(57)【要約】【課題】効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出する。【解決手段】設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部３と、半導体処理部３からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部４と、半導体処理部３の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイルと一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部５とを有している。
2013121493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有する半導体処理システム。
【請求項２】
前記データ解析部は、前記区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、前記装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから前記特徴量を算出する特徴量算出部とを有する請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項３】
前記特徴量算出部は、
条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照手段と、
該区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出手段と、
該装置状態データと条件照合して条件が一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、当該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算手段とを有する請求項２に記載の半導体処理システム。
【請求項４】
前記条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの所定の一または複数のステップについて区間定義可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項５】
前記条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの一のステップの一部について区間定義可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項６】
前記条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの一のステップの一部から一または複数のステップ、これに連続する一のステップの一部について複数のステップに跨って区間定義可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項７】
前記条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップについて、複数の繰り返しステップのデータ集計で該繰り返しステップの全部または一部を区間定義可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項８】
前記条件定義部は、前記区間定義情報において、前記ステップの切替り前後で前記装置状態データの変動が発生する期間を区間集計に含まないオフセット期間としてステップの途中に前記区間定義可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項９】
前記特徴量算出部は、前記装置状態データを、前記条件定義部で予め準備している区間定義情報と照合し、該区間定義情報の内容に一致した条件における少なくとも所定範囲の特徴量を算出する請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項１０】
前記特徴量算出部は、区間集計による前記特徴量を算出する場合に該特徴量の許容値を設定可能とし、該特徴量の許容値内に合致した特徴量を算出可能とする請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項１１】
前記特徴量の変化を時系列に示すトレンドグラフを描画するトレンドグラフ描画部を更に有する請求項２または３に記載の半導体処理システム。
【請求項１２】
前記トレンドグラフ描画部は、区間集計された前記特徴量をバッチ毎のトレンド描画を行うことにより前記トレンドグラフの変化点から前記半導体処理部の早期異常検出を可能とする請求項１１に記載の半導体処理システム。
【請求項１３】
前記装置状態データは、ガス流量、圧力および温度などの各種設定条件に対して実際に前記半導体処理部が実行して該半導体処理部から得られた各データである請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１４】
前記特徴量は、前記装置状態データのバッチ毎の平均値、中央値および、ばらつき３σのうちの少なくともいずれかである請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１５】
前記ステップは、前記処理レシピ内での処理条件の切り替わりを示す処理期間である請求項１に記載の半導体処理システム。
【請求項１６】
請求項１〜３および１３〜１５のいずれかに記載の半導体処理システムを用いた半導体装置の製造時に求めた少なくとも特徴量から異常検出して前記半導体処理部にフィードバックして処理条件の設定を変更しつつ半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有する装置データ収集方法。
【請求項１８】
前記データ解析工程は、条件定義部に前記区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、前記装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから前記特徴量を算出する特徴量算出工程を有する請求項１７に記載の装置データ収集方法。
【請求項１９】
前記特徴量算出工程は、
区間定義情報参照手段が、条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照工程と、
一致検出手段が、該参照した区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出工程と、
