(57)【要約】  発光素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成され且つ導電層を最上層に有する発光機能層と、前記導電層の一部領域に対応する部分に不所望の開口を有する状態で前記導電層上面に形成された第２電極と、前記第２電極における前記開口を構成する周面を除いて前記第２電極上に形成された封止層とを備える。そして、前記導電層の前記一部領域が酸化されている。前記発光機能層は有機発光層を含み、当該有機発光層上に前記導電層がある。
2013051071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に形成され且つ導電層を最上層に有する発光機能層と、
前記導電層の一部領域に対応する部分に不所望の開口を有する状態で前記導電層上面に形成された第２電極と、
前記第２電極における前記開口を構成する周面を除いて前記第２電極上に形成された封止層と
を備え、
前記導電層の前記一部領域が酸化されている
発光素子。
【請求項２】
前記第２電極の前記周面と前記封止層とが、原子層単位で形成された第２封止層により被覆されている
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記導電層の一部領域に異物が付着され、
前記異物は、前記一部領域の酸化により固着されている
請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記導電層の一部領域は、前記異物の付着部分を除いて、前記第２封止層により被覆されている
請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記異物は、第２電極と同じ材料の層と、封止層と同じ材料の層とが当該異物上に形成された状態で、前記第２封止層により被覆されている
請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光機能層は有機発光層を含み、前記導電層は前記発光層に電子を輸送する電子輸送層である
請求項１から５の何れか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
第１電極、発光層と導電層とを含む発光機能層、第２電極及び封止層をこの順で基板上に備える発光素子の製造方法において、
基板上に第１電極を形成する第１工程と、
前記第１工程で形成された第１電極上に発光機能層を形成する第２工程と、
前記第２工程で形成された発光機能層上に第２電極を形成する第３工程と、
前記第３工程で形成された第２電極上に封止層を形成する第４工程と、
前記第４工程後に、基板を酸素雰囲気下に晒して、酸素雰囲気に曝露されている導電層部分の酸化を促進する第５工程と
を行う
発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第５工程は、数百ｍｓｅｃから数ｓｅｃの間酸素を通気させる
請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記第５工程の後に、原子層成長法又は原子層堆積法により第２封止層を形成する
請求項７又は８に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１電極、発光機能層、第２電極及び封止層を備える発光素子及び当該発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子には、発光層や導電層を有する発光機能層が、第１電極に相当する陽極と、第２電極に相当する陰極とに挟まれた構造を有するものがある。【０００３】
発光層や陰極は、水分、酸素等のガス（以下、単に、「水分等のガス」や「ガス」ともいう。）の影響を受ける。具体的には、発光層は、例えば水分等により発光特性が低下し、素子としての寿命が短くなる。陰極は、例えば酸素等により電気特性が変化する。電気特性の変化が大きい場合には発光層に電子を供給することができなくなり、発光しなくなる（所謂、表示欠陥である。）。【０００４】
このため、水分等のガスから発光層や陰極を保護するため、つまり、ガスの侵入をバリアするために、例えば陰極の上面に封止層が形成されている。【０００５】
一方、発光層からは光が発せられ、この光は、例えば、陰極、封止層を透過して外部へと取り出される（トップエミッションの場合である。）。このため、封止層には、高いガスバリア性だけでなく、優れた光透過性が要求され、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等が利用されている。【０００６】
また、発光素子のガスバリア性をさらに高めるために、封止層を原子層成長法（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｅｐｉｔａｘｙ）法により形成する技術も提案されている（例えば、特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２８４０４２号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記封止層を採用しても、発光ムラや色ムラが生じる場合がある。【０００９】
