(57)【要約】  基板１１０と、基板１１０上に形成された第１電極１２０、第１電極１２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層１４０、有機化合物層１４０上に形成された第２電極１５０を含む少なくとも１個の有機発光素子１０と、有機発光素子１０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて基板１１０に接着され、有機発光素子１０を基板１１０とともに外気から封止する封止部材１６０と、を有し、封止部材１６０は少なくとも１個の導電部１６１を備え、導電部１６１は、基板１１０と封止部材１６０との間に挟まれた封止空間の内側から接着領域Ｃの外側にかけて延在し、且つ、導電部１６１は、発光領域Ａと接着領域Ｃの間の領域および隣接する２個の有機発光素子１０の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域Ｂにおいて第２電極１５０と電気的に接続し、有機発光素子１０の第２電極１５０は、接続領域Ｂにおいて第２電極１５０の導電部１６１と対向する面が凹凸構造を有している発光装置１は、接着領域Ｃの接着強度の低下及び発光領域Ａの発光効率の低下が抑制されている。
2013146350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極に接して形成された発光層を含む有機化合物層、当該有機化合物層上に形成された第２電極を含む少なくとも１個の有機発光素子と、
前記有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において前記基板に接着され、当該有機発光素子を当該基板とともに外気から封止する封止部材と、を有し、
前記封止部材は少なくとも１個の導電部を備え、
前記導電部は、前記基板と前記封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在し、
且つ、前記導電部は、前記発光領域と前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域において前記第２電極と電気的に接続し、
前記有機発光素子の前記第２電極は、前記接続領域において当該第２電極の前記導電部と対向する面が凹凸構造を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記接続領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記接続領域において、前記導電部及び前記第２電極とは異なる材料からなる導電性部材を介し、当該導電部と当該第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記導電部と前記第２電極とは、前記接続領域のみにおいて電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記接着領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記有機発光素子の前記第１電極の上面および前記接続領域における前記基板上に形成された誘電体層をさらに有し、当該誘電体層には、少なくとも当該誘電体層を貫通する複数の貫通部が設けられ、前記有機化合物層は、当該貫通部内の当該第１電極に接するように形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記誘電体層の前記貫通部は、当該誘電体層の任意の１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記接続領域において、前記導電部の前記基板と対向する面が凹凸構造を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記有機発光素子における前記第１電極上に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
基板上に形成された少なくとも１個の有機発光素子と、当該有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において当該基板に接着される封止部材からなり、当該発光領域と当該接着領域の間及び隣接する有機発光素子の間の領域の一部に、当該有機発光素子と当該封止部材の内側に形成された導電部とを電気的に接続する接続領域を有する発光装置の製造方法であって、
前記基板上に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に誘電体層を形成する工程と、
少なくとも前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、
前記誘電体層の前記貫通部内の前記第１電極に接するように発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、
前記接続領域に誘電体層を形成する工程と、
前記接続領域の前記誘電体層に複数の凹部を設ける工程と、
前記有機化合物層上および前記接続領域に延在して第２電極を形成する工程と、
前記有機発光素子を含む発光領域が形成された前記基板と、当該発光領域を外気から封止する封止部材を、前記接着領域において接着する工程と、
前記封止部材に、前記基板と当該封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在して前記導電部を形成する工程と、
前記導電部を、前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた前記接続領域で、前記第２電極と電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第１電極上及び前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、
前記第１電極上及び前記接続領域に形成された前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は、自発光や低消費電力等の優れた特徴を有し、近年、ドットマトリクスディスプレイや照明装置等への応用が期待されている。有機発光素子は、一般的に、陽極と陰極との間に、発光材料を含む有機化合物を薄膜状に形成した発光層を挟む構造をしている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、発光層内で正孔と電子を再結合させることによって発光材料を励起させ、発光させている。【０００３】
有機発光素子を用いる発光装置は、通常、基板上に下部電極、及び上下の電極を外部に接続するための配線及び電極端子等の導電性材料からなる導電パターンを形成し、次いで、発光層を含む有機化合物層や対向電極（上部電極）を、塗布や蒸着等の方法を用いて順次積層して製造される。この際、対向電極は配線や電極端子等に接続するように形成される。この製造工程において、有機化合物層が、対向電極と接続する配線や電極端子の上にも拡がると、配線や電極端子と対向電極間の接触抵抗の増大や配線や電極端子が対向電極から絶縁される等の問題が起こる。【０００４】
特許文献１には、対向電極と配線の接続部分に、予め、周囲の表面よりも高くなるように導電膜を形成する有機発光素子の製造方法が記載されている。これにより、塗布法により成膜された有機化合物層が導電膜上には拡がらず、対向電極を電気的に接続できるとされている。【０００５】
また、スピンコート塗布法等の場合に、成膜された有機化合物層が配線や電極端子等の導電膜上を覆うという問題を避ける方法として、特許文献２には、配線や電極端子等の導電層を封止部材の基板側の面に形成し、これを有機化合物層上の対向電極と電気的に接続した有機発光素子が開示されている。この場合、導電層と対向電極とは、基板と封止部材とを接着する接着領域において、導電性ペースト等を介して電気的に接続される。【０００６】
特許文献３には、補助電極を形成した封止材と対向電極を、補助電極の端部に設けられた導電性ペースト等からなる導通部を介して接続させた有機発光素子が開示されている。
特許文献２及び特許文献３に記載された有機発光素子では、対向電極の形成後に対向電極と配線や電極端子等の導電層とを接続するため、これらの間に有機化合物層が形成されることはなく、従って上記の接触抵抗の増大等の問題は起こらない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３２３８８９号公報
【特許文献２】特開２００１−０３５６５４号公報
【特許文献３】特開２００６−１２７９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、例えば、特許文献２に記載された有機発光素子の場合、蒸着法により接着領域に対向電極を成膜しているため、基板と封止部材との間の接着強度が低下し、封止が不完全になる場合がある。また、対向電極と電極端子を、導電性スペーサを内包した封止材で接着することにより電気的に接続している。ここで、接触抵抗を小さくするために対向電極や電極端子と導電性スペーサとの接触面積を増やすと、接着面積が減少し接着強度が低下するという問題が生じる。一方、接着強度を確保するために接着面積を増やすと、対向電極や電極端子と導電性スペーサとの接触面積が減り、導電性スペーサとの接続不良が生じる。【０００９】
さらに、特許文献３に記載された有機発光素子の場合、導通部を構成する導電性部材中に含まれる成分が発光層中へ浸透し、発光効率が低下するという問題がある。
従って、封止部材上の導電層と対向電極とは接着領域と発光領域の間で接続することが望ましい。この場合、接点部の面積を小さくすれば基板面に占める発光領域の面積の割合を高く維持できるが、反面、接触抵抗が大きくなるため、有機発光素子の駆動電圧が上昇するという問題がある。【００１０】
本発明の目的は、有機発光素子を用いる発光装置における接着領域の接着強度の低下及び発光領域の発光効率の低下を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極に接して形成された発光層を含む有機化合物層、当該有機化合物層上に形成された第２電極を含む少なくとも１個の有機発光素子と、前記有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において前記基板に接着され、当該有機発光素子を当該基板とともに外気から封止する封止部材と、を有し、前記封止部材は少なくとも１個の導電部を備え、前記導電部は、前記基板と前記封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在し、且つ、前記導電部は、前記発光領域と前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域において前記第２電極と電気的に接続し、前記有機発光素子の前記第２電極は、前記接続領域において当該第２電極の前記導電部と対向する面が凹凸構造を有していることを特徴とする発光装置が提供される。
ここで、前記接続領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または、当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることが好ましい。
前記接続領域において、前記導電部及び前記第２電極とは異なる材料からなる導電性部材を介し、当該導電部と当該第２電極とが電気的に接続されていることが好ましい。
前記導電部と前記第２電極とは、前記接続領域のみにおいて電気的に接続していることが好ましい。
前記接着領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることが好ましい。
