(57)【要約】  フェライト材料からなる磁性体部２と、Ｃｕを主成分とするコイル導体３とを有している。そして、磁性体部２が、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量ｘ、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあり、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯの含有量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＭｇＯの含有量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉＯであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトで形成される。これによりみＣｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有する安価な積層コイル部品等のセラミック電子部品を実現する。
2013031940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、
ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあり、
かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であることを特徴とするフェライト磁器組成物。
【請求項２】
フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、
前記磁性体部が請求項１記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項３】
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなることを特徴とする請求項２記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記磁性体部と前記導電部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項２又は請求項３記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
複数の前記磁性体部と複数の前記導電部とが交互に積層されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
積層コイル部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、Ｍｇ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、
前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、
Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜が形成されたセラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくは、Ｃｕを主成分とした導電性材料との同時焼成が可能なフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用したコイル部品等のセラミック電子部品とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ等のスピネル型結晶構造を有するフェライト系磁器を使用したセラミック電子部品が広く使用されており、フェライト材料の開発も盛んに行われている。【０００３】
例えば、特許文献１には、Ｆｅ２Ｏ３:４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.０ｍｏｌ％及びＭｇＯ＋ＮｉＯ:５.０〜５０.０ｍｏｌ％（ただし、ＭｇＯは必須）を主成分とし、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず。）及びＣｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず。）を副成分として含む磁性フェライト材料が提案されている。【０００４】
この特許文献１では、高価なＮｉＯの一部を比較的安価なＭｇＯで置換することにより、磁歪定数を低下させようとし、かつ、Ｍｎ及びＣｏを所定範囲とすることにより、耐電圧性及び耐久性に優れた磁性フェライト材料を得ようとしている。【０００５】
また、この特許文献１には、上記磁性フェライト材料を使用した積層型フェライト部品（積層コイル部品）も提案されており、内部電極材料としては、低抵抗のＡｇ、Ａｇ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金等を使用するのが好ましく、Ｃｕ、Ｐｄ等を使用することもできるとし、内部電極材料にＡｇを使用した積層チップインダクタアレイが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１９３６２３号公報（請求項２、段落番号〔０００４〕、〔０００９〕、〔００１６〕、図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは、大気雰囲気で焼成されるのが一般的であり、例えば、特許文献１のような積層コイル部品の場合、通常、内部電極材料にＡｇを使用し、９３０℃以下の低温でフェライト材料と内部電極材料とを同時焼成している。【０００８】
しかしながら、積層コイル部品の内部電極材料にＡｇを使用すると、マイグレーションが生じやすく、高湿度下で長時間使用すると絶縁性が低下し、信頼性の低下を招くおそれがある。特に、特許文献１に記載された積層型チップインダクタアレイのような高密度実装の場合、内部電極間の間隔も小さくなるため、コイル間に電位差が生じる用途に使用するとマイグレーションの発生に起因した異常が生じやすくなり、十分な信頼性を確保するのが困難になる。【０００９】
また、生産コスト等を考慮すると、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄは高価であり、したがって、低抵抗で導通性に優れた安価なＣｕを使用するのが望ましい。【００１０】
しかしながら、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ２Ｏ３−Ｆｅ３Ｏ４の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の高温ではＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。【００１１】
