(57)【要約】  シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容する工程と、ガス供給部から処理室内にガスを供給し、処理室内を大気圧以上の圧力にする工程と、処理液供給部から基板に処理液を供給し、シリコン含有膜を酸化する酸化工程と、有する。
2013065771.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容する工程と、
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内を大気圧以上の圧力にする工程と、
処理液供給部から前記基板に処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する酸化工程と、を有する
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記処理液は、過酸化水素を含む
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン含有膜は、シラザン結合を有する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン含有膜は、ポリシラザンを含有する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化工程の後に、前記基板を加熱する熱処理工程を有する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化工程の後に、前記熱処理工程を実施する前記基板が有する前記シリコン含有膜はＯＨを含む
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理工程では、
前記処理室内に水分を供給し、前記加熱部により前記処理室内の前記基板を加熱し、前記基板が所定の温度に達した後、前記処理室内から水分を除去する
請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン含有膜を、シリコン含有材料を前記基板上に塗布することで形成する塗布工程を有する
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記塗布工程の後に、前記基板を加熱して前記シリコン含有膜を硬化させる硬化工程を有する
請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
シリコン含有膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板に処理液を供給しつつ、前記処理室内の圧力が大気圧以上の圧力となるように前記処理室内にガスを供給するように、前記処理液供給部と前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える
半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記処理液は、過酸化水素を含有する
請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記シリコン含有膜は、シラザン結合を有する
請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記シリコン含有膜は、ポリシラザンを含有する
請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内を大気圧以上の圧力にする手順と、
前記処理室内に収容されたシリコン含有膜が形成された基板に、処理液供給部から処理液を供給する手順と、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録された
記録媒体。
【請求項１５】
前記シリコン含有膜を酸化する手順の後に、加熱部により前記処理室内の前記基板を加熱する手順を有する
請求項１４に記載の記録媒体。
【請求項１６】
前記シリコン含有膜を、シリコン含有材料を前記基板上に塗布することで形成する手順を有する
請求項１４に記載の記録媒体。
【請求項１７】
前記基板にシリコン含有材料を塗布する手順の後に、前記基板を加熱して前記シリコン含有膜を硬化させる手順を有する
請求項１６に記載の記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下、ＬＳＩと言う。）等の半導体装置の微細化に伴って、トランジスタ素子間の漏れ電流干渉を制御する加工技術は、ますます技術的な困難を増している。一般的に、ＬＳＩの素子間分離は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなるシリコン基板等の基板の分離したい素子間に、溝もしくは孔等の空隙を形成し、その空隙に絶縁物を堆積する方法によって行われる。この絶縁物として、酸化膜が用いられることが多い。酸化膜としては、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。このシリコン酸化膜は、シリコン基板自体の自然酸化や、化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって、基板上に形成されている。例えば、特許文献１には、ＣＶＤ法による絶縁膜の形成方法の一例が開示されている。【０００３】
近年の半導体装置の微細化により、空隙は、縦方向に深い、あるいは横方向に狭い微細な構造で基板上に形成されている。このような微細な構造を有する空隙に対しては、ＣＶＤ法を用いた埋め込みによって、基板上に酸化膜を形成していた。しかしながら、ＣＶＤ法を用いて微細な構造を有する空隙を成膜することは、技術限界に達しつつある。【０００４】
そこで、流動性を有する酸化物を用いた埋め込み方法、すなわちＳＯＤ法（絶縁物塗布法）が注目されている。ＳＯＤ法では、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）と呼ばれる無機もしくは有機成分を含む塗布絶縁材料が用いられている。この塗布絶縁材料を用いた埋め込み方法は、上述のＣＶＤ法を用いて基板上に酸化膜の登場以前よりＬＳＩの製造工程に採用されていた。【０００５】
近年のＬＳＩ、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）やフラッシュメモリ（Ｆｌａｓｈ  Ｍｅｍｏｒｙ）等に代表される半導体装置は、最小加工寸法が、５０ｎｍ幅より小さくなってきている。しかしながら、ＳＯＤ法では、加工寸法が０．３５μｍ〜１μｍ程度であり、微細ではなかった。このため、絶縁膜としての品質を保ったまま、微細な構造を有する基板に酸化膜を形成することが難しい場合があった。【０００６】
そこで、近年、ＳＯＤ法において、ＳＯＧに変わる材料として、ポリシラザン等のシリコン材料を用いることが検討されている。しかしながら、ポリシラザン等のシリコン材料は、アンモニアに起因する窒素を不純物として含むことが知られている。このため、ポリシラザン等のシリコン材料を用いて形成した絶縁膜中にも窒素が含まれてしまう場合がある。なお、例えば、特許文献２には、ポリシラザンの分子構造が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−８７４７５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１１８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、ポリシラザン等のシリコン材料を用いて形成した絶縁膜中に含まれる不純物としての窒素を除去して、絶縁膜としての膜質を向上させるために、基板を１０００℃程度に加熱する熱処理を行う必要があった。【０００９】
しかしながら、トランジスタの熱負荷に対する低減要求も進んでいる。熱負荷を低減したい理由として、トランジスタの動作用に打ち込んだ、ボロンや砒素、燐などの不純物の過剰な拡散を防止することや、電極用の金属シリサイドの凝集防止、ゲート用仕事関数金属材料の性能変動防止、メモリ素子の書き込み、読み込み繰り返し寿命の確保、などがある。従って、ポリシラザン等のシリコン材料を用いて形成した絶縁膜は、絶縁膜としての品質を維持することが難しい場合があった。【００１０】
本発明は、基板上に形成される酸化膜の膜質を向上させることができる半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容する工程と、
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内を大気圧以上の圧力にする工程と、
処理液供給部から前記基板に処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する酸化工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。【００１２】
他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板に処理液を供給しつつ、前記処理室内の圧力が大気圧以上の圧力となるように前記処理室内にガスを供給するように、前記処理液供給部と前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。【００１３】
更に他の態様によれば、
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内を大気圧以上の圧力にする手順と、
前記処理室内に収容されたシリコン含有膜が形成された基板に、処理液供給部から処理液を供給する手順と、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置及び記録媒体によれば、基板上に形成される酸化膜の膜質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の横断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る処理室の縦断面概略図である。
【図３】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図９】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える各処理室で行われる処理の一例を示す表図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の横断面概略図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る基板が有するシリコン含有膜のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。
【図１５】本発明の一実施例に係る基板が有するシリコン含有膜のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。
【図１６】本発明の一実施例に係る基板が有するシリコン含有膜のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。
【００１７】
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態に係る基板処理装置の構成について、主に図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置の横断面概略図である。なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１が示されている紙面に対して、前は紙面の下、後ろは紙面の上、左右は紙面の左右とする。
【００１８】
図１に示すように、基板処理装置１００は、搬送室１０７を備えている。搬送室１０７には、複数の処理室（本実施形態では６つの処理室１０８〜１１３）が、ゲートバルブ１０５を介して、搬送室１０７と連通可能にそれぞれ設けられている。処理室１０８〜１１３はそれぞれ、後述するように、例えば基板としてのウエハ２０１上にシリコン含有膜を形成する処理や、ウエハ２０１上に形成されたシリコン含有膜を酸化する処理や、ウエハ２００を乾燥する処理、ウエハ２０１を加熱する熱処理等の各種基板処理を実施するように構成されている。
【００１９】
なお、本実施形態では６つの処理室１０８〜１１３が設けられているが、これに限定されるものではない。基板処理装置１００の設置スペースの制約などにより、処理室は任意の数に変更可能である。すなわち、基板処理装置１００に設けられる処理室の数は、５つ以下でもよいし、７つ以上であってもよい。また、処理室１０８〜１１３の配置位置も、基板処理装置１００の設置スペースの制約等により適宜変更可能である。
