(57)【要約】  本発明のパルス光発生器は、励起光源と；前記励起光源からの励起光を入射するファイバグレーティングと；前記ファイバグレーティングと光学的に結合し、光伝送部であるコアに希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと；Ｑスイッチ動作させるための偏向素子を備えた光スイッチと；前記希土類添加光ファイバからの光を前記光スイッチに入射させる第一光ファイバと；前記光スイッチから出力されるパルス光を導波させる第二光ファイバと；を備え、前記光スイッチの、光が入射する一面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が０．１％以下の無反射処理がなされ、前記光スイッチの、光が出射される他面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が１％以上６０％以下の低反射手段が配されている。
2010002003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光源と；
前記励起光源からの励起光を入射するファイバグレーティングと；
前記ファイバグレーティングと光学的に結合し、光伝送部であるコアに希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと；
Ｑスイッチ動作させるための偏向素子を備えた光スイッチと；
前記希土類添加光ファイバからの光を前記光スイッチに入射させる第一光ファイバと；
前記光スイッチから出力されるパルス光を導波させる第二光ファイバと；
を備え、
前記光スイッチの、光が入射する一面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が０．１％以下の無反射処理がなされ、
前記光スイッチの、光が出射される他面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が１％以上６０％以下の低反射手段が配されている
ことを特徴とするパルス光発生器。
【請求項２】
前記低反射手段は、前記第二光ファイバが前記光スイッチと結合している一端に配されていることを特徴とする請求項１に記載のパルス光発生器。
【請求項３】
前記低反射手段は前記光スイッチ内にあって、前記偏向素子と前記第二光ファイバとの間に配されていることを特徴とする請求項１に記載のパルス光発生器。
【請求項４】
前記低反射手段は、前記偏向素子の出射端面の少なくとも一部に配されていることを特徴とする請求項１に記載のパルス光発生器。
【請求項５】
マスターオシレータと光増幅器とからなるパルスファイバレーザであって、
請求項１〜４のいずれかに記載のパルス光発生器を前記マスターオシレータとして用いることを特徴とするパルスファイバレーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルス光発生器に係り、より詳しくは短パルスを出力可能とするパルス光発生器及びこのパルス光発生器を備えたパルスファイバレーザに関する。
本願は、２００８年０７月０３日に、日本国に出願された特願２００８−１７４９０５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、ファブリペロ型ファイバレーザについて開示されている。
このファブリペロ型ファイバレーザをＱスイッチ動作でパルスレーザとするためには、共振器内部に光透過率を瞬時に変化させる光スイッチを配置する。このような光スイッチとしては、ＬＮ変調器、光学音響素子変調器（ＡＯＭ）、メカニカルシャッターなどの可変減衰器（ＶＯＡ）が挙げられる。【０００３】
パルスレーザにおいて、パルス幅を短くすることは加工性を高めるために重要な課題である。特にＱスイッチレーザの場合、パルス幅は１０ｎｓｅｃ〜１００ｎｓｅｃのオーダーのパルスを発生するが、ファイバレーザは共振器長が長くなるため、固体レーザと比較して短パルスを発生させるのが難しい。【０００４】
このように構成されたＱスイッチパルス発振器では、パルス幅を短くするための解決方法として、１：フィードバックを増やすことで発振器の周回利得を大きくする、２：増幅器の利得を大きくし、発振器の周回利得を大きくする、３：共振器長を短くするなどの方法が挙げられる。【０００５】
しかしながら、フィードバックを増やすことで発振器の周回利得を大きくする方法では、パルス幅を短くする効果には限界がある。
増幅器の利得を大きくし、発振器の周回利得を大きくする方法では、増幅器の利得を大きくすればパルス幅は単調に短くなるが、このためには励起デバイスをハイパワー化する必要があり、コストアップにつながる。
