(57)【要約】  本発明は、金属箔と、前記金属箔の、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下である面上に設けられ、平均厚みが３μｍ〜２５μｍであるポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層上に設けられ、平均厚みが５μｍ〜２５μｍである接着剤層とを有する基板を提供する。
2012165265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と、
前記金属箔の、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下である面上に設けられ、平均厚みが３μｍ〜２５μｍであるポリイミド樹脂層と、
前記ポリイミド樹脂層上に設けられ、平均厚みが５μｍ〜２５μｍである接着剤層と、
を有する基板。
【請求項２】
さらに前記接着剤層上に設けられる金属板を有する請求項１に記載の基板。
【請求項３】
１５０℃、５００時間の熱処理後の各層間の接着力が、それぞれ０．５ｋＮ／ｍ以上である請求項１又は請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記ポリイミド樹脂層及び接着剤層の全体としての絶縁破壊電圧が３ｋＶ以上である請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記接着剤層に含まれる接着剤樹脂の硬化後の常温における弾性率が２００ＭＰａ〜１０００ＭＰａである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の基板。
【請求項６】
前記ポリイミド樹脂層は、ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物と、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンとから得られるポリイミド樹脂を含む請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
前記接着剤層は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含む請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の基板。
【請求項８】
前記接着剤層は、その固形分中の樹脂の総含有率が１００質量％以下であり、
前記樹脂に含まれるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と相溶可能でエポキシ基を１分子中に２以上有するエポキシ樹脂、及び前記エポキシ基と反応可能な官能基を１分子中に３以上有する多官能樹脂の、前記固形分中における含有率がそれぞれ順に、３０質量％〜６０質量％、１０質量％以上、及び１０質量％以上である請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の基板。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の基板における金属箔が回路加工されてなる放熱基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の放熱基板と、前記放熱基板上に配置された素子と、を備える放熱モジュール。
【請求項１１】
ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物、並びに、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンの反応物であるポリイミド前駆体を準備する工程と、
金属箔の、算術平均粗さ(Ｒａ)が０．３μｍ以下、且つ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２μｍ以下である面上に、前記ポリイミド前駆体を付与する工程と、
窒素ガス及び水素ガスを含む混合気体雰囲気下で、前記ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂へ脱水環化してポリイミド樹脂層を形成する工程と、
前記ポリイミド樹脂層上に接着剤層を設ける工程と、
を含む基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ポリイミド前駆体は、１モルのビフェニルテトラカルボン酸無水物に対して、０．１５モル〜０．２５モルのジアミノジフェニルエーテルと、０．７５モル〜０．８５モルのフェニレンジアミンとを含むジアミンを反応させた反応物である請求項１１に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及びその製造方法、放熱基板、並びに、放熱モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品実装用の放熱基板としては、金属板の上に電気絶縁材層を積層し、その上に配線パターンを形成した金属コア基板が多く使われている。
一般に電気絶縁材層の上には銅箔が積層されて、配線パターンが形成されている。そして配線パターン上にハンダを用いて、セラミックチップ部品やシリコン半導体、端子等を実装する。
前記電気絶縁材層としては、例えば、特許第３２５５３１５号公報には、熱可塑性ポリイミド又はポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）に無機フィラーを添加したものが提案されている。しかしこのような熱可塑性ポリイミド、ＰＰＥのような一般的な樹脂は、樹脂自体の熱伝導率が低いため、近年のＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）やＬＥＤ（発光ダイオード）等の高放熱性が要求される電子部品用の放熱基板とすることが難しい場合があった。そこで近年は、電気絶縁材層の高熱伝導化の検討がなされており、例えば特開平１１−３２３１６２号公報及び特開２００８−１０６１２６号公報には、樹脂の熱伝導性を高める手段として、結晶化樹脂を用いることが提案されている。また例えば、特開２００７−１５０２２４号公報では、高熱伝導性フィラーを用いる検討が行われている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特開平１１−３２３１６２号公報、特開２００８-１０６１２２６号公報及び特開２００７−１５０２２４号公報に記載された結晶化樹脂や高熱伝導性フィラーは電気絶縁性の低下を引き起こしやすく、いずれの方法も所定の電気絶縁性を保つために、１００μｍ程度の厚みの接着剤層が必要であり、基板の薄型化には限界があった。
