(57)【要約】  情報算出方法は、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの物体上の液体に関する液体情報を算出することと、物体上の、液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの前記物体上の前記液体に関する液体情報を算出することと、  前記物体上の、前記液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を含む情報算出方法。
【請求項２】
前記液体情報を算出することは、前記物体を移動させたときの前記物体上での前記液体の動きを推定することを含む  請求項１記載の情報算出方法。
【請求項３】
前記液体情報は、前記物体上の、前記液体が接触する領域を示す情報を含む  請求項１又は２記載の情報算出方法。
【請求項４】
前記液体情報は、前記物体上の各位置が前記液体と接触する回数を示す情報を含む  請求項１から３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５】
前記液体情報は、前記物体上の前記液体の界面の動きを示す情報を含む  請求項１から４のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項６】
前記液体情報は、前記物体に対する前記液体の動きを示す情報を含む  請求項１から５のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項７】
前記物体の移動は、前記液体が、前記物体上の第１領域と第２領域との間隙をまたぐ状態、を含む  請求項１から６のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項８】
前記液体情報は、前記間隙の各位置を前記液体がまたぐ回数を示す情報を含む  請求項７記載の情報算出方法。
【請求項９】
前記液体情報は、前記間隙の各位置を前記液体がまたいでいる時間を示す情報を含む  請求項７又は８記載の情報算出方法。
【請求項１０】
前記液体情報は、前記間隙の各位置を前記液体が通過してからの経過時間を示す情報を含む  請求項７から９のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１１】
前記液体情報は、前記液体が前記間隙をまたいでいる状態における前記間隙から前記液体の界面までの距離を示す情報を含む  請求項７から１０のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１２】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記間隙のうち前記液体がまたぐ回数が１回である領域を含む  請求項７から１１のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１３】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記間隙のうち前記液体がまたぐ回数が複数回数である領域の周囲の少なくとも一部の領域を含む  請求項７から１２のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１４】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域を前記液体がまたぐ回数に応じて区別して表示するための画像情報を算出することを含む  請求項１２又は１３記載の情報算出方法。
【請求項１５】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記間隙のうち前記液体がまたいだ領域を、前記液体が再度またいでいる間に前記液体が接触している前記物体の表面の少なくとも一部を含む  請求項７から１４のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１６】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記間隙のうち前記液体がまたいでいる時間が閾値以上である領域を含む  請求項７から１５のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１７】
前記間隙の各位置を前記液体がまたいでいる時間を示す画像の画像情報を算出することを含み、  前記画像において、前記時間に応じた図形が所定の位置と前記間隙の各位置とを結ぶ線上に配置される  請求項１６記載の情報算出方法。
【請求項１８】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記液体が前記間隙をまたいでいる状態において、前記間隙のうち前記液体の界面までの距離が閾値以下となる第３領域を含む  請求項７から１７のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項１９】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記液体が前記間隙をまたいでいる状態において前記間隙のうち前記液体の界面までの距離が閾値以下となる第３領域に対して、前記物体の表面のうち前記第３領域の周囲の少なくとも一部に配置される第４領域を含む  請求項７から１８のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項２０】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記第４領域のうち前記液体と接触する回数が１回である領域を含む  請求項１９記載の情報算出方法。
【請求項２１】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記第４領域のうち前記液体と接触した後に前記液体と再度接触する領域を含む  請求項１９又は２０記載の情報算出方法。
【請求項２２】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記物体の表面のうち前記液体が接する回数が１回である領域を含む  請求項１から２１のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項２３】
前記液体情報が所定の条件を満たす領域は、前記物体の表面のうち前記液体が接する回数が複数回数である領域を含む  請求項１から２２のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項２４】
前記物体の移動を示す第１移動情報に基づいて、前記液体情報を算出する  請求項１から２３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項２５】
前記領域情報に基づいて、前記物体の移動を示す第２移動情報を算出することと、を含む  請求項１から２３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項２６】
前記物体の移動を示す第１移動情報に基づいて、前記液体情報を算出する  請求項２５記載の情報算出方法。
【請求項２７】
露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの前記物体上の前記液体に関する液体情報を、前記物体の移動を示す第１移動情報に基づいて算出することを含む情報算出方法。
【請求項２８】
前記液体情報に基づいて、前記物体の移動を示す第２移動情報を算出することを含む  請求項２７記載の情報算出方法。
【請求項２９】
前記物体上のショット領域の配置に基づいて、前記第１移動情報を算出することを含む  請求項２４、２６から２８のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項３０】
前記第１移動情報は、前記物体の位置情報を含む  請求項２４、２６から２９のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項３１】
前記位置情報は、前記光学部材に対する前記物体の位置情報を含む  請求項３０記載の情報算出方法。
【請求項３２】
前記第１移動情報は、前記物体の速度情報を含む  請求項３０又は３１記載の情報算出方法。
【請求項３３】
前記第１移動情報は、前記物体の加速度情報を含む  請求項３０から３２のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項３４】
前記液体情報は、前記第１移動情報に従って前記物体を移動させたときの前記液体の動きを検出した結果に基づいて、算出される  請求項２４、２６から３３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項３５】
前記第２移動情報が示す前記物体の移動は、前記物体の表面のうち前記液体情報が所定の条件を満たす領域において、前記第１移動情報が示す前記物体の移動と異なる  請求項２６から２８のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項３６】
前記物体の表面は、露光光が照射される基板の表面を含み、  前記基板の表面は、第１のショット領域と、前記第１のショット領域の次に前記露光光が照射される第２のショット領域とを含む  請求項３５記載の情報算出方法。
【請求項３７】
前記第１移動情報が示す前記第１のショット領域から前記第２のショット領域までの第１経路に前記液体情報が所定の条件を満たす領域の少なくとも一部が含まれる場合に、前記第２移動情報は、前記第１のショット領域から前記第２のショット領域までの経路が、前記第１経路よりも長くなるように算出される  請求項３６記載の情報算出方法。
【請求項３８】
前記第１移動情報が示す前記第１のショット領域から前記第２のショット領域までの第１経路に前記液体情報が所定の条件を満たす領域の少なくとも一部が含まれる場合に、前記第２移動情報は、前記液体が前記第１のショット領域から前記第２のショット領域まで移動する時間が、前記第１経路を前記液体が移動する時間よりも長くなるように、算出される  請求項３６又は３７記載の情報算出方法。
【請求項３９】
前記第２移動情報は、前記液体が前記第１のショット領域から前記第２のショット領域まで移動する経路上に第３のショット領域を配置可能なように、算出される  請求項３６から３８のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４０】
前記第２移動情報は、前記液体情報が所定の条件を満たす領域の周囲の少なくとも一部に前記液体が配置される期間の前記物体の速度が、前記第１移動情報が示す前記期間の前記物体の速度よりも遅くなるように算出される  請求項３６から３９のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４１】
前記第２移動情報は、前記液体情報が所定の条件を満たす領域の周囲の少なくとも一部に前記液体が配置される期間の一部において前記光学部材と前記物体とが相対移動しないように、算出される  請求項３６から４０のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４２】
前記第１のショット領域に前記液体が接触している際に前記第２のショット領域が前記液体と接触する第５領域を含む場合に、前記第２移動情報は、前記第１のショット領域に露光光が照射されてから前記第２のショット領域に露光光が照射されるまでの間に前記第５領域が前記液体の外側に配置されるように、算出される  請求項３６から４１のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４３】
前記第２移動情報は、前記液体が前記第５領域を通過した後に前記第５領域に配置されるように、算出される。  請求項４２記載の情報算出方法。
【請求項４４】
前記第２移動情報は、前記第１移動情報に従って前記物体を移動させながら前記物体を露光した結果に基づいて、算出される  請求項３６から４３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４５】
前記第２移動情報は、前記第１移動情報に従って前記物体を移動させたときの前記液体の動きを検出した結果に基づいて、算出される  請求項３６から４４のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項４６】
前記液体情報と所定の条件とを比較することによって、前記液体中の気泡に関する気泡情報を算出することを含む  請求項２５から４５のいずれか一項に記載の情報算出方法。
【請求項４７】
前記第２移動情報は、前記気泡情報に基づいて算出される  請求項４６記載の情報算出方法。
【請求項４８】
前記液体情報と所定の条件とを比較することによって、前液体の分離に関する分離情報を算出することを含む  請求項２５から４７のいずれか一項に記載の情報算出方法。
【請求項４９】
前記第２移動情報は、前記分離情報に基づいて算出される  請求項４８記載の情報算出方法。
【請求項５０】
前記第２移動情報は、前記物体を移動させる移動装置の動作条件を満たすように算出される  請求項２５から４９のいずれか一項に記載の情報算出方法。
【請求項５１】
前記物体を移動させる移動装置の動作条件を示す情報と前記第２移動情報とを比較することを含む  請求項２５から５０のいずれか一項に記載の情報算出方法。
【請求項５２】
前記動作条件は、前記移動装置によって前記物体を移動可能な位置の範囲を含む  請求項５０又は５１記載の情報算出方法。
【請求項５３】
前記動作条件は、前記移動装置による前記物体の速度の範囲を含む  請求項５０から５２のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５４】
前記動作条件は、前記移動装置による前記物体の加速度の範囲を含む  請求項５０から５３のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５５】
前記移動装置を備える液浸露光装置から前記動作条件を示す情報を取得することを含む  請求項５０から５４のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５６】
物体に液体を介して露光光を照射する液浸露光装置に前記第２移動情報を供給することを含む  請求項２５から５５のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５７】
前記第２移動情報に従って前記物体を移動させながら前記物体を露光した結果を示す情報と前記第２移動情報とを比較することを含む  請求項２５から５６のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５８】
前記第２移動情報に従って前記物体を移動させながら前記物体を露光した結果を示す情報に基づいて、前記物体の移動を示す第３移動情報を算出することを含む  請求項２５から５７のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項５９】
前記第２移動情報に従って前記物体を移動させた際の前記物体上の前記液体を検出した結果を示す情報と前記第２移動情報とを比較することを含む  請求項２５から５８のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項６０】
前記第２移動情報に従って前記物体を移動させた際の前記物体上の前記液体を検出した結果示す情報に基づいて、前記物体の移動を示す第３移動情報を算出することを含む  請求項２５から５９のいずれか一項記載の情報算出方法。
【請求項６１】
露光光を射出する光学部材に対向する物体に関して、第１移動情報に従って移動させた前記物体上の液体の残留を検査した結果に基づいて、前記物体の移動を示す第２移動情報を算出することを含み、  前記第１移動情報が示す第１のショット領域から第２のショット領域までの第１経路に前記液体の残留が検出されている場合に、前記第２移動情報は、第１のショット領域から第２のショット領域までの経路が、第１経路よりも長くなるように算出される情報算出方法。
【請求項６２】
露光光を射出する光学部材に対向する基板と前記光学部材との間に液浸空間が形成された状態で第１移動情報に従って移動させながら露光した前記基板の露光不良を検査した結果に基づいて、前記基板の移動を示す第２移動情報を算出することを含み、  前記基板のショット領域に前記露光不良が検出されている場合に、前記第２移動情報は、前記第１移動情報と比較して前記ショット領域に至る前記基板の経路が長くなるように、算出される情報算出方法。
【請求項６３】
前記液体情報は、前記液体の物性値または前記物体の物性値を考慮して算出される請求項１〜６０のいずれか一項に記載の情報算出方法。
【請求項６４】
液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置であって、  前記基板に対向する位置に配置され、前記露光光を照射する光学部材と、  前記基板と前記光学部材との間に液浸空間を形成する液浸部材と、  請求項１から６２のいずれか一項記載の情報算出方法によって算出された情報に基づいて、前記基板の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項６５】
液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置であって、  前記基板に対向する位置に配置され、前記露光光を照射する光学部材と、  前記基板と前記光学部材との間に液浸空間を形成する液浸部材と、  前記基板の第１のショット領域を露光してから、前記第１のショット領域の露光中に前記液浸空間が接触した領域を含む第２のショット領域を露光するまでの間に、前記領域が前記液浸空間の外側に配置されるように、前記基板の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項６６】
前記基板の周囲の少なくとも一部に、前記基板と間隙を介して配置される部材を備え、  前記第１のショット領域は、前記液体が前記間隙を複数回数またいだのに続いて、前記露光光が照射される領域を含む  請求項６５記載の露光装置。
【請求項６７】
液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光方法であって、  前記露光光を照射する光学部材を前記基板に対向する位置に配置することと、  前記基板と前記光学部材との間に液浸空間を形成することと、  請求項１から６３のいずれか一項記載の情報算出方法によって算出された情報に基づいて、前記基板の移動を制御することと、を含む露光方法。
【請求項６８】
液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光方法であって、  前記露光光を照射する光学部材を前記基板に対向する位置に配置することと、  前記基板と前記光学部材との間に液浸空間を形成することと、  前記基板の第１のショット領域を露光してから、前記第１のショット領域の露光中に前記液浸空間が接触した領域を含む第２のショット領域を露光までの間に、前記領域が前記液浸空間の外側に配置されるように、前記基板の移動を制御することと、を含む露光方法。
【請求項６９】
請求項６４から６６のいずれか一項記載の露光装置によって基板を露光することと、  前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項７０】
請求項６７又は６８記載の露光方法によって基板を露光することと、  前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項７１】
コンピュータに、  露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの前記物体上の前記液体に関する液体情報を算出することと、  前記物体上の、前記液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を実行させるプログラム。
【請求項７２】
コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの前記物体上の前記液体に関する液体情報を、前記物体の移動を示す第１移動情報に基づいて算出することを実行させるプログラム。
【請求項７３】
コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体に関して、第１移動情報に従って移動させた前記物体上の液体の残留を検査した結果に基づいて、前記物体の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、  前記第１移動情報が示す第１のショット領域から第２のショット領域までの第１経路に前記液体の残留が検出されている場合に、前記第２移動情報は、第１のショット領域から第２のショット領域までの経路が、第１経路よりも長くなるように算出されるプログラム。
【請求項７４】
コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する基板と前記光学部材との間に液浸空間が形成された状態で第１移動情報に従って移動させながら露光した前記基板の露光不良を検査した結果に基づいて、前記基板の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、  前記基板のショット領域に前記露光不良が検出されている場合に、前記第２移動情報は、前記第１移動情報と比較して前記ショット領域に至る前記基板の経路が長くなるように、算出されるプログラム。
【請求項７５】
請求項７１から７４のいずれか一項記載のプログラムを記録し、コンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、情報算出方法、露光装置、露光方法、デバイス製造方法、プログラム、及び記録媒体に関する。  本願は、２０１１年１２月０８日に出願された米国仮出願６１／５６８，２７７号に基づき優先権を主張しその内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】  半導体デバイス、電子デバイス等のマイクロデバイスの製造工程において、例えば下記特許文献に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置が使用される。露光装置は、基板を保持して移動可能な基板ステージを備え、基板ステージに保持された基板を露光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／００４３２１１号
