(57)【要約】  表示装置は、基板と、前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、を備え、前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されている。
2009133680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電部は、前記隔壁の上面から前記隔壁の内部の下方に伸びた領域を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、前記隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上を占めることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状であり、
前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記隔壁は、前記基板を平面に見た場合、前記基板の短辺方向又は長辺方向に前記基板の端部まで延在するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層は、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を輸送する正孔輸送層、又は、前記第２電極から前記有機ＥＬ層に電子を輸送する電子輸送層を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を、前記第１電極と前記有機ＥＬ層との間に含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により形成され断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状である導電部と、この導電部の側面周囲に形成された絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁部は、前記導電部の側面周囲を酸化して得られた酸化皮膜で構成されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に導電性材料による導電部を形成する工程と、
前記基板上に形成された前記第１電極及び前記導電部を絶縁材料により被覆する工程と、
前記第１電極の上面及び前記導電部の上面から前記絶縁材料を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲を前記絶縁材料で覆った隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された隔壁の間に前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した前記導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、まず前記第１電極を形成し、次に前記導電部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、前記第１電極の形成と前記導電部の形成とを同一工程にて行うことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の両側に、前記基板の垂直方向に空洞を持つ中空形状の絶縁部を絶縁材料により形成する工程と、
上方に開放した中空形状の前記絶縁部の中空領域に、導電性材料を充填して導電部を形成し、前記導電部の側面周囲を絶縁部で覆い、前記導電部が上面に露出した隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された前記隔壁の間に前記第１電極の上面に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記隔壁の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に、断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状の導電部を導電性材料による形成する工程と、
前記第１電極をマスクする工程と、
前記基盤上に形成された前記導電部の表面を酸化して酸化皮膜を形成する工程と、
前記導電部の上面から酸化皮膜を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲が酸化皮膜により絶縁された隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記第１電極から前記マスクを除去する工程と、
前記側面周囲が絶縁された前記隔壁の間であって前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される表示装置の製造方法。
【請求項２１】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層されていることを特徴とする表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、日本国に２００８年４月２８日に出願した特願２００８−１１７０７０号の日本特許出願を優先権主張の基礎とするものであり、この日本特許出願の内容は本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。【０００２】
本発明は、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子を代表とする電流駆動型の発光素子を用いた表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来のＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に代わり、近年、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に対する関心が高まってきている。代表的なＦＰＤとしてはＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）が既に実現化されているが、下に挙げるような問題点を有していることが知られている。【０００４】
すなわち、ＬＣＤはそれ自体が非発光であるため高輝度のバックライトを必要とし、消費電力が高くなる傾向がある。また、視野角、応答速度の面でもＣＲＴに及ばない。一方、ＰＤＰは自発光であり、視野角、応答速度の面でもＣＲＴと同等以上であるものの、駆動するためには高電圧が必要であり、低消費電力化が困難であるという問題があった。【０００５】
ところで、近年、次世代のＦＰＤ候補として有機ＥＬが注目されている。これは、ＬＣＤ、ＰＤＰで問題となっている上記の課題を解決しうる可能性がある。
有機ＥＬデバイスは一般的に下記に示すような方法で作成される。
（ａ）まず、洗浄されたガラス、石英もしくはプラスチック等の支持基板上に陽極（アノード）を形成し、パターニングを行う。陽極は一般的には仕事関数の大きいＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が選ばれる。陽極の形成は通常、スパッタ法により形成される。
（ｂ）その後、正孔（ホール）注入層、有機ＥＬ層を形成する。一般的に低分子有機ＥＬの場合、真空蒸着法により形成され、高分子有機ＥＬの場合、スピンコート法もしくはインクジェット法により形成される。インクジェット法は有機ＥＬの塗り分けが必要な場合に選択される。なお、有機ＥＬ層を形成する前後に発光効率、寿命を向上するために正孔（ホール）注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を形成する場合もある。高分子有機ＥＬの場合、一般的には正孔注入層および正孔輸送層がインクジェット法により形成される。
（ｃ）その後、Ａｌ等の金属からなる陰極（カソード）を真空蒸着等で形成し、封止を行う。
以上の工程によってデバイスが完成する。このようなデバイスは陽極側から光を取り出す構造であるのでボトムエミッションデバイスと呼ばれる。【０００６】
有機ＥＬディスプレイの種類として、アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型の２種類がある。大画面に向くアクティブマトリクス型では各画素について少なくとも２個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が必要となる。また、トランジスタ特性を補償し、均一なディスレプイを作成するためにはさらに複数個のＴＦＴが必要となり、上述のようなボトムエミッションデバイスでは開口部がＴＦＴの配置によって限定され、開口率が小さくなってしまうという課題がある。【０００７】
これを解決するために、陰極側から光を取り出すトップエミッションデバイスが近年盛んに研究開発されている。トップエミッションデバイスでは、ＴＦＴ数、サイズに影響されることなく、高い開口率を実現することができる。その結果、長寿命のディスプレイが実現できるからである。トップエミッションデバイスの陽極層としては銀、もしくは銀合金等の反射金属にオゾン処理を行ったものでもよいし、反射金属の上に仕事関数の大きな、例えばＩＴＯを形成してもよい。【０００８】
トップエミッションデバイスでは上方に光を取り出すために陰極が透明である必要がある。一般的な透明電極としてはＩＴＯが挙げられるが、ＩＴＯは抵抗が高いというデメリットがある。このため、ディスプレイサイズが大きくなるにつれて陰極における電圧降下が大きくなり、その結果、発光における輝度ムラが発生し、ディスプレイの表示品位が低下するという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
陰極の電圧降下による表示品位低下を防ぐために、特許文献１では陽極層と同じ層において陰極と同電位になる補助配線を形成している。この方法では、補助配線のための新たなプロセスの増加がないというメリットがあるものの、ディスプレイが大きくなるにつれ大面積の補助配線が必要となり、その結果、ディスプレイの開口率が下がってしまうという課題がある。【００１１】
一方、特許文献２ではＴＦＴを構成する層と同じ層内で補助配線を形成するため、特許文献１と同じく、プロセスの増加がないというメリットがある。この場合、陽極層とは異なる下層であるためディスプレイが大きくなっても開口率が下がることはない。しかし、補助配線に割かれる面積が大きくなるにつれてＴＦＴに割り当てられる面積が減ってしまうという課題がある。【００１２】
本発明の目的は、ディスプレイ上面の開口率を下げることなく、その一方、ＴＦＴ基板におけるＴＦＴの割当面積を減らすことなく、上面の透明電極に起因する電圧降下による各画素における発光の輝度ムラを抑制することである。【００１３】
すなわち、本発明の目的は、大画面のトップエミッションディスプレイでも開口率が低下することなく、表示品位が高い表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示装置においては、隔壁の導電部に補助配線としての機能を併せて持たせたことにより、トップエミッション構造で問題となる高抵抗の陰極による電圧降下に起因するディスプレイの表示品位低下という課題を解決することができる。特に、大型ディスプレイでは従来の方式と比べて、開口率を高めることが可能である。さらに、ディスプレイの寿命を向上させることができる。【００１６】
また、本発明の表示装置においては、ディスプレイの表示品位を向上させるために画素回路を複雑化する必要がなく、その結果、高歩留りを実現することができる。【００１７】
また、本発明の表示装置においては、画素部、ＴＦＴ部、配線部などでの発熱を効果的に放熱させることができ、表示装置の温度による輝度、画質などの変化を抑制することができる。特に有機ＥＬ表示装置において、その効果は顕著である。その理由は、本発明では隔壁の内部に、例えば金属からなる導電部を形成しているためである。【００１８】
有機ＥＬ表示装置の隔壁の幅は多種多様であるが、実施の態様として隔壁の幅を例えば３〜１００μｍ、厚みを０．１〜５μｍとしてもよい。一実施の態様として、隔壁の幅を２０μｍ、厚みを２μｍとした場合は、導電部の幅を、例えば８μｍ〜１９μｍ、厚みを１．５μｍ〜１．９μｍとすることも可能であり、導電部が発熱を表示装置の外部に放熱する放熱経路とすることが容易となる。この場合、導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上とすることが可能であって、上記放熱性を発揮する上で好ましい一態様である。
また、このような放熱経路が、画素、ＴＦＴ、配線に隣接して形成されることも、本発明の優れた放熱性を発現できる理由である。
なお、本発明の導電部の幅、厚みなどは、各々の実施の形態に応じて適宜選択される。【００１９】
また、本発明では隔壁の内部に金属を有しているため、例えば第２電極の変形や、クラックの発生を防止できる効果も有する。
従来の表示装置では、第２電極形成後にＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄膜、封止樹脂を形成し、その後にスペーサーを介して表示装置の上面ガラス基板が貼り付けられることがある。そのスペーサーは、発光部にダメージを与えないように隔壁上に当接される。例えばこのような構成で、表示装置に圧力などの外力が作用すると、従来の技術では隔壁が樹脂で構成されるため、隔壁が外力により変形しやすく、その変形によって第２電極も変形し、クラックが発生することもある。クラックの発生は電気的導通に支障をきたし、ひいては表示装置の画質の劣化ともなりうる。
本発明に係る表示装置における隔壁は、内部に金属を有しているため、上述のような隔壁の変形が発生しにくいため、表示装置の画質の劣化も発生しにくくなる。【００２０】
また、本発明は上記のように隔壁の内部に金属を有しているため、従来技術のような樹脂製の隔壁からの水分などの不純物の拡散が少なく、発光層の劣化を抑制し表示装置の長寿命化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る表示装置の周辺装置を含む構成を示すブロック図である。
【図３】図１の表示装置の隔壁の配置を示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の概略の回路図である。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態４による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態５による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の第１態様に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２３】
一般に、陽極はディスプレイの一面に、一方、陰極はディスプレイの他面に配置されるため、陰極と画素回路とを接続する配線（給電端）は、陰極の面の周囲を周るように配置される。そのため、ＩＴＯ等のように金属に比べて比較的大きな電気抵抗を有する陰極を用いる場合には、ディスプレイが大画面化すると、例えば、ディスプレイの中央領域では、陰極の中央領域と周囲の給電端との距離は長くなる。その結果、画素の位置が中央領域になるにしたがって陰極上での配線上の抵抗が大きくなって周囲の給電端から中央領域までの陰極上における電圧降下が増加し、中央領域に配置された発光部へ印加される実効電圧が低下する。これにより、例えば、ディスプレイの中央領域の光量が低下し、ディスプレイの表示品質が低下する。
【００２４】
本態様によれば、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極（陰極）は、導電部を介して周囲の給電端と接続されている。すなわち、発光部の上の第２電極から給電端までの第２電極上における経路を一部バイパスして、近くのより抵抗の低い導電部を経由して給電端と接続されている。これにより、ディスプレイの中央領域で、第２電極（陰極）の中央領域と周囲の給電端との距離が長くなっても、発光部を規制する隔壁において、第２電極の中央領域は隔壁内部の導電部を介して給電端と電気的に接続される。さらに、給電端は画素回路と電気的に接続しているので、第２電極の中央領域は、その近くの隔壁内部の導電部を介して画素回路と電気的に接続している。そのため、たとえ第２電極上の中央領域と給電端との距離が長くなっても、中央領域の画素から近くの導電部を介して給電端と接続することで第２電極上の経路を短くして電気抵抗を小さくできる。その結果、第２電極において給電端との距離が長くなることで生ずる電圧降下を抑えることができ、ディスプレイの表示品質を向上させることができる。
【００２５】