すなわち、８００℃以上の温度では、Ｆｅ２Ｏ３の状態を維持するような酸化性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合、Ｃｕも酸化されてＣｕ２Ｏを生成する。一方、Ｃｕ金属の状態を維持するような還元性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合は、Ｆｅ２Ｏ３が還元されてＦｅ３Ｏ４を生成する。【００１２】
このようにＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成すると、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されるため比抵抗ρが低下し、このため電気特性の劣化を招くおそれがある。【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができるフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用した高信頼性を有する安価な積層コイル部品等のセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ（ＸはＦｅ、Ｍｎ、ＭｅはＺｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ）で表わされるスピネル型結晶構造のフェライト材料について鋭意研究を行ったところ、Ｆｅ及びＭｎをそれぞれＦｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３に換算した含有モル量が特定の範囲を満たし、Ｃｕ及びＺｎをそれぞれＣｕＯ及びＺｎＯに換算した含有モル量を所定の範囲に限定することにより、ＮｉＯの一部を所定範囲でＭｇＯと置換した場合であっても、所望の良好な絶縁性を得ることができ、これによりＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、電気特性が良好なセラミック電子部品を得ることができるという知見を得た。【００１５】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器組成物は、少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあり、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であることを特徴としている。【００１６】
これによりＣｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρを向上させることができ、所望の絶縁性を確保することができるフェライト磁器組成物を得ることができる。【００１７】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、前記磁性体部が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。【００１８】
これによりＣｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性を有するセラミック電子部品を低コストで得ることができる。【００１９】
また、本発明のセラミック電子部品は、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるのが好ましい。【００２０】
これによりコイル導体にＣｕを主成分とする導電性材料を使用して磁性体部と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されることなく焼結させることができ、電気特性が良好なセラミック電子部品を容易に得ることができる。【００２１】
また、本発明のセラミック電子部品は、前記磁性体部と前記導電部とが同時焼成されてなるのが好ましい。【００２２】
また、本発明のセラミック電子部品は、複数の前記磁性体部と複数の前記導電部とが交互に積層されているのが好ましい。【００２３】
また、本発明のセラミック電子部品は、積層コイル部品であるのが好ましい。【００２４】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｍｇ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴としている。【００２５】
これによりＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミック薄層体とＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
上記フェライト磁器組成物によれば、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域にあり、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、さらにＺｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρを向上させることができ、所望の絶縁性を確保することができる。【００２７】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。【００２８】
しかも、比較的安価なＭｇを含有させることにより、高価なＮｉの含有モル量を低減できることから、低コスト化が可能となる。【００２９】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、前記磁性体部が上述したフェライト磁器組成物で形成されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性を有するセラミック電子部品を低コストで得ることができる。【００３０】
しかも、Ａｇ系材料のようなマイグレーションが生じるのを回避することが可能となる。したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁性を確保することができ、高信頼性を有する積層コイル部品等のセラミック電子部品を得ることができる。【００３１】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｍｇ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミック薄層体とＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係るフェライト磁器組成物のＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の組成範囲を示す図である。
【図２】本発明に係るセラミック電子部品としての積層コイル部品の一実施の形態を示す断面図である。
【図３】上記積層コイル部品の要部を示す分解斜視図である。
