(57)【要約】  反りや表面の平坦性の劣化が生じ難く、かつクラックの発生を効果的に抑制し得る多層配線基板を提供する。  基板本体２内において、第１の主面２ａから第２の主面２ｂに向かって設けられている複数の配線５ａ，５ｂが備えられており、配線５ａ，５ｂが、配線が構成されている少なくとも２つの絶縁体層のそれぞれに設けられたビア導体６ａ，８ａと、積層方向において隣り合う一方の絶縁体層２ｃに設けられたビア導体６ａと他方の絶縁体層２ｄに設けられたビア導体８ａとを接続しており、かつ非直線状の形状を有する配線導体７ａを有する、多層配線基板１。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の主面を有する基板本体と、前記基板本体内において、前記第１の主面から前記第２の主面側に向かって設けられている複数の配線とを備える多層配線基板であって、
前記基板本体は、積層された複数の絶縁体層を有し、
前記配線が、少なくとも１つの絶縁体層を貫通している複数のビア導体と、前記絶縁体層間に設けられており、前記ビア導体同士を接続している配線導体とを有し、少なくとも１つの配線が、非直線状の形状を有する配線導体を有する、多層配線基板。
【請求項２】
全ての前記配線が、非直線状の形状を有する前記配線導体を有する、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記配線が、前記第１の主面から前記第２の主面にまで到達するように設けられている、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
隣り合う前記配線間の距離が、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向かうにつれて長くなっている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記基板本体を前記第１の主面と垂直な方向から透視した場合に、前記配線内の複数の前記ビア導体が同一直線上に位置していない、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
１つの前記絶縁体層において前記第１の主面に平行な方向において隣り合う一方の前記ビア導体と他方のビア導体とが、異なる絶縁体層に設けられた前記配線導体に接続されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記１つの前記絶縁体層の一方面が前記基板本体の第１の主面を構成している、請求項６に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記複数の絶縁体層の内、一方面が前記第１の主面を構成している絶縁体層において、複数の第１の主面側外周ビア導体と、第１の主面側外周ビア導体で構成される外周に囲まれた領域内に配置されている複数の第１の主面側内周ビア導体とが設けられており、
前記複数の第１の主面側外周ビア導体を有する複数の配線における前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域が、第２の主面に垂直な方向から基板本体を透視した際に、前記第１の主面側外周ビア導体で囲まれた領域よりも大きな面積を有し、
前記第１の主面側内周ビア導体を有する複数の配線の前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側内周ビア導体が、第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域よりも内側に位置している、請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記配線導体が、第１の直線部分と、第１の直線部分の一端に連ねられており、第１の直線部分と交差する方向に延びる第２の直線部分とを有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
前記配線導体が、曲線状の形状を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
少なくとも１つのビア導体において、該ビア導体と絶縁体層との間に空隙が形成されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
少なくとも１つのビア導体内に空隙が形成されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記空隙は、前記絶縁体層の積層方向における前記配線導体の変曲点に位置する前記ビア導体に関して設けられる、請求項１１または１２に記載の多層配線基板。
【請求項１４】
第２の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積に比べ、該少なくとも１つの絶縁体層よりも第１の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積が小さくされている、請求項４に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビア導体及び配線導体を有する複数の配線が基板本体内に形成されている多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣなどの半導体素子を実装する基板として、多層配線基板が用いられている。半導体素子の外部端子は、高集積化に伴って高密度に配置されている。そこで、下記の特許文献１や特許文献２には、半導体素子などが搭載される上面に高密度に複数の電極が形成されている多層配線基板が開示されている。これらの多層配線基板では、下面に、より広いピッチで配置された複数の外部電極が形成されている。この複数の外部電極と、上面側の複数の電極とが、多層配線基板内に設けられている複数の配線により電気的に接続されている。各配線は、多層配線基板の絶縁体層を貫通するように設けられた複数のビア導体と、異なる絶縁体層に設けられたビア導体同士を絶縁体層間の界面で電気的に接続している配線導体とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−３００４８２号公報
