(57)【要約】    【課題】  電子部品を内蔵し、接続信頼性の高い多層プリント配線板の製造方法を提供する。    【解決手段】  金属箔１２に設けた位置決めマーク１４に基づき開口１６ａを設け半田バンプを形成するため、半田バンプ１８の位置精度が高く、高い接続信頼性を備えることができる。また、ソルダーレジスト層１６の開口１６ａに半田バンプ１８を設けるため、ソルダーレジスト層がダムの働きをして半田がリフローの際に流れ出さず、ファインピンチな半田バンプ１８を高い接続信頼性で形成することができる。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面を有する金属箔を準備する工程と、
前記金属箔に位置決めマークを形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記金属箔の第１面上にバンプを形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記バンプと電子部品を位置合わせする工程と、
前記バンプに前記電子部品を実装する工程と、
前記電子部品を樹脂内に収容する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記バンプと接続するパッドを形成する工程と、からなるプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記金属箔の第１面上にソルダーレジスト層を形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記ソルダーレジスト層にバンプ形成用の開口を形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記バンプ形成用の開口により露出する金属箔上に半田ペーストを形成する工程と、
前記半田ペーストをリフローする工程と、を有する。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記金属箔の第１面上にめっきレジスト層を形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記めっきレジスト層にめっきバンプ形成用の開口を形成する工程と、
前記バンプ形成用の開口により露出する金属箔上にめっきバンプを形成する工程と、を有する。
【請求項４】
請求項３に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記めっきレジストを剥離する工程を有する。
【請求項５】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記金属箔の第１面と前記電子部品との間にアンダーフィル樹脂を充填する工程を有する。
【請求項６】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記電子部品を樹脂内に収容する工程は、
前記金属箔の第１面と前記電子部品上に樹脂フィルムを積層する工程と、
電子部品を実装した金属箔と前記樹脂フィルムとを加熱プレスする工程と、とからなる。
【請求項７】
請求項６に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記樹脂フィルムを硬化することで、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する樹脂絶縁層を形成する工程と、
前記樹脂絶縁層に貫通孔を形成する工程と、
前記樹脂絶縁層の第１面と第２面に導体回路を形成する工程と、
前記貫通孔にスルーホール導体を形成することで、樹脂絶縁層の第１面と第２面に形成されている導体回路を接続する工程と、を有し、
前記樹脂絶縁層の第１面は電子部品を実装した金属箔の第１面に対向している面である。
【請求項８】
請求項１に記載のプリント配線板の製造方法において、
前記電子部品を樹脂内に収容する工程は、
電子部品を収容するための開口部を有し、第１面と第１面とは反対側の第２面を有する絶縁フィルムを準備する工程と、
前記絶縁フィルムと電子部品を位置合わせする工程と、
前記金属箔の第１面上に前記絶縁フィルムの第１面を積層する工程と、
前記絶縁フィルムと前記金属箔を接着する工程と、
前記開口部に充填樹脂を充填する工程と、からなる。
【請求項９】
請求項８に記載のプリント配線板は、さらに、前記絶縁フィルムの第２面上に第２の絶縁フィルムを積層する工程と、
電子部品を実装した金属箔と絶縁フィルムと第２の絶縁フィルムとを加熱プレスする工程と、
前記絶縁フィルムと前記第２の絶縁フィルムから第１面と前記第１面とは反対側の第２面を有する絶縁基板を形成する工程と、を有する。
【請求項１０】
請求項９に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁基板の第１面と第２面に導体回路を形成する工程と、
前記貫通孔にスルーホール導体を形成することで、絶縁基板の第１面と第２面に形成されている導体回路を接続する工程と、を有し、
絶縁基板の第１面は電子部品を実装した金属箔の第１面に対向している面である。
【請求項１１】
請求項７に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記樹脂絶縁層の第１面と第２面上に層間樹脂絶縁層を形成する工程と、
前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程と、
層間樹脂絶縁層の導体回路と樹脂絶縁層の導体回路とを接続するビア導体を形成する工程と、を有する。
【請求項１２】
請求項１０に記載のプリント配線板の製造方法は、さらに、前記絶縁基板の第１面と第２面上に層間樹脂絶縁層を形成する工程と