【図４】実施例１で作製された比抵抗測定用試料の断面図である。
【図５】実施例２で作製された本発明試料のインピーダンス特性を示す図である。
【図６】実施例２で作製された比較例試料のインピーダンス特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３４】
本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器組成物は、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯで表わされるスピネル型結晶構造を有し、少なくとも３価の元素化合物であるＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及び２価の元素化合物であるＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＮｉＯを含有している。
【００３５】
具体的には、本フェライト磁器組成物は、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量をｘｍｏｌ％、ＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量をｙｍｏｌ％としたときに、図１に示すように、（ｘ，ｙ）が下記Ａ〜Ｈに囲まれる斜線部Ｘの領域とされ、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ酸化物とされている。
【００３６】
ここで、点Ａ〜点Ｈの各点（ｘ，ｙ）は、以下の含有モル量を示している。
【００３７】
Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）
次に、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＭｇの含有モル量を、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＭｇＯに換算し、上述の範囲にした理由を詳述する。
【００３８】
（１）Ｆｅ及びＭｎの含有モル量
Ｆｅ２Ｏ３を化学量論組成から減量させ、Ｆｅの一部をＭｎで置換する形態でＭｎ２Ｏ３を含有させることにより、比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性の向上を図ることができる。
【００３９】
すなわち、スピネル型結晶構造（一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ）の場合、化学量論組成では、Ｘ２Ｏ３（Ｘ：Ｆｅ、Ｍｎ）とＭｅＯ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ）との比率は５０：５０であり、Ｘ２Ｏ３とＭｅＯとは、通常、概ね化学量論組成となるように配合される。
【００４０】
そして、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。一方、フェライト材料の主成分であるＦｅ２Ｏ３を還元性雰囲気で焼成するとＦｅ３Ｏ４を生成することから、Ｆｅ２Ｏ３に対しては酸化性雰囲気で焼成する必要がある。
【００４１】
しかしながら、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ３Ｏ４−Ｆｅ２Ｏ３の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の温度で焼成する場合、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００４２】
しかるに、Ｍｎ２Ｏ３は、８００℃以上の温度領域ではＦｅ２Ｏ３に比べ、より高い酸素分圧で還元性雰囲気となる。したがって、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の酸素分圧では、Ｍｎ２Ｏ３はＦｅ２Ｏ３に比べ強還元性雰囲気となり、このためＭｎ２Ｏ３が優先的に還元されて焼結を完了させることが可能となる。つまり、Ｍｎ２Ｏ３がＦｅ２Ｏ３に比べて優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元される前に焼成処理を完了させることが可能となる。
【００４３】
このようにＦｅ２Ｏ３の含有モル量を減量させる一方で、同じ３価の元素化合物であるＭｎ２Ｏ３をフェライト磁器組成物中に含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下でＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、Ｍｎ２Ｏ３が優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３が還元される前に焼結を完了させることが可能となり、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とをより効果的に共存させることができる。そしてこれにより比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性を向上させることができる。
【００４４】
ただし、Ｆｅの含有モル量がＦｅ２Ｏ３に換算して２５ｍｏｌ％未満になると、Ｆｅの含有モル量が過度に少なくなって却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００４５】
また、Ｍｎの含有モル量がＭｎ２Ｏ３に換算して１ｍｏｌ％未満になると、Ｍｎの含有モル量が過度に少なくなるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００４６】
また、Ｆｅの含有モル量がＦｅ２Ｏ３に換算して４７ｍｏｌ％を超える場合も、Ｆｅの含有モル量が過剰となってＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００４７】
また、Ｍｎの含有モル量がＭｎ２Ｏ３に換算して１０ｍｏｌ％を超えた場合も、十分に大きな比抵抗ρを得ることができず、絶縁性を確保できない。
【００４８】
さらに、Ｆｅの含有モル量がＦｅ２Ｏ３に換算して２５ｍｏｌ％以上であっても３０ｍｏｌ％未満の場合、及びＦｅの含有モル量がＦｅ２Ｏ３に換算して４６ｍｏｌ％以上であっても４７ｍｏｌ％未満の場合は、Ｍｎの含有モル量がＭｎ２Ｏ３に換算して７．５ｍｏｌ％を超えると、却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００４９】
そこで、本実施の形態では、Ｆｅ及びＭｎの各含有モル量がＦｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３に換算し、図１の点Ａ〜点Ｈに囲まれた領域となるように配合量を調整している。
【００５０】
（２）Ｃｕの含有モル量
