(57)【要約】ノイズを抑制する配線基板は薄型化できないため、本発明の配線基板は、第１の配線層と、中間層と、第２の配線層とを備え、第２の配線層、中間層、第１の配線層の順に積層され、第１の配線層は、第１の配線と、第１の配線と分離している第２の配線とを有し、中間層は、第１のビアと、第２のビアとを有し、第２の配線層は、第３の配線と、配線が設けられていない無配線部分とを有し、第１の配線は、第３の配線と分離し、第１のビアおよび第２のビアは、それぞれ、第２の配線と第３の配線とを電気的に接続し、無配線部分は、第１のビアと第２のビアとの間に対応する部分にあり、第１の配線および第２の配線は、無配線部分を横切る。
2013035888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、中間層と、第２の配線層とを備え、
前記第２の配線層、前記中間層、前記第１の配線層の順に積層され、
前記第１の配線層は、第１の配線と、前記第１の配線と分離している第２の配線とを有し、
前記中間層は、第１のビアと、第２のビアとを有し、
前記第２の配線層は、第３の配線と、配線が設けられていない無配線部分とを有し、
前記第１の配線は、前記第３の配線と分離し、
前記第１のビアおよび前記第２のビアは、それぞれ、前記第２の配線と前記第３の配線とを電気的に接続し、
前記無配線部分は、前記第１のビアと前記第２のビアとの間に対応する部分にあり、前記第１の配線および前記第２の配線は、前記無配線部分を横切る
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載した配線基板において、
前記第３の配線は、前記無配線部分により、前記横切る方向に分離されている。
【請求項３】
請求項１に記載した配線基板において、
前記無配線部分は、前記第３の配線の内側にある。
【請求項４】
請求項３に記載した配線基板において、
前記無配線部分は、形状が略矩形であり、前記横切る方向に交差する方向の２ヶ所の端から、それぞれ前記第１の配線と略平行に延びる開口を有している。
【請求項５】
請求項２に記載した配線基板において、
第１のインダクタチップを備え、分離されている前記第３の配線は、それぞれが、前記第１のインダクタチップにより、電気的に接続されている。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載した配線基板において、
前記第２の配線は、前記第１のビアと前記第２のビアとの間を結ぶ直線に対して曲がっている。
【請求項７】
請求項６に記載した配線基板において、
前記第２の配線は、メアンダ形状、または、渦巻き形状である。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載した配線基板において、
第２のインダクタチップを備え、前記第２の配線は分離されており、それぞれが、前記第２のインダクタチップにより電気的に接続されている。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載した配線基板において、
前記第２の配線は、前記第２の配線の面内であって前記第１のビアと前記第２のビアとを結ぶ方向に略垂直な方向の幅が変化している。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載した配線基板において、
前記第１の配線は、信号配線および電源配線のいずれかであり、前記第２の配線および前記第３の配線はグランド配線である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップが複数個実装される電子機器では、半導体チップや半導体チップが電気接続している配線は、ノイズを生じさせている。そのノイズは他の半導体チップに影響を及ぼす結果、他の半導体チップは誤動作する場合がある。そのような誤動作が生じないように、ノイズを抑制する技術が開発されている。
特許文献１の図３１には、電源ノイズ抑制フィルタが開示されている。この電源ノイズ抑制フィルタは平行平板導波路型ＥＢＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｂａｎｄ  Ｇａｐ）素子により構成されている。平行平板導波路型ＥＢＧ素子は第１導体プレーン、第２導体プレーン、第１導体プレーンと第２導体プレーンの間の導体層、の３つの導体層から形成されていることが開示されている。
【特許文献１】国際公開第２００９／０８２００３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述した特許文献１の電源ノイズ抑制フィルタは、第１導体プレーン、第２導体プレーン、第１導体プレーンと第２導体プレーンの間の導体層、の少なくとも３つの配線層から形成される配線基板である。従って、ノイズを抑制する配線基板は、少なくとも３つの配線層が必要であるため、薄型化できないという課題があった。
本発明の目的は、上述した課題である、ノイズを抑制する配線基板は薄型化できない、という課題を解決する配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の配線基板は、第１の配線層と、中間層と、第２の配線層とを備え、第２の配線層、中間層、第１の配線層の順に積層され、第１の配線層は、第１の配線と、第１の配線と分離している第２の配線とを有し、中間層は、第１のビアと、第２のビアとを有し、第２の配線層は、第３の配線と、配線が設けられていない無配線部分とを有し、第１の配線は、第３の配線と分離し、第１のビアおよび第２のビアは、それぞれ、第２の配線と第３の配線とを電気的に接続し、無配線部分は、第１のビアと第２のビアとの間に対応する部分にあり、第１の配線および第２の配線は、無配線部分を横切る。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の配線基板によれば、ノイズを抑制する配線基板の配線層数を減少させ、配線基板を薄型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１Ａは本発明の第１の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１Ｂは本発明の第１の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図２は本発明の第１の実施の形態の配線基板の伝送回路モデルを示す図である。
図３Ａは本発明の第２の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図３Ｂは本発明の第２の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図４は本発明の実施例１の集積回路実装配線基板を示す斜視図である。