共振器長を短くする方法では、共振器長が短ければ短いほどパルス幅が短くなる。光ファイバを用いて共振器を構成する際、それぞれの部品ごとに接続されたファイバ同士の接続を行う。各部品には、一定の長さのピグテイルファイバが必要であるため、部品点数が増えると、その分のファイバ長が必要となり、共振器長が長くなる。【０００６】
また、Ｑスイッチ化に伴い光スイッチの分だけ光部品が増える。そのため、部品間の接続点が増加し、作製工数の増加、接続損失の増加が生じる虞がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国特許３２１９４１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、短い共振器長によりパルス幅を短くし、高繰り返しのパルス光が得られるパルス光発生器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を採用した。
（１）本発明のパルス光発生器は、励起光源と；前記励起光源からの励起光を入射するファイバグレーティングと；前記ファイバグレーティングと光学的に結合し、光伝送部であるコアに希土類元素が添加された希土類添加光ファイバと；Ｑスイッチ動作させるための偏向素子を備えた光スイッチと；前記希土類添加光ファイバからの光を前記光スイッチに入射させる第一光ファイバと；前記光スイッチから出力されるパルス光を導波させる第二光ファイバと；を備え、前記光スイッチの、光が入射する一面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が０．１％以下の無反射処理がなされ、前記光スイッチの、光が出射される他面側には、前記光スイッチから出力される前記パルス光の波長に対する反射率が１％以上６０％以下の低反射手段が配されている。
（２）前記低反射手段は前記第二光ファイバが光スイッチと結合している一端に配されているのが好ましい。
（３）前記反射手段が前記光スイッチ内にあって、前記偏向素子と第二光ファイバとの間に配されているのが好ましい。
（４）前記反射手段が前記偏向素子の出射側端面に配されているのが好ましい。【００１０】
（５）本発明のパルスファイバレーザは、マスターオシレータと光増幅器とからなるパルスファイバレーザであって、上記（１）〜（４）のいずれかに記載のパルス光発生器を前記マスターオシレータとして用いる。
【発明の効果】
【００１１】
上記（１）に記載のパルス光発生器によれば、光スイッチの出射側にファイバグレーティングが不要となる。そのため、共振器の長さを短くできる。ゆえに、短パルス化が可能となり、また、高繰り返しパルス光を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態に係るパルス光発生器を模式的に示した図である。
【図１Ｂ】図１Ａにおける光スイッチを模式的に示した図である。
【図２Ａ】光スイッチから出力されるパルス光の波長に対する低反射手段の反射率を示した図である。
【図２Ｂ】光スイッチから出力されるパルス光の波長に対する低反射手段の反射率を示した図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るパルス光発生器の、光スイッチを模式的に示した図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係るパルス光発生器の、光スイッチを模式的に示した図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係るパルス光発生器の、光スイッチを模式的に示した図である。
【図６】本発明の第５実施形態に係るパルス光発生器の、光スイッチを模式的に示した図である。
【図７】本発明の第６実施形態に係るパルス光発生器の、光スイッチを模式的に示した図である。
【図８】本発明のパルス光発生器を適用したパルスファイバレーザを模式的に示した図である。
【図９Ａ】実施例のパルス光発生器を模式的に示した図である。
【図９Ｂ】比較例のパルス光発生器を模式的に示した図である。
【図１０Ａ】従来のパルス光発生器を模式的に示した図である。
【図１０Ｂ】従来のパルス光発生器を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【００１４】
「パルス光発生器」
＜第１実施形態＞
図１Ａは、本発明の第1実施形態に係るパルス光発生器を模式的に示した図である。また、図１Ｂは、図１Ａのα部分、すなわち光スイッチを模式的に示した図である。