【００２０】
搬送室１０７内には、第１搬送機構（搬送ロボット）としてのロード・アンロードアーム１０６が設けられている。ロード・アンロードアーム１０６は、搬送室１０７と各処理室１０８〜１１３との間でウエハ２０１を搬送可能に構成されている。ロード・アンロードアーム１０６は、例えば搬送室１０７に設けられたエレベータによって昇降可能に構成されているとともに、例えばリニアアクチュエータによって前後方向（図１における前後方向である。）に往復移動可能に構成されている。
【００２１】
基板処理装置１００の大気側、すなわち搬送室１０７の前側には、略大気圧下で用いられる大気搬送室１０４が設けられている。大気搬送室１０４は、例えばゲートバルブ等を介して搬送室１０７と連通可能に設けられている。すなわち、大気搬送室１０４は、ウエハ２０１の受け渡しエリアとして機能するように構成されている。
【００２２】
大気搬送室１０４には、ウエハ２０１を移載する第２搬送機構（搬送ロボット）としての搬送アーム１０３が設けられている。搬送アーム１０３は、例えば大気搬送室１０４に設けられたエレベータによって昇降可能に構成されているとともに、例えばリニアアクチュエータによって左右方向に往復移動可能に構成されている。
【００２３】
大気搬送室１０４の前側には、ウエハ２０１を大気搬送室１０４内外に搬送する基板搬送口が設けられている。基板搬送口を挟んで、大気搬送室１０４の外側には、ウエハローダ（Ｉ／Ｏステージ）１０１が設けられている。ウエハローダ１０１上には、複数枚のウエハ２００を収納するカセット１０２が載置されている。カセット１０２は、例えば搬送装置（ＲＧＶ）によって、ウエハローダ１０１に対して、搬入（供給）および搬出（排出）されるように構成されている。なお、本実施形態では、４つのウエハローダ１０１が設けられているが、ウエハローダ１０１の数は、これに限定されるものではなく、任意の数に適宜変更可能である。
【００２４】
基板処理装置１００の構成各部には、後述するコントローラ１２１が電気的に接続されている。すなわち、信号線Ａを通じて搬送アーム１０３及びゲートバルブ１０５の動作を、信号線Ｂを通じて処理室１０８の動作を、信号線Ｃを通じて処理室１０９の動作を、信号線Ｄを通じて処理室１１０の動作を、信号線Ｅを通じて処理室１１１の動作を、信号線Ｆを通じて処理室１１２の動作を、信号線Ｇを通じて処理室１１３の動作を、信号線Ｈを通じて、カセット１０２の動作を、それぞれ制御するように構成されている。
【００２５】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１００の動作について説明する。
【００２６】
まず、例えば２５枚の未処理のウエハ２０１を収納したカセット１０２が、搬送装置によって基板処理装置１００に搬入されてくる。搬入されてきたカセット１０２は、ウエハローダ１０１上に載置される。そして、大気搬送室１０４内に設置されている搬送アーム１０３は、カセット１０２からウエハ２００をピックアップし、大気搬送室１０４内にウエハ２０１を搬入する。次に、大気搬送室１０４と搬送室１０７とが連通される。続いて、搬送アーム１０３は、ウエハ２０１を搬送室１０７内に搬入し、搬送室１０７内に設置されたロード・アンロードアーム１０６にウエハ２０１を受け渡す。以降、搬送アーム１０３は、上述の動作を繰り返す。
【００２７】
搬送アーム１０３によるウエハ２０１の受け渡しが完了すると、大気搬送室１０４と搬送室１０７との間のゲートバルブが閉じられる。なお、搬送室１０７内が所定の圧力となるように、例えば搬送室１０７に設けられた排気装置によって調整しても良い。
【００２８】
大気搬送室１０４と搬送室１０７との間のゲートバルブが閉じられたら、ゲートバルブ１０５が開けられ、搬送室１０５と例えば処理室１０８とが連通される。そして、ロード・アンロードアーム１０６がウエハ２００を処理室１０８内に搬入する。処理室１０８内へのウエハ２０１の搬入が完了したら、ゲートバルブ１０５が閉じられる。そして、処理室１０８内でウエハ２０１に所定の処理が施される。
【００２９】
処理室１０８において所定の処理が終了すると、ゲートバルブ１０５が開けられ、ロード・アンロードアーム１０６によって、ウエハ２０１が処理室１０８内から搬送室１０７内へ搬出される。搬出された後、ゲートバルブ１０５が閉じられる。
【００３０】
続いて、搬送室１０７と大気搬送室１０４とが連通される。そして、処理室１０８から搬出したウエハ２０１は、搬送アーム１０３によってピックアップされて、大気搬送室１０４内へ搬入される。その後、搬送アーム１０３は、大気搬送室１０４の基板搬送口を通して処理済みのウエハ２０１をカセット１０２に収容する。ここで、カセット１０２は、最大２５枚のウエハ２０１が戻されるまで開け続けていてもよく、空きのカセット１０２に収容せずに、ウエハ２０１を搬出してきたカセット１０２に戻してもよい。
【００３１】
カセット１０２内の全てのウエハ２０１に所定の処理が施され、処理済みの２５枚のウエハ２０１のすべてが所定のカセット１０２へ収容されると、カセット１０２が閉じられる。その後、カセット１０２はウエハローダ１０１上から次の工程へ、搬送装置によって搬送される。以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２０１が２５枚ずつ順次処理されていく。
【００３２】
本実施形態では、処理室１０８を使用する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。すなわち処理室１０９〜１１３が使用される場合についてもそれぞれ同様の動作が実施される。また、全ての処理室１０８〜１１３でそれぞれ同じ処理を行ってもよいし、各処理室１０３〜１１３でそれぞれ異なる処理を行ってもよい。そして、例えば、処理室１０８と処理室１０９とで異なる処理を行う場合、処理室１０８でウエハ２０１に所定の処理を行った後、続けて処理室１０９で別の処理を行ってもよい。
【００３３】
（３）処理室の構成
次に、処理室１０８の構成について、主に図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る処理室１０８の縦断面概略図である。なお、処理室１０９〜１１３については、処理室１０８と同様に構成されているため、説明を省略する。
【００３４】
処理室１０８を構成する反応容器２０３は、第１の容器であるドーム型の上側容器２１０と、第２の容器である碗型の下側容器２１１と、を備えている。そして、上側容器２１０が下側容器２１１の上に被さることにより、処理室１０８が形成される。上側容器２１０は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）又は石英（ＳｉＯ２）等の非金属材料で形成されており、下側容器２１１は例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等の非金属材料等で形成されている。なお、上側容器２１０及び下側容器２１１は、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料で構成されていても良い。上側容器２１０及び下側容器２１１を金属材料で構成する場合は、金属と後述する処理液との反応を防止するために、金属材料の表面をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＣ等の非金属材料で覆うことが好ましい。  
【００３５】
下側容器２１１の側壁には、仕切弁としてのゲートバルブ１０５が設けられている。上述したように、処理室１０８は、ゲートバルブ１０５を介して搬送室１０７（図１参照）と連通可能に設けられている。すなわち、処理室１０８と搬送室１０７との間でウエハ２０１が搬送可能に構成されている。ゲートバルブ１０５が開けられると、搬送ロボットとしてのロード・アンロードアーム１０６（図１参照）を用いて処理室１０８内へウエハ２０１を搬入し、または処理室１０８外へとウエハ２０１を搬出することができるように構成されている。そして、ゲートバルブ１０５を閉じることにより、処理室１０８内を気密にすることができるようになっている。
【００３６】
処理室１０８内の底側中央には、ウエハ２０１を支持するサセプタ２１７が配置されている。サセプタ２１７は、ウエハ２０１の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英（ＳｉＯ２）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等の非金属材料で形成されている。
【００３７】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。また、サセプタ２１７には、複数の貫通孔２１７ａが設けられている。下側容器２１１の底面の貫通孔２１７ａに対応する位置には、ウエハ２０１を突き上げてウエハ２０１の裏面を支持する複数のウエハ突き上げピン２６５が設けられている。そして、ウエハ突き上げピン２６５が上昇させられた時、又は昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、ウエハ突き上げピン２６５がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、ウエハ突き上げピン２６５及び貫通孔２１７ａが、互いに配置されている。  
【００３８】
昇降機構２６８には、サセプタ２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の回転軸は、サセプタ２１７に接続されており、回転機構２６７を作動させることでサセプタ２１７を回転させることができるように構成されている。回転機構２６７には、後述するコントローラ１２１が、カップリング部２６６を介して接続されている。カップリング部２６６は、回転側と固定側との間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。これにより、サセプタ２１７の回転が妨げられないように構成されている。コントローラ１２１は、サセプタ２１７を所定の速度で所定時間回転させるように、回転機構２６７への供給電力を制御するように構成されている。
【００３９】
（加熱部）
サセプタ２１７の内部には、加熱機構としてのヒータ２１７ｂが一体的に埋め込まれており、ウエハ２０１を加熱できるようになっている。ヒータ２１７ｂに電力が供給されると、ウエハ２０１の表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、サセプタ２１７には、温度センサが設けられている。ヒータ２１７ｂ及び温度センサには、後述するコントローラ１２１が電気的に接続されている。コントローラ１２１は、温度センサにより検出された温度情報に基づいてヒータ２１７ｂへの供給電力を制御するように構成されている。
【００４０】
処理室１０８の上方、つまり上側容器２１０の上面には、処理室１０８内のウエハ２０１を加熱するランプ加熱ユニット２１８が設けられている。ランプ加熱ユニット２１８は、上側容器２１０の上面に設けられた光透過窓２１９を介して処理室１０８内に光を照射するように構成されている。
【００４１】
ランプ加熱ユニット２１８からは、例えば波長が約０．７μｍ〜約２５０μｍ、好ましくは約１．３μｍ〜約２００μｍ、より好ましくは約２μｍ〜約２０μｍである赤外線、更に好ましくは波長が約２μｍ〜約４．５μｍである中波長赤外線が照射される。後述するように、酸化工程（Ｓ４０）において、処理液（酸化剤溶液）として、例えば水（Ｈ２Ｏ）分子を含む過酸化水素水や水が用いられた場合、水分子は、このような波長帯の赤外線を吸収しやすい。その結果、加熱効率を向上させることができる。
【００４２】
このようなランプ加熱ユニット２１８としては、例えば約２．２μｍの波長を発光ピーク波長とするカンタル線ヒータを用いるとよい。この他、ランプ加熱ユニット２１８としては、例えばカーボンヒータ、ＳｉＣヒータ、タングステンを用いたランプや、ハロゲンランプ等を用いてもよい。
【００４３】
（供給部）
処理室１０８の上部には、処理室１０８内へ処理液やガスを供給するシャワーヘッド２３６が設けられている。シャワーヘッド２３６は、キャップ状の蓋体２３３、処理液導入部２３４、ガス導入部２３５、バッファ室２３７、遮蔽プレート２４０及び吹出口２３９を備えている。
【００４４】
