(57)【要約】  周期的な凹凸部２０を表面に有する反射防止構造体１０と、凹凸部２０上に成膜される透明導電膜３０とを有する積層体２において、最外側の凸部２１を除く任意の凸部２１−１と、任意の凸部２１−１からの距離の合計が最短である６個の凸部２１−２〜２１−７とは、（１）６個の凸部２１−２〜２１−７のうちの４個の凸部２１−２、２１−３、２１−５、２１−６のそれぞれと任意の凸部２１−１との間に凸部２１の頂点２１ａよりも低く凹部２２の底点２２ａよりも高い位置で凸部同士を連結する連結部２３が存在し、（２）６個の凸部２１−２〜２１−７のうちの残りの２個の凸部２１−４、２１−７のそれぞれと任意の凸部２１−１との間に凹部２２が存在するように配置される。
2013084900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体と、
前記凹凸部上に成膜される透明導電膜とを有し、
最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である６個の凸部とは、（１）該６個の凸部のうちの４個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、（２）該６個の凸部のうちの残りの２個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記任意の凸部を中心に交差する３方向のうち、２方向に沿って前記凸部と前記連結部とが交互に配置され、残りの一方向に沿って前記前記凸部と前記凹部とが交互に配置される請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記凸部は、正六方格子状に周期的に配置される請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記凸部は、正四方格子状に周期的に配置される請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項５】
金属電極層、発光層、透明電極層、及び透明基板が積層された構成を有し、
前記透明電極層は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層体で形成された表示装置。
【請求項６】
金属電極層、発光層、透明電極層、及び透明基板が積層された構成を有し、
前記透明電極層は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層体で形成された照明装置。
【請求項７】
金属電極層、発電層、透明電極層、及び透明基板が積層された構成を有し、
前記透明電極層は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の積層体で形成された太陽電池。
【請求項８】
周期的な凹凸部を表面に有する原型を用いて周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体を製造する工程と、
前記反射防止構造体の前記凹凸部上に透明導電膜を成膜する工程とを有し、
前記原型において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である６個の凸部とは、（１）該６個の凸部のうちの４個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、（２）該６個の凸部のうちの残りの２個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項９】
前記任意の凸部を中心に交差する３方向のうち、２方向に沿って前記凸部と前記連結部とが交互に配置され、残りの一方向に沿って前記前記凸部と前記凹部とが交互に配置される請求項８に記載の積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記原型を製造する工程をさらに有し、
該工程は、
基体上にレジスト膜を成膜する工程と、
該レジスト膜の表面に、第１の方向に沿って光強度が変化する第１の干渉縞を露光する工程と、
該レジスト膜の表面に、前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って光強度が変化する第２の干渉縞を露光する工程と、
前記第１及び第２の干渉縞の露光後に、前記レジスト膜を現像する工程とを有する請求項８又は９に記載の積層体の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の方向と前記第２の方向とのなす角が６０°である請求項１０に記載の積層体の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の方向と前記第２の方向とのなす角が９０°である請求項１０に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、及び積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等の表示装置や太陽電池向けに、周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体が開発されている（例えば、特許文献１参照）。反射防止構造体は、所謂モスアイ（Moth Eye）型であって、凸部のピッチが可視光の波長以下のため、広い波長範囲で光反射率を低減し光透過率を向上することができる。この反射防止構造体の凹凸部上に透明導電膜を成膜してなる積層体は、例えば抵抗膜式や静電容量式のタッチパネル等に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０２７９０９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の反射防止構造体の凹凸部は、平面上に錐状の突起部が多数配列された構造を有する。突起部の充填率を高めるため、突起部は六方格子状又は四方格子状に周期的に配置される。突起部の充填率をさらに高めるため、突起部の下部同士が重なり合うように配置されることがある。【０００５】
突起部の下部同士が重なり合うと、凸部の頂点と凹部の底点との高低差が小さくなるので、十分な低反射率が得られなくなる。【０００６】
また、十分な低反射率を得るため、凸部の頂点と凹部の底点との高低差を大きく設定すると、突起部の側面が急峻となるので、突起部の側面上に成膜される透明導電膜の厚さが薄くなりやすく、導電性が低くなることがあった。そのため、従来の構造では、低反射性と高導電性との両立が難しかった。【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、低反射性及び高導電性に優れた積層体、及び積層体の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を解決するため、本発明の一の態様による積層体は、
周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体と、
前記凹凸部上に成膜される透明導電膜とを有し、
