(57)【要約】  半導体素子と該半導体素子とは最適動作温度が異なる素子とが搭載されたマウントと、ヒートシンクとして機能してマウントを支持する基板とを備えた半導体モジュールを構成するにあたり、半導体素子が搭載された第１ブロックと、第２ブロックと、半導体素子とは最適動作温度が異なる素子と該素子の温度を制御する能動型の温度制御器とが搭載された第３ブロックとの３つのブロックにマウントを分割して、基板に第１ブロックを接合し、第１ブロックに第２ブロックを接合し、第２ブロックに第３ブロックを接合し、第１ブロックと第２ブロックとの間の熱抵抗および第２ブロックと第３ブロックとの間の熱抵抗の少なくとも一方を第１ブロックと基板との間の熱抵抗よりも大きくすることで、上記の半導体素子の温度と上記の素子の温度とを少ない消費電力の下に制御し易くする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と該半導体素子と最適動作温度が異なる素子とが搭載されたマウントと、ヒートシンクとして機能して前記マウントを支持する基板とを備え、
前記マウントは、前記半導体素子が搭載された第１ブロックと、第２ブロックと、前記半導体素子とは最適動作温度が異なる素子と該素子の温度を制御する能動型の温度制御器とが搭載された第３ブロックとの３つのブロックに分割され、前記基板に前記第１ブロックが接合され、該第１ブロックに前記第２ブロックが接合され、該第２ブロックに前記第３ブロックが接合されており、
前記第１ブロックと前記第２ブロックとの間の熱抵抗および前記第２ブロックと前記第３ブロックとの間の熱抵抗の少なくとも一方は、前記第１ブロックと前記基板との間の熱抵抗よりも大きいことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
前記第２ブロックでの前記第１ブロック側の面の面積は、前記第１ブロックでの前記第２ブロック側の面の面積よりも狭いことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記第２ブロック内が空洞化されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
前記第２ブロックの熱伝導率は、前記第１ブロックの熱伝導率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
前記第３ブロックの熱伝導率は、前記第１ブロックの熱伝導率よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
前記基板と前記第１ブロック、前記第１ブロックと前記第２ブロック、および前記第２ブロックと前記第３ブロックとは、それぞれ接合材により接合されており、
前記基板と前記第１ブロックとを互いに接合する第１の接合材の熱伝導率は、前記第１ブロックと前記第２ブロックとを互いに接合する第２の接合材および前記第２ブロックと前記第３ブロックとを互いに接合する第３の接合材の少なくとも一方の熱伝導率よりもよりも低い、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
前記半導体素子と前記第１ブロック、前記半導体素子とは最適動作温度が異なる素子と前記第３ブロック、および前記温度制御器と前記第３ブロックとは、それぞれ、前記第２の接合材および前記第３の接合材の少なくとも一方よりも熱伝導率の高い接合材により接合されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
前記第３ブロック上に前記温度制御器が搭載され、該温度制御器上に前記半導体素子とは最適動作温度が異なる素子が搭載され、
前記第３ブロックと前記温度制御器、および前記温度制御器と前記素子とは、それぞれ、前記第２の接合材および前記第３の接合材の少なくとも一方よりも熱伝導率の高い接合材により接合されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体モジュール。
【請求項９】
前記半導体素子は半導体レーザ素子であり、
前記半導体素子とは最適動作温度が異なる素子は波長変換素子である、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
