(57)【要約】  下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。（Ａ）式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物（１）2009104680.tif 000015（２）2009104680.tif 000016（３）2009104680.tif 000017（４）2009104680.tif 000018（Ｂ）光カチオン重合開始剤（Ｃ）溶剤
2009104680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含有する感放射線性樹脂組成物。
（Ａ）式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物
【化１】
2009104680.tif 000011
【化２】
2009104680.tif 000012
【化３】
2009104680.tif 000013
【化４】
2009104680.tif 000014
（Ｂ）光カチオン重合開始剤
（Ｃ）溶剤
【請求項２】
（Ａ）が、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び式（４）で示される珪素化合物との共縮合物である、請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
光カチオン重合開始剤（Ｂ）が、スルホニウム塩化合物、又はヨードニウム塩化合物である請求項１又は請求項２に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の感放射線性樹脂組成物を硬化せしめてなる光学用デバイスに使用される高可視光透過率塗膜。
【請求項５】
光学用デバイスが、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、半導体集積回路（ＩＣ）である請求項４に記載の高可視光透過率塗膜。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の高可視光透過率塗膜を有する光学用デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の光学用デバイスを具備したディスプレイ用部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線等の放射線を用いて硬化可能な感放射線性樹脂組成物及びそれによって得られる硬化物である。更に詳しくは、半導体集積回路（ＩＣ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの回路製造用のネガ型レジストとして、あるいは層間絶縁膜、保護膜などの永久膜形成材料として好適に使用される感放射線性樹脂組成物、及びその硬化物に関する。
【背景技術】
【０００２】
操作速度の改善及び電力消費の低減のために、メモリー及び論理チップなどの多層集積回路デバイスの回路密度を増加させるという、マイクロエレクトロニクス産業における継続した要望がある。集積回路上のデバイスサイズを低減し続けるために、金属被覆の異なるレベル間の容量性クロストークを防ぐ必要がますます重要になっている。集積度が増加するにつれ、素子の応答速度を向上させる為には配線における抵抗とキャパシティーを低減させる必要があり、層間絶縁膜を形成させなければならない。様々なデバイスの中でも、特に、高輝度な発光ダイオード（ＬＥＤ）の技術分野では、より優れた耐熱設計が求められ、発光効率を更に向上させるために複雑な素子構造となり、高耐熱、高耐光、高透明で微細加工可能な層間絶縁膜材料が求められている。【０００３】
絶縁膜を形成するためにいくつかの公知なプロセスが用いられている。例えば化学気相成長法（ＣＶＤ）は絶縁層の薄膜を形成するのに典型的に用いられる。さらに、液体ポリマー前駆体のＣＶＤ及び輸送重合ＣＶＤなどの他のハイブリッドプロセスも公知である。これらの技術によって堆積される広くさまざまな絶縁膜材料は一般に、純粋な無機材料、セラミック材料、シリカに基づいた材料、純粋な有機材料、又は無機−有機ハイブリッドなどのカテゴリーに分類されている。加えて、プラズマ、電子ビーム又はＵＶ放射を用いた材料の処理、加熱などのさまざまなプロセスが用いられている。【０００４】
しかしながら減圧ＣＶＤ法では基板温度は低い場合でも４００℃以上、好ましい膜厚を得る為であれば１０００℃近い高温が必要であり素子の損傷を招きかねず工程上の制約がある。プラズマＣＶＤ法でも良質な成膜には３００℃前後を要し、素子の損傷を招きかねない。また、ＣＶＤ法では微細なパターン化、及び基板の凹凸の平坦化は困難であり、製膜コストも高価である。【０００５】
これらのような無機材料の欠点を改善するために、有機材料での絶縁膜適用が急速に使用されるようになった。例えば、ポリイミド前駆体にメタクリロイル基のような感光基を導入した感光性ポリイミドを用いたパターン形成法も公知である。また、樹脂中にシロキサン骨格を有するポリアミド酸と２−イソシアノエチルメタクリレートを反応させたアミド結合型の感光性ポリイミド前駆体が開発されている。しかしながらこれらポリイミド前駆体の大部分が芳香族で構成され黄色に着色し、透明性に劣るために、表示用素子や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光学デバイス用途への適用には不適切であった。【０００６】
また、エポキシ樹脂の化学増幅ネガレジストも有機材料での絶縁膜適用には公知である。
例えば、多官能ビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂や脂環状エポキシ樹脂などに代表される公知の透明性エポキシ樹脂と光カチオン重合開始剤を組み合わせた感放射線性組成物は、透明性が良好であるため、有機材料としては光学デバイス用途の絶縁膜へ好適に適用されている。発光ダイオード（ＬＥＤ）素子の絶縁膜にも適用されてはいるが、熱履歴により酸化変色し耐熱耐光透明性に優れないために、低輝度型発光ダイオードや非発光面となる素子側壁部への適用に留まり、素子発光面の絶縁膜への適用には至っていない。（特許文献１）【０００７】
