(57)【要約】  本発明は、配線基板上に半導体素子を接着する半導体素子接着フィルムに関するものであって、配線基板上に接着された半導体素子へのワイヤーボンディング性に優れ、また、熱履歴が長い場合であっても、後に封止材が封入される際には配線基板表面の凹凸への埋め込み性に優れる半導体素子接着フィルムを提供するものである。  本発明の半導体素子接着フィルムは、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０万〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、平均粒径が１〜１００ｎｍであるシリカ（Ｂ）と、を含み、不揮発分中の熱硬化性樹脂および硬化剤の含有量が５質量％以下であることを特徴とする。
2009113296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、
シリカ（Ｂ）と、を含み、
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）は、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０万〜１００万であり、
前記シリカ（Ｂ）は、平均粒径が１〜１００ｎｍであり、
不揮発分中に熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）を含まないか、または前記不揮発分中の前記熱硬化性樹脂及び前記硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることを特徴とする、半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項２】
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、請求項１に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【化１】
2009113296.tif 000012
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示し、式中、Ｒ２、は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。また、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。）
【請求項３】
構造単位（Ｉ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％である、請求項２に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項４】
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、請求項１に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【化２】
2009113296.tif 000013
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）
【請求項５】
構造単位（Ｖ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が０．５〜１０ｍｏｌ％である、請求項４に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項６】
前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項７】
前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項８】
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項９】
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【請求項１０】
基材フィルムと接着層を含む半導体素子接着フィルムであって、
該接着層が、
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、
シリカ（Ｂ）と、を含み、
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）は、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０万〜１００万であり、
前記シリカ（Ｂ）は、平均粒径が１〜１００ｎｍであり、
不揮発分中に熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）を含まないか、または前記不揮発分中の前記熱硬化性樹脂及び前記硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることを特徴とする、半導体素子接着フィルム。
【請求項１１】
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、請求項１０に記載の半導体素子接着フィルム。
【化３】
2009113296.tif 000014
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中、Ｒ２、は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。また、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。）
【請求項１２】
構造単位（Ｉ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％である、請求項１１に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１３】
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、請求項１０に記載の半導体素子接着フィルム。
【化４】
2009113296.tif 000015
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）
【請求項１４】
構造単位（Ｖ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が０．５〜１０ｍｏｌ％である、請求項１３に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１５】
前記接着層中の前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１６】
前記接着層中の前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１７】
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１８】
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項１９】
１７５℃における弾性率が、３０ＭＰａ以上、１４０ＭＰａ以下である、請求項１２に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項２０】
１７５℃における弾性率が、３０ＭＰａ以上、１４０ＭＰａ以下である、請求項１４に記載の半導体素子接着フィルム。
【請求項２１】
請求項１２に記載の半導体素子接着フィルムと、ダイシングフィルムと、からなることを特徴とする複合半導体素子接着フィルム。
【請求項２２】
請求項１４に記載の半導体素子接着フィルムと、ダイシングフィルムと、からなることを特徴とする複合半導体素子接着フィルム。
【請求項２３】
多段に積層された半導体素子と、
多段に積層された前記半導体素子が搭載される基板と、
前記半導体素子と前記半導体素子の間又は前記半導体素子と前記基板との間に設けられた接着層とを備え、
前記接着層が、請求項１２に記載の半導体素子接着フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
多段に積層された半導体素子と、
多段に積層された前記半導体素子が搭載される基板と、
前記半導体素子と前記半導体素子の間又は前記半導体素子と前記基板との間に設けられた接着層とを備え、
前記接着層が、請求項１４に記載の半導体素子接着フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置に関する。【０００２】
近年、電子機器の高機能化等に対応して、半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、半導体装置の大容量高密度化が進んでいる。【０００３】
このような要求に対応するため、たとえば半導体素子の上に半導体素子を多段で積層することで、半導体装置の小型化、薄型化、大容量化を実現する方法が検討されている。こうした半導体装置では、ビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板が主に使用される（特許文献１）。【０００４】
同文献によれば、このような半導体装置において、半導体素子と有機基板または半導体素子と半導体素子の接着には、従来のペースト状の接着剤では半導体素子からはみ出さないよう適量に塗布することは困難であることから、半導体素子接着フィルムが主に用いられている。【０００５】
また、半導体素子接着フィルムに関する従来技術として、他に、特許文献２〜４に記載のものがある。【０００６】
特許文献２には、半導体素子と配線基板との接着にエポキシ樹脂とアクリルゴムで構成された半導体素子接着フィルムを用いることが記載されている。【０００７】
