(57)【要約】  隔壁の囲繞により構成された第１および第２開口部内には、それぞれ薄膜トランジスタ素子が形成されている。ここで、第１開口部の底部を平面視する場合、その底部におけるソース電極とドレイン電極との表面積の和の中心位置が、当該底部における面積の中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、また、第２開口部の底部を平面視する場合、その底部におけるソース電極とドレイン電極との表面積の和の中心位置が、当該底部における面積の中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れている。
2013073089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、
各薄膜トランジスタ素子が、
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極および前記ドレイン電極との間に介挿された絶縁層と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の間隙、および前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極に対して密に接する半導体層と、
を備え、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記半導体層と、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、
前記隔壁は、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有しており、
前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極および前記ドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、当該第１開口部の底部に露出する前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面積の和の中心位置が、前記第１開口部の底部における面積の中心位置よりも、前記第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、当該第２開口部の底部に露出する前記ソース電極および前記ドレイン電極の表面積の和の中心位置が、前記第２開口部の底部における面積の中心位置よりも、前記第１開口部が隣接する側とは反対側に離れている
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記第１開口部の底部では、前記第２開口部が隣接する側において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所が存在し、
前記第２開口部の底部では、前記第１開口部が隣接する側において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所が存在する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記第１開口部の底部において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所は、前記第２開口部が隣接する側とは反対側にも存在し、
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所の面積は、前記第１開口部の底部における中心位置を基準として、前記第２開口部が隣接する側とは反対側よりも前記第２開口部の側の方が大きく、
前記第２開口部の底部において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所は、前記第１開口部が隣接する側とは反対側にも存在し、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、前記絶縁層と前記半導体層とが直に接する箇所の面積は、前記第２開口部の底部における中心位置を基準として、前記第１開口部が隣接する側とは反対側よりも前記第１開口部が隣接する側の方が大きい
ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は、その表面積の中心位置が、前記第１開口部の底部における中心位置よりも、前記第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、他方は、その表面積の中心位置が、前記第１開口部の底部における中心位置にあり、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、前記ソース電極および前記ドレイン電極の一方は、その表面積の中心位置が、前記第２開口部の底部における中心位置よりも、前記第１開口部が隣接する側とは反対側に離れており、他方は、その表面積の中心位置が、前記第２開口部の底部における中心位置にある
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項５】
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、その各々の表面積の中心位置が、前記第１開口部の底部における中心位置よりも、前記第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、その各々の表面積の中心位置が、前記第２開口部の底部における中心位置よりも、前記第１開口部が隣接する側とは反対側に離れている
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項６】
前記第１開口部の底部において、前記ソース電極と前記ドレイン電極の少なくとも一方が、前記第１開口部を臨む前記隔壁の側面部に対し、前記第２開口部が隣接する側の部分で離間し、且つ、前記第２開口部が隣接する側とは反対側の部分で接しており、
前記第２開口部の底部において、前記ソース電極と前記ドレイン電極の少なくとも一方が、前記第２開口部を臨む前記隔壁の側面部に対し、前記第１開口部が隣接する側の部分で離間し、且つ、前記第１開口部が隣接する側とは反対側の部分で接している
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項７】
前記隔壁の表面における撥液性は、前記絶縁層の前記半導体層との接触面よりも高く、且つ、前記絶縁層の前記半導体層との接触面の撥液性は、前記ソース電極および前記ドレイン電極の各表面よりも高い
ことを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項８】
前記第１開口部および前記第２開口部の少なくとも一方に対して隣接する領域に、第３開口部が設けられており、
前記第３開口部は、その内部に半導体層は形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではなく、
前記第３開口部の底部には、前記第１の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方、または、前記第２の薄膜トランジスタ素子における前記ソース電極もしくは前記ドレイン電極の一方に対して、電気的に接続する配線が形成されている
ことを特徴とする請求項１から請求項７の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項９】
請求項７に記載の薄膜トランジスタ装置と、
前記薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、
前記平坦化膜上、および前記平坦化膜の前記コンタクトホールを臨む側面上に形成され、前記ドレイン電極または前記ソース電極と電気的に接続された下部電極と、
前記下部電極の上方に形成された上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極との間に介挿された有機発光層と、
を備え、
前記コンタクトホールは、前記第３開口部と連通している
ことを特徴とする有機ＥＬ表示素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機ＥＬ表示素子を備える
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する第１工程と、
前記第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する第２工程と、
前記絶縁層上において、前記第１のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、前記第２のゲート電極に対応して、前記絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する第３工程と、
前記絶縁層上において、前記第１および第２のソース電極上および前記第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する第４工程と、
前記積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する第５工程と、
前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、半導体材料を塗布して乾燥させ、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極に対して密に接する第１の半導体層と、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極に対して密に接する第２の半導体層とを形成する第６工程と、
を備え、
前記第５工程では、
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、当該第１開口部の底部に露出する前記第１のソース電極と前記第１のドレイン電極との表面積の和の中心位置が、前記第１開口部の底部における面積の中心位置よりも、前記第２開口部が隣接する側とは反対側に離れ、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、当該第２開口部の底部に露出する前記第２のソース電極と前記第２のドレイン電極との表面積の和の中心位置が、前記第２開口部の底部における面積の中心位置よりも、前記第１開口部が隣接する側とは反対側に離れるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第５工程では、
前記第１開口部の底部では、前記第２開口部が隣接する側において、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記第１の半導体層とが直に接する箇所が存在し、
前記第２開口部の底部では、前記第１開口部が隣接する側において、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記第２の半導体層とが直に接する箇所が存在するように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５工程では、
前記第１開口部の底部では、前記第２開口部が隣接する側とは反対側においても、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記第１の半導体層とが直に接する箇所が存在し、
前記第１開口部の底部を平面視する場合において、前記絶縁層と前記第１の半導体層とが直に接する箇所の面積が、前記第１開口部の底部における中心位置を基準として、前記第２開口部が隣接する側とは反対側よりも前記第２開口部が隣接する側の方が大きく、
前記第２開口部の底部では、前記第１開口部が隣接する側とは反対側においても、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極の何れも介在せずに、前記絶縁層と前記第２の半導体層とが直に接する箇所が存在し、
前記第２開口部の底部を平面視する場合において、前記絶縁層と前記第２の半導体層とが直に接する箇所の面積が、前記第２開口部の底部における中心位置を基準として、前記第１開口部が隣接する側とは反対側よりも前記第２開口部が隣接する側の方が大きくなるように、
前記隔壁を形成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２工程から前記第６工程では、
前記隔壁の表面における撥液性を、前記絶縁層における前記第１および第２の半導体層との各接触面よりも高くし、且つ、前記絶縁層における前記第１および第２の半導体層との接触面の撥液性を、前記第１および第２のソース電極と前記第１および第２のドレイン電極の各表面よりも高くする
ことを特徴とする請求項１１から請求項１３の何れかに記載の薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、サブピクセル単位で発光制御するため、サブピクセル毎に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ））素子が形成されてなる薄膜トランジスタ装置が採用されている。そして、特に半導体層として有機半導体材料を用いた薄膜トランジスタ装置の開発が進められている。【０００３】
図１２（ａ）に示すように、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置は、例えば、基板９０１１上に、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂ、絶縁層９０１３、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂおよびドレイン電極（図示を省略。）、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが順に積層形成されている。有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂは、絶縁層９０１３上において、有機半導体インクを塗布して乾燥させることにより形成され、ソース電極９０１４ａ，９０１４ｂとドレイン電極との間を埋めるとともに、それらの上を覆うように形成されている。【０００４】
