(57)【要約】  導電層が形成されているにも拘わらず高い開口率を有する表示パネル及び表示装置を提供するために、上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、を有し、平面視において、前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、前記共通電極と電気的に接続された導電層が、前記給電端子の列と重なるようライン状に形成されている構成とする。
2013094142.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が行列方向に並べて配置された表示パネルであって、
上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、
少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、
画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、
前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、
を有し、
平面視において、
前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、
同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、
前記共通電極と電気的に接続された導電層が、前記給電端子の列と重なるようライン状に形成されている、
表示パネル。
【請求項２】
前記絶縁層には、前記給電端子の列と重なるようライン状に溝部が形成されており、
前記溝部が存在することによって前記各給電端子が露出しており、
前記導電層は、少なくともその下端部が前記溝部内に収まっている、
請求項１記載の表示パネル。
【請求項３】
平面視において、前記複数の画素のうちの少なくとも隣り合う２列に属する画素については、行方向に隣り合う画素の給電端子同士が対向するように配置されている、
請求項１あるいは請求項２のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項４】
前記導電層は、前記共通電極の上方に形成されている、
請求項１、ないし請求項３のいずれかに記載の表示パネル。
【請求項５】
前記導電層を構成する導電材料の体積抵抗率を前記導電層の厚みで除した値が、
前記共通電極を構成する導電材料の体積抵抗率を前記共通電極の厚みで除した値より小さい、
請求項１、ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記導電層は、塗布法で形成された層である、
請求項１、ないし請求項５いずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記導電層は、同じ列に属する画素のすべての給電端子と重なるように連続して形成されている、
請求項１、ないし請求項６のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記導電層の上端部は、前記共通電極の最上面よりも上方に突出している、
請求項１、ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記導電層の上面は、前記共通電極の最上面と面一である、
請求項１、ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示パネル。
【請求項１０】
複数の画素が行列方向に並べて配置された表示パネルであって、
上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、
少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、
画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、
前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、
を有し、
平面視において、
前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、
同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、
前記共通電極の上面の形成された高さは、前記給電端子の列と重なる部分の高さが前記発光層に対応する部分の高さよりも高い、