例えば、発光素子の製造過程中に何らかの不具合が生じた場合、例えば導電性を有する異物が、発光機能層内の導電層に付着した場合、当該導電層の電気特性が変化していまい、発光ムラ・色ムラ等を引き起こす。【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであって、不具合が発生したとしても発光ムラ等を少なくできる発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成され且つ導電層を最上層に有する発光機能層と、前記導電層の一部領域に対応する部分に不所望の開口を有する状態で前記導電層上面に形成された第２電極と、前記第２電極における前記開口を構成する周面を除いて前記第２電極上に形成された封止層とを備え、前記導電層の前記一部領域が酸化されている。【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、第１電極、発光層と導電層とを含む発光機能層、第２電極及び封止層をこの順で基板上に備える発光素子の製造方法において、基板上に第１電極を形成する第１工程と、前記第１工程で形成された第１電極上に発光機能層を形成する第２工程と、前記第２工程で形成された発光機能層上に第２電極を形成する第３工程と、前記第３工程で形成された第２電極上に封止層を形成する第４工程と、前記第４工程後に、基板を酸素雰囲気下に晒して、酸素雰囲気に曝露されている導電層部分の酸化を促進する第５工程とを行う。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係る発光素子及び本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、発光素子の製造過程中に何らかの不具合、例えば導電性を有する異物が導電層に付着しても、当該導電層の異物付着部分が酸化されるので、異物との間で絶縁化され、当該導電層の電気特性の変化を抑制でき、光ムラ等を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】表示装置の全体構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】表示パネルの要部を模式的に示す部分断面図である。
【図３】表示パネルの製造工程の一例を示す図である。
【図４】表示パネルの製造工程の一例を示す図である。
【図５】表示パネルの製造工程の一例を示す図である。
【図６】異物が電子輸送層の上面に付着した場合を示す図である。
【図７】製造工程中の異物付着部分の状態を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜実施の態様＞
本発明の一態様である発光素子は、第１電極と、前記第１電極上に形成され且つ導電層を最上層に有する発光機能層と、前記導電層の一部領域に対応する部分に不所望の開口を有する状態で前記導電層上面に形成された第２電極と、前記第２電極における前記開口を構成する周面を除いて前記第２電極上に形成された封止層とを備え、前記導電層の前記一部領域が酸化されている。これにより、不具合が発生したとしても発光ムラ等を少なくできる。
【００１６】
また、前記第２電極の前記周面と前記封止層とが、原子層単位で形成された第２封止層により被覆されている。これにより、ガスバリア性を高めることができる。
【００１７】
また、前記導電層の一部領域に異物が付着され、前記異物は、前記一部領域の酸化により固着されている。これにより、異物が飛散等して他の部位に付着するのを防ぐことができる。
【００１８】
また、前記導電層の一部領域は、前記異物の付着部分を除いて、前記第２封止層により被覆されている。これにより、導電層のガスバリア性を高めることができる。
【００１９】
また、前記異物は、第２電極と同じ材料の層と、封止層と同じ材料の層とが当該異物上に形成された状態で、前記第２封止層により被覆されている。これにより、異物が外れるようなことを少なくできる。
【００２０】
また、前記発光機能層は有機発光層を含み、前記導電層は前記発光層に電子を輸送する電子輸送層である。
【００２１】
本発明の一態様である発光素子は、第１電極、発光層と導電層とを含む発光機能層、第２電極及び封止層をこの順で基板上に備える発光素子の製造方法において、基板上に第１電極を形成する第１工程と、前記第１工程で形成された第１電極上に発光機能層を形成する第２工程と、前記第２工程で形成された発光機能層上に第２電極を形成する第３工程と、前記第３工程で形成された第２電極上に封止層を形成する第４工程と、前記第４工程後に、基板を酸素雰囲気下に晒して、酸素雰囲気に曝露されている導電層部分の酸化を促進する第５工程とを行う。これにより、不具合が発生したとしても発光ムラ等を少なくできる発光素子を製造することができる。
【００２２】
また、前記第５工程は、数百ｍｓｅｃから数ｓｅｃの間酸素を通気させる。これにより、導電層部分に酸化を容易に形成することができる。
【００２３】
