(57)【要約】  植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉を、樹脂中に分散させ、電磁波吸収板用の組成物を形成する。該組成物を用いて電磁波吸収板を形成すれば、前記複数種類の炭化粉の各重量比を調整することによって、該電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を、１点ではなく、所定の範囲で調整できるようになる。
2013073634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化粉および樹脂を含有する電磁波吸収板用の組成物であって、
植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉が樹脂中に分散している、組成物。
【請求項２】
前記組成物から成形されてなる電磁波吸収板の厚さをｄ、前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長をλとして、
前記電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて前記複数種類の炭化粉の各重量比が調整されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉である、請求項１または２に記載の組成物。
（Ａ）８５０℃未満。
（Ｂ）８５０℃以上、９５０℃未満。
（Ｃ）９５０℃以上。
【請求項４】
前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度が、それぞれ、
（Ａ）４００℃以上、８００℃以下、
（Ｂ）８５０℃以上、９３０℃以下、
（Ｃ）９５０℃以上、３０００℃以下
である、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる３種類又は４種類の炭化粉である、請求項１または２に記載の組成物。
（ａ）５５０℃以上、６５０℃未満。
（ｂ）６５０℃以上、８００℃未満。
（ｃ）８００℃以上、１０００℃未満。
（ｄ）１０００℃以上、１２００℃以下。
【請求項６】
前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度が、それぞれ、
（ａ）５５０℃以上、６３０℃以下、
（ｂ）６５０℃以上、７３０℃以下、
（ｃ）８５０℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１１００℃以上、１２００℃以下
である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記植物性原料が、ヒューマスである請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物から成形されてなる電磁波吸収板。
【請求項９】
当該電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長λが、１００μｍ〜１ｍである、請求項８に記載の電磁波吸収板。
【請求項１０】
電磁波吸収板の製造方法であって、
植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉と、樹脂とを混合し、該複数種類の炭化粉が樹脂中に分散している組成物を得る混合工程と、
前記組成物を成形して、電磁波吸収板を得る成形工程とを有する、
前記製造方法。
【請求項１１】
得られる電磁波吸収板の厚さをｄ、前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長をλとして、前記電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて前記複数種類の炭化粉の各重量比を調整する、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉である、請求項１０または１１に記載の製造方法。
（Ａ）８５０℃未満。
（Ｂ）８５０℃以上、９５０℃未満。
（Ｃ）９５０℃以上。
【請求項１３】
前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度が、それぞれ、
（Ａ）４００℃以上、８００℃以下、
（Ｂ）８５０℃以上、９３０℃以下、
（Ｃ）９５０℃以上、３０００℃以下
である、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる３種類又は４種類の炭化粉である、請求項１０または１１に記載の製造方法。
（ａ）５５０℃以上、６５０℃未満。
（ｂ）６５０℃以上、８００℃未満。
（ｃ）８００℃以上、１０００℃未満。
（ｄ）１０００℃以上、１２００℃以下。
【請求項１５】
前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度が、それぞれ、
（ａ）５５０℃以上、６３０℃以下、
（ｂ）６５０℃以上、７３０℃以下、
（ｃ）８５０℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１１００℃以上、１２００℃以下
である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長λが、１００μｍ〜１ｍである、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記電磁波の波長λを、所定の値に固定し、
前記３種類の炭化粉の各重量比を変化させることによって、前記波長λに対して無反射状態となる電磁波吸収板の厚さｄを変化させる、
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記電磁波吸収板の厚さｄを、所定の値に固定し、
前記３種類の炭化粉の各重量比を変化させることによって、前記厚さｄに対して無反射状態となる前記電磁波の波長λを変化させる、
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記植物性原料が、ヒューマスである請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波吸収板用の組成物、該組成物を用いた電磁波吸収板、および、該電磁波吸収板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器から生ずる電磁波は、他の電子機器に悪影響を及ぼし得る。そのため、電磁波を吸収するための電磁波吸収体が盛んに研究されている。【０００３】
例えば、特許文献１〜３には、植物炭、竹炭または植物焼成物と、樹脂とを含有する組成物から得られる電磁波吸収体が記載されている。また、特許文献４には、木質材料および熱硬化性樹脂の混合物を炭化することによって得られる炭化粉と、有機結合材とを含有する組成物から得られる電磁波吸収体が記載されている。しかし、特許文献１〜４のいずれにも、炭化温度が異なる複数種類の炭化粉を併用する技術は記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３６８４７７号公報
【特許文献２】特開２００６−８０５０２号公報
【特許文献３】国際公開第２０１０／０３５８２号
【特許文献４】特開２０１０−１５３８３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電磁波吸収板では、その比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点において、電磁波を反射しない理想的な電磁波吸収の状態（この状態を、本発明では「無反射状態」と呼ぶ）が達成される。この無反射状態では、ｄ／λの値（ここで、ｄは電磁波吸収板の厚さであり、λは吸収する電磁波の波長である。）が１点に定まる。
そのため、無反射状態を達成しようとすると、λおよびｄをそれぞれ独立に変更することができない。言い換えると、吸収しようとする電磁波の波長λを変更すると、それに応じて、無反射状態が達成される電磁波吸収板の厚さｄが定まり、逆に電磁波吸収板の厚さｄを変更すると、それに応じて、無反射状態が達成される電磁波の波長λが定まる。そのため、無反射状態を達成しようとすると、λおよびｄのいずれかが制約を受けるという問題がある。【０００６】
本発明の目的は、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を、１点ではなく、所定の範囲で調整することができる、電磁波吸収板用の組成物および電磁波吸収板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成し得る本発明は、以下の通りである。
［１］  炭化粉および樹脂を含有する電磁波吸収板用の組成物であって、
植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉が樹脂中に分散している、組成物。
［２］  前記組成物から成形されてなる電磁波吸収板の厚さをｄ、前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長をλとして、
前記電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて前記複数種類の炭化粉の各重量比が調整されている、前記［１］に記載の組成物。
［３］  前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉である、前記［１］または［２］に記載の組成物。
（Ａ）８５０℃未満。
（Ｂ）８５０℃以上、９５０℃未満。
（Ｃ）９５０℃以上。
［４］  前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度が、それぞれ、
（Ａ）４００℃以上、８００℃以下、
（Ｂ）８５０℃以上、９３０℃以下、
（Ｃ）９５０℃以上、３０００℃以下
である、前記［３］に記載の組成物。
［５］  前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる３種類又は４種類の炭化粉である、前記［１］または［２］に記載の組成物。
（ａ）５５０℃以上、６５０℃未満。
（ｂ）６５０℃以上、８００℃未満。
（ｃ）８００℃以上、１０００℃未満。
（ｄ）１０００℃以上、１２００℃以下。
