(57)【要約】  アンテナ（１０１）は、誘電体基体（１０）に対して所定の電極を形成してなるアンテナ素子（１）と、基材（２０）に対して所定の電極を形成してなる基板（２）とを備えている。基板（２）の非グランド領域（ＵＡ）の上面には、アンテナ素子（１）の下面に形成された給電端子が接続される給電端子接続電極、外部端子が接続される外部端子接続電極、及びアンテナ素子（１）の下面に形成された接地端子が接続される接地端子接続電極がそれぞれ形成されている。外部端子接続電極と給電端子接続電極との間、及び外部端子接続電極と接地端子接続電極との間にはチップインダクタをそれぞれ搭載している。このチップインダクタによる電流経路のショートカットによって、放射電極の電気長を短縮化し、基本波モードの共振周波数を高調波モードの共振周波数とは独立して定める。
2009147884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基体にヘリカル状またはループ状の給電放射電極及び無給電放射電極が形成されたアンテナ素子と、端部にグランド電極が形成されていない非グランド領域が配された基板と、を備え、前記基板の前記非グランド領域に前記アンテナ素子が配設されてなるアンテナであって、
前記給電放射電極及び前記無給電放射電極は、基本波と高調波が共振する放射電極をそれぞれ備え、
前記給電放射電極の給電端に給電端子が形成され、前記給電放射電極は前記誘電体基体表面に沿って、前記給電端子から一旦離れ再度前記給電端子に近接する位置までヘリカル状またはループ状に展開する形状を成し、前記給電端子に近接する外部端子導出部に第１の外部端子が形成され、
前記無給電放射電極の接地端に接地端子が形成され、前記無給電放射電極は前記誘電体基体表面に沿って、前記接地端子から一旦離れ再度前記接地端子に近接する位置までヘリカル状またはループ状に展開する形状を成し、前記接地端子に近接する位置に第２の外部端子が形成され、
前記基板に、前記給電端子が接続される給電端子接続電極と、前記第１・第２の外部端子が接続される第１・第２の外部端子接続電極と、前記接地端子が接続される接地端子接続電極とが形成され、前記第１の外部端子接続電極と前記給電端子接続電極との間、及び前記第２の外部端子接続電極と前記接地端子接続電極との間にインダクタンス素子がそれぞれ搭載されたことを特徴とするアンテナ。
【請求項２】
前記第１・第２の外部端子は、前記誘電体基体の前記外部端子の導出部付近で高調波用放射電極の電界分布がほぼ節となる位置に形成され、
前記基板に、前記外部端子接続電極に導通し、前記給電端子接続電極との間に前記基板の基材による容量が生じる容量形成用電極が形成された、請求項１に記載のアンテナ。
【請求項３】
前記容量形成用電極は飛び石状パターンの複数の電極であり、当該複数の電極間をチップコンデンサにより接続された、請求項２に記載のアンテナ。
【請求項４】
前記飛び石状パターンの複数の電極は互いに長さが異なり、前記チップコンデンサの搭載位置が複数箇所に配置された、請求項３に記載のアンテナ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のアンテナを筐体内に設けてなる無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、携帯電話端末等の無線通信装置に用いられるアンテナ及びそれを備えた無線通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
１つのアンテナで複数の周波数帯に対応したアンテナとして特許文献１，２が開示されている。
ここで特許文献１に示されているアンテナの構成を、図１を基に説明する。図１の例では角柱形状の誘電体基体６に給電放射電極７が形成されている。この給電放射電極７は基本モードと高次モードで共振し、給電放射電極７の一端側は無線通信用の回路に接続される給電端側７Ａをなしている。給電放射電極の他方端側７Ｂは開放端をなしている。給電放射電極７の給電端側７Ａと開放端側７Ｂの間には、予め容量装荷部αの位置を定めていて、容量装荷部αに容量装荷用導体１２を連接している。容量装荷用導体１２は給電端側７Ａと容量装荷部αとの間に基本モードの共振周波数調整用の容量を生じさせている。【０００３】
