(57)【要約】  はんだバンプを用いて実装する際にフラックスが中空空間の内部に流入しないようにすることができる弾性波装置を提供する。  （ａ）基板１１と、（ｂ）基板１１の一方主面１１ａに形成された振動部１４と、（ｃ）基板１１の一方主面１１ａに形成され、振動部１４の電極１２に電気的に接続されたパッド１３と、（ｄ）振動部１４の周囲を囲むように基板１１の一方主面１１ａに設けられる支持層２０と、（ｅ）支持層２０の上に設けられ振動部１４の周囲に中空空間１９を形成する、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層２２と、（ｆ）カバー層２２の支持層２０とは反対側に設けられ、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、（ｇ）保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、（ｈ）ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８とを備える。
2009104438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方主面に形成された振動部と、
前記基板の一方主面に形成され、前記振動部の電極に電気的に接続されたパッドと、
前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有する、支持層と、
前記振動部を覆うように前記支持層の上に設けられ前記振動部の周囲に中空空間を形成する、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状の、カバー層と、
前記カバー層の前記支持層とは反対側に設けられ、フラックス耐性を有する樹脂からなる、保護層と、
前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続される、ビア導体と、
前記ビア導体の前記保護層側の端部に設けられ、はんだバンプからなる、外部電極と、
を備えたことを特徴とする、弾性波装置。
【請求項２】
前記基板は圧電基板であり、
前記振動部はＩＤＴ電極を含むことを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記基板は絶縁基板であり、
前記振動部は両面に電極が形成された圧電薄膜を含むことを特徴とする、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記保護層は、前記支持層と同じ材料からなることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記保護層は、感光性ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記カバー層は、非感光性エポキシ樹脂からなることを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記基板と前記支持層との間の少なくとも一部に介在する窒化膜又は酸化膜をさらに備えたことを特徴とする、請求項１、２又は３に記載の弾性波装置。
【請求項８】
基板の一方主面に、振動部と該振動部の電極に電気的に接続されたパッドとを形成する、第１の工程と、
前記振動部の周囲を囲むように、前記基板の前記一方主面に、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有する支持層を形成する、第２の工程と、
前記振動部を覆うように前記支持層の上に、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層を設けて、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、第３の工程と、
前記カバー層の前記支持層とは反対側に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設ける、第４の工程と、
前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続されるビア導体を形成する、第５の工程と、
前記ビア導体の前記保護層側の端部にはんだバンプからなる外部電極を設ける、第６の工程と、
を備えたことを特徴とする、弾性波装置の製造方法。
【請求項９】
基板の一方主面に、振動部と該振動部の電極に電気的に接続されたパッドとを形成する、第１の工程と、
前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有する支持層を形成する、第２の工程と、
