(57)【要約】  送受信回路２８に設けられたＲＦＩＤデバイス３２は、９０２ＭＨｚ〜９２８ＭＨｚまたは８６５ＭＨｚ〜８６８ＭＨｚの帯域に属するＲＦＩＤキャリア信号を処理して、近距離無線通信を実行する。また、送受信回路２０に設けられたＲＦＩＣ２４は、８２４ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚまたは８８０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの帯域に属するＧＳＭキャリア信号を処理して、移動体通信を実行する。さらに、送受信回路２８に設けられたフィルタ回路は、ＲＦＩＤキャリア信号が現われる８５０ＭＨｚ〜９４０ＭＨｚの帯域を通過帯域とし、ＧＳＭキャリア信号の高周波成分が現われる１．２ＧＨｚ以上の帯域を減衰帯域とする。
2013157288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、前記第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路を有する第１通信システム、および
第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、前記第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路を有する第２通信システムを備え、
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯を通過帯域とし、前記第２通信信号もしくはその高調波成分を減衰させるフィルタ回路をさらに有する、通信装置。
【請求項２】
前記第２周波数帯は前記第１周波数帯近傍または前記第１周波数帯の高調波近傍の周波数帯である、請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１通信システムは、前記第１無線通信用集積回路と接続され、前記第１通信信号を放射する第１放射体をさらに備え、
前記第２通信システムは、前記第２無線通信用集積回路と接続され、前記第２通信信号を放射する第２放射体をさらに備える、請求項１または２記載の通信装置。
【請求項４】
前記第１放射体は装置筐体内に設けられたグランド電極に相当する、請求項３記載の通信装置。
【請求項５】
前記第２通信システムは前記グランド電極に電気的に接続される、請求項４記載の通信装置。
【請求項６】
前記第１通信システム、および前記第２通信システムは、共通のグランド電極に異なる給電点で接続されており、
前記フィルタ回路は、前記グランド電極の給電点と、前記第１無線通信用集積回路との間に設けられている、請求項５記載の通信装置。
【請求項７】
前記第１無線通信集積回路および前記第１放射体は互いに並列する２つの信号線によって接続される、請求項１ないし６のいずれかに記載の通信装置。
【請求項８】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線にそれぞれ割り当てられた２つのフィルタ要素を含む、請求項７記載の通信装置。
【請求項９】
前記２つの信号線は差動線路に相当し、前記フィルタ回路はバランスフィルタ回路に相当する、請求項７または８記載の通信装置。
【請求項１０】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線の間に直列接続されたインダクタおよびキャパシタを含む、請求項７ないし９のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第１通信システムは前記フィルタ回路の通過帯域幅を広げる広帯域化回路をさらに有する、請求項１ないし１０のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１２】
前記第１通信システムは前記第１無線通信用集積回路を搭載する基板をさらに有し、
前記基板は複数の基材層と複数の導体層とを積層してなり、
前記フィルタ回路は、前記導体層によって構成され、前記基板に内蔵される、請求項１ないし１１のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１３】
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯として９００ＭＨｚ帯を使用するＲＦＩＤシステムであり、
前記第２通信システムは、前記第２周波数帯として８５０ＭＨｚ帯または９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭシステムである、請求項１ないし１２のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の通信装置に用いられる無線通信デバイスであって、前記第１無線通信用集積回路と、前記第１無線通信用集積回路が搭載され、前記フィルタ回路を内蔵した基板とからなる、無線通信デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数の通信システムを搭載した通信装置に関し、特に、ＵＨＦ帯域を利用した複数の通信システムを搭載した通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)システムに用いられる無線装置の一例が、特許文献１に開示されている。この背景技術によれば、ＲＦＩＤ用の送受信信号を処理する無線ＩＣチップは、プリント配線回路基板に実装される。プリント配線回路基板にはまた、グランド電極とループ状電極とが形成される。ここで、ループ状電極は、無線ＩＣチップと電気的に導通されるとともに、グランド電極と電磁界結合またはＤＣ的に直接接続される。グランド電極によって受信された高周波信号はループ状電極を介して無線ＩＣチップに入力され、無線ＩＣチップから出力された高周波信号はループ状電極を介してグランド電極から外部に放射される。すなわち、グランド電極がＲＦＩＤシステムにおける放射素子として機能する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２００９／０１１１５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、たとえばＧＳＭ(Global System for Mobile Communications；登録商標)システムのような別の高周波信号を送受信する無線通信システムがプリント配線回路基板に追加的に実装され、特にＲＦＩＤシステムとＧＳＭシステムのような別の無線通信システムとの各々が対象とする周波数帯域が共通する場合、無線通信システムによって送信される高強度の高周波信号がＲＦＩＤシステム用の無線ＩＣチップによって歪み、これによって生成された高調波成分がスプリアスとして、グランド電極やＧＳＭシステム用のアンテナ素子から放射されてしまうことがある。【０００５】
つまり、ＲＦＩＤシステム等の第１無線通信システムおよびＧＳＭシステム等の第２無線通信システムを搭載した通信装置では、上述の高調波成分等の生成およびその放射によって通信性能が低下してしまうことがある。【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、複数の通信システムを搭載した場合であっても、各システムの通信性能を十分に発揮することが可能な、通信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に従う通信装置(10：実施例で相当する参照符号。以下同じ)は、第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路(32cp)を有する第１通信システム(28)、および第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路(24)を有する第２通信システム(20)を備え、第１通信システムは、第１周波数帯を通過帯域とし、第２通信信号もしくはその高調波成分を減衰させるフィルタ回路(30fc1~30fc6)をさらに有する。【０００８】
好ましくは、第２周波数帯は第１周波数帯近傍または第１周波数帯の高調波近傍の周波数帯である。【０００９】
好ましくは、第１通信システムは、第１無線通信用集積回路と接続され、第１通信信号を放射する第１放射体(16gd)をさらに備え、第２通信システムは、第２無線通信用集積回路と接続され、第２通信信号を放射する第２放射体(26)をさらに備える。【００１０】
より好ましくは、第１放射体は装置筐体内に設けられたグランド電極に相当する。【００１１】
さらに好ましくは、第２通信システムはグランド電極に電気的に接続される。【００１２】
或る形態では、第１通信システム、および第２通信システムは、共通のグランド電極に異なる給電点で接続されており、フィルタ回路は、グランド電極の給電点と、第１無線通信用集積回路との間に設けられている。【００１３】
