(57)【要約】配線板は、金属板で形成された複数のプレート配線と、樹脂を含む樹脂組成物で構成された絶縁部とが一体に形成された基体と、プレート配線と電気的に接続している複数の表層配線とを有する。基体は第１の表面と第２の表面を有し、これらの表面に表層配線が設けられている。表層配線の厚みはプレート配線の厚みより薄く、また、表層配線間の最小配線ギャップはプレート配線間の最小配線ギャップより小さい。プレート配線の１つは、第１表面の法線方向において、第１の表面上の第１上表層配線と第２の表面上の第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有し、第１上表層配線と第１下表層配線とが上述のプレート配線の１つによって接続されている。
2013069232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板で形成され、第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線と、前記複数のプレート配線と一体に、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物で、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みに形成された絶縁部と、を有するとともに、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを有する基体と、
前記第１表面に金属めっきで前記複数のプレート配線より薄く形成され、前記第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線と、
前記第２表面に金属めっきで前記複数のプレート配線より薄く形成され、前記第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線と、を備え、
前記複数の上表層配線間の最小配線ギャップは前記複数のプレート配線間の最小配線ギャップより小さく、
前記第１プレート配線は、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有し、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続された、
配線板。
【請求項２】
前記第２プレート配線は、前記第１表面の法線方向において、前記第２上表層配線と前記第２下表層配線の１つとが重なっている形状と実質的に同じ形状を有し、前記第２上表層配線と前記第２下表層配線とが前記第２プレート配線によって接続された、
請求項１記載の配線板。
【請求項３】
前記第１表面の法線方向において、前記第２上表層配線と前記第１下表層配線とが、前記絶縁部を介して重なる部分を有し、前記第２上表層配線と前記第１下表層配線とが絶縁されている、
請求項２記載の配線板。
【請求項４】
前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第２下表層配線とが、前記絶縁部を介して重なる部分を有し、前記第１上表層配線と前記第２下表層配線とが絶縁されている、
請求項１記載の配線板。
【請求項５】
前記複数のプレート配線の少なくとも一部が表面処理されている、
請求項１記載の配線板。
【請求項６】
前記複数のプレート配線が銅、アルミ、タングステン、モリブデン、またはこれらの合金のうちの少なくとも１つで形成された、
請求項１記載の配線板。
【請求項７】
前記基体の前記第１表面及び前記第２表面以外の表面において、前記複数のプレート配線の少なくとも一つの一部が露出している、
請求項１記載の配線板。
【請求項８】
前記基体の体積に対する前記複数のプレート配線の合計の体積比率が２０ｖｏｌ％以上、９５ｖｏｌ％以下である、
請求項１記載の配線板。
【請求項９】
前記複数の上表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の４０％以下であり、
前記複数の下表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の４０％以下である、
請求項８記載の配線板。
【請求項１０】
前記基体の体積に対する前記複数のプレート配線の体積比率が４０ｖｏｌ％以上、９５ｖｏｌ％以下である、
請求項１記載の配線板。
【請求項１１】
前記複数の上表層配線において、前記複数のプレート配線上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の２０％以上であり、
前記複数の下表層配線において、前記複数のプレート配線上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の２０％以上である、
請求項１０記載の配線板。
【請求項１２】
前記複数の上表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の４０％以下であり、
前記複数の下表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の４０％以下である、
請求項１０記載の配線板。
【請求項１３】
前記絶縁部が樹脂とフィラの混合物である、
請求項１記載の配線板。
【請求項１４】
前記フィラがＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ポリテトラフルオロエチレン、ＭｇＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）、ＴｉＯ２の少なくとも一つを含む請求項１３記載の配線板。
【請求項１５】
金属板をパターニングして第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線を形成するステップと、
前記複数のプレート配線と一体化するように、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物を前記複数のプレート配線間に充填して、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みの絶縁部を作製することで、前記複数のプレート配線と前記絶縁部で構成される基体を形成するステップと、
前記基体の第１表面と、前記第１表面と対向する第２表面とに、金属めっきで、前記複数のプレート配線より薄く、前記複数のプレート配線と電気的に接続された一対の表層配線層を形成するステップと、
前記基体の第１表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線を形成するとともに、前記基体の第２表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線を形成するステップと、を備え、
前記複数の上表層配線と前記複数の下表層配線を形成する際に、前記上表層配線間の最小配線ギャップ、前記下表層配線間の最小配線ギャップが前記プレート配線間の最小配線ギャップより小さくなるように、かつ、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と前記第１プレート配線の形状とが実質的に同じ形状を有するとともに、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続されるように前記表層配線層をパターニングする、
配線板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の前記配線板の複数個がアレイ状に形成された、
集合体。
【請求項１７】
請求項１に記載の前記配線板と、
前記配線板における前記基体の前記第１面に実装され、前記複数の上表層配線に電気的に接続された発光素子と、を備えた、
発光装置。
【請求項１８】
前記発光素子を覆う被覆層をさらに備えた、
請求項１７記載の発光装置。
【請求項１９】
金属板をパターニングして第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線を形成するステップと、
前記複数のプレート配線と一体化するように、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物を前記複数のプレート配線間に充填して、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みの絶縁部を作製することで、前記複数のプレート配線と前記絶縁部で構成される基体を形成するステップと、
前記基体の第１表面と、前記第１表面と対向する第２表面とに、金属めっきで、前記複数のプレート配線より薄く、前記複数のプレート配線と電気的に接続された一対の表層配線層を形成するステップと、
前記基体の第１表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線を形成するとともに、前記基体の第２表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線を形成するステップと、
前記基体の前記第１面に発光素子を実装し、前記複数の第１表層配線に前記発光素子を電気的に接続するステップと、を備え、
前記複数の上表層配線と前記複数の下表層配線を形成する際に、前記上表層配線間の最小配線ギャップ、前記下表層配線間の最小配線ギャップが前記プレート配線間の最小配線ギャップより小さくなるように、かつ、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と前記第１プレート配線の形状とが実質的に同じ形状を有するとともに、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続されるように前記表層配線層をパターニングする、
発光装置の製造方法。
【請求項２０】
前記発光素子を覆う被覆層を形成するステップをさらに備えた、
請求項１９記載の発光装置の製造方法。
【請求項２１】
前記配線板は複数の配線板の１つであり、前記複数の配線板はアレイ状に形成された集合体を形成し、
前記被覆層と一体化した前記集合体をダイシングにより個片化するステップをさらに備えた、
請求項２０記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレート配線と一体に形成された絶縁部と、それらの主平面に形成された表層配線とを有する配線板、この配線板上に発光素子を実装した発光装置、およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」と称す）や半導体レーザー等の発光素子は、各種の発光デバイスに使用されている。中でもＬＥＤベアチップを用いた発光装置は、放電や輻射を使った既存光源に比べて小型・高効率であり振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強い等の特性を有する。そのためこのような発光装置の用途は照明を中心に拡大している。【０００３】
ＬＥＤを用いた発光装置は、例えば、ＬＥＤベアチップと、ＬＥＤベアチップを実装した配線板で構成されている。あるいは、蛍光体を含有した被覆層でＬＥＤベアチップを覆った構成の発光装置もある。例えば、ＧａＮ系化合物半導体の様な青色を発光するＬＥＤの周りを黄色に発光する蛍光物質を含む被覆層で覆った発光装置は、白色光を発光することができる。【０００４】
ＬＥＤベアチップを配線板に実装するには、ワイヤーボンディングやＡｕ等のバンプを用いたフリップチップ実装等の方法を用いる。フリップチップ実装は、ワイヤーの影が投影されないことや、接続距離が短いことによる低い導体抵抗等の利点を有する。【０００５】
半導体素子である発光素子の出力を大きくするためには、入力電流を大きくする必要がある。特に近年の高出力化の要求に伴い、大出力のＬＥＤや光学素子を複数組み合わせて使用する場合も多い。このような光学素子の高出力化、使用数の増加に伴って、発熱量も増大している。【０００６】
フリップチップ実装は発熱源となる発光層が、配線板に近く、熱抵抗が小さくなる点でも有利である。発光素子の特性は発熱により、低下するため、放熱対策が重要である。発光素子の熱は主に配線板を介して、配線板を実装するマザー基板に伝わり拡散される。マザー基板は放熱板を有する場合が多い。【０００７】
従って、発光素子を実装する配線板には、熱抵抗と電気抵抗が低いことが必要とされている。そのため配線板にはセラミック基板や金属基板が用いられている。特にセラミック基板では、金属基板上に形成される樹脂の絶縁層と比べると絶縁部となるセラミック部分の熱伝導率が高く、熱抵抗の面で優れている。また、半導体をベアチップで実装するフリップチップ実装にも対応できるファインな配線パターンも形成できる。また、耐熱性においても樹脂の絶縁層を有する金属基板より優れている。そのため、電源やエアコンなどのパワーを要する製品への用途に有効である。【０００８】
一般にセラミック基板において、発光素子を実装する第１表層配線と、マザー基板に実装される第２表層配線とはビアで電気的に接合されている。配線板に実装された発光素子には、マザー基板の配線から第２表層配線−ビア−第１表層配線を経て電力が供給される。従って第２表層配線−ビア−第１表層配線間の電気抵抗を低減することで、損失が低減し効率が向上する。また、発光素子で発生した熱は配線板を介してマザー基板に伝わる。また、自由電子は熱伝搬力が高いため、熱の輸送に関しても第２表層配線−ビア−第１表層配線間の熱抵抗が重要である。そのため、ビアの数を増やして電気抵抗及び熱抵抗が低減されている。また、ワイヤーボンドを用いないフリップチップ実装も電気抵抗や熱抵抗を低減するのに効果的である。【０００９】
一方、金属基板を用いた配線板では、金属基板上に形成される樹脂の絶縁層の熱伝導率がセラミックより低く、セラミック基板を用いた配線板に比べて熱抵抗が高い。【００１０】
一般に、同一表面上に形成された配線パターン間のギャップは配線を構成する材料の厚みに大きく依存する。ここで厚みとは配線を形成する表面に直交する方向の長さを意味する。また配線パターン間の最小配線ギャップは、配線加工上、配線を構成する材料の厚みと同程度の幅となる。ここで最小配線ギャップとは隣り合う配線間の最も狭いギャップを意味する。【００１１】
金属板で構成された金属基板に配線パターンを形成する場合、金属板をエッチングや打抜き等する。しかしながら、その加工特性上、配線パターン間の最小配線ギャップは、金属板の厚みと同等程度となり、微細な配線パターンを形成することが難しい。このため、金属板の厚みよりも狭い配線パターン間のギャップを持つ発光素子などを金属板で構成された配線板に実装する際は、面実装することが困難である。そのため、ワイヤーボンディングなどにより、発光素子と配線板とを電気的に接続している。【００１２】
熱抵抗を低減する取組みとしては、特許文献１に示す窒化アルミニウムの様な熱伝導率の高い絶縁層を用いる方法が一般的である。また、特許文献２に示す金属筐体を用いた配線板も提案されている。特許文献２の配線板の構造においても、第１表層配線−第２表層配線間はビアで形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第４６７５９０６号公報
【特許文献２】特開２００６−０６６６３１号公報
【発明の概要】
【００１４】
本発明は電気抵抗を低減することで、電気損失を低減し、かつ熱抵抗を低減することで発光素子の信頼性・寿命・特性を向上させることができる配線板および、配線板に発光素子を実装した発光装置及びそれらの製造方法である。
【００１５】
本発明の配線板は、基体と、複数の上表層配線と、複数の下表層配線とを有する。基体は金属板で形成され、第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線と、絶縁部とを有するとともに、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを有する。絶縁部は複数のプレート配線と一体に、樹脂を含む樹脂組成物で、複数のプレート配線と実質的に同じ厚みに形成されている。複数の上表層配線は第１表面に金属めっきで複数のプレート配線より薄く形成されている。複数の上表層配線は第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２上表層配線を含む。複数の下表層配線は第２表面に金属めっきで複数のプレート配線より薄く形成されている。複数の下表層配線は第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２下表層配線を含む。複数の上表層配線間の最小配線ギャップは複数のプレート配線間の最小配線ギャップより小さい。第１プレート配線は、第１表面の法線方向において、第１上表層配線と第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有する。そして第１上表層配線と第１下表層配線とが第１プレート配線によって接続されている。
【００１６】
上記構成において、金属板からなるプレート配線を用いることで、第１上表層配線、第１下表層配線間を電気抵抗及び熱抵抗の小さい材料を用いて接続することができる。またプレート配線と絶縁部を実質的におなじ厚みとすることで、プレート配線と電気的に直接接続している表層配線を精度よく形成できる。また表層配線がプレート配線より薄く、表層配線の最小配線ギャップがプレート配線の最小配線ギャップより小さくすることで、ベアチップ実装にも対応可能な配線パターンを形成することができる。また、第１プレート配線が、第１表面の法線方向において、第１上表層配線と第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有することでプレート配線の面積を大きくでき熱抵抗を下げることができる。これにより、表層配線に実装される発光素子とマザー基板間の電気抵抗及び熱抵抗を低減することができる。また配線板に実装した発光素子の温度が低下する。または、同じ発光素子の温度で、印加する電力を増加させることができる。これにより発光装置の信頼性も向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の実施の形態における配線板の斜視図である。
【図２】図２は図１に示す配線板の線２−２における断面図である。
【図３】図３は図１に示す配線板の線３−３における断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは図１に示す配線板の第１面の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは図１に示す配線板の第２面の透視平面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは図４Ａに示す第１表層配線と、図４Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは図４Ａに示す第１表層配線と、図４Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されていない部分を示す平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは本発明の実施の形態における他の配線板の第１面の平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは図５Ａに示す配線板の第２面の透視平面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは図５Ａに示す第１表層配線と、図５Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。
【図６】図６は本発明の実施の形態における発光装置の斜視図である。
【図７】図７は図６に示す発光装置の線７−７における断面図である。
【図８】図８は本発明の実施の形態における他の発光装置の断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは図８に示す発光装置の製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは図９Ａに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは図９Ｂに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは図９Ｃに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは図９Ｄに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは図９Ｅに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図１０】図１０は本発明の実施の形態におけるアレイ状に形成した配線板の斜視図である。
【図１１】図１１は図１０に示すアレイ状に形成した配線板のそれぞれに発光素子を実装した状態を示す斜視図である。
【図１２】図１２は図１１に示す複数の発光素子を被覆層で覆った状態を示す斜視図である。
【図１３】図１３は従来のセラミック基板の斜視図である。
【図１４】図１４は図１３に示すセラミック基板の線１４−１４における断面を示す斜視図である。