［６］  前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度が、それぞれ、
（ａ）５５０℃以上、６３０℃以下、
（ｂ）６５０℃以上、７３０℃以下、
（ｃ）８５０℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１１００℃以上、１２００℃以下
である、前記［５］に記載の組成物。
［７］  前記植物性原料が、ヒューマスである前記［１］〜［６］のいずれか一つに記載の組成物。
［８］  前記［１］〜［７］のいずれか一つに記載の組成物から成形されてなる電磁波吸収板。
［９］  当該電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長λが、１００μｍ〜１ｍである、前記［８］に記載の電磁波吸収板。
［１０］  電磁波吸収板の製造方法であって、
植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉と、樹脂とを混合し、該複数種類の炭化粉が樹脂中に分散している組成物を得る混合工程と、
前記組成物を成形して、電磁波吸収板を得る成形工程とを有する、
前記製造方法。
［１１］  得られる電磁波吸収板の厚さをｄ、前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長をλとして、前記電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて前記複数種類の炭化粉の各重量比を調整する、前記［１０］に記載の製造方法。
［１２］  前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉である、前記［１０］または［１１］に記載の製造方法。
（Ａ）８５０℃未満。
（Ｂ）８５０℃以上、９５０℃未満。
（Ｃ）９５０℃以上。
［１３］  前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度が、それぞれ、
（Ａ）４００℃以上、８００℃以下、
（Ｂ）８５０℃以上、９３０℃以下、
（Ｃ）９５０℃以上、３０００℃以下
である、［１２］に記載の製造方法。
［１４］  前記複数種類の炭化粉が、植物性原料を下記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる３種類又は４種類の炭化粉である、前記［１０］または［１１］に記載の製造方法。
（ａ）５５０℃以上、６５０℃未満。
（ｂ）６５０℃以上、８００℃未満。
（ｃ）８００℃以上、１０００℃未満。
（ｄ）１０００℃以上、１２００℃以下。
［１５］  前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度が、それぞれ、
（ａ）５５０℃以上、６３０℃以下、
（ｂ）６５０℃以上、７３０℃以下、
（ｃ）８５０℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１１００℃以上、１２００℃以下
である、前記［１４］に記載の製造方法。
［１６］  前記電磁波吸収板が吸収すべき電磁波の波長λが、１００μｍ〜１ｍである、前記［１０］〜［１５］のいずれか一つに記載の製造方法。
［１７］  前記電磁波の波長λを、所定の値に固定し、
前記３種類の炭化粉の各重量比を変化させることによって、前記波長λに対して無反射状態となる電磁波吸収板の厚さｄを変化させる、
前記［１０］〜［１６］のいずれか一つに記載の製造方法。
［１８］  前記電磁波吸収板の厚さｄを、所定の値に固定し、
前記３種類の炭化粉の各重量比を変化させることによって、前記厚さｄに対して無反射状態となる前記電磁波の波長λを変化させる、
前記［１０］〜［１６］のいずれか一つに記載の製造方法。
［１９］  前記植物性原料が、ヒューマスである前記［１０］〜［１８］のいずれか一つに記載の製造方法。【０００８】
なお、本発明において「電磁波吸収板用の組成物」とは、「電磁波吸収板を製造するために用いられる組成物」を意味する。また以下では、「本発明の電磁波吸収板用の組成物」および「本発明の電磁波吸収板の製造方法」を、それぞれ、「本発明の組成物」および「本発明の製造方法」と略称することがあり、「植物性原料を（Ａ）の炭化温度にて炭化させてなる炭化粉」等を「炭化粉（Ａ）」等と略称することがある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を、１点ではなく、所定の範囲で調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、１次無反射曲線を説明するためのグラフである（日刊工業新聞社発行、橋本修著、「電波吸収板のはなし」第４６頁の図３．３から引用）。
【図２】図２は、一次無反射曲線のｄ／λと比誘電率（実部）との関係を示すグラフである。
【図３】図３は、一次無反射曲線のｄ／λと比誘電率（虚部）との関係を示すグラフである。
【図４】図４は、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）における、炭化粉（Ｂ）の重量比（％）と比誘電率との関係を示すグラフである。図４〜図１２は、本発明の態様を説明するためのグラフであり、図１３〜図２１は、本発明の好ましい態様を説明するためのグラフである。
【図５】図５は、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）における、炭化粉（Ｃ）の重量比（％）と比誘電率との関係を示すグラフである。
【図６】図６は、異なる炭化温度の炭化粉を用いた電磁波吸収板（炭化粉の含有量：１３０ｐｈｒ）における、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフ、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）を含有する電磁波吸収板（III）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフ、並びに、一次無反射曲線である（（Ａ）の炭化温度：６００℃、（Ｂ）の炭化温度：９００℃、（Ｃ）の炭化温度：１１５０℃、電磁波吸収板（II）および（III）中の炭化粉の合計量はいずれも：１３０ｐｈｒ）。
【図８】図８は、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）において、炭化粉（Ａ）の重量比（％）と、炭化粉（Ａ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図９】図９は、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）において、炭化粉（Ｂ）の重量比（％）と、炭化粉（Ｂ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１０】図１０は、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）において、炭化粉（Ｃ）の重量比（％）と、炭化粉（Ｃ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１１】図１１は、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）において、比誘電率（実部）の実測値と、その計算値との関係を示すグラフである。
【図１２】図１２は、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）における比誘電率（虚部）の実測値とその計算値との関係を示すグラフである。
【図１３】図１３は、炭化粉（ａ）および（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）における、炭化粉（ｂ）の重量比（％）と比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１４】図１４は、炭化粉（ａ）および（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）における、炭化粉（ｃ）の重量比（％）と比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１５】図１５は、異なる炭化温度の炭化粉を用いた電磁波吸収板（炭化粉の含有量：１３０ｐｈｒ）における、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフである。
【図１６】図１６は、３種類の電磁波吸収板（炭化粉（ａ）、（ｂ）を含有する電磁波吸収板（IIβ）、炭化粉（ａ）、（ｃ）を含有する電磁波吸収板（IIIβ）、炭化粉（ａ）、（ｄ）を含有する電磁波吸収板（IVβ）の、それぞれの比誘電率の実部と虚部との関係を示す曲線と、一次無反射曲線とを示すグラフ図である（（ａ）の炭化温度：６００℃、（ｂ）の炭化温度：６７０℃、（ｃ）の炭化温度：９００℃、（ｄ）の炭化温度：１１５０℃、電磁波吸収板（IIβ）、（IIIβ）および（IVβ）中の各炭化粉の合計量はいずれも１３０ｐｈｒ）。
【図１７】図１７は、炭化粉（ａ）および（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）における、炭化粉（ａ）の重量比（％）と、炭化粉（ａ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１８】図１８は、炭化粉（ａ）および（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）における、炭化粉（ｂ）の重量比（％）と、炭化粉（ｂ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図１９】図１９は、炭化粉（ａ）および（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）における、炭化粉（ｃ）の重量比（％）と、炭化粉（ｃ）が担う比誘電率との関係を示すグラフである。
【図２０】図２０は、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）における、比誘電率（実部）の実測値と、その計算値との関係を示すグラフである。
