(57)【要約】  本発明は、パルス光の中心波長に対応させたバンドパスフィルタの透過波長域の変更を容易にするための構造を備えたレーザ装置に関する。レーザ装置では、種光源から出力されるパルス光のパルス幅を変更した場合に、パルス光の中心波長に応じてＢＰＦを通過させる光の透過波長域が変更される。
2012165487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心波長を調整可能なパルス光を出力する光源と、
前記光源から入力したパルス光のうち所定の透過波長域の光成分を選択的に透過させるよう制御可能であるバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタの前記透過波長域を、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長に応じて設定する設定部と
を備えることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記設定部は、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長を変更することにより、前記パルス光のパルス幅を変更することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記設定部は、前記パルス光の中心波長に応じて前記透過波長域を自動的に変更する制御部を含むことを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記設定部は、前記パルス光の中心波長と対応する透過波長域との関係が予め設定された複数種類の設定パターンから選択された設定パターンに従って、前記パルス光の中心波長と前記透過波長域を変更するように制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記パルス光の中心波長は、前記光源から出力されるパルス光のパルス幅に対応して設定されていることを特徴とする請求項４記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記バンドパスフィルタに入力する電圧の変更により、前記バンドパスフィルタの前記透過波長域の変更を行うことを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記バンドパスフィルタは、互いに異なる複数の透過波長域が設定可能であり、
前記制御部は、前記パルス光の中心波長に応じて前記複数の透過波長域のうちの１つを選択して設定することを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長に応じて前記バンドパスフィルタの前記透過波長域の幅も変更することを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記パルス光を増幅する増幅器をさらに備え、
前記バンドパスフィルタは、前記増幅器よりも後段に配置されて、前記増幅器により増幅された光のうち所定の透過波長域の光成分を選択的に透過させることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
前記バンドパスフィルタは、互いに異なる透過波長領域を有する複数のフィルタが並列して設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、レーザを用いた加工技術が注目されており、加工用、医療用等種々の分野において、高出力なレーザの需要が高まっている。特に、Ｙｂ等の希土類元素が添加された光ファイバを含み、励起光による増幅や共振器構造が採用されたファイバレーザは、扱いが容易であると共に、熱放射性が良いために大規模な冷却設備を必要としないという利点があり、注目されている。このファイバレーザの一つとして、光源から出力される光を直接変調もしくは外部変調することによりパルス化を行い、更に得られたパルス光を増幅することで高出力を達成するＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）型が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１５２５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発明者は、上述の従来技術を詳細に検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、ＦＰ（ファブリペロ）型のＬＤを用いたレーザ装置から出力されるパルス光のパルス幅を変更する場合、パルス光の中心波長が変化することがある。その場合、レーザ装置においてパルス光を増幅する増幅器等に、特定の波長帯域の光のみを透過させるバンドパスフィルタが用いられている場合には、パルス光の中心波長の変更に対応させて、バンドパスフィルタの透過波長帯域を変更させなければならないことが想定された。