また、図１２（ａ）に示すように、絶縁層９０１３上には、隣接する素子間を区画するために隔壁９０１６が設けられている。隔壁９０１６には、複数の開口部９０１６ａ〜９０１６ｃが開けられており、開口部９０１６ａには、その底部に、ドレイン電極に接続された接続配線９０１５が露出しており、有機半導体層が形成されていない。接続配線９０１５は、当該ＴＦＴ素子の上方に形成される発光素子の電極を接続するための電極である。そして、隔壁９０１６の開口部９０１６ｂ，９０１６ｃには、互いに区画された有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂが形成されている。【０００５】
液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルに用いられる有機ＴＦＴ装置の各薄膜トランジスタ素子は、ゲート電極９０１２ａ，９０１２ｂへの信号の入力により、発光素子の発光制御を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−７６７９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置では、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの形成に係るインク塗布に際して、開口部９０１６ｂに対して滴下されたインクと、隣接する開口部９０１６ｃに対して滴下されたインクとが混合されてしまうという事態が生じ得る。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、隔壁９０１６に開けられた開口部９０１６ｂ，９０１６ｃに有機半導体インク９０１７０，９０１７１を滴下するとき、矢印で示すように、有機半導体インク９０１７０，９０１７１が、互いに混合してしまうことがある。この場合に、有機半導体層９０１７ａ，９０１７ｂの層厚が不所望な厚みとなり、また、互いに異なる成分の半導体層を形成しようとする場合には、インクの混合によりトランジスタ性能の低下をもたらすことになる。【０００８】
特に、液晶表示パネルや有機ＥＬ表示パネルでは、精細化の要望から各サブピクセルの小型化も要望され、各サブピクセルの小型化に伴って開口部９０１６ｂと開口部９０１６ｃとの間の距離が短くなり、インク９０１７０とインク９０１７１とが混合され易くなり、上記のような問題を生じ易いと考えられる。【０００９】
なお、上記のような問題は、塗布法を用い無機半導体層を形成する場合についても同様である。【００１０】
本発明は、上記問題の解決を図ろうとなされたものであって、隣接する開口部へ半導体インクを滴下した際に、互いのインクの混合を抑制し、高い品質を備える薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機ＥＬ表示素子、および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、次のような特徴を有する。【００１２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、半導体層と、を備える。【００１３】
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。【００１４】
絶縁層は、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿されている。【００１５】
半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、および、ソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。【００１６】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。【００１７】
上記構成において、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、次のような特徴を有する。【００１８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部を平面視する場合において、当該第１開口部の底部に露出するソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第１開口部の底部における面積の中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、また、第２開口部の底部を平面視する場合において、当該第２開口部の底部に露出するソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第２開口部の底部における面積の中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第１開口部の底部における中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れて配されており、また、第２開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第２開口部の底部における中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れて配されている。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時における、半導体層を形成するための半導体インクの塗布（滴下）時に、第１開口部の内部に塗布したインクと第２開口部の内部に塗布したインクとは、互いの表面プロファイルにおける最も高い部分が、それぞれの開口部における中心に対して、互いに離れた位置に存在することになる。【００２０】
これは、絶縁層の表面に比べて、ソース電極およびドレイン電極の濡れ性が高く、これらソース電極およびドレイン電極を各々の開口部でオフセットして配置することにより、第１開口部の内部に塗布されたインクの表面プロファイルは、第２開口部から離れる側に偏り、同様に、第２開口部の内部に塗布されたインクの表面プロファイルは、第１開口部から離れる側に偏る。以上より、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、その製造時において、第１開口部と第２開口部とに対して、それぞれ塗布（滴下）された半導体インクが不所望に混合されるという事態を抑制することができる。【００２１】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する開口部の各々へ半導体インクを塗布（滴下）した際に、半導体インク同士の混合を抑制し、高い品質を備える。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の概略構成を示す模式ブロック図である。
【図２】有機ＥＬ表示パネル１０の構成の一部を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、ＴＦＴ基板１０１の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、その模式断面図である。
【図４】（ａ）は、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法の概略を示す工程フロー図であり、（ｂ）は、ＴＦＴ基板１０１の形成方法の概略を示す工程フロー図である。
【図５】ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、一部工程を示す模式工程図である。
【図６】ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、一部工程を示す模式工程図である。
【図７】ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、一部工程を示す模式工程図である。
【図８】ＴＦＴ基板１０１の製造過程のうち、一部工程を示す模式工程図である。
【図９】（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態３に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の実施の形態５に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態６に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態７に係る有機ＥＬ表示パネルの構成のうち、ＴＦＴ基板の一部構成を示す模式平面図である。
【図１１】（ａ）は、変形例１に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｂ）は、変形例２に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図であり、（ｃ）は、変形例３に係るＴＦＴ基板での隔壁で規定される開口部の開口形状を示す模式平面図である。
【図１２】（ａ）は、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置の構成の一部を示す断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係る有機ＴＦＴ装置の製造過程のうち、半導体インクの塗布に係る工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、互いに間隔をあけた状態で隣接配置された第１および第２の薄膜トランジスタ素子を備え、各薄膜トランジスタ素子が、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極と、絶縁層と、半導体層と、を備える。
【００２４】
ソース電極およびドレイン電極は、ゲート電極の上方に積層形成され、積層方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけて並設されている。
【００２５】
絶縁層は、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極との間に介挿されている。
【００２６】
半導体層は、ソース電極とドレイン電極との間の間隙、および、ソース電極およびドレイン電極の上に形成され、ソース電極およびドレイン電極に対して密に接している。
【００２７】
また、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１の薄膜トランジスタ素子における半導体層と、第２の薄膜トランジスタ素子における半導体層との間には、互いの間を区画する隔壁が形成されており、隔壁は、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部とを別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有している。
【００２８】
上記構成において、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第１開口部とし、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極およびドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することで構成される開口部を第２開口部とするとき、次のような特徴を有する。
【００２９】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部を平面視する場合において、当該第１開口部の底部に露出するソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第１開口部の底部における面積の中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、また、第２開口部の底部を平面視する場合において、当該第２開口部の底部に露出するソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第２開口部の底部における面積の中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れていることを特徴とする。
【００３０】
なお、上記において、「ソース電極とドレイン電極との表面積の和の中心位置」とは、ソース電極の面積をＡS、任意の一点からのソース電極の面積中心までの距離をｘとし、ドレイン電極の面積をＡD、前記任意の一点からのドレイン電極の面積中心までの距離をｙとするとき、上記「ソース電極とドレイン電極との表面積の和の中心位置」ｚは、次のように表される。
【００３１】
［数１］  ｚ＝（ＡS×ｘ＋ＡD×ｙ）／（ＡS＋ＡD）
上記［数１］は、第１開口部の底部における中心位置と、第２開口部の底部における中心位置とを結ぶ直線が延伸する方向での成分について規定する。
【００３２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第１開口部の底部における中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れて配されており、また、第２開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第２開口部の底部における中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れて配されている。このため、薄膜トランジスタ装置の製造時における、半導体層を形成するための半導体インクの滴下時に、第１開口部の内部に滴下したインクと第２開口部の内部に滴下したインクとは、互いの表面プロファイルにおける最も高い部分が、それぞれの開口部における中心に対して、互いに離れた位置に存在することになる。
【００３３】
これは、絶縁層の表面に比べて、ソース電極およびドレイン電極の濡れ性が高く、これらソース電極およびドレイン電極を各々の開口部でオフセットして配置することにより、第１開口部の内部に滴下されたインクの表面プロファイルは、第２開口部から離れる側に偏り、同様に、第２開口部の内部に滴下されたインクの表面プロファイルは、第１開口部から離れる側に偏る。以上より、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、その製造時において、第１開口部と第２開口部とに対して、それぞれ滴下された半導体インクが不所望に混合されるという事態を抑制することができる。
【００３４】
従って、本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置は、隣接する開口部の各々へ半導体インクを滴下した際に、半導体インク同士の混合を抑制し、高い品質を備える。