前記有機発光素子の前記第１電極の上面および前記接続領域における前記基板上に形成された誘電体層をさらに有し、当該誘電体層には、少なくとも当該誘電体層を貫通する複数の貫通部が設けられ、前記有機化合物層は、当該貫通部内の当該第１電極に接するように形成されることが好ましい。
前記誘電体層の前記貫通部は、当該誘電体層の任意の１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることが好ましい。
前記接続領域において、前記導電部の前記基板と対向する面が凹凸構造を有することが好ましい。
前記有機発光素子における前記第１電極上に凹凸構造が形成されていることが好ましい。【００１２】
次に、本発明によれば、基板上に形成された少なくとも１個の有機発光素子と、当該有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において当該基板に接着される封止部材からなり、当該発光領域と当該接着領域の間及び隣接する有機発光素子の間の領域の一部に、当該有機発光素子と当該封止部材の内側に形成された導電部とを電気的に接続する接続領域を有する発光装置の製造方法であって、前記基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に誘電体層を形成する工程と、少なくとも前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、前記誘電体層の前記貫通部内の前記第１電極に接するように発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、前記接続領域の前記誘電体層に複数の凹部を設ける工程と、前記有機化合物層上および前記接続領域に延在して第２電極を形成する工程と、前記有機発光素子を含む発光領域が形成された前記基板と、当該発光領域を外気から封止する封止部材を、前記接着領域において接着する工程と、前記封止部材に、前記基板と当該封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在して前記導電部を形成する工程と、前記導電部を、前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた前記接続領域で、前記第２電極と電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
ここで、前記発光装置の製造方法において、前記第１電極上及び前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、前記第１電極上及び前記接続領域に形成された前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、有機発光素子を用いる発光装置において、接着領域の接着強度の低下が抑制され、さらに、発光領域の発光効率の低下が抑制される。
また、発光装置の封止部材の導電部と対向電極の接続領域において、基板上に凹凸構造を設けた場合、その上に延在する対向電極の表面が凹凸化し、対向電極と導電部の接点部の接触面積が拡がるとともに接触抵抗が低下する。このため、基板面における発光領域の面積割合が高く維持され、且つ発光装置の駆動電圧が低下する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。
【図２】第２の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図３】第３の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】第４の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。
【図５】接着強度を評価するための試験片を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するための一例であり、実際の大きさを表すものではない。
【００１６】
＜発光装置１＞
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態が適用される発光装置１の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。図１（ａ）は、概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ−Ｘ断面の概略断面図であり、図１（ｃ）は他の実施形態である。以下、図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に基づいて発光装置１を説明する。
【００１７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、発光装置１は、基板１１０上に形成された少なくとも１個の有機発光素子１０と、全ての有機発光素子１０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部１６２により基板１１０に接着される封止部材１６０とを有している。封止部材１６０は、接着領域Ｃの内側であって基板１１０と封止部材１６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部１６１を有している。
【００１８】
有機発光素子１０は、基板１１０上に形成された第１電極（陽極）１２０と、第１電極１２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層１４０と、有機化合物層１４０上に形成された第２電極（陰極）１５０とを有している。第１電極１２０と第２電極１５０に電圧を印加した際、第１電極１２０、第２電極１５０および有機化合物層１４０が平面視上重なる部分が発光する。第２電極１５０の両端部に連続して、第２電極接続部１５１がそれぞれ基板１１０上に設けられており、それらの導電部１６１と対向する面に凹凸構造を有している。
【００１９】
導電部１６１は、有機発光素子１０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部１５１及び導電性部材１５２を介して第２電極１５０と電気的に接続している。尚、図示しないが、複数の有機発光素子１０が形成されている場合は、接続領域Ｂは、複数の有機発光素子１０について、個々その外周部のうちの少なくとも一部分に設けられる。さらに、接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部１５１の導電部１６１と対向する面に凹凸を有している。また、接続領域Ｂにおいて、基板１１０上に凸部１１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。
【００２０】
尚、本発明の発光装置１は、基板１１０上に形成された１つまたは２つ以上の有機発光素子１０を含み、発光領域Ａは有機発光素子１０全てを包含する領域である。すなわち、発光領域Ａは、１つまたは複数の有機発光素子１０と、複数の有機発光素子１０の間隙を含む領域のことである。本実施の形態では、発光装置１は有機発光素子１０を１つ有しているため、この１つの有機発光素子１０が発光領域Ａとなる。
以下、発光装置１の各構成について説明する。
【００２１】
（基板１１０）
基板１１０は、有機発光素子１０を形成するための支持体であり、有機発光素子１０に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。
基板１１０の材料は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す場合、有機化合物層１４０から発せられる光を透過することが必要で、後述する有機化合物層１４０から発せられる光を散乱又は減衰させない材料であることが好ましい。
【００２２】
基板１１０の具体例としては、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、サファイアガラス、ソーダガラス、石英ガラス等のガラス類；高屈折率ガラス；窒化アルミ等の金属窒化物；アルミナ等の透明金属酸化物等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
【００２３】
基板１１０としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
【００２４】
基板１１０は、光透過性であれば、無色透明または有色透明であってもよい。本実施の形態では、後述する発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で無色透明であることが好ましい。
【００２５】
有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す必要がない場合、基板１１０の材料としては、有機化合物層１４０から発せられる光を透過する材料に限定されず不透明材料も使用できる。具体的には、上記材料に加えて、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等の金属単体またはこれらの合金；ステンレス；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物；シリコン（ｎ−Ｓｉ）等の半導体、あるいは不透明ガラス、不透明プラスチック、ヒ化ガリウム等の半導体材料、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）等の複合材料等からなる材料が挙げられる。
【００２６】
基板１１０が金属の場合、基板１１０と第１電極１２０及び第２電極１５０が絶縁されていることが好ましい。基板１１０の厚さは、要求される機械的強度に応じ適宜選択される。本実施の形態では、好ましくは、０．０１ｍｍ〜１０ｍｍ、より好ましくは０．１ｍｍ〜２ｍｍである。
基板１１０の形状、構造、大きさ等は特に限定されず、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。本実施の形態では、基板１１０の形状は、板状であることが好ましい。基板１１０の構造は、例えば、単層構造、積層構造が挙げられる。また、単一部材で形成されていてもよいし、２種以上の部材で形成されていてもよい。
【００２７】
本実施の形態では、基板１１０の表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素等の無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法等により形成することができる。熱可塑性基板を用いる場合は、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層等を設けてもよい。さらに、基板１１０上にＴＦＴを形成する際に、下地にパシベーション層を設けることができる。基板１１０側から光を取り出す場合、透湿防止層は有機化合物層１４０から発せられる光の透過性を損なわない範囲で使用することが好ましい。
尚、本実施の形態では、発光装置１の接続領域Ｂにおいて、基板１１０上に凸部１１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。凹凸構造の詳細については後述する。
【００２８】
（有機発光素子１０）
有機発光素子１０が平面発光素子の場合には、第１電極（陽極）１２０と第２電極（陰極）１５０のうち少なくとも一方の電極は、有機化合物層１４０から発せられる光を透過する必要がある。尚、ここで電極が光を透過するとは、電極材料が光透過性である場合の他、電極に開口部が設けられている場合を含む。一方、有機発光素子１０が端面発光素子の場合には第１電極（陽極）１２０と第２電極（陰極）１５０は共に有機化合物層１４０から発せられる光を透過しなくてもよい。本実施の形態において、有機化合物層１４０の積層の形態としては、第１電極（陽極）１２０側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を設けても良い。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。尚、各層は複数の層からなっていても良い。有機化合物層１４０を構成する各層の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法等の乾式成膜法；転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、スプレー法等の湿式成膜法等が挙げられる。