特徴量計算手段が、該装置状態データと条件照合して条件が一致した該区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算工程とを有する請求項１８に記載の装置データ収集方法。
【請求項２０】
前記特徴量算出工程後に、トレンドグラフ描画部が、前記特徴量であって区間毎のバッチ単位の特徴量を時系列にトレンドグラフとして可視化するトレンドグラフ描画工程を有する請求項１８または１９に記載の装置データ収集方法。
【請求項２１】
請求項１７から２０のいずれかに記載の装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記録された制御プログラム。
【請求項２２】
請求項２１に記載の制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に各種膜を成膜する半導体処理装置における複数の処理ステップからなるプロセス状態データについて特徴量を算出する半導体処理システム、これを用いた半導体処理装置の装置データ収集方法および、これを用いて半導体処理装置により半導体装置を製造する半導体装置の製造方法、この装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムおよび、この制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の従来の半導体処理装置の装置データ収集方法において、ＣＶＤ装置の真空度やヒータ電力のような装置状態データと、製造された半導体デバイスの歩留まりや電気特性のような製品データを、データが取得された時刻によって対応付けて相関関係を解析し、その解析結果を用いて装置状態データの管理基準を設定したり不良原因を究明したりしている。【０００３】
しかし、この装置データ収集方法では、例えば温度やガス流量、内部圧力、排気ラインの各種データなどの人が着目した特定のパラメータについての適切な管理基準を知ることができるに留まり、いずれのパラメータに着目すべきかについては人の判断に任されている。【０００４】
そこで、特許文献１には、装置状態データをステップ毎に特徴量算出し、データマイニングの手法を用いることにより、人が着目しなかったパラメータが歩留まりに影響するかどうかについての知見を得る手法が提案されている。【０００５】
この特許文献１に開示されている手法では、プロセスの全体を複数のステップに分割した場合の個々のステップを処理ステップとし、その処理ステップが共通しているプロセス状態情報を抽出する。その抽出したプロセス状態情報に対して設定された特徴量処理を行う。関連する単位対象品が共通していることによって対応付けられたプロセス特徴量と検査結果とを用いて、データマイニングによる解析を実行する。これによって、対象品の品質の推測に用いることができるモデルを作成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９７３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、例えば化合物半導体製造方法に用いられ、有機ガスを用いたＭＯＣＶＤ装置の装置データ収集方法について、図１１に一連のステップの一部と管理データ数を示しているが、ステップ数や管理データ数は膨大であり、例えば温度やガス流量、内部圧力、排気ラインの各種データなどの１００パラメータ×１００ステップ＝１００００データの多くのデータが存在する。このように、１００ステップにも及ぶ処理ステップ数を有することや、１００種類程度のプロセス状態データ（パラメータ）が存在している。【０００８】
このように、データの組合せが膨大であるため、個別の装置状態データ（パラメータ）の確認は行えるものの、網羅的な全データの確認を行うのが困難である。よって、複数の処理ステップや装置状態データを有する半導体処理装置では装置から出力されるデータ数が膨大であり、効率的に特徴量を抽出することが望まれる。【０００９】
また、性能改善などを行う場合、頻繁に処理条件を変更した場合に、処理ステップの追加や削除が行われるため、装置から出力される装置状態データで共通化した処理ステップを検出することができず、所望のステップの特徴量算出に誤りが生じることなどの問題がある。【００１０】
１秒単位で出力される装置状態データについて、処理レシピ上のステップ毎に特徴量を自動算出している。前述したように、ステップの追加／削除などの処理レシピの変更があった場合に、後続のステップにずれが生じるため、特徴量の集計誤りなどが発生する。例えば、ステップの一部削除の処理レシピ変更の場合、図１２に示すように、図１１のバッチ毎のステップ０８の特徴量として装置状態データを平均値化して集計する場合に、図１１のバッチ毎のステップ０８の特徴量の収集がずれて、バッチ毎のステップ０９の特徴量Ａが含まれて集計されてしまっている。このために、図１１のバッチ毎のステップ０８の特徴量が急に変化して異変が生じたように観測されることになる。【００１１】
例えば、特定のバルブ動作などによるアナログ信号のＯＮ／ＯＦＦでステップを検知する方法も考えられるが、バルブの開閉を頻繁に繰り返す処理では所望の処理ステップの検知が正常に行われない。【００１２】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップ追加／削除などの処理レシピに変更があった場合であっても、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することができる半導体処理システム、これを用いた半導体処理装置の装置データ収集方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法、この装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムおよび、この制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の半導体処理システムは、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。【００１４】
