(57)【要約】  本発明は、ダイシング時にダイシングテープの破損を抑制する真空吸着ステージと、これを用いた半導体ウエハのダイシング方法の提供を目的とする。さらには、研削保護テープの発泡を抑制する当該真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法の提供を目的とする。本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハ６を載置する載置面１ａを有し、載置面１ａにおいて、半導体ウエハ６のチップ領域６ａよりも外周にのみ真空吸着穴２が形成される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ（６，２０，５６）を載置する載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）を有し、
前記載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）において、前記半導体ウエハ（６，２０，５６）のチップ領域（６ａ）よりも外周にのみ真空吸着穴（２，２２，３２）が形成される、
真空吸着ステージ（１，２１，３１）。
【請求項２】
半導体ウエハ（２０）を載置する載置面（２１ａ，２１ｂ）を有し、
前記載置面（２１ａ，２１ｂ）は、
前記真空吸着穴（２２）が設けられる第１の領域（２１ａ）と、
前記第１の領域（２１ａ）に囲まれ、前記第１の領域（２１ａ）よりも段差状に突出した第２の領域（２１ｂ）とを備える、
真空吸着ステージ（２１）。
【請求項３】
請求項１に記載の真空吸着ステージ（１，２１）を用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）ダイシングテープ（８）を貼り付けた半導体ウエハ（６，２０）を前記ダイシングテープ（８）を下にして前記真空吸着ステージ（１，２１）に載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハ（６，２０）をダイシングしチップに個片化する工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項４】
請求項２に記載の真空吸着ステージ（２１）を用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）前記真空吸着ステージ（２１）の前記載置面（２１ａ，２１ｂ）の段差に対応した形状の下面を有し、当該下面にダイシングテープ（８）を貼り付けた半導体ウエハ（２０）を、前記ダイシングテープ（８）を下にして前記段差に合わせて前記真空吸着ステージ（２１）に載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハ（２０）をダイシングする工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項５】
請求項１に記載の真空吸着ステージ（３１）を用いた半導体ウエハのアニール方法であって、
（ａ）半導体ウエハ（２０，５６）の第１主面に研削保護テープ（５０）を貼り付け、前記第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記研削保護テープ（５０）を下にして前記半導体ウエハ（２０，５６）を前記真空吸着ステージ（３１）に載置する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記半導体ウエハ（２０，５６）の前記第２主面をレーザーアニールする工程とを備える、
半導体ウエハのアニール方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ウエハを真空吸着するステージおよび当該ステージを用いたダイシングおよびアニール方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスでＳｉ半導体ウエハなどの半導体ウエハをチップにする方法として、ブレードによる切断方法とレーザーによる切断方法がある。レーザーによる切断方法の一つに、直径数十μｍの高圧の水柱の中にレーザー光を導入し半導体基板を切断する方法がある（特許文献１参照）。この方法には、水を用いることで切断面の温度上昇を抑えることと、水流により被加工物の削り屑を排出することが可能であるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３６８０８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の方法では、被加工物である半導体ウエハをリング状のマウントフレームに保持されたダイシングテープの中央に貼りつけ、それを半導体ウエハステージに置く。半導体ウエハステージには直径数百μｍの真空吸着穴が形成されており、これにより半導体ウエハを半導体ウエハステージに固定した状態で切断加工が行われる。【０００５】
このとき、ダイシングテープの真空吸着穴と接する部分には真空吸着穴に引っ張られる力が生じる。これに加え、半導体ウエハを切断し終えた水柱の高圧がダイシングテープに加わることにより、ダイシングテープは変形し、時には切断に至ることもある。なお、このときレーザー光の大部分は透明のダイシングテープをすり抜けるので、レーザーによるダイシングテープの損傷は少ない。【０００６】