特許文献３には、半導体素子と配線基板との接着にフェノキシ樹脂を主体として構成された半導体素子接着フィルムを用いることが記載されている。【０００８】
特許文献４には、半導体素子接着フィルムの接着温度における最低粘度を特定範囲とし、流動性を制御することが記載されている。【０００９】
【特許文献１】特開２００６−７３９８２号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００１−２２０５７１号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開２００２−１３８２７０号公報（特許請求の範囲）
【特許文献４】特開平１１−１２５４５号公報（特許請求の範囲）
【００１０】
配線基板と半導体素子を接着する場合、配線基板の表面には金属配線があり、金属配線をソルダーレジストで被覆しているが、金属配線がある部分とない部分があるため、配線基板の表面には凹凸が存在する。しかしながら、上記文献に記載の半導体素子接着フィルムでは、半導体素子と配線基板を接着する際に、適切にこの凹凸を埋めることができない場合があり、配線基板と半導体素子間に間隙（ボイド）が発生し、半導体装置の信頼性を悪化させるという問題が発生する場合があった。【００１１】
半導体素子接着フィルムの配線基板表面の凹凸への埋め込みは、半導体素子と配線基板を半導体素子接着フィルムで接着させ、半導体素子と配線基板との間のワイヤーボンディングを行った後、封止樹脂封入時の加熱および加圧を利用して行うため、半導体素子接着フィルムは封止樹脂封入時の流動性が重要となる。
また、近年、半導体素子の多段化が進み、ワイヤーボンディング工程により多くの時間がかかり、従来に比べ、封止樹脂を封入するまでに、半導体素子接着フィルムに長時間の熱履歴がかかるようになってきている。そのため、封止樹脂を封入する前に半導体素子接着フィルムの硬化反応が進行し、流動性が低下するため、配線基板表面の凸凹を埋め込むことができないという不良を発生する場合があった。【００１２】
さらに、半導体装置の小型および薄型化が進み、それに伴い、半導体素子の小型および薄型化が進行している。小型および薄型の半導体素子を半導体素子接着フィルムで多段に積層する場合、ワイヤーボンディング温度における半導体素子接着フィルムの弾性率が低いと、ワイヤーボンディング時にボンディングパッドが動いてしまうため、正確にワイヤーボンディングできないという問題も発生する場合があった。
【発明の開示】
【００１３】
本発明の目的は、半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング工程に多くの時間がかかり、封止樹脂を封入するまでの半導体素子接着フィルムの接着層にかかる熱履歴が長くなった場合でも、封止樹脂封入工程において、配線基板表面の凹凸への埋め込み性に優れる半導体素子接着フィルム、及び半導体装置を提供することにある。
また、別の目的は、小型および薄型の半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング性に優れる半導体素子接着フィルム、及び半導体装置を提供することにある。
【００１４】
このような目的は［１］〜［２４］に記載の本発明により達成される。
［１］
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、
シリカ（Ｂ）と、を含み、
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）は、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０万〜１００万であり、
前記シリカ（Ｂ）は、平均粒径が１〜１００ｎｍであり、
不揮発分中に熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）を含まないか、または前記不揮発分中の前記熱硬化性樹脂及び前記硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることを特徴とする、半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［２］
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、［１］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【化１】
2009113296.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示し、式中、Ｒ２、は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。また、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。）
［３］
構造単位（Ｉ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％である、［２］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［４］
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、［１］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
【化２】
2009113296.tif 000004
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）
［５］
構造単位（Ｖ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が０．５〜１０ｍｏｌ％である、［４］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［６］
前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする［３］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［７］
前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする［５］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［８］
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする［３］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［９］
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする［５］に記載の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス。
［１０］
基材フィルムと接着層を含む半導体素子接着フィルムであって、
該接着層が、
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）と、
シリカ（Ｂ）と、を含み、
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）は、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０万〜１００万であり、
前記シリカ（Ｂ）は、平均粒径が１〜１００ｎｍであり、
不揮発分中に熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）を含まないか、または前記不揮発分中の前記熱硬化性樹脂及び前記硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることを特徴とする、半導体素子接着フィルム。
［１１］
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、［１０］に記載の半導体素子接着フィルム。
【化３】
2009113296.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中、Ｒ２、は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。また、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキレン基を示す。）
［１２］
構造単位（Ｉ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％である、［１１］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１３］
前記（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）が、
下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むランダム共重合体である、［１０］に記載の半導体素子接着フィルム。
【化４】
2009113296.tif 000006
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）
［１４］
構造単位（Ｖ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が０．５〜１０ｍｏｌ％である、［１３］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１５］
