(57)【要約】  ライトペンの位置座標を検出するための放電を安定に発生させ、位置座標を精度良く検出する。そのために、画像表示装置の駆動方法において、１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、ｘ座標検出サブフィールドを備える。そして、ｘ座標検出サブフィールドに上り傾斜電圧と下り傾斜電圧を走査電極に印加する初期化期間を設け、ｘ座標検出サブフィールドをｙ座標検出サブフィールドの直後に発生する。
2013084377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査電極および維持電極と複数のデータ電極とを有する画像表示部を備えた画像表示装置の駆動方法であって、
１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、およびｘ座標検出サブフィールドを備え、
前記ｙ座標検出サブフィールドでは前記データ電極にｙ座標検出電圧を印加するとともに前記走査電極にｙ座標検出パルスを順次印加し、
前記ｘ座標検出サブフィールドでは前記走査電極にｘ座標検出電圧を印加するとともに前記データ電極にｘ座標検出パルスを順次印加し、
前記ｘ座標検出サブフィールドは、前記ｙ座標検出サブフィールドに続いて発生するとともに、上り傾斜電圧と下り傾斜電圧を前記走査電極に印加する初期化期間を有する
ことを特徴とする画像表示装置の駆動方法。
【請求項２】
前記画像表示サブフィールド群において最後に発生する画像表示サブフィールドは、輝度重みが最も大きい画像表示サブフィールド以外の画像表示サブフィールドである
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項３】
前記画像表示サブフィールド群において、最初に発生する画像表示サブフィールドの輝度重みを最も小さくし、次に発生する画像表示サブフィールドの輝度重みを最も大きくし、以降の画像表示サブフィールドは輝度重みを順次小さくする
ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項４】
前記ｘ座標検出サブフィールドの初期化期間に前記走査電極に印加する前記下り傾斜電圧の最低電圧を、前記画像表示サブフィールドの初期化期間に前記走査電極に印加する下り傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧に設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の駆動方法。
【請求項５】
複数の走査電極および維持電極と複数のデータ電極とを有する画像表示部と、１フィールドを複数のサブフィールドで構成して前記画像表示部を駆動する駆動回路とを備えた画像表示装置であって、
前記駆動回路は、
前記１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、およびｘ座標検出サブフィールドを備えて前記画像表示部に画像を表示し、
前記ｙ座標検出サブフィールドでは前記データ電極にｙ座標検出電圧を印加するとともに前記走査電極にｙ座標検出パルスを順次印加し、
前記ｘ座標検出サブフィールドでは前記走査電極にｘ座標検出電圧を印加するとともに前記データ電極にｘ座標検出パルスを順次印加し、
前記ｘ座標検出サブフィールドは、前記ｙ座標検出サブフィールドに続いて発生するとともに、上り傾斜電圧と下り傾斜電圧を前記走査電極に印加する初期化期間を有する
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、
前記画像表示サブフィールド群において、最後に発生する画像表示サブフィールドを輝度重みが最も大きい画像表示サブフィールド以外の画像表示サブフィールドとする
ことを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、
前記ｘ座標検出サブフィールドの初期化期間に前記走査電極に印加する前記下り傾斜電圧の最低電圧を、前記画像表示サブフィールドの初期化期間に前記走査電極に印加する下り傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧にする
ことを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項８】
複数の走査電極および維持電極と複数のデータ電極とを有する画像表示部を有する画像表示装置と、ライトペンとを備えた画像表示システムであって、
当該画像表示システムは、座標算出回路および描画回路を有し、
前記画像表示装置は、１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、およびｘ座標検出サブフィールドを備えて前記画像表示部に画像を表示し、前記ｙ座標検出サブフィールドでは前記データ電極にｙ座標検出電圧を印加するとともに前記走査電極にｙ座標検出パルスを順次印加し、前記ｘ座標検出サブフィールドでは前記走査電極にｘ座標検出電圧を印加するとともに前記データ電極にｘ座標検出パルスを順次印加し、
前記ライトペンは、前記ｙ座標検出サブフィールドにおいて前記画像表示部に生じる発光、および前記ｘ座標検出サブフィールドにおいて前記画像表示部に生じる発光を受光して受光信号を出力し、
前記座標算出回路は、前記受光信号にもとづき、前記ｙ座標検出サブフィールドにおいて前記画像表示部に生じる発光のうちの前記ライトペンが受光する発光の位置を表す座標、および前記ｘ座標検出サブフィールドにおいて前記画像表示部に生じる発光のうちの前記ライトペンが受光する発光の位置を表す座標を算出し、
前記描画回路は、前記座標算出回路が算出した座標にもとづく画像を前記画像表示部に表示するための描画信号を作成し、
前記画像表示装置は、前記描画信号にもとづく画像を前記画像表示部に表示するとともに、前記ｙ座標検出サブフィールドに続いて前記ｘ座標検出サブフィールドを発生し、上り傾斜電圧と下り傾斜電圧を前記走査電極に印加する初期化期間を前記ｘ座標検出サブフィールドに設ける
ことを特徴とする画像表示システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素を構成する複数の発光素子における発光と非発光の２値制御を組み合わせて画像表示領域に画像を表示する画像表示装置の駆動方法、画像表示装置、およびライトペンを用いて画像表示装置に文字や図画の手書き入力ができる画像表示システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
画素を構成する複数の発光素子のそれぞれにおける発光と非発光の２値制御を組み合わせて画像表示領域に画像を表示する画像表示装置として代表的なものにプラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）がある。【０００３】
パネルは、対向配置された前面基板と背面基板との間に、画素を構成する発光素子である放電セルが多数形成されている。【０００４】
前面基板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面側のガラス基板上に互いに平行に複数対形成されている。背面基板は、背面側のガラス基板上に互いに平行なデータ電極が複数形成されている。【０００５】
各放電セル内には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）のいずれかの蛍光体が塗布され、放電ガスが封入されている。そして、各放電セルでは、ガス放電を起こすことで紫外線を発生し、この紫外線で蛍光体を励起発光する。【０００６】
発光素子における発光と非発光との２値制御を組み合わせてパネルの画像表示領域に画像を表示する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。【０００７】
サブフィールド法では、１フィールドを、発光輝度が互いに異なる複数のサブフィールドに分割する。そして、各放電セルでは、表示すべき階調値に応じた組合せで各サブフィールドの発光・非発光を制御する。これにより各放電セルが表示すべき階調値に応じた明るさで発光し、パネルの画像表示領域に、様々な階調値の組合せで構成されたカラーの画像が表示される。【０００８】
このような画像表示装置には、「ライトペン」と呼ばれるポインティングデバイスを使用して、パネル上に、文字や図画を手書き入力することができる機能を有するものがある。【０００９】
ライトペンを用いた手書き入力機能を実現するために、画像表示領域内におけるライトペンの位置を検出する技術が開示されている。以下、画像表示領域内におけるライトペンの位置を表す座標を「位置座標」と記す。【００１０】
例えば、特許文献１に記載されたプラズマディスプレイ装置では、横座標検出用パターンを表示する横座標検出サブフィールドを１フィールド内に設ける。そして、この横座標検出サブフィールドの発光をライトペンで検出し、その発光が検出されたタイミングにもとづきライトペンの位置（横座標）を検出する。【００１１】
また、特許文献２に記載されたプラズマディスプレイ装置では、位置座標検出用の光信号を発生する位置検出期間を、ライトペンの位置座標を検出するときのみ１フィールド内に設ける。そして、この光信号をライトペンで検出し、その光信号が検出されたタイミングにもとづきライトペンの位置座標を検出する。【００１２】
また、パネルに用いられている蛍光体は、蛍光体の材料に依存した残光特性を有する。この残光とは、放電終了後も蛍光体が発光を持続する現象のことである。そして、維持放電を終了した後も数ｍｓｅｃの間は残光が持続するという特性を有する蛍光体材料も存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開昭５０−１０８８３８号公報
【特許文献２】特開２００１−３１８７６５号公報
【発明の概要】
【００１４】
本開示における画像表示装置は、複数の走査電極および維持電極と複数のデータ電極とを有する画像表示部と、１フィールドを複数のサブフィールドで構成して画像表示部を駆動する駆動回路とを備える。この画像表示装置において、駆動回路は、１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、およびｘ座標検出サブフィールドを備えて画像表示部に画像を表示する。駆動回路は、ｙ座標検出サブフィールドではデータ電極にｙ座標検出電圧を印加するとともに走査電極にｙ座標検出パルスを順次印加する。ｘ座標検出サブフィールドでは走査電極にｘ座標検出電圧を印加するとともにデータ電極にｘ座標検出パルスを順次印加する。そして、ｘ座標検出サブフィールドは、ｙ座標検出サブフィールドに続いて発生するとともに、上り傾斜電圧と下り傾斜電圧を前記走査電極に印加する初期化期間を有する。
【００１５】
これにより、ライトペンの位置座標を検出するための放電を安定に発生させ、ライトペンの位置座標を精度良く検出することができる。
【００１６】
この画像表示装置では、画像表示サブフィールド群において最後に発生する画像表示サブフィールドを輝度重みが最も大きい画像表示サブフィールド以外の画像表示サブフィールドとしてもよい。
【００１７】
この画像表示装置では、ｘ座標検出サブフィールドの初期化期間に走査電極に印加する下り傾斜電圧の最低電圧を、画像表示サブフィールドの初期化期間に走査電極に印加する下り傾斜電圧の最低電圧よりも高い電圧にしてもよい。
【００１８】
本開示における画像表示システムは、複数の走査電極および維持電極と複数のデータ電極とを有する画像表示部を有する画像表示装置と、ライトペンとを備える。さらに、この画像表示システムは、座標算出回路および描画回路を有する。この画像表示装置は、１フィールドに、画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールド、およびｘ座標検出サブフィールドを備えて画像表示部に画像を表示する。ｙ座標検出サブフィールドではデータ電極にｙ座標検出電圧を印加するとともに走査電極にｙ座標検出パルスを順次印加し、ｘ座標検出サブフィールドでは走査電極にｘ座標検出電圧を印加するとともにデータ電極にｘ座標検出パルスを順次印加する。ライトペンは、ｙ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部に生じる発光、およびｘ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部に生じる発光を受光して受光信号を出力する。座標算出回路は、受光信号にもとづき、ｙ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部に生じる発光のうちのライトペンが受光する発光の位置を表す座標、およびｘ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部に生じる発光のうちのライトペンが受光する発光の位置を表す座標を算出する。描画回路は、座標算出回路が算出した座標にもとづく画像を画像表示部に表示するための描画信号を作成する。画像表示装置は、描画信号にもとづく画像を画像表示部に表示する。
【００１９】
これにより、ライトペンの位置座標を検出するための放電を安定に発生させ、ライトペンの位置座標を精度良く検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造の一例を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列の一例を示す図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１における画像表示サブフィールドにおいてパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘにおいてパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置を構成する回路ブロックおよびプラズマディスプレイシステムの一例を概略的に示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を概略的に示す回路図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の維持電極駆動回路の一構成例を概略的に示す回路図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置のデータ電極駆動回路の一構成例を概略的に示す回路図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステムにおいてライトペンの位置座標を検出するときの動作の一例を概略的に示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステムにおいてライトペンの位置座標を検出するときの駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステムにおいてライトペンによる手書き入力を行うときの動作の一例を概略的に示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置においてパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置を構成する回路ブロックおよびプラズマディスプレイシステムの一例を概略的に示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置においてパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態４におけるプラズマディスプレイ装置においてパネルの各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態における画像表示装置および画像表示システムについて、図面を用いて説明する。なお、以下の実施の形態では、画像表示装置および画像表示システムの一例として、プラズマディスプレイパネルを有するプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイシステムの説明を行う。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの構造の一例を示す分解斜視図である。
【００２３】
ガラス製の前面基板１１上には、走査電極１２と維持電極１３とからなる表示電極対１４が複数形成されている。そして、表示電極対１４を覆うように誘電体層１５が形成され、その誘電体層１５上に保護層１６が形成されている。前面基板１１は画像が表示される画像表示面となる。
【００２４】
背面基板２１上にはデータ電極２２が複数形成され、データ電極２２を覆うように誘電体層２３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁２４が形成されている。そして、隔壁２４の側面および誘電体層２３の表面には赤色（Ｒ）に発光する蛍光体層２５Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する蛍光体層２５Ｇ、および青色（Ｂ）に発光する蛍光体層２５Ｂが設けられている。以下、蛍光体層２５Ｒ、蛍光体層２５Ｇ、蛍光体層２５Ｂをまとめて蛍光体層２５とも記す。
【００２５】
本実施の形態においては、青色蛍光体としてＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを用い、緑色蛍光体としてＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを用い、赤色蛍光体として（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕを用いている。しかし、本発明は蛍光体層２５を形成する蛍光体が何ら上述の蛍光体に限定されるものではない。
【００２６】
これら前面基板１１と背面基板２１とを、微小な空間を挟んで表示電極対１４とデータ電極２２とが交差するように対向配置し、前面基板１１と背面基板２１との間隙に放電空間を設ける。そして、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着する。その放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスを放電ガスとして封入する。
【００２７】
放電空間は隔壁２４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対１４とデータ電極２２とが交差する部分に、画素を構成する発光素子である放電セルが形成される。
【００２８】
そして、これらの放電セルで放電を発生し、蛍光体層２５を発光（放電セルを点灯）することにより、パネル１０にカラーの画像を表示する。
【００２９】
なお、パネル１０においては、表示電極対１４が延伸する方向に配列された連続する３つの放電セルで１つの画素を構成する。この３つの放電セルとは、蛍光体層２５Ｒを有し赤色（Ｒ）に発光する放電セル（以下、「赤の放電セル」、または「赤のピクセル」と記す）と、蛍光体層２５Ｇを有し緑色（Ｇ）に発光する放電セル（以下、「緑の放電セル」、または「緑のピクセル」と記す）と、蛍光体層２５Ｂを有し青色（Ｂ）に発光する放電セル（以下、「青の放電セル」、または「青のピクセル」と記す）である。
【００３０】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
【００３１】
図２は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置に用いるパネルの電極配列の一例を示す図である。
【００３２】
パネル１０には、第１の方向に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極１２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極１３）が配列され、第１の方向に交差する第２の方向に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極２２）が配列されている。
【００３３】
以下、第１の方向を行方向（または水平方向、またはライン方向）と呼称し、第２の方向を列方向（または垂直方向）と呼称する。
【００３４】
そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した領域に発光素子としての放電セルが１つ形成される。すなわち、１対の表示電極対１４上には、ｍ個の放電セルが形成され、ｍ／３個の画素が形成される。そして、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成され、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の画像表示領域となる。例えば、画素数が１９２０×１０８０個のパネルでは、ｍ＝１９２０×３＝５７６０となり、ｎ＝１０８０となる。
【００３５】
例えば、データ電極Ｄｐ（ｐ＝３×ｑ−２  ：  ｑはｍ／３以下の正の整数）を有する放電セルには赤の蛍光体が蛍光体層２５Ｒとして塗布されており、この放電セルは赤の放電セルとなる。データ電極Ｄｐ＋１を有する放電セルには緑の蛍光体が蛍光体層２５Ｇとして塗布されており、この放電セルは緑の放電セルとなる。データ電極Ｄｐ＋２を有する放電セルには青の蛍光体が蛍光体層２５Ｂとして塗布されており、この放電セルは青の放電セルとなる。そして、互いに隣接する赤の放電セル、緑の放電セルおよび青の放電セルが一組となって１つの画素を構成する。
【００３６】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置において発生する駆動電圧波形について説明する。
【００３７】
本実施の形態においては、１フィールドに、パネル１０に画像を表示するための複数の画像表示サブフィールドからなる画像表示サブフィールド群、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘが備えられている。以下、画像表示サブフィールドを単にサブフィールドとも記す。