また、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおけるデータ解析部は、前記区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、前記装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから前記特徴量を算出する特徴量算出部とを有する。【００１５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける特徴量算出部は、条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照手段と、該区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出手段と、該装置状態データと条件照合して条件が一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、当該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算手段とを有する。【００１６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの所定の一または複数のステップについて区間定義可能とする。【００１７】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの一のステップの一部について区間定義可能とする。【００１８】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップのうちの一のステップの一部から一または複数のステップ、これに連続する一のステップの一部について複数のステップに跨って区間定義可能とする。【００１９】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける条件定義部は、前記区間定義情報において、前記複数のステップについて、複数の繰り返しステップのデータ集計で該繰り返しステップの全部または一部を区間定義可能とする。【００２０】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける条件定義部は、前記区間定義情報において、前記ステップの切替り前後で前記装置状態データの変動が発生する期間を区間集計に含まないオフセット期間としてステップの途中に前記区間定義可能とする。【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける特徴量算出部は、前記装置状態データを、前記条件定義部で予め準備している区間定義情報と照合し、該区間定義情報の内容に一致した条件における少なくとも所定範囲の特徴量を算出する。【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける特徴量算出部は、区間集計による前記特徴量を算出する場合に該特徴量の許容値を設定可能とし、該特徴量の許容値内に合致した特徴量を算出可能とする。【００２３】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける特徴量の変化を時系列に示すトレンドグラフを描画するトレンドグラフ描画部を更に有する。【００２４】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおけるトレンドグラフ描画部は、区間集計された前記特徴量をバッチ毎のトレンド描画を行うことにより前記トレンドグラフの変化点から前記半導体処理部の早期異常検出を可能とする。【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける装置状態データは、ガス流量、圧力および温度などの各種設定条件に対して実際に前記半導体処理部が実行して該半導体処理部から得られた各データである。【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおける特徴量は、前記装置状態データのバッチ毎の平均値、中央値および、ばらつき３σのうちの少なくともいずれかである。【００２７】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理システムにおけるステップは、前記処理レシピ内での処理条件の切り替わりを示す処理期間である。【００２８】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体処理システムを用いた半導体装置の製造時に求めた少なくとも特徴量から異常検出して前記半導体処理部にフィードバックして処理条件の設定を変更しつつ半導体装置を製造するものであり、そのことにより上記目的が達成される。【００２９】
本発明の半導体処理装置の装置データ収集方法は、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。  また、好ましくは、本発明の半導体処理装置の装置データ収集方法におけるデータ解析工程は、条件定義部に前記区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、前記装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから前記特徴量を算出する特徴量算出工程を有する。【００３０】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理装置の装置データ収集方法における特徴量算出工程は、区間定義情報参照手段が、条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照工程と、一致検出手段が、該参照した区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出工程と、特徴量計算手段が、該装置状態データと条件照合して条件が一致した該区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算工程とを有する。【００３１】
さらに、好ましくは、本発明の半導体処理装置の装置データ収集方法における特徴量算出工程後に、トレンドグラフ描画部が、前記特徴量であって区間毎のバッチ単位の特徴量を時系列にトレンドグラフとして可視化するトレンドグラフ描画工程を有する。【００３２】
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の上記であり、そのことにより上記目的が達成される。【００３３】
本発明の制御プログラムは、本発明の上記装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記録されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。【００３４】
本発明の可読記録媒体は、本発明の上記制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。【００３５】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。【００３６】
本発明においては、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有している。【００３７】
