(57)【要約】  高周波モジュール（１０）は、外部回路基板（３００）上にワイヤボンディングによって実装した半導体チップ素子（２０）を備える。半導体チップ素子（２０）には、能動素子であるＦＥＴ群によって実現されるスイッチ形成部（１０１）、パワーアンプ形成部（１０２）、ローノイズアンプ形成部（１０３）が形成されている。さらに、半導体チップ素子（２０）には、キャパシタ（１２１，１２２，１２３）を形成する平板電極が形成されている。外部回路基板（３００）と半導体チップ素子２０とを接続する導電性ワイヤ（２１１，２１２，２１３）は、インダクタとしても機能する。これにより、インダクタとキャパシタとを備える受動素子群が形成される。その結果、必要な伝送特性を得ながら小型化が可能な高周波モジュールを提供することができる。
2013018674.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのインダクタおよび少なくとも１つのキャパシタを含む受動素子群からなる第１の回路と、
少なくとも１つの能動素子を含む第２の回路と、を備え、
前記第１の回路の前記キャパシタおよび前記第２の回路の前記能動素子が、単一のチップ素子に形成されている、高周波モジュール。
【請求項２】
前記インダクタは、該チップ素子を外部回路基板へ実装する導電性ワイヤを含んで実現される、請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記インダクタおよび前記キャパシタが接地されており、
前記チップ素子は、前記キャパシタを接地するグランドビアを備え、
前記外部回路基板に形成される前記導電性ワイヤをボンディングするランドと、前記外部回路基板に形成される前記グランドビアが接続される電極とが、一体化された共通グランド電極である、請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記第１の回路は、アンテナに接続するバンドパスフィルタであり、
前記第２の回路は、前記バンドパスフィルタに接続するスイッチ回路である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受動素子から構成される回路と、能動素子を含む回路とを備えた高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機等の無線通信端末では、１つのアンテナを複数の通信システムで共用することが一般的になっている。このようなアンテナの共用を実現するために、従来の無線通信端末は、アンテナを各通信システムの送受信回路に切り替えて接続するスイッチ回路を備える。また、現在の高調波規制等の制限から、アンテナから外部へ高調波信号やノイズ等の不要波が伝搬しないようにするために、アンテナの接続端子にバンドパスフィルタ等のフィルタ回路を接続することがある。このため、現在の携帯電話機では、アンテナとスイッチ回路とを、バンドパスフィルタで接続する高周波モジュールが用いられることがある。【０００３】
この従来の高周波モジュールでは、バンドパスフィルタは、インダクタやキャパシタ等の受動素子で構成される。スイッチ回路は、ＦＥＴ等の能動素子を含んで構成される。【０００４】
そして、これらバンドパスフィルタとスイッチ回路とは、特許文献１に示すように、１つのベース基板上に集約して形成される。図８は、従来の高周波モジュール１０Ｐの構造を概略的に示す平面図である。なお、図８では、各素子と外部回路へ接続するランドとを接続するパターンは省略している。【０００５】
半導体からなるベース基板１００Ｐには、能動素子群から形成されるスイッチ（ＳＷ）形成部１０１、パワーアンプ（ＰＡ）形成部１０２、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）形成部１０３が形成されている。また、ベース基板１００Ｐには、バンドパスフィルタを構成する受動素子であるインダクタとなるスパイラル電極１１１Ｐ，１１２Ｐ，１１３Ｐ、および、バンドパスフィルタを構成する受動素子であるキャパシタ１２１，１２２，１２３となる平板電極が形成されている。また、ベース基板１００Ｐの表面には、これらとは別に、外部回路へ接続するためのランド電極１３１Ｐ，１４１Ｐ，１４２Ｐ，１４３Ｐ，１５１Ｐ，１５２Ｐ，１５３Ｐが形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２２９０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
