(57)【要約】  薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護層を成膜する。これにより、薄膜ガラスの強度を向上させることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜ガラスに保護層が成膜された薄膜ガラスの製造方法であって、
薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により前記保護層を成膜することを特徴とする薄膜ガラスの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜ガラスの端面に、大気圧下で、プラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする請求項１に記載の薄膜ガラスの製造方法。
【請求項３】
前記薄膜ガラスの端面の表面温度を、当該薄膜ガラスの歪点以下で前記保護層を成膜することを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜ガラスの製造方法。
【請求項４】
前記保護層の成膜前に、前記薄膜ガラスを加熱処理することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造方法。
【請求項５】
前記薄膜ガラスを、ロール・ツー・ロール方式により搬送しながら、前記薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造方法。
【請求項６】
薄膜ガラスに保護層が成膜された薄膜ガラスの製造装置であって、
薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜する成膜部を備えることを特徴とする薄膜ガラスの製造装置。
【請求項７】
前記成膜部は、前記薄膜ガラスの端面に、大気圧下で、プラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする請求項６に記載の薄膜ガラスの製造装置。
【請求項８】
前記成膜部は、前記薄膜ガラスの端面の表面温度が、当該薄膜ガラスの歪点以下で前記保護層を成膜することを特徴とする請求項６又は７に記載の薄膜ガラスの製造装置。
【請求項９】
前記成膜部による前記保護層の成膜前に、前記薄膜ガラスを加熱処理する加熱部を備えることを特徴とする請求項６〜８の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造装置。
【請求項１０】
前記薄膜ガラスを、ロール・ツー・ロール方式により搬送する搬送部を備えることを特徴とする請求項６〜９の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜ガラスの製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示デバイス用の基板としてガラス基板が使用されており、中でも、可撓性を有しロール状に巻き取ることも可能な薄膜ガラスと呼ばれる極めて薄いガラス基板が好適に用いられている。【０００３】
一般に、ガラス基板においては、端面に存在する微細な欠陥が劈開の起点となって割れや破損を生じるため、端面の状態によっては強度が著しく低下してしまう恐れがある。かかる強度低下はガラス基板が薄いほど著しく、ガラス基板の端面の強度を補強する技術への要望は高い。
これに対して、ガラス基板の端面に化合物溶液を塗布して熱処理することでガラス基板の端面の強度を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、エッジ部分が面取りされているガラス基板の一方の面に成膜処理を行う際、形成される膜を、ガラス基板の端面まで延在するようにＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）成膜処理を行うことでガラス基板の端面の強度を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２６１３５５号公報
【特許文献２】特開２００９−２４９２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は厚さが０．７ｍｍ程度のガラス基板を想定し、特許文献２に記載の技術は０．２〜６．０ｍｍのガラス板を想定したものであって、厚さが２００μｍ以下（好ましくは３０〜１５０μｍ）の薄膜ガラスに適応した場合に、当該薄膜ガラスの端面の強度向上を図るには十分とは言えなかった。【０００６】
