(57)【要約】  搬入出部と、支持部と、下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、搬入出部、支持部、及び塗布部を並設配置する架台と、架台上に配置される搬送部材と、搬入出部、支持部、及び塗布部の間を架台の上面と平行に移動するステージと、制御装置と、を備えた半導体ブロック接着装置であって、接着剤が、下記成分（１）〜（５）：（１）多官能（メタ）アクリレート、（２）単官能（メタ）アクリレート、（３）重合開始剤、（４）硬化促進剤、（５）粒状物質を含む。
2013022096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
前記半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドに吸着された前記半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及び前記アクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
前記下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部を並設配置する架台と、
前記架台上に配置され、前記搬入出部、前記支持部及び前記塗布部の間を延伸する搬送部材と、
前記架台上において前記搬送部材上を摺動可能に取り付けられ、前記半導体ブロック、前記下地基板、又は前記下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部の間を、前記架台の上面と平行に移動するステージと、
前記ステージ上に前記半導体ブロックを配置して前記支持部へ搬送し、前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げた後、前記ステージを前記搬入出部へ搬送し、前記ステージ上に前記下地基板を載せた前記下地基板を前記塗布部に搬送させ、前記塗布部において前記接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、前記半導体ブロックを下方に降ろして前記下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
前記接着剤が、下記成分（１）〜（５）：
（１）多官能（メタ）アクリレート、
（２）単官能（メタ）アクリレート、
（３）重合開始剤、
（４）硬化促進剤、
（５）粒状物質  
を含むことを特徴とする半導体ブロック接着装置。
【請求項２】
前記ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項３】
前記成分（１）が、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーからなる群のうちの１種以上である請求項１又は２に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項４】
前記成分（２）が、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート及び２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項５】
前記接着剤が、前記成分（３）を少なくとも含む第１剤と、前記成分（４）を少なくとも含む第２剤とを混合することにより得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤である請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項６】
前記成分（３）が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項７】
前記成分（４）が、β−ジケトンキレート及び／又はβ―ケトエステルである請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。  
【請求項８】
前記成分（５）が、平均粒径０．００１〜２００μｍの有機粒子又は無機粒子を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項９】
前記成分（１）が、ポリエステル系ウレタン（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレートからなる群のうちの１種類以上であり、
前記成分（２）が、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート及び２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上であり、
前記成分（３）が、クメンハイドロパーオキサイドであり、
前記成分（４）が、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの１種類以上であり、
前記成分（５）が、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子、架橋ポリスチレン粒子からなる群のうちの一種類以上を含む有機粒子又はセラミック粒子を含む無機粒子の少なくとも１種である請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１０】
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
前記半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、前記吸着パッドに接続され、前記吸着パッドに吸着された前記半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及び前記アクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
前記下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部を並設配置する架台と、
前記架台上に配置され、前記搬入出部、前記支持部及び前記塗布部の間を延伸する搬送部材と、
前記架台上において前記搬送部材上を摺動可能に取り付けられ、前記半導体ブロック、前記下地基板、又は前記下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、前記搬入出部、前記支持部、及び前記塗布部の間を、前記架台の上面と平行に移動するステージと、
前記ステージ上に前記半導体ブロックを配置して前記支持部へ搬送し、前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げた後、前記ステージを前記搬入出部へ搬送し、前記ステージ上に前記下地基板を載せた前記下地基板を前記塗布部に搬送させ、前記塗布部において前記接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、前記半導体ブロックを下方に降ろして前記下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
前記接着剤が、下記成分（ａ）〜（ｆ）：
（ａ）一般式（Ａ）の化合物；
一般式（Ａ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｒ1
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ1はフェニル基又は炭素数１〜３個のアルキル基を有するフェニル基を示す。Ｒ2は−Ｃ2Ｈ4−、−Ｃ3Ｈ6−、−ＣＨ2ＣＨ(ＣＨ3)−、−Ｃ4Ｈ8−又は−Ｃ6Ｈ12−を示し、ｐは１〜10の整数を表す。〕
（ｂ）一般式（Ｂ）の化合物；
一般式（Ｂ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｈ
〔式中、Ｚ、Ｒ2及びｐは前述の通りである。〕
（ｃ）一般式（Ｃ）の化合物；
【化１】
2013022096.tif 000010
〔式中、Ｚ、及びＲ2は前述の通りである。Ｒ3は水素又は炭素数１〜４個のアルキル基を示し、ｑは０〜８の整数を表す。２個のＺ、２個のＲ2、２個のＲ3、２つのｑは同一でも異なってもよい。〕
（ｄ）一般式（Ｄ）の化合物；
一般式（Ｄ） Ｚ−Ｏ−Ｒ4
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ4 は炭素数５〜１６個のアルキル基を表す。〕
（ｅ）重合開始剤
（ｆ）硬化促進剤
を含むことを特徴とする半導体ブロック接着装置。
【請求項１１】
前記ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１２】
前記接着剤が、（ｇ）エラストマーを更に含む（メタ）アクリル系接着剤である請求項１０又は１１に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１３】
前記接着剤が、前記成分（ｅ）を少なくとも含む第１剤と、前記成分（ｆ）を少なくとも含む第２剤とを混合することにより得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤である請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１４】
前記成分（ｅ）が、β−ジケトンキレート及び／又はβ―ケトエステルである請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１５】
前記成分（ｅ）として、クメンハイドロパーオキサイドを、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して０．５〜１０質量部含む請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１６】
前記接着剤が、（ｈ）リン酸塩を含む請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１７】
前記接着剤が、パラフィン類と酸化防止剤を含む請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１８】
前記成分（ａ）が、フェノキシエチル（メタ）アクリレートを含み、前記成分（ｂ）が、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートを含み、前記成分（ｃ）が、２、２−ビス［４−（（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパンを含み、前記成分（ｄ）が、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含み、前記成分（ｅ）がクメンハイドロパーオキサイドを含み、前記成分（ｆ）がバナジルアセチルアセトネートを含む請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の半導体ブロック接着装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８の何れか１項に記載の半導体ブロック接着装置を用いた半導体ブロック接着方法であって、