【特許文献２】特開２００８−１６４５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１や特許文献２に記載の多層配線基板では、例えば特許文献１の図５に示されているように、１つの配線を構成している複数のビア導体及び複数の配線導体がある断面に現れている。すなわち、多層配線基板を平面視した場合、１つの配線を構成している複数のビア導体及び複数の配線導体が直線上に配置されている。このような多層配線基板では、多層配線基板の反りが生じ易かった。また、上面及び下面の平坦性が劣化しやすいという問題があった。さらに、多層配線基板に外部から衝撃が加わった場合、ビア導体や配線導体に衝撃が伝わりやすかった。そのため、多層配線基板にクラックが生じやすいという問題があった。【０００５】
本発明の目的は、反りの発生や表面の平坦性の劣化が生じ難く、かつクラックの発生を効果的に抑制し得る多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１及び第２の主面を有する基板本体と、前記基板本体内において、前記第１の主面から前記第２の主面側に向かって設けられている複数の配線とを備える多層配線基板である。本発明では、基板本体は、積層された複数の絶縁体層を有する。そして、前記配線が、少なくとも１つの絶縁体層を貫通している複数のビア導体と、前記絶縁体層間に設けられており、ビア導体同士を接続している配線導体とを有する。本発明では、少なくとも１つの配線が、非直線状の形状を有する配線導体を有する。【０００７】
本発明に係る多層配線基板のある特定の局面では、全ての配線において前記配線導体が非直線状の形状を有する。この場合には、多層配線基板の反りや表面の表面平坦性の劣化をより効果的に抑制することができる。【０００８】
本発明に係る多層配線基板の他の特定の局面では、前記配線が、前記第１の主面から前記第２の主面にまで到達するように設けられている。この場合には、第２の主面側において、外部と容易に電気的に接続することができる。【０００９】
本発明に係る多層配線基板のさらに特定の局面では、隣り合う前記配線間の距離が、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向かうにつれて長くなっている。この場合には、第１の主面に搭載される電子部品の外部との接続を、第２の主面側においてより一層容易に行うことができる。【００１０】
本発明に係る多層配線基板のさらに他の特定の局面では、前記基板本体を前記第１の主面と垂直な方向から透視した場合に、前記配線内の複数の前記ビア導体が同一直線上に位置していない。この場合には、外部から加わった衝撃による影響をより効果的に緩和することができる。従って、多層配線基板のクラックの発生をより効果的に抑制することができる。【００１１】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、１つの前記絶縁体層において前記第１の主面と平行な方向において隣り合う一方の前記ビア導体と他方のビア導体とが、異なる絶縁体層に設けられた前記配線導体に接続されている。この場合には、多層配線基板内で複数の配線をより高密度に構成することができる。【００１２】
特に、前記１つの前記絶縁体層の一方面が前記基板本体の第１の主面を構成している場合には、第１の主面側におけるビア導体の配置密度が高い場合であっても、複数の配線を多層配線基板内に容易に構成することができる。【００１３】
本発明に係る多層配線基板の別の特定の局面では、前記複数の絶縁体層の内、一方面が前記第１の主面を構成している絶縁体層において、複数の第１の主面側外周ビア導体と、第１の主面側外周ビア導体で構成される外周に囲まれた領域内に配置されている複数の第１の主面側内周ビア導体とが設けられている。そして、前記複数の第１の主面側外周ビア導体を有する複数の配線における前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域を、第２の主面に垂直な方向から基板本体を透視した際に、前記第１の主面側外周ビア導体で構成される前記外周で囲まれた領域よりも大きな面積を有する。また、前記第１の主面側内周ビア導体を有する複数の配線の前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側内周ビア導体が、第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域よりも内側に位置している。この場合には、第１の主面に搭載される電子部品の外部端子の高密度化に対してより一層容易に対応することができる。【００１４】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、前記配線導体が、第１の直線部分と、第１の直線部分の一端に連ねられており、第１の直線部分と交差する方向に延びる第２の直線部分とを有する。この場合には、外部から加わった衝撃を配線導体において効果的に緩和することができる。【００１５】
本発明に係る多層配線基板のさらに他の特定の局面では、前記配線導体が、曲線状の形状を有する。この場合には、配線に加わった衝撃をより一層効果的に緩和することができる。【００１６】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、少なくとも１つのビア導体において、該ビア導体と絶縁体層との間に空隙が形成されている。この場合には、多層配線基板に加わった衝撃を空隙により緩和することができる。従って、多層配線基板のクラックを抑制することができる。また、多層配線基板の反りや平面の平坦性の劣化をより効果的に抑制することができる。【００１７】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、少なくとも１つのビア導体内に空隙が形成されている。この場合には、多層配線基板に加わった衝撃をビア導体内部に設けられている空隙により緩和することができる。【００１８】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、前記空隙は、前記絶縁体層の積層方向における前記配線導体の変曲点に位置する前記ビア導体に関して設けられる。【００１９】
