(57)【要約】  本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された第１絶縁膜と、複数の前記ソース配線を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜と、該第２絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第２絶縁膜上に設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極とを備え、平面視して複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに、断面視して前記第１絶縁膜と前記遮光膜との間に位置するシールド電極が配置されており、該シールド電極と前記遮光膜との間に第３絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
2013129200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された第１絶縁膜と、複数の前記ソース配線を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜と、該第２絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第２絶縁膜上に設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極とを備え、
平面視して複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに、断面視して前記第１絶縁膜と前記遮光膜との間に位置するシールド電極が配置されており、
該シールド電極と前記遮光膜との間に第３絶縁膜が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に、前記信号電極と重なった、前記信号電極に電気的に接続された導電膜が配置されており、
前記導電膜は、前記シールド電極と同じ面上に配置されているとともに、前記シールド電極と同一材料で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に、前記共通電極と重なった、前記共通電極に電気的に接続された導電膜が配置されており、
該導電膜は、前記シールド電極と同じ面上に配置されているとともに、前記シールド電極と同一材料で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に、前記信号電極と重なった、前記信号電極に電気的に接続された第１導電膜が配置されており、
前記第１絶縁膜と前記第３絶縁膜との間に、前記共通電極と重なった、前記共通電極に電気的に接続された第２導電膜が配置されており、
前記第１導電膜および前記第２導電膜は、前記シールド電極と同じ面上に配置されているとともに、前記シールド電極と同一材料で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されている請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２基板の前記主面上には、前記第３絶縁膜を介して前記シールド電極と対向するように補助容量配線が配置されており、
前記シールド電極は前記補助容量配線に電気的に接続されている請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に配置された液晶層とを備え、一対の基板のうち一方の基板（アレイ基板）側にゲート配線、ソース配線、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、信号電極、共通電極が配置されており、一対の基板のうち他方の基板（対向基板）側にカラーフィルタが配置されている。【０００３】
この液晶表示装置では、信号電極および共通電極が同じ面上に交互に配列しており、信号電極および共通電極に対して電圧を印加することで、信号電極および共通電極の間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の方向を制御する。この横電界によって液晶分子の方向を制御することで広視野角化が図れる。【０００４】
近年の液晶表示装置には高い表示品位が求められており、表示品位を向上させることを目的として、広視野角化に加えて高輝度化が図られている。【０００５】
これらを両立させる技術として、ブラックマトリクスオンアレイ（以下、ＢＯＡと呼ぶ）技術が存在する（特開２００６−３０１５０５号公報参照）。ＢＯＡ技術では、信号電極などが形成されたアレイ基板側にゲート配線およびソース配線を覆うように遮光膜を形成するので、遮光膜を対向基板上に配置した場合に比べて、基板同士の貼り合せの際の位置ずれマージンを設ける必要がなくなる。これによって、遮光膜の幅を小さくでき、画素の高開口率化が図れ、高輝度化を実現できる。また、ゲート配線、ソース配線、信号電極および共通電極などが形成されたアレイ基板上に遮光膜が存在することにより、広い視野角範囲で配線および電極を遮光膜で隠すことができるため、配線端および電極端での反射、散乱によるコントラストの低下を防ぐことができる。【０００６】
一方、横電界方式の液晶表示装置では、ソース配線および信号電極の間に生じるカップリング容量を通して、信号電極の電圧がソース配線の電圧変動によって変動しやすくなり、表示品位に影響を与える可能性があるという問題点があった。【０００７】
従来、この問題点に対して、ソース配線および信号電極の間の領域にシールド電極を配置することで、ソース配線の電圧の変動による信号電極への影響を抑制していた。【０００８】