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０１００８１２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  液浸露光装置において、例えば液浸空間の状態によっては、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。【０００５】  本発明の態様は、露光不良の発生を抑制できる情報算出方法、露光装置、露光方法、プログラム、及び記録媒体を提供することを目的とする。また、本発明の態様は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  本発明の第１の態様に従えば、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの物体上の液体に関する液体情報を算出することと、物体上の、液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を含む情報算出方法が提供される。【０００７】  本発明の第２の態様に従えば、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの物体上の液体に関する液体情報を、物体の移動を示す第１移動情報に基づいて算出することを含む情報算出方法が提供される。【０００８】  本発明の第３の態様に従えば、露光光を射出する光学部材に対向する物体に関して、第１移動情報に従って移動させた物体上の液体の残留を検査した結果に基づいて、物体の移動を示す第２移動情報を算出することを含み、第１移動情報が示す第１のショット領域から第２のショット領域までの第１経路に液体の残留が検出されている場合に、第２移動情報は、第１のショット領域から第２のショット領域までの経路が、第１経路よりも長くなるように算出される情報算出方法が提供される。【０００９】  本発明の第４の態様に従えば、露光光を射出する光学部材に対向する基板と光学部材との間に液浸空間が形成された状態で第１移動情報に従って移動させながら露光した基板の露光不良を検査した結果に基づいて、基板の移動を示す第２移動情報を算出することを含み、基板のショット領域に露光不良が検出されている場合に、第２移動情報は、第１移動情報と比較してショット領域に至る基板の経路が長くなるように、算出される情報算出方法が提供される。【００１０】  本発明の第５の態様に従えば、液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置であって、基板に対向する位置に配置され、露光光を照射する光学部材と、基板と光学部材との間に液浸空間を形成する液浸部材と、第１から第４のいずれかの態様の情報算出方法によって算出された情報に基づいて、基板の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置が提供される。【００１１】  本発明の第６の態様に従えば、液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置であって、基板に対向する位置に配置され、露光光を照射する光学部材と、基板と光学部材との間に液浸空間を形成する液浸部材と、基板の第１のショット領域を露光してから、第１のショット領域の露光中に液浸空間が接触した領域を含む第２のショット領域を露光するまでの間に、領域が液浸空間の外側に配置されるように、基板の移動を制御する制御装置と、を備える露光装置が提供される。【００１２】  本発明の第７の態様に従えば、液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光方法であって、露光光を照射する光学部材を基板に対向する位置に配置することと、基板と光学部材との間に液浸空間を形成することと、第１から第４のいずれかの態様の情報算出方法によって算出された情報に基づいて、基板の移動を制御することと、を含む露光方法が提供される。【００１３】  本発明の第８の態様に従えば、液浸空間を介して基板を露光光で露光する液浸露光方法であって、露光光を照射する光学部材を基板に対向する位置に配置することと、基板と光学部材との間に液浸空間を形成することと、基板の第１のショット領域を露光し��から、第１のショット領域の露光中に液浸空間が接触した領域を含む第２のショット領域を露光までの間に、領域が液浸空間の外側に配置されるように、基板の移動を制御することと、を含む露光方法が提供される。【００１４】  本発明の第９の態様に従えば、第５又は第６の態様の露光装置によって基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。【００１５】  本発明の第１０の態様に従えば、第５又は第６の態様の露光方法によって基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。【００１６】  本発明の第１１の態様に従えば、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの物体上の液体に関する液体情報を算出することと、物体上の、液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を実行させるプログラムが提供される。【００１７】  本発明の第１２の態様に従えば、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体を移動させたときの物体上の液体に関する液体情報を、物体の移動を示す第１移動情報に基づいて算出することを実行させるプログラムが提供される。【００１８】  本発明の第１３の態様に従えば、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体に関して、第１移動情報に従って移動させた物体上の液体の残留を検査した結果に基づいて、物体の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、第１移動情報が示す第１のショット領域から第２のショット領域までの第１経路に液体の残留が検出されている場合に、第２移動情報は、第１のショット領域から第２のショット領域までの経路が、第１経路よりも長くなるように算出されるプログラムが提供される。【００１９】  本発明の第１４の態様に従えば、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する基板と光学部材との間に液浸空間が形成された状態で第１移動情報に従って移動させながら露光した基板の露光不良を検査した結果に基づいて、基板の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、基板のショット領域に露光不良が検出されている場合に、第２移動情報は、第１移動情報と比較してショット領域に至る基板の経路が長くなるように、算出されるプログラムが提供される。【００２０】  本発明の第１５の態様に従えば、第１１から第１４のいずれかの態様のプログラムを記録し、コンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２１】  本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる情報算出方法を提供することができる。また、本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することができる。本発明の第７の態様、第８の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供することができる。また、本発明の態様によれば、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することができる。また、本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できるプログラムを提供することができる。また、本発明の態様によれば、露光不良の発生を抑制できる記録媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。
【図２】本実施形態の露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本実施形態の基板ステージ及び計測ステージの一例を示す平面図である。
【図４】本実施形態のエンコーダシステム、第１検出システム、及び第２検出システムの一例を示す平面図である。
【図５】本実施形態の液浸部材及び基板ステージの一例を示す側断面図である。
【図６】本実施形態の第１保持部材に保持された基板の一例を示す図である。
【図７】本実施形態のシミュレータの機能構成を示すブロック図である。
【図８】本実施形態の移動軌跡及び液浸空間の例を示す図である。
【図９】本実施形態の移動軌跡及び液浸空間の例を示す図である。
【図１０】本実施形態の液浸空間の例を示す図である。
【図１１】本実施形態の液浸空間の例を示す図である。
【図１２】本実施形態の移動軌跡及び液浸空間の例を示す図である。
【図１３】本実施形態の画像情報が示す画像の例を示す図である。
【図１４】本実施形態の画像情報が示す画像の例を示す図である。
【図１５】本実施形態のコンピュータシステムの構成の例を示す図である。
【図１６】本実施形態の情報算出方法を示すフローチャートである。
【図１７】本実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。
【図１８】露光装置の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】  以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００２４】  図１は、本実施形態のデバイス製造システム１００の構成を示す図である。図１に示すデバイス製造システム１００は、基板を搬送する搬送装置１０１と、基板を処理する基板処理装置１０２と、基板処理装置１０２によって処理された基板を検査する検査装置１０３と、デバイス製造システム１００の少なくとも一部を制御する上位制御装置１０４（ホストコントローラ）と、上位制御装置１０４に情報を供給するシミュレータ１０５（情報算出装置）とを備える。
【００２５】  本実施形態において、搬送装置１０１は、搬送ライン１０６に沿って基板を搬送する。搬送装置１０１は、例えば、複数の基板が収容されたケースを搬送することにより、複数の基板を一組にして搬送する。本実施形態において、デバイス製造システム１００は、複数の基板処理装置１０２を備え、複数の基板処理装置１０２のそれぞれは、搬送ライン１０６に接続されている。本実施形態において、搬送装置１０１は、複数の基板処理装置１０２のそれぞれに対して、搬送ライン１０６を介して基板処理装置１０２へ基板を搬入（供給）する搬入処理を実行する。また、本実施形態において、搬送装置１０１は、基板処理装置１０２が処理した基板を、複数の基板処理装置１０２のそれぞれから搬送ライン１０６を介して搬出する搬出処理を実行する。
【００２６】  本実施形態において、上位制御装置１０４は、搬送装置１０１を制御することによって、基板処理装置１０２による搬入処理と搬出処理の一方又は双方を実行させる。また、本実施形態の上位制御装置１０４は、搬送装置１０１を制御することによって、搬送ライン１０６を搬送されている処理前の基板を複数の基板処理装置１０２のいずれに供給するかを管理する。また、本実施形態において、上位制御装置１０４は、搬送装置１０１を制御することによって、搬送ライン１０６を搬送されている処理後の基板のそれぞれが複数の基板処理装置１０２のいずれにより処理されたかを管理する。
【００２７】  本実施形態において、基板処理装置１０２は、搬送ライン１０６に接続されたコータ・デベロッパ装置ＣＤと、コータ・デベロッパ装置ＣＤに接続されたインターフェースＩＦと、インターフェースＩＦを介してコータ・デベロッパ装置ＣＤに接続された露光装置ＥＸとを備える。
【００２８】  本実施形態の露光装置ＥＸは、液体を介して基板を露光する液浸露光装置である。本実施形態の露光装置ＥＸは、搬送ライン１０６を介して基板が配置される基板ステージ２Ｐを備える。本実施形態の露光装置ＥＸは、基板が配置されている基板ステージ２Ｐを露光装置ＥＸにおいて相対的に移動しながら、基板ステージ２Ｐに配置されている基板を露光する。本実施形態の露光装置ＥＸは、基板ステージ２Ｐの相対的な移動を制御する制御装置４を備える。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板を搬送する搬送システム１０（図２等に示す）を備えている。搬送システム１０は、基板ステージ２Ｐに基板を搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板を搬出する処理を実行可能である。
【００２９】  本実施形態において、コータ・デベロッパ装置ＣＤは、基板上に薄膜を形成するコーティング装置、及び露光装置ＥＸによって露光処理が施された基板を現像するデベロッパ装置を備える。基板上に形成される薄膜は、例えば、半導体ウエハ等の基材上に形成される感光材からなる膜、及びその感光材からなる膜を覆うトップコート膜と呼ばれる膜等を含む。
【００３０】  本実施形態において、露光装置ＥＸの搬送システム１０は、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置によって薄膜が形成された基板を、コーティング装置からインターフェースＩＦを介して露光装置ＥＸの基板ステージ２Ｐに搬入する。本実施形態において、露光装置ＥＸの搬送システム１０は、露光装置ＥＸによって露光処理が施された基板を、露光装置ＥＸの基板ステージ２ＰからインターフェースＩＦを介してコータ・デベロッパ装置ＣＤのデベロッパ装置に搬出する。
【００３１】  本実施形態において、上位制御装置１０４は、基板処理装置１０２の各部を制御する。例えば、上位制御装置１０４は、コータ・デベロッパ装置ＣＤを制御することによって、搬送ライン１０６からコーティング装置に搬入された基板に薄膜を形成する処理を実行させる。また、上位制御装置１０４は、露光装置ＥＸ及びインターフェースＩＦを制御することによって、コーティング装置により薄膜が形成された基板を露光装置ＥＸに搬入する処理を実行させる。また、上位制御装置１０４は、露光装置ＥＸを制御することによって、コータ・デベロッパ装置ＣＤから露光装置ＥＸに搬入された基板に対する露光処理を実行させる。本実施形態において、露光装置ＥＸは、制御装置４が上位制御装置１０４からの指令に従って露光装置ＥＸの各部を制御することによって、露光処理を実行する。上位制御装置１０４は、露光装置ＥＸ及びインターフェースＩＦを制御することによって、露光装置ＥＸにより露光処理が施された基板を露光装置ＥＸからコータ・デベロッパ装置ＣＤのデベロッパ装置に搬出する処理を実行させる。上位制御装置１０４は、コータ・デベロッパ装置ＣＤを制御することによって、露光装置ＥＸからデベロッパ装置に搬出された基板を現像する処理を実行させる。
【００３２】  なお、上述のような基板処理装置１０２の一部の装置は、省略されていてもよい。例えば、基板処理装置１０２は、露光装置ＥＸを備え、コータ・デベロッパ装置ＣＤを備えていなくてもよく、例えば、コータ・デベロッパ装置ＣＤが基板処理装置１０２の外部の装置であってもよい。また、コータ・デベロッパ装置ＣＤの一部の装置は、省略されていてもよいし、コータ・デベロッパ装置ＣＤの外部の装置であってもよい。また、例えば露光装置ＥＸの搬送システム１０（後述する）等のように、露光装置ＥＸの一部の装置は、インターフェースＩＦの一部であってもよいし、コータ・デベロッパ装置ＣＤの一部であってもよい。
【００３３】  本実施形態の検査装置１０３は、搬送ライン１０６において、基板処理装置１０２よりも搬送経路の下流側に接続されている。本実施形態において、検査装置１０３は、基板に対する露光処理の結果を検出する。本実施形態において、検査装置１０３は、露光装置ＥＸにより露光処理が施された後にデベロッパ装置により現像された基板を検査する。本実施形態において、検査装置１０３は、例えば、現像された基板における感光材からなる膜のパターンを検出し、検出したパターンと所定のパターンとを比較することによって、この基板に対する露光処理の結果を検出する。検査装置１０３は、例えば、液浸空間への気泡の混入による露光不良を検出することができる。また、検査装置１０３は、例えば、液浸空間から分離した液体によるウォーターマーク等による露光不良を検出することができる。
【００３４】  本実施形態において、検査装置１０３は、露光処理の結果を示す情報を上位制御装置１０４に供給する。露光処理の結果を示す露光結果情報は、例えば、基板において露光不良が発生したか否かを示す情報を含む。露光処理の結果を示す情報は、例えば、基板において露光不良が発生した位置と領域の一方又は双方を示す情報を含んでいてもよい。露光処理の結果を示す情報は、例えば、基板において露光不良が発生していない位置と領域の一方又は双方を示す情報を含んでいてもよい。
【００３５】  なお、検査装置１０３は、現像された感光材からなる膜をマスクとしてエッチングされた基板に対して、検査を実行してもよい。例えば、検査装置１０３は、エッチングによって基板に形成されたパターンを検出してもよい。検査装置１０３は、現像又はエッチングによって基板に形成されたパターンを検出することによって、上述したような露光処理の結果を検出して、例えば露光不良に関する検査を実行してもよい。また、検査装置１０３は、基板処理装置１０２の一部であってもよく、例えば、コータ・デベロッパ装置ＣＤの一部であってもよい。また、検査装置１０３は、検査の結果を示す情報を上位制御装置１０４に供給しなくてもよく、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよいし、省略されていてもよい。
【００３６】  本実施形態の上位制御装置１０４は、例えばオペレータ（作業者）の指令に基づいて、デバイス製造システム１００の各部を制御することによって、上述したような各種の処理を実行させる。
【００３７】  本実施形態の上位制御装置１０４は、複数の基板処理装置１０２のそれぞれから、複数の基板処理装置１０２のそれぞれの動作条件を示す動作条件情報を取得する。本実施形態の上位制御装置１０４は、複数の露光装置ＥＸのそれぞれから、複数の露光装置ＥＸのそれぞれの動作条件を示す動作条件情報を各制御装置４から取得可能である。本実施形態において、露光装置ＥＸの動作条件は、基板ステージ２Ｐが移動可能な位置の条件（可動範囲）、基板ステージ２Ｐが移動する速度の条件、基板ステージ２Ｐが移動する加速度の条件のうち少なくとも１つを含む。速度の条件は、例えば、基板ステージ２Ｐが移動する速度の上限値、平均値、及び推奨値の少なくとも１つを含む速度範囲を含む。加速度の条件は、例えば、基板ステージ２Ｐが移動する加速度の上限値、平均値、及び推奨値の少なくとも１つを含む加速度範囲を含む。上位制御装置１０４は、基板処理装置１０２から取得した動作条件情報を、図示略の記憶装置に記憶させる。
【００３８】  本実施形態の上位制御装置１０４は、検査装置１０３から、露光処理が施された基板を検査した結果を示す検査結果情報を取得する。本実施形態において、上位制御装置１０４は、検査装置１０３から取得した検査結果情報を、図示略の記憶装置に記憶させる。
【００３９】  本実施形態のシミュレータ１０５は、露光装置ＥＸにおいて後述する投影光学系に対向して配置される物体上の液体（液浸空間）に関する液体情報を含む情報を算出する。物体は、例えば、露光基板を含む。本実施形態において、上位制御装置１０４は、デバイス製造システム１００の各部から取得した情報の少なくとも一部を、シミュレータ１０５に供給する。例えば、上位制御装置１０４は、露光装置ＥＸから取得した情報をシミュレータ１０５に供給する。本実施形態において、シミュレータ１０５は、上位制御装置１０４から供給された情報に基づいて、液体情報を含む情報を算出する。なお、シミュレータ１０５が、液体情報を含む情報を算出する際に、シミュレータ１０５に供給された露光装置ＥＸからの情報を使わなくてもよいし、シミュレータ１０５に露光装置ＥＸからの情報を供給しなくてもよい。
【００４０】  本実施形態において、シミュレータ１０５は、算出した情報の少なくとも一部を、上位制御装置１０４に供給する。本実施形態において、上位制御装置１０４は、シミュレータ１０５から供給された情報を、図示略の記憶装置に記憶させる。本実施形態において、上位制御装置１０４は、シミュレータ１０５から供給された情報に基づいて露光装置ＥＸの制御装置４を制御し、例えば、露光光が照射される基板が配置された基板ステージ２Ｐの移動を制御する。
【００４１】  なお、上位制御装置１０４とシミュレータ１０５との間の情報の受け渡しは、有線又は無線の通信により実行されてもよいし、記録媒体を介して実行されてもよい。例えば、上位制御装置１０４は、シミュレータ１０５が算出した情報を記録した記録媒体から情報を読み出すことによって、シミュレータ１０５が算出した情報を取得してもよい。また、上位制御装置１０４は、シミュレータ１０５に情報を供給しなくてもよい。また、シミュレータ１０５は、算出した情報を上位制御装置１０４に供給しなくてもよい。デバイス製造システム１００は、例えば、上位制御装置１０４とシミュレータとの間で情報の受け渡しがなされない場合に、シミュレータ１０５を備えていなくてもよい。また、シミュレータ１０５は、上位制御装置１０４の一部であってもよいし、露光装置ＥＸの一部であってもよく、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよい。また、シミュレータ１０５は、上位制御装置１０４と露光装置ＥＸとに分けて実装されていてもよい。
【００４２】  なお、デバイス製造システム１００が備える基板処理装置１０２の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。また、デバイス製造システム１００は、上位制御装置１０４を備えていなくてもよい。例えば、デバイス製造システム１００は、上位制御装置１０４が省略されており、シミュレータ１０５が露光装置ＥＸの制御装置４と接続されていてもよいし、シミュレータ１０５が露光装置ＥＸの制御装置４と接続されていなくてもよい。
【００４３】  次に、デバイス製造システム１００の各部について説明する。図２は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図である。図３は、本実施形態に係る基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの一例を示す平面図である。
【００４４】  以下の説明においては、図２等に示すＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００４５】  本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。液浸空間とは、液体で満たされた部分（空間、領域）をいう。基板Ｐは、液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して露光光ＥＬで露光される。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００４６】  また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許第６８９７９６３号、及び欧州特許出願公開第１７１３１１３号等に開示されているような、基板ステージ２Ｐと計測ステージ２Ｃとを備えた露光装置である。
【００４７】  図２及び図３において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２Ｐと、基板Ｐを保持せずに、計測器（例えば、露光光ＥＬを受光するセンサの少なくとも一部）、計測部材などを搭載して移動可能な計測ステージ２Ｃと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、基板Ｐに照射される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように基板Ｐとの間で液体ＬＱを保持して液浸空間ＬＳを形成する液浸部材３と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置４と、制御装置４に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５とを備えている。記憶装置５は、例えばＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体を含む。記憶装置５には、コンピュータシステムを制御するオペレーティングシステム（ＯＳ）がインストールされ、露光装置ＥＸを制御するためのプログラムが記憶されている。
【００４８】  また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、基板ステージ２Ｐが有するスケール部材２２を用いてその基板ステージ２Ｐの位置を計測するエンコーダシステム６を備えている。
【００４９】  また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐの表面の位置を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの位置を検出する第２検出システム８と、マスクステージ１、基板ステージ２Ｐ、及び計測ステージ２Ｃの位置を計測する干渉計システム９とを備えている。
