(57)【要約】【要約書】 バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。ターゲットのフランジ部のみの機械的強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらには、従来のスパッタ特性を変えることがなく、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することを可能にすることができる。これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができる。 【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項２】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタ面における（１１１）配向率が５０％以下であることを特徴とする請求項２記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項４】
ターゲット材を塑性加工した後、さらに、フランジ部のみを塑性加工することを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする請求項４記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の薄膜形成用スパッタリングターゲットに関する。特には、半導体銅合金配線を形成するための、自己拡散抑制機能を備えた銅マンガン合金スパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の配線材料としてＡｌ合金（比抵抗：３．０μΩ・ｃｍ程度）が使われてきたが、配線の微細化に伴い、より抵抗の低い銅配線（比抵抗：２．０μΩ・ｃｍ程度）が実用化されてきた。銅配線の形成プロセスとして、配線又は配線溝にＴａやＴａＮなどの拡散バリア層を形成した後、銅をスパッタ成膜することが一般に行われる。銅は通常、純度４Ｎ（ガス成分抜き）程度の電気銅を粗金属として湿式や乾式の高純度化プロセスによって、５Ｎ〜６Ｎの高純度のものを製造し、これをスパッタリングターゲットとして使用していた。【０００３】
上記の通り、半導体用配線として、銅は非常に有効であるが、銅自体が非常に活性な金属で拡散し易く、半導体Ｓｉ基板又はその上の絶縁膜を通してＳｉ基板又はその周囲を汚染するという問題が発生している。特に配線の微細化に伴い、従来のＴａやＴａＮの拡散バリア層を形成するだけでは十分でなく、銅配線材そのものの改良も要求されている。そこで、これまで銅配線材としては、銅（Ｃｕ）にマンガン（Ｍｎ）を添加して、Ｃｕ−Ｍｎ合金中のＭｎが絶縁膜の酸素と反応して自己形成的にバリア層を形成する、自己拡散抑制機能を備えた銅合金が提案されている（例えば、特許文献１）。【０００４】
上記のスパッタリングターゲットは、通常、バッキングプレートとボンディング材等を用いて接合されている。そして、ターゲットの使用後は、スパッタリング装置を停止して使用済みのターゲットを交換する必要があるが、この停止時間（ダウンタイム）を極力短縮して、製造コストを削減するためにターゲットとバッキングプレートを一体型にして、ターゲット自体の厚みを厚くすることが求められている。しかし、このような一体型のターゲットは機械強度が不足して、スパッタ中にターゲットが反りなどの変形を生ずるという欠点がある。【０００５】
このような欠点を克服するために、例えば、特許文献２には、ターゲットとバッキングプレートとが同一材料で製作された一体構造型ターゲットにおいて、ターゲットを塑性加工して、機械的強度を高くすることにより、高出力でスパッタしても、ターゲットの反りなど生じさせない技術が開示されている。しかし、ターゲット全体の機械的強度を高くするために塑性加工の条件を変更すると、ターゲット自体のスパッタ特性が変化してしまい、所望の製品性能を満たすことができないという問題がある。【０００６】
また、特許文献３には、スパッタリングターゲットの非エロージョン部にレーザーを照射して窪みを形成し、その窪みの底面の硬さを非エロージョン部表面の硬さに比べて小さくすることによって、粗大パーティクルの発生を阻止する技術が記載されている。しかし、これはレーザー照射によりメルト部分を軟化して、非エロージョン部の表面に比べて窪みの底面の硬さを小さくするもので、ターゲットの強度を高めて、スパッタ時におけるターゲット変形を抑制するものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−７３８６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１２１６６２号公報
【特許文献３】特開平９−２０９１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、ターゲットのフランジ部のみの機械強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらには、従来のスパッタ特性を変えることがなく、これにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することを可能にし、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することを課題とする。
特には、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた半導体用銅合金配線の形成に有用な銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は、以下の発明を提供するものである。  
１）バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
２）スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする上記１）に記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
３）スパッタ面における（１１１）配向率が５０％以下であることを特徴とする上記２）に記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
４）ターゲット材を塑性加工した後、さらに、フランジ部のみを塑性加工することを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法、
５）スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする上記４）に記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは、ターゲットのフランジ部のみ機械強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらには、従来のスパッタ特性を変えることがなく、これにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することを可能にし、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。
特には、半導体用銅合金配線の形成に有用な高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットにおいて、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明において、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとが一体化し、同一材料で製造されていることを意味する。従来のスパッタリングターゲットとバッキングプレートの２ピース品では、バッキングプレートによって機械的強度を保つことができるので、本発明のように機械強度が不足しても、スパッタ中にターゲットが変形（反りなど）するという問題は内在しない。変形の問題は、本発明のようなスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを一体化し、十分な厚みを持たせたものに対して、顕在化するものである。
