(57)【要約】【課題】  複数方向への入力操作が可能で且つ小型化を実現できる入力装置を提供することを目的とする。【解決手段】  リング状磁石(７)の貫通孔(７ｂ)には、操作体(３)に連結された突起部(４)が挿通されている。前記突起部(４)の下方にはセンタプッシュスイッチ部(９)が基板(１０)上に設けられている。また前記基板(１０)の裏面には磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサ(１１)が設けられている。前記磁気センサ(１１)がＸ（正）方向及びＸ（負）方向に相対移動したときにその移動を前記リング状磁石(７)から及ぼされる水平磁場成分の変化によって検知できるＸ方向磁気抵抗効果素子と、前記磁気センサ(１１)がＹ（正）方向及びＹ（負）方向に相対移動したときにその移動を前記リング状磁石(７)から及ぼされる水平磁場成分の変化によって検知できるＹ方向磁気抵抗効果素子を備える。【選択図】図３
2009063799.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、前記固定部と高さ方向にて離れた位置に設けられた可動部とを有し、前記固定部と前記可動部の一方に外部磁界を発生する磁石が、他方に前記外部磁界を検知するための磁気センサが設けられており、  前記磁石の中央には貫通孔が形成され、前記磁石の上面及び下面が、互いに異なる磁極に着磁されており、  前記磁気センサは、前記磁石の貫通孔と高さ方向にて対向する相対移動平面内で直交するＸ方向及びＹ方向のうち、少なくともＸ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子を備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向への移動が検知されることを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記磁石はリング形状である請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
前記可動部は、操作体と、前記操作体の下面から下方向に突出して前記磁石の貫通孔に挿通される突起部と、前記磁石とを備え、さらに前記操作体及び突起部は高さ方向に移動可能に支持されており、  前記突起部の下方には、前記磁気センサと共に固定部側を構成し、前記操作体を下方向に押圧したときに入力されるセンタスイッチ部を備える請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記磁気センサは、前記移動平面内のＹ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子をさらに備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向及びＹ方向への移動が検知される請求項１ないし３のいずれかに記載の入力装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、複数方向への入力操作が可能で且つ小型化を実現できる入力装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来、例えばデジタルスチルカメラ（ＤＳＣ）の背面側に設けられている十字形の操作部は、センタスイッチの周囲の４方向にタクトスイッチを配置した構成となっている。【０００３】  通常、前記操作部の横には液晶画面が設けられているが前記液晶画面は大型化の傾向にある。そのため、前記タクトスイッチの実装面積が小さくなり、タクトスイッチの配置が困難となってきた。【０００４】  例えば下記特許文献３に記載された発明には「ポインティングデバイス用磁気センサ」が開示されているが、センサスイッチの配置等が考慮されていない構成で、入力装置の効果的な小型化を実現できない。【特許文献１】特開２００３−５０６６６号公報
【特許文献２】特開２００６−１４６５２４号公報
【特許文献３】特開２００６−２７６９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、複数方向への入力操作が可能で且つ小型化を実現できる入力装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明における入力装置は、  固定部と、前記固定部と高さ方向にて離れた位置に設けられた可動部とを有し、前記固定部と前記可動部の一方に外部磁界を発生する磁石が、他方に前記外部磁界を検知するための磁気センサが設けられており、  前記磁石の中央には貫通孔が形成され、前記磁石の上面及び下面が、互いに異なる磁極に着磁されており、  前記磁気センサは、前記磁石の貫通孔と高さ方向にて対向する相対移動平面内で直交するＸ方向及びＹ方向のうち、少なくともＸ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子を備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向への移動が検知されることを特徴とするものである。【０００７】  上記のように中央に貫通孔が設けられた磁石を用いることで、前記貫通孔を通る外部磁界が生じる。この外部磁界は、前記磁石の貫通孔と高さ方向にて対向する相対移動平面内の中心位置では、ほぼ高さ方向に向かう垂直磁場成分である。一方、前記中心位置からＸ方向での正方向及び負方向に向けて前記外部磁界は水平磁場成分（Ｘ方向と平行な方向の磁場成分）が徐々に強くなる。また、中心位置からＸ方向での正方向及び負方向のそれぞれの領域で生じる前記水平磁場成分の方向は、ほぼ反対方向である。【０００８】  磁気センサに用いられる磁気抵抗効果素子は、少なくとも前記磁気センサがＸ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる構成である。【０００９】  よって、本発明によれば、前記磁石の貫通孔を通る外部磁界を前記磁気抵抗効果素子にて検知し、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向への移動を検知することが可能である。【００１０】  そして本発明では、前記磁石の中央に貫通孔があるため、前記貫通孔を利用して部品を磁石の中央部分に設置する等、前記入力装置の効果的な小型化を実現することが出来る。【００１１】  本発明では、前記磁石はリング形状であることが好ましい。これにより磁気センサの相対移動に伴いリニアな出力を得やすくなり、スムーズな入力操作を行うことが可能になる。また、前記磁気センサに対する磁石からの外部磁界の指向性が無いため、磁気センサに対する磁石の向きを考慮する必要がなく組立を容易化できる。【００１２】  また本発明では、前記可動部は、操作体と、前記操作体の下面から下方向に突出して前記磁石の貫通孔に挿通される突起部と、前記磁石とを備え、さらに前記操作体及び突起部は高さ方向に移動可能に支持されており、  前記突起部の下方には、前記磁気センサと共に固定部側を構成し、前記操作体を下方向に押圧したときに入力されるセンタスイッチ部を備えることが好ましい。これにより、センタスイッチ部を備えた小型の入力装置を実現できる。【００１３】  また本発明では、前記磁気センサは、前記移動平面内のＹ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子をさらに備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向及びＹ方向への移動が検知されることが好ましい。これによりＸ方向のみならずＹ方向への可動部の移動を検知でき小型の多方向入力装置を実現できる。
