(57)【要約】  新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子であり、該有機薄膜層の少なくとも１層、特に正孔輸送層が、少なくとも１個の式（２）のジベンゾフラン骨格と少なくとも１個の式（３）のターフェニレン骨格を有する式（１）の芳香族アミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、同芳香族アミン誘導体は分子が結晶化しにくく、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命の長い素子が提供される。2009145016.tif 000087
2009145016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2009145016.tif 000077
［Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは下記一般式（２）
【化２】
2009145016.tif 000078
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。ａは０〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数であり、ｃは１〜３の整数である。複数のＲ1又はＲ2同士は、互いに結合して、飽和もしくは不飽和の置換されてもよい５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。Ａｒ4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオニレン基である｝で表される。
Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは下記一般式（３）
【化３】
2009145016.tif 000079
｛式中、Ｒ3〜Ｒ5は、それぞれ独立に、前記Ｒ1と同じ基の中から選ばれる。ｅ及びｆは０〜４の整数であり、ｇは０〜５の整数である。複数のＲ3同士又はＲ4同士又はＲ5同士は、互いに結合して、置換されてもよい飽和もしくは不飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい｝で表される。
一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3のうち一般式（２）および一般式（３）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基〔ただし、一般式（３）の構造を含まない〕である］で表される芳香族アミン誘導体。
【請求項２】
前記Ａｒ4が下記一般式（４）または（５）
【化４】
2009145016.tif 000080
【化５】
2009145016.tif 000081
［Ｒ6は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、ｄ1は０〜４の整数、ｄ2は０〜３の整数である。同一ベンゼン環上の複数のＲ6同士または隣り合う２つのベンゼン環上の複数のＲ6同士が互いに結合して、置換されてもよい飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい］
のいずれかである請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
前記Ａｒ4が下記一般式（６）
【化６】
2009145016.tif 000082
［Ｒ7は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、ｄ3は０〜４の整数である］
で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
前記一般式（３）が下記一般式（７）、（８）又は（９）
【化７】
2009145016.tif 000083
【化８】
2009145016.tif 000084
【化９】
2009145016.tif 000085
［式中、Ｒ3〜Ｒ5およびe〜ｇは一般式（３）の場合と同じ］
で表される構造である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項５】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で表され、２個が前記一般式（３）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項６】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表され、１個が前記一般式（３）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項７】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表され、２個が前記一般式（７）又は（８）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項８】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表わされ、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表わされ、１個が前記一般式（７）又は（８）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項９】
前記一般式（２）が下記一般式（１０）
【化１０】
2009145016.tif 000086
〔式中、Ｒ1及びＲ2、Ａｒ4、ａ、ｂ、ｃは前記と同じである〕
で表わされる構造である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１０】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で表され、２個が前記一般式（７）又は（８）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１１】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表され、１個が前記一般式（７）又は（８）で表される請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１２】
有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１３】
正孔注入材料又は正孔輸送材料である請求項１１に記載の芳香族アミン誘導体。
【請求項１４】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、請求項１に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
前記有機薄膜層が正孔注入層又は正孔輸送層を有し、該正孔注入層又は正孔輸送層が請求項１〜１０のいずれかに記載の芳香族アミンを含有する請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
前記発光層にスチリルアミン及び／又はアリールアミンを含有する請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
青色系発光する請求項１３〜１５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用材料及びそれらを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特に、特定の置換基を有する芳香族アミン誘導体を正孔注入材料又は正孔輸送材料に用いることにより、有機ＥＬ素子の寿命の改善及びそれを実現することのできる芳香族アミン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇらは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送発光層の２層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。【０００３】
通常、高温環境下で有機ＥＬ素子を駆動させたり、保管すると、発光色の変化、発光効率の低下、駆動電圧の上昇、発光寿命の短時間化等の悪影響が生じる。これを防ぐためには正孔輸送材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を高くする必要があった。そのために正孔輸送材料の分子内に多くの芳香族基を有する必要があり（例えば、特許文献１の芳香族ジアミン誘導体、特許文献２の芳香族縮合環ジアミン誘導体）、通常８〜１２個のベンゼン環を有する構造が好ましく用いられている。
しかしながら、分子内に対称な構造を有する化合物では、これらの正孔輸送材料を用いて薄膜を形成して有機ＥＬ素子を作製する際に結晶化が起こりやすく、蒸着に用いるるつぼの出口を塞いだり、結晶化に起因する薄膜の欠陥が発生し、有機ＥＬ素子の歩留り低下を招くなどの問題が生じていた。また、分子内に多くの芳香族基を有する化合物は、一般的にガラス転移温度（Ｔｇ）は高いものの、昇華温度が高く、蒸着時の分解や蒸着が不均一に形成される等の現象が起こると考えられるために寿命が短いという問題があった。
また、ジベンゾフランを有する化合物の報告としては、特許文献３〜５があるが、これらはジアミン化合物の中心骨格にジベンゾフランを有する構造である。モノアミンにアリール基を介してジベンゾフランを有する化合物の報告としては、特許６〜８があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
また、テルフェニル基を有するモノアミン化合物の報告としては、特許文献９〜１１があるが、これらは電子写真感光体として用いられたのみである。有機ＥＬ材料として使用した報告としては、特許文献１２〜１４があるが、有機ＥＬ素子としての性能は十分ではない。
以上のように、長寿命な有機ＥＬ素子の報告があるものの、未だ必ずしも充分なものとはいえない。そのため、より優れた性能を有する有機ＥＬ素子の開発が強く望まれていた。【０００４】
【特許文献１】米国特許第４，７２０，４３２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０６１，５６９号明細書
【特許文献３】特開２００５−１１２７６５号公報
【特許文献４】特開平１１−１１１４６０号公報
【特許文献５】ＷＯ２００６／１２２６３０号公報
【特許文献６】ＷＯ２００６／１２８８００号公報
【特許文献７】特開２００６−１５１８４４号公報
【特許文献８】特開２００８−０２１６８７号公報
【特許文献９】特開平２−１３４６４３号公報
【特許文献１０】特開平２−１９０８６２号公報
【特許文献１１】特開平３−１１８５４８号公報
【特許文献１２】特開平６−２２８０６２号公報
【特許文献１３】特開２００１−１９６１８３号公報
【特許文献１４】特開２００６−３５２０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、寿命が長い有機ＥＬ素子及びそれを実現することのできる芳香族アミン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、特定の置換基を有する新規な芳香族アミン誘導体を有機ＥＬ素子用材料として用い、特に正孔注入材料又は正孔輸送材料として用いると、前記の課題を解決でき、また、特定の置換基を有するアミンユニットとして、ジベンゾフラン構造を有するアリール基及びテルフェニル構造を有するアリール基で置換されたアミノ基が好適であることを見出した。
そして、このアミンユニットは立体障害性があるため分子間の相互作用が小さいことから、結晶化が抑制され、有機ＥＬ素子を製造する歩留を向上させ、また、還元安定性に優れるテルフェニル基を有することで分子の還元安定性が向上し、得られる有機ＥＬ素子の寿命を長くする効果があり、特に青色発光素子と組み合わせることにより、顕著な長寿命効果が得られることが見出された。本発明者らは、これらの知見に基づいて本発明を完成させるに至った。【０００７】
すなわち、本発明は、
（1）下記一般式（１）【０００８】
【化１】
2009145016.tif 000003
【０００９】
［Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは下記一般式（２）【００１０】
【化２】
2009145016.tif 000004
【００１１】
｛式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基である。ａは０〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数であり、ｃは１〜３の整数である。複数のＲ1又はＲ2同士は、互いに結合して、飽和もしくは不飽和の置換されてもよい５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。Ａｒ4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオニレン基である｝で表される。
Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは下記一般式（３）【００１２】
【化３】
2009145016.tif 000005
【００１３】
｛式中、Ｒ3〜Ｒ5は、それぞれ独立に、前記Ｒ1と同じ基の中から選ばれる。ｅ及びｆは０〜４の整数であり、ｇは０〜５の整数である。複数のＲ3同士又はＲ4同士又はＲ5同士は、互いに結合して、置換されてもよい飽和もしくは不飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい｝で表される。
一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3のうち一般式（２）および一般式（３）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基〔ただし、一般式（３）の構造を含まない〕である］で表される芳香族アミン誘導体、
（2）前記Ａｒ4が下記一般式（４）または（５）【００１４】
【化４】
2009145016.tif 000006
【００１５】
【化５】
2009145016.tif 000007
【００１６】
［Ｒ6は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、ｄ1は０〜４の整数、ｄ2は０〜３の整数である。同一ベンゼン環上の複数のＲ6同士または隣り合う２つのベンゼン環上の複数のＲ6同士が互いに結合して、置換されてもよい飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい］
のいずれかである上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（3）前記Ａｒ4が下記一般式（６）【００１７】
【化６】
2009145016.tif 000008
【００１８】
［Ｒ7は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基であり、ｄ3は０〜４の整数である］
で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（4）前記一般式（３）が下記一般式（７）、（８）又は（９）【００１９】
【化７】
2009145016.tif 000009
【００２０】
【化８】
2009145016.tif 000010
【００２１】
【化９】
2009145016.tif 000011
【００２２】
［式中、Ｒ3〜Ｒ5およびe〜ｇは一般式（３）の場合と同じ］
で表される構造である上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（5）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で表され、２個が前記一般式（３）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（6）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表され、１個が前記一般式（３）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（7）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表され、２個が前記一般式（７）又は（８）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（8）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表わされ、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表わされ、１個が前記一般式（７）又は（８）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（9）前記一般式（２）が下記一般式（１０）【００２３】
【化１０】
2009145016.tif 000012
【００２４】
〔式中、Ｒ1及びＲ2、Ａｒ4、ａ、ｂ、ｃは前記と同じである〕
で表わされる構造である上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（10）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で表され、２個が前記一般式（７）又は（８）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（11）前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表され、１個が前記一般式（７）又は（８）で表される上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（12）有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体、
（13）正孔注入材料又は正孔輸送材料である上記（12）に記載の芳香族アミン誘導体、
（14）陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、上記（1）に記載の芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
（15）前記有機薄膜層が正孔注入層又は正孔輸送層を有し、該正孔注入層又は正孔輸送層が上記（1）に記載の芳香族アミンを含有する上記（14）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
（16）前記発光層にスチリルアミン及び／又はアリールアミンを含有する上記（14）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、
（17）青色系発光する上記（14）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の芳香族アミン誘導体分子が結晶化しにくく、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命が長いものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
前記一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは前記一般式（２）で表わされる。
一般式（２）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０、好ましくは１〜２０のアルキル基である。
ａは０〜４、好ましくは０〜１の整数であり、より好ましくは０である。ｂは０〜３、好ましくは０〜１であり、より好ましくは０である。ｃは１〜３の整数である。
アリール基の具体例としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ベンズフェナントリル基、ターフェニル基、ベンズアントラニル基、ベンゾクリセニル基、ビフェニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基等が挙げられる。
アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
アリール基やアルキル基の置換基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０（好ましくは６〜２０のアリール基、具体的にはフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、クリセニル基、ベンズフェナントリル基、ターフェニル基、ベンズアントラニル基、ベンゾクリセニル基、ビフェニル基、ナフタセニル基、アントラニル基、ペンタセニル基、ピセニル基などが挙げられる）、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０（好ましくは１〜２０のアルキル基、具体的にはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる）、フッ素原子、アルキル基またはアリール基が置換したシリル基(トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基など)、である。
一般式（２）において、複数のＲ1またはＲ2同士は、互いに結合して、飽和もしくは不飽和の置換されてもよい５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。ジベンゾフラン構造中の置換基Ｒ1またはＲ2がそれぞれ連結して環構造を形成した具体例〔一般式（2）から（Ar4）Cユニットを除いた構造部分〕は下記のようなものが挙げられる。【００２７】
【化１１】
2009145016.tif 000013
【００２８】
Ａｒ4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２０のアリーレン基または置換もしくは無置換のフルオニレン基である。
アリーレン基の具体例としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、フェナントレン基、トリフェニレン基、アントラニレン基、ペンタセニレン基、ペリレニレン基、ピセニレン基、ピレニレン基、ペンタフェニレン基、9,9-ジメチルフルオニレン基、9,9-ジフェニルフルオニレン基、および下記の化合物等などが挙げられる。
アリーレン基やフルオニレン基の置換基としては、前記アリール基やアルキル基の置換基として挙げたものが挙げられる。【００２９】
【化１２】
2009145016.tif 000014
【００３０】
中でも、前記一般式（４）、（５）または（６）で表わされるフェニレン基または9,9-ジメチルフルオニレン基のいずれかであることが好ましい。【００３１】
前記一般式（４）、（５）または（６）中のＲ6およびＲ7は、それぞれ独立に置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０、好ましくは１〜２０のアルキル基であり、ｄ1は０〜４、好ましくは０〜２の整数、ｄ2はそれぞれ独立に０〜３の整数、ｄ3はそれぞれ独立に０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数である。同一ベンゼン環上の複数のＲ6およびＲ7同士または隣り合う２つのベンゼン環上の複数のＲ6およびＲ7は、互いに結合して、置換されてもよい飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。Ａｒ4の個数ｃは好ましくは１または２である。
Ｒ6およびＲ7におけるアリール基およびアルキル基の具体例やアリール基またはアルキル基に結合できる置換基は前記Ｒ1及びＲ2に関して列挙したものと同じものである。【００３２】
前記一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１つは前記一般式（３）で表される。
一般式（３）中、Ｒ3〜Ｒ5は、それぞれ独立に、前記Ｒ1と同じ基の中から選ばれる。アリール基またはアルキル基に結合できる置換基は前記R1と同じ基の中から選ばれる。ｅ及びｆは０〜４、好ましくは０〜１であり、より好ましくは０であり、ｇは０〜５、好ましくは０〜１であり、より好ましくは０である。複数のＲ3同士又はＲ4同士又はＲ5同士は、互いに結合して、置換されてもよい飽和もしくは不飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。Ｒ3とＲ4とＲ5は、互いに結合して、置換されてもよい飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。一般式（３）の好ましい具体例としては、Ｒ3とＲ4とＲ4が環を形成していない場合、またはＲ3とＲ4が５員環を形成する結合基となる場合、すなわち、９,９-ジメチルフルオニレン基のパラ位にフェニル基またはナフチル基が結合した構造のもの、またはＲ4とＲ5が5員環を形成する結合基となる場合、すなわち、フェニル基またはナフチル基のパラ位に９,９-ジメチルフルオニレン基が結合した構造のものである。【００３３】
Ａｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表わされる場合、一般式（３）は前記一般式（７）〜（９）のいずれかで表わされるものが好ましい。
