(57)【要約】静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置において、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ、生産性を向上する。静電スプレー装置は、有機材料からなる微粒子２１が分散したエアロゾル２０を吐出するノズル１０と、ノズルに電圧を印加し、微粒子を帯電させる電圧印加手段１５と、基材１１をアース又は微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段１９とを備えて、静電引力によりノズルから吐出された微粒子を基材に引き付け堆積させて有機薄膜を基材上に成膜するもので、微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして微粒子の飛翔を制御する電極部（２３，２４）又は微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして微粒子の飛翔を制御する磁極部（コイル）を備え、電極部又は磁極部の制御により、微粒子の飛翔範囲を、基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくする。
2013105557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機材料を含む微粒子が分散したエアロゾルを吐出するノズルと、
前記ノズルに電圧を印加し、前記微粒子を帯電させる電圧印加手段と、
基材をアース又は前記微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段とを備えて、静電引力により前記ノズルから吐出された前記微粒子を前記基材に引き付け堆積させて有機薄膜を前記基材上に成膜する静電スプレー装置において、
前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を、前記ノズルの吐出口と前記基材との間に備え、
前記電極部又は磁極部の制御により、前記微粒子の飛翔範囲を、前記基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくすることを特徴とする静電スプレー装置。
【請求項２】
前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、ノズル＞前記電極部又は磁極部＞基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材＞前記電極部又は磁極部＞ノズルとすることを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置。
【請求項３】
前記電極部を備え、前記電極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置される枠状の電極部材で構成され、
前記電極部材の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置。
【請求項４】
前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置されるコイルで構成され、
前記コイルの前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置。
【請求項５】
前記ノズルの吐出口より上に、前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を備えたことを特徴とする請求項１から請求項４のうち何れか１項に記載の静電スプレー装置。
【請求項６】
前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差は、前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の静電スプレー装置。
【請求項７】
前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部＞ノズル＞前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部＞基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材＞前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部＞ノズル＞前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部とすることを特徴とする請求項６に記載の静電スプレー装置。
【請求項８】
前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸から離れて配置される複数の磁石で構成され、
前記複数の磁石の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置。
【請求項９】
前記基材が帯状基材であることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の静電スプレー装置。
【請求項１０】
前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜であることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の静電スプレー装置。
【請求項１１】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜が発光層であることを特徴とする請求項１０に記載の静電スプレー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子や有機薄膜太陽電池等の複数の有機薄膜の製造方法としては、蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、スプレー法、印刷法）等があるが、真空プロセスを必要とせず、連続生産が簡便であるという理由で近年はウェットプロセスにおける製造方法が注目されている。
しかしながら、ウェットプロセスで作製した有機ＥＬ素子は、蒸着法により作製した有機ＥＬ素子に比べて素子性能、特に寿命に関して十分な性能が出ないことが一般的に知られている。
複数の有機薄膜をウェットプロセスで製造する場合は、溶剤により積層時に下地（下層）を溶かしてしまう、又は溶媒が下地に浸透してしまうため層混合が起きてしまう問題があり、これらは性能が不十分な要因の一つとなる。この問題を起こさない一つの手段として、積層時に下地を溶解させない溶剤を選択することが考えられるが、当該下地を溶解させない溶剤への有機材料の溶解性を確保する事は、材料設計上大きな制約条件となっているのが実情である。
この為、溶剤による影響が少なく、非真空中で大面積の成膜が可能な方法が待ち望まれている。このような技術的要請に応えるために、静電噴霧法に着目することができる。【０００３】
特許文献１−４に静電噴霧法による技術が記載されている。
静電噴霧法によれば、生成されるエアロゾル中の微粒子径を１μｍ以下まで小さくすることができる。その微粒子を吐出するノズル１つ当たりの噴霧量には限界があるので、大面積を短いタクトタイムで成膜するには、特許文献２に記載されるようにノズルを複数設けることが考えられる。
しかし、ノズルを複数設けた場合には、１のノズルによって微粒子が与えられる領域と、隣接する他のノズルによって微粒子が与えられる領域と、その両者が重なる領域とで、堆積量が変化し、膜厚、膜質の不均一の問題が生じる。
また、エアロゾルの原料となる溶液の供給量を多くすると、微粒化が間に合わず、液が垂れてしまう、エアロゾル中の微粒子径が十分に小さくならないなどの問題が発生する。
