(57)【要約】  絶縁層（１０）と、絶縁層（１０）を挟んで配置された上側配線パターン（１１）および下側配線パターン（１２）とを備える。下側配線パターン（１２）には、上側配線パターン（１１）側に突出する円錐台の凸部（１２Ａ）が、上側配線パターン（１１）には、下側配線パターン（１２）側に突出する円錐台の凸部（１１Ａ）がそれぞれ一体形成されている。凸部（１１Ａ，１２Ａ）の接合端部が接合され、層間接続導体（１３）を形成している。層間接続導体（１３）は、上側配線パターン（１１）および下側配線パターン（１２）を導通している。これにより、小型化の弊害とならないように、層間接続導体における信頼性を低下させることがない配線基板を提供する。
2013008592.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
該絶縁層を挟んで配置され、平面方向に延びる第１導電パターンおよび第２導電パターンと、
前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、
を備え、
前記層間接続導体は、
前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンのそれぞれから、前記厚み方向において、対向する前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンに向かって細くなっている部分を有する、
配線基板。
【請求項２】
前記層間接続導体は、
先端に向かって細くなっている二つの接続導体が、先端部で接合されて形成されている、
請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
二つの前記接続導体の一方は、
前記厚み方向において前記第２導電パターン側に突出して、前記第１導電パターンに一体形成され、
他方は、
前記厚み方向において前記第１導電パターン側に突出して、前記第２導電パターンに一体形成されている、
請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１導電パターンは前記絶縁層側に一体形成されたランドを有しており、
前記ランドに実装され、前記絶縁層内に配置された電子部品、
をさらに備える請求項１から３の何れか一つに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層に導体パターンが形成された配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板において、異なる層間の配線パターンを電気的に接続する層間接続導体（ビアホール導体）は、一般的には、配線基板に貫通孔（スルーホール）を設けて、スルーホールの内壁にメッキを施すことで形成される。しかし、スルーホールへのメッキの付着が悪いと、加熱冷却時のストレスによるメッキの剥離または切断等、スルーホールにおける信頼性に問題が生じることがあった。【０００３】
特許文献１には、スルーホールの信頼性に優れたプリント配線板の製造方法が開示されている。図１は特許文献１に記載の配線基板の模式的な断面図である。図１に示すプリント配線基板は、金属板１００の片面に、銀ペースト１０１Ａが付着した円錐台形突起１０１の突起を形成し、突起側に絶縁層１０２を形成し、その外側に金属箔１０３を置いて、加熱、加圧下に積層成形している。そして、両面金属板１０３，１０４に回路形成、貴金属メッキを施してプリント配線基板としている。この特許文献１では、スルーホールの内壁に施したメッキではなく、金属板１００に形成した台形突起１０１を、ビアホール導体とすることで、加熱冷却時のメッキの剥離等を発生させず、スルーホールにおける信頼性が低下しないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−６８６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、ビアホール導体とする金属板１００の台形突起１０１は、配線基板の面方向に広がりを有しているため、配線基板の小型化の弊害となるといった問題がある。斯かる問題は、配線基板の厚み方向、すなわち、台形突起１０１の高さが高くなるほど顕著に表れる。【０００６】
そこで、本発明の目的は、小型化の弊害とならないように、層間接続導体における信頼性を低下させることがない配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る配線基板は、絶縁層と、該絶縁層を挟んで配置され、平面方向に延びる第１導電パターンおよび第２導電パターンと、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンを導通する層間接続導体と、を備え、前記層間接続導体は、前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンのそれぞれから、前記厚み方向において、対向する前記第１導電パターンおよび前記第２導電パターンに向かって細くなっている部分を有する。【０００８】