【発明の効果】
【００１４】  本発明によれば、複数方向への入力操作が可能で且つ小型化を実現できる入力装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】  図１は、本実施形態の入力装置の分解斜視図、図２は本実施形態の入力装置の正面図（ただし磁石を透視して示している）、図３は本実施形態の入力装置を高さ方向に沿って切断した際に現れる部分拡大断面図、図４は、磁気センサが磁石の中心に位置したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）は、Ａ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、図５は、磁気センサが磁石の中心位置からＸ（正）方向に相対移動したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、図６は、磁気センサが磁石の中心位置からＸ（負）方向に相対移動したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、図７（ａ）は磁気抵抗効果素子の構造を示す平面図、（ｂ）は磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向とバイアス磁界の方向を示す説明図、図８は磁気抵抗効果素子を膜厚方向から切断した際の切断面を示す断面図、図９は、磁気センサの回路構成図、図１０は、図９とは異なる回路構成図、図１１は、他の磁気センサの構成斜視図、図１２は、図１１に示す磁気センサの回路構成図、図１３は、他の磁気センサの構成斜視図、である。【００１６】  ここで、この明細書における「Ｚ方向」とは高さ方向を示す。また「平面」とは前記Ｚ方向に対して直交する面を示し、「平面」内にて直交する２方向の一方をＸ方向、他方をＹ方向とする。またＸ（正）方向とＸ（負）方向とは、反対方向を指し、同様にＹ（正）方向とＹ（負）方向とは反対方向を指す。単に「Ｘ方向」という場合は、Ｘ（正）方向及びＸ（負）方向の双方を含む意味で、「Ｙ方向」という場合は、Ｙ（正）方向及びＹ（負）方向の双方を含む意味である。【００１７】  本実施形態における入力装置１は、多方向の入力が可能である。まず操作体３を下方向に押圧することでセンタ入力が可能で、さらに操作体３をＸ（正）方向、Ｘ（負）方向、Ｙ（正）方向及びＹ（負）方向に平面移動させることで夫々、所定の入力操作を行うことができる。【００１８】  例えば、入力装置１は、デジタルスチルカメラや携帯電話に使用されるものであり、例えば前記センタ入力は、決定釦であり、Ｘ方向及びＹ方向への４方向の入力は、カメラのズーム動作や音楽再生のボリュームコントロール、そのほか各種操作釦として機能する。【００１９】  まず前記入力装置１の構成部品について説明する。  図１に示すように本実施形態の入力装置１は、上ケース２、操作体３、突起部４、スライダ５、ばね１２、環状コイルばね６、リング状磁石７、下ケース８、センタプッシュスイッチ部（タクトスイッチ）９、基板１０及び磁気センサ１１を備える。【００２０】  前記上ケース２の中央には円形状の開口部２ａが形成されている。この開口部２ａの径は、前記スライダ５の外周径よりもやや小さいが、前記突起部４の径よりも大きい。前記開口部２ａは前記操作体３のＸ方向及びＹ方向への平面移動を許容する領域である。【００２１】  図１ないし図３に示すよう��前記操作体３の下面には突起部４が接着剤等により連結されている。この実施形態では前記操作体３と前記突起部４を別部材で形成しているが前記操作体３及び突起部４を一体化して形成してもよい。【００２２】  前記操作体３の径は前記突起部４の径よりも大きい。図２、図３に示す組み立て状態の入力装置１に示すように操作体３は上ケース２の上面２ｂよりも上方に突出している。これより操作者が指で前記操作体３をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動させることが可能である。【００２３】  前記操作体３、突起部４と共に可動部側を構成するスライダ５には、図３に示すようにその中央に小径貫通孔５ａと前記小径貫通孔５ａの下側に連設された大径貫通孔５ｂが形成されている。突起部４は前記スライダ５に形成された小径貫通孔５ａ及び大径貫通孔５ｂに挿通されている。図３に示すように、突起部４の先端部４ａは、スライダ５の大径貫通孔５ｂとほぼ同じかやや小さい径で形成されている。前記操作体３は、突起部４の周囲に巻回されたばね１２により常に上方向に付勢され、このとき、前記突起部４の先端部４ａが、前記スライダ５の小径貫通孔５ａと大径貫通孔５ｂとの間の段差に当接した状態になり、前記突起部４は前記スライダ５から抜けることがない。また下ケース８には前記先端部４ａよりも大きい径の開口部８ａが形成されており、図２、図３に示すように前記先端部４ａは前記下ケース８から下方に突出した状態になっている。【００２４】  操作者が指で前記操作体３を下方向に押圧すると、前記操作体３及び前記突起部４は下方向に移動し、前記突起部４の先端部４ａは前記スライダ５の大径貫通孔５ｂ及び下ケース８から下方向に離れ、指を離すと前記ばね１２により前記操作体３及び突起部４が上方向に戻されて、前記突起部４の先端部４ａがスライダ５の大径貫通孔５ｂ内に収納された基準状態に戻る。【００２５】  図３に示すように前記スライダ５の裏面には、前記大径貫通孔５ｂの外側にリング状磁石７を収納するための収納凹部５ｃが形成されている。そして前記リング状磁石７が前記収納凹部５ｃ内に接着剤等で接合固定されている。【００２６】  本実施形態では、リング状磁石７を用いている点が特徴的部分の一つである。前記リング状磁石７は後述する磁気センサ１１に対して外部磁界を作用させるもので、操作体３のＸ方向及びＹ方向への平面移動を検知するために必要な部材である。