本発明に係る多層配線基板のさらに別の特定の局面では、第２の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積に比べ、該少なくとも１つの絶縁体層よりも第１の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積が小さくされている。この場合には、第１の主面側と第２の主面側との間の配線密度差による多層配線基板の反りや表面の平坦性の劣化をより効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る多層配線基板は、基板本体に構成されている配線において、非直線状の形状を有する配線導体を有する。従って、多層配線基板の反りや表面の平坦性の劣化を効果的に抑制することができる。また、外部から加わった衝撃を緩和することができ、多層配線基板におけるクラックの発生を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の略図的正面断面図であり、図１（ｂ）は、第１の実施形態における多層配線基板内に構成されている複数の配線を略図的に示す模式的平面図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施形態において、多層配線基板内に構成されている配線の要部を拡大して示す斜視図であり、図２（ｂ）及び図２（ｃ）は、配線導体の変形例を示す各平面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態の多層配線基板における配線の構成を説明するための各模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態の多層配線基板における配線の構成を説明するための各模式的平面図である。
【図５】図５は、第１の実施形態の変形例に係る多層配線基板の複数の配線を略図的に示す基板本体の模式的平面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板のさらに他の変形例を示す各略図的正面断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板における複数の配線の配置構造を説明するための模式的平面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第２の実施形態の多層配線基板の複数の配線の構成を説明するための各模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第２の実施形態の多層配線基板の複数の配線の構成を説明するための各模式的平面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る多層配線基板における複数の配線の配置を説明するための各模式的平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板を説明するための略図的正面断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板上に電子部品素子が搭載されている状態を示す略図的正面断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第５の実施形態に係る多層配線基板を示す模式的正面断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る多層配線基板の略図的正面断面図である。
【図１５】図１５は、第５の実施形態の変形例に係る多層配線基板の変形例を示す略図的正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより本発明を明らかにする。
【００２３】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の略図的正面断面図であり、（ｂ）は、該多層配線基板内に構成されている複数の配線を略図的に示す模式的平面図である。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、多層配線基板１は、基板本体２を有する。基板本体２は、第１の主面２ａと、第１の主面２ａと反対側の面である第２の主面２ｂとを有する。第１の主面２ａは、ＩＣチップなどの電子部品や測定用プローブカードなどが搭載される実装面である。従って、第１の主面２ａ上には、複数の電極３ａ〜３ｃが形成されている。
【００２５】
第２の主面２ｂ上には、複数の端子電極４ａ〜４ｃが形成されている。複数の電極３ａ〜３ｃの配置密度に比べ、複数の端子電極４ａ〜４ｃの配置密度が低くなっている。複数の電極３ａ〜３ｃが高密度に配置されているため、例えばＩＣチップなどの高密度に配置されている複数の端子を、複数の電極３ａ〜３ｃに接合することができる。他方、第２の主面２ｂ側においては、複数の端子電極４ａ〜４ｃ間のピッチが大きいため、外部と容易に電気的接続を行うことができる。
【００２６】
複数の電極３ａ〜３ｃは、後述する複数の配線により、それぞれ、端子電極４ａ〜４ｃに電気的に接続されている。
【００２７】
上記基板本体２は、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇを有する。すなわち、基板本体２の第１の主面２ａ側から順に、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇが積層されている。第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇは、適宜の絶縁性材料からなる。このような材料としては、絶縁性セラミックスまたは合成樹脂などを用いることができる。
【００２８】
本実施形態では、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇは、セラミックスからなり、一体焼成されている。すなわち、複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体焼成することにより基板本体２が構成されている。
【００２９】
本実施形態では、基板本体２は、低温焼結セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃ）からなる。ＬＴＣＣは、１０５０℃以下の温度で焼結可能である。また、比抵抗が小さいＡｕ、ＡｇまたはＣｕなどと同時焼成可能である。従って、比較的低温での焼成で、導電性に優れた配線を内部に構成することができる。上記ＬＴＣＣとしては、例えば、アルミナ、ジルコニア、マグネシア、フォルステライトなどのセラミック粉末などにホウケイ酸ガラスを混合してなるガラス複合系ＬＴＣＣ材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ３系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系ＬＴＣＣ材料などを用いることができる。さらに、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック粉末などを用いた非ガラス系ＬＴＣＣ材料を用いてもよい。
