図１２の（ｇ）に示す工程は、図９の（ｆ）および図９の（ｇ）で説明したように、図１の（ｆ）および図１の（ｇ）に示す工程と同じく、互いに工程順を入れ替えることができる。
【０３９５】
また、本実施の形態では、上記したように、反射電極材料の種類が異なること、並びに、透明電極層の積層数を３層としたこと以外は、実施の形態１と同様の手法により透明電極層１２１の膜厚を変更したが、実施の形態２の手法（手順）を用いて透明電極層１２１の膜厚を変更してもよい。
【０３９６】
また、本実施の形態でも、上記レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇは、実施の形態３同様、平面視で、上記パターン化された反射電極層１１１と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層１１１よりも大きく形成されていてもよい。これにより、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【０３９７】
また、本実施の形態でも、上記したように反射電極層１１１がＡｌからなる層を含む場合を例に挙げて説明したが、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、実施の形態１、３で例示した反射電極材料と同様の反射電極材料を用いてもよいことは、言うまでもない。
【０３９８】
〔実施の形態５〕
本実施の形態について主に図１３の（ａ）〜（ｊ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０３９９】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１との相違点について説明するものとし、実施の形態１で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４００】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極２１の積層構造およびステップＳ２に示す第１電極２１の作製方法が実施の形態１と異なることを除けば、実施の形態１と同じである。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法および積層構造について説明する。
【０４０１】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１３の（ａ）〜（ｊ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０４０２】
本実施の形態では、まず、図５に示す層間絶縁膜１３およびコンタクトホール１３ａが形成された支持基板１０上に、図１３の（ａ）に示すように、金属材料等の反射電極材料からなる反射電極層１１１、およびａ−ＩＴＯ層１１６（第４の透明電極層）を、例えばスパッタリングにより、この順に積層する。
【０４０３】
次いで、上記ａ−ＩＴＯ層１１６上に、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、フォトリソグラフィにより、レジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂ（第２のレジストパターン）を形成する。その後、各レジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂをマスクとして上記反射電極層１１１およびａ−ＩＴＯ層１１６をエッチングした後、これらレジストパターン２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂをレジスト剥離液により剥離洗浄する。
【０４０４】
なお、上記エッチングには、図１の（ｂ）に示す工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いたウェットエッチングを用いることができる。また、レジスト剥離液としては、図１の（ｂ）に示す工程で用いたレジスト剥離液と同様のレジスト剥離液を用いることができる。
【０４０５】
これにより、図１３の（ｂ）に示すように、反射電極層１１１およびａ−ＩＴＯ層１１６を、各色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に分離するようにパターニングする。すなわち、各色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎にパターン化された反射電極層１１１およびａ−ＩＴＯ層１１６を形成する。
【０４０６】
本実施の形態でも、上記反射電極材料としては、実施の形態１と同様の反射電極材料を用いることができる。また、上記反射電極層１１１の厚みも、実施の形態１と同様に設定することができる。なお、本実施の形態では、反射電極層１１１として、実施の形態１と同じく、電極厚１００ｎｍのＡｇ電極を作製した。
【０４０７】
また、ａ−ＩＴＯ層１１６の膜厚は、例えば、１５〜２５ｎｍに設定される。本実施の形態では、ａ−ＩＴＯ層１１６の膜厚を２０ｎｍとした。
【０４０８】
次に、上記支持基板１０を熱処理することにより、図１３の（ｃ）に示すように、ａ−ＩＴＯ層１１６を結晶化させる。
【０４０９】
このときの熱処理における処理温度並びに処理時間は、ａ−ＩＴＯ層１１６を結晶化させることができるように適宜設定すればよく、特に限定されるものではない。
【０４１０】
本実施の形態では、２００℃で１時間、熱処理を行った。これにより、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂのａ−ＩＴＯ層１１６がｐ−ＩＴＯ層１１７（第４の透明電極層）に転化した。
【０４１１】
次いで、図１３の（ｄ）に示すように、パターン化された上記反射電極層１１１およびｐ−ＩＴＯ層１１７が形成された支持基板１０上に、上記反射電極層１１１およびｐ−ＩＴＯ層１１７を覆うように、透明電極であるａ−ＩＴＯ層１１２（第１の透明電極層）、およびＩＺＯ層１１３（第２の透明電極層）を、例えばスパッタリングにより、この順に積層する。
【０４１２】
このとき、ｐ−ＩＴＯ層１１７、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３は、これらｐ−ＩＴＯ層１１７、ａ−ＩＴＯ層１１２、およびＩＺＯ層１１３の合計の膜厚が、光路長が最も長いサブ画素７１Ｒの光路長７３Ｒが得られるような膜厚に設定される。
【０４１３】
本実施の形態では、ｐ−ＩＴＯ層１１７の膜厚を２０ｎｍ、ａ−ＩＴＯ層１１２の膜厚を４５ｎｍ、ＩＺＯ層１１３の膜厚を５０ｎｍとした。但し、実施の形態１と比較して、ｐ−ＩＴＯ層１１７の分、第１電極２１の反射電極層１１１と第２電極３１との間の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂが長くなってしまう。したがって、本実施の形態では、これら光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂを調整するために、正孔輸送層２３の膜厚（ＮＰＢの膜厚）を１０ｎｍとした。
【０４１４】
図１３の（ｄ）〜（ｊ）に示す工程は、反射電極層１１１上にｐ−ＩＴＯ層１１７が積層されていることを除けば、図１の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程と同じである。
【０４１５】
実施の形態１〜４に示したように、反射電極層１１１同様、ｐ−ＩＴＯは、ａ−ＩＴＯ層１１２およびＩＺＯ層１１３をエッチングするときに、エッチングされないか、または、エッチング速度が著しく遅い。
【０４１６】
このため、図１の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程において、「反射電極層１１１」あるいは「反射電極層であるＡｇ」は、「反射電極層１１１および反射電極層１１１上に積層された透明電極層１２１であるｐ−ＩＴＯ層１１７」と読み替えることができる。
【０４１７】
なお、本実施の形態でも、図１３の（ｊ）に示す工程では、図１の（ｉ）に示す工程と同じく、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒ（第１のレジストパターン）を除去してもよい。
【０４１８】
＜変形例＞
また、本実施の形態でも、図１３の（ｇ）および図１３の（ｈ）に示す工程は、図９の（ｆ）および図９の（ｇ）で説明したように、図１の（ｆ）および図１の（ｇ）に示す工程と同じく、互いに工程順を入れ替えることができる。
【０４１９】
＜効果＞
