(57)【要約】  製膜プロセスが簡便な塗布プロセスで製造した薄膜トランジスタにおいて、ＴＦＴ特性のばらつきが小さな薄膜トランジスタを提供する。  基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであって、ゲート電極がチャネル長より細い線幅で形成され、かつ、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成され、前記ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極に向かって互いに重なることなく複数本設置されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであって、
ゲート電極がチャネル長より細い線幅で形成され、かつ、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成され、
前記ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極に向かって互いに重なることなく複数本設置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート電極が塗布工程で形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート電極の塗布工程がインクジェットまたはディスペンサで形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート電極がディスペンサ装置による塗布工程で形成され、
単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれが１回の吐出動作で形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート電極がインクジェット装置による塗布工程で形成され、
単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれがゲート電極の長さ方向に１ドット吐出の重ね合わせで形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
チャネルを形成する半導体材料が有機材料またはカーボンナノチューブまたはカーボンナノチューブを含有する混合物であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料もしくはカーボンナノチューブを半導体層として有する薄膜トランジスタに関し、特に、トランジスタ特性のばらつきの小さなＴＦＴ(Thin Film Transistor)を得ることに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタは、液晶表示装置等の表示用のスイッチング素子として広く用いられている。従来、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとも呼ぶ）は、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されていた。【０００３】
しかし、このようなシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ装置は、非常に高額であり、ＴＦＴを用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増加を伴うという問題点があった。【０００４】
また、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるので、基板として使用可能な材料の種類が限られ、従って、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。【０００５】
上記問題を解決するために、アモルファスや多結晶のシリコンに代えて有機物あるいはカーボンナノチューブを用いたＴＦＴが提案されている。【０００６】
有機物あるいはカーボンナノチューブでＴＦＴを形成する際に用いる成膜方法として真空蒸着法や塗布法等が知られているが、これらの成膜方法によれば、コストアップを抑えつつ素子の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロセス温度を比較的低温にすることができる。【０００７】
このため、有機物あるいはカーボンナノチューブを用いたＴＦＴでは、基板に用いる材料の選択時の制限が少ないといった利点が得られ、その実用化が期待される。【０００８】
実際、近年、有機物を用いたＴＦＴは盛んに報告されるようになった。この報告例として、特許文献１から特許文献８および非特許文献１から非特許文献１６などを挙げることができる。【０００９】
ＴＦＴの有機化合物層に用いる有機物としては、共役系ポリマーやチオフェンなどの多量体（特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５等）、或いは、金属フタロシアニン化合物（特許文献６）、またペンタセンなどの縮合芳香族炭化水素（特許文献７、特許文献８）などが、単体或いは他の化合物との混合物の状態で用いられている。【００１０】
一方、カーボンナノチューブを用いたＴＦＴも盛んに発表されており、非特許文献１７では、シリコンもしくはシリコン以上の性能を有することが示されている。【００１１】
また、半導体層の材料として有機材料やカーボンナノチューブを使用することにより、素子の基板もガラスなどの硬い材料はもちろんのこと、樹脂やプラスチックを適用することで素子全体にフレキシブル性を持たせることが可能となり、フレキシブルＴＦＴに関する研究も盛んに行われている。【００１２】
さらに、有機もしくはカーボンナノチューブＴＦＴの製造プロセスとして溶液もしくは分散液を用いた塗布プロセスを採用することができるため、低コスト化等を目標とした塗布プロセス、印刷プロセスを適用した製造方法の研究も盛んに行われている。【００１３】
ここで、代表的な有機もしくはカーボンナノチューブＴＦＴの断面構造を図１に示す。このＴＦＴは、基板１１上に、ゲート電極（層）１４および絶縁体層１６をこの順に有し、絶縁体層１６上に、所定の間隔をあけて形成されたソース電極１２およびドレイン電極１３を有している。【００１４】