高耐熱性、高透明性の材料として、ポリシロキサン化合物が知られている。そこで、反応性の官能基を有するポリシロキサン化合物を各種樹脂と組み合わせて、耐熱材料、絶縁材料、光学用デバイス材料として用いることが試みられている。例えば、特許文献２では、シロキサン化合物、キノンジアジド化合物等を含む組成物を、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜に応用することが試みられている。しかしながら、耐熱試験後の光透過率についての言及はない。また、特許文献３では、エポキシ基を有する珪素化合物と珪素化合物との共縮合物、フェノール性化合物等を含む熱硬化性樹脂組成物を、カラーフィルターの保護膜に応用することが試みられている。しかしながら、フェノール性化合物を含むため、着色の虞があることは否めない。【０００８】
【特許文献１】特表２００７−５２２５３１号公報
【特許文献２】特開２００７−２２６２１４号公報
【特許文献３】特開２００７−２９１２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記従来の事情に鑑みてなされたものである。特に、高解像性を維持しつつ、高耐熱、高透明な感放射線性樹脂組成物を提供する。更に、該組成物から得られる光学部材素子用の層間絶縁膜、保護膜を提供する。低コストにて層間絶縁膜、保護膜形成を可能とし、産業への有用な材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために、感放射線性樹脂組成物における高耐熱化、高解像度化について、鋭意、実験、検討を重ねた結果、特定の珪素化合物と光カチオン重合開始剤とを組み合わせることにより、感放射線性樹脂組成物を調製し、この感放射線性樹脂組成物を使用して、樹脂パターンを形成することにより、高耐熱、高耐光で、高透明性な樹脂パターンを形成できることを見出した。即ち、本発明は、
［１］
下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物、
（Ａ）式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物。【００１１】
【化１】
2009104680.tif 000003
【化２】
2009104680.tif 000004
【００１２】
（Ｂ）光カチオン重合開始剤
（Ｃ）溶剤
［２］
（Ａ）が、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び式（４）で示される珪素化合物との共縮合物である、前記［１］に記載の感放射線性樹脂組成物、
［３］
光カチオン重合開始剤（Ｂ）が、スルホニウム塩化合物、又はヨードニウム塩化合物である前記［１］又は［２］に記載の感放射線性樹脂組成物、
［４］
前記［１］乃至［３］の何れか一項に記載の感放射線性樹脂組成物を硬化せしめてなる光学用デバイスに使用される高可視光透過率塗膜、
［５］
光学用デバイスが、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、半導体集積回路（ＩＣ）である前記［４］に記載の高可視光透過率塗膜、
［６］
前記［４］又は［５］に記載の高可視光透過率塗膜を有する光学用デバイス、
［７］
前記［６］に記載の光学用デバイスを具備したディスプレイ用部品、
に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、高解像性、高絶縁性を維持しながら、特に高耐熱性、高透明性に優れ、高温における安定性が高く、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、半導体集積回路（ＩＣ）などの光学用デバイスの製造において、その信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施形態について説明する。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、
下記（Ａ）、（Ｂ）、及び（Ｃ）を含有する感放射線性樹脂組成物である。
（Ａ）式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物
（Ｂ）光カチオン重合開始剤
（Ｃ）溶剤【００１５】
まず本発明で使用される式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物について説明する。【００１６】
本発明で使用される共縮合物（Ａ）とは、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）で示される珪素化合物及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物である。式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物を併用して共縮合物を行う場合の両者の使用割合は所望する生成物の物性に応じて適宜選択される。例えば、共縮合生成物に低粘度性を所望するときは式（１）で示される成分の割合を多くし共縮合を行う。また、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物の両者を使用して共縮合物を調製する場合は、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物の合計モル数に対して式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物のモル数が１０〜９０モル％以下、好ましくは３０〜９０モル％以下、更に好ましくは５０〜８０モル％になるような割合で共縮合物を調製するのが好ましい。本発明において、式（１）乃至式（４）で示される珪素化合物の好ましい組合せとしては、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と式（３）及び式（４）で示される珪素化合物の組合せである。【００１７】