図５は本発明の実施例１の集積回路実装配線基板の伝送特性をシミュレーションした結果を示す図である。
図６Ａは本発明の第３の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図６Ｂは本発明の第３の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図７Ａは本発明の第４の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図７Ｂは本発明の第４の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図８は本発明の第４の実施の形態の配線基板の伝送回路モデルを示す図である。
図９は本発明の第４の実施の形態の配線基板の伝送特性をシミュレーションした結果を示す図である。
図１０Ａは本発明の第５の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１０Ｂは本発明の第５の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１１Ａは本発明の第５の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１１Ｂは本発明の第５の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１２Ａは本発明の第６の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１２Ｂは本発明の第６の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１３Ａは本発明の第６の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１３Ｂは本発明の第６の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１４Ａは本発明の第７の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１４Ｂは本発明の第７の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１５Ａは本発明の第７の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１５Ｂは本発明の第７の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１６Ａは本発明の第８の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１６Ｂは本発明の第８の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１７は本発明の第８の実施の形態の配線基板の伝送回路モデルを示す図である。
図１８Ａは本発明の第９の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図１８Ｂは本発明の第９の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
図１９は本発明の第９の実施の形態の配線基板の伝送回路モデルを示す図である。
図２０Ａは本発明の第１０の実施の形態の配線基板を示す展開図である。
図２０Ｂは本発明の第１０の実施の形態の配線基板を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
［第１の実施の形態］
（配線基板の構成）
第１の実施の形態の配線基板について図１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂを参照しながら説明する。
図１Ａ、１Ｂは配線基板１を説明する図面である。ここで、図１Ａは配線基板１の展開図、図１Ｂは図１ＡのＡ−Ａ´線での断面図である。図１Ａにおいて、Ｘ軸の正方向を右、Ｘ軸の負方向を左と定義する。なお、図１Ａ以外の図であって、Ｘ、Ｙ軸が記載されている図においても、図１Ａと同様に、左右を定義する。
配線基板１は、第１の配線層１０と、中間層２０と、第２の配線層３０とを備え、第２の配線層３０、中間層２０、第１の配線層１０の順に積層されている。
そして、第１の配線層１０は、第１の配線１１と、第１の配線１１と分離している第２の配線１２とを有している。
中間層２０は、第１のビア２１と第２のビア２２とを有している。
第２の配線層３０は、第３の配線３１ａ、３１ｂと、配線が設けられていない無配線部分３２を有している。
第１の配線１１は、第３の配線３１ａ、３１ｂと分離している。第１のビア２１および第２のビア２２は、それぞれ、第２の配線１２と第３の配線３１ａ、３１ｂとを電気的に接続している。無配線部分３２は、第１のビア２１と第２のビア２２との間に対応する部分にある。第１の配線１１および第２の配線１２は、無配線部分３２を横切っている。
第３の配線３１ａ、３１ｂは、無配線部分３２により、分離されている。
配線基板１はプリント配線基板、セラミック配線基板等を用いる。
配線基板１は略矩形であるが、Ｌ字型、円形、ドーナツ形状等であってもよい。
ここで、配線基板１は、第１の配線層１０と第２の配線層３０を有する２層配線基板である。なお、配線基板１の構造は、３層以上の配線層を有する配線基板の配線層のうち、２つの層に配線基板１の構造を適用してもよい。
次に、第１の配線層１０、中間層２０および第２の配線層３０の構造について説明する。
第１の配線層１０は略矩形であるが、Ｌ字型、円形、ドーナツ形状等であってもよい。第１の配線１１および第２の配線１２は略矩形であるが、テーパ形状等を有していてもよい。第１の配線１１は第２の配線１２に対して略並行であるが、斜めであってもよい。第１の配線１１は長手方向が第１の配線層１０の両端まで達しているが、必ずしも両端まで達している必要はない。第２の配線１２は長手方向が第１の配線１１より短いが、長くてもよい。また、第２の配線１２は、長手方向の端が配線１０の端よりも内側にあるが、端まで達していてもよい。
中間層２０は略矩形であるが、Ｌ字型、円形、ドーナツ形状等であってもよい。第１のビア２１および第２のビア２２は円柱形状であるが、直方体等であってもよい。
第２の配線層３０は略矩形であるが、Ｌ字型、円形、ドーナツ形状等であってもよい。無配線部分３２は、Ｘ軸方向よりもＹ軸方向に長い略矩形であるが、Ｘ軸方向に長くてもよく、円形等であってもよい。第３の配線３１ａ、３１ｂは、無配線部分３２によりＸ軸方向に分離されており、略矩形であるが、円形等であってもよい。無配線部分３２の左側に、第３の配線３１ａがあり、無配線部分３２の右側に第３の配線３１ｂがある。
第１のビア２１および第２のビア２２は、一方の底面が第２の配線１２と電気的に接続されている。更に、第１のビア２１は他方の底面が第３の配線３１ｂと、第２のビア２２は他方の底面が第３の配線３１ａと、電気的に接続されている。