双方の電極１２、１３の一部表面を含み、電極１２、１３間に露出する絶縁体層１６上には、半導体層１５が形成されている。このような構成を有するＴＦＴでは、半導体層１５がチャネル領域を成しており、ゲート電極１４に印加される電圧でソース電極１２とドレイン電極１３の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
【特許文献１】特開平８−２２８０３４号公報
【特許文献２】特開平８−２２８０３５号公報
【特許文献３】特開平９−２３２５８９号公報
【特許文献４】特開平１０−１２５９２４号公報
【特許文献５】特開平１０−１９０００１号公報
【特許文献６】特開２０００−１７４２７７号公報
【特許文献７】特開平５−５５５６８号公報
【特許文献８】特開２００１−９４１０７号公報
【非特許文献１】F. Ebisawa，Journal of Applied Physics，５４巻，３２５５頁，１９８３年
【非特許文献２】A. Assadi，Applied Physics Letter，５３巻，１９５頁，１９８８年
【非特許文献３】G. Guillaud，Chemical Physics Letter，１６７巻，５０３頁，１９９０年
【非特許文献４】X. Peng，Applied Physics Letter，５７巻，２０１３頁，１９９０年
【非特許文献５】G. Horowitz, Synthetic Metals, ４１−４３巻，１１２７頁，１９９１年
【非特許文献６】S. Miyauchi，Synthetic Metals，４１−４３巻，１９９１年
【非特許文献７】H. Fuchigami，Applied Physics Letter，６３巻，１３７２頁，１９９３年
【非特許文献８】H. Koezuka，Applied Physics Letter，６２巻，１７９４頁，１９９３年
【非特許文献９】F. Garnier，Science，２６５巻，１６８４頁，１９９４年
【非特許文献１０】A. R. Brown，Synthetic Metals，６８巻，６５頁，１９９４年
【非特許文献１１】A. Dodabalapur，Science，２６８巻，２７０頁，１９９５年
【非特許文献１２】T. Sumimoto，Synthetic Metals，８６巻，２２５９頁，１９９７年
【非特許文献１３】K. Kudo，Thin Solid Films，３３１巻，５１頁，１９９８年
【非特許文献１４】K. Kudo，Synthetic Metals，１０２巻，９００頁，１９９９年
【非特許文献１５】K. Kudo，Synthetic Metals，１１１−１１２巻，１１頁、２０００年
【非特許文献１６】P. Avouris, Proc.IEEE, ９１巻, １１号, 1772頁, ２００３年
【非特許文献１７】S.wind、Applied Physics Letter 2002年5月20日号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、上記のＴＦＴを均一にばらつきなく製造使用とする場合、ゲート電極およびゲート絶縁膜の形状、表面性の制御が重要である。【００１６】
チャネル構成半導体層が均一に形成できたとしてもゲート電極およびゲート絶縁膜の形状、表面性を同一に作製することができなければ製造したＴＦＴの特性も同一にすることはきわめて困難である。【００１７】
ＴＦＴの性能を一定に保つためにはチャネル材料の製膜制御も重要であるがゲート電極、ゲート絶縁膜の製造制御も非常に重要である。【００１８】
特にゲート電極を溶液もしくは分散液から製造する塗布プロセスを適用する場合、さらに塗布プロセスのなかでもディスペンサやインクジェット法を用いて製造する場合、大きな線幅の電極を製造したり、大面積の電極を均一に形成することは非常に困難である。【００１９】
通常、重ね塗り等を行うことによって線幅の大きな電極を形成するが、重ね合わせの部分とそれ以外の部分との膜厚に不均一が生じ、このことがゲート電極の形状ばらつきを引き起こし、ＴＦＴ特性のばらつきを生じさせる。【００２０】
本発明は、上記に鑑み、形状制御が困難な塗布プロセスの適用においてもゲート電極、ゲート絶縁膜の形状、表面の制御が容易に行うことができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、本発明にかかる第１の薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであって、
ゲート電極がチャネル長より細い線幅で形成され、かつ、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成され、前記ゲート電極は、ソース電極からドレイン電極に向かって互いに重なることなく複数本設置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、特定の形状を有するＴＦＴを用いることによって、ゲート電極、ゲート絶縁膜の形状、表面制御が容易に実現でき、さらに形状制御が実現でき、性能ばらつきを小さくできる薄膜トランジスタを提供することを可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明は、特定の形状を有するＴＦＴを用いることによって、ゲート電極、ゲート絶縁膜の形状、表面制御が容易に実現でき、さらに形状制御が実現できることによりＴＦＴとしての性能ばらつきを小さくできることを見出した。【００２４】
本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであり、ゲート電極が、チャネル長より細い線幅で形成され、かつ断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成されることを特徴とする。【００２５】
また好ましくは、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成されるゲート電極がお互いに独立させる。【００２６】
ここで記載する断面の半円、半楕円の形状とは厳密な幾何学的な半円、半楕円形状を示すだけでなく、円、楕円の一部を弦で切り取った形状も含まれる。また、断面を構成する弧は厳密に幾何学的に正確な弧であるほかに、液状の物質が乾燥した際に出来る円、楕円に近似した構造の弧も含まれる。【００２７】
ディスペンサ法やインクジェット法の場合、一定の条件で描画した単線の制御は比較的容易に行えるが、それぞれを重ね合わせて線幅の大きな線を描画しようとすると重ね合わせの部分のみ厚くなってしまったりにじんだりして表面の均一性を確保することが困難である。【００２８】