また、前記第５工程の後に、原子層成長法又は原子層堆積法により第２封止層を形成する。これにより、封止性を高めることができる。
【００２４】
上記本発明の一態様である発光素子は、発光機能層として導電層を最上層に含んでいたが、当該導電層に着目すると以下のようになる。
【００２５】
発光素子は、導電性を有する第１の領域と、前記第１の領域の一部が酸化されて形成され且つ絶縁性を有する第２の領域とを有する第１の機能層と、前記第１の機能層における前記第１の領域に対応し且つ導電性を備える第１の部分と、前記第１の機能層における前記第２の領域に対応する開口部とを有する層を１または複数含む第２の機能層と、前記第２の機能層の表面を覆う第１の封止部と、前記第１の機能層における前記第２領域に対応する第２の封止部と、前記第１の封止部と前記第２の封止部との間に形成され且つ一端側が前記第１の機能層の前記第２の領域へと延びる亀裂部とを有するとともに絶縁性を備える第１の封止層と、絶縁性材料を含み、前記第１の封止膜の前記第１の封止部と第２の封止部との表面を覆うと共に、その一部が前記第１の機能層の第２の領域であって前記亀裂部と対向する部分に存在し、前記亀裂部における前記第１の機能層の第２の領域へ延びる経路を閉塞している第２の封止層とを有する。
【００２６】
ここでは、第１の機能層は上記導電層に相当する。第１の機能層の第２の領域は上記導電層の一部領域に相当する。第２の機能層における第１の部分と開口部とを有する層が上記第２電極に相当し、開口部が上記開口に相当する。第１の封止層が上記封止層に相当し、第２の封止層は上記第２封止層に相当する。
【００２７】
また、前記第１の機能層の前記第２の領域の表面部には異物が付着し、前記第２の機能層の前記開口部は前記異物に対応して形成され、前記第１の封止膜の第２の封止部は、前記異物を直接または間接的に覆う。
【００２８】
また、前記第１の機能層は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む層であり、前記第２の機能層は、陰極である。
【００２９】
さらに換言すると、発光素子は、一部に欠損部が形成された第１の層と、前記第１の層における前記欠損部の周辺部分が酸化されて酸化部が形成された第２の層とを有する機能層と、前記機能層を覆う封止部材とを有する。
【００３０】
ここでは、第１の層が上記第１の機能層に相当し、第２の層が上記第２の機能層に相当し、第１の層と第２の層とが同一でも良いし、異なっても良い。
【００３１】
一方、上記本発明の一態様である製造方法は、発光機能層として導電層を最上層に含んでいたが、当該導電層に着目すると以下のようになる。
【００３２】
発光素子の製造方法は、導電性を備える第１の機能層を形成する第１工程と、前記第１の機能層上に、導電性を備える層を１または複数含む第２の機能層を形成する第２工程と、前記第２の機能層上に絶縁性を備える第１の封止層を形成する第３工程と、前記第１の封止膜上に絶縁性を備える第２の封止層を形成する第４工程とを有し、前記第２工程は、前記第１の層の表面に異物が付着している領域では、前記表面であって前記異物から空間を隔てて離間した周辺部に対し、前記第２の機能層を形成する工程であり、前記第３工程は、前記第１の封止層を、前記異物と，その周辺部に形成されている前記第２の層との間における)空間に対応する部分を除いて、前記第２の層の表面と前記異物の表面とを覆って形成する工程であり、前記第４工程は、前記第２の封止層を、酸素雰囲気下において成膜させ、前記第１の封止層の表面を覆うと共に、前記第１の封止膜で覆われていない前記空間に入り込むように形成させる工程であり、且つ、前記第２の封止膜を成膜するとき、前記雰囲気中の酸素を前記空間部を通じて、前記第１の機能層における第１の封止層が形成されていない露出部分に作用させ、前記露出部分を含む前記異物に接触する表面部分を酸化させる工程である。
【００３３】
また、前記第４工程は、前記第２の封止層を、酸素雰囲気下において、その構成材料を原子の状態で蒸着させる原子層成長法を用いて成膜する。
【００３４】
また、前記第４工程は、前記第３工程によって前記第１の封止層を形成した有機発光素子の中間体を、酸素雰囲気に晒す酸素通気工程と、前記酸素通気工程後、前記中間体に対して、前記第２の封止層を原子層成長方法を用いて成膜する成膜工程と、を有し、前記酸素通気工程は、前記中間体に対して酸素を１００ｍｓｅｃから２０ｓｅｃ通気させる。
【００３５】
また、前記第２工程は、前記第１の機能層の表面に異物が付着していない領域では、異物が付着していない表面全域に対し前記第２の機能層を形成する。
＜実施の形態＞
ここでは、発光パネルとして表示パネルを例に挙げて説明する。
１．表示装置
図１は、表示装置の全体構成を模式的に示すブロック図である。
【００３６】
表示装置１は、同図に示すように、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。
【００３７】
