(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハの電極パッドが露出するように絶縁層の所定部分を除去する段階と、
前記電極パッドが露出した所定部分にパッド半田、及びＭＥＭＳセンサと対応する周辺に沿ったリング状の接合半田を形成する段階と、
前記パッド半田及び接合半田が形成された第１ウェハ上にゲッターを形成する段階と、
前記ゲッターが形成された第１ウェハ上に前記ＭＥＭＳセンサが形成された第２ウェハを接合する段階と、を含む、ＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項２】
前記接合半田及び前記パッド半田は、金属物質で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項３】
前記接合半田及び前記パッド半田は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程方法の何れか一つを用いて形成することを特徴とする、請求項２に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項４】
前記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法の何れか一つを用いて、前記第１ウェハと前記第２ウェハを接合することを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項５】
前記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属の群から選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ  ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含む物質で形成されることを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項６】
前記第２ウェハは、基板上においてウェッティング層が前記ＭＥＭＳセンサの両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと前記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、前記接合半田は前記ウェッティング層のリング状のパターンと対応し、前記パッド半田は前記ウェッティング層のパッド状のパターンと対応して接合することを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【請求項７】
前記ＭＥＭＳセンサは、前記パッド半田を介して前記ＲＯＩＣ回路と電気的に連結されるように形成することを特徴とする、請求項１に記載のＭＥＭＳセンサパッケージング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法に関し、特に、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができるＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）とは、半導体加工技術を用いて、センサ、マイクロアクチュエータ、ジャイロスコープなどを加工する技術分野のことである。従って、半導体技術が有する精密加工性、製品間の均一性、優れた生産性などが適用されて性能を向上させ、価格を下げる技術として認められている。
【０００３】
ＭＥＭＳ素子、例えば、加速度センサ、角速度センサ及び共振型ジャイロスコープなどの素子は、保護のために、または感度を上げるためにパッケージングされる。ＭＥＭＳ素子の製造技術の急速な発展により、高密度化及び小型化が実現され、パッケージにも小型化が求められる。
【０００４】
よって、素子のあるウェハ状態でパッケージングするウェハスケールパッケージングが多く試みられている。
【０００５】
従来の一般的なウェハスケールパッケージングによるＭＥＭＳ素子パッケージは、ガラス系の蓋用基板とシリコン系の素子用基板とを陽極ボンディングして結合する構造であり、蓋用ガラス基板の厚さによりその厚さが厚くなるため、ガラス基板上に形成される大きなビアホールによりサイズを減らすには限界がある。このような大きいＭＥＭＳ素子パッケージは、装置の小型化を阻害する。
【０００６】
また、平面上にそれぞれの素子を単位素子の状態で配列してワイヤボンディング工程を用いる方法は、ＭＥＭＳ素子の密閉（ｈｅｒｍｅｔｉｃ）特性が求められる場合、それぞれの素子にキャップ（ｃａｐ）を使用して気密性を保持するため、全体的なパッケージの体積が大きく、工程が複雑であるという短所を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハとを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができるＭＥＭＳセンサパッケージング及びその方法を提供することである。
【０００８】
本発明で解決しようとする技術的課題は、上述した技術的課題に限定されず、上述していない他の技術的課題は以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者には明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記技術的課題を解決するための本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハと、上記第１ウェハと対応するように配置され、一面に凹部が形成されてＭＥＭＳセンサが設けられた第２ウェハと、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合して上記ＭＥＭＳセンサが密封されるように上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿って形成された接合半田と、上記接合半田の内側に形成され、上記第１ウェハと前記第２ウェハを接合させて上記第１ウェハのＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハのＭＥＭＳセンサを電気的に連結させる、上記接合半田と同一金属物質からなるパッド半田と、を含むことにその特徴がある。
【００１０】
上記第１ウェハは、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッドと、上記電極パッドが露出するように形成された絶縁層と、上記電極パッドと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材と、上記絶縁層上に形成されたゲッターと、を含むことにその特徴がある。
【００１１】
上記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ  ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含むことにその特徴がある。
【００１２】
