(57)【要約】  太陽電池が、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部と、光電変換部の第１主面上に形成される第１透明導電膜と、第１主面の反対側に設けられる第２主面上に形成される第２透明導電膜とを備え、第１主面はｎ型半導体層によって形成され、第２主面はｐ型半導体層によって形成されており、第１透明導電膜のｎ型半導体層側における水素原子含有率は、第２透明導電膜の水素原子含有率よりも低い。
2009116580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光により光生成キャリアを生成する光電変換部と、
前記光電変換部の第１主面上に形成される第１透明導電膜と、
前記第１主面の反対側に設けられる第２主面上に形成される第２透明導電膜と
を備え、
前記第１主面は、ｎ型半導体層によって形成され、
前記第２主面は、ｐ型半導体層によって形成されており、
前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側における水素原子含有率は、前記第２透明導電膜の水素原子含有率よりも低い
ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層の反対側における水素原子含有率は、前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側における水素原子含有率よりも高い
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側と、前記第１透明導電膜のうち前記ｎ型半導体層の反対側とは、それぞれ異なる材料によって構成される
ことを特徴とする請求項２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記光電変換部は単結晶シリコンを主体とし、
前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層のそれぞれは、非晶質シリコン系半導体を主体とする
ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
受光により光生成キャリアを生成する光電変換部を備える太陽電池の製造方法であって、
水素を含まない雰囲気中において、前記光電変換部の第１主面上に第１透明導電膜を形成する工程Ａと、
水素を含む雰囲気中において、前記第１主面の反対側に設けられる第２主面上に第２透明導電膜を形成する工程Ｂと
を備え、
前記第１主面は、ｎ型半導体層によって形成され、
前記第２主面は、ｐ型半導体層によって形成されており、
前記工程Ｂでは、
水素原子を供給しながら前記第２透明導電膜を形成する
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記工程Ａを行った後に、前記工程Ｂを行うことを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換部上に形成される透明導電膜を備える太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンで無尽蔵に供給される太陽光を直接電気に変換できるため、新しいエネルギー源として期待されている。【０００３】
太陽電池は、ｎ型半導体層とｐ型半導体層とを有し、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部を備える。キャリアは、ｎ型半導体層上及びｐ型半導体層上に形成される電極を介して、光電変換部から取出される。電極としては、透明導電膜と金属層との積層構造が用いられる場合がある。この場合、透明導電膜の電気抵抗率は低いことが望ましい。【０００４】
ここで、水素を含む雰囲気中で透明導電膜を形成する手法が提案されている（特開平２−５４７５５号公報参照）。この手法によれば、透明導電膜中に導入される水素原子によって、透明導電膜を構成する原子のダングリングボンドが終端されるため、透明導電膜の電気抵抗率を低くすることができる。【０００５】
しかしながら、上記手法を用いて光電変換部上に透明導電膜を形成すると、光電変換部の表面特性が低下してしまうおそれがあった。具体的には、透明導電膜を形成する際に還元性を有する水素ラジカルによって、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層の表面が劣化されるおそれがあった。【０００６】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、光電変換部の表面特性の低下を抑制できる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００７】
本発明の一の特徴に係る太陽電池は、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部と、前記光電変換部の第１主面上に形成される第１透明導電膜と、前記第１主面の反対側に設けられる第２主面上に形成される第２透明導電膜とを備え、前記第１主面は、ｎ型半導体層によって形成され、前記第２主面は、ｐ型半導体層によって形成されており、前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側における水素原子含有率は、前記第２透明導電膜の水素原子含有率よりも低いことを要旨とする。
【０００８】
本発明の一の特徴に係る太陽電池によれば、第１主面上に形成される第１透明導電膜のｎ型半導体層側における水素原子含有率が、第２主面上に形成される第２透明導電膜の水素原子含有率よりも低い。そのため、光電変換部の第１主面を形成するｎ型半導体層の表面に対する水素ラジカルの影響を低減することができる。従って、光電変換部の表面特性の劣化を抑制することができる。
【０００９】
本発明の一の特徴において、前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層の反対側における水素原子含有率は、前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側における水素原子含有率よりも高くてもよい。
【００１０】
本発明の一の特徴において、前記第１透明導電膜の前記ｎ型半導体層側と、前記第１透明導電膜のうち前記ｎ型半導体層の反対側とは、それぞれ異なる材料によって構成されていてもよい。
【００１１】
本発明の一の特徴において、前記光電変換部は単結晶シリコンを主体とし、前記ｎ型半導体層及び前記ｐ型半導体層のそれぞれは、非晶質シリコン系半導体を主体としていてもよい。
【００１２】