前記振動部を覆うように前記支持層の上に、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層とフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層とを予め積層したシート状の複合層を、前記カバー層に関して前記支持層とは反対側に前記保護層が配置されるように設けて、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、第３の工程と、
前記複合層の前記保護層及び前記カバー層と前記支持層とを貫通し、前記パッドに接続されるビア導体を形成する、第４の工程と、
前記ビア導体の前記保護層側の端部にはんだバンプからなる外部電極を設ける、第５の工程と、
を備えたことを特徴とする、弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の前記一方主面から前記基板の途中までの深さに溝を形成する、第７の工程と、
前記基板の前記一方主面とは反対側の他方主面を研削して、前記基板を薄化してチップに分割する、第８の工程と、
を備えたことを特徴とする、請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の前記一方主面から前記基板の途中までの深さに溝を形成する、第６の工程と、
前記基板の前記一方主面とは反対側の他方主面を研削して、前記基板を薄化してチップに分割する、第７の工程と、
を備えたことを特徴とする、請求項９に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関し、詳しくは、基板上に共振子やフィルタなどの振動部が形成された弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に形成された振動部をカバー層で覆うように構成した弾性波装置が提案されている。【０００３】
図９に、弾性波装置の構成例を示す。図９（Ａ）は断面図、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿って上側を見た断面図、図９（Ｃ）は図９（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿って下側を見た断面図である。図９に示すように、表面波装置１１０は、ＩＤＴ電極１１２、パッド１１３及び配線ライン１１８を含む導電パターンが形成された圧電基板１１１の一方主面１１１ａ上に、ＩＤＴ電極１１２が形成された振動部を囲むように枠状の支持層１１６が樹脂で形成され、支持層１１６の上に絶縁性シートのカバー層１１５が形成されている。カバー層１１５には外部電極１１７が設けられ、外部電極１１７とパッド１１３との間が、カバー層１１５及び支持層１１６を貫通するビア導体１１４によって電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２６１５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような構成の弾性波装置は、外部電極にはんだバンプを設けて他の回路基板などに実装する際に、はんだバンプにフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。しかし、フラックスがカバー層を透過し、中空空間の内部に流入してしまうことがある。【０００５】
本発明は、かかる実情に鑑み、はんだバンプを用いて実装する際にフラックスが中空空間の内部に流入しないようにすることができる弾性波装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下のように構成した弾性波装置を提供する。【０００７】
弾性波装置は、（ａ）基板と、（ｂ）前記基板の一方主面に形成された振動部と、（ｃ）前記基板の一方主面に形成され、前記振動部の電極に電気的に接続されたパッドと、（ｄ）前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有する、支持層と、（ｅ）前記振動部を覆うように前記支持層の上に設けられ前記振動部の周囲に中空空間を形成する、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状の、カバー層と、（ｆ）前記カバー層の前記支持層とは反対側に設けられ、フラックス耐性を有する樹脂からなる、保護層と、（ｇ）前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続される、ビア導体と、（ｈ）前記ビア導体の前記保護層側の端部に設けられ、はんだバンプからなる、外部電極とを備える。【０００８】
