(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピントランジスタであって、前記スピントランジスタは下記を備える、
第１の強磁性層を備える第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
第２の強磁性層を備える第２のＭＴＪと、
下記を備える共有スピン層、
電極、
圧電絶縁層、および
強磁性スピン層、
ここにおいて、前記強磁性スピン層および前記第１の強磁性層は第１の磁気接合を形成し、
前記強磁性スピン層および前記第２の強磁性層は第２の磁気接合を形成し、
前記第１のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのソースを形成し、前記第２のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに前記電極は前記スピントランジスタのためのゲートを形成し、
前記電極に印加された電圧は、前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性スピン層における歪みを誘導させる。
【請求項２】
メモリデバイスに組み込まれる、請求項１に記載のスピントランジスタ。
【請求項３】
スイッチとして機能するように構成される、請求項１に記載のスピントランジスタ。
【請求項４】
半導体ダイに統合される、請求項１に記載のスピントランジスタ。
【請求項５】
前記スピントランジスタが統合される、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイル電話、セルラ電話、コンピュータ、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレイヤ、デジタル音楽プレイヤ、携帯用音楽プレイヤ、デジタルビデオプレイヤ、ビデオプレイヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、および携帯用デジタルビデオプレイヤ、から成るグループから選択されたデバイスをさらに備える、請求項１に記載のスピントランジスタ。
【請求項６】
スピントランジスタを形成する方法であって、前記方法は下記を備える、
第１の強磁性層を備える第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することと、
第２の強磁性層および第２のチャネルを備える第２のＭＴＪを提供することと、
共有スピン層を提供することとであって、前記共有スピン層は下記を備える、
電極、
圧電絶縁層、および
強磁性スピン層、
ここにおいて、前記強磁性スピン層および前記第１の強磁性層は第１の磁気接合を形成し、
前記強磁性スピン層および前記第２の強磁性層は第２の磁気接合を形成し、
前記第１のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのソースを形成し、前記第２のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに前記電極は前記スピントランジスタのためのゲートを形成する、と
前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性スピン層における歪みを誘導させるように、前記電極に電圧を印加すること。
【請求項７】
前記スピントランジスタは半導体ダイにおいて形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スピンバルブスイッチであって、前記スピンバルブスイッチは下記を備える、
第１の電極と、
チャネル領域を提供するように構成された強磁性層と、
ゲート絶縁を提供するように構成された、前記第１の電極と前記強磁性層との間に配置された圧電絶縁層と、
前記強磁性層と第１の磁気接合を形成する第１の固定強磁性層と、
前記強磁性層と第２の磁気接合を形成する第２の固定強磁性層と、
前記第１の磁気接合に関連付けられた第１のトンネルバリアと、
前記第２の磁気接合に関連付けられた第２のトンネルバリア、ここにおいて、前記スピンバルブスイッチがスピントランジスタとして動作するように、前記第１の電極が前記スピンバルブスイッチのためのゲートを形成し、前記第１の固定強磁性層がソースとしての役割をし、前記第２の固定強磁性層は、ドレインとしての役割をし、
前記第１の電極に印加された電圧は、前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性層における歪みを誘導させる。
【請求項９】
メモリデバイスに組み込まれる、請求項８に記載のスピンバルブスイッチ。
【請求項１０】
半導体ダイに統合される、請求項８に記載のスピンバルブスイッチ。
【請求項１１】
前記スピンバルブスイッチが統合される、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイル電話、セルラ電話、コンピュータ、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＣＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレイヤ、デジタル音楽プレイヤ、携帯用音楽プレイヤ、デジタルビデオプレイヤ、ビデオプレイヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、および携帯用デジタルビデオプレイヤ、から成るグループから選択されたデバイスをさらに備える、請求項８に記載のスピンバルブスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【優先権の主張】
【０００１】
[0001] 本願は、２０１２年５月９日付で出願された、「ＳＰＩＮ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲＳ  ＡＮＤ  ＲＥＬＡＴＥＤ  ＭＥＭＯＲＹ，  ＭＥＭＯＲＹ  ＳＹＳＴＥＭＳ，ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤＳ」という名称の、米国特許出願番号第６１／６４４５９２号に優先権および利益を主張し、それらはその全体でここに参照により組み込まれている。
【技術分野】
【０００２】