このようにダイシングテープが真空吸着穴側に変形し押し出されると、半導体ウエハの裏面とダイシングテープの間に隙間が生じるので、切断時に生じる屑がそこに溜まって半導体チップの裏面が汚れるという問題がある。また、ダイシングテープが切断してしまった場合は後工程のエキスパンドが出来なくなり、ダイシングテープからチップがピックアップ出来ないという問題が発生する。【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑み、ダイシング時にダイシングテープの破損を抑制する真空吸着ステージと、これを用いた半導体ウエハのダイシング方法の提供を目的とする。さらには、研削保護テープの発泡を抑制する当該真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成されるので、これを用いて半導体ウエハをダイシングする際に、ダイシングラインと真空吸着穴の位置が重ならない。そのため、ダイシングテープの破損が抑制される。【００１０】
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１に係る真空吸着ステージの上面図である。
【図２】実施の形態１に係る真空吸着ステージの断面図である。
【図３】実施の形態１に係る真空吸着ステージにより半導体ウエハをダイシングする様子を示す図である。
【図４】裏面の一部をくり抜いた半導体ウエハの断面図である。
【図５】裏面の一部をくり抜いた半導体ウエハにダイシングフレームに貼った状態を示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る真空吸着ステージの上面図である。
【図７】実施の形態２に係る真空吸着ステージの断面図である。
【図８】実施の形態２に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハをダイシングする様子を示す図である。
【図９】実施の形態３に係る真空吸着ステージの上面図である。
【図１０】実施の形態３に係る真空吸着ステージの断面図である。
【図１１】実施の形態３に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハのレーザーアニールを行う様子を示す図である。
【図１２】実施の形態３に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハのレーザーアニールを行う様子を示す図である。
【図１３】前提技術１に係る真空吸着ステージの上面図である。
【図１４】前提技術１に係る真空吸着ステージの断面図である。
【図１５】ダイシングフレームに半導体ウエハを搭載した状態を示す上面図である。
【図１６】ダイシングフレームに半導体ウエハを搭載した状態を示す断面図である。
【図１７】前提技術１に係る真空吸着ステージにダイシングフレームを搭載した状態を示す断面図である。
【図１８】前提技術１に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハをダイシングする様子を示す断面図である。
【図１９】前提技術１に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハをダイシングする様子を示す断面図である。
【図２０】前提技術２に係る真空吸着ステージの上面図である。
【図２１】前提技術２に係る真空吸着ステージの断面図である。
【図２２】研削保護テープを貼った半導体ウエハを示す断面図である。
【図２３】研削保護テープを貼った半導体ウエハを示す断面図である。
【図２４】研削保護テープを貼った半導体ウエハを示す断面図である。
【図２５】前提技術２に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハをレーザーアニールする様子を示す断面図である。
【図２６】前提技術２に係る真空吸着ステージを用いて半導体ウエハをレーザーアニールする様子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜Ａ．前提技術１＞
図１３は本発明の前提技術１に係る真空吸着ステージ６１の平面図であり、図１４はその断面図である。石英からなる真空吸着ステージ６１は、図１４に示すように内部にステージ空間４を備えた中空構造であり、下面には真空排気穴５を、載置面６１ａには複数の真空吸着穴６２を有している。真空吸着穴６２は、図１３に示すように真空吸着ステージ６１の同心円状に分布している。
【００１３】
図１５は半導体ウエハ６を載せたダイシングフレームの平面図であり、図１６はその断面図である。ダイシングフレームは、ＳＵＳ製で環状のマウントフレーム７にダイシングテープ８を貼り付けた構成である。ダイシングテープ８は、図１６に示すように基材８ａと糊材８ｂの２層構造である。糊材８ｂはその両端でマウントフレーム７に接着し、その中央には半導体ウエハ６が貼り付けられる。
【００１４】
図１５に示すように、半導体ウエハ６にはダイシングライン６ｂが描かれており、ダイシング工程で切り出されるチップ領域６ａと、それ以外の周辺領域６ｃが規定されている。
【００１５】
