(57)【要約】陽極、発光層を含む１層以上の有機薄膜層、ドナー含有層、アクセプター含有層及び光透過性陰極をこの順に有し、ドナー含有層が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。2013145667.tif 000059
2013145667.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、発光層を含む１層以上の有機薄膜層、ドナー含有層、アクセプター含有層及び光透過性陰極をこの順に有し、
前記ドナー含有層が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５０】
2013145667.tif 000053
[式中、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ、Ｒ１ｂ〜Ｒ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であるか、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ又はＲ１ｂ〜Ｒ７ｂのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成する。
Ｌ１ａ及びＬ１ｂは、それぞれ、単結合又は連結基である。
Ａｒ１ａ及びＡｒ１ｂは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族基である。
ｎは、１〜４であり、ｎが２以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物が、下記式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）で表される化合物である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５１】
2013145667.tif 000054
[式中、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ及びＲ１ｂ〜Ｒ７ｂは、それぞれ前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）におけるＲ１ａ〜Ｒ７ａ及びＲ１ｂ〜Ｒ７ｂと同様な基を表す。
Ｒ１１ａ〜Ｒ２０ａ及びＲ１１ｂ〜Ｒ２０ｂは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であるか、Ｒ１１ａ〜Ｒ２０ａ又はＲ１１ｂ〜Ｒ２０ｂのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成する。
Ｌ１ａ及びＬ１ｂは、それぞれ単結合又は連結基である。］
【請求項３】
前記ドナー含有層が、電子供与性金属、金属化合物及び金属錯体の少なくとも１つを含有する、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記ドナー含有層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の単体、希土類金属の化合物及び希土類金属の錯体のうち、少なくとも１つを含有する、請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記アクセプター含有層が、下記式（III）で表される化合物を含有する、請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５２】
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（式中、Ｒ１ｃ〜Ｒ６ｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。）
【請求項６】
前記アクセプター含有層が、下記式（IV）で表される化合物を含有する、請求項１〜４のいずれかに有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５３】
2013145667.tif 000056
［式（１）中、Ａｒ１は、環形成炭素数６〜２４の芳香環、あるいは環形成原子数５〜２４の複素環である。
Ｒｇ１及びＲｇ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ii）である。
【化５４】
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（上記式中、Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）〜（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。）
【化５５】
2013145667.tif 000058
（上記式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基であり、Ｒ２２とＲ２３は互いに結合して環を形成してもよい。）
Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基であるか、Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成する。
Ｙ１〜Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれはＮ、ＣＨ、又はＣ（Ｒ５）であり、Ｒ５は前記Ｒ１〜Ｒ４と同義である。］
【請求項７】
前記発光層を含む１層以上の有機薄膜層が、電荷発生層を介して積層された２以上の発光ユニットを構成している、請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記発光ユニットの発光層を構成する少なくとも１つの材料が、他の発光ユニットの発光層を構成する材料と異なっている、請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
白色発光する、請求項１〜８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陰極に光透過性電極を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより発光する原理を利用した自発光素子である。再結合で生じた光を素子の外部に取り出すため、一般に、陽極及び陰極の一方、又は両方に、光透過性を有する導電膜が使用される。【０００３】