一般式（７）〜（９）において、Ｒ3〜Ｒ5は、それぞれ独立に、前記Ｒ1およびＲ2と同じ基の中から選ばれる。アリール基またはアルキル基に結合できる置換基は前記R1と同じ基の中から選ばれる。e及びｆは０〜４、好ましくは０〜１の整数であり、より好ましくは０である、ｇは０〜５、好ましくは０〜１の整数であり、より好ましくは０である。Ｒ3とＲ4とＲ5は、互いに結合して置換されてもよい飽和の５員環又は６員環の環状構造を形成する結合基であってもよい。
一般式（１）において、Ａｒ1〜Ａｒ3のうち一般式（２）および一般式（３）でないものは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２０のアリール基である。アリール基の具体例は前記Ｒ1およびＲ2に関して列挙したものと同じものである。好ましい具体例はビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基である。【００３４】
前記Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１個が前記一般式（２）で表され、一般式（２）でないものは、前記一般式（３）で表される芳香族アミン誘導体が好ましい。
さらに、前記Ａｒ1〜Ａｒ3のうち少なくとも１個が前記一般式（２）で、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）または（６）で表わされ、残りのＡｒ1〜Ａｒ3が前記一般式（７）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体が好ましい。
また、前記Ａｒ1〜Ａｒ3のうち１個が前記一般式（２）で、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）および（６）のいずれかで表され、２個が前記一般式（７）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体が好ましい。
さらにまた、前記Ａｒ1〜Ａｒ3のうち２個が前記一般式（２）で、かつ、一般式（２）中のＡｒ4が前記一般式（４）、（５）および（６）で表され、１個が前記一般式（７）〜（９）のいずれかで表される芳香族アミン誘導体が好ましい。
さらに、前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体の中でも以下の態様のものも好ましい。
(a)前記一般式（２）が前記一般式（１０）で表わされる芳香族アミン誘導体〔一般式（１０）におけるＲ1及びＲ2、Ａｒ4、ａ、ｂ、ｃは一般式（２）におけるものと同じである〕
(b)前記Ａｒ1〜Ａｒ3の１個が前記一般式（２）で表され、２個が前記一般式（７）又は（８）で表される芳香族アミン誘導体
(c)前記Ａｒ1〜Ａｒ3の２個が前記一般式（２）で表され、１個が前記一般式（７）又は（８）で表される芳香族アミン誘導体【００３５】
一般式（１）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体は例えば以下の反応により合成することができる。
まず、一般式（２）で表される構造を生成させる化合物〔例えば、ジベンゾフラン-４-ボロン酸と４-ヨードブロモベンゼン〕を触媒〔例えば、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0)〕の存在下、溶媒〔例えば、トルエン〕とアルカリ性化合物〔例えば、炭酸ナトリウム〕水溶液中、５０〜１５０℃で反応させることにより、中間体Ｘを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
別途、一般式（３）で表わされる構造を生成させるハロゲン化物〔例えば、４−ブロモ-ｐ−テルフェニル〕、アミノ基を生成させる化合物（置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を生成させる化合物を含んでもよい）〔例えば、ベンズアミド〕を触媒（ヨウ化銅のような金属ハロゲン化物およびＮ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミンのようなアミン〕およびアルカリ性物質〔例えば、炭酸カリウム〕の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させた後、アルカリ性物質〔例えば、水酸化カリウム〕と水の存在下、溶媒〔例えば、キシレン〕中、５０〜２５０℃で反応させることにより、中間体Ｙを合成する。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
次に、中間体Ｘおよび中間体Ｙを触媒〔例えば、ｔ−ブトキシナトリウムおよびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）〕存在下、溶媒〔例えば、脱水トルエン〕中、０〜１５０℃で反応させることにより本発明の芳香族アミン誘導体を合成することができる。反応はアルゴンのような不活性ガス雰囲気下で行なうのが好ましい。
反応終了後、室温まで冷却し、水を加えて反応生成物を濾過し、濾液をトルエンのような溶媒で抽出し、無水硫酸マグネシウムのような乾燥剤で乾燥させ、これを減圧下で脱溶媒して濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンのような溶媒で再結晶し、それを濾別して乾燥することにより精製された本発明の芳香族アミン誘導体が得られる。
一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体中に一般式（２）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を導入するには、中間体Ｘと中間体Ｙを反応させる際、または中間体Ｙを合成する際に反応量比を制御し、一般式（２）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物〔例えば、１−ブロモナフタレン〕を同様に順次反応し、導入すればよい〔例えば、ベンズアミドに４−ブロモ-ｐ−テルフェニルを１：１で反応させた後、1−ブロモナフタレンを1当量投入して反応した後、加水分解することで一般式（３）と「一般式（２）および一般式（３）以外のアリール基」を導入した中間体Ｙが得られる〕。
一般式（２）のハロゲン化物と一般式（３）のハロゲン化物と一般式（２）および一般式（３）以外の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基のハロゲン化物は任意に中間体Ｙに導入することが可能である。また、アリール基は１つもしくは２つ導入することが可能であり、さらに任意の組み合わせで導入することが可能である。その導入の結果得られたアミン化合物（中間体Ｙ）と任意のハロゲン化物（中間体Ｘ）を反応させることで目的物を得ることができる。これらの反応順序や組み合わせ方は、反応性や精製の容易さ等を考慮して行うことができる。【００３６】
一般式（１）におけるＡｒ1〜Ａｒ3の一部または全部をより具体化した一般式は以下の通りである。【００３７】
【化１３】
2009145016.tif 000015
【００３８】
【化１４】
2009145016.tif 000016
【００３９】
【化１５】
2009145016.tif 000017
【００４０】
前記構造式において、ｈは１〜３の整数、iおよびｊはそれぞれ０〜２の整数であり、ｈ＋i＋ｊ＝３である。Ｒ1〜Ｒ6、ａ〜ｃ、ｄ１〜d3、ｅ〜ｈはいずれも前記の通りである。Ａｒ5は前記Ａｒ1〜Ａｒ3のうちのいずれか１つである。【００４１】
以下に一般式（１）によって表される本発明の芳香族アミン誘導体の代表例を例示するが、これらの代表例に限定されるものではない。【００４２】
【化１６】
2009145016.tif 000018
【００４３】
【化１７】
2009145016.tif 000019
【００４４】
【化１８】
2009145016.tif 000020
【００４５】
【化１９】
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【００４６】
【化２０】
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【００４７】
【化２１】
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【００４８】
【化２２】
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【００４９】
【化２３】
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【００５０】
【化２４】
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【００５１】
【化２５】
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【００５２】
【化２６】
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【００５３】
【化２７】
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【００５４】
【化２８】
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【００５５】
【化２９】
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【００５６】
【化３０】
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【００５７】
【化３１】
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【００５８】
【化３２】
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【００５９】
【化３３】
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【００６０】
【化３４】
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【００６１】
【化３５】
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【００６２】
【化３６】
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【００６３】
【化３７】
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【００６４】
【化３８】
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【００６５】
【化３９】
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【００６６】
【化４０】
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【００６７】
【化４１】
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【００６８】
【化４２】
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【００６９】
【化４３】
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【００７０】
本発明の前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体は有機ＥＬ素子用材料として好ましく用いられる。また、本発明の前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体は有機ＥＬ素子用発光材料である。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は陰極と陽極間に発光層を含む一層以上の有機薄膜層を有し、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記いずれかの芳香族アミン誘導体を含有する。
本発明の有機ＥＬ素子において、好ましくは前記正孔注入層又は正孔輸送層が、前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体を含有する。【００７１】
以下、本発明の有機ＥＬ素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
(1)陽極／発光層／陰極
(2)陽極／正孔注入層／発光層／陰極
(3)陽極／発光層／電子注入層／陰極
(4)陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
(5)陽極／有機半導体層／発光層／陰極
(6)陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