バンドパスフィルタの透過波長帯域が固定型である場合には、バンドパスフィルタ自体を交換する必要があり、透過波長帯域の変更が必ずしも容易ではない。【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、パルス光の中心波長に対応させたバンドパスフィルタの透過波長域の変更を容易にする構造を備えたレーザ装置の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係るレーザ装置は、第１の態様として、光源と、バンドパスフィルタと、設定部と、を備える。光源は、中心波長を調整可能なパルス光を出力する。バンドパスフィルタは、光源から入力したパルス光のうち所定の透過波長域の光成分を選択的に透過させるよう制御可能である。設定部は、バンドパスフィルタの透過波長域を、光源から出力されるパルス光の中心波長に応じて設定する。【０００７】
上記第１の態様のレーザ装置によれば、光源から出力されるパルス光の中心波長に応じて、設定部によりバンドパスフィルタを透過させる光の波長域が設定されるため、バンドパスフィルタの交換等を行うことなく透過波長域の変更をすることができる。【０００８】
ここで、上記第１の態様に適用可能な第２の態様として、設定部は、光源から出力されるパルス光の中心波長を変更することにより、パルス光のパルス幅を変更してもよい。また、上記第１および第２の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第３の態様として、設定部は、パルス光の中心波長に応じて透過波長域を自動的に変更する制御部を含んでもよい。上記第１〜第３の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第４の態様として、設定部は、パルス光の中心波長と対応する透過波長域との関係が予め設定された複数種類の設定パターンから選択された設定パターンに従って、パルス光の中心波長と前記透過波長域を変更するように制御してもよい。さらに、上記第１〜第４の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第５の態様として、パルス光の中心波長は、光源から出力されるパルス光のパルス幅に対応して設定されてもよい。【０００９】
上記第３の態様に適用可能な第６の態様として、制御部は、バンドパスフィルタに入力される電圧の変更により、バンドパスフィルタの透過波長域の変更を行ってもよい。上記第３または第６の態様に適用可能な第７の態様として、バンドパスフィルタは、互いに異なる複数の透過波長域が設定可能であり、制御部は、パルス光の中心波長に応じて複数の透過波長域のうちの１つを選択して設定してもよい。上記第３、第６および第７の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第８の態様として、制御部は、光源から出力されるパルス光の中心波長に応じてバンドパスフィルタの透過波長域の幅も変更することが可能である。【００１０】
上述のような第１〜第８の態様によれば、波長帯の幅を例えば狭くすることで、ＡＳＥ光など、バンドパスフィルタを透過させたい光以外の余剰な光をカットすることができ、安定した増幅効果を得ることが可能となる。【００１１】
また、上記第１〜第８の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第９の態様として、当該レーザ装置は、パルス光を増幅する増幅器をさらに備えてもよい。この第９に態様において、バンドパスフィルタは、増幅器よりも後段に設けられて、増幅器により増幅された光を入力して、所定の透過波長域の光を選択的に透過させるのが好ましい。【００１２】
さらに、上記第１〜第９の態様のうち少なくともいずれかに適用可能な第１０の態様として、バンドパスフィルタは、互いに異なる透過波長領域を有する複数のフィルタが並列して設けられてもよい。このように互いに異なる透過波長域を有するフィルタが並列して設けられることで、フィルタの切り替えが容易となり、より簡素な構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、パルス光の中心波長に対応させたバンドパスフィルタの透過波長域の変更が容易になる。また、従来のようにパルス光源の温度を変化させてパルス光自体の波長を変化させる方法と比較して、温度が安定するまでの待ち時間が不要となると共に、ＢＰＦを交換したり、ＢＰＦの透過波長域を手動で調整したりする必要がなくなる。したがって、本発明は、調整時間の短縮化、調整ミスによるレーザを含めた光部品の破壊などを防ぐことを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】は、従来のレーザ装置の概略構成を示す図である。
