(57)【要約】  セラミック部材（２００）は、絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層（２９１−２９７）と；第１のセラミック層（２９６）上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極（３７２，３７４，３７６，３７８）と；セラミック部材（２００）の外部から吸着電極（３７２，３７４，３７６，３７８）に対する電力の供給を受け付ける給電口（３１２，３１６）と；第２のセラミック層（２９５）上に形成され、給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランド（３３２，３３６）と；複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して吸着電極（３７２，３７４，３７６，３７８）とランド（３３２，３３６）との間を電気的に接続する導体であるビア（３５２，３５４，３５６，３５８）とを備える。
2013132803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送装置において被搬送体を保持した状態で前記被搬送体と共に移動可能に構成されたセラミック部材であって、
絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層と、
前記複数のセラミック層の内部であって前記複数のセラミック層のうちの第１のセラミック層上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極と、
前記セラミック部材の外部から前記吸着電極に対する電力の供給を受け付ける給電口と、
前記複数のセラミック層のうち前記第１のセラミック層とは異なる第２のセラミック層上に形成され、前記給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランドと、
前記複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して前記吸着電極と前記ランドとの間を電気的に接続する導体であるビアと
を備えるセラミック部材。
【請求項２】
請求項１に記載のセラミック部材であって、
前記吸着電極は、前記ランドよりも前記被搬送体を保持する側に位置する、セラミック部材。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のセラミック部材であって、
前記複数のセラミック層の層面方向に沿った面であって前記被搬送体を保持した状態で前記被搬送体に対向する面である第１の対向面および第２の対向面を、さらに備え、
前記第２の対向面は、前記第１の対向面よりも前記被搬送体側に位置し、
前記層面方向に直交する厚さ方向から見て、前記吸着電極の少なくとも一部は、前記第２の対向面に重なる、セラミック部材。
【請求項４】
請求項３に記載のセラミック部材であって、
前記吸着電極は、相互に異なる極性の電位になるように構成された第１電極および第２電極を含み、
前記第１電極および前記第２電極の各々は、前記厚さ方向から見て前記第２の対向面に対して略均等に重なる、セラミック部材。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載のセラミック部材であって、
前記第１の対向面に形成され、前記第１の対向面に負圧を提供することによって前記被搬送体を吸着可能に構成された孔である吸着孔を、さらに備え、
前記第２の対向面は、前記厚さ方向から見て前記吸着孔および前記第１の対向面を取り囲む、セラミック部材。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載のセラミック部材を用いて前記被搬送体を搬送する搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送装置およびセラミック部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
搬送装置において被搬送体を保持するセラミック部材は、ピックとも呼ばれ、複数のセラミック層を一体焼成してなるものや（例えば、特許文献１，２を参照）、誘電体である被搬送体（例えば、ウェハ）を静電力によって吸着可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献３を参照）。静電力によって被搬送体を吸着するセラミック部材の内部には、静電力を発生させるための電極である吸着電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平４−３７０４７号公報
【特許文献２】特開２００９−２０２２４０号公報
【特許文献３】特開２０１１−７７２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
常圧から負圧（真空）にわたる環境での被搬送体に対する吸着力の確保や、搬送速度の高速化に対応するための被搬送体に対する吸着力の向上など、種々の事情から、静電力による吸着力の向上が搬送装置のセラミック部材に求められているが、従来、複数のセラミック層を一体焼成してなるセラミック部材の内部に吸着電極を設けることについて十分な検討がなされていなかった。例えば、吸着電極の配置や形状によっては、吸着電力に給電するための配線の取り回しが困難となり、吸着電極の配置や形状が制限され、静電力による吸着力を十分に確保できなくなってしまうことが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。【０００６】
（１）本発明の一形態によれば、搬送装置において被搬送体を保持した状態で前記被搬送体と共に移動可能に構成されたセラミック部材が提供されるこのセラミック部材は、絶縁性を有し、一体焼成された複数のセラミック層と；前記複数のセラミック層の内部であって前記複数のセラミック層のうちの第１のセラミック層上に形成され、静電力によって誘電体を吸着可能に構成された電極である吸着電極と；前記セラミック部材の外部から前記吸着電極に対する電力の供給を受け付ける給電口と；前記複数のセラミック層のうち前記第１のセラミック層とは異なる第２のセラミック層上に形成され、前記給電口を通じて受電可能に構成された導体であるランドと；前記複数のセラミック層の少なくとも１つを貫通して前記吸着電極と前記ランドとの間を電気的に接続する導体であるビアとを備える。この形態によれば、第１のセラミック層上に形成した吸着電極に対して、第２のセラミック層上に形成したランドを経由し、ビアを通じて給電するため、第１のセラミック層上における吸着電極の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を向上させることができ、ひいては、搬送装置の搬送性能を向上させることができる。【０００７】
（２）上記形態のセラミック部材において、前記吸着電極は、前記ランドよりも前記被搬送体を保持する側に位置しても良い。この形態によれば、被搬送体を保持する側により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。【０００８】
（３）上記形態のセラミック部材において、前記複数のセラミック層の層面方向に沿った面であって前記被搬送体を保持した状態で前記被搬送体に対向する面である第１の対向面および第２の対向面を、さらに備え、前記第２の対向面は、前記第１の対向面よりも前記被搬送体側に位置し、前記層面方向に直交する厚さ方向から見て、前記吸着電極の少なくとも一部は、前記第２の対向面に重なっても良い。この形態によれば、被搬送体により近い第２の対向面により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。【０００９】
（４）上記形態のセラミック部材において、前記吸着電極は、相互に異なる極性の電位になるように構成された第１電極および第２電極を含み、前記第１電極および前記第２電極の各々は、前記厚さ方向から見て前記第２の対向面に対して略均等に重なっても良い。この形態によれば、セラミック部材および被搬送体にそれぞれ発生させる正電荷と負電荷との均衡を保つことができる。【００１０】
（５）上記形態のセラミック部材でおいて、前記第１の対向面に形成され、前記第１の対向面に負圧を提供することによって前記被搬送体を吸着可能に構成された孔である吸着孔を、さらに備え、前記第２の対向面は、前記厚さ方向から見て前記吸着孔および前記第１の対向面を取り囲んでも良い。この形態によれば、第２の対向面に囲まれた第１の対向面にわたって負圧による吸着力を被搬送体に対して及ぼすことができる。【００１１】
（６）本発明の一形態によれば、上記形態のセラミック部材を用いて前記被搬送体を搬送する搬送装置が提供される。この形態によれば、セラミック部材における被搬送体に対する吸着力を向上させることができる。その結果、搬送装置の搬送性能を向上させることができる。【００１２】
本発明の形態は、セラミック部材および搬送装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、搬送ピック、半導体製造装置、搬送方法、セラミック部材の製造方法などの形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】搬送装置の構成を示す説明図である。
【図２】セラミック部材の上面を示す説明図である。
【図３】図２における矢視Ｆ３から見たセラミック部材の側面を示す説明図である。
【図４】図２における矢視Ｆ４−Ｆ４から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図５】図４の矢視Ｆ５−Ｆ５に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図６】図４の矢視Ｆ６−Ｆ６に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図７】図６の矢視Ｆ７−Ｆ７に対応する位置から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図８】図４の矢視Ｆ８−Ｆ８に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図９】図４の矢視Ｆ９−Ｆ９に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図１０】図４の矢視Ｆ１０−Ｆ１０に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図１１】図９の矢視Ｆ１１−Ｆ１１に対応する位置から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図１２Ａ】第２実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図１２Ｂ】第２実施形態におけるセラミック部材の部分断面を示す説明図である。