半導体ウエハ６が貼り付けられたダイシングフレームは、真空吸着ステージ６１に載置される。図１７はこの状態を示す断面図である。図１７から明らかなように、半導体ウエハ６の下部にはダイシングテープ８を介して複数の真空吸着穴６２が位置している。真空排気穴５から真空ポンプなどで真空引きを行うと、真空吸着穴６２の吸気作用によりダイシングフレームは真空吸着ステージ６１に固定される。
【００１６】
ダイシングフレームを真空吸着ステージ６１に固定した状態で、ダイシングライン６ｂ（図１５参照）に沿って半導体ウエハ６をダイシングする。図１８はこの状態を示す断面図であり、水柱の中にレーザー光を導入してダイシングする水ジェット誘導レーザーについて示している。図１８において、レーザー発振器９から出力されたレーザー光は光ファイバー１１を通って混合ノズル１５に導入される。例えばＹＡＧレーザーの第２高調波であればその波長は５３２ｎｍである。さらに混合ノズル１５には、高水圧ポンプ１２から高圧水用配管１４を通って高圧水１３が流入する。混合ノズル１５は直径を数十μｍに絞った高圧水を水柱１６として出力し、水柱１６の内部をレーザー光１７が全反射しながら伝播するように設計されている。
【００１７】
水柱１６は半導体ウエハ６のダイシングライン６ｂに射出され、レーザー光１７が半導体ウエハ６を熔解切断し、さらに透明なダイシングテープ８と真空吸着ステージ６１の載置面６１ａを透過する。図１８に示すように、ダイシング箇所の下に載置面６１ａが存在する場合には、水柱１６はダイシングテープ８を貫通しない。
【００１８】
一方、真空吸着穴６２の真上に位置する部分をダイシングする場合は、ダイシングテープ８にこれを支える下地が無いことと真空引きの作用のために、高圧の水柱１６によってダイシングテープ８が変形し、半導体ウエハ６の裏面側とダイシングテープ８との間に隙間が生じる。半導体ウエハ切断によって生じる屑がこの隙間に溜まると、半導体チップの裏面を汚すことがある。またダイシングテープ８の変形が切断に至ると（図１９参照）、後工程のエキスパンドでダイシングテープ８からチップをピックアップ出来なくなってしまう。
【００１９】
実施の形態１の真空吸着ステージは以上の問題に鑑み、ダイシング時に高圧の水柱１６が真空吸着穴に当たらない構造とすることによってダイシングテープの破損を防ぐものである。
【００２０】
＜Ｂ．実施の形態１＞
図１に実施の形態１の真空吸着ステージ１の平面図を、図２にその断面図を示す。石英からなる真空吸着ステージ１は、図２に示すように内部にステージ空間４を備えた中空構造であり、下面には真空排気穴５を、そして載置面としての上面には複数の真空吸着穴２を有している。真空吸着穴２は、図１に示すように真空吸着ステージ１の外周上に環状に形成されている。
【００２１】
図３に、真空吸着ステージ１を用いて半導体ウエハ６をダイシングする様子を示す。半導体ウエハ６が貼り付けられたダイシングフレームを真空吸着ステージ１に載置し、半導体ウエハ６のダイシングを行うが、ダイシングフレームの構成は前提技術１と同様であるので説明を省略する。また、ダイシングの手段（レーザー発振器９、高水圧ポンプ１２、混合ノズル１５）についても前提技術１と同様であるので説明を省略する。
【００２２】
図３に示すように、真空吸着穴２は半導体ウエハ６が載置される場所よりも外周側に形成されているので、ダイシングの際に水柱１６がダイシングテープ８のうち真空吸着穴２の真上の部分に射出されることはない。なお、図３では真空吸着穴２が半導体ウエハ６を避けた位置に形成されているが、真空吸着穴２は半導体ウエハ６のチップ領域６ａ（図１５参照）よりも外周側に形成されていれば良く、半導体ウエハ６の周辺領域６ｃ（図１５参照）の下に真空吸着穴２があっても良い。
【００２３】
＜Ｂ−１．効果＞
本実施の形態の真空吸着ステージ１は、半導体ウエハ６を載置する載置面１ａを有し、載置面１ａにおいて、半導体ウエハ６のチップ領域６ａよりも外周にのみ真空吸着穴２が形成される。半導体ウエハ６を真空吸着ステージ１に載置した際に半導体ウエハ６のダイシングラインと真空吸着穴２が重ならないので、水ジェット誘導レーザーによりダイシングする場合に、高圧の水柱によるダイシングテープ８の変形や切断が抑制される。よって、チップの裏面が汚れたり、ダイシングテープ８がエキスパンド出来ずチップをピックアップ出来ないといった問題を解消する。
【００２４】
本実施の形態の真空吸着ステージ１を用いた半導体ウエハのダイシング方法は、（ａ）ダイシングテープ８を貼り付けた半導体ウエハ６をダイシングテープ８を下にして真空吸着ステージ１に載置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより半導体ウエハ６をダイシングしチップに個片化する工程とを備える。工程（ｂ）において、高圧の水柱は真空吸着穴２から外れた位置に射出されるため、高圧の水柱によるダイシングテープ８の変形や切断が抑制される。よって、チップの裏面が汚れたり、ダイシングテープ８がエキスパンド出来ずチップをピックアップ出来ないといった問題を解消する。
【００２５】
＜Ｃ．実施の形態２＞
実施の形態２の真空吸着ステージは、裏面の一部をくり抜いた形状の半導体ウエハを載置対象とする。図４に当該形状の半導体ウエハ２０の断面図を示す。半導体ウエハ２０では、くり抜かれた部分と外周のリング部２０ａとの間に段差ｄが形成されている。