このような導電膜として、透明性や導電性に優れているため、インジウム錫酸化物膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）が好ましく使用されている。ＩＴＯは、仕事関数が５ｅＶ程度であるため、陽極に好適である。一方、陰極としては、電子輸送層等、周囲の層とアフェニティレベルの差が大きくなるためには適さない。
そのため、陰極側から光を取り出す有機ＥＬ素子では、有機発光層と、透明導電膜からなる電極との間に、セシウム（Ｃｓ）のような仕事関数の低い金属と電子輸送性の有機材料とを混合させた電子注入層を形成することが提案されている。これにより、陰極の電子注入性を高めている。【０００４】
ところで、ＩＴＯに代表される透明導電膜の多くは金属酸化物からなり、プロセスガスにアルゴン（Ａｒ）や酸素（Ｏ２）を用いたスパッタ法によって成膜される。この際、上述した低仕事関数の金属を含む電子注入層が分解、酸化して、電子注入性が低下することがある。そのため、素子の駆動電圧の上昇、電流リークの発生、寿命の低下等が生じるという問題があった。【０００５】
この問題に対し、透明導電膜の下地として銅フタロシアニンを使用した有機ＥＬ素子が開示されている（特許文献１参照）。
また、仕事関数が４．０ｅＶ以下の低仕事関数金属のイオンのうち少なくとも１種を含む有機金属錯体化合物とアルミニウム（Ａｌ）等の熱還元性金属を接触させた層と、酸化モリブデン、ポルフィリン等からなる層の積層体を電子輸送部に形成し、その上に透明導電膜を形成した有機ＥＬ素子が開示されている（特許文献２、図１９参照）。
さらに、ドナー含有層、アクセプター含有層及び陰極をこの順に設け、ドナー含有層が、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体から選ばれる群のうち少なくとも一種を含有する有機ＥＬ素子が開示されている（特許文献３参照）。
しかしながら、蒸着で形成した低仕事関数の金属陰極を使用した素子と比較すると、素子の効率が低下したり、寿命が短くなるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−５８２６５号公報
【特許文献２】特開２００５−１６６６３７号公報
【特許文献３】国際公開第ＷＯ２００７／１２３０６１号
【発明の概要】
【０００７】
本発明の目的は、陰極側から光を取り出す有機ＥＬ素子であって、発光効率が高く、駆動電圧の低い素子を提供することである。
【０００８】
本発明の一態様によれば、以下の有機ＥＬ素子が提供される。
１．陽極、発光層を含む１層以上の有機薄膜層、ドナー含有層、アクセプター含有層及び光透過性陰極をこの順に有し、前記ドナー含有層が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物を含有する、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2013145667.tif 000003
[式中、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ、Ｒ１ｂ〜Ｒ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基であるか、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ又はＲ１ｂ〜Ｒ７ｂのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成する。
Ｌ１ａ及びＬ１ｂは、それぞれ、単結合又は連結基である。
Ａｒ１ａ及びＡｒ１ｂは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族基である。
ｎは、１〜４であり、ｎが２以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。］
【０００９】
本発明によれば、陰極側から光を取り出す有機ＥＬ素子であって、発光効率が高く、駆動電圧の低い素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の一実施形態の層構成を示す図である。
【図２】本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の他の実施形態の層構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、陽極、発光層を含む１層以上の有機薄膜層、ドナー含有層、アクセプター含有層及び光透過性陰極をこの順に有する。
図１に本発明に係る有機発光素子の一実施形態の素子構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、陽極１０、正孔注入層２０、正孔輸送層３０、発光層４０、ドナー含有層５０、アクセプター含有層６０及び光透過性の陰極７０を、この順に積層した構成をしている。
【００１２】
本発明において、アクセプター含有層６０は、陰極７０から電子を引き抜き（電子をアクセプトする）、ドナー含有層５０へ移送する層である。通常の有機ＥＬ素子では、陰極から有機物へ電子を注入するために、陰極の材質として仕事関数の小さいものを用いる。本発明ではアクセプター含有層６０を設けることで、ＩＴＯ等、仕事関数の高い材料を採用しても、駆動電圧の増大を少なくすることができる。
【００１３】
ドナー含有層５０は、アクセプター含有層６０から電子を引き抜き、電子を発光層４０に注入する（電子をドナーする）層である。ドナー含有層５０を設けることにより、アクセプター層６０から電子を受け取りやすくなるため、駆動電圧の低下、さらに高効率、長寿命化に効果がある。
【００１４】
この素子１では、アクセプター含有層６０に含まれるアクセプターが、陰極７０との間にある接触面より電子を引き抜く。アクセプター含有層６０は電子輸送性であるので、電子はこの接触面からアクセプター含有層６０中にドナー含有層５０方向に輸送される。さらに、ドナー含有層５０から発光層４０方向に注入される。一方、陽極１０から正孔が正孔注入層２０、正孔輸送層３０に注入され、さらに、発光層４０に注入される。発光層４０において正孔と電子が再結合し発光が生じる。
【００１５】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子では、ドナー含有層５０を設けることにより発光層４０とアクセプター含有層６０のアフィニティレベルの大きな段差を解消することができる。
ドナー含有層５０が無い場合は、アクセプター含有層６０と発光層４０のアフィニティレベルの差が大きいため、高電圧の印加が必要となる。このためこの素子構成では、陰極に負バイアスを施しても良好に発光することはできない。