表示パネル１０は、例えば、有機材料の電界発光現象を利用したトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルである。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と各駆動回路２１〜２４を制御する制御回路２５とから構成されている。
【００３８】
なお、表示パネルは、有機材料を利用した有機ＥＬタイプに限定されず、無機材料を利用した無機ＥＬタイプであっても良いし、ボトムエミッション型の有機ＥＬタイプでも良いし、ボトムエミッション型の無機ＥＬタイプでも良い。
【００３９】
駆動制御部２０の配置については、これに限られないし、駆動回路の個数も４つに限定するものでないし、例えば、制御回路と駆動回路とが一体になった回路でも良い。
２．表示パネル
図２は、表示パネル１０の要部を模式的に示す部分断面図である。
【００４０】
表示パネル１０は、同図に示されるように、基板１０１に複数のピクセル（画素）が行列状に形成されている。
【００４１】
１ピクセルは、ここでは、複数個（具体的には３個）のサブピクセルから構成され、Ｘ方向に配された３個のサブピクセルにより構成されている。サブピクセルは、本発明の発光素子に相当し、ここでは、３個のサブピクセルは、例えば、発光色が、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のサブピクセルである。
【００４２】
基板１０１は、ＴＦＴ基板１０３上に層間絶縁膜１０５が形成されている。基板１０１上には、サブピクセル単位で陽極（本発明の「第１電極」に相当する。）１０７が形成されている。なお、本明細書では、基板１０１を基準にして、基板１０１に各種の機能層が積層されていく方向を上方向とする。この上方向は、図２におけるＺ方向であり、上側を表側とも言う。
【００４３】
基板１０１における陽極１０７が形成されていない領域上及び陽極１０７上には、正孔注入層１０９が形成されている。なお、正孔注入層１０９は、サブピクセルに対応した陽極１０７が存する状態で基板１０１上の略全面に形成されるため、陽極１０７の上面の正孔注入層１０９を基準にすると隣接する陽極１０７間で凹入する。
【００４４】
正孔注入層１０９上であって、隣り合う陽極１０７の間に相当する領域のそれぞれには、バンク（隔壁）１１１が形成されている。
【００４５】
バンク１１１は、図２に示すように、隣接する陽極１０７間を埋め、陽極１０７の端部の上面に存する正孔注入層１０９から上方（厚み方向であって基板１０１から離れる方向であり、図中のＺ方向である。）に突出する形状をしている。ここでは、突出形状は例えば台形状をしている。なお、バンク１１１は、平面視において井桁状に形成されている。
【００４６】
バンク１１１で規定された各領域内（図２では、隣接するバンク１１１間に相当する領域である。）における正孔注入層１０９上には所定の光色（ここでは、上述の、赤、緑、青である。）用の発光層１１３が配されている。
【００４７】
バンク１１１における発光層１１３よりも上方の表面領域及び発光層１１３上には、電子輸送層１１５、陰極１１７及び封止部１１９が、この順で形成されている。電子輸送層１１５、陰極１１７及び封止部１１９は、バンク１１１で規定された領域を超えて隣接する他のサブピクセルのものと連続するように形成されている。
【００４８】
なお、電子輸送層１１５が本発明の「導電層」に相当し、正孔注入層１０９、発光層１１３、電子輸送層１１５までの３層が本発明の「発光機能層」に相当し、陰極が本発明の「第２電極」に相当する。
【００４９】
封止部１１９は、第１封止層１２１と、第１封止層の表面に形成された第２封止層１２３との２層構造を有している。なお、第１封止層１２１が本発明の「封止層」に相当する。
３．表示パネルの実施例
（１）基板
（１―１）ＴＦＴ基板
ＴＦＴ基板１０３は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の基板本体上に、ＴＦＴ、配線部材、および当該ＴＦＴを被覆するパッシベーション膜など（図示せず）を形成した構成である。基板本体は有機樹脂フィルムであってもかまわない。
（１−２）層間絶縁膜
層間絶縁膜１０５は、ＴＦＴ基板１０３の表面段差を平坦に調整するために設けられ、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成されている。
（２）陽極
陽極１０７は、アルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム合金で形成されている。なお、陽極１０７は、例えば、銀（Ａｇ）、銀とパラジウム（Ｐｄ）と銅（Ｃｕ）との合金、銀とルビジウム（Ｒｂ）と金（Ａｕ）との合金、モリブデン（Ｍｏ）とクロム（Ｃｒ）の合金、ニッケル（Ｎｉ）とクロムの合金等で形成されていても良い。
（３）正孔注入層
正孔注入層１０９は、正孔を発光層１１３に注入する機能を有する。正孔注入層１０９は、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏｘＷｙＯｚ）などの遷移金属の酸化物を含む金属酸化物から形成される。
（４）バンク