蓋体２３３は、上側容器２１０の上部に開設された開口に気密に設けられている。蓋体２３３の下部には、遮蔽プレート２４０が設けられている。蓋体２３３と遮蔽プレート２４０との間の空間がバッファ室２３７である。バッファ室２３７は、処理液導入部２３４より導入される処理液を分散する分散空間として機能する。また、バッファ室２３７は、ガス導入部２３５より導入されるガスを分散する分散空間としても機能する。そして、バッファ室２３７を通過した処理液やガスが、遮蔽プレート２４０の側部の吹出口２３９から処理室１０８内に供給される。また、蓋体２３３には、開口が設けられている。蓋体２３３の開口には、処理液導入部２３４及びガス導入部２３５の下流端がそれぞれ気密に設けられている。処理液導入部２３４の上流端には、封止部材としてのＯリング２０３ｂを介して、処理液供給管２２０の下流端が接続されている。ガス導入部２３５の上流端には、封止部材としてのＯリング２０３ｂを介して、ガス供給管２２４の下流端が接続されている。
【００４５】
［処理液供給部］
処理液供給管２２０には、上流側から順に、処理液を供給する処理液供給源２２１、液体流量制御装置としての液体流量コントローラ２２２、及び開閉弁であるバルブ２２３が設けられている。
【００４６】
処理液供給管２２０からは、処理液として、例えば過酸化水素水や水（Ｈ２Ｏ）等の酸化剤溶液や、純水等が、液体流量コントローラ２２２、バルブ２２３、バッファ室２３７及び吹出口２３９を介して処理室１０８内に供給される。すなわち、処理液は、処理液供給管２２０から滴下されてウエハ２０１に供給される。
【００４７】
ここで、過酸化水素水は、例えば常温で固体又は液体である過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を用い、溶媒として水（Ｈ２Ｏ）を用い、過酸化水素を水に溶解させて生成されている。過酸化水素水中の過酸化水素の濃度は、１％〜４０％が好ましい。本実施形態では、例えば、過酸化水素の濃度が１５％や３０％の過酸化水素水が好適に用いられる。このように、酸化剤溶液として過酸化水素水が用いられると、後述する酸化工程（Ｓ４０）を低温かつ短時間で行うことができる。
【００４８】
また、処理液供給管２２０から、処理液として、例えばポリシラザン（ＳｉＨ２ＮＨ）（Ｐｅｒｈｙｄｒｏ−Ｐｏｌｙｓｉｌａｚａｎｅ、以下、ＰＨＰＳとも言う。）等のシリコン材料を水（Ｈ２Ｏ）等の溶媒に溶解した溶液（シリコン含有材料）が、液体流量コントローラ２２２、バルブ２２３、バッファ室２３７及び吹出口２３９を介して処理室１０８内に供給されてもよい。なお、溶媒として、例えば、キシレン（Ｃ８Ｈ１０）、トルエン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ３）、ジブチルエーテル（Ｃ８Ｈ１８Ｏ）等の有機溶媒を用いてもよい。ポリシラザンは、従来から使われているＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）と呼ばれる無機成分もしくは有機成分を含む塗布絶縁材料に代わる材料である。ポリシラザンは、例えば、ジクロロシランやトリクロロシランと、アンモニアとの触媒反応によって得られる材料である。シリコン材料としてポリシラザンが用いられると、容易にシリコン酸化膜を形成することができる。なお、シリコン材料としては、ポリシラザンの他に、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルシクロトリシラザン（ＨＭＣＴＳ）、ポリカルボシラザン、ポリオルガノシラザン、トリシリルアミン（ＴＳＡ）等を用いてもよい。
【００４９】
液体流量コントローラ２２２及びバルブ２２３には、後述するコントローラ１２１が電気的に接続されている。コントローラ１２１は、処理室１０８内に供給する処理液の流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、液体流量コントローラ２２２の開度、及びバルブ２２３の開閉を制御するように構成されている。
【００５０】
主に、処理液供給管２２０、液体流量コントローラ２２２、及びバルブ２２３により、処理液供給部が構成されている。なお、処理液供給源２２１、バッファ室２３７、吹出口２３９を処理液供給部に含めて考えてもよい。
【００５１】
［ガス供給部］
ガス供給管２２４には、上流側から順に、例えば処理ガスや不活性ガス等のガスを供給するガス供給源２２５、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２２６、及び開閉弁であるバルブ２２７が設けられている。
【００５２】
ガス供給管２２４からは、例えば処理ガスや不活性ガス等のガスが、マスフローコントローラ２２６、バルブ２２７、バッファ室２３７及び吹出口２３９を介して処理室１０８内に供給される。処理ガスとしては、例えば水素（Ｈ２）ガスを窒素（Ｎ２）ガスで希釈したフォーミングガスや、窒素ガス等を用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスや、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ａｒガス等の希ガスを用いることができる。
【００５３】
ガス供給管２２０のマスフローコントローラ２２６とバルブ２２７との間には、水分供給管２２８の下流端が接続されている。水分供給管２２８には、上流側から順に、水分を供給する水分供給源２２９、流量制御装置としてのマスフローコントローラ２３０、及び開閉弁であるバルブ２３１が設けられている。
【００５４】
水分供給管２２８からは、例えばガス供給源２２５から供給される窒素ガスでバブリングさせる水分が供給される。水分としては、純水を気化させた水蒸気や、水素（Ｈ２）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとを用いて生じた水分等を用いることができる。
【００５５】
マスフローコントローラ２２６，２３０及びバルブ２２７，２３１には、後述するコントローラ１２１が電気的に接続されている。コントローラ１２１は、処理室１０８内に供給するガスの流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、マスフローコントローラ２２６の開度、及びバルブ２２７の開閉を制御するように構成されている。また、コントローラ１２１は、窒素ガスでバブリングさせる水分の流量が所定のタイミングにて所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３０の開度、及びバルブ２３１の開閉を制御するように構成されている。
【００５６】
主に、ガス供給管２２４、マスフローコントローラ２２６、及びバルブ２２７により、ガス供給部が構成されている。なお、ガス供給源２２５、バッファ室２３７、吹出口２３９をガス供給部に含めて考えてもよい。また、水分供給管２２８、マスフローコントローラ２３０、及び水分供給源２２９により、水分供給部が構成されている。なお、水分供給源２２９を水分供給部に含めて考えてもよい。また、水分供給部をガス供給部に含めて考えてもよい。
【００５７】
（排気部）
反応容器２０３には、反応容器２０３内（処理室１０８内）の雰囲気を排気する第１の排気管２４１の上流端が接続されている。第１の排気管２４１には、上流方向から順に、反応容器２０３内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４２、圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３、真空排気装置としての真空ポンプ２４６ａが設けられている。第１の排気管２４１は、真空ポンプ２４６ａにより、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
【００５８】
第１の排気管２４１のＡＰＣバルブ２４３よりも上流側には、第２の排気管２４４の上流端が接続されている。第２の排気管２４４には、上流方向から順に、開閉弁であるバルブ２４５、反応容器２０３から排気された排気ガスを液体と気体とに分離する分離器２４７、及び真空排気装置としての真空ポンプ２４６ｂが設けられている。分離器２４７には、第３の排気管２４８の上流端が接続されており、第３の排気管２４８には、液体回収タンク２４９が設けられている。分離器２４７としては、例えばガスクロマトグラフ等を用いることができる。
【００５９】
主に、第１の排気管２４１、第２の排気管２４４、分離器２４７、液体回収タンク２４９、圧力センサ２４２、ＡＰＣバルブ２４３、及びバルブ２４５により排気部が構成される。なお、真空ポンプ２４６ａや、真空ポンプ２４６ｂを排気部に含めて考えてもよい。
【００６０】
（制御部）
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、入出力装置１２２として、例えばタッチパネル、マウス、キーボード、操作端末等が接続されていてもよい。また、コントローラ１２１には、表示部として、例えばディスプレイ等が接続されていてもよい。
【００６１】
記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）、ＣＤ−ＲＯＭ等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００６２】
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述の液体流量コントローラ２２２、マスフローコントローラ２２６，２３０、バルブ２２３，２２７，２３１，２４５、ＡＰＣバルブ２４３、圧力センサ２４２、真空ポンプ２４６ａ，２４６ｂ、ヒータ２１７ｂ、ランプ加熱ユニット２１８、回転機構２６７、昇降機構２６８等に接続されている。
【００６３】
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ１２１ａは、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、信号線Ｉを通じて液体流量コントローラ２２２による処理液の流量調整動作、マスフローコントローラ２２６，２３０による各種ガスの流量調整動作、バルブ２２３，２２７，２３１の開閉動作、信号線Ｊを通じて圧力センサ２４２に基づくＡＰＣバルブ２４３の開度調整動作、バルブ２４５の開閉動作、及び真空ポンプ２４６ａ，２４６ｂの起動・停止、信号線Ｋを通じてヒータ２１７ｂの温度調整動作、信号線Ｌを通じてランプ加熱ユニット２１８の温度調整動作、信号線Ｍを通じて回転機構２６７の回転速度調整動作、信号線Ｎを通じて昇降機構２６８の高さ位置調整動作等を制御するように構成されている。
【００６４】
なお、コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｓｅｒｉａｌ  Ｂｕｓ）メモリ（ＵＳＢ  ｆｌａｓｈ  ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）１２３を用意し、係る外部記憶装置１２３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ１２１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置１２３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置１２３を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。
【００６５】
（４）基板処理工程
続いて、本実施形態に係る半導体装置の製造工程の一工程として実施される基板処理工程について、主に図４を用いて説明する。図４は、本実施形態にかかる基板処理工程を示すフロー図である。かかる工程は、上述の基板処理装置１００により実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は、図３に示すコントローラ１２１により制御されている。
【００６６】
ここでは、ウエハ２０１として、微細構造である凹凸構造を有する基板を用いる場合について説明する。微細構造を有する基板とは、シリコン基板に対して垂直方向に深い溝（凹部）、あるいは例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度の幅の横方向に狭い溝（凹部）等のアスペクト比の高い構造を有する基板をいう。このような微細な凹凸構造は、例えば、ゲート絶縁膜や、ゲート電極、微小な半導体素子などにより形成される。
【００６７】
以下に、ウエハ２０１の溝内にシリコン（Ｓｉ）含有膜を形成し、処理液である酸化剤溶液として過酸化水素水を用いてシリコン含有膜を酸化させて、絶縁膜としてのシリコン酸化膜を形成する例について説明する。
【００６８】
（基板搬入・載置工程（Ｓ１０））
