(57)【要約】  触媒の劣化を抑制しつつ、排ガスに含まれる有機成分を効率よく除去することが可能な排ガス処理方法および排ガス処理装置を提供する。  被処理ガスを加熱する加熱処理室１と、加熱処理室１で加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合する空気混合部２と、空気混合ガスを触媒と接触させて処理する触媒処理室３とを備えた構成とする。  また、触媒処理室３に送られる空気混合ガスを攪拌して、空気混合ガスを均一化する攪拌機構２３を備えた構成とする。  また、触媒処理室３の手前で空気混合ガスの温度を検出する温度検出手段２２と、温度検出手段２２により検出される温度に応じて、空気混合部２で加熱処理ガスに混合される空気の量を制御する制御弁２１とを備えた構成とする。
2013145867.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分解処理すべき有機成分を含んだ状態で所定の前工程から送られてきた被処理ガスを加熱する加熱処理工程と、
加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合して、空気混合ガスの温度を所定の温度以下にする空気混合工程と、
前記空気混合ガスを、内部に触媒を配設した触媒処理室で処理する触媒処理工程と
を備えていることを特徴とする排ガス処理方法。
【請求項２】
前記空気混合ガスを攪拌して、前記空気混合ガスを均一化する攪拌工程を備えていることを特徴とする請求項１記載の排ガス処理方法。
【請求項３】
前記触媒処理室の手前で前記空気混合ガスの温度を検出し、検出した前記空気混合ガスの温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御するように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の排ガス処理方法。
【請求項４】
前記空気混合ガスの攪拌を行う領域より下流で前記空気混合ガスの温度を検出し、検出した前記空気混合ガスの温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御するように構成されていることを特徴とする請求項２記載の排ガス処理方法。
【請求項５】
分解処理すべき有機成分を含んだ状態で所定の前工程から送られてきた被処理ガスを加熱する加熱処理室と、
前記加熱処理室で加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合して、空気混合ガスの温度を所定の温度以下にする空気混合部と、
前記空気混合部で空気が混合された空気混合ガスを、触媒と接触させて処理する触媒処理室と
を具備することを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項６】
前記空気混合ガスを攪拌して、前記空気混合ガスを均一化する攪拌機構を備えていることを特徴とする請求項５記載の排ガス処理装置。
【請求項７】
前記触媒処理室の手前で前記空気混合ガスの温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出される温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御する制御弁と
を備えていることを特徴とする請求項５または６記載の排ガス処理装置。
【請求項８】
前記攪拌機構より下流側で前記空気混合ガスの温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出される温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の供給量を制御する制御弁と
を備えていることを特徴とする請求項６記載の排ガス処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガス処理方法および排ガス処理装置に関し、詳しくは、例えばセラミック原料を成形したセラミック素体やセラミックグリーンシートを積層してなるセラミック積層体を熱処理して脱バインダーする工程などで発生する、除去すべき有機成分を含む排ガスを処理するために用いられる排ガス処理方法および排ガス処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、セラミック電子部品などの製造工程において、セラミック原料を成形したセラミック素体や、セラミックグリーンシートを積層することにより形成されたセラミック積層体などを焼成する際に、セラミック成形体やセラミック積層体中に含まれるバインダーなどの有機物質が不完全に分解したり燃焼したりすることにより発生する分解ガスや燃焼ガスなど（以下、単に「有機成分」ともいう）を含む排ガスが発生する。そして、このような排ガスは、人体に有害であったり、悪臭を有していたりするため、通常、然るべき処理を行うことが必要となる。【０００３】