本発明は、上記問題点を改善するものであり、信頼性が高く安定した放熱効果を示す薄型の基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは鋭意検討を行った結果、ポリイミド樹脂層と接着する金属箔面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２μｍ以下である金属箔と、前記金属箔上に平均厚み２μｍ〜２５μｍのポリイミド樹脂層と、平均厚み５μｍ〜２５μｍのポリアミドイミドを含む接着剤層とをこの順に積層して構成した基板が好適であることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち本発明は以下の態様を包含する。
＜１＞  金属箔と、前記金属箔の、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下である面上に設けられ、平均厚みが３μｍ〜２５μｍであるポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層上に設けられ、平均厚みが５μｍ〜２５μｍである接着剤層と、を有する基板である。【０００５】
＜２＞  さらに前記接着剤層上に設けられる金属板を有する前記＜１＞に記載の基板である。【０００６】
＜３＞  １５０℃、５００時間の熱処理後の各層間の接着力が、それぞれ０．５ｋＮ／ｍ以上である前記＜１＞又は＜２＞に記載の基板である。【０００７】
＜４＞  前記ポリイミド樹脂層及び接着剤層の全体としての絶縁破壊電圧が３ｋＶ以上である前記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の基板である。【０００８】
＜５＞  前記接着剤層に含まれる接着剤樹脂の硬化後の常温における弾性率が２００ＭＰａ〜１０００ＭＰａである前記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の基板である。【０００９】
＜６＞  前記ポリイミド樹脂層は、ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物と、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンとから得られるポリイミド樹脂を含む前記＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の基板である。【００１０】
＜７＞  前記接着剤層は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂及びエポキシ樹脂を含む前記＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の基板である。【００１１】
＜８＞  前記接着剤層は、その固形分中の樹脂の総含有率が１００質量％以下であり、
前記樹脂に含まれるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と相溶可能でエポキシ基を１分子中に２以上有するエポキシ樹脂、及び前記エポキシ基と反応可能な官能基を１分子中に３以上有する多官能樹脂の、前記固形分中における含有率がそれぞれ順に、３０質量％〜６０質量％、１０質量％以上、及び１０質量％以上である前記＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の基板である。【００１２】
＜９＞  前記＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の基板における金属箔が回路加工されてなる放熱基板である。【００１３】
＜１０＞  前記＜９＞に記載の放熱基板と、前記放熱基板上に配置された素子と、を備える放熱モジュールである。【００１４】
＜１１＞  ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物、並びに、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンの反応物であるポリイミド前駆体を準備する工程と、金属箔の、算術平均粗さ(Ｒａ)が０．３μｍ以下、且つ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２μｍ以下である面上に、前記ポリイミド前駆体を付与する工程と、窒素ガス及び水素ガスを含む混合気体雰囲気下で、前記ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂へ脱水環化してポリイミド樹脂層を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂層上に接着剤層を設ける工程と、を含む基板の製造方法である。【００１５】
＜１２＞  前記ポリイミド前駆体は、１モルのビフェニルテトラカルボン酸無水物に対して、０．１５モル〜０．２５モルのジアミノジフェニルエーテルと、０．７５モル〜０．８５モルのフェニレンジアミンとを含むジアミンを反応させた反応物である前記＜１１＞に記載の基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、信頼性が高く安定した放熱効果を示す薄型の基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態にかかる放熱モジュールの一例を示す概略断面図である。
【図２】本実施形態にかかる放熱モジュールの使用態様の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、金属箔と、前記金属箔の、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下、且つ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下である面上に設けられ、平均厚みが３μｍ〜２５μｍであるポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層上に設けられ、平均厚みが５μｍ〜２５μｍである接着剤層と、を有する基板に関するものである。一般に金属箔にポリイミド層を形成する際に、熱抵抗を低減させるために前記ポリイミド層を薄くすると絶縁破壊電圧が低下する傾向にある。本発明者らは、金属箔の表面の粗さをある特定の範囲とすることで、ポリイミド層を薄くしても絶縁破壊電圧の低下を防ぐことができることを見出した。すなわち、本発明は絶縁破壊電圧の向上と熱抵抗の低減の両立を達成した基板を提供する。
【００１９】
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。さらに組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。
【００２０】
＜基板＞
本発明の基板は、金属箔と、前記金属箔の、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下である面上に設けられ、平均厚みが３μｍ〜２５μｍであるポリイミド樹脂層と、前記ポリイミド樹脂層上に設けられ、平均厚みが５μｍ〜２５μｍである接着剤層と、を有する。
かかる構成であることで、絶縁破壊電圧及び素子等を搭載する際のリフロー耐性が高く、また長時間高温に晒された後であっても層間剥離等の不具合の発生が抑制されるという信頼性が高く、安定した放熱効果を示す薄型の基板とすることができる。本発明の基板は、例えば、ＬＥＤ搭載用の放熱基板等に好適に用いられる。
【００２１】
（金属箔）
前記金属箔は、少なくとも一方の面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下、且つ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍ以下であれば特に制限されない。金属箔を構成する材質は例えば、金、銅、アルミニウムなど特に制限されない。一般的には銅箔が用いられる。
また金属箔として、ニッケル、ニッケル−リン、ニッケル−スズ合金、ニッケル−鉄合金、鉛、鉛−スズ合金等を中間層とし、この両面に０．５μｍ〜１５μｍの銅層と１０μｍ〜３００μｍの銅層を設けた３層構造の複合箔、又はアルミニウムと銅箔とを複合した２層構造複合箔を用いることもできる。
【００２２】
前記金属箔の一方の面の算術平均粗さ（Ｒａ）は０．３μｍ以下であるが、ポリイミド樹脂層との接着性の観点から、０．１μｍ以上０．３μｍ以下であることが好ましく、０．２μｍ以上０．３μｍ以下であることがより好ましい。
また前記一方の面の最大粗さ（Ｒｍａｘ）は２．０μｍ以下であるが、熱処理後のポリイミド樹脂層との接着力の観点から、１．０μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましく、１．５μｍ以上２．０μｍ以下であることがより好ましい。
金属箔面の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍを超えたり、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２．０μｍを超えたりして表面粗さが大きい場合には、絶縁破壊電圧が低下する。これは例えば、金属箔面の凹凸部を基点に電界が集中するためと考えることができる。また、金属箔のポリイミド樹脂層を設ける面が上記の様に表面粗さが大きい場合には、ポリイミド樹脂層の層厚が不均一になりやすく、面内における熱伝導性のバラツキが発生する場合がある。
なお、金属箔の面の算術平均粗さ及び最大粗さは、触診式粗さ計を用いて、室温、測定力０．７ｍＮの条件で測定される。
【００２３】
金属箔の面の算術平均粗さ及び最大粗さを所定の範囲とする方法としては、金属箔の面粗さを制御するのに通常用いられる方法を特に制限なく用いることができる。
また前記金属箔として、例えば、福田金属株式会社製の電解銅箔や日本電解株式会社製の電解銅箔等の市販の金属箔であって、面の算術平均粗さ及び最大粗さが所定の範囲である金属箔を用いることもできる。
【００２４】
前記金属箔面の算術平均粗さ（Ｒａ）に対する最大粗さ（Ｒｍａｘ）の比（最大粗さ／算術平均粗さ）は特に制限されない。例えば、銅箔とポリイミドの接着力の観点から、５〜１５であることが好ましく、７〜１２であることがより好ましい。
【００２５】
前記金属箔の平均厚みは特に制限されない。中でも６μｍ以上であることが好ましく、６μｍ〜４０μｍであることがより好ましく、９μｍ〜３５μｍであることがさらに好ましい。６μｍ以上の金属箔を用いることで生産効率が高くなるという利点がある。
なお、金属箔の平均厚みは、触診式粗さ計を用いて無作為に選択される１０箇所の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる。
【００２６】
（ポリイミド樹脂層）
本発明の基板においては前記金属箔の一方の面であって、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．３μｍ以下且つ最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２μｍ以下の面上に、ポリイミド樹脂層が設けられていて、その平均厚みが３μｍ〜２５μｍである。前記ポリイミド樹脂層の平均厚みは３μｍ〜１５μｍであることが好ましく、５μｍ〜１５μｍであることがより好ましい。ポリイミド樹脂層の平均厚みが３μｍ未満場合には十分な絶縁破壊電圧（好ましくは、１ｋＶ以上）を達成することができない場合がある。また平均厚みが２５μｍを超えると十分な熱伝導性を達成できない場合がある。
なお、樹脂層の平均厚みは、触診式粗さ計を用いて、無作為に選択される１０箇所の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる。
【００２７】
また前記金属箔面の算術平均粗さ（Ｒａ）に対するポリイミド樹脂層の平均厚みの比（ポリイミド樹脂層厚／算術平均粗さ）は特に制限されない。例えば、接着性の観点から、１０以上であることが好ましく、１５〜１２５であることがより好ましい。
【００２８】
更に前記金属箔面の最大粗さ（Ｒｍａｘ）に対するポリイミド樹脂層の平均厚みの比（ポリイミド樹脂層厚／算術平均粗さ）の比（ポリイミド樹脂層厚／最大粗さ）は特に制限されない。例えば、熱伝導性及び絶縁破壊電圧の観点から、１〜２０であることが好ましく、１．５〜１５であることがより好ましい。
【００２９】
またポリイミド樹脂層と金属箔との間の接着力は、１５０℃で５００時間の熱処理後に０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．８ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。熱処理後の接着力が前記範囲であることで、基板としての層間剥離が抑制され、信頼性が高く放熱安定性に優れる基板を構成することができる。さらに、ポリイミド樹脂層と金属箔との間の接着力は、１５０℃で５００時間の熱処理前に、０．７ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．９ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。熱処理前の接着力が前記範囲であることで、回路にＬＥＤ等の素子を誤接着した際のリペア性が向上する。なお、前記接着力は引張試験器（例えば、オリエンテック社製、ＲＴＭ５００）を用いて、剥離角９０度、５０ｍｍ／分の条件で測定される。
【００３０】
熱処理後のポリイミド樹脂層と金属箔との間の接着力を前記範囲とするには、例えば、ポリイミド樹脂層を、後述する特定ポリイミド樹脂を含んで構成する方法や、金属箔の最大粗さを絶縁破壊電圧の許す範囲で大きくする方法等を挙げることができる。
【００３１】
さらに前記ポリイミド樹脂層及び接着剤層の全体としての絶縁破壊電圧は３ｋＶ以上であることが好ましく、４ｋＶ以上であることがより好ましい。絶縁破壊電圧が３ｋＶ以上であることで、基板としての信頼性がより向上する。
ここでポリイミド樹脂層の絶縁破壊電圧は、本発明の基板を構成するポリイミド樹脂層全体として層厚方向で測定されるものである。尚、絶縁破壊電圧は、耐電圧計（菊水電子工業株式会社製、ＴＯＳ８７００）を用いて、２ｍＡの条件で測定される。
【００３２】
熱処理後のポリイミド樹脂層の絶縁破壊電圧を前記範囲とするには、例えば、ポリイミド樹脂層の層厚を２５μｍ以下の範囲で厚くする方法、ポリイミド樹脂層を後述する特定ポリイミド樹脂を含んで構成する方法、金属箔の表面粗さ（粗化）を可能な限り小さくする方法等を挙げることができる。
