(57)【要約】基板（１）と支持体（４）との間に設けられ、支持体（４）を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層（３）を、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いてプラズマＣＶＤ法を実行することにより形成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えた積層体の製造方法であって、
炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により該分離層を形成する分離層形成工程を包含し、
該分離層形成工程では、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いて該プラズマＣＶＤ法を実行することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項２】
上記反応ガスが、フッ化炭素ガスの場合、添加ガスとして炭化水素ガスを含有することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項３】
上記反応ガスが、炭化水素ガスの場合、添加ガスとしてフッ化炭素ガスを含有することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項４】
上記分離層形成工程では、３００℃以下の成膜温度で上記プラズマＣＶＤ法を実行することを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
【請求項５】
上記分離層形成工程では、セラミックによって形成された反応室内において上記プラズマＣＶＤ法を実行することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の積層体の製造方法によって上記積層体を製造する製造工程、
該製造工程の後、上記分離層に対して上記支持体側から光を照射して該分離層を変質させる照射工程、および、
該照射工程の後、上記基板から上記支持体を分離する分離工程、を包含することを特徴とする基板の処理方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項に記載の積層体の製造方法によって製造されたことを特徴とする積層体。
【請求項８】
基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えており、
該分離層は、炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成されたものであり、ＨＢ以上の鉛筆硬度を有することを特徴とする積層体。
【請求項９】
上記反応ガスが、フッ化炭素ガスを含有することを特徴とする請求項８に記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体の製造方法、基板の処理方法および積層体に関するものであり、詳細には、基板、支持体および分離層を備えた積層体の製造方法、当該積層体の製造工程を包含する基板の処理方法、ならびに、当該積層体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、デジタルＡＶ機器およびＩＣカード等の高機能化にともない、搭載される半導体シリコンチップ（以下、チップ）の小型化および薄型化によって、パッケージ内にシリコンを高集積化する要求が高まっている。例えば、ＣＳＰ（chip size package）またはＭＣＰ（multi-chip package）に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路において、薄型化が求められている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを２５〜１５０μｍの範囲にまで薄くする必要がある。【０００３】
しかし、チップのベースになる半導体ウエハ（以下、ウエハ）は、研削することにより肉薄になるため、その強度が低下して、ウエハにクラックまたは反りが生じ易くなる。また、薄板化によって強度が低下したウエハを自動搬送することが困難なため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑であった。【０００４】
そのため、サポートプレートと呼ばれる、ガラス、シリコンまたは硬質プラスチック等からなる板状の部材を、研削するウエハに貼り合わせてウエハの強度を補い、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステムが開発されている。このようなウエハハンドリングシステムによってウエハの強度が補われるので、薄板化したウエハの搬送を自動化することができる。【０００５】
上記ウエハハンドリングシステムでは、ウエハに対しサポートプレートを種々の熱可塑性樹脂または接着剤等を用いて貼り付ける（仮止めする）。そして、サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートをウエハから分離する。【０００６】
このようなウエハに対するサポートプレートの仮止めおよび分離を好適に行う技術として、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１に記載の技術では、被研削基材と、被研削基材と接している接合層と、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と、光透過性支持体とを含み、光熱変換層は、接合層とは反対側の被研削基材の表面を研削した後に、放射エネルギーが照射されたときに分解して、研削後の基材と光透過性支持体とを分離するものである積層体を利用する。上記積層体を利用してウエハ（基材）に対してサポートプレート（支持体）を借り止めした場合、上記光熱変換層に光を照射することにより、容易にウエハとサポートプレートとを分離することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００４−６４０４０号公報（２００４年２月２６日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、光熱変換層をスピンコート法により形成するため、光熱変換層の形成のために時間を要し、また、ランニングコスト、廃液等の問題もある。そのため、上述したような積層体をより好適に製造することができる技術を提供することは非常に有益である。【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、基板に対して支持体を仮止めするための積層体を好適に製造するための技術を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る積層体の製造方法は、基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えた積層体の製造方法であって、炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により該分離層を形成する分離層形成工程を包含し、該分離層形成工程では、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いて該プラズマＣＶＤ法を実行する。【００１１】
