(57)【要約】  カチオン発生剤を用いているにも関わらず、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、得られる接続構造体の導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる導電材料、並びに該導電材料を用いた接続構造体を提供する。  本発明に係る導電材料は、硬化性成分と、陽イオン交換体と、陰イオン交換体と、導電性粒子５とを含む。上記硬化性成分は、硬化性化合物と、カチオン発生剤とを含有する。本発明に係る接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、上記導電材料を硬化させることにより形成されている。
2013021895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性成分と、陽イオン交換体と、陰イオン交換体と、導電性粒子とを含み、
前記硬化性成分が、硬化性化合物と、カチオン発生剤とを含有する、導電材料。
【請求項２】
前記陽イオン交換体の中性交換容量が２ｍｅｑ／ｇ以上であり、かつ前記陰イオン交換体の中性交換容量が１ｍｅｑ／ｇ以上である、請求項１に記載の導電材料。
【請求項３】
前記陽イオン交換体がジルコニウム原子を含む、請求項１又は２に記載の導電材料。
【請求項４】
前記陰イオン交換体が、マグネシウム原子とアルミニウム原子とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項５】
前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記陽イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下であり、かつ前記陰イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項６】
前記導電性粒子が、樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、
前記導電層の少なくとも外側の表面が、融点が４５０℃以下である低融点金属層である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項７】
フラックスをさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項８】
銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる導電材料である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項９】
異方性導電材料である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項１０】
第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜９のいずれか１項に記載の導電材料により形成されている、接続構造体。
【請求項１１】
前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されており、
前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方が、銅電極である、請求項１０に記載の接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の導電性粒子を含む導電材料に関し、例えば、フレキシブルプリント基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、半導体チップ及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子用基板などの様々な接続対象部材の電極間を電気的に接続するために用いることができる導電材料に関する。また、本発明は、上記導電材料を用いた接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペースト状又はフィルム状の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂などに複数の導電性粒子が分散されている。【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。【０００４】
上記異方性導電材料の一例として、下記の特許文献１には、熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂成分と、電極から解離する金属イオンを捕捉する金属イオン捕捉剤と、導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。上記金属イオン捕捉剤は導電性粒子よりも小さい粒径を有する。【０００５】
下記の特許文献２には、絶縁性接着剤と、導電性粒子と、無機イオン交換体とを含む異方性導電材料が開示されている。【０００６】
また、下記の特許文献３には、脂環式エポキシ樹脂と、ジオール類と、エポキシ基を有するスチレン系熱可塑性エラストマーと、紫外線活性型カチオン重合触媒と、導電性粒子とを含む異方性導電材料が開示されている。【０００７】
下記の特許文献４には、硬化剤と、硬化性の絶縁性樹脂と、導電性粒子と、イオン捕捉剤粒子とを含む異方導電性接着シートが開示されている。特許文献４では、イオン捕捉剤粒子が交換するイオンのタイプに関しては、陽イオンタイプ、陰イオンタイプ及び両イオンタイプがあることが記載されている。また、特許文献４では、電極端子のイオンマイグレーションの直接の原因になる金属イオン（陽イオン）と、電気伝導度を上昇させ、金属イオンを生成する原因になる陰イオンとを両方とも交換できるため、両イオンタイプが好ましいことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２３７００６号公報
【特許文献２】特開平１０−２４５５２８号公報
【特許文献３】特開平１１−０６０８９９号公報
【特許文献４】特開２００７−１６０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記異方性導電材料により、例えば、半導体チップの電極とガラス基板の電極とを電気的に接続する際には、ガラス基板上に、導電性粒子を含む異方性導電材料を配置する。次に、半導体チップを積層して、加熱及び加圧する。これにより、異方性導電材料を硬化させて、かつ導電性粒子を介して電極間を電気的に接続し、接続構造体を得る。【００１０】
特許文献１〜４に記載のような従来の異方性導電材料を用いて接続構造体を作製すると、得られた接続構造体が高湿下で通電した状態で使用されると、マイグレーションが生じることがある。このため、上記接続構造体の絶縁信頼性が低いことがある。【００１１】
特に、特許文献３に記載のようなカチオン発生剤を含む従来の異方性導電材料を用いた接続構造体では、高湿下で通電した状態での使用により、マイグレーションが生じやすいという問題がある。【００１２】
また、特許文献４に記載のように、イオン捕捉剤を用いただけでは、マイグレーションを十分に抑制できないことがある。さらに、特許文献４の実施例では、陽イオンタイプのイオン捕捉剤粒子と、陰イオンタイプのイオン捕捉剤粒子との内いずれかが用いられているにすぎない。特許文献４の実施例で用いられている陽イオンタイプのイオン捕捉剤粒子及び陰イオンタイプのイオン捕捉剤粒子、並びに特許文献４で挙げられた両イオンタイプのイオン捕捉剤粒子では、他の配合成分の種類により、マイグレーションを十分に抑制できないことがある。【００１３】
また、近年、上記接続構造体における電極幅／電極間幅であるＬ／Ｓ（ライン／スペース）がより一層小さくなってきている。上記接続構造体における電極のＬ／Ｓが小さいほど、マイグレーションが生じたときに、絶縁不良が生じやすいという問題がある。【００１４】
本発明の目的は、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、得られる接続構造体の導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる導電材料、並びに該導電材料を用いた接続構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の広い局面によれば、硬化性成分と、陽イオン交換体と、陰イオン交換体と、導電性粒子とを含み、上記硬化性成分が、硬化性化合物と、カチオン発生剤とを含有する、導電材料が提供される。【００１６】
本発明に係る導電材料のある特定の局面では、上記陽イオン交換体の中性交換容量が２ｍｅｑ／ｇ以上であり、かつ上記陰イオン交換体の中性交換容量が１ｍｅｑ／ｇ以上である。【００１７】
上記陽イオン交換体はジルコニウム原子を含むことが好ましい。上記陰イオン交換体は、マグネシウム原子とアルミニウム原子とを含むことが好ましい。【００１８】
本発明に係る導電材料の他の特定の局面では、上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記陽イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下であり、かつ上記陰イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下である。【００１９】
本発明に係る導電材料の別の特定の局面では、上記導電性粒子が、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、融点が４５０℃以下である低融点金属層である。【００２０】
本発明に係る導電材料のさらに別の特定の局面では、フラックスがさらに含まれている。【００２１】
本発明に係る導電材料は、銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる導電材料であることが好ましい。【００２２】
本発明に係る導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。【００２３】
本発明に係る接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、該第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、該接続部が、上述した導電材料により形成されている。【００２４】
本発明に係る接続構造体のある特定の局面では、上記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、上記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、上記第１の電極と上記第２の電極とが、上記導電性粒子により電気的に接続されており、上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方が、銅電極である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明に係る導電材料は、硬化性化合物及びカチオン発生剤を含有する硬化性成分と導電性粒子とを含み、更に陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を含むので、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、得られる接続構造体の導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いて、接続構造体を得る各工程を説明するための正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２８】
本発明に係る導電材料は、硬化性成分と、陽イオン交換体と、陰イオン交換体と、導電性粒子とを含む。上記硬化性成分は、硬化性化合物と、カチオン発生剤とを含有する。
【００２９】
本発明に係る導電材料が上述した組成を有することにより、特に陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を用いることにより、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、接続対象部材の電極間を電気的に接続した場合に、得られる接続構造体の導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる。特に、該接続構造体が高湿下で通電した状態で使用されても、導電性粒子における導電部及び電極にマイグレーションが生じ難くなり、高い絶縁信頼性を十分に確保できる。
【００３０】