以下、有機発光素子１０の各構成要素について説明する。
【００２９】
（第１電極１２０）
第１電極（陽極）１２０は、通常、有機化合物層１４０に正孔を供給する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に限定されない。第１電極１２０の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物又はこれらの混合物が挙げられる。具体例としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、銅、白金、タングステン、チタン、タンタル、ニオブ等の金属；前述の金属と導電性金属酸化物との混合物、ステンレス等の合金又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料；及びこれらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。この中では、導電性金属酸化物が好ましく、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
【００３０】
第１電極１２０の成膜方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等が挙げられる。本実施の形態では、例えば、ＩＴＯを用いて第１電極１２０を成膜する場合、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等を採用することができる。
【００３１】
有機発光素子１０の第１電極１２０の形成位置は特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。本実施の形態では、基板１１０上に形成されるのが好ましい。第１電極１２０は、基板１１０の一方の表面の全域に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。第１電極１２０を形成する際のパターニング法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング；レーザ光照射等による物理的エッチング；マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング等；リフトオフ法、印刷法等が挙げられる。
【００３２】
第１電極１２０は電気伝導性を有し、−５℃〜８０℃の温度範囲における表面抵抗（シート抵抗）は、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。具体的には第１電極（陽極）１２０として仕事関数が大きいものであり、仕事関数は、４．５ｅＶ以上であることが好ましい。第１電極１２０が光透過性である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。第１電極１２０側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
第１電極１２０の厚さは、第１電極１２０を構成する材料により適宜選択され特に限定されないが、通常、２ｎｍ〜５０μｍ程度であり、１０ｎｍ〜１μｍが好ましく、さらに３０ｎｍ〜２５０ｎｍがより好ましい。膜厚が過度に薄いと表面抵抗が高くなる傾向があり、膜厚が過度に厚いと光透過率が低くなる傾向がある。
【００３３】
基板１１０や第１電極１２０の表面処理を行うことで、オーバーコートされる層の性能（例えば、第１電極１２０との密着性、表面平滑性、正孔注入障壁等）を改善することができる。具体的な表面処理方法としては、高周波プラズマ処理を始めとして、スパッタリング処理、コロナ処理、ＵＶ（紫外線）オゾン照射処理、紫外線照射処理、または酸素プラズマ処理等が挙げられる。尚、仕事関数は、例えば、紫外線光電子分光分析法により測定することができる。
【００３４】
（有機化合物層１４０）
本実施の形態において、有機発光素子１０の有機化合物層１４０は、少なくとも発光層を含んでいる。さらに、発光層以外の他の層としては、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。有機化合物層１４０を構成する各層の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法等の乾式成膜法；湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等が挙げられ、これらの方法から適した方法を選択することができる。さらに有機化合物層１４０が複数の層からなる場合、これらの成膜方法を組み合わせても同じ成膜方法を選択しても構わない。
【００３５】
（発光層）
本実施の形態において、発光層は、有機発光素子１０に電圧電界を印加した時に、第１電極（陽極）１２０、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、第２電極（陰極）１５０、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性材料を含んだ構成でもよい。
【００３６】
発光性材料としては、発光性有機材料を用いることができる。また燐光性発光材料、蛍光性発光材料等が挙げられる。また、発光性有機材料の場合、発光性低分子化合物及び発光性高分子化合物のいずれも使用することができる。発光性有機材料としては、燐光性有機化合物および金属錯体が好ましい。金属錯体の中には燐光性を示すものもあり、このような金属錯体も好ましく用いられる。
【００３７】
燐光発光性材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。本実施の形態では、発光性有機材料の金属錯体として、特に、シクロメタル化錯体を用いることが発光効率向上の観点から非常に好ましい。シクロメタル化錯体としては、例えば、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、２−フェニルキノリン誘導体等の配位子を有するイリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）等の錯体が挙げられる。これらの中でも、イリジウム（Ｉｒ）錯体が特に好ましい。
【００３８】
シクロメタル化錯体は、シクロメタル化錯体を形成するのに必要な配位子以外に、他の配位子を有していてもよい。尚、シクロメタル化錯体には、三重項励起子から発光する化合物も含まれ、発光効率向上の観点から好ましい。
【００３９】
また、発光性高分子化合物としては、例えば、２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン共重合体（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリ−ｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体；ポリフルオレン誘導体、等のπ共役系の高分子化合物；低分子色素とテトラフェニルジアミンやトリフェニルアミンを主鎖や側鎖に導入したポリマー等が挙げられる。また、発光性高分子化合物と発光性低分子化合物とを併用することもできる。
【００４０】
蛍光発光性材料としては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセン等）、８−キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００４１】
発光層の厚さは、特に限定されず、通常、２ｎｍ〜１μｍであるのが好ましく、３ｎｍ〜５００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであるのが更に好ましい。
【００４２】
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層は、第１電極（陽極）１２０側から正孔を受け取り第２電極（陰極）１５０側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料としては、低分子化合物、高分子化合物が挙げられる。具体的には、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等が挙げられる。
【００４３】
正孔注入層または正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有する無機化合物または有機化合物が挙げられる。具体的には、無機化合物としては、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物等が挙げられる。有機化合物としては、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン等が挙げられる。
【００４４】
正孔注入層としては、公知の正孔注入材料を使用することができ、例えば、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン等の導電性高分子；アリールアミン、フタロシアニン等の有機化合物；酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化チタン等の酸化物が挙げられる。これらに上記の電子受容性ドーパントを含有させることができる。ドーパントを使用した例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
【００４５】
正孔輸送材料としては、上記のような公知の材料を使用することができ、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）；α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）；ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物等が挙げられる。
【００４６】
正孔注入層または正孔輸送層の厚さは、各層の導電性等に依存し、特に限定されないが、本実施の形態における正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、各々１μｍ以下であることが好ましい。正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜１μｍであるのが好ましく、５ｎｍ〜５００ｎｍであるのがより好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜１μｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ〜５００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ〜３００ｎｍであるのがさらに好ましい。正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００４７】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層は、第２電極（陰極）１５０側から電子を受け取り第１電極（陽極）１２０側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料としては、低分子化合物、高分子化合物が挙げられる。具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等が挙げられる。