また、タクトタイムを早めるためにノズルを基材に近づけると、十分に溶液が微粒化されず、さらには溶媒の揮発が不十分となるために、層混合が発生し、性能劣化の要因となる。【０００４】
特許文献３にあっては、比較的速い成膜速度で、面内均一性の高い薄膜の成膜を可能とするために、固形分を含む塗布液を電圧が印加されたノズルから放出して形成した帯電した塗布液粒子を、ノズルと反対の極に帯電した被塗布面に堆積させて、固形分含有層を形成するにあたり、帯電した塗布液粒子を、少なくとも２つの開口とこれら開口の間に延在する本体とからなり、本体が塗布液粒子と同一の極に帯電した導管の一方の開口から他方の開口を経由して被塗布面に堆積させる。
特許文献４にあっては、有機ＥＬ素子などにおけるパターニングの修正のために、基板上の所望の位置に、所望の材料を高精度に局所成膜するために、エレクトロスプレーデポジション（ＥＳＤ）装置が用いられている。当該ＥＳＤ装置は、所望材料の溶液を収納するノズルと、ノズルに電圧を印加するスプレー用電源と、ノズルから噴霧された液滴の噴霧範囲を収束する収束ガードリングと、収束ガードリングに電圧または電流を印加するガードリング用電源と、基板上の成膜すべき位置の基板裏面側に配置した局所電極と、局所電極に、ノズルに印加する電圧と逆極性の電圧を印加する局所電極用電源とを備えており、収束ガードリングとしては、静電レンズ、または静電レンズと磁界レンズの組合せたものが用いられ、これらがノズルから噴霧された液滴の噴霧範囲を収束する役割を担っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−０３４４２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８１２７１号公報
【特許文献３】特開２０１１−４１９０８号公報
【特許文献４】特開２０１１−１７５９２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、以上の従来技術にあっても以下のような問題があった。
特許文献３記載の技術によれば、本体が塗布液粒子と同一の極に帯電した導管によって、塗布液粒子の周囲への飛散が抑制され、塗布液粒子（成膜材料粒子）の基材への付着率の向上が図られる。特許文献４記載の技術によれば、収束ガードリングによって、成膜材料粒子の周囲への飛散が抑制され、成膜材料粒子の基材への付着率の向上が図られる。
しかしながら、特許文献３、４にあっては、成膜材料粒子の周囲への飛散抑制手段が円形であるため、成膜材料粒子の基板への付着領域が円形になる。そのため、形成される膜の膜厚が付着領域の中心部で厚く、付着領域の周縁部で薄いといった不均一が生じる。その結果として、中心部での層混合が周縁部と比較し激しく生じるといった問題があった。
また、基板上を走査して成膜する場合、走査方向に帯状に成膜パターンが形成されるが、帯状の成膜パターンの中心線上は、円形の付着領域の直径の長さ分で同時に噴霧されるので、被噴霧時間が比較的長く、帯状の成膜パターンの縁部との間に不均一が生じる。
また、付着領域が円形であるため、いずれの方向に走査しても走査幅は変わらず、開始端と終端は半円形となり、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことには不都合となる場合がある。【０００７】
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、静電噴霧法を用いて有機薄膜を成膜する静電スプレー装置において、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ層混合を抑制し、かつ生産性を向上することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、有機材料を含む微粒子が分散したエアロゾルを吐出するノズルと、
前記ノズルに電圧を印加し、前記微粒子を帯電させる電圧印加手段と、
基材をアース又は前記微粒子と逆極性の電位に保持する基材保持手段とを備えて、静電引力により前記ノズルから吐出された前記微粒子を前記基材に引き付け堆積させて有機薄膜を前記基材上に成膜する静電スプレー装置において、
前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を、前記ノズルの吐出口と前記基材との間に備え、
前記電極部又は磁極部の制御により、前記微粒子の飛翔範囲を、前記基材に平行な平面上の一方向について、これと直交する同平面上の他方向より大きくすることを特徴とする静電スプレー装置である。【０００９】
請求項２記載の発明は、前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、ノズル＞前記電極部又は磁極部＞基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材＞前記電極部又は磁極部＞ノズルとすることを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置である。【００１０】
請求項３記載の発明は、前記電極部を備え、前記電極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置される枠状の電極部材で構成され、
前記電極部材の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置である。【００１１】
請求項４記載の発明は、前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸を囲むように配置されるコイルで構成され、
前記コイルの前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置である。【００１２】
請求項５記載の発明は、前記ノズルの吐出口より上に、前記微粒子の飛翔空間の電界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する電極部又は前記微粒子の飛翔空間の磁界に影響を及ぼして前記微粒子の飛翔を制御する磁極部を備えたことを特徴とする請求項１から請求項４のうち何れか１項に記載の静電スプレー装置である。【００１３】
請求項６記載の発明は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差は、前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部と前記基材との間の電位差よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の静電スプレー装置である。【００１４】
請求項７記載の発明は、前記ノズル、前記電極部又は磁極部、前記基材の各印加電圧の関係を、
前記電圧印加手段による印加電圧がプラスの場合は、前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部＞ノズル＞前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部＞基材とし、
前記電圧印加手段による印加電圧がマイナスの場合は、基材＞前記ノズルの吐出口と前記基材との間の前記電極部又は磁極部＞ノズル＞前記ノズルの吐出口より上の前記電極部又は磁極部とすることを特徴とする請求項６に記載の静電スプレー装置である。【００１５】
請求項８記載の発明は、前記磁極部を備え、前記磁極部は前記ノズルの中心軸から離れて配置される複数の磁石で構成され、
前記複数の磁石の前記一方向の対向間隔が、前記他方向の対向間隔より大きくされたことを特徴とする請求項１に記載の静電スプレー装置である。【００１６】
