(57)【要約】  優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供する。  弾性波装置１は、圧電基板２０と、圧電基板２０の上に形成されているＩＤＴ電極１０とを備える。ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、Ａｌを含まない第１の金属層１３と、Ａｌを含む第２の金属層１５と、Ａｌを含まない第３の金属層１７とを有する。第２の金属層１５は、第１の金属層１３の上に配されている。第３の金属層１７は、第２の金属層１５の上に配されている。ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、第１の金属層１３の酸化物からなる第１の金属酸化物層１４と、第２の金属層１５の酸化物からなる第２の金属酸化物層１６とをさらに有する。第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３と第２の金属層１５との間に配されている。第２の金属酸化物層１６は、第３の金属層１７と第２の金属層１５との間に配されている。
2012169452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極と、
を備える弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、Ａｌを含まない第１の金属層と、第１の金属層の上に配されており、Ａｌを含む第２の金属層と、第２の金属層の上に配されており、Ａｌを含まない第３の金属層とを有し、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に配されており、前記第１の金属層の酸化物からなる第１の金属酸化物層と、
前記第３の金属層と前記第２の金属層との間に配されており、前記第２の金属層の酸化物からなる第２の金属酸化物層と、
をさらに有する、弾性波装置。
【請求項２】
前記第２の金属層は、ＡｌまたはＡｌＣｕ合金からなる、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１及び第３の金属層の少なくとも一方は、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒからなる群から選ばれる少なくとも１種からなる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の金属酸化物層のそれぞれの厚みが、１ｎｍ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記第１の金属層を形成した後に、前記第１の金属層に酸素を接触させることにより前記第１の金属酸化物層を形成し、
前記第２の金属層を形成した後に、前記第２の金属層に酸素を接触させることにより前記第２の金属酸化物層を形成する、弾性波装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で前記第１の金属層に酸素を接触させることにより前記第１の金属酸化物層を形成し、
前記第２の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で前記第２の金属層に酸素を接触させることにより前記第２の金属酸化物層を形成する、請求項５に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの通信機器におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、デュプレクサや段間フィルタなどとして、弾性波装置が搭載されている。弾性波装置としては、例えば弾性表面波を利用した弾性表面波装置などが知られている。【０００３】
弾性波装置は、圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極において励振された弾性波を利用する。この弾性波の特性は、ＩＤＴ電極の構成材料によって変化する。得ようとする弾性波の特性によっては、ＩＤＴ電極を複数の金属層の積層体とする場合もある。例えば、特許文献１には、圧電基板側から順に、下地層と、Ａｌ合金層と、酸化膜層と、Ａｌ以外の金属からなる金属層とが積層されてなるＩＤＴ電極が開示されている。特許文献１には、Ａｌ合金層と金属層との間に酸化膜層としてＡｌ合金層の自然酸化層を配置することにより、Ａｌ合金層から金属層へのＡｌまたはＡｌ合金粒子の移動を抑制できる旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２４３９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の積層構造を有するＩＤＴ電極では、十分に高い信頼性が得られない場合がある。【０００６】
本発明の目的は、優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極とを備える。ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、Ａｌを含まない第１の金属層と、Ａｌを含む第２の金属層と、Ａｌを含まない第３の金属層とを有する。第２の金属層は、第１の金属層の上に配されている。第３の金属層は、第２の金属層の上に配されている。ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、第１の金属層の酸化物からなる第１の金属酸化物層と、第２の金属層の酸化物からなる第２の金属酸化物層とをさらに有する。第１の金属酸化物層は、第１の金属層と第２の金属層との間に配されている。第２の金属酸化物層は、第３の金属層と第２の金属層との間に配されている。【０００８】
なお、本発明において、「Ａｌを含まない」とは、Ａｌを実質的に含まないことを意味する。すなわち、Ａｌを含まない第１及び第３の金属層は、不純物としてごく微量のＡｌを含んでもよい。また、本発明においては、金属には合金が含まれるものとする。【０００９】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、第２の金属層は、ＡｌまたはＡｌＣｕ合金からなる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第１及び第３の金属層の少なくとも一方は、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒからなる群から選ばれる少なくとも１種からなる。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、第１及び第２の金属酸化物層のそれぞれの厚みは、１ｎｍ以上である。【００１２】