半導体ブロックを前記ステージ上に載せ、前記半導体ブロックを前記搬入出部から前記支持部に搬送するステップと、
前記支持部において前記半導体ブロックを前記ステージの上方へ持ち上げるステップと、
前記ステージを前記支持部から前記搬入出部に戻し、前記ステージ上に下地基板を載せるステップと、
前記下地基板を載せた前記ステージを前記搬入出部から前記塗布部へ搬送するステップと、
前記塗布部において、前記下地基板上に接着剤を塗布するステップと、
塗布後の前記下地基板を載せた前記ステージを前記塗布部から前記支持部へ搬送し、接着剤が塗布された前記下地基板上に前記半導体ブロックを載せ、前記下地基板と前記半導体ブロックとを接着するステップと、
接着後の半導体ブロックを、前記支持部から前記搬入出部へ搬送するステップと
を含む半導体ブロック接着方法。
【請求項２０】
請求項１９の半導体ブロック接着方法により得られる下地基板付き半導体ブロックを複数の薄板状に切断し、
切断後の前記下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、
前記温水中において前記下地基板と前記半導体ブロックとを剥離すること
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハは、半導体集積回路や太陽電池等の基板に広く用いられている。半導体ウエハを製造する方法としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体インゴットを所定の寸法で切断してブロック状にした後、ブロック状の半導体材料（以下「半導体ブロック」という）と下地基板とを接着剤を用いて接着する。その後、下地基板を接着した半導体ブロックを薄板状に切断し、半導体ブロックから下地基板を剥離する。【０００３】
特許文献１では、シリコンブロックの表面にエポキシ系の接着剤を塗布し、半導体ブロックと台座とを接着した後、スライシングを行い、スラリー除去、ウエハ剥離、乾燥、検査等を経て、シリコンウエハを製造する方法を開示している。特許文献２では、エポキシ系接着剤を用いて、シリコンインゴットと支持台を接着し、接着後のインゴットを複数個の薄板に切断した後、エポキシ系接着剤を熱可塑化させてインゴットと支持台とを分離することにより、シリコンウエハを製造する方法を開示している。【０００４】
特許文献３には、シリコンインゴットに、取付ステーを接着するための接着装置の例が開示されている。特許文献４及び特許文献５には、アクリル系接着剤の例が開示されている。特許文献６及び７には、２液型の接着剤を塗布するための装置及び方法の例が開示されている。特許文献８及び９には、ホットメルト接着剤の成分としてβジケトンキレートが用いられる例が開示されている。特許文献１０には、カーボンに接着されウエハ列を温水中に浸漬させ、接着剤を軟化させることによりウエハ列を剥離させる装置及び方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２００３７４号公報
【特許文献２】特開平８−４５８８１号公報
【特許文献３】特開２００３−２０５５１７号公報
【特許文献４】特開昭５９−２５８５５号公報
【特許文献５】特開昭５９−１８７７３号公報
【特許文献６】特開２００９−１８２６５号公報
【特許文献７】特開２００９−１１４４５５号公報
【特許文献８】特開２００９−２９５８９５号公報
【特許文献９】特開２００６−１８８６２７号公報
【特許文献１０】特開２０００−２０８４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載された方法では、シリコンブロックと台座とを接着する接着剤としてエポキシ系接着剤を用いている。エポキシ系接着剤は、主剤（エポキシ樹脂）と硬化剤とを一定量の割合でそれぞれ反応させて硬化させる必要があるため、主剤と硬化剤との混合比にズレが生じると、未反応部分が発生し、接着剤としての性能に変化が生じる場合がある。また、エポキシ系樹脂は、アルカリ溶剤やハロゲン系有機溶剤を用いて剥離する必要があるため、有機溶剤の洗浄工程が煩雑である。【０００７】
更にエポキシ系樹脂は、時間が経つにつれて接着剤の粘度が変化するため、連続的管理が難しい。そのため使用の際は作業員が必要な時期に必要な量だけ作製し、手作業によりブロック上に塗布していた。また、エポキシ系樹脂を使用した場合、自動化が困難で、半導体ウエハの製造効率を向上させることも難しい。【０００８】
シリコンブロックと台座とを接着する接着剤として、特許文献１及び２のようなエポキシ系樹脂の代わりに、例えば特許文献４〜９に記載されるようなアクリル系接着剤を、特許文献３に記載されるような接着装置に適用して、シリコンブロックと台座とを接着することも考えられる。しかしながら、特許文献１に記載された装置は、インゴットの搬送と、取付ステーの準備及び搬送とを、それぞれ独立した別機構で行っているため、装置が大型化する。更に、位置合わせ機構も複雑で、全体としての装置構成及び制御機構も複雑化している。特許文献４、５に記載されたアクリル系接着剤は、一旦接着した後に接着剤を剥離することを要する半導体ウエハ用接着剤として使用することについて記載はない。更に、アクリル系接着剤は、エポキシ系樹脂に比べて硬化速度が速いため、接着剤塗布から接着までの作業時間のタイミングを計ることが難しいが、特許文献６〜９には、良く知られた接着剤又は接着剤の一成分が例示されているだけで、本発明のように半導体インゴットに対して接着剤を自動的に塗布して下地基板を接着させるための接着剤及び、半導体インゴット接着後に温水中で有効に剥離させるための接着剤としては更なる検討の余地がある。特許文献１０に記載されたウエハ剥離装置は、固定部材に接着されたウエハ列からウエハを１枚ずつ剥離する機構は示されているものの、ウエハ列に固定部材をどのように接着するかについては、一切記載がされていない。【０００９】
上記課題を鑑み、本発明は、装置の省スペース化、簡略化、及び接着剤塗布の自動化が可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは上記課題を解決するために鋭意研究したところ、半導体ブロックと下地基板とを接着する際に、半導体ブロックと下地基板の搬送経路の適切化を図ることを検討した。これにより、装置の省スペース化、制御機構の簡略化及び接着剤塗布の自動化が可能とする適切な装置を見出した。更に、取り扱い性及び接着性の強度及び剥離性の観点から、本発明者らがこの装置に好適な接着剤について鋭意検討したところ、下記に説明する接着剤を使用することにより、自動化が可能で、半導体ブロックと下地基板とを迅速に接着させることができ、半導体ウエハの製造効率の向上に有効であることを見出した。【００１１】
上記知見を基礎として完成した本発明は一側面において、
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、吸着パッドに接続され、吸着パッドに吸着された半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及びアクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
搬入出部、支持部、及び塗布部を並設配置する架台と、
架台上に配置され、搬入出部、支持部及び塗布部の間を延伸する搬送部材と、
架台上において搬送部材上に摺動可能に取り付けられ、半導体ブロック、下地基板、又は下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、搬入出部、支持部、及び塗布部の間を、架台の上面と平行に移動するステージと、
ステージ上に半導体ブロックを配置して支持部へ搬送し、支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げた後、ステージを搬入出部へ搬送し、ステージ上に下地基板を載せた下地基板を塗布部に搬送させ、塗布部において接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、半導体ブロックを下方に降ろして下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
接着剤が、下記成分（１）〜（５）：
（１）多官能（メタ）アクリレート、
（２）単官能（メタ）アクリレート、
（３）重合開始剤、
（４）硬化促進剤、
（５）粒状物質  
を含む半導体ブロック接着装置である。【００１２】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備える。【００１３】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は別の一実施態様において、成分（１）が、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーからなる群のうちの１種以上である。【００１４】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（２）が、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート及び２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上である。【００１５】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、接着剤が、成分（３）を少なくとも含む第１剤と、成分（４）を少なくとも含む第２剤とを混合することにより得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤である。【００１６】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（３）が、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート及びこれらの組み合わせよりなる群から選択される。【００１７】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（４）が、β−ジケトンキレート及び／又はβ―ケトエステルである。【００１８】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（５）が、平均粒径０．００１〜２００μｍの有機粒子又は無機粒子を含む。【００１９】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（１）が、ポリエステル系ウレタン（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレートからなる群のうちの１種類以上であり、成分（２）が、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート及び２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上であり、成分（３）が、クメンハイドロパーオキサイドであり、成分（４）が、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの１種類以上であり、成分（５）が、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子、架橋ポリスチレン粒子からなる群のうちの一種類以上を含む有機粒子又はセラミック粒子を含む無機粒子である。【００２０】