しかしながら、このシールド電極を遮光膜に隣接する領域に配置した場合では、シールド電極によって光源装置からの光が遮られ、開口率が低下し、画素の高輝度化が低減する可能性があるという問題点があった。また、シールド電極を遮光膜と重ねて接触させて配置した場合では、一般的に遮光膜は完全な絶縁体として機能しにくいので、ソース配線とシールド電極との間の寄生容量が増大してしまい、ソース配線に与える負荷が大きくなる可能性があるという問題点があった。【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ソース配線の電圧変動による信号電極への影響を抑制しつつ、画素の開口率の低下およびソース配線への負荷の増加を抑制することができる液晶表示装置を提供することである。
【発明の概要】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された第１絶縁膜と、複数の前記ソース配線を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された遮光膜と、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および前記遮光膜を覆うように前記第１絶縁膜上に配置された第２絶縁膜と、該第２絶縁膜上に設けられた信号電極と、前記第２絶縁膜上に設けられた、前記信号電極との間で電界を形成するための共通電極とを備え、平面視して複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた領域に位置する前記信号電極と前記ソース配線との間に位置するとともに、断面視して前記第１絶縁膜と前記遮光膜との間に位置するシールド電極が配置されており、該シールド電極と前記遮光膜との間に第３絶縁膜が配置されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】画素における第２基板上に配置された配線、電極および遮光膜を示す平面図である。
【図４】図３のII−II線に沿った液晶表示装置の断面図である。
【図５】非表示領域における第２基板上の配線、絶縁膜およびコンタクトホールなどを示す断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図７】図６のIII−III線に沿った液晶表示装置の断面図である。
【図８】本発明の第３の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図９】図８のIV−IV線に沿った液晶表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態における液晶表示装置の要部を示す平面図である。
【図１１】図１０のＶ−Ｖ線に沿った液晶表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００１３】
液晶表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１４】
液晶パネル２では、第１基板21および第２基板22が対向配置され、第１基板21および第２基板22との間に液晶層23が配置されているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21および第２基板22を接合するシール材24が配置されている。
【００１５】
第１基板21は、表示領域ＥＤおよびこの表示領域ＥＤの外側に位置する非表示領域ＥＮを有する第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。
【００１６】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、カラーフィルタ211が配置されている。
【００１７】
カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長光のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、各画素ごとに配置されている。各カラーフィルタ211は、赤、緑および青のいずれかの色を有している。また、カラーフィルタ211は上記の色に限られず、例えば、黄色、白色などのカラーフィルタ211を配置してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００１８】
また、カラーフィルタ211上には平坦化膜、配向膜（不図示）などが配置される。
【００１９】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。なお、第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２０】
まず、図３および図４を参照して、表示領域ＥＤに重なる第２基板22の第１主面22ａ上に配置された各部材について説明する。
【００２１】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221および補助容量配線222が配置されており、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うようにゲート絶縁膜223が配置されている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224が配置されている。また、ゲート絶縁膜223上に、複数のソース配線224を覆うように第１層間絶縁膜225が配置されている。この第１層間絶縁膜225上には、シールド電極Ｓが配置されている。また、第１層間絶縁膜225上に、シールド電極Ｓを覆うように第２層間絶縁膜226が配置されている。この第２層間絶縁膜226上には遮光膜BMが配置されている。また、第１層間絶縁膜226上には遮光膜BMを覆うように平坦化膜227が配置されており、この平坦化膜227上には共通電極228および信号電極229が配置されている。
【００２２】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給されるゲート電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、ゲート配線221は第２基板22の第１主面22ａ上にＸ方向に延在している。また、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。ゲート配線221は導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２３】
ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２４】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、第２基板22の第１主面22ａ上に導電膜を形成する。この導電膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、導電膜をエッチング液でエッチングして、導電膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２５】
補助容量配線222は第２基板22の第１主面22ａに配置されている。補助容量配線222はゲート配線221と同じ面上に位置している。図３に示すように、補助容量配線222はＸ方向に延在している。また、補助容量配線222はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。
【００２６】
なお、本実施形態では、補助容量配線222がゲート配線221と同じ面上に形成されているが、これに限られない。すなわち、補助容量配線222はゲート配線221と異なる層に形成されていてもよい。
【００２７】
ゲート絶縁膜223は第１主面22ａ上にゲート配線221および補助容量配線222を覆うように配置されている。ゲート絶縁膜223は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２８】
ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極229に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース配線224は、ゲート絶縁膜223上にＸ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。なお、この実施形態では、ソース配線224は直線状に形成されているが、屈曲させて形成してもよい。
【００２９】
薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物半導体などの半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線224に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極は、ドレイン配線ＤおよびコンタクトホールＣを介して信号電極229に接続されている。
【００３０】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加されるゲート電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極229への画像信号の書き込みまたは非書き込みを制御する。
【００３１】
第１層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223上にソース配線224を覆うように配置されている。第１層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
【００３２】
シールド電極Ｓは、ソース配線224に印加される電圧から生じる電界を遮蔽する機能を有する。なお、図３において、シールド電極Ｓの形成領域は斜線（実線）で示されている（図６および図８についても同様）。
【００３３】
シールド電極Ｓは第１層間絶縁膜225上に配置されている。また、図３に示すように、シールド電極Ｓの一部はソース配線224に隣接してＹ方向に延在している。なお、実施形態では、シールド電極Ｓの延在部は直線状に形成されているが、屈曲させて形成してもよい。
【００３４】
また、シールド電極Ｓの延在部は、平面視してソース配線224と信号電極229との間に位置している。また、シールド電極Ｓは遮光膜BMの形成領域に位置している。なお、シールド電極Ｓはその少なくとも一部が遮光膜BMの形成領域に位置していればよい。
【００３５】
本実施形態のシールド電極ＳはコンタクトホールＣによって補助容量配線222に接続されている。なお、シールド電極Ｓは、補助容量配線222ではなく共通電極228に接続されていてもよい。また、シールド電極Ｓは共通電極228および補助容量配線222の両方に接続されていてもよい。また、シールド電極Ｓは、グランド電位に接続されていてもよく、その表面積を確保できればフローティングであってもよい。
【００３６】
シールド電極Ｓの材料は、導電性を有する材料によって形成される。シールド電極Ｓの材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Al-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛等の透光材料、またはアルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅等またはこれらを含む合金の不透光材料が挙げられるが、導電性を有する材料であれば、これらに限定されない。
【００３７】
第２層間絶縁膜226はシールド電極Ｓおよび遮光膜BMを電気的に絶縁する機能を有する。第２層間絶縁膜226はシールド電極Ｓを覆うように第１層間絶縁膜225上に配置されている。第２層間絶縁膜226はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
【００３８】
遮光膜BMは光を遮る機能を有する。遮光膜BMは、第２層間絶縁膜226上に配置されているとともに、ゲート配線221、補助容量配線222、ソース配線224および共通電極228の一部に重なるように位置している。また、遮光膜BMはシールド電極Ｓを覆うように形成されている。なお、遮光膜BMはシールド電極Ｓの少なくとも一部を覆うように形成させてもよい。
【００３９】