好ましくは、第１無線通信集積回路および第１放射体は互いに並列する２つの信号線によって接続される。【００１４】
或る局面では、フィルタ回路は２つの信号線(LN1, LN2)にそれぞれ割り当てられた２つのフィルタ要素(L1c, L1e, C1f, C1h, L1d, L1f, C1g, C1i)を含む。【００１５】
他の局面では、２つの信号線は差動線路に相当し、フィルタ回路はバランスフィルタ回路に相当する。【００１６】
その他の局面では、フィルタ回路は２つの信号線の間に直列接続されたインダクタ(L1i, L1j)およびキャパシタ(C1j, C1k)を含む。【００１７】
好ましくは、第１通信システムはフィルタ回路の通過帯域幅を広げる広帯域化回路(30w)をさらに有する。【００１８】
好ましくは、第１通信システムは第１無線通信用集積回路を搭載する基板(30)をさらに有し、基板は複数の基材層(30is)と複数の導体層(30cd)とを積層してなり、フィルタ回路は、導体層によって構成され、基板に内蔵される。【００１９】
好ましくは、第１通信システムは、第１周波数帯として９００ＭＨｚ帯を使用するＲＦＩＤシステムであり、第２通信システムは、第２周波数帯として８５０ＭＨｚ帯または９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭシステムである。【００２０】
好ましくは、無線通信デバイス(28)は上述の通信装置に用いられ、第１無線通信用集積回路と、第１無線通信用集積回路が搭載され、フィルタ回路を内蔵した基板とからなる。
【発明の効果】
【００２１】
第２通信システムで用いられる第２通信信号が第１通信システムの第１無線通信用集積回路に入力されると、第２通信信号に歪みが生じ、第２通信信号の通信特性が劣化してしまうことがあるが、第１通信システムに上記のようなフィルタ回路が設けられているため、第２通信システムの通信特性が第１通信システムによって大きく阻害されることを抑制することができる。特に、第１周波数帯と第２周波数帯とが近い場合、第２通信信号の高調波成分が第１無線通信用集積回路において生成されてしまうことがあるが、生成された高調波成分は、第１無線通信用集積回路の入出力端に設けられたフィルタ回路において減衰される。これによって、第２通信信号の高調波成分が放射されてしまうのを抑制することができる。また、フィルタ回路は第１通信信号が属する第１周波数帯を通過帯域とするため、フィルタ回路が第１通信システムの通信性能を大きく阻害することはない。これによって、複数の通信システムを一体化しても、各通信システムの通信性能を十分に発揮することができる。【００２２】
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この実施例の基本的構成を示すブロック図である。
【図２】（Ａ）はこの実施例の通信装置の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）に示す通信装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２実施例に適用される板状電極の一例を示す平面図である。
【図４】図２実施例に適用される送受信回路の積層状態の一例を示す断面図である。
【図５】図４に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の一例を示す回路図である。
【図６】（Ａ）は図５に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフであり、（Ｂ）は（Ａ）に示すグラフの要部拡大図である。
【図７】図４に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の他の一例を示す回路図である。
【図８】（Ａ）は図７に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフであり、（Ｂ）は（Ａ）に示すグラフの要部拡大図である。
【図９】図４に示す給電回路基板に内蔵された給電回路のその他の一例を示す回路図である。
【図１０】（Ａ）は図９に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフであり、（Ｂ）は（Ａ）に示すグラフの要部拡大図である。
【図１１】図２実施例に適用される送受信回路の積層状態の他の一例を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の一例を示す回路図である。
【図１３】図１２に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフである。
【図１４】（Ａ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ１の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２の一例を示す平面図であり、（Ｃ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３の一例を示す平面図であり、（Ｄ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ４の一例を示す平面図であり、（Ｅ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ５の一例を示す平面図であり、（Ｆ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ６の一例を示す平面図であり、（Ｇ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ７の一例を示す平面図であり、（Ｈ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ８の一例を示す平面図であり、（Ｉ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ９の一例を示す平面図であり、（Ｊ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ１０の一例を示す平面図であり、（Ｋ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ１１の一例を示す平面図である。
【図１５】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の他の一例を示す回路図である。
【図１６】図１５に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフである。
【図１７】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路のその他の一例を示す回路図である。
【図１８】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路のさらにその他の一例を示す回路図である。
【図１９】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の他の一例を示す回路図である。
【図２０】図１１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路のその他の一例を示す回路図である。
【図２１】図２実施例に適用される送受信回路の積層状態のその他の一例を示す断面図である。
【図２２】図２１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の一例を示す回路図である。
【図２３】（Ａ）は図２２に示す給電回路の周波数特性の一例を示すグラフであり、（Ｂ）はこのグラフの要部拡大図である。
【図２４】（Ａ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２１の一例を示す平面図であり、（Ｂ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２２の一例を示す平面図であり、（Ｃ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２３の一例を示す平面図であり、（Ｄ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２４の一例を示す平面図であり、（Ｅ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２５の一例を示す平面図であり、（Ｆ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２６の一例を示す平面図であり、（Ｇ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２７の一例を示す平面図であり、（Ｈ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２８の一例を示す平面図であり、（Ｉ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ２９の一例を示す平面図であり、（Ｊ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３０の一例を示す平面図であり、（Ｋ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３１の一例を示す平面図であり、（Ｌ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３２の一例を示す平面図であり、（Ｍ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３３の一例を示す平面図であり、（Ｎ）は給電回路基板を形成するシートＳＨ３４の一例を示す平面図である。
