(57)【要約】  本発明は、共通電極の電圧降下を抑制しつつ、発光層に対する電子注入性の低下を抑制することを目的とする。  ＥＬ表示装置を、画素毎に形成された画素電極と、隣接画素間領域に形成した配線と、各画素電極の上方に各画素共通に形成され且つ配線に電気的に接続した共通電極と、各画素電極と共通電極の間に形成した発光層とを具備するように構成する。共通電極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成する。共通電極上に、共通電極の酸化を防止する保護層を形成する。
2013031162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の画素電極と、
前記基板上で隣接する前記画素電極間の領域に形成された配線と、
前記各画素電極の上方に、前記各画素電極と電気接続して形成された発光層と、
前記各発光層の上方に、前記各発光層と前記配線とに電気接続して形成された共通電極とを具備し、
前記共通電極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成され、
前記共通電極上に、前記共通電極の酸化を防止するための保護層が形成されている
ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記発光層と前記共通電極との間に、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含有してなる中間層が介設されている
請求項１に記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記配線は、前記各画素電極が形成された前記基板の表面と同一の表面上に形成され、
前記中間層は前記配線上に延設されている
請求項２に記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記中間層は、母材である電子輸送性を有する有機材料に、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属がドープされてなる
請求項２または３に記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記中間層に含有されるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の比率が１０ｗｔ％以上である、
請求項２〜４のいずれか１項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記保護層は複数の層を積層してなる多層構造を有し、
前記保護層の前記基板側の最下層は有機材料からなる層である
請求項１〜５のいずれか１項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記保護層において、前記有機材料からなる層上には、アルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物で構成された酸化保護層が形成されている
請求項６に記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記保護層において、前記酸化保護層上に封止層が形成されている
請求項７に記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記各画素電極と、前記各画素電極の上方の前記発光層との間に、遷移金属元素を含む金属の酸化物層がさらに形成されている
請求項１〜７のいずれか１項に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記各画素電極と、前記各画素電極の上方の前記発光層との間に、遷移金属元素を含む金属の酸化物層が形成され、
前記金属の酸化物層が前記配線と前記中間層との間に延設されている
請求項３に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記遷移金属元素は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくともいずれかである、
請求項９または１０に記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】
ＴＦＴ基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に画素電極と配線とを互いに離間して形成する画素電極および配線形成工程と、
前記画素電極に対応する位置に第１開口部、前記配線に対応する位置に第２開口部をそれぞれ存在させるように、前記絶縁層の表面に隔壁を形成する隔壁形成工程と、
前記第１開口部から露出した前記画素電極上に発光層を形成する発光層形成工程と、
前記発光層上、および前記第２開口部から露出した前記配線上に亘り、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いて共通電極を形成する共通電極形成工程と、
前記共通電極上に、前記共通電極の酸化を防止するための保護層を形成する保護層形成工程を経る、
ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記画素電極および配線パターン形成工程と前記隔壁形成工程との間に、前記画素電極上および前記配線上に正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程を有する、
請求項１２に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記正孔注入層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、のいずれかを含有する酸化物である、
請求項１３に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記発光層形成工程と前記共通電極形成工程との間に、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含有する中間層を、前記発光層上および前記第２開口部から露出した前記正孔注入層上に形成する中間層形成工程を有する、
請求項１３または１４に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記中間層形成工程において形成する前記中間層は、母材である電子輸送性を有する有機材料に、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属がドープされてなる
請求項１５に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記中間層形成工程において、前記中間層を、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属の比率が１０ｗｔ％以上となるように形成する、
