(57)【要約】【課題】金属パターン部自身が透光性を有することで、金属パターン部が視認されにくく、モアレや回折による散乱を低減し、かつ十分な導電性とを兼ね備えた透光性導電パターン部材を提供する。【解決手段】窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材により達成される。【選択図】図１
2013157420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、
銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、
を備えてなる透光性導電パターン部材。
【請求項２】
前記導電パターン部の膜厚が、４ｎｍ以上、９ｎｍ以下である請求項１に記載の透光性導電パターン部材。
【請求項３】
前記窒素原子を含む化合物が、窒素原子をヘテロ原子とする複素環を有することを特徴とする請求項１または２に記載の透光性導電パターン部材。
【請求項４】
前記窒素原子を含む化合物が、ピリジン環を有する基を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の透光性導電パターン部材。
【請求項５】
前記窒素原子を含む化合物が、下記一般式（１）で表される化合物を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の透光性導電パターン部材；
【化１】
2013157420.tif 000043
一般式（１）の式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は下記一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。
【化２】
2013157420.tif 000044
一般式（Ａ）の式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３及びＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。
【請求項６】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物である請求項５に記載の透光性導電パターン部材；
【化３】
2013157420.tif 000045
上記一般式（２）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、及びＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。
【請求項７】
前記一般式（２）で表される化合物が、下記一般式（３）で表される化合物である請求項６に記載の透光性導電パターン部材；
【化４】
2013157420.tif 000046
上記一般式（３）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つ及びＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。
【請求項８】
透明樹脂フィルム上に形成されてなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の透光性導電パターン部材。
【請求項９】
窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材の製造方法において、
前記下地層上に銀または銀を主成分とする合金層を蒸着法により形成することを特徴とする透光性導電パターン部材の製造方法。
【請求項１０】
窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材の製造方法において、
前記下地層上に形成された銀または銀を主成分とする合金層を、パターンを形成したマスクを介して蒸着法により導電パターン部を形成することを特徴とする透光性導電パターン部材の製造方法。
【請求項１１】
窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材の製造方法において、
前記下地層上に銀または銀を主成分とする合金層を形成した後、
前記導電パターン部以外の領域に銀除去液をパターン印刷し、
次いで、水洗を行うことによって導電パターン部を形成することを特徴とする透光性導電パターン部材の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性電磁遮蔽部材。
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれかに記載の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性周波数選択性電磁遮蔽部材。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれかに記載の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性アンテナ部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電部自身も透光性を有する透光性導電パターン部材、及びその製造方法、さらには、これを用いた透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁波遮蔽部材、透光性アンテナ部材、タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
透光性導電パターン部材は、例えばプラズマディスプレイパネルの電磁波遮蔽などに利用されている。【０００３】
さらに、昨今の無線環境の広がりにより、無線データのセキュリティーを維持するため、あるいは、通信品質を維持する、例えば複数のＩＣタグを利用した際の混信を防ぐためなどに、窓ガラスやＩＣタグを付けた商品を取り扱うレジ間や商品仕分けレーンの透明区切り板に電磁波遮蔽機能を付加するという試みがなされている。単純な遮蔽では携帯電話や公共無線の電波まで遮蔽してしまうため、周波数選択的に電磁波遮蔽ができるＦＳＳ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｓｕｒｆａｃｅ）が注目されつつある。ＦＳＳの特徴は遮蔽したい電磁波の周波数に応じた導電性の独立パターンを基材表面に形成するところにある。このパターンは面内で連続的に接合はしていないため表面抵抗は高くなるが、電磁波を反射するためには各々のパターン自体は高い導電性を必要とする。【０００４】
また、透光性導電パターン部材は、テレビやラジオ、無線ＬＡＮの透明受信アンテナとして利用でき、例えば、窓ガラスにこうした透明受信アンテナを付加することが可能となる。さらに、非接触ＩＣカードのアンテナや無線タグの送受信アンテナにも透光性導電パターン部材を利用するとＩＣカード表面にアンテナを持ってきたり、透明な無線タグを作製したりすることが可能となる。【０００５】
このような透光性導電パターン部材としては、ハロゲン化銀写真感光材料の技術を応用して銀核をパターン状に形成して物理現像やメッキする方法（特許文献１）、パラジウム触媒を含有するインクをインクジェットやスクリーン等の印刷法でパターン状に塗布し、無電解メッキする方法（特許文献２）、パターン状に形成した導電性高分子を含む塗膜上に無電解メッキする方法（特許文献３）、さらには、金属薄膜をフォトリソでパターン状にする方法により形成された透光性導電パターン部材が知られている。【０００６】
しかしながら、メッキやフォトリソで作製された金属パターン部材においては、金属パターンのない部分が透光性を有し、金属パターン部そのものには透光性はない。そのため、金属パターン部を細くすることが行われるが、それでも、パターン部が視認される、あるいは、パターン形状によってはパターン部で光の回折が起こり、外光が選択的方向に強く散乱されたり、モアレが発生したりする。また、金属パターン部自身が光を通すレベルにまで金属部を薄くすると導電性が出なくなってしまう。【０００７】
金属を薄くして、金属部自身が透光性を有しながら導電性を発現させる方法としてＩＴＯ／銀／ＩＴＯを積層した電磁波遮蔽部材は知られている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２７７６７５号公報
【特許文献２】特開平１１−１７０４２０号公報
【特許文献３】特開２００９−１６４９６号公報
【特許文献４】特開２００５−２７７２２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、ＩＴＯはレアメタルのインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために成膜後に３００℃程度でアニール処理する必要がある。そのため、高温アニールのための大掛かりな装置や処理のためのエネルギーが必要で、さらに、一般的なフィルム基材には耐熱性がないため適用できない。さらに、このようなＩＴＯ／銀／ＩＴＯを積層するような構成でも十分な導電性と光透過性との両立を図ることは困難であった。【００１０】
そこで本発明は、金属パターン部自身が透光性を有することで、金属パターン部が視認されにくく、モアレ（干渉縞）や回折による散乱を低減し、かつ十分な導電性とを兼ね備えた透光性導電パターン部材を提供すること、およびこの透光性導電パターン部材を用いることによって性能の向上が図られた透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁波遮蔽部材、透光性アンテナ部材、タッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。【００１２】
即ち、本発明は、窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材により達成される。【００１３】
また、本発明は、窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなる透光性導電パターン部材の製造方法において、前記下地層上に形成された銀または銀を主成分とする合金層を、パターンを形成したマスクを介して蒸着法により導電パターン部を形成することを特徴とする透光性導電パターン部材の製造方法により達成される。【００１４】
更に、本発明は、上記透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁遮蔽部材、透光性アンテナ部材により達成される。【００１５】
以上のように構成された本発明の透光性導電パターン部材は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された下地層上の少なくとも一部に、銀または銀を主成分とした合金を用いた透光性を有する導電パターン部を設けた構成である。【００１６】