表示パネル。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の表示パネルを備える表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネル、およびその表示パネルを備えた表示装置に関し、特にＥＬ表示パネルの開口率を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬ表示パネルの一例として、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬ表示パネルがある。トップエミッション型の有機ＥＬ表示パネルの場合、画素電極、有機発光層および共通電極等で構成される複数の画素が、例えば行列方向に並べて配置された構造を有する。このような有機ＥＬ表示パネルでは、パネルの大画面化に伴う共通電極での電圧降下を防止するために、画素と重ならない領域に、共通電極と電気的に接続された導電層（所謂バスバー）を形成することが行われている。例えば、図１２に示すように、行方向（Ｘ軸方向）に並べて配置された複数の画素９０１からなる行と行の隙間に、行方向に沿ってライン状に導電層９０２を形成することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、表示パネルの開口率の向上が求められている。開口率は、表示パネルの表示面全体に対する発光領域の占める割合で求められるが、各画素９０１における発光層９０３の形成された領域がその発光領域に相当する。一方、各画素９０１におけるコンタクトウインドウ９０４が形成された領域や、画素９０１の外側の導電層９０２が形成されている領域は、発光しない非発光領域であるが、これら非発光領域の面積が大きくなると、発光領域との相対的な関係により開口率は低下する。すなわち、導電層９０２を形成することが開口率の向上の妨げとなっている。【０００５】
本発明は、導電層が形成されているにも拘わらず高い開口率を有する表示パネル及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る表示パネルは、複数の画素が行列方向に並べて配置された表示パネルであって、上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、を有し、平面視において、前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、前記共通電極と電気的に接続された導電層が、前記給電端子の列と重なるようライン状に形成されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様に係る表示パネルおよび表示装置は、同じ列に属する画素の給電端子が一列に並べて配置されており、かつ、共通電極と電気的に接続された導電層が、前記給電端子の列と重なるようライン状に形成されているため、従来の構成では開口率の向上の妨げとなっていた導電層が、開口率の向上の妨げとならず、そのため高い開口率を実現可能である。すなわち、給電端子が形成されている領域は元から非発光領域であるため、その非発光領域と重なるように導電層を配置すれば、導電層による非発光領域の拡大を抑制することができ、相対的に発光領域を大きくすることができる。したがって、高い開口率を実現可能である。開口率が向上すれば、画素の大きさを同じとする場合、同じ面積により多くの画素を配置することができるため、表示パネルをより高精彩にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る表示パネルの平面図である。
【図３】第１実施形態に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は図２におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】第１実施形態に係る導電層の形成方法を説明するための斜視図である。
【図５】第１実施形態に係る導電層により画素が保護されることを説明するための断面図であって、（ａ）は導電層が形成されている場合を示す図、（ｂ）は導電層が形成されていない場合を示す図である。
【図６】第１実施形態の変形例１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図７】第１実施形態の変形例２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】第１実施形態の変形例３に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】第１実施形態の変形例４に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る表示パネルの平面図である。
【図１１】第２実施形態に係る表示パネルの図８におけるＤ−Ｄ線断面図である。
