(57)【要約】  本発明の一実施形態に係る弾性波装置は、振動体が配置される基体と、前記振動体を取り囲む枠状領域で前記基体に接合され、前記振動体と空隙を介して対向する封止体と、前記封止体の前記枠状領域と前記基体との間に位置する中間層と、を備える。前記枠状領域は、凹部を有し、該凹部の内側に前記中間層の少なくとも一部が位置している。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動体が配置される基体と、
前記振動体を取り囲む枠状領域で前記基体に接合され、前記振動体と空隙を介して対向する封止体と、
前記封止体の前記枠状領域と前記基体との間に位置する中間層と、
を備え、
前記枠状領域は凹部を有し、該凹部の内側に前記中間層の少なくとも一部が位置することを特徴とする、弾性波装置。
【請求項２】
前記封止体の前記枠状領域は、前記中間層の側面の少なくとも一部と接合されていることを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記中間層の前記側面は、前記封止体側から前記基体側に向かうにつれて前記中間層の幅が広がるように傾斜する側面を有することを特徴とする、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記中間層の前記側面は、前記封止体側から前記基体側に向かうにつれて前記振動体に近づくように傾斜する内側面を有することを特徴とする、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記中間層の前記側面は、前記封止体側から前記基体側に向かうにつれて前記振動体から離れるように傾斜する外側面を有することを特徴とする、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記中間層は、前記振動体を連続して取り囲んでいることを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記振動体を被覆する保護膜をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記保護膜は、前記封止体の前記枠状領域と前記基体との間に延在する延在部を有し、該延在部が前記中間層を構成することを特徴とする、請求項７に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体通信に用いられる携帯端末装置は、小型化が進むとともに、複数の通信システムに対応するマルチバンド化及び携帯端末装置の多機能化のため、内蔵される回路が増加してきている。そのため、使用される個々の電子部品は、その実装密度向上のため、表面実装可能な小型部品とすることが強く要望されている。【０００３】
このような電子部品の中に、携帯端末装置の主要部品として用いられる弾性波装置がある。弾性波装置としては、例えば、圧電基板上に励振電極を形成して構成された弾性表面波装置、圧電薄膜を電極で挟み込んで構成された圧電薄膜共振器がある。【０００４】
弾性表面波装置では、上記のような小型化の要求に対して、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプのものが提案されている（例えば、特許文献１）。【０００５】
図１５は、ＷＬＰタイプの弾性表面波装置の概略構成を示す要部断面図である。図１５に示すように、この弾性表面波装置１０１は、励振電極１０３が一方の主面上に設けられた圧電基板１０２と、圧電基板１０２上に設けられた封止体１０５とを備えている。より詳細には、圧電基板１０２上には、励振電極１０３を被覆する保護膜１０４が設けられている。封止体１０５は、励振電極１０３を取り囲む枠状部１０５ａと、枠状部１０５ａ上に設けられた蓋部１０５ｂとを備えている。保護膜１０４と枠状部１０５ａとの間には、これらを接合する中間層１０６が設けられている。このような構成によって、保護膜１０４で被覆された励振電極１０３と蓋部１０５ｂとの間に空隙を形成するとともに、この空隙が封止体１０５によって気密的に封止されている。こうすることで、この封止体１０５の内側の空隙内へ大気中の水分等が浸入するのを抑制し、励振電極１０３が腐食するのを抑制している。【０００６】
ところで、弾性表面波装置１０１には、製造工程におけるウエハからの切り出し時や実装工程における洗浄時、或いは、実装後における使用時等に外力がかかる。これにより、封止部材１０５ａと中間層１０６との間に剥離が生じることがあり、封止体１０５の内側の空隙の気密性が低下するという問題があった。【０００７】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、封止体の剥離を抑制し、封止体の内側の空隙の気密性を向上させることができる弾性波装置を提供することを目的とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００８／０１８４５２号パンフレット
