(57)【要約】  一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体と、一般式（３）で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む一般式（４）で表される芳香族アミド誘導体の製造方法が提供される。一般式中、ＸおよびＹは水素原子、ハロゲン原子等を示す。Ａは水素原子、アルキル基、一般式（２）で表される基等を示す。Ｇ１およびＧ２は酸素原子等を示す。Ｑ１はフェニル基等を示す。Ｒ１は水素原子、アルキル基等を示す。Ｚ１はハロアルキル基等を示す。Ｘａはヨウ素原子等を示す。ｍは１〜４、ｎ１は１〜５、ｎ２は１〜４を示す。2013150988.tif 000067
2013150988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2013150988.tif 000056
（一般式（１）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。
ｍは１〜４の整数を示し、ｎ１は１〜５の整数を示す。
Ｇ１は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。
Ａは水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルフィニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、または
下記一般式（２）
【化２】
2013150988.tif 000057
（一般式（２）中、Ｇ２は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。）で表される基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式（３）
【化３】
2013150988.tif 000058
（一般式（３）中、Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。Ｘａはヨウ素原子または臭素原子を示す。）で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む、下記一般式（４）
【化４】
2013150988.tif 000059
（一般式（４）中、ｎ２は１〜４の整数を示す。Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡとそれぞれ同義である。）
で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（５）
【化５】
2013150988.tif 000060
（一般式（５）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（６）
【化６】
2013150988.tif 000061
（一般式（６）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（５）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（５）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（７）
【化７】
2013150988.tif 000062
（一般式（７）中、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は前記一般式（５）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４とそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（８）
【化８】
2013150988.tif 000063
（一般式（８）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（７）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法により前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式（１０）
【化９】
2013150988.tif 000064
（一般式（１０）中、Ｚ２はハロゲン原子を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１は前記一般式（８）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１とそれぞれ同義である。）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式（８）において、Ｙ４は水素原子である、ハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項５】
下記一般式（７）
【化１０】
2013150988.tif 000065
（一般式（７）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体。
【請求項６】
下記一般式（９）
【化１１】
2013150988.tif 000066
（一般式（９）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。
Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体。
【請求項７】
前記一般式（９）におけるＹ１がＣ１−Ｃ２ハロアルキル基であり、Ｙ２およびＹ３がそれぞれ水素原子であり、Ｚ１がＣ１―Ｃ６ハロアルキル基であり、Ｘがハロゲン原子である請求項６に記載のアルキル化芳香族アミド誘導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２００５／７３１６５号パンフレット、国際公開第２００６／１３７３７６号パンフレット、及び国際公開第２０１０／１８７１４号パンフレットには、有害生物防除作用を有するアミド誘導体として種々の化合物が開示され、該アミド誘導体を製造する上でパーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体が有用であることが開示されている。
パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアニリンの製造方法として、パーフルオロアルキルハロゲン化合物を還元剤の存在下で反応させる製造方法が知られている（例えば、特開２００１−１２２８３６号公報参照）。更に、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体の製造方法として、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ２２，５４１−５５６，１９８３が知られている。【０００３】
また電子吸引基を有する芳香族環を有するアミド化合物をハロゲン化する方法は幾つか知られている（例えば、Ｂｉｏｏｒｇａｎｉｃ  ＆  Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１５（３），１２１２−１２２８，２００７参照）が、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体をハロゲン化する方法は知られていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特開２００１−１２２８３６号公報にはアニリンの例が記載されているだけで、アミド化合物が具体的に開示されていない。本発明者らが特開２００１−１２２８３６号公報に記載の方法でアミド化合物のパーフルオロアルキル化を試みたところ、反応は進行しなかった。【０００５】
またＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ２２，５４１−５５６，１９８３に記載の方法では、反応に高温を必要とするため、沸点が低いパーフルオロアルキルハロゲン化合物には適用できず、制約を生じる。また、この方法は、生成物の収率および反応選択性も低いため実用性が期待できない。【０００６】
Ｂｉｏｏｒｇａｎｉｃ  ＆  Ｍｅｄｉｃｉｎａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１５（３），１２１２−１２２８，２００７に記載の方法では、ハロゲン化の収率は低く、本発明者らが非特許文献２に記載の方法に従い電子吸引基を有するアミド化合物のハロゲン化反応を行ったところ、生成物の収率は低かった。結局、現時点では、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体をハロゲン化する工業的製造にとって利用可能な、反応方法を示唆する知見は見出されていないのが実情である。【０００７】
