(57)【要約】  複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板であって、多層配線基板とした際に前記キャビティー部底面に配置される配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される配線基板２からなり、前記配線基板１及び／又は配線基板２が、所定の性質を有する絶縁基材からなり、前記配線基板２は、さらにキャビティー用穴が形成されている、キャビティー部を有する多層配線基板により、キャビティー部を有し、リフレクター機能をも備えた多層配線基板を提供する。
2009072531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板であって、
多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される少なくとも１層の配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される少なくとも１層の配線基板２を備え、
前記配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材からなり、
前記配線基板２は、さらにキャビティー用穴が形成されていることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項２】
複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板であって、
多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される少なくとも１層の配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される少なくとも１層の配線基板２を備え、
前記配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材、及び該絶縁基材の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層からなり、
前記配線基板２は、さらにキャビティー用穴が形成されていることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項３】
前記配線基板１及び２が、絶縁基材の少なくとも一方の面に導体パターンを形成するとともに、絶縁基材にその厚み方向に電気的に接続する層間配線を形成してなる配線基板、絶縁基材にその厚み方向に電気的に接続する層間配線のみを形成してなる配線基板、のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項４】
前記層間配線は、導電性ペースト組成物からなることを特徴とする請求項３に記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項５】
前記導電性ペースト組成物が、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末及び該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、
前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、該第１の合金粒子が１３０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、該第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、該第１の合金粒子と該第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、
前記バインダー成分が、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、前記非鉛半田粒子の融点が、前記バインダー成分の硬化温度範囲に含まれ、
前記非鉛半田粒子の融点における、前記絶縁基材を構成する熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満である、請求項４に記載の多層配線基板。
【請求項６】
熱可塑性樹脂組成物に含有される無機充填材の屈折率が、１．６以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項７】
無機充填材が、酸化チタンであることを特徴とする請求項６に記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項８】
熱可塑性樹脂組成物中に、さらに平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比３０以上の無機充填材を含有することを特徴とする請求項６又は７に記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項９】
前記配線基板２が複数の配線基板からなり、該複数の配線基板が、異なる大きさのキャビティー用穴を有しており、該キャビティー用穴の大きさが上層側となるに従い拡径されている、請求項１〜８のいずれかに記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項１０】
前記熱可塑性樹脂組成物が、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物である、請求項１〜９のいずれかに記載のキャビティー部を有する多層配線基板。
【請求項１１】
複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、
少なくとも、前記キャビティー部底面に配置される配線基板１を１層以上積層する工程１、前記配線基板１の上に配置される配線基板２を１層以上積層する工程２、及びこれら積層した配線基板すべてを、熱圧着により一体化させる工程３を備え、前記配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材からなり、
前記配線基板２は、さらにキャビティー用穴が形成されていることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】
複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、
絶縁基材１、該絶縁基材１の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層、該接着層上および／または該絶縁基材１上に設けられた導体パターンを備えてなる配線基板１を形成する工程、
該配線基板１上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層が少なくとも片面に設けられキャビティー用穴が形成された絶縁基材２を重ね、該絶縁基材２上に銅箔を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔を導体パターンとする工程を１回または複数回繰り返して、１または複数層の配線基板２を逐次的に形成する工程を備え、
前記絶縁基材１及び／又は絶縁基材２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項１３】
複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、
絶縁基材１、該絶縁基材１の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層、該接着層上および／または該絶縁基材１上に設けられた導体パターンを備えてなる配線基板１を形成し、該配線基板１上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層が少なくとも片面に設けられた絶縁基材１を重ね、該絶縁基材１上に銅箔を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔を導体パターンとする工程を１回または複数回繰り返して、二層以上の配線基板１を逐次的に形成する工程、
さらに、該配線基板１上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層が少なくとも片面に設けられキャビティー用穴が形成された絶縁基材２を重ね、該絶縁基材２上に銅箔を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔を導体パターンとする工程を１回あるいは複数回繰り返して、１または複数層のキャビティー用穴が形成された配線基板２を逐次的に形成する工程を備え、
前記絶縁基材１及び／又は絶縁基材２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ、特に発光ダイオード（ＬＥＤ素子）を実装するためのキャビティー部（凹部）を有する多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
次世代の光源として注目される発光ダイオード（ＬＥＤ）の用途は、液晶バックライトや自動車用ランプ、照明分野へと着実に拡がっている。ＬＥＤを搭載したパッケージ基板としては、白色銅張積層板から作製したプリント配線基板上のパターン上にＬＥＤ素子を直接マウント後、透明なシリコンやエポキシ樹脂で樹脂封止して製造されるチップＬＥＤや、金属フレームに白色樹脂をリフレクターとしてインサート成形後、白色樹脂リフレクターで囲まれる金属フレーム部にＬＥＤ素子を直接マウント後、リフレクター内部に前記封止樹脂を硬化して製造されるチップＬＥＤがある。これらのチップＬＥＤパッケージは、電子機器セットメーカーで電子機器のマザー配線基板に半田実装され、製品として実用化が進んでいる。また、昨今では、高輝度白色ＬＥＤの開発も進み、将来の一般照明用途も見据えて、マザー配線基板自体にＬＥＤ素子を直接マウントし、照明具として用いる場合もある。【０００３】
ＬＥＤを搭載したパッケージ基板の絶縁基材としては、白色銅張積層板の場合にはガラスクロス・酸化チタン充填白色ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂や白色エポキシ樹脂や、セラミック基板が用いられている。また、インサート成形タイプの場合はガラス繊維や酸化チタンを充填した白色ポリアミド系樹脂が用いられている。ここで、白色ＢＴ樹脂や白色エポキシ樹脂や白色ポリアミド系樹脂はリフロー工程などの基板製造プロセス時の熱や、実使用時のＬＥＤの熱による樹脂自体の酸化分解で樹脂が黄変し、反射率の経時的低下が発生する。セラミック基板の場合は、樹脂基板のような黄変の問題はないが、割れやすく大面積化が出来ないといった問題がある。また、基板構成の面からは、ガラスクロス・酸化チタン充填白色ＢＴ樹脂や白色エポキシ樹脂は、ガラスクロスを充填しているため薄肉化が難しく、市販されているものは４０μｍ厚が限界である。またセラミック基板の場合は機械強度が確保できないために、４００μｍ程度の厚みが一般的で、薄肉化は更に難しい。インサート成形タイプの場合は、白色ポリアミド系樹脂のリフレクターにより反射効率は高まるが、リフレクターが数百μｍ厚レベルあり薄肉化を妨げている。リフレクターのダム効果で、樹脂封止の作業性には優れている一面はあるものの、金属フレームと樹脂の密着性には課題があると言われている。【０００４】
したがって薄型化が可能で、ＬＥＤからの光を効率よく反射し、高温熱負荷環境下で反射率の低下がないＬＥＤ搭載用基板が求められている。【０００５】
これらの課題に対し、キャビティー基板構造が提案されている。基板にキャビティー部を形成する方法としては、基板表面を座繰り加工する方法や、絞り加工する方法があるが、座繰り加工する方法では、配線の引き回しに制約がでたり、加工時の屑の問題がある。また、パンチとダイ金型を用いて絞り加工する方法は、キャビティー構造の形状が仕様通りに形成できなかったり、基板裏面に凸部が形成されたりする。特許文献１には、リフレクターを兼ねた熱硬化系樹脂からなるキャビティー基板が提案されている。【０００６】
【特許文献１】特開平８−８３９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のチップＬＥＤ搭載基板においては、キャビティー部を有する基板にＬＥＤを搭載することによって、薄型化が可能で、ＬＥＤからの光を効率よく前面に反射させ、正面の輝度は向上するが、キャビティー部をザグリ加工により形成しているため、ガラスクロス等の補強材の削りカスがヒゲのように突出するといった問題が生じることがあったり、また、ザグリ加工では、キャビティー部を作製するには手間及びコストがかかるといった問題があった。更に、実装工程（鉛フリー半田リフロー工程）や、実際の使用時の熱により、使用している基板材料が変色し、反射率が低下しやすいといった問題があった。【０００８】
そこで、本発明では、上記の課題を解決すべく、リフロー工程などの基板製造プロセス時の熱や、実使用時のＬＥＤの熱による樹脂自体の酸化分解がなく、反射効率が高く、薄型化が可能であるＬＥＤ搭載基板を、提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、これにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。【００１０】
第１の本発明は、複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板であって、多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される少なくとも１層の配線基板１（１００ａ）、及び配線基板１（１００ａ）より上層側に配置される少なくとも１層の配線基板２（１００Ａ）を備え、配線基板１（１００ａ）及び／又は配線基板２（１００Ａ）は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材（１０）からなり、配線基板２（１００Ａ）は、さらにキャビティー用穴（１５）が形成されていることを特徴とするキャビティー部（２２０）を有する多層配線基板（２００、２００Ａ）である。【００１１】