【００３５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部において、第２開口部が隣接する側に、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所が存在し、第２開口部の底部において、第１開口部が隣接する側に、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所が存在する、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合には、第１開口部および第２開口部に対して、それぞれ半導体インクを滴下した際に、インクの表面プロファイルにおける最も高さが高い箇所が、第１開口部では第２開口部が隣接する側とは反対側に離れ、同様に、第２開口部では第１開口部が隣接する側とは反対側に離れる、という状態をさらに確実に実現することができる。このため、第１開口部の内部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、より確実に抑制することができる。
【００３６】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所は、第２開口部が隣接する側とは反対側にも存在し、第１開口部の底部を平面視する場合において、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所の面積は、第１開口部の底部における中心位置を基準として、第２開口部が隣接する側とは反対側よりも第２開口部の側の方が大きい、ことを特徴とする。同様に、第２開口部の底部において、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所は、第１開口部が隣接する側とは反対側にも存在し、第２開口部の底部を平面視する場合において、絶縁層と半導体層とが直に接する箇所の面積は、第２開口部の底部における中心位置を基準として、第１開口部が隣接する側とは反対側よりも前記第１開口部が隣接する側の方が大きい、ことを特徴とする。
【００３７】
第１開口部の底部および第２開口部の底部の各々における絶縁層と半導体層との直に接触する部分の面積を、上記のように規定する場合には、インクの表面プロファイルにおける最も高さが高い箇所が、第１開口部では第２開口部が隣接する側とは反対側に離れ、同様に、第２開口部では第１開口部が隣接する側とは反対側に離れる、という状態をさらに確実に実現することができる。このため、第１開口部の内部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、より確実に抑制することができる。
【００３８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部を平面視する場合において、ソース電極およびドレイン電極の一方は、その表面積の中心位置が、第１開口部の底部における中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、他方は、その表面積の中心位置が、第１開口部の底部における中心位置にあり、第２開口部の底部を平面視する場合において、ソース電極およびドレイン電極の一方は、その表面積の中心位置が、第２開口部の底部における中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れており、他方は、その表面積の中心位置が、第２開口部の底部における中心位置にある、ことを特徴とする。
【００３９】
第１開口部の底部および第２開口部の底部の各々におけるソース電極およびドレイン電極の配置を、上記のようにする場合にも、各開口部に滴下されたインクの表面プロファイルを上記に様に制御することができ、第１開口部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、抑制することができる。
【００４０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部を平面視する場合において、ソース電極およびドレイン電極は、その各々の表面積の中心位置が、第１開口部の底部における中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れており、第２開口部の底部を平面視する場合において、ソース電極およびドレイン電極は、その各々の表面積の中心位置が、第２開口部の底部における中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れている、ことを特徴とする。
【００４１】
第１開口部の底部および第２開口部の底部の各々におけるソース電極およびドレイン電極の配置を、上記のようにする場合にも、各開口部に滴下されたインクの表面プロファイルを上記に様に制御することができ、第１開口部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、抑制することができる。
【００４２】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部の底部において、ソース電極とドレイン電極の少なくとも一方が、第１開口部を臨む隔壁の側面部に対し、第２開口部が隣接する側の部分で離間し、且つ、第２開口部が隣接する側とは反対側の部分で接しており、第２開口部の底部において、ソース電極とドレイン電極の少なくとも一方が、第２開口部を臨む隔壁の側面部に対し、第１開口部が隣接する側の部分で離間し、且つ、第１開口部が隣接する側とは反対側の部分で接している、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合にも、各開口部に滴下されたインクの表面プロファイルを上記に様に制御することができ、第１開口部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、抑制することができる。
【００４３】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、隔壁の表面における撥液性は、絶縁層の半導体層との接触面よりも高く、且つ、絶縁層の半導体層との接触面の撥液性は、ソース電極およびドレイン電極の各表面よりも高い、ことを特徴とする。このような構成を採用することにより、半導体インクを滴下した際の、各開口部におけるインクの表面プロファイルを、より一層確実に上記のようなプロファイルとすることができる。よって、第１開口部に滴下されたインクと第２開口部に滴下されたインクとの混合を、より一層確実に抑制することができる。
【００４４】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置では、第１開口部および第２開口部の少なくとも一方に対して隣接する領域に、第３開口部が設けられており、第３開口部は、その内部に半導体層は形成されておらず、チャネル部として機能する部分ではなく、第３開口部の底部には、第１の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極もしくはドレイン電極の一方、または、第２の薄膜トランジスタ素子におけるソース電極もしくはドレイン電極の一方に対して、電気的に接続する配線が形成されている、ことを特徴とする。このような構成を採用する場合には、第３開口部がコンタクト領域として機能し、この場合においても、第１開口部の内部と第２開口部の内部との各々に滴下されたインク同士が混合されず、高い品質を得ることができる。
【００４５】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子は、上記第３開口部を備えた本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置と、当該薄膜トランジスタ装置の上方に設けられ、コンタクトホールが形成された平坦化膜と、平坦化膜上、および平坦化膜のコンタクトホールを臨む側面上に形成され、ドレイン電極またはソース電極と電気的に接続された下部電極と、下部電極の上方に形成された上部電極と、下部電極と上部電極との間に介挿された有機発光層と、を備える。そして、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、コンタクトホールは、第３開口部と連通している、ことを特徴とする。
【００４６】
このような構成を備える本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子では、上記本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置が奏する効果をそのまま奏することができる。よって、高い表示品質を備える。
【００４７】
本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置は、上記本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示素子を備える、  ことを特徴とする。これにより、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置についても、高い表示品質を備えるとともに、製造時における高い歩留まりを確保することができる。
【００４８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法は、次の工程を備える。
【００４９】
（ｉ）  第１工程；基板上に互いに間隔をあけた状態で隣接した第１および第２のゲート電極を形成する。
【００５０】
（ｉｉ）  第２工程；第１および第２のゲート電極の上方を覆うように、絶縁層を形成する。
【００５１】
（ｉｉｉ）  第３工程；絶縁層上において、第１のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第１のソース電極および第１のドレイン電極を並設し、且つ、第２のゲート電極に対応して、絶縁層の層厚方向に対して交差する方向に互いに間隔をあけた状態で、第２のソース電極および第２のドレイン電極を並設する。
【００５２】
（ｉｖ）  第４工程；絶縁層上において、第１および第２のソース電極上および前記第１および第２のドレイン電極上を覆う状態で、感光性レジスト材料を積層する。
【００５３】
（ｖ）  第５工程；積層された感光性レジスト材料をマスク露光してパターニングすることにより、第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部とを、別々に囲繞し、且つ、表面が撥液性を有する隔壁を形成する。
【００５４】
（ｖｉ）  第６工程；第１のソース電極および第１のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第１開口部の内部と、第２のソース電極および第２のドレイン電極の各々の少なくとも一部を囲繞することにより構成される第２開口部の内部との各々に対し、半導体材料を塗布して乾燥させ、第１のソース電極および第１のドレイン電極に対して密に接する第１の半導体層と、第２のソース電極および第２のドレイン電極に対して密に接する第２の半導体層とを形成する。
【００５５】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、上記第５工程において、第１開口部の底部を平面視する場合に、当該第１開口部の底部に露出する第１のソース電極と第１のドレイン電極との表面積の和の中心位置が、第１開口部の底部における面積の中心位置よりも、第２開口部が隣接する側とは反対側に離れ、第２開口部の底部を平面視する場合に、当該第２開口部の底部に露出する第２のソース電極と第２のドレイン電極との表面積の和の中心位置が、第２開口部の底部における面積の中心位置よりも、第１開口部が隣接する側とは反対側に離れるように隔壁を形成する、ことを特徴とする。
【００５６】
上記のような製造方法を採用する場合には、第１開口部の底部において、第１のソース電極および第１のドレイン電極とが、第２開口部が隣接する側とは反対側にオフセット配置され、また、第２開口部の底部において、第２のソース電極および第２のドレイン電極とが、第１開口部が隣接する側とは反対側にオフセット配置されることになる。このため、第６工程で半導体材料（半導体インク）を塗布（滴下）した際に、インクの表面プロファイルにおける最も高さが高い箇所が、第１開口部では第２開口部が隣接する側とは反対側に離れ、同様に、第２開口部では第１開口部が隣接する側とは反対側に離れる、という状態をさらに確実に実現することができる。このため、第１開口部の内部に滴下されたインクと第２開口部の内部に滴下されたインクとの混合を抑制するという効果を得ることができる。
【００５７】
従って、第１開口部の内部に滴下したインクと第２開口部の内部に滴下したインクとの混合を確実に抑制し、高い品質の薄膜トランジスタ装置を製造することができる。
【００５８】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、上記第５工程において、第１開口部の底部では、第２開口部の側において、第１のソース電極および第１のドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と第１の半導体層とが直に接する箇所が存在し、第２開口部の底部では、第１開口部の側において、第２のソース電極および第２のドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と第２の半導体層とが直に接する箇所が存在するように隔壁を形成する、ことを特徴とする。このような方法を採用すれば、第１開口部の内部に滴下したインクと、第２開口部に滴下したインクとの各々において、上記表面プロファイルをより確実に実現することができ、インク同士の混合を更に確実に抑制することができる。
【００５９】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、上記第５工程において、第１開口部の底部では、第２開口部が隣接する側とは反対側においても、第１のソース電極および第１のドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と第１の半導体層とが直に接する箇所が存在し、第１開口部の底部を平面視する場合において、絶縁層と第１の半導体層とが直に接する箇所の面積が、第１開口部の底部における中心位置を基準として、第２開口部が隣接する側とは反対側よりも第２開口部が隣接する側の方が大きく、また、第２開口部の底部では、第１開口部が隣接する側とは反対側においても、第２のソース電極および第２のドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と第２の半導体層とが直に接する箇所が存在し、第２開口部の底部を平面視する場合において、絶縁層と第２の半導体層とが直に接する箇所の面積が、第２開口部の底部における中心位置を基準として、第１開口部が隣接する側とは反対側よりも第２開口部が隣接する側の方が大きくなるように、隔壁を形成する、ことを特徴とする。このような方法を採用する場合には、第１開口部の内部に滴下したインクと、第２開口部に滴下したインクとの各々について、上記表面プロファイルを更に確実に実現することができ、インク同士の混合を確実に抑制することができる。