前記自己又は共縮合物は、触媒としてアルカリ剤及び水の存在下、前記の各原料化合物の混合物を加熱して脱アルコ−ル化反応及び脱水反応を起こさせることにより進行する。この縮合反応において使用する水の量は、反応系全体のアルコキシ基１モルに対して、通常０．１〜１．５モル、好ましくは０．２〜１．２モルである。この自己又は共縮合に使用されるアルカリ剤としては、水中で塩基性を示す化合物であれば何れも使用する事が出来る。使用しうるアルカリ剤の具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムのようなアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムのようなアルカリ金属炭酸塩等の無機塩基；アンモニア、トリエチルアミン、ジエチレントリアミン、ｎ−ブチルアミン、ジメチルアミノエタノール、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の有機塩基を使用することができる。これらの中でも、反応生成物から触媒の除去が容易である点で無機塩基又はアンモニアの使用が好ましい。これらのアルカリ剤の添加量は、反応系中の原料珪素化合物の合計質量に対し、通常０．００１〜７．５質量％、好ましくは０．０１〜５質量％である。【００１８】
縮合反応は、無溶剤で行うこともできるが、溶剤中で行うのが好ましい。溶剤としては、式（１）乃至式（４）で示される珪素化合物を溶解できる溶剤であれば特に制限なく使用できるが、使用しうる溶剤の具体例としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのような非プロトン性極性溶媒、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素等が例示できる。これらの中で、非プロトン性極性溶媒が好ましい。溶剤の使用量は、特に制限はないが、式（１）乃至式（４）で示される珪素化合物の合計質量１００質量％に対して、通常５０〜９００質量％使用するのが好ましい。【００１９】
縮合反応における反応温度は、触媒量にもよるが、通常２０〜１６０℃、好ましくは４０〜１４０℃である。また、反応時間は通常１〜１２時間である。反応生成物（共縮合物）のＭｗ（重量平均分子量）はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）により測定することが出来る。反応が終了したら、加熱を止め、前記溶剤及び水を加え、分液を行った後有機層を採り使用した溶剤を減圧除去して目的の共縮合物を得る。必要なら、得られた共縮合物をゲル濾過等により精製することも出来る。【００２０】
以上のようにして得られた、本発明で使用する共縮合物（Ａ）は次のような一般式（５）を有した高分子化合物であると考えられる。一般式（５）において、Ｗ、Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞれ独立に式（６）、（７）、（８）、（９）のいずれかを表し、Ｗ’、Ｘ’、Ｙ’、及びＺ’はそれぞれ独立に式（１０）、（１１）、（１２）、（１３）のいずれかを表す。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ正の整数であり、１≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦４０を満たす。【００２１】
【化３】
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【化４】
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【化５】
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【化６】
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【化７】
2009104680.tif 000009
【００２２】
次に本発明で使用される光カチオン重合開始剤（Ｂ）について説明する。
本発明において、光カチオン重合開始剤（Ｂ）は紫外線等の放射線照射により、前記共縮合物（Ａ）をカチオン重合せしめ、透明で耐熱性に優れた硬化膜を形成することの出来るスルホニウム塩化合物、又はヨードニウム塩化合物であれば何れも使用可能である。
使用し得る光カチオン重合開始剤のうち、スルホニウム塩化合物の具体例としては、トリフェニルスルホニウム、トリ−ｐ−トリルスルホニウム、トリ−ｏ−トリルスルホニウム、トリス（４−メトキシフェニル）スルホニウム、１−ナフチルジフェニルスルホニウム、２−ナフチルジフェニルスルホニウム、トリス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、トリ−１−ナフチルスルホニウム、トリ−２−ナフチルスルホニウム、トリス（４−ヒドロキシフェニル）スルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、４−（ｐ−トリルチオ）フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−（４−メトキシフェニルチオ）フェニルビス（４−メトキシフェニル）スルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルビス（４−メトキシフェニル）スルホニウム、４−（フェニルチオ）フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、ビス［４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィド、ビス〔４−（ビス［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ）フェニル〕スルフィド、ビス（４−［ビス（４−フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル）スルフィド、ビス（４−［ビス（４−メチルフェニル）スルホニオ］フェニル）スルフィド、ビス（４−［ビス（４−メトキシフェニル）スルホニオ］フェニル）スルフィド、４−（４−ベンゾイル−４−クロロフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（４−ベンゾイル−４−クロロフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルビス（４−フルオロフェニル）スルホニウム、４−（４−ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウム、４−イソプロピル−４−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル−ジ−ｐ−トリルスルホニウム、７−イソプロピル−９−オキソ−１０−チア−９，１０−ジヒドロアントラセン−２−イル−ジフェニルスルホニウム、２−［（ジ−ｐ−トリル）スルホニオ］チオキサントン、２−［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントン、４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−［４−（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジフェニルスルホニウム、４−［４−（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジ−ｐ−トリルスルホニウム、４−［４−（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジフェニルスルホニウム、５−（４−メトキシフェニル）チアアンスレニウム、５−フェニルチアアンスレニウム、５−トリルチアアンスレニウム、５−（４−エトキシフェニル）チアアンスレニウム、５−（２，４，６−トリメチルフェニル）チアアンスレニウムなどのトリアリールスルホニウム；ジフェニルフェナシルスルホニウム、ジフェニル４−ニトロフェナシルスルホニウム、ジフェニルベンジルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウムなどのジアリールスルホニウム；フェニルメチルベンジルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、４−メトキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、４−アセトカルボニルオキシフェニルメチルベンジルスルホニウム、２−ナフチルメチルベンジルスルホニウム、２−ナフチルメチル（１−エトキシカルボニル）エチルスルホニウム、フェニルメチルフェナシルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、４−メトキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、４−アセトカルボニルオキシフェニルメチルフェナシルスルホニウム、２−ナフチルメチルフェナシルスルホニウム、２−ナフチルオクタデシルフェナシルスルホニウム、９−アントラセニルメチルフェナシルスルホニウムなどのモノアリールスルホニウム；ジメチルフェナシルスルホニウム、フェナシルテトラヒドロチオフェニウム、ジメチルベンジルスルホニウム、ベンジルテトラヒドロチオフェニウム、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウムなどのトリアルキルスルホニウムなどが挙げられ、それらのカウンターアニオンとしては、ヘキサフルオロフォスフェート、ヘキサフルオロアンチモネート、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオロアルキルスルホニウムメチド、フッ素化アリールスルホニウムメチド、フルオロアルキルスルホニウムイミド、フッ素化アリールスルホニウムイミドのいずれか一種、又はこれらの二種以上の混合塩でもよい。【００２３】
ヨードニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−オクチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−オクチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−オクチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、（トリルクミル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、（トリルクミル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、（トリルクミル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、（４−メチルフェニル）（４'−イソブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、（４−メチルフェニル）（４'−イソブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、（４−メチルフェニル）（４'−イソブチルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。【００２４】
更に本発明で使用される溶剤（Ｃ）について説明する。
本発明の感放射線性樹脂組成物に使用される溶剤としては、前記（Ａ）、（Ｂ）及び後述する各種添加物質類に対して高い溶解能を有し、これらのものと反応性を示さないものであればいずれも制限なく使用することが出来る。使用しうる溶剤の具体例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、好ましくは炭素数１〜４の低級アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール等のグリコールエーテル類、好ましくは炭素数１〜４のアルキレングリコールの炭素数１〜４の低級エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、エチルエトキシプロピオラート等のアルキレングリコールエーテルアセテート類、好ましくは炭素数１〜４のアルキレングリコールの炭素数１〜４の低級エーテルアセテート、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロピル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸プロピル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル等のエステル類、好ましくヒドロキシ基、炭素数１〜４の低級アルキル基で置換されていてもよい炭素数２〜４の脂肪酸の炭素数１〜４のアルキルエステル、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。【００２５】
