(57)【要約】  本発明は、導電性基体２０と、導電性基体２０を被覆する被覆層２１と、を備えた電子写真感光体２に関する。被覆層２１は、感光層２２と、導電性基体２０と感光層２１との間に位置するアモルファス窒化シリコン含有層２３と、を含んでなる。アモルファス窒化シリコン含有層２３は、窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率が０．３２以下である。好ましくは、前記比率は、０．３１以下である。アモルファス窒化シリコン含有層２３の厚みは、たとえば０．５μｍ以上１５μｍ以下である。
2009104466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、該導電性基体を被覆する被覆層とを備える電子写真感光体であって、
前記被覆層は、感光層と、前記導電性基体と前記感光層との間に位置するアモルファス窒化シリコン含有層とを含んでなり、
前記アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率は、０．３２以下であることを特徴とする、電子写真感光体。
【請求項２】
前記比率は、０．３１以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記アモルファス窒化シリコン含有層の厚みは、０．５μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記アモルファス窒化シリコン含有層は、周期律表第１３族元素と、窒素以外の周期律表第１５族元素とのノンドープ層である、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記感光層は、光導電層と、前記アモルファス窒化シリコン含有層と前記光導電層との間に位置する電荷注入阻止層と、を含んでなる、請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
請求項１に記載の電子写真感光体を備えることを特徴とする、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光層を含む被覆層により導電性基体を被覆してなる電子写真感光体に関するものである。本発明はさらに、前記電子写真感光体を備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体を備える画像形成装置では、駆動伝達機構により電子写真感光体を回転させるとともに、その回転周期に同期させて、帯電、露光、現像、転写、およびクリーニング等の動作を繰り返し行なうことにより記録媒体に画像が形成される。【０００３】
このような画像形成装置に搭載される電子写真感光体としては、導電性基体上に電荷注入阻止層および光導電層を含んでなる被覆層を形成したものが知られている。電荷注入阻止層は、電子あるいは正孔が導電性基体から光導電層に注入されるのを抑制するためのものである。このような電荷注入阻止層は、たとえばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のようなＳｉ系無機物材料を含んで構成されており、その導電型の調整は周期律表第１３族元素あるいは周期律表第１５族元素を含有させることにより行われる。【０００４】
【特許文献１】特公平０６−０１６１７８号公報
【特許文献２】特公平０５−００８４２０号公報
【特許文献３】特公平０６−０５４６７３号公報
【特許文献４】特開平０２−００８８５８号公報
【特許文献５】特開平０２−０８３５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年において、電子写真感光体は、高画質化の要求に応えるべく、電荷注入阻止層を含む被覆層全体の厚みを小さくする傾向にある。しかしながら、電荷注入阻止層の厚みを小さくすると、耐電圧が低下し、画像品質が悪化する傾向にある。その一方で、電荷注入阻止層の耐電圧を向上させると、残留電位が大きくなり、この場合にも画像品質が悪化する傾向にある。【０００６】
本発明は、高画質化を図るべく被覆層の厚みを小さくする場合でも、電子写真感光体における耐電圧特性および残留電位特性を良好に維持することが可能な電子写真感光体および画像形成装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電子写真感光体は、導電性基体と、該導電性基体を被覆する被覆層とを備えている。前記被覆層は、感光層と、前記導電性基体と前記感光層との間に位置するアモルファス窒化シリコン含有層とを含んでなる。前記アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数の合計に対する窒素原子数の比率は、０．３２以下である。【０００８】