【００５０】  また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐを搬送する搬送システム１０を備えている。搬送システム１０は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入する処理、及び基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出する処理を実行可能である。
【００５１】  マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭは、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上にクロム等の遮光材料を用いて形成されたパターンとを有する透過型マスクを含む。なお、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。
【００５２】  基板Ｐは、デバイスを製造するための基板である。基板Ｐは、例えば半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成された感光膜とを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐが、感光膜に加えて別の膜を含んでもよい。例えば、基板Ｐが、反射防止膜を含んでもよいし、感光膜を保護する保護膜（トップコート膜）を含んでもよい。
【００５３】  照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００５４】  マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲを含むベース部材１１のガイド面１１Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１１ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。マスクステージ１は、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、マスクステージ１に配置された可動子と、ベース部材１１に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、駆動システムの作動により、ガイド面１１Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、マスクステージ１を移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００５５】  投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸは、Ｚ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００５６】  投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬが射出される射出面１３を有する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子１２が、射出面１３を有する。投影領域ＰＲは、射出面１３から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。本実施形態において、射出面１３は、−Ｚ側を向いており、ＸＹ平面と平行である。なお、−Ｚ側を向いている射出面１３は、凸面であってもよいし、凹面であってもよい。終端光学素子１２の光軸は、Ｚ軸と平行である。本実施形態において、射出面１３から射出される露光光ＥＬは、−Ｚ側に進行する。
【００５７】  基板ステージ２Ｐは、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。本実施形態において、ガイド面１４ＧとＸＹ平面とは実質的に平行である。計測ステージ２Ｃは、計測器（計測部材）を搭載した状態で、投影領域ＰＲを含むベース部材１４のガイド面１４Ｇ上を移動可能である。基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃは、例えば米国特許第６４５２２９２号に開示されているような平面モータを含む駆動システムの作動により移動する。平面モータは、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれに配置された可動子と、ベース部材１４に配置された固定子とを有する。本実施形態においては、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃのそれぞれは、駆動システムの作動により、ガイド面１４Ｇ上において、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。なお、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを移動させる駆動システムは、平面モータでなくてもよい。例えば、駆動システムが、リニアモータを含んでもよい。
【００５８】  干渉計システム９は、マスクステージ１に配置された計測ミラーを用いてそのマスクステージ１の位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ａと、基板ステージ２Ｐに配置された計測ミラー及び計測ステージ２Ｃに配置された計測ミラーを用いてその基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃの位置を計測するレーザ干渉計ユニット９Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット９Ａ、９Ｂの計測結果は、制御装置４に出力される。
【００５９】  基板ステージ２Ｐは、基板Ｐをリリース可能に保持する第１保持部材２０を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部材２０の周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材２１を有する。また、本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、カバー部材２１の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材２２を有する。スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐが移動することによって、移動する。例えば、スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、移動する。基板ステージ２Ｐが移動することによって、スケール部材２２も移動する。例えば基板ステージ２Ｐがガイド面１４Ｇに沿ってＸＹ平面内を移動するとき、スケール部材２２も移動する。
【００６０】  本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、第１保持部材２０の周囲の少なくとも一部に配置される第２保持部材２３を有する。第２保持部材２３は、カバー部材２１をリリース可能に保持する。第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、カバー部材２１は、開口２４を有する。本実施形態において、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐは、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の開口２４の内側に配置される。すなわち、本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐを環状に囲むように、配置される。
【００６１】  本実施形態において、第２保持部材２３は、スケール部材２２をリリース可能に保持する。スケール部材２２は、カバー部材２１と独立して第２保持部材２３から取り外すことができる。第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２は、第２保持部材２３に保持されているカバー部前記の周囲の少なくとも一部に配置される。第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐと第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の間の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、スケール部材２２は、開口２５を有する。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１は、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の開口２５の内側に配置される。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１を環状（枠状）に囲むように、配置される。
【００６２】  本実施形態において、スケール部材２２は、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＹスケール２６及びＹスケール２７と、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測するためのＸスケール２８及びＸスケール２９と、を含む。Ｙスケール２６は、開口２４（第１保持部材２０の中心）に対して−Ｘ側に配置される。Ｙスケール２７は、開口２４に対して＋Ｘ側に配置される。Ｘスケール２８は、開口２４に対して−Ｙ側に配置される。Ｘスケール２９は、開口２４に対して＋Ｙ側に配置される。
【００６３】  Ｙスケール２６、２７のそれぞれは、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｙスケール２６、２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。Ｘスケール２８とＸスケール２９のそれぞれは、Ｙ軸方向に長く、Ｘ軸方向に所定ピッチで配置された複数の格子（格子線）を含む。すなわち、Ｘスケール２８とＸスケール２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする一次元格子を含む。
【００６４】  本実施形態において、格子は、回折格子である。すなわち、本実施形態において、Ｙスケール２６とＹスケール２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。Ｘスケール２８とＸスケール２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする回折格子を有する。また、本実施形態においては、Ｙスケール２６とＹスケール２７は、Ｙ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。Ｘスケール２８とＸスケール２９は、Ｘ軸方向を周期方向とする反射型格子（反射回折格子）が形成された反射型スケールである。
【００６５】  本実施形態において、搬送システム１０は、基板ステージ２Ｐに基板Ｐを搬入（ロード）する第１搬送部材１０Ａと、基板ステージ２Ｐから基板Ｐを搬出（アンロード）する第２搬送部材１０Ｂとを有する。第１搬送部材１０Ａは、例えば露光前の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０に搬入する。第２搬送部材１０Ｂは、例えば露光後の基板Ｐを基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０から搬出する。
【００６６】  本実施形態において、基板ステージ２Ｐは、少なくとも一部が射出面１３と対向する位置ＥＰと、射出面１３と対向しない位置ＣＰ１と、射出面１３と対向しない位置ＣＰ２との間を移動可能である。
【００６７】  本実施形態においては、位置ＥＰに配置された物体に、射出面１３から射出された露光光ＥＬが照射可能である。本実施形態においては、位置ＣＰ１において、露光前の基板Ｐを第１保持部材２０に搬入する処理が実行される。位置ＣＰ２において、第１保持部材２０から露光後の基板Ｐを搬出する処理が実行される。
【００６８】  以下の説明において、位置ＥＰを適宜、露光位置ＥＰ、と称する。また、以下の説明において、位置ＣＰ１を適宜、第１基板交換位置ＣＰ１、と称し、位置ＣＰ２を適宜、第２基板交換位置ＣＰ２、と称する。
【００６９】  本実施形態において、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２は、露光位置ＥＰに対して＋Ｙ側の位置である。本実施形態において、第１基板交換位置ＣＰ１は、第２基板交換位置ＣＰ２に対して−Ｘ側の位置である。
【００７０】  第１保持部材２０に基板Ｐを搬入するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第１基板交換位置ＣＰ１に移動する。制御装置４は、第１搬送部材１０Ａを用いて、第１基板交換位置ＣＰ１に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０に、基板Ｐを搬入する。
【００７１】  第１保持部材２０から基板Ｐを搬出するとき、制御装置４は、基板ステージ２Ｐを第２基板交換位置ＣＰ２に移動する。制御装置４は、第２搬送部材１０Ｂを用いて、第２基板交換位置ＣＰ２に配置された基板ステージ２Ｐの第１保持部材２０から、基板Ｐを搬出する。
【００７２】  図４は、エンコーダシステム６、第１検出システム７、及び第２検出システム８の一例を示す平面図である。
【００７３】  第１検出システム７は、例えば米国特許第５４４８３３２号等に開示されているような、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムを含む。第１検出システム７は、検出光を射出する照射装置７Ａと、検出光を受光可能な受光装置７Ｂとを有する。第１検出システム７は、照射装置７Ａから射出される検出光を検出領域ＡＦに照射して、その検出領域ＡＦに配置された物体の表面（被検面）の位置を検出する。物体の表面に照射された照射装置７Ａからの検出光は、その物体の表面で反射する。物体の表面で反射した検出光の少なくとも一部は、受光装置７Ｂに受光される。第１検出システム７は、受光装置７Ｂの受光結果に基づいて、例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する物体の表面の位置を検出する。
【００７４】  本実施形態において、第１検出システム７の検出領域ＡＦは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、物体の表面の位置を検出する。換言すれば、第１検出システム７は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される物体の表面の位置を検出する。
【００７５】  本実施形態においては、第１検出システム７は、例えば第１保持部材２０に保持された基板Ｐの表面の位置、及びスケール部材２２の表面の位置を検出可能である。なお、第１検出システム７が、計測ステージ２Ｃの表面の位置を検出してもよい。
【００７６】  本実施形態において、第１検出システム７は、液浸空間ＬＳが通った基板Ｐ上の液体の残留を検出可能である。本実施形態において、第１検出システム７は、露光後の基板Ｐ上に残留している液体を検出する。例えば、制御装置４は、第１検出システム７の受光装置７Ｂの出力に基づいて、露光後の基板Ｐの表面に残留している液体の有無、位置、数の少なくとも一つを検知することができる。本実施形態において、第１検出システム７が用いて検出した残留液体に関する情報は、制御装置４に供給され、制御装置４及び上位制御装置１０４を介して、シミュレータ１０５に供給できる。なお、可能であれば、露光処理の少なくとも一部と並行して、第１検出システム７による基板Ｐの表面の残留液体の検出を行ってもよい。
【００７７】  なお、第１検出システム７は、液浸空間ＬＳが通った基板Ｐ上の液体の残留を検出しなくてもよい。また、第１検出システム７とは別の装置は、液浸空間ＬＳが通った基板Ｐ上の液体の残留を検出してもよい。この装置は、露光装置ＥＸの一部であってもよいし、露光装置ＥＸの外部の装置であってもよい。
【００７８】  第２検出システム８は、例えば米国特許５４９３４０３号に開示されているような、基板Ｐの感光膜を感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークで反射した検出光により受光面に結像された対象マークの像と指標の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することで対象マークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメント装置を含む。本実施形態において、第２検出システム８は、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅを含む。本実施形態において、複数のアライメント装置８Ａ〜８Ｅは、Ｘ軸方向に配置される。
【００７９】  アライメント装置８Ａは、検出光を検出領域ＡＬＡに照射して、その検出領域ＡＬＡに配置された対象マークの位置を検出する。対象マークに照射された検出光は、その対象マークで反射する。対象マークで反射した検出光に基づく対象マークの像は、撮像素子で撮像される。アライメント装置８Ａは、撮像素子の撮像結果に基づいて、例えば例えばＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する対象マークの位置を検出する。同様に、アライメント装置８Ｂ〜８Ｅのそれぞれは、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＥに検出光を照射して、検出領域ＡＬＢ〜ＡＬＥのそれぞれに配置された対象マークの位置を検出する。
【００８０】  本実施形態において、第２検出システム８の検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、Ｘ軸方向に配置される。また、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される。第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、対象マークの位置を検出する。換言すれば、第２検出システム８は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置される対象マークの位置を検出する。
【００８１】  また、本実施形態において、第２検出システム８は、第１検出システム７よりも＋Ｙ側に配置される。本実施形態において、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、検出領域ＡＦよりも＋Ｙ側に配置される。換言すれば、検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と検出領域ＡＦとの間に配置される。
【００８２】  本実施形態においては、第２検出システム８は、例えば第１保持部材２０に保持された基板Ｐのアライメントマークの位置を検出可能である。なお、第２検出システム８が、例えば計測ステージ２Ｃに配置されたマークの位置を検出してもよい。
【００８３】  エンコーダシステム６は、例えば米国特許出願公開第２００７／０２８８１２１号に開示されているような、計測光を射出する照射装置及び計測光を受光する受光装置を有し、スケール部材２２が有する格子（スケール、格子線）に照射装置からの計測光を照射し、その格子を介した計測光を受光装置で受光して、その格子の位置を計測するエンコーダヘッド１５を有する。
【００８４】  本実施形態において、エンコーダシステム６は、エンコーダヘッド１５を複数有する。エンコーダシステム６は、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド１５を含み、終端光学素子１２（液浸部材３）の−Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ａと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド１５を含み、終端光学素子１２（液浸部材３）の−Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｂと、Ｘ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド１５を含み、終端光学素子１２（液浸部材３）の＋Ｘ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｃと、Ｙ軸方向に配置された複数のエンコーダヘッド１５を含み、終端光学素子１２（液浸部材３）の＋Ｙ側に配置されるリニアエンコーダ６Ｄとを有する。
【００８５】  本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａとリニアエンコーダ６Ｃは、Ｙスケール２６とＹスケール２７を用いて、Ｙ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。リニアエンコーダ６Ｂとリニアエンコーダ６Ｄは、Ｘスケール２８とＸスケール２９を用いて、Ｘ軸方向に関する基板ステージ２Ｐの位置を計測する。
【００８６】  リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄ（エンコーダヘッド１５）は、スケール部材２２の表面が対向可能な位置に配置される。スケール部材２２は、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのエンコーダヘッド１５と対向する位置に移動可能である。エンコーダヘッド１５は、照射装置から射出される計測光を計測領域に照射して、その計測領域に配置されたスケール部材２２の格子を検出する。スケール部材２２に照射された照射装置からの計測光の少なくとも一部は、そのスケール部材２２で反射する。スケール部材２２で反射した計測光の少なくとも一部は、受光装置に受光される。エンコーダシステム６は、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｄのそれぞれが有する複数のエンコーダヘッド１５の受光装置の受光結果に基づいて、例えばＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するスケール部材２２（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００８７】  本実施形態において、リニアエンコーダ６Ｄの少なくとも一部は、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と、露光位置ＥＰとの間に配置される。リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間において、基板ステージ２Ｐの位置を計測する。換言すれば、リニアエンコーダ６Ｄは、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２と露光位置ＥＰとの間に配置されるスケール部材（基板ステージ２Ｐ）の位置を計測する。
【００８８】  本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦよりも−Ｙ側に配置される。すなわち、本実施形態において、リニアエンコーダ６Ａ〜６Ｃは、検出領域ＡＦ及び検出領域ＡＬＡ〜ＡＬＥよりも、第１、第２基板交換位置ＣＰ１、ＣＰ２から離れている。
【００８９】  図５は、本実施形態に係る液浸部材３及び基板ステージ２Ｐの一例を示す側断面図である。なお、図５においては、投影領域ＰＲ（終端光学素子１２及び液浸部材３と対向する位置）に、基板Ｐが配置されている。露光装置ＥＸは、計測ステージ２Ｃを投影領域ＰＲに配置することもできるし、基板ステージ２Ｐ及び計測ステージ２Ｃを投影領域ＰＲに配置することもできる。