本発明の一の特徴に係る太陽電池の製造方法は、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部を備える太陽電池の製造方法であって、水素を含まない雰囲気中において、前記光電変換部の第１主面上に第１透明導電膜を形成する工程Ａと、水素を含む雰囲気中において、前記第１主面の反対側に設けられる第２主面上に第２透明導電膜を形成する工程Ｂとを備え、前記第１主面は、ｎ型半導体層によって形成され、前記第２主面は、ｐ型半導体層によって形成されており、前記工程Ｂでは、水素原子を供給しながら前記第２透明導電膜を形成することを要旨とする。
【００１３】
本発明の一の特徴において、前記工程Ａを行った後に、前記工程Ｂを行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の第２主面側の平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の断面図である。
【図４】図４は、その他の実施形態に係る太陽電池２０の断面図である。
【図５】図５は、ｎ型非晶質シリコン層上に形成されたＩＴＯ膜の厚さと曲線因子Ｆ．Ｆ．との関係を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。【００１６】
［第１実施形態］
〈太陽電池の概略構成〉
以下において、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の概略構成について、図１及び図２を参照しながら説明する。図１は、太陽電池１０の第２主面Ｓ２側の平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。【００１７】
太陽電池１０は、図１及び図２に示すように、太陽電池基板１と、細線電極２と、接続用電極３とを備える。【００１８】
太陽電池基板１は、図２に示すように、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部１１と、第１透明導電膜１２と、第２透明導電膜１３とを備える。また、太陽電池基板１は、第１主面Ｓ１（図２の下面）と、第１主面Ｓ１の反対側に設けられた第２主面Ｓ２（図２の上面）とを有する。太陽電池基板１の構成については後述する。【００１９】
細線電極２は、光電変換部１１から光生成キャリアを収集する収集電極である。細線電極２は、図１に示すように、太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上において、太陽電池基板１の一辺に略平行な第１方向に沿って形成される。複数本の細線電極２は、第１方向に略直交する第２方向において、略等間隔で並べられる。太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上と同様にして、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１上においても、細線電極２が形成される（不図示）。太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上に形成された細線電極２は、後述する第２透明導電膜１３を介して、光電変換部１１からキャリアを収集する。また、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１上に形成された細線電極２は、後述する第１透明導電膜１２を介して、光電変換部１１からキャリアを収集する。【００２０】
細線電極２は、例えば、樹脂材料をバインダーとし、銀粒子等の導電性粒子をフィラーとした樹脂型導電性ペーストや、銀粉、ガラスフリット、有機質ビヒクル、有機溶媒等を含む焼結型導電性ペースト（いわゆるセラミックペースト）を、印刷法で印刷することにより形成することができる。また、細線電極２は、蒸着法により金属薄膜として形成されてもよい。細線電極２の本数は、光電変換部１１の大きさなどを考慮して、適当な寸法及び本数に設定することができる。【００２１】
接続用電極３は、複数の太陽電池１０を電気的に直列又は並列に接続する配線材（不図示）に接続される電極である。接続用電極３は、図１に示すように、太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上において、第２方向に沿って形成される。従って、接続用電極３は、複数の細線電極２と交差し、複数の細線電極２と電気的に接続される。太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上と同様にして、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１上においても、接続用電極３が形成される（不図示）。接続用電極３は、細線電極２と同様に、印刷法あるいは蒸着法などにより形成することができる。接続用電極３の本数は、光電変換部１１の大きさなどを考慮して、適当な寸法及び本数に設定することができる。【００２２】
〈太陽電池基板の構成〉
次に、本発明の第１実施形態に係る太陽電池基板１の構成の一例について、図２を参照しながら説明する。【００２３】
太陽電池基板１は、図２に示すように、光電変換部１１と、第１透明導電膜１２と、第２透明導電膜１３とを備える。【００２４】
光電変換部１１は、第１主面Ｓ１（図２の下面）と、第１主面Ｓ１の反対側に設けられた第２主面Ｓ２（図２の上面）とを有する。光電変換部１１は、光電変換部１１の第１主面Ｓ１あるいは第２主面Ｓ２において受光することにより光生成キャリアを生成する。光生成キャリアとは、太陽光が光電変換部１１に吸収されることにより生成される一対の正孔及び電子をいう。【００２５】
光電変換部１１は、図２に示すように、ｎ型基板１１ａと、ｉ型半導体層１１ｂと、ｐ型半導体層１１ｃと、ｉ型半導体層１１ｄと、ｎ型半導体層１１ｅとを有する。【００２６】
ｎ型基板１１ａは、光電変換部１１の主体である。ｎ型基板１１ａとしては、例えばｎ型単結晶シリコン基板を用いることができる。【００２７】
ｎ型基板１１ａの第２主面Ｓ２側には、ｉ型半導体層１１ｂを介して、ｐ型半導体層１１ｃが形成される。一方、ｎ型基板１１ａの第１主面Ｓ１側には、ｉ型半導体層１１ｄを介して、ｎ型半導体層１１ｅが形成される。即ち、光電変換部１１の第２主面Ｓ２はｐ型半導体層１１ｃによって形成され、光電変換部１１の第１主面Ｓ１はｎ型半導体層１１ｅによって形成される。【００２８】
ｉ型半導体層１１ｂ、ｐ型半導体層１１ｃ、ｉ型半導体層１１ｄ、ｎ型半導体層１１ｅとしては、それぞれ、ｉ型非晶質半導体層、ｐ型非晶質半導体層、ｉ型非晶質半導体層、ｎ型非晶質半導体層などを用いることができる。この場合、ｉ型非晶質半導体層により構成されるｉ型半導体層１１ｂ及びｉ型半導体層１１ｄの厚みは、実質的に発電に寄与することのない厚みとすることが好ましい。例えば、ｉ型半導体層１１ｂ及びｉ型半導体層１１ｄの厚みは、数Å〜２５０Åの範囲内とすることが好ましい。尚、非晶質半導体としては、非晶質シリコン、非晶質シリコンカーバイド、非晶質シリコンゲルマニウム、微結晶シリコンなどのシリコン系半導体を用いることができる。【００２９】