また、特許文献２に示されているアンテナは、スパイラル状のスリットを有する給電放射電極及び無給電放射電極が形成された誘電体基体が基板の非グランド領域に配置されていて、上記スパイラル状のスリットに容量が生じるようにしている。
【特許文献１】国際公開第２００６／０７３０３４号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００６／０７７７１４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されているアンテナによれば、容量装荷用導体１２によって、給電端側７Ａと容量装荷部αとの間に接続される容量の大きさが定まり、これによって基本モードの共振周波数が調整できる。また、容量装荷部αの位置を適宜定めておくことによって、高調波モードの共振周波数をほぼ一定にしたまま基本モードの共振周波数が調整できる。【０００５】
しかし、装荷する容量の調整や変更を行うには角柱状の誘電体基体に対する電極パターンの形状を変更しなければならない。このことは特許文献２に示されているアンテナについても同様である。例えば２ＧＨｚ帯及び９００ＭＨｚ帯の２周波のアンテナとして作用させる場合に、基本波モードの共振周波数を９００ＭＨｚ帯に設定し、高調波モードの共振周波数を２ＧＨｚ帯に設定するが、高調波モードの共振周波数を変更する場合は勿論、基本波モードの共振周波数を装荷容量によって変更する場合にも、電極パターンを変更しなければならない。
そのため、開発設計期間が必要となり、コストも高くなる問題があった。【０００６】
そこで、この発明の目的は、上述の問題を解消して、誘電体基体に電極パターンを形成してなるアンテナ素子の形状を変更せずに周波数特性の調整・設定を可能にしたアンテナ及びそれを備えた無線通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するためにこの発明のアンテナは次のように構成する。
（１）誘電体基体にヘリカル状またはループ状の給電放射電極及び無給電放射電極が形成されたアンテナ素子と、端部にグランド電極が形成されていない非グランド領域が配された基板と、を備え、前記基板の前記非グランド領域に前記アンテナ素子が配設されてなるアンテナであって、
前記給電放射電極及び前記無給電放射電極は、基本波と高調波が共振する放射電極をそれぞれ備え、
前記給電放射電極の給電端に給電端子が形成され、前記給電放射電極は前記誘電体基体表面に沿って、前記給電端子から一旦離れ再度前記給電端子に近接する位置までヘリカル状またはループ状に展開する形状を成し、前記給電端子に近接する位置に第１の外部端子が形成され、
前記無給電放射電極の接地端に接地端子が形成され、前記無給電放射電極は前記誘電体基体表面に沿って、前記接地端子から一旦離れ再度前記接地端子に近接する位置までヘリカル状またはループ状に展開する形状を成し、前記無給電端子に近接する位置に第２の外部端子が形成され、
前記基板に、前記給電端子が接続される給電端子接続電極と、前記第１・第２の外部端子が接続される第１・第２の外部端子接続電極と、前記接地端子が接続される接地端子接続電極とが形成され、前記第１の外部端子接続電極と前記給電端子接続電極との間、及び前記第２の外部端子接続電極と前記接地端子接続電極との間にインダクタンス素子がそれぞれ搭載されたことを特徴とする。【０００８】
（２）前記第１・第２の外部端子を、前記誘電体基体の外部端子導出部付近で高調波用放射電極の電界分布がほぼ節となる位置に形成し、前記基板に、前記外部端子接続電極に導通し、前記給電端子接続電極との間に前記基板の基材による容量を生じさせる容量形成用電極を形成する。【０００９】
（３）前記容量形成用電極は、例えば飛び石状パターンの複数の電極とし、当該複数の電極間をチップコンデンサにより接続する。【００１０】
（４）前記飛び石状パターンの複数の電極は、互いに長さが異なり、前記チップコンデンサの搭載位置を複数箇所に配置する。【００１１】