【図１５】図１５は図１３に示すセラミック基板の線１５−１５における断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本発明の実施例におけるプレート配線が１０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、本発明の実施例におけるプレート配線が２０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、本発明の実施例におけるプレート配線が４０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、本発明の実施例におけるプレート配線が６０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、本発明の実施例におけるプレート配線が８０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１７】図１７は本発明の実施例における表層配線の配線パターンを示す平面図である。
【図１８】図１８は本発明の実施例と比較するセラミック基板と樹脂基板の導電性のビアの配線パターンを示す平面図である。
【図１９】図１９は本発明の実施例における基板表面温度差の発熱量依存性を示すグラフである。
【図２０】図２０は本発明の実施例における配線板と樹脂基板の弾性率の温度依存性を示すグラフである。
【図２１】図２１は本発明の実施例における金ボール接合強度の荷重依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施の形態の説明に先駆け、図１３〜図１５を参照しながら従来の構成における問題点を説明する。図１３はセラミック絶縁層２０２を用いたセラミック基板２０１の斜視図、図１４は図１３のセラミック基板２０１の線１４−１４における断面の斜視図、図１５は図１３のセラミック基板２０１の線１５−１５における断面図である。
【００１９】
図１５に示す様に、セラミック基板２０１は一対の表面を有し、両表面に形成された表層配線２０４間は導電性のビア２０３により電気的に接合されている。このような構成では、表層配線２０４間を電気的に接合する面積はビア２０３の断面積であり、熱抵抗値、電気抵抗値も制限される。また、セラミック基板２０１におけるビア２０３は印刷充填工法等で作製され、その後、焼結によって高密度化されて表層配線２０４と電気的に接続される。そのため、印刷充填工法等に耐えうる焼結材料を用いる必要がある。そのため、ビア２０３に使用する材料が制約され、低減しうる熱抵抗値、電気抵抗値の値も制約される。
【００２０】
一方、金属板で構成された配線板では、前述のとおり、金属板上に形成される樹脂の絶縁層の熱伝導率がセラミックよりかなり低い。そのため、セラミック基板を用いた配線板よりも熱抵抗が高くなる。また、耐熱性においても、樹脂のガラス転移温度を超える温度領域である２００℃〜３５０℃程の高温になると、構造強度、配線強度等が低下してしまう。
【００２１】
また、前述のように金属板で構成された配線板に、金属板の厚みよりも狭い微細な配線パターン間のギャップを持つ半導体などを金属板で構成された配線板の上に面実装することは困難である。しかしながらワイヤーボンディングなどにより電気的に接続すると、電気抵抗が高くなる。
【００２２】
以下、このような課題を解決する本発明の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態における配線板１０１の斜視図である。図２は配線板１０１の線２−２における断面図である。図３は配線板１０１の線３−３における断面図である。図４Ａは配線板１０１の第１面の平面図、図４Ｂは配線板１０１の第２面の透視平面図である。図４Ｃは図４Ａに示す第１表層配線と、図４Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。図４Ｄは図４Ａに示す第１表層配線と、図４Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されていない部分を示す平面図である。
【００２３】
配線板１０１は、基体１００と、第１上表層配線１０４Ａ、第２上表層配線１０４Ｂと、第１下表層配線１０４Ｃ、第２下表層配線１０４Ｄとを有する。基体１００は第１プレート配線１０３Ａ、第２プレート配線１０３Ｂ（以下、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ）と、絶縁部１０２とを有する。
【００２４】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは金属板で形成されている。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは基体１００の上面である第１表面から下面である第２表面に至るまで同一形状に形成されている。
【００２５】
絶縁部１０２は樹脂を含む樹脂組成物で形成されるとともに、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成されている。また絶縁部はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みに形成されている。
【００２６】
第１上表層配線１０４Ａ、第２上表層配線１０４Ｂ（以下、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ）は基体１００の上面である第１表面に形成されている。一方、第１下表層配線１０４Ｃ、第２下表層配線１０４Ｄ（以下、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ）は基体１００の下面である第２表面に形成されている。第２表面は第１表面に対向し、第１表面に平行である。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、金属めっきによりプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂより薄く形成されている。表層配線１０４Ａ、１０４Ｃはプレート配線１０３Ａと電気的に接続され、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄはプレート配線１０３Ｂと電気的に接続されている。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８より小さい。
【００２７】
なお、図１〜図４Ｂに示す構成ではプレート配線、上表層配線、下表層配線は２つずつ設けられているが、３つ以上であってもよい。
【００２８】
以下、各部の詳細な構成について説明する。絶縁部１０２は、樹脂を含む樹脂組成物（樹脂及び／又は、絶縁性フィラを含んだ樹脂）またはガラス組成物で構成されている。樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。適用可能な樹脂としてエポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂や、トリアジン樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル等、もしくはこれらの変性樹脂が挙げられる。
【００２９】
また、上記各種樹脂を２種類以上混合したものの他、必要に応じて各種硬化剤、硬化促進剤を使用しても良い。
【００３０】
なお、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル等の樹脂を用いると耐熱性が高く、高温状態での使用が可能となる。
【００３１】
また、エポキシ樹脂は強度、接着性等の特性も配線板に適している。好ましいエポキシ樹脂の主剤の具体例としては、例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、またはその他変性エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３２】
また、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、液晶ポリマー又はそれらの樹脂を変性させた樹脂の誘電正接は低い。このような樹脂を用いれば絶縁部１０２の高周波特性が向上する。
【００３３】
樹脂に硬化剤を使用する場合には、例えばエポキシ樹脂に用いるとき、アミン系やフェノール系の硬化剤を用いることができる。また、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、及び、フェノールノボラックやクレゾールノボラック等の多官能性フェノール等も挙げられる。硬化剤は、単独で使用しても、複数種を併用することも可能であり、その種類及び量は、限定されるものではなく、エポキシ樹脂との反応性や、樹脂の粘度や硬化温度等のプロセス条件、耐熱性や強度、透明性等の硬化後の樹脂の特性に応じて適宜決められる。
【００３４】
樹脂に硬化促進剤を使用する場合には、特に限定されないが、イミダゾール系化合物、有機リン系化合物、アミン及びアンモニウム塩等が用いられ、これらの２種以上を併用しても良い。また、ゴムや熱可塑樹脂を樹脂組成物に添加することで成形性を向上させることも可能である。
【００３５】
絶縁性フィラ及び樹脂の種類を適宜選択すれば、絶縁部１０２の線膨張係数、熱伝導度、誘電率等、耐候性、難燃性等の物性を制御できる。具体的には、絶縁性フィラには、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＴＦＥ、ＭｇＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）、ＴｉＯ２等を用いることができる。Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合は、絶縁部１０２の熱伝導性を高めることができる。Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯは安価という利点もある。また、絶縁性フィラにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＰＴＦＥを用いた場合は、誘電率が低い絶縁部１０２を作製できる。特に、比重が小さいＳｉＯ２は携帯電話等の用途に適している。また、絶縁性フィラにＳｉＯ２、ＢＮを用いると、線膨張係数を低くできる。絶縁性フィラにＴｉＯ２を用いた場合は、絶縁部１０２の白色化や耐候性を向上できる。また、絶縁フィラにＡｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）を用いることで、難燃性を付与できる。
【００３６】
絶縁性フィラの平均粒径は０．０５μｍ以上、２０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲である。絶縁性フィラの平均粒径が小さすぎると、絶縁部１０２の粘度が高くなり、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを埋設する際の作業性が低下するとともに、充填性も低下する。一方、絶縁性フィラの平均粒径が大きすぎると、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの耐圧性が低下する可能性がある。
【００３７】
絶縁性フィラの粒子形状は特に限定されない。具体的には、例えば、球状、扁平状、多角状、鱗片状、フレーク状、あるいは表面に突起を有するような形状等が挙げられる。また、一次粒子でもよいし、二次粒子を形成していてもよい。
【００３８】
また、これらの絶縁性フィラに表面処理を施していてもよい。表面処理により耐湿性や接着強度、分散性を向上することができる。表面処理には、例えば、シランカップリング剤やチタネートカップリング剤、リン酸エステル、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルの他、アルミナやシリカコート等を用いることができる。また、シリコン系の材料で絶縁フィラを被覆してもよい。なお、無機フィラの充填率を増加するために、異なる粒度分布を有する複数種の無機フィラを選び、これらを混合して使用しても良い。
【００３９】
絶縁部１０２は、添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、湿潤分散剤、着色剤、カップリング剤、紫外線吸収剤の様な光安定剤、酸化防止剤、離型剤等が挙げられる。湿潤分散剤を用いると、樹脂中の絶縁性フィラの分散を均一化できる。着色剤により絶縁部１０２を着色すれば、配線板１０１を自動認識装置で容易に認識できる。カップリング剤を用いると、樹脂と絶縁性フィラとの接着強度が向上し、絶縁部１０２の絶縁性を高めることができる。光安定剤を用いると、紫外線等による絶縁部１０２の劣化を低減することができる。また、酸化防止剤を用いると、熱による劣化を低減することができる。離型剤を用いた場合は、金型との離型性が向上するため、生産性を向上できる。
【００４０】
また、絶縁部１０２にガラス組成物を用いた場合、樹脂組成物より耐熱性を向上させることができる。特に高温時の変色を抑制できる。また、樹脂組成物と同様に絶縁フィラを含んでいても良い。
【００４１】
絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成されている。絶縁部１０２は、例えば、未硬化の樹脂組成物をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの間に充填し、未硬化の樹脂組成物を硬化することで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体化するように形成する。このように絶縁部１０２を形成することにより、前述した熱伝導率の低い絶縁層を層状に形成する従来の構成よりも、熱抵抗を低くすることができる。
【００４２】
絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みを有する。厚みとは基体１００の第１表面及び第２表面に直交する方向の長さを意味する。同じ厚みにすることにより、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを精度よく形成することができる。実質的に同じ厚みとする目安は、絶縁部１０２の厚みとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みとの差が±５％程度以内であることが望ましい。
【００４３】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２とが一体に形成された基体１００の第１表面と第２表面のうち、マザーボードに実装する表面（実装面）である第２表面は、凹形状に形成してもよい。凹形状とすることで、マザーボードへの実装性が向上する。
【００４４】
絶縁部１０２の表面はデスミア等により粗化処理されていてもよい。粗化処理により、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの絶縁部１０２に対する密着性を高めることができる。
【００４５】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは、金属板から作製される。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂに実装された電子部品と配線板１０１が実装されるマザーボードとの電気的な接続と、電子部品の熱をマザーボードに伝える熱的な接続の機能を持つ。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みは、特に限定するものではないが、１００μｍ以上とすることで配線板の機械的強度が確保できる。
【００４６】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属は、特に限定するものではないが、銅、ステンレス、タングステン、モリブデン、アルミニウム、これらの合金等を用いることで熱抵抗や電気抵抗を低減することができる。銅を用いた場合は、その熱伝導度の高さと電気抵抗の低さにより、熱抵抗と電気抵抗の小さいプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを形成できる。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ等の添加物を加えることで、軟化温度や、強度、樹脂密着性、めっき強度等の特性を高めることができる。ステンレスは適切な組成のものを選択することで、強度や加工性、耐食性等を向上できる。タングステン、モリブデンやそれらの合金は、熱膨張係数が小さく、配線板１０１に実装される電子部品である発光素子の熱膨張係数を小さくすることができ、発光素子の信頼性が向上する。アルミニウムを用いた場合は、軽量化や低熱抵抗が実現できる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは金属板をエッチングやレーザー加工、パンチング加工することにより作製できる。
【００４７】
配線板１０１においては、図１３〜図１５に示したセラミック基板を用いた従来の構成におけるビア２０３の代わりに、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを用いている。そのため、配線板１０１は従来の構成に比べて低い電気抵抗値を示す。
【００４８】
すなわち、前述のとおり、従来の構成においては、ビア２０３を用いて、セラミック基板の上下面に形成した表層配線２０４間を電気的に接合している。上下面の表層配線２０４間を電気的に接合する面積は、ビア２０３の断面積に制限されるため、熱抵抗値、電気抵抗値も制限される。
【００４９】
これに対し、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはビア２０３に比べてはるかに総表面積が大きい。これについて、図４Ａ〜図４Ｄを参照しながら説明する。図４Ａに示すように、基体１００の第１表面には第１上表層配線１０４Ａと第２上表層配線１０４Ｂが形成されている。一方、図４Ｂに示すように、基体１００の第２表面には第１下表層配線１０４Ｃと第２下表層配線１０４Ｄが形成されている。図４Ｃに示すように、第１上表層配線１０４Ａと第１下表層配線１０４Ｃとは、第１表面の法線方向において、第１領域１１４Ａで重なっている。また第２上表層配線１０４Ｂと第２下表層配線１０４Ｄとは、第１表面の法線方向において、第２領域１１４Ｂで重なっている。図３と図４Ｃとを比較して理解できるように、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはそれぞれ、第１表面の法線方向において、第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと実質的に同じ形状を有している。そして、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｃとはプレート配線１０３Ａによって接続され同電位となっている。同様に、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｄとはプレート配線１０３Ｂによって接続され同電位となっている。
【００５０】
このような構成により、表層配線１０４Ａ、１０４Ｃの間、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄの間を電気的に接合する面積が、セラミック基板２０１におけるビア２０３に比べて大きくなる。これにより電気抵抗値を低減することができる。また、第１領域１１４Ａとプレート配線１０３Ａ、第２領域１１４Ｂとプレート配線１０３Ｂをそれぞれ実質的に同じ形状にすることで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを最大化でき、電気抵抗を最小化できる。
【００５１】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとでは、厚み等に差があるため、加工状態は異なる。そのため、第１領域１１４Ａとプレート配線１０３Ａの寸法差、第２領域１１４Ｂとプレート配線１０３Ｂの寸法差が±５０μｍ以内である場合に、実質的に両者は同じ形状であるとみなす。また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはそれぞれ、第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと同じ形状ではなくてもビア２０３より大きい形状であれば電気抵抗および熱抵抗を低減することができる。そしてプレート配線１０３Ａを表層配線１０４Ａ、１０４Ｃより小さく、プレート配線１０３Ｂを表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄより小さい形状とすることで位置合わせによる影響を低減できる。
【００５２】
