(57)【要約】  弾性波装置（２１）において、弾性波共振器（３０）の反射器（３４Ａ）は、第１の領域（３７）と第２の領域（３８）を有し、第２の領域（３８）は、第３の領域（３９）と第４の領域（４０）を有している。第１の領域（３７）は反射器（３４Ａ）のＩＤＴ（３３）に近い側に位置し、第２の領域（３８）は反射器（３４Ａ）のＩＤＴ（３３）から遠い側に位置する。第３の領域（３９）は第２の領域（３８）のＩＤＴ（３３）に近い側に位置し、第４の領域（４０）は第２の領域（３８）のＩＤＴ（３３）から遠い側に位置する。第４の領域（４０）の反射帯域の中心周波数は、第３の領域（３９）の反射帯域の中心周波数より低いことにより、エネルギーロスが少なく、挿入損失が少ない弾性波装置（２１）を提供する。
2013136757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成される低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、
前記圧電基板上に形成され、前記低域側通過帯域よりも高い高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、
前記低域側フィルタと前記高域側フィルタに接続される端子
とを備え、
前記低域側フィルタは、前記端子に接続される第1の弾性波共振器を有し、
前記第１の弾性波共振器は、一対の反射器の間に複数のインタデジタルトランスデューサを配置して構成され、
前記一対の反射器のうち少なくとも1つの反射器は、第1の領域と第２の領域を有し、
前記第２の領域は、第３の領域と第４の領域を有し、
前記第1の領域は前記反射器のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第２の領域は前記反射器のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第３の領域は前記第２の領域のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第４の領域は前記第２の領域のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第1の領域の反射帯域は、前記低域側通過帯域を包含し、
前記第２の領域の反射帯域は、前記高域側通過帯域を包含し、
前記第４の領域の反射帯域の中心周波数は、前記第３の領域の反射帯域の中心周波数より低い
ことを特徴とする弾性波装置。
【請求項２】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成される低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、
前記圧電基板上に形成され、前記低域側通過帯域よりも高い高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、
前記低域側フィルタと前記高域側フィルタに接続される端子
とを備え、
前記高域側フィルタは、前記端子に接続される第２の弾性波共振器を有し、
前記第２の弾性波共振器は、一対の反射器の間に複数のインタデジタルトランスデューサを配置して構成され、
前記一対の反射器のうち少なくとも1つの反射器は、第５の領域と第６の領域を有し、
前記第６の領域は、第７の領域と第８の領域を有し、
前記第５の領域は前記反射器のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第６の領域は前記反射器のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第７の領域は前記第６の領域のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第８の領域は前記第６の領域のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第５の領域の反射帯域は、前記高域側通過帯域を包含し、
前記第６の領域の反射帯域は、前記低域側通過帯域を包含し、
前記第８の領域の反射帯域の中心周波数は、前記第７の領域の反射帯域の中心周波数より高い
ことを特徴とする弾性波装置。
【請求項３】
前記第１弾性波共振器または前記第２の弾性波共振器は、直接、前記端子に接続されることを特徴とする請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記低域側フィルタは、更に第３の弾性波共振器を備え、