（５）また、この発明の無線通信装置は、この発明において特有な構成を持つアンテナが筐体内に設けられて構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、アンテナ素子に形成する電極パターンを一定にしたまま基板側の電極パターンの変更のみで基本波モードの共振周波数の調整が可能となる。【００１３】
また、高調波モードの共振周波数をほぼ一定にしたまま基本波モードの共振周波数のみを独立して制御することができる。【００１４】
さらに、アンテナ素子の変更が不要であるので、リードタイムが短くなり、低コスト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】特許文献１に開示されているアンテナの構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る携帯電話端末等の無線通信装置の筐体内に組み込まれるアンテナの構成を示す部分分解斜視図である。
【図３】図２に示すアンテナ素子１の六面図である。
【図４】図２に示す基板２に形成されている各種電極のパターンを示す上面図である。
【図５】図２〜図４に示すアンテナ１０１の等価回路図である。
【図６】図４・図５に示すチップインダクタのインダクタンス値を変化させた時のアンテナのリターンロスの特性を求めた図である。
【図７】第２の実施形態に係るアンテナに用いる基板２に形成されている各種電極のパターンを示す図であり、図４（Ａ）は上面図、図４（Ｂ）は下面図である。
【図８】図７に示す基板２を用いた、第２の実施形態に係るアンテナの等価回路図である。
【図９】放射電極に対する容量の装荷位置と電界分布との関係を示す図であり、（Ａ）は基本波用放射電極による基本波の電界分布、（Ｂ）は高調波用放射電極による高調波の電界分布をそれぞれ表している。
【図１０】第３の実施形態に係るアンテナに用いる基板２の下面図である。
【図１１】第３の実施形態に係るアンテナの等価回路図である。
【図１２】第４の実施形態に係るアンテナに用いる基板の下面図である。
【符号の説明】
【００１６】
１…アンテナ素子
２…基板
１０…誘電体基体
１１ａ…給電端子
１１ｂ〜１１ｋ…電極
１１ｈ，１２ｈ…外部端子導出部
１１ｉ…第１の外部端子
１２ｉ…第２の外部端子
１２ａ…接地端子
１２ｂ〜１２ｋ…電極
２０…基材
２１ａ…給電端子接続電極
２１ｂ，２１ｄ…電極
２１ｍ，２１ｎ，２１ｐ…電極
２１ｉ…第１の外部端子接続電極
２２ｉ…第２の外部端子接続電極
２２ａ…接地端子接続電極
２２ｂ，２２ｄ…電極
２２ｎ…電極
２３…グランド電極
２４ａ，２５ａ…容量形成用電極
２４ｉ，２５ｉ…容量形成用電極
２４ｑ，２５ｑ…容量形成用電極
２４ｒ，２５ｒ…容量形成用電極
２４ｓ，２５ｓ…容量形成用電極
１０１…アンテナ
ＣＬ…チップインダクタ
ＣＣ…チップコンデンサ
ＣＣ１…チップコンデンサ
ＣＣ２…チップコンデンサ
ＣＣ３…チップコンデンサ
ＧＡ…グランド領域
ＵＡ…非グランド領域
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係るアンテナ及びそれを備えた無線通信装置の構成について、図２〜図６を参照して説明する。
図２は携帯電話端末等の無線通信装置の筐体内に組み込まれるアンテナの構成を示す部分分解斜視図である。アンテナ１０１は無線通信装置の筐体の形状に沿った形状の誘電体基体１０に対して所定の電極を形成してなるアンテナ素子１と、基材２０に対して所定の電極を形成してなる基板２とで構成している。【００１８】
基板２には、基材２０に対してグランド電極２３を形成したグランド領域ＧＡと、基板２の一辺付近に広がる、グランド電極２３を形成していない非グランド領域ＵＡとを備えている。アンテナ素子１は、非グランド領域ＵＡ内でグランド領域ＧＡから極力離れた位置に表面実装により配設する。
このアンテナ１０１を折り畳みタイプの携帯電話端末に組み込む場合、ヒンジ部に近接する位置に配置する。【００１９】
図３は、図２に示したアンテナ素子１の六面図である。図３において（Ａ）は上面図、（Ｂ）は正面図、（Ｃ）は下面図、（Ｄ）は背面図、（Ｅ）は左側面図、（Ｆ）は右側面図である。【００２０】