このような悪臭成分を含む排ガスを処理するための処理装置として、図１１に示すような、未処理排ガス（被処理ガス）を加熱ゾーン（Ｚ1）で所定の温度まで加熱して、触媒１０４を備えた反応ゾーン（Ｚ2）を通過させ、被処理ガスに含まれる有害悪臭成分を触媒１０４の存在下で酸化燃焼又は熱分解することにより浄化処理するようにした触媒式排ガス処理装置１０１が提案されている（特許文献１参照）。【０００４】
そして、この触媒式排ガス処理装置１０１においては、処理済排ガス（処理ガス）を外部へ排出するときの炭化水素濃度をガスセンサ１０５で検出し、その濃度が予め設定された浄化基準濃度より低いときは、浄化基準濃度を超えない範囲で加熱装置（バーナ）１０３の発熱量を減少させ、その濃度が浄化基準濃度より高くなったときは、浄化基準濃度以下になるまでバーナ１０３の発熱量を増大させることにより、浄化基準濃度を満たす最低の温度で浄化処理を行って、触媒の温度負荷を軽減するようにしている。【０００５】
しかしながら、この排ガス処理装置においては、加熱装置の発熱量を制御してガス温度を制御するパラメータは、触媒より下流側で測定される有機ガス濃度（炭化水素濃度）であるため、触媒処理後の排出ガス中に一定の有機ガス（炭化水素）が存在しなければ加熱装置の発熱量を制御するための情報が得られないという問題点がある。
また、この排ガス処理装置においては、触媒処理後の排ガス中の有機ガス濃度により加熱装置の発熱量を制御するようにしているので、触媒を通過する際の排ガス温度が、触媒にダメージを与える温度となる場合があり、触媒の劣化を引き起こす場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２６７２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するものであり、触媒の劣化を抑制しつつ、排ガスに含まれる有機成分を効率よく除去することが可能な排ガス処理方法および排ガス処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の排ガス処理方法は、
分解処理すべき有機成分を含んだ状態で所定の前工程から送られてきた被処理ガスを加熱する加熱処理工程と、
加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合して、空気混合ガスの温度を所定の温度以下にする空気混合工程と、
前記空気混合ガスを、内部に触媒を配設した触媒処理室で処理する触媒処理工程と
を備えていることを特徴としている。【０００９】
また、本発明の排ガス処理方法においては、前記空気混合ガスを攪拌して、前記空気混合ガスを均一化する攪拌工程を備えていることが好ましい。
上述の攪拌工程を設けることにより、触媒処理工程における触媒への負荷の偏りを確実に低減することが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。【００１０】
また、前記触媒処理室の手前で前記空気混合ガスの温度を検出し、検出した前記空気混合ガスの温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御するように構成されていることが好ましい。
上記構成を備えている場合、触媒処理工程に供給される空気混合ガスの温度を、触媒への負荷が大きくなることのない温度に制御することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。【００１１】
また、前記空気混合ガスの攪拌を行う領域より下流で前記空気混合ガスの温度を検出し、検出した前記空気混合ガスの温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御するように構成されていることが好ましい。
上記構成を備えている場合、攪拌され、均一にされた状態で触媒処理工程に供給される空気混合ガスの温度を、触媒への負荷が大きくなることのない温度に確実に制御することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。【００１２】
また、本発明の排ガス処理装置は、
分解処理すべき有機成分を含んだ状態で所定の前工程から送られてきた被処理ガスを加熱する加熱処理室と、
前記加熱処理室で加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合して、空気混合ガスの温度を所定の温度以下にする空気混合部と、
前記空気混合部で空気が混合された空気混合ガスを、触媒と接触させて処理する触媒処理室と