受動素子群からなるバンドパスフィルタを、能動素子群からなるＳＷ類と同じ基板上に形成する場合、図８に示したように、バンドパスフィルタを構成する受動回路形成領域９０２Ｐの面積が、ＳＷ類を構成する能動回路形成領域９０１Ｐよりも、一般的に大きくなる。これは、受動素子群に含まれるインダクタを構成するスパイラル電極１１１Ｐ，１１２Ｐ，１１３Ｐが、他の回路素子よりも大きくなるからである。したがって、高周波モジュールが大型化してしまう、という問題がある。さらに、バンドパスフィルタの特性を向上させるために、Ｑ値の高いインダクタを形成しようとすると、スパイラル電極の電極幅および電極間隔を広くしなければならず、インダクタの専有面積が大きくなる。このため、高周波モジュールがさらに大型化してしまう、という問題がある。【０００８】
したがって、本発明の目的は、必要な伝送特性を得ながら小型化が可能な高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明の高周波モジュールは、少なくとも１つのインダクタおよび少なくとも１つのキャパシタを含む受動素子群からなる第１の回路と、少なくとも１つの能動素子を含む第２の回路と、を備える。高周波モジュールでは、第１の回路のキャパシタおよび第２の回路の能動素子が、単一のチップ素子に形成されている。【００１０】
この構成では、受動素子群の中でも、大きな形成面積を必要とするインダクタが、キャパシタが形成されているチップ素子に必ずしも形成されていないので、チップ素子が小型になる。この際、インダクタは、チップ素子に形成した引き回し電極や、後述するボンディングワイヤ、当該チップ素子が実装される外部回路基板に形成したパターン電極で実現すれば、第１の回路を構成することが可能である。【００１１】
また、この発明の高周波モジュールのインダクタは、チップ素子を外部回路基板へ実装する導電性ワイヤを含んで実現されることが好ましい。【００１２】
この構成では、インダクタを導電性ワイヤ（ボンディングワイヤ）で実現しており、チップ素子および外部回路基板へインダクタ用のパターン電極を形成せずとも、第１の回路のインダクタを実現できる。これにより、高周波モジュールの小型化が可能になる。また、元来、チップ素子を外部回路基板に接続するために、導電性ワイヤ（ボンディングワイヤ）が必要であるので、接続用の導電性ワイヤとインダクタとを兼用でき、より小型化が可能になる。【００１３】
また、この発明の高周波モジュールは、次の構成であることが好ましい。高周波モジュールは、インダクタおよびキャパシタが接地されている。高周波モジュールのチップ素子は、キャパシタを接地するグランドビアを備える。そして、外部回路基板に形成される導電性ワイヤをボンディングするランドと、外部回路基板に形成されるグランドビアが接続される電極とが、一体化された共通グランド電極である。【００１４】
この構成では、インダクタとキャパシタが接地する回路構成である場合に、インダクタ用のグランド電極とキャパシタ用のグランド電極とが共通化される。これにより、外部回路基板のインピーダンス（インダクタンス等）に影響されることなく、第１の回路の伝送特性が安定する。【００１５】
また、この発明の高周波モジュールは、第１の回路がアンテナに接続するバンドパスフィルタであり、第２の回路がバンドパスフィルタに接続するスイッチ回路であることが好ましい。【００１６】
この構成では、第１の回路と第２の回路との具体例を示している。このように、第１の回路にバンドパスフィルタを適用し、第２の回路にスイッチ回路を適用することで、無線通信のフロントエンド回路に、上述の構成を適用できる。したがって、無線通信のフロントエンド回路用の高周波モジュールを小型化することができる。
【発明の効果】
【００１７】
この発明によれば、受動素子群からなる回路と能動素子群からなる回路を備えた高周波モジュールを、必要な伝送特性を得ながら小型に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る高周波モジュールの回路ブロック図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る高周波モジュールに含まれるバンドパスフィルタとスイッチの複合回路の回路ブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールを構成する半導体チップ素子の平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの概略構成を示す側面断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの実装状態を示す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールの側面断面図である。
【図７Ａ】第２の実施形態に係る高周波モジュールのバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。
【図７Ｂ】第１の実施形態に係る高周波モジュールのバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。
