(57)【要約】  バイオチップは、貫通孔が設けられた板状のダイアフラム部と、ダイアフラム部の外周に設けられた壁部と、ダイアフラム部の貫通孔以外の部分に形成された補強部と、を有する。
2013140748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が設けられた板状のダイアフラム部と、
前記ダイアフラム部の外周に設けられた壁部と、
前記ダイアフラム部の前記貫通孔以外の部分に形成された補強部と、
を有する
バイオチップ。
【請求項２】
前記補強部と前記ダイアフラム部は、直接接合により連結している
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項３】
前記補強部は、前記壁部に接している
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項４】
前記補強部と前記壁部は、直接接合により連結している
請求項３に記載のバイオチップ。
【請求項５】
前記補強部は板状である
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項６】
前記補強部は、複数の補強部の一つであり、
前記複数の補強部は、前記ダイアフラム部の前記貫通孔以外の部分に形成されている
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項７】
前記ダイアフラム部は、第一の表面と、前記第一の表面の反対側の第二の表面とを有し、
前記第一の表面と前記第二の表面は、前記貫通孔の開口部を備え、
前記補強部は、前記第一の表面と前記第二の表面の少なくとも一方に形成されている
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項８】
前記ダイアフラム部は、第一の表面と、前記第一の表面の反対側の第二の表面とを有し、
前記第一の表面と前記第二の表面は、前記貫通孔の開口部を備え、
前記壁部は、前記第一の表面と前記第二の表面の少なくとも一方に形成されている
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項９】
前記貫通孔は、複数の貫通孔の一つであり、
前記複数の貫通孔は、前記ダイアフラム部に形成されている
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項１０】
前記貫通孔の開口部を覆うように形成された繊維状物質をさらに備える
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項１１】
前記繊維状物質は、前記ダイアフラム部と直接接合している
請求項１０に記載のバイオチップ。
【請求項１２】
前記ダイアフラム部は、第一の表面と、前記第一の表面の反対側の第二の表面とを有し、
前記第一の表面と前記第二の表面は、前記貫通孔の開口部を備え、
前記繊維状物質は、前記第一の表面と前記第二の表面の少なくとも一方に形成されている
請求項１０に記載のバイオチップ。
【請求項１３】
前記繊維状物質は、最大直径が前記繊維状物質の空隙よりも大きい材料を濾過により分離する
請求項１０に記載のバイオチップ。
【請求項１４】
前記繊維状物質は、血液中の白血球を濾過により分離する
請求項１０に記載のバイオチップ。
【請求項１５】
前記貫通孔の内部に形成された繊維状物質をさらに備える
請求項１に記載のバイオチップ。
【請求項１６】
孔が設けられた実装基材と、
貫通孔が設けられた板状のダイアフラム部と、
前記ダイアフラム部の外周に設けられた壁部と、
前記ダイアフラム部の貫通孔以外の部分に形成された補強部を有し、
前記実装基材の前記孔の内部に設けられた
バイオチップと、
を有する
バイオデバイス。
【請求項１７】
前記貫通孔の開口部を覆うように形成された繊維状物質をさらに備える
請求項１６に記載のバイオデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサチップまたはフィルターチップとして用いられるバイオチップおよびそれを用いたバイオデバイスに関する。センサチップは、細胞の電気的または物理化学的な測定のために、Ｍｉｃｒｏ−Ｔｏｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｙｓｔｅｍ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｃｈｉｐ、マイクロリアクター、Ｌａｂ  ｏｎ  ａ  ｃｈｉｐ、ナノチップ、バイオチップ等に用いられる。バイオチップは、溶媒や微粒子等から溶質を抽出するため、あるいはヒトや動物の生体由来溶液に含まれる血球を抽出または分離するために用いられる。
【背景技術】
【０００２】
図２５は従来のバイオチップ１２の断面図である。細胞電気生理センサチップとして用いられるバイオチップ１２は、板状のダイアフラム部１３と、壁部１８とを有する。ダイアフラム部１３は、第一の表面１４と、第一の表面１４の裏面に設けられた第二の表面１５とを有している。ダイアフラム部１３には、第一の表面１４と第二の表面１５とを貫通する貫通孔１６が形成されている。壁部１８は、ダイアフラム部１３の第一の表面１４の外周に設けられている。【０００３】
例えば、細胞を含む溶液をダイアフラム部１３の第一の表面１４から流入することによって、貫通孔１６の上に細胞が密着保持される。その後、貫通孔１６に薬剤を注入することにより、物理化学的な刺激が細胞に加えられ、細胞の内液が第二の表面１５へ放出される。第一の表面１４と第二の表面１５との電位変化を測定することにより、物理化学的刺激に対する細胞の反応を測定できる。【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１３６６８号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明のバイオチップは、貫通孔が設けられた板状のダイアフラム部と、ダイアフラム部の外周に設けられた壁部と、ダイアフラム部の貫通孔以外の部分に形成された補強部と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１におけるバイオチップの上面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１におけるバイオデバイスの断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態１におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２におけるバイオデバイスの斜視図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態２におけるバイオデバイスの断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの上面図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの繊維状物質のＳＥＭ写真を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態２におけるバイオチップの製造工程を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２４】図２４は、本発明の実施の形態３におけるバイオチップの要部拡大断面図である。
