(57)【要約】下記式（１−１）で表わされる化合物。2013118507.tif 000140
2013118507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１−１）で表わされる化合物。
【化１１８】
2013118507.tif 000127
（式（１−１）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ１と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−１）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ１が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化１１９】
2013118507.tif 000128
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−１）と同様である。）
【請求項２】
Ａ１の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基が、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である請求項１又は２に記載の化合物。
【化１２０】
2013118507.tif 000129
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
【請求項４】
Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【化１２１】
2013118507.tif 000130
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−１）と同じである。）
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項６】
下記式（１−２）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化１２２】
2013118507.tif 000131
（式（１−２）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ２と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−２）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
【請求項７】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基が、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【請求項８】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基が、下記式（２）で表わされる基である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化１２３】
2013118507.tif 000132
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−２）と同様である。）
【請求項９】
前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化１２４】
2013118507.tif 000133
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
【請求項１０】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基が、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基である請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【請求項１１】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基が、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基である請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【請求項１２】
Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である請求項６〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化１２５】
2013118507.tif 000134
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−２）と同じである。）
【請求項１３】
下記式（１−３）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化１２６】
2013118507.tif 000135
（式（１−３）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ３と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−３）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、水素原子、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のメタビフェニルイル基、置換もしくは無置換のメタターフェニル基、置換もしくは無置換のピリジニル、置換もしくは無置換のピリミジニル、置換もしくは無置換のトリアジニル、置換もしくは無置換のイミダゾリル、置換もしくは無置換のフェナントロリニル、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ３が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化１２７】
2013118507.tif 000136
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−３）と同じである。）
【請求項１４】
前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化１２８】
2013118507.tif 000137
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
【請求項１５】
Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である請求項１３又は１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化１２９】
2013118507.tif 000138
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−３）と同じである。）
【請求項１６】
陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
前記発光層が前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１８】
陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、前記陰極と前記発光層の間に電子輸送帯域を有し、前記電子輸送帯域が請求項６〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１９】
陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、前記陰極と前記発光層の間に正孔障壁層を有し、前記正孔障壁層が請求項１３〜１５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２０】
前記陰極と前記発光層の間に、さらに電子輸送帯域を有する請求項１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２１】
前記電子輸送帯域が電子供与性ドーパントを含有する請求項１８又は２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２２】
前記発光層が燐光発光材料を含有し、前記燐光発光材料がイリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）及び白金（Ｐｔ）から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である請求項１６〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２３】
前記燐光発光材料が、下記式（Ｉ）で表わされる請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３０】
2013118507.tif 000139
（式中、Ｚ１０１及びＺ１０２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、
Ａは、Ｚ１０１と窒素原子と共に５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環を形成する原子群を表し、
Ｂは、Ｚ１０２と炭素原子と共に５員環又は６員環を形成する原子群を表し、
Ｑは、炭素原子、窒素原子、又はホウ素原子を表わし、
Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表し、
ｋは、１〜３の整数を表す。）
【請求項２４】
前記発光層が、カルバゾール環とジベンゾフラン環とを有する化合物を含有する請求項１６〜２３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子には、蛍光型及び燐光型があり、それぞれの発光メカニズムに応じ、最適な素子設計が検討されている。燐光型の有機ＥＬ素子については、その発光特性から、蛍光素子技術の単純な転用では高性能な素子が得られないことが知られている。その理由は、一般的に以下のように考えられている。
まず、燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、発光層に用いる化合物のエネルギーギャップが大きくなくてはならない。何故なら、ある化合物のエネルギーギャップ（以下、一重項エネルギーともいう。）の値は、通常、その化合物の三重項エネルギー（本発明では、最低励起三重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。）の値よりも大きいからである。【０００３】
従って、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めるためには、まず、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きい三重項エネルギーのホスト材料を発光層に用いなければならない。さらに、発光層に隣接する電子輸送層、及び正孔輸送層を設け、電子輸送層、及び正孔輸送層に燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きい化合物を用いなければならない。
このように、従来の有機ＥＬ素子の素子設計思想に基づく場合、蛍光型の有機ＥＬ素子に用いる化合物と比べて大きなエネルギーギャップを有する化合物を燐光型の有機ＥＬ素子に用いることにつながり、有機ＥＬ素子全体の駆動電圧が上昇する。【０００４】
また、蛍光素子で有用であった酸化耐性や還元耐性の高い炭化水素系の化合物はπ電子雲の広がりが大きいため、エネルギーギャップが小さい。そのため、燐光型の有機ＥＬ素子では、このような炭化水素系の化合物が選択され難く、酸素や窒素等のヘテロ原子を含んだ有機化合物が選択され、その結果、燐光型の有機ＥＬ素子は、蛍光型の有機ＥＬ素子と比較して寿命が短いという問題を有する。【０００５】
さらに、燐光発光性ドーパント材料の三重項励起子の励起子緩和速度が一重項励起子と比較して非常に長いことも素子性能に大きな影響を与える。即ち、一重項励起子からの発光は、発光に繋がる緩和速度が速いため、発光層の周辺層（例えば、正孔輸送層や電子輸送層）への励起子の拡散が起きにくく、効率的な発光が期待される。一方、三重項励起子からの発光は、スピン禁制であり緩和速度が遅いため、周辺層への励起子の拡散が起きやすく、特定の燐光発光性化合物以外からは熱的なエネルギー失活が起きてしまう。つまり、電子、及び正孔の再結合領域のコントロールが蛍光型の有機ＥＬ素子よりも重要である。【０００６】
以上のような理由から燐光型の有機ＥＬ素子の高性能化には、蛍光型の有機ＥＬ素子と異なる材料選択、及び素子設計が必要になっている。
また有機ＥＬ素子の駆動電圧を低減するためには、電荷注入性もしくは電荷輸送性に優れる材料を用いる必要がある。しかし、このように電荷注入性、電荷輸送性に優れる材料を用いる場合、駆動電圧が低減する代わりに、発光層内の電荷バランスが悪化し、素子の短寿命化に繋がるケースがある。すなわち素子の寿命を維持した上で、駆動電圧を低減する電荷輸送材料が必要となる。【０００７】
非特許文献１には、ジベンゾフランの２位にカルバゾール、８位にジフェニルホスフィンオキサイドが置換した化合物が開示されている。青燐光ＥＬ素子に用いるため、高い三重項エネルギーを有するジベンゾフランをコアユニットとして用い、電子注入、電子輸送性を向上させる骨格としてホスフィンオキサイド、正孔輸送性を持たせるためにカルバゾールを組み合わせている。この化合物は両極性を示し、これをホスト材料として用いた素子は、対応する正孔輸送性ホスト、電子輸送性ホストを用いた混合ホスト素子と同等の高い発光効率、電流電圧特性を示すことが述べられている。【０００８】
非特許文献２には、ジベンゾフランの４位にジフェニルホスフィンオキサイドを置換した化合物が開示されている。ジベンゾフランの高い三重項エネルギーを維持し、かつ分子の凝集を抑制することができ、これを青燐光用のホスト材料として用いることで、高い発光効率を示し、また高輝度下でも発光効率の低下が抑制できることが述べられている。【０００９】
特許文献１には、ホスフィンオキサイドとカルバゾールを組み合わせた化合物が開示されている。これにより、熱安定性かつ正孔輸送性が優れることを特徴としている。使用の形態は発光層又は正孔輸送層材料である。【００１０】
特許文献２は、正孔輸送性を有するジアリールアミン部位、含窒素複素環連結基が直接結合したホスフィンオキサイドを有する化合物が、良好な正孔・電子注入輸送特性を示し、素子内の正孔・電子のバランスが優れていることが開示されている。使用の形態は発光層又は電子輸送層材料である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１３７７７９号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２０１０／０９８３８６号パンフレット
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ−ＡＮ  ＡＳＩＡＮ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ２０１１，６（１１），２８９５．
【非特許文献２】ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ−Ａ  ＥＵＲＯＰＥＡＮ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ２０１１，１７（２），４４５．
【発明の概要】
【００１３】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の寿命を維持しつつ、駆動電圧を低減することのできる化合物を提供することである。
【００１４】
本発明によれば、以下の化合物等が提供される。
１．下記式（１−１）で表わされる化合物。
【化１】
2013118507.tif 000003
（式（１−１）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ１と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−１）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ１が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化２】
2013118507.tif 000004
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−１）と同様である。）
２．Ａ１の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基が、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である１に記載の化合物。
３．前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である１又は２に記載の化合物。
【化３】
2013118507.tif 000005
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
４．Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である１〜３のいずれかに記載の化合物。
【化４】
2013118507.tif 000006
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−１）と同じである。）
５．１〜４のいずれかに記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
６．下記式（１−２）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化５】
2013118507.tif 000007
（式（１−２）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ２と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−２）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
７．Ａ２の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基が、置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
８．Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基が、下記式（２）で表わされる基である６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化６】