まず、ウエハ２０１の搬送位置までサセプタ２１７を下降させ、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａにウエハ突き上げピン２６５を貫通させる。その結果、ウエハ突き上げピン２６５が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ１０５を開き、ロード・アンロードアーム１０６を用いて例えば第１処理室としての処理室１０８内にウエハ２０１を搬入する。その結果、ウエハ２０１は、サセプタ２１７の表面から突出したウエハ突き上げピン２６５上に水平姿勢で支持される。
【００６９】
処理室１０８内にウエハ２０１を搬入したら、ロード・アンロードアーム１０６を処理室１０８外へ退避させ、ゲートバルブ１０５を閉じて処理室１０８内を密閉する。そして、昇降機構２６８を用いてサセプタ２１７を上昇させる。その結果、ウエハ２０１はサセプタ２１７の上面に配置される。その後、サセプタ２１７を所定の位置まで上昇させて、ウエハ２０１を所定の処理位置まで上昇させる。  
【００７０】
なお、ウエハ２０１を処理室１０８内に搬入する際には、排気部により処理室１０８内を排気しつつ、ガス供給部から処理室１０８内にパージガスとしての例えば窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６ａ又は真空ポンプ２４６ｂの少なくともいずれかを作動させ、ＡＰＣバルブ２４３又はバルブ２４５の少なくともいずれかを開けることにより、処理室１０８内を排気しつつ、バルブ２２７を開けることにより、バッファ室２３７を介して処理室１０８内にＮ２ガスを供給することが好ましい。これにより、処理室１０８内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２０１上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。なお、真空ポンプ２４６ａ又は真空ポンプ２４６ｂの少なくともいずれかは、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１０）から後述する基板搬出工程（Ｓ７０）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とするとよい。  
【００７１】
また、回転機構２６７を作動して、サセプタ２１７の回転、すなわちウエハ２０１の回転を開始する。この際、サセプタ２１７の回転速度をコントローラ１２１によって制御する。なお、サセプタ２１７は、少なくとも後述する熱処理工程（Ｓ８０）が終了するまでの間は、常に回転させた状態とする。
【００７２】
（塗布工程（Ｓ２０））
次に、ウエハ２０１上に、例えばポリシラザン（ＰＨＰＳ）等のシリコン材料をキシレン（Ｃ８Ｈ１０）等の溶媒に溶解した溶液（シリコン含有材料）を、ウエハ２０１の溝（凹部）内に充填するように、例えばスピンコート法により塗布する。すなわち、バルブ２２３を開け、処理液であるシリコン含有材料を、処理液供給管２２０からバッファ室２３７を介して処理室１０８内に供給する。このとき、シリコン含有材料の流量が所定の流量となるように、液体流量コントローラ２２２によって調整する。これにより、ウエハ２０１上にシリコン含有膜（ＰＨＰＳ膜）が形成される。すなわち、ウエハ２０１の溝内にシリコン含有膜が形成される。
【００７３】
また、ウエハ２０１上に形成されるシリコン含有膜の膜厚が１００ｎｍ〜７００ｎｍとなるように、シリコン含有材料をウエハ２０１に塗布する。シリコン含有膜の膜厚は、ポリシラザン等のシリコンの分子量、粘度やウエハ２０１の回転数（サセプタ２１７の回転速度）等によって調節できる。
【００７４】
所定の処理時間が経過し、ウエハ２０１上に所定の膜厚のシリコン含有膜が形成されたら、バルブ２２３を閉じて、処理室１０８内へのシリコン含有材料の供給を停止する。
【００７５】
ここで、ウエハ２０１上に形成されるシリコン含有膜は、主にシリコン材料（ポリシラザン）で形成される。しかしながら、シリコン含有膜には、シリコン含有材料に含まれる溶媒成分が残留していることがある。また、シリコン含有膜には、シリコン（Ｓｉ）の他、シリコン材料に由来する窒素（Ｎ）や水素（Ｈ）等の不純物が含まれている。すなわち、シリコン含有膜は、少なくともシラザン結合（Ｓｉ−Ｎ結合）を有する。また、シリコン含有膜には、場合によっては、炭素（Ｃ）や他の不純物が混ざっている可能性がある。すなわち、スピンコート法では、シリコン含有材料として、ポリシラザン等のシリコン材料に、溶媒として有機溶媒を加えた液体が用いられることが多い。この有機溶媒に由来する炭素（Ｃ）や他の不純物（すなわち、Ｓｉ，Ｏ以外の元素）が、シリコン含有膜中に混ざっている場合がある。
【００７６】
（硬化工程（Ｓ３０））
塗布工程（Ｓ２０）が終了したら、処理室１０８内へのフォーミングガス（例えば水素ガスを窒素ガスで希釈したガス）の供給を開始する。すなわち、バルブ２２７を開け、処理ガスであるフォーミングガスを、ガス供給管２２４からバッファ室２３７を介して処理室１０８内に供給する。このとき、処理ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２２６によって調整する。
【００７７】
処理室１０８内を処理ガスとしてのフォーミングガスで充満させた後、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかに電力を供給し、ウエハ２０１が所定の温度（例えば１５０℃）となるように加熱する。すなわち、フォーミングガス雰囲気下で、ウエハ２０１を加熱してプリベーク処理を行う。これにより、ウエハ２０１上に形成されたシリコン含有膜中の溶媒成分を蒸発させ、シリコン含有膜を硬化させることができる。
【００７８】
所定の処理時間が経過し、ウエハ２０１上のシリコン含有膜が硬化したら、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８に対する電力供給を停止する。そして、バルブ２３３を閉じて処理室１０８内へのフォーミングガスの供給を停止する。
【００７９】
（酸化工程（Ｓ４０））
硬化工程（Ｓ３０）が終了したら、処理室１０８内が大気圧以上の圧力（例えば０．３ＭＰａ）となるように、真空ポンプ２４６ａ又は真空ポンプ２４６ｂの少なくともいずれか、及びガス供給部によって調整する。この際、処理室１０８内の圧力は圧力センサ２４２で測定し、この測定した圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度又はバルブ２４５の開閉の少なくともいずれかをフィードバック制御する。
【００８０】
処理室１０８内に収容されたウエハ２０１が所定の温度（例えば４０℃以上１００℃以下、好ましくは５０℃以上１００℃以下、より好ましくは４０℃以上５０℃以下）となるように、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかによって加熱する。
【００８１】
ウエハ２０１が所定の温度（例えば５０℃程度）に達したら、処理室１０８内への処理液である酸化剤溶液としての過酸化水素水の供給を開始する。すなわち、バルブ２２３を開け、処理液である過酸化水素水を、処理液供給管２２０からバッファ室２３７を介して処理室１０８内に供給する。このとき、処理液の流量が所定の流量となるように、液体流量コントローラ２２２によって調整する。
【００８２】
過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）水は、酸素分子に水素が結合した単純構造であることから、低密度媒体に対して浸透しやすいという特徴を有する。また、過酸化水素水は、分解するとヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）を発生させる。このヒドロキシラジカルは活性酸素の一種であり、酸素と水素とが結合した中性ラジカルである。ヒドロキシラジカルは強力な酸化力を有する。従って、本実施形態の場合、処理室１０８内に供給した過酸化水素水が分解して発生したヒドロキシラジカルによって、ウエハ２０１上のシリコン含有膜（ＰＨＰＳ膜）が酸化されて、シリコン酸化膜が形成される。すなわち、ヒドロキシラジカルが有する酸化力によって、シリコン含有膜が有するシラザン結合（Ｓｉ−Ｎ結合）や、Ｓｉ−Ｈ結合が切断される。そして、切断された窒素（Ｎ）や水素（Ｈ）が、ヒドロキシラジカルが有する酸素（Ｏ）と置換されて、シリコン含有膜中にＳｉ−Ｏ結合が形成される。その結果、シリコン含有膜が酸化されて、シリコン酸化膜に改質される。なお、ヒドロキシラジカルによって切断された窒素（Ｎ）や水素（Ｈ）等の不純物は、例えば排気部等から処理室１０８外へ排出される。
【００８３】
このように、大気圧以上の圧力雰囲気下にある処理室１０８内に、処理液である過酸化水素水を供給し、ウエハ２０１上のシリコン含有膜をシリコン酸化膜に改質することで、シリコン酸化膜の膜質を向上させることができる。すなわち、処理室１０８内を大気圧以上の圧力に加圧することで、ウエハ２０１の溝の底（溝内の深い場所）に形成されたシリコン含有膜に過酸化水素水を浸透させることができる。従って、ウエハ２０１の溝の底に形成されたシリコン含有膜を酸化させることができ、シリコン酸化膜の膜質を向上させることができる。また、過酸化水素水とシリコン含有膜との反応を促進させることができる。
【００８４】
また、酸化剤溶液として過酸化水素水を用い、例えば４０℃〜１００℃程度の低温で酸化処理を行うことで、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。すなわち、低温で処理することで、例えばウエハ２０１の微細構造の溝内に形成されたシリコン含有膜の表面部のみが先に酸化されてしまうことを抑制できる。従って、ウエハ２０１が有する溝内でより均一な酸化処理を行うことができ、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。
【００８５】
また、過酸化水素水は、常温より高い例えば４０℃以上１００℃以下、好ましくは５０℃以上１００℃以下の使用環境において、より活性に作用する。これにより、ウエハ２０１の溝の深い場所に形成されたシリコン含有膜により過酸化水素水を供給できる。また、この温度帯では、過酸化水素の酸化力を十分に発揮させることができる。従って、酸化処理を短時間で行うことができる。また、４０℃以上５０℃以下の使用環境において、ウエハ２０１への処理の均一性をより向上させることができる。
【００８６】
所定の処理時間が経過したら、バルブ２３３を閉じて、処理室１０８内への処理液としての過酸化水素水の供給を停止する。
【００８７】
（パージ工程（Ｓ５０））
酸化工程（Ｓ４０）が終了した後、ＡＰＣバルブ２４３又はバルブ２４５の少なくともいずれかを開ける。すなわち、排気部により処理室１０８内の排気し、処理室１０８内に残留する過酸化水素水等の残留物を排出する。このとき、バルブ２３７を開け、処理室１０８内にパージガスとしての不活性ガスであるＮ２ガスを供給することで、処理室１０８内からの残留物の排出を促すことができる。
【００８８】
そして、ＡＰＣバルブ２４３の開度又はバルブ２４５の開閉の少なくともいずれかを制御し、処理室１０８内の圧力を大気圧に復帰させる。具体的には、バルブ２３７を開けて、処理室１０８内に不活性ガスである例えばＮ２ガスを供給しつつ、圧力センサ２４２に基づいて排気部のＡＰＣバルブ２４３の開度又はバルブ２４５の開閉の少なくともいずれかを制御し、処理室１０８内の圧力を大気圧に降下させる。
【００８９】
（乾燥工程（Ｓ６０））
酸化工程（Ｓ４０）が終了したら、回転機構２６７への供給電力を調整し、サセプタ２１７の回転、すなわちウエハ２０１の回転速度を所定の速度にする。ウエハ２０１の回転速度が所定の速度に達したら、バルブ２２３を開け、処理液としての純水を、処理液供給管２２０からバッファ室２３７を介して処理室１０８内へ供給する。このように、ウエハ２０１を回転させつつ、処理室１０８内に純水を供給することで、ウエハ２０１上の水分に遠心力が働き、ウエハ２０１上から水分を除去し、ウエハ２０１を乾燥させることができる。また、処理室１０８内に純水を供給することで、処理室１０８内の過酸化水素や、酸化工程（Ｓ４０）で生成された副生成物等をウエハ２０１上から除去することができる。
【００９０】