【図２】は、パルス光のパルス幅と中心波長との関係を示す図である。
【図３】は、種光源の温度とパルス光の中心波長との関係を示す図である。
【図４】は、バンドパスフィルタにおける透過波長の一例を示す図である。
【図５】は、本発明に係るレーザ装置の一実施形態の概略構成を示す図である。
【図６】は、バンドパスフィルタの制御方法の一例を説明するための図である。
【図７】は、バンドパスフィルタの制御方法の他の例を説明するための図である。
【図８】は、バンドパスフィルタに用いられる透過フィルタの構成を説明するための図である。
【図９】は、バンドパスフィルタの半値幅を狭くする場合について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。以下の説明では、まず従来のレーザ装置について説明した後に、本実施形態に係るレーザ装置の構成を説明する。
【００１６】
図１は、従来のレーザ装置の概略構成を示す図である。図１に示されたレーザ装置１は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）式のファイバレーザであって、種光源１０、パルス発生器１１、中間増幅器２０及び最終増幅器４０を備える。種光源１０は、好適にはレーザダイオードを含む。パルス発生器１１は、種光源１０を直接変調又は外部変調により変調させる。これにより、種光源１０からの光は、パルス光となる。すなわち、種光源１０及びパルス発生器１１は所定の出射時間帯に光を出力するパルス光源として機能する。中間増幅器２０は、種光源１０から出力された光を増幅する。最終増幅器４０は、中間増幅器２０により増幅された光をさらに増幅する。すなわち、このレーザ装置１では、パルス発生器１１により変調された種光源１０から出力されるパルス光が、中間増幅器２０及び最終増幅器４０により順次増幅される。そして、最終増幅器４０から出力されたパルス光は、該最終増幅器４０の後段に配置された伝搬用ファイバ５０を通過した後、出射端６０を介して当該レーザ装置１の外部に出力される。
【００１７】
パルス発生器１１は、種光源１０を変調させる装置であり、手動でパルス動作の開始／終了を制御できる機能と、外部からの制御信号等を利用してパルス動作の開始／終了を制御できる機能を有している。一般的に、パルス発生器１１に対して制御信号を送信する装置は、加工装置やＰＣ等、レーザ装置１とは異なる装置である場合が多い。
【００１８】
最終増幅器４０は、光アイソレータ４１、光コンバイナ４２、増幅用光ファイバ４３、及び励起光源４４を備える。
【００１９】
光アイソレータ４１は、中間増幅器２０から出力された光を光コンバイナ４２へ通過させるが、逆方向には光を通過させない。光コンバイナ４２は、光アイソレータ４１から到達した被増幅光を入力するとともに、励起光源４５から到達した励起光をも入力して、これら被増幅光および励起光を合波し、該合波光を増幅用光ファイバ４３へ出力する。
【００２０】
増幅用光ファイバ４３は、光コンバイナ４２から到達した被増幅光および励起光を導波させることで、被増幅光を増幅する。その増幅光は、最終増幅器４０の後段に配置されたデリバリ用光ファイバ５０へ出力される。デリバリ用光ファイバ５０は、増幅用光ファイバ４３から到達した光を一端から他端へ導波させ、該他端に接続する出射端６０から当該レーザ装置１の外部へ出力する。
【００２１】
増幅用光ファイバ４３は、二重クラッド構造の光ファイバであり、希土類元素（例えばＹｂ、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｔｍ、Ｈｏ、Ｔｂ等）が添加されている。増幅用光ファイバ４３は、被増幅光を導波させるコア領域と、このコア領域を取り囲み少なくとも励起光を導波させる内側クラッド領域と、この内側クラッド領域を取り囲む外側クラッド領域を含む。また、増幅用光ファイバ４３における励起光の吸収は、増幅用ファイバ４３の特性によって決定され、コアのＭＦＤと内側クラッド領域の径とコア領域の希土類添加濃度を調整することによって、主に変化する。例えば、添加濃度約１００００ｐｐｍ、ＭＦＤ約７μｍ、内側クラッド領域径約１３０μｍ、長さ５ｍのＹｂ添加ファイバでは、励起波長９１５ｎｍ帯（９１５±２０ｎｍ）で約２．４ｄＢの励起光が吸収される。なお、このファイバの吸収例ではＹｂ添加ファイバ増幅のために励起波長を９１５ｎｍ帯としたが、９４０ｎｍ帯（９４０±５ｎｍ）、９７６ｎｍ帯（９７６±５ｎｍ）帯を用いてもよい。
【００２２】
また、デリバリ用光ファイバ５０は、増幅用光ファイバ４３と同等のコア径およびＮＡを有する単一クラッド構造の光ファイバである。
【００２３】
なお、種光源１０の光は直接変調または外部変調のいずれかの方法を用いてパルス光として出力することができるが、レーザ装置１では直接変調を採用している。直接変調でパルス光を出力する場合、種光源１０に供給する電流の量を変動させることにより種光源１０からの光の出力／停止を切り替えることになり、定常的に流す電流回路と、外部からの変調機のパターンを受け取って種光源１０にそのパターンを供給する変調駆動部が設けられる。