前記リング状磁石７を用いることで、前記リング状磁石７の貫通孔７ｂ内に部品を挿通させることができ、入力装置１の小型化を実現できる。この実施形態では前記リング状磁石７の貫通孔７ｂに突起部４を挿通させている。前記突起部４はセンタプッシュスイッチ部９を押圧するために必要な部材である。本実施形態の構成によりセンタ入力が可能な多方向入力装置の小型化を実現できる。【００２７】  図３に示すように前記スライダ５は、前記下ケース８と上ケース２との間に形成された空間内に平面移動可能な状態で収納されている。図３に示すように前記スライダ５の周囲には環状コイルばね６が設けられる。前記操作体３を前記上ケース２に形成された開口部２ａ内にてＸ方向及びＹ方向にスライド移動させると、前記操作体３に突起部４を介して連結されたスライダ５��前記環状コイルばね６を変形させて平面移動する。前記操作体３から指を離すと変形状態の環状コイルばね６が元に戻ることで操作体３が図２、図３に示す基準状態に戻る。【００２８】  図１ないし図３に示すように突起部４の下方には前記基板１０の上面１０ａに前記センタプッシュスイッチ部９が設けられている。前記リング状磁石７から生じた外部磁界を検知するための磁気センサ１１は前記基板１０の下面１０ｂに設置されている。【００２９】  前記操作体３を下方向に押圧すると前記突起部４の先端部４ａにより前記センタプッシュスイッチ部９が押圧されてセンタ入力が行われる。【００３０】  本実施形態では前記操作体３をＸ（正）方向、Ｘ（負）方向、Ｙ（正）方向、Ｙ（負）方向のいずれの方向にスライド移動させても、前記操作体３と連動して移動するリング状磁石７の移動を前記磁気センサ１１にて検知して所定の入力が行われるように制御されている。【００３１】  前記磁気センサ１１内には、外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子が設けられている。磁気抵抗効果素子の構成について説明する。【００３２】  図７（ａ）は、外部磁界のＸ方向の水平磁場成分の正負の向きと磁界強度を検知できるＸ方向磁気抵抗効果素子、および外部磁界のＹ方向の水平磁場成分の正負の向きと磁界強度を検知できるＹ方向磁気抵抗効果素子として使用される磁気抵抗効果素子２０を示している。【００３３】  この磁気抵抗効果素子２０は、複数の素子部２１が互いに平行に形成され、個々の素子部２１の前後端部は、接続電極２８，２９によって２つずつ接続され、さらに、図示上下両端部に位置する素子部２１には引き出し電極３１，３２が接続されている。よって、各素子部２１は直列に接続され、ミアンダ型パターンが構成されている。【００３４】  図８の断面図に示すように、個々の素子部２１は、プレート２２の上に、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性層２５、およびフリー磁性層２６の順に積層されて成膜され、フリー磁性層２６の表面が保護層２７で覆われている。【００３５】  反強磁性層２３は、Ｉｒ−Ｍｎ合金（イリジウム−マンガン合金）などの反強磁性材料で形成されている。固定磁性層２４はＣｏ−Ｆｅ合金（コバルト−鉄合金）などの軟磁性材料で形成されている。非磁性層２５はＣｕ（銅）などである。フリー磁性層２６は、Ｎｉ−Ｆｅ合金（ニッケル−鉄合金）などの軟磁性材料で形成されている。保護層２７はＴａ（タンタル）の層である。上記構成では非磁性層２５がＣｕ等の非磁性導電材料で形成された巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であるが、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）であってもよい。【００３６】  素子部２１では、反強磁性層２３と固定磁性層２４との反強磁性結合により、固定磁性層２４の磁化方向が固定されている。図７（ａ）に示すように、個々の素子部２１では、固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）が、素子部２１の長手方向と直交している。【００３７】  図７（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子２０は、右側にマグネット３３が左側にマグネット３４が設けられて、各素子部２１に対し長手方向と平行な向きにバイアス磁界が与えられており、このバイアス磁界によりフリー磁性層２６の磁化がＢ方向に向けられて単磁区化されている。前記マグネット３３，３４の設置は任意であり、前記マグネット３３，３４は設けなくてもよい。【００３８】  図７（ｂ）に実線で示すように、固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）と平行な向きに作用する外部磁界Ｈの強度がゼロのとき、フリー磁性層２６内の磁化方向はバイアス磁界の方向（Ｂ方向）に向けられている。このとき、フリー磁性層２６の磁化方向と固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）とが直交している。【００３９】  磁気抵抗効果素子２０は、固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）と、フリー磁性層２６の磁化方向との関係で電気抵抗が変化する。磁気抵抗効果素子２０の素子部２１に対して、図７（ｂ）の図示上方（固定磁化方向Ｐと平行な（正）方向）へ外部磁界が与えられると、バイアス磁界が作用しているフリー磁性層２６内の磁化の向きが（正）方向へ傾く。このとき、フリー磁性層２６内の磁化の向きと固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）との角度が小さくなるにしたがって、電気抵抗が小さくなる。図７（ｂ）の図示下方（固定磁化方向Ｐと平行な（負）方向）へ外部磁界が与えられると、バイアス磁界が作用しているフリー磁性層２６内の磁化の向きが（負）方向へ傾く。このとき、フリー磁性層２６内の磁化向きの反時計方向への傾きが大きくなるにしたがって、電気抵抗が大きくなる。【００４０】  図４（ａ）に示すように、磁気センサ１１に、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２、および第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の合計４個の磁気抵抗効果素子が、磁気センサ１１の相対移動平面と平行な平面上に配列して搭載されている。第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２、および第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２は、いずれも図７（ａ）（ｂ）および図８に示したのと実質的に同じ構造の磁気抵抗効果を利用した磁気抵抗効果素子２０である。