(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の一部に形成されたリング状の発光部と、
前記発光部の上面側又は下面側にＳｉで形成され、少なくとも２箇所で前記発光部に近接するモード制御用光導波路と、
前記発光部の上面側又は下面側にＳｉで形成され、一部が前記発光部に近接する出力用光導波路と、
を具備し、
前記モード制御用光導波路は、前記発光部の時計回り及び反時計回りの一方の周回モードの光に結合し、該光を前記発光部の時計回り及び反時計回りの他方の方向にフィードバックする構造を有し、且つ前記発光部に近接する先端部が先細りのテーパ形状であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記モード制御用光導波路は、前記発光部の内側にＳ字状に形成され、Ｓ字の両端が前記発光部に近接していることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記モード制御用光導波路は、前記発光部の外側にＣ字状に形成され、Ｃ字の両端が前記発光部に近接していることを特徴とする、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記モード制御用光導波路は、先端部の曲率半径が前記発光部の曲率半径よりも大きいことを特徴とする、請求項１乃至３の何れかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記モード制御用光導波路と前記出力用光導波路とが一体に形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４の何れかに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記基板はＳｉ基板であり、前記発光部は III-Ｖ族化合物半導体であることを特徴とする、請求項１乃至５の何れかに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記発光部は、活性層をクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造であることを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記基板はＳＯＩ基板であり、前記各光導波路は前記ＳＯＩ基板のＳｉ層を加工して形成されていることを特徴とする、請求項１乃至７の何れかに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記発光部は、前記光導波路を形成した前記基板上に接合されていることを特徴とする、請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記活性層を挟む前記クラッド層の内周側に電流狭窄部が設けられていることを特徴とする、請求項１乃至９の何れかに記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、リング状の発光部を有する半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、低損失且つ高密度の光伝送のために、データ入出力を高速且つ低消費電力で行うオンチップ光配線が種々提案されている。このような光配線を実現するために、小型光源として、マイクロリング共振器を用いたマイクロリングＬＤ（Laser Diode）が注目されている。そして、この種のマイクロリングＬＤにおいては、周回モード安定性の解決が実用化の鍵となっている。
【０００３】
マイクロリングＬＤにおいて、III-Ｖ族化合物半導体の発光部と共にIII-Ｖ族化合物半導体からなるフィードバック導波路を設けることにより周回モード安定性の向上をはかったものが提案されている。しかし、この構造では、導波路内での吸収損失が大きいと云う問題がある。さらに、フィードバック導波路の曲率半径をあまり小さくすることはできず、このためにマイクロリング共振器の小型化は困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５３４９６０１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明が解決しようとする課題は、リング状の発光部を基板上に容易に集積化することができ、且つ周回モード安定性の向上及び小型化をはかり得る半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体発光素子は、基板上の一部に形成されたリング状の発光部と、前記発光部の上面側又は下面側にＳｉで形成され、少なくとも２箇所で前記発光部に近接するモード制御用光導波路と、前記発光部の上面側又は下面側にＳｉで形成され、一部が前記発光部に近接する出力用光導波路と、を具備している。そして、前記モード制御用光導波路は、前記発光部の時計回り及び反時計回りの一方の周回モードの光に結合し、該光を前記発光部の時計回り及び反時計回りの他方の方向にフィードバックする構造を有し、且つ前記発光部に近接する先端部が先細りのテーパ形状である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す断面図。
