(57)【要約】  誘電体層の積層体に設けられた外部接続端子として、ポート電極（ＰＭａｎ１，ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）を備える。ポート電極（ＰＭａｎ１）は、アンテナ（ＡＮＴ１）に接続している。ポート電極（ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）は、それぞれ周波数帯域に応じた通信システムに接続している。ポート電極（ＰＭａｎ１）と、ポート電極（ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２）とは、スイッチ素子（ＳＷ１−ＳＷ５）で接続している。そして、スイッチ素子（ＳＷ１，ＳＷ２）と、スイッチ素子（ＳＷ３−ＳＷ５）とは、スイッチ回路（ＳＷＩＣ）内において非接続状態で、かつ、スイッチ回路（ＳＷＩＣ）の外部の共通端子（Ｓ１）で接続可能としている。これにより、設計変更を行ってもスイッチ回路を変更することなく同じスイッチ回路で対応することが可能な高周波モジュールを提供する。
2013002088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を積層してなる積層体と、
該積層体に設けられ、信号を入出力する外部入出力端子と、
前記積層体に設けられ、前記外部入出力端子から入力された信号を出力し、又は、前記外部入出力端子から出力する信号を入力する少なくとも二つの外部接続端子と、
前記外部入出力端子及び一方の前記外部接続端子のそれぞれに接続している第１スイッチ素子、及び該第１スイッチ素子と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、他方の前記外部接続端子に接続している第２スイッチ素子を有し、前記積層体の表面に実装されたスイッチ回路と、
を備え、
前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子に対し、自身の内部で非接続状態で、かつ、自身の外部で導通可能な一又は複数の第３スイッチ素子をさらに有する、
高周波モジュール。
【請求項２】
前記外部入出力端子は、
アンテナに接続されるアンテナ端子であって、
前記外部接続端子は、
前記アンテナを介した通信を行う通信システムに接続される端子である、
請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記外部入出力端子は、
第１周波数帯域に対応するアンテナに接続される第１アンテナ端子、及び、
第２周波数帯域に対応するアンテナに接続される第２アンテナ端子、
を有し、
前記外部接続端子は、
第１周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第１出力端子、
第１周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第１入力端子、
第２周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第２出力端子、及び、
第２周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第２入力端子、
を有し、
前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子をそれぞれ二つ有し、
前記第１スイッチ素子の一方は、前記第１アンテナ端子及び前記第１出力端子に接続し、
前記第１スイッチ素子の他方は、前記第２アンテナ端子及び前記第２出力端子に接続し、
前記第２スイッチ素子の一方は、前記第１スイッチ素子の一方と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、前記第１入力端子に接続し、
前記第２スイッチ素子の他方は、該第１スイッチ素子の他方と前記第２アンテナ端子側で接続し、かつ、前記第２入力端子に接続している、
請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記積層体に形成されたグランド導体
をさらに備え、
前記第３スイッチ素子は、前記グランド導体に接続している、
請求項１から３の何れか一つに記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記第３スイッチ素子は、前記積層体の表面および／または内部に形成された配線電極を介して前記第１スイッチ素子および前記第２スイッチ素子に接続される、請求項１から４の何れか一つに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマルチバンド通信において、共通のアンテナで複数の周波数帯域での通信を可能にする高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話機等の情報通信機器等は、一台で複数の周波数帯域（マルチバンド）を利用することができる機能を有しているものが多くなっている。このような機能を搭載した通信機器では、複数の周波数帯域に対応させるために、例えば、分波器等の複数の回路素子を一つの高周波回路の多層基板に実装している。この場合、多層基板に複数の回路素子を実装すると、多層基板が大型化する。このため、例えば、周波数帯域毎に複数のアンテナを用いず、複数の周波数帯域に対し共通アンテナを用いることで、多層基板に実装する回路素子を減少させ、大型化を抑制するモジュール等が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
図１は特許文献1に記載のスイッチモジュールの模式図である。特許文献1に記載のスイッチモジュールは、マルチポートデバイス（ＳＰｎＴ（単入力多出力））スイッチとしてのＦＥＴスイッチ回路１００を備えている。ＦＥＴスイッチ回路１００は、通信システムの送受信信号が通過する伝送経路を切り替えるスイッチであって、共通アンテナ１１０に接続される端子Ａと、周波数帯域毎に対応するフィルタ回路１０１〜１０５または分波器１０６に接続する端子Ｂ〜Ｆの何れかとを接続する。これにより、特許文献１では、共通のアンテナで、複数の周波数帯域での通信を可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７１４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１において、外部と接続する端子数が異なるような設計変更を行うと、それに合わせてＦＥＴスイッチ回路を変更し、又はＦＥＴスイッチ回路を増設する必要があり、特許文献１では、容易に設計変更できないという問題がある。【０００６】