本発明に係る積層体は、基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えており、該分離層は、炭化水素ガスおよびフッ化炭素ガスの少なくとも何れかを含有する反応ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成されたものであり、ＨＢ以上の鉛筆硬度を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板、該基板を支持する光透過性の支持体、および、該基板と該支持体との間に設けられ、該支持体を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層を備えた積層体を製造する際に、当該積層体の分離層を好適に形成するための技術を提供することができるとともに、ＨＢ以上の鉛筆硬度を有する分離層を備えた上記積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板の処理方法を説明するための図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る照射工程および分離工程を詳細に説明するための図である。
【図３】プラズマ処理装置の例を模式的に示す図である。
【図４】各モードのプラズマ発生時におけるプラズマ処理装置の外観を示す図であり、（ａ）は、Ｅモードプラズマ発生時を示し、（ｂ）は、Ｈモードプラズマ発生時を示す。
【図５】本明細書における測定方法によって、分離層の鉛筆硬度を測定する様子を模式的に説明する図である。
【図６】本明細書における測定方法によって、分離層の鉛筆硬度を測定した結果の判定例を示す図である。
【図７】分離層の漏れ光量を測定する方法を説明する図である。
【図８】分離層上の、膜厚および漏れ光量を測定する位置を模式的に示す図である。
【図９】プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、成膜速度との関係を示すグラフである。
【図１０】プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の硬さとの関係を示すグラフである。
【図１１】プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の遮光性との関係を示すグラフである。
【図１２】プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフである。
【図１３】プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、成膜速度との関係を示すグラフである。
【図１４】プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の硬さとの関係を示すグラフである。
【図１５】プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の遮光性との関係を示すグラフである。
【図１６】プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフである。
【図１７】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、成膜速度との関係を示すグラフである。
【図１８】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の硬さとの関係を示すグラフである。
【図１９】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフである。
【図２０】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフである。
【図２１】プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、成膜速度との関係を示すグラフである。
【図２２】プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の硬さとの関係を示すグラフである。
【図２３】プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフである。
【図２４】プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフである。
【図２５】種々の条件で形成した分離層の脱ガス性を示すグラフである。
【図２６】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、成膜速度との関係を示すグラフである。
【図２７】プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、積層体の製造方法、基板の処理方法、および積層体を提供する。本発明に係る積層体は、基板を支持体に仮止めするための構造として有用であり、特に用途は限定されないが、例えば、ウエハサポートシステムにおいて、半導体ウエハ（基板）をサポートこのプレート（支持体）に対して仮止めして薄化、裏面配線等を行う基板の処理方法において好適に利用することができる。
【００１５】
本発明者らは、上記積層体の製造方法に関し、独自の発想に基づいて、上記積層体の分離層を、プラズマＣＶＤ法により形成することを検討した。その結果、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いてプラズマＣＶＤ法を実行することにより、一般的なプラズマＣＶＤ法による成膜技術（例えば、特開平１１−２５１３０８号公報に記載の技術）を用いた場合よりも好適に高品質な積層体を製造し得ることを見出し、本発明を完成させた。
【００１６】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る基板の処理方法の各工程を説明する図である。図１に示すように、本実施形態に係る基板の処理方法は、（１）接着層形成工程、（２）分離形成工程、（３）貼付工程、（４）照射工程、（５）分離工程、および、（６）洗浄工程を包含している。このうち、接着層形成工程、分離形成工程および貼付工程によって、本実施形態に係る積層体の製造方法が構成される。以下、各工程について詳細に説明する。
