(57)【要約】  サージ耐圧を高めることを可能とする弾性境界波装置を提供する。  圧電基板２の上面２ａ上に、第１の誘電体からなる誘電体膜３が形成されており、誘電体膜３上にＩＤＴ電極を含む電極４が形成されており、電極４を覆うように、第２の誘電体からなる誘電体層１５が形成されている、弾性境界波装置１。
2009098840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する圧電基板と、
前記圧電基板の上面に成膜された第１の誘電体からなる誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成されており、少なくともＩＤＴ電極を有する電極と、
前記電極を覆うように形成されており、第２の誘電体からなる誘電体層とを備えることを特徴とする、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記第１の誘電体が、Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＴｉＯ，ＳｉＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３，ＨｆＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＣからなる群から選択された誘電体である、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記第１の誘電体が、Ｔａ２Ｏ５である、請求項２に記載の弾性境界波装置。
【請求項４】
前記第１の誘電体からなる誘電体膜の厚みが、使用される弾性境界波の波長をλとしたときに、０．０１８λ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【請求項５】
前記第１の誘電体からなる誘電体膜が、前記圧電基板の上面において、少なくとも前記電極が形成される領域に形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【請求項６】
前記第１の誘電体からなる誘電体膜が、前記圧電基板の上面の全面に形成されている、請求項５に記載の弾性境界波装置。
【請求項７】
第３の誘電体からなる第２の誘電体層をさらに備え、前記第３の誘電体からなる前記第２の誘電体層が前記第２の誘電体からなる前記誘電体層の上に積層されており、かつ、前記第３の誘電体の音速が前記第２の誘電体の音速より速くされている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【請求項８】
前記圧電基板がＬｉＮｂＯ３からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性境界波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電体と誘電体との界面に電極が形成された弾性境界波装置に関し、より詳細には、積層構造が改良された弾性境界波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波装置に代わり、弾性境界波装置が注目されている。弾性境界波装置では、空洞を有するパッケージを必要としないため、小型化を図ることができる。【０００３】
下記の特許文献１には、ＬｉＮｂＯ３などからなる第１の媒質と、ＳｉＯ２などからなる第２の媒質とを積層してなり、第１，第２の媒質間にＩＤＴ電極が配置されている弾性境界波装置が開示されている。ここでは、ＩＤＴ電極に交叉幅重み付が施されており、電極指とダミー電極指との間のギャップの寸法を特定の範囲とすることにより、弾性境界波の回折現象に起因する特性の劣化が抑制されている。
【特許文献１】特開２００６−３１９８８７号公報
【発明の開示】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載のような従来の弾性境界波装置では、サージ耐圧試験を行うと、比較的低い電圧で電極破壊が生じることがあった。
【０００５】
また、弾性境界波装置においても、弾性表面波装置と同様に、挿入損失の低減が強く求められている。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、サージ耐圧を高めることが可能とされている弾性境界波装置を提供することにある。