【００４１】  図４（ａ）では、それぞれの磁気抵抗効果素子の固定磁性層２４の固定磁化方向を（Ｐ方向）で示し、前記フリー磁性層２６の磁化方向を（Ｆ方向）で示している。なお図４の基準状態では、各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）とマグネット３３，３４からフリー磁性層２６に与えられているバイアス磁界の方向（Ｂ方向）とが一致している。【００４２】  第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２は、磁気抵抗効果素子２０の向きが図７（ａ）と同じである。第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１は、第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２とバイアス磁界の方向Ｂが１８０度逆向きである。第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１は、図７（ａ）に示す磁気抵抗効果素子２０において、バイアス用のマグネット３３とマグネット３４を左右に入れ替えたものに相当している。【００４３】  第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１は、第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２を時計方向へ９０度回転させたものであり、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２は、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１を時計方向へ９０度回転させたものである。【００４４】  第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２は、フリー磁性層２６に作用しているバイアス磁界の方向（Ｂ方向）が、共にＹ軸と平行な向きであり、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２とでは、バイアス磁界の方向（Ｂ方向）が互いに逆向きである。また、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２は、フリー磁性層２６に作用しているバイアス磁界の方向（Ｂ方向）が、共にＸ軸と平行な向きであり、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２とでは、バイアス磁界の方向（Ｂ方向）が互いに逆向きである。【００４５】  第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２は、固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）が、Ｘ軸と平行であり、共に同じＸ（正）方向である。ただし、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の、一方の固定磁化方向（Ｐ方向）がＸ（正）方向で、他方の固定磁化方向（Ｐ方向）がＸ（負）方向であってもよい。また、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２は、固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）が、Ｙ軸と平行であり、共に同じＹ（正）方向である。ただし、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の、一方の固定磁化方向（Ｐ方向）が（Ｙ（正）方向で、他方の固定磁化方向（Ｐ方向）がＹ（負）方向であってもよい。【００４６】  前記リング状磁石７はその中央に貫通孔７ｂが形成されている。前記リング状磁石７の上面７ｃ及び下面７ｄは異なる磁極に着磁されている。図４（ｂ）に示すように例えば前記リング状磁石７の上面７ｃがＮ極に、下面７ｄがＳ極に着磁されている。【００４７】  よって図４（ｂ）に示すように、前記リング状磁石７の上面７ｃから前記貫通孔７ｂ内を通って前記リング状磁石７の下面７ｄに導かれる外部磁界Ｈが生じている。図４（ｂ）には外部磁界Ｈの一部の磁力線を模式図的に示している。【００４８】  図２、図３、図４（ｂ）に示すように前記磁気センサ１１は、前記リング状磁石７の下方に離れて位置し、前記リング状磁石７の前記貫通孔７ｂと高さ方向（Ｚ方向）にて対向した位置関係にある。図４の基準状態では、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａと、前記リング状磁石７の前記貫通孔７ｂの中心位置７ａとが一致している。【００４９】  図４（ｂ）に示す基準状態では、前記リング状磁石７から前記貫通孔７ｂを通って生じる外部磁界Ｈは、前記磁気センサ１１にほぼ垂直磁場成分Ｈ１として作用する。垂直磁場成分Ｈ１とは、図８に示すフリー磁性層２６と非磁性層２５との間の界面と平行な面に対して垂直方向の磁場成分である。図４（ｂ）に示すように前記垂直磁場成分Ｈ１はＺ方向である。【００５０】  前記垂直磁場成分Ｈ１が各磁気抵抗効果素子２０Ｘ１、２０Ｘ２、２０Ｙ１、２０Ｙ２に作用しても各磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）はバイアス磁界の方向（Ｂ方向）を保ち変動しない。図４（���）に示すように、各磁気抵抗効果素子の固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）とフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）は直交した関係にあり、全ての磁気抵抗効果素子の電気抵抗値がほぼ同じ値になっている。【００５１】  次に、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＸ（正）方向、あるいはＸ（負）方向に離れると、前記磁気抵抗効果素子に作用する外部磁界は垂直磁場成分よりも水平磁場成分が徐々に強くなる。ここで水平磁場成分とは図８に示すフリー磁性層２６と非磁性層２５との間の界面と平行な面内にて生じる磁場成分である。この水平磁場成分が強くなると前記フリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）は前記水平磁場成分の方向に向くようになる。【００５２】  図１４は、リング状磁石７と磁気センサ１１との水平距離と、前記磁気センサ１１に作用する水平磁場成分の磁束密度との関係を示すグラフである。