2013118507.tif 000008
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−２）と同様である。）
９．前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化７】
2013118507.tif 000009
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
１０．Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基が、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基である６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
１１．Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基が、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基である１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
１２．Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である６〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料。
【化８】
2013118507.tif 000010
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−２）と同じである。）
１３．下記式（１−３）で表される有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化９】
2013118507.tif 000011
（式（１−３）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ３と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−３）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、水素原子、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のメタビフェニルイル基、置換もしくは無置換のメタターフェニル基、置換もしくは無置換のピリジニル、置換もしくは無置換のピリミジニル、置換もしくは無置換のトリアジニル、置換もしくは無置換のイミダゾリル、置換もしくは無置換のフェナントロリニル、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ３が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化１０】
2013118507.tif 000012
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは前記式（１−３）と同じである。）
１４．前記式（２）で表わされる基が、下記式（２−１）で表わされる基である１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化１１】
2013118507.tif 000013
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、前記式（２）と同じである。）
１５．Ｌが下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である１３又は１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料。
【化１２】
2013118507.tif 000014
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−３）と同じである。）
１６．陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有し、前記有機薄膜層の少なくとも１層が５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１７．前記発光層が前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１８．陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、前記陰極と前記発光層の間に電子輸送帯域を有し、前記電子輸送帯域が６〜１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用電子輸送材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
１９．陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、前記陰極と前記発光層の間に正孔障壁層を有し、前記正孔障壁層が１３〜１５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用ホールブロッキング材料を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
２０．前記陰極と前記発光層の間に、さらに電子輸送帯域を有する１９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２１．前記電子輸送帯域が電子供与性ドーパントを含有する１８又は２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２２．前記発光層が燐光発光材料を含有し、前記燐光発光材料がイリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）及び白金（Ｐｔ）から選択される金属原子のオルトメタル化錯体である１６〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
２３．前記燐光発光材料が、下記式（Ｉ）で表わされる２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１３】
2013118507.tif 000015
（式中、Ｚ１０１及びＺ１０２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、
Ａは、Ｚ１０１と窒素原子と共に５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環を形成する原子群を表し、
Ｂは、Ｚ１０２と炭素原子と共に５員環又は６員環を形成する原子群を表し、
Ｑは、炭素原子、窒素原子、又はホウ素原子を表わし、
Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表し、
ｋは、１〜３の整数を表す。）
２４．前記発光層が、カルバゾール環とジベンゾフラン環とを有する化合物を含有する１６〜２３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１５】
本発明によれば、有機ＥＬ素子の寿命を維持しつつ、駆動電圧を低減することのできる化合物が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の他の実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の化合物は、下記式（１−１）で表わされる。
【化１４】
2013118507.tif 000016
（式（１−１）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ１と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−１）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ１が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化１５】
2013118507.tif 000017
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは式（１−１）のＲａと同様である。）
【００１８】
Ｙ１〜Ｙ８が、いずれもＣ（Ｒａ）又は隣接基もしくは隣接原子と結合する炭素原子であると好ましい。即ち、Ｙ１〜Ｙ４はそれぞれＣ（Ｒａ）又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、Ｙ５〜Ｙ８はそれぞれＣ（Ｒａ）又はＹ９〜Ｙ１２のいずれかと結合する炭素原子であると好ましい。
また、Ａ１が式（２）で表わされる置換基である場合、Ｙ９〜Ｙ１６が、いずれもＣ（Ｒａ）又は隣接基もしくは隣接原子と結合する炭素原子であると好ましい。即ち、Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、Ｙ１３〜Ｙ１６はそれぞれＣ（Ｒａ）であると好ましい。
また、Ａ１が式（２）で表わされる置換基である場合は、Ｙ１〜Ｙ１６のうち少なくとも１つがＮであることも好ましく、Ａ１が式（２）で表わされる置換基以外の置換基の場合は、Ｙ１〜Ｙ８のうち少なくとも１つがＮであることも好ましい。
【００１９】
Ａ１は、好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は式（２）で表わされる置換基である。
Ａ１の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基は、好ましくは置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である。
Ａ１の式（２）で表わされる置換基は、好ましくは下記式（２−１）で表わされる基である。
【化１６】
2013118507.tif 000018
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、式（２）と同じである。）
【００２０】
ｎは好ましくは０である。
Ｌは、好ましくは置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数８〜３０のヘテロアリーレン基であり、より好ましくは下記式（４）〜（８）のいずれかで表されるアリーレン基又はヘテロアリーレン基である。
【化１７】
2013118507.tif 000019
（式（４）〜（８）中、Ｙ１７〜Ｙ６４、Ｚ１及びＺ２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する炭素原子である。
式（８）中、Ｚ３は、それぞれＣ（Ｒａ）２、Ｎ（Ｒａ）、又はＰ原子、他のＬ、もしくはＹ１〜Ｙ４のいずれかと結合する窒素原子である。
Ｒａは前記式（１−１）と同じである。）
【００２１】
式（１−１）、並びに後述する（１−２）及び（１−３）で表わされる化合物は、電子輸送性のジベンゾフラン（ジベンゾチオフェン）を有することで高い電子輸送性を有し、さらに電子注入性を高めるホスフィンオキサイド部位も有することで、化合物の電子注入性及び電子輸送性が高い。これにより、式（１−１）で表わされる化合物を有機ＥＬ素子用材料として使用した場合、素子のキャリアバランスが良好となって、有機ＥＬ素子の長寿命化を実現することができる。
従って、本発明の式（１−１）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用材料として好適に使用でき、ホスト材料として用いるのが好ましい。式（１−２）の化合物は電子輸送材料として用いるのが好ましく、式（１−３）の化合物はホールブロッキング材料として用いるのが好ましい。
【００２２】
本発明の下記式（１−２）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用電子輸送材料として好適である。
【化１８】
2013118507.tif 000020
（式（１−２）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ２と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−２）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ２は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基である。）
【００２３】
式（１−２）で表わされる化合物は、式（１−１）で表わされる化合物のジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格に結合しているＡ１の代わりに、Ａ２が結合している他は、同様の構造を有する化合物である。
式（１−２）におけるＡ２以外の構造等については、上記式（１−１）と同様である。
【００２４】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基は、好ましくは置換もしくは無置換のナフチル基、置換もしくは無置換のアントリル基、置換もしくは無置換のピレニル基、置換もしくは無置換のフェナントリル基及び置換もしくは無置換のトリフェニレニル基から選択される基である。
【００２５】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、好ましくは置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基である。
上記置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の含窒素ヘテロアリール基は、好ましくは置換もしくは無置換のピリジニル基、置換もしくは無置換のピリミジニル基、置換もしくは無置換のトリアジニル基、置換もしくは無置換のイミダゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のフェナントロリニル基、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、又は置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基である。
【００２６】
Ａ２の置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、好ましくは下記式（２）で表わされる基であり、より好ましくは下記式（２−１）で表わされる基である。
【化１９】
2013118507.tif 000021
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは式（１−２）のＲａと同様である。）
【化２０】
2013118507.tif 000022
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、式（２）と同じである。）
【００２７】
本発明の下記式（１−３）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用ホールブロッキング材料として好適である。
【化２１】
2013118507.tif 000023
（式（１−３）中、
Ｘ１は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＬもしくはＰ原子と結合する炭素原子であり、
Ｙ５〜Ｙ８は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＡ３と結合する炭素原子であり、
Ｌは、Ｏ、Ｓ、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基であり、
ｎは０〜３の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＬは同一でも異なっていてもよく、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基であり、
Ｒａは、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、シアノ基、ニトロ基、又はカルボキシ基であり、
式（１−３）中に、Ｒａが２つ以上存在する場合、複数のＲａは同一でも異なっていてもよく、
Ａ３は、水素原子、置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のメタビフェニルイル基、置換もしくは無置換のメタターフェニル基、置換もしくは無置換のピリジニル、置換もしくは無置換のピリミジニル、置換もしくは無置換のトリアジニル、置換もしくは無置換のイミダゾリル、置換もしくは無置換のフェナントロリニル、置換もしくは無置換のアザカルバゾリル基、置換もしくは無置換のベンズイミダゾリル基、又は下記式（２）で表わされる置換基であり、
但し、Ａ３が水素原子である場合、ｎは１〜３の整数である。）
【化２２】
2013118507.tif 000024
（式（２）中、
Ｘ２は、Ｏ又はＳであり、
Ｙ９〜Ｙ１２は、それぞれＣ（Ｒａ）、Ｎ、又はＹ５〜Ｙ８のいずれかと結合する炭素原子であり、
Ｙ１３〜Ｙ１６は、それぞれＣ（Ｒａ）、又はＮであり、
Ｒａは式（１−３）のＲａと同様である。）
【００２８】
式（１−３）で表わされる化合物は、式（１−１）で表わされる化合物のジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格に結合しているＡ１の代わりに、Ａ３が結合している他は、同様の構造を有する化合物である。
式（１−３）におけるＡ３以外の構造等については、上記式（１−１）と同様である。
【００２９】
Ａ３は、好ましくは置換もしくは無置換のフェニル基、置換もしくは無置換のメタビフェニルイル基、置換もしくは無置換のメタターフェニル基、又は式（２）で表わされる置換基である。
上記のうち、フェニル基、メタビフェニルイル基及びメタターフェニル基は、いずれも三重項エネルギーの大きい骨格であり、このような骨格を用いることで、発光層からホールブロッキング層へのエネルギー移動を防ぎ、結果的に発光効率の低下を防ぐことが可能である。
【００３０】
Ａ３の式（２）で表わされる置換基は、好ましくは下記式（２−１）で表わされる基である。
【化２３】
2013118507.tif 000025
（式（２−１）中、
Ｘ２、Ｙ９、Ｙ１０、Ｙ１２、及びＹ１３〜Ｙ１６は、式（２）と同じである。）
【００３１】
以下、上述した式（１−１）、（１−２）及び（１−３）で表わされる化合物の各基の例について説明する。
炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖状もしくは分岐状のアルキル基があり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、より好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００３２】