本発明に係る導電材料では、上記硬化性成分は、硬化性化合物と硬化剤とを含有する。上記硬化剤は、カチオン発生剤を含有する。導電材料がカチオン発生剤を含むことによって、接続構造体におけるマイグレーションが生じやすい傾向がある。これに対して、本発明に係る導電材料が、硬化性化合物及びカチオン発生剤を含有する硬化性成分と導電性粒子とを含み、更に陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を含むので、カチオン発生剤を用いているにも関わらず、接続構造体におけるマイグレーションを効果的に抑制でき、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【００３１】
また、本発明らは、カチオン発生剤を用いることで、カチオン発生剤以外の熱硬化剤（イミダゾール化合物など）を用いた場合と比べて、導通信頼性を効果的に高めることができることを見出した。
【００３２】
また、本発明者らは、陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を併用することで、陽イオン交換体を単独で用いたり、陰イオン交換体を単独で用いたり、両イオン交換体を単独で用いたりした場合と比べて、カチオン発生剤を含む導電材料において、マイグレーションの発生をかなり効果的に抑制でき、絶縁信頼性を効果的に高めることができることを見出した。
【００３３】
本発明に係る導電材料には、イオン交換体として、陽イオン交換体のみを含む導電材料は含まれない。本発明に係る導電材料には、イオン交換体として、陰イオン交換体のみを含む導電材料は含まれない。本発明に係る導電材料には、イオン交換体として、両イオン交換体を含み、かつ陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を含まない導電材料は含まれない。
【００３４】
また、低温速硬化のためには、カチオン硬化系を適用することが好ましい。カチオン発生剤の分子構造中に含まれるイオン性成分が組成物中に拡散しやすいこと、並びにエポキシ化合物などのカチオン硬化性化合物が塩素イオンを含むことがあることなどの理由により、カチオン発生剤を用いた場合には、微量のイオン性成分による電極腐食が起こりやい。このため、カチオン発生剤を用いた場合には、電極間の接続信頼性に課題がある。
【００３５】
一方で、イオン交換体を適用することは、上記課題に対し効果は得られるが、その効果は十分ではないことがある。陽イオン交換体と陰イオン交換体との内のいずれかのイオン交換体のみを用いるのではなく、陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を用いることで、上記課題に対し著しい効果が得られることを見出した。これは、陽イオン交換体と陰イオン交換体との内の一方のみを用いる場合は、一方のイオンのみが捕捉されることで、カチオン発生剤等の乖離平衡のバランスがくずれ、その結果対イオンが遊離した状態になって存在し続けるため、組成物中のイオン成分の悪影響を十分に低減できないためと考えられる。また、陰陽両性のイオン捕捉能を持つ両イオン交換体を用いるよりも、陽イオン交換体と陰イオン交換体との双方を用いる方が、上記課題に対しより一層効果的である。この理由は明らかではないが、陰陽両性のイオン捕捉能を持つ化合物は、陰陽それぞれの捕捉能を有するサイトが近接するために捕捉能を打ち消しあって効果が低減することが考えられる。
【００３６】
本発明に係る導電材料を硬化させる方法としては、導電材料に光を照射する方法、導電材料を加熱する方法、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法、並びに導電材料を加熱した後、導電材料に光を照射する方法が挙げられる。また、光硬化の速度及び熱硬化の速度が異なる場合などには、光の照射と加熱とを同時に行ってもよい。なかでも、導電材料に光を照射した後、導電材料を加熱する方法が好ましい。光硬化と熱硬化との併用により、導電材料を短時間で硬化させることができる。
【００３７】
上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であってもよい。上記硬化性化合物は、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）であることが好ましい。
【００３８】
上記導電材料は、加熱により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、加熱により硬化可能な硬化性化合物（熱硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）を含んでいてもよい。該加熱により硬化可能な硬化性化合物は、光の照射により硬化しない硬化性化合物（熱硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００３９】
また、上記導電材料は、光の照射と加熱との双方により硬化可能な導電材料であり、上記硬化性化合物として、光の照射により硬化可能な硬化性化合物（光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物）をさらに含むことが好ましい。この場合には、光の照射により導電材料を半硬化（Ｂステージ化）させ、導電材料の流動性を低下させた後、加熱により導電材料を硬化させることができる。上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物は、加熱により硬化しない硬化性化合物（光硬化性化合物）であってもよく、光の照射と加熱との双方により硬化可能な硬化性化合物（光及び熱硬化性化合物）であってもよい。
【００４０】
本発明に係る導電材料は、硬化剤を含む。本発明に係る導電材料は、上記硬化剤として、カチオン発生剤を含む。上記カチオン発生剤は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよく、光の照射によりカチオンを発生するカチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であってもよい。上記硬化性化合物は、加熱によりカチオンを発生するカチオン発生剤（熱カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）であることが好ましい。
【００４１】
本発明に係る導電材料は、光硬化開始剤を含んでいてもよい。本発明に係る導電材料は、上記光硬化開始剤として、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。
【００４２】
上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物を含み、光硬化性化合物、又は光及び熱硬化性化合物をさらに含むことが好ましい。上記導電材料は、上記硬化性化合物として、熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを含むことが好ましい。
【００４３】
以下、先ず、本発明に係る導電材料に好適に用いられる各成分の詳細を説明する。
【００４４】
（硬化性化合物）
上記導電材料に含まれている硬化性化合物は特に限定されない。上記硬化性化合物として、従来公知の硬化性化合物が使用可能である。上記硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４５】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。エポキシ基を有する硬化性化合物は、エポキシ化合物である。上記エポキシ基を有する硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４６】
上記エポキシ基を有する硬化性化合物は、芳香族環を有することが好ましい。上記芳香族環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラフェン環、ピレン環、ペンタセン環、ピセン環及びペリレン環等が挙げられる。なかでも、上記芳香族環は、ベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環であることが好ましく、ベンゼン環又はナフタレン環であることがより好ましい。また、ナフタレン環は、平面構造を有するためにより一層速やかに硬化させることができるので好ましい。
【００４７】
上記導電材料の硬化性を高める観点からは、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、１００重量％以下である。上記硬化性化合物の全量が上記エポキシ基を有する硬化性化合物であってもよい。上記エポキシ基を有する硬化性化合物と該エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物とを併用する場合には、上記硬化性化合物の全体１００重量％中、上記エポキシ基を有する硬化性化合物の含有量は、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９５重量％以下、更に好ましくは９０重量％以下、特に好ましくは８０重量％以下である。
【００４８】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を有する硬化性化合物とは異なる他の硬化性化合物をさらに含有していてもよい。該他の硬化性化合物としては、不飽和二重結合を有する硬化性化合物、フェノール硬化性化合物、アミノ硬化性化合物、不飽和ポリエステル硬化性化合物、ポリウレタン硬化性化合物、シリコーン硬化性化合物及びポリイミド硬化性化合物等が挙げられる。上記他の硬化性化合物は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００４９】
上記導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をより一層高めたりする観点からは、上記硬化性化合物は、不飽和二重結合を有する硬化性化合物を含有することが好ましい。上記導電材料の硬化を容易に制御したり、接続構造体における導通信頼性をさらに一層高めたりする観点からは、上記不飽和二重結合を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物であることが好ましい。上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物の使用により、Ｂステージ化した導電材料全体（光が直接照射された部分と光が直接照射されなかった部分とを含む）で硬化率を好適な範囲に制御することが容易になり、得られる接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。
【００５０】
Ｂステージ化した導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。
【００５１】
Ｂステージ化した導電材料層の硬化率を容易に制御し、更に得られる接続構造体の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、（メタ）アクリロイル基を１個又は２個有することが好ましい。
【００５２】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物としては、エポキシ基を有さず、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物、及びエポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物が挙げられる。
【００５３】
上記（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物として、（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物、（メタ）アクリル酸とエポキシ化合物とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート、又はイソシアネートに水酸基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を反応させて得られるウレタン（メタ）アクリレート等が好適に用いられる。上記「（メタ）アクリロイル基」は、アクリロイル基とメタクリロイル基とを示す。上記「（メタ）アクリル」は、アクリルとメタクリルとを示す。上記「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとを示す。
【００５４】
上記（メタ）アクリル酸と水酸基を有する化合物とを反応させて得られるエステル化合物は特に限定されない。該エステル化合物として、単官能のエステル化合物、２官能のエステル化合物及び３官能以上のエステル化合物のいずれも使用可能である。
【００５５】
上記エポキシ基を有し、かつ（メタ）アクリロイル基を有する硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物の一部のエポキシ基を、（メタ）アクリロイル基に変換することにより得られる硬化性化合物であることが好ましい。この硬化性化合物は、部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物である。