(7)陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
(8)陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(9)陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(10)陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(11)陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
(12)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
(13)陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層          ／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常(8)の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子において、本発明の一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の発光帯域に含有されていることが好ましく、特に好ましくは正孔注入層や正孔輸送層に含有されている場合である。含有させる量は３０〜１００モル％から選ばれる。
本発明の芳香族アミン誘導体は正孔注入層又は正孔輸送層用の材料として好ましく用いられる。
正孔注入層および正孔輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒以上であれば好ましい。本発明の化合物はイオン化エネルギーが小さく、正孔移動度が大きいため正孔輸送材料として好ましい。また、分子内に極性基を含有するため陽極との接着性が良く、基盤の洗浄条件等の影響を受けにくいため、正孔注入材料として好ましい。これらの要因により本発明を用いた有機ＥＬ素子は長寿命化していると考えられる。
正孔注入層または正孔輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入層または正孔輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入層または正孔輸送層は正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上記芳香族アミン誘導体の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物を含む正孔注入層または正孔輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【００７２】
この有機ＥＬ素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂などの板が挙げられる。【００７３】
陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯR）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯRと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００７４】
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ2Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【００７５】
また、一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。【００７６】
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
(i)注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
(ii)輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
(iii)発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。
この発光層を形成させる方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。【００７７】
本発明の発光層に使用できる材料は特に制限されず、アントラセン化合物、フェナンスレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、トリフェニレン化合物、クリセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、ペリレン化合物、フタロペリレン化合物、ナフタロペリレン化合物、ナフタセン化合物、ペンタセン化合物のような多環芳香族化合物、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ピラン、キナクリドン、ルブレン、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ポルフィリン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、クマリン系色素、ピラン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体、希土類系燐光発光性錯体（例えば、Ｉｒ錯体）及びポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキサイドチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等の導電性高分子のような高分子材料等が使用することができ、これらは単独でも２種類以上の混合物として用いてもよい【００７８】
本発明の発光層に使用できる材料は下記式（51）〜（57）で表される化合物が好ましい。【００７９】
【化４４】
2009145016.tif 000046
【００８０】
式（51）で表されるアントラセン誘導体において、Ａ21およびＡ22は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０の芳香族環基である。Ｒ21〜Ｒ28は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アルキル基またはアリール基で置換されているシリル基、フッ素原子である。特にＲ21は水素原子、Ｒ22が水素原子、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ジベンゾフラニル基およびそれらの組み合わせであり、Ｒ23〜Ｒ28が水素原子、Ａｒ２１およびＡｒ２２がフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ジベンゾフラニル基およびそれらの組み合わせである場合が好ましい。【００８１】
【化４５】
2009145016.tif 000047
【００８２】
式（52）で表されるピレン誘導体において、Ｒ30〜Ｒ39は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０の芳香族環基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、アルキル基またはアリール基で置換されているシリル基、フッ素原子である。特にＲ30〜Ｒ38の置換基はフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、ジベンゾフラニル基およびそれらの組み合わせである場合が好ましい。【００８３】
【化４６】
2009145016.tif 000048
【００８４】
式（53）で表されるアントラセン誘導体において、Ｒ40〜Ｒ49は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、置換してもよいアリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、アルケニル基または置換してもよい複素環式基を示す。ｉおよびｊは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ40同士又はＲ41同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ40同士またはＲ41同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ42とＲ43、Ｒ44とＲ45、Ｒ46とＲ47、Ｒ48とＲ49が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ1は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基または置換してもよいアリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。【００８５】
【化４７】
2009145016.tif 000049
【００８６】
式（54）で表されるアントラセン誘導体において、Ｒ50〜Ｒ59は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリーロキシ基、または置換してもよい複数環式基を示す。
ｋ，ｌ，ｍおよびｎは、それぞれ１〜５の整数を示し、それらが２以上の場合、Ｒ50同士，Ｒ51同士，Ｒ55同士またはＲ56同士は、それぞれにおいて、同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ52同士，Ｒ53同士，Ｒ54同士またはＲ55同士が結合して環を形成していてもよいし、Ｒ52とＲ53，Ｒ57とＲ58が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｌ2は、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−（Ｒはアルキル基又は置換しても良い
アリール基である）、アルキレン基またはアリーレン基を示す。【００８７】
【化４８】
2009145016.tif 000050
【００８８】
式（55）で表されるスピロフルオレン誘導体において、Ａｒ31〜Ａｒ34は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のビフェニリル基または置換もしくは無置換のナフチル基である。【００８９】
【化４９】
2009145016.tif 000051
【００９０】
式（56）で表される化合物において、Ａｒ41〜Ａｒ43はそれぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリーレン基、Ａｒ44〜Ａｒ46はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基を示す。
Ｒ61〜Ｒ63は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６のシクロアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシル基、炭素数５〜１８のアリールオキシ基、炭素数７〜１８のアラルキルオキシ基、炭素数１〜６のエステル基またはフッ素原子を示す。【００９１】
【化５０】
2009145016.tif 000052
【００９２】
式（57）で表されるフルオレン化合物において、Ｒ73およびＲ74は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基，置換あるいは無置換の複素環基、またはフッ素原子を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ71同士、Ｒ72同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ71およびＲ72は、同じであっても異なっていてもよい。
Ｒ93およびＲ94は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアラルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の複素環基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ73同士、Ｒ74同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ73およびＲ74は、同じであっても異なっていてもよい。
Ａｒ71およびＡｒ72は、ベンゼン環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基またはベンゼン環と複素環の合計が３個以上の置換あるいは無置換の炭素でフルオレン基に結合する縮合多環複素環基を表わす。Ａｒ71およびＡｒ72は、同じであっても異なっていてもよい。ｖは、１乃至１０の整数を表す。【００９３】