次に、第１の配線層１０、中間層２０および第２の配線層３０の材料について説明する。
配線基板１がプリント配線基板の場合、第１の配線層１０の第１配線１１および第２配線１２は、材料が銅である。中間層２０の第１のビア２１および第２のビア２２は、材料が銅である。第１のビア２１および第２のビア２２の周りは、材料がエポキシ、ポリイミド、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂である。第２の配線層３０の第３の配線３１ａ、３１ｂは、材料が銅である。
配線基板１がセラミック配線基板の場合について説明する。第１の配線層１０の第１配線１１および第２配線１２は、材料が銀、銀・パラジウムである。中間層２０の第１のビア２１および第２のビア２２は、材料が銀、銀・パラジウムである。第１のビア２１および第２のビア２２の周りは、材料がアルミナセラミック、ガラスセラミックである。第２の配線層３０の第３の配線３１ａ、３１ｂは、材料が銀、銀・パラジウムである。
配線基板１がプリント配線基板、セラミック配線基板以外の場合について説明する。第１の配線層１０の第１配線１１および第２配線１２は、材料が金、銅、または、アルミニウム等である。中間層２０の第１のビア２１および第２のビア２２は、材料が金、銅、または、アルミニウム等である。第１のビア２１および第２のビア２２の周りは、材料がガラス、シリコン、または、コンポジット材料等である。第２の配線層３０の第３の配線３１ａ、３１ｂは、材料が金、銅、または、アルミニウム等である。
（配線基板１の機能）
配線基板１の機能について図２を参照しながら説明する。
図２は、配線基板１の等価回路である。等価回路は、第１の配線の伝送回路モデル１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、第２の配線の伝送回路モデル１２ａを有している。ここで、第１の配線１１は信号配線として、第３の配線はグランド配線として機能する。
図２で、Ｘ´軸の正方向を右、Ｘ´軸の負方向を左、Ｙ´軸の正方向を上、Ｙ´軸の負方向を下と定義する。図２以外の図であって、Ｘ´、Ｙ´軸が記載されている図においても、図２と同様に、上下左右を定義する。
第１の配線の伝送回路モデル１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、および第２の配線の伝送回路モデル１２ａは、円筒素子で示されている。円筒素子の中心から左右に伸ばされている端子は信号を示し、以下では信号端子と記載する。円筒素子の下または上から出ている端子はリファレンスを示し、以下ではリファレンス端子と記載する。図２で円筒素子同士を接続する線は、第１の配線の伝送回路モデル１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、および第２の配線の伝送回路モデル１２ａの接続を示し、配線長などの電気的な意味を持たない。
第１の配線の伝送回路モデル１１ａは、図１で点線α−α´より左側の第１の配線１１と第３の配線３１ａとで構成されるマイクロストリップラインを示している。
同様に、第１の配線の伝送回路モデル１１ｂは、図１で点線α−α´と無配線部分３２との間の第１の配線１１と第３の配線３１ａとで構成されるマイクロストリップラインを示している。
第１の配線の伝送回路モデル１１ｃは、図１で無配線部分３２より右側の第１の配線１１と第３の配線３１ｂとで構成されるマイクロストリップラインを示している。
そして、第２の配線の伝送回路モデル１２ａは、第２の配線１２と第３の配線３１ａ、３１ｂとで構成されるマイクロストリップラインを示している。
第１の配線の伝送回路モデル１１ａは、左側のリファレンス端子がグランドに、右側の信号端子が第１の配線の伝送回路モデル１１ｂの左側の信号端子に、右側のリファレンス端子が第１の配線の伝送回路モデル１１ｂの左側のリファレンス端子に、接続している。
第１の配線の伝送回路モデル１１ｂは、右側の信号端子が第１の配線の伝送回路モデル１１ｃの左側の信号端子に、右側のリファレンス端子が第２の配線の伝送回路モデル１２ａの右側のリファレンス端子に接続している。
第１の配線の伝送回路モデル１１ｃは、右側のリファレンス端子がグランドに接続している。
ここで、第２の配線の伝送回路モデル１２ａは、右側のリファレンス端子が第１の配線の伝送回路モデル１１ｂのリファレンス端子と接続され、右側の信号端子が、１１ｃのリファレンス端子に接続され、左側の２つの端子が短絡していることが特徴である。
第２の配線の伝送回路モデル１２ａは、左側の２つの端子が、第１の配線の伝送回路モデル１１ａの右側のリファレンス端子に接続している。
図２で、入力インピーダンスＺｉｎは、第２の配線の伝送回路モデル１２ａの右側の信号端子とリファレンス端子（点線（１）−（１）´参照）から、第２の配線の伝送回路モデル１２ａの左側の短絡している部分に向かって見た値と定義する。
その入力インピーダンスＺｉｎは、以下の数式１および数式２によって表される。ここで、ｊは虚数を、Ｚｇは第２の配線の伝送回路モデル１２ａの特性インピーダンスを、βは位相定数を、ｄは無配線部分３２の左端から第２のビア２２の右端までの距離を、λは電磁波の波長を表している。
2013035888.tif 000003
数式１で表される入力インピーダンスＺｉｎは、ｄ＝λ／４となる周波数の奇数倍の周波数で、数式２になり無限大になる。
従って、第２の配線１２と第３の配線３１ａ、３１ｂとで構成される回路は、上述した周波数で、共振器として機能し、第３の配線３１ａ、３１ｂに流れるリターン電流の伝播を阻害する。このようにして、本実施の形態の配線基板１は、第１の配線１１と第３の配線３１ａ、３１ｂとで構成されるマイクロストリップラインを伝播してきた信号のうちｄ＝λ／４となる周波数の奇数倍の周波数の信号をノイズとして除去することができる。
なお、ｄは以下の数式３から設計することができる。ここで、ｆはノイズの周波数、ｃは光速、εｒは中間層２０の第１のビア２１と第２のビア２２の周りの材料の比誘電率を表している。
2013035888.tif 000004
（配線基板１の製造方法）
配線基板１の製造方法について説明する。配線基板１は、プリント配線基板の公知の製造方法、セラミック配線基板の公知の製造方法等によって製造することができる。
（配線基板１の効果）
ノイズを除去する配線基板１は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
［第２の実施の形態］
（配線基板の構成）