【図２５】図２５は、従来のバイオチップの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
従来のバイオチップ１２では、エッチングによりダイアフラム部１３に貫通孔１６が設けられている。しかし、アスペクト比（幅に対する深さの比率）の大きい貫通孔を形成することが難しく、ダイアフラム部１３を厚くすることは困難である。そのため、ダイアフラム部１３の強度を上げることが難しい。その結果、細胞を密着するための吸引によりダイアフラム部１３が変位し、破壊される場合や、細胞の密着性が弱まる場合がある。
【０００９】
また、バイオチップ１２をフィルターチップとして用いる場合は、第一の表面１４の上に分離用構造体からなる濾材をさらに配置する。しかし、濾過時の残渣の堆積による圧力損失の増加に伴いダイアフラム部１３が破損される場合がある。一方で、強度を上げるためにダイアフラム部１３を厚くすると、貫通孔１６の流路抵抗が大きくなるため、貫通孔１６に物質が詰りやすくなる。また、ダイアフラム部１３を薄くすると破損率が増加する。また、分離用構造体からなる濾材の目が細かくなるほどフィルター特性は高いが、圧力損失が大きくなる。そのため、短時間で濾過を行うためには高い圧力をかけることが必要となり、耐圧性の高いダイアフラム部１３が要求される。
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の各実施の形態に限定されるものではない。
【００１１】
（実施の形態１）
まず、本実施の形態１におけるバイオチップを用いたバイオデバイスとして、細胞電気生理センサチップを用いた細胞電気生理センサデバイスを例に挙げ説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態１におけるバイオチップの上面図である。図２は、図１に示すバイオチップを用いたバイオデバイスの断面図である。図２は、図１の２−２線における断面図に対応している。
【００１３】
バイオチップ１１２は、貫通孔１１６（第１の貫通孔）が設けられた板状のダイアフラム部１１３と、ダイアフラム部１１３の外周に設けられた壁部１１８と、ダイアフラム部１１３の貫通孔１１６以外の部分に形成された補強部１１９とを有する。
【００１４】
ダイアフラム部１１３は、第一の表面１１４と第二の表面１１５とを有しており、貫通孔１１６は、第一の表面１１４と第二の表面１１５を貫通している。
【００１５】
ダイアフラム部１１３は、例えば薄板からなり、第一の表面１１４の裏面が第二の表面１１５であることが望ましい。
【００１６】
貫通孔１１６は、ダイアフラム部１１３の少なくとも一箇所に形成されていれば良い。ただし、より多くの細胞を一度に測定するために、複数の貫通孔１１６が形成されていることが望ましい。
【００１７】
ダイアフラム部１１３の外周には、環状の壁部１１８が設けられている。ダイアフラム部１１３の外周に、ダイアフラム部１１３と一体に環状の壁部１１８を設けることにより、ダイアフラム部１１３を取り扱う際や、実装する際に、バイオデバイス１１０を容易に保持できる。特にダイアフラム部１１３が薄板である場合に、壁部１１８は有用である。ここで、環状とは、上面視において、円状、楕円形状や、三角形状、四角形状などの多角形状も含み、ダイアフラム部１１３の形状に適する形状でダイアフラム部１１３の外周を継ぎ目なく囲っていればよい。すなわち、ダイアフラム部１１３やバイオチップ１１２の形状も、上面視において、円状や多角形状など種々の形状が用いられる。シリコンウエハからバイオチップ１１２を作製する場合は、正方形形状または長方形形状が、密に配列でき、生産個数を多くできるので好ましい。
【００１８】
貫通孔１１６を除くダイアフラム部１１３の第一の表面１１４の上に、ダイアフラム部１１３と連結するように、補強部１１９が設けられている。
【００１９】
補強部１１９は、例えば、板状であり、ダイアフラム部１１３の表面（第一の表面１１４）に垂直方向に形成されている。補強部１１９は、壁部１１８が形成された部分を除くダイアフラム部１１３だけでなく、壁部１１８の内側面に連結されていることが望ましい。この構造により、ダイアフラム部１１３への圧力（力）を分散させ、ダイアフラム部１１３の破損を防止できる。
【００２０】
例えば、図１に示すように、補強部１１９は、ダイアフラム部１１３の第一の表面１１４と直接接合により連結し、かつ、壁部１１８の内側面にも直接接合により連結している。ここで、直接接合とは、接着剤などの別部材を用いずに接合されていることを示し、一体的に形成されている場合も含む。
【００２１】
補強部１１９は、壁部１１８を除くダイアフラム部１１３の上に、少なくとも１つ形成されていれば良く、２つ以上形成されていてもよい。補強部１１９を複数形成することにより、ダイアフラム部１１３に垂直にかかる力の耐圧性を改善できる。また、例えば図１に示すように、第一の補強部１１９ａと第二の補強部１１９ｂとが交差するように形成されていてもよい。
【００２２】
第一の補強部１１９ａおよび第二の補強部１１９ｂは、ダイアフラム部１１３に対する力を均一に分散できるように、互いに直角に交差していることが好ましい。また、第一の補強部１１９ａおよび第二の補強部１１９ｂは、第一の表面１１４と壁部１１８とに連結していることが好ましい。
【００２３】
なお、第一の補強部１１９ａおよび第二の補強部１１９ｂは、互いに直角に交差する形体以外にも、第一の補強部１１９ａのみの形体、曲線状の形体（図示せず）、あるいは複数の曲線状の形体が交差しあっていても良い。また、流路抵抗を緩和するために、補強部１１９の先端（上面）は尖形状もしくは順テーパー形状であることが好ましい。また、補強部１１９の高さと壁部１１８の高さは、異なっていてもよい。
【００２４】
補強部１１９は、貫通孔１１６の開口部に細胞を密着保持させる際の妨げとならないように、ダイアフラム部１１３上の貫通孔１１６の開口部以外の位置に形成されている。
