(57)【要約】  硬化物の表面のべたつきを抑制でき、かつ硬化物の耐熱性及び冷熱サイクル特性を高めることができる光半導体装置用封止剤を提供する。  本発明に係る光半導体装置用封止剤は、式（１Ａ）又は式（１Ｂ）で表され、かつアルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、式（５１Ａ）又は式（５１Ｂ）で表され、かつ珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率はそれぞれ、８０モル％以上である。    【化１】2013008842.tif 000030
2013008842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、
珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、
ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、
前記第１のオルガノポリシロキサンが下記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが下記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであるか、又は、前記第１のオルガノポリシロキサンが下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであり、
前記第１のオルガノポリシロキサン及び前記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上である、光半導体装置用封止剤。
【化１】
2013008842.tif 000024
前記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【化２】
2013008842.tif 000025
前記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【化３】
2013008842.tif 000026
前記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０、及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【化４】
2013008842.tif 000027
前記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．３０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．７０〜１．０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【請求項２】
封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比が、０．５以上、５．０以下である、請求項１に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項３】
前記封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、封止剤中における前記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比が、０．５以上、２．０以下である、請求項２に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項４】
前記第１のオルガノポリシロキサンが、前記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが前記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項５】
前記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が、２００００以上、１０００００以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項６】
前記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項７】
前記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンが、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【化５】
2013008842.tif 000028
前記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。
【請求項８】
前記第１のオルガノポリシロキサンが前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ前記第２のオルガノポリシロキサンが前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項９】
前記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が、２００００以上、１０００００以下である、請求項１、２、３及び８のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項１０】
前記式（１Ｂ）の第１のオルガノポリシロキサンが、珪素原子に結合した水素原子を有する、請求項１、２、３、８及び９のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【請求項１１】
前記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンが、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位を有する、請求項１、２、３、８、９及び１０のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤。
【化６】
2013008842.tif 000029
前記式（１−ｂ１）中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。
【請求項１２】
光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光半導体装置用封止剤とを備える、光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置において光半導体素子を封止するために用いられる光半導体装置用封止剤に関する。また、本発明は、該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）装置などの光半導体装置の消費電力は低く、かつ寿命は長い。また、光半導体装置は、過酷な環境下でも使用され得る。従って、光半導体装置は、携帯電話用バックライト、液晶テレビ用バックライト、自動車用ランプ、照明器具及び看板などの幅広い用途で使用されている。【０００３】
光半導体装置に用いられている発光素子である光半導体素子（例えばＬＥＤ）が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するごみ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体装置用封止剤により封止されている。【０００４】
下記の特許文献１には、光半導体装置用封止剤として、水素添加ビスフェノールＡグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。【０００５】
また、エポキシ樹脂を含む光半導体装置用封止剤だけでなく、シリコーン樹脂を含む光半導体装置用封止剤も広く用いられている。上記シリコーン樹脂は、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性及び耐光性に優れている。【０００６】
しかしながら、上記シリコーン樹脂を含む封止剤を用いた場合には、封止剤の硬化物の表面がべたつくため、表面にごみなどの異物が付着しやすくなるという問題がある。また、硬化物の表面がべたつくと、パッケージ同士のくっ付き、及び実装時のピックアップノズルへの付着が生じて、光半導体装置の生産性が大きく低下するという問題がある。【０００７】
一方で、下記の特許文献２に記載のように、架橋密度が高められたシリコーン樹脂を含む封止剤が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−７３４５２号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１に記載のような従来の光半導体装置用封止剤が、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。【００１０】
また、特許文献２に記載の封止剤では、該封止剤に含まれるシリコーン樹脂の架橋密度が高いので、硬化物の表面のべたつきが比較的少ない。しかし、硬化物の表面のべたつきをさらに一層抑制できる封止剤が強く求められている。また、特許文献２に記載の封止剤では、機械的強度及び接着性がかなり低いことがある。このため、熱サイクルを繰り返し受けると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。【００１１】
また、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、銀めっきされた電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀めっきが変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。【００１２】
本発明の目的は、硬化物の表面のべたつきを抑制でき、かつ硬化物の耐熱性及び冷熱サイクル特性を高めることができる光半導体装置用封止剤、並びに該光半導体装置用封止剤を用いた光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の広い局面によれば、アルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のオルガノポリシロキサンが下記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが下記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであるか、又は、上記第１のオルガノポリシロキサンが下記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが下記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであり、上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上である、光半導体装置用封止剤が提供される。【００１４】
【化１】
2013008842.tif 000003
【００１５】
上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。【００１６】
【化２】
2013008842.tif 000004
【００１７】
上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。【００１８】
【化３】
2013008842.tif 000005
【００１９】
上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０、及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。【００２０】
【化４】
2013008842.tif 000006
【００２１】
上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．３０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．７０〜１．０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。【００２２】
本発明に係る光半導体装置用封止剤のある特定の局面では、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）は、０．５以上、５．０以下である。【００２３】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）は、０．５以上、２．０以下である。【００２４】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第１のオルガノポリシロキサンは、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。【００２５】
上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、２００００以上、１０００００以下であることが好ましい。【００２６】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンは、アルケニル基を有する。【００２７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を有する。【００２８】
【化５】
2013008842.tif 000007
【００２９】
上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。【００３０】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記第１のオルガノポリシロキサンが上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。【００３１】
上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量は、２００００以上、１０００００以下であることが好ましい。【００３２】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の他の特定の局面では、上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有する。【００３３】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の別の特定の局面では、上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位を有する。【００３４】
【化６】
2013008842.tif 000008
【００３５】
上記式（１−ｂ１）中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。【００３６】
