(57)【要約】  本発明は、光ファイバ中を伝送するレーザピークパワーで５０ＫＷ／ｃｍ2以上の高エネルギー光および紫外光の透過率に優れ、両光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバの製造に好適な光ファイバプリフォーム、およびその製造方法を提供することを課題とする。本発明は、各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有するエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームであって、前記コアが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍであり、前記クラッドが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3である、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに関する。
2009096557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラスからなるエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるコア材であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍである、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるコア材。
【請求項２】
平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3である請求項１に記載のコア材。
【請求項３】
石英ガラスからなるエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるクラッド材であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3である、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるクラッド材。
【請求項４】
平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3である請求項３に記載のクラッド材。
【請求項５】
各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有するエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームであって、
前記コアが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍであり、
前記クラッドが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3である、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォーム。
【請求項６】
前記コアが平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であり、前記クラッドが平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3である請求項５に記載の光ファイバプリフォーム。
【請求項７】
前記コアが、下記式を満たす濃度でＦを含有する請求項５または６に記載の光ファイバプリフォーム。
ｘ≦２.８×１０6−｛（ｙ−２.８×１０6）2＋３．５×１０10｝1/2
（式中、ｙはクラッドの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）、ｘはコアの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）である。）
【請求項８】
コアとクラッドとの界面から±２０μｍの領域において、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０14個／ｃｍ3である請求項５〜７のいずれかに記載の光ファイバプリフォーム。
【請求項９】
コアとクラッドとの界面から±１０μｍの領域において、平均ＯＨ濃度≦５０ｐｐｍ、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０15個／ｃｍ3である請求項５〜８のいずれかに記載の光ファイバプリフォーム。
【請求項１０】
各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有するエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームの製造方法であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍのコア材と、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3のクラッド材と、に対して、精密研磨および精密洗浄を施し、光ファイバプリフォームとする、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームの製造方法。
【請求項１１】
前記コア材の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であり、前記クラッド材の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3である請求項１０に記載の光ファイバプリフォームの製造方法。
【請求項１２】
前記コア材が、下記式を満たす濃度でＦを含有する請求項１０または１１に記載の光ファイバプリフォームの製造方法。
ｘ≦２.８×１０6−｛（ｙ−２.８×１０6）2＋３．５×１０10｝1/2
（式中、ｙはクラッド材の平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）、ｘはコア材の平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）である。）
【請求項１３】
前記精密研磨および精密洗浄が、下記（１）〜（３）を満たす請求項１０〜１２のいずれかに記載の光ファイバプリフォームの製造方法。
（１）処理後の面の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下。
（２）処理後の面に大きさ５０μｍ以上のパーティクルが存在しない。
（３）処理後の面に１１μｍ幅以上のスクラッチが存在しない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー伝送用または紫外光伝送用、特に、波長３００ｎｍ以下の紫外光を伝送させる光伝送用光ファイバに用いられる光ファイバプリフォーム、及び該光ファイバプリフォームに用いるコア材、クラッド材、ならびに該光ファイバプリフォームの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光ファイバは情報通信等に使用される他、医療機器の分野、半導体製造装置等に使用されており、半導体製造工程のリソグラフィーにおいて使用されるエキシマレーザにも採用されている。【０００３】
光ファイバは、合成石英ガラス等で形成され、屈折率の高いコアの外周に屈折率の低いクラッドを設けたものであり、コアには屈折率を高めるため、ゲルマニウム、リン等がドープされ、クラッドには屈折率を低くするため、ホウ素や、Ｆ等がドープされている。【０００４】
一方、エキシマレーザ、例えば、ＡｒＦレーザ、ＫｒＦレーザは波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍの高エネルギーの紫外光を発光する。これらの高エネルギーの紫外光、すなわち、波長２００〜３００ｎｍの深紫外光、あるいは波長２００ｎｍ以下の真空紫外光は、空気中を伝播させると、Ｈ2ＯやＯ2により吸収されるため、損失が大きく伝送が不可能であった。このため、真空状態または、不活性ガスを充填した光路を確保する必要から、エキシマレーザを用いた露光装置は大掛かりな装置となっていた。このようなエキシマレーザを用いた露光装置の小型化を図るため、取り扱いが容易となる光ファイバの適用の要請があった。
また、加工用ならびに溶接用の高強度レーザの伝搬にも光ファイバを用いている。加工の高速化に伴い、より高エネルギーを伝搬すべく光耐性が良いエネルギー伝送用ファイバの要請があった。ここで、エネルギー伝送用ファイバとは、高強度レーザのような、レーザピークパワーで５０ＫＷ／ｃｍ2以上、好ましくは５００ＫＷ／ｃｍ2以上、より好ましくは５ＭＷ／ｃｍ2以上の高エネルギー光を伝送するファイバをいう。【０００５】
また、深紫外光、真空紫外光を利用したものとしてエキシマランプがあった。エキシマランプ、例えば、Ｘｅ2ランプ、ＫｒＣｌランプ、ＸｅＣｌランプはそれぞれ１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍの深紫外光、真空紫外光を発光する。このようなエキシマランプは半導体ウェハや液晶用ディスプレイガラスの表面に付着した汚れを紫外光照射により光学的に分解、除去する表面洗浄装置に使用されているが、エキシマランプを用いた表面洗浄装置においても、露光装置におけるのと同様の理由により小型化を図り、取り扱いを容易とする光ファイバの適用の要請があった。【０００６】