【００２４】
ここで、種光源１０から出力されるパルス光のパルス幅に応じた中心波長特性を図２に示す。図２では、パルス光のパルス幅を５ｎｓ、１０ｎｓ、２０ｎｓとした場合のパルス光の出力強度を示しており、具体的には、グラフＧ２１０はパルス幅５ｎｓのパルス光の出力強度、グラフＧ２２０はパルス幅１０ｎｓのパルス光の出力強度、グラフＧ２３０はパルス幅２０ｎｓのパルス光の出力強度を、それぞれ示す。図２から判るように、パルス幅が変わると、中心波長が変化している。なお、上記特許文献１には、出力されるパルス光の中心波長の変動に伴って該パルス光のパルス幅も変動する光源が開示されており、パルス光の中心波長を変動させることにより該パルス光のパルス幅を調整することも可能である。ただし、従来のレーザ装置１では、中間増幅器２０の構成にバンドパスフィルタが含まれている場合、パルス光の中心波長が変化すると、バンドパスフィルタの透過波長域を変更する必要があるため、通常はパルス光の中心波長の変更の抑制を目的とした調整が行われる。
【００２５】
レーザ装置１の種光源１０として半導体レーザダイオード（ＬＤ）を用いた場合、ＬＤの特性として、設定温度を変化させたり、ＬＤに供給する電流の量を変化させたりすると、中心波長が変化することが知られている。このうち電流量を変化させることで中心波長を変化させようとすると、電流量の変化に対応させて中間増幅器２０などの設計が変更しなければならない場合がある。したがって、電流量を変化させることによりパルス光の中心波長を変更することは難しい。このため、パルス光のパルス幅変更に伴う中心波長の調整は、被増幅光の温度で調整することが多い。ここで、温度を変化させたときの種光源１０からのパルス光の中心波長の変化特性を図３に示す。
【００２６】
次に、中間増幅器２０において用いられることの多いバンドパスフィルタ（ＢＰＦ）の透過波長を図４に示す。ＢＰＦは、特定の波長域（透過波長域）の光のみを低い損失で透過させる特性を持っており、特定の波長域以外の光を高い損失で遮断する特性を持つ。すなわちＢＰＦは、所定の透過波長域の光を選択的に透過させる機能を有する。ＢＰＦには、図４で示すような低損失の透過波長域を手動で可変させる機能を有するもののほか、透過波長域が固定されたものもある。
【００２７】
ここで、ＢＰＦの透過波長域が固定であって、種光源１０からのパルス光の中心波長が変化した場合には、ＢＰＦ自体を中心波長に対応させたものに交換するか、種光源１０からのパルス光の温度を調整することで中心波長を変更させる方法が用いられる。しかし、種光源１０での温度を変更した際に、温度が安定するまでに待ち時間が必要だったり、種光源１０自体の寿命を縮ませるような高温領域に設定しなければならなかったり、種光源１０の動作が安定しない温度に設定する必要が有る場合がある。
【００２８】
また、ＢＰＦの透過波長域を手動で変更することが可能である場合は、パルス光のパルス幅の変更に伴う中心波長の変化に対応させて、手動でＢＰＦの透過波長域を調整する方法が好ましい。しかしながら、ＢＰＦの手動調整に伴う調整時間の長期化や調整ミスにより、レーザ装置１を構成する光部品を破壊する恐れがある。
【００２９】
そこで、上記の課題を解決することが可能な本実施形態に係るレーザ装置２の構成を図５に示す。図５のレーザ装置２では、ＢＰＦ３０が中間増幅器２０の後段に設けられる。そして、パルス発生器１１及びＢＰＦ３０に対して接続する制御部３２（設定部に含まれる）が設けられる。この制御部３２は、パルス光源から出力される前記パルス光の中心波長に応じた透過波長域に設定する設定部として機能する。また、制御部３２は、予め用意される設定パターン等の電子データを格納するメモリ３２０を含む。ＢＰＦ３０は、制御部３２からの信号に基づいて、ＢＰＦ３０における透過波長域を変更する機能を有する。そして、制御部３２は、パルス発生器１１により制御されるパルス光のパルス幅に応じて、ＢＰＦ３０を透過させる光の透過波長域の変更を指示する。なお、レーザ装置２では、中間増幅器２０が設けられているが、中間増幅器２０がない場合には、種光源１０と最終増幅器４０との間にＢＰＦ３０が設けられていればよい。したがって、中間増幅器２０は必須の構成ではない。
【００３０】
ＢＰＦ３０において、透過波長域を変更する方法としては、光の入力位置によって透過波長域が変化する特性を具備する透過フィルタ等を用いて、この透過フィルタに対して入力する光の位置を変更する方法、または、透過フィルタを回転させることで透過フィルタの位置自体を変化させること等により、透過フィルタと光の入力位置との相対的な位置関係を変更する方法が挙げられる。上記の機構であれば、ＢＰＦ３０の外部に設けられた制御部３２からの信号に基づいて、ＢＰＦ３０内部において透過波長域を変更することが可能である。
【００３１】