【００６０】
本発明の一態様に係る薄膜トランジスタ装置の製造方法では、第２工程から第６工程において、隔壁の表面における撥液性を、絶縁層における第１および第２の半導体層との各接触面よりも高くし、且つ、絶縁層における第１および第２の半導体層との接触面の撥液性を、第１および第２のソース電極と第１および第２のドレイン電極の各表面よりも高くする、ことを特徴とする。このように各部材における撥液性を制御することにより、第１開口部の内部に滴下したインクと、第２開口部に滴下したインクとの混合を、更に確実に防止することができる。よって、高い品質を有する薄膜トランジスタ装置を確実に製造することができる。
【００６１】
なお、上記において「上方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。また、「上方」との用語は、互いの間に間隔をあけた場合のみならず、互いに密着する場合にも適用するものである。
【００６２】
以下では、幾つかの具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００６３】
［実施の形態１］
１．有機ＥＬ表示装置１の全体構成
以下では、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成について図１を用い説明する。
【００６４】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ表示パネル１０と、これに接続された駆動制御回路部２０とを有し構成されている。
【００６５】
有機ＥＬ表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御回路部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
【００６６】
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、有機ＥＬ表示パネル１０に対する駆動制御回路部２０の配置については、これに限られない。
【００６７】
２．有機ＥＬ表示パネル１０の構成
有機ＥＬ表示パネル１０の構成について、図２の模式断面図および図３を用い説明する。
【００６８】
図２に示すように、有機ＥＬ表示パネル１０は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板１０１を備える。ＴＦＴ基板１０１は、基板１０１１の上に、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが互いに間隔をあけた状態で積層され、その上を覆うように、絶縁層１０１３が積層形成されている。絶縁層１０１３の上には、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂがそれぞれゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂに対応して設けられ、また、図３（ａ）に示すように、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂのそれぞれに対してＹ軸方向に間隔をあけてドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが設けられている。
【００６９】
また、図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、ソース電極１０１４ａに対してＸ軸方向左側に間隔をあけて、接続配線１０１５が形成されている。なお、接続配線１０１５は、ソース電極１０１４ａまたはドレイン電極１０１４ｃから延出形成され、あるいは、これらの一方と電気的に接続されている。
【００７０】
図２および図３（ａ）に示すように、絶縁層１０１３上には、接続配線１０１５、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃ，ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄを、それぞれ囲繞するよう隔壁１０１６が形成されている。換言すると、図３（ａ）に示すように、隔壁１０１６に開けられた３つの開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃのうち、接続配線１０１５が底部に露出するＸ軸方向左側の開口部１０１６ａが、チャネル部とは異なる部分であり、アノードとのコンタクト部として機能する。一方、底部にソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃが露出する開口部１０１６ｂ、および底部にソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄが露出する開口部１０１６ｃが、それぞれチャネル部として機能する部分である。
【００７１】
なお、図３（ｂ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各底部においては、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ（図３（ａ）を参照）が、Ｘ軸方向の全域に跨って配されているのではなく、開口部１０１６ｂでは、Ｘ軸方向左側で絶縁層１０１３の一部が露出し（露出部１０１３ａ）、同様に、開口部１０１６ｃでは、Ｘ軸方向右側で絶縁層１０１３の一部が露出している（露出部１０１３ｂ）。
【００７２】
図２に戻って、隔壁１０１６で囲繞された各領域のうち、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの上に相当する領域、およびソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの上に相当する領域には、それぞれ有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが積層形成されている。有機半導体層１０１７ａは、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの間の間隙、およびソース電極１０１４ａ、ドレイン電極１０１４ｃの各上を充填するように形成され、これら電極１０１４ａ，１０１４ｃと密に接している。有機半導体層１０１７ｂについても、同様に、電極１０１４ｂ，１０１４ｄと密に接するよう形成されている。そして、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、隔壁１０１６により互いに区画されている。
【００７３】
なお、図３（ｂ）に示す絶縁層１０１３の各露出部１０１３ａ，１０１３ｂは、間にソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが介在することなく、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂが直に接することになる（図２を参照）。
【００７４】
図２に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂおよび絶縁層１０１３の上を覆うように、パッシベーション膜１０１８が積層形成されている。ただし、接続配線１０１５の上に相当する箇所は、開口されている。
【００７５】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０のＴＦＴ基板１０１は、以上のような構成を有する。
【００７６】
次に、図２に示すように、ＴＦＴ基板１０１上は、平坦化膜１０２で被覆されている。ただし、接続配線１０１５の上は、コンタクトホール１０２ａが開けられている。コンタクトホール１０２ａは、ＴＦＴ基板１０１における開口部１０１６ａと連通している。
【００７７】
平坦化膜１０２の主面上には、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５が順に積層形成されている。これら、アノード１０３、透明導電膜１０４、およびホール注入層１０５は、平坦化膜１０２におけるコンタクトホール１０２ａを臨む側面に沿っても形成されており、アノード１０３は、接続配線１０１５と接触し、電気的に接続されている。
【００７８】
ホール注入層１０５の上には、発光部（サブピクセル）に相当する箇所を囲繞するようにバンク１０６が形成されている。バンク１０６が囲繞することで形成される開口部には、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９が順に積層形成されている。
【００７９】
さらに、電子輸送層１０９の上、およびバンク１０６の露出面を覆うように、カソード１１０および封止層１１１が順に積層形成され、封止層１１１に対向するようにＣＦ（カラーフィルタ）基板１１３が配され、間に接着層１１２が充填されて互いに接合されている。ＣＦ基板１１３は、基板１１３１のＺ軸方向下側主面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成され構成されている。
【００８０】
３．有機ＥＬ表示パネル１０の構成材料
有機ＥＬ表示パネル１０では、例えば、各部位を次のような材料を用い形成することができる。
【００８１】
（ｉ）  基板１０１１
基板１０１１は、例えば、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【００８２】
プラスチック基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００８３】
（ｉｉ）  ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂ
ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂは、例えば、導電性を有する材料であれば特に限定されない。
【００８４】
具体的な材料として、たとえば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００８５】
（ｉｉｉ）  絶縁層１０１３
絶縁層１０１３は、ゲート絶縁層として機能するものであって、例えば、絶縁性を有する材料であれば特に限定されず、公知の有機材料や無機材料のいずれも用いることができる。
【００８６】
有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂などを用い形成することができる。
【００８７】
また、無機材料としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルトなどの金属酸化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化セリウム、窒化亜鉛、窒化コバルト、窒化チタン、窒化タンタルなどの金属窒化物、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウムチタン酸鉛などの金属複合酸化物が挙げられる。これらは、１ 種または２ 種以上組み合わせて用いることができる。
【００８８】
さらに、表面処理剤（ODTS OTS HMDS βPTS）などでその表面を処理したものも含まれる。
【００８９】
（ｉｖ）  ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ
ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄは、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成するための上記材料を用い形成することができる。
【００９０】
（ｖ）  有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂ
有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂは、例えば、半導体特性を有し、溶媒に可溶であれば特に限定されない。例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（２，５−チエニレンビニレン） （ＰＴＶ ） もしくはクォーターチオフェン（４Ｔ）、セキシチオフェン（６Ｔ）およびオクタチオフェンなどのα−オリゴチオフェン類もしくは２,５−ビス（５'−ビフェニル−２'−チエニル）−チオフェン（ＢＰＴ３）、２,５−［２,２'−（５,５'−ジフェニル）ジチエニル］−チオフェンなどのチオフェン誘導体、ポリ（パラ−フェニレンビニレン） （ＰＰＶ） などのフェニレンビニレン誘導体、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン） （ＰＦＯ） などのフルオレン誘導体、トリアリルアミン系ポリマー、アントラセン、テトラセン、ペンタセンおよびヘキサセン等のアセン化合物、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１） および１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）などのベンゼン誘導体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）および鉄フタロシアニンのようなフタロシアニン誘導体、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、およびファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）のような有機金属化合物、Ｃ６０、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子、カルバゾール系高分子およびフルオレン系高分子のような高分子系化合物ならびにポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−メトキシフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン） （ＰＦＭＯ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ベンゾチアジアゾール） （ＢＴ） 、フルオレン−トリアリルアミン共重合体およびポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−ジチオフェン） （Ｆ８Ｔ２）などのフルオレンとの共重合体などが挙げられる。これらは、１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