前記第３の弾性波共振器は、前記第１の弾性波共振器に接続されていることを特徴とする請求項１記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記高域側フィルタは、更に第４の弾性波共振器を備え、
前記第４の弾性波共振器は、前記第２の弾性波共振器に接続されていることを特徴とする請求項２記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通過帯域の異なる複数の高周波フィルタを備えた弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機などにおいて、通過帯域の異なる複数の高周波フィルタを備えた弾性波装置として、共用器やデュアルフィルタが多用されている。【０００３】
図９は、従来の弾性波装置１を示す回路図である。【０００４】
従来の弾性波装置１は、圧電基板２の上に、周波数が相対的に低い低域側通過帯域に通過特性を有する低域側フィルタ３と、周波数が相対的に高い高域側通過帯域に通過特性を有する高域側フィルタ４と、入力端子５、６と、出力端子７、８が形成されているデュアルフィルタである。入力端子５が低域側フィルタ３に接続され、入力端子６は高域側フィルタ４に接続され、出力端子７、８は低域側フィルタ３と高域側フィルタ４の両方に接続される。【０００５】
低域側フィルタ３は、入力端子５が弾性波共振器９、弾性波共振器１０、出力端子７，８に順に接続されて構成されている。高域側フィルタ４は、入力端子６が弾性波共振器１１、弾性波共振器１２、出力端子７，８に順に接続されて構成されている。なお、図９に示す弾性波共振器は、全て縦結合タイプの弾性波共振器である。【０００６】
弾性波共振器１０は、一対の反射器１３Ａ、１３Ｂの間に複数のインタデジタルトランスデューサ（以下ＩＤＴと表記する）１５を備える。同様に弾性波共振器１２は、一対の反射器１４Ａ、１４Ｂとの間に複数のインタデジタルトランスデューサ（以下ＩＤＴと表記する）１６を備える。【０００７】
従来の弾性波装置では、反射器１３Ａの反射帯域（ストップバンド）が、低域側フィルタ３の低域側通過帯域を包含するように設定されている。反射器１４Ａの反射帯域（ストップバンド）が、高域側フィルタ４の高域側通過帯域を包含するよう設定されている。【０００８】
通過帯域では、電気信号の反射を大きくすることによってエネルギーの損失を抑制し、挿入損失を低減する。阻止帯域では、電気信号の反射を低減することによって、電気エネルギーを散逸させ、減衰量を大きくする。【０００９】
図１０を参照しながら、従来の弾性波装置の通過特性の概念について説明する。図１０の（ａ）は、低域側フィルタ３の挿入損失を示す。図１０の（ｂ）は、低域側フィルタ３の反射器１３Ａの反射率を示す。図１０の（ｃ）は、高域側フィルタ４の挿入損失を示す。図１０の（ｄ）は、高域側フィルタ４の反射器１４Ａの反射率を示す。先行技術文献として、例えば、以下の特許文献１が知られている。【００１０】
従来の弾性波装置では、低域側フィルタ３と高域側フィルタ４は共通の出力端子７、８に接続されているために、低域側フィルタ３から低域側通過帯域の電気信号を出力端子７、８に出力する際に、電気信号の一部が高域側フィルタ４にも到達してしまう。そのときに、その電気信号は、高域側フィルタ４の反射器１４Ａ、１４Ｂを経由してエネルギーが散逸してしまい、電気エネルギーのロスが生じる。よって、従来の弾性波装置は、低域側フィルタ３における挿入損失が大きくなってしまうという問題を有していた。【００１１】
同様に、高域側フィルタ４から高域側通過帯域の電気信号を出力端子７、８に出力する際に、その電気信号の一部は低域側フィルタ３にも到達してしまう。そのときに、その電気信号は、低域側フィルタ３の反射器１３Ａ、１３Ｂを経由してエネルギーが散逸してしまい、電気エネルギーのロスが生じる。よって、従来の弾性波装置は、高域側フィルタ４における挿入損失が大きくなってしまうという問題を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報
【発明の概要】
【００１３】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、挿入損失の少ない弾性波装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の一態様は、低域側フィルタの弾性波共振器を構成する少なくとも１つの反射器は、第1の領域と第２の領域を有し、第２の領域は、第３の領域と第４の領域を有する。そして、第1の領域は反射器のＩＤＴに近い側に位置し、第２の領域は反射器のＩＤＴから遠い側に位置する。さらに、第３の領域は第２の領域のＩＤＴに近い側に位置し、第４の領域は第２の領域のＩＤＴから遠い側に位置する。第1の領域の反射帯域は、低域側通過帯域を包含し、第２の領域の反射帯域は、高域側通過帯域を包含する。第４の領域の反射帯域の中心周波数は、第３の領域の反射帯域の中心周波数より低い。
