(57)【要約】  多層回路基板の反りによって半導体チップ実装歩留の低下や半導体パッケージ信頼性の低下が起こるが、本発明による層間絶縁層６を用いた多層回路基板１によれば、層間絶縁層６が緩衝材となり、多層回路基板１の全体の反りを抑制することができる。層間絶縁層６を用いた多層回路基板１は、導体回路層１１と、層間絶縁層６を交互に有する多層回路基板１に用いる層間絶縁層６が、第１絶縁層と、第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層とを含むことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体回路層と、層間絶縁層とが交互に積層した多層回路基板であって、
前記層間絶縁層が、第１絶縁層と、前記第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が複数であって、
前記層間絶縁層の弾性率が互いに等しいことを特徴とする多層回路基板。
【請求項３】
請求項２に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層の積層構成が同一であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項４】
請求項３に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が、第１絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層の順に積層されてなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項５】
請求項１に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が複数であって、
前記層間絶縁層の積層構成が前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の順に積層されてなる第１層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の積層構成が前記第２絶縁層からなる第２層間絶縁層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されてなることを特徴とする多層回路基板。
【請求項７】
請求項６に記載された多層回路基板において、
前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項８】
請求項１乃至６いずれかに記載された多層回路基板において、
前記多層回路基板は、コア層をさらに含み、
前記層間絶縁層が前記コア層の上下に積層され、
前記コア層を挟んで線対称の位置にある前記層間絶縁層の積層構成が互いに同一であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項９】
請求項１乃至７いずれかに記載された多層回路基板において、
前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）、前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ／Ｅａ）＞３  であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１０】
請求項１乃至７いずれかに記載された多層回路基板において、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ）≧４ＧＰａ  であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１１】
請求項１乃至８いずれかに記載された多層回路基板において、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）としたとき、
（Ｅａ）≦２ＧＰａ  であることを特徴とする多層回路基板。
【請求項１２】
導体回路層と、層間絶縁層とが交互に積層した多層回路基板に用いられる前記層間絶縁層を構成する絶縁シートであって、前記層間絶縁層が、第１絶縁層と、前記第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層と、を含むことを特徴とする絶縁シート。
【請求項１３】
請求項１２に記載された絶縁シートにおいて、
前記層間絶縁層が、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の順に積層されてなることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載された絶縁シートにおいて、
前記層間絶縁層が、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されてなることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１５】
請求項１４に記載された絶縁シートにおいて、
前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂であることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１６】
請求項１２乃至１４いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）、前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ／Ｅａ）＞３  であることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ）≧４ＧＰａ  であることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）としたとき、
（Ｅａ）≦２ＧＰａ  であることを特徴とする絶縁シート。
【請求項１９】
請求項１乃至１１いずれかに記載された多層回路基板を用いたことを特徴とする半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層回路基板、絶縁シート、および多層回路基板を用いた半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは、従来にも増して小型化が進んできている。【０００３】
従来のようなリードフレームを使用した形態の半導体パッケージでは、小型化に限界があるため、最近では回路基板上に半導体チップを実装したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、チップスケールパッケージ（ＣＳＰ）のようなエリア実装型半導体パッケージ方式が提案されている。これらの半導体パッケージにおいて、ＢＧＡに搭載される半導体チップを回路基板に接続する方式には、ワイヤーボンディング方式やＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式、さらにはフリップチップ（ＦＣ）方式などが知られているが、最近では、半導体パッケージの小型化に有利なフリップチップ接続方式を用いたＢＧＡやＣＳＰの構造が盛んに提案されている。【０００４】
ここで、フリップチップ接続方式の実装は、ワイヤーボンディング接続方式に比べて実装面積を小さくできる利点があるとされている。また、フリップチップ実装は、回路配線が短いために電気的特性が良いという特徴もある。フリップチップ実装は、小型、薄型に対する要求の強い携帯機器の回路や、電気的特性が重視される高周波回路などに優れている接続方式である。【０００５】
フリップチップ実装において、半導体チップを接続するインターポーザ（多層回路基板）としては、一般的にコア層と、導体回路層と、絶縁層とを有するものが使用されている。この多層回路基板は、さらなる高密度実装への対応、また動作周波数の高速化への要望に応えるため、コア層の厚みを薄くしたり、コア層を設けずに樹脂などに配線パターンを形成した積層体をインターポーザとして用いるコアレス構造を採用したりすることで、インターポーザ全体の厚さを薄くし、層間接続長を短くして高い周波数に対応させた薄型のビルドアップインターポーザが提案されている。（例えば、特許文献１参照。）【０００６】
