(57)【要約】  本発明は、少なくとも陽極、発光層、陰極を積層してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関し、発光層が少なくとも２種の発光ドーパントを含む１層からなり、少なくとも該陽極、該発光層及び該陰極が素子構成として形成された後にアニーリング処理を行う工程を有する点に特徴を有する。本発明の方法により、高発光効率かつ長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子を安定に製造することが可能であり、白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に適している。【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも陽極、発光層、陰極を積層してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、  少なくとも１層の発光層が、２種の発光ドーパントを含み、少なくとも該陽極、該少なくとも１層の発光層及び該陰極が素子構成として形成された後にアニーリング処理を行う工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１層の発光層が、塗布プロセスにより成膜される工程を有することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記少なくとも１層の発光層が、ホスト化合物を含有し、２種の発光ドーパントの少なくとも１種類が下記一般式（１）で表される化合物で表されることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【化１】
2009157477.tif 000025
〔式中、Ｒ１は置換基を表す。Ｚは５〜７員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。ｎ１は０〜５の整数を表す。Ｂ１〜Ｂ５は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｂ１〜Ｂ５の少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｘ１、Ｘ２は、各々炭素原子、窒素原子または酸素原子を表し、Ｌ１はＸ１及びＸ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は、１〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は、２または３である。〕
【請求項４】
前記アニーリング処理が、電流によるアニーリング処理であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
前記アニーリング処理が、熱によるアニーリング処理であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。詳しくは、簡便なプロセスで製造可能であり、発光効率と寿命が改善された有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】  有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）は、低電圧で高輝度の発光が得られるため表示素子として注目されている。有機ＥＬ素子は発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・りん光）を利用して発光する素子である。【０００３】  消費電力が少なく、容積が小さい面発光素子のニーズが高まり、このような面発光素子の一つとしてエレクトロルミネッセンス素子（以下、「ＥＬ素子」と略す。）が注目されている。【０００４】  そして、このようなＥＬ素子は使用する材料によって無機エレクトロルミネッセンス素子（「無機ＥＬ素子」）と有機エレクトロルミネッセンス素子（「有機ＥＬ素子」）とに大別される。【０００５】  ここで、無機ＥＬ素子は一般に発光部に高電界を作用させ、電子をこの高電界中で加速して発光中心に衝突させ、これにより発光中心を励起させて発光させている。【０００６】  一方、有機ＥＬ素子は電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光層内に注入し、このように注入された電子とホールとを発光層内で結合させて、有機材料を励起状態にし、この有機材料が励起状態から基底状態に戻るときに発光するようになっており、無機ＥＬ素子に比べて、低い電圧で駆動できるという利点がある。【０００７】  面で発光するという利点を活かして、薄型でフレキシブルなディスプレイや照明用途としての展開が期待されている。その中でも、白色有機ＥＬ素子は液晶用バックライト、照明への展開が期待されている。【０００８】  白色有機ＥＬ素子を作製するための発光層の構成には、いくつかの方法が知られている。発光層をＲＧＢのそれぞれの発光材料を含む層を複数層構成する方法や、ＲＧＢの発光材料を含む単一の発光層とする方法が知られている。【０００９】  また、素子にエージング処理を施し、有機ＥＬ素子間のバラツキをなくし、長寿命化をはかる試みが行われている（例えば、特許文献１及び２参照。）。【００１０】  しかし、発光層を持つ白色有機ＥＬ素子において、経時での輝度、色を安定化させるために行うアニーリング処理の条件が、デバイス間で少しずれるだけで、安定した性能を持つ有機ＥＬデバイスとはならず、デバイス間のばらつきが生じ、安定した性能を持つ有機ＥＬ素子を作製することができないという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２０３６７２号公報
【特許文献２】特開２００２−１９８１７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】  本発明の目的は、高発光効率かつ長寿命であり、安定に製造可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び該製造方法により製造された白色発光有機エレクトロルミネセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】  本発明の上記目的は下記の構成により達成された。【００１４】  １．少なくとも陽極、発光層、陰極を積層してなる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、  少なくとも１層の発光層が、２種の発光ドーパントを含み、少なくとも該陽極、該少なくとも１層の発光層及び該陰極が素子構成として形成された後にアニーリング処理を行う工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１５】  ２．前記少なくとも１層の発光層が、塗布プロセスにより成膜される工程を有することを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１６】  ３．前記少なくとも１層の発光層が、ホスト化合物を含有し、２種の発光ドーパントの少なくとも１種類が下記一般式（１）で表される化合物で表されることを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１７】
【化１】
2009157477.tif 000002
【００１８】〔式中、Ｒ１は置換基を表す。Ｚは５〜７員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。ｎ１は０〜５の整数を表す。Ｂ１〜Ｂ５は、各々炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｂ１〜Ｂ５の少なくとも一つは窒素原子を表す。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。Ｘ１、Ｘ２は、各々炭素原子、窒素原子または酸素原子を表し、Ｌ１はＸ１及びＸ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍ１は、１〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は、２または３である。〕  ４．前記アニーリング処理が、電流によるアニーリング処理であることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００１９】  ５．前記アニーリング処理が、熱によるアニーリング処理であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００２０】  ６．前記１〜５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする白色発光有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００２１】  本発明により、高発光効率かつ長寿命であり、安定に製造可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び該製造方法により製造された白色発光有機エレクトロルミネセンス素子を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
【図２】表示部Ａの模式図である。
【図３】画素の模式図である。
【図４】パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
【図５】照明装置の概略図である。