炭素数１〜３０のフルオロアルキル基としては、上述したアルキル基に１つ以上のフッ素原子が置換した基が挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。好ましくは、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基である。
【００３３】
環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられ、好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基である。
尚、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。
【００３４】
環形成炭素数６〜３０のアリール基は、好ましくは環形成炭素数６〜２０のアリール基である。
アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニルイル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられ、好ましくはナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基である。
環形成炭素数６〜３０のアリーレン基としては、上述した基の２価の基が挙げられる。
【００３５】
環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基は、好ましくは環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基である。
ヘテロアリール基の具体例としては、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、ジヒドロアクリジニル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、キナゾリニル基等が挙げられ、好ましくは、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、アザジベンゾフラニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基である。
環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基としては、上述した基の２価の基が挙げられる。
【００３６】
炭素数７〜３０のアラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表され、Ｙの例として上記のアルキル基の例に対応するアルキレン基の例が挙げられ、Ｚの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
アラルキル基のアリール部分は、環形成炭素数が６〜２０が好ましい。アルキル部分は炭素数１〜８が好ましい。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェニルエチル基、２−フェニルプロパン−２−イル基である。
【００３７】
上述した各基の「置換もしくは無置換の・・・」の置換基としては、上記のアルキル基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、その他にハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。）、ヒドロキシル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、アリールオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
本発明の化合物である、式（１−１）、（１−２）及び（１−３）で表わされる化合物の製造方法は特に限定されず、公知の方法により製造することができる。
以下に、式（１−１）、（１−２）及び（１−３）で表わされる化合物（以下、これら化合物を本発明の化合物という場合がある）の具体例を示す：
【化２４】
2013118507.tif 000026
【化２５】
2013118507.tif 000027
【化２６】
2013118507.tif 000028
【化２７】
2013118507.tif 000029
【化２８】
2013118507.tif 000030
【化２９】
2013118507.tif 000031
【化３０】
2013118507.tif 000032
【化３１】
2013118507.tif 000033
【化３２】
2013118507.tif 000034
【化３３】
2013118507.tif 000035
【化３４】
2013118507.tif 000036
【化３５】
2013118507.tif 000037
【化３６】
2013118507.tif 000038
【化３７】
2013118507.tif 000039
【化３８】
2013118507.tif 000040
【００３９】
［有機ＥＬ素子］
本発明の式（１−１）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用材料として好適に使用でき、本発明の式（１−２）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用電子輸送材料であり、本発明の式（１−３）で表わされる化合物は、有機ＥＬ素子用ホールブロッキング材料である（これらをまとめて、以下、本発明の有機ＥＬ素子用材料という場合がある）。
尚、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、本発明の化合物のみを含んでいてもよく、本発明の化合物に加えて他の材料を含んでいてもよい。
【００４０】
続いて、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の第１のＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層を有する。そして、有機薄膜層の少なくとも１層が、式（１−１）で表わされる化合物からなる有機ＥＬ素子用材料を含有する。
本発明の第２の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、陰極と発光層の間に電子輸送帯域を有する。そして、電子輸送帯域が式（１−２）で表わされる化合物からなる有機ＥＬ素子用電子輸送材料を含有する。
本発明の第３の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む１層以上の有機薄膜層と、陰極と発光層の間に正孔障壁（阻止）層を有する。そして、正孔障壁（阻止）層が式（１−３）で表わされる化合物からなる有機ＥＬ素子用ホールブロッキング材料を含有する。第３の有機ＥＬ素子は、好ましくは陰極と発光層の間に、さらに電子輸送帯域を有する。
【００４１】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態の層構成を示す概略図である。
有機ＥＬ素子１は、基板１０上に、陽極２０、正孔輸送帯域３０、燐光発光層４０、電子輸送帯域５０及び陰極６０を、この順で積層した構成を有する。
正孔輸送帯域３０は、正孔輸送層及び／又は正孔注入層等を意味する。同様に、電子輸送帯域５０は、電子輸送層及び／又は電子注入層等を意味する。これらは形成しなくともよいが、好ましくは１層以上形成する。
【００４２】
この素子１において有機薄膜層は、正孔輸送帯域３０に設けられる各有機層、燐光発光層４０及び電子輸送帯域５０に設けられる各有機層である。これら有機薄膜層のうち、少なくとも１層が本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する。これにより、有機ＥＬ素子を高効率とすることができる。また、低電圧駆動の有機ＥＬ素子を提供できる。
尚、本発明の有機ＥＬ素子用材料を含有する有機薄膜層に対するこの材料の含有量は、好ましくは１〜１００質量％である。
【００４３】
本発明の有機ＥＬ素子においては、燐光発光層４０が本発明の式（１−１）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を含有することが好ましく、特に、発光層のホスト材料として使用することが好ましい。
【００４４】
本発明の式（１−１）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料は、三重項エネルギーが十分に大きいため、青色の燐光発光性ドーパント材料を使用しても、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に発光層内に閉じ込めることができる。尚、青色発光層に限らず、より長波長の光（緑〜赤色等）の発光層にも使用できる。
【００４５】
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、電荷注入バランスに優れるため、有機ＥＬ素子の高効率化、低電圧駆動化を実現できる。さらにまた、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、電荷バランスの向上により、有機ＥＬ素子を長寿命化させる効果も奏する。
【００４６】
燐光発光層は、燐光発光性材料（燐光ドーパント）を含有する。燐光ドーパントとしては、金属錯体化合物が挙げられ、好ましくはＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｒｅ及びＲｕから選択される金属原子と、配位子とを有する化合物である。配位子は、オルトメタル結合を有すると好ましい。
【００４７】
燐光量子収率が高く、発光素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、燐光ドーパントは、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。
ドーパントは、１種単独でも、２種以上の混合物でもよい。
【００４８】
燐光発光性材料は、好ましくは下記式（Ｅ−１）で表わされる化合物である。
【化３９】
2013118507.tif 000041
（式中、Ｚ１０１及びＺ１０２は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表し、
Ａは、Ｚ１０１と窒素原子と共に５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環を形成する原子群を表し、
Ｂは、Ｚ１０２と炭素原子と共に５員環又は６員環を形成する原子群を表し、
Ｑは、炭素原子、窒素原子又はホウ素原子を表わし、
Ｘ−Ｙはモノアニオン性の二座配位子を表し、
ｋは、１〜３の整数を表す。）
【００４９】
ＡのＺ１０１と窒素原子と共に形成する５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環としては、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環等が挙げられる。錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点から、ＡのＺ１０１と窒素原子と共に形成する５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環は、好ましくはピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環であり、より好ましくはピリジン環、イミダゾール環、ピラジン環であり、さらに好ましくはピリジン環、イミダゾール環であり、最も好ましくはピリジン環である。
【００５０】
ＡがＺ１０１及び窒素原子と形成する５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環は、置換基を有していてもよい。
炭素原子上の置換基としては下記置換基群Ａが挙げられ、窒素原子上の置換基としては下記置換基群Ｂが挙げられる。
【００５１】
（置換基群Ａ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシ等が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ等が挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシ等が挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイル等が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニル等が挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ等が挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ等が挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ等が挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノ等が挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル等が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイル等が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオ等が挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ等が挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオ等が挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニル等が挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイド等が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミド等が挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基等が挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシ等が挙げられる。）、ホスホリル基（例えばジフェニルホスホリル基、ジメチルホスホリル基等が挙げられる。）が挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。また、置換基に置換した置換基は更に置換されてもよく、さらなる置換基としては、以上に説明した置換基群Ａから選択される基を挙げることができる。
【００５２】
（置換基群Ｂ）
アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニル等が挙げられる。）、シアノ基、ヘテロ環基（芳香族ヘテロ環基も包含し、好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、セレン原子、テルル原子であり、具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジル、ピリダジニル、ピロリル、ピラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソキサゾリル、イソチアゾリル、キノリル、フリル、チエニル、セレノフェニル、テルロフェニル、ピペリジル、ピペリジノ、モルホリノ、ピロリジル、ピロリジノ、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基、シロリル基等が挙げられる。）これらの置換基は更に置換されてもよく、更なる置換基としては、上記置換基群Ｂから選択される基を挙げることができる。また、置換基に置換した置換基は更に置換されてもよく、さらなる置換基としては、以上に説明した置換基群Ｂから選択される基を挙げることができる。
【００５３】
炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、フッ素原子である。
置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、短波長化させる場合には電子供与性基、フッ素原子、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、フッ素原子、アリール基、芳香族ヘテロ環基等が選択される。また長波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばシアノ基、ペルフルオロアルキル基等が選択される。
窒素上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。
前記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環等が挙げられる。これら形成される環は置換基を有していてもよく、置換基としては前述の炭素原子上の置換基、窒素原子上の置換基が挙げられる。
【００５４】
ＢがＺ１０２と炭素原子と共に形成する５員環又は６員環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環等が挙げられる。
錯体の安定性、発光波長制御及び発光量子収率の観点からＢ、Ｚ１０２及び炭素原子で形成される５員環又は６員環として好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、チオフェン環であり、より好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。
【００５５】
Ｂ、Ｚ１０２及び炭素原子で形成される５員環又は６員環は置換基を有していてもよく、炭素原子上の置換基としては上記置換基群Ａが、窒素原子上の置換基としては上記置換基群Ｂが適用できる。炭素上の置換基として好ましくはアルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルコキシ基、シアノ基、フッ素原子である。
窒素上の置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、錯体の安定性の観点からアルキル基、アリール基が好ましい。
【００５６】
置換基は発光波長や電位の制御のために適宜選択されるが、長波長化させる場合には電子供与性基、芳香環基が好ましく、例えばアルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アリール基、芳香族ヘテロ環基等が選択される。また短波長化させる場合には電子求引性基が好ましく、例えばフッ素原子、シアノ基、ペルフルオロアルキル基等が選択される。
【００５７】
上記置換基同士は連結して縮合環を形成していてもよく、形成される環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、チオフェン環、フラン環等が挙げられる。これら形成される環は置換基を有していてもよく、置換基としては前述の炭素原子上の置換基、窒素原子上の置換基が挙げられる。