【００１５】
または、本発明の別の一態様は、高域側フィルタの弾性波共振器を構成する少なくとも１つの反射器は、第５の領域と第６の領域を有し、第６の領域は、第７の領域と第８の領域を有する。そして、第５の領域は反射器のＩＤＴに近い側に位置し、第６の領域は反射器のＩＤＴから遠い側に位置する。さらに、第７の領域は第６の領域のＩＤＴに近い側に位置し、第８の領域は第２の領域のＩＤＴから遠い側に位置する。第５の領域の反射帯域は、高域側通過帯域を包含し、第６の領域の反射帯域は、低域側通過帯域を包含する。第８の領域の反射帯域の中心周波数は、第７の領域の反射帯域の中心周波数より高い。
【００１６】
本発明は、低域側フィルタと高域側フィルタの挿入損失をバランスよく低減することができる。よって、本発明の弾性波装置は、共通の信号端子に接続された低域側フィルタと高域側フィルタとを有する弾性波装置において、挿入損失を低減することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における弾性波装置の回路図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態における弾性波装置の要部拡大図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態における弾性波装置の要部拡大図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性の概念を示す図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性の概念を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性を示す図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性を示す図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性を示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態における弾性波装置の通過特性を示す図である。
【図９】図９は、従来の弾性波装置の回路図である。
【図１０】図１０は、従来の弾性波装置の通過特性の概念を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は本発明の実施の形態における弾性波装置の回路図である。
【００１９】
弾性波装置２１は、圧電基板２２の上に、通過帯域の中心周波数が相対的に低い低域側通過帯域を有する低域側フィルタ２３と、通過帯域の中心周波数が相対的に高い高域側通過帯域を有する高域側フィルタ２４と、入力端子２５、２６と、出力端子２７、２８が形成されているデュアルフィルタである。入力端子２５、２６は不平衡であり、出力端子２７、２８は平衡である。
【００２０】
入力端子２５は、低域側フィルタ２３に接続され、入力端子２６は高域側フィルタ２４に接続されている。出力端子２７、２８は低域側フィルタ２３と高域側フィルタ２４の両方に接続されている。
【００２１】
本実施の形態においては、圧電基板２２は、回転ＹカットＸ伝播のタンタル酸リチウム単結晶である。
【００２２】
低域側フィルタ２３は、入力端子２５が、弾性波共振器２９、弾性波共振器３０、出力端子２７，２８に順に接続されて構成されている。高域側フィルタ２４は、入力端子２６が、弾性波共振器３１、弾性波共振器３２、出力端子２７，２８に順に接続され構成されている。なお、本実施の形態における弾性波共振器は、全て縦結合タイプの弾性波共振器である。
【００２３】
弾性波共振器３０は、一対の反射器３４Ａ、３４Ｂの間に複数のＩＤＴ３３が配置されている。
【００２４】
弾性波共振器３２は、一対の反射器３６Ａ、３６Ｂの間に複数のＩＤＴ３５が配置されている。
【００２５】
図２Ａは、弾性波共振器３０の要部拡大図である。図２Ｂは、弾性波共振器３２の要部拡大図である。
【００２６】
図２Ａに、低域側フィルタ２３の弾性波共振器３０における反射器３４Ａの構成を示す。反射器３４Ａは、第１の領域３７と第２の領域３８で構成されている。第１の領域３７はＩＤＴ３３に近い側に配置され、第２の領域３８はＩＤＴ３３から遠い側に配置されている。さらに、第２の領域３８は、第３の領域３９と第４の領域４０で構成されている。第２の領域３８内において、第３の領域３９はＩＤＴ３３に近い側に配置され、第４の領域４０はＩＤＴ３３から遠い側に配置されている。