また、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そのため、隔壁の大きさを最大限に利用し導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において最大限の範囲で導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くすることなく、第２電極上で給電端との配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００２６】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は導電部を介して画素回路と電気的に接続している。これにより、導電部は補助配線として機能する。そのため、補助配線を、既存の隔壁以外の別部材として設ける必要はない。その結果、補助配線を別部材として設ける場合に比較して、補助配線の配置のために余分な面積を取る必要がない。従って、ディスプレイの開口率を下げることを防止できる。
【００２７】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設けることにより、ＴＦＴ部とは別の階層に導電部が設けられるため、ＴＦＴに割り当てる面積を削減することを防止できる。
さらに、発光部は、発光により発熱する。上記隔壁が絶縁部のみで形成されている場合には、隔壁の間に形成された発光部による発熱は隔壁の間にこもる。その結果、発光部内の発光層の寿命を短くする。本態様によると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設けている。これにより、発光部で発生した熱は導電部を伝わってディスプレイの外部に放出されるので、上記導電部は補助配線としての機能に加えて、放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００２８】
本発明の第２態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記導電部は、前記隔壁の上面から前記隔壁の内部の下方に伸びた領域を有してもよい。
【００２９】
本態様によると、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そして、導電部は、隔壁の上面より隔壁の内部の下方に伸びた領域を有する。そのため、隔壁の断面積上の大きさを利用してその内部に導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において、第２電極（陰極）上で周囲の給電端との距離によって生じる配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００３０】
本発明の第３態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、前記隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上を占めるようにしてもよい。
【００３１】
本態様によると、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そして、導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上を占めている。そのため、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積上の大きさを利用して導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において、第２電極上の配線上の距離によって生じる抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００３２】
本発明の第４態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状であってもよい。また、前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としてもよい。
【００３３】
本態様によれば、隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状を上辺が下辺より短い台形形状とすることで、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。そのため、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００３４】
また、本態様では、導電部の断面形状を長方形形状とし、導電部の長方形形状の上辺の長さを、隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としている。これにより、導電部の幅を隔壁の中で最大限に厚くできるので、画素を区画する既存の隔壁を利用しつつ、最大限の厚さの導電部を実現できる。その結果、隔壁内に形成される導電部の抵抗を最大限に低くし、第２電極から導電部に流れる電流量を増加させ、第２電極において生ずる電圧降下を最大限に抑えることができる。
【００３５】
本発明の第５態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状としてもよい。
【００３６】
本態様によれば、前記隔壁の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であると、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。これにより、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００３７】
また、本態様によると、導電部の周囲に絶縁部を形成して隔壁を形成する場合、導電部の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、台形形状に沿って絶縁部を形成すれば、隔壁も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部は、補助配線としての機能に加えて、隔壁を形成する際の型としての機能を果たす。その結果、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００３８】
本発明の第６態様に係る表示装置は、上記第５態様について、さらに、前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としてもよい。
【００３９】
本態様によると、導電部の台形形状の上辺の長さを、隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としている。これにより、導電部の上面の幅を隔壁の中で最大限に長くできるので、画素を区画する既存の隔壁を利用しつつ、最大限の厚さの導電部を実現できる。その結果、隔壁内に形成される導電部の断面積を大きくでき、抵抗を大幅に低くすることができるため、第２電極から導電部に流れる電流量を増加させ、第２電極において生ずる電圧降下を最大限に抑えることができる。
【００４０】
本発明の第７態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁は、前記基板を平面に見た場合、前記基板の短辺方向又は長辺方向に前記基板の端部まで延在するように設けてもよい。
【００４１】
本態様によると、隔壁は、基板を平面に見た場合、基板の短辺方向又は長辺方向に基板の端部まで延在している。これにより、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられた導電部も、基板の端部まで延在している。そのため、発光部で発生した熱は前記導電部を伝わって基板の外部に放出されるので、導電部は補助配線としての機能に加えて放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００４２】
本発明の第８態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含むこととしてもよい。
【００４３】
本発明の第９態様に係る表示装置は、上記第８態様について、さらに、前記発光層は、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を輸送する正孔輸送層、又は、前記第２電極から前記有機ＥＬ層に電子を輸送する電子輸送層を含むこととしてもよい。
【００４４】
本発明の第１０態様に係る表示装置は、上記第８態様について、さらに、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を、前記第１電極と前記有機ＥＬ層との間に含むこととしてもよい。
【００４５】
本発明の第１１態様に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、長手方向に対して垂直な面の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であって、前記隔壁は、前記基板上に導電性材料により形成され断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状である導電部と、この導電部の側面周囲に形成された絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００４６】
本態様によれば、隔壁の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であると、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。これにより、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００４７】
また、本態様によると、導電部の周囲に絶縁部を形成して隔壁を形成する場合、導電部の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、導電部の台形形状の側面に沿って絶縁部を形成すれば、隔壁も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部は、補助配線としての機能に加えて、隔壁を形成する際の型としての機能を果たす。これにより、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００４８】
本発明の第１２態様に係る表示装置は、上記第１１態様について、さらに、前記絶縁部は、前記導電部の側面周囲を酸化して得られた酸化被膜で構成されてもよい。
【００４９】
本態様によると、絶縁部は、導電部の側面周囲を酸化することにより形成された酸化被膜で構成される。そのため、導電部の側面周囲を酸化するだけの工程で絶縁部が形成され、導電部の側面周囲を樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【００５０】
本発明の第１３態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に導電性材料による導電部を形成する工程と、
前記基板上に形成された前記第１電極及び前記導電部を絶縁材料により被覆する工程と、
前記第１電極の上面及び前記導電部の上面から前記絶縁材料を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲を前記絶縁材料で覆った隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された隔壁の間に前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される。
【００５１】
本発明の第１４態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１３態様について、前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、まず前記第１電極を形成し、次に前記導電部を形成することを特徴とする。
【００５２】
本発明の第１５態様に係る表示装置は、上記第１３態様について、前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、前記第１電極の形成と前記導電部の形成とを同一工程にて行うことを特徴とする。
【００５３】
本発明の第１６態様に係る表示装置は、上記第１３態様について、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００５４】
本発明の第１７態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の両側に、前記基板の垂直方向に空洞を持つ中空形状の絶縁部を絶縁材料により形成する工程と、
上方に開放した中空形状の前記絶縁部の中空領域に、導電性材料を充填して導電部を形成し、前記導電部の側面周囲を絶縁部で覆い前記導電部が上面に露出した隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された前記隔壁の間に前記第１電極の上面に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されることを特徴とする。
【００５５】
本発明の第１８態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１７態様について、さらに、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００５６】
本発明の第１９態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１３態様について、さらに、前記隔壁の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする。
【００５７】
本発明の第２０態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に、断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状の導電部を導電性材料による形成する工程と、
前記第１電極をマスクする工程と、
前記基板上に形成された前記導電部の表面を酸化して酸化皮膜を形成する工程と、
前記導電部の上面から酸化皮膜を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲が酸化皮膜により絶縁された隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記第１電極から前記マスクを除去する工程と、
前記側面周囲が絶縁された前記隔壁の間であって前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されることを特徴とする。
【００５８】
本発明の第２１態様に係る表示パネルは、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層されていることを特徴とする。
【００５９】
本態様の表示パネルによると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は、隔壁の上面に露出した導電部を被覆して積層されている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、ディスプレイの中央領域では、第２電極上で中央領域と周囲の給電端との距離が長くなっても、発光部を規制する隔壁において第２電極は導電部を介して給電端と電気的に接続される。これによって第２電極を、導電部及び給電端を介して表示装置の画素回路と電気的に接続することが可能になる。そのため、第２電極上の配線上の抵抗を小さくできる。その結果、第２電極において生ずる電圧降下を抑えることができ、ディスプレイの表示品質を向上させることができる。
【００６０】
また、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そのため、隔壁の大きさを最大限に利用して導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において最大限の範囲で導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くすることなく、第２電極上の配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００６１】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は、隔壁の上面に露出した導電性材料を被覆して積層されている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、導電部は補助配線として機能する。そのため、補助配線を、既存の隔壁以外の別部材として設ける必要はない。その結果、補助配線を別部材として設ける場合に比較して、補助配線の配置のために余分な面積を取る必要がない。従って、ディスプレイの開口率の低下を防止できる。
【００６２】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設けることにより、ＴＦＴ部とは別の階層に導電部が設けられるため、ＴＦＴに割り当てる面積の削減を防止できる。
【００６３】