さらに図４Ｄに示すように、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとは、第１表面の法線方向において、第３領域１１５で重なっている。しかしながら第３領域１１５にはプレート配線が配置されていないため、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとは導通せず、回路的には異なる電位となっている。すなわち、第１表面の法線方向において、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとが、絶縁部１０２を介して重なる部分を有し、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとが絶縁されている。このように第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと第３領域１１５とがあることで、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの設計自由度が増し、発光素子１１１やマザー基板への実装が容易になるように表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを設計できる。なお第１表面の法線方向において、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｄとが、絶縁部１０２を介して重なる部分を有し、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｄとが絶縁されていてもよい。
【００５３】
一方、第３領域１１５がない場合には、表層配線を図５Ａ、図５Ｂに示すように形成する必要がある。図５Ａは本発明の実施の形態における他の配線板の第１面の平面図である。図５Ｂは図５Ａに示す配線板の第２面の透視平面図である。また図５Ｃは図５Ａに示す第１表層配線と、図５Ｂに示す第２表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。図５Ａに示す表層配線１０４Ａ、１０４Ｂは図４Ａに示す表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと同じ形状である。しかしながら第３領域１１５を設けない場合、図５Ｂに示すように表層配線３０４Ｃ、３０４Ｄはほぼ表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと同様の形状となり、図５Ｃに示すように表層配線１０４Ａ、３０４Ｃが重なる第１領域３１４Ａ、表層配線１０４Ｂ、３０４Ｄが重なる第２領域３１４Ｂの総面積は図４Ｃに示す第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂの総面積よりも小さくなる。それでも表層配線１０４Ａ、３０４Ｃの間、表層配線１０４Ｂ、３０４Ｄの間を電気的に接合する面積は、セラミック基板２０１におけるビア２０３に比べて大きい。そのため、セラミック基板２０１よりも電気抵抗値を低減することができる。
【００５４】
また、前述のとおり、図１３〜図１５に示すセラミック基板２０１では、ビア２０３は印刷充填等で作製され、セラミック絶縁層２０２と一体で焼結される。そのため、ビア２０３に使用する材料は制約される。これに対し、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂにはこのような制約はない。そのため、熱伝導率の高い金属をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの材質に選択することができ、これにより電気抵抗と同様に熱抵抗値を低減することができる。
【００５５】
また、後述する実施例からも理解されるように、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率を２０ｖｏｌ％以上とすることで低電気抵抗の配線板１０１を作製できる。望ましくは４０ｖｏｌ％以上とすることで、更に電気抵抗を低減するだけでなく、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる材料により、配線板１０１の熱膨張係数等の物性値を制御することができる。また、絶縁部１０２によるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の絶縁性を確保するために、基体１００の体積に対するプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率は、９５ｖｏｌ％以下が望ましい。
【００５６】
また図１３〜図１５に示すセラミック基板２０１では、セラミック絶縁層２０２の厚みが厚くなるほど、ビア２０３による接続も困難になり、電気抵抗も熱抵抗も高くなる。一方前述のとおり、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを用いると、表層配線１０４Ａ、１０４Ｃ間、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄ間を電気的に接合する面積を大きくすることができる。あるいは表層配線１０４Ａ、１０４Ｃとプレート配線１０３Ａ、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄとプレート配線１０３Ｂとの間を電気的に接合する面積を大きくすることができる。また、使用する金属材料も限定されない。そのため、セラミック基板を用いたときには困難であった低電気抵抗、低熱抵抗が実現できる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂが厚くなるほど、セラミック基板を用いたときに比べて表層配線１０４Ａ、１０４Ｃ間、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄ間を電気的に接合する体積が大きくなり、より電気抵抗値、熱抵抗値が小さくなる。そのため、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みは１００μｍ以上が望ましい。
【００５７】
また、基体１００の第１表面及び第２表面以外の表面において、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの少なくともいずれかの一部を露出させることで、マザーボードへの実装時にはんだフィレットが形成でき、実装信頼性が向上する。
【００５８】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの表面には、銅や錫、はんだ等をメッキしてもよい。表面にメッキを形成することで、はんだ実装を行いやすくなる。
【００５９】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの表面（特に、絶縁部１０２との接合面）を粗化処理してもよい。粗化処理は化学的、物理的に行うことができる。表面の粗化処理で、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２との接着性を向上することができる。
【００６０】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは段差構造を有していてもよい。この段差構造により、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの下に絶縁部１０２を介して電気接続されないプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを配置することができ、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積を多くすることが可能となり熱抵抗が低減する。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの段差は、二回のエッチングや両面からのエッチング等で形成することができる。
【００６１】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、電気伝導性を有する物質で形成され、好ましくは金属めっきで形成される。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの上に実装されるＬＥＤや半導体等の電子部品は、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを介してプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと電気的に接続されている。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、基体１００を構成するプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２の両方の上に形成されている。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの形成方法の一例は、図９Ａ〜図９Ｄを参照しながら後述する。なお図２では表層配線１０４Ａだけがプレート配線１０３Ａと絶縁部１０２の両方の上に形成されているが、図２は一断面における状態を示しているに過ぎない。
【００６２】
前述のとおり、一般に、配線パターン間のギャップは配線を構成する材料の厚みに大きく依存する。図２は、同一表面上に形成された表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９と、同一表面上に形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８とを示している。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みより薄くすることで、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの配線精度を高めることができ、細かい配線ギャップで配線パターンを作製することが可能となる。これにより、最小配線ギャップ１０９は最小配線ギャップ１０８より小さくできる。つまり、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを形成することにより、従来の金属板で構成された配線板では実現できなかった細かい配線ギャップ（金属板の厚みよりも狭い配線ギャップ）を持つ配線板１０１を作製することができる。特に、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの厚みを５０μｍ以下とすることで、配線ルール（Ｌ／Ｓ、ライン／スペース）を細かくでき、従来の金属板で構成された配線板では困難な、バンプ等を用いたフリップチップ実装で発光素子を実装することができる。なお、必要があれば、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄの厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みより薄くして表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ間の最小配線ギャップを最小配線ギャップ１０８より小さくしてもよい。
【００６３】
表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ（および表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ）をめっきで形成する場合、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ上に形成した方が絶縁部１０２上に形成するよりも表層配線の強度を向上させることができる。具体的には、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ上に形成する表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの面積（基体１００の第１表面における面積）を、基体１００の第１表面の面積の２０％以上とすることで２００℃〜３５０℃程の高温時でも表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの強度を高くできる。また絶縁部１０２上に形成した表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの面積を小さくすることでも高温時の表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの強度の低下を抑制できる。特に４０％以下であることが望ましい。同様に、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄの面積（基体１００の第２表面における面積）を、基体１００の第２表面の面積の２０％以上とすることが好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。
【００６４】
また、配線パターンである表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成した後に、金、銀、錫、亜鉛又はニッケルめっき等の表面処理を行ってもよい。また、剥離フィルム上に形成された配線パターンを絶縁部１０２に転写して表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成してもよい。表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄはワイヤーボンディング等を行うことで、マザーボード等と接続してもよい。
【００６５】
以上のように、従来の金属板で構成された配線板には面実装できないほど微細な配線ギャップを有する発光素子を配線板１０１には面実装することができる。また、従来のセラミック基板で形成された配線板では困難であった低電気抵抗を実現できる。さらに、配線板１０１上に実装した電子部品と、配線板１０１を実装するマザーボードとの間の熱抵抗も低くすることができる。
【００６６】
次に、発光素子１１１を配線板１０１に実装した発光装置１１０について、図６、図７を参照しながら説明する。図６は発光装置１１０の斜視図、図７は図６の線７−７における発光装置１１０の断面図である。なお、図１〜図５Ｃと共通する部分については同じ符号を示している。発光装置１１０は、配線板１０１と、配線板１０１上に実装された発光素子１１１とを含む。
【００６７】
図７に示すように発光素子１１１は、バンプ１１２を介して配線板１０１に実装されている。配線板１０１は、図１〜図５Ｃを参照しながら説明した構成を有する。
【００６８】
発光素子１１１は、ＬＥＤやＬＤ（半導体レーザー）などの半導体発光素子で構成されている。これらの半導体発光素子は、効率に優れ、長寿命で安定して使用できる。特にＬＥＤは安価で好ましい。
【００６９】
発光素子１１１は、ベース材上に半導体層を形成することによって作製できる。ベース材は例えば、サファイアやスピネル、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等であり、半導体層は例えば、ＢＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅやＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等である。
【００７０】
発光素子１１１は、その発光面が配線板１０１に対向するように、導電性のバンプ１１２を介して配線板１０１上にフリップチップ実装されている。フリップチップ実装用の発光素子１１１は、反射電極（例えば、アルミニウムや、銀、金、及びそれらの合金等）を有しており、発光された光を反射電極や、配線板１０１等で反射させてから外部へ放出する。フリップチップ実装には、ワイヤーボンディングの影ができない、半透明電極を用いずに光量が増加する等の利点に加えて、発光層が基板に近く、温度上昇も抑制できる利点もある。また、ワイヤーの断線等がなく信頼性も向上する。
【００７１】
発光装置１１０には発光素子１１１を過電圧による破壊から防止する保護素子（ツェナーダイオードやコンデンサ、バリスタ等）を含んでいてもよい。例えば、ツェナーダイオードの場合、その両端にツェナー電圧以上の電圧が印加されると抵抗が低下する。そのためツェナーダイオードを発光素子１１１と並列に回路接続しておくと、発光素子１１１にノイズ等により過大な電圧が印加されても、ツェナー電圧以上の電圧は、発光素子１１１に印加されない。従って、発光素子１１１を過大な電圧から保護でき、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。保護素子は絶縁部１０２内に配置されていてもよい。
【００７２】
発光素子１１１と配線板１０１は、導電性のバンプ１１２を介して電気的及び機械的に接合されている。具体的には表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ上にバンプ１１２が形成され、発光素子１１１はバンプ１１２を介して表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと接合されている。
【００７３】
バンプ１１２はＡｕや半田等の合金系の材料以外に、金属フィラを含有した導電性接着剤等を用いることもできる。バンプ１１２は発光素子１１１、配線板１０１のどちらに形成してもよい。バンプ１１２を介して発光素子１１１と配線板１０１とを対向させた後、超音波や熱・加重等を加えことによって、これらを電気的に接合することができる。またバンプ１１２を複数形成することで、電気抵抗・熱抵抗を下げることができる。
【００７４】
発光素子１１１と配線板１０１との間にはアンダーフィル材等を充填してもよい。この場合、アンダーフィル材により熱の伝導と機械的強度を向上することができる。アンダーフィル材としては接着力や機械的強度の高いエポキシ樹脂や、耐熱性・耐光性等の観点からシリコン樹脂及び、樹脂にフィラを含有した樹脂組成物を用いることができる。
【００７５】
このように、絶縁部１０２、プレート配線１０３Ａ、１０４Ｂ、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを有する配線板１０１に発光素子１１１を実装することで、発光素子１１１と発光装置１１０を実装したマザー基板との間の電気接合を低抵抗にすることができる。また、発光素子１１１とマザー基板との間の熱抵抗も低くすることが可能となる。
【００７６】
配線板１０１への発光素子１１１の実装方法としては、はんだ、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）やＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等がある。ＬＥＤ等の半導体のフリップチップ実装には金−金接合、金−錫接合の様な方法を採用する場合も多い。金−金接合、金−錫接合等による実装では、熱圧着や超音波により金バンプを変形させる必要がある。しかも熱圧着やリフローでは３００〜３５０℃程度の温度にする必要がある。超音波接合でも２００℃程度まで温度上昇する。配線板１０１の弾性率が高いほど、金バンプは低圧力で容易に変形し、半導体へのダメージを低減でき、接合強度も高くなる。
【００７７】
配線板１０１は発光素子１１１の実装の点でも通常の樹脂基板に比べて優位性を有している。すなわち、配線板１０１の弾性率は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料により制御できる。エポキシ等の樹脂材料はガラス転移点を有しており、ガラス転移温度の前後で弾性率の値が大きく変動し、ガラス転移温度を超えると弾性率が大きく低下する。一方、配線板１０１も絶縁部１０２として樹脂を含んでいるが、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積を２０ｖｏｌ％以上とすることで、配線板１０１の弾性率は、絶縁部１０２に用いる樹脂のガラス転移温度による影響がほとんどなくなる。
【００７８】
また、配線板１０１においては、従来の金属板で構成された配線板のように金属板上に絶縁層は積層されておらず、絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとほぼ同じ厚みを有するように、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間にのみ形成されている。このような構成とすることにより、配線板１０１の実装温度（２００℃〜３５０℃）での配線板１０１の弾性率はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料の弾性率が支配的となり、弾性率を２ＧＰａ以上とすることができる。そのため、金バンプを容易に変形できる。また、弾性率の絶対値も通常の樹脂材料では得られない高い弾性率とすることが可能であり、望ましくは１０ＧＰａ以上とすることで、低圧力での金バンプの変形を容易にし、発光素子１１１へのダメージを低減できる。
【００７９】