【００１８】
〔１：接着層形成工程〕
図１の（１）は、接着層形成工程を示す。接着層形成工程では、基板１の支持体４によって支持される側に、接着層２を形成する。基板１は、特に限定されないが、例えば、半導体ウエハであり得る。基板１はまた、サポートプレートによる支持が必要なセラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板であってもよい。基板１の支持体４によって支持される側とは、言い換えれば、積層体１０に対する処理（例えば、薄化、裏面配線等）を行う側とは反対側を指し、例えば、所望の素子が形成されている基板１の、素子の形成面であり得る。
【００１９】
（接着層）
接着層２は、基板１を支持体４に接着固定すると同時に、基板１の面を覆って保護する層である。よって、接着層２は、基板１の加工または搬送の際に、支持体４に対する基板１の固定、および基板１の保護すべき面の被覆を維持する接着性および強度を有している。一方で、支持体４に対する基板１の固定が不要になったときに、容易に基板１から剥離または除去することができる必要がある。
【００２０】
したがって、接着層２は、通常は強固な接着性を有しており、何らかの処理によって接着性が低下するか、または特定の溶剤に対する可溶性を有する接着剤によって構成される。接着剤としては、例えばアクリル系、ノボラック系、ナフトキサン系、炭化水素系、スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー系およびポリイミド系などの、当該分野において公知の種々の接着剤が、接着層２を構成する接着剤として使用可能である。接着剤の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、ドクターブレード法、スプレー法、スリットノズルによる塗布法等が挙げられる。
【００２１】
なお、光硬化性樹脂（例えば、ＵＶ硬化性樹脂）以外の樹脂を用いて接着層２を形成することが好ましい。これは、光硬化性樹脂が、接着層２の剥離または除去の後に、被支持基板の微小な凹凸の周辺に残渣として残ってしまう場合があり得るからである。特に、特定の溶剤に溶解する接着剤が接着層２を構成する材料として好ましい。これは、基板１に物理的な力を加えることなく、接着層２を溶剤に溶解させることによって除去可能なためである。接着層２の除去に際して、強度が低下した基板１からでさえ、基板１を破損させたり、変形させたりせずに、容易に接着層２を除去することができる。
【００２２】
本実施形態において、接着層形成工程では、図１の（１）に示すように、基板１の支持体４によって支持される側に、接着剤を塗布する。接着剤は、例えば、溶剤に溶解させた状態で基板１に塗布する。そして、温度を上昇させつつ段階的にベークすることによって接着剤を固化させ、接着層２を形成することができる。
【００２３】
また、他の実施形態において、接着剤を直接基板１に塗布する代わりに、接着剤が両面に予め塗布されているフィルム（いわゆる、両面テープ）を、基板１に貼付してもよい。
【００２４】
〔２：分離層形成工程〕
図１の（２）は、分離層形成工程を示す。分離層形成工程では、支持体４上に分離層３を形成する。なお、接着層形成工程および分離層形成工程は、次に説明する貼付工程の開始までに完了していればよく、両工程を実施する順序は限定されず、両工程を並行して実施してもよい。
【００２５】
（支持体）
まず、支持体４について説明する。支持体４は光透過性を有している。これは、後述する分離工程において、積層体１０の外側から光８を照射したときに、光８に支持体４を通過させて分離層３に到達させることを目的としている。したがって、支持体４は、必ずしもすべての光を透過させる必要はなく、分離層３に吸収されるべき（所望の波長を有している）光を透過させることができればよい。分離層３に吸収されるべき光の波長としては、これに限定されるものではないが、２μｍ以下の波長の光、例えば、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。分離層３に吸収されるべき光の波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の波長の光であり得る。また、別の観点から言えば、分離層３における光の吸収率が、例えば、８０％以上である光を用いることが好ましい。
【００２６】
また、支持体４は、基板１を支持する構成である。よって、支持体４は、基板１を加工および搬送するなどの場合に、基板１の破損または変形などを防ぐために必要な強度を有していればよい。
【００２７】
支持体４の材料としては、ガラスまたはシリコンなどが挙げられるが、上述の目的を果たし得る構成であれば、支持体４として採用し得る。
【００２８】
（分離層）
また、分離層３は、光を吸収することによって変質するようになっている。本明細書において分離層３が「変質する」とは、分離層３を、わずかな外力を受けて破壊され得る状態、または分離層３と接する構成（例えば、支持体４）との接着力が低下した状態にさせる現象を意味する。後述する分離工程において、分離層３は、光の照射を受けて変質することによって、光の照射を受ける前の強度または接着性を失う。よって、わずかな外力を加える（例えば、支持体４を持ち上げるなど）ことによって、分離層３が破壊されて、支持体４と基板１とを容易に分離することができる。
【００２９】
本実施形態において、分離層形成工程では、図１の（２）に示すように、支持体４上に、プラズマＣＶＤ法により分離層３を形成する。
【００３０】
プラズマＣＶＤ法に用いるプラズマ処理装置としては、公知のプラズマ処理装置を用いることができるが、例えば、図３に例示するプラズマ処理装置を用いることができる。図３に例示するプラズマ処理装置４０は、本実施形態において使用可能なプラズマ処理装置の一例であり、反応室４１、コイル電極４２、高周波電源４３、反応ガス供給口４４、および、ベース部４５を備えている。
【００３１】
反応室４１の形状は、特に限定されず、図３に示すように円筒型であってもよいし、その他の形状、例えば、ドーム型であってもよい。反応室４１のサイズは、処理対象の基板１のサイズに応じて適宜選択すればよい。
【００３２】
プラズマ処理装置４０において生じるプラズマには、コイル電極４２に印加される高周波電圧による静電界による容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Conductive Coupled Plasma）と、コイル電極４２に流れる高周波電流により発生する誘導電界による誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupled Plasma）とが存在する。