これらのうち、前記自己又は共縮合物、光カチオン開始剤剤等に対する溶解性、揮発による濃度的な経時変化、人体に対する毒性等を考慮すると、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の炭素数２〜３のアルキレングリコールの炭素数１〜４の低級エーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、エステル類が好ましい例として挙げられる。【００２６】
本発明の感放射線性樹脂組成物における、前記（Ａ）珪素化合物の共縮合物、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、（Ｃ）溶剤の各成分の含有量は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の合計量を１００質量％とすると、通常（Ａ）１〜８０質量％、（Ｂ）０．１〜１０質量％、（Ｃ）１０〜９８．９質量％であり、塗工方法に応じて適切な固形分濃度に調製される。【００２７】
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、透明性、耐熱性、耐薬品性、平坦性等の物性を実質的に低下させず、且つ、相溶性を損なわない範囲で、上記以外のエポキシ樹脂を添加することができる。【００２８】
用いうるその他のエポキシ樹脂の例としては、例えばフェノール化合物のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂、各種ノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂等が挙げられるが、耐熱性、透明性を考慮すると、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂が好ましい。【００２９】
上記のうち、脂環式エポキシ樹脂としてはシクロヘキサン等の脂肪族環骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂としては１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ポリエチレングリコール、ペンタエリスリトール等の多価アルコールのグリシジルエーテル類、複素環式エポキシ樹脂としてはイソシアヌル環、ヒダントイン環等の複素環を有する複素環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂としてはヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のカルボン酸エステル類からなるエポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂としてはアニリン、トルイジン等のアミン類をグリシジル化したエポキシ樹脂が挙げられる。【００３０】
これらのエポキシ樹脂のうち、耐熱性、透明性を考慮すると、２−［４−（２，３−ヒドロキシフェニル）−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−ヒドロキシ）フェニル］エチル］フェニル］プロパン、ビスフェノールＡ、フルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、シクロヘキサン等の脂肪族環骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、ペンタエリスリトール等の多価アルコールのグリシジルエーテル類が好ましい。前記したようなその他のエポキシ樹脂は、本発明の感放射線性樹脂組成物１００質量％に対して０．１〜５質量％を、必要に応じて添加されてもよい。【００３１】
更に、本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、レベリング剤、カップリング剤、増感剤、光散乱性絶縁物質、酸化安定剤、光安定剤、耐湿性向上剤、チキソトロピー付与剤、消泡剤、他の各種の樹脂、粘着付与剤、帯電防止剤、滑剤、紫外線吸収剤等の添加物質を配合することもできる。これらは公知の方法により本発明の感放射線性樹脂組成物に添加されてもよい。【００３２】
例えば、レベリング剤は樹脂組成物の塗布適性を向上させるために添加することができる。使用し得るレベリング剤の具体例としては、シリコン系レベリング剤、フッ素系レベリング剤、有機系レベリング剤が挙げられ、例えばＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（ＢＭＣＨＥＭＩＥ社製）、メガファックＦ４７０、同Ｆ４７２、同ＢＬ−２０、同Ｒ−０８、同Ｒ−３０、同Ｒ−９０（大日本インキ化学工業社製）、フロラードＦＣ−１３５、同ＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム社製）、サーフロンＳ−１１２、同Ｓ−１１３、同Ｓ−１３１、同Ｓ−１４１、同Ｓ−１４５、同Ｓ−３８１、同Ｓ−３８２、同Ｓ−３８３、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６、同ＫＨ−４０（旭硝子社製）、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成社製）、ＳＨ−２８ＰＡ、ＳＨ−１９０、ＳＨ−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８、ＤＣ−５７、ＤＣ−１９０（東レシリコーン社製）、ＰｏｌｙＦＯＸＰＦ−６３６、同ＰＦ−６５１、同ＰＦ−６５２、同ＰＦ−３３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製）、グラノール４００、グラノール４２０、グラノール４４０、ターレンＫＹ−５０２０、フローレンＤＯＰＡ−１５ＢＨＦＳ、同ＤＯＰＡ１７ＨＦ、同ＤＯＰＡ−３３、同ＤＯＰＡ−４４、同ＴＧ−７２０Ｗ、同ＴＧ−７５０Ｗ、ポリフローＫＬ−２４５、同ＫＬ−２６０、同ＫＬ−５００、同ＫＬ−６００、同ＷＳ−３０（共栄社化学社製）、ユニダインＤＳ−４０３、同ＤＳ−４５１、同ＮＳ−１６０２、同ＮＳ−１６０３、同ＮＳ−１６０５（ダイキン工業社製）等のシリコン系レベリング剤、フッ素系レベリング剤又は有機系レベリング剤が適宜用いられる。【００３３】