【図８】従来の高周波モジュールの構造を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１Ａは、本発明の実施形態に係る高周波モジュール１０の回路ブロック図であり、図１Ｂは、高周波モジュール１０に含まれるバンドパスフィルタＢＰＦとスイッチＳＷの複合回路１１の回路ブロック図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０を構成する半導体チップ素子２０の平面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の平面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュール１０の概略構成を示す側面断面図である。なお、図２、図３、図４は、本願発明の特徴的な構成のみを分かりやすく説明するためのものであり、各素子間の接続パターンや図１の回路構成するための詳細のパターンは適宜省略している。また、図１の回路構成に対して、図２、図３、図４では、キャパシタ数が異なる（少ない）が、これは説明を分かりやすくするために部分的に図示を省略したものであり、実際には、回路構成に応じた数のキャパシタが形成されている。
【００２０】
まず、後述の高周波モジュール１０の構造の理解を容易にするために、本実施形態の高周波モジュール１０の回路構成について、図１を参照して説明する。
【００２１】
高周波モジュール１０は、バンドパスフィルタＢＰＦ、スイッチＳＷ、パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３、ローノイズアンプＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＬＮＡ３を備える。バンドパスフィルタＢＰＦとスイッチＳＷとで複合回路１１が構成される。
【００２２】
スイッチＳＷは、バンドパスフィルタＢＰＦに対して、パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３、ローノイズアンプＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＬＮＡ３のいずれかを選択的に接続する。パワーアンプＰＡ１およびローノイズアンプＬＮＡ１は、第１の周波数帯域を使用帯域とする第１通信信号用である。パワーアンプＰＡ２およびローノイズアンプＬＮＡ２は、第２の周波数帯域を使用帯域とする第２通信信号用である。パワーアンプＰＡ３およびローノイズアンプＬＮＡ３は、第３の周波数帯域を使用帯域とする第３通信信号用である。なお、第１通信信号、第２通信信号、第３通信信号は、部分的に周波数帯域が重なっても構わないが、完全には一致しない。
【００２３】
パワーアンプＰＡ１は、外部回路からの第１通信信号の送信信号を増幅し、スイッチＳＷへ出力する。パワーアンプＰＡ２は、外部回路からの第２通信信号の送信信号を増幅し、スイッチＳＷへ出力する。パワーアンプＰＡ３は、外部回路からの第３通信信号の送信信号を増幅し、スイッチＳＷへ出力する。ローノイズアンプＬＮＡ１は、スイッチＳＷからの第１通信信号の受信信号を増幅し、外部回路へ出力する。ローノイズアンプＬＮＡ２は、スイッチＳＷからの第２通信信号の受信信号を増幅し、外部回路へ出力する。ローノイズアンプＬＮＡ３は、スイッチＳＷからの第３通信信号の受信信号を増幅し、外部回路へ出力する。
【００２４】
バンドパスフィルタＢＰＦは、一方端がスイッチＳＷに接続し、他方端がアンテナＡＮＴに接続する。バンドパスフィルタＢＰＦは、第１、第２、第３の通信信号の周波数帯域を通過帯域とし、他の周波数帯域を減衰域とする帯域通過型フィルタである。バンドパスフィルタＢＰＦは、各通信信号の高調波成分に対する減衰量が十分確保できるような特性であり、特に、通過帯域の上限側及び下限側に減衰極があることが好ましい。
【００２５】
このため、バンドパスフィルタＢＰＦは、図１Ｂに示すような回路構成からなる。バンドパスフィルタＢＰＦでは、アンテナＡＮＴ側端とスイッチＳＷ側端との間に、キャパシタＣ１０，Ｃ２０の直列回路が接続されている。キャパシタＣ１０のアンテナＡＮＴ側の端部は、インダクタＬ０１とキャパシタＣ０１の並列回路を介して接地されている。キャパシタＣ１０とキャパシタＣ２０の接続点は、インダクタＬ０２とキャパシタＣ０２の並列回路を介して接地されている。キャパシタＣ２０のスイッチＳＷ側の端部は、インダクタＬ０３とキャパシタＣ０３との並列回路を介して接地されている。キャパシタＣ１０，Ｃ２０の直列回路には、キャパシタＣ１２が並列接続されている。この回路構成によって、上述のような通過特性および減衰特性からなる伝送特性のバンドパスフィルタを実現できる。
【００２６】
このような回路構成からなる高周波モジュール１０は、図２、図３、図４に示すように、半導体チップ素子２０を外部回路基板３００に実装することによって実現される。この際、図１における網掛けの回路範囲が、半導体チップ素子２０によって実現される。
【００２７】