本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられた上記光半導体装置用封止剤とを備える。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、アルケニル基及び珪素原子に結合したメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサンと、珪素原子に結合した水素原子及び珪素原子に結合したメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含み、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ａ）で表されかつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ａ）で表されるか、又は、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ｂ）で表されかつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ｂ）で表され、上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率がそれぞれ、８０モル％以上であるので、封止剤の硬化物の耐熱性及び冷熱サイクル特性を高めることができる。さらに、封止剤の硬化物の表面のべたつきを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００４０】
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、第１のオルガノポリシロキサンと、第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。
【００４１】
上記第１のオルガノポリシロキサンは、アルケニル基と珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子と珪素原子に結合したメチル基とを有する。
【００４２】
上記第１のオルガノポリシロキサンは、式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであるか、又は式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンである。上記第２のオルガノポリシロキサンは、式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであるか、又は式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。但し、上記第１のオルガノポリシロキサンが、式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンである場合には、上記第２のオルガノポリシロキサンは、式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。上記第１のオルガノポリシロキサンが、式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンである場合には、上記第２のオルガノポリシロキサンは、式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。
【００４３】
従って、本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであるか、又は、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである。本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであってもよい。さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサンが式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであり、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであってもよい。
【００４４】
さらに、本発明に係る光半導体装置用封止剤では、上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率はそれぞれ、８０モル％以上である。上記珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、下記式（Ｘ）より求められる。
【００４５】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）｝×１００  ・・・式（Ｘ）
【００４６】
上記式（Ｘ）における上記「官能基」は、上記第１のオルガノポリシロキサン又は上記第２のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に直接結合している基を意味する。上記官能基が複数種ある場合に、「官能基の分子量の平均」は、官能基それぞれの「官能基の平均個数×官能基の分子量」の総和を意味する。下記式（Ｘ１）、下記式（Ｘ５１）、下記式（Ｙ）及び下記式（Ｚ）における「官能基の分子量の平均」についても同様である。
【００４７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤における上記組成を採用することによって、特に特定の上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの組み合わせによって、硬化した封止剤の耐熱性を高めることができる。封止剤の耐熱性が高くなることによって、高温下に晒されたときに封止剤の変色を抑制することができ、封止剤が黄変し難くなる。さらに、上記組成の採用によって、硬化した封止剤の冷熱サイクル特性を高めることができ、ガスバリア性を高めることができる。このため、封止剤にクラックが生じ難くなり、封止剤の剥離を抑制できる。さらに、上記組成の採用により、硬化した封止剤の表面のべたつきを抑制することもできる。
【００４８】
封止剤の硬化物の耐熱性及び冷熱サイクル特性を効果的に高める観点からは、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率の、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率に対する比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）が、０．５以上、５．０以下であることが好ましい。上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合した水素原子を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合した水素原子の含有比率には、第１のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率も考慮される。上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアルケニル基を有する場合には、上記比において、珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率には、第２のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率も考慮される。従って、上記比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）は、封止剤中における上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の合計の含有比率の、封止剤中における上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の合計の含有比率に対する比を意味する。上記珪素原子に結合した水素原子の含有比率は下記式（Ｙ）より求められる。上記珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は下記式（Ｚ）より求められる。
【００４９】
珪素原子に結合した水素原子の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量）｝×１００＋｛（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量）／（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量）｝×１００  ・・・式（Ｙ）
【００５０】
珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量）｝×１００＋｛（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量）／（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量））｝×１００  ・・・式（Ｚ）
【００５１】
なお、上記第１のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合した水素原子を有さない場合には、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率は、上記第２のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合した水素原子の含有比率を表す。この場合に、上記珪素原子に結合した水素原子の含有比率は下記式（Ｙ１）より求められる。
【００５２】
珪素原子に結合した水素原子の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した水素原子の平均個数×水素原子の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量）｝×１００  ・・・式（Ｙ１）
【００５３】
なお、上記第２のオルガノポリシロキサンが珪素原子に結合したアルケニル基を有さない場合には、封止剤中における上記オルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は、上記第１のオルガノポリシロキサンの珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率を表す。この場合に、上記珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率は下記式（Ｚ１）より求められる。
【００５４】
珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したアルケニル基の平均個数×珪素原子に結合したアルケニル基の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）×上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量／（上記第１のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量＋上記第２のオルガノポリシロキサンの封止剤内の配合量）｝×１００  ・・・式（Ｚ１）
【００５５】
封止剤の耐熱性をより一層高める観点からは、上記比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）は、１．０以上であることが好ましい。
【００５６】
封止剤を用いた光半導体装置の信頼性を高める観点からは、上記比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）は、０．５以上、２．０以下であることが好ましく、０．５以上１．１以下であることがより好ましい。上記比が２．０以下であると、封止剤が長期に渡り高温で保管されても硬度が上昇し難くなる。高温での硬度上昇の抑制は、冷熱サイクル時に発生する熱応力の低減に繋がるので、封止剤を用いた光半導体装置の信頼性を高くすることに寄与する。
【００５７】
以下、本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている各成分の詳細を説明する。
【００５８】
（第１のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）で表され、アルケニル基と珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第１のオルガノポリシロキサンは、アルケニル基を２個以上有することが好ましい。上記第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有していてもよく、珪素原子に結合した水素原子を有していなくてもよい。アルケニル基は、珪素原子に直接結合していることが好ましい。なお、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子が、珪素原子に結合していてもよく、上記アルケニル基の炭素−炭素二重結合における炭素原子とは異なる炭素原子が、珪素原子に結合していてもよい。メチル基は珪素原子に直接結合している。上記第１のオルガノポリシロキサンは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００５９】
【化７】
2013008842.tif 000009
【００６０】
上記式（１Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．３０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．７０〜１．０及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００６１】
【化８】
2013008842.tif 000010
【００６２】
上記式（１Ｂ）中、ａ、ｂ及びｃは、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．１０〜０．５０、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０〜０．４０、及びｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００６３】
なお、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【００６４】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）はそれぞれ、平均組成式を示す。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６はそれぞれ、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【００６５】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）及び（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【００６６】
なお、一般に、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位において、アルコキシ基の含有量は少なく、更にヒドロキシ基の含有量も少ない。これは、一般に、第１のオルガノポリシロキサンを得るために、アルコキシシラン化合物などの有機珪素化合物を加水分解し、重縮合させると、アルコキシ基及びヒドロキシ基の多くは、シロキサン結合の部分骨格に変換されるためである。すなわち、アルコキシ基の酸素原子及びヒドロキシ基の酸素原子の多くは、シロキサン結合を形成している酸素原子に変換される。上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合には、シロキサン結合の部分骨格に変換されなかった未反応のアルコキシ基又はヒドロキシ基がわずかに残存していることを示す。後述の式（５１Ａ）及び式（５１Ｂ）の各構造単位がアルコキシ基又はヒドロキシ基を有する場合に関しても、同様のことが言える。
