(57)【要約】優れた導電性を有する領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供する。イオン注入法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にドナー不純物としてＩＶ族元素を導入し、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１中に、ＩＶ族元素を注入していない領域よりもＩＶ族元素の濃度の高いドナー不純物注入領域３を形成する工程と、８００℃以上のアニール処理により、ドナー不純物注入領域３中のＩＶ族元素を活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、を含む方法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のドナー濃度を制御する。
2013035465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン注入法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体にドナー不純物としてＩＶ族元素を導入し、前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体中に、前記ＩＶ族元素を注入していない領域よりも前記ＩＶ族元素の濃度の高いドナー不純物注入領域を形成する工程と、
８００℃以上のアニール処理により、前記ドナー不純物注入領域中の前記ＩＶ族元素を活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、
を含むＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【請求項２】
前記アニール処理は、窒素雰囲気下で８００℃以上の条件で実施される、
請求項１に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【請求項３】
前記アニール処理は、酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下の条件で実施される、
請求項１に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【請求項４】
前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体上に形成されたマスクを用いて、前記ＩＶ族元素を前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の表面の一部の領域に導入し、
前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の前記表面の一部の領域に前記ドナー不純物注入領域を形成する、
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【請求項５】
前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体は、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板、又は支持基板上に形成されたＧａ２Ｏ３系結晶膜である、
請求項１に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法、特にイオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＧａ２Ｏ３単結晶の形成方法として、Ｇａ２Ｏ３単結晶を成長させながらＳｉやＳｎ等のＩＶ族元素を添加して、Ｇａ２Ｏ３単結晶に導電性を付与する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
また、従来の他のＧａ２Ｏ３単結晶の形成方法として、サファイア基板上にＳｎ等の不純物を添加しながらβ−Ｇａ２Ｏ３結晶をヘテロエピタキシャル成長させ、導電性を有するβ−Ｇａ２Ｏ３結晶膜を形成する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。【０００４】
また、ＳｉＣ結晶にイオン注入により不純物イオンを導入する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２３５９６１号公報
【特許文献２】特許第４０８３３９６号公報
【特許文献３】特許第４５８１２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
一方、Ｇａ２Ｏ３単結晶等の酸化物単結晶に導電性を付与するための不純物の導入に、イオン注入法を用いることは難しい。これは、酸化物にはイオン注入によるダメージが発生しやすく、イオン注入後のアニール処理でもダメージを十分に回復させることが難しいことによる。酸化物単結晶においては、イオン注入の際に酸素が欠損することにより、結晶のダメージが大きくなるものと考えられる。【０００７】
しかしながら、イオン注入法には、母結晶の形成後に不純物濃度を制御することが可能であることや、比較的容易に不純物を局所的に導入することが可能であること等の利点がある。【０００８】
したがって、本発明の目的は、優れた導電性を有する領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、［１］〜［５］のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供する。【００１０】
［１］イオン注入法により、Ｇａ２Ｏ３系単結晶体にドナー不純物としてＩＶ族元素を導入し、前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体中に、前記ＩＶ族元素を注入していない領域よりも前記ＩＶ族元素の濃度の高いドナー不純物注入領域を形成する工程と、８００℃以上のアニール処理により、前記ドナー不純物注入領域中の前記ＩＶ族元素を活性化させ、高ドナー濃度領域を形成する工程と、を含むＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。【００１１】
［２］前記アニール処理は、窒素雰囲気下で８００℃以上の条件で実施される、前記［１］に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。【００１２】
［３］前記アニール処理は、酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下の条件で実施される、前記［１］に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。【００１３】
［４］前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体上に形成されたマスクを用いて、前記ＩＶ族元素を前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の表面の一部の領域に導入し、前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の前記表面の一部の領域に前記ドナー不純物注入領域を形成する、前記［１］〜［３］のいずれか１つに記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。【００１４】
［５］前記Ｇａ２Ｏ３系単結晶体は、Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板、又は支持基板上に形成されたＧａ２Ｏ３系結晶膜である、前記［１］に記載のＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、優れた導電性を有する領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１Ａ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図
【図１Ｂ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図
【図１Ｃ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図
【図１Ｄ】イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図
【図２】イオン注入後の窒素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の導電性との関係を表すグラフ
【図３】イオン注入後の酸素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜の導電性との関係を表すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔実施の形態〕
本実施の形態によれば、イオン注入法を用いてドナー不純物をＧａ２Ｏ３系単結晶体に導入し、所定の条件下でアニール処理を施すことにより、優れた導電性を有する高ドナー濃度領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することができる。以下、その実施の形態の一例として、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法について詳細に説明する。なお、本実施の形態のＧａ２Ｏ３系単結晶体はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体に限られず、α−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体等の他の構造を有するＧａ２Ｏ３系単結晶体であってもよい。