尚、光電変換部１１の構成は、上述した構成に限るものではない。例えば、光電変換部１１は、ｉ型半導体層１１ｂ及びｉ型半導体層１１ｄを備えていなくてもよく、他の構成を有していてもよい。【００３０】
第１透明導電膜１２は、図２に示すように、光電変換部１１の第１主面Ｓ１を形成するｎ型半導体層１１ｅ上に形成される。第１透明導電膜１２は、透光性及び導電性を有する。第１透明導電膜１２としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、又は酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を用いることができる。これらの金属酸化物には、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、セリウム（Ce）、ジルコニウム（Zr）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）などのドーパントがドープされていてもよい。ドーパントの濃度は、０〜２０ｗｔ％とすることができる。【００３１】
第２透明導電膜１３は、図２に示すように、光電変換部１１の第２主面Ｓ２を形成するｐ型半導体層１１ｃ上に形成される。第２透明導電膜１３は、透光性及び導電性を有する。第２透明導電膜１３としては、第１透明導電膜１２と同様に、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、又は酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を用いることができる。これらの金属酸化物に、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、セリウム（Ce）、ジルコニウム（Zr）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）などのドーパントがドープされていてもよい。ドーパントの濃度は、０〜２０ｗｔ％とすることができる。尚、第２透明導電膜１３を構成する材料は、第１透明導電膜１２を構成する材料と同じであってもよく、異なっていてもよい。【００３２】
ここで、本実施形態では、第１透明導電膜１２の水素原子含有率は、第２透明導電膜１３の水素原子含有率よりも低い。従って、例えば、第１透明導電膜１２としては水素を含まない雰囲気中において形成された金属酸化物を用いるとともに、第２透明導電膜１３としては水素原子を供給する雰囲気（水素を含む雰囲気）中において形成された金属酸化物を用いることができる。【００３３】
〈太陽電池の製造方法〉
次に、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の製造方法について説明する。まず、ｎ型基板１１ａをエッチング加工することにより、第１主面Ｓ１側及び第２主面Ｓ２側に微細な凹凸を形成する。【００３４】
次に、ＣＶＤ法などを用いて、ｎ型基板１１ａの第２主面Ｓ２側に、ｉ型半導体層１１ｂ、ｐ型半導体層１１ｃを順次積層する。同様に、ｎ型基板１１ａの第１主面Ｓ１側に、ｉ型半導体層１１ｄ、ｎ型半導体層１１ｅを順次積層する。以上により、光電変換部１１が形成される。【００３５】
次に、スパッタ法などを用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気などの水素を含まない雰囲気中において、ｎ型半導体層１１ｅ上に第１透明導電膜１２を形成する。尚、水素を含まない雰囲気とは、積極的には水素原子を供給しない雰囲気を示しており、水素を含まない雰囲気中で形成される透明導電膜における水素原子含有率は、1.0×1020 〜 5.2×1020（atoms/cc）程度となる。【００３６】
次に、スパッタ法などを用いて、水素を含む雰囲気中において、ｐ型半導体層１１ｃ上に第２透明導電膜１３を形成する。具体的には、Ａｒ，Ｏ２，Ｈ２Ｏ雰囲気、あるいはＡｒ，Ｏ２，Ｈ２雰囲気などの水素原子供給下において、第２透明導電膜１３を形成する。これにより、第２透明導電膜１３の水素原子含有率が、第１透明導電膜１２の水素原子含有率よりも高くなる。以上により、太陽電池基板１が形成される。尚、第２透明導電膜１３を形成する行程は、第１透明導電膜１２を形成する行程が行われた後に行われることが好ましい。【００３７】
次に、スクリーン印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて、エポキシ系熱硬化型の銀ペーストを、太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上に所定のパターンで配置する。同様に、エポキシ系熱硬化型の銀ペーストを、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１上に所定のパターンで配置する。銀ペーストは、所定条件で加熱して溶剤を揮発させた後、さらに加熱して本乾燥される。ここで、所定のパターンとは、図１に示したように、第１方向に沿って延びる細線電極２と、第２方向に沿って延びる接続用電極３とに対応する形状をいう。以上により、太陽電池１０が作製される。【００３８】
〈作用・効果〉
本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０では、水素を含まない雰囲気中において、光電変換部１１の第１主面Ｓ１を形成するｎ型半導体層１１ｅ上に第１透明導電膜１２を形成し、水素を含む雰囲気中において、光電変換部１１の第２主面Ｓ２を形成するｐ型半導体層１１ｃ上に第２透明導電膜１３を形成する。これにより、光電変換部１１の第１主面Ｓ１上に形成される第１透明導電膜１２の水素原子含有率は、光電変換部１１の第２主面Ｓ２上に形成される第２透明導電膜１３の水素原子含有率よりも低くなる。【００３９】
ここで、本出願人は、光電変換部１１の第２主面Ｓ２を形成するｐ型半導体層１１ｃ上、あるいは光電変換部１１の第１主面Ｓ１を形成するｎ型半導体層１１ｅ上に、水素を含む雰囲気中で透明導電膜を形成する場合において、水素ラジカルがｐ型半導体層１１ｃあるいはｎ型半導体層１１ｅの表面に与える影響ついて検討した。その結果、特にｎ型半導体層１１ｅの表面が水素ラジカルによって劣化されやすいという知見を得た。【００４０】