【図１３Ａ】第３実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図１３Ｂ】第３実施形態におけるセラミック部材の部分断面を示す説明図である。
【図１４】第４実施形態におけるセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図１５】第５実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図１６】図１５における矢視Ｆ１６−Ｆ１６から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図１７】第６実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図１８】図１７における矢視Ｆ１８−Ｆ１８から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図１９】第７実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図２０】図１９における矢視Ｆ２０−Ｆ２０から見たセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図２１】図２０の矢視Ｆ２１−Ｆ２１に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図２２】図２０の矢視Ｆ２２−Ｆ２２に対応する位置から見たセラミック層を示す説明図である。
【図２３】第８実施形態におけるセラミック部材の断面を示す説明図である。
【図２４】第９実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図２５】第１０実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図２６】第１１実施形態におけるセラミック部材の上面を示す説明図である。
【図２７】セラミック部材の製造工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
Ａ．第１実施形態：
図１は、搬送装置１０の構成を示す説明図である。搬送装置１０は、被搬送体９０を搬送する。本実施形態では、搬送装置１０は、半導体製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、円板状の誘電体であるシリコン製のウェハである。
【００１５】
搬送装置１０は、制御部１００と、セラミック部材２００と、アーム機構７１０と、移動機構７２０と、吸着電極駆動部８３０と、負圧供給部８４０と、電熱体駆動部８５０と、処理ガス供給部８６０とを備える。
【００１６】
搬送装置１０の制御部１００は、アーム機構７１０、移動機構７２０、吸着電極駆動部８３０、負圧供給部８４０、電熱体駆動部８５０、および処理ガス供給部８６０の各部の動作を制御する。本実施形態では、制御部１００の機能は、コンピュータプログラムに基づいてＣＰＵ（Central Processing Unit）が動作することによって実現される。他の実施形態において、制御部１００の機能は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）がその回路構成に基づいて動作することによって実現されても良い。
【００１７】
搬送装置１０のアーム機構７１０は、セラミック部材２００と移動機構７２０との間を連結する機構であり、セラミック部材２００を移動機構７２０に対して相対的に移動させ、搬送装置１０の外部に対する被搬送体９０の受け渡しを行う。搬送装置１０の移動機構７２０は、セラミック部材２００およびアーム機構７１０を搭載し、搬送装置１０の外部に対して相対的に移動可能に構成された機構であり、セラミック部材２００に保持された被搬送体９０の移動を行う。
【００１８】
搬送装置１０のセラミック部材２００は、ピックとも呼ばれ、搬送装置１０において被搬送体９０を保持した状態で被搬送体９０と共に移動可能に構成されている。セラミック部材２００は、絶縁性セラミック材料を用いた複数のセラミック層を一体焼成してなる。セラミック部材２００の内部には、導電性材料を用いた導体パターンが形成されている。
【００１９】
本実施形態では、セラミック部材２００に用いられる絶縁性セラミック材料の主成分は、酸化アルミニウム（アルミナ）（Ａｌ2Ｏ3）である。他の実施形態において、絶縁性セラミック材料の主成分は、酸化イットリア（Ｙ2Ｏ3）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）、またはガラスセラミック（例えば、アルミナとホウケイ酸ガラスとの混合物）であっても良い。
【００２０】
本実施形態では、セラミック部材２００に用いられる導電性材料の主成分は、タングステン（Ｗ）である。他の実施形態において、導電性材料の主成分は、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、または銅（Ｃｕ）であっても良いし、これら導電性金属の合金や、導電性炭化ケイ素（ＳｉＣ）であっても良い。
【００２１】
本実施形態では、セラミック部材２００は、吸着電極駆動部８３０から電力の供給を受けることによって、誘電体である被搬送体９０を静電力で吸着可能に構成されている。セラミック部材２００における静電吸着のための構成の詳細については後述する。
【００２２】
本実施形態では、セラミック部材２００は、負圧供給部８４０から負圧（真空）の供給を受けることによって、被搬送体９０を負圧で吸着可能に構成されている。セラミック部材２００における負圧吸着のための構成の詳細については後述する。
【００２３】
本実施形態では、セラミック部材２００は、電熱体駆動部８５０から電力の供給を受けることによって発熱可能に構成されている。セラミック部材２００における発熱するための構成の詳細については後述する。
【００２４】
本実施形態では、セラミック部材２００は、処理ガス供給部８６０から処理ガスの供給を受けることによって、被搬送体９０に対して処理ガスを放出可能に構成されている。本実施形態では、処理ガス供給部８６０によってセラミック部材２００に供給される処理ガスは、セラミック部材２００の熱を被搬送体９０に伝達させるための熱伝達用ガス（例えば、ヘリウム（Ｈｅ））である。セラミック部材２００における処理ガスを放出するための構成の詳細については後述する。
【００２５】
図２は、セラミック部材２００の上面を示す説明図である。図３は、図２における矢視Ｆ３から見たセラミック部材２００の側面を示す説明図である。図４は、図２における矢視Ｆ４−Ｆ４から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図２には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図２のＸＹＺ軸は、図３および図４を始めとする他の図におけるＸＹＺ軸に対応する。
【００２６】
図２および図３に示すように、本実施形態では、セラミック部材２００は、略Ｕ字形の板状をなす。搬送装置１０におけるセラミック部材２００の使用状態において、セラミック部材２００におけるＵ字の横方向に沿った軸をＸ軸とし、Ｕ字の縦方向に沿った軸をＹ軸とし、重力方向に沿った軸をＺ軸とする。セラミック部材２００におけるＵ字の右側から左側に向かって＋Ｘ軸方向、その逆を−Ｘ軸方向とする。セラミック部材２００におけるＵ字の閉塞端から開放端に向かって＋Ｙ軸方向、その逆を−Ｙ軸方向とする。重力方向の下方から上方に向かって＋Ｚ軸方向、その逆を−Ｚ軸方向とする。本実施形態では、セラミック部材２００におけるＸ軸およびＹ軸に平行な面上に被搬送体９０が保持される。セラミック部材２００の厚さ方向は、Ｚ軸方向に対応する。
【００２７】
図４に示すように、セラミック部材２００は、複数のセラミック層として、７層のセラミック層２９１，２９２，２９３，２９４，２９５，２９６，２９７を備える。これらのセラミック層は、底面２１６側から、セラミック層２９１、セラミック層２９２、セラミック層２９３、セラミック層２９４、セラミック層２９５、セラミック層２９６、セラミック層２９７の順に積層されている。これらのセラミック層の層面方向は、Ｘ軸およびＹ軸に平行な面に沿った方向である。セラミック部材２００におけるセラミック層の数は７層に限られるものではなく、他の実施形態では、６層以下であっても良いし、８層以上であっても良い。
【００２８】
セラミック部材２００は、基端面２１１と、基端側面２１３，２１４と、基端上面２１５と、底面２１６と、貫通孔２１８と、基端段差面２１９と、先端面２２２，２２３と、外側面２２４，２２５と、内側面２２１，２２６，２２７と、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５と、先端上面２４２，２４３と、先端段差面２４８，２４９とを有する。
【００２９】
セラミック部材２００の基端面２１１は、Ｘ軸およびＺ軸に平行であって−Ｙ軸方向を向いた面である。基端面２１１は、セラミック部材２００における−Ｙ軸方向の端に位置し、搬送装置１０に取り付けられる側の端である基端部を構成する。基端面２１１は、基端側面２１３，２１４、基端上面２１５、および底面２１６の各面に繋がる。
【００３０】
セラミック部材２００の基端側面２１３は、−Ｘ軸方向および−Ｙ軸方向を向いたＺ軸に平行な面であり、基端面２１１と外側面２２４との間に形成されている。セラミック部材２００の基端側面２１４は、＋Ｘ軸方向および−Ｙ軸方向を向いたＺ軸に平行な面であり、基端面２１１と外側面２２５との間に形成されている。
【００３１】
セラミック部材２００の基端上面２１５は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。基端上面２１５は、基端面２１１および基端側面２１３，２１４に繋がる。図３に示すように、基端上面２１５は、対向面２３１，２３２よりも＋Ｚ軸方向側に設けられている。基端上面２１５と対向面２３１との間には、基端段差面２１９が形成されている。本実施形態では、図２に示すように、基端上面２１５の＋Ｙ軸方向側、基端段差面２１９、および対向面２３１の−Ｙ軸方向側は、被搬送体９０の外形に沿った円弧状に形成されている。