【００３８】
画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【００３９】
初期化期間では、各放電セルに初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を放電セル内に形成する。加えて、書込み動作に必要なプライミング粒子（放電の発生を補助する荷電粒子）を放電セル内に発生する。書込み期間では、発光を行うべき放電セルに書込み放電を発生する。維持期間では、走査電極と維持電極とに交互に維持パルスを印加し、書込み放電を発生した放電セルに維持放電を発生させる。
【００４０】
初期化期間における初期化動作には、「強制初期化動作」と「選択初期化動作」があり、発生する駆動電圧波形が互いに異なる。強制初期化動作では、直前のサブフィールドでの放電の有無にかかわらず放電セルに強制的に初期化放電を発生する。選択初期化動作では、直前のサブフィールドの書込み期間で書込み放電を発生した放電セルだけに選択的に初期化放電を発生する。
【００４１】
本実施の形態では、画像表示サブフィールド群を構成する複数のサブフィールドのうち、最初のサブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１）を強制初期化動作を行うサブフィールド（強制初期化サブフィールド）とし、他のサブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ２以降のサブフィールド）を選択初期化動作を行うサブフィールド（選択初期化サブフィールド）とする例を説明する。
【００４２】
また、画像表示サブフィールド群においては、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定する。本実施の形態では、画像表示サブフィールド群を８つのサブフィールド（サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）で構成し、各サブフィールドにそれぞれ（１、２、３、５、８、１３、２１、３４）の輝度重みを設定する例を説明する。
【００４３】
画像表示領域内におけるライトペンの位置は、ｘ座標とｙ座標で表される。ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙは、画像表示領域内におけるライトペンの位置のｙ座標を検出するためのサブフィールドであり、初期化期間Ｐｉｙとｙ座標検出期間Ｐｙを有する。ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘは、画像表示領域内におけるライトペンの位置のｘ座標を検出するためのサブフィールドであり、初期化期間Ｐｉｘとｘ座標検出期間Ｐｘとを有する。
【００４４】
本実施の形態では、１フィールドにおいて、画像表示サブフィールド群（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの順番で各サブフィールドが発生する例を説明する。
【００４５】
なお、本実施の形態では、各フィールドにｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを設ける例を説明するが、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘは、必ずしも毎フィールドに設けなくともよい。例えば、映像信号やプラズマディスプレイ装置の使用状態等に応じて、複数フィールドに１回の割合でｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを発生する構成としてもよい。
【００４６】
まず、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールドについて説明する。
【００４７】
図３は、本発明の実施の形態１における画像表示サブフィールドにおいてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【００４８】
図３には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍ（例えば、データ電極Ｄ５７６０）のそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００４９】
また、図３には、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ３の各サブフィールドにおける駆動電圧波形を示す。
【００５０】
強制初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１と、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２以降のサブフィールドとでは、初期化期間に走査電極２２に印加する駆動電圧の波形形状が異なる。
【００５１】
なお、サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドは、維持パルスの発生数を除き、サブフィールドＳＦ２とほぼ同様の駆動電圧波形を発生する。
【００５２】
まず、強制初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ１について説明する。
【００５３】
強制初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１の前半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに、それぞれ電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、電圧０（Ｖ）から正極性の電圧Ｖｉ２まで２回に分けて上昇する上り傾斜電圧を印加する。また、２回目の上り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するときに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性の電圧Ｖｄを印加する。
【００５４】
電圧Ｖｉ２は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００５５】
この上り傾斜電圧が上昇する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。
【００５６】
そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上には正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、書込み放電の発生を補助するプライミング粒子が放電セル内に発生する。この電極上の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００５７】
なお、２回目の上り傾斜電圧を放電セルに印加するときに強放電が発生するのを防止するため、図３に示すように、２回目の上り傾斜電圧の開始電圧を１回目の上り傾斜電圧の最大電圧以下の電圧値に設定することが望ましい。
【００５８】
なお、図３には、上り傾斜電圧を２回に分けて発生する構成を示したが、この上り傾斜電圧は、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２まで連続して上昇する波形形状であってもよい。
【００５９】
なお、図３に示すように、２回目の上り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するときにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性の電圧Ｖｄを印加すると、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間の放電を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間の放電よりも先に発生させることができるので、初期化放電を安定に発生させることができる。しかし、２回目の上り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するときにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する電圧は、電圧Ｖｄ以外の電圧（例えば、電圧０（Ｖ））であってもよい。
【００６０】
サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１の後半部では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには第２の電圧である電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第４の電圧である正極性の電圧Ｖｅを印加する。
【００６１】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から負極性の電圧Ｖｉ４まで緩やかに下降する第２の下り傾斜電圧（以下、単に「下り傾斜電圧」とも記す）を印加する。電圧Ｖｉ３は、電圧Ｖｉ２よりも低い電圧で、かつ維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧に設定する。電圧Ｖｉ４は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【００６２】
この下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。これにより、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上の負極性の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上の正極性の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正極性の壁電圧は、続く書込み期間Ｐｗ１での書込み動作に適した電圧に調整される。また、プライミング粒子が放電セル内に発生する。
【００６３】
以上により、強制初期化サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）の初期化期間Ｐｉ１における強制初期化動作が終了する。そして、この初期化期間Ｐｉ１では、パネル１０の画像表示領域における全ての放電セルで強制的に初期化放電を発生する。
【００６４】
次に、書込み期間Ｐｗ１について説明する。
【００６５】
サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｐｗ１では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。
【００６６】
次に、１行目の走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａの負極性の走査パルスを印加する。そして、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのうちの１行目において発光するべき放電セルのデータ電極Ｄｋに正の電圧Ｖｄの正極性の書込みパルスを印加する。
【００６７】
なお、本実施の形態では、走査電極ＳＣ１に電圧Ｖｃを印加してから電圧Ｖａの走査パルスを印加するまでの期間をＴｗ０とし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加する時間（走査パルスの幅のことであり、データ電極Ｄｋに印加する書込みパルスの幅もこれにほぼ等しい）をＴｗ１とする。本実施の形態では、期間Ｔｗ０は、例えば約５０μｓｅｃであり、Ｔｗ１は、例えば約１μｓｅｃである。
【００６８】
書込みパルスの電圧Ｖｄを印加したデータ電極Ｄｋと走査パルスの電圧Ｖａを印加した走査電極ＳＣ１との交差部にある放電セルでは、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生し、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間にも放電が発生する。こうして、走査パルスの電圧Ｖａと書込みパルスの電圧Ｖｄとが同時に印加された放電セル（発光するべき放電セル）に書込み放電が発生する。
【００６９】
書込み放電が発生した放電セルでは、走査電極ＳＣ１上に正極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負極性の壁電圧が蓄積される。
【００７０】
このようにして、１行目の放電セルにおける書込み動作が終了する。なお、書込みパルスを印加しなかった放電セルでは、データ電極Ｄｈ（データ電極Ｄｈはデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのうちデータ電極Ｄｋを除いたもの）と走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【００７１】
次に、２行目の走査電極ＳＣ２に電圧Ｖａの走査パルスを印加するとともに、２行目に発光するべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに電圧Ｖｄの書込みパルスを印加する。これにより、走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生する。書込みパルスが印加されなかった放電セルでは書込み放電は発生しない。こうして、２行目の放電セルにおける書込み動作を行う。
【００７２】
同様の書込み動作を、走査電極ＳＣ３、走査電極ＳＣ４、・・・、走査電極ＳＣｎという順番で、ｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｐｗ１が終了する。このように、書込み期間Ｐｗ１では、発光するべき放電セルに選択的に書込み放電を発生し、その放電セルに維持放電のための壁電荷を形成する。
【００７３】
以上により、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｐｗ１における書込み動作が終了する。なお、本発明は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに走査パルスを印加する順番が何ら上述した順番に限定されるものではない。走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに走査パルスを印加する順番は、画像表示装置における仕様等に応じて任意に設定すればよい。
【００７４】
次に、維持期間Ｐｓ１について説明する。
【００７５】
サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに正極性の電圧Ｖｓの維持パルスを印加するとともに、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加する。
【００７６】
この維持パルスの印加により、直前の書込み期間Ｐｗ１に書込み放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が発生する。そして、維持放電によって発生した紫外線により、この放電セルの蛍光体層２５が発光する。
【００７７】
また、この維持放電により、走査電極ＳＣｉ上に負極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、データ電極Ｄｋ上にも正極性の壁電圧が蓄積される。ただし、直前の書込み期間Ｐｗ１において書込み放電が発生しなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間Ｐｉ１の終了時における壁電圧が保たれる。
【００７８】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｓの維持パルスを印加する。直前に維持放電を発生した放電セルでは再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負極性の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正極性の壁電圧が蓄積される。
【００７９】
以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに、輝度重みに所定の輝度倍数を乗じた数の維持パルスを交互に印加する。こうして、直前の書込み期間Ｐｗ１において書込み放電を発生した放電セルは、輝度重みに応じた回数の維持放電が発生し、輝度重みに応じた輝度で発光する。
【００８０】
そして、維持期間Ｐｓ１において維持パルスの発生後（維持期間Ｐｓ１において維持動作が終了した後）には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒまで緩やかに上昇する上り傾斜電圧を印加する。
【００８１】
電圧Ｖｒを放電開始電圧を超える電圧に設定することで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに上り傾斜電圧を印加する間に、維持放電を発生した放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電（消去放電）が持続して発生する。
【００８２】
これにより、データ電極Ｄｋ上の正極性の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。こうして、放電セル内における不要な壁電荷が消去される。
【００８３】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する電圧は、電圧Ｖｒに到達した後、電圧０（Ｖ）まで下降する。こうして、消去動作が終了し、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１が終了する。
【００８４】
以上により、サブフィールドＳＦ１が終了する。
【００８５】
次に、選択初期化サブフィールドについてサブフィールドＳＦ２を例に挙げて説明する。
【００８６】
サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｐｉ２では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには第２の電圧である電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第４の電圧である電圧Ｖｅを印加する。
【００８７】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、放電開始電圧未満となる電圧（例えば、電圧０（Ｖ））から負極性の電圧Ｖｉ４まで下降する下り傾斜電圧を印加する。この下り傾斜電圧は、初期化期間Ｐｉ１で発生した下り傾斜電圧と同じ勾配で同じ電圧Ｖｉ４まで下降する波形形状を有する。したがって、本実施の形態では、この下り傾斜電圧も第２の下り傾斜電圧とする。
【００８８】
この下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する間に、直前のサブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１で維持放電を発生した放電セルでは、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間、および走査電極ＳＣｉとデータ電極Ｄｋとの間に微弱な初期化放電が発生する。
【００８９】
この初期化放電により、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に蓄積された正極性の壁電圧は、過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。また、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。こうして、放電セル内の壁電圧は、続く書込み期間Ｐｗ２における書込み動作に適した壁電圧に調整される。さらに、書込み放電の発生を補助するプライミング粒子が放電セル内に発生する。
【００９０】
一方、直前のサブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１終了時における壁電圧が保たれる。
【００９１】
このように、サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｐｉ２では、直前のサブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｐｗ１で書込み動作を行った放電セル（すなわち、維持期間Ｐｓ１で維持動作を行った放電セル）に選択的に初期化放電を発生する選択初期化動作を行う。
【００９２】
以上により、選択初期化サブフィールドであるサブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｐｉ２における選択初期化動作が終了する。
【００９３】
サブフィールドＳＦ２の書込み期間Ｐｗ２は、サブフィールドＳＦ１の書込み期間Ｐｗ１と同様に、発光すべき放電セルに書込み放電を発生するための駆動電圧波形を各電極に印加する。続く維持期間Ｐｓ２も、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１と同様に、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に印加する。
【００９４】
サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドでも、輝度重みに応じた数の維持パルスを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互に印加する。また、サブフィールドＳＦ３以降の各サブフィールドでは、維持期間に発生する維持パルスの数を除き、サブフィールドＳＦ２と同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。