【００５６】
上記硬化性化合物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と、（メタ）アクリル酸との反応物を含有することが好ましい。この反応物は、エポキシ基を２個以上有する化合物と（メタ）アクリル酸とを、常法に従って酸性触媒などの触媒の存在下で反応させることにより得られる。エポキシ基の２０％以上が（メタ）アクリロイル基に変換（転化率）されていることが好ましい。転化率は、より好ましくは３０％以上、好ましくは８０％以下、より好ましくは７０％以下である。エポキシ基の４０％以上、６０％以下が（メタ）アクリロイル基に変換されていることが最も好ましい。
【００５７】
上記部分（メタ）アクリレート化エポキシ化合物としては、ビスフェノール型エポキシ（メタ）アクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート、カルボン酸無水物変性エポキシ（メタ）アクリレート、及びフェノールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００５８】
上記硬化性化合物として、エポキシ基を２個以上有するフェノキシ樹脂の一部のエポキシ基が（メタ）アクリロイル基に変換された変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。すなわち、エポキシ基と（メタ）アクリロイル基とを有する変性フェノキシ樹脂を用いてもよい。
【００５９】
また、上記硬化性化合物は、架橋性化合物であってもよく、非架橋性化合物であってもよい。
【００６０】
上記架橋性化合物の具体例としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、グリセリンメタクリレートアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、（メタ）アクリル酸アリル、（メタ）アクリル酸ビニル、ジビニルベンゼン、ポリエステル（メタ）アクリレート、及びウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６１】
上記非架橋性化合物の具体例としては、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート及びテトラデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６２】
熱硬化性化合物と光硬化性化合物とを併用する場合には、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との配合比は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物との種類に応じて適宜調整される。上記導電材料は、光硬化性化合物と熱硬化性化合物とを重量比で、１：９９〜９０：１０で含むことが好ましく、５：９５〜６０：４０で含むことがより好ましく、１０：９０〜４０：６０で含むことが更に好ましい。
【００６３】
（硬化剤）
上記導電材料は、硬化剤を含む。該硬化剤は、熱硬化剤であってもよく、光硬化開始剤であってもよい。該硬化剤は、カチオン発生剤を含む。該カチオン発生剤として従来公知のカチオン発生剤が使用可能である。また、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化のみさせるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を少なくとも熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることが好ましい。さらに、本発明では、カチオン発生剤は、導電材料を光硬化させるための光カチオン発生剤として用いるのではなく、導電材料を熱硬化させるための熱カチオン発生剤として用いることが好ましい。上記カチオン発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００６４】
上記カチオン発生剤として、ヨードニウム塩及びスルフォニウム塩が好適に用いられる。例えば、上記カチオン発生剤の市販品としては、三新化学社製のサンエイドＳＩ−４５Ｌ、ＳＩ−６０Ｌ、ＳＩ−８０Ｌ、ＳＩ−１００Ｌ、ＳＩ−１１０Ｌ、ＳＩ−１５０Ｌ、楠本化成社製のＫ−ＰＵＲＥ、並びにＡＤＥＫＡ社製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。
【００６５】
好ましいカチオン発生剤のアニオン部分としては、ＰＦ６、ＢＦ４、及びＢ（Ｃ６Ｆ５）４が挙げられる。
【００６６】
また、上記カチオン発生剤の他の具体例としては、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、３−メチル−２−ブテニルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシフェニルシンナミルメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、α−ナフチルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、シンナミルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、ビフェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、フェニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムテトラフルオロボレート、フルオレニルメチルジメチルスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムテトラフルオロボレート、及びフルオレニルメチルテトラメチレンスルフォニウムヘキサフルオロホスフェート等が挙げられる。
【００６７】
上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出するか、又は加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出することが好ましい。上記カチオン発生剤は、加熱により無機酸イオンを放出する成分であることが好ましく、加熱によりホウ素原子を含む有機酸イオンを放出する成分であることも好ましい。
【００６８】
加熱により無機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−又はＰＦ６−を有する化合物であることが好ましい。上記カチオン発生剤は、アニオン部分としてＳｂＦ６−を有する化合物であることが好ましく、アニオン部分としてＰＦ６−を有する化合物であることも好ましい。
【００６９】
上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｘ５）４−で表されることが好ましい。ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１）で表されるアニオン部分を有する化合物であることが好ましい。
【００７０】
【化１】
2013021895.tif 000003
【００７１】
上記式（１）中、Ｘはハロゲン原子を表す。上記式（１）中のＸは、塩素原子、臭素原子又はフッ素原子であることが好ましく、フッ素原子であることがより好ましい。
【００７２】
上記カチオン発生剤のアニオン部分がＢ（Ｃ６Ｆ５）４−で表されることが好ましい。上記ホウ素原子を含む有機酸イオンを放出するカチオン発生剤は、下記式（１Ａ）で表されるアニオン部分を有する化合物であることがより好ましい。
【００７３】
【化２】
2013021895.tif 000004
【００７４】
上記カチオン発生剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に硬化する。
【００７５】
上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記カチオン発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記加熱により硬化可能な硬化性化合物に対する上記カチオン発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料が充分に熱硬化する。
【００７６】
電極間の導通信頼性及び接続構造体の高湿下での接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、上記カチオン発生剤と、熱ラジカル発生剤との双方を含むことが好ましい。上記熱ラジカル発生剤は特に限定されない。上記熱ラジカル発生剤として、従来公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。上記熱ラジカル発生剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。ここで、「熱ラジカル発生剤」とは、加熱によってラジカル種を生成する化合物を意味する。
【００７７】
上記熱ラジカル発生剤としては、特に限定されず、アゾ化合物及び過酸化物等が挙げられる。上記過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物等が挙げられる。
【００７８】
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、１，１’−アゾビス−１−シクロヘキサンカルボニトリル、ジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレート、ジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル−１，１’−アゾビス（１−シクロヘキサンカルボキシレート）、４，４’−アゾビス（４−シアノ吉草酸）、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩、２−ｔｅｒｔ−ブチルアゾ−２−シアノプロパン、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミド）二水和物、及び２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
【００７９】
上記ジアシルパーオキサイド化合物としては、過酸化ベンゾイル、ジイソブチリルパーオキサイド、ジ（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、及びＤｉｓｕｃｃｉｎｉｃ  ａｃｉｄ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ等が挙げられる。上記パーオキシエステル化合物としては、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５―ジ（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔｅｒｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソフタレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシオクトエート及びｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート等が挙げられる。上記ハイドロパーオキサイド化合物としては、キュメンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド等が挙げられる。上記パーオキシジカーボネート化合物としては、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシカーボネート、及びジ（２−エチルヘキシル）パーオキシカーボネート等が挙げられる。また、上記過酸化物の他の例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、カリウムパーサルフェイト、及び１，１−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン等が挙げられる。
【００８０】
上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度は、好ましくは３０℃以上、より好ましくは４０℃以上、好ましくは９０℃以下、より好ましくは８０℃以下、更に好ましくは７０℃以下である。上記熱ラジカル発生剤の１０時間半減期を得るための分解温度が、３０℃未満であると、導電材料の貯蔵安定性が低下する傾向があり、９０℃を超えると、上記熱ラジカル発生剤の作用によって導電材料を充分に熱硬化させることが困難になる傾向がある。
【００８１】