またＡ、Ｚ１０１及び窒素原子で形成される５員ヘテロ環又は６員ヘテロ環の置換基と、Ｂ、Ｚ１０２及び炭素原子で形成される５員環又は６員環の置換基とが連結して、縮合環を形成していてもよい。
【００５８】
Ｘ−Ｙのモノアニオン性の二座配位子としては、従来公知の金属錯体に用いられる種々の公知の配位子があるが、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著  １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社  山本明夫著  １９８２年発行等に記載の配位子（例えば、ハロゲン配位子（好ましくは塩素配位子）、含窒素ヘテロアリール配位子（例えば、ビピリジル、フェナントロリン等）、ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン等）が挙げられる。（Ｘ−Ｙ）で表される配位子として好ましくは、ジケトン類あるいはピコリン酸誘導体であり、錯体の安定性と高い発光効率が得られる観点から以下に示されるアセチルアセトネート（ａｃａｃ）であることが最も好ましい。
【化４０】
2013118507.tif 000042
（式中、＊はイリジウムへの配位位置を表す。）
【００５９】
（Ｘ−Ｙ）で表される配位子としては下記式（ｌ−１）〜（ｌ−１５）が好ましい。
【化４１】
2013118507.tif 000043
【００６０】
上記式（ｌ−１）〜（ｌ−１５）において、＊は式（Ｉ）におけるイリジウムへの配位位置を表す。Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。
Ｒｘ、Ｒｙ及びＲｚが置換基を表す場合、該置換基としては置換基群Ａから選ばれる置換基が挙げられる。好ましくは、Ｒｘ、Ｒｚはそれぞれ独立にアルキル基、ペルフルオロアルキル基、フッ素原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、フッ素原子、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくはメチル基、エチル基、トリフルオロメチル基、フッ素原子、フェニル基である。Ｒｙは好ましくは水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、フッ素原子、アリール基のいずれかであり、より好ましくは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、置換されていても良いフェニル基であり、最も好ましくは水素原子、メチル基のいずれかである。
これら配位子は素子中で電荷を輸送したり励起によって電子が集中する部位ではないと考えられるため、Ｒｘ、Ｒｙ、Ｒｚは化学的に安定な置換基であればよく、本発明の効果にも影響を及ぼさない。錯体合成が容易であるため好ましくは（Ｉ−１）、（Ｉ−４）、（Ｉ−５）であり、最も好ましくは（Ｉ−１）である。これらの配位子を有する錯体は、対応する配位子前駆体を用いることで公知の合成例と同様に合成できる。例えば国際公開２００９−０７３２４５号４６ページに記載の方法と同様に、市販のジフルオロアセチルアセトンを用いて以下に示す方法で合成する事ができる。
【００６１】
式（Ｅ−１）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−２）で表されるＩｒ錯体である。
【化４２】
2013118507.tif 000044
【００６２】
式（Ｅ−２）中、ＡＥ１〜ＡＥ８はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣ−ＲＥを表す。
ＲＥは水素原子又は置換基を表す。
（Ｘ−Ｙ）はモノアニオン性の二座配位子を表す。
ｋは１〜３の整数を表す。
【００６３】
ＡＥ１〜ＡＥ８はそれぞれ独立に、窒素原子又はＣ−ＲＥを表す。
ＲＥは、水素原子又は置換基を表し、ＲＥ同士が互いに連結して環を形成していてもよい。形成される環としては、前述の一般式（Ｅ−１）において述べた縮合環と同様のものが挙げられる。ＲＥで表される置換基としては、前記置換基群Ａとして挙げたものが適用できる。
ＡＥ１〜ＡＥ４として好ましくはＣ−ＲＥであり、ＡＥ１〜ＡＥ４がＣ−ＲＥである場合に、ＡＥ３のＲＥとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、又はシアノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素原子であり、特に好ましく水素原子、又はフッ素原子であり、ＡＥ１、ＡＥ２及びＡＥ４のＲＥとして好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、フッ素原子、又はシアノ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、又はフッ素原子であり、特に好ましく水素原子である。
【００６４】
ＡＥ５〜ＡＥ８として好ましくはＣ−ＲＥであり、ＡＥ５〜ＡＥ８がＣ−ＲＥである場合に、ＲＥとして好ましくは水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、芳香族へテロ環基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アルキルオキシ基、シアノ基、又はフッ素原子であり、より好ましくは、水素原子、アルキル基、ペルフルオロアルキル基、アリール基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、又はフッ素原子であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、トリフルオロメチル基、又はフッ素原子である。また可能な場合は置換基同士が連結して縮環構造を形成してもよい。発光波長を短波長側にシフトさせる場合、ＡＥ６が窒素原子であることが好ましい。
（Ｘ−Ｙ）、及びｋは式（Ｅ−１）における（Ｘ−Ｙ）、及びｋと同義であり好ましい範囲も同様である。
【００６５】
式（Ｅ−２）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−３）で表されるＩｒ錯体である。
【化４３】
2013118507.tif 000045
【００６６】
式（Ｅ−３）中、ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３、ＲＴ４、ＲＴ５、ＲＴ６及びＲＴ７は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
ＡはＣＲ’又は窒素原子を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、−ＣＮ、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’は、任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。これらのうち、ＲＴ１とＲＴ７、又はＲＴ５とＲＴ６で縮環してベンゼン環を形成する場合が好ましく、ＲＴ５とＲＴ６で縮環してベンゼン環を形成する場合が特に好ましい。
置換基Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ”、−ＯＲ”、−Ｎ（Ｒ”）２、−ＳＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｒ”、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ”）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ”、−ＳＯ２Ｒ”、又は−ＳＯ３Ｒ”を表し、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
（Ｘ−Ｙ）は、モノアニオン性の二座配位子を表す。ｋは１〜３の整数を表す。
【００６７】
アルキル基としては、置換基を有していてもよく、飽和であっても不飽和であってもよく、置換してもよい基としては、前述の置換基Ｚを挙げることができる。ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるアルキル基として、好ましくは総炭素原子数１〜８のアルキル基であり、より好ましくは総炭素原子数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｉ−プロピル基、シクロヘキシル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
シクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、飽和であっても不飽和であってもよく、置換してもよい基としては、前述の置換基Ｚを挙げることができる。ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるシクロアルキル基として、好ましくは環員数４〜７のシクロアルキル基であり、より好ましくは総炭素原子数５〜６のシクロアルキル基であり、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるアルケニル基としては好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、１−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるアルキニル基としては、好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばエチニル、プロパルギル、１−プロピニル、３−ペンチニルなどが挙げられる。
【００６８】
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるペルフルオロアルキル基は、前述のアルキル基の全ての水素原子がフッ素原子に置き換えられたものが挙げられる。
【００６９】
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるアリール基としては、好ましくは、炭素数６から３０の置換若しくは無置換のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等が挙げられる。
【００７０】
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で表されるヘテロアリール基としては、好ましくは、炭素数５〜８のヘテロアリール基であり、より好ましくは、５又は６員の置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、例えば、ピリジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、ピロリル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフリル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、ベンズオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イソチアゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンズイソオキサゾリル基、ピロリジニル基、ピペリジニル基、ピペラジニル基、イミダゾリジニル基、チアゾリニル基、スルホラニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基、７ピリドインドリル基などが挙げられる。好ましい例としては、ピリジル基、ピリミジニル基、イミダゾリル基、チエニル基であり、より好ましくは、ピリジル基、ピリミジニル基である。
【００７１】
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’として好ましくは、水素原子、アルキル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、ペルフルオロアルキル基、ジアルキルアミノ基、フルオロ基、アリール基、ヘテロアリール基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロ基、アリール基であり、更に好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基である。置換基Ｚとしては、アルキル基、アルコキシ基、フルオロ基、シアノ基、ジアルキルアミノ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００７２】
ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’は任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。形成されるシクロアルキル、アリール、ヘテロアリールの定義及び好ましい範囲はＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’で定義したシクロアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
またＡがＣＲ’を表すと共に、ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’のうち、０〜２つがアルキル基又はフェニル基で、残りが全て水素原子である場合が特に好ましく、ＲＴ１〜ＲＴ７、及びＲ’のうち、０〜２つがアルキル基で、残りが全て水素原子である場合が特に好ましい。
【００７３】
ｋは２又は３であることが好ましい。錯体中の配位子の種類は１〜２種類から構成されることが好ましく、更に好ましくは１種類である。錯体分子内に反応性基を導入する際には合成容易性という観点から配位子が２種類からなることも好ましい。
（Ｘ−Ｙ）は、一般式（Ｅ−１）における（Ｘ−Ｙ）と同義であり好ましい範囲も同様である。
【００７４】
式（Ｅ−３）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−４）で表されるＩｒ錯体である。
【化４４】
2013118507.tif 000046
【００７５】
式（Ｅ−４）におけるＲＴ１〜ＲＴ４、Ａ、（Ｘ−Ｙ）及びｋは、式（Ｅ−３）におけるＲＴ１〜ＲＴ４、Ａ、（Ｘ−Ｙ）及びｋと同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｒ１’〜Ｒ５’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ１’〜Ｒ５’は、任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ”、−ＯＲ”、−Ｎ（Ｒ”）２、−ＳＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｒ”、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ”）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ”、−ＳＯ２Ｒ”、又は−ＳＯ３Ｒ”を表し、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
また、Ｒ１’〜Ｒ５’における好ましい範囲は、一般式（Ｅ−３）におけるＲＴ１〜ＲＴ７、Ｒ’と同様である。またＡがＣＲ’を表すと共に、ＲＴ１〜ＲＴ４、Ｒ’、及びＲ１’〜Ｒ５’のうち、０〜２つがアルキル基又はフェニル基で残りが全て水素原子である場合が特に好ましく、ＲＴ１〜ＲＴ４、Ｒ’、及びＲ１’〜Ｒ５’のうち、０〜２つがアルキル基で残りが全て水素原子である場合が更に好ましい。
【００７６】
式（Ｅ−３）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−５）で表されるＩｒ錯体である。
【化４５】
2013118507.tif 000047
【００７７】
式（Ｅ−５）におけるＲＴ２〜ＲＴ６、Ａ、（Ｘ−Ｙ）及びｋは、式（Ｅ−３）におけるＲＴ２〜ＲＴ６、Ａ、（Ｘ−Ｙ）及びｋと同義であり、好ましい範囲も同様である。Ｒ６’〜Ｒ８’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
ＲＴ５、ＲＴ６、Ｒ６’〜Ｒ８’は、任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ”、−ＯＲ”、−Ｎ（Ｒ”）２、−ＳＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｒ”、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ”）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ”、−ＳＯ２Ｒ”、又は−ＳＯ３Ｒ”を表し、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
また、Ｒ６’〜Ｒ８’における好ましい範囲は、式（Ｅ−３）におけるＲＴ１〜ＲＴ７、Ｒ’と同様である。またＡがＣＲ’を表すと共に、ＲＴ２〜ＲＴ６、Ｒ’、及びＲ６’〜Ｒ８’のうち、０〜２つがアルキル基又はフェニル基で残りが全て水素原子である場合が特に好ましく、ＲＴ２〜ＲＴ６、Ｒ’、及びＲ６’〜Ｒ８’のうち、０〜２つがアルキル基で残りが全て水素原子である場合が更に好ましい。
【００７８】
式（Ｅ−１）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−６）で表されるＩｒ錯体である。
【化４６】
2013118507.tif 000048
【００７９】
式（Ｅ−６）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｋは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｋは、任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ”、−ＯＲ”、−Ｎ（Ｒ”）２、−ＳＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｒ”、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ”）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ”、−ＳＯ２Ｒ”、又は−ＳＯ３Ｒ”を表し、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
（Ｘ−Ｙ）は、モノアニオン性の二座配位子を表す。
ｋは１〜３の整数を表す。
【００８０】