以上の処理を経ることによって、本実施の形態でも、図１３の（ｊ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０４２０】
本実施の形態によれば、実施の形態１に対し、フォトリソグラフィの全体の回数を増加させることなく、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける透明電極層１２１の積層数を増加させることができる。すなわち、本実施の形態によれば、反射電極層１１１のパターニングを含め、２回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。
【０４２１】
また、透明電極層１２１の膜厚は、各透明電極層の膜厚および積層数のうち少なくとも一方を変更することで、任意に調整・変更することができる。
【０４２２】
したがって、例えば本実施の形態によれば、ｐ−ＩＴＯ層１１７、ｐ−ＩＴＯ層１１４（ａ−ＩＴＯ層１１２）、およびＩＺＯ層１１３の厚みをそれぞれ調整することで、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにおける光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂの比率を実施の形態１と同じ比率に設定することもできるし、異なる比率に設定することもできる。
【０４２３】
したがって、本実施の形態にかかる方法を用いれば、各サブ画素における好適な光路長の比率がＲＧＢのサブ画素における好適な光路長の比率とは異なる発光色のサブ画素の組み合わせにおいても好適な光路長の比率を実現することができる。
【０４２４】
なお、勿論、実施の形態１でも、ｐ−ＩＴＯ層１１４およびＩＺＯ層１１３の厚みをそれぞれ調整・変更することで、各サブ画素における好適な光路長の比率を変更することができる。しかしながら、変更可能なパラメータが多いほど設定の自由度が高くなることから、上記したように各透明電極層の膜厚に加えて積層数も変更することで、各サブ画素における光路長の比率の変更をより一層容易に行うことができる。
【０４２５】
〔実施の形態６〕
本実施の形態について主に図１４の（ａ）〜（ｊ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４２６】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、３、５との相違点について説明するものとし、実施の形態１、３、５で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４２７】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極２１の積層構造およびステップＳ２に示す第１電極２１の作製方法が実施の形態１と異なることを除けば、実施の形態１と同じである。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法および積層構造について説明する。
【０４２８】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１４の（ａ）〜（ｊ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０４２９】
本実施の形態では、実施の形態３において、図１１の（ａ）〜（ｃ）に示す工程に代えて図１４の（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行うことを除けば、実施の形態３と同じである。
【０４３０】
本実施の形態において、図１４の（ａ）〜（ｃ）に示す工程は、反射電極材料に、反射電極層１１１として電極厚１００ｎｍのＡｌ電極を作製したことを除けば、実施の形態５における図１３の（ａ）〜（ｃ）に示す工程と同じである。
【０４３１】
また、図１４の（ｄ）〜（ｊ）に示す工程は、反射電極層１１１上にｐ−ＩＴＯ層１１７（第４の透明電極層）が積層されていることを除けば、図１１の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程と同じである。
【０４３２】
このため、図１１の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程において、「反射電極層１１１」は、「反射電極層１１１および反射電極層１１１上に積層された透明電極層１２１であるｐ−ＩＴＯ層１１７」と読み替えることができる。
【０４３３】
但し、本実施の形態では、実施の形態３と比較して、ｐ−ＩＴＯ層１１７の分、第１電極２１の反射電極層１１１と第２電極３１との間の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂが長くなってしまう。したがって、本実施の形態でも、これら光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂを調整するために、実施の形態５同様、正孔輸送層２３の膜厚（ＮＰＢの膜厚）を１０ｎｍとした。
【０４３４】
なお、本実施の形態でも、図１４の（ｊ）に示す工程では、図１の（ｉ）に示す工程と同じく、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒを除去してもよい。
【０４３５】
また、本実施の形態でも、図１４の（ｇ）および図１４の（ｈ）に示す工程は、図９の（ｆ）および図９の（ｇ）で説明したように、図１の（ｆ）および図１の（ｇ）に示す工程と同じく、互いに工程順を入れ替えることができる。
【０４３６】
以上の処理を経ることによって、本実施の形態でも、図１４の（ｊ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０４３７】
＜変形例＞
なお、本実施の形態では、反射電極層１１１としてＡｌ電極を形成する場合を例に挙げて説明したが、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、実施の形態１、３で例示した反射電極材料と同じ反射電極材料を用いてもよいことは、言うまでもない。
【０４３８】
本実施の形態によれば、実施の形態３に対し、フォトリソグラフィの全体の回数を増加させることなく、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける透明電極層の積層数を増加させることができる。すなわち、本実施の形態でも、反射電極層１１１のパターニングを含め、２回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。
【０４３９】
また、本実施の形態によれば、上記したように図１４の（ｄ）〜（ｊ）に示す工程において、実施の形態３と同様の工程を行うことで、実施の形態３同様、反射電極層１１１の側面を含めた反射電極層１１１全体を覆うように、ｐ−ＩＴＯからなる透明電極層を形成することができる。
【０４４０】
〔実施の形態７〕
本実施の形態について主に図１５の（ａ）〜（ｊ）に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４４１】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１、４、５との相違点について説明するものとし、実施の形態１、４、５で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４４２】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、第１電極２１の積層構造およびステップＳ２に示す第１電極２１の作製方法が実施の形態１と異なることを除けば、実施の形態１と同じである。そこで、本実施の形態では、ステップＳ２に示す、第１電極２１の他の作製方法および積層構造について説明する。
【０４４３】
＜第１電極２１の作製方法＞
図１５の（ａ）〜（ｊ）は、ステップＳ２に示す、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置１００における第１電極２１の作製方法の一例を工程順に示す断面図である。
【０４４４】
本実施の形態では、実施の形態４において、図１２の（ａ）〜（ｃ）に示す工程に代えて図１５の（ａ）〜（ｃ）に示す工程を行うことを除けば、実施の形態４と同じである。
【０４４５】
本実施の形態において、図１５の（ａ）〜（ｃ）に示す工程は、反射電極材料に、反射電極層１１１として電極厚１００ｎｍのＡｌ電極を作製したことを除けば、実施の形態５における図１３の（ａ）〜（ｃ）に示す工程と同じである。
【０４４６】