請求項１５または１６に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記正孔注入層及び前記中間層を、それぞれ前記第１開口部の内部と前記第２開口部の内部に亘り連続して形成する、
請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記保護層は、複数の層を積層してなる多層構造を有し、
前記保護層形成工程では、前記保護層の前記基板側の最下層として、有機材料で構成された層を前記共通電極上に形成する、
請求項１２〜１８のいずれか１項に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記保護層形成工程では、前記有機材料で構成された層上に、アルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物で構成された酸化保護層を形成する、
請求項１９に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記保護層形成工程では、前記酸化保護層上に封止層を形成する、
請求項２０に記載のＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素毎に形成された画素電極と各画素共通に形成された共通電極との間に発光層が介挿されたＥＬ表示装置に関する。特に共通電極に電力を供給するための配線（以下、「電力供給配線」と記す。）を備えたＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ表示装置は、一般に基板上の各画素にわたるように配設された共通電極を有する。各画素の発光層には基板の周縁側より共通電極を用いて電圧を印加するので、共通電極の電気抵抗により、基板周縁領域に存在する各発光層への印加電圧に比べ、基板中央領域に存在する各発光層への印加電圧が降下し易い。これにより各画素の発光層が輝度のばらつきを生じることがある。【０００３】
そこで、各発光層にわたり安定な導電性を有する電力供給配線を配設し、電力供給配線を介して共通電極に電力供給を行うことで各発光層間の印加電圧のばらつきを抑え、共通電極の電圧降下の問題を抑制する対策がなされている。【０００４】
図１０は、電力供給配線を備えたＥＬ表示装置の一例として、特許文献１に記載のトップエミッション型の表示装置の断面図を示している。表示装置１０００は、基板１００１と、画素電極として機能する第１電極１００２と、電力供給配線１００３と、正孔注入層１００４と、隔壁１００５と、発光層１００６と、電子輸送層１００７と、共通電極として機能する第２電極１００８とを備えている。【０００５】
第１電極１００２と電力供給配線１００３は、基板１００１上に間隔を空けて配置されている。第１電極１００２と電力供給配線１００３の間には隔壁１００５が形成されている。【０００６】
第１電極１００２上には、正孔注入層１００４、発光層１００６、電子輸送層１００７、および第２電極１００８がこの順に形成されている。表示装置１０００はトップエミッション型であるため、第２電極１００８の材料として、例えば透明導電性材料であるＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）が用いられる。ＩＴＯはアルカリ金属等に比べて発光層１００６に対する電子注入性が低いので、ここでは第２電極１００８と発光層１００６との間には電子輸送層１００７が介在されている。電子輸送層１００７として、例えば、有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープさせたものが用いられる（以下、「有機電子輸送層」とも記す。）。アルカリ金属またはアルカリ土類金属をドープさせることで、電子注入性を高めることができる。【０００７】
一方、電力供給配線１００３上には、電子輸送層１００７を介して第２電極１００８が形成されている。これにより、電力供給配線１００３と第２電極１００８とが電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−４０１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで電子輸送層１００７と第２電極１００８からなる電子注入構造として、有機電子輸送層とＩＴＯ層の積層構造を採用した場合、電力供給配線１００３と第２電極１００８のコンタクト抵抗が上昇する恐れがある。【００１０】
また、コンタクト抵抗の上昇を回避する方法として、電子輸送層１００７を形成せずに、電力供給配線１００３と第２電極１００８とを直接コンタクトさせることが考えられる。しかしながらこの構成では、発光層１００６に対する電子注入性が低下しうる問題がある。【００１１】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、共通電極の電圧降下を抑制するとともに、発光層に対する電子注入性の低下を抑制することが可能なＥＬ表示装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の一態様であるＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記基板上で隣接する前記画素電極間の領域に形成された配線と、前記各画素電極の上方に、前記各画素電極と電気接続して形成された発光層と、前記各発光層の上方に、前記各発光層と前記配線とに電気接続して形成された共通電極とを具備し、前記共通電極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成され、前記共通電極上に、前記共通電極の酸化を防止するための保護層が形成されている構成とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係るＥＬ表示装置では、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で共通電極を構成する。これにより、共通電極と配線との間において、ＩＴＯにより生じるアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物が介在するのを防止できるため、共通電極と配線の間のコンタクト抵抗を低く維持できる。よって発光層に対する電子注入特性の低下を抑制することができる。【００１４】
また、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は、酸化物の導電体に比べて仕事関数が小さい。このため、共通電極をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成することによっても、発光層に対する電子注入性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】ＥＬ表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】ＥＬ表示パネル１０の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図３】ＥＬ表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。