【図６】照明装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】  本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、請求項１〜５のいずれか１項に記載の構成を有することにより、高発光効率かつ長寿命であり、安定に製造可能な有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び該製造方法により製造された白色発光有機エレクトロルミネセンス素子を提供することができた。
【００２４】  以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
【００２５】  本発明者等は、上記の問題点を鋭意研究の結果、少なくとも１層の発光層を有する白色有機ＥＬ素子において、アニーリング処理のばらつきによらず、有機ＥＬ素子の輝度、色の変化が小さくなることを見出した。
【００２６】  更に、我々は研究を進めた結果、少なくとも１層の発光層を塗布プロセスにおいて製造した有機ＥＬ素子にアニーリング処理（電流または熱）を行うことで寿命が著しく向上することを見出した。
【００２７】  尚、発光層が複数層ある場合には、該発光層の少なくとも１層が２種の発光ドーパントを含み、且つ、素子形成された後にアニーリング処理が行われることが好ましく、更に好ましくは、該少なくとも１層の発光層が塗布プロセスにより成膜されることが好ましく、特に好ましくは、全ての発光層が塗布プロセスにより成膜されることである。
【００２８】  その理由としては、従来公知の蒸着法を用いて形成された発光層よりも、塗布プロセスを用いて形成された発光層のほうが、形成された皮膜がよりアモルファス型になると推定している。
【００２９】  《有機ＥＬ素子の製造方法》  本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。尚、本発明の有機ＥＬ素子の構成層の詳細は後に詳細に説明する。
【００３０】  本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、請求項１に記載のように、少なくとも陽極、発光層、陰極を積層してなる有機ＥＬ素子の製造方法において、  該発光層が少なくとも２種の発光ドーパントを含む１層からなり、該陰極を積層後にアニーリング処理を行う工程を有することを特徴とする。
【００３１】  《アニーリング処理》  本発明に係るアニーリング処理について説明する。
【００３２】  本発明に係るアニーリング処理とは、少なくとも陽極、発光層、陰極を積層してなる有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより流れる電流によるアニーリング処理または有機ＥＬ素子に熱によるアニーリング処理、更には、前記の２種類のアニーリング処理を併用することを意味する。
【００３３】  （電流によるアニーリング処理）  本発明に係る電流によるアニーリング処理とは、有機ＥＬ素子において、輝度が初期輝度の９５％〜７５％になるまで、電流を印加する処理を表すが、有機ＥＬ素子の経時での輝度の安定性、発光色の安定性向上の観点からは、初期輝度の９０％〜８０％になるまで電流を印加することが好ましく、更に好ましくは、初期輝度の８５％〜８０％になるまで、電流を印加することである。
【００３４】  （熱によるアニーリング処理）  本発明における熱処理によるアニーリングとは、有機ＥＬ素子において、素子を構成する各層に用いられている材料のＴｇ（ガラス転移温度）よりも低い温度において熱処理を行うことをいう。
【００３５】  熱処理の方法としては、具体的には、恒温槽を用い、加熱温度としては、６５℃〜９５℃の範囲で行うことが好ましく、更には、７５℃〜９０℃の範囲が好ましく、特に好ましくは、８５℃〜９０℃の範囲で行うことである。
【００３６】  また、加熱時間としては、１０分〜２時間の範囲が好ましく、更に好ましくは、３０分〜１時間の範囲である。
【００３７】  本発明では、有機ＥＬ素子材料のＴｇ（ガラス転移温度）は、ガラス転移温度（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【００３８】  本発明の有機ＥＬ素子の製造方法では、有機ＥＬ素子の発光層の少なくとも１層（２種の発光ドーパントを含有する発光層である）を塗布プロセス（ウェットプロセス、溶液塗布、分散液塗布等ともいう）で成膜することが好ましい。
【００３９】  また、上記の発光層以外にも、その他の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等、後述する有機ＥＬ素子の構成層を塗布プロセスで成膜することが好ましい態様としてあげられる。
【００４０】  《本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一態様》  ここで、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一態様（一例）について説明する。
【００４１】  本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様（一例）として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
【００４２】  まず適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極側電極（単に、陽極ともいう）を作製する。
【００４３】  次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等の有機化合物薄膜（有機層）を形成させる。
【００４４】  これら各層の形成方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においては、塗布プロセス（例えば、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等の塗布法等が挙げられる。）による成膜が好ましい。
【００４５】  また、各々別の溶液として調製したホスト材料溶液とゲスト材料溶液を基板上で混合させるためにインクジェット法またはスプレー法を用いる場合は、各々の溶液を吐出することで基板上に形成された液滴が互いに接触し混合するように、ノズルと基板のいずれかまたは両者を移動しながら吐出することが好ましい。
【００４６】  本発明においては、塗布液調製（分散液調製の場合もある）時の有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
【００４７】  有機ＥＬ素子材料の分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【００４８】  これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
【００４９】  また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
【００５０】  このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
【００５１】  以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の各構成要素の詳細について、順次説明する。
【００５２】  《有機ＥＬ素子の層構成》  本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００５３】  （ｉ）陽極／発光層／陰極  （ii）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極  （iii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極  （iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極  （ｖ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極  （vi）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／正孔輸送層Ａ／発光層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極。
【００５４】  《発光層》    本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層等から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に調整される。
【００５５】  次に、発光層に含まれる発光ドーパント（発光ドーパント化合物ともいう）、ホスト化合物について説明する。
【００５６】  （発光ドーパント）  本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、後述するホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
【００５７】  リン光ドーパント（リン光発光性化合物等ともいう）は、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００５８】  上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００５９】  本発明に係る発光ドーパントとしては、前記一般式（１）で表される化合物が少なくとも１種用いられることが好ましく、更に、前記一般式（１）で表される化合物はリン光ドーパントして用いられることが好ましい。
【００６０】  《一般式（１）で表される化合物》  一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００６１】  一般式（１）で表される化合物において、Ｒ１で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボ���ル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。