【００３３】
前記ポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂は特に制限されない。例えば、フレキシブルプリント配線板を形成するのに通常用いられるポリイミド樹脂から適宜選択することができる。具体的には例えば、特開昭６０−２１０６２９号公報、特開昭６４−１６８３２号公報、特開平１−１３１２４１号公報、特開昭５９−１６４３２８号公報、特開昭６１−１１１３５９号公報に記載されたポリイミド樹脂等から適宜選択できる。
ポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂は１種単独でも、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３４】
中でも前記ポリイミド樹脂は、ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物と、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンの少なくとも一方を含むジアミンとから得られるものであることが好ましく、ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物と、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンとから得られるものであることがより好ましく、１モルのビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物に対して０．１５モル〜０．２５モルのジアミノジフェニルエーテル及び０．７５モル〜０．８５モルのフェニレンジアミンを含むジアミンを反応させて得られるものであることがさらに好ましく、１モルのビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物に対して０．１５モル〜０．２５モルのジアミノジフェニルエーテル及び０．７５モル〜０．８５モルのフェニレンジアミンを含み、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンの総量が０．９〜１．１モルであるジアミンを反応させて得られるものであることが特に好ましい。
かかる特定の構成からなるポリイミド樹脂（以下、「特定ポリイミド樹脂」ともいう）であることで、ポリイミド樹脂層と金属箔との接着性がより向上する。また絶縁破壊電圧がより向上する。
【００３５】
前記ポリイミド樹脂層は、少なくとも１種のポリイミド樹脂、好ましくは前記特定ポリイミド樹脂を含んで構成されるが、必要に応じてその他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、溶剤、無機フィラー等を挙げることできる。
前記溶剤としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤を挙げることができる。
前記ポリイミド樹脂層におけるポリイミド樹脂の含有率は、ポリイミド樹脂層の固形分中に４０体積％以上であることが好ましく、ポリイミドの強度維持の観点から６０体積％以上であることがより好ましく、７０体積％以上であることがさらに好ましい。
ここで固形分とは揮発性成分を除いた残分を意味する。
【００３６】
前記金属箔上にポリイミド樹脂層を設ける方法としては、平均厚みが３μｍ〜２５μｍのポリイミド樹脂層を形成可能であれば特に制限されない。例えば、酸無水物及びジアミンを反応させてポリイミド前駆体を得る工程と、得られたポリイミド前駆体（好ましくは、ポリイミド前駆体ワニス）を前記金属箔上に付与して、金属箔上にポリイミド前駆体層を形成する工程と、これを加熱処理してポリイミド前駆体をポリイミド樹脂へと脱水環化してポリイミド樹脂層を形成する工程とを含む方法で、金属箔上にポリイミド樹脂層を形成することができる。
なお、ポリイミド前駆体ワニスはポリイミド前駆体と溶剤とを少なくとも含む。
【００３７】
前記ポリイミド前駆体は酸無水物とジアミンとを混合し、これらを反応させることで得られる。酸無水物とジアミンの混合比は特に制限されないが、酸無水物のジアミンに対する比（酸無水物／ジアミン）が当量基準で、０．９〜１．１であることが好ましく、０．９５〜１．０５であることがより好ましい。
酸無水物のジアミンに対する比が前記範囲内であることで、形成されるポリイミド樹脂の分子量を適切に制御することができ、ポリイミド樹脂層の強度が向上する。
ここで、酸無水物またはジアミンがそれぞれ２種以上から構成される場合、それぞれの総量が前記範囲を満たしていることが好ましい。
なお、前記ポリイミド前駆体を得る工程に代えて、市販のポリイミド前駆体を用いてもよい。
【００３８】
前記ポリイミド前駆体層を形成する工程におけるポリイミド前駆体を金属箔上に付与する方法は所定の層厚にポリイミド前駆体層を形成可能であれば特に制限されず、通常用いられる液体付与方法から適宜選択して適用することができる。
例えば、公知の塗布方法により実施することができる。塗布方法として具体的には、コンマコート、ダイコート、リップコート、グラビアコート等の方法が挙げられる。所定の層厚にポリイミド前駆体層を形成するための塗布方法としては、ギャップ間に被塗工物を通過させるコンマコート法、ノズルから流量を調整したポリイミド前駆体ワニスを塗布するダイコート法等を好ましく適用することができる。
【００３９】
ポリイミド前駆体層をポリイミド前駆体ワニスの塗布によって形成する場合、塗布後にポリイミド樹脂ワニスに含まれる溶剤の少なくとも一部を除去する乾燥工程を設けることが好ましい。
乾燥工程における溶剤の除去には通常の溶剤除去方法を特に制限なく適用できる。例えば、９０℃〜１３０℃で５分間〜３０分間、加熱処理する方法等を挙げることができる。
乾燥工程後のポリイミド前駆体層中の溶剤残存率は特に制限されないが、３０質量％〜４５質量％であることが好ましい。
【００４０】
また前記ポリイミド樹脂層を得る工程における脱水環化する条件としては、ポリイミド前駆体をポリイミド樹脂に脱水環化可能であれば特に制限されない。例えば、実質的に酸素を含まない非酸化性雰囲気下（好ましくは、酸素含有率０．５体積％以下）で、３５０℃〜５５０℃に加熱処理する方法が挙げられる。具体的には、接着性と熱膨張率制御の観点から、窒素ガス及び水素ガスを含む非酸化性の混合気体雰囲気下で３８０℃〜５５０℃に加熱処理する方法であることが好ましく、窒素と水素とを含み、水素の含有率が０．１体積％〜４体積％である混合気体雰囲気下で４００℃〜５５０℃に加熱処理する方法であることがより好ましい。
【００４１】
３５０℃以上の温度で脱水環化することで十分な脱水環化率を達成することができ、絶縁破壊電圧がより向上する。また５５０℃以下の温度とすることでポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の熱分解を抑制することができる。
また窒素及び水素を含む非酸化性の混合気体雰囲気下で脱水環化することでポリイミド前駆体及びポリイミド樹脂の酸化分解を抑制し、絶縁破壊電圧がより向上する。