本発明は、別の一側面において、
半導体ブロック及び下地基板の搬入及び搬出を行う搬入出部と、
半導体ブロック表面に吸着する吸着パッド、吸着パッドに接続され、吸着パッドに吸着された半導体ブロックを空気圧により上下に移動させるアクチュエータ、及びアクチュエータに接続されたエア機器を備える支持部と、
下地基板上に接着剤を自動的に塗布する塗布機構を備えた塗布部と、
搬入出部、支持部、及び塗布部を並設配置する架台と、
架台上に配置され、搬入出部、支持部及び塗布部の間を延伸する搬送部材と、
架台上において搬送部材上に摺動可能に取り付けられ、半導体ブロック、下地基板、又は下地基板接着後の半導体ブロックを載せて、搬入出部、支持部、及び塗布部の間を、架台の上面と平行に移動するステージと、
ステージ上に半導体ブロックを配置して支持部へ搬送し、支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げた後、ステージを搬入出部へ搬送し、ステージ上に下地基板を載せた下地基板を塗布部に搬送させ、塗布部において接着剤を塗布させ、塗布後の下地基板を半導体ブロックの下方へ搬送させ、半導体ブロックを下方に降ろして下地基板と接着させる動作を制御する制御装置と、
を備えた半導体ブロック接着装置であって、
接着剤が、下記成分（ａ）〜（ｆ）：
（ａ）一般式（Ａ）の化合物；
一般式（Ａ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｒ1
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ1はフェニル基又は炭素数１〜３個のアルキル基を有するフェニル基を示す。Ｒ2は−Ｃ2Ｈ4−、−Ｃ3Ｈ6−、−ＣＨ2ＣＨ(ＣＨ3)−、−Ｃ4Ｈ8−又は−Ｃ6Ｈ12−を示し、ｐは１〜10の整数を表す。〕
（ｂ）一般式（Ｂ）の化合物；
一般式（Ｂ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｈ
〔式中、Ｚ、Ｒ2及びｐは前述の通りである。〕
（ｃ）一般式（Ｃ）の化合物；
【化１】
2013022096.tif 000003
〔式中、Ｚ、及びＲ2は前述の通りである。Ｒ3は水素又は炭素数１〜４個のアルキル基を示し、ｑは０〜８の整数を表す。２個のＺ、２個のＲ2、２個のＲ3、２つのｑは、同一でも異なってもよい。〕
（ｄ）一般式（Ｄ）の化合物；
一般式（Ｄ） Ｚ−Ｏ−Ｒ4
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ4 は炭素数５〜１６個のアルキル基を表す。〕
（ｅ）重合開始剤
（ｆ）硬化促進剤
を含む半導体ブロック接着装置である。【００２１】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は一実施態様において、ステージ上に配置された、前記半導体ブロック及び前記下地基板の位置合わせ用の板状のガイドを更に備える。【００２２】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は別の一実施態様において、接着剤が、（ｇ）エラストマーを更に含む（メタ）アクリル系接着剤である。【００２３】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、接着剤が、成分（ｅ）を少なくとも含む第１剤と、成分（ｆ）を少なくとも含む第２剤とを混合することにより得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤である。【００２４】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（ｅ）が、β−ジケトンキレート及び／又はβ―ケトエステルである。【００２５】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（ｅ）として、クメンハイドロパーオキサイドを、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して０．５〜１０質量部含む。【００２６】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、接着剤が、（ｈ）リン酸塩を含む。【００２７】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、接着剤が、パラフィン類と酸化防止剤を含む。【００２８】
本発明に係る半導体ブロック接着装置は更に別の一実施態様において、成分（ａ）が、フェノキシエチル（メタ）アクリレートを含み、成分（ｂ）が、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートを含み、成分（ｃ）が、２、２−ビス［４−（（メタ）アクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパンを含み、成分（ｄ）が、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレートを含み、成分（ｅ）がクメンハイドロパーオキサイドを含み、成分（ｆ）がバナジルアセチルアセトネートを含む。【００２９】
本発明は更に別の一側面において、上記の半導体ブロック接着装置を用いた半導体ブロック接着方法であって、
半導体ブロックをステージ上に載せ、半導体ブロックを搬入出部から支持部に搬送するステップと、
支持部において半導体ブロックをステージの上方へ持ち上げるステップと、
ステージを支持部から搬入出部に戻し、ステージ上に下地基板を載せるステップと、
下地基板を載せたステージを搬入出部から塗布部へ搬送するステップと、
塗布部において、下地基板上に接着剤を塗布するステップと、
塗布後の下地基板を載せたステージを塗布部から支持部へ搬送し、接着剤が塗布された下地基板上に半導体ブロックを載せ、下地基板と半導体ブロックとを接着するステップと、
接着後の半導体ブロックを、支持部から搬入出部へ搬送するステップと
を含む半導体ブロック接着方法である。【００３０】
本発明は更に別の一側面において、上記の半導体ブロック接着方法により得られる下地基板付き半導体ブロックを複数の薄板状に切断し、
切断後の下地基板付き半導体ブロックを温水中に浸漬し、
温水中において下地基板と半導体ブロックとを剥離すること
を含む半導体ウエハの製造方法である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、装置の省スペース化、簡略化、及び接着剤塗布の自動化が可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法及び半導体ウエハの製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置を上面からみた場合の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置を上面からみた場合の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置を上面からみた場合の一例を示す概略図である。
【図５】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置の支持部の詳細例を示す概略図である。
【図６】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置の支持部の動作の一例を示す概略図である。
【図７】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置の支持部の動作の一例を示す概略図である。
【図８】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着方法の一例を示すフローチャートである。
【図９（ａ）】図９（ａ）は、本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法の一例を示す工程概略図である。
【図９（ｂ）】図９（ｂ）は、本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法の一例を示す工程概略図である。
【図９（ｃ）】図９（ｃ）は、本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法の一例を示す工程概略図である。
【図１０】本発明の第１及び第２の実施の形態に係る半導体ウエハ製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面は模式的なものであり、厚みと平均寸法の関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。
【００３４】
（第１の実施の形態）
−半導体ブロック接着装置−
図１〜２に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置１は、半導体ブロック８及び下地基板７の搬入及び搬出を行う搬入出部２と、半導体ブロック８を支持し、半導体ブロック８を上下に移動させる支持部３と、接着剤を下地基板７上に塗布する塗布部４と、制御装置５と、表示装置６とを備える。  
【００３５】
搬入出部２、支持部３、塗布部４は架台１１上に配置されている。架台１１上には、架台１１の上面上に配置され、搬入出部２、支持部３、塗布部４の間を、架台１１の上面と平行に延伸する、例えばレールなどの搬送部材１２が配置されている。この搬送部材１２上に沿って、１台のステージ１３が、搬送部材１２上を摺動可能に取り付けられている。図１の概略図及び図２の上面図に示すように、搬入出部２には、半導体ブロック８又は下地基板７の位置を決めるための板状のガイド２１が、ステージ１３の端部においてステージ１３の上面に対して垂直に配置されている。ガイド２１を備えることにより、半導体ブロック８及び下地基板７の位置合わせが容易になる。また、後述する支持部３により半導体ブロック８を支持する場合においても、半導体ブロック８がずれることなく確実に支持できる。なお、図２では、ステージ１３の両脇に、板状のガイド２１がそれぞれ１つずつ配置される例を示しているが、ガイドは１つのみでも構わない。また、ガイドの代わりに、光学式位置合わせ機構等を備えていても構わない。  
【００３６】