【００９０】  本実施形態において、基板Ｐは、表面（上面Ｐ１）と、表面の反対を向く裏面（下面Ｐ２）とを有する。本実施形態において、上面Ｐ１は、実質的に平坦である。本実施形態において、第１保持部材２０は、基板Ｐの上面Ｐ１とＸＹ平面とが実質的に平行となるように、基板Ｐの下面Ｐ２を保持する。
【００９１】  なお、基板Ｐの上面Ｐ１の少なくとも一部は、平坦でなくてもよく、例えば凹部、凸部、及び曲面の少なくとも１つを含んでもよい。また、基板Ｐは、上面Ｐ１の少なくとも一部がＸＹ平面と非平行になるように、露光装置ＥＸに配置されてもよい。
【００９２】  本実施形態において、第１保持部材２０は、例えばピンチャック機構のような吸着機構を有する。第１保持部材２０は、基板ステージ２Ｐの支持面３１Ｓに配置された周壁部３５と、周壁部３５の内側の支持面３１Ｓに配置された支持部３６と、支持面３１Ｓに配置された吸引口３７とを有する。周壁部３５は、基板Ｐの下面Ｐ２が対向可能である。支持部３６は、基板Ｐの下面Ｐ２に接触する複数のピン部材を含む。吸引口３７は、流体吸引装置と接続され、流体を吸引する。この流体吸引装置は、制御装置４に制御される。
【００９３】  本実施形態において、周壁部３５の上面は、基板Ｐの下面Ｐ２と対向可能である。周壁部３５は、基板Ｐの下面Ｐ２との間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置４は、基板Ｐの下面Ｐ２と周壁部３５の上面とが接触された状態で、吸引口３７の吸引動作を実行することによって、周壁部３５と基板Ｐの下面Ｐ２と支持面３１Ｓとで形成される空間３１Ｈを負圧にすることができる。これにより、基板Ｐが第１保持部材２０に保持される。また、吸引口３７の吸引動作が解除されることによって、基板Ｐは第１保持部材２０から解放される。
【００９４】  本実施形態において、カバー部材２１は、プレート状の部材である。本実施形態において、カバー部材２１は、表面（上面４０）と、表面の反対を向く裏面（下面４１）とを有する。カバー部材２１の上面４０は、実質的に平坦である。第２保持部材２３は、カバー部材２１の上面４０がＸＹ平面と実質的に平行となるように、カバー部材２１の下面４１を保持する。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の少なくとも一部は、終端光学素子１２の射出面１３と対向可能である。本実施形態において、カバー部材２１の上面４０は、開口２４の縁の少なくとも一部を含む内周部４２と、外周４３の縁の少なくとも一部を含む外周部４４とを有する。本実施形態において、内周部４２は、開口２４の縁に沿った環状（枠状）の部分であり、外周部４４は、内周部４２を環状（枠状）に囲む部分である。
【００９５】  本実施形態において、カバー部材２１の上面４０（内周部４２）は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１の周囲の少なくとも一部に配置される。カバー部材２１の上面４０は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１を環状に囲むように、配置される。第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０は、基板Ｐの上面Ｐ１と間隙Ｇａを介して隣接する。間隙Ｇａは、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐと第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１との間の間隙を含む。
【００９６】  本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１と実質的に平行である。第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１と、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０とは、実質的に同一平面内に配置される（面一である）。
【００９７】  なお、カバー部材２１は、プレート状の部材でなくてもよく、例えばブロック状の部材であってもよい。また、カバー部材２１の上面４０の少なくとも一部は、平坦でなくてもよく、例えば凹部、凸部、及び曲面の少なくとも１つを含んでもよい。また、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の少なくとも一部は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐに対して、傾斜していてもよい。
【００９８】  なお、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１の周囲に離散的に配置されていてもよい。例えば、露光装置ＥＸは、複数のカバー部材２１を備え、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１を囲むように、複数のカバー部材２１の上面４０が配置されてもよい。また、カバー部材２１は、複数の第１の部材に分割可能であってもよい。例えば、複数の第１の部材が第２保持部材２３に保持され、カバー部材２１の上面４０は、複数の第１の部材の上面によって形成されてもよい。また、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１の周囲の一箇所のみに配置されていてもよい。
【００９９】  なお、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の少なくとも一部は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１に対して段差を有していてもよい。例えば、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の少なくとも一部は、第１保持部材２０に保持されている基板Ｐの上面Ｐ１に対して上方（＋Ｚ側）又は下方（−Ｚ側）に配置されてもよい。
【０１００】  本実施形態において、スケール部材２２は、プレート状の部材である。本実施形態において、スケール部材２２は、表面（上面４５）と、表面の反対を向く裏面（下面４６）とを有する。スケール部材２２の上面４５は、実質的に平坦である。第２保持部材２３は、スケール部材２２の上面４５がＸＹ平面と実質的に平行となるように、スケール部材２２の下面４６を保持する。本実施形態において、スケール部材２２の上面４５は、開口２５の縁の少なくとも一部を含む内周部４７と、外周４８の縁の少なくとも一部を含む外周部４９とを有する。本実施形態において、内周部４７は、開口２５の縁に沿った環状（枠状）の部分であり、外周部４９は、内周部４７を環状（枠状）に囲む部分である。
【０１０１】  本実施形態において、スケール部材２２の上面４５（内周部４７）は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０（外周部４４）の周囲の少なくとも一部に配置される。スケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０を環状に囲むように、配置される。第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０と間隙Ｇｂを介して隣接する。間隙Ｇｂは、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１と第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２との間の間隙を含む。
【０１０２】  本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０と実質的に平行である。第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０に対して、段差Ｇｃを有している。本実施形態において、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５の少なくとも一部は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０よりも上方（＋Ｚ側）に配置される。第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５の内周部４７は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の外周部４４よりも上方に配置される。スケール部材２２の上面４５の内周部４７は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の外周部４４を環状に囲む部分である。本実施形態において、スケール部材２２の上面４５の内周部４７は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の外周のいずれの位置においても、カバー部材２１の上面４０の外周に対して上方に配置されている。
【０１０３】  なお、スケール部材２２は、プレート状の部材でなくてもよく、例えばブロック状の部材であってもよい。また、スケール部材２２の上面４５の少なくとも一部は、平坦でなくてもよく、例えば凹部、凸部、及び曲面の少なくとも１つを含んでもよい。また、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５の少なくとも一部は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１に対して、傾斜していてもよい。
【０１０４】  なお、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の周囲において、離散的に配置されていてもよい。例えば、露光装置ＥＸは、複数のスケール部材２２を備え、複数のスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０を囲むように、配置されてもよい。また、スケール部材２２は、複数の第２の部材に分割可能であってもよい。例えば、複数の第２の部材が第２保持部材２３に保持され、スケール部材２２の上面４５は、複数の第２の部材の上面を含んでいてもよい。複数の第２の部材は、例えば、Ｘスケールを有する部材とＹスケールを有する部材の一方又は双方を含んでいてもよい。また、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の周囲の一箇所のみに配置されていてもよい。
【０１０５】  なお、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５の少なくとも一部は、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０の下方（−Ｚ側）に配置されてもよい。また、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５と、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０とは、実質的に同一平面内に配置されてもよい（面一であってもよい）。また、例えばスケール部材２２とカバー部材２１とが一体的に形成又は接合されており、第２保持部材２３に保持されているスケール部材２２の上面４５と、第２保持部材２３に保持されているカバー部材２１の上面４０は、実質的に間隙Ｇｂを有していなくてもよい。基板ステージ２Ｐ上にスケール部材２２とは別の計測部材、計測器が配置されていてもよい。例えば、スケール部材２２は、基板ステージ２Ｐと対向可能な位置に配置されており、このスケール部材２２と対向可能な基板ステージ２Ｐ上にスケール部材２２を介した光を検出するエンコーダーヘッド（測定器、測定部材）が配置されていてもよい。また、露光装置ＥＸは、スケール部材２２を備えていなくてもよいし、エンコーダシステム６を備えていなくてもよい。
【０１０６】  本実施形態において、第２保持部材２３は、例えばピンチャック機構等のような吸着機構を有する。第２保持部材２３は、基板ステージ２Ｐの支持面３２Ｓにおいて周壁部３５を囲むように配置された周壁部３８と、支持面３２Ｓにおいて周壁部３８を囲むように配置された周壁部３９と、周壁部３８と周壁部３９との間の支持面３２Ｓに配置された支持部３３と、支持面３２Ｓに配置された吸引口３４とを有する。周壁部３８及び周壁部３９は、カバー部材２１の下面４１が対向可能である。支持部３３は、カバー部材２１の下面４１に接触する複数のピン部材を含む。吸引口３４は、流体吸引装置と接続され、流体を吸引する。この流体吸引装置は、制御装置４に制御される。
【０１０７】  本実施形態において、周壁部３８の上面及び周壁部３９の上面は、カバー部材２１の下面４１と対向可能である。周壁部３８及び周壁部３９は、カバー部材２１の下面４１との間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置４は、周壁部３８の上面及び周壁部３９の上面がカバー部材２１の下面４１と接触された状態で、吸引口３４の吸引動作を実行することによって、周壁部３８と周壁部３９とカバー部材２１の下面４１と支持面３２Ｓとで形成される空間を負圧にすることができる。これにより、カバー部材２１が第２保持部材２３に保持される。また、吸引口３４の吸引動作が解除されることによって、カバー部材２１は第２保持部材２３から解放される。
【０１０８】  本実施形態において、第２保持部材２３は、基板ステージ２Ｐの支持面３２Ｓにおいて周壁部３９を囲むように配置された周壁部５０と、支持面３２Ｓにおいて周壁部５０を囲むように配置された周壁部５１と、周壁部５０と周壁部５１との間の支持面３２Ｓに配置された支持部５２と、支持面３２Ｓに配置された吸引口５４とを有する。周壁部５０及び周壁部５１は、スケール部材２２の下面４６が対向可能である。支持部５２は、スケール部材２２の下面４６に接触する複数のピン部材を含む。吸引口５４は、流体吸引装置と接続され、流体を吸引する。この流体吸引装置は、制御装置４に制御される。
【０１０９】  本実施形態において、周壁部５０の上面及び周壁部５１の上面は、スケール部材２２の下面４６と対向可能である。周壁部５０及び周壁部５１は、スケール部材２２の下面４６との間の少なくとも一部に負圧空間を形成可能である。制御装置４は、周壁部５０の上面及び周壁部５１の上面がスケール部材２２の下面４６と接触された状態で、吸引口５４の吸引動作を実行することによって、周壁部５０と周壁部５１とスケール部材２２の下面４６と支持面３２Ｓとで形成される空間を負圧にすることができる。これにより、スケール部材２２が第２保持部材２３に保持される。また、吸引口５４の吸引動作が解除されることによって、スケール部材２２は第２保持部材２３から解放される。
【０１１０】  なお、本実施形態においては、カバー部材２１及びスケール部材２２は、基板ステージ２Ｐからリリース可能であるが、カバー部材２１とスケール部材２２の少なくとも一方の部材は、基板ステージ２Ｐからリリース不能であってもよい。例えば、基板ステージ２Ｐは、カバー部材２１及びスケール部材２２が基板ステージ２Ｐからリリース不能であって、第２保持部材２３を有していなくてもよい。
【０１１１】  なお、本実施形態においては、第２保持部材２３は、カバー部材２１及びスケール部材２２を保持するが、カバー部材２１とスケール部材２２の一方の部材を保持し、カバー部材２１とスケール部材２２の他方の部材を保持しなくてもよい。例えば、基板ステージ２Ｐは、カバー部材２１とスケール部材２２の一方の部材を第２保持部材２３が保持し、カバー部材２１とスケール部材２２の他方の部材を第２保持部材２３と別の第３保持部材が保持してもよい。
【０１１２】  なお、本実施形態においては、カバー部材２１は、スケール部材２２と別の部材であるが、スケール部材２２と一体的に形成された部材でもよいし、スケール部材２２と接合された部材でもよい。また、本実施形態においては、カバー部材２１は、スケール部材２２と独立して第２保持部材２３から取り外し可能であるが、例えばスケール部材２２と一体的に形成又は接合されており、スケール部材２２とともに第２保持部材２３から取り外し可能であってもよい。
【０１１３】  図６は、第１保持部材２０（基板ステージ２Ｐ）に保持された基板Ｐの一例を示す図である。本実施形態において、基板Ｐ上の露光対象領域であるショット領域Ｓは、マトリクス状に複数配置されている。制御装置４は、基板Ｐ上に定められた複数のショット領域Ｓを順次露光する。なお、図６において、液浸空間ＬＳは、説明の便宜上、ＸＹ面に射影した液浸空間ＬＳの形状が円形状であるように模式的に図示されているが、液浸空間ＬＳの形状に限定はない。
【０１１４】  図４に示すように、本実施形態の液浸部材３は、少なくとも一部が終端光学素子１２の射出面１３と対向する対向部６０と、少なくとも一部が終端光学素子１２の周囲に配置される本体部６１とを含む。対向部６０は、射出面１３と対向する位置に孔（開口）６２を有する。対向部６０は、少なくとも一部が射出面１３とギャップを介して対向する上面６３と、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面６４とを有する。孔６２は、上面６３と下面６４とを結ぶように形成される。上面６３は、孔６２の上端の周囲に配置され、下面６４は、孔６２の下端の周囲に配置される。射出面１３から射出された露光光ＥＬは、孔６２を通過して、基板Ｐに照射可能である。
【０１１５】  本実施形態において、上面６３及び下面６４のそれぞれは、光路Ｋの周囲に配置される。本実施形態において、下面６４は、平坦面である。下面６４は、基板Ｐ（物体）との間で液体ＬＱを保持可能である。以下の説明において、下面６４を適宜、保持面６５と称する。
【０１１６】  また、液浸部材３は、液体ＬＱを供給可能な供給口６６と、液体ＬＱを回収可能な回収口６７とを有する。供給口６６は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを供給する。回収口６７は、例えば基板Ｐの露光時において液体ＬＱを回収する。なお、供給口６６は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は双方において液体ＬＱを供給可能である。また、回収口６７は、基板Ｐの露光時及び非露光時の一方又は双方において液体ＬＱを回収可能である。
【０１１７】  供給口６６は、射出面１３から射出される露光光ＥＬの光路Ｋの近傍において、その光路Ｋに面するように配置されている。なお、供給口６６は、射出面１３と孔６２との間の空間及び終端光学素子１２の側面の一方又は双方に面していればよい。本実施形態において、供給口６６は、上面６３と射出面１３との間の空間に液体ＬＱを供給する。供給口６６から供給された液体ＬＱは、その上面６３と射出面１３との間の空間を流れた後、孔６２を介して、基板Ｐ（物体）上に供給される。
【０１１８】  供給口６６は、流路６８を介して、液体供給装置６９と接続されている。液体供給装置６９は、清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能である。流路６８は、液浸部材３の内部に形成された供給流路７０、及びその供給流路７０と液体供給装置６９とを接続する供給管で形成される流路を含む。液体供給装置６９から送出された液体ＬＱは、流路６８を介して供給口６６に供給される。少なくとも基板Ｐの露光において、供給口６６は、液体ＬＱを供給する。
【０１１９】  回収口６７は、液浸部材３の下面６４と対向する物体上の液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。回収口６７は、露光光ＥＬが通過する孔６２の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態においては、回収口６７は、保持面６５の周囲の少なくとも一部に配置される。回収口６７は、物体の表面と対向する液浸部材３の所定位置に配置されている。少なくとも基板Ｐの露光において、回収口６７に基板Ｐが対向する。基板Ｐの露光において、回収口６７は、基板Ｐ上の液体ＬＱを回収する。
【０１２０】  本実施形態において、本体部６１は、基板Ｐ（物体）に面する開口７１を有する。開口７１は、保持面６５の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３は、開口７１に配置された多孔部材７２を有する。本実施形態において、多孔部材７２は、複数の孔(openingsあるいはpores)を含むプレート状の部材である。なお、開口７１に、網目状に多数の小さい孔が形成された多孔部材であるメッシュフィルタが配置されてもよい。
【０１２１】  本実施形態において、多孔部材７２は、基板Ｐ（物体）が対向可能な下面７３と、下面７３の反対方向を向く上面７４と、上面７４と下面７３とを結ぶ複数の孔とを有する。下面７３は、保持面６５の周囲の少なくとも一部に配置される。本実施形態において、液浸部材３の下面６４の少なくとも一部は、保持面６５及び下面７３を含む。
【０１２２】  本実施形態において、回収口６７は、多孔部材７２の孔を含む。本実施形態において、基板Ｐ（物体）上の液体ＬＱは、多孔部材７２の孔（回収口６７）を介して回収される。なお、液浸部材３は、多孔部材７２を備えていなくてもよい。
【０１２３】  回収口６７は、流路７５を介して、液体回収装置７６と接続されている。液体回収装置７６は、回収口６７を真空システムに接続可能であり、回収口６７を介して液体ＬＱを吸引可能である。流路７５は、液浸部材３の内部に形成された回収流路７７、及び回収流路７７と液体回収装置７６とを接続する回収管で形成される流路を含む。回収口６７から回収された液体ＬＱは、流路７５を介して、液体回収装置７６に回収される。
【０１２４】  本実施形態においては、制御装置４は、供給口６６からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口６７からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、一方側の終端光学素子１２及び液浸部材３と、他方側の物体との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成可能である。
【０１２５】  なお、液浸部材３として、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）を用いることができる。
【０１２６】  本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐのショット領域Ｓを露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材３と基板Ｐとが対向され、終端光学素子１２と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路Ｋが液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態において、露光装置ＥＸは、基板Ｐの複数のショット領域Ｓを順次露光するとき、終端光学素子１２及び液浸部材３を含む第１部と、第１部に対向する第２面との間との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２ＰがＸＹ平面内において移動される。上記の第２面は、基板Ｐの上面Ｐ１及び基板ステージ２Ｐの上面２Ｕの一方又は双方を含む。制御装置４は、終端光学素子１２及び液浸部材３を含む第１部と、第１部に対向する第２面との間との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳが形成されている状態で、基板ステージ２Ｐを移動しながら、基板Ｐの露光を実行する。