【図２１】図２１は、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）における、比誘電率（虚部）の実測値と、その計算値との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明は、後述の実験例１および図６、図７に示す知見、即ち、植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる炭化粉を用いれば、その炭化温度に応じて、得られる電磁波吸収板の特性（比誘電率）が大きく変わるという知見に基づくものである。
この知見に基づき、本発明者らがさらに鋭意検討を重ねた結果、植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉を用い、それら複数種類の炭化粉の各重量比を調整することによって、無反射状態におけるｄ／λの値を、一点ではなく範囲を以って調整できることを見出した（詳しくは、後述の実験例２、３参照）。
【００１２】
本発明は上述の知見に基づくものであり、その組成物は、植物性原料を互いに異なる炭化温度にて炭化させてなる複数種類の炭化粉を含有することを特徴の一つとする。
【００１３】
前記炭化粉は、植物性原料を下記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉であることが好ましい：
（Ａ）８５０℃未満、
（Ｂ）８５０℃以上、９５０℃未満、
（Ｃ）９５０℃以上。
【００１４】
前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度のより好ましい各範囲は、以下の通りである：
（Ａ）４００℃以上、８００℃以下、
（Ｂ）８５０℃以上、９３０℃以下、
（Ｃ）９５０℃以上、３０００℃以下。
【００１５】
前記（Ａ）および（Ｂ）の炭化温度の差は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは２００℃以上であり、前記（Ｂ）および（Ｃ）の炭化温度の差は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上である。
【００１６】
本発明のより好ましい態様では、上記（Ａ）〜（Ｃ）による３種類の温度範囲の区分がさらに細分化される。即ち、前記炭化粉は、植物性原料を下記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる、３種類又は４種類の炭化粉である：
（ａ）５５０℃以上、６５０℃未満、
（ｂ）６５０℃以上、８００℃未満、
（ｃ）８００℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１０００℃以上、１２００℃以下。
【００１７】
前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度のより好ましい範囲は、以下の通りである：
（ａ）５５０℃以上、６３０℃以下、
（ｂ）６５０℃以上、７３０℃以下、
（ｃ）８５０℃以上、１０００℃未満、
（ｄ）１１００℃以上、１２００℃以下。
【００１８】
前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より３種類を選ぶ場合、｛（ａ）、（ｂ）、（ｃ）｝、｛（ａ）、（ｂ）、（ｄ）｝、｛（ａ）、（ｃ）、（ｄ）｝、｛（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）｝の組み合わせがあり、ここで、最も低い炭化温度と２番目に低い炭化温度の差は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは７０℃以上であり、最も高い炭化温度と２番目に低い（高い）炭化温度の差は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上である。
【００１９】
植物性原料としては、炭化できるものである限り、草、木、竹などのあらゆる植物性原料を使用することができる。なお、後述の実験例では、植物性原料としてヒューマスを使用している。この点、植物性原料はセルロースを主成分とするため、ヒューマス以外の植物性原料に由来する炭化粉も、ヒューマスに由来する炭化粉と同様の特性を有すると考えられる。ここで「ヒューマス」とは、「大豆の植物性タンパク質を分解し、その分解物からアミノ酸を抽出した搾りかす」を意味する。
【００２０】
植物性原料は、１種類のみを使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。なお、１種類の植物性原料を使用する場合も、炭化温度を変えるだけで、得られる炭化粉の特性を変更できる。その結果、１種類の植物性原料から、互いに異なる炭化温度にて炭化させて複数種類の炭化粉を得て、これらの炭化粉の各重量比を調整するだけで、電磁波吸収板の反射状態におけるｄ／λの値を変化させることができる。即ち、炭化粉の各重量比を調整することによって、ｄ／λの値を調整できるようになる。以上のように、複数の植物性原料を購入せずとも、炭化温度を変えるだけで本発明の目的を達成できるので、１種類の植物性原料を使用することが好ましい。
【００２１】
植物性原料は、資源のリサイクルの観点から、成分（油脂、タンパク質、アミノ酸など）を取り出した植物の搾りかす；木材または竹などの廃材または間伐材；などが好ましい。植物性原料は、より好ましくはヒューマスである。このヒューマスは、例えば、大豆を脱脂し、得られた脱脂大豆を酸（例えば、塩酸）で分解し、次いで塩基（例えば、水酸化ナトリウム）で中和し、圧搾してアミノ酸を抽出し、その搾りかすを水洗および脱水することによって得られる。
【００２２】
植物性原料の炭化は、公知の炭化装置を用いて行うことができる。炭化装置としては、例えば、いすゞ製作所製マッフル炉などが挙げられる。炭化は、不活性雰囲気下（例えば、窒素雰囲気下）で行うことが好ましい。炭化時間は、通常、１０時間〜１５時間である。
【００２３】
カーボナイザーなどによって得られた炭化物を、必要に応じて、粉砕し、ふるい分けすることによって、炭化粉が得られる。粉砕は、公知の粉砕装置（例えば、ボールミル、ロッドミル）を用いて行うことができる。
【００２４】
本発明で用いる炭化粉の粒子径は、特に限定はされないが、上記特許文献１〜４に記載されたような従来公知の電磁波吸収体に用いられている炭化粉と同様の粒子径であってよい。本発明で用いる炭化粉の体積平均粒子径は、ＪＩＳ Ｚ ８８２５−１「粒子径解析〜レーザー回折法」に準拠した測定方法によれば、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは１０〜４０μｍである。この体積平均粒子径は、堀場製作所製レーザー回折型粒度分布計「ＬＡ−９５０」によって測定することができる。
【００２５】
組成物中の炭化粉の合計量は、樹脂１００重量部に対して、好ましくは５０〜２００重量部、より好ましくは１００〜１７０重量部である。なお本明細書では、樹脂１００重量部に対する炭化粉の重量部数を、ｐｈｒ（parts per hundred parts by weight of resin）で表すことがある。
【００２６】
樹脂は、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれでもよい。なお、本発明における「樹脂」は、ゴムも含む概念である。樹脂は、１種類のみを使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。得られる電磁波吸収板の強度などの観点から、樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂である。
【００２７】
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂は、１種類のみを使用してもよく、２種類以上を併用してもよい。これらの中で、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂は、レゾール型フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂またはこれらの混合物のいずれでもよく、好ましくはノボラック型フェノール樹脂である。
【００２８】
本発明の組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、炭化粉および樹脂以外の成分（以下「他の成分」と略称する）を含有していてもよい。他の成分としては、炭化粉の分散性を向上させるための分散剤、熱硬化性樹脂のための硬化剤、ゴムのための架橋剤、増粘剤などが挙げられる。
【００２９】
本発明の組成物は、炭化粉および樹脂、並びに必要に応じて他の成分を混合することによって製造することができる。この工程は、本発明による電磁波吸収板の製造方法における混合工程に該当する。
混合の手段に特に限定は無く、公知の混合装置を使用して行えばよい。公知の混合装置としては、例えば、モルタルミキサー、プラネタリーミキサーなどが挙げられる。混合時間に特に限定は無く、適宜設定すればよい。例えば、モルタルミキサーを使用して組成物を調製し、その組成物を２軸ローラー等でシート状に成形する場合、２軸ローラー等での混練でも炭化物の分散が促進されるので、モルタルミキサーによる混合時間は、通常３〜１０分程度である。なお、混合時に組成物の温度が上昇するので、必要に応じて、混合時に組成物を冷却してもよい。
【００３０】
本発明の組成物を成形することで、本発明の電磁波吸収板が得られる。この工程は、本発明による電磁波吸収板の製造方法における成形工程に該当する。該成形工程では、公知の成形装置を用いてよい。
本発明でいう「板」には、シート、テープ、フィルムなども包含される。
本発明の組成物を本発明の電磁波吸収板へと成形するための装置としては、例えば、２軸ローラーなどが挙げられる。２軸ローラーを使用する場合、本発明の組成物を２軸ローラーに複数回通過させて、板状に延伸しながら混練することが好ましい。このような混練によって、樹脂中への炭化物の分散が促進される。このような混練の際には組成物の温度が上昇するので、必要に応じて、混練時に組成物を冷却してもよい。
【００３１】