フリップチップ実装した半導体パッケージは、半導体チップ、回路基板および金属バンプなどの接合部の信頼性を確保するため、通常半導体チップおよび回路基板の隙間に補強用の樹脂組成物（アンダーフィル）を充填する。アンダーフィル材料としては、従来、エポキシ樹脂をはじめとする熱硬化性樹脂が広く用いられてきた。【０００７】
この半導体パッケージは、シリコンチップの能動面を回路基板側に向け導電性材料を介して回路基板に電気的に接続し、シリコンチップと回路基板の間隙を熱硬化性樹脂組成物で充填硬化した半導体パッケージである。また、この熱硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂と化学結合する炭素原子数１０以上３０以下の直鎖状脂肪族炭化水素化合物を有する。高い温度サイクル信頼性を有しながら、低い温度、小さなせん断力で、また、シリコンチップや回路基板を損傷することなくシリコンチップの取り外しができるものである。（例えば、特許文献２参照。）【０００８】
また、多層プリント配線板に用いられる層間絶縁層として、特許文献３及び４記載のものがある。特許文献３には、１枚のプリプレグを介して銅箔を重ねたことが記載されている。また特許文献４には、プリプレグを重ね、その両側に銅箔を配して積層したことが記載されている。すなわち、配線に挟まれた層間絶縁層は、同じ材料からなる樹脂層から形成されている。【０００９】
【特許文献１】特開２００６−２４８４２号公報
【特許文献２】特開平１１−２３３５７１号公報
【特許文献３】特開２００７−５９８３８号公報
【特許文献４】特開２００８−３７８８１号公報
【発明の開示】
【００１０】
しかしながら、上記文献記載の従来技術は、以下の点で改善の余地を有していた。
半導体チップ実装前の多層回路基板において、一般的に導体回路層と絶縁樹脂層の線膨張係数が異なり、半導体チップ搭載側とその反対側では異なる導体回路を有している。導体回路が異なるということは、導体回路と絶縁樹脂間の拘束度合いが異なることになり、拘束の低いほうが導体回路と樹脂間の線膨張係数の差によって、より大きく変動することになる。その結果、裏表面での変動の差が生じ、回路基板全体の反りとなって現れると、半導体チップ実装歩留が非常に悪くなり、半導体パッケージ信頼性を下げる要因にもなる。
【００１１】
すなわち、従来技術では、導体回路に挟まれた層間絶縁層と、導体回路との間の線膨張係数の差によって反りが生じていた。また、その反り方向も回路基板ごとに凸方向または凹方向のいずれかの方向に定められる傾向にあった。
【００１２】
さらに、半導体チップを実装すると半導体チップと多層回路基板との間の線膨張係数の差により、多層回路基板全体に反りが生じるといった問題があった。したがって、同じ多層回路基板を用いても実装される半導体チップの種類によって反り方向が変化するという問題があった。
【００１３】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、従来の技術における課題を解消することを目的とし、特に、多層回路基板の回路層間の絶縁樹脂層が、弾性率の異なる複数の絶縁樹脂層で構成された多層回路基板を適用した場合に、弾性率の低い絶縁樹脂層が緩衝材となり、回路層間内での反りを抑制することができる。これにより、多層回路基板全体の反りを抑制することが可能となる。また、実装される半導体チップの種類によって多層回路基板の反り方向が変化する場合であっても、弾性率の低い絶縁樹脂層はいずれの方向の反りに対しても緩衝材となるため、多層回路基板全体の反りを抑制することができる。そのため、半導体チップの種類によらず多層回路基板を用いることができる。
【００１４】
本発明は、半導体チップ実装歩留の向上や半導体パッケージ信頼性の向上が可能となる多層回路基板、絶縁シート並びに半導体パッケージを提供することを目的とする。
【００１５】
前記の目的は、下記の本発明により達成される。
［１］  導体回路層と、層間絶縁層とが交互に積層した多層回路基板であって、
前記層間絶縁層が、第１絶縁層と、前記第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。
［２］  ［１］に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が複数であって、
前記層間絶縁層の弾性率が互いに等しいことを特徴とする多層回路基板。
［３］  ［２］に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層の積層構成が同一であることを特徴とする多層回路基板。
［４］  ［３］に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が、第１絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層の順に積層されてなることを特徴とする多層回路基板。
［５］  ［１］に記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が複数であって、
前記層間絶縁層の積層構成が前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の順に積層されてなる第１層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の積層構成が前記第２絶縁層からなる第２層間絶縁層と、を含むことを特徴とする多層回路基板。
［６］  ［１］乃至［５］いずれかに記載された多層回路基板において、
前記層間絶縁層が、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されてなることを特徴とする多層回路基板。
［７］  ［６］に記載された多層回路基板において、
前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂であることを特徴とする多層回路基板。
［８］  ［１］乃至［６］いずれかに記載された多層回路基板において、
前記多層回路基板は、コア層をさらに含み、
前記層間絶縁層が前記コア層の上下に積層され、
前記コア層を挟んで線対称の位置にある前記層間絶縁層の積層構成が互いに同一であることを特徴とする多層回路基板。
［９］  ［１］乃至［７］いずれかに記載された多層回路基板において、
前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）、前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ／Ｅａ）＞３  であることを特徴とする多層回路基板。
［１０］  ［１］乃至［７］いずれかに記載された多層回路基板において、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ）≧４ＧＰａ  であることを特徴とする多層回路基板。
［１１］  ［１］乃至［８］いずれかに記載された多層回路基板において、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）としたとき、
（Ｅａ）≦２ＧＰａ  であることを特徴とする多層回路基板。
［１２］  導体回路層と、層間絶縁層とが交互に積層した多層回路基板に用いられる前記層間絶縁層を構成する絶縁シートであって、前記層間絶縁層が、第１絶縁層と、前記第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層と、を含むことを特徴とする絶縁シート。
［１３］  ［１２］に記載された絶縁シートにおいて、
前記層間絶縁層が、前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記第１絶縁層の順に積層されてなることを特徴とする絶縁シート。
［１４］  ［１２］または［１３］に記載された絶縁シートにおいて、
前記層間絶縁層が、シアネート樹脂を含む樹脂組成物で構成されてなることを特徴とする絶縁シート。