また、発光素子１１１の実装時においては配線板１０１のそりが問題になる。複数のバンプ１１２が存在するような場合、配線板１０１が反っていると、バンプ１１２への荷重がばらつき、信頼性が低下する。しかしながら、配線板１０１の線膨張係数も弾性率と同様に、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料の線膨張係数が支配的である。すなわち、配線板１０１の線膨張係数は、絶縁部１０２に用いる樹脂のガラス転移温度にほとんど影響されない。また、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの材質を同一もしくは近い組成のものにすることで、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの線膨張係数と、基体１００の線膨張係数とが近い値となる。そのため、発光素子１１１を実装する時に高温（２００〜３５０℃）であっても、配線板１０１にはそりが発生しにくく、発光素子１１１の実装が容易であり、実装信頼性が向上する。
【００８０】
また一般に、高温での実装においては、配線基板を構成する樹脂と銅箔の接着強度が高温時に低下するため、発光素子１１１が実装される電極の強度が問題になる。配線板１０１において、基体１００上に形成される表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの強度は、絶縁部１０２との接着部分においては、樹脂との接着強度の影響を受ける。一方、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとの接着部分においては、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄがめっきにより形成されている場合、高温時でも安定し、接着強度が高い。望ましくは、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積が２０ｖｏｌ％以上、さらに望ましくは４０ｖｏｌ％以上の割合である。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは絶縁部１０２と同じ厚みであることから、基体１００の第１表面又は第２表面におけるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂが占める面積の割合も２０ｖｏｌ％以上、さらに望ましくは４０％以上である。また、高温でのプロセスは樹脂を劣化させる。２００〜３５０℃の範囲では樹脂が変色しやすく、特に空気（酸素）と接触のある面での変化が激しい。そのため、基体１００の第１表面及び／又は第２表面において絶縁部１０２が露出する部分は少ないほうが望ましい。
【００８１】
次に、発光素子１１１を覆う被覆層１１３を含む発光装置１１０Ａについて、図８を参照しながら説明する。図８は発光装置１１０Ａの断面図である。なお、図１〜図７と共通する部分については同じ符号を示している。
【００８２】
被覆層１１３は、配線板１０１の第１面および発光素子１１１と接着されている。被覆層１１３を形成することで、発光素子１１１を保護できる。また被覆層の１１３の構造を制御することで、光の集光・拡散といった機能を付与することもできる。
【００８３】
被覆層１１３は蛍光体と透光性材料を含んでいることが望ましい。蛍光体は発光素子１１１の光（エネルギー）を異なる波長の光に変換する機能を有している。たとえば、発光素子１１１の波長以上の波長の光を発光装置１１０Ａから送出することができる。このように被覆層１１３が蛍光体を含むことで、発光装置１１０Ａから所望の光を取り出すことができる。例えば、青色の発光素子１１１と黄色の蛍光体を含む被覆層１１３の組み合わせや、紫外〜紫色の発光素子１１１とＲＧＢの蛍光体（黄色を含んでもよい）を含む被覆層１１３の組み合わせ等により、発光装置１１０Ａは白色に発光することができる。蛍光体は２種類以上の材料を混合してもよく、複数の蛍光体を用いることで任意の色調の光を取り出すことができる。
【００８４】
被覆層１１３における蛍光体の体積含有率を３％以上とすることで、光の波長変換が有効に機能する。また、８０％以下とすることで被覆層１１３の形成が容易となる。
【００８５】
透光性材料としては、シリコン樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、イミド樹脂等の透光性を有する樹脂または、ガラスやシリカゲル等が使用できる。シリコン樹脂は耐光性がよく好ましい。透光性材料は透光性が高い方が望ましく、シリコン樹脂は透光性の観点でも好ましい。また、透光性材料は常温で液体、もしくは加熱することで液状化することが望ましい。液状の透光性材料と蛍光体を混合することで、蛍光体の分散を容易にし、光の均一性を向上させることができる。
【００８６】
また、被覆層１１３は、蛍光体以外に熱膨張を軽減するためのフィラや熱伝導率を向上させるためのフィラを含んでいてもよい。また、溶剤や、粘度調整剤、光拡散剤、顔料、変色防止剤、難燃剤、湿潤分散剤等を添加することができる。
【００８７】
発光素子１１１と配線板１０１との間の空隙の少なくとも一部にも被覆層１１３が充填されていることが強度的に望ましい。発光素子１１１と配線板１０１の間に充填される部分の材料は、発光素子１１１を覆う部分の材料と異なっていてもよい。また、被覆層１１３は多層構造であってもよい。
【００８８】
次に、配線板１０１および発光装置１１０の製造方法の一例について、図９Ａ〜図９Ｆを参照しながら説明する。図９Ａ〜図９Ｆは、配線板１０１および発光装置１１０の製造方法を説明するための断面図である。なお、図１〜図８と共通する部分については同じ符号を示しており、重複する内容については説明を省略する場合がある。
【００８９】
まず、図９Ａに示す様に、金属板をパターニングしてプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを作製する。図９Ａではプレート配線１０３Ａのみを示している。パターニングにはエッチングやレーザー加工、パンチングを利用することができる。
【００９０】
次に、図９Ｂに示す様にプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に絶縁部１０２を形成する。絶縁部１０２は、未硬化の樹脂組成物をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みになるようにプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に充填し、未硬化の樹脂組成物を硬化することで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体化するように形成する。充填方法は、特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷などの方法が用いられる。また、熱可塑性樹脂を用いて、溶融させた樹脂を充填することで絶縁部１０２を形成してもよい。また、絶縁部１０２をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に充填後、研磨・研削等により、絶縁部１０２の厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みと実質的に同じになるように加工しても良い。
【００９１】
次に、図９Ｃに示す様に、基体１００の第１表面及び第２表面に、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂより薄い表層配線層１０７を形成する。表層配線層１０７は金属めっき等により形成できる。
【００９２】
次に、図９Ｄに示す様に、表層配線層１０７をパターニングすることにより表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成する。例えば、表層配線層１０７の表面にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を感光し、現像を行うことでフォトレジストをパターニングする。その後、配線パターン以外の箔をエッチングし、フォトレジスト膜を除去することで表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成できる。フォトレジスト膜の形成には、液状のレジストやフィルムを用いることができる。このように表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄをパターニングして形成しているので、発光素子１１１等のベアチップを実装できるレベルで配線パターンを形成し、任意の大きさ・形状に配線をレイアウトできる。
【００９３】
なお、図３に示す様に、同一表面上に形成された表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９がプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８より小さくなるように、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを形成する。
【００９４】
このような工程により、配線板１０１を作製することができる。前述のように配線板１０１は基体１００と、基体１００の第１表面と第２表面に形成された表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとを有する。基体１００は、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと、樹脂を含む樹脂組成物で構成され、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成された絶縁部１０２とを有する。表層配線１０４Ａ、１０４Ｃはプレート配線１０３Ａと電気的に接続され、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄはプレート配線１０３Ｂと電気的に接続されている。
【００９５】
発光装置１１０は、図９Ｅに示すように、バンプ１１２を形成した発光素子１１１を配線板１０１に実装することで形成される。バンプ１１２はワイヤーやめっき、ボールマウント、はんだ印刷等を用いて形成することができる。配線板１０１に対し発光素子１１１を実装するには、はんだや導電性接着剤の他、超音波や熱による接合を用いることができる。また、非導電性の接着層を用いる方法もある。
【００９６】
また、配線板１０１上にツェナーダイオードやバリスタ等の静電気対策部品を実装する工程が、発光素子１１１を実装する工程の前後どちらかに含まれていてもよい。
【００９７】
次に図９Ｆに示すように被覆層１１３を形成する。被覆層１１３を形成するには、発光素子１１１を覆い、かつ配線板１０１の第１面と接するように蛍光体と透光性材料とを含む被覆層１１３の材料を配置する。被覆層１１３の材料は液状もしくはシート状が形成しやすく望ましい。被覆層１１３の材料が液状の場合、スクリーン印刷やポッティング、スプレー塗布のような方法を用いることができる。また、金型等を用いて成形してもよい。被覆層１１３を配置する際に、周囲を減圧することで、発光素子１１１と配線板１０１との間の空隙に被覆層１１３が充填されやすくなるため望ましい。また、被覆層１１３の材料と異なる充填剤を被覆層１１３の形成前に充填していてもよい。被覆層１１３と異なる充填剤を用いることで、粘度が低く充填性が高い材料や絶縁性の高い材料を選択することができる。被覆層１１３の材料を配置後、加熱等によりこの材料を硬化し被覆層１１３を形成する。
【００９８】
図１０はアレイ状に形成した複数の配線板１０１の斜視図である。図１１は図１０の配線板１０１のそれぞれに発光素子１１１を実装した状態を示す斜視図である。図１２は図９Ｆに示すように発光素子１１１を実装した配線板１０１に被覆層１１３を形成した状態を示す斜視図である。
【００９９】
図１０に示す様に、複数の配線板１０１をアレイ状に形成し、集合体とすることで、個々の配線板１０１上にそれぞれ発光素子１１１を実装するよりも、実装性を向上させることができる。またアレイ状に形成することでプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを一体化して取り扱うことができる。複数の配線板１０１をアレイ状に形成した集合体とすることで、複数の絶縁部１０２、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄをまとめて形成することができるため、生産性が向上する。
【０１００】
また、図１０〜図１２に示す様にダイシングや実装用のマーカー１０６を形成することで、複数の配線板１０１を個々の配線板１０１に分割する作業（個片化）や、それぞれの配線板１０１へ発光素子１１１を実装する作業が容易になる。個片化は、例えば、ダイシングやレーザー加工、機械的切断（押し切り等）により行うことができる。更に、アレイ状に形成した配線板１０１の集合体における表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの上にＬＥＤ等の電子部品を実装した後に、ダイシングやレーザー加工、機械的切断（押し切り等）により切断、分離することで、複数個のモジュールを作製することができる。
【０１０１】
（実施例）
以下に、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率を検討した結果を説明する。具体的には、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率が１０ｖｏｌ％、２０ｖｏｌ％、４０ｖｏｌ％、６０ｖｏｌ％、８０ｖｏｌ％の５種類の配線板１０１を模した配線板を作製し、熱抵抗測定、弾性率測定、及び発光素子１１１を実装したときの接合強度測定を実施した結果を示す。なお、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【０１０２】
５種類の配線板について、５０ｍｍ四方の配線板の集合体を作製し、３．５ｍｍ四方の個片の配線板を評価している。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂには０．３ｍｍの厚みの銅合金を用いる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップは０．３ｍｍとする。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの模式的なパターンとして、プレート配線４０３〜４４３の平面図を図１６Ａ〜図１６Ｅに示す。
【０１０３】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの模式的なパターンも、基体１００の第１表面又は第２表面における表層配線の面積を変えて複数種類、作製する。表層配線は厚さ２５μｍのめっき層（無電解＋電解）で形成し、その配線パターン間の最小配線ギャップを０．０５ｍｍとする。表層配線の表面には金めっき処理を施している。プレート配線４４３と組み合わせる表層配線の配線パターンの一例である表層配線４０４を図１７に示す。絶縁部１０２はエポキシ樹脂とＴｉＯ２フィラの混合物で構成する。
【０１０４】
比較のために、アルミナ基板と樹脂基板を準備する。両方ともプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの代わりに図１８に示す様に３．５ｍｍ四方の基材に直径２００μｍの導電性のビア２０３を作製する。
【０１０５】
熱抵抗は以下のようにして測定する。表層配線上に発熱体となる発光素子１１１を実装し、発光素子１１１に電力を印加して発熱させ、そのときの配線板の上面と下面（基体１００の第１表面側と第２表面側）の温度差を測定する。５種類の配線板とアルミナ配線板、樹脂配線板について、発光素子１１１の発熱量を変えた時の各配線板の温度差を図１９に示す。図１９より算出される熱抵抗（図１９に示すグラフの傾き）を（表１）に示す。
【０１０６】
【表１】
2013069232.tif 000003
【０１０７】
基体の体積に占めるプレート配線４０３の体積比率が１０ｖｏｌ％の、図１６Ａに示す配線板では、アルミナ基板と同程度の熱抵抗となっている。これに対し、基体の体積に占めるプレート配線４１３の体積比率が２０ｖｏｌ％以上の、図１６Ｂに示す配線板ではアルミナ基板より低い熱抵抗が実現できている。また、基体１００の体積に占めるプレート配線の割合が多いほど、配線板１０１の熱抵抗が小さくなる。その結果、発光素子１１１の温度も低くなる。
【０１０８】
次に、図１６Ｂに示す配線板の厚み方向（基体１００の第１表面と第２表面に直交する方向）の弾性率の測定結果を図２０に示す。比較のために樹脂基板の結果も示している。樹脂基板においてはガラス転移温度となる１７６℃近辺で弾性率が大きく低下している。配線板１０１においても、絶縁部１０２が樹脂で構成されているためガラス転移温度付近で弾性率は若干低下している。しかし、基体の体積に対するプレート配線４１３の体積比率が２０ｖｏｌ％であり、プレート配線４１３が樹脂よりも剛性が高い金属で構成されている。そのため、図１６Ｂに示す配線板の弾性率は樹脂基板とは違った特徴を示している。すなわち、配線板の弾性率の値が１０ＧＰａ以上であり、樹脂基板の弾性率の２倍以上の値となっている。また、配線板の高弾性率がガラス転移温度を超えても維持されている。プレート配線４１３と絶縁部１０２の厚みがほぼ同じであるため、厚み方向の弾性率は、プレート配線４１３と絶縁部１０２のそれぞれに用いられる材料の弾性率に体積比率（基体１００の体積に対する体積比率）を乗じた値に近くなり、高弾性率が実現できている。
【０１０９】
次に、図１６Ｃに示す配線板と比較用の樹脂基板を用いて、発光素子１１１の実装を金―金接合で行ったときの、配線板−金ボール間、樹脂基板−金ボール間の接合強度の熱圧着時の荷重による依存性をプルテストによって評価する。図１６Ｃに示す配線板では、基体の体積に占めるプレート配線４２３の体積比率が２０ｖｏｌ％である。
【０１１０】
超音波を用いて金ボールを接合した発光素子１１１を配線にフリップチップボンダを用いて熱圧着により接合する。加熱温度は３５０℃とする。結果を図２１に示す。図２１の評価結果によれば、樹脂基板では全体に接合強度が低く、特に低荷重側では低い値となっている。これは、加熱温度がガラス転移温度より高温であるため樹脂基板の弾性率がかなり低下しており、十分な荷重が金ボールに印加されていないことに起因している。一方、配線板の弾性率は、高温でも高く、低荷重でも十分な接合強度を示している。
【０１１１】
次に、高温はんだを用いて、発光素子１１１のダイボンドを行い、３００℃における表層配線のシェア強度を検討する。基体の体積に占めるプレート配線の体積比率が２０ｖｏｌ％（図１６Ｂ）、４０ｖｏｌ％（図１６Ｃ）、６０ｖｏｌ％（図１６Ｄ）、８０ｖｏｌ％（図１６Ｅ）の各配線板において、基体の第１表面の上に形成する表層配線の面積を変えてサンプルを作製している。（表２）にシェア強度の評価結果を示す。１ｋｇの荷重で表層配線の破壊がみられたサンプルはＮＧ、破壊がみられなかったサンプルはＯＫで示している。サンプルを作製できない条件は−で示している。
【０１１２】
【表２】
2013069232.tif 000004
【０１１３】
（表２）より明らかなように、プレート配線上に形成される表層配線の面積を、基体の第１表面又は第２表面の面積の２０％以上とすることで、高い接合強度が得られる。また、絶縁部上に形成される表層配線の面積を、基体の第１表面又は第２表面の面積の４０％以下とすることでも同様に高い接合強度が得られる。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明によれば、低熱抵抗化、低電気抵抗化を実現し、ベアチップ実装も可能な微細な配線形成ができる配線板を実現できる。また配線板に発光素子を実装することで、発光素子の温度上昇を抑制した発光装置を実現できる。
【符号の説明】
【０１１５】
１００    基体
１０１    配線板
１０２    絶縁部
１０３Ａ    第１プレート配線（プレート配線）
１０３Ｂ    第２プレート配線（プレート配線）
１０４Ａ    第１上表層配線（表層配線）
１０４Ｂ    第２上表層配線（表層配線）
１０４Ｃ，３０４Ｃ    第１下表層配線（表層配線）
１０４Ｄ，３０４Ｄ    第２下表層配線（表層配線）
１０６    マーカー
１０７    表層配線層
１０８    最小配線ギャップ
１０９    最小配線ギャップ
１１０，１１０Ａ    発光装置
１１１    発光素子
１１２    バンプ
１１３    被覆層
１１４Ａ，３１４Ａ    第１領域
１１４Ｂ，３１４Ｂ    第２領域
１１５    第３領域
２０１    セラミック基板
２０２    セラミック絶縁層
２０３    ビア
２０４，４０４    表層配線
４０３，４１３，４２３，４３３，４４３    プレート配線
【図１】
2013069232.tif 000005
【図２】
2013069232.tif 000006
【図３】
2013069232.tif 000007
【図４Ａ】
2013069232.tif 000008
【図４Ｂ】
2013069232.tif 000009
【図４Ｃ】
2013069232.tif 000010
【図４Ｄ】