樹脂として熱硬化性樹脂またはゴムを使用する場合、成形後に得られた電磁波吸収板を硬化させる（電磁波吸収板の製造方法における硬化工程）。硬化の方法としては、例えば熱硬化、放射線硬化などが挙げられるが、簡便な熱硬化が好ましい。硬化条件（例えば、熱硬化の温度または時間）は、用いる熱硬化性樹脂またはゴムの種類、および必要に応じて使用する硬化剤または架橋剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【００３２】
吸収すべき電磁波の波長は、マイクロ波およびミリ波帯の範囲であり、好ましくは１００μｍ〜１ｍ、より好ましくは１．５ｍｍ〜０．０６ｍである。得られる電磁波吸収板の厚さは、吸収すべき電磁波の波長によって決定される。例えば、電磁波の波長１００μｍに対してとり得る電磁波吸収板の厚さは６．２〜７．４μｍである。また、電磁波の波長１ｍに対してとり得る電磁波吸収板の厚さは６２〜７４ｍｍである。
【００３３】
本発明の電磁波吸収板の製造方法は、上述の混合工程および成形工程、並びに必要に応じて硬化工程を有する。
本発明の電磁波吸収板の製造方法は、前記混合工程において、
植物性原料を前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉を使用すること、および
電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて、前記３種類の炭化粉の各重量比を調整すること
を特徴とする。
【００３４】
また、本発明の電磁波吸収板の製造方法のより好ましい態様では、前記混合工程において、
植物性原料を前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉より選ばれる３種類又は４種類の炭化粉を使用すること、および
電磁波吸収板が無反射状態となるように、無反射状態におけるｄ／λの値に応じて、前記４種類から選択される３種類又は４種類の炭化粉の各重量比を調整すること
を特徴とする。
【００３５】
ここで、電磁波吸収板の無反射状態は、該電磁波吸収板の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点で達成される。電磁波吸収板の比誘電率は、後述する実験例に記載するようにして測定することができ、この実部および虚部の値をプロットすることによって、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフを作成することができる。
【００３６】
一般に、誘電性吸収材を用いた電磁波吸収体の一次無反射曲線は、式１で表される。
【００３７】
【数１】
2013073634.tif 000003
【００３８】
ここで、εｒは比誘電率であり、ｄは吸収板の厚さ、λは電磁波の波長である。
またεｒは、式２に示すようにε’ｒ（実部）およびε”ｒ（虚部）に分けられる。
式１において、波長λで規格化した吸収板の厚さｄ／λ（即ち、吸収板の厚さｄを、波長λで割った値）を変化させて、１次無反射曲線を作成することができる。
１次無反射曲線については、例えば、図１にグラフ図として示すように、日刊工業新聞社発行、橋本修著、「電波吸収板のはなし」第４５頁３．１．２に説明されている。
【００３９】
上記式１から、一次無反射曲線のｄ／λと比誘電率（実部）ε’ｒとの関係を示すグラフは図２に示す通りであり、その近似から式３が得られる。
【００４０】
【数２】
2013073634.tif 000004
【００４１】
同様に、上記式１から、一次無反射曲線のｄ／λと、比誘電率（虚部）ε”ｒとの関係を示すグラフは図３に示す通りであり、その近似から式４が得られる。
【００４２】
【数３】
2013073634.tif 000005
【００４３】
従来公知の電磁波吸収板では、無反射状態となるｄ／λは、該電磁波吸収板の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点に１つ存在する。
これに対して本発明では、前記比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点（即ち、無反射状態）におけるｄ／λの値は、以下の方法で求められ、かつ、調節することができる。
【００４４】
〔態様１：植物性原料を前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉を使用する場合の、ｄ／λの調節方法〕
先ず、炭化粉（Ａ）、（Ｂ）の重量比を種々変えることで、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）を含有する電磁波吸収板のサンプルを複数種類作製し、それぞれの比誘電率を測定する（例えば、後述する実験例の表２）。
そして、該測定結果（表２）から、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）の、炭化粉（Ｂ）の重量比と比誘電率との関係を示すグラフ（図４）を作成する。ここで、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）を含有する場合における炭化粉（Ｂ）の重量比とは、（Ａ）と（Ｂ）の重量の和に占める（Ｂ）の重量の割合、即ち〔Ｂ／（Ａ＋Ｂ）〕×１００（％）である。（Ａ）＋（Ｂ）＋（Ｃ）などの他の組み合わせの場合も同様である。
なお、図４の「Ｅ−０２」、「Ｅ−０１」および「Ｅ＋００」は、それぞれ、「１０−２」、「１０−１」および「１００」を意味する。他の図面でも同様である。
【００４５】
図４のグラフ中の２つの曲線（実部の曲線、虚部の曲線）から、それぞれに、炭化粉（Ｂ）の重量比と比誘電率の実部との関係を示す曲線の近似式（下記式５）と、炭化粉（Ｂ）の重量比と比誘電率の虚部との関係を示す曲線の近似式（下記式６）を求める。
ここで、式５および式６におけるＲＢは、炭化粉（Ｂ）の重量比（％）であり、ε’ｒＡＢおよびε”ｒＡＢは、それぞれ、電磁波吸収板（II）の比誘電率の実部および虚部である。
【００４６】
【数４】
2013073634.tif 000006
【００４７】
この場合、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点においては、ｄ／λと重量比ＲＢとは、次の関係を満たしている。
式３の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（実部）ε’ｒと、式５の電磁波吸収板の重量比ＲＢにおける比誘電率（実部）ε’ｒＡＢとが等しく、且つ、
式４の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（虚部）ε”ｒと、式６の電磁波吸収板の重量比ＲＢにおける比誘電率（虚部）ε”ｒＡＢとが等しい。
この関係は、式７および式８で表される。
【００４８】
【数５】
2013073634.tif 000007
【００４９】
式７と式８の連立方程式を解くことにより、式９と式１０で示す結果が得られる。
【００５０】
【数６】
2013073634.tif 000008
【００５１】
即ち、表２の例では、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）における比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線とは、ＲＢ＝約５２（％）で交わり、その交点のｄ／λは０．０６２である。
【００５２】
次に、炭化粉（Ａ）、（Ｃ）の重量比を種々変えることで、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）を含有する電磁波吸収板のサンプルを複数種類作製し、それぞれの比誘電率を測定する（例えば、後述する実験例の表３）。
上記と同様に、該表３から、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）の、炭化粉（Ｃ）の重量比と比誘電率との関係を示すグラフ（図５）を作成する。そして、図５のグラフ中の２つの曲線（実部の曲線、虚部の曲線）から、それぞれに、炭化粉（Ｃ）の重量比と比誘電率の実部との関係を示す曲線の近似式（下記式１１）、および、炭化粉（Ｃ）の重量比と比誘電率の虚部との関係を示す曲線の近似式（下記式１２）を求める。
ここで、式１１と式１２におけるＲＣは、炭化粉（Ｃ）の重量比（％）であり、ε’ｒＡＣおよびε”ｒＡＣは、それぞれ、電磁波吸収板（III）の比誘電率の実部および虚部である。
【００５３】
【数７】
2013073634.tif 000009
【００５４】
この場合、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点においては、ｄ／λと重量比Ｒｃとは、次の関係を満たしている。
式３の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（実部）ε’ｒと、式１１の電磁波吸収板の重量比Ｒｃにおける比誘電率（実部）ε’ｒＡＣとが等しく、且つ、
式４の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（虚部）ε”ｒと、式１２の電磁波吸収板の重量比Ｒｃにおける比誘電率（虚部）ε”ｒＡＣとが等しい。
この関係は、式１３と式１４で表される。
【００５５】
【数８】
2013073634.tif 000010
【００５６】
式１３および式１４の連立方程式を解くことにより、式１５と式１６に示す結果が得られる。
【００５７】
【数９】
2013073634.tif 000011
【００５８】
即ち、表３の例では、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）における比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線とは、ＲＣ＝約３２（％）で交わり、その交点のｄ／λは０．０７４である。
【００５９】
以上のように、炭化粉（Ａ）、（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）、および、炭化粉（Ａ）、（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）では、それぞれ、無反射状態におけるｄ／λは互いに異なる値をとる（後述の実験例２および図７も参照）。