前記第２ブロック上に搭載された素子を有し、該素子は能動型の温度制御器による温度制御が不要であることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子と、該半導体素子とは異なる最適動作温度を有する素子とを有する半導体モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最適動作温度が互いに異なる２つの素子、例えば半導体レーザ素子と光変調素子とを備えた半導体モジュールでは、該半導体モジュールの高性能化を図るために、最適動作温度が異なる素子毎にヒータやペルチェ素子等の能動型の温度制御器を設けて、各素子の温度を該素子の最適動作温度にできるだけ近づけている。【０００３】
例えば特許文献１に記載された変調器集積半導体レーザでは、半導体レーザで構成されるレーザ部と光変調器を有する光変調部とが半導体基板上に形成され、レーザ部の温度調整を独立して行う第１温度調整部と、光変調部の温度調整を独立して行う第２温度調整部とが上記の半導体基板の裏面側にサブマウントを介して接合されている。第１温度調整部および第２温度調整部の各々としては、具体的にはペルチェクーラが用いられる。この変調器集積半導体レーザでは、上記の半導体基板のうちでレーザ部と光変調部との間に位置する領域に必要に応じて溝を形成して、レーザ部と光変調部の間の熱的干渉を低減させている。【０００４】
また、特許文献２に記載された半導体レーザ装置では、ケースに収納された半導体レーザ素子と電界吸収型半導体光変調器素子とに、各々独立に制御可能な温度制御手段が設けられている。個々の温度制御手段は、温度制御の対象となる素子の下面に直接もしくは加熱手段を介して接してケース内に配置されるか、またはケースの外側に配置される。ケースの外側に温度制御手段を配置する場合には、ケースの内側底面上に熱伝導材料からなる熱伝達手段を介して各素子が配置され、ケースの外側底面上に温度制御手段が配置される。各温度制御手段は、ケースの底板部および熱伝達手段を介して、温度制御対象の素子と熱的に接続される。個々の温度制御手段としては具体的には熱電冷却素子が用いられる。
【特許文献１】特開２００１−８５７８１号公報（第００４９，００５５段、図１０、および図１１参照）
【特許文献２】特開２０００−２２８５５６号公報（第００３７段および図４参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された変調器集積半導体レーザや特許文献２に記載された半導体レーザ装置では、最適動作温度が互いに異なる２つの素子が同一の半導体基板上ないし部材（ケースの底板）上に配置されるので、たとえ特許文献１に記載された溝を半導体基板もしくはケースの底板に形成したとしても、一方の素子から他方の素子への熱伝導が比較的起こり易い。すなわち、各温度調整部間での熱的干渉または各温度制御手段間での熱的干渉が起こり易い。【０００６】
そのため、個々の温度調整部または温度制御手段の出力を上げて各素子を最適動作温度に保つこととなり、消費電力が大きくなる。各素子の温度を能動型の温度制御器（温度調整部または温度制御手段）により制御するという点からも、消費電力が大きくなる。【０００７】
この発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、半導体素子と該半導体素子とは最適動作温度が異なる素子とを有し、これらの素子の温度を少ない消費電力の下に制御し易い半導体モジュール得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するこの発明の半導体モジュールは、半導体素子と該半導体素子と最適動作温度が異なる素子とが搭載されたマウントと、ヒートシンクとして機能して前記マウントを支持する基板とを備え、マウントは、半導体素子が搭載された第１ブロックと、第２ブロックと、半導体素子とは最適動作温度が異なる素子と該素子の温度を制御する能動型の温度制御器とが搭載された第３ブロックとの３つのブロックに分割され、基板に第１ブロックが接合され、該第１ブロックに第２ブロックが接合され、該第２ブロックに第３ブロックが接合されており、第１ブロックと第２ブロックとの間の熱抵抗および第２ブロックと第３ブロックとの間の熱抵抗の少なくとも一方は、第１ブロックと基板との間の熱抵抗よりも大きいことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の半導体モジュールでは、ヒートシンクとして機能する基板に第１ブロックを接合するので、当該第１ブロックに搭載されている半導体素子については、モジュール内に能動型の温度制御器を配置しなくても温度制御することが可能である。また、第１ブロックが基板に接合され、第３ブロックは第２ブロックを介して第１ブロックに接合されており、かつ第１ブロックと第２ブロックとの間の熱抵抗および第２ブロックと第３ブロックとの間の熱抵抗の少なくとも一方は、第１ブロックと基板との間の熱抵抗よりも大きいので、第３ブロックに搭載された素子と第１ブロックに搭載された半導体素子との間での熱的干渉を容易に防止することができる。【００１０】