上記第２ウェハは、一面に凹部が形成されて空間が設けられた基板と、上記基板上に所定パターンで形成されたウェッティング層と、上記ウェッティング層と連結され、上記凹部が形成された位置に対応して所定間隔離間されて設けられたＭＥＭＳセンサと、を含むことにその特徴がある。
【００１３】
上記ウェッティング層は、上記ＭＥＭＳセンサの両側の電極と連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成されることにその特徴がある。
【００１４】
上記ＭＥＭＳセンサはダイアフラム構造またはコーム構造に設けられることにその特徴がある。
【００１５】
上記ＭＥＭＳセンサは赤外線検知素子を含むことにその特徴がある。
【００１６】
上記赤外線検知素子は８〜１２μｍ波長の赤外線を選択的に透過させるフィルター部を含むことにその特徴がある。
【００１７】
上記赤外線検知素子はマイクロボロメーター（ｍｉｃｒｏ  ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）を含むことにその特徴がある。
【００１８】
本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法は、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハの電極パッドが露出するように絶縁層の所定部分を除去する段階と、上記電極パッドが露出した所定部分にパッド半田、及びＭＥＭＳセンサと対応する周辺に沿ったリング状の接合半田を形成する段階と、上記パッド半田及び接合半田が形成された第１ウェハ上にゲッターを形成する段階と、上記ゲッターが形成された第１ウェハ上に上記ＭＥＭＳセンサが形成された第２ウェハを接合する段階と、を含むことにその特徴がある。
【００１９】
上記接合半田及び上記パッド半田は金属物質で形成されることにその特徴がある。
【００２０】
上記接合半田及び上記パッド半田は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程方法の何れか一つを用いて形成することにその特徴がある。
【００２１】
上記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法などを用いて、上記第１ウェハと上記第２ウェハを接合することにその特徴がある。
【００２２】
上記ゲッターは、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属の群から選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ  ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含む物質で形成されることにその特徴がある。
【００２３】
上記第２ウェハは、基板上においてウェッティング層が上記ＭＥＭＳセンサの両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサの周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、上記接合半田は上記ウェッティング層のリング状のパターンと対応し、上記パッド半田は上記ウェッティング層のパッド状のパターンと対応して接合することにその特徴がある。
【００２４】
上記ＭＥＭＳセンサは、上記パッド半田を介して上記ＲＯＩＣ回路と電気的に連結されるように形成することにその特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの構造を概略的に示したものである。
【図２】本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの接合半田及びパッド半田が形成される構造を示した平面図である。
【図３】本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
【図４】本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
【図５】本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
【図６】本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付の図面を参照し、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できる好ましい実施例を詳細に説明する。但し、本発明の好ましい実施例に対する動作原理を詳細に説明するにあたり、係る公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不要に不明確にすると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
【００２７】
また、図面全体にわたって類似する機能及び作用をする部分に対しては、同一の図面符号を使用する。
【００２８】
なお、明細書全体において、ある部分が他の部分と「連結」されているとは、「直接的に連結」されている場合だけでなく、その中間に他の素子を介して「間接的に連結」されている場合も含む。また、ある構成要素を「含む」とは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【００２９】
以下、本発明の一実施形態を添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
図１は本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの構造を概略的に示したものであり、図２は本発明のＭＥＭＳセンサパッケージングの接合半田及びパッド半田が形成される構造を示した平面図である。図１及び図２に示されたように、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージングは、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハ１００と、上記第１ウェハ１００と対応するように配置され、一面に凹部２４０が形成されてＭＥＭＳセンサ２１０が設けられた第２ウェハ２００と、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して、上記ＭＥＭＳセンサ２１０が密封されるように上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿って形成された接合半田１４０と、上記第１ウェハ１００のＲＯＩＣ回路と上記第２ウェハ２００のＭＥＭＳセンサを電気的に連結するために形成されたパッド半田１５０を含んで構成される。
【００３１】
上記第１ウェハ１００は、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッド１２０ａ、１２０ｂと、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように形成された絶縁層１１０と、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材１３０ａ、１３０ｂと、上記絶縁層１１０上に形成されたゲッター１６０と、を含んで構成される。