本発明は上記に鑑み、アルキル基を有する芳香族アミド誘導体を、短工程、且つ工業的に利用可能な製造方法を提供すること、および当該製造方法に有用な製造中間体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、アルキル基（好ましくはパーフルオロアルキル基）を有する芳香族アミド誘導体の新規な製造方法と該製造方法に利用できる新規な有用中間体を見出し、さらに該有用中間体を選択的にハロゲン化できることを見出した。このことにより、高い殺虫活性を有する新規殺虫剤を容易に製造するための方法を見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は以下のとおりである。【０００９】
＜１＞  下記一般式（１）
【化１】
2013150988.tif 000003
【００１０】
（一般式（１）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示し、ｎ１は１〜５の整数を示す。Ｇ１は酸素原子、または硫黄原子を示す。【００１１】
Ｙはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。【００１２】
Ａは水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルフィニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、【００１３】
または下記一般式（２）
【化２】
2013150988.tif 000004
【００１４】
（一般式（２）中、Ｇ２は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。）で表される基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体と、【００１５】
下記一般式（３）
【化３】
2013150988.tif 000005
（一般式（３）中、Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。Ｘａはヨウ素原子または臭素原子を示す。）で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む、下記一般式（４）【００１６】
【化４】
2013150988.tif 000006
【００１７】
（一般式（４）中、ｎ２は１〜４の整数を示す。Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡとそれぞれ同義である。）
で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法。【００１８】
＜２＞  前記一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（５）【００１９】
【化５】
2013150988.tif 000007
【００２０】
（一般式（５）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（６）【００２１】
【化６】
2013150988.tif 000008
【００２２】
（一般式（６）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（５）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である、前記＜１＞に記載の製造方法。【００２３】
＜３＞  前記一般式（５）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（７）【００２４】
【化７】
2013150988.tif 000009
【００２５】
（一般式（７）中、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は前記一般式（５）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４とそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（８）【００２６】
【化８】
2013150988.tif 000010
【００２７】
（一般式（８）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（７）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である＜２＞に記載の製造方法。【００２８】
＜４＞  下記一般式（７ａ）
【化９】
2013150988.tif 000011
【００２９】
（一般式（７ａ）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。【００３０】
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。【００３１】
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式（３）【００３２】
【化１０】
2013150988.tif 000012
（一般式（３）中、Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。Ｘａはヨウ素原子または臭素原子を示す。）で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させて下記一般式（９）【００３３】
【化１１】
2013150988.tif 000013
【００３４】
（一般式（９）中、Ｚ１は一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３は前記一般式（７ａ）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３とそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下で、ハロゲン化する工程とを含む、下記一般式（１０）【００３５】
【化１２】
2013150988.tif 000014
【００３６】
（一般式（１０）中、Ｚ２はハロゲン原子を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１は前記一般式（９）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１とそれぞれ同義である。）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法。【００３７】
＜４Ａ＞  ＜２＞に記載の製造方法により前記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式（１０）
【化１３】
2013150988.tif 000015
（一般式（１０）中、Ｚ２はハロゲン原子を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１は前記一般式（６）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１とそれぞれ同義であり、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は、前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式（６）において、Ａは前記一般式（２）で表され、Ｙ４は水素原子である。
＜４Ｂ＞  ＜３＞に記載の製造方法により前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式（１０）
【化１４】
2013150988.tif 000016
（一般式（１０）中、Ｚ２はハロゲン原子を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１は前記一般式（８）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１とそれぞれ同義である。）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式（８）において、Ｙ４は水素原子である。【００３８】
＜５＞  下記一般式（７）
【化１５】
2013150988.tif 000017
（一般式（７）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。【００３９】
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体。【００４０】
＜６＞  下記一般式（９）
【化１６】
2013150988.tif 000018
【００４１】
（一般式（９）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。
Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。【００４２】
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体。【００４３】
＜７＞  前記一般式（９）におけるＹ１がＣ１−Ｃ２ハロアルキル基であり、Ｙ２およびＹ３がそれぞれ水素原子であり、Ｚ１がＣ１―Ｃ６ハロアルキル基であり、Ｘがハロゲン原子である前記＜６＞に記載のアルキル化芳香族アミド誘導体。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、アルキル基を有する芳香族アミド誘導体を、短工程、且つ工業的に利用可能な製造方法を提供するができる。また当該製造方法に有用な製造中間体を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。また「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
また本明細書の一般式において使用される文言は、その定義においてそれぞれ以下に説明されるような意味を有する。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。「ｎ−」はノルマルを意味し、「ｉ−」はイソを意味し、「ｓ−」はセカンダリーを意味し、「ｔ−」はターシャリーを意味する。
「Ｃａ−Ｃｂ（ａ、ｂは１以上の整数を表す）」との表記は、例えば、「Ｃ１−Ｃ３」とは炭素原子数が１〜３個であることを意味し、「Ｃ２−Ｃ６」とは炭素原子数が２〜６個であることを意味し、「Ｃ１−Ｃ４」とは炭素原子数が１〜４個であることを意味する。
【００４６】
また「Ｃ１−Ｃ３アルキル基」とは例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜３個のアルキル基を示し、「Ｃ１−Ｃ４アルキル基」とは「Ｃ１−Ｃ３アルキル基」に加えて例えば、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基を示し、「Ｃ１−Ｃ６アルキル基」とは、「Ｃ１−Ｃ４アルキル基」に加えて例えば、ｎ−ペンチル、２−ペンチル、３−ペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、２−ヘキシル、４−メチル−２−ペンチル、３−メチル−ｎ−ペンチルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示す。
【００４７】
「Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基」とは例えば、モノフルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、モノクロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、モノブロモメチル、ジブロモメチル、トリブロモメチル、１−フルオロエチル、２−フルオロエチル、２，２−ジフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、１−クロロエチル、２−クロロエチル、２，２−ジクロロエチル、２，２，２−トリクロロエチル、１−ブロモエチル、２−ブロモエチル、２，２−ジブロモエチル、２，２，２−トリブロモエチル、２−ヨードエチル、ペンタフルオロエチル、３−フルオロ−ｎ−プロピル、３−クロロ−ｎ−プロピル、３−ブロモ−ｎ−プロピル、１，３−ジフルオロ−２−プロピル、１，３−ジクロロ−２−プロピル、１，１，１−トリフルオロ−２−プロピル、１−クロロ−３−フルオロ−２−プロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−クロロ−２−プロピル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−ｎ−プロピル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル、４−フルオロ−ｎ−ブチル、ノナフルオロ−ｎ−ブチル、ノナフルオロ−２−ブチル、ノナフルオロ−ｉ−ブチル、ウンデカフルオロ−ｎ−ペンチル、ウンデカフルオロ−ｉ−ペンチル、ウンデカフルオロ−ネオペンチル、トリデカフルオロ−ｎ−ヘキシル、トリデカフルオロ−ｎ−ヘキシル、などの同一または異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキル基を示す。
【００４８】
「Ｃ２−Ｃ４アルケニル基」とは例えば、ビニル、アリル、２−ブテニル、３−ブテニルなどの炭素鎖の中に二重結合を有する炭素原子数２〜４個のアルケニル基を示し、「Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基」とは例えば、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル、３，３−ジクロロ−２−プロペニル、３，３−ジブロモ−２−プロペニル、２，３−ジブロモ−２−プロペニル、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル、３，４，４−トリブロモ−３−ブテニルなどの同一または異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に二重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルケニル基を示す。
【００４９】
「Ｃ２−Ｃ４アルキニル基」とは例えば、プロパルギル、１−ブチン−３−イル、１−ブチン−３−メチル−３−イルなどの炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルキニル基を示し、「Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基」とは例えば、同一または異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルケニル基を示す。
【００５０】
「Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基」とは例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、２−メチルシクロペンチル、３−メチルシクロペンチル、シクロヘキシルなどの環状構造を有する炭素原子数３〜６個のシクロアルキル基を示し、「Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基」とは例えば、２，２，３，３−テトラフルオロシクロブチル、２−クロロシクロヘキシル、４−クロロシクロヘキシルなどの同一または異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された環状構造を有する炭素原子数３〜６個のシクロアルキル基を示す。
【００５１】
「Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基」とは例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロピルオキシ、イソプロピルオキシ、ｎ−ブチルオキシ、ｉ−ブチルオキシなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜３個のアルコキシ基を示し、「Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基」とは例えば、トリフルオロメトキシ、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルオキシ、２，２，２−トリフルオロエトキシ、２−クロロエトキシ，３−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ−２−ブチルオキシなどの同一または異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のハロアルコキシ基を示す。
【００５２】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基」とは例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、ｉ−プロピルチオ、シクロプロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、ｉ−ブチルチオ、ｓ−ブチルチオ、ｔ−ブチルチオ、シクロプロピルメチルチオなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基を示す。「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基」とは例えば、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、２，２，２−トリフルオロエチルチオ、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルチオ、ノナフルオロ−ｎ−ブチルチオ、ノナフルオロ−ｉ−ブチルチオ、ノナフルオロ−ｓ−ブチルチオ、４，４，４−トリフルオロ−ｎ−ブチルチオなどの同一または異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基を示す。