さらに、発光部は、発光により発熱する。隔壁が絶縁部のみで形成されている場合には、隔壁の間に形成された発光部による発熱は隔壁の間にこもる。その結果、発光部内の発光層の寿命を短くする。本態様の表示パネルによると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設けている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、発光部で発生した熱は導電部を伝わってディスプレイの外部に放出されるので、導電部は補助配線としての機能に加え放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００６４】
以下、本発明の実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について添付図面を参照して説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００６５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の構成を示す概略断面図である。この表示装置１００は、薄膜トランジスタアレイ基板１０上に、平面内で画素を区画する複数の隔壁２０と、基板１０上の隔壁２０間に、面に垂直方向に陽極（第１電極）１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極（第２電極）１４の順に積層され、画素を構成する、発光部と、を備える。また、一部の隔壁２０は、陰極１４と電気的に接続された導電部２１と、導電部２１と陽極１１及び発光層１３とを電気的に絶縁するように、導電部２１の表面の一部である側面を被覆する絶縁部２２と、を含む。さらに、薄膜トランジスタアレイ基板１０は、ガラス基板１上に形成されたＴＦＴ部１５と、ＴＦＴ部１５上に形成された平坦化膜１６とを含む。また、薄膜トランジスタアレイ基板１０のＴＦＴ部１５と発光部の陽極１１とは平坦化膜１６に形成したコンタクトホール１６１を介して電気的に接続されている。
【００６６】
本発明に係る表示装置では、複数の隔壁２０のうち、少なくとも一部の隔壁２０は、導電部２１と、該導電部２１の表面の一部を覆う絶縁部２２とからなることを特徴とする。この隔壁２０の導電部２１は、陰極（第２電極）１４と電気的に接続されている。すなわち、導電部２１は、陰極（第２電極）１４の複数箇所にわたって所定の電位を印加する補助配線の機能を有し、陰極１４の電圧降下を抑制できる。また、隔壁２０の導電部２１によって補助配線の機能を併せ持たせているので、発光部と同じ面内で別に補助配線を構成する場合と比べて開口率を下げることがない。さらに、補助配線としての導電部２１は、ＴＦＴ部１５とは別の階層に設けているので、ＴＦＴの割当面積を減らすこともない。これによって、ディスプレイ上面の開口率を減らさず、ＴＦＴの割当面積も減らさずに、透明電極であって高抵抗の陰極１４における電圧降下に起因する各画素間の発光の輝度ムラを抑制でき、表示装置としての表示品位を向上させることができる。
【００６７】
以下にこの表示装置の各構成部材について説明する。
【００６８】
＜薄膜トランジスタアレイ基板＞
この薄膜トランジスタアレイ基板１０は、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられたＴＦＴを含むＴＦＴ部１５と、さらに、ＴＦＴ部１５の上に設けられた平坦化層１６とからなる。
【００６９】
＜ベース基板＞
ベース基板１としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチックフィルム、アルミナなどの金属板および金属ホイル等を用いることができる。
【００７０】
＜ＴＦＴ部＞
ＴＦＴ部１５は、少なくとも半導体層１５１、ゲート絶縁膜１５２、ゲート電極１５３、ソース・ドレイン電極１５４を含む層から構成される。
また、ＴＦＴとしては、一般的に液晶ディスプレイを駆動するために使用される、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴでも良いし、有機ＥＬ用に現在開発されているマイクロクリスタルシリコンＴＦＴ、無機酸化物ＴＦＴ、有機ＴＦＴ等どのようなＴＦＴでもよい。本実施の形態に示したＴＦＴ部１５では、半導体層１５１よりも基板上方にゲート電極１５３が存在するトップゲート構造を示したが、この限りではない。ゲート電極が半導体層より基板下側にあるボトムゲート構造でも構わない。
【００７１】
＜平坦化層＞
平坦化層１６は、ＴＦＴ部１５の上に設けられ、ＴＦＴ部１５の上部の凹凸を平坦化すると共に、ＴＦＴ部１５と発光部とを電気的に絶縁する。平坦化層１６には、ＴＦＴ部１５のソース電極と発光部２０の陽極１１とを接続する接続孔が設けられている。平坦化層１６の材料としては、特に限定されないが、ポリイミド、ＢＣＢ（ジビニルシロキサンベンゾシクロブテン）等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料を用いることができる。
【００７２】
＜隔壁＞
隔壁２０は、基板１０上の平面内で画素を区画するように設けられている。隔壁２０は、例えば、基板１０の短辺方向又は長辺方向に沿って互いに平行に延在して設けられていてもよい。あるいは、隔壁２０は、基板１０上の平面内で格子状に設けられていてもよい。
【００７３】
この表示装置１００では、複数の隔壁２０のうち、少なくとも一部の隔壁２０は、導電部２１と、該導電部２１の表面の一部を覆う絶縁部２２とからなる。
なお、全ての隔壁ではなく、少なくとも一部の隔壁２０について導電部２１を備えていれば足りる。一部の隔壁２０の導電部２１によっても、陰極（第２電極）１４の複数箇所に所定の電位を印加することで陰極１４での電圧降下を抑えることが十分可能である。
【００７４】
＜導電部＞
隔壁２０の導電部２１は、陰極（第２電極）１４と電気的に接続されている。すなわち、導電部２１は、陰極（第２電極）１４の複数箇所にわたって所定の電位を印加する補助配線の機能を有し、陰極１４の電圧降下を抑制できる。これによって、透明電極であって高抵抗の陰極１４における電圧降下に起因する各画素間の発光の輝度ムラを抑制できる。
【００７５】
図３は、導電部２１の平面的な配置の一例を示す図である。この例では、表示装置の一方向に平行に導電部２１が延在しており、各導電部２１の間に画素２４が配置されている。なお、導電部２１は隔壁２０の芯部を構成しているので、この導電部２１の平面的な配置を実質的に隔壁の平面的な配置とみなしてもよい。また、表示装置の周囲には画素回路の陰極と接続された給電端２３を設けている。導電部２１はこの給電端２３と電気的に接続されており、発光部の陰極１４は、導電部２１及び給電端２３を介して画素回路と接続されている。
【００７６】
また、導電部２１は、特に限定されるものではないが、たとえば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、のうちのいずれかの金属およびこれらの合金およびそれらを積層したものを用いることができる。また、たとえばインジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明電極でもよく、上記金属と積層して用いても良い。なお、導電部２１は、陽極（第１電極）１１と同様の材料で構成されていてもよい。
【００７７】
導電部２１は、一段階でメッキ法、印刷法、転写法、蒸着法等で設けてもよく、さらに複数段階で、メッキ法、印刷法、転写法、蒸着法から選ばれる少なくとも一つの方法により成長させてもよい。
【００７８】
＜絶縁部＞
隔壁２０の絶縁部２２は、導電部２１と第１電極１１及び発光層１３とを電気的に絶縁するように、導電部２１の表面の一部、例えば側面を被覆するように設けられている。なお、隔壁２０の形成にあたって、後述する実施の形態３に示すように、絶縁部２２を先に設ける場合には、一組の絶縁物を離間して設けて絶縁部２２を構成してもよい。その後、絶縁部２２の一組の絶縁物の間に導電体からなる導電部２１を設けることで隔壁２０を構成できる。
この絶縁部２２は、特に限定されないが、ポリイミド、樹脂、ＢＣＢ（ジビニルシロキサンベンゾシクロブテン）等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料を用いることができる。なお、実施の形態５に示すように、導電部２１の表面を酸化して酸化被膜２２ａを形成して絶縁部を構成してもよい。
【００７９】
＜発光部＞
発光部は、基板１０上の隔壁２０間に面に垂直方向に、陽極（第１電極）１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極（第２電極）１４の順に積層され、画素を形成する。
なお、ここでは、発光層１３と陽極１１との間に正孔注入層１２を設けているが、これに限られない。正孔注入層を設けない場合であってもよく、あるいは、発光層１３と陰極１４との間に電子注入層等の電荷注入層を有していてもよい。電子注入層及び正孔注入層は、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、キャスト法などにより形成できる。
また、この例では、第１電極１１が陽極、第２電極１４が陰極となる。なお、この場合に限られず、互いに逆の極性の電極、つまり第１電極１１を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
【００８０】
＜陽極（第１電極）＞
陽極（第１電極）１１を構成する材料としては、電気伝導性を有すると共に、反射性を有する金属を良好に用いることができる。たとえば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、のうちのいずれかの金属およびこれらの合金およびそれらを積層したものを用いることができる。陽極としては仕事関数が高い方が望ましく、これらの金属単体の仕事関数が低い場合はプラズマオゾン処理等により仕事関数を高めることが可能である。また、上記反射性を有する金属と、例えば仕事関数の高いインジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明電極とを積層して複数層からなるボトム電極として構成してもよい。
【００８１】
＜発光層＞
発光層１３としては、一層の場合に限られず多層構造であってもよい。また、発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含んでもよい。さらに、有機ＥＬ層を挟持する電子輸送層と正孔輸送層をさらに含んでもよい。
【００８２】
＜電子輸送層＞
電子輸送能を有する電子輸送層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用することができる。
【００８３】
＜有機ＥＬ層＞
有機ＥＬ層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２、２‘−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質を使用することができる。有機ＥＬ層は蒸着法、スピンコート法、キャスト法などにより形成できる。有機ＥＬ層が高分子の場合、インクジェット法等の印刷手段により形成される。
【００８４】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体などを使用することができるが、特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物である。
【００８５】
＜正孔（ホール）注入層＞
この実施の形態１に係る表示装置１００では、陽極１１と発光層１３との間に正孔（ホール）注入層１２を設けている。この正孔注入層１２としては、例えば、銅フタロシアニン、スターバーストアミン化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、等を用いることができる。あるいは、４、４’、４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等を用いてもよい。
更に、インクジェット法等の印刷手段により有機ＥＬデバイスを構成する場合、一般的に正孔注入層としてＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）や無機物のＷｏｘ（タングステン酸化物）、ＭｏＯｘ（モリブデン酸化物）等が使用される。
【００８６】
＜陰極（第２電極）＞
陰極（第２電極）１４は、発光層１３で発生した光に対して透明又は半透明である導電性材料により構成されていることが好ましい。陰極１４を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることができる。
この陰極１４は、特に限定されるものではないが、好ましくは対向ターゲット式スパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法、プラズマアシストの蒸着法等によって形成することができる。トップエミッション型デバイスでは、陰極形成のダメージを有機ＥＬ層に与えないためには対向ターゲット式スパッタ法が望ましい。
【００８７】
＜製造方法＞
図４（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板１０上に金属からなる陽極１１と、隔壁２０の導電部２１とを形成する（図４（ａ））。陽極１１および隔壁２０の導電部２１は同じ金属から構成してもよい。この金属としては、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては例えば１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、陽極１１を覆う領域にのみをマスクするレジスト３０を形成する（図４（ｂ））。厚みは１〜３μｍの範囲である。
（ｃ）続いて、メッキ法を行って、導電部２１のみを厚くする（図４（ｃ））。
なお、メッキ法は種々のものが使用できるが、ＴＦＴ等の駆動回路への影響を考えた場合は、例えば無電界メッキ法が好適である。
（ｄ）その後、レジスト３０を除去し、全面にプラズマオゾン処理を行うことで陽極１１の仕事関数を高め、発光層１３へキャリアを効率よく注入し、結果、表示装置１００の性能を向上させることが可能である（図４（ｄ））。
【００８８】
もしくは陽極１１上に、さらに高仕事関数材料からなる陽極（図示せず）を形成してもよい。例えばＩＴＯを１００ｎｍ程度形成してもよい。この場合、陽極１１は発光層１３で発生した光を表示装置１００の上面へ反射させる目的で使用され、発光層１３へのキャリア注入はＩＴＯから行われる。この場合、陽極１１を構成する金属としては反射率が高く、メッキ処理しやすいものであればよく、例えばＡｌやＣｕ、Ｎｉ等でもよい。最終的には、ＩＴＯの厚みは光が光学的に最も良く取り出される厚みとする必要がある。
【００８９】
（ｅ）続いて、絶縁物２２を全面に塗布する（図４（ｅ））。厚みは１〜３μｍ程度である。この絶縁物２２の材料としては、樹脂を使用してもよい。
（ｆ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁２０の導電部２１の上部から絶縁物２２を除去して、隔壁２０の導電部２１の側面にのみ絶縁物２２が残存する状態にする（図４（ｆ））。なお、ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易に上記の構造を作ることが可能である。この隔壁２０の導電部２１の側面を覆う絶縁物によって隔壁２０の絶縁部２２を構成する。これによって、導電部２１と、その表面の一部を覆う絶縁部２２とによって隔壁２０を構成する。
【００９０】
なお、隔壁２０の絶縁部２２の形成方法としては、上記方法に限られず、例えば、絶縁物２２として感光性のもの、例えば感光性樹脂を使用し、露光によって陽極１１および隔壁の導電部２１の上部だけを取り除いてもよい。例えば絶縁物２２としてネガ型の材料を使用し、基板の裏面から全面に露光する。これによって、隔壁２０の導電部２１と陽極１１の上部には光が届かず、隔壁の導電部２１と陽極１１の間だけを露光できる。その後、現像することでフォトリソ工程を追加することなく、上記構造を実現できる。なお、絶縁物としてポジ型の材料を使用する場合は、基板上面よりフォトマスクを使用して露光を行い、陽極１１および隔壁の導電部２１の上面から絶縁物２２を除去する。
【００９１】
（ｇ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図４（ｇ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図４（ｈ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置１００の全面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９２】
この表示装置１００によれば、隔壁２０の芯に導電部２１を設け、陰極１４と隔壁の導電部２１とを電気的に接続している。この隔壁の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての役割を併せ持たせることができる。また、隔壁２０の芯に設けた導電部２１によって、補助配線としての機能を果たすことができるので、光取り出し方向である上面への開口率を減らすことがない。さらに、隔壁２０は薄膜トランジスタアレイ基板より上面の異なる階層に設けるので、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の配置を制限することもない。