本発明は、陰極７０と発光層４０の間に、アクセプター含有層６０とドナー含有層５０を設けることにより、電子の輸送を容易にし、有機発光素子の低電圧化、高効率化、長寿命化が図られる。
【００１６】
本発明では、ドナー含有層が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物を含有することを特徴とする。
【化２】
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【００１７】
上記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物は、有機化合物であるにもかかわらず、スパッタリングのダメージに強い。従って、陰極にＩＴＯ等の透明電極層を形成しても、発光層等の有機薄膜層の劣化を抑制できる。
以下、式（Ｉ）及び式(II)の化合物について説明する。
【００１８】
上記式（Ｉ）及び（II)中、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ、Ｒ１ｂ〜Ｒ７ｂは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ又はＲ１ｂ〜Ｒ７ｂのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
Ｌ１ａ及びＬ１ｂは、それぞれ、単結合又は連結基である。連結基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０の芳香族基、置換もしくは無置換の炭素数１〜８のアルキレン基、置換もしくは無置換の複素環基が挙げられる。具体的としては、置換もしくは無置換のベンゼン環基、置換もしくは無置換のナフタレン環基、置換もしくは無置換のメチレン基、又は置換もしくは無置換のピリジン環基が好ましい。
Ａｒ１ａ及びＡｒ１ｂは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族基である。
ｎは、１〜４であり、ｎが２以上の場合、括弧の内のフェナントロリン骨格を有する基は、同一でも異なっていてもよい。
【００１９】
式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物としては、下記式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（ＩＩ−ａ）又は（ＩＩ−ｂ）で表される化合物が好ましい。
【化３】
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【００２０】
フェナントロリン骨格を有する基とアントラセン骨格を有する基を有することにより、電子アクセプターとしての機能と電子輸送層としての輸送能を両立することが可能となる。更には、蒸着安定性や成膜性が向上する。
【００２１】
式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（ＩＩ−ａ）及び（ＩＩ−ｂ）において、Ｒ１ａ〜Ｒ７ａ、Ｒ１ｂ〜Ｒ７ｂ、Ｌ１ａ及びＬ１ｂは、それぞれ式（Ｉ）及び（ＩＩ）におけるＲ１ａ〜Ｒ７ａ、Ｒ１ｂ〜Ｒ７ｂ、Ｌ１ａ及びＬ１ｂと同様な基を表す。
Ｒ１１ａ〜Ｒ２０ａ及びＲ１１ｂ〜Ｒ２０ｂは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
Ｒ１１ａ〜Ｒ２０ａ又はＲ１１ｂ〜Ｒ２０ｂのうち、隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
【００２２】
以下、上述した式（Ｉ）等の各基の例について説明する。
尚、本明細書において、アリール基は、単環の芳香族炭化水素環基及び複数の炭化水素環が縮合した縮合芳香族炭化水素環基を含み、ヘテロアリール基は、単環のヘテロ芳香族環基、並びに複数のヘテロ芳香族環が縮合したヘテロ縮合芳香族環基、及び芳香族炭化水素環とヘテロ芳香族環とが縮合したヘテロ縮合芳香族環基を含む。
「置換もしくは無置換の・・・」の「無置換」とは、水素原子が置換していることを意味し、本発明の一形態に係る化合物における水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、三重水素（ｔｒｉｕｍ）を包含する。
環形成炭素（核炭素）とは、芳香環を構成する炭素原子を意味し、環形成原子（核原子）とは複素環（飽和環、不飽和環及び芳香族複素環を含む）を構成する炭素原子及びヘテロ原子を意味する。
【００２３】
環形成炭素数６〜６０のアリール基は、好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えばフェニル、フルオレニル、ナフチル、アントリル、フェナントリル、クリセニル、ピレニル、トリフェニレニル、フルオランテニル等が挙げられる。
Ａｒ１ａ及びＡｒ１ｂが示す芳香族基としては、上述したアリール基及びアリール基から水素原子を除くことにより導かれる二価以上の基が挙げられる。
式（Ｉ）及び（ＩＩ）におけるＲ１ａ〜Ｒ７ａ及びＲ１ｂ〜Ｒ７ｂとしては、水素、フェニル、ナフチルが好ましい。
【００２４】
炭素数１〜５０のアルキル基としては、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基がある。好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等が挙げられる。
【００２５】
環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。
【００２６】
環形成炭素数７〜５０のアラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アラルキル基のアリール部分は、炭素数が６〜３０が好ましい。アルキル部分は炭素数１〜１０が好ましく、特に好ましくは１〜６である。例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００２７】
炭素数１〜５０のアルコキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例が挙げられる。アルコキシ基は、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等が挙げられる。
【００２８】
環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基は、−ＯＹと表され、Ｙの例として上記のアリール基の例が挙げられる。好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。