【００５３】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基」とは例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、ｎ−プロピルスルフィニル、ｉ−プロピルスルフィニル、シクロプロピルスルフィニル、ｎ−ブチルスルフィニル、ｉ−ブチルスルフィニルなどの直鎖状または分岐鎖状または環状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルフィニル基を示し、「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルフィニル、ペンタフルオロエチルスルフィニル、２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルフィニル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルフィニル、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−ｓ−ブチルスルフィニル、４，４，４−トリフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニルなどの同一または異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルフィニル基を示す。
【００５４】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基」とは例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ｎ−プロピルスルホニル、ｉ−プロピルスルホニル、シクロプロピルスルホニル、ｎ−ブチルスルホニル、ｉ−ブチルスルホニルなどの直鎖状または分岐鎖状または環状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルホニル基を示し、「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルホニル、ペンタフルオロエチルスルホニル、２，２，２−トリフルオロエチルスルホニル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルホニル、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−ｓ−ブチルスルホニルなどの同一または異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルホニル基を示す。
「アリールスルホニル基」とは例えば、フェニルスルホニル、ｐ−トルエンスルホニル、１−ナフチルスルホニル、２−ナフチルスルホニル、アントリルスルホニル、フェナントリルスルホニル、アセナフチレニルスルホニルなどの芳香環を有する炭素原子数６〜１４個のアリールスルホニル基を示す。
【００５５】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基」とは例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、ｉ−プロピルアミノ、ｎ−ブチルアミノ、シクロプロピルアミノなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数１〜４個のアルキルアミノ基を示し、「ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基」とは例えば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノなどの同一または異なっていてもよい直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基２つにより置換されたアミノ基を示す。
【００５６】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基」とは例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、イソプロピルカルボニル、シクロプロピルカルボニルなどの直鎖状、分岐鎖状または環状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニル基を示す。「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基」とは例えば、フルオロアセチル、ジフルオロアセチル、トリフルオロアセチル、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、ブロモアセチル、ヨードアセチル、３，３，３−トリフルオロプロピオニル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピオニルなどの同一または異なっていてもよい１以上のハロゲン原子により置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニル基を示す。
【００５７】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基」とは例えば、アセトキシ、プロピオニルオキシなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニルオキシ基を示し、「Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基」とは例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニルなどの直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルコキシカルボニル基を示す。
【００５８】
「Ｃ１−Ｃ６パーフルオロアルキル基」とは例えば、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ノナフルオロ−ｎ−ブチル、ノナフルオロ−２−ブチル、ノナフルオロ−ｉ−ブチル、パーフルオロ−ｎ−ペンチル、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基を示す。
「Ｃ１−Ｃ６パーフルオロアルキルチオ基」とは例えば、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルチオ、ノナフルオロ−ｎ−ブチルチオ、ノナフルオロ−２−ブチルチオ、ノナフルオロ−ｉ−ブチルチオ、パーフルオロ−ｎ−ペンチルチオ、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルチオなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルチオ基を示す。
「Ｃ１−Ｃ６パーフルオロアルキルスルフィニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルフィニル、ペンタフルオロエチルスルフィニル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルフィニル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルフィニル、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−２−ブチルスルフィニル、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルフィニル、パーフルオロ−ｎ−ペンチルスルフィニル、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルスルフィニルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルフィニル基を示す。
「Ｃ１−Ｃ６パーフルオロアルキルスルホニル基」とは例えば、トリフルオロメチルスルホニル、ペンタフルオロエチルスルホニル、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルホニル、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−２−ブチルスルホニル、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルホニル、パーフルオロ−ｎ−ペンチルスルホニル、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルスルホニルなどのフッ素原子により全て置換された直鎖状または分岐鎖状の炭素原子数１〜６個のアルキルスルホニル基を示す。