【００２６】
半導体ウエハをくり抜く目的は以下の通りである。例えば、ＩＧＢＴの作成工程で半導体ウエハの表側にエミッタとゲートを造った後、半導体ウエハの裏面側を研削して薄くし、この裏面側にイオン注入やレーザーアニール、スパッタ成膜を行ってコレクタを造る工程等がある。このとき、８インチ半導体ウエハの全面を削って厚みが１００μｍ以下になると、半導体ウエハに５ｍｍ以上の反りが生じ、イオン注入機やスパッタ装置等へ搬送できなくなる。この反りを無くすために開発されたのが、半導体ウエハの中央部のみを研削（バックグラインド）する方法である。半導体ウエハ外周のリング部を２〜４ｍｍ残すことで内側の薄い部分を補強し、反りを抑えることが出来る。
【００２７】
図５は半導体ウエハ２０をダイシングフレームに貼った状態の断面図である。ダイシングフレームの構成は実施の形態１と同様であるため説明を省略する。ダイシングテープ８は半導体ウエハ２０の裏面側に貼られ、半導体ウエハ２０の形状に沿って段差ｄを形成する。
【００２８】
図６は半導体ウエハ２０を載置する本実施の形態の真空吸着ステージ２１の上面図であり、図７はその断面図である。真空吸着ステージ２１の載置面は載置面外周部２１ａと載置面内周部２１ｂに区別され、載置面外周部２１ａと載置面内周部２１ｂの境界上に真空吸着穴２２が環状に分布して形成される。また図７に示すように、載置面内周部２１ｂは載置面外周部２１ａよりも高さｄだけ厚く形成されており、その分だけ突起した状態となっている。この突起の高さｄは、上述の半導体ウエハ２０の段差ｄに対応している。
【００２９】
半導体ウエハ２０を貼り付けたダイシングフレームを真空吸着ステージ２１に載置し、ダイシングする様子を図８に示す。ダイシングの手段（レーザー発振器９、高水圧ポンプ１２、混合ノズル１５）は前提技術１と同様であるので説明を省略する。半導体ウエハ２０の段差は真空吸着ステージ２１で吸収され、ダイシングテープ８は載置面外周部２１ａ及び載置面内周部２１ｂと隙間無く接している。
【００３０】
このとき、真空吸着穴２２は半導体ウエハ２０のリング部２０ａ付近に位置するので、ダイシングの際に高圧の水柱１６がダイシングテープ８のうち真空吸着穴２２の真上の部分に射出されることはない。よって、実施の形態１と同様にダイシングテープ８の破損を防ぐことができ、チップの裏面が汚れたりエキスパンド出来ずにチップをピックアップ出来ないといった問題が解消される。
【００３１】
＜Ｃ−１．効果＞
本実施の形態の真空吸着ステージ２１の半導体ウエハ２０を載置する載置面は、真空吸着穴２２が設けられる載置面外周部２１ａ（第１の領域）と、載置面外周部２１ａに囲まれ、載置面外周部２１ａよりも段差状に突出した載置面内周部２１ｂ（第２の領域）とを備える。載置面外周部２１ａと載置面内周部２１ｂによって形成される載置面の段差を、半導体ウエハ２０のくり抜き形状に対応させることによって、半導体ウエハ２０のダイシングに用いることが可能になる。また、半導体ウエハ２０のチップ領域は載置面内周部２１ｂ上に位置するので、載置面外周部２１ａに設けられる真空吸着穴２２はダイシングラインに重ならず、水ジェット誘導レーザーによりダイシングする場合に、高圧の水柱によるダイシングテープ８の変形や切断が抑制される。よって、チップの裏面が汚れたり、ダイシングテープ８がエキスパンド出来ずチップをピックアップ出来ないといった問題を解消する。
【００３２】
また、真空吸着ステージ２１を用いた本実施の形態の半導体ウエハのダイシング方法は、（ａ）真空吸着ステージ２１の載置面２１ａ，２１ｂの段差に対応した形状の下面を有し、当該下面にダイシングテープ８を貼り付けた半導体ウエハ２０を、ダイシングテープ８を下にして載置面２１ａ，２１ｂの段差に合わせて真空吸着ステージ２１に載置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより半導体ウエハ２０をダイシングする工程とを備える。真空吸着ステージ２１の載置面の段差が半導体ウエハ２０の下面形状に対応するので、半導体ウエハ２０を水平に保ってダイシングすることが可能である。また、半導体ウエハ２０のチップ領域は載置面内周部２１ｂ上に位置するので、載置面外周部２１ａに設けられる真空吸着穴２２はダイシングラインに重ならず、水ジェット誘導レーザーによりダイシングする場合に、高圧の水柱によるダイシングテープ８の変形や切断が抑制される。よって、チップの裏面が汚れたり、ダイシングテープ８がエキスパンド出来ずチップをピックアップ出来ないといった問題を解消する。
【００３３】
＜Ｄ．前提技術２＞
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハに回路形成などのデバイス加工を施した後、その表面（第１主面）に研削保護テープを貼り付けた上で裏面（第２主面、下面）を研削し、半導体ウエハの厚みを薄くする加工が行われる。研削保護テープ５０を貼り付けた半導体ウエハ６の断面図を図２２に示す。研削保護テープ５０は基材５０ａと、半導体ウエハ６に貼り付けるための糊材５０ｂの２層構造である。
【００３４】
図２３，２４は、裏面研削を行った後の半導体ウエハを示す断面図である。図２３は裏面の全面を研削した半導体ウエハ５６を示し、図２４は外周のリング部２０ａを残してくり抜き加工を行った実施の形態２の半導体ウエハ２０を示している。