水平距離が０ｍｍとは、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａと前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａとが一致している状態である。そして、前記磁気センサ１１をリング状磁石７の貫通孔７ｂと高さ方向で対向する相対移動平面内で左右方向に平面移動させたときの移動距離と、前記磁気センサ１１に及ぼす水平磁場成分の磁束密度との関係が図１４に示されている。図１４では、前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの直径を６ｍｍとした。また前記磁気センサ１１と前記リング状磁石７との高さ方向の距離を０．５ｍｍ、あるいは１．５ｍｍとして実験を行った。【００５３】  図１４に示すように前記磁気抵抗効果素子が前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａから左右方向に離れるにつれて徐々に水平磁場成分の磁束密度の絶対値が大きくなることがわかった。また前記磁気抵抗効果素子を前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａから右方向に移動させたときと、左方向に移動させたときとで、磁束密度の符号が異なるが、これは、前記磁気抵抗効果素子を前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａから右方向に平面移動させたときと、左方向に平面移動させたときとで、前記磁気抵抗効果素子に作用する水平磁場成分の方向が１８０度異なることを意味する。【００５４】  今、操作者が、指にて前記操作体３を図２、図３の状態からＸ（負）方向に平面移動させたとする。そうすると図５（ａ）に示すように前記磁気センサ１１の中心位置１１ａは前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＸ（正）方向に相対移動したことになる。【００５５】  図５（ｂ）に示すように、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＸ（正）方向に相対移動すると、前記磁気センサ１１には略Ｘ（正）方向への水平磁場成分Ｈ２が作用する。図１４で説明したように、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記貫通孔７ｂの中心位置７ａから離れるにつれて前記水平磁場成分Ｈ２の磁界強度（磁束密度）は徐々に強まり、前記磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２６の磁化方向が前記水平磁場成分Ｈ２の方向であるＸ（正）方向に傾くと、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１及び第２のＸ方向磁気抵抗効果素子の固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）とフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）とは略平行関係になり電気抵抗値が低下する。一方、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２のフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）はバイアス磁界の方向（Ｂ方向）の方向と一致し、あるいはバイアス磁界の方向（Ｂ方向）からさほど変動しない。よって、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の固定磁性層２４とフリー磁性層２６の磁化関係はほぼ直交関係にあり電気抵抗値は変動しないかあるいは変動値が小さい。【００５６】  また今、操作者が、指にて前記操作体３を図２、図３の状態からＸ（正）方向に平面移動させたとする。そうすると図６（ａ）に示すように前記磁気センサ１１の中心位置１１ａは前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＸ（負）方向に相対移動したことになる。【００５７】  図６（ｂ）に示すように、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＸ（負）方向に相対移動すると、前記磁気センサ１１には略Ｘ（負）方向への水平磁場成分Ｈ３が作用する。図１４で説明したように、前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記貫通孔７ｂの中心位置７ａから離れるにつれて前記水平磁場成分Ｈ２の磁界強度（磁束密度）は徐々に強まり、前記磁気抵抗効果素子のフリー磁性層２６の磁化方向が前記水平磁場成分Ｈ３の方向であるＸ（負）方向に傾くと、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１及び第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）とフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）とは略反平行関係になり電気抵抗値が増大する。一方、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２のフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）はバイアス磁界の方向（Ｂ方向）と一致し、あるいはバイアス磁界の方向（Ｂ方向）からさほど変動しない。よって、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の固定磁性層２４とフリー磁性層２６の磁化関係はほぼ直交関係にあり電気抵抗値は変動しないかあるいは変動値が小さい。【００５８】  前記磁気センサ１１の中心位置１１ａが前記リング状磁石７の貫通孔７ｂの中心位置７ａからＹ（正）方向、あるいはＹ（負）方向に相対移動したときは、図面で説明しないが、前記第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１及び第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２のフリー磁性層２６の磁化方向（Ｆ方向）が変動して電気抵抗値が変動する。一方、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１及び第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２のフリー磁性層は、バイアス磁界の方向（Ｂ方向）と一致し、あるいはバイアス磁界の方向（Ｂ方向）からさほど変動しない。