請求項９記載の発明は、前記基材が帯状基材であることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の静電スプレー装置である。【００１７】
請求項１０記載の発明は、前記有機薄膜が有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜であることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか１項に記載の静電スプレー装置である。【００１８】
請求項１１記載の発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の有機薄膜が発光層であることを特徴とする請求項１０に記載の静電スプレー装置である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ノズルから吐出される有機材料からなる微粒子の飛翔範囲に関し、成膜する基材に平行な平面上の一方向の飛翔範囲がこれに直交する同平面上の他方向に対して大きくなり、微粒子の基材への付着範囲が、前記一方向に長く、前記他方向に短い形状に形成され、付着範囲において前記一方向について膜の不均一が緩和される。
また、基材上の付着範囲おいて溶剤の量の不均一も緩和されることにより層混合を抑制することができる。
さらに、前記他方向に基材上を走査することで、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことができる。
以上のようにして本発明によれば、成膜する膜の均一性の保持を図りつつ層混合を抑制し、かつ生産性を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る静電スプレー装置のノズル‐基材間の主要部を示す模式的斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための平面図である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための正面図である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態に係る静電スプレー装置における電界又は磁界の影響を説明するための側面図である。
【図３】超臨界二酸化炭素を溶媒として適用する場合の本発明の実施形態に係る静電スプレー装置の構成模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の一実施形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
【００２２】
図１に示すように本実施形態の静電スプレー装置は、有機材料からなる微粒子２１等が分散したエアロゾル２０を吐出するノズル１０と、ノズル１０に電圧を印加し、微粒子２１を帯電させる電圧印加手段１５と、基材１１を微粒子２１と逆極性の電位に保持する基材保持手段１９とを備えて構成される。静電引力によりノズル１０から吐出された微粒子２１を基材１１に引き付け堆積させて有機薄膜を基材１１上に成膜する。そのため、ノズル１０と、基材１１が載置されるプレート１２とには、互いに逆極性の電圧が印加される。又は、基材保持手段１９の構成に含まれる電圧印加手段１６を単にアースに接続する導電部材に置き換えても、静電引力を発生させることができる。成膜するものは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層である。基材１１としては、帯状の可撓性を有する基材を用いてもよい。帯状の可撓性基材としては、例えば樹脂を挙げることができる。
また、本実施形態の静電スプレー装置は、電界形成手段として電極部材２３及び電極部材２４を備え、さらに電極部材２３及び電極部材２４に電圧を印加する電圧印加手段１７を備え、電界形成手段の作用により、一方向に長い形状の付着範囲２２を形成する。
電圧印加手段１５、電圧印加手段１６及び電圧印加手段１７は、それぞれ直流電源装置をグランドとの間に挿入したものである。電極部材２３と電極部材２４との間には、この両者間に電位差を生じさせる必要があるため、抵抗２５が挿入されている。
以下、さらに詳細に説明する。
【００２３】
図１に直交３軸座標ＸＹＺを示した。Ｚ軸はノズルの中心軸Ｏと同方向であり吐出方向が正とされる。座標ＸＹは基材１１に平行な平面上の座標に相当する。
電界ガードリング、すなわち、電極部材２３及び電極部材２４は枠状に形成されたものであり、Ｘ方向の対向間隔Ｘ１がＹ方向の対向間隔Ｙ１より大きくなっている。すなわち、Ｘ１＞Ｙ１である。電極部材２３及び電極部材２４は、ノズルの中心軸Ｏを囲むように配置され、ＸＹ平面と平行に配置されている。電極部材２３と電極部材２４とは、Ｚ方向に離れて配置されている。電極部材２３は、Ｚ座標に関しノズル１０の吐出口と基材１１の間の位置に配置される。電極部材２４は、ノズル１０より上、すなわち、ノズル１０の吐出口からＺ軸の負の方向寄りに配置される。
【００２４】
電極部材２３及び電極部材２４は、静電レンズと原理的には同じであるが、静電レンズは飛翔範囲（Ｚ軸に垂直なエアロゾルの断面積）を基材に近づくに従って次第に小さくする、すなわち、収束させるが、電極部材２３及び電極部材２４は、収束させることを必要としない。電極部材２３及び電極部材２４の作用としては、飛翔範囲を本来の範囲より狭めれば足りる。
電極部材２３及び電極部材２４は、微粒子２１の飛翔空間の電界に影響を及ぼして、微粒子２１を加速するクーロン力を作用させる。これらの作用により、基材１１に向う微粒子２１の飛翔範囲が狭まる。すなわち、電極部材２３及び電極部材２４が無いとした場合の飛翔範囲に対し、飛翔範囲を狭める作用がある。なお、飛翔空間とは、微粒子２１が飛翔し得る空間のことを指し、本実施形態では、本発明に係る電極部材を備えることにより微粒子２１の飛翔空間を狭めることができる。
また、電極部材２３及び電極部材２４は、全て同電位である必要は無い。つまり、より飛翔範囲を横長にしたい場合(例えば、Ｙ方向の飛翔範囲を狭めたい場合)、電極部材２３及び電極部材２４は、図１において、Ｙ方向の部材(辺が短い方)とＸ方向の部材(辺が長い方)を電気的に切断し、異なる電圧を印加し、かつＹ方向の部材にＸ方向の部材より低い電位を与えることで、より微粒子２１に働くクーロン力がＹ方向に強まり、飛翔範囲を更に横長にすることができる。また、電極部材２３及び電極部材２４は同一電位であれ、異なる電位であれ、四角の枠形状である必要はなく、五角形状、六角形状・・と所望の付着範囲２２に応じて、また形成する電位を考慮して形状を決めればよい。
また、クーロン力で飛翔範囲を狭める方向に規制することにより、塗布膜厚の均一性も向上する。つまりは、電極部材２３及び電極部材２４に電位を与えることにより、微粒子２１に飛翔範囲を狭めるクーロン力が働き、微粒子２１同士が近接するが、微粒子自体も同一極で帯電しているため、互いに斥力が働き、広がろうとするクーロン力が働く。そのため、電極部材枠内で、微粒子２１の濃度が薄いところに微粒子２１が拡散していき、その結果、付着範囲２１に微粒子濃度がより均一になって塗布されることになる。
電極部材２３を磁界形成手段としてのコイル（磁界ガードリング）に置き換え、磁界レンズと同原理にてローレンツ力を作用させることで実施してもよい。
【００２５】
図２Ａ−Ｃに示す枠線３０は、電極部材２３及び電極部材２４に相当する電極位置又はコイルに置き換えた場合に電流が流れる中心位置（すなわち、その電流により生じる磁界の磁極位置）を示すものである。３１−３４は、枠線３０の角部を、Ｓ１からＳ４は枠線３０の各辺を示す。点Ｏは中心軸Ｏの位置と共通であり、枠線３０の中心とも共通する。点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは、点Ｏから等距離ある点である。ｄ１は、点Ａと辺Ｓ１との距離及び点Ｃと辺Ｓ３との距離を示す。ｄ２は、点Ｂと辺Ｓ２との距離及び点Ｄと辺Ｓ４との距離を示す。
