(57)【要約】一端がリッジ導波路３０のコア３１に接続されるリッジコア３２を有している。リッジコア３２は、薄膜部３２ａと、薄膜部３２ａ上に形成されたリッジ状の突起部３２ｂとから成ると共に、一端から他端に向かうにつれて薄膜部３２ａの高さが減少している。さらに、一端がリッジコア３２の他端に接続されると共に他端が細線導波路２０のコア２１に接続される細線コア２２を有している。細線コア２２は、一端から他端に向かうにつれて高さが減少している。
2009096321.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ導波路と細線導波路とを接続する光結合器であって、
一端がリッジ導波路のコアに接続されるリッジコアを有し、
該リッジコアは、薄膜部と、該薄膜部上に形成されたリッジ状の突起部とから成ると共に、前記一端から他端に向かうにつれて前記薄膜部の高さが減少し、
一端が前記リッジコアの前記他端に接続されると共に他端が細線導波路のコアに接続される細線コアをさらに有し、
該細線コアは、前記一端から前記他端に向かうにつれて高さが減少することを特徴とする光結合器。
【請求項２】
前記リッジコアおよび前記細線コアの少なくとも一方は、前記一端から前記他端に向かうにつれて幅が減少するテーパ形状を呈する請求項１に記載の光結合器。
【請求項３】
前記薄膜部は、前記他端において高さがゼロに収れんするように前記一端から該他端に向かうにつれて高さが減少する請求項１に記載の光結合器。
【請求項４】
前記リッジコアの前記突起部と、前記細線コアとは、互いに接続される断面同士が同一の形状である請求項１に記載の光結合器。
【請求項５】
前記リッジコアの前記一端から前記細線コアの前記他端までの長さは、前記リッジコアの前記一端における前記薄膜部の厚さと部の高さの和と、前記細線コアの前記他端における該細線コアの高さとの差の、１０倍以上である請求項１に記載の光結合器。
【請求項６】
リッジ導波路および細線導波路の少なくとも一方と共通の基板上に形成されている請求項１に記載の光結合器。
【請求項７】
前記リッジコアおよび前記細線コアは、半導体から成る請求項１に記載の光結合器。
【請求項８】
前記半導体は、シリコンである請求項７に記載の光結合器。
【請求項９】
前記リッジコアおよび前記細線コアの下方に形成された下層クラッドをさらに有し、該下層クラッドは、半導体への埋込酸化膜によって構成されている請求項１に記載の光結合器。
【請求項１０】
リッジ導波路と、細線導波路と、請求項１に記載の前記光結合器とを有し、リッジ導波路、細線導波路、および前記光結合器が、それらに共通の基板上に形成されている光集積回路。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
本発明は、２つの光導波路を接続するための光導波路の光結合器に関し、特に、光集積回路に適用可能な光結合器に関する。
シリコン・オン・インシュレータ基板（Ｓｉ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  ｗａｆｅｒ：ＳＯＩ基板）は、光集積回路の基板として用いることができる積層基板である。ＳＯＩ基板は、シリコン基板上に形成された二酸化シリコンの薄膜から成る埋め込み酸化膜と、その上に形成されたシリコンの薄膜から成るシリコン活性層とを有している。ＳＯＩ基板を用いた光導波路の例としては、細線導波路と、リッジ導波路（リブ光導波路ともいう）とが知られている。
このうちのＳＯＩ基板を用いた細線導波路は、ＳＯＩ基板の最上層のシリコン活性層を細線状に加工することによって形成される。細線導波路は、シリコンによって構成されたコアと、コアの下の埋め込み酸化膜ならびにコアの横や上部の空気によって構成されたクラッドとを有している。コアの横および上部のクラッドとしては、空気に代えて、二酸化シリコンによって構成されることもある。この場合、コアは、二酸化シリコンに埋め込むことによって形成される。この細線導波路において、導波光は、コアに閉じこめられて伝搬する。