最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である６個の凸部とは、（１）該６個の凸部のうちの４個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、（２）該６個の凸部のうちの残りの２個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする。【０００９】
さらに、本発明の他の態様による積層体の製造方法は、
周期的な凹凸部を表面に有する原型を用いて周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体を製造する工程と、
前記反射防止構造体の前記凹凸部上に透明導電膜を成膜する工程とを有し、
前記原型において、最外側の凸部を除く任意の凸部と、該任意の凸部からの距離の合計が最短である６個の凸部とは、（１）該６個の凸部のうちの４個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凸部の頂点よりも低く凹部の底点よりも高い位置で凸部同士を連結する連結部が存在し、（２）該６個の凸部のうちの残りの２個の前記凸部のそれぞれと前記任意の凸部との間に凹部が存在するように、配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、低反射性、耐擦傷性及び高導電性に優れた積層体、及び積層体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態による積層体の一部を示す斜視図である。
【図２】図１の反射防止構造体を示す斜視図である。
【図３】図２の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図（その１）である。
【図４】図２の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。
【図５】図２の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図（その２）である。
【図６】本発明の第１の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図（その１）である。
【図７】本発明の第１の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図（その２）である。
【図８】図６の原型の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図（その３）である。
【図１０】本発明の第２の実施形態による積層体の一部を示す斜視図である。
【図１１】図１０の反射防止構造体を示す斜視図である。
【図１２】図１１の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。
【図１３】図１１の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。
【図１４】積層体を用いた表示装置の一例を示す断面図である。
【図１５】積層体を用いた照明装置の一例を示す断面図である。
【図１６】積層体を用いた太陽電池の一例を示す断面図である。
【図１７】比較例１による解析モデルの作製方法を示す説明図である。
【図１８】実施例１及び比較例１による表面抵抗率の測定結果を示す図である。
【図１９】実施例１及び比較例１による反射率の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成については同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。
【００１３】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態による積層体の一部を示す斜視図である。図１において、積層体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。
【００１４】
積層体２は、周期的な凹凸部２０を表面に有する反射防止構造体１０と、凹凸部２０上に成膜される透明導電膜３０とを備える。透明導電膜３０の表面形状は凹凸部２０に倣った形状である。凹凸部２０と透明導電膜３０との間には、抵抗を下げるため、図示されない金属膜が形成されてもよい。金属膜の厚さは、光透過率の観点から１０ｎｍ以下であってもよい。この積層体２は、例えば抵抗膜式や静電容量式のタッチパネル等に用いられる。
【００１５】
図２は、図１の反射防止構造体を示す斜視図である。図２において、反射防止構造体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。図３は、図２の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図（その１）である。図３（Ａ）は凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の一部を示す。図３において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点を結ぶ格子を太線で示す。図４は、図２の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。図４（Ａ）は図３のＡ−Ａ線に沿った断面における凹凸、図４（Ｂ）は図３のＢ−Ｂ線に沿った断面における凹凸、図４（Ｃ）は図３のＣ−Ｃ線に沿った断面における凹凸、図４（Ｄ）は図３のＤ−Ｄ線に沿った断面における凹凸を示す。
【００１６】
反射防止構造体１０は、所謂モスアイ型であって、図２に示すように、基体１２と基体１２上に形成される樹脂層１４とで構成される。基体１２及び樹脂層１４は、透光性を有してもよい。樹脂層１４の表面には、周期的な凹凸部２０が形成されている。尚、反射防止構造体１０は、樹脂層１４のみで構成されてもよい。
【００１７】
基体１２は、例えばシート状、板状、又はブロック状に形成される。基体１２の材料は、特に限定されないが、例えばガラス又はプラスチック等が用いられる。
【００１８】
ガラスとしては、例えばソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等が用いられる。ガラスの成形方法としては、例えばフロート法、フュージョン法等が用いられる。
【００１９】
プラスチックとしては、例えばポリメチルメタアクリレート、メチルメタクリレートと他のアルキル（メタ）アクリレート、スチレンなどといったビニルモノマーとの共重合体などの（メタ）アクリル系樹脂；ポリカーボネート、ジエチレングリコールビスアリルカーボネート（ＣＲ−３９）などのポリカーボネート系樹脂；（臭素化）ビスフェノールＡ型のジ（メタ）アクリレートの単独重合体ないし共重合体、（臭素化）ビスフェノールＡモノ（メタ）アクリレートのウレタン変性モノマーの重合体及び共重合体などといった熱硬化性（メタ）アクリル系樹脂；ポリエステル特にポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート及び不飽和ポリエステル、アクリロニトリル−スチレン共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、シクロオレフィンポリマー（商品名：アートン、ゼオノア）などが好ましい。また、耐熱性を考慮したアラミド系樹脂の使用も可能である。