【図４】ＥＬ表示パネル１０の製造工程のうち図３に示す工程に後続する部分の一例を示す図である。
【図５】ＥＬ表示パネル１０の製造工程のうち図４に示す工程に後続する部分の一例を示す図である。
【図６】評価デバイス３０の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図７】（ａ）Ｂａ層の膜厚と規格化寿命の関係を示す特性図である。（ｂ）通電輝度劣化率とＰＬ強度低下率の関係を示す特性図である。
【図８】ＥＬ表示パネル１０ａの構成を模式的に示す部分断面図である。
【図９】ＥＬ表示パネル１０ｂの構成を模式的に示す部分断面図である。
【図１０】表示装置１０００の要部を模式的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜発明に至った経緯＞
発明者は、従来技術において、電子輸送層と第２電極からなる電子注入構造として、有機電子輸送層とＩＴＯ層の積層構造を採用した場合、電力供給配線１００３と第２電極１００８のコンタクト抵抗が上昇する理由について、検討した。
【００１７】
その理由として、有機電子輸送層とＩＴＯ層の界面で、有機電子輸送層にドープされたアルカリ金属またはアルカリ土類金属が、酸化物であるＩＴＯから酸素を奪い、酸化することが考えられる。アルカリ金属またはアルカリ土類金属の酸化物は絶縁物であるため、これらが生じることで電力供給配線１００３と第２電極１００８のコンタクト抵抗が上昇する。これにより電力供給配線１００３から第２電極１００８に供給される電力が低減し、第２電極１００８の電圧降下の問題を効果的に抑制することは困難となる。
【００１８】
このような問題に対して発明者は鋭意検討を重ね、共通電極の電圧降下を抑制するとともに、発光層に対する電子注入性の低下を抑制することが可能なＥＬ表示装置とその製造方法を発明するに至った。
＜実施の態様＞
本発明の一態様であるＥＬ表示装置は、基板と、前記基板上に形成された複数の画素電極と、前記基板上で隣接する前記画素電極間の領域に形成された配線と、前記各画素電極の上方に、前記各画素電極と電気接続して形成された発光層と、前記各発光層の上方に、前記各発光層と前記配線とに電気接続して形成された共通電極とを具備し、前記共通電極はアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成され、前記共通電極上に、前記共通電極の酸化を防止するための保護層が形成されている構成とする。
【００１９】
ここで本発明の別の態様として、前記発光層と前記共通電極との間に、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含有してなる中間層が介設されている構成とすることもできる。
【００２０】
また本発明の別の態様として、前記配線は、前記各画素電極が形成された前記基板の表面と同一の表面上に形成され、前記中間層は前記配線上に延設されている構成とすることもできる。
【００２１】
また本発明の別の態様として、前記中間層は、母材である電子輸送性を有する有機材料に、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属がドープされてなる構成とすることもできる。
【００２２】
また本発明の別の態様として、前記中間層に含有されるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の比率が１０ｗｔ％以上である構成とすることもできる。
【００２３】
また本発明の別の態様として、前記保護層は複数の層を積層してなる多層構造を有し、前記保護層の前記基板側の最下層は有機材料からなる層である構成とすることもできる。
【００２４】
また本発明の別の態様として、前記保護層において、前記有機材料からなる層上には、アルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物で構成された酸化保護層が形成されている構成とすることもできる。
【００２５】
また本発明の別の態様として、前記保護層において、前記酸化保護層上に封止層が形成されている構成とすることもできる。
【００２６】
また本発明の別の態様として、前記各画素電極と、前記各画素電極の上方の前記発光層との間に、遷移金属元素を含む金属の酸化物層がさらに形成されている構成とすることもできる。
【００２７】
また本発明の別の態様として、前記各画素電極と、前記各画素電極の上方の前記発光層との間に、遷移金属元素を含む金属の酸化物層が形成され、前記金属の酸化物層が前記配線と前記中間層との間に延設されている構成とすることもできる。
【００２８】
また本発明の別の態様として、前記遷移金属元素は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくともいずれかである構成とすることもできる。
【００２９】
本発明の一態様であるＥＬ表示装置の製造方法は、ＴＦＴ基板上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に画素電極と配線とを互いに離間して形成する画素電極および配線形成工程と、前記画素電極に対応する位置に第１開口部、前記配線に対応する位置に第２開口部をそれぞれ存在させるように、前記絶縁層の表面に隔壁を形成する隔壁形成工程と、前記第１開口部から露出した前記画素電極上に発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層上、および前記第２開口部から露出した前記配線上に亘り、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いて共通電極を形成する共通電極形成工程と、前記共通電極上に、前記共通電極の酸化を防止するための保護層を形成する保護層形成工程を経るものとする。
【００３０】
ここで本発明の別の態様として、前記画素電極および配線パターン形成工程と前記隔壁形成工程との間に、前記画素電極上および前記配線上に正孔注入層を形成する正孔注入層形成工程を有することもできる。
【００３１】
また本発明の別の態様として、前記正孔注入層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、のいずれかを含有する酸化物とすることもできる。
【００３２】
また本発明の別の態様として、前記発光層形成工程と前記共通電極形成工程との間に、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含有する中間層を、前記発光層上および前記第２開口部から露出した前記正孔注入層上に形成する中間層形成工程を有することもできる。