また、ウエハ２０１の乾燥は、ウエハ２０１を回転させつつ、処理室１０８内に例えばアルコールを供給することで行ってもよい。すなわち、バルブ２２３を開け、処理液としてのアルコールを、処理液供給管２２０からバッファ室２３７を介して処理室１０８内へ供給してもよい。これにより、ウエハ２０１上の水分をアルコールで置換することでウエハ２０１上の水分を除去した後、ウエハ２０１上のアルコールを除去することにより、ウエハ２０１を乾燥することができる。なお、アルコールとしては、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等を用いることができる。このとき、ウエハ２０１を回転させつつ、ヒータ２１７ｂや、ランプ加熱ユニット２１８、抵抗加熱ヒータ等の発熱体により、ウエハ２０１を適温に加熱してもよい。これにより、ウエハ２０１上からのアルコールの除去を促進させて、ウエハ２０１の乾燥を促進させることができる。なお、アルコールは、気体（蒸気）状態で処理室１０８内へ供給してもよい。すなわち、バルブ２２７を開け、処理ガスとしての気体状態のアルコールを、ガス供給管２２４から処理室１０８内へ供給してもよい。  
【００９１】
また、ウエハ２０１の乾燥は、例えば、処理室１０８内に窒素ガスを供給して行うブロー乾燥や、ウエハ２０１を回転させることによる回転スピン乾燥等の方法で行ってもよい。
【００９２】
（基板搬出工程（Ｓ７０））
そして、サセプタ２１７をウエハ２０１の搬送位置まで下降させ、サセプタ２１７の表面から突出させたウエハ突き上げピン２６５上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１０５を開き、ロード・アンロードアーム１０６を用いてウエハ２０１を処理室１０８の外へ搬出する。ロード・アンロードアーム１０６を用いて搬出したウエハ２０１は、第１処理室としての処理室１０８とは異なる、例えば第２処理室としての処理室１０９へ搬入する。
【００９３】
（熱処理工程（Ｓ８０））
乾燥工程（Ｓ６０）が終了し、第２処理室としての処理室１０９内に搬入して収容したウエハ２０１が所定の温度（例えば２５０℃程度）となるように、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかによって加熱し、ベーク処理（アニール処理）を行う。
【００９４】
なお、ウエハ２０１を処理室１０９内に搬入する際には、排気部により処理室１０９内を排気しつつ、ガス供給部から処理室１０８内にパージガスとしての例えば窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガスを供給することが好ましい。これにより、処理室１０９内へのパーティクルの侵入や、ウエハ２０１上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。なお、真空ポンプ２４６ａ又は真空ポンプ２４６ｂの少なくともいずれかは、少なくとも基板搬出工程（Ｓ９０）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とするとよい。  
【００９５】
ウエハ２０１が所定の温度に達したら、排気部から排気しつつ、処理室１０９内への処理ガスの供給を開始する。すなわち、バルブ２２７及びバルブ２３１を開け、処理ガスを、処理液供給管２２０からバッファ室２３７を介して処理室１０９内に供給する。処理ガスとして、例えば純水を窒素ガスでバブリングさせたガス等の水分を含ませた窒素ガスを用いる。また、処理ガスとして、例えば、水素（Ｈ２）ガスと酸素（Ｏ２）ガスとを用いて生じた水分を窒素ガスでバブリングさせたガス等を用いてもよい。
【００９６】
処理室１０９内への処理ガスである水分を含ませた窒素ガスの供給を開始したら、ウエハ２０１をさらに加熱する。すなわち、処理室１０９内へ処理ガスを供給しつつ、ウエハ２０１が所定の温度（例えば４００℃程度）となるように、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかによって加熱する。これにより、処理ガスに含まれる水分を蒸発させながら、ウエハ２０１を加熱できる。すなわち、スチーム雰囲気でウエハ２０１を加熱できる。
【００９７】
ここで、上述の酸化工程（Ｓ４０）が終了した後、熱処理工程（Ｓ８０）を実施するウエハ２０１上のシリコン含有膜（シリコン酸化膜）は、ＯＨを含んでいる。すなわち、酸化工程（Ｓ４０）で、処理液としての過酸化水素水を用いて酸化処理を実施すると、シリコン含有膜（シリコン酸化膜）の表面には、ＯＨが吸着する。また、シリコン含有膜（シリコン酸化膜）中には、ＯＨが取り込まれる。なお、このＯＨは、例えば、ＯＨの状態や、Ｈ２Ｏの状態やＨ２Ｏ２の状態で、シリコン含有膜（シリコン酸化膜）に含まれている。
【００９８】
これにより、処理室１０８内にガス化したヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）を発生させることができる。このヒドロキシラジカルによって、上述の酸化工程（Ｓ４０）で除去しきれなかった窒素（Ｎ），水素（Ｈ），炭素（Ｃ）等のシリコン含有膜（シリコン酸化膜）に含まれる不純物を除去することができる。すなわち、上述の酸化工程（Ｓ４０）で酸化しきれなかった成分を酸化させることができる。従って、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。その結果、ウエハ２０１上のシリコン酸化膜の緻密性を向上させることができる。
【００９９】
ウエハ２０１が所定の温度（例えば４００℃程度）に達したら、バルブ２３１を閉じて、処理室１０９内への水分の供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ２４３又はバルブ２４５の少なくともいずれかと、バルブ２２７とを開けたままとする。すなわち、排気部によって処理室１０９内の排気、及び処理室１０８内への窒素ガスの供給を継続し、処理室１０８内から水分を排出（除去）する。
【０１００】
処理室１０９内から水分を排出（除去）したら、ウエハ２０１が所定の温度（例えば４５０℃）となるように、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかによって、さらにウエハ２０１を加熱する。すなわち、水分の無い窒素雰囲気下の処理室１０９内でさらにウエハ２０１を加熱する。ウエハ２０１が所定の温度（例えば４５０℃）に達したら、ウエハ２０１の温度を維持しつつ、ウエハ２０１を所定の時間（例えば３０分間）加熱し続ける。所定の時間が経過したら、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８に対する電力供給を停止する。そして、ウエハ２０１を自然冷却し、降温させる。このように、ウエハ２０１を水分の無い窒素雰囲気下の処理室１０９内で所定時間加熱することで、ウエハ２０１上に形成されたシリコン酸化膜の表面に吸着したり、シリコン酸化膜中に取り込まれてしまったＯＨを除去できる。
【０１０１】
（基板搬出工程（Ｓ９０））
そして、サセプタ２１７をウエハ２０１の搬送位置まで下降させ、サセプタ２１７の表面から突出させたウエハ突き上げピン２６５上にウエハ２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１０５を開き、ロード・アンロードアーム１０６を用いてウエハ２０１を処理室１０９の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。
【０１０２】
（５）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【０１０３】
（ａ）本実施形態によれば、大気圧以上の圧力雰囲気下にある処理室１０８内に、処理液供給部から処理液を供給し、シリコン含有膜が形成されたウエハ２０１のシリコン含有膜を酸化する酸化工程（Ｓ４０）を有する。これにより、シリコン含有膜を酸化して形成されるシリコン酸化膜の膜質を向上させることができる。すなわち、大気圧以上の圧力雰囲気下にある処理室１０８内でシリコン含有膜の酸化処理を行うことで、例えばウエハ２０１が有する微細構造の溝の底（溝内の深い場所）に形成されたシリコン含有膜まで、過酸化水素水を供給し、浸透させることができる。従って、ウエハ２０１の溝の底のシリコン含有膜まで酸化させることができ、溝内で均一な処理を行うことができる。また、例えば加工寸法が５０ｎｍ以下の微小な凹凸構造が形成され、表面積が増えたウエハ２０１であっても、溝内で均一な処理を施すことが可能となる。  
【０１０４】
また、大気圧以上の圧力雰囲気下にある処理室１０８内で酸化処理を行うことで、処理液とシリコン含有膜との反応を促進させることができる。従って、処理時間を短縮することができる。
【０１０５】
（ｂ）本実施形態によれば、処理液は、過酸化水素を含んでいる。これにより、低温かつ短時間でウエハ２０１上のシリコン含有膜を酸化させてシリコン酸化膜に改質することができる。これにより、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。
【０１０６】
すなわち、低温で酸化処理を行うことにより、シリコン含有膜の表面部のみが先に酸化されてしまうことを抑制できる。従って、ウエハ２０１により均一な酸化処理を施すことができ、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。これに対し、高温で処理した場合には、シリコン含有膜の表面部のみが先に酸化されてしまう場合がある。また、低温で処理することで、シリコン酸化膜（半導体素子）への熱負荷を低減することができる。すなわち、ウエハ２０１に形成されたゲート酸化膜やゲート電極など半導体素子の特性を変質させることなく、シリコン含有膜をシリコン酸化膜に改質できる。
【０１０７】
また、低温で酸化処理を行うことで、過酸化水素水をより活性化させることができる。従って、ウエハ２０１上のシリコン含有膜の下部に過酸化水素水をより供給でき、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。また、低温で酸化処理を行うことで、過酸化水素の酸化力を十分に発揮させることができる。これにより、酸化処理を短時間で行うことができる。従って、基板処理装置１００の処理スループット（ウエハ２０１の製造スループット）を向上させることができる。
【０１０８】
（ｃ）本実施形態によれば、シリコン含有膜は、ポリシラザンを含有する。これにより、微細な凹凸構造を有するウエハ２０１上に形成されたシリコン含有膜をより容易に酸化させ、シリコン酸化膜に改質することができる。
【０１０９】
また、シリコン含有膜を、ＮＨ−を多く含まないＳｉ−Ｏ結合を主骨格にするシリコン酸化膜を形成することができる。このシリコン酸化膜は、従来の有機ＳＯＧで形成されるシリコン酸化膜とは異なり、高い耐熱性を有する。
【０１１０】
（ｄ）本実施形態によれば、酸化工程（Ｓ４０）が終了した後、ウエハ２０１を乾燥させる乾燥工程（Ｓ６０）を有する。これにより、処理室１０８内の過酸化水素や、酸化工程（Ｓ４０）で生成された副生成物等をウエハ２０１上から除去することができる。
【０１１１】
（ｅ）本実施形態によれば、酸化工程（Ｓ４０）が終了した後、ウエハ２０１を加熱する熱処理工程（Ｓ８０）を有する。これにより、酸化工程（Ｓ４０）で酸化しきれなかったシリコン含有膜中の成分を酸化させることができる。すなわち、熱処理工程（Ｓ８０）を実施することにより、例えばウエハ２０１の溝内の最深部に存在するシリコン含有膜中の不純物である窒素や水素、その他の不純物を除去することができる。従って、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。すなわち、シリコン含有膜を十分に酸化、緻密化、硬化させることができる。その結果、シリコン酸化膜は、絶縁膜として良好なＷＥＲ（ウエハエッチングレート）特性を得ることができる。なお、ＷＥＲは、最終アニール温度依存性が大きく、高温になるほどＷＥＲ特性が向上する。
【０１１２】
（ｆ）本実施形態によれば、熱処理工程（Ｓ８０）を実施するウエハ２０１が有するシリコン含有膜はＯＨを含んでいる。これにより、熱処理工程（Ｓ８０）において、処理室１０８内にガス化したヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）を発生させることができる。このヒドロキシラジカルによって、酸化工程（Ｓ４０）で除去しきれなかった窒素，水素，炭素等のシリコン含有膜（シリコン酸化膜）に含まれる不純物をより除去することができる。
【０１１３】
（ｇ）本実施形態によれば、熱処理工程（Ｓ８０）では、処理室１０８内に水分（例えば水分を含む窒素ガス）を供給しつつ、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかにより処理室１０８内のウエハ２０１を加熱している。そして、ウエハ２０１が所定の温度に達したら、処理室１０８内への水分の供給を停止し、処理室１０８内から水分を除去している。処理室１０８内から水分を除去したら、ヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかによりウエハ２０１を所定温度で、所定時間加熱するようにしている。このように、ウエハ２０１を水分の無い雰囲気下の処理室１０８内で所定時間加熱することで、ウエハ２０１上に形成されたシリコン酸化膜の表面に吸着したり、シリコン酸化膜中に取り込まれてしまったＯＨを除去できる。従って、シリコン酸化膜の膜質をより向上させることができる。