【００２０】
樹脂層１４は、例えば基体１２上に熱硬化性又は光硬化性の樹脂を塗布し、硬化してなる。樹脂層１４の表面には凹凸部２０が形成される。
【００２１】
凹凸部２０は、図２及び図３に示すように、凸部２１と、凹部２２と、凸部２１の頂点２１ａよりも低く凹部２２の底点２２ａよりも高い位置で所定の凸部２１同士を連結する連結部２３とを有する。複数の凸部２１と、複数の凹部２２と、複数の連結部２３とが２次元的に配列されている。
【００２２】
凸部２１は、例えば正六方格子状、準六方格子状、正四方格子状、又は準四方格子状（図２及び図３では正六方格子状）に周期的に配置される。凸部２１の充填率を高めるため、凸部２１は六方格子状に周期的に配置されることが好ましい。以下、凸部２１が六方格子状に周期的に配置される場合について説明する。尚、凸部２１が四方格子状に周期的に配置される場合については、第２の実施形態で説明する。
【００２３】
「正六方格子状に周期的に配置される」とは、図３に示すように、最外側の凸部２１を除く任意の凸部２１−１の周囲に、該任意の凸部２１−１からの距離が最短で且つ等しい６個の凸部２１−２〜２１−７が配置されることを意味する。６個の凸部２１−２〜２１−７の頂点は、凸部２１−１の頂点を中心に６０°間隔で等ピッチで配置され、正六角形状の格子を構成する。
【００２４】
「準六方格子状に周期的に配置される」とは、正六方格子に準ずる形状に周期的に配置されることを意味する。正六方格子に準ずる形状は、正六角形状の格子を所定の方向に引き伸ばした形状等、正六角形状の格子を歪ませた形状である。正六角形状の格子を歪ませた形状の格子は、直線形状、曲線形状、又は蛇行形状に連続的に並んでもよい。
【００２５】
本実施形態では、図３に示すように、最外側の凸部２１を除く任意の凸部２１−１と、該凸部２１−１からの距離の合計（和）が最短である６個の凸部２１−２〜２１−７とは、下記の条件（１）及び（２）を満たすように配置される。
（１）６個の凸部２１−２〜２１−７のうちの４個の凸部２１−２、２１−３、２１−５、２１−６のそれぞれと、凸部２１−１との間に連結部２３が存在する。
（２）６個の凸部２１−２〜２１−７のうちの残りの２個の凸部２１−４、２１−７のそれぞれと、凸部２１−１との間に凹部２２が存在する。
【００２６】
「距離」は、凸部２１の頂点２１ａ同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である６個の凸部の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の条件（１）及び（２）が成立する。尚、本実施形態では、距離の合計が最短である６個の凸部の組合せは１つだけである。
【００２７】
上記の条件（１）及び（２）が成立する場合、図３に示す任意の凸部２１−１を中心に交差する３方向のうち、２方向（Ｆ１方向及びＦ２方向）に沿って凸部２１と連結部２３とが交互に配置され、残りの一方向（Ｆ３方向）に沿って凸部２１と凹部２２とが交互に配置される。Ｆ１方向、Ｆ２方向、及びＦ３に間隔をおいて並ぶ凸部２１のピッチＰ１（図４（Ａ）及び図４（Ｂ）参照）は、可視光の波長以下の長さに設定されてもよい。Ｆ３方向と垂直な方向に間隔をおいて並ぶ凸部２１のピッチＰ２（図４（Ｃ）参照）は、ピッチＰ１よりも大きい。Ｆ１方向と平行な方向に沿って凹部２２と連結部２３とが交互に配置されている（図３及び図４（Ｄ）参照）。
【００２８】
このように、凸部２１及び凹部２２が交互に配置される方向と、凸部２１及び連結部２３が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部２１の頂点２１ａと凹部２２の底点２２ａとの高低差Ｈ１（図４（Ｂ）参照）と、凸部２１の頂点２１ａと連結部２３の所定部分２３ａ（図２参照）との高低差Ｈ２（図４（Ａ）参照）とを独立に設計可能である。従って、高低差Ｈ１と、高低差Ｈ２とを独立に最適化することが可能である。ここで、連結部２３の所定部分２３ａは、凸部２１の頂点２１ａ同士の間における最も低い部分であって、凹部２２の底点２２ａ同士の間における最も高い部分である。
【００２９】
高低差Ｈ１と高低差Ｈ２の最適化のため、先ず、ピッチＰ１の範囲が設定されてもよい。ピッチＰ１は、上述の如く、可視光の波長以下の長さに設定されるので、例えば４００ｎｍ以下（好ましくは３００ｎｍ以下）であってもよい。また、ピッチＰ１は、生産性の観点から、例えば５０ｎｍ以上（好ましくは１００ｎｍ以上）であってもよい。従って、ピッチＰ１は５０ｎｍ〜４００ｎｍであってもよい。
【００３０】
次いで、凹凸部２０のアスペクト比の範囲が設定される。凹凸部２０のアスペクト比は、凸部２１の頂点２１ａと凹部２２の底点２２ａとの高低差Ｈ１と、凸部２１のピッチＰ１との比Ｈ１／Ｐ１で表される。アスペクト比Ｈ１／Ｐ１は、反射防止構造体１０の低反射性の観点から、例えば０．５以上（好ましくは０．７以上、より好ましくは１以上）である。また、アスペクト比Ｈ１／Ｐ１は、生産性の観点から、例えば４以下（好ましくは３以下、より好ましくは２以下）である。尚、凸部２１のＦ１方向におけるピッチと、凸部２１のＦ２方向におけるピッチと、凸部２１のＦ３方向におけるピッチとが異なる場合、最短のピッチでアスペクト比が求められる。アスペクト比Ｈ１／Ｐ１が０．５〜４であるので、高低差Ｈ１は例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。
【００３１】
次いで、高低差Ｈ１と高低差Ｈ２との比Ｈ２／Ｈ１が設定される。比Ｈ２／Ｈ１が大きくなるほど、連結部２３の所定部分２３ａの高さが低くなるので、反射防止構造体１０の低反射性が良くなる。比Ｈ２／Ｈ１は、例えば０．１以上（好ましくは０．２以上、より好ましくは０．３以上）である。一方、比Ｈ２／Ｈ１が小さくなるほど、詳しくは後述するが、凸部２１の頂点２１ａと連結部２３の所定部分２３ａとの間において、傾斜が緩やかになり、透明導電膜３０の厚さが厚くなるので、電流が流れやすくなる。比Ｈ２／Ｈ１は、例えば０．９以下（好ましくは０．７以下、より好ましくは０．５以下）である。比Ｈ２／Ｈ１が０．１〜０．９であるので、高低差Ｈ２は例えば３０ｎｍ〜３００ｎｍであってもよい。
【００３２】
本実施形態では、高低差Ｈ１と、高低差Ｈ２とを独立に最適化することが可能であるので、アスペクト比Ｈ１／Ｐ１と、比Ｈ２／Ｈ１を独立に最適化することが可能であり、低反射性と高導電性の両立が可能である。
【００３３】
ピッチＰ１、高低差Ｈ１、高低差Ｈ２等は、透明導電膜３０の成膜前に原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）により撮影したＡＦＭ画像、及びその断面プロファイルから求められる。
【００３４】
尚、本実施形態では、直線方向であるＦ１方向及びＦ２方向に沿って凸部２１と連結部２３とが交互に配列され、直線方向であるＦ３方向に沿って凸部２１と凹部２２とが交互に配列されるが、上記の条件（１）及び（２）が成立する限り、本発明はこれに限定されない。例えば、六角形状の格子を湾曲状に配列する場合、所定の曲線方向に沿って凸部２１と連結部２３とが交互に配列されてもよい。
【００３５】