半導体チップ素子２０は、ベース基板１００を備える。ベース基板１００は、平板状に形成されており、図４に示すように、半導体基板１１１と絶縁層１１２とからなる。半導体基板１１１は、例えばｐ型半導体からなり、部分的にｎ型ドーピング領域１１１ｄを有する。
【００２８】
半導体基板１１１の一方主面（以下、表面とする。）には、所定の電極パターンが形成されるとともに、絶縁層１１２が形成される。そして、絶縁層１１２の半導体基板１１１側と反対側の面にも、所定の電極パターンが形成されている。
【００２９】
これらの電極パターンは、上述のバンドパスフィルタＢＰＦのキャパシタＣ、および、スイッチＳＷ、パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３、ローノイズアンプＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＬＮＡ３を構成する電界効果トランジスタＦＥＴ（以下、単にＦＥＴとする。）群を実現するように形成されている。
【００３０】
具体的な構成例としては、図４に示すように、半導体基板１１１の表面のキャパシタ形成領域には、キャパシタＣを形成するための第１平板電極１２１Ｄが形成されている。そして、絶縁層１１２を介在させて、第１平板電極１２１Ｄに所定面積で対向するように、第２平板電極１２１Ｕが形成されている。
【００３１】
また、図４に示すように、半導体基板１１１の表面の２つの隣接するｎ型ドーピング領域１１１ｄを含むＦＥＴ形成領域には、異なる２つのｎ型ドーピング領域１１１ｄのそれぞれに、ソース用電極ＰＳとドレイン用電極ＰＤとが形成されている。そして、これらソース用電極ＰＳとドレイン用電極ＰＤとの間の絶縁層１１２の半導体基板１１１側と反対側の面に、ゲート用電極ＰＧが形成されている。
【００３２】
このような構造によってキャパシタＣおよびＦＥＴを形成することで、図２、図３に示すように、ベース基板１００を平面視して、スイッチ形成部１０１、パワーアンプ形成部１０２、ローノイズアンプ形成部１０３が配列して形成される。なお、パワーアンプ形成部１０２には、上述の各パワーアンプＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３が形成されており、ローノイズアンプ形成部１０３には、上述の各ローノイズアンプＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＬＮＡ３が形成されている。これらにより、能動回路形成領域９０１が構成される。
【００３３】
また、図２、図３に示すように、ベース基板１００を平面視して、キャパシタ１２１，１２２，１２３が形成される。これにより、受動回路形成領域９０２Ｕが構成される。このように、ベース基板１００上の受動回路形成領域９０２Ｕを、キャパシタ１２１，１２２，１２３のみで形成し、形成面積の大きなインダクタをベース基板１００上に形成しないことで、半導体基板を主体とするベース基板１００を小型に形成することができる。
【００３４】
ベース基板１００の表面（ＦＥＴやキャパシタが形成される側の面）には、上述の機能回路とともに、外部接続用のランド電極１３１，１４１，１４２，１４３，１５１，１５２，１５３，２０１，２０２，２０３が形成されている。これらのランド電極は、所定パターンで配列して形成されており、例えば、図２に示すように、ランド電極１３１は、ベース基板１００を平面視した第１辺の近傍に形成されている。ランド電極１３１は、アンテナ接続用のランド電極である。
【００３５】
ランド電極１５１，１５２，１５３は、第１辺に対向する第２辺に沿って、当該第２辺の近傍に形成されている。ランド電極１５１，１５２，１５３は、送信信号入力用のランドである。
【００３６】
ランド電極１４１，１４２，１４３は、第１辺および第２辺に直交する第３辺に沿って、当該第３辺の近傍に形成されている。ランド電極１４１，１４２，１４３は、受信信号出力用のランドである。
【００３７】
ランド電極２０１，２０２，２０３は、第３辺に対向する第４辺に沿って、当該第４辺の近傍に形成されている。ランド電極２０１，２０２，２０３は、インダクタ用の導電性ワイヤを形成するためのランドである。
【００３８】
上述の構成からなる半導体チップ素子２０は、図３に示すように、上述の各ランド電極が外部回路基板３００側と反対側に向くように、所謂フェイスアップの状態で、外部回路基板３００へ実装される。この際、半導体チップ素子２０は、仕様に応じて導電性もしくは絶縁性の接着剤によって、外部回路基板３００へ装着される。
【００３９】
外部回路基板３００には、グランド接続用の基板上ランド電極３１１，３１２，３１３が形成されている。基板上ランド電極３１１，３１２，３１３は、グランド電極３５０に接続されている。基板上ランド電極３１１，３１２，３１３は、半導体チップ素子２０のランド電極２０１，２０２，２０３に対向するように配置されている。基板上ランド電極３１１とランド２０１は、Ｃｕからなるワイヤボンディングによって結線される。これにより、基板上ランド電極３１１とランド２０１とは、所定のループ形状からなる導電性ワイヤ２１１によって接続される。導電性ワイヤ２１１のワイヤ長およびワイヤの太さは、上述のインダクタＬ０１として必要とするインダクタンスが得られるように設定されている。