【０００７】
また、本発明より限定的な目的は、サージ耐圧が高く、さらに低損失の弾性境界波装置を提供することにある。
【０００８】
本発明によれば、上面を有する圧電基板と、前記圧電基板の上面に成膜された第１の誘電体からなる誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成されており、少なくともＩＤＴ電極を有する電極と、前記電極を覆うように形成されており、第２の誘電体からなる誘電体層とを備えることを特徴とする、弾性境界波装置が提供される。本発明では、ＩＤＴ電極が、圧電基板の上面に成膜された第１の誘電体からなる誘電体膜上に形成されていることにより、サージ耐圧が高められている。
【０００９】
上記第１の誘電体を構成する誘電体材料は特に限定されるわけではないが、本発明のある特定の局面では、第１の誘電体は、Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＴｉＯ，ＳｉＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３，ＨｆＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＣからなる群から選択された誘電体である。この場合には、サージ耐圧をより一層効果的に高めることが可能となる。特に、好ましくは、上記第１の誘電体として、Ｔａ２Ｏ５が用いられ、サージ耐圧をより効果的に高めることができる。
【００１０】
本発明の他の特定の局面では、前記第１の誘電体からなる誘電体膜の厚みが、使用される弾性境界波の波長をλとしたときに、０．０１８λ以下とされている。この場合には、弾性境界波装置の損失を低減することが可能となる。
【００１１】
また、本発明に係る弾性境界波装置において、上記第１の誘電体からなる誘電体膜は、圧電基板の上面において少なくとも前記電極が形成されている領域に形成されておればよい。
【００１２】
好ましくは、圧電基板の上面の全面に誘電体膜が形成される。この場合には、パターニング等を要することなく、第１の誘電体からなる誘電体膜を容易に形成することができる。
【００１３】
本発明の他の特定の局面では、第３の誘電体からなる第２の誘電体層がさらに備えられ、前記第３の誘電体からなる前記第２の誘電体層が前記第２の誘電体からなる前記誘電体層の上に積層されており、かつ、前記第３の誘電体の音速が前記第２の誘電体の音速より速くされている。
【００１４】
上記圧電基板を構成する材料としては、様々な圧電体を用い得るが、好ましくはＬｉＮｂＯ３が用いられ、それによって、本発明に従って第１の誘電体からなる誘電体膜を形成することにより、サージ耐圧を効果的に高めることができる。
（発明の効果）
【００１５】
本発明に係る弾性境界波装置によれば、圧電基板上に第１の誘電体からなる誘電体膜が形成されており、かつ該誘電体膜上にＩＤＴ電極を含む電極が形成されているため、従来の弾性境界波装置に比べてサージ耐圧を高めることができる。よって、弾性境界波装置の信頼性を高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性境界波装置を説明するための模式的正面断面図である。
【図２】図２は、図１に示した弾性境界波装置の電極構造を示す模式的平面図である。
【図３】図３は、図１に示した第１の実施形態の弾性境界波装置の電極の積層構造を示すための部分拡大正面断面図である。
【図４】図４は、誘電体層と保護膜との間に第２の誘電体層が積層された変形例の弾性境界波装置を説明するための模式的正面断面図である。
【図５】図５は、図１及び図２に示した第１の実施形態と、弾性境界波共振子部が形成されていない第２の実施形態と、比較例の弾性境界波装置において、デューティ比を変化させた場合の帯域内挿入損失が０．３ｄＢが劣化するに至った電圧の変化すなわちサージ耐圧の変化を示す図である。
【図６】図６は、比較例及びＴａ２Ｏ５からなる誘電体の厚みが異なる複数種の実施形態の弾性境界波装置のフィルタ特性を示す図である。
【図７】図７は、図６に示した実線Ａで示す比較例の弾性境界波装置のフィルタ特性を示す図である。
【図８】図８は、図６において破線Ｂで示されている実施形態の弾性境界波装置のフィルタ特性を示す図である。