本発明の課題は、薄膜ガラスの強度をより向上させることができる薄膜ガラスの製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の課題を解決するために、
請求項１に記載の発明は、
薄膜ガラスに保護層が成膜された薄膜ガラスの製造方法であって、
薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により前記保護層を成膜することを特徴とする。【０００８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の薄膜ガラスの製造方法において、
前記薄膜ガラスの端面に、大気圧下で、プラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする。【０００９】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の薄膜ガラスの製造方法において、
前記薄膜ガラスの端面の表面温度を、当該薄膜ガラスの歪点以下で前記保護層を成膜することを特徴とする。【００１０】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造方法において、
前記保護層の成膜前に、前記薄膜ガラスを加熱処理することを特徴とする。【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造方法において、
前記薄膜ガラスを、ロール・ツー・ロール方式により搬送しながら、前記薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする。【００１２】
また、請求項６に記載の発明は、
薄膜ガラスに保護層が成膜された薄膜ガラスの製造装置であって、
薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜する成膜部を備えることを特徴とする。【００１３】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の薄膜ガラスの製造装置において、
前記成膜部は、前記薄膜ガラスの端面に、大気圧下で、プラズマＣＶＤ法により前記保護層を成膜することを特徴とする。【００１４】
また、請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載の薄膜ガラスの製造装置において、
前記成膜部は、前記薄膜ガラスの端面の表面温度が、当該薄膜ガラスの歪点以下で前記保護層を成膜することを特徴とする。【００１５】
また、請求項９に記載の発明は、請求項６〜８の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造装置において、
前記成膜部による前記保護層の成膜前に、前記薄膜ガラスを加熱処理する加熱部を備えることを特徴とする。【００１６】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項６〜９の何れか一項に記載の薄膜ガラスの製造装置において、
前記薄膜ガラスを、ロール・ツー・ロール方式により搬送する搬送部を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、薄膜ガラスの端面にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護層を成膜することで、当該薄膜ガラスの強度を好適に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜ガラスの端面処理装置の斜視図である。
【図２】図１のII−II線での断面図である。
【図３】図１の変形例を示す斜視図である。
【図４】図３のIＶ−IＶ線での断面図である。
【図５】実施例及び比較例で得られた計測結果をワイブルプロットした図である。
【図６】実施例及び比較例で得られた破断強度、平均強度、及び最大強度をプロットした図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。
【００２０】