よって、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の固定磁性層２４とフリー磁性層２６の磁化関係はほぼ直交関係にあり電気抵抗値は変動しないかあるいは変動値が小さい。【００５９】  なお、前記磁気センサ１１が前記リング状磁石７の着磁面に近づくと、徐々に水平磁場成分は弱まり、前記着磁面と対向する位置関係になるとほぼ垂直磁場成分���なる。よって、磁気センサ１１の相対移動平面は前記リング状磁石７の貫通孔７ｂと対向する平面領域よりも小さい平面領域内に制御している。【００６０】  例えば各磁気抵抗効果素子は図９に示す回路構成に組み込まれる。  第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１には、固定抵抗器Ｒａが直列に接続され、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２には、固定抵抗器Ｒｂが直列に接続され、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１および固定抵抗器Ｒａに電源電圧Ｖｃｃが印加され、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２および固定抵抗器Ｒｂに電源電圧Ｖｃｃが印加されている。固定抵抗器Ｒａの抵抗値と固定抵抗器Ｒｂの抵抗値とは同じである。そして、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と固定抵抗器Ｒａとの中間の電圧と、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２と固定抵抗器Ｒｂとの中間の電圧とが、加算器４１で加算されて、Ｘ方向の検知出力が得られる。【００６１】  また、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と固定抵抗器Ｒｃとが直列に接続され、第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２と固定抵抗器Ｒｄとが直列に接続されて、それぞれに電源電圧Ｖｃｃが印加されている。固定抵抗器Ｒｃの抵抗値と固定抵抗器Ｒｄの抵抗値は同じである。そして、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と固定抵抗器Ｒｃとの中間の電圧と、第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２と固定抵抗器Ｒｄとの中間の電圧とが、加算器４２で加算されて、Ｙ方向の検知出力が得られる。【００６２】  磁気センサ１１が図４の基準状態から図５の状態に相対移動したとき、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の電気抵抗値は図４の状態よりも小さくなり、図９の回路にて磁気センサ１１がＸ（正）方向へ相対移動した距離に比例した検知出力が得られる。【００６３】  一方、磁気センサ１１が図４の基準状態から図５の状態に相対移動しても、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の電気抵抗値は図４のときとほとんど変化しないため、図９のＹ方向磁気抵抗効果素子が組み込まれた回路から得られる検知出力はほとんど変化しない。【００６４】  また、磁気センサ１１が図４の基準状態から図６の状態に相対移動したとき、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の電気抵抗値は図４の状態よりも大きくなり、図９の回路にて磁気センサ１１がＸ（負）方向へ相対移動した距離に比例した検知出力が得られる。【００６５】  一方、磁気センサ１１が図４の基準状態から図６の状態に相対移動しても、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２の電気抵抗値は図４のときとほとんど変化しないため、図９のＹ方向磁気抵抗効果素子が組み込まれた回路から得られる検知出力はほとんど変化しない。【００６６】  また、磁気センサ１１がＹ（正）方向あるいはＹ（負）方向に相対移動したとき、図９のＹ方向磁気抵抗効果素子が組み込まれた回路から、Ｙ（正）方向あるいはＹ（負）方向へ相対移動した距離に比例した検知出力が得られる。【００６７】  以上の検知出力に基づき、可動部を構成する操作体３のＸ（正）方向、Ｘ（負）方向���Ｙ（正）方向あるいはＹ（負）方向への移動位置を知ることができ、上記したように、前記検知出力に基づいてカメラのズーム駆動や音楽再生のボリューム操作等の所定の入力操作を行うことが可能である。また、図９には図示されていないが比較回路（コンパレータ）を設けて、前記検知出力が前記比較回路内に設定された閾値電圧を上回ったとき、あるいは下回ったときとで、ＯＮ／ＯＦＦのスイッチ信号を出力するようにして、このスイッチ信号に基づいて所定の入力操作が行われるように制御することも可能である。【００６８】  以上詳述した本実施形態の入力装置１によれば、中央に貫通孔７ｂが設けられたリング状磁石７を用いることで、前記貫通孔７ｂを通る外部磁界Ｈが生じる。この外部磁界Ｈは、前記リング状磁石７の貫通孔７ｂと高さ方向（Ｚ方向）にて対向する相対移動平面内の中心位置１１ａでは、ほぼ高さ方向に向かう垂直磁場成分である。一方、前記中心位置１１ａからＸ（正）方向、Ｘ（負）方向、Ｙ（正）方向、Ｙ（負）方向に向けて前記外部磁界Ｈは水平磁場成分が徐々に強くなる。また、中心位置１１ａからＸ（正）方向及びＸ（負）方向のそれぞれの領域で生じる前記水平磁場成分の方向は、ほぼ反対方向であり、また、中心位置１１ａからＹ（正）方向及びＹ（負）方向のそれぞれの領域で生じる前記水平磁場成分の方向は、ほぼ反対方向である。【００６９】  磁気センサ１１に用いられる磁気抵抗効果素子２０は、前記磁気センサ１１がＸ（正）方向及びＸ（負）方向に相対移動したときに水平磁場成分の向き及び強度を検知できる第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２と、前記磁気センサ１１がＹ（正）方向及びＹ（負）方向に相対移動したときに水平磁場成分の向き及び強度を検知できる第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１、第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２とで構成される。