【００３２】
上記基板は、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を駆動するためのＲＯＩＣ（Ｒｅａｄｏｕｔ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）回路が形成されたもので、所定の電気的信号を外部に伝達するか、または伝達を受けるための電極パッド１２０ａ、１２０ｂが形成されている。
【００３３】
上記絶縁層１１０は、後工程での基板の損傷を防止したり、素子とのショートを防止するための保護層であって、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどで形成される。
【００３４】
上記金属充填材１３０ａ、１３０ｂは、上記基板にビアホールを形成し、それぞれのビアホールを金属で充填して形成する。このとき、ビアホールの充填には、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｎ／Ｂｉ、Ｓｎ／Ｉｎ、Ａｕ／Ｓｎ及びＳｎ／Ａｇ／Ｃｕの何れか一つの金属を使用することができる。ここで、上記ビアホールに充填された金属充填材により、基板の外部から電気的信号の入力を受けたり、出力することができるようになる。
【００３５】
上記ゲッター１６０は、上記絶縁層１１０が形成された基板の所定領域に形成される。詳細には、ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）とは、真空装置の中に残っている気体を吸収したり、その気体と化合物を作る物質のことである。ここで、ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）を形成するための材料として、水分及び酸素などとの反応性が強く、融点が低く、容易に蒸発する金属を用い、これらの金属の吸着作用により、素子の内部に浸透した水分や気体を除去する。このような材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ  ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含んで使用することができる。
【００３６】
上記第２ウェハ２００は、一面に凹部２４０が形成されて空間が設けられた基板と、上記基板上に所定のパターンに形成されたウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂと、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂと連結され、上記凹部２４０が形成された位置に対応して所定間隔離間されて設けられたＭＥＭＳセンサ２１０と、を含む。
【００３７】
上記基板の一面には、ＭＥＭＳセンサ２１０を実装するために、凹部２４０が形成されている。ここで、ＭＥＭＳセンサ２１０は、上記凹部２４０の内部に実装されるのではなく、浮いている状態で実装されている。
【００３８】
上記ウェッティング層（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、スパッタリングまたはＭＯＣＶＤなどの工程により、導電性金属材料で所定のパターンに形成される。即ち、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の両側の電極と連結されるためのパッド状のパターン２２０ａ、２２０ｂと、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿ったリング状のパターン２３０ａ、２３０ｂに形成される。
【００３９】
上記ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）センサ２１０は、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂのパッドにそれぞれ連結されており、上記凹部２４０の空間上に浮くように設けられる。ここで、上記ＭＥＭＳセンサ２１０は、ダイヤフラム構造またはコーム構造などに多様に設けられてもよい。
【００４０】
また、上記ＭＥＭＳセンサは、赤外線検知素子等を含み、上記赤外線検知素子が適用される場合には、８〜１２μｍ波長の赤外線を選択的に透過させるフィルター部を含んで構成する。ここで、上記赤外線検知素子としては、マイクロボロメーター（ｍｉｃｒｏ  ｂｏｌｏｍｅｔｅｒ）を含んでもよい。
【００４１】
上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して密封させる接着部材が使用され、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を外部から保護するためのもので、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を取り囲むように形成される。
【００４２】
上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させるため、より安定的に電気的信号を入出力することができるようになる。即ち、外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
【００４３】
より詳細には、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂと上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂをなす半田層は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程により形成されてもよい。必要に応じて、半田層は、バンプ下地金属（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ：ＵＢＭ）、即ち、接合層（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）及び半田層（ｓｏｌｄｅｒａｂｌｅ  ｌａｙｅｒ）を蒸着した後、導電性接着物質を形成する方法で形成されてもよい。接合層として用いられる半田層は、インジウム（Ｉｎ）またはスズ（Ｓｎ）などの純金属、またはインジウム系、スズ系、ビスマス（Ｂｉ）系または鉛（Ｐｂ）系合金を含んでもよい。接着層として半田層を用いると、接着層は、低温では接合特性があって金属蓋をキャリア基板に接合することが可能で、高温では溶融特性があってキャリア基板を着脱することが可能である。
【００４４】
また、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法について説明する。
【００４５】
図３〜図６は、本発明によるＭＥＭＳセンサパッケージング方法に対する工程順序図である。
【００４６】
まず、図３に示されたように、ＲＯＩＣ回路が形成された第１ウェハ１００の電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように絶縁層１１０の所定部分を除去する段階が行われる。
【００４７】