【０１２７】  本実施形態において、制御装置４は、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓのうち最初のショット領域（第１のショット領域）Ｓを露光するために、その第１のショット領域Ｓ１を露光開始位置に移動する。制御装置４は、液浸空間ＬＳが形成された状態で、第１のショット領域Ｓ１（基板Ｐ）を投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動しながら、その第１のショット領域Ｓ１に対して露光光ＥＬを照射する。
【０１２８】  本実施形態において、制御装置４は、第１のショット領域Ｓ１の露光が終了した後、次の第２のショット領域Ｓ２を露光するために、液浸空間ＬＳが形成された状態で、基板ＰをＸ軸方向（あるいはＸＹ平面内においてＸ軸方向に対して傾斜する方向）に移動し、第２のショット領域Ｓ２を露光開始位置に移動する。制御装置４は、第１のショット領域Ｓ１と同様に、第２のショット領域Ｓ２を露光する。
【０１２９】  本実施形態において、制御装置４は、スキャン露光動作とステッピング動作とを繰り返しながら、基板Ｐ上の複数のショット領域Ｓを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して順次露光する。露光光ＥＬは、基板Ｐの複数のショット領域Ｓに対して、次照射される。なお、上記のスキャン露光動作は、投影領域ＰＲに対してショット領域ＳをＹ軸方向に移動しながらそのショット領域Ｓに露光光ＥＬを照射する動作を含む。また、ステッピング動作は、今回のショット領域Ｓの露光が終了した後、次回のショット領域Ｓを露光開始位置に移動するための動作を含む。
【０１３０】  本実施形態において、制御装置４は、投影光学系ＰＬの投影領域ＰＲと基板Ｐとが、図６中に矢印Ｒ１で示す移動軌跡に沿って相対的に移動するように基板ステージ２Ｐを移動しつつ投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射して、液体ＬＱを介して基板Ｐの複数のショット領域Ｓを露光光ＥＬで順次露光する。本実施形態において、図１に示したシミュレータ１０５は、基板ステージ２Ｐの移動を制御するための移動情報を上位制御装置１０４に供給する。上位制御装置１０４は、シミュレータ１０５から供給された移動情報を、露光装置ＥＸの制御装置４に供給する。本実施形態において、露光装置ＥＸは、上位制御装置１０４から供給された移動情報基づいて、基板Ｐの各ショット領域を露光するときの基板ステージ２Ｐの移動を制御する。
【０１３１】  一般的に、例えば液浸部材（終端光学素子）と基板ステージとの相対移動等によって、液浸空間から液体が分離することがありえる。液浸空間から分離した液滴等の液体（以下、分離液体という）は、基板などの物体の表面に残留すると、残留した液体が乾燥した後にシミ（液体ＬＱが純水の場合には、いわゆるウォーターマーク）の発生を招くことがありえる。例えば、分離液体が基板上に残留すると、露光不良の発生を招くことがありえる。
【０１３２】  また、分離液体は、基板の外側に流れて、基板の外側に配置される部材において不都合の発生を招くことがありえる。例えば、分離液体は、基板の外側に配置された計測部材を濡らすことによって、計測部材を利用した計測の精度を低下させることがありえる。結果として、露光不良が発生することがある。また、例えば液浸部材と基板ステージとの相対移動等によって、液体空間を形成する液体中に気泡が混入（発生）することがありえる。例えば、液浸空間が間隙をまたぐ際に（間隙上を液浸空間が通過する際に）、気泡が混入することがありえる。液浸空間に混入した気泡は、露光不良の発生を招くことがありえる。例えば、液浸空間に混入した気泡が基板Ｐの表面に付着し、基板Ｐの表面の気泡が付着した部分に露光光ＥＬが照射されると露光不良が発生する。
【０１３３】  本実施形態において、シミュレータ１０５は、露光光ＥＬを射出する終端光学素子１２に対向する物体上での液体ＬＱに関する液体情報を算出する。例えば、シミュレータ１０５が算出する液体情報は、露光光ＥＬを射出する終端光学素子１２に対向する物体上を動かしたときの液体ＬＱの動きに関する情報を含む。本実施形態において、シミュレータ１０５は、終端光学素子１２に対向する物体を移動させたときの、この物体上での液体ＬＱの動きを推定する。シミュレータ１０５が算出した情報は、例えば、露光不良の発生を抑制することに利用できる。本実施形態において、露光装置ＥＸは、シミュレータ１０５の算出した情報に基づいて露光処理を実行するので、露光不良の発生を抑制できる。結果として、本実施形態のデバイス製造システム１００は、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１３４】  図７は、本実施形態のシミュレータ１０５の機能構成の一例を示す図である。図７に示すシミュレータ１０５は、入力部１１０、情報格納部１１１、情報算出部１１２、比較部１１３、及び出力部１１４等の機能部を備える。本実施形態において、入力部１１０は、シミュレータ１０５の外部からの情報（入力データ）の入力を受け付ける。本実施形態において、情報格納部１１１は、シミュレータ１０５の外部から入力された情報、情報算出部１１２が算出した情報等を格納する。本実施形態において、情報算出部１１２は、情報格納部１１１に格納されている情報等に基づいて、各種情報を算出する。本実施形態において、比較部１１３は、情報格納部１１１に格納されている情報を比較する。本実施形態において、出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている情報をシミュレータ１０５の外部に出力する。
【０１３５】  なお、シミュレータ１０５の機能部は、その一部が省略されていてもよい。例えば、後述の比較動作を行わない場合には、比較部１１３を設けなくてもよい。また、シミュレータ１０５の機能部の２以上は、統合されていてもよい。
【０１３６】  本実施形態において、入力データは、図１に示した上位制御装置１０４から入力される情報と、オペレータから入力される情報の一方又は双方を含む。なお、シミュレータ１０５は、シミュレータ１０５の外部から情報が入力されなくてもよく、この場合に入力部１１０は省略されていてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、シミュレータ１０５による情報の算出に必要とされる情報を、シミュレータ１０５の内部に保持していてもよい。
【０１３７】  本実施形態において、上位制御装置１０４から入力部１１０に入力される情報は、上位制御装置１０４が基板処理装置１０２から取得した装置情報、および上位制御装置１０４が検査装置１０３等から取得した検査情報の一方又は双方を含む。装置情報は、例えば、基板処理装置１０２の動作条件を示す情報を含む。基板処理装置１０２の動作条件は、露光装置ＥＸの基板ステージ２Ｐの動作条件を含む。基板ステージ２Ｐの動作条件は、露光装置ＥＸの基板ステージ２Ｐによって基板Ｐを移動可能な位置の条件（可動範囲）、基板ステージ２Ｐによる基板Ｐの移動の速度の条件、基板ステージ２Ｐによる基板Ｐの移動の加速度の条件の少なくとも１つの項目を含む。検査情報は、例えば、露光装置ＥＸの第１検出システム７が基板Ｐ上の液体の残留を検出した結果を含む。また、検査情報は、例えば、露光処理が施された基板Ｐを検査装置１０３が検査した結果として、露光処理の結果等を示す情報を含む。
【０１３８】  本実施形態において、オペレータから入力される情報は、オペレータが指定する露光条件を示す情報等を含む。オペレータが指定する露光条件は、例えば、基板Ｐにおけるショット領域Ｓの配置（分布）を示すショットマップ情報を含む。ショットマップ情報は、例えば、複数のショット領域Ｓのそれぞれの位置（座標）と寸法の一方又は双方を含む。なお、オペレータが指定する露光条件として、ショットマップ情報に加えて、露光装置ＥＸによる基板Ｐのスキャン条件を入力してもよい。スキャン条件は、例えば、各ショット領域に対するスキャン速度を含む。なお、スキャン条件として、各ショット領域に対するスキャン方向が含まれてもよい。また、スキャン条件として、基板ステージ２Ｐの移動速度の範囲（上限速度）、と基板ステージ２Ｐの加速度の範囲（上限加速度）の少なくとも一方を含んでもよい。また、露光条件として、液体ＬＱに関する情報と、基板Ｐに関する情報の少なくとも一方を含んでいてもよい。液体ＬＱに関する情報は、例えば、液体ＬＱの種類（組成）を示す情報と、液体ＬＱの粘性等の物性値を示す情報の一方又は双方を含む。基板Ｐに関する情報は、例えば、液体ＬＱに対する基板Ｐの表面（レジスト表面、あるいはトップコート表面）の接触角等の情報を含む。
【０１３９】  なお、オペレータから入力される情報として説明した情報の少なくとも一部は、露光装置ＥＸに保持されており、露光装置ＥＸの制御装置４からデバイス製造システム１００の上位制御装置１０４を介して入力部１１０に入力されてもよい。また、オペレータから入力される情報として説明した情報の少なくとも一部は、デバイス製造システム１００の上位制御装置１０４に保持されており、上位制御装置１０４から入力部１１０に入力されてもよい。例えば、オペレータが上位制御装置１０４に露光条件の少なくとも一部を入力し、上位制御装置１０４は、オペレータから入力された情報の少なくとも一部をシミュレータ１０５に供給してもよい。また、デバイス製造システム１００は、露光条件の基準値、推奨値、初期値等が予め設定されており、オペレータが指定しない項目の露光条件について、シミュレータ１０５が上述したような予め設定された値を用いることもできる。
【０１４０】  本実施形態の情報格納部１１１は、入力部１１０に入力された情報を格納（保持）する。本実施形態の情報格納部１１１は、ショットマップ情報格納部１１５、計算条件情報格納部１１６、及び検査情報格納部１１７等の機能部を備える。本実施形態のショットマップ情報格納部１１５は、入力部１１０に入力された情報のうち、基板Ｐにおけるショット領域Ｓの配置を示すショットマップ情報を格納する。本実施形態の計算条件情報格納部１１６は、情報算出部１１２が情報を算出する上で必要とされる計算条件を示す情報を格納する。計算条件情報格納部１１６に格納される情報は、例えば、基板処理装置１０２の動作条件を示す装置情報と露光条件を示す情報の一方又は双方を含む。検査情報格納部１１７は、入力部１１０に入力された情報のうち、露光処理の結果を示す検査情報を格納する。情報算出部１１２で検査情報が使われない場合には、検査情報格納部１１７はなくてもよい。
【０１４１】  また、本実施形態の情報格納部１１１は、情報算出部１１２による算出の結果を示す情報を格納する。本実施形態の情報格納部１１１は、第１移動情報格納部１１８、液体情報格納部１１９、領域情報格納部１２０、第２移動情報格納部１２１、及び画像情報格納部１２２等の機能部を備える。
【０１４２】  本実施形態の情報算出部１１２は、第１移動情報算出部１２３、液体情報算出部１２４、領域情報算出部１２５、第２移動情報算出部１２６、及び画像情報算出部１２７等の機能部を備える。
【０１４３】  本実施形態において、第１移動情報算出部１２３は、ショットマップ情報と計算条件情報（露光条件など）とに基づいて、基板Ｐを保持した基板ステージ２Ｐの移動を制御するための第１移動情報を算出する。本実施形態において、第１移動情報は、基板Ｐが配置された基板ステージ２Ｐの位置情報と速度情報と加速度情報の少なくとも１つを含む。例えば、位置情報は、基板Ｐが基板ステージ２Ｐに配置されている期間中の各時刻における基板ステージ２Ｐの位置を示す。本実施形態において、位置情報は、基板ステージ２Ｐに配置されている基板Ｐの各時刻における位置も示す。各時刻における基板Ｐの位置は、例えば、適宜選択される基準位置に対する基板ＰのＸＹ平面内での座標である。上記の基準位置は、例えば投影光学系ＰＬの光軸の位置であってもよい。また、速度情報（加速度情報）は、各時刻における基板ステージ２Ｐの速度を示すとともに、基板ステージ２Ｐに配置されている基板Ｐの各時刻における速度（加速度）も示す。
【０１４４】  図８及び図９は、それぞれ、移動情報に基づいて決定された基板Ｐの移動軌跡と液浸空間ＬＳの例を示す図である。本実施形態の第１移動情報算出部１２３で、例えば図８に示すように、ショットマップ情報に規定された複数のショット領域Ｓが投影領域ＰＲを通過するように、基板Ｐの第１の移動軌跡Ｔｒ１を決定される。
【０１４５】  本実施形態において、第１移動情報算出部１２３は、基板Ｐの移動が装置情報に規定された動作条件、及び計算条件情報に規定された露光条件を満たすように、第１移動情報を算出する。第１移動情報算出部１２３は、例えば、基板Ｐの移動が装置情報に規定された動作条件、及び計算条件情報に規定された露光条件を満たし、かつ適宜マージンを考慮した上で、１枚の基板が基板ステージ２Ｐにロードされてからアンロードされるまでの時間が最小になるように、第１移動情報を算出する。第１移動情報算出部１２３は、例えば、スループットが最大化されるように、第１移動情報を算出する。第１移動情報算出部１２３は、算出した第１移動情報を第１移動情報格納部１１８に格納する。なお、第１移動情報が入力部１１０から入力される場合には、第１移動情報算出部１２３はなくてもよい。
【０１４６】  なお、上記の位置情報は、上記の速度情報が示す速度を時間積分すること、上記の加速度情報が示す加速度を２回時間積分すること等によっても得られる。また、上記の速度情報は、上記の位置情報が示す位置を時間微分すること、上記の加速度情報が示す加速度を時間積分すること等によっても得られる。また、上記の加速度情報は、上記の位置情報が示す位置を２回時間微分すること、上記の速度情報が示す速度を時間微分すること等によって得ることもできる。
【０１４７】  本実施形態の液体情報算出部１２４は、露光光ＥＬを射出する終端光学素子１２に対向する物体上での液体ＬＱに関する液体情報を算出する。
【０１４８】  図１０及び図１１は、それぞれ、液浸空間ＬＳの例を示す図である。図１０及び図１１に示すように、本実施形態において、終端光学素子１２に対向する物体は、基板ステージ２Ｐに配置されている基板Ｐと、基板Ｐの周囲の少なくとも一部に配置されるカバー部材２１と、カバー部材２１の周囲の少なくとも一部に配置されるスケール部材２２の少なくとも一つを含む。本実施形態において、終端光学素子１２に対向する物体上の液浸空間を形成可能な領域を、対向領域Ａ１という。本実施形態において、対向領域Ａ１は、終端光学素子１２に対向する物体の表面（以下、対向面１３０という）、物体上の間隙等を含む。本実施形態において、対向面１３０は、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの上面Ｐ１と、基板ステージ２Ｐに保持されているカバー部材２１の上面４０と、基板ステージ２Ｐに保持されているスケール部材２２の上面４５の少なくとも一部を含む。本実施形態において、対向領域Ａ１における物体上の間隙は、基板Ｐとカバー部材２１との間の間隙Ｇａ、及びカバー部材２１とスケール部材２２との間の間隙Ｇｂの一方又は双方を含む。
【０１４９】  本実施形態において、液体情報は、次に説明するような複数の情報を含むが、以下の複数の情報の少なくとも１つを含んでいなくてもよい。また、シミュレータ１０５は、液体情報の複数の情報の少なくとも１つを算出しなくてもよい。例えば、液体情報の複数の情報の少なくとも１つは、シミュレータ１０５の外部（例えば、上位制御装置１０４）からシミュレータ１０５に供給されてもよい。
【０１５０】  本実施形態の液体情報は、液浸空間ＬＳとその外部（気体空間ＧＳ）との界面１３１の位置を示す界面位置情報を含む。界面位置情報は、例えば、対向領域Ａ１上に液浸空間ＬＳが配置されている期間の各時刻における液浸空間ＬＳの界面１３１の位置を示す情報を含む。すなわち、界面位置情報は、液浸空間ＬＳの界面１３１の動き（時間変化）を示す情報を含む。界面位置情報は、例えば、界面位置情報は、対向領域Ａ１における液浸空間ＬＳの界面１３１の位置を示す情報を含む。なお、液体情報は、液浸空間ＬＳの界面の変形を示す界面変形情報を含んでいてもよい。界面変形情報は、例えば、基板ステージ２Ｐの移動に対する液浸空間ＬＳの移動の追従性（時間遅れ等）を示す情報を含んでいてもよい。液体情報は、例えば液浸空間ＬＳの界面１３１が実質的に変形しない場合等に、界面変形情報を含んでいなくてもよい。
【０１５１】  本実施形態において、液体情報は、対向領域Ａ１（対向面１３０）のうち液体ＬＱ（液浸空間ＬＳ）が接触する領域を示す液体接触情報を含む。液体接触情報は、例えば、対向面１３０における液浸空間ＬＳの界面１３１に囲まれる領域を示す情報である。また、本実施形態において、液体情報は、対向面１３０の各位置が液浸空間ＬＳと接触する回数を示す接触回数情報を含む。例えば、接触回数情報は、対向領域Ａ１において液浸空間ＬＳと接触する回数の分布を示す情報を含む。ところで、対向領域Ａ１（対向面１３０）において液浸空間ＬＳと１回接触した際に分離液体が発生した場合に、この分離液体が発生した位置に液浸空間ＬＳが再度接触すると、分離液体が液浸空間ＬＳに取り込まれることがある。結果として、対向領域Ａ１に分離液体が残留することが抑制される。換言すると、接触回数情報は、例えば、対向領域Ａ１（対向面１３０）における分離液体の残留を推定すること等に利用できる。
【０１５２】  図１０に示すように、本実施形態のカバー部材２１は、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐに対して、間隙Ｇａを介して配置される（カバー部材２１は、カバー部材２１と基板Ｐとの間に間隙Ｇａが形成されるように配置される）。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、基板Ｐの上面Ｐ１とカバー部材２１の上面４０とに、間隙Ｇａをまたいで配置される場合がある（液浸空間ＬＳは、基板Ｐの上面Ｐ１の一部と、カバー部材２１の上面４０の一部と、間隙Ｇａの一部とを覆うように配置される場合がある）。なお、一例において、「間隙Ｇａをまたぐ」は、（１）間隙Ｇａの一部と、（２）基板Ｐの上面Ｐ１の一部と、（３）カバー部材２１の上面４０の一部と、を覆うように、液浸空間ＬＳが配置される場合を含む。別の例において、「間隙Ｇａをまたぐ」は、（１）間隙Ｇａの一部と、（２）基板Ｐの上面Ｐ１の一部又はカバー部材２１の上面４０の一部と、を覆うように、液浸空間ＬＳが配置される場合を含む。
【０１５３】  本実施形態において、液体情報は、間隙Ｇａの各位置（間隙Ｇａの一部分）を液浸空間ＬＳがまたぐ回数（水没回数）を示す水没回数情報を含む。例えば、図１０に示すように、間隙Ｇａのある部分を第１部分１３２とすると、第１部分１３２の水没回数は、第１部分１３２上に液浸空間ＬＳが形成された回数である（例えば、第１部分１３２の水没回数は、基板Ｐの上面Ｐ１の縁の一部上、又はカバー部材２１の上面４０の縁の一部上に液浸空間ＬＳが配置された回数である）。例えば、液浸空間ＬＳが第１部分１３２をまたいだときに水没回数がカウントされ、その後に第１部分１３２が液浸空間ＬＳの外側に配置され、その後に液浸空間ＬＳが第１部分１３２をまたいだときに水没回数が再度カウントされる。例えば、第１部分の水没回数は、界面１３１が第１部分１３２を１回通過した時点で、１回である。また、第１部分の水没回数は、界面１３１が第１部分１３２を３回通過した時点で、２回である。水没回数は、例えば、上述の界面位置情報と、第１移動情報に基づいて移動される基板ステージ２Ｐの位置情報などから求められる。
【０１５４】  ところで、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａをまたぐ際に液浸空間ＬＳからの液体の分離、液浸空間ＬＳへの気泡の混入等が発生することがある。換言すると、水没回数情報は、例えば、間隙Ｇａの各位置における分離液体の発生しやすさと、気泡の発生のしやすさの一方又は双方を推定するための情報等として利用できる。また、間隙Ｇａのうち水没回数が複数回数である位置においては、水没回数が１回である位置と比較して、液浸空間ＬＳにおける気泡が発生する確率、あるいは気泡の発生量が増加することがある。例えば、間隙Ｇａのうち水没回数が２回である位置は、水没回数が１回である位置と比較して、液浸空間ＬＳ中の気泡の発生量が２倍よりも大きくなることがある。換言すると、水没回数情報は、例えば、気泡の発生確率と発生量（期待値）の一方又は双方を推定するための情報等として利用できる。
【０１５５】  本実施形態において、液体情報は、間隙Ｇａの各位置を液浸空間ＬＳがまたいでいる時間（水没時間）を示す水没時間情報を含む。水没時間は、例えば、上述の界面位置情報と、第１移動情報に基づいて移動される基板ステージ２Ｐの位置情報などから求められる。例えば、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａの第１部分１３２をまたいでいる時間は、液浸空間ＬＳの界面１３１が第１部分１３２を１回通過した時点から界面１３１が第１部分１３２を２回通過した時点までの時間である。なお、液浸空間ＬＳが第１部分１３２を複数回数またぐ場合に、水没時間情報は、積算の水没時間を示す情報であってもよいし、各水没時間を個別に示す情報であってもよい。
【０１５６】  ところで、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に形成されることによって、間隙Ｇａを形成する第１側（例えば基板Ｐ側）と第２側（例えばカバー部材２１側）との間に液体ＬＱが進入し、間隙Ｇａに液体ＬＱが滞留する現象（ブリッジ現象）が発生することがある。ブリッジ現象は、水没する回数が多くなるにつれて、あるいは水没時間が長くなるにつれて発生確率、発生量が増加する。換言すると、水没回数情報、及び水没時間情報は、例えばブリッジ現象の発生確率と発生量の一方又は双方を推定するための情報等として利用できる。
【０１５７】  本実施形態において、液体情報は、間隙Ｇａの各位置を液浸空間ＬＳが通過してからの経過時間を示す経過時間情報を含む。間隙Ｇａのある位置を液浸空間ＬＳが１回通過する際に、この位置を液浸空間ＬＳの界面１３１は２回通過する。間隙Ｇａの各位置を液浸空間ＬＳが通過してからの経過時間は、例えば、液浸空間ＬＳの界面１３１の移動を示す情報から求められる。例えば、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａの第１部分１３２を通過してから次に液浸空間ＬＳが第１部分１３２をまたぐまでの経過時間は、液浸空間ＬＳの界面１３１が第１部分１３２を２回通過した時点から界面１３１が第１部分１３２を３回通過した時点までの時間である。
【０１５８】  ところで、上述のようなブリッジ現象は、間隙Ｇａを液浸空間ＬＳが通過してからの経過時間が長くなるにつれて、解消される可能性が高くなる。例えば、基板ステージ２Ｐに間隙Ｇａに流入した液体を回収する液体回収部が設けられている場合には、その液体回収部によってブリッジ現象を発生させている液体が除去されることがありえる。換言すると、間隙Ｇａを液浸空間ＬＳが通過してからの経過時間を示す情報は、例えばブリッジ現象が発生しているか否か、ブリッジ現象が発生している確率、ブリッジ現象を発生させている液体の残留量のうち少なくとも１つを推定するための情報等として利用できる。
【０１５９】  本実施形態において、液体情報は、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａをまたいでいる状態における間隙Ｇａから液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離Ｌ１を示す界面離間情報を含む。界面離間情報は、例えば、液浸空間ＬＳが基板Ｐの内側から外側に向う場合に、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａをまたいでいる状態における、間隙Ｇａから基板Ｐの外側の液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離に関する情報を含む。界面離間情報は、間隙Ｇａから基板Ｐの外側の液浸空間ＬＳの界面１３１までの最大の距離に関する情報を含む。界面離間情報は、例えば、投影光学系ＰＬの光軸に関する放射方向における、間隙Ｇａと界面１３１との距離を示す情報を含む。