【００６２】  これらの置換基のうち、好ましいものはアルキル基またはアリール基である。
【００６３】  Ｚは５〜７員環を形成するのに必要な非金属原子群を表す。Ｚにより形成される５〜７員環としては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、チオフェン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環及びチアゾール環等が挙げられる。これらのうちで好ましいものは、ベンゼン環である。
【００６４】  Ｂ１〜Ｂ５は炭素原子、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を表し、少なくとも一つは窒素原子を表す。これら５つの原子により形成される芳香族含窒素複素環としては単環が好ましい。例えば、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、オキサジアゾール環及びチアジアゾー環ル等が挙げられる。これらのうちで好ましいのはピラゾール環、イミダゾール環であり、更に好ましくはイミダゾール環である。
【００６５】  これらの環は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。置換基として好ましいものはアルキル基及びアリール基であり、更に好ましくは、アリール基である。
【００６６】  Ｌ１はＸ１、Ｘ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２で表される２座の配位子の具体例としては、例えば、置換または無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、ピコリン酸及びアセチルアセトン等が挙げられる。
【００６７】  これらの基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。
【００６８】  ｍ１は１、２または３の整数を表し、ｍ２は０、１または２の整数を表すが、ｍ１＋ｍ２は２または３である。中でも、ｍ２は０である場合が好ましい。
【００６９】  Ｍ１で表される金属としては、元素周期表の８〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でもイリジウム、白金が好ましく、更に好ましくはイリジウムである。
【００７０】  尚、本発明の一般式（１）で表される化合物は、更に置換基として重合性基または反応性基を有していてもいなくてもよい。
【００７１】  以下に、本発明に係る一般式（１）で表されるドーパント材料の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【００７２】
【化２】
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【００７３】
【化３】
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【００７４】
【化４】
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【００７５】
【化５】
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【００７６】
【化６】
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【００７７】
【化７】
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【００７８】
【化８】
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【００７９】
【化９】
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【００８０】
【化１０】
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【００８１】
【化１１】
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【００８２】
【化１２】
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【００８３】
【化１３】
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【００８４】
【化１４】
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【００８５】
【化１５】
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【００８６】
【化１６】
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【００８７】
【化１７】
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【００８８】
【化１８】
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【００８９】  これらの金属錯体は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、更にこれらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。
【００９０】  また、上記一般式（１）で表される化合物と共に、更に公知のドーパント材料を複数種併用してもよい。ドーパント材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。ドーパント材料の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。
【００９１】  公知のドーパント材料の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【００９２】  国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等。
【００９３】  （ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））  本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
【００９４】  ホスト化合物とは、室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
【００９５】  ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００９６】  また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でも良い。
【００９７】  併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【００９８】  公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
【００９９】  特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
【０１００】  《正孔輸送層》  正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する材料を含み、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層もしくは複数層設けることができる。
【０１０１】  正孔輸送材料としては特に制限はなく、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１０２】  正孔輸送材料は正孔の注入もしくは輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０１０３】  正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１０４】  芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１０５】  更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１０６】  また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。また、正孔輸送材料は、高Ｔｇであることが好ましい。
【０１０７】  この正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる１層構造であってもよい。
【０１０８】  また、不純物ドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、同２００１−１０２１７５号の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。
【０１０９】  《電子輸送層》  電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層を設けることができる。