さらに非酸化性の混合気体雰囲気における水素の含有率が０．１体積％以上であると酸化分解抑制効果がより向上する。また水素の含有率が４体積％以下であると製造時の安全性が向上する。
【００４２】
前記ポリイミド樹脂層の上には接着剤層が設けられる。接着剤層と接するポリイミド樹脂層の面には、必要に応じて各種の表面処理がなされていてもよい。表面処理を行うことで、形成される接着樹脂層に対する濡れ性、特に、接着剤ワニスをポリイミド樹脂層上に塗布して接着樹脂層を形成する場合の接着剤ワニスの濡れ性が向上する。これによりはじきやむら等の発生を抑制し、密着力をより向上させたり、より安定化させたりすることができる。
【００４３】
表面処理の方法としては通常用いられる方法から目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ＵＶ照射、コロナ放電処理、バフ研磨、サンドブラスト、各種ドライエッチング、各種ウェットエッチング等の処理方法が挙げられる。中でも、連続処理のしやすさ、処理効果の安定性、及び効果の大きさから、酸素プラズマ処理によるドライエッチング処理を用いることが好ましい
酸素プラズマ処理によるドライエッチング処理を行うことで、ポリイミド樹脂層と接着剤層との間の接着力をより効果的に向上させることができ、より信頼性が高く、熱伝導性がより安定化された基板を得ることができる。さらにまた、接着剤層をより薄層化することができる。これは例えば、ポリイミド樹脂層と接着剤ワニスとの濡れ性が酸素プラズマ処理によって、より効果的に向上するためと考えることができる。
【００４４】
（接着剤層）
本発明の基板においては、前記ポリイミド樹脂層上には接着剤層が設けられる。接着剤層の平均厚みは５μｍ〜２５μｍであるが、熱伝導性、接着性、及び絶縁破壊電圧の観点から、５μｍ〜１５μｍであることが好ましく、５μｍ〜１０μｍであることがより好ましい。
接着剤層の平均厚みが５μｍ未満では、例えば、接着剤層の層厚が放熱用金属板の貼り付け面の最大表面粗さ以下になり、放熱用金属板への貼り付け時にポリイミド樹脂層を傷つけ絶縁破壊電圧が低下する場合がある。また平均厚みが２５μｍを超えると熱伝導性が低下する傾向がある。
なお、接着剤層の平均厚みは、触診式粗さ計を用いて無作為に選択される１０箇所の厚みを測定し、その算術平均値として与えられる。
【００４５】
前記ポリイミド樹脂層の平均厚みに対する接着剤層の平均厚みの比（接着剤層／ポリイミド樹脂層）は特に制限されない。例えば、熱伝導性及び絶縁破壊電圧の観点から、０．３〜５であることが好ましく、０．３〜２．５であることがより好ましい。
また前記ポリイミド樹脂層の平均厚みと接着剤層の平均厚みの総和（以下、「樹脂層厚み」ともいう）は特に制限されない。例えば、熱伝導性及び絶縁破壊電圧の観点から、１０μｍ〜３５μｍであることが好ましく、１０μｍ〜２５μｍであることがより好ましい。
【００４６】
ポリイミド樹脂層と接着剤層間、及び接着剤層間と必要に応じて設けられる放熱用金属板間の接着力はそれぞれ、１５０℃で５００時間の熱処理後に０．５ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．８ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。前記接着力が前記範囲であることで、基板としての信頼性がより向上する。さらに、ポリイミド樹脂層と接着剤層間、及び接着剤層と必要に応じて設けられる放熱用金属板間の接着力は、１５０℃で５００時間の熱処理前に、０．７ｋＮ／ｍ以上であることが好ましく、０．８ｋＮ／ｍ以上であることがより好ましい。熱処理前の接着力が前記範囲であることで、ＬＥＤ等の素子実装の際のはんだ接着リフロー時の膨れによる歩留まり悪化を防止できる。
接着剤層の接着力を前記範囲とする方法としては、例えば、ポリイミド樹脂層を酸素プラズマ処理によるドライエッチング処理する方法、接着剤層を後述する特定の樹脂を含んで構成する方法、ポリイミド樹脂層の表面にプライマーを塗布する等を挙げることができる。
【００４７】
また前記接着剤層に含まれる接着剤樹脂の硬化後の常温（２５℃）での弾性率は、２００ＭＰａ〜１０００ＭＰａであることが好ましく、３００ＭＰａ〜８００ＭＰａであることがより好ましい。１０００ＭＰａ以下であることで熱膨張により発生する応力を緩和することができ、接着剤層との界面にクラックが生じることを抑制できる。一方、２００ＭＰａ以上であることで、基板上にＬＥＤ等の素子を実装する際に沈み込みが発生することを抑制できる。
ここで、硬化後の弾性率とは、接着剤層に含有される接着剤樹脂を完全に硬化させた後の弾性率である。硬化の条件は使用する樹脂や硬化剤の種類等により異なるが、エポキシ樹脂とその硬化剤を用いた場合には、例えば１８５℃で９０分の熱処理により硬化させる条件とすることができる。
なお、弾性率は引張り試験機（例えば、オリエンテック社製、ＲＴＭ５００）を用いて、剥離角９０度、５０ｍｍ／分で測定される。
【００４８】
前記接着剤樹脂の硬化後の弾性率を前記範囲とする方法としては、接着剤樹脂及びその硬化剤を公知の化合物から適宜選択する方法を挙げることができる。特に接着剤樹脂を後述するような樹脂構成とすることが好ましい。
【００４９】
接着剤層に含まれる接着剤樹脂としては、前記ポリイミド樹脂層と被着体（好ましくは、放熱用の金属板）とを接着可能であれば特に制限されない。中でもシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の少なくとも１種を含むことが好ましい。
接着剤樹脂がシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂を含むことで、接着剤層のポリイミド樹脂層に対する接着性や、耐熱性がより向上する。
【００５０】
前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂は、公知の化合物から適宜選択することができる。中でも、シロキサン変性ジアミンを用いて合成されるシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂であることが好ましい。このようなシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂としては、日立化成工業株式会社製ＫＳ９００３、ＫＳ９００６、ＫＳ９９００Ｆ等が挙げられる。
【００５１】
前記接着剤層における接着剤樹脂（好ましくはシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂）の含有率は特に制限されないが、接着性と耐熱性の観点から、接着剤層の固形分中に３０質量％〜６０質量％であることが好ましく、４０質量％〜５５質量％であることがより好ましい。接着剤樹脂を３０質量％以上含有することでポリイミド樹脂層との接着性がより向上する。また６０質量％以下であることで耐熱性がより向上する。
【００５２】