【００３２】
セラミック部材２００の底面２１６は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって−Ｚ軸方向を向いた面である。底面２１６は、セラミック部材２００の全体形状と同じ略Ｕ字形の面であり、基端面２１１、基端側面２１３，２１４、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。
【００３３】
セラミック部材２００の貫通孔２１８は、基端上面２１５と底面２１６との間をＺ軸に沿って貫通する。本実施形態では、セラミック部材２００は、貫通孔２１８を用いてアーム機構７１０に取り付けられる。本実施形態では、貫通孔２１８の個数は２個であるが、他の実施形態では、３個以上であっても良い。
【００３４】
セラミック部材２００の先端面２２２，２２３は、Ｚ軸に平行であって＋Ｙ軸方向に凸状の円弧面である。先端面２２２，２２３は、セラミック部材２００における＋Ｙ軸方向の端に位置し、基端面２１１との間に対向面２３１，２３２，２３４，２３４，２３５を配置した先端部を構成する。先端面２２２は、−Ｘ軸方向側に位置し、先端面２２３は、＋Ｘ軸方向側に位置する。先端面２２２は、底面２１６、外側面２２４、内側面２２６、対向面２３１、および先端上面２４２に繋がる。先端面２２３は、底面２１６、外側面２２５、内側面２２７、対向面２３１、および先端上面２４３に繋がる。
【００３５】
セラミック部材２００の外側面２２４は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって−Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２２と基端側面２１３との間に形成されている。セラミック部材２００の外側面２２５は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって＋Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２３と基端側面２１４との間に形成されている。外側面２２４，２２５は、セラミック部材２００の外周を形成する外周部である。
【００３６】
セラミック部材２００の内側面２２１は、Ｚ軸に平行であって＋Ｙ軸方向に対して凹状の円弧面であり、内側面２２６と内側面２２７との間に形成されている。セラミック部材２００の内側面２２６は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって＋Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２２と内側面２２１との間に形成されている。セラミック部材２００の内側面２２７は、Ｙ軸およびＺ軸に平行であって−Ｘ軸方向を向いた面であり、先端面２２３と内側面２２１との間に形成されている。内側面２２１，２２６，２２７は、セラミック部材２００の外周を形成する外周部である。
【００３７】
セラミック部材２００の対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５は、セラミック部材２００に被搬送体９０を保持した状態で被搬送体９０に対向する。図２では、図の理解を容易にするために、対向面２３２，２３４にハッチングを施した。
【００３８】
対向面２３１，２３３，２３５は、対向面２３２，２３４よりも底面２１６側、すなわち、対向面２３２，２３４よりも−Ｚ軸方向側に、位置する第１の対向面である。対向面２３２，２３３は、対向面２３１，２３３，２３５よりも被搬送体９０側、すなわち、対向面２３１，２３３，２３４よりも＋Ｚ軸方向側に、位置する第２の対向面である。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成後に、セラミック層２９７を切削することによって、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５を形成する。
【００３９】
本実施形態では、図２に示すように、対向面２３５は、Ｚ軸方向から見て略Ｕ字形の平面である。対向面２３４は、対向面２３５よりも＋Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３５の外周を囲繞する平面である。対向面２３３は、対向面２３４よりも−Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３４の外周を囲繞する平面である。対向面２３２は、対向面２３３よりも＋Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３３の外周を囲繞する平面である。対向面２３１は、対向面２３２よりも−Ｚ軸方向に位置し、Ｚ軸方向から見て対向面２３２の外周を囲繞する平面である。本実施形態では、図４に示すように、対向面２３１，２３３，２３５のＺ軸方向の各位置は同じであり、対向面２３２，２３４のＺ軸方向の各位置は同じである。
【００４０】
セラミック部材２００の先端上面２４２，２４３は、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。先端上面２４２は、先端面２２２に繋がり、先端上面２４３は、先端面２２３に繋がる。図３に示すように、先端上面２４２，２４３は、対向面２３１，２３２よりも＋Ｚ軸方向側に設けられている。先端上面２４２と対向面２３１との間には先端段差面２４８が形成されており、先端上面２４３と対向面２３１との間には先端段差面２４９が形成されている。本実施形態では、図２に示すように、先端上面２４２，２４３の−Ｙ軸方向側、先端段差面２４８，２４９、および対向面２３１の＋Ｙ軸方向側は、被搬送体９０の外形に沿った円弧状に形成されている。
【００４１】
図２および図４に示すように、セラミック部材２００の対向面２３５には、対向面２３５に負圧を提供することによって被搬送体９０を吸着可能に構成した孔である吸着孔４５０が形成されている。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成前に、セラミック層２９５，２９６，２９７を切削することによって、吸着孔４５０を形成する。本実施形態では、吸着孔４５０の個数は６個であるが、他の実施形態では、５個以下であっても良いし、７個以上であっても良い。
【００４２】
図２および図４に示すように、セラミック部材２００の対向面２３３には、処理ガスを放出可能に構成した孔であるガス放出孔６５０が形成されている。本実施形態では、セラミック部材２００の一体焼成前に、セラミック層２９５，２９６，２９７を切削することによって、ガス放出孔６５０を形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０の個数は１２個であるが、他の実施形態では、１１個以下であっても良いし、１３個以上であっても良い。
【００４３】
図２および図３に示すように、セラミック部材２００は、給電口３１２，３１６と、負圧供給口４１２と、給電口５１２，５１６と、ガス供給口６１２とを備える。
【００４４】
セラミック部材２００の給電口３１２，３１６は、相互に極性が反転した電位となる電力の供給を吸着電極駆動部８３０からそれぞれ受け付ける。本実施形態では、給電口３１２，３１６は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、吸着電極駆動部８３０に接続されたケーブルの端子（図示しない）を固定可能に構成されている。
【００４５】
セラミック部材２００の負圧供給口４１２は、負圧供給部８４０から負圧の供給を受け付ける。本実施形態では、負圧供給口４１２は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、負圧供給部８４０に接続されたチューブの端部（図示しない）を固定可能に構成されている。
【００４６】
セラミック部材２００の給電口５１２，５１６は、電熱体駆動部８５０から電力の供給を受け付け、一方が正極に対応し、他方が負極に対応する。本実施形態では、給電口５１２，５１６は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、電熱体駆動部８５０に接続されたケーブルの端子（図示しない）を固定可能に構成されている。
【００４７】
セラミック部材２００のガス供給口６１２は、処理ガス供給部８６０から処理ガスの供給を受け付ける。本実施形態では、ガス供給口６１２は、基端上面２１５から＋Ｚ軸方向に突出した円筒状の導電性金属端子をロウ付けして形成されており、処理ガス供給部８６０に接続されたチューブの端部（図示しない）を固定可能に構成されている。
【００４８】
図４に示すように、セラミック層２９６とセラミック層２９７との間には、導体パターンである吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８が形成されている。本実施形態では、セラミック層２９６にセラミック層２９７を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９６にスクリーン印刷することによって、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成する。本実施形態では、吸着電極３７２，３７４は、吸着電極３７６，３７８とは異なる極性の電位となるように構成した第１電極であり、吸着電極３７６，３７８は、吸着電極３７２，３７４とは異なる極性の電位となるように構成した第２電極である。
【００４９】
図５は、図４の矢視Ｆ５−Ｆ５に対応する位置から見たセラミック層２９６を示す説明図である。図５には、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８が形成されたセラミック層２９６を図示した。図５には、図の理解を容易にするために、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８にハッチングを施した。図５に示すように、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８は、吸着孔４５０およびガス放出孔６５０を避けて形成されている。
【００５０】