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトでは、融点が１０２６℃と低いＣｕＯを含有させることにより、より低温での焼成が可能となり、焼結性を向上させることができる。そして、そのためにはＣｕをＣｕＯに換算し、少なくとも０．５ｍｏｌ％以上含有させる必要がある。
【００５１】
一方、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。
【００５２】
しかしながら、このような還元性雰囲気で焼成した場合、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算し、１０．０ｍｏｌ％を超えると、フェライト原料中のＣｕＯが還元されてＣｕ２Ｏの生成量が増加し、このため比抵抗ρの低下を招くおそれがある。
【００５３】
そこで、本実施の形態では、Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算し０．５〜１０．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００５４】
（３）Ｚｎの含有モル量
Ｚｎ酸化物であるＺｎＯはフェライト磁器組成物の透磁率向上に寄与する効果があるが、斯かる効果を発揮するためにはＺｎはＺｎＯに換算し、少なくとも１．０ｍｏｌ％以上含有させる必要である。また、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算し１．０ｍｏｌ％未満になると、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の還元性雰囲気で焼成を行なうと、焼結性が低下し、吸水率が上昇して好ましくない。
【００５５】
一方、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算し、３５ｍｏｌ％を超えると、キュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証がなされなくなるおそれがある。
【００５６】
そこで、本実施の形態では、Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算し１．０〜３５．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００５７】
（４）Ｍｇの含有モル量
高価なＮｉＯを比較的安価なＭｇＯで置換することにより、ＮｉＯの含有モル量を低減できることから低コスト化が可能となる。また、ＭｇＯは、磁歪定数が小さく、磁歪定数の大きいＮｉＯの一部をＭｇＯで置換することにより、コイル部品の応力依存性を低減することができる。そして、その効果を得るためには、Ｍｇの含有モル量は、ＭｇＯに換算し、少なくとも５．０ｍｏｌ％以上は必要がある。
【００５８】
しかしながら、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算し、３５．０ｍｏｌ％を超えると、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の還元性雰囲気で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率の上昇を招き、好ましくない。
【００５９】
そこで、本実施の形態では、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算し、５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００６０】
このように本フェライト磁器組成物は、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した特定の範囲で囲まれる領域にあり、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯの含有モル量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＭｇＯの含有モル量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部であるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρが低下するのを回避することができ、所望の絶縁性を確保することができる。
【００６１】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を低コストで得ることが可能となる。
【００６２】
次に、上記フェライト磁器組成物を使用したセラミック電子部品について詳述する。
【００６３】
図２は、本発明に係るセラミック電子部品としての積層コイル部品の一実施の形態を示す断面図である。
【００６４】
この積層コイル部品は、フェライト素体１が、磁性体部２と、該磁性体部２に埋設されたＣｕを主成分とするコイル導体（導電部）３とを有している。また、コイル導体３の両端には引出電極４ａ、４ｂが形成されると共に、フェライト素体１の両端にはＣｕ等からなる外部電極５ａ、５ｂが形成され、該外部電極５ａ、５ｂと引出電極４ａ、４ｂとが電気的に接続されている。
【００６５】
次に、上記積層コイル部品の製造方法を、図３を参照しながら詳述する。
【００６６】
まず、セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３等のＦｅ化合物、Ｍｎ２Ｏ３等のＭｎ化合物、ＣｕＯ等のＣｕ化合物、ＺｎＯ等のＺｎ化合物、ＭｇＯ等のＭｇ化合物、及びＮｉＯ等のＮｉ化合物を用意した。
【００６７】
そして、Ｆｅ及びＭｎの含有モル量が、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３に換算し、図１の点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定範囲を満たし、Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ化合物となるように、各セラミック素原料を秤量する。
【００６８】
次いで、これらの秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼する。
【００６９】
次いで、これらの仮焼物に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及びＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを作製する。
【００７０】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体セラミックグリーンシート（セラミック薄層体；以下、単に「磁性体シート」という。）６ａ〜６ｈを作製する。
【００７１】