また、図１５の（ｄ）〜（ｊ）に示す工程は、反射電極層１１１上にｐ−ＩＴＯ層１１７（第４の透明電極層）が積層されていることを除けば、図１２の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程と同じである。
【０４４７】
このため、図１２の（ｃ）〜（ｉ）に示す工程において、「反射電極層１１１」は、「反射電極層１１１および反射電極層１１１上に積層された透明電極層１２１であるｐ−ＩＴＯ層１１７」と読み替えることができる。
【０４４８】
但し、本実施の形態では、実施の形態４と比較して、ｐ−ＩＴＯ層１１７の分、第１電極２１の反射電極層１１１と第２電極３１との間の光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂが長くなってしまう。したがって、本実施の形態でも、これら光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂを調整するために、実施の形態５、６同様、正孔輸送層２３の膜厚（ＮＰＢの膜厚）を１０ｎｍとした。
【０４４９】
＜変形例＞
なお、本実施の形態でも、図１５の（ｊ）に示す工程では、図１の（ｉ）に示す工程と同じく、レジスト剥離液によるウェット処理を併用してもよい。あるいは、レジスト剥離液によるウェット処理のみでサブ画素７１Ｒに残っているレジストパターン２０２Ｒを除去してもよい。
【０４５０】
また、本実施の形態でも、図１５の（ｇ）および図１５の（ｈ）に示す工程は、図９の（ｆ）および図９の（ｇ）で説明したように、図１の（ｆ）および図１の（ｇ）に示す工程と同じく、互いに工程順を入れ替えることができる。
【０４５１】
以上の処理を経ることによって、本実施の形態でも、図１５の（ｊ）に示すように、異なる色のサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に、透明電極層１２１の膜厚を変えることができる。
【０４５２】
また、本実施の形態でも、反射電極層１１１としてＡｌ電極を形成する場合を例に挙げて説明したが、反射電極層１１１に用いられる反射電極材料としては、実施の形態４同様、実施の形態１、３で例示した反射電極材料と同じ反射電極材料を用いてもよいことは、言うまでもない。
【０４５３】
本実施の形態によれば、実施の形態４に対し、フォトリソグラフィの全体の回数を増加させることなく、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇにおける透明電極層の積層数を増加させることができる。すなわち、本実施の形態でも、反射電極層１１１のパターニングを含め、２回のフォトリソグラフィで、サブ画素７１毎に厚みが異なる第１電極２１を形成することができる。
【０４５４】
また、本実施の形態でも、上記レジストパターン２０２Ｒ・２０２Ｇは、実施の形態３同様、平面視で、上記パターン化された反射電極層１１１と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層１１１よりも大きく形成されていてもよい。これにより、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【０４５５】
＜実施の形態５〜７の変形例１＞
なお、実施の形態５〜７では、上記したように、反射電極層１１１上にａ−ＩＴＯ層１１６を成膜した後、パターン化してからｐ−ＩＴＯ層１１７に転化させる場合を例に挙げて説明した。
【０４５６】
ｐ−ＩＴＯは、ａ−ＩＴＯを熱処理することによって得られるだけでなく、直接成膜装置によってｐ−ＩＴＯを形成することができる。しかしながら、ｐ−ＩＴＯを直接成膜すると、成膜中の結晶粒の成長により膜の平坦性が低下したり、結晶間のピンホールが発生したりし易くなる。膜の平坦性が低くなると、第１電極２１と第２電極３１との短絡により有機ＥＬ素子２０が損傷しやすくなる。またピンホールが発生していると、そこからエッチング液や現像液等が染み込み、下層の膜を損傷させるおそれがある。このため、反射電極層１１１上にａ−ＩＴＯ層１１６を成膜した後、パターン化してからｐ−ＩＴＯ層１１７に転化させることが望ましい。
【０４５７】
＜実施の形態５〜７の変形例２＞
また、図１３の（ａ）〜（ｃ）、図１４の（ａ）〜（ｃ）、および図１５の（ａ）〜（ｃ）では、上記したように、反射電極層１１１上にａ−ＩＴＯ層１１６を成膜した後、パターン化してからｐ−ＩＴＯ層１１７に転化させる場合を例に挙げて説明した。
【０４５８】
しかしながら、ｐ−ＩＴＯ層は、反射電極層１１１上のみならず、反射電極層１１１の下層にも設けることもできる。
【０４５９】
この場合、図１３の（ａ）、図１４の（ａ）、および図１５の（ａ）に示す工程で、反射電極層１１１を成膜する前にａ−ＩＴＯ層１１０を成膜した後、図１３の（ｂ）、図１４の（ｂ）、および図１５の（ｂ）に示す工程で、ａ−ＩＴＯ層１１０、反射電極層１１１、およびａ−ＩＴＯ層１１６を、一括してウェットエッチングすればよい。
【０４６０】
図１３の（ｃ）、図１４の（ｃ）、および図１５の（ｃ）に示す工程では、支持基板１０を熱処理することにより、ａ−ＩＴＯ層１１６だけでなく、反射電極層１１１の下層のａ−ＩＴＯ層も結晶化する。これにより、反射電極層１１１の上層だけでなく、下層にもｐ−ＩＴＯ層を形成することができる。
【０４６１】
このように、図示しないａ−ＩＴＯ層、反射電極層１１１、ａ−ＩＴＯ層１１２をこの順に成膜してパターン化した後、熱処理を行うことで、ｐ−ＩＴＯ層で挟持された反射電極層１１１、あるいは、ｐ−ＩＴＯ層で囲まれた（つまり、封止された）反射電極層１１１を形成することができる。
【０４６２】
また、このように反射電極層１１１の下層または上層に形成されたｐ−ＩＴＯ層は、ａ−ＩＴＯ層の成膜工程で、ソース線等の信号線１４の端子部上にもａ−ＩＴＯ層を成膜することで、ソース線等の信号線１４の端子部を覆う保護膜として用いることができる。
【０４６３】
なお、反射電極層１１１上に積層した他の透明電極層についても、これら透明電極層をソース線等の信号線１４の端子部上に積層することで、信号線１４の端子部を覆う保護膜として用いることができる。
【０４６４】
反射電極層１１１あるいは信号線１４の端子部がＡｇで形成されている場合、Ａｇが剥き出しの状態（つまり、露出状態）にあると、例えばレジストのぬれ性を高めるために支持基板１０に紫外線照射を行うと、剥き出しのＡｇが酸化して酸化銀になる。
【０４６５】
このため、反射電極層１１１あるいは信号線１４の端子部がＡｇで形成されている場合、紫外線照射を行う場合に紫外線照射時にＡｇが剥き出し状態にあることは望ましくない。
【０４６６】
また、反射電極層１１１あるいは信号線１４の端子部がＡｌで形成されている場合、Ａｌは溶剤耐性が低く、ＩＺＯ層を通じて溶剤が染み込む可能性もある。
【０４６７】
このため、何れの場合にも、反射電極層１１１および信号線１４の端子部は、上記したようにｐ−ＩＴＯ層で覆われていることが望ましい。
【０４６８】
このとき、反射電極層１１１および信号線１４の端子部が、製造工程における早い段階で上記したようにｐ−ＩＴＯ層で覆われていることで、これら反射電極層１１１および信号線１４の端子部が現像液に浸される回数あるいは領域を低減することができる。
【０４６９】
〔実施の形態８〕
本実施の形態について主に図１６および図１７に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０４７０】
なお、本実施の形態では、主に、実施の形態１〜７との相違点について説明するものとし、実施の形態１〜７で用いた構成要素と同一の機能を有する構成要素には同一の番号を付し、その説明を省略する。
【０４７１】
図１６は、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の要部の概略構成を示す分解断面図は図２と同じであり、有機ＥＬ表示装置１００における支持基板１０の概略構成を示す平面図は図３と同じである。また、支持基板１０における表示領域Ｒ１の要部の構成を示す平面図は図４と同じである。図１６は、有機ＥＬ表示パネル１を図４に示すＡ−Ａ線で切断したときの有機ＥＬ表示パネル１の概略構成を示す断面図に相当する。
【０４７２】
実施の形態１〜７では、上記したように、複数の発光層を積層して発光色を重ね合わせることにより、Ｗ発光を得る場合を例に挙げて説明した。
【０４７３】
しかしながら、実施の形態１〜７に示す第１電極２１の形成方法は、発光層の色毎に蒸着を行う塗り分け方式を用いることで、同一平面内に、発光色が異なる複数の発光層を形成する場合にも、同様に適用することができる。
【０４７４】