【図３】ＬＤの駆動電流とＰＤの検出電流との関係を示す特性図。
【図４】Ｓｉ帰還導波路の先端部分を拡大して示す平面図。
【図５】Ｓｉ帰還導波路の設置位置に対する結合効率の変化を示す特性図。
【図６】第２の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す平面図。
【図７】第３の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す平面図。
【図８】第３の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す断面図。
【図９】第４の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す平面図。
【図１０】第４の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を示す断面図。
【図１１】第４の実施形態の変形例の概略構成を示す断面図。
【図１２】Ｓｉ帰還導波路の変形例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態の半導体発光素子を、図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１及び図２は、第１の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を説明するためのもので、図１は発光部と導波路との関係を示す平面図、図２は図１の矢視Ｉ−Ｉ’断面図である。なお、図１では、説明を分かり易くするために特徴的な部分のみを示している。
【００１０】
Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ2 等の絶縁膜１１が形成され、その上にＳ字状のＳｉ帰還導波路（モード制御用光導波路）１２と直線状のＳｉ出力導波路（出力用光導波路）１３が形成されている。即ち、ＳＯＩのＳｉ層をＳ字状に加工することによりＳｉ帰還導波路１２が形成されている。また、ＳＯＩのＳｉ層を直線状に加工することにより、後述するリングＬＤ（発光部）の光を外部に取り出すためのＳｉ出力導波路１３が形成されている。各々の導波路１２，１３の幅は例えば６００ｎｍ、高さは例えば４００ｎｍである。各々の導波路１２，１３の側部にはＳｉＯ2 等の酸化膜１４が埋め込まれており、表面が平坦化されている。
【００１１】
なお、Ｓｉ基板１０は、図に示した部分以外に延在して設けられ、半導体発光素子を設ける領域以外で、半導体受光素子やその他の能動素子が形成される。そして、例えばＳｉ出力導波路１３が半導体受光素子に光結合されるものとなっている。
【００１２】
導波路１２，１３を形成した基板上に、マイクロリングＬＤの発光部を成すリング状の半導体積層構造２０が接合されている。半導体積層構造（発光部）２０は、ＩｎＧａＡｓ活性層２３をｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２２とｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４で挟んだダブルヘテロ構造部と、このダブルヘテロ構造部をｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１とｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５で挟んだ構成となっている。そして、コンタクト層２５を下にして、導波路１２，１３を形成した基板上に接合されている。
【００１３】
なお、活性層２３は単層である必要はなく、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子井戸層をＧａＡｌＡｓクラッド層で挟んだ構成としても良い。さらに、半導体積層構造２０におけるｐ型及びｎ型は逆にしても良い。
【００１４】
また、下側のｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５は半導体積層構造２０のリングから外側に突出して設けられ、コンタクト層２５の突出した部分上に、ｎ側電極２８がリング状に形成されている。さらに、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１上に、ｐ側電極２７がリング状に形成されている。
【００１５】
また、半導体積層構造２０の外側及び内側には、ポリイミド等の絶縁膜２９が埋め込まれている。さらに、半導体積層構造２０の下地基板との接合部はＳｉＯ2 等の酸化膜２６となっており、この酸化膜２６が下地基板に接合されている。
【００１６】