バンク１１１は、隣接するサブピクセルを区画する機能を有する。バンク１１１は、例えば樹脂等の有機材料で形成されており、絶縁性を有する。有機材料の例として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等がある。バンク１１１は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１１１はエッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
（５）発光層
発光層１１３は、例えば有機発光層である場合には、例えば、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３−ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質で形成されることが好ましい。
（６）電子輸送層
電子輸送層１１５は、例えば、特開平５−１６３４８８号公報のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体で形成される。
【００５０】
なお、電子注入性を更に向上させる点から、上記電子輸送層１１５を構成する材料に、ナトリウム（Ｎａ）、バリウム（Ｂａ）、カリウム（Ｋ）などのアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドーピングしてもよく、本実施の形態では、バリウムをドーピングしている（この場合、電子輸送層は電子注入機能も有することとなる。）。
（７）陰極
陰極１１７は、発光層１１３への電子を注入するための電極である。本実施の形態ではトップエミッション型であるため、陰極１１７は、発光層１１３から発せられた光を透過させる必要があり、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極で形成される。
（８）封止部
封止部１１９は、発光層１１３等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有する。
【００５１】
第１封止層１２１は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ），窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ），炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の材料で形成される。
【００５２】
第２封止層１２３は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒素アルミニウム（ＡｌＸＯＹＮＺ）等の材料で形成される。
４．製造方法
表示パネル１０の製造工程を例示する。
【００５３】
図３から図５は、表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。なお、図３から図５では、表示パネル１０の一部を抜き出して模式的に示している。
【００５４】
表示パネル１０は、（１）陽極を形成する工程（陽極形成工程）、（２）正孔注入層を形成する工程（正孔注入層形成工程）、（３）バンクを形成する工程（バンク形成工程）、（４）発光層を形成する工程（発光層形成工程）、（５）電子輸送層を形成する工程（電子輸送層形成工程）、（６）陰極を形成する工程（陰極形成工程）、（７）第１封止層を形成する工程（第１封止層形成工程）、（８）酸素曝露工程、（９）第２封止層を形成する工程（第２封止層形成工程）とを経て製造される。なお、上記の（１）陽極形成工程の前に、陽極を形成するべき基板１０１を準備する工程がある。
【００５５】
ここで、正孔注入層形成工程から電子輸送層形成工程までの工程により発光機能層が形成さることから、正孔注入層形成工程から電子輸送層形成工程までの工程を「発光機能層形成工程」ともいう。
【００５６】
また、陽極形成工程が本発明の「第１工程」に、正孔注入層形成工程から電子輸送層形成工程まで（発光機能層形成工程）が本発明の「第２工程」に、陰極形成工程が本発明の「第３工程」に、第１封止層形成工程が本発明の「第４工程」に、酸素曝露工程が本発明の「第５工程」にそれぞれ相当している。
【００５７】
各工程について説明する。
（１）陽極形成工程
ＴＦＴ基板１０３に層間絶縁膜１０５が形成されている基板１０１上に、陽極１０７の材料である金属膜、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜を成膜する。アルミニウム膜の成膜には、例えばスパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。
【００５８】
アルミニウム膜の成膜後、例えばフォトリソグラフィでパターニングすることにより、行列状に形成された陽極１０７を得る（図３の（ａ）参照）。陽極１０７の膜厚は、例えば１００［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］である。
（２）正孔注入層形成工程
行列状に陽極１０７が形成されたＴＦＴ基板１０１の上面に、例えば酸化タングステン（ＷＯｘ）を含む組成物を用いて、金属酸化物膜である酸化タングステン膜を成膜する（図３の（ｂ）参照）。