図１、２に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜ガラスの製造装置（以下、単に製造装置という）１は、長尺な薄膜ガラスＧを搬送方向Ｘに沿ってロール・ツー・ロール方式により連続搬送しつつ、その幅方向の一方の端面ＧａにプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により保護層を成膜し、当該端面Ｇａを強化する装置である。
【００２１】
具体的には、製造装置１は、薄膜ガラスＧを搬送する搬送部２と、搬送されている薄膜ガラスＧの端面ＧａにプラズマＣＶＤ法により保護層を成膜する成膜部３と、等を備えている。
【００２２】
製造装置１で処理される薄膜ガラスＧは、特に限定はされないが、厚さが２００μｍ以下、好ましくは３０〜１５０μｍの極めて薄いガラスである。
このような薄いガラスにおいては、その端面の分子レベルのナノオーダーの微細なクラックに起因して、薄いガラス自体が破断してしまうといった問題があり、薄いガラスの端面の強化が求められている。
この薄膜ガラスＧは、例えば、幅方向両端がＣＯ２レーザーによって予め切断処理されている。即ち、薄膜ガラスＧの一面にＣＯ２レーザーを照射し、その熱応力を利用した亀裂進展によって薄膜ガラスＧを切断する切断処理が予めなされている。これにより、薄膜ガラスＧはその幅方向の長さが所定の寸法に揃えられる。
なお、このようにＣＯ２レーザーを用いて切断処理することで、その切断断面の分子レベルのナノオーダーの微細なクラックを極小化でき、切断したガラス自体の破断強度を高く維持することができる。
しかしながら、ＣＯ２レーザーを用いることにより、切断断面の分子レベルのナノオーダーの微細なクラックをある程度極小化でき破断強度を高く維持できるものの、薄膜ガラスＧを実際にハンドリングするにはまだまだ十分ではない強度である。そこで、本発明では、薄膜ガラスＧの端面ＧａにプラズマＣＶＤ法によって保護層を成膜することを特徴とする。プラズマＣＶＤ法によって、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに保護層を成膜することにより、破断強度が実際のハンドリングに耐え得る程度高く維持された薄膜ガラスＧが作製できる。
【００２３】
搬送部２は、搬送方向Ｘの上流側に配置された繰出ロール２ａと、搬送方向Ｘの下流側に配置された巻取ロール２ｂとを有し、薄膜ガラスＧを繰出ロール２ａから繰り出して、巻取ロール２ｂにて巻き取る構成となっている。薄膜ガラスＧは、繰出ロール２ａ及び巻取ロール２ｂの間を、一定の張力が維持された状態で一定速度で搬送され、この搬送過程において、成膜部３で端面Ｇａに保護層の成膜がなされる。
【００２４】
成膜部３は、照射ノズル３２の設けられたプラズマ発生装置３１を備え、一定速度で搬送される薄膜ガラスＧの端面Ｇａに対してプラズマＣＶＤ法により連続的に保護層の成膜を行う。
プラズマＣＶＤ法とは、空気又は不活性な放電ガスと反応性ガス（前駆体）との混合ガスをプラズマ化して、反応性ガスに応じた膜を堆積・形成する方法であり、大気圧下で行っても、または減圧下（真空下など）で行ってもよい。本発明においては、成膜後の薄膜ガラスＧの破断強度やワイブル係数をより高くでき、更に装置構成をも簡略化できるという観点から、大気圧下でプラズマＣＶＤ法を行う大気圧プラズマＣＶＤ法を採用することが好ましい。
【００２５】
具体的に、プラズマ発生装置３１は、一対の電極間に空気又は放電ガスと反応性ガスとの混合ガスを供給しつつ、当該電極間に高周波電圧を印加することで混合ガスのプラズマを発生させる。
放電ガスとしては、周期表の第１８属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の希ガス、及び窒素等が挙げられる。
また、反応性ガスとしては、例えば、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルシラン、３-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３-(メタクリロイルオキシ)プロピル(メチル)ジエトキシシラン、テトラエトキシシラン、又はメチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
なお、放電ガスと反応性ガスとの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、例えば放電ガスの割合を５０％以上として反応性ガスを供給する。