図３において、遮光膜BMの形成領域は斜線（破線）で示されている（図６および図８についても同様）。
【００４０】
遮光膜BMはゲート配線221、ソース配線224および補助容量配線222を覆うように第２基板22側に形成されているので、遮光膜BMが第１基板21側に形成されている場合に比べて、ゲート配線221、補助容量配線222およびソース配線224を精度よく遮光することができる。
【００４１】
遮光膜BMの材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料または顔料が添加された樹脂、クロムなどの金属または合金が挙げられる。
【００４２】
平坦化膜227は、第２層間絶縁膜226に遮光膜BMを覆うように配置されている。平坦化膜227は、有機材料によって形成され、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。なお、平坦化膜227の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。なお、寄生容量を低減させる観点では、平坦化膜227の膜厚を大きくするのが好ましい。
【００４３】
共通電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極229との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極228は平坦化膜227上に配置されている。共通電極228は、導電性を有する透光材料によって形成され、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００４４】
信号電極229は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極228との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極229は平坦化膜227上に配置されており、Ｘ方向に沿って配列している。また、Ｘ方向における信号電極229の両側には共通電極228が位置している。すなわち、信号電極229と共通電極228とはＸ方向に交互に配置されている。なお、この実施形態では、信号電極229を直線状に形成しているが屈曲させてもよい。信号電極229は共通電極228と同様の材料で形成してもよい。
【００４５】
信号電極229の幅は例えば２μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。信号電極229と共通電極228との間隔は例えば５μｍ〜20μｍの範囲で設定されている。
【００４６】
液晶表示装置１では、平面視して、シールド電極Ｓが信号電極229とソース配線224との間に位置しているので、シールド電極Ｓがソース配線224から生じる電界を遮蔽し、ソース配線224の電圧の変動による信号電極229の電圧への影響を低減できる。
【００４７】
加えて、このシールド電極Ｓが遮光膜BMの形成領域内に位置しているので、シールド電極Ｓによる光源装置３からの光の遮りが低減され、画素の開口率の低減を抑制できる。また、シールド電極Ｓを透光材料で形成すれば、遮光膜BMの形成領域外に位置するシールド電極Ｓの部位による遮光も低減できる。
【００４８】
さらに、液晶表示装置１では、断面視して、シールド電極Ｓと遮光膜BMとの間に第２層間絶縁膜226が配置されている。この第２層間絶縁膜226によってシールド電極Ｓと遮光膜BMとが絶縁されるので、遮光膜BMが完全な絶縁体として機能しない場合であっても、ソース配線224とシールド電極Ｓとの間の寄生容量の増大によってソース配線224へ与える負荷が大きくなることを抑制できる。
【００４９】
次に、図５を参照しながら、非表示領域ＥＮに重なる第２基板22の第１主面22ａ上の各部材について説明する。なお、図５は非表示領域ＥＮの一部を示す断面図である。また、すでに上記で説明した部材についての説明は省略する。
【００５０】
非表示領域ＥＮに重なる第２基板22の第１主面22ａ上には、第１配線導体2210が配置されている。また、第２基板22の第１主面22ａ上には、ゲート絶縁膜223が配置されている。ゲート絶縁膜223上には第２配線導体2211が配置されている。また、ゲート絶縁膜223上には、第２配線導体2211の一部を覆うように第１層間絶縁膜225が配置されている。ゲート絶縁膜223および第１層間絶縁膜225には、第１配線導体2210および第２配線導体2211を露出させる貫通孔Ｈが形成されている。この貫通孔Ｈ内には接続導体Ｔが配置されている。また、第１層間絶縁膜225上には、接続導体Ｔを覆うように第２層間絶縁膜226が配置されている。第２層間絶縁膜226上には貫通孔Ｈと重なるように遮光膜BMが配置されている。また、この遮光膜BM上には平坦化膜227が配置されており、この平坦化膜227上には第３配線導体2212が配置されている。
【００５１】
第１配線導体2210は、第２基板22の第１主面22ａに配置されている。第１配線導体2210はゲート配線221または補助容量配線222などに接続されている。第１配線導体2210はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。
【００５２】
ゲート絶縁膜223および第１層間絶縁膜225には貫通孔Ｈが形成されている。貫通孔Ｈは第１配線導体2210および第２配線導体2211上に位置しており、貫通孔Ｈによって第１配線導体2210の一部および第２配線導体2211の一部がゲート絶縁膜223および第１層間絶縁膜225から露出している。
【００５３】
第２配線導体2211はゲート絶縁膜223に配置されており、ソース配線224と同じ面上に位置している。また、第２配線導体2211は駆動ＩＣなどに接続される。第２配線導体2211はソース配線224と同様の材料で形成してもよい。
【００５４】
接続導体Ｔは第１配線導体2210および第２配線導体2211を接続する機能を有する。接続導体Ｔは貫通孔Ｈに配置されており、貫通孔Ｈ内で第１配線導体2210に接続されている。また、接続導体Ｔの一部は貫通孔Ｈの外側に配置されており、第１層間絶縁膜225上に位置している。また、接続導体Ｔの一部は第２配線導体2211上にも位置しており、この部分で第２配線導体2211と接続している。なお、接続導体Ｔはシールド電極Ｓと同じ材料で形成されている。