前記接着層中の前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする［１２］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１６］
前記接着層中の前記シリカ（Ｂ）の含有量が、２０〜７０質量％であることを特徴とする［１４］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１７］
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする［１２］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１８］
前記シリカ（Ｂ）の粒径が、１０〜３０ｎｍであることを特徴とする［１４］に記載の半導体素子接着フィルム。
［１９］
１７５℃における弾性率が、３０ＭＰａ以上、１４０ＭＰａ以下である、［１２］に記載の半導体素子接着フィルム。
［２０］
１７５℃における弾性率が、３０ＭＰａ以上、１４０ＭＰａ以下である、［１４］に記載の半導体素子接着フィルム。
［２１］
［１２］に記載の半導体素子接着フィルムと、ダイシングフィルムと、からなることを特徴とする複合半導体素子接着フィルム。
［２２］
［１４］に記載の半導体素子接着フィルムと、ダイシングフィルムと、からなることを特徴とする複合半導体素子接着フィルム。
［２３］
多段に積層された半導体素子と、
多段に積層された前記半導体素子が搭載される基板と、
前記半導体素子と前記半導体素子の間又は前記半導体素子と前記基板との間に設けられた接着層とを備え、
前記接着層が、［１２］に記載の半導体素子接着フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体装置。
［２４］
多段に積層された半導体素子と、
多段に積層された前記半導体素子が搭載される基板と、
前記半導体素子と前記半導体素子の間又は前記半導体素子と前記基板との間に設けられた接着層とを備え、
前記接着層が、［１４］に記載の半導体素子接着フィルムの硬化物であることを特徴とする半導体装置。
【００１５】
本発明によれば、半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング工程に多くの時間がかかり、封止樹脂を封入するまでの半導体素子接着フィルムの接着層にかかる熱履歴が長くなった場合でも、封止樹脂封入工程において、配線基板表面の凹凸への埋め込み性に優れる半導体素子接着フィルム、及び半導体装置を提供することができる。
さらに、小型および薄型の半導体素子が多段に積層された半導体装置において、ワイヤーボンディング性に優れる半導体素子接着フィルム、及び半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
上述した目的、および、その他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、および、それに付随する以下の図面によって、さらに明らかになる。
【図１】図１は、半導体素子接着フィルムを模式的に示す模式図である。
【図２】図２は、第１積層体を模式的に示す模式図である。
【図３】図３は、粘着層積層体を模式的に示す模式図である。
【図４】図４は、複合半導体素子接着フィルムＡを模式的に示す模式図である。
【図５】図５は、第１粘着層積層体を模式的に示す模式図である。
【図６】図６は、第２積層体を模式的に示す模式図である。
【図７】図７は、第３積層対を模式的に示す模式図である
【図８】図８は、第２粘着層積層体を模式的に示す模式図である。
【図９】図９は、複合半導体素子接着フィルムＢを模式的に示す模式図である。
【図１０】図１０は、ダイシングシートを模式的に示す模式図である。
【図１１】図１１は、半導体素子接着フィルムを使用した場合の実施形態における半導体装置を製造するフローチャート図である。
【図１２】図１２は、実施形態における半導体素子接着フィルムの使用方法を示す模式図である。
【図１３】図１３は、ダイシング機能を有する複合半導体素子接着フィルムを使用した場合の実施形態における半導体装置を製造するフローチャート図である。
【図１４】図１４は、実施形態における複合半導体素子接着フィルムの使用方法を示す模式図である。
【図１５】図１５は、半導体装置の一例を模式的に示す模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置について、適宜図を用いて詳細に説明する。
１．半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス
本発明の半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニスは、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）（以下、化合物（Ａ）とも記載する。）と、平均粒径が１〜１００ｎｍであるシリカ（Ｂ）（以下、化合物（Ｂ）とも記載する。）と、を含み、半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることを特徴とする(以下、「〜」は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す)。特に、半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が５質量％以下であることにより、半導体素子を多段に積層し、半導体素子接着フィルムの接着層に長時間熱履歴が掛かった場合においても、封止材封入工程で配線基板表面凹凸の埋め込み性に優れるため、半導体装置の信頼性が良好となる。また、平均粒径が１〜１００ｎｍであるシリカ（Ｂ）を含有することにより、半導体素子接着フィルムの接着層の弾性率が向上するため、ワイヤーボンディング性が良好となる。なお、本発明で重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフ）で測定され、ポリスチレン換算値で得られるものである。【００１８】
本発明に係る化合物（Ａ）は、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体である。化合物（Ａ）は、半導体素子接着フィルムの接着層の硬化時に（メタ）アクリル酸エステル共重合体同士が重合できるように、水酸基およびカルボキシル基を有するか、又はエポキシを有し、且つ半導体素子接着フィルムの接着層の硬化後の機械特性と接着時の流動性が両立するように、重量平均分子量が１０〜１００万であれば、特に制限されるものではない。【００１９】
前記水酸基およびカルボキシル基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、特に制限されるものではないが、下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むランダム共重合体であればよく、下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位からなるランダム共重合体が好ましい。一般式（Ｉ）で表される構造単位を含むことにより、半導体素子用接着フィルムの接着層の弾性率を下げることができるため、配線基板や半導体素子に対する密着性を向上させることができる。また、一般式（ＩＩ）で表される構造単位を含むことにより、半導体接着フィルム接着層を接着させる際に、極性の高いアクリロニトニル基が配線基板や半導体素子と相互作用するため、配線基板や半導体素子に対する密着性を向上させることができる。さらに、一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位を含むことにより、半導体素子接着フィルム接着層を熱硬化する際に、（メタ）アクリル酸エステル共重合体の水酸基とカルボキシル基がエステル反応し、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が分子間架橋するため、硬化後の機械的強度を確保することができる。【００２０】
【化５】
2009113296.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中、Ｒ２、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）【００２１】
前記エポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、特に制限されるものではないが、下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むランダム共重合体であればよく、下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）で表される構造単位からなるランダム共重合体が好ましい。一般式（Ｖ）で表される構造単位を含むことにより、半導体素子用接着フィルムの接着層の弾性率を下げることができるため、配線基板や半導体素子に対する密着性を向上させることができる。また、一般式（ＶＩ）で表される構造単位を含むことにより、半導体接着フィルム接着層を接着させる際に、極性の高いアクリロニトニル基が配線基板や半導体素子と相互作用するため、配線基板や半導体素子に対する密着性を向上させることができる。さらに、一般式（ＶＩＩ）で表される構造単位を含むことにより、半導体素子接着フィルム接着層を熱硬化する際に、（メタ）アクリル酸エステル共重合体のエポキシ基同士が重合し、（メタ）アクリル酸エステル共重合体が分子間架橋するため、硬化後の機械的強度を確保することができる。【００２２】
【化６】
2009113296.tif 000008
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）【００２３】