【０１１０】  従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して、陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、下記の材料が知られている。更に、電子輸送層は陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１１１】  この電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレンなどの複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体などが挙げられる。
【０１１２】  更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０１１３】  更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１１４】  また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）など、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０１１５】  その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基などで置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、ｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣなどの無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１１６】  この電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５〜５０００ｎｍ程度である。この電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる１層構造であってもよい。
【０１１７】  また、不純物ドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、同２００１−１０２１７５号の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。
【０１１８】  《反応性有機化合物》  本発明では、反応性基をもつ有機化合物（反応性有機化合物）を用いてもよい。反応性有機化合物を用いる層としては特に制限はなく、各層に用いることができる。
【０１１９】  反応性有機化合物を基板上で反応させ、有機分子によるネットワークポリマーを形成させることができる。ネットワークポリマーが生成することで、構成層のＴｇ（ガラス転移点）調整による素子劣化の抑制させることができる。
【０１２０】  また、素子使用中の活性ラジカルを用いて分子の共役系の切断または生成を伴う反応を調整することにより、有機ＥＬ素子の発光波長を変えたり、特定波長の劣化を抑制すること等も可能である。
【０１２１】  一方、製造面では、例えば、塗布で積層する工程の場合では、下層が上層の塗布液に溶解しないことが好ましく、下層を樹脂化し溶剤溶解性を劣化させることで、上層塗布を可能とすることができる。
【０１２２】  本発明に用いることのできる反応性基の一例を示す。
【０１２３】
【化１９】
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【０１２４】  以下、本発明に用いられる反応性有機化合物の一例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【０１２５】
【化２０】
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【０１２６】
【化２１】
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【０１２７】  《陽極》  本発明の有機ＥＬ素子に係る陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
【０１２８】  陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１２９】  《陰極》  一方、本発明に係る陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
【０１３０】  これらの中で電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１３１】  陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１３２】  尚、発光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば、発光輝度が向上し好都合である。
【０１３３】  《基体（基板、基材、支持体等ともいう）》  本発明の有機ＥＬ素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては、例えば、ガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１３４】  樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。
【０１３５】  樹脂フィルムの表面には、無機物もしくは有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、水蒸気透過率が０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【０１３６】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１３７】  照明用途で用いる場合には、発光ムラを低減させるために粗面加工したフィルム（アンチグレアフィルム等）を併用することもできる。
【０１３８】  《封止》  本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段は、例えば、封止部材と電極、支持基盤とを接着剤で接着する方法がある。封止部材としては有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
【０１３９】  具体的にはガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板は特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
【０１４０】  また、ポリマー板はポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明は素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
【０１４１】  更に、ポリマーフィルムは酸素透過度が１０−３ｍｌ／ｍ２・２４ｈｒ・ＭＰａ以下、水蒸気透過度（２５℃、相対湿度９０％ＲＨ）が１０−５ｇ／ｍ２・２４ｈｒ以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのはサンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１４２】  接着剤はアクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
【０１４３】  また、エポキシ系などの熱及び化学硬化型（二液混合）がある。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。
【０１４４】  また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。尚、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４５】  また、有機層を挟み支持基盤と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基盤と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好ましい。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。
【０１４６】  《保護膜、保護板》  有機層を挟み支持基盤と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜の場合にはその機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料は、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０１４７】  《光取り出し》  有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１４８】  この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、有機ＥＬ素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１４９】  本発明においては、これらの方法を本発明に係る有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
【０１５０】  本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができる。
【０１５１】  透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
【０１５２】  低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましく、更に好ましくは１．３５以下であることが好ましい。