【化５１】
2009145016.tif 000053
【００９４】
式（xii）で表されるペンタセン化合物中、Ｑ1〜Ｑ12は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリール基、アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜２０のアルケニル基、置換もしくは無置換の核炭素数７〜２０のアラルキル基又は置換もしくは無置換の核炭素数５〜２０の複素環基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよい。
上記式（xii）で表されるナフタセン誘導体は、より好ましくは、下記式（xiii）で示されるナフタセン誘導体である。【００９５】
【化５２】
2009145016.tif 000054
【００９６】
式（xiii）中、Ｑ3〜Ｑ12、Ｑ101〜Ｑ105、Ｑ201〜Ｑ205、それぞれ独立に、上記式（xii）のＱ3〜Ｑ12と同様の基を表し、これらは同一でも異なるものであってもよく、これら隣接する２個以上が互いに結合して環を形成してもよい。
以上の中でも、好ましくはアントラセン誘導体（さらに好ましくはモノアントラセン誘導体、特に好ましくは非対称アントラセン）、ペンタセン誘導体である。【００９７】
りん光発光に好適な材料としては、カルバゾール環を含む化合物がある。その励起状態からりん光発光性化合物へエネルギー移動が起こる結果、りん光発光性化合物を発光させる機能を有する化合物である。励起子エネルギーをりん光発光性化合物にエネルギー移動できる化合物ならば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。カルバゾール環以外に任意の複素環などを有していてもよい。
このような化合物の具体例には、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、ポルフィリン系化合物、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が含まれる。ホスト化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。具体例には、以下のような化合物が含まれる。【００９８】
【化５３】
2009145016.tif 000055
【００９９】
本発明の芳香族アミン誘導体ＥＬ材料の発光層として用いる場合のドーピング材料として、以下の材料が使用できる。
本発明において使用できるドーピング材料としては、既述の材料のように、又はその他材料として、例えば、アリールアミン化合物、スチリルアミン化合物、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、コロネン誘導体、クリセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ペリレン誘導体、フタロペリレン誘導体、ナフタロペリレン誘導体、ペリノン誘導体、フタロペリノン誘導体、ナフタロペリノン誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビスベンゾキサゾリン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、キノリン金属錯体誘導体、アミノキノリン金属錯体誘導体、ベンゾキノリン金属錯体誘導体、イミン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアントラセン誘導体、ジアミノカルバゾール誘導体、ピラン誘導体、チオピラン誘導体、ポリメチン誘導体、メロシアニン誘導体、イミダゾールキレート化オキシノイド誘導体、キナクリドン誘導体、ルブレン誘導体及び蛍光色素等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機ＥＬ素子において、スチリルアミン化合物及びまたはアリールアミンは、下記一般式（50）で表されるものが好ましい。【０１００】
【化５４】
2009145016.tif 000056
【０１０１】
一般式（50）において、Ａｒ27は置換もしくは無置換の環形成炭素数が６〜４０である一価または二価以上の芳香族基、Ａｒ28〜Ａｒ29は、置換もしくは無置換の環形成炭素数が６〜４０である芳香族基である。ｕは１〜４の整数であり、その中でも、ｕは１〜２の整数であることが好ましい。Ａｒ27〜Ａｒ29のいずれか一つは、スチリル基を含有する芳香族基であってもよい。一般式（50）がスチリルアミン化合物である場合、スチリル基を含有する芳香族基Ａｒ27〜Ａｒ28のいずれか一つがスチリル基を有するか、Ａｒ28またはＡｒ29の少なくとも一方がスチリル基で置換されていることが好ましい。【０１０２】
ここで、環形成炭素数が６〜４０である芳香族基の例には、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラセニル基、ビスアントラセニル基又は下記一般式（Ｃ）および（Ｄ）で示されるアリーレン基等が含まれる。中でも、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基または一般式（Ｄ）で示されるアリーレン基が好ましい。【０１０３】
【化５５】
2009145016.tif 000057
【０１０４】
式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。
環形成炭素数が６〜４０である二価以上の芳香族基の例は、上記一価の環形成炭素数が６〜４０である芳香族基の例を二価以上の芳香族基にしたものが挙げられる。【０１０５】
なお、前記環形成炭素数が６〜４０である芳香族基には置換基を有してもよい。好ましい置換基の例は、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、炭素数５〜４０のアリール基、炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、フッ素原子、トリアルキルシリル基、トリアリールシリル基等である。【０１０６】
りん光発光性のドーパントは三重項励起子から発光することのできる化合物である。三重項励起子から発光する限り特に限定されないが、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｏｓ及びＲｅからなる群から選択される少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、ポルフィリン金属錯体又はオルトメタル化金属錯体が好ましい。ポルフィリン金属錯体としては、ポルフィリン白金錯体が好ましい。りん光発光性化合物は単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあるが、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有しても良い。特に、フッ素化物、トリフルオロメチル基を導入したものが、青色系ドーパントとしては好ましい。さらに補助配位子としてアセチルアセトナート、ピクリン酸等の上記配位子以外の配位子を有していても良い。【０１０７】
ドーパントの発光層における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜７０質量％であり、１〜３０質量％が好ましい。りん光発光性化合物の含有量が０．１質量％未満では発光が微弱でありその含有効果が十分に発揮されず、７０質量％を超える場合は、濃度消光と言われる現象が顕著になり素子性能が低下する。【０１０８】
次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。【０１０９】
【化５６】
2009145016.tif 000058
【０１１０】
式中、Ａｒ81、Ａｒ82、Ａｒ83、Ａｒ85、Ａｒ86、Ａｒ89はそれぞれ置換または無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ84，Ａｒ87，Ａｒ88は置換または無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニリル基、アントリル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、アントリレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数１〜１０のアルコキシ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は、薄膜を形成することができる性質を有するものが好ましい。
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。【０１１１】
【化５７】
2009145016.tif 000059
【０１１２】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子の電子注入層及び電子輸送層（特に、電子輸送層）に用いられる材料として、下記式で表される含窒素複素環誘導体を用いることが好ましい。下記含窒素複素環誘導体は、他の電子輸送材料（例えば、Ａｌｑ）に比べ、本発明に係る芳香族アミン誘導体とともに用いることで、高効率化および低電圧化の効果より高めることができる。【０１１３】
【化５８】
2009145016.tif 000060
【０１１４】
上記式中、Ａ331〜Ａ333は、窒素原子又は炭素原子である。Ｒ331及びＲ332は、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０から５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲ331は、互いに同一又は異なっていてもよい。また、隣接する複数のＲ331同士で互いに結合して、置換又は未置換の炭素環式脂肪族環、あるいは、置換又は未置換の炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ａｒ331は、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基である。
Ａｒ331'は、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリーレン基である。
Ａｒ332は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロアリール基である。
ただし、Ａｒ331、Ａｒ332のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核原子数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核原子数３〜６０のヘテロ縮合環基である。
Ｌ331、Ｌ332及びＬ333は、それぞれ単結合、置換もしくは無置換の核原子数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜６０の２価のヘテロ縮合環又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。【０１１５】
他の電子輸送材料として用いられる化合物としては、下記式で表わされる化合物が挙げられる。
ＨＡｒ−Ｌ−Ａｒ1a−Ａｒ2a          （Ｃ）
式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ1aは、置換基を有していてもよい核原子数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ2aは、置換基を有していてもよい核原子数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である）で表される含窒素複素環誘導体である。【０１１６】
【化５９】
2009145016.tif 000061
【０１１７】
式中、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、下記式（Ｇ）で示される配位子を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ1（Ｒ1は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）または−Ｏ−Ｇａ−Ｑ3（Ｑ4）（Ｑ3及びＱ4は、Ｑ1及びＱ2と同じ）で示される配位子を表す。【０１１８】
【化６０】
2009145016.tif 000062
【０１１９】
式中、環Ａ1およびＡ2は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。
式（Ｇ）の配位子を形成する環Ａ1及びＡ2の置換基の具体的な例を挙げると、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。