従って、水素を含む雰囲気中において表面が劣化されやすいｎ型半導体層１１ｅ上には、第１透明導電膜１２を水素を含まない雰囲気中で形成することによって、ｎ型半導体層１１ｅの表面が水素ラジカルにより劣化されることを抑制することができる。一方、水素を含む雰囲気中において水素ラジカルにより与えられる影響がｎ型半導体層１１ｅよりも小さいｐ型半導体層１１ｃ上には、水素原子を積極的に導入することにより第２透明導電膜１３を形成することによって、第２透明導電膜１３の透光性を向上するとともに電気抵抗率を低減することができる。以上より、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０では、光電変換部１１の表面特性の低下を抑制することができる。【００４１】
また、ｎ型半導体層１１ｅ上に第１透明導電膜１２を形成した後に、ｐ型半導体層１１ｃ上に第２透明導電膜１３を形成することにより、ｎ型半導体層１１ｅの表面が第１透明導電膜１２によって保護されるため、水素を含む雰囲気中で第２透明導電膜１３を形成する際に、ｎ型半導体層１１ｅの表面が水素ラジカルから受ける影響をさらに低減することができる。【００４２】
［第２実施形態］
以下において、本発明の第２実施形態について説明する。尚、以下においては、上述した第１実施形態と第２実施形態との差異について主として説明する。具体的には、上述した第１実施形態では、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率と、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅの反対側における水素原子含有率とは、略同等である。これに対し、第２実施形態では、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率と、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅの反対側における水素原子含有率とが相違する。尚、本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の概略構成は、第１実施形態に係る太陽電池１０の概略構成とほぼ同様であるため、ここでは説明を省略する。【００４３】
〈太陽電池基板の構成〉
本発明の第２実施形態に係る太陽電池基板１の構成の一例について、図３を参照しながら説明する。【００４４】
太陽電池基板１は、図３に示すように、光電変換部１１と、第１透明導電膜１２と、第２透明導電膜１３とを備える。光電変換部１１の構成、及び第２透明導電膜１３の構成については、上述した第１実施形態とほぼ同様であるため、ここでは説明を省略する。【００４５】
第１透明導電膜１２は、図３に示すように、第３透明導電膜１２ａと、第４透明導電膜１２ｂとを有する。第３透明導電膜１２ａは、光電変換部１１の第１主面Ｓ１を形成するｎ型半導体層１１ｅ上に形成される。第４透明導電膜１２ｂは、第３透明導電膜１２ａ上に形成される。第３透明導電膜１２ａ及び第４透明導電膜１２ｂは、透光性及び導電性を有する。第３透明導電膜１２ａ及び第４透明導電膜１２ｂとしては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、又は酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を用いることができる。これらの金属酸化物に、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、タングステン（Ｗ）、アンチモン（Ｓｂ）、チタン（Ｔｉ）、セリウム（Ｃｅ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）などのドーパントがドープされていてもよい。ドーパントの濃度は、０〜２０ｗｔ％とすることができる。【００４６】
ここで、本実施形態では、第４透明導電膜１２ｂの水素原子含有率は、第３透明導電膜１２ａの水素原子含有率よりも高い。即ち、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅの反対側における水素原子含有率は、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率よりも高い。また、第３透明導電膜１２ａの水素原子含有率は、第２透明導電膜１３の水素原子含有率よりも低い。即ち、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率は、第２透明導電膜１３の水素原子含有率よりも低い。【００４７】
従って、例えば、第３透明導電膜１２ａとしては水素を含まない雰囲気中において形成された金属酸化物を用いるとともに、第４透明導電膜１２ｂとしては、第２透明導電膜１３と同様に水素原子を供給する雰囲気（水素を含む雰囲気）中において形成された金属酸化物を用いることができる。第２透明導電膜１３を構成する材料と、第３透明導電膜１２ａを構成する材料と、第４透明導電膜１２ｂを構成する材料とは、同じであってもよく、異なっていてもよい。【００４８】
〈太陽電池の製造方法〉
次に、本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の製造方法について説明する。【００４９】
まず、上述した第１実施形態と同様に、光電変換部１１を形成する。次に、スパッタ法などを用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気などの水素を含まない雰囲気中において、光電変換部１１の第１主面Ｓ１を形成するｎ型半導体層１１ｅ上に、第３透明導電膜１２ａを形成する。【００５０】
次に、スパッタ法などを用いて、水素を含む雰囲気中において、ｐ型半導体層１１ｃ上に第２透明導電膜１３を形成する。具体的には、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気、あるいはＡｒ，Ｏ２，水素雰囲気などの水素原子供給下において、第２透明導電膜１３を形成する。これにより、第２透明導電膜１３の水素原子含有率を、第３透明導電膜１２ａにおける水素原子含有率よりも高くする。【００５１】
次に、スパッタ法などを用いて、水素を含む雰囲気中において、第３透明導電膜１２ａ上に第４透明導電膜１２ｂを形成する。具体的には、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気、あるいはＡｒ，Ｏ２，水素雰囲気などの水素原子供給下において、第４透明導電膜１２ｂを形成する。これにより、第４透明導電膜１２ｂにおける水素原子含有率を、第３透明導電膜１２ａにおける水素原子含有率よりも高くする。以上により、第１透明導電膜１２が形成される。以上により、太陽電池基板１が形成される。【００５２】
次に、上述した第１実施形態と同様に、細線電極２及び接続用電極３を形成する。以上により、太陽電池１０が作製される。【００５３】
〈作用・効果〉