2013069232.tif 000011
【図５Ａ】
2013069232.tif 000012
【図５Ｂ】
2013069232.tif 000013
【図５Ｃ】
2013069232.tif 000014
【図６】
2013069232.tif 000015
【図７】
2013069232.tif 000016
【図８】
2013069232.tif 000017
【図９Ａ】
2013069232.tif 000018
【図９Ｂ】
2013069232.tif 000019
【図９Ｃ】
2013069232.tif 000020
【図９Ｄ】
2013069232.tif 000021
【図９Ｅ】
2013069232.tif 000022
【図９Ｆ】
2013069232.tif 000023
【図１０】
2013069232.tif 000024
【図１１】
2013069232.tif 000025
【図１２】
2013069232.tif 000026
【図１３】
2013069232.tif 000027
【図１４】
2013069232.tif 000028
【図１５】
2013069232.tif 000029
【図１６Ａ】
2013069232.tif 000030
【図１６Ｂ】
2013069232.tif 000031
【図１６Ｃ】
2013069232.tif 000032
【図１６Ｄ】
2013069232.tif 000033
【図１６Ｅ】
2013069232.tif 000034
【図１７】
2013069232.tif 000035
【図１８】
2013069232.tif 000036
【図１９】
2013069232.tif 000037
【図２０】
2013069232.tif 000038
【図２１】
2013069232.tif 000039
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プレート配線と一体に形成された絶縁部と、それらの主平面に形成された表層配線とを有する配線板、この配線板上に発光素子を実装した発光装置、およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」と称す）や半導体レーザー等の発光素子は、各種の発光デバイスに使用されている。中でもＬＥＤベアチップを用いた発光装置は、放電や輻射を使った既存光源に比べて小型・高効率であり振動やオン・オフ点灯の繰り返しに強い等の特性を有する。そのためこのような発光装置の用途は照明を中心に拡大している。
【０００３】
ＬＥＤを用いた発光装置は、例えば、ＬＥＤベアチップと、ＬＥＤベアチップを実装した配線板で構成されている。あるいは、蛍光体を含有した被覆層でＬＥＤベアチップを覆った構成の発光装置もある。例えば、ＧａＮ系化合物半導体の様な青色を発光するＬＥＤの周りを黄色に発光する蛍光物質を含む被覆層で覆った発光装置は、白色光を発光することができる。
【０００４】
ＬＥＤベアチップを配線板に実装するには、ワイヤーボンディングやＡｕ等のバンプを用いたフリップチップ実装等の方法を用いる。フリップチップ実装は、ワイヤーの影が投影されないことや、接続距離が短いことによる低い導体抵抗等の利点を有する。
【０００５】
半導体素子である発光素子の出力を大きくするためには、入力電流を大きくする必要がある。特に近年の高出力化の要求に伴い、大出力のＬＥＤや光学素子を複数組み合わせて使用する場合も多い。このような光学素子の高出力化、使用数の増加に伴って、発熱量も増大している。
【０００６】
フリップチップ実装は発熱源となる発光層が、配線板に近く、熱抵抗が小さくなる点でも有利である。発光素子の特性は発熱により、低下するため、放熱対策が重要である。発光素子の熱は主に配線板を介して、配線板を実装するマザーボードに伝わり拡散される。マザーボードは放熱板を有する場合が多い。
【０００７】
従って、発光素子を実装する配線板には、熱抵抗と電気抵抗が低いことが必要とされている。そのため配線板にはセラミック基板や金属基板が用いられている。特にセラミック基板では、金属基板上に形成される樹脂の絶縁層と比べると絶縁部となるセラミック部分の熱伝導率が高く、熱抵抗の面で優れている。また、半導体をベアチップで実装するフリップチップ実装にも対応できるファインな配線パターンも形成できる。また、耐熱性においても樹脂の絶縁層を有する金属基板より優れている。そのため、電源やエアコンなどのパワーを要する製品への用途に有効である。
【０００８】
一般にセラミック配線板において、発光素子を実装する第１表層配線と、マザーボードに実装される第２表層配線とはビアで電気的に接合されている。配線板に実装された発光素子には、マザーボードの配線から第２表層配線−ビア−第１表層配線を経て電力が供給される。従って第２表層配線−ビア−第１表層配線間の電気抵抗を低減することで、損失が低減し効率が向上する。また、発光素子で発生した熱は配線板を介してマザーボードに伝わる。また、自由電子は熱伝搬力が高いため、熱の輸送に関しても第２表層配線−ビア−第１表層配線間の熱抵抗が重要である。そのため、ビアの数を増やして電気抵抗及び熱抵抗が低減されている。また、ワイヤーボンドを用いないフリップチップ実装も電気抵抗や熱抵抗を低減するのに効果的である。
【０００９】
一方、金属基板を用いた配線板では、金属基板上に形成される樹脂の絶縁層の熱伝導率がセラミックより低く、セラミック基板を用いた配線板に比べて熱抵抗が高い。
【００１０】
一般に、同一表面上に形成された配線パターン間のギャップは配線を構成する材料の厚みに大きく依存する。ここで厚みとは配線を形成する表面に直交する方向の長さを意味する。また配線パターン間の最小配線ギャップは、配線加工上、配線を構成する材料の厚みと同程度の幅となる。ここで最小配線ギャップとは隣り合う配線間の最も狭いギャップを意味する。
【００１１】
金属板で構成された金属基板に配線パターンを形成する場合、金属板をエッチングや打抜き等する。しかしながら、その加工特性上、配線パターン間の最小配線ギャップは、金属板の厚みと同等程度となり、微細な配線パターンを形成することが難しい。このため、金属板の厚みよりも狭い配線パターン間のギャップを持つ発光素子などを金属板で構成された配線板に実装する際は、面実装することが困難である。そのため、ワイヤーボンディングなどにより、発光素子と配線板とを電気的に接続している。
【００１２】
熱抵抗を低減する取組みとしては、特許文献１に示す窒化アルミニウムの様な熱伝導率の高い絶縁層を用いる方法が一般的である。また、特許文献２に示す金属筐体を用いた配線板も提案されている。特許文献２の配線板の構造においても、第１表層配線−第２表層配線間はビアで形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特許第４６７５９０６号公報
【特許文献２】特開２００６−０６６６３１号公報
【発明の概要】
【００１４】
本発明は電気抵抗を低減することで、電気損失を低減し、かつ熱抵抗を低減することで発光素子の信頼性・寿命・特性を向上させることができる配線板および、配線板に発光素子を実装した発光装置及びそれらの製造方法である。
【００１５】
本発明の配線板は、基体と、複数の上表層配線と、複数の下表層配線とを有する。基体は金属板で形成され、第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線と、絶縁部とを有するとともに、第１表面と、第１表面に対向する第２表面とを有する。絶縁部は複数のプレート配線と一体に、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物で、複数のプレート配線と実質的に同じ厚みに形成されている。複数の上表層配線は第１表面に金属めっきで複数のプレート配線より薄く形成されている。複数の上表層配線は第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２上表層配線を含む。複数の下表層配線は第２表面に金属めっきで複数のプレート配線より薄く形成されている。複数の下表層配線は第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２下表層配線を含む。複数の上表層配線間の最小配線ギャップは複数のプレート配線間の最小配線ギャップより小さい。第１プレート配線は、第１表面の法線方向において、第１上表層配線と第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有する。そして第１上表層配線と第１下表層配線とが第１プレート配線によって接続されている。
【００１６】
上記構成において、金属板からなるプレート配線を用いることで、第１上表層配線、第１下表層配線間を電気抵抗及び熱抵抗の小さい材料を用いて接続することができる。またプレート配線と絶縁部を実質的におなじ厚みとすることで、プレート配線と電気的に直接接続している表層配線を精度よく形成できる。また表層配線がプレート配線より薄く、表層配線の最小配線ギャップがプレート配線の最小配線ギャップより小さくすることで、ベアチップ実装にも対応可能な配線パターンを形成することができる。また、第１プレート配線が、第１表面の法線方向において、第１上表層配線と第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有することでプレート配線の面積を大きくでき熱抵抗を下げることができる。これにより、表層配線に実装される発光素子とマザーボード間の電気抵抗及び熱抵抗を低減することができる。また配線板に実装した発光素子の温度が低下する。または、同じ発光素子の温度で、印加する電力を増加させることができる。これにより発光装置の信頼性も向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の実施の形態における配線板の斜視図である。
【図２】図２は図１に示す配線板の線２−２における断面図である。
【図３】図３は図１に示す配線板の線３−３における断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは図１に示す配線板の第１面の平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは図１に示す配線板の第２面の透視平面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは図４Ａに示す上表層配線と、図４Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは図４Ａに示す上表層配線と、図４Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されていない部分を示す平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは本発明の実施の形態における他の配線板の第１面の平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは図５Ａに示す配線板の第２面の透視平面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは図５Ａに示す上表層配線と、図５Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。
【図６】図６は本発明の実施の形態における発光装置の斜視図である。
【図７】図７は図６に示す発光装置の線７−７における断面図である。
【図８】図８は本発明の実施の形態における他の発光装置の断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは図８に示す発光装置の製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは図９Ａに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは図９Ｂに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは図９Ｃに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは図９Ｄに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図９Ｆ】図９Ｆは図９Ｅに続く製造方法のステップを説明するための断面図である。
【図１０】図１０は本発明の実施の形態におけるアレイ状に形成した配線板の斜視図である。
【図１１】図１１は図１０に示すアレイ状に形成した配線板のそれぞれに発光素子を実装した状態を示す斜視図である。
【図１２】図１２は図１１に示す複数の発光素子を被覆層で覆った状態を示す斜視図である。
【図１３】図１３は従来のセラミック配線板の斜視図である。
【図１４】図１４は図１３に示すセラミック配線板の線１４−１４における断面を示す斜視図である。
【図１５】図１５は図１３に示すセラミック配線板の線１５−１５における断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、本発明の実施例におけるプレート配線が１０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、本発明の実施例におけるプレート配線が２０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｃは、本発明の実施例におけるプレート配線が４０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｄ】図１６Ｄは、本発明の実施例におけるプレート配線が６０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１６Ｅ】図１６Ｅは、本発明の実施例におけるプレート配線が８０ｖｏｌ％の配線パターンを示す平面図である。
【図１７】図１７は本発明の実施例における表層配線の配線パターンを示す平面図である。
【図１８】図１８は本発明の実施例と比較するセラミック配線板と樹脂配線板の導電性のビアの配線パターンを示す平面図である。
【図１９】図１９は本発明の実施例における配線板表面温度差の発熱量依存性を示すグラフである。
【図２０】図２０は本発明の実施例における配線板と樹脂配線板の弾性率の温度依存性を示すグラフである。
【図２１】図２１は本発明の実施例における金ボール接合強度の荷重依存性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の実施の形態の説明に先駆け、図１３〜図１５を参照しながら従来の構成における問題点を説明する。図１３はセラミック絶縁層２０２を用いたセラミック配線板２０１の斜視図、図１４は図１３のセラミック配線板２０１の線１４−１４における断面の斜視図、図１５は図１３のセラミック配線板２０１の線１５−１５における断面図である。
【００１９】
図１５に示す様に、セラミック配線板２０１は一対の表面を有し、両表面に形成された表層配線２０４間は導電性のビア２０３により電気的に接合されている。このような構成では、表層配線２０４間を電気的に接合する面積はビア２０３の断面積であり、熱抵抗値、電気抵抗値も制限される。また、セラミック配線板２０１におけるビア２０３は印刷充填工法等で作製され、その後、焼結によって高密度化されて表層配線２０４と電気的に接続される。そのため、印刷充填工法等に耐えうる焼結材料を用いる必要がある。そのため、ビア２０３に使用する材料が制約され、低減しうる熱抵抗値、電気抵抗値の値も制約される。
【００２０】
一方、金属板で構成された配線板では、前述のとおり、金属板上に形成される樹脂の絶縁層の熱伝導率がセラミックよりかなり低い。そのため、セラミック基板を用いた配線板よりも熱抵抗が高くなる。また、耐熱性においても、樹脂のガラス転移温度を超える温度領域である２００℃〜３５０℃程の高温になると、構造強度、配線強度等が低下してしまう。
【００２１】
また、前述のように金属板で構成された配線板に、金属板の厚みよりも狭い微細な配線パターン間のギャップを持つ半導体などを金属板で構成された配線板の上に面実装することは困難である。しかしながらワイヤーボンディングなどにより電気的に接続すると、電気抵抗が高くなる。
【００２２】
以下、このような課題を解決する本発明の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態における配線板１０１の斜視図である。図２は配線板１０１の線２−２における断面図である。図３は配線板１０１の線３−３における断面図である。図４Ａは配線板１０１の第１面の平面図、図４Ｂは配線板１０１の第２面の透視平面図である。図４Ｃは図４Ａに示す上表層配線と、図４Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。図４Ｄは図４Ａに示す上表層配線と、図４Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されていない部分を示す平面図である。
【００２３】
配線板１０１は、基体１００と、第１上表層配線１０４Ａ、第２上表層配線１０４Ｂと、第１下表層配線１０４Ｃ、第２下表層配線１０４Ｄとを有する。基体１００は第１プレート配線１０３Ａ、第２プレート配線１０３Ｂ（以下、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ）と、絶縁部１０２とを有する。
【００２４】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは金属板で形成されている。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは基体１００の上面である第１表面から下面である第２表面に至るまで同一形状に形成されている。
【００２５】
絶縁部１０２は樹脂を含む樹脂組成物で形成されるとともに、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成されている。また絶縁部１０２はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みに形成されている。
【００２６】
第１上表層配線１０４Ａ、第２上表層配線１０４Ｂ（以下、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ）は基体１００の上面である第１表面に形成されている。一方、第１下表層配線１０４Ｃ、第２下表層配線１０４Ｄ（以下、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ）は基体１００の下面である第２表面に形成されている。第２表面は第１表面に対向し、第１表面に平行である。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、金属めっきによりプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂより薄く形成されている。表層配線１０４Ａ、１０４Ｃはプレート配線１０３Ａと電気的に接続され、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄはプレート配線１０３Ｂと電気的に接続されている。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８より小さい。
【００２７】
なお、図１〜図４Ｂに示す構成ではプレート配線、上表層配線、下表層配線は２つずつ設けられているが、３つ以上であってもよい。
【００２８】
以下、各部の詳細な構成について説明する。絶縁部１０２は、樹脂を含む樹脂組成物（樹脂及び／又は、絶縁性フィラを含んだ樹脂）またはガラス組成物で構成されている。樹脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。適用可能な樹脂としてエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂や、トリアジン樹脂、メラミン樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル等、もしくはこれらの変性樹脂が挙げられる。
【００２９】
また、上記各種樹脂を２種類以上混合したものの他、必要に応じて各種硬化剤、硬化促進剤を使用しても良い。
【００３０】
なお、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリエステル等の樹脂を用いると耐熱性が高く、高温状態での使用が可能となる。
【００３１】
また、エポキシ樹脂は強度、接着性等の特性も配線板に適している。好ましいエポキシ樹脂の主剤の具体例としては、例えば、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、またはその他変性エポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３２】
また、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、液晶ポリマー又はそれらの樹脂を変性させた樹脂の誘電正接は低い。このような樹脂を用いれば絶縁部１０２の高周波特性が向上する。
【００３３】