この構成では、第１導電パターンおよび第２導電パターンを導通する層間接続導体が、厚み方向の中央部に向かって徐々に細くなった部分を有する構成としてある。従って、従来のように、台形状とした場合との対比において、高さを高くしても基板の平面方向における広がりを抑えることができ、配線基板の小型化を実現できる。【０００９】
本発明に係る配線基板において、前記層間接続導体は、先端に向かって細くなっている二つの接続導体が、先端部で接合されて形成されている構成でもよい。【００１０】
この構成では、先端に向かって細くなっている二つの接続導体を接合して層間接続導体を形成している。この二つの接続導体の高さを同じにすることで、面方向への広がりを最小限に抑えることができ、配線基板のより小型化を実現できる。【００１１】
本発明に係る配線基板において、二つの前記接続導体の一方は、前記厚み方向において前記第２導電パターン側に突出して、前記第１導電パターンに一体形成され、他方は、前記厚み方向において前記第１導電パターン側に突出して、前記第２導電パターンに一体形成されている構成が好ましい。【００１２】
この構成では、層間接続導体が、第１導電パターンおよび第２導電パターンに一体形成されているため、第１導電パターンおよび第２導電パターンには層間接続導体との接合界面が存在しない。なお、一体形成とは、一つの同じ金属部材から形成されることをいう。【００１３】
温度変化（過熱冷却）に伴う膨張と収縮とにより、絶縁層および導電パターンの接合部分では膨張率の違いから応力が生じる。仮に、層間接続導体と第１導電パターンまたは第２導電パターンとの間に接合界面が存在する場合、生じた応力が接合界面に集中し、接合界面に剥離が生じるおそれがある。これにより、第１導電パターンと第２導電パターンとの導通不良が発生したり、配線基板にクラック等が生じたりする可能性がある。【００１４】
このため、層間接続導体を形成する接続導体のそれぞれが第１導電パターンおよび第２導電パターンと一体形成されることで、剥離による導通不良や、配線基板に生じるクラック等を防止することができる。【００１５】
また、第１導電パターンと第２導電パターンとを、従来のようにスルーホールの内壁にメッキを施して接続する場合、接続部分での抵抗値が大きくなる。これに対し、本発明のように、層間接続導体とする層間接続導体を第１導電パターンおよび第２導電パターンに一体形成することで、接続部分の抵抗値が大きくなることがないため、斯かる問題を回避できる。【００１６】
本発明に係る配線基板において、前記第１導電パターンは前記絶縁層側に一体形成されたランドを有しており、前記ランドに実装され、前記絶縁層内に配置された電子部品をさらに備える構成でもよい。【００１７】
上述の通り、本発明の層間接続導体は、面方向への広がりが小さいため、この構成では、絶縁層内に電子部品を内蔵する場合に、配線基板を小型化することができる点で有利である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、配線基板の小型化の弊害とならないように、層間接続導体における信頼性を低下させないようにできる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】特許文献１に記載の配線基板の模式的な断面図。
【図２】実施形態１に係る配線基板の模式的な断面図。
【図３Ａ】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図３Ｂ】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図３Ｃ】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図３Ｄ】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図３Ｅ】実施形態１に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図４】実施形態２に係る配線基板の模式的な断面図。