【００４０】
基板上ランド電極３１２とランド２０２も、Ｃｕからなるワイヤボンディングによって結線される。これにより、基板上ランド電極３１２とランド２０２とは、所定のループ形状からなる導電性ワイヤ２１２によって接続される。導電性ワイヤ２１２のワイヤ長およびワイヤの太さは、上述のインダクタＬ０２として必要とするインダクタンスが得られるように設定されている。
【００４１】
基板上ランド電極３１３とランド２０３も、Ｃｕからなるワイヤボンディングによって結線される。これにより、基板上ランド電極３１３とランド２０３とは、所定のループ形状からなる導電性ワイヤ２１３によって接続される。導電性ワイヤ２１３のワイヤ長およびワイヤの太さは、上述のインダクタＬ０３として必要とするインダクタンスが得られるように設定されている。
【００４２】
なお、ワイヤの太さは、より太いほうがＱ値が良くなるため、好ましい。
【００４３】
また、本実施形態では、ワイヤの材料としてＣｕを用いたが、ＡｕやＡｇ等も用いることができる。ここで、材料の導電率としては、ＡｕよりＣｕのほうが大きく、さらにＣｕよりもＡｇのほうが大きい。このため、ワイヤを構成する材料として、ＣｕやＡｇを用いるほうがより好ましい。
【００４４】
このように、インダクタを導電性ワイヤ２１１，２１２，２１３で実現することで、半導体チップ素子２０上にインダクタを形成しなくても、バンドパスフィルタＢＰＦを実現することができる。そして、このような導電性ワイヤ２１１，２１２，２１３からなるインダクタを用いることで、インダクタとキャパシタが形成される受動回路形成領域９０２を小さくすることができ、高周波モジュール１０の小型化が可能になる。また、導電性ワイヤ２１１，２１２，２１３を用いることで、平面状のスパイラル電極を用いる場合よりも、小さい面積でＱ値の高いインダクタを実現することができる。これにより、伝送特性（通過特性および減衰特性）に優れた小型の高周波モジュールを実現することができる。
【００４５】
また、これら導電性ワイヤ２１１，２１２，２１３は、所定間隔をおいて、略平行に形成されている。この構成により、インダクタ形成領域の専有面積をさらに小さくできる。これにより、より特性に優れた小型の高周波モジュールを実現することができる。
【００４６】
外部回路基板３００には、受信信号出力用の基板上ランド電極３２１，３２２，３２３が形成されている。基板上ランド電極３２１，３２２，３２３は、半導体チップ素子２０のランド電極１４１，１４２，１４３に対向するように配置されている。基板上ランド電極３２１，３２２，３２３とランド電極１４１，１４２，１４３は、それぞれワイヤボンディングで結線されている。これにより、基板上ランド電極３２１とランド電極１４１は、導電性ワイヤ２２１で接続され、基板上ランド電極３２２とランド電極１４２は、導電性ワイヤ２２２で接続され、基板上ランド電極３２３とランド電極１４３は、導電性ワイヤ２２３で接続される。
【００４７】
外部回路基板３００には、送信信号入力用の基板上ランド電極３３１，３３２，３３３が形成されている。基板上ランド電極３３１，３３２，３３３は、半導体チップ素子２０のランド電極１５１，１５２，１５３に対向するように配置されている。基板上ランド電極３３１，３３２，３３３とランド電極１５１，１５２，１５３は、それぞれワイヤボンディングで結線されている。これにより、基板上ランド電極３３１とランド電極１５１は、導電性ワイヤ２３１で接続され、基板上ランド電極３３２とランド電極１５２は、導電性ワイヤ２３２で接続され、基板上ランド電極３３３とランド電極１５３は、導電性ワイヤ２３３で接続される。
【００４８】
外部回路基板３００には、アンテナ用の基板上ランド電極３４１が形成されている。基板上ランド電極３４１は、半導体チップ素子２０のランド電極１３１に対向するように配置されている。基板上ランド電極３４１とランド電極１３１は、それぞれワイヤボンディングで結線されている。これにより、基板上ランド電極３４１とランド電極１３１は、導電性ワイヤ２４１で接続される。
【００４９】
以上のような構成を用いることで、受動素子群からなる回路と能動素子群を有する回路とを含む高周波モジュールを、優れた伝送特性を有しながら、小型に形成することができる。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図５は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの実装状態を示す平面図である。図６は、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの側面断面図である。なお、図５、図６も、図２、図３と同様に、特徴的な構成が分かりやすいように、適宜省略して図示している。