弾性波装置の実装時には、はんだバンプにフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。しかし、フラックスが中空空間の内部に流入してしまうことがある。本願発明者は、カバー層が合成ゴムを含む樹脂からなるため、フラックスがカバー層を透過することを見出した。合成ゴムは、カバー層をシート状にしても粘りがあり亀裂が入りにくくするために添加する必要がある。【０００９】
そこで、上記構成のように、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層上に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設けると、フラックスは保護層を透過しないため、フラックスが中空空間の内部に流入しないようにすることができる。【００１０】
具体的には、以下のように種々の態様で構成することができる。【００１１】
一態様としては、前記基板は圧電基板である。前記振動部はＩＤＴ電極を含む。【００１２】
この場合、弾性波装置は、表面波装置である。【００１３】
他の態様としては、前記基板は絶縁基板である。前記振動部は、両面に電極が形成された圧電薄膜を含む。【００１４】
この場合、弾性波装置は、バルク音響波共振子（Bulk Acoustic Wave Resonator；ＢＡＷ共振子）などのバルク音響波装置である。【００１５】
好ましくは、前記保護層は、前記支持層と同じ材料からなる。【００１６】
保護層と支持層とが同じ材料からなると、材料の種類を減らすことができ、製造工程を簡略化することができる。【００１７】
好ましくは、前記保護層は、感光性ポリイミド系樹脂からなる。【００１８】
この場合、はんだバンプと保護層との輝度プロファイルの差が大きくなり、はんだバンプを認識することが可能となり、弾性波装置の外形を認識する場合よりも高精度に、弾性波装置を実装することができる。【００１９】
好ましくは、前記カバー層は、非感光性エポキシ樹脂からなる。【００２０】
この場合、低温硬化プロセスが可能となる。【００２１】
好ましくは、前記基板と前記支持層との間の少なくとも一部に介在する窒化膜又は酸化膜をさらに備える。【００２２】
この場合、窒化間又は酸化膜は、圧電基板よりも表面が荒れているため、アンカー効果により密着性が向上する。これにより、中空空間形成後のプロセス過程において、めっき液が中空空間に侵入して特性不良を発生させるような不具合を防止することができる。【００２３】
また、本発明は、以下のように構成した弾性波装置の製造方法を提供する。【００２４】
弾性波装置の製造方法は、（１）基板の一方主面に、振動部と該振動の電極に電気的に接続されたパッドとを形成する、第１の工程と、（２）前記振動部の周囲を囲むように、前記基板の前記一方主面に、前記振動の厚みよりも大きい厚みを有する支持層を形成する、第２の工程と、（３）前記振動部を覆うように前記支持層の上に、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層を設けて、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、第３の工程と、（４）前記カバー層の前記支持層とは反対側に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設ける、第４の工程と、（５）前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続されるビア導体を形成する、第５の工程と、（６）前記ビア導体の前記保護層側の端部にはんだバンプからなる外部電極を設ける、第６の工程とを備える。【００２５】
上記方法で製造された弾性波装置の実装時には、はんだバンプにフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。フラックスは合成ゴムを含む樹脂からなるカバー層を透過するため、カバー層だけでは、フラックスが中空空間の内部に流入してしまうことがある。これに対し、本発明のようにカバー層上にフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設けると、フラックスはフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を透過しないため、フラックスが中空空間の内部に流入しないようにすることができる。【００２６】
好ましくは、（７）前記基板の前記一方主面から前記基板の途中までの深さに溝を形成する、第７の工程と、（８）前記基板の前記一方主面とは反対側の他方主面を研削して、前記基板を薄化してチップに分割する、第８の工程とを、備える。【００２７】