を具備することを特徴としている。【００１３】
また、本発明の排ガス処理装置においては、前記空気混合ガスを攪拌して、前記空気混合ガスを均一化する攪拌機構を備えていることが好ましい。
上述の攪拌機構を設けることにより、触媒処理工程における触媒への負荷の偏りを確実に減らすことが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。【００１４】
すなわち、触媒処理工程に送られる排ガス（空気混合ガス）の温度や酸素濃度、分解処理すべき有機成分の濃度などに偏りが存在する場合、局部的に触媒への負荷が大きくなり、結果として触媒の劣化を招くことになる。そして、このような空気混合ガスの温度、酸素濃度、有機成分濃度などの偏りを、空気混合ガスの流路を長くして解消しようとした場合、装置の大型化を招くことになる。
これに対して、上述のような攪拌機構を備えた構成とした場合には、空気混合ガスの流路を長くすることによる装置の大型化を招くことなく、効率よく空気混合ガスの均一化を図ることが可能になる。
その結果、装置を大型化することを必要とせずに、触媒の劣化を抑制しつつ、効率よく排ガスの処理を行うことが可能になる。【００１５】
また、本発明の排ガス処理装置は、
前記触媒処理室の手前で前記空気混合ガスの温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段により検出される温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御する制御弁と
を備えていることが好ましい。
上記構成を備えている場合、触媒処理室に供給される空気混合ガスの温度を、触媒への負荷が大きくなることのない温度に制御することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。【００１６】
また、前記攪拌機構より下流側で前記空気混合ガスの温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段により検出される温度に応じて、前記空気混合部で前記加熱処理ガスに混合される空気の量を制御する制御弁とを備えていることが好ましい。
上記構成を備えている場合、攪拌され均一にされた状態で触媒処理室に供給される空気混合ガスの温度を、触媒への負荷が大きくなることのない温度に確実に制御することが可能になり、本発明をさらに実効あらしめることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の排ガス処理方法は、上述のように、被処理ガスを加熱処理する加熱処理工程と、加熱処理ガスに空気を混合する空気混合工程と、空気混合ガスを触媒処理する触媒処理工程とを備えているので、触媒処理工程における触媒の劣化を抑制しつつ、排ガスに含まれる有機成分を効率よく除去することができる。【００１８】
また、本発明の排ガス処理装置は、上述のように、被処理ガスを加熱する加熱処理室と、加熱処理ガスに空気を混合する空気混合部と、空気混合ガスを、内部に触媒を配設した触媒処理室で処理する触媒処理室とを具備していることから、触媒処理工程における触媒の劣化を抑制しつつ、排ガスに含まれる有機成分を効率よく除去することができる。【００１９】
なお、本発明によれば、分解処理すべき有機成分の濃度が高くて、そのまま触媒処理を行った場合には触媒の負荷が大きくなるおそれがあるような場合でも、加熱処理（一次処理）の工程で、加熱温度などの条件を調整して、有機成分の分解の程度を調節するとともに、加熱処理を行った後の加熱処理ガスに空気を混合して、触媒処理（二次処理）の工程での触媒への負荷が大きくなり過ぎないように、確実、かつ、適正に触媒への負荷をコントロールすることが可能になり、触媒の長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態にかかる排ガス処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる排ガス処理装置を用いてガス処理を行った場合の、触媒性能の低下の挙動を示す線図である。
【図３】本発明の他の実施形態にかかる、攪拌機構を備えた排ガス処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図４】図３の排ガス処理装置において用いられている、一方側部材と他方側部材を組み合わせてなる攪拌機構の構成を示す図であり、（ａ）は攪拌機構の上面図、（ｂ）は下面図である。
【図５】図３の排ガス処理装置において用いられている、攪拌機構を示す斜視図である。
【図６】温度および酸素濃度を測定した、ガス流路における位置を示す図である。