レベリング剤の添加量としては、本発明の感放射線性樹脂組成物１００質量％に対し、０〜０．５質量％、好ましくは０．００５〜０．２質量％を添加することができるが、塗工方法により適切なレベリング剤が選択され、適切な濃度に調製される。【００３４】
使用し得るカップリング剤の例としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−（ビニルベンジルアミノ）エチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン等のシラン系カップリング剤、イソプロピル（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、チタニウムジ（ジオクチルピロフォスフェート）オキシアセテート、テトライソプロピルジ（ジオクチルフォスファイト）チタネート、ネオアルコキシトリ（ｐ−Ｎ−（β−アミノエチル）アミノフェニル）チタネート等のチタン系カップリング剤、Ｚｒ−アセチルアセトネート、Ｚｒ−メタクリレート、Ｚｒ−プロピオネート、ネオアルコキシジルコネート、ネオアルコキシトリスネオデカノイルジルコネート、ネオアルコキシトリス（ドデカノイル）ベンゼンスルフォニルジルコネート、ネオアルコキシトリス（エチレンジアミノエチル）ジルコネート、ネオアルコキシトリス（ｍ−アミノフェニル）ジルコネート、アンモニウムジルコニウムカーボネート、Ａｌ−アセチルアセトネート、Ａｌ−メタクリレート、Ａｌ−プロピオネート等のジルコニウム、或いはアルミニウム系カップリング剤が挙げられる。これらカップリング剤は、単独で、又はこれらを２種以上を組み合わせて用いることができる。カップリング剤は本発明の感放射線性樹脂組成物の主成分とは未反応性のものであるため、基材界面で作用する成分以外は硬化後に残存成分として存在することになり、多量に使用すると物性低下などの悪影響を及ぼすことがある。基材によっては、少量でも効果を発揮する点から、悪影響を及ぼさない範囲内での使用が適当である。これらの中ではシラン系カップリング剤が好ましく、エポキシ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。カップリング剤を使用する事により基材との密着性が向上し、かつ耐湿信頼性に優れた高可視光透過率塗膜（保護膜）が得られる。【００３５】
カップリング剤の使用量は本発明の感放射線性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、通常０〜５質量％である。【００３６】
本発明において、光カチオン重合開始剤（Ｂ）のうち、ヨードニウム塩化合物を使用した場合は、ｉ線、ｇ線などの紫外線に対して吸収が低い為、３００ｎｍ以下の波長に輝線を有する光源により露光するのが好ましい。ｉ線、ｇ線などの紫外線により露光を行う場合は必要によりナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタセン誘導体、クリセン誘導体、ペリレン誘導体、ペンタセン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイン誘導体、フルオレン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、キサンテン誘導体、キサントン誘導体、チオキサンテン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ケトクマリン誘導体、シアニン誘導体、アジン誘導体、チアジン誘導体、オキサジン誘導体、インドリン誘導体、アズレン誘導体、トリアリルメタン誘導体、フタロシアニン誘導体、スピロピラン誘導体、スピロオキサジン誘導体、チオスピロピラン誘導体、有機ルテニウム錯体等の増感剤を使用できるが、無色透明性を損なう可能性があり、使用量は最小限にするのが好ましい。【００３７】
本発明において、光学用デバイスの輝度や発光効率を補助する目的で次のような光散乱性絶縁物質を含有することができる。例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＣ、ダイアモンド、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＩｎＯｘ、及びＣｕＯｘが挙げられ、使用量は本発明の感放射線性樹脂組成物の全固形分１００質量％に対して、通常０〜２０質量％である。【００３８】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、前記（Ａ）共縮合物、（Ｂ）光カチオン重合開始剤、（Ｃ）溶剤、並びに必要に応じ前記各種添加物質を均一に溶解させることによりワニスとして得ることができる。この場合、固形分濃度が通常１．１〜９０質量％であり、塗工方法により適切な固形分濃度に調製される。また、上記のようにして得られた本発明の感放射線性樹脂組成物は、必要により、例えば孔径０．０５〜５μｍのフィルターを用いて精密濾過を行ってもよい。【００３９】
次に、本発明の高可視光透過率塗膜、並びにそれを使用する光学用デバイスへの使用方法について説明する。本発明において高可視光透過率塗膜とは光学デバイスにおいて用いられる層間絶縁膜、保護膜などの薄膜を意味するがこれらに限られるものではない。【００４０】