この場合、基板を薄化した弾性波装置を、基板の反りによる割れを防止しながら、集合基板の状態で複数個を同時に作製することができる。【００２８】
すなわち、基板を薄化する方法として、中空空間とは反対側の基板の他方主面を所望の厚みまで研削した後にダイシングでチップを切り出す方法が一般的である。この方法では、中空空間を形成する支持層、カバー層等の残留応力により、薄化した時点で基板が大きく反ることで割れてしまう問題がある。中空空間を形成した基板は、先に基板の一方主面側に途中まで溝入れした後に、基板の他方主面を研削により薄化すると、薄化した時点で基板が大きく反ることがないため、基板の反りによる割れを防止できる。【００２９】
なお、基板に溝を形成する際に、支持層、カバー層、保護層を切断してもよい。また、溝に達するまで基板を薄化することによりチップに分割しても、溝に達する手前まで基板を薄化した後に溝に沿って基板を折り曲げることによりチップに分割してもよい。【００３０】
また、本発明は、以下のように構成した弾性波装置の製造方法を提供する。【００３１】
弾性波装置の製造方法は、（１）基板の一方主面に、振動部と該振動部の電極に電気的に接続されたパッドとを形成する、第１の工程と、（２）前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有する支持層を形成する、第２の工程と、（３）前記振動部を覆うように前記支持層の上に、合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層とフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層とを予め積層したシート状の複合層を、前記カバー層に関して前記支持層とは反対側に前記保護層が配置されるように設けて、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、第３の工程と、（４）前記複合層の前記保護層及び前記カバー層と前記支持層とを貫通し、前記パッドに接続されるビア導体を形成する、第４の工程と、（５）前記ビア導体の前記保護層側の端部にはんだバンプからなる外部電極を設ける、第５の工程とを備える。【００３２】
上記方法で製造された弾性波装置の実装時には、はんだバンプにフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。フラックスは合成ゴムを含む樹脂からなるカバー層を透過するため、カバー層だけでは、フラックスが中空空間の内部に流入してしまうことがある。これに対し、本発明のようにカバー層上にフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設けると、フラックスはフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を透過しないため、フラックスが中空空間の内部に流入しないようにすることができる。【００３３】
好ましくは、（６）前記基板の前記一方主面から前記基板の途中までの深さに溝を形成する、第６の工程と、（７）前記基板の前記一方主面とは反対側の他方主面を研削して、前記基板を薄化してチップに分割する、第７の工程とを、備える。【００３４】
この場合、基板を薄化した弾性波装置を、基板の反りによる割れを防止しながら、集合基板の状態で複数個を同時に作製することができる。【００３５】
すなわち、基板を薄化する方法として、中空空間とは反対側の基板の他方主面を所望の厚みまで研削した後にダイシングでチップを切り出す方法が一般的である。この方法では、中空空間を形成する支持層、カバー層等の残留応力により、薄化した時点で基板が大きく反ることで割れてしまう問題がある。中空空間を形成した基板は、先に基板の一方主面側に途中まで溝入れした後に、基板の他方主面を研削により薄化すると、薄化した時点で基板が大きく反ることがないため、基板の反りによる割れを防止できる。【００３６】
なお、基板に溝を形成する際に、支持層、カバー層、保護層を切断してもよい。また、溝に達するまで基板を薄化することによりチップに分割しても、溝に達する手前まで基板を薄化した後に溝に沿って基板を折り曲げることによりチップに分割してもよい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、はんだバンプを用いて弾性波装置を実装する際に、保護層によって、フラックスが弾性波装置の中空空間の内部に流入しないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】表面波装置が実装された電子部品の断面図である。（実施例１）