したがって、この発明によれば、半導体素子と該半導体素子とは最適動作温度が異なる素子とを有し、これらの素子の温度を少ない消費電力の下に制御し易い半導体モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、この発明の半導体モジュールの一例を概略的に示す側面図である。
【図２】図２は、この発明の半導体モジュールのうちで、第２ブロック内が空洞化されているものの一例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、この発明の半導体モジュールのうちで、第２ブロックに凹部が設けられているものの一例を概略的に示す側面である。
【図４】図４は、この発明の半導体モジュールのうちで、第３ブロックに温度制御器と該温度制御器により温度制御される素子とが積層配置されているものの一例を概略的に示す側面図である。
【図５】図５は、この発明の半導体モジュールのうちで、能動型の温度制御器による温度制御が不要な素子が第２ブロックに搭載されているものの一例を概略的に示す側面図である。
【符号の説明】
【００１２】
１  第１ブロック
３  接合材
５  半導体素子
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｄ  第２ブロック
１３  接合材
１５  能動型の温度制御器による温度制御が不要な素子
２０  第３ブロック
２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ  接合材
２５  半導体素子とは最適動作温度が異なる素子
２７  温度制御器
３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ  マウント
３５ａ  第１の接合材
３５ｂ  第２の接合材
３５ｃ  第３の接合材
４０  基板
５０，５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ  半導体モジュール
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の半導体モジュールの実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、この発明は下記の実施の形態に限定されるものではない。【００１４】
実施の形態１．
図１は、この発明の半導体モジュールの一例を概略的に示す側面図である。同図に示す半導体モジュール５０は、第１ブロック１と第２ブロック１０と第３ブロック２０との３つのブロックに分割されたマウント３０と、該マウント３０を支持する基板４０とを備えている。【００１５】
上記の第１ブロック１の上面には接合材３により半導体素子５が固定されて、当該第１ブロック１に搭載されている。第１ブロック１は平板状の部材であり、例えば銅系材料により形成されてヒートシンクとして機能する。接合材３としては、例えば銀微粒子が分散されたエポキシ系接着剤（以下、「銀エポキシ接着剤」という）やはんだ等、有機系接合材（有機−無機複合材料系接合材を除く。以下同じ。）よりも熱伝導率の高いものが用いられる。半導体素子５は、例えば半導体レーザ素子等である。【００１６】
この第１ブロック１は、その側面のうちで面積が最大の１対の側面の一方を基板４０側に向けて、第１の接合材３５ａにより基板４０の主面４０ａに接合されている。第１の接合材３５ａとしては、上記接合材３と同様に、有機系接合材よりも熱伝導率の高いものが用いられる。【００１７】
第２ブロック１０は平板状を呈し、第１ブロック１よりも小形である。第２ブロック１０の側面のうちで面積が最大の１対の側面それぞれの面積は、第１ブロック１の側面のうちで面積が最大の１対の側面それぞれでの面積よりも狭い。当該第２ブロック１０は、例えば銅系材料により作製することもできるが、半導体モジュール５０の消費電力を抑えるという観点からは、第１ブロック１よりも熱伝導率の低い金属材料ないし合金材料、例えば鉄系材料により作製することが好ましい。【００１８】
この第２ブロック１０は、その側面のうちで面積が最大の１対の側面の一方を第１ブロック１側に向けて、第２の接合材３５ｂにより第１ブロック１に接合されている。第２の接合材３５ｂとしては、前述した第１の接合材３５ａと同様のものを用いることもできるが、半導体モジュール５０の消費電力を抑えるという観点からは熱伝導率の低いもの、例えば有機系接合材を用いることが好ましい。【００１９】