【００９３】
図２は、アクティブマトリクス型の表示装置１００を駆動する周辺装置を含む構成のブロック図である。このアクティブマトリクス型の表示装置１００では、陽極１１は、基板１０上に形成された薄膜トランジスタ（図示せず）のドレイン電極に接続される。薄膜トランジスタは、図２のブロック図に示すように、ゲートドライバ２００およびソースドライバ２０１によって駆動される。その結果、各画素の発光部ごとの発光が制御される。
図７は、この表示装置の概略の回路図である。陰極１４は導電部２１を介して画素回路１７の陰極に接続されている。
尚、本実施の形態１では発光部として有機ＥＬの例を示したが、本発明の適用範囲はこの限りではない。有機ＥＬ以外にも電流駆動型の発光素子であればよく、例えば無機ＥＬでもよい。
また、本実施の形態ではベース基板１としてガラス基板の例を示したが、プラスチック等のフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００９４】
（実施の形態２）
図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２に係る表示装置１００の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板（図示せず）上に金属からなる陽極１１を形成する（図５（ａ））。この場合に、金属としては、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、隔壁２０の芯となる導電部２１を形成する（図５（ｂ））。導電部２１は、印刷手段により形成することで、面に垂直方向に比較的厚く形成することが可能であり、厚さ１〜３μｍにすることが可能である。
尚、印刷手段としてはインクジェット法、ダイコーター法、ディスペンサ描画等が挙げられる。
（ｃ）続いて、有機膜２２を全面に塗布する（図５（ｃ））。厚みは１〜３μｍ程度である。
（ｄ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁の導電部２１の上部から有機膜２２を除去し、導電部２１の側面には有機膜２２が残存している状態とする（図５（ｄ））。ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易にこの構造を作ることが可能である。これによって、芯の導電部２１と、その表面の一部、ここでは側面を覆う有機膜からなる絶縁部２２とからなる隔壁２０を構成する。
（ｅ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図５（ｅ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｆ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図５（ｆ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９５】
（実施の形態３）
図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板（図示せず）上に金属からなる陽極１１を形成する（図６（ａ））。この陽極１１の金属材料には、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、平面内で上記陽極１１を含む画素を区画するように、一組の絶縁物が離間して設けられた、複数組の絶縁物からなる絶縁部２２を形成する（図６（ｂ））。
（ｃ）続いて、隔壁の一組の絶縁部２２で囲われた領域内に金属からなる導電部２１を印刷手段により形成する（図６（ｃ））。印刷手段を用いることで比較的厚く形成することが可能であり、厚さ１〜３μｍにすることが可能である。また、金属の導電部２１を印刷すべき領域が隔壁２０の一組の絶縁部２２の間として規定されているため、上記実施の形態２よりさらに容易、かつ高歩留りで印刷を行うことができる。尚、印刷手段としてはインクジェット法、ダイコーター法、ディスペンサ描画等が挙げられる。
（ｄ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図６（ｄ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｅ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図６（ｅ））。陰極１４は、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９６】
なお、以上の実施の形態３では、例えば図５（ｆ）にも示したように陰極１４を上面の全面に形成する場合を例示したが、これに限られない。例えば、各画素毎に対応するように陰極１４をパターニングして、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できる。また、別の実施の形態としては、複数の画素に共通してパターニングして、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できる。さらに別の形態としては、パネルの行パターン、あるいは、列パターンとして陰極１４を形成し、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できることはいうまでもない。このような陰極の構成によれば、例えば、基板がフィルム等のフレキシブル基板を用いた構成の表示装置において、表示装置を曲げて陰極に応力が発生しても、材質的には脆弱なＩＴＯの陰極が全面に形成された場合に比べて応力を緩和できるために、陰極にクラックが発生しにくい等の効果がある。
【００９７】
（実施の形態４）
図８（ｈ）は、本発明の実施の形態４に係る表示装置の概略断面図である。この表示装置では、実施の形態１に係る表示装置と比較すると、導電部２１の長手方向の断面形状において、上辺が下辺より短い台形形状としていることを特徴とする。そのため、導電部２１の台形形状の側面に沿って絶縁部２２を形成すれば、隔壁２０も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部２１は、補助配線としての機能に加えて、隔壁２０を形成する際の型としての機能を果たす。これにより、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁２０を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００９８】
図８（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）実施の形態１と同様に、図４（ａ）〜図４（ｄ）の各工程によって、基板１０の上に導電部２１と、陽極１１とを形成する（図８（ａ））。
（ｂ）導電部２１の頂部に、その頂部の幅よりも狭い幅のレジスト３０を形成すると共に、陽極１１の上を覆うレジスト３０を形成する（図８（ｂ））。
（ｃ）アルゴンプラズマ雰囲気に晒して、導電部２１の頂部の角部分から選択的にエッチングする（図８（ｃ））。この場合、導電部２１にプラズマ電位に対して、例えば−１００Ｖのバイアス電位を印加することが好ましい。このバイアス電位の印加によって、角部分に電界集中しやすくなり、角部分からの選択的エッチングの進行速度が加速される。なお、この選択的エッチングによって導電部２１を台形形状とすることができるが、側面全体を台形の傾斜面とする必要はなく、例えば途中図の図８（ｃ）のように頂部近傍のみを傾斜させた形状でエッチングを止めてもよい。あるいは図８（ｄ）のように導電部２１の側面全体が傾斜面となった状態までエッチングを行ってもよい。
（ｄ）エッチングが終わったらレジスト３０を除去する（図８（ｄ））。これによって導電部２１を上辺が下辺より短い台形形状とすることができる。この台形形状の導電部２１は、その側面周囲に絶縁部２２を設けて形成する隔壁２０の型としての機能を果たす。
【００９９】
（ｅ）続いて、絶縁物２２を全面に塗布する（図８（ｅ））。厚みは１〜３μｍ程度である。この絶縁物２２の材料としては、樹脂を使用してもよい。
（ｆ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁２０の導電部２１の上部から絶縁物２２を除去して、隔壁２０の導電部２１の側面にのみ絶縁物２２が残存する状態にする（図８（ｆ））。なお、ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易に上記の構造を作ることが可能である。この隔壁２０の導電部２１の側面を覆う絶縁物によって隔壁２０の絶縁部２２を構成する。これによって、断面が台形形状の導電部２１と、その表面の一部を覆う絶縁部２２とによって断面が台形形状の隔壁２０を構成する。
なお、絶縁部２２は、図８（ｆ）に示すように断面が台形形状の導電部２１の側面と同じ傾斜で形成してもよい。あるいは絶縁部２２の傾斜を導電部２１の側面の傾斜よりも急傾斜とし、隔壁２０の頂部の幅と導電部２１の頂部の幅を同一にしてもよい。
【０１００】
（ｇ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図８（ｇ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図８（ｈ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置の上面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【０１０１】
この表示装置によれば、導電部２１の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、台形形状に沿って絶縁部２２を形成すれば、隔壁２０も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部２１は、補助配線としての機能に加えて、隔壁２０を形成する際の型としての機能を果たす。すなわち台形形状に整形する工程を簡易にすることができ、その結果、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁２０を形成する際の生産性を向上させることができる。
【０１０２】
（実施の形態５）
図９（ｇ）は、本発明の実施の形態５に係る表示装置の概略断面図である。この表示装置では、実施の形態４に係る表示装置と比較すると、絶縁部が、樹脂に代えて導電部２１の側面周囲を酸化して得られた酸化被膜２２ａで構成されている点で相違する。そのため、導電部２１の側面周囲を酸化するだけの工程で酸化被膜２２ａからなる絶縁部が形成され、導電部２１の側面周囲を樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁２０の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【０１０３】
図９（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態５に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）実施の形態４と同様にして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の工程によって断面において上辺が下辺より短い台形形状の導電部２１を形成する（図９（ａ））。
（ｂ）導電部２１以外の部分をマスクするレジスト３０を形成する（図９（ｂ））。
（ｃ）酸素プラズマを照射して導電部２１の表面を酸化して、導電部２１の表面に酸化被膜２２ａを形成する（図９（ｃ））。
（ｄ）アルゴン等の不活性ガスイオンなどの選択性のあるドライエッチング法によって導電部２１の上方から酸化被膜２２ａをエッチングする（図９（ｄ））。イオンの照射方向に対して側面よりも相対的に膜厚の薄い頂部の酸化被膜２２ａが早くエッチングされ、側面の酸化被膜２２ａを残したまま頂部では導電部２１を露出させることができる。
（ｅ）その後、レジスト３０を除去して、導電部２１の側面を絶縁性の酸化皮膜２２ａで覆い、頂部に導電部２１を露出させた隔壁２０を形成する（図９（ｅ））。
【０１０４】
（ｆ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図９（ｆ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の酸化皮膜２２ａによって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図９（ｇ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置の上面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【０１０５】
この表示装置によれば、絶縁部は、導電部２１の側面周囲を酸化することにより形成された酸化被膜２２ａで構成される。そのため、導電部２１の側面周囲を酸化するだけの工程で酸化被膜２２ａによる絶縁部が形成され、導電部２１の側面周囲に樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁２０の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【０１０６】
なお、本実施の形態において、図９（ｃ）に示す表面参加の工程は、前記のプラズマ酸化以外にも、陽極酸化により側壁だけ緻密な酸化膜を形成することによっても実施可能である。
例えば、酸化皮膜を形成したい図９の導電部２１の側壁部を残して、導電部の頂部、その他の表面酸化させない部分をレジストで被覆し、電解液などの酸化雰囲気中に設置して、導電部２１に正電位、電解液に負の電位を印加することで、導電部２１の側壁部に酸化皮膜を形成することもできる。この酸化皮膜を形成の後は、前記のレジストを除去すればよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、様々な表示装置に適用でき、たとえば、コンピュータおよび家電などに用いられるディスプレイに適用できる。
【符号の説明】
【０１０８】
１  ガラス基板
１０  ＴＦＴ基板
１１  陽極
１２  正孔注入層
１３  発光層
１４  陰極
１５  ＴＦＴ部
１６  平坦化層
１７  画素回路
２０  隔壁
２１  導電部
２２  絶縁部
２２ａ  酸化被膜
２３  給電端
２４  画素
３０  レジスト
１００  表示装置
１５１  半導体層
１５２  ゲート絶縁膜
１５３  ゲート酸化膜
１５４  ソース・ドレイン電極
１６１  コンタクト
２００  ゲートドライバ
２０１  ソースドライバ
【図１】
2009133680.tif 000003
【図２】
2009133680.tif 000004
【図３】
2009133680.tif 000005
【図４】
2009133680.tif 000006
【図５】
2009133680.tif 000007
【図６】
2009133680.tif 000008
【図７】
2009133680.tif 000009
【図８】
2009133680.tif 000010
【図９】
2009133680.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続され、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続され、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、前記基板を平面に見た場合、前記基板の短辺方向又は長辺方向に前記基板の端部まで延在するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を輸送する正孔輸送層、又は、前記第２電極から前記有機ＥＬ層に電子を輸送する電子輸送層を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を、前記第１電極と前記有機ＥＬ層との間に含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により形成され断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状である導電部と、この導電部の側面周囲に形成された絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁部は、前記導電部の側面周囲を酸化して得られた酸化皮膜で構成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に、断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状の導電部を導電性材料による形成する工程と、
前記第１電極をマスクする工程と、
前記基盤上に形成された前記導電部の表面を酸化して酸化皮膜を形成する工程と、