誘電体基体１０及びそれに形成する電極パターンは図中一点鎖線で示す線を中心として左右対称形をなしている。この例では単一の誘電体基体１０を用いて、一点鎖線より左側は給電側のアンテナ素子、右側は無給電側のアンテナ素子として構成している。【００２１】
先ず、給電側について説明する。
誘電体基体１０の底面には第１の外部端子１１ｉ、給電端子１１ａ、電極１１ｂ，１１ｄを形成している。誘電体基体１０の正面には電極１１ｃ，１１ｅ，１１ｇ，１１ｊ，１１ｋを形成している。また、正面から底面にかけて外部端子導出部１１ｈを形成している。
誘電体基体１０の上面には電極１１ｆを形成している。【００２２】
上記各端子及び電極は次のように連続している。給電端子１１ａ→電極１１ｂ→電極１１ｃ→１１ｄ→１１ｅ→１１ｆ→１１ｇ→１１ｊ→１１ｋ。外部端子導出部１１ｈは底面の第１の外部端子１１ｉに導通している。電極１１ｋは電極１１ｊに連続して形成する。このようにしてヘリカル状またはループ状の給電放射電極を構成している。【００２３】
無給電側については次のとおりである。
誘電体基体１０の底面には第２の外部端子１２ｉ、接地端子１２ａ、電極１２ｂ，１２ｄを形成している。誘電体基体１０の正面には電極１２ｃ，１２ｅ，１２ｇ，１２ｊ，１２ｋを形成している。また、正面から底面にかけて外部端子導出部１２ｈを形成している。
誘電体基体１０の上面には電極１２ｆを形成している。【００２４】
上記各端子及び電極は次のように連続している。接地端子１２ａ→電極１２ｂ→電極１２ｃ→１２ｄ→１２ｅ→１２ｆ→１２ｇ→１２ｊ→１２ｋ。外部端子導出部１２ｈは底面の第２の外部端子１２ｉに導通している。電極１２ｋは電極１２ｊに連続して形成する。このようにしてヘリカル状またはループ状の無給電放射電極を構成している。【００２５】
図４は、図２に示した基板２に形成されている各種電極のパターンを示す上面図である。
給電側の構成は次のとおりである。
基板２の非グランド領域の上面には、第１の外部端子接続電極２１ｉ、給電端子接続電極２１ａ、電極２１ｂ，２１ｄを形成している。また、給電端子接続電極２１ａから延びる電極２１ｍ、この電極２１ｍの端部から飛び石状パターンの電極２１ｎ，２１ｐをそれぞれ形成している。【００２６】
第１の外部端子接続電極２１ｉと給電端子接続電極２１ａとの間にはチップインダクタＣＬを搭載している。【００２７】
上記第１の外部端子接続電極２１ｉには、図３に示した第１の外部端子１１ｉが接続される。また給電端子接続電極２１ａにはアンテナ素子１の給電端子１１ａが接続される。同様に、基板上の電極２１ｂ，２１ｄにはアンテナ素子１の電極１１ｂ，１１ｄがそれぞれ接続される。【００２８】
上記給電端子接続電極２１ａから延びる電極２１ｍとグランド電極２３との間には給電回路（送受信回路）が接続される。また、飛び石状パターンの電極２１ｎ，２１ｐとグランド電極２３との間、及び電極２１ｍとの間には、整合回路用のチップコンデンサまたはチップインダクタが搭載される。【００２９】
無給電側の構成は次のとおりである。
基板２の非グランド領域の上面には、第２の外部端子接続電極２２ｉ、接地端子接続電極２２ａ、電極２２ｂ，２２ｄを形成している。【００３０】
上記第２の外部端子接続電極２２ｉには、図３に示した第２の外部端子１２ｉが接続される。また接地端子接続電極２２ａにはアンテナ素子１の接地端子１２ａが接続される。同様に、基板上の電極２２ｂ，２２ｄにはアンテナ素子１の電極１２ｂ，１２ｄがそれぞれ接続される。【００３１】
第２の外部端子接続電極２２ｉと接地端子接続電極２２ａとの間にはチップインダクタＣＬを搭載している。【００３２】
図５は、図２〜図４に示したアンテナ１０１の等価回路図である。
先ず、給電側については次のとおりである。
給電端子１１ａから電極１１ｂ〜１１ｇ，１１ｊを経由して電極１１ｋまでのループによって、略１／４波長で共振する基本波用放射電極、及び、略３／４波長で共振する高調波用放射電極を構成している。【００３３】
第１の外部端子１１ｉは基板２の上面の第１の外部端子接続電極２１ｉと導通する。【００３４】
無給電側についても同様に、
接地端子１２ａから電極１２ｂ〜１２ｇ，１２ｊを経由して電極１２ｋまでのループによって、１／４波長で共振する基本波用放射電極、及び、３／４波長で共振する高調波用放射電極を構成している。【００３５】