【００２５】
補強部１１９の厚みは、最近接する２つの貫通孔１１６の隙間以内で、できるだけ大きいことが望ましい。ここで「最近接する２つの貫通孔１１６」とは、貫通孔１１６ａの中心から貫通孔１１６ｂの中心までの距離が最近接距離となるような関係となる貫通孔１１６のことを示す。
【００２６】
なお、補強部１１９の形状は、板状でなくとも円柱状、管状であっても良い。しかし、補強部１１９が板状で、壁部１１８の内面に連結されることにより、ダイアフラム部１１３の強度をさらに向上できる。そのため、強度の弱いダイアフラム部１１３の破損を防止できる。
【００２７】
図２に示すように、バイオデバイス１１０は、孔１２０（第２の貫通孔）を有する実装基材１１１と、孔１２０の一端に設けられたバイオチップ１１２とを有している。孔１２０内を流れる溶液がバイオチップ１１２に接する。
【００２８】
バイオチップ１１２は、例えば円形であり、円状の孔１２０を有する実装基材１１１に嵌め込まれている。
【００２９】
バイオチップ１１２を毛細管の内部に接合することにより、パッチピペット型のバイオデバイスとして用いることができる。また、バイオチップ１１２をガラスや樹脂からなる基板に実装することにより、アレイ型のバイオデバイスとして用いることができる。
【００３０】
実装基材１１１は、ガラス、樹脂などの材料でできている。実装基材１１１は、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、ウランガラス、アクリルガラスなどのガラスで形成される。あるいは実装基材１１１は、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフロロエチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリジメチルシロキサン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリメタクリル酸メチルなどの樹脂でもよい。または、実装基材１１１は、上記の樹脂とガラスとの複合材料でもよい。あるいは実装基材１１１は、シリコーンゴム、アクリルゴム、ニトリルゴム、イソブレンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、フッ素ゴム、ポリイソブチレンなどのゴムでもよい。または、実装基材１１１は、上記のゴムとガラスとの複合材料でもよい。
【００３１】
バイオチップ１１２は、実装基材１１１の孔１２０の内部に接合されていればよく、接合方法は直接接合されていても、接着層を介して接合されていてもよい。
【００３２】
バイオチップ１１２を作製するための基材として、シリコン層がシリコン（１００）からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用い、後述する方法により製造することが好ましい。ＳＯＩ基板は、シリコン層１２２−二酸化珪素層１２１−シリコン層１２３の３層構造からなる。このＳＯＩ基板をフォトリソグラフィーおよびエッチング技術を用いて微細加工することによって、多数個のバイオチップ１１２を一括して作製できる。
【００３３】
ＳＯＩ基板はエッチングプロセスの際、二酸化珪素層１２１がエッチングストップ層としての役割を果たす。また、二酸化珪素層１２１は親水性に富むために、測定時における気泡の発生の抑制と気泡の除去が容易となり、高精度な測定ができる。
【００３４】
二酸化珪素層１２１の厚みはエッチングストップ層として求められる厚みと生産性の観点から、０．５μｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。
【００３５】
エッチングストップ層として機能する二酸化珪素層１２１は、熱酸化により形成した二酸化珪素層が一般的である。しかし、二酸化珪素層１２１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法やＣＳＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの他の方法により形成した二酸化珪素層でもよい。また、二酸化珪素層１２１は、リンをドープしたＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）層、あるいはリンとボロンをドープしたＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ  Ｓｉｌｌｉｃｏｎ  Ｇｌａｓｓ）層などのドープトオキサイド層でもよい。さらに、上記のような二酸化珪素を主成分とする層に限らず、二酸化珪素層１２１の代わりに、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどのシリコンとのエッチングレート差が大きい、無機酸化物もしくは無機窒化物の層を用いてもよい。
【００３６】
ここで、バイオチップ１１２を作製するための基材として、シリコン（１００）からなるＳＯＩ基板を用いたが、シリコン（１１０）基板、シリコン（１１１）基板およびその他の面方位を有したシリコン基板を用いてもよい。また、アモルファスシリコン基板を用いることで、ダイアフラム部１１３が面方位に沿って割れやすくなることが抑えられるため、面方位を持たないシリコン基板を用いてもよい。また、シリコン基板以外にガラス基板、フィルム樹脂等のほかの基板を用いてもよい。
【００３７】
ただし、加工性や汎用性の観点から、バイオチップ１１２を作製するための基材としては、シリコン（１００）を含む基板を用いることが好ましい。シリコン（１００）を含む基板とは、少なくともシリコン（１００）が含まれていればよい。
【００３８】
また、貫通孔１１６を形成する際のレジストマスクのマスクホールの個数を変更することで、貫通孔１１６の数を変更できる。
【００３９】
貫通孔１１６の数が増加すると、多くの細胞を一度で測定できるため、バイオチップ１１２の面積を増やすことなく、短時間で多くの細胞を測定でき、作業効率が向上する。また、ダイアフラム部１１３の第一の表面１１４における複数の貫通孔１１６の配置はハニカム状が好ましい。ハニカム状にすることによりダイアフラム部１１３の強度を低下させることなく単位面積に対して多くの貫通孔１１６を形成できる。
【００４０】
また、補強部１１９のシリコンの表面に二酸化珪素の膜を熱酸化により付加することにより親水性を向上できる。その結果、測定時における気泡の発生の抑制と気泡の除去が容易となり、高精度な測定ができる。
【００４１】
バイオチップ１１２内に溶液を注入した際、気泡の除去を促進するために、補強部１１９の表面（少なくとも側面）は波状や鋸歯状が好ましい。