上記熱硬化剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱硬化剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、更に好ましくは５重量部以上、特に好ましくは１０重量部以上、好ましくは４０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは２０重量部以下である。上記熱硬化剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。上記熱硬化剤の含有量は、上記熱硬化剤がカチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記熱硬化剤がカチオン発生剤と他の熱硬化剤（熱ラジカル発生剤など）との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の熱硬化剤との合計の含有量を示す。
【００８２】
上記硬化剤が熱ラジカル発生剤を含む場合に、上記硬化性化合物中の上記加熱により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記熱ラジカル発生剤の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。上記熱ラジカル発生剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を充分に熱硬化させることができる。
【００８３】
上記導電材料は、上記硬化剤として、光硬化開始剤を含んでいてもよい。光硬化開始剤には、上述した光カチオン発生剤（光カチオン発生剤、又は光及び熱カチオン発生剤）が含まれる。上記光硬化開始剤は特に限定されない。上記光硬化開始剤として、従来公知の光硬化開始剤を用いることができる。電極間の導通信頼性及び接続構造体の接続信頼性をより一層高める観点からは、上記導電材料は、光ラジカル発生剤を含むことが好ましい。上記光硬化開始剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８４】
上記カチオン発生剤以外の他の光硬化開始剤としては、特に限定されず、アセトフェノン光硬化開始剤（アセトフェノン光ラジカル発生剤）、ベンゾフェノン光硬化開始剤（ベンゾフェノン光ラジカル発生剤）、チオキサントン、ケタール光硬化開始剤（ケタール光ラジカル発生剤）、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド及びアシルホスフォナート等が挙げられる。
【００８５】
上記アセトフェノン光硬化開始剤の具体例としては、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、及び２−ヒドロキシ−２−シクロヘキシルアセトフェノン等が挙げられる。上記ケタール光硬化開始剤の具体例としては、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【００８６】
上記光硬化開始剤の含有量は特に限定されない。上記硬化性化合物中の上記光の照射により硬化可能な硬化性化合物１００重量部に対して、上記光硬化開始剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．２重量部以上、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下である。上記光硬化開始剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電材料を適度に光硬化させることができる。導電材料に光を照射し、Ｂステージ化することにより、導電材料の流動を抑制できる。上記光硬化開始剤の含有量は、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤のみである場合には、カチオン発生剤の含有量を示し、上記光硬化開始剤がカチオン発生剤と他の光硬化開始剤との双方を含む場合には、カチオン発生剤と他の光硬化開始剤との合計の含有量を示す。
【００８７】
（イオン交換体）
上記導電材料に含まれている陽イオン交換体及び陰イオン交換体は特に限定されない。上記陽イオン交換体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記陰イオン交換体は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００８８】
上記陽イオン交換体としては、Ｚｒ系陽イオン交換体及びＳｂ系陽イオン交換体等が挙げられる。接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陽イオン交換体は、Ｚｒ系陽イオン交換体であることが好ましく、ジルコニウム原子を含むことが好ましい。
【００８９】
上記陽イオン交換体の市販品としては、ＩＸＥ−１００及びＩＸＥ−３００（以上いずれも東亞合成社製）等が挙げられる。
【００９０】
上記陰イオン交換体としては、Ｂｉ系陰イオン交換体、Ｍｇ−Ａｌ系陰イオン交換体及びＺｒ系陰イオン交換体等が挙げられる。接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陽イオン交換体は、Ｍｇ−Ａｌ系陰イオン交換体であることが好ましく、マグネシウム原子とアルミニウム原子とを含むことが好ましい。
【００９１】
上記陰イオン交換体の市販品としては、ＩＸＥ−５００、ＩＸＥ−５３０及びＩＸＥ−５５０、ＩＸＥ−７００Ｆ及びＩＸＥ−８００（以上いずれも東亞合成社製）等が挙げられる。
【００９２】
上記陽イオン交換体の中性交換容量は、好ましくは１ｍｅｑ／ｇ以上、より好ましくは２ｍｅｑ／ｇ以上、好ましくは１０ｍｅｑ／ｇ以下、より好ましくは４ｍｅｑ／ｇ以下である。上記陽イオン交換体の中性交換容量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９３】
上記陰イオン交換体の中性交換容量は、好ましくは０．１ｍｅｑ／ｇ以上、より好ましくは１ｍｅｑ／ｇ以上、好ましくは１０ｍｅｑ／ｇ以下、より好ましくは５ｍｅｑ／ｇ以下である。上記陰イオン交換体の中性交換容量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９４】
上記陽イオン交換体のメディアン径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記陽イオン交換体のメディアン径が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９５】
上記陰イオン交換体のメディアン径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記陰イオン交換体のメディアン径が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９６】
上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記陽イオン交換体の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは５量部以下、より好ましくは４重量部以下である。上記陽イオン交換体の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９７】
上記硬化性化合物１００重量部に対して、上記陰イオン交換体の含有量は、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、好ましくは５重量部以下、より好ましくは４重量部以下である。上記陰イオン交換体の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続構造体におけるマイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高めることができる。
【００９８】
上記導電材料は、上記陽イオン交換体と陰イオン交換体とを重量比で、９：１〜１：９で含むことが好ましく、８：２〜２：８で含むことがより好ましく、６：４〜４：６で含むことが更に好ましい。
【００９９】
（導電性粒子）
上記導電材料に含まれている導電性粒子は、例えば、第１，第２の接続対象部材の電極間を電気的に接続する。上記導電性粒子は、導電性を有する粒子であれば特に限定されない。上記導電性粒子は、導電部を導電性の表面に有していればよい。導電性粒子の導電部の表面が絶縁層により被覆されていてもよい。導電性粒子の導電部の表面が、絶縁性粒子により被覆されていてもよい。これらの場合には、接続対象部材の接続時に、導電部と電極との間の絶縁層又は絶縁性粒子が排除される。
【０１００】
上記導電性粒子としては、例えば、有機粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子もしくは金属粒子等の表面を導電層（金属層）で被覆した導電性粒子、並びに実質的に金属のみで構成される金属粒子等が挙げられる。上記導電性粒子は、有機粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子の表面を導電層で被覆した導電性粒子であることが好ましい。
【０１０１】
上記導電部及び上記金属層は特に限定されない。上記導電部を構成する金属としては、金、銀、銅、ニッケル、パラジウム及び錫等が挙げられる。上記金属層としては、金層、銀層、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び錫を含有する金属層等が挙げられる。
【０１０２】
電極と導電性粒子との接触面積を大きくし、電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層（第１の導電層）とを有することが好ましい。電極間の導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属である導電性粒子であることが好ましい。上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の少なくとも外側の表面が、低融点金属層であることがより好ましい。
【０１０３】
上記低融点金属層は、低融点金属を含む層である。該低融点金属とは、融点が４５０℃以下の金属を示す。低融点金属の融点は好ましくは３００℃以下、より好ましくは１６０℃以下である。また、上記低融点金属は錫を含むことが好ましい。低融点金属又は低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、錫の含有量は好ましくは３０重量％以上、より好ましくは４０重量％以上、更に好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。上記錫の含有量が上記下限以上であると、低融点金属と電極との接続信頼性がより一層高くなる。なお、上記錫の含有量は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析装置（堀場製作所社製「ＩＣＰ−ＡＥＳ」）、又は蛍光Ｘ線分析装置（島津製作所社製「ＥＤＸ−８００ＨＳ」）等を用いて測定可能である。
【０１０４】
導電部の外側の表面が低融点金属である場合には、低融点金属が溶融して電極に接合し、低融点金属が電極間を導通させる。例えば、低融点金属と電極とが点接触ではなく面接触しやすいため、接続抵抗が低くなる。また、少なくとも導電性の外側の表面が低融点金属である導電性粒子の使用により、低融点金属と電極との接合強度が高くなる結果、低融点金属と電極との剥離がより一層生じ難くなり、耐湿熱性がより一層高くなる。
【０１０５】
上記低融点金属層を構成する低融点金属は特に限定されない。該低融点金属は、錫、又は錫を含む合金であることが好ましい。該合金は、錫−銀合金、錫−銅合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−亜鉛合金、錫−インジウム合金が挙げられる。なかでも、電極に対する濡れ性に優れることから、上記低融点金属は、錫、錫−銀合金、錫−銀−銅合金、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることが好ましく、錫−ビスマス合金、錫−インジウム合金であることがより好ましい。
【０１０６】
また、上記低融点金属は、はんだであることが好ましい。上記低融点金属層は、はんだ層であることが好ましい。該はんだを構成する材料は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｚ３００１：溶接用語に基づき、液相線が４５０℃以下である溶加材であることが好ましい。上記はんだの組成としては、例えば亜鉛、金、鉛、銅、錫、ビスマス、インジウムなどを含む金属組成が挙げられる。なかでも低融点で鉛フリーである錫−インジウム系（１１７℃共晶）、又は錫−ビスマス系（１３９℃共晶）が好ましい。すなわち、はんだは、鉛を含まないことが好ましく、錫とインジウムとを含むはんだ、又は錫とビスマスとを含むはんだであることが好ましい。
【０１０７】