前記層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する工程と、
層間樹脂絶縁層の導体回路と絶縁基板の導体回路とを接続するビア導体を形成する工程と、を有する。
【請求項１３】
請求項８に記載のプリント配線板の製造方法において、前記絶縁フィルムはプリプレグである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品を内蔵する多層プリント配線板の製造方法に係り、特に、ＩＣチップ等の電子部品を内蔵する多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の高性能化、小型化の要求に伴い、回路部品の高密度化が一層求められている。
このために、電子部品をプリント配線板の表面に実装するのでは無く、電子部品をプリント配線板に内蔵する構成が開発されている。特許文献１では、金属箔上に導電性接着剤を形成し、その導電性接着剤を介して金属箔上に電子部品を搭載している。その後、金属箔上に搭載された電子部品を無機フィラーと熱硬化性樹脂からなる絶縁基板内に内蔵している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２２０２６２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、プリント配線板内に電子部品を内蔵すると、樹脂層に内蔵された電子部品の端子とその端子に接続するプリント配線板の導体回路とを精度よく合わせることが困難であった。【０００５】
本発明の目的は、電子部品を内蔵し、接続信頼性の高い多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本願発明の製造方法は、
第１面と前記第１面とは反対側の第２面を有する金属箔を準備する工程と、
前記金属箔に位置決めマークを形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記金属箔の第１面上にバンプを形成する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記バンプと電子部品を位置合わせする工程と、
前記バンプに前記電子部品を実装する工程と、
前記電子部品を樹脂内に収容する工程と、
前記位置決めマークを基準にして、前記バンプと接続するパッドを形成する工程と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図２】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図３】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図４】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図５】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図６】第１実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図７】第１実施例の多層プリント配線板を示す断面図である。
【図８】第１実施例の改変例に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図９】図９（Ａ）は、第１実施例の改変例に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図であり、図９（Ｂ）は、導体回路とパッドとの説明図である。
【図１０】第２実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１１】第２実施例の多層プリント配線板を示す断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は第３実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図であり、図１２（Ｂ）は第４実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図であり、図１２（Ｃ）は第５実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１３】第７実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【図１４】第７実施例の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[実施形態]
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図６を参照して説明する。ここでは先ず、ＩＣチップを内蔵するコア基板の製造方法について説明する。
（１）出発材料として、キャリア付き金属箔１００を準備する（図１（Ａ））。キャリア付き金属箔は支持体１０１と金属箔１２とからなる。金属箔は、厚さが１．５〜３６μｍであって、銅、アルミニューム、ニッケル等の導電性金属から成る。支持体としてはアルミニューム、鋼、銅などの導電性材料やエポキシ、ポリイミドなどの絶縁性フィルムなどを用いることができる。支持体の厚みは１８〜１００μｍ程度である。金属箔は剥離層を介して支持体上に積層することができる。金属箔は第１面と第１面とは反対側の第２面を有している。金属箔の第２面が支持体上に形成されている。出発材料は図１２（Ａ）に示すように金属箔１２でもよい。まず、金属箔にレーザにより位置決めマーク１４を形成する（図１（Ｂ））。
【０００９】