【００３３】
容量結合主体のプラズマ（Ｅモードプラズマ）は、一般にプラズマ密度が低い場合に発生し、誘導結合主体のプラズマ（Ｈモードプラズマ）は、一般にプラズマ密度が高い場合に発生する。図４（ａ）は、Ｅモードプラズマが発生している様子を示し、図４（ｂ）は、Ｈモードプラズマが発生している様子を示す。ＥモードからＨモードへの遷移はプラズマ密度に依存し、プラズマ密度がある値以上になるとプラズマへのパワーの供給が急激に増大する。この現象は一般に「モードジャンプ」または「密度ジャンプ」と呼ばれている。すなわち、モードジャンプを起こす電力以下で生じているプラズマがＥモードプラズマであり、モードジャンプを起こす電力より大きい電力で生じているプラズマがＨモードプラズマである（例えば、日本国特許公報「特許３８５２６５５号」、日本国特許公報「特許４２７２６５４号」等を参照のこと）。
【００３４】
好ましい実施形態において、Ｈモードプラズマは高密度プラズマであり得る。ここで、高密度プラズマとは、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であるプラズマをいう。
【００３５】
なお、モードジャンプが起きたか否かの判断は、プラズマのイオン密度を測定することによって判断することができる他、図４に示すように、プラズマ処理装置４０の外観からも容易に判断することができる。例えば、図４（ｂ）に示すように、モードジャンプが起きた後では、コイル電極４２の周囲に強力な発光が観察される。
【００３６】
（高周波電力）
ここで、本実施形態では、コイル電極４２に印加する高周波電力を、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定する。これにより、成膜速度、分離層３の硬さ、および、分離層３の遮光性をそれぞれ向上させることができるという驚くべき効果を得ることができる（後述する実施例を参照のこと）。
【００３７】
モードジャンプを起こす電力は、基板の大きさ及び電極の構造に応じて適宜設定すればよいが、例えば１０００〜３０００Ｗの範囲である。
【００３８】
すなわち、本実施形態によれば、成膜速度を向上させることにより、分離層３の形成の時間を短縮することができる。
【００３９】
また、本実施形態によれば、分離層３の硬さを向上させることにより、貼付工程において、分離層３と接着層２とを貼り合わせるときに、分離層３に疵がつくことを抑制することができる。分離層３が疵ついた場合、その後の工程において不具合が生じる場合があるため、分離層３の疵つきを抑制することは非常に有用である。特に、分離層３の鉛筆硬度がＨＢ以上であれば、貼付工程において分離層３に疵がつくことを首尾よく避けることができる。このような硬さを有する分離層３は、一般的なプラズマＣＶＤ法による成膜技術（例えば、日本国特許公開公報「特開平１１−２５１３０８号」に記載の技術）では形成し得ず、本発明を用いて初めて得られるものである。
【００４０】
なお、本明細書において「鉛筆硬度」とは、後述する実施例に説明する測定方法によって測定された硬さを意味し、特定の硬度の鉛筆を用いて、所定の様式に従って、分離層３を引っかいても、分離層３に大きな疵がつかない硬さを意味する。
【００４１】
また、本実施形態によれば、分離層３の遮光性を向上させることにより、照射工程において基板１が損傷することを首尾よく避けることができる。すなわち、後述するように、照射工程では、支持体４を介して分離層３に光８を照射する。分離層３の遮光性を高めることにより、支持体４を介して照射された光８は、分離層３によって遮られ、基板１には到達しない。これにより、基板１に光８が到達することを避け、基板１の構造物が光８によって損傷することを首尾よく避けることができる。
【００４２】
なお、モードジャンプを起こす高周波電力は、プラズマ処理装置４０のサイズ、形状、反応ガスの種類、圧力等によって変化する。そのため、モードジャンプを起こす高周波電力を予め測定する測定工程を実施しておくことが好ましい。測定工程では、例えば、高周波電力を変化させながら、プラズマ処理装置４０の外観を観察するか、反応室４１内のイオン密度を測定することにより、首尾よく、モードジャンプを起こす高周波電力を取得することができる。
【００４３】
（反応ガス）
反応室４１内に供給する反応ガスとしては、フッ化炭素ガスおよび炭化水素ガスの少なくとも何れかを含有するガスを用いることができる。フッ化炭素ガスおよび炭化水素ガスの少なくとも何れかを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法を実行することにより、分離層３を好適に形成することができる。
【００４４】
フッ化炭素ガスの例示としては、ＣｘＦｙおよびＣｘＨｙＦｚが挙げられ（ｘ、ｙおよびｚは自然数）、より詳細には、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ２Ｈ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ８、Ｃ２Ｆ６、Ｃ５Ｆ８等が例示されるが、これらに限定されない。また、炭化水素ガスの例示としては、ＣＨ４等のアルカン類、エチレン等のアルケン類、及びアセチレン等のアルキン類が挙げられる。
【００４５】
また、反応ガスに対して、窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス、アルカン、アルケン、アルキンなどの炭化水素ガス、フッ化炭素ガス、水素、酸素等の添加ガスを１種類以上添加してもよい。添加ガスの添加量は特に限定されないが、例えば、水素を添加する場合には、これに限定されるものではないが、反応ガス全体に対して５％以上、２０％以下の割合で添加することが好ましい。また、酸素は、これに限定されるものではないが、極めて微量を添加するか、または添加しないことが好ましい。
【００４６】
なお、反応ガスは、フッ化炭素ガスを主成分としてもよく、この場合、添加ガスとして炭化水素ガスを含有させることが好ましい。これにより、単に、フッ化炭素ガスのみを原料ガスとして用いた場合に比べ、成膜速度および分離層３の遮光性を向上させることができる。このとき、反応ガス全体に対する炭化水素ガスの含有量は、例えば、５％以上、２０％以下とすることが好ましい。また逆に、反応ガスが、炭化水素ガスを主成分としている場合は、添加ガスとしてフッ化炭素ガスを含有させることが好ましい。なお、主成分とは、反応ガス中において最も含有量（体積％）が多いガスを意味する。
【００４７】
また、不活性ガスを反応ガスに適量添加することにより、原料ガスを好適に攪拌して、分離層３を均一に成膜することもできる。
【００４８】