図５に示すように、支持部３は、搬送部材１２（図示せず）又はステージ１３を跨るように搬送部材１２の上方に架設された支柱部３１と、支柱部３１から下方に懸架された複数の吸着パッド３２及び複数のアクチュエータ３３と、エア機器３４とを備える。アクチュエータ３３としては、エアシリンダー等を用いることにより、比重が大きい半導体ブロック８を落下させることなく上下に安定的に移動させることができる。吸着パッド３２は、半導体ブロック８の長手方向に沿って並ぶように複数個配置されている。吸着パッド３２の数に特に制限はないが、例えば半導体ブロック８として１５６×１５６×２００ｍｍの直方体状のシリコンインゴットを用いる場合は、吸着パッド３２を４〜６つ程度備えていれば安定的に半導体ブロック８を保持できる。図６に示すように、空気圧により上下するアクチュエータ３３を駆動して吸着パッド３２を下方に移動させ、真空引きして吸着パッド３２を半導体ブロック８表面に吸着させた後、図７に示すように上方に駆動させる。これにより、搬送部材１２又はステージ１３の上方で半導体ブロック８を支持することが可能である。
【００３７】
一般に、半導体ブロック８として利用されるＳｉブロックは、比重が大きい上に高価なため、取り扱いに注意を要する。図５に示す構造を具備することにより、Ｓｉブロックに損傷を与えることなく半導体ブロック８を確実に吸着させることができるため、作業効率が高くなる。
【００３８】
図１に示すように、塗布部４は、搬送部材１２の上方に跨るように架設された支柱部４１と、支柱部４１に固定されたシリンジ４２と、シリンジ４２を介して接着剤を吐出させるディスペンサ４３とを含む塗布機構を備える。塗布部４は、図示しない駆動手段によりステージ１３の移動方向と垂直方向且つ架台１１に水平方向（即ち図１の奥行き方向）にシリンジ４２を移動させるとともに、ステージ１３をステージ１３の移動方向（即ち図１の左右方向）に移動させることにより、下地基板７の全面に接着剤を塗布する。接着剤の下地基板７上への塗布形状は特に制限されない。例えば下地基板７の表面全面にドット状にマトリクス状に配置してもよいし、表面全面に放射状、矩形状又はメアンダライン状に配置してもよい。
【００３９】
塗布部４はスタティックミキサーを備えるのが好ましい、スタティックミキサーにより混合することで、後述する接着剤中に含まれる重合開始剤と硬化促進剤とを十分に反応させることができる。接着剤としてエポキシ系接着剤を用いる場合は、４０〜６０コマ程度必要であり混合作業に注意を要するが、第１の実施の形態に係る接着剤を用いた場合、スタティックミキサーのコマ数は６コマ程度で済み、混合作業を簡略化できる。
【００４０】
第１の実施の形態に好適な接着剤としては、成分（１）〜（５）を含む接着剤を用いるのが好ましい。好ましくは、成分（３）を少なくとも含む第１剤と、成分（４）を少なくとも含む第２剤とを混合することにより得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤が用いられる。
【００４１】
一般に、２剤（メタ）アクリル系接着剤は、２液の混合比がばらついていても硬化後の物性があまり変わらないため、連続的に作業を行う図１に示す装置には特に好適である。しかしながら一般的に利用される（メタ）アクリル系接着剤では接着力が高いために剥離が難しい。一方、第１の実施の形態に用いられる成分（１）〜（５）を含む接着剤は、９０℃以下の温水と接触して膨潤する性質を有するため、半導体ブロック８と下地基板７との剥離が容易になる。更に、エポキシ系接着剤と比べて剥離の際に特別な溶剤を必要としないため剥離作業が容易になる。更に、第１の実施の形態に係る接着剤は、エポキシ系樹脂に比べて硬化速度が著しく速いため、接着剤塗布から接着までの作業時間を図１の装置を用いて自動化し、短縮化できる。本発明は、半導体ウエハの製造効率を更に向上できる。接着剤の組成の詳細は、後述する。
【００４２】
制御装置５は、ステージ１３の移動を制御するステージ制御部５１と、半導体ブロック８の支持及び昇降を制御するブロック昇降制御部５２と、ディスペンサ４３の吐出速度、吐出量、吐出時間及びシリンジ４２を搬送部材１２の上方で移動させるための駆動手段の動作を制御するディスペンサ制御部５３を含む。制御装置５は、後述する接着工程における搬入出部２、支持部３、塗布部４、ステージ１３の動作を制御する。制御装置５は表示装置６に接続されている。制御装置５は、表示装置６を介して作業者からの各種設定条件の入力を受け付けるとともに、運転状況を表示装置６に表示させることができる。表示装置６としては例えばタッチパネル等が用いられる。
【００４３】
このように、第１の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置によれば、架台１１上に架台１１の上面に水平に敷設された搬送部材１２上を摺動するステージ１３が、半導体ブロック８と下地基板７の搬送を行うため、半導体ブロック８と下地基板７とを別々の搬送経路に分けて搬送する装置に比べて装置の省スペース化及び簡略化が図れる。また、支持部３に配置されたエア機器３４により半導体ブロック８を上下に移動させる構成を具備しているため、アームなどによって半導体ブロック８を物理的に挟持場合にくらべて、小型化が可能であり、確実且つ簡便に半導体ブロック８を支持できる。更に、ステージ１３を搬送部材１２上で摺動させるだけで、支持部３及び塗布部４の所定の位置へ半導体ブロック８及び下地基板７を搬送することができるので、細かい位置合わせが不要で、作業効率も向上する。
【００４４】
−半導体ブロック接着方法−
次に、図１〜図７の概略図及び図８のフローチャートを用いて、第１の実施の形態に係る半導体ブロック接着方法を説明する。
【００４５】
図８のステップＳ１１において、図２に示すように、所定の形状に切削された半導体ブロック８を、ガイド２１を用いて搬入出部２のステージ１３上の所定の位置に載置し、半導体ブロック８を載せたステージ１３を搬入出部２から支持部３に搬送する（図３参照）。
【００４６】
ステップＳ１３において、図６に示すように、空気圧により上下に移動するアクチュエータを動かして半導体ブロック８表面に吸着パッド３２を配置し、真空吸着させる。その後、吸着パッド３２に吸着された半導体ブロック８を図７に示すように、ステージ１３の上方へ持ち上げる。
【００４７】
ステップＳ１５において、ステージ１３を支持部３から搬入出部２に戻し、ステージ１３上に下地基板７を載せる。その後、下地基板７を載せたステージ１３を、搬入出部２から半導体ブロック８の下を通って塗布部４へ搬送する。
【００４８】
ステップＳ１７において、塗布部４で、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を下地基板７の表面全面に塗布する。塗布形態は特に限定されない。２液型の接着剤を下地基板７上に同時に直接塗布してもよいし、１液型の接着剤を用いて塗布しても構わない。
【００４９】
ステップＳ１９において、塗布直後の下地基板７を載せたステージ１３を塗布部４から支持部３へ速やかに搬送する。ステップＳ２１において、接着剤が塗布された下地基板７上に半導体ブロック８を載せ、下地基板７と半導体ブロック８とを接着する。その後、ステップＳ２３において、接着後の半導体ブロック８を支持部３から搬入出部２へ搬送し、下地基板付き半導体ブロックを得て、作業を終了する。
【００５０】
第１の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置を用いた接着方法によれば、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能な接着方法が得られる。また、半導体ブロック８及び下地基板７の搬送を１台のステージが行うことにより、装置の簡略化が図れる。
【００５１】
−接着剤−
第１の実施の形態に用いられる接着剤は、重合性ビニルモノマーを含む接着剤を用いるのが好ましく、特に、（１）多官能（メタ）アクリレート、（２）単官能（メタ）アクリレート、（３）重合開始剤、（４）硬化促進剤、及び（５）粒状物質を含む（メタ）アクリル系接着剤を用いることができる。
【００５２】
（１）多官能（メタ）アクリレートとしては、オリゴマー／ポリマー末端又は側鎖に２個以上（メタ）アクロイル化された多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーや、２個以上の（メタ）アクロイル基を有する多官能（メタ）アクリレートモノマーを使用することができる。例えば、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーとしては、１，２-ポリブタジエン末端ウレタン（メタ）アクリレート（例えば、日本曹達社製「ＴＥ−２０００」、「ＴＥＡ−１０００」）、その水素添加物（例えば、日本曹達社製「ＴＥＡＩ−１０００」）、１，４−ポリブタジエン末端ウレタン（メタ）アクリレート（例えば、大阪有機化学社製「ＢＡＣ−４５」）、ポリイソプレン末端（メタ）アクリレート、ポリエステル系ウレタン（メタ）アクリレート（例えば、日本合成化学社製「ＵＶ−２０００Ｂ」、「ＵＶ−３０００Ｂ」、「ＵＶ−７０００Ｂ」、根上工業社製「ＫＨＰ−１１」、「ＫＨＰ−１７」）、ポリエーテル系ウレタン（メタ）アクリレート（例えば、日本合成化学社製「ＵＶ−３７００Ｂ」、「ＵＶ−６１００Ｂ」）、又はビスフェノールＡ型エポキシ（メタ）アクリレート、などが挙げられる。これらの中では、ポリエステル系ウレタン（メタ）アクリレートが好ましい。
【００５３】
ここで、ウレタン（メタ）アクリレートとは、分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレートをいう。ウレタン（メタ）アクリレートの中では、ポリオール化合物（以後、Ｘで表す）と有機ポリイソシアネート化合物（以後、Ｙで表す）とヒドロキシ（メタ）アクリレート（水酸基を有する（メタ）アクリレートをいう、以後、Ｚで表す）とを反応（例えば、重付加反応）させることにより得られる、ウレタン（メタ）アクリレートが好ましい。
【００５４】
ポリオール化合物（Ｘ）としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、１，４−ブタンジオール、ポリブチレングリコール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，８−オクタンジオール、１，９−ノナンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール、２，２−ブチルエチル−１，３−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、シクロヘキサンジメタノール、水素化ビスフェノールＡ、ポリカプロラクトン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ポリトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ポリペンタエリスリトール、ソルビトール、マンニトール、グリセリン、ポリグリセリン、ポリテトラメチレングリコール等の多価アルコールや、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、エチレンオキサイド／プロピレンオキサイドのブロック又はランダム共重合の少なくとも１種の構造を有するポリエーテルポリオール、該多価アルコール又はポリエーテルポリオールと無水マレイン酸、マレイン酸、フマル酸、無水イタコン酸、イタコン酸、アジピン酸、イソフタル酸等の多塩基酸との縮合物であるポリエステルポリオール、カプロラクトン変性ポリテトラメチレンポリオール等のカプロラクトン変性ポリオール、ポリオレフィン系ポリオール、ポリカーボネート系ポリオール、ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール、水素化ポリブタジエンポリオール、水素化ポリイソプレンポリオール等のポリジエン系ポリオール、ポリジメチルシロキサンポリオール等のシリコーンポリオール等が挙げられる。これらの中では、ポリエーテルポリオール及び／又はポリエステルポリオールがより好ましい。