本発明に係る化合物（Ａ）としては、（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリロニトリルと、（メタ）アクリロイル基および水酸基を有する化合物と、（メタ）アクリロイル基およびカルボキシル基を有する化合物と、をラジカル開始剤存在下で懸濁付加重合して得られる、水酸基およびカルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体；および（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリロニトリルと、（メタ）アクリロイル基およびエポキシ基を有する化合物と、を、ラジカル開始剤存在下で懸濁重合して得られる、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。【００２４】
前記化合物（Ａ）の重量平均分子量は、１０〜１００万であり、好ましくは２０〜９０万である。化合物（Ａ）の重量平均分子量が上記範囲内にあることにより、化合物（Ａ）の凝集力と熱時の流動性が両立するため、半導体素子接着フィルム接着層の硬化後の機械特性と接着時の流動性も両立する。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフ）により測定することができる。【００２５】
前記水酸基およびカルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、特に制限されるものではないが、（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリロニトリルと、（メタ）アクリロイル基および水酸基を有する化合物と、（メタ）アクリロイル基およびカルボキシル基を有する化合物と、を、有機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤存在下で付加重合して得ることができる。
また、前記エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、特に制限されるものではないが、（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリロニトリルと、（メタ）アクリロリル基およびエポキシ基を有する化合物とを、有機過酸化物、アゾ化合物等のラジカル開始剤存在下で付加重合して得ることができる。【００２６】
前記（メタ）アクリル酸エステルとしては、重合することにより（Ｉ）または（Ｖ）式の構造を与えるものであれば、特に制限されるものではなく、(メタ)アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル基、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル基、（メタ）アクリル酸イソブチル等が挙げられ、これらのうち、半導体素子接着フィルムの接着層の硬化後の柔軟性に優れ接着性が良好である、（メタ）アクリル酸エチルと（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル基が好ましい。【００２７】
前記（メタ）アクリロイル基と水酸基を有する化合物としては、重合することにより（ＩＩＩ）式の構造を与えるものであれば、特に制限されるものではなく、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプリピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、カプロラクトン（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうち、半導体素子接着フィルムの接着層の硬化後の耐熱性に優れる２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。【００２８】
前記（メタ）アクリロイル基とカルボキシル基を有する化合物としては、特に制限されるものではないが、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−メタクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸等が挙げられ、これらのうち、半導体素子接着フィルムの接着層の硬化後の耐熱性に優れる（メタ）アクリル酸が好ましい。【００２９】
なお、本発明で、水酸基およびカルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、下記一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）で表される構造単位からなるランダム重合体であり、構造単位（Ｉ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が１〜１０ｍｏｌ％であり、より半導体素子接着フィルムの接着層の接着性および硬化後の耐熱性に優れる、構造単位（Ｉ）のモル比が３５〜７０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩ）のモル比が２０〜６０ｍｏｌ％、構造単位（ＩＩＩ）のモル比が２〜８ｍｏｌ％、構造単位（ＩＶ）のモル比が２〜８ｍｏｌ％であることが好ましい。
上記水酸基およびカルボキシル基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、一例示であり、特に制限されるものではない。【００３０】
【化７】
2009113296.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４及びＲ６は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中、Ｒ２、Ｒ５は、炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）【００３１】
なお、本発明で、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、下記一般式（Ｖ）、（ＶＩ）、及び（ＶＩＩ）で表される構造単位からなるランダム重合体であり、構造単位（Ｖ）のモル比が３０〜８８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１０〜６８ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が１０．５〜１０ｍｏｌ％であり、であり、より半導体素子接着フィルムの接着層の接着性および硬化後の耐熱性に優れる、構造単位（Ｖ）のモル比が３５〜８０ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩ）のモル比が１５〜６０ｍｏｌ％、構造単位（ＶＩＩ）のモル比が１〜８ｍｏｌ％であることが好ましい。
上記エポキシ基を有し、且つ重量平均分子量が１０〜１００万である（メタ）アクリル酸エステル共重合体は、一例示であり、特に制限されるものではない。【００３２】
【化８】
2009113296.tif 000010
（式中、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は、水素原子又はメチル基を示す。また、式中Ｒ８は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。）【００３３】
本発明に係る化合物（Ａ）の含有量は、半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の２０〜８０質量％が好ましく、３０〜７０質量％が特に好ましい。ここで、化合物（Ａ）の含有量は下記式により算出することができる。
化合物（Ａ）含有量（質量％）＝[化合物（Ａ）（質量部）]／[（化合物（Ａ）（質量部）＋化合物（Ｂ）（質量部）＋熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）＋その他添加剤（質量部）]×１００【００３４】
本発明に係る化合物（Ｂ）は、平均粒径が１〜１００ｎｍであるシリカである。前記シリカの平均粒径が１００ｎｍを超えると、熱時弾性率を高めるためには前記シリカの添加量を７０質量％とする必要があり、そうすることにより、接着性の低下といった問題が発生する場合がある。シリカとしては、沈降シリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、その中でもコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは金属汚染レベルが沈降シリカ、ヒュームドシリカと比べて低いため、半導体素子接着フィルムのイオン性不純物を低減することが可能となる。また、コロイダルシリカは、シリカが溶媒中で単分散に近い状態で分散されているため、半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニスに配合した場合、シリカの凝集を抑制することが可能となる。【００３５】
前記シリカの平均粒径は、５〜８０ｎｍが好ましく、１０〜３０ｎｍが特に好ましい。上記範囲であることにより、接着性および熱時弾性率のバランスに優れた半導体素子接着フィルムの接着層を得ることができる。前記シリカの平均粒径の測定方法は以下の通りである。
レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、水中に１分間超音波処理することにより分散させ、測定を行った。Ｄ５０値（数積算）を平均粒径とする。【００３６】