［１５］  ［１４］に記載された絶縁シートにおいて、
前記シアネート樹脂が、ノボラック型シアネート樹脂であることを特徴とする絶縁シート。
［１６］  ［１２］乃至［１４］いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）、前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ／Ｅａ）＞３  であることを特徴とする絶縁シート。
［１７］  ［１２］乃至［１６］いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）としたとき、
（Ｅｂ）≧４ＧＰａ  であることを特徴とする絶縁シート。
［１８］  ［１２］乃至［１７］いずれかに記載された絶縁シートにおいて、
周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定による前記第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）としたとき、
（Ｅａ）≦２ＧＰａ  であることを特徴とする絶縁シート。
［１９］  ［１］乃至［１１］いずれかに記載された多層回路基板を用いたことを特徴とする半導体パッケージ。
【００１６】
本発明に係る多層回路基板、絶縁シート、および多層回路基板を用いた半導体パッケージは、層間絶縁層が、第１絶縁層と、前記第１絶縁層よりも弾性率が高い第２絶縁層と、を含むことで、多層回路基板の全体の反りを抑制することが可能となり、半導体チップ実装歩留の向上や半導体パッケージ信頼性の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
【図１】本発明の半導体パッケージ構造の一例を示す略断面模式図である。
【図２】本発明の半導体パッケージ構造の一部分における絶縁層の詳細を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る構造の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。しかし、本発明はこれらの多層回路基板１に限定されるものではない。【００１９】
＜多層回路基板１について＞
図１において、多層回路基板１は、導体回路層１１と、層間絶縁層６を交互に有する多層回路基板１であって、コア層５に、層間絶縁層６と導体回路層１１をビルドアップして作製した多層回路基板１である。絶縁層と導体回路層を有するコア層５にスルーホール７を有し、そのコア層５の上下に層間絶縁層６と導体回路層１１をビルドアップして、導電部であるビアを有する多層回路基板１である。【００２０】
また、本発明において、導体回路層１１と、層間絶縁層６とが交互に積層した多層回路基板１に用いられる層間絶縁層６は、絶縁シートによって構成されるものである。【００２１】
なお本実施形態において、第１絶縁層の弾性率を（Ｅａ）、第２絶縁層の弾性率を（Ｅｂ）とし、弾性率は周波数１０Ｈｚでの動的粘弾性測定により求められるものとする。【００２２】
層間絶縁層６の特性としては、弾性率の異なる第１絶縁層と、第２絶縁層とから構成されている。第１絶縁層と第２絶縁層の弾性率の関係について、第１絶縁層の弾性率が、第２絶縁層の弾性率よりも低いことが好ましい。弾性率の異なる複数の絶縁層を用いることで、多層回路基板１全体の反りを抑制することが可能となる。【００２３】
さらに、第１絶縁層と第２絶縁層における弾性率の関係が、（Ｅｂ／Ｅａ）＞３であることが好ましい。これにより、層間絶縁層６の第１絶縁層が緩衝材となり多層回路基板１全体の反りを抑制できる。【００２４】
また、第１絶縁層の弾性率（Ｅａ）は、（Ｅａ）≦２ＧＰａ、より好ましくは（Ｅａ）≦１ＧＰａである。これにより、より多層回路基板１全体の反りを緩和する緩衝材となる。一方、第２絶縁層の弾性率（Ｅｂ）は、（Ｅｂ）≧４ＧＰａ、より好ましくは（Ｅｂ）≧５ＧＰａである。これにより、さらに反りを抑制することができる。【００２５】
また、第２絶縁層の硬化物のガラス転移温度は１７０℃以上であり、ガラス転移温度以下の面内方向の線膨張係数が４０ｐｐｍ／℃以下である。ここで、面内方向の線膨張係数は、例えばＴＭＡ装置（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して評価することができる。第２絶縁層の硬化物の線膨張係数が４０ｐｐｍ／℃より大きいと、通常回路に用いられる銅の線膨張係数（１７〜１８ｐｐｍ／℃）に比べ２倍以上大きくなり、反りを大きくする要因となる。好ましくは、ガラス転移温度以下の線膨張係数が１０〜３５ｐｐｍ／℃、より好ましくは１５〜３０ｐｐｍ／℃である。【００２６】
特に、多層回路基板１の厚さが０．５ｍｍ以下と薄い場合に、第１絶縁層により線膨張係数の差による歪の緩和が起こり、半導体パッケージの製造時のハンドリング性や加工性が向上する。【００２７】
層間絶縁層６の厚みは１０〜６０μｍであって、好ましくは２０〜５０μｍである。その中で第１絶縁層の厚みは３〜２０μｍ、第２絶縁層の厚みは１０〜５０μｍが好ましい。【００２８】
導体回路層１１は、導電性の金属であれば特に限定されるものではないが、好ましくは、銅もしくは銅合金で構成されており必要な回路形状にパターニングされている。コア層５の導体回路層は、主に銅箔付きコア材をサブトラクティブ法により、層間絶縁層６の上に形成される導体回路層１１は主にセミアディティブ法やフルアディティブ法によりパターニング形成される。【００２９】
コア層５の厚みは、好ましくは５００μｍ以下であり、より好ましくは５０μｍ〜４００μｍである。多層回路基板１は、コア層５と、例えば２〜１０層の導体回路層１１および層間絶縁層６を含んでいる。好ましくは、２〜６層の導体回路層１１および層間絶縁層６を含んでいる。【００３０】
上記多層回路基板１の外層表面には、導体の保護、絶縁性の維持などの目的で、ソルダーレジストなどの耐熱性コーティング層を設けていてもよい。【００３１】
＜コア層５について＞
多層回路基板１において、コア層５の絶縁層に用いられる材料は、適切な強度を有していればよく、特に限定するものではないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、トリアジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂のうち、少なくとも一種または複数種の樹脂組成物を繊維基材（例えばガラス繊維シートなど）に含浸させて半硬化させてなる板状の材料（いわゆるプリプレグ）を好適に用いることができる。特にシアネート樹脂とフェノール樹脂とエポキシ樹脂と無機充填材とを含む樹脂組成物を繊維基材（例えばガラス繊維シートなど）に含浸させて半硬化させてなる板状の材料（いわゆるプリプレグ）を好適に用いることができる。【００３２】
＜層間絶縁層６について＞
多層回路基板１において、層間絶縁層６の第１絶縁層および第２絶縁層に用いられる材料は、前述した第１絶縁層及び第２絶縁層の硬化物のガラス転移温度、弾性率および線膨張係数の条件を満たし、適切な強度を有していればよく、特に限定するものではないが、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物で構成されていることが好ましい。これにより、層間絶縁層６の耐熱性を向上することができる。また、層間絶縁層６の第２絶縁層に用いる樹脂組成物は、ガラス繊維シートをはじめとする繊維基材に含浸させてもよく、樹脂組成物をそのまま硬化させてもよい。ここで、樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては特に限定されない。また、キャリア基材付き層間絶縁層６は、上記樹脂組成物で構成される層間絶縁層６をキャリア基材に形成してなるものである。【００３３】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、トリアジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂などのトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。【００３４】
これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００３５】
上記熱硬化性樹脂としては、好ましくは、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、トリアジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂のうち、少なくとも一種または複数種を含むものである。【００３６】
上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。【００３７】
上記フェノール樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油などで変性した油変性レゾールフェノール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。
またこれらの中でも、特にシアネート樹脂（シアネート樹脂のプレポリマーを含む）が好ましい。これにより、層間絶縁層６の線膨張係数を小さくすることができる。さらに、層間絶縁層６の電気特性（低誘電率、低誘電正接）、機械強度などにも優れる。【００３８】
上記シアネート樹脂は、例えばハロゲン化シアン化合物とフェノール類とを反応させ、必要に応じて加熱などの方法でプレポリマー化することにより得ることができる。具体的には、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。これにより、架橋密度増加による耐熱性向上と、樹脂組成物などの難燃性を向上することができる。ノボラック型シアネート樹脂は、硬化反応後にトリアジン環を形成するからである。さらに、ノボラック型シアネート樹脂は、その構造上ベンゼン環の割合が高く、炭化しやすいためと考えられる。【００３９】
上記ノボラック型シアネート樹脂としては、例えば式（１）で示されるものを使用することができる。【００４０】
【化１】
2009122680.tif 000003
【００４１】
上記式（１）で示されるノボラック型シアネート樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜７が好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値未満であるとノボラック型シアネート樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。また、平均繰り返し単位ｎが上記上限値を超えると溶融粘度が高くなりすぎ、層間絶縁層６の成形性が低下する場合がある。【００４２】
上記シアネート樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜４，５００が好ましく、特に６００〜３，０００が好ましい。重量平均分子量が上記下限値未満であると層間絶縁層６の硬化物の機械的強度が低下する場合があり、さらに層間絶縁層６を作製した場合にタック性が生じ、樹脂の転写が生じたりする場合がある。また、重量平均分子量が上記上現値を超えると硬化反応が速くなり、基板（特に回路基板）とした場合に、成形不良が生じたり、層間ピール強度が低下したりする場合がある。【００４３】
上記シアネート樹脂などの重量平均分子量は、例えばＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、標準物質：ポリスチレン換算）で測定することができる。【００４４】
また、特に限定されないが、上記シアネート樹脂はその誘導体も含め、１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００４５】
上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、上記樹脂組成物全体の５〜５０重量％が好ましく、特に１０〜４０重量％が好ましい。含有量が上記下限値未満であると層間絶縁層６を形成するのが困難となる場合があり、上記上限値を超えると層間絶縁層６の強度が低下する場合がある。【００４６】
上記熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（特にノボラック型シアネート樹脂）を用いる場合は、エポキシ樹脂（実質的にハロゲン原子を含まない）を併用することが好ましい。【００４７】
上記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。【００４８】
上記エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００４９】
これらエポキシ樹脂の中でも特にアリールアルキレン型エポキシ樹脂が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性および難燃性を向上させることができる。【００５０】
上記アリールアルキレン型エポキシ樹脂とは、繰り返し単位中に一つ以上のアリールアルキレン基を有するエポキシ樹脂をいう。例えばキシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でもビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂が好ましい。ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は、例えば式（２）で示すことができる。【００５１】
【化２】
2009122680.tif 000004
【００５２】
上記式（２）で示されるビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂の平均繰り返し単位ｎは、特に限定されないが、１〜１０が好ましく、特に２〜５が好ましい。平均繰り返し単位ｎが上記下限値未満であるとビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂は結晶化しやすくなり、汎用溶媒に対する溶解性が比較的低下するため、取り扱いが困難となる場合がある。【００５３】
また、平均繰り返し単位ｎが上記上限値を超えると樹脂の流動性が低下し、成形不良などの原因となる場合がある。平均繰り返し単位ｎの数を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００５４】
上記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜５５重量％が好ましく、特に５〜４０重量％が好ましい。含有量が上記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、上記上限値を超えると低線膨張性、耐熱性が低下する場合がある。【００５５】
上記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量５００〜２０，０００が好ましく、特に８００〜１５，０００が好ましい。重量平均分子量が上記下限値未満であると層間絶縁層６の表面にタック性が生じる場合が有り、上記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。
上記エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばＧＰＣで測定することができる。【００５６】
上記樹脂組成物は製膜性樹脂を含有することが好ましい。これにより、キャリア基材付き層間絶縁層６を製造する際の製膜性やハンドリング性をさらに向上させることができる。上記製膜性樹脂としては、例えば、フェノキシ系樹脂、ビスフェノールＦ系樹脂、オレフィン系樹脂などが挙げられる。【００５７】
上記製膜性樹脂として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用したり、１種類または２種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。これらの中でも、フェノキシ系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性および難燃性を向上させることができる。【００５８】