そこで、本発明の目的は、設計変更を行ってもスイッチ回路を変更することなく同じスイッチ回路で対応することが可能な高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る高周波モジュールは、誘電体層を積層してなる積層体と、該積層体に設けられ、信号を入出力する外部入出力端子と、前記積層体に設けられ、前記外部入出力端子から入力された信号を出力し、又は、前記外部入出力端子から出力する信号を入力する少なくとも二つの外部接続端子と、前記外部入出力端子及び一方の前記外部接続端子のそれぞれに接続している第１スイッチ素子、及び該第１スイッチ素子と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、他方の前記外部接続端子に接続している第２スイッチ素子を有し、前記積層体の表面に実装されたスイッチ回路と、を備え、前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子に対し、自身の内部で非接続状態で、かつ、自身の外部で導通可能な一又は複数の第３スイッチ素子をさらに有する。【０００８】
この構成では、スイッチ回路は、第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子に対して非接続状態で、かつ、外部で導通可能な第３スイッチ素子を有しているため、高周波モジュールが外部入出力端子及び外部接続端子以外にさらに別の外部端子を有している場合であっても、同じスイッチ回路で対応することができる。例えば、高周波モジュールが外部入出力端子から入力された信号を出力する外部出力端子を有している場合、第３スイッチ素子を外部入出力端子及び外部出力端子に接続すれば、外部入出力端子の接続先を、外部接続端子又は外部出力端子の何れかに切り替えることができる。【０００９】
このように、第３スイッチ素子の存在個数内であれば、高周波モジュールの端子の数に関係なく、スイッチ回路の種類の変更又はスイッチ回路の実装数の増加等によるコストの高騰などの問題が生ずることなく、高周波モジュールの設計変更を容易に行うことができる。【００１０】
本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記外部入出力端子は、アンテナに接続されるアンテナ端子であって、前記外部接続端子は、前記アンテナを介した通信を行う通信システムに接続される端子である、構成でもよい。【００１１】
この構成では、アンテナと通信システムとの間を接続又は切断するスイッチモジュールとして高周波モジュールを用いることができる。【００１２】
本発明に係る高周波モジュールにおいて、前記外部入出力端子は、第１周波数帯域に対応するアンテナに接続される第１アンテナ端子、及び、第２周波数帯域に対応するアンテナに接続される第２アンテナ端子、を有し、前記外部接続端子は、第１周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第１出力端子、第１周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第１入力端子、第２周波数帯域に対応する通信システムへの信号出力用の第２出力端子、及び、第２周波数帯域に対応する通信システムからの信号入力用の第２入力端子、を有し、前記スイッチ回路は、前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子をそれぞれ二つ有し、前記第１スイッチ素子の一方は、前記第１アンテナ端子及び前記第１出力端子に接続し、前記第１スイッチ素子の他方は、前記第２アンテナ端子及び前記第２出力端子に接続し、前記第２スイッチ素子の一方は、前記第１スイッチ素子の一方と前記外部入出力端子側で接続し、かつ、前記第１入力端子に接続し、前記第２スイッチ素子の他方は、該第１スイッチ素子の他方と前記第２アンテナ端子側で接続し、かつ、前記第２入力端子に接続している、構成が好ましい。【００１３】
この構成では、高周波モジュールを、マルチバンド通信における高周波スイッチモジュールとすることができる。そして、第３スイッチ素子は、第１周波数帯域又は第２周波数帯域の何れの通信に対しても使用することができるため、設計変更が容易となる。【００１４】
本発明に係る高周波モジュールは、前記積層体に形成されたグランド導体をさらに備え、前記第３スイッチ素子は、前記グランド導体に接続している構成でもよい。【００１５】
この構成では、スイッチ回路の第３スイッチ素子の端子が接地されることで、不要な反射等の影響を抑制することができる。【００１６】
本発明に係る高周波モジュールは、前記第３スイッチ素子は、前記積層体の表面および／または内部に形成された配線電極を介して前記第１スイッチ素子および前記第２スイッチ素子に接続される構成でもよい。【００１７】
この構成では、第３スイッチ素子が第１スイッチ素子及び第２スイッチ素子と接続することで、信号経路を変更することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、第３スイッチ素子の存在個数内であれば、高周波モジュールの端子の数に関係なく、スイッチ回路の種類の変更又はスイッチ回路の実装数の増加等によるコストの高騰などの問題が生ずることなく、高周波モジュールの設計変更を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】特許文献1に記載のスイッチモジュールの模式図
【図２】実施形態に係る高周波モジュールに用いるスイッチ回路の構成を模式的に示す図
【図３】実施形態に係る高周波モジュールの回路構成を模式的に示す図