本発明に係る画像形成装置は、上述の本発明に係る電子写真感光体を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る電子写真感光体では、被覆層がアモルファス窒化シリコン含有層を備えている。また、このアモルファス窒化シリコン含有層は、窒素原子数とシリコン原子数の合計に対する窒素原子数の比率が０．３２以下に設定されている。そのため、本電子写真感光体では、高画質化に対応すべく被覆層（たとえば電荷注入阻止層）の厚みを小さくする場合でも、アモルファス窒化シリコン含有層によって耐電圧特性を適切に維持しつつ残留電位の発生を抑制することができる。【００１０】
一方、本発明に係る画像形成装置では、電子写真感光体として、被覆層における耐電圧特性が適切に維持されつつ残留電位の発生が抑制されたものが使用されている。そのため、本発明の画像形成装置では、画像欠陥の発生を抑制し、高品質な画像を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る電子写真感光体の断面図およびその要部を拡大して示した断面図である。
【図３】耐電圧の測定結果を示すグラフである。
【図４】残留電位の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００１２】
１  画像形成装置
２  電子写真感光体
２０  円筒状基体（導電性基体）
２１  被覆層
２２  （被覆層の）感光層
２３  （被覆層の）アモルファス窒化シリコン含有層
２４  （感光層の）電荷注入阻止層
２５  （感光層の）光導電層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に係る画像形成装置および電子写真感光体について、添付図面を参照しつつ具体的に説明する。【００１４】
図１に示した画像形成装置１は、画像形成方式としてカールソン法を採用したものである。画像形成装置１は、電子写真感光体２、帯電器１０、露光器１１、現像器１２、転写器１３、定着器１４、クリーニング器１５、および除電器１６を備えている。【００１５】
電子写真感光体２は、画像信号に基づいた静電潜像が形成されるものであり、図外の回転機構によって図１の矢印Ａ方向に回転可能とされている。この電子写真感光体２の詳細については後述する。【００１６】
帯電器１０は、後述する電子写真感光体２の光導電層２５（図２参照）の種類に応じて、電子写真感光体２の表面を一様に、正極性または負極性に帯電させるためのものである。この帯電器１０は、電子写真感光体２を押圧するように密着して配置されており、たとえば金属ローラの表面を導電性ゴムおよびＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）によって被覆した構成とされる。帯電器１０による電子写真感光体２の帯電圧は、たとえば絶対値において２００Ｖ以上１０００Ｖ以下とされる。【００１７】
帯電器１０としては、コロナ放電を発生させるためのコロントロンを用いることもできる。この場合の帯電器１０は、たとえば電子写真感光体２の軸方向の延びるように張設された放電ワイヤを備えたものとされる。【００１８】
露光器１１は、電子写真感光体２に静電潜像を形成するためのものであり、特定波長（たとえば６５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）の光を出射可能とされている。この露光器１１によると、画像信号に応じて電子写真感光体２の表面に光を照射して光照射部分の電位を減衰させることにより、電位コントラストとしての静電潜像が形成される。露光器１１としては、たとえば約６８０ｎｍの波長の光を出射可能なＬＥＤ素子を６００ｄｐｉの密度で配列させたＬＥＤヘッドを採用することができる。もちろん、露光器１１としては、レーザ光を出射可能なものを使用することもできる。【００１９】
ＬＥＤヘッド等の露光器１１に代えて、レーザービームおよびポリゴンミラー等からなる光学系、あるいは、原稿からの反射光を通すレンズおよびミラー等からなる光学系を用いることにより、複写機の構成の画像形成装置とすることもできる。【００２０】
現像器１２は、電子写真感光体２の静電潜像を現像してトナー像を形成するためのものである。この現像器１２は、現像剤（トナー）を磁気的に保持する磁気ローラ１２Ａ、電子写真感光体２との隙間を制御するためのコロと呼ばれる車輪（図示略）などを備えている。【００２１】
現像剤は、電子写真感光体２の表面に形成されるトナー像を構成するものであり、現像器１２において摩擦帯電させられるものである。現像剤としては、磁性キャリアと絶縁性トナーとから成る二成分系現像剤、あるいは磁性トナーから成る一成分系現像剤を使用することができる。【００２２】
磁気ローラ１２Ａは、電子写真感光体２の表面に現像剤を搬送する役割を果すものである。【００２３】
現像器１２においては、摩擦帯電したトナーが磁気ローラ１２Ａによって一定の穂長に調整された磁気ブラシの形で電子写真感光体２の現像領域に搬送され、静電潜像との静電引力によりトナーが電子写真感光体２の表面に付着して可視化される。トナー像の帯電極性は、正規現像により画像形成が行われる場合には、電子写真感光体２の表面の帯電極性と逆極性とされ、反転現像により画像形成が行われる場合には、電子写真感光体２の表面の帯電極性と同極性とされる。【００２４】