【図７】攪拌機構を備えている場合と備えていない場合の、温度の偏りの状態を示す図である。
【図８】攪拌機構を備えている場合と備えていない場合の、酸素濃度の偏りの状態を示す図である。
【図９】異なる構成を有する攪拌機構を備えた、本発明の他の実施形態にかかる排ガス処理装置の構成を示す図である。
【図１０】異なる構成を有する攪拌機構を備えた、発明のさらに他の実施形態にかかる排ガス処理装置の構成を示す図である。
【図１１】従来の触媒式排ガス処理装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２２】
［実施形態１］
図１は、本発明の一実施形態にかかる排ガス処理装置の構成を模式的に示す図である。
この実施形態１では、積層セラミックコンデンサの製造工程で、セラミックグリーンシートを積層することにより形成されたセラミック積層体を熱処理して脱バインダーを行う際に発生した、処理すべき有機成分を含む排ガスの処理に用いられる排ガス処理装置を例にとって説明する。
【００２３】
図１に示すように、この実施形態１の排ガス処理装置Ａ１は、バインダーに由来する分解処理すべき有機成分を含む被処理ガスを加熱して加熱処理（一次処理）を行う加熱処理室１と、加熱処理室１で加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合する空気混合部２と、空気混合部２で空気が混合された空気混合ガスを触媒と接触させて、さらに処理（二次処理）する触媒処理室３とを備えている。
【００２４】
上記加熱処理室１は、排ガスを一定温度まで加熱する機構であり、その具体的な構造に特別の制約はない。また、加熱処理室１における加熱温度は、加熱処理工程でどの程度にまで有機成分の分解を進行させるかによって変わる。なお、加熱処理室１における加熱温度は、通常は、５００〜６５０℃とすることが望ましい。
【００２５】
また、加熱処理室１で加熱処理された加熱処理ガスに空気を混合する空気混合部２は、加熱処理ガスと空気とを混合する（加熱処理ガスを希釈する）領域であり、加熱処理ガスと混合する空気の導入量を制御するための制御弁２１を備えている。
【００２６】
また、空気混合部２で空気が混合された空気混合ガスが通過するガス流路５の、触媒処理室３の手前の位置には、触媒処理室３に送られる空気混合ガスの温度を検出するための温度検出手段２２が配設されている。
【００２７】
なお、この実施形態１では、触媒処理室２の直前の位置に配設した温度検出手段２２により検出される空気混合ガスの温度により、制御弁２１の開度が調整されるように構成されている。これにより、触媒処理室３に供給される空気混合ガスの温度を、触媒への負荷が大きくなり過ぎることのない温度に制御することが可能になる。
【００２８】
また、触媒処理室３の内部には、触媒として、セラミック製の担体に貴金属触媒を担持させた触媒が収容されている。なお、この実施形態では、セラミック製の担体としてハニカム構造のものを用いている。ただし、担体の構成はこれに制約されるものではない。
触媒処理室３は、断熱材により外部との断熱は行っているが、特に加熱手段は設けていない。ただし、温度制御の自由度を向上させる見地から、加熱手段を備えた構成とすることも可能である。
なお、この実施形態１の排ガス処理装置Ａ１は、触媒処理室３を通過する空気混合ガスが、触媒処理室３の内部の触媒と接触することにより、除去すべき有機成分はほとんどすべてが分解除去されるように構成されている。
【００２９】
上述のように構成された排ガス処理装置Ａ１を用いて、積層セラミックコンデンサの製造工程で、セラミック積層体を熱処理して脱バインダーを行う際に発生する排ガスを処理した。
【００３０】
なお、排ガス処理を行うにあたっては、加熱処理室１の内部温度を５００〜６５０℃に維持して、加熱処理（一次処理）における有機成分の分解の程度を調整した。
また、空気混合部２における空気導入量は、温度検出手段２２による検出温度が３５０〜４５０℃となるように制御弁２１の開度を調整して空気を導入するようにした。
【００３１】
そして、排ガスの処理を継続して行い、触媒性能の挙動（劣化の状態）を調べた。
排ガス処理の時間（期間）と、触媒性能の劣化予測および実測値の関係を図２のグラフに示す。なお、図２のグラフの縦軸に示した触媒性能は、触媒性能の低下の挙動を明瞭にするための評価条件として、通常の空間速度（単位時間当たりに通過するガス量と触媒体積との比）に比べて約３倍の過剰な空間速度で排ガス処理を実施した場合における、各時点での単位時間当たりに分解した有機成分の量に相当するものである。
【００３２】
そして、触媒性能の値が初期値の５０％になった時点を触媒寿命と規定した場合、実測に基づいた予測で触媒寿命は約４２か月であった。この約４２ヶ月の触媒寿命は、貴金属担持型の触媒寿命としては高寿命である。
【００３３】