（２）金属箔の第1面上にソルダーレジスト層（第２のソルダーレジスト層）１６を形成する（図１（Ｃ））。次いで、位置決めマーク１４を基準にして、ソルダーレジスト層１６にバンプ形成用の開口１６ａを形成する（図１（Ｄ））。
【００１０】
（３）ソルダーレジスト層１６の開口１６ａにより露出した金属箔１６０上に半田ペースト１８αを印刷する（図２（Ａ））。半田としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどが主成分となる金属を用いることができる。そして、２００〜２８０℃でリフローを行い、開口１６ａに半田バンプ１８を形成する（図２（Ｂ））。半田ペーストの代わりに、半田ボールを金属箔１６０上に搭載することもできる。ソルダーレースト層の開口１６ａにより露出している金属箔上に電解めっきで半田や金などの金属バンプを形成することができる。半田ペーストや半田ボールは、位置決めマーク１４を基準にして金属箔１６０上に形成することができる。第１実施形態においては、金属箔１２に設けた位置決めマーク１４に基づき開口１６ａを設け半田バンプを形成するため、半田バンプ１８の位置精度が高くなる。半田バンプと金属箔との接続信頼性が高くなる。また、ソルダーレジスト層１６の開口１６ａに半田バンプ１８を設けるため、ソルダーレジスト層がダムの働きをして半田がリフローの際に流れ出さず、ファインピッチな半田バンプを高い接続信頼性で形成することができる。また、ソルダーレジスト層により、半田バンプ間での短絡を防止することができる。
【００１１】
（４）半田バンプ１８にＩＣチップ２０の端子２２が接続するよう、位置決めマーク１４に基づき、ＩＣチップ２０の搭載位置を決定する。その後、ＩＣチップ２０などの電子部品を金属箔上に搭載する。続いて、リフローにより半田バンプ１８と端子２２とを接続する（図２（Ｃ））。位置決めマーク１４を用いＩＣチップ２０の搭載位置を位置決めするため、高い位置精度を実現できる。半田バンプ１８とＩＣチップ２０の端子２２との接続信頼性を高めることができる。また、フルグリッドの端子２２を有するＩＣチップを搭載することができる。
【００１２】
（５）ソルダーレジスト層１６とＩＣチップ２０との間にアンダーフィル２４を充填する（図２（Ｄ））。これにより、半田バンプ１８の信頼性を高めることができる。図１（Ａ）から図２（Ｄ）の工程により、金属箔１２に電子部品が搭載された基板（電子部品搭載基板）２００が完成する。
【００１３】
（６）ＩＣチップ２０を搭載した金属箔１２上に、Ｂステージの樹脂フィルム２６α、及び、厚さ１．５〜３６μｍの金属箔２８を積層する（図３（Ａ））。樹脂フィルム２６αは、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることが好ましい。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。次いで、電子部品搭載基板２００と樹脂フィルム２６αと金属箔２８とを加熱プレスし、ＩＣチップ２０を樹脂絶縁層２６内に内蔵する。その後、支持体１０１を銅箔１２から剥離し、図３（Ｂ）に示す途中基板２０１を得る。このとき、樹脂フィルムは硬化し、樹脂絶縁層２６となる。樹脂絶縁層２６は第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。図３（Ｂ）に示すように、第１面は出発材料の金属箔と対向する面である。
金属箔１２と金属箔２８は同じ厚みの金属箔が好ましい。途中基板２０１の反りが減少する。
位置決めマーク１４に樹脂が埋まり、位置決めマークの位置の認識が困難になることがある。その場合、位置決めマーク１４を基準にして、第２の位置決めマーク（貫通孔）１４０を形成してもよい（図９（Ａ）参照）。位置決めマーク１４の認識はＸ線などで行うことができる。第２の位置決めマーク１４０は、位置決めマーク１４と同じ位置に形成してもよいし、位置決めマーク１４と異なる位置に形成してもよい。
【００１４】
（７）途中基板２０１にスルーホール導体用の貫通孔３６ａを形成する（図３（Ｃ））。貫通孔３６ａは位置決めマーク１４、あるいは、第２の位置決めマーク１４０を基準に形成される。次に、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、貫通孔の内壁にスルーホール導体３６を形成する（図３（Ｄ））。このとき、金属箔１２と金属箔２８上にも、無電解めっき膜と電解めっき膜が形成される。
【００１５】
（９）次に、樹脂と粒子とからなる充填剤３７をスルーホール導体３６内へ充填し、乾燥、硬化させる（図４（Ａ））。
【００１６】
（１０）途中基板２０１の表面に無電解銅めっき膜を形成する。更に、電解銅めっき膜を形成する。この時、同時にスルーホール導体３６内に充填した充填剤３７を無電解めっき膜３３０と電解めっき膜３３で覆う（図４（Ｂ））。
【００１７】
（１１）電解めっき膜３３上にエッチングレジストを形成する。その後、エッチングレジストを露光・現像してエッチングレジストをパターンニングする。そして、エッチングレジストが形成されていない部分のめっき膜（無電解めっき膜と電解めっき膜）と金属箔１２、２８を、エッチング液にて溶解除去する。さらに、エッチングレジストを剥離して、樹脂絶縁層２６上の導体回路３４、および、充填剤３７を覆う導体回路３４を形成する（図４（Ｃ）参照）。同時に、コア基板にアライメントマーク（図示せず）１４００を形成する。これにより、コア基板３０を完成する。導体回路３４はバンプ１８と接続しているパッド３４Ｐを有している（図９（Ｂ）参照）。
エッチングレジストのパターニングは位置決めマーク１４、あるいは、第２の位置決めマークを基準に形成されている。
【００１８】
引き続き、コア基板上への層間樹脂絶縁層及び導体回路の積層について説明する。