これによって、半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報を別途設けたので、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、別々に複数のステップからデータ収集してそれらを組み合わせることもできて、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することが可能となる。
【発明の効果】
【００３８】
以上により、本発明によれば、半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報を別途設けたので、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、別々に複数のステップからデータ収集してそれらを組み合わせることもできて、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することができる。要するに、ステップの追加や変更などが頻繁に行われる場合の装置処理データについて装置ステップとは別の集計区間定義を行うことにより、共通化した区間として特徴量算出を正確かつ容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態１における半導体処理装置の装置状態データ収集構成例を示すブロック図である。
【図２】図１の集計区間定義ファイルを模式的に示す図である。
【図３】図１の半導体処理部から出力される装置状態データの一例を示す図である。
【図４】各ステップに対する装置データ数を模式的に示す装置データ特徴量算出イメージ図である。
【図５】区間集計条件定義ファイルの一例を示す図である。
【図６】図１のトレンドグラフ描画部で描画される圧力ベースのトレンドグラフ例を示す図である。
【図７】図１の半導体処理部の概略構成例を模式的に示す図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ、図１のトレンドグラフ描画部５３で描画される基板温度ベースのトレンドグラフ例を示す図であって、（ａ）はバッチ毎のＬＥＤの光強度の歩留まり変化を示す図、（ｂ）はバッチ毎の熱輻射温度Ｔｐｙｒｏの変化を示す図、（ｃ）はバッチ毎の熱電対温度ＴＣの変化を示す図、（ｄ）はバッチ毎のヒータ電流値Ｉｐの変化を示す図である。
【図９】図１の半導体処理システムにおける装置データ収集方法を説明するためのフローチャートである。
【図１０】集計区間Ｂのバッチ毎の特徴量を模式的に示す図である。
【図１１】従来の各ステップに対する装置データ数を模式的に示す装置データ特徴量算出イメージ図である。
【図１２】図１１のステップ０８のバッチ毎の特徴量を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体処理システム
２  処理条件設定部
３  半導体処理部（半導体処理装置）
４  装置状態データ収集部
５  データ解析部
５１  条件定義部
５２  特徴量算出部
５３  トレンドグラフ描画部
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下に、本発明の半導体処理システムの装置データ収集方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法の実施形態１について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４２】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１における半導体処理システムの装置状態データ収集構成例を示すブロック図である。
【００４３】
図１において、本実施形態１の半導体処理システム１は、処理レシピ上の一連の各ステップなどの処理条件を設定する処理条件設定部２と、設定された処理条件で所定膜形成（例えばエピタキシャル成長層や多重井戸層などの膜形成など）を繰り返して半導体装置を製造する半導体処理部３と、品質管理および歩留まり向上のために半導体処理部３からの所望の装置状態データを収集する装置状態データ収集部４と、収集した装置状態データに基づいて所望のデータ解析を行うデータ解析部５とを有している。これらの処理条件設定部２および半導体処理部３により半導体処理装置が構成されている。また、装置状態データとは、ガス流量、処理室圧力、ヒータ温度などの各種設定条件に対して、実際に実行した値を例えば１秒毎にサンプリングし、処理完了時に一括してログファイルとして出力されるデータである。
【００４４】
要するに、本実施形態１の半導体処理システム１は、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部３と、半導体処理部３からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部４と、処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイル（区間定義ファイル；区間定義だけではなく特徴量の範囲も設定可能）と一致した装置状態データに基づいて特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部５とを少なくとも有している。
【００４５】
データ解析部５は、処理条件に設定された処理ステップ名やステップＮｏとは別に任意にステップ定義および区間定義ができる図２の条件定義ファイルを予め準備する条件定義部５１と、装置状態データと照合して一致した条件定義ファイルを用いて共通のステップに変換した上で特徴量を算出する特徴量算出部５２と、算出された特徴量に基づいてデータ解析のためのトレンドグラフ（バッチ単位で所定特徴量の変化が時系列で１目でわかる図）を描画するトレンドグラフ描画部５３とを有している。そのレンドグラフとその特徴量にかかわる解析データとを見比べてこれでは膜厚が薄くなり過ぎるなどの予測検討を加えて半導体処理部３の条件設定にリアルタイムにフィードバックすることができる。レンドグラフで可視化してバッチ間で比較することもできる。
【００４６】
特徴量算出部５２は、条件定義部５１に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照手段と、区間定義情報としての条件定義ファイルと装置状態データ収集部４からの装置状態データとを条件照合して条件定義ファイルの条件が一致したかどうかを検出する一致検出手段と、装置状態データと条件照合して条件が一致した条件定義ファイルを用いて共通のステップに変換した上で、条件定義ファイルと条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算手段とを有している。