[0002] 本開示の技術は、概してメモリセルを提供するために使用される磁気トンネル接合（ＭＴＪ）に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003] 電子工学産業は、通例、回路設計のコンポーネントとしてスイッチを使用する。これまで、これらのスイッチは、ＣＭＯＳまたはＭＯＳＦＥＴスイッチのような、充電ベーススイッチであった。そのような充電ベーススイッチにおける電力消費は、依然として懸念事項のままであり、既存の切り替え技術の低電力の代わりとなるものを発見するための重圧が依然として継続したままである。
【０００４】
[0004] 磁気トンネル接合（ＭＴＪ）は、スイッチとして使用されうるけれども、データがＭＴＪをプログラミングすることによって保持される非揮発性メモリである、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）のような、メモリアプリケーションにおいてより頻繁に使用される。しかしながら、従来のＭＴＪは、状態間の切り替えにおいてある特定の量の電力を消費する。携帯用電子機器のような、多くのデバイスでは、そのようなメモリデバイス素子による電力消費を低減するための一般的な目的が存在する。
【０００５】
[0005] ＭＴＪの電力消費にも関わらず、電力がオフにされたときでさえＭＴＪは情報を保持するために使用されうるので、ＭＲＡＭは有益である。データは、電荷または電流よりもむしろ、小型の磁気素子としてのＭＴＪに保持される。例示的なＭＴＪ１０は、図１で例示されている。データは、２つの層、つまり固定またはピン層（pin layer）１４の上部に配置されたフリー層（free layer）１２、の間の磁性配向にしたがって、ＭＴＪ１０に保持される。フリー層およびピン層１２、１４は、強磁性体から形成される。ＭＴＪ１０は、従来の「ボトムスピンバルブ」（bottom-spin valve）構成で構成されており、ここにおいてピン層１４は、フリー層１２の下部に配置されている。フリー層およびピン層１２、１４は、薄い非磁気絶縁層によって形成されたトンネル接合またはバリア１６によって分離されている。フリー層およびピン層１２、１４は、Ｈ磁場（magnetic H-field）が、ＭＴＪ１０のヒステリシスループ１８に起因して「０」であるときでさえ、情報を保持することができる。バイアス電圧が、ＭＴＪ１０の端に結合された２つの電極２０、２２間で印加される場合、電子は、トンネルバリア１６を通じてトンネリングすることができる。トンネリング電流は、フリー層およびピン層１２、１４の相対的な配向に依存する。スピントルグトランスファ（ｓｐｉｎ−ｔｏｒｑｕｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ（ＳＴＴ））ＭＴＪを使用するとき、フリー層およびピン層１２、１４のスピン配列が並列（Ｐ）と反平行（ＡＰ）との間で切り替えられる場合のトンネリング電流における差異は、トンネル磁気抵抗比（ＴＭＲ）として知られる。
【０００６】
[0006] フリー層およびピン層１２、１４の磁性配向（magnetic orientation）が互いに反平行（anti-parallel）である（ＭＴＪ１０’として図１で図示されている）とき、第１のメモリ状態が存在する（例えば、論理「１」）。フリー層およびピン層１２、１４の磁性配向が互いに平行である（ＭＴＪ１０’’として図１で図示されている）とき、第２のメモリ状態が存在する（例えば、論理「０」）。フリー層およびピン層１２、１４の磁性配向は、電流がＭＴＪ１０を通って流れるときの抵抗を感知することによって、ＭＴＪ１０に保持されたデータを読み取るために感知されうる。データはまた、フリー強磁性層１２の配向をピン層１４に対してＰの磁性配向またはＡＰの磁性配向のどちらかに変更するように磁場を印加することによってＭＴＪ１０に書き込まれ、保持されることができる。フリー層１２の磁性配向は変更されうるけれども、ピン層１４の磁性配向は固定される。
【０００７】
[0007] 図２は、図１のＭＴＪ１０に類似する設計のＳＴＴ  ＭＴＪ２３（「ＭＴＪ２３」と称される）を例示している。ＭＴＪ２３は、非揮発性データを保持するために、ＭＲＡＭビットセル２４の一部として提供される。ＭＲＡＭビットセル２４は、メモリアレイに提供され、例えばコンピュータ処理ユニット（ＣＰＵ）またはプロセッサベースシステムのような、電子メモリを必要とするあらゆるタイプのシステムのためのメモリ記憶装置として使用されうる。金属酸化半導体（通常ｎタイプのＭＯＳ、つまりＮＭＯＳ）アクセストランジスタ２６は、読み出しおよびＭＴＪ２３への書き込みを制御するように提供される。アクセストランジスタ２６のドレイン（Ｄ）は、ピン層１４に結合された、ＭＴＪ２３の最下部の電極２２に結合される。ワード線（ＶＷＬ）は、アクセストランジスタ２６のゲート（Ｇ）に結合される。アクセストランジスタ２６のソース（Ｓ）は、電源（ＶＳ）に結合される。ビット線（ＶＢＬ）は、フリー層１２に結合された、ＭＴＪ２３の最上部の電極２０に結合される。
【０００８】
[0008] ＭＴＪ２３に保持されたデータを読み出すとき、ワード線（ＶＷＬ）は、小さな電流が電極２０、２２間のＭＴＪ２３を通って流れることを可能にするように、アクセストランジスタ２６のために駆動される。測定された電流によって分けられたビット線（ＶＢＬ）に印加された電圧によって測定されるような、低抵抗は、フリー層およびピン層１２、１４間のＰ配向と関連付けられる。より高い抵抗は、フリー層およびピン層１２、１４間のＡＰ配向と関連付けられる。ＭＴＪ２３にデータを書き込むとき、アクセストランジスタ２６のゲート（Ｇ）は、ワード線（ＶＷＬ）を駆動することによって駆動される。ビット線（ＶＢＬ）とソース線（ＶＳ）との間の電位差が印加される。結果として、書き込み電流（Ｉ）は、ドレイン（Ｄ）とソース（Ｓ）との間で生成される。磁性配向がＡＰからＰに変更されることになる場合、最上部の電極２０から最下部の電極２２に流れる書き込み電流（ＩＡＰ−Ｐ）が生成され、それは、ピン層１４に対してフリー層１２の磁性配向をＰに変更するためにフリー層１２においてＳＴＴを誘導する。磁性配向がＰからＡＰに変更されることになる場合、最下部の電極２２から最上部の電極２０に流れる電流（ＩＰ−ＡＰ）が作り出され、それは、ピン層１４に対するフリー層１２の磁性配向をＡＰに変更するためにフリー層１２においてＳＴＴを誘導する。
【０００９】