式（Ｅ−６）において、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｋの好ましい範囲は、一般式（Ｅ−３）におけるＲＴ１〜ＲＴ７、Ｒ’におけるものと同様である。またＲ１ａ〜Ｒ１ｋのうち、０〜２つがアルキル基又はフェニル基で残りが全て水素原子である場合が特に好ましく、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｋのうち、０〜２つがアルキル基で残りが全て水素原子である場合が更に好ましい。
Ｒ１ｊとＲ１ｋとが連結し単結合を形成する場合が特に好ましい。
（Ｘ−Ｙ）及びｋの好ましい範囲は、式（Ｅ−３）における（Ｘ−Ｙ）、及びｋと同様である。
【００８１】
式（Ｅ−６）で表されるＩｒ錯体は、好ましくは下記式（Ｅ−７）で表されるＩｒ錯体である。
【化４７】
2013118507.tif 000049
【００８２】
式（Ｅ−７）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉは、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、ペルフルオロアルキル基、トリフルオロビニル基、−ＣＯ２Ｒ、−Ｃ（Ｏ）Ｒ、−ＮＲ２、−ＮＯ２、−ＯＲ、ハロゲン原子、アリール基又はヘテロアリール基を表し、更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｒ１ａ〜Ｒ１ｋは、任意の２つが互いに結合して縮合４〜７員環を形成してもよく、該縮合４〜７員環は、シクロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基であり、該縮合４〜７員環は更に置換基Ｚを有していてもよい。
Ｚはそれぞれ独立に、ハロゲン原子、−Ｒ”、−ＯＲ”、−Ｎ（Ｒ”）２、−ＳＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｒ”、−Ｃ（Ｏ）ＯＲ”、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ”）２、−ＣＮ、−ＮＯ２、−ＳＯ２、−ＳＯＲ”、−ＳＯ２Ｒ”、又は−ＳＯ３Ｒ”を表し、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、ペルハロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロアルキル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
（Ｘ−Ｙ）は、モノアニオン性の二座配位子を表す。
ｋは１〜３の整数を表す。
【００８３】
式（Ｅ−７）中、Ｒ１ａ〜Ｒ１ｉの定義や好ましい範囲は式（Ｅ−６）におけるＲ１ａ〜Ｒ１ｉと同様である。またＲ１ａ〜Ｒ１ｉのうち、０〜２つがアルキル基又はアリール基で残りが全て水素原子である場合が特に好ましい。（Ｘ−Ｙ）、及びｋの定義や好ましい範囲は式（Ｅ−３）における（Ｘ−Ｙ）、及びｋ同様である。
【００８４】
燐光発光性材料である式（Ｅ−１）で表わされる化合物の具体例を以下に示す。但し、式（Ｅ−１）で表わされる化合物は下記に限定されない。
【化４８】
2013118507.tif 000050
【化４９】
2013118507.tif 000051
【化５０】
2013118507.tif 000052
【化５１】
2013118507.tif 000053
【化５２】
2013118507.tif 000054
【化５３】
2013118507.tif 000055
【化５４】
2013118507.tif 000056
【化５５】
2013118507.tif 000057
【００８５】
上記のイリジウム錯体の他、以下に示すオスミウム錯体、ルテニウム錯体、プラチナ錯体等も使用できる。
【化５６】
2013118507.tif 000058
【００８６】
燐光発光層における燐光ドーパントの添加濃度は特に限定されるものではないが、好ましくは０．１〜３０質量％、より好ましくは０．１〜２０質量％である
【００８７】
また、燐光発光層４０に隣接する層に本発明の式（１−１）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を使用することも好ましい。例えば、図１の素子の正孔輸送帯域３０と燐光発光層４０の間に、本発明式（１−１）で表わされる化合物を含有する層（陽極側隣接層）を形成した場合、該層は電子障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。
【００８８】
一方、燐光発光層４０と電子輸送帯域５０の間に本発明の式（１−３）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を含有する層（陰極側隣接層）を形成した場合、該層は正孔障壁層としての機能や励起子阻止層としての機能を有する。
【００８９】
尚、障壁層（阻止層）とは、キャリアの移動障壁、又は励起子の拡散障壁の機能を有する層である。発光層から正孔輸送帯域へ電子が漏れることを防ぐための有機層を主に電子障壁層と定義し、発光層から電子輸送帯域へ正孔が漏れることを防ぐための有機層を正孔障壁層と定義することがある。また、発光層で生成された三重項励起子が、三重項エネルギーが発光層よりも低い準位を有する周辺層へ拡散することを防止するための有機層を励起子阻止層（トリプレット障壁層）と定義することがある。
【００９０】
本発明の式（１−２）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料は、電子輸送帯域５０における電子輸送層又は電子注入層に用いる。本発明の式（１−２）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を、電子輸送帯域５０における電子輸送層又は電子注入層に用いることにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧を低減できる。
【００９１】
さらに、発光層を２層以上形成する場合、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、発光層間に形成するスペース層としても好適である。図２は、本発明の有機ＥＬ素子の他の実施形態の層構成を示す概略図である。
有機ＥＬ素子２は、燐光発光層と蛍光発光層を積層したハイブリッド型の有機ＥＬ素子の例である。
【００９２】
有機ＥＬ素子２は、燐光発光層４０と電子輸送帯域５０の間にスペース層４２と蛍光発光層４４を形成した他は、上記有機ＥＬ素子１と同様な構成を有する。燐光発光層４０及び蛍光発光層４４を積層した構成では、燐光発光層４０で形成された励起子を蛍光発光層４４に拡散させないため、蛍光発光層４４と燐光発光層４０の間にスペース層４２を設けることがある。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、三重項エネルギーが大きいため、スペース層として機能できる。
【００９３】
有機ＥＬ素子２において、例えば、燐光発光層４０を黄色発光とし、蛍光発光層４４を青色発光層とすることにより、白色発光の有機ＥＬ素子が得られる。尚、本実施形態では燐光発光層４０及び蛍光発光層４４を１層ずつとしているが、これに限らず、それぞれ２層以上形成してもよく、照明や表示装置等、用途に合わせて適宜設定できる。例えば、白色発光素子とカラーフィルタを利用してフルカラー発光装置とする場合、演色性の観点から、赤、緑、青（ＲＧＢ）、赤、緑、青、黄（ＲＧＢＹ）等、複数の波長領域の発光を含んでいることが好ましい場合がある。
【００９４】
上述した実施形態の他に、本発明の有機ＥＬ素子は、公知の様々な構成を採用できる。また、発光層の発光は、陽極側、陰極側、又は両側から取り出すことができる。
【００９５】
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と有機薄膜層との界面領域に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを有することも好ましい。
このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、電子輸送帯域５０における電子輸送層又は電子注入層に、本発明の式（１−２）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用材料と電子供与性ドーパントとを含むことが好ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧をさらに低減できる。
【００９６】
電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも１種類が挙げられる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、及び希土類金属を含む有機金属錯体等から選ばれた少なくとも１種類が挙げられる。
【００９７】
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）（仕事関数：２．９３ｅＶ）、ナトリウム（Ｎａ）（仕事関数：２．３６ｅＶ）、カリウム（Ｋ）（仕事関数：２．２８ｅＶ）、ルビジウム（Ｒｂ）（仕事関数：２．
１６ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ）（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
【００９８】
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）（仕事関数：２．９ｅＶ）、ストロンチウム（Ｓｒ）（仕事関数：２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下）、バリウム（Ｂａ）（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
【００９９】
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
【０１００】
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
【０１０１】
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）等のアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
【０１０２】
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａxＳｒ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａxＣａ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
【０１０３】
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）等が挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【０１０４】
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも１つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０１０５】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、モル比で有機物：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝１００：１〜１：１００であり、好ましくは５：１〜１：５である。
【０１０６】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
【０１０７】
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
【０１０８】
また、本発明の有機ＥＬ素子における、主成分と、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかの割合としては、モル比で、主成分：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとさらに好ましい。
【０１０９】
本発明の有機ＥＬ素子では、上述した本発明の有機ＥＬ素子用材料を使用した層以外の構成については、特に限定されず、公知の材料等を使用できる。以下、一実施形態の素子の層について簡単に説明するが、本発明の有機ＥＬ素子に適用される材料は以下に限定されない。
【０１１０】
［基板］
基板としてはガラス板、ポリマー板等を用いることができる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン等を挙げることができる。
【０１１１】
［陽極］
陽極は例えば導電性材料からなり、４ｅＶより大きな仕事関数を有する導電性材料が適している。
上記導電性材料としては、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が挙げられる。
陽極は、必要があれば２層以上の層構成により形成されていてもよい。
【０１１２】
［陰極］
陰極は例えば導電性材料からなり、４ｅＶより小さな仕事関数を有する導電性材料が適している。
上記導電性材料としては、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等及びこれらの合金が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、上記合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。
【０１１３】
陰極は、必要があれば２層以上の層構成により形成されていてもよく、陰極は上記導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
【０１１４】
発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
【０１１５】
[発光層]
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の材料で燐光発光層を形成する場合、燐光発光層の材料として公知の材料が使用できる。具体的には、特願２００５−５１７９３８等を参照すればよい。
本発明の有機ＥＬ素子は、図２に示す素子のように蛍光発光層を有していてもよい。蛍光発光層としては、公知の材料が使用できる。
【０１１６】
発光層は、ダブルホスト（ホスト・コホストともいう）としてもよい。具体的に、発光層において電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせることで、発光層内のキャリアバランスを調整してもよい。
また、ダブルドーパントとしてもよい。発光層において、量子収率の高いドーパント材料を２種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光する。例えば、ホストと赤色ドーパント、緑色のドーパントを共蒸着することによって、黄色の発光層を実現することがある。
【０１１７】
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の発光層のホスト材料としては、カルバゾール環、ジベンゾフラン環及びジベンゾチオフェン環のいずれかを含む化合物が好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の発光層のホスト材料としては、下記式（ａ）で表わされる化合物が好適に挙げられる。
【化５７】
2013118507.tif 000059
（式中、Ｌ１１は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、又は環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基を表す。
Ｘ１１は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅを表す。
Ｒ１４及びＲ１５は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換のアルキルシリル基、置換もしくは無置換のアリールシリル基、置換もしくは無置換のヘテロアリールシリル基を表す。
ｓは、０〜３の整数を表す。
ｔは、０〜４の整数を表す。
Ｃｚは、下記式（ａ―１）又は下記式（ａ―２）で表される基を表す。）
【化５８】
2013118507.tif 000060
（式中、＊は、Ｌ１１との結合位置を表す。
Ｒ１１は、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基を表す。
Ｒ１２及びＲ１３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基を表す。
ｐ及びｑは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｒは、０〜３の整数を表す。）
【０１１８】
式（ａ）のＬ１１の環形成炭素数６〜３０のアリーレン基、及び環形成原子数５〜３０のヘテロアリーレン基としては、式（１）のＬと同様のものが挙げられる。
式（ａ）のＲ１１の環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、及び炭素数１〜３０のアルキル基は、式（１）のＲ１及びＲａと同様のものが挙げられる。また、Ｒ１１のアルキルシリル基、アリールシリル基及びヘテロアリールシリル基は、それぞれ上記アルキル基、上記アリール基及び上記ヘテロアリール基とシリル基を任意に組み合わせた基である。
式（ａ）のＲ１２〜Ｒ１５の環形成炭素数６〜３０のアリール基、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基、及び炭素数１〜３０のアルキル基は、式（１）のＲａと同様のものが挙げられる。
【０１１９】
式（ａ）で表わされる化合物の具体例を以下に示す。
但し、式（ａ）で表わされる化合物は、以下に限定されない。また、以下に示す化合物中、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ’は水素原子又はメチル基を表す。
【化５９】
2013118507.tif 000061
【化６０】
2013118507.tif 000062
【化６１】
2013118507.tif 000063
【化６２】
2013118507.tif 000064
【化６３】
2013118507.tif 000065
【化６４】
2013118507.tif 000066
【化６５】
2013118507.tif 000067
【化６６】
2013118507.tif 000068
【化６７】
2013118507.tif 000069
【化６８】
2013118507.tif 000070
【化６９】
2013118507.tif 000071
【化７０】
2013118507.tif 000072
【化７１】
2013118507.tif 000073
【化７２】
2013118507.tif 000074
【化７３】
2013118507.tif 000075