【発明の概要】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る弾性波装置は、振動体が配置される基体と、前記振動体を取り囲む枠状領域で前記基体に接合され、前記振動体と空隙を介して対向する封止体と、前記封止体の前記枠状領域と前記基体との間に位置する中間層と、を備える。前記枠状領域は、凹部を有し、該凹部の内側に前記中間層の少なくとも一部が位置している。
【００１０】
上述した弾性波装置によれば、封止体の剥離を抑制し、封止体の内側の空隙の気密性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の平面図である。
【図２】図１の弾性表面波装置のII−II断面図である。
【図３】図１の弾性表面波装置のIII−III断面図である。
【図４】図１の弾性表面波装置のII−II断面における製造工程を示す図である。
【図５】図１の弾性表面波装置のII−II断面における製造工程を示す図である。
【図６】図３に示す弾性表面波装置の変形例を示す要部断面図である。
【図７】図３に示す弾性表面波装置の変形例を示す要部断面図である。
【図８】図３に示す弾性表面波装置の変形例を示す要部断面図である。
【図９】図３に示す弾性表面波装置の変形例を示す要部断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の平面図である。
【図１２】図１１の弾性表面波装置のＸII−ＸII断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る弾性表面波装置の要部断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る圧電薄膜共振器の要部断面図である。
【図１５】従来の弾性表面波装置の要部断面図である。
【図１６】図４（ｅ）の弾性表面波装置の製造工程に対する比較例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る弾性波装置の一実施形態として弾性表面波装置を例示し、図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
図１〜図３に示すように、本実施形態に係る弾性表面波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２の主面上に形成されたＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ−Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極３と、ＩＤＴ電極３に接続された接続線６と、圧電基板２上に設けられた封止体５とを備えている。なお、本実施形態では、圧電基板２とＩＤＴ電極３とがそれぞれ、本発明における基体と振動体とに相当し、ＩＤＴ電極３が圧電基板２上に配置されている。
【００１４】
圧電基板２は、圧電材料からなるものであり、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶（ＳｉＯ2）、四ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ３ＳｉＯ１４）等の単結晶で形成することができる。
【００１５】
ＩＤＴ電極３は、少なくとも一対の櫛歯状電極を、電極指が交互に配列されるように互いに噛み合わせた交叉指状電極である。ＩＤＴ電極３は、一対の櫛歯状電極に印加された励振信号に応じた弾性表面波を、圧電基板２上に励振する励起電極として機能する。
【００１６】
ＩＤＴ電極３は、例えば、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金に代表されるアルミニウム合金、アルミニウム単体金属等の導電材料によって形成される。また、このＩＤＴ電極３は、異なる導電材料からなる複数の層を積層して形成してもよい。
【００１７】
接続線６は、圧電基板２上に延びており、一端がＩＤＴ電極３に接続され、他端が後述する電極ポスト８に接続されている。接続線６は、ＩＤＴ電極３と同様、アルミニウム−銅合金に代表されるアルミニウム合金、アルミニウム単体金属等によって形成される。また、接続線６も、ＩＤＴ電極３と同様に、異なる導電材料からなる複数の層を積層して形成してもよい。
【００１８】