【００６７】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中、アルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基等が挙げられる。ガスバリア性をより一層高める観点からは、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のアルケニル基は、ビニル基又はアリル基であることが好ましく、ビニル基であることがより好ましい。
【００６８】
封止剤の硬化性をより一層高める観点からは、上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を有することが好ましい。この場合には、上記式（１Ｂ）中のＲ１〜Ｒ６は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、少なくとも１個が水素原子を表し、アルケニル基、メチル基及び水素原子以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。また、上記第１のオルガノポリシロキサンにおけるアルケニル基は、ビニル基であることが好ましい。
【００６９】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）における炭素数２〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基及びアリール基が挙げられる。
【００７０】
封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に、１つのビニル基と２つの炭素数１〜８の炭化水素基（メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基）とが結合した構造単位を含むことが好ましく、上記式（１Ａ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１がビニル基を表し、Ｒ２及びＲ３がメチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、（ＣＨ２＝ＣＨＲ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位を有することが好ましく、下記式（１−ａ）で表される構造単位を有することが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ａ）で表される構造単位と下記式（１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式（１−ａ）で表される構造単位の存在により、末端にビニル基を存在させることができ、末端にビニル基が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式（１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００７１】
【化９】
2013008842.tif 000011
【００７２】
上記式（１−ａ）中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。
【００７３】
封止剤の硬化性を高め、表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に、１つのビニル基とシロキサン結合を形成している３つの酸素原子とが結合した構造単位を含むことが好ましく、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、Ｒ６がビニル基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、表面のべたつきをより一層抑制する観点からは、上記式（１Ｂ）で表されるオルガノポリシロキサンは、（ＣＨ２＝ＣＨＳｉＯ３／２）で表される構造単位を有することが好ましく、下記式（１−ａ２）で表される構造単位を有することが好ましい。（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ａ２）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ａ２）で表される構造単位と下記式（１−ａ２）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式（１−ａ２）で表される構造単位の存在により、ビニル基が反応する事で四官能のシロキサン骨格が形成されることになり、封止剤の架橋密度が上がり、表面のべたつきをより一層低減することができる。なお、下記式（１−ａ２）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の３つの酸素原子を「Ｏ３／２」とする。
【００７４】
【化１０】
2013008842.tif 000012
【００７５】
封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に、１つの水素原子と２つの炭素数１〜８の炭化水素基（メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基）とが結合した構造単位を含むことが好ましく、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ１が水素原子を表し、Ｒ２及びＲ３がメチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンは、（ＨＲ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位を含むことが好ましく、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位を有することが好ましい。（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位と下記式（１−ｂ１）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式（１−ｂ１）で表される構造単位の存在により、末端に水素原子を存在させることができる。末端に水素原子が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式（１−ｂ１）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００７６】
【化１１】
2013008842.tif 000013
【００７７】
上記式（１−ｂ１）中、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。
【００７８】
上記第１のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は８０モル％以上である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつ封止剤の変色が生じ難くなる。上記第１のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは８５モル％以上、更に好ましくは９０モル％以上、好ましくは９９．９９モル％以下、より好ましくは９９．９モル％以下、更に好ましくは９９モル％以下、特に好ましくは９８モル％以下である。上記メチル基の含有比率が好ましい上記下限以上であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、アルケニル基を充分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。上記第１のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、下記式（Ｘ１）で求められる。
【００７９】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝｛（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量）／（上記第１のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）｝×１００  ・・・式（Ｘ１）
【００８０】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００８１】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＸＯ１／２）  ・・・式（１−２）
【００８２】
（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ４及びＲ５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。具体的には、アルコキシ基がシロキサン結合の部分骨格に変換された場合には、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。未反応のアルコキシ基が残存している場合、又はアルコキシ基がヒドロキシ基に変換された場合には、残存アルコキシ基又はヒドロキシ基を有する（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を示す。また、下記式（１−ｂ）で表される構造単位において、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合中の酸素原子は、隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合中の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【００８３】
【化１２】
2013008842.tif 000014
【００８４】
上記式（１−２）及び式（１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｂ）、式（１−２）及び式（１−２−ｂ）中のＲ４及びＲ５は、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ４及びＲ５と同様の基である。
【００８５】
上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（１−３）又は式（１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【００８６】
（Ｒ６ＳｉＸ２Ｏ１／２）  ・・・式（１−３）
（Ｒ６ＳｉＸＯ２／２）  ・・・式（１−４）
【００８７】
（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（１−３−ｃ）又は式（１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【００８８】
【化１３】
2013008842.tif 000015
【００８９】
上記式（１−３）、式（１−３−ｃ）、式（１−４）及び式（１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（１−ｃ）、式（１−３）、式（１−３−ｃ）、式（１−４）及び式（１−４−ｃ）中のＲ６は、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中のＲ６と同様の基である。
【００９０】
上記式（１−ｂ）及び式（１−ｃ）、上記式（１−２）〜式（１−４）、並びに上記式（１−２−ｂ）、式（１−３−ｃ）及び式（１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【００９１】
上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．３０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（１Ａ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。なお、ａが０であり、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
【００９２】
上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．７０、上限は１．０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（１Ａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．８５以上である。
【００９３】
上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．１０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、封止剤の密着性がより一層高くなる。上記式（１Ａ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、好ましくは０．０５以下である。なお、ｃが０であり、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ａ）中、（Ｒ６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【００９４】
上記第１のオルガノポリシロキサンが上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンである場合に、上記式（１Ａ）中のｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンは、下記式（１Ａａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
【００９５】
【化１４】
2013008842.tif 000016
【００９６】
上記式（１Ａａ）中、ａ及びｂは、ａ／（ａ＋ｂ）＝０〜０．３０及びｂ／（ａ＋ｂ）＝０．７０〜１．０を満たし、Ｒ１〜Ｒ５は、少なくとも１個がアルケニル基を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、アルケニル基及びメチル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【００９７】
上記式（１Ａａ）中、ａ／（ａ＋ｂ）は好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下、更に好ましくは０．１５以下である。上記式（１Ａａ）中、ｂ／（ａ＋ｂ）は好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．８５以上である。
【００９８】
上記式（１Ｂ）中、ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．１０、上限は０．５０である。ａ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。