【００５９】
正孔注入層１０９の膜厚は、例えば１［ｎｍ］〜１０［ｎｍ］であり、正孔注入層１０９の成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。
（３）バンク形成工程
まず、基板１０１に形成されている正孔注入層１０９上に絶縁性有機材料からなるバンク材料層を形成する。バンク材料層の形成は、例えば塗布等により行うことができる。その後、バンク材料層上に所定形状の開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から感光させた後、余分なバンク材料層を現像液で洗い出す。これによりバンク材料層のパターニングが完了し、バンク１１１が完成する（図３の（ｃ）参照）。
【００６０】
バンク１１１の正孔注入層１０９の上面からの高さは、例えば１［μｍ］〜２［μｍ］である。
（４）発光層形成工程
バンク１１１で区画された各領域内に、例えばインクジェット法により、発光材料を含む組成物インクを滴下し、その組成物インクを乾燥させて発光層１１３を形成する（図４の（ａ）参照）。発光層１１３の膜厚は、例えば１０［ｎｍ］〜１００［ｎｍ］である。
（５）電子輸送層形成工程
発光層１１３の形成後、例えばニトロ置換フルオレノン誘導体からなる誘導体層を発光層１１３が形成された基板１０１上に成膜する。成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる（図４の（ｂ）参照）。
【００６１】
その後、電子注入性を向上させるために、バリウム（Ｂａ）を２［ｗｔ％］〜３０［ｗｔ％］程度ドープする。電子輸送層の膜厚は、例えば０．５［ｎｍ］〜５０［ｎｍ］である。
（６）陰極形成工程
電子輸送層１１５の形成後、透明な金属膜、例えばＩＴＯ膜を成膜して陰極１１７を形成する。ＩＴＯ膜の成膜には、スパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる（図４の（ｃ）参照）。陰極１１７の膜厚は、例えば１０［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］である。
（７）第１封止層形成工程
陰極１１７の成形後、金属酸化膜、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）膜を成膜して第１封止層１２１を形成する。酸化シリコン膜の成膜には、スパッタリング法、真空蒸着膜法などの真空成膜法を用いることができる（図５の（ａ）参照）。第１封止層１２１の膜厚は、例えば５［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］である。
（８）酸素曝露工程
第１封止層１２１が形成されたＴＦＴ基板１０３を酸素雰囲気下に曝露させる。このとき、後述するが、電子輸送層１１５が酸素雰囲気中に曝露している場合、曝露された部分（本発明の「導電層の一部領域」及び「酸素雰囲気に曝露されている導電層部分」に相当する。）に酸化膜が形成される。曝露時間は、数［ｓｅｃ］から数十［ｓｅｃ］である。
（９）第２封止層形成工程
酸素曝露工程後、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜を成膜して第２封止層１２３を形成する。酸化アルミニウム膜は、膜を構成する構成材料を原子の状態で堆積させる原子層堆積法（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用している。
【００６２】
本例では、第２封止層１２３として、酸化アルミニウム膜を用いており、構成材料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡであり、以下、単に「ＴＭＡ」とする。）を用い、酸化剤としてＯ２プラズマを用いている。
【００６３】
成膜は、ＴＭＡの導入、パージにより余剰分子の取り除き（以下、単に「パージ」という。）、Ｏ２プラズマ照射、パージの処理を１サイクルとし、数百回繰り返すことで行われる。ＴＭＡの導入、Ｏ２プラズマ照射およびパージは、数１００［ｍｓｅｃ］〜２００［ｓｅｃ］行われる
第２封止層１２３の膜厚は、例えば５［ｎｍ］〜２００［ｎｍ］である。
５．電子輸送層１０９上に異物が付着した場合
表示パネル１０は、クリーンな雰囲気中で製造される。しかしながら、製造工程中に表示パネル１０への異物混入をゼロにすることは困難である。
【００６４】
図６は、電子輸送層形成後に異物が付着した状態を示す図である。
【００６５】
異物１３０が同図に示すように付着し、封止層（ここでの封止層は第１封止層１２１である。）がＣＶＤ法により形成された層だけであると、異物１３０の影となり、陰極１１７、封止層（第１封止層１２１）が異物１３０の周辺に堆積されず、溝１３２が形成されてしまう。つまり、電子輸送層１１５、陰極１１７が封止層（第１封止層１２１）により封止されずに露出することとなり、陰極１１７には不所望の開口が設けられることとなる。
【００６６】