光学用デバイスへ適用する高可視光透過率塗膜として使用する場合は、本発明の感放射線性樹脂組成物を基板材料に、通常スピンコート法により塗布が行われる。使用することができる基板材料には、シリコン、二酸化珪素、窒化珪素、アルミナ、ガラス、ガラス−セラミックス、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、鋼、銅−シリコン合金、インジウム−錫酸化物被覆ガラス；ポリイミド及びポリエステルなどの有機フィルム；金属、半導体、及び金属配線パターニング領域を含有する任意の基板などが含まれるが、それらに限定されない。高可視光透過率塗膜の膜厚は通常、硬化後０．０５〜３０μｍに、好ましくは０．３〜１０μｍになるような条件で塗布される。スピンコート法の場合、塗布作業を効率的に行うため、本発明の感放射線性樹脂組成物の２５℃における粘度を２〜７０ｍＰａ・ｓ、好ましくは５〜５０ｍＰａ・ｓになるように調整するのが好ましい。【００４１】
塗布後の乾燥、硬化条件は組成物溶液中の成分割合配合比、溶剤の種類によって最適な条件を適宜選択する必要があるが、通常、７０〜１１０℃でプレベイクを行い、溶剤を除去することにより、基板上に感放射線性樹脂組成物の薄膜が形成される。プレベイクによる溶媒除去はオーブン、ホットプレート等を用いて行うことができる。次に、所望のパターン形状を有するフォトマスクを介して適宜選択された光源により薄膜に露光を行う。【００４２】
基板材料上に形成された薄膜に露光することにより、本発明の珪素化合物のカチオン開環重合反応が進行する。露光の方法としては、所望パターンを含むフォトマスクを通して、中圧若しくは高圧水銀ランプからの近紫外、１７０〜５００ｎｍの放射線により、標準若しくはシンクロトロン線源からのＸ線放射線により露光装置を使用して、或いは直接又はパターニングした露光を介して電子ビーム放射線により、重合領域を形成することができる。露光に続いて、薄膜の露光した領域における重合反応を促進するために、露光後ベークを行う。典型的な露光後ベークは、ホットプレート上において７０〜１１０℃で５分間実施する。次いで、非重合領域を溶解除去するために現像液（有機溶剤）により現像を行う。膜厚、及び現像液の溶媒力価に応じて液中に１〜５分間、浸漬する。リンス溶媒により現像した画像を漱ぎ、残った現像液を除去する。場合によって、得られた重合領域について１３０〜２００℃で５〜３０分間ポストベイクを実施して、より高い変換度まで重合反応を進ませることによって材料をより完全に硬化できる。ホットプレート、対流オーブンなどの加熱設備を使用して、この工程は容易に達成される。このようにして本発明の高可視光透過率塗膜が形成される。【００４３】
本発明には前記光学用デバイスを具備したディスプレイ用部品も含まれる。本発明においてディスプレイ用部品とは発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬ素子、プラズマディスプレイパネル、半導体等を意味するがこれらに限られるものではない。
【実施例】
【００４４】
以下、本発明の実施例を説明するが、これら実施例は、本発明を好適に説明するための例示に過ぎず、なんら本発明を限定するものではない。以下において、「部」は質量部を意味する。【００４５】
合成例１  （エポキシ基を有する珪素化合物共縮合物（Ａ−１）の合成）
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（前記式（１）の珪素化合物、信越化学工業社製）７．４部（３０モル相当）、フェニルトリメトキシシラン（前記式（３）の珪素化合物、信越化学工業社製）１３．９部（７０モル相当）、メチルトリメトキシシラン（前記式（４）の珪素化合物、信越化学工業社製）０．１４部（１モル相当）、メチルイソブチルケトン４２．８部を反応容器に仕込み、８０℃に昇温した。昇温後、０．５％水酸化カリウム水溶液２．４部を３０分間かけて連続的に滴下した。滴下終了後、還流下８０℃にて５時間反応させた。
反応終了後、メチルイソブチルケトン１０部及び水６０部を加え分液し、有機層を採り洗浄液が中性になるまで酢酸水洗を繰り返した。有機層を減圧下に溶媒を除去することによりエポキシ基を有する珪素化合物共縮合物（Ａ−１）１５部を得た。得られた珪素化合物のエポキシ当量は、４９５ｇ／ｅｑ、ＧＰＣ分析での重量平均分子量（Ｍｗ）は１５００であった。【００４６】
合成例２  （エポキシ基を有する珪素化合物共縮合物（Ａ−２）の合成）
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（前記式（２）の珪素化合物、信越化学工業社製）７．１部（３０モル相当）、フェニルトリメトキシシラン（前記式（３）の珪素化合物、信越化学工業社製）１３．９部（７０モル相当）、メチルトリメトキシシラン（前記式（４）の珪素化合物、信越化学工業社製）０．１４部（１モル相当）、メチルイソブチルケトン４２．９部を反応容器に仕込み、８０℃に昇温した。次いで０．１％水酸化カリウム水溶液１０．８部を３０分かけて連続的に滴下した。滴下終了後、還流下８０℃にて５時間反応させた。
反応終了後、メチルイソブチルケトン１０部及び水６０部を加え分液し、有機層を採り洗浄液が中性になるまで酢酸水洗を繰り返した。有機層を減圧下に溶媒を除去することによりエポキシ基を有する珪素化合物共縮合物（Ａ−２）１５部を得た。得られた珪素化合物のエポキシ当量は、４３４ｇ／ｅｑ、ＧＰＣ分析での重量平均分子量（Ｍｗ）は２３００であった。【００４７】
（実施例１〜３）（比較例１〜２）
（感放射線性樹脂組成物）
表１に記載の配合量（単位は重量部）に従って、珪素化合物共縮合物、光カチオン重合開始剤、およびその他の成分を攪拌機付きフラスコ中にて６０℃で１時間攪拌混合した感放射線性組成物を得た。配合組成比率は表１に示す。【００４８】
（実施例１〜３）（比較例１〜２）
（感放射線性樹脂組成物のパターニング）
この感放射線性樹脂組成物をガラス基板上にスピンコーターで塗布後、ホットプレートにより９５℃で５分プレベイク乾燥を行い、５μｍの膜厚を有する感放射線性樹脂組成物層を得た。この感放射線性樹脂組成物層をその後、超高圧水銀灯露光装置（マスクアライナー：ウシオ電機社製）によりフォトマスクを介して全波長露光をし、ホットプレートにより重合促進加熱を９５℃で５分行った。次に、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて浸漬法により２３℃で３分現像処理を行い、基板上に硬化した樹脂パターンを得た。更に残存溶媒の消失及び架橋反応の完結の目的で、１４０℃のホットプレート上に３０分ポストベイクを行った。【００４９】
（解像性評価）
最小解像線幅を評価した。【００５０】