（１２）コア基板３０の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成する（図４（Ｄ））。
【００１９】
（１３）次に、レーザにて層間樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５０ａを形成する（図５（Ａ））。ここでは、レーザで開口を設けたが、フォトリソにより開口を形成することもできる。バイアホール用開口５０ａはアライメントマーク１４００を基準に形成されている。
【００２０】
（１４）次に、バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２を形成する（図５（Ｂ））。
【００２１】
（１５）無電解銅めっき膜５２にめっきレジスト５４を設ける（図５（Ｃ））。ついで、電解めっきを施し、めっきレジスト５４非形成部に、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図５（Ｄ））。
【００２２】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を剥離する。その後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜をエッチング処理することにより、溶解除去し、独立の導体回路５８及びバイアホール６０を形成する（図６（Ａ））。
【００２３】
（１７）上記（１２）〜（１６）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８、バイアホール１６０を有する層間絶縁層１５０を形成し、多層配線板を作製できる（図６（Ｂ））。
【００２４】
（１８）次に、多層配線基板の両面に開口７１、７２を備えるソルダーレジスト層（第１のソルダーレジスト層）７０を形成する（図６（Ｃ））。
【００２５】
（２０）この後、開口７１に半田ペーストを印刷し、リフローすることにより上面に半田バンプ７８Ｕを、下面に半田バンプ７８Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を完成する（図７）。
【００２６】
[第１実施形態の改変例]
図８を参照して第１実施形態の改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する。
（１）出発材料はキャリア（２５〜１００μｍの銅箔）１０１と剥離層（図示せず）と３〜１５μｍの銅箔１２とからなるキャリア付き銅箔である（図８（Ａ））。まず、レーザにより金属箔（銅箔）に位置決めマーク１４を形成する（図８（Ｂ））。
【００２７】
（２）位置決めマーク１４に基づき、ポッティング又は印刷により、銅箔１２上に半田ペーストを形成する。その後、リフローして銅箔１２上に半田バンプ１８を形成する（図８（Ｃ））。
【００２８】
（３）位置決めマーク１４に基づき、ＩＣチップと半田バンプを、位置合わせし、ＩＣチップ２０を半田バンプ上に載置する。その後、リフローを行い、半田バンプ１８とＩＣチップ２０の端子２２とを接続する（図８（Ｄ））。以降の工程は、第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。第１実施形態の改変例においても、金属箔１２に設けた位置決めマークに基づき半田バンプを形成する。その後、半田バンプを介して、金属箔上にＩＣチップを搭載している。ＩＣチップの搭載と半田バンプの形成が同じ位置決めマーク１４を基準にして行われている。半田バンプ１８とＩＣチップ２０との間の位置精度が高くなる。その結果、ＩＣチップなどの電子部品とその電子部品を内蔵するプリント配線板との接続信頼性が高くなる。第１実施形態の改変例では、第２のソルダーレジスト層を設けない分、第１実施形態よりも製造が容易である。
【００２９】
[第２実施形態]
引き続き第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法について、図１０を参照して説明する。
（１）図１、図２を参照して上述した第１実施形態と同様に、金属箔１２上にソルダーレジスト層（第２のソルダーレジスト層）１６を設ける。その後、半田バンプ１８を介してＩＣチップ２０を実装する（図１０（Ａ））。
【００３０】
（２）ＩＣチップなどの電子部品を収容するための開口２７ａを有する絶縁フィルム２７αとＢステージの第２の絶縁フィルム２６０αと銅箔２８を準備する。絶縁フィルム２７αはガラスクロス、アラミド繊維等の芯材とＢステージの樹脂とからなり、芯材にエポキシ等の熱硬化性樹脂、もしくは、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂とからなる複合樹脂を含浸させたフィルムである。絶縁フィルム２７αは位置決めマーク２８００を有している。ＩＣチップなどの電子部品を収容するための開口２７ａは位置決めマーク２８００を基準にして形成されている。第２の絶縁フィルム２６０αは、開口を有しないプリプレグ（ガラスクロス、ガラス繊維、アラミド繊維の内の１つの心材と樹脂とからなる絶縁フィルム）、あるいは、樹脂フィルム２６α、あるいは、熱硬化性樹脂と７０〜９０ｗｔ％の無機フィラーからなるフィルムであることが好ましい。銅箔２８の厚みは銅箔１２と実質的に同じ厚みであることが好ましい。絶縁フィルム２７αには、ＩＣチップよりも大きな開口２７ａが予め形成されている。ＩＣチップ２０を実装した金属箔と絶縁フィルム２７αを位置あわせする。位置合わせは位置決めマーク１４と絶縁フィルム２７αの位置決めマーク２８００を基準にして行う。位置決め後、ＩＣチップ２０を実装した金属箔１２上に、ＩＣチップに対応する開口２７ａを有する絶縁フィルム（厚さ１５０μｍ）２７αを積層する。更に、該絶縁フィルム２７αの上に、厚さ５０μｍの第２の絶縁フィルム２６０α、及び、厚さ１．５〜３６μｍの金属箔２８を積層する（図１０（Ｂ））。その後、加熱プレスする。この時、絶縁フィルムの開口２７ａ内に第２の絶縁フィルム２６０αや絶縁フィルム２７αから樹脂が滲みだし、開口２７ａ内を充填する（図１０（Ｃ））。また、同時に、絶縁フィルムや第２の絶縁フィルム、開口２７ａ内を充填する樹脂は硬化する。絶縁フィルムと第２の絶縁フィルムが接着すると共に硬化することで、絶縁基板２７０となる。