本発明に係る化合物（Ｂ）の含有量は、半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の２０〜８０質量％が好ましく、３０〜７０質量％が特に好ましい。上記範囲であることにより、接着性および熱時弾性率のバランスに優れた半導体素子接着フィルムの接着層を得ることができる。ここで、化合物（Ｂ）の含有量は下記式により算出することができる。
化合物（Ｂ）含有量（質量％）＝[化合物（Ｂ）（質量部）]／[（化合物（Ａ）（質量部）＋化合物（Ｂ）（質量部）＋熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）（質量部）＋その他添加剤（質量部）]×１００【００３７】
本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分中の熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量は５質量％以下であり、３質量％以下が特に好ましい。前記熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量が上記範囲であることにより、ワイヤーボンディング工程に多くの時間がかかり、封止樹脂を封入するまでの半導体素子接着フィルムの接着層にかかる熱履歴が長くなった場合でも、封止樹脂封入工程において、配線基板表面の凹凸への埋め込み性に優れた半導体素子接着フィルムの接着層を得ることができる。ここで、前記熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量とは、化合物（Ａ）を除く熱硬化性樹脂と硬化剤の両方を指す。半導体素子接着フィルム形成用ワニス不揮発分とは、化合物（Ａ）と、化合物（Ｂ）と、熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量と、必要に応じて加えられるその他添加剤の合計を指し、熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量は下記の式により算出することができる。
熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）の合計の含有量（質量％）＝[熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）（質量部）]／[（化合物（Ａ）（質量部）＋化合物（Ｂ）（質量部）＋熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）（質量部）＋その他添加剤（質量部）]×１００【００３８】
前記熱硬化性樹脂は、特に制限されるものはないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ハイドロキノン型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂、ウレタンアクリレート樹脂等のアクリレート類、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられ、これらの中でも半導体素子接着フィルムの硬化後の弾性率を高めることができ、また接着界面の密着性を向上させることができるノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂から選ばれるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。ここで、本発明で化合物（Ａ）に該当するものは熱硬化性樹脂及び硬化剤（Ｃ）ではないものとする。【００３９】
前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、特に制限されるものではないが、硬化剤を含有することが好ましい。前記硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）等の芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジド等を含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）等の脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でも半導体素子接着フィルム硬化後のガラス転移温度を高めることができる、フェノール系硬化剤が好ましく、具体的には、ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４'−スルホニルジフェノール、４，４'−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２'−ビフェノール、４，４'−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。【００４０】
前記硬化剤の添加量は、特に制限されるものではないが、エポキシ当量と硬化剤の当量比を計算して決めることができ、前記エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の当量比が０．５〜１．５であることが好ましく、特に０．７〜１．３であることが好ましい。上記範囲であることにより、前記接着層の保存性と硬化後の耐熱性を両立することができる。【００４１】
前記熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、特に限定されるものではないが、さらに半導体素子用接着フィルムの硬化性を向上することができる硬化触媒を含むことが好ましい。前記硬化触媒としては、例えば、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等アミン系触媒、トリフェニルホスフィン等リン系触媒等が挙げられる。これらの中でも、半導体素子接着フィルムの速硬化性と保存性が両立するイミダゾール類が好ましい。 【００４２】
前記イミダゾール類としては、特に限定されるものではないが、例えば、１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−ウンデシルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−エチル−４'メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−[２'−メチルイミダゾリル−（１'）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾール  イソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−ビニル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加物、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−メタクリロイルオキシエチル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加物等が挙げられる。これらの中でも、前記接着層の速硬化性と保存性のバランスに優れる、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールまたは２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。【００４３】
前記硬化触媒の含有量は、特に制限されるものではないが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して０．０１〜３０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。上記範囲であることにより、前記接着層の速硬化性と保存性を両立することができる。【００４４】
前記硬化触媒の平均粒子径は、特に制限されるものではないが、１０μｍ以下であることが好ましく、特に１〜５μｍであることが好ましい。上記範囲であることにより、前記接着層の速硬化性を確保することができる。【００４５】
本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニスは、特に制限されるものではないが、さらにカップリング剤を含んでいても良い。これにより、半導体素子接着フィルムと被着体（半導体素子、半導体素子が搭載される基板）界面の密着性をより向上させることができる。前記カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられるが、半導体素子接着フィルムの硬化後の耐熱性に優れるシラン系カップリング剤が好ましい。【００４６】
前記シラン系カップリング剤としては、特に制限されるものではないが、例えば、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。【００４７】
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されるものではないが、前記半導体素子接着フィルム形成用ワニスに含まれる不揮発分１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。上記範囲であることにより、被着体（半導体素子、半導体素子が搭載される基板）同士の接着性に優れる効果が得られる。【００４８】
本発明の半導体素子接着フィルムの１７５℃における弾性率は、特に制限されるものではないが、３０ＭＰａ以上、１４０ＭＰａ以下であることが好ましく、特に、４０ＭＰａ以上、１２０ＭＰａ以下であることが好ましい。上記範囲であることにより、配線基板や半導体素子の段差に対する充填性を向上させることができるとともに、ワイヤーボンディングに必要な機械的強度を確保することができる。
半導体素子接着フィルムの１７５℃における弾性率の測定方法は、以下の通りである。