【図１２】従来の表示パネルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一態様に係る表示パネルおよび表示装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る表示パネルは、複数の画素が行列方向に並べて配置された表示パネルであって、上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、を有し、平面視において、前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、前記共通電極と電気的に接続された導電層が、前記給電端子の列と重なるようライン状に形成されている。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記絶縁層には、前記給電端子の列と重なるようライン状に溝部が形成されており、前記溝部が存在することによって前記各給電端子が露出しており、前記導電層は、少なくともその下端部が前記溝部内に収まっている。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、平面視において、前記複数の画素のうちの少なくとも隣り合う２列に属する画素については、行方向に隣り合う画素の給電端子同士が対向するように配置されている。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層は、前記共通電極の上方に形成されている。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層を構成する導電材料の体積抵抗率を前記導電層の厚みで除した値が、前記共通電極を構成する導電材料の体積抵抗率を前記共通電極の厚みで除した値より小さい。なお、本発明では、導電層の配線としての抵抗が共通電極の配線としての抵抗よりも小さくなれば良いので、前記導電層を構成する導電材料の体積抵抗率が前記共通電極を構成する導電材料の体積抵抗率よりも大きくても良い。共通電極の導電材料よりも体積抵抗率が大きい導電材料を導電層に使用しても、前記導電層の膜厚が厚ければ、配線としての抵抗は下がるので本発明の作用効果を発揮できる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層は、塗布法で形成された層である。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層は、同じ列に属する画素のすべての給電端子と重なるように連続して形成されている。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層の上端部は、前記共通電極の最上面よりも上方に突出している。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの別の特定の局面では、前記導電層の上面は、前記共通電極の最上面と面一である。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る別の表示パネルは、複数の画素が行列方向に並べて配置された表示パネルであって、上面に画素毎に給電端子が形成された基板と、少なくとも前記各給電端子が露出する状態で前記基板上に形成された絶縁層と、画素毎に、前記各給電端子上および前記絶縁層上に連続して形成された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の上方に形成され、複数の画素間で共有される共通電極と、前記複数の画素電極と前記共通電極との間に画素毎に形成された複数の発光層と、を有し、平面視において、前記各画素では、前記発光層と前記給電端子とが異なる領域に配置されており、かつ、同じ列に属する画素の給電端子は一列に並べて配置されており、かつ、前記共通電極の上面の形成された高さは、前記給電端子の列と重なる部分の高さが前記発光層に対応する部分の高さよりも高い。
【００２０】
本発明の一態様に係る表示装置は、上記いずれかの表示パネルを備える。
【００２１】
［実施の形態］
以下、本発明に係る表示パネルおよび表示装置についての実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、各図面における部材の縮尺は実際のものとは異なる。
【００２２】
［表示装置］
図１は、実施の形態に係る表示装置の全体構成を示す図である。本実施の形態に係る表示装置１は、例えば、ディスプレイ、テレビ、携帯電話等に用いられる表示装置であって、有機材料の電界発光現象を利用した有機発光素子で構成される画素が複数設けられた表示パネル１０と、表示パネル１０に接続され有機発光素子を駆動制御する駆動制御部２０とを備え、駆動制御部２０は、例えば４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とで構成される。
【００２３】
なお、本実施の形態の表示パネル１０は有機ＥＬ表示パネルであるが、無機材料の電界発光現象を利用した無機発光素子を用いた無機ＥＬ表示パネルであっても良い。
【００２４】
［表示パネル］
＜第１実施形態＞
以下、第１実施形態に係る表示パネルについて説明する。
【００２５】
（概略構成）