【図２】表面波装置の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図３】表面波装置の製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図４】表面波装置の断面図である。（実施例１）
【図５】表面波装置の断面図である。（実施例２）
【図６】バルク音響波装置が実装された電子部品の断面図である。（実施例３）
【図７】バルク音響波装置の断面図である。（実施例３）
【図８】弾性波装置の透視図である。（参考例）
【図９】弾性波装置の要部断面図である。（従来例）
【符号の説明】
【００３９】
１０，１０ａ  表面波装置（弾性波装置）
１０ｘ  バルク音響波装置（弾性波装置）
１１  圧電基板
１１ａ  絶縁基板
１２  ＩＤＴ電極
１２ａ  上部電極
１２ｂ  下部電極
１２ｃ  圧電薄膜
１３  パッド
１４，１４ａ，１４ｘ  振動部
１５  ビアホール
１６  アンダーバンプメタル（ビア導体）
１８  はんだバンプ（外部電極）
１９  中空空間
２０  支持層
２２  カバー層
２４  保護層
２６  中間層（窒化膜又は酸化膜)
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態として実施例を、図１〜図８を参照しながら説明する。【００４１】
＜実施例１＞  実施例１の電子部品３０について、図１〜図４及び図８を参照しながら説明する。【００４２】
図１の断面図に示すように、実施例１の電子部品３０は、共通基板４０の一方主面である上面４０ａ側に２つの表面波装置１０が実装されている。すなわち、共通基板４０の上面４０ａに形成されたランド４２と表面波装置１０との間は、はんだバンプ１８を介して電気的に接続されている。表面波装置１０のまわりには樹脂３２が配置され、表面波装置１０は樹脂３２で覆われている。共通基板４０の他方主面である下面４０ｂ側には、電子部品３０を他の回路基板等に実装するための外部電極４４が露出している。共通基板４０の内部には、ランド４２と外部電極４４との間を電気的に接続するビア導体４６や内部配線パターン４８が形成されている。【００４３】
例えば電子部品３０はデュプレクサであり、表面波装置１０として送信用と受信用の弾性表面波フィルタ素子を共通基板４０に並べて搭載する。【００４４】
表面波装置１０は、図４の断面図に示すように、圧電基板１１上に素子部、例えばＳＡＷ（Surface acoustic wave；弾性表面波）フィルタが形成されている。すなわち、圧電基板１１の一方の主面である上面１１ａには、振動部１４の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極１２と、パッド１３と、ＩＤＴ電極１２とパッド１３との間を接続する配線（図示せず）とを含む導電パターンが形成されている。ＩＤＴ電極１２が形成された振動部１４の周囲には、枠状に支持層２０が形成されている。支持層２０の厚みは、振動部１４のＩＤＴ電極１２等の導電パターンの厚みよりも大きい。支持層２０は、パッド１３上にも形成されている。【００４５】
支持層２０の上にはカバー層２２が配置され、圧電基板１１上に形成された振動部１４の周囲は、絶縁部材である支持層２０とカバー層２２とで覆われ、中空空間１９が形成される。圧電基板１１の上面１１ａのうち、中空空間１９に隣接する部分において、弾性表面波が自由に伝搬する。カバー層２２の上には保護層２４が形成されている。【００４６】
保護層２４、カバー層２２及び支持層２０には、圧電基板１１の上面１１ａに形成されたパッド１３に達するビアホール（貫通孔）１５が形成されている。ビアホール１５には、ビア導体として、アンダーバンプメタル１６が充填され、アンダーバンプメタル１６上には、外部に露出するはんだバンプ１８が形成されている。【００４７】
次に、電子部品３０の製造工程について説明する。【００４８】
まず、表面波装置１０の製造工程について、図２及び図３の断面図を参照しながら説明する。表面波装置１０は、複数個分を集合基板（ウェハ）の状態でまとめて製造する。【００４９】
図２（ａ）に示すように、圧電基板１１の一方主面１１ａ上に、ＩＤＴ電極１２とパッド１３と、ＩＤＴ電極１２とパッド１３との間を接続する配線（図示せず）とを含む導電パターンを形成した後、ＩＤＴ電極１２が形成された振動部１４の周囲に支持層２０を形成する。支持層２０には例えば感光性ポリイミド系樹脂を圧電基板１１の一方主面１１ａ全体に塗布した後、ＩＤＴ電極１２が形成された振動部１４の周囲をフォトリソグラフィ技術により開口（除去）する。【００５０】
次いで、図２（ｂ）に示すように、支持層２２上にラミネート等によりシート状のカバー層２２を形成する。カバー層２２には、例えば、低温硬化プロセスが可能となる非感光性エポキシ系フィルム樹脂を用いる。【００５１】