【００９９】
上記式（１Ｂ）中、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０、上限は０．４０である。ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記上限以下であると、封止剤の剥離をより一層抑制でき、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。なお、ｂが０であり、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が０である場合、上記式（１Ｂ）中、（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。
【０１００】
上記式（１Ｂ）中、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）の下限は０．４０、上限は０．９０である。ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ）が上記下限以上であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。
【０１０１】
上記第１のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び上記式（１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（１Ａ）及び上記式（１Ｂ）中の（Ｒ６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、並びに上記式（１−３）及び上記式（１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【０１０２】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。
【０１０３】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（１Ａ）、上記式（１Ａａ）及び上記式（１Ｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（１Ａ）、上記式（１Ａａ）及び上記式（１Ｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【０１０４】
（第２のオルガノポリシロキサン）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれている第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子と、珪素原子に結合したメチル基とを有する。上記第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合した水素原子を２個以上有することが好ましい。水素原子とメチル基とは珪素原子に直接結合している。上記第２のオルガノポリシロキサンは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０５】
【化１５】
2013008842.tif 000017
【０１０６】
上記式（５１Ａ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．１０〜０．５０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．４０、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．４０〜０．９０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【０１０７】
【化１６】
2013008842.tif 000018
【０１０８】
上記式（５１Ｂ）中、ｐ、ｑ及びｒは、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．３０、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０．７０〜１．０及びｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）＝０〜０．１０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【０１０９】
なお、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位はそれぞれ、アルコキシ基を有していてもよく、ヒドロキシ基を有していてもよい。
【０１１０】
上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）はそれぞれ、平均組成式を示す。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭化水素基は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５１〜Ｒ５６はそれぞれ、同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１１１】
上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）及び（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位における酸素原子部分はそれぞれ、シロキサン結合を形成している酸素原子部分、アルコキシ基の酸素原子部分、又はヒドロキシ基の酸素原子部分を示す。
【０１１２】
上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）における炭素数２〜８の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔ−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基、ビニル基、アリル基及びアリール基が挙げられる。
【０１１３】
封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、１つの珪素原子に、１つの水素原子と２つの炭素数１〜８の炭化水素基（メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基）とが結合した構造単位を含むことが好ましく、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、Ｒ５１が水素原子を表し、Ｒ５２及びＲ５３がメチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を表す構造単位を含むことが好ましい。すなわち、封止剤の硬化性を高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記第２のオルガノポリシロキサンは、（ＨＲ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位を有することが好ましく、下記式（５１−ａ）で表される構造単位を有することが好ましい。（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ａ）で表される構造単位のみを含んでいてもよく、下記式（５１−ａ）で表される構造単位と下記式（５１−ａ）で表される構造単位以外の構造単位とを含んでいてもよい。下記式（５１−ａ）で表される構造単位の存在により、末端に水素原子を存在させることができる。末端に水素原子が存在することによって反応機会が多くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。なお、下記式（５１−ａ）で表される構造単位において、末端の酸素原子は、一般に隣接する珪素原子とシロキサン結合を形成しており、隣接する構造単位と酸素原子を共有している。従って、末端の１つの酸素原子を「Ｏ１／２」とする。
【０１１４】
【化１７】
2013008842.tif 000019
【０１１５】
上記式（５１−ａ）中、Ｒ５２及びＲ５３はそれぞれ、メチル基又は炭素数２〜８の炭化水素基を示す。
【０１１６】
封止剤の硬化性をより一層高め、熱サイクルでのクラック及び剥離をさらに一層抑制する観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサンが、上記式（１−ａ）で表される構造単位を有し、かつ上記第２のオルガノポリシロキサンが、上記式（５１−ａ）で表される構造単位を有することが特に好ましい。
【０１１７】
封止剤の硬化性をより一層高める観点からは、上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンは、珪素原子に結合したアルケニル基を有することが好ましい。この場合には、Ｒ５１〜Ｒ５６は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、少なくとも１個がアルケニル基を表し、水素原子、メチル基及びアルケニル基以外のＲ５１〜Ｒ５６は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【０１１８】
上記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は８０モル％以上である。このメチル基の含有比率が８０モル％以上であると、封止剤の耐熱性がかなり高くなり、更に光半導体装置が高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くなりかつ封止剤の変色が生じ難くなる。上記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、好ましくは８５モル％以上、好ましくは９９．９９モル％以下、より好ましくは９９．９モル％以下、更に好ましくは９９モル％以下、特に好ましくは９８モル％以下である。上記メチル基の含有比率が好ましい上記下限以上であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。上記メチル基の含有比率が上記上限以下であると、珪素原子に結合した水素原子を充分に導入でき、封止剤の硬化性を高めることが容易である。上記第２のオルガノポリシロキサンにおける珪素原子に結合したメチル基の含有比率は、下記式（Ｘ５１）で求められる。
【０１１９】
珪素原子に結合したメチル基の含有比率（モル％）＝｛（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合したメチル基の平均個数×メチル基の分子量）／（上記第２のオルガノポリシロキサンの１分子あたりに含まれる珪素原子に結合した官能基の平均個数×官能基の分子量の平均）｝×１００  ・・・式（Ｘ５１）
【０１２０】
上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位（以下、二官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−２）で表される構造、すなわち、二官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基又はアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【０１２１】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＸＯ１／２）  ・・・式（５１−２）
【０１２２】
（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−２−ｂ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５４及びＲ５５で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１２３】
【化１８】
2013008842.tif 000020
【０１２４】
上記式（５１−２）及び式（５１−２−ｂ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｂ）、式（５１−２）及び式（５１−２−ｂ）中のＲ５４及びＲ５５は、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５４及びＲ５５と同様の基である。
【０１２５】
上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンにおいて、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位（以下、三官能構造単位ともいう）は、下記式（５１−３）又は式（５１−４）で表される構造、すなわち、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の２つがそれぞれヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中の珪素原子に結合した酸素原子の１つがヒドロキシ基若しくはアルコキシ基を構成する構造を含んでいてもよい。
【０１２６】
（Ｒ５６ＳｉＸ２Ｏ１／２）  ・・・式（５１−３）
（Ｒ５６ＳｉＸＯ２／２）  ・・・式（５１−４）
【０１２７】
（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位は、下記式（５１−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含み、更に下記式（５１−３−ｃ）又は式（５１−４−ｃ）で表される構造単位の破線で囲まれた部分を含んでいてもよい。すなわち、Ｒ５６で表される基を有し、かつアルコキシ基又はヒドロキシ基が末端に残存している構造単位も、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位に含まれる。
【０１２８】
【化１９】
2013008842.tif 000021
【０１２９】
上記式（５１−３）、式（５１−３−ｃ）、式（５１−４）及び式（５１−４−ｃ）中、Ｘは、ＯＨ又はＯＲを表し、ＯＲは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表す。上記式（５１−ｃ）、式（５１−３）、式（５１−３−ｃ）、式（５１−４）及び式（５１−４−ｃ）中のＲ５６は、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中のＲ５６と同様の基である。
【０１３０】
上記式（５１−ｂ）及び式（５１−ｃ）、上記式（５１−２）〜式（５１−４）、並びに上記式（５１−２−ｂ）、式（５１−３−ｃ）及び式（５１−４−ｃ）において、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が挙げられる。
【０１３１】
上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．１０、上限は０．５０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。上記式（５１Ａ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．４０以下、より好ましくは０．３５以下である。