【００１２】
本発明において、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖを９０以上とし、かつ、０．２％降伏応力を６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上とする。
フランジ部のビッカース硬さＨｖが９０未満であり、又は、０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２未満では、ターゲット全体の機械的強度が十分でないため、スパッタリング中のターゲットに反りが発生して、膜厚均一性（ユニフォミーティ）を低下させるため、好ましくない。
【００１３】
本発明においてフランジ部とは、バッキングプレート一体型ターゲットをスパッタリング装置に装着するための継ぎ手部分であり、フランジ部自体がスパッタされることは予定していない。
【００１４】
また、本発明において、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは、Ｃｕ−Ｍｎ合金で形成されていることが望ましい。Ｃｕ−Ｍｎ合金は、半導体用銅合金配線の形成に有用であり、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた効果を有する。
【００１５】
上記Ｃｕ−Ｍｎ合金において、Ｍｎ含有量を０．０５ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以上とすることが望ましい。Ｍｎ含有量が０．０５ｗｔ％未満では、自己拡散抑制機能が小さくなり、Ｍｎ含有量が２０ｗｔ％を超えると抵抗が増大し、半導体用銅合金配線としての機能が低下するため、好ましくない。さらに好ましくは、Ｍｎ含有量が０．５ｗｔ％以上、１０ｗｔ％以下である。
【００１６】
また、本発明において、Ｃｕ−Ｍｎ合金からなるバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは、スパッタ面における（１１１）配向率を５０％以下とすることが望ましい。スパッタ面において、（１１１）配向率が５０％を超えると、従来のスパッタ特性が得られず、スパッタリング条件の再調整が必要となるため、好ましくない。
【００１７】
また、本発明において、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造は、たとえば、溶解して得られる金属や合金を鋳造してインゴットを作製し、このインゴットを所定の鍛造比で鍛造し、その後、所定の圧下率で圧延して圧延板を得る。
さらに、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）を鍛造（ハンマー、型鍛造など）して機械的強度を高める。本発明のターゲットを作製する場合、この圧延板の外周部を鍛造することが重要である。鍛造方法や鍛造条件を変更することによって、外周部の機械的強度を適宜調整することができる。しかし、最終的にビッカース硬度Ｈｖ９０以上、０．２％降伏応力６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上の範囲に調整できれば、この鍛造工程に特に制限を課す必要はない。
次に、これを所定の温度及び時間で熱処理する。その後、仕上げ加工して、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造する。
【実施例】
【００１８】
次に、実施例に基づいて本発明を説明する。以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。【００１９】
（実施例１）
実施例１では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９８であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.２５×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４７．２％であった。【００２０】
（実施例２）
実施例２では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９５であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.１３×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４８．０％であった。【００２１】
（実施例３）
実施例３では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９１であり、フランジ部の０．２％降伏応力は６.９８×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４８．９％であった。【００２２】
（実施例４）
実施例４では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径８５０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９７であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.２４×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４７．１％であった。【００２３】
（実施例５）
実施例５では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ０．５ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９６であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.３１×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４８．２％であった。【００２４】
（実施例６）
実施例６では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１０ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９６であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.２１×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４７．９％であった。【００２５】
（実施例７）
実施例７では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１５ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製し、この圧延板の外周部（フランジ部に相当）をさらに鍛造した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、機械加工により、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを製造した。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは９５であり、フランジ部の０．２％降伏応力は７.１９×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は４８．３％であった。【００２６】
（比較例１）
比較例１では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、これを機械加工して、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットとした。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは６３であり、フランジ部の０．２％降伏応力は４．７２×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は５５．３％であった。【００２７】