本発明に係る弾性波装置の製造方法では、第１の金属層を形成した後に、第１の金属層に酸素を接触させることにより第１の金属酸化物層を形成する。さらに、第２の金属層を形成した後に、第２の金属層に酸素を接触させることにより第２の金属酸化物層を形成する。【００１３】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、第１の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で第１の金属層に酸素を接触させることにより第１の金属酸化物層を形成する。さらに、第２の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で第２の金属層に酸素を接触させることにより第２の金属酸化物層を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。
【図２】図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。
【図３】図３は、比較例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。
【図４】図４は、参考例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。
【図５】図５は、実施例１、比較例１及び参考例１で得られた弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、図５のＶＩ部分を拡大した、熱処理温度とシート抵抗との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１７】
また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態などにおいて参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００１８】
図１は、本実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける模式的断面図である。
【００１９】
本実施形態に係る弾性波装置１は、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波装置である。弾性波装置１は、例えば弾性波共振子であってもよいし、弾性波フィルタ装置であってもよい。なお、弾性波フィルタ装置には、弾性波デュプレクサや弾性波トリプレクサなどの弾性波分波器が含まれるものとする。
【００２０】
弾性波装置１は、圧電基板２０を備える。圧電基板２０は、適宜の圧電体により構成することができる。圧電基板２０は、例えばＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板、ニオブ酸カリウム基板、水晶基板、ランガサイト基板、酸化亜鉛基板、チタン酸ジルコン酸鉛基板、四ホウ酸リチウム基板などにより構成することができる。
【００２１】
圧電基板２０の主面２０ａの上には、ＩＤＴ電極１０が形成されている。ＩＤＴ電極１０は、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極を有する。
【００２２】
ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、複数の金属層と複数の金属酸化物層とから構成される。具体的には、図２に示されるように、ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、複数の金属層１１〜１３，１５，１７〜１９を有する。これら複数の金属層１１〜１３，１５，１７〜１９のうち、第１の金属層１３と第３の金属層１７とは、Ａｌを含まない。一方、第２の金属層１５は、Ａｌを含んでいる。ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、第１及び第２の金属酸化物層１４，１６をさらに有する。第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３の酸化物からなる。第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５の酸化物からなる。
【００２３】
金属層１１は、圧電基板２０の主面２０ａの上に配されている。金属層１１を構成する金属は、特に限定されない。金属層１１の構成金属は、金属層１１に付与しようとする機能等に応じて適宜選択することができる。例えば、金属層１１を下地層や密着層として機能させようとする場合には、金属層１１を、Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ合金などにより構成することができる。なお、金属層１１の厚みは、特に限定されない。金属層１１の厚みは、通常５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００２４】
金属層１２は、金属層１１の上に配されている。金属層１２を構成する金属は、特に限定されない。金属層１２の構成金属は、金属層１２に付与しようとする機能等に応じて適宜選択することができる。例えば、質量付加の観点から、金属層１２を、例えばＰｔ、Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄなどにより構成することができる。なお、金属層１２の厚みは、特に限定されない。金属層１２の厚みは、通常１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００２５】
Ａｌを含まない第１の金属層１３は、金属層１２の上に配されている。第１の金属層１３を構成する金属は、Ａｌ以外の金属であれば、特に限定されない。金属層１３は、積層電極の拡散防止などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属や、これらの金属のうちの１種以上を主成分とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第１の金属層１３の厚みは、特に限定されない。第１の金属層１３の厚みは、通常５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００２６】