図２及び図３に示すように、圧電基板２の主面上には、ＩＤＴ電極３及び接続線６を被覆する保護膜４が設けられている。保護膜４は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、シリコン（Ｓｉ）等の絶縁材料によって形成される。この保護膜４によって、ＩＤＴ電極３及び接続線６の酸化による腐食、並びに、導電性の異物の付着によるＩＤＴ電極３の電極指間の短絡を抑制している。なお、接続線６のＩＤＴ電極３と接続されている端部６ａと反対側の端部６ｂは、保護膜４から露出しており、後述するように電極ポスト８と接続されている。なお、図１では、説明の便宜上、保護膜４及び後述する封止体５の蓋部５ｂを図示していない。
【００１９】
図１〜図３に示すように、封止体５は、ＩＤＴ電極３を取り囲むように配置された枠状部５ａと、枠状部５ａ上に設けられ、ＩＤＴ電極３との間に空隙を介して配置された蓋部５ｂとを備えている。枠状部５ａ及び蓋部５ｂは、フォトレジストからなるフィルム状の成形体を、後述するようにフォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることによって形成される。フォトレジストとしては、感光性を有するエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）系樹脂、アクリル系樹脂等を用いることができる。なお、本実施形態では、封止体５の枠状部５ａが本発明における封止体の枠状領域に相当する。
【００２０】
図２及び図３に示すように、枠状部５ａの下面（保護膜４側の端部）には、凹部５ｃが形成されている。この凹部５ｃは、後述する中間層７の少なくとも一部を収容するようになっている。また、この凹部５ｃも、枠状部５ａと同様、ＩＤＴ電極３を取り囲むように環状に形成されている。
【００２１】
封止体５の枠状部５ａと保護膜４との間には、これらを接合する中間層７が形成されている。中間層７は、後述するようにフォトレジストを保護膜４上にスピンコート法等により塗布し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングすることによって形成される。このようにフォトレジストを保護膜４上に塗布することで、保護膜４の表面の微細な凹凸部分にフォトレジストが流入し、中間層７と保護膜４との密着性が高くなっている。フォトレジストとしては、感光性を有するエポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＣＢ系樹脂、アクリル系樹脂等を用いることができる。
【００２２】
中間層７の上部は、枠状部５ａの凹部５ｃの内側に位置し、この凹部５ｃに収容されている。より詳細には、中間層７は、枠状部５ａ側から保護膜４側に向かうにつれて中間層７の幅が広がるように傾斜する側面を備えている。本実施形態においては、この中間層７の側面は、枠状部５ａ側から保護膜４側に向かうにつれてＩＤＴ電極３に近づくように傾斜する内側面７ａと、枠状部５ａ側から保護膜４側に向かうにつれてＩＤＴ電極３から離れるように傾斜する外側面７ｂとを備えている。この内側面７ａ及び外側面７ｂの上面７ｃに対する傾斜角度α１及びα２（図３参照）はそれぞれ、例えば、１５〜７５度とし、後述する封止体５の剥離強度の観点から、３０〜６０度とすることが好ましい。そして、中間層７の内側面７ａ、外側面７ｂ及び上面７ｃが枠状部５ａと接合されることによって、中間層７の上部が枠状部５ａの凹部５ｃに収容されている。こうすることで、ＩＤＴ電極３を被覆する保護膜４上に形成された空隙が封止体５によって気密的に封止されている。
【００２３】
接続線６のＩＤＴ電極３と接続された端部６ａと反対側の端部６ｂ上には、柱状の電極ポスト８の一端部が接続されている。この電極ポスト８は、中間層７、封止体５の枠状部５ａ及び蓋部５ｂに形成された貫通孔Ｐを介して、蓋部５ｂの上面まで延びている。なお、電極ポスト８は、この貫通孔Ｐの内面に沿って形成されたメッキ用下地層８ａと、メッキ用下地層８ａの内側に形成された柱状部８ｂとを有している。メッキ用下地層８ａは、接続線６との密着性を向上させるため、例えば、Ｔｉ（チタン）等で形成される。また、柱状部８ｂは、例えば、後述するように電解メッキ法によって、メッキ用下地層８ａ上にＣｕ（銅）を析出させて形成される。
【００２４】
電極ポスト８の上端面には外部接続端子９が設けられている。外部接続端子９は、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ合金等からなる半田バンプによって形成することができる。この外部接続端子９を、図示しない外部の駆動回路に接続することによって、電極ポスト８及び接続線６を介してＩＤＴ電極３に励振信号が与えられる。
【００２５】
上記のように構成された弾性表面波装置１は、例えば、移動体通信機器に搭載される無線回路等における接続端子に外部接続端子９をフリップチップ接続して使用される。
【００２６】
次に、本実施形態に係る弾性表面波装置の製造方法の一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２７】