【００９５】
なお、本実施の形態では、強制初期化動作を行うサブフィールドをサブフィールドＳＦ１とする例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されない。強制初期化動作を行うサブフィールドはサブフィールドＳＦ２以降のサブフィールドであってもよい。
【００９６】
なお、本実施の形態では、強制初期化動作を１フィールドに１回行う例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されない。強制初期化動作を行う回数は複数フィールドに１回であってもよい。
【００９７】
以上が画像表示サブフィールドにおける駆動電圧波形の概要である。
【００９８】
次に、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘについて説明する。
【００９９】
図４は、本発明の実施の形態１におけるｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘにおいてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【０１００】
図４には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。また、図４には、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの直前のサブフィールドＳＦ８の維持期間Ｐｓ８の一部、およびサブフィールドＳＦ１の一部もあわせて示す。
【０１０１】
なお、本実施の形態では、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８が終了した後に、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを発生する例を説明するが、本発明は各サブフィールドの発生順が何らこの順番に限定されるものではない。例えば、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの後に画像表示サブフィールド群を発生してもよい。
【０１０２】
まず、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙについて説明する。
【０１０３】
ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙでは、サブフィールドＳＦ２の初期化期間Ｐｉ２と同様に、選択初期化動作を行う。すなわち、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、電圧０（Ｖ））から負極性の電圧Ｖｉ４まで下降する下り傾斜電圧を印加する。
【０１０４】
これにより、直前のサブフィールドＳＦ８の維持期間Ｐｓ８に維持放電を発生した放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧が弱められる。また、直前の維持放電によってデータ電極Ｄｋ上に蓄積された正極性の壁電圧の過剰な部分が放電される。こうして、放電セル内の壁電圧は、続くｙ座標検出期間Ｐｙにおけるｙ座標検出パターン表示動作に適した壁電圧に調整される。さらに、ｙ座標検出期間Ｐｙにおいて発生する放電の発生を補助するプライミング粒子が放電セル内に発生する。
【０１０５】
一方、直前のサブフィールドＳＦ８の維持期間Ｐｓ８に維持放電を発生しなかった放電セルでは、初期化放電は発生せず、サブフィールドＳＦ８の初期化期間Ｐｉ８終了時における壁電圧が保たれる。
【０１０６】
以上により、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙにおける選択初期化動作が終了する。
【０１０７】
次に、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙについて説明する。
【０１０８】
ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙでは、まず、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。そして、ｙ座標検出待機期間である期間Ｔｙ０の間、この状態を維持する。
【０１０９】
本実施の形態において、ｙ座標検出待機期間Ｔｙ０は、図３に示した画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールドの各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに走査パルスを印加するまでの期間Ｔｗ０よりも長い時間であり、例えば、約７００μｓｅｃに設定されている。
【０１１０】
ｙ座標検出待機期間Ｔｙ０の後、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには正極性のｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加し、１行目の走査電極ＳＣ１には電圧Ｖａｙの負極性のｙ座標検出パルスを印加する。ｙ座標検出電圧Ｖｄｙは電圧０（Ｖ）よりも高い電圧であり、ｙ座標検出パルスの電圧Ｖａｙは電圧Ｖｃよりも低い負極性の電圧である。
【０１１１】
ｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加したデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと、電圧Ｖａｙのｙ座標検出パルスを印加した走査電極ＳＣ１との交差部にある１行目の放電セルでは、データ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧差が放電開始電圧を超え、データ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との間、および維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。
【０１１２】
このようにして、１行目を構成する全ての放電セルに放電が発生し、それらの放電セルが一斉に発光する。例えば、パネル１０の画像表示領域がｍ×ｎ個の放電セルで構成され、ｍ＝１９２０×３＝５７６０であり、ｎ＝１０８０（すなわち、画像表示領域における画素数が１９２０×１０８０）であれば、１行目を構成する５７６０個の放電セル（１９２０個の画素）が一斉に発光する。そして、この発光は、ｙ座標検出のための発光となる。
【０１１３】
以下、１つの行を構成する放電セルの集合体を「放電セル行」と記し、１つの行を構成する画素の集合体を「画素行」と記す。本実施の形態では、放電セル行と画素行とは実質的に同じものであり、上述の動作では、１行目の画素行（１行目の放電セル行）が一斉に発光する。
【０１１４】
この放電が発生した放電セルでは、走査電極ＳＣ１上に正極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上にも負極性の壁電圧が蓄積される。
【０１１５】
次に、データ電極Ｄ１〜Ｄｍにｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加したまま、２行目の走査電極ＳＣ２に電圧Ｖａｙのｙ座標検出パルスを印加する。これにより、データ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ２との間、および維持電極ＳＵ２と走査電極ＳＣ２との間に放電が発生し、２行目の画素行（２行目の放電セル行）にｙ座標検出のための発光が生じる。
【０１１６】
同様の動作を、データ電極Ｄ１〜Ｄｍにｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加したまま、走査電極ＳＣ３、走査電極ＳＣ４、・・・、走査電極ＳＣｎという順番で、ｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、３行目からｎ行目（例えば、１０８０行目）までの各画素行（放電セル行）にｙ座標検出のための発光を順次発生させる。
【０１１７】
このように、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙでは、まず、ｙ座標検出待機期間である期間Ｔｙ０の間、ｙ座標検出パルスの電圧Ｖａｙよりも高い電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するとともに、ｙ座標検出電圧Ｖｄｙよりも低い電圧０（Ｖ）をデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。そして、ｙ座標検出待機期間Ｔｙ０の後、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性のｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに負極性のｙ座標検出パルスを順次印加する。こうして、１行目からｎ行目までの各画素行（放電セル行）にｙ座標検出のための発光を順次発生させる。
【０１１８】
これにより、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙでは、発光する１本の横線（すなわち、発光する１つの画素行）が、パネル１０の画像表示領域の上端部（１行目の画素行）から下端部（ｎ行目の画素行）まで１行ずつ順次移動するパターン（ｙ座標検出パターン）が表示される。すなわち、このｙ座標検出パターンとは、画像表示領域の１行目からｎ行目までの各画素行が、１行毎に順次発光するパターンである。
【０１１９】
そして、ライトペンでこの画素行の発光を受光する。詳細は後述するが、ライトペンでこの発光がいつ受光されたのか、その受光タイミングを検出することで、画像表示領域におけるライトペンの位置（ｘ座標、ｙ座標）のｙ座標が検出される。
【０１２０】
なお、ｙ座標検出パターンがパネル１０に表示される期間は非常に短い。そのため、ｙ座標検出パターンが使用者に認識される可能性は低く、たとえ使用者に認識されたとしても、それはごく僅かな輝度の変化に過ぎない。
【０１２１】
本実施の形態では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれにｙ座標検出パルスを印加する時間をＴｙ１とする。このＴｙ１は、例えば、約１μｓｅｃである。したがって、例えば、ｎ＝１０８０であり、ｙ座標検出待機期間Ｔｙ０が約７００μｓｅｃであれば、ｙ座標検出期間Ｐｙの時間は、Ｔｙ０＋Ｔｙ１×１０８０＝約１７８０μｓｅｃとなる。
【０１２２】
以上により、ｙ座標検出期間Ｐｙが終了し、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙが終了する。
【０１２３】
次に、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘについて説明する。
【０１２４】
ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘでは、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１と同様に、強制初期化動作を行う。したがって、初期化期間Ｐｉｘでは、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１とほぼ同様の駆動電圧波形を各電極に印加する。ただし、初期化期間Ｐｉｘの後半部では、初期化期間Ｐｉ１の後半部とは波形形状が異なる駆動電圧波形を各電極に印加する。
【０１２５】
ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの前半部では、初期化期間Ｐｉ１の前半部と同様に、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに、それぞれ電圧０（Ｖ）を印加する。走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２まで２回に分けて上昇する上り傾斜電圧を印加する。電圧Ｖｉ２は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【０１２６】
この上り傾斜電圧が上昇する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。
【０１２７】
そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上には正極性の壁電圧が蓄積される。さらに、続くｘ座標検出期間Ｐｘにおいて発生する放電の発生を補助するプライミング粒子が放電セル内に発生する。
【０１２８】
なお、２回目の上り傾斜電圧を放電セルに印加するときに強放電が発生するのを防止するため、図４に示すように、２回目の上り傾斜電圧の開始電圧を１回目の上り傾斜電圧の最大電圧以下の電圧値に設定することが望ましい。
【０１２９】
なお、図４には、上り傾斜電圧を２回に分けて発生する構成を示したが、この上り傾斜電圧は、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２まで連続して上昇する波形形状であってもよい。また、図４には、２回目の上り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するときにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加する例を示したが、例えば図３に示したように、２回目の上り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するときにデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性の電圧Ｖｄを印加してもよい。
【０１３０】
ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部では、初期化期間Ｐｉ１の後半部とは波形形状が異なる駆動電圧波形を各電極に印加する。データ電極Ｄ１〜Ｄｍには第１の電圧である電圧Ｖｄを印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには第３の電圧である電圧Ｖｓを印加する。本実施の形態において、第１の電圧である電圧Ｖｄは第２の電圧である電圧０（Ｖ）よりも高い電圧値に設定され、第３の電圧である電圧Ｖｓは、第４の電圧である電圧Ｖｅよりも高い電圧値に設定される。
【０１３１】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには、電圧Ｖｉ３から、負極性の電圧Ｖｉ６まで緩やかに下降する第１の下り傾斜電圧（以下、単に「下り傾斜電圧」とも記す）を印加する。本実施の形態において、負極性の電圧Ｖｉ６は、負極性の電圧Ｖｉ４よりも高い電圧値に設定される。したがって、電圧Ｖｉ６の絶対値は電圧Ｖｉ４の絶対値よりも小さい値となる。
【０１３２】
電圧Ｖｉ３は、電圧Ｖｉ２よりも低い電圧で、かつ維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧未満の電圧に設定する。電圧Ｖｉ６は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに対して放電開始電圧を超える電圧に設定する。
【０１３３】
この下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する間に、各放電セルの走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間に、それぞれ微弱な初期化放電が持続して発生する。これにより、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上の負極性の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上の正極性の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正極性の壁電圧の一部が放電される。さらに、プライミング粒子が放電セル内に発生する。
【０１３４】
このとき、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧は、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧よりも低い電圧値に調整される。これは、詳細は後述するが、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部に発生する各駆動電圧波形を以下のように設定するためである。
【０１３５】
本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第１の下り傾斜電圧の最低電圧（第１の下り傾斜電圧の到達電圧）である電圧Ｖｉ６を、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第２の下り傾斜電圧の最低電圧（第２の下り傾斜電圧の到達電圧）である電圧Ｖｉ４よりも高い電圧に設定する。
【０１３６】
また、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する第１の電圧（電圧Ｖｄ）を、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する第２の電圧（電圧０（Ｖ））よりも高い電圧に設定する。
【０１３７】
そして、本実施の形態では、第１の電圧（電圧Ｖｄ）から電圧Ｖｉ６を減じた電圧（電圧Ｖｄ−電圧Ｖｉ６）が、第２の電圧（電圧０（Ｖ））から電圧Ｖｉ４を減じた電圧（電圧０（Ｖ）−電圧Ｖｉ４）よりも高い電圧となるように各電圧を設定している。
【０１３８】
さらに、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部において維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する第３の電圧（電圧Ｖｓ）を、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８において維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する第４の電圧（電圧Ｖｅ）よりも高い電圧に設定している。
【０１３９】
これにより、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧を、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧よりも低い電圧値に調整することができる。
【０１４０】
以上により、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおける強制初期化動作が終了する。
【０１４１】
次に、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘについて説明する。
【０１４２】
ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。そして、ｘ座標検出待機期間である期間Ｔｘ０の間、この状態を維持する。
【０１４３】
本実施の形態において、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０は、図３に示した画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに走査パルスを印加するまでの期間Ｔｗ０よりも長い時間であり、例えば、約７００μｓｅｃに設定されている。
【０１４４】
ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０の後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには負極性のｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加し、１〜３列目のデータ電極Ｄ１〜Ｄ３には電圧Ｖｄｘの正極性のｘ座標検出パルスを印加する。ｘ座標検出パルスの電圧Ｖｄｘは電圧０（Ｖ）よりも高い電圧であり、ｘ座標検出電圧Ｖａｘは電圧Ｖｃよりも低い負極性の電圧である。また、データ電極Ｄ１〜Ｄ３は、１つの画素を構成する赤の放電セル、緑の放電セル、青の放電セルに対応しており、この画素は、例えば画像表示領域の左端に配置された画素である。
【０１４５】
電圧Ｖｄｘのｘ座標検出パルスを印加したデータ電極Ｄ１〜Ｄ３と、ｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加した走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの交差部にある放電セルでは、データ電極Ｄ１〜Ｄ３と走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの交差部の電圧差が放電開始電圧を超え、データ電極Ｄ１〜Ｄ３と走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの間、および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎと走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの間に放電が発生する。
【０１４６】