ｄ１＜ｄ２のため、電極部材２３若しくは電極部材２４の影響によるクーロン力、又はコイルに置き換えた場合におけるローレンツ力が、点Ａ，Ｃより点Ｂ，Ｄにおいて小さいため、図１に示すように基材１１上での微粒子の付着範囲２２が、Ｘ方向に長くＹ方向に短い形状に形成される。
【００２６】
このように、微粒子の付着範囲２２がＸ方向に長くＹ方向に短い形状に形成されるので、Ｘ方向について膜の不均一が緩和される。また、Ｙ方向に基材１１上を走査することで、大きな走査幅で大面積の成膜を行うことができる。基材１１を帯状体として、その幅方向をＸ方向に配置し、ローラーで支持搬送することで、連続的に高効率な生産が可能である。この場合、付着範囲２２のＸ方向の寸法が帯状の基材の幅寸法を超えるように制御することが好ましい。これによって一つのノズルによって幅方向の端から端まで成膜することができ、膜の均一性が向上できる。
【００２７】
帯電した微粒子２１に基材１１方向へのクーロン力、又はローレンツ力を付与することにより周囲への微粒子２１の飛散を抑制することができ、かつ基材１１方向に微粒子２１を輸送する力が働くため、微粒子２１の基材１１への付着効率も向上する。
また、ノズル１０の吐出口より上に電極部材２４を設置した。電極部材２４をノズル１０と基材１１との間にある電極部材２３より高電位にする。これにより、微粒子２１は電界に囲まれることになり、周りに飛散できず、付着効率が更に向上する。
【００２８】
微粒子の付着範囲２２が一方向に長い形状に形成されればよいので、図１でＸ方向に対してＹ方向について相対的に微粒子２１の飛翔範囲を狭めればよい。そのため、電極部材２２，２３やコイルの形状は特に限定されるものではなく、所望の付着範囲２２の形状となるような形状にすればよい。
また、このようなローレンツ力を作用させることは、図２Ａに示す角部３１，３２，３３，３４に磁石の磁極を配置することでも実施できる。この場合、例えば、角部３１にＳ極、角部３２にＮ極、角部３３にＳ極、角部３４にＮ極を配置することで、微粒子の付着範囲２２を一方向に長い形状に形成できる。各磁極は、電磁石の鉄芯の端部で構成したり、立方体部材の面にペレット状の永久磁石を貼り付けて構成したりして実施することができる。後者の場合、Ｓ極とする角部においてＳ極を表にして永久磁石を張り付け、Ｎ極とする角部においてＮ極を表にして永久磁石を張り付ける。
【００２９】
なお、ノズル１０から吐出されるエアロゾル２０は、ノズル１０に溶液を供給することで生成してもよいし、ノズル１０に予め生成したエアロゾル２０を供給することでもよい。後者の場合、ノズル１０に配管を介してチャンバーを設け、キャリアガスによりノズル１０へ搬送する。エアロゾルを生成するエアロゾル生成装置としては、特に限定されるものではなく、利用できる技術を選択して実施すればよい。例えば、超音波霧化現象を利用した装置が知られており、これを適用することができる。その場合、上記チャンバーの底部に取り付けた超音波振動子によりチャンバーに貯留した溶液を超音波振動させ、溶液の液面からエアロゾルを発生させる。このとき、溶液の液面に高電圧を印加する静電霧化装置や、溶液の液面上に側部からイオンキャリアガスを供給する超音波霧化式イオナイザーを適用することができる。後者の場合、イオンキャリアガスによってエアロゾルをノズル１０方向へ搬送できる。
また、既存の静電スプレー装置に慣用されているように、ノズルにより溶液を噴霧するものも適用できる。この場合、ノズルの吐出口を上記チャンバー内に配置することでエアロゾルをチャンバー内に貯留する。
また、ノズル１０並びにこれに接続する配管及びチャンバーの構成材料に、ヒーターを付設してもよい。例えば、チャンバー、配管及びノズル１０の構成材料の外側を覆うように、ヒーターを付設する。このヒーターよって、搬送されるエアロゾル２０の温度を溶媒が気化するための最適値に保ち、溶媒を除去することを搬送中に促進することができ、更に微粒子２１の径を小さくすることができる。また、基材１１に帯電微粒子２１が付着した際に、瞬時に溶媒が除去され、層混合を抑制することができる。温度は、用いる溶媒の揮発しやすさに応じて設定する。
【００３０】
また、成膜工程において収率を上げる観点から、基材１１からノズル１０方向への上昇気流を抑制するために、ノズル１０から吐出されるガス温度より低い温度に、基材１１を保つことが好ましい。例えば、ノズル１０や、上述のようにノズル１０に接続される配管やチャンバーを温める場合に、その温度より低い温度にプレート１２に付設した調温装置によって調温する。
【００３１】
クーロン力を与えるための電極部材２３及び電極部材２４は、金属基材を非導電性材料でコーティングしたものを用いるのがよい。その際は、金属基材に電圧を印加することで非導電性材料を帯電させることができ、微粒子２１と同一極にすることで、微粒子２１の付着を防止することができる。
非導電性材料としては、Ａｌ２Ｏ３セラミックスを溶射後、アルコキシシランで封孔処理したものが挙げられる。金属基材には、銀、白金、ステンレス、アルミニウム、鉄等の金属を用いることができる。ステンレスは加工し易く好ましく用いることができる。非導電性材料としては、ケイ酸塩系ガラス・ホウ酸塩系ガラス・リン酸塩系ガラス・ゲルマン酸塩系ガラス・亜テルル酸塩ガラス・アルミン酸塩ガラス・バナジン酸塩ガラス等を用いることができる。この中でもホウ酸塩系ガラスが加工し易い。
また、気密性の高い高耐熱性のセラミックスを焼結したセラミックスを用いることも好ましい。セラミックスの厚みは、印加する電圧に耐えうる範囲でよく、０．１ｍｍ以上、更には０．３ｍｍ以上であることが好ましい。セラミックスの材質としては例えばアルミナ系、ジルコニア系、窒化珪素系、炭化珪素系のセラミックスが挙げられるが、中でもアルミナ系のセラミックスが好ましい。
セラミックスは、無機質材料で封孔処理されているのが好ましく、これにより金属基材の耐久性を向上させることができる。封孔処理はセラミックスに封孔剤である金属アルコキシドを主原料とするゾルをセラミックス上に塗布した後に、ゲル化させて硬化させることで、強固な３次元結合を形成させ均一な構造を有する金属酸化物によって、セラミックスの封孔処理をすることができる。また、ゾルゲル反応を促進するためにエネルギー処理を行うことが好ましい。ゾルにエネルギー処理をすることによって、金属−酸素−金属の３次元結合を促進することができる。エネルギー処理には、プラズマ処理や、２００℃以下の加熱処理、ＵＶ処理が好ましい。
【００３２】
〔超臨界二酸化炭素〕
次に、図３を参照して、超臨界二酸化炭素を溶媒として適用する場合につき説明する。
【００３３】
図３は、本発明を適用した静電スプレー装置(半回分式流通法に基づくＲＥＳＳ(Rapid Expansion of Supercritical Solution)装置)の概略構成図である。超臨界二酸化炭素を用いた溶体急速膨張法では、超臨界二酸化炭素中に溶質が溶解した溶体(Solution)、もしくは固体溶質中に超臨界二酸化炭素が溶解することにより得られる溶体を、ノズルを通して大気圧近くまで急激に膨張させ、その際の大きな溶解度低下に起因した分子自己集積(結晶化)現象により発生する溶質分子のクラスターを基板上に噴射させることにより薄膜を創製する技術である。
【００３４】
したがって、図３に示す静電スプレー装置においては、ガスボンベ１から供給される二酸化炭素は、乾燥管２、フィルター３、および冷却器４を通過した後、加圧ポンプ５により加圧され、予熱器６を通り、超臨界二酸化炭素となる。溶質溶解セル８１−８４には有機溶質が配置されており、超臨界二酸化炭素が溶質溶解セル８１−８４を通過する際、所定の溶質溶解温度および溶質溶解圧力で溶質が超臨界二酸化炭素中に溶解し、超臨界溶質溶解相(溶体)となる(溶質溶解工程)。予熱器６と溶質溶解セル８１−８４との間には逆止弁７が介挿され、予熱器６、逆止弁７および溶質溶解セル８１−８４などは恒温槽１３内に配置されている。