本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０では、ｎ型半導体層１１ｅ上に形成される第１透明導電膜１２が、第３透明導電膜１２ａと、第４透明導電膜１２ｂとを有する。第３透明導電膜１２ａは、水素を含まない雰囲気中においてｎ型半導体層１１ｅ上に形成され、第４透明導電膜１２ｂは、水素を含む雰囲気中において第３透明導電膜１２ａ上に形成される。【００５４】
これによれば、ｎ型半導体層１１ｅの表面を劣化させることなく、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率と、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅの反対側における水素原子含有率とが略同等である場合と比較して、第１透明導電膜１２全体としての透光性を向上するとともに電気抵抗率を低減することができる。【００５５】
〈その他の実施形態〉
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。【００５６】
例えば、上述した第１実施形態及び第２実施形態では、結晶系の太陽電池に本発明を適用した場合について説明したが、薄膜系の太陽電池に本発明を適用してもよい。図４は、薄膜系の太陽電池２０の断面図である。太陽電池２０は、図４に示すように、透光性を有する基板２１と、第５透明導電膜２２と、受光により光生成キャリアを生成する光電変換部２３と、第６透明導電膜２４と、裏面電極層２５とを有する。光電変換部２３は、ｐ型半導体層２３ａと、ｉ型半導体層２３ｂと、ｎ型半導体層２３ｃとが基板２１側から順に積層された構成を有する。このような構成を有する太陽電池２０において、上述した第１実施形態及び第２実施形態と同様に、水素を含む雰囲気中において基板２１上に第５透明導電膜２２を形成し、水素を含まない雰囲気中においてｎ型半導体層２３ｃ上に第６透明導電膜２４を形成する。これにより、ｎ型半導体層２３ｃの表面（上記実施形態の「第２表面Ｓ２」に対応）の劣化を抑制することができる。また、第５透明導電膜２２の透光性を向上し、電気抵抗率を低減することができる。さらに、第５透明導電膜２２形成後にｐ型半導体層２３ａが形成されるので、ｐ型半導体層２３ａの第５透明導電膜２２側の表面（上記実施形態の「第１表面Ｓ１」に対応）の劣化をも抑制することができる。尚、太陽電池２０の構成は、図４に示した構成に限るものではなく、第５透明導電膜２２、光電変換部２３、第６透明導電膜２４、裏面電極層２５、基板２１の順に積層された構成であってもよい。また、光電変換部２３の構成は、図４に示した構成に限るものではなく、ｎ型半導体層２３ｃと、ｉ型半導体層２３ｂと、ｐ型半導体層２３ａとが基板２１側から順に積層された構成であってもよく、ｐ型半導体層２３ａとｎ型半導体層２３ｃとが基板２１側から順に積層された構成であってもよい。ｐ型半導体層２３ａ、ｉ型半導体層２３ｂ、及びｎ型半導体層２３ｃとしては、それぞれ、ｐ型、ｉ型、あるいはｎ型の、非晶質Ｓｉ、非晶質ＳｉＣ、非晶質ＳｉＧｅ、微結晶Ｓｉなどの半導体材料を用いることができる。【００５７】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態では、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１上には、太陽電池基板１の第２主面Ｓ２上に形成された細線電極２及び接続用電極３と同様の形状を有する細線電極２及び接続用電極３を形成する場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、細線電極２は、太陽電池基板１の第１主面Ｓ１あるいは第２主面Ｓ２のいずれか一方の略全面を覆うように形成されていてもよい。【００５８】
また、上述した第１実施形態及び第２実施形態では、光電変換部１１が、ｎ型基板１１ａ、ｉ型半導体層１１ｂ、ｐ型半導体層１１ｃ、ｉ型半導体層１１ｄ、及びｎ型半導体層１１ｅを含む場合について説明したが、これに限るものではない。例えば、光電変換部１１は、ｐ型半導体層１１ｃ及びｎ型半導体層１１ｅの２層のみを有していてもよい。【００５９】
また、上述した第２実施形態では、水素原子含有率がそれぞれ異なる第３透明導電膜１２ａ及び第４透明導電膜１２ｂを第１透明導電膜１２として形成することにより、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅの反対側における水素原子含有率を、第１透明導電膜１２のｎ型半導体層１１ｅ側における水素原子含有率よりも高くしたが、これに限るものではない。具体的には、単一の膜である第１透明導電膜１２における水素原子含有率が、ｎ型半導体層１１ｅ側からｎ型半導体層１１ｅの反対側に向かって増大するように第１透明導電膜１２を形成してもよい。このような第１透明導電膜１２は、例えば、形成工程前半では第１透明導電膜１２の形成条件として水素を含まない雰囲気とし、その後段階的に水素原子の供給量を増大し、形成工程後半では第１透明導電膜１２の形成条件を水素を含む雰囲気とすることによって形成することができる。【００６０】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【実施例】
【００６１】
以下、本発明に係る太陽電池について、実施例を挙げて具体的に説明する。但し、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。【００６２】
［水素原子含有率評価］
まず、水素を含まない雰囲気中において形成される透明導電膜の水素原子含有率と、水素を含む雰囲気中において形成される透明導電膜の水素原子含有率との比較を行った。具体的には、水素を含まない雰囲気中においてスパッタ法を用いて形成したＩｎ２Ｏ３膜である試験膜Ａと、水素を含む雰囲気中においてスパッタ法を用いて形成したＩｎ２Ｏ３である試験膜Ｂとについて、ＳＩＭＳにより水素原子含有率を測定した。各試験膜における水素原子含有率の測定結果を表１に示す。
【表１】
2009116580.tif 000003
【００６３】
表１に示すように、水素を含まない雰囲気中において形成したＩｎ２Ｏ３膜である試験膜Ａにおいては、水素原子含有率が1.0×1020〜5.2×1020（atoms/cc）程度であるが、水素を含む雰囲気中において形成することにより積極的に水素原子を導入したＩｎ２Ｏ３膜である試験膜Ｂにおいては、水素原子含有率が1.6×1021 〜 2.1×1021（atoms/cc）となることが確認された。【００６４】
［出力特性評価］
次に、以下のようにして実施例１乃至実施例７、及び比較例に係る太陽電池を作製し、開放電圧Ｖoc、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．、出力値Ｐmaxの各特性値の比較を行った。【００６５】
〈実施例１〉