上記低融点金属と電極との接合強度をより一層高めるために、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム、亜鉛、鉄、金、チタン、リン、ゲルマニウム、テルル、コバルト、ビスマス、マンガン、クロム、モリブデン、パラジウム等の金属を含んでいてもよい。低融点金属と電極との接合強度をさらに一層高める観点からは、上記低融点金属は、ニッケル、銅、アンチモン、アルミニウム又は亜鉛を含むことが好ましい。低融点金属と電極との接合強度をより一層高める観点からは、接合強度を高めるためのこれらの金属の含有量は、低融点金属又は低融点金属層に含まれる金属１００重量％中、好ましくは０．０００１重量％以上、好ましくは１重量％以下である。
【０１０８】
上記導電性粒子は、樹脂粒子と、該樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、該導電層の外側の表面が低融点金属層であり、上記樹脂粒子と上記低融点金属層（はんだ層など）との間に、上記低融点金属層とは別に第２の導電層を有することが好ましい。この場合に、上記低融点金属層は上記導電層全体の一部であり、上記第２の導電層は上記導電層全体の一部である。この導電性粒子を用いる場合には、電極に第２の導電層を接触させることが好ましい。
【０１０９】
上記低融点金属層とは別の上記第２の導電層は、金属を含むことが好ましい。該第２の導電層を構成する金属は、特に限定されない。該金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、パラジウム、亜鉛、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム、並びにこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属として、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）を用いてもよい。上記金属は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１１０】
上記第２の導電層は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層であることが好ましく、ニッケル層又は金層であることがより好ましく、銅層であることが更に好ましい。導電性粒子は、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は金層を有することが好ましく、ニッケル層又は金層を有することがより好ましく、銅層を有することが更に好ましい。これらの好ましい導電層を有する導電性粒子を電極間の接続に用いることにより、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、これらの好ましい導電層の表面には、低融点金属層をより一層容易に形成できる。なお、上記第２の導電層は、はんだ層などの低融点金属層であってもよい。導電性粒子は、複数層の低融点金属層を有していてもよい。
【０１１１】
上記低融点金属層の厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。上記低融点金属層の厚みが上記下限以上であると、導電性が十分に高くなる。上記低融点金属層の厚みが上記上限以下であると、樹脂粒子と低融点金属層との熱膨張率の差が小さくなり、低融点金属層の剥離が生じ難くなる。
【０１１２】
導電層が低融点金属層以外の導電層である場合、又は導電層が多層構造を有する場合には、導電層の全体厚みは、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。
【０１１３】
異方性導電材料における導電性粒子に適した大きさであり、かつ電極間の間隔をより一層小さくすることができるので、上記導電性粒子の平均粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、更に好ましくは１５μｍ以下、特に好ましくは１０μｍ以下、最も好ましくは５μｍ未満である。
【０１１４】
上記導電性粒子の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ未満であることが最も好ましい。本発明に係る導電材料の使用により、導電性粒子の平均粒子径が５μｍ未満であって、導電性粒子が小さくても、接続構造体の接続信頼性を十分に高めることができる。
【０１１５】
また、上記樹脂粒子は、実装する基板の電極サイズ又はランド径によって使い分けることができる。
【０１１６】
上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制する観点からは、導電性粒子の平均粒子径Ｃの樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｃ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは３．０以下である。また、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第２の導電層がある場合に、はんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する樹脂粒子の平均粒子径Ａに対する比（Ｂ／Ａ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。さらに、上記樹脂粒子と上記はんだ層との間に上記第２の導電層がある場合に、はんだ層を含む導電性粒子の平均粒子径Ｃのはんだ層を除く導電性粒子部分の平均粒子径Ｂに対する比（Ｃ／Ｂ）は、１．０を超え、好ましくは２．０以下である。上記比（Ｂ／Ａ）が上記範囲内であったり、上記比（Ｃ／Ｂ）が上記範囲内であったりすると、上下の電極間をより一層確実に接続し、かつ横方向に隣接する電極間の短絡をより一層抑制できる。
【０１１７】
ＦＯＢ及びＦＯＦ用途向け導電材料（異方性導電材料）：
上記導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））との接続、又はフレキシブルプリント基板とフレキシブルプリント基板との接続（ＦＯＦ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））に好適に用いられる。
【０１１８】
ＦＯＢ及びＦＯＦ用途では、電極がある部分（ライン）と電極がない部分（スペース）との寸法であるＬ＆Ｓは、一般に１００〜５００μｍである。ＦＯＢ及びＦＯＦ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１０〜１００μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以上であると、電極間に配置される導電材料及び接続部の厚みが十分に厚くなり、接着力がより一層高くなる。樹脂粒子の平均粒子径が１００μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１１９】
フリップチップ用途向け導電材料（異方性導電材料）：
上記導電材料は、フリップチップ用途に好適に用いられる。
【０１２０】
フリップチップ用途では、一般にランド径が１５〜８０μｍである。フリップチップ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１〜１５μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１μｍ以上であると、該樹脂粒子の表面上に配置されるはんだ層の厚みを十分に厚くすることができ、電極間をより一層確実に電気的に接続することができる。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１２１】
ＣＯＦ向け導電材料（異方性導電材料）：
上記導電材料は、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））に好適に用いられる。
【０１２２】
ＣＯＦ用途では、電極がある部分（ライン）と電極がない部分（スペース）との寸法であるＬ＆Ｓは、一般に１０〜５０μｍである。ＣＯＦ用途で用いる樹脂粒子の平均粒子径は１〜１０μｍであることが好ましい。樹脂粒子の平均粒子径が１μｍ以上であると、該樹脂粒子の表面上に配置されるはんだ層の厚みを十分に厚くすることができ、電極間をより一層確実に電気的に接続することができる。樹脂粒子の平均粒子径が１０μｍ以下であると、隣接する電極間で短絡がより一層生じ難くなる。
【０１２３】
上記導電性粒子及び上記樹脂粒子の「平均粒子径」は、数平均粒子径を示す。導電性粒子の平均粒子径は、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１２４】
上記導電性粒子における導電部の表面は、絶縁性材料、絶縁性粒子、フラックス等により絶縁処理されていてもよい。絶縁性材料、絶縁性粒子、フラックス等は、接続時の熱により軟化、流動することで接続部から排除されることが好ましい。これにより、電極間での短絡を抑制することができる。
【０１２５】
上記導電性粒子の含有量は特に限定されない。上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、更に好ましくは１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは３０重量％以下、更に好ましくは１９重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間に導電性粒子を容易に配置できる。さらに、接続されてはならない隣接する電極間が複数の導電性粒子を介して電気的に接続され難くなる。すなわち、隣り合う電極間の短絡をより一層防止できる。
【０１２６】
（フラックス）
上記導電材料はフラックスを含んでいてもよい。該フラックスの使用により、電極表面に形成された酸化膜を効果的に除去できる。この結果、接続構造体における導通信頼性がより一層高くなる。なお、上記導電材料は、フラックスを必ずしも含んでいなくてもよい。
【０１２７】
上記フラックスは特に限定されない。該フラックスとして、はんだ接合等に一般的に用いられているフラックスを使用できる。上記フラックスとしては、例えば、塩化亜鉛、塩化亜鉛と無機ハロゲン化物との混合物、塩化亜鉛と無機酸との混合物、溶融塩、リン酸、リン酸の誘導体、有機ハロゲン化物、ヒドラジン、有機酸及び松脂等が挙げられる。上記フラックスは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１２８】
上記溶融塩としては、塩化アンモニウム等が挙げられる。上記有機酸としては、乳酸、クエン酸、ステアリン酸及びグルタミン酸等が挙げられる。上記松脂としては、活性化松脂及び非活性化松脂等が挙げられる。上記フラックスは、松脂であることが好ましい。松脂の使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１２９】
上記松脂はアビエチン酸を主成分とするロジン類である。上記フラックスは、ロジン類であることが好ましく、アビエチン酸であることがより好ましい。この好ましいフラックスの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１３０】
上記フラックスは、バインダー樹脂中に分散されていてもよく、上記導電性粒子の表面上に付着していてもよい。
【０１３１】
上記導電材料１００重量％中、上記フラックスの含有量は好ましくは０．５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２５重量％以下である。上記フラックスの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極表面に形成された酸化膜をより一層効果的に除去できる。また、上記フラックスの含有量が上記下限以上であると、フラックスの添加効果がより一層効果的に発現する。上記フラックスの含有量が上記上限以下であると、硬化物の吸湿性がより一層低くなり、接続構造体の信頼性がより一層高くなる。
【０１３２】
（他の成分）
上記導電材料は、フィラーを含むことが好ましい。フィラーの使用により、導電材料の硬化物の熱線膨張率を抑制できる。上記フィラーの具体例としては、シリカ、窒化アルミニウム、アルミナ、ガラス、窒化ボロン、窒化ケイ素、シリコーン、カーボン、グラファイト、グラフェン及びタルク等が挙げられる。フィラーは１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。熱伝導率が高いフィラーを用いると、本硬化時間が短くなる。
【０１３３】
上記導電材料は、溶剤を含んでいてもよい。該溶剤の使用により、導電材料の粘度を容易に調整できる。上記溶剤としては、例えば、酢酸エチル、メチルセロソルブ、トルエン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン、テトラヒドロフラン及びジエチルエーテル等が挙げられる。