他方、ＳＯＩ基板を用いたリッジ導波路は、ＳＯＩ基板の最上層のシリコン活性層上に細線状の突起部を形成することによって形成される。リッジ導波路は、シリコンによって構成された薄膜部と、薄膜部上に形成されたシリコンによって構成された突起部とから成るリッジ状のコアと、コアの下の埋め込み酸化膜ならびにコアの上の空気によって構成されたリッジコアとを有している。リッジ導波路において、導波光は、コアの近傍に閉じ込められる。リッジ状のコアの上部はさらに、二酸化シリコンで埋め込まれることもある。リッジ導波路の導波光は、コアの薄膜の内、突起の近傍に閉じ込められて伝搬する。
リッジ導波路は、細線導波路に比べて側壁荒れの影響を受け難い。このため、同じ材料系を用いて同じ加工精度で同じ導波モード数の直線の光導波路を製造する場合は、リッジ導波路の方が細線導波路よりも低伝播損失である。一方、細線導波路は、リッジ導波路に比べて光の閉じ込めが強いため、同じ材料系を用いて同じ加工精度で同じ曲率の曲がり光導波路を製造する場合は、細線導波路の方がリッジ導波路よりも低損失である。よって、直線の光導波路と曲線の光導波路とが混在した低損失な光回路を構成するためには、１つのＳＯＩ基板上に、細線導波路、リッジ導波路、ならびに両光導波路を低損失に接続する光結合器が望まれる。
あるいは、細線導波路およびリッジ導波路の一方が形成された１つのＳＯＩ基板の外部入出力部を細線導波路およびリッジ導波路の他方によって構成する場合にも、そのＳＯＩ基板上に、細線導波路とリッジ導波路とを低損失に接続する光結合器が必要とされる。
リッジ導波路と細線導波路とを接続する光結合器は、例えば、本願発明の関連技術である特開２００７−０９３７４３号公報に開示されている。この関連技術に開示された光結合器は、薄膜部と、薄膜部の上の突起部とから成るリッジコアを有している。このリッジコアは、リッジ導波路が接続される一端から細線導波路が接続される他端に向かうにつれて、突起部の幅と薄膜部の厚さが同時に小さくなるような形状を呈している。
この関連技術に開示された光結合器においては、その一端から他端までの間に亘って、リッジコアの突起部の高さは一定である。この場合、他端に接続される細線導波路における光の閉じ込めが一端に接続されるリッジ導波路よりも強くなる虞がある。この結果、たとえリッジ導波路においてシングルモード条件を満たしたとしても、細線導波路において多モード化してしまう虞がある。
また、細線導波路側で多モード化した状態であっても、細線導波路デバイスの設計の条件のために、リッジコアの突起部の高さと細線導波路のコアの高さを異なった値としたい場合がある。
また、リッジ導波路と細線導波路との接続やそれぞれのコアの断面形状の調整が、小さなデバイス構造で行われなければ、光回路全体が大型化し、光回路の集積化の妨げになるという問題もある。
【発明の開示】
【０００２】
それ故、本発明の課題は、細線導波路とリッジ導波路とを、これらのシングルモード条件を満たしつつ、低損失に接続することができる光結合器を提供することである。
本発明の他の課題は、細線導波路のコアの高さと、リッジ導波路のコアの突起部の高さとを、それぞれに最適な、異なる高さに設定することを可能にする光結合器を提供することである。
本発明のさらに他の課題は、高密度化された光集積回路を提供することである。