【０１３２】
上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０、上限は０．４０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤の剥離をより一層抑制でき、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。上記式（５１Ａ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．１０以上、好ましくは０．３５以下である。なお、ｑが０であり、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が０である場合、上記式（５１Ａ）中、（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）の構造単位は存在しない。
【０１３３】
上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．４０、上限は０．９０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限以上であると、封止剤の剥離をより一層抑制でき、かつ封止剤の表面のべたつきを抑制できる。上記式（５１Ａ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．８０以下、より好ましくは０．７０以下である。
【０１３４】
上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０、上限は０．３０である。ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤の耐熱性がより一層高くなり、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。上記式（５１Ｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下である。なお、ｐが０であり、ｐ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が０である場合、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）の構造単位は存在しない。
【０１３５】
上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０．７０、上限は１．０である。ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記下限以上であると、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。上記式（５１Ｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．７５以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．８５以上である。
【０１３６】
上記式（５１Ｂ）中、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）の下限は０、上限は０．１０である。ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が上記上限以下であると、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、封止剤の密着性がより一層高くなる。上記式（５１Ｂ）中のｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、好ましくは０．０５以下である。なお、ｒが０であり、ｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）が０である場合、上記式（５１Ｂ）中、（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）の構造単位は存在しない。
【０１３７】
上記第２のオルガノポリシロキサンが上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンである場合に、上記式（５１Ｂ）中のｒ／（ｐ＋ｑ＋ｒ）は、０であることが好ましい。すなわち、上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンは、下記式（５１Ｂｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。これにより、封止剤にクラックがより一層生じ難くなり、かつ封止剤がハウジング材等からより一層剥離し難くなる。
【０１３８】
【化２０】
2013008842.tif 000022
【０１３９】
上記式（５１Ｂｂ）中、ｐ及びｑは、ｐ／（ｐ＋ｑ）＝０〜０．３０及びｑ／（ｐ＋ｑ）＝０．７０〜１．０を満たし、Ｒ５１〜Ｒ５５は、少なくとも１個が水素原子を表し、少なくとも１個がメチル基を表し、水素原子及びメチル基以外のＲ５１〜Ｒ５５は、炭素数２〜８の炭化水素基を表す。
【０１４０】
上記式（５１Ｂｂ）中、ｐ／（ｐ＋ｑ）は好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．２０以下、更に好ましくは０．１５以下である。上記式（５１Ｂｂ）中、ｑ／（ｐ＋ｑ）は好ましくは０．７０以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．８５以上である。
【０１４１】
上記第２のオルガノポリシロキサンについて、テトラメチルシラン（以下、ＴＭＳ）を基準に２９Ｓｉ−核磁気共鳴分析（以下、ＮＭＲ）を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式（５１Ａ）、上記式（５１Ｂ）及び上記式（５１Ｂｂ）中の（Ｒ５１Ｒ５２Ｒ５３ＳｉＯ１／２）で表される構造単位に相当するピークは＋１０〜−５ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）、上記式（５１Ｂ）及び上記式（５１Ｂｂ）中の（Ｒ５４Ｒ５５ＳｉＯ２／２）で表される構造単位及び上記式（５１−２）の二官能構造単位に相当する各ピークは−１０〜−５０ｐｐｍ付近に現れ、上記式（５１Ａ）及び上記式（５１Ｂ）中の（Ｒ５６ＳｉＯ３／２）で表される構造単位、並びに上記式（５１−３）及び上記式（５１−４）の三官能構造単位に相当する各ピークは−５０〜−８０ｐｐｍ付近に現れる。
【０１４２】
従って、２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式（５１Ａ）、上記式（５１Ｂ）及び上記式（５１Ｂｂ）中の各構造単位の比率を測定できる。
【０１４３】
但し、上記ＴＭＳを基準にした２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定で上記式（５１Ａ）、上記式（５１Ｂ）及び上記式（５１Ｂｂ）中の構造単位の見分けがつかない場合は、２９Ｓｉ−ＮＭＲの測定結果だけではなく、１Ｈ−ＮＭＲの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式（５１Ａ）、上記式（５１Ｂ）及び上記式（５１Ｂｂ）中の各構造単位の比率を見分けることができる。
【０１４４】
上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は１０重量部以上、４００重量部以下であることが好ましい。第１，第２のオルガノポリシロキサンの含有量がこの範囲内であると、硬化性により一層優れた封止剤を得ることができる。硬化性にさらに一層優れた封止剤を得る観点からは、上記第１のオルガノポリシロキサン１００重量部に対して、上記第２のオルガノポリシロキサンの含有量は、より好ましくは１５重量部以上、更に好ましくは２０重量部以上、より好ましくは３００重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。
【０１４５】
（第１，第２のオルガノポリシロキサンの他の性質及びその合成方法）
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンのアルコキシ基の含有量は、好ましくは０．１モル％以上、好ましくは１０モル％以下、より好ましくは５モル％以下である。アルコキシ基の含有量が上記下限以上であると、封止剤の密着性が高くなる。アルコキシ基の含有量が上記上限以下であると、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。
【０１４６】
上記アルコキシ基の含有量は、上記第１，第２のオルガノポリシロキサンの平均組成式中に含まれるアルコキシ基の量を意味する。
【０１４７】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンはシラノール基を含有しないほうが好ましい。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンがシラノール基を含有しないと、上記第１，第２のオルガノポリシロキサン及び封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。
【０１４８】
封止剤の粘度を良好は範囲内に調整する観点からは、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量はそれぞれ好ましくは１００００以上、より好ましくは２００００以上、好ましくは１０００００以下である。封止剤の粘度を良好な範囲内に調整する観点からは、上記式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサン及び上記式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの数平均分子量はそれぞれ好ましくは１０００以上、より好ましくは２０００以上、好ましくは１００００以下である。
【０１４９】
冷熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量はそれぞれ好ましくは２００００以上であり、高ければ高いほど好ましいと考えられる。しかしながら冷熱サイクルでのクラック及び剥離をより一層抑制する観点からは、上記式（１Ａ）中のアルケニル基並びに上記式（５１Ｂ）中の水素原子はオルガノポリシロキサンの末端に配置することが好ましいため、上記数平均分子量が高ければ高い程アルケニル基並びに水素原子の含有比率が下がることがある。封止剤の表面のべたつきを低減する観点からは、上記式（１Ａ）中のアルケニル基の含有比率並びに上記式（５１Ｂ）中の珪素原子に結合した水素原子の含有比率はそれぞれ好ましくは０．０５モル％以上、より好ましくは０．３モル％以上である。
【０１５０】
封止剤の表面のべたつきを抑制する観点からは、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量はそれぞれ、５００００以下であることが好ましい。特に、上記式（１Ａ）中のアルケニル基の含有比率並びに上記式（５１Ｂ）中の珪素原子に結合した水素原子の含有比率が上記下限以上である場合に、上記式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサン及び上記式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの数平均分子量が５００００以下であると、封止剤の表面のべたつきを効果的に抑制できる。
【０１５１】
上記数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて、ポリスチレンを標準物質として求めた値である。上記数平均分子量（Ｍｎ）は、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製  Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ  ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）を２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いて測定された値を意味する。
【０１５２】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを合成する方法としては特に限定されず、アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法、及びクロロシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が挙げられる。なかでも、反応の制御の観点からアルコキシシラン化合物を加水分解し縮合させる方法が好ましい。
【０１５３】
上記アルコキシシラン化合物を加水分解し縮合反応させる方法としては、例えば、アルコキシシラン化合物を、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。また、ジシロキサン化合物を加水分解して用いてもよい。
【０１５４】
上記第１のオルガノポリシロキサンにアルケニル基を導入するための有機珪素化合物としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、メトキシジメチルビニルシラン、ビニルジメチルエトキシシラン及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１５５】
上記第２のオルガノポリシロキサンに珪素原子に結合した水素原子を導入するための有機珪素化合物としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、メチルジエトキシシラン、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【０１５６】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンを得るために用いることができる他の有機珪素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、イソプロピル（メチル）ジメトキシシラン、シクロヘキシル（メチル）ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン及びオクチルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１５７】
上記第１，第２のオルガノポリシロキサンに必要に応じてアリール基を導入するための有機珪素化合物としては、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチル（フェニル）ジメトキシシラン、及びフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１５８】
上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物及びその誘導体、並びに有機酸の酸無水物及びその誘導体が挙げられる。
【０１５９】