【００５５】
液晶表示装置１では、接続導体Ｔが配置された貫通孔Ｈが遮光膜BMの形成領域に位置している。すなわち、遮光膜BMの形成領域内で接続導体Ｔによって第１配線導体2210および第２配線導体2211が接続されている。これによって、貫通孔Ｈ内に位置する接続導体Ｔ、第１配線導体2210および第２配線導体2211は遮光膜BMから露出されないので、外光が接続導体Ｔ、第１配線導体2210および第２配線導体2211で反射し、表示領域ＥＤでの画像品質が低下することを抑制できる。
【００５６】
さらに、液晶表示装置１では、接続導体Ｔおよびシールド電極Ｓが同じ材料で形成しているので、両者を同一の成膜工程およびパターニング工程で形成でき、製造工程を簡略化できる。
【００５７】
第３配線導体2212は平坦化膜227に配置され、信号電極229および共通電極228と同じ面上に位置している。第３配線導体2212は筐体開口部または筐体開口部の外側で第２配線導体2211などと接続される。第３配線導体2212は共通電極228と同様の材料で形成してもよい。
【００５８】
次に、図２および図４を参照して、液晶層23、シール部24、光源装置３、第１偏光板24および第２偏光板25について説明する。
【００５９】
液晶層23は第１基板21と第２基板22との間に配置されている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
【００６０】
液晶表示装置１では、同じ面上に設けられた信号電極229と共通電極228とに対して電圧を印加することで、信号電極229と共通電極228との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中23の液晶分子の方向を制御する。
【００６１】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、平面視して表示領域ＥＤを取り囲むようにして第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24はエポキシ樹脂などによって形成される。
【００６２】
光源装置３は、液晶パネル２の表示領域ＥＤに向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００６３】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００６４】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００６５】
［第２の実施形態］
図６および図７は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す図である。
【００６６】
液晶表示装置１Ａは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、信号電極229と重なるように、この信号電極229と電気的に接続された第１導電膜Ｇ１が配置されている点で異なる。
【００６７】
第１導電膜Ｇ１は第１層間絶縁膜225上に配置されており、シールド電極Ｓと同じ面上に配置されている。また、第１導電膜Ｇ１は信号電極229の形成領域と重なるように位置している。また、第１導電膜Ｇ１とシールド電極Ｓとが同じ材料で形成されている。
【００６８】
第１導電膜Ｇ１は信号電極229に電気的に接続されており、具体的には、信号電極229と第１導電膜Ｇ１とはコンタクトホールＣを介して接続される。
【００６９】
液晶表示装置１Ａでは、平面視して、第１導電膜Ｇ１が、信号電極229の下層であって信号電極229の形成領域に形成されている。これによって、信号電極229の下層に位置する第１導電膜Ｇ１から信号電極229の両側に位置する共通電極228に向けて電気力線が発生する。この電気力線によって、白表示の際に表示領域ＥＤが人の指などによって押圧された場合でも、信号電極229および共通電極228の間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。
【００７０】
また、液晶表示装置１Ａでは、第１導電膜Ｇ１およびシールド電極Ｓが同じ材料で形成されている。これによって、第１導電膜Ｇ１とシールド電極Ｓとを同じの成膜工程およびパターニング工程で形成できるので、液晶表示装置１Ａの製造工程を簡略化できる。
【００７１】
［第３の実施形態］
図８および図９は、第３の実施形態における液晶表示装置１Ｂの要部を示す図である。
【００７２】
液晶表示装置１Ｂは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、下記の点が異なる。
【００７３】
液晶表示装置１Ｂでは、１個の画素において、複数の信号電極229を形成し、各信号電極229のＸ方向の両側に共通電極228を形成して画素の分割数をさらに増加させている。
【００７４】
また、液晶表示装置１Ｂでは第１層間絶縁膜225上に第２導電膜Ｇ２が配置されている。
【００７５】
第２導電膜Ｇ２は、共通電極228の形成領域に重なるように位置しており、共通電極228に電気的に接続されている。具体的には、共通電極228と第２導電膜Ｇ２とはコンタクトホールＣを介して接続される。さらに、コンタクトホールＣを介して、第２導電膜Ｇ２を補助容量配線222と接続させてもよい。
【００７６】
シールド電極ＳはコンタクトホールＣを介して共通電極228と接続されている。さらに、コンタクトホールＣを介してシールド電極Ｓは補助容量配線222と接続されていてもよい。
【００７７】
液晶表示装置１Ｃでは、平面視して、第２導電膜Ｇ２が、共通電極228の下層であって共通電極228の形成領域に形成されている。これによって、共通電極228の下層に位置する第２導電膜Ｇ２から共通電極228の両側に位置する信号電極229に向けて電気力線が発生する。この電気力線によって、白表示の際に表示領域ＥＤが人の指などによって押圧された場合でも、信号電極229と共通電極228との間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。