第２の実施の形態について図３Ａ、３Ｂを参照しながら説明する。図３Ａ、３Ｂは、配線基板４０を説明する図面である。ここで、図３Ａは配線基板４０の展開図、図３Ｂは図３ＡのＢ−Ｂ´での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１の実施の形態と略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態では、第２の配線１２ｂの幅が、第１の実施の形態の第２の配線１２の幅に比べて太くなっている。ここで幅とは、第２の配線１２ｂのＹ軸方向の長さのことをいう。
また、中間層２０は、３つの第１のビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃと、３つの第２のビア２２ａ、２２ｂ、２２ｃを有している。
第１のビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃおよび第２のビア２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、一方の底面が第２の配線１２ｂに接続されている。更に、第１のビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃは他方の底面が第３の配線３１ｂと、第２のビア２２ａ、２２ｂ、２２ｃは他方の底面が第３の配線３１ａと電気的に接続されている。
（配線基板４０の機能）
本実施の形態でも、第１の実施の形態と同じ計算方法で、除去するノイズの周波数を決めることができ、第２の配線１２ｂの幅には依存しない。
（配線基板４０の効果）
ノイズを除去する配線基板４０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
更に、第２の配線１２ｂは、３つの第１のビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃを介して第３の配線３１ｂと電気的に接続しているため、接続が強固になる。同様に、第２の配線１２ｂは、３つの第２のビア２２ａ、２２ｂ、２２ｃを介して第３の配線３１ａと電気的に接続しているため、接続が強固になる。
更に、配線基板４０は、３つの第１のビア２１ａ、２１ｂ、２１ｃを有しているため、そのうちの少なくとも１つのビアが接続されていれば電気的に接続されるため、製造の歩留まりが向上する。同様に、配線基板４０は、３つの第２のビア２２ａ、２２ｂ、２２ｃについても、上述した第１のビアの場合と同様に、製造の歩留まりが向上する。
【実施例１】
【０００８】
（集積回路実装配線基板の構成）
実施例１の集積回路実装配線基板５０について、図４、図５を参照しながら説明する。図４は、集積回路実装配線基板５０を説明する斜視図である。
集積回路実装配線基板５０は、配線基板１ａ上に集積回路５１〜５４が実装されている。配線基板１ａは、集積回路５１と集積回路５２の間に第４の配線５５を有している。集積回路５１は、第４の配線５５により集積回路５２と電気的に接続している。
また、配線基板１ａは、集積回路５３と集積回路５４の間に、配線基板１の構造を有している。つまり、配線基板１ａは、集積回路５３と集積回路５４の間に、第１の配線１１、第２の配線１２、第１のビア２１、第２のビア２２、第３の配線３１ａ、３１ｂ、無配線部分３２を有している。第３の配線３１ａ、３１ｂは、無配線部分３２によって、第３の配線３１ａと第３の配線３１ｂとに分離されている。そして、配線基板１よりも広い配線基板１ａの領域でも、第３の配線３１ａは第３の配線３１ｂと分離されている。集積回路５３は第１の配線１１の一端に電気的に接続され、集積回路５４は、第１の配線１１の他端に電気的に接続されている。集積回路５３は第１の配線１１を介して集積回路５４と電気的に接続されている。集積回路５１、集積回路５２、および第４の配線５５は、配線基板１に近接して配置されている。
（集積回路実装配線基板５０の動作）
集積回路５１は、第４の配線５５を介して、２．１ＧＨｚの周波数成分を有するクロック信号を、集積回路５２に伝送する。集積回路５３は、第１の配線１１を介して、５００Ｍｂｐｓ（ｂｉｔ  ｐｅｒ  ｓｅｃｏｎｄ）のデジタル信号を、集積回路５４に伝送する。そして、クロック信号は、第４の配線５５を伝送している一部がノイズ５６として第１の配線１１に結合している。ここでは、第４の配線５５から生じるノイズ５６について記載するが、集積回路５１から生じるノイズが主になる場合もある。
配線基板１の構造は中間層２０を含み、第１のビア２１と第２のビア２２の周りの材料の比誘電率（εｒ）は４．４である。中間層２０は図１に示す厚みａが６０μｍである。さらに、第１の配線１１、第２の配線１２および第３の配線３１ａ、３１ｂは厚みが２０μｍである。第２の配線１２は、幅が１ｍｍである。無配線部分３２の左端から第２のビア２２の右端までの距離ｄは、１７．３ｍｍである。第１の配線１１は長さが３０ｍｍで、第２の配線１２は長さが１８ｍｍである。第２の配線１２の左端から集積回路５３の右端までの距離、第２の配線１２の右端から集積回路５４の左端までの距離は、それぞれ６ｍｍである。
（集積回路実装配線基板５０のシミュレーション結果）
図５は、第１の配線１１の伝送特性を３次元電界シミュレータで電磁解析を行った結果を示すグラフである。
グラフは、第１の配線１１のＳパラメータのうち挿入損失Ｓ２１を表し、横軸が周波数を、縦軸が損失を示している。挿入損失Ｓ２１は、集積回路５３から出力した信号に対する集積回路５４に到達する信号の割合を示す。挿入損失Ｓ２１は、周波数が２．１ＧＨｚ、および２．１ＧＨｚの３倍の周波数である６．３ＧＨｚの共振周波数で著しく小さくなるが、その他の周波数でほぼ０ｄＢに近い値になっている。
この結果から、配線基板１の構造は、特定の周波数の信号が著しく減衰して信号の伝播が阻まれる一方、その他の周波数の信号が透過する帯域除去フィルタとして振舞うことを意味する。
（集積回路実装配線基板５０の効果）
従って、集積回路５３が出力した５００Ｍｂｐｓの信号は集積回路５４に損失がなく到達し、集積回路５１から到来した２．１ＧＨｚのノイズ５６は除去される。つまり、集積回路５３は、集積回路５４と良好に信号伝送を行うことができる。
［第３の実施の形態］
（配線基板の構成）
第３の実施の形態の配線基板について図６Ａ、６Ｂを参照しながら説明する。ここで、図６Ａは配線基板６０の展開図、図６Ｂは図６ＡのＣ−Ｃ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１、２の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態の特徴は、第１のビア２１と第２のビア２２とが、後述する２つの周波数でノイズを減衰する程度に無配線部分３２から離れて配置されていることである。この構造は、無配線部分３２の両側に共振器を形成し、任意の異なる２つの周波数でノイズを減衰できる。
図６Ｂで、ｄ１は、第１のビア２１の左端から無配線部分３２の右端までの距離である。ｄ２は、第２のビア２２の右端から無配線部分３２の左端までの距離である。
（配線基板６０の機能）