上記無機酸としては、例えば、塩酸、リン酸、ホウ酸及び炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸及びオレイン酸が挙げられる。
【０１６０】
上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド及びアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。
【０１６１】
上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、カリウム−ｔ−ブトキシド及びセシウム−ｔ−ブトキシドが挙げられる。
【０１６２】
上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物及びセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒又はセシウム系触媒が好ましい。
【０１６３】
（ヒドロシリル化反応用触媒）
本発明に係る光半導体装置用封止剤に含まれているヒドロシリル化反応用触媒は、上記第１のオルガノポリシロキサン中のアルケニル基と、上記第２のオルガノポリシロキサン中の珪素原子に結合した水素原子とをヒドロシリル化反応させる触媒である。
【０１６４】
上記ヒドロシリル化反応用触媒として、ヒドロシリル化反応を進行させる各種の触媒を用いることができる。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１６５】
上記ヒドロシリル化反応用触媒としては、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。封止剤の透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。
【０１６６】
上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。
【０１６７】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。
【０１６８】
上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。
【０１６９】
高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をより一層抑制し、かつ封止剤の変色をより一層抑制する観点からは、上記ヒドロシリル化反応用触媒は、白金のアルケニル錯体であることが好ましい。高温下又は高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用された際の光度の低下をさらに一層抑制し、かつ封止剤の変色をさらに一層抑制する観点からは、上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であることが好ましい。この場合に、白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物である。また、上記白金のアルケニル錯体の使用により、封止剤の透明性を高くすることもできる。上記白金のアルケニル錯体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７０】
上記白金のアルケニル錯体を得るための白金原料として、上記塩化白金酸６水和物（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）を用いることが好ましい。
【０１７１】
上記白金のアルケニルを得るための上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物としては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメチル−１，３−ジフェニル−１，３−ジビニルジシロキサン及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。
【０１７２】
上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物における「当量」に関しては、上記塩化白金酸６水和物１モルに対して上記２官能以上のアルケニル化合物が１モルである重量を１当量とする。上記６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物は、５０当量以下であることが好ましい。
【０１７３】
上記白金のアルケニル錯体を得るために用いられる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、２−プロパノール及び１−ブタノール等のアルコール系溶媒が挙げられる。トルエン及びキシレン等の芳香族系溶媒を用いてもよい。上記溶媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１７４】
上記白金のアルケニル錯体を得るために、上記成分に加えて単官能のビニル化合物を用いてもよい。上記単官能のビニル化合物としては、例えば、トリメトキシビニルシラン、トリエトキシビニルシラン及びビニルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。
【０１７５】
塩化白金酸６水和物と、６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物との反応物に関して、白金元素と６当量以上の２官能以上であるアルケニル化合物とは、共有結合していたり、配位していたり、又は共有結合しかつ配位していたりする。
【０１７６】
封止剤中で、上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、金属原子（白金のアルケニル錯体の場合には白金原子）の重量単位で０．０１ｐｐｍ以上、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が０．０１ｐｐｍ以上であると、封止剤を十分に硬化させることが容易である。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量が１０００ｐｐｍ以下であると、硬化物の着色の問題が生じ難い。上記ヒドロシリル化反応用触媒の含有量は、より好ましくは１ｐｐｍ以上、より好ましくは５００ｐｐｍ以下である。
【０１７７】
（酸化珪素粒子）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、酸化珪素粒子を含むことが好ましい。この酸化珪素粒子の使用により、封止剤の硬化物の耐熱性及び耐光性を損なうことなく、硬化前の封止剤の粘度を適当な範囲に調整できる。従って、封止剤の取り扱い性を高めることができる。また、上記酸化珪素粒子は、有機珪素化合物により表面処理されていることが好ましい。この表面処理により、酸化珪素粒子の分散性が非常に高くなり、硬化前の封止剤の温度上昇による粘度の低下をより一層抑制できる。
【０１７８】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは８ｎｍ以上、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記下限以上であると、酸化珪素粒子の分散性がより一層高くなり、封止剤の硬化物の透明性がより一層高くなる。上記酸化珪素粒子の一次粒子径が上記上限以下であると、２５℃における粘度の上昇効果を充分に得ることができ、かつ温度上昇における粘度の低下を抑制できる。
【０１７９】
上記酸化珪素粒子の一次粒子径は、以下のようにして測定される。光半導体装置用封止剤の硬化物を透過型電子顕微鏡（商品名「ＪＥＭ−２１００」、日本電子社製）を用いて観察する。視野中の１００個の酸化珪素粒子の一次粒子の大きさをそれぞれ測定し、測定値の平均値を一次粒子径とする。上記一次粒子径は、上記酸化珪素粒子が球形である場合には酸化珪素粒子の直径の平均値を意味し、非球形である場合には酸化珪素粒子の長径の平均値を意味する。
【０１８０】
上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積は、好ましくは３０ｍ２／ｇ以上、好まししくは４００ｍ２／ｇ以下である。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が３０ｍ２／ｇ以上であると、封止剤の２５℃における粘度を好適な範囲に制御でき、温度上昇における粘度の低下を抑制できる。上記酸化珪素粒子のＢＥＴ比表面積が４００ｍ２／ｇ以下であると、酸化珪素粒子の凝集が生じ難くなり、分散性を高くすることができ、更に封止剤の硬化物の透明性をより一層高くすることができる。
【０１８１】
上記酸化珪素粒子としては特に限定されず、例えば、フュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカ、並びにコロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカ等が挙げられる。なかでも、揮発成分が少なく、かつ透明性がより一層高い封止剤を得る観点からは、上記酸化珪素粒子として、フュームドシリカが好適に用いられる。
【０１８２】
上記フュームドシリカとしては、例えば、Ａｅｒｏｓｉｌ  ５０（比表面積：５０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ９０（比表面積：９０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  １３０（比表面積：１３０ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ２００（比表面積：２００ｍ２／ｇ）、Ａｅｒｏｓｉｌ  ３００（比表面積：３００ｍ２／ｇ）、及びＡｅｒｏｓｉｌ  ３８０（比表面積：３８０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１８３】
上記有機珪素化合物としては特に限定されず、例えば、アルキル基を有するシラン系化合物、ジメチルシロキサン等のシロキサン骨格を有する珪素系化合物、アミノ基を有する珪素系化合物、（メタ）アクリロイル基を有する珪素系化合物、及びエポキシ基を有する珪素系化合物等が挙げられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを意味する。
【０１８４】
酸化珪素粒子の分散性をさらに一層高める観点からは、上記有機珪素化合物は、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物、トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物及びポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物からなる群から選択された少なくとも１種であることが好ましい。
【０１８５】
有機珪素化合物による表面処理する方法の一例として、ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物又はトリメチルシリル基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、例えば、ジクロロジメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシリルクロライド及びトリメチルメトキシシラン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物を用いる場合には、ポリジメチルシロキサン基の末端にシラノール基を有する化合物及び環状シロキサン等を用いて、酸化珪素粒子を表面処理する方法が挙げられる。
【０１８６】
上記ジメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、Ｒ９７４（比表面積：１７０ｍ２／ｇ）、及びＲ９６４（比表面積：２５０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１８７】
上記トリメチルシリル基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＸ２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）、及びＲ８２００（比表面積：１４０ｍ２／ｇ）（いずれも日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１８８】
上記ポリジメチルシロキサン基を有する有機珪素化合物により表面処理された酸化珪素粒子の市販品としては、ＲＹ２００（比表面積：１２０ｍ２／ｇ）（日本アエロジル社製）等が挙げられる。
【０１８９】
上記有機珪素化合物により酸化珪素粒子を表面処理する方法は特に限定されない。この方法としては、例えば、ミキサー中に酸化珪素粒子を添加し、攪拌しながら有機珪素化合物を添加する乾式法、酸化珪素粒子のスラリー中に有機珪素化合物を添加するスラリー法、並びに、酸化珪素粒子の乾燥後に有機珪素化合物をスプレー付与するスプレー法などの直接処理法等が挙げられる。上記乾式法で用いられるミキサーとしては、ヘンシェルミキサー及びＶ型ミキサー等が挙げられる。上記乾式法では、有機珪素化合物は、直接、又は、アルコール水溶液、有機溶媒溶液若しくは水溶液として添加される。
【０１９０】
上記有機珪素化合物により表面処理されている酸化珪素粒子を得るために、光半導体装置用封止剤を調製する際に、酸化珪素粒子と上記第１，第２のオルガノポリシロキサン等のマトリクス樹脂との混合時に、有機珪素化合物を直接添加するインテグレルブレンド法等を用いてもよい。
【０１９１】
上記第１のオルガノポリシロキサンと上記第２のオルガノポリシロキサンとの合計１００重量部に対して、上記酸化珪素粒子の含有量は好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３５重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記酸化珪素粒子の含有量が上記下限以上であると、硬化時の粘度低下を抑制することが可能になる。上記酸化珪素粒子の含有量が上記上限以下であると、封止剤の粘度をより一層適正な範囲に制御でき、かつ封止剤の透明性をより一層高めることができる。
【０１９２】
（蛍光体）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体をさらに含んでいてもよい。また、本発明に係る光半導体装置用封止剤は、蛍光体を含んでいなくてもよい。この場合には、封止剤は、使用時に蛍光体が添加されて、用いられ得る。封止剤に蛍光体が添加されても、添加された蛍光体は沈降し難い。
【０１９３】
上記蛍光体は、光半導体装置用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され、蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。
【０１９４】
例えば、発光素子として紫外線ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色ＬＥＤチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１９５】
上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、（Ｂａ、Ｓｒ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１９６】