本発明の半導体素子接着フィルムの接着層をセイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、周波数１０Ｈｚで常温から昇温５℃／ｍｉｎで加熱しながら温度依存測定モードで動的粘弾性を測定し、１７５℃での貯蔵弾性率を測定する。【００４９】
本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニスは、本発明の目的を損なわない範囲で可塑性樹脂、レベリング剤、消泡剤、有機過酸化物などの添加剤を含有することができる。【００５０】
本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニスは、前述の化合物（Ａ）、化合物（Ｂ）等の半導体素子接着フィルムを構成する化合物を有機溶剤、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド、等の溶剤に溶解または分散することでワニス状にすることができる。このワニス状の半導体素子接着フィルム形成用ワニスを層状に成形し、溶剤を除去、乾燥させることで、前記半導体素子接着フィルム形成用ワニスをフィルム状に成形することができる。【００５１】
２．半導体素子接着フィルム
本発明の半導体素子接着フィルムは、基材フィルムと、該基材フィルムの表面に形成される接着層を含み、好ましくは、基材フィルムと、該接着層からなるものである。また、該接着層は、フィルム状に成型されている。【００５２】
本発明の半導体素子接着フィルムの接着層の組成は、半導体素子接着フィルム形成用ワニスと上記有機溶剤を含有しない以外は半導体素子接着フィルム形成用ワニスと同じである。【００５３】
前記接着層は、特に制限されるものではないが、本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニスをコンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いて基材フィルムに塗工し、乾燥させ溶剤を除去することにより得ることができる。前記接着層の厚さは、特に制限されるものではないが、３μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、特に５μｍ以上７０μｍ以下が好ましい。上記範囲であることにより、接着層の厚さ精度を容易に制御することができる。【００５４】
前記基材フィルムは、接着層のフィルム状態を維持できるフィルム特性、例えば、破断強度、可撓性などに優れるフィルム支持基材であり、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられるが、これらのうち、可撓性と破断強度のバランスに優れる、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が好ましい。【００５５】
本発明の複合半導体素子接着フィルムは、接着層を固定するためにダイシング機能が付与されていても良く、ダイシング機能が付与された複合半導体素子接着フィルムの製造方法として、下記の方法などが挙げられる。【００５６】
図１に示す平面視円形の基材フィルムＩ１および接着層２が積層された半導体素子接着フィルム２０の、前記接着層２の有効領域の外周をリング状に除去し、図２に示す第１積層体３０を得る。ここで、有効領域とは、使用される半導体素子が搭載された半導体ウエハを貼り付ける領域を指す。【００５７】
次に、第１積層体３０の接着層２と、図３に示す基材フィルムＩＩ３および粘着層４が積層された粘着層積層体４０の粘着層４が隣接するように積層して複合半導体素子接着フィルムＡ５０を得ることができる（図４）。【００５８】
また、下記の方法によっても複合半導体素子接着フィルムを得ることができる。【００５９】
図１に示す基材フィルムＩ１および接着層２が積層された半導体素子接着フィルム１０の接着層２と、図５に示す基材フィルムＩＩＩ５および第１粘着層６が積層された第１粘着層積層体６０の第１粘着層６が隣接するように積層して第２積層体７０を得る（図６）。【００６０】
次に、前記第２積層体７０に対して、前記基材フィルムI１を残して、前記基材フィルムＩＩＩ５、前記第１粘着層６および前記接着層２の有効領域の外周をリング状に除去し、図７に示す第３積層体８０を得る。【００６１】
次に、前記第３積層体８０の基材フィルムＩＩＩ５を剥がし、図８に示す基材フィルムＩＶ７および第１粘着層よりも粘着力の大きい第２粘着層８が積層された第２粘着層積層体９０の第２粘着層８と第１粘着層６が隣接するように積層して、図９に示すダイシング機能が付与された複合半導体素子接着フィルムＢ１００を得ることができる。
また、図１０に示すように、基材フィルム９の上に粘着層１０を積層して、ダイシングシート１１０を得ることができる。【００６２】
つまり、本発明の複合半導体素子接着フィルムは、本発明の半導体素子接着フィルムと、ダイシングフィルムからなるものである。ここで、図３、図５、図８および図１０に示されるフィルムが、ダイシングフィルムである。【００６３】
次に、半導体装置の一製造方法について説明する。
図１１は、ダイシング機能を付与しない半導体素子接着フィルムを使用した場合の、半導体装置を製造するフロー図の一例である。
図１１に示すように、半導体装置は、半導体素子が搭載された半導体ウエハを各半導体素子単位毎（以下、半導体チップとも記載する。）に切断する半導体ウエハダイシング工程、半導体チップを拾い上げるピックアップ工程、ピックアップされた半導体チップに半導体素子接着フィルムを貼り付ける、半導体素子接着フィルム貼り付け工程、半導体素子接着フィルムの接着層を用いて半導体チップと配線基板、または半導体チップ同士とを仮接着する仮接着工程と、半導体チップと配線基板とを電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、半導体チップおよびボンディングワイヤーを封止樹脂で封止する封止工程と、封止樹脂と半導体素子接着フィルムを硬化させる硬化工程とで製造される。【００６４】
以下、上述の各工程について詳細に説明する。【００６５】
（半導体ウエハダイシング工程）
半導体ウエハダイシング工程では、図１２−ａに示すように、半導体素子が搭載された半導体ウエハ１１を基材フィルム９の上に粘着層１０が積層されたダイシングシート１１０を貼り付け、次に、図１２−ｂに示すように半導体ウエハ１１の外周部に支持部材であるウエハリング１３を貼り付ける。ウエハリング１３はダイシングシートの粘着層１０に固定される。その後、図１２−ｃに示すようにダイシング装置のブレードで半導体ウエハ１１を半導体ウエハ面側から個片に切断する。その際、粘着層１０の厚み方向の略半分まで切り込みを入れる。
（ピックアップ工程）
次に、図１２−ｄに示すように個片化された半導体チップ１２をピックアップできるように、エキスパンド装置で半導体素子接着フィルムを引き伸ばし、半導体チップ１２間を一定の間隔に開く。その後、図１２−ｅに示すように半導体チップ１２をピックアップする。
（半導体素子接着フィルム貼り付け工程）
さらに、半導体素子接着フィルム貼り付け工程では、図１２−ｆに示すようにピックアップした半導体チップ１２に半導体素子接着フィルム２０の接着層２を貼り付ける。【００６６】
（仮接着工程）
仮接着工程では、具体的には、配線基板、半導体素子接着フィルム、半導体素子をこの順で積層し、熱圧着にて半導体素子と配線基板の仮接着を行う。この仮接着は、例えばダイボンディング装置（ＡＤ８９８  ＡＳＭ製）を用いて、８０℃〜１５０℃の温度、１Ｎ〜２０Ｎの荷重、０．１秒〜５秒の時間で熱圧着することができる。この時、半導体素子の破壊を防止するため、低温、低荷重、短時間で熱圧着することが好ましく、この工程において配線基板上の凹凸を半導体素子接着フィルムで完全に充填させることは困難であり、配線基板と半導体素子接着フィルムとの間に空隙があっても構わない。
最近では半導体装置の高密度化、高集積化のため半導体素子を複数積層させることが一般的になっているが、上述の仮接着した半導体素子の上に新たに半導体素子を仮接着させる場合にも本発明を用いることができる。【００６７】
（ワイヤーボンディング工程）
ワイヤーボンディング工程では、半導体素子の電極と、配線基板の電極とをボンディングワイヤーで電気的に接続する。このボンディングワイヤーの接続は、例えば、ワイヤーボンディング装置（ＥＡＧＬＥ６０  ＡＳＭ製）を用いて、１５０℃〜２００℃の温度で実施することができる。
半導体素子が２段以上に積層される半導体装置では、１段目の半導体素子のワイヤーボンディング工程を行った後、２段目以降も先に仮接着、ワイヤーボンディングされた半導体素子上で同様に仮接着工程、さらにワイヤーボンディング工程を繰り返し実施する。【００６８】
（封止工程）
封止工程では、半導体素子および半導体素子の電極と配線基板の電極とを接合しているボンディングワイヤーを覆うように封止樹脂で封止する。これにより、絶縁性および防湿性を向上することができる。封止条件は、例えばトランスファー成形機を用いて、１５０〜２００℃、５０〜１００ｋｇ／ｍｍ２の高温、高圧で行われる。また、封止樹脂の封止と同時に半導体素子接着フィルムを軟化させ、配線基板上の凹凸に完全に充填させる。
従来の半導体素子接着フィルムでは、半導体素子が多段に積層され、ワイヤーボンディング工程で熱履歴が長くかかる場合に、半導体素子接着フィルムの硬化が進行し、フロー性が低下するため、配線基板表面の凸凹を埋め込むことができないという不良を発生する場合があった。本発明の半導体素子接着フィルムを適用すると、上記不良を抑制することができる。【００６９】
（硬化工程）
硬化工程では、封止樹脂を硬化すると共に、半導体素子接着フィルムを硬化する。これにより、最終的な半導体装置を得ることができる。硬化条件は、封止樹脂及び半導体素子接着フィルムが硬化する条件であれば特に限定されないが、例えば、温度：１００〜２００℃、時間：５〜３００分の条件が好ましく、特に温度：１２０〜１８０℃、時間：３０〜２４０分の条件が好ましい。【００７０】