絶縁基板２７０は第１面と第１面とは反対側の第２面を有する。図１０（Ｃ）に示すように、第１面は出発材料の金属箔と対向する面である。ここで、開口内を充填する樹脂（充填樹脂）２８０は無機フィラーと熱硬化性樹脂とからなり、無機フィラー量は、３０〜９０ｗｔ％である。図１０（Ｃ）に示す中間基板は、実施形態１の図３（Ｂ）に対応している。図１０（Ｃ）の中間基板は、その後、実施形態１の図３（Ｃ）以降と同様な工程を施される。図４（Ｃ）までの工程を行うことで、第２実施形態のコア基板が形成される。第２実施形態のコア基板は、開口を有する樹脂基板２７と樹脂絶縁層２６０と開口内に収容されるＩＣチップ１２と充填樹脂２８０と導体回路３４とスルーホール導体３６とを有している。樹脂基板２７は絶縁フィルム２７αが硬化した基板である。樹脂絶縁層２６０は第２の絶縁フィルム２６０αが硬化した樹脂層である。絶縁フィルムは、第２の絶縁フィルムと同様な材料（プリプレグ、樹脂フィルムや無機フィラーと熱硬化性樹脂からなるフィルム）を使用できる。
【００３１】
第２実施形態のコア基板３０は、ガラスクロス、アラミド繊維等の芯材を有する樹脂基板２７を備える。そのため、コア基板３０の強度が高く、ヒートサイクル試験を行っても高い信頼性を備えることができる。
【００３２】
[実施例]
[第１実施例]
次に、本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板１０の構成について図７を参照して説明する。多層プリント配線板１０では、コア基板３０にＩＣチップ２０が内蔵されている。コア基板３０の第１面と第２面（第１面と反対側の面）には、導体回路３４が形成されている。コア基板３０の第１面と第２面の導体回路はスルーホール導体３６を介して接続されている。第１面の導体回路はＩＣチップを搭載するためのパッド３４Ｐを有している。コア基板３０上に、バイアホール６０が形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０が形成された層間樹脂絶縁層１５０とが形成されている。層間樹脂絶縁層１５０上にソルダーレジスト層７０が形成されている。層間樹脂絶縁層５０と層間樹脂絶縁層１５０の間には導体回路５８が形成されている。導体回路５８と導体回路３４はバイアホール６０で接続されている。また、層間樹脂絶縁層１５０とソルダーレジスト層７０の間には導体回路１５８が形成されている。導体回路１５８と導体回路５８はバイアホール１６０で接続されている。上面側のソルダーレジスト層７０には開口７１が形成されている。開口７１には、ＩＣチップ等の電子部品を実装するための半田バンプ７８Ｕが形成されている。下面側のソルダーレジスト層７０には開口７２が形成されている。開口７２には、ドータボード等の外部基板へ接続するための半田バンプ７８Ｄが形成されている。
【００３３】
ＩＣチップ２０は、樹脂絶縁層２６によりコア基板３０内に収容されている。ＩＣチップ２０の端子２４とパッド３４Ｐとは、半田バンプ１８を介して接続されている。パッド３４Ｐ上にはバンプ（めっきバンプを含む）が形成されている。コア基板の第１面上の層間樹脂絶縁層５０と樹脂絶縁層２６の間には第２のソルダーレジスト層１６が形成されている。第２のソルダーレジスト層１６とＩＣチップ２０との間にはアンダーフィル２４が充填されている。樹脂絶縁層２６は、樹脂とシリカフィラーとからなり、シリカフィラー量は５０ｗｔ％である。
【００３４】
引き続き、図７を参照して上述した多層プリント配線板１０の製造方法について図１〜図６を参照して説明する。ここでは先ず、ＩＣチップを内蔵するコア基板の製造方法について説明する。
（１）三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅箔（ＭＴＳＤ−Ｈ、キャリア（銅箔）：３５μｍ、銅箔：５μｍ）を出発材料とした（図１（Ａ））。まず、レーザ、又はエッチングにより位置決めマーク１４を形成した（図１（Ｂ））。
【００３５】
（２）次に、市販のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、乾燥処理を行い第２のソルダーレジスト層１６を形成した（図１（Ｃ））。位置決めマーク１４を基準として、第２のソルダーレジスト層１６にバンプ形成用の開口１６ａを形成した（図１（Ｄ））。ここでは、レーザにより開口１６ａを形成したが、この代わりに、位置決めマークでマスクを位置決めし、フォトリソにより開口を有するソルダーレジスト層を形成することも可能である。
【００３６】
（３）ソルダーレジスト層１６の開口１６ａにより露出する金属箔上に印刷により半田ペースト１８αを形成した（図２（Ａ））。そして、２００℃でリフローを行い、開口１６ａにより露出した金属箔上に半田バンプ１８を形成した（図２（Ｂ））。
【００３７】
（４）半田バンプ１８にＩＣチップ２０の端子２２が接続するよう、位置決めマーク１４に基づきＩＣチップの搭載位置を決定した。その後、リフローにより半田バンプ１８とＩＣチップの端子２２とを接続することで、金属箔に半田バンプを介してＩＣチップを実装した（図２（Ｃ））。
【００３８】
（５）次いで、第２のソルダーレジスト層１６とＩＣチップ２０との間にアンダーフィル２４を充填した（図２（Ｄ））。
【００３９】