そこで、本発明の構造においては、ある程度制御可能な単線をひとつあるいは複数ゲート電極として利用することで、ゲート電極あるいはゲート絶縁膜の形状、表面が制御されたＴＦＴを得ることができる。【００２９】
さらにゲート電極あるいはゲート絶縁膜の形状、表面が制御されたＴＦＴを得るために本発明は、ゲート電極がディスペンサ装置による塗布工程で形成される薄膜トランジスタのばあい、単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれは１回の吐出動作で形成されることを特徴とし、ゲート電極がインクジェット装置による塗布工程で形成される薄膜トランジスタのばあい、単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれがゲート電極の長さ方向に１ドット吐出の重ね合わせで形成されることを特徴とする。【００３０】
ディスペンサ装置を使用した塗布工程において、細線を形成する場合、一定の吐出条件で溶液を吐出させながら吐出ヘッドを移動させることにより1回の吐出動作で細線を形成することが出来る。また、形成された細線は溶液の吐出条件を一定にすることで線幅、厚みを一定に制御することが可能である。【００３１】
この細線を単独あるいは複数重ならないように配置することによって一定の形状のゲート電極を得ることができる。【００３２】
インクジェット装置を使用した塗布工程においては、其の構造上連続した細線を１回の吐出で形成することは不可能であり、細線を形成する場合、１ドット吐出を線の長さ方向に重ね合わせ細線を形成する。【００３３】
この場合、隣接したドット同士の吐出時間は極めて短くすることが可能であり、液滴の濃度等が変化しないうちに次の液滴が形成されるためにドットとドットが重なってもお互いが結合し一定の連続した細線を形成することができる。【００３４】
これと比較して細線を重ね合わせて幅の広い線を形成する場合、先に形成された細線と次に形成される細線の形成時間が長くなり、重ね合わせた部分の液滴の濃度差等から一定の形状の線を形成することは困難となる。【００３５】
本発明のＴＦＴ構造はゲート電極あるいはゲート絶縁膜の形状、表面を均一に製造することが可能である構造であり、それぞれの構成材料の作製プロセスを限定されるものでない。したがって、一般的な薄膜製造方法である、真空蒸着法、スパッタリング法、塗布法などで製造することが可能である。【００３６】
以下、図面等を参照し、本発明をさらに詳細に説明する。図２は、本発明にかかる第１のＴＦＴの構成を示す断面図および平面図である。図３は、本発明にかかる第２のＴＦＴの構成を示す断面図および平面図である。図４は、本発明にかかる第３のＴＦＴの構成を示す断面図および平面図である。【００３７】
本発明にかかる第１のＴＦＴは、図２に示すように、１対のソース電極１２とドレイン電極１３を有している。【００３８】
第１のＴＦＴは、図２に示すように、一般的な電界効果トランジスタ(ＦＥＴ:Field Effect Transistor)構造を有している。【００３９】
本発明にかかるＴＦＴは、半導体層（有機化合物層もしくはカーボンナノチューブ層）１５と、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極（第１の電極）１２およびドレイン電極（第２の電極）１３と、電極１３、１４からそれぞれ所定の距離をあけて形成されたゲート電極（第３の電極）１４とを有し、ゲート電極１４に電圧を印加することによってソース／ドレイン電極１２、１３間に流れる電流を制御する構成を備える。【００４０】
基板１１として用いることが可能な材料としては、ガラス、シリコン等の無機材料やアクリル系樹脂のようなプラスチックなどその上に形成されるＴＦＴを保持できる材料であれば特に限定はされない。また、基板以外の構成要素によりＴＦＴの構造を十分に支持し得る場合には、使用しない事も可能である。【００４１】
ソース電極１２、ドレイン電極１３およびゲート電極１４にそれぞれ用いることが可能な材料としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅、インジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等の金属や合金の他、導電性ポリマーなどの有機材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００４２】
半導体層１５に含まれる化合物として、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環式芳香族化合物や、銅フタロシアニン、亜鉛フタロシアニン等のフタロシアニン系化合物、アミン系化合物、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール等のポリマー等半導体特性を有する有機化合物もしくはカーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブを含有した混合物を使用することが出来るが半導体特性を有する材料であれば特に限定されない。【００４３】
ゲート絶縁膜１６に用いることが可能な材料としては、二酸化ケイ素膜、窒化珪素膜のような無機化合物のほか、アクリル樹脂、ポリイミドのような有機絶縁性材料を使用することが出来るが、電気絶縁性を有していれば用いることができとくに限定されない。【００４４】
電極１２，１３の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、エッチング法、リフトオフ等通常の電極形成プロセスを利用でき、特に限定されない。【００４５】
また、導電性ポリマーのような有機材料や、銀ペーストや金属粒子を含んだ分散液、金属の有機化合物を電極として使用する場合には、スピンコート法、ディップ法、ディスペンサ法、インクジェット法等の溶液プロセスも利用することができ、この場合にも特に限定されない。【００４６】
電極１４の作製方法としては、ディスペンサ法、インクジェット法等の細線の描画が可能な溶液プロセスであれば特に限定されない。【００４７】
電極１４の形状としては、図３に示す本発明にかかる第２のＴＦＴは、図３に示すように直線からなる細線を１本もしくは複数本備える構造である。【００４８】
チャネル長（ソース電極とドレイン電極との距離）よりも電極１４の線幅が小さいことが良好なＴＦＴを得るための条件であるが、電極１４の線幅がチャネル長と比較して数分の一以下の場合、電流を変調できるゲート電極部位が小さくなり変調しにくくなるため、その場合、複数本の電極１４を備えることが望ましい。電極１４を複数本備える場合は、お互いが独立に存在することが必要である。【００４９】
