(57)【要約】  信号源（４）及び信号源（４）に接続された導体パターン（３３）を有するＭＭＩＣ（３）と、信号線及びＧＮＤが形成され、ＭＭＩＣ（３）が実装される基板と、ＭＭＩＣ（３）と基板との間に形成され、ＭＭＩＣ（３）の導体パターン（３３）と基板の信号線とを接続する信号用金属バンプ（２１）と、信号用金属バンプ（２１）とともに信号源（４）及び導体パターン（３３）を取り囲むようにＭＭＩＣ（３）と基板との間に形成され、信号用金属バンプ（２１）との間隔を含む互いの間隔は信号源（４）が発する電磁波の半波長以下である複数のシールド用金属バンプ（２２）とを備える。
2013133122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号源及び該信号源に接続された導体パターンを有する半導体装置と、
信号線及びグラウンドが形成され、前記半導体装置が実装される基板と、
前記半導体装置と前記基板との間に形成され、前記半導体装置の前記導体パターンと前記基板の前記信号線とを接続する信号用金属バンプと、
前記信号用金属バンプとともに前記信号源及び前記導体パターンを取り囲むように前記半導体装置と前記基板との間に形成され、前記信号用金属バンプとの間隔を含む互いの間隔は前記信号源が発する電磁波の半波長以下である複数のシールド用金属バンプとを備えることを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
前記複数のシールド用金属バンプは、前記基板の前記グラウンドに接続されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、はんだバンプを用いたＢＧＡ（Ball Grid Array）によってＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）や高周波パッケージ基板などの半導体装置を、別の基板上にフリップチップ実装する構成が取られている。また、はんだバンプの代わりに金バンプを用いる場合もある。【０００３】
従来は、半導体装置を導電性接着剤などにより基板上に実装していても、金属カバーで覆って気密封止する場合や、金属カバーが非気密封止であっても通気穴が小さい場合には、半導体装置からの高周波信号が外部に漏れないため、ＥＭＩ（ElectroMagnetic Interference）特性は問題なかった（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５３４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、フリップチップ実装をして金属カバーによる電磁シールドをしない場合、半導体装置からの高周波信号が外部へ漏れてしまい、ＥＭＩ特性の劣化やシステム上のノイズの増加の原因となる。【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体装置を金属カバーで覆うことなく高周波信号の外部への漏出を低減した高周波パッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、信号源及び信号源に接続された導体パターンを有する半導体装置と、信号線及びグラウンドが形成され、半導体装置が実装される基板と、半導体装置と基板との間に形成され、半導体装置の導体パターンと基板の信号線とを接続する信号用金属バンプと、信号用金属バンプとともに信号源及び導体パターンを取り囲むように半導体装置と基板との間に形成され、信号用金属バンプとの間隔を含む互いの間隔は信号源が発する電磁波の半波長以下である複数のシールド用金属バンプとを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、金属カバーで半導体装置を覆わなくても高周波信号の外部への漏出を低減できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態の構成を示す側面図である。
【図２】図２は、実施の形態にかかる高周波パッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態．
図１は、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態の構成を示す側面図である。実施の形態にかかる高周波パッケージ１０は、信号線及びＧＮＤ（グラウンド）が形成された基板１上に金属バンプ２を介してＭＭＩＣ３を実装した構造である。金属バンプ２の材料には、はんだや金を適用可能である。
【００１２】
図２は、実施の形態にかかる高周波パッケージ１０の断面図であり、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面を示している。ＭＭＩＣ３の下面には、配線用端子３１とシールド用端子３２とが設けられている。なお、図２では、金属バンプ２を信号用金属バンプ２１とシールド用金属バンプ２２とに分けて図示している。信号用金属バンプ２１は、導体パターン３３を基板１に形成されている信号線に接続するバンプである。シールド用金属バンプ２２は、信号源４や導体パターン３３から漏出する電磁波をシールドするためのバンプである。
【００１３】