Ａｌを含む第２の金属層１５は、第１の金属層１３の上に配されている。第２の金属層１５は、Ａｌを含む金属または合金からなる。第２の金属層１５は、電気伝導性などの観点から、例えばＡｌや、ＡｌＣｕ合金などＡｌを主体とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第２の金属層１５の厚みは、特に限定されない。第２の金属層１５の厚みは、通常１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００２７】
Ａｌを含まない第３の金属層１７は、Ａｌを含む第２の金属層１５の上に配されている。第３の金属層１７を構成する金属は、Ａｌ以外の金属であれば、特に限定されない。第３の金属層１７は、積層電極の拡散防止などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属や、これらの金属のうちの１種以上を主成分とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第３の金属層１７の厚みは、特に限定されない。第３の金属層１７の厚みは、通常５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００２８】
金属層１８は、Ａｌを含まない第３の金属層１７の上に配されている。金属層１８を構成する金属は、特に限定されない。金属層１８は、質量付加などの観点から、例えばＰｔ、Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄなどにより構成されることが好ましい。なお、金属層１８の厚みは、特に限定されない。金属層１８の厚みは、通常１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。
【００２９】
金属層１９は、金属層１８の上に配されている。金属層１９を構成する金属は、特に限定されない。金属層１９は、例えばＩＤＴ電極を覆う誘電体膜などの保護膜との密着性などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ合金などにより構成されることが好ましい。なお、金属層１９の厚みは、特に限定されない。金属層１９の厚みは、通常５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００３０】
第１の金属層１３の酸化物からなる第１の金属酸化物層１４は、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間に配されている。第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３の直上に配されている。第２の金属層１５は、第１の金属酸化物層１４の直上に配されている。第１の金属層１３と第１の金属酸化物層１４とは互いに接している。また、第１の金属酸化物層１４と第２の金属層１５とは互いに接している。第１の金属層１３と第２の金属層１５との間には、第１の金属酸化物層１４のみが配されている。すなわち、第１の金属層１３と第２の金属層１５とは、第１の金属酸化物層１４のみを介して互いに接続されている。
【００３１】
第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３を構成する金属の酸化物から構成される。すなわち、第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３を構成する金属と酸素とが結合した化合物から構成される。金属酸化物層１４を構成する金属酸化物としては、例えばＴｉＯ２などの酸化チタン、ＮｉＯなどの酸化ニッケル、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化クロムや、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属のうちの１種以上を主成分とする合金の酸化物などが好ましい。
【００３２】
第２の金属層１５の酸化物からなる第２の金属酸化物層１６は、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間に配されている。第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５の直上に配されている。第３の金属層１７は、第２の金属酸化物層１６の直上に配されている。第２の金属層１５と第２の金属酸化物層１６とは互いに接している。また、第２の金属酸化物層１６と第３の金属層１７とは互いに接している。第２の金属層１５と第３の金属層１７との間には、第２の金属酸化物層１６のみが配されている。すなわち、第２の金属層１５と第３の金属層１７とは、第２の金属酸化物層１６のみを介して互いに接続されている。
【００３３】
第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５を構成する金属の酸化物から構成される。すなわち、第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５を構成する金属と酸素とが結合した化合物から構成される。金属酸化物層１６を構成する金属酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３などの酸化アルミニウムなどが好ましい。
【００３４】
第１の金属酸化物層１４の厚みは、特に限定されない。第１の金属酸化物層１４の厚みは、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍ程度であることがより好ましい。第２の金属酸化物層１６の厚みは、特に限定されない。金属酸化物層１６の厚みは、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍ程度であることがより好ましい。第１及び第２の金属酸化物層１４、１６の厚みが小さすぎると、金属酸化物層１４、１６を介して、第１の金属層１３と第２の金属層１５との間や第２の金属層１５と第３の金属層１７との間で金属の移動が生じる虞がある。第２の金属層１５と第１または第３の金属層１３，１７との間で金属の移動が生じると、弾性波装置１の電極指抵抗が劣化する虞がある。さらに、第２の金属層１５と第１または第３の金属層１３，１７との間で金属の移動が生じると、これをきっかけに第１または第３の金属層１３，１７に直接接する金属層１２や金属層１８と第２の金属層１５との間で金属の移動が生じてしまい、さらなる電極指抵抗の劣化を引き起こすことになる。また、金属酸化物層１４、１６の厚みが大きすぎると、ＩＤＴ電極１０の電極指抵抗が高くなり、弾性波装置１の特性が劣化する虞がある。