上記フェノキシ樹脂として、特に限定はされないが、例えば、ビスフェノールＡ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＳ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＭ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＰ骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールＺ骨格を有するフェノキシ樹脂などビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ノボラック骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノキシ樹脂、ノルボルネン骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するフェノキシ樹脂などが挙げられる。【００５９】
また上記フェノキシ樹脂として、これら中の骨格を複数種類有した構造を用いることもできるし、それぞれの骨格の比率が異なるフェノキシ樹脂を用いることができる。さらに異なる骨格のフェノキシ樹脂を複数種類用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有するフェノキシ樹脂を複数種類用いたり、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。【００６０】
これらの中でも、ビフェニル骨格と、ビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、ビフェニル骨格が有する剛直性によりガラス転移温度を高くすることができるとともに、ビスフェノールＳ骨格により、多層回路基板１を製造する際のメッキ金属の付着性を向上させることができる。【００６１】
また、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂を用いることができる。これにより、多層回路基板１の製造時に内層回路基板への密着性を向上させることができる。さらに、上記ビフェニル骨格とビスフェノールＳ骨格とを有するフェノキシ樹脂と、ビスフェノールＡ骨格とビスフェノールＦ骨格とを有するフェノキシ樹脂とを併用してもよい。【００６２】
上記製膜性樹脂の分子量としては特に限定されないが、重量平均分子量が１，０００〜１００，０００であることが好ましい。さらに好ましくは１０，０００〜６０，０００である。【００６３】
製膜性樹脂の重量平均分子量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でない場合がある。一方、上記上限値を超えると、製膜性樹脂の溶解性が低下する場合がある。製膜性樹脂の重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００６４】
製膜性樹脂の含有量としては特に限定されないが、樹脂組成物全体の１〜４０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは５〜３０重量％である。製膜性樹脂の含有量が上記下限値未満であると、製膜性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、上記上限値を超えると、相対的にシアネート樹脂の含有量が少なくなるため、低線膨張性を付与する効果が低下することがある。製膜性樹脂の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００６５】
層間絶縁層６に用いられる上記熱硬化性樹脂および、製膜性樹脂は、いずれも、実質的にハロゲン原子を含まないものであることが好ましい。これにより、ハロゲン化合物を用いることなく、難燃性を付与することができる。ここで、実質的にハロゲン原子を含まないとは、例えば、エポキシ樹脂またはフェノキシ樹脂中のハロゲン原子の含有量が０．１５重量％以下（ＪＰＣＡ−ＥＳ０１−２００３）のものをいう。【００６６】
上記樹脂組成物には、必要に応じて硬化促進剤を用いても良い。該硬化促進剤としては公知の物を用いることが出来る。例えばイミダゾール化合物、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化促進剤として、これらの中の誘導体も含めて１種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて２種類以上を併用したりすることもできる。【００６７】
これら硬化促進剤の中でも特にイミダゾール化合物が好ましい。これにより、吸湿半田耐熱性を向上させることができる。そして、上記イミダゾール化合物は、特に限定されないが、上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂、製膜性樹脂成分との相溶性を有することが望ましい。【００６８】
ここで、上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂、製膜性樹脂成分との相溶性を有するとは、イミダゾール化合物を上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂、製膜性樹脂成分と混合、あるいは、イミダゾール化合物を上記シアネート樹脂、エポキシ樹脂、製膜性樹脂成分と有機溶剤とともに混合した場合に、実質的に分子レベルまで溶解、または、それに近い状態まで分散することができるような性状を指すものである。【００６９】
層間絶縁層６の樹脂組成物で用いられる上記イミダゾール化合物としては、例えば、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２'−メチルイミダゾリル−（１'）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−（２'−ウンデシルイミダゾリル）−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２'−エチル−４−メチルイミダゾリル−（１'）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールなどを挙げることができる。【００７０】
これらの中でも、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、および、２−エチル−４−メチルイミダゾールから選ばれるイミダゾール化合物であることが好ましい。これらのイミダゾール化合物は、特に優れた相溶性を有することで、均一性の高い硬化物が得られるとともに、微細かつ均一な粗化面を形成することができるので、微細な導体回路を容易に形成することができるとともに、多層回路基板１に高い耐熱性を発現させることができる。このようなイミダゾール化合物を用いることにより、シアネート樹脂やエポキシ樹脂の反応を効果的に促進させることができ、また、イミダゾール化合物の配合量を少なくしても同等の特性を付与することができる。【００７１】
さらに、このようなイミダゾール化合物を用いた樹脂組成物は、樹脂成分との間で微小なマトリックス単位から高い均一性で硬化させることができる。これにより、多層回路基板１に形成された層間絶縁層６の絶縁性、耐熱性を高めることができる。【００７２】
上記イミダゾール化合物の含有量としては特に限定されないが、上記シアネート樹脂とエポキシ樹脂との合計に対して、０．０１〜５重量％が好ましく、特に０．０５〜３重量％が好ましい。これにより、特に耐熱性を向上させることができる。【００７３】
また、上記樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。これにより、低線膨張性および難燃性の向上を図ることができる。また、上記シアネート樹脂および＼またはそのプレポリマー（特にノボラック型シアネート樹脂）と無機充填材との組合せにより、弾性率を向上させることができる。【００７４】