図２は、第１実施形態に係る表示パネルの平面図である。図２に示すように、表示パネル１０は、平面視において、行方向（Ｘ軸方向）および列方向（Ｙ軸方向）に行列状（マトリクス状）に並べて配置された複数の画素１１を有し、各画素１１は、赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の何れかの発光色を有する。
【００２６】
図３は、第１実施形態に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図であり、（ｃ）は図２におけるＣ−Ｃ線断面図である。図３に示すように、表示パネル１０は、基板１０１、絶縁層１０２、画素電極１０３、発光層１０４、バンク１０５、共通電極１０６および導電層１０７を有する。
【００２７】
（基板）
基板１０１は、例えば、絶縁材料からなる板材上に、表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するための複数のＴＦＴ素子が形成されたＴＦＴ基板である。基板１０１の上面には、ＴＦＴ素子と画素電極１０３とを電気的に接続するための給電端子１０１ａが画素１１毎に形成されている。すなわち、給電端子１０１ａは、画素１１と同様に、基板１０１の上面に行列方向に並べて配置されており、同じ列に属する画素１１の給電端子１０１ａは一列に並べて配置されている。
【００２８】
基板１０１の板材を構成する絶縁材料としては、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等が挙げられる。
【００２９】
また、基板１０１のＴＦＴ素子を構成する材料としては、チャネル材料にシリコンを用いたもの、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの酸化物半導体を用いたもの、ペンタセン等の有機半導体を用いたもの等が挙げられる。
【００３０】
（絶縁層）
絶縁層１０２は、基板１０１の上面のＴＦＴ素子の絶縁性を確保しつつ、ＴＦＴ素子等による凹凸を埋めるためのものであり、例えば、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなる。絶縁層１０２には、基板１０１の給電端子１０１ａの列と重なるよう行方向に沿ってライン状に複数の溝部１０２ａが形成されており、それら溝部１０２ａが存在することによって、各給電端子１０１ａは、絶縁層１０２に覆われることなく露出している。溝部１０２ａ内において、各給電端子１０１ａは各画素電極１０３と接触し、電気的に接続されている。すなわち、溝部１０２ａは、給電端子１０１ａと対応する領域において、コンタクトウインドウとして機能している。なお、給電端子１０１ａはその全体が完全に露出している必要はなく、画素電極１０３との電気的な接続が可能な程度に露出していれば良い。
【００３１】
溝部１０２ａは、同じ列に属する画素のすべての給電端子１０１ａを露出させるように、表示パネル１０の列方向の略全体に亘って略端から端まで連続して形成されている。なお、溝部１０２ａは、必ずしも連続している必要はなく、途中に途切れている箇所が１または複数箇所存在していても良い。また、溝部１０２ａは、必ずしも表示パネル１０の列方向の略全体に亘って形成されている必要はなく、表示パネル１０の端にまで到達していなくても良い。また、溝部１０２ａ深さは、必ずしも一定である必要はない。
【００３２】
（画素電極）
画素電極１０３は、各発光層１０４に対して電界を印加するためのものであり、導電材料によって画素１１毎に形成されている。具体的には、画素１１の平面視形状に合わせて、給電端子１０１ａ上および絶縁層１０２上に連続するように、行方向に長い矩形状に形成されている。画素電極１０３は、給電端子１０１ａ上に形成された部分において給電端子１０１ａと電気的に接続されている。
【００３３】
画素電極１０３を構成する導電材料としては、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属単体や、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等の合金が挙げられる。
【００３４】
（発光層）
発光層１０４は、キャリア（ホールと電子）の再結合によって所望の光色の発光を行う部位であり、各画素電極１０３と共通電極１０６との間であって、平面視において各給電端子１０１ａとは異なる領域に、画素毎に形成されている。具体的には、画素電極１０３における絶縁層１０２上の部分の上に形成されている。
【００３５】
発光層１０４として用いることが可能な材料としては、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、ポリフルオレンや、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等が挙げられる。
【００３６】
（バンク）