本発明によれば、シリコン基板上に形成され、リッジ導波路と細線導波路とを接続する光結合器であって、一端がリッジ導波路のコアに接続されるリッジコアを有し、リッジコアは、一端から他端に向かうにつれて高さが減少するテーパ形状を呈し、一端がリッジコアの他端に接続されると共に他端が細線導波路のコアに接続される細線コアをさらに有し、細線コアは、一端から他端に向かうにつれて高さが減少するテーパ形状を呈することを特徴とする光結合器が得られる。
リッジコアおよび細線コアの少なくとも一方は、一端から他端に向かうにつれて幅が減少するテーパ形状を呈していてもよい。
リッジコアは、一端と他端との間に延びる薄膜部と、薄膜部上に形成され、一端と他端との間に延びる突起部とを含み、薄膜部は、他端において高さがゼロに収れんするように一端から他端に向かうにつれて高さが減少するテーパ形状を呈していてもよい。
リッジコアの突起部と、細線コアとは、互いに接続される断面同士が同一の形状であってもよい。
リッジコアの一端から細線コアの他端までの長さは、リッジコアの一端における薄膜部の厚さと突起部の高さの和と、細線コアの他端における細線コアの高さとの差の、１０倍以上であってもよい。
本光結合器は、リッジ導波路および細線導波路の少なくとも一方と共通のシリコン基板上に形成されていていてもよい。
リッジコアおよび細線コアの下方に形成される下層クラッドをさらに有し、下層クラッドは、シリコン基板に形成された埋込酸化膜によって構成されていてもよい。
さらに、本発明によれば、リッジ導波路と、細線導波路と、光結合器とを有し、リッジ導波路、細線導波路、および光結合器は、それらに共通のシリコン基板上に形成されている光集積回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
図１は、本発明の第１の実施例による光結合器を示す斜視図であり、
図２は、図１に示された光結合器の切断線２−２に沿った断面図であり、
図３Ａ〜３Ｆは、図１に示された光結合器の製造方法を説明するための工程図であり、
図４は、本発明の第２の実施例による光結合器を示す斜視図であり、そして、
図５は、図４に示された光結合器の切断線５−５に沿った断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００４】
本発明による光結合器は、一端がリッジ導波路のコアに接続されるリッジコアを有している。リッジコアは、一端から他端に向かうにつれて高さが減少するテーパ形状を呈している。本光結合器はさらに、一端がリッジコアの他端に接続されると共に他端が細線導波路のコアに接続される細線コアを有している。細線コアは、一端から他端に向かうにつれて高さが減少するテーパ形状を呈している。
これにより、リッジ導波路のコアの突起部の高さと、細線導波路のコアの高さとを異なる値に設定することができる。具体的には、リッジ導波路のコアの突起部の薄膜部の表面からの高さを大きく維持したまま、細線導波路のコアの高さを小さくすることができる。この結果、リッジ導波路においてシングルモード条件を満たしながら光閉じ込め効果を奏することと、細線導波路においてシングルモード条件を満たすこととが両立される。
本発明による光結合器は、細線導波路とリッジ導波路とを低損失に接続することができる。
また、本発明による光結合器は、リッジ導波路と細線導波路とを互いの構造上の制約を受けずに同一基板上に混載することを可能にする。このため、光集積回路の設計の自由度が広がる。
また、本発明による光結合器は、リッジ導波路および細線導波路の一方を含む光回路に対してリッジ導波路および細線導波路の他方を外部から接続することを可能にする。
また、本発明による光結合器は、テーパ形状の細線コアによってその高さを調整であるため、細線導波路のコアの高さに余裕を持たせる構造設計を可能にする。これにより、製造の歩留まりと生産性が向上する。
【実施例１】
【０００５】
以下、図面を参照して、本発明の第１の実施例による光結合器を説明する。