本発明のキャビティー部（２２０）を有する多層配線基板（２００、２００Ａ）は、ＬＥＤ素子を実装することができる。また、キャビティー部をザグリ加工ではなく、キャビティー穴を有する配線基板（１００Ａ）を積層し熱圧着することにより形成しているので、キャビティー基板を効率よく形成することができる。また、小型のキャビティー部（２２０）や、複雑な形状のキャビティー部（２２０）であっても容易に作製することができる。【００１２】
第２の本発明は、複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板であって、多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される少なくとも１層の配線基板１（１００ｃ）、及び配線基板１（１００ｃ）より上層側に配置される少なくとも１層の配線基板２（１００Ｃ）を備え、配線基板１（１００ｃ）及び／又は配線基板２（１００Ｃ）は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材（１０）、及び該絶縁基材（１０）の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）からなり、配線基板２（１００Ｃ）は、さらにキャビティー用穴（１５）が形成されていることを特徴とするキャビティー部（２２０）を有する多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）である。【００１３】
第２の本発明の多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）は、第１の本発明の効果に加え、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）を備えた配線基板を積層させているので、各配線基板間の層間接着性が優れたものとなり、配線基板間の電気的接続性に優れた多層配線基板とすることができる。また、第２の本発明の多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）は、熱圧着による一括積層だけでなく、熱圧着による逐次積層によっても製造することができる。【００１４】
第１及び第２の本発明において、上層側に配置された複数の配線基板（１００Ａ、１００Ｃ）が、異なる大きさのキャビティー用穴を有しており、該キャビティー用穴の大きさが上層側となるに従い拡径された形態（２００Ａ、２００Ｄ）とすることができる。これにより、キャビティー部（２２０）の側面を階段状に形成することができ、キャビティー部におけるＬＥＤ素子の搭載形態にバリエーションを付与することができる。また、拡径とすることにより、より効率よく広範囲に、ＬＥＤの光を効率よく前面に反射させることができ、正面の輝度を向上させることが可能である。例えば、図１（ｃ）に示したように、２つのＬＥＤ素子（２４０）をキャビティー部（２２０）に搭載して、ボンディングワイヤによりキャビティー部側面の導体パターン（２０）に接続することができる。【００１５】
第１及び第２の本発明において、熱可塑性樹脂組成物は、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）を有する、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物であることが好ましい。このような樹脂を用いることによって、配線基板（１００ａ、１００Ａ、１００Ｂ、１００ｃ、１００Ｃ、１００Ｄ）を加熱圧着により一体化して多層配線基板（２００、２００Ａ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ）とすることができる。また、ビアホール中の導電ペースト組成物を金属拡散接合させて、ビアホールの抵抗値を非常に低くすることができ、多層配線基板の吸湿耐熱性、接続信頼性、及び、導体接着強度を優れたものとすることができる。【００１６】
第１及び第２の本発明において、配線基板１及び２が、絶縁基材の少なくとも一方の面に導体パターンを形成するとともに、絶縁基材にその厚み方向に電気的に接続する層間配線を形成してなる配線基板、絶縁基材にその厚み方向に電気的に接続する層間配線のみを形成してなる配線基板、のいずれかであることが好ましい。また、層間配線を形成する方法としては、例えば、スルーホールに銅メッキする方法や、スルーホール、インナーバイアホール中へ導電性ペーストや半田ボールを充填する方法などが挙げられるが、中でも導電性ペーストを用いる方法が好ましい。【００１７】
第１及び第２の本発明において、層間配線に充填される導電性ペースト組成物は、導電粉末と、バインダー成分とを含み、該導電粉末及び該バインダー成分の質量比が、９０／１０以上９８／２未満であり、前記導電粉末が、第１の合金粒子と第２の金属粒子とからなり、該第１の合金粒子が１３０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子であり、該第２の金属粒子が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上であり、該第１の合金粒子と該第２の金属粒子との質量比が、７６／２４以上９０／１０未満であり、バインダー成分が、加熱により硬化する重合性単量体の混合物であり、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれ、非鉛半田粒子の融点における、絶縁基材を構成する熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満であることが好ましい。このような導電性ペースト組成物を使用することで、ビアホール３０中及びビアホール３０と導体パターン２０との間における金属拡散接合をより効果的に生じさせることができる。【００１８】
第１及び第２の本発明において、配線基板（１００Ａ、１００ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００ｃ、１００Ｄ）の積層は、熱圧着により行われるのが好ましく、特に、１８０℃以上３２０℃未満、３ＭＰａ以上１０ＭＰａ未満、１０分以上１２０分以下の条件で行われることが好ましい。このような条件で熱圧着を行うことによって、より効果的に金属拡散接合を生じさせることができる。【００１９】
第１及び第２の本発明において、熱可塑性樹脂組成物に含有される無機充填材の屈折率は、１．６以上であることが好ましい。また、無機充填材は、酸化チタンであることが好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物中に、さらに平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比３０以上の無機充填材を含有することが好ましい。【００２０】
第３の本発明は、複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、少なくとも、キャビティー部底面に配置される配線基板１（１００ａ）を１層以上積層する工程１、配線基板１（１００ａ）の上に配置される配線基板２（１００Ａ）を１層以上積層する工程２、及びこれら積層した配線基板すべてを、熱圧着により一体化させる工程３を備え、配線基板１（１００ａ）及び／又は配線基板２（１００Ａ）は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材（１０）からなり、配線基板２（１００Ａ）は、さらにキャビティー用穴（１５）が形成されていることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板（２００、２００Ａ）の製造方法である。【００２１】
第４の本発明は、複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、絶縁基材１（１０）、該絶縁基材１（１０）の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）、該接着層（４０）上および／または該絶縁基材１（１０）上に設けられた導体パターン（２０）を備えてなる配線基板１（１００ｃ）を形成する工程、配線基板１（１００ｃ）上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）が少なくとも片面に設けられキャビティー用穴（１５）が形成された絶縁基材２（５０Ｃ）を重ね、該絶縁基材２（５０Ｃ）上に銅箔（２２）を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔（２２）を導体パターン（２０）とする工程を１回または複数回繰り返して、１または複数層の配線基板２（１００Ｃ）を逐次的に形成する工程を備え、絶縁基材１（１０）及び／又は絶縁基材２（５０Ｃ）は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板（２００Ｃ，２００Ｄ）の製造方法である。【００２２】
第５の本発明は、複数の配線基板を積層してなるキャビティー部を有する多層配線基板の製造方法であって、絶縁基材１（１０）、該絶縁基材１（１０）の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）、該接着層（４０）上および／または該絶縁基材１（１０）上に設けられた導体パターン（２０）を備えてなる配線基板１（１００ｃ）を形成し、該配線基板１（１００ｃ）上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）が少なくとも片面に設けられた絶縁基材１（５０）を重ね、該絶縁基材１（５０）上に銅箔（２２）を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔（２２）を導体パターン（２０）とする工程を１回または複数回繰り返して、二層以上の配線基板１（１００ｃ）を逐次的に形成する工程、さらに、該配線基板１（１００ｃ）上に、熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層（４０）が少なくとも片面に設けられキャビティー用穴（１５）が形成された絶縁基材２（５０Ｃ）を重ね、該絶縁基材２（５０Ｃ）上に銅箔（２２）を重ねて、熱圧着により一体化し、エッチングにより該銅箔（２２）を導体パターン（２０）とする工程を１回あるいは複数回繰り返して、１または複数層のキャビティー用穴が形成された配線基板２（１００Ｃ）を逐次的に形成する工程を備え、絶縁基材１（１０、５０）及び／又は絶縁基材２（５０Ｃ）は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを特徴とするキャビティー部を有する多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）の製造方法である。【００２３】
なお、多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）は、接着層（４０）を有する配線基板（１００ｃ、１００Ｃ、１００Ｄ）を一括積層することにより製造することもできる。【００２４】
第３〜第５の本発明の製造方法によると、キャビティー部（２２０）を有する多層配線基板（２００、２００Ａ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ）をザクリ加工しなくても、熱圧着により形成することができる。そのため、製造工程が簡略化され、効率的にキャビティー部を有する多層配線基板を製造することができる。また、配線基板のキャビティー用穴（１５）の形状を自由に設計することができるので、複雑な形状や小型形状のキャビティー部（２２０）であっても容易に作製することができる。さらに、反射率特性を備えた配線基板を所定の位置に形成することができるため、ＬＥＤ素子を実装させた場合にはリフレクターとしての機能を発揮させることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、小型化薄型化が可能で、ＬＥＤ素子をより高密度に実装することができ、さらに、ＬＥＤ素子を実装するキャビティー部を備え、小型のキャビティー部、複雑な形状のキャビティー部であっても効率よく形成することができ、配線基板が高い反射率特性と高温環境下における反射率の低下率が極めて少ないという機能を備えるため、ＬＥＤ素子等を実装することにより、リフレクターとしての機能をも備えた、キャビティー部を有する多層配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）は、本発明の多層配線基板２００の層構成を示す模式図である。（ｂ）は、本発明の多層配線基板２００Ａの層構成を示す模式図である。（ｃ）は、本発明の多層配線基板２００ＡにＬＥＤ素子２４０を搭載した状態を示す模式図である。（ｄ）は、本発明の多層配線基板２００にＬＥＤ素子２４０を搭載した状態を示す模式図である。
【図２】（ａ）は、配線基板１００ａの製造方法の概要を示す図である。（ｂ）は配線基板１００Ａの製造方法の概要を示す図である。
【図３】多層配線基板２００の作製方法の概要を示す図である。
【図４】ビアホール３０中の導電性ペースト組成物中のバインダー成分の弾性率が、温度により変化する様子を示した図である。
【図５】絶縁基材１０を構成する特定の熱可塑性樹脂組成物の弾性率が、温度により変化する様子を示した図である。
【図６】（ａ）は、本発明の多層配線基板２００Ｃの層構成を示す模式図である。（ｂ）は、本発明の多層配線基板２００Ｄの層構成を示す模式図である。
【図７】配線基板５０Ｄ及び配線基板１００Ｄの製造方法の概要を示す図である。
【図８】配線基板５０及び配線基板１００ｃの製造方法の概要を示す図である。
【図９】多層配線基板２００Ｃの製造方法の概要を示す図である。
【図１０】多層配線基板２００Ｄの製造方法の概要を示す図である。