これらの要請に対応するため、コアがＦを１００〜１０００ｐｐｍ含有する石英ガラスからなる紫外光伝送用光ファイバが開示されている（特許文献１参照）。
しかしながら、特許文献１に記載の紫外光伝送用光ファイバには、次のような解決すべき課題があった。【０００７】
［課題１］
特許文献１の発明におけるＦドープ光ファイバはそれ以前の光ファイバに比較して深紫外光あるいは真空紫外光の透過率及び紫外光照射に対する耐久性の点で格段に優れた性能を示すようになったが、光ファイバに紡糸する以前のプレフォームロッドのガラス透過スペクトルから予想される波長よりも長波長側で深紫外光領域の透過率が低下するという問題があることがわかった。これは、紡糸後の光ファイバの吸収端がプレフォームロッドの真性の吸収端（アーバック端）ではなく、紡糸により誘起された酸素欠乏欠陥（Ｏｘｙｇｅｎ−Ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ Ｃｅｎｔｅｒ（Ｉ）、以下「ＯＤＣ（Ｉ）」という）により制限されているためである。【０００８】
［課題２］
ファイバ径が２００μｍ程度の細径のファイバにおいては、紡糸条件により、透過率が低下し、耐久性が悪くなるという難点がある。これは、後述するように、紡糸工程中における加熱・線引きにより、酸素欠乏欠陥（Ｏｘｙｇｅｎ−Ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ Ｃｅｎｔｅｒ（II）、以下、「ＯＤＣ（II）」：という）およびＥ´センターが発生するためである。
このような欠陥を含むＦドープ石英ガラスファイバに、水素処理を施すことにより、Ｅ´センターを消滅させることができるものの、ＯＤＣ（II）を消滅させることができない。
ＯＤＣ（II）を含むＦドープ石英ガラスファイバは、ＡｒＦエキシマレーザ等の紫外光照射により透過率が劣化するという難点がある。【０００９】
課題１を解決するため、特許文献２はＦの含有量が１００から１０００ｗｔ．ｐｐｍである石英ガラスからなるコアを有し、このコアの周囲に前記コアよりも屈折率の低いクラッドを有する光ファイバであって、前記光ファイバ内の酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ））の濃度が１０12個／ｃｍ3以下であることを特徴とする紫外光伝送用光ファイバを開示している。特許文献２に開示の紫外光伝送用光ファイバは、紫外光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れた紫外光伝送用光ファイバであるとされている。
特許文献２に記載の紫外光伝送用光ファイバは下記を満たすことが好ましいとされている。
コアのＯＨ含有量：４〜７ｗｔ．ｐｐｍ
クラッド：１０００〜７０００ｐｐｍのＦを含有する石英ガラス、または２０００〜１００００ｐｐｍのホウ素を含有する石英ガラス【００１０】
また、課題２を解決するため、特許文献３は所定量のＦを含有させた石英ガラスから成るコアと、前記コア上に設けられ所定量のＦまたはホウ素を含有させた石英ガラスから成るクラッドと、前記クラッド上に設けられた保護被覆層とを有するファイバを備え、酸素処理および水素処理が施されていることを特徴とする深紫外光伝送用光ファイバを開示している。この深紫外光伝送用光ファイバは、下記を満たすことが好ましいとされている。
ＯＤＣ（II）濃度：１０12個／ｃｍ3以下
コアのＦ含有量：１００〜１０００ｐｐｍ
クラッド：１０００〜７０００ｐｐｍのＦを含有する石英ガラス、または２０００〜１００００ｐｐｍのホウ素を含有する石英ガラス
特許文献３に開示の深紫外光伝送用光ファイバは、紫外光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れた深紫外光伝送用光ファイバであるとされている。【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２１４４５４号公報
【特許文献２】特開２００６−４５０１２号公報
【特許文献３】特開２００５−２６６６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献２、３に記載の紫外光伝送用光ファイバには以下の問題点がある。
紫外光伝送用光ファイバにおいて、紫外光の透過率を高めるには、光ファイバを構成するコアおよびクラッドのＦ濃度を高めることが好ましい。特許文献２、３に記載の紫外光伝送用光ファイバは、水素処理によって初期透過率を改善しているため、光ファイバの紫外光に対する耐性を十分高くすることができなかった。
なお、特許文献２、３では、Ｆの石英ガラスに対する飽和量からクラッドのＦ濃度は７０００ｐｐｍが上限とされている。これは、クラッドのＦ濃度を７０００ｐｐｍよりも高くすると、光ファイバ内の酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））の濃度が高くなり、特許文献２，３に記載の酸素欠乏欠陥濃度を満たすことができないからだと考えられる。【００１３】
特許文献２、３では、２０００〜１００００ｐｐｍのホウ素を含有する石英ガラスでクラッドを形成することも記載されているが、ホウ素を含有する石英ガラスでクラッドを形成した場合、Ｆを含有する石英ガラスでクラッドを形成した場合に比べて、紫外光に対する耐性に劣る。【００１４】
上記した従来技術の問題点を解決するため、本発明は、光ファイバ中を伝送するエネルギー、具体的には、レーザピークパワーで５０ＫＷ／ｃｍ2以上の高エネルギー光または紫外光の透過率に優れ、両光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバの製造に好適な光ファイバプリフォーム、およびその製造方法、ならびに該光ファイバプリフォームに用いるコア材およびクラッド材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明は、石英ガラスからなるエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるコア材であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍである、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるコア材を提供する。
本発明のコア材は、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であることが好ましい。【００１６】
さらに、本発明は、石英ガラスからなるエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるクラッド材であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3である、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームに用いるクラッド材を提供する。
本発明のクラッド材は、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であることが好ましい。【００１７】
また、本発明は、各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有するエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームであって、
前記コアが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍであり、
前記クラッドが、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3である、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォーム（以下、「本発明のプリフォーム」という。）を提供する。
本発明のプリフォームにおいて、前記コアが平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であり、前記クラッドが平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であることが好ましい。
本発明のプリフォームにおいて、前記コアが、下記式を満たす濃度でＦを含有することが好ましい。
ｘ≦２.８×１０6−｛（ｙ−２.８×１０6）2＋３．５×１０10｝1/2
（式中、ｙはクラッドの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）、ｘはコアの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）である。）
また、本発明のプリフォームは、コアとクラッドとの界面から±２０μｍの領域において、平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０14個／ｃｍ3であることが好ましい。