尚、本実施形態では、凸部２１の配置について着目したが、凹部２２の配置について着目してもよい。
【００３６】
図５は、図２の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図（その２）である。図５（Ａ）は凹部の底点を結ぶ格子の配列を示し、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を示す。図５において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凹部の底点を結ぶ格子を太線で示す。
【００３７】
図５に示すように、最外側の凹部２２を除く任意の凹部２２−１と、該凹部２２−１からの距離の合計（和）が最短である６個の凹部２２−２〜２２−７とは、下記の条件（３）及び（４）を満たすように配置される。
（３）６個の凹部２２−２〜２２−７のうちの４個の凹部２２−２、２２−３、２２−５、２２−６のそれぞれと、凹部２２−１との間に連結部２３が存在する。
（４）６個の凹部２２−２〜２２−７のうちの残りの２個の凹部２２−４、２２−７のそれぞれと、凹部２２−１との間に凸部２１が存在する。
【００３８】
「距離」は、凹部２２の底点２２ａ同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である６個の凹部２２の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の条件（３）及び（４）が成立する。本実施形態では、距離の合計が最短である６個の凹部２２の組合せは１つだけである。
【００３９】
透明導電膜３０は、反射防止構造体１０の凹凸部２０上に成膜される。透明導電膜３０の表面形状は、凹凸部２０に倣った形状であって、凹凸部２０の表面形状と略同一である。
【００４０】
透明導電膜３０の平均厚さが厚くなるほど、透明導電膜３０の導電性が高くなる。透明導電膜３０の平均厚さが厚くなりすぎると、光の反射率が上がるおそれがある。透明導電膜３０の平均厚さは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍ、好ましくは３０ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは５０ｎｍ〜８０ｎｍである。
【００４１】
透明導電膜３０の厚さは、傾斜の緩やかな部分で厚く、傾斜の急な部分で薄くなる。透明導電膜３０の厚さは、凸部２１の頂点２１ａで最も厚く、凸部２１の頂点２１ａと凹部２２の底点２２ａとの間の部分で最も薄くなる。
【００４２】
凸部２１の頂点２１ａと凹部２２の底点２２ａとの間において、高低差Ｈ１（図４（Ｂ）参照）が小さくなるほど、傾斜が緩やかになり、透明導電膜３０の厚さが厚くなるので、電気が流れやすくなる。一方で、高低差Ｈ１が小さ過ぎると、十分な低反射性が得られなくなる。
【００４３】
ところで、連結部２３の所定部分２３ａでは、凸部２１の頂点２１ａと同様に、傾斜が緩やかであるので、透明導電膜３０の厚さが厚い。そのため、凸部２１と連結部２３とが交互に配列されるＦ１方向及びＦ２方向に沿って網状に電流が流れやすい。凸部２１の頂点２１ａと連結部２３の所定部分２３ａとの間において、高低差Ｈ２（図４（Ａ）参照）が小さくなるほど（即ち、Ｈ２／Ｈ１が小さくなるほど）、傾斜が緩やかになり、透明導電膜３０の厚さが厚くなるので、電流が流れやすくなる。
【００４４】
本実施形態では、上述の如く、高低差Ｈ１と、高低差Ｈ２とを独立に最適化できるので、低反射性と、高導電性との両立が可能である。
【００４５】
透明導電膜３０の材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ：インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）などが用いられる。
【００４６】
図６及び図７は、本発明の第１の実施形態による積層体の製造方法の説明図（その１）及び（その２）である。図６は原型を用いてスタンパを作製する第１の工程を示し、図７はスタンパを用いて反射防止構造体（即ち、レプリカ）を作製する第２の工程を示す。
【００４７】
積層体の製造方法は、周期的な凹凸部６０を表面に有する原型５０を用いて、周期的な凹凸部２０を表面に有する反射防止構造体１０を製造する工程を有する。該工程は、例えば、原型５０の凹凸部６０の形状を反転転写した凹凸部８０を表面に有するスタンパ７０を作製する第１の工程と、スタンパ７０の凹凸部８０の形状を反転転写した凹凸部２０を表面に有する反射防止構造体１０を作製する第２の工程とを有する。原型５０は第１の工程において繰り返し使用可能であり、スタンパ７０は第２の工程において繰り返し使用可能である。
【００４８】
第１の工程は、例えば、原型５０を用意する工程（図６（Ａ）参照）と、原型５０の凹凸部６０上に金属膜を成膜してスタンパ７０を作製する工程（図６（Ｂ）参照）と、スタンパ７０を原型５０から剥離する工程（図６（Ｃ）参照）とを有する。スタンパ７０の材料には、例えばニッケル（Ｎｉ）等が用いられる。スタンパ７０は、例えば原型５０の凹凸部６０上に導電膜を形成した後、導電膜上にＮｉ等の金属膜を電鋳法で形成してなる。導電膜の形成方法としては、無電解メッキ、スパッタリングや真空蒸着等のＰＶＤ法が用いられる。
【００４９】
第２の工程は、例えば基体１２上に硬化性樹脂を塗布する工程（図７（Ａ）参照）と、塗布層１３の表面にスタンパ７０の凹凸部８０を押し付けた状態で塗布層１３を硬化する工程（図７（Ｂ）参照）と、塗布層１３を硬化してなる樹脂層１４からスタンパ７０を剥離する工程（図７（Ｃ）参照）とを有する。硬化性樹脂には、例えば熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が用いられる。硬化性樹脂の塗布方法としては、例えばスピンコート法、ダイコート法、インクジェット法等の一般的な方法が用いられる。
【００５０】
このようにして、反射防止構造体１０が製造される。反射防止構造体１０の凹凸部２０は、原型５０の凹凸部６０の形状を２回反転した形状を有するので、原型５０の凹凸部６０と略同じ形状、略同じ寸法を有する。
【００５１】
図８は、図６の原型の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。図８（Ａ）は凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図８（Ｂ）は図８（Ａ）の一部を示す。図８において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点を結ぶ格子を太線で示す。
【００５２】
原型５０の凹凸部６０は、反射防止構造体１０の凹凸部２０と同様に、図８に示すように、凸部６１と、凹部６２と、凸部６１の頂点６１ａよりも低く凹部６２の底点６２ａよりも高い位置で所定の凸部６１同士を連結する連結部６３とを有する。複数の凸部６１と、複数の凹部６２と、複数の連結部６３とが２次元的に配列されている。
【００５３】
凸部６１は、例えば正六方格子状、準六方格子状、正四方格子状、又は準四方格子状（本実施形態では正六方格子状）に周期的に配置される。凸部６１の充填率を高めるため、凸部６１は、六方格子状に周期的に配置されることが好ましい。
【００５４】