【００２９】
環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基は、−ＳＹと表され、Ｙの例として上記のアリール基の例が挙げられる。好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。
【００３０】
炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基は、好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。
【００３１】
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基としては、ジアリールアミノ、アルキルアリールアミノ及びアリールアミノが挙げられる。窒素原子に結合するアルキル基及びアリール基の例としては上述のアリール基及びアルキル基が挙げられる。好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２、特に好ましくは炭素数６であり、例えば、ジフェニルアミノ等が挙げられる
【００３２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００３３】
上記各基の置換基としては、それぞれ独立に、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基、環形成炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基をそれぞれ有するトリアルキルシリル基、環形成炭素数６〜２４のアリール基又はアルキル基を有するシリル基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜２４のアリール基を有するアルキルアリールシリル基、環形成炭素数６〜２４のアリール基、環形成原子数５〜２４のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基である。具体的には、上記のアリール基、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はシアノ基が挙げられる。さらに、これらの基が同様の置換基を有していてもよい。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する置換基が挙げられる。
アリール基を有するシリル基としては、トリアリールシリル基、アルキルアリールシリル基、トリアルキルシリル基がある。
好適な置換基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、シクロヘキシル、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、トリメチルシリル、トリフェニルシリルが挙げられる。
【００３４】
以下に式（Ｉ）及び（II)で表される化合物の具体例を示すが、これらに限られるものではない。
【００３５】
【化４】
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【化５】
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【化６】
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【化７】
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【化８】
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【化９】
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【化１０】
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【化１１】
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【化１２】
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【化１３】
2013145667.tif 000015
【００３６】
式（Ｉ）及び（II）で表される化合物の合成については、ＷＯ２００７／０１８００４、ＷＯ２００６／６４４８４，ＷＯ２００６／０２１９８２を参照できる。
【００３７】
本発明では、ドナー含有層が、上述した式（Ｉ）又は(II)の化合物の他に、電子供与性金属、金属化合物及び金属錯体の少なくとも１つを含有することが好ましい。
具体的には、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、希土類金属、希土類金属化合物及び希土類金属を含む有機金属錯体のうち、少なくとも１つを含有する層が好ましい。なかでも、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属の単体、希土類金属の化合物及び希土類金属の錯体のうち、少なくとも１つを含有することが好ましい。
【００３８】
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＬｉ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＬｉ、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＬｉである。
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
【００３９】
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等のアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａｘＳｒ１−ｘＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【００４０】
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４１】
上記金属、化合物及び錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、膜厚比で有機物：上記金属、化合物及び錯体＝１０００：１〜１：１０００であり、好ましくは１００：１〜１：１である。
【００４２】