一般に銀の薄膜層を形成しようとすると、銀は核成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長となるために島状に孤立した微小銀部の集合体となってしまう。そのため、微小銀部は想定よりも厚い膜厚になっており、微小銀部の光透過性は大きく低下している。また、個々が孤立した状態なので、導電パターン部は導電性を発現しない。導電性を発現させるためには、島状に孤立した微小銀部がつながるまで銀を成長させる必要があり、そのレベルまで成長させると銀層自身の透過率がさらに大きく低下してしまう。【００１７】
本発明においては、下地層の上部に導電パターン部を成膜する際には、導電パターン部を構成する銀原子が下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、銀層が単層成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＷ型）の膜成長によって成膜されるようになる。したがって、薄い膜厚でありながらも、均一な膜厚の導電パターン部が得られるようになる。この結果、より薄い膜厚とし、光透過性を有しつつも、導電性が確保された導電パターン部とすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１Ａは、本発明の透光性導電パターン部材の一実施形態の構成を示す平面模式図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面模式図である。
【図２】図２Ａは、本発明の透光性導電パターン部材の他の実施形態の構成を示す断面模式図である。図２Ｂは、図２Ａの透光性導電パターン部材を基体側（相手側）に接着して転写し、離形性を有する基材を剥がす様子を示す断面模式図である。
【図３】導電パターン部の形状につき、幾つかの例を示した図面である。このうち、図３Ａは、直線状の導電パターンを示した図面である。図３Ｂは、メッシュ状のパターンのうち、三角形状の導電パターンを示した図面である。図３Ｃが、円形状の導電パターンを示した図面である。
【図４】導電パターン部の形状として、端部を開放したアンテナパターン例を示した。
【図５】本発明の実施形態の透光性導電パターン部材をタッチパネル用透明電極１−１、１−２として用いたタッチパネル２１の概略構成を示す斜視図である。
【図６】タッチパネル２１の電極構成を示す、２枚の透明電極（本発明の実施形態の透光性導電パターン部材）１−１、１−２の平面図である。
【図７】各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するひし形のパターン部分が、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている様子を表す透明電極（本発明の実施形態の透光性導電パターン部材）１−１、１−２の平面図である。
【図８】本発明の実施形態の透光性導電パターン部材をタッチパネル用透明電極１−１、１−２として用いたタッチパネル２１の概略構成を示す断面図である。
【図９】アルミマスクのパターンを用いて、上記ＰＥＴ基材上に設けた上記ＴＰＤからなる下地層上に形成した、試料１０１の銀からなるメッシュ形状の導電パターン部と、評価用に形成した銀からなるベタ部とを表す平面模式図である。
【図１０】図１０Ａは、メッシュ状（格子状）のパターン部のＬ／Ｓを説明するための平面模式図である。図１０Ｂは、比較試料２０５のパターン部の構成を表すための図１０Ａ（メッキ後）の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面模式図である。
【図１１】減衰率の評価装置の配置を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい形態を説明する。
【００２０】
＜透光性導電パターン部材＞
本発明の一形態に係る透光性導電パターン部材は、窒素原子を含む化合物を用いて構成されてなる下地層と、銀または銀を主成分とする合金を用いて前記下地層上の少なくとも１部に設けられてなる透光性を有する導電パターン部と、を備えてなることを特徴とするものである。上記構成をとることにより、本発明の透光性導電パターン部材によれば、透光性導電パターン部材において金属パターン部自身が透光性を有するとともに、金属パターン部の導電性との両立を図ることが可能になり、また、この透光性導電パターン部材を用いた透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁波遮蔽部材、透光性アンテナ部材の性能の向上を図ることが可能になる。
【００２１】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。
【００２２】
図１Ａは、本発明の透光性導電パターン部材の一実施形態の構成を示す平面模式図である。図１Ｂは、図１Ａの１Ｂ−１Ｂ線に沿った断面模式図である。図２Ａは、本発明の透光性導電パターン部材の他の実施形態の構成を示す断面模式図である。図２Ｂは、図２Ａの透光性導電パターン部材を基体側（相手側）に接着して転写し、離形性を有する基材を剥がす様子を示す断面模式図である。図１Ａ、Ｂに示すように、透光性導電パターン部材１１は、下地層１５と、この上部の少なくとも一部に成膜された透光性を有する導電パターン部１７とを積層した構造であり、例えば基材１３の上部に、下地層１５、透光性を有する導電パターン部１７の順に設けられている。このうち下地層１５は窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された層であり、透光性を有する導電パターン部１７は銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された層である。また、図２Ａ、Ｂに示すように、透光性導電パターン部材１１は、例えば、離形性を有する基材１３上に保護層１４、下地層１５、透光性を有する導電パターン部１７、接着層１８の順に設けて、適当な基体１９（被転写体、例えば、窓ガラスや車のリアガラス等）に転写して用いる構成でも良い。これら基材１３、保護層１４、下地層１５、透光性を有する導電パターン部１７、接着層１８、更には基体１９は、いずれも高い光透過性を有しているのが望ましい。
【００２３】
次に、このような透光性導電パターン部材１１に用いられる基材１３、下地層１５および導電パターン部１７の順に、詳細な構成を説明する。
【００２４】
（基材）
本発明の透光性導電パターン部材１１においては、基材１３を用いることが好ましい。基材１３は透明基材である。透明基材としては、高い光透過性を有していればよく、特に制限はない。例えば、透明樹脂フィルムやガラスを用いることができるが、フレキシブル性などの視点から透明樹脂フィルムであることがより好ましい。特に、本発明においてはＩＴＯ／銀／ＩＴＯを積層するような高温処理を必要としないため、好ましく適用できる。
【００２５】
上記透明樹脂フィルムには特に制限はなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、変性ポリエステル等の二軸延伸ポリエステル系フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂フィルム、ポリサルホン（ＰＳＦ）樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）樹脂フィルム、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）樹脂フィルム等を挙げることができる。
【００２６】
＜下地層＞
下地層１５は、窒素原子を含んだ化合物を用いて構成された層である。このような下地層１５が基材１３上に成膜されたものである場合、その成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法（電子ビーム蒸着法）など）、スパッタ法、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
【００２７】
下地層１５の厚さは、本発明の効果を奏し得るものであればよく、好ましくは０．１ｎｍ以上（１分子膜以上）であればよい。下地層１５の厚さの上限は特に制限されないが、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。下地層１５の厚さが０．１ｎｍ以上（１分子膜以上）であれば、導電パターン部を構成する銀原子が下地層を構成する窒素原子を含んだ化合物と相互作用し、銀原子の下地層表面においての拡散距離が減少し、銀の凝集が抑えられる。このため、銀層が単層成長型（ＦＷ型）の膜成長によって成膜されるようにできる。下地層１５の厚さが１μｍ以下では、高い透光性を損なうことなく、上記効果を奏することができる。
【００２８】
下地層１５を構成する窒素原子を含んだ化合物は、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン、コリン等が挙げられる。中でも、ピリジン環を有する化合物が好ましい。また、窒素原子をヘテロ原子とした複素環は化合物の末端に有することがより好ましい。
【００２９】
また、以上のような窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物として特に好ましいのは、下記一般式（１）〜（３）で表される化合物である。
【００３０】
［一般式（１）］
一般式（１）
（Ａｒ１）ｎ１−Ｙ１
一般式（１）の式中、ｎ１は１以上の整数を表し、Ｙ１はｎ１が１の場合は置換基を表し、ｎ１が２以上の場合は単なる結合手またはｎ１価の連結基を表す。Ａｒ１は後記する一般式（Ａ）で表される基を表し、ｎ１が２以上の場合、複数のＡｒ１は同一でも異なっていてもよい。但し、前記一般式（１）で表される化合物は分子内に３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。
【００３１】
一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【００３２】
これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００３３】
一般式（１）において、Ｙ１で表されるｎ１価の連結基としては、具体的には、２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基等が挙げられる。
【００３４】