【００４８】
電子輸送層に使用される材料として、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等が挙げられる。
【００４９】
電子注入層または電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることもできる。電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ｍｇ及びＣａ等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物等が好適に用いられる。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂ等が挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含燐化合物等が挙げられる。
【００５０】
電子注入層または電子輸送層の厚さは、各層の導電性等に依存し、特に限定されないが、本実施の形態における電子注入層、電子輸送層の厚さは、各々１μｍ以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、５ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、０．２ｎｍ〜５００ｎｍであることがより好ましく、０．５ｎｍ〜１００ｎｍであることが特に好ましい。電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５１】
（正孔ブロック層）
正孔ブロック層は、第１電極（陽極）１１０側から発光層に輸送された正孔が、第２電極（陰極）１５０側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。正孔ブロック層は、発光層の第２電極（陰極）１５０側に設けることができる。正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
【００５２】
正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが特に好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５３】
（電子ブロック層）
電子ブロック層は、第２電極（陰極）１５０側から発光層に輸送された電子が、第１電極（陽極）１１０側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本実施の形態では、電子ブロック層は、発光層の第１電極（陽極）１１０側に設けることができる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば、前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
【００５４】
電子ブロック層の厚さは、１ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが特に好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【００５５】
（保護層）
本実施の形態では、有機発光素子１０全体は、保護層によって保護されていてもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。具体的には、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【００５６】
保護層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法等が挙げられる。
【００５７】
（第２電極１５０）
第２電極（陰極）１５０は、通常、有機化合物層１４０に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に限定されない。図１（ｂ）に示すように、第２電極１５０には、第２電極１５０の両端部に連続して、第２電極接続部１５１がそれぞれ基板１１０上に設けられている。
【００５８】
有機発光素子１０の第２電極１５０側から光を取り出す場合（第２電極１５０側の面が光を取り出す面、すなわち、発光面となる場合）、第２電極１５０は有機化合物層１４０から発せられる光を透過する材料を用いることが好ましい。一方、有機発光素子１０の第２電極１５０側から光を取り出す必要のない場合、第２電極１５０は発光する光を透過する材料に限定されず不透明な材料も使用することができる。
【００５９】
本実施形態では第２電極１５０が陰極として用いられるため、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。第２電極１５０を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等が挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）；マグネシウム（Ｍｇ）及びアルカリ土類金属（Ｃａ等）；金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらは、２種以上を併用することができる。
【００６０】
第２電極１５０の成膜方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等が挙げられる。また、第２電極１５０を形成する際のパターニング法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング；レーザ光照射等による物理的エッチング；マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング等；リフトオフ法や印刷法等が挙げられる。
【００６１】
有機発光素子１０の第２電極１５０の形成位置は特に制限はなく、有機化合物層１４０上の全域に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。また、第２電極１５０と有機化合物層１４０との間に、電子注入層として第２電極１５０より仕事関数の低い層を設けることもできる。このことにより第２電極１５０から有機化合物層１４０への電子の注入障壁を下げ、電子の注入効率を上げることもできる。
【００６２】
これらの材料として金属材料が好適に用いられ、例えば、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）、あるいはこれら金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる単体あるいは２つ以上の混合物を使用することができる。電子注入層の厚さは０．１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、０．３ｎｍ〜２０ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ〜１０ｎｍがより一層好ましい。この層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
【００６３】
第２電極１５０の厚みは、第２電極１５０を構成する材料により適宜選択され特に限定されないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。第２電極１５０は、光透過性（有機化合物層１４０から発せられた光を透過できる）であってもよいし、不透明であってもよい。なお、光透過性の第２電極１５０は、第２電極１５０の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、さらにＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することによっても形成することができる。
尚、本実施の形態では、第２電極１５０の両端部に連続して第２電極接続部１５１がそれぞれ設けられており、それらの導電部１６１と対向する面に凹凸構造を有している。凹凸構造の詳細については後述する。
【００６４】
（封止部材１６０）
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態では、封止部材１６０を、発光領域Ａの外周部に設けられた接着領域Ｃにおいて基板１１０に接着部１６２で接着することにより封止空間Ｄを形成し、この封止空間Ｄ内に有機発光素子１０を密封して外気から遮断している。封止部材１６０の材料としては、有機発光素子１０を外気から遮断し、密封できるものであれば特に限定されず、また、絶縁性でも導電性でも良い。具体的には、上述した基板１１０と同じ材料を使用することができる。
【００６５】
（導電部１６１）
図１（ｂ）に示すように、本実施の形態において、封止部材１６０は、有機発光素子１０側の面に導電部１６１を有する。導電部１６１は、封止部材１６０下に、または封止部材１６０と一体となって形成され、封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在している。ここで、「封止部材１６０下に」とは、例えば、封止部材１６０と導電部１６１が積層されている場合を言い、「封止部材１６０と一体となって」とは、例えば、封止部材１６０の一部または全体が導電部１６１となっている場合等が挙げられる。さらに、導電部１６１は、封止部材１６０の端面や上部に延在して形成されていても良い。
【００６６】
導電部１６１は、発光装置１の封止空間Ｄの内側で第２電極接続部１５１と電気的に接続し、封止空間Ｄの外側で駆動電源（図示せず）と接続することにより、導電部１６１を通じて第２電極１５０に駆動電圧を印加することができる。導電部１６１と第２電極接続部１５１及び駆動電源の電気的接続は、各々の間に他の導電性材料を介して接続されていても良い。封止部材１６０が導電性である場合は、封止部材１６０の適切な部位と駆動電源を接続することができる。
【００６７】
封止空間Ｄ外における導電部１６１と駆動電源との接続は導電部１６１のどの部分でも良い。例えば、図１（ｂ）における導電部１６１の下面（すなわち、発光装置１の基板１１０側表面）、導電部１６１の端面（すなわち、導電部１６１の側面）、導電部１６１の上面（図示せず）等が挙げられる。また、絶縁性の封止部材１６０と導電部１６１が積層され、封止部材１６０の導電部１６１と接触する部分が導電性の場合、封止部材１６０の該当する導電性部分の封止空間Ｄ外の部分を駆動電源と接続することができる。さらに、封止部材１６０の導電部１６１を形成する部位の一部に貫通孔を設け、その貫通孔を通じて駆動電源と導電部１６１を電気的に接続しても良い。具体的には貫通孔に配線等と入れて封止部材１６０の封止空間Ｄ内側に形成された導電部１６１と電気的に接続させたり、貫通孔の表面に導電材料のコーティングや導電材料を充填させて導電部１６１と電気的に接続させたり、導電部１６１を貫通孔内にも連続して封止部材１６０の上面（封止空間Ｄ側の反対側）まで形成し封止部材１６０上面で駆動電源と接続しても良い。
【００６８】
導電部１６１を形成する導電性材料としては、例えば、前述した第１電極１２０又は第２電極１５０と同様な材料が挙げられる。ここで導電部１６１は単に導電材料として第２電極１５０に電気的に接続するため、仕事関数の値に関係なく使用することができる。また、有機化合物層１４０から発生した光を透過する必要がないため、透過性に関係なく使用することができる。そのため電極よりも導電性の良い材料や密着性の良い材料を選択することが可能である。また、導電部１６１が形成される場所は、封止部材１６０の基板１１０と対向する面の全面に形成されていてもよく、一部分のみに形成されていてもよい。導電部１６１は導電性の封止部材１６０が兼ねてもよい。