【００３３】
また本発明の別の態様として、前記中間層形成工程において形成する前記中間層は、母材である電子輸送性を有する有機材料に、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属がドープされてなる構成とすることもできる。
【００３４】
また本発明の別の態様として、前記中間層形成工程において、前記中間層を、前記アルカリ金属あるいは前記アルカリ土類金属の比率が１０ｗｔ％以上となるように形成することもできる。
【００３５】
また本発明の別の態様として、前記正孔注入層及び前記中間層を、それぞれ前記第１開口部の内部と前記第２開口部の内部に亘り連続して形成することもできる。
【００３６】
また本発明の別の態様として、前記保護層は、複数の層を積層してなる多層構造を有し、前記保護層形成工程では、前記保護層の前記基板側の最下層として、有機材料で構成された層を前記共通電極上に形成することもできる。
【００３７】
また本発明の別の態様として、前記保護層形成工程では、前記有機材料で構成された層上に、アルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物で構成された酸化保護層を形成することもできる。
【００３８】
また本発明の別の態様として、前記保護層形成工程では、前記酸化保護層上に封止層を形成することもできる。
＜実施の形態１＞
（ＥＬ表示装置１の全体構成）
図１は、ＥＬ表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。ＥＬ表示装置１は、ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを備える。
【００３９】
ＥＬ表示パネル１０は、例えば、有機材料の電界発光現象を利用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。
【００４０】
駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成される。
【００４１】
なおＥＬ表示装置１において、ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置については、図１のようにＥＬ表示パネル１０の４辺を取り囲む配置に限られない。
（ＥＬ表示パネル１０の構成）
図２は、ＥＬ表示パネル１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図２ではＥＬ表示パネル１０の一部を抜き出して模式的に示す。ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ基板１０１と、層間絶縁膜１０２と、画素電極１０３と、電力供給配線１０４と、正孔注入層１０５と、隔壁１０６と、正孔輸送層１０７と、発光層１０８と、共通電極１０９と、保護層１２０と、封止ガラス１１５とを備える。ＥＬ表示パネル１０における画素は、各開口部１０６ａの各内部の位置に対応して形成された、ＴＦＴ基板１０１と、層間絶縁膜１０２と、画素電極１０３と、正孔注入層１０５と、正孔輸送層１０７と、発光層１０８と、共通電極１０９と、保護層１２０と、封止ガラス１１５の積層構造で構成される。ＥＬ表示パネル１０では、複数の画素がＴＦＴ基板１０１の表面に沿って、行列状（図１のＸＹ方向）に配設されている。
【００４２】
以下、ＥＬ表示パネル１０の各構成について詳細に説明する。
［ＴＦＴ基板１０１］
ＴＦＴ基板１０１は、基板本体上に、ＴＦＴ、配線部材、およびＴＦＴを被覆するパッシベーション膜などを形成した構成を有する。ＴＦＴは、チャネル材料にシリコンを用いたものでも、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの酸化物半導体を用いたものでも、ペンタセンなどの有機半導体を用いたものでもよい。基板本体は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料からなる。また、基板本体は、有機樹脂フィルムであってもかまわない。
［層間絶縁膜１０２］
層間絶縁膜１０２は、ＴＦＴ基板１０１の表面を被覆するように形成される。層間絶縁膜１０２は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。本明細書では、ＴＦＴ基板１０１上に層間絶縁膜１０２が形成されたものを「基板１１０」と定義する。
［画素電極１０３］
画素電極１０３は画素における第１電極であり、ここでは陽極として形成される。画素電極１０３の材料は特に限定されるものではないが、トップエミッション型とする場合は光反射性の材料で形成されていることが好ましい。金属、導電性酸化物、および導電性高分子は、好適な材料である。金属の例として、例えばアルミニウム、銀合金、モリブデン、タングステン、チタン、クロム、ニッケル、亜鉛およびその合金が挙げられる。導電性酸化物の例として、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、亜鉛酸化物などが挙げられる。導電性高分子として、ポリアニリン、ポリチオフェンおよびそれらを酸性あるいは塩基性の物質と混合したものが挙げられる。
［電力供給配線１０４］
電力供給配線１０４は、共通電極１０９の電圧降下を抑制するために設けられる。ＥＬ表示パネル１０では、電力供給配線１０４は、各画素電極１０３が形成された基板１１０の表面と同一の表面上（ここでは層間絶縁膜１０２の表面上）の互いに離間した位置に形成されている。
【００４３】
電力供給配線１０４の材料としては安定した導電性を有する材料が好適であり、例えば画素電極１０３の材料と同一の材料を用いることができる。電力供給配線１０４は図２に示すように、隣接する画素間の領域（第２開口部１０６ｂに対向する領域）に形成されている。電力供給配線１０４は、例えば隣接画素間の領域毎に形成してもよいし、複数の画素間の領域毎に形成してもよい。
［正孔注入層１０５］
正孔注入層１０５は、画素電極１０３から正孔を発光層１０８に注入する機能を有する。ＥＬ表示パネル１０では、正孔注入層１０５は各画素電極１０３及び電力供給配線１０４を被覆するように、層間絶縁膜１０２の表面全体に亘って形成されている。正孔注入層１０５の材料としては、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくともいずれかの遷移金属を含む金属の酸化物、例えば酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏｘＷｙＯｚ）などの遷移金属の酸化物を含む金属酸化物を用いることができる。或いは正孔注入層１０５の材料として、ポリピノール、ポリアニリン、ＰＥＤＯＴ、ＰＳＳ、ＳＡＭ等を用いることもできる。
［隔壁１０６］