【００４７】
処理レシピ上の一連の複数のステップからステップを削除したり新たにステップを加えると、その後のステップにずれが生じるが、このとき別途、図２のような固有の条件定義ファイルを予め準備しておくことにより、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップ追加／削除などの処理レシピの変更があった場合でも、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することができる。
【００４８】
ここで、用語の簡単な説明をする。「ステップ」とは処理レシピ内での条件の切り替わりを示す処理期間である。「ステップ名」とは、ｎ−ＧａＮ層、Ｗｅｌｌ層、Ｂａｒｒｉｅｒ層など、処理レシピ内でステップの状態をコメント表示するものである。「集計区間」とは、特徴量算出について、ステップとは別に任意に定義できる区間である。「区間定義」とは、集計区間の条件を定義したものである。図２の条件定義ファイルにおける「カウント」とは、同一条件を繰り返し処理する場合のループ回数である。後述する「オフセット」とは、ステップ切り替わり前後のデータなどが安定しない期間を特徴量の算出に含まない期間の設定である。
【００４９】
要するに、半導体処理部３側から出力される装置状態データについて、順次行われる処理レシピに設定されたステップ名やステップＮｏとは別に任意にステップ定義および区間定義ができる条件定義ファイルを条件定義部５１に予め複数準備しておく。半導体処理部３側から入力される装置状態データと照合して一致した条件定義ファイルを用いて特徴量算出部５２が共通区間に変換した上で、条件定義ファイルに一致する装置状態データからその特徴量（平均値、中央値および、ばらつき３σなどの値）を算出する。これによって、半導体処理部３から出力される装置状態データの処理ステップが異なる場合についても、共通のステップとしてデータ収集が可能となる。
【００５０】
条件定義部５１は、処理レシピに設定されたステップについて、処理時間の短い複数の繰り返し処理ステップのデータ集計において、サンプリング時間範囲を大きくするため、任意に複数処理ステップをグルーピング（ステップ間に跨って）してステップ定義および区間定義をすることができる。
【００５１】
条件定義部５１は、複数のステップのうちの所定の一または複数のステップについて区間定義可能とする。また、条件定義部５１は、複数のステップのうちの一のステップの一部の必要箇所について区間定義可能とする。さらに、条件定義部５１は、複数のステップについて、複数の繰り返しステップのデータ集計において、繰り返しステップの全部または一部を区間定義可能とする。
【００５２】
条件定義部５１は、区間集計による平均値などの統計量を算出する場合、処理ステップの切替り前後で装置状態データの変動が発生する。区間集計に含まない時間を任意に設定してステップ定義および区間定義をする。区間定義としてステップの途中で設定可能とする。
【００５３】
特徴量算出部５２は、装置側から転送されてきた装置状態データについて、条件定義部５１で予め準備している区間定義情報（条件定義ファイル）と照合し、区間定義に一致した条件で特徴量の区間別情報抽出、例えば設定圧力、ガス流量およびヒータ温度の各所定範囲のデータの平均値や中央値、３σの値などを自動的に計算処理する。要するに、特徴量算出部５２は、装置状態データを、条件定義部５１で予め準備している区間定義情報と照合し、区間定義情報の内容に一致した条件における少なくとも所定範囲の特徴量を算出する。
【００５４】
特徴量算出部５２は、区間集計による平均値などの特徴量を算出する場合、ステップの切替りの際、処理室内の圧力変動やガス流量、ヒータ温度が変動し、これによって関連するパラメータが変化するため、区間内の正確な特徴量の算出を行うために、処理室内の圧力、ガス流量、ヒータ温度の許容値を任意に設定することができる。要するに、特徴量算出部５２は、区間集計による特徴量を算出する際に特徴量の許容値を設定可能とし、特徴量の許容値内に合致した特徴量を算出する。
【００５５】
トレンドグラフ描画部５３は、区間集計された特徴量をトレンド描画することにより、装置の早期異常検出を行う。このバッチ毎の時系列の特徴量のトレンドグラフと、発光波長および発光強度データや駆動電流データの所定のテスト結果との相関分析を行って、歩留まり検出を行ったりする。早期異常検出は、異常状態に至る途中経過の閾値を異常検出用の閾値（基準値）と共に用意すれば自動検出できる。
【００５６】
図３は、図１の半導体処理部３から装置状態データ収集部４が収集する装置状態データの一例を示す図である。
【００５７】
図３に示すように、装置状態データ収集部４は、ステップ２１，２２のループ処理によって、２種類の層が複数回繰り返し交互に形成されるＬＥＤの多重量子井戸層を形成する場合の各処理条件（処理室圧力やガス流量およびヒータ温度など）の装置状態データを半導体処理部３からデータ収集する。各装置状態データは、１バッチ当たりの１秒毎の処理室圧力やガス流量およびヒータ温度などの大量の各種装置状態データが半導体処理部３から装置状態データ収集部４に入力される。ステップ２１，２２の繰り返しのループ処理であってＬＥＤの発光層を構成する多重量子井戸層を形成するが、所定膜厚にする場合に処理室圧力やガス流量およびヒータ温度などがどの程度必要かの閾値と比較する。
【００５８】
図４は、各ステップに対する装置データ数を模式的に示す装置データ特徴量算出イメージ図である。図５は、図１の条件定義部５１に設定された区間集計の条件定義ファイルの一例を示す図である。
【００５９】
図４および図５に示すように、処理レシピ上の各ステップに対する処理状態データ数を示しており、ステップが途中で追加されたり削除されても、集計区間を設定しそれらを繋ぎ合わせることによって所望のデータを集計することができる。例えば集計区間Ａや集計区間Ｂという解釈でデータ集計できてその特徴量を抽出してトレンド描画することができる。
【００６０】
集計区間Ａでは、２つのステップに跨っており、ステップ２の１０秒後に開始時間が設定され、次のステップ３の５秒前に終了するように設定されている。集計区間Ｂでは、ステップ８の切り替わり前後のステップ７，９の一部を含んで開始時間がステップ７のＴ１＝１５秒後で終了時間がステップ９のＴ２＝１５秒前にオフセット期間が設定されている。これは、ステップ切り替わり時にデータが乱れるため、オフセット期間の設定により集計から除外された時間を設定してデータが安定した時点からデータを収集するようにしている。例えば集計区間Ｂであればオフセット時間はステップ７のＴ１＝１５秒、ステップ９のＴ２＝１５秒であり、集計区間Ａであればオフセット時間はステップ２の１０秒、ステップ３の５秒である。