次いで、図２（ｃ）に示すように、カバー層２２の上に保護層２４を形成する。保護層２４には、例えば支持層２０と同じ材料である感光性ポリイミド系樹脂を用いる。【００５２】
支持層２２にカバー層２２を重ねた後に保護層２４を重ねる代わりに、カバー層２２になるシート材と保護層２４になるシート材とを予め積層したシート状の複合層を支持層２２に設けることにより、カバー層２２と保護層２４とを同時に形成してもよい。【００５３】
次いで、図３（ｄ）に示すように、レーザ加工により、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、底部にパッド１３が露出するビアホール１５を形成する。【００５４】
次いで、図３（ｅ）に示すように、ビアホール１５に充填されるビア導体として、電解メッキ(Ｃｕ、Ｎｉ等)にてアンダーバンプメタル１６を形成し、アンダーバンプメタル１６の表面１６ａに酸化防止のための厚さ０．０５〜０．１μｍ程度のＡｕを形成する。【００５５】
次いで、図３（ｆ）に示すように、アンダーバンプメタル１６の直上に、メタルマスクを介して、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ等のはんだペーストを印刷し、はんだペーストが溶解する温度、例えば２６０℃くらいで加熱することで、はんだをアンダーバンプメタル１６と固着させ、フラックス洗浄剤によりフラックスを除去し、球状のはんだバンプ１８を形成する。【００５６】
次いで、ダイシング等の方法で、保護層２４側から圧電基板１１の途中までの深さに溝入れし、基板裏面（他方主面）１１ｂから研削により圧電基板１１を薄化してチップに分割し、図４に示す、表面波装置１０の準備が完了する。溝入れの際、支持層２０、カバー層２２、保護層２４を切断してもよい。また、溝に達するまで圧電基板１１を薄化することによりチップに分割しも、溝に達する手前まで圧電基板１１を薄化した後に溝に沿って圧電基板１１を折り曲げることによりチップに分割してもよい。【００５７】
圧電基板１１を薄化する方法として、中空空間１９とは反対側の基板裏面１１ｂを所望の厚みまで研削した後に、ダイシングでチップを切り出す方法が一般的である。この方法では、中空空間１９を形成する支持層２０、カバー層２２等の樹脂の残留応力により、薄化した時点で集合基板状態の圧電基板１９が大きく反ることで割れてしまう問題がある。中空空間１９を形成した圧電基板１１は、先に圧電基板１１の一方主面１１ａ側に途中まで溝入れした後に、基板裏面１１ｂを研削により薄化すると、薄化した時点で圧電基板１１が大きく反ることがないため、圧電基板１１の反りによる割れを防止できる。【００５８】
次に、作製した表面波装置１０を実装して電子部品３０を製造する工程について説明する。電子部品３０は、複数個分を集合基板の状態でまとめて製造する。【００５９】
まず、共通基板４０になるプリント基板上に、表面波装置１０を実装する。実装時には、はんだバンプ１８にフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。【００６０】
次いで、ラミネートや樹脂モールド工法により２〜５Ｐａの加圧状態で表面波装置１０を樹脂３２に埋め込んだ後、分割して、図１に示す電子部品３０が完成する。【００６１】
例えば、支持層２０の厚みは１５μｍ、カバー層２２の厚みは３０μｍ、保護層２４の厚みは３μｍとする。【００６２】
カバー層２２は、合成ゴムを含む樹脂のシート材、例えば非感光性エポキシ系樹脂のシート材を用いる。カバー層２２は、合成ゴムの添加により、シート状にしても粘りがあり、亀裂が入りにくい。【００６３】
しかし、図８の断面図に示す表面波装置１０ｘのようにカバー層２２の直上にはんだバンプ１８が形成されていると、フラックスは、アクリルゴム等の合成ゴムを含む樹脂からなるカバー層２２を透過し中空空間１９の内部に流入してしまうことがある。【００６４】
そこで、図４に示すように、カバー層２２上に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４を設け、その上にはんだバンプ１８を形成すると、フラックスはフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４を透過しないため、フラックスが中空空間１９の内部に流入しないようにすることができる。【００６５】
保護層２４と支持層２０との材料が異なっても構わないが、支持層２０がフラックス耐性を有する樹脂からなる場合に支持層２０と同じ材料を保護層２４に用いると、材料の種類が増えないため、製造工程を簡略化することができ、好ましい。【００６６】