なお、現像器１２は、乾式現像方式を採用しているが、液体現像剤を用いた湿式現像方式を採用してもよい。【００２５】
転写器１３は、電子写真感光体２と転写器１３との間の転写領域に供給された記録媒体Ｐに、電子写真感光体２のトナー像を転写するためのものである。この転写器１３は、転写用チャージャ１３Ａおよび分離用チャージヤ１３Ｂを備えている。転写器１３では、転写用チャージャ１３Ａにおいて記録媒体Ｐの背面（非記録面）がトナー像とは逆極性に帯電され、この帯電電荷とトナー像との静電引力によって、記録媒体Ｐ上にトナー像が転写される。転写器１３ではさらに、トナー像の転写と同時的に、分離用チャージャ１３Ｂにおいて記録媒体Ｐの背面が交流帯電させられ、記録媒体Ｐが電子写真感光体２の表面から速やかに分離させられる。【００２６】
なお、転写器１３としては、電子写真感光体２の回転に従動し、かつ電子写真感光体２とは微小間隙（通常、０．５ｍｍ以下）を介して配置された転写ローラを用いることも可能である。この場合の転写ローラは、たとえば直流電源により、電子写真感光体２上のトナー像を記録媒体Ｐ上に引きつけるような転写電圧を印加するように構成される。転写ローラを用いる場合には、分離用チャージャ１３Ｂのような転写分離装置を省略することもできる。【００２７】
定着器１４は、記録媒体Ｐに転写されたトナー像を記録媒体Ｐに定着させるためのものであり、一対の定着ローラ１４Ａ，１４Ｂを備えている。定着ローラ１４Ａ，１４Ｂは、たとえば金属ローラ上にテフロン（登録商標）等で表面被覆したものとされている。この定着器１４では、一対の定着ローラ１４Ａ，１４Ｂの間に記録媒体Ｐを通過させることにより、熱あるいは圧力等によって記録媒体Ｐにトナー像を定着させることができる。【００２８】
クリーニング器１５は、電子写真感光体２の表面に残存するトナーを除去するためのものであり、クリーニングブレード１５Ａを備えている。【００２９】
クリーニングブレード１５Ａは、電子写真感光体２の表面層２６（図２参照）の表面から、残留トナーを掻きとる役割を果たすものである。クリーニングブレード１５Ａは、たとえばポリウレタン樹脂を主成分としたゴム材料からなる。本実施形態に係るクリーニングブレード１５Ａは、表面層２６（図２参照）に接する先端部の厚みが１．０ｍｍ以上１．２ｍｍ以下とされている。本実施形態に係るクリーニングブレード１５Ａは、ブレード線圧が１４ｇｆ／ｃｍ（一般的には５ｇｆ／ｃｍ以上３０ｇｆ／ｃｍ以下）とされている。本実施形態に係るクリーニングブレード１５Ａは、硬度がＪＩＳ硬度で７４度（好適範囲６７度以上８４度以下）とされている。【００３０】
除電器１６は、電子写真感光体２の表面電荷を除去するためのものである。この除電器１６は、たとえばＬＥＤ等の光源によって電子写真感光体２の表面全体を一様に光照射することにより、電子写真感光体２の表面電荷（残余の静電潜像）を除去するように構成されている。【００３１】
図２に示したように、電子写真感光体２は、円筒状基体２０および被覆層２１を有している。【００３２】
円筒状基体２０は、電子写真感光体２の骨格をなすものであり、少なくとも表面に導電性を有するものとされている。円筒状基体２０は、全体を導電性材料により形成してもよいし、絶縁性材料により形成した円筒体の表面に導電性膜を形成したものであってもよい。円筒状基体２０のための導電性材料としては、たとえばＡｌあるいはＳＵＳ（ステンレス）、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｎ、Ａｕ、およびＡｇなどの金属材料、それらの金属の合金材料を使用することができる。円筒状基体２０のための絶縁材料としては、樹脂、ガラス、あるいはセラミックスなどを挙げることができる。導電性膜のための材料としては、先に例示した金属の他、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ２などの透明導電性材料を挙げることができる。これらの透明導電性材料は、たとえば蒸着などの公知の手法により、絶縁性を有する円筒体の表面に被着させることができる。【００３３】
ただし、円筒状基体２０は、全体をＡｌ合金材料（たとえばＡｌ−Ｍｎ系合金、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金）により形成するのが好ましい。そうすれば、電子写真感光体２が軽量かつ低コストに製造可能となり、その上、後述するアモルファス窒化シリコン含有層２３との密着性が高くなって信頼性が向上する。【００３４】
このようなＡｌ合金材料の円筒状基体２０は、たとえば鋳造、均質化処理、熱間押出加工、および冷間抽伸加工し、必要に応じて軟化処理を行なうことにより形成することができる。【００３５】