【００５９】
本発明における一般式（１）および一般式（３）等で表される化合物は、その構造式中に１個または複数個の不斉炭素原子または不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体が存在する場合もある。本発明は各々の光学異性体およびそれらが任意の割合で含まれる混合物をも全て包含するものである。
また、本発明における一般式（１）および一般式（３）等で表される化合物は、その構造式中に、炭素−炭素二重結合に由来する２種以上の幾何異性体が存在する場合もある。本発明は各々の幾何異性体が任意の割合で含まれる混合物をも全て包含する。
【００６０】
本発明の下記一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法は、下記一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式（３）で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでもよい。
【００６１】
【化１７】
2013150988.tif 000019
【００６２】
一般式（１）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示し、ｎ１は１〜５の整数を示す。前記Ｘが複数存在する場合、それぞれのＸは同一でも異なっていてもよい。
Ｇ１は酸素原子、または硫黄原子を示す。
【００６３】
Ｙはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。
前記Ｙが複数存在する場合、それぞれのＹは同一でも異なっていてもよい。
【００６４】
Ａは水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルフィニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、または下記一般式（２）で表される基を示す。
【００６５】
【化１８】
2013150988.tif 000020
【００６６】
一般式（２）中、Ｇ２は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または、無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
なお、一般式（１）における複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。
【００６７】
本発明における一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体は、殺虫剤として有用な一般式（１０）で表される化合物を製造する上で特に有用な製造中間体である。
一般式（１）における置換基Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基であり、好ましくはハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはジメチルアミノ基である。ｍは、１〜４の整数であり、より好ましくは１〜３の整数である。
【００６８】
また置換基Ａは、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、置換基を有するフェニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基または上記一般式（２）で表される基であることが好ましい。
一般式（２）中の置換基Ｇ２は酸素原子、または硫黄原子であり、好ましくは酸素原子である。
置換基Ｑ１は無置換のフェニル基、置換基を有するフェニル基、または無置換の複素環基、置換基を有する複素環基、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基であることが好ましい。
置換基Ｒ１は、水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基であることが好ましい。
【００６９】
置換基Ｙは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基であることが好ましい。ｎ１は１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数である。
【００７０】
前記一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体は、下記一般式（５）で表される芳香族アミド誘導体であることが好ましく、下記一般式（７）で表される芳香族アミド誘導体であることがより好ましい。
【００７１】
【化１９】
2013150988.tif 000021
【００７２】
一般式（５）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。
【００７３】
一般式（５）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基であることが好ましい。
【００７４】
一般式（７）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は前記一般式（５）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４とそれぞれ同義である。
【００７５】
一般式（７）で表される化合物は、例えば、２−アミノベンゾトリフルオリドと安息香酸誘導体とを原料として製造される。安息香酸誘導体は、２−クロロ−３−ニトロ安息香酸を原料として、ＷＯ２０１０／１８８５７号に記載の方法で製造することができる。
【００７６】
一般式（３）におけるＺ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。好ましくはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基であり、より好ましくはＣ１−Ｃ６パーフルオロアルキル基である。
Ｘａはヨウ素原子または臭素原子を示す。
【００７７】
一般式（４）におけるｎ２は１〜４の整数を示し、１〜３の整数であることが好ましい。
Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、好ましい態様も同様である。
Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
【００７８】
前記一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、下記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体であることが好ましく、下記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体であることがより好ましい。
【００７９】
【化２０】
2013150988.tif 000022
【００８０】
一般式（６）におけるＺ１は、前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、好ましい態様も同様である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（５）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
【００８１】
一般式（８）におけるＺ１は、前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、好ましい態様も同様である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（７）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
【００８２】
一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体と、一般式（３）で表されるハロアルキル化合物との反応に用いられる金属としては、リチウム、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、マンガン、タングステン、スズ、クロム、金、白金、銀、銅、鉄、ニッケル、コバルト、鉛、チタンおよびそれらの合金を例示することができる。中でも、銅、鉄、および亜鉛からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【００８３】