反応ガスの流量（反応室４１への供給量）は、特に限定されず、種々の条件に設定することができるが、例えば１０〜１０００ｍｌ／ｍｉｎ、具体的には、１００〜５００ｍｌ／ｍｉｎとすることができる。また、反応室４１内の圧力も、特に限定されず、種々の条件に設定することができるが、例えば、０．１〜１５００Ｐａ，好ましくは１〜１００Ｐａ、より好ましくは１０〜７０Ｐａであり、具体的には６７Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ）、７０Ｐａとすることができる。
【００４９】
分離層３の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、０．０５〜１００μｍの膜厚とすることがより好ましく、０．１〜５μｍの膜厚とすることが特に好ましい。分離層形成工程における分離層３の形成時間は、例えば、クリーニング時間を除いて１分〜３０分、好ましくは５分〜２０分、より好ましくは５分〜１５分程度とすることができる。また、プラズマＣＶＤ法による分離層３の形成は、１段階で行ってもよいし、反応ガスの組成等条件を変えた複数の段階により行ってもよい。
【００５０】
なお、分離層形成工程では、分離層３における接着層２に対向する側の面を平坦に形成する（凹凸が形成されていない）ことが好ましい。このような分離層３は、プラズマＣＶＤ法により容易に形成することができる。このような分離層３は、貼付工程において、接着層２と容易に均一に貼り付けることができる。
【００５１】
また、分離層３は、支持体４上に直接形成する必要はない。例えば、他の実施形態では、分離層形成工程において、支持体４上に形成された他の層の上に分離層３が形成され得る。この場合、当該他の層は光を透過する材料から構成されている。これによって、後述する分離工程において分離層３への光の入射を妨げることなく、積層体１０に好ましい性質などを付与する層（他の層）を適宜追加することができる。例えば、当該他の層は、分離層３と支持体４とを接着する接着層であり得る。
【００５２】
なお、分離層３を構成している有機物の種類によって、分離層３を変質させ得る光の波長が異なる場合がある。よって、当該他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層３に吸収されるべき光の波長を透過させることができる材料から適宜選択し得る。
【００５３】
（成膜温度）
また、成膜温度は、種々の観点から選択することができる。なお、本明細書において、成膜温度とは、プラズマＣＶＤ法を実行するために使用するプラズマ処理装置における、支持体４を載置するステージの温度を指す。
【００５４】
すなわち、分離層３の脱ガス性を改善（脱ガス量を低減）させるためには、分離層形成工程における成膜温度を、分離層形成工程よりも後で実施する工程における環境温度よりも高い温度に設定することが好ましい。当該成膜温度をこのように設定することにより、脱ガス性を改善することができる。この場合、成膜温度として、例えば、１２０℃以上とすることができる。
【００５５】
一方、分離層３の成膜速度および得られた分離層３の遮光性を改善させるためには、分離層形成工程における成膜温度を、３００℃以下に設定することが好ましく、１００℃以上、２４０℃以下に設定することがさらに好ましい。当該成膜温度をこの範囲に設定することにより、分離層形成工程における分離層３の成膜速度の向上、得られた分離層３の遮光性の向上といった効果を得ることができる。
【００５６】
（反応室の材料）
なお、反応室４１としては、一般的な、石英からなる反応室を使用することもできるが、セラミックからなる反応室を使用することがより好ましい。石英からなる反応室を使用した場合には、プラズマＣＶＤ法の実行中、反応室を構成する石英がエッチングされて、酸素が発生し、悪影響を及ぼすおそれがある。これに対し、セラミックからなる反応室を使用した場合には、プラズマＣＶＤ法の実行中に酸素が発生することを避け、好適に分離層３を形成することができる。
【００５７】
〔３：貼付工程〕
図１の（３）は、貼付工程を示す。貼付工程では、基板１上に形成された接着層２と、支持体４上に形成された分離層３とを貼付することにより、基板１、接着層２、分離層３および支持体４がこの順に積層されてなる積層体１０を製造する。なお、上述したように、各層の間には、他の層が挿まれていてもよい。
【００５８】
層同士の貼付の手法としては、公知の手法を用いればよいが、例えば、真空中において、２００〜３００℃程度の高温下で加圧して層同士を貼り合わせるといった手法を採ることができる。
【００５９】
なお、本実施形態では、基板１上に接着層２を形成して、分離層３を形成した支持体４と貼り合わせる方法について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、支持体４上に分離層３を形成し、さらに分離層３上に接着層２を形成してから、接着層２と基板１とを貼り合わせてもよい。
【００６０】
また、分離層３が接着層としての機能を兼ねてもよい。すなわち、支持体４上に分離層３を形成してから、分離層３と基板１とを直接貼り合わせることによって、積層体１０を製造してもよい。
【００６１】
以上の工程により、本実施形態に係る積層体１０が製造される。本実施形態に係る基板の処理方法では、積層体１０を製造した後、積層体１０の基板１に対して、薄化、裏面配線等の所望の処理を行った後に、基板１を回収するために、積層体１０を分離する。以下、図１および図２を参照して、続く各工程について説明する。なお、図２は、照射工程および分離工程をより詳細に説明するための図である。
【００６２】
〔４：照射工程〕
図１の（４）および図２の（１）〜（２）は、照射工程を示す。照射工程では、分離層３に対して支持体４側から光８を照射して分離層３を変質させる。分離層３に照射する光８としては、分離層３が吸収可能な波長に応じて、例えば、ＹＡＧレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＬＤレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、ＣＯ２レーザ、エキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。分離層３に吸収されるべき光の波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、６００ｎｍ以下の波長の光であり得る。また、別の観点から言えば、分離層３における光の吸収率が６０％以上、より好ましくは８０％以上である光を用いることが好ましい。
【００６３】
なお、光８の照射方向は、図２の（１）に示すように分離層３の面に対して垂直な方向から照射してもよく、斜めに照射してもよい。また、光８の照射は、分離層３のほぼ全面に対して一斉に照射してもよいが、分離層３の面内を走査するように照射してもよい。
【００６４】