図２、図４および図５に示すように、吸着電極３７２は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２の外側寄りに沿って重なり、吸着電極３７６は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２の内側寄りに沿って重なる。吸着電極３７２および吸着電極３７６の各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２に対して略均等に重なるように配置されている。
【００５１】
図２、図４および図５に示すように、吸着電極３７４は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４の外側寄りに沿って重なり、吸着電極３７８は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４の内側寄りに沿って重なる。吸着電極３７４および吸着電極３７８の各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３４に対して略均等に重なるように配置されている。
【００５２】
図６は、図４の矢視Ｆ６−Ｆ６に対応する位置から見たセラミック層２９５を示す説明図である。図７は、図６の矢視Ｆ７−Ｆ７に対応する位置から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図６および図７に示すように、セラミック層２９５とセラミック層２９６との間には、導体パターンであるランド３３２，３３６が形成されている。図６には、図の理解を容易にするために、ランド３３２，３３６にハッチングを施した。図６には、給電口３１２，３１６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９５上に投影した位置に一点鎖線で図示した。なお、図５には、ランド３３２，３３６を破線で図示した。
【００５３】
本実施形態では、セラミック層２９５にセラミック層２９６を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９５にスクリーン印刷することによって、ランド３３２，３３６を形成する。
【００５４】
ランド３３２は、給電口３１２を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド３３２は、円筒状の給電口３１２の内部に露出することによって、給電口３１２を通じて受電可能に構成されている。
【００５５】
ランド３３６は、給電口３１６を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド３３６は、円筒状の給電口３１６の内部に露出することによって、給電口３１６を通じて受電可能に構成されている。
【００５６】
図７に示すように、セラミック層２９６にはビア３５２，３５４が形成されており、同様に、セラミック層２９６にはビア３５６，３５８が形成されている。図５には、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を破線で図示した。図６には、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９５上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
【００５７】
本実施形態では、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８をセラミック層２９６に形成する前に、セラミック層２９２に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性材料を含有する導電体ペーストを穴埋め印刷することによって、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を形成する。
【００５８】
ビア３５２は、セラミック層２９６を貫通してランド３３２と吸着電極３７２との間を電気的に接続する導体である。ビア３５４は、セラミック層２９６を貫通してランド３３２と吸着電極３７４との間を電気的に接続する導体である。
【００５９】
ビア３５６は、セラミック層２９６を貫通してランド３３６と吸着電極３７６との間を電気的に接続する導体である。ビア３５８は、セラミック層２９６を貫通してランド３３６と吸着電極３７８との間を電気的に接続する導体である。
【００６０】
図４に示すように、セラミック層２９４には、負圧連通路４３０およびガス連通路６３０が形成されている。負圧連通路４３０は、負圧供給口４１２と吸着孔４５０との間を連通する流路である。ガス連通路６３０は、ガス供給口６１２とガス放出孔６５０との間を連通する流路である。本実施形態では、セラミック層２９４にセラミック層２９５を積層する前に、セラミック層２９４を切削することによって、負圧連通路４３０およびガス連通路６３０を形成する。
【００６１】
図８は、図４の矢視Ｆ８−Ｆ８に対応する位置から見たセラミック層２９４を示す説明図である。図８には、負圧供給口４１２、吸着孔４５０、ガス供給口６１２、およびガス放出孔６５０の各々を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９４上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
【００６２】
本実施形態では、負圧連通路４３０は、負圧供給口４１２に対応する位置から内側面２２１へと進んだ後、先端面２２２および先端面２２３に向けて２つに分岐して６個の吸着孔４５０に対応する位置を通る。本実施形態では、ガス連通路６３０は、ガス供給口６１２に対応する位置から先端面２２２および先端面２２３に向けて２つに分岐した後、一方で外側面２２４、先端面２２２、内側面２２６の順に沿って６個のガス放出孔６５０に対応する位置を通り、他方で外側面２２５、先端面２２３、内側面２２７の順に沿って６個のガス放出孔６５０に対応する位置を通る。
【００６３】
図４に示すように、セラミック層２９１とセラミック層２９２との間には、導体パターンである電熱体５７２，５７４，５７６が形成されている。本実施形態では、セラミック層２９１にセラミック層２９２を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９１にスクリーン印刷することによって、電熱体５７２，５７４，５７６を形成する。
【００６４】
図９は、図４の矢視Ｆ９−Ｆ９に対応する位置から見たセラミック層２９２を示す説明図である。図１０は、図４の矢視Ｆ１０−Ｆ１０に対応する位置から見たセラミック層２９１を示す説明図である。図１１は、図９の矢視Ｆ１１−Ｆ１１に対応する位置から見たセラミック部材２００の断面を示す説明図である。図１０では、図の理解を容易にするために、電熱体５７２，５７４，５７６にハッチングを施した。
【００６５】
図１０に示すように、本実施形態では、電熱体５７２，５７６は、セラミック層２９１の外周側に配置された第１電熱体であり、電熱体５７４は、電熱体５７２，５７６よりも内側に配置された第２電熱体である。本実施形態では、電熱体５７２，５７６を電熱体５７４よりも抵抗値が高い導電性材料で形成することによって、電熱体５７２，５７６の単位面積あたりの発熱量が電熱体５７４よりも大きくなるように構成されている。他の実施形態では、電熱体５７２，５７６に電熱体５７４より大きな電流を供給することによって、電熱体５７２，５７６の単位面積あたりの発熱量が電熱体５７４よりも大きくなるように構成しても良い。また、他の実施形態では、電熱体５７２，５７４，５７６の単位面積あたりの発熱量が同じになるように構成しても良い。
【００６６】
図９ないし図１１に示すように、セラミック層２９２とセラミック層２９３との間には、導体パターンであるランド５３２，５３６が形成されている。図９には、図の理解を容易にするために、ランド５３２，５３６にハッチングを施した。図９には、給電口５１２，５１６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９２上に投影した位置に一点鎖線で図示した。図１０には、ランド５３２，５３６を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９１上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
【００６７】
本実施形態では、セラミック層２９２にセラミック層２９３を積層する前に、導電性材料を含有する導電体ペーストをセラミック層２９２にスクリーン印刷することによって、ランド５３２，５３６を形成する。
【００６８】
ランド５３２は、給電口５１２を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド５３２は、円筒状の給電口５１２の内部に露出することによって、給電口５１２を通じて受電可能に構成されている。
【００６９】
ランド５３６は、給電口５１６を通じて受電可能に構成した導体である。本実施形態では、ランド５３６は、円筒状の給電口５１６の内部に露出することによって、給電口５１６を通じて受電可能に構成されている。
【００７０】
図９および図１１に示すように、セラミック層２９２には、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８が形成されている。図９には、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８を破線で図示した。図１０には、給電口５１２，５１６、ランド５３２，５３６、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８の各々を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９１上に投影した位置に一点鎖線で図示した。
【００７１】
本実施形態では、ランド３３２，３３６をセラミック層２９２に形成する前に、セラミック層２９２に貫通孔を形成し、その貫通孔に導電性材料を含有する導電体ペーストを穴埋め印刷することによって、ビア５５２，５５３，５５４、およびビア５５６，５５７，５５８を形成する。
【００７２】