【００９１】
また、溶媒に可溶な無機材料も使用することが可能である。
【００９２】
（ｖｉ）  パッシベーション膜１０１８
パッシベーション膜１０１８は、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの水溶性樹脂や、フッ素系樹脂などを用い形成することができる。
【００９３】
（ｖｉｉ）  平坦化膜１０２
平坦化膜１０２は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
【００９４】
（ｖｉｉｉ）  アノード１０３
アノード１０３は、銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む金属材料から構成されている。トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合には、その表面部が高い反射性を有することが好ましい。
【００９５】
（ｉｘ）  透明導電膜１０４
透明導電膜１０４は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。
【００９６】
（ｘ）  ホール注入層１０５
ホール注入層１０５は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。なお、図２に示す本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、金属酸化物からなるホール注入層１０５を構成することを想定しているが、この場合には、ＰＥＤＯＴなどの導電性ポリマー材料を用いる場合に比べて、ホールを安定的に、またはホールの生成を補助して、有機発光層１０８に対しホールを注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
【００９７】
ここで、ホール注入層１０５を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、ホール注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。特に、酸化タングステン（ＷＯX）を用いることが、ホールを安定的に注入し、且つ、ホールの生成を補助するという機能を有するという観点から望ましい。
【００９８】
（ｘｉ）  バンク１０６
バンク１０６は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有する。バンク１０６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６は、製造工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、表面に撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
【００９９】
なお、バンク１０６を親液性の材料を用い形成した場合には、バンク１０６の表面と発光層１０８の表面との親液性／撥液性の差異が小さくなり、有機発光層１０８を形成するために有機物質を含んだインクを、バンク１０６が規定する開口部内に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
【０１００】
さらに、バンク１０６の構造については、図２に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【０１０１】
（ｘｉｉ）  ホール輸送層１０７
ホール輸送層１０７は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【０１０２】
（ｘｉｉｉ）  有機発光層１０８
発光層１０８は、上述のように、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層１０８の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【０１０３】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【０１０４】
（ｘｉｖ）  電子輸送層１０９
電子輸送層１０９は、カソード１１０から注入された電子を発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
【０１０５】
（ｘｖ）  カソード１１０
カソード１１０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）若しくはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などを用い形成される。本実施の形態のように、トップエミッション型の本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【０１０６】
カソード１１０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層の構造、あるいは、前記いずれかの層に銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
【０１０７】
（ｘｖｉ）  封止層１１１
封止層１１１は、発光層１０８などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。また、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成された層の上に、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料からなる封止樹脂層を設けてもよい。
【０１０８】
封止層１１１は、トップエミッション型である本実施の形態に係る有機ＥＬ表示パネル１０の場合においては、光透過性の材料で形成されることが必要となる。
【０１０９】
４．ＴＦＴ基板１０１におけるソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの配置
ＴＦＴ基板１０１におけるソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの配置について、図３（ａ）および図３（ｂ）を用い説明する。
【０１１０】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各々の底部においては、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄがＸ軸方向の端から端まで配されているのではなく、Ｘ軸方向の各一方の側にオフセット配置されている。具体的には、開口部１０１６ｂの底部においては、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃがＸ軸方向左側にオフセットした状態で配されている。
【０１１１】
一方、開口部１０１６ｃの底部においては、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄがＸ軸方向右側にオフセットした状態で配されている。
【０１１２】
このため、図３（ａ）に示すように、開口部１０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ1に対し、ソース電極１０１４ａとドレイン電極１０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ3が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ1だけ離間している。同様に、開口部１０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ2に対し、ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄとの表面積（図３（ａ）における各上面の表面積）の和の中心線Ｌ4が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ2だけ離間している。
【０１１３】
なお、上記において、「ソース電極１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｄとの表面積（図３（ａ）における各上面の表面積）の和の中心」については、上記［数１］の規定に基づき求めることができる。
【０１１４】
また、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃの各々は、開口部１０１６ｂを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向左側の部分で接しており、Ｘ軸方向右側の部分では離間している。同様に、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄの各々は、開口部１０１６ｃを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向右側の部分で接しており、Ｘ軸方向左側の部分では離間している。
【０１１５】
また、図３（ｂ）に示すように、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成前においては、開口部１０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分で絶縁層１０１３の露出面積（露出部１０１３ａの面積）が左側に比べて大きくなっており、同様に、開口部１０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分で絶縁層１０１３の露出面積（露出部１０１３ｂの面積）が右側に比べて大きくなっている。
【０１１６】
５．有機ＥＬ表示装置１の製造方法
有機ＥＬ表示装置１の製造方法、特に、有機ＥＬ表示パネル１０の製造方法について、図２と図４を用い説明する。
【０１１７】
図２および図４（ａ）に示すように、先ず、ＴＦＴ基板１０１のベースとなる基板１０１１を準備する（ステップＳ１）。そして、当該基板１０１１にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子を形成し、ＴＦＴ基板１０１を形成する（ステップＳ２）。
【０１１８】
次に、図２および図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０１上に絶縁材料からなる平坦化膜１０２を形成する（ステップＳ３）。図２に示すように、平坦化膜１０２では、ＴＦＴ基板１０１における接続配線１０１５の上方に相当する箇所にコンタクトホール１０２ａがあけられ、その他の部分のＺ軸方向上面は略平坦化されている。
【０１１９】
次に、平坦化膜１０２上にアノード１０３を形成する（ステップＳ４）。ここで、図２に示すように、アノード１０３は、発光単位（サブピクセル）で区画され形成されており、コンタクトホール１０２ａの側壁に沿って一部がＴＦＴ基板１０１の接続配線１０１５に接続される。
【０１２０】
なお、アノード１０３は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などにより金属膜を成膜した後、サブピクセル単位にエッチングすることで形成できる。
【０１２１】
次に、アノード１０３の上面を覆うように透明導電膜１０４を形成する（ステップＳ５）。図２に示すように、透明導電膜１０４は、アノード１０３の上面のみならず側端面も覆っており、また、コンタクトホール１０２ａ内においてもアノード１０３の上面を覆っている。なお、透明導電膜１０４は、上記同様に、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い成膜した後、エッチングによりサブピクセル単位に区画することにより形成される。
【０１２２】
次に、透明導電膜１０４上にホール注入層１０５を形成する（ステップＳ６）。図２に示すように、ホール注入層１０５は、透明導電膜１０４上の全面を覆うように形成されているが、サブピクセル毎に区画した状態で形成することもできる。
【０１２３】
金属酸化物（例えば、酸化タングステン）からホール注入層１０５を形成する場合には、金属酸化膜の形成は、例えば、アルゴンガスと酸素ガスにより構成されたガスをスパッタ装置のチャンバー内のガスとして用い、当該ガスの全圧が２．７［Ｐａ］を超え７．０［Ｐａ］以下であり、且つ、酸素ガス分圧の全圧に対する比が５０［％］以上７０［％］以下であって、さらにターゲット単位面積当たりの投入電力密度が１［Ｗ／ｃｍ2］以上２．８［Ｗ／ｃｍ2］以下となる成膜条件を採用することができる。
【０１２４】
次に、各サブピクセルを規定するバンク１０６を形成する（ステップＳ７）。図２に示すように、バンク１０６は、ホール注入層１０５の上に積層形成される。
【０１２５】
バンク１０６の形成は、先ず、ホール注入層１０５の上に、バンク１０６の材料層を積層形成する。この材料層は、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの感光性樹脂成分とフッ素成分を含む材料を用い、スピンコート法等により形成される。なお、本実施の形態においては、感光性樹脂材料の一例として、日本ゼオン製ネガ型感光性材料（品番：ＺＰＮ１１６８）を用いることができる。次に、材料層をパターニングして、各サブピクセルに対応する開口部を形成する。開口部の形成には、材料層の表面にマスクを配して露光を行い、その後で現像を行うことにより形成できる。
【０１２６】
次に、ホール注入層１０５上におけるバンク１０６で規定された各凹部内に対し、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、および電子輸送層１０９を順に積層形成する（ステップＳ８〜Ｓ１０）。
【０１２７】
ホール輸送層１０７は、その構成材料である有機化合物からなる膜を印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。有機発光層１０８についても、同様に、印刷法で成膜した後、焼成することで形成される。
【０１２８】
次に、電子輸送層１０９上にカソード１１０および封止層１１１を順に積層する（ステップＳ１１，Ｓ１２）。図２に示すように、カソード１１０および封止層１１１は、バンク１０６の頂面も被覆するように形成されており、全面に形成されている。