【０１１４】
（ｈ）本実施形態によれば、加熱部として、所定の波長の赤外線を放射するランプ加熱ユニット２１８を用いている。これにより、水分子を効率良く加熱することができ、ウエハ２０１の加熱効率を向上させることができる。
【０１１５】
（ｉ）本実施形態によれば、塗布工程（Ｓ２０）、硬化工程（Ｓ３０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を同一の処理室１０８内で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を処理室１０８とは異なる処理室１０９で行っている。これにより、例えば、複数の処理室（例えば処理室１０８，１０９）を備える基板処理装置１００での処理スループットを向上させることができる。すなわち、熱処理工程（Ｓ８０）は、塗布工程（Ｓ２０）や、酸化工程（Ｓ４０）、乾燥工程（Ｓ６０）に比べて、処理時間が長い場合が多い。このような処理時間が長い熱処理工程（Ｓ８０）と、他の工程とを、異なる処理室で行うようにすることで、処理室１０８及び処理室１０９での処理時間をほぼ同じ時間にすることができる。また、例えば、複数の処理室を備える基板処理装置１００で複数のウエハ２０１を連続的に処理する際に、各処理室毎で処理時間がほぼ同じであるため、ウエハ２０１の待機時間などのパラメータを考慮する必要がなくなり、複数枚のウエハ２０１の搬送管理が容易になる。また、ウエハ２０１の搬送工程を簡略化できる。
【０１１６】
また、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）のように、処理室内に処理液を供給して行われる処理と、熱処理工程（Ｓ８０）のように、処理室内にガスを供給して行われる処理とで処理室を異ならせることで、例えば、加熱時に発生するポリシラザン等のシリコン材料の溶媒ガスや過酸化水素水ガスと、水蒸気とが反応することを防止できる。
【０１１７】
また、塗布工程（Ｓ２０）、硬化工程（Ｓ３０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を同一の処理室１０８内で行うことで、塗布工程（Ｓ２０）から酸化工程（Ｓ４０）までの処理と処理との間の待ち時間、すなわちリードタイムを短縮できる。従って、基板処理装置１００の処理スループットを向上させることができる。また、ポリシラザン等のシリコン材料が、大気中の水分を吸収することを抑制できる。すなわち、シリコン含有材料をウエハ２０１に塗布した直後から発生する、シリコン含有膜と大気中の水分との反応を抑制できる。従って、シリコン含有膜の自然酸化を抑制できる。その結果、例えばロット毎に再現性のある処理を施すことができる。
【０１１８】
また、同一筐体内で処理されるので、製造途中に想定しない物質との接触を防ぐことができる。すなわち、例えば、半導体装置製造工場のクリーンルーム環境に存在する、シロキサン類の吸着や、化学成分の吸着、あるいは帯電など、想定し得ない環境影響を抑制することができる。
【０１１９】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１２０】
上述の実施形態では、酸化工程（Ｓ４０）を、大気圧より高い圧力雰囲気（例えば０．３ＭＰａ）下にある処理室１０８内で行ったが、これに限定されるものではない。すなわち、酸化剤溶液である処理液をウエハ２０１上のシリコン含有膜に浸透させることができる高い圧力であればよく、例えば、酸化工程（Ｓ４０）を大気圧状態にある処理室１０８内で行ってもよい。これにより、酸化工程（Ｓ４０）を行う処理室として、例えば従来のバッチ型洗浄装置や枚葉のノズル噴射式の洗浄装置を用いることが可能になり、加圧・減圧に必要なプロセス時間を短縮できる。
【０１２１】
上述の実施形態では、熱処理工程（Ｓ８０）において、処理ガスとして、水分を含ませた窒素ガスを用いたがこれに限定されるものではない。すなわち、処理室１０８内に収容されたウエハ２０１が所定の温度（例えば２５０℃程度）に達したら、処理ガスとして水分を含まない窒素（Ｎ２）ガスを処理室１０８内に供給し、熱処理を行ってもよい。酸化工程（Ｓ４０）で、ウエハ２０１が有するシリコン含有膜（シリコン酸化膜）が十分な水分（ＯＨ）を含んだ場合に有効である。これにより、熱処理工程（Ｓ８０）の処理時間をより短縮できる。
【０１２２】
また、例えば、熱処理工程（Ｓ８０）は、処理室１０８に酸素含有ガスを供給しながら行ってもよい。酸素含有ガスとしては、例えば酸素（Ｏ２）ガス、水蒸気（Ｈ２Ｏ）、オゾン（Ｏ３）ガス、亜酸化窒素（ＮＯ）ガス、酸化窒素（ＮＯ２）ガス等を用いることができる。
【０１２３】
上述の実施形態では、加熱部として、ヒータ２１７ｂ及びランプ加熱ユニット２１８が設けられる場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えばヒータ２１７ｂ又はランプ加熱ユニット２１８の少なくともいずれかが設けられていればよい。また、この他、加熱部として、例えばマイクロ波源等が設けられていてもよい。
【０１２４】
また、例えば、熱処理工程（Ｓ８０）を実施する処理室（例えば処理室１０９）に、ウエハ２０１に紫外光を照射する紫外光照射部が設けられてもよい。これにより、より緻密な酸化膜を形成することができる。紫外光照射部が設けられた処理室では、例えば以下のような処理が行われる。まず、ヒータ２１７ｂによってウエハ２０１を所定の温度（例えば４００℃）に加熱する。ウエハ２０１が所定の温度に達したら、処理室１０９内を窒素雰囲気の減圧状態（真空状態）にし、紫外光照射部からウエハ２０１に紫外光を照射する。紫外光により、酸化工程（Ｓ４０）でウエハ２０１に形成されたシリコン酸化膜の分子間の結合、すなわちＳｉ−Ｏ間の結合が切断される。同時に、ウエハ２０１の加熱及び真空処理により、紫外光によって切断されたシリコン（Ｓｉ）成分及び酸素（Ｏ）成分がそれぞれ、隣接する分子と再結合する。従って、シリコン酸化膜中の不要な水分を脱離させることができる。
【０１２５】
上述の実施形態では、塗布工程（Ｓ２０）、硬化工程（Ｓ３０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を処理室１０８内で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を処理室１０８とは異なる処理室１０９内で行ったが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば図５に示すように、塗布工程（Ｓ２０）を、第１処理室としての塗布処理室で行い、硬化工程（Ｓ３０）を第２処理室としてのプリベーク処理室で行い、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を第３処理室としての酸化・乾燥処理室で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を第４処理室としての熱処理室（ベーク処理室）で行ってもよい。なお、図５において、基板搬入・載置工程（Ｓ１０）や、パージ工程（Ｓ５０）、基板搬出工程（Ｓ７０）、基板搬出工程（Ｓ９０）等の図示を省略している。しかしながら、これらの工程は必要に応じて適宜行われている（図６〜図１１も同様）。
【０１２６】
また、例えば塗布工程（Ｓ２０）、硬化工程（Ｓ３０）、酸化工程（Ｓ４０）、乾燥工程（Ｓ６０）、熱処理工程（Ｓ８０）をそれぞれ異なる処理室で行ってもよい。このように各工程をそれぞれ異なる処理室で行うことで、各工程を行う処理室内の雰囲気の調整時間を短縮することができ、基板処理装置１００の処理スループットを向上させることができる。特に、塗布工程（Ｓ２０）を行う処理室と、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を行う処理室と、をそれぞれ異ならせることで、シリコン含有材料に含まれる溶媒と過酸化水素水や水とが反応することを抑制できる。
【０１２７】
また、例えば、塗布工程（Ｓ２０）、硬化工程（Ｓ３０）、酸化工程（Ｓ４０）、乾燥工程（Ｓ６０）及び熱処理工程（Ｓ８０）を同一の処理室１０８内で行ってもよい。
【０１２８】
上述の実施形態では、乾燥工程（Ｓ６０）の後に熱処理工程（Ｓ８０）を実施したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、図６及び図７に示すように、熱処理工程（Ｓ８０）を実施しなくてもよい。このように熱処理を行わなくても、ウエハ２０１上にシリコン酸化膜を形成することができるとともに、ウエハ２０１上に形成された半導体素子の熱負荷を低減することができる。すなわち、ウエハ２０１上に例えばゲート酸化膜やゲート電極等の半導体素子が形成されている場合、これらの素子の特性が変質されることを抑制できる。なお、熱処理工程（Ｓ８０）を実施しない場合においても、例えば図６に示すように、塗布工程（Ｓ２０）と、硬化工程（Ｓ３０）と、酸化工程（Ｓ４０）と、乾燥工程（Ｓ６０）とをそれぞれ異なる処理室で行ってもよい。また、例えば図７に示すように、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を同一の処理室で行ってもよい。すなわち、例えば、塗布工程（Ｓ２０）を第１処理室としての塗布処理室で行い、硬化工程（Ｓ３０）を第２処理室としてのプリベーク処理室で行い、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を第３処理室としての酸化・乾燥処理室で行ってもよい。
【０１２９】
上述の実施形態では、塗布工程（Ｓ２０）の後に硬化工程（Ｓ３０）を実施したが、これに限定されるものではない。例えば、図８及び図９に示すように、硬化工程（Ｓ３０）を実施しなくてもよい。これにより、基板処理工程を簡略化することができ、処理スループットを向上させることができる。このとき、例えば図８に示すように、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）、乾燥工程（Ｓ６０）及び熱処理工程（Ｓ８０）をそれぞれ異なる処理室で行ってもよい。また、例えば図９に示すように、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を同一の処理室で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を行う処理室とは異なる処理室で行ってもよい。すなわち、例えば、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を第１処理室としての塗布処理室で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を第２処理室としてのベーク処理室で行ってもよい。
【０１３０】
また、例えば、図１０及び図１１に示すように、硬化工程（Ｓ３０）と熱処理工程（Ｓ８０）とを省略してもよい。この場合においても、例えば図１０に示すように、塗布工程（Ｓ２０）と、酸化工程（Ｓ４０）と、乾燥工程（Ｓ６０）とをそれぞれ異なる処理室で行ってもよく、また例えば図１１に示すように、塗布工程（Ｓ２０）と、酸化工程（Ｓ４０）と、乾燥工程（Ｓ６０）とを同一の処理室（例えば第１処理室としての塗布処理室）で行ってもよい。
【０１３１】
図１２に、図１で示す６つの処理室１０８〜１１３を備える基板処理装置１００を用いた場合において、各工程を実施する処理室の割り振り例を示す。
【０１３２】
例えば図５に示すように、塗布工程（Ｓ２０）を塗布処理室で行い、硬化工程（Ｓ３０）をプリベーク処理室で行い、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を酸化・乾燥処理室で行い、熱処理工程（Ｓ８０）を熱処理室（ベーク処理室）で行う場合、例えば図１２に示すように、処理室１０８を塗布処理室として用い、処理室１０９及び処理室１１１をプリベーク処理室として用い、処理室１１２を酸化・乾燥処理室として用い、処理室１１０及び処理室１１３をベーク処理室として用いることができる。
【０１３３】