第３ブロック２０は平板状を呈し、その上面には接合材２３ａにより素子２５が固定されて、当該第３ブロック２０に搭載されている。また、第３ブロック２０の側面のうちで面積が最大の１対の側面の一方には、接合材２３ｂにより温度制御器２７が固定されて、当該第３ブロック２０に搭載されている。第３ブロック２０は第２ブロック１０よりも大形であり、該第３ブロック２０の側面のうちで面積が最大の１対の側面それぞれの面積は、第２ブロック１０の側面のうちで面積が最大の１対の側面それぞれの面積よりも広い。この第３ブロック２０は、例えば、銅系材料や該銅系材料よりも熱伝導率が低い金属材料ないし合金材料（例えばステンレス鋼等の鉄系材料）等により作製される。【００２０】
上記の素子２５または温度制御器２７を第３ブロック２０に固定する接合材２３ａ，２３ｂとしては、例えば銀エポキシ接着剤やはんだ等、有機系接合材よりも熱伝導率の高いものが用いられる。素子２５は、半導体素子５とは最適動作温度が異なる素子である。また、温度制御器２７としては、素子２５の最適動作温度に応じて、ヒータ等の加熱器やペルチェ素子等の冷却器が用いられる。例えば、素子２５として波長変換素子を用いる場合には、温度制御器２７としてペルチェ素子等の冷却器を用いることができる。温度制御器２７は、図示を省略した外部回路に接続されて動作制御される。【００２１】
この第３ブロック２０は、その側面のうちで面積が最大の１対の側面の他方、すなわち温度制御器２７が搭載されている側面とは反対側の側面を第２ブロック１０側に向けて、第３の接合材３５ｃにより第２ブロック１０に接合されている。第３の接合材３５ｃとしては、前述した第１の接合材３５ａと同様のものを用いることもできるが、半導体モジュール５０の消費電力を抑えるという観点からは熱伝導率の低いもの、例えば有機系接合材を用いることが好ましい。【００２２】
第１〜第３ブロック１，１０，２０の３つのブロックに分割されたマウント３０を支持する基板４０は、第１ブロック１よりも大形であり、ヒートシンクとして機能する。必要に応じて、この基板４０にはステムとしての機能が付与される。例えば、基板４０全体が銅や銅タングステン等の銅系材料により作製される。貫通孔を有する鉄系材料製の第１部材と、該第１部材での貫通孔に圧入された銅系材料製の第２部材とにより基板４０を作製することもできる。【００２３】
このような構成を有する半導体モジュール５０では、第２ブロック１０での第１ブロック１側の面の面積が第１ブロック１での第２ブロック１０側の面の面積よりも狭いので、第１ブロック１と第２ブロック１０との間の熱抵抗は、第１ブロック１と基板４０との間の熱抵抗よりも大きい。同様に、第２ブロック１０での第３ブロック２０側の面の面積が第１ブロック１での第２ブロック１０側の面の面積よりも狭いので、第２ブロック１０と第３ブロック２０との間の熱抵抗は、第１ブロック１と基板４０との間の熱抵抗よりも大きい。そして、第１ブロック１のみが基板４０に接合され、第３ブロック２０は第２ブロック１０を介して第１ブロック１に接合されている。【００２４】
このため、第１ブロック１と第３ブロック２０との間での熱伝導性は、第１ブロック１と基板４０との間での熱伝導性よりも低い。その結果として、半導体モジュール５０では、第１ブロック１に搭載された半導体素子５と第３ブロック２０に搭載された素子２５との間での熱的干渉が防止される。温度制御器２７の出力を抑えても、素子２５の温度を最適動作温度に制御し易い。【００２５】
また、ヒートシンクとして機能する基板４０に第１ブロック１が接合されているので、第１ブロック１に搭載された半導体素子５については、モジュール５０内に半導体素子５用の能動型の温度制御器を配置しなくても、温度制御することが可能である。例えば、半導体モジュール５０の外部に設けたヒートパイプやフィン、あるいはペルチェ素子等を用いて半導体素子５の温度を制御することができる。【００２６】
これらのことから、半導体モジュール５０では少ない消費電力の下に半導体素子５および素子２５それぞれの温度を最適動作温度に制御し易い。第２ブロック１０を第１ブロック１よりも熱伝導率の低い材料で形成すれば、上述の熱的干渉を更に防止し易くなるので、消費電力を更に抑え易くなる。また、第１ブロック１と第２ブロック１０とを互いに接合する第２の接合材３５ｂ、または第２ブロック１０と第３ブロック２０とを互いに接合する第３の接合材３５ｂとして、第１ブロック１と基板４０とを互いに接合する第１の接合材３５ａよりも熱伝導率の低いものを使用することによっても上記の熱的干渉を更に防止し易くなるので、消費電力を更に抑え易くなる。【００２７】