【化７４】
2013118507.tif 000076
【化７５】
2013118507.tif 000077
【化７６】
2013118507.tif 000078
【化７７】
2013118507.tif 000079
【化７８】
2013118507.tif 000080
【化７９】
2013118507.tif 000081
【０１２０】
本発明の有機ＥＬ素子用材料以外の発光層のホスト材料としては、カルバゾール環とジベンゾフラン環とを有する化合物が特に好ましい。
【０１２１】
発光層は単層でもよく、また、積層構造でもよい。発光層を積層させると、発光層界面に電子と正孔を蓄積させることによって再結合領域を発光層界面に集中させることができる。これによって、量子効率を向上させる。
【０１２２】
［正孔注入層及び正孔輸送層］
正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．６ｅＶ以下と小さい層である。
正孔注入・輸送層の材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。
【０１２３】
正孔注入・輸送層の材料としては、具体的には、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同
５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）等を挙げることができる。
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料として使用することができる。
【０１２４】
正孔注入・輸送層の材料には架橋型材料を用いることができ、架橋型の正孔注入輸送層としては、例えば、Chem．Mater．2008，20，413-422、Chem．Mater．2011，23(3)，658-681、WO2008108430、WO2009102027、WO2009123269、WO2010016555、WO2010018813等の架橋材を、熱、光等により不溶化した層が挙げられる。
【０１２５】
［電子注入層及び電子輸送層］
電子注入・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きい層である。
有機ＥＬ素子は発光した光が電極（例えば陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子注入・輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【０１２６】
本発明の式（１−２）で表わされる化合物を含む有機ＥＬ素子用電子輸送材料以外の電子注入・輸送層に用いることができる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、又は含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましく、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。
【０１２７】
その他、ドナー性材料のドーピング（ｎ）、アクセプター材料のドーピング（ｐ）により、半導体性を備えた有機層を形成してもよい。Ｎドーピングの代表例は、電子輸送性材料にＬｉやＣｓ等の金属をドーピングさせるものであり、Ｐドーピングの代表例は、正孔輸送性材料にＦ４ＴＣＮＱ（2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane）等のアクセプター材をドープするものである（例えば、特許３６９５７１４参照）。
【０１２８】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法等の公知の方法を適用することができる。
【０１２９】
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ〜１０μｍの範囲が適しているが、１０ｎｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【実施例】
【０１３０】
合成例及び実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明する。ただし、本発明は以下の合成例、実施例に限定されない。【０１３１】
合成例１［化合物（１）の合成］
（１）化合物（１−ａ）の合成
【化８０】
2013118507.tif 000082
三口フラスコにジベンゾフラン２６９．１ｇ（１６００ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン１２８０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に臭素２０４．６ｇのジクロロメタン溶液１００ｍＬを４０分かけて滴下した後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、反応器を０℃に冷却し、水５００ｍＬを加え、さらに２０％ＮａＨＳＯ４水溶液１００ｍＬを加えた。試料溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ｍＬで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをヘキサンにて分散洗浄し、白色の固体を得た。
収量は１３６ｇ、収率は５５％であった。【０１３２】
（２）化合物（１−ｂ）の合成
【化８１】
2013118507.tif 000083
三口フラスコに化合物（１−ａ）２０．０ｇ（８０．９ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン２００ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．６８Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液５３ｍＬ（８８．９ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにホウ酸トリイソプロピル３７．３ｍＬ（１６２ｍｍｏｌ）を加え室温で６時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ  ＨＣｌ水溶液１００ｍＬを加え３０分撹拌した後、試料溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをヘキサンにて分散洗浄し、白色の固体を得た。
収量は１５．９ｇ、収率は９３％であった。【０１３３】
（３）化合物（１−ｃ）の合成
【化８２】
2013118507.tif 000084
三口フラスコに化合物（１−ａ）１０．０ｇ（４０．４ｍｍｏｌ）、オルト過ヨウ素酸１．９６ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）、ヨウ素４．０８ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）、希硫酸８ｍＬ、酢酸４０ｍＬを入れ、７０℃で３時間撹拌した。反応器を室温まで冷ました後、反応液を氷水中に加えて析出した固体をろ取した。得られた固体をメタノールで洗浄することで、白色固体を得た。
収量は６．７８ｇ、収率は４５％であった。【０１３４】
（４）化合物（１−ｄ）の合成
【化８３】
2013118507.tif 000085
三口フラスコに化合物（１−ｃ）９．７２ｇ（２６．１ｍｍｏｌ）、化合物（１−ｂ）６．３６ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液４５ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン９０ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  １．５１ｇ（１．３１ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、試料溶液を分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は４．５３ｇ、収率は４２％であった。【０１３５】
（５）化合物（１−ｅ）の合成
【化８４】
2013118507.tif 000086
三口フラスコに化合物（１−ｄ）４．００ｇ（９．６８ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン２５ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．６５Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液５．３ｍＬ（８．７１ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにクロロジフェニルホスフィン３．５７ｍＬ（１９．４ｍｍｏｌ）を加え室温で８時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加えて、これを分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は３．７０ｇ、収率は８２％であった。【０１３６】
（６）化合物（１）の合成
【化８５】
2013118507.tif 000087
三口フラスコに化合物（１−ｅ）２．５０ｇ（４．８２ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン４５ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に３０％過酸化水素水溶液６ｍｌを加え、室温にて６時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．１９ｇ、収率は８５％であった。【０１３７】
実施例１［有機ＥＬ素子の作製］
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後のＩＴＯ電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ電極ラインが形成されている側の面上に、ＩＴＯ電極ラインを覆うようにして化合物（ＨＩ１）を厚さ２０ｎｍで、次いで化合物（ＨＴ１）を厚さ６０ｎｍで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。【０１３８】
次に、正孔注入・輸送層上に、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）を同時に抵抗加熱蒸着して膜厚５０ｎｍの薄膜を成膜した。このとき、化合物（ＢＤ１）を、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）の総質量に対し質量比で２０％になるように蒸着した。成膜レートはそれぞれ１．２Å／ｓ、０．３Å／ｓとした。この薄膜は、燐光発光層として機能する。【０１３９】
次に、この燐光発光層上に、化合物（Ｈ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚１０ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１．２Å／ｓとした。この薄膜は正孔障壁層として機能する。
次に、この障壁層上に、化合物（１）を抵抗加熱蒸着して膜厚１０ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。この膜は電子注入層として機能する。【０１４０】
次に、この電子注入層上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着した。
次に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。【０１４１】
実施例２［有機ＥＬ素子の作製］
実施例１において、化合物（Ｈ１）の代わりに、化合物（ＨＢＬ１）を用いて正孔障壁層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。【０１４２】
実施例３［有機ＥＬ素子の作製］
実施例１において、燐光発光層上に、化合物（１）を抵抗加熱蒸着して、成膜レート１Å／ｓで膜厚２０ｎｍの薄膜を形成した。この薄膜は正孔障壁層及び電子注入層として機能する。
次に、この正孔障壁層及び電子注入層上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着した。次に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。【０１４３】
以下に使用した化合物の構造式を示す。
【化８６】
2013118507.tif 000088
【０１４４】
［有機ＥＬ素子の評価］
上述のようにして得た有機ＥＬ素子を以下に示す方法で評価した。結果を表１に示す。【０１４５】
（１）電圧（Ｖ）
２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で、ＫＥＩＴＨＬＹ  ２３６  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＥＡＳＵＲＥ  ＵＮＩＴを用いて、電気配線された素子に電圧を印加して発光させ、素子以外の配線抵抗にかかる電圧を差し引いて素子印加電圧を測定した。電圧の印加・測定と同時に輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）を用いて輝度測定も行い、これらの測定結果から素子輝度が１００ｃｄ／ｍ２時の電圧を読み取った。
（２）外部量子効率（％）
２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で、輝度１０００ｃｄ／ｍ２時の外部量子効率を輝度計（ミノルタ社製分光輝度放射計ＣＳ−１０００）を用いて測定した。（３）半減寿命（時間）
初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２で連続通電試験（直流）を行い、初期輝度が半減するまでの時間を測定した。【０１４６】
比較例１
実施例１において、化合物（１）の代わりに、比較化合物（１）を用いて電子注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。
【化８７】
2013118507.tif 000089
【０１４７】
比較例２
実施例１において、化合物（１）の代わりに、比較化合物（２）を用いて電子注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表１に示す。
【化８８】
2013118507.tif 000090
【０１４８】
【表１】
2013118507.tif 000091
【０１４９】
実施例１〜３の結果から、本発明の化合物を電子注入層又は正孔障壁層／電子注入層に用いた場合、比較例と同等の寿命を維持しつつ、低電圧化する素子が得られた。また、特に正孔障壁層／電子注入層に本発明の化合物を用いた場合、低電圧化の効果が大きかった。【０１５０】
実施例４
実施例１において、化合物（Ｈ１）の代わりに、下記化合物（Ｈ２）を用いて燐光発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表２に示す。
【化８９】
2013118507.tif 000092
【０１５１】
比較例３
実施例４において、化合物（１）の代わりに、比較化合物（１）を用いて電子注入層を形成した以外は、実施例４と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表２に示す。【０１５２】
【表２】
2013118507.tif 000093
【０１５３】
実施例４の結果から、本発明の化合物を電子注入層に用いた場合、比較例３と同等の寿命を維持しつつ、低電圧化する素子が得られることが分かる。【０１５４】
実施例５
実施例１において、化合物（１）の代わりに、化合物（１）とリチウム（Ｌｉ）を、Ｌｉが４質量％となる膜厚比で蒸着して、電子注入層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表３に示す。【０１５５】
実施例６
実施例２において、化合物（１）の代わりに、化合物（１）とリチウム（Ｌｉ）を、Ｌｉが４質量％となる膜厚比で蒸着して、電子注入層を形成した以外は、実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表３に示す。【０１５６】
【表３】
2013118507.tif 000094
【０１５７】
表３から、電子注入層として化合物（１）＋Ｌｉ（電子供与性ドーパント）を用いた有機ＥＬ素子は、Ｌｉをドープしない有機ＥＬ素子と比較して、同等の寿命を維持しつつ、さらに低電圧化できることが分かる。【０１５８】
実施例７
実施例１において、化合物（Ｈ１）の代わりに、下記化合物（Ｈ３）を用いて燐光発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表４に示す。
【化９０】
2013118507.tif 000095
【０１５９】
比較例４
実施例７において、化合物（１）の代わりに、比較化合物（１）を用いて電子注入層を形成した以外は、実施例７と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表４に示す。【０１６０】
【表４】
2013118507.tif 000096
【０１６１】
実施例７の結果から、本発明の化合物を電子注入層に用いた場合、比較例４と同等の寿命を維持しつつ、低電圧化する素子が得られることが分かる。【０１６２】
実施例８
実施例１において、化合物（Ｈ１）の代わりに、下記化合物（Ｈ４）を用いて燐光発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表５に示す。
【化９１】
2013118507.tif 000097
【０１６３】
比較例５
実施例８において、化合物（１）の代わりに、比較化合物（１）を用いて電子注入層を形成した以外は、実施例８と同様にして有機ＥＬ素子を作製し評価した。結果を表５に示す。【０１６４】
【表５】
2013118507.tif 000098
【０１６５】
実施例８の結果から、本発明の化合物を電子注入層に用いた場合、比較例５と同等の寿命を維持しつつ、低電圧化する素子が得られることが分かる。
また、実施例１、４、７及び８の結果より、本発明の化合物を電子注入層に用いた場合、発光層のホストとしてカルバゾール環とジベンゾフラン環とを有する化合物を用いた実施例１及び４は、実施例７及び８と比較して素子の寿命がより長くなることがわかる。【０１６６】
合成例２（化合物（１４０）の合成）
（１）化合物（１４０−ａ）の合成
【化９２】
2013118507.tif 000099