[0009] デバイスがスイッチとして提供されるか読み出し／書き込みメモリデバイスとして提供されるか、あるいはデバイスがどの状態に変更しているかに関わらず、電流（つまり、電力）のある特定の量が必要とされる。電力消費は、モバイル電話のようなモバイル端子におけるバッテリ寿命を短くし、全てのデバイスで浪費されなければならない廃熱を生成する。したがって、上記で留意されるように、ＭＲＡＭを用いうるプロセッサベースシステムにおける電力消費を低減するための一般的に望まれる目的が存在する。
【発明の概要】
【００１０】
[0010] 詳細な説明で開示されている実施形態は、スピントランジスタと関連するメモリ、メモリシステム、および方法を含む。スピントランジスタは、共有されるマルチフェロイック層（multiferroic layer）での少なくとも２つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）によって提供される。１つの実施形態では、マルチフェロイック層は、金属電極（金属）を有する強磁性薄膜（ＦＭチャネル）を覆う圧電（ＰＥ）薄膜から形成される。強磁性層はスピンチャネルとして機能し、圧電層は、チャネルのスピン状態を制御するために、圧電応力を伝達するために使用される。共有層の一方の側のＭＴＪは、ソースを形成し、もう一方の側のＭＴＪはスピントランジスタのためのドレインである。電圧パルスがＰＥ膜に提供されるとき、ＰＥ膜は、強磁性層に対して応力を誘導する。今度は、強磁性層における誘導された応力異方性が、最初の並列または反平行状態からの好ましいスピン配向（容易軸）の９０度回転をもたらす。この回転は、メタステーブルのスピン状態をセットアップする。スピントランジスタのドレインとソースとの間の小さな電圧が印加されるとき、小さなスピン偏極電流がスピン状態を平行配向にし、チャネルを低インピーダンス状態に変え、スピントランジスタのオン状態移行を完了させる。ソースとドレインとの間に電圧が存在しないとき、磁気双極子は、スピン状態を強制的に反平行にし、チャネルを高インピーダンス状態に変更し、オフ状態移行を完了させる。
【００１１】
[0011] この点に関して１つの実施形態では、電圧制御スピンチャネルは、第１の電極、チャネル領域を提供するように構成された強磁性層、およびゲート絶縁を提供するように構成された、強磁性層と第１の電極との間に配置された圧電絶縁層を備える。
【００１２】
[0012] 別の実施態様では、スピントランジスタが提供されている。スピントランジスタは、第１の強磁性層および第１のチャネルを備える第１のＭＴＪ、第２の強磁性層および第２のチャネルを備える第２のＭＴＪ、ならびに共有スピン層を備える。共有スピン層は、電極、圧電層、および強磁性スピン層を備える。第１のＭＴＪはスピントランジスタのためのソースを形成し、第２のＭＴＪはスピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに電極はスピントランジスタのためのゲートを形成する。
【００１３】
[0013] 別の実施態様では、スピントランジスタを形成するための方法が提供されている。方法は、第１の電極を提供すること、およびチャネル領域を提供するように構成された強磁性層を提供することを備える。方法はさらに、ゲート絶縁を提供するために、第１の電極と強磁性層との間に圧電絶縁層を配置することを備える。
【００１４】
[0014] 別の実施態様では、スピントランジスタを形成するための方法が提供されている。方法は、第１の強磁性層および第１のチャネルを備える第１のＭＴＪを提供することを備える。方法はさらに、第２の強磁性層および第２のチャネルを備える第２のＭＴＪを提供することを備える。方法はさらに、電極、圧電絶縁層、および強磁性スピン層を備える共有スピン層を提供することを備え、ここにおいて第１のＭＴＪがスピントランジスタのためのソースを形成し、第２のＭＴＪがスピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに電極がスピントランジスタのためのゲートを形成する。
【００１５】
[0015] 別の実施形態では、スピンバルブスイッチは、第１の電極、第１の領域を提供するように構成された強磁性層、ゲート絶縁を提供するように構成された、第１の電極と強磁性層との間に配置された圧電絶縁層、強磁性層を有する第１のスピンバルブまたは第１の磁気接合を形成する第１の固定強磁性層、および強磁性層を有する第２のスピンバルブまたは第２の磁気接合を形成する第２の固定強磁性層を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】並列（Ｐ）および反平行（ＡＰ）状態の両方で図示されている、先行技術における磁気トンネル接合の例示である。
【図２】先行技術における、従来の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）設計を用いる、例示的な磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）ビットセルの図である。
【図３】本開示にしたがった電圧制御スピンチャネルの例示的な実施形態の簡略化されたブロック図である。
【図４Ａ】図３のスピントランジスタの３つの状態のうちの１つを例示する。
【図４Ｂ】図３のスピントランジスタの３つの状態のうちの１つを例示する。
【図４Ｃ】図３のスピントランジスタの３つの状態のうちの１つを例示する。
【図５Ａ】例示的なスピンバルブスイッチ、および第１の電極と強磁性（ＦＭ）層との間に配置された圧電（ＰＥ）層から形成されたスピントランジスタのブロック図である。
【図５Ｂ】例示的なスピンバルブスイッチ、および第１の電極と強磁性（ＦＭ）層との間に配置された圧電（ＰＥ）層から形成されたスピントランジスタのブロック図である。
【図５Ｃ】例示的なスピンバルブスイッチ、および第１の電極と強磁性（ＦＭ）層との間に配置された圧電（ＰＥ）層から形成されたスピントランジスタのブロック図である。
【図５Ｄ】例示的なスピンバルブスイッチ、および第１の電極と強磁性（ＦＭ）層との間に配置された圧電（ＰＥ）層から形成されたスピントランジスタのブロック図である。
【図６】ＰＥ層による応力誘導メタスタビリティをもたらす電圧バイアスを例示する、図５Ｄのスピントランジスタの図である。
【図７】図６の応力誘導メタスタビリティによって支援されたスピン電流誘導偏極状態の変更を例示する、図５Ｄのスピントランジスタの図である。