（６）ＩＣチップ２０を実装した銅箔１２上に、厚さ２００μｍの樹脂フィルム（エポキシと５０ｗｔ％のシリカフィラーとからなるＢステージの樹脂フィルム）２６α、及び、厚さ５μｍの銅箔２８を積層した（図３（Ａ））。その後、ＩＣチップが実装されているキャリア付き銅箔と樹脂フィルムと銅箔２８を加熱プレスして、一体化した。加熱プレスにより、ＩＣチップは樹脂フィルム２６α内に内蔵された（図３（Ｂ））。加熱プレス条件は圧力０．４５ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒である。続いて、１７０度で樹脂フィルムを硬化し、樹脂フィルムを樹脂絶縁層２６とした。
【００４０】
（７）ＩＣチップを内蔵した基板３０にドリルでスルーホール導体用の貫通孔３６ａを形成した（図３（Ｃ））。その後、無電解めっき処理および電解めっき処理を施し、スルーホール導体３６を形成した（図３（Ｄ））。同時に、銅箔１２、２８上に無電解銅めっき膜（第１の無電解めっき膜）と電解銅めっき膜（第１の電解めっき膜）を形成した。
【００４１】
（８）スルーホール導体３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した。その後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ2 （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ3 ＰＯ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液で黒化処理した。続いて、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ4 （６ｇ／ｌ）を含む水溶液で還元処理を行い、スルーホール導体３６及び電解銅めっき膜の表面に粗化面を形成した（図示せず）。
【００４２】
（９）次に、平均粒径１０μｍのシリカ粒子とエポキシ樹脂と硬化剤とからなる充填剤３７を、スルーホール導体３６内へスクリーン印刷によって充填した。その後、充填材３７を乾燥、硬化させた（図４（Ａ））。
【００４３】
引き続き、スルーホール導体３６からはみ出した充填剤３７を研磨により除去した。
【００４４】
（１０）基板表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜３３０を形成した。更に、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜を形成した。同時に、スルーホール導体３６内に充填された充填剤３７を無電解めっき膜（第２の無電解めっき膜）３３０と電解めっき膜（第２の電解めっき膜）３３で覆った（図４（Ｂ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                １８０  ｇ／ｌ
硫酸銅                ８０  ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ）
１  ｍｌ／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／ｄｍ２  
時間                      ７０分
温度                      室温
【００４５】
（１１）電解めっき膜３３上に、市販の感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像処理することにより、厚さ１５μｍのエッチングレジストを形成した。そして、エッチングレジストを形成してない部分の銅箔１２、２８と銅箔上のめっき膜（めっき膜は金属箔上の第１の無電解めっき膜と第１の無電解めっき膜上の第１の電解めっき膜と第１の電解めっき膜上の第２の無電解めっき膜と第２の無電解めっき膜上の第２の電解めっき膜とからなる）を、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去した。さらに、エッチングレジストを５％ＫＯＨで剥離除去して、樹脂絶縁層２６上の導体回路３４、および、充填剤３７を覆う導体回路３４、パッド３４Ｐを形成した（図４（Ｃ）参照）。これにより、コア基板３０が完成した。樹脂絶縁層２６上の導体回路３４とパッド３４Ｐは金属箔と金属箔上の第１の無電解めっき膜と第１の無電解めっき膜上の第１の電解めっき膜と第１の電解めっき膜上の第２の無電解めっき膜と第２の無電解めっき膜上の第２の電解めっき膜とからなる。充填剤３７を覆う導体回路３４は第２の無電解めっき膜と第２の無電解めっき膜上の第２の電解めっき膜とからなる。
【００４６】
引き続き、コア基板上への層間樹脂絶縁層及び導体回路の積層について説明する。
先ず、導体回路３４の表面をメック株式会社製のＣｚ８１００を用いて粗化した（図示せず）。
【００４７】
（１２）コア基板３０の両面に、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）を真空ラミネーター装置を用いて積層した。その条件は真空度６７Ｐａ、圧力０．４７ＭＰａ、温度８５℃、圧着時間６０秒である。その後、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを１７０℃で４０分間熱硬化し、コア基板上に層間樹脂絶縁層５０を形成した（図４（Ｄ）。
【００４８】
（１３）次に、ＣＯ2 ガスレーザにて、層間樹脂絶縁層５０にバイアホール用開口５０ａを形成した（図５（Ａ））。
【００４９】
バイアホール用開口５０ａを形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在する粒子を除去した。バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面が形成された（図示せず）。