【００４２】
壁部１１８の表面は、気泡の除去を促進するために波状や鋸歯状が好ましい。壁部１１８は補強部１１９と異なる材料でもよいが、同じ材料で形成されていることが好ましい。バイオチップ１１２のダイアフラム部１１３と壁部１１８と補強部１１９は、は同じ基材で構成されていることが望ましい。例えば、基材がシリコンの場合、形状の変更などは、レジストマスクを変更するだけで対応できる。
【００４３】
バイオチップ１１２の表面は親水性に富む材料が好ましい。ダイアフラム部１１３、壁部１１８、補強部１１９のそれぞれの表面を親水膜（図示せず）により被覆することで、測定時における気泡の発生の抑制と気泡の除去が容易となることから、高精度な測定ができる。
【００４４】
また、親水膜は酸化珪素膜や酸窒化膜などで形成できる。すなわち、親水膜による被覆は、壁部１１８、補強部１１９のシリコンの表面を、熱酸化あるいは、熱窒化することで形成できる。この際、壁部１１８と補強部１１９とを同時に被覆することにより、効率的に被覆でき、生産性が高まる。
【００４５】
図２において、補強部１１９はダイアフラム部１１３の第一の表面１１４に連結している。しかし、補強部１１９は、ダイアフラム部１１３の表面に連結していればよく、後述の図１９に示すように、第一の表面１１４に連結せずに第二の表面１１５にのみ連結していても良い。この場合、第一の表面１１４の上に補強部１１９が形成されていないので、第一の表面１１４に形成された貫通孔１１６の開口部で細胞を密着保持させる際に、細胞などが妨げられない。
【００４６】
あるいは、後述の図２２に示すように、ダイアフラム部１１３の両面（すなわち第一の表面１１４および第二の表面１１５）に補強部１１９が形成されていても良い。ダイアフラム部１１３の両面に、補強部１１９を形成することにより、ダイアフラム部１１３はより強固になる。
【００４７】
なお、壁部１１８も、補強部１１９の形成位置によりダイアフラム部１１３の第一の表面１１４もしくは第二の表面１１５のどちらか一方、もしくはどちらの面にも形成させてもよい。
【００４８】
なお、ダイアフラム部１１３の第一の表面１１４の材質は、シリコン（１００）からなり、へき開面であるシリコン（１１０）面の鉛直方向上に補強部１１９が形成されることが望ましい。すなわち、図１に示す２−２方向あるいは、これに直角する方向がへき開面となり、これらの鉛直方向上に補強部１１９が形成される。
【００４９】
へき開面とは、特定の方向からの応力に対する機械的強度がそれ以外の方向からの機械的強度に比べて低い面のことである。
【００５０】
変形しやすいために割れの問題が生じにくいフィルム樹脂と異なり、シリコン単結晶材料では、脆くて壊れやすい場合や、へき開性を有することによりダイアフラム部１１３が割れやすくなる場合がある。特に、へき開は、結晶構造において原子間の結合力の弱い面において起こる破壊であり、作製プロセス中に生じる基板の傷や欠け等によって容易に起こり得る。
【００５１】
また、ダイアフラム部１１３の最も長くなる線分（つまり、補助壁の対角線方向）において、応力に対する変位は最大となるため、この部分が最も割れやすくなる。このときに、へき開面の対角線上に補強部１１９を形成することを考えると、ダイアフラム部１１３の最も長くなる線分とへき開面が一致するために、ダイアフラム部１１３が割れやすくなる。
【００５２】
しかし、へき開面の鉛直方向上に補強部１１９を形成させることよって、ダイアフラム部１１３の最も長くなる線分がへき開面に沿わなくなるために、割れを低減できる。
【００５３】
シリコン（１００）以外の基材を用いた場合においても、同様にダイアフラム部１１３の最も長くなる線分がへき開面と一致しないように、補強部１１９を配置すればよい。
【００５４】
最近接して隣り合う貫通孔１１６の中心を結ぶ線分はシリコンのへき開面に平行にならないように配置するのが望ましい。最近接して隣り合う貫通孔１１６の中心を結ぶ線分は構造上脆弱な部分であり、この線分がへき開面と一致すると、ダイアフラム部１１３が割れやすくなる。つまり、最近接して隣り合う貫通孔１１６の中心を結ぶ線分はシリコンのへき開面に平行にならないように貫通孔１１６を配置することにより、ダイアフラム部１１３は割れにくくなる。
【００５５】
シリコン（１００）以外の基材を用いた場合においても、同様に最近接して隣り合う貫通孔１１６の中心を結ぶ線分はシリコンのへき開面に平行にならないように貫通孔１１６を配置すればよい。
【００５６】
次に、バイオチップ１１２の製造方法について示す。
【００５７】
まず、バイオチップ１１２を作製するための基材として、図３に示すように、シリコン層１２２がシリコン（１００）からなるシリコン層１２２−二酸化珪素層１２１−シリコン層１２３の３層構造のＳＯＩ基板を準備する。
【００５８】
そして、シリコン層１２２の表面（図３における下面）に第一のレジストマスク１２４を形成する。このとき、ひとつひとつのバイオチップに対して、所望する複数個の貫通孔の横断面と略同形状の複数個のマスクホール１２５をパターニングしておく。
【００５９】
次に、図４に示すように、シリコン層１２２をマスクホール１２５側からエッチングして貫通孔１１６を形成する。このときのエッチング方法としては、高精度な微細加工が可能であることからドライエッチングが望ましい。ドライエッチングを行う場合、アスペクト比の大きい、すなわち孔径に対し奥行きの深い貫通孔１１６を形成するために、エッチングを促進するガス（エッチングガス）とエッチングを抑制するガス（抑制ガス）とを交互に用いる。本実施の形態では、エッチングガスとしてＳＦ６、抑制ガスとしてＣ４Ｆ８を用いている。エッチングガスのイオン衝突によってシリコン層１２２内を物理的に垂直方向に、エッチングが進行する。次に、抑制ガスに含まれるＣＦ＋が偏向を受けることなくシリコン層１２２のドライエッチング穴の壁面に付着し、表面に均一なフロロカーボンからなる重合膜が形成される。このようなエッチングが繰り返し行われることによって、やがてエッチングは、二酸化珪素層１２１の表面に到達し、エッチングの深さ方向への進入は二酸化珪素層１２１の表面でストップする。
【００６０】
次に、図５に示すように、シリコン層１２３の表面（図５における上面）に、第二のレジストマスク１２６を形成する。そして、シリコン層１２２をエッチングした時と同じエッチング条件にてシリコン層１２３をエッチングすることによって壁部１１８、補強部１１９を形成する。このエッチングの深さ方向への進行も、二酸化珪素層１２１の表面でストップする。
【００６１】