上記無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、シリカが好ましく、溶融シリカ（特に球状溶融シリカ）が低線膨張性に優れる点で好ましい。その形状は破砕状、球状があるが、繊維基材への含浸性を確保するために樹脂組成物の溶融粘度を下げるには球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法が採用される。【００７５】
上記無機充填材の平均粒子径としては特に限定されないが、０．０１〜５μｍであることが好ましい。さらに好ましくは０．１〜２μｍである。【００７６】
上記無機充填材の平均粒子径が上記下限値未満であると、本発明の樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製する際に、樹脂ワニスの粘度が高くなるため、キャリア基材付き層間絶縁層６を作製する際の作業性に影響を与える場合がある。一方、上記上限値を超えると、樹脂ワニス中で無機充填材の沈降などの現象が起こる場合がある。無機充填材の平均粒子径を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００７７】
また上記無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることができる。さらに平均粒子径が単分散および＼または、多分散の無機充填材を１種類または２種類以上を併用したりすることもできる。【００７８】
上記無機充填材の含有量として特に限定されないが、樹脂組成物全体の２０〜７０重量％であることが好ましい。さらに好ましくは３０〜６０重量％である。無機充填材の含有量が上記下限値未満であると、低熱膨脹性、低吸水性を付与する効果が低下する場合がある。また、上記上限値を超えると、樹脂組成物の流動性の低下により層間絶縁層６の成形性が低下することがある。無機充填材の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００７９】
上記樹脂組成物は、特に限定されないが、カップリング剤を用いることが好ましい。上記カップリング剤は、上記熱硬化性樹脂と、上記無機充填材との界面の濡れ性を向上させることにより、耐熱性、特に吸湿半田耐熱性を向上させることができる。【００８０】
上記カップリング剤としては、通常用いられるものなら何でも使用できるが、具体的にはエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。【００８１】
上記カップリング剤の含有量としては特に限定されないが、無機充填材１００重量部に対して０．０５〜３重量部であることが好ましい。カップリング剤の含有量が上記下限値未満であると、無機充填材を被覆して耐熱性を向上させる効果が充分でないことがある。一方、上記上限値を超えると、層間絶縁層６の曲げ強度が低下することがある。カップリング剤の含有量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。【００８２】
上記樹脂組成物では、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー（例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体など）、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用しても良い。【００８３】
また、上記樹脂組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加しても良い。【００８４】
ここで、樹脂組成物をキャリア基材に形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤などに溶解・分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法、樹脂ワニスをスプレー装置を用いてキャリア基材に噴霧塗工した後、これを乾燥する方法、などが挙げられる。【００８５】
これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリア基材に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な層間絶縁層６の厚みを有するキャリア基材付き層間絶縁層６を効率よく製造することができる。【００８６】
キャリア基材としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルム、あるいは、銅および＼または銅系合金、アルミおよび＼またはアルミ系合金、鉄および＼または鉄系合金、銀および＼または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などの金属箔などを用いることができる。【００８７】
上記キャリア基材の厚みとしては特に限定されないが、１０〜１００μｍのものを用いると、キャリア基材付き層間絶縁層６を製造する際の取り扱い性が良好であり好ましい。【００８８】
上記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、上記樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系などが挙げられる。【００８９】
上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、３０〜８０重量％が好ましく、特に４０〜７０重量％が好ましい。【００９０】
そして、このような樹脂組成物から形成された層間絶縁層６は、例えば過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤を用いて表面の粗化処理を行うと、粗化処理後の層間絶縁層６表面に均一性の高い微小な凹凸形状を多数形成することができる。【００９１】
このような粗化処理後の層間絶縁層６表面に金属メッキ処理を行うと、粗化処理面の平滑性が高いため、微細な導体回路を精度よく形成することができる。また、微小な凹凸形状によりアンカー効果を高め、層間絶縁層６とメッキ金属との間に高い密着性を付与することができる。【００９２】
例えば、弾性率の異なる層間絶縁層６の作製方法としては、例えば弾性率の異なる層間絶縁層６を各々作製しておき、多層回路基板１の層間絶縁層６を作製する時に積層する方法や、弾性率の異なる層間絶縁層６を先に積層して１層の層間絶縁層６としたものを、多層回路基板１を作製する時に用いたりする方法などが挙げられる。特に限定されるものではない。【００９３】
層間絶縁層６の積層構成としては、２層以上が好ましく、特に好ましいものは、３層構造のものである。層間絶縁層６が３層構造である場合、第１絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層の順に積層した構成、第１絶縁層、第２絶縁層及び第１絶縁層とは種類の異なる第１絶縁層の順に積層した構成などが挙げられる。【００９４】
＜多層回路基板１の製造方法について＞
前述のコア層５に用いる材料にスルーホール７を形成した後、スルーホール７内面を含む表面に銅めっきなどを施して、所望パターンの導体層を形成することによって、内層配線板１０が作製される。なお、内層配線板１０自体が絶縁層と導体回路層を有する多層配線板であってもよい。【００９５】
図１は内層配線板１０の両側にそれぞれ導体回路層１１および層間絶縁層６を３層積層した構造の多層回路基板１を示している。【００９６】
多層回路基板１の複数の層間絶縁層６のうち、少なくとも１つの層間絶縁層６は、第１絶縁層及び第２絶縁層を含み、第１絶縁層の弾性率が、第２絶縁層の弾性率よりも低くなっている。そのため第１絶縁層が緩衝材となり、多層回路基板１全体の反りを抑制できる。また、実装される半導体チップ２の種類によって多層回路基板の反り方向が変化する場合であっても、第１絶縁層の弾性率が、第２絶縁層の弾性率よりも低いため、第１絶縁層がいずれの方向の反りに対しても緩衝材となるため、多層回路基板１全体の反りを抑制することができる。そのため、半導体チップの種類によらず多層回路基板１を用いることができる。【００９７】