配線基板６０の機能について説明する。長さｄ１のマイクロストリップ配線は、無配線部分３２の右側に、第２の配線１２と第３の配線３１ｂによって形成され、ｄ１＝λ１／４となる周波数でノイズを減衰する。同様に、長さｄ２のマイクロストリップ配線は、無配線部分３２の左側に、第２の配線１２と第３の配線３１ａによって形成され、ｄ２＝λ２／４となる周波数でノイズを減衰する。
（配線基板６０の効果）
ノイズを除去する配線基板６０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
更に、配線基板６０は、任意の異なる２つの周波数でノイズを除去することができる。
［第４の実施の形態］
（配線基板の構成）
第４の実施の形態の配線基板について図７Ａ、図７Ｂ、図８、図９を参照しながら説明する。ここで、図７Ａは配線基板７０の展開図、図７Ｂは図７ＡのＤ−Ｄ´での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜３の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態の特徴は、無配線部分３２ａが、第３の配線３１の内側にあることである。
無配線部分３２ａは、略矩形であるが、円形等であってもよく、周囲に第３の配線３１が存在する。第１のビア２１は、無配線部分３２ａの右側で、第２の配線１２と第３の配線３１を電気的に接続している。第２のビア２２は、無配線部分３２ａの左側で、第２の配線１２と第３の配線３１を電気的に接続している。
（配線基板７０の機能）
配線基板７０の機能について、図８、９を参照しながら説明する。
図８は、配線基板７０の等価回路である。図８は、図２と比較して、インダクタ７１ａがある点が異なる。インダクタ７１ａは、第１の配線の伝送回路モデル１１ｂの右側のリファレンス端子と、第１の配線の伝送回路モデル１１ｃの左側のリファレンス端子とを接続し、無配線部分３２ａの周囲を迂回する電流を表したものである。
ここで、図８において、入力アドミタンスＹｉｎは、第１の伝送回路モデル１１ｂの右側のリファレンス端子と第１の伝送回路モデル１１ｃの左側のリファレンス端子とから（図８の（２）−（２）´参照）、第２の配線の伝送回路モデル１２ａまでを見たアドミタンスと定義する。
そして、入力アドミタンスＹ´ｉｎは、第２の配線の伝送回路モデル１２ａの右側の信号端子とリファレンス端子とから（図８の（３）−（３）´参照）、第２の配線の伝送回路モデル１２ａを見たアドミタンスと定義する。Ｙ´ｉｎは、以下の数式４で表される。ここで、Ｚｇは第２の配線１２と第３の配線３１とで構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンス、βは伝播定数、ｄは無配線部分３２ａの左端から第２のビア２２の右端までの距離を表している。
2013035888.tif 000005
ここで、Ｚｇは第２の配線１２と第３の配線３１とで構成されるマイクロストリップラインの特性インピーダンス、βは伝播定数、ｄは無配線部分３２ａの左端から第２のビア２２の右端までの距離を表している。
ｄ＝λ／４となる周波数においてｔａｎ（βｄ）＝∞となるため、入力アドミタンスＹ´ｉｎは０となる。すなわち、入力アドミタンスＹ´ｉｎに対応する入力インピーダンスは∞になる。
入力アドミタンスＹｉｎは、インダクタ７１ａのインダクタンス値をＬとして、以下の数式５で表される。
2013035888.tif 000006
この入力アドミタンスＹｉｎが０のとき、第１の配線の伝送回路モデル１１ａ、１１ｂ、１１ｃを伝播する信号は減衰される。
入力アドミタンスＹｉｎと、無配線部分３２ａの周囲を迂回する電流によるインダクタンス７１ａの関係ついて、図９を参照しながら説明する。図９は、入力アドミタンスＹｉｎの周波数特性である。
第１の実施の形態の構造は、迂回する電流経路がなく、Ｌ＝∞に相当する。この場合の入力アドミタンスＹｉｎは、図９のグラフの左端の実線のデータで表され、ｄ＝λ／４となる周波数ｆ＝ｃ／（４ｄεｒ０．５）で０となる。
本実施の形態では、電流の迂回路が存在するためＬは有限の値をとり、入力アドミタンスＹｉｎはＬの値が小さくなるにつれてグラフの右下に移動する。図９でＬ１＞Ｌ２であり、アドミタンスＹｉｎはＬ＝Ｌ１の場合、図９のグラフの左端から２番目の点線のデータで表される。同様にアドミタンスＹｉｎはＬ＝Ｌ２の場合、図９のグラフの左端から３番目の１点鎖線のデータで表される。アドミタンスＹｉｎは、Ｌ＝Ｌ１の場合に比べてＬ＝Ｌ２場合の方が、グラフの右下に移動している。
ここで、Ｌ＝∞、Ｌ１、Ｌ２のデータは、周期がｃ／（２ｄεｒ０．５）で、繰り返される。図９のグラフで、左端から１〜３番目のデータは１つ目の周期のデータを示し、４〜６番目のデータは２つ目の周期のデータを示している。
信号の伝播は、入力アドミタンスＹｉｎ＝０となるとき、抑制される。つまり、信号の伝播が抑制される周波数は、Ｌが小さくなるにつれて高周波側に移動する。無配線部分３２ａの周囲の長さが短くなると、Ｌは小さくなる。Ｌが０に十分に近づくとき、入力アドミタンスＹｉｎ＝０となる周波数は、ｃ／（２ｄεｒ０．５）になり、この値より大きい周波数には移動しない。
（配線基板７０の効果）
ノイズを除去する配線基板７０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
更に、配線基板７０は、第３の配線基板３１の内側に無配線部分３２ａを設けて電流が迂回することにより、第１の実施の形態と比較して、ノイズを減衰させる周波数を高周波側に移動することができる。
［第５の実施の形態］
（配線基板の構成）
第５の実施の形態の配線基板について図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ、図１１Ｂを参照しながら説明する。ここで、図１０Ａは、配線基板８０の展開図、図１０Ｂは図１０ＡのＥ−Ｅ´線での断面図である。また、図１１Ａは、配線基板９０の展開図、図１１Ｂは図１１ＡのＦ−Ｆ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜４の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態で、無配線部分３２ｂは、第３の配線３１の内側にあり、形状が略矩形であるが円形形状等でもよい。更に、無配線部分３２ｂは、第１の配線１１および第２の配線１２が無配線部分３２ｂを横切る方向に交差する方向の２ヶ所の端から、それぞれ第１の配線１１と略平行に延びる開口３３ａ、３３ｂを有している。開口３３ａは、開口３３ｂに対して、斜めになっていても良い。開口３３ａ、３３ｂは、形状が略矩形であるが円形形状等でもよい。
図１０Ａに示すように、無配線部分３２ｂは、Ｙ軸方向の２ヶ所の端から、右方向に伸びる開口３３ａ、３３ｂを有している。