凸部６１が正六方格子状に周期的に配置される場合、最外側の凸部６１を除く任意の凸部６１−１の周囲に、該任意の凸部６１−１からの距離が最短で且つ等しい６個の凸部６１−２〜６１−７が配置される。６個の凸部６１−２〜６１−７の頂点は、凸部６１−１の頂点を中心に６０°間隔で等ピッチで配置され、正六角形状の格子を構成する。
【００５５】
本実施形態では、図８に示すように、最外側の凸部６１を除く任意の凸部６１−１と、該凸部６１−１からの距離の合計（和）が最短である６個の凸部６１−２〜６１−７とは、下記の条件（５）及び（６）を満たすように配置される。
（５）６個の凸部６１−２〜６１−７のうちの４個の凸部６１−２、６１−３、６１−５、６１−６のそれぞれと、凸部６１−１との間に連結部６３が存在する。
（６）６個の凸部６１−２〜６１−７のうちの残りの２個の凸部６１−４、６１−７のそれぞれと、凸部６１−１との間に凹部６２が存在する。
【００５６】
尚、本実施形態では、距離の合計が最短である６個の凸部の組合せは１つだけである。
【００５７】
上記の条件（５）及び（６）が成立する場合、図８に示す任意の凸部６１−１を中心に交差する３方向のうち、２方向（Ｆ１方向及びＦ２方向）に沿って凸部６１と連結部６３とが交互に配置され、残りの一方向（Ｆ３方向）に沿って凸部６１と凹部６２とが交互に配置される。Ｆ１方向と平行な方向に沿って、凹部６２と連結部６３とが交互に配置されている。
【００５８】
このように、原型５０において、凸部６１及び凹部６２が交互に配置される方向と、凸部６１及び連結部６３が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部６１の頂点６１ａと凹部６２の底点６２ａとの高低差と、凸部６１の頂点６１ａと連結部６３の所定部分（反射防止構造体１０の連結部２３の所定部分２３ａに対応する部分）との高低差とを独立に設計可能である。よって、図２〜図５に示す反射防止構造体１０において凸部２１の頂点２１ａと凹部２２の底点２２ａとの高低差Ｈ１と、凸部２１の頂点２１ａと連結部２３の所定部分２３ａとの高低差Ｈ２とを独立に設計可能である。よって、高低差Ｈ１と、高低差Ｈ２とを独立に最適化することが可能であるので、低反射性と耐擦傷性との両立が可能である。
【００５９】
尚、本実施形態では、反射防止構造体１０の凹凸部２０は、原型５０の凹凸部６０の形状を２回反転した形状を有するが、原型５０の凹凸部６０の形状を１回以上反転した形状を有していればよく、塗布層１３（図７参照）の表面に原型５０の凹凸部６０を押し付けた状態で塗布層１３を硬化してもよい。反転転写の回数に関係なく、反射防止構造体１０の凸部２１は上記の条件（１）及び（２）を満たすので、低反射性と耐擦傷性との両立が可能である。
【００６０】
積層体の製造方法は、反射防止構造体１０の凹凸部２０上に透明導電膜３０を成膜する図示されない工程をさらに有する。透明導電膜３０の成膜方法としては、例えば熱ＣＶＤやプラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ等のＣＶＤ法（化学蒸着法）、真空蒸着やプラズマ蒸着、スパッタリング等のＰＶＤ法（物理蒸着法）が用いられる。
【００６１】
図９は、本発明の第１の実施形態による反射防止構造体の製造方法の説明図（その３）である。図９は、原型を製造する工程を示す。
【００６２】
積層体の製造方法は、原型５０を製造する工程をさらに有してもよい。該工程は、例えば、基体５１（図６及び図７参照）上にレジスト膜５２を成膜する工程と、レジスト膜５２の表面に、第１の方向（Ｇ１方向）に光強度が変化する第１の干渉縞を露光する工程（図９（Ａ）参照）と、レジスト膜５２の表面に、第１の方向と交差する第２の方向（Ｇ２方向）に光強度が変化する第２の干渉縞を露光する工程（図９（Ｂ）参照）と、第１及び第２の干渉縞の露光後にレジスト膜５２を現像する工程とを含む。
【００６３】
基体５１（図６及び図７参照）は、例えばシート状、板状、ブロック状、又はロール状に形成される。基体５１の材料は、特に限定されないが、例えばシリコン、石英ガラス、ソーダガラス、無アルカリガラス等が用いられる。
【００６４】
レジスト膜５２の材料としては、一般的なものが用いられ、ネガ型、ポジ型のいずれも使用可能である。レジスト膜５２の材料に応じて、現像液が選定される。
【００６５】
第１の干渉縞は、２光束干渉露光法で形成される。第１の干渉縞によって感光した複数の感光部５３が第１の方向（Ｇ１方向）に間隔をおいて並ぶ。干渉波の光源としては、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（波長３２５ｎｍ）等の一般的なレーザ発振器が用いられる。
【００６６】
第２の干渉縞は、レジスト膜５２を回転した後、第１の干渉縞と同様に、２光束干渉露光法で形成される。第１の干渉縞によって感光した複数の感光部５４が第２の方向（Ｇ２方向）に間隔をおいて並ぶ。
【００６７】
尚、本実施形態では、第１の干渉縞の露光と、第２の干渉縞の露光とは、別々に行われるが、同時に行われてもよい。
【００６８】
レジスト膜５２の現像は、第１及び第２の干渉縞の露光後に行われる。レジスト膜５２を現像することにより、周期的な凹凸部６０を表面に有する樹脂層５６（図６（Ａ）参照）が得られる。
【００６９】
レジスト膜５２がネガ型の場合、強く感光した部分ほど現像後に残りやすい。そのため、感光部５３と感光部５４との交差部分５５が、現像後に凸部６１となる。凸部６１は、頂点６１ａに向けて先細り状に形成される。感光部５３、５４の交差部分５５以外の部分が、現像後に連結部６３となる。
【００７０】
また、レジスト膜５２がポジ型の場合、強く感光した部分ほど現像によって除去されやすい。そのため、感光部５３と感光部５４との交差部分５５が、現像後に凹部６２となる。凹部６２は、底点６２ａに向けて先細り状に形成される。感光部５３、５４の交差部分５５以外の部分が、現像後に連結部６３となる。
【００７１】
このようにして、原型５０が作製される。第１の方向と第２の方向とのなす角θが６０°の場合、凸部６１が正六方格子状に周期的に配置される。尚、第１の方向と第２の方向とのなす角θが９０°の場合、凸部６１が正四方格子状に周期的に配置される。
【００７２】
尚、本実施形態の原型５０は、２光束干渉露光法でレジスト膜５２に干渉縞を露光して作製されるが、原型５０の作製方法は特に限定されない。例えば、フォトリソグラフィ法、電子線（ＥＢ）描画法、レーザ描画法等で基体５１の表面に凹凸部６０を形成してもよい。
【００７３】
［第２の実施形態］
図１０は、本発明の第２の実施形態による積層体の一部を示す斜視図である。図１０において、積層体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。
【００７４】
積層体１０２は、図２に示す積層体２と同様に、周期的な凹凸部１２０を表面に有する反射防止構造体１１０と、凹凸部１２０上に成膜される透明導電膜１３０とを備える。透明導電膜１３０の表面形状は凹凸部１２０に倣った形状である。凹凸部１２０と透明導電膜１３０との間には、抵抗を下げるため、図示されない金属膜が形成されてもよい。
【００７５】