【００２７】
以下、第１の領域３７の反射帯域を第１の反射帯域、第２の領域３８の反射帯域を第２の反射帯域、第３の領域３９の反射帯域を第３の反射帯域、第４の領域４０の反射帯域を第４の反射帯域と表す。
【００２８】
図３に示す通り、第１の反射帯域は、低域側通過帯域を包含し、第２の領域の反射帯域は高域側通過帯域を包含している。第４の領域の反射帯域の中心周波数は、第３の領域の反射帯域の中心周波数よりも低い。
【００２９】
第１の領域３７、第３の領域３９、第４の領域４０は、それぞれの領域の格子電極のピッチを設定することにより、それぞれの反射帯域を設定することができる。第３の領域３９と第４の領域４０の格子電極のピッチを設定することにより、第２の反射帯域を設定することができる。
【００３０】
本実施の形態では、図２Ａに示す通り第１の領域３７の図面における縦方向に伸びている電極のピッチが一番広く、第４の領域の図面における縦方向に伸びている電極のピッチが次に広い。第３の領域３９の図面における縦方向に伸びている電極のピッチが一番狭い。
【００３１】
すなわち、弾性波共振器３０の反射器３４Ａにおいて、第１の領域３７の格子電極の平均ピッチよりも、第２の領域３８の格子電極の平均ピッチを小さく設定し、第４の領域４０の格子電極の平均ピッチよりも第３の領域３９の格子電極の平均ピッチを小さく設定している。
【００３２】
なお、図２Ａに示す実施の形態では、格子電極のピッチが全て等間隔であるが、必ずしも等間隔である必要はなく、平均ピッチで反射帯域は代表される。
【００３３】
また、図２Ａに示す実施の形態では、電極が一体化しているが、電極が所定の間隔で配置されていればよく、この形状に限定されるものではない。例えば、電極を、棒状の電極を圧電基板２２の上に配置して形成しても良い。
【００３４】
図２Ｂに、高域側フィルタ２４の弾性波共振器３２における反射器３６Ａの構成を示す。反射器３６Ａは、ＩＤＴ３５に近い側に第５の領域４１が配置され、ＩＤＴ３５から遠い側に第６の領域４２が配置されている。さらに、第６の領域４２の中のＩＤＴ３５に近い側に第７の領域４３が配置され、第６の領域４２の中のＩＤＴ３５から遠い側に第８の領域４４が配置されている。
【００３５】
以下、第５の領域４１の反射帯域を第５の反射帯域、第６の領域４２の反射帯域を第６の反射帯域、第７の領域４３の反射帯域を第７の反射帯域、第８の領域４４の反射帯域を第８の反射帯域と表す。
【００３６】
図４に示す通り、第５の反射帯域は、高域側通過帯域を包含し、第６の反射帯域は低域側通過帯域を包含し、第８の反射帯域の中心周波数は、第７の反射帯域の中心周波数より高い。
【００３７】
第５の領域４１と第７の領域４３と第８の領域４４は、それぞれの領域の格子電極のピッチを設定することにより、それぞれの反射帯域を設定することができ、第７の領域４３と第８の領域４４の格子電極のピッチを設定することにより、第６の領域４２の反射帯域を設定することができる。
【００３８】
すなわち、弾性波共振器３２の反射器３６Ａにおいて、第５の領域４１の格子電極の平均ピッチよりも、第６の領域４２の格子電極の平均ピッチを大きく設定し、第８の領域４４の格子電極の平均ピッチよりも第７の領域４３の格子電極の平均ピッチを大きく設定したものである。
【００３９】
なお、反射器３６Ａの電極の形状については、反射器３４Ａと同様に図２Ｂの形状に限定されない。
【００４０】
次に、本発明の一実施の形態における弾性波装置の通過特性と各反射器の反射特性について、説明する。
【００４１】
図３および図４は、本発明の一実施の形態における弾性波装置２１の通過特性および反射特性の概念図である。
【００４２】
図３の（ａ）は、低域側フィルタ２３の挿入損失を概念的に示すもので、低域側フィルタ２３は、低域側通過帯域に通過特性を有する。
【００４３】
図３の（ｂ）は、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおける第１の領域３７の反射特性を概念的に示すもので、第１の領域３７は、低域側通過帯域を包含する第１の反射帯域を有する。
【００４４】
図３の（ｃ）は、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおける第２の領域３８の反射特性を概念的に示すもので、第２の領域３８は、高域側通過帯域を包含する第２の反射帯域を有する。
【００４５】