樹脂に硬化剤を使用する場合には、例えばエポキシ樹脂に用いるとき、アミン系やフェノール系の硬化剤を用いることができる。また、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、及び、フェノールノボラックやクレゾールノボラック等の多官能性フェノール等も挙げられる。硬化剤は、単独で使用しても、複数種を併用することも可能であり、その種類及び量は、限定されるものではなく、エポキシ樹脂との反応性や、樹脂の粘度や硬化温度等のプロセス条件、耐熱性や強度、透明性等の硬化後の樹脂の特性に応じて適宜決められる。
【００３４】
樹脂に硬化促進剤を使用する場合には、特に限定されないが、イミダゾール系化合物、有機リン系化合物、アミン及びアンモニウム塩等が用いられ、これらの２種以上を併用しても良い。また、ゴムや熱可塑樹脂を樹脂組成物に添加することで成形性を向上させることも可能である。
【００３５】
絶縁性フィラ及び樹脂の種類を適宜選択すれば、絶縁部１０２の線膨張係数、熱伝導度、誘電率等、耐候性、難燃性等の物性を制御できる。具体的には、絶縁性フィラには、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＴＦＥ、ＭｇＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）、ＴｉＯ２等を用いることができる。Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、ＭｇＯを用いた場合は、絶縁部１０２の熱伝導性を高めることができる。Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯは安価という利点もある。また、絶縁性フィラにＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＢＮ、ＰＴＦＥを用いた場合は、誘電率が低い絶縁部１０２を作製できる。特に、比重が小さいＳｉＯ２は携帯電話等の用途に適している。また、絶縁性フィラにＳｉＯ２、ＢＮを用いると、線膨張係数を低くできる。絶縁性フィラにＴｉＯ２を用いた場合は、絶縁部１０２の白色化や耐候性を向上できる。また、絶縁フィラにＡｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）を用いることで、難燃性を付与できる。
【００３６】
絶縁性フィラの平均粒径は０．０５μｍ以上、２０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上、１０μｍ以下の範囲である。絶縁性フィラの平均粒径が小さすぎると、絶縁部１０２の粘度が高くなり、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを埋設する際の作業性が低下するとともに、充填性も低下する。一方、絶縁性フィラの平均粒径が大きすぎると、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの耐電圧性が低下する可能性がある。
【００３７】
絶縁性フィラの粒子形状は特に限定されない。具体的には、例えば、球状、扁平状、多角状、鱗片状、フレーク状、あるいは表面に突起を有するような形状等が挙げられる。また、一次粒子でもよいし、二次粒子を形成していてもよい。
【００３８】
また、これらの絶縁性フィラに表面処理を施していてもよい。表面処理により耐湿性や接着強度、分散性を向上することができる。表面処理には、例えば、シランカップリング剤やチタネートカップリング剤、リン酸エステル、スルホン酸エステル、カルボン酸エステルの他、アルミナやシリカコート等を用いることができる。また、シリコン系の材料で絶縁フィラを被覆してもよい。なお、無機フィラの充填率を増加するために、異なる粒度分布を有する複数種の無機フィラを選び、これらを混合して使用しても良い。
【００３９】
絶縁部１０２は、添加剤を含んでいてもよい。添加剤としては、例えば、湿潤分散剤、着色剤、カップリング剤、紫外線吸収剤の様な光安定剤、酸化防止剤、離型剤等が挙げられる。湿潤分散剤を用いると、樹脂中の絶縁性フィラの分散を均一化できる。着色剤により絶縁部１０２を着色すれば、配線板１０１を自動認識装置で容易に認識できる。カップリング剤を用いると、樹脂と絶縁性フィラとの接着強度が向上し、絶縁部１０２の絶縁性を高めることができる。光安定剤を用いると、紫外線等による絶縁部１０２の劣化を低減することができる。また、酸化防止剤を用いると、熱による劣化を低減することができる。離型剤を用いた場合は、金型との離型性が向上するため、生産性を向上できる。
【００４０】
また、絶縁部１０２にガラス組成物を用いた場合、樹脂組成物より耐熱性を向上させることができる。特に高温時の変色を抑制できる。また、樹脂組成物と同様に絶縁フィラを含んでいても良い。
【００４１】
絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成されている。絶縁部１０２は、例えば、未硬化の樹脂組成物をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの間に充填し、未硬化の樹脂組成物を硬化することで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体化するように形成する。このように絶縁部１０２を形成することにより、前述した熱伝導率の低い絶縁層を層状に形成する従来の構成よりも、熱抵抗を低くすることができる。
【００４２】
絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みを有する。厚みとは基体１００の第１表面及び第２表面に直交する方向の長さを意味する。同じ厚みにすることにより、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを精度よく形成することができる。実質的に同じ厚みとする目安は、絶縁部１０２の厚みとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みとの差が±５％程度以内であることが望ましい。
【００４３】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２とが一体に形成された基体１００の第１表面と第２表面のうち、マザーボードに実装する表面（実装面）である第２表面は、凹形状に形成してもよい。凹形状とすることで、マザーボードへの実装性が向上する。
【００４４】
絶縁部１０２の表面はデスミア等により粗化処理されていてもよい。粗化処理により、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの絶縁部１０２に対する密着性を高めることができる。
【００４５】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは、金属板から作製される。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂに実装された電子部品と配線板１０１が実装されるマザーボードとの電気的な接続と、電子部品の熱をマザーボードに伝える熱的な接続の機能を持つ。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みは、特に限定するものではないが、１００μｍ以上とすることで配線板の機械的強度が確保できる。
【００４６】
プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属は、特に限定するものではないが、銅、ステンレス、タングステン、モリブデン、アルミニウム、これらの合金等を用いることで熱抵抗や電気抵抗を低減することができる。銅を用いた場合は、その熱伝導度の高さと電気抵抗の低さにより、熱抵抗と電気抵抗の小さいプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを形成できる。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｍｇ等の添加物を加えることで、軟化温度や、強度、樹脂密着性、めっき強度等の特性を高めることができる。ステンレスは適切な組成のものを選択することで、強度や加工性、耐食性等を向上できる。タングステン、モリブデンやそれらの合金は、熱膨張係数が小さく、配線板１０１に実装される電子部品である発光素子の熱膨張係数を小さくすることができ、発光素子の信頼性が向上する。アルミニウムを用いた場合は、軽量化や低熱抵抗が実現できる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは金属板をエッチングやレーザー加工、パンチング加工することにより作製できる。
【００４７】
配線板１０１においては、図１３〜図１５に示したセラミック基板を用いた従来の構成におけるビア２０３の代わりに、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを用いている。そのため、配線板１０１は従来の構成に比べて低い電気抵抗値を示す。
【００４８】
すなわち、前述のとおり、従来の構成においては、ビア２０３を用いて、セラミック基板の上下面に形成した表層配線２０４間を電気的に接合している。上下面の表層配線２０４間を電気的に接合する面積は、ビア２０３の断面積に制限されるため、熱抵抗値、電気抵抗値も制限される。
【００４９】
これに対し、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはビア２０３に比べてはるかに総表面積が大きい。これについて、図４Ａ〜図４Ｄを参照しながら説明する。図４Ａに示すように、基体１００の第１表面には第１上表層配線１０４Ａと第２上表層配線１０４Ｂが形成されている。一方、図４Ｂに示すように、基体１００の第２表面には第１下表層配線１０４Ｃと第２下表層配線１０４Ｄが形成されている。図４Ｃに示すように、第１上表層配線１０４Ａと第１下表層配線１０４Ｃとは、第１表面の法線方向において、第１領域１１４Ａで重なっている。また第２上表層配線１０４Ｂと第２下表層配線１０４Ｄとは、第１表面の法線方向において、第２領域１１４Ｂで重なっている。図３と図４Ｃとを比較して理解できるように、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはそれぞれ、第１表面の法線方向において、第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと実質的に同じ形状を有している。そして、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｃとはプレート配線１０３Ａによって接続され同電位となっている。同様に、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｄとはプレート配線１０３Ｂによって接続され同電位となっている。
【００５０】
このような構成により、表層配線１０４Ａ、１０４Ｃの間、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄの間を電気的に接合する面積が、セラミック配線板２０１におけるビア２０３に比べて大きくなる。これにより電気抵抗値を低減することができる。また、第１領域１１４Ａとプレート配線１０３Ａ、第２領域１１４Ｂとプレート配線１０３Ｂをそれぞれ実質的に同じ形状にすることで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを最大化でき、電気抵抗を最小化できる。
【００５１】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとでは、厚み等に差があるため、加工状態は異なる。そのため、第１領域１１４Ａとプレート配線１０３Ａの寸法差、第２領域１１４Ｂとプレート配線１０３Ｂの寸法差が±５０μｍ以内である場合に、実質的に両者は同じ形状であるとみなす。また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂはそれぞれ、第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと同じ形状ではなくてもビア２０３より大きい形状であれば電気抵抗および熱抵抗を低減することができる。そしてプレート配線１０３Ａを表層配線１０４Ａ、１０４Ｃより小さく、プレート配線１０３Ｂを表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄより小さい形状とすることで位置合わせによる影響を低減できる。
【００５２】
さらに図４Ｄに示すように、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとは、第１表面の法線方向において、第３領域１１５で重なっている。しかしながら第３領域１１５にはプレート配線が配置されていないため、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとは導通せず、回路的には異なる電位となっている。すなわち、第１表面の法線方向において、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとが、絶縁部１０２を介して重なる部分を有し、表層配線１０４Ｂと表層配線１０４Ｃとが絶縁されている。このように第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂと第３領域１１５とがあることで、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの設計自由度が増し、発光素子１１１やマザーボードへの実装が容易になるように表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを設計できる。なお第１表面の法線方向において、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｄとが、絶縁部１０２を介して重なる部分を有し、表層配線１０４Ａと表層配線１０４Ｄとが絶縁されていてもよい。
【００５３】
一方、第３領域１１５がない場合には、表層配線を図５Ａ、図５Ｂに示すように形成する必要がある。図５Ａは本発明の実施の形態における他の配線板の第１面の平面図である。図５Ｂは図５Ａに示す配線板の第２面の透視平面図である。また図５Ｃは図５Ａに示す上表層配線と、図５Ｂに示す下表層配線とが重なる部分のうち、プレート配線で接続されている部分を示す平面図である。図５Ａに示す表層配線１０４Ａ、１０４Ｂは図４Ａに示す表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと同じ形状である。しかしながら第３領域１１５を設けない場合、図５Ｂに示すように表層配線３０４Ｃ、３０４Ｄはほぼ表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと同様の形状となり、図５Ｃに示すように表層配線１０４Ａ、３０４Ｃが重なる第１領域３１４Ａ、表層配線１０４Ｂ、３０４Ｄが重なる第２領域３１４Ｂの総面積は図４Ｃに示す第１領域１１４Ａ、第２領域１１４Ｂの総面積よりも小さくなる。それでも表層配線１０４Ａ、３０４Ｃの間、表層配線１０４Ｂ、３０４Ｄの間を電気的に接合する面積は、セラミック配線板２０１におけるビア２０３に比べて大きい。そのため、セラミック配線板２０１よりも電気抵抗値を低減することができる。
【００５４】
また、前述のとおり、図１３〜図１５に示すセラミック配線板２０１では、ビア２０３は印刷充填等で作製され、セラミック絶縁層２０２と一体で焼結される。そのため、ビア２０３に使用する材料は制約される。これに対し、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂにはこのような制約はない。そのため、熱伝導率の高い金属をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの材質に選択することができ、これにより電気抵抗と同様に熱抵抗値を低減することができる。
【００５５】
また、後述する実施例からも理解されるように、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率を２０ｖｏｌ％以上とすることで低電気抵抗の配線板１０１を作製できる。望ましくは４０ｖｏｌ％以上とすることで、更に電気抵抗を低減するだけでなく、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる材料により、配線板１０１の熱膨張係数等の物性値を制御することができる。また、絶縁部１０２によるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の絶縁性を確保するために、基体１００の体積に対するプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率は、９５ｖｏｌ％以下が望ましい。
【００５６】
また図１３〜図１５に示すセラミック配線板２０１では、セラミック絶縁層２０２の厚みが厚くなるほど、ビア２０３による接続も困難になり、電気抵抗も熱抵抗も高くなる。一方前述のとおり、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを用いると、表層配線１０４Ａ、１０４Ｃ間、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄ間を電気的に接合する面積を大きくすることができる。あるいは表層配線１０４Ａ、１０４Ｃとプレート配線１０３Ａ、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄとプレート配線１０３Ｂとの間を電気的に接合する面積を大きくすることができる。また、使用する金属材料も限定されない。そのため、セラミック基板を用いたときには困難であった低電気抵抗、低熱抵抗が実現できる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂが厚くなるほど、セラミック基板を用いたときに比べて表層配線１０４Ａ、１０４Ｃ間、及び表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄ間を電気的に接合する体積が大きくなり、より電気抵抗値、熱抵抗値が小さくなる。そのため、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みは１００μｍ以上が望ましい。
【００５７】
また、基体１００の第１表面及び第２表面以外の表面において、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの少なくともいずれかの一部を露出させることで、マザーボードへの実装時にはんだフィレットが形成でき、実装信頼性が向上する。
【００５８】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの表面には、銅や錫、はんだ等をメッキしてもよい。表面にメッキを形成することで、はんだ実装を行いやすくなる。
【００５９】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの表面（特に、絶縁部１０２との接合面）を粗化処理してもよい。粗化処理は化学的、物理的に行うことができる。表面の粗化処理で、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２との接着性を向上することができる。
【００６０】
また、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは段差構造を有していてもよい。この段差構造により、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの下に、絶縁部１０２を介して電気接続されないプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを配置することができ、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積を多くすることが可能となり熱抵抗が低減する。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの段差は、二回のエッチングや両面からのエッチング等で形成することができる。
【００６１】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、電気伝導性を有する物質で形成され、好ましくは金属めっきで形成される。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの上に実装されるＬＥＤや半導体等の電子部品は、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを介してプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと電気的に接続されている。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄは、基体１００を構成するプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと絶縁部１０２の両方の上に形成されている。表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの形成方法の一例は、図９Ａ〜図９Ｄを参照しながら後述する。なお図２では表層配線１０４Ａだけがプレート配線１０３Ａと絶縁部１０２の両方の上に形成されているが、図２は一断面における状態を示しているに過ぎない。