また、本発明のプリフォームは、コアとクラッドとの界面から±１０μｍの領域において、平均ＯＨ濃度≦５０ｐｐｍ、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０15個／ｃｍ3であることが好ましい。【００１８】
また、本発明は、各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有するエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームの製造方法であって、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍのコア材と、
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3のクラッド材と、に対して、精密研磨および精密洗浄を施し、光ファイバプリフォームとする、エネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバプリフォームの製造方法（以下、「本発明のプリフォーム製造方法」という。）を提供する。
本発明のプリフォーム製造方法において、前記コア材が、下記式を満たす濃度でＦを含有することが好ましい。
ｘ≦２.８×１０6−｛（ｙ−２.８×１０6）2＋３．５×１０10｝1/2
（式中、ｙはクラッド材の平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）、ｘはコア材の平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）である。）
本発明のプリフォーム製造方法において、前記コア材の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であり、前記クラッド材の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０12個／ｃｍ3であることが好ましい。
また、本発明のプリフォーム製造方法において、前記精密研磨および精密洗浄が、下記（１）〜（３）を満たすことが好ましい。
（１）処理後の面の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下。
（２）処理後の面に大きさ５０μｍ以上のパーティクルが存在しない。
（３）処理後の面に１１μｍ幅以上のスクラッチが存在しない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のプリフォームを用いて作製される光ファイバは、レーザピークパワーで５０ＫＷ／ｃｍ2以上の高エネルギー光および紫外光を伝送する際の伝送損失が低く、かつ両光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバとなる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、例１および例４の試料についての透過率スペクトル測定結果を示すグラフである。
【図２】図２は、例１および例４の試料についてのＳＩＭＳ分析結果を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明のプリフォームおよびその製造方法について説明する。
本発明のプリフォームは、各々石英ガラスからなるコアおよびクラッドを有し、該コアおよびクラッドがそれぞれ下記を満たすことを特徴とする。
［コア］
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０15個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3、平均Ｆ濃度≦１０００ｐｐｍ
［クラッド］
平均ＯＨ濃度＝０〜１０ｐｐｍ、平均Ｆ濃度≧７０００ｐｐｍ、平均Ｏ2濃度≦１０16個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度≦１０13個／ｃｍ3、平均ＯＤＣ（II）濃度≦１０12個／ｃｍ3【００２２】
本発明のプリフォームは、コアおよびクラッドの平均ＯＨ濃度が１０ｐｐｍ以下と極めて低いため、コアおよびクラッドを構成する石英ガラスの基本構造（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）が多く、紡糸して光ファイバとした後においてもＯＨ濃度が低い傾向を維持している。この結果、レーザピークパワーで５０ＫＷ／ｃｍ2以上の高エネルギー光（以下、単に「高エネルギー光」と記載する場合もある。）照射時および紫外光照射時における石英ガラスの体積減少を伴う屈折率変化が少なく、両光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバとなる。
高エネルギー光照射時および紫外光照射時における石英ガラスの体積変化のメカニズムについては明確にわかっていないが、石英ガラス中のＯＨ基は、高エネルギー光または紫外光として用いるレーザなどの高い電場がかかると再配列がおこり体積減少を伴う屈折率変化が生じると思われる。【００２３】
また、コアおよびクラッドの平均ＯＨ濃度が極めて低いため、該プリフォームを用いて作製される光ファイバにおいて、高エネルギー光または紫外光伝送時に電場に対して過渡的に透過率が変化する現象が生じにくい。これはエネルギー伝送用または紫外線伝送用光ファイバにとって好ましい特性である。【００２４】
本発明のプリフォームにおいて、コアおよびクラッドの平均ＯＨ濃度は０〜８ｐｐｍであることが好ましく、０〜４ｐｐｍであることがより好ましい。【００２５】
プリフォームのコアおよびクラッド中の平均Ｏ2濃度が高いと、該コアおよびクラッドで酸素過剰欠陥が発生するおそれがある。プリフォームのコアおよびクラッドに酸素過剰欠陥が存在すると、紡糸して光ファイバを作製する際に該酸素過剰欠陥から非架橋酸素ラジカル（ＮＢＯＨＣ）が発生するおそれがある。ＮＢＯＨＣの発生は、光ファイバの透過率の低下、絶対屈折率の上昇、屈折率分布の変動、蛍光の発生の原因となる。
また、プリフォームのコアおよびクラッド中の平均Ｏ2濃度が高いと、該プリフォームを紡糸して光ファイバを作製する際にも、該コアおよびクラッドで酸素過剰欠陥が発生するおそれがある。
光ファイバのコアおよびクラッド中に酸素過剰欠陥が存在すると、紫外線照射時に該酸素過剰欠陥からＮＢＯＨＣが発生するおそれがある。
本発明のプリフォームは、コアの平均Ｏ2濃度が１０15個／ｃｍ3以下、およびクラッドの平均Ｏ2濃度が１０16個／ｃｍ3以下と極めて低いため、該コアおよびクラッドでの酸素過剰欠陥の発生が抑制されている。また、紡糸して光ファイバを作製する際にも、該コアおよびクラッドでの酸素過剰欠陥の発生が抑制される。この結果、該プリフォームを用いて作製される光ファイバにおいて、コアおよびクラッドに存在する酸素過剰欠陥およびＮＢＯＨＣが極めて少なくなり、高エネルギー光照射または紫外光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバとなる。【００２６】
また、プリフォームのコアおよびクラッド中の平均Ｏ2濃度が高いと、コアとクラッドの界面に泡が発生するおそれがある。コアとクラッドの界面に発生した泡は、該プリフォームを紡糸して作製される光ファイバにおいて、強度劣化等の問題を生じる。
さらにＯ2濃度が高いと、石英ガラスの吸収端が赤方シフトすることが知られている（Ｋ．  Ａｗａｚｕ  ａｎｄ  Ｈ．  Ｋａｗａｚｏｅ、“Ｇａｓｅｏｕｓ  ｓｐｅｃｉｅｓ  ａｎｄ  ｔｈｅｉｒ  ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｒｅａｃｔｉｏｎ  ｉｎ  ＳｉＯ2”  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｏｌｉｄｓ、（アメリカ）、１９９４年、第１７９巻、第２号、Ｐ．２１４−２２５）。
吸収ピークの中心は１５０ｎｍ付近であるが、１９０ｎｍ以下の波長領域にも吸収の裾が影響を及ぼす。また、高エネルギー光照射または紫外光照射によりＯ2からＯ3が生じると、Ｏ3の吸収ピークが２５９ｎｍに出現し、透過率が減少するので、高エネルギー光または紫外光に対する耐性が悪化する。
本発明のプリフォームは、コアおよびクラッド中の平均Ｏ2濃度が極めて低いため、コアとクラッドの界面での泡の発生が防止される。この結果、該プリフォームを用いて作製される光ファイバは、コアとクラッドの界面に泡が存在しない優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバとなる。【００２７】
本発明のプリフォームにおいて、コアの平均Ｏ2濃度は１０14個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることがより好ましい。クラッドの平均Ｏ2濃度は１０15個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０14個／ｃｍ3以下であることがより好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることが特に好ましい。