図３の（ｄ）は、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおける第３の領域３９の反射特性を概念的に示すもので、第３の領域３９は、第２の領域３８の反射帯域のうち高域側に第３の反射帯域を有する。
【００４６】
図３の（ｅ）は、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおける第４の領域４０の反射特性を概念的に示すもので、第４の領域４０は、第２の領域３８の反射帯域のうち低域側に第４の反射帯域を有する。
【００４７】
図４の（ａ）は、高域側フィルタ２４の挿入損失を概念的に示すもので、高域側フィルタ２４は、高域側通過帯域に通過特性を有する。
【００４８】
図４の（ｂ）は、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおける第５の領域４１の反射特性を概念的に示すもので、第５の領域４１は、高域側通過帯域を包含する第５の反射帯域を有する。
【００４９】
図４の（ｃ）は、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおける第６の領域４２の反射特性を概念的に示すもので、第６の領域４２は、低域側通過帯域を包含する第６の反射帯域を有する。
【００５０】
図４の（ｄ）は、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおける第７の領域４３の反射特性を概念的に示すもので、第７の領域４３は、第６の領域４２の反射帯域のうち低域側に位置する第７の反射帯域を有する。
【００５１】
図４の（ｅ）は、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおける第８の領域４４の反射特性を概念的に示すもので、第８の領域４４は、第６の領域４２の反射帯域のうち高域側に位置する第８の反射帯域を有する。
【００５２】
低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおいて、ＩＤＴ３３から遠い側に高域側通過帯域を含む反射帯域を有する第２の領域３８を設けたことにより、高域側通過帯域の電気信号の一部が低域側フィルタ２３に分岐して流れ込んでも、第２の領域３８で反射することができる。よって、本実施の形態は、電気信号のエネルギーが反射器３４Ａの外に散逸するのを防止することができる。そして、この構成では、反射された電気エネルギーは高域側フィルタ２４に戻ってくるため、高域側フィルタ２４の挿入損失を低減することができる。そして、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおいて、低域側通過帯域を含む反射帯域を有する第１の領域３７をＩＤＴ３３に近接させて配置したことにより、低域側通過帯域における低域側フィルタ２３の通過特性を劣化させることなく良好に確保することができる。そして、第２の領域３８において、ＩＤＴ３３に近い側を第３の領域３９、ＩＤＴ３３から遠い側を第４の領域４０として、第４の領域４０の反射帯域を第３の領域３９の反射帯域の反射帯域よりも低域側に設けることにより、低域側フィルタ２３の通過帯域における挿入損失と、高域側フィルタ２４の通過帯域における挿入損失とをバランスよく良好に低減することができる。
【００５３】
なお、本実施の形態では、反射器３４Ｂの構成の詳細の説明は省略するが、反射器３４Ａと同様の構成である。本実施の形態では反射器３４Ａの右側にＩＤＴ３３が配置されているが、反射器３４Ｂでは左側にＩＤＴ３３が配置されている。よって反射器３４Ｂでは、第１の領域３７、第３の領域３９、第４の領域４０が配置される順は、反射器３４Ａと逆である。
【００５４】
以上の低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおける構成は、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにも同様に適用することが可能である。
【００５５】
高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおいて、ＩＤＴ３５から遠い側に低域側通過帯域内に反射帯域を有する第６の領域４２を設けたことにより、低域側通過帯域の電気信号の一部が高域側フィルタ２４に分岐して流れ込んでも、この第６の領域４２で反射することができる。よって、この構成では、電気信号のエネルギーが反射器３６Ａの外に散逸するのを防止することができる。そして、この構成では、反射された電気エネルギーは低域側フィルタ２３に戻ってくるため、低域側フィルタ２３の挿入損失を低減することができる。そして、高域側フィルタ２４の反射器３６Ａにおいて、高域側通過帯域内に反射帯域を有する第５の領域４１をＩＤＴ３５に近接させて配置したことにより、同時に、高域側通過帯域における高域側フィルタ２４の通過特性を劣化させることなく良好に確保することができる。そして、第６の領域４２において、ＩＤＴ３５に近い側を第７の領域４３、ＩＤＴ３５から遠い側を第８の領域４４として、第８の領域４４の反射帯域を第７の領域４３の反射帯域よりも高域側に設けることにより、低域側フィルタ２３の通過帯域における挿入損失と、高域側フィルタ２４の通過帯域における挿入損失とをバランスよく良好に低減することができる。