【図４】実施形態の高周波モジュールの積み図
【図５】実施形態の高周波モジュールの積み図
【図６】ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図
【図７】ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図
【図８】ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図
【図９】ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明に係る高周波モジュールの好適な実施形態について図面を参照して説明する。以下に説明する実施形態では、ＧＳＭ（登録商標）（Global System for Mobile Communications）８５０の通信信号、ＧＳＭ９００の通信信号、ＧＳＭ１８００の通信信号、ＧＳＭ１９００の通信信号、Ｗ−ＣＤＭＡ（Wideband Code Division Multiple Access）通信システムのバンドクラスＢａｎｄ１（周波数帯域２ＧＨｚ），Ｂａｎｄ２（周波数帯域１ＧＨｚ），Ｂａｎｄ５（周波数帯域８００ＭＨｚ），Ｂａｎｄ８（周波数帯域９００ＭＨｚ）の通信信号の送受信の送受信を行う高周波モジュールについて説明する。
【００２１】
図２は実施形態に係る高周波モジュールに用いるスイッチ回路の構成を模式的に示す図である。図３は実施形態に係る高周波モジュールの回路構成を模式的に示す図である。
【００２２】
高周波モジュール１０は、ハイバンド（第１周波数帯域）およびローバンド（第２周波数帯域）のマルチバンド通信を可能とするための高周波スイッチモジュールである。本実施形態では、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）をハイバンド、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）をローバンドとする。
【００２３】
高周波モジュール１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣを備えている。高周波モジュール１０は、誘電体層が積層された積層体（不図示）を備えており、スイッチ回路ＳＷＩＣは、積層体の表面に実装されている。このスイッチ回路ＳＷＩＣは、図２に示すように、１０個のスイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０を備えている。
【００２４】
スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０は、例えばＦＥＴ（Field effect transistor）スイッチである。スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ５はハイバンド用のスイッチ、スイッチ素子ＳＷ６−ＳＷ１０はローバンド用のスイッチである。各スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０は、外部接続用端子に接続し、それぞれの端子間を電気的に接続し、又は切断する。
【００２５】
なお、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０の種別は、ＦＥＴスイッチでなく、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）スイッチ、ダイオードスイッチ等、高周波スイッチとして用いられるものであれば、適宜変更可能である。
【００２６】
ハイバンド用のスイッチ素子（第１スイッチ素子）ＳＷ１は、一方の端子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｒＨ１に接続している。共通端子Ｓ１は、ＥＳＤ（Electro-Static Discharge）回路を兼ねるアンテナ側整合回路１１Ａを介してポート電極（第１アンテナ端子）ＰＭａｎ１に接続している。ポート電極（第１出力端子）ＰＭａｎ１は、ハイバンド用の外部のアンテナＡＮＴ１に接続している。ポート電極ＰＭｒＨ１は、ＧＳＭ１８００の受信信号を外部（通信システム）へ出力するポートである。
【００２７】
ハイバンド用のスイッチ素子（第２スイッチ素子）ＳＷ２は、一方の端子が、共通端子Ｓ１に接続しているスイッチ素子ＳＷ１の一方の端子に対しスイッチ回路ＳＷＩＣ内で接続し、他方の端子がポート電極（第１出力端子）ＰＭｒＨ２に接続している。すなわち、スイッチ素子ＳＷ２の一方の端子は、スイッチ素子ＳＷ１と同様、共通端子Ｓ１からアンテナ側整合回路１１Ａを介してポート電極ＰＭａｎ１に接続している。ポート電極ＰＭｒＨ２は、ＧＳＭ１９００の受信信号を外部（通信システム）へ出力するポートである。
【００２８】
ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ３は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子が、送信フィルタ１２Ａを介してポート電極（第１入力端子）ＰＭｔＨに接続している。ポート電極ＰＭｔＨは、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号が外部（通信システム）から入力されるポートである。また、送信フィルタ１２Ａは、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ１８００又はＧＳＭ１９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。
【００２９】
ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ４は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ１に接続している。ポート電極ＰＭｃ１は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
【００３０】
ハイバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ５は、一方の端子が共通端子Ｓ１に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ２に接続している。ポート電極ＰＭｃ２は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
【００３１】
ローバンド用のスイッチ素子（第１スイッチ素子）ＳＷ６は、一方の端子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ２に接続し、ポート電極（第２出力端子）ＰＭｒＬ１に接続している。共通端子Ｓ２は、ＥＳＤ回路を兼ねるアンテナ側整合回路１１Ｂを介してポート電極（第２アンテナ端子）ＰＭａｎ２に接続している。ポート電極ＰＭａｎ２は、ローバンド用の外部のアンテナＡＮＴ２に接続している。ポート電極ＰＭｒＬ１は、ＧＳＭ８５０の受信信号を外部へ出力するポートである。
【００３２】
ローバンド用のスイッチ素子（第２スイッチ素子）ＳＷ７は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極（第２出力端子）ＰＭｒＬ２に接続している。すなわち、スイッチ素子ＳＷ７の一方の端子は、スイッチ素子ＳＷ６と同様、共通端子Ｓ２からアンテナ側整合回路１１Ｂを介してポート電極ＰＭａｎ２に接続している。ポート電極ＰＭｒＬ２は、ＧＳＭ９００の受信信号を外部へ出力するポートである。
【００３３】
ローバンド用のスイッチ素子（第３スイッチ素子）ＳＷ８は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子が送信フィルタ１２Ｂを介してポート電極（第２入力端子）ＰＭｔＬに接続している。ポート電極ＰＭｔＬは、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号が外部から入力されるポートである。また、送信フィルタ１２Ｂは、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号の２倍高調波および３倍高調波を減衰させ、ＧＳＭ８５０又はＧＳＭ９００の送信信号の使用周波数帯域を通過帯域とするフィルタ回路である。
【００３４】
ローバンド用のスイッチ素子ＳＷ９は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ３に接続している。ポート電極ＰＭｃ３は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
【００３５】
ローバンド用のスイッチ素子ＳＷ１０は、一方の端子が共通端子Ｓ２に接続し、他方の端子がポート電極ＰＭｃ４に接続している。ポート電極ＰＭｃ４は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。
【００３６】
以上のように、スイッチ回路ＳＷＩＣのスイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８−ＳＷ１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内において、それぞれが非接続状態で独立し、スイッチ回路ＳＷＩＣの外部から接続可能に設けられ、スイッチ回路ＳＷＩＣの外部にある共通端子Ｓ１，Ｓ２で接続するようになっている。すなわち、高周波モジュール１０の形成時においてスイッチ回路ＳＷＩＣを用いる場合、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５，ＳＷ８−ＳＷ１０に対して接続する信号経路（後述のパターン電極）を適宜変更することができる。
【００３７】
例えば、図３では、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５はハイバンド用のスイッチとし、共通端子Ｓ１に接続しているが、ローバンド用のスイッチとして用いる場合、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５を、共通端子Ｓ２に接続するようにすればよい。また、さらに別の周波数帯域のアンテナ、及びその周波数帯域の通信システムに接続するポート電極を設けた場合、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５をそのアンテナと、対応するポート電極とに接続すればよい。このように、高周波モジュール１０の設計変更をした場合であっても、積層体に形成する信号経路を変更すればよく、スイッチ回路ＳＷＩＣを別のスイッチ回路に変更する必要がなくなる。
【００３８】
なお、スイッチ回路ＳＷＩＣは、グランドＧＮＤに接続するためのグランド用端子ＰＧを備えている。グランド用端子ＰＧは、高周波モジュール１０の外部接続用のグランドポート電極ＰＭＧに接続している。また、スイッチ回路ＳＷＩＣは、駆動用の電圧、および制御用の電圧を印加するための電圧印加用端子ＰＶを備えている。電圧印加用端子ＰＶは、高周波モジュール１０の外部接続用の電源系および制御系のポート電極ＰＭＶに接続している。スイッチ回路ＳＷＩＣは、制御用の電圧を印加するための電圧印加用端子ＰＶにそれぞれ印加される制御電圧の組み合わせにより、各スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０それぞれをオンオフ制御する。
【００３９】
図４および図５は、本実施形態の高周波モジュール１０の積み図である。なお、図４および図５は積層体の各誘電体層を底面側から見た電極パターンを示している。
【００４０】
積層体は、１６層の誘電体層を積層してなり、各誘電体層には高周波モジュール１０を構成するための所定の電極パターンが形成されるとともに、層間を接続するビア電極が形成されている。ビア電極は、図４および図５の各層に示す丸印で表されている。なお、以下では、最上層を第１層ＰＬ１として、下層側になるほど数値が増加し、最下層を第１６層ＰＬ１６として説明する。
【００４１】
最上層にある第１層ＰＬ１の天面、すなわち積層体の天面には、上述のように、各回路素子を実装するための素子実装用電極が形成されている。なお、図４では、スイッチ回路ＳＷＩＣおよびアンテナ側整合回路１１Ａ，１１Ｂを示している。