まず、図４（ａ）に示すように、圧電基板２の上面にＩＤＴ電極３及び接続線６を形成する。具体的には、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の薄膜形成法により形成した薄膜を、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置とを用いたフォトリソグラフィ法等を用いて所望の形状にパターニングする。なお、本実施形態では、ＩＤＴ電極３の形成と同時に、接続線６を形成するため、ＩＤＴ電極３と接続線６とが同一材料で形成される。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３及び接続線６を被覆する保護膜４を形成する。保護膜４は、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成法を用いて形成される。なお、接続線６における電極ポスト８と接続される側の端部６ｂは、形成された保護膜４の一部をフォトリソグラフィ法等を用いて除去することにより露出される。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、スピンコート法等によって保護膜４上にフォトレジストを塗布し、樹脂膜Ｒを形成する。そして、図４（ｄ）に示すように、この樹脂膜Ｒをフォトリソグラフィ法によりパターニングした後に硬化させ、中間層７を形成する。このとき、後に形成する電極ポスト８を配置するための孔７ｐも同時に形成する。
【００３０】
ここで、中間層７の傾斜した内側面７ａ及び外側面７ｂは、例えば、フォトリソグラフィ法を用いたときの樹脂膜Ｒの露光工程において、樹脂膜Ｒの露光される部分（図４（ｄ）の工程で除去される部分）の幅が圧電基板２側で狭くなるように、光結像面の焦点を意図的にずらせばよい。なお、本実施形態では、孔７ｐの内周面も、中間層７の側面と同様に傾斜して形成される。
【００３１】
次に、図４（ｅ）に示すように、中間層７及びＩＤＴ電極３上の保護膜４を覆うようにして、フォトレジストからなる第一フィルムＷを積層する。この第一フィルムＷは、温度管理をしながらローラーでフィルムを加圧して貼り付けることのできる貼り付け機を用いて、温度及び圧力を適宜設定し、中間層７及び保護膜４上に貼り付けることによって積層される。このとき、図４（ｅ）に示すように、中間層７が、傾斜する側面（内側面７ａ及び外側面７ｂ）を備えていることが好ましい。つまり、図１６に示すように、中間層７の側面７ａ’，７ｂ’が傾斜せず、保護膜４の上面に対して垂直であると、第一フィルムＷをローラーで加圧しつつ貼り付けた場合に、中間層７の側面に沿って密着させ難い。そのため、図１６に示すように、中間層７の側面と第一フィルムＷとの間に隙間Ｓができる。これに対し、本実施形態のように中間層７の側面が傾斜していると、図４（ｅ）に示すように、中間層７の側面７ａ，７ｂと第一フィルムＷとの間に隙間ができ難く、これらの間の密着性を向上させることができる。なお、本実施形態では、中間層７の穴７ｐの内周面も傾斜しているので、この内周面と第一フィルムＷとを密着させ易くなっている。
【００３２】
次に、図４（ｆ）に示すように、第一フィルムＷをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングした後に硬化させ、枠状部５ａを形成する。このとき、後に形成する電極ポスト８を配置するための孔５ａｐも同時に形成する。また、枠状部５ａと中間層７とは、加熱することによって接合される。
【００３３】
なお、枠状部５ａは、中間層７よりも熱膨張係数が大きい材料からなることが好ましい。高温で形成された枠状部５ａは、その温度が常温に低下する際、中間層７よりも体積の減少が大きい。そのため、枠状部５ａが、中間層７の内側面７ａ、外側面７ｂ及び上面７ｃに接合している場合は、枠状部５ａが収縮しようとする力により枠状部５ａと中間層７との密着性が向上する。
【００３４】
なお、本実施形態では、枠状部５ａを第一フィルムＷを用いて形成しているが、例えば、第一フィルムＷの代わりに、液状のフォトレジストをスピンコート法等によって中間層７及び保護膜４上に塗布し、硬化させた後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより枠状部５ａを形成してもよい。
【００３５】
次に、図５（ｇ）に示すように、枠状部５ａ上にフォトレジストからなる第二フィルムＹを積層する。この第二フィルムＹは、第一フィルムＷと同様、貼り付け機を用いて、温度及び圧力を適宜設定し、枠状部５ａ上に貼り付けることによって積層される。
【００３６】