この他に、下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。【０１２０】
【化６１】
2009145016.tif 000063
【０１２１】
上記式中、Ｒ121a〜Ｒ126aは、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ121a〜Ｒ126aは同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ121aとＲ122a、Ｒ123aとＲ124a、Ｒ125aとＲ126a、Ｒ121aとＲ126a、Ｒ122aとＲ123a、Ｒ124aとＲ125aが縮合環を形成していてもよい。
さらに、下記式の化合物も用いることができる。【０１２２】
【化６２】
2009145016.tif 000064
【０１２３】
上記式中、Ｒ131〜Ｒ136は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層および正孔輸送層の材料として使用することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。【０１２４】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｌｉ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）およびＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、およびＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、ＲｂまたはＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【０１２５】
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2ＳｅおよびＮａ2Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、およびＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌおよびＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2およびＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。【０１２６】
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶または非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。【０１２７】
正孔注入・輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒であれば好ましい。
本発明の芳香族アミン誘導体を正孔輸送帯域に用いる場合、本発明の芳香族アミン誘導体単独で正孔注入、輸送層を形成してもよく、他の材料と混合して用いてもよい。
本発明の芳香族アミン誘導体と混合して正孔注入・輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入・輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。本発明においては、正孔輸送能を有し、正孔輸送帯域に用いることが可能な材料を正孔輸送材料と呼ぶ。
正孔注入・輸送層に使用される芳香族アミン誘導体としては、下記【０１２８】
【化６３】
2009145016.tif 000065
【０１２９】
Ａｒ211〜Ａｒ213、Ａｒ221〜Ａｒ223及びＡｒ203〜Ａｒ208はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ａ〜ｃ及びｐ〜ｒはそれぞれ０〜３の整数である。Ａｒ203とＡｒ204、Ａｒ205とＡｒ206、Ａｒ207とＡｒ208はそれぞれ互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。
置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−テルフェニル−４−イル基、ｐ−テルフェニル−３−イル基、ｐ−テルフェニル−２−イル基、ｍ−テルフェニル−４−イル基、ｍ−テルフェニル−３−イル基、ｍ−テルフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−テルフェニル４−イル基が挙げられる。【０１３０】
置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフリル基、３−ベンゾフリル基、４−ベンゾフリル基、５−ベンゾフリル基、６−ベンゾフリル基、７−ベンゾフリル基、１−イソベンゾフリル基、３−イソベンゾフリル基、４−イソベンゾフリル基、５−イソベンゾフリル基、６−イソベンゾフリル基、７−イソベンゾフリル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基が挙げられる。
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層に、下記式で表される化合物が使用できる。【０１３１】
【化６４】
2009145016.tif 000066
【０１３２】
Ａｒ231〜Ａｒ234はそれぞれ置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。Ｌは連結基であり、単結合、もしくは置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基である。ｘは０〜５の整数である。Ａｒ232とＡｒ233は互いに連結して飽和もしくは不飽和の環を形成してもよい。ここで置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、及び置換もしくは無置換の核原子数５〜５０の芳香族複素環基の具体例としては、前記と同様のものがあげられる。【０１３３】
さらに、正孔注入層及び正孔輸送層の材料の具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。【０１３４】
具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同 ５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。【０１３５】
正孔注入・輸送層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば、４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
この他に特許３５７１９７７号で開示されている下記式で表される含窒素複素環誘導体も用いることができる。【０１３６】
【化６５】
2009145016.tif 000067
【０１３７】
式中、Ｒ121〜Ｒ126は、それぞれ置換又は無置換のアルキル基、置換又は無置換のアリール基、置換又は無置換のアラルキル基、置換又は無置換の複素環基のいずれかを示す。但し、Ｒ121〜Ｒ126は同じでも異なっていてもよい。また、Ｒ121とＲ122、Ｒ123とＲ124、Ｒ125とＲ126、Ｒ121とＲ126、Ｒ122とＲ123、Ｒ124とＲ125が縮合環を形成していてもよい。
さらに、米国公開２００４／０１１３５４７で記載されている下記式の化合物も用いることができる。【０１３８】
【化６６】
2009145016.tif 000068
【０１３９】
式中、Ｒ131〜Ｒ136は置換基であり、好ましくはシアノ基、ニトロ基、スルホニル基、カルボニル基、トリフルオロメチル基、ハロゲン等の電子吸引基である。
これらの材料に代表されるように、アクセプター性材料も正孔注入材料として用いることができる。これらの具体例は上述した通りである。
さらに、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入・輸送層の材料として使用することができる。
正孔注入・輸送層は本発明の芳香族アミン誘導体を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入・輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。この正孔注入・輸送層は、正孔輸送帯域に本発明の芳香族アミン誘導体を含有していれば、上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよく、前記正孔注入・輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入・輸送層を積層したものであってもよい。
また、発光層への正孔注入を助ける層として有機半導体層を設けてもよく、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【０１４０】
正孔注入層または正孔輸送層に用いる材料としては、通常、有機ＥＬ素子に使用される材料を用いることができる。具体的には、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、ポリシラン系、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー等を挙げることができる。電子輸送層に用いる材料としては、通常、有機ＥＬ素子に使用される材料を用いることができる。例えば８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用いることができる。これらの層の厚みや形成方法も、有機ＥＬ素子に通常用いられる厚みや方法を採用すればよい。【０１４１】
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもできる。【０１４２】
本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、正孔注入層、及び電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。【０１４３】
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。【０１４４】
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。【０１４５】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。  本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、ピンホール等の欠陥や、効率を良くするため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【０１４６】
次に、実施例および比較例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
合成例１〜１７および１８〜２７において合成した中間体１〜１７および１８〜２７の構造は下記のとおりである。【０１４７】
【化６７】
2009145016.tif 000069
【０１４８】
【化６８】
2009145016.tif 000070
【０１４９】
＜合成例１（中間体１の合成）＞
アルゴン気流下、１０００ミリリットルの三つ口フラスコに４−ブロモビフェニルを４７ｇ、ヨウ素を２３ｇ、過ヨウ素酸２水和物を９．４ｇ、水を４２ミリリットル、酢酸を３６０ミリリットル、硫酸を１１ミリリットル入れ６５℃で３０分撹拌後、９０℃で６時間反応した。反応物を氷水に注入し、ろ過した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより６７ｇの白色粉末を得た。フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）の分析により、Ｃ12Ｈ8ＢｒＩ＝３５９に対し、ｍ/z＝３５８と３６０の主ピークが得られたので、中間体１と同定した。【０１５０】
＜合成例２（中間体２の合成）＞
合成例１において４−ブロモビフェニルのかわりに2−ブロモ−9，9−ジメチルフルオレンを用いる以外は同様に反応を行ったところ、６１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ15Ｈ12ＢｒＩ＝３９９に対し、ｍ/z＝３９８と４００の主ピークが得られたので、中間体２と同定した。【０１５１】
＜合成例３（中間体３の合成）＞
ジベンゾフラン１５０ｇ（８９２ミリモル）と酢酸１リットルをフラスコに仕込み、窒素置換し、加熱溶解させた。臭素１８８ｇ（１．１８モル）を時々水冷しながら滴下した後、空冷下２０時間撹拌した。析出した結晶を濾別し、酢酸、水で順次洗浄し、減圧下乾燥させた。得られた結晶を、減圧蒸留にて精製しした後、メタノールで数回再結晶を繰り返し、2-ブロモジベンゾフラン６６．８ｇ（収率３１％）を得た。