反射防止構造体１１０は、所謂モスアイ型であって、例えば、図２に示す反射防止構造体１０と同様に、基体１１２と、基体１１２上に形成される樹脂層１１４とで構成される。樹脂層１１４の表面には、周期的な凹凸部１２０が形成されている。尚、反射防止構造体１１０は、樹脂層１１４のみで構成されてもよい。
【００７６】
図１１は、本発明の第２の実施形態による反射防止構造体を示す斜視図である。図１１において、反射防止構造体の表面の凹凸を表現するため、等高線を細線で示す。図１２は、図１１の反射防止構造体の表面の凹凸を模式的に示す平面図である。図１２（Ａ）は凸部の頂点を結ぶ格子の配列を示し、図１２（Ｂ）は図１１（Ａ）の一部を示す。図１１において、図面を見やすくするため、凸部及び連結部を異なる点模様、凸部の頂点を黒丸、凹部の底点を白丸、凸部の頂点同士を結ぶ格子を太線で示す。図１３は、図１１の反射防止構造体の表面の凹凸を示す図である。図１３（Ａ）は図１２のＡ−Ａ線に沿った断面における凹凸、図１３（Ｂ）は図１２のＢ−Ｂ線に沿った断面における凹凸、図１３（Ｃ）は図１２のＣ−Ｃ線に沿った断面における凹凸を示す。
【００７７】
反射防止構造体１１０は、所謂モスアイ型であって、図１１に示すように、第１の実施形態と同様に、基体１１２と基体１１２上に形成される樹脂層１１４とで構成される。樹脂層１１４の表面には、周期的な凹凸部１２０が形成されている。
【００７８】
凹凸部１２０は、凸部１２１と、凹部１２２と、凸部１２１の頂点１２１ａよりも低く凹部１２２の底点１２２ａよりも高い位置で所定の凸部１２１同士を連結する連結部１２３とを有する。複数の凸部１２１と、複数の凹部１２２と、複数の連結部１２３とが２次元的に配列されている。
【００７９】
凸部１２１は、例えば正四方格子状に周期的に配置される。「正四方格子状に周期的に配置される」とは、図１２に示すように、最外側の凹部１２２を除く任意の凹部１２２の周囲に、該任意の凹部１２２からの距離が最短で且つ等しい４個の凸部１２１が配置されることを意味する。４個の凸部１２１の頂点１２１ａは、凹部１２２の底点１２２ａを中心に９０°間隔で等ピッチで配置され、正四角形の格子を構成する。
【００８０】
尚、凸部１２１は、準四方格子状に周期的に配置されてもよい。「準四方格子状に周期的に配置される」とは、正四方格子に準ずる形状に周期的に配置されることを意味する。正四方格子に準ずる形状は、正四角形状の格子を所定の方向に引き伸ばした形状等、正四角形状の格子を歪ませた形状である。正四角形状の格子を歪ませた形状の格子は、直線形状、曲線形状、又は蛇行形状に連続的に並んでもよい。
【００８１】
本実施形態では、図１２に示すように、最外側の凸部１２１を除く任意の凸部１２１−１と、該凸部１２１−１からの距離の合計（和）が最短である６個の凸部（例えば凸部１２１−２〜１２１−７）とは、下記の条件（７）及び（８）を満たすように配置される。
（７）６個の凸部１２１−２〜１２１−７のうちの４個の凸部１２１−２、１２１−３、１２１−５、１２１−６のそれぞれと、凸部１２１−１との間に連結部１２３が存在する。
（８）６個の凸部１２１−２〜１２１−７のうちの残りの２個の凸部１２１−４、１２１−７のそれぞれと、凸部１２１−１との間に凹部１２２が存在する。
【００８２】
「距離」は、凸部１２１の頂点１２１ａ同士の間の距離のことである。距離の合計が最短である６個の凸部の組合せが複数有る場合、全ての組合せについて上記の条件（７）及び（８）が成立する。本実施形態では、凸部１２１−１からの距離が最短で且つ等しい凸部が４個あり、凸部１２１−１からの距離が次に短く且つ等しい凸部が４個あるので、凸部１２１−１からの距離の合計が最短である６個の凸部の組合せは６個ある。６個全ての組合せについて上記の条件（７）及び（８）が成立する。
【００８３】
上記の条件（７）及び（８）が成立する場合、図１２に示す任意の凸部１２１−１を中心に交差する３方向のうち、２方向（Ｊ１方向及びＪ２方向）に沿って凸部１２１と連結部１２３とが交互に配置され、残りの一方向（Ｊ３方向）に沿って凸部１２１と凹部１２２とが交互に配置される。Ｊ１方向及びＪ２方向に間隔をおいて並ぶ凸部１２１のピッチＰ１１（図１３（Ａ）参照）は、可視光の波長以下の長さに設定されてもよい。Ｊ３方向に間隔をおいて並ぶ凸部１２１のピッチＰ１２（図１３（Ｂ）参照）はピッチＰ１１よりも大きい。Ｊ１方向と平行な方向に沿って、凹部１２２と連結部１２３とが交互に配置されている（図１２及び図１３（Ｃ）参照）。
【００８４】
このように、凸部１２１及び凹部１２２が交互に配置される方向と、凸部１２１及び連結部１２３が交互に配置される方向とが異なる。そのため、凸部１２１の頂点１２１ａと凹部１２２の底点１２２ａとの高低差Ｈ１１（図１３（Ｂ）参照）と、凸部１２１の頂点１２１ａと連結部１２３の所定部分１２３ａ（図１１参照）との高低差Ｈ１２（図１３（Ａ）参照）とを独立に設計可能である。従って、高低差Ｈ１１と、高低差Ｈ１２とを独立に最適化することが可能である。ここで、連結部１２３の所定部分１２３ａは、凸部１２１の頂点１２１ａ同士の間における最も低い部分であって、凹部１２２の底点１２２ａ同士の間における最も高い部分である。
【００８５】
高低差Ｈ１１と高低差Ｈ１２の最適化のため、先ず、ピッチＰ１１の範囲が設定されてもよい。ピッチＰ１１は、上述の如く、可視光の波長以下の長さに設定されるので、例えば４００ｎｍ以下（好ましくは３００ｎｍ以下）であってもよい。また、ピッチＰ１１は、生産性の観点から、例えば５０ｎｍ以上（好ましくは１００ｎｍ以上）であってもよい。従って、ピッチＰ１１は５０ｎｍ〜４００ｎｍであってもよい。
【００８６】
次いで、凹凸部１２０のアスペクト比の範囲が設定される。凹凸部１２０のアスペクト比は、凸部１２１の頂点１２１ａと凹部１２２の底点１２２ａとの高低差Ｈ１１と、凸部１２１のピッチＰ１１との比Ｈ１１／Ｐ１１で表される。アスペクト比Ｈ１１／Ｐ１１は、反射防止構造体１１０の低反射性の観点から、例えば０．５以上（好ましくは０．７以上、より好ましくは１以上）である。また、アスペクト比Ｈ１１／Ｐ１１は、生産性の観点から、例えば４以下（好ましくは３以下、より好ましくは２以下）である。尚、凸部１２１のＪ１方向におけるピッチと、凸部１２１のＪ２方向におけるピッチとが異なる場合、最短のピッチでアスペクト比が求められる。アスペクト比Ｈ１１／Ｐ１１が０．５〜４であるので、高低差Ｈ１１は例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍであってもよい。
【００８７】
次いで、高低差Ｈ１１と高低差Ｈ１２との比Ｈ１２／Ｈ１１が設定される。比Ｈ１２／Ｈ１１が大きくなるほど、連結部１２３の所定部分１２３ａの高さが低くなるので、反射防止構造体１１０の低反射性が良くなる。比Ｈ１２／Ｈ１１は、例えば０．１以上（好ましくは０．２以上、より好ましくは０．３以上）である。一方、比Ｈ１２／Ｈ１１が小さくなるほど、詳しくは後述するが、凸部１２１の頂点１２１ａと連結部１２３の所定部分１２３ａとの間において、傾斜が緩やかになり、透明導電膜１３０の厚さが厚くなるので、電流が流れやすくなる。比Ｈ１２／Ｈ１１は、例えば０．９以下（好ましくは０．７以下、より好ましくは０．５以下）である。比Ｈ１２／Ｈ１１が０．１〜０．９であるので、高低差Ｈ１２は例えば３０ｎｍ〜３００ｎｍであってもよい。
【００８８】