バンク１０５は、平面視形状が井桁状であって、発光層１０４を囲むようにして形成されており、発光層１０４に対応する部分には開口部１０５ａを有する。発光層１０４はこの開口部１０５ａ内に形成されている。バンク１０５には、絶縁層１０２の溝部１０２ａに対応する領域に溝部１０５ｂが形成されており、平面視においてバンク１０５の溝部１０５ｂと絶縁層１０２の溝部１０２ａとは略重なっている。また、バンク１０５の溝部１０５ｂは、絶縁層１０２の溝部１０２ａ内に嵌り込んでいる。
【００３７】
バンク１０５として利用可能な材料としては、絶縁性の有機材料（例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）や無機材料（例えば、ＳｉＯ２やＳｉＯＮ等）が挙げられる。
【００３８】
（共通電極）
共通電極１０６は、全ての画素電極１０３の上方を覆うように形成されたそれら画素電極１０３間で共有される電極であって、透光性の導電材料からなり、発光層１０４およびバンク１０５上に略均一な厚みで形成されている。厚みが均一であるため、共通電極１０６にもバンク１０５の溝部１０５ｂと対応する領域に溝部１０６ａが形成されている。
【００３９】
共通電極１０６として利用可能な導電材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ等が挙げられる。なお、本実施の形態に係る表示パネル１０はトップエミッション型であるため、共通電極１０６は透光性の導電材料が用いられている。
【００４０】
（導電層）
導電層１０７は、共通電極１０６での電圧降下を防止するためのものであって、導電材料で形成されており、共通電極１０６上に形成され、共通電極１０６と電気的に接続されている。導電層１０７を構成する導電材料の体積抵抗率を導電層１０７の厚みで除した値は、共通電極１０７を構成する導電材料の体積抵抗率を共通電極１０６の厚みで除した値より小さい。したがって、共通電極１０６の電圧降下が緩和される。
【００４１】
なお、本実施の形態では、導電層１０７の配線としての抵抗が共通電極１０６の配線としての抵抗よりも小さくなれば良いので、導電層１０７を構成する導電材料の体積抵抗率が共通電極１０６を構成する導電材料の体積抵抗率よりも大きくても良い。共通電極１０６の導電材料よりも体積抵抗率が大きい導電材料を導電層１０７に使用しても、導電層１０７の膜厚が厚ければ、配線としての抵抗は下がるので本実施の形態の作用効果を発揮できる。
【００４２】
導電層１０７を構成する導電材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ（銅）等の金属、または、ＡＰＣ、ＡＲＡ、ＭｏＣｒ、ＮｉＣｒ等の合金、または、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の金属酸化物等が挙げられる。
【００４３】
導電層１０７は、図２に示すように、平面視において、同じ列に属する画素のすべての給電端子１０１ａと重なるように、途中で途切れずに、表示パネル１０の列方向の略全体に亘って略端から端まで連続して、給電端子１０１ａの列と重なるようライン状に形成されている。
【００４４】
導電層１０７が、給電端子１０１ａの列と重なるようライン状に形成されているため、従来の構成では開口率の向上の妨げとなっていた導電層１０７が、開口率の向上の妨げとならず、そのため高い開口率を実現可能である。開口率が向上すれば、画素の大きさを同じとする場合、同じ面積により多くの画素を配置することができるため、表示パネルをより高精彩にすることができる。一方、画素の数を同じとする場合、画素の１つ１つを大きくすることができるため、各画素の輝度の向上が図れるため表示パネル１０の長寿命化が図れると共に、省電力化にも有利である。
【００４５】
なお、導電層１０７は、必ずしも連続している必要はなく、途切れている箇所が１または複数箇所存在していても良い。また、導電層１０７は、必ずしも表示パネル１０の列方向の略全体に亘って形成されている必要はなく、表示パネル１０の端にまで到達していなくても良い。さらに、導電層１０７の厚みは、必ずしも一定である必要はない。
【００４６】
一般的に、従来の表示パネルでは、画素電極を形成するパターニングの際に同時に導電層を形成していた。この場合、画素電極と導電層とは同じ厚みになってしまう。しかしながら、本実施の形態では、導電層１０７と画素電極１０３を別のタイミングで形成するため、画素電極１０３と導電層１０７を違う厚みにすることが可能である。
【００４７】
導電層１０７の厚みが画素電極１０３の厚みに影響されないため、導電層１０７の厚みを配線抵抗スペックが十分に引き出せる厚みにすることができる。特に、その下端部１０７ａが溝部１０２ａ内に収まるように導電層１０７を形成する場合は、その溝部１０２ａの深さの分だけ導電層１０７の厚みをより厚くすることができる。
【００４８】
さらに、導電層１０７と画素電極１０３を別のタイミングで形成するということは、導電層１０７を画素電極１０３とは異なる材料で形成することができるということであるため、画素電極１０３の材料に影響されず、配線抵抗スペックが十分に引き出せる高い体積抵抗率の材料で導電層１０７を形成することができる。一般に体積抵抗率が高い材料は低コストであるため、低コスト化できることとなり有利である。