前記導電部の上面から酸化皮膜を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲が酸化皮膜により絶縁された隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記第１電極から前記マスクを除去する工程と、
前記側面周囲が絶縁された前記隔壁の間であって前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層されて、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状である
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項１３】
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状であり、
前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
（削除）
【請求項１７】
（削除）
【請求項１８】
（削除）
【請求項１９】
（削除）
【請求項２０】
（削除）
【請求項２１】
（削除）
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、日本国に２００８年４月２８日に出願した特願２００８−１１７０７０号の日本特許出願を優先権主張の基礎とするものであり、この日本特許出願の内容は本願明細書の一部をなすものとしてここに挙げておく。
【０００２】
本発明は、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子を代表とする電流駆動型の発光素子を用いた表示装置、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来のＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に代わり、近年、ＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に対する関心が高まってきている。代表的なＦＰＤとしてはＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）が既に実現化されているが、下に挙げるような問題点を有していることが知られている。
【０００４】
すなわち、ＬＣＤはそれ自体が非発光であるため高輝度のバックライトを必要とし、消費電力が高くなる傾向がある。また、視野角、応答速度の面でもＣＲＴに及ばない。一方、ＰＤＰは自発光であり、視野角、応答速度の面でもＣＲＴと同等以上であるものの、駆動するためには高電圧が必要であり、低消費電力化が困難であるという問題があった。
【０００５】
ところで、近年、次世代のＦＰＤ候補として有機ＥＬが注目されている。これは、ＬＣＤ、ＰＤＰで問題となっている上記の課題を解決しうる可能性がある。
有機ＥＬデバイスは一般的に下記に示すような方法で作成される。
（ａ）まず、洗浄されたガラス、石英もしくはプラスチック等の支持基板上に陽極（アノード）を形成し、パターニングを行う。陽極は一般的には仕事関数の大きいＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が選ばれる。陽極の形成は通常、スパッタ法により形成される。
（ｂ）その後、正孔（ホール）注入層、有機ＥＬ層を形成する。一般的に低分子有機ＥＬの場合、真空蒸着法により形成され、高分子有機ＥＬの場合、スピンコート法もしくはインクジェット法により形成される。インクジェット法は有機ＥＬの塗り分けが必要な場合に選択される。なお、有機ＥＬ層を形成する前後に発光効率、寿命を向上するために正孔（ホール）注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を形成する場合もある。高分子有機ＥＬの場合、一般的には正孔注入層および正孔輸送層がインクジェット法により形成される。
（ｃ）その後、Ａｌ等の金属からなる陰極（カソード）を真空蒸着等で形成し、封止を行う。
以上の工程によってデバイスが完成する。このようなデバイスは陽極側から光を取り出す構造であるのでボトムエミッションデバイスと呼ばれる。
【０００６】
有機ＥＬディスプレイの種類として、アクティブマトリクス型、パッシブマトリクス型の２種類がある。大画面に向くアクティブマトリクス型では各画素について少なくとも２個の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が必要となる。また、トランジスタ特性を補償し、均一なディスレプイを作成するためにはさらに複数個のＴＦＴが必要となり、上述のようなボトムエミッションデバイスでは開口部がＴＦＴの配置によって限定され、開口率が小さくなってしまうという課題がある。
【０００７】
これを解決するために、陰極側から光を取り出すトップエミッションデバイスが近年盛んに研究開発されている。トップエミッションデバイスでは、ＴＦＴ数、サイズに影響されることなく、高い開口率を実現することができる。その結果、長寿命のディスプレイが実現できるからである。トップエミッションデバイスの陽極層としては銀、もしくは銀合金等の反射金属にオゾン処理を行ったものでもよいし、反射金属の上に仕事関数の大きな、例えばＩＴＯを形成してもよい。
【０００８】
トップエミッションデバイスでは上方に光を取り出すために陰極が透明である必要がある。一般的な透明電極としてはＩＴＯが挙げられるが、ＩＴＯは抵抗が高いというデメリットがある。このため、ディスプレイサイズが大きくなるにつれて陰極における電圧降下が大きくなり、その結果、発光における輝度ムラが発生し、ディスプレイの表示品位が低下するという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３６８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
陰極の電圧降下による表示品位低下を防ぐために、特許文献１では陽極層と同じ層において陰極と同電位になる補助配線を形成している。この方法では、補助配線のための新たなプロセスの増加がないというメリットがあるものの、ディスプレイが大きくなるにつれ大面積の補助配線が必要となり、その結果、ディスプレイの開口率が下がってしまうという課題がある。
【００１１】
一方、特許文献２ではＴＦＴを構成する層と同じ層内で補助配線を形成するため、特許文献１と同じく、プロセスの増加がないというメリットがある。この場合、陽極層とは異なる下層であるためディスプレイが大きくなっても開口率が下がることはない。しかし、補助配線に割かれる面積が大きくなるにつれてＴＦＴに割り当てられる面積が減ってしまうという課題がある。
【００１２】
本発明の目的は、ディスプレイ上面の開口率を下げることなく、その一方、ＴＦＴ基板におけるＴＦＴの割当面積を減らすことなく、上面の透明電極に起因する電圧降下による各画素における発光の輝度ムラを抑制することである。
【００１３】
すなわち、本発明の目的は、大画面のトップエミッションディスプレイでも開口率が低下することなく、表示品位が高い表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る表示装置においては、隔壁の導電部に補助配線としての機能を併せて持たせたことにより、トップエミッション構造で問題となる高抵抗の陰極による電圧降下に起因するディスプレイの表示品位低下という課題を解決することができる。特に、大型ディスプレイでは従来の方式と比べて、開口率を高めることが可能である。さらに、ディスプレイの寿命を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明の表示装置においては、ディスプレイの表示品位を向上させるために画素回路を複雑化する必要がなく、その結果、高歩留りを実現することができる。
【００１７】
また、本発明の表示装置においては、画素部、ＴＦＴ部、配線部などでの発熱を効果的に放熱させることができ、表示装置の温度による輝度、画質などの変化を抑制することができる。特に有機ＥＬ表示装置において、その効果は顕著である。その理由は、本発明では隔壁の内部に、例えば金属からなる導電部を形成しているためである。
【００１８】
有機ＥＬ表示装置の隔壁の幅は多種多様であるが、実施の態様として隔壁の幅を例えば３〜１００μｍ、厚みを０．１〜５μｍとしてもよい。一実施の態様として、隔壁の幅を２０μｍ、厚みを２μｍとした場合は、導電部の幅を、例えば８μｍ〜１９μｍ、厚みを１．５μｍ〜１．９μｍとすることも可能であり、導電部が発熱を表示装置の外部に放熱する放熱経路とすることが容易となる。この場合、導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上とすることが可能であって、上記放熱性を発揮する上で好ましい一態様である。
また、このような放熱経路が、画素、ＴＦＴ、配線に隣接して形成されることも、本発明の優れた放熱性を発現できる理由である。
なお、本発明の導電部の幅、厚みなどは、各々の実施の形態に応じて適宜選択される。
【００１９】
また、本発明では隔壁の内部に金属を有しているため、例えば第２電極の変形や、クラックの発生を防止できる効果も有する。
従来の表示装置では、第２電極形成後にＳｉＯ２、ＳｉＮなどの薄膜、封止樹脂を形成し、その後にスペーサーを介して表示装置の上面ガラス基板が貼り付けられることがある。そのスペーサーは、発光部にダメージを与えないように隔壁上に当接される。例えばこのような構成で、表示装置に圧力などの外力が作用すると、従来の技術では隔壁が樹脂で構成されるため、隔壁が外力により変形しやすく、その変形によって第２電極も変形し、クラックが発生することもある。クラックの発生は電気的導通に支障をきたし、ひいては表示装置の画質の劣化ともなりうる。
本発明に係る表示装置における隔壁は、内部に金属を有しているため、上述のような隔壁の変形が発生しにくいため、表示装置の画質の劣化も発生しにくくなる。
【００２０】
また、本発明は上記のように隔壁の内部に金属を有しているため、従来技術のような樹脂製の隔壁からの水分などの不純物の拡散が少なく、発光層の劣化を抑制し表示装置の長寿命化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る表示装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る表示装置の周辺装置を含む構成を示すブロック図である。
【図３】図１の表示装置の隔壁の配置を示す平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る表示装置の概略の回路図である。
【図８】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態４による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態５による表示装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の第１態様に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００２３】
一般に、陽極はディスプレイの一面に、一方、陰極はディスプレイの他面に配置されるため、陰極と画素回路とを接続する配線（給電端）は、陰極の面の周囲を周るように配置される。そのため、ＩＴＯ等のように金属に比べて比較的大きな電気抵抗を有する陰極を用いる場合には、ディスプレイが大画面化すると、例えば、ディスプレイの中央領域では、陰極の中央領域と周囲の給電端との距離は長くなる。その結果、画素の位置が中央領域になるにしたがって陰極上での配線上の抵抗が大きくなって周囲の給電端から中央領域までの陰極上における電圧降下が増加し、中央領域に配置された発光部へ印加される実効電圧が低下する。これにより、例えば、ディスプレイの中央領域の光量が低下し、ディスプレイの表示品質が低下する。
【００２４】
本態様によれば、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極（陰極）は、導電部を介して周囲の給電端と接続されている。すなわち、発光部の上の第２電極から給電端までの第２電極上における経路を一部バイパスして、近くのより抵抗の低い導電部を経由して給電端と接続されている。これにより、ディスプレイの中央領域で、第２電極（陰極）の中央領域と周囲の給電端との距離が長くなっても、発光部を規制する隔壁において、第２電極の中央領域は隔壁内部の導電部を介して給電端と電気的に接続される。さらに、給電端は画素回路と電気的に接続しているので、第２電極の中央領域は、その近くの隔壁内部の導電部を介して画素回路と電気的に接続している。そのため、たとえ第２電極上の中央領域と給電端との距離が長くなっても、中央領域の画素から近くの導電部を介して給電端と接続することで第２電極上の経路を短くして電気抵抗を小さくできる。その結果、第２電極において給電端との距離が長くなることで生ずる電圧降下を抑えることができ、ディスプレイの表示品質を向上させることができる。
【００２５】
また、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そのため、隔壁の大きさを最大限に利用し導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において最大限の範囲で導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くすることなく、第２電極上で給電端との配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００２６】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は導電部を介して画素回路と電気的に接続している。これにより、導電部は補助配線として機能する。そのため、補助配線を、既存の隔壁以外の別部材として設ける必要はない。その結果、補助配線を別部材として設ける場合に比較して、補助配線の配置のために余分な面積を取る必要がない。従って、ディスプレイの開口率を下げることを防止できる。
【００２７】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設けることにより、ＴＦＴ部とは別の階層に導電部が設けられるため、ＴＦＴに割り当てる面積を削減することを防止できる。
さらに、発光部は、発光により発熱する。上記隔壁が絶縁部のみで形成されている場合には、隔壁の間に形成された発光部による発熱は隔壁の間にこもる。その結果、発光部内の発光層の寿命を短くする。本態様によると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設けている。これにより、発光部で発生した熱は導電部を伝わってディスプレイの外部に放出されるので、上記導電部は補助配線としての機能に加えて、放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００２８】
本発明の第２態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記導電部は、前記隔壁の上面から前記隔壁の内部の下方に伸びた領域を有してもよい。
【００２９】
本態様によると、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そして、導電部は、隔壁の上面より隔壁の内部の下方に伸びた領域を有する。そのため、隔壁の断面積上の大きさを利用してその内部に導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において、第２電極（陰極）上で周囲の給電端との距離によって生じる配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００３０】
本発明の第３態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、前記隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上を占めるようにしてもよい。
【００３１】
本態様によると、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そして、導電部の長手方向に垂直な面の断面積は、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積の約３０％以上を占めている。そのため、隔壁の長手方向に垂直な面の断面積上の大きさを利用して導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において、第２電極上の配線上の距離によって生じる抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００３２】
本発明の第４態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状であってもよい。また、前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としてもよい。
【００３３】