なお、半導体積層構造２０を下地基板上に接合する際には、図示しないＧａＡｓ基板上に、厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１、厚さ１．６μｍのｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２２、厚さ５ｎｍのＩｎＧａＡｓ活性層２３、厚さ２５０ｎｍのｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２４、厚さ２００ｎｍのｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５を形成した後、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層側を下地基板上に接合する。この際、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５上にＳｉＮ等の窒化膜やＳｉＯ2 等の酸化膜２６を形成しておくことが望ましい。また、下地基板側では、導波路１２，１３の側部を埋め込むようにＳｉＯ2 等の酸化膜１４を形成し、その表面を平坦化しておくのが望ましい。接合した後に、ＧａＡｓ基板を除去し、更に、半導体積層構造２０をリング状に加工する。このとき、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５の外周が他の層２１〜２４よりも外側にはみ出すようにする。
【００１７】
Ｓｉ帰還導波路１２は、半導体積層構造２０の内側にＳ字状に形成され、Ｓ字の両端が半導体積層構造２０に重なるように配置されている。また、Ｓｉ帰還導波路１２の両端部は先細りのテーパ状となっており、更に両端部の曲率半径はリング状の半導体積層構造２０の曲率半径よりも大きくなっている。また、Ｓｉ出力導波路１３は、半導体積層構造２０に一部重なるように配置されている。
【００１８】
マイクロリングＬＤでは、時計回り（ＣＷ）及び反時計回り（ＣＣＷ）の周回モードが共存するが、本実施形態ではＳ字状のＳｉ帰還導波路１２によりこれを強制的に一方に規制している。即ち、マイクロリングＬＤにおけるＣＣＷの光はＳｉ帰還導波路１２に結合され、ＣＷの光として発光部２０に帰還される。一方、ＣＷの光はＳｉ帰還導波路１２には殆ど結合されない。このため、ＣＷの周回モードが優先されることになる。
【００１９】
図３（ａ）（ｂ）に、Ｓｉ帰還導波路１２の有無によるＣＷ，ＣＣＷの周回モード特性の違いを示す。Ｓｉ帰還導波路１２の無い構造では、図３（ａ）に示すように、ＣＷ及びＣＣＷの周回モードが共存し、発振が不安定となる。一方、Ｓｉ帰還導波路１２を設けた本実施形態の構造では、図３（ｂ）に示すように、ＣＷの周回モードが大きくなり、ＣＣＷの周回モードは殆ど無くなる。このため、マイクロリングＬＤにおける発振が安定になる。
【００２０】
また、帰還導波路１２をＳｉで形成しているため、III-Ｖ族化合物半導体で形成した場合に比して、導波路１２内での吸収損失を小さくすることができる。これは、基板貼り合わせ技術を用い、ＧａＡｓ基板上に形成した半導体積層構造２０をＳＯＩ基板に接合することにより作製可能となる。
【００２１】
また、本実施形態では、Ｓｉ帰還導波路１２の先端部を先細りのテーパ状に形成しているため、導波路先端での反射を低減することができる。さらに、先端の曲率半径を大きくしているため、次のような利点もある。
【００２２】
図４に、Ｓｉ帰還導波路１２の先端部の構成を半導体積層構造２０の一部と共に拡大して示す。Ｓｉ帰還導波路１２の先端部の曲率半径と半導体積層構造２０の曲率半径とが同じ場合に、リング状の半導体積層構造２０の内周と外周の中間である周方向中心位置と先端部の中心位置とが一致し、且つ平行になるものとする。そして、先端部の曲率半径が積層構造部２０の曲率半径と異なる場合に生じる、先端部の中心位置と半導体積層構造２０の周方向中心位置とのずれをＸとする。
【００２３】
図５（ａ）（ｂ）は、ビーム伝搬法により計算した、半導体積層構造からＳｉ帰還導波路への光結合効率の帰還導波路位置（Ｘ）依存性を示す図である。
【００２４】
ここでは、Ｓｉ帰還導波路位置（Ｘ）を、Ｓｉ帰還導波路１２とリング共振器（半導体積層構造２０）が並行する位置における、Ｓｉ帰還導波路１２の中心とリング共振器の周方向中心との間の距離として定義する。
【００２５】
Ｘ＝０の時、リング共振器の周方向中心とＳｉ帰還導波路１２の中心が一致し、Ｘ＞０の時、Ｓｉ帰還導波路１２の中心がリング共振器の外側に寄る。
【００２６】
リング共振器としては、リング直径５０μｍ、メサ幅２μｍを仮定し、Ｓｉ帰還導波路１２としては、幅６００ｎｍ，スラブ厚み２００ｎｍ，メサ高さ２００ｎｍのリブ型の導波路を仮定した。
【００２７】
図５（ａ）は、先端テーパがリング共振器と同じ曲率半径（Ｒ＝２５μｍ）の場合、即ちＳｉ帰還導波路１２の先端テーパ部分がリング共振器の周方向中心と並行に配置されている場合の光結合効率である。図５（ｂ）は、先端テーパの曲率半径をリング共振器の曲率半径に対して、約１割大きくし（Ｒ〜２７．５μｍ）、リング共振器の周方向中心に対してＳｉ帰還導波路１２の先端テーパが斜めに交差するようにした場合の光結合効率である。
【００２８】
結合効率が最大となる帰還導波路位置（Ｘ）に対して、Ｘが１００ｎｍずれると、図５（ａ）の場合には、結合効率が約５０％低下するのに対し、図５（ｂ）の場合には、約１３％の低下に抑えることができる。このように、光結合部分のＳｉ帰還導波路１２の形状を調整することで、素子作製過程において生じる設計からのずれ、例えば、ステッパによる位置合わせで生じる５０ｎｍ〜１００ｎｍのずれに対して、素子特性の変化を抑制することができる。即ち、十分なプロセスマージンの確保が可能となる。
【００２９】