【００３５】
本発明の前提技術２に係る真空吸着ステージは、研削保護テープ５０を貼り付けたまま図２３や図２４に示す裏面研削を行った半導体ウエハのレーザーアニールを行う際に、半導体ウエハを固定するものである。なお、レーザーアニールは、デバイス加工プロセスで半導体ウエハの裏面側に注入されたイオン種を活性化させるために行われる。
【００３６】
図２０に、前提技術２に係る真空吸着ステージ７１の上面図を示し、図２１にその断面図を示す。真空吸着ステージ７１の載置面７１ａには複数の真空吸着穴７２が形成されている。図２０に示すように、真空吸着穴７２は複数の同心円の円周状に形成されている。
【００３７】
図２１に示すように、真空吸着ステージ７１は真空引きのためのステージ空間４の他、冷却水の内部流路３５を備えている。内部流路３５は配管３７，３８によって水冷循環器３６と接続している。水冷循環器３６から送り出された冷却水は配管３７を通って内部流路３５に流れ込み、真空吸着ステージ７１を冷却した後、配管３８を通って水冷循環器３６に還流する。
【００３８】
図２５は、研削保護テープ５０を貼りつけた半導体ウエハ２０を真空吸着ステージ７１に載置し、半導体ウエハ２０の裏面にレーザーアニール処理を施す様子を示している。レーザー発振器９から出力されたレーザー光５３が光ファイバー５２を通って半導体ウエハ２０のくり抜き面２０ｂに照射される。
【００３９】
半導体ウエハ２０は裏面研削工程で薄く形成されているので、レーザー光５３の熱が半導体ウエハ２０の表面を保護する研削保護テープ５０に伝わり研削保護テープ５０が発泡すると、次工程に向けての搬送が出来なくなり、あるいはテープがきれいに剥がれなくなるという問題が生じる。こうした問題を防ぐため、図２５に示すように水冷循環器３６で真空吸着ステージ７１を冷やしており、レーザー光による熱５４がステージからの冷却流５５で冷やされることによりテープ５０の発泡を防いでいる。しかし、図２６に示すようにレーザー光５３が真空吸着穴７２の真上から照射されると、研削保護テープ５０のレーザー光が照射される部分に冷却流５５が伝わらず、且つ、真空吸着によって研削保護テープ５０はさらに発泡し易くなる。
【００４０】
実施の形態３の真空吸着ステージは以上の問題に鑑み、裏面研削後のレーザーアニール時に、レーザー光が真空吸着穴に当たらない構造とすることによって、研削保護テープ５０の破損を防ぐものである。
【００４１】
＜Ｅ．実施の形態３＞
図９は実施の形態３の真空吸着ステージ３１を示す上面図であり、図１０はその断面図である。真空吸着穴３２は、図９に示すように真空吸着ステージ３１の載置面３１ａ上に環状に形成される。具体的には、半導体ウエハを載置面３１ａに載置したときに、半導体ウエハのチップ領域の外周にのみ真空吸着穴３２が位置するように設計される。なお、水冷循環器３６を含む真空吸着ステージ３１の冷却構造については前提技術２と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
図１１は、第１主面に研削保護テープ５０を貼り付けた半導体ウエハ２０を研削保護テープ５０を下にして真空吸着ステージ３１に載置し、半導体ウエハ２０の第２主面にレーザーアニール処理を行う様子を示している。図１１において、前提技術２と同じ構成要素には同じ参照符号を付している。
【００４３】
真空吸着穴３２は、半導体ウエハ２０のレーザー光が照射されない領域下に位置するよう形成されているので、レーザーアニール工程において常にレーザー光５３の熱５４は冷却流５５で冷やされ、研削保護テープ５０の発泡を抑制することが可能である。
【００４４】
図１１では半導体ウエハ２０に対するレーザーアニール処理を説明したが、図１２に示すように全体を薄くした半導体ウエハ５６を吸着半導体ウエハ３１に載置してレーザーアニール処理を行う場合も同様の効果を奏する。
【００４５】
＜Ｅ−１．効果＞
本実施の形態の真空吸着ステージ３１を用いた半導体ウエハのアニール方法は、（ａ）半導体ウエハ２０，５６の第１主面に研削保護テープ５０を貼り付け、第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、研削保護テープ５０を下にして半導体ウエハ２０，５６を真空吸着ステージ３１に載置する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、半導体ウエハ２０，５６の第２主面をレーザーアニールする工程とを備える。真空吸着ステージ３１において、真空吸着穴３２はレーザーが照射される半導体ウエハ２０，５６のチップ領域よりも外周に形成されているので、研削保護テープ５０に対する冷却が真空吸着穴２２に阻害されず、研削保護テープ５０の発泡を抑制する。
【００４６】
この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【００４７】