【図５Ａ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図５Ｂ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図５Ｃ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図５Ｄ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図６Ａ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図６Ｂ】実施形態２に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図７】実施形態３に係る配線基板の模式的な断面図。
【図８Ａ】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図８Ｂ】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図８Ｃ】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図８Ｄ】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【図８Ｅ】実施形態３に係る配線基板の製造工程を順に示した模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る配線基板は、絶縁樹脂からなる絶縁層と、絶縁層に設けられた導電性の配線パターン（導電パターン）とを備えている。絶縁層は一層であってもよいし、複数層であってもよい。また、絶縁層を形成する絶縁樹脂は、例えば、ガラスエポキシ樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂は、接着性や強度が優れている点で好ましい。
【００２１】
配線基板は、配線パターンを介して絶縁層の表面に搭載された電子部品と配線基板を搭載する主基板（例えば、マザーボード）とを電気的に接続する。配線基板に搭載される電子部品は、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子、または、コンデンサ、インダクタ等の受動素子等である。
【００２２】
（実施形態１）
図２は実施形態１に係る配線基板の模式的な断面図である。実施形態１に係る配線基板１は、絶縁層１０の上面に上側配線パターン１１が形成され、下面に下側配線パターン１２が形成された構成である。
【００２３】
絶縁層１０は０．１０ｍｍの厚みを有している。絶縁層１０の上面には上側配線パターン１１が形成され、下面には下側配線パターン１２が形成されている。上側配線パターン１１および下側配線パターン１２は、それぞれ０．１０ｍｍの厚みを有し、絶縁層１０の厚み方向において略一致する位置に形成されている。
【００２４】
上側配線パターン１１には、厚み方向に沿った下側、すなわち、下側配線パターン１２側に突出した凸部１１Ａが一体形成されている。換言すれば、上側配線パターン１１および凸部１１Ａは、同一の金属部材から形成され、間には接合界面が存在しない。凸部１１Ａは、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２間の略中央までの高さ（厚さ方向の長さ）を有し、下側配線パターン１２側に向かって徐々に細くなった円錐台である。下側配線パターン１２側となる凸部１１Ａの先端部（以下、接合端部という）の径は、約０．６ｍｍとなっている。なお、凸部１１Ａは、台形の側面を有する四角柱であってもよい。
【００２５】
また、下側配線パターン１２には、上側配線パターン１１側に突出した凸部１２Ａが一体形成されている。すなわち、下側配線パターン１２および凸部１２Ａは、同一の金属部材から形成され、間には接合界面が存在しない。凸部１２Ａは、凸部１１Ａと略同形状を有している。
【００２６】
上側配線パターン１１の凸部１１Ａと、下側配線パターン１２の凸部１２Ａとは、接合端部同士が密着して接合している。以下、凸部１１Ａと凸部１２Ａとが接合したものを、層間接続導体１３という。上側配線パターン１１および下側配線パターン１２は、層間接続導体１３により導通するようになっている。
【００２７】
このように、層間接続導体１３を二つの凸部１１Ａ，１２Ａを接合して形成することで、凸部１１Ａ，１２Ａの高さを、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２間の長さの約１／２にすることができる。その結果、層間接続導体１３を一の部材から形成した場合との対比において、絶縁層１０の厚み方向に直交する方向（以下、平面方向という）における凸部１１Ａ，１２Ａの広がりを小さくすることができる。これにより、配線基板１の小型化が可能となる。
【００２８】
また、凸部１１Ａ，１２Ａは、それぞれ上側配線パターン１１および下側配線パターン１２に一体形成されているため、接合界面が凸部１１Ａ，１２Ａの間以外に存在しない。これにより、膨張率の違いから生じる応力を原因とする剥離による導通不良や、配線基板１に生じるクラック等を防止することができ、層間接続導体１３における接続信頼性を向上させることができる。