【図１１】（ａ）は、多層配線基板２００Ｅの層構成を示す模式図であり、（ｂ）は多層配線基板２００Ｆの層構成を示す模式図である。
【図１２】多層配線基板２００Ｅの製造方法の概要を示す図である。
【図１３】多層配線基板２００Ｆの製造方法の概要を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０    波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材
１０ａ  絶縁基材
１１    絶縁基材１０にキャビティー用穴が形成された絶縁基材
１２    絶縁基材１０に接着層が形成された絶縁基材
１３    絶縁基材１０ａに接着層が形成された絶縁基材
１５    キャビティー用穴
２０    導体パターン
３０    ビアホール
４０    接着層
１００ａ、１００Ａ、１００Ｂ、１００ｃ、１００Ｃ  配線基板
２００、２００Ａ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆ  多層配線基板
２２０  キャビティー部
２４０  ＬＥＤ素子
２６０  スペーサー
３２０  離型フィルム
３４０  ステンレス鋼シート
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。なお、本発明において「主成分」と表現した場合には、特に記載しない限り、当該主成分の機能を妨げない範囲で他の成分を含有することを許容する意を包含するものである。特に当該主成分の含有割合を特定するものではないが、通常、その成分（２成分以上が主成分である場合には、これらの合計量）が組成物中で５０質量％以上、特に７０質量％以上、中でも９０質量％以上（１００質量％含む）を占めるものである。【００２９】
＜多層配線基板２００、２００Ａ＞ 
図１（ａ）及び（ｂ）に多層配線基板２００、２００Ａの模式図を示した。また、図１（ｃ）及び（ｄ）に、多層配線基板２００、２００ＡにＬＥＤ素子２４０を搭載した状態を示した。【００３０】
本発明の多層配線基板２００、２００Ａは、複数の配線基板を積層してなるものであって、少なくとも多層配線基板とした際に前記キャビティー部底面に配置される配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される配線基板２を備えて構成され、配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０からなり、さらに配線基板２は、絶縁基材１０上にキャビティー用穴１５が形成された絶縁基材１１からなることを必要とする。なお、配線基板１及び２は複数層積層させることもできる。そして、絶縁基材１０及び１１上に所定の導体パターン２０や、層間配線となるビアホール３０を形成して、配線基板１００ａ及び配線基板１００Ａとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装可能とするものである。【００３１】
図１（ａ）に示した形態においては、キャビティー部底面に配置される配線基板１を配線基板１００ａで構成し、上層側に配置される配線基板２をすべて配線基板１００Ａで構成している。キャビティー部にＬＥＤ素子を実装したときには、このような構成とすることで、リフレクターとしての機能を顕著に発揮できるため好ましい。また、本構成においては、前記配線基板１の下層側に配線基板１００Ｂを配置しているが、このような構成とすることもでき、配線基板１００Ｂにキャビティー用穴を形成した配線基板１００ｂを上層側に配置する構成とすることもできる。なお、配線基板１００Ｂは、熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａからなるものである。また、図１（ｂ）に示した形態では、配線基板１００Ａのキャビティー用穴１５の大きさを変化させることにより、キャビティー部２２０の側面形状を変化させている。【００３２】
本発明の多層配線基板２００、２００Ａは、図１に示すように、絶縁基材１０及び１１上に所定の導体パターンや、層間配線となるビアホールを形成して、配線基板１００ａ及び配線基板１００Ａとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装するものであり、図１に示す形態においては、予め絶縁基材１０上に導体パターン２０を形成するとともに、絶縁基材の厚み方向に貫通する層間配線となるビアホール３０を形成して構成しているが、絶縁基材１０上に所定の導体パターン２０を形成しておき、多層化後にビアホール３０を形成しても良く、ビアホール３０のみで層間を電気的に接続することもできる。【００３３】
上記のとおり、本発明の多層配線基板２００、２００Ａは、様々なバリエーションに積層することが可能であり、例えば、以下のような構成を挙げることができる。
１．配線基板１００Ａ／配線基板１００ａ
２．配線基板１００Ａ・・・／配線基板１００ａ
３．配線基板１００Ａ・・・配線基板１００ｂ／配線基板１００ａ
４．配線基板１００Ａ／配線基板１００Ｂ
５．配線基板１００ｂ／配線基板１００ａ
６．配線基板１００ｂ・・・／配線基板１００ａ
７．配線基板１００ｂ・・・配線基板１００Ａ／配線基板１００ａ
８．配線基板１００Ａ／配線基板１００ａ／配線基板１００Ｂ
９．配線基板１００Ａ／配線基板１００ａ／配線基板１００ａ
１０．配線基板１００Ａ／配線基板１００ａ／配線基板１００ａ・・・
（但し、配線基板２／配線基板１（／下層側に配置される配線基板）を表し、・・・は複数層積層されていることを示す。））【００３４】
上記に示したように、配線基板１００Ｂをキャビティー部底面に配置させたり、配線基板１００Ｂにキャビティー用穴１５を形成した配線基板１００ｂを上層側に積層させたりすることもできる（例えば、上記構成３〜７）。また配線基板１００ａを下層側に積層させたり（例えば、上記構成９及び１０）、さらに、配線基板１００Ａ及び配線基板１００ａの２つの配線基板によって、すべてを構成したりすることも可能である（例えば、上記構成１、２、９、及び１０）。【００３５】
＜配線基板１００ａ＞
以下、配線基板１００ａの構成部材について説明する。
配線基板１００ａは、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０に所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。配線基板１００ａは、例えば、多層配線基板とした際にキャビティー部底面に配置される配線基板１や、該キャビティー部底面に配置される配線基板より下層側に配置して使用することができる。【００３６】
絶縁基材１０は、２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることを必要とし、また中でも、２６０℃で５分間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であることが好ましい。【００３７】
上記条件の根拠について以下に記載する。ＬＥＤ搭載基板を製造する際に、導電接着剤やエポキシ、シリコン樹脂等の封止剤の熱硬化工程（１００〜２００℃、数時間）、半田付け工程（Ｐｂフリー半田リフロー、ピーク温度２６０℃、数分間）やワイヤボンディング工程等、高熱負荷がかかる状況にある。また実際の使用環境下においても、高輝度ＬＥＤの開発が進み、基板への熱負荷は高まる傾向にあり、ＬＥＤ素子周辺温度は１００℃超になる場合もある。今後このような高熱負荷環境下においても、変色することなく、高い反射率を維持することが重要になってきている。また波長４７０ｎｍは青色ＬＥＤの平均波長である。【００３８】
したがって、上記条件下（２００℃、４時間後、２６０℃、５分間後）での波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下であれば、製造工程での反射率の低下を抑制することが可能であり、また、実際の使用時の反射率の低下を抑制することが可能であるため、ＬＥＤ搭載基板として好適に使用できる。より好ましくは５％以下であり、さらに好ましくは３％以下であり、特に好ましくは２％以下である。【００３９】
（絶縁基材１０）
絶縁基材１０を構成する熱可塑性樹脂組成物としては、結晶融解ピーク温度（Ｔｍ）が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂、ガラス転移温度が２６０℃以上の非晶性熱可塑性樹脂、又は、液晶転移温度が２６０℃以上の液晶ポリマーからなる組成物を挙げることができる。【００４０】
この中でも、熱可塑性樹脂組成物としては、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。また、特に、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いることが好ましい。【００４１】
以下、絶縁基材１０を構成する熱可塑性樹脂組成物として好ましい組成物である、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物について説明する。ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂は相溶系であり、これらの混合組成物は一つの結晶融解ピーク温度を有し、その結晶融解ピーク温度は２６０℃以上となっている。絶縁基材１０を構成する熱可塑性樹脂組成物として、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いた場合は、多層配線基板２００とする際において、各層間の接着性をより良好にすることができる。また、以下において詳しく説明するが、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いることにより、ビアホール３０中の導電ペースト組成物に金属拡散接合を生じさせることができる。【００４２】
このポリアリールケトン樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合及びケトン結合を含む熱可塑性樹脂であり、その代表例としては、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン等があり、中でも、ポリエーテルエーテルケトンが好ましい。なお、ポリエーテルエーテルケトンは、「ＰＥＥＫ１５１Ｇ」、「ＰＥＥＫ３８１Ｇ」、「ＰＥＥＫ４５０Ｇ」（いずれもＶＩＣＴＲＥＸ社の商品名）等として市販されている。【００４３】
また、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、その構造単位に芳香核結合、エーテル結合及びイミド結合を含む非晶性熱可塑性樹脂である。なお、非晶性ポリエーテルイミド樹脂は、「Ｕｌｔｅｍ  ＣＲＳ５００１」、「Ｕｌｔｅｍ  １０００」（いずれもゼネラルエレクトリック社の商品名）等として市販されている。【００４４】
ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合割合としては、各層間の密着性を考慮すると、ポリアリールケトン樹脂を３０質量％以上、８０質量％以下含有し、残部を非晶性ポリエーテルイミド樹脂及び不可避不純物とした混合組成物を用いることが好ましい。より好ましくは３５質量％以上、７５質量％以下、さらに好ましくは、４０質量％以上、７０質量％以下である。ポリアリールケトン樹脂の含有率の上限を前記範囲内とすることで、熱可塑性樹脂組成物の結晶性が高くなるのを抑えることができ、多層化する際の密着性の低下を防ぐことができる。また、ポリアリールケトン樹脂の含有率の下限を前記範囲内とすることで、熱可塑性樹脂組成物の結晶性が低くなるのを抑えることができ、多層化して作製した多層配線基板のリフロー耐熱性の低下を防ぐことができる。【００４５】
絶縁基材１０は、これら樹脂に無機充填材を含有することで、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下となるようにしたものである。無機充填材としては、ベース樹脂である熱可塑性樹脂との屈折率差が大きいものが好ましい。すなわち、無機充填材として屈折率が大きいもの、基準としては、１．６以上のものが好ましい。具体的には、屈折率が１．６以上である炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸塩等を用いることが好ましく、特に酸化チタンを用いることが好ましい。【００４６】
酸化チタンは、他の無機充填材に比べて、顕著に屈折率が高く、ベース樹脂である熱可塑性樹脂との屈折率差を大きくすることができるため、他の充填材を使用した場合よりも、少ない配合量で優れた反射性を得ることができる。またフィルムを薄くしても、高い反射性を有する白色フィルムを得ることができる。【００４７】
酸化チタンは、アナターゼ型やルチル型のような結晶型の酸化チタンが好ましく、その中でもベース樹脂との屈折率差が大きくなるといった観点から、ルチル型の酸化チタンが好ましい。【００４８】
また酸化チタンの製造方法は、塩素法と硫酸法があるが、白色度、耐光性の点からは、塩素法で製造された酸化チタンを使用することが好ましい。【００４９】
酸化チタンは、その表面が不活性無機酸化物で被覆処理されたものが好ましい。酸化チタンの表面を不活性無機酸化物で被覆処理することにより、酸化チタンの光触媒活性を抑制することができ、フィルムが劣化することを防ぐことができる。不活性無機酸化物としては、シリカ、アルミナ、及びジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも１種類を用いることが好ましい。これらの不活性無機酸化物を用いれば、高い反射性を損なうことなく、高温溶融時に、熱可塑性樹脂の分子量低下や、黄変を抑制することができる。【００５０】
また、酸化チタンは、熱可塑性樹脂への分散性を高めるために、その表面がシロキサン化合物、シランカップリング剤等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の無機化合物や、ポリオール、ポリエチレングリコール等からなる群から選ばれる少なくとも１種類の有機化合物で表面されたものが好ましい。特に耐熱性の点からは、シランカップリング剤で処理されたものが好ましい。【００５１】