【００６１】
また、集計区間Ｃでは処理圧力が９０から１１０ミリバール、集計区間Ｄではガス流量のガスＡが単位時間当たり８９５から９０５ｃｃ、集計区間Ｆでは処理圧力が摂氏７３０から７５０度であるときにその他のデータも含めてデータ収集を開始する。要するに、各集計区間において、圧力設定、ガス流量、ヒータ温度とそれらの各範囲を設定でき、各範囲の一定条件を満たしたものを半導体処理部３からデータ収集するようになっている。集計区間Ｅで開始時間でループ２、終了時間でループ５は、例えば全ループが２０ある場合に、２番目のループからデータ収集を開始して５番目のループでデータ収集を終了する。要するに、２番目から５番目の装置状態データを抜き取ってくる。
【００６２】
このように、集計区間は、複数のステップに跨ってもよく、一つのステップだけからデータ収集してもよく、さらに、一つのステップの一部必要な箇所からデータ収集してもよく、別々に複数のステップからデータ収集してそれらを組み合わせてもよい。
【００６３】
図６は、図１のトレンドグラフ描画部５３で描画される圧力ベースのトレンドグラフ例を示す図である。
【００６４】
図６のトレンドグラフに示すように、時系列の日付に対する装置データ、例えば装置排気側の圧力であって、１２月１０日から１２月１３日までの間の各バッチ毎の時系列データに大きな変化点が存在する。これはその前日にメンテナンスがあったことによるもので、装置排気側の圧力はエピタキシャル成長に影響する。だから、周期的に行うメンテナンスによって処理室内を一旦大気に開放するため、装置排気圧力が一旦高い圧力値になった後に、装置を運転することにより正常値に下がってくる。メンテナンス後はこれほど装置排気側の圧力が変動することが分かる。
【００６５】
図７は、図１の半導体処理部３の概略構成例を模式的に示す図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）はそれぞれ、図１のトレンドグラフ描画部５３で描画される基板温度ベースのトレンドグラフ例を示す図であって、（ａ）はバッチ毎のＬＥＤの光強度の歩留まり変化を示す図、（ｂ）はバッチ毎の熱輻射温度Ｔｐｙｒｏの変化を示す図、（ｃ）はバッチ毎の熱電対温度ＴＣの変化を示す図、（ｄ）はバッチ毎のヒータ電流値Ｉｐの変化を示す図である。
【００６６】
図７に示すように、ウエハ基板１１が半導体処理部３の基台１２上に搭載され、上方から輻射温度計により輻射熱を計測することにより基板１１の輻射温度Ｔｐｙｒｏが測定されている。基台１２内には熱電対１３が内蔵されており、これによってウエハ基板１１直下の基台１２内の熱電対温度ＴＣを計測している。さらに、ウエハ基板１１下の基台１２内にはヒータ１４が設けられており、これによって、基台１２を介してウエハ基板１１の温度を上げたり下げたりすることができる。このヒータ１４への電流値Ｉｐを計測している。
【００６７】
図８（ａ）でバッチ毎のＬＥＤの光強度の歩留まりが変化した場合、図８（ｂ）で熱輻射温度Ｔｐｙｒｏは変化していないが、図８（ｃ）および図８（ｄ）でヒータ電流値Ｉｐが増加して熱電対温度ＴＣも上昇している。これによってＬＥＤの光強度の歩留まりが変化したものと考えられる。
【００６８】
図９は、図１の半導体処理システム１の装置データ収集方法を説明するためのフローチャートである。
【００６９】
図９に示すように、処理Ｓ１で半導体処理部３から装置状態データ収集部４に装置状態データがファイル出力される。
【００７０】
次に、処理Ｓ２で特徴量算出部５２は、条件定義部５１に準備されたステップ定義および区間定義が為された条件定義ファイルを参照する。
【００７１】
次に、次の処理Ｓ３で、特徴量算出部５２は、参照条件定義ファイルと装置状態データ収集部４からの装置状態データとを条件照合してファイルの条件が一致したかどうか検出し、ファイルの条件が一致するまで待つ。
【００７２】
続いて、処理Ｓ４で区間別に全特徴量を算出する。特徴量算出部５２が、装置状態データと条件照合して条件が一致した条件定義ファイルを用いて共通のステップに変換した上で、条件定義ファイルと条件が一致した装置状態データから特徴量としてその平均値、その中央値や３σの値（ばらつき）などを算出する。
【００７３】
その後、処理Ｓ５でトレンドグラフ描画部５３が図１０に示すように処理Ｓ４で求めた特徴量をバッチ単位にデータ整理して所定のデータベースに記憶しておく。
【００７４】
さらに、処理Ｓ６でトレンドグラフ描画部５３は、処理Ｓ５で求めた区間毎のバッチ単位の特徴量を図６に示すように時系列にトレンドグラフ化して可視化する。
【００７５】
次に、処理Ｓ７でトレンドグラフを用いて異常検出を行う。異常検出した場合には半導体処理部４を停止する。異常検出とはいかなくても、歩留まり向上のために異常検出を予測して半導体処理部４の条件設定にリアルタイムにフィードバックする（処理Ｓ８）。
【００７６】
その後、処理Ｓ９で処理が終了したかどうかを判定する。処理Ｓ９で処理が終了していなければ（ＮＯ）、処理Ｓ１のファイル出力処理に戻る。また、処理Ｓ９で処理が終了していれば（ＹＥＳ）、全ての処理を終了する。
【００７７】
要するに、本実施形態１の半導体処理装置の装置データ収集方法は、ＲＯＭ内から起動時にＲＡＭ内に読み込まれた制御プログラムおよびそのデータに基づいて、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部３から装置状態データ収集部４が収集する装置状態データのうち、データ解析部５が、半導体処理部３の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有している。
【００７８】
この装置データ収集方法のデータ解析工程は、条件定義部５１に区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部５２が、装置状態データ収集部４からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算出程と、トレンドグラフ描画部５３が、特徴量であって区間毎のバッチ単位の特徴量を時系列にトレンドグラフとして可視化するトレンドグラフ描画工程とを有している。
【００７９】
この装置データ収集方法の特徴量算出工程は、区間定義情報参照手段が、条件定義部５１に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイル（区間定義ファイル）を参照する区間定義情報参照工程と、一致検出手段が、区間定義情報と装置状態データ収集部４からの装置状態データとを条件照合して区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出工程と、特徴量計算手段が、装置状態データと条件照合して条件が一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算工程とを有している。