導電部１６１が平面視上、発光領域Ａにも形成される場合、第２電極１５０の当該領域に、絶縁性の保護層を積層することが好ましい。この絶縁性の保護層により、発光領域Ａにおいて第２電極１５０と導電部１６１間を絶縁することができる。
【００６９】
（接続領域Ｂ）
本実施の形態において、発光装置１の接続領域Ｂは、発光領域Ａより延在して形成された第２電極１５０の第２電極接続部１５１と、封止部材１６０と一体に形成された導電部１６１とが、直接または他の導電性部材１５２を介して電気的に接続する領域を言う。図１（ｂ）に示すように、接続領域Ｂは、発光装置１の封止空間Ｄ内において、有機発光素子１０の外周部に形成されている。
前述したように、導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とは、この接続領域Ｂにおいてのみ、直接または導電性部材１５２を介して電気的に接続している。
【００７０】
本実施の形態が適用される発光装置１では、接続領域Ｂが、有機発光素子１０の領域や接着領域Ｃから分離して形成されている。接続領域Ｂでは、第２電極１５０の端部に設けた第２電極接続部１５１と導電部１６１とが電気的に接続している。これにより、第２電極１５０と導電部１６１とが電気的に接続されている。
本実施の形態では１個の有機発光素子１０に対し、接続領域Ｂは２か所形成されているが、特に限定されず、１個の有機発光素子１０に対し１か所以上形成されていれば良い。
【００７１】
尚、図示しないが、封止空間Ｄ内に複数個の有機発光素子１０が形成されている場合、接続領域Ｂは各有機発光素子１０の外周部のうちの少なくとも一部分に設けられる。接続領域Ｂが大きくなると、接続する面積が増えるため接触抵抗が低減する。また、接続領域Ｂにおいて、接続領域Ｂの近傍にある第１電極１２０の側面に絶縁層（図示せず）を形成し、さらに、絶縁層の上の領域、およびこの領域から接続領域Ｂにかけて第２電極接続部１５１を形成することで、第１電極１２０と第２電極接続部１５１とを絶縁することができる。
【００７２】
尚、他の導電性部材１５２を介して接続する場合、導電性部材１５２の材料としては、導電性を有していれば特に限定されず一般的な導電性材料を用いることができる。例えば、第１電極１２０、第２電極１５０と同様な材料や導電性ペースト等が挙げられる。ここで導電性部材１５２は単に導電材料として導電部１６１と第２電極接続部１５１を電気的に接続するため、仕事関数の値に関係なく使用することができる。また、有機化合物層１４０から発生した光を透過する必要がないため、透過性に関係なく使用することができるため、電極よりも導電性の良い材料や密着性の良い材料を選択することが可能である。
【００７３】
接続領域Ｂにおいて導電部１６１が第２電極接続部１５１と電気的に良好な接続をするためには、導電部１６１を第２電極接続部１５１に形成された凹凸構造に密着させることが重要になる。導電性部材１５２を用いると、予め第２電極接続部１５１の凹凸構造上に導電性部材１５２を形成することができ、第２電極接続部１５１に導電性部材１５２を容易に密着させることができる。この導電性部材１５２を第２電極接続部１５１の凹凸構造上に形成することにより、凹凸構造のない導電性部材１５２と封止部材１６０の導電部１６１を容易に電気的に接続することが可能になる。
【００７４】
導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とを接続する方法としては、例えば、加熱やレーザ光照射による方法が挙げられる（特開２０１０−２７７９５６公報の段落［００９６］参照）。また、特に他の導電性部材１５２を介して接続する場合は、導電性接着剤や導電性ペーストを使用して、必要に応じて加熱やＵＶ硬化を行っても良い。
【００７５】
本実施の形態のように導電部１６１と第２電極接続部１５１を、導電性部材１５２を介して電気的に接続させる場合、導電性部材１５２は、導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とは異なる材料を使用することが好ましい。導電性部材１５２が導電部１６１及び第２電極接続部１５１と異なる材料を使用すると、導電部１６１と第２電極接続部１５１を接続する際、例えば導電性部材１５２に熱やレーザ光を吸収しやすい材料を用いることにより選択的に導電性部材１５２を軟化させることができる。その結果、導電性部材１５２と導電部１６１及び第２電極接続部１５１の密着性が向上し、電気的な接続が容易になる。
【００７６】
（第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造）
図１（ｂ）または図１（ｃ）に示すように、本実施の形態が適用される発光装置１は、接続領域Ｂにおいて、第２電極１５０の端部に形成した第２電極接続部１５１の導電部１６１と対向する面に、凹凸構造が設けられている。第２電極接続部１５１に凹凸構造を設けることにより、導電部１６１と電気的に接続している導電性部材１５２と第２電極接続部１５１の接触面積が増大する。その結果、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触抵抗が低減する。
【００７７】
他に接触抵抗を下げる方法として、発光面積を狭くして接続領域Ｂを拡げるか、発光領域Ａの外側の接続領域Ｂを拡げて封止空間Ｄを拡大し発光装置１を大きくする方法がある。しかし、このようにするといずれも発光装置に占める発光領域の割合が小さくなり（非発光領域の割合が大きくなる）、非効率的な発光装置になってしまう。本発明のように凹凸構造を設けると封止空間Ｄ内の非発光領域を狭くすることができ、前述の方法と異なり発光領域Ａの占有面積を増大させることができ、効率的な発光装置を提供することができる。さらに接触抵抗が低下することで電圧のロスが小さくなるため、駆動電圧を低下させることができる。
【００７８】
本実施の形態では、第２電極接続部１５１の表面に凹凸構造を設けるために、発光装置１の接続領域Ｂにおいて、基板１１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板１１０上に形成された薄膜層１１２（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。これらの凹凸構造の形状は、上方から海島構造として見た場合に、凸部と凹部のいずれが島の部分であってもよい。また、基板１１０の表面に凹凸構造を形成する場合は、図示しないが基板１１０自体の表面を凹凸状に加工してもよく、または図１（ｂ）に示すように基板１１０の表面に基板とは異なる材料により凸部１１１を形成してもよい。また、図１（ｃ）に示すように基板１１０上に形成された薄膜層１１２の表面に凹凸構造を形成する場合は、凹部は基板１１０の表面までは貫通しない。そして、凹凸構造が形成された基板１１０の表面上または薄膜層１１２の表面上にさらに第２電極接続部１５１を成膜することにより、これらの凹凸構造の形状に倣って、第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面に凹凸構造が形成される。
【００７９】
尚、図示しないが、接続領域Ｂにおいて、導電部１６１の基板１１０と対向する面に凹凸構造を形成しても良い。
導電部１６１にも凹凸構造を形成すると導電性部材１５２を介さなくても容易に第２電極接続部１５１と導電部１６１の接触界面を凹凸構造にすることができる。また、第２電極接続部１５１の上面に形成された凹凸構造が、有機発光素子１０の形成工程においていくらか平坦化された場合でも、導電部１６１に形成された凹凸構造によって第２電極接続部１５１と導電部１６１の接触界面を凹凸構造にすることができる。
【００８０】
第２電極接続部１５１及び導電部１６１の表面に共に凹凸構造が形成されていて、これらが共に硬い材料の場合は、熱やレーザ光照射などにより第２電極接続部１５１及び／または導電部１６１を軟化させて密着させることができる。さらに導電性部材１５２を介して第２電極接続部１５１と導電部１６１を接着させても良い。
【００８１】
導電性部材１５２が柔軟な場合は、そのまま導電性部材１５２を第２電極接続部１５１と導電部１６１間に挟むことで、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触界面及び導電性部材１５２と導電部１６１との接触界面を凹凸構造にすることができる。また、導電性部材１５２に選択的に熱やレーザ光照射を行って軟化させ、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触界面及び導電性部材１５２と導電部１６１との接触界面を凹凸構造にすることができる。
【００８２】
基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２の材料は、特に限定されず、絶縁材料でも導電材料でも構わない。これらの凹凸構造は、例えば、基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工を施すことにより形成される。この場合、凹部は基板１１０の表面まで貫通していても貫通していなくても良い。ここで、例えば、薄膜の表面に所定のパターンのマスクを形成し、マスクで覆われていない部分を基板表面が露出するまでエッチングすれば、図１（ｂ）に示すような凸部１１１が形成される。また、例えば、基板１１０の表面が露出しないように薄膜をエッチングすれば、図１（ｃ）に示すような表面が凹凸状の薄膜層１１２が形成される。
【００８３】
基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２に使用可能な絶縁材料としては、通常、電気抵抗率としては１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１２Ωｃｍ以上有する材料が挙げられる。具体的な材料としては、例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。
【００８４】
基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２が導電性材料の場合は、第２電極接続部１５１が第１電極１２０と導通しないように、第１電極１２０と導電性材料で形成された凸部１１１または表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２の間に絶縁材料を形成するなどして絶縁する必要がある。凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２を形成する導電性材料の例としては、特に限定されないが、第１電極１２０や第２電極１５０に用いられるような材料が挙げられる。
【００８５】
接続領域Ｂにおける凸部１１１の形状、薄膜層１１２の表面の凹凸形状及び表面が凹凸状に加工された基板１１０の凹凸形状は、この上に形成される第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面が凹凸化するものであればどのような形状でも構わない。本実施の形態では、上記凹凸形状の凸状部分及び凹状部分の断面形状としては、例えば、三角形や四角形などの多角形、半円、半楕円、角が丸められた多角形等の種々の形状を採用することができる。また、上記凸状部分及び凹状部分は全て同じ形状のもので形成してもよく、異なる形状のものを組み合わせて形成してもよい。さらに、上記凹凸形状は周期的に配列したものであってもよく、非周期的に配列したものであってもよい。また、同じ大きさの複数の凸部１１１を用いて形成してもよく、異なる大きさの複数の凸部１１１を組み合わせて形成してもよい。
【００８６】