塗り分け方式を用いたフルカラーの有機ＥＬ表示装置１００では、図１６に示すように、例えば、ＲＧＢの各色の発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂを備えた有機ＥＬ素子２０が、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂとして支持基板１０上に配列形成される。このような有機ＥＬ表示装置１００では、ＴＦＴ１２を用いて、これら有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
【０４７５】
本実施の形態では、このように、同一平面内に、発光色が異なる複数の発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂを形成するとともに、発光色が異なる各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂにマイクロキャビティ構造を導入することで、上記したようにフルカラーの画像表示を行っている。
【０４７６】
また、本実施の形態でも、図１６に示すようにＣＦ層５２を併用することで、有機ＥＬ素子２０から出射した光のスペクトルをＣＦ層５２によって調整することができる。
【０４７７】
本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００は、図１６に示すように、有機ＥＬ素子２０における有機ＥＬ層４３の積層構造が異なることを除けば、図５に示す有機ＥＬ表示装置１００と同じ構成を有している。
【０４７８】
以下に、本実施の形態にかかる有機ＥＬ素子２０の構成について説明する。
【０４７９】
＜有機ＥＬ素子２０の構成＞
図１６に示す有機ＥＬ表示装置１００において、第１電極２１と第２電極３１との間には、有機ＥＬ層４３として、第１電極２１側から、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層８１、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂ、電子輸送層兼電子注入層８３が、この順に形成された構成を有している。
【０４８０】
なお、正孔注入層兼正孔輸送層および電子輸送層兼電子注入層については、実施の形態１で説明した通りであり、ここでは、正孔注入層兼正孔輸送層８１および電子輸送層兼電子注入層８３の説明は省略する。
【０４８１】
図１６に示すように、正孔注入層兼正孔輸送層８１は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、支持基板１０における表示領域Ｒ１の全面に渡って一様に形成されている。
【０４８２】
正孔注入層兼正孔輸送層８１上には、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂが、それぞれ、サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂに対応して形成されている。
【０４８３】
発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂは、第１電極２１側から注入された正孔と第２電極３１側から注入された電子とを再結合させて光を出射する。本実施の形態でも、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂは、それぞれ、低分子蛍光色素、金属錯体等の、発光効率が高い材料で形成されている。
【０４８４】
電子輸送層兼電子注入層８３は、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層８１を覆うように、これら発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層８１上に、支持基板１０における表示領域Ｒ１の全面に渡って一様に形成されている。
【０４８５】
なお、本実施の形態では、上記したように、正孔注入層および正孔輸送層として、正孔注入層兼正孔輸送層８１を設けた場合を例に挙げて図示するとともに、電子輸送層および電子注入層として、電子輸送層兼電子注入層８３を設けた場合を例に挙げて図示している。しかしながら、本実施の形態はこれに限定されるものではなく、正孔注入層と正孔輸送層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。同様に、電子輸送層と電子注入層とは互いに独立した層として形成されていてもよい。
【０４８６】
なお、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層４３として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
【０４８７】
また、正孔注入層兼正孔輸送層８１および電子輸送層兼電子注入層８３のように、一つの層は、複数の機能を有していてもよい。
【０４８８】
また、有機ＥＬ層４３には、必要に応じ、キャリアブロッキング層を追加することもできる。例えば、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂと電子輸送層兼電子注入層８３との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層兼電子注入層８３に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
【０４８９】
本実施の形態でも、第１電極２１（陽極）、第２電極３１（陰極）、および発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂ以外の層は、適宜挿入すればよい。
【０４９０】
上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）第１電極／発光層／第２電極
（２）第１電極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（４）第１電極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）第１電極／正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
なお、本実施の形態でも、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極３１を陰極としたものである。本実施の形態でも、第１電極２１を陰極とし、第２電極３１を陽極とする場合には、有機ＥＬ層４３の積層順が反転する。
【０４９１】
＜有機ＥＬ表示装置１００の製造方法＞
次に、本実施の形態にかかる有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。
【０４９２】
本実施の形態でも、有機ＥＬ表示装置１００の製造工程の流れの概要は、図７を用いて説明した通りである。なお、本実施の形態でも、第１電極２１を陰極とし、第２電極３１を陽極とする場合には、第１電極２１と第２電極３１とで、その材料並びに厚みが反転する。
【０４９３】
以下では、図１６に示す構成を有する有機ＥＬ表示装置１００を例に挙げて、ステップＳ４における図７に示す有機ＥＬ層４３の作製工程の流れの概要について説明する。
【０４９４】
＜有機ＥＬ層４３の作製工程の流れ＞
図１７は、図１６に示す有機ＥＬ層４３の作製工程の一例を工程順に示すフローチャートである。
【０４９５】
本実施の形態では、まず、図７に示すステップＳ４で、脱水のための減圧ベークおよび第１電極２１の表面洗浄として酸素プラズマ処理が施された支持基板１０に対し、図１７に示すように、まず、正孔注入層兼正孔輸送層８１（正孔注入層・正孔輸送層）を、第１電極２１およびエッジカバー１５を被覆するように、支持基板１０の表示領域Ｒ１の全面に、真空蒸着法によりパターン形成する（ステップＳ３１）。
【０４９６】
なお、前記したように、正孔注入層兼正孔輸送層８１は、支持基板１０における表示領域Ｒ１の全面に渡って一様に形成される。このため、実施の形態１における正孔注入層２２および正孔輸送層２３同様、表示領域Ｒ１の全面が開口したオープンマスクを蒸着用のマスクとして用いて成膜を行う。
【０４９７】
一方、本実施の形態のように塗り分け方式を用いたフルカラーの有機ＥＬ表示装置１００では、上記したように、ＴＦＴ１２を用いて有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることによりカラー画像表示を行う。
【０４９８】
このため、上記有機ＥＬ表示装置１００を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂを、有機ＥＬ素子２０毎に所定のパターンで成膜する必要がある。