酸素の測定方法は以下の通りである。波長１０６４ｎｍもしくは７６５ｎｍのレーザで励起し、１２７２ｎｍピークの発光を測定する。測定には１２７２ｎｍの波長をもつ光を測定できる検出器を用いて行う（Ｌ．  Ｓｋｕｊａ  ａｎｄ  Ｂ．  Ｇｕｔｔｌｅｒ、“Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｏｘｙｇｅｎ  Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ｉｎ  ＳｉＯ2  Ｇｌａｓｓ  ｂｙ  ａ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ｐｈｏｔｏｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  ｏｆ  Ｓｉｎｇｌｅｔ  Ｏ2”  Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、（アメリカ）、１９９６年、第７７巻、第１０号、Ｐ．２０９３−２０９６））。
酸素の濃度は発光スペクトルのピーク強度Ｉに比例するため、予め酸素濃度の既知な標準試料の発光ピーク強度との比から平均Ｏ2濃度を算出することが出来る。標準試料が無い場合は、Ｒａｍａｎ ｓｈｉｆｔ= ４９０ｃｍ-1の固有なラマン線のピーク強度ＩRが試料に依らず一定となることから、発光スペクトルのピーク強度Ｉと、ラマンピーク強度ＩRの比Ｉ／ＩRから、平均Ｏ2濃度≒５×１０17Ｉ／ＩR [ｃｍ-3]の関係式により、平均Ｏ2濃度を算出することが出来る。【００２８】
プリフォームのコアおよびクラッド中の酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））の平均濃度が高いと、該プリフォームを用いて作製される光ファイバのコアおよびクラッドにおける酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））の濃度が高くなる。光ファイバのコアおよびクラッド中に酸素欠乏欠陥が存在すると、高エネルギー光照射時または紫外線照射時に該酸素欠乏欠陥からＥ´センターを発生するおそれがある。Ｅ´センターの発生は、光ファイバの透過率の低下、絶対屈折率の上昇、屈折率分布の変動、蛍光の発生の原因となる。
また、該プリフォームを紡糸して光ファイバを作製する際に、該酸素欠乏欠陥から生じるＥ´センターが発生するおそれがある。【００２９】
本発明のプリフォームは、コアおよびクラッド中の酸素欠乏欠陥ＯＤＣ（Ｉ），（II）の平均濃度がそれぞれ１０13個／ｃｍ3以下、１０12個／ｃｍ3以下と極めて低いため、該プリフォームを用いて作製される光ファイバにおいて、コアおよびクラッドに存在する酸素欠乏欠陥およびＥ´センターが極めて少なくなり、高エネルギー光照射または紫外光照射に対し殆ど劣化を生じない耐久性に優れたエネルギー伝送用または紫外光伝送用光ファイバとなる。
本発明のプリフォームにおいて、コアおよびクラッドの平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度は１０12個／ｃｍ3以下であることが好ましい。
本発明のプリフォームにおいて、コアおよびクラッドの平均ＯＤＣ（II）濃度は１０11個／ｃｍ3以下であることが好ましい。【００３０】
ＯＤＣ（Ｉ）、（ＩＩ）の平均濃度の測定方法は以下の通りである。
まず、分光光度計を用いて透過率スペクトルＴ％を測定し、これを吸収係数α＝−１/Ｄ×ｌn（Ｔ／１００）ｃｍ-１に変換する（Ｄは試料厚をｃｍ単位で表したものである）。
次に、ＯＤＣ（Ｉ）については、１６３ｎｍにピークを持つ吸収帯のピーク強度αｃｍ-１を７５×１０18ｃｍ2／個で割った値をＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度とする。
ＯＤＣ（ＩＩ）については、２４５ｎｍにピークを持つ吸収帯のピーク強度αｃｍ-１を４５×１０18ｃｍ2／個で割った値をＯＤＣ（ＩＩ）の平均濃度とする。【００３１】
ＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度が１０13個／ｃｍ3以下の場合には、以下の測定方法を用いることが好ましい。測定試料、具体的には、寸法１５ｍｍ×１５ｍｍ×１００ｍｍで１５ｍｍ×１５ｍｍの面が両面鏡面となっている試料に対し、１５ｍｍ×１５ｍｍの鏡面に垂直に、１６３ｎｍにピークを持つランプ光を入射する。ランプ光は１５０Ｗ以上の重水素ランプを用いると、透過率の僅かな差を検出できる程の光強度が得られるため好ましい。このランプ光を光チョッパー(８０ｋＨｚ)を通してハーフミラーに入射させる。ハーフミラーにより分光された光の一方は光電子増倍管Ｉへ入射させ、他方は試料を透過させた後に、光電子増倍管ＩＩへ入射させて、これらの出力電圧を比較する。光電子増倍管ＩとＩＩの光強度−電圧特性は通常一致しないので、ＯＤＣ（Ｉ）濃度が既知の試料を同条件で測定した場合の比率と比較することで、高感度でＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度を測定することができる。【００３２】
また、ＯＤＣ（ＩＩ）が１０12個／ｃｍ3以下の場合の平均濃度を求めるには、以下の測定方法を用いることが好ましい。測定試料、具体的には、寸法１５ｍｍ×１５ｍｍ×３０ｍｍで全面鏡面となっている試料の１５ｍｍ×１５ｍｍの鏡面に対し、ＡｒＦレーザー（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦレーザー（波長２４８ｎｍ）等の光を垂直に照射し、試料から出てくる２８０ｎｍ付近の発光強度を測定する。この際、ＯＤＣ（ＩＩ）濃度が既知の試料を同条件で測定した場合の発光強度と比較することで、ＯＤＣ（ＩＩ）の平均濃度を高感度で測定することができる。【００３３】
本発明のプリフォームは、クラッドの平均Ｆ濃度が７０００ｐｐｍ以上と高いため、Ｅ´センターやＮＢＯＨＣ等の欠陥の前駆体となる構造が少なく、該プリフォームを紡糸して光ファイバを作製する際の欠陥の発生が抑制される。【００３４】
また、クラッドを構成する石英ガラス中にＳｉ−Ｆ構造が形成されるため、該プリフォームを用いて作製される光ファイバの高エネルギー光照射時または紫外光照射時の耐性が向上する。【００３５】
本発明のプリフォームにおいて、クラッドの平均Ｆ濃度は９０００ｐｐｍ以上であることが好ましく、１００００ｐｐｍ以上であることがより好ましく、１４０００ｐｐｍ以上であることが特に好ましい。【００３６】
本発明のプリフォームは、コアおよびクラッド中の平均塩素濃度は５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。塩素を含有すると、紫外線照射時の耐光性が悪化する。コアおよびクラッド中の平均塩素濃度はより好ましくは１０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは１０００ｐｐｂ以下、特に好ましくは１０ｐｐｂ以下、最も好ましくは実質的に塩素を含まない。平均塩素濃度は蛍光Ｘ線やＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）によって測定することができる。これらの方法での塩素の測定限界は５ｐｐｍである。また、より精度のよい測定方法として、荷電粒子放射化分析がある。この方法での塩素の測定限界は１０ｐｐｂ程度である。塩素を含む原料、例えば、四塩化ケイ素などを原料として石英ガラスを作製した場合、測定限界以下の塩素を含むことが考えられる。そのため、実質的に塩素を含まないコアあるいはクラッドを作製するためには、塩素を含まない原料、例えば、ＲnＳｉ（ＯＲ’）4-n（Ｒ、Ｒ’は水素原子、または炭素１〜４のアルキル基）で示されるアルコキシシランを用いることが好ましい。また、後述する実施例では、塩素を含む原料を用いているが、塩素を含む原料を用いた場合は、スートを減圧下で焼成することにより、塩素濃度を１０ｐｐｂ以下とすることができる。【００３７】
クラッドについて述べたのと同じ理由により、本発明のプリフォームのコアもＦを含有することが好ましい。但し、コアの平均Ｆ濃度を高くすると、コアの光線屈折率が低下するので、クラッドの平均Ｆ濃度をそれに応じて高くする必要がある。このため、コアがＦを含有する場合、コアの平均Ｆ濃度が下記式（１）を満たすようにする必要がある。
ｘ≦Ａ−（（ｙ−Ａ）2＋Ｂ）1/2                    式（１）
（式中、ｙはクラッドの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）、ｘはコアの平均Ｆ濃度（ｐｐｍ）であり、Ａ＝２.８×１０6, Ｂ＝３．５×１０10である。）
式１は、以下の方法により導出した。
コア、クラッドの屈折率ｎcore、ｎcladはそれぞれ、下記式（２）を満たすと仮定しそれぞれ、下記式（３）、（４）で表される。
ｎ ＝ ａＦ ＋ ｂ                                               式（２）
ｎcore＝ ａＦcore ＋ ｂ                                            式（３）
ｎclad＝ ａＦclad ＋ ｂ                                            式（４）
ここで、ａ、ｂはともに波長の関数である。
ＮＡの定義式である、