酸化チタンの粒径は、０．１〜１．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．２〜０．５μｍである。酸化チタンの粒径が上記範囲であれば、熱可塑性樹脂への分散性が良好で、それとの界面が緻密に形成され、高い反射性を付与することができる。【００５２】
酸化チタンの含有量は、熱可塑性樹脂組成物１００質量部に対し、１５質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには２５質量部以上であることが最も好ましい。上記範囲内であれば、良好な反射特性を得ることが可能である。【００５３】
上記熱可塑性樹脂組成物中に、さらに次のような無機充填材を含有することもできる。
具体的には、タルク、マイカ、雲母、ガラスフレーク、窒化ホウ素（ＢＮ）、板状炭カル、板状水酸化アルミニウム、板状シリカ、板状チタン酸カリウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で添加してもよく、２種類以上を組み合わせて添加してもよい。特に、平均粒径が１５μｍ以下、アスペクト比（粒径／厚み）が３０以上の鱗片状の無機充填材が、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ、熱衝撃サイクル試験時の基板内のクラック発生を抑制することができるので、好ましい。【００５４】
上記平均粒径１５μｍ以下、かつ平均アスペクト比（平均粒径／平均厚み）３０以上の充填材としては、例えば、合成マイカ、天然マイカ（マスコバイト、フロゴパイト、セリサイト、スゾライト等）、焼成された天然又は合成のマイカ、ベーマイト、タルク、イライト、カオリナイト、モンモリロナイト、バーミキュライト、スメクタイト、及び板状アルミナ等の無機鱗片状（板状）充填材や、鱗片状チタン酸塩を挙げることができる。これらを添加することで、平面方向と厚み方向の線膨張係数比を低く抑えることができ好ましい。また、光反射性を考慮した場合には、鱗片状チタン酸塩の方が、屈折率が高いため好ましい。なお、前記充填材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。【００５５】
鱗片状の無機充填材の含有量は、熱可塑性樹脂組成物１００質量部に対し、１０質量部以上であることが好ましく、２０質量部以上であることがより好ましく、さらには３０質量部以上であることが好ましい。上記範囲であれば、得られる白色フィルムの線膨張係数を所望の範囲にまで低下させることが可能である。反射率と線膨張係数のバランスを取る上で、上記酸化チタンと鱗片状の無機充填材を適宜配合することが好ましい。さらに、ＭＤ（フィルムの流れ方向）及びＴＤ（流れ方向と直交する方向）の線膨張係数の平均値が、３５×１０−６／℃以下であることが好ましい。線膨張係数の平均値を３５×１０−６／℃以下とすることで、寸法安定性に優れ、かつ反射率が高く、また加熱処理による反射率の低下が極めて少ないという、極めて優れた効果を奏することができる。より好適な線膨張係数の範囲は、使用する金属箔の種類や、表裏面に形成する回路パターン、積層構成によっても異なるが、概ね１０×１０−６〜３０×１０−６／℃程度である。この範囲に調整することによって、例えば、金属箔を積層した場合にカールや反りを生じたり、また寸法安定性が不十分となったりする問題を軽減することができる。また、ＭＤ、ＴＤの線膨張係数差は２０×１０−６／℃以下であることが好ましく、１５×１０−６／℃以下であることがより好ましく、さらには１０×１０−６／℃以下であることが最も好ましい。
このように異方性（ＭＤ、ＴＤの線膨張係数差）を小さくさせることによって、線膨張係数が大きい方にカールや反りを生じたり、寸法安定性が不十分となったりする問題がない。【００５６】
また、絶縁基材１０を構成する熱可塑性樹脂組成物には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤等を適宜添加してもよい。これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、例えば下記に挙げる方法（ａ）、（ｂ）を用いることができる。【００５７】
（ａ）各種添加剤を、熱可塑性樹脂組成物の基材（ベース樹脂）に高濃度（代表的な含有量としては１０〜６０質量％程度）に混合したマスターバッチを別途作製しておき、これに熱可塑性樹脂組成物を混合して、濃度を調整し、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。【００５８】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物に所定の濃度の各種添加材を直接加えて、ニーダーや押出機等を用いて機械的にブレンドする方法。これらの方法の中では、（ａ）の方法が分散性や作業性の点から好ましい。さらに、熱可塑性樹脂組成物からなる絶縁基材１０の表面には積層性を向上させる目的でコロナ処理等を適宜施してもよい。【００５９】
絶縁基材１０は、公知の方法、例えばＴダイを用いる押出キャスト法、あるいはカレンダー法等により作製することができる。特に限定されるものではないが、シートの製膜性や安定生産性等の点から、Ｔダイを用いる押出キャスト法により作製することが好ましい。また、絶縁基材１０上に導体パターン２０を形成する場合は、絶縁基材１０を押し出す際において、銅箔２２（図２（ａ）参照）を貼り付けることもできる。【００６０】
Ｔダイを用いる押出キャスト法での絶縁基材１０の成形温度は、用いる樹脂の流動特性や製膜性等によって適宜調整されるが、概ね、２６０℃以上の結晶融解ピーク温度を有する、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の場合、３６０〜４００℃である。また、絶縁基材１０の押出キャスト製膜時においては、急冷製膜することにより非晶性フィルム化することが必要である。これにより、１７０〜２３０℃付近に弾性率が低下する領域を発現するので、この温度領域での熱成形、熱融着が可能となる。詳細には、１７０℃付近で弾性率が低下し始め、２００℃付近において熱成形、熱融着が可能となる。図５に、ポリエーテルエーテルケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物の弾性率が温度により変化する様子を示した。なお、図５に示したグラフは、昇温速度を３℃／分として弾性率を測定したものであるが、昇温速度を１０℃／分とすると、非晶から結晶への転移が遅れて、２３０℃付近において弾性率がもっとも低くなる。【００６１】
（導体パターン２０）
ＬＥＤ素子を実装させる場合においては、上記絶縁基材１０上に所定の導電性回路を形成して、ＬＥＤ素子と接続することとなる。導電性回路を形成する方法としては、例えば、上記絶縁基材１０上に、銅箔２２を熱圧着等により貼り付けた後、エッチング処理して導体パターン２０とする方法、絶縁基材１０を押出製膜する際に銅箔２２に直接ラミネートする方法、あるいは、絶縁基材１０上に、レジストを形成して、メッキにより導体パターン２０を形成する方法、等の通常の回路パターンを作製する方法により形成することができる。なお、以下において説明するように、本発明における好ましい形態である絶縁基材１０は、急冷製膜により非晶性フィルム化されているので、比較的低温において熱圧着することが可能である。導体パターン２０を形成する金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の電気抵抗が小さい金属を使用することができる。この中でも、配線基板の導体パターンとして使用されてきた実績が豊富であること、コストが低いことから、Ｃｕを使用することが好ましい。【００６２】
（ビアホール３０）
さらに、各配線基板間を電気的に接続するために、絶縁基材にその厚み方向に電気的に接続する層間配線を形成することとなるが、層間配線を形成する方法としては、例えば、スルーホールに銅メッキする方法や、スルーホール、インナーバイアホール中へフィルドメッキする方法や、導電性ペーストや半田ボールを充填する方法、微細な導電粒子を含有した絶縁層による異方導電性材料を応用する方法などが挙げられ、中でも、スルーホール、インナーバイアホール中へ、以下に示す導電性ペースト組成物を充填する方法によると、高密度配線が可能となるので、より好ましい。【００６３】
上記導電性ペースト組成物は、導電粉末、及び、バインダー成分を含むものであり、導電粉末は、第１の合金粒子と第２の金属粒子とから構成するのが好ましい。第１の合金粒子は、１８０℃以上２６０℃未満の融点を有する非鉛半田粒子である。このような非鉛半田粒子としては、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｓｂ、及び、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉを挙げることができる。これらの非鉛半田粒子は、錫を金属拡散させるという効果において信頼をおけるものである。また、第１の合金粒子としては、これらの非鉛半田粒子の二種以上の混合物を使用することもできる。【００６４】
第２の金属粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕからなる群から選ばれる少なくとも一種以上の金属粒子である。第２の金属粒子は、電気抵抗値が低い金属から形成されている粒子であり、ビアホール３０の電気伝導性を担うものである。また、第２の金属粒子は、第１の合金粒子に比べて融点が高く、加熱時における導電性ペースト組成物の粘度を保持する役割を有する。【００６５】
導電粉末における、第１の合金粒子及び第２の金属粒子の混合割合は、質量比で、「７６／２４」以上「９０／１０」未満であることが好ましい（「第１の合金粒子」／「第２の金属粒子」）。この範囲とすることで、導電性ペースト組成物の粘度の低下が小さく、導電性ペースト組成物がビアホールから流出するおそれがない。【００６６】
第１の合金粒子及び第２の金属粒子の平均粒子径は、１０μｍ以下であることが好ましい。第１の合金粒子をこのような粒径とすることによって、導電性ペースト組成物をビアホールに充填しやすくなり、また、金属拡散が生じやすくなる。また、第２の金属粒子をこのような粒径とすることによって、基板１００Ｂを加熱積層する際における導電性ペースト組成物の粘度を調整する効果が良好となる。【００６７】
第１の合金粒子と第２の金属粒子の平均粒径差は、２μｍ以下であることが好ましい。このように粒径をなるべくそろえることによって、金属拡散接合を生じやすくすることができる。【００６８】
本発明において使用するバインダー成分は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物、熱可塑性樹脂組成物、又は、加熱により硬化する重合性単量体の混合物と熱可塑性樹脂組成物との混合物である。このようなバインダー成分として、加熱により硬化する重合性単量体の混合物としては、アルケニルフェノール化合物及びマレイミド類の混合物を挙げることができる。なお、アルケニルフェノール化合物及び／又はマレイミド類が、高分子化合物であっても、これらを加熱することにより、架橋反応して硬化するものであれば、本発明の重合性単量体に含まれるものとする。熱可塑性樹脂組成物としては、ポリエステル系樹脂等が挙げられる。【００６９】
アルケニルフェノール化合物としては、分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有するアルケニルフェノール化合物、つまり、芳香環の水素原子の一部がアルケニル基に置換されたフェノール系化合物を挙げることができる。また、具体的には、このようなアルケニルフェノール化合物としては、ビスフェノールＡ又はフェノール性水酸基含有ビフェニル骨格にアルケニル基が結合した化合物を挙げることができる。さらに具体的には、３，３’−ビス（２−プロペニル）−４，４’−ビフェニルジオール、３，３’−ビス（２−プロペニル）−２，２’−ビフェニルジオール、３，３’−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−４，４’−ビフェニルジオール、３，３’−ビス（２−メチル−２−プロペニル）−２，２’−ビフェニルジオール等のジアルケニルビフェニルジオール化合物；２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−プロペニル）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−ヒドロキシ−３−（２−メチル−２−プロペニル）フェニル］プロパン（以下、「ジメタリルビスフェノールＡ」という。）等のジアルケニルビスフェノール化合物を挙げることができる。この中でも、原料コストが安く、安定供給が可能であるという点から、アルケニルフェノール化合物としては、ジメタリルビスフェノールＡを使用することが好ましい。ジメタリルビスフェノールＡの構造式を式１に示す。【００７０】
【化１】
2009072531.tif 000003
【００７１】
マレイミド類としては、分子中に少なくとも２個のマレイミド基を有するマレイミド化合物を挙げることができ、具体的には、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン等のビスマレイミド、トリス（４−マレイミドフェニル）メタン等のトリスマレイミド、ビス（３，４−ジマレイミドフェニル）メタン等のテトラキスマレイミド及びポリ（４−マレイミドスチレン）等のポリマレイミド等を挙げることができる。この中でも、マレイミド類としては、原料コストが安く、安定供給可能であるという点から、ビス（４−マレイミドフェニル）メタンを使用することが好ましい。ビス（４−マレイミドフェニル）メタンの構造式を式２に示した。【００７２】
【化２】
2009072531.tif 000004
【００７３】