このようにして、１列目を構成する全ての画素に放電が発生し、それらの画素が一斉に発光する。例えば、パネル１０の画像表示領域がｍ×ｎ個の放電セルで構成され、ｍ＝１９２０×３＝５７６０であり、ｎ＝１０８０（すなわち、画像表示領域における画素数が１９２０×１０８０）であれば、１列目を構成する１０８０個の画素（３列×１０８０個の放電セル）が一斉に発光する。そして、この発光は、ｘ座標検出のための発光となる。
【０１４７】
以下、１つの列を構成する放電セルの集合体を「放電セル列」と記す。また、互いに隣接する３列の放電セル列で構成される放電セルの集合体（画素の列）を「画素列」と記す。上述の動作では、１列目の画素列（すなわち、１列目、２列目および３列目の放電セル列）が一斉に発光する。
【０１４８】
この放電が発生した放電セルでは、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ上に正極性の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ上に負極性の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄ１〜Ｄ３上にも負極性の壁電圧が蓄積される。
【０１４９】
次に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加したまま、４列目〜６列目のデータ電極Ｄ４〜Ｄ６に電圧Ｖｄｘのｘ座標検出パルスを印加する。これにより、データ電極Ｄ４〜Ｄ６と走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの間、および維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎと走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎとの間に放電が発生し、２列目の画素列（４列目、５列目および６列目の放電セル列）にｘ座標検出のための発光が生じる。
【０１５０】
これと同様の動作を、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎにｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加したまま、データ電極Ｄ７〜Ｄ９、データ電極Ｄ１０〜Ｄ１２、・・・、データ電極Ｄｍ−２〜Ｄｍという順番で、互いに隣接する３本のデータ電極２２毎に、ｍ列目の放電セルに至るまで順次行い、３列目から最終列目（例えば、１９２０列目）までの各画素列にｘ座標検出のための発光を順次発生させる。
【０１５１】
このように、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、まず、ｘ座標検出待機期間である期間Ｔｘ０の間、ｘ座標検出電圧Ｖａｘよりも高い電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するとともに、ｘ座標検出パルスの電圧Ｖｄｘよりも低い電圧０（Ｖ）をデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。そして、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０の後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに負極性のｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加したまま、電圧Ｖｄｘの正極性のｘ座標検出パルスをデータ電極Ｄ１〜Ｄｍの互いに隣接する３本毎に順次印加する。こうして、１列目から最終列目までの各画素列にｘ座標検出のための発光を順次発生させる。
【０１５２】
これにより、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、発光する１本の縦線（すなわち、発光する１つの画素列）が、パネル１０の画像表示領域の左端部（１列目の画素列）から右端部（ｍ／３列目の画素列）まで１列ずつ順次移動するパターン（ｘ座標検出パターン）が表示される。すなわち、このｘ座標検出パターンとは、画像表示領域の１列目から最終列目までの各画素列が、１列毎に順次発光するパターンである。言い換えると、このｘ座標検出パターンとは、互いに隣接する３つの放電セル列が、画像表示領域の左端部（１列目）から右端部（ｍ列目）まで、３列ずつ順次発光するパターンである。
【０１５３】
そして、ライトペンでこの画素列の発光を受光する。詳細は後述するが、ライトペンでこの発光がいつ受光されたのか、その受光タイミングを検出することで、画像表示領域におけるライトペンの位置（ｘ座標、ｙ座標）のｘ座標が検出される。
【０１５４】
なお、ｘ座標検出パターンがパネル１０に表示される期間は非常に短い。そのため、ｘ座標検出パターンが使用者に認識される可能性は低く、たとえ使用者に認識されたとしても、それはごく僅かな輝度の変化に過ぎない。
【０１５５】
本実施の形態では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれにｘ座標検出パルスを印加する時間をＴｘ１とする。このＴｘ１は、例えば、約１μｓｅｃである。したがって、例えば、ｍ＝１９２０×３であり、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０が約７００μｓｅｃであれば、ｘ座標検出期間Ｐｘの時間は、Ｔｘ０＋Ｔｘ１×１９２０＝約２６２０μｓｅｃとなる。
【０１５６】
以上により、ｘ座標検出期間Ｐｘが終了し、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘが終了する。
【０１５７】
以上がｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの駆動電圧波形の概要である。
【０１５８】
このように、本実施の形態においては、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）と、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙと、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘとを有する。画像表示サブフィールドでは、上述したように各駆動電圧波形を発生することで画像信号に応じた画像をパネル１０に表示する。ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙでは、上述したように、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性のｙ座標検出電圧Ｖｄｙを印加したまま走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに負極性のｙ座標検出パルスを順次印加することで、第１の方向に延長した線状の発光を第２の方向に順次移動させる。ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘでは、上述したように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに負極性のｘ座標検出電圧Ｖａｘを印加したままデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに正極性のｘ座標検出パルスを順次印加することで、第２の方向に延長した線状の発光を第１の方向に順次移動させる。
【０１５９】
これにより、本実施の形態における画像表示装置では、パネル１０に画像信号に応じた画像を表示しつつ、画像表示領域内におけるライトペンの位置（位置座標）を検出するための放電を安定に発生することができる。
【０１６０】
なお、本実施の形態において各電極に印加する電圧値は、例えば、電圧Ｖｉ２＝３５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ４＝−１７５（Ｖ）、電圧Ｖｉ６＝−１４０（Ｖ）、電圧Ｖａ＝電圧Ｖａｙ＝電圧Ｖａｘ＝−２００（Ｖ）、電圧Ｖｃ＝−５０（Ｖ）、電圧Ｖｓ＝２０５（Ｖ）、電圧Ｖｒ＝２０５（Ｖ）、電圧Ｖｅ＝１５５（Ｖ）、電圧Ｖｄ＝電圧Ｖｄｙ＝電圧Ｖｄｘ＝５５（Ｖ）である。
【０１６１】
なお、本実施の形態において、電圧Ｖａ、電圧Ｖａｙ、および電圧Ｖａｘは互いに等しい電圧に設定され、電圧Ｖｄ、電圧Ｖｄｙ、および電圧Ｖｄｘは互いに等しい電圧に設定されているが、これらの電圧は互いに異なる電圧であってもよい。
【０１６２】
また、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１に発生する上り傾斜電圧の勾配は約１．５（Ｖ／μｓｅｃ）であり、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールド（サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙ、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘに発生する下り傾斜電圧の勾配は約−２．５（Ｖ／μｓｅｃ）であり、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールド（サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）の各維持期間Ｐｓ１〜Ｐｓ８の最後に発生する上り傾斜電圧の勾配は約１０（Ｖ／μｓｅｃ）である。
【０１６３】
なお、本実施の形態において、上述した電圧値や勾配等の具体的な数値は単なる一例に過ぎず、本発明は、各電圧値や勾配等が上述した数値に限定されるものではない。各電圧値や勾配等は、パネルの放電特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづき最適に設定することが望ましい。
【０１６４】
次に、本実施の形態において、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘの後半部に発生する駆動電圧波形を上述した波形形状にした理由について説明する。
【０１６５】
上述したように、本実施の形態では、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８において、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧｜Ｖａ−Ｖｃ｜の振幅を有する走査パルスを印加し、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧｜Ｖｄ｜の振幅を有する書込みパルスを印加する。
【０１６６】
ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいて、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加するｙ座標検出電圧Ｖｄｙを幅の広いパルス（座標検出パルス）と見なすと、ｙ座標検出期間Ｐｙにおいては、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに、電圧｜Ｖｄｙ｜の振幅を有する座標検出パルスを印加していることになる。
【０１６７】
同様に、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加するｘ座標検出電圧Ｖａｘを幅の広いパルス（座標検出パルス）と見なすと、ｘ座標検出期間Ｐｘにおいては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに、電圧｜Ｖａｘ−Ｖｃ｜の振幅を有する座標検出パルスを印加していることになる。
【０１６８】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルスとデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する書込みパルスは、両方のパルスが同時に印加された放電セルで放電が発生し、一方のパルスのみが印加された放電セルでは放電が発生しない振幅（電圧値）に設定されている。データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する座標検出パルスと走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する座標検出パルスも、同様に、両方のパルスが同時に印加された放電セルで放電が発生し、いずれか一方のパルスだけが印加された放電セルでは放電が発生しない振幅（電圧値）に設定されている。
【０１６９】
放電セル内に蓄積された壁電荷は、放電セル内に流れる暗電流等が原因となって徐々に減少する。暗電流とは、放電を伴わずに放電セル内を流れる電流のことである。そして、暗電流は、壁電荷の蓄積量や放電セルに印加される電圧に応じて電流量が変化し、暗電流が増えると壁電荷の減少量も増加する。
【０１７０】
そのため、いずれか一方のパルスだけが印加される放電セルでは、放電が発生しないにもかかわらず、放電セル内の壁電荷が徐々に減少する。そして、壁電荷の減少量は、放電セルに印加されるパルスの振幅が大きくなることで増加する。また、壁電荷の減少量は、放電セルへのパルスの印加時間が長くなることによっても増加する。なお、放電セルへのパルスの印加時間は、パルスの印加回数が多くなったりパルスの幅が長くなることで増加する。したがって、書込み期間の終盤に書込み動作を行う放電セルでは、書込み期間の初期に書込み動作を行う放電セルと比較して、壁電荷がより多く減少しやすく、書込み放電が不安定になりやすい。
【０１７１】
画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれには、１つの書込み期間で走査パルスが１回ずつ印加されるだけである。そのため、１つの書込み期間で１つの放電セルに走査パルスが印加される回数は１回であり、走査パルス電圧Ｖａが放電セルに印加される時間の長さはＴｗ１である。
【０１７２】
一方、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８では、画像信号に応じてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに書込みパルスが印加される。そのため、１つの書込み期間で１つの放電セルに複数回の書込みパルスが印加されることもある。例えば、１つの書込み期間においてＮ回の書込みパルスが印加される放電セルにおいては、書込みパルス電圧Ｖｄが印加される時間の長さはＮ×Ｔｗ１となる。
【０１７３】
画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８においては、書込み放電を安定に発生するために、壁電荷の減少を防止することが望ましい。そのために、本実施の形態では、走査パルスに関しては、その振幅を相対的に大きい値に設定し、書込みパルスに関しては、その振幅を相対的に小さい値に設定している。
【０１７４】
これは、走査パルスは１つの書込み期間で１つの放電セルに１回しか印加されないため、その振幅を相対的に大きい値に設定できるが、書込みパルスは１つの書込み期間で１つの放電セルに複数回印加される可能性があるため、その振幅を相対的に小さい値に設定する方が望ましいためである。
【０１７５】
本実施の形態では、書込みパルスの振幅を、例えば｜Ｖｄ｜＝５５（Ｖ）とし、走査パルスの振幅を、例えば｜Ｖａ−Ｖｃ｜＝１５０（Ｖ）としている。
【０１７６】
一方、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、データ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれにはｘ座標検出パルスが１回ずつ印加され、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには全てのデータ電極Ｄ１〜Ｄｍにｘ座標検出パルスが印加される期間、ｘ座標検出電圧Ｖａｘが印加される。
【０１７７】
そのため、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、１つの放電セルに、ｘ座標検出パルスの電圧Ｖｄｘが印加される時間の長さはＴｘ１であり、ｘ座標検出電圧Ｖａｘが印加される時間の長さはＴｘ１×ｍ／３となる。
【０１７８】
上述したように、本実施の形態においては、電圧Ｖｄｘと電圧Ｖｄとを互いに等しい電圧に設定し、電圧Ｖａｘと電圧Ｖａとを互いに等しい電圧に設定している。そのため、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８とは逆に、振幅が相対的に小さいパルス（ｘ座標検出パルス）が放電セルに印加される時間は相対的に短く（例えば、Ｔｘ１）、振幅が相対的に大きいパルス（ｘ座標検出電圧Ｖａｘ）が放電セルに印加される時間は相対的に長い（例えば、Ｔｘ１×ｍ／３）。
【０１７９】
そのため、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８と比較して、壁電荷がより多く減少しやすい。そこで、本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘにおいて、壁電荷の減少を抑えるための工夫を駆動電圧波形に施している。
【０１８０】
また、本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいて、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する第１の電圧（電圧Ｖｄ）から走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第１の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ６）を減じた電圧を、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する第２の電圧（電圧０（Ｖ））から走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第２の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ４）を減じた電圧よりも高くなるように各電圧を設定している。
【０１８１】
例えば、電圧Ｖｄ＝５５（Ｖ）、電圧Ｖｉ４＝−１７５（Ｖ）、電圧Ｖｉ６＝−１４０（Ｖ）であれば、
電圧Ｖｄ−電圧Ｖｉ６＝１９５（Ｖ）
となり、
電圧０（Ｖ）−電圧Ｖｉ４＝１７５（Ｖ）
となるので、
電圧Ｖｄ−電圧Ｖｉ６＞電圧０（Ｖ）−電圧Ｖｉ４
となる。
【０１８２】
この結果、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧は、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８においてデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ上に残留する正極性の壁電圧よりも低い電圧値に調整される。
【０１８３】
このように壁電圧を低くすることで、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖａｘを印加するときに流れる暗電流を抑制することができる。暗電流を抑制することで壁電荷の減少を抑えることができるので、これにより、ｘ座標検出期間Ｐｘにおける壁電荷の減少を抑制することができる。
【０１８４】
なお、本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第１の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ６）は、上述した理由により、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する第２の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ４）よりも高い電圧値に設定されることが望ましい。しかし、本発明は何らこの構成に限定されるものではなく、第１の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ６）は、第２の下り傾斜電圧の最低電圧（電圧Ｖｉ４）に等しい電圧に設定されてもよい。
【０１８５】
また、本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖａｘを印加する前に、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘで発生したプライミング粒子を減少させるためのｘ座標検出待機期間Ｔｘ０を設けている。ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０では、電圧Ｖａｘよりも高い電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加し、電圧Ｖｄｘよりも低い電圧０（Ｖ）をデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【０１８６】
このｘ座標検出待機期間Ｔｘ０の間に、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘで発生したプライミング粒子が減少する。プライミング粒子が減少すれば、暗電流を抑制することができるので、壁電荷の減少を抑えることができる。これにより、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０を設けない場合と比較して、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおける壁電荷の減少を抑制することができる。
【０１８７】