【００３０】
なお、本実施形態では、基板本体２は、ＬＴＣＣからなるが、１０５０℃より高い温度で焼結されるアルミナ、窒化アルミニウムなどの他のセラミックス材料により構成されていてもよい。
【００３１】
本実施形態では、説明を容易とするために、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇが積層されているが、基板本体２における複数の絶縁体層の層数は特に限定されるものではない。また、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇの各厚みについても特に限定されるものではない。
【００３２】
また、前述した複数の電極３ａ〜３ｃ及び複数の端子電極４ａ〜４ｃは、適宜の金属などの導電性材料からなる。
【００３３】
基板本体２内には、複数の電極３ａ〜３ｃを複数の端子電極４ａ〜４ｃにそれぞれ電気的に接続するために、複数の配線５ａ〜５ｃが形成されている。
【００３４】
複数の配線５ａ〜５ｃの内、配線５ａを代表して配線５ａ〜５ｃの構造を説明する。配線５ａの上端が、電極３ａに電気的に接続されており、下端が端子電極４ａに電気的に接続されている。配線５ａは、第１の主面２ａ側から第２の主面２ｂに至るように構成されている。より詳細には、配線５ａは、第１の主面２ａ側から、ビア導体６ａ、配線導体７ａ、ビア導体８ａ、配線導体９ａ、ビア導体１０ａ、配線導体１１ａ、ビア導体１２ａ、配線導体１３ａ、ビア導体１４ａを有する。ビア導体６ａ、ビア導体８ａ、ビア導体１０ａ、ビア導体１２ａ、ビア導体１４ａは、それぞれ、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇを貫通するように設けられている。このようなビア導体６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａ，１４ａは、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇを形成するための各セラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、該貫通孔に導電ペーストを充填することなどにより形成することができる。
【００３５】
ビア導体６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａ，１４ａは円柱状の形状を有するが、円筒状であってもよく、角柱状などの他の適宜の形状を有していてもよい。
【００３６】
配線導体７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａは、それぞれ、基板本体２における上記積層方向において隣り合うビア導体を電気的に接続している。例えば、配線導体７ａを例にとると、配線導体７ａは、第１の絶縁体層２ｃに設けられたビア導体６ａと、第２の絶縁体層２ｄに設けられたビア導体８ａとを電気的に接続している。配線導体７ａは、第１の絶縁体層２ｃと第２の絶縁体層２ｄとの界面に形成されている。製造に際しては、第２の絶縁体層２ｄを形成するためのセラミックグリーンシート上に導電ペーストをスクリーン印刷等により形成することにより、配線導体７ａを形成することができる。
【００３７】
なお、図１（ａ）において基板本体２の中央部に配置される配線５ｂは基板本体２の主面に垂直な方向に直線状に配置されているが、これに限定されるものではなく、配線５ｂを形成する各ビア導体が非直線状の形状を有する配線導体を介して接続されていてもよい。
【００３８】
図１（ｂ）は、本実施形態の多層配線基板１内における複数の配線５ａ〜５ｉの平面形状を模式的に示す基板本体２の透視図である。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う部分に相当する端面を示す。すなわち、図１（ａ）では、配線５ａ〜５ｃが設けられている断面のみが示されている。従って、第１の絶縁体層２ｃを貫通しているビア導体として、前述したビア導体６ａと、ビア導体６ｂ，６ｃが図示されている。
【００３９】
これに対して、実際には、図１（ｂ）に示すように、基板本体２の第１の主面２ａにおいて、ビア導体６ａ〜６ｃ以外に、ビア導体６ｄ〜６ｉも露出している。すなわち、基板本体２内には、複数の配線５ａ〜５ｉが構成されている。複数の配線５ａ〜５ｉは第１の主面２ａから第２の主面２ｂ側に向かって放射状に拡がっている。言い換えれば、隣り合う配線間のピッチは、第１の主面２ａ側から第２の主面２ｂ側にいくにつれて大きくなっている。なお、図１（ｂ）においては、基板本体２の異なる高さ位置にあるビア導体及び配線導体を区別するために、図示のようにハッチングを異ならせている。言い換えれば、同じハッチングで示すビア導体及び配線導体は同じ高さ位置に設けられている。また、図１（ｂ）では、各ビア導体及び配線導体の形成されている絶縁体層及び絶縁体層間の界面の位置を明確にするために、略図的に第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇの外形を異ならせて図示してある。
【００４０】
配線５ａを例にとると、ビア導体６ａが第１の絶縁体層２ｃ上に露出しており、配線導体７ａが第１の絶縁体層２ｃと第２の絶縁体層２ｄとの界面に位置している。そして、ビア導体８ａが、第２の絶縁体層２ｄを貫通するように設けられている。
【００４１】
このように、本実施形態では、多数の配線５ａ〜５ｉの全てが基板本体２の断面の同一端面には現れておらず、基板本体２を平面視した場合、マトリックス状に配置されているビア導体６ａ〜６ｉの内中心に位置するビア導体６ｂに対して放射状に分散されている。よって、配線５ａ〜５ｉと基板本体２との焼成に際しての収縮挙動の差による基板の反りや基板本体２の平坦性の劣化が生じ難くされている。
【００４２】
加えて、本実施形態の他の特徴は、配線導体７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａが非直線状の平面形状を有することにある。図１（ｂ）の配線導体７ａ，９ａが設けられている部分を図２に拡大して示す。図２に示すように、配線導体７ａは、基板本体２における積層方向において隣り合うビア導体６ａとビア導体８ａとを電気的に接続している。配線導体７ａが、ビア導体６ａとビア導体８ａとを直線的には接続してはいない。すなわち、配線導体７ａは、非直線状の形状を有する。より具体的には、本実施形態では図２に略図的に示す直線部分Ｘ１と直線部分Ｘ２とが角度θをなすように連なっている形状を有する。この角度θは、１８０°未満の角度とされている。配線導体９ａについても同様である。