被覆層２１は、感光層２２およびアモルファス窒化シリコン含有層２３を含んでいる。【００３６】
感光層２２は、電荷注入阻止層２４、光導電層２５および表面層２６を備えたものである。感光層２２の厚みは、１０μｍ以上９０μｍ以下に設定されるのが好ましい。感光層２２の厚みを１０μｍ以上９０μｍ以下の範囲に設定すると、例えば長波長光吸収層を設けなくても記録画像に干渉縞が発生するのを適切に抑制できるのに加え、応力に起因する膜剥がれが発生するのを適切に抑制できる。【００３７】
電荷注入阻止層２４は、電子あるいは正孔が円筒状基体２０から光導電層２５に注入されるのを抑制するためのものであり、たとえば厚みが１μｍ以上１０μｍ以下に形成されている。電荷注入阻止層２４は、光導電層２５の材料に応じて種々のものを用いることができる。たとえば光導電層２５をａ−Ｓｉ系材料を用いて形成する場合であれば、電荷注入阻止層２４にもａ−Ｓｉ系材料などの無機物材料を使用するのが好ましい。そうすることにより、後述するアモルファス窒化シリコン含有層２３と光導電層２５との密着性に優れた電子写真特性を得ることができる。【００３８】
ａ−Ｓｉ系の電荷注入阻止層２４を設ける場合は、ａ−Ｓｉ系光導電層２５と比べて、より多くの周期律表第１３族元素（以下、「第１３族元素」と略す）あるいは周期律表第１５族元素（以下、「第１５族元素」と略す）を含有させて導電型を調整し、また多くの炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、あるいは酸素（Ｏ）を含有させて高抵抗化するとよい。【００３９】
電荷注入阻止層２４は、全体を無機物として形成する場合には、たとえばグロー放電分解法、各種スパッタリング法、各種蒸着法、ＥＣＲ法、光ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、あるいは反応性蒸着法など公知の成膜手法により形成することができる。【００４０】
光導電層２５は、露光器１１によるレーザ光の照射によって電子が励起され、自由電子あるいは正孔などのキャリアを発生させるためのものであり、たとえば厚みが１０μｍ以上８０μｍ以下に形成されている。光導電層２５は、たとえばａ−Ｓｉ系材料、ａ−Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、およびＡｓ２Ｓｅ３などのアモルファスセレン系（ａ−Ｓｅ系）材料、あるいはＺｎＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅなどの周期律表第１２族元素と周期律表第１６族元素との化合物などにより形成されている。ａ−Ｓｉ系材料としては、ａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＣ、ａ−ＳｉＮ、ａ−ＳｉＯ、ａ−ＳｉＧｅ、ａ−ＳｉＣＮ、ａ−ＳｉＮＯ、ａ−ＳｉＣＯおよびａ−ＳｉＣＮＯなどを使用することができる。特に、光導電層２５をａ−Ｓｉあるいはａ−ＳｉにＣ、Ｎ、Ｏなどの元素を加えたａ−Ｓｉ系の合金材料により形成した場合には、優れた電子写真特性（光感度特性、高速応答性、繰り返し安定性、耐熱性、あるいは耐久性など）が安定して得られるのに加え、表面層２６をａ−ＳｉＣ（特にａ−ＳｉＣ：Ｈ）により形成する場合における表面層２６との整合性が優れたものとなる。【００４１】
光導電層２５は、全体を無機物として形成する場合には、たとえばグロー放電分解法、各種スパッタリング法、各種蒸着法、ＥＣＲ法、光ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、あるいは反応性蒸着法など公知の成膜手法により形成することができる。光導電層２５の形成に当たっては、ダングリングボンド終端用に水素（Ｈ）あるいはハロゲン元素（Ｆ、Ｃｌ）を、膜中に１原子％以上４０原子％以下含有させてもよい。また、光導電層２５の形成に当たっては、各層の電気的特性（暗導電率あるいは光導電率など）および光学的バンドギャップなどについて所望の特性を得るために、第１３族元素あるいは第１５族元素を０．１ｐｐｍ以上２００００ｐｐｍ以下含有させ、あるいはＣ、Ｎ、Ｏ等の元素の含有量を０．０１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の範囲で調整すればよい。Ｃ、Ｎ、Ｏ等の元素については、層の厚み方向に濃度勾配が生じるように含有させてもよく、その場合には、層全体の平均含有量が上記範囲内にあればよい。【００４２】
また、第１３族元素および第１５族元素としては、共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点および優れた光感度が得られる点で、ホウ素（Ｂ）およびリン（Ｐ）を用いるのが望ましい。第１３属元素および第１５属元素をＣ、Ｎ、Ｏ等の元素とともに含有させる場合には、第１３族元素は０．１ｐｐｍ以上２００００ｐｐｍ以下であるのが好ましく、第１５族元素は０．１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下であるのが好ましい。【００４３】