一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基としては、アルキレン基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基（例えば、１，６−シクロヘキサンジイル基等）、シクロペンチレン基（例えば、１，５−シクロペンタンジイル基など）等）、アルケニレン基（例えば、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、１−メチルビニレン基、１−メチルプロペニレン基、２−メチルプロペニレン基、１−メチルペンテニレン基、３−メチルペンテニレン基、１−エチルビニレン基、１−エチルプロペニレン基、１−エチルブテニレン基、３−エチルブテニレン基等）、アルキニレン基（例えば、エチニレン基、１−プロピニレン基、１−ブチニレン基、１−ペンチニレン基、１−ヘキシニレン基、２−ブチニレン基、２−ペンチニレン基、１−メチルエチニレン基、３−メチル−１−プロピニレン基、３−メチル−１−ブチニレン基等）、アリーレン基（例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジイル基、３，３’−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基、デシフェニルジイル基等）、ヘテロアリーレン基（例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環からなる群から導出される２価の基等）、酸素や硫黄などのカルコゲン原子、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基等（ここで、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、好ましくはＮ、Ｏ及びＳから選択されたヘテロ原子を、縮合環を構成する元素として含有する芳香族複素縮合環であることが好ましく、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等）が挙げられる。
【００３５】
一般式（１）において、Ｙ１で表される３価の連結基としては、例えば、エタントリイル基、プロパントリイル基、ブタントリイル基、ペンタントリイル基、ヘキサントリイル基、ヘプタントリイル基、オクタントリイル基、ノナントリイル基、デカントリイル基、ウンデカントリイル基、ドデカントリイル基、シクロヘキサントリイル基、シクロペンタントリイル基、ベンゼントリイル基、ナフタレントリイル基、ピリジントリイル基、カルバゾールトリイル基等が挙げられる。
【００３６】
一般式（１）において、Ｙ１で表される４価の連結基としては、上記の３価の基にさらにひとつ結合基がついたものであり、例えば、プロパンジイリデン基、１，３−プロパンジイル−２−イリデン基、ブタンジイリデン基、ペンタンジイリデン基、ヘキサンジイリデン基、ヘプタンジイリデン基、オクタンジイリデン基、ノナンジイリデン基、デカンジイリデン基、ウンデカンジイリデン基、ドデカンジイリデン基、シクロヘキサンジイリデン基、シクロペンタンジイリデン基、ベンゼンテトライル基、ナフタレンテトライル基、ピリジンテトライル基、カルバゾールテトライル基等が挙げられる。
【００３７】
なお、上記の２価の連結基、３価の連結基、４価の連結基は、各々さらに、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有していてもよい。
【００３８】
一般式（１）で表される化合物の好ましい態様としては、Ｙ１が３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を表すことが好ましく、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環としては、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環が好ましい。また、ｎ１が２以上であることが好ましい。
【００３９】
さらに、一般式（１）で表される化合物は、分子内に上記の３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環を少なくとも２つ有する。
【００４０】
また、Ｙ１がｎ１価の連結基を表す場合、一般式（１）で表される化合物の三重項励起エネルギーを高く保つために、Ｙ１は非共役であることが好ましく、さらに、Ｔｇ（ガラス転移点、ガラス転移温度ともいう）を向上させる点から、芳香環（芳香族炭化水素環＋芳香族複素環）で構成されていることが好ましい。
【００４１】
ここで、非共役とは、連結基が単結合（一重結合ともいう）と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または連結基を構成する芳香環同士の共役が立体的に切断されている場合を意味する。
【００４２】
［一般式（Ａ）で表される基］
一般式（１）中におけるＡｒ１は、下記一般式（Ａ）で表される基を表す。
【００４３】
【化１】
2013157420.tif 000003
【００４４】
式中、Ｘは、−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は、−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。＊はＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｙ３及びＹ４は、各々５員または６員の芳香族環から導出される基を表し、少なくとも一方は環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。
【００４５】
ここで、一般式（Ａ）のＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ’及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。
【００４６】
また、一般式（Ａ）において、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。
【００４７】
さらに、一般式（Ａ）において、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の形成に用いられる５員または６員の芳香族環としては、ベンゼン環、オキサゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【００４８】
さらに、Ｙ３及びＹ４で各々表される５員または６員の芳香族環から導出される基の少なくとも一方は、環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環から導出される基を表すが、当該環構成原子として窒素原子を含む芳香族複素環としては、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジアジン環、トリアジン環、イミダゾール環、イソオキサゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。
【００４９】
（Ｙ３で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ３で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、ベンゼン環から導出される基である。
【００５０】
（Ｙ４で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）において、Ｙ４で表される基としては、上記６員の芳香族環から導出される基であることが好ましく、さらに好ましくは、窒素原子を環構成原子と含む芳香族複素環から導出される基であり、特に好ましくは、Ｙ４がピリジン環から導出される基であることである。
【００５１】
（一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様）
一般式（Ａ）で表される基の好ましい態様としては、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）または（Ａ−４）のいずれかで表される基が挙げられる。
【００５２】
【化２】
2013157420.tif 000004
【００５３】
上記一般式（Ａ−１）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ１１〜Ｅ２０は、−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表す。但し、Ｅ１１、Ｅ１２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。
【００５４】
【化３】
2013157420.tif 000005
【００５５】
上記一般式（Ａ−２）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ２１〜Ｅ２５は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ２６〜Ｅ３０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ２１〜Ｅ３０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ２１またはＥ２２の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝を表し、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。
【００５６】
【化４】
2013157420.tif 000006
【００５７】
上記一般式（Ａ−３）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ３１〜Ｅ３５は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、Ｅ３６〜Ｅ４０は−Ｃ（Ｒ２）＝または−Ｎ＝を表し、Ｅ３１〜Ｅ４０の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ３２またはＥ３３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。
【００５８】
【化５】
2013157420.tif 000007
【００５９】
上記一般式（Ａ−４）の式中、Ｘは−Ｎ（Ｒ）−、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−を表し、Ｅ１〜Ｅ８は−Ｃ（Ｒ１）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ、Ｒ’及びＲ１は水素原子、置換基またはＹ１との連結部位を表す。Ｙ２は単なる結合手または２価の連結基を表す。Ｅ４１〜Ｅ５０は−Ｃ（Ｒ２）＝、−Ｎ＝、−Ｏ−、−Ｓ−または−Ｓｉ（Ｒ３）（Ｒ４）−を表し、少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。Ｒ２は、水素原子、置換基または連結部位を表し、Ｒ３及びＲ４は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ４２またはＥ４３の少なくとも１つは−Ｃ（Ｒ２）＝で表され、Ｒ２は連結部位を表す。ｎ２は１〜４の整数を表す。＊は、上記一般式（１）のＹ１との連結部位を表す。
【００６０】
以下、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）のいずれかで表される基について説明する。
【００６１】