なお、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０の下限は、上述した効果を得られる範囲で設定することが望ましい。本実施の形態では、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０を２００μｓｅｃ以上に設定するものとする。また、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０の上限は、プライミング粒子が過剰に減少せず、かつ全てのサブフィールドが１フィールドに納まる範囲で設定することが望ましい。本実施の形態では、ｘ座標検出待機期間Ｔｘ０を１ｍｓｅｃ以下に設定するものとする。
【０１８８】
さらに、本実施の形態では、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの後にｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを発生している。これにより、サブフィールドＳＦ８の維持期間Ｐｓ８に発生したプライミング粒子がｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの期間に減少する。
【０１８９】
これによっても、プライミング粒子の残留量に応じて流れる暗電流を抑制することができるので、ｘ座標検出期間Ｐｘにおける壁電荷の減少を抑制することができる。
【０１９０】
さらに、本実施の形態では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいて、矩形波形電圧による強い初期化放電ではなく、上り傾斜電圧および下り傾斜電圧による弱い初期化放電を発生して初期化動作を行う。そのため、矩形波形電圧による強い初期化放電を発生する場合と比較して、プライミング粒子の発生量を抑制することができる。
【０１９１】
これによっても、プライミング粒子の残留量に応じて流れる暗電流を抑制することができるので、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおける壁電荷の減少を抑制することができる。
【０１９２】
次に、本実施の形態における画像表示システムの構成について説明する。なお、以下では、画像表示装置としてプラズマディスプレイ装置を用いたプラズマディスプレイシステムを本実施の形態における画像表示システムの一例として挙げ、その構成について説明する。
【０１９３】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１００を構成する回路ブロックおよびプラズマディスプレイシステム３０の一例を概略的に示す図である。
【０１９４】
本実施の形態に示すプラズマディスプレイシステム３０は、プラズマディスプレイ装置１００とライトペン５０とを構成要素に含む。
【０１９５】
プラズマディスプレイ装置１００は、パネル１０と、１フィールドに複数のサブフィールドを備えてパネル１０を駆動する駆動回路を備えている。駆動回路は、画像信号処理回路３１、データ電極駆動回路３２、走査電極駆動回路３３、維持電極駆動回路３４、タイミング発生回路３５、座標算出回路４２、描画回路４４、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【０１９６】
画像信号処理回路３１には、画像信号、描画回路４４から出力される描画信号、およびタイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号が入力される。画像信号処理回路３１は、画像信号と描画信号とを合成した画像をパネル１０に表示するために、画像信号と描画信号とを合成し、その合成後の信号にもとづき各放電セルに赤、緑、青の各階調値（１フィールドで表現される階調値）を設定する。そして、画像信号処理回路３１は、各放電セルに設定した赤、緑、青の階調値を、サブフィールド毎の点灯・非点灯を示す画像データ（発光・非発光をデジタル信号の「１」、「０」に対応させたデータのこと）に変換し、その画像データ（赤の画像データ、緑の画像データ、および青の画像データ）を出力する。
【０１９７】
タイミング発生回路３５は、水平同期信号および垂直同期信号にもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生する。そして、発生したタイミング信号をそれぞれの回路ブロック（データ電極駆動回路３２、走査電極駆動回路３３、維持電極駆動回路３４、画像信号処理回路３１、および座標算出回路４２等）へ供給する。
【０１９８】
また、タイミング発生回路３５は、画像表示領域におけるライトペン５０の位置（ｘ座標、ｙ座標）を算出する際に用いる座標基準信号を発生し、座標算出回路４２に出力する。
【０１９９】
データ電極駆動回路３２は、画像信号処理回路３１から出力される画像データとタイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号とにもとづき、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する電圧Ｖｄの書込みパルス、ｙ座標検出電圧Ｖｄｙ、および電圧Ｖｄｘのｘ座標検出パルスを発生する。そして、データ電極駆動回路３２は、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８においては書込みパルスを、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいてはｙ座標検出電圧Ｖｄｙを、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいては電圧Ｖｄを、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいてはｘ座標検出パルスを、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【０２００】
維持電極駆動回路３４は、維持パルス発生回路、電圧Ｖｅを発生する回路（図５には示さず）を備え、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづいて各駆動電圧波形を作成し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎのそれぞれに印加する。画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各維持期間Ｐｓ１〜Ｐｓ８では、電圧Ｖｅの維持パルスを発生して維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８と書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙとｙ座標検出期間Ｐｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは、電圧Ｖｅを維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘでは、電圧Ｖｓを維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。
【０２０１】
走査電極駆動回路３３は、傾斜電圧発生回路、維持パルス発生回路、走査パルス発生回路（図５には示さず）を備え、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづいて各駆動電圧波形を作成し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに印加する。傾斜電圧発生回路は、タイミング信号にもとづき、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する、初期化動作のための傾斜電圧を発生する。維持パルス発生回路は、タイミング信号にもとづき、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各維持期間Ｐｓ１〜Ｐｓ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する維持パルスを発生する。走査パルス発生回路は、複数の走査電極駆動ＩＣ（走査ＩＣ）を備え、タイミング信号にもとづき、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８において走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する走査パルスを発生する。また、走査パルス発生回路は、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいては電圧Ｖｃと電圧Ｖａｙのｙ座標検出パルスとを発生し、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいては電圧Ｖｃとｘ座標検出電圧Ｖａｘとを発生する。
【０２０２】
ライトペン５０は、使用者がパネル１０の画像表示領域に文字や図画等を手書き入力するときに使用される。ライトペン５０は、棒状の形状に形成されており、接触スイッチと受光素子とを有する。接触スイッチは、ライトペン５０の先端部に設けられ、ライトペン５０がパネル１０の前面基板１１（パネル１０の画像表示面）に接触したときに、その接触を検知する。受光素子は、パネル１０の画像表示面に生じる発光を受光して電気信号（受光信号）に変換する。そして、ライトペン５０は、ライトペン５０の先端部がパネル１０の画像表示面に接触しているときに受光するパネル１０の画像表示面に生じる発光を、受光信号に変換して座標算出回路４２に出力する。
【０２０３】
座標算出回路４２は、時間の長さを計測するカウンタと、カウンタの出力に演算を施す演算回路とを備える（図５には示さず）。そして、タイミング発生回路３５から出力される座標基準信号にもとづき、ライトペン５０から出力される受光信号からライトペン５０で受光されたｙ座標検出パターンの発光を示す信号およびｘ座標検出パターンの発光を示す信号を選択的に取り出し、画像表示領域におけるライトペン５０の位置（ｘ座標、ｙ座標）を算出する。すなわち、座標算出回路４２は、受光信号にもとづき、ｙ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部の画像表示領域に生じる発光のうちのライトペン５０が受光する発光の位置を表す座標（ｙ座標）を算出し、ｘ座標検出サブフィールドにおいて画像表示部の画像表示領域に生じる発光のうちのライトペンが受光する発光の位置を表す座標（ｘ座標）を算出する。
【０２０４】
描画回路４４は、画像メモリを備える（図５には示さず）。描画回路４４は、座標算出回路４２が算出したｘ座標およびｙ座標にもとづき、パネル１０の画像表示領域にライトペン５０の軌跡を示すための描画信号を作成する。描画信号は、画像メモリに蓄積される。これにより、ライトペン５０の過去の軌跡に現在のライトペン５０の位置座標が加えられた描画信号が画像メモリに蓄積される。そして、描画回路４４は、画像メモリに蓄積された描画信号を画像信号処理回路３１に出力する。なお、画像メモリに蓄積された描画信号は、例えば、ライトペン５０のモードを「描画」から「消去」に切り換えることで、部分的、または全体的に消去することができる。
【０２０５】
図６は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１００の走査電極駆動回路３３の一構成例を概略的に示す回路図である。
【０２０６】
走査電極駆動回路３３は、維持パルス発生回路５５と、傾斜電圧発生回路６０と、走査パルス発生回路７０とを備えている。なお、各回路ブロックは、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき動作するが、図６では、タイミング信号の経路の詳細は省略する。また、以下、走査パルス発生回路７０に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。
【０２０７】
維持パルス発生回路５５は、電力回収回路５１と、スイッチング素子Ｑ５５と、スイッチング素子Ｑ５６と、スイッチング素子Ｑ５９とを有する。電力回収回路５１は、電力回収用のコンデンサＣ１０、スイッチング素子Ｑ１１、スイッチング素子Ｑ１２、逆流防止用のダイオードＤｉ１１、ダイオードＤｉ１２、共振用のインダクタＬ１１、インダクタＬ１２を有する。
【０２０８】
電力回収回路５１は、パネル１０に蓄えられた電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタＬ１２とをＬＣ共振させてパネル１０から回収し、コンデンサＣ１０に蓄える。そして、回収した電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタＬ１１とをＬＣ共振させてコンデンサＣ１０からパネル１０に再度供給し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動するときの電力として再利用する。
【０２０９】
スイッチング素子Ｑ５５は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧Ｖｓにクランプし、スイッチング素子Ｑ５６は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを電圧０（Ｖ）にクランプする。スイッチング素子Ｑ５９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路３３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止する。
【０２１０】
このようにして、維持パルス発生回路５５は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する電圧Ｖｓの維持パルスを発生する。
【０２１１】
走査パルス発生回路７０は、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈｎ、スイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌｎ、スイッチング素子Ｑ７２、負の電圧Ｖａを発生する電源、電圧Ｖｐを発生する電源Ｅ７１を有する。そして、走査パルス発生回路７０の基準電位Ａに電圧Ｖｐを重畳して電圧Ｖｃ（Ｖｃ＝Ｖａ＋Ｖｐ）を発生し、電圧Ｖａと電圧Ｖｃとを切り換えながら走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加することで走査パルスを発生する。例えば、電圧Ｖａ＝−２００（Ｖ）であり、電圧Ｖｐ＝１５０（Ｖ）であれば、電圧Ｖｃ＝−５０（Ｖ）となる。
【０２１２】
そして、走査パルス発生回路７０は、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎのそれぞれに、図３、図４に示したタイミングで走査パルスを順次印加する。なお、走査パルス発生回路７０は、維持期間では維持パルス発生回路５５の出力電圧をそのまま出力する。すなわち、基準電位Ａの電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎへ出力する。
【０２１３】
また、走査パルス発生回路７０は、図４に示したタイミングで、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙでは電圧Ｖｃと電圧Ｖａｙ（＝電圧Ｖａ）のｙ座標検出パルスを発生し、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘでは電圧Ｖｃとｘ座標検出電圧Ｖａｘ（＝電圧Ｖａ）を発生して、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する。
【０２１４】
傾斜電圧発生回路６０は、ミラー積分回路６１、ミラー積分回路６２、ミラー積分回路６３を備え、図３、図４に示した傾斜電圧を発生する。
【０２１５】
ミラー積分回路６１は、トランジスタＱ６１とコンデンサＣ６１と抵抗Ｒ６１とを有する。そして、入力端子ＩＮ６１に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６１として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｔ（＝電圧Ｖｉ２）に向かって緩やかに上昇する上り傾斜電圧（画像表示サブフィールド群に含まれるサブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１に発生する上り傾斜電圧と、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘに発生する上り傾斜電圧）を発生する。
【０２１６】
あるいは、電圧Ｖｔに電圧Ｖｐを重畳した電圧が電圧Ｖｉ２に等しくなるように電圧Ｖｔを設定してもよい。この構成では、ミラー積分回路６１を動作させているときは、スイッチング素子Ｑ７２およびスイッチング素子Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌｎをオフにし、スイッチング素子Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈｎをオンにして、ミラー積分回路６１で発生した上り傾斜電圧に電源Ｅ７１の電圧Ｖｐを重畳することで初期化動作のための上り傾斜電圧を発生することができる。
【０２１７】
ミラー積分回路６２は、トランジスタＱ６２とコンデンサＣ６２と抵抗Ｒ６２と逆流防止用のダイオードＤｉ６２とを有する。そして、入力端子ＩＮ６２に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６２として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇する上り傾斜電圧（画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各維持期間Ｐｓ１〜Ｐｓ８の最後に発生する上り傾斜電圧）を発生する。
【０２１８】
ミラー積分回路６３は、トランジスタＱ６３とコンデンサＣ６３と抵抗Ｒ６３とを有する。そして、入力端子ＩＮ６３に一定の電圧を印加する（入力端子ＩＮ６３として図示される２つの丸の間に一定の電圧差を与える）ことにより、電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下り傾斜電圧（画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８に発生する下り傾斜電圧と、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙに発生する下り傾斜電圧）を発生する。また、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘでは、電圧Ｖｉ６まで下降した時点でミラー積分回路６３の動作を停止することで、電圧Ｖｉ６まで下降する下り傾斜電圧（初期化期間Ｐｉｘに発生する下り傾斜電圧）を発生する。
【０２１９】
なお、スイッチング素子Ｑ６９は分離スイッチであり、走査電極駆動回路３３を構成するスイッチング素子の寄生ダイオード等を介して電流が逆流するのを防止する。
【０２２０】
なお、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた半導体素子を用いて構成することができる。また、これらのスイッチング素子およびトランジスタは、タイミング発生回路３５で発生したそれぞれのスイッチング素子およびトランジスタに対応するタイミング信号により制御される。
【０２２１】
図７は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１００の維持電極駆動回路３４の一構成例を概略的に示す回路図である。
【０２２２】
維持電極駆動回路３４は、維持パルス発生回路８０と、一定電圧発生回路８５とを備えている。なお、各回路ブロックは、タイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき動作するが、図７では、タイミング信号の経路の詳細は省略する。
【０２２３】
維持パルス発生回路８０は、電力回収回路８１と、スイッチング素子Ｑ８３と、スイッチング素子Ｑ８４とを有する。電力回収回路８１は、電力回収用のコンデンサＣ２０、スイッチング素子Ｑ２１、スイッチング素子Ｑ２２、逆流防止用のダイオードＤｉ２１、ダイオードＤｉ２２、共振用のインダクタＬ２１、インダクタＬ２２を有する。
【０２２４】
電力回収回路８１は、パネル１０に蓄えられた電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタＬ２２とをＬＣ共振させてパネル１０から回収し、コンデンサＣ２０に蓄える。そして、回収した電力を、パネル１０の電極間容量とインダクタＬ２１とをＬＣ共振させてコンデンサＣ２０からパネル１０に再度供給し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを駆動するときの電力として再利用する。
【０２２５】
スイッチング素子Ｑ８３は維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧Ｖｓにクランプし、スイッチング素子Ｑ８４は維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎを電圧０（Ｖ）にクランプする。
【０２２６】
このようにして、維持パルス発生回路８０は、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する電圧Ｖｓの維持パルスを発生する。また、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘでは、電圧Ｖｓを維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する。
【０２２７】