上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
【００４３】
上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
【００４４】
また、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子における、主成分と、上記金属、化合物及び錯体の少なくともいずれかの割合としては、膜厚比で、主成分：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝１００：１〜１：１であると好ましく、５０：１〜４：１であるとさらに好ましい。
【００４５】
ドナー含有層の膜厚は、０．１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、特に、１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【００４６】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、ドナー含有層に上記式（Ｉ）又は（II)で表される化合物を使用していればよく、他の構成部材である陽極、有機薄膜層、陰極等は、本技術分野において公知の部材を適宜使用することができる。
尚、本発明の一形態に係る有機発光素子は図１に示す構成に限定されない。例えば、正孔輸送層、正孔注入層は任意の層であるため省略することが可能であり、また、発光層とドナー含有層の間に電子輸送層等を設けることができる。正孔輸送層、正孔注入層、発光層、電子輸送層等が本発明の一形態に係る有機薄膜層に相当する。
また、陰極とアクセプター含有層の間にバッファー層を形成してもよい。バッファー層については、特許第４３９２０５０号を参照できる。
また、陽極と陰極との間に、少なくとも発光層を有する有機層からなる複数の発光ユニットを、電荷発生層を介して重ねて配置した構成を有する有機ＥＬ素子（ＭＰＥ素子）にも使用できる。
【００４７】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、トップエミッションタイプでもボトムエミッションタイプでもよい。いずれのタイプでも、本発明では、陰極側から光を取り出す。光透過性陰極とは、好ましくは、可視光領域（４５０〜６５０ｎｍ）の光透過率が１０％以上であるものをいう。好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上である。
【００４８】
光透過性陰極の構成材料の例としては、ＩＴＯ、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛合金（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＺＯ／Ａｇ／ＩＺＯ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ等が挙げられる。
【００４９】
アクセプター含有層としては、易還元性の有機化合物が使用できる。
化合物の還元しやすさは、還元電位で測定することができる。本発明では飽和カロメル（ＳＣＥ）電極を参照電極とした還元電位において、好ましくは−０．８Ｖ以上、より好ましくは−０．３Ｖ以上であり、特に好ましくはテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）の還元電位（約０Ｖ）より大きな値を持つ化合物が好ましい。
【００５０】
本発明では、アクセプター含有層として、下記式（III）で表される化合物を含有する層が挙げられる。本化合物は、スパッタリングのダメージに強く、また、ドナー含有層や陰極との密着性（コンタクト性）が高いため、素子の寿命向上に効果がある。
【化１４】
2013145667.tif 000016
【００５１】
式中のＲ１ｃ〜Ｒ６ｃは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジル基、置換もしくは無置換のキノリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基で置換されたアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
【００５２】
上記の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜６０のアリール基等の具体例は、上述した式（Ｉ）等の例と同様である。
式（III）の化合物の具体例を以下に示す。
【００５３】
【化１５】
2013145667.tif 000017
【００５４】
また、下記式（IV）で表される化合物を含有する層が挙げられる。本発明の一形態に係るドープ含有層と式（IV）で表される化合物を含有する層を組み合わせることにより、素子の輝度、駆動電圧の低下、寿命の向上等の特性を向上する効果が大きくなる。
【化１６】
2013145667.tif 000018
【００５５】
上記式（IV）中、Ａｒ１は、環形成炭素数６〜２４の芳香環又は環形成原子数５〜２４の複素環、好ましくは環形成炭素数６〜１４の芳香環又は環形成原子数５〜１４の複素環である。芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、９，９−ジメチルフルオレン環、９，９−ジオクチルフルオレン環等が挙げられる。複素環としては、ピラジン環、ピリジン環、キノキサリン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、フェナントロリン環、ナフチリジン環、テトラアザアントラセン環等が挙げられる。前記芳香環及び複素環は、以下に記載するＲ１〜Ｒ４が表す置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基で置換されていてもよい。
【００５６】
式（IV）中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基、置換もしくは無置換のアリーロキシ基、置換もしくは無置換のアラルキルオキシ基、置換もしくは無置換のアミノ基、置換もしくは無置換のシリル基又は、シアノ基である。Ｒ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。
【００５７】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としてはシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基（二重結合の位置異性体を含む）、ブテニル基（二重結合の位置異性体を含む）、ペンテニル基（二重結合の位置異性体を含む）等があげられる。