【００３５】
次に、超臨界溶質溶解相は、凝縮を防ぐために膨張前温度にまで加熱されたノズル１０(長さ１cm、内径５０μｍ)を通して大気圧下に噴出され、気体状態の二酸化炭素と溶質分子のクラスターに分かれる。溶質分子のクラスターは基板１１上に噴射され、薄膜が生成される(噴射工程)。かかる操作を行う際、ストップバルブＶ２〜Ｖ５は所定のタイミングで開閉され、その間、溶質溶解圧力、および溶質溶解温度(膨張前温度)は各々、圧力計ＰＩおよび温度計ＴＩで監視される。また、加圧ポンプ５に対して並列に背圧弁７が配置されている。
【００３６】
溶質溶解セル８１−８４とノズル１０との間にはフィルター９が介挿され、ノズル１０および基板１１などはクリーンブース１４内に配置されている。また、基板１１は、ホットプレート１２上に配置されており、所定の温度に加熱される。
【００３７】
〔溶媒〕
次に、本発明に係る微粒子に作製に用いられる溶媒について詳細に説明する。
本発明に係る有機材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、などのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、アセトニトリル、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の溶媒が挙げられる。
更には、微粒子径を制御するために、上記の溶媒の中から蒸気圧の異なる溶媒を２種類以上混合した溶液を溶媒として用いることが好ましい。更には、微粒子が基材に付着した際の微粒子の濡れ性の制御及び、膜厚の均一性、や平滑性を向上させるために、表面張力の異なる溶媒を２種類以上を混合した溶液を溶媒に用いることが好ましい。
〔有機材料〕
次に、本発明に係る微粒子に作製に用いられる有機材料について詳細に説明する。
本発明に係る有機薄膜を形成する有機材料は、大きくは高分子、低分子がある。
低分子とは、重量平均分子量で、５０００以下のものを指し、低分子として好ましく用いられるのは３０００以下、更に好ましくは２０００以下のものである。高分子とは、５０００より大きいものを指す。
なお、低分子材料を塗布する場合は、高分子材料と異なり、下層を溶解させない溶媒を用いても、低分子、すなわち分子が小さいがゆえに、下層へ溶媒が浸透するとともに低分子材料も浸透し、層混合を起こしやすく、性能劣化の原因となる。
【００３８】
〔有機ＥＬ素子(有機エレクトロルミネッセンス素子〕
次に、有機エレクトロルミネッセンス素子につき説明する。
有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子のことである。有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示す。
【００３９】
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる２種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。
【００４０】
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００４１】
本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。
【００４２】
また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。
【００４３】
各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
【００４４】
本発明における発光層の膜厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから３０ｎｍ以下である。なお、本発明でいうところの発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。
【００４５】
個々の発光層の膜厚としては１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは１〜２０ｎｍの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。
【００４６】
発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
【００４７】
本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。
【００４８】
本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【００４９】
本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。更に好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【００５０】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【００５１】
本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもいい。
【００５２】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【００５３】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【００５４】
次に、発光材料について説明する。
【００５５】
本発明に係る発光材料としては、蛍光性化合物、燐光発光材料（燐光性化合物、燐光発光性化合物等ともいう）を用いる。
【００５６】
本発明において、燐光発光材料とは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にて燐光発光する化合物であり、燐光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましい燐光量子収率は０．１以上である。
【００５７】
上記燐光量子収率は第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中での燐光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明において燐光発光材料を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記燐光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００５８】
燐光発光材料の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーを燐光発光材料に移動させることで燐光発光材料からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つは燐光発光材料がキャリアトラップとなり、燐光発光材料上でキャリアの再結合が起こり燐光発光材料からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、燐光発光材料の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００５９】
燐光発光材料は、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００６０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【００６１】