【０１３４】
（導電材料の詳細及び用途）
本発明に係る導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。本発明に係る導電材料は、電極の電気的な接続に用いられる導電材料であることが好ましい。本発明に係る導電材料は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる導電材料であることも好ましい。本発明に係る導電材料は、ペースト状又はフィルム状の導電材料であり、ペースト状の導電材料であることが好ましい。ペースト状の導電材料は、導電ペーストである。フィルム状の導電材料は、導電フィルムである。導電材料が導電フィルムである場合、該導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０１３５】
本発明に係る導電材料は、導電ペーストであって、ペースト状の状態で接続対象部材上に塗布される導電ペーストであることが好ましい。
【０１３６】
上記導電ペーストの２５℃での粘度は、好ましくは２０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは１００Ｐａ・ｓ以上、好ましくは１０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは７００Ｐａ・ｓ以下、更に好ましくは６００Ｐａ・ｓ以下である。上記粘度が上記下限以上であると、導電ペースト中での導電性粒子の沈降を抑制できる。上記粘度が上記上限以下であると、導電性粒子の分散性がより一層高くなる。塗布前の上記導電ペーストの上記粘度が上記範囲内であれば、第１の接続対象部材上に導電ペーストを塗布した後に、硬化前の導電ペーストの流動をより一層抑制でき、さらにボイドがより一層生じ難くなる。上記導電ペーストの２５℃での粘度は、３００Ｐａ・ｓ以下であってもよい。なお、ペースト状には液状も含まれる。
【０１３７】
本発明に係る導電材料は、銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる導電材料であることが好ましい。導電材料を用いて、銅電極を有する接続対象部材を接続した場合には、接続構造体における銅電極に起因してマイグレーションが生じやすいという問題がある。これに対して、本発明に係る導電材料の使用により、銅電極を有する接続対象部材を接続したとしても、接続構造体におけるマイグレーションを効果的に抑制でき、絶縁信頼性を効果的に高めることができる。
【０１３８】
本発明に係る導電材料は、様々な接続対象部材を接着するために使用できる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材が電気的に接続されている接続構造体を得るために好適に用いられる。上記導電材料は、第１，第２の接続対象部材の電極間が電気的に接続されている接続構造体を得るためにより好適に用いられる。
【０１３９】
図１に、本発明の一実施形態に係る導電材料を用いた接続構造体の一例を模式的に正面断面図で示す。
【０１４０】
図１に示す接続構造体１は、第１の接続対象部材２と、第２の接続対象部材４と、第１，第２の接続対象部材２，４を電気的に接続している接続部３とを備える。接続部３は、硬化物層であり、導電性粒子５を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。接続部３は、異方性導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。
【０１４１】
第１の接続対象部材２は表面２ａ（上面）に、複数の第１の電極２ｂを有する。第２の接続対象部材４は表面４ａ（下面）に、複数の第２の電極４ｂを有する。第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、１つ又は複数の導電性粒子５により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材２，４が導電性粒子５により電気的に接続されている。
【０１４２】
第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の接続は、通常、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とを導電材料を介して第１，第２の電極２ｂ，４ｂ同士が対向するように重ね合わせた後に、導電材料を硬化させる際に、加圧することにより行われる。加圧により、一般に導電性粒子５は圧縮される。
【０１４３】
第１，第２の接続対象部材は、特に限定されない。第１，第２の接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記導電材料は、電子部品の接続に用いられる導電材料であることが好ましい。
【０１４４】
図１に示す接続構造体１は、例えば、図２（ａ）〜（ｃ）に示す状態を経て、以下のようにして得ることができる。
【０１４５】
図２（ａ）に示すように、第１の電極２ｂを表面２ａ（上面）に有する第１の接続対象部材２を用意する。次に、第１の接続対象部材２の表面２ａに、複数の導電性粒子５を含む導電材料を配置し、第１の接続対象部材２の表面２ａに導電材料層３Ａを形成する。このとき、第１の電極２ｂ上に、１つ又は複数の導電性粒子５が配置されていることが好ましい。
【０１４６】
次に、導電材料層３Ａに光を照射することにより、導電材料層３Ａの硬化を進行させる。図２（ａ）〜（ｃ）では、導電材料層３Ａに光を照射して、導電材料層３Ａの硬化を進行させて、導電材料層３ＡをＢステージ化している。すなわち、図２（ｂ）に示すように、第１の接続対象部材２の表面２ａに、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを形成している。Ｂステージ化により、第１の接続対象部材２とＢステージ化された導電材料層３Ｂとが仮接着される。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、半硬化状態にある半硬化物である。Ｂステージ化された導電材料層３Ｂは、完全に硬化しておらず、熱硬化がさらに進行され得る。但し、導電材料層３ＡをＢステージ化せずに、導電材料層３Ａに光を照射して又は導電材料層３Ａを加熱して、導電材料層３Ａを一度に硬化させてもよい。
【０１４７】
導電材料層３Ａの硬化を効果的に進行させるために、光を照射する際の光照射強度は０．１〜８０００ｍＷ／ｃｍ２の範囲内であることが好ましい。積算光量は、０．１〜２００００Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。光を照射する際に用いる光源は特に限定されない。該光源としては、例えば、波長４２０ｎｍ以下に充分な発光分布を有する光源等が挙げられる。また、光源の具体例としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。
【０１４８】
次に、図２（ｃ）に示すように、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂの上面３ａに、第２の接続対象部材４を積層する。第１の接続対象部材２の表面２ａの第１の電極２ｂと、第２の接続対象部材４の表面４ａの第２の電極４ｂとが対向するように、第２の接続対象部材４を積層する。
【０１４９】
さらに、第２の接続対象部材４の積層の際に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱することにより、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂをさらに硬化させ、接続部３を形成する。ただし、第２の接続対象部材４の積層の前に、Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。さらに、第２の接続対象部材４の積層の後にＢステージ化された導電材料層３Ｂを加熱してもよい。
【０１５０】
加熱により導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際の加熱温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは８０℃以上、より一層好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１４０℃以上、特に好ましくは１６０℃以上、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下である。本発明に係る導電材料が、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極の電気的な接続に用いられる場合には、上記導電材料層３Ａ又はＢステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際に、加熱温度は１２０℃以下であってもよい。
【０１５１】
Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させる際に、加圧することが好ましい。加圧によって第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとで導電性粒子５を圧縮することにより、第１，第２の電極２ｂ，４ｂと導電性粒子５との接触面積を大きくすることができる。このため、導通信頼性を高めることができる。さらに、導電性粒子５を圧縮することで、第１，第２の電極２ｂ，４ｂ間の距離が拡がっても、この拡がりに追従するように導電性粒子５の粒子径が大きくなる。
【０１５２】
Ｂステージ化された導電材料層３Ｂを硬化させることにより、第１の接続対象部材２と第２の接続対象部材４とが、接続部３を介して接続される。また、第１の電極２ｂと第２の電極４ｂとが、導電性粒子５を介して電気的に接続される。このようにして、導電材料を用いた図１に示す接続構造体１を得ることができる。ここでは、光硬化と熱硬化とが併用されているため、導電材料を短時間で硬化させることができる。
【０１５３】
本発明に係る導電材料は、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、又はフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用できる。なかでも、上記導電材料は、ＦＯＧ用途又はＣＯＧ用途に好適であり、ＣＯＧ用途により好適である。本発明に係る導電材料は、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続、又は半導体チップとガラス基板との接続に用いられる導電材料であることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続に用いられる導電材料であることがより好ましい。
【０１５４】
本発明に係る接続構造体では、上記第２の接続対象部材と上記第１の接続対象部材とが、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであるか、又は半導体チップとガラス基板とであることが好ましく、フレキシブルプリント基板とガラス基板とであることがより好ましい。
【０１５５】
また、本発明に係る接続構造体は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子であることも好ましい。上記有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極が、上記導電材料に含まれる導電性粒子により電気的に接続されていてもよい。
【０１５６】
上記第１の電極及び上記第２の電極の内の少なくとも一方が、銅電極であることが好ましい。上記第１の電極及び上記第２の電極の双方が、銅電極であることが好ましい。この場合には、本発明に係る導電材料によるマイグレーションの抑制効果がより一層得られ、接続構造体における絶縁信頼性がより一層高くなる。
【０１５７】
電極幅（第１の電極幅及び第２の電極幅）は、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。電極間幅（第１の電極間幅及び第２の電極間幅）は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下である。また、電極幅／電極間幅であるＬ／Ｓ（ライン／スペース）は、好ましくは５μｍ／５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ／１０μｍ以上、好ましくは５００μｍ／５００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ／３００μｍ以下である。
【０１５８】
なお、近年、上記接続構造体における電極幅／電極間幅であるＬ／Ｓ（ライン／スペース）がより一層小さくなってきている。上記接続構造体における電極のＬ／Ｓが小さいほど、マイグレーションが生じたときに、絶縁不良が生じやすい。これに対して、本発明に係る導電材料の使用により、微細な電極を接続したとしても、絶縁不良の発生を効果的に抑制でき、絶縁信頼性を十分に確保できる。