本発明の知見によれば、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）を形成し、該電磁波吸収板（I）、上記電磁波吸収板（II）および（III）のそれぞれの無反射状態におけるｄ／λの値をＣI〜ＣIIIとすると、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の各重量比を調整することによって、ｄ／λの値ＣIを、ＣII〜ＣIIIの間で調整することができる。
言い換えると、図７に示すように、電磁波吸収板（II）および（III）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフのそれぞれの曲線と、一次無反射曲線とのそれぞれの交点は、互いに離れて位置し、これら２つの交点の間で、電磁波吸収板（I）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点を設定することができる。
例えば、ＣIをＣIIに近づけたい場合は、電磁波吸収板（I）中の炭化粉（Ｂ）の重量比を増やせばよく、逆にＣIをＣIIIに近づけたい場合は、電磁波吸収板（I）中の炭化粉（Ｃ）の重量比を増やせばよい。
【００６０】
上述のように、植物性原料を前記（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度にて炭化させてなる３種類の炭化粉を使用する場合には、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の各重量比を調整することによって、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を調整することができる。
よって、例えば前記電磁波の波長λを所定の値に固定した場合、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の各重量比を変化させることによって、前記波長λに対して無反射状態となる電磁波吸収板の厚さｄを変化させることができる。逆に、前記電磁波吸収板の厚さｄを所定の値に固定した場合、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の各重量比を変化させることによって、前記厚さｄに対して無反射状態となる前記電磁波の波長λを変化させることができる。
【００６１】
〔態様２：植物性原料を前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉から選ばれる３種類または４種類の炭化粉を使用する場合の、ｄ／λの調節方法〕
上記した（Ａ）〜（Ｃ）の３種類の炭化粉を使用する場合と同様に、〔炭化粉（ａ）、（ｂ）〕の重量比を種々変えた電磁波吸収板〔（ａ）、（ｂ）含有〕のサンプル、〔炭化粉（ａ）、（ｃ）〕の重量比を種々変えた電磁波吸収板〔（ａ）、（ｃ）含有〕のサンプル、〔炭化粉（ａ）、（ｄ）〕の重量比を種々変えた電磁波吸収板〔（ａ）、（ｄ）含有〕のサンプルを、それぞれ複数種類作製し、それぞれの比誘電率を測定する（例えば、後述する実験例３の表５、表６、表７、および、実験例２の表３）。
実験例２の表３は、〔炭化粉（Ａ：６００℃）、（Ｃ：１１５０℃）〕の重量比を種々変えた場合の電磁波吸収板に関する表であるが、該表３は、実験例３において〔炭化粉（ａ：６００℃）、（ｄ：１１５０℃）〕の重量比を種々変えた場合の電磁波吸収板に関する表でもある。
【００６２】
先ず、該測定結果のうちの表５から、炭化粉（ａ）および（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）の、炭化粉（ｂ）の重量比と比誘電率との関係を示すグラフ（図１３）を作成する。
上記の態様１と同様に、図１３のグラフ中の２つの曲線（実部の曲線、虚部の曲線）から、それぞれに、炭化粉（ｂ）の重量比と比誘電率の実部との関係を示す曲線の近似式（下記式５β）と、炭化粉（ｂ）の重量比と比誘電率の虚部との関係を示す曲線の近似式（下記式６β）を求める。
ここで、式５βと式６βにおけるＲｂは、炭化粉（ｂ）の重量比（％）であり、ε’ｒａｂおよびε”ｒａｂは、それぞれ、電磁波吸収板（IIβ）の比誘電率の実部と虚部である。
【００６３】
【数１０】
2013073634.tif 000012
【００６４】
この場合、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点においては、ｄ／λと重量比Ｒｂとは、次の関係を満たしている。
式３の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（実部）ε’ｒと、式５βの電磁波吸収板の重量比Ｒｂにおける比誘電率（実部）ε’ｒａｂとが等しく、且つ、
式４の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（虚部）ε”ｒと、式６βの電磁波吸収板の重量比Ｒｂにおける比誘電率（虚部）ε”ｒａｂとが等しい。
この関係は、式７βと式８βで表される。
【００６５】
【数１１】
2013073634.tif 000013
【００６６】
式７βと式８βの連立方程式を解くことにより、式９βと式１０βで示す結果が得られる。
【００６７】
【数１２】
2013073634.tif 000014
【００６８】
即ち、表５の例では、炭化粉（ａ）および（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）における比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線とは、Ｒｂ＝約４０（％）で交わり、その交点のｄ／λは０．０８７である。
【００６９】
上記と同様に、表６から、炭化粉（ａ）および（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）の、炭化粉（ｃ）の重量比と比誘電率との関係を示すグラフ（図１４）を作成する。そして、該図１４のグラフ中の２つの曲線（実部の曲線、虚部の曲線）から、それぞれに、炭化粉（ｃ）の重量比と比誘電率の実部との関係を示す曲線の近似式（下記式１１β）、および、炭化粉（ｃ）の重量比と比誘電率の虚部との関係を示す曲線の近似式（下記式１２β）を求める。
ここで、式１１βおよび式１２βにおけるＲＣは、炭化粉（ｃ）の重量比（％）であり、ε’ｒａｃおよびε”ｒａｃは、それぞれ、電磁波吸収板（IIIβ）の比誘電率の実部および虚部である。
【００７０】
【数１３】
2013073634.tif 000015
【００７１】
この場合、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点においては、ｄ／λの値と重量比Ｒｃとは、次の関係を満たしている。
式３の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（実部）ε’ｒと、式１１βの電磁波吸収板の重量比Ｒｃにおける比誘電率（実部）ε’ｒａｃとが等しく、且つ、
式４の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（虚部）ε”ｒと、式１２βの電磁波吸収板の重量比Ｒｃにおける比誘電率（虚部）ε”ｒａｃとが等しい。
この関係は、式１３βおよび式１４βで表される。
【００７２】
【数１４】
2013073634.tif 000016
【００７３】
式１３βおよび式１４βの連立方程式を解くことにより、式１５βおよび式１６βで示す結果が得られる。
【００７４】
【数１５】
2013073634.tif 000017
【００７５】
即ち、表６の例では、炭化粉（ａ）および（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）における比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線とは、Ｒｃ＝約５２（％）で交わり、その交点のｄ／λは０．０６２である。
【００７６】
上記と同様に、表３から、炭化粉（ａ）および（ｄ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IVβ）の、炭化粉（ｄ）の重量比と比誘電率との関係を示すグラフ（図５と同じグラフ）を作成する。そして、該グラフ中の２つの曲線（実部の曲線、虚部の曲線）から、それぞれに、炭化粉（ｄ）の重量比と比誘電率の実部との関係を示す曲線の近似式（下記式１７β）、および、炭化粉（ｄ）の重量比と比誘電率の虚部との関係を示す曲線の近似式（下記式１８β）を求める。
ここで、式１７βおよび式１８βにおけるＲｄは、炭化粉（ｄ）の重量比（％）であり、ε’ｒａｄおよびε”ｒａｄは、それぞれ、電磁波吸収板（IVβ）の比誘電率の実部および虚部である。
【００７７】
【数１６】
2013073634.tif 000018
【００７８】
この場合、比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点においては、ｄ／λの値と重量比Ｒｄの関係は、次の関係を満たしている。
式３の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（実部）ε’ｒと、式１７βの電磁波吸収板の重量比Ｒｄにおける比誘電率（実部）ε’ｒａｄとが等しく、且つ、
式４の一次無反射曲線のｄ／λにおける比誘電率（虚部）ε”ｒと、式１８βの電磁波吸収板の重量比Ｒｄにおける比誘電率（虚部）ε”ｒａｄとが等しい。
この関係は、式１９βおよび式２０βで表される。
【００７９】
【数１７】
2013073634.tif 000019
【００８０】
式１９βおよび式２０βの連立方程式を解くことにより、式２１βおよび式２２βで示す結果が得られる。
【００８１】
【数１８】
2013073634.tif 000020
【００８２】
即ち、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板(III)の場合と同様に、炭化粉（ａ）および（ｄ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IVβ）における比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線とは、Ｒｄ＝約３２（％）で交わり、その交点のｄ／λは、図１６のグラフに示すとおり、０．０７４である。
【００８３】