【００５６】
なお、各領域の反射帯域はお互いに重なりあっている場合もあるが、各領域の反射帯域の位置関係は、それぞれの領域の反射帯域の中心周波数同士を比較することにより特定できる。
【００５７】
本実施の形態では、反射器３６Ｂの構成の詳細の説明は省略するが、反射器３６Ａと同様の構成である。本実施の形態では反射器３６Ａの右側にＩＤＴ３５が配置されているが、反射器３６Ｂでは左側にＩＤＴ３３が配置されている。よって反射器３６Ｂでは、第５の領域４１、第７の領域４３、第８の領域４４が配置される順は、反射器３６Ａと逆である。
【００５８】
次に、本発明の一実施の形態における弾性波装置の電気特性をシミュレーションの結果により説明する。
【００５９】
図５は、デュアルフィルタの低域側フィルタの反射器の反射特性を示す。図５において、実線は本発明の一実施の形態における弾性波装置２１の反射器３４Ａの反射特性である。比較例として示す破線は従来の弾性波装置１の反射器１３Ａの反射特性である。比較例の反射器１３Ａの反射帯域が低域側通過帯域を包含し、高域側通過帯域を包含していないのに対して、本発明の反射器３４Ａの反射帯域は低域側通過帯域と高域側通過帯域の両方を包含している。
【００６０】
図６は、デュアルフィルタにおいて、高域側フィルタの側から低域側フィルタの側に流れる高域側通過帯域内の信号の反射のレベルをリターンロスで表したものである。リターンロスが０に近いほど、低域側フィルタに漏れ出す電気信号が少なく、電気信号を良好に反射できることを示す。図６において、実線は本発明の一実施の形態における弾性波装置２１の低域側フィルタ２３の高域側通過帯域におけるリターンロスである。比較例として示す破線は従来の弾性波装置１の低域側フィルタ３のリターンロスである。比較例の弾性波装置１の低域側フィルタ３では−１．８ｄＢ程度のリターンロスがあり、反射係数にすると８１％程度である。一方、本発明の弾性波装置２１の低域側フィルタ２３ではリターンロスは−１．０ｄＢ程度であり、反射係数にすると８９％程度である。つまり、本実施の形態の弾性波装置では、高域側通過帯域の信号の反射レベルを大幅に向上することができることが分かる。
【００６１】
図７は、デュアルフィルタの低域側フィルタの通過特性を示す。図７において、実線は本発明の一実施の形態における弾性波装置２１の低域側フィルタ２３の通過特性である。比較例として示す破線は従来の弾性波装置１の低域側フィルタ３の通過特性である。右側目盛りは左側目盛りを１０倍拡大したものであり、低域側通過帯域周辺の拡大図に対応する目盛りである。比較例と比較して、本実施の形態の弾性波装置２１の低域側フィルタ２３は低域側通過帯域において挿入損失が低く、信号エネルギーの閉じ込めが良好であることがわかる。また、本実施の形態の弾性波装置２１の低域側フィルタ２３は、低域側通過帯域の低域側帯域外において、比較例よりも良好な減衰が得られていることがわかる。
【００６２】
図８は、デュアルフィルタの高域側フィルタの通過特性を示す。図８において、実線は本発明の一実施の形態における弾性波装置２１の高域側フィルタ２４の通過特性である。比較例として示す破線は従来の弾性波装置１の高域側フィルタ４の通過特性である。右側目盛りは左側目盛りを１０倍拡大したものであり、高域側通過帯域周辺の拡大図に対応する目盛りである。比較例と比較して、本発明の弾性波装置２１の高域側フィルタ２４は高域側通過帯域において挿入損失が低く、信号エネルギーの閉じ込めが良好であることがわかる。また、本実施の形態の弾性波装置２１の高域側フィルタ２４は、高域側通過帯域の低域側帯域外において、比較例よりも良好な減衰が得られていることがわかる。
【００６３】
上記で説明した、実施の形態における弾性波装置２１は、低域側フィルタ２３と高域側フィルタ２４の挿入損失をバランスよく低減することができる。
【００６４】
なお、本実施の形態のように弾性波装置が複数の弾性波共振器を備えている場合、必ずしも全ての弾性波共振器が図２Ａまたは図２Ｂに示す反射器を有する必要はなく、少なくとも１つの弾性波共振器が上記実施の形態の弾性波共振器であればよい。