隔壁１０６は、画素電極１０３に対応する位置に第１開口部１０６ａ、電力供給配線１０４に対応する位置に第２開口部１０６ｂを存在させるように、正孔注入層１０５の表面全体にわたり形成される。第１開口部１０６ａからは画素電極１０３、第２開口部１０６ｂからは電力供給配線１０４がそれぞれ外部露出している（図２）。隔壁１０６は絶縁性材料からなり、樹脂等の有機材料で形成される。有機材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等を用いることができる。隔壁１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、隔壁１０６はエッチング処理、ベーク処理等がなされるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成することが好ましい。
［正孔輸送層１０７］
正孔輸送層１０７は、第１開口部１０６ａの内部において、正孔注入層１０５の上に形成される。正孔輸送層１０７は、発光層１０８から正孔注入層１０５に電子が輸送されるのをブロックする機能や、発光層１０８に効率良く正孔を輸送する機能等を有する。正孔輸送層１０７の材料としては、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体である。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができる。
［発光層１０８］
発光層１０８は、第１開口部１０６ａの内部において、画素電極１０３と電気接続するように正孔輸送層１０７の上に形成される。発光層１０８は画素電極１０３側から供給される正孔と、共通電極１０９側から供給される電子の再結合により発光する機能を有する。
【００４４】
発光層１０８は有機発光層として構成できる。この場合、発光層１０８の材料として、例えば、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３−ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質を用いることができる。
［共通電極１０９］
共通電極１０９は、画素における第２電極であり、ここでは陰極として形成される。共通電極１０９は各発光層１０８と電気接続するように、各発光層１０８の表面及び隔壁１０６の表面にわたり共通して配設される。さらに図２に示すように、共通電極１０９と電力供給線１０４とが正孔注入層１０５を介してコンタクトすることにより、電力供給線１０４と共通電極１０９とが電気接続される。
【００４５】
共通電極１０９の材料としては、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）が好ましく、特に、バリウム（Ｂａ）が好ましい。これらの材料を用いることで、共通電極１０９を透明電極として構成することができる。
【００４６】
共通電極１０９の材料としてバリウム（Ｂａ）が好ましい点について、以下のように考察する。（１）バリウム（Ｂａ）の注入準位と発光層１０８のＬＵＭＯの準位とが揃っているため、バリウム（Ｂａ）から発光層１０８への電子注入障壁が小さく、電子注入性が良好である。（２）またバリウム（Ｂａ）に自由電子が豊富に存在するため、バリウム（Ｂａ）と発光層１０８との界面においてホール（正孔）蓄積が緩和され、この界面における局所的な分極を抑制する。その結果、当該界面での局所強電界による材料破壊起因の電子注入性の低下、内部量子効率の低下を防ぐことができると考えられる。さらに、励起子失活（エキシトン−ポーラロン相互作用）を防ぎ、通電中の一時的な内部量子効率低下を防ぐこともできると考えられる。（３）また、材料供給の観点から、バリウム（Ｂａ）は比較的安定な材料であるため、工業的に扱いやすい。以上の点より、共通電極１０９の材料としてはバリウム（Ｂａ）が好ましい。
［保護層１２０］
保護層１２０は、有機材料層１１１と、酸化保護層１１２と、封止層１１３と、１１４とを同順に積層した積層構造で構成され、共通電極１０９上に形成される。これにより、共通電極１０９が酸化されて電圧降下を生じるのを抑制する。
【００４７】
有機材料層１１１の材料としては、例えば、１，３−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、シロール誘導体からなるポリマー材料等、あるいはビス（２−メチルー８−キノリノレート）−（パラ−フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、バソフプロイン（ＢＣＰ）等を用いることができる。
【００４８】
酸化保護層１１２の材料としては、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の酸化物を用いることができる。酸化保護層１１２の材料には、共通電極１０９と同じ材料を用いてもよい。
【００４９】
封止層１１３は、発光層１０８等が水分や空気に曝されるのを抑制する機能を有する。封止層１１３の材料としては、例えばＳｉＯ（酸化シリコン），ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素），ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン），ＡｌＮ（窒化アルミニウム），Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等の材料を用いることができる。
【００５０】
樹脂封止層１１４は、外部からの水分やガスの侵入を防止する目的で配設される。樹脂封止層１１４の材料としては、各種透明樹脂材料（エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂等）を用いることができる。
（効果）
ＥＬ表示装置１では、ＥＬ表示パネル１０の構成において、電子注入構造として有機電子輸送層とＩＴＯとの積層構造を採用せず、共通電極１０９のみからなる単層構造を採用している。この電子注入構造では、ＩＴＯによってアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物が生じることはない。これにより共通電極１０９と電力供給配線１０４との間において、ＩＴＯにより生じたアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物が介在するのを防止できる。よって共通電極１０９と電力供給配線１０４の間のコンタクト抵抗を低く維持でき、発光層１０８に対する電子注入特性の低下を抑制できる。
【００５１】
また、共通電極１０９の材料として用いられるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は、酸化物の導電体に比べて仕事関数が小さい。このため、共通電極１０９をこれらの材料の何れかで構成することで発光層１０８に対する電子注入性を高めることができる。
【００５２】