［実施形態２］
図３は、本発明の他の実施形態にかかる排ガス処理装置Ａ２を示す図である。
この実施形態２の排ガス処理装置Ａ２は、空気混合部２の出口近傍に、空気混合部２で空気が混合された空気混合ガスを攪拌して、空気混合ガスを均一化するための攪拌機構２３を備えている。その他の構成は、上記実施形態１の排ガス処理装置Ａ１と同じである。
【００３４】
この実施形態２の排ガス処理装置Ａ２では、攪拌機構２３として、図４（ａ），（ｂ）および図５に示す一方側部材２３ａと他方側部材２３ｂを組み合わせて形成した攪拌機構２３を備えている。なお、図４（ａ）は攪拌機構２３の上面図、図４（ｂ）は下面図である。
【００３５】
なお、攪拌機構２３を構成する一方側部材２３ａは、方形の板状部材であって、切り起こし加工を施して形成した４つのガス通過部２４ａを備えている。各ガス通過部２４ａは、傾斜した切り起こし片２５ａと、溶接により接合された垂直起立片２６ａと、開口部２７ａとを備えている。
そして、４つのガス通過部２４ａは、平面的にみて周方向に等しい間隔をおいて配設されている。
【００３６】
また、他方側部材２３ｂも、方形の板状部材であって、切り起こし加工を施して形成した４つのガス通過部２４ｂを備えている。各ガス通過部２４ｂは、切り起こし片２５ｂと、溶接により接合された垂直起立片２６ｂと、開口部２７ｂとを備えている。
この他方側部材２３ｂにおいても、４つのガス通過部２４ｂは、平面的にみて周方向に等しい間隔をおいて配設されている。ただし、他方側部材２３ｂにおいては、４つのガス通過部２４ｂの配設位置（平面位置）を、一方側部材２３ａのガス通過部２４ａに対して、３０°周方向に位置をずらしている。
【００３７】
上述の一方側部材２３ａと他方側部材２３ｂとを、図４（ａ），（ｂ）および図５に示すような態様で貼り合わせることにより形成された攪拌機構２３は、駆動部のない静的ミキサーとして機能するものであって、切り起こし片２５ａ，２５ｂと、垂直起立片２６ａ，２６ｂと、と、開口部２７ａ，２７ｂとを備えてなるガス通過部２４ａ，２４ｂが、案内羽根として機能し、空気混合ガスがガス通過部２４ａ，２４ｂを通過する際に角度を変えられて、旋回流が生じ、ガス流路５の距離が短い場合にも、効率よく、確実な攪拌が行われる。すなわち、攪拌機構２３を備えている場合、ガス流路５の軸方向の距離が短い場合にも、旋回流を生じさせることにより、効率よく空気混合ガスを攪拌して、温度や酸素濃度、分解すべき有機成分濃度などに偏りのないガスを触媒処理室３に供給することができる。
【００３８】
上述のような攪拌機構を備えた排ガス処理装置Ａ２を用いて、実施形態１の場合と同様に、積層セラミックコンデンサを製造する工程で、セラミック積層体を熱処理して脱バインダーを行う際に発生する排ガスを処理した。
そして、ガス流路５の触媒処理室３の直前位置の、空気混合ガスの流動方向に直交する面における所定の複数の位置、すなわち、図６の（１），（２），（３），（４），（５）の各位置の温度および酸素濃度を調べることにより、温度および酸素濃度の偏りの状態を観察した。ここで、加熱処理室１の通過ガス（空気を混合する前のガス）は、評価のため全て窒素としている。なお、比較のため、攪拌機構を備えていない排ガス処理装置について、各位置の空気混合ガスの温度および酸素濃度を調べた。その結果を図７および図８に示す。
【００３９】
図７および図８に示すように、攪拌機構を備えていない排ガス処理装置Ａ１に比べて、攪拌機構２３を備えているこの実施形態２の排ガス処理装置Ａ２の場合、空気混合ガスの温度および酸素濃度のばらつきが大幅に改善されていることが確認された。
【００４０】
なお、駆動部のない静的ミキサーとして機能する攪拌機構２３の具体的な構成に特別の制約はなく、空気混合ガスの温度および酸素濃度のばらつきを改善できるような種々の構成とすることが可能である。
この実施形態２の排ガス処理装置Ａ２を用いた場合、触媒への負荷の偏りを大幅に軽減することが可能になることから、触媒寿命を実施形態１の場合よりもさらに延ばすことができる。
【００４１】
［実施形態３］
図９（ａ）は本発明のさらに他の実施形態（実施形態３）にかかる排ガス処理装置Ａ３の要部構成を示す図、図９（ｂ）は図９（ａ）の排ガス処理装置において攪拌機構を構成するのに用いられているパンチングプレートを示す図である。
【００４２】
この実施形態３の排ガス処理装置Ａ３においても、空気混合部２の出口近傍に、空気混合ガスを攪拌するための攪拌機構２３を備えている。
そして、攪拌機構２３は、図９（ｂ）に示す、貫通孔３４ａ，３４ｂが多数個形成された２枚のパンチングプレート３３ａ，３３ｂを空気混合ガスの流動方向に所定の間隔をおいて配設することにより形成されている。その他の構成は、上記実施形態２の場合と同様である。
【００４３】