なお、光８を支持体４側から照射するのは、光８が基板１の構造物に影響を与えることを避けるためである。光８を支持体４側から照射することにより、光８が分離層３に吸収され、光８が基板１に到達することを避けることができる。
【００６５】
そして、上述したように、分離層３は、光が照射されることによって変質するようになっている。それゆえ、照射工程が完了すると、図２の（２）に示すように、分離層３は変質して分離層３’となる。
【００６６】
〔５：分離工程〕
図１の（５）および図２の（３）は、分離工程を示す。分離工程では、基板１から支持体４を分離する。照射工程によって変質した分離層３’は、その強度が著しく低下している。したがって、例えば、わずかな外力を加えて支持体４を引き上げることによって、分離層３’が容易に破壊されて、支持体４を基盤１から分離することができる。
【００６７】
なお、図２の（３）では、分離が支持体４と分離層３との界面で起きるように描かれているが、分離の位置はこれに限定されず、分離が分離層３と接着層２との界面で起きることもあり得る。
【００６８】
〔６：洗浄工程〕
図１の（６）は、洗浄工程を示す。洗浄工程では、支持体４が分離された基板１上に残った接着層２を除去する。接着層２の除去は、例えば、接着層２に、接着層２を溶解させる溶剤を噴霧することにより行うことができる。これにより、接着層２が除去された基板１を得ることができる。
【００６９】
ここで、支持体４の分離後、接着層２に分離層３’の残りが付着している場合がある。少量の分離層３’が付着しているだけであれば、上述のように接着層２を溶解させる溶剤を噴霧することにより、接着層２とともに除去することができる。また、分離層３’を溶解させる溶剤をます噴霧し、その後に、接着層２を溶解させる溶剤を噴霧するようにしてもよい。
【００７０】
以上、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲において種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００７１】
本発明は、以下の実施例によってさらに詳細に説明されるが、これに限定されるべきではない。
【実施例】
【００７２】
〔実施例１〕
（１：成膜条件）
まず、８インチ基板用のプラズマ処理装置に、ダミーのシリコン基板をセットして、Ｏ２プラズマアッシングを用い、反応室のクリーニングを１０分間行った。なお、プラズマ処理装置の反応室は石英製のものを使用した。また、プラズマ処理装置のコイル電極は３ターンのものを使用した。続いて、支持体４として用いる８インチのガラス基板をプラズマ処理装置にセットし、Ｏ２プラズマアッシングを用い、支持体４の洗浄及び製膜前加熱を５分間行った。その後、表１に示す各条件で分離層３を成膜した。なお、表１に示す各条件は、反応ガスとして流量２００ｓｃｃｍのＣ４Ｆ８を用い、圧力を５００ｍＴｏｒｒとし、高周波電力を１５００Ｗとし、成膜温度を２４０℃とした場合を標準条件とし、これに対して、個別の要素を変化させたものである。なお、電力を１２００Ｗとした条件では、放電が不安定であったために、時間が短くなっている。【００７３】
【表１】
2012176607.tif 000003
【００７４】
（２：成膜速度の評価）
成膜中の分離層３について、光干渉式膜厚測定装置を用いて、膜厚を測定し、成膜速度を測定した。成膜速度の測定は、図８に示す１〜９の各位置について行い、平均値を算出した。結果は後述する。【００７５】
（３：分離層の硬さの評価）
図５に示す測定方法により、形成された分離層３の鉛筆硬度を測定した。図５に示すように、鉛筆保持具５１が、分離層３に対して４５度の角度で鉛筆５０の先端が当たるように鉛筆５０を保持し、鉛筆５０に対して分離層３に向かって７５０ｇの荷重をかけるようにした。この状態で、鉛筆５０を、１０ｍｍ／ｓの速度で７０ｍｍの範囲を移動させた。その結果、分離層３に大きな疵がついているか否かを判定した。そして、鉛筆５０の硬度を変え、分離層３に大きな疵をつけない、最も高い硬度を測定対象の分離層３の鉛筆硬度とした。得られた鉛筆硬度を表２に基づいて数値化した。【００７６】
【表２】
2012176607.tif 000004
【００７７】
図６に判定例を示す。図６の１）に示すように、「Ｂ」の鉛筆５０を用いたときは、分離層３に大きな疵がなく、「ＨＢ」の鉛筆５０を用いたときは、分離層３に大きな疵がある場合には、鉛筆硬度はＢとなり、硬さを５と評価した。また、図６の２）に示すように、「ＨＢ」の鉛筆５０を用いたときは、分離層３に大きな疵がなく、「Ｈ」の鉛筆５０を用いたときは、分離層３に大きな疵がある場合には、鉛筆硬度はＨＢとなり、硬さを６と評価した。結果は後述する。【００７８】
（４：分離層の遮光性の評価）
図７に示すように設置した測定系により、分離層の漏れ光量を測定した。漏れ光量が少ないほど、遮光性が高い。図７に示すように、レーザ光源６０から、波長５３２ｎｍ、パルス４０ｋＨｚ、出力１８００ｍＷのレーザ６１を、分離層３が形成された支持体４の支持体４側から入射させ、透過した光の量（漏れ光量）をセンサ６２によって測定した。なお、分離層３上には、予め、ダミー接着剤（炭化水素系接着剤）８０μｍを塗布した。レーザ光源６０と分離層３との間の距離は３５０ｍｍとし、分離層３とセンサ６２との間の距離は６０ｍｍとした。漏れ光量の測定は、図８に示す各位置について行い、併せて、膜厚あたりの漏れ光量の平均値を算出した。結果は後述する。なお、支持体４のみを測定したときの漏れ光量は約２００ｍＷとなった。【００７９】
（５：モードジャンプについての検討）
コイル電極に印加する高周波電流を変化させ、モードジャンプを起こす電力を調べたところ、表３に示すように、１２７０Ｗ〜１３００Ｗにおいて、モードジャンプが起きていることが分かった。【００８０】
【表３】
2012176607.tif 000005
【００８１】
図９は、プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、成膜速度との関係を示すグラフであり、縦軸は成膜速度（オングストローム／ｍｉｎ）を示し、横軸は高周波電力（Ｗ）を示す。図９に示すように、モードジャンプを起こす電力より大きい電力（１３００Ｗ以上）において、大きく成膜速度が向上していた。【００８２】
図１０は、プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の硬さとの関係を示すグラフであり、縦軸は上述した測定方法で測定した分離層の硬さを示し、横軸は高周波電力（Ｗ）を示す。図１０に示すように、モードジャンプを起こす電力より大きい電力（１３００Ｗ以上）において、大きく分離層３の硬さが向上しており、貼付工程において分離層３への疵を首尾よく避けられる硬さ６（鉛筆硬度ＨＢ）以上の硬さの分離層３を形成することができた。【００８３】