さらにＥＬ表示パネル１０では、共通電極１０９の材料として、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いている。ここで、共通電極１０９の表面に保護層１２０を設けることで、共通電極１０９の酸化が抑制される。その結果、共通電極１０９中に絶縁性の酸化物が発生するのが防止されるため、共通電極１０９は良好な導電性を維持することができる。これにより、共通電極１０９による電圧降下の問題を効果的に抑制できる。
（ＥＬ表示パネル１０の製造方法）
以下、ＥＬ表示パネル１０の製造方法を例示する。
【００５３】
図３、４、５は、ＥＬ表示パネル１０の製造工程の一例を示す断面図である。なお、図３、４、５では、ＥＬ表示パネル１０の一部を抜き出して模式的に示している。
【００５４】
まず図３（ａ）に示されるように、ＴＦＴ基板１０１上に層間絶縁膜１０２を形成する。
【００５５】
次に、層間絶縁膜１０２上に導電性材料からなる薄膜を成膜する。この薄膜の成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。薄膜の成膜後、フォトリソグラフィでパターニングし、図３（ｂ）に示されるように、互いに離れた位置に各画素電極１０３と電力供給配線１０４とを形成する。
【００５６】
ここで層間絶縁膜１０２の同一表面上の異なる領域に対し、画素電極１０３と電力供給配線１０４とを同一材料で形成すれば、これらの形成工程を同一の工程で実施できるため、製造工程を効率よく簡略化できる。
【００５７】
画素電極１０３と電力供給配線１０４の形成後、図３（ｃ）に示されるように、画素電極１０３と電力供給配線１０４被覆するように層間絶縁膜１０２の表面全体に亘って正孔注入層１０５を成膜する。正孔注入層１０５の成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。
【００５８】
次に、正孔注入層１０５上に絶縁性有機材料からなる隔壁材料層を形成する。隔壁材料層の形成は、例えば塗布等により実施できる。その後、隔壁材料層上に所定形状の開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から感光させた後、余分な隔壁材料層を現像液で洗い出す。これにより隔壁材料層のパターニングが完了する。以上で、図３（ｄ）に示されるように、第１開口部１０６ａおよび第２開口部１０６ｂを有する隔壁１０６が形成される。
【００５９】
正孔注入層１０５上における、第１開口部１０６ａから露出した領域（画素電極１０３の上方の領域）に、例えばインクジェット法により正孔輸送層の材料を含む組成物インクを充填する。その後、組成物インクを乾燥させることにより、正孔輸送層１０７を形成する。
【００６０】
正孔輸送層１０７上に、例えばインクジェット法により発光材料を含む組成物インクを滴下する。その後、組成物インクを乾燥させて発光層１０８を形成する（図４（ａ））。
【００６１】
発光層１０８の形成後、発光層１０８の表面、隔壁１０６の表面、および第２開口部１０６ｂから露出した正孔注入層１０５の表面（電力供給配線１０４の上方の領域）に亘って共通電極１０９を形成する（図４（ｂ））。共通電極１０９の成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。
【００６２】
共通電極１０９の表面全体に亘って有機材料層１１１を形成する（図４（ｃ））。有機材料層１１１の成膜には、例えば真空蒸着法を用いることができる。
【００６３】
続いて、有機材料層１１１の表面全体に亘って酸化保護材料層１１２ａを形成する（図５（ａ））。酸化保護材料層１１２ａの成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。ここで、酸化保護材料層１１２ａを共通電極１０９と同じ材料で形成してもよい。こうすることで、酸化保護材料層１１２ａを形成するコストを下げることができる。
【００６４】
酸化保護材料層１１２ａの表面全体に亘って封止層１１３を形成する。封止層１１３の成膜には、ＣＶＤを用いることができる。
【００６５】
共通電極１０９の成膜から酸化保護材料層１１２ａの成膜までは、真空成膜法が用いられるのに対し、封止層１１３の成膜には真空成膜法ではなくＣＶＤを用いる。したがって酸化保護材料層１１２ａの成膜工程まで完了した中間体のＥＬ表示パネルを、ＣＶＤ成膜装置に搬送する際に真空が破られ、酸化保護材料層１１２ａが自然酸化される。その結果、酸化保護層１１２が形成されることになる（図５（ｂ））。これにより共通電極１０９は酸化保護層１１２により覆われる。酸化保護層１１２はアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物で構成されるので、基本的に酸化保護層１１２は酸素を取り込まない。共通電極１０９は酸化保護層１１２に覆われることで、適切に酸化防止される。すなわち酸化保護材料層１１２ａは、共通電極１０９の酸化を防止する目的で意図的に酸化させる。
【００６６】
尚、共通電極１０９と酸化保護材料層１１２ａとの間に有機材料層１１１を介在させた理由は以下の通りである。仮に共通電極１０９の酸化を見越して共通電極１０９の膜厚を単に厚くすると、共通電極１０９がどの程度酸化されるかわからず、共通電極１０９の膜厚を規定できない。このため共通電極１０９の膜厚を規定する層として有機材料層１１１を設けている。
【００６７】
封止層１１２の形成後、封止層１１２上の全体に亘って樹脂封止層１１３を形成し、その後、樹脂封止層１１３上に封止ガラス１１５を接着する（図５（ｃ））。
【００６８】
以上の工程を経ることにより、ＥＬ表示パネル１０が製造される。
（実験）
次に、発光層１０８上に形成される共通電極１０９をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成することで、パネルの特性にどのような影響を与えるのかについて説明する。
【００６９】
［実験概要］
発光層１０８上に共通電極１０９を形成した場合におけるパネルの特性を評価するために、図６の断面構造を有する評価デバイス３０をＲ、Ｇ、Ｂ各発光色毎に複数作製した。
【００７０】
［評価デバイスの作製］
図６に示されるように、評価デバイス３０は、基板３１上に、画素電極３２、正孔注入層３３、正孔輸送層３４、発光層３５、Ｂａ層３６、有機電子輸送層（ＥＴＬ）３７、共通電極３８を順次積層した構成とした。
【００７１】
基本的には、各層の材料および膜厚は、各評価デバイスで共通させた。具体的には次の通りである。画素電極３２の材料にはＡｌ合金を用い、その膜厚を２００ｎｍとした。正孔注入層３３の材料にはＷ酸化物を用い、その膜厚を５ｎｍとした。正孔輸送層３４の材料には塗布成膜可能な有機材料を用い、その膜厚を１０ｎｍとした。発光層３５の材料として塗布成膜可能な有機材料を用い、その膜厚を８０ｎｍとした。有機電子輸送層３７として、Ｂａが比率５ｗｔ％でドープされた有機電子輸送材料を用い、その膜厚を３５ｎｍとした。共通電極３８の材料にはＩＴＯを用い、その膜厚を３５ｎｍとした。