ＮＡ＝ ｎ2core− ｎ2clad                                             式（５）
に式（３）、式（４）を代入して、Ｆcoreについて解くと、
Ｆcore＝ −ｂ／ａ −｛（Ｆclad ＋ ｂ／ａ）2＋（ＮＡ／ａ）2｝1/2         式（６）
となり、式（６）の−ｂ／ａをＡ、（ＮＡ／ａ）2をＢとすると、
Ｆcore＝ Ａ −{（Ｆclad − Ａ）2＋Ｂ}1/2                             式（７）
となる。
ここで、文献（Ｋ．Ｔｓｕｋｕｍａ、他４名、“Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｉｎｄｅｘ，  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ａｎｄ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  ｏｆ  ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａ  ｇｌａｓｓ  ｉｎ  ｔｈｅ  ｄｅｅｐ  ＵＶ  ｒｅｇｉｏｎ”  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｏｌｉｄｓ、（アメリカ）、１９９１年、第１２７巻、第２号、Ｐ．１９１−１９６及びＷ．  Ｆｌｅｍｉｎｇ、Ｄ．  Ｌ．  Ｗｏｏｄ、“Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｉｎｄｅｘ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ａｎｄ  ｒｅｌａｔｅｄ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｉｎ  ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａ”  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｏｐｔｉｃｓ、（アメリカ）、１９８３年、第２２巻、第１９号、Ｐ．３１０２―３１０４）から、波長２３７．８ｎｍ及び、波長３６５．０ｎｍについて式（２）を適用してａ、ｂを求めると、表１に示した値が求められる。【００３８】
【表１】
2009096557.tif 000003
【００３９】
そこでＮＡ＝０．１の場合、式７のＡおよびＢの関係を求めると表２となる。【００４０】
【表２】
2009096557.tif 000004
【００４１】
これらの値を外挿して１７３ｎｍでの値を求めると、Ａは約２．８×１０6、Ｂは約３．５×１０10となることから、１７３ｎｍでのＡおよびＢをこれらの値とした。
上式によれば、ＮＡ＝０．１２、クラッドの平均Ｆ濃度が１５０００ｐｐｍの光ファイバを作製する場合、コアの平均Ｆ濃度５０００ｐｐｍ以下にすればよい。但し、コアの平均Ｆ濃度は１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
なお、コアの平均Ｆ濃度は、１００ｐｐｍ以上であることが好ましく、２００ｐｐｍ以上がより好ましく、３００ｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、５００ｐｐｍ以上であることが特に好ましい。【００４２】
なお、プリフォームにおけるコア・クラッド間の屈折率差を測定するには、プリフォームにおける屈折率分布をプリフォームアナライザー（例えば、Ｙｏｒｋ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｌｔｄ．製Ｐ１０４）で測定すればよい。【００４３】
本発明のプリフォームは、コアおよびクラッド中のＯＤＣ（Ｉ）、（ＩＩ）、Ｅ’センターの平均濃度が低いことから、高エネルギー光または紫外光として長波長のレーザ光を伝播させた場合に、レーザ光の高調波がこれらの欠陥によって吸収される確率が小さい。従ってレーザ光の強度を増やしても吸収による新たな欠陥生成や体積減少を伴う屈折率変化が起こりにくい。すなわち、これらの欠陥濃度の低い本発明のプリフォームを用いて作製される光ファイバは、長波長のレーザ光に対しても伝送損失が起こりにくい。
また、石英ガラス中へのＦの導入は、ガラスの仮想温度を下げ、ガラス構造を安定化させる。高仮想温度の石英ガラス構造に見られる３員環や４員環は、エネルギー的に弱い構造であり、高エネルギー光または紫外光を照射したときに比較的容易に壊れて、構造欠陥を誘起する。石英ガラス中にＦを導入すると、Ｆが選択的に３員環や４員環といった弱い結合部分と反応する。したがって、石英ガラス中にＦを導入することで、高エネルギー光または紫外光に対する高い耐性が期待できる。すなわち、Ｆ濃度の高い光ファイバは、高エネルギー光または紫外光に対して高い耐性を示すと考えられる。【００４４】
詳しくは後述するが、本発明のプリフォームを製造する場合、プリフォーム製造工程で通常実施される火炎研磨の代わりに、後述する精密研磨および精密洗浄を施す。このため、本発明のプリフォームは、従来のプリフォームに比べコアとクラッドとの界面付近における平均ＯＨ濃度、平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度を低くすることができる。
具体的には、本発明のプリフォームにおいて、コアとクラッドとの界面から±１０μｍの領域では、平均ＯＨ濃度は５０ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度は１０16個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０15個／ｃｍ3以下であることがより好ましく、１０14個／ｃｍ3以下であることがさらに好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることが特に好ましく、１０12個／ｃｍ3以下であることが最も好ましい。平均ＯＤＣ（II）濃度は１０15個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０14個／ｃｍ3以下であることがより好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることがさらに好ましく、１０12個／ｃｍ3以下であることが特に好ましい。なお、界面からコア側への距離を正の値で示す場合、界面からクラッド側への距離を負の値で示す。
また、本発明のプリフォームにおいて、コアとクラッドとの界面から±２０μｍの領域では、平均ＯＨ濃度は０〜１０ｐｐｍであることが好ましい。平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度は１０15個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０14個／ｃｍ3以下であることがより好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることがさらに好ましく、１０12個／ｃｍ3以下であることが特に好ましい。平均ＯＤＣ（II）濃度は１０14個／ｃｍ3以下であることが好ましく、１０13個／ｃｍ3以下であることがより好ましく、１０12個／ｃｍ3以下であることがさらに好ましい。【００４５】
コアとクラッドとの界面から±２０μｍの領域および±１０μｍの領域の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度の測定は、例えばＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析法を用いて、プリフォームの断面の元素分析を行い、得られたＦ及び水素の断面での濃度分布から、±２０μｍの領域および±１０μｍの領域での平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度を求めるという方法を用いた。火炎研磨を行った場合、ＯＨ基の増加による水素量の増加、及びＦの減少が起こるが、Ｆの減少はＳｉ−Ｆの結合が切れてＦが表面から揮散したことを示唆しており、生じた結合欠損部分はＯＤＣ（Ｉ）もしくはＯＤＣ（ＩＩ）などの欠陥となると考えられる。ＯＤＣ（Ｉ）及びＯＤＣ（ＩＩ）の平均濃度は透過スペクトルを測定して、１６３ｎｍ及び２４５ｎｍの吸収係数から次式によって求めることが出来る。
ＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度［個／ｃｍ３］＝吸収係数［ｃｍ−１］／７５×１０−１8［個−１ｃｍ２］
ＯＤＣ（ＩＩ）の平均濃度［個／ｃｍ３］＝吸収係数［ｃｍ−１］／４５×１０−18［個−１ｃｍ２］
ただし、火炎研磨によって生じるこれらの欠陥は表面付近にのみ存在するため、表面近傍の欠陥の濃度を求めるためには、上式の吸収係数を、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析から求めたＦの欠損層の厚みから換算する。【００４６】