また、モードジャンプを起こす前の電力（＜１３００Ｗ）では、分離層３は疎な膜となり、支持体４への密着性が低く、パーティクルが多く発生していた。【００８４】
図１１は、プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は膜厚当たりの漏れ光量の平均値（ｍＷ／オングストローム）を示し、横軸は高周波電力（Ｗ）を示す。また、図１２は、プラズマＣＶＤ法実行時における高周波電力と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は各位置における漏れ光量（ｍＷ）を示し、横軸は高周波電力（Ｗ）を示す。図１１および図１２に示すように、モードジャンプを起こす電力より大きい電力（１３００Ｗ以上）において、大きく分離層３の遮光性が向上していた。特に、分離層３の外周部では、モードジャンプを起こす前の電力（＜１３００Ｗ）では、ほぼ５０％のレーザが透過するのに対して、モードジャンプを起こす電力より大きい電力（１３００Ｗ以上）では、２０％以下に抑えることができた。【００８５】
以上のように、モードジャンプを起こす電力より大きい電力を用いてプラズマＣＶＤ法を実行することにより、成膜速度、分離層３の硬さ、および、分離層３の遮光性を夫々向上させることができることが分かった。【００８６】
（６：成膜温度についての検討）
図１３は、プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、成膜速度との関係を示すグラフであり、縦軸は成膜速度（オングストローム／ｍｉｎ）を示し、横軸は成膜温度（支持体４を載置するステージの温度）を示す。図１３に示すように、成膜温度が低いほど（特に１８０℃以下）、成膜速度が向上した。【００８７】
図１４は、プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の硬さとの関係を示すグラフであり、縦軸は上述した測定方法で測定した分離層の硬さを示し、横軸は成膜温度を示す。図１４に示すように、成膜温度によって、分離層３の硬さは殆ど変化しなかった。【００８８】
図１５は、プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は膜厚当たりの漏れ光量の平均値（ｍＷ／オングストローム）を示し、横軸は成膜温度を示す。また、図１６は、プラズマＣＶＤ法実行時における成膜温度と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は各位置における漏れ光量（ｍＷ）を示し、横軸は成膜温度を示す。図１５および図１６に示すように、成膜温度が低いほど（特に１８０℃以下）、遮光性が向上していた。【００８９】
以上のように、成膜温度を低く、特に、１８０℃以下とすることにより、成膜速度、および、分離層３の遮光性を夫々向上させることができることが分かった。【００９０】
（７：炭化水素ガス添加についての検討）
図１７は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、成膜速度との関係を示すグラフであり、縦軸は成膜速度（オングストローム／ｍｉｎ）を示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図１７に示すように、上記成膜条件では、ＣＨ４添加量によって、成膜速度に変化は見られなかった。【００９１】
図１８は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の硬さとの関係を示すグラフであり、縦軸は上述した測定方法で測定した分離層の硬さを示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図１８に示すように、ＣＨ４添加量によって、分離層３の硬さは殆ど変化しなかった。【００９２】
図１９は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は膜厚当たりの漏れ光量の平均値（ｍＷ／オングストローム）を示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。また、図２０は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は各位置における漏れ光量（ｍＷ）を示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図１９および図２０に示すように、上記成膜条件では、ＣＨ４添加量によって、遮光性に変化は見られなかった。【００９３】
以上のように、上記成膜条件では、ＣＨ４添加量による影響は殆ど見られなかった。そこで、プラズマ処理装置を、１２インチ基板用のプラズマ処理装置に替えて、再度、ＣＨ４添加量による影響を検証した。支持体４としては１２インチのガラス基板を用いた。また、当該プラズマ処理装置においてモードジャンプを起こす電力よりも大きい高周波電力（２５００Ｗ）を用いた。その他の条件については、上述した標準条件と同様の条件でプラズマＣＶＤ法を実行した。【００９４】
図２６は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、成膜速度との関係を示すグラフであり、縦軸は成膜速度（オングストローム／ｍｉｎ）を示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図２６に示すように、本成膜条件では、ＣＨ４添加量が増加するほど、成膜速度が向上した。【００９５】
図２７は、プラズマＣＶＤ法実行時におけるＣＨ４添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は膜厚１オングストローム当たりの漏れ光量の平均値（１０−４ｍＷ）を示し、横軸はＣＨ４添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図２７に示すように、上記成膜条件では、ＣＨ４添加量が増加するほど、遮光性が向上した。【００９６】
以上のように、ＣＨ４を添加することにより、成膜速度、および、分離層３の遮光性を夫々向上させ得ることが分かった。【００９７】
（８：酸素の影響についての検討）
図２１は、プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、成膜速度との関係を示すグラフであり、縦軸は成膜速度（オングストローム／ｍｉｎ）を示し、横軸は酸素添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図２１に示すように、上記成膜条件では、酸素を添加することによって、成膜速度が若干減少した。【００９８】