炭化粉（ａ）、（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）、炭化粉（ａ）、（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）、および、炭化粉（ａ）、（ｄ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IVβ）では、それぞれ、無反射状態におけるｄ／λは互いに異なる値をとる（後述の実験例３および図１６も参照）。
上記態様１と同様に、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）を形成し、該電磁波吸収板（Iβ1）、上記電磁波吸収板（IIβ）および（IIIβ）のそれぞれの無反射状態におけるｄ／λの値をそれぞれＣIβ〜ＣIIIβとすると、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各重量比を調整することによって、ｄ／λの値ＣIβをＣIIβ〜ＣIIIβの間で調整することができる。
言い換えると、図１６に示すように、電磁波吸収板（IIβ）および（IIIβ）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフのそれぞれの曲線と、一次無反射曲線とのそれぞれの交点は互いに離れて位置し、これら２つの交点の間で、電磁波吸収板（Iβ1）の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線との交点を設定することができる。
例えば、ＣIβをＣIIβに近づけたい場合は、電磁波吸収板（Iβ1）中の炭化粉（ｂ）の重量比を増やせばよく、逆にＣIβをＣIIIβに近づけたい場合は、電磁波吸収板（Iβ1）中の炭化粉（ｃ）の重量比を増やせばよい。
【００８４】
上述のように、植物性原料を前記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度にて炭化させてなる４種類の炭化粉から選ばれる３種類（例えば、（ａ），（ｂ），（ｃ））の炭化粉を使用する場合には、それら炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各重量比を調整することによって、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を調整することができる。
また、３種類の炭化粉を使用する場合と同様に、４種類の炭化粉全てを使用する場合にも、それら炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各重量比を調整することによって、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を調整することができる。
例えば、図１６に示すグラフの例では、炭化粉（ａ）〜（ｄ）の各重量比を調整することによって電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を、０．０８７から０．０６２までの範囲で調整することができる。
【実施例】
【００８５】
以下、実験例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記実験例によって制限を受けるものではない。【００８６】
［実験例１］
（１）炭化粉の製造
ヒューマスを、マッフル炉（いすゞ製作所製「ＥＰＤＳ−７．２Ｐ」）によって、窒素雰囲気下、６００℃、６３０℃、６５０℃、６７０℃、７００℃、８５０℃、９００℃、１０５０℃、または、１１５０℃で１２時間炭化して、９種類の炭化粉を製造した。
得られた９種類の炭化粉の体積平均粒子径は、いずれも、約２５μｍ（２０〜２８μｍ）であった（測定機器：堀場製作所製「ＬＡ−９５０」、分散媒：Ｈ２Ｏ（屈折率１．３３）、超音波分散：３分）。【００８７】
（２）組成物の製造
上記で得られた９種類の炭化粉を、それぞれ別個に、ノボラック型フェノール樹脂と混合し、９種類の組成物を形成した。
混合では、各炭化粉１３０重量部と、ノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ製「フェノライト  Ｊ−３２５」）１００重量部とを、モルタルミキサー（篠原製作所製「ＳＳ−Ｃ−４１３」）にて５分間混合した。なお、最初の２分間は１４０ｒｐｍの条件で混合し、その後の３分間は２８０ｒｐｍの条件で混合した。【００８８】
（３）電磁波吸収板の製造
上記で得られた９種類の組成物を、それぞれに、１５ｒｐｍで回転する２軸ローラー（小平製作所製「Ｒ２−２」、ローラー間の距離：１．０ｍｍ）に合計３０回通過させて混練することによって、各炭化粉がそれぞれ単独でノボラック型フェノール樹脂中に充分に分散した９種類のシート（電磁波吸収板）を製造した。なお、混練の際には組成物が発熱するため、ロールに冷却水を流して、組成物を冷却しながら混練した。【００８９】
上記で得られた９種類のシートを、長さ１００ｍｍ×幅１００ｍｍの大きさにカッターで切断した。切断した各シートを、オーブン（アズワン製「ＤＯＶ−６００Ｐ」）中の空気雰囲気下で加熱硬化させて、９種類の電磁波吸収板を製造した。
加熱条件は、以下の通りである：
まず常温から８０℃まで１時間で昇温させ、８０℃を２時間維持した。次いで８０℃から１３５℃まで２時間で昇温させ、１３５℃を３時間維持した。次いで１３５℃から１８０℃まで３時間で昇温させ、１８０℃を１４時間維持した。その後、オーブンを閉じたまま、その電源をオフにし、常温までゆっくりと放冷させた。得られた各電磁波吸収板の厚さは、１．４ｍｍであった。【００９０】
（４）電磁波吸収板の比誘電率の測定
ベクトルネットワークアナライザー（Agilent Technologies製「E8364A 45MHz-50GHz」）をレンズ法にて、１８．０〜２６．５ＧＨｚの条件で使用して、上記で得られた９種類の電磁波吸収板（厚さ１．４ｍｍ、炭化粉の含有量：１３０ｐｈｒ）のそれぞれの比誘電率を測定した。結果を、表１および図１５に示す。【００９１】
【表１】
2013073634.tif 000021
【００９２】
表１および図１５に示すように、炭化温度６００℃の炭化粉を含有する電磁波吸収板では、比誘電率の実部および虚部が共に小さい。
炭化温度６７０℃の炭化粉を含有する電磁波吸収板では、比誘電率の実部および虚部が共に少々大きくなる。
炭化温度９００℃の炭化粉を含有する電磁波吸収板では、炭化温度６７０℃の炭化粉に比べて、比誘電率の虚部はあまり変化しないが、実部は増大する。
炭化温度１１５０℃の炭化粉を含有する電磁波吸収板では、炭化温度９００℃の炭化粉を含有する電磁波吸収板に比べて、その比誘電率の虚部が著しく増大している。
このように、炭化温度の異なる炭化粉を用いると、得られる電磁波吸収板の比誘電率が互いに大きく異なることが分かった。【００９３】
［実験例２］
（１）炭化粉の製造
実験例１と同様にして、炭化温度が互いに異なる３種類の炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）を調製した。該（Ａ）〜（Ｃ）の炭化温度は、それぞれ、順に６００℃、９００℃、１１５０℃である。【００９４】
（２）組成物および電磁波吸収板の製造
炭化粉（Ａ）と（Ｂ）とを混合し、それらの合計１３０重量部とノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ製「フェノライトＪ−３２５」）１００重量部とを、実験例１と同様に、モルタルミキサーで混合し、２軸ローラーで混練および成形し、オーブンで加熱硬化させて、電磁波吸収板（II）を製造した。ここで、炭化粉（Ａ）と（Ｂ）との混合比率を変えて、４種類のサンプルを得た。（Ａ）と（Ｂ）の合計は常に１３０重量部である。
また、炭化粉（Ａ）と（Ｃ）とを混合し、それらの合計１３０重量部とノボラック型フェノール樹脂１００重量部とを混合したこと以外は電磁波吸収板（II）の製造と同様にして、電磁波吸収板（III）を製造した。ここでも、炭化粉（Ａ）と（Ｃ）との混合比率を変えて、４種類のサンプルを得た。（Ａ）と（Ｃ）の合計は常に１３０重量部である。
得られた電磁波吸収板（II）、（III）の厚さは、１．４ｍｍであった。
上記のとおり、本実験例では、炭化粉の合計量を１３０ｐｈｒ（重量部）にしたままで、その混合比率（重量比）を変化させて、４種類の電磁波吸収板（II）および（III）を製造した。炭化粉の重量比を表２および表３に示す。【００９５】
（３）電磁波吸収板の比誘電率の測定
実験例１と同様にして、得られた電磁波吸収板（厚さ１．４ｍｍ、炭化粉の合計量：１３０ｐｈｒ）の比誘電率を測定した。結果を、表２、表３、図７に示す。【００９６】
（４）一次無反射曲線
発明を実施するための形態の欄で説明したようにして、一次無反射曲線を算出した。一次無反射曲線を図７に示す。【００９７】
（５）電磁波吸収板の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフの曲線と、一次無反射曲線の交点
発明を実施するための形態の欄で説明したようにして、電磁波吸収板（II）および（III）のそれぞれの比誘電率の実部と虚部との関係を示す図７のグラフに基いて、電磁波吸収板（II）および（III）のそれぞれの比誘電率の曲線と、一次無反射曲線との交点におけるｄ／λの値（即ち、ＣIIおよびＣIII）を算出した。
結果を表２および表３に「交点」として示す。
また、これらの交点での、炭化粉の重量比、電磁波吸収板の比誘電率も、表２および表３に示す。【００９８】
【表２】
2013073634.tif 000022
【００９９】
【表３】
2013073634.tif 000023
【０１００】
表２に示すように、炭化粉（Ａ）および（Ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（II）のＣIIは０．０６２である。
表３に示すように、炭化粉（Ａ）および（Ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（III）のＣIIIは０．０７４である。
この結果から、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）の無反射状態におけるｄ／λの値（即ち、ＣI）は、炭化粉（Ａ）〜（Ｂ）の各重量比を調整することによって、０．０６２〜０．０７４の間で調整することができる。【０１０１】