また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、同２００１−１８１６１６号公報、同２００２−２８０１７９号公報、同２００１−１８１６１７号公報、同２００２−２８０１８０号公報、同２００１−２４７８５９号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００１−３１３１７８号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、同２００２−５０４８４号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、同２００２−３３８５８８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、同２００２−１００４７６号公報、同２００２−１７３６７４号公報、同２００２−３５９０８２号公報、同２００２−１７５８８４号公報、同２００２−３６３５５２号公報、同２００２−１８４５８２号公報、同２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、同２００２−２２６４９５号公報、同２００２−２３４８９４号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−２４１７５１号公報、同２００１−３１９７７９号公報、同２００１−３１９７８０号公報、同２００２−６２８２４号公報、同２００２−１００４７４号公報、同２００２−２０３６７９号公報、同２００２−３４３５７２号公報、同２００２−２０３６７８号公報等が挙げられる。
【００６２】
本発明においては、少なくとも一つの発光層に２種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。
【００６３】
《中間層》
本発明において、各発光層間に非発光性の中間層（非ドープ領域等ともいう）を設ける場合について説明する。
【００６４】
非発光性の中間層とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。
【００６５】
非発光性の中間層の膜厚としては１〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましく、更には３〜１０ｎｍの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、且つ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。
【００６６】
この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する２つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。
【００６７】
非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物（例えば、ホスト化合物等）を含有していてもよく、各々共通ホスト材料（ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、燐光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。）を含有することにより、発光層−非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧（電流）を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。更に、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機ＥＬ素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。
【００６８】
本発明で有機ＥＬ素子を用いる場合、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。
【００６９】
また、一方では正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。
【００７０】
《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【００７１】
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【００７２】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
【００７３】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００７４】
《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
【００７５】
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【００７６】
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは３〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５〜３０ｎｍである。
【００７７】
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
【００７８】
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【００７９】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【００８０】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００８１】
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【００８２】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂、ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【００８３】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００８４】
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【００８５】
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【００８６】
《電子輸送層》
電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【００８７】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【００８８】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【００８９】
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【００９０】
また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【００９１】
本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【００９２】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
【００９３】
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
【００９４】
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００９５】