【図２５】図２１に示す給電回路基板に内蔵された給電回路の他の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
［基本的構成］
【００２５】
図１を参照して、この実施例の通信装置は、ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとＵＨＦ帯ＧＳＭシステムとを備えた移動体通信端末装置であって、基本的に次のように構成される。ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステム１は、ＵＨＦ帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、第１通信信号を処理する無線通信用の集積回路２を有する。このＲＦＩＤシステム１において、集積回路２は、プリント配線板等に配置されたグランド電極ＧＮＤの第１給電点ＰＳ１に接続されており、このグランド電極ＧＮＤが、ＲＦＩＤシステム１の放射素子として利用されている。ＵＨＦ帯ＧＳＭシステム３は、ＵＨＦ帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、第２通信信号を処理する無線通信用の集積回路４を有する。ＧＳＭシステム３において、集積回路４は、ＲＦ部とＢＢ部を含む。ＲＦ部は送信信号と受信信号の切り替え等を主に担うブロックであり、ＢＢ部は、送受信信号の変復調等を主に担う。この集積回路４は、アンテナＡＮＴおよびグランド電極ＧＮＤの第２給電点ＰＳ２に接続されており、両者を放射素子として利用した、いわゆる筐体ダイポール型のアンテナ構成を採っている。ここで、ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステム１は、ＵＨＦ帯を通過帯域とし、第２通信信号の高調波成分を減衰させるＬＰＦ５をさらに有する。なお、第１給電点ＰＳ１と第２給電点ＰＳ２とは同じグランド電極ＧＮＤ上に形成されているが、その形成箇所は異なる。
【００２６】
ＵＨＦ帯ＧＳＭシステム３で用いられる第２通信信号がＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステム１の集積回路２に入力されると、第２通信信号の高調波成分が集積回路２において生成されてしまうことがあるが、生成された高調波成分は、集積回路２の入出力端に設けられたＬＰＦ５において減衰される。これによって、第２通信信号の高調波成分がＲＦＩＤシステム１から出力されてしまうのを抑制することができ、ひいては、第２通信信号の高調波成分がアンテナＡＮＴやグランド電極ＧＮＤから放射されてしまったり、ＧＳＭシステムや他のシステムに影響を与えてしまったりするのを抑制することができる。
【００２７】
また、ＬＰＦ５は第１通信信号が属するＵＨＦ帯を通過帯域とするため、ＬＰＦ５がＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステム１の通信性能を大きく阻害することはない。これによって、複数の通信システムを一体化しても、各通信システムの通信性能を十分に発揮することができる。
［実施例］
【００２８】
図２（Ａ）〜図２（Ｂ）を参照して、この実施例の通信装置１０は、主面が長方形をなすプリント配線板１２を含む。プリント配線板１２は、通信装置１０の端末筐体の内部に配置される。プリント配線板１２の一方主面には導電性の配線１４が形成され、プリント配線板１２の内部には板状電極１６が埋め込まれる。配線１４および板状電極１６は、複数のビアホール導体１８，１８，…によって互いに接続される。板状電極１６は、操作部や表示部、電源部等、通信装置に搭載された各種機能部のグランド電極として機能している。
【００２９】
プリント配線板１２の一方主面にはまた、北米向けのＧＳＭ８５０規格または欧州向けのＧＳＭ９００規格に従う移動体通信システム用の送受信ブロック２０およびアンテナ２６が実装され、さらにＵＨＦ帯ＲＦＩＤ規格に従う近距離無線通信用のデバイス（以下では、「ＲＦＩＤデバイス」と言う）２８が実装される。送受信ブロック２０は、詳しくは基底帯域に属する周波数信号を処理するＢＢＩＣ(Base Band Integrated Circuit)チップ２２と、ＵＨＦ帯域に属する周波数信号を処理するフロントエンドモジュール２４によって形成される。フロントエンドモジュール２４は、送信経路と受信経路を切り替えるためのスイッチングＩＣや、ＳＡＷフィルタ等のフィルタ回路を一体化したモジュール部品として構成されている。また、ＲＦＩＤデバイス２８は、給電回路基板３０と、樹脂３２ｒｓによって封止された状態で給電回路基板３０に搭載されたＲＦＩＤ用無線ＩＣチップ３２ｃｐとによって形成される。
【００３０】
つまり、本実施例においては、第１周波数帯であるＵＨＦ帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いた第１通信システムがＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムであり、第２周波数帯であるＵＨＦ帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いた第２通信システムがＵＨＦ帯ＧＳＭシステムである。また、第１無線通信用集積回路であるＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステム用の集積回路がＲＦＩＣチップ３２ｃｐとして構成されており、第２無線通信用集積回路であるＧＳＭシステム用の集積回路がＢＢＩＣチップ２２およびフロントエンドモジュール２４として構成されている。ＲＦＩＣチップ３２ｃｐは、ロジック回路やメモリ回路等を含み、通信信号の変復調等、各ＲＦＩＤシステムの通信信号の処理を行う。
【００３１】
なお、ＢＢＩＣチップ２２は事前に形成された半田バンプを利用してプリント配線板１２に実装され、フロントエンドモジュール２４，アンテナ素子２６およびＲＦＩＤデバイス２８は半田ペーストを用いてプリント配線板１２に実装される。
【００３２】
図３を参照して、板状電極１６の主面の輪郭は主面の左上に形成された切り欠きＣＴ１を除いて長方形をなす。また、切り欠きＣＴ１の近傍には、板状電極１６の一方主面から他方主面に向かって貫通する長方形の貫通孔ＯＰ１が形成される。貫通孔ＯＰ１をなす長方形の長辺および短辺は、板状電極１６の主面の輪郭をなす長方形の長辺および短辺と平行に延びる。切り欠きＣＴ１は貫通孔ＯＰ１に達し、貫通孔ＯＰ１は切り欠きＣＴ１を経て外部に通じる。なお、貫通孔ＯＰ１および切り欠きＣＴ１はそれぞれ“開口部”および“スリット部”と呼んでもよい。開口部およびスリット部の幅は、開口部の幅がスリット部の幅よりも大きいことが好ましいが、開口部の幅とスリット部の幅とが同じであってもよい。
【００３３】
以下では、板状電極１６のうち、貫通孔ＯＰ１の周辺の一部の電極を“ループ状電極１６ｌｐ”と定義し、ループ状電極１６ｌｐに接する他の一部の電極を“グランド電極１６ｇｄ”と定義する。
【００３４】
図２（Ａ）〜図２（Ｂ）に戻って、板状電極１６の主面の面積はプリント配線板１２の主面の面積とほぼ同じであり、板状電極１６の厚みはプリント配線板１２の厚みよりも格段に薄い。板状電極１６は、板状電極１６の主面がプリント配線板１２の主面と平行に広がり、かつ板状電極１６の主面の輪郭をなす長方形の長辺および短辺がプリント配線板１２の主面をなす長方形の長辺および短辺と平行に延びる姿勢で、プリント配線板１２に埋め込まれる。
【００３５】
切り欠きＣＴ１によって規定されるループ状電極１６ｌｐの両端は、２つのビアホール導体１８，１８を介してプリント配線板１２の上の２つの配線１４，１４と接続される。これらの配線１４はランドパターンとしても機能する。給電回路基板３０の２つの接続端子は、この２つの配線１４，１４にそれぞれ接続実装される。したがって、ＲＦＩＣチップ３２ｃｐは、給電回路基板３０に設けられた給電回路３０ｐｓｃ（図５参照），配線１４，ビアホール導体１８およびループ状電極１６ｌｐを介して、グランド電極１６ｇｄと電気的に接続される。このループ状電極１６ｌｐは、ＲＦＩＤデバイス２８とグランド電極１６ｇｄとの間でインピーダンスを整合させるための整合回路（図５に示す給電回路３０ｐｓｃを構成する広帯域化回路３０ｗ）の一部として機能する。