【図８】図５Ｄの例示的なスピントランジスタのための提案される例示的な回路図シンボルである。
【図９】図５Ｄのスピントランジスタを組み込む例示的なメモリデバイスである。
【図１０】ここで開示されるスピントランジスタを含むことができる例示的なプロセッサベースシステムのブロック図である。
【詳細な説明】
【００１７】
[0026] 次に図面を参照すると、本開示のいくつかの例示的な実施形態が記述されている。「例示的な」という言葉は、「例、事例、または例示としての役目をする」を意味するようにここで使用される。「例示的な」ものとしてここで記述されているいずれの実施形態も、他の実施形態と比較して、必ずしも、好ましいまたは有利であると解釈されるものではない。
【００１８】
[0027] 詳細な説明で開示されている実施形態は、スピントランジスタと関連するメモリ、メモリシステム、および方法を含む。スピントランジスタは、共有されるマルチフェロイック層での少なくとも２つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）によって提供される。１つの実施形態では、マルチフェロイック層は、金属電極（金属）を有する強磁性薄膜（ＦＭチャネル）を覆う圧電（ＰＥ）薄膜から形成される。強磁性層はスピンチャネルとして機能し、圧電層は、チャネルのスピン状態を制御するために、圧電応力を伝達するために使用される。共有層の一方の側のＭＴＪは、ソースを形成し、もう一方の側のＭＴＪはスピントランジスタのためのドレインである。電圧パルスがＰＥ膜に提供されるとき、ＰＥ膜は、強磁性層に対して応力を誘導する。今度は、強磁性層における誘導された応力異方性が、最初の平行または反平行状態からの好ましいスピン配向（容易軸）の９０度回転をもたらす。この回転は、メタステーブルのスピン状態をセットアップする。スピントランジスタのドレインとソースとの間の小さな電圧が印加されるとき、小さなスピン偏極電流がスピン状態を平行配向にし、チャネルを低インピーダンス状態に変え、スピントランジスタのオン状態移行を完了させる。ソースとドレインとの間に電圧が存在しないとき、磁気双極子は、スピン状態を強制的に反平行にし、チャネルを高インピーダンス状態に変更し、オフ状態移行を完了させる。
【００１９】
[0028] この点に関して、図３は電圧制御スピンチャネル１５０の簡略化された図である。電圧制御スピンチャネル１５０は、以下でより詳細に記述されるように、スピントランジスタの構成要素（ｂｕｉｌｄｉｎｇ  ｂｌｏｃｋ）を形成することができる。電圧制御スピンチャネル１５０は、圧電絶縁層１５２を含む。圧電絶縁層１５２の一方の側には、強磁性層１５４があり、圧電絶縁層１５２のもう一方の側には、金属層１５６がある。金属層１５６は、電圧制御スピンチャネル１５０に第１の電極を提供し、強磁性層１５４は、電圧制御スピンチャネル１５０にチャネル領域を提供する。圧電絶縁層１５２は、ゲート絶縁としての役割をする。総称して、圧電絶縁層１５２および強磁性層１５４は、ときにマルチフェロイックスタックとしてここで称される。
【００２０】
[0029] 電圧制御スピンチャネル１５０は、強磁性層１５４に関するエネルギー状態を有し、そのエネルギー状態は、ここではＥｔｏｔａｌであると定義される。電圧制御スピンチャネル１５０に関する最もステーブルな状態は、最低のエネルギー状態である。Ｅｔｏｔａｌは、磁気素子の物理的特性（physical property）の合計に等しく、エネルギーはあらゆる磁気双極子およびあらゆる外部の力によって形成される。したがって、Ｅｔｏｔａｌは、以下のように、数学的に定義されうる。
【００２１】
[0030] Ｅｔｏｔａｌ＝Ｅ０＋Ｅｄｉｐｏｌｅ＋Ｅｓｐｉｎ−ｔｏｒｑｕｅ＋Ｅｓｔｒｅｓｓ−ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ
[0031] Ｅ０が磁気素子の物理的特性および配列の関数である場合、Ｅｄｉｏｐｏｌｅは、磁気双極子の関数であり、Ｅｓｐｉｎ−ｔｏｒｑｕｅはスピン―スピンの相互作用またはスピン―トルクの関数であり、Ｅｓｔｒｅｓｓ−ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙは外部の機械的な力の関数である。通常、Ｅｄｉｐｏｌｅは小さい。いずれのＥｓｔｒｅｓｓ−ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙもＥｓｐｉｎ−ｔｏｒｑｕｅもない場合、最低エネルギー状態は、主にＥｄｉｐｏｌｅのためにスピントランジスタにおいて反平行である。したがって、電圧制御スピンチャネル１５０がスピントランジスタに組み込まれる場合、強磁性層１５４のためのデフォルトの配向は、反平行である（つまり、それは、スピントランジスタのドレインおよびソースを形成するために使用される固定強磁性層の逆になることを望む（以下でより詳細に図示されている））。しかしながら、小さな電圧パルスを金属電極１５に印加することによって、圧電絶縁層１５２からの応力の形態で、エネルギーが強磁性層１５４に供給されるとき、Ｅｔｏｔａｌは変化し、新たな最低エネルギー状態を得る。そのようなケースでは、最低エネルギー状態は、メタステーブルスピン状態であり、これは容易軸に垂直であるスピン状態を選ぶ。今度は、小さな電圧が印加される（例えば、電流がスピントランジスタにおいてソースからドレインに流れる）とき、小さなスピン偏極電流は、スピン状態を平行配向にし、チャネルを低インピーダンス状態にする。ソースとドレインとの間にスピン偏極電流が存在しないとき、電圧の別のパルスは配向を反平行に押し戻す。
【００２２】
[0032] 強磁性層１５４の状態は、図４Ａ−４Ｃにおいて、すなわち歪み誘起によるメタステーブルスピン状態移行１７０Ａ（図４Ａ）、スピン電流セットＯＮ状態（つまり、平行）１７０Ｂ（図４Ｂ）、および双極子誘導ＯＦＦ状態（つまり、反平行）１７０Ｃ（図４Ｃ）において例示され（ならびに以下でより詳細に論じられ）、金属層１５６における電圧の存在およびソースとドレインとの間のスピン電流にしたがって、それらの間で切り替えることができる。
【００２３】