以下のようにして、実施例１に係る太陽電池を作製した。まず、厚さ２００μｍのｎ型単結晶シリコン基板（ｎ型基板１１ａ）をアルカリ水溶液で異方性エッチング加工することにより、第１主面側及び第２主面側に微細な凹凸を形成した。また、ｎ型基板１１ａの第１主面及び第２主面を洗浄して、不純物を除去した。【００６６】
次に、プラズマＣＶＤ法などを用いて、ｎ型単結晶シリコン基板（ｎ型基板１１ａ）の第２主面側に、ｉ型非晶質シリコン層（ｉ型半導体層１１ｂ）、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）を順次積層した。次に、ｎ型単結晶シリコン基板（ｎ型基板１１ａ）の第１主面側に、ｉ型非晶質シリコン層（ｉ型半導体層１１ｄ）、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）を順次積層した。ｉ型非晶質シリコン層（ｉ型半導体層１１ｂ）、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）、ｉ型非晶質シリコン層（ｉ型半導体層１１ｄ）、及びｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）の厚さは、それぞれ５ｎｍとした。これにより、光電変換部（光電変換部１１）が形成された。【００６７】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）とは、水素を含む雰囲気中において形成されることにより、後述するＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）よりも高い水素原子含有率を有するＩｎ２Ｏ３膜を示す。ＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００６８】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気（水素を含まない雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。ＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。即ち、本実施例１では、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した後に、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。以上により、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００６９】
次に、スクリーン印刷法を用いて、Ａｇを主成分とする導電性フィラーと熱硬化性樹脂とにより構成されるペーストを、太陽電池基板（太陽電池基板１）の第２主面上及び第１主面上に所定のパターンで配置するとともに、２００℃でアニール処理を行った。これにより、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）が形成された。以上により、実施例１に係る太陽電池が形成された。【００７０】
〈実施例２〉
以下のようにして、実施例２に係る太陽電池を作製した。まず、上述した実施例１と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）を形成した。【００７１】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気（水素を含まない雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。ＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００７２】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。即ち、本実施例２では、上述した実施例１とは逆に、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した後に、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。以上により、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００７３】
次に、上述した実施例１と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、実施例２に係る太陽電池が形成された。【００７４】
〈実施例３〉
以下のようにして、実施例３に係る太陽電池を作製した。まず、上述した実施例１と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）を形成した。【００７５】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気（水素を含まない雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）を形成した。ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）の厚さは５００Åとし、形成温度は室温とした。【００７６】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００７７】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）上にＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）を形成した。ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）とは、水素を含む雰囲気中において形成されることにより、ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）よりも高い水素原子含有率を有するＩｎ２Ｏ３膜を示す。ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さは５００Åとし、形成温度は室温とした。【００７８】
次に、上述した実施例２と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、実施例３に係る太陽電池が形成された。【００７９】
〈実施例４〉