ビア５５２は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７２における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。ビア５５３は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７４における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。ビア５５４は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７６における＋Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３２との間を電気的に接続する導体である。
【００７３】
ビア５５６は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７２における−Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。ビア５５７は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７４における−Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。ビア５５８は、セラミック層２９２を貫通して、電熱体５７６における−Ｘ軸方向側の端部と、ランド５３６との間を電気的に接続する導体である。
【００７４】
図２７は、セラミック部材２００の製造工程を示す説明図である。セラミック部材２００を製造する際には、始めに、セラミック層２９１〜２９７の元となるグリーンシートを用意する（工程Ｐ１１０）。グリーンシートは、絶縁性セラミック材料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤などを混合してシート状に成形したものである。
【００７５】
グリーンシートを用意した後（工程Ｐ１１０）、セラミック層２９１〜２９７の各々の構成に応じてグリーンシートを加工する（工程Ｐ１２０）。具体的には、各グリーンシートを正方形に切削加工した後、後工程（スクリーン印刷、切削加工および熱圧着など）における位置合わせに適したガイド孔を、各グリーンシートの外周付近にパンチング加工する。必要に応じて、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８、ランド３３２，３３６、電熱体５７２，５７４，５７６、ランド５３２，５３６の各形状に合わせて導電体ペーストをグリーンシートの表面にスクリーン印刷する。必要に応じて、ビア３５２，３５４，３５６，３５８、ビア５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８を形成する位置に、貫通孔であるビア孔をパンチング加工し、そのビア孔に導電体ペーストを穴埋め印刷する。必要に応じて、貫通孔２１８、負圧連通路４３０、吸着孔４５０、ガス連通路６３０、ガス放出孔６５０などをグリーンシートに切削加工する。
【００７６】
セラミック層２９１〜２９７の各々に応じてグリーンシートを加工した後（工程Ｐ１２０）、セラミック層２９１〜２９７の各々に応じた複数のグリーンシートを積層し、熱圧着により隣接するセラミック層同士を接合する（工程Ｐ１２５）。これによって、複数のグリーンシートを積層したグリーンシート積層体が形成される。
【００７７】
グリーンシート積層体を形成した後（工程Ｐ１２５）、このグリーンシート積層体を、後工程の焼成に適した外形形状に切削加工する（工程Ｐ１３０）。
【００７８】
グリーンシート積層体を切削加工した後（工程Ｐ１３０）、グリーンシート積層体を脱脂する（工程Ｐ１４０）。具体的には、グリーンシート積層体を２５０℃の大気雰囲気中に１０時間曝すことによって脱脂する。
【００７９】
グリーンシート積層体を脱脂した後（工程Ｐ１４０）、グリーンシート積層体を一体焼成する。具体的には、１４００〜１６００℃の還元雰囲気中にてグリーンシート積層体を焼成する（工程Ｐ１５０）。これによって、グリーンシートに由来するアルミナと、導電体ペーストに由来するタングステンとが同時焼結し、セラミック部材２００の内部構造が形成された焼成体を得る。
【００８０】
焼成の後（工程Ｐ１５０）、焼成で得た焼成体をセラミック部材２００へと成形する（工程Ｐ１６０）。具体的には、セラミック部材２００に合わせて焼成体の外形形状を研磨切削加工する。対向面２３１，２３３，２３５については、本実施形態では、研磨切削加工で形成するが、他の実施形態では、ブラスト加工で形成しても良い。
【００８１】
以上説明した第１実施形態では、第１のセラミック層であるセラミック層２９６上に吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成し、第２のセラミック層であるセラミック層２９５上に給電口３１２，３１６を通じて受電可能に構成したランド３３２，３３６を形成し、セラミック層２９６を貫通して吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８とランド３３２，３３６との間を電気的に接続するビア３５２，３５４，３５６，３５８を形成した。この第１実施形態によれば、セラミック層２９６上に形成した吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８に対して、セラミック層２９５上に形成したランド３３２，３３６を経由し、ビア３５２，３５４，３５６，３５８を通じて給電するため、セラミック層２９６上における吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を向上させることができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
【００８２】
また、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８をランド３３２，３３６よりも被搬送体９０を保持する側（すなわち、＋Ｚ軸方向側）に配置したため、被搬送体９０を保持する側（すなわち、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５側）により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。
【００８３】
また、第２の対向面である対向面２３２，２３４は、第１の対向面である対向面２３１，２３３，２３５よりも被搬送体９０側（すなわち、＋Ｚ軸方向側）に位置し、Ｚ軸方向から見て吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８の少なくとも一部が対向面２３２，２３４に重なるように、吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を配置したため、被搬送体９０により近い対向面２３２，２３４により多くの電荷を発生させ、静電力による吸着力を更に向上させることができる。
【００８４】
また、第１電極である吸着電極３７２，３７４と、第２電極である吸着電極３７６，３７８とを、相互に異なる極性の電位になるように構成し、吸着電極３７２，３７４および吸着電極３７６，３７８の各々を、Ｚ軸方向から見て対向面２３２，２３４に対して略均等に重なるように配置したため、セラミック部材２００および被搬送体９０にそれぞれ発生させる正電荷と負電荷との均衡を保つことができる。
【００８５】
また、Ｚ軸方向から見て、吸着孔４５０を形成した対向面２３５を対向面２３４が取り囲むため、対向面２３４に囲まれた対向面２３５にわたって負圧による吸着力を被搬送体９０に対して及ぼすことができる。
【００８６】
また、第１実施形態では、ガス供給口６１２に連通するガス連通路６３０をセラミック層２９４に形成し、ガス連通路６３０から対向面２３３へと貫通するガス放出孔６５０を形成した。この第１実施形態によれば、ガス放出孔６５０から対向面２３３へと熱伝達用ガス（処理ガス）を放出し、被搬送体９０とセラミック部材２００との間（特に、被搬送体９０と対向面２３２，２３４との隙間）に熱伝達用ガスを介在させることによって、セラミック部材２００から被搬送体９０に対する熱伝達を促進することができる。したがって、静電力による吸着機能を実現しながら、被搬送体９０の温度調整を効果的に行うことができる。その結果、被搬送体９０の温度調整に要する時間を短縮することができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
【００８７】
また、第１実施形態では、セラミック層２９７上に吸着電極３７２，３７４，３７６，３７８を形成して静電力による吸着力を確保した上で、セラミック層２９１上に形成した電熱体５７２，５７４，５７６に対して、セラミック層２９２上に形成したランド５３２，５３６を経由しビア５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８を通じて給電する。この第１実施形態によれば、セラミック層２９１上における電熱体５７２，５７４，５７６の配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を阻害することなく、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を効果的に行うことができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
【００８８】
また、電熱体５７２，５７４，５７６を対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５よりも底面２１６寄りに配置したため、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５における温度ムラを抑制し、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を一層効果的に行うことができる。
【００８９】
また、第１電熱体である外周側の電熱体５７２，５７６を、第２電熱体である内側の電熱体５７４よりも単位面積あたりの発熱量が大きくなるように構成したため、セラミック部材２００における外周側と内側との間の温度ムラを抑制し、電熱体５７２，５７４，５７６による温度調整を一層効果的に行うことができる。
【００９０】
Ｂ．第２実施形態：
第２実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ａ」を付した符号を用いる。
【００９１】