または、図１１Ａに示すように、開口３３ｃ、３３ｄは、左方向に伸びていても良い。図１１Ａは、開口３３ｃ、３３ｄの延びる方向のみが図１０Ａと異なる。
（配線基板８０、９０の機能）
配線基板８０、９０の機能について説明する。本実施の形態は、等価回路が第４の実施の形態と同様に図８になる。本実施の形態で、第３の配線基板３１を流れるリターン電流は、経路が図１０Ａの点線で示すように、無配線部分３２ｂ、開口３３ａ、開口３３ｂの周囲を大きく迂回する。図１１Ａの場合も同様に、第３の配線基板３１を流れるリターン電流は、無配線部分３２ｂ、開口３３ｃ、開口３３ｄの周囲を大きく迂回する。
そのため、インダクタ７１ａは、インダクタンス値が大きくなり、そのインダクタンス値に応じてノイズを減衰する周波数が低周波側へ移動する。このように、無配線部分３２ｂに開口３３ａおよび３３ｂ、または、３３ｃおよび３３ｄを追加することにより、ノイズを除去する周波数を、低周波側に移動することができる。
（配線基板８０、９０の効果）
ノイズを除去する配線基板８０，９０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
更に、配線基板８０、９０は、第３の配線基板３１の内側に無配線部分３２ｂを設け、無配線部分３２ｂに開口３３ａおよび３３ｂ、または、３３ｃおよび３３ｄを追加することにより、第４の実施の形態と比較して、ノイズを除去する周波数を、低周波側に移動することができる。
［第６の実施の形態］
（配線基板の構成）
第６の実施の形態の配線基板について図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂを参照しながら説明する。ここで、図１２Ａは、配線基板１００の展開図、図１２Ｂは図１２ＡのＧ−Ｇ´線での断面図である。また、図１３Ａは、配線基板１１０の展開図、図１３Ｂは図１３ＡのＨ−Ｈ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜５の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態は、第１のインダクタチップ３４を備え、分離されている第３の配線３１ａ、３１ｂは、それぞれが、前記第１のインダクタチップ３４により、電気的に接続されている。
図１２Ａ、１２Ｂに示すように、第３の配線３１ａ、３１ｂは、無配線層３２によって分離されており、無配線層３２の左側が第３の配線３１ａ、右側が第３の配線３１ｂである。第３の配線３１ａ、３１ｂは、それぞれ、２個ずつ第１のインダクタチップ実装用パッド３５を有している。２個の第１のインダクタチップ３４は、第１のインダクタチップ実装用パッド３５に実装されている。ここでは、２個の第１のインダクタチップ３４を実装した例について説明したが、第１のインダクタチップ３４の個数は２個でなく、１個または３個以上でも良い。
または、図１３Ａ、１３Ｂに示すように、第１のインダクタチップ実装用パッド３６は、第１の配線層１０にある。第１のインダクタチップ実装用パッド３６は、第３のビア２３を介して、第３の配線３１ａ、３１ｂと電気的に接続している。そして、２個の第１のインダクタチップ３４は、第１のインダクタチップ実装用パッド３６に実装されている。
（配線基板１００、１１０の機能）
配線基板１００、１１０の機能について説明する。本実施の形態は、等価回路が第４の実施の形態と同様に図８になる。本実施の形態は、インダクタを構成するものが第３の配線３１を迂回する電流ではなく、実装された第１のインダクタチップ３４である点が、第３の実施の形態と異なる。実装された第１のインダクタチップ３４によって、Ｌは有限の値になり、図９に示すように入力アドミタンスＹｉｎは０となる周波数が高周波側に移動する。
（配線基板１００、１１０の効果）
ノイズを除去する配線基板１００，１１０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため、薄型化できる。
更に、配線基板１００、１１０は、実装された第１のインダクタチップ３４によって、第１の実施の形態と比較して、ノイズを除去する周波数は、高周波側に移動することができる。
更に、実装された第１のインダクタチップ３４は、直流や低周波の信号を通過させるので、第３の配線３１ａと第３の配線３１ｂとの電気接続を強固にすることができる。
［第７の実施の形態］
（配線基板の構成）
第７の実施の形態の配線基板について図１４Ａ、図１４Ｂ、図１５Ａ、図１５Ｂを参照しながら説明する。ここで、図１４Ａは、配線基板１２０の展開図、図１４Ｂは図１４ＡのＩ−Ｉ´線での断面図である。また、図１５Ａは、配線基板１３０の展開図、図１５Ｂは図１５ＡのＩ−Ｉ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜６の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態は、第２の配線１２ｃ、１２ｄが、第１のビア２１と第２のビア２２との間を結ぶ直線に対して曲がっている。つまり、第２の配線１２ｃ、１２ｄは、第１のビア２１と第２のビア２２とを結ぶ直線以外の任意の形状である。
図１４Ａに示すように、配線基板１２０は、第２の配線１２ｃがメアンダ形状をしている。ここで、メアンダ形状は、曲線で表される波、矩形波等である。そして、配線基板１２０は、第２の配線１２ｃ以外の点で、第１の実施の形態の図１と同じ構造である。
また、図１５Ａに示すように、配線基板１３０は、第２の配線１２ｄが渦巻き形状をしている。ここで、渦巻き形状は、曲線で表される渦巻き、角を有する渦巻き等である。この第２の配線１２ｄ以外は、第１の実施の形態の図１と同じ構造である。
（配線基板１２０、１３０の機能）
本実施の形態の第２の配線１２ｃ、１２ｄは、第１のビア２１と第２のビア２２間の距離が一定の場合に、第２の配線１２ｃ、１２ｄの配線長を長くすることができる。言い換えると、第２の配線１２ｃ、１２ｄのノイズを除去する周波数を一定に保ったまま、第１のビア２１と第２のビア２２間の距離を短くできる。従って、配線基板１２０、１３０は小型化できる。
（配線基板１２０、１３０の効果）
ノイズを除去する配線基板１２０、１３０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため薄型化できる。
更に、第２の配線１２ｃ、１２ｄは、曲がっているため、ノイズを除去する周波数を一定に保ったまま、配線基板１２０、１３０を小型化できる。
更に、配線基板１２０、１３０の第１の配線層１０の面積を効率的に使い、第２の配線１２ｃ、１２ｄの配線長を調節することができる。
［第８の実施の形態］
（配線基板の構成）