[0033] 図３および４Ａ−４Ｃへの参照を継続すると、電圧が第１の電極（つまり、電圧制御スピンチャネル１５０の金属層１５６）に印加されるとき、電圧は、圧電絶縁層１５２に形を変更させ、それは、強磁性層１５４における物理的歪みを引き起こす。相対的に低い電圧が、この歪みを与えるために必要とされる（例えば、薄いマルチフェロイックスタックに関して＜０．１Ｖ）。電圧に結合された強磁性層１５４上の歪みは、強磁性層１５４の状態が変更されることを可能にする。応力のもとでは、強磁性層１５４は、メタステーブルスピン状態になることになる。メタステーブルスピン状態は、強磁性層１５４が、歪みおよび水平に位置するスピン配向のもとにある状況である。一度応力が解放されると、スピン状態は、スピン偏極電流がチャネルを通じて流れているかどうかによって決定されるＡＰまたはＰ方向、つまり小さいスピン偏極電流で平行、スピン偏極電流では反平行、に沿った容易軸（垂直）に戻ることになる。したがって、物理的歪みの付加は、平行のスピン配向への変更を生じさせるために必要とされる電流の量が、図２のＭＴＪ２３における状態を変更するために必要とされるものよりもはるかに小さいことを意味する。したがって、電圧制御スピンチャネル１５０のスピン電流は相対的に小さく、例えば０．１Ｖのような非常に低いバイアス電圧で行われうる。ＣＭＯＳ論理と同様に、切り替え遅延は、ＣＶ／Ｉに依存し、切り替えエネルギーはＣＶ２に従うが、少ないＣ（＞１００Ａ圧電層の厚さ）および非常に低いＶ２を伴う。また、チャネル状態がロックされ、それによりどの電力も、切り替え段階の間を除いて供給される必要はない。
【００２４】
[0034] 電圧制御スピンチャネル１５０のコンダクタンスは、強磁性層１５４のスピン偏極によって制御され、それは、歪みおよび圧電層１５２において誘導された歪みによって金属層１５６に印加された電圧によって操作される。
【００２５】
[0035] 例示的な実施形態では、圧電層１５２は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であることができ、金属層１５６は、銅、銀、またはアルミニウム等のようなあらゆる導体であることができる。
【００２６】
[0036] 図３および４Ａ−４Ｃの電圧制御スピンチャネル１５０は、図５Ａ−５Ｄにおいてより十分に例示される、電圧制御スピンバルブスイッチまたはスピントランジスタに容易に組み込まれる。特に、図５Ａは、第１の固定強磁性層１５８Ａおよび第２の固定強磁性層１５８Ｂに結合された電圧制御スピンチャネル１５０から形成されるスピンバルブスイッチ１７２を例示している。第１の固定強磁性層１５８Ａと強磁性層１５４との間のインタフェースは、磁気接合１７４またはスピンバルブを形成し、それは、ダイオードにおけるｐ−ｎ接合に類似するポテンシャル（potential）を有すが、電位(electrical potential)の代わりにそれは磁位(magnetic potential)である。同様に、第２の固定強磁性層１５８Ｂと強磁性層１５４との間のインタフェースは、磁気接合１７６を形成する。ほとんどの物質では、磁気接合１７４および１７６は、効率的ではない。固定強磁性層１５８が強磁性層１５４と同じ物質から成る場合、磁気接合は存在せず、圧電絶縁層１５２が強磁性層１５４に歪みを与える場合にそれらの間に磁壁を形成することを留意されたい。例示的な実施形態では、固定強磁性層１５８は、同じ物質から成る。しかしながら、代わりの実施形態では、固定強磁性層１５８は、非対称スピンバルブスイッチを生成するために異なる物質から成る。
【００２７】
[0037] 磁気接合１７４、１７６におけるスピン注入効率を向上させるために、トンネルバリアが使用されうる。図５Ｂおよび５Ｃは、磁気接合１７４、１７６のそれぞれにおいて、トンネルバリア１６０Ａ、１６０Ｂを使用する代わりの実施形態を例示している。トンネルバリア１６０Ａ、１６０Ｂは、スピン偏極電流注入を向上させ、強磁性層１５４、１５８Ａ、および１５８Ｂの間の伝導率の不一致を回避する。そのような接合は、磁気トンネル接合とも呼ばれる。
【００２８】
[0038] したがって、磁気接合１７４、１７６の両方における２つのトンネルバリア１６０Ａ、１６０Ｂの使用は、図５Ｄで例示されているように、スピントランジスタ１７８を提供する。より具体的に、図５Ｄは、前に述べられた圧電絶縁層１５２、強磁性層１５４、および金属層１５６を共有する。強磁性層１５４の一方の側の第１の固定強磁性層１５８Ａは、スピントランジスタ１７８のためのソースとして機能する。第１の固定強磁性層１５８Ａは、トンネルバリア１６０Ａによって強磁性層１５４から分離される。強磁性層１５４のもう一方の側の第２の固定強磁性層１５８Ｂは、スピントランジスタ１７８のためのドレインとして使用される。第２の固定強磁性層１５８Ｂは、第２のトンネルバリア１６０Ｂによって強磁性層１５４から分離される。実質的に、固定強磁性層１５８Ａおよび１５８Ｂは、強磁性層１５４によって形成される共有チャネルで２つのＭＴＪを形成する。金属層１５６は、ゲートのための電極としての役割をし、強磁性層１５８Ａ、１５８Ｂは、電極が付加されうるドレインおよびソースを提供する。この構造は、スピントランジスタ１７８がスイッチまたはメモリ素子として機能することを可能にする。どちらのケースでも、構造は、他の設計よりも少ない電流での状態の変更を可能にし、その代わりに電力を節約する。
【００２９】
[0039] 図６は、強磁性層１５４におけるメタステーブルスピン状態を誘導する圧電絶縁層１５２に印加される電圧を例示する、図５のスピントランジスタ１７８の図である。電圧ソース１８０は、金属層１５６に印加され、ある例示的な実施形態では０．１Ｖよりも小さい電圧Ｖｇを提供することに留意されたい。同様に、電圧ソース１８２は、スピントランジスタ１７８のドレインとソースとの間に電圧Ｖｄｓを提供する。電圧Ｖｄｓは、同様に、ある例示的な実施形態では、０．１Ｖよりも小さくありうる。
【００３０】
[0040] 図７は、強磁性層１５４がメタステーブル状態から、ＯＮ状態（実線の矢印）またはＯＦＦ状態（点線の矢印）に移行したように、スピントランジスタ１７８のドレインおよびソースに印加される電流を有するスピントランジスタ１７８を例示している。また、メタステーブル状態からＯＮまたはＯＦＦ状態のどちらかにシフトするために必要とされる電流の量は、非常に低く、それにより、電力の保存は達成される。
【００３１】
[0041] 本開示の配列は、比較的低い電力供給、約＜＜０．１Ｖ  ＶｇｓおよびＶｄｓ電圧、を有する単一磁区強磁性チャネル（高いｏｎ／ｏｆｆ比）を提供する。例として、５０ｍＶが示される。さらに、圧電絶縁層１５２の厚さは、歪み変換のために比較的厚く、このことは結果としてそれに関連付けられた低いキャパシタンスをもたらす。同様に、チャネル状態メモリ（ＯＮおよびＯＦＦ）は、ゲート電圧パルスによって切り替えられる。