【００３５】
本実施形態において、金属層１１，１２，１３，１５，１７，１８，１９及び金属酸化物層１４，１６によって構成されるＩＤＴ電極１０の少なくとも一部の厚みは、通常２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００３６】
ＩＤＴ電極１０の他の一部は、金属層１１，１２，１３，１５，１７，１８，１９及び金属酸化物層１４，１６によって構成されていてもよいし、異なる金属層や金属酸化物層から構成されてもよい。また、ＩＤＴ電極１０の他の一部は、単一の金属層により構成されていてもよい。ＩＤＴ電極１０の他の一部が、単一の金属層により構成される場合、単一の金属層は、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる金属により構成されていてもよい。Ａｌ合金としては、例えばＡｌＣｕ合金が挙げられる。ＩＤＴ電極１０の他の一部の厚みは、上記のＩＤＴ電極１０の少なくとも一部の厚みと同様とすればよい。
【００３７】
なお、ＩＤＴ電極１０の形成は、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成した薄膜をリフトオフ法などによりパターニングすることにより行うことができる。以下、ＩＤＴ電極１０の形成方法の一例についてさらに詳細に説明する。
【００３８】
まず、圧電基板２０の主面２０ａの上に、金属層１１、１２、１３を構成する金属を順次蒸着させて、金属層１１、１２、１３をこの順に形成する。次に、第１の金属層１３に酸素を接触させて第１の金属層１３を酸化させることにより、第１の金属酸化物層１４を形成する。すなわち、第１の金属層の表層に位置する金属に酸素を接触させて、第１の金属酸化物層１４を形成する。次に、第１の金属酸化物層１４の上に金属層１５を形成する。次に、第２の金属層１５に酸素を接触させて第２の金属層１５を酸化させることにより、第２の金属酸化物層１６を形成する。すなわち、第２の金属層１５の表層に位置する金属に酸素を接触させて、第２の金属酸化物層１６を形成する。そして、第２の金属酸化物層１６の上に第３の金属層１７、金属層１８、１９をこの順に形成する。以上の工程により、ＩＤＴ電極１０を形成することができる。
【００３９】
第１及び第２の金属層１３、１５に酸素を接触させる方法は、特に限定されない。例えば、第１及び第２の金属層１３、１５をそれぞれ形成した後、チャンバー内に酸素ガスを導入して、第１及び第２の金属層１３、１５それぞれの表層に位置する金属と酸素とを接触させてもよい。また、チャンバー内を大気雰囲気下として、大気中に含まれる酸素と第１及び第２の金属層１３、１５それぞれの表層に位置する金属とを接触させてもよい。また、チャンバーから大気中に取り出し、大気中の酸素と接触させてもよい。
【００４０】
ところで、従来、弾性波装置において、ＩＤＴ電極を複数の金属層の積層体とする場合、ＴｉやＮｉからなる層とＡｌまたはＡｌ合金からなる層との間では、金属の移動はほとんど起こらないと考えられていた。このため、例えば特許文献１のように、Ｔｉ層の直上にＡｌ層やＡｌＣｕ合金層を配して積層体としていた。
【００４１】
ところが、本発明者が検討したところ、Ｔｉ層などのＡｌを含まない金属層とＡｌを含む金属層との間に金属酸化物層を設けることにより、金属酸化物層を設けない場合に比して、弾性波装置の信頼性が向上することが確認された。このことから、ＴｉやＮｉからなる層とＡｌまたはＡｌ合金からなる層との間でも、金属の移動が起こり、これによって、弾性波装置の信頼性が低下するものと考えられる。
【００４２】
本実施形態に係る弾性波装置１においては、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間に、第１の金属酸化物層１４が配されている。このため、弾性波装置１では、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間の金属の移動が効果的に抑制されていると考えられる。
【００４３】
さらに、ＩＤＴ電極１０には、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間にも、金属酸化物層１６が配されている。よって、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間の金属の移動が効果的に抑制されていると考えられる。
【００４４】
すなわち、本実施形態に係る弾性波装置１では、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６によって、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第１及び第３の金属層１３、１７それぞれとが隔てられているため、Ａｌを含む第２の金属層１５が有する界面を通した金属の移動が抑制されている。その結果、優れた信頼性が実現されている。
【００４５】
本実施形態の弾性波装置１の製造方法においては、Ａｌを含まない第１の金属層１３及びＡｌを含む第２の金属層１５を酸素と接触させることにより、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６を容易に形成することができる。特に、大気雰囲気下に金属層１３、１５と酸素とを接触させることにより、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６を形成する場合は、第１及び第２の金属酸化物層１４，１６をより容易に形成することができる。
【００４６】
なお、本発明において、ＩＤＴ電極は、一部が第１〜第３の金属層と、第１及び第２の金属酸化物層とを有するものである限りにおいて特に限定されず、他の層を有していなくてもよい。
【００４７】