次に、図６に示すように、二酸化珪素層１２１をシリコン層１２２表面（図６における下面）からエッチングする。このドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、例えばＣＨＦ３とＡｒの混合ガスを用いる。ＣＨＦ３とＡｒの混合ガスは、プラズマ励起されたＡｒガスが直進性の高いエッチングガスとなる。Ａｒイオンのようなスパッタを行う成分を多く使用することによって、エッチングが貫通孔１１６の内部に直進し、二酸化珪素層１２１のみをエッチングできる。
【００６２】
なお、この際に用いるエッチングガスとしては、他にもＣＦ４、Ｈｅ、ＳＦ６などを用いてもよい。
【００６３】
このあと、第一のレジストマスク１２４及び第二のレジストマスク１２６を洗浄して剥離し、バイオチップ１１２を、熱酸化あるいは、熱窒化することでバイオチップ１１２表面全体を親水膜（図示せず）によって被覆する。
【００６４】
（実施の形態２）
以下、本実施の形態２におけるバイオチップを用いたバイオデバイスとして、フィルターチップを用いたフィルターデバイスを例に挙げ、図面を参照しながら説明する。
【００６５】
図７は、本実施の形態２におけるバイオデバイスの斜視図である。図８は、本実施の形態２におけるバイオデバイスの断面図である。図９は、本実施の形態２におけるバイオチップの上面図である。バイオデバイス２１０は、孔２２０を有する実装基材２１１と、孔２２０の内部に設けられたバイオチップ２１２とを有している。孔２２０内に流れる溶液がバイオチップ２１２に接する。
【００６６】
バイオチップ２１２は、板状のダイアフラム部２１３を有する。ダイアフラム部２１３には第一の表面２１４と、第一の表面２１４に対向する第二の表面２１５とを、貫通する貫通孔２１６が設けられている。ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４の外周には、ダイアフラム部２１３を保持するための環状の壁部２１８が形成されている。そして、第一の表面２１４と貫通孔２１６の開口部の上方とを被覆するように、繊維状物質２１７が配置されている。繊維状物質２１７が被覆されていない部分に補強部２１９が設けられている。補強部２１９はダイアフラム部２１３と連結している。
【００６７】
例えば、図８に示すように、ダイアフラム部２１３には複数の貫通孔２１６が形成されている。図９に示すように、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４の上において、第一の補強部２１９ａと第二の補強部２１９ｂが形成されていない箇所には、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４から直接接合した繊維状物質２１７が設けられている。
【００６８】
繊維状物質２１７は、例えばアモルファスのシリコン酸化物よりなる複数の繊維状物質２１７が絡み合って形成されている。
【００６９】
例えば、溶液をバイオチップ２１２の上方より注入する。溶液中に含まれる材料のうち、その最大直径が繊維状物質２１７の空隙よりも大きいものが濾物として繊維状物質２１７により捕捉される。繊維状物質２１７の空隙よりも小さいものが濾液として繊維状物質２１７を通過する。これにより、溶液中の濾物とそれ以外を分離できる。ただし、繊維状物質２１７の空隙よりも大きいものであっても、その材料が容易に変形できるものであれば、濾液として抽出できる場合がある。貫通孔２１６を通過する際にその変形性を利用することにより、材料が貫通孔２１６よりも大きい場合でも貫通孔２１６を通過することが可能となる場合がある。なお、溶液に含まれる濾物の径が貫通孔２１６の径よりも小さい場合は、溶液をバイオチップ２１２の下方、つまり貫通孔２１６より注入し濾過を行ってもよい。
【００７０】
バイオチップ２１２を作製するための基材としては実施の形態１と同様、シリコン層がシリコン（１００）からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることが好ましい。バイオチップ２１２を作製するための基材として、シリコン（１００）以外にも、シリコン（１１０）基板、シリコン（１１１）基板またはその他の面方位を有したシリコン基板を用いてもよい。また、アモルファスシリコン基板を用いることで、濾過時に最も力を受けるダイアフラム部２１３が面方位に沿って割れやすくなるのを抑えられるため、面方位を持たないシリコン基板を用いてもよい。
【００７１】
ダイアフラム部２１３の厚みを大きくすれば、濾過時の力を受けやすいダイアフラム部２１３は割れにくくなるが、微細な貫通孔２１６を設ける場合、ボッシュプロセス等のエッチングによりアスペクト比の大きい貫通孔を形成することは困難である。そのため、ダイアフラム部２１３の厚みは５μｍ以上、１００μｍ以下程度が望ましい。
【００７２】
ダイアフラム部２１３の面積を大きくすることにより、繊維状物質２１７の面積も同様に増加するため、濾過効率が上がる。しかし、面積を大きくすると、ダイアフラム部２１３の変位量が増加するため強度が低下する。そのため、ダイアフラム部２１３の面積は１２００μｍ２以下が望ましい。
【００７３】
貫通孔２１６は、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４から第二の表面２１５の少なくとも一箇所を貫通するように形成されていれば良い。貫通孔２１６を形成する際のレジストマスクのマスクホールの個数を変更することで、貫通孔２１６の数を変更できる。
【００７４】
貫通孔２１６の数が増加すると、濾液が通りやすくなるため、バイオチップ２１２の面積や濾過圧力を増やすことなく、短時間で同量の溶液を濾過することができ、フィルターの作業効率が向上するため好ましい。ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４における複数の貫通孔２１６の配置は実施の形態１と同様、ハニカム状にすることが好ましい。これによりダイアフラム部２１３の強度を低下させることなく単位面積に対してより多くの貫通孔２１６を形成することが可能となる。
【００７５】
なお、貫通孔２１６の直径は、溶液の流路抵抗の発生を抑制するのに適した直径に調整して形成できる。例えば、溶液として血液あるいは赤血球を含む生体由来溶液を用い、濾過した後の物質として赤血球を抽出する場合、貫通孔２１６の大きさは直径３μｍ以上が好ましい。
【００７６】