１，２１，３１  真空吸着ステージ、１ａ，３１ａ  載置面、２，２２，３２  真空吸着穴、４，３４  ステージ空間、５  真空排気穴、６，２０，５６  半導体ウエハ、７  マウントフレーム、８  ダイシングテープ、８ａ  基材、８ｂ  糊材、９  レーザー発振器、１０，１７，５３  レーザー光、１１  光ファイバー、１２  高水圧ポンプ、１３  高圧水、１４  高圧水用配管、１５  混合ノズル、１６  水柱、２０ｂ  くり抜き面、２１ａ  載置面外周部、２１ｂ  載置面内周部、３５  内部流路、３６  水冷循環器、３７，３８  配管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月6日(2012.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（削除）
【請求項２】
半導体ウエハ（２０）を載置する載置面（２１ａ，２１ｂ）を有し、
前記載置面（２１ａ，２１ｂ）は、
真空吸着穴（２２）が設けられる第１の領域（２１ａ）と、
前記第１の領域（２１ａ）に囲まれ、前記第１の領域（２１ａ）よりも段差状に突出した第２の領域（２１ｂ）とを備える、
真空吸着ステージ（２１）。
【請求項３】
半導体ウエハ（６，２０，５６）を載置する載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）を有し、前記載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）において、前記半導体ウエハ（６，２０，５６）のチップ領域（６ａ）よりも外周にのみ真空吸着穴（２，２２，３２）が形成される真空吸着ステージ（１，２１，３１）を用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）ダイシングテープ（８）を貼り付けた前記半導体ウエハ（６，２０）を前記ダイシングテープ（８）を下にして前記真空吸着ステージ（１，２１）に載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハ（６，２０）をダイシングしチップに個片化する工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項４】
請求項２に記載の真空吸着ステージ（２１）を用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）前記真空吸着ステージ（２１）の前記載置面（２１ａ，２１ｂ）の段差に対応した形状の下面を有し、当該下面にダイシングテープ（８）を貼り付けた半導体ウエハ（２０）を、前記ダイシングテープ（８）を下にして前記段差に合わせて前記真空吸着ステージ（２１）に載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハ（２０）をダイシングする工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項５】
半導体ウエハ（６，２０，５６）を載置する載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）を有し、前記載置面（１ａ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ）において、前記半導体ウエハ（６，２０，５６）のチップ領域（６ａ）よりも外周にのみ真空吸着穴（２，２２，３２）が形成される真空吸着ステージ（１，２１，３１）を用いた半導体ウエハのアニール方法であって、
（ａ）前記半導体ウエハ（２０，５６）の第１主面に研削保護テープ（５０）を貼り付け、前記第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記研削保護テープ（５０）を下にして前記半導体ウエハ（２０，５６）を前記真空吸着ステージ（３１）に載置する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記半導体ウエハ（２０，５６）の前記第２主面をレーザーアニールする工程とを備える、
半導体ウエハのアニール方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月16日(2014.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを載置する載置面を有し、
前記載置面は、
真空吸着穴が設けられる第１の領域と、
前記第１の領域に囲まれ、前記第１の領域よりも段差状に突出した第２の領域とを備える、
真空吸着ステージ。
【請求項２】
半導体ウエハを載置する載置面を有し、前記載置面において、前記半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）ダイシングテープを貼り付けた前記半導体ウエハを前記ダイシングテープを下にして前記真空吸着ステージに載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハをダイシングしチップに個片化する工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項３】
請求項２に記載の真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、