本実施例４においては、上述した実施例３におけるＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）の厚さを２００Åとし、ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを８００Åとした。ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）及びＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを変更した点以外は、本実施例４に係る太陽電池の構成と、上述した実施例３に係る太陽電池の構成とは同様である。【００８０】
〈実施例５〉
本実施例５においては、上述した実施例３におけるＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）の厚さを１５０Åとし、ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを８５０Åとした。ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）及びＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを変更した点以外は、本実施例５に係る太陽電池の構成と、上述した実施例３に係る太陽電池の構成とは同様である。【００８１】
〈実施例６〉
本実施例６においては、上述した実施例３におけるＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）の厚さを１００Åとし、ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを９００Åとした。ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）及びＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを変更した点以外は、本実施例６に係る太陽電池の構成と、上述した実施例３に係る太陽電池の構成とは同様である。【００８２】
〈実施例７〉
本実施例７においては、上述した実施例３におけるＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）の厚さを７５Åとし、ＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを９２５Åとした。ＩＴＯ膜（第３透明導電膜１２ａ）及びＩＨＯ膜（第４透明導電膜１２ｂ）の厚さを変更した点以外は、本実施例７に係る太陽電池の構成と、上述した実施例３に係る太陽電池の構成とは同様である。【００８３】
〈実施例８〉
本実施例８においては、上述した実施例２と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）のｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。ＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００８４】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＴＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＴＯ膜（第２透明導電膜１３）とは、水素を含む雰囲気中で形成されることによって、高い水素原子含有率を有するＩＴＯ膜である。ＩＨＴＯ膜の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。以上により、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００８５】
次に、上述した実施例２と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、実施例８に係る太陽電池が形成された。【００８６】
〈実施例９〉
本実施例９においては、上述した実施例２と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）を形成した。【００８７】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気（水素を含まない雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＷＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。ＩＷＯ膜（第１透明導電膜１２）とは、タングステン（Ｗ）がドープされたＩｎ２Ｏ３膜である。ＩＷＯ膜（第１透明導電膜１２）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００８８】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２,水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＷＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＷＯ膜（第２透明導電膜１３）とは、水素を含む雰囲気において形成されることにより、高い水素原子含有率を有するＩＷＯ膜を示す。ＩＨＷＯ膜（第２透明導電膜１３）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。以上により、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００８９】
次に、上述した実施例２と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、実施例９に係る太陽電池が形成された。【００９０】
〈実施例１０〉
本実施例１０においては、上述した実施例２と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）を形成した。【００９１】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２雰囲気（水素を含まない雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＣＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成した。ＩＣＯ膜（第１透明導電膜１２）とは、セリウム（Ｃｅ）がドープされたＩｎ２Ｏ３膜である。ＩＣＯ膜（第１透明導電膜１２）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００９２】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２,水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＣＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成した。ＩＨＣＯ膜（第２透明導電膜１３）とは、水素を含む雰囲気において形成されることにより、高い水素原子含有率を有するＩＣＯ膜を示す。ＩＨＣＯ膜（第２透明導電膜１３）の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。以上により、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００９３】