【００３６】
ＲＦＩＤデバイス２８の構造を図４に示す。給電回路基板３０は、複数の基材層３０ｉｓおよび複数の導体層３０ｃｄを交互に積層して直方体をなすように作製される。給電回路基板３０には、導体層や層間接続導体によって、図５に示す給電回路３０ｐｓｃが組み込まれている。給電回路基板３０の下面には、プリント配線板１２に実装するための電極としての接続端子Ｐ２ａおよびＰ２ｂが形成される一方、給電回路基板３０の上面には、ＲＦＩＣチップ３２ｃｐを実装するための電極としての接続端子Ｐ１ａおよびＰ１ｂが形成される。ループ状電極１６ｌｐの一方端は接続端子Ｐ２ａと接続され、ループ状電極１６１ｐの他方端は接続端子Ｐ２ｂと接続される。なお、給電回路基板３０を構成する基材層３０ｉｓは、低温焼結セラミック層や熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂のような樹脂層等で構成されており、導体層３０ｃｄや層間接続導体は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料等によって構成される。
【００３７】
ＲＦＩＣチップ３２ｃｐは、ベアチップＩＣまたはパッケージＩＣとして構成されており、給電回路基板３０に実装され、熱硬化性樹脂等の樹脂３２ｒｓで封止される。ＲＦＩＣチップ３２ｃｐの下面には、２つの入出力端子（図示せず）が設けられる。一方の入出力端子は、バンプＢＰａを介して、給電回路基板３０の上面に形成された接続端子Ｐ１ａと接続される。また、他方の入出力端子は、バンプＢＰｂを介して、給電回路基板３０の上面に形成された接続端子Ｐ１ｂと接続される。これらの２つの入出力端子は、バランス型端子を構成している。
【００３８】
ＧＳＭ８５０規格によれば、８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚの周波数帯域が送信用に割り当てられ、８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚの周波数帯域が受信用に割り当てられる。また、ＧＳＭ９００規格によれば、８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚの周波数帯域が送信用に割り当てられ、９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの周波数帯域が受信用に割り当てられる。これを踏まえて、ＲＦＩＤデバイス２８は、ＧＭＳ８５０規格に対応して９０２ＭＨｚ〜９２８ＭＨｚの周波数帯域を使用するとともに、ＧＭＳ９００規格に対応して８６５ＭＨｚ〜８６８ＭＨｚの周波数帯域を使用する。
【００３９】
したがって、送受信ブロック２０に設けられたＧＳＭシステム用のＢＢＩＣチップ２２およびフロントエンドモジュール２４は、８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚおよび８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚの帯域、或いは８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚおよび９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの帯域に属するＧＳＭシステム用の通信信号を処理して、移動体通信を実行する。また、ＲＦＩＤデバイス２８に設けられたＲＦＩＤシステム用のＲＦＩＣチップ３２ｃｐは、９０２ＭＨｚ〜９２８ＭＨｚまたは８６５ＭＨｚ〜８６８ＭＨｚの帯域に属するＲＦＩＤシステム用の通信信号を処理して、近距離無線通信を実行する。
【００４０】
ＧＳＭシステム用の通信信号は、アンテナ２６を利用して送受信されるとともに、グランド電極１６ｇｄを利用して送受信される。つまり、本実施例におけるＧＳＭシステムは、筐体電流（グランド電流）を通信信号の送受信に利用したものである。また、ＲＦＩＤシステム用の通信信号は、ループ状電極１６ｌｐおよびグランド電極１６ｇｄを利用して送受信される。つまり、本実施例におけるＲＦＩＤシステムも、筐体電流（グランド電流）を通信信号の送受信に利用したものである。ゆえに、ＧＳＭシステム用通信信号およびＲＦＩＤシステム用通信信号がグランド電極１６ｇｄを介して外部に放射されることから、グランド電極１６ｇｄは、両システム用の“放射体”と定義することができる。
【００４１】
上述のように、ＲＦＩＤシステム用通信信号の周波数は、ＧＳＭシステム用通信信号の周波数の近傍に設定される。このため、送信電力が数ワット程度と比較的大きな電力になるＧＳＭシステム用通信信号がＲＦＩＤデバイス２８に入り込むと、その歪みにより、ＧＳＭ用通信信号の２倍波や３倍波…の高調波成分がＲＦＩＤ用のＲＦＩＣチップ３２ｃｐにおいて生成され、この高調波成分がスプリアスとして輻射され、ＧＳＭシステムの通信特性を劣化させるおそれがある。
【００４２】
このような問題を考慮して、この実施例では、図５に示すフィルタ回路３０ｆｃ１および広帯域化回路３０ｗが給電回路３０ｐｓｃに設けられる。図５に示すように、フィルタ回路３０ｆｃ１はキャパシタＣ１ａ〜Ｃ１ｃおよびインダクタＬ１ａによって形成され、広帯域化回路３０ｗはキャパシタＣ２ａ〜Ｃ２ｂおよびインダクタＬ２によって形成される。すなわち、フィルタ回路３０ｆｃ１は、アンバランス型のフィルタであり、π型の共振回路（１段）を有したローパスフィルタとして構成されている。このフィルタ回路はＧＳＭ８５０やＧＳＭ９００の高調波領域の周波数を減衰させるように構成されている。広帯域化回路３０ｗは、ＲＦＩＤ用のＲＦＩＣチップ３２ｃｐとグランド電極１６ｇｄとが広い周波数帯域にてインピーダンス整合可能なように構成された整合回路であり、ループ状電極１６ｌｐとともに、整合回路として機能する。なお、インピーダンス整合を広帯域化させる方法としては、例えば、インダクタンス成分を大きく、キャパシタンス成分を小さくすることにより、共振特性をブロードなものにしたり、複数の共振点を結合させたりするものが挙げられる。
【００４３】
接続端子Ｐ１ａは、直列接続されたインダクタＬ１ａおよびキャパシタＣ２ａを介して接続端子Ｐ２ａと接続される。また、接続端子Ｐ１ｂは、キャパシタＣ２ｂを介して接続端子Ｐ２ｂと接続される。キャパシタＣ１ａは、インダクタＬ１ａと並列接続される。
【００４４】
キャパシタＣ１ｂの一方端はキャパシタＣ１ａの一方端およびインダクタＬ１ａの一方端と接続され、キャパシタＣ１ｂの他方端は接続端子Ｐ１ｂと接続される。キャパシタＣ１ｃの一方端はキャパシタＣ１ａの他方端およびインダクタＬ１ａの他方端と接続され、キャパシタＣ１ｃの他方端は接続端子Ｐ１ｂと接続される。インダクタＬ２の一方端はインダクタＬ１ａの他方端と接続され、インダクタＬ２の他方端は接続端子Ｐ１ｂと接続される。
【００４５】
こうして構成された給電回路３０ｐｓｃは、図６（Ａ）〜図６（Ｂ）に示す周波数特性を有する。図６（Ａ）〜図６（Ｂ）において、挿入損失は曲線ＣＶ１ａに沿って変化し、ＲＦＩＤデバイス２８からの反射損失は曲線ＣＶ２ａに沿って変化する。ここで、“反射損失”は、ＲＦＩＤデバイス２８への入力が全て反射されたときに“０”を示し、ＲＦＩＤデバイス２８に入力される信号量が増大するほど“０”から大きく減少する。
【００４６】
曲線ＣＶ１ａによれば、挿入損失は、２．０ＧＨｚ近傍で急峻に減少し、概ね８５０ＭＨｚ〜９４０ＭＨｚの帯域（厳密には８７５ＭＨｚ近傍および９２０ＭＨｚ近傍）で急峻に増大する（挿入損失が−１５ｄＢを上回る）。また、曲線ＣＶ２ａによれば、反射損失は、概ね８５０ＭＨｚ〜９４０ＭＨｚの帯域で“０”を下回り、特に８７５ＭＨｚ近傍および９２０ＭＨｚ近傍で急峻に減少する。この結果、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分はフィルタ回路３０ｆｃ１によって減衰される一方、ＲＦＩＤシステム用通信信号はフィルタ回路３０ｆｃ１を通過する。
【００４７】
なお、曲線ＣＶ１ａが２．０ＧＨｚ近傍で急峻に減少するのは、フィルタ回路３０ｆｃ１のＬＣ共振周波数が２．０ＧＨｚ近傍に設定されるからである。また、曲線ＣＶ１ａが１．２ＧＨｚ以上の帯域において減衰特性を示す（挿入損失が−５０ｄＢを下回る）のは、キャパシタＣ１ｂおよびＣ１ｃがフィルタ回路３０ｆｃ１内に並列的に設けられるからである。さらに、曲線ＣＶ２ａが８７５ＭＨｚ近傍および９２０ＭＨｚ近傍で急峻に減少するのは、広帯域化回路３０ｗのＬＣ共振周波数が８７５ＭＨｚ近傍および９２０ＭＨｚ近傍に設定されるからである。
【００４８】
以上のように、ＲＦＩＤデバイス２８に設けられたＲＦＩＣチップ３２ｃｐは、９０２ＭＨｚ〜９２８ＭＨｚ（ＧＳＭ８５０規格対応）または８６５ＭＨｚ〜８６８ＭＨｚの帯域（ＧＳＭ９００規格対応）に属するＲＦＩＤシステム用通信信号を処理して、近距離無線通信を実行する。