【００２９】
次に、配線基板１の製造方法について説明する。図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄおよび図３Ｅは、実施形態１に係る配線基板１の製造工程を順に示した模式図である。第１工程から第３工程では、同じものを二つ、すなわち、図２の上側配線パターン１１側と、下側配線パターン１２側とを製造するが、以下では、上側配線パターン１１について説明し、下側配線パターン１２については対応する符号を括弧書きで記載する。
【００３０】
最初の第１工程では（図３Ａ）、厚さ０．３ｍｍの銅板１１０の厚み方向において対向する両面に厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト２１を貼り付ける。なお、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄおよび図３Ｅでは、銅板１１０の側面方向から見た図である。
【００３１】
次に、第２工程では（図３Ｂ）、ドライフィルムレジスト２１を貼り付けた銅板１１０の片面に、接合端部の径が０．６ｍｍとなる円錐台の凸部１１Ａ（１２Ａ）が残るようにしてエッチングする。また、エッチング後にドライフィルムレジスト２１を剥離する。
【００３２】
第３工程では（図３Ｃ）、第２工程でエッチング処理を施した銅板１１０に絶縁樹脂２２を塗布する。このとき、凸部１１Ａ（１２Ａ）は、絶縁樹脂２２（２３）よりも０．０５ｍｍ突出する状態とする。絶縁樹脂２２，２３は前述の絶縁層１０となる。
【００３３】
第４工程では（図３Ｄ）、第３工程までに製造したものを凸部１１Ａ，１２Ａが向かい合わせて、凸部１１Ａおよび凸部１２Ａの接合端部同士を密着させ、その状態で、１８０℃、１０ＭＰａで１時間、加熱、加圧することで圧着接合する。これにより、凸部１１Ａ，１２Ａが結合した一つの層間接続導体１３が形成されるようになる。
【００３４】
第５工程では（図３Ｅ）、第４工程で得られた積層体を圧着プレスした後、積層体の両面をサブトラクティブ法（不要な部分を取り除いて回路を残す方法）によりパターン形成を行うことで、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２が形成される。これにより、配線基板１が形成される。
【００３５】
このように、層間接続導体１３を二つの凸部１１Ａ，１２Ａを接合して構成することで、配線基板１の平面方向における広がりを抑えることができ、配線基板１の小型化を実現できる。また、凸部１１Ａ，１２Ａはそれぞれ、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２に一体形成されている。換言すれば、凸部１１Ａ，１２Ａの接合界面以外に、接合界面が存在しない。これにより、膨張率の違いから生じる応力を原因とする剥離による導通不良や、配線基板１に生じるクラック等を防止することができ、層間接続導体１３における接続信頼性を向上させることができる。
【００３６】
なお、上側配線パターン１１の凸部１１Ａと下側配線パターン１２の凸部１２Ａとの接合界面に導電性接着剤が塗布されていてもよい。導電性接着剤は、例えば、ナノ銀またはナノ銅の低抵抗導電性ペーストである。なお、導電性接着剤としては、金属粉末を含む樹脂組成物であってもよい。導電性接着剤を塗布することで、層間接続導体１３の接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００３７】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る配線基板について説明する。実施形態２に係る配線基板は、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２の間にさらに配線パターンが積層されている点で、実施形態１と相違する。以下、その相違点についてのみ説明する。
【００３８】
図４は、実施形態２に係る配線基板の模式的な断面図である。実施形態２に係る配線基板２は、図４に示すように、絶縁層１０内の上側配線パターン１１および下側配線パターン１２の間に第１中間層配線パターン１４および第２中間層配線パターン１５がさらに積層されている。第１中間層配線パターン１４は下側配線パターン１２側に積層され、第２中間層配線パターン１５は上側配線パターン１１側に積層されている。すなわち、絶縁層１０の上面側から、上側配線パターン１１、第２中間層配線パターン１５、第１中間層配線パターン１４および下側配線パターン１２の順に積層されている。
【００３９】