コアとクラッドとの界面から±２０μｍの領域および±１０μｍの領域の平均ＯＨ濃度の測定方法は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析法を用いてプリフォームの断面での水素の濃度分布を調べ、これらの±２０μｍの領域および±１０μｍの領域での平均を求めることにより行う。この分析法では、表層から１０μｍ付近の深さまでの平均水素濃度を空間分解能及び感度良く測定することが可能であるが、水素の濃度がＯＨ基の濃度に相当するかは自明ではない。そこで、顕微フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）を用いて表層付近のＯＨ濃度の空間分布を求めることで、ＯＨ基の濃度分布を求め、ＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析の結果との整合性を確認する必要がある。ＦＴ−ＩＲ分光法を用いて３６７０ｃｍ-1のＯＨ基による吸収ピークの吸収係数を求め、次式
ＯＨ基濃度［ｐｐｍ］＝吸収係数［ｃｍ-1］／１．０５×１００［ｃｍ−１ｐｐｍ−１］
からＯＨ基の濃度を求めることが出来る。ただしＦＴ−ＩＲ分光では、空間分解能がＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析ほど高くないため、ＯＨ基の正確な分布を求めることは出来ない。従って、ＯＨ基の正確な濃度分布はＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析によって求める。
なお、コアおよびクラッド単体の平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度、平均ＯＨ濃度の測定は、空間分解能、測定精度の点で優れるＳＩＭＳ分析法を用いる。【００４７】
本発明のプリフォームは、コア材およびクラッド材として上記したコアおよびクラッドとしての特性を満たすものを用いて製造する際に、プリフォーム製造工程で通常実施される火炎研磨の代わりに、後述する精密研磨および精密洗浄を施す点以外は、公知のプリフォーム製造方法を用いて製造することができる。なお、このようなコア材およびクラッド材も本発明により提供される。【００４８】
本発明のプリフォームは、例えば、以下の手順で製造することができる。
［製造手順１］
スート法（ＶＡＤ法（気相軸付け法）、ＯＶＤ法（外付け法）またはＭＣＶＤ法（内付け法）等）を用いて、コアおよびクラッドを有するプリフォームを製造する。ＶＡＤ法またはＯＶＤ法の場合、ＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いて口径２０ｍｍ程度のコア材（コアロッド）を作製する。具体的にはガラス形成原料を火炎加水分解させて形成される多孔質石英ガラス体を加熱して透明ガラス化して成型・加工して口径２０ｍｍ程度のコア材（コアロッド）を作製する。その後、ＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いて該コア材（コアロッド）上に、所定濃度のＦを含有するクラッドを形成する。ＯＶＤ法には、酸水素火炎を用いる方法と、プラズマを用いる方法がある。ただし、酸水素火炎を用いるＯＶＤ法では、コア材表面に多くの水が付着し、これがコア内部に拡散する際にＦが多量に揮散する。このため、コアとクラッドの界面に酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））や、その前駆体となる構造が発生する。この結果、製造されるプリフォームにおいて、コアの平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度がそれぞれ１０１３個／ｃｍ３以下、１０１２個／ｃｍ３以下にならない可能性がある。このことから、ＯＶＤ法ではプラズマを用いる方法を採用することが好ましい。
Ｆを含有するコアは、例えば、多孔質石英ガラス体をＦ化合物ガス（例えば、ＳｉＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｆ２等）を含有する不活性ガス雰囲気下、室温または１１００℃以下の温度で数十分〜数時間保持することにより、該多孔質石英ガラス体中にＦを導入し、その後、不活性ガス中または減圧下で１３００℃以上に加熱して透明ガラス化することで作製することができる。後述する他の方法においても、Ｆを含有するコアを形成するためには、上記と同様の手順を行う必要がある。
クラッドの作製方法として、例えば、Ｆ化合物ガス含有雰囲気下でコア材（コアロッド）上に多孔質ガラス体を作製し、不活性ガスを主成分とする雰囲気中で５００〜１３００℃にて加熱処理することにより、透明ガラス化することで、平均Ｆ濃度７０００ｐｐｍ以上の所定濃度のＦを含有するクラッドを形成することができる。あるいは、コア材（コアロッド）上に予め多孔質ガラス体を作製した後、Ｆ化合物ガスを含有する不活性ガス雰囲気中で５００〜１３００℃にて加熱処理することにより、該多孔質ガラス体中にＦを導入し、その後、酸素および不活性ガス中で１３００℃以上に加熱して透明ガラス化することで、平均Ｆ濃度７０００ｐｐｍ以上の所定濃度のＦを含有するクラッドを形成することができる。なお、後述する他の方法においても、平均Ｆ濃度７０００ｐｐｍ以上の所定濃度のＦを含有するクラッドを形成するためには、上記と同様の手順を行う必要がある。
ＭＣＶＤ法の場合、所定濃度のＦを含有するクラッド材を作製した後、該クラッド材の内側に、ＭＣＶＤ法を用いてコアを形成する。【００４９】
［製造手順２］
スート法（ＶＡＤ法（気相軸付け法）、ＯＶＤ法（外付け法）またはＭＣＶＤ法（内付け法）等）を用いて口径２０ｍｍ程度のコア材（コアロッド）を作製する。具体的にはガラス形成原料を火炎加水分解させて形成される多孔質石英ガラス体を加熱して透明ガラス化して成型・加工して口径２０ｍｍ程度のコア材（コアロッド）を作製する。
スート法（ＶＡＤ法、ＯＶＤ法またはＭＣＶＤ法等）を用いて、所定濃度のＦを含有するクラッド材（クラッドチューブ）を作製する。
ロッドインチューブ法を用いて、クラッド材（クラッドチューブ）中にコア材（コアロッド）を挿入してプリフォームとする。【００５０】
製造手順１，２を用いてプリフォームを製造する際、プリフォームのコアとクラッドの界面となる部分は、コア・クラッド構造を形成する前に、異物を除去して、平坦性を高める必要がある。この目的のため、火炎研磨が通常施される。
製造手順１でＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、コア材（コアロッド）を形成した後、該コア材（コアロッド）上にＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いてクラッドを形成する前に、該コア材（コアロッド）外面の異物を除去して、平坦性を高める目的で火炎研磨が通常施される。製造手順１でＭＣＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、クラッド材を形成した後、該クラッド材の内側にＭＣＶＤ法を用いてコアを形成する前に、該クラッド内面の異物を除去して、平坦性を高める目的で火炎研磨が通常施される。製造手順２を用いてプリフォームを製造する場合、ロッドインチューブ法を用いてプリフォームとする前に、コア材（コアロッド）外面およびクラッド材（クラッドチューブ）内面の異物を除去して、平坦性を高める目的で火炎研磨が通常施される。【００５１】
本発明のプリフォームを製造する場合、この火炎研磨が問題となる。
製造手順１でＭＣＶＤ法を用いる場合、通常実施される火炎研磨は平均Ｆ濃度が７０００ｐｐｍ以上と高いクラッド材に対して施されることになる。火炎研磨の際、クラッド材からＦが揮散し、酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））や、その前駆体となる構造が発生する。この結果、製造されるプリフォームにおいて、クラッドの平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度がそれぞれ１０13個／ｃｍ3以下、１０12個／ｃｍ3以下にならない。
なお、平均Ｆ濃度が７０００ｐｐｍ以上と高いクラッド材に対して火炎研磨が施されると、クラッド材からＦが揮散し、酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））やその前駆体となる構造が発生することは、従来知られておらず、本発明者らによって見出された新たな知見である。
火炎研磨の際、Ｆが揮散するのは、主にクラッド材の表面付近、すなわち、クラッド材の内面付近と外面付近である。これらのうち、クラッド材の内面は、プリフォームを形成した際にコアとクラッドとの界面をなすので、クラッド材の内面付近からのＦの揮散、およびこれによる酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））やその前駆体となる構造の発生は特に問題となる。なお、クラッド材の内面付近とは、クラッド材の内面から深さ２０μｍ程度までの部分を指す。
製造手順２についても同様であり、通常実施される火炎研磨は平均Ｆ濃度が７０００ｐｐｍ以上と高いクラッド材（クラッドチューブ）に対して施されることになる。火炎研磨の際、クラッド材（クラッドチューブ）の内面付近および外面付近からＦが揮散し、酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））やその前駆体となる構造が発生するので、製造されるプリフォームにおいて、クラッドの平均ＯＤＣ（Ｉ）濃度および平均ＯＤＣ（II）濃度がそれぞれ１０13個／ｃｍ3以下、１０12個／ｃｍ3以下にならない。【００５２】