【００５５】
有機ポリイソシアネート化合物（Ｙ）としては、格別に限定される必要はないが、例えば芳香族系、脂肪族系、環式脂肪族系、脂環式系等のポリイソシアネートが使用でき、中でもトリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、水添化ジフェニルメタンジイソシアネート（Ｈ−ＭＤＩ）、ポリフェニルメタンポリイソシアネート（クルードＭＤＩ）、変性ジフェニルメタンジイソシアネート（変性ＭＤＩ）、水添化キシリレンジイソシアネート（Ｈ−ＸＤＩ）、キシリレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート（ＴＭＸＤＩ）、テトラメチルキシリレンジイソシアネート（ｍ−ＴＭＸＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、ノルボルネンジイソシアネート（ＮＢＤＩ）、１，３−ビス（イソシアナトメチル）シクロヘキサン（Ｈ６ＸＤＩ）等のポリイソシアネート或いはこれらポリイソシアネートの三量体化合物、これらポリイソシアネートとポリオールの反応生成物等が好適に用いられる。これらの中では、水添化キシリレンジイソシアネート（Ｈ−ＸＤＩ）及び／又はイソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）が好ましい。
【００５６】
ヒドロキシ（メタ）アクリレート（Ｚ）としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリロイルホスフェート、４−ブチルヒドロキシ（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイロキシエチル−２−ヒドロキシプロピルフタレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイロキシプロピル（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中では、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上が好ましい。
【００５７】
多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーの重量平均分子量は、７０００〜６００００が好ましく、１３０００〜４００００がより好ましい。第１の実施例においては、重量平均分子量は、下記の条件にて、溶剤としてテトラヒドロフランを用い、ＧＰＣシステム（東ソ−社製ＳＣ−８０１０）を使用し、市販の標準ポリスチレンで検量線を作成して求めた。
流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
設定温度：４０℃カラム構成：東ソー社製「ＴＳＫ ｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ ＭＰ（×Ｌ）」６．０ｍｍＩＤ×４．０ｃｍ１本、および東ソー社製「ＴＳＫ−ＧＥＬＭＵＬＴＩＰＯＲＥＨＸＬ−Ｍ」７．８ｍｍＩＤ×３０．０ｃｍ（理論段数１６，０００段）２本、計３本（全体として理論段数３２，０００段）、
サンプル注入量：１００μｌ（試料液濃度１ｍｇ／ｍｌ）
送液圧力：３９ｋｇ／ｃｍ2
検出器：ＲＩ検出器
【００５８】
２官能（メタ）アクリレートモノマーとしては、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニルジ（メタ）アクリレート、２−エチル−２−ブチル−プロパンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ステアリン酸変性ペンタエリストールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシプロポキシフェニル）プロパン、又は２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシテトラエトキシフェニル）プロパン等が挙げられる。これらの中では、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレートとしては、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレートやトリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中では、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレートが好ましい。
【００５９】
３官能（メタ）アクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリス［（メタ）アクリロイキシエチル］イソシアヌレート等が挙げられる。
【００６０】
４官能以上の（メタ）アクリレートモノマーとしては、ジメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、又はジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６１】
（１）の中では、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーからなる群のうちの１種以上が好ましく、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーを併用することがより好ましい。多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーを併用する場合、その混合比率は、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマーと２官能（メタ）アクリレートモノマーの合計１００質量部中、質量比で、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー／ポリマー：２官能（メタ）アクリレートモノマー＝１０〜９０：９０〜１０が好ましく、３０〜７０：７０〜３０がより好ましい。
【００６２】
（２）単官能（メタ）アクリレートモノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニロキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート、エトキシカルボニルメチル（メタ）アクリレート、フェノールエチレンオキサイド変性（メタ）アクリレート、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート、フェノール（エチレンオキサイド４モル変性）（メタ）アクリレート、パラクミルフェノールエチレンオキサイド変性（メタ）アクリレート、ノニルフェノールエチレンオキサイド変性（メタ）アクリレート、ノニルフェノール（エチレンオキサイド４モル変性）（メタ）アクリレート、ノニルフェノール（エチレンオキサイド８モル変性）（メタ）アクリレート、ノニルフェノール（プロピレンオキサイド２．５モル変性）（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシルカルビトール（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性フタル酸（メタ）アクリレート、エチレンオキシド変性コハク酸（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、フタル酸モノヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸ダイマー、β−（メタ）アクロイルオキシエチルハイドロジェンサクシネート、ｎ−（メタ）アクリロイルオキシアルキルヘキサヒドロフタルイミド、２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６３】
（２）の中では、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート及び２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレートからなる群のうちの１種以上が好ましく、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレートと２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートとを併用することがより好ましい。フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレートと２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートとを併用する場合、その混合比率は、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレートと２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレートの合計１００質量部中、質量比で、フェノール（エチレンオキサイド２モル変性）（メタ）アクリレート：２−（１，２−シクロヘキサカルボキシイミド）エチル（メタ）アクリレート＝５〜４０：９５〜６０が好ましく、１０〜３０：９０〜７０がより好ましい。
【００６４】
（１）多官能（メタ）アクリレートと（２）単官能（メタ）アクリレートの配合比としては、（１）：（２）＝５：９５〜９５：５（質量部）であることが好ましい。（１）多官能（メタ）アクリレートが５質量部以上であれば初期の接着性が低下する恐れもなく、９５質量部以下であれば、剥離性が確保できる。硬化した接着剤は温水に浸漬することでフィルム状に剥離する。（２）単官能（メタ）アクリレートの含有量は、（１）及び（２）の合計量１００質量部中、２０〜８０質量部が好ましく、４０〜６０質量部が好ましい。
【００６５】
（３）重合開始剤
重合開始剤としては、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物が好ましく、これらの１種又は２種以上が使用できる。これらの中では成分（４）との反応性の点で、クメンハイドロパーオキサイドが好ましい。
【００６６】
成分（３）の使用量は、成分（１）及び（２）の合計１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、１〜７質量部が好ましい。０．５質量部未満では硬化速度が遅い場合があり、１０質量部を越えると貯蔵安定性が遅い場合がある。