【００４９】
また、送受信ブロック２０に設けられたＧＳＭ用のフロントエンドモジュール２４およびＢＢＩＣチップ２２は、８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚおよび８６９ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚの帯域（ＧＳＭ８５０規格用）、或いは８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚおよび９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚの帯域（ＧＳＭ９００規格用）に属するＧＳＭシステム用通信信号を処理して、移動体通信を実行する。
【００５０】
さらに、ＲＦＩＤデバイス２８に設けられたフィルタ回路３０ｆｃ１は、ＲＦＩＤシステム用通信信号が現われる概ね８５０ＭＨｚ〜９４０ＭＨｚの帯域を通過帯域とし、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分が現われる１．２ＧＨｚ以上の帯域を減衰帯域とする。
【００５１】
ＧＳＭシステム用通信信号がＲＦＩＤデバイス２８に入力されると、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分がＲＦＩＤ用のＲＦＩＣチップ３２ｃｐにおいて生成される。ただし、生成された高調波成分は、フィルタ回路３０ｆｃ１において減衰される。したがって、この高調波成分がＲＦＩＤデバイス２８から出ていきにくくなり、これによって、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分が送受信ブロック２０の動作つまり移動体通信を妨害する現象が抑制される。
【００５２】
また、フィルタ回路３０ｆｃ１はＲＦＩＤ用通信信号が属する周波数帯を通過帯域とするため、フィルタ回路３０ｆｃ１がＲＦＩＣチップ３２ｃｐの動作つまり近距離無線通信を妨害する現象が抑制される。これによって、近距離無線通信の通信性能が大きく劣化することはない。
【００５３】
なお、高調波によるスプリアスは、ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとＧＳＭ９００／ＧＳＭ８５０システムとの組み合わせ以外にも、たとえば、ＲＦＩＤシステムとＤＣＳ，ＣＤＭＡ等の移動体通信システムとの組み合わせ、ＲＦＩＤシステムとＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）や無線ＬＡＮ等の近距離通信システムとの組み合わせ等の場合においても生じてしまうことがある。しかしながら、この実施例のように、一方のシステム（たとえばＲＦＩＤシステム）用のＩＣと放射素子との間に、他方のシステム（たとえばＧＳＭ，ＤＣＳ，ＣＤＭＡ，Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ，無線ＬＡＮ等）の通信周波数もしくはその高調波を減衰させるフィルタ回路を設けることで、他方のシステムにおけるスプリアスの発生を抑制し、その通信性能を改善することができる。
【００５４】
他の実施例の通信装置１０では、図７に示すフィルタ回路３０ｆｃ２および広帯域化回路３０ｗが給電回路３０ｐｓｃに設けられる。フィルタ回路３０ｆｃ２は、２段のπ型共振回路を設けてなる。つまり、インダクタＬ１ａとキャパシタＣ２ａとの間にインダクタＬ１ｂが設けられ、キャパシタＣ１ｄがインダクタＬ１ｂに並列接続され、そしてキャパシタＣ１ｅがインダクタＬ１ｂおよびキャパシタＣ２ａの接続点と接続端子Ｐ１ｂとの間に設けられる。
【００５５】
こうして構成された給電回路３０ｐｓｃは、図８（Ａ）〜図８（Ｂ）に示す周波数特性を有する。図８（Ａ）〜図８（Ｂ）において、挿入損失は曲線ＣＶ１ｂに沿って変化し、ＲＦＩＤデバイス２８からの反射損失は曲線ＣＶ２ｂに沿って変化する。
【００５６】
曲線ＣＶ１ｂによれば、挿入損失は、１．７ＧＨｚ近傍および２．５ＧＨｚ近傍で急峻に減少し、概ね８３０ＭＨｚ〜９７０ＭＨｚの帯域で急峻に増大する。また、曲線ＣＶ２ｂによれば、反射損失は概ね８３０ＭＨｚ〜９７０ＭＨｚの帯域で“０”を下回る。このような周波数特性を示すことで、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分がフィルタ回路３０ｆｃ２によって減衰され、ＲＦＩＤシステム用通信信号がフィルタ回路３０ｆｃ２を通過する。すなわち、このフィルタ回路３０ｆｃ２では、２つの減衰極を作ることができる。そして、これらの減衰極を各高調波（たとえば２倍波と３倍波）の周波数に合わせておけば、各高調波を効率良く減衰させることができる。なお、共振回路は２段に限定されるものではなく、３段以上の多段にしてもよい。
【００５７】
その他の実施例の通信装置１０では、図９に示すフィルタ回路３０ｆｃ２が給電回路３０ｐｓｃをなす。つまり、図７と比較して、広帯域化回路３０ｗが省略される。この給電回路３０ｐｓｃは、図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）に示す周波数特性を有する。図１０（Ａ）〜図１０（Ｂ）において、挿入損失は曲線ＣＶ１ｃに沿って変化し、ＲＦＩＤデバイス２８からの反射損失は曲線ＣＶ２ｃに沿って変化する。
【００５８】
曲線ＣＶ１ｃは、１．７ＧＨｚ近傍および２．５ＧＨｚ近傍で急峻に減少し、概ね８８０ＭＨｚ〜９５０ＭＨｚの帯域で急峻に増大する。また、曲線ＣＶ２ｃは、概ね８８０ＭＨｚ〜９５０ＭＨｚの帯域で“０”を下回る。この結果、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分がフィルタ回路３０ｆｃ２によって減衰され、ＲＦＩＤシステム用通信信号がフィルタ回路３０ｆを通過する。
【００５９】
なお、図５，図７，図９におけるキャパシタＣ１ａ〜Ｃ１ｅ，Ｃ２ａ〜Ｃ２ｂ、およびインダクタＬ１ａ〜Ｌ１ｂ，Ｌ２は、上記各システムの組み合わせに応じてそれぞれ好適な値を取ることができる。また、必要に応じて一部の素子を省略することもできる。つまり、通過帯域幅が多少狭くなるものの、広帯域化回路は必須であるわけではない。また、給電回路基板に広帯域化回路を一体化せず、別の基板に広帯域化回路を設けてもよい。
【００６０】
さらにその他の実施例の通信装置１０では、ＲＦＩＤデバイス２８を形成する給電回路基板３０は、図１１に示す構造を有する。また、給電回路基板３０に設けられた給電回路３０ｐｓｃは、図１２に示すフィルタ回路３０ｆｃ３および整合回路３０ｍ１によって構成される。ここで、フィルタ回路３０ｆｃ３は、接続端子Ｐ１ａおよびＰ２ａを結ぶ信号線ＬＮ１上に設けられたフィルタ３０ｆ１と、接続端子Ｐ１ｂおよびＰ２ｂを結ぶ信号線ＬＮ２上に設けられたフィルタ３０ｆ２とによって形成される。つまり、信号線ＬＮ１およびＬＮ２は差動線路に相当し、フィルタ回路３０ｆｃ３はバランスフィルタ回路に相当する。このように給電回路基板３０の上層側（ＲＦＩＣチップの搭載面側）に主にインダクタを形成し、下層側（プリント配線板への実装面側）に主にキャパシタを形成することで、ＲＦＩＣチップとインダクタとの間の浮遊インダクタ成分を少なくすることができるとともに、プリント配線板への実装性を向上させることができる。特に、キャパシタを構成する電極面積が下層側から上層側に向かって小さくなっているため、インダクタ（コイルパターン）のＱ値を大きく劣化させることなく、基板の薄型化を図ることができる。
【００６１】
より具体的には、接続端子Ｐ１ａはインダクタＬ１ｃの一方端と接続され、インダクタＬ１ｃの他方端はキャパシタＣ２ｄを介して接続端子Ｐ２ａと接続される。キャパシタＣ１ｆは、インダクタＬ１ｃに並列的に接続される。接続端子Ｐ１ｂはインダクタＬ１ｄの一方端と接続され、インダクタＬ１ｄの他方端はキャパシタＣ２ｅを介して接続端子Ｐ２ｂと接続される。キャパシタＣ１ｇは、インダクタＬ１ｄに並列的に接続される。キャパシタＣ３の一方端はインダクタＬ１ｃの他方端と接続され、キャパシタＣ３の他方端はインダクタＬ１ｄの他方端と接続される。
【００６２】
ここで、フィルタ３０ｆ１は単一のインダクタＬ１ｃと２つのキャパシタＣ１ｆおよびＣ３によって形成され、フィルタ３０ｆ２は単一のインダクタＬ１ｄと２つのキャパシタＣ１ｇおよびＣ３によって形成される。また、整合回路３０ｍ１は、３つのキャパシタＣ２ｄ，Ｃ２ｅおよびＣ３によって形成される。
【００６３】
こうして構成された給電回路３０ｐｓｃは、その周波数特性が図１３に示す曲線ＣＶ３ａを描くように調整される。なお、図１３に示す曲線ＣＶ３ｂは、フィルタ回路３０ｆｃ３を省いたときの給電回路３０ｐｓｃの周波数特性を示す。
【００６４】
曲線ＣＶ３ａによれば、挿入損失は、２．５ＧＨｚ近傍を最低レベルとして谷を描き、概ね８３０ＭＨｚ〜９７０ＭＨｚの帯域で急峻に増大する。このような周波数特性を示すことで、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分がフィルタ回路３０ｆｃ３によって減衰され、ＲＦＩＤシステム用通信信号がフィルタ回路３０ｆｃ３を通過する。