図１０は、本実施の形態２におけるバイオチップ２１２の繊維状物質２１７のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を示す図である。繊維状物質２１７は、例えば酸化珪素を主成分としたシリコン酸化物で形成されており、好ましくはアモルファス状態の二酸化珪素で形成されている。繊維状物質２１７の繊維の太さは０．０１μｍ以上、２．０μｍ以下程度である。繊維状物質２１７は、ダイアフラム部２１３に直接接合し、互いに絡み合うように密集して形成されており、種々の方向へ枝分かれしているものも混在している。ここで、直接接合とは、ダイアフラム部２１３上に繊維状物質２１７が直接形成され、ダイアフラム部２１３と繊維状物質２１７を構成する原子または分子が直接結合している状態を指し、通常は分子間が強固に結合する共有結合をしている状態を指す。
【００７７】
ダイアフラム部２１３上に直接結合した繊維状物質２１７の繊維が互いに絡み合い、複数に枝分かれしていることで、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４に対し強固に構成される。さらに、繊維状物質２１７の繊維が各々湾曲して絡み合うことにより、第一の表面２１４の貫通孔２１６の開口部の上方を含め、様々な方向から隙間なく形成されている。なお、繊維状物質２１７の繊維の太さは一定ではなく、様々な太さの繊維が含まれていても良い。
【００７８】
繊維状物質２１７の繊維と繊維の隙間はその最短距離が濾物の大きさよりも小さいものでなければならない。例えば、溶液として血液を用い、濾物として白血球を、濾過した後の物質として赤血球を抽出する場合、繊維状物質２１７の繊維と繊維の空隙は１μｍ以上、６μｍ以下が望ましい。繊維状物質２１７の空隙を１μｍ以上、６μｍ以下にすることにより、赤血球のみを通過させることができる。
【００７９】
繊維状物質２１７としては、単結晶の二酸化珪素よりもアモルファスの二酸化珪素を用いた方が折れにくいため望ましい。
【００８０】
なお、図８において、繊維状物質２１７は、貫通孔２１６の開口部を覆い第一の表面２１４の上を被覆するように形成されている。しかし、図１１に示すように、繊維状物質２１７は、貫通孔２１６の開口部を覆い第二の表面２１５の上を被覆するように形成されていてもよい。すなわち、繊維状物質２１７は、第一の表面２１４あるいは第二の表面２１５の少なくともいずれか一方に備えられていればよい。図１１に示すように繊維状物質２１７を形成した場合は、補強部２１９と繊維状物質２１７とが別れて形成されているため、繊維状物質２１７をダイアフラム部２１３の第二の表面２１５の全体に形成することができる。そのため、捕捉領域が広まり捕捉能が向上する。
【００８１】
次に、バイオチップ２１２の製造方法について説明する。ここでは、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４に繊維状物質２１７を形成したバイオチップ２１２の製造方法について説明する。
【００８２】
図１２は、本実施の形態２におけるバイオチップ２１２の製造工程を示す断面図である。まず、バイオチップ２１２を作製するための基材として、シリコン層２２２−二酸化珪素層２２１−シリコン層２２３の３層構造のＳＯＩ基板を準備する。ここで、シリコン層２２２は、シリコン（１００）からなる。
【００８３】
そして、シリコン層２２２の表面（図１２における下面）に第一のレジストマスク２２４を形成する。所望する複数個の貫通孔の横断面と略同形状の複数個のマスクホール２２５が、第一のレジストマスク２２４にパターニングされている。
【００８４】
次に、図１３に示すように、シリコン層２２２をマスクホール２２５側からエッチングして貫通孔２１６を形成する。エッチングは実施の形態１と同様に行うことで、二酸化珪素層２２１の表面に到達する。そして、エッチングの深さ方向への進入は二酸化珪素層２２１の表面でストップする。
【００８５】
次に、図１４に示すように、シリコン層２２３の表面（図１４における上面）に、第二のレジストマスク２２６を形成する。そして、シリコン層２２２をエッチングした時と同じエッチング条件にてシリコン層２２３をエッチングすることによって、壁部２１８および補強部２１９を形成する。このエッチングの深さ方向への進行も、二酸化珪素層２２１の表面でストップする。
【００８６】
次に、図１５に示すように、二酸化珪素層２２１をシリコン層２２３の表面（図１５における上面）からエッチングする。このドライエッチングに用いるエッチングガスとしては、例えばＣＨＦ３とＡｒの混合ガスが用いられる。ＣＨＦ３とＡｒの混合ガスは、プラズマ励起されたＡｒガスが直進性の高いエッチングガスとなる。Ａｒイオンのようなスパッタを行う成分を多く使用することによって、壁部２１８の内部より直進して進入し、絶縁体である二酸化珪素層２２１のみをエッチングすることができる。
【００８７】
なお、エッチングガスとしては、この他にもＣＦ４、Ｈｅ、ＳＦ６などを用いることもできる。
【００８８】
次に、触媒層２２７を形成させた部分から繊維状物質２１７を形成させる方法について説明する。
【００８９】
図１６に示すように、貫通孔２１６の上方（図１６における上面）より第一の表面２１４上に触媒層２２７を形成する。このとき、第二のレジストマスク２２６が形成されている領域には、第二のレジストマスク２２６の上面に触媒層２２７が形成される。触媒層２２７の厚みは一般的に１００ｎｍ以下である。
【００９０】
触媒層２２７とは、例えばＰｔの他に、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＡｕ等の金属を用いることができ、特に金属の種類は限定されない。
【００９１】
なお、触媒層２２７を形成する方法としては、ＣＶＤ法、スパッタリング法、ＣＳＤ法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＶＳＤ（Ｖａｐｏｒｉｚｅｄ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＶＬＳ（Ｖａｐｏｒ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｓｏｌｉｄ）法等が用いられる。また、触媒層２２７が有機物等の他の材料に分散された状態で存在していてもよい。
【００９２】
ＶＳＤ法やＶＬＳ法を用いた場合、繊維状物質２１７が形成された状態において、触媒材料は主に繊維状物質２１７の先端や繊維状物質２１７と直接接合する基材の表面に存在する。これらをＴＥＭなどの電子顕微鏡で観察することにより、触媒材料の判断が可能である。
【００９３】
次に、第二のレジストマスク２２６を洗浄して剥離する。このとき、第二のレジストマスク２２６の上面に形成された触媒層２２７は、同時に除去される。これにより、図１７に示すように、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４のみに選択的に触媒層２２７が形成される。なお、このとき先に形成された第一のレジストマスク２２４も同時に洗浄されて剥離される。