一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかのＸで表される−Ｎ（Ｒ）−または−Ｓｉ（Ｒ）（Ｒ’）−において、さらに、Ｅ１〜Ｅ８で表される−Ｃ（Ｒ１）＝において、Ｒ、Ｒ’及びＲ１で各々表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。
【００６２】
一般式（Ａ−１）〜（Ａ−４）で表される基のいずれかにおいて、Ｙ２で表される２価の連結基としては、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基と同義である。
【００６３】
一般式（Ａ−１）のＥ１１〜Ｅ２０、一般式（Ａ−２）のＥ２１〜Ｅ３０、一般式（Ａ−３）のＥ３１〜Ｅ４０、一般式（Ａ−４）のＥ４１〜Ｅ５０で、各々表される−Ｃ（Ｒ２）＝のＲ２で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。
【００６４】
次に、本発明に係る一般式（１）で表される化合物のさらに好ましい態様について説明する。
【００６５】
［一般式（２）で表される化合物］
本発明では、上記一般式（１）で表される化合物の中でも、下記一般式（２）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（２）で表される化合物について説明する。
【００６６】
【化６】
2013157420.tif 000008
【００６７】
上記一般式（２）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基または芳香族複素環から導出される基を表し、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、及びＹ８またはＹ９の少なくとも一方は、Ｎ原子を含む芳香族複素環から導出される基を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。
【００６８】
一般式（２）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。
【００６９】
Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【００７０】
一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。
【００７１】
一般式（２）において、Ｅ５１〜Ｅ６６で各々表される基としては、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。
【００７２】
一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族炭化水素環から導出される基の形成に用いられる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。
【００７３】
さらに、前記芳香族炭化水素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。
【００７４】
一般式（２）において、Ｙ６〜Ｙ９は、各々芳香族複素環から導出される基の形成に用いられる芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
【００７５】
さらに、前記芳香族複素環は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基を有してもよい。
【００７６】
一般式（２）において、Ｙ６またはＹ７の少なくとも一方、及びＹ８またはＹ９の少なくとも一方で表されるＮ原子を含む芳香族複素環から導出される基の形成に用いられるＮ原子を含む芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の一つがさらに窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
【００７７】
一般式（２）において、Ｙ７、Ｙ９で表される基としては、各々ピリジン環から導出される基を表すことが好ましい。
【００７８】
また、一般式（２）において、Ｙ６及びＹ８で表される基としては、各々ベンゼン環から導出される基を表すことが好ましい。
【００７９】
さらに、本発明に係る一般式（２）で表される化合物の中でもさらに好ましい態様について説明する。
【００８０】
［一般式（３）で表される化合物］
本発明では、上記一般式（２）で表される化合物の中でも、さらに下記一般式（３）で表される化合物が好ましい。以下、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【００８１】
【化７】
2013157420.tif 000009
【００８２】
上記一般式（３）の式中、Ｙ５は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８は、各々−Ｃ（Ｒ３）＝または−Ｎ＝を表し、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。但し、Ｅ７１〜Ｅ７９の少なくとも１つ及びＥ８０〜Ｅ８８の少なくとも１つは−Ｎ＝を表す。ｎ３及びｎ４は０〜４の整数を表すが、ｎ３＋ｎ４は２以上の整数である。
【００８３】
一般式（３）において、Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される２価の連結基の一例として記載されているアリーレン基、ヘテロアリーレン基と各々同義である。
【００８４】
Ｙ５で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基またはそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基またはジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【００８５】
一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ６６、Ｅ７１〜Ｅ８８で各々表される−Ｃ（Ｒ３）＝のＲ３で表される置換基は、一般式（１）において、Ｙ１で表される置換基と同義である。
【００８６】
一般式（３）において、Ｅ５１〜Ｅ５８のうちの６つ以上及びＥ５９〜Ｅ６６のうちの６つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。
【００８７】
一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９の少なくとも１つ及びＥ８４〜Ｅ８８の少なくとも１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００８８】
さらには、一般式（３）において、Ｅ７５〜Ｅ７９のいずれか１つ及びＥ８４〜Ｅ８８のいずれか１つが−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００８９】
また、一般式（３）において、Ｅ７１〜Ｅ７４及びＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。
【００９０】
さらに、一般式（２）または一般式（３）で表される化合物において、Ｅ５３が−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ６１も同時に−Ｃ（Ｒ３）＝で表され、且つ、Ｒ３が連結部位を表すことが好ましい。
【００９１】
さらに、Ｅ７５及びＥ８４が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ７１〜Ｅ７４及びＥ８０〜Ｅ８３が、各々−Ｃ（Ｒ３）＝で表されることが好ましい。
【００９２】
［化合物の具体例］
以下に、本発明に係る一般式（１）、（２）または（３）で表される化合物の具体例（１〜１１２）を示すが、これらに限定されない。
【００９３】
【化８−ａ】
2013157420.tif 000010
【００９４】
【化８−ｂ】
2013157420.tif 000011
【００９５】
【化８−ｃ】
2013157420.tif 000012
【００９６】
【化８−ｄ】
2013157420.tif 000013
【００９７】
【化８−ｅ】
2013157420.tif 000014
【００９８】
【化８−ｆ】
2013157420.tif 000015
【００９９】
【化８−ｇ】
2013157420.tif 000016
【０１００】
【化８−ｈ】
2013157420.tif 000017
【０１０１】
【化８−ｉ】
2013157420.tif 000018
【０１０２】
【化８−ｊ】
2013157420.tif 000019
【０１０３】
【化８−ｋ】
2013157420.tif 000020
【０１０４】
【化８−ｌ】
2013157420.tif 000021
【０１０５】
【化８−ｍ】
2013157420.tif 000022
【０１０６】
【化８−ｎ】
2013157420.tif 000023
【０１０７】
【化８−ｏ】
2013157420.tif 000024
【０１０８】
【化８−ｐ】
2013157420.tif 000025
【０１０９】
【化８−ｑ】
2013157420.tif 000026
【０１１０】
【化８−ｒ】
2013157420.tif 000027
【０１１１】
【化８−ｓ】
2013157420.tif 000028
【０１１２】
【化８−ｔ】
2013157420.tif 000029
【０１１３】
【化８−ｕ】
2013157420.tif 000030
【０１１４】
【化８−ｖ】
2013157420.tif 000031
【０１１５】
【化８−ｗ】
2013157420.tif 000032
【０１１６】
【化８−ｘ】
2013157420.tif 000033
【０１１７】
【化８−ｙ】
2013157420.tif 000034
【０１１８】
【化８−ｚ】
2013157420.tif 000035
【０１１９】
【化８−ａａ】
2013157420.tif 000036
【０１２０】
【化８−ｂｂ】
2013157420.tif 000037
【０１２１】
［化合物の合成例］
以下に代表的な化合物の合成例として、化合物５の具体的な合成例を示すが、これに限定されない。
【０１２２】
【化９】
2013157420.tif 000038
【０１２３】
工程１：（中間体１の合成）
窒素雰囲気下、３，６−ジブロモジベンゾフラン（１．０モル）、カルバゾール（２．０モル）、銅粉末（３．０モル）、炭酸カリウム（１．５モル）を、ＤＭＡｃ（ジメチルアセトアミド）３００ｍｌ中に混合し、１３０℃で２４時間撹拌した。これによって得た反応液を室温まで冷却後、トルエン１Ｌを加え、蒸留水で３回洗浄し、有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ｎ−ヘプタン：トルエン＝４：１〜３：１（質量比））にて精製し、中間体１を収率８５％で得た。
【０１２４】
工程２：（中間体２の合成）