（置換）アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、（トリフルオロメチル）フルオロフェニル基、トリフルオロフェニル基、ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、（トリフルオロメチル）ジフルオロフェニル基、トリフルオロメトキシフェニル基、トリフルオロメトキシフルオロフェニル基等が挙げられる。
複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チオフェン等の残基が挙げられる。
【００５８】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子が挙げられる。
フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロアダマンチル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
フルオロアルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン‐２−イルオキシ基等が挙げられる。
（置換）アリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、４−トリフルオロフェニルオキシ基等が挙げられる。
（置換）アラルキルオキシ基の例としては、ベンジルオキシ基、ペンタフルオロベンジルオキシ基、４−トリフルオロメチルベンジルオキシ基等が挙げられる。
（置換）アミノ基の例としては、アミノ基、モノもしくはジメチルアミノ基、モノもしくはジエチルアミノ基、モノもしくはジフェニルアミノ基等が挙げられる。
（置換）シリル基の例としては、シリル基、モノ、ジもしくはトリメチルシリル基、モノ、ジもしくはトリエチルシリル基、モノ、ジもしくはトリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００５９】
また、Ｒ１〜Ｒ４の任意の置換基の例としては、上記で挙げたハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基及び複素環基が挙げられる。
尚、以下、特筆しない限り“置換もしくは無置換”というときの任意の置換基の例としては、上記で挙げたハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、アリール基、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基及び複素環基が挙げられる。
【００６０】
既述のようにＲ１とＲ２及びＲ３とＲ４は互いに結合して環を形成してもよい。環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
さらに、Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも一つは、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる少なくとも１種の基を有するアリール基もしくは複素環基であることが好ましい。これらを置換基にすることで電子受容性を高めたり、適度な昇華温度を得られたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
【００６１】
式（IV）中のＲｇ１及びＲｇ２は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、下記式（ｉ）もしくは（ii）である。
【００６２】
【化１７】
2013145667.tif 000019
【００６３】
上記式中、Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）〜（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。特に（ａ）〜（ｃ）であれば、耐熱性に優れる、あるいは合成のし易さ等の点から好ましい。
【００６４】
【化１８】
2013145667.tif 000020
【００６５】
上記式中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基又は置換もしくは無置換の複素環基であり、Ｒ２２とＲ２３は互いに結合して環を形成してもよい。フルオロアルキル基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基及び複素環基の具体例としては、Ｒ１〜Ｒ４に関して例示した基が挙げられる。
【００６６】
式（IV）中、Ｙ１〜Ｙ４は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ、Ｎ、ＣＨ、又はＣ（Ｒ５）であり、Ｒ５はＲ１〜Ｒ４と同様な基を表す。
また、Ｙ１〜Ｙ４のうち少なくとも１つは窒素原子であることが好ましい（後述のＹ２１〜Ｙ２６及びＹ３１〜Ｙ３８についても同様）。少なくとも１つは窒素原子であることで、電子受容性を高めたり、耐熱性を高めたり、あるいは結晶化を抑制したりすることができる。
【００６７】
式（IV）のインデノフルオレンジオン誘導体は、下記式（IV−Ａ）あるいは（IV−Ｂ）で表されることが好ましい。下記式（IV−Ａ）中のＡｒ１等の各符号は、式（IV）と同義である。下記式（IV−Ｂ）中のＡｒ２は式（IV）におけるＡｒ１と同義であり、Ｘ３及びＸ４は式（IV）におけるＸ１及びＸ２と同義であり、Ｙ５〜Ｙ８は式（IV）におけるＹ１〜Ｙ４と同義であり、Ｒ１〜Ｒ４は式（IV）におけるＲ１〜Ｒ４と同義である。
【化１９】
2013145667.tif 000021
【００６８】
さらに好ましくは、式（IV）のインデノフルオレンジオン誘導体は下記式（IVa）〜（IVi）で表される。
【化２０】
2013145667.tif 000022
【００６９】
上記式中、Ｘ１及びＸ２、Ｒ１〜Ｒ４は式（IV）におけるＸ１及びＸ２、Ｒ１〜Ｒ４と同義であり、Ｙ２１〜Ｙ２６、Ｙ３１〜Ｙ３８及び、Ｙ４１〜Ｙ５０は式（IV）におけるＹ１〜Ｙ４と同義である。
【００７０】
特に好ましい式（IV）インデノフルオレンジオン誘導体は下記式（IV−ａ）〜（IV−ｎ）で表される。尚、下記式（IV−ｂ）、（IV−ｄ）、（IV−ｆ）、（IV−ｈ）、（IV−ｊ）、（IV-ｌ）、（IV-ｎ）、（IV-ｐ）、及び（IV-ｒ）は、２つのシアノイミノ基のシアノ基の立体配置により、複数の異性体が存在する。本発明は特定の異性体に限定されるものではない。本発明は、特定の異性体のみでもよいし、２つもしくは２より大きい異性体の混合物であってもよい。