図１を参照すると、リッジ導波路３０と細線導波路２０とを接続する本光結合器は、ＳＯＩ基板の二酸化シリコン膜によって構成された下側の下層クラッド１０と、下層クラッド１０上に形成され、ＳＯＩ基板のシリコン膜によって構成されたコアとを有している。尚、上側のクラッドは、図示を省略している。リッジ導波路３０のコア３１は、薄膜部３１ａと、薄膜部３１ａに形成された突起部３１ｂとから成っている。
本光結合器は、図中後方の一端がリッジ導波路３０のコア３１に接続されるリッジコア３２を有している。リッジコア３２は、一端から図中前方の他端に向かうにつれて高さ（厚さ）が減少するテーパ形状を呈している。リッジコア３２は、高さ（厚さ）がテーパ状のテーパ状薄膜部３２ａと、テーパ状薄膜部３２ａ上に形成された突起部３２ｂとから成っている。突起部３２ｂは、テーパ状薄膜部３２ａの上面に沿って傾斜したストレート形状もしくは高さが減少するテーパ形状を呈している。本例において、突起部３２ｂは、傾斜したストレート形状を呈している。
さらに、本光結合器は、図中後方の一端がリッジコア３２の他端に接続されると共に、図中前方の他端が細線導波路２０のコア２１に接続される細線コア２２をさらに有している。細線コア２２は、一端から他端に向かうにつれて高さ（厚さ）が減少するテーパ形状を呈している。
細線コア２２と、リッジコア３２の突起部３２ｂとが互いに接続される断面同士は、同一の形状である。
図１ならびに図２から分かるように、リッジコア３２においては、主にテーパ状薄膜部３２ａの厚さが、細線コア２２に近づくにつれて減少している。特に、細線コア２２に対する境界部において、テーパ状薄膜部３２ａの厚さはゼロである。よって、細線コア２２に対する境界部において、突起部３２ｂの高さは、細線コア２２の高さと等しい。
本光結合器は、本明細書の背景技術の欄において言及した関連技術では具備されていなかった、高さが減少するテーパ形状を呈する細線コア２２を有している。この構造により、本光結合器は、細線導波路２０のコア２１の高さを、リッジコア３２の突起部３２ｂの高さよりも小さく設定できる。
さらに、本光結合器のテーパ状のコアの長さ、即ち、リッジコア３２と細線コア２２との長さの和は、リッジ導波路３０のコア３１の薄膜部３１ａの厚さと突起部３１ｂの高さとの和と、細線導波路２０のコア２１の高さとの差の、１０倍以上であることが好ましい。この場合、リッジ導波路３０と細線導波路２０とが断熱的に結合され、光結合器の透過損失を−２０ｄＢ以下に抑えることができる。
本光結合器の具体的な寸法の例は、次の通りである。
リッジコア３２のテーパ状薄膜部３２ａの最も厚い部分の厚さが０．５μｍ、リッジコア３２の突起部３２ｂの高さが１．０μｍ、リッジコア３２の突起部３２ｂの高さが１．０μｍ、リッジコア３２の突起部３２ｂの幅が０．５μｍである。
また、細線コア２２の最も低い部分の高さが０．１μｍ、細線コア２２の幅が０．５μｍである。
さらに、本光結合器のテーパ状のコアの長さ、即ち、リッジコア３２と細線コア２２との長さの和は、約５０μｍである。本光結合器の透過損失は、−３０ｄＢ以下である。
次に、本光結合器の製造方法を、図３Ａ〜３Ｄを参照して説明する。
まず、図３Ａに示されるように、ＳＯＩ基板を用意する。ＳＯＩ基板は、シリコン膜に加工された埋め込み酸化膜である二酸化シリコン層１００と、二酸化シリコン層１００上に存在するシリコン層２００とを有している。
さらに、ＳＯＩ基板上に、厚膜のフォトレジストを塗布し、リソグラフィによってＳＯＩ基板の図中後方を被覆する図示のような形状のレジスト６１を形成する。
次に、レジスト６１が形成されているシリコン層２００を、フッ酸と硝酸の混合液等のエッチング液を用いたウェットエッチングを行う。このエッチング液は、レジスト６１とシリコン層２００との双方を同時に等方性エッチング可能なものである。レジスト６１としては、エッチング中に徐々に溶解するものを用い、細線コア２２およびリッジコア３２（図１）の所望の全長以上の厚さとすることが好ましい。これにより、エッチング中にレジストが徐々に後退し、長くて緩やかなテーパを作ることができる。