【００５１】
本実施形態の高周波モジュール１０Ａは、グランドビア電極４０１，４０２，４０３を備える点、外部回路基板３００Ａに共通グランド電極３５０Ａを備える点を除いて、第１の実施形態に示した高周波モジュール１０と同じである。したがって、これら異なる点のみを、説明する。
【００５２】
グランドビア電極４０１，４０２，４０３は、半導体基板１１１を表面（絶縁層１１２の形成面）から裏面（外部回路基板３００Ａへの当接面）に亘って貫通する貫通孔によって形成される。貫通孔内には導電性材料が充填されている。グランドビア電極４０１，４０２，４０３は、半導体基板１１１の表面の各キャパシタと、半導体基板１１１の裏面側のグランド用接続電極（図示せず）を導通している。なお、グランドビア電極４０１，４０２，４０３は、キャパシタの平板電極の範囲内に形成される態様に限るものではなく、キャパシタの平板電極の近傍に形成してもよい。
【００５３】
外部回路基板３００Ａの表面（半導体チップ素子２０Ａの実装面）には、高周波モジュール１０Ａの受動回路形成領域９０２Ａにおける半導体チップ素子２０Ａに係る領域を含むように、素子用グランド電極３５２が形成されている。素子用グランド電極３５２は、基板上ランド電極３１１Ａ，３１２Ａ，３１３Ａ、およびこれらを共通に接続する共通化電極３５１とともに、一体形成されている。これにより、インダクタとキャパシタとで共通化されたグランド電極３５０Ａが構成される。
【００５４】
このように、インダクタとキャパシタを接地するためのグランド電極を共通化することで、次のような効果が得られる。図７Ａは、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａのバンドパスフィルタの通過特性を示す図であり、図７Ｂは、第１の実施形態に係る高周波モジュール１０のバンドパスフィルタの通過特性を示す図である。各図において、破線に示す通過特性と実線に示す通過特性は、外部回路基板のインピーダンス（インダクタンス）が異なる。
【００５５】
図７に示すように、第２の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａの構成を用いることで、外部回路基板のインピーダンスによる影響を少なくすることができる。すなわち、インダクタとキャパシタのグランドを共通化することで、安定した通過特性の高周波モジュールを実現することができる。このように、第２の実施形態の構成を用いれば、より安定して優れた特性が得られる高周波モジュールを小型に形成することができる。
【００５６】
なお、上述の各実施形態では、バンドパスフィルタＢＰＦ、スイッチＳＷ、パワーアンプＰＡ、およびローノイズアンプＬＮＡを含む高周波モジュールを例に説明したが、これに限られるものではない。少なくとも１つのインダクタと少なくとも１つのキャパシタを含む受動素子群からなる回路と、少なくとも１つの能動素子を含む回路とをそれぞれ少なくとも１つずつ備える高周波モジュールであれば、上述の構成を適用することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１０，１０Ａ，１０Ｐ：高周波モジュール、
１１：複合回路、
２０：半導体チップ素子、
１００，１００Ｐ：ベース基板、
１０１：スイッチ形成部、１０２：パワーアンプ形成部、１０３：ローノイズアンプ形成部、
１１１Ｐ，１１２Ｐ，１１３Ｐスパイラル電極、
１２１，１２２，１２３：キャパシタ、
１２１Ｄ：第１平板電極、１２１Ｕ：第２平板電極、
１３１，１４１，１４２，１４３，１５１，１５２，１５３，２０１，２０２，２０３，１３１Ｐ，１４１Ｐ，１４２Ｐ，１４３Ｐ，１５１Ｐ，１５２Ｐ，１５３Ｐ：ランド電極、
２１１，２１２，２１３，２２１，２２２，２２３，２３１，２３２，２３３，２４１：導電性ワイヤ、
３００，３００Ａ：外部回路基板、
３１１，３１２，３１３，３２１，３２２，３２３，３３１，３３２，３３３，３４１：基板上ランド電極、
３５０，３５０Ａ：グランド電極、３５１：共通化電極、３５２：素子用グランド電極、
４０１，４０２，４０３：グランドビア電極、
９０１，９０１Ｐ：能動回路形成領域、９０２，９０２Ｕ，９０２Ｐ：受動回路形成領域、
Ｃ０１，Ｃ０２，Ｃ０３，Ｃ１０，Ｃ２０，Ｃ１２：キャパシタ、
Ｌ０１，Ｌ０２，Ｌ０３：インダクタ、
ＢＰＦ：バンドパスフィルタ、
ＳＷ：スイッチ、
ＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３：パワーアンプ、
ＬＮＡ１，ＬＮＡ２，ＬＮＡ３：ローノイズアンプ、
ＡＮＴ：アンテナ
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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