【００２６】
このプラズマ発生装置３１には、発生させたプラズマをスポット状に収束し、先端の噴射口３２ａから噴射させる照射ノズル３２が備えられている。
照射ノズル３２の噴射口３２ａは、スポット状のプラズマＰが搬送方向Ｘに直交する方向に沿って照射されるように配置されている。従って、照射ノズル３２の噴射口３２ａからは、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに対してスポット状のプラズマＰが照射される。
また、プラズマＣＶＤ処理時の薄膜ガラスＧの表面温度（特に、薄膜ガラスＧの端面Ｇａの温度）は、薄膜ガラスＧの歪点以下に抑えられた状態となっていることが好ましい。
即ち、薄膜ガラスＧの表面温度を歪点以下で処理した場合には、熱応力が抑性でき熱劣化を起こすことなく、良好に強度改質が行えるので好ましい。
例えば、薄膜ガラスＧを、アルカリ成分を含まない無アルカリガラスとした場合には、歪点が約６５０℃であるため、プラズマＣＶＤ処理時の薄膜ガラスＧの表面温度は、６５０℃以下に抑えられた状態となっていることが好ましい。
なお、歪点とは、それ以下の温度ではどれだけ急冷しても歪みを生じることのない温度である。
【００２７】
照射ノズル３２は、その噴射口３２ａが薄膜ガラスＧの端面Ｇａから所定の距離Ｌ離れた位置となるように設置される。この所定の距離Ｌは、薄膜ガラスＧの搬送速度などに応じて適宜設定される。
また、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに形成される膜を所望の膜厚にすべく、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに対して複数回成膜を行うこととしても良い。
【００２８】
また、プラズマＣＶＤ法では反応性ガスと放電による副生成物のガスが発生するため、少なくとも照射ノズル３２の噴射口３２ａ及び薄膜ガラスＧの端面Ｇａの被処理部を囲むチャンバーを備え、その副生成物のガスをチャンバー外部に排気する構成とすることが作業環境の観点から好ましい。
【００２９】
以上の構成を具備する製造装置１では、搬送方向Ｘに沿って移動する薄膜ガラスＧの端面Ｇａに対して、照射ノズル３２の噴射口３２ａからスポット状の混合ガスのプラズマＰを照射させることにより、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに当該薄膜ガラスＧの全長に亘って連続的に保護層の成膜がなされる。
このとき、薄膜ガラスＧの端面Ｇａでは、分子レベルのナノオーダーの微細なクラックに、照射された混合ガスの前駆体がはいりこんで当該クラックが埋まることとなり、当該端面Ｇａの物理的な強度が向上するものと思料される。
【００３０】
以上のように、本実施形態によれば、薄膜ガラスＧの端面ＧａにプラズマＣＶＤ法により保護層を成膜することで、薄膜ガラスＧの端面Ｇａの分子レベルのナノオーダーの微細なクラックを充填できるので、当該端面Ｇａを強化することができる。即ち、薄膜ガラスＧの強度を好適に向上させることができる。
また、大気圧プラズマＣＶＤ法を用いることで、例えば減圧下でプラズマＣＶＤ法を行う場合と比較して、保護層の成膜後の薄膜ガラスＧの破断強度やワイブル係数をより高くできる。
また、大気圧プラズマＣＶＤ法を用いることで、例えば減圧下でプラズマＣＶＤ法を行う場合と比較して減圧装置等を準備する必要がないので、装置構成を簡略化することができ、薄膜ガラスＧのサイズがどのようなものであっても、製造装置１を設置するのが容易となる。
【００３１】
また、薄膜ガラスＧの端面Ｇａの表面温度を、当該薄膜ガラスＧの歪点以下で保護層を成膜することで、薄膜ガラスＧの熱応力を抑制することができる。
【００３２】
また、薄膜ガラスＧを、ロール・ツー・ロール方式により搬送しながら、薄膜ガラスＧの端面ＧａにプラズマＣＶＤ法により保護層を成膜することで、長尺な薄膜ガラスＧに対して連続的に端面処理を行うことができる。
【００３３】
なお、本発明を適用可能な実施形態は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
以下に、本発明に係る薄膜ガラスの端面処理装置の変形例について説明する。
【００３４】
＜変形例＞
図３、４に示すように、変形例の製造装置１Ａは、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに成膜部３により保護層を成膜する前に、搬送されている薄膜ガラスＧを所定温度Ｔまで加熱処理する加熱部４を備えている。