このように本実施形態によれば、リング状に積層した半導体積層構造２０からマイクロリングＬＤを形成し、更にマイクロリングＬＤに光結合するようにＳ字状のＳｉ帰還導波路１２を形成することにより、周回モードの安定した半導体発光素子を実現することができる。そしてこの場合、帰還導波路１２として、III-Ｖ化合物半導体よりも高屈折率かつ薄型のＳｉ導波路を用いることにより、帰還導波路１２における光損失を低減できると共に、Ｓ字部分の半径が縮小可能になる。これは、発光部のリング径を縮小することに繋がり、装置構成の小型化に有利となる。
【００３０】
また、Ｓｉ帰還導波路１２の先端部を先細りのテーパ状に形成しているため、導波路先端での反射を低減し、戻り光を抑制することができる。さらに、先端の曲率半径を大きくしているため、プロセスマージンの向上をはかることができる利点もある。また、Ｓｉ細線導波路１２は、発光部とは別の基板に形成しているため、Ｓｉ細線導波路１２の幅や配置の設計の自由度が高い。従って、Ｓｉ細線導波路１２の幅及び配置によって、適切なフィードバック強度を容易に実現できる利点もある。
【００３１】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を説明するためのもので、発光部と導波路との関係を示す平面図である。なお、図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３２】
本実施形態が先に説明した第１の実施形態と異なる点は、Ｓｉ帰還導波路１２とＳｉ出力導波路１３とを一体化したことにある。即ち、Ｓｉ帰還導波路１２の一端は、先の第１の実施形態と同様にリング状の発光部（半導体積層構造）２０と重なる位置に配置され、先端が細いテーパ状となっている。Ｓｉ帰還導波路１２の他端は、発光部２０と重なる位置で途切れるのではなく、直線状のＳｉ出力導波路１３に繋がっている。なお、導波路以外の素子構造は、前記図２に示す構造と同様である。
【００３３】
このような構成であれば、先の第１の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、光導波路１２，１３と発光部２０における光結合箇所を少なくすることができる。これは、光結合部における結合ロスを小さくできる利点に繋がる。
【００３４】
（第３の実施形態）
図７及び図８は、第３の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を説明するためのもので、図７は発光部と導波路との関係を示す平面図、図８は図７の矢視II−II’断面図である。なお、図１及び図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００３５】
本実施形態が先の第１の実施形態と異なる点は、Ｓｉ帰還導波路１２をリング状の発光部２０の内側に設けるのではなく、発光部２０の外側に設けることにある。即ち、リング状の発光部２０の外側にＣ字状のＳｉ帰還導波路３２が設けられ、導波路３２の両端は発光部２０と重なっている。さらに、Ｓｉ帰還導波路３２の両端はリングＬＤのＣＷ方向に沿って設けられており、各々の先端は細くテーパ状となっている。
【００３６】
また、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２５は、発光部２０の他の層２１〜２４とは異なり内側が除去されることなく連続しており、この内側部分のコンタクト層２５にｎ側電極２８が設けられている。
【００３７】
このような構成であっても、Ｃ字状のＳｉ帰還導波路３２を設けたことにより、ＣＷの周回モードを選択することができ、安定動作が可能となる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、Ｓｉ帰還導波路３２をリング状の発光部２０の外側に設けることから、Ｓｉ帰還導波路３２の半径を大きくできるため、Ｓｉ帰還導波路３２から放出される光をより少なくできる利点がある。
【００３８】
また、Ｓｉ帰還導波路３２の半径によらず、発光部２０の半径を小さくすることができる。これによって、より小さい電流での発光が可能となるという利点がある。同時に、マイクロリングＬＤの共振波長間隔が大きくなるため、異なる共振波長間での発振波長の跳躍が起こりにくくなり、動作の安定化に繋がるという利点もある。
【００３９】
（第４の実施形態）
図９及び図１０は、第４の実施形態に係わる半導体発光素子の概略構成を説明するためのもので、図９は発光部と導波路との関係を示す平面図、図１０は図９の矢視III−III’断面図である。なお、図１及び図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４０】
本実施形態が先の第１の実施形態と異なる点は、光導波路を発光部の下側ではなく上側に配置したことにある。即ち、発光部を成す半導体積層構造２０のｐ型コンタクト層２１及び保護用の絶縁膜２９上にＳｉ帰還導波路４２が形成されている。また、ｐ型コンタクト層２１及び保護用の絶縁膜２９上に、マイクロリングＬＤに一部重なるようにＳｉからなるＳｉ出力導波路４３が形成されている。Ｓｉ帰還導波路４２の形状は第１の実施形態のＳｉ帰還導波路１２と同じＳ字状であり、Ｓｉ出力導波路４３の形状は第１の実施形態のＳｉ出力導波路１３と同じ直線状である。
【００４１】