【０１６０】  なお、界面離間情報は、基板ステージ２Ｐの加速度の絶対値が極小となる時点における、間隙Ｇａから基板Ｐの外側の液浸空間ＬＳの界面１３１まで距離を示す情報を含んでいてもよい。また、界面離間情報は、基板ステージ２Ｐに保持されている基板Ｐの中心からの放射方向における、間隙Ｇａと界面１３１との距離を示す情報を含んでいてもよい。また、界面離間情報は、スキャン露光動作中の基板ステージ２Ｐの移動方向（走査方向）における、間隙Ｇａと界面１３１との距離を示す情報を含んでいてもよい。また、界面離間情報は、走査方向に交差する方向おける、間隙Ｇａと界面１３１との距離を示す情報を含んでいてもよい。
【０１６１】  ところで、液浸空間ＬＳは、基板ステージ２Ｐの移動方向が変化する際に、間隙Ｇａにおいて液浸空間ＬＳがまたいでいる位置から液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離が短くなるにつれて、分離液体が発生しやすくなる。換言すると、界面離間情報は、例えば、分離液体の発生確率と発生量の一方又は双方を推定するための情報等として利用できる。
【０１６２】  図１１に示すように、本実施形態のスケール部材２２は、基板ステージ２Ｐに保持されているカバー部材２１に対して、間隙Ｇｂを介して配置される場合がある。本実施形態において、液浸空間ＬＳは、カバー部材２１の上面４０とスケール部材２２の上面４５とに、間隙Ｇｂをまたいで配置される場合がある。本実施形態において、液体情報は、間隙Ｇａについて説明したのと同様に、間隙Ｇｂに関する水没回数情報と、間隙Ｇｂ関する水没時間情報と、間隙Ｇｂに関する経過時間情報と、間隙Ｇｂに関する界面離間情報を含む。
【０１６３】  本実施形態において、図７に示した液体情報算出部１２４は、上述したような液体情報を第１移動情報に基づいて算出する。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、液体情報算出部１２４は、第１移動情報算出部１２３が算出した第１移動情報を第１移動情報格納部１１８から取得し、取得した第１移動情報に基づいて液体情報を算出する。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、第１移動情報を用いて、液浸空間ＬＳが対向領域Ａ１から受けるせん断力（ＸＹ平面にほぼ平行な力）と、液浸空間ＬＳの界面１３１に働く表面張力等を考慮した物理モデルに基づいて、ＸＹ平面に射影した液浸空間ＬＳの二次元形状（輪郭）を算出する。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、液浸空間ＬＳの内部における流場の非定常計算を行うことなく、液浸空間ＬＳの界面１３１の移動を示す情報を算出する。
【０１６４】  本実施形態において、液体情報算出部１２４は、液体情報の算出に必要とされる計算条件情報を、計算条件情報格納部１１６から取得する。本実施形態において、液体情報の算出に用いる物理モデルは、液体ＬＱの粘性等の物性値、基板Ｐの液体ＬＱに対する基板Ｐの接触角等の物性値等により定まるパラメータを含む。本実施形態において、物理モデルのパラメータは、第１移動情報に従って物体を移動させたときの液体の動きを検出した結果を用いて、調整されている。このパラメータは、例えば、物体を移動させたときの液体の動きを計測した計測結果に基づいて、シミュレータ１０５の算出結果が測定結果に近づくようにチューニングされる。液体情報算出部１２４が用いる物理モデルのパラメータは、ナビエストークス方程式と数値的に直接的に解く手法（ＤＮＳ）、乱流モデル等を適宜用いてレベルセット法等の界面追跡法を用いる手法等の各種の数値流体力学（ＣＦＤ）的な手法によって、液体の動きを算出した結果を用いて、調整されていてもよい。
【０１６５】  本実施形態において、液体情報の算出に用いる物理モデルが含むパラメータは、液体ＬＱの種類と基板Ｐの種類とに応じた値が計算条件情報格納部１１６に格納されている。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、例えば液体ＬＱの種類、基板Ｐの種類等を示す情報としてオペレータが入力した情報に基づいて、物理モデルが含むパラメータの値を示す情報を計算条件情報格納部１１６から取得し、液体情報を算出する。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、算出した液体情報を液体情報格納部１１９に格納する。
【０１６６】  なお、液体情報を算出する手法としては、上述したような各種の数値流体力学的な手法を用いることもできる。例えば、液体情報算出部１２４は、液浸空間ＬＳと気体空間ＧＳの流場を非定常計算により算出してもよいし、三次元的な流場について算出してもよい。また、液体情報算出部１２４が液体情報の算出に用いる情報は、例えば液浸空間ＬＳが配置される環境の温度、湿度、圧力等を示す情報を含んでいてもよい。また、液体情報の算出に用いる物理モデルが含むパラメータは、固定値であってもよい。
【０１６７】  本実施形態において、領域情報算出部１２５は、図１０等に示した対向領域Ａ１のうち液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出する。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、液体情報算出部１２４が算出した液体情報を液体情報格納部１１９から取得し、取得した液体情報に基づいて領域情報を算出する。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、算出した領域情報を領域情報格納部１２０に格納する。
【０１６８】  本実施形態において、所定の条件は、複数の条件を含み、所定の条件を満たす領域は、所定の条件のうち少なくとも１つの条件を満たす領域を含む。例えば、領域情報算出部１２５は、所定の条件のうち第１条件を満たす領域を示す第１の領域情報を算出し、また所定の条件のうち第２条件を満たす領域を示す第２の領域情報を算出する。この場合に、第１の領域情報が示す領域は、第２の領域情報が示す領域の一部と重複していてもよいし、重複していなくてもよい。
【０１６９】  本実施形態において、領域情報算出部１２５は、対向領域Ａ１のうちの少なくとも一部の領域における液体情報と所定の条件とを比較し、対向領域Ａ１上の各領域（各位置）が所定の条件を満たすか否かを判定する。また、領域情報算出部１２５は、上記判定に基づいて、対向領域Ａ１のうち所定の条件を満たす領域を抽出する。
【０１７０】  本実施形態において、所定の条件は、液浸空間ＬＳがまたいでいる対向領域Ａ１の間隙のうち液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離が閾値以下である条件を含む。この閾値は、例えば、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの物性値、対向面１３０の液体ＬＱに対する接触角等の物性値、対向領域Ａ１の間隙の寸法、液浸空間ＬＳの寸法等のパラメータ、間隙における位置（例えば第１部分１３２）から界面１３１までの距離を規定する方向等の各種条件の一部又は全部に応じて定められる値である。
【０１７１】  本実施形態において、対向領域Ａ１の間隙から液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離の閾値を示す情報は、計算条件情報格納部１１６に格納されている。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、計算条件情報及び界面離間情報等を参照し、所定の条件を満たす領域として液浸空間ＬＳがまたいでいる対向領域Ａ１の間隙に対して液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離の最大値が閾値以下である領域の位置を示す領域情報を算出する。この領域情報は、例えば、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離が対向面１３０のうち相対的に発生しやすい領域を示す情報等として利用できる。
【０１７２】  ここで、図８に示す移動軌跡及び液浸空間の例について説明する。図８に示すように、液浸空間ＬＳは、基板Ｐが第１の移動軌跡Ｔｒ１に従って相対移動するにつれて、基板Ｐに対して相対移動する。例えば、図８（ａ）においては、基板Ｐの−Ｙ方向への移動によって、投影領域ＰＲが第１のショット領域Ｓ１を＋Ｙ方向に走査（スキャン露光動作）するとき、液浸空間ＬＳは、基板Ｐの内側から外側に向って移動する。ショット領域Ｓ１は、間隙Ｇａに近いため、図８（ｂ）に示すように第１のショット領域Ｓ１の露光終了後から、次に露光される第２のショット領域Ｓ２の露光が開始されるまでの期間の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳは、その一部が基板Ｐとカバー部材２１との間の間隙Ｇａをまたぐ状態になる。図８（ｂ）は、基板Ｐの移動方向が−Ｙ方向から＋Ｙ方向に切り替わる時点を示し、図８（ｃ）投影領域ＰＲが第２のショット領域Ｓ２の走査を開始する直前の状態を示す。
【０１７３】  図８（ａ）から図８（ｃ）に示すように、基板Ｐとカバー部材２１との間隙Ｇａのうち液浸空間ＬＳがまたぐ領域（以下、水没領域Ａ２という）は、液浸空間ＬＳの相対移動によって変化する。水没領域Ａ２から液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離Ｌ１は、例えば図８（ｂ）に示すように、間隙Ｇａにおける位置の違いに応じて空間的に変化する。また、例えば図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、水没領域Ａ２から液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離Ｌ１は、液浸空間ＬＳと間隙Ｇａとの相対移動によって時間的に変化する。
【０１７４】  本実施形態において、領域情報算出部１２５は、液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離Ｌ１の最大値が閾値以下となる水没領域Ａ２の位置を示す領域情報を算出する。水没領域Ａ２から液浸空間ＬＳの界面１３１までの距離Ｌ１の最大値が閾値以下となる場合に、図８（ｂ）に示すように、液浸空間ＬＳは、水没領域Ａ２に対して基板Ｐの外側に配置されている空間Ａ３を含む。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、空間Ａ３の位置を示す領域情報を算出する。また、本実施形態において、領域情報算出部１２５は、対向面１３０のうち空間Ａ３の周囲の少なくとも一部に配置される領域Ａ４（図８（ｃ）参照）の位置を示す領域情報を算出する。本実施形態において、領域Ａ４は、空間Ａ３が基板ステージ２Ｐの移動に伴って対向面１３０に接触する領域を含む。本実施形態において、領域Ａ４は、基板Ｐの外側に形成された液浸空間ＬＳの界面のうち、基板Ｐが＋Ｙ方向に移動するときに領域Ａ３上を通過した界面１３１が移動する基板Ｐ上の領域を含む。以上のような水没領域Ａ２を示す領域情報は、例えば、対向領域Ａ１の間隙のうち、分離液体が発生する起点に相対的になりやすい領域を示す情報等として利用できる。また、領域Ａ４を示す領域情報は、例えば、対向領域Ａ１のうち分離液体が相対的に発生（付着）しやすい領域を示す情報等として利用できる。なお、ショット領域Ｓ２の露光終了後に、基板ＰがＸ方向へのステップ移動を開始するまでに界面１３１が通過する基板Ｐ上の領域をすべて領域Ａ４としてもよいし、実験、シミュレーション等に基づいて領域Ａ４のＹ方向の幅（距離）を設定してもよい。
【０１７５】  また、本実施形態の領域情報算出部１２５は、接触回数情報等を参照し、所定の条件を満たす領域として、領域Ａ４のうち液浸空間ＬＳと接触する回数が１回である領域を抽出し、抽出した領域の位置を示す領域情報を算出する。この領域情報は、例えば、分離液体が対向面１３０のうち相対的に残留しやすい領域を示す情報等として利用できる。
【０１７６】  また、本実施形態の領域情報算出部１２５は、接触回数情報等を参照し、所定の条件を満たす領域として、液浸空間ＬＳと接触した後に液浸空間ＬＳと再度接触する領域を抽出し、抽出した領域の位置を示す領域情報を算出する。この領域情報は、例えば、液浸空間ＬＳとの最初の接触で分離液体が発生したとしても、液浸空間ＬＳとの次の接触によって、分離液体が液浸空間ＬＳに取り込まれ、分離液体が残留しにくい領域を示す情報等として利用できる。例えば、領域Ａ４のうち再度液浸空間ＬＳと接触する領域は、領域Ａ４から除くことができる。
【０１７７】  上述のように、本実施形態の領域情報算出部１２５は、液体情報と所定の条件とを比較することによって、液浸空間ＬＳからの液体の分離に関する情報を算出する。例えば、領域情報算出部１２５は、分離液体が発生しやすい領域を示す情報、分離液体が残留しやすい領域を示す情報、及び分離液体が残留しにくい領域を示す情報の少なくとも１つを参照し、例えば各種の情報が示すパラメータに重み付けを行うこと等によって、分離液体が残留する確率の対向面１３０における分布を示す液体残留情報を算出する。液体残留情報は、例えば、対向面１３０上の位置（座標）と分離液体が残留する確率とを関係付けた情報を含む。
【０１７８】  本実施形態において、所定の条件は、対向領域Ａ１の間隙のうち液浸空間ＬＳがまたぐ回数（水没回数）が１回である条件を含む。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、液体情報の水没回数情報等を参照して、対向領域Ａ１の間隙のうち水没回数が１回である間隙（領域）の位置を示す領域情報を算出する。この領域情報は、例えば、液浸空間ＬＳに気泡が発生している可能性が低い領域を対向領域Ａ１から抽出するための情報等として利用できる。
【０１７９】  本実施形態において、所定の条件は、対向領域Ａ１の間隙のうち液浸空間ＬＳがまたいでいる時間が閾値以上である条件を含む。この閾値は、例えば、液浸空間ＬＳの液体ＬＱの物性値、対向面１３０の液体ＬＱに対する接触角等の物性値、対向領域Ａ１の間隙の寸法、液浸空間ＬＳの寸法等のパラメータのうち少なくとも１つにより定まる値である。本実施形態において、液浸空間ＬＳがまたいでいる時間の閾値を示す情報は、計算条件情報格納部１１６に格納されている。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、計算条件情報及び水没時間情報等を参照し、所定の条件を満たす領域として対向領域Ａ１の間隙のうち液体がまたいでいる時間が閾値以上である間隙（領域）を抽出し、抽出した間隙の位置を示す領域情報を算出する。この領域情報は、例えば、ブリッジ現象の発生確率、発生量が相対的に高い間隙（領域）を示す情報等として利用できる。また、この領域情報は、例えば、液浸空間ＬＳに気泡が発生している可能性が高い領域を、対向領域Ａ１から抽出するための情報等として利用できる。
【０１８０】  本実施形態において、所定の条件は、対向領域Ａ１の間隙のうち液浸空間ＬＳがまたぐ回数が複数回数である条件を含む。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、液体情報の水没回数情報等を参照して、対向領域Ａ１の間隙のうち水没回数が２回である領域を抽出し、抽出した領域の位置を示す領域情報を算出する。また、本実施形態において、領域情報算出部１２５は、対向領域Ａ１の間隙のうち水没回数が３回である領域等についても抽出して、対向領域Ａ１の間隙の部分領域を水没回数ごとに分類し、各水没回数に対応する領域情報を算出する。これらの領域情報は、例えば、抽出された間隙（領域）上を通過した液浸空間ＬＳに気泡が発生している可能性が高い領域を、対向領域Ａ１から抽出するための情報等として利用できる。
【０１８１】  なお、水没回数が複数回数である条件を満たす領域は、水没回数が１回である条件を満たさない領域として扱うこともできる。このように、シミュレータ１０５は、所定の条件を満たさない領域を示す領域情報を算出してもよい。
【０１８２】  本実施形態において、液体情報が所定の条件を満たす領域は、対向領域Ａ１の間隙のうち水没回数が複数回数である間隙（領域）の周囲の少なくとも一部の領域を含む。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、液体接触情報及び水没回数情報の少なくとも一方を参照して、所定の条件を満たす領域として、水没回数が複数回数であるという条件を満たす間隙（領域）上に液浸空間ＬＳが形成されている間に、液浸空間ＬＳと接触する対向領域Ａ１の対向面１３０少なくとも一部の領域を液浸空間ＬＳに気泡が発生している（気泡が付着している）可能性が高い領域として抽出し、抽出した領域の位置を示す領域情報を算出する。なお、水没回数が複数回数であるという条件を満たす間隙（領域）上を通過した液浸空間ＬＳが新たに接触する対向面１３０少なくとも一部の領域を抽出するようにしてもよい。
【０１８３】  ここで、図９に示す移動軌跡及び液浸空間の例について説明する。図９（ａ）では、液浸空間ＬＳは、基板Ｐの外側から内側に向って−Ｙ方向に移動している。液浸空間ＬＳは、投影領域ＰＬが第１のショット領域Ｓ１の前のショット領域Ｓを通過し、−Ｘ方向に移動した後に、基板Ｐの外側から内側に向って−Ｙ方向に移動（ステッピング動作、ステップ移動）する。図９（ａ）は、−Ｘ方向へのステップ移動を終えた直後の状態を示す。図９（ａ）に示す状態の水没領域Ａ６は、その前に少なくとも一度水没した水没領域Ａ５の一部と重複している。水没領域Ａ５と水没領域Ａ６とが重複する水没領域Ａ７において、水没回数は複数回数である。図９（ａ）において、液浸空間ＬＳは、基板Ｐの外側に位置する空間（領域）Ａ８を含む。液浸空間ＬＳの空間Ａ８は、液浸空間ＬＳが−Ｙ方向に移動すると、水没領域Ａ７（間隙）上を通過する。本実施形態において、液浸空間ＬＳがまたぐ回数が複数回数である水没領域Ａ７の周囲の領域は、液浸空間ＬＳの空間Ａ８が通過する基板上の領域Ａ９を含む。この領域Ａ９は、図９（ｂ）に示すように、投影領域ＰＲが第１のショット領域Ｓ１を走査している間に、第１のショット領域Ｓ１の次に露光される第２のショット領域Ｓ２を含む場合がある。また、この領域Ａ９は、図９（ｃ）に示すように、投影領域ＰＲが第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２に向う間、すなわち、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、第２のショット領域Ｓ２の露光開始までの間に、液浸空間ＬＳから出ない領域Ａ１０を第２のショット領域Ｓ２に含む場合がある。領域Ａ９は、液浸空間ＬＳの空間Ａ８が水没領域Ａ７を通過するため、液浸空間ＬＳに気体が発生して、基板Ｐ上に気泡が付着する可能性が高い領域である。領域Ａ９のうち、液浸空間ＬＳが通過する領域は、液浸空間ＬＳが通過した直後に基板Ｐ上に付着した気泡が消える可能性が高い領域である。また、領域Ａ１０のように液浸空間ＬＳが通過しない領域は、気泡が付着している可能性が高い領域である。
【０１８４】  本実施形態の領域情報算出部１２５は、第２のショット領域Ｓ２のうち、水没回数が複数回数である水没領域Ａ７上を通った液浸空間ＬＳ（空間Ａ８）と接触した領域Ａ９を抽出し、抽出した領域を示す領域情報を算出する。領域Ａ９を示す領域情報は、例えば、液浸空間ＬＳに混入した気泡が運ばれる可能性がある領域を示す情報等として利用できる。
【０１８５】  本実施形態の領域情報算出部１２５は、領域Ａ９のうち、投影領域ＰＲが第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２に至る間に液浸空間ＬＳの外部（気体空間ＧＳ）に配置されない領域Ａ１０を抽出し、抽出した領域Ａ１０の位置を示す領域情報を算出する。領域Ａ１０を示す領域情報は、例えば、次に露光されるショット領域のうち気泡が存在する可能性がある領域を示す情報等として利用できる。また、領域Ａ１０を示す領域情報は、気泡が付着したまま走査露光されるショット領域を抽出するための情報等として利用できる。
【０１８６】  本実施形態の領域情報算出部１２５は、液体情報と所定の条件とを比較することによって、液浸空間ＬＳにおける気泡に関する情報を算出してもよい。本実施形態において、領域情報算出部１２５は、水没時間情報、間隙を液浸空間ＬＳが通過してからの経過時間を示す情報等を参照し、水没回数が複数回数である間隙の領域を液浸空間ＬＳが２回目以降にまたぐ際にブリッジ現象が存在する確率、その量等に関する情報を算出する。そして、ブリッジ現象が発生している間隙Ｇａ上を液浸空間ＬＳがまたぐ際にブリッジ現象を発生させている液体上の気体が液浸空間ＬＳに取り込まれる確率、その量に関する情報等を算出する。また、領域情報算出部１２５は、対向領域Ａ１の間隙のうち水没回数が複数回数である水没領域Ａ７を通った液浸空間ＬＳの空間Ａ８を示す情報、対向面１３０において液浸空間ＬＳの空間Ａ８と接触した領域Ａ９を示す情報、領域Ａ９のうち液浸空間ＬＳの外部に配置されない領域Ａ１０を示す情報のうち少なくとも１つを参照し、例えば各種の情報が示すパラメータに重み付けを行うこと等によって、露光中に液浸空間ＬＳに気泡が存在する確率、気泡量の期待値等の分布を示す気泡分布情報を算出する。気泡分布情報は、例えば、各ショット領域Ｓにおいて露光中に液浸空間ＬＳに気泡が存在する確率を示す情報、存在する気泡量の期待値等を示す情報の少なくとも一方又は双方を含む。
【０１８７】  本実施形態において、図７に示した第２移動情報算出部１２６は、上述のような領域情報に基づいて、露光光ＥＬを射出する終端光学素子１２に対向する物体（基板Ｐ）の移動を示す第２移動情報を算出する。本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、算出した第２移動情報を第２移動情報格納部１２１に格納する。
【０１８８】  本実施形態において、第２移動情報は、第１移動情報と同様に、基板Ｐが配置された基板ステージ２Ｐの位置情報と速度情報と加速度情報の少なくとも１つを含む。すなわち、本実施形態において、第２移動情報算出部１２６により、ショットマップ情報に規定された複数のショット領域が投影領域を通過するように、基板Ｐの第２の移動軌跡が決定される。また、本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、基板Ｐの移動が装置情報に規定された動作条件、及び計算条件情報に規定された露光条件を満たすように、第２移動情報を算出する。
【０１８９】  本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、液体情報に基づいて算出された領域情報を参照して、第２移動情報を算出する。本実施形態において、第２移動情報が示す物体の移動の経路と速度と加速度の少なくとも１つは、対向領域Ａ１のうち液体情報が所定の条件を満たす領域の少なくとも一部において、第１移動情報が示す物体の移動と異なる。例えば、第２移動情報に基づく基板Ｐの移動軌跡は、第１移動情報に基づく基板Ｐの移動軌跡とは異なる。
【０１９０】  例えば、本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、第１のショット領域Ｓ１、第２のショット領域Ｓ２を順に露光するために、第１移動情報に基づいて決定された移動軌跡にしたがって基板Ｐを移動させると、上述のように液体情報が所定の条件を満たす領域が発生してしまう場合に、第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２までステップ移動において、走査方向（Ｙ方向）のステップ移動が長くなるように、第２移動情報を算出する。走査方向（Ｙ方向）のステップ移動距離を長くする手法をオーバースキャン手法と呼ぶことにする。