一定電圧発生回路８５は、スイッチング素子Ｑ８６、スイッチング素子Ｑ８７を有する。そして、一定電圧発生回路８５は、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各初期化期間Ｐｉ１〜Ｐｉ８と各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの初期化期間Ｐｉｙとｙ座標検出期間Ｐｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘに、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加する。
【０２２８】
なお、これらのスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。またこれらのスイッチング素子は、タイミング発生回路３５で発生したそれぞれのスイッチング素子に対応するタイミング信号により制御される。
【０２２９】
図８は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１００のデータ電極駆動回路３２の一構成例を概略的に示す回路図である。
【０２３０】
なお、データ電極駆動回路３２は、画像信号処理回路３１から供給される画像データおよびタイミング発生回路３５から供給されるタイミング信号にもとづき動作するが、図８では、それらの信号の経路の詳細は省略する。
【０２３１】
データ電極駆動回路３２は、スイッチング素子Ｑ９１Ｈ１〜Ｑ９１Ｈｍ、スイッチング素子Ｑ９１Ｌ１〜Ｑ９１Ｌｍを有する。そして、スイッチング素子Ｑ９１Ｌｊをオンにすることでデータ電極Ｄｊに電圧０（Ｖ）を印加し、スイッチング素子Ｑ９１Ｈｊをオンにすることでデータ電極Ｄｊに電圧Ｖｄを印加する。こうしてデータ電極駆動回路３２は、画像表示サブフィールド群を構成するサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８の各書込み期間Ｐｗ１〜Ｐｗ８においては電圧Ｖｄの書込みパルスを、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいてはｙ座標検出電圧Ｖｄｙ（＝電圧Ｖｄ）を、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの初期化期間Ｐｉｘにおいては電圧Ｖｄを、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいては電圧Ｖｄｘ（＝電圧Ｖｄ）のｘ座標検出パルスを、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【０２３２】
次に、本実施の形態における画像表示システムの一例であるプラズマディスプレイシステムの動作について説明する。
【０２３３】
図９は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステム３０においてライトペン５０の位置座標を検出するときの動作の一例を概略的に示す図である。
【０２３４】
図１０は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステム３０においてライトペン５０の位置座標を検出するときの駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【０２３５】
図１０には、画像表示サブフィールド群のサブフィールドＳＦ８に続くｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘにおいて走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形、座標算出回路４２に入力される座標基準信号、およびライトペン５０から出力される受光信号を示す。なお、図１０では、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに印加する駆動電圧波形は省略する。
【０２３６】
タイミング発生回路３５は、図１０に示すように、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙの最初からｙ座標検出待機期間Ｔｙ０が経過した後の時刻ｔｙ０と、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘの最初からｘ座標検出待機期間Ｔｘ０が経過した後の時刻ｔｘ０とのそれぞれに立上りエッジがある座標基準信号を発生し、座標算出回路４２に出力する。
【０２３７】
ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいては、第１の方向（行方向）に延長した線状の発光が第２の方向（列方向）に順次移動するｙ座標検出パターンをパネル１０に表示する。これにより、パネル１０の画像表示領域には、図９に示したように、画像表示領域の上端部（１行目）から下端部（ｎ行目）まで順次移動する１本の横線Ｌｙが表示される。
【０２３８】
ライトペン５０の先端部がパネル１０の画像表示面の「座標（ｘ、ｙ）」に接触していれば、横線Ｌｙが座標（ｘ、ｙ）を通過する時刻ｔｙｙにおいて、ライトペン５０の受光素子は横線Ｌｙの発光を受光する。これにより、ライトペン５０は、図１０に示すように、受光素子が横線Ｌｙの発光を受光したことを示す受光信号を時刻ｔｙｙにおいて出力する。
【０２３９】
続くｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいては、第２の方向（列方向）に延長した線状の発光が第１の方向（行方向）に順次移動するｘ座標検出パターンをパネル１０に表示する。これにより、パネル１０の画像表示領域には、図９に示したように、画像表示領域の左端部（１列目の画素列）から右端部（ｍ／３列目の画素列）まで順次移動する１本の縦線Ｌｘが表示される。
【０２４０】
ライトペン５０の先端部がパネル１０の画像表示面の「座標（ｘ、ｙ）」に接触していれば、縦線Ｌｘが座標（ｘ、ｙ）を通過する時刻ｔｘｘにおいて、ライトペン５０の受光素子は縦線Ｌｘの発光を受光する。これにより、ライトペン５０は、図１０に示すように、受光素子が縦線Ｌｘの発光を受光したことを示す受光信号を時刻ｔｘｘにおいて出力する。
【０２４１】
図５に示した座標算出回路４２は、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいてタイミング発生回路３５から出力される座標基準信号と、ライトペン５０から出力される受光信号にもとづき、内部に備えたカウンタを用いて時刻ｔｙ０から時刻ｔｙｙまでの時間Ｔｙｙを測定する。そして、内部に備えた演算回路において、時間Ｔｙｙを時間Ｔｙ１で除算する。この除算結果が画像表示領域におけるライトペン５０の位置のｙ座標となる。このようにして、座標算出回路４２はｙ座標を算出する。
【０２４２】
また、座標算出回路４２は、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいてタイミング発生回路３５から出力される座標基準信号と、ライトペン５０から出力される受光信号にもとづき、内部に備えたカウンタを用いて時刻ｔｘ０から時刻ｔｘｘまでの時間Ｔｘｘを測定する。そして、内部に備えた演算回路において、時間Ｔｘｘを時間Ｔｘ１で除算する。この除算結果が画像表示領域におけるライトペン５０の位置のｘ座標となる。このようにして、座標算出回路４２はｘ座標を算出する。
【０２４３】
本実施の形態における座標算出回路４２は、このようにして、画像表示領域におけるライトペン５０の位置（座標（ｘ、ｙ））を算出する。
【０２４４】
図１１は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイシステム３０においてライトペン５０による手書き入力を行うときの動作の一例を概略的に示す図である。
【０２４５】
描画回路４４は、座標算出回路４２が算出した座標（ｘ、ｙ）に対応する画素を中心に、所定の色および大きさの描画パターン（例えば、黒色の丸等のパターン）の描画信号を画像メモリに書込む。
【０２４６】
使用者がライトペン５０の先端をパネル１０の画像表示面に接触させたままライトペン５０を移動させると、座標算出回路４２が算出する座標（ｘ、ｙ）もライトペン５０の移動に応じて変化する。
【０２４７】
描画回路４４は、変化する座標（ｘ、ｙ）に応じて描画パターンの位置を変化させながら、位置が変化した描画パターンに応じた描画信号を画像メモリに順次書込んでいく。
【０２４８】
このようにして、描画回路４４の画像メモリには、ライトペン５０の軌跡を示す描画信号が蓄積されていく。画像メモリに蓄積された描画信号は１フィールド毎に読み出され、画像信号処理回路３１に出力される。
【０２４９】
なお、パネル１０に示されたライトペン５０の軌跡を消すときには、例えば、ライトペン５０のモードを「描画」から「消去」に切り換えてパネル１０に示されたライトペン５０の軌跡を再度なぞることで、画像メモリに蓄積された描画信号を部分的、または全体的に消去するようにすればよい。
【０２５０】
画像信号処理回路３１は、描画回路４４から出力される描画信号と画像信号とを合成し、その合成後の信号にもとづき画像データを生成する。こうして、パネル１０には、図１１に示すように、画像信号にライトペン５０の軌跡を示す画像（ライトペン５０を用いて手書き入力された図画）が重畳された画像が表示される。
【０２５１】
なお、本発明は、１フィールドを構成するサブフィールドの数やその発生順序、各サブフィールドに設定する輝度重み等が何ら上述した構成に限定されるものではない。例えば、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙの前にｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを発生してもよく、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘの後に画像表示サブフィールド群を発生してもよい。それらは、プラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適に設定することが望ましい。
【０２５２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、ライトペンとプラズマディスプレイ装置との間で無線通信を行う構成について説明する。
【０２５３】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムは、ライトペンの内部でライトペンの位置座標を算出し、算出した位置座標のデータをライトペンからプラズマディスプレイ装置へ無線通信によって送信する。
【０２５４】
以下、まず、本実施の形態におけるタイミング検出サブフィールドＳＦｏの概要について説明し、次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムの構成について説明する。
【０２５５】
図１２は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置１１０においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【０２５６】
図１２には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形、およびライトペンにおいて検出される受光信号を示す。図１２には、本実施の形態においてライトペンの位置座標を検出するときの駆動電圧波形の一例を概略的に示す。
【０２５７】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムは、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）、タイミング検出サブフィールドＳＦｏ、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを有する。
【０２５８】
本実施の形態における画像表示サブフィールドは、実施の形態１に示した画像表示サブフィールドと実質的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０２５９】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏは、初期化期間Ｐｉｏ、書込み期間Ｐｗｏ、およびタイミング検出期間Ｐｏを有する。
【０２６０】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏの初期化期間Ｐｉｏでは、実施の形態１に示した選択初期化動作を行う。すなわち、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには放電開始電圧未満となる電圧（例えば、電圧０（Ｖ））から電圧Ｖｉ４まで下降する下り傾斜電圧を印加する。
【０２６１】
この下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに印加する間に、直前のサブフィールドＳＦ８の維持期間Ｐｓ８で維持放電を発生した放電セルに初期化放電が発生する。
【０２６２】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏでは、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。
【０２６３】
次に、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに一斉に電圧Ｖｄの書込みパルスを印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに一斉に電圧Ｖａの走査パルスを印加する。これにより、全ての放電セルに一斉に書込み放電が発生する。
【０２６４】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏでは、ライトペンにおける位置座標算出時の基準となる複数回の発光（タイミング検出用の発光）をパネル１０に生じさせる。すなわち、あらかじめ定められた所定の時間間隔（本実施の形態では、例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で、パネル１０の画像表示領域内の全ての放電セルにタイミング検出放電を複数回（本実施の形態では、例えば、４回）発生させる。
【０２６５】
具体的には、時刻ｔｏ１において、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓｏのタイミング検出パルスＶ１を印加する。これにより、全ての放電セルに１回目のタイミング検出放電が発生し、パネル１０の画像表示面の全面が発光する（１回目のタイミング検出用の発光）。
【０２６６】
次に、時刻ｔｏ１から時間Ｔｏ１が経過した後の時刻ｔｏ２において、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｓｏのタイミング検出パルスＶ２を印加する。これにより、全ての放電セルに２回目のタイミング検出放電が発生し、パネル１０の画像表示面の全面が発光する（２回目のタイミング検出用の発光）。
【０２６７】
次に、時刻ｔｏ２から時間Ｔｏ２が経過した後の時刻ｔｏ３において、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓｏのタイミング検出パルスＶ３を印加する。これにより、全ての放電セルに３回目のタイミング検出放電が発生し、パネル１０の画像表示面の全面が発光する（３回目のタイミング検出用の発光）。
【０２６８】
次に、時刻ｔｏ３から時間Ｔｏ３が経過した後の時刻ｔｏ４において、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧Ｖｓｏのタイミング検出パルスＶ４を印加する。これにより、全ての放電セルに４回目のタイミング検出放電が発生し、パネル１０の画像表示面の全面が発光する（４回目のタイミング検出用の発光）。
【０２６９】
このように、タイミング検出サブフィールドＳＦｏでは、あらかじめ定められた所定の時間間隔（本実施の形態では、例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で複数回（本実施の形態では、例えば、４回）のタイミング検出放電を発生し、パネル１０の画像表示面を所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で複数回（例えば、４回）発光させる。
【０２７０】
そして、詳細は後述するが、ライトペンは、所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で発生する複数回（例えば、４回）の発光を検出したら座標基準信号を作成する。
【０２７１】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏにおいて、タイミング検出パルスＶ４の発生後（タイミング検出期間Ｐｏの最後）には、実施の形態１に示した消去動作と同様に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒまで緩やかに上昇する上り傾斜電圧を印加する。これにより、全ての放電セルに微弱な消去放電が発生する。
【０２７２】
以上により、タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏが終了し、タイミング検出サブフィールドＳＦｏが終了する。
【０２７３】
続いて、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙとｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを発生する。
【０２７４】
本実施の形態におけるｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘは、実施の形態１に示したｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘと実質的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０２７５】
なお、本実施の形態において、電圧Ｖｓｏは電圧Ｖｓに等しい電圧に設定されており、例えば、電圧Ｖｓｏは約２０５（Ｖ）である。しかし、電圧Ｖｓｏは電圧Ｖｓと異なる電圧であってもよい。電圧Ｖｓｏはタイミング検出放電が発生する電圧であればよい。
【０２７６】
このように、本実施の形態においては、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）と、タイミング検出サブフィールドＳＦｏと、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙと、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘとを有する。
【０２７７】
そして、タイミング検出サブフィールドＳＦｏでは、あらかじめ定められた所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎとに交互にタイミング検出パルスを印加し、あらかじめ定められた所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で、タイミング検出放電を複数回（例えば、４回）発生させてパネル１０の画像表示面を複数回（例えば、４回）発光させる。例えば、時間Ｔｏ１は約４０μｓｅｃであり、時間Ｔｏ２は約２０μｓｅｃであり、時間Ｔｏ３は約３０μｓｅｃである。しかし、本発明は何ら各時間が上述した数値に限定されるものではなく、各時間はプラズマディスプレイシステムの仕様等に応じて適切に設定すればよい。
【０２７８】
次に、本実施の形態における画像表示システムの一例であるプラズマディスプレイシステムの構成について説明する。
【０２７９】
図１３は、本発明の実施の形態２におけるプラズマディスプレイ装置１１０を構成する回路ブロックおよびプラズマディスプレイシステム１３０の一例を概略的に示す図である。
【０２８０】
なお、本実施の形態では、実施の形態１で説明した回路ブロックと実質的に同じ構成であり実質的に同じ動作をする回路ブロックについては、実施の形態１と同じ符号を付与し、説明を省略する。
【０２８１】
本実施の形態に示すプラズマディスプレイシステム１３０は、プラズマディスプレイ装置１１０とライトペン１５０とを構成要素に含む。
【０２８２】
プラズマディスプレイ装置１１０は、パネル１０と、パネル１０を駆動する駆動回路を備えている。駆動回路は、画像信号処理回路３１、データ電極駆動回路３２、走査電極駆動回路３３、維持電極駆動回路３４、タイミング発生回路３５、描画回路４４、受信回路４６、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【０２８３】
ライトペン１５０は、棒状の形状に形成されており、受光素子５２、タイミング検出回路５４、座標算出回路５６、および送信回路５８を備えている。また、図１３には示していないが、ライトペン１５０は、接触スイッチを有する。接触スイッチは、ライトペン１５０の先端部に設けられ、ライトペン１５０がパネル１０の前面基板１１（パネル１０の画像表示面）に接触したときに、その接触を検知する。
【０２８４】
受光素子５２は、パネル１０の画像表示面に生じる発光を受光して電気信号（受光信号）に変換する。そして、その受光信号を、タイミング検出回路５４および座標算出回路５６に出力する。
【０２８５】
タイミング検出回路５４は、接触スイッチが接触を検知している期間、以下の動作をする。
【０２８６】
タイミング検出回路５４は、受光信号にもとづき、タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏに発生するタイミング検出用の発光（タイミング検出放電によって生じる発光）を検出する。具体的には、タイミング検出回路５４は、タイミング検出回路５４が有するタイマー（図１３には示さず）を用いて、複数（例えば、４回）の発光の時間間隔を計測する。そして、その時間間隔があらかじめ定められた所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）に合致するかどうかを判定する。