【００６５】
給電回路基板３０は、図１４（Ａ）〜図１４（Ｋ）に示す１１個のシートＳＨ１〜ＳＨ１１を積層することで作製される。具体的には、シートＳＨ１の上にシートＳＨ２が積層され、シートＳＨ２の上にシートＳＨ３が積層され、シートＳＨ３の上にシートＳＨ４が積層され、シートＳＨ４の上にシートＳＨ５が積層され、シートＳＨ５の上にシートＳＨ６が積層され、シートＳＨ６の上にシートＳＨ７が積層され、シートＳＨ７の上にシートＳＨ８が積層され、シートＳＨ８の上にシートＳＨ９が積層され、シートＳＨ９の上にシートＳＨ１０が積層され、シートＳＨ１０の上にシートＳＨ１１が積層される。
【００６６】
なお、シートＳＨ１〜ＳＨ１１のいずれについても、白抜き部分が絶縁体に相当し、ハッチング部分が導電体に相当する。また、シートＳＨ１〜ＳＨ１０については絶縁体の下面に導電体が形成される一方、シートＳＨ１１については絶縁体の上面に導電体が形成される。さらに、シートＳＨ１〜ＳＨ１１は、●で示すビアホール導体によって層間接続される。また、シートＳＨ１の右側の導電体が接続端子Ｐ２ａに接続され、シートＳＨ１の左側の導電体が接続端子Ｐ２ｂに接続され、シートＳＨ１１の右側の導電体が接続端子Ｐ１ａに接続され、そしてシートＳＨ１１の左側の導電体が接続端子Ｐ１ｂに接続される。
【００６７】
キャパシタＣ２ｄはシートＳＨ２〜ＳＨ４の右側の導電体によって形成され、キャパシタＣ２ｅはシートＳＨ２〜ＳＨ４の左側の導電体によって形成され、キャパシタＣ３はシートＳＨ４〜ＳＨ５の左右の導電体によって形成される。キャパシタＣ１ｆはシートＳＨ５〜ＳＨ６の右側の導電体によって形成され、キャパシタＣ１ｇはシートＳＨ５〜ＳＨ６の左側の導電体によって形成される。インダクタＬ１ｃはシートＳＨ７〜ＳＨ１０の右側の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｄはシートＳＨ７〜ＳＨ１０の左側の導電体によって形成される。
【００６８】
他の実施例の通信装置１０では、ＲＦＩＤデバイス２８を形成する給電回路基板３０に設けられた給電回路３０ｐｓｃは、図１５に示すフィルタ回路３０ｆｃ４および整合回路３０ｍ１によって構成される。ここで、フィルタ回路３０ｆｃ４は、接続端子Ｐ１ａおよびＰ２ａを結ぶ信号線ＬＮ１上に設けられたフィルタ３０ｆ３と、接続端子Ｐ１ｂおよびＰ２ｂを結ぶ信号線ＬＮ２上に設けられたフィルタ３０ｆ４とによって形成される。
【００６９】
より具体的には、接続端子Ｐ１ａはインダクタＬ１ｃの一方端と接続され、インダクタＬ１ｃの他方端はインダクタＬ１ｅの一方端と接続され、そしてインダクタＬ１ｅの他方端はキャパシタＣ２ｄを介して接続端子Ｐ２ａと接続される。キャパシタＣ１ｆはインダクタＬ１ｃに並列的に接続され、キャパシタＣ１ｈはインダクタＬ１ｅに並列的に接続される。
【００７０】
接続端子Ｐ１ｂはインダクタＬ１ｄの一方端と接続され、インダクタＬ１ｄの他方端はインダクタＬ１ｆの一方端と接続され、そしてインダクタＬ１ｆの他方端はキャパシタＣ２ｄを介して接続端子Ｐ２ｂと接続される。キャパシタＣ１ｇはインダクタＬ１ｄに並列的に接続され、キャパシタＣ１ｉはインダクタＬ１ｆに並列的に接続される。キャパシタＣ３の一方端はインダクタＬ１ｅの他方端と接続され、キャパシタＣ３の他方端はインダクタＬ１ｆの他方端と接続される。
【００７１】
ここで、フィルタ３０ｆ３は２つのインダクタＬ１ｃおよびＬ１ｅと３つのキャパシタＣ１ｆ，Ｃ１ｈおよびＣ３によって形成され、フィルタ３０ｆ４は２つのインダクタＬ１ｄおよびＬ１ｆと３つのキャパシタＣ１ｇ，Ｃ１ｉおよびＣ３によって形成される。また、整合回路３０ｍ１は、３つのキャパシタＣ２ｄ，Ｃ２ｅおよびＣ３によって形成される。
【００７２】
こうして構成された給電回路３０ｐｓｃは、その周波数特性が図１６に示す曲線ＣＶ４ａを描くように調整される。なお、図１６に示す曲線ＣＶ４ｂは、フィルタ回路３０ｆｃ４を省いたときの給電回路３０ｐｓｃの周波数特性を示す。
【００７３】
曲線ＣＶ４ａによれば、挿入損失は、１．５ＧＨｚ近傍，２．５ＧＨｚ近傍および３．２ＧＨｚ近傍において谷なりに減少し、概ね８３０ＭＨｚ〜９７０ＭＨｚの帯域で急峻に増大する。このような周波数特性を示すことで、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分がフィルタ回路３０ｆｃ４によって減衰され、ＲＦＩＤシステム用通信信号がフィルタ回路３０ｆｃ４を通過する。
【００７４】
なお、図１２または図１５に示す整合回路３０ｍ１には、図１７または図１８に示す要領でインダクタＬ３を追加するようにしてもよい。これによって、別の特性を示す整合回路３０ｍ２が形成される。図１７〜図１８によれば、インダクタＬ３は、キャパシタＣ３に対して並列的に接続される。このようにインダクタＬ３を付加することで、通過特性のさらなる広帯域化が可能となる。
【００７５】
さらに、図１７に示すフィルタ回路３０ｆｃ３には、図１９に示す要領でキャパシタＣ４を追加するようにしてもよい。これによって、別の特性を示すフィルタ回路ｆｃ５が形成される。この場合、キャパシタＣ１ｆ，Ｃ３，Ｃ４とインダクタＬ１ｃとによってフィルタ３０ｆ５が形成され、キャパシタＣ１ｇ，Ｃ３，Ｃ４とインダクタＬ１ｄとによってフィルタ３０ｆ６が形成される。
【００７６】
また、図１８に示すフィルタ回路３０ｆｃ４には、図２０に示す要領でキャパシタＣ４およびＣ５を追加するようにしてもよい。これによって、さらに別の特性を示すフィルタ回路ｆｃ６が形成される。この場合、キャパシタＣ１ｆ，Ｃ１ｈ，Ｃ３〜Ｃ５とインダクタＬ１ｃ，Ｌ１ｅとによってフィルタ３０ｆ７が形成され、キャパシタＣ１ｇ，Ｃ１ｉ，Ｃ３〜Ｃ５とインダクタＬ１ｄ，Ｌ１ｆとによってフィルタ３０ｆ８が形成される。これらのキャパシタを付加することで、高調波の減衰量を増やすことができる。
【００７７】
図１９〜図２０のいずれにおいても、バランス型フィルタの対称性が向上し、ひいてはフィルタ特性が向上する。
【００７８】
その他の実施例の通信装置１０では、ＲＦＩＤデバイス２８を形成する給電回路基板３０は、図２１に示す構造を有する。また、給電回路基板３０に設けられた給電回路３０ｐｓｃは、図２２に示すフィルタ回路３０ｆｃ７および広帯域化回路３０ｗによって構成される。ここで、フィルタ回路３０ｆｃ７は、接続端子Ｐ１ａおよびＰ２ａを結ぶ信号線ＬＮ１上に設けられたフィルタ３０ｆ９と、接続端子Ｐ１ｂおよびＰ２ｂを結ぶ信号線ＬＮ２上に設けられたフィルタ３０ｆ１０とによって形成される。つまり、信号線ＬＮ１およびＬＮ２は差動線路に相当し、フィルタ回路３０ｆｃ７はバランスフィルタ回路に相当する。
【００７９】
より具体的には、接続端子Ｐ１ａは、直列接続されたインダクタＬ１ｇ，Ｌ１ｋおよびキャパシタＣ２ａを介して接続端子Ｐ２ａと接続される。また、接続端子Ｐ１ｂは、直列接続されたインダクタＬ１ｈ，Ｌ１ｍおよびキャパシタＣ２ｂを介して接続端子Ｐ２ｂと接続される。
【００８０】
インダクタＬ１ｇおよびＬ１ｋの接続点にはキャパシタＣ１ｊの一方端が接続され、キャパシタＣ１ｊの他方端はインダクタＬ１ｉを介してインダクタＬ１ｈおよびＬ１ｍの接続点と接続される。インダクタＬ１ｈおよびＬ１ｍの接続点にはまたキャパシタＣ１ｋの一方端が接続され、キャパシタＣ１ｋの他方端はインダクタＬ１ｊを介してインダクタＬ１ｇおよびＬ１ｋの接続点と接続される。さらに、インダクタＬ１ｋおよびキャパシタＣ２ａの接続点にはインダクタＬ２の一方端が接続され、インダクタＬ１ｍおよびキャパシタＣ２ｂの接続点にはインダクタＬ２の他方端が接続される。
【００８１】
ここで、フィルタ３０ｆ９は２つのキャパシタＣ１ｊおよびＣ１ｋと４つのインダクタＬ１ｇ，Ｌ１ｋ，Ｌ１ｉおよびＬ１ｊとによって形成され、フィルタ３０ｆ１０は２つのキャパシタＣ１ｊおよびＣ１ｋと４つのインダクタＬ１ｈ，Ｌ１ｍ，Ｌ１ｉおよびＬ１ｊとによって形成される。また、広帯域化回路３０ｗは、単一のインダクタＬ２と２つのキャパシタＣ２ａおよびＣ２ｂとによって形成される。
【００８２】
直列接続されたキャパシタＣ１ｊおよびインダクタＬ１ｉを信号線ＬＮ１およびＬＮ２の間に設け、さらに直列接続されたキャパシタＣ１ｋおよびインダクタＬ１ｊを信号線ＬＮ１およびＬＮ２の間に設けることで、信号線ＬＮ１およびＬＮ２に設けられたインダクタＬ１ｇ，Ｌ１ｋ，Ｌ１ｈおよびＬ１ｍのインダクタンスを抑制しつつ（伝送損失を抑制しつつ）、共振周波数を所望の値に調整することができる。
【００８３】
こうして構成された給電回路３０ｐｓｃは、図２３（Ａ）〜図２３（Ｂ）に示す周波数特性を有する。図２３（Ａ）〜図２３（Ｂ）において、挿入損失は曲線ＣＶ５ａに沿って変化し、ＲＦＩＤデバイス２８からの反射損失は曲線ＣＶ５ｂに沿って変化する。
【００８４】
