(57)【要約】  ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板であり、８５０℃を超えた熱酸化処理を施す前に６５０℃から８５０℃までの中間熱処理を加え、然る後に８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことで得られる熱酸化異種複合基板に関するものであり、本発明によれば、熱酸化後の欠陥数を低減した熱酸化異種複合基板を得ることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板であり、８５０℃を超えた熱酸化処理を施す前に６５０℃から８５０℃までの中間熱処理を加え、然る後に８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことで得られる熱酸化異種複合基板。
【請求項２】
ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の熱酸化異種複合基板。
【請求項３】
ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在することを特徴とする請求項１又は２に記載の熱酸化異種複合基板。
【請求項４】
中間熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱酸化異種複合基板。
【請求項５】
ハンドル基板の熱膨張係数が４００℃以下で０．５４ｐｐｍ以上７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱酸化異種複合基板。
【請求項６】
ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から４００℃で７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の熱酸化異種複合基板。
【請求項７】
ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板に対し６５０〜８５０℃の中間熱処理を加えた後、８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことを特徴とする熱酸化異種複合基板の製造方法。
【請求項８】
ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【請求項９】
異種複合基板が、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在するものであることを特徴とする請求項７又は８に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【請求項１０】
中間熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【請求項１１】
ハンドル基板の熱膨張係数が４００℃以下で０．５４ｐｐｍ以上７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【請求項１２】
ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から４００℃で７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス、石英、サファイア等のハンドル基板上に単結晶シリコン膜を形成した異種複合基板を熱酸化処理することにより得られた熱酸化異種複合基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
寄生容量を低減し、デバイスの高速化を測るためにＳｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  （ＳＯＩ）ウェーハが広く用いられるようになってきている。このＳＯＩウェーハの中でも、Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｑｕａｒｔｚ（ＳＯＱ），Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｓａｐｐｈｉｒｅ（ＳＯＳ）というハンドルウェーハが絶縁透明ウェーハで構成されるウェーハが注目を集めている。ＳＯＱは石英の高い透明性を活かしたオプトエレクトロニクス関係、もしくは低い誘電損失を活かした高周波デバイスへの応用が期待される。ＳＯＳはハンドルウェーハがサファイアで構成されることから、高い透明性や低誘電損失に加え、石英では得られない高い熱伝導率を有することから、発熱を伴う高周波デバイスへの応用が期待されている。【０００３】
高い品質を有する単結晶を積層するためには、バルクのシリコンウェーハから貼り合わせ・転写法でシリコン薄膜を形成することが理想的である。Ｒ面のサファイア上にシリコン層をヘテロエピ成長する方法や、ガラス上に非単結晶シリコンを成長させ、その後レーザーアニールなどで結晶性を高めるＣＧシリコンなどが開発されているが、貼り合わせ法に勝る方法はないといえる。【０００４】
但し、異種材料による貼り合わせウェーハ（例：ＳＯＱ、ＳＯＳ、ＳＯＧなど）はプロセス中に誘起される欠陥が懸念される。具体的には、通常のデバイスプロセスにはゲート酸化膜を形成するための８５０℃を超える高温処理等が含まれている。これらの異種材料貼り合わせ基板（以下、異種複合基板）では、このような高温プロセスを施すことでシリコン薄膜が強い圧縮・引張り応力を受け、様々な欠陥（微小なクラックなど）を発生することがある。この原因は、異種複合基板はハンドル基板と呼ばれる支持基板と上層のシリコン薄膜との間で大きな膨張係数の差が存在するためで、異種複合基板の本質的問題といえる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、酸化膜を形成するために８５０℃を超える高温処理を行った後において、微小クラック等の欠陥を可及的に低減させた熱酸化異種複合基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、シリコン薄膜を転写した絶縁透明ウェーハ（石英・ガラス・サファイア等）を８５０℃を超える高温プロセスに掛ける前に、中間の熱処理とも言うべき熱処理を加えること、この中間の熱処理の温度を６５０℃以上８５０℃以下とすることが有効であることを知見した。【０００７】