【００３２】
[0042] 図８は、図５Ｄの例示的なスピントランジスタのための例示的な回路図シンボル２００である。他のシンボルが使用されうるけれども、提案されるシンボル２００は、本開示の構造を呼び起こす。
【００３３】
[0043] 図９は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）として使用される、上で記述されたスピントランジスタ１７８の例示的な実施形態を例示している。特に、図９は、固定強磁性層１５８Ａ、１５８Ｂをわたって結合されたビット線電圧ＶＢＬを持つビット線２１２を有する第１のＭＲＡＭ２１０を例示している。ワード線電圧ＶＷＬを持つワード線２１４は、金属層１５６に結合され、それは第１の電極としての役割をする。
【００３４】
[0044] ここで開示されている実施形態にしたがったメモリを有するスピントランジスタは、あらゆるプロセッサベースデバイスに提供されうる、あるいは統合されうる。例は、限定なく、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイル電話、セルラ電話、コンピュータ、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレイヤ、デジタル音楽プレイヤ、携帯用音楽プレイヤ、デジタルビデオプレイヤ、ビデオプレイヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、および携帯用デジタルビデオプレイヤを含む。
【００３５】
[0045] この点に関して、図１０は、図５Ｄで例示されているスピントランジスタ１７８を用いることができるプロセッサベースシステム５０の例を例示している。この例では、プロセッサベースシステム５０は、それぞれが１つまたは複数のプロセッサ５４を含む１つまたは複数の中央処理ユニット（ＣＰＵ）５２を含む。ＣＰＵ５２は、マスタデバイスでありうる。ＣＰＵ５２は、一時的に記憶されたデータへの迅速なアクセスのために（１つまたは複数の）プロセッサ５４に結合されたキャッシュメモリ５６を有することができる。ＣＰＵ５２は、システムバス５８に結合され、プロセッサベースシステム５０に含まれる追従デバイスとマスタデバイスを相互結合することができる。周知であるように、ＣＰＵ５２は、システムバス５８をわたって、アドレス、制御、およびデータ情報を交換することによってこれらの他のデバイスと通信する。図１０では例示されていないけれども、複数のシステムバス５８が提供されることができ、ここにおいて各システムバス５８が異なる骨組（fabric）の構成要素となる。
【００３６】
[0046] 他のマスタおよび追従デバイスが、システムバス５８に接続されることができる。図１０で例示されているように、これらのデバイスは、例として、メモリシステム６０、１つまたは複数の入力デバイス６２、１つまたは複数の出力デバイス６４、１つまたは複数のネットワークインタフェースデバイス６６、および１つまたは複数のディスプレイコントローラ６８を含むことができる。（１つまたは複数の）入力デバイス６２は、入力キー、スイッチ、ボイスプロセッサ等に限定はされないけれどもそれらを含む、あらゆるタイプの入力デバイスを含むことができる。（１つまたは複数の）出力デバイス６４は、オーディオ、ビデオ、他の視覚インジケータ等に限定はされないけれどもそれらを含む、あらゆるタイプの出力デバイスを含むことができる。（１つまたは複数の）ネットワークインタフェースデバイス６６は、ネットワーク７０への、ならびにネットワーク７０からのデータの交換を可能にするように構成されたあらゆるデバイスであることができる。ネットワーク７０は、ワイヤード（ｗｉｒｅｄ）またはワイヤレスネットワーク、私的または公的ネットワーク、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、およびインターネットに限定はされないけれども含む、あらゆるタイプのネットワークでありうる。（１つまたは複数の）ネットワークインタフェースデバイス６６は、あらゆるタイプの望まれる通信プロトコルをサポートするように構成されうる。メモリシステム６０は、１つまたは複数のメモリユニット７２（０−Ｎ）を含むことができ、それは１つまたは複数のＭＲＡＭ２１０を含むことができる。
【００３７】
[0047] ＣＰＵ５２はまた、１つまたは複数のディスプレイ７４に送られる情報を制御するために、システムバス５８をわたって（１つまたは複数の）ディスプレイコントローラ６８にアクセスするように構成されうる。（１つまたは複数の）ディスプレイコントローラ６８は、１つまたは複数のビデオプロセッサ７６を介して表示されるように、（１つまたは複数の）ディスプレイ７４に情報を送り、そのプロセッサ７６は、（１つまたは複数の）ディスプレイ７４に適したフォーマットに表示されるべきその情報を処理する。（１つまたは複数の）ディスプレイ７４は、ブラウン管（ＣＲＴ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ等に限定されないけれども含む、あらゆるタイプのディスプレイを含むことができる。
【００３８】
[0048] 当業者は、ここで開示された実施形態と関連して記述される様々な実例となる論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムが、電子ハードウェア、メモリまたは別のコンピュータ可読媒体に記憶され、かつプロセッサまたは他の処理デバイスによって実行される命令、あるいはその両方の組み合わせとしてインプリメントされうることをさらに認識するだろう。ここで記述されるアービター（ａｒｂｉｔｅｒ）、マスタデバイス、および追従デバイスは、例として、あらゆる回路、ハードウェアコンポーネント、集積回路（ＩＣ）、またはＩＣチップで用いられうる。ここで開示されたメモリは、あらゆるタイプおよびサイズのメモリであることができ、あらゆるタイプの望まれる情報を記憶するように構成されうる。この互換性を明確に例示するために、様々な実例となるコンポーネント、ブロック、モジュール、回路、およびステップが、一般的にそれらの機能の観点から上で記述されてきた。そのような機能がどのようにインプリメントされるかは、特定のアプリケーション、設計選択、および／また全体のシステムに課された設計制限に依存する。当業者は、各特定のアプリケーションのための様々な方法で記述された機能をインプリメントしうるけれども、そのようなインプリメンテーション決定は、本願発明の範囲からの逸脱を引き起こすとして解釈されるべきではない。