表面波装置１０を実装する工程において、ダイシング精度の影響を受ける表面波装置１０の外形を認識して実装するよりも、はんだバンプ１８を認識して実装する方が、実装精度を向上させることができる。特に、保護層２４が、支持層２０と同じ感光性ポリイミド系樹脂からなる場合には、はんだバンプ１８と保護層２４との輝度プロファイルの差が大きくなり、はんだバンプ１８を認識することが容易になるため、表面波装置１０の外形を認識する場合よりも高精度に、表面波装置１０を実装することができる。【００６７】
なお、樹脂３２によって中空空間１９の気密が確保される。保護層２４は、中空空間１９の気密確保を目的とするものではない。【００６８】
支持層２０を形成する際に、パッド１３の少なくとも一部が露出するようにビア部の開口を形成しておくことも可能である。しかし、ビア部の開口が形成された支持層の上に、カバー層及び保護層を形成した後、カバー層及び保護層を貫通するビアホールをレーザ加工により形成すると、カバー層の材料の一部(フィラーなど)がビアホール底部、すなわちパッド上に付着してしまい、その後にビアホールに充填するめっきとパッドとの密着性に悪影響を及ぼすという問題がある。【００６９】
支持層形成時にビア部の開口を形成せず、カバー層及び保護層を形成した後、カバー層及び保護層とともに支持層にレーザ加工でビアホールを形成すると、このような問題が生じず、ビアホールに充填するめっきとパッドとの密着性が改善する。【００７０】
表面波装置１０が樹脂３２に埋め込まれたとき、中空空間１９が潰れないように、支持層２０やカバー層２２のパラメータを選択する必要がある。中空空間１９は、一般的なＳＡＷフィルタが用いられる周波数帯で最も大きなサイズが必要な８００ＭＨｚ帯のＳＡＷフィルタを実現するためには、４００μｍ×１０００μｍのサイズが必要である。この４００μｍ×１０００μｍのサイズの中空空間１９を潰れることなく形成することができるためには、支持層２０やカバー層２２のパラメータを、次の条件を満たすように選択するとよい。【００７１】
カバー層の厚み          ≧    ３０  μｍ
カバー層の材料の弾性率  ≧      ３  ＧＰａ
支持層の厚み            ≧    １０  μｍ
支持層の材料の弾性率    ≧  ２．５  ＧＰａ
なお、保護層２４はカバー層２２に比べて薄くてよいため、中空空間１９を潰れなくする条件として保護層２４の厚みや保護層２４の材料の弾性率は無視することができる。【００７２】
＜実施例２＞  実施例２の表面波装置１０ａについて、図５を参照しながら説明する。【００７３】
実施例２の表面波装置１０ａは、実施例１の表面波装置１０と同じ構成に、以下の構成を追加している。【００７４】
すなわち、図５の断面図に示すように、圧電基板１１と支持層２０との間に、中間層２６が形成されている。中間層２６は、ＩＤＴ電極１２を含む振動部１４ａ及びパッド１３以外の領域に形成され、振動部１４ａの周囲を囲むように、圧電基板１１と支持層２０との間に介在する。中間層２６により密着性を向上する。【００７５】
例えば、ＬｉＴａＯ３の圧電基板１１に実施例１と同様に導電パターンを形成した後に、スパッタ法によりＳｉＯ２膜を形成した後、振動部１４ａやパッド１３が形成されている領域などのＳｉＯ２膜を除去する必要がある部分は、ドライエッチング法によりＳｉＯ２膜を除去することにより、ＳｉＯ２膜の中間層２６を形成する。ＳｉＯ２膜の代わりに、ＳｉＮ膜を成膜してもよい。その後、実施例１と同様に支持層２０等を形成する。【００７６】
ＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜の中間層２６は、圧電基板１１よりも表面が荒れているため、アンカー効果により密着強度が向上する。これらの膜は、スパッタ法やＣＶＤ（chemical vapor deposition）法で成膜できる。【００７７】
圧電基板１１と支持層２０との間に中間層２６を設けることで、中空空間１９について液密レベルを確保することができる。これにより、中空空間形成後のプロセス過程において、例えばビアホールにめっきを充填する工程において、めっき液が中空空間１９に侵入して特性不良を発生させるような不具合を、防止することができる。【００７８】
中間層２６は、液密レベルを確保できればよい。支持層２０やカバー層２２の材料自体に気密性がないので、気密性を向上させる目的ではない。【００７９】
ＳｉＯ２膜を除去する際、パッド１３が形成される領域よりも外側までＳｉＯ２膜を除去してもよい。この場合、パッド１３の周囲において支持層２０の一部は圧電基板１１上に形成されるが、支持層２０の他の部分と圧電基板１１との間には中間層２６が介在し、パッド１３よりもＩＤＴ電極１２側において、圧電基板１１と支持層２０との間に介在する中間膜２６が振動部１４ａの周囲を囲むように形成されていればよい。【００８０】