第１中間層配線パターン１４には、第２中間層配線パターン１５側に突出する凸部１４Ａおよび上側配線パターン１１側に突出する凸部１４Ｂが一体形成されている。すなわち、第１中間層配線パターン１４、および凸部１４Ａ，１４Ｂは、同一の金属部材から形成され、間には接合界面が存在しない。凸部１４Ａ，１４Ｂは、凸部１１Ａおよび凸部１２Ａと同形状および同サイズである。凸部１４Ａは、後述の第２中間層配線パターン１５の凸部１５Ｂと接合端部同士が接合されている。凸部１４Ｂは、下側配線パターン１２の凸部１２Ａと接合端部同士が接合されている。
【００４０】
第２中間層配線パターン１５には、上側配線パターン１１側に突出する凸部１５Ａおよび第１中間層配線パターン１４側に突出する凸部１５Ｂが一体形成されている。すなわち、第２中間層配線パターン１５、および凸部１５Ａ，１５Ｂは、同一の金属部材から形成され、間には接合界面が存在しない。凸部１５Ａ，１５Ｂは、凸部１１Ａおよび凸部１２Ａと同形状および同サイズである。凸部１５Ａは、上側配線パターン１１の凸部１１Ａと接合端部同士が接合している。また、凸部１５Ｂは、第１中間層配線パターン１４の凸部１４Ａと接合端部同士が接合している。
【００４１】
凸部１１Ａ，１５Ａにより、上側配線パターン１１および第２中間層配線パターン１５が導通するようになっている。凸部１５Ｂ，１４Ａにより、第１中間層配線パターン１４および第２中間層配線パターン１５が導通するようになっている。凸部１４Ｂ，１２Ａにより、第１中間層配線パターン１４および下側配線パターン１２が導通するようになっている。
【００４２】
このように、絶縁層１０に配線パターンを内蔵させ、多層化することにより、配線基板２を平面方向に大きくなることを抑制することができ、小型化を実現することができる。
【００４３】
以下に、実施形態２に係る配線基板２の製造方法について説明する。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃおよび図５Ｄならびに図６Ａおよび図６Ｂは、実施形態２に係る配線基板２の製造工程を順に示した模式図である。
【００４４】
実施形態１で説明した図３Ａから図３Ｃまでの製造工程を行い、図５Ａに示すように、銅板１５０に一体形成した凸部１５Ｂと、銅板１４０に一体形成した凸部１４Ａとの接合端部同士を接合し、間に絶縁樹脂２４を積層させた積層体を形成する。以下、凸部１５Ｂが形成された面と反対側の銅板１５０の面を上面とする。また、凸部１４Ａが形成された面と反対側の銅板１４０の面を下面とする。
【００４５】
次の工程では、図５Ｂに示すように、銅板１５０には、凸部１５Ｂと対向する上面の位置に、上面の法線方向に突出する凸部１５Ａを一体形成する。また、銅板１４０には、凸部１４Ａと対向する下面の位置に、下面の法線方向に突出する凸部１４Ｂを一体形成する。
【００４６】
さらに、図５Ｃに示すように、積層体の両面をサブトラクティブ法によりパターン形成を行うことで、第１中間層配線パターン１４および第２中間層配線パターン１５を形成する。この工程では、凸部１４Ｂ，１５Ａの接合端部に残存しているレジストを剥離する。
【００４７】
続いて、図５Ｄに示すように、積層体の凸部１５Ａ側に絶縁樹脂２５を塗布し、凸部１４Ｂ側に絶縁樹脂２６を塗布する。このとき、凸部１５Ａ，１４Ｂはそれぞれ、絶縁樹脂２５，２６よりも０．０５ｍｍ突出する状態とする。
【００４８】
次の工程では、実施形態１で説明した図３Ａから図３Ｃまでの製造工程を行って生成した、銅板１１０に一体形成した凸部１１Ａおよび銅板１２０に一体形成した凸部１２Ａを、図５Ｄまでに生成した積層体にさらに積層する。
【００４９】
続いての工程では（図６Ａ）では、凸部１１Ａと凸部１５Ａとの接合端部同士を接合し、また、凸部１２Ａと凸部１４Ｂとの接合端部同士を接合する。各接合端部同士を密着させ、その状態で、１８０℃、１０ＭＰａで１時間、加熱、加圧することで圧着接合する。
【００５０】
次の工程では（図６Ｂ）、圧着した積層体の上下面をサブトラクティブ法によりパターン形成を行うことで、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２を形成する。これにより、配線基板２が形成される。
【００５１】
以上のように、本実施形態２では、絶縁層１０に配線パターンを内蔵させ、多層化することにより、配線基板２を平面方向に大きくなることを抑制することができ、小型化を実現することができる。
【００５２】
（実施形態３）
次に、実施形態３に係る配線基板について説明する。実施形態３に係る配線基板３は、実施形態１に係る配線基板の絶縁層内に電子部品を実装している点で、実施形態１と相違する。
【００５３】
図７は、実施形態３に係る配線基板の模式的な断面図である。実施形態３に係る配線基板３の下側配線パターン１２には、ランド１２Ｂが一体形成されている。ランド１２Ｂには、電子部品１５が実装されている。このため、電子部品１５を絶縁層１０に内蔵することにより配線基板３を小型化することができる。