【０１２９】
次に、封止層１１１上に接着樹脂材を塗布し、予め準備しておいたＣＦ（カラーフィルタ）パネルを接合する（ステップＳ１３）。図２に示すように、接着層１１２により接合されるＣＦパネル１１３は、基板１０３１のＺ軸方向下面にカラーフィルタ１１３２およびブラックマトリクス１１３３が形成されてなる。
【０１３０】
以上のように、有機ＥＬ表示素子としての有機ＥＬ表示パネル１０が完成する。
【０１３１】
なお、図示を省略しているが、有機ＥＬ表示パネル１０に対して駆動制御部２０を付設して有機ＥＬ表示装置１を形成した後（図１を参照）、エージング処理を施すことにより有機ＥＬ表示装置１が完成する。エージング処理は、例えば、処理前におけるホール注入性に対して、ホールの移動度が１／１０以下となるまで通電を行うことでなされ、具体的には、実際の使用時における輝度以上であって、且つ、その３倍以下の輝度となるように、予め規定された時間、通電処理を実行する。
【０１３２】
次に、ＴＦＴ基板１０１の形成方法について、図４（ｂ）および図５から図８を用い説明する。
【０１３３】
図５（ａ）に示すように、基板１０１１の主面上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂを形成する（図４（ｂ）のステップＳ２１）。ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂの形成に関しては、上記アノード１０３の形成方法と同様の方法とすることができる。
【０１３４】
次に、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂおよび基板１０１１の上を覆うように、絶縁層１０１３を積層形成する（図４（ｂ）のステップＳ２２）。そして、図５（ｃ）に示すように、絶縁層１０１３の主面上に、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、さらには接続配線１０１５を形成する（図４（ｂ）のステップＳ２３）。なお、このとき、後の工程で形成する隔壁１０１６との関係でソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄが、それぞれ上記のようにオフセット配置となるように、絶縁層１０１３に対するソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの各位置が規定される。このため、ソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃ（図５（ｃ）では、ドレイン電極１０１４ｃの図示を省略）のＸ軸方向右横には絶縁層１０１３の露出部１０１３ａが形成され、ソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄ（図５（ｃ）ではドレイン電極１０１４ｄの図示を省略）のＸ軸方向左横には絶縁層１０１３の露出部１０１３ｂが形成される。
【０１３５】
次に、図６（ａ）に示すように、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂ、ドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ、接続配線１０１５、さらには絶縁層１０１３の露出部１０１３ａ，１０１３ｂ上を覆うように、隔壁１０１６を形成するための感光性レジスト材料膜１０１６０を堆積させる（図４（ｂ）のステップＳ２４）。そして、図６（ｂ）に示すように、堆積させた感光性レジスト材料膜１０１６０に対し、上方にマスク５０１を配し、マスク露光およびパターニングを施す（図４（ｂ）のステップＳ２５）。ここで、マスク５０１には、隔壁１０１６を形成しようとする部分に窓部５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０１ｄがあけられている。なお、図６（ｂ）では、図示を省略しているが、マスク５０１には、窓部５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０１ｄがあけられた領域以外にも隔壁１０１６を形成しようとするか部分に窓部があけられている。
【０１３６】
上記のようにして、図６（ｃ）に示す隔壁１０１６を形成することができる（図４（ｂ）のステップＳ２６）。隔壁１０１６は、開口部１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃを含む複数の開口部を規定する。開口部１０１６ａでは、その底部で接続配線１０１５が囲繞され、開口部１０１６ｂでは、その底部でソース電極１０１４ａおよびドレイン電極１０１４ｃ（図６（ｃ）では、ドレイン電極１０１４ｃの図示を省略）が囲繞され、開口部１０１６ｃでは、その底部でソース電極１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｄ（図６（ｃ）では、ドレイン電極１０１４ｄの図示を省略）が囲繞されている。そして、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの各々においては、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄ（図６（ｃ）では、図示を省略）が、Ｘ軸方向にオフセット配置されている。
【０１３７】
図７に示すように、隔壁１０１６を形成した後、隔壁１０１６により規定される開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対し、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを形成するための有機半導体インク１０１７０，１０１７１を塗布する（図４（ｂ）のステップＳ２７）。ここで、開口部１０１６ｂの内部に塗布された有機半導体インク１０１７０は、Ｘ軸方向に対称な表面プロファイルとなるのではなく、その最も盛り上がった箇所（最も高さが高い箇所）Ｘ軸方向左側に偏った形状の表面プロファイルを有する。一方、開口部１０１６ｃの内部に塗布された有機半導体インク１０１７１は、その表面プロファイルにおける最も盛り上がった箇所（最も高さが高い箇所）がＸ軸方向右側に偏った形状の表面プロファイルを有する。
【０１３８】
上記のように、有機半導体インク１０１７０，１０１７１の表面プロファイルを制御することにより、各有機半導体インク１０１７０，１０１７１は、互いに混合することが抑制される。この理由については、後述する。
【０１３９】
次に、有機半導体インク１０１７０，１０１７１を乾燥させることにより（図４（ｂ）のステップＳ２８）、図８（ａ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃに対して、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂを各々形成することができる（図４（ｂ）のステップＳ２９）。
【０１４０】
最後に、図８（ｂ）に示すように、開口部１０１６ａを含むコンタクト領域など除く全体を覆うように、パッシベーション膜１０１８を形成して（図４（ｂ）のステップＳ３０）、ＴＦＴ基板１０１が完成する。
【０１４１】
６．得られる効果
本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１およびこれを備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、有機ＥＬ表示パネル１０を構成に含む有機ＥＬ表示装置１では、次のような理由から高品質であって、且つ、その生産における歩留まりが高いという効果を有する。
【０１４２】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１では、図７に示すように、有機半導体層１０１７を形成するための有機半導体インク１０１７０，１０１７１を開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの内部にそれぞれ塗布（滴下）した際、開口部１０１６ｂと開口部１０１６ｃとの間に介在する隔壁１０１６の側よりも、各々の開口部１０１６ｂ，１０１６ｃにおける反対側で、有機半導体インク１０１７０，１０１７１の表面プロファイルの高さが、高くなる。これより、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１は、その製造時において、開口部１０１６ｂの内部に滴下された有機半導体インク１０１７０と、開口部１０１６ｃの内部に滴下された有機半導体インク１０１７１との混合を確実に抑制することができる。
【０１４３】
よって、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１は、開口部１０１６ｂの内部に形成する有機半導体層１０１７ａと、開口部１０１６ｃの内部に形成する有機半導体層１０１７ｂとが、設計通りに高精度に形成することができる。また、有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの各層厚についても、高精度に制御することができる。
【０１４４】
従って、本実施の形態に係るＴＦＴ基板１０１およびこれを備える有機ＥＬ表示パネル１０、さらには、有機ＥＬ表示パネル１０を構成に含む有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０１における有機半導体層１０１７ａ，１０１７ｂの形成に際して、インクの混合が抑制され、高い品質を備える。
【０１４５】
なお、上記効果は、各開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの底部におけるソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの配置と、隔壁１０１６の表面、絶縁層１０１３の表面、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの撥液性の関係により奏される。即ち、隔壁１０１６の表面の撥液性をＲWとし、絶縁層１０１３の表面の撥液性をＲIとし、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの表面の撥液性をＲEとするとき、次の関係を満足する。
【０１４６】
［数２］  ＲW＞ＲI＞ＲE
上記において、上記各撥液性ＲW，ＲI，ＲEは、有機半導体インク１０１７０，１０１７１に対するものである。
【０１４７】
上記のような隔壁１０１６の表面、絶縁層１０１３の表面、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの各特性を逆の観点、即ち、濡れ性という観点から見ると、次のような関係を満足する。
【０１４８】
［数３］  ＷW＜ＷI＜ＷE
なお、上記［数３］において、ＷWは、隔壁１０１６の表面の濡れ性であり、ＷIは、絶縁層１０１３の表面の濡れ性であり、ＷEは、ソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの表面の濡れ性である。
【０１４９】
以上のように、各開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの底部におけるソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの配置と、隔壁１０１６の表面、絶縁層１０１３の表面、およびソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの撥液性の関係を制御する本実施の形態では、ＴＦＴ基板１０１の製造時の有機半導体インク１０１７０，１０１７１を塗布した際に、図７に示すような表面プロファイルを有し、これにより、開口部１０１６ｂの内部に滴下した有機半導体インク１０１７０と、開口部１０１６ｃの内部に滴下した有機半導体インク１０１７１とが混合することを効果的に抑制することができる。そして、これより、有機半導体層１０１７ａと有機半導体層１０１７ｂとを設計に基づいて個別に形成することができ、互いの間での成分の混合や層厚の変化を抑えることが可能となる。このため、高品質なＴＦＴ基板１０１、有機ＥＬ表示パネル１０、および有機ＥＬ表示装置１を高い歩留まりを以って製造することができる。
【０１５０】
なお、図３（ａ）に示すように、開口部１０１６ｂ，１０１６ｃの底部におけるソース電極１０１４ａ，１０１４ｂおよびドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄの配置により、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１０１３の露出部１０１３ａ，１０１３ｂが生じる。そして、これより、開口部１０１６ｂの底部においては、Ｘ軸方向右側での絶縁層１０１３の露出面積（露出部１０１３ａの面積）が、Ｘ軸方向左側に比べて大きく、開口部１０１６ｃの底部においては、Ｘ軸方向左側での絶縁層１０１３の露出面積（露出部１０１３ｂの面積）が、Ｘ軸方向右側に比べて大きくなる。この関係についても、上記効果を得る上で有効である。
【０１５１】
［実施の形態２］
本発明の実施の形態２に係るＴＦＴ基板の構成について、図９（ａ）を用い説明する。なお、図９（ａ）は、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１５２】
図９（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、隔壁２０１６で規定される開口部２０１６ｂ，２０１６ｃの各底部に、ソース電極２０１４ａ，２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｃ，２０１４ｄがそれぞれ配されている。
【０１５３】
開口部２０１６ｂの底部におけるソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃ、および開口部２０１６ｃの底部におけるソース電極２０１４ｂとドレイン電極２０１４ｄとは、それぞれＴ字状の平面形状を有し、ソース電極２０１４ａ，２０１４ｂとドレイン電極２０１４ｃ，２０１４ｄとは、各Ｘ軸方向に延伸する部分同士が対向している。そして、開口部２０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ5に対し、ソース電極２０１４ａとドレイン電極２０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ7が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ3だけ離間している。同様に、開口部２０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ6に対し、ソース電極２０１４ｂとドレイン電極２０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ8が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ4だけ離間している。