次に、上述した実施例２と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、実施例１０に係る太陽電池が形成された。【００９４】
〈比較例〉
以下のようにして、比較例に係る太陽電池を作製した。まず、上述した実施例１と同様にして、光電変換部（光電変換部１１）を形成した。【００９５】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上に第１ＩＨＯ膜を形成した。第１ＩＨＯ膜の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。【００９６】
次に、スパッタ法を用いて、Ａｒ，Ｏ２，水蒸気雰囲気（水素を含む雰囲気）中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上に第２ＩＨＯ膜を形成した。第２ＩＨＯ膜の厚さは１０００Åとし、形成温度は室温とした。これにより、太陽電池基板（太陽電池基板１）が形成された。【００９７】
次に、上述した実施例１と同様にして、細線電極（細線電極２）及び接続用電極（接続用電極３）を形成した。以上により、比較例に係る太陽電池が形成された。【００９８】
〈出力特性評価結果〉
上述した実施例１乃至実施例１０、及び比較例に係る太陽電池について、開放電圧Ｖoc、短絡電流Ｉｓｃ、曲線因子Ｆ．Ｆ．、出力値Ｐmaxの各特性値を測定した。測定結果を表２に示す。尚、表２においては、実施例１乃至実施例１０に係る太陽電池の各特性値を、比較例に係る太陽電池の各特性値を１００として規格化して表している。また、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上に形成されたＩＴＯ膜の厚さと曲線因子Ｆ．Ｆ．との関係を、図５に示す。尚、図５においては、実施例２乃至実施例７に係る太陽電池の曲線因子Ｆ．Ｆ．を、比較例に係る太陽電池の曲線因子Ｆ．Ｆ．を１００として規格化して表している。また、比較例に係る太陽電池においては、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にはＩＨＯ層が形成されており、ＩＴＯ膜は形成されていない。そのため、図５においては、比較例に係る太陽電池のＩＴＯ膜厚（Å）をゼロとしている。
【表２】
2009116580.tif 000004
【００９９】
表２に示すように、実施例１乃至実施例１０に係る太陽電池は、比較例に係る太陽電池と比較して、曲線因子Ｆ．Ｆ．が向上したことにより出力値Ｐmaxが向上することが確認された。これは、実施例１乃至実施例１０では、光電変換部（光電変換部１１）の第１主面を形成するｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上に形成される透明導電膜が、水素を含まない雰囲気中において形成されることにより、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上に形成される透明導電膜が水素を含む雰囲気中において形成される比較例と比較すると、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）の表面が劣化することを抑制することができたためである。【０１００】
また、表２に示すように、実施例２に係る太陽電池は、実施例１に係る太陽電池と比較して、曲線因子Ｆ．Ｆ．及び出力値Ｐmaxがさらに向上することが確認された。これは、水素を含む雰囲気中において、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）上にＩＨＯ膜（第２透明導電膜１３）を形成する以前に、水素を含まない雰囲気中において、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上にＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）を形成することにより、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）の表面がＩＴＯ膜（第１透明導電膜１２）により保護されるため、光電変換部（光電変換部１１）が水素を含む雰囲気に晒される際にｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）の表面が劣化し難くなるためである。【０１０１】
また、表２に示すように、実施例８乃至実施例１０に係る太陽電池では、実施例２に係る太陽電池に比べて、曲線因子Ｆ．Ｆ．及び出力値Ｐｍａｘをさらに向上できることが確認された。これは、金属ドーパントを含むことによって、金属ドーパントを含まないＩＨＯ膜に比べて、ｐ型非晶質シリコン層（ｐ型半導体層１１ｃ）との接触抵抗が小さくなるためである。【０１０２】
また、図５に示すように、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上に形成されるＩＴＯ膜（実施例２における第１透明導電膜１２，実施例３乃至実施例７における第３透明導電膜１２ａ）の厚さが０Åから１５０Åまで増大する場合には太陽電池の曲線因子Ｆ．Ｆ．は増大し、当該ＩＴＯ膜の厚さが１５０Å以上となる場合には太陽電池の曲線因子Ｆ．Ｆ．はほぼ一定の値を示す。従って、ｎ型非晶質シリコン層（ｎ型半導体層１１ｅ）上には、１５０Å以上の厚みを有するＩＴＯ膜を形成することが好ましいことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明によれば、光電変換部の表面特性の低下を抑制できる太陽電池及びその製造方法を提供することができるので、太陽光発電分野において有用である。
【図１】
2009116580.tif 000005
【図２】
2009116580.tif 000006
【図３】
2009116580.tif 000007
【図４】
2009116580.tif 000008
【図５】
2009116580.tif 000009
【国際調査報告】
2009116580.tif 000010
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2009116580.tif 000012