光導電層２５にＣ、Ｎ、Ｏ等の元素を含有させないか、あるいは微量（０．０１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下）含有させる場合は、第１３族元素の含有量は０．０１ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下、第１５族元素の含有量は０．０１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下であるのが好ましい。これらの元素の含有率は層厚方向にわたって濃度勾配があってもよく、その場合には層全体の平均含有量が上記範囲内であればよい。【００４４】
光導電層２５をａ−Ｓｉ系材料により形成する場合には、μｃ−Ｓｉ（微結晶シリコン）を含有させてもよく、その場合には、暗導電率および光導電率を高めることができるので、光導電層２５の設計自由度が増すという利点がある。このようなμｃ−Ｓｉは、先に説明したのと同様の形成法を採用し、その成膜条件を変えることによって形成することができる。たとえばグロー放電分解法では、円筒状基体２０の温度および高周波電力をａ−Ｓｉの場合よりも高めに設定し、希釈ガスとしての水素流量を増すことによって形成できる。また、μｃ−Ｓｉを含む場合にも上記と同様の不純物元素を添加させてもよい。【００４５】
光導電層２５は、前述の無機物系材料を粒子化し、それを樹脂に分散させた形態であってもよい。また、光導電層２５は、必ずしも無機物材料を含んでいる必要はなく、たとえば有機光導電物質を用いた光導電層として形成してもよい。有機光導電物質としては、たとえばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールに代表される光導電性ポリマー、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールのような低分子有機光導電性物質を用いることができ、また有機光導電性物質は各種染料や顔料を組み合わせて使用することもできる。【００４６】
表面層２６は、光導電層２５の摩擦や磨耗を防ぐためのものである。この表面層２６は、たとえばａ−ＳｉＣなどのａ−Ｓｉ系材料に代表される無機物材料により、厚みが０．２μｍ以上１．５μｍ以下に形成されている。表面層２６の厚みを０．２μｍ以上にすることで耐刷による画像キズおよび画像濃度ムラの発生を防止することが可能となり、表面層２６の厚みを１．５μｍ以下にすることで初期特性（残留電位による画像不良等）を良好にすることが可能となる。表面層２６の厚みは、好適には０．５μｍ以上１．０μｍ以下とされる。【００４７】
このような表面層２６は、ａ−ＳｉＣに水素を含有させたａ−ＳｉＣ：Ｈにより形成するのが好ましい。ａ−ＳｉＣ：Ｈは、元素比率を組成式ａ−Ｓｉ１−ＸＣＸ：Ｈと表した場合、たとえばＸ値が０．５５以上０．９３未満とされる。Ｘ値を０．５５以上０．９３未満の範囲内にすることにより、表面層２６として適切な硬度を得ることが可能となり、表面層２６ひいては電子写真感光体２の耐久性を充分に確保することができるようになる。好適には、Ｘ値は０．６以上０．７以下とされる。表面層２６をａ−ＳｉＣ：Ｈにより形成する場合におけるＨ含有量は、１原子％以上７０原子％以下程度に設定するとよい。この範囲内では、Ｓｉ−Ｈ結合がＳｉ−Ｃ結合に比して少なくなり、表面層２６の表面に光が照射されたときに生じた電荷のトラップを抑えることができ、残留電位を防止することができる点で好ましい。本発明者らの知見によれば、このＨ含有量を約４５原子％以下とすると、より良好な結果が得られる。【００４８】
このようなａ−ＳｉＣ：Ｈの表面層２６は、光導電層２５をａ−Ｓｉ系材料により形成する場合と同様に、たとえばグロー放電分解法、各種スパッタリング法、各種蒸着法、ＥＣＲ法、光ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、あるいは反応性蒸着法など公知の成膜手法により形成することができる。【００４９】
表面層２６はまた、有機光導電物質を用いた層として光導電層２５を形成する場合には、通常、有機材料により形成される。この場合の有機材料としては、硬化性樹脂を挙げることができる。硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、あるいはウレタン樹脂を使用することができる。【００５０】