【００３５】
加熱部４は、薄膜ガラスＧの搬送経路中に配設された矩形状のチャンバー４ａを有する。チャンバー４ａは、搬送方向Ｘの後方側の端面に搬入孔４１を有し、搬送方向Ｘの前方側の端面に搬出孔４２を有している。これら搬入孔４１及び搬出孔４２は、搬送方向Ｘに沿って搬送される薄膜ガラスＧを、チャンバー４ａ内に搬入してチャンバー４ａ内から搬出するための通過孔である。
【００３６】
チャンバー４ａの内部には、ヒーター４ｂが備えられ、チャンバー４ａの内部に搬送される薄膜ガラスＧを、その表面温度が所定温度Ｔとなるように加熱するようになっている。これは、保護層が成膜される前に薄膜ガラスＧの表面温度を予め昇温させておくことで、その端面Ｇａに局所的に成膜されることによる薄膜ガラスＧの熱変形及び残留歪の発生を抑制することができるため好ましい形態である。
なお、薄膜ガラスＧを加熱できるものであればヒーター４ｂ以外の構成であっても良く、例えばヒーター４ｂを備える代わりに、チャンバー４ａ内部へ熱風を送風可能に構成しても良い。
【００３７】
このとき、所定温度Ｔは、薄膜ガラスＧの歪点以下に設定されていることが好ましい。
例えば、薄膜ガラスＧを、アルカリ成分を含まない無アルカリガラスとした場合には、歪点が約６５０℃であるため、所定温度Ｔを３００〜５００℃の範囲内の温度とすることが好ましく、３５０〜４２０℃の範囲内の温度とすることがより好ましい。
所定温度Ｔを薄膜ガラスＧの歪点以下に設定することで、成膜後、薄膜ガラスＧを急冷した際に薄膜ガラスＧに歪みが生じるのを防止することができる。
【００３８】
また、照射ノズル３２は、チャンバー４ａ内部に設置され、チャンバー４ａ内部を搬送される薄膜ガラスＧの端面Ｇａに向けて、噴射口３２ａからスポット状のプラズマＰが照射され成膜されるようになっている。
また、プラズマＣＶＤ法により発生した副生成物のガスは、チャンバー４ａ外部に排気される。
なお、プラズマ発生装置３１もチャンバー４ａ内部に設置することとしても良い。
【００３９】
以上のように、変形例によれば、薄膜ガラスＧの表面温度を、当該薄膜ガラスＧの歪点以下の所定温度Ｔまで加熱した状態で保護層を成膜することで、プラズマＰが照射されることによる端面Ｇａ周辺の熱変形及び残留歪をより確実に抑制することができる。
なお、所定温度Ｔは薄膜ガラスＧの歪点以下に抑えた状態であることが好ましく、所定温度Ｔを歪点以下にすることで、成膜後、薄膜ガラスＧを急冷した際に薄膜ガラスＧに歪みが生じるのを防止することができる。
【００４０】
なお、上記実施形態及び変形例では、製造装置１、１Ａとして、ロール状に巻かれた長尺な薄膜ガラスＧをロール・ツー・ロール方式で搬送しつつ端面処理するものについて説明したが、当該製造装置１、１Ａは、所定長さの薄膜ガラスＧを枚葉処理するように構成してもよい。
【００４１】
また、上記実施形態及び変形例では、成膜部３は薄膜ガラスＧの一端面側にのみ配置される構成であるが、成膜部３を薄膜ガラスＧの両端面側に一つずつ配置することで、薄膜ガラスＧの両端面に同時に成膜できるように構成してもよい。
【００４２】
また、上記実施形態及び変形例では、成膜部３の照射ノズル３２を固定しつつ薄膜ガラスＧを搬送させることで薄膜ガラスＧの全長に亘って連続的に成膜することとしたが、薄膜ガラスＧを搬送させずに照射ノズル３２を搬送方向Ｘに沿って移動可能に構成することとしてもよい。
【実施例】
【００４３】
以下に、実施例を挙げることにより、本発明をさらに具体的に説明する。但し、本発明はこの実施例に限定されるものではない。【００４４】
＜薄膜ガラス＞
厚さ１００μｍ、歪点６５０℃の無アルカリホウケイ酸ガラス（日本電気硝子株式会社製：ＯＡ−１０Ｇ）を用い、ＣＯ２レーザーにて幅方向両端を亀裂進展切断し、長さ１５０ｍｍ、幅２０ｍｍの薄膜ガラスとした。【００４５】
＜処理条件＞
上記薄膜ガラスに対して下記の処理を行って、実施例１、２及び比較例１〜４とした。【００４６】
（実施例１）
上記薄膜ガラスを搬送速度３ｍ／ｍｉｎで搬送し、この搬送中の薄膜ガラスの端面に対して、大気圧プラズマＣＶＤ処理を行って実施例１とした。
大気圧プラズマＣＶＤ処理を行うプラズマ発生装置としては、市販の大気圧プラズマ処理装置を用い、薄膜ガラスの端面から５ｍｍの距離に照射ノズルの噴射口を設置した。また、放電ガスは空気であり、反応性ガス（前駆体）は、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を用いた。