【００６２】
前述のとおり、一般に、配線パターン間のギャップは配線を構成する材料の厚みに大きく依存する。図２は、同一表面上に形成された表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９と、同一表面上に形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８とを示している。表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みより薄くすることで、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの配線精度を高めることができ、細かい配線ギャップで配線パターンを作製することが可能となる。これにより、最小配線ギャップ１０９は最小配線ギャップ１０８より小さくできる。つまり、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを形成することにより、従来の金属板で構成された配線板では実現できなかった細かい配線ギャップ（金属板の厚みよりも狭い配線ギャップ）を持つ配線板１０１を作製することができる。特に、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの厚みを５０μｍ以下とすることで、配線ルール（Ｌ／Ｓ、ライン／スペース）を細かくでき、従来の金属板で構成された配線板では困難な、バンプ等を用いたフリップチップ実装で発光素子を実装することができる。なお、必要があれば、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄの厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みより薄くして表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ間の最小配線ギャップを最小配線ギャップ１０８より小さくしてもよい。
【００６３】
表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ（および表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄ）をめっきで形成する場合、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ上に形成した方が絶縁部１０２上に形成するよりも表層配線の強度を向上させることができる。具体的には、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ上に形成する表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの面積（基体１００の第１表面における面積）を、基体１００の第１表面の面積の２０％以上とすることで２００℃〜３５０℃程の高温時でも表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの強度を高くできる。また絶縁部１０２上に形成した表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの面積を小さくすることでも高温時の表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの強度の低下を抑制できる。特に４０％以下であることが望ましい。同様に、表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄの面積（基体１００の第２表面における面積）を、基体１００の第２表面の面積の２０％以上とすることが好ましく、４０％以下であることがさらに好ましい。
【００６４】
また、配線パターンである表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成した後に、金、銀、錫、亜鉛又はニッケルめっき等の表面処理を行ってもよい。また、剥離フィルム上に形成された配線パターンを絶縁部１０２に転写して表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成してもよい。表層配線１０４Ｃ、１０４Ｄはワイヤーボンディング等を行うことで、マザーボード等と接続してもよい。
【００６５】
以上のように、従来の金属板で構成された配線板には面実装できないほど微細な配線ギャップを有する発光素子を配線板１０１には面実装することができる。また、従来のセラミック基板で形成された配線板では困難であった低電気抵抗を実現できる。さらに、配線板１０１上に実装した電子部品と、配線板１０１を実装するマザーボードとの間の熱抵抗も低くすることができる。
【００６６】
次に、発光素子１１１を配線板１０１に実装した発光装置１１０について、図６、図７を参照しながら説明する。図６は発光装置１１０の斜視図、図７は図６の線７−７における発光装置１１０の断面図である。なお、図１〜図５Ｃと共通する部分については同じ符号を示している。発光装置１１０は、配線板１０１と、配線板１０１上に実装された発光素子１１１とを含む。
【００６７】
図７に示すように発光素子１１１は、バンプ１１２を介して配線板１０１に実装されている。配線板１０１は、図１〜図５Ｃを参照しながら説明した構成を有する。
【００６８】
発光素子１１１は、ＬＥＤやＬＤ（半導体レーザー）などの半導体発光素子で構成されている。これらの半導体発光素子は、効率に優れ、長寿命で安定して使用できる。特にＬＥＤは安価で好ましい。
【００６９】
発光素子１１１は、ベース材上に半導体層を形成することによって作製できる。ベース材は例えば、サファイアやスピネル、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等であり、半導体層は例えば、ＢＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅやＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等である。
【００７０】
発光素子１１１は、その発光面が配線板１０１に対向するように、導電性のバンプ１１２を介して配線板１０１上にフリップチップ実装されている。フリップチップ実装用の発光素子１１１は、反射電極（例えば、アルミニウムや、銀、金、及びそれらの合金等）を有しており、発光された光を反射電極や、配線板１０１等で反射させてから外部へ放出する。フリップチップ実装には、ワイヤーボンディングの影ができない、半透明電極を用いずに光量が増加する等の利点に加えて、発光層が配線板に近く、温度上昇も抑制できる利点もある。また、ワイヤーの断線等がなく信頼性も向上する。
【００７１】
発光装置１１０には発光素子１１１を過電圧による破壊から防止する保護素子（ツェナーダイオードやコンデンサ、バリスタ等）を含んでいてもよい。例えば、ツェナーダイオードの場合、その両端にツェナー電圧以上の電圧が印加されると抵抗が低下する。そのためツェナーダイオードを発光素子１１１と並列に回路接続しておくと、発光素子１１１にノイズ等により過大な電圧が印加されても、ツェナー電圧以上の電圧は、発光素子１１１に印加されない。従って、発光素子１１１を過大な電圧から保護でき、素子破壊や性能劣化の発生を防止することができる。保護素子は絶縁部１０２内に配置されていてもよい。
【００７２】
発光素子１１１と配線板１０１は、導電性のバンプ１１２を介して電気的及び機械的に接合されている。具体的には表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ上にバンプ１１２が形成され、発光素子１１１はバンプ１１２を介して表層配線１０４Ａ、１０４Ｂと接合されている。
【００７３】
バンプ１１２はＡｕや半田等の合金系の材料以外に、金属フィラを含有した導電性接着剤等を用いることもできる。バンプ１１２は発光素子１１１、配線板１０１のどちらに形成してもよい。バンプ１１２を介して発光素子１１１と配線板１０１とを対向させた後、超音波や熱・加重等を加えことによって、これらを電気的に接合することができる。またバンプ１１２を複数形成することで、電気抵抗・熱抵抗を下げることができる。
【００７４】
発光素子１１１と配線板１０１との間にはアンダーフィル材等を充填してもよい。この場合、アンダーフィル材により熱の伝導と機械的強度を向上することができる。アンダーフィル材としては接着力や機械的強度の高いエポキシ樹脂や、耐熱性・耐候性等の観点からシリコーン樹脂及び、樹脂にフィラを含有した樹脂組成物を用いることができる。
【００７５】
このように、絶縁部１０２、プレート配線１０３Ａ、１０４Ｂ、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを有する配線板１０１に発光素子１１１を実装することで、発光素子１１１と発光装置１１０を実装したマザーボードとの間の電気接合を低抵抗にすることができる。また、発光素子１１１とマザーボードとの間の熱抵抗も低くすることが可能となる。
【００７６】
配線板１０１への発光素子１１１の実装方法としては、はんだ、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）やＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）、ＮＣＰ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）等がある。ＬＥＤ等の半導体のフリップチップ実装には金−金接合、金−錫接合の様な方法を採用する場合も多い。金−金接合、金−錫接合等による実装では、熱圧着や超音波により金バンプを変形させる必要がある。しかも熱圧着やリフローでは３００〜３５０℃程度の温度にする必要がある。超音波接合でも２００℃程度まで温度上昇する。配線板１０１の弾性率が高いほど、金バンプは低圧力で容易に変形し、半導体へのダメージを低減でき、接合強度も高くなる。
【００７７】
配線板１０１は発光素子１１１の実装の点でも通常の樹脂配線板に比べて優位性を有している。すなわち、配線板１０１の弾性率は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料により制御できる。エポキシ等の樹脂材料はガラス転移点を有しており、ガラス転移温度の前後で弾性率の値が大きく変動し、ガラス転移温度を超えると弾性率が大きく低下する。一方、配線板１０１も絶縁部１０２として樹脂を含んでいるが、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積を２０ｖｏｌ％以上とすることで、配線板１０１の弾性率は、絶縁部１０２に用いる樹脂のガラス転移温度による影響がほとんどなくなる。
【００７８】
また、配線板１０１においては、従来の金属板で構成された配線板のように金属板上に絶縁層は積層されておらず、絶縁部１０２は、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとほぼ同じ厚みを有するように、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間にのみ形成されている。このような構成とすることにより、配線板１０１の実装温度（２００℃〜３５０℃）での配線板１０１の弾性率はプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料の弾性率が支配的となり、弾性率を２ＧＰａ以上とすることができる。そのため、金バンプを容易に変形できる。また、弾性率の絶対値も通常の樹脂材料では得られない高い弾性率とすることが可能であり、望ましくは１０ＧＰａ以上とすることで、低圧力での金バンプの変形を容易にし、発光素子１１１へのダメージを低減できる。
【００７９】
また、通常、発光素子の実装時においては配線板のそりが問題になる。複数のバンプが存在するような場合、配線板が反っていると、バンプへの荷重がばらつき、信頼性が低下する。これに対し、配線板１０１の線膨張係数も弾性率と同様に、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂに用いる金属材料の線膨張係数が支配的である。すなわち、配線板１０１の線膨張係数は、絶縁部１０２に用いる樹脂のガラス転移温度にほとんど影響されない。また、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの材質を同一もしくは近い組成のものにすることで、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの線膨張係数と、基体１００の線膨張係数とが近い値となる。そのため、発光素子１１１を実装する時に高温（２００〜３５０℃）であっても、配線板１０１にはそりが発生しにくく、発光素子１１１の実装が容易であり、実装信頼性が向上する。
【００８０】
また一般に、高温での実装においては、配線板を構成する樹脂と銅箔の接着強度が高温時に低下するため、発光素子１１１が実装される電極の強度が問題になる。配線板１０１において、基体１００上に形成される表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの強度は、絶縁部１０２との接着部分においては、樹脂との接着強度の影響を受ける。一方、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂとの接着部分においては、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄがめっきにより形成されている場合、高温時でも安定し、接着強度が高い。望ましくは、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積が２０ｖｏｌ％以上、さらに望ましくは４０ｖｏｌ％以上の割合である。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂは絶縁部１０２と同じ厚みであることから、基体１００の第１表面又は第２表面におけるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂが占める面積の割合も２０％以上、さらに望ましくは４０％以上である。また、高温でのプロセスは樹脂を劣化させる。２００〜３５０℃の範囲では樹脂が変色しやすく、特に空気（酸素）と接触のある面での変化が激しい。そのため、基体１００の第１表面及び／又は第２表面において絶縁部１０２が露出する部分は少ないほうが望ましい。
【００８１】
次に、発光素子１１１を覆う被覆層１１３を含む発光装置１１０Ａについて、図８を参照しながら説明する。図８は発光装置１１０Ａの断面図である。なお、図１〜図７と共通する部分については同じ符号を示している。
【００８２】
被覆層１１３は、配線板１０１の第１面および発光素子１１１と接着されている。被覆層１１３を形成することで、発光素子１１１を保護できる。また被覆層１１３の構造を制御することで、光の集光・拡散といった機能を付与することもできる。
【００８３】
被覆層１１３は蛍光体と透光性材料を含んでいることが望ましい。蛍光体は発光素子１１１の光（エネルギー）を異なる波長の光に変換する機能を有している。たとえば、発光素子１１１の波長以上の波長の光を発光装置１１０Ａから送出することができる。このように被覆層１１３が蛍光体を含むことで、発光装置１１０Ａから所望の光を取り出すことができる。例えば、青色の発光素子１１１と黄色の蛍光体を含む被覆層１１３の組み合わせや、紫外〜紫色の光を発する発光素子１１１とＲＧＢの蛍光体（黄色を含んでもよい）を含む被覆層１１３の組み合わせ等により、発光装置１１０Ａは白色に発光することができる。蛍光体は２種類以上の材料を混合してもよく、複数の蛍光体を用いることで任意の色調の光を取り出すことができる。
【００８４】
被覆層１１３における蛍光体の体積含有率を３％以上とすることで、光の波長変換が有効に機能する。また、８０％以下とすることで被覆層１１３の形成が容易となる。
【００８５】
透光性材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、イミド樹脂等の透光性を有する樹脂または、ガラスやシリカゲル等が使用できる。シリコーン樹脂は耐候性がよく好ましい。透光性材料は透光性が高い方が望ましく、シリコーン樹脂は透光性の観点でも好ましい。また、透光性材料は常温で液体、もしくは加熱することで液状化することが望ましい。液状の透光性材料と蛍光体を混合することで、蛍光体の分散を容易にし、光の均一性を向上させることができる。
【００８６】
また、被覆層１１３は、蛍光体以外に熱膨張を軽減するためのフィラや熱伝導率を向上させるためのフィラを含んでいてもよい。また、溶剤や、粘度調整剤、光拡散剤、顔料、変色防止剤、難燃剤、湿潤分散剤等を添加することができる。
【００８７】
発光素子１１１と配線板１０１との間の空隙の少なくとも一部にも被覆層１１３が充填されていることが強度的に望ましい。発光素子１１１と配線板１０１の間に充填される部分の材料は、発光素子１１１を覆う部分の材料と異なっていてもよい。また、被覆層１１３は多層構造であってもよい。
【００８８】
次に、配線板１０１および発光装置１１０の製造方法の一例について、図９Ａ〜図９Ｆを参照しながら説明する。図９Ａ〜図９Ｆは、配線板１０１および発光装置１１０の製造方法を説明するための断面図である。なお、図１〜図８と共通する部分については同じ符号を示しており、重複する内容については説明を省略する場合がある。
【００８９】
まず、図９Ａに示す様に、金属板をパターニングしてプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを作製する。図９Ａではプレート配線１０３Ａのみを示している。パターニングにはエッチングやレーザー加工、パンチングを利用することができる。
【００９０】
次に、図９Ｂに示す様にプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に絶縁部１０２を形成する。絶縁部１０２は、未硬化の樹脂組成物をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと実質的に同じ厚みになるようにプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に充填し、未硬化の樹脂組成物を硬化することで、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体化するように形成する。充填方法は、特に限定されないが、例えば、スクリーン印刷などの方法が用いられる。また、熱可塑性樹脂を用いて、溶融させた樹脂を充填することで絶縁部１０２を形成してもよい。また、絶縁部１０２をプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間に充填後、研磨・研削等により、絶縁部１０２の厚みをプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの厚みと実質的に同じになるように加工しても良い。
【００９１】
次に、図９Ｃに示す様に、基体１００の第１表面及び第２表面に、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂより薄い表層配線層１０７を形成する。表層配線層１０７は金属めっき等により形成できる。
【００９２】
次に、図９Ｄに示す様に、表層配線層１０７をパターニングすることにより表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成する。例えば、表層配線層１０７の表面にフォトレジスト膜を形成した後、フォトマスクを介してフォトレジスト膜を感光し、現像を行うことでフォトレジストをパターニングする。その後、配線パターン以外の表層配線層１０７をエッチングし、フォトレジスト膜を除去することで表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄを形成できる。フォトレジスト膜の形成には、液状のレジストやフィルムを用いることができる。このように表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄをパターニングして形成しているので、発光素子１１１等のベアチップを実装できるレベルで配線パターンを形成し、任意の大きさ・形状に配線をレイアウトできる。
【００９３】
なお、図３に示す様に、同一表面上に形成された表層配線１０４Ａ、１０４Ｂ間の最小配線ギャップ１０９がプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップ１０８より小さくなるように、表層配線１０４Ａ、１０４Ｂを形成する。