また、電極１４を複数本備える場合、図３に示す本発明にかかる第２のＴＦＴに示すように直線形状からなる電極１４を複数配置しても図４に示す本発明にかかる第３のＴＦＴに示すように1本の電極１４を屈曲させて配置させても良い。【００５０】
半導体層１５の形成方法としては、真空蒸着法等のドライプロセスの他、スピンコート法、ディップ法、ディスペンサ法、インクジェット法等の溶液プロセスも利用することができ、特に限定されない。【００５１】
ゲート絶縁膜１６の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法等のドライプロセスの他、スピンコート法、ディップ法、ディスペンサ法、インクジェット法等の溶液プロセスも利用することができ、特に限定されない。【００５２】
本発明にかかる第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、第３のＴＦＴにおける半導体薄膜層１５の膜厚は、特に制限されることはない。【００５３】
しかし、一般に、膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎるとチャネル長が長くなり、或いは高い印加電圧が必要となってＴＦＴの性能劣化の要因になるので、数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例をもとに本発明を詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。【００５５】
［実施例１］
本実施例では、実施形態例で説明した図３の第２のＴＦＴを以下の手順で作製した。【００５６】
まず、ガラス基板１１上にナノ銀コロイド溶液をディスペンサ装置を用いて線幅１００μｍ、間隔２００μmで２本形成し１５０℃で３０分加熱することによりゲート電極１４とした。【００５７】
このとき線幅１００μｍのゲート電極は１回の吐出動作で形成した。【００５８】
次いで、このゲート電極１４上に、二酸化ケイ素膜スパッタリング法によって２００ｎｍの膜厚に成膜し、これを絶縁体層１６とした。【００５９】
さらに、この絶縁体層１６上に、ディスペンサ装置を用いてゲート電極１４を挟み込む形でナノ銀コロイド溶液を線幅２００μｍ、間隔５００μｍで2本製膜することで、ソース電極１２およびドレイン電極１３を形成した。【００６０】
続いて、ディスペンサ装置を用いてポリ(３−ヘキシル)チオフェン溶液を直径７００μｍの大きさで上記ソース電極・ドレイン電極、絶縁薄膜層で囲まれた領域に４滴塗布し半導体層１５を形成しＴＦＴ１０１を得た。【００６１】
同様の製造方法でＴＦＴ２０個を作製し、ゲート電圧−２０Ｖ、ドレイン電圧−１０Ｖのときの電流値を測定し、最大電流と最小電流の比を算出した。【００６２】
その結果、比は１．０８であり、比較例１と比較して良好な値が得られた。【００６３】
以下に表１を示す。【００６４】
【表１】
2009096525.tif 000003
【００６５】
［比較例１］
線幅１００μmのゲート絶縁膜１４を４００μmの間に５本重ね塗りしてゲート電極とした以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０２を得た。【００６６】
作製した有機ＴＦＴ１０２について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は８．７であった。【００６７】
［実施例２］
半導体材料として表２に示す（Ｆ８Ｔ２）の化合物を用いた以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０３を得た。【００６８】
作製したＴＦＴ１０３について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表２（２．０１）に示す結果であった。【００６９】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。以下に表２を示す。【００７０】
【表２】
2009096525.tif 000004
【００７１】
［実施例３］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた（ペンタセン）の以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０４を得た。【００７２】
作製したＴＦＴ１０４について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表２に示す結果（１．８６）であった。【００７３】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００７４】
［実施例４］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた（カーボンナノチューブトルエン溶液）の以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０５を得た。【００７５】
作製したＴＦＴ１０５について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表２に示す結果（２．２１）であった。【００７６】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００７７】
［実施例５］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた（カーボンナノチューブ水分散液）の以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０６を得た。【００７８】
作製したＴＦＴ１０６について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表２に示す結果（１．５４）であった。【００７９】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００８０】
［実施例６］
基板１１としてポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用いた以外は実施例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０７を得た。【００８１】