次いで、磁性体シート６ｂ〜６ｇが互いに電気的に接続可能となるようにレーザ加工機を使用して磁性体シート６ｂ〜６ｇの所定箇所にビアホールを形成する。
【００７２】
次に、Ｃｕを主成分としたコイル導体用導電性ペースト（以下、「Ｃｕペースト」という。）を用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート６ｂ〜６ｇ上にコイルパターン８ａ〜８ｆを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビアホール導体７ａ〜７ｅを作製する。尚、磁性体シート６ｂ及び磁性体シート６ｇに形成された各コイルパターン８ａ、８ｆには、外部電極と電気的接続が可能となるように引出部８ａ′、８ｆ′が形成されている。
【００７３】
次いで、コイルパターン８ａ〜８ｆの形成された磁性体シート６ｂ〜６ｇを積層し、これらをコイルパターンの形成されていない磁性体シート６ａ及び磁性体シート６ｈで挟持して圧着し、これによりコイルパターン８ａ〜８ｆがビアホール導体７ａ〜７ｅを介して接続された圧着ブロックを作製する。その後、この圧着ブロックを所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【００７４】
次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これにより磁性体部２にコイル導体３が埋設されたフェライト素体１を得る。
【００７５】
次に、フェライト素体１の両端部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、約９００℃の温度で焼き付けて外部電極５ａ、５ｂを形成し、これにより積層コイル部品が作製される。
【００７６】
このように本実施の形態では、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上記点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域を満たし、かつ、ＣｕをＣｕＯに換算したときの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＭｇをＭｇＯに換算したときの含有モル量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＺｎをＺｎＯに換算したときの含有モル量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ化合物となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、Ｍｇ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末から磁性体シート６ａ〜６ｈを作製する磁性体シート作製工程と、Ｃｕペーストを磁性体シート６ｂ〜６ｇに塗布してコイルパターン８ａ〜８ｆ（導電膜）を形成する導電膜形成工程と、コイルパターン８ａ〜８ｆが形成された磁性体シート６ｂ〜６ｇを所定順序に積層し、積層成形体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で積層成形体を焼成し、磁性体シート６ａ〜６ｈと導電膜であるコイルパターン８ａ〜８ｆとを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で磁性体シート６ａ〜６ｈとＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有する積層コイル部品を低コストで得ることができる。
【００７７】
具体的には、比抵抗ρを１０７Ω・ｃｍ以上に改善することができ、特定周波数域で高いインピーダンスを有するノイズ吸収に適した積層コイル部品を得ることができる。そしてその結果、特定周波数域でインピーダンスが高く、山形形状のインピーダンス特性を有する積層コイル部品を得ることが可能となる。
【００７８】
しかも、Ａｇ系材料のようなマイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁性を確保することができ、高信頼性を有する積層コイル部品を得ることができる。
【００７９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、仮焼粉末からセラミックグリーンシート６ａ〜６ｈを作製しているが、セラミック薄層体であればよく、例えば、ＰＥＴフィルム上に印刷処理を行なって磁性塗膜を形成し、斯かる磁性塗膜上に導電膜であるコイルパターンや容量パターンを形成してもよい。
【００８０】
また、上記実施の形態では、コイルパターン８ａ〜８ｆをスクリーン印刷で形成しているが、導電膜の作製方法も特に限定されるものではなく、他の方法、例えばめっき法、転写法、或いはスパッタ等の薄膜形成方法で形成してもよい。
【００８１】
また、上記実施の形態では、積層コイル部品について説明したが、単板コイル部品や積層ＬＣ部品のような積層複合部品に適用できるのはいうまでもない。
【００８２】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００８３】
セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表１〜３に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、ＺｎＯを２０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１ｍｏｌ％に固定し、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３、ＭｇＯ及びＮｉＯの各含有モル量が種々異なるように各セラミック素原料を所定量秤量した。【００８４】
次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共に塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得た。【００８５】
次いで、この仮焼粉末を、ポリビニルブチラール系バインダ（有機バインダ）、エタノール（有機溶剤）、及びＰＳＺボールと共に、再び塩化ビニル製のポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを得た。【００８６】
次に、ドクターブレード法を使用し、厚さが２５μｍとなるようにセラミックスラリーをシート状に成形し、これを縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに打ち抜き、磁性体シートを作製した。【００８７】
次に、テルピネオール（有機溶剤）及びエチルセルロース樹脂（バインダ樹脂）を含有した有機ビヒクルにＣｕ粉末を混合し、三本ロールミルで混錬し、これによりＣｕを主成分とする導電性ペースト（Ｃｕペースト）を作製した。【００８８】