室温、大気下で中間体１（０．５モル）をＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍｌに溶解し、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモコハク酸イミド）（２．０モル）を加え、一晩室温で撹拌した。得られた沈殿を濾過し、メタノールで洗浄し、中間体２を収率９２％で得た。
【０１２５】
工程３：（化合物５の合成）
窒素雰囲気下、中間体２（０．２５モル）、２−フェニルピリジン（１．０モル）、ルテニウム錯体［（η６−Ｃ６Ｈ６）ＲｕＣｌ２］２（０．０５モル）、トリフェニルホスフィン（０．２モル）、炭酸カリウム（１２モル）を、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）３Ｌ中で混合し、１４０℃で一晩撹拌した。
【０１２６】
反応液を室温まで冷却後、ジクロロメタン５Ｌを加え、反応液を濾過した。濾液は減圧下に溶媒を留去し（８００Ｐａ、８０℃）、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）残渣をシリカゲルフラッシュクロマトグラフィー（ＣＨ２Ｃｌ２：Ｅｔ３Ｎ（トリエチルアミン）＝２０：１〜１０：１（質量比））にて精製した。
【０１２７】
各フラクション（留分）を集めて溶媒を減圧下に留去後、残渣をジクロロメタンに再び溶解し、水で３回洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧下に留去して化合物５を収率６８％で得た。
【０１２８】
〔透光性を有する導電パターン部〕
本発明の透光性を有する導電パターン部１７の透光性を有するとは、導電パターン部１７の全光線透過率が５０％以上であることを表し、これにより、パターン部が視認されにくくなり、また、モアレや回折による外光の散乱を低減できる。こうした性能を達成するために、銀または銀を主成分とした合金で形成される透光性を有する導電パターン部１７の膜厚は４〜９ｎｍの範囲にあることが好ましい。なお、ここで導電パターン部１７の膜厚とは、銀または銀を主成分とした合金が均一膜厚となっていることを仮定して換算した膜厚である。こうした膜厚は蒸着レイトから換算したり、単位面積あたりの銀または銀を主成分とした合金を抽出して定量することにより求めることができる。導電パターン部１７の膜厚が９ｎｍより厚いと該膜厚の吸収成分または反射成分が多くなり、透過率が下がってしまう。また、導電パターン部１７の膜厚が４ｎｍより薄いと該膜厚の導電性が不足するため好ましくない。導電パターン部１７の全光線透過率は、より好ましくは６０％以上で、最も好ましくは７０％以上である。なお、全光線透過率はパターン部の線幅に合わせてアパーチャーを準備して測定することができる。あるいは、同様に作製したベタのパターン部を測定することにより求めても良い。また本発明の透光性を有する導電パターン部１７に銀を主成分とした合金を用いる場合、当該合金中の銀の含有量は、上記透光性及び以下に示す導電性を得る観点から、５０質量％以上を有するものが望ましく、より好ましくは６０質量％以上である。
【０１２９】
導電パターン部１７の導電性は同様にして作製したベタ部のシート抵抗値で５０Ω／□（ｓｑｕａｒｅ）以下であることが好ましく、２０Ω／□以下であることがより好ましい。
【０１３０】
本発明においては、導電パターン部１７も透光性を有することから、導電パターンが視界の妨げにはなりにくいことから、パターン線幅は、アンテナ、電磁遮蔽能などに合わせて適宜設計すれば良いが、例えば１０μｍから１０ｍｍ、好ましくは１００μｍから１ｍｍとすることができる。
【０１３１】
透光性を有する導電パターン部１７は、銀または銀を主成分とした合金を用いて構成された層であって、下地層１５上の少なくとも一部に成膜された層である。このような導電パターン部１７の成膜方法としては、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも本発明においては、蒸着法が最も好ましく適用される。また透光性を有する導電パターン部１７は、下地層１５上に成膜されることにより、導電パターン部１７は成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ったものであっても良い。
【０１３２】
導電パターン部１７を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金は、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）などが挙げられる。
【０１３３】
以上のような導電パターン部１７は、銀または銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
【０１３４】
導電パターン部１７を所望する形状に成膜する方法としては、所望する形状のマスクを準備し、蒸着法により形成する方法が最も簡便で、最も好ましく利用できる。
【０１３５】
また、前述の方法で銀または銀を主成分とした合金の層を形成した後、一般的なフォトリソプロセスを用いてパターン形成する方法や導電パターン部以外の領域に銀除去剤を含有する組成物をパターン印刷し、その後水洗を行う方法なども利用できる。このうち、導電パターン部以外の領域に銀除去剤を含有する組成物をパターン印刷し、その後水洗を行う方法も工程が簡便であることから好ましいパターン形成方法である。
【０１３６】
銀除去剤の組成としては、ハロゲン化銀カラー写真感光材料の現像処理に使用する漂白定着剤を好ましく用いることができる。
【０１３７】
上記漂白定着剤において用いられる漂白剤としては、公知の漂白剤も用いることができるが、特に鉄（ＩＩＩ）の有機錯塩（例えばアミノポリカルボン酸類の錯塩）もしくはクエン酸、酒石酸、リンゴ酸などの有機酸、過硫酸塩、過酸化水素などが好ましい。
【０１３８】
これらのうち、鉄（ＩＩＩ）の有機錯塩は迅速処理と環境汚染防止の観点から特に好ましく、特にアミノポリカルボン酸鉄錯体が好ましい。鉄（ＩＩＩ）の有機錯塩を形成するために有用なアミノポリカルボン酸、またはそれらの塩を列挙すると、生分解性のあるエチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、ベータアラニンジ酢酸、メチルイミノジ酢酸をはじめ、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、１，３−ジアミノプロパン四酢酸、プロピレンジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、イミノ二酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸などのほか、欧州特許０７８９２７５号の一般式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される化合物を挙げることができる。これらの化合物はナトリウム、カリウム、リチウム又はアンモニウム塩のいずれでもよい。これらの化合物の中で、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、ベータアラニンジ酢酸、エチレンジアミン四酢酸、１，３−ジアミノプロパン四酢酸、メチルイミノ二酢酸はその鉄（ＩＩＩ）錯塩が好ましい。これらの第２鉄イオン錯塩は錯塩の形で使用しても良いし、第２鉄塩、例えば硫酸第２鉄、塩化第２鉄、硝酸第２鉄、硫酸第２鉄アンモニウム、燐酸第２鉄などとアミノポリカルボン酸などのキレート剤とを用いて溶液中で第２鉄イオン錯塩を形成させてもよい。また、キレート剤を第２鉄イオン錯塩を形成する以上に過剰に用いてもよい。鉄（ＩＩＩ）のアミノポリカルボン酸鉄錯体の添加量は０．０１〜１．０モル／リットル、好ましくは０．０５〜０．５０モル／リットル、更に好ましくは０．１０〜０．５０モル／リットル、更に好ましくは０．１５〜０．４０モル／リットルである。
【０１３９】
漂白定着剤に使用される定着剤は、公知の定着剤、即ちチオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウムなどのチオ硫酸塩、チオシアン酸ナトリウム、チオシアン酸アンモニウムなどのチオシアン酸塩、エチレンビスチオグリコール酸、３，６−ジチア−１，８−オクタンジオールなどのチオエーテル化合物およびチオ尿素類などの水溶性のハロゲン化銀溶解剤であり、これらを１種あるいは２種以上混合して使用することができる。また、特開昭５５−１５５３５４号公報に記載された定着剤と多量の沃化カリウムの如きハロゲン化物などの組み合わせからなる特殊な漂白定着剤等も用いることができる。本発明においては、チオ硫酸塩特にチオ硫酸アンモニウム塩の使用が好ましい。１リットルあたりの定着剤の量は、０．３〜２モルが好ましく、更に好ましくは０．５〜１．０モルの範囲である。
【０１４０】
本発明に使用される漂白定着剤のｐＨ領域は、３〜８が好ましく、更には４〜７が特に好ましい。ｐＨを調整するためには、必要に応じて塩酸、硫酸、硝酸、重炭酸塩、アンモニア、苛性カリ、苛性ソーダ、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等を添加することができる。
【０１４１】
また、漂白定着剤には、その他各種の消泡剤或いは界面活性剤、ポリビニルピロリドン、メタノール等の有機溶媒を含有させることができる。漂白定着剤は、保恒剤として亜硫酸塩（例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウム、亜硫酸アンモニウム、など）、重亜硫酸塩（例えば、重亜硫酸アンモニウム、重亜硫酸ナトリウム、重亜硫酸カリウム、など）、メタ重亜硫酸塩（例えば、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウム、メタ重亜硫酸アンモニウム、など）等の亜硫酸イオン放出化合物や、ｐ−トルエンスルフィン酸、ｍ−カルボキシベンゼンスルフィン酸などのアリールスルフィン酸などを含有するのが好ましい。これらの化合物は亜硫酸イオンやスルフィン酸イオンに換算して約０．０２〜１．０モル／リットル含有させることが好ましい。
【０１４２】
保恒剤としては、上記のほか、アスコルビン酸やカルボニル重亜硫酸付加物、あるいはカルボニル化合物等を添加しても良い。更には緩衝剤、キレート剤、消泡剤、防カビ剤等を必要に応じて添加しても良い。
【０１４３】
銀除去剤はさらに水溶性バインダーを含有することが好ましい。水溶性バインダーは、具体的にはエチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸ナトリウムや、炭水化物及びその誘導体が好ましく用いられる。炭水化物及びその誘導体としては、水溶性セルロース誘導体と水溶性天然高分子が挙げられる。水溶性セルロース誘導体とは、メチル、ヒドロキシエチル、ソジウムカルボキシメチル〔ナトリウム塩であって、カルボキシメチルセルロース（以下、ＣＭＣという）〕、カルボキシメチル等のセルロース誘導体をいう。また、水溶性天然高分子とは、でんぷん、でんぷん糊料、可溶性でんぷん、デキストリン等をいう。これらのうち、ＣＭＣが水に溶解しやすいことから好ましい。水溶性バインダーの分子量は必要粘度に応じ任意に選択することができる。