このような工程を経て、最終的に図１５に示すような半導体装置２００を得ることができる。
本発明の半導体装置２００は、多段に積層された半導体素子（第１半導体素子１２１、第２半導体素子１２２）と、多段に積層された半導体素子（第１半導体素子１２１、第２半導体素子１２２）が搭載される基板（配線基板１２０）と、半導体素子（第１半導体素子１２１）と半導体素子（第２半導体素子１２２）の間又は半導体素子（第１半導体素子１２１）と基板（配線基板１２０）との間に設けられた接着層２と、を備えるものである。この接着層２は本発明の半導体素子接着フィルムまたは複合半導体素子接着フィルムの硬化物である。
さらに、本発明の半導体装置２００は、第１ボンディングワイヤー１２３、第２ボンディングワイヤー１２４、第１半導体素子機能面に形成された端子１２５、第２半導体素子機能面に形成された端子１２６および、封止樹脂１２７を備えるものである。
なお、基板としては、シリコン基板等を用いてもよい。本発明の半導体素子接着フィルムまたは複合半導体素子接着フィルムは、半導体チップおよびリードフレームを接着させることもできる。【００７１】
図１３は、ダイシング機能を有する半導体素子接着フィルムを使用した場合の、半導体装置を製造するフロー図の一例である。
図１３に示すように、半導体装置は、半導体素子が搭載された半導体ウエハに半導体素子接着フィルムを貼り付ける、半導体素子接着フィルム貼り付け工程、半導体ウエハを半導体チップ毎に切断する、ダイシング工程、
半導体素子接着フィルム付き半導体チップを拾い上げる、ピックアップ工程、半導体素子接着フィルムの接着層を用いて半導体チップと配線基板、または半導体チップ同士とを仮接着する仮接着工程と、半導体チップと配線基板とを電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、半導体チップおよびボンディングワイヤーを封止樹脂で封止する封止工程と、封止樹脂と半導体素子接着フィルムを硬化させる硬化工程とで製造される。【００７２】
以下、上述の各工程について詳細に説明する。【００７３】
（半導体ウエハ貼付け工程）
半導体ウエハ貼付け工程では、図１４−ａに示すように半導体素子が搭載された半導体ウエハ１１を、前述の複合半導体素子接着フィルムＢ１００の接着層２に貼り付ける工程である。この貼り付け工程は、半導体ウエハ１１を個片化するダイシング装置のダイサーテーブル上に接着層２を上に向けた状態で、複合半導体素子接着フィルムＢ１００を載置する。次に、半導体ウエハ１１の半導体素子が搭載された反対の面と前記接着層２が隣接するように置き、半導体ウエハ１１を接着層２に貼り付ける。【００７４】
（ダイシング工程）
次に、図１４−ｂに示すように接着層２の外周部に支持部材であるウエハリング１３を貼付ける。この時、ウエハリング１３は第２粘着層８に固定される。その後、図１４−ｃに示すようにダイシング装置のブレードで半導体ウエハ１１を半導体ウエハ面側から個片に切断する。その際、第１粘着層６の厚み方向の略半分まで切り込みを入れる。【００７５】
（ピックアップ工程）
次に、図１４−ｄに示すように個片化された半導体チップ１２をピックアップできるように、エキスパンド装置で半導体素子接着フィルムまたはダイシングシート付き半導体素子接着フィルムを引き伸ばし、半導体チップ１２間を一定の間隔に開く。
その後、図１４−ｅに示すように接着層２付き半導体チップ１２をピックアップし、配線基板や半導体素子上に搭載する。【００７６】
仮接着工程以下の工程は、前述の半導体素子接着フィルムを使用した場合と同様である。【００７７】
本説明では、半導体素子接着フィルムとダイシング機能を有する複合半導体素子接着フィルムを使用した場合の半導体装置の製造方法の一例について説明したが、本発明の半導体素子接着フィルムを使用した半導体装置の製造方法は、特に制限されるものはなく、例えば、半導体素子接着フィルムの接着層を半導体ウエハに貼り付けて、ダイシング、ピックアップし配線基板や半導体素子に搭載しても良い。【００７８】
なお、半導体装置の構成は、例示したものには限られず、半導体素子接着フィルムを用いて半導体素子と被接着部材とを接着した構造を有するものであれば、どのような半導体装置であってもよい。【００７９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、本発明の半導体素子接着フィルム形成用ワニスを、乾燥後に得られる接着フィルムの厚みが狙いの厚みとなるように基板や半導体ウエハに塗布し、乾燥させ溶剤を除去することにより、半導体素子接着フィルムを得る方法などを挙げることができる。【００８０】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００８１】
［実施例１］
（樹脂ワニスの調製）
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）として、ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート／ブチルアクリレート／アクリロニトリル／ヒドロキシエチルメタクリレート／アクリル酸共重合体＝４６．１ｍｏｌ％／１６．６ｍｏｌ％／３３．５ｍｏｌ％／１．３ｍｏｌ％／２．５ｍｏｌ％、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部；
シリカ（Ｂ）として、オルガノシリカゾルＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（比表面積換算粒子径１６ｎｍシリカ、メチルエチルケトン（以下、ＭＥＫとも記載する。）２０質量％溶液、扶桑化学工業社製）５００重量部；
をＭＥＫに溶解して、樹脂固形分２０％の樹脂ワニスを得た。【００８２】
（半導体素子接着フィルムの製造）
上述の方法で得られた樹脂ワニスを、コンマコーターを用いてダイシングシート付き半導体素子接着フィルムを作製した際に基材フィルムとなるポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポン社製、ピューレックスＡ５４、厚さ３８μｍ）に塗布した後、１５０℃、３分間乾燥して、厚さ２５μｍの半導体素子接着フィルムを得た。【００８３】
（第１粘着層積層体の製造および第１粘着層積層体の製造）
アクリル酸２−エチルヘキシル３０質量％と酢酸ビニル７０質量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体（Ａ）１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー（日本化薬株式会社製、カヤラッド  Ｄ−３１０）４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン社製）３重量部と、をＭＥＫに溶解して樹脂固形分２０％の樹脂ワニスを得た。コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥した。その後、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、基材フィルムＩＩと第１粘着層が積層された第１粘着層積層体を得た。
この第１粘着層積層体の粘着層と半導体素子接着フィルムの接着層が隣接するように積層し、第１積層体を得た。【００８４】
（第２粘着層積層体の製造）
基材フィルムＩＩＩとして、ハイブラー６０重量部、ポリプロピレン４０重量部からなるクリアテックＣＴ−Ｈ７１７（クラレ製）を、押し出し機で、厚み１００μｍのフィルムを形成し、表面をコロナ処理した。次に、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部とアクリル酸ブチル１０重量部、酢酸ビニル３７重量部、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体を剥離処理した厚３８μｍのポリエステルフィルムに乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、８０℃で５分間乾燥し、第２粘着層を得た。その後、第２粘着層を基材フィルムＩＩＩのコロナ処理面にラミネートして基材フィルムＩＩＩ、第２粘着層およびポリエステルフィルムがこの順に積層された第２粘着層積層体を得た。【００８５】
（複合半導体素子接着フィルムの製造）
第１積層体の基材フィルムＩＩを剥がし、次いで、貼付け予定の半導体ウエハの外径よりも大きい大きさに第１粘着層側から基材フィルムＩの厚み方向の略半分の厚さまでリング状にハーフカットし、リング状の第１粘着層、接着層を剥離する。さらに、第２粘着層積層体からポリエステルフィルムを剥離し、第２粘着層と第１粘着層とが隣接するように貼りあわせる。以上により、基材フィルムＩＩＩ、第２粘着層、第１粘着層、接着層および基材フィルムＩがこの順に構成されてなる複合半導体素子接着フィルムを得ることができる。【００８６】
（１７５℃での弾性率の測定方法）
実施例１で作製した半導体素子接着フィルムの接着層をセイコーインスツルメント社製動的粘弾性装置を用い、周波数１０Ｈｚで常温から昇温５℃／ｍｉｎで加熱しながら温度依存測定モードで動的粘弾性を測定し、１７５℃での貯蔵弾性率を測定した。【００８７】
（ワイヤーボンディング性評価）
実施例１で得られた半導体素子接着フィルムの接着層を、３．５ｍｍ×３．５ｍｍの大きさの表面をアルミ蒸着させたシリコンチップ（厚み１００μｍ）とソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：商品名：ＡＵＳ３０８）がコーティングされたビスマレイミド−トリアジン樹脂配線基板（回路段差５〜１０μｍ）との間にはさんで、１３０℃、５Ｎ、１秒間で熱圧着し、ワイヤーボンディング性の評価用サンプルを得た。