また上記反応に使用される金属塩としては、２価を示す鉄金属塩、具体的には硫酸アンモニウム鉄（ＩＩ）、フッ化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩ）、臭化鉄（ＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、シュウ酸鉄（ＩＩ）、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸カリウム、グルコン酸鉄（ＩＩ）ｎ水和物、硫酸トリス（１，１０−フェナントロリン）鉄（ＩＩ）、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）、ステアリン酸鉄（ＩＩ）、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸アンモニウム、フマル酸鉄（ＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩ）、ナフテン酸鉄（ＩＩ）、テトラフルオロホウ酸鉄（ＩＩ）、アミド硫酸鉄（ＩＩ）、酸化鉄（ＩＩ）チタン、硫酸鉄（ＩＩ）エチレン二アンモニウム、および１価を示す銅金属、具体的には塩化銅（Ｉ）、シアン化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、硫化銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、銅（Ｉ）トリフルオロメタンチオ−ル、チオシアン酸銅（Ｉ）、またはヨウ化サマリウム（ＩＩ）等を挙げることができる。その中でも塩化鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩ）水和物が好適である。
【００８４】
上記金属および金属塩は、単独で使用してもよいが、２種以上混合して使用することができる。その使用量は特に限定されないが、通常は反応原料である一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体に対し、０．０１倍モル当量〜５倍モル当量の範囲、好ましくは、１倍モル当量〜２倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すれば良い。
【００８５】
上記反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の有機塩基類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの炭酸塩類、リン酸一水素二カリウム、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩類、水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属アルコラート類などを挙げることができる。
その中でも、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類が特に好適に使用できる。
これらの塩基は、一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体に対して０．０１倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲、好ましくは５倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すればよい。
【００８６】
上記反応は、無溶媒で行ってもよく、また不活性溶媒の存在下で行ってもよい。
不活性溶媒の存在下で行う場合の不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば特に制限されない。例えば、水；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等の鎖状または環状エーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒を示すことができる。これらの溶媒は単独もしくは２種以上混合して使用することができる。
その中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類、ジメチルスルホキシドが特に好適に使用できる。
【００８７】
これらの不活性溶媒の使用量は、一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体に対して２重量倍〜２０重量倍の範囲、好ましくは５重量倍〜１５重量倍の範囲で適宜選択して使用すればよい。
【００８８】
上記反応における反応温度は、−２０℃〜２００℃の範囲、不活性溶媒を使用する場合はその沸点以下とすればよい。また反応時間は、数分間から９６時間の範囲でそれぞれ適宜選択すればよい。
【００８９】
上記反応における一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体に対する一般式（３）で表されるハロアルキル化合物の混合比に特に制限はない。経済性の観点から、１倍モル当量〜３倍モル当量が好ましい。
【００９０】
前記に示した製造方法において、目的物である一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すれば良いが、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留などの操作を行い精製することができる。
【００９１】
本発明の一般式（１０）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法は、下記一般式（７ａ）で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式（３）で表されるハロアルキル化合物とを、塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させて下記一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る第一の工程と、前記一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下で、ハロゲン化する第二の工程とを含む。前記製造方法は必要に応じてその他の工程を更に含んでいてもよい。
【００９２】
【化２１】
2013150988.tif 000023
【００９３】
一般式（７ａ）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３は前記一般式（５）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３とそれぞれ同義である。
【００９４】
一般式（９）におけるＺ１は一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３は前記一般式（７ａ）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３とそれぞれ同義である。
【００９５】
前記第一の工程の詳細については、既述の一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法と同様である。
【００９６】
前記第二の工程では、一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下にハロゲン化することで、一般式（１０）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体が製造される。前記第二の工程は例えば、一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体とハロゲン化剤とを塩基性条件下、不活性溶媒中または無溶媒で行うことができる。
【００９７】
ハロゲン化剤としては、水素原子を塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子に変換可能であれば特に制限はない。具体的に例えば、塩素、臭素、ヨウ素、塩化スルフリル、Ｎ−クロロスクシンイミド、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−ヨードスクシンイミド、一塩化ヨウ素、１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン、１，３−ジヨード−５，５−ジメチルヒダントインなどを示すことができる。
【００９８】
上記反応におけるハロゲン化剤の使用量は、一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体に対して１．０倍モル当量〜５倍モル当量が好ましく、１．０１倍モル当量〜１．５倍モル当量がより好ましい。
【００９９】