【０１９１】  例えば、図８（ｃ）に示した例のように、第１移動情報に基づく第１経路Ｔｒ１ａに沿って基板Ｐを移動しながら、第１のショット領域Ｓ１、第２のショット領域Ｓ２を順次露光する際に、所定の条件を満たす領域Ａ４が発生してしまう場合に、第２移動情報算出部１２６は、図８（ｄ）に示す第２経路Ｔｒ２ａに従って基板Ｐが移動するように、すなわち、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、走査方向（Ｙ方向）のステップ移動の距離が、第１移動情報に基づく第１経路Ｔｒ１ａよりも長くなるように、第２移動情報を算出する。図８（ｄ）の例においては、本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、液浸空間ＬＳがまたいでいる間隙Ｇａの少なくとも一部において界面１３１からの距離が、第１移動情報に基づいて基板Ｐを動かす場合よりも長くなるように、第２移動情報を算出する。本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、基板Ｐが第１経路Ｔｒ１ａを通る場合と比較して、基板Ｐの外側形に成されている液浸空間ＬＳの界面と間隙Ｇａとの距離が閾値よりも小さい領域（間隙）がなくなるように、あるいは閾値よりも小さい領域（間隙）の割合が少なくなるように、第２移動情報を算出する。
【０１９２】  図８（ｄ）に示すように、第２移動情報に基づく第２の移動経路Ｔｒ２にしたがって基板Ｐを移動した場合には、例えば液浸空間ＬＳの界面１３１が安定した状態で間隙Ｇａ上を、基板Ｐの外側から内側へ通過するため、分離液体の発生確率と発生量の一方又は双方が減少する。
【０１９３】  また、例えば、図９（ｃ）に示した例のように、第１移動情報に基づく第１経路Ｔｒ１ｂに沿って基板Ｐを移動しながら、第１のショット領域Ｓ１、第２のショット領域Ｓ２を順次露光する際に、所定の条件を満たす領域Ａ１０が存在する場合に、第２移動情報算出部１２６は、図９（ｄ）に示す第２経路Ｔｒ２ｂに従って基板Ｐが移動するように、すなわち、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、走査方向（Ｙ方向）のステップ移動の距離が、第１移動情報に基づく第１経路Ｔｒ１ｂよりも長くなるように、第２移動情報を算出する。図９（ｄ）の例においては、本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、第１のショット領域Ｓ１の露光終了から第２のショット領域Ｓ２の露光開始までの期間の少なくとも一部において、図９（ｃ）の領域Ａ１０が発生しないように、すなわち、第２のショット領域Ｓ２中の領域Ａ９が、液浸空間ＬＳの外側に配置されるように、第２移動情報を算出する。本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、第１のショット領域Ｓ１の露光終了から第２のショット領域Ｓ２の露光開始までの期間の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳの空間Ａ８が第２のショット領域Ｓ２と接触しなくなるように、第２移動情報を算出する。
【０１９４】  図９（ｄ）に示すように、第２移動情報に従って基板Ｐを移動すると、次に露光される第２のショット領域Ｓ２の露光開始前に、第２のショット領域Ｓ２に含まれる領域Ａ９が液浸空間ＬＳの外側に配置されるので、第２のショット領域Ｓ２の露光中の液浸空間ＬＳ（投影領域ＰＬ）内に気泡が存在しなくなくなる、あるいは気泡が存在する確率が低下する。
【０１９５】  なお、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、走査方向（Ｙ方向）のステップ移動の距離は、「第２のショット領域Ｓ２に含まれる領域Ａ９が液浸空間ＬＳの外側に配置される」という条件を満たすように、ショット領域の大きさ（方向の長さ）や液浸空間ＬＳの大きさ、形状などを考慮して算出される。また、オーバースキャン手法は、例えば、第１のショット領域Ｓ１と第２のショット領域Ｓ２との間に、第３のショット領域があるものとして移動情報を算出する手法を含む。シミュレータ１０５は、例えば、ショットマップ情報が示すショット領域に加えて第３のショット領域があるものとして、第１移動情報算出部１２３が移動情報を算出することによって、実質的にオーバースキャン手法が考慮された移動情報（第２移動情報）を算出してもよい。この場合に、第１移動情報算出部１２３は、第２移動情報算出部１２６を兼ねていてもよい。なお、第３のショット領域は、露光光が照射されない領域であってもよいし、露光光が照射される領域であってもよい。
【０１９６】  以上のように本実施形態において、第２移動情報が示す基板Ｐの第２の移動経路は、第１移動情報が示す第１の移動経路と比較して、第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２までの経路が長いので、液浸空間ＬＳが第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２まで移動する時間が長くなる。
【０１９７】  なお、第２移動情報算出部１２６は、第１移動情報に基づいて基板Ｐを移動しながら、第１のショット領域Ｓ１、第２のショット領域Ｓ２を順次露光する際に、液体情報が所定の条件を満たす領域が発生してしまう場合に、その領域で、残留液体の発生と液浸空間ＬＳ中の気泡の発生の少なくとも一方が防止されるように、基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の一方または両方を、第１移動情報に基づく速度よりも遅くしてもよい。基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の一方又は双方を遅くする手法をリデューススキャン手法と呼ぶことにする。例えば、図８（ｂ）に示したように、第１移動情報に基づいて基板Ｐを移動した場合に、領域Ａ４が発生してしまう場合には、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に形成されている期間の少なくとも一部における基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の少なくとも一方が第１移動情報に基づく速度よりも遅くなるように、第２移動情報が算出されてもよい。例えば、図８（ｂ）の例では、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、第２のショット領域Ｓ２の露光開始前の、基板Ｐの−Ｘ方向へのステップ移動速度と、＋Ｙ方向へのステップ移動速度の少なくとも一方を遅くする。なお、例えば、図８（ｂ）の例において、第２のショット領域Ｓ２の露光開始後も液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に存在する場合には、第２のショット領域Ｓ２の走査露光速度を遅くしてもよい。必要であれば、第１のショット領域Ｓ１の走査露光速度、あるいは第１のショット領域Ｓ１の露光終了後の−Ｙ方向へのステップ移動速度を遅くしてもよい。このように、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に形成されている期間の少なくとも一部における基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の少なくとも一方を遅くすることによって、例えば図８（ｂ）のように、基板Ｐの外側に形成された液浸空間ＬＳの界面１３１と間隙Ｇａとの距離が小さくても、基板Ｐ上に残留液体が発生するのを防止、あるいは抑制することができる。
【０１９８】  また、例えば、図９に示したように、第１移動情報に基づいて基板Ｐを移動した場合に、領域Ａ９、Ａ１０が発生してしまう場合には、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に形成されている期間の少なくとも一部における基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の少なくとも一方が第１移動情報に基づく速度よりも遅くなるように、第２移動情報が算出されてもよい。例えば、図９の例では、第１のショット領域Ｓ１の露光前の基板Ｐの＋Ｙ方向へのステップ移動速度を遅くする。すなわち、液浸空間ＬＳの空間Ａ８が間隙Ｇａ（水没領域Ａ７）上に形成されている、第１のショット領域Ｓ１の露光前の基板Ｐの＋Ｙ方向へのステップ移動中の速度を遅くする。なお、例えば、図９の例において、第１のショット領域Ｓ１の露光開始後も液浸空間ＬＳの空間Ａ８が間隙Ｇａ上に存在する場合には、第１のショット領域Ｓ１の走査露光速度を遅くしてもよい。必要であれば、第１のショット領域Ｓ１の露光開始前の＋Ｘ方向へのステップ移動速度、あるいは第１のショット領域Ｓ１の露光開始前の−Ｙ方向へのステップ移動速度を遅くしてもよい。このように、液浸空間ＬＳが間隙Ｇａ上に形成されている期間の少なくとも一部における基板Ｐのステップ移動速度と走査露光速度の少なくとも一方を遅くすることによって、例えば図９に示したように、再水没領域Ａ７上を液浸空間ＬＳが移動する場合にも、液浸空間ＬＳ中に気泡が発生するのを防止、あるいは抑制することができる。
【０１９９】  また、第１移動情報に基づいて基板Ｐを移動しながら、第１のショット領域Ｓ１、第２のショット領域Ｓ２を順次露光する際に、液体情報が所定の条件を満たす領域が発生してしまう場合に、第２移動情報算出部１２６は、第１のショット領域Ｓ１の露光終了後、第２のショット領域Ｓ２の露光開始までの期間の一部において基板Ｐを停止するように、第２移動情報を算出してもよい。このステップ移動中に基板Ｐを停止させる手法を、ポーズ手法と呼ぶことにする。例えば図８（ｂ）のように、基板Ｐの外側に形成された液浸空間ＬＳの界面１３１と間隙Ｇａとの距離が小さくても、基板Ｐを停止させているため、基板Ｐの外側の界面１３１の変形が少なくなった後に、その界面１３１が間隙Ｇａ上を通過するため、基板Ｐ上に残留液体が発生したり、液浸空間ＬＳ中に気泡が発生したりするのを防止、あるいは抑制することができる。また、図９に示した例においても、第１のショット領域の露光終了後に基板Ｐを停止することによって、第２のショット領域Ｓ２内の領域Ａ９が液浸空間ＬＳの外側に配置されるようにしてもよい。
【０２００】  なお、上述したようなオーバースキャン、リデューススキャン、ポーズ等の手法は、いずれか１つを単独で用いてもよいし、２以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２０１】  なお、上述手法において、あるいは上述の手法とは別に、例えば、第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２までの経路において、第２移動情報に規定される基板Ｐの速度の絶対値の時間平均値が、第１移動情報に規定される基板Ｐの速度の絶対値の時間平均値よりも小さくするようにしてもよいし、また、第１のショット領域Ｓ１から第２のショット領域Ｓ２までの経路において、第２移動情報に規定される基板Ｐの加速度の絶対値の時間平均値が、第１移動情報に規定される基板Ｐの加速度の絶対値の時間平均値よりも小さくてもよい。
【０２０２】  本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、分離液体の発生を抑制するように調整された移動経路と、気泡の残留を抑制するように調整された移動経路とが決定されるように、第２移動情報を算出する。
【０２０３】  本実施形態の第２移動情報算出部１２６は、検査情報に基づいて、第２移動情報を算出してもよい。本実施形態の検査情報は、第１移動情報に基づいて基板Ｐを移動させながら露光した基板Ｐを図１に示した検査装置１０３が検査した結果を示す情報を含む。本実施形態において、検査装置１０３が検査した結果を示す情報は、分離液体の残留により露光不良が発生したショット領域の位置を示す情報を含む。例えば、第２移動情報算出部１２６は、検査情報が分離液体の残留を示すショット領域において分離液体の残留が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。
【０２０４】  本実施形態において、検査装置１０３が検査した結果を示す情報に、液浸空間ＬＳへの気泡の混入により露光不良が発生したショット領域の位置を示す情報が含まれる場合には。第２移動情報算出部１２６は、検査情報が液浸空間ＬＳへの気泡の混入を示すショット領域において気泡の残留が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。
【０２０５】  また、本実施形態の検査情報に、露光装置ＥＸの第１検出システム７が検出した結果を示す情報が含まれる場合には、第２移動情報算出部１２６は、検査情報が分離液体の残留を示すショット領域において分離液体の残留が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。
【０２０６】  なお、本実施形態のシミュレータ１０５は、液浸空間ＬＳが形成される対向領域Ａ１の各領域における液浸空間ＬＳに関する情報を算出してもよい。例えば、本実施形態のシミュレータ１０５は、カバー部材２１とスケール部材２２との間の間隙Ｇｂをまたぐ液浸空間Ａに関する情報を算出することもできる。
【０２０７】  図１２は、本実施形態の移動軌跡及び液浸空間の他の例を示す図である。図１２に示す例では、第１のショット領域Ｓ１がカバー部材２１とスケール部材２２との間の間隙Ｇｂの近くに配置されているので、第１のショット領域Ｓ１に対する露光の終了時から第２のショット領域Ｓ２に対する露光の開始時までの期間の少なくとも一部において、液浸空間ＬＳが間隙Ｇｂをまたぐ場合がある。
【０２０８】  本実施形態において、基板Ｐとカバー部材２１との間隙Ｇａに関して説明したのと同様に、間隙Ｇｂをまたいでいる液浸空間ＬＳの界面１３１から間隙Ｇｂまでの距離Ｌ２が閾値未満であると、分離液体が発生する可能性がある。本実施形態において、シミュレータ１０５は、間隙Ｇｂのうち距離Ｌ２が閾値未満となる部分の位置を示す領域情報を算出してもよい。また、シミュレータ１０５は、間隙Ｇｂのうち距離Ｌ２が閾値未満となる第２部分に対して、液浸空間ＬＳのうち基板Ｐの外側に配置されている第２空間の位置を示す領域情報を算出してもよい。また、シミュレータ１０５は、基板ステージ２Ｐの移動によって液浸空間ＬＳの第２空間と接触するカバー部材２１の領域の位置を示す領域情報を算出してもよい。また、シミュレータ１０５は、基板ステージ２Ｐの移動によって液浸空間ＬＳの第２空間と接触する基板Ｐの領域の位置を示す領域情報を算出してもよい。また、シミュレータ１０５は、間隙Ｇｂの周囲において分離液体の発生が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。
【０２０９】  また、シミュレータ１０５は、液浸空間ＬＳが形成される対向領域Ａ１が間隙を含んでいない場合に、この対向領域Ａ１における液浸空間ＬＳに関する情報を算出してもよい。また、シミュレータ１０５は、露光処理を行うときの液浸空間Ａに関する情報の他に、露光処理以外の動作時の対向領域Ａ１における液体に関する情報を算出してもよい。例えば、シミュレータ１０５は、計測ステージ２Ｃ上の対向領域Ａ１における液体の情報を算出してもよい。シミュレータ１０５は、基板ステージ２Ｐ上と計測ステージ２Ｃ上の一方又は双方の対向領域Ａ１において、液浸空間ＬＳを形成する液体ＬＱとは別の液体に関する情報を算出してもよい。例えば、シミュレータ１０５は、対向領域Ａ１を洗浄するために対向領域Ａ１上に配置された液体に関する情報を算出してもよい。
【０２１０】  本実施形態において、図７に示した画像情報算出部１２７は、情報格納部１１１に格納されている各種の情報を画像として表示するための画像情報を算出（生成）する。画像情報算出部１２７は、例えばオペレータからの指令により、オペレータが指定する表示対象の情報を情報格納部１１１から取得する。そして、画像情報算出部１２７は、取得した情報に基づいて、この情報に対応するグラフ、表等が描かれた画像を示す画像情報を算出する。本実施形態において、画像情報算出部１２７は、算出した画像情報を画像情報格納部１２２に格納する。
【０２１１】  図１３は、本実施形態の水没回数を示す画像Ｉｍ１の例を示す図である。本実施形態の画像情報算出部１２７は、例えばオペレータから水没回数の表示の指令を受けると、領域情報格納部１２０から対向領域Ａ１の間隙（例えば間隙Ｇａ）における水没回数の分布を示す情報を取得する。本実施形態の画像情報算出部１２７は、水没回数の分布を示す情報に基づいて、間隙Ｇａの各位置を液浸空間ＬＳがまたぐ回数に応じて、水没回数が異なる位置を区別して表示するための画像情報を算出する。本実施形態において、画像情報算出部１２７は、水没回数の違いにより間隙Ｇａの各位置を表示する色と明るさの一方又は双方が異なる画像になるように、画像情報を形成する。本実施形態において、画像情報算出部１２７は、各時刻における水没回数の分布を示す画像を形成し、このような画像を時刻順に並べることによって、動画形式の画像情報を出力することもできる。
【０２１２】  図１４は、本実施形態の水没回数を示す画像Ｉｍ２の例を示す図である。本実施形態の画像情報算出部１２７は、例えばオペレータから水没時間の表示の指令を受けると、領域情報格納部１２０から対向領域Ａ１の間隙（例えば間隙Ｇａ）の各位置の水没時間を示す水没時間情報を取得する。本実施形態の画像情報算出部１２７は、水没時間情報に基づいて、間隙Ｇａの各位置における水没時間を示す図形が基板Ｐの中心１３３と間隙Ｇａの各位置との線上に配置された画像を示す画像情報を算出する。例えば、中心１３３の周りの回転位置について、適宜選択される基準線１３４からの第２位置１３５の回転角がθ［°］であるとする。本実施形態において、領域情報格納部１２０は、中心１３３を起点とし、基準線からの回転角がθ［°］であって、水没時間に比例する長さのベクトルｖの終点１３６の位置に、第２位置１３５の水没時間を示すプロットを作成する。本実施形態の領域情報格納部１２０は、回転角が０°から３６０°の範囲から適宜選択される複数の第２位置１３５のそれぞれについて水没時間を示すプロットを作成する。本実施形態において、領域情報格納部１２０は、複数のプロットを回転角の順に結ぶ平滑線１３７を例えばスプライン補間等によって作成する。本実施形態の領域情報格納部１２０は、例えば基板Ｐを示す図形、間隙Ｇａを示す図形、平滑線１３７を示す図形等を含んだ画像に対応する画像情報を算出する。
【０２１３】  本実施形態の画像情報算出部１２７は、例えばオペレータから指定された１点又は２点以上の位置について、上述したような水没時間を示すベクトルが表示するように、画像情報を算出することもできる。また、本実施形態の画像情報算出部１２７は、水没時間を示すベクトルと水没時間を示す文字情報を併せて表示するように、画像情報を算出することもできる。本実施形態において、画像情報算出部１２７は、各時刻における水没時間の分布を示す画像を形成し、このような画像を時刻順に並べることによって、動画形式の画像情報を出力することもできる。
【０２１４】  本実施形態の画像情報算出部１２７は、水没回数を示す画像、水没時間を示す画像の他に、ショットマップ情報、第１移動情報、計算条件情報、液体情報、領域情報、検査情報、第２移動情報等の各種の情報の少なくとも１つを示す画像を生成することもできる。例えば、本実施形態の画像情報算出部１２７は、露光中に液浸空間ＬＳに気泡が存在する確率に応じて、複数のショット領域を区別して表示するための画像を形成することができる。また、例えば、本実施形態の画像情報算出部１２７は、分離液体が残留する確率に応じて、複数のショット領域を区別して表示するための画像を形成することができる。本実施形態の画像情報算出部１２７は、上述のような各種の情報の１項目を示す画像を生成することができ、また、複数の項目を併せて示す画像を生成することもできる。
【０２１５】  ところで、図１に示したように、本実施形態において、デバイス製造システム１００は、複数の基板処理装置１０２を備え、複数の基板処理装置１０２において動作条件がばらつくことがありえる。本実施形態において、情報算出部１１２は、複数の基板処理装置１０２における代表的な動作条件を示す情報に基づいて、各種の情報を算出する。代表的な動作条件は、複数の基板処理装置１０２における平均値であってもよいし、最低値であってもよく、最高値であってもよい。本実施形態において、比較部１１３は、情報算出部１１２が算出した情報と装置情報とを比較し、例えば情報算出部１１２が算出した情報が装置情報と整合するか否かを判定する。例えば、本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、代表的な動作条件に基づいて第２移動情報を算出し、比較部１１３は、各基板処理装置１０２の基板ステージ２Ｐが第２移動情報に従って基板Ｐを移動できるか否かを判定する。本実施形態の比較部１１３は、いずれかの基板処理装置１０２の基板ステージ２Ｐが第２移動情報に従って基板Ｐを移動できないと判定した場合に、警告を示す情報を発信することができる。また、本実施形態の比較部１１３は、例えば計算条件情報格納部１１６に格納されている装置情報を調整（更新）し、更新された装置情報に基づいて第２移動情報算出部１２６に第２移動情報を算出させることもできる。なお、情報算出部１１２は、各基板処理装置１０２の装置情報に基づいて、基板処理装置１０２ごとに各種の情報を算出してもよい。
【０２１６】  本実施形態において、シミュレータ１０５は、例えば比較部１１３で、情報算出部１１２が算出した分離液体に関する情報と、第１検出システム７による検出の結果を示す情報とを比較してもよい。例えば、比較部１１３は、分離液体の残留しやすさの分布を情報算出部１１２が算出した結果と、分離液体の残留の分布を第１検出システム７が検出した結果とを比較する。また、比較部１１３での比較結果に基づいて、情報算出部１１２による算出の結果が第１検出システム７による検出の結果に近づくように、分離液体の残留しやすさの分布を算出する上での係数等を調整（更新）してもよい。このような比較処理は、シミュレータ１０４以外の装置に実行されてもよく、例えば上位制御装置１０４により実行されてもよいし、露光装置ＥＸの制御装置１０５により実行されてもよい。
【０２１７】  本実施形態において、シミュレータ１０５は、例えば比較部１１３で、情報算出部１１２が算出した気泡に関する情報と、検査装置１０３による検査の結果を示す情報とを比較してもよい。例えば、比較部１１３は、露光中の液浸空間ＬＳに気泡が存在する確率の分布を情報算出部１１２が算出した結果と、露光処理が施された基板Ｐにおいて露光不良が発生した領域の分布を検査装置１０３が検出した結果とを比較する。また、比較部１１３での比較結果に基づいて、情報算出部１１２による算出の結果が検査装置１０３による検出の結果に近づくように、露光中の液浸空間ＬＳに気泡が存在する確率の分布を算出する上での係数等を調整（更新）してもよい。このような比較処理は、シミュレータ１０４以外の装置に実行されてもよく、例えば上位制御装置１０４により実行されてもよいし、露光装置ＥＸの制御装置１０５により実行されてもよい。
【０２１８】  本実施形態において、シミュレータ１０５は、例えば比較部１１３で、上述したように更新した係数等を計算条件情報格納部１１６に格納してもよい。本実施形態において、情報算出部１１２は、更新された計算条件情報に基づいて、各種の情報の算出をやり直すこともできる。例えば、更新された情報に基づいて、第３移動情報を算出してもよい。第３移動情報は、基板ステージ２Ｐ（基板Ｐ）の位置情報、速度情報、加速度情報の少なくとも一つを含む。例えば、第２移動情報算出部１２６は、第２移動情報に従って移動させた基板Ｐを検査した情報に基づいて第３移動情報を算出することができる。また、第２移動情報算出部１２６は、第２移動情報に従って移動しながら露光処理が施された基板Ｐを検査装置１０３が検査した結果に基づいて、分離液体の残留、液浸空間ＬＳへの気泡の混入等による露光不良が減少するように、第３移動情報を算出することもできる。また、第２移動情報算出部１２６は、第２移動情報に従って移動する基板Ｐ上の液体の動きを第１検出システム７が検出した結果に基づいて、分離液体の残留が減少するように、第３移動情報を算出してもよい。なお、第３移動情報を算出する際に基板Ｐの移動経路を調整する手法は、例えば、上述したようなオーバースキャン手法、リデューススキャンスピード手法、ポーズ手法等の１つを単独で用いる手法でもよいし、２つ以上を組み合わせて用いる手法でもよい。