実施の形態２．
この発明の半導体モジュールにおいては、第１ブロックと第３ブロックとの間に介在する第２ブロック内を空洞化したり、第２ブロックでの第１ブロック側または第３ブロック側に少なくとも１つの凹部（大形の溝を含む）を設けたりすることで、第１ブロックと第３ブロックとの間の熱抵抗を高めてもよい。【００２８】
図２は、第２ブロックが空洞化されている半導体モジュールの一例を概略的に示す断面図であり、図３は、第２ブロックに凹部が設けられている半導体モジュールの一例を概略的に示す側面である。これら図２または図３に示す構成部材のうちで図１に示した構成部材と共通するものについては、図１で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。【００２９】
図２に示す半導体モジュール５０Ａは、図１に示した第２ブロック１０に代えて第２ブロック１０Ａを有するマウント３０Ａを備えているという点を除き、図１に示した半導体モジュール５０と同様の構成を有している。上記の第２ブロック１０Ａは、内部に空洞Ｈが形成されている。この第２ブロック１０Ａの外形寸法は図１に示した第２ブロック１０の外形寸法よりも大きいが、内部が空洞化されているので、その熱伝導性は空洞Ｈがない場合に比べて低い。そのため、半導体モジュール５０Ａでは、第１ブロック１と第２ブロック１０Ａとの間の熱抵抗の方が第１ブロック１と基板４０との間の熱抵抗よりも大きくなっている。【００３０】
図３に示す半導体モジュール５０Ｂは、図１に示した第２ブロック１０に代えて第２ブロック１０Ｂを有するマウント３０Ｂを備えているという点を除き、図１に示した半導体モジュール５０と同様の構成を有している。上記の第２ブロック１０Ｂは凹部Ｒを有しており、該凹部Ｒでの上側開口端を第１ブロック１側に向けて第２の接合材３５ｂにより第１ブロック１に接合されている。第２ブロック１０Ｂの外形寸法は図１に示した第２ブロック１０の外形寸法よりも大きいが、凹部Ｒを有しているので、その熱伝導性は凹部Ｒがない場合に比べて低い。そのため、半導体モジュール５０Ｂでは、第１ブロック１と第２ブロック１０Ｂとの間の熱抵抗の方が第１ブロック１と基板４０との間の熱抵抗よりも大きくなっている。【００３１】
上述のように構成された半導体モジュール５０Ａ，５０Ｂでも、実施の形態１で説明した半導体モジュール５０におけるのと同様の理由から半導体素子５と素子２５との間での熱的干渉が防止されるので、少ない消費電力の下に当該半導体素子５および素子２５それぞれの温度を最適動作温度に制御することが容易である。【００３２】
実施の形態３．
この発明の半導体モジュールにおいては、第３ブロックに温度制御器と該温度制御器により温度制御される素子（半導体素子とは最適動作温度が異なる素子）とを積層配置することもできる。この場合、温度制御器による素子の温度制御を効率よく行うという観点から、第３ブロックは熱伝導率の低い材料によって作製することが好ましい。【００３３】
図４は、第３ブロックに温度制御器と該温度制御器により温度制御される素子とが積層配置されている半導体モジュールの一例を概略的に示す側面図である。同図に示す半導体モジュール５０Ｃは、図１に示した第３ブロック２０に代えて第３ブロック２０Ｃを有するマウント３０Ｃを備えているという点を除き、図１に示した半導体モジュール５０と同様の構成を有している。図４に示す構成部材のうちで図１に示した構成部材と共通するものについては、図１で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。【００３４】
上記の第３ブロック２０Ｃは平板状を呈し、その上面には接合材２３ｃにより温度制御器２７が固定され、該温度制御器２７上に接合材２３ｄにより素子２５が固定されて、これら温度制御器２７および素子２５が第３ブロック２０に搭載されている。温度制御器２７による素子２５の温度制御の効率を高めるために、第３ブロック２０は熱伝導率が低い金属材料ないし合金材料、例えばステンレス鋼等の鉄系材料等により作製される。また、接合材２３ｃとしては有機系接合材等、熱伝導率の低いものが用いられ、接合材２３ｄとしては銀エポキシ接着剤やはんだ等、有機系接合材よりも熱伝導率の高いものが用いられる。【００３５】