【０２８７】
こうして、タイミング検出回路５４は、受光信号にもとづき、あらかじめ定められた所定の時間間隔で発生する複数の発光を検出する。図１２に示す例では、発光の間隔が順に時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３となる連続する４回の発光を検出する。
【０２８８】
そして、タイミング検出回路５４は、その連続する複数回（例えば、４回）の発光のうちの１つを基準にして座標基準信号を作成する。例えば、図１２に示す例では、タイミング検出期間Ｐｏの時刻ｔｏ１に発生した発光を基準にして座標基準信号を作成する。なお、この座標基準信号は、図１２には示していないが、図１０に示した座標基準信号と実質的に同じ信号であり、時刻ｔｙ０と時刻ｔｘ０とのそれぞれに立上りエッジがある信号のことである。
【０２８９】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１１０では、時刻ｔｏ１から時刻ｔｙ０までの時間Ｔｏｙはあらかじめ定められており、時刻ｔｏ１から時刻ｔｘ０までの時間Ｔｏｘはあらかじめ定められている。なお、時刻ｔｏ１は、タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏにおいて走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに１回目のタイミング検出パルスＶ１を印加する時刻である。また、時刻ｔｙ０は、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙのｙ座標検出期間Ｐｙにおいて１行目の走査電極ＳＣ１にｙ座標検出パルスを印加する時刻である。また、時刻ｔｘ０は、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘのｘ座標検出期間Ｐｘにおいて１列目の画素列に対応するデータ電極Ｄ１〜Ｄ３にｘ座標検出パルスを印加する時刻である。
【０２９０】
したがって、時刻ｔｏ１がわかれば、時刻ｔｙ０と時刻ｔｘ０とのそれぞれに立上りエッジがある座標基準信号を発生することができる。本実施の形態におけるタイミング検出回路５４は、受光信号にもとづき、タイミング検出期間Ｐｏにおいて、あらかじめ定められた所定の時間間隔で発生する複数のタイミング検出用の発光を検出して時刻ｔｏ１を特定する。そして、時刻ｔｏ１を基準にしてタイミング検出回路５４が有するタイマー（図１３には示さず）を動作させ、時刻ｔｙ０と時刻ｔｘ０とのそれぞれに立上りエッジがある座標基準信号を発生する。
【０２９１】
そして、タイミング検出回路５４は、その座標基準信号を座標算出回路５６に出力する。
【０２９２】
なお、本実施の形態では、時刻ｔｏ１を基準にして座標基準信号を発生する例を説明しているが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。座標基準信号は、２回目のタイミング検出パルスＶ２を発生する時刻ｔｏ２を基準にして発生してもよく、あるいは、３回目のタイミング検出パルスＶ３を発生する時刻ｔｏ３や４回目のタイミング検出パルスＶ４を発生する時刻ｔｏ４等を基準にして発生してもよい。
【０２９３】
座標算出回路５６は、実施の形態１に示した座標算出回路４２と同様に、カウンタと演算回路とを有する（図１３には示さず）。そして、座標算出回路５６は、座標算出回路４２と同様に、座標基準信号および受光信号にもとづき、時刻ｔｙ０から時刻ｔｙｙまでの時間Ｔｙｙをカウンタで測定し、演算回路において時間Ｔｙｙを時間Ｔｙ１で除算して画像表示領域におけるライトペン１５０の位置のｙ座標を算出する。同様に、座標算出回路５６は、時刻ｔｘ０から時刻ｔｘｘまでの時間Ｔｘｘをカウンタで測定し、演算回路において時間Ｔｘｘを時間Ｔｘ１で除算して画像表示領域におけるライトペン１５０の位置のｘ座標を算出する。なお、時刻ｔｙｙは、ライトペン１５０の受光素子５２がｙ座標検出パターンによる発光を受光した時刻であり、時刻ｔｘｘは、ライトペン１５０の受光素子５２がｘ座標検出パターンによる発光を受光した時刻である。
【０２９４】
本実施の形態における座標算出回路５６は、このようにして、画像表示領域におけるライトペン１５０の位置（座標（ｘ、ｙ））を算出する。
【０２９５】
送信回路５８は、電気信号を、例えば赤外線等の無線信号に変換して発信する発信回路を有する（図１３には示さず）。そして、座標算出回路５６が算出したライトペン１５０の位置（座標（ｘ、ｙ））を無線信号に変換して、受信回路４６に無線送信する。
【０２９６】
受信回路４６は、ライトペン１５０の送信回路５８から無線送信される無線信号を受信して電気信号に変換する変換回路を有する（図１３には示さず）。そして、送信回路５８から無線送信される無線信号をライトペン１５０の位置（座標（ｘ、ｙ））を表す信号に変換して描画回路４４に出力する。
【０２９７】
本実施の形態における描画回路４４以降の動作は、実施の形態１に示した描画回路４４以降における動作と実質的に同じであるので、説明を省略する。
【０２９８】
以上のように、本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステム１３０は、画像表示領域におけるライトペン１５０の位置座標を算出してプラズマディスプレイ装置１１０に無線送信するライトペン１５０と、ライトペン１５０から無線送信されるライトペン１５０の位置座標を受信してライトペン１５０の軌跡を描画するプラズマディスプレイ装置１１０を有する。
【０２９９】
例えば、ライトペンで検出した受光信号を直接プラズマディスプレイ装置に無線送信し、プラズマディスプレイ装置が有する座標算出回路で位置座標の算出をする構成では、無線信号の送受信時に発生する時間遅れ等により、上述した時刻ｔｙｙや時刻ｔｘｘが座標算出回路に正確に伝わらず、正確な位置座標を算出できない可能性がある。しかし、本実施の形態では、ライトペン１５０で位置座標の算出を行い、算出した位置座標を無線通信によってプラズマディスプレイ装置１１０に伝送する。したがって、本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステム１３０では、ライトペン１５０の軌跡を正確な位置座標にもとづき描画することができる。
【０３００】
なお、本実施の形態では、タイミング検出サブフィールドＳＦｏにおいて、あらかじめ定められた所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で、タイミング検出放電を４回発生させる例を説明したが、タイミング検出放電の回数は２回以上であればよい。
【０３０１】
なお、本実施の形態では、タイミング検出サブフィールドＳＦｏにおいてタイミング検出放電を複数回（例えば、４回）発生させるときの時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）を互いに異なる時間に設定する例を説明したが、これらの時間間隔は互いに等しい時間であってもよい。しかし、これらの時間間隔を互いに等しい時間に設定すると、例えば、ライトペンの受光素子が複数回発生するタイミング検出放電の最初のタイミング検出放電だけを受光できず他のタイミング検出放電を受光できたときに、最初のタイミング検出放電を受光できなかったのか、あるいは最後のタイミング検出放電を受光できなかったのかの区別をつけることが困難になる。したがって、このような問題が発生することを防止するために、タイミング検出放電を複数回発生させるときの時間間隔は互いに異なる時間に設定することが望ましい。
【０３０２】
（実施の形態３）
図１４は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【０３０３】
図１４には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形、およびライトペンにおいて検出される受光信号を示す。図１４には、本実施の形態においてライトペンの位置座標を検出するときの動作の一例を概略的に示す。
【０３０４】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムは、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）、タイミング検出サブフィールドＳＦｏ、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを有する。
【０３０５】
本実施の形態における画像表示サブフィールドは、実施の形態１に示した画像表示サブフィールドと実質的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０３０６】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏは、初期化期間Ｐｉｏ、書込み期間Ｐｗｏ、およびタイミング検出期間Ｐｏを有する。
【０３０７】
本実施の形態におけるタイミング検出サブフィールドＳＦｏの初期化期間Ｐｉｏは、実施の形態２に示したタイミング検出サブフィールドＳＦｏの初期化期間Ｐｉｏと実施的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０３０８】
タイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏでは、データ電極Ｄ１〜Ｄｍには電圧０（Ｖ）を印加し、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎには電圧Ｖｅを印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎには電圧Ｖｃを印加する。
【０３０９】
次に、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧Ｖｄの書込みパルスを印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖａの走査パルスを印加する。
【０３１０】
このとき、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに一斉に電圧Ｖｄの書込みパルスを印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに一斉に電圧Ｖａの走査パルスを印加して、全ての放電セルに一斉に書込み放電を発生させてもよい。しかし、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎを駆動する回路およびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍを駆動する回路に流れる電流を抑制するために、例えば図１４に示すように、走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまでの各電極の複数本ずつ（あるいは、１本ずつ）に順次走査パルスを印加するように構成してもよい。その場合には、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに走査パルスを印加する毎に、全てのデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに書込みパルスを印加する。
【０３１１】
全ての放電セルに書込み放電を発生し終えた後は、データ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｃを印加する。本実施の形態では、この状態を、時刻ｔｏ０から時間Ｔｏ０の間、維持する。時刻ｔｏ０は、最後の書込み放電を発生させるための走査パルスを走査電極ＳＣｎに印加した時刻である。
【０３１２】
そして、本実施の形態では、時間Ｔｏ０を、タイミング検出放電の時間間隔にもとづいて設定する。時間Ｔｏ０は、例えば、約５０μｓｅｃである。
【０３１３】
タイミング検出期間Ｐｏでは、実施の形態２に示したタイミング検出期間Ｐｏと同様に、ライトペンにおける位置座標算出時の基準となる複数回の発光（タイミング検出用の発光）をパネル１０に生じさせる。すなわち、あらかじめ定められた所定の時間間隔（例えば、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３）で、パネル１０の画像表示領域内の全ての放電セルにタイミング検出放電を複数回（例えば、４回）発生させる。
【０３１４】
具体的には、時刻ｔｏ０から時間Ｔｏ０が経過した後の時刻ｔｏ１において、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎに電圧０（Ｖ）を印加するとともに走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧Ｖｓｏのタイミング検出パルスＶ１を印加する。これにより、全ての放電セルに１回目のタイミング検出放電が発生し、パネル１０の画像表示面の全面が発光する（１回目のタイミング検出用の発光）。
【０３１５】
以降、実施の形態２に示したタイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏと同様に、時刻ｔｏ１から時間Ｔｏ１が経過した後の時刻ｔｏ２において全ての放電セルに２回目のタイミング検出放電を発生させ、時刻ｔｏ２から時間Ｔｏ２が経過した後の時刻ｔｏ３において全ての放電セルに３回目のタイミング検出放電を発生させ、時刻ｔｏ３から時間Ｔｏ３が経過した後の時刻ｔｏ４において全ての放電セルに４回目のタイミング検出放電を発生させる。
【０３１６】
タイミング検出パルスＶ４の発生後（タイミング検出サブフィールドＳＦｏにおけるタイミング検出期間Ｐｏの最後）には、実施の形態２に示したタイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏと同様に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜Ｄｍに電圧０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎに電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｒまで緩やかに上昇する上り傾斜電圧を印加して、全ての放電セルに微弱な消去放電を発生させる。
【０３１７】
以上により、タイミング検出サブフィールドＳＦｏのタイミング検出期間Ｐｏが終了し、タイミング検出サブフィールドＳＦｏが終了する。
【０３１８】
続くｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘは、実施の形態１に示したｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘと実施的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０３１９】
なお、本実施の形態において、時間Ｔｏ１は約４０μｓｅｃであり、時間Ｔｏ２は約２０μｓｅｃであり、時間Ｔｏ３は約３０μｓｅｃであるが、各時間は何らこれらの数値に限定されるものではない。
【０３２０】
上述したように、本実施の形態では、タイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏにおいて、時刻ｔｏ０から時間Ｔｏ０の間は放電セルに放電が発生しない状態を維持する。
【０３２１】
そして、時間Ｔｏ０を、時間Ｔｏ１よりも長い時間に設定する。望ましくは、時間Ｔｏ０を、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３のいずれの時間よりも長い時間に設定する。これは、以下のような理由による。
【０３２２】
ライトペン１５０が有する受光素子５２は、ｙ座標検出パターンで生じる発光およびｘ座標検出パターンで生じる発光を検出する性能を有する。そして、それらの発光は、書込み放電によって発生する発光と同程度の発光強度である。したがって、受光素子５２は、書込み放電によって発生する発光も検出する。そのため、時間Ｔｏ０の設定値によっては、ライトペン１５０が、タイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏにおいて書込み放電によって発生する発光を、タイミング検出放電による発光と誤認識する可能性がある。
【０３２３】
例えば、時間Ｔｏ０が時間Ｔｏ１よりも短い時間に設定されており、かつタイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏが走査電極ＳＣ１から走査電極ＳＣｎまでの各電極の複数本ずつ（あるいは、１本ずつ）に順次走査パルスを印加する構成であると仮定する。この構成では、ライトペン１５０の位置によっては、ライトペン１５０が書込み期間Ｐｗｏの途中で発生する書込み放電による発光を検出した時刻から時刻ｔｏ１までの間隔が時間Ｔｏ１に等しくなることもあり得る。その場合、ライトペン１５０は、その書込み放電による発光をタイミング検出放電による発光と区別できず、誤認識するおそれがある。
【０３２４】
しかし、時間Ｔｏ０が、時間Ｔｏ１よりも長い時間に設定されていれば、ライトペン１５０が画像表示領域内のどの位置にあっても、ライトペン１５０が書込み放電による発光を検出した時刻から時刻ｔｏ１までの間隔は時間Ｔｏ１よりも長くなる。これにより、ライトペン１５０が、タイミング検出サブフィールドＳＦｏの書込み期間Ｐｗｏにおいて発生する書込み放電による発光を、タイミング検出放電による発光と誤認識することを防止することができる。そして、時間Ｔｏ０が、時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３のいずれの時間よりも長い時間に設定されていれば、より高精度に、その誤認識を防止することができる。
【０３２５】
このように、時間Ｔｏ０を時間Ｔｏ１よりも長い時間に設定することで、より望ましくは、時間Ｔｏ０を時間Ｔｏ１、時間Ｔｏ２、時間Ｔｏ３のいずれの時間よりも長い時間に設定することで、ライトペン１５０においては、タイミング検出放電にもとづく座標基準信号をより正確なタイミングで発生することが可能となり、画像表示領域内におけるライトペン１５０の位置（位置座標）をより正確に検出することが可能となる。
【０３２６】
なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムは、実施の形態２に示したプラズマディスプレイシステム１３０と実施的に同じ構成であり、上述した動作の差があるだけなので、説明を省略する。
【０３２７】
（実施の形態４）
上述したように、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙにおいて発生するｙ座標検出のための発光およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘにおいて発生するｘ座標検出のための発光（以下、それらを総称して「座標検出用発光」と記す）は、書込み放電によって発生する発光と同程度の発光強度である。したがって、座標検出用発光は、維持放電によって発生する発光と比較して、発光強度が弱い。
【０３２８】
そのため、残光が長く続く（残光時間が長い）蛍光体を使用したパネルでは、維持放電で生じる強い発光の残光により、ライトペンが座標検出用発光を検出できない場合がある。
【０３２９】
以下、残光時間が長い蛍光体を使用したパネルを備えたプラズマディスプレイシステムにおいて、ライトペンにおける座標検出用発光の検出を安定に行う方法を説明する。
【０３３０】
図１５は、本発明の実施の形態４におけるプラズマディスプレイ装置においてパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の一例を概略的に示す図である。
【０３３１】
図１５には、維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ、走査電極ＳＣ１、走査電極ＳＣｎ、データ電極Ｄ１、データ電極Ｄｍのそれぞれに印加する駆動電圧波形を示す。
【０３３２】
本実施の形態におけるプラズマディスプレイシステムは、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）、タイミング検出サブフィールドＳＦｏ、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、およびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘを有する。
【０３３３】
本実施の形態における画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドは、実施の形態１に示した画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドと実施的に同じ構成および動作である。ただし、画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドに設定する輝度重みが実施の形態１に示した画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドに設定した輝度重みとは異なる。以下、本実施の形態における画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドが実施の形態１に示した画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドと異なる点を説明し、構成および動作が実施的に同じ点に関しては説明を省略する。
【０３３４】