即ち、この中間の熱処理は、８５０℃を超える高温処理により発現する欠陥を、中間熱処理（６５０℃以上８５０℃以下）を介在させることで、低減するための処理である。局在する応力をウェーハ全面に平均化をさせる処理ともいえる。局在する応力の原因はハンドル基板が有する材料の歪みや粗密、貼り合わせプロセスの面内不均一などが原因と推定される。
また、この中間の熱処理は、貼り合わせ界面の貼り合わせ強度を、上記高温処理温度に到達する前に十分に高め、シリコン薄膜が強い応力を受けた際にも剥がれやズレを生じさせないための処理である。
そして、この中間熱処理を経た後に酸化などの高温処理を施すことで、酸化後の欠陥数を低減することが可能となるものである。【０００８】
従って、本発明は、下記熱酸化異種複合基板及びその製造方法を提供する。
〔１〕
ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板であり、８５０℃を超えた熱酸化処理を施す前に６５０℃から８５０℃までの中間熱処理を加え、然る後に８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことで得られる熱酸化異種複合基板。
〔２〕
ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする〔１〕に記載の熱酸化異種複合基板。
〔３〕
ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在することを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載の熱酸化異種複合基板。
〔４〕
中間熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板。
〔５〕
ハンドル基板の熱膨張係数が４００℃以下で０．５４ｐｐｍ以上７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板。
〔６〕
ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から４００℃で７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする〔５〕に記載の熱酸化異種複合基板。
〔７〕
ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板に対し６５０〜８５０℃の中間熱処理を加えた後、８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことを特徴とする熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔８〕
ハンドル基板がガラス、石英、サファイアのいずれかであることを特徴とする〔７〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔９〕
異種複合基板が、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜が介在するものであることを特徴とする〔７〕又は〔８〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔１０〕
中間熱処理の雰囲気が、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム、又は不活性ガスと酸素を混合した雰囲気であることを特徴とする〔７〕〜〔９〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔１１〕
ハンドル基板の熱膨張係数が４００℃以下で０．５４ｐｐｍ以上７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする〔７〕〜〔１０〕のいずれかに記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
〔１２〕
ハンドル基板がサファイアであり、サファイアウェーハの膨張係数が室温から４００℃で７．４ｐｐｍ以下であることを特徴とする〔１１〕に記載の熱酸化異種複合基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱酸化後の欠陥数を低減した熱酸化異種複合基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】種々の温度で中間熱処理を行った場合の熱酸化ＳＯＳウェーハ基板のＨＦ欠陥数を示すグラフである。
【図２】種々の温度で中間熱処理を行った場合の熱酸化ＳＯＱウェーハ基板のＨＦ欠陥数を示すグラフである。
【図３】種々のサファイア方位に単結晶シリコン膜を有するＳＯＳウェーハを用いて中間熱処理を行った場合の熱酸化ＳＯＳウェーハ基板のＨＦ欠陥数を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の熱酸化異種複合基板は、ハンドル基板上に単結晶シリコン膜を有する異種複合基板に６５０〜８５０℃の中間熱処理を加えた後、８５０℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことによって得られる。
この場合、ハンドル基板と単結晶シリコン膜との間に埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層：Ｂｏｘ＝Ｂｕｒｉｅｄ  ｏｘｉｄｅ）を介在させることもできる。
【００１２】
本発明の対象となる複合基板のハンドル材料としては、ガラス、石英、サファイア等が主な対象である。これらの材料はシリコンとは大きく異なる膨張係数を有する。その膨張係数を下記表１に示す。
【００１３】
【表１】
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【００１４】
シリコンと石英を貼り合わせることでできるＳＯＱは膨張係数の差が２．０４ｐｐｍあり、ＳＯＳの場合は最小で４．４ｐｐｍ，最大で５．１ｐｐｍ存在する。サファイアは方位により膨張係数が異なるため、膨張係数差を少なくするために膨張係数の少ないサファイア基板を使用することで、本発明の効果を一層向上させることができる。具体的には、膨張係数の大きいＡ面ウェーハの使用を避け、Ｃ面（７．０ｐｐｍ）やＲ面（７．４ｐｐｍ程度）を使うことも効果的である。
【００１５】
従って、ハンドル基板の熱膨張係数は４００℃以下で０．５４〜７．４ｐｐｍであることが好ましく、サファイアウェーハの場合は、その膨張係数が室温から４００℃で７．４ｐｐｍ以下であることが好ましい。