外部の制御部３２からＢＰＦ３０に対して信号を送信する方法としては、種光源１０から出力するパルス光のパルス幅の変更を指示する制御基板としての制御部３２から制御電圧信号をＢＰＦ３０に対して出力する方法が挙げられる。なお、種光源１０からのパルス光のパルス幅と、当該パルス幅のパルス光の中心波長との関係については、事前に把握することが好ましい（上記特許文献１参照）。
【００３２】
ＢＰＦ３０において透過させる光の波長帯域をどのように制御するかについては、例えば、図６に示すように、ＢＰＦ３０に対して入力される制御電圧に対して透過波長域を一様に変更させる方法が考えられる。また、上記の方法とは異なる方法として、図７で示すように、制御部３２において、予めパルス光の中心波長とＢＰＦ３０での透過波長とを対応付けたチャネル（設定パターン）を複数設けておき、チャネルを変更することによりパルス光のパルス幅とＢＰＦ３０における透過波長域との双方を変更する方法も考えられる。この場合、予め設定される複数種類のチャネル（設定パターン）は、制御部３２のメモリ３２０内に格納される。
【００３３】
具体的に図６では、バンドパスフィルタに与える電圧に対して、バンドパスフィルタの中心波長が依存して、リニアリティに変化する特性が示されている。図６に対して、図７は、電圧に対して連続的に変化するのではなく、ポジション設定値としてレベル毎に固定値を持たせて段階的に変化することが示されている。固定値を持っておけば、外部からの電圧の瞬動によって、バンドパスフィルタの中心波長が揺動する心配がない。例えば、ポジション１に設定すれば１０６０ｎｍ、ポジション２に設定すれば１０６１ｎｍ、ポジション３に設定すれば１０６４ｎｍ、などと決めることができる。被増幅光でのパルス幅が変化したときに、パルス幅５ｎｓを選択すれば、被増幅光の中心波長が１０６０ｎｍとなる。その場合、ポジション1に設定されるようになる。
【００３４】
また、ＢＰＦ３０における透過波長域を変化させる場合の透過フィルタの構造についても説明する。通常、透過フィルタとして用いられる媒体としては、誘電体多層膜フィルタが多く、作成される膜の素材によって、透過波長が決定される。本実施形態のＢＰＦ３０で用いられる透過波長域が可変であるフィルタは、互いに異なる透過波長域を有する複数のフィルタにより形成されたものであり、光が当たる場所によって透過波長域が異なる決定される特徴を有する。具体的には、図８（ｂ）にバンドパスフィルタの内部構造例が示されている。透過波長（λ１〜λｎ）が互いに異なる領域が並列したストライプ状の膜を形成することにより、簡素な構成で可変型のバンドパスフィルタを製造可能である。ストライプ形状は縦に配列されていても良いし、横に配列されていてもよい。この場合、図８（ａ）に示されたように、フィルタを設置し、膜位置を上下に移動させることにより、所望の中心波長となるように適正な膜位置を選択することで、調整が可能となる。
【００３５】
光増幅器の内部に配置されるバンドパスフィルタは、入出力ポートが光ファイバとなっている。バンドパスフィルタ内部では、光ファイバからの入出力端の先に、コリメータレンズが配置されている。このコリメータレンズが入力光をコリメートすることで得られたコリメート光が透過波長を決定するフィルタに入力される。フィルタを透過した光は出射端にて、再度コリメータレンズを通して集光され、出射側の光ファイバに結合される。図８（ｂ）では、ストライプ状に透過波長が異なるフィルタ膜を成膜されている状態を示しており、入力光がどの部分に当たるかで、バンドパスフィルタの透過特性が決定される。この図８（ａ）では、図８（ｂ）のフィルタ膜が水平方向に配列された状態を示しており、フィルタ自体を垂直方向に上下させることで、異なる透過波長特性をもつ部分にレーザ光を当てることが可能である。垂直方向に動作させる手段として、外部からの電圧を利用して、垂直方向に動作させれば、フィルタへの入力光の入射位置を変更させることができ、バンドパスフィルタ全体の特性として、外部からの電圧を用いて、バンドパスフィルタの中心透過波長を可変させることが可能となる。
【００３６】
また、上記フィルタに用いられる互いに異なる複数の透過波長域を有する膜の作成の際に、透過波長域の半値幅（定義は、フィルタにおける最小の損失と比較して損失の増加量が３ｄＢ以内の波長帯域を指す）が変化するような膜の形成を行ってもよい。パルス光の波長によっては、パルス光のスペクトル幅が変化する場合もあるため、パルス光のスペクトル幅に応じたＢＰＦ３０の透過特性を持つことが好ましい。ＢＰＦ３０において透過させる光のスペクトル幅が最適化できると、ＡＳＥ光等透過させたい光以外の余剰な光をカットすることができ、安定した増幅効果を得ることが可能となる。図９に、半値幅を狭くしたＢＰＦの透過スペクトルを示す。このように半値幅を変更させた膜をＢＰＦ３０に用いることも可能である。なお、図９において、グラフＧ９１０は狭幅透過帯域を有するＢＰＦの透過スペクトル、グラフＧ９２０は広狭幅透過帯域を有するＢＰＦの透過スペクトルを、それぞれ示す。