【００６５】
本実施の形態における弾性波装置２１は、弾性波共振器が一対の反射器を備えているが、一対の反射器の両方が、本実施の形態で説明した反射器の構成である必要はない。弾性波共振器の少なくとも1つの反射器が、本実施の形態で説明した反射器の構成であれば、隣接するフィルタ（高域側フィルタまたは低域側フィルタ）の挿入損失を低減することができる。
【００６６】
また、本発明の一実施の形態における弾性波装置２１では、縦結合タイプの弾性波共振器３０、３２の反射器３４Ａ、３４Ｂ、３６Ａ、３６Ｂに本発明を適用した場合について説明したが、一端子対タイプの弾性波共振器を有するフィルタ（高域側フィルタまたは低域側フィルタ）に本発明を適用しても同様の効果が得られる。
【００６７】
例えば、縦結合タイプの弾性波共振器に対して直列または並列に接続した一端子タイプの対弾性波共振器に対して適用してもよい。ラダー型弾性波フィルタを構成する一端子対タイプの弾性波共振器に対して適用してもよい。
【００６８】
上記構成でも同様の効果を得る。
【００６９】
ただし、一般に縦結合タイプの弾性波共振器は電極指の総対数が少なく、帯域外電気エネルギーの散逸が一端子対弾性波共振器と比較して大きいため、本発明は、縦結合タイプの弾性波共振器の反射器に適用した場合に特に顕著な効果を有する。
【００７０】
また、上記に示した本発明の一実施の形態における弾性波装置２１では、低域側フィルタ２３と高域側フィルタ２４は、共通の出力端子２７、２８に接続されていたが、共通の端子は、入力端子であってもよく、他の信号端子であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係る弾性波装置は、共振エネルギーの損失を低減することにより、挿入損失を低減することができる。主として移動体通信機器に用いられる弾性波フィルタ等において有用である。
【符号の説明】
【００７２】
１，２１  弾性波装置
２，２２  圧電基板
３，２３  低域側フィルタ
４，２４  高域側フィルタ
５，６，２５，２６  入力端子
７，８，２７，２８  出力端子
９，１０，１１，１２，２９，３０，３１，３２  弾性波共振器
１５，１６，３３，３５  ＩＤＴ
１３Ａ，１３Ｂ，１４Ａ，１４Ｂ，３４Ａ，３４Ｂ，３６Ａ，３６Ｂ  反射器
３７  第１の領域
３８  第２の領域
３９  第３の領域
４０  第４の領域
４１  第５の領域
４２  第６の領域
４３  第７の領域
４４  第８の領域
【図１】
2013136757.tif 000003
【図２Ａ】
2013136757.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013136757.tif 000008
【図６】
2013136757.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
2013136757.tif 000012
【図１０】
2013136757.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおいて、ＩＤＴ３３から遠い側に高域側通過帯域を含む反射帯域を有する第２の領域３８を設けたことにより、高域側通過帯域の電気信号の一部が低域側フィルタ２３に分岐して流れ込んでも、第２の領域３８で反射することができる。よって、本実施の形態は、電気信号のエネルギーが反射器３４Ａの外に散逸するのを防止することができる。そして、この構成では、反射された電気エネルギーは高域側フィルタ２４に戻ってくるため、高域側フィルタ２４の挿入損失を低減することができる。そして、低域側フィルタ２３の反射器３４Ａにおいて、低域側通過帯域を含む反射帯域を有する第１の領域３７をＩＤＴ３３に近接させて配置したことにより、低域側通過帯域における低域側フィルタ２３の通過特性を劣化させることなく良好に確保することができる。そして、第２の領域３８において、ＩＤＴ３３に近い側を第３の領域３９、ＩＤＴ３３から遠い側を第４の領域４０として、第４の領域４０の反射帯域を第３の領域３９の反射帯域よりも低域側に設けることにより、低域側フィルタ２３の通過帯域における挿入損失と、高域側フィルタ２４の通過帯域における挿入損失とをバランスよく良好に低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成される低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、
前記圧電基板上に形成され、前記低域側通過帯域よりも高い高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、