【図９】図９は、図６において一点鎖線Ｃで示されている実施形態の弾性境界波装置のフィルタ特性を示す図である。
【図１０】図１０は、図６において細線Ｄで示されている実施形態の弾性境界波装置のフィルタ特性を示す図である。
【図１１】図１１は、誘電体膜としてのＴａ２Ｏ５の規格化膜厚を変化させた場合の挿入損失の変化を示す図である。
【符号の説明】
【００１７】
１…弾性境界波装置
２…圧電基板
２ａ…上面
３…誘電体膜
４…電極
５〜７…第１〜第３のＩＤＴ電極
８，９…反射器
１０…弾性境界波フィルタ部
１１…弾性境界波共振子部
１１ａ…ＩＤＴ電極
１１ｂ，１１ｃ…反射器
１２…入力端子
１３…弾性境界波共振子部
１３ａ…ＩＤＴ電極
１３ｂ，１３ｃ…反射器
１４…出力端子
１５…誘電体層
１６…保護膜
１７…第２の誘電体層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。【００１９】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性境界波装置の模式的断面正面図である。弾性境界波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、適宜の圧電体からなるが、本実施形態では、１５°ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板からなる。もっとも、他の結晶方位のＬｉＮｂＯ３基板が用いられてもよい。また、ＬｉＴａＯ３や水晶などの他の圧電単結晶基板、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスなど圧電セラミックスからなる圧電基板が用いられてもよい。【００２０】
圧電基板２の上面２ａ上に、第１の誘電体としてのＴａ２Ｏ５からなる誘電体膜３が形成されている。第１の誘電体としては、特に限定されるわけではないが、後述するサージ耐圧を高め得る適宜の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体としては、好ましくは、Ｔａ２Ｏ５，ＴｉＯ２，ＴｉＯ，ＳｉＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＷＯ３，ＨｆＯ２，ＡｌＮ，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４及びＳｉＣからなる群から選択された誘電体が用いられ、より好ましくは、サージ耐圧を効果的に高め得るので、Ｔａ２Ｏ５が用いられる。【００２１】
本実施形態では、上記誘電体膜３は、圧電基板２の上面２ａの全面に形成されている。もっとも、誘電体膜３は、圧電基板２の上面２ａ上において部分的に形成されていてもよい。すなわち、少なくとも後述する電極４が形成されている部分の下面において誘電体膜３が存在すればよい。言い換えれば、誘電体膜３は圧電基板２の上面２ａの内、少なくとも電極４が形成される領域において、形成されておればよい。【００２２】
弾性境界波装置１では、後述の実験例で示すように、上記誘電体膜３を設けることにより、サージ耐圧が効果的に高められる。この理由は、絶縁抵抗（ＩＲ）の向上によると考えられる。【００２３】
上記誘電体膜３上に、電極４が形成されている。電極４の平面形状を図２において模式的に示す。電極４は、図１では、略図的に示されているが、図２に示す平面形状を有する。すなわち、弾性境界波伝搬方向に沿って配置された第１〜第３のＩＤＴ電極５〜７と、ＩＤＴ電極５〜７が設けられている領域の境界波伝搬方向両側に配置された反射器８，９とを有する。第１〜第３のＩＤＴ電極５〜７と、反射器８，９とにより、３ＩＤＴ型の共振子型弾性境界波フィルタ部１０が形成されている。【００２４】
上記弾性境界波フィルタ部１０の第２のＩＤＴ６の一端に、第１の１ポート型弾性境界波共振子部１１が接続されている。弾性境界波共振子部１１は、ＩＤＴ電極１１ａと、反射器１１ｂ，１１ｃとを有する。ＩＤＴ電極１１ａの一端が第２のＩＤＴ電極６に接続されており、他端が入力端子１２に接続されている。他方、第１，第３のＩＤＴ電極５，７の各一端が共通接続され、第２の１ポート型弾性境界波共振子部１３のＩＤＴ電極１３ａの一端に接続されている。ＩＤＴ電極１３ａの他端は出力端子１４に接続されている。弾性境界波共振子部１３においても、ＩＤＴ電極１３ａの境界波伝搬方向両側に、反射器１３ｂ，１３ｃが備えられている。【００２５】