そして、磁性体シートの表面にＣｕペーストをスクリーン印刷し、所定パターンの導電膜を作製した。そして、導電膜の形成された磁性体シートを所定順序で所定枚数積層し、導電膜の形成されていない磁性体シートで挟持し、圧着し、所定の大きさに切断し、積層成形体を得た。【００８９】
次いで、得られた積層成形体をＣｕが酸化しない還元性雰囲気下、十分に加熱し、脱脂した後、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａに調整した。そして、この積層成形体を焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を得た。【００９０】
尚、酸素分圧：６．７×１０-2Ｐａは、１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧であり、積層成形体はＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧で２時間焼成され、これによりセラミック焼結体が得られることになる。【００９１】
次いで、このセラミック焼結体を水と共にポットに投入し、遠心バレル機を用いてセラミック焼結体にバレル処理を施し、これによりセラミック素体を得た。【００９２】
そしてこの後、セラミック素体の両端に外部電極用のＣｕペーストを塗布し、酸素分圧を４．３×１０-3Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、試料番号１〜７２の比抵抗測定用試料を作製した。尚、酸素分圧：４．３×１０-3Ｐａは温度９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である。【００９３】
比抵抗測定用試料の外形寸法は、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍであった。【００９４】
図４は、比抵抗測定用試料の断面図であって、セラミック素体５１には引出部が互い違いとなるように内部電極５２ａ〜５２ｄが磁性体層５３に埋設され、かつ、セラミック素体５１の両端面には外部電極５４ａ、５４ｂが形成されている。【００９５】
次に、試料番号１〜７２の比抵抗測定用試料について、外部電極５４ａ、５４ｂに５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、電圧印加時の電流を測定した。そしてこの測定値から抵抗を算出し、試料寸法から比抵抗の対数logρ（以下、「比抵抗logρ」という。）を算出した。【００９６】
表１〜３は、試料番号１〜７２のフェライト組成と測定結果を示している。【００９７】
【表１】
2013031940.tif 000003
【００９８】
【表２】
2013031940.tif 000004
【００９９】
【表３】
2013031940.tif 000005
【０１００】
試料番号１〜９、１４〜１７、２３〜２５、３１〜３３、３９〜４１、４７〜４９、５５〜５７、及び６２〜７２は、図１の斜線部Ｘの領域外であるので、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。【０１０１】
これに対し試料番号１０〜１３、１８〜２２、２６〜３０、３４〜３８、４２〜４６、５０〜５４、及び５８〜６１は、図１の斜線部Ｘに囲まれる領域内にあるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られることが分かった。
【実施例２】
【０１０２】
セラミック素原料を、表４に示すように、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、及びＭｇＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＣｕＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号１０１〜１１１の比抵抗測定用試料を作製した。【０１０３】
次いで、試料番号１０１〜１１１について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρを測定した。【０１０４】
表４は、試料番号１０１〜１１１のフェライト組成と測定結果を示している。【０１０５】
【表４】
2013031940.tif 000006
【０１０６】
試料番号１０１、１０２は、ＣｕＯの含有モル量が０．５ｍｏｌ％未満であるので、焼結性が低下し、１０００℃での焼成温度では十分に焼結せず、このため比抵抗logρが７未満に低下し、所望の絶縁性を得ることができなかった。【０１０７】
一方、試料番号１０９〜１１１は、ＣｕＯの含有モル量１０．０ｍｏｌ％を超えているため、ＣｕＯが還元されてＣｕ２Ｏを生成し、このため比抵抗logρが７未満に低下し、所望の絶縁性を得ることができなかった。【０１０８】
これに対し１０３〜１０８は、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％と本発明範囲内であるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られた。
【実施例３】
【０１０９】
セラミック素原料を、表５に示すように、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＭｇＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例1と同様の方法・手順で試料番号２０１〜２０８の比低抗測定用試料を作製した。【０１１０】
次いで、試料番号２０１〜２０８について、実施例1と同様の方法・手順で比抵抗1ogρを測定した。【０１１１】
表５は、試料番号２０１〜２０８のフェライト組成と測定結果を示している。【０１１２】
【表５】
2013031940.tif 000007
【０１１３】
試料番号２０８は、ＭｇＯの含有モル量が４０.０ｍｏｌ％であり、３５.０ｍｏｌ％を超えているため、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率が０.１％以上となって正確な比抵抗logρを測定できなかった。【０１１４】
これに対し試料番号２０１〜２０７は、ＭｇＯの含有モル量が５.０〜３５.０ｍｏｌ％と本発明範囲内であり、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及びＣｕＯの含有モル量も本発明範囲内であるので、比抵抗1ogρが７以上となり、良好な絶縁性が得られた。【０１１５】
尚、ＭｇＯの含有モル量が、５.０ｍｏｌ％未満になると十分に磁歪定数を低下させる効果が生じず、好ましくないことが別途確認された。【０１１６】
よって、ＭｇＯの含有モル量は、５.０〜３５.０ｍｏｌ％とする必要があることが分った。
【実施例４】
【０１１７】