（ａ）前記真空吸着ステージの前記載置面の段差に対応した形状の下面を有し、当該下面にダイシングテープを貼り付けた半導体ウエハを、前記ダイシングテープを下にして前記段差に合わせて前記真空吸着ステージに載置する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより前記半導体ウエハをダイシングする工程とを備える、
半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項４】
半導体ウエハを載置する載置面を有し、前記載置面において、前記半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法であって、
（ａ）前記半導体ウエハの第１主面に研削保護テープを貼り付け、前記第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記研削保護テープを下にして前記半導体ウエハを前記真空吸着ステージに載置する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記半導体ウエハの前記第２主面をレーザーアニールする工程とを備える、
半導体ウエハのアニール方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面は、真空吸着穴が設けられる第１の領域と、第１の領域に囲まれ、第１の領域よりも段差状に突出した第２の領域とを備える。
また、本発明の半導体ウエハのダイシング方法は、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において、半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、（ａ）ダイシングテープを貼り付けた半導体ウエハをダイシングテープを下にして真空吸着ステージに載置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより半導体ウエハをダイシングしチップに個片化する工程とを備える。
また、本発明の半導体ウエハのアニール方法は、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において、半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法であって、（ａ）半導体ウエハの第１主面に研削保護テープを貼り付け、第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、研削保護テープを下にして半導体ウエハを真空吸着ステージに載置する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、半導体ウエハの第２主面をレーザーアニールする工程とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の真空吸着ステージは、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面は、真空吸着穴が設けられる第１の領域と、第１の領域に囲まれ、第１の領域よりも段差状に突出した第２の領域とを備える。従って、第１の領域と第２の領域によって形成される載置面の段差を、裏面の一部をくり抜いた形状の半導体ウエハの当該くり抜き形状に対応させることによって、半導体ウエハのダイシングに用いることが可能になる。また、半導体ウエハのチップ領域は第２の領域上に位置するので、第１の領域に設けられる真空吸着穴はダイシングラインに重ならない。そのため、ダイシングテープの破損が抑制される。
また、本発明の半導体ウエハのダイシング方法は、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において、半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのダイシング方法であって、（ａ）ダイシングテープを貼り付けた半導体ウエハをダイシングテープを下にして真空吸着ステージに載置する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、水ジェット誘導レーザーにより半導体ウエハをダイシングしチップに個片化する工程とを備える。従って、工程（ｂ）において、高圧の水柱は真空吸着穴から外れた位置に射出されるため、高圧の水柱によるダイシングテープの変形や切断が抑制される。
また、本発明の半導体ウエハのアニール方法は、半導体ウエハを載置する載置面を有し、載置面において、半導体ウエハのチップ領域よりも外周にのみ真空吸着穴が形成される真空吸着ステージを用いた半導体ウエハのアニール方法であって、（ａ）半導体ウエハの第１主面に研削保護テープを貼り付け、第１主面に対向する第２主面を研削する工程と、（ｂ）工程（ａ）の後、研削保護テープを下にして半導体ウエハを真空吸着ステージに載置する工程と、（ｃ）工程（ｂ）の後、半導体ウエハの第２主面をレーザーアニールする工程とを備える。従って、真空吸着ステージにおいて、真空吸着穴はレーザーが照射される半導体ウエハのチップ領域よりも外周に形成されているので、研削保護テープに対する冷却が真空吸着穴に阻害されず、研削保護テープの発泡を抑制する。
【国際調査報告】
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