なお、本実施形態では、上記３ＩＤＴ型の弾性境界波フィルタ部１０の前段及び後段に１ポート型弾性境界波共振子部１１，１３が接続された弾性境界波フィルタ装置が構成されている。もっとも、本発明においては、ＩＤＴ電極を含む電極の構造は本実施形態の電極４に限定されるものではなく、様々な共振子や帯域フィルタを構成する電極構造を用いることができる。なお、誘電体膜３は、前述したように、圧電基板２の上面２ａの全面に形成されているが、前述したように、圧電基板の上面において、少なくともこのような電極が形成される領域に形成されておればよい。【００２６】
本実施形態では、電極４は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜からなる。もっとも、電極４は、単一の金属膜により形成されていてもよい。電極を構成する金属材料については特に限定されず、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属もしくは合金を適宜用いることができる。より具体的には、図３に模式的拡大断面図で示すように、電極４は、上方から順に、ＮｉＣｒ膜４ａ、Ｐｔ膜４ｂ、Ｔｉ膜４ｃ、ＡｌＣｕ膜４ｄ、Ｔｉ膜４ｅ、Ｐｔ膜４ｆ及びＴｉ膜４ｇを積層した構造を有する。ここでは、最も下方のＴｉ膜４ｇは、誘電体膜３に対する密着性を高める密着層として形成されている。また、Ｔｉ膜４ｃ及びＴｉ膜４ｅは、両側の金属膜の密着性を高めるための密着層として形成されている。また、Ｔｉ膜４ｃ及びＴｉ膜４ｅは、金属膜４ｂと金属膜４ｄとの間及び金属膜４ｄと金属膜４ｆとの間の拡散防止層としても機能している。また、ＮｉＣｒ膜４ａは主たる電極層の１つとしてのＰｔ膜４ｂを保護するための保護膜及びＳｉＯ２との密着層さらには周波数調整層としての機能を有する。従って、ＮｉＣｒ膜４ａ、Ｔｉ膜４ｃ，Ｔｉ膜４ｅ，Ｔｉ膜４ｇの厚みは、主たる電極層としてのＰｔ膜４ｂ、ＡｌＣｕ膜４ｄ及びＰｔ膜４ｆの厚みに比べて薄くされている。【００２７】
また、本実施形態では、上記電極４を覆うように、第２の誘電体としてのＳｉＯ２からなる誘電体層１５が積層されている。誘電体層１５を構成する材料としては、ＳｉＯ２に限定されず、様々な誘電体を用いることができる。このような誘電体層１５を構成する第２の誘電体としては、ＳｉＯ２の他、ＺｎＯ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３などを用いることができる。なお、第１の誘電体と第２の誘電体は同一材料であってもよく、異なっていてもよい。【００２８】
第１，第２の誘電体が同一材料である場合には、同じ誘電体材料を用いて、弾性境界波装置１の誘電体膜３及び誘電体層１５を形成することができる。従って、材料コストを低減し、かつ製造工程の簡略化を図ることができる。【００２９】
もっとも、第１の誘電体及び第２の誘電体として、それぞれに適切な誘電体材料を用いた場合には、それによって弾性境界波装置１のサージ耐圧の向上を図りつつ、フィルタ特性の最適化を容易に図ることができる。【００３０】
上記電極４の厚みは、使用する金属材料及び電極４の構造によっても異なるが、通常、０．０１λ〜０．２５λ程度であり、誘電体層１５の厚みは、弾性境界波を効率良く利用するには、通常、０．４λ〜３．０λ程度の厚みとされる。もっとも、誘電体層１５の厚みもこれに限定されるものではない。【００３１】
また、誘電体膜３の厚みは、後述するサージ耐圧向上効果を発現し得る限り、特に限定されるわけではないが、挿入損失を低減する上では、使用する弾性境界波の波長をλとしたとき、０．０１８λ以下とすることが望ましい。それによって、損失の低減を図ることができる。【００３２】
本実施形態では、誘電体層１５の上面に、さらにポリイミドからなる保護層１６が積層されている。ポリイミドからなる保護層１６の形成により、誘電体層１５の上面を保護することができる。【００３３】
保護層を構成する材料としては、ポリイミドに限らず、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリレート系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリエステルなどの合成樹脂、あるいはＳｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ガラスなどの無機材料を挙げることができる。【００３４】