アルゴン雰囲気下、2-ブロモジベンゾフラン２４．７ｇ(１００ミリモル)に無水ＴＨＦ４００ミリリットルを加え、−４０℃で撹拌中に、１．６Ｍ濃度のｎ-ブチルリチウムのヘキサン溶液６３ミリリットル(１００ミリモル)を加えた。反応溶液を０℃まで加温しながら１時間攪拌した。反応溶液を再び−７８℃まで冷却し、ホウ酸トリメチル２６．０ｇ（２５０ミリモル）の乾燥ＴＨＦの５０ミリリットル溶液を滴下した。反応溶液を室温で５時間攪拌した。１Ｎ塩酸２００ミリリットルを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を減圧留去した。得られた固体をトルエンで洗浄し、ジベンゾフラン-2-ボロン酸１５．２ｇ（収率７２％）を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、Ｃ12Ｈ9ＢＯ3＝２１２に対し、ｍ/z＝２１２の主ピークが得られたので、中間体２と同定した。【０１５２】
＜合成例４（中間体４の合成）＞
ｍ−ターフェニル２５０ｇ（アルドリッチ社製）とヨウ化水素酸・二水和物５０ｇとヨウ素７５ｇと酢酸７５０ミリリットル と濃硫酸２５ミリリットルを三口フラスコにいれ、７０℃で３時間反応させた。反応後、メタノール５リットルに注入し、その後１時間撹拌した。これを濾取し、得られた結晶をカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、アセトニトリルで再結晶し、白色粉末を６４ｇ得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体４と同定した。【０１５３】
＜合成例５（中間体５の合成）＞
アルゴン雰囲気下、4-ヨードブロモベンゼン２８．３ｇ（１００ミリモル）、ジベンゾフラン-4-ボロン酸２２．３ｇ（１０５ミリモル）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) ２．３１ｇ（２．００ミリモル）にトルエン３００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１５０ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4-(4-ブロモフェニル)ジベンゾフランの白色結晶２６．２ｇを得た(収率８１％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体５と同定した。【０１５４】
＜合成例６（中間体６の合成）＞
合成例５において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体１を３６ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体６と同定した。【０１５５】
＜合成例７（中間体７の合成）＞
合成例５において、４−ヨードブロムベンゼンの代わりに中間体２を４０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体７と同定した。【０１５６】
＜合成例８（中間体８の合成）＞
合成例７において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりにフェニルボロン酸を１２．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、１９．７ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体８と同定した。【０１５７】
＜合成例９（中間体９の合成）＞
合成例５において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体３を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２３．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体９と同定した。【０１５８】
＜合成例１０（中間体１０の合成）＞
合成例６において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体３を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１０と同定した。【０１５９】
＜合成例１１（中間体１１の合成）＞
合成例７において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体３を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２７．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１１と同定した。【０１６０】
＜合成例１２（中間体１２の合成）＞
アルゴン気流下、２００ミリリットルの三つ口フラスコにベンズアミド（東京化成社製）５．７ｇ、４−ブロモ-p-テルフェニル（東京化成社製）３２．３ｇ、ヨウ化銅（Ｉ）（和光純薬社製）１．６４ｇ、Ｎ，Ｎ‘−ジメチルエチレンジアミン（アルドリッチ社製）１．５２ｇ、炭酸カリウム（和光純薬社製）２３．２ｇ及びキシレン１２０ミリリットルを入れ、１３０℃にて３６時間反応させた。
冷却後、ろ過しトルエンで洗浄した。さらに水とメタノールで洗浄した後、乾燥したところ、２３ｇの淡黄色粉末を得た。
３００ミリリットルの三つ口フラスコに上記粉末２３．０ｇ、水酸化カリウム（和光純薬社製）２４．８ｇ、イオン交換水２１ミリリットル、キシレン（和光純薬社製）２８ミリリットル、エタノール（和光純薬社製）１５ミリリットルを入れ、３６時間還流させながら加熱した。反応終了後、トルエンで抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥した。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製した。トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、１０．２ｇの白色粉末として中間体１２を得た。【０１６１】
＜合成例１３（中間体１３の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１３と同定した。【０１６２】
＜合成例１４（中間体１４の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１４と同定した。【０１６３】
＜合成例１５（中間体１５の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルを１６．２ｇ、ベンズアミドの代わりに１−アセトアミドナフタレンを８．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１５と同定した。【０１６４】
＜合成例１６（中間体１６の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．３ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１６と同定した。【０１６５】
＜合成例１７（中間体１７の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．１ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１７と同定した。【０１６６】
＜合成例１８（中間体１８の合成）＞
合成例５において、4-ヨードブロムベンゼンの代わりに3-ヨードブロムベンゼンを２８．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２１．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１８と同定した。【０１６７】
＜合成例１９（中間体１９の合成）＞
合成例３において、2-ブロモジベンゾフランの代わりに中間体１８を３２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体１９と同定した。【０１６８】
＜合成例２０（中間体２０の合成）＞
合成例５において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体１９を３０．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３１．９ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２０と同定した。【０１６９】
＜合成例２１（中間体２１の合成）＞
合成例１８において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体３を２２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２５．９ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２１と同定した。【０１７０】
＜合成例２２（中間体２２の合成）＞
合成例３において、2-ブロモジベンゾフランの代わりに中間体２１を３２．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２１．６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２２と同定した。【０１７１】
＜合成例２３（中間体２３の合成）＞
合成例５において、ジベンゾフラン-4-ボロン酸の代わりに中間体２２を３０．３ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、３０．６ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２３と同定した。【０１７２】
＜合成例２４（中間体２４の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体１８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、９．８ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２４と同定した。【０１７３】
＜合成例２５（中間体２５の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体２１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、１０．２ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２５と同定した。【０１７４】
＜合成例２６（中間体２６の合成）＞
アルゴン雰囲気下、1-ブロモ-3-フルオロ-4-ヨードベンゼン１２０．０ｇ（３９９ミリモル）、2-メトキシフェニルボロン酸７２．７ｇ（４７９ミリモル）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) ９．２ｇ（７．９６ミリモル）にトルエン１０００ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液５００ミリリットルを加え、１０時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4-ブロモ-2-フルオロ-2'-メトキシビフェニルの白色結晶８９．６ｇを得た(収率８０％)。
アルゴン雰囲気下、4-ブロモ-2-フルオロ-2'-メトキシビフェニル８９．６ｇ（３１９ミリモル）にジクロロメタン９００ミリリットルを加え、氷冷下撹拌した。三臭化ホウ素９５．９ｇ（３８２ミリモル）を滴下して加え、その後、室温で１２時間撹拌した。
反応終了後、水２００ミリリットルを加え、1時間攪拌後、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、4-ブロモ-2-フルオロ-2'-ヒドロキシビフェニルの白色結晶６８．１ｇを得た(収率７０％)。
4-ブロモ-2-フルオロ-2'-ヒドロキシビフェニル６８．１ｇ（２５５ミリモル）、炭酸カリウム７０．４ｇ（５１０ミリモル）にＮ-メチルピロリドン１５００ミリリットルを加え、１８０℃で３時間撹拌した。
反応終了後、水を加え、トルエンで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をトルエンから再結晶して精製し、3-ブロモジベンゾフランの白色結晶４４．２ｇを得た(収率６０％)。