【０４９９】
そこで、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの成膜には、所望の表示色の発光材料を蒸着させる領域のみが開口したファインマスクを蒸着用のマスクとして用いて、真空蒸着法により塗り分け蒸着する（ステップＳ３２）。これにより、各サブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂに応じたパターン膜を形成する。
【０５００】
その後、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂが形成された支持基板１０上に、表示領域Ｒ１の全面が開口したオープンマスクを蒸着用のマスクとして用いて、真空蒸着法により、電子輸送層兼電子注入層８３（電子輸送層・電子注入層）（ステップＳ３３）、第２電極３１（ステップＳ５）を、順に、画素領域全面に形成する。
【０５０１】
なお、本実施の形態でも、上記蒸着には、従来と同様の真空蒸着装置を用いることができる。なお、好適な真空到達率等の条件については、実施の形態１で説明した通りである。したがって、真空蒸着装置並びに蒸着方法の詳細については、その説明並びに図示を省略する。
【０５０２】
また、本実施の形態でも、正孔注入層兼正孔輸送層８１および電子輸送層兼電子注入層８３として用いられる正孔注入層兼正孔輸送層および電子輸送層兼電子注入層の材料並びに膜厚としては、実施の形態１で説明した通りである。
【０５０３】
また、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂとして用いられる発光層の材料については、実施の形態１で説明した通りである。なお、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂには、それぞれ、発光色が異なる単一の材料を用いてもよく、ある材料をホスト材料とし、他の材料をゲスト材料またはドーパントとして混ぜ込んだ混合材料を用いてもよい。
【０５０４】
なお、この場合の発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの膜厚としては、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【０５０５】
本実施の形態では、図１６に示すように、実施の形態１同様、第１電極２１を、反射電極層１１１と透明電極層１２１との積層構造とすることで、有機ＥＬ素子２０にマイクロキャビティ構造を導入している。
【０５０６】
このため、本実施の形態では、各発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの膜厚を同一の膜厚に設定している。このため、実施の形態１〜７と同様にして光路長７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂが設定される。
【０５０７】
したがって、正孔注入層兼正孔輸送層８１、電子輸送層兼電子注入層８３、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの材料および膜厚は、従来と同様に設定することができる。このため、本実施の形態では、これら正孔注入層兼正孔輸送層８１、電子輸送層兼電子注入層８３、発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの具体的な材料並びに膜厚についての説明は省略する。
【０５０８】
＜効果＞
上記したように、本実施の形態では、実施の形態１同様、第１電極２１を、反射電極層１１１と透明電極層１２１との積層構造とすることで、有機ＥＬ素子２０にマイクロキャビティ構造を導入している。
【０５０９】
このため、本実施の形態では、有機ＥＬ素子２０にマイクロキャビティ構造を導入するために、各発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの膜厚を、発光色毎に変更する必要はない。
【０５１０】
このため、本実施の形態でも、実施の形態１〜７のようにＷ発光の発光層を用いる場合と同様に、各発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂの膜厚を等しく薄く成膜することができるので、処理タクトを短くすることができる。
【０５１１】
また、本実施の形態でも、各発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂから出射された光の混合に対してマイクロキャビティ効果が加味された光が有機ＥＬ素子２０により得られる。またその光を、封止基板５０に設けられたＣＦ層５２によって調整することで、所望のスペクトルを有する光を外部に取り出すことができる。したがって、本実施の形態でも、このように塗り分け方式を用いた発光層８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂとマイクロキャビティ効果とＣＦ層５２とを組み合わせることで、色純度を高めることができる。
【０５１２】
また、本実施の形態でも、実施の形態１〜７と同様にして第１電極２１における透明電極層１２１の膜厚をサブ画素７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ毎に変更することで、実施の形態１〜７と同様の効果が得られることは、言うまでもない。
【０５１３】
＜実施の形態１〜８の概要および変形例＞
以上のように、実施の形態１〜８では、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第２の透明電極層を成膜し、少なくとも２つのサブ画素に、膜厚が異なるレジストパターンを形成し、アッシングによるレジストパターンの薄膜化と第１の透明電極層の結晶化を利用したエッチング耐性の変化とを利用して上記透明電極層をエッチングすることで、上記反射電極層上の透明電極層の積層数をサブ画素間で（例えばサブ画素毎に）変更している。
【０５１４】
なお、実施の形態１〜８では、（１）必要に応じて透明電極層が積層された状態で反射電極層をパターニングした後、この必要に応じて透明電極層が積層されたパターン化された反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層と上記第２の透明電極層とを含む少なくとも２層の透明電極層を積層するか、もしくは、（２）反射電極層のパターニング前に、該反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層と上記第２の透明電極層とを含む少なくとも２層の透明電極層を積層し、この予め積層した透明電極層のうち少なくとも１層ないし全層を、発光色が異なるサブ画素のうち一部のサブ画素において選択的にエッチング除去することで、透明電極層の積層数をサブ画素間で変更する場合について説明した。しかしながら、本発明の実施の形態の一例は、これに限定されるものではない。
【０５１５】
また、実施の形態１〜８では、発光色が異なる３つのサブ画素において上記したように透明電極層をエッチングする場合を例に挙げて説明したが、本発明の実施の形態の一例は、これに限定されるものではない。
【０５１６】
例えば、上記（１）または（２）の方法を単独で、もしくは、上記（１）または（２）の方法の単独もしくはその組み合わせの繰り返しにより、あるいは、これらの方法とフォトリソグラフィを用いた透明電極の単層の積み上げ等の公知の手法との組み合わせにより、透明電極層の積層数や、透明電極層の積層数が異なるサブ画素の数を、任意かつ容易に設定・変更することが可能である。
【０５１７】
何れの場合にも、同じ数の透明電極層を積層する場合と比較すれば、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、表示色が異なるサブ画素間で、反射電極層上の透明電極層の積層数や合計の膜厚を変更することができる。
【０５１８】
以上のように、本発明の実施の形態の一例では、表示色が異なる複数のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
上記第１のレジストパターンをマスクとして、少なくとも上記第２の透明電極層および非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層をエッチングしてパターニングする透明電極層パターニング工程と、