図２は、３層の層間絶縁層６の詳細を示している。すなわち、内層配線板１０の一方の面（半導体チップ２搭載面側）上には、１層目の導体回路層１１および層間絶縁層６ａ、２層目の導体回路層１１および層間絶縁層６ｂ、および３層目の導体回路層１１および層間絶縁層６ｃが積層形成されている。層間絶縁層６ａ、層間絶縁層６ｂ、層間絶縁層６ｃの弾性率は、互いに異なっていてもよい。例えば、層間絶縁層６ａと層間絶縁層６ｃとが同じ弾性率で、層間絶縁層６ｂが異なる弾性率となる積層構成でもよく、また層間絶縁層６ａと層間絶縁層６ｂとが同じ弾性率で、層間絶縁層６ｃが異なる弾性率となる積層構成でもよく、この場合いずれの積層構成でも層間絶縁層６全体の弾性率は、互いに等しくてもよい。【００９８】
内層配線板１０の他方面側も同様である。すなわち、層間絶縁層６がコア層５の上下に同じ数ずつ積層されるため、コア層５を挟んで線対称の関係に層間絶縁層６が形成される。この場合、コア層５を挟んで線対称の位置にある層間絶縁層６の弾性率が互いに同一であるのが好ましい。より好ましくは、層間絶縁層６がコア層５の上下に積層され、コア層５を挟んで線対称の位置にある層間絶縁層６の積層構成が互いに同一であるのが好ましい。これにより、多層回路基板１全体の反りをさらに抑制できる。【００９９】
なお、導体回路層１１および層間絶縁層６の積層数はこれに限定されるものではなく、信号配線数や配線パターンなどに応じて適宜設定可能である。また、導体回路層１１および層間絶縁層６は内層配線板１０の一方の面上のみに形成してもよい。【０１００】
上記導体回路層１１および層間絶縁層６の形成は、上記導体回路層１１および層間絶縁層６を内層配線板１０の片面または両面に重ね合わせて加熱形成して行う。具体的には、上記導体回路層１１および層間絶縁層６と内層配線板１０とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置などで加熱硬化させることにより得ることができる。【０１０１】
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度６０〜１６０℃、圧力０．２〜３ＭＰａで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、温度１４０〜２４０℃、時間３０〜１２０分間で実施することができる。または、上記層間絶縁層６の絶縁樹脂を内層配線板１０に重ね合わせ、平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより得ることができる。ここで加熱加圧成形する条件は特に限定されないが、一例を挙げると、温度１４０〜２４０℃、圧力１〜４ＭＰａで実施することができる。【０１０２】
複数の導体回路層１１は、層間絶縁層６、導体回路層１１の順に積層し、各層の導体回路層１１間をスタックドビア８で電気的に接続することによって、複数の導体回路層１１および層間絶縁層６による多層配線構造が形成されている。複数の導体回路層１１および層間絶縁層６の形成工程には、例えばセミアディティブ法やフルアディティブ法などのアディティブ法を適用することができる。セミアディティブ法によれば、内層配線板１０の両面に導体回路層１１および層間絶縁層６を形成した後、例えばレーザー加工で導体回路層１１および層間絶縁層６にビアホールを形成する。ビアホール内を含む導体回路層１１および層間絶縁層６の表面に、例えば無電解銅めっきと電解銅めっきを順に施して、スタックドビア８および導体回路層１１を形成する。無電解めっき加工後に、層間絶縁層６と銅の密着性を向上させるために過熱処理を施してもよい。このような層間絶縁層６と導体回路層１１（スタックドビア８を含む）の形成工程が積層数に応じて複数回繰り返し実施される。【０１０３】
上述した導体回路層１１および層間絶縁層６を有する多層回路基板１の半導体チップ２搭載面側には、導体回路層１１、スタックドビア８およびスルーホール７により形成された内部配線に接続された電極パッド１２が形成されている。一方、多層回路基板１の半導体チップ２搭載面とは反対側の面には、内部配線に接続された外部接続端子９が形成されている。電極パッド１２と外部接続端子９とは、導体回路層１１、スタックドビア８、スルーホール７による内部配線を介して電気的に接続されている。外部接続端子９には半田バンプやＡｕバンプなどの金属端子が適用される。【０１０４】
別の形態の多層回路基板１としてコア層５を使用しないコアレス基板もある。前記多層回路基板１との違いはコア層５の変わりにピーラブル箔付きベースボードを使用し、その上に層間絶縁層６および導体回路層１１を形成する。この工程を繰り返すことで必要層数を得ることができる。この層間絶縁層６および導体回路層１１の形成方法は前記多層回路基板１と同じ工法が使用できる。積層が終わったところで、ピーラブル銅箔のところで剥がしてベースボードを除去する。多層回路基板１側に残ったピーラブル銅箔はエッチングにより除去するとコアレスの多層回路基板１を得ることができる。コアレスの多層回路基板１の層間接続や表面処理、端子形成は前記多層回路基板１と同じ方法にて形成できる。【０１０５】
＜半導体パッケージについて＞
次に、図１におけるフリップチップ半導体パッケージについて説明する。
本発明の一実施形態では、多層回路基板１の半導体チップ２接続用電極面と半導体チップ２の電極面を金属バンプ３によりフリップチップ接合する接合工程と、上記多層回路基板１と上記半導体チップ２との間に封止樹脂組成物４を注入してアンダーフィル部を形成する封止工程を具備する。【０１０６】
上記封止工程は、多層回路基板１と半導体チップ２を金属バンプ３によりフリップチップ接合した封止樹脂組成物４を充填する前の半導体パッケージと、封止樹脂組成物４とを加熱しながら、半導体チップ２の側縁部に封止樹脂組成物４を塗布し、毛細管現象により隙間へ行き渡らせるものであり、生産サイクルを短縮させる目的から、半導体パッケージを傾斜させたり、圧力差を利用して注入を加速させたりするなどの方法を併用してもよい。【０１０７】
このようにして封止樹脂組成物４が充填、塗布されたところで、１００℃〜１７０℃の温度範囲で１〜１２時間加熱を行い、封止樹脂組成物４を硬化させる。ここで、硬化の温度プロファイルを変更してもよく、例えば、１００℃１時間加熱した後にひきつづき１５０℃２時間加熱するような段階的に温度を変化させながら加熱硬化を行ってもよい。
封止樹脂組成物４を形成するための封止樹脂組成物４の粘度は、５０Ｐａ・ｓｅｃ以下（２５℃）とするのが望ましい。また、封止樹脂組成物４を注入する時の封止樹脂組成物４の粘度は、２Ｐａ・ｓｅｃ以下とするのが望ましい。注入時の温度は、６０〜１４０℃で、より好ましくは１００〜１２０℃である。
【実施例】
【０１０８】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
１．絶縁層に用いる材料の硬化物の物性試験
絶縁層に用いる材料として以下の材料を用いた。【０１０９】
（１）樹脂ワニスの調製
弾性率の低い第１絶縁層の材料については、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）４９．７重量部、フェノキシ樹脂／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している（ジャパンエポキシレジン株式会社製、ＹＸ−８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）１０重量部、イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材／球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒子径０．５μｍ）４０重量部とカップリング剤／エポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニス（ａ）を調製した。