【化２１】
2013145667.tif 000023
【００７１】
【化２２】
2013145667.tif 000024
【００７２】
上記式中、Ｒ３１〜Ｒ５２は式（IV）におけるＲ１〜Ｒ４と同義である。Ｒ３１〜Ｒ５２のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。特に、Ｒ３１〜Ｒ５２の少なくとも一つが、フッ素原子、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基、又は、フッ素、フルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、シアノ基から選ばれる基を少なくとも１種有するアリール基もしくは複素環基であることが好ましい。
【００７３】
インデノフルオレンジオン誘導体は、上記の各式の構造を有することで、電子受容性を有し、また、耐熱性に優れ、昇華温度が約２００℃以上を有し、昇華精製も可能であるため高純度化が可能となる。また、有機ＥＬ素子に使用することで素子の駆動電圧を低下させることができ、また、寿命を向上させることができる。さらに、素子の製造時において、昇華温度が約２００℃以上を有することから、蒸着用成膜装置内部に飛散することがないため、成膜装置又は有機ＥＬ素子を汚染することもない。
【００７４】
以下に式（IV）のインデノフルオレンジオン誘導体の具体例を示すが、これらに限られるものではない。
【化２３】
2013145667.tif 000025
【００７５】
【化２４】
2013145667.tif 000026
【００７６】
【化２５】
2013145667.tif 000027
【００７７】
【化２６】
2013145667.tif 000028
【００７８】
【化２７】
2013145667.tif 000029
【００７９】
【化２８】
2013145667.tif 000030
【００８０】
【化２９】
2013145667.tif 000031
【００８１】
【化３０】
2013145667.tif 000032
【００８２】
【化３１】
2013145667.tif 000033
【００８３】
【化３２】
2013145667.tif 000034
【００８４】
【化３３】
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【００８５】
【化３４】
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【００８６】
【化３５】
2013145667.tif 000037
【００８７】
【化３６】
2013145667.tif 000038
【００８８】
【化３７】
2013145667.tif 000039
【００８９】
【化３８】
2013145667.tif 000040
【００９０】
【化３９】
2013145667.tif 000041
【００９１】
【化４０】
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【００９２】
【化４１】
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【００９３】
【化４２】
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【００９４】
【化４３】
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【００９５】
【化４４】
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【００９６】
【化４５】
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【００９７】
【化４６】
2013145667.tif 000048
【００９８】
式（IV）で表される化合物の合成については、ＷＯ２０１０／０６４６５５及びＷＯ２００９／０１１３２７を参照できる。
【００９９】
アクセプター含有層は、式（IV）で表される化合物のみからなる層でもよく、他の材料との混合物からなる層であってもよい。本発明では、アクセプター含有層が式（IV）で表される化合物と、少なくとも１種類の正孔輸送材料を含む層であることが好ましい。正孔輸送材料としては、正孔輸送層等に使用される材料が使用できる。なかでも、芳香族第三級アミン化合物が好ましい。
アクセプター含有層における、式（IV）で表される化合物の含有率は、０．１重量％〜１００重量％であることが好ましく、特に、１０重量％〜７０重量％であることが好ましい。
【０１００】
アクセプター含有層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、特に、５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。
【０１０１】
本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子は、公知の方法によって作製できる。具体的に、陽極や陰極は、蒸着やスパッタリング等の方法により形成できる。発光層等の各有機薄膜層は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができる。
【０１０２】
以上、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の形態について、図１の有機ＥＬ素子１を例示して説明したが、本発明は有機ＥＬ素子１の形態に限定されるものではない。本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の構成は、上述した実施形態に限定されず、他の公知の構成を採用できる。例えば、陽極と透光性陰極との間に２以上の発光ユニットが挟持され、かつ、発光ユニットの間に電荷発生層が挟持されている構成を有するスタック型のマルチフォトンエミッション素子（ＭＰＥ素子）でもよい。
【０１０３】
図２は、本発明の一形態に係る有機ＥＬ素子の他の実施形態の概略断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ素子２は、基板１０上に、陽極２０、第１の発光ユニット８１、電荷発生層８２、第２の発光ユニット８３、ドナー含有層５０、アクセプター含有層６０及び光透過性陰極７０を、この順に備える。