【０１５４】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、ソース電極２０１４ａ，２０１４ｂおよびドレイン電極２０１４ｃ，２０１４ｄの各々が、開口部２０１６ｂ，２０１４ｃを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向において離間した状態で配されている。
【０１５５】
また、図９（ａ）に示すように、有機半導体層の形成前における開口部２０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分での絶縁層２０１３の露出部２０１３ａの面積が左側に比べて大きくなっている。同様に、有機半導体層の形成前における開口部２０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分での絶縁層２０１３の露出部２０１３ｂの面積が右側に比べて大きくなっている。
【０１５６】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１５７】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係るＴＦＴ基板の構成について、図９（ｂ）を用い説明する。なお、図９（ｂ）についても、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１，２と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１５８】
図９（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においても、隔壁３０１６で規定される開口部３０１６ｂの底部にソース電極３０１４ａおよびドレイン電極３０１４ｃが配されている。また、開口部３０１６ｃの底部にはソース電極３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｄが配されている。
【０１５９】
開口部３０１６ｂ，３０１６ｃのそれぞれの底部におけるソース電極３０１４ａ，３０１４ｂとドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄとは、それぞれ櫛状の平面形状を有し、櫛歯部分同士が対向している。そして、開口部３０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ9に対し、ソース電極３０１４ａとドレイン電極３０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ11が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ5だけ離間している。開口部３０１６ｃの底部では、そのＸ軸方向の中心線Ｌ10に対し、ソース電極３０１４ｂとドレイン電極３０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ12が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ6だけ離間している。
【０１６０】
ここで、本実施の形態では、ソース電極３０１４ａおよびドレイン電極３０１４ｃの両方がＸ軸方向にオフセット配置されているのではなく、ドレイン電極３０１４ｃだけがＸ軸方向左側にオフセット配置されており、ソース電極３０１４ａは、開口部３０１６ｂの底部の中心に対して面積中心が略一致した状態で配されている。開口部３０１６ｃの底部におけるソース電極３０１４ｂについても、同様に、開口部３０１６ｃの底部の中心に対して面積中心が略一致した状態で配されている。
【０１６１】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板においても、ソース電極３０１４ａおよびドレイン電極３０１４ｃの各々が、開口部３０１６ｂを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向右側およびＸ軸方向左側の両部分に対して離間した状態で配され、ソース電極３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｄの各々が、開口部３０１６ｃを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向右側およびＸ軸方向左側の両部分に対して離間した状態で配されている。
【０１６２】
また、図９（ｂ）に示すように、有機半導体層の形成前における開口部３０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分で絶縁層３０１３の露出面積（露出部３０１３ａの面積）が左側に比べて大きくなっている。同様に、有機半導体層の形成前における開口部３０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分で絶縁層３０１３の露出面積（露出部３０１３ｂの面積）が右側に比べて大きくなっている。
【０１６３】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１６４】
また、本実施の形態では、ソース電極３０１４ａ，３０１４ｂおよびドレイン電極３０１４ｃ，３０１４ｄが、それぞれ櫛状をしており、互いの櫛歯部分が対向しているので、対向領域を大きくとることができ、トランジスタとしての特性を向上させることができる。
【０１６５】
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係るＴＦＴ基板の構成について、図９（ｃ）を用い説明する。なお、図９（ｃ）についても、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１，２，３と同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１６６】
図９（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁４０１６で規定される開口部４０１６ｂ，４０１６ｃの開口形状および底部形状が、ともに略円形をしている。そして、開口部４０１６ｂの底部に配されたソース電極４０１４ａとドレイン電極４０１４ｃ、および、開口部４０１６ｃの底部に配されたソース電極４０１４ｂとドレイン電極４０１４ｄの外辺形状が円形または円弧状となっている。
【０１６７】
開口部４０１６ｂの底部に配されているソース電極４０１４ａおよびドレイン電極４０１４ｃは、ともに開口部４０１６ｂの底部の中心線Ｌ13に対して、Ｘ軸方向左側にオフセット配置されている。一方、開口部４０１６ｃの底部に配されているソース電極４０１４ｂおよびドレイン電極４０１４ｄは、ともに開口部４０１６ｃの底部の中心線Ｌ14に対して、Ｘ軸方向右側にオフセット配置されている。これより、開口部４０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ13に対し、ソース電極４０１４ａとドレイン電極４０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ15が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ7だけ離間し、開口部４０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ14に対し、ソース電極４０１４ｂとドレイン電極４０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ16が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ8だけ離間している。
【０１６８】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板においても、ソース電極４０１４ａ，４０１４ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄの各々が、開口部４０１６ｂ，４０１６ｃを臨む側面部に対し、そのＸ軸方向右側およびＸ軸方向左側の両部分に対して離間した状態で配されている。
【０１６９】
また、図９（ｃ）に示すように、有機半導体層の形成前における開口部４０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分での絶縁層４０１３の露出面積（露出部４０１３ａ）が、左側に比べて大きくなっている。有機半導体層の形成前における開口部４０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分での絶縁層４０１３の露出面積（露出部４０１３ｂ）が、右側に比べて大きくなっている。
【０１７０】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１７１】
また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においても、図９（ｃ）のような形状のソース電極４０１４ａ，４０１４ｂおよびドレイン電極４０１４ｃ，４０１４ｄを採用することにより、互いの対向領域を大きくとることができ、さらに“回り込み電流”を少なくすることができる。
【０１７２】
［実施の形態５］
本発明の実施の形態５に係るＴＦＴ基板の構成について、図１０（ａ）を用い説明する。なお、図１０（ａ）についても、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１，２，３，４などと同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１７３】
図１０（ａ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁５０１６で規定される開口部５０１６ｂ，５０１６ｃの開口形状および底部形状は、上記実施の形態１，２，３と同様に、四角形となっている。そして、開口部５０１６ｂの底部に配されたソース電極５０１４ａおよびドレイン電極５０１４ｃの外辺形状が略正方形または長方形なっており、開口部５０１６ｃの底部に配されたソース電極５０１４ｂおよびドレイン電極５０１４ｄの外辺形状も略正方形または長方形なっている。
【０１７４】
開口部５０１６ｂ，５０１６ｃのそれぞれの底部に配されているソース電極５０１４ａ，５０１４ｂとドレイン電極５０１４ｃ，５０１４ｄとは、互いにＸ軸方向の長さが異なっており、ソース電極５０１４ａ，５０１４ｂは、そのＸ軸方向中心が開口部５０１６ｂ，５０１６ｃの各底部の中心線Ｌ17に略合致するように配されている。
【０１７５】
一方、ドレイン電極５０１４ｃは、ソース電極５０１４ａに対して、Ｘ軸方向左側に長さが延長された形状となっており、その中心が開口部５０１６ｂの中心線Ｌ17に対してＸ軸方向左側にオフセット配置されている。ドレイン電極５０１４ｄは、ソース電極５０１４ｂに対して、Ｘ軸方向右側に長さが延長された形状となっており、その中心が開口部５０１６ｃの中心線Ｌ18に対してＸ軸方向右側にオフセット配置されている。
【０１７６】
本実施の形態に係る開口部５０１６ｂの底部においては、開口部５０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ17に対し、ソース電極５０１４ａとドレイン電極５０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ19が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ9だけ離間している。また、開口部５０１６ｃの底部においては、開口部５０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ18に対し、ソース電極５０１４ｂとドレイン電極５０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ20が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ10だけ離間している。
【０１７７】
本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、ソース電極５０１４ａは、開口部５０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向左側およびＸ軸方向右側の両方で離間しているのに対して、ドレイン電極５０１４ｃは、開口部５０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向右側で離間しており、Ｘ軸方向左側で接している。また、ソース電極５０１４ｂは、開口部５０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向左側およびＸ軸方向右側の両方で離間しているのに対して、ドレイン電極５０１４ｄは、開口部５０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向左側で離間しており、Ｘ軸方向右側で接している。
【０１７８】
また、図１０（ａ）に示すように、有機半導体層の形成前における開口部５０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分で絶縁層５０１３の露出面積（露出部５０１３ａの面積）が左側に比べて大きくなっている。有機半導体層の形成前における開口部５０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分で絶縁層５０１３の露出面積（露出部５０１３ｂの面積）が右側に比べて大きくなっている。
【０１７９】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１８０】
［実施の形態６］
本発明の実施の形態６に係るＴＦＴ基板の構成について、図１０（ｂ）を用い説明する。なお、図１０（ｂ）についても、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１，２，３，４，５などと同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１８１】