前記接着剤層は、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂に加えてエポキシ樹脂の少なくとも１種をさらに含むことが好ましい。エポキシ樹脂をさらに含むことで耐熱性がより向上する傾向がある。
前記エポキシ樹脂としては特に制限なく通常用いられるエポキシ樹脂から適宜選択することができる。中でも、１分子中に２以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であって、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と相溶可能なエポキシ樹脂であることが好ましく、１分子中に２〜３のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であって、前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と相溶可能なエポキシ樹脂であることがより好ましい。
ここで、相溶可能とはエポキシ樹脂とシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とを所望の比率で混合した場合に、目視にて均一に混合可能であることをいう。
【００５３】
前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂と相溶可能なエポキシ樹脂としては、例えば、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂を構成するジアミンの骨格構造と類似する骨格構造を有するエポキシ樹脂であることが好ましい。具体的には、ポリアミドイミド樹脂がフェニレンジアミンから構成される場合、ベンゼン環を有するエポキシ樹脂であることが好ましく、さらに接着剤の耐熱性を考慮すると、ビスフェノール型エポキシ樹脂が特に好ましい。
【００５４】
前記接着剤層がエポキシ樹脂を含む場合、前記エポキシ樹脂が有するエポキシ基と反応可能な官能基を１分子中に３以上有する多官能樹脂（以下、「エポキシ基反応性樹脂」ともいう）をさらに含むことが好ましく、エポキシ基と反応可能な官能基を１分子中に３〜１０有する多官能樹脂をさらに含むことがより好ましい。
【００５５】
エポキシ基と反応する官能基を３以上有する樹脂としては、３以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ化合物や、３以上のフェノール性水酸基を有する多官能フェノール化合物、３以上のアミノ基を有する多官能アミン、３以上のアミノ基又は水酸基を有するウレタン樹脂等が挙げられる。
３以上のエポキシ基を有する多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ、ノボラック型フェノール樹脂、オルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂等の多価フェノール又は１，４−ブタンジオール等の多価アルコールとエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエーテル類；フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエステル類；アミン、アミド又は複素環式窒素塩基を有する化合物のＮ−グリシジル誘導体；脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
多官能フェノール化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビスフェノールＡ及びこれらのハロゲン化物からなる群より選ばれる少なくとも１種とホルムアルデヒドとの縮合物であるノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などが挙げられる。
【００５６】
前記接着剤層におけるエポキシ樹脂に対するエポキシ基反応性樹脂の含有比（エポキシ基反応性樹脂／エポキシ樹脂）は特に制限されないが、耐熱性と接着性の観点から、０．５〜１．０であることが好ましく、０．８〜１．０であることがより好ましい。
【００５７】
前記接着剤層における前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、並びに、エポキシ樹脂及びエポキシ基反応性樹脂の含有率は特に制限されない。接着性と耐熱性の観点から、接着剤層の固形分中の樹脂の総量が１００質量％以下であって、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の含有率が３０質量％〜６０質量％であり、エポキシ樹脂の含有率が１０質量％以上であり、エポキシ基反応性樹脂の含有率が１０質量％以上であることが好ましい。またシロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の含有率が３０質量％〜６０質量％であり、エポキシ樹脂の含有率が１０質量％〜３０質量％であり、エポキシ基反応性樹脂の含有率が１０質量％〜３０質量％であることがより好ましい。
エポキシ樹脂の含有率が１０質量％以上であることで、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂とエポキシ基反応性樹脂との相溶性が向上し、耐熱性がより向上する。またエポキシ基反応性樹脂の含有率が１０質量％以上であることで、耐熱性がより向上する。
【００５８】
前記接着剤層における前記エポキシ樹脂及びエポキシ基反応性樹脂の総含有量の前記シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂の含有量に対する含有比率（エポキシ樹脂及びエポキシ基反応性樹脂／シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂）は特に制限されない。接着性と耐熱性の観点から、２／３〜７／３であることが好ましく、２/３〜４/３であることがより好ましい。
【００５９】
前記接着剤層は、必要に応じてエポキシ樹脂の硬化剤、硬化促進剤等をさらに含んでもよい。エポキシ樹脂の硬化剤、硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と反応するもの、又は硬化を促進させるものであれば制限ない。例えば、アミン化合物、イミダゾール化合物、酸無水物化合物等を挙げることができる。
アミン化合物としては、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等を挙げることができる。また酸無水物化合物としては、無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等を挙げることができる。さらに硬化促進剤としては、イミダゾール化合物としてアルキル基置換イミダゾール、ベンゾイミダゾール化合物が使用できる。
さらに前記接着剤層は、シランカップリング剤、耐電食性向上剤、難燃剤、防錆剤等の添加剤をさらに含んでも良い。
【００６０】