このバインダー成分において、アルケニルフェノール化合物及びマレイミド類の混合比は、モル比で、「３０／７０」以上「７０／３０」未満であることが好ましい（「アルケニルフェノール化合物」／「マレイミド類」）。この範囲を超えて、バインダー成分中のどちらかの成分が多すぎると、生成する樹脂が脆くなり、導電性ペースト組成物と導体パターン２０との接着力が低下してしまう。【００７４】
バインダー成分の硬化反応について、以下説明する。アルケニルフェノール化合物におけるアルケニル基は、マレイミド化合物のエチレン性不飽和基と交互共重合及び／又は付加反応し、またフェノール性水酸基もマレイミド基のエチレン性不飽和基と付加反応する。以下、バインダー成分として例示した、ジメタリルビスフェノールＡ及びビス（４−マレイミドフェニル）メタンの硬化機構について、具体的に説明する。まず、１２０〜１８０℃に加熱した段階で、以下の式３で示される線状の重合体が得られる。【００７５】
【化３】
2009072531.tif 000005
【００７６】
さらに、２００℃以上に加熱すると、例えば、以下の式４で示される三次元状に架橋した重合体が得られる。【００７７】
【化４】
2009072531.tif 000006
【００７８】
本発明においては、このようなバインダー成分の三次元架橋による硬化が、半田成分が第２の金属粒子及び／又は導体パターン部を形成する金属へ金属拡散することを促進し、これにより高度な金属拡散接合が形成されると考えられている。つまり、バインダー成分が硬化する時に、ビアホール内の第１の合金粒子及び第２の金属粒子に圧力がかかり、これにより、半田成分が、金属粒子及び導体パターン２０を形成する金属へ金属拡散することが促進されると考えられている。バインダー成分の弾性率が、温度によって変化する様子を図４に示す。単量体混合物の弾性率は、温度の上昇により小さくなっていく。しかし、１２０〜１８０℃において式３で示した線状の重合体が形成されることによって、弾性率が急に大きくなる（図４における、「単量体混合物」のグラフから、「架橋後」のグラフとなる。）。その後、線状の重合体は、２００℃以上において、式４で示される三次元状に架橋した重合体に変化していくと考えられている。架橋後のグラフは、温度の上昇と共に小さくなる傾向はある。しかし、高温領域においても溶融することなく、一定の弾性率を保っている。【００７９】
このように、１３０〜２６０℃において非鉛半田粒子が融解した時に、バインダー成分は硬化反応することにより、一定の弾性率を保持する。このように、融解した非鉛半田粒子に対して、バインダーが硬化することによる圧力がかかり、これにより、導電性ペースト組成物において、金属拡散接合が生じると考えられる。そして、このような導電性ペースト組成物を用いた多層配線基板２００は、そのビアホールの抵抗値が非常に低いものとなり、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び、導体接着強度に優れたものになると考えられる。【００８０】
このような観点から、半田粒子が溶解した段階で、バインダー成分が硬化する必要があり、非鉛半田粒子の融点が、バインダー成分の硬化温度範囲に含まれていれば、金属拡散が促進されるという効果を享受することができ、溶解した半田成分がビアホールからはみ出してしまうおそれもないため、好ましい。【００８１】
上記したように、導電性ペースト組成物は、導電粉末及びバインダー成分を含有するものであるが、この導電粉末及びバインダー成分の混合比は、質量比で、「９０／１０」以上「９８／２」未満であることが好ましい（「導電粉末」／「バインダー成分」）。下限値を前記範囲とすることで、ビアホールに充填した導電性ペーストの電気抵抗値の増加を抑えられ、上限値を前記範囲とすることで、導電性ペースト組成物をビアホールに印刷充填する作業性が悪化や、導電性ペースト組成物と導体パターン２０との接着強度が低下を防ぐことができる。【００８２】
（配線基板１００ａの製造方法）
配線基板１００ａの製造方法の概要を図２（ａ）に示した。まず、絶縁基材１０を上記した方法により、例えば、Ｔダイを用いた押出キャスト法により形成する。そして、銅箔２２を熱圧着により絶縁基材１０に貼り付け、レーザー又は機械ドリル等を用いてビアホール３０を形成する。そして、銅箔２２の表面にレジストを形成してエッチングする通常の方法によって、導体パターン２０を形成する。その後、スクリーン印刷等の通常の印刷方法によって、導電性ペースト組成物をビアホール３０に充填して、層間配線を形成する。なお、導体パターン２０を形成後、ビアホール３０に銅メッキすることで、層間配線を形成してもよい。また、銅箔２２の貼り付けを、押出製膜と同時に行ってもよいし、絶縁基材１０上にレジストパターンを形成して、メッキ法により導体パターン２０を形成してもよい。また、以上の製法における各手順の順序は特に限定されない。さらに、上記製造方法においては、絶縁基材１０上に所定の導体パターン２０及びビアホール３０を形成しているが、絶縁基材１０上に所定の導体パターン２０を形成しておき、多層化後にビアホール３０を形成しても良い。【００８３】
＜配線基板１００Ａ＞
以下、配線基板１００Ａの構成部材について説明する。
配線基板１００Ａは、上記絶縁基材１０に、さらにキャビティー用穴１５が形成されて
なる絶縁基材１１に所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。また、配線基板１００Ａは、多層配線基板とした際にキャビティー部底面に配置される配線基板１（１００ａ）より上層側に配置される配線基板２として使用することができるものであって、複数層積層することも可能である。なお、複数積層させた場合においては、複数積層された配線基板のうちの少なくとも１層を配線基板１００Ａとすれば良い。【００８４】
（配線基板１００Ａの製造方法）
配線基板１００Ａの製造方法の概要を図２（ｂ）に示した。上記した方法によって製造された配線基板１００ａにキャビティー用穴１５を形成することで、配線基板１００Ａが製造される。【００８５】
（キャビティー用穴１５）
キャビティー用穴１５は、例えば、ＬＥＤ素子２４０を搭載する位置に対応して、絶縁基材１０を上下に貫くように形成される。キャビティー用穴１５の大きさ、形状は特に限定されず、搭載するＬＥＤ素子２４０に合わせて形成される。また、図１（ａ）に示した多層配線基板２００においては、上層側に積層された複数の配線基板１００Ａは、同一の形状及び大きさのキャビティー穴１５を有している。これにより、配線基板２００に直方体形状のキャビティー部２２０が形成される。【００８６】
図２（ｂ）に示すように、絶縁基板１０を作成した後に、絶縁基板１０にキャビティー用穴１５が形成される。キャビティー用穴１５は、一般的には、ビク型を用いて所定の形状に打ち抜いたり、レーザーを用いて切断したりする等の方法により形成される。【００８７】
その後は、キャビティー用穴１５を形成した絶縁基板１０に、銅箔２２が熱圧着等により貼り付けられ、導体パターン２０及びビアホール３０が形成されて配線基板１００Ａが形成される。また、絶縁基材１０に銅箔２２を貼り付けた後に、上記と同様の方法でキャビティー用穴１５を形成してもよい。以上のようにして、配線基板１００Ａが製造される。【００８８】
また、図１（ｂ）に示した多層配線基板２００Ａにおいては、上層側に積層された複数の配線基板１００Ａに、異なる大きさのキャビティー用穴１５が形成されている。上層側に積層された複数の配線基板１００Ａにおいて、より上層の配線基板１００Ａがより大きなキャビティー用穴１５を有している。これにより、配線基板２００Ａに、側面が階段状のキャビティー部２２０が形成される。【００８９】
＜配線基板１００Ｂ＞
以下、配線基板１００Ｂの各構成部材について説明する。
配線基板１００Ｂは、熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａに所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。また、配線基板１００Ｂは、多層配線基板とした際にキャビティー部底面に配置される配線基板１より下層側に配置される配線基板３として使用するものではあるが、上記配線基板１００ａ及び配線基板１００Ａの配置によっては、上記配線基板１として使用したり、配線基板１より上層側に配置される配線基板２として使用したりすることも可能である。なお、配線基板１００Ｂを上層側に配置する場合においては、配線基板１００Ａと同様にキャビティー用穴（１５）を形成すれば良い。【００９０】
（絶縁基材１０ａ）
絶縁基材１０ａを構成する熱可塑性樹脂組成物については、先に説明した絶縁基材１０におけるものと同様のものである。【００９１】
絶縁基材１０ａを構成する熱可塑性樹脂組成物は無機充填材を含有していてもよく、無機充填材については、特に制限はなく、先に説明した絶縁基材１０におけるものと同様のものである。【００９２】
無機充填材の添加量は、熱可塑性樹脂組成物１００質量部に対して２０質量部以上かつ５０質量部以下とすることが好ましい。無機充填材の添加量が多すぎると、無機充填材の分散不良の問題が発生し、線膨張係数がばらつき易くなったり、強度低下を招き易くなったりする。また、無機充填材の添加量が少なすぎると、線膨張係数を低下させて寸法安定性を向上させる効果が小さく、リフロー工程において導体パターン２０との線膨張係数差に起因する内部応力が発生し、基板にそりやねじれが発生するからである。【００９３】
また、絶縁基材１０ａを構成する熱可塑性樹脂組成物には、その性質を損なわない程度に、他の樹脂や無機充填材以外の各種添加剤を含有させることができ、これら添加剤としては、上述したものを挙げることができ、これら無機充填材を含めた各種添加剤を添加する方法としては、公知の方法、具体的には上述した方法を挙げることができる。【００９４】
絶縁基材１０ａは、先に説明した絶縁基材１０と同様の方法によって、製造することができ、また導体パターン２０、及びビアホール３０についても、先に説明した絶縁基材１０と同様に形成することができる。【００９５】
（配線基板１００Ｂの製造方法）
配線基板１００Ｂは、絶縁基材として熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａを使用した点以外については、先に説明した配線基板１００ａの製造方法と同様にして、製造される。具体的には、熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａを、上記した方法により、例えば、Ｔダイを用いた押出キャスト法により形成する。そして、銅箔２２を熱圧着により絶縁基材１０ａに貼り付け、レーザー又は機械ドリル等を用いてビアホールを形成する。そして、銅箔２２の表面にレジストを形成してエッチングする通常の方法によって、導体パターン２０を形成する。なお、導体パターン２０を形成後、ビアホール３０に銅メッキすることで、層間配線を形成してもよい。また、銅箔２２の貼り付けを、押出製膜と同時に行ってもよいし、絶縁基材１０ａ上にレジストパターンを形成して、メッキ法により導体パターン２０を形成することとしてもよい。また、以上の製法における各手順の順序は特に限定されない。さらに、上記製造方法においては、絶縁基材１０ａ上に所定の導体パターン２０及びビアホール３０を形成しているが、絶縁基材１０ａ上に所定の導体パターン２０を形成しておき、多層化後にビアホール３０を形成しても良い。【００９６】
（絶縁基材の弾性率の温度に対する挙動）
ここで、絶縁基材の温度に対する弾性率の挙動について説明する。熱可塑性樹脂組成物として、結晶融解ピーク温度が２６０℃以上の結晶性熱可塑性樹脂からなる組成物を用いた場合であって、この結晶性熱可塑性樹脂として、ポリエーテルエーテルケトン及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物を用いた場合における、絶縁基材の弾性率の温度に対する挙動を図５に示した。【００９７】
「積層前」と表示されているのが、多層配線基板として積層する前における、絶縁基材の弾性率の温度に対する挙動を示したグラフである。また、「積層後」と表示されているのが、所定の条件において加熱・加圧することによって多層配線基板２００とした後における、絶縁基材の弾性率の温度に対する挙動を示したグラフである。積層前の状態では、上記したように、絶縁基材は急冷製膜することにより非晶性フィルム化されている。よって、２００℃付近という比較的低温領域において弾性率が十分に低下する。これにより、積層前の絶縁基材は、比較的低温において熱成形、熱融着することができる。【００９８】
非晶性フィルム化されている絶縁基材は、多層配線基板２００を製造する際における所定の条件下での加熱・加圧成形によって、結晶性へと変化する。これに伴って絶縁基材の弾性率は大きく変化して、図５における積層後のグラフで示されるような挙動を示すようになる。これにより、以下に説明するように金属拡散接合を促進するという効果を発揮して、多層配線基板２００を、そのビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができると共に、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着力に優れたものとすることができると考えられている。【００９９】
次に、どのように金属拡散接合が促進されるかについて説明する。ここで、導電性ペースト組成物中の非鉛半田粒子と絶縁基材との関係が重要であり、非鉛半田粒子の融点における、樹脂組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満であることが好ましい。なお、絶縁基材を形成する熱可塑性樹脂組成物として、上記した好ましい形態である、ポリエーテルエーテルケトン及び非晶性ポリエーテルイミドの混合組成物を使用した場合は、図５に示すように、１３０℃以上２６０℃未満という非鉛半田粒子の融点における、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率が、１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満となっている。なお、熱可塑性樹脂組成物の貯蔵弾性率は、粘弾性評価装置を用い、測定周波数１Ｈｚで昇温速度３℃／分で測定した値である。【０１００】