第８の実施の形態の配線基板について図１６Ａ、図１６Ｂ、図１７を参照しながら説明する。ここで、図１６Ａは、配線基板１４０の展開図、図１６Ｂは図１６ＡのＫ−Ｋ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜７の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態は、第２のインダクタチップ１３を備え、第２の配線１２ｅ、１２ｆは分離されており、それぞれが、第２のインダクタチップ１３により、電気的に接続されている。
図１６Ａ、１６Ｂに示すように、配線基板１４０は、第２の配線１２ｅ、１２ｆが、分離されている。そして、第２の配線１２ｅの右端と、第２の配線１２ｆの左端とは、第２のインダクタチップ１３により電気的に接続されている。配線基板１４０は、第２の配線１２ｅ、１２ｆ、第２のインダクタチップ１３以外の点で、第１の実施の形態の図１と同じ構造である。
（配線基板１４０の機能）
配線基板１４０の機能について図１７を参照しながら説明する。図１７は、配線基板１４０の等価回路である。図１７の等価回路は、図２の等価回路と比較して、第２のインダクタチップの伝送回路モデル１３ａがある点で異なる。第２の伝送回路モデル１２ａの左側の信号端子およびリファレンス端子は、第２のインダクタチップの伝送回路モデル１３ａによって終端されている。
第１の実施の形態と同様に、図１７で、入力インピーダンスＺｉｎは、第２の配線の伝送回路モデル１２ａの右側の信号端子とリファレンス端子（点線（１）−（１）´参照）から、第２の配線の伝送回路モデル１２ａの左側の短絡している部分に向かって見た値と定義する。
入力インピーダンスＺｉｎは、第２の配線１２ｅの長さが１２ｆに比べて十分短くて無視でき、さらに第２の配線１２ｅ、１２ｆの伝送損失を無視できるとき、以下の数式６によって表される。ここで、Ｚｇは第２の配線の伝送回路モデル１２ａの特性インピーダンス、ｄは第２の配線１２ｆの長さ、Ｌは第２のインダクタチップ１３のインダクタンス値、ｆは信号の周波数とする。
2013035888.tif 000007
数式６で表される入力インピーダンスＺｉｎは、分母が０、すなわちｔａｎ（βｄ）が、以下の数式７の値をとるとき、理論上無限大となる。この分母が０となる周波数ｆで、第２の配線１２ｅ、１２ｆと第２のインダクタチップ１３は、ノイズを除去する共振器として機能し、第１の配線１１のリターン電流の伝播を阻止することにより、信号の伝播を阻止する。
2013035888.tif 000008
ここで、ｔａｎ（βｄ）は、βｄに対して単調に増加する。従って、周波数ｆと特性インピーダンスＺｇが一定のとき、数式７は、Ｌが大きくなるにつれてｄが小さくなる。すなわち、Ｌを大きくすれば、ｄで表される第２の配線１２ｆの長さを短くすることができる。このようにして、第２の配線１２ｅ、１２ｆを第２のインダクタチップ１３で終端することにより、配線基板１４０を小型化することができる。
（配線基板１４０の効果）
ノイズを除去する配線基板１４０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため薄型化できる。
更に、第２の配線１２ｆは第２のインダクタチップ１３で終端されていることにより、配線基板１４０を小型化できる。
［第９の実施の形態］
（配線基板の構成）
第９の実施の形態の配線基板について図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９を参照しながら説明する。ここで、図１８Ａは、配線基板１５０の展開図、図１８Ｂは図１８ＡのＬ−Ｌ´線での断面図である。
なお、本実施の形態では、第１〜８の実施の形態と、略同一機能を有する構成については、同じ符号をつけて説明を省略する。
本実施の形態で、第２の配線１２ｇ、１２ｈは、第２の配線１２ｇ、１２ｈの面内であって第１のビア２１と第２のビア２２とを結ぶ方向に対応する方向に略垂直な方向の幅が、変化している。
図１８Ａ、１８Ｂに示すように、配線基板１５０は、第２の配線１２ｇ、１２ｈを備えており、第２の配線１２ｇは第２のビア２２と、第２の配線１２ｈは第１のビア２１と電気的に接続している。そして、第２の配線１２ｇ、１２ｈは略矩形であるがテーパ形状等を有していても良い。第２の配線１２ｇは幅が、第２の配線１２ｈの幅よりも狭い。
（配線基板１５０の機能）
配線基板１５０の機能について図１９を参照しながら説明する。図１９は、配線基板１５０の等価回路である。図１９の等価回路は、図２の等価回路と比較して、以下の点で異なる。伝送回路モデル１２ｉは第２の配線１２ｇと第３の配線３１ａとでマイクロストリップラインを構成し、伝送回路モデル１２ｊは第２の配線１２ｈと第３の配線３１ａ、３１ｂとでマイクロストリップラインを構成している。第２の配線１２ｇは、長さがｄ１、特性インピーダンスがＺ１である。第２の配線１２ｈは、長さがｄ２、特性インピーダンスがＺ２である。
ここで、第２の配線１２ｇは、伝送回路モデル１２ｉの左端の信号端子とリファレンス端子とが短絡終端され、幅が第２の配線１２ｈの幅よりも狭く特性インピーダンスが大きいことが重要である。つまり、特性インピーダンスＺ１は、特性インピーダンスがＺ２よりも大きい。
そして、入力インピーダンスＺｉｎは、伝送回路モデル１２ｊの右端の信号端子とリファレンス端子から第２の配線の伝送回路モデル１２ｉ、１２ｊを見た値と定義すると、以下の数式８によって表される。
2013035888.tif 000009
入力インピーダンスＺｉｎは、分母が０のとき、すなわち以下の数式９が成立するときに無限大となる。
2013035888.tif 000010
この分母が０となる周波数で、第２の配線１２ｇ、１２ｈは、ノイズを除去する共振器として機能し、第１の配線１１のリターン電流を阻止することにより、信号の伝播を阻止する。
ここで、第８の実施の形態の数式７の場合と同様に、特性インピーダンスＺ１を大きくすると、第２の配線１２ｇ、１２ｈは、長さｄ１、ｄ２、または、ｄ１およびｄ２、を短くすることができる。
このように、第２の配線１２ｇ、１２ｈの幅を変化させて特性インピーダンスＺ１側の幅を狭くすることにより、同じ共振周波数に対して第２の配線１２ｇ、１２ｈは、長さが短くなり配線基板１５０を小型化することができる。
なお、等価回路で短絡終端される側は、第２の配線層３０で無配線部分３２から第１のビア２１までの距離、または、無配線部分３２から第２のビア２２までの距離のうち遠い方になる。
図１８Ａ、１８Ｂでは、第２のビア２２と無配線部分３２との距離は、第２のビア２１と無配線部分３１との距離よりも遠いため、図１９のように第２のビア２２側が等価回路上で短絡終端されることになる。従って、配線基板１５０は、第２のビア２２に電気的に接続される第２の配線１２ｇの幅が狭い。
（配線基板１５０の効果）
ノイズを除去する配線基板１５０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため薄型化できる。
第２の配線１２ｇ、１２ｈの幅を変化させることにより、同じ共振周波数に対して第２の配線１２ｇ、１２ｈは、長さが短くなり配線基板１５０を小型化することができる。
［第１０の実施の形態］