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の説明において、上記の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照する。
【００４８】
（実施例１）
チャンバー内にＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を導入し、圧力と温度を調整しながら、圧電基板上にＮｉＣｒ（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０（重量比））、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＮｉＣｒからなる金属層１１、Ｐｔからなる金属層１２、Ｔｉからなる第１の金属層１３をこの順に形成した。次に、チャンバー内に大気を導入し、第１の金属層１３の表層にＴｉＯ２からなる第１の金属酸化物層１４を形成した。チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、第１の金属酸化物層１４の上にＡｌＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９：１（重量比））を蒸着し、ＡｌＣｕからなる第２の金属層１５を形成した。そして、チャンバー内に大気を導入し、第２の金属層１５の表層にＡｌ２Ｏ３からなる第２の金属酸化物層１６を形成した。次に、チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、Ｔｉからなる第３の金属層１７、Ｐｔからなる金属層１８、Ｔｉからなる金属層１９をこの順に形成し、圧電基板２０上にＩＤＴ電極１０が形成された弾性波装置１を作製した。
【００４９】
ＩＤＴ電極１０を構成する金属層１１の厚みは１０ｎｍであった。金属層１２の厚みは２０ｎｍであった。第１の金属層１３の厚みは２０ｎｍであった。第１の金属酸化物層１４の厚みは、３ｎｍ程度であった。第２の金属層１５の厚みは３００ｎｍであった。第２の金属酸化物層１６の厚みは３ｎｍ程度であった。第３の金属層１７の厚みは２０ｎｍであった。金属層１８の厚みは２０ｎｍであった。金属層１９の厚みは１０ｎｍであった。
【００５０】
次に、実施例１で得られた弾性波装置５つを窒素雰囲気中、３２５℃、３５０℃、３６２℃、３７５℃、３８７℃、及び４００℃の各温度で２時間加熱処理をした。加熱処理後の各弾性波装置のシート抵抗（ｍΩ／□）を測定した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
【００５１】
（比較例１）
図３は、比較例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。
【００５２】
比較例１では、チャンバー内に大気を導入する工程を除いて、実施例１と同様の工程及び電極膜厚となるようにしてＩＤＴ電極を作製した。得られたＩＤＴ電極の金属層の膜厚は、金属酸化物層を除いて、実施例１と同様であった。
【００５３】
次に、比較例１で得られた弾性波装置５つについて、実施例１と同様にして加熱処理した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
【００５４】
（参考例１）
図４は、参考例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。
【００５５】
チャンバー内にＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を導入し、圧力と温度を調整しながら、圧電基板上にＮｉＣｒ（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０（重量比））、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＮｉＣｒからなる金属層１１２、Ｐｔからなる金属層１２２、Ｔｉからなる金属層１３２をこの順に形成した。次に、チャンバー内に大気を導入し、金属層１３２の表層にＴｉＯ２からなる金属酸化物層１４２を形成した。チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、金属酸化物層１４２の上にＡｌＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９：１（重量比））、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＡｌＣｕからなる金属層１５２及びＴｉからなる金属層１７２ａを形成した。そして、チャンバー内に大気を導入し、金属層１７２ａの表層にＴｉＯ２からなる金属酸化物層１６２を形成した。次に、チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、Ｔｉからなる金属層１７２ｂ、Ｐｔからなる金属層１８２、Ｔｉからなる金属層１９２をこの順に形成し、圧電基板２０上にＩＤＴ電極１０が形成された弾性波装置１を作製した。
【００５６】
ＩＤＴ電極１０を構成する金属層の膜厚は、金属酸化物層１６２が３ｎｍ程度であること以外は、実施例１と同様であった。
【００５７】
次に、参考例１で得られた弾性波装置５つについて、実施例１と同様にして加熱処理した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
【００５８】
図５及び図６から明らかなように、金属酸化物層を設けない比較例１では、熱処理温度が３２５℃である場合に、抵抗値に上昇がみられる。また、第２の金属層の両側をＴｉ層とし、自然酸化により酸化チタン膜を配置した参考例１では、比較例１よりは熱処理による抵抗値の上昇が抑制されているが、それでも熱処理温度が３５０℃を超えると徐々に抵抗値の上昇傾向がみられる。これに対し、実施例１では、熱処理温度が３７５℃であっても、熱処理後の抵抗値は、熱処理前と同程度であり、この結果から、温度上昇に伴う金属の移動が抑制され、弾性波装置の信頼性が向上することがわかる。
【符号の説明】
【００５９】
１…弾性波装置
１０…ＩＤＴ電極
１１，１２，１８，１９…金属層
１３…第１の金属層
１４…第１の金属酸化物層
１５…第２の金属層
１６…第２の金属酸化物層
１７…第３の金属層
２０…圧電基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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