【００７８】
また、シールド電極Ｓが共通電極228に接続されていることでシールド電極Ｓを第２導電膜Ｇ２として兼用できるので、信号電極229とシールド電極Ｓとの間で電界を発生させることができ、この電界によって液晶層23の液晶分子を制御することができるとともに、液晶表示装置１Ｃの部品点数を削減することができる。
【００７９】
また、液晶表示装置１Ｃでは、第２導電膜Ｇ２およびシールド電極Ｓが同じ材料で形成されている。これによって、第２導電膜Ｇ２およびシールド電極Ｓを同じ成膜工程およびパターニング工程で形成できるので、液晶表示装置１Ｃの製造工程を簡略化できる。
【００８０】
［第４の実施形態］
図10および図11は、第４の実施形態における液晶表示装置１Ｃの要部を示す図である。
【００８１】
液晶表示装置１Ｃは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、下記の点が異なる。
【００８２】
液晶表示装置１Ｃでは、１個の画素において、複数の信号電極229を形成し、各信号電極229のＸ方向の両側に共通電極228を形成して画素の分割数をさらに増加させている。
【００８３】
また、液晶表示装置１Ｃでは、第１層間絶縁膜225上に第１導電膜Ｇ１および第２導電膜Ｇ２が設けられている。
【００８４】
第１導電膜Ｇ１は、信号電極229の形成領域に重なるように位置しており、信号電極229に電気的に接続されている。具体的には、信号電極229と第１導電膜Ｇ１とはコンタクトホールＣを介して接続される。
【００８５】
第２導電膜Ｇ２は、共通電極228の形成領域に重なるように位置しており、共通電極228に電気的に接続されている。具体的には、共通電極228と第２導電膜Ｇ２とはコンタクトホールＣを介して接続される。さらに、コンタクトホールＣを介して、第２導電膜Ｇ２を補助容量配線222と接続させてもよい。
【００８６】
シールド電極ＳはコンタクトホールＣを介して共通電極228と接続されている。さらに、シールド電極ＳはコンタクトホールＣを介して補助容量配線222と接続されていてもよい。
【００８７】
液晶表示装置１Ｃでは、第１層間絶縁膜225上に、第１導電膜Ｇ１が配置されている。これによって、第１導電膜Ｇ１から信号電極229の両側に位置する共通電極228に向けて電気力線が発生する。この電気力線によって、白表示の際に表示領域ＥＤが人の指などによって押圧された場合でも、信号電極229と共通電極228との間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減され、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。
【００８８】
また、第１導電膜Ｇ１と同じ面上に形成された第２導電膜Ｇ２が第１導電膜Ｇ１のＸ方向の一方側に配置されているとともに、第１導電膜Ｇ１と同じ面上に形成されたシールド電極Ｓが第１導電膜Ｇ１のＸ方向の他方側に配置されている。すなわち、シールド電極Ｓが共通電極228に接続されていることでシールド電極Ｓを第２導電膜Ｇ２として兼用できる。これによって、信号電極229と第２導電膜Ｇ２との間および信号電極229とシールド電極Ｓとの間で電界を発生させることができるので、この電界によって液晶層23の液晶分子を制御することができるとともに、液晶表示装置１Ｃの部品点数を削減できる。
【００８９】
また、液晶表示装置１Ｃでは、第１導電膜Ｇ１、第２導電膜Ｇ２およびシールド電極Ｓが同じ材料で形成されている。これによって、第１導電膜Ｇ１、第２導電膜Ｇ２およびシールド電極Ｓを同じ成膜工程およびパターニング工程で形成できるので、液晶表示装置１Ｂの製造工程を簡略化できる。
【００９０】
本発明は上記の第１〜第４の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  液晶表示装置
２  液晶パネル
ＥＤ  表示領域
ＥＮ  非表示領域
21  第１基板
21ａ  第１主面
21ｂ  第２主面（主面）
211  カラーフィルタ
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
222  補助容量配線
223  ゲート絶縁膜
224  ソース配線
225  第１層間絶縁膜（第１絶縁膜）
226  第２層間絶縁膜（第３絶縁膜）
227  平坦化膜（第２絶縁膜）
228  共通電極
229  信号電極
2210  第１配線導体
2211  第２配線導体
2212  第３配線導体
TFT  薄膜トランジスタ
Ｓ  シールド電極
BM  遮光膜
Ｄ  ドレイン配線
Ｇ１  第１導電膜
Ｇ２  第２導電膜
Ｃ  コンタクトホール
Ｈ  貫通孔
Ｔ  接続導体
23  液晶層
24  シール材
４  第１偏光板
５  第２偏光板
３  光源装置
31  光源
32  導光板
【図１】
2013129200.tif 000003
【図２】
2013129200.tif 000004
【図３】
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【図４】
2013129200.tif 000006
【図５】
2013129200.tif 000007
【図６】
2013129200.tif 000008
【図７】
2013129200.tif 000009
【図８】
2013129200.tif 000010
【図９】
2013129200.tif 000011
【図１０】
2013129200.tif 000012
【図１１】
2013129200.tif 000013
【国際調査報告】
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2013129200.tif 000015
2013129200.tif 000016
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