本発明のパルス光発生器は、励起光源１と；励起光源１からの励起光を入射するファイバグレーティング２と；光伝送部であるコアに希土類元素が添加された希土類添加光ファイバ３と；希土類添加光ファイバ３からの光を光スイッチ４に入射させる第一光ファイバ５と；Ｑスイッチ動作させるための偏向素子４１を備えた光スイッチ４と；光スイッチ４から出力されるパルス光を導波させる第二光ファイバ６と；から概略構成されている。光スイッチ４の励起光が入射する一端面４ａ側は、光スイッチ４から出力されるパルス光（以下、出力パルス光ということがある）の波長λ２に対する反射率（以下、単に「反射率」ということがある）が０．１％以下の無反射処理がなされている。光スイッチ４から光が出射される他端面４ｂ側には、光スイッチ４から出力されるパルス光の波長λ２に対する反射率が１％以上６０％以下の低反射手段７が配されている。
以下、それぞれについて詳細に説明する。
【００１５】
励起光源１としては、レーザダイオード（ＬＤ）などが好適に用いられ、その発振波長λ１は、適用するパルス光発生器により適宜変更でき、特に限定されるものではない。
【００１６】
ファイバグレーティング２としては、従来公知のものを用いることができるが、出力パルス光の波長λ２に対して反射率が９０％以上の高反射ファイバグレーティングを用いるのが好ましい。
励起光源１とファイバグレーティング２との結合は、融着接続により結合してもよいし、波長合成カプラ(ＷＤＭカプラ)、またはダイクロイックミラーなどを用いて結合してもよい。
【００１７】
希土類添加光ファイバ３は、その光伝送部にイッテルビウム（Ｙｂ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、ネオジム（Ｎｄ）、及びプラセオジム（Ｐｒ）等の希土類イオンが添加された光増幅用ファイバである。単一の元素を添加してもよいし、所望の割合でこれら希土類元素が混合されたものを用いてもよい。
【００１８】
光スイッチ４への入射光を導波する第一光ファイバ５と、光スイッチ４からの出射光を導波する第二光ファイバ６としては、特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。
ファイバグレーティング２の両端と、希土類添加光ファイバ３と、第一光ファイバ５と、第二光ファイバ６とのコア径、及びクラッド外径は、揃えておくのが好ましい。
【００１９】
光スイッチ４は、図１Ｂに示すように、内部に偏光素子４１が配されており、この偏光素子のＯＮ、ＯＦＦによりＱ−スイッチ動作が行われる。
光スイッチ４の励起光の入射端面４ａ、すなわち、光スイッチ４と第一光ファイバ５との接続部位は、発振器のＱ値を十分に低くするために、出力パルス光の波長λ２に対して反射率が０．１％以下の無反射処理をしておく。この反射率０．１％以下が満たされないと、Ｑ値が十分に低くならず、光スイッチ４がオフの状態にもかかわらず発振が始まり、正常に動作しなくなる。
この無反射処理は、励起光源１からのレーザ光を反射しない誘電体多層膜を蒸着するなどにより設けられる。
光スイッチ４における光透過損失は、４ｄＢ以下が好ましい。４ｄＢを超えると発振効率が著しく低下する。
【００２０】
偏向素子４１としては、音響光学変調器（ＡＯＭ）の他に、光可変減衰器（ＶＯＡ）、ＬＮ変調器なども適用できる。偏向素子４１の光が入射する側の端面４１ａは、光スイッチ４と第一光ファイバ５との結合部と同様に、出力パルス光の波長λ２に対して反射率が０．１％以下の無反射処理をしておく。この反射率０．１％以下が満たされていないと、Ｑ値が十分に低くならず、光スイッチ４がオフの状態にもかかわらず発振が始まり、正常に動作しなくなる。
【００２１】
低反射手段７は、誘電体の多層膜などにより形成されたもので、光スイッチ４からの出射光が入射する第二光ファイバ６の端面６ａに配されている。
この低反射手段７の出力パルス光の波長λ２に対する反射率は、１％以上６０％以下の範囲内で、光スイッチ４の透過損失に合わせて適宜調節して用いるのが好ましい。例えば、光スイッチ４の透過損失が０ｄＢの理想状態であれば、この反射率は１％以上１０％以下程度が望ましい。光スイッチ４の透過損失が４ｄＢ（往復で１６％となる）であれば、この反射率は６％以上６０％以下が望ましい。
低反射手段７の出力パルス光の波長λ２に対する反射率が１％以下であると、急激にパルス幅が広くなり、発振が不安定となる。また、この反射率が６０％を超えると、パルス幅は緩やかに広くなり、平均出力が急激に低下する。
【００２２】
低反射手段７は、基材（例えばファイバ端面や石英板、偏向素子表面や可変減衰素子など）の表面に、誘電体の膜を形成することによって得られる。
例えば、ファイバ端面や石英板の表面にＴａ２Ｏ５の１層の薄膜を形成することによって、図２Ａに示すように、反射率１％以上２２％以下の反射率を有する膜（反射膜）が実現できる。