アルゴン雰囲気下、3-ブロモジベンゾフラン３４．２ｇ（１３８ミリモル）、4-クロロフェニルボロン酸２６．０ｇ（１６６ミリモル）、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)パラジウム(0) ３．２ｇ（２．７７ミリモル）にトルエン３５０ミリリットル、２Ｍ濃度の炭酸ナトリウム水溶液１７０ミリリットルを加え、１２時間還流させながら加熱した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、２３．１ｇの白色結晶を得た(収率６０％)。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２６と同定した。【０１７５】
＜合成例２７（中間体２７の合成）＞
合成例１２において、４−ブロモ-p-テルフェニルの代わりに中間体２６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．５ｇの白色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、中間体２７と同定した。【０１７６】
下記合成実施例１〜１４において合成した本発明の芳香族アミン誘導体である化合物Ｈ１〜Ｈ１４、及び比較例１〜４で使用した比較化合物１〜４の構造は下記のとおりである。【０１７７】
【化６９】
2009145016.tif 000071
【０１７８】
【化７０】
2009145016.tif 000072
【０１７９】
〔合成実施例１（化合物Ｈ１の合成）〕
アルゴン気流下、中間体５を６．５ｇ、中間体１２を９．５ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６ｇ（広島和光社製）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）９２ｍｇ （アルドリッチ社製）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４２ｍｇ及び脱水トルエン１００ミリリットル を入れ、８０℃にて８時間反応させた。
冷却後、水５００ミリリットルを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、８．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１と同定した。【０１８０】
〔合成実施例２（化合物Ｈ２の合成）〕
合成実施例１において、中間体１２の代わりに中間体１３を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２と同定した。【０１８１】
〔合成実施例３（化合物Ｈ３の合成）〕
合成実施例１において、中間体１２の代わりに中間体１４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．４ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ３と同定した。【０１８２】
〔合成実施例４（化合物Ｈ４の合成）〕
合成実施例１において、中間体１２の代わりに中間体１５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ４と同定した。【０１８３】
〔合成実施例５（化合物Ｈ５の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、８．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ５と同定した。【０１８４】
〔合成実施例６（化合物Ｈ６の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体７を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ６と同定した。【０１８５】
〔合成実施例７（化合物Ｈ７の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに４−ブロモ-p-テルフェニルを用い、中間体１２の代わりに中間体１６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．５ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ７と同定した。【０１８６】
〔合成実施例８（化合物Ｈ８の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体９を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ８と同定した。【０１８７】
〔合成実施例９（化合物Ｈ９の合成）〕
合成実施例８において、中間体１２の代わりに中間体１３を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ９と同定した。【０１８８】
〔合成実施例１０（化合物Ｈ１０の合成）〕
合成実施例８において、中間体１２の代わりに中間体１４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１０と同定した。【０１８９】
〔合成実施例１１（化合物Ｈ１１の合成）〕
合成実施例８において、中間体１２の代わりに中間体１５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１１と同定した。【０１９０】
〔合成実施例１２（化合物Ｈ１２の合成）〕
合成実施例８において、中間体９の代わりに中間体１０を用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１２と同定した。【０１９１】
〔合成実施例１３（化合物Ｈ１３の合成）〕
合成実施例８において、中間体９の代わりに中間体１１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１３と同定した。【０１９２】
〔合成実施例１４（化合物Ｈ１４の合成）〕
合成実施例８において、中間体９の代わりに４−ブロモ-p-テルフェニルを用い、中間体１２の代わりに中間体１７を用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ７と同定した。【０１９３】
〔合成実施例１５（化合物Ｈ１５の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体１８を用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．９ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１５と同定した。【０１９４】
〔合成実施例１６（化合物Ｈ１６の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体２０を用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１６と同定した。【０１９５】
〔合成実施例１７（化合物Ｈ１７の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに４−ブロモ-p-テルフェニルを用い、中間体１２の代わりに中間体２４を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１７と同定した。【０１９６】
〔合成実施例１８（化合物Ｈ１８の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体２１を用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．６ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１８と同定した。【０１９７】
〔合成実施例１９（化合物Ｈ１９の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体２３を用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．１ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ１９と同定した。【０１９８】
〔合成実施例２０（化合物Ｈ２０の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに４−ブロモ-p-テルフェニルを用い、中間体１２の代わりに中間体２５を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２０と同定した。【０１９９】
〔合成実施例２１（化合物Ｈ２１の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに中間体２６を用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．３ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２１と同定した。【０２００】
〔合成実施例２２（化合物Ｈ２２の合成）〕
合成実施例１において、中間体５の代わりに４−ブロモ-p-テルフェニルを用い、中間体１２の代わりに中間体２７を用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．２ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物Ｈ２２と同定した。
化合物Ｈ１５〜２２の構造式を以下に示す。【０２０１】
【化７１】
2009145016.tif 000073
【０２０２】
［実施例１（有機ＥＬ素子の製造）]
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚８０ｎｍの化合物Ｈ１層を成膜した。この膜は正孔注入・正孔輸送層として機能する。さらに膜厚４０ｎｍの下記化合物ＥＭ１を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物Ｄ１を、ＥＭ１とＤ１の重量比が４０：２になるように蒸着した。この膜は、発光層として機能する。
この膜上に膜厚１０ｎｍの下記Ａｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０ｎｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ素子を形成した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察した。発光効率はミノルタ製ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、１０ｍＡ／ｃｍ2における発光効率を算出した。さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０２０３】
【化７２】
2009145016.tif 000074
【０２０４】
［実施例２〜１４（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０２０５】
［比較例１〜４］
実施例１において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに前記比較化合物１（比較例１）〜比較化合物４（比較例４）を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
また、得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０２０６】
［実施例１５（有機ＥＬ素子の製造）］
実施例１において、スチリル基を有するアミン化合物Ｄ１の代わりに下記アリールアミン化合物Ｄ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。化合物Ｄ２におけるＭｅはメチル基である。
得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０２０７】
【化７３】
2009145016.tif 000075
【０２０８】
［比較例５］
実施例１５において、正孔輸送材料として化合物Ｈ１の代わりに上記比較化合物１を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子について、発光効率を測定し、発光色を観察し、さらに、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2、室温、ＤＣ定電流駆動での発光の半減寿命を測定した結果を表１に示す。【０２０９】
【表１】
2009145016.tif 000076
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族アミン誘導体は分子が結晶化しにくく、これを有機薄膜層に含有させることによって、有機ＥＬ素子を製造する際の歩留りが向上し、寿命が長い有機ＥＬ素子を実現できる。
【国際調査報告】
2009145016.tif 000088
2009145016.tif 000089
2009145016.tif 000090
2009145016.tif 000091