また、例えば図７に示すように、塗布工程（Ｓ２０）を塗布処理室で行い、硬化工程（Ｓ３０）をプリベーク処理室で行い、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を酸化・乾燥処理室で行う場合、例えば図１２に示すように、処理室１０８及び処理室１１１を塗布処理室として用い、処理室１０９及び処理室１１２をプリベーク処理室として用い、処理室１１０及び処理室１１３を酸化・乾燥処理室として用いることができる。
【０１３４】
また、例えば図９に示すように、塗布工程（Ｓ２０）、酸化工程（Ｓ４０）及び乾燥工程（Ｓ６０）を塗布処理室で行い、熱処理工程（Ｓ８０）をベーク処理室で行う場合、例えば図１２に示すように、処理室１０８、処理室１０９、処理室１１１及び処理室１１２を塗布処理室として用い、処理室１１０及び処理室１１３をベーク処理室として用いることができる。
【０１３５】
また、例えば図１１に示すように、塗布工程（Ｓ２０）と、酸化工程（Ｓ４０）と、乾燥工程（Ｓ６０）とを塗布処理室で行う場合、例えば図１２に示すように、処理室１０８〜処理室１１３をそれぞれ、塗布処理室として用いることができる。
【０１３６】
上述の実施形態では、酸化工程（Ｓ４０）において、過酸化水素水を処理液供給管２２０から滴下してウエハ２００に供給するように構成したが、これに限定されるものではない。例えば、酸化工程（Ｓ４０）において、過酸化水素水を気化させた気体を処理室１０８内に供給して酸化処理を行ってもよい。これにより、複数枚のウエハ２０１を同時に処理することが容易になる。
【０１３７】
また、例えば、酸化工程（Ｓ４０）を行う処理室には、過酸化水素水を溜める薬液槽が設けられていてもよい。すなわち、処理室内に設けられた薬液槽に予め過酸化水素水を溜めておき、シリコン含有膜を有するウエハ２０１を過酸化水素水で満たされた薬液槽に浸漬することで、酸化処理を行ってもよい。例えば、薬液槽内を過酸化水素の濃度が３０％以上で、液温が５０℃である過酸化水素水で満たし、ウエハ２０１を３０分間浸漬させることで酸化処理を行ってもよい。このとき、薬液槽が設けられた処理室内は、例えば大気圧より高い圧力（例えば０．３ＭＰａ）に加圧されて調整されている。また、薬液槽が設けられた処理室内は、大気圧状態となるように圧力が調整されていてもよい。
【０１３８】
また、上述の実施形態では、シリコン含有膜として、例えばポリシラザンを含有する場合について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、シリコン含有膜の他に、例えば過酸化水素水等の酸化剤溶液を用いて、酸化させることができる膜がウエハ２０１上に形成されていればよい。例えば、トリシリルアミン（ＴＳＡ）やアンモニアのプラズマ重合膜を用いても良い。  
【０１３９】
上述の実施形態では、ウエハ２０１上にシリコン含有膜としてのポリシラザン膜を、ポリシラザンを含む溶液をウエハ２０１上に塗布することで形成したが、これに限定されるものではない。すなわち、ウエハ２０１として、例えばポリシリコン膜等のシリコン含有膜が予め形成されたウエハ２０１を用いてもよい。ウエハ２０１上に予め形成されたシリコン含有膜は、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス又はトリシリルアミン（ＴＳＡ）ガス等のシリコン（Ｓｉ）原料を用いたＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成される。
【０１４０】
また、上述の実施形態では、搬送ロボットとしてのロード・アンロードアーム１０６によって、基板処理装置１００が備える各処理室１０８〜１１３へのウエハ２０１の搬送を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、基板処理装置１００が備える各処理室１０８〜１１３をベルトコンベアで直列に接続し、ベルトコンベアによって各処理室１０８〜１１３へウエハ２０１を搬送しても良い。
【０１４１】
また、図１に示す基板処理装置１００に限定されるものではない。すなわち、例えば図１３に示すような、クラスタ型の基板処理装置１００Ａであってもよい。図１３に示す基板処理装置１００Ａでは、処理室として、４つの処理室１０８〜１１１が設けられている。また、基板処理装置１００Ａには、ウエハ２０１の位置補正を行う補正装置として、ノッチ合わせ装置１１４が設けられている。ノッチ合わせ装置１１４は、ウエハ２０１の結晶方向や位置合わせ等をウエハ２０１のノッチを用いて行うように構成されている。なお、ノッチ合わせ装置１１４の代わりに、オリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられてもよい。  
【０１４２】
上述の実施形態では、一つの処理室内で一枚のウエハ２０１を処理する処理室を備える枚葉式の基板処理装置について説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、一つの処理室内で複数枚のウエハ２０１をサセプタ２１７に載置して処理を行うことができる処理室を備える多枚葉式の基板処理装置であってもよい。また、例えば、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心をそろえた状態で垂直方向に多段に整列させて基板支持具に保持し、基板処理を行う縦型の処理室を備える基板処理装置であってもよい。このように一度に複数枚のウエハ２０１を処理するバッチ式の基板処理装置を用いると、ウエハ２０１の処理スループットを向上させることができる。
【０１４３】
また、例えば、処理室１０８内が複数の処理領域に分けられていてもよい。すなわち、各処理領域でそれぞれ、上述の各工程が行われるように構成されていてもよい。このとき、処理室１０８内には、複数枚のウエハ２０１を水平方向に載置可能な回転テーブル（サセプタ）が設けられている。そして、回転テーブルが回転することで、ウエハ２０１が処理室１０８内に設けられた各処理領域を通過するように構成されている。これにより、ウエハ２０１に上述の各工程が実施されるようにしても良い。
【０１４４】
また、上述の実施形態では、ウエハ２０１として、微細な凹凸構造を有する基板を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、ウエハ２０１として、半導体装置パターンが形成された基板や、ゲート酸化膜やゲート電極が形成された基板を用いてもよい。このような基板に、上述の実施形態の様な低温の酸化処理を施すことにより、予め基板に形成された膜特性を変質させることなく処理することが可能となる。  
【０１４５】
上述の実施形態では、ウエハ２０１として微細な凹凸構造を有する基板を用い、微細な溝（凹部）内に、絶縁体としてのシリコン酸化膜を形成する工程を例について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、ウエハ２０１の層間絶縁膜を形成する工程や、半導体装置の封止工程等にも適用可能である。
【０１４６】
また、上述の実施形態では、ウエハ２００を処理する基板処理装置に適用する場合を説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、例えば、液晶デバイスの製造工程での液晶を有する基板の封止処理や、各種デバイスに使われるガラス基板やセラミック基板への撥水コーティング処理にも適用可能である。更には、鏡への撥水コーティング処理などにも適用可能である。
【実施例】
【０１４７】
次に、本発明の実施例を図１４〜図１６を参照しながら説明する。【０１４８】
本実施例では、ポリシラザンを含むシリコン含有膜を有するウエハ２０１を用いた。シリコン含有膜の膜厚は６００ｎｍとした。まず、シリコン含有膜を有するウエハ２０１に硬化処理（プリベーク処理）を行った（実施例１）。【０１４９】
また、硬化処理を行ったシリコン含有膜を有するウエハ２０１（実施例１のウエハ２０１）に、５０℃で、大気圧状態の処理室１０８内で酸化処理（過酸化水素水処理、大気圧過酸化水素水処理）を行った（実施例２）。なお、酸化処理は、酸化剤溶液として過酸化水素濃度が３０ｗｔ％である過酸化水素水を用い、３０分間行った。【０１５０】
また、硬化処理を行ったシリコン含有膜を有するウエハ２０１（実施例１のウエハ２０１）に、５０℃で、大気圧状態の処理室１０８内に純水を供給して純水処理を行った（実施例３）。【０１５１】
また、硬化処理を行ったシリコン含有膜を有するウエハ２０１（実施例１のウエハ２０１）に、５０℃で、大気圧より高い圧力（０．３ＭＰａ）下にある処理室１０８内で酸化処理（加圧過酸化水素水処理）を行った（実施例４）。なお、酸化処理は、酸化剤溶液として過酸化水素濃度が３０ｗｔ％である過酸化水素水を用い、３０分間行った。【０１５２】
また、硬化処理を行った後、５０℃で、大気圧状態の処理室１０８内で酸化処理を行ったウエハ２０１（実施例２のウエハ）に熱処理を行った（実施例５）。すなわち、酸化処理（過酸化水素水処理）後に、スチーム酸化処理を行った。なお、熱処理は、以下のように行った。まず、ウエハ２０１を所定の温度（例えば２５０℃）まで加熱する。ウエハ２０１が所定の温度（例えば２５０℃）に達したら、処理室内への水分を含ませた窒素ガスの供給を開始するとともに、ウエハ２０１が所定の温度（４００℃）になるまで、ウエハ２０１をさらに加熱する。ウエハ２０１が所定の温度（４００℃）に達したら、処理室内への水分の供給を停止し、ウエハ２０１が所定の温度（４５０℃）になるまでさらに加熱し、所定時間加熱処理を行った。【０１５３】
上述の実施例１〜実施例５について、ウエハ２０１が有するシリコン含有膜（シリコン酸化膜）の組成分析を、ＦＴ−ＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  ＩｎｆｒａＲｅｄ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：フーリエ変換赤外光度分光計）によって行った。その結果を図１４〜図１６にそれぞれ示す。すなわち、図１４は、本発明の実施例１〜実施例３にかかるウエハ２０１がそれぞれ有するシリコン含有膜（シリコン酸化膜）のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。図１５は、本発明の実施例１、実施例２及び実施例４にかかるウエハ２０１がそれぞれ有するシリコン含有膜（シリコン酸化膜）のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。図１６は、本発明の実施例１、実施例２及び実施例５にかかるウエハ２０１がそれぞれ有するシリコン含有膜（シリコン酸化膜）のＦＴ−ＩＲによるスペクトルデータのグラフ図である。なお、図１４〜図１６において、横軸はウエハ２０１に照射した赤外線の波数（ｃｍ−１）を示し、縦軸はウエハ２０１により吸収された赤外線の吸光度（ａｂｓｏｒｂａｎｃｅ）を示している。
【０１５４】
図１４から、過酸化水素水を用いて酸化処理を行った実施例２は、実施例１と比べて、波数が１０９０ｃｍ−１付近のＳｉ−Ｏの伸縮運動（Ｓｉ−Ｏ（Ｓｔｒｅｔｃｈ））と、波数が１２４０ｃｍ−１付近の非対称伸縮運動（Ｓｉ−Ｏのｃａｇｅ構造（Ｓｉ−Ｏ（ｃａｇｅ）））の明確な結合振動を確認することができる。なお、実施例１と実施例３とを比較した場合、ウエハ２０１が有するシリコン含有膜中のＳｉ−Ｈ結合の量にほとんど差が無いことが確認した。すなわち、プリベーク処理を行った後、純水処理を行っても、シリコン含有膜中から不純物である水素（Ｈ）をあまり除去できないことを確認した。【０１５５】
図１５から、大気圧より高い圧力雰囲気下の処理室内で酸化処理を行った実施例４は、大気圧状態の処理室内で酸化処理を行った実施例２と比べて、波数が２２００ｃｍ−１付近のＳｉ−Ｈ結合の量が更に減少しており、不純物がさらに除去できていることを確認することができる。また、波数が１２４０ｃｍ−１付近の非対称伸縮運動（Ｓｉ−Ｏ（ｃａｇｅ））がより明確に現れ、シリコン含有膜の酸化、すなわちＳｉＯ２化がより促進されていることを確認することができる。【０１５６】
図１６から、酸化処理を行った後に熱処理を行った実施例５は、実施例４と比べて、波数が１２４０ｃｍ−１付近の非対称伸縮運動（Ｓｉ−Ｏ（ｃａｇｅ））がさらに明確に現れ、シリコン含有膜の酸化が更に進行していることを確認することができる。【０１５７】
すなわち、上述の本発明の実施例から、微細構造を有するウエハ２０１であっても、シリコン含有膜を成膜し、またシリコン含有膜をシリコン酸化膜へ改質することができることを確認できる。さらには、微細構造を有するウエハ２０１であっても、回路そのものの性能が劣化するような高い温度で処理を行うことなく、高品質で緻密な膜を成膜することができることが確認できる。なお、回路そのものの性能が劣化しない温度とは、例えば、トランジスタの動作用に打ち込んだボロンや砒素、燐などの不純物の過剰な拡散、電極用の金属シリサイドの凝縮、ゲート用仕事関数の性能変動、メモリ素子の読み込みまたは書き込み繰り返し寿命の劣化などが起きない温度である。  【０１５８】