【００５４】
なお、電子部品１５には、例えばシリコン半導体素子、ガリウム砒素半導体素子等の能動素子、または、コンデンサ、インダクタ等の受動素子等が挙げられる。
【００５５】
以下に、実施形態３に係る配線基板３の製造方法について説明する。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄおよび図８Ｅは、実施形態３に係る配線基板３の製造工程を順に示した模式図である。
【００５６】
最初の第１工程では（図８Ａ）、厚さ０．３ｍｍの銅板１２０の厚み方向において対向する両面に厚さ１５μｍのドライフィルムレジスト（不図示）を貼り付ける。そして、ドライフィルムレジストを貼り付けた銅板１２０の片面に、径が０．６ｍｍとなる円錐台の凸部１２Ａが残るようにしてエッチングする。
【００５７】
次に第２工程では（図８Ｂ）、図８Ａでのエッチング処理後の銅板１２０をさらにエッチングしてランド１２Ｂを形成する。このランド１２Ｂを形成することで、図８Ａで形成した凸部１２Ａの長さは、ランド１２Ｂの形成のためにエッチングした分長くなる。また、この工程では、凸部１２Ａの接合端部およびランド１２Ｂに残存しているレジストを剥離する。
【００５８】
第３工程では（図８Ｃ）、形成したランド１２Ｂに電子部品１５を搭載する。この後、第４工程では（図８Ｄ）、絶縁樹脂２３を銅板１２０上に積層する。絶縁樹脂２３は液状であり、銅板１２０上に塗布した後、真空脱泡し、加熱することにより半硬化状態で電子部品１５を封止する。このとき、凸部１２Ａは、絶縁樹脂２３より０．１５ｍｍ突出する状態とする。
【００５９】
次の工程では（図８Ｅ）、実施形態１で説明した工程と同様に形成した、銅板１１０に一体形成した凸部１１Ａの接合端部と、図８Ｃまでに形成した凸部１２Ａの接合端部とを密着させ、その状態で、１８０℃、１０ＭＰａで１時間、加熱、加圧することで圧着接合する。これにより、凸部１１Ａ，１２Ａが結合した一つの層間接続導体１３が形成されるようになる。
【００６０】
その後、図８Ｅまでに生成された積層体を圧着プレスした後、積層体の両面をサブトラクティブ法によりパターン形成を行うことで、上側配線パターン１１および下側配線パターン１２が形成される。これにより、配線基板３が形成される。
【００６１】
以上のように、本実施形態３では、電子部品１５を絶縁層１０に内蔵することにより配線基板３を小型化することができる。
【００６２】
以上、本発明に係る配線基板について詳述に説明したが、配線基板の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用および効果は、本発明から生じる最も好適な作用および効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用および効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６３】
１−配線基板
１０−絶縁層
１１−上側配線パターン
１１Ａ−凸部
１２−下側配線パターン
１２Ａ−凸部
１３−層間接続導体
【図１】
2013008592.tif 000003
【図２】
2013008592.tif 000004
【図３Ａ】
2013008592.tif 000005
【図３Ｂ】
2013008592.tif 000006
【図３Ｃ】
2013008592.tif 000007
【図３Ｄ】
2013008592.tif 000008
【図３Ｅ】
2013008592.tif 000009
【図４】
2013008592.tif 000010
【図５Ａ】
2013008592.tif 000011
【図５Ｂ】
2013008592.tif 000012
【図５Ｃ】
2013008592.tif 000013
【図５Ｄ】
2013008592.tif 000014
【図６Ａ】
2013008592.tif 000015
【図６Ｂ】
2013008592.tif 000016
【図７】
2013008592.tif 000017
【図８Ａ】
2013008592.tif 000018
【図８Ｂ】
2013008592.tif 000019
【図８Ｃ】
2013008592.tif 000020
【図８Ｄ】
2013008592.tif 000021
【図８Ｅ】
2013008592.tif 000022
【国際調査報告】
2013008592.tif 000023
2013008592.tif 000024
2013008592.tif 000025
2013008592.tif 000026
2013008592.tif 000027
2013008592.tif 000028