《陰極》
陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【００９６】
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【実施例】
【００９７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。【００９８】
《有機ＥＬ素子の作製》
〔有機ＥＬ素子１の作製〕
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。この基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、基板表面温度２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。
この基板を、窒素雰囲気下、ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス１００で、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍのグローブボックスへ移した。グローブボックス中にて正孔輸送層用塗布液を下記のように調製し、スピンコーターにて、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件で塗布した。この基板を、基板表面温度１５０℃で３０分間加熱乾燥し正孔輸送層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は２０ｎｍであった。【００９９】
（正孔輸送層用塗布液）
モノクロロベンゼン                                                  １００ｇ
ポリ−（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル）ベンジジン）（ＡＤＳ２５４ＢＥ：アメリカン・ダイ・ソース社製）  ０．５ｇ【０１００】
次いで、正孔輸送層まで設けた基板を、大気曝露させずに移動し、下記の通り調液した発光層塗布液を用いて、図１に示す静電スプレー装置を用い表１の条件1で塗布した。基板表面温度１２０℃で10分乾燥し発光層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は４０ｎｍであった。また、別途正孔輸送層まで塗布した基材を用意し、同条件で発光層用塗布液を塗布し、層混合量、残留膜溶媒量を評価した。【０１０１】
（発光層用塗布液）
酢酸ブチル                                                  １００ｇ
Ｈ−Ａ                                                      ０．１ｇ
Ｄ−Ａ                                                  ０．０１１ｇ
Ｄ−Ｂ                                                ０．０００２ｇ
Ｄ−Ｃ                                                ０．０００２ｇ【０１０２】
上記有機材料Ｈ−Ａ、Ｄ−Ａ、Ｄ−Ｂ、Ｄ−Ｃは、下記化合物を表している。
【化１】
2013105557.tif 000003
【０１０３】
次いで、発光層まで設けた基板を大気曝露させずに、下記の通り調液した電子輸送層用塗布液を図１に示した静電スプレー装置を用いて、表１の条件で塗布した。但し、電界ガードリングは、ノズルと基材の間のもののみ適用した。さらに基板表面温度１２０℃で３０分加熱乾燥し電子輸送層を設けた。別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は３０ｎｍであった。
（電子輸送層用塗布液）
２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール            １００ｇ
ＥＴ−Ａ                                                  ０．７５ｇ【０１０４】
上記有機材料ＥＴ−Ａは、下記化合物を表している。
【化２】
2013105557.tif 000004
【０１０５】
【表１】
2013105557.tif 000005
但し、条件１−５は、順に実施例に係る有機ＥＬ素子１−４、比較例に係る有機ＥＬ素子５の条件である。【０１０６】
次いで、電子輸送層まで設けた基板を、大気曝露せずに、蒸着機に移動し、４×１０−４Ｐａまで減圧した。尚、フッ化カリウムおよびアルミニウムをそれぞれタンタル製抵抗加熱ボートに入れ、蒸着機に取り付けておいた。
先ず、フッ化カリウムの入った抵抗加熱ボートに通電し加熱し、基板上にフッ化カリウムからなる電子注入層を３ｎｍ設けた。続いて、アルミニウムの入った抵抗加熱ボートに通電加熱し、蒸着速度１〜２ｎｍ／秒でアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極を設けた。
陰極まで設けた基板を、大気曝露させることなく、窒素雰囲気下、ＪＩＳ  Ｂ９９２０に準拠し測定した清浄度がクラス１００で、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍのグローブボックスへ移動し、捕水剤である酸化バリウムを添付したガラス製の封止缶にて封止を行い、有機ＥＬ素子１０１を得た。尚、捕水剤である酸化バリウムは、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素系半透過膜（ミクロテックスＳ−ＮＴＦ８０３１Ｑ  日東電工製）でガラス製封止缶に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機ＥＬ素子の接着には紫外線硬化型の接着剤を用い、紫外線を照射することで両者を接着し封止して有機ＥＬ素子１を作製した。【０１０７】
〔有機ＥＬ素子２の作製〕
ノズル口の上に更に電界ガードリングを設置した以外は、有機ＥＬ素子１と同様にして有機ＥＬ素子２を作製した。尚、このときの各電界ガードリング、静電スプレーノズル、及び基材への印加電圧は、印加電圧がプラス極の場合は、ノズル上電界ガードリング＞静電スプレーノズル＞ノズル−基板間電界ガードリング＞基板となるように印加した。また、印加電圧がマイナス極の場合は、ノズル上電界ガードリング＜静電スプレーノズル＜ノズル−基板間電界ガードリング＜基板となるように印加した。【０１０８】
〔有機ＥＬ素子３の作製〕
有機ＥＬ素子１を作成した条件である長方形状の電界ガードリングに代えて、楕円形の磁界ガードリングを設置した以外は有機ＥＬ素子１と同様にして有機ＥＬ素子３を作製した。【０１０９】
〔有機ＥＬ素子４の作製〕
有機ＥＬ素子１と同様にして正孔輸送層まで塗布した基材を用意した。更にその基材の上から下記に記載の方法で発光層を塗布した。
塗布装置として図３に示した静電スプレー装置を使用し、成膜した。尚、別途用意した基板にて、同条件にて塗布を行い測定したところ、膜厚は４０ｎｍであった。また、別途正孔輸送層まで塗布した基材を用意し、同条件で発光層用塗布液を塗布し、層混合量、残留膜溶媒量を評価した。  
図３に示すように４つの溶質溶解セル８１−８４を設け、以下に記載の溶質をそれぞれの溶質溶解セル８１−８４に入れた。
溶質溶解セル８１  Ｈ−Ａ
溶質溶解セル８２ Ｄ−Ａ
溶質溶解セル８３ Ｄ−Ｂ
溶質溶解セル８４ Ｄ−Ｃ
また、超臨界液としてＣＯ２を用いた。
尚、各材料の重量濃度は、下記の比率になるように、調整した。
Ｈ−Ａ:Ｄ−Ａ＝１：０．１１
Ｈ−Ａ:Ｄ−Ｂ=１:０．００２
Ｈ−Ａ:Ｄ−Ｃ=１:０．００２【０１１０】