また、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５の三層の膜を形成することによって、図２Ａに示すように、４９％までの反射率を有する膜を実現できる。
さらに、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５の五層の膜を形成することによって、図２Ａに示すように、７０％までの反射率を有する膜を実現できる。
それぞれの反射膜において、最大の反射率を得るのは、各反射膜の厚さが反射したい光の１／４λに相当する場合である。膜厚をこの値からずらすことにより、所望の反射率に下げられる。
以上のように、反射膜の層の数を増やすほど実現できる最大反射率が上がり、設計自由度は増すことになるが、反射膜の形成に時間がかかるため、生産性の点からは層の数は少ないほうが望ましい。
【００２３】
低反射手段７が形成される被成膜面の屈折率によっても、この低反射手段７の反射率を変えられる。図２Ｂは、１０５０ｎｍに対する屈折率がそれぞれ１．４５、１．７、２．０の基材に、Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５の五層の膜からなる低反射手段７を設けた際の反射率を示したものである。屈折率が１．４５の基材としては、例えば光ファイバのクラッドをなす石英からなるものが挙げられる。屈折率が１．７の基材としては、例えばミラーやレンズで用いられているＭｇＯからなる透明体などが挙げられる。屈折率が２．０の基材としては、例えば偏向素子４１を構成するＴｅＯ２などが挙げられる。
以上のように、低反射手段７を設ける場所（例えば光ファイバや偏向素子など）によっても、反射率を変えられる。
【００２４】
本実施形態においては、図１Ｂに示すように、低反射手段７は、スイッチがＯＮとなるポート（スイッチの透過損失が小さくなる側の第二光ファイバ６の端面６ａ）に固定されており、光が入射するチャンネルは出力パルス光の波長λ２に対して反射率０．１％以下の無反射処理がなされている。したがって、光スイッチ４がＯＮになった際には、希土類添加光ファイバ３に対して１％〜６０％の光をフィードバックする。光スイッチ４がＯＦＦの状態では、希土類添加光ファイバ３には光は戻らず、かつ出力もされない。光スイッチ４が一旦ＯＮの状態になると、光のフィードバックと光の出力が同時に始まる。この結果、共振器はＱスイッチ動作が可能となる。この際、この光スイッチ４を備えた本発明のパルス光発生器は、共振器の出力側の一端を、光スイッチを行なうための偏向素子の端面で構成するため、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、従来のパルス光発生器よりも共振器長の長さが短くなっているため、出力光のパルス幅を短くできる。
【００２５】
＜第２実施形態＞
図３は、第２実施形態に関わるパルス光発生器のうち、光スイッチ４を模式的に示した図である。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、低反射手段７が光スイッチ４内にあって、偏光素子４１と光スイッチ４の他端面４ｂとの間に配された透明板４８上に配されている点である。
【００２６】
透明板４８は、出力パルス光の波長λ２に対して反射率が０．１％以下の無反射処理がなされたものであって、例えばＰＭＭＡ、ＴｉＯ２、合成石英といった樹脂やガラスからなる。その厚さは、適用する光スイッチによって適宜調節されるが、例えば１００μｍ〜２０００μｍである。
低反射手段７は、透明板４８の一面４８ａにあって、光スイッチ４がＯＮとなった際に、出射される光が通過するように配されている。
【００２７】
本実施形態によれば、透明板４８を構成する材料を変えるだけで、低反射手段７の反射率を、この透明板４８を構成する材料の屈折率に応じて調節できる。また、この低反射手段７が設けられた透明板４８を既存の光スイッチに配することで、第１実施形態と同様に、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、共振器長を短くすることができ、パルス幅を短くできる。また、高繰り返しパルス光を出射することが可能なパルス光発生器が容易に得られる。更に、融着のばらつきから開放され、生産性が向上する。
【００２８】
＜第３実施形態＞
図４は、第３実施形態に関わるパルス光発生器のうち、光スイッチ４を模式的に示した図である。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、偏向素子４１の出力部表面４１ｂに、低反射手段７が配されている点である。
【００２９】