上述のサンプルにＡＳＭ社製ワイヤーボンダーにて１７５℃でワイヤーボンディングを行い、シリコンチップ上に形成されるボールの形状を光学顕微鏡にて、シリコンチップ上に形成されたボールのシリコンチップのアルミ表面への接着強度をボールシェアテスターにて評価した。各符号は、以下の通りである。
○：ボールが円形に形成され、かつボールシェア強度が７ｋｇｆ／ｍｍ２以上
×：ボールの形状が円形でない、またはボールシェア強度が７ｋｇｆ／ｍｍ２以下【００８８】
（半導体装置の製造）
以下の手順で、図１５に示す半導体装置を製造した。【００８９】
実施例１で得られたダイシングシート付き半導体素子接着フィルムの接着層と８インチ２００μｍ半導体ウエハの裏面とを対向させ、６０℃の温度で貼り付けし、複合半導体素子接着フィルムが貼り付けられた半導体ウエハを得た。【００９０】
その後、この複合半導体素子接着フィルムが貼り付けられた半導体ウエハを、ダイシング装置を用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで１０ｍｍ×１０ｍｍ角の半導体チップのサイズにダイシング（切断）した。次に、複合半導体素子接着フィルムの基材フィルムＩＩＩ側から突上げし、第１粘着層と半導体素子接着フィルムとの間で剥離し接着層付き半導体チップを得た。【００９１】
この接着層付き半導体チップ（１０ｍｍ×１０ｍｍ角、素子表面の回路段差１〜５μｍ）を、ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製：商品名：ＡＵＳ３０８）がコーティングされたビスマレイミド−トリアジン樹脂配線基板（基板表面の回路段差５〜１０μｍ）に、１３０℃、５Ｎ、１．０秒の条件で圧着して、半導体チップとビスマレイミド−トリアジン配線基板を仮接着した。この仮接着された半導体チップの上に７ｍｍｘ７ｍｍ角のサイズに同様に作製された接着層付きの半導体チップを１３０℃、５Ｎ、１．０秒の条件で圧着して、サイズの異なる２つの半導体チップをビスマレイミド−トリアジン樹脂配線基板に２段に積層した。
その後、半導体チップをさらに多段に積層した際のワイヤーボンディング工程の熱履歴を想定して、１７５℃で１時間の熱処理を行った。次に、低圧トランスファー成形機を用い、成形温度１７５℃、圧力７０ｋｇ／ｃｍ２、硬化時間２分の条件で封止樹脂（住友ベークライト（株）製、ＥＭＥ−Ｇ７７０）にて封止し、１７５℃で２時間熱処理を行い、封止樹脂を完全硬化させて１０個の半導体装置を得た。【００９２】
（配線基板段差充填性）
配線基板段差充填性は、実施例１で得られた半導体装置を、走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）により、配線基板の接着部分に接着層がボイド無く充填されている割合を下記式により算出した。
充填率（％）＝（ボイド無く充填されている面積）／（配線基板の接着面積）×１００
各符号は、以下の通りであり、充填率が８０％以上であれば半導体装置の信頼性は問題ないレベルである。
○：充填率が、８０％以上１００％以下
×：充填率が、８０％未満もしくは接着層内が全面ボイド状になったもの【００９３】
（耐クラック性）
耐クラック性は、実施例１で得られた半導体装置を８５℃／６０％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）でクラックの有無を評価した。各符号は、以下の通りである。
○：発生したクラックが、１０個中０個
×：発生したクラックが、１０個中１個以上【００９４】
［実施例２］
メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）として、ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部の代わりに、（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、ＳＧ−Ｐ３ＤＲ（エチルアクリレート／ブチルアクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレート共重合体＝２５．５ｍｏｌ％／２４．６ｍｏｌ％／４８．１ｍｏｌ％／１．８ｍｏｌ％、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：１８℃、重量平均分子量：８５０，０００）１００重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【００９５】
［実施例３］
シリカ（Ｂ）として、オルガノシリカゾルＰＬ−２Ｌ−ＭＥＫ（比表面積換算粒子径１６ｎｍシリカ、メチルエチルケトン２０質量％溶液、扶桑化学工業社製）の代わりに、球状シリカＮＳＳ−５Ｎ（平均粒径７０ｎｍ、トクヤマ社製）１００重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【００９６】
［実施例４］
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０２０−８０（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬社製）２重量部と、硬化剤としてフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト社製）４重量部を添加した以外は、実施例１と同様に複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を行った。なお、当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分は全不揮発分中の２．９質量％である。【００９７】
［実施例５］
メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）として、ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部の代わりに、（メタ）アクリル酸エステル共重合体として、ＳＧ−８０ＨＤＲ（エチルアクリレート／アクリロニトリル／グリシジルメタクリレート／Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド共重合体＝６３．０ｍｏｌ％／３２．１ｍｏｌ％／０．６ｍｏｌ％／４．３ｍｏｌ％、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：１８℃、重量平均分子量：３５０，０００）１００重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【００９８】
［比較例１］
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）として、ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部の代わりに、アクリル酸エステル共重合体Ａ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：６００，０００）１００重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【００９９】
［比較例２］
（メタ）アクリル酸エステル共重合体（Ａ）として、ＳＧ−７０８−６ＤＲ（エチルアクリレート−ブチルアクリレート−アクリロニトリル−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：６℃、重量平均分子量：５００，０００）１００重量部の代わりに、アクリル酸エステル共重合体Ｂ（エチルアクリレート／ブチルアクリレート／アクリロニトリル共重合体、ナガセケムテックス社製、Ｔｇ：１７℃、重量平均分子量：９８０，０００）１００重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムおよび各評価を実施例１と同様に行った。【０１００】
［比較例３］
シリカ（Ｂ）として、球状シリカＮＳＳ−３Ｎ（平均粒径１３０ｎｍ、トクヤマ社製）１００重量部を用いた以外は、半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【０１０１】
［比較例４］
シリカ（Ｂ）として、シリカスラリーＳＣ−１０５０−ＬＣ（平均粒径２７０ｎｍシリカ、ＭＥＫ７５質量％溶液、アドマテックス社製）中のシリカ１３３．３重量部を用いた以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。【０１０２】
［比較例５］
熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂ＥＯＣＮ−１０２０−８０（（オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ、日本化薬社製）７重量部と、硬化剤としてフェノール樹脂ＰＲ−ＨＦ−３（水酸基当量１０４ｇ／ＯＨ基、住友ベークライト社製）１４重量部を添加した以外は、複合半導体素子接着フィルムの製造および各評価を実施例１と同様に行った。なお、当該エポキシ樹脂およびフェノール樹脂からなる熱硬化性樹脂成分は全不揮発分中の９．５質量％である。【０１０３】
各実施例および比較例で得られた半導体素子接着フィルムの配合（重量部）と各評価結果を表１に示す。【０１０４】
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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2009113296.tif 000032
2009113296.tif 000033
2009113296.tif 000034