＜実施例３＞  実施例３の電子部品３０ｘについて、図６及び図７を参照しながら説明する。【００８１】
図６の断面図に示すように、実施例３の電子部品３０ｘは、実施例１の電子部品３０と略同様に構成されている。以下では、実施例１との相違点を中心に説明し、同じ構成部分には同じ符号を用いる。【００８２】
実施例３の電子部品３０ｘは、実施例１の電子部品３０と異なり、共通基板４０の一方主面である上面４０ａ側に、表面波装置１０とバルク音響波装置１０ｘとが実装されている。すなわち、共通基板４０の上面４０ａに形成されたランド４２と表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘとの間は、はんだバンプ１８を介して電気的に接続されている。表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘのまわりには樹脂３２が配置され、表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘは樹脂３２で覆われている。共通基板４０の他方主面である下面４０ｂ側には、電子部品３０ｘを他の回路基板等に実装するための外部電極４４が露出している。共通基板４０の内部には、ランド４２と外部電極４４との間を電気的に接続するビア導体４６や内部配線パターン４８が形成されている。【００８３】
例えば電子部品３０ｘはデュプレクサであり、表面波装置１０は弾性表面波フィルタ素子であり、バルク音響波装置１０ｘはバルク音響波フィルタ素子であり、一方は送信用、他方は受信用である。【００８４】
バルク音響波装置１０ｘは、Ｓｉ等の絶縁基板１１ｘに振動部１４ｘが形成されている以外は、実施例１の表面波装置１０と略同様に構成されている。【００８５】
すなわち、バルク音響波装置１０ｘは、表面波装置１０と同様のパッケージ構造を有している。バルク音響波装置１０ｘは、振動部１４ｘが形成された基板１１ｘの一方主面１１ｓに、振動部１４ｘの周囲に枠状に支持層２０が形成されている。支持層２０の厚みは、振動部１４ｘの厚みよりも大きい。支持層２０は、パッド１３上にも形成されている。支持層２０の上にはカバー層２２が配置され、振動部１４ｘの周囲は、絶縁部材である支持層２０とカバー層２２とで覆われ、中空空間１９が形成される。カバー層２２の上には保護層２４が形成されている。保護層２４、カバー層２２及び支持層２０には、パッド１３に達するビアホール（貫通孔）１５が形成されている。ビアホール１５には、ビア導体として、アンダーバンプメタル１６が充填され、アンダーバンプメタル１６上には、外部に露出するはんだバンプ１８が形成されている。【００８６】
このようなパッケージ構造は、実施例３のＳＭＲ型のバルク音響波装置に限らず、基板に形成された空洞の上に振動部が配置されるタイプや、犠牲層を除去する等により振動部が基板から浮いた状態で支持されるタイプのバルク音響波装置にも適用することができる。【００８７】
実施例１の表面波装置１０と異なり、バルク音響波装置１０ｘは、図７の要部断面図に示すように、上部電極１２ａと下部電極１２ｂとの間に圧電薄膜１２ｓが挟まれた振動部１４ｘを備える。振動部１４ｘは、音響反射器１７を介して、絶縁基板１１ｘから音響的に分離されている。【００８８】
音響反射器１７は、絶縁基板１１ｘ上に、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層１７ｓと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層１７ｔとが交互に積層されている。上部電極１２ａ及び下部電極１２ｂは、パッド１３（図７では図示せず）に電気的に接続されている。【００８９】
なお、パッド１３は、絶縁基板１１ｘの主面１１ｓ上に直接形成されても、他の層（例えば、低音響インピーダンス層１７ｓ）を介して絶縁基板１１ｘの主面１１ｓ上に形成されてもよい。【００９０】
＜まとめ＞  以上に説明したように、カバー層２２に保護層２４を設けることで、表面波装置１０，１０ａの実装の際にフラックスが中空空間１９の内部に流入しないようにすることができる。【００９１】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施可能である。【００９２】
例えば、圧電基板には、ＳＡＷフィルタに限らず、ＳＡＷ共振子などの素子部を形成してもよい。また、絶縁基板には、ＢＡＷフィルタに限らず、ＢＡＷ共振子などの素子部を形成してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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