アモルファス窒化シリコン含有層２３は、被覆層２１における耐電圧特性を向上させるためのものであり、円筒状基体２０と感光層２２（電荷注入阻止層２４）との間に形成されている。このアモルファス窒化シリコン含有層２３は、アモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）を含んでいる。アモルファス窒化シリコン含有層２３における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）は、０．３２以下とされる。このような範囲にシリコン原子と窒素原子の比率を設定することにより、被覆層２１における耐電圧特性を適切に確保することができるとともに残留電位の発生を適切に抑制することができる。好適には、アモルファス窒化シリコン含有層２３における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率は、０．３１以下とされる。【００５１】
アモルファス窒化シリコン含有層２３の厚みは、アモルファス窒化シリコン含有層２３に求められる耐電圧特性を適切に維持しつつ残留電位の発生を抑制し、被覆層２１の全体の厚みを低減する観点から、０．５μｍ以上１５μｍ以下とされるのが好ましい。【００５２】
アモルファス窒化シリコン含有層２３はまた、第１３族元素と、窒素以外の第１５族元素とのノンドープ層であるのが好ましい。このような構成によると、残留電位の上昇を抑制することができる。【００５３】
このようなアモルファス窒化シリコン含有層２３は、光導電層２５をａ−Ｓｉ系材料により形成する場合と同様に、たとえばグロー放電分解法、各種スパッタリング法、各種蒸着法、ＥＣＲ法、光ＣＶＤ法、触媒ＣＶＤ法、あるいは反応性蒸着法など公知の成膜手法により形成することができる。【００５４】
また、アモルファス窒化シリコン含有層２３における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率は、たとえばアモルファス窒化シリコン含有層２３を形成するときの窒素含有ガスとシリコン含有ガスとの比率を適宜調整することにより選択することができる。アモルファス窒化シリコン含有層２３の厚みは、たとえばアモルファス窒化シリコン含有層２３を形成するときの成膜時間あるいは円筒状基体２０の温度を適宜調整することにより選択することができる。【００５５】
電子写真感光体２では、被覆層２１がアモルファス窒化シリコン含有層２３を備えている。また、このアモルファス窒化シリコン含有層２３は、窒素原子数とシリコン原子数の合計に対する窒素原子数の比率が０．３２以下に設定されている。そのため、電子写真感光体２では、高画質化に対応すべく被覆層２１（たとえば光導電層２５）の厚みを小さくする場合でも、アモルファス窒化シリコン含有層２３によって耐電圧特性を適切に維持しつつ残留電位の発生を抑制することができる。【００５６】
一方、画像形成装置１では、電子写真感光体２として、被覆層２１における耐電圧特性が適切に維持されつつ残留電位の発生が抑制されたものが使用されている。そのため、画像形成装置１では、画像欠陥の発生を抑制し、高品質な画像を提供することが可能となる。
【実施例１】
【００５７】
本実施例では、アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）が、耐電圧および残留電位に与える影響を検討した。【００５８】
（電子写真感光体の作成）
電子写真感光体は、下記表１に示した寸法を有するアルミニウム製の引き抜き管（円筒状基体）に対して、グロー放電分解装置を用いて、下記表２に示す条件で被覆層（アモルファス窒化シリコン含有層、電荷注入阻止層、光導電層、および表面層）を形成することにより作成した。なお、矩形波パルス電圧のＯＮ：ＯＦＦのｄｕｔｙ比を７０％：３０％とし、表２の値はＯＮ時の値を示す。円筒状基体としては、外周面を鏡面加工して洗浄したものを使用した。アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）は、耐圧保持層を形成するときの原料ガス組成において、表２の範囲でＮ2の流量を選択することにより調整した。【００５９】
【表１】
2009104466.tif 000003
【００６０】
【表２】
2009104466.tif 000004
【００６１】
（耐電圧の検討）
耐電圧は、接触針耐圧法にて測定した。より具体的には、電極針を電子写真感光体の表面と接触させた状態で定電圧電源（「ＭＯＤＥＬ６１０Ｃ」；ＴＲＥＫ製）を用いて感光体表面に電圧を印加し、絶縁破壊が生じた電圧を耐電圧とした。電極針としては先端径がφ１．４ｍｍのものを用い、測定温度は２３℃とした。耐電圧の評価結果については、表３および図３に示した。【００６２】
【表３】
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【００６３】
表３および図３から分かるように、円筒状基体と電荷注入阻止層との間にアモルファス窒化シリコン含有層を設けることにより耐電圧が向上した。とくに、アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）を大きくすれば、耐電圧が大きくなる傾向にあった。【００６４】
（残留電位の検討）