より詳細には、上記第１ウェハ１００は、基板と、上記基板上に形成されたＲＯＩＣ回路の電極パッド１２０ａ、１２０ｂと、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂ上に形成された絶縁層１１０と、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂと電気的に連結されるように上記基板を貫通するビアホールに充填された金属充填材１３０ａ、１３０ｂと、上記絶縁層１１０上に形成されたゲッター１６０と、を含み、上記絶縁層１１０は、後工程での基板の損傷を防止したり、素子とのショートを防止するための保護層であって、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘなどで形成される。
【００４８】
このとき、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出するように上記絶縁層１１０をエッチング工程により除去して上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂ上にパット半田１５０を形成する。
【００４９】
一方、上記ＲＯＩＣが形成される第１ウェハ１００の工程としては、一般的な工程が適用されてもよく、詳細な説明を省略する。
【００５０】
図４に示されたように、上記電極パッド１２０ａ、１２０ｂが露出した所定部分にパッド半田１５０を、ＭＥＭＳセンサ２１０と対応する周辺に沿ってリング状の接合半田１４０を形成する段階を行う。
【００５１】
より詳細には、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂと上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂをなす半田層は、物理的なスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）、熱蒸着工程または化学的なめっき工程により形成されてもよい。必要に応じて、半田層は、バンプ下地金属（Ｕｎｄｅｒ  Ｂｕｍｐ  Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ：ＵＢＭ）、即ち、接合層（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）及び半田層（ｓｏｌｄｅｒａｂｌｅ  ｌａｙｅｒ）を蒸着した後、導電性接着物質を形成する方法で形成されてもよい。接合層として用いられる半田層は、インジウム（Ｉｎ）またはスズ（Ｓｎ）などの純金属、またはインジウム系、スズ系、ビスマス（Ｂｉ）系または鉛（Ｐｂ）系合金を含んでもよい。接着層として半田層を用いると、接着層は、低温では接合特性があって金属蓋をキャリア基板に接合することが可能で、高温では溶融特性があってキャリア基板を着脱することが可能である。
【００５２】
即ち、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合して密封させる接着部材が使用され、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を外部から保護するためのもので、上記ＭＥＭＳセンサ２１０を取り囲むように形成される。
【００５３】
上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させるため、より安定的に電気的信号を入出力することができるようになる。即ち、外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
【００５４】
図５に示されたように、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂ及び接合半田１４０ａ、１４０ｂが形成された第１ウェハ１００上にゲッター１６０を形成する段階を行う。
【００５５】
ここで、上記ゲッター（ｇｅｔｔｅｒ）１６０を形成するための材料としては水分及び酸素などとの反応性が強く、融点が低く、容易に蒸発する金属を用い、これらの金属の吸着作用により、素子の内部に浸透した水分や気体を除去する。このような材料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｃｅからなる金属群より選択される何れか一つ以上を含むか、Ｂａ−Ａｌ、Ｚｒ−Ａｌ、Ａｇ−Ｔｉ、Ｚｒ−Ｎｉからなる金属合金（ｍｅｔａｌ  ａｌｌｏｙ）群から選択される何れか一つ以上を含んで使用することができる。
【００５６】
図６に示されたように、上記ゲッター１６０が形成された第１ウェハ１００上に、上記ＭＥＭＳセンサ２１０が形成された第２ウェハ２００を接合する段階が行われる。
【００５７】
具体的には、上記接合方法は、ＴＣボンディングまたは共融点ボンディング方法などを用いて、上記第１ウェハ１００と上記第２ウェハ２００を接合する。
【００５８】
このとき、上記第１ウェハ１００上に形成された上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂ及び接合半田１４０ａ、１４０ｂと、上記第２ウェハ２００上のウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂを接合させる。即ち、上記ウェッティング層２２０ａ、２２０ｂ、２３０ａ、２３０ｂは、上記ＭＥＭＳセンサ２１０の両側の電極に連結されるためのパッド状のパターンと上記ＭＥＭＳセンサ２１０の周囲に沿ったリング状のパターンに形成され、上記接合半田１４０ａ、１４０ｂは上記ウェッティング層のリング状のパターン２３０ａ、２３０と対応し、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂは、上記ウェッティング層のパッド状のパターン２２０ａ、２２０ｂと対応して接合される。
【００５９】
従って、上記パッド半田１５０ａ、１５０ｂを介して、上記ＭＥＭＳセンサ２１０と上記ＲＯＩＣ回路を電気的に連結させることで、より安定的に電気的信号を入出力することができる。即ち、 外部のワイヤボンディング工程なしに電気的信号を連結して、ＭＥＭＳセンサパッケージングの気密性を高めながら、体積を減らすことができ、工程の手続きを減らすことができる。
【００６０】
以上で説明したように、本発明の詳細な説明では、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の範囲から外れない範囲内で様々な変形が可能であることはいうまでもない。従って、本発明の権利範囲は、説明した実施形態に限定されず、後述する特許請求の範囲だけでなく、これと均等なものにより定められるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明によると、ＲＯＩＣ回路が形成されたウェハとＭＥＭＳセンサが形成されたウェハを接合してパッケージングするにあたり、ＲＯＩＣ回路とＭＥＭＳセンサを電気的に連結するためのパッド半田を内部に形成することで、パッケージのサイズを低減させ、安定的に電気的信号を供給することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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