【００６７】
（４）硬化促進剤
硬化促進剤としては、β−ジケトンキレート及び／又はβ−ケトエステルが挙げられる。β−ジケトンキレートとしては、バナジルアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネートオ及び銅アセチルアセトネート等が挙げられる。β−ケトエステルとしては、ナフテン酸バナジル、ステアリン酸バナジル、ナフテン酸銅若しくはオクチル酸コバルト等が挙げられ、これらの１種又は２種以上が使用できる。これらの中では、成分（２）との反応性の点で、還元性を有する金属塩が好ましく、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの１種又は２種以上がより好ましく、オクチル酸コバルトが最も好ましい。
【００６８】
成分（４）の使用量は、成分（１）及び（２）の合計１００質量部に対して、０．０５〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。０．０５質量部未満では硬化速度が遅く、接着性が小さい場合があり、１０質量部を超えると未反応の成分が残り、接着性が低下する場合がある。
【００６９】
接着剤は、（５）粒状物質を含有するのが好ましい。これにより、硬化後の接着剤が一定の厚みを保持できるため、加工精度が向上する。さらに、接着剤の硬化体と（５）粒状物質の線膨張係数が異なることから、前記接着剤を用いて被着体を貼り合わせた後に剥離する際の剥離性が向上する。
【００７０】
（５）粒状物質
粒状物質としては、成分（１）〜（４）に溶解しない粒状物質を含有するのが好ましい。成分（１）〜（４）に溶解しない粒状物質の材質としては、一般的に使用される有機粒子、又は無機粒子いずれでもかまわない。
【００７１】
有機粒子としては、ポリエチレン粒子、ポリプロピレン粒子、架橋ポリ（メタ）アクリル酸メチル粒子、架橋ポリスチレン粒子などが挙げられる。有機粒子の中では、架橋ポリ（メタ）アクリル酸メチル粒子と架橋ポリスチレン粒子からなる群のうちの１種以上がより好ましく、架橋ポリメタクリル酸メチル粒子がより好ましい。
【００７２】
無機粒子としてはガラス、シリカ、アルミナ、チタンなどセラミック粒子が挙げられる。無機粒子の中では、シリカが好ましく、乾式法シリカがより好ましい。
【００７３】
（５）の中では、有機粒子と無機粒子を併用することが好ましい。
【００７４】
粒状物質は、加工精度の向上、つまり接着剤の膜厚の制御の観点から球状であることが好ましい。
【００７５】
粒状物質のレーザー法による平均粒径は０．００１〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。前記粒状物質の平均粒径が０．００１μｍ以上であると剥離性に優れ、２００μｍ以下であると仮固定した部材の加工時にずれを生じにくく、寸法精度面で優れる。
【００７６】
粒状物質が有機粒子である場合、有機粒子のレーザー法による平均粒径は２０〜２００μｍの範囲にあることが好ましい。前記粒状物質の平均粒径が２０μｍ以上であると剥離性に優れ、２００μｍ以下であると仮固定した部材の加工時にずれを生じにくく、寸法精度面で優れる。剥離性と寸法精度の観点からより好ましい平均粒径（Ｄ５０）は２５〜１５０μｍであり、更に好ましくは３５〜１００μｍである。粒径分布は、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定される。
【００７７】
粒状物質が無機粒子である場合、無機粒子のレーザー法による平均粒径は０．００１〜１μｍの範囲にあることが好ましく、０．００５〜０．５μｍの範囲にあることが好ましく、０．０８〜０．１μｍの範囲にあることが最も好ましい。前記粒状物質の平均粒径が０．００１μｍ以上であると剥離性に優れ、１μｍ以下であると仮固定した部材の加工時にずれを生じにくく、寸法精度面で優れる。
【００７８】
粒状物質の使用量は、接着性、加工精度、剥離性の観点から、成分（１）及び（２）の合計１００質量部に対して、０．０１〜２５質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。
【００７９】
粒状物質が有機粒子である場合、有機粒子の使用量は、成分（１）及び（２）の合計１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましく、０．１〜５質量部がより好ましい。
【００８０】
粒状物質が無機粒子である場合、無機粒子の使用量は、成分（１）及び（２）の合計１００質量部に対して、０．５〜１５質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。
【００８１】
尚、これらの他にも所望によりパラフィン類、重合禁止剤、熱膨張性粒子、カップリング剤、可塑剤、充填剤、着色剤及び防腐剤等の既に知られている物質を使用することもできる。この他に粘度や流動性を調整する目的で、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリウレタン、スチレン−アクリロニトリル共重合体及びポリメチルメタクリレート等の熱可塑性高分子、並びに、微粉末シリカ等も使用してもよい。
【００８２】
（実施例１）
本発明の第１の実施の形態に用いられる接着剤の具体例を表１に示す。表１に示す組成にて接着剤を作製した。
【００８３】
（使用材料）
（１）多官能（メタ）アクリレート
・ＵＶ３０００Ｂ：ポリエステル系ウレタンアクリレート（日本合成社製、「ＵＶ３０００Ｂ」、重量平均分子量１８０００、ポリオール化合物はポリエステルポリオール、有機ポリイソシアネート化合物はイソホロンジイソシアネート、ヒドロキシ（メタ）アクリレートは２−ヒドロキシエチルアクリレート）
・ＡＰＧ−２００：トリプロピレングリコールジアクリレート（新中村化学社製、「ＮＫ エステル ＡＰＧ−２００」）
（２）単官能（メタ）アクリレート
・Ｍ−１４０：、２−（１，２−シクロヘキサンジカルボキシイミド）エチルアクリレート（東亜合成社製、「アロニックスＭ−１４０」）
・Ｍ−１０１Ａ：フェノールエチレンオキサイド２モル変性アクリレート（東亜合成社製、「アロニックスＭ−１０１Ａ」）
（３）重合開始剤
・ＰＨ−８０：クメンハイドロパーオキサイド（日本油脂社製、「パークミルＨ−８０」）
（４）硬化促進剤
・Ｏｃｔ−Ｃｏ：オクチル酸コバルト（東京ファインケミカル社製）
（５）成分（１）〜（４）に溶解しない粒状物質
・ＧＲ−２００：架橋ポリメタクリル酸メチル粒子（根上工業社製「アートパールＧＲ−２００」、平均粒子径５０μｍ）
・Ｒ−９７２：乾式法シリカ（日本アエロジル社製「アエロジルＲ９７２」、平均粒子径０．０２μｍ）
【００８４】
【表１】
2013022096.tif 000004
【００８５】
本発明の実施の形態に用いられる接着剤の物性を表２に示す。物性については、次のようにして測定した。
【００８６】
［固着時間］ＪＩＳ Ｋ−６８５６に従い、試験片（１００ｍｍ×２５ｍｍ×１．６ｍｍｔ、ＳＰＣＣ−Ｄブラスト処理）の片側に第一剤と第二剤を等量混合したものを塗布し、その後直ちにもう片側の試験片を重ね合わせて貼り合せたものを試料とした。試料の固着時間（単位：分）は、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下で、プッシュプルゲージで引張、貼り合わせ直後から、０．４ＭＰa以上の強度が測定されるまでの時間を測定した。
【００８７】
［Ｓｉウエハ／ガラス引張せん断強度］ＪＩＳ Ｋ−６８５６に従い、試験片（２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．３ｍｍｔ、Ｓｉウエハ）の片側に第一剤と第二剤を等量混合したものを塗布し、その後、直ちにもう片側の試験片（耐熱パイレックス（登録商標）ガラス（２５ｍｍ×２５ｍｍ×２．０ｍｍｔ）を重ね合わせて貼り合わせた後、室温で２４時間養生したものを試料とした。試料の引張せん断強度（単位：ＭＰａ）は、温度２３℃、湿度５０％ＲＨ環境下において、引張速度１０ｍｍ／分で測定した。
【００８８】
［温水剥離試験］上記耐熱パイレックス（登録商標）ガラス上に第一剤と第二剤を等量混合したものを塗布し、その後、直ちに上記Ｓｉウエハを９０°方向に貼り合わせた後、室温で２４時間養生したものを試料とした。得られた試料を、温水（８０℃、５０℃）に浸漬し、耐熱パイレックス（登録商標）ガラスとＳｉウエハが剥離する時間（８０℃温水剥離時間、５０℃温水剥離時間）を測定した。剥離状態も観察した。
【００８９】
［Ｓｉブロック加工試験］１２５ｍｍ×１２５ｍｍ×４００ｍｍのＳｉブロックと青板ガラス（１２５ｍｍ×４００ｍｍ×２０ｍｍｔ）を接着剤にて接着硬化させた。この接着試験体のＳｉブロック部分のみをワイヤソー装置を使用して２００μｍ厚に切断した。切断中のＳｉブロックの脱落の有無を観察した（Ｓｉブロック加工試験（（脱落状態））。Ｓｉブロックのみを切断した接着試験体を８０℃又は５０℃の温水に浸漬し、Ｓｉブロックと青板ガラスが剥離する時間（８０℃温水剥離時間、５０℃温水剥離時間）を測定した（Ｓｉブロック加工試験（８０℃温水剥離時間、５０℃温水剥離時間））。
【００９０】
【表２】
2013022096.tif 000005
【００９１】
第１の実施の形態の実施例１に係る接着剤を使用することにより、短時間で硬化し、高い接着強度を発現できる。当該硬化体は水に接触することにより接着強度が低下し、部材間の接着力又は部材と治具との接着力が低下するので、容易に部材の回収ができる。本発明の接着剤は、水に浸漬することにより、早く剥離できる。本発明の接着剤は、５０℃といった低い温度を有する温水に浸漬しても、剥離できる。本発明の接着剤を使用して、シリコンブロックを切断した場合、シリコンブロックが脱落せず、良好な加工性を示した。  
【００９２】
本発明の第１の実施の形態に用いられる接着剤は、表１及び表２に示すように、成分（３）を含む第１剤と、成分（４）を含む第２剤とを混合して得られる２剤型（メタ）アクリル系接着剤を使用することができる。２剤型（メタ）アクリル系接着剤とは、接着剤組成物の必須成分全てを貯蔵中は混合せず、接着剤組成物を第１剤及び第２剤に分け、第１剤に少なくとも成分（３）を、第２剤に少なくとも成分（４）を別々に貯蔵することができる。リン酸塩は第２剤に貯蔵することが好ましい。この場合、両剤を同時に又は別々に半導体ブロック８に塗布して接触、硬化することにより、２剤型の接着剤として使用できる。
【００９３】
別の実施態様としては、第１剤及び第２剤のいずれか一方又は両方に重合性ビニルモノマー及びその他の任意の成分を予め含有せしめ、使用時に両者を混合することによって、１剤型の接着剤として使用できる。これらの実施態様の中では、貯蔵安定性に優れる点で、２剤型の接着剤として使用することが好ましい。
【００９４】