【０１４４】
銀除去剤を含有する組成物をパターン印刷する方法としては、凸版（活版）印刷法、孔版（スクリーン）印刷法、平版（オフセット）印刷法、凹版（グラビア）印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法等の印刷法を用いることができるが、特にグラビア印刷法又はスクリーン印刷法で行うのが好ましい。本発明の銀除去剤を含有する組成物を、本発明における導電パターン部以外の領域にパターン印刷し、次いで水洗処理を行い非パターン部の銀または銀を主成分とした合金の層を除去することによって、パターンを形成することができる。
【０１４５】
＜透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁遮蔽部材、透光性アンテナ部材＞
本発明の他の実施形態は、上記した実施形態の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性電磁遮蔽部材である。また、本発明の更に他の実施形態は、上記した実施形態の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性周波数選択性電磁遮蔽部材である。本発明の更にまた他の実施形態は、上記した実施形態の透光性導電パターン部材を用いてなることを特徴とする透光性アンテナ部材である。
【０１４６】
本発明の透光性を有する導電パターン部材１１の導電パターン部１７の形状（及びその用途）について説明する。図３には、導電パターン部の形状につき、幾つかの例を示した。図４には、導電パターン部の形状（及びその用途）として、端部を開放したアンテナパターン例（透光性導電パターン部材を用いてなる透光性アンテナ部材の例）を示した。導電パターン部の形状（およびその用途）については、電磁遮蔽（透光性導電パターン部材を用いてなる透光性電磁遮蔽部材）や透明アンテナ（透光性導電パターン部材を用いてなる透光性アンテナ部材）など、その用途に応じて適宜決めればよく、特に、制限されない。例えば、透光性導電パターン部材を用いてなる透光性周波数選択性電磁遮蔽部材として利用する場合について説明する。
【０１４７】
（透光性周波数選択性電磁遮蔽部材への適用）
導体片が空中にある場合、この面に電波が入射すると、線状の導電部（導電パターン部）においては、例えば、端部を開放した形状とし、中心から伸びるその一辺の長さ（電気長）を遮蔽しようとする電波の１／４波長（一本形状では１／２波長）として、遮蔽しようとする波長に共振させるようにすると、電磁波を反射、散乱させ減衰させることができる。
【０１４８】
また、端部開放形状でなく、閉じた環状形状（例えば、四角形等の多角形状や円形状（図３Ｃ参照）など）とした場合には、周囲長（電気長）を遮蔽しようとする電磁波の波長と同じくすればよい。
【０１４９】
こうした線状の導電パターン部を、その線状の導電部（導電パターン部）の電磁界反射等価面積（散乱開口面積）または電磁界反射等価体積（散乱開口体積）を考慮して、空間中あるいは非導電性材料上に平面的あるいは立体的に所定の間隔で配列させてやる（例えば、図３Ａに示すように所定の長さの線状（直線形状）の導電部を平面的に所定の間隔で配列させてなる導電パターン）ことで、共振させた周波数の電磁波を減衰させ遮蔽することができる。
【０１５０】
図３の導電パターン部の形状の幾つかの例（図３Ａ，Ｃ参照）のようにパターン化した小さな導電パターンは、その長さを特定することにより、特定の周波数を遮蔽でき、その結果、他の波長の電磁波を通過させるので、無線、テレビ電波等、外部からの情報の収集が必要なものは遮蔽せず、特定の電波のみを遮蔽できる。
【０１５１】
（透光性電磁遮蔽部材への適用）
特に波長選択性を必要としない電磁波遮蔽の場合は、導電パターン部の形状は、例えばメッシュパターン（図１Ａ、図５参照）を用いることができる。また、三角形（図３Ｂ参照）、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形等の四角形、（正）六角形、（正）八角形等を組み合わせた幾何学図形からなるメッシュ状のパターンであってもよい。
【０１５２】
（透光性アンテナ部材への適用）
テレビやラジオ、無線ＬＡＮの受信アンテナ、非接触ＩＣカードの送受信するためのアンテナ、無線タグのアンテナに利用する場合は、導電パターン部の形状は受信する周波数に合わせて適宜決めればよい。たとえば、周回する渦巻状のコイルとして形成されているパターンであり、ループアンテナを形成している。このアンテナは、ＡＭ周波数帯域の受信に適している。
【０１５３】
別なアンテナパターンとしては、一辺の長さを目的とする電波の１／４波長周波数とした、直線状のパターンである（例えば、図４の端部を開放した方形型のアンテナパターン４１参照）。ＦＭ周波数帯域、あるいはＴＶ周波数帯域用のアンテナとして設計することができる。なお、このアンテナパターンとして利用する場合は、パターンの一端あるいは両端が給電部接続されている。
【０１５４】
＜タッチパネル＞
本発明の他の実施形態は、上記した実施形態の透光性導電パターン部材をタッチパネル用透明電極として用いてなることを特徴とするタッチパネルである。
【０１５５】
（透明基板上に本発明の実施形態の透光性導電パターン部材を用いた二層の透明電極を設けた構成）
図５は、本発明の実施形態の透光性導電パターン部材をタッチパネル用透明電極１−１、１−２として用いたタッチパネル２１の概略構成を示す斜視図である。また図６は、タッチパネル２１の電極構成を示す２枚の透明電極（本発明の実施形態の透光性導電パターン部材）１−１、１−２の平面図である。
【０１５６】
これら図５、６に示すタッチパネル２１は、投影型静電容量式のタッチパネルである。このタッチパネル２１は、透明基板２３の一主面上に、透光性導電パターン部材を用いた第１の透明電極１−１および透光性導電パターン部材を用いた第２の透明電極１−２がこの順に配置され、この上部が前面板２５で覆われている。
【０１５７】
第１の透明電極（透光性導電パターン部材）１−１は、第１の窒素含有層（下地層）３−１と、該第１の窒素含有層３−１上に設けられた第１の電極層（導電パターン部）５−１とを備えてなる。第１の電極層５−１は、第１のタッチパネル用透明電極１−１に備えられてなる電極層であり、第１の窒素含有層３−１上においてパターニングされた複数のｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…として構成されている（図６参照）。各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、それぞれがｘ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…は、例えばｘ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｘ方向に直線状に連結した形状（導電パターン部の形状）であることとする。
【０１５８】
また、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…には、それぞれの端部にｘ配線２９ｘが接続されている。これらのｘ配線２９ｘは、透明基板２３上における周縁領域において配線され、透明基板２３の端縁に引き出されている。このような各ｘ配線２９ｘは、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と同様に、銀を主成分とする第１の電極層５−１として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。
【０１５９】
第２の透明電極（透光性導電パターン部材）１−２は、第２の窒素含有層（下地層）３−２と、該第２の窒素含有層３−２上に設けられた第２の電極層（導電パターン部）５−２とを備えてなる。第２の電極層５−２は、第２のタッチパネル用透明電極１−２に備えられてなる電極層であり、第２の窒素含有層３−２上においてパターニングされた複数のｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…として構成されている（図６参照）。各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、それぞれがｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と直交するｙ方向に延設された状態で、互いに間隔を保って並列に配置されている。これらの各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、例えばｙ方向に配列されたひし形のパターン部分を、ひし形の頂点付近においてｙ方向に直線状に連結した形状（導電パターン部の形状）であることとする。
【０１６０】
ここで、図７に示すように、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…を構成するひし形のパターン部分は、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…を形成するひし形のパターン部分に対して平面視的に重なることのない位置に配置され、重なることのない範囲でできるだけ大きな範囲を占める形状となっている。これにより、透明基板２３の中央部の領域においては、第１の電極層５−１で構成されたｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…、および第２の電極層５−２で構成されたｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…が視認され難い構成となっている。
【０１６１】
各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…は、ひし形の電極パターンの連結部分においてのみ、各ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…と積層される。これらの積層部分には、第２の窒素含有層３−２が挟持され、これによってｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…とｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…との絶縁性が確保された状態となっている。
【０１６２】
また、各ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…には、それぞれの端部にｙ配線２９ｙが接続されている。これらのｙ配線２９ｙは、透明基板２３上における周縁領域において配線され、ｘ配線２９ｘと並ぶように透明基板２３の端縁に引き出されている。このような各ｙ配線２９ｙは、ｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…と同様に、銀を主成分とする第２の電極層５−２として構成されたものであっても良いし、別途形成した電極層で構成されたものであっても良い。
【０１６３】