【００８０】
この装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記録された制御プログラムと、この制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体とが設けられている。
【００８１】
可読記録媒体としてのＲＯＭとしては、ハードディスクの他、形態自在な光ディスク、光磁気ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどで構成されていてもよい。この制御プログラムおよびそのデータなどがＲＯＭに記憶されるが、この制御プログラムおよびそのデータは、他の可読記録媒体から、または、無線、有線またはインターネットなどを介してＲＯＭ４にダウンロードされてもよい。
【００８２】
本実施形態１の半導体処理システム１を用いた半導体装置の製造時に求めた少なくとも特徴量から異常検出して半導体処理部３にフィードバックして処理条件設定を変更しつつ半導体装置を製造することができる。
【００８３】
したがって、設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部３と、半導体処理部３からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部４と、半導体処理部３の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイルと一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部５とを有している。
【００８４】
これによって、半導体処理部３の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報としての条件定義ファイルを別途設けたため、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、別々に複数のステップからデータ収集してそれらを組み合わせることもできて、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することができる。
【００８５】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、基板上に各種膜を成膜する半導体処理装置における複数の処理ステップからなるプロセス状態データについて特徴量を算出する半導体処理システム、これを用いた半導体処理装置の装置データ収集方法および、これを用いて半導体処理装置により半導体装置を製造する半導体装置の製造方法、この装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムおよび、この制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体の分野において、半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報を別途設けたので、ステップ追加／削除などのレシピ変更があった場合であっても、別々に複数のステップからデータ収集してそれらを組み合わせることもできて、効率的にステップの特徴量を抽出すると共に、ステップの特徴量を正確かつ容易に抽出することができる。要するに、ステップの追加や変更などが頻繁に行われる場合の装置処理データについて装置ステップとは別の集計区間定義を行うことにより、共通化した区間として特徴量算出を正確かつ容易に行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月22日(2014.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有し、
該データ解析部は、該区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出部とを有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップのうちの一のステップの一部について区間定義可能とする半導体処理システム。
【請求項２】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有し、
該データ解析部は、該区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出部とを有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップのうちの一のステップの一部から一または複数のステップ、これに連続する一のステップの一部について複数のステップに跨って区間定義可能とする半導体処理システム。
【請求項３】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有し、
該データ解析部は、該区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出部とを有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップについて、複数の繰り返しステップのデータ集計で該繰り返しステップの全部または一部を区間定義可能とする半導体処理システム。
【請求項４】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部と、該半導体処理部からの装置状態データを収集する装置状態データ収集部と、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析部とを有し、
該データ解析部は、該区間定義情報を一または複数予め準備した条件定義部と、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出部とを有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該ステップの切替り前後で該装置状態データの変動が発生する期間を区間集計に含まないオフセット期間としてステップの途中に区間定義可能とする半導体処理システム。
【請求項５】
前記特徴量算出部は、
条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照手段と、
該区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出手段と、