第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造の凹凸の程度は特に限定されるものではないが、接続領域Ｂの平面視上の面積に対し、接続領域Ｂにおける上記凹凸構造の表面積が、１．２倍〜５倍になることが好ましく、さらに１．５倍〜３倍になることがより好ましい。接続領域Ｂの平面視上の面積に対し凹凸構造の表面積の比が過度に小さいと接触面積の増大が小さく接触抵抗の低下が少ない、逆に過度に大きいと、凹部が深くなったり形状が複雑になるため、導電部１６１あるいは導電性部材１５２が第２電極接続部１５１の凹凸構造に密着できなくなり接触面積を大きくすることができない。
【００８７】
次に、第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造の製造方法について説明する。本実施の形態では、先ず、接続領域Ｂにおいて基板１１０上に絶縁材料等の薄膜層１１２を成膜する。この薄膜層１１２の成膜方法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、金属窒化物、金属酸化物等を用いる場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。高分子化合物を用いる場合、抵抗加熱蒸着法または塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等が挙げられる。
【００８８】
次に、基板１１０上に成膜した絶縁材料等の薄膜層１１２の表面を凹凸化する。この凹凸化の方法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、（１）上記の方法で接続領域Ｂに対応する部分に絶縁材料等の薄膜層１１２を形成した後に、使用した溶媒による除去、粘着剤による除去、レーザアブレーション、エッチング等によりパターニングする方法、（２）絶縁材料等を用いて成膜を行う際に、真空蒸着またはスパッタリング法においてマスクを使用してパターニングする方法が挙げられる。
このようにして凹凸状に形成された薄膜層１１２の表面に第２電極接続部１５１を成膜することにより、この凹凸状の形状に倣って、第２電極接続部１５１の表面に凹凸構造が形成される。
【００８９】
尚、第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面に凹凸構造を設ける方法は、上述した方法に限定されない。第２電極接続部１５１に凹凸構造を設ける他の方法として、以下の方法が挙げられる。例えば、（１）接続領域Ｂにおいて、基板１１０の表面を凹凸状に加工し、その上に第２電極接続部１５１を形成する方法、（２）有機化合物層１４０を接続領域Ｂにも形成後、マスク蒸着により有機化合物層１４０の表面を凹凸状に加工し、その上に第２電極接続部１５１を形成する方法、（３）第２電極接続部１５１の表面にマスクを使用して直接凹凸構造を形成する方法、等が挙げられる。
【００９０】
（接着領域Ｃ）
本実施の形態において、封止部材１６０は、発光領域Ａの外周部に設けられた接着領域Ｃにおいて、基板１１０に接着部１６２により接着されることにより封止空間Ｄを形成している。接着部１６２に使用する接着剤としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好であれば特に限定されない。接着剤の例として、熱硬化性、紫外線硬化性等の接着剤が挙げられ、特に、水蒸気等のガス浸透性が低いものが好ましい。本実施形態では、接着剤として、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂が用いられている。
【００９１】
（その他の部材）
尚、本実施の形態が適用される発光装置１に配置されるその他の部材として、例えば、補助電極配線、光取り出しに必要な回折格子、微粒子、レンズ等を設けることができる。また、その他の層として、例えば、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、偏光板等を設けることができる。さらに、ゼオライト、酸化カルシウム、酸化バリウム等の乾燥剤を封止空間Ｄ内に設けることができる。なお、以上詳述した有機発光素子１０では、第１電極１２０が陽極、第２電極１５０が陰極として説明したが、逆であっても構わない。
【００９２】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態が適用される発光装置２の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＹ−Ｙ断面の概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、発光装置２は、基板２１０上に形成された少なくとも１個の有機発光素子２０と、全ての有機発光素子２０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部２６２により基板２１０に接着される封止部材２６０とを有している。封止部材２６０は、接着領域Ｃの内側であって基板２１０と封止部材２６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部２６１を有している。
【００９３】
図２（ｂ）に示すように、有機発光素子２０は、基板２１０上に形成された第１電極（陽極）２２０と、有機化合物層２４０と、第２電極（陰極）２５０とを有している。第２電極２５０の両端部に連続して第２電極接続部２５１がそれぞれ設けられ、導電部２６１と対向する面に凹凸構造を有している。
第２電極接続部２５１の表面に凹凸構造を設けるためには、第１の実施形態と同様に、接続領域Ｂにおいて、基板２１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板２１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。このうち、基板２１０の表面に基板とは異なる材料により凸部２１１を設けることにより基板２１０の表面に凹凸構造を形成する場合を図２（ｂ）に示している。
図２（ｂ）に示すように、発光装置２では、接続領域Ｂにおいて、基板２１０上に凸部２１１が形成され、凸部２１１上にさらに第２電極接続部２５１を成膜することにより、第２電極接続部２５１の封止部材２６０側の表面に、凸部２１１の表面形状に倣い、凸部２１１の形状に沿った凹凸構造が形成される。
【００９４】
導電部２６１は、有機発光素子２０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部２５１及び導電性部材２５２を介して第２電極２５０と電気的に接続している。
【００９５】
本実施の形態が第１の実施形態と異なる点は、接着領域Ｃにおいて、封止部材２６０が接着部２６２により接着される基板２１０（表面に薄膜層を有していてもよい）の表面の少なくとも一部に凹凸構造が形成されていることである。この基板２１０（表面に薄膜層を有していてもよい）の表面に凹凸構造を形成するには、基板２１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板２１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。これらの凹凸状の形状は、上方から海島構造として見た場合に、凸部と凹部のいずれが島の部分であってもよい。また、基板２１０の表面に凹凸構造を形成する場合は、図示しないが、基板２１０自体の表面を凹凸状に加工してもよく、または図２に示すように基板２１０の表面に基板とは異なる材料により凸部２１１を形成してもよい。また、図示しないが、基板２１０上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造を形成する場合は、凹部は基板２１０の表面までは貫通しない。
【００９６】
本実施の形態が適用される発光装置２では、接着領域Ｃの接着を行う基板２１０の表面に形成される凹凸構造の形状は特に限定されない。接続領域Ｂにおいて基板２１０の表面に形成される凹凸構造または基板２１０上の薄膜層に形成される凹凸構造と、接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０の表面に形成される凹凸構造は、図２に示すように同様な形状で形成されていてもよいが、異なっていてもよい。また、接続領域Ｂにおいて基板２１０上または薄膜層上に形成される凹凸構造と接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０上または薄膜層上に形成される凹凸構造の両方を、同一工程で形成すると製造が容易になるため好ましい。
接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０側の表面が凹凸状に形成されていることにより、接着部２６２と基板２１０との接着面積が増大し、接着強度を向上させることができる。
【００９７】
（第３の実施形態）
図３は、本発明の第３の実施形態が適用される発光装置３の一例を示す概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
図３には、発光装置３の接続領域Ｂ及び接着領域Ｃの断面図が示されている。発光装置３は、基板３１０上に形成された有機発光素子３０と、有機発光素子３０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部３６２により基板３１０に接着される封止部材３６０とを有している。封止部材３６０は、基板３１０側に設けた導電部３６１を有している。
【００９８】
有機発光素子３０は、基板３１０上に形成された第１電極（陽極）３２０と、第１電極３２０上に複数の貫通部３３１を設けて形成された誘電体層３３０と、複数の貫通部３３１の内部及び誘電体層３３０の上部に形成された有機化合物層３４０と、少なくとも有機化合物層３４０上に形成された第２電極（陰極）３５０と、が順に形成されている。第２電極３５０の両端部に連続して第２電極接続部３５１がそれぞれ設けられ、その導電部３６１と対向する面に凹凸構造を有している。
第２電極接続部３５１の表面に凹凸構造を設けるためには、第１の実施形態と同様に、接続領域Ｂにおいて、基板３１０の表面を凹凸状に形成するか、または、基板３１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面を凹凸状に形成する。このうち、基板３１０の表面に基板とは異なる材料により凸部３１１を設けることにより基板３１０の表面を凹凸状に形成する場合を図３に示す。
【００９９】
図３に示すように、発光装置３では、接続領域Ｂにおいて、基板３１０上に凸部３１１が形成され、凸部３１１上にさらに第２電極接続部３５１を成膜することにより、第２電極接続部３５１の封止部材３６０側の表面に、凸部３１１の表面形状に倣い、凸部３１１の形状に沿った凹凸構造が形成されている。
【０１００】
導電部３６１は、有機発光素子３０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部３５１及び導電性部材３５２を介して第２電極３５０と電気的に接続している。
【０１０１】
本実施の形態が第１の実施形態と異なる点は、図３に示すように、第１電極３２０上に複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０が形成されていることである。第１電極３２０と有機化合物層３４０の間に複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０を形成することにより、有機化合物層３４０の第２電極３５０側の表面が凹凸化し、第２電極３５０の封止部材３６０側の表面を凹凸構造にすることができる。
【０１０２】
第１電極３２０上に形成する誘電体層３３０は複数の貫通部３３１を有しているため、この誘電体層３３０の上に有機化合物層３４０を形成すると、有機化合物層３４０は貫通部３３１を通じて第１電極３２０と接することができる。また、誘電体層３３０の凹凸の形状や凹凸部分の屈折率差により、有機化合物層３４０から発生した発光光の光線進行角度を変えることができるため、光取出し効率を向上させたり、配光特性を制御することができる。