第２の外部端子１２ｉは基板２の上面の第２の外部端子接続電極２２ｉと導通する。【００３６】
図５に示したとおり、給電端子１１ａ、電極１１ｂ〜１１ｋからなる基本波用放射電極、高調波用放射電極は給電端子１１ａから直接給電される。【００３７】
図５においてチップインダクタＣＬが存在しないとすると、給電側の放射電極１１（１１ａ，１１ｂ〜１１ｆ，１１ｇ，１１ｊ）は、給電端から開放端までループを一周して電流が流れる。第１の外部端子接続電極２１ｉと給電端子接続電極２１ａとの間にチップインダクタＣＬを接続すると、上記放射電極１１の途中と給電端との間にチップインダクタを経由するショーカット経路ができることになる。そのため、上記ループを一周する経路と、チップインダクタを経由する経路との二つの電流経路ができ、等価的な放射電極１１の電気長が短くなって、基本波モードの共振周波数が上昇する。【００３８】
また、上記チップインダクタのインダクタンスが小さくなるほど、上記二つの電流経路のうちチップインダクタを経由する経路を流れる電流量の割合が増して、放射電極の等価的な電気長がより短くなり、基本波モードの共振周波数がより上昇する。【００３９】
高調波モードについては、基本波モードの共振周波数より周波数が高いため、上記チップインダクタを流れる電流量の割合が小さい。そのため、基本波モードの共振周波数を制御するために用いるチップインダクタのインダクタンス値の範囲では高調波モードの共振周波数は殆ど変化しない。【００４０】
図６は、図４に示したチップインダクタＣＬのインダクタンス値を変化させた時のアンテナのリターンロスの特性を求めた図である。図６（Ａ）において低域側に現れているＲＬｆで示すリターンロスの小さな特性は基本波モードの共振によるもの、高域側に現れているＲＬｈで示すリターンロスの小さな特性は高調波モードの共振によるものである。【００４１】
前述の理由により、チップインダクタＣＬのインダクタンス値が小さくなるほどショートカットできる電流量が増加して基本波モードの共振周波数が上昇する。また、チップインダクタＣＬのインダクタンス値を変化させることによって低域側のリターンロスＲＬｆの特性が変化するのに対し、高域側のリターンロスＲＬｈの特性は殆ど変化しない。【００４２】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示した基本波モードによるリターンロスＲＬｆの変化について示している。図４・図５に示したチップインダクタＣＬのインダクタンス値をオープンとしたとき、リターンロスは図中ＲＬ０で示す特性を示し、チップインダクタのインダクタンス値が１２０ｎであるとき、リターンロスはＲＬ１で示すようになり、チップインダクタのインダクタンス値が１００ｎ，６８ｎ，３３ｎ，１５ｎであるとき、リターンロスはＲＬ２，ＲＬ３，ＲＬ４，ＲＬ５で示すように変化する。すなわちチップインダクタのインダクタンス値が小さくなるほど基本波モードの共振周波数が上昇する。【００４３】
なお、１２０ｎＨのチップインダクタを用いたときに、オープンの場合より基本波モードの共振周波数が低くなっているのは、チップインダクタがそのキャパシタンス成分により等価的に容量として作用しているためであると考えられる。【００４４】
このようにしてチップインダクタＣＬのインダクタンス値を設定することによってアンテナ素子１を何ら変更することなく低域側の周波数を定めることができる。【００４５】
《第２の実施形態》
図７は第２の実施形態に係るアンテナの基板２に形成されている各種電極のパターンを示す図であり、図７（Ａ）は上面図、図７（Ｂ）は下面図である。この基板２に実装するアンテナ素子１の構成は第１の実施形態で図３に示したものと同様である。また、基板２の上面の各種電極のパターンは第１の実施形態で図４に示したものと同様である。【００４６】
第２の実施形態に係るアンテナの特徴は、基板２の上下面の電極によって容量を生じさせ、それをアンテナに装荷するようにしたことである。【００４７】
給電側の構成は次のとおりである。
基板２の非グランド領域の上面には、第１の外部端子接続電極２１ｉ、給電端子接続電極２１ａ、電極２１ｂ，２１ｄを形成している。また、給電端子接続電極２１ａから延びる電極２１ｍ、この電極２１ｍの端部から飛び石状パターンの電極２１ｎ，２１ｐをそれぞれ形成している。【００４８】