上記等方性エッチングにより、レジスト６１は、後退し、図３Ｂに示される形状のレジスト６２になる。同時に、シリコン層２００もエッチングされ、図３Ｂに示されるように、薄い部分２１０と、厚い部分２２０と、部分２２０の手前に形成された楔状の部分２３０とを含むシリコン層になる。
図３Ｃに示されるように、レジスト６２を除去する。
次いで、細線導波路２０、２２（図１）やコアの突起部３０ｂ、３２ｂ（図１）の所望の幅と同じ幅のレジスト７１を、部分２１０、２３０、および２２０を縦断するように形成する。
さらに、部分２１０、２２０、および部分２３０を含むシリコン層を、異方性ドライエッチングする。
上記異方性ドライエッチングの中途状態を示す図３Ｄを参照すると、シリコン層は、部分２１０と同じ厚さだけエッチングされている。即ち、シリコン層は、二酸化シリコン層１００上に形成された薄い部分２１１と、二酸化シリコン層１００上に形成された厚い部分２２３と、部分２２３上に形成された薄い部分２２１と、部分２２３の手前に形成された楔状の部分２３４と、部分２３４の斜面上の部分２１１および２２１間に形成された部分２３１とを含んでいる。図３Ｄに示されたこの構造は、製造方法は異なるが、関連技術に開示された光結合器の構造と同様である。
異方性ドライエッチングは、部分２２１および２３１がコアの突起部３０ｂおよび３２ｂ（図１）の所望の高さになるまで、続けられる。この結果、ＳＯＩ基板は、図３Ｅに示されるようになる。このドライエッチングは選択エッチングであるため、レジスト７１に覆われていないシリコン層のみエッチングされる一方、二酸化シリコン層１００はエッチングされない。このため、図３Ｄにおけるシリコン層の部分２２３の高さの低下と、部分２３４の後退とのみが起こる。この結果、シリコン層は、図３Ｅに示されるようになる。即ち、このシリコン層は、二酸化シリコン層１００上に形成された部分２１１と、二酸化シリコン層１００上に形成された部分２２４と、部分２２４上に形成された部分２２２と、部分２２４の手前に形成された楔状の部分２３５と、部分２３５の斜面上の部分２２２の手前に形成された部分２３３と、二酸化シリコン層１００上の部分２１１および２３３間に形成された部分２３２とを含んでいる。部分２２４は、部分２２３（図３Ｄ）よりも厚さが薄い。部分２２２は、部分２２１（図３Ｄ）よりも高さが高い。部分２３５は、部分２３４（図３Ｄ）よりも後退している。部分２３２と、部分２３５および２３３の組み合わせとは、どちらもテーパ状を呈している。部分２３２と、部分２３３とは、互いに断面形状が連続している。
異方性ドライエッチングの終了後、図３Ｆに示されるように、レジスト７１を除去する。
以上のようにして、図１に示された構造の光結合器が製造された。この後、必要に応じて、上側のリッジコアを形成する。
【実施例２】
【０００６】
次に、図面を参照して、本発明の第２の実施例による光結合器を説明する。
本実施例は、リッジコアの突起部ならびに細線コアが、高さに加えて幅も変化するテーパ形状を呈している点で、第１の実施例とは異なる。このため、第１の実施例と同一または同様の構成については、詳細な説明を省略する。
図４を参照すると、リッジ導波路３０と細線導波路２０とを接続する本光結合器は、ＳＯＩ基板の二酸化シリコン膜によって構成された下側の下層クラッド１０と、下層クラッド１０上に形成され、ＳＯＩ基板のシリコン膜によって構成されたコアとを有している。尚、上側のクラッドは、図示を省略している。リッジ導波路３０のコア３１は、薄膜部３１ａと、薄膜部３１ａに形成された突起部３１ｂとから成っている。