【００４３】
また、図１（ｂ）から明らかなように、複数の配線５ａ〜５ｉのいずれにおいても、配線導体は配線導体７ａと同様に非直線状の形状とされている。
【００４４】
従って、例えば第１の主面２ａ上に接合されもしくは当接される外部機器の端子による応力がビア導体６ａに加わったとてしも、該応力が非直線状の配線導体７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａにより緩和される。仮に、各配線導体が直線状の形状であるとした場合には、第１の主面側においてビア導体に加わった応力が、第２の主面側に直線的に伝わる。
【００４５】
これに対して、本実施形態では、配線導体７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａが非直線状の形状とされているため、このような応力の伝達を効果的に抑制することができる。それによって、実使用時や温度変化が加わった際の応力による反りを抑制することができる。また、表面の平坦性の劣化も効果的に抑制することができ、さらにクラックの発生も効果的に抑制することができる。特に、本実施形態では、配線５ａを例にとると、ビア導体６ａからビア導体１４ａに至る配線５ａにおいて、平面形状がジクザク状の形状とされているため、上記応力をより効果的に緩和することができる。他の配線５ｂ〜５ｉにおいても同様である。
【００４６】
よって、本実施形態では、複数の配線５ａ〜５ｉが、１）第１の主面２ａから第２の主面２ｂ側に向かって互いに遠ざかるように配置されているため、並びに上記のように配線導体が非直線状の形状とされていることによって、基板本体２の反りや表面の平坦性の劣化を効果的に抑制でき、実使用時のクラックの発生を効果的に抑制することができる。
【００４７】
なお、図２では、直線部分Ｘ１と直線部分Ｘ２とが角度θをなすように連ねられていたが、非直線状の形状である限り、配線導体７ａは、図２（ｂ）に示すように、曲線状の形状等や、図２（ｃ）に示すように、蛇行形状等適宜の形状とすることができる。
【００４８】
上記基板本体２の製造に際しては、第１〜第５の絶縁体層２ｃ〜２ｇを順に積層し、一体焼成すればよい。一例を図３（ａ），（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）を参照して説明する。すなわち、図３（ａ）に示すビア導体６ａ〜６ｉが形成されている第１のセラミックグリーンシートを用意する。なお、図３（ａ）においても、理解を容易とするために、第１の絶縁体層２ｃの外形を実際よりも小さく描いているが、実際には、第２〜第５の絶縁体層と同じ外形寸法を有する。
【００４９】
なお、以下においては、配線５ａを構成する部分のみを代表して説明することとする。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁体層２ｃの下面に配線導体７ａ及びビア導体８ａを有する第２の絶縁体層２ｄを構成するためのセラミックグリーンシートを積層する。さらに、図４（ａ）に示すように、配線導体９ａ及びビア導体１０ａを有する第３の絶縁体層２ｅを積層する。さらに、図４（ｂ）に示すように、第４の絶縁体層２ｆを積層し、最後に第５の絶縁体層２ｇを積層し、一体焼成すればよい。
【００５１】
なお、図３（ａ），（ｂ）及び図４（ａ），（ｂ）では、第１の絶縁体層２ｃから第５の絶縁体層２ｇをこの順序で積層する工程を示したが、実際の製造に際しては、逆に、下方の第５の絶縁体層２ｇ上に、第４の絶縁体層２ｆ、第３の絶縁体層２ｅ、第２の絶縁体層２ｄ及び第１の絶縁体層２ｃを構成する各セラミックグリーンシートを積層し、一体焼成してもよい。
【００５２】
図５は、第１の実施形態の変形例に係る多層配線基板における複数の配線を略図的に示す基板本体の模式的平面図である。本変形例では、第１の主面側のビア導体６ａの中心と、第２の主面側のビア導体１４ａの中心とを結ぶ直線Ｚ１上に、中間に位置しているビア導体８ａ，１０ａ，１２ａの中心が位置していない。より具体的には、直線Ｚ１の両側にビア導体８ａ，１０ａ，１２ａが分散されている。特に、ビア導体８ａ，１０ａ，１２ａが直線Ｚ１内の一方側及び他方側に交互に配置されている。それによって、配線の平面形状におけるジグザグ形状の程度が第１の実施形態の場合と比べて大きくされている。従って、ビア導体６ａに加わった応力をより一層効果的に緩和することが可能とされている。このように、１つの配線を構成する複数のビア導体は同一直線上に配置されている必要はなく、非直線状に配置されていることがより一層望ましい。
【００５３】
なお、他の配線５ｂ〜５ｉにおいても、同様に、第１の主面２ａ側に位置しているビア導体６ｂ〜６ｉと、第２の主面２ｂ側に位置しているビア導体とを結ぶ直線の両側に交互に中間のビア導体が分散配置されている。もちろん、全ての配線５ａ〜５ｉにおいて、第１の主面２ａ側に位置しているビア導体６ａ〜６ｉと、第２の主面２ｂ側に位置しているビア導体とを結ぶ直線の両側に交互に中間のビア導体を分散配置する必要も必ずしもない。
【００５４】
第１の実施形態では、各配線５ａ〜５ｉにおいて、全ての配線導体が非直線状の形状とされていたが、１つの配線において、全ての配線導体が非直線状の形状を有している必要は必ずしもない。すなわち、１または２以上の配線導体が直線状の形状を有していてもよい。
【００５５】
また、全ての配線５ａ〜５ｉが、非直線状の配線導体を有する必要も必ずしもない。すなわち、少なくとも１つの配線において、上記非直線状の形状の配線導体を有するように構成されていればよい。
【００５６】
図６（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態の多層配線基板のさらに他の変形例を示す各略図的正面断面図である。図６（ａ）に示す多層配線基板２１では、第４及び第５の絶縁体層２ｆ，２ｇに比べ、第１〜第３の絶縁体層２ｃ〜２ｅの面積が小さくされている。より具体的には、第３の絶縁体層２ｅの面積が第４の絶縁体層２ｆよりも面積が小さくされており、第２の絶縁体層２ｄ及び第１の絶縁体層２ｃの面積が、それぞれより一層小さくされている。すなわち、図１（ｂ）に示したように、本実施形態では、複数の配線５ａ〜５ｉ間の間隔が、第１の主面２ａから第２の主面２ｂ側に向かうにつれて拡がっている。そのため、第１の実施形態では、第１の主面２ａ側において、ビア導体が高密度に存在している部分と、ビア導体が存在していない部分とが生じる。従って、この密度差に起因して基板本体にうねりが生じるおそれがある。