例えばＣI＝０．０６５は、炭化粉（Ａ）：炭化粉（Ｂ）：炭化粉（Ｃ）＝３６％：２５％：３９％に調整することによって実現することができる。なお、この炭化粉の重量比は、以下のように求められる。【０１０２】
炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）の各炭化粉の重量比と比誘電率との関係を表４に示す。また、無反射状態におけるＣIおよび比誘電率の値も表４に示す。【０１０３】
【表４】
2013073634.tif 000024
【０１０４】
炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の各重量比から比誘電率を求める式を、以下の通り導出する。
式５と式６は、（Ａ）、（Ｂ）２種類の炭化粉を含有する電磁波吸収板（II）の比誘電率を、炭化粉（Ｂ）の重量比から求める式である。また、式１１と式１２は、（Ａ）、（Ｃ）２種類の炭化粉を含有する電磁波吸収板（III）の比誘電率を、炭化粉（Ｃ）の重量比から求める式である。
よって、これらの式とは別に、炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）の重量比と比誘電率との関係を示す式を次のように求めた。【０１０５】
先ず、式５と式６から、ＲＢ＝０（炭化粉（Ｂ）が０％）であるときの比誘電率（実部、虚部）を求め、これらの値を、炭化粉（Ａ）が１００（％）であるときの比誘電率と仮定した。これらの値を用いて、電磁波吸収板（II）における、炭化粉（Ａ）の重量比（％）と炭化粉（Ａ）が担う比誘電率（即ち、全比誘電率のうちの炭化粉（Ａ）が関与する部分）との関係を求めた。
詳しくは、炭化粉（Ａ）が０％であるときは、炭化粉（Ａ）が担う比誘電率は０である。そして、炭化粉（Ａ）が担う比誘電率と炭化粉（Ａ）の重量比との関係が１次関数であると仮定し、炭化粉（Ａ）が１００％または０％であるときの比誘電率（実部、虚部）の値から、これらの１次関数の直線を求めた。これらの直線を図８に示す。【０１０６】
上述の一次関数の式を、式１７と式１８に示す。ここで、ＲＡは炭化粉（Ａ）の重量比（％）であり、ε’ｒＡおよびε”ｒＡは、それぞれ、炭化粉（Ａ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１０７】
【数１９】
2013073634.tif 000025
【０１０８】
電磁波吸収板（II）において、炭化粉（Ｂ）が担う比誘電率は、全体の比誘電率（ε’ｒＡＢ、ε”ｒＡＢ）から炭化粉（Ａ）が担う比誘電率（ε’ｒＡ、ε”ｒＡ）を引いた値である。この関係は、式１９と式２０で示すことができる。ここで、ε’ｒＢおよびε”ｒＢは、それぞれ、電磁波吸収板（II）において炭化粉（Ｂ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１０９】
【数２０】
2013073634.tif 000026
【０１１０】
また、図４のグラフから図８のグラフに示す炭化粉（Ａ）が担う比誘電率（ε’ｒＡ、ε”ｒＡ）を引くことによって、電磁波吸収板（II）における炭化粉（Ｂ）の重量比（％）と炭化粉（Ｂ）が担う比誘電率との関係を示すグラフ（図９）を得ることができる。これらのグラフから、式１９と式２０は、それぞれ、ＲＢを変数とする式２１と式２２で近似することができる。【０１１１】
【数２１】
2013073634.tif 000027
【０１１２】
同様に、電磁波吸収板（III）において、炭化粉（Ｃ）が担う比誘電率は、全体の比誘電率（ε’ｒＡＣ、ε”ｒＡＣ）から炭化粉（Ａ）が担う比誘電率（ε’ｒＡ、ε”ｒＡ）を引いた値である。この関係は、式２３と式２４で示すことができる。ここで、ε’ｒＣおよびε”ｒＣは、それぞれ、電磁波吸収板（III）において炭化粉（Ｃ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１１３】
【数２２】
2013073634.tif 000028
【０１１４】
また、図５のグラフから図８のグラフに示す炭化粉（Ａ）が担う比誘電率（ε’ｒＡ、ε”ｒＡ）を引くことによって、電磁波吸収板（III）における炭化粉（Ｃ）の重量比（％）と炭化粉（Ｃ）が担う比誘電率との関係を示すグラフ（図１０）を得ることができる。これらのグラフから式２３と式２４は、ＲＣを変数とする式２５と式２６で近似することができる。【０１１５】
【数２３】
2013073634.tif 000029
【０１１６】
炭化粉（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（I）の比誘電率の実部および虚部を、それぞれε’ｒＡＢＣおよびε”ｒＡＢＣとすると、これらは、それぞれ上述のε’ｒＡ、ε’ｒＡおよびε’ｒＡの合計、並びにε”ｒＡ、ε”ｒＡおよびε”ｒＡの合計として求めることができる（式２７および式２８）。【０１１７】
【数２４】
2013073634.tif 000030
【０１１８】
表４のＮｏ．１〜５の炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の重量比を、式２７および式２８に代入して、比誘電率の計算値を求めた。このようにして求めた電磁波吸収板（I）における比誘電率の計算値と、その実測値との関係を示すグラフを作成した（図１１および図１２）。【０１１９】
図１１および図１２のグラフから、比誘電率の実測値と、式２７と式２８から得られる比誘電率の計算値との間には、良好な相関関係が成り立つことがわかる。この関係は、式２９および式３０で示される。ここで、ε’ｒおよびε”ｒは、それぞれ、比誘電率の実部および虚部の実測値である。【０１２０】
【数２５】
2013073634.tif 000031
【０１２１】
式２９、式３０、および、式３、式４から、式３１、式３２が得られる。【０１２２】
【数２６】
2013073634.tif 000032
【０１２３】
式３１、式３２、式１７、式１８、式２１、式２２、式２５、式２６、式２７、式２８から、式３３および式３４が得られる。【０１２４】
【数２７】
2013073634.tif 000033
【０１２５】
また、電磁波吸収板（I）において炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の重量比の合計は１００％であるから、式３５が成り立つ。【０１２６】
【数２８】
2013073634.tif 000034
【０１２７】
電磁波吸収板（I）において、目的のｄ／λに対する炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の重量比ＲＡ、ＲＢおよびＲＣは、式３３〜式３５の連立方程式を解くことで求めることができる。【０１２８】
例えば、ｄ／λ＝０．０６５となる炭化粉（Ａ）〜（Ｃ）の重量比は、式３３〜式３５の連立方程式から、表４に示すように、ＲＡ＝３６％、ＲＣ＝２５％、ＲＤ＝３９％となる。【０１２９】
［実験例３］
（１）炭化粉の製造
上記（ａ）〜（ｄ）の炭化温度の中から、（ａ）６００℃、（ｂ）６７０℃、（ｃ）９００℃を選択し、３種類の炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）を調製した。【０１３０】
（２）組成物および電磁波吸収板の製造
炭化粉（ａ）と（ｂ）とを混合し、それらの合計１３０重量部とノボラック型フェノール樹脂（ＤＩＣ製「フェノライトＪ−３２５」）１００重量部とを、実験例１と同様に、モルタルミキサーで混合し、２軸ローラーで混練および成形し、オーブンで加熱硬化させて、電磁波吸収板（IIβ）を製造した。ここで、炭化粉（ａ）と（ｂ）との混合比率を変えて、４種類のサンプルを得た。（ａ）と（ｂ）の合計は常に１３０重量部である。
また、炭化粉（ａ）と（ｃ）とを混合し、それらの合計１３０重量部とノボラック型フェノール樹脂１００重量部とを混合したこと以外は電磁波吸収板（IIβ）の製造と同様にして、電磁波吸収板（IIIβ）を製造した。ここでも、炭化粉（ａ）と（ｃ）との混合比率を変えて、４種類のサンプルを得た。（ａ）と（ｃ）の合計は常に１３０重量部である。
得られた電磁波吸収板（IIβ）、（IIIβ）の厚さは、１．４ｍｍであった。
本実験例では、炭化粉の合計量を１３０ｐｈｒにしたままで、各炭化粉の重量比（混合比率）を変化させて、電磁波吸収板（IIβ）、（IIIβ）を製造した。炭化粉の重量比を表５、表６に示す。【０１３１】
（３）電磁波吸収板の比誘電率の測定
実験例１と同様にして、得られた電磁波吸収板（厚さ１．４ｍｍ、炭化粉の合計量：１３０ｐｈｒ）の比誘電率を測定した。結果を、表５、表６、図１６のグラフに示す。
尚、図１６のグラフには、参考として、上記実験例２において、炭化温度６００℃の炭化粉（Ａ）と、炭化温度１１５０℃の炭化粉（Ｃ）とを有する電磁波吸収板（III）の曲線を、電磁波吸収板（IVβ）の曲線として加えている。【０１３２】
（４）一次無反射曲線
発明を実施するための形態の欄で説明したようにして、一次無反射曲線を算出した。一次無反射曲線を図１６のグラフに示す。【０１３３】
（５）電磁波吸収板の比誘電率の実部と虚部との関係を示すグラフと、一次無反射曲線の交点
発明を実施するための形態の欄で説明したようにして、電磁波吸収板（IIβ）、（IIIβ）のそれぞれの比誘電率の実部と虚部との関係を示す図１６のグラフに基いて、電磁波吸収板（IIβ）、（IIIβ）のそれぞれの比誘電率の曲線と、一次無反射曲線との交点におけるｄ／λの値（即ち、ＣIIβおよびＣIIIβ）を算出した。
結果を表５および表６に示す。また、これらの交点での、炭化粉の重量比、電磁波吸収板の比誘電率も表５および表６に示す。【０１３４】
【表５】
2013073634.tif 000035
【０１３５】
【表６】
2013073634.tif 000036
【０１３６】
表５に示すように、炭化粉（ａ）、（ｂ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIβ）のＣIIβは０．０８７である。
表６に示すように、炭化粉（ｂ）、（ｃ）の２種類を含有する電磁波吸収板（IIIβ）のＣIIIβは０．０６２である。
この結果から、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）の無反射状態におけるｄ／λの値（即ち、ＣIβ1）は、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各重量比を調整することによって、０．０６２〜０．０８７の間で調整することができる。