上記反応に使用される不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば特に制限されない。例えば、水；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等の鎖状または環状エーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒を示すことができる。これらの溶媒は単独もしくは２種以上混合して使用することができる。
その中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類；ジメチルスルホキシドが特に好適に使用できる。
【０１００】
これらの不活性溶媒の使用量は、一般式（９）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体に対して２重量倍〜１０重量倍の範囲、好ましくは３重量倍〜８重量倍の範囲で適宜選択して使用すればよい。
【０１０１】
また、上記反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジンなどの有機塩基類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの水酸化アルカリ金属類、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウムなどの炭酸塩類、リン酸一水素二カリウム、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩類、水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシドなどのアルカリ金属アルコラート類などを挙げることができる。
その中でも、水素化ナトリウムなどの水素化アルカリ金属塩類、水酸化ナトリウムなどの水酸化アルカリ金属類が特に好適に使用できる。
これらの塩基は、一般式（９）で表される芳香族アミド誘導体に対して０．０１倍モル当量〜５倍モル当量の範囲、好ましくは１倍モル当量〜３倍モル当量の範囲で適宜選択して使用すればよい。
【０１０２】
反応温度は、例えば−２０℃〜２００℃の範囲、不活性溶媒を使用する場合はその沸点以下とすればよい。また反応時間は、数分間から９６時間の範囲でそれぞれ適宜選択すればよい。
【０１０３】
前記に示した製造方法において、目的物は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すれば良いが、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留などの操作を行い精製することができる。
【０１０４】
以下、第１表から第３表に本発明の有効中間体である一般式（７）で表される化合物の代表的な化合物を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｈ」は水素原子を、「Ｆ」はフッ素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｉ」はヨウ素原子を、「ＣＦ３」はトリフルオロメチル基をそれぞれ表すものである。
【０１０５】
【化２２】
2013150988.tif 000024
【０１０６】
【表１】
2013150988.tif 000025
【０１０７】
【表２】
2013150988.tif 000026
【０１０８】
【表３】
2013150988.tif 000027
【０１０９】
【化２３】
2013150988.tif 000028
【０１１０】
【表４】
2013150988.tif 000029
【０１１１】
【表５】
2013150988.tif 000030
【０１１２】
【化２４】
2013150988.tif 000031
【０１１３】
【表６】
2013150988.tif 000032
【０１１４】
【表７】
2013150988.tif 000033
【０１１５】
【表８】
2013150988.tif 000034
【０１１６】
【表９】
2013150988.tif 000035
【０１１７】
【表１０】
2013150988.tif 000036
【０１１８】
【表１１】
2013150988.tif 000037
【０１１９】
【表１２】
2013150988.tif 000038
【０１２０】
【表１３】
2013150988.tif 000039
【０１２１】
【表１４】
2013150988.tif 000040
【０１２２】
【表１５】
2013150988.tif 000041
【０１２３】
【表１６】
2013150988.tif 000042
【０１２４】
【表１７】
2013150988.tif 000043
【０１２５】
以下、第４表から第５表に本発明の有効中間体である一般式（９）で表される化合物の代表的な化合物を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、表中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｈ」は水素原子を、「Ｆ」はフッ素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｉ」はヨウ素原子を、「ＣＦ３」はトリフルオロメチル基をそれぞれ表すものである。
【０１２６】
【化２５】
2013150988.tif 000044
【０１２７】
【表１８】
2013150988.tif 000045
【０１２８】
【表１９】
2013150988.tif 000046
【０１２９】
【表２０】
2013150988.tif 000047
【０１３０】
【化２６】
2013150988.tif 000048
【０１３１】
【表２１】
2013150988.tif 000049
【０１３２】
【表２２】
2013150988.tif 000050
【０１３３】
【表２３】
2013150988.tif 000051
【０１３４】
【表２４】
2013150988.tif 000052
【０１３５】
【表２５】
2013150988.tif 000053
【０１３６】
【表２６】
2013150988.tif 000054
【０１３７】
【表２７】
2013150988.tif 000055
【０１３８】
本発明のアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法により得られる一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体は、有害生物防除作用に卓効を示すアミド誘導体の製造方法において極めて有用な製造中間体である。
【実施例】
【０１３９】
以下、本発明を実施例を参照しつつより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
尚、１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値は、特に記載がない限り、テトラメチルシランを基準として低磁場側にｐｐｍ単位で示される。また「ｓ」は一重項を意味し、「ｄ」は二重項を意味し、「ｔ」は三重項を意味し、「ｍ」は多重項を意味し、「ｂｒｓ」は幅の広い一重項を意味する。また、特記しない限り「％」は質量基準である。【０１４０】
＜合成例１＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミドの製造］
２−（トリフルオロメチル）アニリン２６．８ｇ（１６６．３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３７．０ｇ（３６５．９ｍｍｏｌ）および２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライド１００．９ｇ（３６５．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）に加えて５０℃にて３時間攪拌した。反応溶液をフィルター濾過した後、濾液に水酸化ナトリウム１４．６ｇ（３６５．９ｍｍｏｌ）の水溶液（１２５ｍＬ）を加え、５０℃にて３０分攪拌した。減圧下、溶媒を留去した後、酢酸エチルで抽出して、炭酸カリウム水溶液および飽和食塩水で順次洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した。得られた固体をｎ−ヘキサンおよびイソプロピルエーテルで洗浄し、乾燥することにより表題化合物６３．２ｇ（収率９１％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、７０℃、δｐｐｍ）９．８１（１Ｈ，ｓ），７．８０−７．６９（２Ｈ，ｍ），７．６２−７．４９（４Ｈ，ｍ），７．３３−７．２１（６Ｈ，ｍ），３．３３（３Ｈ，ｓ）．【０１４１】
＜実施例１＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミドの製造］