【００５７】
これに対して、図６（ａ）に示した変形例では、ビア導体の配置密度が高くなる程、絶縁体層の面積が小さくされている。そのため、各絶縁体層におけるビア導体の配置密度差を小さくすることができる。よって、基板本体２を得るための焼成工程における基板の反りをより効果的に抑制することができる。
【００５８】
図６（ａ）では、第３の絶縁体層２ｅから第１の絶縁体層２ｃに向かって順に面積を小さくしたが、図６（ｂ）に示すように、第１〜第３の絶縁体層２ｃ〜２ｅを同じ面積とし、かつ第４，第５の絶縁体層２ｆ，２ｇより小さくしてもよい。
【００５９】
図７は、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板における複数の配線の配置構造を示す模式的平面図である。図８（ａ），（ｂ）は、第２の実施形態における各絶縁体層に設けられているビア導体及び配線導体の位置関係を説明するための各模式的平面図である。
【００６０】
本実施形態では、図８（ａ）において、模式的に示す第１〜第４の絶縁体層３２ｃ〜３２ｆが積層されている。図８（ａ）〜図９（ｂ）においても、前述した図３（ａ）〜図４（ｂ）と同様に、複数の絶縁体層３２ｃ〜３２ｆの外形を各絶縁体層位置に設けられるビア導体及び配線導体を明確にするために異ならせて図示している。実際には、絶縁体層３２ｃ〜３２ｆは同じ面積である。
【００６１】
第１の絶縁体層３２ｃには、複数のビア導体３６ａ，３６ｂ，３６ｃなどがマトリックス状に設けられている。代表例として、マトリックス状に配置された複数のビア導体の内、外周に位置する外周ビア導体３６ａ，３６ｂと、内周ビア導体で囲まれた領域内に配置された内周ビア導体３６ｃを説明することとする。
【００６２】
図８（ｂ）に示すように、第２の絶縁体層３２ｄには、ビア導体３８ａ及び配線導体３７ａが設けられている。配線導体３７ａは、ビア導体３６ａの下端に接続されている。すなわち、図８（ａ）のビア導体３６ａの下端は、第２の絶縁体層３２ｄ上に設けられている配線導体３７ａに電気的に接続されている。本実施形態においても、配線導体３７ａは、非直線状の形状を有している。
【００６３】
他方、図９（ａ）に示すように、第３の絶縁体層３２ｅには、ビア導体４０ａ及び配線導体３９ａが設けられている。配線導体３９ａは、ビア導体４０ａに接続されるように、第３の絶縁体層３２ｅ上に設けられている。配線導体３９ａの他端側は、前述したビア導体３８ａの下端に電気的に接続されている。
【００６４】
他方、第３の絶縁体層３２ｅには、ビア導体４０ｂが設けられており、第３の絶縁体層３２ｅ上には、配線導体３９ｂが設けられている。ビア導体４０ｂは、第３の絶縁体層３２ｅを貫くように設けられており、第３の絶縁体層３２ｅ上に設けられた配線導体３９ｂに接続されている。なお、図８（ａ）に示したビア導体３６ｂは、第１の絶縁体層３２ｃだけでなく、第２の絶縁体層３２ｄをも貫通しており、配線導体３９ｂに接続されている。
【００６５】
図８（ａ）に示したビア導体３６ｃは、第１の絶縁体層３２ｃから第３の絶縁体層３２ｅまでを貫通するように設けられている。
【００６６】
他方、図９（ｂ）に示すように、第４の絶縁体層３２ｆには、ビア導体４２ａが設けられている。ビア導体４２ａは、第４の絶縁体層３２ｆを貫通しており、第２の主面側に至っている。このビア導体４２ａに電気的に接続されるように、第４の絶縁体層３２ｆ上に配線導体４１ａが設けられている。配線導体４１ａは、前述した図９（ａ）のビア導体４０ａの下端に電気的に接続されている。このようにして、図７に示す配線３５ａが構成されている。
【００６７】
他方、図８（ａ）においてビア導体３６ａと隣り合っているビア導体３６ｂは、前述したように、第２の絶縁体層３２ｄをも貫き、第３の絶縁体層３２ｅ上に設けられた配線導体３９ｂに接続されている。そして、ビア導体４０ｂは、図９（ｂ）に示す配線導体４１ｂに接続されている。配線導体４１ｂは、第４の絶縁体層３２ｆ上に形成されている。第４の絶縁体層３２ｆを貫通するようにビア導体４２ｂが設けられている。ビア導体４２ｂは、第４の絶縁体層３２ｆの下面すなわち第２の主面に至っている。このようにして、図７に示す配線３５ｂは、ビア導体３６ｂ、配線導体３９ｂ、ビア導体４０ｂ、配線導体４１ｂ及びビア導体４２ｂを付与するように構成されている。
【００６８】
図７に示すように、外周ビア導体であるビア導体３６ａ及びビア導体３６ｂは隣り合っており、ビア導体３６ａ，３６ｂ間の距離が非常に短い。そのため、本実施形態では、ビア導体３６ａを含む配線３５ａでは、ビア導体３６ａは第２の絶縁体層３２ｄ上に設けられている配線導体３７ａに接続されている。隣のビア導体３６ｂは、第３の絶縁体層３２ｅ上に設けられている配線導体３９ｂに電気的に接続されている。すなわち、隣り合うビア導体３６ａ，３６ｂが異なる高さ位置に設けられている配線導体に電気的に接続されている。
【００６９】
図７に示すように、本実施形態では、第１の絶縁体層３２ｃに設けられている複数のビア導体が多数であるため、外周ビア導体において、隣り合うビア導体が異なる高さ位置に設けられた配線導体に電気的に接続されている。それによって、複数の配線を構成することが容易とされている。本実施形態においても、各配線３５ａ，３５ｂにおいては、配線導体、例えば配線導体３７ａ，３９ａ，４１ａ，３９ｂ，４１ｂが非直線状の形状を有している。よって、第１の実施形態と同様に、外部からの応力を効果的に緩和し、クラックの発生を抑制することが可能とされている。
【００７０】
また、第１の主面側に露出している複数のビア導体の内、上記外周ビア導体に囲まれている内周ビア導体３６ｃは、第１の絶縁体層３２ｃだけでなく、第２及び第３の絶縁体層３２ｄ，３２ｅをも貫通し、第４の絶縁体層３２ｆの上面に至っている。そして、内周ビア導体３６ｃは第４の絶縁体層３２ｆの上面に設けられた配線導体４１ｃに電気的に接続されている。配線導体４１ｃは、第４の絶縁体層３２ｆを貫通しているビア導体４２ｃに接続されている。このようにして、配線３５ｃが構成されている。
【００７１】
また、本実施形態では、第１の主面側外周ビア導体３６ａ，３６ｂが接続されている第２の主面側外周ビア導体４２ａ，４２ｂに比べ、内周ビア導体３６ｃが電気的に接続されている第２の主面側の内周ビア導体４２ｃは内側に位置している。すなわち、ビア導体４２ｃは、第２の主面側内周ビア導体とされている。他の内周ビア導体も同様に引き出されている。よって、第２の主面側において多数のビア導体が十分な間隔をもって配置されていることになる。従って、多数のビア導体を外部と容易に電気的に接続することができる。