【００７２】
ただし、Ｂａ層３６の膜厚に関しては３通り設定し、Ｂａ層３６が各膜厚に設定された素子をＲ、Ｇ、Ｂ毎に作製した。具体的には、Ｂａ層３６の膜厚を３ｎｍ、５ｎｍ、１０ｎｍとした。
【００７３】
なお、ここでは、製造装置の特性上、共通電極３８の材料にＩＴＯを用い、発光層３５と有機電子輸送層３７の間にＢａ層３６を介在させた構成とした。この構成では共通電極をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で形成しないが、発光層３５上にＢａ層３６を形成しているので、実質上、発光層上に共通電極としてアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を形成した構成と同視できる。これにより共通電極をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で形成した場合の特性と同様の傾向を把握することが可能である。
【００７４】
一方、比較用のデバイスとして、Ｂａ層３６を形成しない点以外は評価デバイス３０と同様の構成のデバイスを作製した。
【００７５】
本実験は、Ｂａ層３６を有するが評価デバイス３０と、Ｂａ層を持たない比較用デバイスとを比較することで、以下のようにＢａ層による効果を検証した。
【００７６】
［各実験とその結果］
図７（ａ）は、Ｂａ層の膜厚と規格化寿命の関係を示す特性図である。当図ではＢａ層の膜厚が０ｎｍの場合（すなわちＢａ層を持たない比較用デバイスの場合）の寿命値を１として規格化している。図中縦軸は規格化寿命（ａ，ｕ）、横軸はＢａ膜厚（ｎｍ）である。
【００７７】
発光色がＧｒｅｅｎの場合、Ｂａ層の膜厚が０ｎｍから３ｎｍの間で規格化寿命が大幅に上昇している。Ｂａ層の膜厚が３ｎｍから５ｎｍの間では上昇幅が緩やかになり、Ｂａ層の膜厚が５ｎｍから１０ｎｍの間では上昇幅がさらに緩やかになっている。これらの結果を概して発光色がＧｒｅｅｎの場合では、Ｂａ層の膜厚が厚くなるにつれて上昇幅が小さくなるが、Ｂａ層の膜厚が厚くなるほど規格化寿命が上昇するといえる。
【００７８】
発光色がＲｅｄの場合、Ｂａ層の膜厚が０ｎｍから３ｎｍの間で規格化寿命が上昇する。ただし、上昇幅はＧｒｅｅｎに比べて小さい。Ｂａ層の膜厚が３ｎｍより厚い範囲では、規格化寿命はほぼ横ばいである。
【００７９】
発光色がＢｌｕｅの場合、Ｂａ層の膜厚が０ｎｍから３ｎｍの間で規格化寿命が上昇している。ただし、上昇幅はＲｅｄに比べて小さい。また、Ｂａ層の膜厚が３ｎｍから５ｎｍの間では、規格化寿命はほぼ横ばいであるのに対し、Ｂａ層の膜厚が５ｎｍから１０ｎｍの間では規格化寿命が低下している。規格化寿命の低下の原因としては、光取り出し効率の低下が考えられる。
【００８０】
以上の結果を概して発光色がＧｒｅｅｎおよびＲｅｄの場合では、Ｂａ層の膜厚によらず、Ｂａ層を持たない比較用デバイスに比べて規格化寿命が延びる。一方、発光色がＢｌｕｅの場合では、Ｂａ層の膜厚が３ｎｍおよび５ｎｍの場合に規格化寿命が延びるのに対し、Ｂａ層の膜厚が１０ｎｍの場合にはＢａ層を設けない場合と大差がない。
【００８１】
従ってＢａ層を形成しない場合と比べると必ずしも特性が向上するわけではないが、Ｒ、Ｇ、Ｂ各発光色のデバイスを全体として捉えた場合、Ｂａ層を形成すれば規格化寿命が延びるといえる。言い換えると、発光層上にＢａ層が形成された構成の規格化寿命が、発光層上に有機電子輸送層が形成された構成の規格化寿命より長いといえる。
【００８２】
このことから、発光層１０８上にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属からなる共通電極１０９を形成することで、発光層上に有機電子輸送層が形成された電子注入構造に比べて、発光層１０８の寿命を延ばせるといえる。
【００８３】
図７（ｂ）は、通電輝度劣化率とＰＬ（Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）強度低下率の関係を示す特性図である。当図では、Ｂａ層を形成しない場合、Ｂａ層が５ｎｍの場合、およびＢａ層が１０ｎｍの場合について示している。図中縦軸はＰＬ強度低下率（％）、横軸は通電輝度劣化率（％）である。通電輝度劣化の測定は、次のようにして行った。一定の電流値にて定電流駆動させ輝度劣化させる。輝度が一定割合低下したら通電を止め、駆動開始時の輝度を１として、ＵＶ光による励起光強度を測定した。駆動前のＵＶ光による励起光強度を１として、通電劣化後の励起光強度の低下率を算出した。
【００８４】
通電輝度が劣化すると、これに伴ってＰＬ強度も低下する。図７（ｂ）に示されるように、Ｂａ層の膜厚が厚いほど、通電輝度劣化率に対するＰＬ強度の低下が抑制されている。また、通電輝度劣化率が高くなるほど、それぞれのＰＬ強度の低下率の差が拡大している。
【００８５】
以上のことから、Ｂａ層を形成し、かつ、Ｂａ層の膜厚を厚くすることで、ＰＬ強度の低下を抑制できるといえる。すなわち発光層１０８上に共通電極１０９を形成することによりＰＬ強度の低下を抑制し、発光層１０８の寿命を延ばすことができる。
【００８６】
以上、本発明に係るＥＬ表示装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。
＜変形例１＞
電力供給配線上における、共通電極と正孔注入層の間に中間層が介在された一変形例について説明する。
【００８７】
図２に示したＥＬ表示パネル１０では、電力供給配線１０４と共通電極１０９とを、正孔注入層１０５を介して電気接続する。また、共通電極１０９をアルカリ金属またはアルカリ土類金属で構成する。ここで正孔注入層１０５をＷＯｘ、ＭｏＯｘ、ＭｏｘＷｙＯｚ等の遷移金属の酸化物を含む金属酸化物で形成する場合、共通電極１０９と正孔注入層１０５の電気陰性度の違いにより、共通電極１０９が正孔注入層１０５から酸素を奪い、酸化するおそれがある。これにより共通電極１０９が酸化物の絶縁体に変化し、共通電極１０９が電圧降下の問題を生じる可能性がある。この対応策として、共通電極１０９の酸化物絶縁体をフォトリソ工程により除去する方法も考えられるが、生産コスト面等から好ましくない。
【００８８】
そこで本変形例１は、電力供給配線１０４上における、共通電極１０４と正孔注入層１０５の間に中間層を介在させることにより、この問題の解決を図るものである。
【００８９】
図８は、ＥＬ表示パネル１０ａの構成を模式的に示す部分断面図である。ＥＬ表示パネル１０ａは、中間層１３０が追加された以外は、ＥＬ表示パネル１０と同様の構成である。よってＥＬ表示パネル１０と同様の構成部分の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。
【００９０】
ＥＬ表示パネル１０ａでは、発光層１０８と共通電極１０９の間に中間層１３０を介設している。さらに中間層１３０は、電力供給線１０４と共通電極１０９との間（ここでは電力供給線１０４上における、正孔注入層１０５と共通電極１０９との間）にまで延設されている。尚、この構造において正孔注入層１０５は、電力供給線１０４と中間層１３０の間に延設されている。