上記のように非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物が１０ＭＰａ以上５ＧＰａ未満の貯蔵弾性率を有するものとすることは、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせると共に、溶融せずにある程度の弾性率を保持させていることを意味している。【０１０１】
このように、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物にある程度の柔軟性を持たせることによって、導電性ペースト組成物と熱可塑性樹脂組成物とが相互になじむことができ、導電性ペースト組成物と絶縁基材との接着性が向上する。また、非鉛半田粒子の融点において、熱可塑性樹脂組成物が溶融せずに、ある程度の弾性率を保持することによって、配線基板を熱融着により積層する際に、導電性ペースト組成物をビアホールの側面である熱可塑性樹脂組成物により締め付けることができ、導電性ペースト組成物に圧力をかけることができる。これにより、非鉛半田粒子中の錫成分が第２の金属粒子及び／又は導体パターン部を形成する金属中に金属拡散し、金属拡散接合を形成させることができると考えられている。【０１０２】
＜多層配線基板２００、２００Ａの製造方法＞
本発明の多層配線基板２００の製造方法の概要を図３に示した。図３に示した一実施形態においては、キャビティー部底面に配置される配線基板１００ａ、上層側に配置される複数の配線基板１００Ａ、及び下層側に配置される複数の配線基板１００Ｂで構成されている。多層配線基板２００は、複数の配線基板１００Ｂを下層側に、該配線基板１００Ｂの上に配線基板１００ａを積層し、さらにキャビティー用穴１５を形成した複数の配線基板１００Ａを前記キャビティー部底面に配置される配線基板１００ａより上層側にして積層して、これらを熱圧着させることによって製造することができる。図３に示した製造方法においては、最下層の配線基板１００Ｂの向きを上下反転させて、配線パターン２０が外側になるように配置積層されている。【０１０３】
積層条件としては、温度：１８０℃以上３２０℃未満、圧力：３ＭＰａ以上１０ＭＰａ未満、プレス時間：１０分以上１２０分以下とすることが好ましい。このような条件で、積層することによって、絶縁基材が、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなる場合は、非晶性フィルム化されている絶縁基材が、積層時の加熱により結晶に変化する。これにより、絶縁基材は、非鉛半田耐熱性を発現する。また、ビアホール中の導電ペーストが金属拡散接合して、ビアホールの抵抗値を非常に小さくすることができ、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着強度に優れた多層配線基板２００、２００Ａとすることができる。【０１０４】
また、多層配線基板２００、２００Ａの製造の際には、スペーサー２６０が使用される。スペーサー２６０は、キャビティー部２２０と同様な形状を有しており、キャビティー部２２０に挿入して使用される。多層配線基板２００Ａを製造する場合は、階段状のスペーサー２６０を使用する。スペーサー２６０は、絶縁基材１０や導体パターン２０との離型性を有し、圧着時においてもキャビティー部２２０の形状を保持するような弾性率を有する材料により形成することができる。このような材料としては、例えば、ポリイミド樹脂を挙げることができる。また、金属のスペーサーを用いても良いし、キャビティー形状に合わせ凸状の金型を用いることもできる。【０１０５】
また、多層配線基板２００、２００Ａを作製する際の熱圧着は、図３の上下から、プレス機の押圧治具によりプレスすることにより行われる。プレス治具と配線基板との間には離型フィルム３２０及びステンレス銅シート３４０が挟みこまれる。離型フィルム３２０は、熱圧着後に、多層配線基板２００、２００Ａをプレス機から取り出す際の、離型性を確保するために使用される。離型フィルム３２０としては、例えば、ポリイミドフィルムが使用される。また、ステンレス鋼シート３４０は、均一に圧力をかけるために使用される。【０１０６】
また、多層配線基板２００、２００Ａの製造の際には、クッション性のある離型フィルムを用いることもできる。クッション性のある離型フィルムを構成する材料としては、特に限定されるものではなく、積層温度域で樹脂流出のないものが好適に用いられる。その材料としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＴＰＸ）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）、シリコン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）樹脂等が挙げられる。単層構成でも、表層に離型性の樹脂を積層した複層構成でも構わない。【０１０７】
また、実際に多層配線基板２００、２００Ａを作製する場合は、複数個の配線基板１００Ｂを同一平面上に含む基板を複数枚積層し、その上に、配線基板１００ａ及び／又は複数個の配線基板１００Ａを同一平面上に含む基板を複数枚積層して、これらを熱圧着させる。そして、最後に多層配線基板２００、２００Ａごとに切断する。このようにして、複数個の多層配線基板２００、２００Ａが同時に作製される。【０１０８】
本発明の多層配線基板２００、２００Ａは、キャビティー部２２０にＬＥＤ素子２４０を搭載して使用される。ＬＥＤ素子２４０を搭載した状態を図１（ｃ）及び（ｄ）に示した。図１（ｃ）に示した形態は、ＬＥＤ素子２４０をキャビティー部２２０に搭載して、ボンディングワイヤによりキャビティー部側面の導体パターン２０に接続した形態である。このように、本発明の多層配線基板２００Ａは、キャビティー部２２０の形状を階段状等の複雑な形状とすることができる。そして、これにより、様々な形態でＬＥＤ素子２４０を搭載することができる。【０１０９】
また、図１（ｄ）に示した形態は、二つのＬＥＤ素子２４０を並列してキャビティー部２２０に搭載した形態である。この形態においては、ＬＥＤ素子２４０は、キャビティー部２２０に搭載され、ＬＥＤ素子２４０と多層配線基板２００との電気的な接続はボンディングワイヤにより行われている。このように、本発明の多層配線基板２００においては、ＬＥＤ素子２４０の搭載方法を種々のパターンにより搭載することができる。そして、その搭載方法に合わせて、ビアホール３０の位置を自由に調整することができる。【０１１０】
＜多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄ＞ 
本発明の多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄは、複数の配線基板を積層してなるものであって、多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される配線基板２を備えて構成され、配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０、該絶縁基材１０の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層４０からなり（以下、絶縁基材１２ともいう。）、さらに配線基板２は、さらにキャビティー用穴１５が形成された絶縁基材（図示せず）からなることを必要とする。そして、これら絶縁基材上に所定の導体パターン２２や、層間配線となるビアホール３０を形成して、配線基板１００ｃ及び配線基板１００Ｃとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装可能とするものである。【０１１１】
図６（ａ）及び（ｂ）に多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄの模式図を示した。図６に示した一実施形態においては、キャビティー部底面に配置される配線基板１を配線基板１００ｃで構成し、上層側に配置される配線基板２をすべて配線基板１００Ｃで構成している。キャビティー部にＬＥＤ素子を実装した時には、このような構成とすることで、リフレクターとしての機能を顕著に発揮できるため好ましい。また、本構成においては、前記配線基板１の下層側に配線基板１００Ｄを配置しているが、このような構成とすることもでき、配線基板１００Ｄにキャビティー用穴を形成した配線基板１００ｄを上層側に配置する構成とすることもできる。なお、配線基板１００Ｄは、熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａ、該絶縁基材１０ａの少なくとも片面に設けられた熱可塑性樹脂組成物を主成分とする接着層４０からなるものである。なお、各種配線基板の構成は、上述したように様々なバリエーションとすることが可能である。【０１１２】
＜配線基板１００ｃ＞
配線基板１００ｃは、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０、該絶縁基材１０の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層４０に所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。配線基板１００ｃは、例えば、多層配線基板とした際にキャビティー部底面に配置される配線基板１や、該キャビティー部底面に配置される配線基板より下層側に配置して使用することができる。【０１１３】
（接着層）
配線基板１００ｃにおいては、各層間の接着性を発揮するための接着層４０が形成されている。接着層４０は、絶縁基材１０の少なくとも片面に形成されている。絶縁基材１０の少なくとも片面に接着層４０が形成されていれば、各層を熱圧着積層することができるが、図示したように、絶縁基材１０の両面に接着層４０を形成してもよい。【０１１４】
接着層４０を形成する熱硬化性樹脂組成物を構成する材料としては、１８０℃から３２０℃未満の積層温度域で熱硬化し、非鉛半田耐熱性を有すれば、特に限定されないが、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が挙げられる。その中でも特に、耐熱性、電気特性等を勘案すると、前記した導電性ペースト組成物を構成するバインダー成分であるアルケニルフェノール化合物及びマレイミド類の混合物を用いることが好ましい。該混合物には、その性質を損なわない程度に、他の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂や無機充填材、各種添加剤、例えば、安定剤、紫外線吸収剤、光安定剤、核剤、着色剤、滑剤、難燃剤、製膜助剤、ラジカル重合開始剤、エポキシ基反応触媒、チクソ性付与剤、シランカップリング剤等を適宜添加してもよい。【０１１５】
接着層４０の厚みは、絶縁基材１０の厚みに対して、１／５以下であることが好ましく、１／１０以下であることがより好ましく、１／２０以下であることがさらに好ましい。また接着層２０の厚みは、好ましくは３０μｍ以下であり、より好ましくは、２０μｍ以下であり、さらに好ましくは、１０μｍ以下である。接着層４０の厚みが厚すぎると、形成したキャビティー部２２０内に樹脂が流出し、導体パターン２０を覆う場合があり、また、逐次積層時に、ビアホール３０部分に樹脂が流出し、金属拡散を阻害する場合がある。【０１１６】
＜配線基板１００ｃの製法＞
配線基板１００ｃの製法としては、まず、上記した配線基板１００ａの製法と同様にして絶縁基材１０を、例えば、Ｔダイを用いた押出キャスト法により形成する。そして、予め、離型処理されたＰＥＴフィルム上に熱硬化性樹脂組成物を含有する溶液を塗布して乾燥固化して、剥離性のあるフィルム上に接着層４０を形成する。そして、熱ラミネートによりこの接着層４０を絶縁基材１０上に熱転写することによって、絶縁基材１０の両面に接着層４０を形成する。そして、レーザー又は機械ドリル等を用いてビアホール３０を形成する。その後、スクリーン印刷等の通常の印刷方法によって、導電性ペースト組成物をビアホール３０に充填し、層間配線を形成して、絶縁基材５０を作製する（図８参照）。【０１１７】
そして、接着層４０を積層した絶縁基材１０の両面に銅箔２２を積層する。そして、銅箔２２の表面にレジストを形成してエッチングする通常の方法によって、導体パターン２０を形成して、層間配線とする。これにより、両面に導体パターン２０を備えた配線基板１００ｃ（両面基板）を作製できる。また、ビアホールを形成させた後、銅めっきすることにより、銅箔２２を形成し、エッチングすることにより、導体パターン２０を形成して、層間配線とすることもできる。以上の製法における各手順の順序は特に限定されない。さらに、上記製造方法においては、絶縁基材１０上に所定の導体パターン２０及びビアホール３０を形成しているが、絶縁基材１０上に所定の導体パターン２０を形成しておき、多層化後にビアホール３０を形成しても良く、ビアホール３０のみを形成した絶縁基材を使用してもよい。【０１１８】
＜配線基板１００Ｃ＞
配線基板１００Ｃは、上記絶縁基材１２に、さらにキャビティー用穴１５が形成されてなる絶縁基材に所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。キャビティー用穴１５は、絶縁基材１０上に接着層４０を形成した後に、上記した配線基板１００Ａにおける場合と同様の方法で形成される。ビアホール３０の形成は、キャビティー用穴１５を形成した後であっても前であってもよい。【０１１９】
＜配線基板１００Ｄ＞
配線基板１００Ｄは、熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａ、該絶縁基材１０ａの少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層４０からなる絶縁基材１３に所定の導体パターン及び層間配線が形成されてなるものである。熱可塑性樹脂組成物を主成分とする絶縁基材１０ａ、導体パターン２０、ビアホール３０については、先に説明した配線基板１００Ｂにおけるものと同様であり、接着層４０については、先に説明した配線基板１００ｃにおけるものと同様である。【０１２０】
（配線基板１００Ｄの製法）