また、本発明においては、上記ポリイミドからなる保護層１６と誘電体層１５との間に、誘電体層１５を構成する第２の誘電体よりも音速が速い第３の誘電体からなる誘電体層１７を積層してもよい。その場合には、耐電力性を効果的に高め得る。このような第３の誘電体を構成する材料としては、第２の誘電体と異なる誘電体材料であって、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）及びダイアモンドからなる群から選択された適宜の誘電体材料を用いることができる。すなわち、これらの誘電体材料から、第２，第３の誘電体を構成する誘電体材料の組み合わせを、選択することができる。【００３５】
好ましくは、第２の誘電体としてＳｉＯ２、第３の誘電体としてＳｉＮの組み合わせを用いることが望ましく、それによって、耐電力性をより効果的に高めることができる。【００３６】
次に、具体的な実験例に基づき、上記実施形態の弾性境界波装置１において、サージ耐圧が高められ、かつ挿入損失が低減されることを説明する。【００３７】
弾性境界波装置１において、電極４の各層の厚みを、ＮｉＣｒ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ｔｉ＝１０／５６／１０／１３０／１０／５６／１０（ｎｍ）とした。なお、各層の厚みの単位は全てｎｍである。【００３８】
また、Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の厚みは３０ｎｍとした。ＳｉＯ２からなる誘電体層１５の厚みは４９００μｍとし、ポリイミドからなる保護層１６の厚みは６μｍとし、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板２の厚みは１００μｍとした。【００３９】
第１〜第３のＩＤＴ電極５〜７、反射器８，９、ＩＤＴ電極１１ａ，１３ａ、反射器１１ｂ，１１ｃ，１３ｂ，１３ｃにおけるデューティ比は全て０．５とした。また、ＩＤＴ電極５〜７は正規型のＩＤＴ電極とし、その電極指交叉幅５０．２μｍとした。【００４０】
ＩＤＴ電極５〜７における電極指の対数は、ＩＤＴ電極５、ＩＤＴ電極６及びＩＤＴ電極７の順で、８．５対、２２対及び８．５対とした。また、弾性境界波共振子部１１のＩＤＴ電極１１ａの電極指の対数は８０対、弾性境界波共振子部１３のＩＤＴ電極１３ａの電極指の対数は１５０対とした。【００４１】
上記のようにして作製された弾性境界波装置１について、フィルタ特性を測定するとともに、ＥＩＡ／ＪＥＤＥＣ  ＳＴＡＮＤＡＲＤに規定されているＥＩＡ／ＪＥＳＤ２２−Ａ１１５−Ａ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｍｏｄｅｌ）に準拠したサージ耐圧試験を以下のようにして、行った。【００４２】
サージ耐圧試験の内容：上記規格に規定される等価回路モデルを作成し、順次電圧を印加した。【００４３】
比較のために、上記Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３が形成されていないことを除いては、上記実施形態と同様にして構成された比較例の弾性境界波装置についても、フィルタ特性及びサージ耐圧を同様にして評価した。さらに、上記第１，第２の弾性境界波共振子部１１，１３が設けられていないことを除いては、上記実施形態と同様にして形成された第２の実施形態の弾性境界波装置についても、サージ耐圧を同様にして評価した。【００４４】
サージ耐圧試験の結果を下記の表１及び図５に示す。なお、表１及び図５における０．３ｄＢ劣化電圧値は、通過帯域内の最低挿入損失が０．３ｄＢ劣化するに至った場合の印加電圧の値を示す。また、表１中の電極破壊電圧の欄は、ＩＤＴ電極等の電極の破壊が生じたときの印加電圧を示す。表１では、上記実施形態及び比較例について、各４個のサンプルについての試験結果が示されている。【００４５】
また、表１において、実施例及び比較例の弾性境界波装置の絶縁抵抗（ＩＲ）の値も併せて示す。【００４６】
他方、図５では、ＩＤＴ電極５〜７のデューティ比を変化させたときの上記３種類の弾性境界波装置の０．３ｄＢ劣化電圧の変化が示されている。【００４７】
【表１】
2009098840.tif 000003