弾性率の高い第２絶縁層の材料についてノボラック型シアネート樹脂（ロンザジャパン株式会社製、プリマセットＰＴ−３０、重量平均分子量約７００）２５重量部、ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、ＮＣ−３０００、エポキシ当量２７５、重量平均分子量２０００）２４．７重量部、フェノキシ樹脂／ビフェニルエポキシ樹脂とビスフェノールＳエポキシ樹脂との共重合体であり、末端部はエポキシ基を有している（ジャパンエポキシレジン株式会社製、ＹＸ−８１００Ｈ３０、重量平均分子量３００００）１０重量部、イミダゾール化合物（四国化成工業株式会社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ（１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール））０．１重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。さらに、無機充填材／球状溶融シリカ（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−２５Ｒ、平均粒子径０．５μｍ）４０重量部とカップリング剤／エポキシシランカップリング剤（ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、Ａ−１８７）０．２重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて１０分間攪拌して、固形分５０重量％の樹脂ワニス（ｂ）を調製した。【０１１０】
（２）絶縁層に用いる材料の作製
上記で得られた各樹脂ワニスを、厚さ２５μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂層の厚さが所定の厚さとなるように塗工し、これを１６０℃の乾燥装置で１０分間乾燥して、絶縁層を作製した。作製した絶縁層をそれぞれ第１絶縁層（ａ）、第２絶縁層（ｂ）とした。【０１１１】
［ガラス転移温度および弾性率］
上記で得られた第１絶縁層（ａ）、第２絶縁層（ｂ）を用いて、常圧ラミネーターで８０μｍ厚の絶縁層を作製し、２００℃、２時間で硬化した。この樹脂硬化物から試験片５ｍｍ×３０ｍｍの評価用試料を採取した。動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）（セイコーインスツルメント社製  ＤＭＳ６１００）を用いて、５℃／分で昇温しながら、周波数１０Ｈｚの歪みを与えて動的粘弾性の測定を行い、ｔａｎδのピーク値からガラス転移温度（Ｔｇ）を判定し、また測定より２５℃での弾性率を求めた。【０１１２】
［線膨張係数］
上記で得られた樹脂硬化物から４ｍｍ×２０ｍｍの評価用試料を採取した。
ＴＭＡ装置（ＴＭＡ）（ＴＡインスツルメント社製）を用いて、１０℃／分で昇温して測定しガラス転移温度以下における線膨張係数を算出した。【０１１３】
【表１】
2009122680.tif 000005
【０１１４】
２．多層回路基板の構成
上記、絶縁層を用いて評価用多層回路基板をセミアディティブ法により作製した。この評価用多層回路基板は、コア材（住友ベークライト株式会社スミライトＥＬＣ−４７８５ＧＳ  ０．２０ｍｍｔ）の両側にそれぞれ３層の絶縁層および導体回路層が積層された導体回路８層の多層回路基板とした。内層配線はコア層にスルーホールを有し、そのスルーホールの両側に３段のスタックドビアを配し、半導体チップ搭載面の電極パッドとスルーホールの両側に形成されたスタックドビアが直線的に接続された内層配線構造を有し、多層回路基板のサイズは５０ｍｍ×５０ｍｍ、前記電極パッドにはＮｉ／Ａｕメッキが施され、フリップチップ接続される電極パッドにはさらにプレソルダ（錫９６．５％銀３％銅０．５％）を施した。
前記構成にて、多層回路基板Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、およびＦを作製した。【０１１５】
多層回路基板Ａは、層間絶縁層として低弾性率の第１絶縁層と高弾性率の第２絶縁層を用いた。具体的には、前記作製した樹脂ワニス（ａ）と（ｂ）を用いてＰＥＴフィルム上に１０μｍ厚の低弾性率の第１絶縁層と、２０μｍ厚の高弾性率の第２絶縁層とを別々に作製し、これらを各回路層間のビルドアップ工程時に低弾性率の第１絶縁層（ａ）、高弾性率の第２絶縁層（ｂ）、低弾性率の第１絶縁層（ａ）の順に積層した。この層間絶縁層を層間絶縁層（１）（第１層間絶縁層）とした。この層間絶縁層（１）に導体回路層の作製を行い、さらに、層間絶縁層（１）および導体回路層を作製して導体回路層８層の多層回路基板とした。多層回路基板総厚は０．６９ｍｍであった。【０１１６】
多層回路基板Ｂは、多層回路基板Ａで作製した層間絶縁層（１）と高弾性率の第２絶縁層（ｂ）のみの厚さ４０μｍの層間絶縁層（２）（第２層間絶縁層）を用いて、多層回路基板Ａと同様に作製した。前記作製した樹脂ワニス（ｂ）を用いてＰＥＴフィルム上に４０μｍ厚の層間絶縁層（２）を作製し、これらを各回路層間のビルドアップ工程時にコア層の上下各１層を層間絶縁層（１）、層間絶縁層（１）の上下各２層を層間絶縁層（２）として用いた。多層回路基板総厚は０．６９ｍｍであった。【０１１７】
多層回路基板Ｃは、多層回路基板Ｂと同じ層間絶縁層（１）と層間絶縁層（２）を用いて、コア層５の上下各２層を層間絶縁層（２）、層間絶縁層（２）の上下各１層を層間絶縁層（１）とし、多層回路基板Ｂと同様に作製した。多層回路基板総厚は０．６９ｍｍであった。【０１１８】
多層回路基板Ｄは、多層回路基板Ｂと同じ層間絶縁層（１）と層間絶縁層（２）を用いて、コア層５の上下各１層を層間絶縁層（２）、層間絶縁層（２）の上下各２層を層間絶縁層（１）とし、多層回路基板Ｂと同様に作製した。多層回路基板総厚は０．６９ｍｍであった。【０１１９】
多層回路基板Ｆは、絶縁層として４０μｍ厚さの層間絶縁層（２）のみを用いて、多層回路基板Ａと同様に作製した。多層回路基板総厚は０．６９ｍｍであった。【０１２０】
多層回路基板Ｅは、セミアディティブ法によりコア層なしの多層回路基板を作製した。具体的には、ピーラブル銅箔ＹＳＮＡＰ（日本電解）を両面に設けた総厚０．８ｍｍの両面板（住友ベークライト株式会社スミライトＥＬＣ−４７８５ＧＳ）をベースボードとして、その片側にビルドアップ工法により、絶縁層として上記層間絶縁層（１）を用いた。層間絶縁層（１）の上に導体回路層の作製を行い、これを６回繰り返して多層構造とした。最後にベースボードをピーラブル銅箔のところで剥離除去し、さらに多層回路基板側に残ったピーラブル銅層をエッチング除去して多層回路基板Ｅを得た。多層回路基板の総厚は０．４ｍｍであった。【０１２１】
多層回路基板Ｇは、上記多層回路基板Ｅで用いた層間絶縁層（１）を層間絶縁層（２）とした以外は多層回路基板Ｅと同様に作製した。【０１２２】
３．半導体パッケージの構成
上記作製した多層回路基板Ａ〜Ｇを用いて、フリップチップ実装による半導体パッケージＡ〜Ｇを作製した。半導体チップサイズ１５ｍｍ×１５ｍｍ、半導体チップ厚さ７２５μｍ、バンプサイズ１００μｍ、バンプピッチ２００μｍの半導体チップをフリップチップ搭載し、アンダーフィル材として住友ベークライト株式会社スミレジンエクセルＣＲＰ−４１６０を用いた。【０１２３】
４．反り評価
レーザー３次元形状測定機（株式会社日立テクノロジーアンドサービス  ＬＳ２２０−ＭＴ）を用いて、上記作製した多層回路基板Ａ〜Ｇおよび半導体パッケージＡ〜Ｇについて、常温における反りの測定を行い、実施例１〜５、比較例１〜２として表２に、その結果を示した。測定範囲は半導体チップサイズと同じ１５ｍｍ×１５ｍｍの範囲で、半導体チップ搭載面とは反対側のＢＧＡ面にレーザーを当てて測定を行い、レーザーヘッドからの距離が、最遠点と最近点の差を反り値とした。【０１２４】
【表２】
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○：６０μｍ未満の反り、×：６０μｍ以上の反り【０１２５】
以上の結果より、層間絶縁層に弾性率の異なる複数の絶縁層を用いることにより、多層回路基板の層間絶縁層の特性を変えることで、多層回路基板全体の反りおよび半導体パッケージの反りを改善することができた。これにより、半導体チップ実装の歩留向上と半導体パッケージ信頼性向上が可能となる。【０１２６】
この出願は、２００８年３月３１日に出願された日本出願特願２００８−０９２０２８を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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