【００４２】
第２層ＰＬ２には引き回しパターン電極が形成されている。第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ６の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。なお、この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ａの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、後述する第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
【００４３】
なお、スイッチ素子ＳＷ２は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内でスイッチ素子ＳＷ１と接続しているため、第１層ＰＬおよび第２層ＰＬ２にはビア電極は存在しない。
【００４４】
また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ７−ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。なお、この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
【００４５】
なお、スイッチ素子ＳＷ７は、スイッチ回路ＳＷＩＣ内でスイッチ素子ＳＷ６と接続しているため、第１層ＰＬおよび第２層ＰＬ２にはビア電極は存在しない。
【００４６】
第３層ＰＬ３には引き回しパターン電極が形成されている。第４層ＰＬ４には、グランド電極ＧＮＤが形成されている。第５層ＰＬ５から第１５層ＰＬ１５には送信フィルタ１２Ａ、１２Ｂを構成するパターン電極やビア電極、引き回し電極、グランド電極等が形成されている。
【００４７】
最下層である第１６層ＰＬ１６には、すなわち積層体の底面には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図５に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２，ＰＭｒＬ１、ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
【００４８】
また、第１６層ＰＬ１６には、ポート電極ＰＭｔＨが形成されており、他層に送信フィルタ１２Ａを構成するパターン電極を介して、スイッチ素子ＳＷ３に接続している。さらに、第１６層ＰＬ１６には、ポート電極ＰＭｔＬが形成されており、他層に送信フィルタ１２Ｂを構成するパターン電極を介して、スイッチ素子ＳＷ８に接続している。
【００４９】
以上のように、本実施形態に係る高周波モジュール１０において、スイッチ回路ＳＷＩＣの各スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０は、５つのハイバンド用および５つのローバンド用に分類されて使用されている。スイッチ回路ＳＷＩＣのスイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８−１０は、それぞれが非接続に独立して設けられ、かつ、これら各スイッチ素子がスイッチ回路ＳＷＩＣの外部（共通端子Ｓ１，Ｓ２等）で接続可能としているため、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８−１０の使用目的を自由に変更することができる。
【００５０】
例えば、本実施形態では、ハイバンド及びローバンドそれぞれの送受信端子が５個ずつであるため、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ５をスイッチ回路ＳＷＩＣの外部の共通端子Ｓ１に接続し、スイッチ素子ＳＷ６−ＳＷ１０をスイッチ回路ＳＷＩＣの外部の共通端子Ｓ２に接続している。これに対して、ハイバンドの送受信端子が６個（又は４個）、ローバンドの送受信端子が４個（又は６個）とした場合、積層体の信号経路の設計を変更すれば、同じスイッチ回路ＳＷＩＣを用いて、別の高周波モジュールを形成できる。
【００５１】
図６及び図７は、ハイバンドの送受信端子が６個、ローバンドの送受信端子が４つとした場合の高周波モジュールの積み図である。この場合、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ６がハイバンド用、スイッチ素子ＳＷ７−ＳＷ１０がローバンド用のスイッチとして用いられる。
【００５２】
図６及び図７では、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）をローバンド、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ２）、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ４）をハイバンドとする。
【００５３】
第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ６の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
【００５４】
また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ７−ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
【００５５】
最下層である第１６層ＰＬ１６には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図７に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｃ２，ＰＭｃ５，ＰＭｒＬ１、ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。ポート電極ＰＭｃ５は、ＴＤ−ＳＣＤＭＡの送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