図２２は、プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の硬さとの関係を示すグラフであり、縦軸は上述した測定方法で測定した分離層の硬さを示し、横軸は酸素添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図２２に示すように、酸素添加量によって、分離層３の硬さは殆ど変化しなかった。【００９９】
図２３は、プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は膜厚当たりの漏れ光量の平均値（ｍＷ／オングストローム）を示し、横軸は酸素添加量（ｓｃｃｍ）を示す。また、図２４は、プラズマＣＶＤ法実行時における酸素添加量と、分離層の各位置における遮光性との関係を示すグラフであり、縦軸は各位置における漏れ光量（ｍＷ）を示し、横軸は酸素添加量（ｓｃｃｍ）を示す。図２３および図２４に示すように、上記成膜条件では、酸素添加量によって、遮光性が大きく低下した。【０１００】
以上のように、酸素添加によって、成膜速度、および、分離層３の遮光性が低下した。これについて更なる検討を行った。【０１０１】
まず、形成した分離層３に対して、Ｏ２アッシングを実行し、プラズマスペクトルを測定したところ、ＣＦ２およびＣＯのピークが検出された。この結果は、Ｏ２アッシングにより分離層３がＣＦ２およびＣＯに分解されることを示しており、Ｏ２がプラズマＣＶＤ法に悪影響を与えることを間接的に示している。【０１０２】
次に、石英製の反応室を用い、高周波電力として１５００Ｗおよび１２００Ｗを用い、酸素を添加せずにプラズマＣＶＤ法を実行したときのプラズマスペクトルを測定したところ、モードジャンプを起こす電力（１５００Ｗ）を用いた場合に、Ｏ２およびＣＯのピークが検出された。これは、石英の反応室がエッチングされ、酸素が発生している可能性を示唆している。従って、反応室の材料としては、酸素を発生し得る石英ではなく、セラミックがより好ましいことが分かった。【０１０３】
（９：脱ガス性についての検討）
各条件により形成した分離層３について、脱ガス性を昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）によって測定した。結果を図２５に示す。図１５に示すように、何れの条件で形成した分離層３も、脱ガス性は特に問題とならなかった。【０１０４】
（１０：積層体の分離性の評価）
基板１としては半導体ウエハを用いた。基板１上に炭化水素系接着剤を塗布し、ベークすることにより、接着層２を形成した。このように形成した接着層２と、上述した各条件で形成した分離層３の各々とを、互いに向かい合わせにして貼り合わせることによって、上述した各条件に対応する積層体１０を各々作製した。【０１０５】
作製した各積層体１０の基板１を薄化した後、５３２ｎｍの波長を有するグリーンレーザを、各積層体１０の支持体４側から分離層３に向けて照射した。具体的には、ビーム形状が１６０μｍ、照射ピッチが１６０μｍ、平均出力が１．８Ｗ、送り速度が６０００ｍｍ／ｓｅｃである５３２ｎｍのレーザを、４０ｋＨｚのパルス周波数で積層体１０上に照射した。レーザのスキャン回数は１回とした。【０１０６】
その結果、上述した各条件に対応する積層体１０における分離層３は何れも、レーザ照射を受けて変質しており、支持体４を単に持ち上げるだけで、支持体４は基板１から容易に分離した。また、分離後の支持体４および基板１の表面を目視で観察したところ、基板１上に分離層３が変質した黒色の粉体が若干みられた以外には、残渣はなかった。【０１０７】
〔実施例２〕
１２インチ基板用のプラズマ処理装置に、ダミーの１２インチシリコン基板をセットして、Ｏ２プラズマアッシングを用い、反応室のクリーニングを１０分間行った。なお、プラズマ処理装置の反応室は石英製のものを使用した。また、プラズマ処理装置のコイル電極は３ターンのものを使用した。続いて、支持体４として用いる１２インチのガラス基板をプラズマ処理装置にセットし、Ｏ２プラズマアッシングを用い、支持体４の洗浄及び製膜前加熱を５分間行った。その後、反応ガスとして流量４００ｓｃｃｍのＣ４Ｆ８を用い、圧力を７０Ｐａとし、高周波電力を２８００Ｗとし、成膜温度を２４０℃として、分離層３を形成した。【０１０８】
次に、実施例１の（１０：積層体の分離性の評価）と同じ条件で分離性の評価を行ったところ、支持体４は基板１から容易に分離した。なお、コイル電極に印加する高周波電流を変化させ、モードジャンプを起こす電力を調べたところ、２２００Ｗ〜２８００Ｗにおいて、モードジャンプが起きていることが分かった。また、モードジャンプを起こす電力より大きい電力（２２００Ｗ以上）において、大きく成膜速度が向上していることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明にかかる積層体の製造方法、基板の処理方法および積層体は、基板加工分野に特に利用可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１      基板
２      接着層
３      分離層
４      支持体
８      光
１０      積層体
４０      プラズマ処理装置
４１      反応室
４２      コイル電極
４３      高周波電源
４４      反応ガス供給口
４５      ベース部
５０      鉛筆
５１      鉛筆保持具
６０      レーザ光源
６１      レーザ
６２      センサ
【図１】
2012176607.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図７】
2012176607.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２３】
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【図２４】
2012176607.tif 000023
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2012176607.tif 000026
【図４】
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【図６】
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【図１０】
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【図１４】
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【図１８】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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