【０２１９】  本実施形態において、図７に示した出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている情報の少なくとも一部を、シミュレータ１０５の外部に出力する。例えば、本実施形態の出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている第２移動情報を上位制御装置１０４に出力する。本実施形態において、上位制御装置１０４は、出力部１１４が出力した第２移動情報を露光装置ＥＸの制御装置４に出力する。すなわち、第２移動情報は、シミュレータ１０５から上位制御装置１０４を介して露光装置ＥＸに出力される。露光装置ＥＸは、シミュレータ１０５から供給された第２移動情報に従って基板ステージ２Ｐを移動させる。本実施形態の出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている情報を、光学ディスク、メモリ装置等の記録媒体に出力することもできる。
【０２２０】  また、本実施形態の出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている画像情報を図示略の表示装置に出力する。この表示装置は、出力部１１４から出力された画像情報に従って、情報格納部１１１に格納されている各種の情報を示す画像を表示する。この表示装置は、例えば、シミュレータ１０５に併設されていてもよいし、上位制御装置１０４に併設されていてもよく、露光装置ＥＸ等に併設されていてもよい。例えば、本実施形態の出力部１１４は、情報格納部１１１に格納されている画像情報を上位制御装置１０４に出力し、上位制御装置１０４は、情報格納部１１１に格納されている各種の情報を示す画像を表示装置に表示させてもよい。また、この表示装置は、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよい。
【０２２１】  なお、シミュレータ１０５が出力する情報は、上述したような各種の情報のうち１項目でもよいし、２項目以上でもよい。また、シミュレータ１０５が出力する情報は、対向領域Ａ１の一部の領域に関する情報のみを出力してもよいし、対向領域Ａ１の全体の領域に関する情報を出力してもよい。例えば、シミュレータ１０５は、オペレータの指令等により指定された特定の領域についての情報を出力してもよい。
【０２２２】  次に、図１５を参照しつつ、シミュレータ１０５として機能するコンピュータの構成例について説明する。図１５は、シミュレータ１０５をコンピュータ等の電子情報処理装置で構成した場合のハードウェア構成の一例を示す図である。
【０２２３】  図１５に示すコンピュータ１４０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）周辺部と、入出力部と、レガシー入出力部とを備える。ＣＰＵ周辺部は、ホスト・コントローラ１４１により相互に接続されるＣＰＵ１４２、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１４３、及びグラフィック・コントローラ１４４を備える。入出力部は、入出力コントローラ１４５によりホスト・コントローラ１４１に接続される通信インターフェース１４６、ハードディスクドライブ１４７、及び光学ディスクドライブ１４８を備える。レガシー入出力部は、入出力コントローラ１４５に接続されるＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１４９、及び入出力チップ１５０を有する。
【０２２４】  ホスト・コントローラ１４１は、ＲＡＭ１４３と、高い転送レートでＲＡＭ１４３をアクセスするＣＰＵ１４２、及びグラフィック・コントローラ１４４とを接続する。ＣＰＵ１４２は、ＲＯＭ１４９、及びＲＡＭ１４３に格納されたプログラムに基づいて動作して、各部の制御をする。グラフィック・コントローラ１４４は、ＣＰＵ１４２等がＲＡＭ１４３内に設けたフレーム・バッファ上に生成する画像データを取得して、表示装置１５１上に表示させる。これに代えて、グラフィック・コントローラ１４４は、ＣＰＵ１４２等が生成する画像データを格納するフレーム・バッファを、内部に含んでもよい。
【０２２５】  入出力コントローラ１４５は、ホスト・コントローラ１４１と、比較的高速な入出力装置であるハードディスクドライブ１４７、通信インターフェース１４６、光学ディスクドライブ１４８を接続する。ハードディスクドライブ１４７は、ＣＰＵ１４２が使用するプログラム、及びデータを格納する。通信インターフェース１４６は、ネットワーク通信装置１５２に接続してプログラム又はデータを送受信する。光学ディスクドライブ１４８は、光学ディスクからプログラム又はデータを読み取り、ＲＡＭ１４３を介してハードディスクドライブ１４７、及び通信インターフェース１４６に提供する。
【０２２６】  入出力コントローラ１４５は、ＲＯＭ１４９、及び入出力チップ１５０の比較的低速な入出力装置が接続される。ＲＯＭ１４９は、シミュレータ１０５が起動時に実行するブート・プログラム、あるいはシミュレータ１０５のハードウェアに依存するプログラム等を格納する。入出力チップ１５０は、パラレル・ポート、シリアル・ポート、キーボード・ポート、マウス・ポート等を介して、キーボード、マウス、トラックボール、タッチパネル等の各種の入力装置１５３を接続する。
【０２２７】  ＣＰＵ１４２が実行するプログラムは、光学ディスク、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）カード等の記録媒体に格納され、利用者によって提供される。記録媒体に格納されたプログラムは圧縮されていても非圧縮であってもよい。プログラムは、記録媒体からハードディスクドライブ１４７にインストールされ、ＲＡＭ１４３に読み出されてＣＰＵ１４２により実行される。ＣＰＵ１４２により実行されるプログラムは、コンピュータ１４０を、図７に示したシミュレータ１０５の各機能部として機能させる。
【０２２８】  すなわち、本実施形態において、上記のプログラムは、物体に液浸空間を介して露光光を照射する光学部材に対向可能な第１面における液浸空間に関する情報をコンピュータに算出させるプログラムであって、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体と光学部材との間の液体について、物体を移動させたときの物体上での液体の動きに関する液体情報を算出することと、物体の表面のうち液体情報が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出することと、を実行させる。
【０２２９】  本実施形態において、上記のプログラムは、物体に液浸空間を介して露光光を照射する光学部材に対向可能な第１面における液浸空間に関する情報をコンピュータに算出させるプログラムであって、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体と光学部材との間の液体について、物体の移動を示す第１移動情報に基づいて、物体上での液体の動きに関する液体情報を算出することと、液体情報に基づいて、物体の移動を示す第２移動情報を算出することと、を実行させてもよい。
【０２３０】  本実施形態において、上記のプログラムは、物体に液浸空間を介して露光光を照射する光学部材に対向可能な物体における液体に関する情報をコンピュータに算出させるプログラムであって、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する物体と光学部材との間の液体について、第１移動情報に従って移動させた物体における液体の残留を検査した結果に基づいて、物体の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、第１移動情報が示す第１のショット領域から第２のショット領域までの第１経路に液体の残留が検出されている場合に、第２移動情報は、第１のショット領域から第２のショット領域までの経路が、第１経路よりも長くなるように算出されてもよい。
【０２３１】  本実施形態において、上記のプログラムは、物体に液浸空間を介して露光光を照射する光学部材に対向可能な物体における液体に関する情報をコンピュータに算出させるプログラムであって、コンピュータに、露光光を射出する光学部材に対向する基板と光学部材との間の液体について、第１移動情報に従って移動させながら露光した基板の露光不良を検査した結果に基づいて、基板の移動を示す第２移動情報を算出することを実行させ、基板のショット領域に露光不良が検出されている場合に、第２移動情報は、第１移動情報と比較してショット領域に至る基板の経路が長くなるように、算出されてもよい。
【０２３２】  なお、露光装置ＥＸの制御装置４は、上述のようなコンピュータを含んでいてもよい。また、デバイス製造システム１００の上位制御装置１０４は、上述のようなコンピュータを含んでいてもよい。
【０２３３】  以上に示したプログラムは、外部の記憶媒体に格納されてもよい。記憶媒体としては、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭの他に、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）又はＰＤ（Ｐｈａｓｅ  Ｄｉｓｋ）等の光学記録媒体、ＭＤ（ＭｉｎｉＤｉｓｋ）等の光磁気記録媒体、テープ媒体、ＩＣカード等の半導体メモリ等を用いることができる。本実施形態において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、半導体メモリ等を含む。また、コンピュータ１４０は、通信回線によってプログラムが配信され、この配信に応じて当該プログラムを実行してもよい。また、シミュレータ１０５の少なくとも１つは、ＡＳＩＣ等のハードウェアによって構成されていてもよい。
【０２３４】  次に、本実施形態の情報算出方法について説明する。図１６は、本実施形態の情報算出方法を示すフローチャートである。本実施形態の情報算出方法は、例えば、上述したようなシミュレータ１０５により実行可能である。
【０２３５】  本実施形態において、図７に示したシミュレータ１０５の第１移動情報算出部１２３は、図１６に示すステップ１６０において、ショットマップ情報に基づいて第１移動情報を算出する。本実施形態において、液体情報算出部１２４は、ステップ１６１において第１移動情報に基づいて液体情報を算出する。本実施形態において、領域情報算出部１２０は、ステップ１６２において液体情報に基づいて領域情報を算出する。本実施形態において、第２移動情報算出部１２６は、ステップ１６３において、領域情報に基づいて第２移動情報を算出する。
【０２３６】  次に、本実施形態のデバイス製造方法について説明する。図１７は、本実施形態のデバイス製造方法を示すフローチャートである。本実施形態のデバイス製造方法は、例えば、上述したようなデバイス製造システム１００により実行可能である。
【０２３７】  半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１７に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンからの露光光で基板を露光すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０２３８】  以上のような本実施形態の情報算出方法は、液浸空間ＬＳの動きに関する情報を算出するので、例えば液浸空間ＬＳからの液体の分離、液浸空間ＬＳへの気泡の混入を推定することができ、露光不良の発生を抑制できる。また、本実施形態の情報算出方法は、液浸空間ＬＳの界面１３１と物体との関係を所定の条件と比較することによって、例えば液浸空間ＬＳからの液体の分離、液浸空間ＬＳへの気泡の混入を推定することができ、液浸空間ＬＳの内部の流場を解く必要性が低くなり、情報の算出に要する負荷を減らすことができる。また、実施形態の情報算出方法は、液浸空間ＬＳの界面１３１と物体との関係が所定の条件を満たす領域を示す領域情報を算出するので、例えば液浸空間ＬＳから液体が分離しやすい領域、液浸空間ＬＳへの気泡の混入しやすい領域の情報を得ることができる。また、本実施形態の情報算出方法は、液体情報に基づいて第２移動情報を算出するので、例えば対向面１３０における分離液体の残留、液浸空間ＬＳにおける気泡の残留等を抑制できる。結果として、本実施形態の露光装置ＥＸ及び露光方法は、露光不良の発生を抑制することができる。また、本実施形態のデバイス製造システム１００及びデバイス製造方法は、不良デバイスの発生を抑制できる。
【０２３９】  なお、シミュレータ１０５は、上述したような各種の情報を算出しているが、各種の情報の少なくとも一部を算出しなくてもよい。この場合に、シミュレータ１０５の少なくとも一部は、省略されていてもよい。また、シミュレータ１０５が算出する上述のような各種の情報の利用方法は、一例であって、上述の例に限定されない。
【０２４０】  例えば、本実施形態のシミュレータ１０５は、第１移動情報を算出しているが、第１移動情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５とは別の装置が第１移動情報を算出し、シミュレータ１０５は、第１移動情報を別の装置から取得してもよい。この場合に、シミュレータ１０５は、例えばショットマップ情報格納部１１５、第１移動情報算出部１１８等を備えていなくてもよい。また、第１移動情報を算出する装置は、例えば、露光装置ＥＸの一部であってもよいし、デバイス製造システム１００において露光装置ＥＸ以外の装置であってもよく、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよい。また、第１移動情報は、ショットマップ情報に基づくことなく算出されてもよいし、算出されなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、適宜設定された第１移動情報に基づいて、情報を算出してもよい。
【０２４１】  また、本実施形態のシミュレータ１０５は、液体情報を算出しているが、液体情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、第１移動情報に従って移動させた物体における液体の残留を検査した結果に基づいて、例えばオーバースキャン等の手法によって液体の残留が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。また、例えば、シミュレータ１０５は、第１移動情報に従って移動させながら露光した基板の露光不良を検査した結果に基づいて、例えばオーバースキャン等の手法によって気泡の混入、液体の残留等が抑制されるように、第２移動情報を算出してもよい。このような場合に、シミュレータ１０５は、液体の動きを推定しなくてもよいし、液体情報算出部１２４を備えていなくてもよい。
【０２４２】  また、本実施形態のシミュレータ１０５は、領域情報を算出しているが、領域情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、液体情報から領域情報を算出することなく、液体情報から直接的に第２移動情報を算出してもよい。このような場合に、シミュレータ１０５は、領域情報算出部１２５を備えていなくてもよい。
【０２４３】  また、本実施形態のシミュレータ１０５は、第２移動情報を算出しているが、第２移動情報を算出しなくてもよい。例えば、オペレータは、第２移動情報を用いなくてもよく、液体情報に基づいてショット領域の配置を調整してもよい。また、第２移動情報は、シミュレータ１０５とは別の装置によって算出されてもよい。この場合に、第２移動情報を算出する装置は、露光装置ＥＸの一部であってもよいし、デバイス製造システム１００において露光装置ＥＸ以外の装置であってもよく、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよい。また、露光装置ＥＸは、シミュレータ１０５から第２移動情報が供給されなくてもよい。露光装置ＥＸは、シミュレータ１０５から第２移動情報が供給されることなく、例えばオーバースキャン、リデューススキャンスピード、ポーズ、ダミーショット等の動作を行って、例えば分離液体の発生、液浸空間ＬＳにおける気泡の残留等を抑制してもよい。
【０２４４】  また、本実施形態のシミュレータ１０５は、画像情報を算出しているが、画像情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、液体情報、領域情報、第２移動情報等を数値データで出力してもよい。画像情報は、シミュレータ１０５とは別の装置によって算出されてもよく、この別の装置は、露光装置ＥＸの一部であってもよいし、デバイス製造システム１００において露光装置ＥＸ以外の装置であってもよく、デバイス製造システム１００の外部の装置であってもよい。
【０２４５】  本実施形態のシミュレータ１０５は、気泡に関する情報を算出しているが、気泡に関する情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５が出力する情報に基づいて、オペレータが液浸空間ＬＳへの気泡の混入、残留等を推定してもよい。また、本実施形態のシミュレータ１０５は、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離に関する情報を算出しているが、液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離に関する情報を算出しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５が出力する情報に基づいて、オペレータが液浸空間ＬＳからの液体ＬＱの分離、対向面１３０における分離液体の残留等を推定してもよい。
【０２４６】  なお、本実施形態において、シミュレータ１０５は、検査情報及び装置情報を取得しているが、検査情報と装置情報の一方又は双方を取得しなくてもよい。例えば、シミュレータ１０５は、検査情報と装置情報の一方又は双方を情報の算出に用いなくてもよいし、算出した情報を検査情報と装置情報の一方又は双方と比較しなくてもよい。
【０２４７】  なお、本実施形態において、シミュレータ１０５は、上位制御装置１０４と別の装置であるが、シミュレータ１０５の少なくとも一部は、上位制御装置１０４に含まれていてもよいし、露光装置ＥＸに含まれていてもよく、デバイス製造システム１００のうち上位制御装置１０４、露光装置ＥＸ以外の装置に含まれていてもよい。
【０２４８】  なお、本実施形態において、終端光学素子１２に対向する物体は、間隙Ｇａ及び間隙Ｇｂを含んでいるが、間隙Ｇａと間隙Ｇｂの一方又は双方を含んでいなくてもよいし、間隙Ｇａと間隙Ｇｂ以外の間隙を含んでいてもよい。また、露光装置ＥＸは、カバー部材２１とスケール部材２２の一方又は双方を備えていなくてもよい。シミュレータ１０５は、物体が間隙を有していない場合の液浸空間ＬＳに関する情報を算出してもよい。また、液浸空間ＬＳにおける液体の分離等の各種の現象が発生する条件を実験的な手法、ＣＦＤ的な手法等により求めておき、シミュレータ１０５は、算出した液体の動きに関する情報と各種の現象が発生する条件とを比較して、現象の発生の有無を推定してもよい。
【０２４９】  なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子１２の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号に開示されているように、終端光学素子１２の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【０２５０】  なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０２５１】  なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０２５２】  露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０２５３】  さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２５４】  また、例えば米国特許第６６１１３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０２５５】  また、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６３４１００７号、米国特許第６２０８４０７号、及び米国特許第６２６２７９６号等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置でもよい。例えば、図１８に示すように、露光装置ＥＸが２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂを備えている場合、射出面１３と対向するように配置可能（液浸空間ＬＳを形成可能）な物体は、一方の基板ステージ、その一方の基板ステージの基板保持部に保持された基板、他方の基板ステージ、及びその他方の基板ステージの基板保持部に保持された基板の少なくとも一つを含む。また、第２の基板ステージ２Ｐｂは、第１の基板ステージ２Ｐａの周囲に、第１の基板ステージ２Ｐａと間隙を介して、又は実質的に間隙を有さないで配置されていてもよい。この場合に、液浸空間ＬＳは、第１の基板ステージ２Ｐａ上と第２の基板ステージ２Ｐｂ上とにわたって移動してもよい。上述したシミュレータ１０５は、このような液浸空間ＬＳに関する情報を算出することもできる。なお、２つの基板ステージ２Ｐａ、２Ｐｂの一方又は双方に、図１８に示すように部材１５４が配置されていてもよい。部材１５４は、例えば計測部材と計測器の一方又は双方であってもよい。基板ステージに配置される部材１５４の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。また、基板ステージ２Ｐａ上に配置される部材１５４は、基板ステージ２Ｐｂ上に配置される部材１５４と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【０２５６】  なお、上述の各実施形態において、露光装置ＥＸが、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置でもよい。
【０２５７】  露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２５８】  なお、上述の各実施形態においては、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いて各ステージの位置を計測することとしたが、エンコーダシステムがなくてもよい。
【０２５９】  なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０２６０】  上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。例えば、レンズ等の光学部材と基板との間に液浸空間を形成し、その光学部材を介して、基板に露光光を照射することができる。
【０２６１】  また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号に開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０２６２】  上述の実施形態の露光装置ＥＸは、各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２６３】  なお、上述の実施形態、変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０２６４】３・・・液浸部材  ４・・・制御装置  １０３・・・検査装置  １０５・・・シミュレータ  ＥＸ・・・露光装置  ＧＳ・・・気体空間  ＬＳ・・・液浸空間  Ｇａ・・・間隙  Ｇｂ・・・間隙  Ｐ・・・基板  Ｓ・・・ショット領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2013085055.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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2013085055.tif 000022
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