【００９４】
次に、図１８に示すようにＶＳＤ法を用いて繊維状物質２１７を形成する。このとき、繊維状物質２１７は触媒層２２７が形成されている場所に選択的に所望の位置に形成される。第一のレジストマスク２２４、第二のレジストマスク２２６およびその他のレジストマスクを形成する位置によって、触媒層２２７を形成する位置を任意に変更できる。例えば、貫通孔２１６のみ、ダイアフラム部２１３の第一の表面２１４のみ、ダイアフラム部２１３の第二の表面２１５のみ、ダイアフラム部２１３の両面のみなど、触媒をつけたところのみに繊維状物質２１７を形成できる。すなわち、任意の位置に繊維状物質２１７を形成できる。
【００９５】
繊維状物質２１７の厚みは、一般的に１μｍ以上、５００μｍ以下である。繊維状物質２１７の厚みは、条件によって制御が可能である。
【００９６】
ＶＳＤ法により、二酸化珪素からなる繊維状物質２１７を形成する場合は、第一の原料が酸素、オゾン等の酸化性のガスであり、第二の原料がシリコンを主成分とする材料である。
【００９７】
バイオチップを、１０００℃以上、１５００℃以下の高温かつ低酸素濃度で熱処理することにより、シリコン層２２２および／またはシリコン層２２３から一酸化珪素が蒸発し、バイオチップの表面に再付着して凝集し、二酸化珪素が成長する。このとき、一酸化珪素はシリコン層のシリコン表面に一体に広がるが、触媒層が形成されている場所に選択的に再付着し、酸素と結合することによって、二酸化珪素を主成分とした繊維状物質２１７が成長する。
【００９８】
ここで、低酸素濃度とは、熱処理時の酸素分圧が低いことを示しており、雰囲気の圧力を大気圧より低くした減圧状態にしてもよく、また酸素が他のガスによって置換されていてもよい。他のガスとは、例えば窒素、アルゴン、一酸化炭素等であり、酸素やオゾンとは異なり、酸化性の低いガスである。なお、酸素分圧が低すぎると、一酸化珪素が生じなくなるため、酸素分圧は１０−２Ｐａから数千Ｐａの範囲であることが望ましい。
【００９９】
このあと必要であれば、バイオチップ２１２を、熱酸化あるいは、熱窒化することでバイオチップ２１２表面全体を親水膜（図示せず）にて被覆してもよい。
【０１００】
以上の工程により、任意の位置に繊維状物質２１７が形成される。
【０１０１】
バイオチップ２１２の上面視の形状は、正方形状、平行四辺形状、長方形状、円形状、楕円形状など、任意の形状が用いられる。例えば、バイオチップ２１２の上面視の形状を円形状にすることにより、一般的なガラス管やチューブを実装基材２１１として、用いることができる。また、シリコンウエハからバイオチップ２１２を生産する場合は、正方形形状および長方形形状にすることにより、多数のバイオチップ２１２をシリコンウエハ上に密に配列でき、生産個数を多くできるので好ましい。
【０１０２】
（実施の形態３）
以下、バイオチップを用いたバイオデバイスとして、フィルターチップを用いたフィルターデバイスを例に挙げ、図面を参照しながら説明する。
【０１０３】
図１９は、本実施の形態３のバイオチップ３１２の要部拡大断面図である。本実施の形態において、実施の形態１および実施の形態２との相違点は、図１９に示すように、ダイアフラム部３１３の第二の表面３１５側に、ダイアフラム部３１３を保持するための壁部３１８、補強部３１９が設けられている点である。
【０１０４】
ダイアフラム部３１３の第一の表面３１４の上面には補強部が形成されておらず、繊維状物質３１７のみが形成されている。そして、ダイアフラム部３１３の第二の表面３１５の下面に、補強部３１９が形成されている。そのため、バイオチップ３１２の第一の表面３１４側において繊維状物質３１７と補強部とが混在しない。
【０１０５】
ダイアフラム部３１３を第二の表面３１５の側からエッチングすることで第二の表面３１５の下面に直接接合する壁部３１８を形成し、第二の表面３１５と壁部３１８とに連結するように補強部３１９が形成されている。
【０１０６】
このとき壁部３１８をダイアフラム部３１３の第一の表面３１４にも形成することにより、ダイアフラム部３１３がより強固となるため望ましい。
【０１０７】
このように補強部３１９を第一の表面３１４に連結させず、第二の表面３１５にのみ連結することで、第一の表面３１４の上に補強部が形成されていないので、ダイアフラム部３１３の第一の表面３１４の全面に繊維状物質３１７を形成できる。そのため、濾物と繊維状物質３１７との接触面積が広がり、より効率的に濾過できる。つまり、補強部３１９の影響を受けずに、溶液中に含まれる材料を繊維状物質３１７で濾過できる。
【０１０８】
さらに、ダイアフラム部３１３の第二の表面３１５側に補強部３１９が設けられているので、濾過時の負荷によるダイアフラム部３１３の変位を抑制できる。その結果、ダイアフラム部３１３の強度を保つことができる。
【０１０９】
また、例えばＶＳＤ法を用いて繊維状物質３１７を形成させる場合、ダイアフラム部３１３の第一の表面３１４の上に供給する酸素ガスを、第一の表面３１４に均一に供給することが容易となる。その結果、品質が向上する。
【０１１０】
繊維状物質３１７は、図２０に示すように、貫通孔３１６の内部に設けてもよい。また、繊維状物質３１７は、必ずしも第一の表面３１４または第二の表面３１５と接する必要はなく、図２１に示すように、濾過成分を含んだ溶液が通過する流路部（貫通孔３１６内部）に設けてもよい。
【０１１１】
本実施の形態の製造方法では、ダイアフラム部３１３の第二の表面３１５に形成するレジストマスク（図示せず）を変更するだけで、実施の形態１および実施の形態２と同様の製造方法でバイオチップを作製できる。
【０１１２】
なお、ダイアフラム部３１３の強度を向上させるために、図２２、図２３、図２４に示すように、第一の表面３１４および第二の表面３１５の両方に補強部３１９を形成してもよい。
【０１１３】
更に、第一の表面３１４および第二の表面３１５に形成される補強部３１９は上下非対称の本数、形状でもよい。濾過時に負荷される圧力がダイアフラム部３１３の面内において均等に分散するように、補強部３１９を配置することが好ましい。
【０１１４】
補強部３１９の表面は、実施の形態１および実施の形態２と同様、波状あるいは鋸歯状で、表面が酸化被膜などの親水膜で被覆されていることが好ましい。
【０１１５】
第一の表面３１４と接する壁部３１８および第二の表面３１５と接する壁部３１８は上下非対称の厚みでもよい。
【０１１６】
本実施の形態のバイオデバイスをフィルターデバイスとして用いた場合、分離フィルター、除菌フィルター、粒子フィルターといった各種フィルターデバイスに有用である。
【０１１７】