（配線基板の構成）
第１０の実施の形態について、図２０Ａ、２０Ｂを参照しながら説明する。ここで、図２０Ａは、配線基板１６０の展開図、図２０Ｂは図２０ＡのＭ−Ｍ´での断面図である。
本実施の形態では、第９の実施の形態に第３の実施の形態の構造を取り入れている。第２の配線１２ｋ、１２ｌ、１２ｍは、略矩形である。第２の配線１２ｋは、幅が第２の配線１２ｌよりも狭く、第２の配線１２ｍと同じである。
そして、第３の実施の形態と同様に、第１のビア２１および第２のビア２２は、第３の実施の形態で前述した２つの周波数でノイズを減衰する程度に、無配線部分３２から離れて配置されている。第２の配線１２ｋは第２のビア２２と、第２の配線１２ｍは第１のビア２１と、電気的に接続している。この構造は、無配線部分３２の両側に共振器を形成し、任意の異なる２つの周波数でノイズを減衰できる。
ここで、第９の実施の形態と同様に、第２の配線１２ｋ、１２ｍは、幅が第２の配線１２ｌよりも幅が狭いことにより、長さが短くなる。そして、配線基板１６０は、小型化できる。
（配線基板１６０の効果）
ノイズを除去する配線基板１６０は、第１の配線層１０と第２の配線層３０との２層の配線層により構成されているため薄型化できる。
更に、第２の配線１２ｋ、１２ｌ、１２ｍの幅を変化させることにより、同じ共振周波数に対して第２の配線１２ｋ、１２ｍは、長さが短くなり配線基板１５０を小型化することができる。
更に、配線基板１６０は、任意の異なる２つの周波数でノイズを除去することができる。
以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施の形態に限定されものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記１）第１の配線層と、中間層と、第２の配線層とを備え、前記第２の配線層、前記中間層、前記第１の配線層の順に積層され、前記第１の配線層は、第１の配線と、前記第１の配線と分離している第２の配線とを有し、前記中間層は、第１のビアと、第２のビアとを有し、前記第２の配線層は、第３の配線と、配線が設けられていない無配線部分とを有し、前記第１の配線は、前記第３の配線と分離し、前記第１のビアおよび前記第２のビアは、それぞれ、前記第２の配線と前記第３の配線とを電気的に接続し、前記無配線部分は、前記第１のビアと前記第２のビアとの間に対応する部分にあり、前記第１の配線および前記第２の配線は、前記無配線部分を横切る配線基板。
（付記２）付記１に記載した配線基板において、前記第３の配線は、前記無配線部分により、前記横切る方向に分離されている。
（付記３）付記１に記載した配線基板において、前記無配線部分は、前記第３の配線の内側にある。
（付記４）付記３に記載した配線基板において、前記無配線部分は、形状が略矩形であり、前記横切る方向に交差する方向の２ヶ所の端から、それぞれ前記第１の配線と略平行に延びる開口を有している。
（付記５）付記２に記載した配線基板において、第１のインダクタチップを備え、分離されている前記第３の配線は、それぞれが、前記第１のインダクタチップにより、電気的に接続されている。
（付記６）付記１から５のいずれか一項に記載した配線基板において、前記第２の配線は、前記第１のビアと前記第２のビアとの間を結ぶ直線に対して曲がっている。
（付記７）付記６に記載した配線基板において、前記第２の配線は、メアンダ形状、または、渦巻き形状である。
（付記８）付記１から７のいずれか一項に記載した配線基板において、第２のインダクタチップを備え、前記第２の配線は分離されており、それぞれが、前記第２のインダクタチップにより電気的に接続されている。
（付記９）付記１から８のいずれか一項に記載した配線基板において、前記第２の配線は、前記第２の配線の面内であって前記第１のビアと前記第２のビアとを結ぶ方向に略垂直な方向の幅が変化している。
（付記１０）付記１から９のいずれか一項に記載した配線基板において、前記第１の配線は、信号配線および電源配線のいずれかであり、前記第２の配線および前記第３の配線はグランド配線である。
（付記１１）第１の配線層と、中間層と、第２の配線層と、第１の集積回路と、第２の集積回路とを備え、前記第２の配線層、前記中間層、前記第１の配線層の順に積層され、前記第１の配線層は、第１の配線と、前記第１の配線と分離している第２の配線とを有し、前記中間層は、第１のビアと、第２のビアとを有し、前記第２の配線層は、第３の配線と、配線が設けられていない無配線部分とを有し、前記第１の配線は、前記第３の配線と分離し、前記第１のビアおよび前記第２のビアは、それぞれ、前記第２の配線と前記第３の配線とを電気的に接続し、前記無配線部分は、前記第１のビアと前記第２のビアとの間に対応する部分にあり、前記第１の配線および前記第２の配線は、前記無配線部分を横切っており、前記第１の集積回路は、前記第１の配線の一端に電気的に接続され、前記第２の集積回路は、前記第１の配線の多端に電気的に接続されている、集積回路実装配線基板。
この出願は、２０１１年９月９日に出願された日本出願特願２０１１−１９６９３４を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【０００９】
１、１ａ、４０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０  配線基板
１０  第１の配線層
１１  第１の配線
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  第１の配線の伝送回路モデル
１２、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ、１２ｋ、１２ｌ、１２ｍ  第２の配線
１２ａ、１２ｉ、１２ｊ  第２の配線の伝送回路モデル
１３  第２のインダクタチップ
１３ａ  第２のインダクタチップの伝送回路モデル
２０  中間層
２１、２１ａ、２１ｂ、２１ｃ  第１のビア
２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ  第２のビア
２３  第３のビア
３０  第２の配線層
３１、３１ａ、３１ｂ  第３の配線
３２、３２ａ、３２ｂ  無配線部分
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ  開口
３４  第１のインダクタチップ
３５、３６  第１のインダクタチップ実装用パッド
５０  集積回路実装配線基板
５１、５２、５３、５４  集積回路
５５  第４の配線
５６  ノイズ
７１  インダクタ
７１ａ  インダクタの伝送回路モデル
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【国際調査報告】
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