【０１０３】
本実施の形態が適用される発光装置３では、発光領域Ａの第１電極３２０を形成した部分以外の基板３１０の表面に凹凸構造が形成されている。この接続領域Ｂと発光領域Ａの凹凸構造の形状、材料及び製造法は、同じでも異なっていても構わないが、同一工程で形成する目的のために、これらの凹凸構造を共に同じ形状、材料、製造法にすると、製造が容易になり好ましい。
【０１０４】
特に、有機発光素子３０の第１電極３２０上において、誘電体層３３０の貫通部３３１の平面形状や断面形状は、任意の形状にすることができる。例えば、円形形状や多角形形状をしていても良い。また、貫通部３３１の最大幅は１０μｍ以下が好ましい。ここで貫通部３３１の最大幅とは、誘電体層３３０の貫通部３３１の第１電極３２０との界面における平面形状についてこれを包含する最小円の直径を言う。本実施の形態では、この貫通部３３１は、誘電体層３３０形成部の１ｍｍ四方中に１０２個〜１０８個形成されていることが好ましい。
【０１０５】
有機発光素子３０の第１電極３２０上の誘電体層３３０は、電気抵抗率が１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１２Ωｃｍ以上有する材料を用いて形成することが好ましい。例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。誘電体層３３０の厚さは、有機発光素子３０の全体の厚さを抑制するために１μｍを越えないことが好ましく、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることがさらに好ましく、３０ｎｍ〜２００ｎｍであることが特に好ましい。
【０１０６】
尚、本実施の形態では、誘電体層３３０を貫通する貫通部３３１は誘電体層３３０下の第１電極３２０の穿孔部（図示せず）または貫通部３３１と連結した貫通孔（図示せず）を有してもよい。さらに第１電極３２０を貫通した貫通部３３１や基板３１０を穿孔した穿孔部と連結した貫通孔を有していてもよい。ここで、穿孔部とは、該当する層に凹部を形成し、該当する層の厚みより凹部の深さが小さい孔のことを言う。この場合、有機発光素子３０の有機化合物層３４０は、貫通孔に露出している第１電極３２０の表面と接している。
【０１０７】
（第４の実施形態）
図４は、本発明の第４の実施形態が適用される発光装置４の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。図４（ａ）は概略平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＺ−Ｚ断面の概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
発光装置４は、基板４１０上に形成された４個の有機発光素子４０と、それらを含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部４６２により基板４１０に接着される封止部材４６０とを有している。封止部材４６０は、接着領域Ｃの内側であって基板４１０と封止部材４６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部４６１を有している。
【０１０８】
有機発光素子４０のそれぞれは、基板４１０上に形成された第１電極（陽極）４２０と、第１電極４２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層４４０と、有機化合物層４４０上に形成された第２電極（陰極）４５０とを有している。第２電極４５０には、基板４１０の端部側表面に接するように第２電極接続部４５１がそれぞれ設けられ、導電部４６１と対向する面に凹凸構造を有している。すなわち、接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部４５１の導電部４６１と対向する面に凹凸を有している。本実施の形態では、発光領域Ａは、４個の有機発光素子４０及びその間隙が含まれる。２カ所の接続領域Ｂにおいて、基板４１０上に凸部４１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。
【０１０９】
発光装置４では、四角形状の有機発光素子４０の４辺のうち、接着領域Ｃ側の１辺に各々接続領域Ｂが形成され、図４（ａ）の上下に並んだ有機発光素子４０の２個ずつを１個の接続領域Ｂにおいて、封止部材４６０の導電部４６１と電気的に接続している。尚、接続領域Ｂは発光領域Ａのうち、有機発光素子４０間に形成されても良い。
次に、発光装置の製造方法について説明する。
【０１１０】
＜発光装置の製造方法＞
（第１電極形成工程）
本実施の形態が適用される発光装置１（図１参照）を製造する場合、先ず、発光装置１の基板１１０上に、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等を用いて第１電極１２０を形成する。また、第１電極１２０の素材として銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いる場合には、これらを適当なバインダ樹脂溶液に分散させて基板１１０上に塗布することにより第１電極１２０を形成することもできる。この場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等の方法を用いて成膜した後、加熱処理して形成することも可能である。
【０１１１】
（凹凸構造形成工程）
続いて、発光装置１の接続領域Ｂに対応する部分の基板１１０上に、複数の凸部１１１を形成する。複数の凸部１１１は、通常、接続領域Ｂに対応する部分の基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工（パターニング）を施すことにより形成される。絶縁材料が有機化合物の場合、成膜法は抵抗加熱蒸着法または塗布法が好ましい。高分子有機化合物を含む層の成膜には、特に塗布法が好ましく用いられる。塗布法としては、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等が挙げられる。酸化物、金属を用いる成膜の場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられ、特に真空蒸着またはスパッタリング法が好ましく用いられる。
【０１１２】
絶縁材料による薄膜をパターニングする方法は、薄膜を成膜し、必要に応じマスキングした後に、成膜の際に使用した溶媒による除去、粘着剤による除去、レーザアブレーション、エッチング等による方法が挙げられる。また、例えば、予め複数の凸部１１１を分離するように保護膜を形成し、絶縁材料による薄膜を形成後、保護膜を除去する方法；真空蒸着またはスパッタリング法においてマスクを使用する方法等が挙げられる。また塗布法では、インクジェットや印刷法を用いることもできる。
【０１１３】
ここで、本実施の形態が適用される発光装置２（図２参照）を製造する場合、発光装置２の接着領域Ｃに対応する基板２１０上にも、接続領域Ｂに対応する部分と同様に、複数の凸部２１１を形成する。この場合、複数の凸部２１１は、発光装置２の接続領域Ｂと接着領域Ｃの両方の基板２１０上に、同一工程で形成することが好ましい。
【０１１４】
また、本実施の形態が適用される発光装置３（図３参照）を製造する場合、発光装置３の基板３１０上に形成された第１電極３２０上に、複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０を形成する。誘電体層３３０に複数の貫通部３３１を設ける方法は、前述した凸部１１１の製法と同様に、基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工（パターニング）を施すことにより形成される。
尚、この場合、複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０と複数の凸部３１１とは、同じ絶縁材料を用い、発光装置３の発光領域Ａの第１電極３２０上と接続領域Ｂの基板３１０上に、同一工程で形成することが好ましい。
【０１１５】
（有機化合物層形成工程）
次に、発光領域Ａに形成された第１電極１２０の上に、発光層を含む有機化合物層１４０を形成する。本実施の形態では、有機化合物層１４０に含まれる各層の成膜には、抵抗加熱蒸着法または塗布法がより好ましく、ポリマー有機化合物を含む層の成膜を行うには、特に塗布法が好ましい。塗布法により成膜を行う場合は、成膜を行いたい層を構成する材料を、有機溶媒や水等の所定の溶媒に溶解または分散させた塗布溶液の塗布を行う。塗布を行う際にはスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、スリットコーティング法、ディスペンサ法、印刷等の種々の方法を使用することができる。塗布を行った後は、加熱あるいは真空引きを行って塗布溶液を乾燥させることで所望の層が形成される。
【０１１６】
尚、本実施の形態が適用される発光装置３（図３参照）では、第１電極３２０上の誘電体層３３０（複数の貫通部３３１が形成されている）を覆うように有機化合物層３４０を形成する。有機化合物層３４０の第２電極３５０側の表面は凹凸状であっても良いし、平坦であっても良い。
【０１１７】
（第２電極形成工程）
さらに、発光領域Ａの有機化合物層１４０上に第２電極１５０を形成するとともに、接続領域Ｂに設けた凸部１１１上に、第２電極１５０と一体に第２電極接続部１５１を形成する。第２電極１５０を形成する方法としては、上述した第１電極１２０の形成と同様な方法が用いられる。
【０１１８】
本実施の形態が適用される発光装置１（図１参照）、発光装置２（図２参照）、発光装置３（図３参照）及び発光装置４（図４参照）では、発光装置１，２，３，４の接続領域Ｂにおいて、基板１１０，２１０，３１０，４１０上に複数の凸部１１１，２１１，３１１，４１１が形成され、複数の凸部１１１，２１１，３１１，４１１上にさらに第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１を成膜することにより、第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１の封止部材１６０，２６０，３６０，４６０側の表面に、凸部１１１，２１１，３１１，４１１の表面形状に倣い、凸部１１１，２１１，３１１，４１１の形状に沿った凹凸構造が形成されている。
【０１１９】
（封止工程）
次に、発光装置１，２，３，４の接続領域Ｂに形成された第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１の表面に導電性材料からなる導電性部材１５２，２５２，３５２，４５２を成膜する。続いて、予め導電部１６１，２６１，３６１，４６１を形成した封止部材１６０，２６０，３６０，４６０と基板１１０，２１０，３１０，４１０とを、導電部１６１，２６１，３６１，４６１を基板１１０，２１０，３１０，４１０と対向させ、接着領域Ｃの接着部１６２，２６２，３６２，４６２を介して接合し、発光装置１，２，３，４を封止空間Ｄ内に封止する。
接続領域Ｂでは、第２電極１５０，２５０，３５０，４５０の端部に設けた第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１と導電部１６１，２６１，３６１，４６１とが電気的に接続している。これにより、第２電極１５０，２５０，３５０，４５０と導電部１６１，２６１，３６１，４６１とが電気的に接続されている。
第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１と導電部１６１，２６１，３６１，４６１を直接、あるいは導電性部材１５２，２５２，３５２，４５２を介して電気的に接続する目的で、必要に応じて、加熱したりレーザ光を照射しても良い。