以上のように、本実施の形態のバイオチップでは、ダイアフラム部を強固に支えるための補強部を設けることにより、細胞を密着するために吸引した際や、濾過時に生じるダイアフラム部への圧力（力）を分散させ、同時にダイアフラム部の変位を軽減できる。そのため、応力集中の低減によるダイアフラム部の強度を向上でき、構造上強度の弱いダイアフラム部の破損を防止できる。
【０１１８】
さらに、本実施の形態のバイオチップを細胞電気生理センサチップとして用いた場合、補強部は貫通孔に直接接することなく設けることができる。そのため貫通孔上への細胞の保持率を低減させることなく、ダイアフラム部の強度を向上できる。
【０１１９】
また、本実施の形態のバイオチップをフィルターチップとして用いた場合、補強部は貫通孔あるいは繊維状物質に直接接することなく設けることができる。そのため貫通孔あるいは繊維状物質の濾過効率を低減させることなく、ダイアフラム部の強度を向上できる。これにより、流入される濾液と濾物の量に対してフィルターのサイズ（面積）を変更すること、あるいは濾過時間の短縮のための圧力増加が容易となる。更に、残渣による繊維状物質の性能を損なうことなく、高精度に濾過フィルターとしての機能を付加できる。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
以上のように、本実施の形態のバイオチップおよびこれを用いたバイオデバイスは、ダイアフラム部の破損や変位を抑制し、強度を向上できる。そのため、医療・バイオ分野において有用である。
【符号の説明】
【０１２１】
１１０，２１０  バイオデバイス
１１１，２１１  実装基材
１１２，２１２，３１２  バイオチップ
１１３，２１３，３１３  ダイアフラム部
１１４，２１４，３１４  第一の表面
１１５，２１５，３１５  第二の表面
１１６，１１６ａ，１１６ｂ，２１６，３１６  貫通孔（第１の貫通孔）
１１８，２１８，３１８  壁部
１１９，２１９，３１９  補強部
１１９ａ，２１９ａ  第一の補強部
１１９ｂ，２１９ｂ  第二の補強部
１２０，２２０  孔（第２の貫通孔）
１２１，２２１  二酸化珪素層
１２２，２２２  シリコン層
１２３，２２３  シリコン層
１２４，２２４  第一のレジストマスク
１２５，２２５  マスクホール
１２６，２２６  第二のレジストマスク
２１７，３１７  繊維状物質
２２７  触媒層
【図１】
2013140748.tif 000003
【図２】
2013140748.tif 000004
【図３】
2013140748.tif 000005
【図４】
2013140748.tif 000006
【図５】
2013140748.tif 000007
【図６】
2013140748.tif 000008
【図７】
2013140748.tif 000009
【図８】
2013140748.tif 000010
【図９】
2013140748.tif 000011
【図１０】
2013140748.tif 000012
【図１１】
2013140748.tif 000013
【図１２】
2013140748.tif 000014
【図１３】
2013140748.tif 000015
【図１４】
2013140748.tif 000016
【図１５】
2013140748.tif 000017
【図１６】
2013140748.tif 000018
【図１７】
2013140748.tif 000019
【図１８】
2013140748.tif 000020
【図１９】
2013140748.tif 000021
【図２０】
2013140748.tif 000022
【図２１】
2013140748.tif 000023
【図２２】
2013140748.tif 000024
【図２３】
2013140748.tif 000025
【図２４】
2013140748.tif 000026
【図２５】
2013140748.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
バイオチップ１１２を作製するための基材として、シリコン層がシリコン（１００）からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用い、後述する方法により製造することが好ましい。ＳＯＩ基板は、シリコン層１２２−二酸化珪素層１２１−シリコン層１２３の３層構造からなる。このＳＯＩ基板をフォトリソグラフィーおよびエッチング技術を用いて微細加工することによって、多数個のバイオチップ１１２を一括して作製できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
エッチングストップ層として機能する二酸化珪素層１２１は、熱酸化により形成した二酸化珪素層が一般的である。しかし、二酸化珪素層１２１は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法やＣＳＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの他の方法により形成した二酸化珪素層でもよい。また、二酸化珪素層１２１は、リンをドープしたＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｇｌａｓｓ）層、あるいはリンとボロンをドープしたＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｇｌａｓｓ）層などのドープトオキサイド層でもよい。さらに、上記のような二酸化珪素を主成分とする層に限らず、二酸化珪素層１２１の代わりに、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどのシリコンとのエッチングレート差が大きい、無機酸化物もしくは無機窒化物の層を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
バイオチップ２１２を作製するための基材としては実施の形態１と同様、シリコン層がシリコン（１００）からなるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることが好ましい。バイオチップ２１２を作製するための基材として、シリコン（１００）以外にも、シリコン（１１０）基板、シリコン（１１１）基板またはその他の面方位を有したシリコン基板を用いてもよい。また、アモルファスシリコン基板を用いることで、濾過時に最も力を受けるダイアフラム部２１３が面方位に沿って割れやすくなるのを抑えられるため、面方位を持たないシリコン基板を用いてもよい。
【国際調査報告】
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