上記第１の外部端子接続電極２１ｉには、図３に示した第１の外部端子１１ｉが接続される。また給電端子接続電極２１ａにはアンテナ素子１の給電端子１１ａが接続される。同様に、基板上の電極２１ｂ，２１ｄにはアンテナ素子１の電極１１ｂ，１１ｄがそれぞれ接続される。【００４９】
無給電側の構成は次のとおりである。
基板２の非グランド領域の上面には、第２の外部端子接続電極２２ｉ、接地端子接続電極２２ａ、電極２２ｂ，２２ｄを形成している。また接地端子接続電極２２ａとグランド電極２３との間に飛び石状パターンの電極２２ｎを形成している。【００５０】
上記第２の外部端子接続電極２２ｉには、図３に示した第２の外部端子１２ｉが接続される。また接地端子接続電極２２ａにはアンテナ素子１の接地端子１２ａが接続される。同様に、基板上の電極２２ｂ，２２ｄにはアンテナ素子１の電極１２ｂ，１２ｄがそれぞれ接続される。【００５１】
基板２の下面の給電側には、図７（Ｂ）に示すように、上面の第１の外部端子接続電極２１ｉと対向する位置に電極２４ｉ、上面の給電端子接続電極２１ａと対向する位置に電極２４ａをそれぞれ形成している。上記第１の外部端子接続電極２１ｉとそれに対向する電極２４ｉとはスルーホールを介して導通させている。電極２４ｉと２４ａは連続しているため、基板２の基材（図２に示した基材２０）を挟んで電極２４ａが給電端子接続電極２１ａと対向する部分に容量が生じる。【００５２】
基板２の下面の無給電側には、図７（Ｂ）に示すように、上面の第２の外部端子接続電極２２ｉと対向する位置に電極２５ｉ、上面の接地端子接続電極２２ａと対向する位置に電極２５ａをそれぞれ形成している。上記第２の外部端子接続電極２２ｉとそれに対向する電極２５ｉとはスルーホールを介して導通させている。電極２５ｉと２５ａは連続しているため、基板２の基材（図２に示した基材２０）を挟んで電極２５ａが接地端子接続電極２２ａと対向する部分に容量が生じる。【００５３】
図８は、図７に示した基板２を用いた、第２の実施形態に係るアンテナの等価回路図である。基板に実装するアンテナ素子の構成は第１の実施形態で示したものと同様である。【００５４】
先ず、給電側については次のとおりである。
給電端子１１ａから電極１１ｂ〜１１ｇ，１１ｊを経由して電極１１ｋまでのループによって、略１／４波長で共振する基本波用放射電極、及び、略３／４波長で共振する高調波用放射電極を構成している。【００５５】
第１の外部端子１１ｉは基板２の上面の第１の外部端子接続電極２１ｉと導通し、この第１の外部端子接続電極２１ｉはスルーホールを介して基板２の下面側の電極２４ｉと導通する。この電極２４ｉから延びる容量形成用電極２４ａと基板上面の給電端子接続電極２１ａとの間に、図中破線のコンデンサの記号で表すように容量が生じる。【００５６】
無給電側についても同様に、
接地端子１２ａから電極１２ｂ〜１２ｇ，１２ｊを経由して電極１２ｋまでのループによって、１／４波長で共振する基本波用放射電極、及び、３／４波長で共振する高調波用放射電極を構成している。【００５７】
第２の外部端子１２ｉは基板２の上面の第２の外部端子接続電極２２ｉと導通し、この第２の外部端子接続電極２２ｉはスルーホールを介して基板２の下面側の電極２５ｉと導通する。この電極２５ｉから延びる容量形成用電極２５ａと基板上面の給電端子接続電極２１ａとの間に、図中破線のコンデンサの記号で表すように容量が生じる。【００５８】
図９（Ａ）は前記基本波用放射電極による基本波の電界分布、図９（Ｂ）は前記高調波用放射電極による高調波の電界分布をそれぞれ表している。図８を参照すれば明らかなように、基本波用放射電極は１／４波長で共振し、基本波用放射電極の外部端子導出部１１ｈと給電端との間に容量が装荷されるので、この装荷される容量によって基本波モードの共振周波数が変化する。【００５９】
一方、３／４波長で共振する高調波用放射電極に対しては、外部端子導出部１１ｈ付近が高調波電界分布の節となるように、その外部端子導出部１１ｈを定めている。そのため、高調波の共振周波数は装荷容量にほとんど影響を受けない。
このようにして、高調波モードの共振周波数から独立して基本波モードの共振周波数を調整することができる。【００６０】