残留電位は、電子写真感光体を組み込んだ画像形成装置を用いて帯電・露光・除電のサイクルを１回行うとともに、そのサイクルにおける除電後に電位検査機（「ＰＤＴ１０００」；ＱＥＡ製）を用いて計測される電圧値とした。帯電・露光・除電のサイクルにおいては、電子写真感光体の表面温度は２３℃、回転速度は１５０ｍｍ／ｓｅｃ、帯電圧は３５０Ｖ、除電光量は３μＪ／ｃｍ２に設定した。残留電位の測定結果については、表４および図４に示した。【００６５】
【表４】
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【００６６】
表４および図４から分かるように、アモルファス窒化シリコン含有層における窒素原子数とシリコン原子数との合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）が０．３２以下のときに残留電圧が充分に小さく実用上問題のない程度であった。とくに、比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）が０．３１以下のときに残留電位が測定誤差範囲である１０Ｖ以下であり、実質的に残留電位がないものと判断できる程度であった。このように、残留電位が実質的にないものとみなせる程度である場合、電子写真プロセスの設計をより容易に行うことができる。【００６７】
以上の結果より、アモルファス窒化シリコン含有層を設けるとともに、窒素原子数とシリコン原子数の合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）を０．３２以下とすることにより、耐電圧特性および残存電位特性が良好なものとなり、これらの特性は比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）を０．３１以下とすることにより、さらに良好なものとなることが分かった。
【実施例２】
【００６８】
本実施例では、アモルファス窒化シリコン含有層における厚みが、耐電圧および残留電位に与える影響を検討した。【００６９】
（電子写真感光体の作成）
電子写真感光体は、基本的には実施例１と同様にして作成した。ただし、アモルファス窒化シリコン含有層の厚みは、アモルファス窒化シリコン含有層の成膜時間を調整することにより、表５および表６に示したように０．５μｍ以上１８μｍ以下の範囲で調整した。それぞれの厚みのアモルファス窒化シリコン含有層を形成するときの原料ガスにおいては、窒素ガスの流量は４５０ｓｃｃｍで固定し、窒素原子数とシリコン原子数の合計に対する窒素原子数の比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）は０．２０と０．３１とに設定した。【００７０】
（アモルファス窒化シリコン含有層の厚みの測定）
アモルファス窒化シリコン含有層の厚みは、光学式厚み計（商品名（型番）：ＭＣ−８５０Ａ、大塚電子株式会社製）にて測定した。アモルファス窒化シリコン含有層の厚みの測定結果については、表５および表６に示した。表５および表６においてアモルファス窒化シリコン含有層の厚みは、周方向に沿った任意の５点につきアモルファス窒化シリコン含有層の厚みを測定し、その５点の平均値として示した。【００７１】
（耐電圧および残留電位の検討）
耐電圧および残留電位は、実施例１と同様にして測定した。耐電圧および残留電位の測定結果については、比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）が０．２０のものを表５に示し、比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）が０．３１のものを表６に示した。【００７２】
【表５】
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【００７３】
【表６】
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【００７４】
表５および表６から分かるように、アモルファス窒化シリコン含有層の厚みが１８μｍ以下の範囲では、耐電圧値および残留電位ともに、実用上問題のない程度であることが確認された。とくに、アモルファス窒化シリコン含有層の厚みが１５μｍ以下の範囲では、残留電位が実質的にないものとみなせる程度であることが確認された。なお、本実施例では、膜厚が１８μｍのものまで確認を行ったが、画質あるいは成膜時間の観点から実際は１５μｍ以下（特に１０μｍ以下）に設定するのが好ましい。そして、このような範囲内であれば、本発明の範囲において比率（Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ)）を変化させても、残留電位は実質的にないものとみなせる程度である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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