三口フラスコにジベンゾフラン２６９．１ｇ（１６００ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン１２８０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に臭素２０４．６ｇのジクロロメタン溶液１００ｍＬを４０分かけて滴下した後、室温で１２時間撹拌した。反応終了後、反応器を０℃に冷却し、水５００ｍＬを加え、さらに２０％ＮａＨＳＯ４水溶液１００ｍＬを加えた。試料溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ｍＬで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをヘキサンにて分散洗浄し、白色の固体を得た。
収量は１３６ｇ、収率は５５％であった。【０１６７】
（２）化合物（１４０−ｂ）の合成
【化９３】
2013118507.tif 000100
三口フラスコに化合物（１４０−ａ）１０．０ｇ（４０．４ｍｍｏｌ）、オルト過ヨウ素酸１．９６ｇ（８．６０ｍｍｏｌ）、ヨウ素４．０８ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）、希硫酸８ｍＬ、酢酸４０ｍＬを入れ、７０℃で３時間撹拌した。反応器を室温まで冷ました後、反応液を氷水中に加えて析出した固体をろ取した。得られた固体をメタノールで洗浄することで、白色固体を得た。
収量は６．７８ｇ、収率は４５％であった。【０１６８】
（３）化合物（１４０−ｃ）の合成
【化９４】
2013118507.tif 000101
三口フラスコに化合物（１４０−ｃ）５．００ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、フェナントレンボロン酸２．４８ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１８ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン３５ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．７７４ｇ（０．６７０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをメタノール，ヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、白色の固体を得た。
収量は１．９４ｇ、収率は４１％であった。【０１６９】
（５）化合物（１４０−ｄ）の合成
【化９５】
2013118507.tif 000102
三口フラスコに化合物（１４０−ｃ）１．５０ｇ（２．８４ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン１０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．５７Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液１．９ｍＬ（２．９８ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにクロロジフェニルホスフィン０．７８３ｍＬ（４．２６ｍｍｏｌ）を加え室温で８時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．２８ｇ、収率は８５％であった。【０１７０】
（６）化合物（１４０）の合成
【化９６】
2013118507.tif 000103
三口フラスコに化合物（１４０−ｄ）１．２５ｇ（２．３６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン２４ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に３０％過酸化水素水溶液５ｍｌを加え、室温にて６時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．１６ｇ、収率は９０％であった。【０１７１】
得られた白色固体について、フィールドディソープションマススペクトル（以下、ＦＤ−ＭＳ）分析した結果、化合物（１４０）であることを確認した。
ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３８Ｈ２５Ｏ２Ｐ  ５４４；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ５４４）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲの測定は、日本電子株式会社製  ＪＮＭ−ＡＬ４００を用いた。化合物０．５ｍｇ程度を用いて、これをジクロロメタン０．５ｍｌ程度に溶解することで測定用サンプルを調整し、測定した。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．８０（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ），８．７４（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ），８．３３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．０６（ｓ，１Ｈ），７．９０（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ），７．８５−７．６０（ｍ，１１Ｈ），７．５９−７．４２（ｍ，８Ｈ）【０１７２】
合成例３（化合物（１４１）の合成）
（１）化合物（１４１−ａ）の合成
【化９７】
2013118507.tif 000104
三口フラスコに化合物（１４０−ｂ）８．５０ｇ（２２．９ｍｍｏｌ）、ピレンボロン酸４．６８ｇ（１９．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン６０ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  １．３２ｇ（１．１５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水１００ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをメタノール、ヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、白色の個体を得た。
収量は２．００ｇ、収率は２３％であった。【０１７３】
（２）化合物（１４１−ｂ）の合成
【化９８】
2013118507.tif 000105
三口フラスコに化合物（１４１−ａ）２．００ｇ（４．４７ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン１２ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．５９Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液２．６７ｍＬ（４．２５ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにクロロジフェニルホスフィン１．６４ｍＬ（８．９４ｍｍｏｌ）を加え室温で８時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．５３ｇ、収率は６５％であった。【０１７４】
（３）化合物（１４１）の合成
【化９９】
2013118507.tif 000106
三口フラスコに化合物（１４１−ｂ）１．５０ｇ（２．７１ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン３０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に３０％過酸化水素水溶液７ｍｌを加え、室温にて６時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．１６ｇ、収率は７５％であった。【０１７５】
得られた白色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１４１）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４０Ｈ２５Ｏ２Ｐ  ５６８；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ５６８）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．３８（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，１Ｈ），８．２８−８．１０（ｍ，７Ｈ），８．０５−８．００（ｍ，３Ｈ），７．８２−７．６８（ｍ，８Ｈ），７．５８−７．５２（ｍ，２Ｈ），７．５２−７．４３（ｍ，４Ｈ）【０１７６】
合成例４（化合物（１４９）の合成）
（１）化合物（１４９−ｂ）の合成
【化１００】
2013118507.tif 000107
三口フラスコに９，１０−ジブロモアントラセン４．００ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）、ジベンゾフランボロン酸３．０５ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン４０ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．６９３ｇ（０．６００ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをメタノール、ヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、白色の個体を得た。
収量は３．０１ｇ、収率は５９％であった。【０１７７】
（２）化合物（１４９−ｃ）の合成
【化１０１】
2013118507.tif 000108
三口フラスコに化合物（１４９−ｂ）３．００ｇ（７．１１ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン２０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．５８Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液４．７ｍＬ（７．４６ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにクロロジフェニルホスフィン１．９６ｍＬ（１０．７ｍｍｏｌ）を加え室温で８時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．２２ｇ、収率は５９％であった。【０１７８】
（３）化合物（１４９）の合成
【化１０２】
2013118507.tif 000109
三口フラスコに化合物（１４９−ｃ）２．００ｇ（３．７９ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン４０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を０℃に冷却した。反応器に３０％過酸化水素水溶液８ｍｌを加え、室温にて６時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は１．７３ｇ、収率は８４％であった。【０１７９】
得られた白色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１４９）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３８Ｈ２５Ｏ２Ｐ  ５４４；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ５４４）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．６８（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，２Ｈ），８．０３（ｓ，１Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），７．８４−７．７５（ｍ，６Ｈ），７．７４−７．６５（ｍ，３Ｈ），７．６０−７．３５（ｍ，１０Ｈ），７．３０−７．２０（ｍ，２Ｈ）【０１８０】
合成例５（化合物（１６５）の合成）
（１）化合物（１６５−ａ）の合成
【化１０３】
2013118507.tif 000110
三口フラスコに化合物（１４０−ｂ）７．４６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、４−ピリジニルボロン酸２．４６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液５０ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン１４０ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  １．１６ｇ（１．００ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１２時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをメタノールにて懸濁洗浄することにより精製し、淡黄色の固体を得た。
収量は４．６２ｇ、収率は７１％であった。【０１８１】
（２）化合物（１６５）の合成
【化１０４】
2013118507.tif 000111
三口フラスコに化合物（１６５−ａ）４．０８ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィンオキシド５．１０ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１４１ｇ（０．６３０ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン０．３９０ｇ（０．９４５ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１５０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン１０．７ｍＬ（６３．０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、１００℃にて１３時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：メタノール＝６：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は４．０９ｇ、収率は７３％であった。【０１８２】
得られた白色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１６５）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ２９Ｈ２０ＮＯ２Ｐ  ４４５；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ４４５）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．６９（ｄｄ，Ｊ＝０．９，５．７Ｈｚ，２Ｈ），８．４６（ｄｄ，Ｊ＝０．９，８．７Ｈｚ，１Ｈ），８．１８（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８４−７．６５（ｍ，８Ｈ），７．６５−７．４５（ｍ，８Ｈ）【０１８３】
合成例６（化合物（１７０）の合成）
（１）化合物（１７０−ａ）の合成
【化１０５】
2013118507.tif 000112
三口フラスコにＢｒ化合物６．４６ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン７．６２ｇ（３０．０ｍｍｏｌ）、［１，１‘−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムジクロリドジクロロメタン付加物化合物０．８１７ｇ（１．００ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム６．１０ｇ（６２．２ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１２０ｍＬを入れ、窒素雰囲気下、８０℃にて１１時間撹拌した。
反応終了後、固体を除去し、得られた溶液を濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ジクロロメタン：酢酸エチル＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は５．２８ｇ、収率は７１％であった。【０１８４】
（２）化合物（１７０−ｂ）の合成
【化１０６】
2013118507.tif 000113
三口フラスコに化合物（１４０−ｂ）５．３０ｇ（１４．２ｍｍｏｌ）、化合物（１７０−ａ）５．２８ｇ（１４．２ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３５ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン１４０ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．８２０ｇ（０．７１０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて９時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加え、固体をろ取した。これをメタノール、ヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、淡黄色の固体を得た。
収量は６．０２ｇ、収率は８７％であった。【０１８５】
（３）化合物（１７０）の合成
【化１０７】
2013118507.tif 000114
三口フラスコに化合物（１７０−ｂ）５．６５ｇ（１１．５ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィンオキシド４．６５ｇ（２３．０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１２９ｇ（０．５７５ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン０．３５６ｇ（０．８６３ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１４０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン９．７８ｍＬ（５７．５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、１００℃にて１２時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エチル：メタノール＝６：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は５．４８ｇ、収率は７８％であった。【０１８６】