【００３９】
[0049] ここで開示された実施形態に関連して記述された様々な実例となる論理ブロック、モジュール、および回路は、プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）または他のプログラマブル論理デバイス、ディスクリートゲートまたはトランジスタ論理、ディスクリートハードウェアコンポーネント、あるいはここに説明された機能を実行するように設計されるそれらのあらゆる組み合わせで、インプリメントまたは実行されうる。プロセッサはマイクロプロセッサでありうるけれども、代わりとして、プロセッサはいずれの従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンでもありうる。プロセッサはまた、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携した１つまたは複数のマイクロプロセッサ、あるいはあらゆる他のそのような構成のような、コンピューティングデバイスの組み合わせとしてインプリメントされうる。
【００４０】
[0050] ここで開示されている実施形態は、ハードウェアに記憶され、かつ、例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、電気的プログラマブルＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、あるいは当該技術分野において周知であるコンピュータ可読媒体のあらゆる他の形態、に存在しうる命令およびハードウェアで実現されうる。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出し、および記憶媒体に情報を書き込むことができるように、プロセッサに結合される。代わりとして、記憶媒体は、プロセッサに不可欠でありうる。プロセッサおよび記憶媒体は、ＡＳＩＣ内に存在しうる。ＡＳＩＣは、遠隔局に存在することができる。代わりにおいて、プロセッサおよび記憶媒体は、遠隔局、基地局、またはサーバにディスクリートコンポーネントとして存在しうる。
【００４１】
[0051] ここにおける例示的な実施形態のいずれかで記述されている動作ステップは、例および議論を提供するために記述されていることにも留意されたい。記述されている動作は、例示されているシーケンス以外の多くの異なるシーケンスで実行されうる。さらに、単一の動作ステップで記述されている動作は実際、多くの異なるステップで実行されることができる。加えて、例示的な実施形態で論じられている１つまたは複数の動作ステップが組み合されうる。フローチャート図で例示されている動作ステップは、当業者に容易に明らかになるように、多くの異なる修正に影響を受けうることは理解されるべきである。当業者はまた、情報および信号が、様々な異なる技術および技法のいずれかを使用して表されうることを理解するだろう。上記の記述全体を通して参照されうる、例えば、データ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場または磁気微粒子、光学場または光学微粒子、あるいはこれらのあらゆる組み合わせによって表されうる。
【００４２】
[0052] 本開示の先の説明は、いずれの当業者も本開示を製造または使用することができるようにするために提供されている。本開示に対する様々な変更は、当業者には容易に明らかであり、ここで定義された一般的な原理は、本開示の精神または範囲から逸脱せずに、他の変形例に適用されることができる。よって、本開示は、ここで記述される例および設計に限定されるように意図されたものではなく、ここで開示された原理および新規の特徴と一貫する最大範囲であるが与えられる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］電圧制御スピンチャネルであって、前記電圧制御スピンチャネルは下記を備える、
第１の電極と、
チャネル領域を提供するように構成された強磁性層と、
ゲート絶縁を提供するように構成された、前記第１の電極と前記強磁性層との間に配置された圧電層。
［Ｃ２］前記第１の電極に印加された電圧は、前記圧電絶縁層に、前記強磁性層のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性層における歪みを誘導させる、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ３］前記強磁性層は、少なくとも１つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の少なくとも１つの強磁性スピン層を提供する、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ４］前記少なくとも１つのＭＴＪは、トンネリングバリアが少なくとも１つの追加の電極と前記少なくとも１つの強磁性スピン層との間に配置された状態の前記少なくとも１つの追加の電極を備える、［Ｃ３］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ５］半導体ダイに統合される、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ６］バス相互接続が統合される、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイル電話、セルラ電話、コンピュータ、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレイヤ、デジタル音楽プレイヤ、携帯用音楽プレイヤ、デジタルビデオプレイヤ、ビデオプレイヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、および携帯用デジタルビデオプレイヤ、から成るグループから選択されたデバイスをさらに備える、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ７］メモリデバイスに組み込まれる、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ８］スイッチとして機能するように構成される、［Ｃ１］に記載の電圧制御スピンチャネル。