２つの発光ユニットはそれぞれ、少なくとも発光層を有する単層又は積層構造を有する。例えば、発光ユニットは陽極側から、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を積層した多層膜構造が好ましい。
【０１０４】
電荷発生層等、ＭＰＥ素子の構成部材については、、特開平１１−３２９７４８、特開２００６−１７３５５０等を参照できる。
【０１０５】
有機ＥＬ素子２は、発光ユニットを２つ形成した他は図１に示す有機ＥＬ素子１と同じ構成を有する。換言すれば、有機ＥＬ素子１は正孔注入層２０、正孔輸送層３０及び発光層４０からなる発光ユニットを１つ有する素子構成である。
本実施形態では、例えば、各発光ユニットの発光色を異ならせること、即ち発光層の材料を変えることにより、白色発光する有機ＥＬ素子が得られる。
【０１０６】
本実施形態の各発光ユニットにおいて、発光層と電荷発生層間に形成される層として、上述したドナー含有層及びアクセプター含有層を使用してもよい。例えば、有機ＥＬ素子２において、第１発光ユニット８１が、陽極側から、正孔輸送層、発光層、ドナー含有層及びアクセプター含有層を積層した構成であってもよい。
【実施例】
【０１０７】
実施例１〜１５
３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる基板上に、陽極としてＩＴＯを２４０ｎｍの膜厚で形成した。次に、ＳｉＯ２蒸着により２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外を絶縁膜でマスクした有機ＥＬ素子用のセルを作製した。
陽極上に、正孔注入層として、ヘキサニトリルアザトリフェニレン（下記式（ＨＡＴ））を１０ｎｍの膜厚で形成した。
正孔注入層上に、正孔輸送層、青色発光層及び電子輸送層をこの順に形成した。
具体的に、正孔輸送層として下記式（α−ＮＰＤ）を真空蒸着法により９０ｎｍ（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成した。
続いて、正孔輸送層上に、青色発光層を形成した。発光層のホストには下記式（１）の化合物を、ドーパントには下記式（２）の化合物を使用した。ドーパントの添加量が膜厚比で５％となるように真空蒸着し膜厚３０ｎｍの発光層とした。
次いで、青色発光層上に、電子輸送層として、下記式（Ａｌｑ３）を３０ｎｍの膜厚で形成した。
次いで、電子輸送層上に、ドナー含有層及びアクセプター含有層を表１に示す化合物を用いてこの順に形成した。ドナー含有層は表１の化合物とＬｉの混合層である（表１の「％」は、膜厚比に対する値である。）。
アクセプター含有層上に、表１に示す陰極（ＩＴＯ又はＩＺＯ：膜厚２００ｎｍ）をスパッタリングにて形成し、有機ＥＬ素子を作製した。
【化４７】
2013145667.tif 000049
【０１０８】
作製した有機ＥＬ素子について、１０ｍＡｃｍ−２での電圧、発光効率及び５０ｍＡｃｍ−２で素子を駆動した際の、初期の輝度に対する３００時間後の輝度の相対値を測定した。
結果を表１に示す。【０１０９】
【表１】
2013145667.tif 000050
【０１１０】
比較例１
電子輸送層（Ａｌｑ３層）までは、実施例１と同様に形成した。その後、ドナー含有層として、Ａｌｑ３とＭｇの混合層（Ｍｇ：２％）を膜厚４０ｎｍで形成した。
ドナー含有層上に陰極（ＩＴＯ：２００ｎｍ）を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表１に示す。【０１１１】
比較例２
電子輸送層（Ａｌｑ３層）までは、実施例１と同様に形成した。その後、ドナー含有層及びアクセプター含有層を形成せずに、電子注入層としてＬｉＦを１ｎｍの厚さで形成した。その後、ＬｉＦ上に陰極（ＩＴＯ：２００ｎｍ）を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表１に示す。【０１１２】
比較例３
陰極をＩＴＯに変えてＭｇ−Ａｇ合金にし、膜厚を１０ｎｍとした他は、比較例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。【０１１３】
比較例４
ＬｉＦ層に変えて、銅フタロシアニン錯体（ＣｕＰｃ）１０ｎｍとＬｉ１ｎｍの積層体とした他は、比較例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。【０１１４】
比較例５
電子輸送層（Ａｌｑ３層）までは、実施例１と同様に形成した。その後、Ａｌｑ３とＭｇの混合層（Ｍｇ：２％）を膜厚２０ｎｍで形成した。次いで、Ａｌ層を膜厚２ｎｍで形成し、さらに、その上に、ＭｏＯ３層を１０ｎｍで形成した。その後、ＭｏＯ３層上に陰極（ＩＴＯ：２００ｎｍ）を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。実施例と同様に評価した結果を表１に示す。【０１１５】
比較例６
ドナー含有層を下記のＢｐｈｅｎとＬｉの混合層（Ｌｉ：２％）とし、アクセプター含有層をＨＡＴとし、陰極をＩＺＯに変えた他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。
【化４８】
2013145667.tif 000051
【０１１６】
比較例７
ドナー含有層を下記式（３）の化合物とＣａの混合層（Ｃａ：１０％）とした他は、比較例６と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。
【化４９】
2013145667.tif 000052
【０１１７】
評価結果から、実施例１〜１５に関しては、高効率、低電圧であって、駆動劣化の少ない安定した素子が得られることが確認できた。
一方、比較例１、２、４に関しては、本発明の一形態に係るドナー含有層及びアクセプター含有層がないため、電子供給不足と陰極形成時のダメージが生じ、素子の高電圧化、低効率化、短寿命化が生じた。比較例３では、ＭｇＡｇ陰極による発光吸収に起因した素子の低効率化が生じた。
比較例５では、Ａｌ金属層を挿入したため発光吸収が生じたことから素子が低効率化し、また、アクセプター含有層による電子供給不足による高電圧化、短寿命化が生じた。
比較例６、７では、ドナー含有層の化合物が不安定であるため短寿命化し、また、電子引き抜き性の不足により高電圧化が生じた。【０１１８】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献及び本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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