【００４９】
本実施の形態に係る導電層１０７は、絶縁層１０２の溝部１０２ａに沿って形成されており、その下端部１０７ａは溝部１０２ａ内に収まっている。溝部１０２ａの深さは絶縁層１０２の厚みに略等しく、例えば絶縁層１０２の厚みが４μｍの場合、溝部１０２ａの深さは約４μｍであるため、導電層１０７の厚みも４μｍ程度になる。従来の導電層の厚みを例えば画素電極と同じ０．２μｍと考えれば、厚みの差は顕著である。厚みが顕著に厚ければ、導電層１０７の配線抵抗も顕著に小さく、配線抵抗スペックを十分に引き出すことができる。
【００５０】
近年、表示パネルがさらに大型化し、現行の導電層の厚みでは配線抵抗スペックが破綻して共通電極の電圧降下を補えなくなってきている。このような状況において、本実施の形態に係る構成は、導電層１０７の厚みを顕著に厚くすることができるため、非常に有効である。
【００５１】
また、画素電極１０３と導電層１０７とを違う厚みにすることが可能であるということは、画素電極１０３の厚みも導電層１０７の厚みに影響されないという事であり、それ故、導電層１０７の配線抵抗スペックを考慮せずに画素電極１０３を薄膜化することも可能である。画素電極１０３の薄膜化は反射率が低下しない厚みの範囲で行うことが好ましく、反射率が低下しない厚みは３０ｎｍ以上である。
【００５２】
なお、本実施の形態に係るバンク１０５はピクセルバンクであるが、ラインバンクの場合は、画素電極を薄膜化することによって、画素電極の上層の印刷プロセスにより形成される層が画素電極のエッジにより断切れするのを抑制できる。これにより、画素電極と共通電極との間のショートが緩和される。
【００５３】
図４は、第１実施形態に係る導電層の形成方法を説明するための斜視図である。図４において矢印で示すように、導電層１０７は、共通電極１０６の溝部１０６ａ内とその上部および周辺に、塗布法で形成される層である。具体的には、例えば、ディスペンスにより銀等のペーストを共通電極１０６の溝部１０６ａに沿って塗布して形成する。このような塗布法は、安価に実施することができ、また厚みの厚い導電層１０７を形成するのにも適している。特に溝部１０６ａが形成されていれば、厚みの厚い導電層１０７をより高い精度で形成することができる。なお、導電層１０７は、ダイコート、インクジェットプリント等で形成しても良い。また、フォトリソグラフィ法、レーザーによる転写、メタルマスクを用いる蒸着等の塗布法以外の方法で形成しても良い。
【００５４】
本実施の形態では、共通電極１０６上に導電層１０７が形成されるため、ペーストを塗布して導電層１０７を形成したとして、仮にペーストから例えば溶媒成分等が揮発したとしても、共通電極１０６の下側にペーストから揮発した溶媒が溜まることがない。また、共通電極１０６と導電層１０７とが接触により電気的に接続されているため、コンタクト抵抗のロスが低減されている。
【００５５】
図５は、第１実施形態に係る導電層により画素が保護されることを説明するための断面図であって、（ａ）は導電層が形成されている場合を示す図、（ｂ）は導電層が形成されていない場合を示す図である。
【００５６】
図５（ａ）に示すように、導電層１０７上に隙間１３０を空けてＣＦ（カラーフィルター）パネル１２０が重ねられ、導電層１０７の上端部１０７ｂとＣＦパネル１２０とが接触しない構成の場合において、ＣＦパネル１２０の上方から荷重が加わったときや、表示パネル１０が曲げられたときには、ＣＦパネル１２０が画素１１近づいて、具体的には共通電極１０６の上面に近づいて、画素１１が傷つくおそれがある。また、前記隙間１３０に樹脂が充填される構成の場合も、樹脂が充填される迄はＣＦパネル１２０が画素１１に近づくおそれがある。
【００５７】
ところが、本実施の形態に係る表示パネル１０では、導電層１０７の上端部１０７ｂが、共通電極１０６の最上面１０６ｂよりも上方に突出しているため、導電層１０７がスペーサーとしての役割を果たし、ＣＦパネル１２０は導電層１０７の上端部１０７ｂに当たって止まる。したがって、画素１１が傷つき難い。
【００５８】
一方、図５（ｂ）に示すように、導電層が形成されていない表示パネルでは、ＣＦパネル１２０の上方から荷重が加わったときや、表示パネル１０を曲げたときに、ＣＦパネル１２０が画素１１に当たって、画素が傷が付くおそれがある。
【００５９】
＜第１実施形態の変形例＞
第１の実施形態に係る表示パネル１０の変形例として以下の構成が挙げられる。なお、第１の実施形態と同じ部材については、そのまま第１の実施形態と同じ符号を用いている。
【００６０】
（変形例１）
第１の実施形態に係る表示パネル１０は、共通電極１０６の上に導電層１０７が形成されていたが、本発明に係る表示パネルは、必ずしも共通電極上に導電層が形成されている必要はなく、平面視において、給電端子の列と重なるようライン状に形成されていれば、共通電極以外の層の上に導電層が形成されていても良い。
【００６１】