また、サーモグラフィカメラVarioCAM Research（日本レーザー社製）を用いて、大気圧プラズマＣＶＤ処理を行っている際の薄膜ガラスの端面の最高温度を計測したところ、４５０℃であった。【００４７】
（実施例２）
上記薄膜ガラスを搬送速度３ｍ／ｍｉｎで搬送し、この搬送中の薄膜ガラスの端面に対して、市販の真空プラズマＣＶＤ装置を用いて真空プラズマＣＶＤ処理を行って実施例２とした。【００４８】
（比較例１）
上記薄膜ガラスを搬送速度３ｍ／ｍｉｎで搬送し、この搬送中の薄膜ガラスの端面に対して、プラズマ照射処理を行って比較例１とした。
プラズマ照射処理を行うプラズマ発生装置は実施例１と同様（但し、反応ガスは用いない）で、薄膜ガラスの端面から５ｍｍの距離に照射ノズルの噴射口を設置した。【００４９】
（比較例２）
上記薄膜ガラスを搬送速度３ｍ／ｍｉｎで搬送し、この搬送中の薄膜ガラスの表面（一面）に対して、大気圧プラズマＣＶＤ処理を行って比較例２とした。
大気圧プラズマＣＶＤ処理を行うプラズマ発生装置は実施例１と同様で、薄膜ガラスの表面から５ｍｍの距離に照射ノズルの噴射口を設置し、この照射ノズルを当該表面上を幅方向にスキャンさせながら、大気圧プラズマＣＶＤ処理を行った。【００５０】
（比較例３）
端面及び表面が共に未処理の薄膜ガラスを、比較例３とした。【００５１】
（比較例４）
上記薄膜ガラスの端面に微小ディスペンサーによりＨＭＤＳを塗布し、塗布後４００℃で１０分間熱処理して比較例４とした。【００５２】
＜強度評価＞
実施例１、２及び比較例１〜４の薄膜ガラスに対して、表１に示す枚数分、曲げによる破壊時の強度の計測を行って、算術平均の平均破壊応力値（平均強度）及び最大破壊応力値（最大強度）を求めた。また、平均強度の計測結果をＪＩＳ Ｒ１６２５（１９９６年）に従って、ワイブルプロットに載せ、その傾斜よりワイブル係数を求め、１０−３％での破断強度（破壊確率）を求めた。
なお、ワイブル係数は、計測結果の安定性を示すためのものであり、ワイブル係数が大きくなるほど安定な計測結果となっていることを表す。
また、破断強度は、大きくなるほど破壊しにくい特性となっていることを示す。
求めた破壊確率、平均強度、最大強度、及びワイブル係数を表１に示す。また、実施例１、２及び比較例１〜４で得られた計測結果のワイブルプロットを図５に示し、実施例１、２及び比較例１〜４で得られた破断強度、平均強度、及び最大強度をプロットした図を図６に示した。【００５３】
【表１】
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【００５４】
＜まとめ＞
実施例１の結果から、薄膜ガラスの端面に大気圧プラズマＣＶＤ処理を行った場合に、薄膜ガラスの破断強度及び平均強度の値が最も高くなり、強度が向上したことがわかる。
また、比較例１の結果から、薄膜ガラスの端面にプラズマ照射処理を行った場合にも、破断強度及び平均強度の値は若干高くなるが、大気圧プラズマＣＶＤ処理を行った場合ほどの強度の向上はみられないことがわかる。
また、比較例２の結果から、薄膜ガラスの表面に大気圧プラズマＣＶＤ処理を行った場合には、破断強度は若干高くなるが、平均強度や最大強度が著しく低下することがわかる。
従って、薄膜ガラスＧの端面Ｇａに大気圧プラズマＣＶＤ処理を行うことで、端面Ｇａの強度を好適に向上させることが可能であることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、表示デバイス用の基板として用いられる薄膜ガラスの製造業等に利用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１、１Ａ  製造装置
２  搬送部
２ａ  繰出ロール
２ｂ  巻取ロール
３  成膜部
３１  プラズマ発生装置
３２  照射ノズル
３２ａ  噴射口
４  加熱部
４ａ  チャンバー
４ｂ  ヒーター
４１  搬入孔
４２  搬出孔
Ｇ  薄膜ガラス
Ｇａ  端面
【図１】
2013094662.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2013094662.tif 000009
【国際調査報告】
2013094662.tif 000010
2013094662.tif 000011