上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、（Ｓｒ、Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｃａ、Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＬｉＷ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｓｍ）、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂｓ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）８Ｃｌ２：（Ｅｕ、Ｍｎ）、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：（Ｅｕ、Ｍｎ）等が挙げられる。
【０１９７】
上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３（Ａｌ、Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｃａ３Ｓｃ２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ、ＳｒＳｉＯＮ：Ｅｕ、ＺｎＳ：（Ｃｕ、Ａｌ）、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７（Ｅｕ、Ｍｎ）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１９８】
上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ、Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ等が挙げられる。
【０１９９】
さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。
【０２００】
所望の色の光を得るように、上記蛍光体の含有量は適宜調整でき、特に限定されない。本発明に係る光半導体装置用封止剤１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は、０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。光半導体装置用封止剤の蛍光体を除く全成分１００重量部に対して、上記蛍光体の含有量は０．１重量部以上、４０重量部以下であることが好ましい。
【０２０１】
（カップリング剤）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。
【０２０２】
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２０３】
（他の成分）
本発明に係る光半導体装置用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー又は難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。
【０２０４】
なお、上記第１のオルガノポリシロキサンと、上記第２のオルガノポリシロキサンと、上記ヒドロシリル化反応用触媒とは、これらを１種又は２種以上含む液を別々に調製しておき、使用直前に複数の液を混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。例えば、上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒を含むＡ液と、上記第２のオルガノポリシロキサンを含むＢ液とを別々に調製しておき、使用直前にＡ液とＢ液とを混合して、本発明に係る光半導体装置用封止剤を調製してもよい。この場合に、上記酸化珪素粒子及び上記蛍光体はそれぞれ、Ａ液に添加してもよく、Ｂ液に添加してもよい。また、このように上記第１のオルガノポリシロキサン及び上記ヒドロシリル化反応用触媒と上記第２のオルガノポリシロキサンとを別々に、第１の液と第２の液との２液にすることによって、封止剤の保存安定性を向上させることができる。
【０２０５】
（光半導体装置用封止剤の詳細及び用途）
本発明に係る光半導体装置用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体装置用封止剤の硬化温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下である。硬化温度が上記下限以上であると、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記上限以下であると、パッケージの熱劣化が起こり難い。
【０２０６】
硬化方式は特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。
【０２０７】
本発明に係る光半導体装置用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール又はビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上記第１のオルガノポリシロキサン、上記第２のオルガノポリシロキサン、上記ヒドロシリル化反応用触媒、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。
【０２０８】
上記発光素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にＬＥＤ形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＡｌＮ、及びＳｉＣ等が挙げられる。
【０２０９】
上記基板の材料としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、及びＧａＮ単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料との間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層の材料としては、例えば、ＧａＮ及びＡｌＮ等が挙げられる。
【０２１０】
本発明に係る光半導体装置としては、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置及びフォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター及びコピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト並びにスイッチング素子等に好適に用いることができる。
【０２１１】
本発明に係る光半導体装置では、本発明に係る光半導体装置用封止剤により、光半導体により形成された発光素子が封止されている。本発明に係る光半導体装置では、ＬＥＤなどの光半導体により形成された発光素子を封止するように、光半導体装置用封止剤の硬化物が配置されている。このため、発光素子を封止している光半導体装置用封止剤の硬化物にクラックが生じ難く、パッケージからの剥離が生じ難く、かつ光透過性、耐熱性、耐候性及びガスバリア性を高めることができる。
【０２１２】
（光半導体装置の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
【０２１３】
本実施形態の光半導体装置１は、ハウジング２を有する。ハウジング２内にＬＥＤからなる光半導体素子３が実装されている。この光半導体素子３の周囲を、ハウジング２の光反射性を有する内面２ａが取り囲んでいる。本実施形態では、光半導体により形成された発光素子として、光半導体素子３が用いられている。
【０２１４】
内面２ａは、内面２ａの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子３から発せられた光のうち、内面２ａに到達した光が内面２ａにより反射され、光半導体素子３の前方側に進行する。光半導体素子３を封止するように、内面２ａで囲まれた領域内には、光半導体装置用封止剤４が充填されている。
【０２１５】
なお、図１に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体装置の実装構造等は適宜変形され得る。
【０２１６】
以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【０２１７】
（合成例１）式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４７６ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５．３ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ａ）を得た。
【０２１８】
得られたポリマー（Ａ）の数平均分子量は５８３０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ａ）は、下記の平均組成式（Ａ１）を有していた。
【０２１９】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９８（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．０２２  …式（Ａ１）
【０２２０】
上記式（Ａ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ａ）のメチル基の含有比率は９８．９モル％、ビニル基の含有比率は１．１モル％であった。
【０２２１】
なお、合成例１及び合成例２〜１１で得られた各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製  Ｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ  ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。
【０２２２】
（合成例２）式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８６ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２．７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｂ）を得た。
【０２２３】
得られたポリマー（Ｂ）の数平均分子量は３７４００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｂ）は、下記の平均組成式（Ｂ１）を有していた。
【０２２４】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９２（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．００８  …式（Ｂ１）
【０２２５】
上記式（Ｂ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｂ）のメチル基の含有比率は９９．６モル％、ビニル基の含有比率は０．４モル％であった。
【０２２６】
（合成例３）式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８８ｇ、及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水１４４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマー（Ｃ）を得た。
【０２２７】
得られたポリマー（Ｃ）の数平均分子量は８２８００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｃ）は、下記の平均組成式（Ｃ１）を有していた。
【０２２８】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９８（ＶｉＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．００２  …式（Ｃ１）
【０２２９】
上記式（Ｃ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｃ）のメチル基の含有比率は９９．９モル％、ビニル基の含有比率は０．１モル％であった。
【０２３０】
（合成例４）式（１Ａ）で表される第１のオルガノポリシロキサン又は式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン２９８ｇ、メチルトリメトキシシラン１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｄ）を得た。
【０２３１】
得られたポリマー（Ｄ）の数平均分子量は９５３０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｄ）は、下記の平均組成式（Ｄ１）を有していた。
【０２３２】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．８１（ＭｅＳｉＯ３／２）０．０３（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．０９  …式（Ｄ１）
【０２３３】
上記式（Ｄ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｄ）のメチル基の含有比率は９２．０モル％、ビニル基の含有比率は３．５モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は４．５モル％であった。
【０２３４】
（合成例５）式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン又は式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９０．２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４０ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｅ）を得た。
【０２３５】
得られたポリマー（Ｅ）の数平均分子量は３４２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｅ）は、下記の平均組成式（Ｅ１）を有していた。
【０２３６】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．１０（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０６  …式（Ｅ１）
【０２３７】
上記式（Ｅ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。
【０２３８】
得られたポリマー（Ｅ）のメチル基の含有比率は８９．１モル％、ビニル基の含有比率は４．５モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は６．４モル％であった。
【０２３９】