図６は、第１実施形態の変形例１に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。例えば、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、導電層２０７は、共通電極２０６の下に形成されていても良い。導電層２０７は、その下端部２０７ａがバンク１０５の溝部１０５ｂ内に収まるように形成されている。この構成の場合も、導電層２０７と共通電極２０６とが接触により電気的に接続されているため、コンタクト抵抗のロスが低減されており、電圧降下が少ない。
【００６２】
また、発光層１０４を印刷プロセスにより形成する際に、導電層２０７もディスペンスにより形成できるため、導電層２０７を形成するためのプロセス負荷を低減させることができる。
【００６３】
（変形例２）
第１の実施形態に係る表示パネル１０は、導電層１０７の上端部１０７ｂが共通電極１０６の最上面１０６ｂよりも上方に突出していたが、本発明に係る表示パネルは、このような構成に限定されない。
【００６４】
図７は、第１実施形態の変形例２に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。例えば、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、導電層３０７の上面３０７ａは、共通電極１０６の最上面１０６ｂと面一であっても良い。導電層３０７は、その全体が共通電極１０６の溝部１０６ａ内に収まっている。この構成の場合は、導電層３０７と共通電極１０６とで構成される上面が平坦になるので、その上に封止層１３０等をムラなく形成することができる。
【００６５】
（変形例３）
第１の実施形態に係る表示パネル１０では、導電層１０７と共通電極１０６とが別の材料で形成された別の部材であったが、本発明に係る表示パネルは、このような構成に限定されず、共通電極の一部の厚みが厚くなっており導電層の機能を果たす構成であっても良い。
【００６６】
図８は、第１実施形態の変形例３に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。例えば、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、共通電極４０６は、給電端子１０１ａの列と重なる厚膜部分４０６ａの厚みが、発光層１０４に対応する薄膜部分４０６ｂの厚みよりも厚い。したがって、共通電極４０６の上面の形成された高さ（共通電極４０６の下面から上面までの基板１０１の上面と垂直な方向の高さ）は、給電端子１０１ａの列と重なる部分の高さが発光層１０４に対応する部分の高さよりも高い。そして、厚膜部分４０６ａと薄膜部分４０６ｂとは同じ導電材料からなる。また、厚膜部分４０６ａは、その殆どがバンク１０５の溝部１０５ｂ内に収まっており、バンク１０５上においては厚膜部分４０６ａの上面と薄膜部分４０６ｂの上面とが面一である。このような構成であっても、共通電極４０６での電圧降下を防止することができると共に、厚膜部分４０６ａは開口率の向上の妨げとならないため、高い開口率を実現可能である。
【００６７】
（変形例４）
第１の実施形態に係る表示パネルでは、導電層１０７の下端部１０７ａが絶縁層１０２の溝部１０２ａ内に収まっていたが、本発明に係る表示パネルは、このような構成に限定されない。
【００６８】
図９は、第１実施形態の変形例４に係る表示パネルの断面図であり、（ａ）は図２におけるＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）は図２におけるＢ−Ｂ線断面図である。例えば、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、絶縁層５０２には溝部が形成されておらず、給電端子１０１ａと対応する領域にのみコンタクトウインドウ５０２ａが設けられていても良い。この場合、給電端子１０１ａと画素電極１０３との電気的な接続は、コンタクトウインドウ５０２ａによって確保される。
【００６９】
そして、バンク５０５にも溝部が形成されておらず、バンク１０５の上面は平坦である。したがって、共通電極５０６におけるバンク５０５に対応する領域の上面も平坦であり、その上に導電層５０７が形成されている。このような導電層５０７も、ペーストの粘度を調製すればディスペンスにより形成可能である。
【００７０】
＜第２実施形態＞
第１の実施形態に係る表示パネル１０は、平面視において、すべての画素について、発光層１０４に対する給電端子１０１ａの位置が同じであったが、発光層に対する給電端子１０１ａの位置は、すべての画素について同じである必要はない。
【００７１】
図１０は、第２実施形態に係る表示パネルの平面図である。図１１は、第２実施形態に係る表示パネルの図８におけるＤ−Ｄ線断面図である。図１０に示すように、第２の実施形態に係る表示パネル６００は、平面視において、複数のＲＧＢの画素６１１のうちの少なくとも隣り合う２列に属する画素６１１については、行方向に隣り合う画素６１１の給電端子６０１ａ同士が互いに対向するように配置されている。このような２列の画素列を１組の画素群として、その画素群が行方向に繰り返し配置されている。一方、それら画素群において、行方向に隣り合う画素６１１の発光層６０４同士は、前記互いに対向する給電端子６０１ａを間に挟むようにして配置されている。