次に、図５（ｈ）に示すように、第二フィルムＹをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングした後に硬化させ、蓋部５ｂを形成する。このとき、後に形成する電極ポスト８を配置するための孔５ｂｐも同時に形成する。中間層７の孔７ｐ、枠状部５ａの孔５ａｐ及び蓋部５ｂの孔５ｂｐによって、封止体５の貫通孔Ｐが形成される。また、蓋部５ｂと枠状部５ａとは、加熱することによって接合される。なお、枠状部５ａ及び蓋部５ｂの材料としてエポキシ樹脂を用いた場合は、両者を１００℃程度に加熱すればよい。こうすることで、両者を一体化することができ、密着性や気密性が向上する。
【００３７】
次に、図５（ｉ）に示すように、封止体５の貫通孔Ｐの内面及び接続線６の端部６ｂ上にメッキ用下地層８ａを形成する。メッキ用下地層８ａは、後に成形する電極ポスト８の柱状部８ｂを電解メッキ法により析出させて形成するためのものである。このメッキ用下地層８ａとしては、例えば、スパッタリング法を用いて、Ｔｉ（チタン）膜を形成することができる。
【００３８】
次に、図５（ｊ）に示すように、電極ポスト８の柱状部８ｂを形成する。この電極ポスト８は、例えば、図５（ｉ）の状態で、メッキ用下地層８ａにおける貫通孔Ｐ内に形成された部分以外の領域上に、図示しないメッキ用レジストを形成し、電解メッキ法を用いて、貫通孔Ｐ内に形成されたメッキ用下地層８ａ上に銅を析出させることで形成される。電極ポスト８の形成後、メッキ用レジストと、メッキ用下地層８ａの貫通孔Ｐ内に形成された部分以外の領域とを除去する。
【００３９】
なお、図示しないが、電極ポスト８の上端面を化学機械研磨処理によって平坦化した後、この電極ポスト８の上端面上に無電解メッキ法を用いてＮｉ（ニッケル）層とＡｕ（金）層とを順次形成してもよい。こうすることで、後に形成する外部接続端子９を半田で形成した場合の濡れ性と、外部接続端子９と電極ポスト８とのと接続性を向上させることができる。
【００４０】
次に、図５（ｋ）に示すように、電極ポスト８の上端面に外部接続端子９を形成する。この外部接続端子９は、例えば、クリーム半田を電極ポスト８の上端面にスクリーン印刷し、リフローすることによって形成することができる。
【００４１】
以上のようにして、本実施形態に係る弾性表面波装置１が製造される。なお、上記の製造工程は、説明の便宜上、圧電基板２を矩形状に切断した状態で説明したが、実際には、一枚のウエハ形状の圧電基板を用いて、この一枚の圧電基板を共有した状態で複数の弾性表面波装置１を形成した後、圧電基板を矩形状に切断して各弾性表面波装置１を分離すればよい。
【００４２】
本実施形態に係る弾性表面波装置１によれば、図２及び図３に示すように、枠状部５ａの下端部に形成された凹部５ｃによって、中間層７の一部が収容されている。これにより、枠状部５ａの下端部が、中間層７の内側面７ａと外側面７ｂとに接合している。そのため、例えば、図２及び図３の左右方向にかかる外力に対して、枠状部５ａと中間層７との間の剥離強度を向上させることができる。つまり、枠状部５ａの下端部における中間層７の内側面７ａと外側面７ｂとに接合する部分が、左右方向の外力に抗するように作用するため、枠状部５ａと中間層７との間の剥離を抑制することができる。したがって、封止体５の内側の空隙の気密性を向上させることができる。
【００４３】
また、このように、枠状部５ａの下端部が、中間層７の内側面７ａと外側面７ｂとに接合するため、中間層７の上面７ｃのみに接合する場合に比べて、枠状部５ａと中間層７との間の接触面積が大きくなる。そのため、枠状部５ａと中間層７との間の密着性が向上する。このことによっても、枠状部５ａと中間層７との間の剥離を抑制することができる。
【００４４】
なお、上記では図２及び図３の左右方向の外力に対する剥離について説明したが、例えば、図１の上下方向（II−II断面に直交する方向）の外力に対しても同様に、枠状部５ａと中間層７との間の剥離を抑制することができる。
【００４５】
以上、本発明の弾性波装置の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、図２及び図３に示すように封止体５の凹部５ｃが中間層７の上部のみを収容しているが、この凹部５ｃが中間層７の少なくとも一部を収容する限り、これに限定されるものではない。例えば、図６に示すように、封止体５の凹部５ｃが中間層７の全体を収容するように構成されてもよい。この場合、封止体５の枠状部５ａの下端部は、中間層７の内側面７ａ及び外側面７ｂの全体と接合される。
【００４６】
或いは、図７に示すように、封止体５の枠状部５ａが、中間層７の上面７ｃ及び内側面７ａのみに接合するように、枠状部５ａの凹部５ｃを形成してもよい。また、図示しないが、封止体５の枠状部５ａが、中間層７の上面７ｃ及び外側面７ｂのみに接合するように、枠状部５ａの凹部５ｃを形成してもよい。
【００４７】