【００７２】
このように、本発明においては、第１の主面側の複数のビア導体を、異なる高さ位置に設けられた配線導体に電気的に接続していてもよい。それによって、多数のビア導体を無理なく主面側に引き出すように配線を構成することができる。
【００７３】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る多層配線基板における複数の配線の配置を説明するための各模式的平面図である。本実施形態においても、図１０（ａ）に示すように、第１の主面４５ａ上において、マトリックス状に複数のビア導体が露出している。すなわち、図１０（ａ）は、第１の絶縁体層４５ｃの平面図であり、複数の第１の主面側外周ビア導体４６ａ，４６ｂと、外周ビア導体で囲まれた矩形枠状の領域内に配置された複数の第１の主面側内周ビア導体４６ｃが設けられている。図１０（ｂ）は、第２の絶縁体層４５ｄ上に設けられている配線導体と、第２の絶縁体層４５ｄを貫通しているビア導体を、上記第１の絶縁体層４５ｃを貫通しているビア導体と共に示す図である。外周ビア導体４６ａ，４６ｂが、第２の絶縁体層４５ｄ上に設けられた配線導体４７ａ，４７ｂに接続されている。配線導体４７ａ，４７ｂは、第１の実施形態と同様に、非直線状の形状を有している。また、配線導体４７ａ，４７ｂは、ビア導体４８ａ，４８ｂに電気的に接続されている。ビア導体４８ａ，４８ｂは、第２の絶縁体層４５ｄを貫通しており、さらに図１０（ｃ）に示すように、第３の絶縁体層４５ｅをも貫通し、下面に至るように形成されている。本実施形態では、第３の絶縁体層４５ｅの下面が第２の主面を構成している。
【００７４】
他方、内周ビア導体４６ｃを例にとると、内周ビア導体４６ｃは、第１の絶縁体層４５ｃだけでなく、第２の絶縁体層４５ｄをも貫通している。そして、第３の絶縁体層４５ｅ上に設けられた配線導体４９ｃに電気的に接続されている。配線導体４９ｃは、第３の絶縁体層４５ｅを貫通しているビア導体５０ｃに電気的に接続されている。ビア導体５０ｃは、第３の絶縁体層４５ｅの下面すなわち第２の主面に至っている。このように、外周側に位置している外周ビア導体４６ａ，４６ｂは、絶縁体層４５ｅの下面に至っている第２の主面側外周ビア導体４８ａ，４８ｂに接続されている。他方、内周ビア導体４６ｃは、第２の主面側外周ビア導体であるビア導体４８ａ，４８ｂよりも第２の主面において内側に位置している第２の主面側内周ビア導体であるビア導体５０ｃに接続されている。従って、本実施形態においても、多数の第１の主面側のビア導体を、第２の主面側において十分な間隔を隔てるようにして引き出すことが可能とされている。
【００７５】
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る多層配線基板を説明するための略図的正面断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、一部のビア導体において、ビア導体と絶縁体層との間に空隙が形成されていること、及び第６の絶縁体層２ｈがさらに積層されていることにある。すなわち、第２の絶縁体層２ｄにおけるビア導体８ａを例にとると、ビア導体８ａの周囲に空隙５１が形成されている。この空隙５１は、ビア導体８ａと第２の絶縁体層２ｄとの間に位置している。平面視した場合、ビア導体８ａを囲む枠状の空隙５１が形成されている。第２の絶縁体層２ｄ及び第３の絶縁体層２ｅに位置している他のビア導体においても同様に空隙５１が形成されている。このような空隙が設けられていると、たとえビア導体８ａに応力が加わった場合、該応力が空隙が設けられていることにより緩和される。すなわち、配線５ａにおいて、応力が空隙５１の存在により効果的に吸収されることとなる。
【００７６】
本実施形態の多層配線基板は、上記空隙５１が設けられていることを除いては第１の実施形態とほぼ同様である。そのため、第１の実施形態と同様に、基板の反りを抑制し、基板表面の平坦性を改善することができるだけでなく、空隙５１の存在により、クラックの発生をより効果的に抑制することができる。なお、空隙５１は、全てのビア導体の周囲に設けられていてもよいが、好ましくは、本実施形態のように、第１の絶縁体層２ｃや第２の主面側の第６の絶縁体層２ｈに位置しているビア導体の周囲には設けないことが望ましい。それによって、耐湿性の劣化を抑制することができる。
【００７７】
図１２は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る多層配線基板の要部を示す略図的正面断面図である。本実施形態では、図１２においても第２の絶縁体層２ｄに設けられているビア導体８ａと第２の絶縁体層２ｄとの間に空隙５１が設けられている。ビア導体８ａは、断面略台形の形状とされている。このように、ビア導体の断面形状についても特に限定されるものではない。
【００７８】
図１３は、本発明の第５の実施形態に係る多層配線基板を説明するための模式的正面断面図である。本実施形態では、図１２に示した実施形態の変形例に相当する。ここでは、配線５ａにおいて、ビア導体６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａ，１４ａ，１６ａが図示のように配置されている。言い換えれば、仮想線Ｐで示すように、配線５ａが折れ曲がっている。この折れ曲がっている部分に相当する、すなわち配線の積層方向における変曲点に位置しているビア導体１０ａにおいて、ビア導体１０ａの周囲に空隙５１が設けられている。このように、積層方向に延びる配線の変曲点及び変曲点近傍に位置しているビア導体において、ビア導体と絶縁体層との間に空隙５１を設けることが望ましい。外部からの応力は特にこの変曲点及び変曲点近傍にかかりやすいため、上記構成を備えることにより、一部のビア導体の周囲に空隙を設けた構造において、より効果的に外部からの応力を緩和することができる。
【００７９】
図１４は、図１２に示した実施形態の変形例に係る多層配線基板の略図的正面断面図である。図１１では、ビア導体８ａ，１０ａの周囲に空隙５１が設けられていたが、図１４に示すように、ビア導体８ａ，１０ａの中心を貫くように筒状の空隙５１Ａを設けてもよい。同様に、図１５は、図１３に示した実施形態の変形例に係る多層配線基板の略図的正面断面図である。ここでも、配線５Ａの変曲点に位置するビア導体１０ａの内部に空隙５１Ａが設けられている。このように、応力を吸収するための空隙はビア導体の外周と絶縁体層との間に設けてもよく、あるいはビア導体内部に設けてもよい。また、変曲点に位置するビア導体に関連して空隙が設けられる態様としても、ビア導体の外周と絶縁体層との間やビア導体内部など任意である。