該装置状態データと条件照合して条件が一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、当該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算手段とを有する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項６】
前記特徴量算出部は、前記装置状態データを、前記条件定義部で予め準備している区間定義情報と照合し、該区間定義情報の内容に一致した条件における少なくとも所定範囲の特徴量を算出する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項７】
前記特徴量算出部は、区間集計による前記特徴量を算出する場合に該特徴量の許容値を設定可能とし、該特徴量の許容値内に合致した特徴量を算出可能とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項８】
前記特徴量の変化を時系列に示すトレンドグラフを描画するトレンドグラフ描画部を更に有する請求項１〜５のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項９】
前記トレンドグラフ描画部は、区間集計された前記特徴量をバッチ毎のトレンド描画を行うことにより前記トレンドグラフの変化点から前記半導体処理部の早期異常検出を可能とする請求項８に記載の半導体処理システム。
【請求項１０】
前記装置状態データは、ガス流量、圧力および温度などの各種設定条件に対して実際に前記半導体処理部が実行して該半導体処理部から得られた各データである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項１１】
前記特徴量は、前記装置状態データのバッチ毎の平均値、中央値および、ばらつき３σのうちの少なくともいずれかである請求項１〜４のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項１２】
前記ステップは、前記処理レシピ内での処理条件の切り替わりを示す処理期間である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体処理システム。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体処理システムを用いた半導体装置の製造時に求めた少なくとも特徴量から異常検出して前記半導体処理部にフィードバックして処理条件の設定を変更しつつ半導体装置を製造する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有し、
該データ解析工程は、条件定義部に該区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出工程を有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップのうちの一のステップの一部について区間定義可能とする装置データ収集方法。
【請求項１５】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有し、
該データ解析工程は、条件定義部に該区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出工程を有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップのうちの一のステップの一部から一または複数のステップ、これに連続する一のステップの一部について複数のステップに跨って区間定義可能とする装置データ収集方法。
【請求項１６】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有し、
該データ解析工程は、条件定義部に該区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出工程を有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該複数のステップについて、複数の繰り返しステップのデータ集計で該繰り返しステップの全部または一部を区間定義可能とする装置データ収集方法。
【請求項１７】
設定処理条件で膜形成を行う半導体処理部から装置状態データ収集部が収集する装置状態データのうち、データ解析部が、該半導体処理部の処理レシピ上の複数のステップに対して一または複数の集計区間を個別に設定した区間定義情報と一致した装置状態データに基づいて所定の特徴量を抽出してデータ解析を行うデータ解析工程を有し、
該データ解析工程は、条件定義部に該区間定義情報を一または複数予め準備し、特徴量算出部が、該装置状態データ収集部からの装置状態データと照合して一致した区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該一致した装置状態データから該特徴量を算出する特徴量算出工程を有し、
該条件定義部は、該区間定義情報において、該ステップの切替り前後で該装置状態データの変動が発生する期間を区間集計に含まないオフセット期間としてステップの途中に区間定義可能とする装置データ収集方法。
【請求項１８】
前記特徴量算出工程は、
区間定義情報参照手段が、条件定義部に準備された集計区間を個別に設定した区間定義情報を参照する区間定義情報参照工程と、
一致検出手段が、該参照した区間定義情報と装置状態データ収集部からの装置状態データとを条件照合して該区間定義情報の条件が一致したかどうかを検出する一致検出工程と、
特徴量計算手段が、該装置状態データと条件照合して条件が一致した該区間定義情報を用いて共通のステップに変換した上で、該区間定義情報と条件が一致した装置状態データから特徴量を算出する特徴量計算工程とを有する請求項１４〜１７のいずれかに記載の装置データ収集方法。
【請求項１９】
前記特徴量算出工程後に、トレンドグラフ描画部が、前記特徴量であって区間毎のバッチ単位の特徴量を時系列にトレンドグラフとして可視化するトレンドグラフ描画工程を有する請求項１４〜１８のいずれかに記載の装置データ収集方法。
【請求項２０】
請求項１４〜１９のいずれかに記載の装置データ収集方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記録された制御プログラム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。
【国際調査報告】
2013121493.tif 000015
2013121493.tif 000016
2013121493.tif 000017
2013121493.tif 000018