尚、透明基板２３の端縁に引き出されたｘ配線２９ｘおよびｙ配線２９ｙには、フレキシブルプリント基板などが接続される構成となっている。
【０１６４】
（前面板２５）
図５および図８に図示した前面板２５は、タッチパネル２１において入力位置に対応する部分が押し圧される板材である。このような前面板２５は、光透過性を有する板材であって、透明基板２３と同様のものが用いられる。またこの前面板２５は、必要に応じた光学特性を備えた材料を選択して用いても良い。このような前面板２５は、例えば接着剤（層）２７に（図８参照）よって第２の透明電極１−２側に張り合わせられていることとする。この接着剤２７は、光透過性を有するものであれば特に材料が限定されることはない。
【０１６５】
またこの前面板２５には、透明基板２３の周縁を覆う遮光膜が設けられ、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…から引き出されたｘ配線２９ｘ、およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…から引き出されたｙ配線２９ｙが、前面板２５側から視認されることを防止している。
【０１６６】
（タッチパネルの動作）
以上のようなタッチパネル２１を動作させる場合、ｘ配線２９ｘおよびｙ配線２９ｙに接続させたフレキシブルプリント基板などから、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…対して電圧を印加しておく。この状態で、前面板２５の表面に指またはタッチペンが触れると、タッチパネル２１内に存在する各部の容量が変化し、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…の電圧の変化となって現れる。この変化は、指またはタッチペンが触れた位置からの距離によって異なり、指またはタッチペンが触れた位置で最も大きくなる。このため、電圧の変化が最大となる、ｘ電極パターン５ｘ１，５ｘ２，…およびｙ電極パターン５ｙ１，５ｙ２，…でアドレスされた位置が、指またはタッチペンが触れた位置として検出される。
【０１６７】
尚、以上のような下地層１５と少なくともこの上部の一部に成膜された透光性を有する導電パターン部１７とからなる積層構造の透光性導電パターン部材１１やその適用部材（透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁遮蔽部材、透光性アンテナ部材、タッチパネル）は、透光性を有する導電パターン部１７の上部が保護膜（図示せず）で覆われていたり、別の導電性層（図示せず）が積層されていたりしても良い。この場合、透光性導電パターン部材１１やその適用部材の光透過性を損なうことのないように、これらの保護膜及び導電性層が光透過性を有することが好ましい。また下地層１５の下部、すなわち下地層１５と基材１３との間にも、必要に応じた層（例えば、図２に示す保護層１４など）を設けた構成としても良い。
【０１６８】
透光性導電パターン部材１１やその適用部材（透光性電磁遮蔽部材、透光性周波数選択性電磁遮蔽部材、透光性アンテナ部材、タッチパネル）の導電パターン部１７以外の領域は光透過性を有することが好ましく、また、導電パターン部１７も透光性を有することから、部材１１としても高い光透過性が期待できる。具体的には、透光性導電パターン部材１１の全光線透過率は７０％以上であることが好ましく、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが最も好ましい。ここで、透光性導電パターン部材１１の全光線透過率は以下により求めることができる。即ち、試料の３ｃｍ角パターン部の全光線透過率を東京電色社製  ＨＡＺＥ  ＭＥＴＥＲ  ＮＤＨ５０００を用いて測定し、透光性導電パターン部材の全光線透過率を求めることができる。
【実施例】
【０１６９】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。【０１７０】
〔透光性導電パターン部材１０１（試料１０１）の作製〕
透明な市販のＰＥＴ基材（コスモシャインＡ４１００、東洋紡績（株）社製、膜厚１００μｍ）を易滑層が設けられていない面に下地層、銀層が設けられるように市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記ＴＰＤをタンタル製抵抗加熱ボードに入れ、これらの基板ホルダーと加熱ボードとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボードに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。【０１７１】
この状態で、先ず、第１真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＴＰＤの入った加熱ボードに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で基材上に膜厚２５ｎｍのＴＰＤからなる下地層を設けた。ここで、下地層の膜厚は、水晶振動式膜厚計を用いて測定した（以下、同様とする）。【０１７２】
次に、下地層まで成膜した基材を真空のまま第２真空槽に移し、別途作製したアルミマスク（図９参照）を、下地層を成膜した基材面に設置し、第２真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボードを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚８ｎｍの銀からなる導電パターン部を形成し、下地層とこの上部の一部に導電パターン部との積層構造からなる透光性導電パターン部材１０１（試料１０１）を得た。なお、ここで銀の膜厚とは銀の蒸着量から銀が均一な膜になっていると仮定して換算した膜厚値を表す（以下、同様とする）。また、図９は、アルミマスクのパターンを用いて、上記ＰＥＴ基材５１上に設けた上記ＴＰＤからなる下地層（図示せず）上に形成した試料１０１の銀からなるメッシュ形状の透光性を有する導電パターン部５２と、評価用に形成した銀からなる透光性を有するベタ部５３とを表す平面模式図である。ここで、上記ＰＥＴ基材５１のサイズは、５ｃｍ×９ｃｍのものを用いた。また、メッシュ形状の導電パターン部５２のサイズは、３ｃｍ×３ｃｍであり、パターン形状は、Ｌ／Ｓ＝１ｍｍ／４ｍｍのメッシュパターンを用いた。図１０Ａは、メッシュ状（格子状）のパターン部のＬ／Ｓを説明するための平面模式図である。ここで、図１０Ａに示すように、上記Ｌ／Ｓは、下地層６１上に形成したメッシュ形状の（透光性を有する導電）パターン部６３のＬｉｎｅ（パターンの線幅；Ｌ）／Ｓｐａｃｅ（メッシュの開口幅；Ｓ）を表す。また、図９の評価用ベタ部５３は、全光線透過率および導電性評価用として形成したものであり、そのサイズは、メッシュ形状の導電パターン部５２のサイズと同じ３ｃｍ×３ｃｍとした。なお、アルミマスクのパターンは、図９の逆（ネガ）のパターンである。【０１７３】
なお、試料１０１の下地層の材料（ＴＰＤ）は、下記構造であり、窒素を含有する化合物である。【０１７４】
【化１０】
2013157420.tif 000039
【０１７５】
〔透光性導電パターン部材１０２〜１０９（試料１０２〜１０９）の作製〕
試料１０１において、下地層の材料、銀の膜厚を表１記載のように変更した以外は同様にして透光性導電パターン部材１０２〜１０９（試料１０２〜１０９）を作製した。【０１７６】
なお、下記に示すように、試料１０２の下地層の材料（ポルフィリン誘導体）は、下記構造であり、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物である。【０１７７】
【化１１】
2013157420.tif 000040
【０１７８】
さらに、試料１０３の下地層の材料（化合物９９）、試料１０４の下地層の材料（化合物９４）、試料１０５〜１０８の下地層の材料（化合物１０）、および試料１０９の下地層の材料（化合物１１２）は、先の下地層の材料として示した各構造である。このうち化合物９９は一般式（１）に該当し、化合物９４は一般式（２）に該当し、化合物１０はピリジン基を有しかつ一般式（３）に該当し、化合物１１２は一般式（１）に該当する。【０１７９】
〔透光性導電パターン部材１１０（試料１１０）の作製〕
先ず、試料１０１と同様のＰＥＴ基材上に、下記アンカー層塗布液１をスピンコーターを用いて乾燥膜厚が３０ｎｍとなるように回転数を調整して塗布し、１２０℃、１０分の乾燥処理を行った。【０１８０】
＜アンカー層塗布液１＞
トルエン                                      ８３ｇ
メチルエチルケトン                            １５ｇ
ポリメチルメタクリレート                        ２ｇ
次に、０．７５ｇの上記化合物１１２を、１００ｇの２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールに溶解して得た塗布液を、スピンコーターにて１５００ｒｐｍ、３０秒の条件で基材上に塗布した。次に基板表面温度１２０℃で３０分加熱し、化合物１１２から成る下地層を得た。下地層の膜厚は２５ｎｍであった。【０１８１】
次に下地層までを設けた基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、タングステン製抵抗加熱ボードに銀を入れ、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。次に、試料１０１で使用したマスクは用いず、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボードを通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚８ｎｍの銀からなる導電層を形成した。なお、ここで銀からなる導電層の膜厚とは銀の蒸着量から銀が均一な膜になっていると仮定して換算した膜厚値を表す。【０１８２】
さらに、試料１０１で用いたマスクとは逆の印刷パターンを形成したスクリーン印刷用ポリエステルメッシュを用いて下記の銀除去剤ＢＦ−１の粘度をカルボキシメチルセルロースＮａ（ＳＩＧＭＡ−ＡＬＤＲＩＣＨ社製；Ｃ５０１３  以下、ＣＭＣと略記する）で１００００ｃｐに調整し、導電層の上に塗布膜厚３０μｍとなるようスクリーン印刷を行った。印刷後１分間放置し、次いで水洗処理を行い、透光性導電パターン部材１１０（試料１１０）を作製した。【０１８３】
＜銀除去剤ＢＦ−１の作製＞
エチレンジアミン４酢酸第２鉄アンモニウム      ６０ｇ
エチレンジアミン４酢酸                          ２ｇ
メタ重亜硫酸ナトリウム                        １５ｇ
チオ硫酸アンモニウム                          ７０ｇ
マレイン酸                                      ５ｇ
純水で１Ｌに仕上げ、硫酸またはアンモニア水でｐＨを５．５に調整し、銀除去剤ＢＦ−１を作製した。【０１８４】
〔透光性導電パターン部材１１１（試料１１１）の作製〕