【０１２０】
上述したように、本実施の形態が適用される発光装置１では、第２電極１５０の第２電極接続部１５１表面に凹凸構造を形成することにより、導電部１６１との接触面積を増大させ、接触抵抗を低下させている。そのため、発光領域Ａにおける発光効率の低下が抑制されるとともに駆動電圧を抑制することができる。
また、接触抵抗を減らすためには接続面積を増やす必要があるが、第２電極接続部１５１表面に凹凸構造を形成することにより接続領域Ｂを拡大することなく接触面積を増やすことができる。その結果、発光装置１に占める発光領域Ａを拡大することができ、効率的な発光装置１を提供することができる。
さらに、本実施の形態が適用される発光装置１では、接続領域Ｂが、発光領域Ａや接着領域Ｃと分離して形成されており、接着領域Ｃで第２電極接続部１５１と導電部１６１との接続をする必要がなくなり、封止部材１６０と基板１１０の接着のみを行うことができるため、接着強度の向上が容易になる。
さらに、凹凸構造を、封止部材１６０を基板１１０に接着する接着領域Ｃにも形成すると、接着面積が増大し、接着強度を向上させることができる。また、凹凸構造を発光領域Ａの有機発光素子１０の基板１１０上や第１電極１２０等に形成すると、光取出しを向上させることができる。
【実施例】
【０１２１】
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。【０１２２】
（実施例１）
［燐光発光性高分子化合物の合成］
国際公開第２０１０／０１６５１２号（ＷＯ２０１０／０１６５１２Ａ１）の段落［００７７］に記載された方法に従い、燐光発光性高分子化合物（Ａ）を合成した。得られた燐光発光性高分子化合物（Ａ）の重量平均分子量は５２，０００であり、各繰り返し単位のモル比はｋ：ｍ：ｎ＝６：４２：５２である。【０１２３】
【化１】
2013146350.tif 000003
【０１２４】
［発光材料溶液の調製］
このようにして合成した燐光発光性高分子化合物（Ａ）３重量部を９７重量部のキシレンに溶解させ、発光材料溶液（以下、「溶液Ａ」ともいう。）を調製した。【０１２５】
［発光装置の作製］
以下の操作により、図１に示す発光装置１を作製した。
先ず、表面に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）付きのガラス基板（７２ｍｍ×５５ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ、基板１１０に相当）を用意した。次に、陽極（第１電極１２０に相当）としてガラス基板の中央部の４０ｍｍ×４０ｍｍの領域と陽極端子を残すようにＩＴＯ膜のエッチングを行った。
次に、陽極の両側で基板上の接続領域Ｂに相当する領域に二酸化ケイ素の薄膜を形成した。成膜はスパッタ装置（キャノンアネルバ株式会社製Ｅ−４０１ｓ）を用いて行った。成膜を行った領域は１０ｍｍ×１０ｍｍで、膜厚は１μｍである。また、陽極との間隔は２ｍｍである。【０１２６】
次に、成膜した二酸化ケイ素薄膜のパターニングを行った。先ず、フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺ１５００）をスピンコート法により約１μｍ成膜した。続いて石英（板厚３ｍｍ）を基材とし、正方形を正方格子状に配置したパターンに対応するマスクを作製した。ステッパー露光装置（ニコン製、型式ＮＳＲ−１５０５ｉ６）を用い、マスクを通して１／５縮小倍率でフォトレジスト層に紫外線を照射することにより露光を行った。その後、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ  ｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）：（ＣＨ３）４ＮＯＨ  １．２％溶液により現像し、レジスト膜を、図１（ａ）の接続領域Ｂに示すような正方格子状に配列した複数の正方形にパターン化した。その後、１３０℃で１０分間加熱した。得られたパターンにおいて、１つの正方形の大きさは１μｍ×１μｍであり、隣接する正方形間の距離は１μｍである。【０１２７】
次に、反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製ＲＩＥ−２００ｉＰ）を用いて反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス電力５０Ｗ、ＩＣＰ電力１００Ｗの条件で、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行うことにより二酸化ケイ素膜のパターン化を行った。エッチングは基板面が露出するまで行った。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去した。この結果、接続領域Ｂに格子状に配列した、平面視が１μｍ角の正方形で高さが１μｍの複数の凸部１１１が形成された。【０１２８】
次に、溶液Ａをスピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により塗布し、次いで窒素雰囲気下、１２０℃で１時間放置して、発光層を形成した。
その後、接続領域Ｂおよび第１電極端子上に形成された発光層をキシレン溶媒にて除去した。【０１２９】
次に、マスクを使用して、発光層（発光領域Ａ）の上から複数の凸部１１１が形成されている領域（接続領域Ｂ）の上にわたる領域に、陰極バッファ層として厚さ２ｎｍのナトリウム（Ｎａ）膜を真空蒸着により形成した。続いて、陰極バッファ層の上に陰極層として、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層を形成した。
次に、封止部材１６０として８２ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板を用意した。このガラス板の片面において、これを貼り合わせたときに有機発光素子１０側の接続領域Ｂに対向する部分からガラス板の縁部にわたる領域には、予め、ＩＴＯの薄膜（膜厚：１５０ｎｍ、導電部１６１に相当）が形成されている。
次に、光硬化型導電性ペーストを第２電極の接続領域にディスペンサにより供給した。【０１３０】
続いて、封止部材１６０の接着領域Ｃに相当する領域（幅約１ｍｍ）に、光硬化性樹脂をディスペンサにより配置し、これを有機発光素子１０が形成された基板１１０に載せた。このとき光硬化性樹脂を押し拡げて接着領域Ｃ全域に行き渡らせ（約２ｍｍ幅）、基板１１０と封止部材１６０との間に封止空間Ｄを形成した。その後、封止部材１６０側からメタルハライドランプを用いて接続領域Ｂの光硬化型導電性ペーストと接着領域Ｃの光硬化性樹脂に１０秒間光照射（１０００ｍＷ／ｃｍ２）を行うことにより、光硬化性樹脂を硬化させた。
以上のようにして、図１に示す発光装置１を作製した。【０１３１】
（比較例１）
接続領域Ｂに複数の凸部１１１を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして発光装置１を作製した。【０１３２】
（実施例２）
以下の操作により、図２に示す発光装置２を作製した。
先ず、表面に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）付きのガラス基板（６０ｍｍ×５１ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ、基板２１０に相当）を用意した。次に、陽極（第１電極２２０に相当）としてガラス基板の中央部の４０ｍｍ×４０ｍｍの領域と陽極端子を残すようにＩＴＯ膜のエッチングを行った。
次に、陽極の両側で基板上の接続領域Ｂに相当する領域から接着領域Ｃに相当する領域の一部わたって二酸化ケイ素の薄膜をスパッタリングにより形成した。成膜を行った領域は４０ｍｍ（陽極の辺方向）×８ｍｍで、膜厚は１μｍである。また、陽極との間隔は１ｍｍである。この結果、接続領域Ｂに相当する領域から、接着領域Ｃに相当する領域の一部にわたって、格子状に配列した、平面視が１μｍ角の正方形で高さが１μｍの複数の凸部２１１が形成された。
以降は、実施例１と同様にして図２に示す発光装置２を作製した。【０１３３】
（比較例２）
接続領域Ｂに相当する領域から接着領域Ｃに相当する領域の一部にわたって複数の凸部２１１を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様にして発光装置２を作製した。【０１３４】
［特性評価］
実施例１、２および比較例１、２で作製した発光装置に、定電圧電源（ケイスレーインスツルメンツ株式会社製ＳＭ２４００）を用いて段階的に電圧を印加して、有機発光素子の正面の発光強度を輝度計（株式会社トプコン製ＢＭ−９）で計測した。そして、正面輝度が１０００ｎｉｔになる電圧を駆動電圧として測定した。その結果、比較例１における駆動電圧が８．５Ｖであるのに対し、実施例１の駆動電圧は６．２Ｖであった。また、比較例２における駆動電圧が８．０Ｖであるのに対し、実施例２の駆動電圧は５．８Ｖであった。以上により、凹凸構造を接続領域Ｂに形成することにより、接続領域Ｂの接触抵抗が低下したことがわかる。【０１３５】
［接着強度の評価］
図５は、接着強度を評価するための試験片を説明する図である。実施例２のように接着領域Ｃに複数の凸部２１１を形成したことの効果を調べるため、図５に示すような試験片を作製して接着強度の評価を行った。
先ず、実施例２に対応する試験片として、幅５ｍｍ、長さ７０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス片を２枚用意し、一方の端部（長さ２ｍｍ、幅５ｍｍの領域）の片面に複数の凸部を形成した。複数の凸部の材料、形状および配列は、実施例１と同じある。すなわち、凸部は二酸化ケイ素で形成し、形状は一辺が１μｍ立方体で、正方格子状に配列した（凸部の間隔は１μｍ）。この凸部を形成したガラス片の凸部を形成した部分（長さ２ｍｍ）に、凸部を形成していないガラス片の一方の端部の長さ２ｍｍの部分が重なるように２枚のガラス片を接着させた。接着剤は実施例２に用いたものと同じものを使用した。また、比較例２に対応する試験片は、凹凸構造を形成しない２枚のガラス片を用いることを除き、実施例２に対応する試験片と同様にして作製した。【０１３６】
引っ張りせん断試験（ＪＩＳ  Ｋ６８５０準拠）により、接着面が剥離するかガラス片が破壊するときの応力を測定し、接着強度を評価した。
比較例２に対応する試験片では、接着領域でガラス片と接着層の界面剥離が起こり、このときの接着強度は２２０ｋｇｆ／ｃｍ２であった。一方、実施例２に対応する試験片では、ガラス片の破壊が起こり、このときの接着強度は４５０ｋｇｆ／ｃｍ２であった。複数の凸部を形成することにより接着強度が向上することが分かる。
【符号の説明】
【０１３７】
１，２，３，４…発光装置、１０，２０，３０，４０…有機発光素子、１１０，２１０，３１０，４１０…基板、１１１，２１１，３１１，４１１…凸部、１１２…薄膜層、１２０，２２０，３２０，４２０…第１電極、１４０，２４０，３４０，４４０…有機化合物層、１５０，２５０，３５０，４５０…第２電極、１５１，２５１，３５１，４５１…第２電極接続部、１５２，２５２，３５２，４５２…導電性部材、１６０，２６０，３６０，４６０…封止部材、１６１，２６１，３６１，４６１…導電部、１６２，２６２，３６２，４６２…接着部、３３０…誘電体層、３３１…貫通部、Ａ…発光領域、Ｂ…接続領域、Ｃ…接着領域、Ｄ…封止空間
【図１】
2013146350.tif 000004
【図２】
2013146350.tif 000005
【図３】
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【図４】
2013146350.tif 000007
【図５】
2013146350.tif 000008
【国際調査報告】
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