【００９４】
このような工程により、配線板１０１を作製することができる。前述のように配線板１０１は基体１００と、基体１００の第１表面と第２表面に形成された表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄとを有する。基体１００は、金属板で形成されたプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと、樹脂を含む樹脂組成物で構成され、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂと一体に形成された絶縁部１０２とを有する。表層配線１０４Ａ、１０４Ｃはプレート配線１０３Ａと電気的に接続され、表層配線１０４Ｂ、１０４Ｄはプレート配線１０３Ｂと電気的に接続されている。
【００９５】
発光装置１１０は、図９Ｅに示すように、バンプ１１２を形成した発光素子１１１を配線板１０１に実装することで形成される。バンプ１１２はワイヤーやめっき、ボールマウント、はんだ印刷等を用いて形成することができる。配線板１０１に対し発光素子１１１を実装するには、はんだや導電性接着剤の他、超音波や熱による接合を用いることができる。また、非導電性の接着層を用いる方法もある。
【００９６】
また、配線板１０１上にツェナーダイオードやバリスタ等の静電気対策部品を実装する工程が、発光素子１１１を実装する工程の前後どちらかに含まれていてもよい。
【００９７】
次に図９Ｆに示すように被覆層１１３を形成する。被覆層１１３を形成するには、発光素子１１１を覆い、かつ配線板１０１の第１面と接するように蛍光体と透光性材料とを含む被覆層１１３の材料を配置する。被覆層１１３の材料は液状もしくはシート状が形成しやすく望ましい。被覆層１１３の材料が液状の場合、スクリーン印刷やポッティング、スプレー塗布のような方法を用いることができる。また、金型等を用いて成形してもよい。被覆層１１３を配置する際に、周囲を減圧することで、発光素子１１１と配線板１０１との間の空隙に被覆層１１３が充填されやすくなるため望ましい。また、被覆層１１３の材料と異なる充填剤を被覆層１１３の形成前に充填していてもよい。被覆層１１３と異なる充填剤を用いることで、粘度が低く充填性が高い材料や絶縁性の高い材料を選択することができる。被覆層１１３の材料を配置後、加熱等によりこの材料を硬化し被覆層１１３を形成する。
【００９８】
図１０はアレイ状に形成した複数の配線板１０１の斜視図である。図１１は図１０の配線板１０１のそれぞれに発光素子１１１を実装した状態を示す斜視図である。図１２は図９Ｆに示すように発光素子１１１を実装した配線板１０１に被覆層１１３を形成した状態を示す斜視図である。
【００９９】
図１０に示す様に、複数の配線板１０１をアレイ状に形成し、集合体とすることで、個々の配線板１０１上にそれぞれ発光素子１１１を実装するよりも、実装性を向上させることができる。またアレイ状に形成することでプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂを一体化して取り扱うことができる。複数の配線板１０１をアレイ状に形成した集合体とすることで、複数の絶縁部１０２、プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ、表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄをまとめて形成することができるため、生産性が向上する。
【０１００】
また、図１０〜図１２に示す様にダイシングや実装用のマーカー１０６を形成することで、複数の配線板１０１を個々の配線板１０１に分割する作業（個片化）や、それぞれの配線板１０１へ発光素子１１１を実装する作業が容易になる。個片化は、例えば、ダイシングやレーザー加工、機械的切断（押し切り等）により行うことができる。更に、アレイ状に形成した配線板１０１の集合体における表層配線１０４Ａ、１０４Ｂの上にＬＥＤ等の電子部品を実装した後に、ダイシングやレーザー加工、機械的切断（押し切り等）により切断、分離することで、複数個のモジュールを作製することができる。
【０１０１】
（実施例）
以下に、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率を検討した結果を説明する。具体的には、基体１００の体積に占めるプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの体積比率が１０ｖｏｌ％、２０ｖｏｌ％、４０ｖｏｌ％、６０ｖｏｌ％、８０ｖｏｌ％の５種類の配線板１０１を模した配線板を作製し、熱抵抗測定、弾性率測定、及び発光素子１１１を実装したときの接合強度測定を実施した結果を示す。なお、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【０１０２】
５種類の配線板について、５０ｍｍ四方の配線板の集合体を作製し、３．５ｍｍ四方の個片の配線板を評価している。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂには０．３ｍｍの厚みの銅合金を用いる。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂ間の最小配線ギャップは０．３ｍｍとする。プレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの模式的なパターンとして、プレート配線４０３〜４４３の平面図を図１６Ａ〜図１６Ｅに示す。
【０１０３】
表層配線１０４Ａ〜１０４Ｄの模式的なパターンも、基体１００の第１表面又は第２表面における表層配線の面積を変えて複数種類、作製する。表層配線は厚さ２５μｍのめっき層（無電解＋電解）で形成し、その配線パターン間の最小配線ギャップを０．０５ｍｍとする。表層配線の表面には金めっき処理を施している。プレート配線４４３と組み合わせる表層配線の配線パターンの一例である表層配線４０４を図１７に示す。絶縁部１０２はエポキシ樹脂とＴｉＯ２フィラの混合物で構成する。
【０１０４】
比較のために、アルミナ配線板と樹脂配線板を準備する。両方ともプレート配線１０３Ａ、１０３Ｂの代わりに図１８に示す様に３．５ｍｍ四方の基板に直径２００μｍの導電性のビア２０３を作製する。
【０１０５】
熱抵抗は以下のようにして測定する。表層配線上に発熱体となる発光素子１１１を実装し、発光素子１１１に電力を印加して発熱させ、そのときの配線板の上面と下面（基体１００の第１表面側と第２表面側）の温度差を測定する。５種類の配線板とアルミナ配線板、樹脂配線板について、発光素子１１１の発熱量を変えた時の各配線板における温度差を図１９に示す。図１９より算出される熱抵抗（図１９に示すグラフの傾き）を（表１）に示す。
【０１０６】
【表１】
2013069232.tif 000040
【０１０７】
基体の体積に占めるプレート配線４０３の体積比率が１０ｖｏｌ％の、図１６Ａに示す配線板では、アルミナ配線板と同程度の熱抵抗となっている。これに対し、基体の体積に占めるプレート配線４１３の体積比率が２０ｖｏｌ％以上の、図１６Ｂに示す配線板ではアルミナ配線板より低い熱抵抗が実現できている。また、基体１００の体積に占めるプレート配線の割合が多いほど、配線板１０１の熱抵抗が小さくなる。その結果、発光素子１１１の温度も低くなる。
【０１０８】
次に、図１６Ｂに示す配線板の厚み方向（基体１００の第１表面と第２表面に直交する方向）の弾性率の測定結果を図２０に示す。比較のために樹脂配線板の結果も示している。樹脂配線板においてはガラス転移温度となる１７６℃近辺で弾性率が大きく低下している。配線板１０１においても、絶縁部１０２が樹脂で構成されているためガラス転移温度付近で弾性率は若干低下している。しかし、基体の体積に対するプレート配線４１３の体積比率が２０ｖｏｌ％であり、プレート配線４１３が樹脂よりも剛性が高い金属で構成されている。そのため、図１６Ｂに示す配線板の弾性率は樹脂配線板とは違った特徴を示している。すなわち、配線板の弾性率の値が１０ＧＰａ以上であり、樹脂配線板の弾性率の２倍以上の値となっている。また、配線板の高弾性率がガラス転移温度を超えても維持されている。プレート配線４１３と絶縁部１０２の厚みがほぼ同じであるため、厚み方向の弾性率は、プレート配線４１３と絶縁部１０２のそれぞれに用いられる材料の弾性率に体積比率（基体１００の体積に対する体積比率）を乗じた値に近くなり、高弾性率が実現できている。
【０１０９】
次に、図１６Ｃに示す配線板と比較用の樹脂配線板を用いて、発光素子１１１の実装を金―金接合で行ったときの、配線板−金ボール間、樹脂配線板−金ボール間の接合強度の熱圧着時の荷重による依存性をプルテストによって評価する。図１６Ｃに示す配線板では、基体の体積に占めるプレート配線４２３の体積比率が４０ｖｏｌ％である。
【０１１０】
超音波を用いて金ボールを接合した発光素子１１１を配線にフリップチップボンダを用いて熱圧着により接合する。加熱温度は３５０℃とする。結果を図２１に示す。図２１の評価結果によれば、樹脂配線板では全体に接合強度が低く、特に低荷重側では低い値となっている。これは、加熱温度がガラス転移温度より高温であるため樹脂配線板の弾性率がかなり低下しており、十分な荷重が金ボールに印加されていないことに起因している。一方、配線板の弾性率は、高温でも高く、低荷重でも十分な接合強度を示している。
【０１１１】
次に、高温はんだを用いて、発光素子１１１のダイボンドを行い、３００℃における表層配線のシェア強度を検討する。基体の体積に占めるプレート配線の体積比率が２０ｖｏｌ％（図１６Ｂ）、４０ｖｏｌ％（図１６Ｃ）、６０ｖｏｌ％（図１６Ｄ）、８０ｖｏｌ％（図１６Ｅ）の各配線板において、基体の第１表面の上に形成する表層配線の面積を変えてサンプルを作製している。（表２）にシェア強度の評価結果を示す。１ｋｇの荷重で表層配線の破壊がみられたサンプルはＮＧ、破壊がみられなかったサンプルはＯＫで示している。サンプルを作製できない条件は−で示している。
【０１１２】
（表２）より明らかなように、プレート配線上に形成される表層配線の面積を、基体の第１表面又は第２表面の面積の２０％以上とすることで、高い接合強度が得られる。また、絶縁部上に形成される表層配線の面積を、基体の第１表面又は第２表面の面積の４０％以下とすることでも同様に高い接合強度が得られる。
【０１１３】
【表２】
2013069232.tif 000041
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
本発明によれば、低熱抵抗化、低電気抵抗化を実現し、ベアチップ実装も可能な微細な配線形成ができる配線板を実現できる。また配線板に発光素子を実装することで、発光素子の温度上昇を抑制した発光装置を実現できる。
【符号の説明】
【０１１５】
１００    基体
１０１    配線板
１０２    絶縁部
１０３Ａ    第１プレート配線（プレート配線）
１０３Ｂ    第２プレート配線（プレート配線）
１０４Ａ    第１上表層配線（表層配線）
１０４Ｂ    第２上表層配線（表層配線）
１０４Ｃ，３０４Ｃ    第１下表層配線（表層配線）
１０４Ｄ，３０４Ｄ    第２下表層配線（表層配線）
１０６    マーカー
１０７    表層配線層
１０８    最小配線ギャップ
１０９    最小配線ギャップ
１１０，１１０Ａ    発光装置
１１１    発光素子
１１２    バンプ
１１３    被覆層
１１４Ａ，３１４Ａ    第１領域
１１４Ｂ，３１４Ｂ    第２領域
１１５    第３領域
２０１    セラミック配線板
２０２    セラミック絶縁層
２０３    ビア
２０４，４０４    表層配線
４０３，４１３，４２３，４３３，４４３    プレート配線
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板で形成され、第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線と、前記複数のプレート配線と一体に、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物で、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みに形成された絶縁部と、を有するとともに、第１表面と、前記第１表面に対向する第２表面とを有する基体と、
前記第１表面に金属めっきで前記複数のプレート配線より薄く形成され、前記第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線と、
前記第２表面に金属めっきで前記複数のプレート配線より薄く形成され、前記第１、第２プレート配線とそれぞれ電気的に接続された第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線と、を備え、
前記複数の上表層配線間の最小配線ギャップは前記複数のプレート配線間の最小配線ギャップより小さく、
前記第１プレート配線は、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有し、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続された、
配線板。
【請求項２】
前記第２プレート配線は、前記第１表面の法線方向において、前記第２上表層配線と前記第２下表層配線とが重なっている形状と実質的に同じ形状を有し、前記第２上表層配線と前記第２下表層配線とが前記第２プレート配線によって接続された、
請求項１記載の配線板。
【請求項３】
前記第１表面の法線方向において、前記第２上表層配線と前記第１下表層配線とが、前記絶縁部を介して重なる部分を有し、前記第２上表層配線と前記第１下表層配線とが絶縁されている、
請求項２記載の配線板。
【請求項４】
前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第２下表層配線とが、前記絶縁部を介して重なる部分を有し、前記第１上表層配線と前記第２下表層配線とが絶縁されている、
請求項１記載の配線板。
【請求項５】
前記複数のプレート配線の少なくとも一部が表面処理されている、
請求項１記載の配線板。
【請求項６】
前記複数のプレート配線が銅、アルミ、タングステン、モリブデン、またはこれらの合金のうちの少なくとも１つで形成された、
請求項１記載の配線板。
【請求項７】
前記基体の前記第１表面及び前記第２表面以外の表面において、前記複数のプレート配線の少なくとも一つの一部が露出している、
請求項１記載の配線板。
【請求項８】
前記基体の体積に対する前記複数のプレート配線の合計の体積比率が２０ｖｏｌ％以上、９５ｖｏｌ％以下である、
請求項１記載の配線板。
【請求項９】
前記複数の上表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の４０％以下であり、
前記複数の下表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の４０％以下である、
請求項８記載の配線板。
【請求項１０】
前記基体の体積に対する前記複数のプレート配線の体積比率が４０ｖｏｌ％以上、９５ｖｏｌ％以下である、
請求項１記載の配線板。
【請求項１１】
前記複数の上表層配線において、前記複数のプレート配線上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の２０％以上であり、
前記複数の下表層配線において、前記複数のプレート配線上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の２０％以上である、
請求項１０記載の配線板。
【請求項１２】
前記複数の上表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第１表面の面積の４０％以下であり、
前記複数の下表層配線において、前記絶縁部上に形成される部分の面積が前記基体の前記第２表面の面積の４０％以下である、
請求項１０記載の配線板。
【請求項１３】
前記絶縁部が樹脂とフィラの混合物であり、前記フィラがＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ポリテトラフルオロエチレン、ＭｇＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＡｌＯ（ＯＨ）、ＴｉＯ２の少なくとも一つを含む、
請求項１記載の配線板。
【請求項１４】
金属板をパターニングして第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線を形成するステップと、
前記複数のプレート配線と一体化するように、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物を前記複数のプレート配線間に充填して、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みの絶縁部を作製することで、前記複数のプレート配線と前記絶縁部で構成される基体を形成するステップと、
前記基体の第１表面と、前記第１表面と対向する第２表面とに、金属めっきで、前記複数のプレート配線より薄く、前記複数のプレート配線と電気的に接続された一対の表層配線層を形成するステップと、
前記基体の第１表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線を形成するとともに、前記基体の第２表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線を形成するステップと、を備え、
前記複数の上表層配線と前記複数の下表層配線を形成する際に、前記上表層配線間の最小配線ギャップ、前記下表層配線間の最小配線ギャップが前記プレート配線間の最小配線ギャップより小さくなるように、かつ、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と前記第１プレート配線の形状とが実質的に同じ形状を有するとともに、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続されるように前記表層配線層をパターニングする、
配線板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の前記配線板の複数個がアレイ状に形成された、
集合体。
【請求項１６】
請求項１に記載の前記配線板と、
前記配線板における前記基体の前記第１面に実装され、前記複数の上表層配線に電気的に接続された発光素子と、を備えた、
発光装置。
【請求項１７】
金属板をパターニングして第１、第２プレート配線を含む複数のプレート配線を形成するステップと、
前記複数のプレート配線と一体化するように、樹脂を含む樹脂組成物またはガラス組成物を前記複数のプレート配線間に充填して、前記複数のプレート配線と実質的に同じ厚みの絶縁部を作製することで、前記複数のプレート配線と前記絶縁部で構成される基体を形成するステップと、
前記基体の第１表面と、前記第１表面と対向する第２表面とに、金属めっきで、前記複数のプレート配線より薄く、前記複数のプレート配線と電気的に接続された一対の表層配線層を形成するステップと、
前記基体の第１表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２上表層配線を含む複数の上表層配線を形成するとともに、前記基体の第２表面に形成された前記表層配線層をパターニングして第１、第２下表層配線を含む複数の下表層配線を形成するステップと、
前記基体の前記第１面に発光素子を実装し、前記複数の上表層配線に前記発光素子を電気的に接続するステップと、を備え、
前記複数の上表層配線と前記複数の下表層配線を形成する際に、前記上表層配線間の最小配線ギャップ、前記下表層配線間の最小配線ギャップが前記プレート配線間の最小配線ギャップより小さくなるように、かつ、前記第１表面の法線方向において、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが重なっている形状と前記第１プレート配線の形状とが実質的に同じ形状を有するとともに、前記第１上表層配線と前記第１下表層配線とが前記第１プレート配線によって接続されるように前記表層配線層をパターニングする、
発光装置の製造方法。
【請求項１８】
前記配線板は複数の配線板の１つであり、前記複数の配線板はアレイ状に形成された集合体を形成し、
前記被覆層と一体化した前記集合体をダイシングにより個片化するステップをさらに備えた、
請求項１７記載の発光装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2013069232.tif 000042
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2013069232.tif 000043
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2013069232.tif 000044
【国際調査報告】
2013069232.tif 000045
2013069232.tif 000046