【００５０】
上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した層間樹脂絶縁層の表面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核を付着させた。
【００５１】
（１４）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜を形成した。バイアホール用開口５０ａの内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に無電解銅めっき膜５２が形成された（図５（Ｂ））。
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４５分
【００５２】
（１５）無電解銅めっき膜５２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、露光現像処理することにより、厚さ２５μｍのめっきレジスト５４を設けた（図５（Ｃ））。ついで、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト５４非形成部に、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図５（Ｄ））。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＧＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ７０  分
温度                        ２２±２  ℃
【００５３】
（１６）さらに、めっきレジスト５４を剥離した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去した。独立の導体回路５８及びバイアホール６０が形成された（図６（Ａ））。ついで、上記と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面に粗化面を形成した（図示せず）。
【００５４】
（１７）上記（１２）〜（１６）の工程を繰り返すことにより、さらに上層の導体回路１５８、バイアホール１６０を有する層間絶縁層１５０を形成し、多層配線板を得た（図６（Ｂ））。
【００５５】
（１８）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物を塗布した。その後、露光現像処理し、ソルダーレジスト組成物に開口７１、７２を形成した（図６（Ｃ））。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行って、開口７１、７２を有するソルダーレジスト層（第１のソルダーレジスト層、厚さ：１５〜２５μｍ）７０を形成した。
【００５６】
（１９）次に、ソルダーレジスト層７０の開口７１、７２により露出した導体回路１５８やバイアホール１６０の表面にニッケル膜、金めっき膜の順で金属膜を形成した（図示せず）。
【００５７】
（２０）この後、開口７１、７２内の金属膜上に半田ペーストを印刷した。その後、２３０℃でリフローすることにより上面に半田バンプ７８Ｕを、下面に半田バンプ７８Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を完成した（図７）。
【００５８】
[第１実施例の改変例]
図８を参照して第１実施例の改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する。
（１）三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅箔（ＭＴＳＤ−Ｈ、キャリア（銅箔）：３５μｍ、銅箔：５μｍ）１２を出発材料とした（図８（Ａ））。まず、レーザにより銅箔に位置決めマーク１４を形成した（図８（Ｂ））。
【００５９】
（２）位置決めマーク１４に基づき、ポッティングにより半田ペースト１８αを銅箔１２上に形成した。その後、リフローすることで、銅箔１２上に半田バンプ１８を形成した（図８（Ｃ））。
【００６０】
（３）位置決めマーク１４に基づきＩＣチップの搭載位置を決定し、半田バンプ１８上にＩＣチップ２０を載置した。その後、リフローを行い、半田バンプ１８とＩＣチップ２０の端子２２とを接続した（図８（Ｃ））。以降の工程は、第１実施例と同様であるため、説明を省略する。
【００６１】
[第２実施例]
引き続き第２実施例の多層プリント配線板の製造方法について説明する。
図１１は、第２実施例の多層プリント配線板の断面を示している。
多層プリント配線板１１０のコア基板３０は、ガラスクロス、ガラス繊維、アライミド繊維等の芯材と硬化済みの樹脂からなる樹脂基板２７を有している。樹脂基板は、エポキシ等の熱硬化性樹脂、もしくは、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂からなる複合樹脂を芯材に含浸したプリプレグを硬化させた基板である。樹脂基板２７は開口２７ａを有している。その開口２７ａ内にＩＣチップが収容されている。充填樹脂２８０が開口２７ａ内に充填されている。充填樹脂により、ＩＣチップが開口内に内蔵されている。絶縁基板の第１面と第１面上の層間樹脂絶縁層との間には、第２のソルダーレジスト層が形成されている。第２のソルダーレジスト層とＩＣチップとの間には、アンダーフィルが形成されている。
【００６２】
第２実施例の多層プリント配線板の製造方法について、図１０を参照して説明する。