図１２Ａは、第２実施形態におけるセラミック部材２００Ａの上面を示す説明図である。図１２Ｂは、第２実施形態におけるセラミック部材２００Ａの部分断面を示す説明図である。第２実施形態のセラミック部材２００Ａは、基端段差面２１９Ａにガス放出孔６５０Ａを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。第２実施形態の基端段差面２１９Ａは、基端上面２１５と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の基端段差面２１９に対応する。
【００９２】
第２実施形態のガス放出孔６５０Ａは、ガス連通路６３０Ａに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１２Ｂに示すように、ガス放出孔６５０Ａは、ガス連通路６３０Ａからセラミック層２９５Ａ，２９６ＡをＺ軸方向に沿って貫通した後、セラミック層２９７Ａの内部から層面方向に沿って基端段差面２１９Ａへと貫通する。
【００９３】
本実施形態では、図１２Ａに示すように、ガス放出孔６５０Ａは、対向面２３１の外周に沿った方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ａは、対向面２３１の外周に直交する方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通しても良い。
【００９４】
本実施形態では、セラミック部材２００Ａの一体焼成前に、セラミック層２９５Ａ，２９６Ａ，２９７Ａを切削することによって、ガス放出孔６５０Ａを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ａの個数は４個であるが、他の実施形態では、３個以下であっても良いし、５個以上であっても良い。
【００９５】
以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。また、基端段差面２１９Ａにガス放出孔６５０Ａを形成したため、対向面２３３に加えて基端段差面２１９Ａからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ａが対向面２３１の外周に沿った方向に向けて基端段差面２１９Ａを貫通するため、被搬送体９０の外周に沿って処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ａを対向面２３１よりも基端面２１１側に配置したため、基端面２１１側に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
【００９６】
Ｃ．第３実施形態：
第３実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｂ」を付した符号を用いる。
【００９７】
図１３Ａは、第３実施形態におけるセラミック部材２００Ｂの上面を示す説明図である。図１３Ｂは、第３実施形態におけるセラミック部材２００Ｂの部分断面を示す説明図である。第３実施形態のセラミック部材２００Ｂは、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにガス放出孔６５０Ｂを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【００９８】
第３実施形態の先端段差面２４８Ｂは、先端上面２４２と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の先端段差面２４８に対応する。第３実施形態の先端段差面２４９Ｂは、先端上面２４３と対向面２３１との間に形成された面であり、第１実施形態の先端段差面２４９に対応する。
【００９９】
第３実施形態のガス放出孔６５０Ｂは、ガス連通路６３０Ｂに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１３Ｂに示すように、ガス放出孔６５０Ｂは、ガス連通路６３０Ｂからセラミック層２９５Ｂ，２９６ＢをＺ軸方向に沿って貫通した後、セラミック層２９７Ｂの内部から層面方向に沿って先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂへと貫通する。
【０１００】
本実施形態では、図１３Ａに示すように、ガス放出孔６５０Ｂは、対向面２３１の外周に沿った方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ｂは、対向面２３１の外周に直交する方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通しても良い。
【０１０１】
本実施形態では、セラミック部材２００Ｂの一体焼成前に、セラミック層２９５Ｂ，２９６Ｂ，２９７Ｂを切削することによって、ガス放出孔６５０Ｂを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｂの個数は、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにそれぞれ２個であるが、他の実施形態では、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにそれぞれ１個であっても良いし、それぞれ３個以上であっても良い。
【０１０２】
以上説明した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。また、先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂにガス放出孔６５０Ｂを形成したため、対向面２３３に加えて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｂが対向面２３１の外周に沿った方向に向けて先端段差面２４８Ｂ，２４９Ｂを貫通するため、被搬送体９０の外周に沿って処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｂを対向面２３１よりも先端面２２２，２２３側に配置したため、先端面２２２，２２３側に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
【０１０３】
Ｄ．第４実施形態：
第４実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｃ」を付した符号を用いる。
【０１０４】
図１４は、第４実施形態におけるセラミック部材２００Ｃの断面を示す説明図である。図１４には、図２における矢視Ｆ４−Ｆ４に対応する位置から見たセラミック部材２００Ｃの断面を図示した。第４実施形態のセラミック部材２００Ｃは、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成した点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【０１０５】
第４実施形態の外側面２２４Ｃは、先端面２２２と基端側面２１３との間に形成された面であり、第１実施形態の外側面２２４に対応する。第４実施形態の外側面２２５Ｃは、先端面２２３と基端側面２１４との間に形成された面であり、第１実施形態の外側面２２５に対応する。
【０１０６】
第４実施形態の内側面２２６Ｃは、先端面２２２と内側面２２１との間に形成された面であり、第１実施形態の内側面２２６に対応する。第４実施形態の内側面２２７Ｃは、先端面２２３と内側面２２１との間に形成された面であり、第１実施形態の内側面２２７に対応する。
【０１０７】
第４実施形態のガス放出孔６５０Ｃは、ガス連通路６３０Ｃに連通し、処理ガスを放出可能に構成した孔である。本実施形態では、図１４に示すように、ガス放出孔６５０Ｃは、ガス連通路６３０Ｃから層面方向に沿って外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃへとそれぞれ貫通する。
【０１０８】
本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃは、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにそれぞれ直交する方向に向けて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃをそれぞれ貫通する。他の実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃは、被搬送体９０の外形に沿った方向に向けて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃをそれぞれ貫通しても良い。
【０１０９】
本実施形態では、セラミック部材２００Ｃの一体焼成前に、セラミック層２９４Ｃを切削することによって、ガス放出孔６５０Ｃを形成する。本実施形態では、ガス放出孔６５０Ｃの個数は、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにそれぞれ複数であるが、他の実施形態では、それぞれ１個であっても良い。
【０１１０】
以上説明した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。また、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成したため、対向面２３３に加えて外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃからも処理ガスを放出することによって被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。また、ガス放出孔６５０Ｃを外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃに配置したため、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃの各近傍に位置する被搬送体９０の部位に対する温度調整を一層効果的に行うことができる。
【０１１１】
なお、第４実施形態では、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃおよび内側面２２６Ｃ，２２７Ｃにガス放出孔６５０Ｃを形成したが、他の実施形態では、外側面２２４Ｃ，２２５Ｃのみにガス放出孔６５０Ｃを形成しても良いし、内側面２２６Ｃ，２２７Ｃのみにガス放出孔６５０Ｃを形成しても良い。また、第４実施形態では、内側面２２１にはガス放出孔６５０Ｃを形成していないが、他の実施形態では、内側面２２１にガス放出孔６５０Ｃを形成しても良い。