封止層（第１封止層１２１）よりも下方の層が露出すると、上述したように、水分等のガスの侵入経路が溝１３２に沿って形成されることとなり、例えば、ガラス基板と接合するための樹脂材料を塗布した際に、溝１３２からガスが電子輸送層１１５、陰極１１７の内部に侵入して、パネルの表示欠陥を招くおそれがある。
【００６７】
さらに、異物１３０が導電性を有する場合、電子輸送層１１５の電気的特性が大きく変化し、例えば、発光ムラ等を生じる。
【００６８】
しかしながら、本実施の形態で説明した製造方法では、上記不具合が生じるのを抑制することができる。以下、その理由を、上記の製造工程で表示パネル１０を製造した場合の異物付着部分の状態を示しながら説明する。
【００６９】
表示パネル１０は、図６に示す異物１３０が電子輸送層１１５に付着した状態であっても、電子輸送層形成工程以降の工程がそのまま順次行われる。
【００７０】
図７は、製造工程中の異物付着部分の状態を説明する図である。
（１）第１封止層形成工程まで
表示パネル１０は、異物１３０が付着した状態で、各形成工程が行われる。同図の（ａ）は、第１封止層形成工程が終了した状態を示している。
【００７１】
同図の（ａ）に示すように、電子輸送層１１５に異物１３０が付着すると、本来、電子輸送層１１５上に形成されるべき陰極１１７、第１封止層１２１が電子輸送層１１５上に形成されずに、異物１３０の上面に形成される。
【００７２】
なお、異物上に形成されている各層、つまり、電子輸送層１１５、陰極１１７及び第１封止層１２１と同じ材料で形成された各層は、発光に関する機能や発光する部分を保護する機能を有していないため、これらの層は、電子輸送層用膜１１５ｂ、陰極用膜１１７ｂ及び第１封止層用膜１２１ｂとする。
【００７３】
このように、異物１３０の周辺には、異物１３０（異物１３０に形成された陰極用膜１１７ｂ及び第１封止層用膜１２１ｂを含む。）と、異物周辺に形成された陰極１１７、第１封止層１２１との間に溝１３２が存在することになる。
（２）酸素曝露工程
第１封止層形成工程後、上述したように、酸素曝露工程を行う。これにより、酸素雰囲気下に露出している電子輸送層１１５が酸化される（酸化膜１３４として図示する。）。特に、電子輸送層１１５にＢａがドーピングされている場合は、電子輸送層１１５は酸化されやすく、異物１３０との付着面も酸化される。なお、付着面も酸化されると異物１３０が電子輸送層１１５に固着される。この状態が、図７の（ｂ）である。
【００７４】
これにより、異物１３０が導電性を有する場合は、電子輸送層１１５における異物１３０の付着部分を含む周辺部分が酸化されるので、導電性の異物１３０に対して絶縁性が確保される。
（３）第２封止層形成工程
第２封止層形成工程は、上述したように、酸素曝露工程の後、ＡＬＤ法により酸化アルミニウム膜（１２３）を成膜する。この状態が図７の（ｃ）である。
【００７５】
ＡＬＤ法では、原子一層毎に堆積することができる。このため、図７の（ａ）に示すように、異物１３０の周辺に溝１３２が存在しても、その溝１３２の内部にまで原子が入り込み堆積される。
【００７６】
これにより、電子輸送層１１５の上面であって異物１３０が付着している部分（異物と接触している部分）の周辺で、陰極１１７、第１封止層１２１が形成されていない露出部分にも第２封止層１２３が形成され、露出部分が第２封止層１２３で封止される。
【００７７】
このように、本実施の形態に係る製造方法では、電子輸送層１１５の上面に異物１３０が付着しても、その付着による溝１３２内にまでに第２封止層１２３が堆積し、その後の工程で、電子輸送層１１５、陰極１１７、第１封止層１２１に水分等のガスが侵入するのを防止することができる。
【００７８】
特に、第２封止層１２３は、第１封止層１２１よりも膜厚が薄く形成されるが、原子単位で堆積されるため、緻密な膜が得られ（所謂、ピンホールフリーである。）、結果的に高い封止性能を得ることができる。
【００７９】
さらに、異物１３０が導電性を有する場合であっても、電子輸送層１１５において表面に露出している部分に酸化膜１３４が形成されるため、結果的にこれらに対して絶縁性が確保されることとなり、電気特性の変化を抑制することができる。
【００８０】
さらに、酸化膜１３４上や第１封止層１２１上、さらには異物１３０や異物１３０に堆積した陰極用膜１１７ｂ、第１封止層用膜１２１ｂ上に第２封止層１２３が形成されるため、溝部１３２への第２封止層１２３の充填と異物１３０の完全な絶縁化を行うことができる。これにより。酸化膜１３４への水分等のガスの侵入を防ぐことができる。
【００８１】
また、異物１３０が導電性を有する場合、電子輸送層１１５の酸化により、異物１３０が電子輸送層１１５に固着され、別の工程で、異物１３０が飛散して他の部位に付着して、表示欠陥等を招くのを未然に防ぐことができる。
＜変形例＞
以上、本発明に係る発光素子及びその製造方法について説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。例えば、以下のような変形例が考えられる。
１．表示パネル
（１）ピクセル