【０１５９】
以下、本発明について、実施例、比較例及び参考例を挙げて具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０１６０】
実施例及び比較例では、以下の材料を用いた。
【０１６１】
（イオン交換体）
（１）ＩＸＥ−１００（Ｚｒ系陽イオン交換体、中性交換容量３．３ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
（２）ＩＸＥ−７００Ｆ（Ｍｇ−Ａｌ系陰イオン交換体、中性交換容量４．５ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
（３）ＩＸＥ−３００（Ｓｂ系陽イオン交換体、中性交換容量２．３ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
（４）ＩＸＥ−５００（Ｂｉ系陰イオン交換体、中性交換容量１．８ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
（５）ＩＸＥ−５３０（Ｂｉ系陰イオン交換体、中性交換容量１．８ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
（６）ＩＸＥ−６３３（Ｓｂ，Ｂｉ系両イオン交換体、中性交換容量１．８ｍｅｑ／ｇ、東亞合成社製）
【０１６２】
（実施例１）
（１）異方性導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）２０重量部と、光硬化開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ１０重量部と、平均粒子径１０μｍの導電性粒子Ａ４重量部と、イオン交換体である上記（１）ＩＸＥ−１００（東亞合成社製）１重量部と、上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆ（東亞合成社製）１重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。なお、用いた導電性粒子Ａは、ジビニルベンゼン樹脂粒子の表面にニッケルめっき層が形成されており、かつ該ニッケルめっき層の表面に金めっき層が形成されている金属層を有する導電性粒子である。
【０１６３】
（２）接続構造体（ＦＯＧ）の作製：
Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍ、長さ１ｍｍのアルミニウム電極パターンが上面に形成されたガラス基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが５０μｍ／５０μｍ、長さ２ｍｍの金メッキされたＣｕ電極パターンが下面に形成されたフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
【０１６４】
上記ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを幅１．５ｍｍ、厚さ４０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。その後、大橋製作所社製「ＢＤ−０２」を用い、異方性導電ペースト層の温度が１７０℃（本圧着温度）となるように加熱圧着ヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧圧着ヘッドを載せ、１ＭＰａの圧力をかけて１７０℃で５秒間異方性導電ペースト層を硬化させ、接続構造体を得た。
【０１６５】
（実施例２）
上記（１）ＩＸＥ−１００の配合量を０．０１重量部に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの配合量を０．０１重量部へ変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６６】
（実施例３）
上記（１）ＩＸＥ−１００の配合量を５重量部に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの配合量を５重量部へ変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６７】
（実施例４）
上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（４）ＩＸＥ−５００（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６８】
（実施例５）
上記（１）ＩＸＥ−１００を上記（３）ＩＸＥ−３００（東亞合成社製）に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（４）ＩＸＥ−５００（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１６９】
（実施例６）
上記（１）ＩＸＥ−１００を上記（３）ＩＸＥ−３００（東亞合成社製）に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（５）ＩＸＥ−５３０（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７０】
（比較例１）
上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７１】
（比較例２）
上記（１）ＩＸＥ−１００を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７２】
（比較例３）
上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７３】
（比較例４）
上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加せずに、ＩＸＥ−６３３（東亞合成社製）２重量部を添加したこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７４】
（参考例１）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１０重量部を添加したこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７５】
（参考例２）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１０重量部を添加したこと、並びに上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例１と同様にして、接続構造体を得た。
【０１７６】
（実施例１〜６、比較例１〜４及び参考例１，２の評価）
（１）導通信頼性（接続抵抗値）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１００箇所の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。得られた接続構造体の導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０１７７】
［導通信頼性の判定基準］
○○：３Ω未満
○：３Ω以上、５Ω未満
×：５Ω以上
【０１７８】
（２）耐湿絶縁信頼性
得られた接続構造体の互いに絶縁された測定用端子間に２０Ｖの電圧を印加した状態で、８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて５００時間暴露し、この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が１０５Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。耐湿絶縁信頼性を下記基準で判定した。
【０１７９】
［耐湿絶縁信頼性の判定基準］
○○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０７Ω以上
○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体が１個以上ある
【０１８０】
結果を下記の表１に示す。
【０１８１】
【表１】
2013021895.tif 000005
【０１８２】
（実施例７）
（１）導電性粒子の作製：
平均粒子径１０μｍのジビニルベンゼン樹脂粒子（積水化学工業社製、ミクロパールＳＰ−２１０）を無電解ニッケルめっきし、樹脂粒子の表面上に厚さ０．１μｍの下地ニッケルめっき層を形成した。次いで、下地ニッケルめっき層が形成された樹脂粒子を電解銅めっきし、厚さ１μｍの銅層を形成した。更に、錫及びビスマスを含有する電解めっき液を用いて、電解めっきし、厚さ１μｍのはんだ層を形成した。このようにして、樹脂粒子の表面上に厚み１μｍの銅層が形成されており、該銅層の表面に厚み１μｍのはんだ層（錫：ビスマス＝４３重量％：５７重量％）が形成されている導電性粒子Ｂを作製した。
【０１８３】
（２）異方性導電材料の調製：
ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部に、カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）３重量部と、光硬化性化合物であるエポキシアクリレート（ダイセル・サイテック社製「ＥＢＥＣＲＹＬ３７０２」）２０重量部と、光硬化開始剤であるアシルホスフィンオキサイド系化合物（チバ・ジャパン社製「ＤＡＲＯＣＵＲ  ＴＰＯ」）１重量部と、フィラーである平均粒子径０．２５μｍのシリカ１０重量部と、フラックスであるロジン３重量部と、得られた導電性粒子Ｂ４重量部と、イオン交換体である上記（１）ＩＸＥ−１００（東亞合成社製）１重量部と、上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆ（東亞合成社製）１重量部とを添加し、遊星式攪拌機を用いて２０００ｒｐｍで５分間攪拌することにより、異方性導電ペーストを得た。
【０１８４】
（２）接続構造体（ＦＯＢ）の作製
Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、長さ４ｍｍの金メッキされたＣｕ電極パターンが上面に形成されたガラスエポキシ基板（第１の接続対象部材）を用意した。また、Ｌ／Ｓが１００μｍ／１００μｍ、長さ４ｍｍの金メッキされたＣｕ電極パターンが下面に形成されたフレキシブルプリント基板（第２の接続対象部材）を用意した。
【０１８５】
上記ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを幅１．５ｍｍ、厚さ４０μｍとなるようにディスペンサーを用いて塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記フレキシブルプリント基板を、電極同士が対向するように積層した。３６５ｎｍの紫外線を光照射強度が３０００ｍＷ／ｃｍ２となるように３秒間照射し、光重合によって異方性導電ペースト層を半硬化させ、Ｂステージ化した。その後、大橋製作所社製「ＢＤ−０２」を用い、異方性導電ペースト層の温度が１７０℃（本圧着温度）となるように加熱圧着ヘッドの温度を調整しながら、フレキシブルプリント基板の上面に加圧圧着ヘッドを載せ、１ＭＰａの圧力をかけて１７０℃で５秒間異方性導電ペースト層を硬化させ、接続構造体を得た。
【０１８６】
（実施例８）
上記（１）ＩＸＥ−１００の配合量を０．０１重量部に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの配合量を０．０１重量部へ変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１８７】
（実施例９）
上記（１）ＩＸＥ−１００の配合量を５重量部に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの配合量を５重量部へ変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１８８】
（実施例１０）
上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（４）ＩＸＥ−５００（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１８９】
（実施例１１）
上記（１）ＩＸＥ−１００を上記（３）ＩＸＥ−３００（東亞合成社製）に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（４）ＩＸＥ−５００（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９０】
（実施例１２）