【００３７】
以上のように、本実施形態に係るレーザ装置２によれば、パルス幅を変更した場合に、従来のようにパルス光源の温度を変化させてパルス光自体の波長を変化させる方法と比較して、温度が安定するまでの待ち時間が不要となると共に、ＢＰＦ３０を交換したり、ＢＰＦ３０の透過波長域を手動で調整したりする必要がなくなる。したがって、当該レーザ装置２は、調整時間の短縮化、調整ミスによるレーザを含めた光部品の破壊などを防ぐことを可能にする。
【００３８】
なお、最終増幅器４０の後段にＢＰＦ３０を設ける構成としてもよい。この場合でも、ＢＰＦ３０により所定の波長帯域の光を選択的に透過させることができ、種光源１０から出力されたパルス光の中心波長に応じて、その通過波長帯域を容易に変更することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１，２…レーザ装置、１０…種光源、１１…パルス発生器、２０…中間増幅器、３０…バンドパスフィルタ、３２…制御部（設定部）、４０…最終増幅器、４１…光アイソレータ、４２…光コンバイナ、４３…増幅用光ファイバ、４４…励起光源、５０…デリバリ用光ファイバ、６０…出射端、３２０…メモリ。
【図１】
2012165487.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012165487.tif 000009
【図８】
2012165487.tif 000010
【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直接変調され、中心波長を調整可能なパルス光を出力する光源と、
前記光源から入力したパルス光のうち所定の透過波長域の光成分を選択的に透過させるよう制御可能であるバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタの前記透過波長域を、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長に応じた透過波長域に設定する設定部と
を備えることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記設定部は、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長を変更するとともに、変更した中心波長に応じて、前記透過波長域を変更することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記設定部は、前記パルス光の中心波長に応じて前記透過波長域を自動的に変更する制御部を含むことを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記設定部は、前記パルス光の中心波長と対応する透過波長域との関係が予め設定された複数種類の設定パターンから選択された設定パターンに従って、前記パルス光の中心波長と前記透過波長域を変更するように制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記パルス光の中心波長は、前記光源から出力されるパルス光のパルス幅に対応して設定されていることを特徴とする請求項４記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記バンドパスフィルタに入力する電圧の変更により、前記バンドパスフィルタの前記透過波長域の変更を行うことを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記バンドパスフィルタは、互いに異なる複数の透過波長域が設定可能であり、
前記制御部は、前記パルス光の中心波長に応じて前記複数の透過波長域のうちの１つを選択して設定することを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記光源から出力される前記パルス光の中心波長に応じて前記バンドパスフィルタの前記透過波長域の幅も変更することを特徴とする請求項３記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記パルス光を増幅する増幅器をさらに備え、
前記バンドパスフィルタは、前記増幅器よりも後段に配置されて、前記増幅器により増幅された光のうち所定の透過波長域の光成分を選択的に透過させることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
前記バンドパスフィルタは、互いに異なる透過波長領域を有する複数のフィルタが並列して設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のレーザ装置。
【国際調査報告】
2012165487.tif 000012
2012165487.tif 000013