【０１１２】
Ｅ．第５実施形態：
第５実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｄ」を付した符号を用いる。
【０１１３】
図１５は、第５実施形態におけるセラミック部材２００Ｄの上面を示す説明図である。図１６は、図１５における矢視Ｆ１６−Ｆ１６から見たセラミック部材２００Ｄの断面を示す説明図である。第５実施形態のセラミック部材２００Ｄは、対向面２３１，２３２，２３３および先端上面２４２，２４３に代えて対向面２３１Ｄが形成されている点、処理ガス供給部８６０から供給される処理ガスが被搬送体９０を冷却するための冷却ガスである点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【０１１４】
第５実施形態の対向面２３１Ｄは、第１実施形態における対向面２３２および先端上面２４２，２４３を対向面２３１，２３３の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３１，２３３に対応する面を含む。対向面２３１Ｄは、対向面２３４よりも−Ｚ軸方向に位置し、対向面２３４の外周を囲繞する。対向面２３１Ｄは、基端段差面２１９、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。対向面２３１Ｄには、ガス放出孔６５０が第１実施形態と同様の配置で形成されている。
【０１１５】
第５実施形態の処理ガス供給部８６０は、十分に冷却された処理ガスを冷却ガスとしてセラミック部材２００Ｄに供給する。処理ガス供給部８６０から供給される冷却ガスは、被搬送体９０を損傷および汚染することのない気体であれば良い。本実施形態では、冷却ガスは、窒素（Ｎ2）であるが、他の実施形態では、アルゴン（Ａｒ）、二酸化炭素（ＣＯ2）などの他の不活性ガスであっても良い。
【０１１６】
以上説明した第５実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。また、ガス放出孔６５０から対向面２３１Ｄへと冷却ガス（処理ガス）を放出することによって、被搬送体９０を冷却することができる。したがって、静電力による吸着機能を実現しながら、被搬送体９０の温度調整を効果的に行うことができる。その結果、被搬送体９０の温度調整に要する時間を短縮することができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
【０１１７】
なお、第２実施形態のガス放出孔６５０Ａ、第３実施形態のガス放出孔６５０Ｂ、第４実施形態のガス放出孔６５０Ｃの少なくとも一つを、第５実施形態のセラミック部材２００Ｄに適用しても良い。これによって、被搬送体９０の温度調整を一層効果的に行うことができる。
【０１１８】
Ｆ．第６実施形態：
第６実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｅ」を付した符号を用いる。
【０１１９】
図１７は、第６実施形態におけるセラミック部材２００Ｅの上面を示す説明図である。図１８は、図１７における矢視Ｆ１８−Ｆ１８から見たセラミック部材２００Ｅの断面を示す説明図である。第６実施形態のセラミック部材２００Ｅは、対向面２３１，２３３，２３４，２３５および先端上面２４２，２４３に代えて対向面２３１Ｅ，２３５Ｅが形成されている点、処理ガスを放出するための構成を備えていない点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【０１２０】
第６実施形態の対向面２３１Ｅは、第１実施形態における先端上面２４２，２４３を対向面２３１の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３１に対応する面を含む。対向面２３１Ｅは、対向面２３２よりも−Ｚ軸方向に位置し、対向面２３２の外周を囲繞する。対向面２３１Ｅは、基端段差面２１９、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。
【０１２１】
第６実施形態の対向面２３５Ｅは、第１実施形態における対向面２３４を対向面２３５の位置にまで切削した形状を有し、第１実施形態の対向面２３３，２３５に対応する面を含む。対向面２３５Ｅは、対向面２３２よりも−Ｚ軸方向に位置し、対向面２３５Ｅの外周は、対向面２３２に囲まれている。対向面２３５Ｅには、吸着孔４５０が第１実施形態と同様の配置で形成されている。
【０１２２】
以上説明した第６実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。
【０１２３】
Ｇ．第７実施形態：
第７実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｆ」を付した符号を用いる。
【０１２４】
図１９は、第７実施形態におけるセラミック部材２００Ｆの上面を示す説明図である。図２０は、図１９における矢視Ｆ２０−Ｆ２０から見たセラミック部材２００Ｆの断面を示す説明図である。第７実施形態のセラミック部材２００Ｆは、対向面２３１，２３２，２３３，２３４，２３５および先端上面２４２，２４３に代えて対向面２３２Ｆ，２３５Ｆが形成されている点、吸着電極の形状が異なる点、負圧連通路の形状が異なる点、処理ガスを放出するための構成を備えていない点、並びに、電熱体５７２，５７４，５７６を備えていない点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【０１２５】
第７実施形態の対向面２３２Ｆ，２３５Ｆは、Ｘ軸およびＹ軸に平行であって＋Ｚ軸方向を向いた面である。対向面２３２Ｆ，２３５Ｆは、セラミック部材２００Ｆに被搬送体９０を保持した状態で被搬送体９０に対向する。対向面２３２Ｆは、対向面２３５Ｆよりも＋Ｚ軸方向側に位置する。対向面２３２Ｆは、基端段差面２１９、先端面２２２，２２３、外側面２２４，２２５、および内側面２２１，２２６，２２７の各面に繋がる。対向面２３５Ｆは、対向面２３２Ｆの内側に位置し、略Ｕ字形の網目状をなす。
【０１２６】
図１９に示すように、対向面２３５Ｆにおける網目の交点には、吸着孔４５０Ｆが形成されている。第７実施形態では、吸着孔４５０Ｆの個数は、９個であるが、他の実施形態では、８個以下であっても良いし、１０個以上であっても良い。
【０１２７】
図２０に示すように、セラミック部材２００Ｆは、複数のセラミック層として、５層のセラミック層２９３Ｆ，２９４Ｆ，２９５Ｆ，２９６Ｆ，２９７Ｆを備える。これらのセラミック層は、底面２１６側から、セラミック層２９３Ｆ、セラミック層２９４Ｆ、セラミック層２９５Ｆ、セラミック層２９６Ｆ、セラミック層２９７Ｆの順に積層されている。
【０１２８】
図２１は、図２０の矢視Ｆ２１−Ｆ２１に対応する位置から見たセラミック層２９６Ｆを示す説明図である。図２１には、吸着電極３７２Ｆ，３７６Ｆが形成されたセラミック層２９６Ｆを図示した。
【０１２９】
吸着電極３７２Ｆおよび吸着電極３７６Ｆの各々は、相互に異なる極性の電位となるように構成されている。吸着電極３７２Ｆ，３７６Ｆは、吸着孔４５０Ｆを避けて形成されている。図１９、図２０および図２１に示すように、吸着電極３７２Ｆは、外側面２２４、基端段差面２１９、外側面２２５に沿って配置され、吸着電極３７６Ｆは、内側面２２６、内側面２２１、内側面２２７に沿って配置されている。吸着電極３７２Ｆおよび吸着電極３７６Ｆの各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｆに対して略均等に重なるように配置されている。
【０１３０】
図２２は、図２０の矢視Ｆ２２−Ｆ２２に対応する位置から見たセラミック層２９４Ｆを示す説明図である。図２２には、負圧供給口４１２Ｆおよび吸着孔４５０Ｆの各々を、Ｚ軸方向に沿ってセラミック層２９４Ｆ上に投影した位置に一点鎖線で図示した。第７実施形態の負圧連通路４３０Ｆは、負圧供給口４１２Ｆに対応する位置から内側面２２１へと進んだ後、先端面２２２および先端面２２３に向けて２つに分岐して９個の吸着孔４５０Ｆに対応する位置を通る。
【０１３１】
図２１には、ランド３３２Ｆ，３３６Ｆおよびビア３５２Ｆ，３５６Ｆを破線で図示した。ランド３３２Ｆは、セラミック層２９５Ｆに形成した導体パターンであり、給電口３１２Ｆを通じて受電可能に構成されている。ランド３３６Ｆは、セラミック層２９５Ｆに形成した導体パターンであり、給電口３１６Ｆを通じて受電可能に構成されている。ビア３５２Ｆは、セラミック層２９６Ｆを貫通してランド３３２Ｆと吸着電極３７２Ｆとの間を電気的に接続する導体である。ビア３５６Ｆは、セラミック層２９６Ｆを貫通してランド３３６Ｆと吸着電極３７６Ｆとの間を電気的に接続する導体である。
【０１３２】
以上説明した第７実施形態によれば、セラミック層２９６Ｆ上に形成した吸着電極３７２Ｆ，３７６Ｆに対して、セラミック層２９５Ｆ上に形成したランド３３２Ｆ，３３６Ｆを経由し、ビア３５２Ｆ，３５６Ｆを通じて給電するため、セラミック層２９６Ｆ上における吸着電極３７２Ｆ，３７６Ｆの配置や形状の自由度を向上させることができる。その結果、静電力による吸着力を向上させることができ、ひいては、搬送装置１０の搬送性能を向上させることができる。
【０１３３】
Ｈ．第８実施形態：
第８実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｇ」を付した符号を用いる。
【０１３４】
図２３は、第８実施形態におけるセラミック部材２００Ｇの断面を示す説明図である。第８実施形態におけるセラミック部材２００Ｇの上面は、図１７に示した第６実施形態のセラミック部材２００Ｅと同様である。図２３には、図１７における矢視Ｆ１８−Ｆ１８に対応する位置から見たセラミック部材２００Ｇの断面を図示した。
【０１３５】
第８実施形態のセラミック部材２００Ｇは、負圧連通路４３０Ｇよりも＋Ｚ軸方向側に電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇを形成した点を除き、第６実施形態と同様である。第８実施形態では、セラミック層２９２Ｇに負圧連通路４３０Ｇが形成されており、セラミック層２９２Ｇとセラミック層２９３Ｇとの間に電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇが形成されている。
【０１３６】