本実施形態では、高低差Ｈ１１と、高低差Ｈ１２とを独立に最適化することが可能であるので、アスペクト比Ｈ１１／Ｐ１１と、比Ｈ１２／Ｈ１１を独立に最適化することが可能であり、低反射性と高導電性の両立が可能である。
【００８９】
尚、本実施形態では、直線方向であるＪ１方向及びＪ２方向に沿って凸部１２１と連結部１２３とが交互に配列され、直線方向であるＪ３方向に沿って凸部１２１と凹部１２２とが交互に配列されるが、上記の条件（７）及び（８）が成立する限り、本発明はこれに限定されない。例えば、正四角形状の格子を湾曲状に配列する場合、所定の曲線方向に沿って凸部１２１と連結部１２３とが交互に配列されてもよい。
【００９０】
尚、本実施形態では、凸部１２１の配置について着目したが、第１の実施形態と同様に、凹部１２２の配置について着目してもよい。
【００９１】
透明導電膜１３０は、反射防止構造体１１０の凹凸部１２０上に成膜される。透明導電膜１３０の表面形状は、凹凸部１２０に倣った形状であって、凹凸部１２０の表面形状と略同一である。
【００９２】
透明導電膜１３０の平均厚さは、例えば１０ｎｍ〜８０ｎｍである。平均厚さが１０ｎｍ未満では、導電性が十分に得られない。また、平均厚さが８０ｎｍを超えると、透明導電膜１３０の表面形状が、凹凸部１２０に倣った形状となりにくい。
【００９３】
透明導電膜１３０の厚さは、傾斜の緩やかな部分で厚く、傾斜の急な部分で薄くなる。透明導電膜１３０の厚さは、凸部１２１の頂点１２１ａで最も厚く、凸部１２１の頂点１２１ａと凹部１２２の底点１２２ａとの間の部分で最も薄くなる。
【００９４】
凸部１２１の頂点１２１ａと凹部１２２の底点１２２ａとの間において、高低差Ｈ１１（図１３（Ｂ）参照）が小さくなるほど、傾斜が緩やかになり、透明導電膜１３０の厚さが薄くなるので、電気が流れやすくなる。一方で、高低差Ｈ１１が小さ過ぎると、十分な低反射性が得られなくなる。
【００９５】
ところで、連結部１２３の所定部分１２３ａでは、凸部１２１の頂点１２１ａと同様に、傾斜が緩やかであるので、透明導電膜１３０の厚さが厚い。そのため、凸部１２１と連結部１２３とが交互に配列されるＪ１方向及びＪ２方向に沿って網状に電流が流れやすい。凸部１２１の頂点１２１ａと連結部１２３の所定部分１２３ａとの間において、高低差Ｈ１２（図１３（Ａ）参照）が小さくなるほど（即ち、Ｈ１２／Ｈ１１が小さくなるほど）、傾斜が緩やかになり、透明導電膜１３０の厚さが厚くなるので、電流が流れやすくなる。
【００９６】
本実施形態では、上述の如く、高低差Ｈ１１と、高低差Ｈ１２とを独立に最適化できるので、低反射性と、高導電性との両立が可能である。
【００９７】
透明導電膜３０の材料としては、例えばＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２：インジウム錫酸化物）、ＳｎＯ２（酸化錫）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ：インジウム亜鉛酸化物）、ＡＺＯ（アルミドープ酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）などが用いられる。
【００９８】
上記構成の積層体１０２の製造方法は、第１の実施形態による積層体２の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【００９９】
以上、本発明の第１及び第２の実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に制限されない。本発明の範囲を逸脱することなく、上記の実施形態に種々の変形や置換を加えることができる。
【０１００】
例えば、積層体は、反射防止構造体の裏面（モスアイ型の凹凸部が形成される面と対向する面）に低反射処理層を有してもよい。低反射処理層は透光性を有する。低反射処理層は、光の干渉作用によって反射率を低下させてもよいし、光の吸収によって反射率を低下させてもよい。低反射処理層は、有機物及び／又は無機物で形成される。低反射処理層の形成方法には、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等のドライコーティング、ダイコート法、スプレイコート法、インクジェット法、スピンコート法等のウェットコーティングが用いられる。反射防止構造体がタッチパネルに用いられる場合、低反射処理層が外側、モスアイ型の凹凸部が内側に配置されてもよい。
【０１０１】
また、積層体は、透明導電膜上に保護層を有してもよい。保護層は透光性を有する。保護層は、透明導電膜の凹凸を吸収し、積層体の表面を平滑化する。保護層は有機物及び／又は無機物で形成される。保護層は例えばＳｉＯ２等で形成される誘電体層であってもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態の凸部は頂点に向けて先細り状であるが、凸部が平らな頂部を有してもよい。この場合、特許請求の範囲における「距離」は、凸部の頂部の中心点同士の間の距離である。同様に、上記実施形態の凹部は底点に向けて先細り状であるが、凹部が平らな底部を有してもよい。
【０１０３】
次に、上記実施形態における積層体の適用例について、図１４〜図１６と共に説明する。
【０１０４】
図１４は、積層体を用いた表示装置の一例を示す断面図である。図１４において、表示装置１４０は、金属電極層１４１、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）又は有機エレクトロルミネッセンス（ＯＥＬ：Organic Electro-Luminescence）素子で形成された発光層１４２、透明電極層１４３、及び例えばガラスなどで形成された透明基板１４４が積層された構成を有する。透明電極層１４３は、例えば図１に示す積層体２又は図１０に示す積層体１０２で形成可能である。透明電極層１４３に積層体２又は１０２の構成を用いることで、透明基板１４４と透明電極層１４３との界面での反射が低減され、光の取り出し効率が向上するため、表示装置１４０の発光効率を向上させることができる。
【０１０５】
図１５は、積層体を用いた照明装置の一例を示す断面図である。図１５において、照明装置１５０は、金属電極層１５１、例えばＯＬＥＤ又はＯＥＬ素子で形成された発光層１５２、透明電極層１５３、及び例えばガラスなどで形成された透明基板１５４が積層された構成を有する。透明電極層１５３は、例えば図１に示す積層体２又は図１０に示す積層体１０２で形成可能である。透明電極層１５３に積層体２又は１０２の構成を用いることで、透明基板１５４と透明電極層１５３との界面での反射が低減され、光の取り出し効率が向上するため、照明装置１５０の発光効率を向上させることができる。
【０１０６】
図１６は、積層体を用いた太陽電池の一例を示す断面図である。図１６において、太陽電池１６０は、金属電極層１６１、例えばＰ型シリコンで形成されたＰ型半導体層１６２−１、例えばＮ型シリコンで形成されたＮ型半導体層１６２−２、透明電極層１６３、及び例えばガラスなどで形成された透明基板１６４が積層された構成を有する。Ｐ型半導体層１６２−１及びＮ型半導体層１６２−２は、発電層の一例である。透明電極層１６３は、例えば図１に示す積層体２又は図１０に示す積層体１０２で形成可能である。透明電極層１６３に積層体２又は１０２の構成を用いることで、透明基板１６４と透明電極層１６３との界面での反射が低減され、光の取り込み効率が向上するため、太陽電池１６０の発電効率を向上することができる。