前記低域側フィルタと前記高域側フィルタに接続される端子と
を備え、
前記低域側フィルタは、前記端子に接続される第１の弾性波共振器を有し、
前記第１の弾性波共振器は、一対の反射器の間に複数のインタデジタルトランスデューサを配置して構成され、
前記一対の反射器のうち少なくとも１つの反射器は、第１の領域と第２の領域を有し、
前記第２の領域は、第３の領域と第４の領域を有し、
前記第１の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第２の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第３の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第４の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第１の領域の反射帯域は、前記低域側通過帯域を包含し、
前記第２の領域の反射帯域は、前記高域側通過帯域を包含し、
前記第４の領域の反射帯域の中心周波数は、前記第４の領域の反射帯域と前記第３の領域の反射帯域とが重なり合うように前記第３の領域の反射帯域の中心周波数より低くされる弾性波装置。
【請求項２】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成される低域側通過帯域を有する低域側フィルタと、
前記圧電基板上に形成され、前記低域側通過帯域よりも高い高域側通過帯域を有する高域側フィルタと、
前記低域側フィルタと前記高域側フィルタに接続される端子と
を備え、
前記高域側フィルタは、前記端子に接続される第１の弾性波共振器を有し、
前記第１の弾性波共振器は、一対の反射器の間に複数のインタデジタルトランスデューサを配置して構成され、
前記一対の反射器のうち少なくとも１つの反射器は、第１の領域と第２の領域を有し、
前記第２の領域は、第３の領域と第４の領域を有し、
前記第１の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第２の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第３の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサに近い側に位置し、
前記第４の領域は前記複数のインタデジタルトランスデューサから遠い側に位置し、
前記第１の領域の反射帯域は、前記高域側通過帯域を包含し、
前記第２の領域の反射帯域は、前記低域側通過帯域を包含し、
前記第４の領域の反射帯域の中心周波数は、前記第４の領域の反射帯域と前記第３の領域の反射帯域とが重なり合うように前記第３の領域の反射帯域の中心周波数より高くされる弾性波装置。
【請求項３】
前記第１弾性波共振器は、直接、前記端子に接続される請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記低域側フィルタは、更に第２の弾性波共振器を備える請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記高域側フィルタは、更に第２の弾性波共振器を備える請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第２の弾性波共振器は、前記第１の弾性波共振器に接続されている請求項４または５に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記第４の領域の反射帯域が前記第３の領域の反射帯域よりも低域側に設けられる請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記第４の領域の反射帯域が前記第３の領域の反射帯域よりも高域側に設けられる請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記第３の領域と前記第４の領域の格子電極のピッチを設定することにより前記第２の領域の反射帯域を設定することができる請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第３の領域および前記第４の領域の反射帯域はそれぞれ、各領域の格子電極の平均ピッチで代表される請求項１または２に記載の弾性波装置。
【国際調査報告】
2013136757.tif 000014
2013136757.tif 000015
2013136757.tif 000016
2013136757.tif 000017