（合成例６）式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン又は式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５４ｇ、ビニルトリメトキシシラン３７ｇ、メチルトリメトキシシラン３４３ｇ、及びトリメチルメトキシシラン８４ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｆ）を得た。
【０２４０】
得られたポリマー（Ｆ）の数平均分子量は２３２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｆ）は、下記の平均組成式（Ｆ１）を有していた。
【０２４１】
（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．０９（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．２１（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＭｅＳｉＯ３／２）０．６３  …式（Ｆ１）
【０２４２】
上記式（Ｆ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｆ）のメチル基の含有比率は９０．０モル％、ビニル基の含有比率は４．４モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は５．６モル％であった。
【０２４３】
（合成例７）式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４７０ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１２ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇを水１３４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｇ）を得た。
【０２４４】
得られたポリマー（Ｇ）の数平均分子量は５２３０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｇ）は、下記の平均組成式（Ｇ１）を有していた。
【０２４５】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９７（ＨＭｅＳｉＯ１／２）０．０２４  …式（Ｇ１）
【０２４６】
上記式（Ｇ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。得られたポリマー（Ｇ）のメチル基の含有比率は９８．８モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は１．２モル％であった。
【０２４７】
（合成例８）式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４７６ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン５．４ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇを水１３４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｈ）を得た。
【０２４８】
得られたポリマー（Ｈ）の数平均分子量は３５３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｈ）は、下記の平均組成式（Ｈ１）を有していた。
【０２４９】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９２（ＨＭｅＳｉＯ１／２）０．００８  …式（Ｈ１）
【０２５０】
上記式（Ｈ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。得られたポリマー（Ｈ）のメチル基の含有比率は９９．６モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は０．４モル％であった。
【０２５１】
（合成例９）式（５１Ｂ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン４８０ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１．６ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇを水１３４ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｉ）を得た。
【０２５２】
得られたポリマー（Ｉ）の数平均分子量は７８２００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｉ）は、下記の平均組成式（Ｉ１）を有していた。
【０２５３】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．９９８（ＨＭｅＳｉＯ１／２）０．００２  …式（Ｉ１）
【０２５４】
上記式（Ｉ１）中、Ｍｅはメチル基を示す。得られたポリマー（Ｉ）のメチル基の含有比率は９９．９モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は０．１モル％であった。
【０２５５】
（合成例１０）式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン又は式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９０．２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン３２ｇ、及びトリメチルメトキシシラン１９ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｊ）を得た。
【０２５６】
得られたポリマー（Ｊ）の数平均分子量は３３２０であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｊ）は、下記の平均組成式（Ｊ１）を有していた。
【０２５７】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．０８（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．０８  …式（Ｊ１）
【０２５８】
上記式（Ｊ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｊ）のメチル基の含有比率は９０．４モル％、ビニル基の含有比率は４．５モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は５．１モル％であった。
【０２５９】
（合成例１１）式（１Ｂ）で表される第１のオルガノポリシロキサン又は式（５１Ａ）で表される第２のオルガノポリシロキサンの合成
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン９０．２ｇ、メチルトリメトキシシラン２１７ｇ、ビニルトリメトキシシラン３１ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン２４ｇ、及びトリメチルメトキシシラン２５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、塩酸２．０ｇと水１３４ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマー（Ｋ）を得た。
【０２６０】
得られたポリマー（Ｋ）の数平均分子量は３３００であった。２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマー（Ｋ）は、下記の平均組成式（Ｋ１）を有していた。
【０２６１】
（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．２５（ＭｅＳｉＯ３／２）０．５２（ＶｉＳｉＯ３／２）０．０７（ＨＭｅ２ＳｉＯ１／２）０．０６（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．１０  …式（Ｋ１）
【０２６２】
上記式（Ｋ１）中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基を示す。得られたポリマー（Ｋ）のメチル基の含有比率は９１．７モル％、ビニル基の含有比率は４．５モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は３．８モル％であった。
【０２６３】
（実施例１）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６４】
（実施例２）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６５】
（実施例３）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６６】
（実施例４）
ポリマーＣ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６７】
（実施例５）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６８】
（実施例６）
ポリマーＨ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２６９】
（実施例７）
ポリマーＨ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７０】
（実施例８）
ポリマーＩ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７１】
（実施例９）
ポリマーＩ（１０ｇ）、ポリマーＦ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７２】
（実施例１０）
ポリマーＧ（１０ｇ）、ポリマーＥ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７３】
（実施例１１）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＪ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７４】
（実施例１２）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＫ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７５】
（実施例１３）
ポリマーＨ（１０ｇ）、ポリマーＫ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７６】
（比較例１）
ポリマーＡ（１０ｇ）、ポリマーＤ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７７】
（比較例２）
ポリマーＢ（１０ｇ）、ポリマーＤ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７８】
（比較例３）
ポリマーＧ（１０ｇ）、ポリマーＤ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２７９】
（比較例４）
ポリマーＨ（１０ｇ）、ポリマーＤ（１０ｇ）、及び白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体（封止剤全体に対して白金金属が重量単位で１０ｐｐｍとなる量）を混合し、脱泡を行い、光半導体装置用封止剤を得た。
【０２８０】
（評価）
（光半導体装置の作製）
銀めっきされたリード電極付きポリフタルアミド製ハウジング材に、ダイボンド材によって主発光ピークが４６０ｎｍの発光素子が実装されており、発光素子とリード電極とが金ワイヤーで接続されている構造において、得られた光半導体装置用封止剤を注入し、１５０℃で２時間加熱して硬化させ、光半導体装置を作製した。この光半導体装置を用いて、下記の熱衝撃試験を実施した。
【０２８１】
（熱衝撃試験）
得られた光半導体装置を、液槽式熱衝撃試験機（ＥＳＰＥＣ社製「ＴＳＢ−５１」）を用いて、−５０℃で５分間保持した後、１３５℃まで昇温し、１３５℃で５分間保持した後−５０℃まで降温する過程を１サイクルとする冷熱サイクル試験を実施した。１０００サイクル後、２０００サイクル後、３０００サイクル後及び４０００サイクル後にそれぞれ２０個のサンプルを取り出した。
【０２８２】
実体顕微鏡（ニコン社製「ＳＭＺ−１０」）にてサンプルを観察した。２０個のサンプルの光半導体装置用封止剤にそれぞれクラックが生じているか否か、又は光半導体装置用封止剤がパッケージ又は電極から剥離しているか否かを観察し、クラック又は剥離が生じたサンプルの数（ＮＧ数）を数えた。
【０２８３】
（硬度比）
得られた光半導体装置用封止剤を１５０℃で２時間加熱して硬化させた。硬化した光半導体装置用封止剤の硬度を低圧荷重器（ＡＳＫＥＲ社製「ＣＬ−１５０」、Ａ型ゴム硬度計）にて測定し、硬度の初期値とした。熱劣化試験として、硬化した光半導体装置用封止剤を１５０℃のオーブンに５００時間入れた後、硬度を低圧荷重器（ＡＳＫＥＲ社製「ＣＬ−１５０」、Ａ型ゴム硬度計）にて測定し、硬度の熱劣化試験後の値とした。硬度の初期値と硬度の熱劣化試験後の値とから、硬度比（熱劣化試験後の値／初期値）を計算した。
【０２８４】
（耐熱試験）
得られた光半導体装置用封止剤を１５０℃で２時間加熱して硬化させた。硬化した光半導体装置用封止剤の透過率をＵＶ−ＶＩＳ光度計（日立製作所社製「Ｕ−３０００」）にて測定し、４００ｎｍの値を初期の値とした。耐熱試験として、硬化した光半導体装置用封止剤を２００℃のオーブンに５００時間入れた後、透過率をＵＶ−ＶＩＳ光度計（日立製作所社製「Ｕ−３０００」）にて測定し、４００ｎｍの値の初期値に対しての保持率をパーセンテージで計算した。
【０２８５】
（封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）の評価）
得られた光半導体装置を、２３℃及び５０ＲＨ％の雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置した後直ちに、光半導体装置用封止剤の硬化物の表面の粘着性（べたつき）を、硬化物に指を接触させて確認した。粘着性（べたつき）を下記の基準で判定した。
【０２８６】
［粘着性（べたつき）の判定基準］
○○：粘着性（べたつき）を全く感じない
○：粘着性（べたつき）をほぼ感じない
△：粘着性（べたつき）を若干感じた
×：粘着性（べたつき）を多く感じた
【０２８７】
結果を下記の表１に示す。なお、下記の表１に、上記比（珪素原子に結合した水素原子の含有比率／珪素原子に結合したアルケニル基の含有比率）の値も示した。
【０２８８】
【表１】
2013008842.tif 000023
【符号の説明】
【０２８９】
１…光半導体装置
２…ハウジング
２ａ…内面
３…光半導体素子
４…光半導体装置用封止剤
【図１】
2013008842.tif 000031
【国際調査報告】
2013008842.tif 000032
2013008842.tif 000033
2013008842.tif 000034
2013008842.tif 000035