セラミック素原料を、表６に示すように、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＭｇＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＺｎＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号２１１〜２１９の比抵抗測定用試料を作製した。【０１１８】
また、キュリー点Ｔｃを測定するために別途リング状試料を作製した。【０１１９】
すなわち、実施例１と同様の方法・手順により得られた磁性体シートを、厚さが総計で１.０ｍｍとなるように複数枚積層し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、その後、外径２０がｍｍ、内径が１２ｍｍとなるようにリング状に切り出し、積層成形体を得た。【０１２０】
次いで、得られた積層成形体をＣｕが酸化しないような還元性雰囲気下、加熱して十分に脱脂した。そして、Ｎ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６.７×1０-２Ｐａに調整した後、前記セラミック成形体を焼成炉に供給し、1０００℃の温度で２時間焼成し、これにより試料番号２１１〜２１９のリング状試料を得た。【０１２１】
次に、試料番号２１１〜２１９の各リング状試料について、軟銅線を２０ターン巻回し、振動試料型磁力計(東英工業杜製ＶＳＭ−５−１５型)を使用し、１Ｔ(テスラ)の磁界を印加し、飽和磁化の温度依存性を測定した。そして、この飽和磁化の温度依存性からキュリー点Ｔｃを求めた。【０１２２】
表６は、試料番号２１１〜２１９のフェライト組成と測定結果を示している。【０１２３】
【表６】
2013031940.tif 000008
【０１２４】
試料番号２１１は、ＺｎＯの含有モル量が３８.０ｍｏｌ％であり、３５．０ｍｏｌ％を超えているため、比抵抗logρは９.１と良好であったが、キュリー点Ｔｃが９０℃に低下した。【０１２５】
一方、試料番号２１９は、ＺｎＯの含有モル量が含有されておらず、このためＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率も０.１％以上に上昇し、比抵抗logρやキュリー点Ｔｃの正確な測定ができなかった。【０１２６】
これに対し試料番号２１２〜２１８は、ＺｎＯの含有モル量が５.０〜３５.０ｍｏｌ％であるので、キュリー点Ｔｃは１１５℃以上となり、比抵抗logρも７以上となって良好な結果が得られることが分かった。
【実施例５】
【０１２７】
実施例１で作製した試料番号２８(Ｆｅ２Ｏ３:４５.０ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３:５.０ｍｏｌ％、ＣｕＯ:１.０ｍｏｌ％、ＺｎＯ:２０.０ｍｏｌ％、ＭｇＯ:１９.３ｍｏｌ％、ＮｉＯ:９.７ｍｏｌ％)、及び試料番号２５(Ｆｅ２Ｏ３:４５.０ｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３:０.０ｍｏｌ％、ＣｕＯ:１.０ｍｏｌ％、ＺｎＯ:２０.０ｍｏｌ％、ＭｇＯ:２２.７ｍｏｌ％、ＮｉＯ:１１.３ｍｏｌ％)の磁性体シートを用意した。【０１２８】
そして、レーザ加工機を使用し、磁性体シートの所定位置にビアホールを形成した後、実施例１で作製したＣｕペ一ストを磁性体シートの表面にスクリーン印刷し、かつ前記Ｃｕペーストをビアホールに充填し、これにより所定形状のコイルパターン及びビア導体を形成した。【０１２９】
次いで、コイルパターンの形成された磁性体シートを積層した後、これらをコイルパターンの形成されていない磁性体シートで挟持し、これらを６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、これにより磁性体部にコイル導体が埋設されたフェライト素体を作製した。【０１３０】
次に、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧が６．７×１０-2ＰａとなるようにＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスで調整された焼成炉に前記フェライト素体を供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。【０１３１】
次に、実施例１と同様の外部電極用のＣｕペーストを用意し、この外部電極用Ｃｕペーストを部品素体の両端に塗布して乾燥し、その後、酸素分圧が４．３×１０-3Ｐａに調整された焼成炉内で９００℃で焼き付けて外部電極を形成し、これにより試料番号２８′、２５′の試料を作製した。尚、酸素分圧４．３×１０-3Ｐａは９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である。【０１３２】
試料番号２８′、２５′の各試料の外形寸法は長さ:１．６ｍｍ、幅:０．８ｍｍ、厚み：０．８ｍｍであり、コイルのターン数は９．５ターンであった。【０１３３】
次に、試料番号２８′、２５′の各試料について、インピーダンスアナライザ(アジレント・テクノロジー社製、ＨＰ４２９１Ａ)を使用し、インピーダンス特性を測定した。【０１３４】
図５は試料番号２８′のインピーダンス特性を示し、図６は試料番号２５′のインピーダンス特性を示している。横軸は周波数(ＭＨｚ)、縦軸はインピーダンス(Ω)である。【０１３５】
試料番号２５′は、本発明範囲外の組成であるため、比抵抗logρが６．６と小さく、その結果、図６に示すように、インピーダンスは最大でも約４００Ω程度であり、所望の高インピーダンスを得ることはできなかった。【０１３６】
これに対し試料番号２８′は、本発明範囲内の組成であり、比抵抗logρが８.２と十分に大きいことから、図５に示すように、インピーダンス特性も顕著な山形形状を有している。そして、最大で約７００Ωの高インピーダンスが得られ、特定周波数域で高いインピーダンスが得られることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０１３７】
Ｃｕを主成分とする材料を導電部に使用し、導電部と磁性体部とを同時焼成しても、絶縁性が良好で、良好な電気特性を有するコイル部品等のセラミック電子部品を実現できる。
【符号の説明】
【０１３８】
２磁性体部
３コイル導体(導電部)
【図１】
2013031940.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2013031940.tif 000013
【図６】
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【国際調査報告】
2013031940.tif 000015
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