本実施形態のように、偏向素子４８の表面に低反射手段７を設けることで、この低反射手段７は、偏向素子４１の屈折率に応じた反射率を備えられる。また、低反射手段７を備えた偏向素子４８を既存の光スイッチに適用することで、第１実施形態と同様に、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、共振器長を短くでき、パルス幅を短くできる。また、高繰り返しパルス光を出射することが可能なパルス光発生器が容易に得られる。
【００３０】
以上説明したように、本発明において低反射手段７の所望の反射率を得るために、共振器の端面を構成させる部位に応じて、低反射手段７の反射膜のパラメータを適宜設定する。なお、低反射手段７の反射率は、パルス光発生器の所望の出力特性（パルス幅や平均出力等）を得るために、共振器長や利得等と併せて最適値が決定される。
【００３１】
＜第４実施形態＞
図５は、第４実施形態に関わるパルス光発生器のうち、光スイッチを模式的に示した図である。本実施形態が第１実施形態と異なる点は、１次回折光が入射される光ファイバ６の端面６ａに、低反射手段７が配されている点である。
【００３２】
本実施形態によれば、特定の波長域の１次回折光においても、第１実施形態と同様に、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、共振器長を短くでき、パルス幅を短くできる。また、高繰り返しパルス光を出射することが可能なパルス光発生器が容易に得られる。
【００３３】
＜第５実施形態＞
図６は、第５実施形態に関わるパルス光発生器のうち、光スイッチ４を模式的に示した図である。本実施形態が第４実施形態と異なる点は、光スイッチ４内に配された透明板４８に、低反射手段７が設けられている点である。透明板４８としては、第２実施形態と同様なものを適宜用いればよい。
【００３４】
本実施形態によれば、上述した第２実施形態の効果と第４実施形態の効果を得られる。すなわち、低反射手段７が設けられた透明板４８を、既存の光スイッチに配することで、第１実施形態と同様に、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、共振器長を短くでき、パルス幅を短くできる。また、特定の波長域の１次回折光においても、高繰り返しパルス光を出射可能なパルス光発生器が容易に得られる。さらに、融着のばらつきから開放され、生産性の向上が図れる。
【００３５】
＜第６実施形態＞
図７は、第６実施形態に関わるパルス光発生器のうち、光スイッチ４を模式的に示した図である。本実施形態が第５実施形態と異なる点は、偏向素子４１の他面４１ｂのうち、１次回折光が出射する部位に低反射手段７が配されている点である。
【００３６】
本実施形態によれば、上述した第３実施形態の効果と第４実施形態の効果を得られる。すなわち、偏向素子４８の表面に低反射手段７を設けることで、この低反射手段７は、偏向素子４１の屈折率に応じた反射率を備えられる。また、低反射手段７を備えた偏向素子４８を既存の光スイッチに適用することで、第１実施形態と同様に、出力側にファイバグレーティングを配置する必要がなく、共振器長を短くでき、パルス幅を短くできる。また、特定の波長域の１次回折光においても、高繰り返しパルス光を出射可能なパルス光発生器が容易に得られる。
【００３７】
「パルスファイバレーザ」
図８は、本発明のパルス光発生器１０をマスターオシレータ（以下、ＭＯということがある）１０として用いた際の、パルスファイバレーザ８０を模式的に示した図の一例である。パルスファイバレーザ８０は、ＭＯ１０と光増幅器２０とから概略構成されている。また、ＭＯ１０の出力側が、段間アイソレータ３１を介して光増幅器２０に接続されている。ＭＯ１０から出力されたレーザ光が、段間アイソレータ３１を介して光増幅器２０で増幅されて、出力される。
【００３８】
光増幅器２０としては、従来公知のものを用いることができ、例えば、複数の励起光源２１からの励起光を入射する励起ポート２２と；ＭＯ１０からのレーザ光が入射される信号ポート２４と；励起ポート２２から入射された励起光と信号ポート２４から入射された信号光とがあわされて出射される出射ポート２７を有する光結合器２３と；励起ポート２２に接続された励起光源２１と；出射ポート２７に接続された光ファイバ２５と；からなるものが挙げられる。
【００３９】
ＭＯ１０から出射されたレーザ光は、信号ポート２４から光結合記２３へと入射され、この光結合器２３を介して光ファイバ２７のコアへと入射される。一方、励起ポート２２には励起光源２１がそれぞれ接続されており、励起光が光結合器２３を介して光ファイバ２７へと入射される。
光ファイバ２７へ入射された励起光は、その後アイソレータ２６を介して出力される。
【００４０】