配線基板１００Ｄの製法としては、絶縁基材１０ａを使用する以外において、上記配線基板１００ｃと同様の方法で作製することができる。なお、配線基板１００Ｄの製造方法の概観を図７に示した。【０１２１】
（絶縁基材５０Ｃ）
絶縁基材５０Ｃは、上記配線基板１００ｃにおいて製造された絶縁基材５０（図８参照）にキャビティー用穴１５を形成して製造される。キャビティー用穴１５は、絶縁基材１０上に接着層４０を形成した後に、上記した配線基板１００Ａにおける場合と同様の方法で形成される。絶縁基材５０Ｃにおける、ビアホール３０の形成は、キャビティー用穴１５を形成した後であっても前であってもよい。【０１２２】
＜多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄの製造方法＞
本発明の多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄの製造方法の概要（逐次積層）を図９、図１０に示した。積層方法は、熱圧着により行うことができ、一括積層及び逐次積層のいずれによっても積層することができる。一括積層の場合は、片面に導体パターン２０を備えた片面基板を複数層重ね合わせて、多層配線基板２００、２００Ａの場合と同様にして熱圧着させることにより製造できる。以下、図９及び図１０に沿って、逐次積層により多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄを製造する方法について説明する。【０１２３】
図９に多層配線基板２００Ｃの製造方法の概要を示した。まず、配線基板１００Ｄ上に絶縁基材５０Ｄを重ね、その上に銅箔２２を重ね、これらを熱圧着積層する。そして、エッチングする等の方法より、銅箔２２を配線パターン２０とする。この操作は、複数回繰り返してもよく、配線基板１００Ｄ上に形成したい絶縁基材５０Ｄの数に応じて、繰り返し行われる。【０１２４】
その後、絶縁基材５０Ｄ上に、キャビティー部底面に位置する絶縁基材５０を重ね、その上に銅箔２２を重ねて、これらを熱圧着積層する。そして、エッチングする等の方法により導体パターン２０を形成する。さらに、絶縁基板５０にキャビティー用穴１５が形成された絶縁基材５０Ｃを重ね、その上に銅箔２２を重ねて、これらを熱圧着積層する。そして、エッチングする等の方法により、銅箔２２を導体パターン２０とする。この操作は、複数回繰り返してもよく、形成したい絶縁基材５０Ｃの数に応じて、繰り返し行われる。図１０に示した多層配線基板２００Ｄの製法においても、使用されるスペーサーの形状が異なる以外は、同様にして多層配線基板２００Ｄが製造される。以上のように、配線基板１００Ｄ上に、絶縁基材５０Ｄ、５０、５０Ｃ及び銅箔２２を熱圧着積層し、銅箔をエッチングするという工程を逐次的に繰り返し行うことによって、多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄが製造される。【０１２５】
上記の多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄにおける、逐次積層の条件としては、温度１８０℃以上３２０℃未満、圧力：３ＭＰａ以上１０ＭＰａ未満、プレス時間：１０分以上１２０分以下とすることが好ましい。このような条件で、積層することによって、絶縁基材が、ポリアリールケトン樹脂及び非晶性ポリエーテルイミド樹脂の混合組成物からなる場合は、非晶性フィルム化されている絶縁基材が、積層時の加熱により結晶に変化する。これにより、絶縁基材は、非鉛半田耐熱性を発現する。また、このような条件で積層することによって、熱硬化性組成物からなる接着層４０が硬化し、非鉛半田耐熱性を発現する。また、ビアホール３０中の導電ペーストが金属拡散接合して、ビアホール３０の抵抗値を非常に小さくすることができ、吸湿耐熱性、接続信頼性、及び導体接着強度に優れた多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄとすることができる。【０１２６】
キャビティー用穴１５が形成された絶縁基材５０Ｃを積層する際には、キャビティー用穴１５の形状に沿ったスペーサーが使用される。図９においては、一層目の絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２を積層する際には、絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２の合計厚さに相当する厚みのスペーサー２６２ａが使用され、その後、二度目に絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２を積層する際には、二倍の厚さのスペーサー２６２ｂが使用される。なお、スペーサー２６２ｂの代わりに二つのスペーサー２６２ａを用いてもよい。【０１２７】
図１０に示した多層配線基板２００Ｄを製造する場合には、一層目の絶縁基材５０Ｃと二層目の絶縁基材５０Ｃのそれぞれのキャビティー用穴１５の大きさが異なっているので、それぞれのキャビティー用穴１５の大きさにあったスペーサー２６２ａ，２６２ｃが使用される。二度目の配線基板５０Ｃの積層の際に、スペーサー２６２ａ、２６２ｃの代わりに、階段状のスペーサーを使用してもよい。スペーサーの材料としては、上記した多層配線基板２００、２００Ａの場合と同様である。【０１２８】
多層配線基板２００、２００Ａにおける場合と同様に、熱プレス時には、離型フィルム３２０及びステンレス鋼シート３４０が使用される。離型フィルム３２０としてクッション性のある離型フィルムを用いることができる点も同様である。また、同一平面上に複数個の配線基板を含む基板を積層して複数個の多層配線基板を同時に作製することができる点も同様である。また、図１（ｃ）及び（ｄ）に示した形態と同様にして、多層配線基板２００Ｃ、２００Ｄも、ＬＥＤ素子２４０を搭載することができる。【０１２９】
＜多層配線基板２００Ｅ＞
本発明の多層配線基板２００Ｅは、多層配線基板（２００、２００Ａ）の他の形態であり、複数の配線基板を積層してなるものであって、多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される配線基板２を備えて構成され、配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０からなり、さらに配線基板２は、絶縁基材１０上にキャビティー用穴１５が形成された絶縁基材１１からなることを必要とする。絶縁基材１０及び１１上に所定の導体パターン２２や、層間配線となるビアホール３０を形成して、配線基板１００ａ及び配線基板１００Ａとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装可能とするものである。【０１３０】
本発明の多層配線基板２００Ｅは、図１１（ａ）に示すように、絶縁基材１０及び１１上に所定の導体パターンや、層間配線となるビアホール（以下、スルーホールともいう。）を形成して、配線基板１００ａ及び配線基板１００Ａとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装するものである。【０１３１】
＜多層配線基板２００Ｅの製造方法＞
多層配線基板２００Ｅの製造方法の概要を図１２に示した。図１２に示すように、まず、絶縁基材１０を上記した方法により、例えばＴダイを用いた押出キャスト法により製造するとともに、銅箔２２をラミネーションして、片面銅張絶縁基材５０Ｅを作製する。そして上記に示した方法により、該絶縁基材５０Ｅにキャビティー用穴１５を形成した片面銅張絶縁基材５０Ｆを作製する。絶縁基材５０Ｅ上に絶縁基材５０Ｆを重ねて、熱圧着により積層し、そして、レーザー又は機械ドリル等を用いてスルーホールを形成し、フォトリソグラフ法等により導体パターン及び層間配線を形成して、多層配線基板２００Ｅを作製する。【０１３２】
＜多層配線基板２００Ｆ＞
本発明の多層配線基板２００Ｆは、多層配線基板（２００Ｃ、２００Ｄ）の他の形態であり、複数の配線基板を積層してなるものであって、多層配線基板とした際に、少なくとも前記キャビティー部底面に配置される配線基板１、及び配線基板１より上層側に配置される配線基板２を備えて構成され、配線基板１及び／又は配線基板２は、無機充填材を含有する熱可塑性樹脂組成物を主成分とし、波長４００〜８００ｎｍにおける平均反射率が７０％以上であって、かつ２００℃で４時間熱処理した後の波長４７０ｎｍにおける反射率の低下率が１０％以下である絶縁基材１０、該絶縁基材１０の少なくとも片面に設けられた熱硬化性樹脂組成物を主成分とする接着層４０からなり（以下、絶縁基材１２ともいう。）、さらに配線基板２は、絶縁基材１２に、さらにキャビティー用穴１５が形成された絶縁基材（図示せず）からなることを必要とする。そして、これら絶縁基材上に所定の導体パターン２２や、層間配線となるビアホール３０を形成して、配線基板１００ｃ及び配線基板１００Ｃとし、これらを多層化して、ＬＥＤ素子を実装可能とするものである。【０１３３】
＜多層配線基板２００Ｆの製造方法＞
多層配線基板２００Ｆの製造方法の概要（逐次積層）を図１３に示した。図１３に示すように、まず、絶縁基材１０を上記した方法により、例えばＴダイを用いた押出キャスト法により製造する（図１３（ａ））。そして、予め、離型処理されたＰＥＴフィルム上に熱硬化性樹脂組成物を含有する溶液を塗布して乾燥固化して、剥離性のあるフィルム上に接着層４０を形成する。そして、熱ラミネートによりこの接着層４０を絶縁基材１０上に熱転写することによって、絶縁基材１０の両面に接着層４０を形成する（図１３（ｂ））。そして、接着層が積層された絶縁基材の両面に銅箔２２を重ね、熱圧着積層する（図１３（ｃ））。さらに、レーザー又は機械ドリル等を用いてスルーホールを形成する（図１３（ｄ））。その後、フィルドメッキ処理等によって層間配線を形成し（図１３（ｅ））、さらに、フォトリソグラフ法等によって、導体パターン２０を形成して、配線基板１００ｃを得る（図１３（ｆ））。この操作は、複数回繰り返してもよく、形成したい配線基板１００ｃの数に応じて、繰り返し行われる（図１３（ｇ）〜（ｉ））。【０１３４】
そして、予め絶縁基材１０の両面に、先に説明した多層配線基板２００Ｆと同様にして、接着層４０を熱転写し、接着層４０が積層された絶縁基材の片面に銅箔２２を重ね、熱圧着積層して得られる絶縁基材５０Ｇを作製しておき、これを配線基板１００ｃ上に重ねて熱圧着積層する（図１３（ｊ））。そして、エッチングする等の方法により、銅箔２２を導体パターン２０とする（図１３（ｋ））。この操作は、複数回繰り返してもよく、形成したい絶縁基材５０Ｇの数に応じて、繰り返し行われる。以上のようにして、配線基板１００ｃ上に、絶縁基材５０Ｇ、及び銅箔２２を熱圧着積層し、銅箔をエッチングするという工程を逐次的に繰り返し行うことによって、多層配線基板２００Ｆが製造される。【０１３５】
以上説明したように、本発明の多層配線基板２００、２００Ａ、２００Ｃ、２００Ｄ、２００Ｅ、２００Ｆは、キャビティー部２２０の形状を様々な形状に設計することができる。これにより、ＬＥＤ素子２４０の搭載方法、及び、その電気的接続方法に様々なバリエーションを付与することができる。
【実施例】
【０１３６】
以下、実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１３７】
＜実施例１＞
（配線基板１００ａの作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を１６質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを４５質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１００μｍのフィルムを押し出すと同時に、片側から銅箔２２をラミネーションして、片面銅張絶縁基材を得た。そして、所望の位置に、レーザーを使用して直径１００μｍのビアホールを形成した。そして、導電性ペースト組成物を、このビアホールにスクリーン印刷により充填した。充填後１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。その後、フォトリソグラフ法により、銅箔に導体パターン２０を形成した。以上の方法によって、ビア間１５０μｍ、配線間距離５０μｍの配線基板１００ａを作製した。【０１３８】
上記の導電ペースト組成物としては、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金粒子（平均粒径５．５５μｍ、融点２２０℃、組成：Ａｇ３．０質量％、Ｃｕ０．５質量％、残部Ｓｎ）７６質量％及びＣｕ粒子（平均粒径５μｍ）２４質量％の割合で混合した導電粉末９７質量部に対して、ジメタリルビスフェノールＡ５０質量％及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体の混合物３質量部、ならびに溶剤としてγブチロラクトン７．２質量部を添加して、３本ロールで混練して調整した導電性ペースト組成物を用いた。【０１３９】
（配線基板１００Ａの作製）
配線基板１００ａにおいて作製した片面銅張絶縁基材に、キャビティー用穴１５をビク型を用いて所定の形状に打ち抜くことにより形成した。このキャビティー用穴１５を形成した片面銅張絶縁基材に対して、配線基板１００ａを製造した場合と同様の方法で、ビアホールを形成し、導電ペースト組成物を充填し、これを乾燥固化した。その後フォトリソグラフ法により、銅箔２２に導体パターン２０を形成し、配線基板１００Ａとした。なお、導電ペースト組成物としては、配線基板１００ａの作製において使用したものと同様のものを使用した。【０１４０】
（配線基板１００Ｂの作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを３９質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１００μｍのフィルムを押し出すと同時に、片側から銅箔２２をラミネーションして、片面銅張絶縁基材を得た。そして配線基板１００ａを製造した場合と同様の方法で、ビアホールを形成し、導電ペースト組成物を充填し、これを乾燥固化した。その後フォトリソグラフ法により、銅箔２２に導体パターン２０を形成し、配線基板１００Ｂとした。なお、導電ペースト組成物としては、配線基板１００ａの作製において使用したものと同様のものを使用した。【０１４１】