上記（１）ＩＸＥ−１００を上記（３）ＩＸＥ−３００（東亞合成社製）に変更したこと、並びに上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを上記（５）ＩＸＥ−５３０（東亞合成社製）に変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９１】
（実施例１３）
フラックスであるロジンを配合しなかったこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９２】
（実施例１４）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９３】
（実施例１５）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例８と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９４】
（実施例１６）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例９と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９５】
（実施例１７）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例１０と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９６】
（実施例１８）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例１１と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９７】
（実施例１９）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は実施例１２と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９８】
（実施例２０）
熱硬化性化合物の種類及び配合量を、ビスフェノールＡ変性エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＥＸＡ−４８５０−１５０」）４０重量部、及びビスフェノールＦエポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「ＥＸＡ−８３５ＬＶ」）３０重量部から、ビスフェノールＥエポキシ樹脂（プリンテック社製「Ｒ１７１０」）７０重量部に変更したこと、並びに上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａに変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０１９９】
（実施例２１）
カチオン発生剤の種類を、ＳＩ−６０Ｌ（三新化学社製のサンエイド）から、ＣＸＣ−１６１２（楠本化成社製のＫ−ＰＵＲＥ）に変更したこと、並びに上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａに変更したこと以外は実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２００】
（比較例５）
上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０１】
（比較例６）
上記（１）ＩＸＥ−１００を添加しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０２】
（比較例７）
上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆを添加しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０３】
（比較例８）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は、比較例５と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０４】
（比較例９）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は、比較例６と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０５】
（比較例１０）
上記導電性粒子Ｂを上記導電性粒子Ａへ変更したこと以外は、比較例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０６】
（比較例１１）
上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加せずに、ＩＸＥ−６３３（東亞合成社製）２重量部を添加したこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０７】
（参考例３）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１０重量部を添加したこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０８】
（参考例４）
カチオン発生剤であるＳＩ−６０Ｌを添加せずに、熱硬化剤（イミダゾール化合物、四国化成工業社製「２Ｐ−４ＭＺ」）１０重量部を添加したこと、並びに上記（１）ＩＸＥ−１００、及び上記（２）ＩＸＥ−７００Ｆの双方を添加しなかったこと以外は、実施例７と同様にして、異方性導電ペーストを得た。得られた異方性導電ペーストを用いて、実施例７と同様にして、接続構造体を得た。
【０２０９】
（実施例７〜２１、比較例５〜１１及び参考例３，４の評価）
（１）導通信頼性（接続抵抗値）
得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗をそれぞれ、４端子法により測定した。１０個の接続構造体の接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。得られた接続構造体の導通信頼性を下記の基準で判定した。
【０２１０】
［導通信頼性の判定基準］
○○：８Ω未満
○：８Ω以上、１０Ω未満
×：１０Ω以上
【０２１１】
（２）耐湿絶縁信頼性
得られた接続構造体の互いに絶縁された測定用端子間に１５Ｖの電圧を印加した状態で、８５℃及び８５％ＲＨの雰囲気下にて５００時間暴露し、この間、測定用端子間の抵抗値変化を測定した。抵抗値が１０５Ω以下となった場合を絶縁不良と判断した。耐湿絶縁信頼性を下記基準で判定した。
【０２１２】
［耐湿絶縁信頼性の判定基準］
○○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０７Ω以上
○：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０６Ω以上、１０７Ω未満
△：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体がなく、かつ耐湿絶縁信頼性試験後の平均抵抗値が１０５Ω以上、１０６Ω未満
×：１０個の接続構造体のうち、絶縁不良が生じている接続構造体が１個以上ある
【０２１３】
結果を下記の表２に示す。なお、導電性粒子Ｂを用いた実施例、比較例及び参考例の接続構造体では、接続構造体の作製時に導電性粒子Ｂのはんだ層は溶融した後に固化しており、接続構造体における電極に導電性粒子Ｂの銅層が接触していた。
【０２１４】
【表２】
2013021895.tif 000006
【０２１５】
なお、実施例３，１６と参考例１〜４との導通信頼性の評価結果は共に「○」であった。但し、実施例３，１６の導通信頼性の評価における接続抵抗の値は、参考例１〜４の接続抵抗の値よりも低かった。
【０２１６】
なお、実施例７と実施例１４との導通信頼性の評価結果は共に「○○」であり、実施例８と実施例１５との導通信頼性の評価結果は共に「○○」であり、実施例１０と実施例１７との導通信頼性の評価結果は共に「○○」であり、実施例１１と実施例１８との導通信頼性の評価結果は共に「○○」であり、実施例１２と実施例１９との導通信頼性の評価結果は共に「○○」であった。
【０２１７】
但し、実施例７の導通信頼性の評価における接続抵抗は実施例１４の導通信頼性の評価における接続抵抗よりも０．７Ω低く、実施例８の導通信頼性の評価における接続抵抗は実施例１５の導通信頼性の評価における接続抵抗よりも０．９Ω低く、実施例１０の導通信頼性の評価における接続抵抗は実施例１７の導通信頼性の評価における接続抵抗よりも０．８Ω低く、実施例１１の導通信頼性の評価における接続抵抗は実施例１８の導通信頼性の評価における接続抵抗よりも０．８Ω低く、実施例１２の導通信頼性の評価における接続抵抗は実施例１９の導通信頼性の評価における接続抵抗よりも０．７Ω低かった。
【０２１８】
なお、実施例、比較例及び参考例の異方性導電材料を接続構造体（ＦＯＧ又はＦＯＢ）に用いた評価結果のみを示した。実施例、比較例及び参考例の異方性導電材料を、評価しなかった他の接続構造体（ＦＯＢ、ＦＯＧ、ＣＯＦ及びＣＯＧなど）に用いた場合であっても、更に実施例、比較例及び参考例の異方性導電材料を導電材料として用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示素子における電極を電気的に接続した場合であっても、（１）導通信頼性及び（２）耐湿絶縁信頼性の評価結果は、上述した実施例、比較例及び参考例の評価結果と同様の傾向を示すことを確認した。
【符号の説明】
【０２１９】
１…接続構造体
２…第１の接続対象部材
２ａ…表面
２ｂ…第１の電極
３…接続部
３ａ…上面
３Ａ…導電材料層
３Ｂ…Ｂステージ化された導電材料層
４…第２の接続対象部材
４ａ…表面
４ｂ…第２の電極
５…導電性粒子
【図１】
2013021895.tif 000007
【図２】
2013021895.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月31日(2012.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性成分と、陽イオン交換体と、陰イオン交換体と、導電性粒子とを含み、
前記硬化性成分が、硬化性化合物と、カチオン発生剤とを含有し、
前記陽イオン交換体の中性交換容量が１ｍｅｑ／ｇ以上であり、かつ前記陰イオン交換体の中性交換容量が０．１ｍｅｑ／ｇ以上であり、
前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記陽イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下であり、かつ前記陰イオン交換体の含有量が０．０１重量部以上、５重量部以下である、導電材料。
【請求項２】
前記陽イオン交換体の中性交換容量が２ｍｅｑ／ｇ以上であり、かつ前記陰イオン交換体の中性交換容量が１ｍｅｑ／ｇ以上である、請求項１に記載の導電材料。
【請求項３】
前記陽イオン交換体がジルコニウム原子を含む、請求項１又は２に記載の導電材料。
【請求項４】
前記陰イオン交換体が、マグネシウム原子とアルミニウム原子とを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項５】
前記導電性粒子が、樹脂粒子と、前記樹脂粒子の表面上に配置された導電層とを有し、
前記導電層の少なくとも外側の表面が、融点が４５０℃以下である低融点金属層である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項６】
フラックスをさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項７】
銅電極を有する接続対象部材を接続するために用いられる導電材料である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項８】
異方性導電材料である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電材料。
【請求項９】
第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１，第２の接続対象部材を電気的に接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電材料により形成されている、接続構造体。
【請求項１０】
前記第１の接続対象部材が表面に第１の電極を有し、
前記第２の接続対象部材が表面に第２の電極を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極とが、前記導電性粒子により電気的に接続されており、
前記第１の電極及び前記第２の電極の内の少なくとも一方が、銅電極である、請求項９に記載の接続構造体。
【国際調査報告】
2013021895.tif 000009
2013021895.tif 000010
2013021895.tif 000011
2013021895.tif 000012