曲線ＣＶ５ａによれば、挿入損失は、２．７ＧＨｚ近傍で急峻に減少し、概ね８００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚの帯域で急峻に増大する（信号レベルが−１０ｄＢを上回る）。また、曲線ＣＶ５ｂによれば、反射損失は、８３０ＭＨｚ近傍および９５０ＭＨｚ近傍で急峻に減少する。さらに、曲線ＣＶ５ｃは、８００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚの帯域で０ｄＢを下回る。
【００８５】
この結果、ＧＳＭシステム用通信信号の高調波成分はフィルタ回路３０ｆｃ９によって減衰される一方、ＲＦＩＤシステム用通信信号はフィルタ回路３０ｆｃ９を通過する。
【００８６】
給電回路基板３０は、図２４（Ａ）〜図２４（Ｎ）に示す１４個のシートＳＨ２１〜ＳＨ３４を積層することで作製される。
【００８７】
具体的には、シートＳＨ２１の上にシートＳＨ２２が積層され、シートＳＨ２２の上にシートＳＨ２３が積層され、シートＳＨ２３の上にシートＳＨ２４が積層され、シートＳＨ２４の上にシートＳＨ２５が積層され、シートＳＨ２５の上にシートＳＨ２６が積層され、シートＳＨ２６の上にシートＳＨ２７が積層され、シートＳＨ２７の上にシートＳＨ２８が積層され、シートＳＨ２８の上にシートＳＨ２９が積層され、シートＳＨ２９の上にシートＳＨ３０が積層され、シートＳＨ３０の上にシートＳＨ３１が積層され、シートＳＨ３１の上にシートＳＨ３２が積層され、シートＳＨ３２の上にシートＳＨ３３が積層され、シートＳＨ３３の上にシートＳＨ３４が積層される。
【００８８】
なお、シートＳＨ２１〜ＳＨ３４のいずれについても、白抜き部分が絶縁体に相当し、ハッチング部分が導電体に相当する。また、シートＳＨ２１〜ＳＨ３３については絶縁体の下面に導電体が形成される一方、シートＳＨ３４については絶縁体の上面に導電体が形成される。さらに、シートＳＨ２１〜ＳＨ３４は、●で示すビアホール導体によって層間接続される。また、シートＳＨ２１の右側の導電体が接続端子Ｐ２ａに接続され、シートＳＨ２１の左側の導電体が接続端子Ｐ２ｂに接続され、シートＳＨ３４の右下側の導電体が接続端子Ｐ１ａに接続され、そしてシートＳＨ３４の左下側の導電体が接続端子Ｐ１ｂに接続される。
【００８９】
キャパシタＣ２ａはシートＳＨ２１〜ＳＨ２３の右側の導電体によって形成され、キャパシタＣ２ｂはシートＳＨ２１〜ＳＨ２３の左側の導電体によって形成され、キャパシタＣ１ｋはシートＳＨ３０〜ＳＨ３２の右側の導電体によって形成され、キャパシタＣ１ｊはシートＳＨ３０〜ＳＨ３２の左側の導電体によって形成される。
【００９０】
また、インダクタＬ２はシートＳＨ２４〜ＳＨ２５の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｋはシートＳＨ２６〜ＳＨ２８の右側の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｍはシートＳＨ２６〜ＳＨ２８の左側の導電体によって形成される。
【００９１】
さらに、インダクタＬ１ｉはシートＳＨ２９の左側の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｊはシートＳＨ２９の右側の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｇはシートＳＨ３３の右側の導電体によって形成され、インダクタＬ１ｈはシートＳＨ３３の左側の導電体によって形成される。
【００９２】
なお、図２２に示すフィルタ３０ｆ９および３０ｆ１０は、図２５に示すように修正してもよい。図２５によれば、インダクタＬ１ｉ，Ｌ１ｊおよびキャパシタＣ１ｊ，Ｃ１ｋに代えて、キャパシタＣ１ｍ，Ｃ１ｎおよびインダクタＬ１ｎが設けられる。キャパシタＣ１ｍの一方端はインダクタＬ１ｇおよびＬｉｋの接続点に接続され、キャパシタＣ１ｍの他方端はインダクタＬ１ｎの一方端に接続される。また、インダクタＬ１ｎの他方端はキャパシタＣ１ｎの一方端に接続され、キャパシタＣ１ｎの他方端はインダクタＬ１ｈおよびＬｉｍの接続点に接続される。
【００９３】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて説明したが、本発明は上述の実施例に限定されるものではない。たとえば、通信装置として、移動体通信端末装置を例に説明したが、たとえばノート型ＰＣやタブレット端末等、各種の無線通信装置に適用することができる。
【００９４】
プリント配線板に設けられる板状電極（グランド電極）は、プリント配線板の内部に限られるものではなく、プリント配線板の表面に設けられてもよい。この場合、送受信回路素子２８の実装領域は、板状電極の表面に設けられたレジスト層によって規定される。また、その平面形状は、プリント配線板の主面の平面形状が長方形状に限定さないのと同様に、長方形状に限定されるものではない。
【００９５】
給電回路基板は、上述のように、無線ＩＣチップ３２ｐを搭載するためのインターポーザとして構成されていてもよいが、無線ＩＣチップ３２ｃｐの主面に再配線層として構成されていてもよい。また、上述の各実施例では、フィルタ回路は、給電回路基板内に形成した導電体で構成されている。つまり、フィルタ回路は、いわゆる内部構造となっている。しかし、基板上にディスクリートのインダクタやコンデンサを実装してフィルタ回路を構成するようにしてもよく、或いは内部構造と部品実装との組み合わせでフィルタ回路を構成するようにしてもよい。
【００９６】
ループ状電極１６ｌｐは、板状電極１６に切り欠きＣＴ１を設け、板状電極の一部をループ部として利用したものであるが、板状電極１６とは別に構成したループ状電極が板状電極１６に電気的に直接接続されていてもよいし、板状電極１６とは別に構成したループ状電極が板状電極１６に電磁界を介して結合されていてもよい。
【００９７】
ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムとＧＳＭ９００／ＧＳＭ８５０システムとの組み合わせ以外にも、たとえば、ＲＦＩＤシステムとＤＣＳ，ＣＤＭＡ等の移動体通信システムとの組み合わせ，ＲＦＩＤシステムとＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）や無線ＬＡＮ等の近距離無線通信システムとの組み合わせ等に適用することもできる。
【符号の説明】
【００９８】
１０  …通信装置
１２  …プリント配線板
１６  …板状電極
１６ｌｐ  …ループ状電極
１６ｇｄ  …グランド電極
２０  …送受信ブロック
２８  …ＲＦＩＤデバイス
２４  …フロントエンドモジュール
３２ｃｐ  …ＲＦＩＣチップ
３０  …給電回路基板
【図１】
2013157288.tif 000003
【図２】
2013157288.tif 000004
【図３】
2013157288.tif 000005
【図４】
2013157288.tif 000006
【図５】
2013157288.tif 000007
【図６】
2013157288.tif 000008
【図７】
2013157288.tif 000009
【図８】
2013157288.tif 000010
【図９】
2013157288.tif 000011
【図１０】
2013157288.tif 000012
【図１１】
2013157288.tif 000013
【図１２】
2013157288.tif 000014
【図１３】
2013157288.tif 000015
【図１４】
2013157288.tif 000016
【図１５】
2013157288.tif 000017
【図１６】
2013157288.tif 000018
【図１７】
2013157288.tif 000019
【図１８】
2013157288.tif 000020
【図１９】
2013157288.tif 000021
【図２０】
2013157288.tif 000022
【図２１】
2013157288.tif 000023
【図２２】
2013157288.tif 000024
【図２３】
2013157288.tif 000025
【図２４】
2013157288.tif 000026
【図２５】
2013157288.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、前記第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路を有する第１通信システム、および
前記第１周波数帯近傍の第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、前記第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路を有する第２通信システムを備え、
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯を通過帯域とし、前記第２通信信号の高調波成分を減衰させるフィルタ回路をさらに有する、通信装置。
【請求項２】