なお、半導体積層構造２０の下側は、Ｓｉ基板１０であっても良いしＧａＡｓ基板であっても良い。Ｓｉ基板の場合は、第１の実施形態と同様にＧａＡｓ基板上に半導体積層構造２０を形成した後に、これをＳｉ基板１０に接合すればよい。ＧａＡｓ基板の場合は、貼り合わせ法を用いるのではなく、このＧａＡｓ基板上に各層２１〜２５を直接成長すればよい。Ｓｉ帰還導波路４２とＳｉ出力導波路４３は、絶縁膜２９を形成した後、例えば、アモルファスＳｉや多結晶Ｓｉを成膜し、導波路形状に加工すればよい。
【００４２】
このような構成であっても、Ｓ字状のＳｉ帰還導波路４２を設けたことにより、ＣＷの周回モードを選択することができ、安定動作が可能となる。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４３】
また、図１１に示すように、活性層２３を挟むクラッド層２２，２４の内周側にイオン注入を行うことにより電流狭窄部４０を設けるようにしても良い。これにより、マイクロリングＬＤの電流注入領域をより狭めることができ、より低い電流での発光が可能となる。ここで、イオン注入の代わりに、酸化による狭窄、更には混晶化による狭窄を行うことも可能である。
【００４４】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
【００４５】
Ｓｉ帰還導波路及びＳｉ出力導波路の構成は、実施形態で説明した構成限らず、ＣＷ，ＣＣＷの各モードの一方を帰還させるようにすれば良く、例えば図１２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す構成としても良い。図１２（ａ）は、Ｓｉ出力導波路１３の先端部が細くなって半導体積層構造２０と重なるようにした例である。図１２（ｂ）は、Ｓｉ帰還導波路１２に更にＳｉリング共振器を設けた例である。図１２（ｃ）は、Ｃ字状のＳｉ帰還導波路３２にＳｉ出力導波路１３を接続して一体化した例である。このように、Ｓｉ帰還導波路及びＳｉ出力導波路は種々の変形が可能である。
【００４６】
実施形態では、発光部の素子形成用基板としてＧａＡｓ基板を用いたが、ＩｎＰ基板を用い、ＩｎＡｌＧａＡｓ活性層をＩｎＰクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造としても良い。さらに、半導体材料としては、III-Ｖ族化合物半導体に限らず、希土類ドープＳｉやＧｅＳｎを用いることも可能である。
【００４７】
また、発光部２０のｎコンタクト領域に関して、第１の実施形態ではリング外側に配置し、第３の実施形態ではリング内側に配置した構造で説明したが、ｎコンタクト領域の配置は帰還導波路上に配置することも可能である。即ち、第１の実施形態において、第３の実施形態のようにコンタクト領域を内側に設けた発光部２０を適用しても良い。さらに、発光部２０の構成は、必ずしもダブルヘテロ構造に限るものではなく、電流の注入によって発光するものであれば良い。
【００４８】
また、導波路の先端部を先細りテーパ形状にすること、及び先端部の曲率半径を発光部のリングの半径よりも大きくすることは、戻り光の低減及びプロセスマージンの確保に有効であるが、必ずしも必須の構成ではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、導波路の断面形状として、実施形態では、周囲にＳｉスラブを残さない矩形導波路で説明したが、リブ型導波路等、その他の形状のＳｉ導波路を用いても良い。
【００４９】
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１０…Ｓｉ基板
１１…絶縁膜
１２，３２，４２…Ｓｉ帰還導波路（モード制御用光導波路）
１３，４３…Ｓｉ出力導波路（出力用光導波路）
１４，２６…酸化膜
２０…半導体積層構造（発光部）
２１…ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
２２…ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２３…ＩｎＧａＡｓ活性層
２４…ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層
２５…ｎ型ＧａＡｓコンタクト層
２７…ｐ側電極
２８…ｎ側電極
【要約】
【課題】リング状の発光部を基板上に容易に集積化することができ、且つモード安定性の向上及び小型化をはかる。
【解決手段】リング状の発光部を有する半導体発光素子であって、基板１０上の一部に形成されたリング状の発光部２０と、発光部２０の上面側又は下面側にＳｉで形成され、少なくとも２箇所で発光部２０に近接するモード制御用光導波路１２と、発光部２０の上面側又は下面側にＳｉで形成され、一部が発光部２０に近接する出力用光導波路１３と、を具備している。そして、モード制御用光導波路１２は、発光部２０の時計回り及び反時計回りの一方の周回モードの光に結合し、該光を発光部２０の時計回り及び反時計回りの他方の方向にフィードバックする構造を有する。
【選択図】      図１【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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