本態様によれば、隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状を上辺が下辺より短い台形形状とすることで、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。そのため、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００３４】
また、本態様では、導電部の断面形状を長方形形状とし、導電部の長方形形状の上辺の長さを、隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としている。これにより、導電部の幅を隔壁の中で最大限に厚くできるので、画素を区画する既存の隔壁を利用しつつ、最大限の厚さの導電部を実現できる。その結果、隔壁内に形成される導電部の抵抗を最大限に低くし、第２電極から導電部に流れる電流量を増加させ、第２電極において生ずる電圧降下を最大限に抑えることができる。
【００３５】
本発明の第５態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状としてもよい。
【００３６】
本態様によれば、前記隔壁の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であると、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。これにより、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００３７】
また、本態様によると、導電部の周囲に絶縁部を形成して隔壁を形成する場合、導電部の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、台形形状に沿って絶縁部を形成すれば、隔壁も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部は、補助配線としての機能に加えて、隔壁を形成する際の型としての機能を果たす。その結果、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００３８】
本発明の第６態様に係る表示装置は、上記第５態様について、さらに、前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としてもよい。
【００３９】
本態様によると、導電部の台形形状の上辺の長さを、隔壁の台形形状の上辺の長さと同一としている。これにより、導電部の上面の幅を隔壁の中で最大限に長くできるので、画素を区画する既存の隔壁を利用しつつ、最大限の厚さの導電部を実現できる。その結果、隔壁内に形成される導電部の断面積を大きくでき、抵抗を大幅に低くすることができるため、第２電極から導電部に流れる電流量を増加させ、第２電極において生ずる電圧降下を最大限に抑えることができる。
【００４０】
本発明の第７態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記隔壁は、前記基板を平面に見た場合、前記基板の短辺方向又は長辺方向に前記基板の端部まで延在するように設けてもよい。
【００４１】
本態様によると、隔壁は、基板を平面に見た場合、基板の短辺方向又は長辺方向に基板の端部まで延在している。これにより、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられた導電部も、基板の端部まで延在している。そのため、発光部で発生した熱は前記導電部を伝わって基板の外部に放出されるので、導電部は補助配線としての機能に加えて放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００４２】
本発明の第８態様に係る表示装置は、上記第１態様について、さらに、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含むこととしてもよい。
【００４３】
本発明の第９態様に係る表示装置は、上記第８態様について、さらに、前記発光層は、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を輸送する正孔輸送層、又は、前記第２電極から前記有機ＥＬ層に電子を輸送する電子輸送層を含むこととしてもよい。
【００４４】
本発明の第１０態様に係る表示装置は、上記第８態様について、さらに、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を、前記第１電極と前記有機ＥＬ層との間に含むこととしてもよい。
【００４５】
本発明の第１１態様に係る表示装置は、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、長手方向に対して垂直な面の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であって、前記隔壁は、前記基板上に導電性材料により形成され断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状である導電部と、この導電部の側面周囲に形成された絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【００４６】
本態様によれば、隔壁の断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状であると、隔壁に挟まれた空間は、上辺が下辺より長い台形形状となる。これにより、隔壁に挟まれた空間に発光層を形成する液状の材料を流して発光層の薄膜を形成できる。
【００４７】
また、本態様によると、導電部の周囲に絶縁部を形成して隔壁を形成する場合、導電部の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、導電部の台形形状の側面に沿って絶縁部を形成すれば、隔壁も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部は、補助配線としての機能に加えて、隔壁を形成する際の型としての機能を果たす。これにより、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００４８】
本発明の第１２態様に係る表示装置は、上記第１１態様について、さらに、前記絶縁部は、前記導電部の側面周囲を酸化して得られた酸化被膜で構成されてもよい。
【００４９】
本態様によると、絶縁部は、導電部の側面周囲を酸化することにより形成された酸化被膜で構成される。そのため、導電部の側面周囲を酸化するだけの工程で絶縁部が形成され、導電部の側面周囲を樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【００５０】
本発明の第１３態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に導電性材料による導電部を形成する工程と、
前記基板上に形成された前記第１電極及び前記導電部を絶縁材料により被覆する工程と、
前記第１電極の上面及び前記導電部の上面から前記絶縁材料を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲を前記絶縁材料で覆った隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された隔壁の間に前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される。
【００５１】
本発明の第１４態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１３態様について、前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、まず前記第１電極を形成し、次に前記導電部を形成することを特徴とする。
【００５２】
本発明の第１５態様に係る表示装置は、上記第１３態様について、前記基板上に前記第１電極及び前記導電部を形成する工程は、前記第１電極の形成と前記導電部の形成とを同一工程にて行うことを特徴とする。
【００５３】
本発明の第１６態様に係る表示装置は、上記第１３態様について、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００５４】
本発明の第１７態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の両側に、前記基板の垂直方向に空洞を持つ中空形状の絶縁部を絶縁材料により形成する工程と、
上方に開放した中空形状の前記絶縁部の中空領域に、導電性材料を充填して導電部を形成し、前記導電部の側面周囲を絶縁部で覆い前記導電部が上面に露出した隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記絶縁材料で被覆された前記隔壁の間に前記第１電極の上面に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されることを特徴とする。
【００５５】
本発明の第１８態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１７態様について、さらに、前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含み、
前記隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、前記発光層を形成する工程との間に、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を前記第１電極の上面に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００５６】
本発明の第１９態様に係る表示装置の製造方法は、上記第１３態様について、さらに、前記隔壁の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする。
【００５７】
本発明の第２０態様に係る表示装置の製造方法は、基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に、断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状の導電部を導電性材料による形成する工程と、
前記第１電極をマスクする工程と、
前記基板上に形成された前記導電部の表面を酸化して酸化皮膜を形成する工程と、
前記導電部の上面から酸化皮膜を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲が酸化皮膜により絶縁された隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記第１電極から前記マスクを除去する工程と、
前記側面周囲が絶縁された前記隔壁の間であって前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されることを特徴とする。
【００５８】
本発明の第２１態様に係る表示パネルは、基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層されていることを特徴とする。
【００５９】
本態様の表示パネルによると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は、隔壁の上面に露出した導電部を被覆して積層されている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、ディスプレイの中央領域では、第２電極上で中央領域と周囲の給電端との距離が長くなっても、発光部を規制する隔壁において第２電極は導電部を介して給電端と電気的に接続される。これによって第２電極を、導電部及び給電端を介して表示装置の画素回路と電気的に接続することが可能になる。そのため、第２電極上の配線上の抵抗を小さくできる。その結果、第２電極において生ずる電圧降下を抑えることができ、ディスプレイの表示品質を向上させることができる。
【００６０】
また、導電部は、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に設けられている。そのため、隔壁の大きさを最大限に利用して導電部を形成できる。その結果、表示装置自体の厚みを厚くしない範囲において最大限の範囲で導電部を確保できる。その分、表示装置自体の厚みを厚くすることなく、第２電極上の配線上の抵抗を大幅に小さくできる。特に、有機ＥＬディスプレイの場合、薄型を特徴とするため、ディスプレイ自体の厚みを厚くすることなく、ディスプレイの表示品質を向上させることができるという極めて優れた効果を奏することができる。
【００６１】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設け、第２電極は、隔壁の上面に露出した導電性材料を被覆して積層されている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、導電部は補助配線として機能する。そのため、補助配線を、既存の隔壁以外の別部材として設ける必要はない。その結果、補助配線を別部材として設ける場合に比較して、補助配線の配置のために余分な面積を取る必要がない。従って、ディスプレイの開口率の低下を防止できる。
【００６２】
また、既存の隔壁の内部に導電部を設けることにより、ＴＦＴ部とは別の階層に導電部が設けられるため、ＴＦＴに割り当てる面積の削減を防止できる。
【００６３】
さらに、発光部は、発光により発熱する。隔壁が絶縁部のみで形成されている場合には、隔壁の間に形成された発光部による発熱は隔壁の間にこもる。その結果、発光部内の発光層の寿命を短くする。本態様の表示パネルによると、発光部の領域を規制する既存の隔壁の内部に導電部を設けている。これにより、本態様の表示パネルを表示装置に搭載した場合、発光部で発生した熱は導電部を伝わってディスプレイの外部に放出されるので、導電部は補助配線としての機能に加え放熱機能を果たす。その結果、隔壁の間に形成された発光部による発熱が隔壁の間にこもるのを防止し、発光部内の発光層の寿命を延ばすことができる。
【００６４】
以下、本発明の実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について添付図面を参照して説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
【００６５】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の構成を示す概略断面図である。この表示装置１００は、薄膜トランジスタアレイ基板１０上に、平面内で画素を区画する複数の隔壁２０と、基板１０上の隔壁２０間に、面に垂直方向に陽極（第１電極）１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極（第２電極）１４の順に積層され、画素を構成する、発光部と、を備える。また、一部の隔壁２０は、陰極１４と電気的に接続された導電部２１と、導電部２１と陽極１１及び発光層１３とを電気的に絶縁するように、導電部２１の表面の一部である側面を被覆する絶縁部２２と、を含む。さらに、薄膜トランジスタアレイ基板１０は、ガラス基板１上に形成されたＴＦＴ部１５と、ＴＦＴ部１５上に形成された平坦化膜１６とを含む。また、薄膜トランジスタアレイ基板１０のＴＦＴ部１５と発光部の陽極１１とは平坦化膜１６に形成したコンタクトホール１６１を介して電気的に接続されている。
【００６６】
本発明に係る表示装置では、複数の隔壁２０のうち、少なくとも一部の隔壁２０は、導電部２１と、該導電部２１の表面の一部を覆う絶縁部２２とからなることを特徴とする。この隔壁２０の導電部２１は、陰極（第２電極）１４と電気的に接続されている。すなわち、導電部２１は、陰極（第２電極）１４の複数箇所にわたって所定の電位を印加する補助配線の機能を有し、陰極１４の電圧降下を抑制できる。また、隔壁２０の導電部２１によって補助配線の機能を併せ持たせているので、発光部と同じ面内で別に補助配線を構成する場合と比べて開口率を下げることがない。さらに、補助配線としての導電部２１は、ＴＦＴ部１５とは別の階層に設けているので、ＴＦＴの割当面積を減らすこともない。これによって、ディスプレイ上面の開口率を減らさず、ＴＦＴの割当面積も減らさずに、透明電極であって高抵抗の陰極１４における電圧降下に起因する各画素間の発光の輝度ムラを抑制でき、表示装置としての表示品位を向上させることができる。
【００６７】
以下にこの表示装置の各構成部材について説明する。
【００６８】
＜薄膜トランジスタアレイ基板＞
この薄膜トランジスタアレイ基板１０は、ベース基板１と、ベース基板１上に設けられたＴＦＴを含むＴＦＴ部１５と、さらに、ＴＦＴ部１５の上に設けられた平坦化層１６とからなる。
【００６９】
＜ベース基板＞
ベース基板１としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラスなどのガラス板、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコン系樹脂などのプラスチック板およびプラスチックフィルム、アルミナなどの金属板および金属ホイル等を用いることができる。
【００７０】
＜ＴＦＴ部＞