以上詳細に説明したように、本発明の第１の実施の形態に係る接着剤によれば、エポキシ系接着剤等に比べて硬化速度が速いため、接着時間が短時間で済み、作業効率を向上できる。また、２剤型の接着剤を用いる場合でも、２剤の正確な計量を必要とせず、不完全な計量、混合であっても接着性を低下させずに常温で硬化でき、紫外線等のエネルギーを使用する必要もない。更に、上記の接着剤は温水に浸漬することで膨潤するため、半導体ブロック８と下地基板７とを容易に剥離でき、有機溶剤等の取り扱い困難な液体を使用する必要もない。接着剤を膨潤させる温水の温度は、３０〜１００℃が好ましく、更には５０〜９０℃、更には６５〜８０℃が好ましい。接着剤を膨潤させる温水の温度は、低温で人体上安全に剥離できる点で、３０〜６５℃が好ましく、更には４０〜６０℃、更には４５〜５５℃が好ましい。
【００９５】
−半導体ウエハの製造方法−  
本発明の実施の形態に係る半導体ウエハの製造方法について、図９（ａ）〜図９（ｃ）の概略図及び図１０のフローチャートを用いて説明する。
【００９６】
図１０のステップＳ１０１において、Ｓｉ等の半導体インゴットを所定の大きさ（例えば１５６×１５６×２００ｍｍ）のブロック状に切り出し、複数の半導体ブロック８を得る。この半導体ブロック８に、ブラシ研磨等により表面加工を施す。
【００９７】
ステップＳ１０３において、図８のフローチャートに示した方法に従って半導体ブロック８に下地基板７を接着し、図９（ａ）に示す下地基板付き半導体ブロック１０を作製する。ステップＳ１０５において、図９（ｂ）に示すように、ワイヤソー装置により半導体ブロック８の表面から接着剤層９の半分程度までワイヤを進行させ、半導体ブロック８を複数の薄板状に切断する。ステップＳ１０７において、切削に用いた切削液（スラリー）を洗浄する。
【００９８】
ステップＳ１０９において、切断後の下地基板付き半導体ブロック１０を、図９（ｃ）に示すように、温水１００中に浸漬して接着剤層９を膨潤させ、下地基板７と半導体ブロック８とを剥離する。剥離により得られる複数の薄板を乾燥し、ステップＳ１１１において所定の検査を経た後、ステップＳ１１３において、半導体ウエハとして出荷する。得られた半導体ウエハは半導体集積回路又は太陽電池基板等に利用される。
【００９９】
一例として、本発明の半導体ブロック接着装置を使用し、半導体ウエハを製造した。支柱部３１には、吸着パッド３２及びアクチュエータ３３を５個ずつ懸架した。半導体ブロックとして１５６×１５６×２００ｍｍの直方体状のシリコンブロックを使用した。接着剤として、実施例１の接着剤、実施例２−１の接着剤、実施例２−２の接着剤の３種類を使用した。実施例２−１、実施例２−２については後述する。半導体ブロックをワイヤソー装置により厚さ２００μｍの薄板を得るように、切断した。切削液（スラリー）としてシリコンカーバイドとグリコール系クーラントとの混合液を用いた。切断後の下地基板付き半導体ブロックを、７０℃の温水に浸漬し、半導体ウエハを得た。実施例１の接着剤、実施例２−１の接着剤、実施例２−２の接着剤のいずれの接着剤を使用した場合でも、本発明の半導体ブロック接着装置は、自動化可能で、半導体ウエハの製造効率を向上可能であることが確認できた。得られた半導体ウエハは半導体集積回路又は太陽電池基板等に利用できる品質状態であった。
【０１００】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法、及び半導体ウエハの製造方法は、接着剤の種類以外は、第１の実施の形態において説明した半導体ブロック接着装置、半導体ブロック接着方法、及び半導体ウエハの製造方法と実質的に同様であるため、重複した説明を省略する。よって、以下においては、第２の実施の形態に係る接着剤について、詳細に説明する。
【０１０１】
−接着剤−
本発明の第２の実施の形態に用いられる接着剤は、下記成分（ａ）〜（ｆ）を含む接着剤を用いるのが好ましく、更には（ｇ）エラストマーを含む（メタ）アクリル系接着剤を用いることが、より好ましい。
【０１０２】
＜成分（ａ）：一般式Ａの化合物＞
一般式（Ａ）の化合物とは以下の構造をいう；
一般式（Ａ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｒ1
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ1はフェニル基又は炭素数１〜３個のアルキル基を有するフェニル基を示す。Ｒ2は−Ｃ2Ｈ4−、−Ｃ3Ｈ6−、−ＣＨ2ＣＨ(ＣＨ3)−、−Ｃ4Ｈ8−又は−Ｃ6Ｈ12−を示し、ｐは１〜１０の整数を表す。〕
【０１０３】
一般式（Ａ）の化合物としては、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、フェノキシジプロピレングリコール（メタ）アクリレート及びフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中では、接着性の点で、フェノキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
【０１０４】
一般式（Ａ）の化合物の添加量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部中、１０〜６０質量部が好ましく、２０〜５０質量部がより好ましい。１０質量部未満だと接着性が低下するおそれがあり、６０質量部を越えても接着性が低下するおそれがある。
【０１０５】
＜成分（ｂ）：一般式（Ｂ）の化合物＞
一般式（Ｂ）の化合物とは以下の構造をいう；
一般式（Ｂ） Ｚ−Ｏ−(Ｒ2Ｏ)p−Ｈ
〔式中、Ｚ、Ｒ2及びｐは前述の通りである。〕
【０１０６】
一般式（Ｂ）の化合物としては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート及びポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中では、接着性や耐湿性の点で、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートが好ましい。
【０１０７】
一般式（Ｂ）の化合物の添加量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部中、１０〜８０質量部が好ましく、２０〜６０質量部がより好ましい。１０質量部未満だと接着性が低下するおそれがあり、８０質量部を越えると耐湿性が低下するおそれがある。
【０１０８】
＜成分（ｃ）：一般式（Ｃ）の化合物＞
一般式（Ｃ）の化合物とは以下の構造をいう；
（ｃ）一般式（Ｃ）の化合物；
【化２】
2013022096.tif 000006
〔式中、Ｚ、及びＲ2は前述の通りである。Ｒ3は水素又は炭素数１〜４個のアルキル基を示し、ｑは０〜８の整数を表す。２個のＺ、２個のＲ2、２個のＲ3、２つのｑは同一でも異なってもよい。〕
【０１０９】
このような（メタ）アクリル系モノマーとしては、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシプロポキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシテトラエトキシフェニル）プロパン及び２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン等が挙げられる。これらの中では、接着性の点で、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパンが好ましい。
【０１１０】
ｑは０〜８であり、５が好ましい。８を越えると接着性が低下するおそれがある。２つのｑは同一でも異なってもよい。
【０１１１】
一般式（Ｃ）の化合物の添加量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部中、１〜３０質量部が好ましく、３〜２０質量部がより好ましい。１質量部未満だと接着性が低下するおそれがあり、３０質量部を越えると耐湿性が低下するおそれがある。
【０１１２】
＜成分（ｄ）：一般式（Ｄ）の化合物＞
一般式（Ｄ）の化合物とは以下の構造をいう；
一般式（Ｄ） Ｚ−Ｏ−Ｒ4
〔式中、Ｚは（メタ）アクリロイル基を示し、Ｒ4 は炭素数５〜１６個のアルキル基を表す。〕
【０１１３】
一般式（Ｄ）の化合物としては、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレート及びトリデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中では接着性や耐湿性の点で、２−エチルへキシル（メタ）アクリレート及び／又はｎ−ラウリル（メタ）アクリレートが好ましく、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレートがより好ましい。ｎ−ラウリル（メタ）アクリレートを使用した場合、低い温度を有する温水に浸漬しても、半導体ブロック８と下地基板７とを容易に剥離できる。低温で剥離できることは、人体上安全に作業できる点で、好ましい。低温で剥離する場合、温水は、３０〜６５℃が好ましく、４０〜６０℃がより好ましく、４５〜５５℃が最も好ましい。
【０１１４】
式中、Ｒ4 の炭素数は５〜１６個が好ましく、６〜１３個がより好ましい。５個未満だと耐湿性が低下するおそれがあり、１６個を越えると接着性が低下するおそれがある。
【０１１５】
一般式（Ｄ）の化合物の添加量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部中、５〜４０質量部が好ましく、１０〜３０質量部がより好ましい。５質量部未満だと耐湿性が低下するおそれがあり、３０質量部を越えると接着性が低下するおそれがある。
【０１１６】
＜成分（ｅ）：重合開始剤＞
重合開始剤としては、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ターシャリーブチルハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンジハイドロパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド及びターシャリーブチルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物が好ましく、これらの１種又は２種以上が使用できる。これらの中では成分（ｆ）や成分（ｇ）との反応性の点で、クメンハイドロパーオキサイドが好ましい。
【０１１７】
成分（ｅ）の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、０．５〜１０質量部が好ましく、１〜７質量部が好ましい。０．５質量部未満では硬化速度が遅い場合があり、１０質量部を越えると貯蔵安定性が遅い場合がある。
【０１１８】
＜成分（ｆ）：硬化促進剤＞
硬化促進剤としては、β−ジケトンキレート及び／又はβ−ケトエステルが挙げられる。β−ジケトンキレートとしては、バナジルアセチルアセトネート、コバルトアセチルアセトネートオ及び銅アセチルアセトネート等が挙げられる。β−ケトエステルとしては、ナフテン酸バナジル、ステアリン酸バナジル、ナフテン酸銅若しくはオクチル酸コバルト等が挙げられ、これらの１種又は２種以上が使用できる。これらの中では、成分（ｂ）との反応性の点で、還元性を有する金属塩が好ましく、バナジウムアセチルアセトネート、ナフテン酸銅及びオクチル酸コバルトからなる群のうちの１種又は２種以上がより好ましく、バナジルアセチルアセトネートが最も好ましい。