配線用端子３１は、信号端子３１ａと接地端子３１ｂとを含んでいる。信号端子３１ａは、導体パターン３３を介して信号源４（例えばＦＥＴ：Field Effect Transistor）に接続されており、基板１の信号線に接続されるようになっている。接地端子３１ｂは、基板１のＧＮＤに接続されるようになっており、ＭＭＩＣ３の周縁部に配置された信号端子３１ａを挟むように配置されている。これにより、ＭＭＩＣ３の周縁部においてはいわゆるＧＳＧ接続がなされた状態となり電磁波が漏洩しにくくなっている。
【００１４】
また、シールド用端子３２は、基板１のＧＮＤと接続されるようになっている。
【００１５】
配線用端子３１及びシールド用端子３２は、端子間隔が信号源４から発せられる電磁波の波長の半分以下となるようにして、導体パターン３３の周囲を取り囲むように配置されている。
【００１６】
信号端子３１ａには信号用金属バンプ２１が配置されており、信号端子３１ａは信号用金属バンプ２１を介して基板１側の信号線に接続される。また、接地端子３１ｂにはシールド用金属バンプ２２が配置されており、接地端子３１ｂはシールド用金属バンプ２２を介して基板１側のＧＮＤに接続される。さらに、シールド用端子３２にはシールド用金属バンプ２２が配置されており、シールド用端子３２はシールド用金属バンプ２２を介して基板１側のＧＮＤに接続される。
【００１７】
上記の構成において、信号源４から発せられる電磁波の波長の半分以下の間隔で金属バンプ２が導体パターン３３を取り囲むため、金属バンプ２が電磁シールドとして機能する。したがって、信号源４から発せられた電磁波が金属バンプ２によって囲まれた領域の外に漏れ出ることが防止される。これにより、ＥＭＩ特性の劣化やノイズの増加を抑制できる。なお、配線用端子３１及びシールド用端子３２の各々の端子間隔を狭くするとシールド性が高くなる。
【００１８】
本実施の形態においては、隣接する他のＭＭＩＣとの結合が抑えられるため、ノイズがループして発振することを防止できる。例えば、ＭＭＩＣ３の前段に別のＭＭＩＣを直列に接続する場合、ＭＭＩＣ３の出力が別のＭＭＩＣの入力に重畳してしまうとノイズがループしてしまう。しかし、本実施の形態においては、ＭＭＩＣ３からの電磁波の漏洩が防止されるため、このような不具合の発生は抑えられる。したがって、高周波パッケージ１０の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００１９】
上記の実施の形態においては、配線用端子３１は、信号端子３１ａを挟むように接地端子３１ｂが配置された構造を例としたが、必ずしもこの構造で無くても良い。また、上記の実施の形態では、シールド用端子３２が基板１のＧＮＤに接続される構造を例としたが、シールド用端子３２が基板１の信号線に接続される構造とすることもできる。また、シールド用端子３２の一部が基板１のＧＮＤに接続され、残りの一部が基板１の信号線に接続される構造とすることもできる。なお、シールド用端子３２を基板１のＧＮＤに接続する方が、電磁シールド性は高くなる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
以上のように、本発明にかかる高周波パッケージは、気密封止しない状態であっても電磁波の漏洩を抑えられる点で有用であり、特に、近接して配置した他の高周波パッケージと直列に接続して信号を処理するような場合に適している。
【符号の説明】
【００２１】
１  基板、２  金属バンプ、３  ＭＭＩＣ、４  信号源、１０  高周波パッケージ、２１  信号用金属バンプ、２２  シールド用金属バンプ、３１  配線用端子、３１ａ  信号端子、３１ｂ  接地端子、３２  シールド用端子、３３  導体パターン。
【図１】
2013133122.tif 000003
【図２】
2013133122.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号源及び該信号源に接続された導体パターンを有する半導体装置と、
信号線及びグラウンドが形成され、前記半導体装置が実装される基板と、
前記半導体装置と前記基板との間に形成され、前記半導体装置の前記導体パターンと前記基板の前記信号線とを接続する信号用金属バンプと、
前記信号用金属バンプを挟んで配置されるように前記半導体装置と前記基板との間に形成されて、前記基板のグラウンドに接続される第１のシールド用金属バンプと、
前記信号用金属バンプ及び前記第１のシールド用金属バンプとともに前記信号源及び前記導体パターンを取り囲むように前記半導体装置と前記基板との間に複数形成されて、前記基板のグラウンドに接続され、前記第１のシールド用金属バンプとの間隔を含む互いの間隔は前記信号源が発する電磁波の半波長以下である第２のシールド用金属バンプとを備え、
前記信号用金属バンプ、前記第１のシールド用金属バンプ及び前記第２のシールド用金属バンプが略円形に配列されていることを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項２】
（削除）
【国際調査報告】
2013133122.tif 000005
2013133122.tif 000006
2013133122.tif 000007
2013133122.tif 000008