表１中の０．３ｄＢ劣化電圧及び電極破壊電圧は、比較例の電極破壊電圧平均値に対する比である。【００４８】
表１及び図５は、比較例のサージ耐圧における電極破壊電圧の平均値を１とした場合の第１の実施形態及び比較例のサージ耐圧を示す。表１から明らかなように、上記実施形態では、電極破壊に至った電圧は２．４５以上であり、平均で２．８４と高いことがわかる。そして、通過帯域内挿入損失が０．３ｄＢ劣化するに至った電圧は２．２８以上と高く、従って、２．２５の高い電圧が印加された場合にも、挿入損失の劣化が非常に小さいことがわかる。【００４９】
また、図５から明らかなように、デューティの如何にかかわらず、弾性境界波共振子部１１，１３が設けられていない第２の実施形態においても、通過帯域内挿入損失が０．３ｄＢ劣化するに至った電圧は、１．５以上であることがわかる。【００５０】
従って、弾性境界波共振子部１１，１３の有無にかかわらず、本発明に従って、誘電体膜３を圧電基板２の上面２ａと、電極４との間に積層することにより、サージ耐圧が効果的に高められることがわかる。【００５１】
図６は、上記比較例の弾性境界波装置と、Ｔａ２Ｏ５の厚みを上記実施形態とは異ならせた３種類の弾性境界波装置の減衰量周波数特性を示す図である。なお、比較例では、誘電体膜３が設けられていないので、Ｔａ２Ｏ５の膜厚は０ｎｍである。図６において、実線Ａが上記比較例の結果を示す。また、Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の厚みが１２．６ｎｍの場合の結果を破線Ｂで示し、上記第１の実施形態に相当する、１８ｎｍの厚みのＴａ２Ｏ５からなる誘電体膜３が形成されている場合の結果を一点鎖線Ｃで示す。さらに、Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の厚みが３２．６ｎｍの場合の結果を細線Ｄで示す。なお、図６では、各線が重なり、差異がわかり難いため、図７〜図１０に、それぞれ、上記実線Ａ、破線Ｂ、一点鎖線Ｃ及び細線Ｄで示すフィルタ特性を独立に示すこととする。【００５２】
図６〜図１０から明らかなように、通過帯域内挿入損失が、Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の厚みによって変化することがわかる。【００５３】
従って、Ｔａ２Ｏ５の規格化膜厚、すなわちＴａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の弾性境界波の波長λで規格化してなる膜厚を種々変更してなる複数種の弾性境界波装置について、さらにフィルタ特性を測定し、通過帯域内最低挿入損失と、Ｔａ２Ｏ５の弾性境界波の波長λで規格化してなる膜厚との関係を求めた。結果を表２及び図１１に示す。【００５４】
【表２】
2009098840.tif 000004
【００５５】
表２及び図１１から明らかなように、通過帯域内における最低挿入損失は、Ｔａ２Ｏ５の膜厚が０から増加するにつれて小さくなるが、膜厚が０．０１１λ付近から増加すると挿入損失が再度増大していくことがわかる。もっとも、Ｔａ２Ｏ５の規格化膜厚が０．０１８λ以下であれば、比較例の挿入損失である１．２ｄＢよりも挿入損失を小さくし得ることがわかる。従って、好ましくは、Ｔａ２Ｏ５からなる誘電体膜３の膜厚は、０．０１８λ以下とすることが望ましい。それによって、挿入損失を低減することができる。【００５６】
なお、本実験例では、Ｔａ２Ｏ５を用いて誘電体膜３を形成した場合の結果を示したが、他の前述した誘電体材料を用いた場合にも、同様の結果が得られる。すなわち、他の誘電体材料を用いた場合にも、規格化膜厚を０．０１８λ以下とすることにより、挿入損失を同様に低減することができる。【００５７】
また、本発明は、上記のような弾性境界波フィルタ装置に限らず、弾性境界波共振子にも適用することができ、その場合には、弾性境界波共振子のＱが高められ、やはり同様に損失が低減される。従って、本発明によれば、誘電体膜３の形成により、低損失化を図ることができる。
【図１】
2009098840.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
2009098840.tif 000016
2009098840.tif 000017
2009098840.tif 000018
2009098840.tif 000019