【００５６】
なお、図３と同様に、スイッチ素子ＳＷ３は、ポート電極ＰＭｔＨに接続し、スイッチ素子ＳＷ８は、ポート電極ＰＭｔＬに接続している。
【００５７】
このようにパターン電極を形成することにより、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ６は、ハイバンド用のスイッチとして用いることができ、また、スイッチ素子ＳＷ７−ＳＷ１０は、ローバンド用のスイッチとして用いることができる。
【００５８】
図８及び図９は、ハイバンドの送受信端子が４個、ローバンドの送受信端子が６個とした場合の高周波モジュールの積み図である。この場合、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ４がハイバンド用、スイッチ素子ＳＷ５−ＳＷ１０がローバンド用のスイッチとして用いられる。
【００５９】
図８及び図９では、ＧＳＭ８５０、ＧＳＭ９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ５）、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ８）、周波数帯域が１．７ＧＨｚのＷ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１３）をローバンド、ＧＳＭ１８００、ＧＳＭ１９００、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ１）をハイバンドとする。
【００６０】
図８及び図９の場合、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ４の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ１に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ａの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ１に接続している。
【００６１】
また、第２層ＰＬ２では、スイッチ素子ＳＷ５−ＳＷ１０の一方の端子は、同じ電極パターンで共通端子Ｓ２に接続している。この電極パターンは、アンテナ側整合回路１１Ｂの一端子に接続している。アンテナ側整合回路１１Ｂの他端子は、引き回しパターン電極から他層のビア電極を介して、第１６層ＰＬ１６に配列形成されたポート電極の一つであるポート電極ＰＭａｎ２に接続している。
【００６２】
最下層である第１６層ＰＬ１６には、外部接続用のポート電極が配列形成されている。図９に示すように、第１６層ＰＬ１６の側辺（図中上側の辺）には、ポート電極ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｃ１，ＰＭｒＬ１，ＰＭｒＬ２，ＰＭｃ６，ＰＭｃ３，ＰＭｃ４が配列形成されている。ポート電極ＰＭｃ６は、Ｗ−ＣＤＭＡ（Ｂａｎｄ９）の送信信号を外部へ出力し、受信信号を外部から入力するポートである。これら各ポート電極は、他層のビア電極を介して、スイッチ素子ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６，ＳＷ７，ＳＷ９，ＳＷ１０に接続している。
【００６３】
なお、図３と同様に、スイッチ素子ＳＷ３は、ポート電極ＰＭｔＨに接続し、スイッチ素子ＳＷ８は、ポート電極ＰＭｔＬに接続している。
【００６４】
このようにパターン電極を形成することにより、スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ４は、ハイバンド用のスイッチとして用いることができ、また、スイッチ素子ＳＷ５−ＳＷ１０は、ローバンド用のスイッチとして用いることができる。
【００６５】
なお、上述の実施形態に係る高周波モジュール１０は、スイッチ回路ＳＷＩＣの各スイッチ素子ＳＷ１−ＳＷ１０をそれぞれポート電極に接続する構成としているが、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５又はスイッチ素子ＳＷ８−ＳＷ１０は、ポート電極に接続しない構成でもよい。例えば、ハイバンド用の送受信端子が４個、ローバンド用の送受信端子が４個必要とする場合、スイッチ回路ＳＷＩＣの二つのスイッチ素子は未使用とする構成でもよい。
【００６６】
また、未使用とするスイッチ素子は、端子をグランド電極（例えば、第４層ＰＬ４のグランド電極ＧＮＤ）に接続する構成としてもよいし、他の回路、例えば、パワーアンプの切り替え用スイッチとして利用するようにしてもよい。
【００６７】
なお、高周波モジュール１０の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
【００６８】
例えば、上述の実施形態では、スイッチ回路ＳＷＩＣは、１０個のスイッチ素子を有し、スイッチ素子ＳＷ３−ＳＷ５およびスイッチ素子ＳＷ８−ＳＷ１０が、スイッチ回路ＳＷＩＣ内において非接続で独立した構成としているが、これに限定されない。全てのスイッチ素子がスイッチ回路ＳＷＩＣ内で非接続であってもよい。また、スイッチ素子の数は適宜変更可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０−高周波モジュール
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２−アンテナ
ＳＷＩＣ−スイッチ回路
ＳＷ１，ＳＷ６−スイッチ素子（第１スイッチ素子）
ＳＷ２，ＳＷ７−スイッチ素子（第２スイッチ素子）
ＳＷ３−ＳＷ５，ＳＷ８−ＳＷ１０−スイッチ素子（第３スイッチ素子）
ＰＭａｎ１，ＰＭａｎ２−ポート電極（外部入出力端子）
ＰＭｒＨ１，ＰＭｒＨ２，ＰＭｔＨ，ＰＭｒＬ１，ＰＭｒＬ２，ＰＭｔＬ−ポート電極（外部接続端子）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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