作製した有機ＴＦＴ１０７について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は２．５５であった。【００８２】
［比較例２］
基板１１としてポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用いた以外は比較例１と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０８を得た。【００８３】
作製した有機ＴＦＴ１０８について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は１８．３であった。【００８４】
［実施例７］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた以外は実施例６と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１０９を得た。【００８５】
作製したＴＦＴ１０９について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表３に示す結果（３．７６）であった。【００８６】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。以下に表３を示す。【００８７】
【表３】
2009096525.tif 000005
【００８８】
［実施例８］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた以外は実施例６と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１１０を得た。【００８９】
作製したＴＦＴ１１０について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表３に示す結果（１．２１）であった。【００９０】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００９１】
［実施例９］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた以外は実施例６と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１１１を得た。【００９２】
作製したＴＦＴ１１１について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表３に示す結果（２．０１）であった。【００９３】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００９４】
［実施例１０］
半導体材料として表２に示した化合物を用いた以外は実施例６と全く同様にＴＦＴを作製し、ＴＦＴ１１２を得た。【００９５】
作製したＴＦＴ１１２について、実施例1と同様の条件で測定した電流値の最大値と最小値の比は、表３（１．６９）に示す結果であった。【００９６】
いずれのＴＦＴにおいても最大電流値と最小電流値の比は良好であった。【００９７】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明に係る薄膜トランジスタは、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正および変更を施した薄膜トランジスタも、本発明の範囲に含まれる。【００９８】
以上説明したように、本発明の薄膜トランジスタによると、ＴＦＴ特性の均一性が良好な薄膜トランジスタを提供することができる。【００９９】
なお、この出願は、２００８年２月１日に出願した、日本特許出願番号２００８−０２３００７号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】一般的なＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図２】本発明にかかる第１のＴＦＴの構成を示す断面図である。
【図３】本発明にかかる第２のＴＦＴの構成を示す平面図である。
【図４】本発明にかかる第３のＴＦＴの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１１    基板
１２    ソース電極
１３    ドレイン電極
１４    ゲート電極
１５    有機薄膜層
１６    絶縁体層
【図１】
2009096525.tif 000006
【図２】
2009096525.tif 000007
【図３】
2009096525.tif 000008
【図４】
2009096525.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極が形成され、ゲート電極上に絶縁性薄膜が配置される薄膜トランジスタであって、
ゲート電極がチャネル長より細い線幅で形成され、かつ、断面が半円、半楕円、凸状構造を有する直線もしくは曲線から形成され、
前記ゲート電極は、互いに重なることなく複数本設置され、インクジェットまたはディスペンサにおける塗布工程で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート電極がディスペンサ装置による塗布工程で形成され、
単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれが１回の吐出動作で形成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート電極がインクジェット装置による塗布工程で形成され、
単数のゲート電極または複数のゲート電極のそれぞれがゲート電極の長さ方向に１ドット吐出の重ね合わせで形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
チャネルを形成する半導体材料が有機材料またはカーボンナノチューブまたはカーボンナノチューブを含有する混合物であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
（削除）
【請求項６】
（削除）
【国際調査報告】
2009096525.tif 000010
2009096525.tif 000011
2009096525.tif 000012
2009096525.tif 000013
2009096525.tif 000014
2009096525.tif 000015