【０１０７】
なお、太陽光発電装置の一例であるソーラーパネル（図示せず）は、例えば図１６に示す如き太陽電池１６０を複数、例えばマトリクス状に配置した構成を有する。この場合、各太陽電池１６０の透明電極層１６３に積層体２又は１０２の構成を用いることで、各太陽電池１６０の透明基板１６４と透明電極層１６３との界面での反射が低減され、各太陽電池１６０光の取り込み効率が向上するため、ソーラーパネルの発電効率を向上することができる。
【実施例】
【０１０８】
以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。【０１０９】
［実施例１］
実施例１では、図６、図７及び図９に示す方法で周期的な凹凸部を表面に有する反射防止構造体を作製し、反射防止構造体の凹凸部上に透明導電膜を成膜して積層体を作製した。反射防止構造体の凹凸部の凸部は、正六方格子状に周期的に配置した。【０１１０】
スタンパの原型は、基体としてのガラス基板上にアクリル系樹脂からなるレジスト膜を成膜し、レジスト膜に干渉縞を２回露光した後、レジスト膜を現像して作製した。干渉縞の光源にはＡｒＦエキシマーレーザ（波長１９３ｎｍ）を用い、１回目の干渉縞と２回目の干渉縞との交差角は６０°とした。作製した原型は表面に凹凸部を有していた。【０１１１】
原型の凹凸部の寸法形状は、ＡＦＭ（Seiko Instruments社製、L-trace）で測定すると、凸部の頂点と凹部の底点との高低差は２５０ｎｍ、凸部の頂点と連結部との高低差は１２５ｎｍ、凸部の頂点の最短ピッチは２５０ｎｍである。【０１１２】
スタンパは、原型の凹凸部上に電鋳法でＮｉ層を形成し、Ｎｉ層を原型から剥離して作製した。スタンパの表面の寸法形状をＡＭＦで測定した結果、スタンパの表面には原型の凹凸部を反転転写した形状の凹凸部が形成されていた。【０１１３】
反射防止構造体は、基体としての二軸延伸PETフィルム上に光硬化性のアクリル系樹脂をスピンコート法で塗布し、塗布層の表面にスタンパの凹凸部を押し付けた状態でＵＶ光を照射し、塗布層を硬化して作製した。塗布層をＵＶ硬化してなる樹脂層の表面の寸法形状をＡＦＭで測定した結果、樹脂層の表面にはスタンパの凹凸部の形状を反転転写した凹凸部が形成されていた。樹脂層の凹凸部は、原型の凹凸部と略同じ寸法形状を有しており、Ｈ１（図４（Ａ）参照）＝２５０ｎｍ、Ｈ２（図４（Ｂ）参照）＝１２５ｎｍ、Ｐ１（図４（Ａ）及び（Ｂ）参照）＝２５０ｎｍである。【０１１４】
積層体は、反射防止構造体の凹凸部上に透明導電膜を成膜して作製した。透明導電膜には、真空スパッタ法で成膜したＩＴＯ膜（平均厚さ２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ）を用いた。平均厚さは、凹凸部に成膜する際に、凹凸構造のない平坦な平板部分の表面に成膜して形成される透明導電膜の厚さを意味する。【０１１５】
積層体の透明導電膜側の表面抵抗は、非接触導電率計（Delcom Instruments, Inc.社製、717 Conductance Monitor）により測定した。測定の結果を図１８に示す。図１８において、横軸は透明導電膜の厚さ（ｎｍ）、縦軸は表面抵抗率（Ω／□）である。【０１１６】
透明導電膜（平均厚さ６０ｎｍ）の表面に可視光を照射したときの反射率は、分光測定機（日本分光社製、ARM-500N）により測定した。測定の結果を図１９に示す。図１９において、横軸は入射光の波長（ｎｍ）、縦軸は反射率（％）である。また、図１９において、Ｌ１は実施例１の測定結果、Ｌ１１は後述の比較例１の測定結果を表す。【０１１７】
［比較例１］
比較例１では、従来の凹凸部を表面に有する反射防止構造体を作製し、反射防止構造体の凹凸部上に透明導電膜を成膜して積層体を作製した。反射防止構造体の凹凸部の凸部は、正六方格子状に周期的に配置した。【０１１８】
スタンパの原型は、基体としてのシリコン基板上にアクリル系樹脂からなるレジスト膜を成膜し、ＥＢ描画装置によって露光した後、レジスト膜を現像して作製した。作製した原型は表面に凹凸部を有しており、当該凹凸部は図１７に示すように、平面９２上に錐状の突起部９４が多数（図１７では５つのみ図示）配列された構造であった。【０１１９】
各突起部９４は、円錐台の頂面と側面との角部を丸く面取りしたものであって、球面の一部で構成される先端部を有する。隣り合う３つの突起部９４の底面９４ａの外周が平面９２において１点で交わるように、突起部９４の下部同士が一部重なっている。【０１２０】
原型の凹凸部の寸法形状は、ＡＦＭ（Seiko Instruments社製、L-trace）で測定すると、突起部９４の高さＨ２１は４５０ｎｍ、突起部９４の頂点９４ｂのピッチＰ２１は３００ｎｍである。【０１２１】
スタンパは、原型の凹凸部上に電鋳法でＮｉ層を形成し、Ｎｉ層を原型から剥離して作製した。スタンパの表面の寸法形状をＡＦＭで測定した結果、スタンパの表面には原型の凹凸部を反転転写した形状の凹凸部が形成されていた。【０１２２】
反射防止構造体は、基体としてのガラス基板上にＵＶ硬化性のアクリル系樹脂をスピンコート法で塗布し、塗布層の表面にスタンパの凹凸部を押し付けた状態でＵＶ光を照射し、塗布層を硬化して作製した。塗布層をＵＶ硬化してなる樹脂層の表面の寸法形状をＡＦＭで測定した結果、樹脂層の表面にはスタンパの凹凸部の形状を反転転写した凹凸部が形成されていた。樹脂層の凹凸部は、原型の凹凸部と略同じ寸法形状を有しており、Ｈ２１＝４５０ｎｍ、Ｐ２１＝３００ｎｍである。【０１２３】
積層体は、反射防止構造体の凹凸部上に透明導電膜を成膜して作製した。透明導電膜には、真空スパッタ法で成膜したＩＴＯ膜（平均厚さ２０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ）を用いた。【０１２４】
積層体の表面抵抗率及び反射率（透明導電膜の平均厚さ６０ｎｍ）は、実施例１と同様にして測定した。測定の結果を図１８及び図１９に示す。【０１２５】
図１８及び図１９から、実施例１の構造は、比較例１の構造と異なり、低反射性及び高導電性の両方を有していることがわかる。比較例１では、反射構造体の凸部が上記の条件（１）及び（２）を満たしておらず、表面抵抗率が高い。比較例１では、反射防止構造体の凸部同士の間において傾斜が急峻なためである。
【産業上の利用可能性】
【０１２６】
本発明は、例えば表示装置、照明装置、太陽電池、ソーラーパネルなどに使用できる積層体、及び積層体の製造方法に好適である。【０１２７】
本出願は、２０１１年１２月８日に日本国特許庁に出願された特願２０１１−２６９０６０に基づくものであり、その出願を優先権主張するものであり、その出願の全ての内容を参照することにより包含するものである。
【符号の説明】
【０１２８】
２    積層体
１０  反射防止構造体
２０  凹凸部
２１  凸部
２１ａ  頂点
２２  凹部
２２ａ  底点
２３  連結部
３０  透明導電膜
５０  原型
５１  基体
５２  レジスト膜
５３、５４  感光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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