得られた白色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１７０）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４１Ｈ２７Ｎ２Ｏ２Ｐ  ６１０；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ６１０）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．７１（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．６４（ｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，１Ｈ），８．３２（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ），８．２４（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．９０−７．４８（ｍ，２２Ｈ），７．３６（ｄｄ，Ｊ＝３．０，６．３Ｈｚ，１Ｈ）【０１８７】
合成例７（化合物（１７３）の合成）
（１）化合物（１７３−ａ）の合成
【化１０８】
2013118507.tif 000115
三口フラスコに１，４−ジブロモ−２−ニトロベンゼン２５．２ｇ（８９．７ｍｍｏｌ）、酢酸ナトリウム２２．０９ｇ（２６９ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にてアニリン１７．３ｍＬ（１７７ｍｍｏｌ）を滴下し、１６０℃にて７時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝５０：１）で精製し、橙色の固体を得た。
収量は１７．１ｇ、収率は６５％であった。【０１８８】
（２）化合物（１７３−ｂ）の合成
【化１０９】
2013118507.tif 000116
三口フラスコに化合物（１７３−ａ）１６．４ｇ（５６．３ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン１２０ｍＬを入れ、窒素気流下にて１．４Ｍ亜ジチオン酸ナトリウム水溶液２００ｍＬを加え、室温にて５時間撹拌した。酢酸エチル８００ｍＬ、１．４Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液８０ｍＬ、酢酸エチル２５ｍＬに溶かした塩化ベンゾイル７．８５ｍＬ（６７．６ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、室温にて１０時間撹拌した。
反応終了後、分液ロートに移し、酢酸エチルにて数回抽出した。得られた有機層を１０％炭酸カリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮し、淡黄色の固体を得た。
収量は２０．６ｇ、収率は９９％であった。【０１８９】
（３）化合物（１７３−ｃ）の合成
【化１１０】
2013118507.tif 000117
三口フラスコに化合物（１７３−ｂ）２０．６ｇ（５６．１ｍｍｏｌ）、パラトルエンスルホン酸一水和物５．３４ｇ（２８．１ｍｍｏｌ）、キシレン２２０ｍＬを入れ、窒素気流下、加熱還流下にて４時間共沸脱水した。
反応終了後、１０％炭酸カリウム水溶液を加え、固体をろ取し、水で洗浄し、白色の固体を得た。
収量は１２．８ｇ、収率は６６％であった。【０１９０】
（４）化合物（１７３−ｄ）の合成
【化１１１】
2013118507.tif 000118
三口フラスコに化合物（１７３−ｃ）５．９４ｇ（１７．０ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン１００ｍＬを入れ、窒素雰囲気下にて反応器を−７０℃に冷却した。反応器に１．６５Ｍ  ｎ−ブチルリチウムへキサン溶液１３．４ｍＬ（２２．１ｍｍｏｌ）を滴下し、−７０℃にて１時間撹拌した。これにさらにホウ酸トリイソプロピル６．６７ｍＬ（２８．９ｍｍｏｌ）を加え室温で６時間撹拌した。反応終了後、１Ｎ  ＨＣｌ水溶液５０ｍＬを加え３０分撹拌した後、試料溶液を分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン：メタノール＝６：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は２．７３ｇ、収率は５１％であった。【０１９１】
（５）化合物（１７３−ｅ）の合成
【化１１２】
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三口フラスコに化合物（６−ｂ）２．８７ｇ（７．７０ｍｍｏｌ）、化合物（１７３−ｄ）２．４２ｇ（７．７０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１９ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン１００ｍＬ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４  ０．４４５ｇ（０．３８５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて１０時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加え、固体をろ取した。これをメタノール、ヘキサンにて懸濁洗浄することにより精製し、白色の固体を得た。
収量は３．０６ｇ、収率は７７％であった。【０１９２】
（３）化合物（１７３）の合成
【化１１３】
2013118507.tif 000120
三口フラスコに化合物（１７３−ｅ）２．８８ｇ（５．５９ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィンオキシド２．２６ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．０６２８ｇ（０．２８０ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン０．１７３ｇ（０．４１９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド７０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン４．７５ｍＬ（２８．０ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、１００℃にて１４時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン：メタノール＝６：１）で精製し、淡黄色の固体を得た。
収量は３．２０ｇ、収率は９０％であった。【０１９３】
得られた淡黄色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１７３）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ４３Ｈ２９Ｎ２Ｏ２Ｐ  ６３６；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋６３６）
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．４０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．８４−７．４５（ｍ，２０Ｈ），７．４０−７．３０（ｍ，６Ｈ）【０１９４】
合成例８（化合物（１４７）の合成）
（１）化合物（１４７−ａ）の合成
【化１１４】
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三口フラスコに化合物（１−ｂ）２．８４ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、トリフルオロメタンスルホン酸６−ブロモ−２−ナフチル４．７６ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液３５ｍＬ、１，２−ジメトキシエタン１００ｍＬ、［１，１‘−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウムジクロリドジクロロメタン付加物０．３２８ｇ（０．４０２ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下にて８時間還流させた。
反応終了後、試料溶液に水５０ｍｌを加えて、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝２：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は５．１５ｇ、収率は８７％であった。【０１９５】
（２）化合物（１４７）の合成
【化１１５】
2013118507.tif 000122
三口フラスコに化合物（１４７−ａ）５．１７ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）、ジフェニルホスフィンオキシド４．７３ｇ（２３．４ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１３１ｇ（０．５８５ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン０．３６２ｇ（０．８７８ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１４０ｍＬ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン９．９５ｍＬ（５８．５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素雰囲気下、１００℃にて１２時間撹拌した。
反応終了後、水５０ｍＬを加え、これを分液ロートに移し、ジクロロメタンにて数回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これをシリカゲルクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、白色の固体を得た。
収量は４．１０ｇ、収率は７１％であった。【０１９６】
得られた白色固体について、ＦＤ−ＭＳ分析した結果、化合物（１４７）であることを確認した。ＦＤ−ＭＳの結果は、以下に示す。
（ｍ／ｚ  ［Ｍ］＋  ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ３４Ｈ２３Ｏ２Ｐ  ４９４；  ｏｂｓｅｒｖｅｄ  ［Ｍ］＋  ４９４）。
また１Ｈ−ＮＭＲの結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ  ８．３３（ｄ，Ｊ＝１０．２Ｈｚ，１Ｈ），８．２８（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．１５（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），８．０５−７．９６（ｍ，３Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ），７．８５−７．６５（ｍ，７Ｈ），７．６５−７．５５（ｍ，４Ｈ），７．５５−７．４８（ｍ，４Ｈ），７．３９（ｔ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）【０１９７】
以上、合成した化合物の一部と合成例と同様にして調製した具体例化合物について、ホール移動度及び電子移動度をインピーダンス分光法で評価した。また、参考にＣＨＥＭＩＳＴＲＹ−ＡＮ  ＡＳＩＡＮ  ＪＯＵＲＮＡＬ  ２０１１，６（１１），２８９５．に開示の下記参考化合物についてもホール移動度及び電子移動度を評価した。結果を表６に示す。
【化１１６】
2013118507.tif 000123
【０１９８】
［インピーダンス分光法による移動度の測定］
以下の方法で製造したホール移動度測定用素子及び電子移動度測定用素子にそれぞれ、バイアスＤＣ電圧を引加しながら１００ｍＶ以下の微小交流電圧を引加した。このときに流れる交流電流値（絶対値と位相）を測定した。交流電圧の周波数を変えながら本測定を行い、電流値と電圧値とから複素インピーダンス（Ｚ）を算出した。このときモジュラスＭ＝ｉωＺ（ｉ：虚数単位、ω：角周波数）の虚数部（ＩｍＭ）の周波数依存性を求め、ＩｍＭが最大値となる周波数ωの逆数を、有機薄膜内を伝導するキャリアの応答時間と定義した。そして以下の式によりキャリア移動度を算出した。
キャリア移動度＝（有機薄膜の膜厚）２／（応答時間・印加電圧）【０１９９】
（１）ホール移動度測定のための素子作製
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後のＩＴＯ電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ電極ラインが形成されている側の面上に、ＩＴＯ電極ラインを覆うようにして化合物（ＨＴ１）を厚さ１０ｎｍで、次いで測定対象化合物を厚さ１００ｎｍで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。最後に、金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成してホール移動度測定用素子を得た。【０２００】
（２）電子移動度測定のための素子作製
ガラス基板を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後のガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陽極を作成した。次いで測定対象化合物を厚さ１００ｎｍで、次いで化合物（Ｈ６）を厚さ５ｎｍで、次いで化合物（ＥＴ１）を厚さ５ｎｍで順次成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。この上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着し、最後に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して電子移動度測定用素子を得た。【０２０１】
【表６】
2013118507.tif 000124
【０２０２】
表６より参考化合物は、正孔移動度に比べて電子移動度が非常に高いことから、バイポーラ性化合物ではなく、電子輸送性化合物である。
一方、本発明の化合物は、ホスフィンオキシドとジベンゾフランに対して、種々の置換基を末端部位に導入しても正孔移動度と比較して電子移動度が高いことがわかる。即ち、ホスフィンオキシドとジベンゾフランを組み合わせたユニットが化合物のキャリア特性を主に支配しており、いずれの化合物も正孔輸送特性と比較して優れた電子輸送特性を示していることが分かる。但し、本発明の化合物でも特にジベンゾフラン、アザジベンゾフラン、アザカルバゾールといった縮合複素芳香環を末端部位にすると電子移動度は高い値を示していることから、これらの縮合複素芳香環は末端部位として好適であるといえる。【０２０３】
実施例９［有機ＥＬ素子の作製］
膜厚１３０ｎｍのＩＴＯ電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）を、イソプロピルアルコール中で５分間、超音波洗浄した後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後のＩＴＯ電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ電極ラインが形成されている側の面上に、ＩＴＯ電極ラインを覆うようにして化合物（ＨＩ１）を厚さ２０ｎｍで、次いで化合物（ＨＴ１）を厚さ６０ｎｍで抵抗加熱蒸着し、順次薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。これらの薄膜は、それぞれ正孔注入層及び正孔輸送層として機能する。【０２０４】
次に、正孔注入・輸送層上に、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）を同時に抵抗加熱蒸着して膜厚５０ｎｍの薄膜を成膜した。このとき、化合物（ＢＤ１）を、化合物（Ｈ１）と化合物（ＢＤ１）の総質量に対し質量比で２０％になるように蒸着した。成膜レートはそれぞれ１．２Å／ｓ、０．３Å／ｓとした。この薄膜は、燐光発光層として機能する。
この燐光発光層上に、化合物（Ｈ１）を抵抗加熱蒸着して膜厚２０ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１．０Å／ｓとした。この薄膜は障壁層及び電子注入層として機能する。【０２０５】
次に、この障壁層上に、化合物（１４０）を抵抗加熱蒸着して膜厚１０ｎｍの薄膜を成膜した。成膜レートは１Å／ｓとした。この膜は電子注入層として機能する。
この電子注入層上に膜厚１．０ｎｍのＬｉＦを成膜レート０．１Å／ｓで蒸着した。
最後に、このＬｉＦ膜上に金属アルミニウムを成膜レート８．０Å／ｓにて蒸着し、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成して有機ＥＬ素子を得た。【０２０６】
得られた有機ＥＬ素子について、以下の方法で半減寿命を評価した。結果を表７に示す。
初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２で連続通電試験（直流）を行い、初期輝度が半減するまでの時間を測定した。【０２０７】
実施例１０−１７及び比較例６−７
化合物（Ｈ１）及び化合物（１４０）の代わりに表１に示す化合物を用いて障壁層及び電子注入層をそれぞれ形成した他は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表７に示す。
尚、実施例９−１７及び比較例６−７で使用した化合物を以下に示す。
【化１１７】
2013118507.tif 000125
【０２０８】
【表７】
2013118507.tif 000126
【０２０９】
表７の結果から、本発明の化合物を障壁層及び／又は電子注入層に用いることで、比較例６及び７の素子に比べて長寿命化していることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
本発明の化合物は、有機ＥＬ素子用材料として使用できる。
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。【０２１１】
上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
この明細書に記載の文献及び本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
【図１】
2013118507.tif 000141
【図２】
2013118507.tif 000142
【国際調査報告】
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