本実施の形態では、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドのうち、最初に発生する画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１）を輝度重みが最も小さいサブフィールドとし、２番目に発生する画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ２）を輝度重みが最も大きいサブフィールドとし、それ以降は輝度重みが順次小さくなるように各画像表示サブフィールドに輝度重みを設定する。
【０３３５】
例えば、画像表示サブフィールド群を８つの画像表示サブフィールド（サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８）で構成し、各画像表示サブフィールドにそれぞれ（１、３４、２１、１３、８、５、３、２）の輝度重みを設定する。
【０３３６】
なお、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドのうち、最初の画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ１）を強制初期化サブフィールドとし、他の画像表示サブフィールド（例えば、サブフィールドＳＦ２以降のサブフィールド）を選択初期化サブフィールドとする点は実施の形態１に示した画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドと同様である。
【０３３７】
続くタイミング検出サブフィールドＳＦｏ、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘは、実施の形態３に示したタイミング検出サブフィールドＳＦｏ、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙおよびｘ座標検出サブフィールドＳＦｘと実施的に同じ構成および動作であるので、説明を省略する。
【０３３８】
このように、本実施の形態では、座標検出用のサブフィールド（タイミング検出サブフィールドＳＦｏ、またはｙ座標検出サブフィールドＳＦｙ、またはｘ座標検出サブフィールドＳＦｘ）の直前に発生する画像表示サブフィールド（画像表示サブフィールド群において最後に発生する画像表示サブフィールド）を、輝度重みが相対的に小さいサブフィールドとする。
【０３３９】
画像表示サブフィールド群を構成する各画像表示サブフィールドにこのように輝度重みを設定することにより、残光時間が長い蛍光体を使用したパネルを備えたプラズマディスプレイシステムにおいても、ライトペンにおける座標検出用発光の検出を安定に行うことができる。以下にその理由について説明する。
【０３４０】
パネル１０に用いられている蛍光体層２５は、蛍光体を形成する材料に依存した残光特性を有する。残光とは、放電終了後も蛍光体が発光を持続する現象のことである。残光の強さは、蛍光体の発光時の輝度に比例し、蛍光体が発光したときの輝度が高いほど、残光も強くなる。残光は、蛍光体の特性に応じた時定数で減衰し、時間の経過とともに徐々に輝度が低下するが、維持放電を終了した後も数ｍｓｅｃの間は残光が持続するという特性を有する蛍光体材料も存在する。また、蛍光体が発光したときの輝度が高いほど、残光が十分に減衰するまでに要する時間も長くなる。
【０３４１】
蛍光体の残光が減衰する時間を表す時定数は、蛍光体材料により異なるが、青色蛍光体が１ｍｓｅｃ以下、緑色蛍光体が２ｍｓｅｃ〜５ｍｓｅｃ程度、赤色蛍光体が３ｍｓｅｃ〜４ｍｓｅｃ程度である。例えば、本実施の形態において、蛍光体層２５Ｂの時定数は約０．１ｍｓｅｃ程度であり、蛍光体層２５Ｇおよび蛍光体層２５Ｒの時定数は約３ｍｓｅｃ程度である。なお、この時定数（残光時間）は、放電終了後、放電発生時の発光輝度（ピーク輝度）の１０％程度まで残光が減衰するのに要する時間とする。
【０３４２】
輝度重みが大きいサブフィールドで生じる発光は輝度重みが小さいサブフィールドで生じる発光よりも輝度が高い。したがって、輝度重みが大きいサブフィールドで生じた発光による残光は、輝度重みが小さいサブフィールドで生じた発光による残光よりも、輝度が高くなり、減衰に要する時間も長くなる。
【０３４３】
そのため、画像表示サブフィールド群において最後に発生する画像表示サブフィールドを輝度重みが大きいサブフィールドにすると、そのサブフィールドを輝度重みが小さいサブフィールドにするときと比較して、続く座標検出用のサブフィールドに漏れ込む残光が増加する。
【０３４４】
すなわち、画像表示サブフィールド群における最後の画像表示サブフィールドから、続く座標検出用のサブフィールドに漏れ込む残光を弱めるためには、輝度重みが大きい画像表示サブフィールドを画像表示サブフィールド群の早い時期に発生し、以降、画像表示サブフィールドの発生順に輝度重みを小さくし、画像表示サブフィールド群における最後の画像表示サブフィールドを比較的輝度重みの小さいサブフィールドにすることが望ましい。
【０３４５】
これが、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドにおいて、サブフィールドＳＦ１を除く各画像表示サブフィールドの輝度重みを、時間的に後に発生する画像表示サブフィールドほど小さくなるように設定した理由である。
【０３４６】
一方、本実施の形態においては、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドのうち、最初の画像表示サブフィールド（サブフィールドＳＦ１）を強制初期化サブフィールドとし、他の画像表示サブフィールド（サブフィールドＳＦ２以降のサブフィールド）を選択初期化サブフィールドとしている。したがって、サブフィールドＳＦ１の初期化期間Ｐｉ１では、全ての放電セルにおいて初期化放電を発生し、書込み動作に必要な壁電荷およびプライミング粒子を発生することができる。これにより、以降の書込み放電を安定に発生することができる。また、１つの画像表示サブフィールド群において、強制初期化動作による発光は１回しか生じないので、黒輝度を低減し、パネル１０にコントラストの高い画像を表示することが可能となる。
【０３４７】
しかしながら、サブフィールドＳＦ１の強制初期化動作によって発生した壁電荷およびプライミング粒子は、時間の経過とともに徐々に失われていく。そして、壁電荷およびプライミング粒子が不足すると、書込み動作が不安定になる。
【０３４８】
例えば、サブフィールドＳＦ１で初期化放電が発生した後、サブフィールドＳＦ８で書込み動作が行われるまでは他の書込み動作が行われない放電セルでは、時間の経過とともに壁電荷およびプライミング粒子が徐々に失われ、サブフィールドＳＦ８における書込み動作が不安定になるおそれがある。
【０３４９】
しかし、壁電荷およびプライミング粒子は維持放電の発生により補充される。例えば、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１で維持放電が発生した放電セルでは、その維持放電により壁電荷およびプライミング粒子が補充される。
【０３５０】
また、一般的に視聴される動画においては、輝度重みが比較的小さい画像表示サブフィールドの方が、輝度重みが比較的大きい画像表示サブフィールドよりも維持放電が発生する頻度が高いことが確認されている。
【０３５１】
したがって、サブフィールドＳＦ１を輝度重みが最も小さいサブフィールドにすれば、サブフィールドＳＦ１を他の輝度重みに設定するときと比較して、画像表示サブフィールド群の初期に維持放電が発生する放電セルの数を増加させることができる。
【０３５２】
さらに、強制初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１を輝度重みが最も小さいサブフィールドにすれば、強制初期化動作で生じたプライミング粒子が十分に残存する間に書込み期間Ｐｗ１において書込み放電を安定に発生させることができる。すなわち、書込み放電の発生頻度が相対的に高いサブフィールド（輝度重みが最も小さいサブフィールド）において書込み放電を安定に発生させることができる。
【０３５３】
したがって、座標検出用のサブフィールドに漏れ込む残光を低減し、かつ画像表示サブフィールド群の最後の画像表示サブフィールドにおいても安定に書込み放電を発生するためには、次のように画像表示サブフィールド群を構成することが望ましい。まず、画像表示サブフィールド群における各画像表示サブフィールドの輝度重みを、時間的に後に発生する画像表示サブフィールドほど小さくなるように設定する。さらに、強制初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１に最も小さい輝度重みを設定し、サブフィールドＳＦ１における維持放電の発生頻度を高め、画像表示サブフィールド群の初期に壁電荷およびプライミング粒子を補充する。
【０３５４】
これらのことから、本実施の形態では、強制初期化動作を行うサブフィールドＳＦ１を輝度重みが最も小さいサブフィールドとし、サブフィールドＳＦ２を輝度重みが最も大きいサブフィールドとし、サブフィールドＳＦ３以降の各画像表示サブフィールドは輝度重みを順次小さくする。
【０３５５】
これにより、画像表示サブフィールド群における最後の画像表示サブフィールドから座標検出用のサブフィールドに漏れ込む残光を弱めることができるので、残光時間が長い蛍光体を使用したパネルを備えたプラズマディスプレイシステムにおいても、ライトペンにおける座標検出用発光の検出を安定に行うことができる。さらに、サブフィールドＳＦ１の維持期間Ｐｓ１に維持放電が発生する頻度を高め、後続の画像表示サブフィールドにおける書込み動作の安定化を図ることが可能になる。
【０３５６】
なお、サブフィールドＳＦ２以降の各画像表示サブフィールドの輝度重みを順次小さくする構成では、維持期間に発生する維持パルスの数も画像表示サブフィールドの発生順に少なくなる。そのため、座標検出用のサブフィールドが開始する時点で放電セル内に残留するプライミング粒子も、画像表示サブフィールド群における最後の画像表示サブフィールドを輝度重みが大きいサブフィールドとする場合と比較して、減少する。プライミング粒子が減少すれば暗電流を抑制することができるので、これにより、ｘ座標検出サブフィールドのｘ座標検出期間Ｐｘにおいて壁電荷の減少を抑制することができる。
【０３５７】
なお、本実施の形態では、サブフィールドＳＦ１を輝度重みが最も小さいサブフィールドとする例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドのいずれにおいても安定に書込み放電を発生することができれば、サブフィールドＳＦ１を輝度重みが最も大きい画像表示サブフィールドとし、サブフィールドＳＦ２以降の各画像表示サブフィールドの輝度重みを順次小さくする構成としてもよい。
【０３５８】
なお、本発明の実施の形態では、画像表示部にプラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置を画像表示装置の一例として挙げて、各動作を説明した。しかし、本発明は、何ら画像表示装置がプラズマディスプレイ装置に限定されるものではない。サブフィールド法によって画像表示部に画像を表示する画像表示システムであれば、上述した構成と同様の構成を適用することで、上述した効果と同様の効果を得ることができる。
【０３５９】
なお、本発明の実施の形態では、ｙ座標検出パターンとして、発光する１本の横線（発光する１つの画素行）が、パネル１０の画像表示領域の上端部（１行目）から下端部（ｎ行目）まで１行ずつ順次移動するパターンを示した。しかし、本発明は、ｙ座標検出パターンが何らこのパターンに限定されるものではない。例えば、ｙ座標検出パターンは、発光する複数本の横線（発光する複数の画素行）が、パネル１０の画像表示領域の上端部（１行目）から下端部（ｎ行目）まで複数行ずつ順次移動するパターンであってもよい。あるいは、ｙ座標検出パターンは、発光する１本の横線（発光する１つの画素行）が、パネル１０の画像表示領域の上端部（１行目）から下端部（ｎ行目）まで１行おきに順次移動するパターンであってもよい。これらの構成では、ｙ座標検出サブフィールドＳＦｙに要する時間を、本実施の形態に示した構成と比較して、短縮することができる。
【０３６０】
また、本発明の実施の形態では、ｘ座標検出パターンとして、発光する１本の縦線（発光する１つの画素列）が、パネル１０の画像表示領域の左端部（１列目の画素列）から右端部（ｍ／３列目の画素列）まで１列ずつ順次移動するパターンを示した。しかし、本発明は、ｘ座標検出パターンが何らこのパターンに限定されるものではない。例えば、ｘ座標検出パターンは、発光する複数本の縦線（発光する複数の画素列）が、パネル１０の画像表示領域の左端部（１列目の画素列）から右端部（ｍ／３列目の画素列）まで複数列ずつ順次移動するパターンであってもよい。あるいは、ｘ座標検出パターンは、発光する１本の縦線（発光する１つの画素列）が、パネル１０の画像表示領域の左端部（１列目の画素列）から右端部（ｍ／３列目の画素列）まで１列おきに順次移動するパターンであってもよい。これらの構成では、ｘ座標検出サブフィールドＳＦｘに要する時間を、本実施の形態に示した構成と比較して、短縮することができる。
【０３６１】
なお、本発明の実施の形態では、１フィールドに、画像表示サブフィールド群と位置座標を検出するためのサブフィールドとを常に有する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、使用者がライトペンを使用しないときは、１フィールドを画像表示サブフィールド群だけで構成してもよい。
【０３６２】
なお、本発明の実施の形態では、１フィールドに、画像表示サブフィールド群を構成する複数の画像表示サブフィールドと、位置座標を検出するためのサブフィールド（ｙ座標検出サブフィールド、ｘ座標検出サブフィールド、実施の形態２以降ではさらにタイミング検出サブフィールドＳＦｏ）を有する例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、上述のサブフィールドに加え、他の機能を有するサブフィールドを１フィールドに含めてもよい。
【０３６３】
なお、本発明の実施の形態では、描画回路４４をプラズマディスプレイ装置に備えた構成を示したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、プラズマディスプレイ装置に接続したコンピュータに描画回路４４に相当する機能を持たせ、そのコンピュータを用いて描画信号を作成する構成であってもよい。
【０３６４】
なお、本発明の実施の形態では、ライトペンを棒状の形状とする例を説明したが、本発明は何らライトペンの形状を棒状に限定するものではない。ライトペンは、使用者が片手で文字や図画等を手書き入力できる形状および大きさであればよく、棒状以外の形状であってもよい。
【０３６５】
なお、本実施の形態ではパネルに接触しているときのみ手書き入力ができる接触型のライトペンを画像表示システムに用いる例を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されない。パネルに接触していないときでも手書き入力ができる非接触型のライトペンを用いた画像表示システムにおいても、上述した構成と同様の構成を適用することができ、上述した効果と同様の効果を得ることができる。
【０３６６】
なお、本発明は１フィールドを構成するサブフィールドの数、強制初期化サブフィールドとするサブフィールド、各サブフィールドが有する輝度重み等が上述した数値に限定されるものではない。また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【０３６７】
なお、図３、図４、図５、図１０、図１２に示した駆動電圧波形は本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこの駆動電圧波形に限定されるものではない。
【０３６８】
また、図５、図６、図７、図８、図１３に示した回路構成も本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらの回路構成に限定されるものではない。
【０３６９】
なお、本発明における実施の形態に示した各回路ブロックは、実施の形態に示した各動作を行う電気回路として構成されてもよく、あるいは、実施の形態に示した各動作と実質的に同じ動作をするようにプログラミングされたマイクロコンピュータやコンピュータ等を用いて構成されてもよい。
【０３７０】
なお、本発明における実施の形態では、１つのフィールドに画像表示サブフィールド群を構成する８個の画像表示サブフィールドを有する例を説明した。しかし、本発明は１フィールドが有する画像表示サブフィールドの数が何ら上記の数に限定されるものではない。例えば、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールドの数をより多くすることで、パネル１０に表示できる階調の数をさらに増加することができる。あるいは、画像表示サブフィールド群を構成する画像表示サブフィールドの数をより少なくすることで、パネル１０の駆動に要する時間を短縮することができる。
【０３７１】
なお、本発明の実施の形態では、１フィールドに、画像表示サブフィールドと位置座標を検出するためのサブフィールドとを常に有する構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、使用者がライトペンを使用しないときは、１フィールドを画像表示サブフィールドだけで構成してもよい。
【０３７２】
なお、本発明における実施の形態では、１画素を赤、緑、青の３色の放電セルで構成する例を説明したが、１画素を４色あるいはそれ以上の色の放電セルで構成するパネルにおいても、本発明における実施の形態に示した構成を適用することは可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０３７３】
なお、本発明の実施の形態において示した具体的な数値は、画面サイズが５０インチ、表示電極対１４の数が１０２４のパネル１０の特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、各数値はパネルの仕様やパネルの特性、およびプラズマディスプレイ装置の仕様等にあわせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、１フィールドを構成するサブフィールドの数や各サブフィールドの輝度重み等も本発明における実施の形態に示した値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切り換える構成であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０３７４】
本発明は、ライトペンの位置座標を検出するための放電を安定に発生させ、ライトペンの位置座標を精度よく検出することができるので、画像表示装置の駆動方法、画像表示装置、および画像表示システムとして有用である。
【符号の説明】
【０３７５】
１０    パネル
１１    前面基板
１２    走査電極
１３    維持電極
１４    表示電極対
１５，２３    誘電体層
１６    保護層
２１    背面基板
２２    データ電極
２４    隔壁
２５，２５Ｒ，２５Ｇ，２５Ｂ    蛍光体層
３０，１３０    プラズマディスプレイシステム
３１    画像信号処理回路
３２    データ電極駆動回路
３３    走査電極駆動回路
３４    維持電極駆動回路
３５    タイミング発生回路
４２    座標算出回路
４４    描画回路
４６    受信回路
５０，１５０    ライトペン
５１，８１    電力回収回路
５２    受光素子
５４    タイミング検出回路
５５，８０    維持パルス発生回路
５６    座標算出回路
５８    送信回路
６０    傾斜電圧発生回路
６１，６２，６３    ミラー積分回路
７０    走査パルス発生回路
８５    一定電圧発生回路
１００，１１０    プラズマディスプレイ装置
Ｌｘ    縦線
Ｌｙ    横線
Ｄｉ１１，Ｄｉ１２，Ｄｉ２１，Ｄｉ２２，Ｄｉ６２    ダイオード
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１，Ｌ２２    インダクタ
Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ２１，Ｑ２２，Ｑ５５，Ｑ５６，Ｑ５９，Ｑ６９，Ｑ７２，Ｑ８３，Ｑ８４，Ｑ８６，Ｑ８７，Ｑ７１Ｈ１〜Ｑ７１Ｈｎ，Ｑ７１Ｌ１〜Ｑ７１Ｌｎ，Ｑ９１Ｈ１〜Ｑ９１Ｈｍ，Ｑ９１Ｌ１〜Ｑ９１Ｌｍ    スイッチング素子
Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ６１，Ｃ６２，Ｃ６３    コンデンサ
Ｒ６１，Ｒ６２，Ｒ６３    抵抗
Ｑ６１，Ｑ６２，Ｑ６３    トランジスタ
ＩＮ６１，ＩＮ６２，ＩＮ６３    入力端子
Ｅ７１    電源
ＳＦｘ    ｘ座標検出サブフィールド
ＳＦｙ    ｙ座標検出サブフィールド
ＳＦｏ    タイミング検出サブフィールド
【図１】
2013084377.tif 000003
【図２】
2013084377.tif 000004
【図３】
2013084377.tif 000005
【図４】
2013084377.tif 000006
【図５】
2013084377.tif 000007
【図６】
2013084377.tif 000008
【図７】
2013084377.tif 000009
【図８】
2013084377.tif 000010
【図９】
2013084377.tif 000011
【図１０】
2013084377.tif 000012
【図１１】
2013084377.tif 000013
【図１２】
2013084377.tif 000014
【図１３】
2013084377.tif 000015
【図１４】
2013084377.tif 000016
【図１５】
2013084377.tif 000017
【国際調査報告】
2013084377.tif 000018
2013084377.tif 000019