前記接着剤層を前記ポリイミド樹脂層上に設ける方法としては、接着剤層の層厚を５μｍ〜２５μｍに形成可能であれば特に制限されない。例えば、接着剤樹脂と溶剤とを含む接着剤ワニスをポリイミド樹脂層上に塗布・乾燥することで形成することができる。接着剤ワニスを塗布する方法については、既述の塗布方法と同様であり、また乾燥についても既述の乾燥工程と同様である。
また乾燥工程後の接着剤層中の溶剤残存率は特に制限されないが、２質量％以下であることが好ましい。
【００６１】
前記基板は、接着剤層上に金属板をさらに有していてもよい。金属板は例えば、放熱部材として機能する。前記金属板の種類としては、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、金等を挙げることができる。接着性の観点から銅、アルミ、又は鉄であることが好ましく、放熱性の観点から銅又はアルミであることがより好ましい。
また金属板の大きさ、厚み等は特に制限されず、目的に応じて適宜選択される。
【００６２】
＜基板の製造方法＞
本発明の基板の製造方法は、ビフェニルテトラカルボン酸無水物を含む酸無水物、並びに、ジアミノジフェニルエーテル及びフェニレンジアミンを含むジアミンの反応物であるポリイミド前駆体を準備する工程と、金属箔の、算術平均粗さ(Ｒａ)が０．３μｍ以下、且つ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）が２μｍ以下である面上に、前記ポリイミド前駆体を付与する工程と、窒素ガス及び水素ガスを含む混合気体雰囲気下で、前記ポリイミド前駆体からポリイミド樹脂へ脱水環化してポリイミド樹脂層を形成する工程と、前記ポリイミド樹脂層上に接着剤層を設ける工程とを含む。
【００６３】
ポリイミド前駆体を準備する工程においては、既述のように酸無水物及びジアミンを反応させてポリイミド前駆体を得ることで準備してもよく、また市販のポリイミド前駆体を選択することで準備してもよい。またポリイミド前駆体を付与する工程、ポリイミド樹脂層を形成する工程、及び接着剤層を設ける工程の詳細は、既述の通りである。
【００６４】
＜放熱基板＞
本発明の放熱基板は、前記基板の金属箔を回路加工して回路層を形成したものである。基板上の金属箔に回路加工する方法は特に制限されず、通常用いられる回路形成方法から適宜選択される。例えば、例えば通常のフォトリソ法を用いて、回路層を形成することができる。
【００６５】
＜放熱モジュール＞
本発明の放熱モジュールは、前記放熱基板と、前記放熱基板上に配置された素子の少なくとも１種とを備える。前記素子は、放熱基板の回路層上に実装される。
前記素子としては特に制限されないが、発熱性の素子であることが好ましく、半導体素子であることがより好ましく、ＬＥＤ素子であることがさらに好ましい。
【００６６】
また、素子が実装される回路層は、前記基板の金属箔を通常用いられる方法によって加工することで形成することができる。さらに素子の回路層への実装方法には、通常用いられる方法を特に制限なく適用することができる。
【００６７】
前記放熱モジュールの実施形態の一例を、図面を参照しながら説明する。図１はＬＥＤ素子４０が実装された放熱基板１０の使用例を示す概略断面図である。
図１に示すように放熱基板１０は、金属板１８と、接着剤層１６と、ポリイミド樹脂層１４と回路層１２とがこの順に積層されて構成され、前記回路層１２上にＬＥＤ素子４０が実装されている。
【００６８】
図１では、ＬＥＤ素子４０が実装された放熱基板１０である放熱モジュールは、熱伝導性粘着材層２０を介して金属製外装板３０に配置されて用いられる。ここで熱伝導性粘着材層２０は導電性を有していてもよい。ＬＥＤ素子４０から発生する熱は、放熱基板１０を構成する回路層１２、ポリイミド樹脂層１４及び接着剤層１６を介して金属板１８に効率よく伝導され、さらに金属板１８から熱伝導性粘着材層２０を介して金属製外装板３０に伝導される。放熱基板１０は熱伝導性と絶縁性に優れるため、熱伝導性粘着材層２０が導電性を有していても信頼性を損なうことなく、ＬＥＤ素子４０から発生する熱を安定して効率的に放熱することができる。
【００６９】
図２は、ＬＥＤ素子４０が実装された放熱基板１０の使用方法の一例である発光モジュール１００を概念的に示す断面図である。図２に示すように発光モジュール１００は、金属製外装板３０と、熱伝導性粘着材層２０と、ＬＥＤ素子４０が実装された放熱基板１０とがこの順に積層され、さらに放熱基板１０、熱伝導性粘着材層２０及び金属製外装板３０はネジ５０で固定されている。
【００７０】
前記発光モジュール１００においては、放熱基板１０及び熱伝導性粘着材２０の熱伝導性に優れるため、ＬＥＤ素子４０から発生する熱は、図２に矢印として熱の流れを示すように放熱基板１０及び熱伝導性粘着材層２０を介して金属製外装板３０に効率よく伝導され、安定した放熱効果を示すことができる。
さらに前記発光モジュール１００においては、放熱基板１０の全体としての絶縁破壊電圧が高いため、優れた信頼性を有する。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。【００７２】
＜ポリイミド樹脂層付き銅箔の作製＞
（ポリイミド前駆体の合成）
熱電対、攪拌機、窒素吹込口を取り付けた５Ｌガラス製反応釜に、約３００ｍｌ／分の窒素を流しながら、ｐ−フェニレンジアミン（以下、「ＰＰＤ」と略記することがある）１２９．７ｇ（１．２モル）と、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（以下、「ＤＤＥ」と略記することがある）６０．１ｇ（０．３モル）と、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」と略記することがある）３．６ｋｇとを入れて攪拌し、ジアミン成分を溶解した。この溶液をウォータージャケットで５０℃以下に冷却しながら、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下、「ＢＰＤＡ」と略記することがある）４４１．３ｇ（１．４９モル）を徐々に加えて重合反応させ、ポリイミド前駆体ワニスを得た。
ＢＰＤＡとジアミン成分のモル比は１：１．０１であった。【００７３】
（ポリイミド前駆体層形成工程）
上記で得られたポリイミド前駆体ワニスを、塗工機（コンマコータ）を用いて、銅箔粗化面上に１０μｍの厚さで塗布した。銅箔には、幅５４０ｍｍ、厚さ３５μｍの片面粗化した電解銅箔（福田金属株式会社製）を用いた。
ポリイミド前駆体ワニスを塗布した銅箔を、強制通風乾燥炉を用いて溶媒を除去して、銅箔上にポリイミド前駆体層が設けられた、銅箔付きポリイミド前駆体フィルムを作製した。
ポリイミド前駆体層中の残溶剤率は３５％であった。
また用いた電解銅箔の粗化面における算術平均粗さ（Ｒａ）は０．２μｍ、最大粗さ（Ｒｍａｘ）は１．８μｍであった。【００７４】
（ポリイミド樹脂層形成工程）
上記で得られた銅箔付きポリイミド前駆体フィルムを、熱風循環式オーブンを用いて連続的に熱処理し、ポリイミド前駆体の脱水環化を行って銅箔付きポリイミドフィルムを作製した。
なお、熱風循環式オーブンを用いた熱処理は、窒素９９体積％、水素１体積％からなる混合気体を循環させて、４００℃で１０分の条件で行った。