アッシングにより、上記複数のサブ画素のうち、上記第１のレジストパターンの膜厚が最も薄いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、残るサブ画素の第１のレジストパターンを薄膜化した後、上記薄膜化した第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層、もしくは、上記第２の透明電極層の下層に非晶質の透明電極材料からなる透明電極層が存在する場合には上記第２の透明電極層およびその下層の非晶質の透明電極材料からなる透明電極層をエッチングして除去する、少なくとも１回の透明電極層エッチング工程と、
上記透明電極層エッチング工程の後、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去する第１のレジストパターン除去工程とを備え、
上記透明電極層エッチング工程は、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンのうち第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第２の透明電極層をエッチングして除去するまで繰り返し行われるとともに、
上記透明電極層エッチング工程は、少なくとも、
アッシングにより、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを薄膜化するアッシング工程と、
上記アッシング工程で薄膜化した、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層をエッチングして除去する第２の透明電極層エッチング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を結晶化させて多結晶の第１の透明電極層に転化させる第１の透明電極層結晶化工程とを備え、
上記第１の透明電極層結晶化工程は、上記アッシング工程の直前の工程、または、上記アッシング工程と上記第２の透明電極層エッチング工程との間で行われる。
【０５１９】
これにより、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、例えば、表示色が異なるサブ画素間で（例えばサブ画素毎に）、上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚を任意に変更することができる。
【０５２０】
＜要点概要＞
以上のように、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に第２の透明電極層を成膜し、少なくとも２つのサブ画素に、膜厚が異なるレジストパターンを形成し、アッシングによるレジストパターンの薄膜化と第１の透明電極層の結晶化を利用したエッチング耐性の変化とを利用して上記透明電極層をエッチングする方法である。
【０５２１】
このため、以上のように、本発明の一態様にかかる表示装置の製造方法は、少なくとも１つのサブ画素における、電界を形成する対の電極のうち、一方の電極が、反射電極層と、該反射電極層上に形成された複数の透明電極層とを備え、表示色が異なるサブ画素間で上記透明電極層の合計の膜厚が異なる表示装置の製造方法であって、
非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を成膜する第１の透明電極層成膜工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第２の透明電極層を成膜する第２の透明電極層成膜工程と、
表示色が異なる複数のサブ画素のうち少なくとも２つのサブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成する第１のレジストパターン形成工程と、
上記第１のレジストパターンをマスクとして、少なくとも上記第２の透明電極層および非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層をエッチングしてパターニングする透明電極層パターニング工程と、
アッシングにより、上記複数のサブ画素のうち、上記第１のレジストパターンの膜厚が最も薄いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、残るサブ画素の第１のレジストパターンを薄膜化した後、上記薄膜化した第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層、もしくは、上記第２の透明電極層の下層に非晶質の透明電極材料からなる透明電極層が存在する場合には上記第２の透明電極層およびその下層の非晶質の透明電極材料からなる透明電極層をエッチングして除去する、少なくとも１回の透明電極層エッチング工程と、
上記透明電極層エッチング工程の後、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去する第１のレジストパターン除去工程とを備え、
上記透明電極層エッチング工程は、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンのうち第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第２の透明電極層をエッチングして除去するまで繰り返し行われるとともに、
上記透明電極層エッチング工程は、少なくとも、
アッシングにより、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が２番目に厚いサブ画素における第１のレジストパターンを除去して第２の透明電極層を露出させる一方、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンを薄膜化するアッシング工程と、
上記アッシング工程で薄膜化した、上記第１のレジストパターン形成工程で形成した第１のレジストパターンの膜厚が最も厚いサブ画素における第１のレジストパターンをマスクとして、露出した第２の透明電極層をエッチングして除去する第２の透明電極層エッチング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層を結晶化させて多結晶の第１の透明電極層に転化させる第１の透明電極層結晶化工程とを備え、
上記第１の透明電極層結晶化工程は、上記アッシング工程の直前の工程、または、上記アッシング工程と上記第２の透明電極層エッチング工程との間で行われる。
【０５２２】
このようにエッチング耐性の違いによるエッチング選択性を利用して、透明電極層を複数層積層することで、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、例えば、表示色が異なるサブ画素毎に、上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚を任意に変更することができる。また、従来よりも、コストダウンおよびフットプリントの低減を図ることができる。さらに、露光、現像、レジスト剥離処理等の回数を低減させることができるので、画素欠陥の発生を防止することができるとともに、処理タクトを短くすることができる。
【０５２３】
上記表示装置の製造方法において、上記第１の透明電極層はインジウム錫酸化物からなり、上記第２の透明電極層はインジウム亜鉛酸化物からなることが好ましい。
【０５２４】
非晶質のインジウム錫酸化物は、熱処理により容易に多結晶のインジウム錫酸化物に転化させることができる。多結晶のインジウム錫酸化物は、インジウム亜鉛酸化物よりもエッチング耐性が高く、第２の透明電極層エッチング工程でインジウム亜鉛酸化物をエッチングして除去するときに、エッチングされないか、あるいは、エッチング速度が著しく遅い。このため、第２の透明電極層エッチング工程では、インジウム亜鉛酸化物からなる第２の透明電極層のみが除去され、第１の透明電極層は除去されない。
【０５２５】
また、上記表示装置の製造方法は、上記第１の透明電極層成膜工程の前に、表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層を形成する反射電極層パターニング工程を備え、上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記パターン化された反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜されることが好ましい。
【０５２６】
上記の構成によれば、反射電極層のパターニングも含めても２回のフォトリソグラフィで、反射電極層上に透明電極層が積層されてなる、サブ画素毎に厚みが異なる電極を形成することができる。
【０５２７】
したがって、上記の方法によれば、従来よりも少ない回数のフォトリソグラフィで、表示色が異なるサブ画素毎に上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚が異なる電極を形成することができる。