ＴＦＴ部１５は、少なくとも半導体層１５１、ゲート絶縁膜１５２、ゲート電極１５３、ソース・ドレイン電極１５４を含む層から構成される。
また、ＴＦＴとしては、一般的に液晶ディスプレイを駆動するために使用される、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴでも良いし、有機ＥＬ用に現在開発されているマイクロクリスタルシリコンＴＦＴ、無機酸化物ＴＦＴ、有機ＴＦＴ等どのようなＴＦＴでもよい。本実施の形態に示したＴＦＴ部１５では、半導体層１５１よりも基板上方にゲート電極１５３が存在するトップゲート構造を示したが、この限りではない。ゲート電極が半導体層より基板下側にあるボトムゲート構造でも構わない。
【００７１】
＜平坦化層＞
平坦化層１６は、ＴＦＴ部１５の上に設けられ、ＴＦＴ部１５の上部の凹凸を平坦化すると共に、ＴＦＴ部１５と発光部とを電気的に絶縁する。平坦化層１６には、ＴＦＴ部１５のソース電極と発光部２０の陽極１１とを接続する接続孔が設けられている。平坦化層１６の材料としては、特に限定されないが、ポリイミド、ＢＣＢ（ジビニルシロキサンベンゾシクロブテン）等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料を用いることができる。
【００７２】
＜隔壁＞
隔壁２０は、基板１０上の平面内で画素を区画するように設けられている。隔壁２０は、例えば、基板１０の短辺方向又は長辺方向に沿って互いに平行に延在して設けられていてもよい。あるいは、隔壁２０は、基板１０上の平面内で格子状に設けられていてもよい。
【００７３】
この表示装置１００では、複数の隔壁２０のうち、少なくとも一部の隔壁２０は、導電部２１と、該導電部２１の表面の一部を覆う絶縁部２２とからなる。
なお、全ての隔壁ではなく、少なくとも一部の隔壁２０について導電部２１を備えていれば足りる。一部の隔壁２０の導電部２１によっても、陰極（第２電極）１４の複数箇所に所定の電位を印加することで陰極１４での電圧降下を抑えることが十分可能である。
【００７４】
＜導電部＞
隔壁２０の導電部２１は、陰極（第２電極）１４と電気的に接続されている。すなわち、導電部２１は、陰極（第２電極）１４の複数箇所にわたって所定の電位を印加する補助配線の機能を有し、陰極１４の電圧降下を抑制できる。これによって、透明電極であって高抵抗の陰極１４における電圧降下に起因する各画素間の発光の輝度ムラを抑制できる。
【００７５】
図３は、導電部２１の平面的な配置の一例を示す図である。この例では、表示装置の一方向に平行に導電部２１が延在しており、各導電部２１の間に画素２４が配置されている。なお、導電部２１は隔壁２０の芯部を構成しているので、この導電部２１の平面的な配置を実質的に隔壁の平面的な配置とみなしてもよい。また、表示装置の周囲には画素回路の陰極と接続された給電端２３を設けている。導電部２１はこの給電端２３と電気的に接続されており、発光部の陰極１４は、導電部２１及び給電端２３を介して画素回路と接続されている。
【００７６】
また、導電部２１は、特に限定されるものではないが、たとえば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、のうちのいずれかの金属およびこれらの合金およびそれらを積層したものを用いることができる。また、たとえばインジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明電極でもよく、上記金属と積層して用いても良い。なお、導電部２１は、陽極（第１電極）１１と同様の材料で構成されていてもよい。
【００７７】
導電部２１は、一段階でメッキ法、印刷法、転写法、蒸着法等で設けてもよく、さらに複数段階で、メッキ法、印刷法、転写法、蒸着法から選ばれる少なくとも一つの方法により成長させてもよい。
【００７８】
＜絶縁部＞
隔壁２０の絶縁部２２は、導電部２１と第１電極１１及び発光層１３とを電気的に絶縁するように、導電部２１の表面の一部、例えば側面を被覆するように設けられている。なお、隔壁２０の形成にあたって、後述する実施の形態３に示すように、絶縁部２２を先に設ける場合には、一組の絶縁物を離間して設けて絶縁部２２を構成してもよい。その後、絶縁部２２の一組の絶縁物の間に導電体からなる導電部２１を設けることで隔壁２０を構成できる。
この絶縁部２２は、特に限定されないが、ポリイミド、樹脂、ＢＣＢ（ジビニルシロキサンベンゾシクロブテン）等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの無機材料を用いることができる。なお、実施の形態５に示すように、導電部２１の表面を酸化して酸化被膜２２ａを形成して絶縁部を構成してもよい。
【００７９】
＜発光部＞
発光部は、基板１０上の隔壁２０間に面に垂直方向に、陽極（第１電極）１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極（第２電極）１４の順に積層され、画素を形成する。
なお、ここでは、発光層１３と陽極１１との間に正孔注入層１２を設けているが、これに限られない。正孔注入層を設けない場合であってもよく、あるいは、発光層１３と陰極１４との間に電子注入層等の電荷注入層を有していてもよい。電子注入層及び正孔注入層は、蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、キャスト法などにより形成できる。
また、この例では、第１電極１１が陽極、第２電極１４が陰極となる。なお、この場合に限られず、互いに逆の極性の電極、つまり第１電極１１を陰極、第２電極１４を陽極としてもよい。
【００８０】
＜陽極（第１電極）＞
陽極（第１電極）１１を構成する材料としては、電気伝導性を有すると共に、反射性を有する金属を良好に用いることができる。たとえば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、モリブデン、銅、鉄、白金、タングステン、鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタン、マンガン、インジウム、亜鉛、バナジウム、タンタル、ニオブ、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、のうちのいずれかの金属およびこれらの合金およびそれらを積層したものを用いることができる。陽極としては仕事関数が高い方が望ましく、これらの金属単体の仕事関数が低い場合はプラズマオゾン処理等により仕事関数を高めることが可能である。また、上記反射性を有する金属と、例えば仕事関数の高いインジウムスズ酸化物やインジウム亜鉛酸化物などの透明電極とを積層して複数層からなるボトム電極として構成してもよい。
【００８１】
＜発光層＞
発光層１３としては、一層の場合に限られず多層構造であってもよい。また、発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含んでもよい。さらに、有機ＥＬ層を挟持する電子輸送層と正孔輸送層をさらに含んでもよい。
【００８２】
＜電子輸送層＞
電子輸送能を有する電子輸送層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体などの化合物を使用することができる。
【００８３】
＜有機ＥＬ層＞
有機ＥＬ層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２、２‘−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質を使用することができる。有機ＥＬ層は蒸着法、スピンコート法、キャスト法などにより形成できる。有機ＥＬ層が高分子の場合、インクジェット法等の印刷手段により形成される。
【００８４】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層の具体例としては、特開平５−１６３４８８号公報に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体などを使用することができるが、特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物である。
【００８５】
＜正孔（ホール）注入層＞
この実施の形態１に係る表示装置１００では、陽極１１と発光層１３との間に正孔（ホール）注入層１２を設けている。この正孔注入層１２としては、例えば、銅フタロシアニン、スターバーストアミン化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、等を用いることができる。あるいは、４、４’、４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等を用いてもよい。
更に、インクジェット法等の印刷手段により有機ＥＬデバイスを構成する場合、一般的に正孔注入層としてＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）や無機物のＷｏｘ（タングステン酸化物）、ＭｏＯｘ（モリブデン酸化物）等が使用される。
【００８６】
＜陰極（第２電極）＞
陰極（第２電極）１４は、発光層１３で発生した光に対して透明又は半透明である導電性材料により構成されていることが好ましい。陰極１４を構成する材料としては、特に限定されるものではないが、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を用いることができる。
この陰極１４は、特に限定されるものではないが、好ましくは対向ターゲット式スパッタ法、ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法、プラズマアシストの蒸着法等によって形成することができる。トップエミッション型デバイスでは、陰極形成のダメージを有機ＥＬ層に与えないためには対向ターゲット式スパッタ法が望ましい。
【００８７】
＜製造方法＞
図４（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板１０上に金属からなる陽極１１と、隔壁２０の導電部２１とを形成する（図４（ａ））。陽極１１および隔壁２０の導電部２１は同じ金属から構成してもよい。この金属としては、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては例えば１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、陽極１１を覆う領域にのみをマスクするレジスト３０を形成する（図４（ｂ））。厚みは１〜３μｍの範囲である。
（ｃ）続いて、メッキ法を行って、導電部２１のみを厚くする（図４（ｃ））。
なお、メッキ法は種々のものが使用できるが、ＴＦＴ等の駆動回路への影響を考えた場合は、例えば無電界メッキ法が好適である。
（ｄ）その後、レジスト３０を除去し、全面にプラズマオゾン処理を行うことで陽極１１の仕事関数を高め、発光層１３へキャリアを効率よく注入し、結果、表示装置１００の性能を向上させることが可能である（図４（ｄ））。
【００８８】
もしくは陽極１１上に、さらに高仕事関数材料からなる陽極（図示せず）を形成してもよい。例えばＩＴＯを１００ｎｍ程度形成してもよい。この場合、陽極１１は発光層１３で発生した光を表示装置１００の上面へ反射させる目的で使用され、発光層１３へのキャリア注入はＩＴＯから行われる。この場合、陽極１１を構成する金属としては反射率が高く、メッキ処理しやすいものであればよく、例えばＡｌやＣｕ、Ｎｉ等でもよい。最終的には、ＩＴＯの厚みは光が光学的に最も良く取り出される厚みとする必要がある。
【００８９】
（ｅ）続いて、絶縁物２２を全面に塗布する（図４（ｅ））。厚みは１〜３μｍ程度である。この絶縁物２２の材料としては、樹脂を使用してもよい。
（ｆ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁２０の導電部２１の上部から絶縁物２２を除去して、隔壁２０の導電部２１の側面にのみ絶縁物２２が残存する状態にする（図４（ｆ））。なお、ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易に上記の構造を作ることが可能である。この隔壁２０の導電部２１の側面を覆う絶縁物によって隔壁２０の絶縁部２２を構成する。これによって、導電部２１と、その表面の一部を覆う絶縁部２２とによって隔壁２０を構成する。
【００９０】
なお、隔壁２０の絶縁部２２の形成方法としては、上記方法に限られず、例えば、絶縁物２２として感光性のもの、例えば感光性樹脂を使用し、露光によって陽極１１および隔壁の導電部２１の上部だけを取り除いてもよい。例えば絶縁物２２としてネガ型の材料を使用し、基板の裏面から全面に露光する。これによって、隔壁２０の導電部２１と陽極１１の上部には光が届かず、隔壁の導電部２１と陽極１１の間だけを露光できる。その後、現像することでフォトリソ工程を追加することなく、上記構造を実現できる。なお、絶縁物としてポジ型の材料を使用する場合は、基板上面よりフォトマスクを使用して露光を行い、陽極１１および隔壁の導電部２１の上面から絶縁物２２を除去する。
【００９１】
（ｇ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図４（ｇ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図４（ｈ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置１００の全面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９２】
この表示装置１００によれば、隔壁２０の芯に導電部２１を設け、陰極１４と隔壁の導電部２１とを電気的に接続している。この隔壁の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての役割を併せ持たせることができる。また、隔壁２０の芯に設けた導電部２１によって、補助配線としての機能を果たすことができるので、光取り出し方向である上面への開口率を減らすことがない。さらに、隔壁２０は薄膜トランジスタアレイ基板より上面の異なる階層に設けるので、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の配置を制限することもない。
【００９３】
図２は、アクティブマトリクス型の表示装置１００を駆動する周辺装置を含む構成のブロック図である。このアクティブマトリクス型の表示装置１００では、陽極１１は、基板１０上に形成された薄膜トランジスタ（図示せず）のドレイン電極に接続される。薄膜トランジスタは、図２のブロック図に示すように、ゲートドライバ２００およびソースドライバ２０１によって駆動される。その結果、各画素の発光部ごとの発光が制御される。
図７は、この表示装置の概略の回路図である。陰極１４は導電部２１を介して画素回路１７の陰極に接続されている。
尚、本実施の形態１では発光部として有機ＥＬの例を示したが、本発明の適用範囲はこの限りではない。有機ＥＬ以外にも電流駆動型の発光素子であればよく、例えば無機ＥＬでもよい。
また、本実施の形態ではベース基板１としてガラス基板の例を示したが、プラスチック等のフレキシブルな基板を使用してもよい。
【００９４】
（実施の形態２）
図５（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態２に係る表示装置１００の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板（図示せず）上に金属からなる陽極１１を形成する（図５（ａ））。この場合に、金属としては、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、隔壁２０の芯となる導電部２１を形成する（図５（ｂ））。導電部２１は、印刷手段により形成することで、面に垂直方向に比較的厚く形成することが可能であり、厚さ１〜３μｍにすることが可能である。
尚、印刷手段としてはインクジェット法、ダイコーター法、ディスペンサ描画等が挙げられる。
（ｃ）続いて、有機膜２２を全面に塗布する（図５（ｃ））。厚みは１〜３μｍ程度である。
（ｄ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁の導電部２１の上部から有機膜２２を除去し、導電部２１の側面には有機膜２２が残存している状態とする（図５（ｄ））。ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易にこの構造を作ることが可能である。これによって、芯の導電部２１と、その表面の一部、ここでは側面を覆う有機膜からなる絶縁部２２とからなる隔壁２０を構成する。
（ｅ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図５（ｅ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｆ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図５（ｆ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９５】
（実施の形態３）