同様に、炭化粉（ａ）、（ｃ）、（ｄ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ2）の無反射状態におけるｄ／λの値（即ち、ＣIβ2）は、炭化粉（ａ）、（ｃ）、（ｄ）の各重量比を調整することによって、０．０６２〜０．０７４の間で調整することができる。【０１３７】
例えばＣIβ1＝０．０８は、〔炭化粉（ａ）：炭化粉（ｂ）：炭化粉（ｃ）〕＝〔６８％：９％：２３％〕に調整することによって実現することができる。なお、この炭化粉の重量比は、以下のように求められる。【０１３８】
炭化粉（ａ）〜（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）の各炭化粉の重量比と比誘電率との関係を表７に示す。また、無反射状態におけるＣIβ1および比誘電率の値も表７に示す。【０１３９】
【表７】
2013073634.tif 000037
【０１４０】
炭化粉（ａ）〜（ｃ）の各重量比から比誘電率を求める式を、以下の通り導出する。
上述の式５β、式６β、および、式５、式６は、それぞれ、炭化粉（ｂ）または炭化粉（ｃ）の重量比から、２種類の炭化粉を含有する電磁波吸収板（IIβ）および（IIIβ）の比誘電率を求める式である。
よって、これらの式とは別に、炭化粉（ａ）〜（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）の重量比と比誘電率との関係を示す式が必要である。【０１４１】
まず、式５βと式６βから、Ｒｂ＝０（炭化粉（ｂ）が０％）であるときの比誘電率（実部、虚部）を求め、これらの値を、炭化粉（ａ）が１００（％）であるときの比誘電率と仮定した。これらの値を用いて、電磁波吸収板（IIβ）における、炭化粉（ａ）の重量比（％）と炭化粉（ａ）が担う比誘電率との関係を求めた。
詳しくは、炭化粉（ａ）が０％であるときは、炭化粉（ａ）が担う比誘電率は０である。そして、炭化粉（ａ）が担う比誘電率と炭化粉（ａ）の重量比との関係が１次関数であると仮定し、炭化粉（ａ）が１００％または０％であるときの比誘電率（実部、虚部）の値から、これらの１次関数を求めた。これらの直線を図１７のグラフに示す。【０１４２】
上述の一次関数の式を、式１７βと式１８βに示す。ここで、Ｒａは炭化粉（ａ）の重量比（％）であり、ε’ｒａおよびε”ｒａは、それぞれ、炭化粉（ａ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１４３】
【数２９】
2013073634.tif 000038
【０１４４】
電磁波吸収板（IIβ）において、炭化粉（ｂ）が担う比誘電率は、全体の比誘電率（ε’ｒａｂ、ε”ｒａｂ）から炭化粉（ａ）が担う比誘電率（ε’ｒａ、ε”ｒａ）を引いた値である。この関係は、式１９βと式２０βで示すことができる。ここで、ε’ｒｂおよびε”ｒｂは、それぞれ、電磁波吸収板（IIβ）において炭化粉（ｂ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１４５】
【数３０】
2013073634.tif 000039
【０１４６】
また、図１３のグラフに示す曲線から、図１７のグラフに示す〔炭化粉（ａ）が担う比誘電率（ε’ｒａ、ε”ｒａ）〕を減じることによって、電磁波吸収板（IIβ）における炭化粉（ｂ）の重量比（％）と炭化粉（ｂ）が担う比誘電率との関係を示すグラフ（図１８）の曲線を得ることができる。
これらのグラフから、式１９βと式２０βは、それぞれ、Ｒｂを変数とする式２１βと式２２βで近似することができる。【０１４７】
【数３１】
2013073634.tif 000040
【０１４８】
同様に、電磁波吸収板（IIIβ）において、炭化粉（ｃ）が担う比誘電率は、全体の比誘電率（ε’ｒａｃ、ε”ｒａｃ）から炭化粉（ａ）が担う比誘電率（ε’ｒａ、ε”ｒａ）を引いた値である。この関係は、式２３と式２４で示すことができる。ここで、ε’ｒｃおよびε”ｒｃは、それぞれ、電磁波吸収板（IIIβ）において炭化粉（ｃ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１４９】
同様に、電磁波吸収板（IIIβ）において、炭化粉（ｃ）が担う比誘電率は、全体の比誘電率（ε’ｒａｃ、ε”ｒａｃ）から炭化粉（ａ）が担う比誘電率（ε’ｒａ、ε”ｒａ）を引いた値である。この関係は、式２３βと式２４βで示すことができる。ここで、ε’ｒｃおよびε”ｒｃは、それぞれ、電磁波吸収板（IIIβ）において炭化粉（ｃ）が担う比誘電率の実部および虚部である。【０１５０】
【数３２】
2013073634.tif 000041
【０１５１】
また、図１４のグラフに示す曲線から、図１７のグラフに示す〔炭化粉（ａ）が担う比誘電率（ε’ｒａ、ε”ｒａ）〕を減じることによって、、電磁波吸収板（IIIβ）における炭化粉（ｃ）の重量比（％）と炭化粉（ｃ）が担う比誘電率との関係を示すグラフ（図１９）の曲線を得ることができる。これらのグラフから式２３βと式２４βは、Ｒｃを変数とする式２５βと式２６βで近似することができる。【０１５２】
【数３３】
2013073634.tif 000042
【０１５３】
炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）の比誘電率の実部および虚部を、それぞれε’ｒａｂｃおよびε”ｒａｂｃとすると、これらは、それぞれ、上述のε’ｒａとε’ｒｂとε’ｒｃの合計、並びに、ε”ｒａとε”ｒｂとε”ｒｃの合計として求めることができる（式２７β、式２８β）。【０１５４】
【数３４】
2013073634.tif 000043
【０１５５】
表７のＮｏ．１〜４の炭化粉（ａ）〜（ｃ）の重量比を、上記式２７βと式２８βに代入して、比誘電率の計算値を求めた。このようにして求めた電磁波吸収板（Iβ1）における比誘電率の計算値と、その実測値との関係を示すグラフを作成した（図２０および図２１）。【０１５６】
図２０および図２１のグラフから、比誘電率の実測値と、式２７βと式２８βから得られる比誘電率の計算値との間には、良好な相関関係が成り立つことがわかる。この関係は、式２９βと式３０βで示される。ここで、ε’ｒおよびε”ｒは、それぞれ、比誘電率の実部および虚部の実測値である。【０１５７】
【数３５】
2013073634.tif 000044
【０１５８】
上記の式２９βと式３０β、並びに、上記の式３と式４から、式３１βと式３２βが得られる。【０１５９】
【数３６】
2013073634.tif 000045
【０１６０】
上記の式３１βと３２β、式１７βと１８β、式２１βと２２β、式２５βと２６β、式２７βと２８βから、下記の式３３βと式３４βが得られる。【０１６１】
【数３７】
2013073634.tif 000046
【０１６２】
また、電磁波吸収板（Iβ1）において炭化粉（ａ）〜（ｃ）の重量比の合計は１００％であるから、式３５βが成り立つ。【０１６３】
【数３８】
2013073634.tif 000047
【０１６４】
電磁波吸収板（Iβ1）において、目的のｄ／λに対する炭化粉（ａ）〜（ｃ）の重量比Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは、式３３β、式３４β、式３５βの連立方程式を解くことで求めることができる。【０１６５】
例えば、ｄ／λ＝０．０８となる炭化粉（ａ）〜（ｃ）の重量比は、式３３β、式３４β、式３５βの連立方程式から、表７に示すように、Ｒａ＝６８％、Ｒｂ＝９％、Ｒｃ＝２３％となる。【０１６６】
上記説明のとおり、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の３種類を含有する電磁波吸収板（Iβ1）では、無反射状態におけるｄ／λの値（即ち、ＣIβ1）は、炭化粉（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各重量比を調整することによって、０．０６２〜０．０８７の間で調整することができる。
また、〔炭化粉（ａ）、炭化温度６００℃〕、〔炭化粉（ｃ）、炭化温度９００℃〕、〔炭化粉（ｄ）、炭化温度１１５０℃〕の３種類を含有する電磁波吸収板については、上記実験例２に示したとおりである。
〔炭化粉（ａ）：炭化粉（ｃ）：炭化粉（ｄ））＝〔３６％：２５％：３９％〕に調整することによって、例えばｄ／λ＝０．０６５を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６７】
本発明によって、電磁波吸収板の無反射状態におけるｄ／λの値を、１点ではなく、所定の範囲で調整することができるようになった。特に、１種類の植物性原料を用い、それを異なる炭化温度で炭化させて複数種類の炭化粉を得、それらの炭化粉を混合して電磁波吸収板を形成する場合には、各重量比を調整するだけで、電磁波吸収板の反射状態におけるｄ／λの値を変化させることができるので、複数種類の植物性原料を在庫として保有する必要がなくなり、経済的である。【０１６８】
本出願は、日本で出願された特願２０１１−２５３３０９（出願日：２０１１年１１月１８日）を基礎としており、その内容は本明細書に全て包含される。
【図１】
2013073634.tif 000048
【図２】
2013073634.tif 000049
【図３】
2013073634.tif 000050
【図４】
2013073634.tif 000051
【図５】
2013073634.tif 000052
【図６】
2013073634.tif 000053
【図７】
2013073634.tif 000054
【図８】
2013073634.tif 000055
【図９】
2013073634.tif 000056
【図１０】
2013073634.tif 000057
【図１１】
2013073634.tif 000058
【図１２】
2013073634.tif 000059
【図１３】
2013073634.tif 000060
【図１４】
2013073634.tif 000061
【図１５】
2013073634.tif 000062
【図１６】
2013073634.tif 000063
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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