また、上記ハンドル基板の厚さは５００〜８００μｍ、特に６００〜７２５μｍが好ましく、単結晶シリコン膜の厚さは５０〜５００ｎｍ、特に１００〜３５０ｎｍが好ましい。埋め込み酸化膜（ＢＯＸ酸化膜）を介在させる場合、その厚さは２５〜１５０ｎｍが好ましい。なお、ＢＯＸ酸化膜は、特開２００２−３０５２９２号公報において、ＳＯＩウェーハの埋め込み酸化膜の成膜について開示されているのと同様の方法で形成すればよい。
【００１６】
上記異種複合基板を熱酸化処理する場合は、まず６５０〜８５０℃、好ましくは７００〜８５０℃の中間熱処理を施す。
この中間熱処理の雰囲気は、扱いやすいものであれば、特に限定を受けることはない。代表的なものとして、アルゴン、窒素、酸素、水素、ヘリウム等が挙げられる。また、アルゴンや窒素などの不活性ガスと酸化ガスを混合しても構わない。
また、中間熱処理の時間は、０．５〜６時間、特に１〜３時間であることが好ましい。短すぎると、本発明の目的が十分達成されないおそれがあり、長すぎると、コストの上昇を招くおそれがある。
【００１７】
上記中間熱処理後は熱酸化処理を施す。この熱酸化処理条件としては公知の条件を採用し得るが、熱処理温度は８５０℃を超えた温度、好ましくは９００℃を超えた温度〜１，０００℃、特に９５０〜１，０００℃であるが、所望の酸化膜厚が得られる範囲であれば特に限定されない。なお、熱処理温度を９００℃を超えた温度とする場合、中間熱処理は６５０〜９００℃、特に７００〜９００℃とすることができる。熱処理雰囲気は、ドライ酸素、水蒸気などが一般的である。
熱処理時間は、所望の酸化膜厚が得られれば特に限定はない。
【００１８】
本発明によれば、欠陥数が顕著に減少した熱酸化異種複合基板が得られるが、複合基板の欠陥数の定量には、ＨＦ浸漬テストを適応することができる。これは、ＳＯＱやＳＯＳをＨＦ溶液に浸漬することで、欠陥を通じて内部の埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層：Ｂｏｘ＝Ｂｕｒｉｅｄ  ｏｘｉｄｅ）を侵食することにより、大きさが拡大し、光学顕微鏡などでも簡単に発見ができるようになるテストである。このテストでは、ＢＯＸ酸化膜の厚さが２５〜５００ｎｍであると検査が容易に行える。薄すぎるとＨＦが浸透せず、厚すぎるとＨＦの浸透が速すぎて検査上不利が生じるおそれがある。
【実施例】
【００１９】
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。【００２０】
［実施例１］
直径１５０ｍｍ、厚さ６００μｍのサファイアウェーハ（Ｒ面）を支持基板とするＳＯＳウェーハを複数枚用意した。シリコンの厚さは２００ｎｍ、ＢＯＸ層の厚さは２００ｎｍである。このウェーハに、６００℃、６５０℃、７００℃、８００℃、８５０℃、９００℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を１時間とした。中間熱処理を施さないリファレンスのウェーハ１枚を追加し、これらのウェーハに１，０００℃でウェット酸化により、２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを１０％ＨＦ溶液に３０分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図１の結果を得た。６５０℃から８５０℃までの中間熱処理を加えたものは、欠陥数が減少している。６００℃の中間熱処理を加えたものは欠陥がそれほど減少していないのは、６００℃が効果を発現させるには不十分な温度なためと思われる。また９００℃で中間処理したものは、中間処理の時点で既に欠陥が発現してしまったためと思われる。最適な温度は６５０℃から８５０℃程度と考えられる。【００２１】
［実施例２］
直径１５０ｍｍ、厚さ６２５μｍの石英ウェーハを支持基板とするＳＯＱウェーハを複数枚用意した。シリコンの厚さは２００ｎｍ、ＢＯＸ層の厚さは２００ｎｍである。このウェーハに、６００℃、６５０℃、７００℃、８００℃、８５０℃、９００℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を１時間とした。中間熱処理を施さないリファレンスのウェーハ１枚を追加し、これらのウェーハに９５０℃でウェット酸化により、２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを１０％ＨＦ溶液に３０分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図２の結果を得た。６５０℃から８５０℃までの中間熱処理を加えたものは、欠陥数が減少している。６００℃の中間熱処理を加えたものは欠陥がそれほど減少していないのは、６００℃が効果を発現させるには不十分な温度なためと思われる。また９００℃で中間処理したものは、中間処理の時点で既に欠陥が発現してしまったためと思われる。最適な温度は６５０℃から８５０℃程度と考えられる。【００２２】
［実施例３］
直径１５０ｍｍ、厚さ６００μｍのサファイアウェーハを支持基板とするＳＯＳウェーハを複数枚用意した。この時のサファイアの方位は、Ｃ面（熱膨張係数ＣＴＥ＝７．０ｐｐｍ）、Ｒ面（熱膨張係数ＣＴＥ＝７．４ｐｐｍ）、Ａ面（熱膨張係数ＣＴＥ＝７．７ｐｐｍ）とした。シリコンの厚さは２００ｎｍ、ＢＯＸ層の厚さは２００ｎｍである。これらのウェーハに、８００℃の中間熱処理を加えた。雰囲気はアルゴンガスとし、保持時間を１時間とした。これらのウェーハに１，０００℃でウェット酸化により、２００ｎｍの酸化膜を形成した。酸化後、これらのウェーハを１０％ＨＦ溶液に３０分間浸漬し、欠陥の数を数えたところ、図３の結果を得た。Ｃ面、Ｒ面はＡ面よりも効果的に欠陥の数が減少していることが分かった。【００２３】
本方法は石英とサファイアに特化した実施例を記載したが、石英とサファイアの中間の熱膨張係数（０．５４〜７．４ｐｐｍ）を取る材料をハンドル基板とした際にも同様に有効である。
【図１】
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【図２】
2013105634.tif 000005
【図３】
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【国際調査報告】
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