【０１１９】
成分（ｆ）の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、０．０５〜５質量部が好ましく、０．１〜２質量部がより好ましい。０．０５質量部未満では硬化速度が遅く、接着性が小さい場合があり、５質量部を超えると未反応の成分が残り、接着性が低下する場合がある。
【０１２０】
＜成分（ｇ）：エラストマー＞
本発明の実施の形態に係る接着剤は、剥離強度と衝撃強度を向上させるためにエラストマー成分を使用することが好ましい。エラストマーとしては、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリレート共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン−ブタジエン共重合体、並びに、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、線状ポリウレタン、スチレン−ブタジエンゴム、クロロプレンゴム及びブタジエンゴム等の各種合成ゴム、天然ゴム、スチレン−ポリブタジエン−スチレン系合成ゴムといったスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリエチレン−ＥＰＤＭ合成ゴムといったオレフィン系熱可塑性エラストマー、並びにカプロラクトン型、アジペート型及びＰＴＭＧ型といったウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリブチレンテレフタレート−ポリテトラメチレングリコールマルチブロックポリマーといったポリエステル系熱可塑性エラストマー、ナイロン−ポリオールブロック共重合体といったポリアミド系熱可塑性エラストマー、１，２−ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー、並びに塩ビ系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。これらのエラストマー成分は相溶性が良ければ、１種又は２種以上を使用することができる。又、末端（メタ）アクリル変性したポリブタジエンも使用できる。これらの中では、（メタ）アクリル系モノマーに対する溶解性や接着性の点で、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体及び／又はアクリロニトリル−ブタジエンゴムが好ましく、その併用がより好ましい。
【０１２１】
メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体及びアクリロニトリル−ブタジエンゴムを併用する場合、その併用割合は、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体及びアクリロニトリル−ブタジエンゴムの合計１００質量部中、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体：アクリロニトリル−ブタジエンゴム＝４０〜９５：６０〜５が好ましく、５０〜９０：５０〜１０がより好ましく、６０〜８０：４０〜２０が最も好ましい。
【０１２２】
成分（ｇ）の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、５〜３５質量部が好ましく、１０〜３０質量部がより好ましい。５質量部未満だと粘度及び接着性が低下する場合があり、３５質量部を超えると、粘度が高すぎて作業上、不具合が生じる場合がある。
【０１２３】
＜成分（ｈ）：リン酸塩＞
本発明の実施の形態に係る接着剤は、接着性を改良する目的で、リン酸塩を使用することができる。リン酸塩としては、一般式（Ｈ）で示される化合物等が挙げられる。
【化３】
2013022096.tif 000007
【０１２４】
リン酸塩としては、アシッドホスホオキシエチル（メタ）アクリレート、アシッドホスホオキシプロピル（メタ）アクリレート及びビス（２−（メタ）アクリロイルオキシエチル）ホスフェート等が挙げられ、これらの１種又は２種以上が使用できる。これらの中では、効果が大きい点で、アシッドホスホオキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
【０１２５】
リン酸塩の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、０．１〜５質量部が好ましく、０．２〜１．０質量部がより好ましい。０．１質量部未満では接着強度が低下する場合があり、５質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。
【０１２６】
（ｉ）その他  
本発明の実施の形態に係る接着剤は、空気に接している部分の硬化を迅速にするために各種パラフィン類を使用することができる。パラフィン類としては、パラフィンワックス、マイクロクリスタリンワックス、カルナバろう、蜜ろう、ラノリン、鯨ろう、セレシン及びカンデリラろう等が挙げられる。これらの１種又は２種以上を使用することができる。パラフィン類の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、０．１〜５質量部が好ましく、０．３〜２．５質量部がより好ましい。０．１質量部未満では空気に接している部分の硬化が悪くなる場合があり、５質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。
【０１２７】
貯蔵安定性を改良する目的で、重合禁止剤を含む各種の酸化防止剤等を使用することができる。酸化防止剤としては、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、２，６−シタイシャリーブチルーｐ−クレゾール、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ターシャリーブチルフェノール）、トリフェニルホスフェート、フェノチアジン及びＮ−イソプロピル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を使用することができる。
【０１２８】
重合禁止剤の使用量は、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計１００質量部に対して、０．００１〜３質量部が好ましく、０．０１〜１質量部がより好ましい。０．００１質量部未満では、効果がない場合があり、３質量部を超えると接着強度が低下する場合がある。
【０１２９】
尚、これらの他にも所望により熱膨張性粒子、カップリング剤、可塑剤、充填剤、着色剤及び防腐剤等の既に知られている物質を使用することもできる。この他に粘度や流動性を調整する目的で、クロロスルホン化ポリエチレン、ポリウレタン、スチレン−アクリロニトリル共重合体及びポリメチルメタクリレート等の熱可塑性高分子、並びに、微粉末シリカ等も使用してもよい。
【０１３０】
（実施例２）
第２の実施の形態に用いられる接着剤の具体例を表３（実施例２−１、実施例２−２）に示す。表３において、フェノキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２−エチルへキシルメタクリレート、ｎ−ラウリルメタクリレート、クメンハイドロパーオキサイド、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（ＭＭＡ−ＢＤ−ＳＴ共重合体）、バナジルアセチルアセトネートは、それぞれ市販品を使用した。また、「アクリロニトリル−ブタジエンゴム（ＡＮ−ＢＤゴム）」は、高ニトリルＮＢＲの市販品を使用し、「パラフィン類」は、パラフィンワックスの市販品、「重合禁止剤」は、ハイドロキノンモノメチルエーテルの市販品、「リン酸塩」は、アシッドホスホオキシエチルメタクリレートの市販品、「２，２−ビス［４−（メタクリロキシポリエトキシ）フェニル］プロパン」は、一般式（Ｃ）でｑ＝５の市販品を使用した。
【０１３１】
【表３】
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【０１３２】
第２の実施の形態に用いられる接着剤の物性を表４に示す。物性については、第１の実施の形態の実施例で説明した方法と同様である。
【０１３３】
【表４】
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【０１３４】
第２の実施の形態に係る接着剤を使用することにより、短時間で硬化し、高い接着強度を発現できる。当該硬化体は水に接触することにより接着強度が低下し、部材間の接着力又は部材と治具との接着力が低下するので、容易に部材の回収ができる。本発明の接着剤は、水に浸漬することにより、早く剥離できる。本発明の接着剤を使用して、シリコンブロックを切断した場合、シリコンブロックが脱落せず、良好な加工性を示した。ｎ−ラウリル（メタ）アクリレートを使用した場合、５０℃といった低い温度を有する温水に浸漬しても、早く剥離できる。
【０１３５】
（その他の実施の形態）
本発明は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【０１３６】
例えば図８に示すフローチャートでは、半導体ブロック８を先に装置内へ搬入した後下地基板７を装置内に搬送しているが、搬送部材１２に着脱可能なステージ（治具）１３を更に取り付ければ、半導体ブロック８と下地基板７の搬送順序を逆にすることもできる。また、図１に示す装置では、エアシリンダー等のアクチュエータ３３を用いて吸着パッド３２を上下に移動させる手法を開示しているが、図１の支持部の代わりに、例えば装置上方から下方へワイヤを垂らし、ワイヤの先端にブロック吸着部材を取り付けて、作業者が手作業により半導体ブロック８を持ち運ぶ形態も可能である。更に、塗布部４において接着剤を収容する容器内に接着剤の物理的状態を検出する検出器具を設けるなどしてもよい。
【０１３７】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【０１３８】
１…半導体ブロック接着装置
２…搬入出部
３…支持部
４…塗布部
５…制御装置
６…表示装置
７…下地基板
８…半導体ブロック
９…接着剤層
１０…下地基板付き半導体ブロック
１１…架台
１２…搬送部材
１３…ステージ
２１…ガイド
３１…支柱部
３２…吸着パッド
３３…アクチュエータ
３４…エア機器
４１…支柱部
４２…シリンジ
４３…ディスペンサ
５１…ステージ制御部
５２…ブロック昇降制御部
５３…ディスペンサ制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９（ａ）】
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【図９（ｂ）】
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【図９（ｃ）】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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