製造手順１でＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いる場合、火炎研磨が施されるコア材（コアロッド）はＦを含有しないか、またはＦ濃度が低いため、上記したようなＦの揮散による問題は起こらないが、コア材（コアロッド）を火炎研磨することにより、コア材（コアロッド）の外面付近において、ＯＨ濃度が高くなる、欠陥の前駆体となる構造が生成するなどの問題が発生する。なお、コア材（コアロッド）の外面付近とは、コア材（コアロッド）の外面から深さ２０μｍ程度までの部分を指す。
なお、製造手順２でコア材（コアロッド）を火炎研磨した際にもこれと同じ問題が生じる。【００５３】
また、ロッドインチューブ法を用いてプリフォームとする際も、コア材およびクラッド材に少なからず熱が加わるので、Ｆが揮散し、酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））やその前駆体となる構造が発生する可能性がある。それを防ぐには、ロッドインチューブ工程における加熱雰囲気を水分の少ない雰囲気にすることが好ましく、ＳｉＦ4などのＦ化合物ガスを含有する雰囲気とすることが特に好ましい。【００５４】
本発明のプリフォームを製造する場合、プリフォームのコアとクラッドの界面となる部分の異物を除去して、平坦性を高める目的で火炎研磨を施す代わりに、後述する精密研磨および精密洗浄を施す必要がある。製造手順１および製造手順２において、プリフォームは所望のコア／クラッド比となるように外周を研削することが好ましい。特に、製造手順２では、ロッドインチューブ工程において酸水素火炎でクラッドチューブを外側から処理するため、外周を研削する必要がある。
製造手順１でＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、コア材（コアロッド）を形成した後、該コア材（コアロッド）上にＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いてクラッドを形成する前に、異物を除去して、平坦性を高める目的で、該コア材（コアロッド）外面に対して後述する精密研磨および精密洗浄を施す必要がある。製造手順１でＭＣＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、クラッド材を形成した後、該クラッド材の内側にＭＣＶＤ法を用いてコアを形成する前に、異物を除去して、平坦性を高める目的で該クラッド材の内面に対して後述する精密研磨および精密洗浄を施す必要がある。製造手順２を用いてプリフォームを製造する場合、ロッドインチューブ法を用いてプリフォームとする前に、異物を除去して、平坦性を高める目的でコア材（コアロッド）外面およびクラッド材（クラッドチューブ）内面に対して後述する精密研磨および精密洗浄を施す必要がある。【００５５】
ここで、精密研磨および精密洗浄とは、プリフォームのコアとクラッドとの界面となる部分を要求される表面性状とするために施される火炎研磨以外の表面研磨方法および表面洗浄方法を指す。具体的には、下記条件（１）〜（３）を満たすことができる表面研磨方法および表面洗浄方法であることが好ましい。
（１）処理後の面の表面粗さＲａが１０ｎｍ以下。
（２）処理後の面に大きさ５０μｍ以上のパーティクルが存在しない。
（３）処理後の面に１１μｍ幅以上のスクラッチが存在しない。
コアとクラッドのどちらか一方あるいは両方が（１）〜（３）の条件を満たさないものを用いてプリフォームを作製すると、コアとクラッドとの界面に泡や異物などが生じ、ファイバの強度を劣化させる、ファイバの特性が悪化するなどの不具合が生じる可能性がある。
処理後の面の表面粗さＲａは５ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。処理後の面には大きさ１０μｍ以上のパーティクルが存在しないことがより好ましい。
処理後の面の表面粗さＲａは、超高精度三次元測定器、例えば、ＵＡＰ３（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ製）を用い、コアの外周面およびクラッドの内周面に沿って軸方向ならびに周方向にそれぞれ１０ｍｍの表面粗さＲａを測定することによって求めることができる。
処理後の面におけるパーティクルならびにスクラッチは、高輝度光源（５万ルクス）を用いて、パーティクルならびにスクラッチによる欠点による光の散乱を確認することで観察することができる。【００５６】
精密研磨としては、例えば、レンズ表面などの光学部材の光学面に対して施される精密研磨（機械研磨）等が例示される。【００５７】
精密洗浄としては、湿式洗浄方法として、アルカリ性の溶剤を用いた溶剤洗浄、オゾン水、電解イオン水、水素水等を用いた機能水洗浄、超音波洗浄、マイクロバブル洗浄、ＨＦ洗浄等が挙げられる。また、乾式洗浄方法として、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8等のエッチングガスを用いたエッチングガス洗浄、エキシマランプ洗浄、プラズマ洗浄、イオン洗浄等が挙げられる。【００５８】
精密研磨としてどのような研磨方法を施すか、精密洗浄としてどのような洗浄方法を施すかは、精密研磨または精密洗浄を施す部位に応じて適宜選択すればよい。
製造手順１でＶＡＤ法またはＯＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、コア材（コアロッド）外面に対して精密研磨（機械研磨）を施した後、精密洗浄として湿式洗浄または乾式洗浄を施す。製造手順１でＭＣＶＤ法を用いてプリフォームを製造する場合、クラッド材（クラッドチューブ）内面に対して精密研磨（機械研磨）を施した後、精密洗浄として湿式洗浄または乾式洗浄を施す。製造手順２を用いてプリフォームを製造する場合に、コア材（コアロッド）外面およびクラッド材（クラッドチューブ）内面に精密研磨（機械研磨）を施した後、精密洗浄として湿式洗浄または乾式洗浄を施す。【００５９】
プリフォームのコアとクラッドの界面となる部分の異物を除去して、平坦性を高める目的で施す火炎研磨の代わりに、上述した精密研磨および精密洗浄を施すことにより、クラッド材の内面付近でのＦの揮散、およびこれによる酸素欠乏欠陥（ＯＤＣ（Ｉ），（II））やその前駆体となる構造の発生が防止される。また、コア材の外面付近においてＯＨ濃度が高くなる、欠陥の前駆体となる構造が生成するなどの問題が発生することが防止される。【００６０】
コア材（コアロッド）の外周やクラッド材（クラッドチューブ）の内面を精密研磨する機械設備はなく、真円度や直線性など精度の良い仕上げをするには時間がかかることから、通常は延伸や火炎研磨によって精度の良いコア材（コアロッド）やクラッド材（クラッドチューブ）が得るのが一般的である。精密洗浄も同様で、特にクラッド材（クラッドチューブ）の内面に付着する異物は洗浄による除去が難しく、火炎研磨によって異物を除去するのが一般的である。【００６１】
しかしながら、Ｆを含むガラスは、水分を含む雰囲気下で加熱した際、ガラス表面からＦが揮散してしまう。火炎研磨を行う場合は通常、酸水素火炎で行うため、水分を多く含む雰囲気下で加熱することになり、ガラス表面のＦ濃度は内部に比べて小さくなる。この結果、コア材のＦ濃度がコアとクラッドとの界面となる部分付近で減少し、プリフォームとした際に、コアとクラッドとの界面付近の屈折率がコア内部に比べて高くなり、出力光の波面形状が歪む他、伝播損失が増加するという問題が生じる恐れがある。【００６２】
したがって、コア材（コアロッド）の外周やクラッド材（クラッドチューブ）の内面を精密研磨するために、その外径、内径にあった治具を作製し、研磨砥粒と治具を組み合わせて少しずつ形状をあわせこみ、かつ表面平滑性を上げていく作業により、精密研磨によって精度の良いコア材（コアロッド）やクラッド材（クラッドチューブ）を得ることが好ましい。【００６３】
ここで、スクラッチをなくすため、研磨砥粒のサイズは徐々に小さくすることが好ましい。具体的には、＃２４０、＃４００、＃６００、＃８００、＃１０００と研磨砥粒のサイズを変えていき、その後、酸化セリウムで鏡面研磨することで、スクラッチのない鏡面を得ることができる。研磨砥粒のサイズを徐々に小さくせず、例えば、＃２４０、＃６００、＃１０００と変えた場合でも、その後の鏡面研磨で鏡面とすることができるが、潜傷が存在する場合がある。【００６４】
また、精密洗浄も、専用の洗浄設備を設け、超音波洗浄などを用いることで異物を除去することが好ましい。特に、クラッド材（クラッドチューブ）は薬液の循環が難しいことから、クラッド材（クラッドチューブ）内壁のパーティクル数を減らすことは、通常の洗浄方法では困難である。そのため、クラッド材（クラッドチューブ）の洗浄には、酸性水溶液による浸漬を併用することが好ましい。洗浄後はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に浸漬し、乾燥を行う。ガラスの表面に水分やアルコール分が付着した状態でロッドインチューブなどの高温の熱工程にかけると、Ｆは水酸基と反応し、ＨＦとなって揮発して欠陥を形成するため、表面の水分などは極力減らすことが好ましい。したがって、乾燥は最終的に１００℃以上で行う。