このように構成された半導体モジュール５０Ｃでは、実施の形態１で説明した半導体モジュール５０におけるのと同様の理由から半導体素子５と素子２５との間での熱的干渉が防止されるので、少ない消費電力の下に当該半導体素子５および素子２５それぞれの温度を最適動作温度に制御することが容易である。また、温度制御器２７と素子２５とが互いに近接して配置され、これら温度制御器２７と素子２５との間に介在する接合材２３ｄの熱伝導率が高く、第３ブロック２０と温度制御器２７との間に介在する接合材２３ｃおよび第３ブロック２０の熱伝導率が低いことからも、少ない消費電力の下に半導体素子５および素子２５それぞれの温度を最適動作温度に制御することが容易である。【００３６】
実施の形態４．
この発明の半導体モジュールにおいては、能動型の温度制御器による温度制御が不要な素子を第２ブロックに搭載することができる。この場合、第２ブロックがヒートシンクとして機能するように、第２ブロックの熱伝導率、および第２ブロックと第１ブロックとを互いに接合する第２の接合材の熱伝導率をそれぞれ高くすることが好ましい。また、第２ブロックと第３ブロックとの間の熱抵抗が大きくなるように、第３ブロックの熱伝導率、および第２ブロックと第３ブロックとを互いに接合する第３の接合材の熱伝導率をそれぞれ低くすることが好ましい。【００３７】
図５は、能動型の温度制御器による温度制御が不要な素子が第２ブロックに搭載されている半導体モジュールの一例を概略的に示す側面図である。同図に示す半導体モジュール５０Ｄは、図４に示した第２ブロック１０に代えて第２ブロック１０Ｄを備えているという点を除き、図４に示した半導体モジュール５０Ｃと同様の構成を有している。図５に示す構成部材のうちで図４に示した構成部材と共通するものについては、図４で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。【００３８】
上記の第２ブロック１０Ｄは平板状を呈し、その上面には接合材１３により素子１５が固定されて、該素子１５が第２ブロック１０Ｄに搭載されている。第２ブロック１０Ｄは例えば銅系材料により作製されて、ヒートシンクとして機能する。また、接合材１３としては熱伝導率が高いはんだや銀エポキシ接着剤等が用いられ、第２ブロック１０Ｄと第３ブロック２０Ｃとを互いに接合する第３の接合材３５ｃとしては熱伝導率が低い有機系接合材が用いられる。そして、素子１５としては、能動型の温度制御器による温度制御が不要なもの、例えば固体レーザ素子が用いられる。【００３９】
このように構成された半導体モジュール５０Ｄでは、実施の形態３で説明した半導体モジュール５０Ｃにおけるのと同様の理由から半導体素子５と素子２５との間での熱的干渉が防止されると共に、素子２５と素子１５との間での熱的干渉も防止されるので、少ない消費電力の下に半導体素子５、素子１５、および素子２５それぞれの温度を最適動作温度に制御することが容易である。素子１５として固体レーザ素子用のレーザ発振部またはレーザ媒質を用い、所定箇所に固体レーザ素子用のレーザ共振器を配置し、半導体素子５として素子１５用の励起光を発振する半導体レーザ素子を用い、素子２５として波長変換素子を用いれば、所定波長のレーザ光を発振する半導体モジュール（レーザモジュール）を得ることができる。【００４０】
以上、この発明の半導体モジュールについて実施の形態を挙げて説明したが、前述のように、この発明は上述の形態に限定されるものではない。マウントが第１〜第３ブロックの３つのブロックに分割され、基板に固定される第１ブロックと該第１ブロックに第２ブロックを介して接合される第３ブロックとの間の熱抵抗が第１ブロックと基板との間の熱抵抗よりも大きいものであれば、個々のブロックの構造、個々に搭載する素子の種類、ブロック同士を接合する接合材の材質等を適宜変更することができる。また、マウントを基板に支持させるにあたっては、第１ブロックを該第１ブロックの底面で基板に固定し、第１ブロックの側面に第２ブロックを固定し、該第２ブロックの側面に第３ブロックを固定してもよい。この発明の半導体モジュールについては、上述したもの以外にも種々の変形、修飾、組み合わせ等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
この発明は、能動型の温度制御器による温度制御が不要な半導体素子と、能動型の温度制御器による温度制御が必要な素子とを備え、レーザテレビ等の表示装置やレーザプリンタ等の印刷装置等の光源を構成する半導体モジュールや、その他の電子機器ないし光学機器に用いられる半導体モジュールに適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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