【０１５３】  また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【０１５４】  全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。
【０１５５】  この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【０１５６】  導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を示すことが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
【０１５７】  しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０１５８】  回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
【０１５９】  このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。
【０１６０】  回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０１６１】  《集光シート》  本発明に係る有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工する、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【０１６２】  マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。
【０１６３】  これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１６４】  集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。
【０１６５】  プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
【０１６６】  また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
【０１６７】  《用途》  本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０１６８】  本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【０１６９】  本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【０１７０】  また、本発明に係る有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２での色温度が６５００Ｋ〜２５００Ｋ（黒体軌跡からの偏差Δｕｖ＝±０．０３）の領域内にあることを言う。
【０１７１】  《表示装置》  本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を具備したものである。
【０１７２】  本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
【０１７３】  発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
【０１７４】  表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
【０１７５】  また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
【０１７６】  得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１７７】  多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
【０１７８】  表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
【０１７９】  発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１８０】  以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
【０１８１】  図１は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【０１８２】  ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
【０１８３】  制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０１８４】  図２は表示部Ａの模式図である。
【０１８５】  表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
【０１８６】  図においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
【０１８７】  配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
【０１８８】  画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
【０１８９】  発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０１９０】  次に、画素の発光プロセスを説明する。
【０１９１】  図３は画素の模式図である。
【０１９２】  画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０１９３】  図３において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
【０１９４】  画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０１９５】  制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
【０１９６】  即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０１９７】  ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
【０１９８】  本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
【０１９９】  図４はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
【０２００】  順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
【０２０１】  パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
【０２０２】  《照明装置》  本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機ＥＬ素子を有する。
【０２０３】  本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
【０２０４】  また、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
【０２０５】  動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０２０６】  また本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
【０２０７】  また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
【０２０８】  発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
【０２０９】  この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。
【０２１０】  発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
【０２１１】  《本発明の照明装置の一態様》  本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
【０２１２】  本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図５、図６に示すような照明装置を形成することができる。
【０２１３】  図５は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行なった。）。
【０２１４】  図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
【実施例】
【０２１５】  以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。また、実施例に用いる化合物の構造式を下記に示す。尚、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。【０２１６】
【化２２】
2009157477.tif 000023
【０２１７】
【化２３】
2009157477.tif 000024