【００１８】
図１Ａ〜１Ｄは、イオン注入工程の一例を示すβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体の断面図である。
【００１９】
まず、図１Ａに示すように、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にマスク２を形成する。マスク２は、フォトリソグラフィ法等を用いて形成される。
【００２０】
次に、図１Ｂに示すように、イオン注入によりドナー不純物をβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１に注入し、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の表面にドナー不純物注入領域３を形成する。このとき、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のマスク２に覆われた領域にはドナー不純物が注入されないため、ドナー不純物注入領域３はβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の表面の一部の領域に形成される。ドナー不純物注入領域３のドナー不純物濃度は、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のドナー不純物を注入していない領域のドナー不純物濃度よりも高い。
【００２１】
なお、マスク２を用いずにイオン注入を行い、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１の全表面にドナー不純物注入領域３を形成してもよい。また、イオン注入の条件を調整することにより、ドナー不純物注入領域３の深さや濃度分布を制御することができる。
【００２２】
次に、図１Ｃに示すように、マスク２を除去する。
【００２３】
その後、図１Ｄに示すように、８００℃以上のアニール処理を施すことにより、ドナー不純物注入領域３のドナー不純物を活性化させ、ドナー濃度の高い高ドナー濃度領域４を形成する。また、このアニール処理により、イオン注入により生じたβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１のダメージを回復することができる。具体的なアニール処理の条件は、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性雰囲気下で８００℃以上、酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下である。
【００２４】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶、又は、Ａｌ、Ｉｎ等の元素が添加されたβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶からなる。例えば、Ａｌ及びＩｎが添加されたβ−Ｇａ２Ｏ３結晶である（ＧａｘＡｌｙＩｎ（１−ｘ−ｙ））２Ｏ３（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）結晶であってもよい。Ａｌを添加した場合にはバンドギャップが広がり、Ｉｎを添加した場合にはバンドギャップが狭くなる。
【００２５】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１は、例えば、β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶基板や、支持基板上に形成されたβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶膜である。
【００２６】
β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体１にイオン注入法により導入されるドナー不純物として、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｇｅ等のＩＶ族元素が用いられる。
【００２７】
図２は、イオン注入後の窒素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体としてのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の導電性との関係を表すグラフである。図２の縦軸は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）、すなわちｎ型半導体であるβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の導電性の高さを表す。図２の横軸は、窒素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々３０分間実施される。
【００２８】
この高ドナー濃度領域は、深さ２００ｎｍのボックス型の領域であり、ドナー濃度が３
×１０１７／ｃｍ３のβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に、濃度１×１０１９／ｃｍ３のＳｉ又はＳｎをイオン注入することにより形成した。また、この高ドナー濃度領域は、（０１０）面を主面とするβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の主面に垂直にドナー不純物を注入することにより形成した。
【００２９】
図２中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてＳｉ及びＳｎを注入する場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。また、○は、ドナー不純物を注入しない場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。
【００３０】
図２に示されるように、Ｓｉを注入する場合、Ｓｎを注入する場合ともに、８００℃以上のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に窒素雰囲気下で８００℃以上のアニール処理を実施することにより、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に高い導電性を付与することができる。なお、ドナー不純物を注入しない場合は、アニール処理の温度を上げてもＮｄ−Ｎａの値が大きく増加することはない。
【００３１】
図３は、イオン注入後の酸素雰囲気下でのアニール処理の温度とβ−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体としてのβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の導電性との関係を表すグラフである。図３の縦軸は、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の単位立方センチ当たりのドナー密度とアクセプタ密度の差（Ｎｄ−Ｎａ）、すなわちｎ型半導体であるβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板の高ドナー濃度領域の導電性の高さを表す。図３の横軸は、酸素雰囲気下でのアニール処理の温度を表す。アニール処理は、各々３０分間実施される。
【００３２】
図３中の■及び▲は、それぞれドナー不純物としてＳｉ及びＳｎを注入する場合のＮｄ−Ｎａの値を示す。
【００３３】
図３に示されるように、Ｓｉを注入する場合、８００℃以上９５０℃以下のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。また、Ｓｎを注入する場合、８００℃以上１１００℃以下のアニール処理によりＮｄ−Ｎａの値が高くなる。すなわち、イオン注入後に酸素雰囲気下で８００℃以上９５０℃以下のアニール処理を実施することにより、β−Ｇａ２Ｏ３単結晶基板に高い導電性を付与することができる。
【００３４】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、イオン注入法を用いてドナー不純物をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体に導入し、所定の条件下でアニール処理を施すことにより、優れた導電性を有する高ドナー濃度領域をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体中に形成することができる。イオン注入法を用いて高ドナー濃度領域を形成するため、β−Ｇａ２Ｏ３系結晶体の形成後に高ドナー濃度領域のドナー濃度を制御し、所望の導電性を付与することができる。また、マスク等を用いることにより、高ドナー濃度領域をβ−Ｇａ２Ｏ３系結晶体中に局所的に形成することができる。
【００３５】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
優れた導電性を有する領域をＧａ２Ｏ３系単結晶体中に形成することのできる、イオン注入法を用いたＧａ２Ｏ３系単結晶体のドナー濃度制御方法を提供する。
【符号の説明】
【００３７】
１…β−Ｇａ２Ｏ３系単結晶体、２…マスク、３…ドナー不純物注入領域、４…高ドナー濃度領域
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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