試料１０７において、第２真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った前記加熱ボードと銅の入った前記加熱ボードをそれぞれ独立に通電して加熱し、銀に対する銅の比率が３質量％（即ち、銀：銅＝１００：３（質量比））となるように蒸着速度を調整して、膜厚８ｎｍの銀と銅からなる導電パターン部を形成した以外は同様にして、透光性導電パターン部材１１１（試料１１１）を作製した。【０１８５】
〔透光性導電パターン部材１１２（試料１１２）の作製〕
試料１０７において、ＰＥＴ基材のかわりに透明な無アルカリガラス製の基材を用いた以外は同様にして、透光性導電パターン部材１１２（試料１１２）を作製した。【０１８６】
〔比較試料２０１〜２０３の作製〕
試料１０１において、下地層を設けず、銀の膜厚を表１記載の膜厚とした以外は同様にして比較試料２０１〜２０３を作製した。【０１８７】
〔比較試料２０４の作製〕
透明な市販のＰＥＴ基材（コスモシャインＡ４１００、東洋紡績（株）社製、膜厚１００μｍ）を易滑層が設けられていない面に、直流マグネトロンスパッタリング法を用いて、インジウムとスズとの酸化物からなる４０ｎｍのＩＴＯ薄膜層を形成した。ＩＴＯ薄膜層の形成には、ターゲットとして、酸化インジウム・酸化スズ焼結体〔Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２＝９０：１０（質量比）〕、スパッタリングガスとしてアルゴン・酸素混合ガス（全圧２６６ｍＰａ、酸素分圧５ｍＰａ）を用いた。【０１８８】
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、試料１０１と同様のアルミマスクを、ＩＴＯ薄膜層を成膜した基材面に設置し、４×１０−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った加熱ボードを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で膜厚１５ｎｍの銀からなる導電パターン部を形成した。さらに、前述と同様にして８９ｎｍのＩＴＯ薄膜層を形成し、比較試料２０４を作製した。【０１８９】
〔比較試料２０５の作製〕
〔メッキ法による透光性を有しない導電パターン部を有する部材の作製〕
＜塗料１の作製＞
ポリオキシエチレンアルキルエーテル系ノニオン界面活性剤（エマルゲン４０９Ｐ／花王株式会社製）２．１ｍｍｏｌをイオン交換水１００ｍＬに溶解し、次いでピロールモノマー２１．２ｍｍｏｌを加え３０分撹拌し、次いで０．１２Ｍ過硫酸アンモニウム水溶液５０ｍＬ（６ｍｍｏｌ相当）を加え、２０℃で１時間反応を行った。（重合率５２％、平均粒子径８６ｎｍ）次いで、ジヒドロターピネオール２５ｍＬを添加し、４時間攪拌した。攪拌終了後、有機相を回収し、イオン交換水で数回洗浄してジヒドロターピネオールに分散した還元性能を有する還元性ポリピロール微粒子分散液を得た。【０１９０】
上記で得られたジヒドロターピネオール分散液中の還元性ポリピロール微粒子の固形分は、約１．３質量％であったが、ここに、還元性ポリピロール微粒子１質量部に対して１質量部のスーパーベッカミンＪ−８２０：メラミン系（大日本インキ化学工業（株）社製）を加えて塗料１を調整した。【０１９１】
透明な市販のＰＥＴ基材（コスモシャインＡ４１００、東洋紡績（株）社製、膜厚１００μｍ）の易滑層が設けられた面に、市販のグラビア印刷機を用いて塗料１を、格子状にＬ／Ｓ＝１００μｍ／５００μｍ、膜厚１００ｎｍ、開口率７０％になる様に印刷を施し、その後、１２０℃の乾燥オーブン中に１０分間入れて乾燥した。塗料１の塗膜層が形成されたフィルムを、０．０２％塩化パラジウム−０．０１％塩酸水溶液中に３５℃で７分間浸漬後、水道水で水洗した。次に、該フィルムを無電解銅めっき浴  ＡＴＳアドカッパーＩＷ浴（奥野製薬工業（株）社製）に３５℃で５分間浸漬して、膜厚１００ｎｍの銅メッキを施し、比較試料２０５とした。図１０Ａは、メッシュ状（格子状）のパターン部のＬ／Ｓを説明するための平面模式図である。図１０Ｂは、比較試料２０５のパターン部の構成を表すための図１０Ａ（メッキ後）の１０Ｂ−１０Ｂ線に沿った断面模式図である。ここで、図１０Ａに示すように、Ｌ／Ｓは、ＰＥＴ基材（易滑層）６１上に形成された塗料１の塗膜層（格子状印刷物）の格子状（メッシュ状）のパターン部６３のＬｉｎｅ（パターンの線幅；Ｌ）／Ｓｐａｃｅ（格子の開口幅；Ｓ）を表す。また、メッキ後の比較試料２０５の断面構成は、図１０Ｂに示すように、ＰＥＴ基材（易滑層）６１上に、膜厚１００ｎｍの塗料１の塗膜層（格子状印刷物）の格子状（メッシュ状）のパターン部６３が形成されており、更にパターン部６３の表面（側面及び上面）に膜厚１００ｎｍの銅メッキ（層）６５が形成されてなる断面構成となっている。また、塗料１の塗膜層（格子状印刷物）６３の膜厚測定方法は、試料を以下のＦＩＢ（集束イオンビーム）加工装置により薄片作成後、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察を行い、膜厚を求めた。【０１９２】
（ＦＩＢ加工）
・装置：ＳＩＩ製ＳＭＩ２０５０
・加工イオン：（Ｇａ  ３０ｋＶ）
・試料厚み：２００ｎｍ
（ＴＥＭ観察）
・装置：日本電子製ＪＥＭ２０００ＦＸ（加速電圧：２００ｋＶ）
・電子線照射時間：３０秒。【０１９３】
〔比較試料２０６の作製〕
試料１０１において、下地素材を下記のｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉとした以外は同様にして比較試料２０６を作製した。【０１９４】
【化１２】
2013157420.tif 000041
【０１９５】
＜評価＞
透光性を有する導電パターン部の全光線透過率、導電性は試料に形成した評価用の３ｃｍ角の透光性を有する導電膜のベタ部を測定することにより求めた。【０１９６】
シート抵抗値（表面比抵抗率）と全光線透過率を、それぞれ抵抗率計（ロレスタＧＰ（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）：（株）ダイヤインスツルメンツ社製）と東京電色社製  ＨＡＺＥ  ＭＥＴＥＲ  ＮＤＨ５０００を用いて測定した。得られた結果を表１に示す。【０１９７】
＜電磁波シールド性評価＞
ＫＥＣ法にて１０ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数帯域で測定した結果の平均値を求め、以下の指標（評価基準）で電磁波シールド性を評価した。評価結果を表１に示す。【０１９８】
○；１５ｄｂ以上
△；１０以上１５未満
△×；５以上１０未満
×；５未満。【０１９９】
＜視認性評価＞
卓上シャーカッセンに試料を置き、５０ｃｍの距離から観察した。以下の指標（評価基準）で視認性を評価した。評価結果を表１に示す。【０２００】
○；パターンは認識されない
○△；良く見るとパターンは認識できる
△；パターンが認識できるが気にならない
×；パターンがはっきり認識され気になる。【０２０１】
【表１】
2013157420.tif 000042
【０２０２】
実施例２
〔周波数選択性電磁波遮蔽部材の作製〕
試料１０７において、マスクのパターンを線状アンテナ素子の単位長７９ｍｍ、線幅４０μｍ、線状アンテナ素子間隔３００μｍとなるよう形成されたフォトマスク（当該フォトマスク（ネガ）のパターンは、図３Ａの線状アンテナパターンの逆（ネガ）のパターンである）に変更する以外は同様にして周波数選択性電磁波遮蔽部材を作製したところ、２Ｇ帯（１．９０ＧＨｚ；波長１５８ｍｍ）の反射特性を確認できた。【０２０３】
尚、反射特性の評価方法として、以下の方法で減衰率を評価した。図１１に減衰率の評価装置の配置を表す模式図を示した。図１１に示すように対向させて設置した一対の誘電体レンズ７１、７２にベクトルネットワークアナライザー（ＨＰ社製  ８１５０Ｂ）７３を接続しその間に、作製した選択性電磁波遮蔽フィルムサンプル７４を置き、周波数１．９０ＧＨｚ（波長１５８ｍｍ）における減衰率（ｄＢ）により確認した。図中、サンプル７４への入射電磁波をλ１、サンプル７４からの透過電磁波をλ２と表記している。【０２０４】
実施例３
〔透光性アンテナ部材の作製〕
試料１０７において、マスクのパターンを、図４に示す線幅２ｍｍ、サイズ：７０ｍｍ×１３０ｍｍの方形型のアンテナパターン４１の逆（ネガ）のパターンとなるよう形成されたフォトマスクに変更する以外は同様にして透光性アンテナ部材を作製した。非接触ＩＣカードや無線タグに利用することができる。【０２０５】
実施例４
〔透光性タッチパネル用電極パターンの作製〕
試料１０７において、マスクのパターンを図５〜７に示す２枚のタッチパネル用透明電極５−１、５−２が形成可能なように変更した以外は同様にして透光性タッチパネル用電極パターン（透光性導電パターン部材）５−１、５−２を作製した。各透光性タッチパネル用電極パターンを２枚重ねて簡易式の各タッチパネルを作製した。視認性が良好でタッチの耐久性も良好であった。【０２０６】
本出願は、２０１２年４月１８日に出願された日本特許出願番号２０１２−０９４９８４号に基づいており、その開示内容は、参照され、全体として、組み入れられている。
【符号の説明】
【０２０７】
１−１  第１のタッチパネル用透明電極、
１−２  第２のタッチパネル用透明電極、
３−１  第１の窒素含有層、
３−２  第２の窒素含有層
５−１  第１の電極層、
５−２  第２の電極層、
５ｘ１，５ｘ２，…  各ｘ電極パターン、
５ｙ１，５ｙ２，…  各ｙ電極パターン、
１１  透光性導電パターン部材、
１３  （離形性を有する）基材、
１４  保護層、
１５  下地層、
１７  透光性を有する導電パターン部、
１８  接着層、
１９  基体、
２１  タッチパネル、
２３  透明基板、
２５  前面板、
２７  接着剤（層）
２９ｘ  ｘ配線、
２９ｙ  ｙ配線、
４１  方形型のアンテナパターン、
５１  ＰＥＴ基材、
５２  透光性を有する導電パターン部、
５３  透光性を有するベタ部、
６１  下地層ないしＰＥＴ基材（易滑層）、
６３  （透光性を有する導電）パターン部、
７１、７２  誘電体レンズ、
７３  ベクトルネットワークアナライザー、
７４  選択性電磁波遮蔽フィルムサンプル、
λ１  入射電磁波、
λ２  透過電磁波。
【図１】
2013157420.tif 000047
【図２】
2013157420.tif 000048
【図３】
2013157420.tif 000049
【図４】
2013157420.tif 000050
【図７】
2013157420.tif 000051
【図８】
2013157420.tif 000052
【図１０】
2013157420.tif 000053
【図１１】
2013157420.tif 000054
【図５】
2013157420.tif 000055
【図６】
2013157420.tif 000056
【図９】
2013157420.tif 000057
【国際調査報告】
2013157420.tif 000058
2013157420.tif 000059
2013157420.tif 000060
2013157420.tif 000061