実施の形態では、１ピクセルが、発光色の異なる３つ（３種類）のサブピクセルにより構成されていたが、３つ（３種類）に限定する必要はなく、例えば、１色（モノクロ）のサブピクセルで１ピクセルを構成しても良いし、例えば、発光色の異なる４つ以上のサブピクセルにより１ピクセルを構成しても良い。なお、発光色が異なると、発光層を構成する材料等が異なるが、発光層が陽極と陰極とに挟まれるという基本的構成は同じである。
（２）陽極
実施の形態では、陽極１０７の表面に正孔注入層１０９が形成されていたが、例えば、陽極１０７の表面に導電層を形成し、当該導電層の上面及び導電層が形成されていない基板１０１の上面とに正孔注入層１０９を形成するようにしても良い。ここでの導電層は、製造過程において陽極１０７が自然酸化するのを防止する保護層として機能する。
（３）発光層
正孔注入層１０９の上面に発光層１１３が形成されていたが、例えば、発光層１１３と正孔注入層１０９との間に正孔輸送層を設けても良い。正孔輸送層は、正孔注入層１０９から注入された正孔を発光層１１３へと輸送する機能を有する。
【００８２】
正孔輸送層は、例えば、特開平５−１６３４８８号に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等である。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物で形成される。
（４）封止部
実施の形態では、第１封止層１２１の上面に第２封止層１２３が形成されていたが、例えば、第２封止層１２３の上面に第３封止層を形成しても良い。この場合、第３の封止層は、第１封止層１２１と同じ材料・成形方法で成膜しても良いし、他の方法、例えば、化学気相成長法（ＣＶＤ）法により成膜しても良い。
【００８３】
また、実施の形態では、ＡＬＤ法を利用した第２封止層を第１封止層上に形成していたが、この場合、酸化曝露工程は発光機能層形成工程後に行われる。
２．製造方法
（１）第２封止層
実施の形態では、第２封止層１２３は電子層堆積法（ＡＤＬ法）により形成されている。第２封止層１２３が酸化アルミニウムで構成される場合、構成材料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡであり、以下、単に「ＴＭＡ」とする。）を用いていたが、他の構成材料も利用することができる。
【００８４】
他の材料としては、例えば、ＴＥＡ（トリエチルアルミニウム）、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウム水素化物）等のアルキル系金属を用いることができる。
【００８５】
また、他の材料で第２封止層を構成しても良い。他の材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸窒素化合物（ＡｌＸＯＹＮＺ）等がある。例えば、酸窒素化合物（ＡｌＸＯＹＮＺ）で構成する場合、構成材料として、例えば、ＴＭＡ，ＴＥＡ、ＤＭＡＨと窒素化合物とを反応させることで実施できる。
【００８６】
さらに、他の方法により電子層単位で形成しても良い。他の方法としては、原子層成長法（ＡＬＥ法）がある。
（２）酸素曝露工程
酸素曝露工程では、第１封止層１２１が形成されている基板１０１を酸素雰囲気中に晒していたが、第１封止層１２１の形成後に表面に露出している電子輸送層１１５や陰極１１７等を酸化させることができれば、他の方法であっても良い。
【００８７】
また、酸素雰囲気は、酸化させることができれば良く、他の気体（窒素、アルゴン等）が含まれていても良い。
【００８８】
また、酸化曝露工程は、発光機能層を形成した後に表面に露出している導電材料からなる層を酸化できれば良く、例えば、発光機能層形成工程後に行われば良い。具体的には、第１封止層１２１を形成する前に実施しても良い。
【００８９】
なお、陰極として透明導電膜であるＩＴＯを利用している場合、酸素曝露工程で陰極に酸化膜は形成されにくいが、金属等の酸化し得る材料で陰極を構成した場合、酸化曝露工程で酸化膜が形成される。
３．開口
実施の形態では、第２電極の不所望の開口は、発光機能層の導電層への異物の付着に起因しているが、他の要因でも生じる。他の要因としては歪なバンクの形状等がある。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、表示装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０    表示パネル
１０１    基板
１０７    陽極
１１３    発光層
１１７    陰極
１２１    第１封止層
１２３    第２封止層
【図１】
2013051071.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013051071.tif 000007
【図６】
2013051071.tif 000008
【図７】
2013051071.tif 000009
【国際調査報告】
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2013051071.tif 000011
2013051071.tif 000012