前記第１通信システムは、前記第１無線通信用集積回路と接続され、前記第１通信信号を放射する第１放射体をさらに備え、
前記第２通信システムは、前記第２無線通信用集積回路と接続され、前記第２通信信号を放射する第２放射体をさらに備える、請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１放射体は装置筐体内に設けられたグランド電極に相当する、請求項２記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２通信システムは前記グランド電極に電気的に接続される、請求項３記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１通信システム、および前記第２通信システムは、共通のグランド電極に異なる給電点で接続されており、
前記フィルタ回路は、前記グランド電極の給電点と、前記第１無線通信用集積回路との間に設けられている、請求項４記載の通信装置。
【請求項６】
前記第１無線通信集積回路および前記第１放射体は互いに並列する２つの信号線によって接続される、請求項１ないし５のいずれかに記載の通信装置。
【請求項７】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線にそれぞれ割り当てられた２つのフィルタ要素を含む、請求項６記載の通信装置。
【請求項８】
前記２つの信号線は差動線路に相当し、前記フィルタ回路はバランスフィルタ回路に相当する、請求項６または７記載の通信装置。
【請求項９】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線の間に直列接続されたインダクタおよびキャパシタを含む、請求項６ないし８のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１０】
前記第１通信システムは前記フィルタ回路の通過帯域幅を広げる広帯域化回路をさらに有する、請求項１ないし９のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第１通信システムは前記第１無線通信用集積回路を搭載する基板をさらに有し、
前記基板は複数の基材層と複数の導体層とを積層してなり、
前記フィルタ回路は、前記導体層によって構成され、前記基板に内蔵される、請求項１ないし１０のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１２】
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯として９００ＭＨｚ帯を使用するＲＦＩＤシステムであり、
前記第２通信システムは、前記第２周波数帯として８５０ＭＨｚ帯または９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭシステムである、請求項１ないし１１のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の通信装置に用いられる無線通信デバイスであって、前記第１無線通信用集積回路と、前記第１無線通信用集積回路が搭載され、前記フィルタ回路を内蔵した基板とからなる、無線通信デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に従う通信装置(10：実施例で相当する参照符号。以下同じ)は、第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路(32cp)を有する第１通信システム(28)、および第１周波数帯近傍の第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路(24)を有する第２通信システム(20)を備え、第１通信システムは、第１周波数帯を通過帯域とし、第２通信信号の高調波成分を減衰させるフィルタ回路(30fc1~30fc6)をさらに有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月2日(2013.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、前記第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路を有する第１通信システム、および
第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、前記第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路を有する第２通信システムを備え、
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯と前記第２周波数帯の少なくとも一部とを通過帯域とし、前記第２通信信号の高調波成分を減衰させるフィルタ回路をさらに有する、通信装置。
【請求項２】
前記第１通信システムは、前記第１無線通信用集積回路と接続され、前記第１通信信号を放射する第１放射体をさらに備え、
前記第２通信システムは、前記第２無線通信用集積回路と接続され、前記第２通信信号を放射する第２放射体をさらに備える、請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
前記第１放射体は装置筐体内に設けられたグランド電極に相当する、請求項２記載の通信装置。
【請求項４】
前記第２通信システムは前記グランド電極に電気的に接続される、請求項３記載の通信装置。
【請求項５】
前記第１通信システム、および前記第２通信システムは、共通のグランド電極に異なる給電点で接続されており、
前記フィルタ回路は、前記グランド電極の給電点と、前記第１無線通信用集積回路との間に設けられている、請求項４記載の通信装置。
【請求項６】
前記第１無線通信用集積回路および前記第１放射体は互いに並列する２つの信号線によって接続される、請求項２ないし５のいずれかに記載の通信装置。
【請求項７】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線にそれぞれ割り当てられた２つのフィルタ要素を含む、請求項６記載の通信装置。
【請求項８】
前記２つの信号線は差動線路に相当し、前記フィルタ回路はバランスフィルタ回路に相当する、請求項６または７記載の通信装置。
【請求項９】
前記フィルタ回路は前記２つの信号線の間に直列接続されたインダクタおよびキャパシタを含む、請求項６ないし８のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１０】
前記第１通信システムは前記フィルタ回路の通過帯域幅を広げる広帯域化回路をさらに有する、請求項１ないし９のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１１】
前記第１通信システムは前記第１無線通信用集積回路を搭載する基板をさらに有し、
前記基板は複数の基材層と複数の導体層とを積層してなり、
前記フィルタ回路は、前記導体層によって構成され、前記基板に内蔵される、請求項１ないし１０のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１２】
前記第１通信システムは、前記第１周波数帯として９００ＭＨｚ帯を使用するＲＦＩＤシステムであり、
前記第２通信システムは、前記第２周波数帯として８５０ＭＨｚ帯または９００ＭＨｚ帯を使用するＧＳＭシステムである、請求項１ないし１１のいずれかに記載の通信装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の通信装置に用いられる無線通信デバイスであって、前記第１無線通信用集積回路と、前記第１無線通信用集積回路が搭載され、前記フィルタ回路を内蔵した基板とからなる、無線通信デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に従う通信装置(10：実施例で相当する参照符号。以下同じ)は、第１周波数帯をキャリア周波数とする第１通信信号を用いて通信し、第１通信信号を処理する第１無線通信用集積回路(32cp)を有する第１通信システム(28)、および第２周波数帯をキャリア周波数とする第２通信信号を用いて通信し、第２通信信号を処理する第２無線通信用集積回路(24)を有する第２通信システム(20)を備え、第１通信システムは、第１周波数帯と第２周波数帯の少なくとも一部とを通過帯域とし、第２通信信号の高調波成分を減衰させるフィルタ回路(30fc1~30fc6)をさらに有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、第１無線通信用集積回路および第１放射体は互いに並列する２つの信号線によって接続される。
【国際調査報告】
2013157288.tif 000028
2013157288.tif 000029
2013157288.tif 000030
2013157288.tif 000031