図１０（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁６０１６で規定される開口部６０１６ｂ，６０１６ｃの開口形状および底部形状は、上記実施の形態１，２，３，５と同様に、四角形となっている。そして、開口部６０１６ｂ，６０１６ｃの各底部に配されたドレイン電極６０１４ｃ，６０１４ｄが長方形となっている。
【０１８２】
一方、開口部６０１６ｂ，６０１６ｃの各底部に配されたソース電極６０１４ａ，６０１４ｂは、それぞれドレイン電極６０１４ｃ，６０１４ｄの一部を取り囲むようにコの字状の平面形状を有する。
【０１８３】
開口部６０１６ｂの底部に配されているソース電極６０１４ａは、その面積の中心が開口部６０１６ｂの底部の中心線Ｌ21に対してＸ軸方向左側にオフセット配置されている。開口部６０１６ｃの底部に配されているソース電極６０１４ｂは、その面積の中心が開口部６０１６ｃの底部の中心線Ｌ22に対してＸ軸方向右側にオフセット配置されている。
【０１８４】
一方、ドレイン電極６０１４ｃは、その中心が開口部６０１６ｂの底部の中心線Ｌ21に対してＸ軸方向右側にオフセット配置されている。ドレイン電極６０１４ｄは、その中心が開口部６０１６ｃの底部の中心線Ｌ22に対してＸ軸方向左側にオフセット配置されている。
【０１８５】
本実施の形態に係る開口部６０１６ｂの底部においては、開口部６０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ21に対し、ソース電極６０１４ａとドレイン電極６０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ23が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ11だけ離間している。開口部６０１６ｃの底部においては、開口部６０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ22に対し、ソース電極６０１４ｂとドレイン電極６０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ24が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ12だけ離間している。
【０１８６】
また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、ソース電極６０１４ａは、開口部６０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下の各一部およびＸ軸方向左側で接しており、Ｘ軸方向右側で離間しており、ドレイン電極６０１４ｃは、開口部６０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向右側で接しており、Ｘ軸方向左側で離間している。開口部６０１３ｃの内部において、ソース電極６０１４ｂは、開口部６０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下の各一部およびＸ軸方向右側で接しており、Ｘ軸方向左側で離間しており、ドレイン電極６０１４ｄは、開口部６０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｘ軸方向左側で接しており、Ｘ軸方向右側で離間している。
【０１８７】
また、図１０（ｂ）に示すように、本実施の形態においても、有機半導体層の形成前における開口部６０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分で絶縁層６０１３の露出面積（露出部６０１３ａの面積）が左側に比べて大きくなっている。また、有機半導体層の形成前における開口部６０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分で絶縁層６０１３の露出面積（露出部６０１３ｂの面積）が右側に比べて大きくなっている。
【０１８８】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１８９】
［実施の形態７］
本発明の実施の形態７に係るＴＦＴ基板の構成について、図１０（ｃ）を用い説明する。なお、図１０（ｃ）についても、上記実施の形態１における図３（ａ）に相当する図であり、他の構成については、上記実施の形態１，２，３，４，５，６などと同様であるので、図示および説明を省略する。
【０１９０】
図１０（ｃ）に示すように、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、隔壁７０１６で規定される開口部７０１６ｂ，７０１６ｃの開口形状および底部形状は、上記実施の形態１，２，３，５，６と同様に、四角形となっている。そして、開口部７０１６ｂの底部に配されたソース電極７０１４ａとドレイン電極７０１４ｃが略正方形または長方形となっており、開口部７０１６ｃの底部に配されたソース電極７０１４ｂとドレイン電極７０１４ｄとについても略正方形または長方形となっている。
【０１９１】
開口部７０１６ｂの底部に配されているソース電極７０１４ａは、その面積の中心が開口部７０１６ｂの底部の中心線Ｌ25に対してＸ軸方向左側にオフセット配置されている。開口部７０１６ｃの底部に配されているソース電極７０１４ｂは、その面積の中心が開口部７０１６ｃの底部の中心線Ｌ26に対してＸ軸方向右側にオフセット配置されている。
【０１９２】
一方、相対的に表面積が小さいドレイン電極７０１４ｃは、その中心が開口部７０１６ｂの底部の中心線Ｌ25に対してＸ軸方向右側にオフセット配置されている。ドレイン電極７０１４ｄは、その中心が開口部７０１６ｃの底部の中心線Ｌ26に対してＸ軸方向左側にオフセット配置されている。
【０１９３】
本実施の形態に係る開口部７０１６ｂの底部においては、開口部７０１６ｂの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ25に対し、ソース電極７０１４ａとドレイン電極７０１４ｃとの表面積の和の中心線Ｌ27が、Ｘ軸方向左側に向けて距離ｘ13だけ離間している。開口部７０１６ｃの底部においては、開口部７０１６ｃの底部におけるＸ軸方向の中心線Ｌ26に対し、ソース電極７０１４ｂとドレイン電極７０１４ｄとの表面積の和の中心線Ｌ28が、Ｘ軸方向右側に向けて距離ｘ14だけ離間している。
【０１９４】
また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板においては、ソース電極７０１４ａは、開口部７０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下の各一部およびＸ軸方向左側で接しており、Ｘ軸方向右側で離間しており、ドレイン電極７０１４ｃは、開口部７０１６ｂを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下で接しており、Ｘ軸方向両側で離間している。ソース電極７０１４ｂは、開口部７０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下の各一部およびＸ軸方向右側で接しており、Ｘ軸方向左側で離間しており、ドレイン電極７０１４ｄは、開口部７０１６ｃを臨む側面部に対して、Ｙ軸方向上下で接しており、Ｘ軸方向両側で離間している。
【０１９５】
また、図１０（ｃ）に示すように、本実施の形態においても、有機半導体層の形成前における開口部７０１６ｂの底部において、Ｘ軸方向右側の部分での絶縁層７０１３の露出面積（露出部７０１３ａの面積）が左側に比べて大きくなっている。また、有機半導体層の形成前における開口部７０１６ｃの底部において、Ｘ軸方向左側の部分での絶縁層７０１３の露出面積（露出部７０１３ｂの面積）が右側に比べて大きくなっている。
【０１９６】
以上のような構成を有する本実施の形態に係るＴＦＴ基板では、上記実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、本実施の形態に係るＴＦＴ基板を備える有機ＥＬ表示パネルおよび有機ＥＬ表示装置においても、上記同様に、高品質であって、その製造に際しての高い歩留まりを実現することができる。
【０１９７】
［その他の事項］
上記実施の形態１〜７では、開口部の底部で、一方の側とは反対側の他方の側において、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せずに、絶縁層と有機半導体層とが直に接する箇所が存在する形態を一例として採用したが、これに限らず、隣接する２つの開口部において、一方の開口部の底部で、ソース電極およびドレイン電極の表面積の和の中心位置が、開口部の底部における中心位置（表面積の中心位置）よりも、他方の開口部が隣接する側とは反対側に離れて配されていれば、当該開口部の底部においては、上記一方の側にも、絶縁層と有機半導体層との間に、ソース電極およびドレイン電極の何れも介在せず、絶縁層と有機半導体層とが直に接する箇所が存在する形態についても適用することができる。
【０１９８】
上記実施の形態１〜７では、有機ＥＬ表示パネル１０に用いるＴＦＴ基板を一例としたが、適用対象はこれに限定されるものではない。例えば、液晶表示パネルや電界放出表示パネルなどに適用することもできる。さらに、電子ペーパなどにも適用することができる。
【０１９９】
また、上記実施の形態１〜７の各構成材料は、一例として示したものであって、適宜変更が可能である。
【０２００】
また、図２に示すように、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル１０では、トップエミッション型の構成を一例としたが、ボトムエミッション型を採用することもできる。その場合には、各使用材料およびレイアウト設計について、適宜の変更が可能である。
【０２０１】
また、上記では、隔壁が規定する開口部の開口形状について、２つの形状を一例として示したが、これ以外にも、種々の開口形状のものを採用することができる。例えば、図１１（ａ）に示すように、チャネル部に相当する開口部を正方形とすることや、図１１（ｂ）に示すように、一辺が円弧状で、残りの３辺が直線であるような形状の開口部とすることもできる。また、図９（ｃ）に示すように、チャネル部および非チャネル部の両方を円形にすることもできるし、図１１（ｃ）に示すような円形の開口部を非チャネル部に適用し、その周囲の一部を取り囲む円弧状の開口部をチャネル部とすることもできる。勿論、チャネル部と非チャネル部の開口部の形状を相互に入れ替えることもできる。
【０２０２】
また、上記では、隣接する２つの開口部の間で、有機半導体インクを互いに混合することを抑制しようとするための構成を採用したが、３つ以上の開口部が隣接する場合においても、それらの間でのインクの混合を抑制するために、適宜、上記構成を採用することができる。
【０２０３】
また、上記では、有機半導体インクを用い形成する有機半導体層を備える構成を一例に用いたが、本発明では向き半導体インクを用い形成する無機半導体層を備える構成についても、同様の構成を採用することができる。そして、上記同様の効果を得ることができる。例えば、無機半導体材料としては、アモルファス金属酸化物半導体を用いることができる。このような半導体は、その透明性という点から、ディスプレイおよび電子ペーパなどへの応用が期待されている。
【０２０４】
移動度の面でも、このような半導体は、高性能液晶および有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）などで要求される３〜２０［ｃｍ2／Ｖｓ］を実現し得る材料である。
【０２０５】
アモルファス金属酸化物半導体の代表的なものとしては、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含むアモルファスＩｎ−Ｚｎ−Ｏ酸化物半導体（ａ−ＩｎＺｎＯ）並びにそれに更にもう一種類の金属成分としてガリウム（Ｇａ）を含むアモルファスＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物半導体（ａ−ＩｎＧａＺｎＯ）などが知られている。
【０２０６】
また、このような無機半導体については、例えば、国際出願ＷＯ２０１２／０３５２８１の記載を参照することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０７】
本発明は、有機ＥＬ表示パネルなどのパネルを備える表示装置に用いられ、高精細化によっても高品質なＴＦＴ装置を実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０２０８】
１．有機ＥＬ表示装置
１０．有機ＥＬ表示パネル
２０．駆動制御回路部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１０１．ＴＦＴ基板
１０２．平坦化膜
１０２ａ．コンタクトホール
１０３．アノード
１０４．透明導電膜
１０５．ホール注入層
１０６．バンク
１０７．ホール輸送層
１０８．有機発光層
１０９．電子輸送層
１１０．カソード
１１１．封止層
１１２．接着層
１１３．ＣＦ基板
５０１．マスク
１０１１，１１３１．基板
１０１２ａ，１０１２ｂ．ゲート電極
１０１３．絶縁層
１０１４ａ，１０１４ｂ，２０１４ａ，２０１４ｂ，３０１４ａ，３０１４ｂ，４０１４ａ，４０１４ｂ，５０１４ａ，５０１４ｂ，６０１４ａ，６０１４ｂ，７０１４ａ，７０１４ｂ．ソース電極
１０１４ｃ，１０１４ｄ，２０１４ｃ，２０１４ｄ，３０１４ｃ，３０１４ｄ，４０１４ｃ，４０１４ｄ，５０１４ｃ，５０１４ｄ，６０１４ｃ，６０１４ｄ，７０１４ｃ，７０１４ｄ．ドレイン電極
１０１５，２０１５，３０１５，４０１５，５０１５，６０１５，７０１５．接続配線
１０１６，２０１６，３０１６，４０１６，５０１６，６０１６，７０１６．隔壁
１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ，２０１６ｂ，２０１６ｃ，３０１６ｂ，３０１６ｃ，４０１６ｂ，４０１６ｃ，５０１６ｂ，５０１６ｃ，６０１６ｂ，６０１６ｃ，７０１６ｂ，７０１６ｃ．開口部
１０１７ａ，１０１７ｂ．有機半導体層
１０１８．パッシベーション膜
１１３２．カラーフィルタ
１１３３．ブラックマトリクス
１０１６０．感光性レジスト材料膜
１０１７０，１０１７１．有機半導体インク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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