［Ｃ９］スピントランジスタであって、前記スピントランジスタは下記を備える、
第１の強磁性層および第１のチャネルを備える第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、
第２の強磁性層および第２のチャネルを備える第２のＭＴＪと、
下記を備える共有スピン層、
電極、
圧電絶縁層、および
強磁性スピン層、
ここにおいて、前記第１のＭＴＪはスピントランジスタのためのソースを形成し、前記第２のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに前記電極は前記スピントランジスタのためのゲートを形成する。
［Ｃ１０］前記第１の電極に印加された電圧は、前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性スピン層における歪みを誘導させる、［Ｃ９］に記載のスピントランジスタ。
［Ｃ１１］メモリデバイスに組み込まれる、［Ｃ９］に記載のスピントランジスタ。
［Ｃ１２］スイッチとして機能するように構成される、［Ｃ９］に記載のスピントランジスタ。
［Ｃ１３］半導体ダイに統合される、［Ｃ９］に記載のスピントランジスタ。
［Ｃ１４］バス相互接続が統合される、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイル電話、セルラ電話、コンピュータ、携帯用コンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナー、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレイヤ、デジタル音楽プレイヤ、携帯用音楽プレイヤ、デジタルビデオプレイヤ、ビデオプレイヤ、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）プレイヤ、および携帯用デジタルビデオプレイヤ、から成るグループから選択されたデバイスをさらに備える、［Ｃ９］に記載のスピントランジスタ。
［Ｃ１５］スピントランジスタを形成する方法であって、前記方法は下記を備える、
第１の電極を提供することと、
チャネル領域を提供するように構成された強磁性層を提供することと、
ゲート絶縁を提供するために、前記第１の電極と前記強磁性層との間に圧電絶縁層を配置すること。
［Ｃ１６］前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性層における歪みを誘導させるように、前記第１の電極に電圧を印加すること、をさらに備える、［Ｃ１５］に記載の方法。
［Ｃ１７］前記強磁性層を提供することは、少なくとも１つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）の少なくとも１つの強磁性スピン層を提供することを備える、［Ｃ１５］に記載の方法。
［Ｃ１８］トンネルバリアが少なくとも１つの第３の電極と前記少なくとも１つの強磁性スピン層との間に配置された状態の前記少なくとも１つの第３の電極、および前記少なくとも１つの第３の電極と前記少なくとも１つの強磁性スピン層との間の第２の強磁性層を提供することをさらに備える、［Ｃ１７］に記載の方法。
［Ｃ１９］スピントランジスタを形成する方法であって、前記方法は下記を備える、
第１の強磁性層および第１のチャネルを備える第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を提供することと、
第２の強磁性層および第２のチャネルを備える第２のＭＴＪを提供することと、
下記を備える共有スピン層を提供すること、
電極、
圧電絶縁層、および
強磁性スピン層、
ここにおいて、前記第１のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのソースを形成し、前記第２のＭＴＪは前記スピントランジスタのためのドレインを形成し、ならびに前記電極は前記スピントランジスタのためのゲートを形成する。
［Ｃ２０］前記圧電絶縁層に、強磁性体のスピン偏極をメタステーブル偏極状態に誘導するために前記強磁性スピン層における歪みを誘導させるように、前記電極に電圧を印加すること、をさらに備える、［Ｃ１９］に記載の方法。
［Ｃ２１］スピンバブルスイッチであって、前記スピンバブルスイッチは下記を備える、
第１の電極と、
チャネル領域を提供するように構成された強磁性層と、
ゲート絶縁を提供するように構成された、前記第１の電極と前記強磁性層との間に配置された圧電絶縁層と、
前記強磁性層と第１の磁気トンネル接合を形成する第１の固定強磁性層と、
前記強磁性層と第２の磁気接合を形成する第２の固定強磁性層。
［Ｃ２２］前記第１の磁気接合に関連付けられた第１のトンネルバリアをさらに備える、［Ｃ２１］に記載のスピンバルブスイッチ。
［Ｃ２３］前記第２の磁気接合に関連付けられた第２のトンネルバリアをさらに備え、前記スピンバルブがスピントランジスタとして動作するように、前記第１の電極が前記スピンバルブのためのゲートを形成し、前記第１の固定強磁性層がソースとしての役割をし、前記第２の固定強磁性層は、ドレインとしての役割をする、［Ｃ２２］に記載のスピンバルブスイッチ。
【図１】
0005902349.tif 000002
【図２】
0005902349.tif 000003
【図３】
0005902349.tif 000004
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0005902349.tif 000006
【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
0005902349.tif 000008
【図５Ｂ】
0005902349.tif 000009
【図５Ｃ】
0005902349.tif 000010
【図５Ｄ】
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【図６】
0005902349.tif 000012
【図７】
0005902349.tif 000013
【図８】
0005902349.tif 000014
【図９】
0005902349.tif 000015
【図１０】
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