【０２１８】  実施例１  《有機ＥＬ素子１０１の製造》  陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。【０２１９】  この基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｌｋ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０２２０】  この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔注入層上に５０ｍｇの例示化合物４−８を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜（膜厚約２０ｎｍ）し、紫外光を６０秒照射した後、１２０℃で３０分間加熱乾燥し、正孔輸送層とした。【０２２１】  この基板を真空蒸着装置の基板ホルダに固定し、一方、６つのモリブデン製抵抗過熱ボートにＨ−Ａ、例示化合物１−７９、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、ＥＴ−Ａ、ＣｓＦをそれぞれ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２２２】  真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、まず、Ｈ−Ａの入った前記加熱ボートと１−７９の入ったボートとＩｒ（ｐｐｙ）３の入ったボート及びＩｒ（ｐｉｑ）３の入ったボートをそれぞれ独立に通電して、発光ホストであるＨ−Ａと発光ドーパントである１−７９、Ｉｒ（ｐｐｙ）３及びＩｒ（ｐｉｑ）３の蒸着速度が１００：１０：０．２：０．２になるように調節し膜厚４０ｎｍの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。【０２２３】  更に、ＥＴ−ＡとＣｓＦの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０３ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着して、膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。引き続きアルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１０１を製造した。【０２２４】  《有機ＥＬ素子１０２〜１０４の製造》  有機ＥＬ素子１０１の製造において、素子の製造後に、下記のアニーリング処理（電流または熱）を行った以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０２〜１０４を各々製造した。【０２２５】  有機ＥＬ    電流アニーリング      熱処理アニーリング    備考  素子Ｎｏ  １０１          無し                    無し            比較  １０２          ○                      無し            本発明  １０３          無し                    ○              本発明  １０４          ○                      ○              本発明  有機ＥＬ素子１０２〜１０４の製造において、電流アニーリングとは、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２において輝度が８０％まで低下した状態まで、電流を印加したものであり、熱処理アニーリング（単に、熱アニーリングともいう）とは、８５℃の恒温槽にて１時間経時させて熱処理したものである。【０２２６】  《有機ＥＬ素子の評価》  得られた有機ＥＬ素子１０１〜１０４の各々について、下記のようにして外部取り出し量子効率及び初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２にて寿命評価を行った。【０２２７】  （外部取り出し量子効率）  得られた有機ＥＬ素子に対し、２．５ｍＡ／ｃｍ２で定電流を流したときの外部取り出し量子効率（％）を測定した。尚、測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いた。【０２２８】  （寿命評価）  得られた有機ＥＬ素子の発光寿命は、各有機ＥＬ素子を初期輝度２０００ｃｄ／ｍ２となる駆動電流（Ａ）で駆動し、輝度が半減するまでの時間をとって評価した。【０２２９】  有機ＥＬ素子１０１を１００としたときの有機ＥＬ素子１０２〜１０４の輝度半減寿命を相対評価したものを以下に示す。【０２３０】  有機ＥＬ素子Ｎｏ      寿命（発光寿命ともいう）    備考  １０１                １００                      比較  １０２                １３０                      本発明  １０３                １２０                      本発明  １０４                １４０                      本発明  上記から、有機ＥＬ素子に電流アニーリング及び熱アニーリングを行った場合、本発明の有機ＥＬ素子は、長寿命化がなされていることが判る。【０２３１】  実施例２  《有機ＥＬ素子２０１の製造》  陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２３２】  この基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｌｋ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０２３３】  この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔注入層上に５０ｍｇの例示化合物４−８を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜（膜厚約２０ｎｍ）し、紫外光を６０秒照射した後、１２０℃で３０分間加熱乾燥し、正孔輸送層とした。【０２３４】  次いで、下記組成の発光層組成物を２０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により製膜（膜厚約４０ｎｍ）した後、１２０℃で３０分乾燥し、発光層とした。【０２３５】  （発光層組成物）  トルエン                                        １０ｍｌ  Ｈ−Ａ                                        １００ｍｇ  １−７９                                        １０ｍｇ  Ｉｒ（ｐｐｙ）３                              ０．２ｍｇ  Ｉｒ（ｐｉｑ）３                              ０．２ｍｇ  この基板を真空蒸着装置の基板ホルダに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−Ａを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＣｓＦを１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２３６】  真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＥＴ−ＡとＣｓＦの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．２ｎｍ／秒、０．０３ｎｍ／秒で前記発光層の上に蒸着して、更に膜厚４０ｎｍの電子輸送層を設けた。引き続きアルミニウム１１０ｎｍを蒸着���て陰極を形成し、有機ＥＬ素子２０１を作製した。《有機ＥＬ素子２０２〜２０４の製造》  有機ＥＬ素子２０１の製造において、素子の製造後に下記のアニーリング処理（電流または熱）を行った以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０２〜２０４を各々製造した。【０２３７】  尚、電流アニーリングまたは熱処理アニーリングは、実施例１に記載と同様に行った。【０２３８】  有機ＥＬ  電流アニーリング  熱処理アニーニング  寿命    備考  素子Ｎｏ  ２０１      無し            無し                １００  比較  ２０２      ○              無し                １２０  本発明  ２０３      無し            ○                  １２０  本発明  ２０４      ○              ○                  １３０  本発明  上記から、有機ＥＬ素子に電流アニーリング及び熱アニーリングを行った場合、本発明の有機ＥＬ素子は、長寿命化がなされていることが判る。【０２３９】  また、別途の実験により、発光層を塗布プロセスにより製造した本発明の有機ＥＬ素子は、蒸着により発光層が形成された本発明の有機ＥＬ素子よりも、更に寿命が優れていることが判った。
【符号の説明】
【０２４０】  １  ディスプレイ  ３  画素  ５  走査線  ６  データ線  ７  電源ライン  １０  有機ＥＬ素子  １１  スイッチングトランジスタ  １２  駆動トランジスタ  １３  コンデンサ  Ａ  表示部  Ｂ  制御部  １０１  有機ＥＬ素子  １０２  ガラスカバー  １０５  陰極  １０６  有機ＥＬ層  １０７  透明電極付きガラス基板  １０８  窒素ガス  １０９  捕水剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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