【００７０】  よって、本実施形態によれば、前記リング状磁石７の貫通孔７ｂを通って前記磁気抵抗効果素子に作用する水平磁場成分を前記磁気抵抗効果素子２０にて検知し、前記磁気抵抗効果素子２０の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向及びＹ方向への移動を検知することが可能である。【００７１】  図４ないし図６及び図１４に示すように、磁気センサ１１の相対移動平面は前記リング状磁石７の貫通孔７ｂと対向する平面内である。図１４でも説明したようにリング状磁石７の貫通孔７ｂの径の大きさを数ｍｍにでき、非常に狭い空間に、リング状磁石７及び磁気センサ１１の配置を行うことができるよって、四方にタクトスイッチを配置して多方向入力操作を構成していた従来構造に比べて適切に入力装置１の小型化を実現できる。【００７２】  そして本実施形態では、前記リング状磁石７の中央に貫通孔７ｂがあるため、前記貫通孔７ｂを利用して部品をリング状磁石７の中央部分に設置する等、前記入力装置１の効果的な小型化を実現することが出来る。【００７３】  特に本実施形態では、センタ入力が可能なように、入力装置１の操作体３に連結される突起部４、センタプッシュスイッチ部９を設けているが、リング状磁石７を使用することで、前記リング状磁石７の貫通孔７ｂに前記突起部４を挿通でき、センタ入力���能な多方向入力装置の効果的な小型化を実現することが出来る。【００７４】  図４に示すように磁気センサ１１には４個の磁気抵抗効果素子２０Ｘ１，２０Ｘ２，２０Ｙ１，２０Ｙ２が設置されているが、図１１のようにＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ及びＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙが夫々１個ずつでもよい。図１２に示すように、前記Ｙ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙと固定抵抗素子３５とが直列に接続されており、直列に接続されてＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙと固定抵抗素子３５とに電源電圧Ｖｃｃが与えられている。そして、Ｙ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙと固定抵抗素子３５との中間点３６が、Ｙ方向の水平磁場成分の検知出力の出力部となっている。Ｘ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘも図１２と同様の回路構成で組み込まれている。【００７５】  ただし、図４のように磁気センサ１１に４個の磁気抵抗効果素子２０Ｘ１，２０Ｘ２，２０Ｙ１，２０Ｙ２が設置することが検知出力を大きくでき検知精度を向上させることが可能である。【００７６】  しかも例えばＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘを１個で、磁気センサ１１のＸ方向への相対移動を検知しようとすると、磁気センサ１１をＸ方向に相対移動させたときに前記磁気センサ１１のＹ方向に対する位置ずれが生じた場合、前記Ｘ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘに流入する水平磁場成分の方向が変化してしまうため、磁気抵抗効果素子２０Ｘの感度が変わってしまい検知精度が悪くなってしまう。【００７７】  一方、本実施形態のように、磁気センサ１１の中心位置１１ａを挟んで等間隔の位置に第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１と第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２を配置すれば、磁気センサ１１をＸ方向に相対移動させたときに前記磁気センサ１１のＹ方向に対する位置ずれが多少生じて、一方のＸ方向磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化が所定値（Ｙ方向へのずれが無いときの電気抵抗値）より小さくなっても、他方のＸ方向磁気抵抗効果素子の電気抵抗変化は前記所定値より大きなり、図９の回路構成から得られる検知出力は補正されてＹ方向への位置ずれが無い場合に比べてさほど変動しない。上記ではＸ方向磁気抵抗効果素子について説明したがＹ方向磁気抵抗効果素子についても同様である。よって図４に示す磁気抵抗効果素子２０の構成とすることで、より効果的に検知精度を向上できる。【００７８】  図９の回路構成に代えて図１０の回路構成でもよい。図１０では、差動増幅器４３，４４によって、それぞれの中間の電圧の差が求められている。図１０に示す回路は、第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ１の抵抗値の変化に基づく電圧値の絶対値と、第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２の抵抗値の変化に基づく電圧値の絶対値を加算している。これは、第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１と第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２においても同じである。この検出回路を使用しても、対を成すＸ方向磁気抵抗効果素子と、対を成すＹ方向磁気抵抗効果素子のそれぞれにおいて、一方の感度の低下を他方の感度の向上が補うようになり、正確な位置検知が可能となる。【００７９】  また図１３に示す磁気抵抗効果素子２０の配置でもよい。図１３に示すＸ方向磁気抵抗効果素子２０ＸはＸ−Ｚ平面に積層した構成、Ｙ���向磁気抵抗効果素子２０ＹはＹ−Ｚ平面に積層した構成である。図１３のように、Ｘ方向磁気抵抗効果素子２０の固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）はＸ（正）方向であり、フリー磁性層に作用するバイアス磁界の方向（Ｂ方向）がＺ方向すなわちＸ−Ｙ平面に対して垂直で上方に向けられている。また、Ｙ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙは、素子部２１の固定磁性層２４の固定磁化方向（Ｐ方向）がＹ（正）方向へ向けられ、バイアス磁界の方向（Ｂ方向）がＺ方向すなわちＸ−Ｙ平面に対して垂直で上方に向けられている。磁気センサ１１がＸ（正）方向あるいはＸ（負）方向に相対移動させられると、前記Ｘ方向磁気抵抗効果素子２０ＸにＸ−Ｚ面内にて回転する水平磁場成分が作用して、前記Ｘ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘの電気抵抗値が変動する。このときＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙの電気抵抗値は変化しない。一方、磁気センサ１１がＹ（正）方向あるいはＹ（負）方向に相対移動させられると、前記Ｙ方向磁気抵抗効果素子２０ＹにＹ−Ｚ面内にて回転する水平磁場成分が作用して、前記Ｙ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙの電気抵抗値が変動する。このときＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘの電気抵抗値は変化しない。【００８０】  本実施形態では、リング状磁石７に限定するものでないが、リング状磁石７であると磁気センサ１１の相対移動に伴いリニアな出力を得やすくなり、スムーズな入力操作を行うことが可能になる。また、前記磁気センサ１１に対するリング状磁石７からの外部磁界の指向性が無いため、磁気センサ１１に対するリング状磁石７の向きを考慮する必要がなく組立を容易化できる。【００８１】  また入力数が上記実施形態より少なくなるが、磁気センサ１１には少なくともＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘが備えられた構成でもよい。あるいは入力数を更に増やすために、例えば操作体３を基準状態から斜め方向に向けて移動できるようにし、このときその斜め方向に固定磁性層の固定磁化方向（Ｐ方向）が調整された磁気抵抗効果素子をさらに増設して、センタ入力以外に例えば、８方向の入力操作が可能なようにすることもできる。【００８２】  さらに上記実施形態ではセンタ入力は接触式であったが非接触式にすることも出来る。例えば前記操作体３に連結される突起部４の先端部４ａを磁石にし、例えば前記突起部４の下方に前記磁石からの磁界を検知できる磁気素子（磁気抵抗効果素子でもホール素子でもよい）を設ける構成にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本実施形態の入力装置の分解斜視図、
【図２】本実施形態の入力装置の正面図（ただし磁石を透視して示している）、
【図３】本実施形態の入力装置を高さ方向に沿って切断した際に現れる部分拡大断面図、
【図４】磁気センサが磁石の中心に位置したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）は、Ａ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、
【図５】磁気センサが磁石の中心位置からＸ（正）方向に相対移動したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、
【図６】磁気センサが磁石の中心位置からＸ（負）方向に相対移動したときの磁気センサと磁石との状態を示す図（（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿って高さ方向に向けて切断しその切断面を矢印方向から見たときの断面図）、
【図７】（ａ）は磁気抵抗効果素子の構造を示す平面図、（ｂ）は磁気抵抗効果素子の固定磁性層の磁化方向とバイアス磁界の方向を示す説明図、
【図８】磁気抵抗効果素子を膜厚方向から切断した際の切断面を示す断面図、
【図９】磁気センサの回路構成図、
【図１０】他の実施形態の回路構成図、
【図１１】他の磁気センサの構成斜視図、
【図１２】図１１に示す磁気センサの回路構成図、
【図１３】他の磁気センサの構成斜視図、
【図１４】リング状磁石と磁気センサとの水平距離と水平磁場成分の磁束密度との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
【００８４】１  入力装置２  上ケース３  操作体４  突起部４ａ  （突起部の）先端部５  スライダ６  環状コイルばね７  リング状磁石７ｂ  （リング状磁石の）貫通孔８  下ケース９  センタプッシュスイッチ部（タクトスイッチ）１０  基板１１  磁気センサ２０Ｘ１  第１のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｘ２  第２のＸ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ１  第１のＹ方向磁気抵抗効果素子２０Ｙ２  第２のＹ方向磁気抵抗効果素子２３  反強磁性層２４  固定磁性層２５  非磁性層２６  フリー磁性層４１、４２  加算器４３、４４  差動増幅器Ｂ  バイアス磁界の方向Ｆ  （フリー磁性層の）磁化方向Ｈ１  垂直磁場成分Ｈ２、Ｈ３  水平磁場成分Ｐ  （固定磁性層の）固定磁化方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、前記固定部と高さ方向にて離れた位置に設けられた可動部とを有し、前記固定部と前記可動部の一方に外部磁界を発生する磁石が、他方に前記外部磁界を検知するための磁気センサが設けられており、
前記磁石の中央には貫通孔が形成され、前記磁石の上面及び下面が、互いに異なる磁極に着磁されており、
平面視にて、前記磁石の貫通孔内に位置するとともに前記高さ方向に直交するＸ−Ｙ平面が前記磁気センサの相対移動平面であり、
前記磁気センサは、前記相対移動平面内で直交するＸ方向及びＹ方向のうち、少なくともＸ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子を備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向への移動が検知されることを特徴とする入力装置。
【請求項２】
前記磁石はリング形状である請求項１記載の入力装置。
【請求項３】
前記可動部は、操作体と、前記操作体の下面から下方向に突出して前記磁石の貫通孔に挿通される突起部と、前記磁石とを備え、さらに前記操作体及び突起部は高さ方向に移動可能で且つＸ−Ｙ平面にスライド移動可能に支持されており、
前記突起部の下方には、前記磁気センサと共に固定部側を構成し、前記操作体を下方向に押圧したときに入力されるセンタスイッチ部を備える請求項１又は２に記載の入力装置。
【請求項４】
前記磁気センサは、前記相対移動平面内のＹ方向での正方向及び負方向に相対移動したときに外部磁界の向き及び強度を検知できる磁気抵抗効果素子をさらに備え、前記磁気抵抗効果素子の検知出力に基づいて前記可動部のＸ方向及びＹ方向への移動が検知される請求項１ないし３のいずれか１項に記載の入力装置。
【国際調査報告】
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2009063799.tif 000018
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