光増幅器を構成する励起光源２１と、励起ポート２２と、光結合器２３と、信号ポート２４と、光ファイバ２５と、アイソレータ２６と、出射ポート２７とに関しては、特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。
【００４１】
本発明のパルスファイバレーザ８０によれば、マスターオシレータ１０からの出力光のパルス幅を短くできるので、高出力なファイバレーザが得られる。
【実施例】
【００４２】
＜実施例１＞
図１Ａ及び図１Ｂに示すパルス光発生器を作製し、これを実施例１とした。励起光源としては、発振波長λ１が９７６ｎｍ、出力が３００ｍＷの半導体レーザを用いた。光ファイバとしては、吸収率６００ｄＢ／ｍ、長さ３０ｃｍの、Ｙｂ添加シングルモードファイバを用いた。ファイバグレーティングとしては、１０６０ｎｍ−１０７０ｎｍの波長に対する反射率が９５％のものを用いた。光スイッチとしては、１ｃｈの反射端が設けられたＡＯＭを用いた。励起光源とファイバグレーティングとは融着により接続した。使用したファイバ（ファイバグレーティングの両端、光ファイバ、光スイッチ両端のファイバ）のコアは、直径４μｍ程度、クラッド外径は１２５μｍに揃えた。
低反射手段としては、Ｔａ２Ｏ５の１層の薄膜を４５ｎｍ形成した。本実施例における低反射手段の反射率は、１０％程度であった。【００４３】
＜実施例２＞
低反射手段としてＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５の三層の膜を３５０ｎｍ形成したこと以外は実施例１と同様にパルス光発生器を作製し、これを実施例２とした。本実施例における低反射手段の反射率は、３０％程度であった。【００４４】
＜実施例３＞
低反射手段としてＴａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５の五層の膜を７００ｎｍ形成したこと以外は実施例１と同様にパルス光発生器を作製し、これを実施例３とした。本実施例における低反射手段の反射率は、６０％程度であった。【００４５】
＜比較例＞
図１０Ｂに示す従来のパルス光発生器を作製し、これを比較例とした。ファイバグレーティング１０２，１０６、光ファイバ１０３，１０５に関しては、実施例１と同様なものを用いた。【００４６】
図９Ａ及び図９Ｂに、実施例及び比較例のパルス光発生器とその大きさを模式的に示す。図９Ａは、実施例１〜３のパルス光発生器、図９Ｂは比較例のパルス光発生器をそれぞれ示している。
図９Ａ及び図９Ｂに示すように、実施例１〜３のパルス光発生器では、比較例である従来のパルス光発生器よりも大幅に共振器長を短くできた（およそ、従来の６０％程度の共振器長）。【００４７】
実施例１〜３及び比較例のパルス光発生器を用いて、出力を１００ｍＷ、１５０ｍＷ、２００ｍＷとそれぞれ変えて、パルス幅を測定した。この結果を、表１に示す。【００４８】
【表１】
2010002003.tif 000003
【００４９】
表１より、実施例１〜３のパルス光発生器では、比較例よりも５０％程度のパルス幅の低減効果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、ファブリペロ型ファイバレーザに適用できる。
【符号の説明】
【００５１】
１      励起光源
２      ファイバグレーティング
３      希土類添加光ファイバ
４      光スイッチ
５      第一光ファイバ
５ａ    第一光ファイバの出射端面
６      第二光ファイバ
６ａ    第二光ファイバの入射端面
７      低反射手段
４１    偏向素子
４１ａ  偏向素子の入射端面
４１ｂ  偏向素子の出射端面
４８    透明板
【図１Ａ】
2010002003.tif 000004
【図１Ｂ】
2010002003.tif 000005
【図２Ａ】
2010002003.tif 000006
【図２Ｂ】
2010002003.tif 000007
【図３】
2010002003.tif 000008
【図４】
2010002003.tif 000009
【図５】
2010002003.tif 000010
【図６】
2010002003.tif 000011
【図７】
2010002003.tif 000012
【図８】
2010002003.tif 000013
【図９Ａ】
2010002003.tif 000014
【図９Ｂ】
2010002003.tif 000015
【図１０Ａ】
2010002003.tif 000016
【図１０Ｂ】
2010002003.tif 000017
【国際調査報告】
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