【００８０】
なお、図１１〜図１４に示した実施形態及び変形例においても、第１の実施形態と同様に、複数の配線導体の内少なくとも１つの配線導体が非直線状の形状を有するため、第１の実施形態と同様に、基板の反りを抑制し、基板表面の平坦性を改善することができるとともに、クラックの発生を効果的に抑制することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１…多層配線基板
２…基板本体
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
２ｃ…第１の絶縁体層
２ｄ…第２の絶縁体層
２ｅ…第３の絶縁体層
２ｆ…第４の絶縁体層
２ｇ…第５の絶縁体層
２ｈ…第６の絶縁体層
３ａ〜３ｃ…電極
４ａ〜４ｃ…端子電極
５Ａ…配線
５ａ〜５ｉ…配線
６ａ，８ａ，１０ａ，１２ａ，１４ａ，１６ａ…ビア導体
６ｂ〜６ｉ…ビア導体
７ａ，９ａ，１１ａ，１３ａ…配線導体
２１…多層配線基板
３２ｃ…第１の絶縁体層
３２ｄ…第２の絶縁体層
３２ｅ…第３の絶縁体層
３２ｆ…第４の絶縁体層
３５ａ，３５ｂ，３５ｃ…配線
３６ａ，３６ｂ，３６ｃ…ビア導体
３７ａ，３９ａ，３９ｂ，４１ａ，４１ｂ…配線導体
３７ｃ…配線導体
３８ａ…ビア導体
３９ｃ…配線導体
４０ａ…ビア導体
４０ｂ…ビア導体
４１ａ…配線導体
４１ｂ…配線導体
４１ｃ…配線導体
４２ａ，４２ｂ，４２ｃ…ビア導体
４５ａ…第１の主面
４５ｃ…第１の絶縁体層
４５ｄ…第２の絶縁体層
４５ｅ…第３の絶縁体層
４６ａ，４６ｂ，４６ｃ…ビア導体
４７ａ，４７ｂ…配線導体
４８ａ，４８ｂ…ビア導体
４９ｃ…配線導体
５０ｃ…ビア導体
５１…空隙
５１Ａ…空隙 
【図１】
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【図２】
2013111767.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2013111767.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年10月6日(2014.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の主面を有する基板本体と、前記基板本体内において、前記第１の主面から前記第２の主面側に向かって設けられている複数の配線とを備える多層配線基板であって、
前記基板本体は、積層された複数の絶縁体層を有し、
前記配線が、少なくとも１つの絶縁体層を貫通している複数のビア導体と、前記絶縁体層間に設けられており、前記ビア導体同士を接続している配線導体とを有し、少なくとも１つの配線が、非直線状の形状を有する配線導体を有し、
前記複数の絶縁体層の内、一方面が前記第１の主面を構成している絶縁体層において、複数の第１の主面側外周ビア導体と、第１の主面側外周ビア導体で構成される外周に囲まれた領域内に配置されている複数の第１の主面側内周ビア導体とが設けられており、
前記複数の第１の主面側外周ビア導体を有する複数の配線における前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域が、第２の主面に垂直な方向から基板本体を透視した際に、前記第１の主面側外周ビア導体で囲まれた領域よりも大きな面積を有し、
前記第１の主面側内周ビア導体を有する複数の配線の前記第２の主面側端部に位置している複数の第２の主面側内周ビア導体が、前記第２の主面側外周ビア導体で囲まれた領域よりも内側に位置している、多層配線基板。
【請求項２】
全ての前記配線が、非直線状の形状を有する前記配線導体を有する、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記配線が、前記第１の主面から前記第２の主面にまで到達するように設けられている、請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項４】
隣り合う前記配線間の距離が、前記第１の主面側から前記第２の主面側に向かうにつれて長くなっている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記基板本体を前記第１の主面と垂直な方向から透視した場合に、前記配線内の複数の前記ビア導体が同一直線上に位置していない、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
１つの前記絶縁体層において前記第１の主面に平行な方向において隣り合う一方の前記ビア導体と他方のビア導体とが、異なる絶縁体層に設けられた前記配線導体に接続されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記１つの前記絶縁体層の一方面が前記基板本体の第１の主面を構成している、請求項６に記載の多層配線基板。
【請求項８】
前記配線導体が、第１の直線部分と、第１の直線部分の一端に連ねられており、第１の直線部分と交差する方向に延びる第２の直線部分とを有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項９】
前記配線導体が、曲線状の形状を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１０】
少なくとも１つのビア導体において、該ビア導体と絶縁体層との間に空隙が形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１１】
少なくとも１つのビア導体内に空隙が形成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の多層配線基板。
【請求項１２】
前記空隙は、前記絶縁体層の積層方向における前記配線導体の変曲点に位置する前記ビア導体に関して設けられる、請求項１０または１１に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
第２の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積に比べ、該少なくとも１つの絶縁体層よりも第１の主面側に位置している少なくとも１つの絶縁体層の面積が小さくされている、請求項４に記載の多層配線基板。
【国際調査報告】
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