《第３の実施形態》
図１０は第３の実施形態に係るアンテナの基板２の下面図である。第２の実施形態で図７（Ｂ）に示した構成と異なるのは、容量形成用電極を飛び石状パターンの複数の電極に形成したことである。図１０に示す例では、図７（Ｂ）における容量形成用電極２４ｉを、容量形成用電極２４ａから連続する容量形成用電極２４ｑと容量形成用電極２４ｉとに分離し、この容量形成用電極２４ｑと容量形成用電極２４ａとの間にチップコンデンサＣＣを搭載している。【００６１】
無給電側についても同様に、図７（Ｂ）における容量形成用電極２５ｉを、容量形成用電極２５ａから連続する容量形成用電極２５ｑと容量形成用電極２５ｉとに分離し、この容量形成用電極２５ｑと容量形成用電極２５ａとの間にチップコンデンサＣＣを搭載している。【００６２】
図１１は、図１０に示した基板２を用いた、第３の実施形態に係るアンテナの等価回路図である。基板に実装するアンテナ素子の構成は第１の実施形態で示したものと同様である。図１１に示すように、給電側については、容量形成用電極２４ｉと２４ｑとの間にチップコンデンサＣＣが接続され、容量形成用電極２４ａと給電端子接続電極２１ａとの間に基板による容量が生じる。したがって給電端子１１ａと外部端子導出部１１ｈとの間に、チップインダクタＣＬが接続されるとともに、基板による容量とチップコンデンサＣＣの容量との直列回路も接続されることになる。そのため、チップインダクタＣＬによりショートカットの割合が定められるとともに、基板の容量及びチップコンデンサＣＣの容量によって放射電極に対する装荷容量が設定される。【００６３】
無給電側についても同様に、容量形成用電極２５ｉと２５ｑとの間にチップコンデンサＣＣが接続され、容量形成用電極２５ａと接地端子接続電極２２ａとの間に基板による容量が生じる。したがって接地端子１２ａと外部端子導出部１２ｈとの間に、チップインダクタＣＬが接続されるとともに、基板による容量とチップコンデンサＣＣの容量との直列回路が接続されることになる。そのため、チップインダクタＣＬによりショートカットの割合が定められるとともに、基板の容量及びチップコンデンサＣＣの容量によって放射電極に対する装荷容量が設定される。【００６４】
このように、所定インダクタンスのチップインダクタだけではなく、所定キャパシタンスのチップコンデンサを搭載することによって給電端と外部端子導出部との間または接地点と外部端子導出部との間の装荷容量を定めることができるので、基板２側の電極についても各電極パターンを変更することなく基本波モードの共振周波数を設定・調整することができる。【００６５】
《第４の実施形態》
図１２は第４の実施形態に係るアンテナの基板部分の底面図である。この例では、容量形成用電極として、給電側に飛び石状の容量形成用電極２４ｒ，２４ｓを形成し、無給電側に飛び石状の容量形成用電極２５ｒ，２５ｓを形成している。容量形成用電極２４ｒ，２４ｓは基板２の上面側の給電端子接続電極から延びる電極と対向し、容量形成用電極２５ｒ，２５ｓは基板２の上面側の接地端子接続電極から延びる電極と対向している。基板２の上面側の電極パターンは、第１の実施形態として示した図４と同様である。【００６６】
給電側については、容量形成用電極２４ｑと２４ｒとの間にチップコンデンサＣＣ２を搭載し、容量形成用電極２４ｉと２４ｓとの間にチップコンデンサＣＣ３を搭載している。これらのチップコンデンサＣＣ１〜ＣＣ３のキャパシタンスによってアンテナ素子の外部端子導出部（１１ｈ）と給電端子（１１ａ）との間の装荷容量を高精度に定めることができる。【００６７】
無給電側についても同様に、容量形成用電極２５ｑと２５ｒとの間にチップコンデンサＣＣ２を搭載し、容量形成用電極２５ｉと２５ｓとの間にチップコンデンサＣＣ３を搭載している。これらのチップコンデンサＣＣ１〜ＣＣ３のキャパシタンスによってアンテナ素子の外部端子導出部（１２ｈ）と接地端子（１２ａ）との間の装荷容量を高精度に定めることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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