得られた銅箔付きポリイミドフィルムについて、形成されたポリイミド樹脂層の厚みを、触診式粗さ計を用いて無作為に選択された１０カ所について測定し、その算術平均値としてポリイミド樹脂層の平均厚みを求めたところ、３．０μｍであった。【００７５】
（接着剤ワニスの調製）
シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂（日立化成工業株式会社製、商品名：ＫＳ９９００Ｆ）を５５部、ビスフェノール型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、商品名：エピクロン８４０Ｓ）を３０部、多官能性エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製、商品名：ＥＰＰＮ５０２Ｈ）を１５部、及び硬化促進剤（四国化成工業株式会社製、商品名：２−エチル−４−メチルイミダゾール）を０．４５部、各成分をそれぞれ計量して配合し、接着剤ワニスを調製した。【００７６】
＜実施例１＞
（接着剤層形成工程）
上記で作製した銅箔付きポリイミドフィルムのポリイミド樹脂層に対して、５００Ｗ、１８０秒の条件で酸素プラズマ処理によるドライエッチング処理を実施した後、塗工機（コンマコーター）を用いてポリイミド樹脂層上に、乾燥後に１０μｍの厚みとなるように上記で得られた接着剤ワニスを塗布した。
尚、乾燥条件は、１３０℃、５分間の乾燥条件で行った。これにより、接着剤層が設けられた銅箔付きポリイミドフィルムである基板１を作製した。
また、接着剤層中の残溶剤率は１％以下であった。【００７７】
得られた接着剤層が設けられた銅箔付きポリイミドフィルムである基板を、アルミニウム板（日本軽金属株式会社製、Ａ５０５２、表面処理なし、厚み１ｍｍ）に接着剤層が接するように積層し、熱板プレスにて１８５℃、３ＭＰａ、９０分間の条件にて硬化処理を行い、評価サンプルＡ１を得た。【００７８】
得られた評価サンプルＡ１を用いて、以下のようにして評価を行った。評価結果を表１に示す。
（熱抵抗）
３０ｍｍ角に切断した評価サンプルＡ１の銅箔に１０ｍｍ×１５ｍｍの長方形のパターンが形成されるようにエッチングにより銅箔を除去して試験片を作製した。試験片を１２０℃で３０分間乾燥した後、銅箔パターン上にトランジスタ(ＮＥＣ製Ｄ４０１Ａ  Ｋ３５Ｓ)をはんだボールにより固定して評価サンプルを作製した。
０℃に冷却した台座に熱伝導性シリコン樹脂を塗布し、その上にトランジスタが上側になるように評価サンプルＡ１をセットした。放射温度計（キーエンス製ＩＴ２−５０）を用いて接続部位のはんだボールの温度を測定しながら、トランジスタに１０Ｖ、１１Ｖの電源（Ｍｅｔｒｏｎｉｘ社製  Ｂ４１８Ａ−１６)及びアース線を接続して通電した。通電してから１分後の温度及び印加電流値から、熱抵抗を算出した。尚、印加電流値はテスター（ヒューレットパッカード社製Ｅ２３７８Ａ)を用いて測定した。
熱抵抗の目標値は１．０℃／Ｗ以下である。【００７９】
（絶縁破壊電圧）
評価サンプルＡ１の銅箔に直径２０ｍｍの円形パターンが形成されるようにエッチングにより銅箔を除去して試験片を作製した。試験片を１２０℃で３０分間乾燥した後、耐電圧計（菊水電子工業株式会社製、ＴＯＳ８７００）の板電極上にアルミニウム板を下にして試験片を乗せ、円形パターン上に直径２０ｍｍの電極を載せて、電極間に２ｍＡ、０．５Ｖの交流電圧を印加した。その後、電圧を徐々に昇圧し、通電した電圧を絶縁破壊電圧とした。
絶縁破壊電圧の目標値は３．０ｋＶ以上である。【００８０】
（銅箔引き剥がし強さ）
評価サンプルＡ１の銅箔に１ｍｍ幅のラインが形成されるようにエッチングにより銅箔を除去し、１２０℃で３０分乾燥して試験片を作製した。１５０℃で５００時間の熱処理を行う前の試験片と、１５０℃で５００時間の熱処理後の試験片のそれぞれについて、剥離強度試験器（オリエンテック社製、ＲＴＭ５００）に試験片のアルミニウム板を固定して、剥離角９０度、５０ｍｍ／分の条件で銅箔を剥離し、その荷重を測定した。
銅箔引き剥がし強さの目標値は、１５０℃で５００時間の熱処理前においては０．７ｋＮ／ｍ、１５０℃で５００時間の熱処理後においては０．５ｋＮ／ｍ以上である。【００８１】
（層間引き剥がし強さ）
評価サンプルＡ１の銅箔面に１０ｍｍ幅のラインが形成されるようにカッターを用いて銅箔及びポリイミド樹脂層を除去し、１２０℃で３０分乾燥して試験片を作製した。１５０℃で５００時間熱処理を行う前の試験片と、１５０℃で５００時間の熱処理後の試験片のそれぞれについて、剥離強度試験器（オリエンテック社製、ＲＴＭ５００）に試験片のアルミニウム板を固定して、剥離角９０度、５０ｍｍ／分の条件で、接着剤層を剥離し、その荷重を測定した。
層間引き剥がし強さの目標値は、１５０℃で５００時間の熱処理前においては０．７ｋＮ／ｍ、１５０℃で５００時間の熱処理後においては０．５ｋＮ／ｍ以上である。【００８２】
（はんだ耐熱性）
評価サンプルＡ１を５ｃｍ角に切断後、銅箔を半分の面積だけエッチングにより除去した。１２０℃で３０分乾燥させた後、３００℃のはんだ漕に銅箔面側を下にして浮かべ、フロート法にて膨れが生じるまでの時間を計測した。
はんだ耐熱性の目標値は６０秒以上である。【００８３】
＜実施例２〜６＞
実施例１において、ポリイミド樹脂層及び接着剤層の厚みを表１に示すように変更したこと以外は上記と同様にして評価サンプルＡ２〜Ａ６を作製し、同様にして評価した。【００８４】
＜実施例７〜８＞
実施例４において、銅箔算術平均粗さ及び銅箔粗化最大粗さを表１に示すように変更したこと以外は上記と同様にして評価サンプルＡ７〜Ａ８を作製し、同様にして評価した。【００８５】
＜比較例１〜４＞
実施例１において、ポリイミド樹脂層及び接着剤層の厚みを表１に示すように変更したこと以外は上記と同様にして評価サンプルＣ１〜Ｃ４を作製し、同様にして評価した。【００８６】
＜比較例５〜７＞
実施例２において、銅箔算術平均粗さ及び銅箔粗化最大粗さを表１に示すように変更したこと以外は上記と同様にして評価サンプルＣ５〜Ｃ７を作製し、同様にして評価した。【００８７】
【表１】
2012165265.tif 000003
【００８８】
実施例１〜実施例８で得られた基板を用いて構成した評価サンプルは、絶縁破壊電圧、はんだ耐熱性、銅箔、層間引き剥がし強さを維持しながら熱抵抗値１．０（℃／Ｗ）以下を保った。
一方、比較例１及び比較例４では熱抵抗が大きかった。また比較例２では絶縁破壊電圧が低下した。また比較例３では層間引き剥がし強さ及びはんだ耐熱性が低下した。さらに比較例５〜７では絶縁破壊電圧が低下した。【００８９】
日本国特許出願２０１１−１１９５５５号の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
【図１】
2012165265.tif 000004
【図２】
2012165265.tif 000005
【国際調査報告】
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2012165265.tif 000007
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