（感放射線性樹脂組成物より得られた硬化膜の耐熱耐光透明性評価）
下記評価を行った。結果を下記表１に示す。【００５１】
耐熱透明性の信頼性は、硬化膜の形成されたガラス基板を、３００℃のホットプレート上にて１時間加熱処理を行い、処理前後の透過率の変化により評価した。【００５２】
耐光透明性の信頼性は、硬化膜の形成されたガラス基板を、２９０〜４５０ｎｍの波長帯を発光する高強度紫外線耐光試験機（岩崎電気社製  ＳｕｐｅｒＵＶ  ＴＥＳＴＥＲ）にて、３００時間曝露試験を行い、処理前後の透過率の変化により評価した。【００５３】
【表１】
2009104680.tif 000010
【００５４】
注：
（Ｒ−１）：ビスフェノールＡノボラック型多官能エポキシ樹脂（商品名  ＥＰＯＮ  ＳＵ−８  レゾリューション・パフォーマンス・プロダクツ社製）
（Ｒ−２）：フェノールノボラック型多官能エポキシ樹脂（商品名  ＥＯＣＮ−１０２０  日本化薬社製）
（Ｂ−１）：光カチオン重合開始剤（Ｓ，Ｓ’−（チオジ−ｐ−フェニレン）ビス（ジフェニルスルホニウム）＝ビス（ヘキサフルオロアンチモネート）及びジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウム＝ヘキサフルオロアンチモネートの混合物の５０％炭酸プロピレン溶液、商品名ＵＶＩ−６９７６、ＡＣＥＴＯ  Ｃｏ．社製）
（Ｂ−２）：光カチオン重合開始剤（４−（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムトリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェート  商品名  ＣＰＩ−２１０Ｓ、サンアプロ社製）
（Ｃ）：溶剤  シクロペンタノン
（Ｄ）：フッ素系レベリング剤（商品名  メガファックＦ−４７０  大日本インキ社製）【００５５】
表１に示すとおり実施例１〜３はいずれも、耐熱性試験、耐光試験を経ても、透過率はほぼ維持され、良好な結果であった。一方比較例１〜２はいずれも、耐熱性試験後に透過率がほぼ失われ、耐光試験後の透過率も著しく減少するという結果であった。更に、実施例１〜３はいずれも、最小解像線幅は比較例１〜２より優れているという結果であった。【００５６】
実施例１〜３の結果と比較例の比較より明らかなように、特定の珪素化合物により、光カチオン重合を実施できる感放射線性組成物は、従来の多官能エポキシ樹脂の組み合わせでは得られない耐熱耐光黄変性、透明性に優れた樹脂パターンが得られることが判る。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上のように、本発明にかかる感放射線性樹脂組成物は、高耐熱、高耐光、高透明層間絶縁膜、保護膜の形成に有用であり、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬ素子やプラズマディスプレイパネル、半導体に適用される光学用デバイスの表示品質、信頼性向上に寄与する。従って、本発明の高可視光透過率塗膜は、ガラス、サファイア、窒化物半導体、セラミック、シリコン、金属等種々の基材上及びその基板上に設けられた素子や配線に対して優れた密着性を有し、解像性、耐熱性、耐光性、透明性に優れていることから、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機ＥＬ素子やプラズマディスプレイパネルといった高可視光透過率を要求される分野における光学用デバイスに特に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月20日(2009.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含有するネガ型レジスト用感放射線性樹脂組成物。
（Ａ）式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物及び／又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び／又は式（４）で示される珪素化合物との共縮合物
【化１】
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【化２】
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【化３】
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【化４】
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（Ｂ）光カチオン重合開始剤
（Ｃ）溶剤
【請求項２】
（Ａ）が、式（１）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物又は式（２）で示されるエポキシ基を有する珪素化合物と、式（３）及び式（４）で示される珪素化合物との共縮合物である、請求項１に記載のネガ型レジスト用感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
光カチオン重合開始剤（Ｂ）が、スルホニウム塩化合物、又はヨードニウム塩化合物である請求項１又は請求項２に記載のネガ型レジスト用感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載のネガ型レジスト用感放射線性樹脂組成物を硬化せしめてなる光学用デバイスに使用される高可視光透過率塗膜。
【請求項５】
光学用デバイスが、発光ダイオード（ＬＥＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路、半導体集積回路（ＩＣ）である請求項４に記載の高可視光透過率塗膜。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の高可視光透過率塗膜を有する光学用デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の光学用デバイスを具備したディスプレイ用部品。
【国際調査報告】
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