本光結合器は、図中後方の一端がリッジ導波路３０のコア３１に接続されるリッジコア３７を有している。リッジコア３７は、一端から図中前方の他端に向かうにつれて高さ（厚さ）が減少するテーパ形状を呈している。リッジコア３７は、高さ（厚さ）がテーパ状の薄膜部３７ａと、薄膜部３７ａ上に形成された高さ（厚さ）ならびに幅がテーパ状の突起部３７ｂとから成っている。尚、突起部３７ｂは、薄膜部３７ａの上面に沿って傾斜した高さ（厚さ）が一定のストレート形状であってもよい。本例において、突起部３７ｂは、高さが一定かつ幅が減少するテーパ形状を呈している。また、リッジ導波路３０は、図中後方から図中前方のリッジコア３７に接続される端部に向かうにつれて幅が増加または減少するテーパ構造を呈していてもよい。本例では、幅が減少している。
さらに、本光結合器は、図中後方の一端がリッジコア３７の他端に接続されると共に、図中前方の他端が細線導波路２０のコア２１に接続される細線コア２７をさらに有している。細線コア２７は、一端から他端に向かうにつれて高さ（厚さ）ならびに幅が減少するテーパ形状を呈している。また、細線導波路２０も、図中後方の細線コア２７に接続される端部から図中前方に向かうにつれて幅が増加または減少するテーパ構造を呈していてもよい。本例では、幅が減少している。
尚、リッジコア３７および細線コア２７のうちの少なくとも細線コア２７の高さならびに幅が減少するテーパ形状を呈していればよい。リッジコア３７は、高さのみが減少するテーパ形状を呈していてもよい。
細線コア２７と、リッジコア３７の突起部３７ｂとが互いに接続される断面同士は、同一の形状である。
図４ならびに図５から分かるように、リッジコア３７においては、主に薄膜部３７ａの厚さが、細線コア２７に近づくにつれて減少している。特に、細線コア２７に対する境界部において、薄膜部３７ａの厚さはゼロである。よって、細線コア２７に対する境界部において、突起部３７ｂの高さは、細線コア２７の高さと等しい。
本光結合器においては、関連技術が具備していなかった高さおよび幅が減少するテーパ形状を呈する細線コア２７を有する構造により、細線導波路２０のコア２１の高さならびに幅を、リッジコア３７の突起部３７ｂの高さならびに幅よりも小さくできる。
さらに、本光結合器のテーパ状のコアの長さ、即ち、リッジコア３７と細線コア２７との長さの和は、リッジ導波路３０のコア３１の薄膜部３１ａの厚さと突起部３１ｂの高さとの和と、細線導波路２０のコア２１の高さとの差の、１０倍以上であることが好ましい。この場合、リッジ導波路３０と細線導波路２０とが断熱的に結合され、光結合器の透過損失を−２０ｄＢ以下に抑えることができる。
第１の実施例の構造では接続される細線導波路を単一モード化するのが困難な場合であっても、第２の実施例の構造によれば、幅方向の減少効果により、接続される細線導波路の単一モード化が可能である。
また、モードフィールド形状の変換を同時に行う効果もあり、小型のスポットサイズ変換器として有用である。
本光結合器の具体的な寸法の例は、次の通りである。
リッジコア３７の薄膜部３７ａの最も厚い部分の厚さが０．５μｍ、リッジコア３７の突起部３７ｂの高さが１．０μｍ、リッジコア３７の突起部３７ｂの高さが１．０μｍ、リッジコア３７の突起部３７ｂの幅が最も広い部分の幅が０．５μｍである。
また、細線コア２７の最も低い部分の高さが０．２μｍ、細線コア２７の幅が最も狭い部分の幅が０．１μｍである。
さらに、本光結合器のテーパ状のコアの長さ、即ち、リッジコア３７と細線コア２７との長さの和は、５０μｍである。本光結合器の透過損失は、−２５ｄＢ以下である。