（多層配線基板２００の作製）
上記で得られた配線基板１００Ａを２枚、配線基板１００ａを１枚、及び、配線基板１００Ｂを２枚用意して、２枚の配線基板１００Ｂを下層側に積層し、１枚の配線基板１００ａをその上のキャビティー部底面に積層し、２枚の配線基板１００Ａをさらにその上の上層側に積層した。各配線基板を積層する際には、ビアホール３０及びキャビティー用穴の位置が合うようにして積層した。そして、キャビティー部２２０と同様の形状、厚さのポリイミド樹脂製のスペーサー２６０を、キャビティー部２２０となる位置に配置し、真空プレスすることにより各層を積層した。プレス条件は、温度２３０℃、５ＭＰａ、３０分間とした。このようにして、５層構成のキャビティー部２２０を有する多層配線基板２００を作製した。【０１４２】
＜実施例２＞
（多層配線基板２００Ａの作製）
実施例１と同様にして、配線基板１００ａ、配線基板１００Ａを作製した。配線基板１００Ａとしては、一つは、実施例１と同様のキャビティー用穴１５を有するものを形成し、もう一つは、一回り大きなキャビティー用穴１５を有するものを形成した。そして、２枚の配線基板１００Ｂを下層側に積層し、１枚の配線基板１００ａをその上のキャビティー部底面に積層し、その上に実施例１と同様のキャビティー用穴１５を有する配線基板１００Ａを積層し、さらにその上に一回り大きなキャビティー用穴１５を有する配線基板１００Ａを積層した。そして、階段状のキャビティー部２２０と同様の形状、厚さのポリイミド樹脂製のスペーサー２６０をキャビティー部２２０となる位置に配置し、実施例１と同様にして熱圧着することによって、５層構成で、階段状のキャビティー部２２０を有する多層配線基板２００Ａを作製した。【０１４３】
＜実施例３＞
（配線基板１００Ｄの作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）６５質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）３５質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを３９質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１００μｍのフィルム（絶縁基材）を押し出した。得られたフィルムの両面にコロナ処理を施した後、離型処理されたＰＥＴフィルム上にジメタリルビスフェノールＡ５０質量％及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体を含有する溶液を塗布して乾燥固化し、５μｍの接着層を形成し、これを絶縁基材の両面に熱転写した。【０１４４】
そして、所望の位置に、レーザーを使用して直径１００μｍのビアホールを形成した。そして、導電性ペースト組成物を、このビアホールにスクリーン印刷により充填した。充填後１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。以上の方法により、絶縁基材５０Ｄを作製した。その後、１２μｍの銅箔を両面に、２３０℃、５ＭＰａ、３０分の条件で積層し、フォトリソグラフ法により、銅箔に導体パターン２０を形成し、配線基板１００Ｄとした。なお、上記の導電性ペースト組成物としては、実施例１と同様のものを用いた。【０１４５】
（絶縁基材５０の作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）６５質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）３５質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を１６質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを４５質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１００μｍのフィルムを押し出した。得られたフィルムの両面にコロナ処理を施した後、離型処理されたＰＥＴフィルム上にジメタリルビスフェノールＡ５０質量％及びビス
（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体を含有する溶液を塗布して乾燥固化し、５μｍの接着層を形成し、これを絶縁基材の両面に熱転写した。【０１４６】
そして、所望の位置に、レーザーを使用して直径１００μｍのビアホールを形成した。そして、導電性ペースト組成物を、このビアホールにスクリーン印刷により充填した。充填後１２５℃、４５分間加熱し、溶剤を揮発させて導電性ペーストを乾燥固化した。以上の方法により、絶縁基材５０を作製した。なお、上記の導電性ペースト組成物としては、実施例１と同様のものを用いた。【０１４７】
（絶縁基材５０Ｃの作製）
上記した配線基板１００ｃの製造における場合と同様に絶縁基材の両面に接着層を形成し、キャビティー用穴１５をビク型を用いて所定の形状に打ち抜くことにより形成した。このキャビティー用穴１５を形成した絶縁基材に対して、配線基板１００ｃを製造した場合と同様の方法で、ビアホールを形成し、導電性ペースト組成物を充填し、これを乾燥固化して、絶縁基材５０Ｃを作製した。【０１４８】
（多層配線基板２００Ｃの作製）
上記で得られた配線基板１００Ｄ上に、絶縁基材５０Ｄ及び銅箔２２を重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとし、さらに絶縁基材５０及び銅箔２２を重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとした。さらに、絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２を順に重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとする操作を二度繰り返した。各絶縁基材５０Ｄ、５０Ｃ、５０を積層する際には、ビアホール３０及びキャビティー用穴の位置に合うようにした。また、絶縁基材５０Ｃを積層する際には、ポリイミド樹脂製のスペーサーを使用し、一枚目の配線基材５０Ｃと二枚目の絶縁基材５０Ｃとで、スペーサーの厚さを変えてそれぞれを積層した。逐次積層のプレス条件は、温度２３０℃、５ＭＰａ、３０分間とした。このようにして、キャビティー部を有する５層構成の多層配線基板２００Ｃを作製した。【０１４９】
＜実施例４＞
（多層配線基板２００Ｄの作製）
実施例３と同様にして、配線基板１００Ｄ及び絶縁基材５０Ｄ、５０を作製した。絶縁基材５０Ｃとしては、一つは、実施例３と同様のキャビティー用穴１５を有するものを形成し、もう一つは、一回り大きなキャビティー用穴１５を有するものを形成した。配線基板１００Ｄ上に、絶縁基材５０Ｄ及び銅箔２２を順に重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとし、さらに絶縁基材５０及び銅箔２２を重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとした。さらに、その上に実施例３と同様のキャビティー用穴１５を有する絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２を順に重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとした。そして、その上に、一回り大きなキャビティー用穴１５を有する絶縁基材５０Ｃ及び銅箔２２を順に重ね、熱圧着積層して、その後、銅箔２２をフォトリソグラフ法により導体パターンとした。逐次積層条件は、実施例３と同様である。【０１５０】
スペーサーとしては、一枚目の配線基板１００Ｃの積層の際は、実施例３において使用した厚さの薄い方のスペーサーを使用し、二枚目の配線基板１００Ｃの積層の際は、さらに、一回り大きなキャビティー用穴１５に対応する大きさのスペーサーを重ねて（図９に示すような形態で）使用した。以上により、階段状のキャビティー部２２０を有する多層配線基板２００Ｄを作製した。【０１５１】
＜実施例５＞
（絶縁基材５０Ｅの作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）４０質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）６０質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を３５質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを３０質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１５０μｍのフィルムを押し出すと同時に、片側から銅箔２２をラミネーションして、片面銅張絶縁基材５０Ｅを得た。【０１５２】
（絶縁基材５０Ｆの作製）
上記絶縁基材５０Ｅと同様の熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１５０μｍのフィルムを押し出すと同時に、片側から銅箔２２をラミネーションして、片面銅張絶縁基材５０Ｅを得た。そして、この片面銅張絶縁基材５０Ｅに、ビク型を用いてキャビティー用穴１５を所定の形状に打ち抜くことにより片面銅張絶縁基材５０Ｆを形成した。【０１５３】
（多層配線基板２００Ｅの作製）
上記絶縁基材５０Ｅと絶縁基材５０を重ね、２３０℃、５ＭＰａ、３０分間保持の条件で、真空プレス器により、積層した。次に、ドリルを用いて、径２００μｍのスルーホールを形成し、めっき処理を行った。その後、フォトリソグラフ法により、銅箔に導体パターン２０を形成し、多層配線基板２００Ｅとした。【０１５４】
＜実施例６＞
（絶縁基材１２の作製）
ポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ４５０Ｇ、Ｔｍ＝３３５℃）６５質量％と、非晶性ポリエーテルイミド樹脂（Ｕｌｔｅｍ  １０００）３５質量％とからなる樹脂混合物１００質量部に対して、塩素法で製造された酸化チタン（平均粒径０．２３μｍ、アルミナ処理、シランカップリング剤処理）を３５質量部、平均粒径５μｍ、平均アスペクト比５０の合成マイカを３０質量部混合して得られた熱可塑性樹脂組成物を溶融混練し、厚み１００μｍのフィルム（絶縁基材）を押し出した。得られたフィルムの両面にコロナ処理を施した後、離型処理されたＰＥＴフィルム上にジメタリルビスフェノールＡ５０質量％及びビス（４−マレイミドフェニル）メタン５０質量％の割合で混合した重合性単量体を含有する溶液を塗布して乾燥固化し、５μｍの接着層を形成し、これを絶縁基材の両面に熱転写して、絶縁基材１２を作製した。【０１５５】
（配線基板１００ｃの作製）
上記絶縁基材１２に銅箔１２μｍを両面に、２００℃、５ＭＰａ、３０分間保持の条件で、真空プレス器により、積層した。次に、レーザーを用いて、径１００μｍのスルーホールを形成し、フィルドめっき処理を行った。その後、フォトリソグラフ法により、銅箔に導体パターン２０を形成し、配線基板１００ｃを得た。【０１５６】
（多層配線基板２００Ｆの作製）
上記配線基板１００ｃに、絶縁基材１２と銅箔１２μｍを重ね、２３０℃、５ＭＰａ、３０分間の条件下で積層し、レーザーにより、１００μｍのビアを形成した。次に、フィルドめっき処理を行い、層間配線を形成した後、フォトリソグラフ法により、銅箔に導体パターン２０を形成した。さらに、キャビティー用穴を形成した絶縁基材と銅箔を積層し、ビア加工した後、フィルドめっき処理を行い、導体パターンを形成して、２枚の配線基板１００ｃ、及び１枚の配線基板１００Ｃからなる多層配線基板２００Ｆを作製した。【０１５７】
＜評価方法＞
上記で作製した多層配線基板に対して、以下の評価を行った。それぞれの評価結果を表１に示す。【０１５８】
（吸湿耐熱性）
得られた多層配線基板を、１２５℃で４時間乾燥する。そして、３０℃、湿度８５％の恒温恒湿槽に９６時間おいて、その後、ピーク温度２５０℃のリフロー炉で加熱する処理を二度繰り返した。得られた多層配線基板を以下の基準により評価した。
○：基板間の積層界面に剥がれがなく、ビアホール中に膨れが生じていない。
×：基板間の積層界面に剥がれ生じ、及び／又は、ビアホール中に膨れが生じた。【０１５９】
（導体接着強度）
多層配線基板上に表出した導体パターン部に針金を半田付けし、この針金を上に引き上げ、導体パターン部を剥がした時の強度を測定した。
○：強度が１Ｎ／ｍｍ以上であった。
×：強度が１Ｎ／ｍｍ未満であった。【０１６０】
（平均反射率）
配線基板１００ａおよび１００ｃを構成する絶縁機材に対し、分光光度計（「Ｕ−４０
００」、日立製作所社製）に積分球を取りつけ、アルミナ白板の反射率が１００％としたときの反射率を、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍにわたって、０．５ｎｍ間隔で測定した。得られた測定値の平均値を計算し、この値を平均反射率とした。【０１６１】
（加熱処理後の反射率）
配線基板１００ａおよび１００ｃを構成する絶縁基材に対し、２６０℃のピーク温度で３０分間真空プレス器にて熱処理（結晶化処理）した後に、熱風循環式オーブンに、２００℃で４時間、２６０℃で５分間加熱処理し、加熱処理後の反射率を上記の方法と同様に測定して、４７０ｎｍにおける反射率を読みとった。【０１６２】
＜評価結果＞【０１６３】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明のキャビティー部（凹部）を有する多層配線基板は、半導体チップ、特に発光ダイオード（ＬＥＤ素子）を実装するために好適に用いることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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