製造手順１および製造手順２において、所望のコア／クラッド比を有するプリフォームとなるように、コア材とクラッド材を一体化した後に外周を研削することが好ましい。特に、製造手順２では、ロッドインチューブ工程において、クラッドチューブを外側から酸水素火炎で加熱するため、プリフォームの外側を少なくとも１ｍｍ以上研削することが好ましい。研削後は研磨を行い、プリフォームとすることが好ましい。この際、プリフォームの表面は、Ｍｉｌ−Ｏ−１３８３０Ａ規格においてＣ級レベル以上とすることが好ましい。プリフォーム表面には、２５μｍ幅以上のスクラッチが存在しないことが好ましく、２１μｍ幅以上のスクラッチが存在しないことがより好ましく、１６μｍ幅以上のスクラッチが存在しないことがさらに好ましく、１１μｍ幅以上のスクラッチが存在しないことが特に好ましい。プリフォームの外周研削は、周知の研削方法を採用できるが、例えば、プリフォームを旋盤に取り付け、ダイヤモンド砥石で研削し、砥石の砥粒サイズを徐々に小さくしていくことで行うことができる。線幅の大きいスクラッチをなくすためには、周知の方法で研磨することが好ましい。例えば、プリフォームを旋盤に取り付け、酸化セリウムスラリーを供給しながら研磨することできる。コア材（コアロッド）の外周と同様に、精密研磨することがより好ましい。【００６５】
上記手順で製造された本発明のプリフォームを紡糸炉で加熱溶融しながら外径が所定の値になるように引取り機の速度を調整して引取ることにより、エネルギー伝送用または紫外線伝送用光ファイバを作製することができる。
【実施例】
【００６６】
［例１〜例３］
コア材およびクラッド材をＶＡＤ法で作製した。各サンプルのＦ濃度とＯＨ濃度は、Ｆ化合物ガスにより多孔質石英ガラス体を処理する際のＦ化合物ガス濃度、温度等により調整した。
作製したコア材およびクラッド材を外周研削加工機及び円筒研削機により加工した後、研磨砥粒ＧＣ＃２４０、ＧＣ＃４００、ＦＯ＃６００、ＦＯ＃８００、ＦＯ＃１０００（フジミコーポレーション製商品名）をスラリーにして研磨した。その後、酸化セリウムを主成分とするミレーク（三井金属社製商品名）を用いて精密研磨した。精密研磨後のコア材およびクラッド材の非円率は２以下、ブツはφ０．１μｍ以下、スクラッチは幅１１μｍであった。次いで通常の酸水素火炎を用いた火炎研磨工程の代わりに精密洗浄を施した。ここでは精密洗浄はコア材およびクラッド材を前処理として硝酸水溶液中に１２時間浸漬後、純水にて超音波洗浄を行い、後処理としてＩＰＡ洗浄槽にて超音波洗浄し、１００℃で乾燥することである。精密洗浄後の面は表面粗さＲａが１０ｎｍ以下であり、大きさ５０μｍ以上のパーティクルが存在せず、１１μｍ幅以上のスクラッチが存在しない。
［例４］
例１〜例３と同様にコア材およびクラッド材をＶＡＤ法で作製した。作製したコア材およびクラッド材をアルミナおよび酸化セリウムを用いて通常の研磨を行い、次いで酸水素火炎を用いて火炎研磨工程を行った。クラッド材は内部に酸素ガスを流しながら外部を酸水素バーナーで炙るという方法で火炎研磨を行った。ここで、火炎研磨工程におけるコア材およびクラッド材の温度上昇を放射温度計（レイテック製、マラソンＭＭ−モデルＧ５Ｈ）で測定した。測定値は２０００℃であった。【００６７】
図１の点線は火炎研磨を施さなかった試料（例１）のコア材に対して、側面に垂直な方向に光線を入射して測定した透過率スペクトルであり、図１の実線は火炎研磨を施した試料（例４）のコア材について測定した透過率スペクトルである。例１〜３の試料のコア材の透過率スペクトルはほぼ同じなので例２、例３の透過率スペクトルは割愛した。サンプルの厚みはともに３ｍｍである。図１に示すように、例４のコア材試料では１６５ｎｍ付近にＯＤＣ（Ｉ）の吸収に相当する吸収ピークが見られるのに対して、例１〜３のコア材試料では吸収ピークは見られなかった。ＯＤＣ（II）に相当するピークはいずれのサンプルでも観測されなかった。例１および例４のコア材試料の１６５ｎｍにおける吸収係数はそれぞれ試料の厚み（３ｍｍ）を考慮すると０．９ｃｍ-1、および０．３２ｃｍ-1であった。例１のコア材試料では欠陥由来の吸収が見られなかったことから、例４のコア材試料におけるＯＤＣ（Ｉ）の厚み３ｍｍでの平均濃度は、これらの吸収係数の差０．５８ｃｍ-1を７．５×１０-17ｃｍ-3／個／ｃｍで除することにより、７．７×１０15個／ｃｍ３と求められた。一方、例１のコア材試料では吸収ピークは確認できないことから、厚み３ｍｍの平均濃度は１０１5個／ｃｍ３以下であると推測される。【００６８】
また、例１〜３のコア材、クラッド材について、寸法1５ｍｍ×１５ｍｍ×１００ｍｍで1５ｍｍ×１５ｍｍ面が両面鏡面になっている試料を作成し、ランプ光の１６５ｎｍのみを取り出し、該試料の１５ｍｍ×１５ｍｍの鏡面にランプ光を垂直に照射し、光チョッパーを用いて段落［００３０］に記載した手順でＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度を求めると、１×１０12個／ｃｍ3以下である。【００６９】
例１〜３および例４のコア材試料に対してＳＩＭＳ分析を行った。図２にＳＩＭＳ分析の結果を示した。この場合も、例１〜３では結果がほぼ同じであったので、例１のみ結果を表示した。いずれの試料でもＳｉの量は一定とみなすことが出来ることから、これらの信号強度でＦの信号強度の規格化を行った。その結果、火炎研磨を施さなかった例１のコア材試料では点線で示す様にＦ濃度が一定であるのに対して、火炎研磨を施した例４のコア材試料では実線で示すように、Ｆ濃度は表面ごく近傍でほぼ０ｐｐｍとなり、表面から深さ約１０μｍ程度にかけてＦの揮散の影響が及んでいることがわかった。
図１から求めた例４のコア材試料のＯＤＣ（Ｉ）はこの表層１０μｍで生じたものと推測される。そこで、先に求めた例４のコア材試料のＯＤＣ（Ｉ）の濃度は、この１０μｍでの値と考えると、
７．７×１０15個／ｃｍ３×３ｍｍ/１０μｍ＝２．３×１０18個／ｃｍ３
となる。
このように、例４のコア材試料におけるＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度は、表面から深さ１０μｍの部分において２．３×１０18個／ｃｍ３である。
一方、例１〜３のコア材試料におけるＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度は、上記の通りＦ濃度が一定であることから、表層１０μｍ以内においても１０13個／ｃｍ３以下でほぼ一定と考えることができる。【００７０】
同様にして例１〜４のクラッド材についても、側面方向に光を透過して透過率を測定し、ＯＤＣ（Ｉ）濃度の見積もりを行う。このようにして得られた例１〜例４のコア材、クラッド材のＯＨ濃度、Ｏ2濃度、ＯＤＣ（Ｉ）濃度、ＯＤＣ（II）濃度、Ｆ濃度の測定結果（平均値）を表３に記す。また、表層２０μｍ以内ではＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度は、１０μｍの値を２０μｍで平均化したものとして、
２．３×１０18個／ｃｍ３  ×１０μｍ／２０μｍ＝１．２×１０18個／ｃｍ３ 
を用いた。【００７１】
【表３】
2009096557.tif 000005
【００７２】
例１〜例４のコア材、クラッド材を用いてロッドインチューブ法でプリフォームを作製した。
各プリフォームのコアとクラッドの界面から±１０μｍおよび±２０μｍでのＯＨ濃度、Ｏ2濃度、ＯＤＣ（Ｉ）濃度、ＯＤＣ（II）濃度、Ｆ濃度の測定結果（平均値）をそれぞれ表４に記す。【００７３】
【表４】
2009096557.tif 000006
【００７４】
［例５〜例８］
例１〜例４のコア材上にＶＡＤ法を用いて例１〜例４のクラッドをそれぞれ形成し、ファイバプリフォームを作製した。
各プリフォームのコアおよびクラッドのＯＨ濃度、Ｏ2濃度、ＯＤＣ（Ｉ）濃度、ＯＤＣ（II）濃度、Ｆ濃度の測定結果（平均値）をそれぞれ表５に記す。【００７５】
【表５】
2009096557.tif 000007
【００７６】
各プリフォームのコアとクラッドの界面から±１０μｍおよび±２０μｍでのＯＨ濃度、Ｏ2濃度、ＯＤＣ（Ｉ）濃度、ＯＤＣ（II）濃度、Ｆ濃度の測定結果（平均値）をそれぞれ表６に記す。【００７７】
【表６】
2009096557.tif 000008
【００７８】
例１〜３および例５〜例７は実施例であり、例４および例８は比較例である。例１〜３は、ＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度が表面から１０μｍの領域においても１０15個／ｃｍ３以下であるため、波長１６５ｎｍでの透過率が８０％以上で良好である。例４および例８は、ＯＤＣ（Ｉ）の平均濃度が１０18個／ｃｍ３以上であるため、波長１６５ｎｍでの透過率が７０％以下である。【００７９】
本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、2008年1月30日出願の日本特許出願2008−018715に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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