このように、本実施例においては、リッジコア３７の突起部３７ｂの幅ならびに細線コア２７の幅を減少させることにより、細線導波路２０をシングルモード化している。尚、細線コア２７の高さの減少変化は、第１の実施例よりも少ない。リッジコリッジアの突起部の幅や細線コアの幅は、パターニング技術によって任意の位置および幅に調整することができる。
本光結合器の製造方法は、リッジコアの突起部ならびに細線コアの幅が変化する所望のテーパ形状を呈するように、この所望のテーパ形状に応じて幅が変化するレジストを、第１の実施例の製造方法におけるレジスト７１に代えて用いる点が、第１の実施例の製造方法とは異なる。このため、製造方法の説明を省略する。
【産業上の利用可能性】
【０００７】
以上説明した実施例に限定されることなく、本発明は、当該特許請求の範囲に記載された技術範囲内であれば、種々の変形が可能であることは云うまでもない。例えば、本発明は、リッジ導波路を含む光回路と細線導波路を含む光回路とが混載された高性能光集積回路に適用することができる。
この出願は、２００８年１月３１日に出願された日本出願特願第２００８−０２１７２０号を基礎とする優先権を主張し、その開示のすべてをここに取り込む。
【図１】
2009096321.tif 000003
【図２】
2009096321.tif 000004
【図３Ａ】
2009096321.tif 000005
【図３Ｂ】
2009096321.tif 000006
【図３Ｃ】
2009096321.tif 000007
【図３Ｄ】
2009096321.tif 000008
【図３Ｅ】
2009096321.tif 000009
【図３Ｆ】
2009096321.tif 000010
【図４】
2009096321.tif 000011
【図５】
2009096321.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ導波路と細線導波路とを接続する光結合器であって、
ＳＯＩ基板のエッチングされていない二酸化シリコン膜によって構成された下層クラッドと、ＳＯＩ基板のシリコン膜によって構成されたコアとを有し、
一端がリッジ導波路のコアに接続されるリッジコアを有し、
該リッジコアは、薄膜部と、該薄膜部上に形成されたリッジ状の突起部とから成ると共に、前記一端から他端に向かうにつれて前記薄膜部の高さが減少し、
一端が前記リッジコアの前記他端に接続されると共に他端が細線導波路のコアに接続される細線コアをさらに有し、
該細線コアは、前記一端から前記他端に向かうにつれて高さが減少することを特徴とする光結合器。
【請求項２】
前記リッジコアおよび前記細線コアの少なくとも一方は、前記一端から前記他端に向かうにつれて幅が減少するテーパ形状を呈する請求項１に記載の光結合器。
【請求項３】
前記薄膜部は、前記他端において高さがゼロに収れんするように前記一端から該他端に向かうにつれて高さが減少する請求項１に記載の光結合器。
【請求項４】
前記リッジコアの前記突起部と、前記細線コアとは、互いに接続される断面同士が同一の形状である請求項１に記載の光結合器。
【請求項５】
前記リッジコアの前記一端から前記細線コアの前記他端までの長さは、前記リッジコアの前記一端における前記薄膜部の厚さと部の高さの和と、前記細線コアの前記他端における該細線コアの高さとの差の、１０倍以上である請求項１に記載の光結合器。
【請求項６】
リッジ導波路および細線導波路の少なくとも一方と共通の基板上に形成されている請求項１に記載の光結合器。
【請求項７】
（削除）
【請求項８】
（削除）
【請求項９】
（削除）
【請求項１０】
リッジ導波路と、細線導波路と、請求項１に記載の前記光結合器とを有し、リッジ導波路、細線導波路、および前記光結合器が、それらに共通の基板上に形成されている光集積回路。
【国際調査報告】
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