また、上記実施形態における中間層７は、傾斜する内側面７ａ及び外側面７ｂを有しているが、これに限定されるものではない。例えば、図８に示すように、中間層７の側面を、中間層７の外側面７ｂのみが傾斜するように形成してもよい。また、図示しないが、中間層７の内側面７ａのみが傾斜するように形成してもよい。或いは、図９に示すように、中間層７の内側面７ａ及び外側面７ｂの両方が傾斜せず、上面７ｃに対して垂直となるように形成してもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、中間層７の内側面７ａ及び外側面７ｂの形状が平面状となっているが、これに限定されるものではない。例えば、内側面７ａ及び外側面７ｂがそれぞれ傾斜角度の異なる複数の平面を有していてもよいし、曲面形状を有していてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態では、図１に示すように、中間層７がＩＤＴ電極３を連続して取り囲むように形成されているが、例えば、中間層７がＩＤＴ電極３を断続的に取り囲むように形成されていてもよい。この場合も、封止体５の凹部５ｃによって中間層７が収容されているため、封止体５と中間層７との間の剥離を抑制することができる。
【００５０】
また、上記実施形態では、保護膜４と中間層７とを別体で構成しているが、例えば、保護膜４が中間層７を有するように、保護膜４の一部分として中間層７を一体的に形成してもよい。つまり、封止体５の枠状部５ａと基体２との間に延在する部分によって、中間層７を構成してもよい。或いは、中間層７と圧電基板２との間に保護膜４を形成せず、圧電基板２上に直接、中間層７を形成してもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、本発明における基体を圧電基板２によって構成しているが、これに限定されるものではなく、例えば、絶縁性の基板上に圧電体薄膜を形成したもので構成してもよい。
【００５２】
また、上記実施形態では、蓋部５ｂをフィルムで形成しているが、例えば、図１０に示すように、内部に導体配線１１が形成された配線基板１２で形成してもよい。この場合、電極ポスト８は、導体配線１１を介して外部接続端子９に接続される。
【００５３】
また、図１１及び図１２に示すように、上記実施形態における接続線６を封止体５の外側に引き出し、接続線６の端部６ｂを電極パッドとして構成してもよい。この場合、この接続線６の端部６ｂにワイヤボンディングすることにより、図１１及び図１２の弾性表面波装置１をフェイスアップ実装することができる。なお、図１１及び図１２に示す弾性表面波装置１において、図１及び図３に示す弾性表面波装置と同一又は同種の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。また、図１１では、説明の便宜上、保護膜４及び封止体５の蓋部５ｂを図示していない。
【００５４】
また、上記実施形態では、本発明における封止体の枠状領域を、図２に示すように枠状部５ａによって構成しているが、これに限定されるものではない。例えば、枠状部５ａを設けず、本発明における封止体の枠状領域を、図１３に示すように封止体５の蓋部５ｂの周縁領域とし、この周縁領域にＩＤＴ電極３を取り囲むように凹部５ｃを形成してもよい。こうすることで、図１３の弾性表面波装置１では、封止体５の蓋部５ｂの周縁領域が中間層７を介して基体２上の絶縁膜４に接合されている。なお、図１３に示す弾性表面波装置１において、図２に示す弾性表面波装置と同一又は同種の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５５】
また、上記実施形態では、弾性表面波装置を例示しているが、本発明に係る弾性波装置は、例えば、圧電薄膜を励振電極で挟み込んだ圧電薄膜共振器にも適用可能である。図１４は、その一例を示す圧電薄膜共振器の要部断面図である。なお、図１４に示す圧電薄膜共振器において、図１〜図３に示す弾性表面波装置と同一又は同種の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
図１４に示す圧電薄膜共振器５０は、図２に示す弾性表面波装置１と比較して、本発明の振動体となる構成が主に相違している。圧電薄膜共振器５０は、本発明における振動体が、封止体５の内側の空隙内に配置された下部電極５１及び上部電極５２と、上部電極５２と下部電極５１との間に介在する圧電薄膜５３とによって構成されている。下部電極５１及び上部電極５２はそれぞれ電極ポスト８に接続されており、下部電極５１と上部電極５２との間に励振信号となる電圧が印加される。これによって、圧電薄膜５３が厚み縦振動を起こし、その振動が圧電薄膜５３の厚さ方向において共振を発生させるようになっている。この圧電薄膜共振器５０においても、封止体５の枠状部５ａに形成された凹部５ｃが中間層７の一部を収容しているため、封止体５と中間層７との間の剥離強度を向上させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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