【０５２８】
また、上記表示装置の製造方法は、上記第１の透明電極層成膜工程の前に、反射電極層を成膜する反射電極層成膜工程を備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記第１のレジストパターン形成工程では、各サブ画素における第２の透明電極層上に、それぞれ膜厚が異なる第１のレジストパターンを形成し、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および反射電極層をエッチングしてパターニングすることが好ましい。
【０５２９】
上記の構成によれば、上記反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層を、この順に成膜した後、サブ画素毎に膜厚が異なる第１のレジストパターンを用いて、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層を、一括してエッチングすることができる。
【０５３０】
したがって、上記の方法によれば、反射電極層のパターニングを含めて１回のフォトリソグラフィで、反射電極層上に透明電極層が積層されてなる、サブ画素毎に厚みが異なる電極を形成することができる。
【０５３１】
したがって、上記の方法によれば、従来よりもさらに少ない回数のフォトリソグラフィで、表示色が異なるサブ画素毎に上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚が異なる電極を形成することができる。
【０５３２】
また、上記表示装置の製造方法は、上記第１の透明電極層成膜工程の前に、
表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層を形成する反射電極層パターニング工程と、
上記パターン化された反射電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第３の透明電極層を成膜する第３の透明電極層成膜工程とを備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記第３の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および第３の透明電極層をエッチングしてパターニングすることが好ましい。
【０５３３】
上記の方法によれば、上記反射電極層上に、上記第３の透明電極層を介して、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層が形成される。
【０５３４】
このため、上記の方法によれば、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との接触部が露出しない。
【０５３５】
上記反射電極層上に非晶質の透明電極層を直接積層する場合、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との組み合わせによっては、洗浄時や現像時等に電食反応が生じて、上記反射電極層および透明電極層が損傷するおそれがある。
【０５３６】
しかしながら、上記の方法によれば、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との接触部が露出しないので、このような問題が発生することがない。
【０５３７】
また、上記表示装置の製造方法は、上記第１の透明電極層成膜工程の前に、表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層と、上記反射電極層上に設けられ、上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層とを形成する反射電極層・第４の透明電極層形成工程を備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記パターン化された多結晶の第４の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜されることが好ましい。
【０５３８】
反射電極材料の種類によっては、上記反射電極層が剥き出しの状態（つまり、露出状態）にあると、例えばレジストのぬれ性を高めるために紫外線照射を行うと酸化して反射特定が低下したり、溶剤耐性が低く、溶剤が染み込んだりする可能性がある。このため、このような反射電極層が、このような反射電極材料からなる場合、反射電極層が剥き出しの状態となることは望ましくない。
【０５３９】
上記の方法によれば、製造工程における早い段階で、上記したように反射電極層上に上記第４の透明電極層が形成されることで、上記反射電極層を、該反射電極層の品質を損なうおそれがある上記要因から保護することができる。
【０５４０】
また、上記表示装置の製造方法は、上記第１の透明電極層成膜工程の前に、
表示色が異なるサブ画素毎にパターン化された反射電極層と、上記反射電極層上に設けられ、上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層とを形成する反射電極層・第４の透明電極層形成工程と、
上記サブ画素毎にパターン化された多結晶の第４の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層とは組成が異なる透明電極材料からなる第３の透明電極層を成膜する第３の透明電極層成膜工程とを備え、
上記第１の透明電極層成膜工程および第２の透明電極層成膜工程では、上記第３の透明電極層上に、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、第２の透明電極層が、この順に成膜され、
上記透明電極層パターニング工程では、上記第１のレジストパターンをマスクとして、上記第２の透明電極層、非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層、および第３の透明電極層をエッチングしてパターニングすることが好ましい。
【０５４１】
この場合にも、製造工程における早い段階で、上記したように反射電極層上に上記第４の透明電極層が形成されることで、上記反射電極層を、該反射電極層の品質を損なうおそれがある上記要因から保護することができる。
【０５４２】
また、上記の方法によれば、反射電極層上の透明電極層の積層数を増加させることができる。各透明電極層の膜厚に加えてこのように積層数を変更することで、各サブ画素における光路長の比率の変更をより一層容易に行うことができる。
【０５４３】
また、上記表示装置の製造方法において、上記反射電極層・第４の透明電極層形成工程は、
反射電極層を成膜する工程と、
上記反射電極層上に、非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層を成膜する第４の透明電極層成膜工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層上に、表示色が異なるサブ画素毎に第２のレジストパターンを形成する第２のレジストパターン形成工程と、
上記第２のレジストパターンをマスクとして、上記反射電極層および非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層をエッチングしてパターニングする反射電極層・第４の透明電極層パターニング工程と、
上記非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層を結晶化させて多結晶の第４の透明電極層に転化させる第４の透明電極層結晶化工程とを備えていることが好ましい。
【０５４４】
上記の構成によれば、反射電極層のパターニングと同時に上記非晶質の透明電極材料からなる第４の透明電極層のパターニングを行うため、フォトリソグラフィ工程を増加させることなく、上記パターン化された反射電極層上に、上記反射電極層と同じパターンを有する多結晶の透明電極材料からなる第４の透明電極層を形成することができる。
【０５４５】
また、反射電極材料の種類によっては、上記反射電極層が紫外線照射により酸化して反射特性が低下したり、溶剤耐性が低く、溶剤が染み込んだりする可能性がある。このため、このような反射電極層が、このような反射電極材料からなる場合、反射電極層が剥き出しの状態となることは望ましくない。
【０５４６】
上記の方法によれば、製造工程における早い段階で、上記したように反射電極層上に上記第４の透明電極層が形成されることで、上記反射電極層を、該反射電極層の品質を損なうおそれがある上記要因から保護することができる。
【０５４７】