＜好ましい態様＞
以下に、好ましい態様について付記する。【０１５９】
（付記１）
一態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容した後、大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室内に、処理液供給部から処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する酸化工程を有する半導体装置の製造方法が提供される。【０１６０】
（付記２）
付記１の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記処理液は、過酸化水素を含む。【０１６１】
（付記３）
付記１又は付記２の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜は、シラザン結合を有する。【０１６２】
（付記４）
付記１ないし付記３のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜は、ポリシラザンを含有する。【０１６３】
（付記５）
付記１ないし付記４のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記酸化工程の後に、前記基板を乾燥させる乾燥工程を有する。【０１６４】
（付記６）
付記１ないし付記５のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記酸化工程の後に、前記基板を加熱する熱処理工程を有する。【０１６５】
（付記７）
付記６の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記熱処理工程を実施する前記基板が有する前記シリコン含有膜はＯＨを含む。【０１６６】
（付記８）
付記６又は付記７の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記熱処理工程では、
前記処理室内に水分を供給し、前記加熱部により前記処理室内の前記基板を加熱し、前記基板が所定の温度に達した後、前記処理室内から水分を除去する。【０１６７】
（付記９）
付記１ないし付記８のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜を、シリコン含有材料を前記基板上に塗布することで形成する塗布工程を有する。【０１６８】
（付記１０）
付記９の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記塗布工程の後に、前記基板を加熱して前記シリコン含有膜を硬化させる硬化工程を有する。【０１６９】
（付記１１）
付記１ないし１０のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
少なくとも前記塗布工程と前記酸化工程と前記乾燥工程とを、同一の前記処理室内で実施する。【０１７０】
（付記１２）
付記１ないし１１のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記塗布工程と、前記硬化工程と、前記酸化工程と、前記乾燥工程とを、同一の前記処理室内で実施する。【０１７１】
（付記１３）
付記１０の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記塗布工程と、前記硬化工程と、前記酸化工程とを、それぞれ異なる前記処理室内で実施し、前記酸化工程と前記乾燥工程とを同一の前記処理室内で実施する。【０１７２】
（付記１４）
付記１ないし付記１３のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記乾燥工程と前記熱処理工程とを、それぞれ異なる前記処理室内で実施する。【０１７３】
（付記１５）
付記１ないし付記１４のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記酸化工程は、複数枚の前記シリコン含有膜を有する前記基板を前記処理室内に収容して実施する。【０１７４】
（付記１６）
付記５ないし付記１５のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記乾燥工程は、複数枚の前記シリコン含有膜を有する前記基板を前記処理室内に収容して実施する。【０１７５】
（付記１７）
付記６ないし付記１６のいずれかの半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記熱処理工程は、前記酸化工程が終了した複数枚の前記基板を前記処理室内に収容して実施する。【０１７６】
（付記１８）
他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容した後、大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室内に、処理液供給部から処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する手順をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。【０１７７】
（付記１９）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容した後、大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室内に、処理液供給部から処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する手順をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。【０１７８】
（付記２０）
付記１９の記録媒体であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜を酸化する手順の後に、加熱部により前記処理室内の前記基板を加熱する手順を有する。【０１７９】
（付記２１）
付記１９又は付記２０の記録媒体であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜を、シリコン含有材料を前記基板上に塗布することで形成する手順を有する。【０１８０】
（付記２２）
付記２１の記録媒体であって、好ましくは、
前記基板にシリコン含有材料を塗布する手順の後に、前記基板を加熱して前記シリコン含有膜を硬化させる手順を有する。【０１８１】
（付記２３）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を収容する処理室と、
大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室内に処理液を供給する処理液供給部と、
少なくとも前記処理液供給部を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。【０１８２】
（付記２４）
付記２３の半導体装置の製造装置であって、好ましくは、
前記処理液は、過酸化水素を含有する。【０１８３】
（付記２５）
付記２３又は付記２４の半導体装置の製造装置であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜は、シラザン結合を有する。【０１８４】
（付記２６）
付記２３ないし付記２５のいずれかの半導体装置の製造装置であって、好ましくは、
前記シリコン含有膜は、ポリシラザンを含有する。【０１８５】
（付記２７）
更に他の態様によれば、
基板を処理する複数の処理室と、
大気圧以上の圧力雰囲気下にある少なくとも１つの前記処理室内に処理液を供給する処理液供給部と、
少なくとも前記処理液供給部を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。【０１８６】
（付記２８）
付記２７の半導体装置の製造装置であって、好ましくは、
複数の前記処理室は、前記基板にシリコン含有材料を塗布してシリコン含有膜を形成する第１処理室と、前記シリコン含有膜が形成された前記基板に、前記処理液供給部から前記処理液を供給する第２処理室と、前記処理液が供給された前記基板を乾燥する第３処理室と、を備える半導体装置の製造装置。【０１８７】
（付記２９）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜を有する基板を収容する処理室と、
大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室に処理液を供給する処理液供給部と、
少なくとも前記処理液供給部を制御する制御部と、を備える基板処理装置が提供される。【０１８８】
（付記３０）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜を有する基板を処理室内に収容した後、大気圧以上の圧力雰囲気下にある前記処理室内に、処理液供給部から処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する酸化工程を有する基板処理方法が提供される。【０１８９】
（付記３１）
更に他の態様によれば、
基板にシリコン含有材料を塗布してシリコン含有膜を形成する第１処理室と、
前記シリコン含有膜が形成された前記基板に、処理液供給部から処理液を供給する第２処理室と、
前記処理液が供給された前記基板を乾燥する第３処理室と、を備える半導体装置の製造システムが提供される。【０１９０】
（付記３２）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を処理室内に収容する工程と、
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給して前記処理室内を大気圧以上の圧力にする工程と、
処理液供給部から前記基板に処理液を供給し、前記シリコン含有膜を酸化する酸化工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。【０１９１】
（付記３３）
更に他の態様によれば、
シリコン含有膜が形成された基板を収容する処理室と、
前記処理室内にガスを供給するガス供給部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板に処理液を供給しつつ、前記処理室内の圧力が大気圧以上の圧力となるように前記処理室内にガスを供給するように、前記処理液供給部と前記ガス供給部を制御する制御部と、を備える半導体装置の製造装置が提供される。【０１９２】
（付記３４）
ガス供給部から前記処理室内にガスを供給し、前記処理室内を大気圧以上の圧力にする手順と、
前記処理室内に収容されたシリコン含有膜が形成された基板に、処理液供給部から処理液を供給する手順と、をコンピュータに実行させるためのプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１９３】
１００          基板処理装置
１０８〜１１３  処理室
２０１          ウエハ（基板）
２２０          処理液供給管
１２１          コントローラ（制御部）
【図１】
2013065771.tif 000003
【図２】
2013065771.tif 000004
【図３】
2013065771.tif 000005
【図４】
2013065771.tif 000006
【図５】
2013065771.tif 000007
【図６】
2013065771.tif 000008
【図７】
2013065771.tif 000009
【図８】
2013065771.tif 000010
【図９】
2013065771.tif 000011
【図１０】
2013065771.tif 000012
【図１１】
2013065771.tif 000013
【図１２】
2013065771.tif 000014
【図１３】
2013065771.tif 000015
【図１４】
2013065771.tif 000016
【図１５】
2013065771.tif 000017
【図１６】
2013065771.tif 000018
【国際調査報告】
2013065771.tif 000019
2013065771.tif 000020
2013065771.tif 000021
2013065771.tif 000022