以上説明した第８実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。また、電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇと被搬送体９０との間が負圧連通路４３０Ｇによって断熱されてしまうことを回避し、電熱体５７２Ｇ，５７６Ｇによる温度調整を一層効果的に行うことができる。
【０１３７】
Ｉ．第９実施形態：
第９実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｈ」を付した符号を用いる。
【０１３８】
図２４は、第９実施形態におけるセラミック部材２００Ｈの上面を示す説明図である。第９実施形態のセラミック部材２００Ｈは、３方向に延びた板状をなす点、対向面および吸着電極の形状が異なる点、負圧吸着のための構成および処理ガスを放出するための構成を備えていない点を除き、第１実施形態のセラミック部材２００と同様である。
【０１３９】
セラミック部材２００Ｈは、３方向に延びた対向面２３１Ｈを有する。対向面２３１Ｈにおける３箇所の先端近傍には、Ｚ軸方向から見て円形の対向面２３２Ｈがそれぞれ配置されている。対向面２３２Ｈは、対向面２３１Ｈよりも＋Ｚ軸方向側に位置する。
【０１４０】
セラミック部材２００Ｈの内部には、３つの対向面２３２Ｈに対応して吸着電極３７２Ｈ，３７６Ｈがそれぞれ形成されている。吸着電極３７２Ｈおよび吸着電極３７６Ｈの各々は、相互に異なる極性の電位となるように構成されている。Ｚ軸方向から見て、吸着電極３７２Ｈは、内周が吸着電極３７６Ｈの外周よりも大きく、外周が対向面２３２Ｈの外周よりも大きな環状形をなし、吸着電極３７６Ｈは、対向面２３２Ｈの外周よりも小さな円形をなす。Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｈ、吸着電極３７２Ｈおよび吸着電極３７６Ｈにおける各円弧の中心は一致する。吸着電極３７２Ｈおよび吸着電極３７６Ｈの各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｈに対して略均等に重なるように配置されている。
【０１４１】
以上説明した第９実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。
【０１４２】
Ｊ．第１０実施形態：
第１０実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｉ」を付した符号を用いる。
【０１４３】
図２５は、第１０実施形態におけるセラミック部材２００Ｉの上面を示す説明図である。第１０実施形態のセラミック部材２００Ｉは、吸着電極の形状が異なる点を除き、第９実施形態のセラミック部材２００Ｈと同様である。
【０１４４】
セラミック部材２００Ｉは、３方向に延びた対向面２３１Ｉを有する。対向面２３１Ｉにおける３箇所の先端近傍には、Ｚ軸方向から見て円形の対向面２３２Ｉがそれぞれ配置されている。対向面２３２Ｉは、対向面２３１Ｉよりも＋Ｚ軸方向側に位置する。
【０１４５】
セラミック部材２００Ｉの内部には、３つの対向面２３２Ｉに対応して吸着電極３７２Ｉ，３７６Ｉがそれぞれ形成されている。吸着電極３７２Ｉおよび吸着電極３７６Ｉの各々は、相互に異なる極性の電位となるように構成されている。Ｚ軸方向から見て、吸着電極３７２Ｉは、外周が対向面２３２Ｉの外周よりも大きな半円をなし、吸着電極３７６Ｉは、吸着電極３７２Ｉに対して線対称な半円をなす。Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｉ、吸着電極３７２Ｉおよび吸着電極３７６Ｉにおける各円弧の中心は一致する。吸着電極３７２Ｉおよび吸着電極３７６Ｉの各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｉに対して略均等に重なるように配置されている。
【０１４６】
以上説明した第１０実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。
【０１４７】
Ｋ．第１１実施形態：
第１１実施形態の説明では、第１実施形態と同様の構成については第１実施形態と同じ符号を用い、形状や配置などが異なるものの第１実施形態に対応する構成については第１実施形態の符号に英文字「Ｊ」を付した符号を用いる。
【０１４８】
図２６は、第１１実施形態におけるセラミック部材２００Ｊの上面を示す説明図である。第１１実施形態のセラミック部材２００Ｊは、吸着電極の形状が異なる点を除き、第９実施形態のセラミック部材２００Ｈと同様である。
【０１４９】
セラミック部材２００Ｊは、３方向に延びた対向面２３１Ｊを有する。対向面２３１Ｊにおける３箇所の先端近傍には、Ｚ軸方向から見て円形の対向面２３２Ｊがそれぞれ配置されている。対向面２３２Ｊは、対向面２３１Ｊよりも＋Ｚ軸方向側に位置する。
【０１５０】
セラミック部材２００Ｊの内部には、３つの対向面２３２Ｊに対応して吸着電極３７２Ｊ，３７６Ｊがそれぞれ形成されている。吸着電極３７２Ｊおよび吸着電極３７６Ｊの各々は、相互に異なる極性の電位となるように構成されている。Ｚ軸方向から見て、吸着電極３７２Ｊおよび吸着電極３７６Ｊは、相互に噛み合う櫛状をなす。吸着電極３７２Ｊおよび吸着電極３７６Ｊの各々は、Ｚ軸方向から見て、対向面２３２Ｊに対して略均等に重なるように配置されている。
【０１５１】
以上説明した第１１実施形態によれば、第１実施形態と同様に、静電力による吸着力を向上させることができる。
【０１５２】
Ｌ．他の実施形態：
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。
【０１５３】
例えば、セラミック部材の全体形状は、略Ｕ字形の板状や、３方向に延びた板状に限るものではなく、円形、三角形、四角形、多角形など種々の形状であっても良い。また、対抗面、吸着電極、負圧連通路、吸着孔、電熱体、ランド、ビア、ガス連通路、およびガス放出孔の各々についての形状、配置、個数などは、上述した実施形態に限定されるものではなく、実施態様に応じて適宜変更しても良い。
【０１５４】
また、搬送装置１０は、ガラス基板を用いて液晶基板を製造する液晶基板製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのガラス基板であるとしても良い。また、搬送装置１０は、ガラス基板を用いてプラズマ基板を製造するプラズマ基板製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのガラス基板であるとしても良い。また、搬送装置１０は、アモルファスシリコンウェハを用いて太陽電池基板を製造する太陽電池製造装置の一部を構成する装置であり、被搬送体９０は、そのアモルファスシリコンウェハであるとしても良い。
【符号の説明】
【０１５５】
１０…搬送装置
９０…被搬送体
１００…制御部
２００，２００Ａ〜２００Ｊ…セラミック部材
２１１…基端面
２１３…基端側面
２１４…基端側面
２１５…基端上面
２１６…底面
２１８…貫通孔
２１９，２１９Ａ…基端段差面
２２１…内側面
２２２…先端面
２２３…先端面
２２４，２２４Ｃ…外側面
２２５，２２５Ｃ…外側面
２２６，２２６Ｃ…内側面
２２７，２２７Ｃ…内側面
２３１，２３１Ｄ，２３１Ｅ，２３１Ｈ，２３１Ｉ，２３１Ｊ…対向面
２３２，２３２Ｆ，２３２Ｈ，２３２Ｉ，２３２Ｊ…対向面
２３３…対向面
２３４…対向面
２３５，２３５Ｅ，２３５Ｆ…対向面
２４２…先端上面
２４３…先端上面
２４８，２４８Ｂ…先端段差面
２４９，２４９Ｂ…先端段差面
２９１〜２９７…セラミック層
３１２，３１２Ｆ…給電口
３１６，３１６Ｆ…給電口
３３２，３３６…ランド
３５２，３５４，３５６，３５８…ビア
３７２，３７２Ｆ，３７２Ｈ，３７２Ｉ，３７２Ｊ…吸着電極
３７４…吸着電極
３７６，３７６Ｆ，３７６Ｈ，３７６Ｉ，３７６Ｊ…吸着電極
３７８…吸着電極
４１２，４１２Ｆ…負圧供給口
４３０，４３０Ｆ，４３０Ｇ…負圧連通路
４５０，４５０Ｆ…吸着孔
５１２…給電口
５１６…給電口
５３２，５３６…ランド
５５２，５５３，５５４，５５６，５５７，５５８…ビア
５７２，５７２Ｇ…電熱体
５７４…電熱体
５７６…電熱体
６１２…ガス供給口
６３０，６３０Ａ，６３０Ｂ，６３０Ｃ…ガス連通路
６５０，６５０Ａ，６５０Ｂ，６５０Ｃ…ガス放出孔
７１０…アーム機構
７２０…移動機構
８３０…吸着電極駆動部
８４０…負圧供給部
８５０…電熱体駆動部
８６０…処理ガス供給部
【図１】
2013132803.tif 000003
【図２】
2013132803.tif 000004
【図３】
2013132803.tif 000005
【図４】
2013132803.tif 000006
【図５】
2013132803.tif 000007
【図６】
2013132803.tif 000008
【図７】
2013132803.tif 000009
【図８】
2013132803.tif 000010
【図９】
2013132803.tif 000011
【図１０】
2013132803.tif 000012
【図１１】
2013132803.tif 000013
【図１２Ａ】
2013132803.tif 000014
【図１２Ｂ】
2013132803.tif 000015
【図１３Ａ】
2013132803.tif 000016
【図１３Ｂ】
2013132803.tif 000017
【図１４】
2013132803.tif 000018
【図１５】
2013132803.tif 000019
【図１６】
2013132803.tif 000020
【図１７】
2013132803.tif 000021
【図１８】
2013132803.tif 000022
【図１９】
2013132803.tif 000023
【図２０】
2013132803.tif 000024
【図２１】
2013132803.tif 000025
【図２２】
2013132803.tif 000026
【図２３】
2013132803.tif 000027
【図２４】
2013132803.tif 000028
【図２５】
2013132803.tif 000029
【図２６】
2013132803.tif 000030
【図２７】
2013132803.tif 000031
【国際調査報告】
2013132803.tif 000032
2013132803.tif 000033
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