【００９１】
中間層１３０は、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含有してなる。より具体的には、中間層１３０は母材である電子輸送性を有する有機材料に、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属がドープされてなる。中間層１３０に含有されるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は共通電極１０９の構成材料と同一でもよい。中間層１３０に含有されるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の比率は１０ｗｔ％以上であるのが好ましい。
【００９２】
尚、中間層１３０の形成領域としては、少なくとも電力供給配線１０４上における、共通電極１０９と正孔注入層１０５の間の領域とする。但し図８のように、中間層１３０を共通電極１０９と発光層１０８の間にまで延設してもよい。ホール注入層１０５及び中間層１３０は、それぞれ発光層１０８が形成された第１開口部の内部と電力供給線１０４が形成された第２開口部の内部に亘って連続して形成される。
【００９３】
共通電極１０９と正孔注入層１０５は、中間層１３０の介在によって、互いに隔離される。中間層１３０は、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を含んでいるが、これらは母材の有機材料に含有されるため、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属そのもので構成される共通電極１０９に比べて、酸化しにくいと考えられる。よってアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の酸化が比較的抑制され、共通電極１０９の電圧降下を防いで、電力供給配線１０４から各発光層１０８側への電力供給を効率良く行うことができる。
＜その他の変形例＞
（１）上記実施の形態と変形例では、トップエミッション型のＥＬ表示装置について説明したが、本発明はボトムエミッション型のＥＬ表示装置にも適用できる。
【００９４】
図９は、ボトムエミッション型のＥＬ表示パネル１０ｂの構成を模式的に示す部分断面図である。ＥＬ表示パネル１０ｂは、画素電極の材料が異なる点および反射層が追加された点以外は、ＥＬ表示パネル１０と同様の構成である。よって図９中のＥＬ表示パネル１０と同様の構成部分の説明は省略し、異なる部分を中心に説明する。
【００９５】
画素電極１０３は、例えばＩＴＯ等の透明導電材料からなる。
【００９６】
反射層１４０は、例えばアルミニウム等の反射導電材料からなる。
【００９７】
このような構成を有するボトムエミッション型のＥＬ表示パネル１０ｂにおいても、トップエミッション型のＥＬ表示パネル１０ｂと同様の効果を得ることができる。
【００９８】
すなわち、ボトムエミッション型のＥＬ表示パネル１０ｂでは、共通電極１０９の材料としてアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属を用いるとともに、共通電極１０９上に保護層１２０を設ける。この保護層１２０により共通電極１０９の酸化が抑制され、共通電極１０９の導電性を維持できるので、共通電極１０９の電圧降下を効果的に抑制できる。また、共通電極１０９と電力供給線１０４との間にアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物が介在するのを防止できるため、共通電極１０９と電力供給線１０４間のコンタクト抵抗を低く維持できる。
【００９９】
また、電子注入構造において有機電子輸送層とＩＴＯ層との積層構造を有しないため、有機電子輸送層とＩＴＯ層の界面でアルカリ金属の酸化物あるいはアルカリ土類金属の酸化物が生じる問題を回避できる。
【０１００】
また、共通電極１０９の材料として用いられるアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属は、酸化物の導電体に比べて仕事関数が小さい。このため、共通電極１０９をアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属で構成することで発光層１０８に対する電子注入性を高めることができる。
【０１０１】
さらに発光層１０８上に共通電極１０９を形成することにより、発光層１０８の寿命を延ばし、かつ、ＰＬ強度の低下を抑制することができる。
（２）保護層１２０は、有機材料層１１１、酸化保護層１１２、封止層１１３、および樹脂封止層１１４からなる構成としたが、樹脂封止層１１４は必ずしも必要ではない。
（３）隔壁１０６の上には電力供給配線１０４が形成されていてもよい。
（４）図２では、正孔注入層１０５が画素電極１０３および電力供給配線１０４の全体に亘って形成されている構成としたが、正孔注入層１０５は必ずしも画素電極１０３および電力供給配線１０４の全体に亘って形成されている必要はない。例えば、正孔注入層の一部が段切れしていてもよい。また、正孔注入層１０５は必ずしも必要ではなく、省略することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、ＥＬ表示装置に広く適用が可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
１  ＥＬ表示装置
１０、１０ａ、１０ｂ  ＥＬ表示パネル
２０  駆動制御部
２１〜２４  駆動回路
２５  制御回路
１０１  ＴＦＴ基板
１０２  層間絶縁膜
１０３  画素電極
１０４  電力供給配線
１０５  正孔注入層
１０６  隔壁
１０７  正孔輸送層
１０８  発光層
１０９  共通電極
１１１  有機材料層
１１２  酸化保護層
１１３  封止層
１１４  樹脂封止層
１１５  封止ガラス
１２０  保護層
１３０  中間層
１４０  反射層
【図１】
2013031162.tif 000003
【図２】
2013031162.tif 000004
【図３】
2013031162.tif 000005
【図４】
2013031162.tif 000006
【図５】
2013031162.tif 000007
【図６】
2013031162.tif 000008
【図７】
2013031162.tif 000009
【図８】
2013031162.tif 000010
【図９】
2013031162.tif 000011
【図１０】
2013031162.tif 000012
【国際調査報告】
2013031162.tif 000013
2013031162.tif 000014
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