〔有機ＥＬ素子５（比較例）の作製〕
有機ＥＬ素子１を作成した条件である長方形状の電界ガードリングに代えて、円形の電界ガードリングを設置した以外は有機ＥＬ素子１と同様にして有機ＥＬ素子５を作製した。【０１１１】
《評価》
以上のように作製した実施例（有機ＥＬ素子１〜４）及び比較例（有機ＥＬ素子５）の評価を開示する。各評価項目の評価結果の要点を表２にまとめた。【０１１２】
【表２】
2013105557.tif 000006
【０１１３】
（１）面内均一性
〔面内輝度均一性、面内色度分布の測定〕
分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いて、各有機ＥＬ素子を５Ｖで駆動させたとき、発光領域の端部から５ｍｍの位置から５ｍｍ間隔でメッシュ状に輝度及び色度を測定し、下式により輝度均一性及び色度分布を求めた。
輝度均一性＝Ｌｍｉｎ／Ｌｍａｘ×１００
Ｌｍａｘ：測定輝度の最大値。
Ｌｍｉｎ：測定輝度の最小値。
なお、表２には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○：輝度均一性≧８５％、輝度の変動が小さく非常に好ましい。
×：８５％＞輝度均一性、輝度が変動している。【０１１４】
（２）寿命
作製した有機ＥＬ素子に対し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ2となるような電流を与え、連続駆動した。正面輝度が初期の半減値（５００ｃｄ／ｍ2）になるまでに掛かる時間を求め、有機ＥＬ素子１〜４の発光寿命は、有機ＥＬ素子４（比較）の測定値を１００とし、寿命＝(有機ＥＬ各素子寿命)／（有機ＥＬ素子1の寿命）で評価した。なお、表２には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○：1＜寿命  
×：寿命≦1【０１１５】
（３）層混合量
アルバック・ファイ株式会社製 走査型X線光電子分光分析装置 (ＰＨＩ  ５０００)を用いて、以下の方法で層混合量を測定した。
１) 各種条件で、まずＧｌａｓｓ基板上に発光層のみを４０ｎｍ成膜する。
２）成膜後、ＰＨＩ−５０００を用いて、ＡｒガスクラスターイオンでＧｌａｓｓ成分が検出されるまでスパッタする。その時のスパッタ時間tが得られる。
これにより、スパッタ時間から膜厚が推定できるようになる。
３) 正孔輸送層まで成膜した基板に、発光層を1と同じ条件で成膜する。
４) ２）と同じようにスパッタするが、このとき、スパッタ時間ｔ以上は正孔輸送層をスパッタすることになる。
５）正孔輸送層内に、正孔輸送材料に含まれず、発光輸送層に含まれるＩｒの量を見れば、層混合量が把握できる。
深さはＩｒが無くなるまでスパッタすれば、そのスパッタ時間から、層混合している膜厚が推定できる。
なお、層混合量は以下のようにランクづけした。
○： 発光層と正孔輸送層の層混合量  ＜３ｎｍ
×： ３ｎｍ≦発光層と正孔輸送層の層混合量【０１１６】
（４）付着効率
付着効率は、ノズルより塗出したミスト量Ｗと基材に付着したミスト量Ｗｔとの比率を表し下記のようにあらわす。
付着効率=Ｗｔ／Ｗ×１００%
なお基材に付着したミスト量Ｗｔは液の固形分濃度と１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｔのガラス基材に付着した膜の81箇所の平均膜厚ｄ(１０ｍｍ間隔に測定)から、付着量を以下の式から計算した。
＊付着膜の重量（ｇ）=１０×１０×ｄ（ｃｍ）×固形分材料の密度（ｇ／ｃｍ３）
Ｗｔ=付着膜の重量（ｇ）／液の固形分濃度(%)×１００
Ｗ=基板上にノズルがあった時間(ｍｉｎ)×ミスト生成量(ｇ／ｍｉｎ)
なお、表２には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○   ：付着効率＞８５％
△：６０％＜付着効率≦８５％
× ：付着効率≦６０％【０１１７】
（５）残留溶媒量
ここで、本発明に係る残留溶媒率の測定は、下記に示す。ヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法が用いられる。
本発明の有機ＥＬ素子の有機層に含有される残留溶媒の定量方法として用いられるヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法は、通常のガスクロマトグラフで使用される内部標準法等の検出方法を使用して測定する。
ヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる定量方法では、有機ＥＬ素子を開閉容器中に封入し、加温し、容器中に残留溶媒（有機溶媒及び／または水等）が充満した状態で速やかに容器中のガスをガスクロマトグラフに注入して残留溶媒量を測定するとともに、ＭＳ（質量分析）も行う。【０１１８】
以下、本実施例に用いたヘッドスペース方式のガスクロマトグラフによる測定法について詳細に説明する。
〈ヘッドスペースガスクロマトグラフ測定方法〉
１．試料の採取
２０ｍｌヘッドスペース用バイアルに、有機ＥＬ素子試料を採取する。試料量は、０．０１ｇまで秤量する（単位質量あたりの面積を算出するのに必要）。専用クリンパーを用いてバイアルにセプタムを用いてシールする。
２．試料の加温
１７０℃の恒温槽に試料を立てた状態で入れ、３０分間加温する。
３．ガスクロマトグラフ分離条件の設定
質量比で１５％になるようにシリコンオイルＳＥ−３０でコーティングした担体を内径３ｍｍ、長さ３ｍのカラムに充填したものを分離カラムとして用いる。該分離カラムをガスクロマトグラフに装着し、Ｈｅをキャリアとして、５０ｍｌ／分で流す。
分離カラムの温度を４０℃にし、昇温速度１５℃／分で２６０℃まで昇温させながら測定する。２６０℃に到達後５分間保持する。
４．試料の導入
バイアルビンを恒温槽から取り出し、直ちにガスタイトシリンジで試料から発生したガス１ｍｌを採取し、これを上記分離カラムに注入する。
５．計算
内部基準物質として使用した芳香族炭化水素化合物により、予め検量線を作製し、それぞれ各成分の濃度を求める。
６．機材
（１）ヘッドスペース条件
ヘッドスペース装置
ヒューレットパッカード社製ＨＰ７６９４「Ｈｅａｄ  Ｓｐａｃｅ  Ｓａｍｐｌｅｒ」
温度条件
トランスファーライン：２００℃
ループ温度：２００℃
サンプル量：０．８ｇ／２０ｍｌバイアル
（２）ＧＣ／ＭＳ条件
ＧＣ：ヒューレットパッカード社製ＨＰ５８９０
ＭＳ：ヒューレットパッカード社製ＨＰ５９７１
カラム：ＨＰ−６２４  ３０ｍ×０．２５ｍｍ
オーブン温度：４０℃（３分）−１５℃／分−２６０℃
測定モード：ＳＩＭ
なお、表２には得られた計算結果を下記のようにランク分けして示した。
○：残留溶媒量 ＜ １ｗｔ％
△：１ｗｔ％≦残留溶媒量＜５ｗｔ％
×：５ｗｔ％≦残留溶媒量
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子や有機薄膜太陽電池等の有機薄膜の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【０１２０】
１０ ノズル
１１ 基材
１５ 電圧印加手段
１６ 電圧印加手段
１７ 電圧印加手段
２０ エアロゾル
２１ 微粒子
２２ 付着範囲
２３ 電極部材（電界ガードリング）
２４ 電極部材（電界ガードリング）
【図１】
2013105557.tif 000007
【図２Ａ】
2013105557.tif 000008
【図２Ｂ】
2013105557.tif 000009
【図２Ｃ】
2013105557.tif 000010
【図３】
2013105557.tif 000011
【国際調査報告】
2013105557.tif 000012
2013105557.tif 000013
2013105557.tif 000014
2013105557.tif 000015