なお、パンチングプレート３３ａ，３３ｂは、貫通孔３４ａ，３４ｂが互いに正対しないように位置をずらして配設することが望ましい。また、一定の圧力損失が確保できるように、開口率や、貫通孔の大きさなどを調整することが望ましい。
【００４４】
なお、パンチングプレートは、３枚以上を組み合わせて使用することも可能であり、その場合には、攪拌効率も向上するが、圧力損失が増加するため、加熱処理ガスを送風するファンなどの能力を考慮して、使用枚数を決定することが望ましい。
【００４５】
この実施形態３の排ガス処理装置Ａ３のように、２枚のパンチングプレート３３ａ，３３ｂを組み合わせてなる攪拌機構２３を備えている場合にも、空気混合ガスを効率よく攪拌して、温度や酸素濃度などに偏りない空気混合ガスを触媒処理室３に供給することが可能になり、安定したガス処理を行うことができる。
したがって、この実施形態３の排ガス処理装置Ａ３を用いた場合も、触媒への負荷の偏りを軽減して、触媒寿命を実施形態１の場合よりもさらに延ばすことができる。
【００４６】
［実施形態４］
図１０（ａ）は本発明のさらに他の実施形態（実施形態４）にかかる排ガス処理装置Ａ４の要部構成を示す図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）の排ガス処理装置において攪拌機構を構成するのに用いられている仕切り板を示す図である。
【００４７】
この実施形態４の排ガス処理装置Ａ４においては、図１０（ａ）の攪拌機構２３が、２枚の仕切り板４３ａ，４３ｂにより形成されている。詳しくは、２枚の仕切り板４３ａ，４３ｂを、ガス流路５に形成される開口部４４ａ，４４ｂが互いに逆側に位置するように、空気混合ガスの流動方向に所定の間隔をおいて配設することにより形成されている。その他の構成は、上記実施形態２の場合と同様である。
【００４８】
この実施形態４のように、仕切り板４３ａ，４３ｂを組み合わせてなる攪拌機構２３を備えている場合にも、空気混合ガスを効率よく攪拌して、温度や酸素濃度などに偏りない空気混合ガスを触媒処理室３に供給することが可能になり、安定したガス処理を行うことができる。
【００４９】
なお、仕切り板の配設枚数に特別の制約はないが、配設枚数が多くなるほど攪拌効率も向上するが、圧力損失が増加するため、必要に応じて加熱処理ガスを送風するファンなどの能力を考慮して、使用枚数を決定することが望ましい。
この仕切り板により攪拌機構を構成する方法は、上記実施形態２および３の場合と比較して、簡易な方法であり、温度、酸素濃度などに関し、一定の偏りを許容できる場合において安価な撹拌手段として使用することが可能である。
【００５０】
この実施形態４の排ガス処理装置Ａ４を用いた場合も、触媒への負荷の偏りを低減して、触媒寿命を実施形態１の場合よりも延ばすことができる。
【００５１】
本発明は上記の各実施形態に限定されるものではなく、加熱処理室、空気混合部、触媒処理室の具体的な構成、温度検出手段や攪拌機構の構成や配設態様、空気の供給量を制御する制御弁の構成などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１          加熱処理室
２          空気混合部
３          触媒処理室
５          ガス流路
２１        制御弁
２２        温度検出手段
２３        攪拌機構
２３ａ      一方側部材
２３ｂ      他方側部材
２４ａ      一方側部材のガス通過部
２４ｂ      他方側部材のガス通過部
２５ａ      一方側部材の切り起こし片
２５ｂａ    他方側部材の切り起こし片
２６ａ      一方側部材の垂直起立片
２６ｂ      他方側部材の垂直起立片
３３ａ，３３ｂ    パンチングプレート
３４ａ，３４ｂ    貫通孔
４３ａ，４３ｂ    仕切り板
４４ａ，４４ｂ    開口部
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４      排ガス処理装置
【図１】
2013145867.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013145867.tif 000009
【図８】
2013145867.tif 000010
【図９】
2013145867.tif 000011
【図１０】
2013145867.tif 000012
【図１１】
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【国際調査報告】
2013145867.tif 000014
2013145867.tif 000015
2013145867.tif 000016
2013145867.tif 000017