また、上記の方法によれば、フォトリソグラフィの全体の回数を増加させることなく、反射電極層上の透明電極層の積層数を増加させることができる。上記の方法によれば、例えば、反射電極層のパターニングを含め、２回のフォトリソグラフィで、表示色が異なるサブ画素毎に上記反射電極層上の透明電極層の合計の膜厚が異なる電極を形成することができる。
【０５４８】
また、上記表示装置の製造方法において、上記第４の透明電極層はインジウム錫酸化物からなることが好ましい。
【０５４９】
前記したように、非晶質のインジウム錫酸化物は、熱処理により、エッチング耐性が高い多結晶のインジウム錫酸化物に容易に転化させることができる。
【０５５０】
多結晶のインジウム錫酸化物は、非晶質のインジウム錫酸化物を熱処理することによって得られるだけでなく、直接成膜装置によって多結晶のインジウム錫酸化物を形成することができる。しかしながら、直接成膜された多結晶のインジウム錫酸化物は成膜中の結晶粒の成長により膜平坦性が悪化したり、結晶間のピンホールが発生しやすくなったりする。このため、上記したように反射電極層上に多結晶のインジウム錫酸化物を形成する場合、反射電極層上に、非晶質の第４の透明電極層として、非晶質のインジウム錫酸化物を成膜した後、上記したようにパターン化してから多結晶のインジウム錫酸化物に転化させることが望ましい。
【０５５１】
また、上記表示装置の製造方法において、上記第３の透明電極層はインジウム亜鉛酸化物からなることが好ましい。
【０５５２】
インジウム亜鉛酸化物は、上記反射電極層との間に電食反応を生じさせることがない。また、多結晶の透明電極層と比較してエッチング耐性が低いことから、上記第３の透明電極層を多結晶の透明電極層上に積層した場合、インジウム亜鉛酸化物からなる第３の透明電極層のみを選択的にエッチング除去することができる。
【０５５３】
また、上記第１のレジストパターン形成工程において、上記第１のレジストパターンは、平面視で上記パターン化された反射電極層と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層よりも大きく形成されていることが好ましい。
【０５５４】
上記反射電極層上に非晶質の透明電極層を直接積層する場合、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との組み合わせによっては、洗浄時や現像時等に電食反応が生じて、上記反射電極層および透明電極層が損傷するおそれがある。
【０５５５】
しかしながら、上記の方法によれば、上記反射電極層を、上記第２の透明電極層で覆うことができる。
【０５５６】
したがって、上記の方法によれば、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との接触部が露出しないので、このような問題が発生することがない。
【０５５７】
また、上記表示装置の製造方法において、上記反射電極層は、銀、銀合金、およびアルミニウム合金からなる群より選ばれる何れか１種からなることが好ましい。
【０５５８】
これらの材料は、非晶質の透明電極層との間で電食反応が生じない。このため、上記反射電極層における反射電極材料に適している。
【０５５９】
また、上記したように第１のレジストパターンが、平面視で、上記パターン化された反射電極層と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層よりも大きく形成されている場合、あるいは、上記反射電極層上に、上記第３の透明電極層を介して、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層が形成されている場合、上記反射電極層は、アルミニウム層を含んでいてもよい。
【０５６０】
アルミニウム層は、反射電極層が銀である場合のように紫外線照射によって酸化して反射特性が低下するという問題が発生し難い。
【０５６１】
しかしながら、非晶質の透明電極材料がインジウム錫酸化物である場合等、非晶質の透明電極材料の種類によっては、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との接触部が露出していると、洗浄時や現像時等に電食反応が生じて、上記反射電極層および透明電極層が損傷するおそれがある。
【０５６２】
しかしながら、上記したように第１のレジストパターンが、平面視で、上記パターン化された反射電極層と重畳し、かつ、平面視で上記パターン化された反射電極層よりも大きく形成されている場合、あるいは、上記反射電極層上に、上記第３の透明電極層を介して、上記非晶質の透明電極材料からなる第１の透明電極層が形成されている場合には、上記反射電極層と非晶質の透明電極層との接触部が露出しない。このため、この場合には、上記反射電極材料にアルミニウムを使用しても、このような問題が発生することはない。このため、上記反射電極層として、上記効果を有するアルミニウム層を含む反射電極層を用いることができる。
【０５６３】
また、上記表示装置の製造方法では、上記対の電極が陽極および陰極であり、上記一方の電極が陽極であるとともに、上記陽極と陰極とで有機エレクトロルミネッセンス層を挟むように上記陽極、陰極、および有機エレクトロルミネッセンス層を形成することが好ましい。
【０５６４】
上記の方法によれば、上記陽極と陰極とで有機エレクトロルミネッセンス層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子の光路長を、発光色が異なるサブ画素毎に容易に変更することができる。
【０５６５】
したがって、上記の方法によれば、マイクロキャビティ構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。このため、マイクロキャビティ効果により、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置における色純度、発光の色度、発光効率等を向上させることができる。
【０５６６】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０５６７】
本発明は、有機ＥＬ素子や無機ＥＬ素子のような微小共振器として構成することが可能な発光素子を用いた表示装置の製造方法に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０５６８】
１      有機ＥＬ表示パネル
２      電気配線端子
１０      支持基板
１１      絶縁基板
１２      ＴＦＴ
１３      層間絶縁膜
１３ａ    コンタクトホール
１４      信号線
１５      エッジカバー
１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ  開口部
２０      有機ＥＬ素子
２１      第１電極
２２      正孔注入層
２３      正孔輸送層
２４      第１発光層
２５      電子輸送層
２６      キャリア発生層
２７      正孔輸送層
２８      第２発光層
２９      電子輸送層
３０      電子注入層
３１      第２電極
４１      封止樹脂層
４２      充填樹脂層
４３      有機ＥＬ層
５０      封止基板
５１      絶縁基板
５２      ＣＦ層
５３      ＢＭ
６０      接続部
７０      画素
７１      サブ画素
７１Ｒ・７１Ｇ・７１Ｂ  サブ画素
７２      発光領域
７３Ｒ・７３Ｇ・７３Ｂ  光路長
８１      正孔注入層兼正孔輸送層
８２Ｒ・８２Ｇ・８２Ｂ  発光層
８３      電子輸送層兼電子注入層
１００      有機ＥＬ表示装置
１０１      画素部
１０２      回路部
１０３      接続端子
１１０      ａ−ＩＴＯ層
１１１      反射電極層
１１２      ａ−ＩＴＯ層
１１３      ＩＺＯ層
１１４      ｐ−ＩＴＯ層
１１５      ＩＺＯ層
１１６      ａ−ＩＴＯ層
１１７      ｐ−ＩＴＯ層
１２１      透明電極層
２０１Ｒ・２０１Ｇ・２０１Ｂ  レジストパターン
２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂ  レジストパターン
Ｌ      封止領域
Ｒ１    表示領域
Ｒ２    第２電極接続領域
Ｒ３    端子部領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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