（比較例２）
比較例２では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、これを機械加工して、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットとした。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは５１であり、フランジ部の０．２％降伏応力は３．９２×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は５３．２％であった。【００２８】
（比較例３）
比較例３では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、これを機械加工して、直径５４０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットとした。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは４８であり、フランジ部の０．２％降伏応力は３．５８×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は５４．１％であった。【００２９】
（比較例４）
比較例４では、溶解鋳造したＣｕ−Ｍｎ合金（Ｍｎ１ｗｔ％）インゴットを鍛造、圧延して圧延板を作製した。次に、これを熱処理した後、急冷してターゲット素材を得た。その後、これを機械加工して、直径８５０ｍｍ、厚さ２５ｍｍのバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットとした。このターゲットの物性を評価したところ、フランジ部のビッカース硬さＨｖは６２であり、フランジ部の０．２％降伏応力は４．７０×１０７Ｎ／ｍ２であり、スパッタ面の（１１１）配向率は５５．５％であった。【００３０】
次に、実施例１〜３、５〜７、比較例１〜３のターゲットをスパッタ装置に装着し、投入電力４０ｋＷ、Ａｒガス圧５５Ｐａでスパッタし、スパッタ後のターゲットの反り量を測定した（表１）。表１に示す通り、実施例１〜３、５〜７のターゲットの反り量は０．０２ｍｍ〜０．０５ｍｍであり、比較例１〜３の反り量０．８ｍｍ〜１．３ｍｍより、変形の少ないターゲットが得られた。
また、成膜した薄膜のシート抵抗値を測定して、その膜厚均一性を算出した（表１）。表１に示す通り、実施例１〜３、５〜７のターゲットを用いて形成した薄膜は、膜厚均一性２．３％〜２．８％であり、比較例１〜３のターゲットを用いた場合の膜厚均一性５．６％〜６．３％に比べて、膜厚均一性（ユニフォーミティ）が良好な結果を示した。【００３１】
なお、実施例４及び比較例４では、ターゲット径が大きく、スパッタ装置に装着することできなかったため、スパッタ後のターゲットの反り量及び薄膜の膜厚均一性を評価できなかった。但し、実施例４及び比較例４におけるターゲットのフランジ部のビッカース硬さ、０．２％降伏応力、スパッタ面の（１１１）配向率が、それぞれ他の実施例及び比較例と同程度であったことから、同様の効果（スパッタ後のターゲットの反り量、膜厚均一性）が得られるものと推測できる。【００３２】
実施例５−７により、Ｍｎ含有量を０．０５〜２０ｗｔ％の範囲内で変化させた場合においても、良好なターゲットの物性が得られ、スパッタ後のターゲットの反り量及び膜厚均一性が得られることを確認した。【００３３】
【表１】
2013047199.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットを提供するものであり、ターゲットのフランジ部のみの機械的強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらに、従来のスパッタ特性を変えることがなく、これにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することができるので、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができるという優れた効果を有する。
本発明のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットは特に、自己拡散抑制機能を有し、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができる、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等に優れた、半導体用銅マンガン合金配線の形成に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｎ：０．０５〜２０ｗｔ％、残部ＣｕからなるＣｕ−Ｍｎ合金を溶解、鋳造、鍛造、圧延して得られた圧延板からなるバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットであって、フランジ部以外のターゲット部位に比べてフランジ部の機械的強度が高く、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
スパッタ面における（１１１）配向率が５０％以下であることを特徴とする請求項１記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｍｎ：０．０５〜２０ｗｔ％、残部ＣｕからなるＣｕ−Ｍｎ合金を溶解、鋳造、鍛造、圧延することにより、ターゲット用圧延板を作製し、さらにこの圧延板のフランジ部のみを塑性加工し、フランジ部以外のターゲット部位に比べてフランジ部の機械的強度を高くすることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
フランジ部のみを塑性加工することにより、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖを９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力を６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上とすることを特徴とする請求項４記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
スパッタ面における（１１１）配向率を５０％以下とすることを特徴とする請求項４又は５に記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｎ：０．０５〜２０ｗｔ％、残部ＣｕからなるＣｕ−Ｍｎ合金ターゲットからなるバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部以外のターゲット部位に比べてフランジ部の機械的強度が高く、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０７Ｎ／ｍ２以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項２】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項３】
スパッタ面における（１１１）配向率が５０％以下であることを特徴とする請求項２記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｍｎ：０．０５〜２０ｗｔ％、残部ＣｕからなるＣｕ−Ｍｎ合金ターゲット材を塑性加工した後、さらに、フランジ部のみを塑性加工し、フランジ部以外のターゲット部位に比べてフランジ部の機械的強度を高くすることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
スパッタリングターゲットとバッキングプレートがＣｕ−Ｍｎ合金で形成されていることを特徴とする請求項４記載のバッキングプレート一体型スパッタリングターゲットの製造方法。
【国際調査報告】
2013047199.tif 000003
2013047199.tif 000004
2013047199.tif 000005
2013047199.tif 000006