（１）図１、図２を参照して上述した第１実施例と同様に、銅箔１２上にソルダーレジスト層（第２のソルダーレジスト層）１６を設け、半田バンプ１８を介してＩＣチップ２０を実装する（図１０（Ａ））。
【００６３】
（２）ＩＣチップ２０を収容するための開口２７ａを有する絶縁フィルムとして、プリプレグ２７α（１５０μｍ厚さ）を準備した。ＩＣチップ２０を実装した銅箔１２上に、位置決めマーク１４と位置決めマーク２８００を基準にしてプリプレグ２７αを積層した。開口とＩＣチップが精度よく位置合わせされた。更に、該プリプレグ２７αの上に、厚さ５０μｍの第２の絶縁フィルム（日立化成工業社製のプリプレグ）２６０α、及び、厚さ５μｍの銅箔２８を積層した（図１０（Ｂ））。その後、ＩＣチップを実装したキャリア付き銅箔とプリプレグと絶縁フィルムと銅箔とを真空プレス機で加熱プレスした。加熱プレス時、プリプレグの開口２７ａ内に第２の絶縁フィルム２６α及びプリプレグから樹脂が沁みだした。同時に、プリプレグが硬化し樹脂基板２７となった。第２の絶縁フィルムが硬化し絶縁樹脂層２６０となった。開口内に沁みだした樹脂が硬化し充填樹脂２８０となった。（図１０（Ｃ））。その後、キャリアを剥離した。以降は、実施例１の図３（Ｃ）以降の工程を行い、ＩＣチップを内蔵したコア基板にビルドアップ層を形成した。樹脂基板と絶縁樹脂層が一体化した基板が絶縁基板である。
【００６４】
[第３実施例]
図１２（Ａ）に第３実施例の出発材料である銅箔（１８μｍ厚）を示す。以降は、第１実施例の図１（Ｂ）以降と同様な工程でＩＣチップを内蔵したプリント配線板を製造した。
【００６５】
[第４実施例]
図１２（Ｂ）に第４実施例の出発材料である銅箔（１８μｍ厚）を示す。以降は、第１実施例の改変例の図８（Ｂ）以降と同様な工程でＩＣチップを内蔵したプリント配線板を製造した。
【００６６】
[第５実施例]
図１２（Ｃ）に第５実施例の出発材料である銅箔（１８μｍ厚）を示す。第２実施例では、出発材料にキャリア付金属箔（銅箔）を用いたが、第５実施例では、出発材料に金属箔（銅箔）を用いている。それ以外は、第２実施例と同様にプリント配線板を製造した。
【００６７】
[第６実施例]
第６実施例の製造方法は、第１実施例の図１（Ａ）から図１（Ｄ）までは同様な工程である。その後、ソルダーレジストの開口により露出する金属箔１２上に金バンプ（金めっきバンプ）を形成した。金めっきバンプは金属箔１２をリードにして、田中貴金属社製のミクロファブＡｕを用いて形成された。続いて、金スタッドバンプを有するＩＣチップと金バンプ（金めっきバンプ）を位置決めマーク１４を基準にして位置あわせした。その後、金バンプ（金めっきバンプ）と金スタッドバンプを金属接合することで、金属箔上にＩＣチップを実装した。それ以降は、第１実施例の図２（Ｄ）から図７までの工程を行い、ＩＣチップを内蔵したプリント配線板を製造した。
【００６８】
[第７実施例]
図１３を参照して第７実施例の改変例に係る多層プリント配線板の製造方法について説明する。
（１）三井金属工業株式会社製のキャリア付き銅箔（ＭＴＳＤ−Ｈ、キャリア（銅箔）：３５μｍ、銅箔：５μｍ）１００を出発材料とした（図１３（Ａ））。まず、レーザにより銅箔（金属箔）１２と支持板１０１に位置決めマーク１４を形成した（図１３（Ｂ））。
（２）金属箔の第１面上に開口６０ａを有するめっきレジスト６０を形成した（図１３（Ｃ））。開口６０ａは位置決めマーク１４を基準にして形成された。
（３）銅箔（金属箔）１２をシードとして、開口６０ａにより露出する銅箔（金属箔）上に金めっきバンプ６０ｂを形成した（図１３（Ｄ））。
（４）めっきレジスト６０を剥離した（図１４（Ａ））。
（５）位置決めマーク１４を基準にして、金スタッドバンプ２２を有するＩＣチップ２０と金めっきバンプ６０ｂを位置合わせした。その後、その後、金バンプ（金めっきバンプ）と金スタッドバンプを金属接合することで、金属箔上にＩＣチップを実装した（図１４（Ｂ））。以降は第２実施例の図１０（Ａ）以降の工程を行い、ＩＣチップを内蔵したプリント配線板を作成した。
【符号の説明】
【００６９】
１２  銅箔
１４  位置決めマーク
１６  （第２の）ソルダーレジスト層
１８  半田バンプ
２０  ＩＣチップ
３０  基板
３６  スルーホール導体
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  （第１の）ソルダーレジスト層
【図１】
2009147936.tif 000003
【図２】
2009147936.tif 000004
【図３】
2009147936.tif 000005
【図４】
2009147936.tif 000006
【図５】
2009147936.tif 000007
【図６】
2009147936.tif 000008
【図７】
2009147936.tif 000009
【図８】
2009147936.tif 000010
【図９】
2009147936.tif 000011
【図１０】
2009147936.tif 000012
【図１１】
2009147936.tif 000013
【図１２】
2009147936.tif 000014
【図１３】
2009147936.tif 000015
【図１４】
2009147936.tif 000016
【国際調査報告】
2009147936.tif 000017
2009147936.tif 000018
2009147936.tif 000019
2009147936.tif 000020
2009147936.tif 000021
2009147936.tif 000022
2009147936.tif 000023
2009147936.tif 000024
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