【００７２】
このような構成とすることで、平面視において、行方向に隣り合う１組の画素６１１の給電端子１０１ａに跨るように導電層６０７を形成することができるため、導電層６０７の行方向の幅をより太くすることができる。例えば、従来の導電層の行方向の幅が４０μｍであったとすれば、本実施の形態に係る導電層６０７の行方向の幅は７０μｍ、ないし８０μｍ程度にすることができ、行方向の幅を顕著に増加させることができる。これにより、導電層６０７の配線抵抗がより小さくなり、配線抵抗スペックを十分に引き出せる。
【００７３】
図１１に示すように、絶縁層６０２の溝部６０２ａは、行方向に隣り合う１組の画素６１１の２つの給電端子１０１ａに跨るように形成されている。言い換えれば、各溝部６０２ａが存在することによって、隣り合う２列に属する画素６１１の給電端子６０１ａが絶縁層６０２に覆われることなく露出している。そして、バンク６０５の溝部６０５ａは、平面視において、絶縁層６０２の溝部６０２ａと略重なるように形成されており、また、共通電極６０６の溝部６０６ａも絶縁層６０２の溝部６０２ａと略重なるように形成されている。
【００７４】
導電層６０７は、その下端部６０７ａがバンク６０５の溝部６０５ａ内に収まるように、給電端子６０１ａの２つの列と重なるようライン状に形成されている。また、導電層６０７の上端部６０７ｂは、共通電極６０６の最上面６０６ｂよりも上方に突出している。
【００７５】
このような構成とすることで、導電層６０７の厚みを厚くすることができ、例えば、従来の導電層の厚みが画素電極６０３と同じ０．２μｍであったとすれば、本実施の形態に係る導電層６０７の厚みは４μｍにすることができ、厚みを顕著に増加させることができる。
【００７６】
本実施の形態に係る導電層６０７の行方向に沿った断面（図１１に示すような断面）の面積を、従来の導電層の行方向に沿った断面と比較すると、行方向の幅が７０μｍ、厚みが４μｍである本実施の形態に係る導電層６０７の断面積が約２８０μｍ2であるのに対して、行方向の幅が４０μｍ、厚みが０．２μｍである従来の導電層の断面積は約８μｍ2であり、本実施の形態に係る導電層６０７は従来の導電層よりも顕著に断面積が大きい。断面積が顕著に大きくなれば、それだけ配線抵抗は顕著に小さくなる。
【００７７】
<その他＞
以上、本発明の一態様に係る表示パネルおよび表示装置を具体的に説明してきたが、上記実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かり易く説明するために用いた例であって、本発明の内容は、上記の実施の形態に限定されない。例えば、理解を容易にするために挙げた各部のサイズ、形状、材料などは、あくまでも典型的な一例に過ぎず、本発明がそれらサイズ、形状、材料などに限定されるものではない。また、第１の実施形態およびその変形例１〜４、並びに、第２の実施形態の一部構成を組み合わせた表示パネルおよび表示装置であっても良い。
【００７８】
さらに、上記では、画素を構成する発光素子が画素電極、発光層および共通電極を備えていたが、画素電極と共通電極との間には、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等の他の層が介在しても良く、画素電極の下方や共通電極の上方にも他の層が介在していても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明の表示パネルおよび表示装置は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に好適に利用可能である。また、本発明の表示パネルおよび表示装置は、有機ＥＬ表示ディスプレイや無機ＥＬ表示ディスプレイだけでなく、液晶表示ディスプレイ等にも利用可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１  表示装置
１０，６００  表示パネル
１１，６１１  画素
１０１，６０１  基板
１０１ａ，６０１ａ  給電端子
１０２，６０２  絶縁層
１０２ａ，６０２ａ  溝部
１０３，６０３  画素電極
１０４，６０４  発光層
１０６，６０６  共通電極
１０６ａ，６０６ａ  共通電極の最上面
１０７，２０７，３０７，５０７，６０７  導電層
１０７ｂ，６０７ｂ  導電層の上端部
３０７ａ  導電層の上面
４０６ａ  コンタクトホールの列と重なる部分
４０６ｂ  発光層に対応する部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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