図６（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態３に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）まず、ＴＦＴ基板（図示せず）上に金属からなる陽極１１を形成する（図６（ａ））。この陽極１１の金属材料には、例えばＡｇを選択してもよい。厚みとしては１００〜５００ｎｍである。
（ｂ）その後、平面内で上記陽極１１を含む画素を区画するように、一組の絶縁物が離間して設けられた、複数組の絶縁物からなる絶縁部２２を形成する（図６（ｂ））。
（ｃ）続いて、隔壁の一組の絶縁部２２で囲われた領域内に金属からなる導電部２１を印刷手段により形成する（図６（ｃ））。印刷手段を用いることで比較的厚く形成することが可能であり、厚さ１〜３μｍにすることが可能である。また、金属の導電部２１を印刷すべき領域が隔壁２０の一組の絶縁部２２の間として規定されているため、上記実施の形態２よりさらに容易、かつ高歩留りで印刷を行うことができる。尚、印刷手段としてはインクジェット法、ダイコーター法、ディスペンサ描画等が挙げられる。
（ｄ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図６（ｄ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｅ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図６（ｅ））。陰極１４は、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【００９６】
なお、以上の実施の形態３では、例えば図５（ｆ）にも示したように陰極１４を上面の全面に形成する場合を例示したが、これに限られない。例えば、各画素毎に対応するように陰極１４をパターニングして、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できる。また、別の実施の形態としては、複数の画素に共通してパターニングして、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できる。さらに別の形態としては、パネルの行パターン、あるいは、列パターンとして陰極１４を形成し、隔壁２０の導電部２１と電気的に接続する構成も採用できることはいうまでもない。このような陰極の構成によれば、例えば、基板がフィルム等のフレキシブル基板を用いた構成の表示装置において、表示装置を曲げて陰極に応力が発生しても、材質的には脆弱なＩＴＯの陰極が全面に形成された場合に比べて応力を緩和できるために、陰極にクラックが発生しにくい等の効果がある。
【００９７】
（実施の形態４）
図８（ｈ）は、本発明の実施の形態４に係る表示装置の概略断面図である。この表示装置では、実施の形態１に係る表示装置と比較すると、導電部２１の長手方向の断面形状において、上辺が下辺より短い台形形状としていることを特徴とする。そのため、導電部２１の台形形状の側面に沿って絶縁部２２を形成すれば、隔壁２０も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部２１は、補助配線としての機能に加えて、隔壁２０を形成する際の型としての機能を果たす。これにより、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁２０を形成する際の生産性を向上させることができる。
【００９８】
図８（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態４に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）実施の形態１と同様に、図４（ａ）〜図４（ｄ）の各工程によって、基板１０の上に導電部２１と、陽極１１とを形成する（図８（ａ））。
（ｂ）導電部２１の頂部に、その頂部の幅よりも狭い幅のレジスト３０を形成すると共に、陽極１１の上を覆うレジスト３０を形成する（図８（ｂ））。
（ｃ）アルゴンプラズマ雰囲気に晒して、導電部２１の頂部の角部分から選択的にエッチングする（図８（ｃ））。この場合、導電部２１にプラズマ電位に対して、例えば−１００Ｖのバイアス電位を印加することが好ましい。このバイアス電位の印加によって、角部分に電界集中しやすくなり、角部分からの選択的エッチングの進行速度が加速される。なお、この選択的エッチングによって導電部２１を台形形状とすることができるが、側面全体を台形の傾斜面とする必要はなく、例えば途中図の図８（ｃ）のように頂部近傍のみを傾斜させた形状でエッチングを止めてもよい。あるいは図８（ｄ）のように導電部２１の側面全体が傾斜面となった状態までエッチングを行ってもよい。
（ｄ）エッチングが終わったらレジスト３０を除去する（図８（ｄ））。これによって導電部２１を上辺が下辺より短い台形形状とすることができる。この台形形状の導電部２１は、その側面周囲に絶縁部２２を設けて形成する隔壁２０の型としての機能を果たす。
【００９９】
（ｅ）続いて、絶縁物２２を全面に塗布する（図８（ｅ））。厚みは１〜３μｍ程度である。この絶縁物２２の材料としては、樹脂を使用してもよい。
（ｆ）その後、全面にドライエッチングをかけて隔壁２０の導電部２１の上部から絶縁物２２を除去して、隔壁２０の導電部２１の側面にのみ絶縁物２２が残存する状態にする（図８（ｆ））。なお、ドライエッチング等の異方性のエッチングを使うことで容易に上記の構造を作ることが可能である。この隔壁２０の導電部２１の側面を覆う絶縁物によって隔壁２０の絶縁部２２を構成する。これによって、断面が台形形状の導電部２１と、その表面の一部を覆う絶縁部２２とによって断面が台形形状の隔壁２０を構成する。
なお、絶縁部２２は、図８（ｆ）に示すように断面が台形形状の導電部２１の側面と同じ傾斜で形成してもよい。あるいは絶縁部２２の傾斜を導電部２１の側面の傾斜よりも急傾斜とし、隔壁２０の頂部の幅と導電部２１の頂部の幅を同一にしてもよい。
【０１００】
（ｇ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図８（ｇ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の絶縁部２２によって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図８（ｈ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置の上面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【０１０１】
この表示装置によれば、導電部２１の断面形状を、上辺が下辺より短い台形形状としている。そのため、台形形状に沿って絶縁部２２を形成すれば、隔壁２０も上辺が下辺より短い台形形状となる。即ち、この場合、導電部２１は、補助配線としての機能に加えて、隔壁２０を形成する際の型としての機能を果たす。すなわち台形形状に整形する工程を簡易にすることができ、その結果、上辺が下辺より短い台形形状の隔壁２０を形成する際の生産性を向上させることができる。
【０１０２】
（実施の形態５）
図９（ｇ）は、本発明の実施の形態５に係る表示装置の概略断面図である。この表示装置では、実施の形態４に係る表示装置と比較すると、絶縁部が、樹脂に代えて導電部２１の側面周囲を酸化して得られた酸化被膜２２ａで構成されている点で相違する。そのため、導電部２１の側面周囲を酸化するだけの工程で酸化被膜２２ａからなる絶縁部が形成され、導電部２１の側面周囲を樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁２０の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【０１０３】
図９（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態５に係る表示装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。
（ａ）実施の形態４と同様にして、図８（ａ）〜図８（ｄ）の工程によって断面において上辺が下辺より短い台形形状の導電部２１を形成する（図９（ａ））。
（ｂ）導電部２１以外の部分をマスクするレジスト３０を形成する（図９（ｂ））。
（ｃ）酸素プラズマを照射して導電部２１の表面を酸化して、導電部２１の表面に酸化被膜２２ａを形成する（図９（ｃ））。
（ｄ）アルゴン等の不活性ガスイオンなどの選択性のあるドライエッチング法によって導電部２１の上方から酸化被膜２２ａをエッチングする（図９（ｄ））。イオンの照射方向に対して側面よりも相対的に膜厚の薄い頂部の酸化被膜２２ａが早くエッチングされ、側面の酸化被膜２２ａを残したまま頂部では導電部２１を露出させることができる。
（ｅ）その後、レジスト３０を除去して、導電部２１の側面を絶縁性の酸化皮膜２２ａで覆い、頂部に導電部２１を露出させた隔壁２０を形成する（図９（ｅ））。
【０１０４】
（ｆ）その後、基板１０上の隔壁２０間に区画された範囲内に、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３の順にそれぞれ厚さ１００ｎｍ程度を形成する（図９（ｆ））。なお、隔壁２０の導電部２１は、隔壁２０の酸化皮膜２２ａによって陽極１１、正孔（ホール）注入層１２、発光層１３と電気的に絶縁されている。
（ｈ）最後に、陰極１４を全面に形成する（図９（ｇ））。陰極１４は、隔壁の導電部２１と電気的に接続される。隔壁２０間に区画された範囲内で、面に垂直方向に積層された陽極１１、正孔注入層１２、発光層１３、陰極１４によって画素を構成する。なお、陰極１４としては、表示装置の上面から光を取り出すために透明である必要があり、ＩＴＯが一般的に使用される。厚みは１００〜３００ｎｍである。隔壁２０の導電部２１は、陰極１４の複数箇所に所定電位を印加する補助配線としての機能を併せ持ち、各画素からの発光の輝度ムラを抑制できる。
以上の工程によって表示装置が完成する。
【０１０５】
この表示装置によれば、絶縁部は、導電部２１の側面周囲を酸化することにより形成された酸化被膜２２ａで構成される。そのため、導電部２１の側面周囲を酸化するだけの工程で酸化被膜２２ａによる絶縁部が形成され、導電部２１の側面周囲に樹脂で覆って絶縁部を形成する必要がないので、隔壁２０の形成を極めて簡易な工程で実現できる。
【０１０６】
なお、本実施の形態において、図９（ｃ）に示す表面参加の工程は、前記のプラズマ酸化以外にも、陽極酸化により側壁だけ緻密な酸化膜を形成することによっても実施可能である。
例えば、酸化皮膜を形成したい図９の導電部２１の側壁部を残して、導電部の頂部、その他の表面酸化させない部分をレジストで被覆し、電解液などの酸化雰囲気中に設置して、導電部２１に正電位、電解液に負の電位を印加することで、導電部２１の側壁部に酸化皮膜を形成することもできる。この酸化皮膜を形成の後は、前記のレジストを除去すればよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明は、様々な表示装置に適用でき、たとえば、コンピュータおよび家電などに用いられるディスプレイに適用できる。
【符号の説明】
【０１０８】
１  ガラス基板
１０  ＴＦＴ基板
１１  陽極
１２  正孔注入層
１３  発光層
１４  陰極
１５  ＴＦＴ部
１６  平坦化層
１７  画素回路
２０  隔壁
２１  導電部
２２  絶縁部
２２ａ  酸化被膜
２３  給電端
２４  画素
３０  レジスト
１００  表示装置
１５１  半導体層
１５２  ゲート絶縁膜
１５３  ゲート酸化膜
１５４  ソース・ドレイン電極
１６１  コンタクト
２００  ゲートドライバ
２０１  ソースドライバ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続され、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続され、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、前記基板を平面に見た場合、前記基板の短辺方向又は長辺方向に前記基板の端部まで延在するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記発光層は、有機発光体を含む有機ＥＬ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を輸送する正孔輸送層、又は、前記第２電極から前記有機ＥＬ層に電子を輸送する電子輸送層を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１電極から前記有機ＥＬ層に正孔を注入する正孔注入層を、前記第１電極と前記有機ＥＬ層との間に含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
前記第１電極に電圧を印加する画素回路と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により形成され断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状である導電部と、この導電部の側面周囲に形成された絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層され、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁部は、前記導電部の側面周囲を酸化して得られた酸化皮膜で構成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
基板上に、第１電極及びこの第１電極の両側に、断面形状が、上辺が下辺より短い台形形状の導電部を導電性材料による形成する工程と、
前記第１電極をマスクする工程と、
前記基盤上に形成された前記導電部の表面を酸化して酸化皮膜を形成する工程と、
前記導電部の上面から酸化皮膜を除去し、前記導電部の上面を露出させ、前記導電部の側面周囲が酸化皮膜により絶縁された隔壁を前記第１電極の両側に形成する工程と、
前記第１電極から前記マスクを除去する工程と、
前記側面周囲が絶縁された前記隔壁の間であって前記第１電極の上方に発光層を形成する工程と、
前記発光層及び前記隔壁の上面に露出した導電部を第２電極で被覆する工程と、
を含み、
前記第１電極には画素回路により電圧が印加され、前記第２電極は、前記導電部を介して前記画素回路と電気的に接続される表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に形成され画素を区画する複数の隔壁と、
前記複数の隔壁の中の一組の隔壁間に第１電極、発光層、第２電極の順に積層され、前記画素を構成する発光部と、
を備え、
前記複数の隔壁の中の少なくとも一部の隔壁は、前記基板上に導電性材料により垂直方向に形成された導電部と、この導電部の側面周囲を絶縁材料で覆った絶縁部とを含み、
前記第１電極及び前記発光部は、前記絶縁部により前記導電部から絶縁され、
前記第２電極は、前記隔壁の上面に露出した前記導電部を被覆して積層されて、
前記隔壁の延在する長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であり、前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状である
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項１３】
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は長方形形状であり、
前記導電部の長方形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１２に記載の表示バネル。
【請求項１４】
前記導電部の長手方向に垂直な断面形状は上辺が下辺より短い台形形状であることを特徴とする請求項１２に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記導電部の台形形状の上辺の長さは、前記隔壁の台形形状の上辺の長さと同一であることを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009133680.tif 000012
【図２】
2009133680.tif 000013
【図３】
2009133680.tif 000014
【図４】
2009133680.tif 000015
【図５】
2009133680.tif 000016
【図６】
2009133680.tif 000017
【図７】
2009133680.tif 000018
【図８】
2009133680.tif 000019
【図９】
2009133680.tif 000020
【国際調査報告】
2009133680.tif 000021
2009133680.tif 000022
2009133680.tif 000023
2009133680.tif 000024
2009133680.tif 000025
2009133680.tif 000026
2009133680.tif 000027
2009133680.tif 000028