粉状の水酸化ナトリウム０．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）と硫酸鉄（ＩＩ）・七水和物０．９３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇを加え、２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド１ｇ（２．４ｍｍｏｌ）およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル１ｇ（３．４ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇ溶液を加え、室温にて３時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した後、得られた反応液に水４０ｇを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．８９ｇ（収率６３％）を白色固体として得た。 
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δｐｐｍ）８．８６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），８．６８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ），８．０１（１Ｈ，ｓ），７．８８−７．８４（２Ｈ，ｍ），７．３６−７．２９（７Ｈ，ｍ），３．４８（３Ｈ，ｓ）．【０１４２】
＜実施例２＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミドの製造］
水素化ナトリウム（６０％品）６８．５ｍｇ（１．７１ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４ｇ、および上記で得られた２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミド１ｇ（１．７２ｍｍｏｌ）を加え、氷浴下、１０分間攪拌した。反応溶液にＮ−ブロモスクシンイミド０．３１ｇ（１．８０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．９３ｇ（収率８２％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，ｐｐｍ）δ  ８．１３（１Ｈ，ｓ），７．９７−８．０６（２Ｈ，ｍ），７．９０（１Ｈ，ｓ），７．４３−７．４５（１Ｈ，ｍ），６．９９−７．３３（６Ｈ，ｍ），３．５０（３Ｈ，ｓ）．【０１４３】
＜実施例２−１＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミドの製造］
水酸化ナトリウム１４０ｍｇ（３．４２ｍｍｏｌ）にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇ、および上記で得られた２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミド１ｇ（１．７２ｍｍｏｌ）を加え、室温下、１０分間攪拌した。反応溶液にＮ−ブロモスクシンイミド０．３４ｇ（１．９０ｍｍｏｌ）を加え、室温にて２時間攪拌した。反応溶液に水を加え、酢酸エチルで抽出した後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．６４ｇ（収率５６％）を白色固体として得た。【０１４４】
＜実施例３＞
［３−ニトロ−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミドの製造］
粉状の水酸化ナトリウム１．１ｇ（２７ｍｍｏｌ）と硫酸鉄（ＩＩ）・七水和物１．２ｇ（４．５ｍｍｏｌ）を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇを加え、３−ニトロ−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド１．０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル１．３ｇ（４．５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇ溶液を加え、室温にて３時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した後、得られた反応液に水４０ｇを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．４４ｇ（収率２８％）を赤色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，δｐｐｍ）１０．８２（１Ｈ＊４／５，ｂｒｓ），１０．７１（１Ｈ＊１／５，ｂｒｓ），８．７７（１Ｈ＊４／５，ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），８．７３（１Ｈ＊１／５，ｔ，Ｊ＝２．０Ｈｚ），８．５０−８．４６（１Ｈ，ｍ），８．３７−８．３４（１Ｈ，ｍ），８．２１−８．２０（１＊１／５Ｈ，ｍ），８．１４−８．１２（１＊４／５Ｈ，ｍ），７．９６−７．９４（２Ｈ，ｍ），７．９０−７．８５（１Ｈ，ｍ）．【０１４５】
＜実施例４＞
［３−シアノ−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミドの製造］
粉状の水酸化ナトリウム１．１ｇ（２９ｍｍｏｌ）と硫酸鉄（ＩＩ）・七水和物１．３ｇ（４．８ｍｍｏｌ）を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇを加え、３−シアノ−Ｎ−（２−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド１．０ｇ（３．５ｍｍｏｌ）およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル１．４ｇ（４．８ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５ｇ溶液を加え、室温にて３時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した後、得られた反応液に水４０ｇを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．９３ｇ（収率５９％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，δｐｐｍ）１０．６４（１Ｈ＊４／５，ｂｒｓ），１０．５１（１Ｈ＊１／５，ｂｒｓ），８．３６（１Ｈ＊４／５，ｓ），８．３０（１Ｈ＊１／５，ｓ），８．２３−８．２０（１Ｈ，ｍ），８．１３−８．０４（２Ｈ，ｍ），７．９４−７．８９（２Ｈ，ｍ），７．７９−７．７８（１Ｈ，ｍ）．【０１４６】
＜実施例５＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−メチル−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミドの製造］
粉状の水酸化ナトリウム０．５５ｇ（１４ｍｍｏｌ）と硫酸鉄（ＩＩ）・七水和物０．６４ｇ（２．３ｍｍｏｌ）を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３ｇを加え、２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−メチル−フェニル）ベンズアミド０．６０ｇ（１．７ｍｍｏｌ）およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル０．６８ｇ（２．３ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３ｇ溶液を加え、室温にて３時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した後、得られた反応液に水４０ｇを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．２６ｇ（収率３０％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δｐｐｍ）８．３５（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），８．０３−８．０１（１Ｈ，ｍ），７．４９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ），７．４３−７．３７（４Ｈ，ｍ），７．２６−７．２２（５Ｈ，ｍ），３．４９（３Ｈ，ｓ），２．３４（３Ｈ，ｓ）．【０１４７】
＜実施例６＞
［２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）フェニル）ベンズアミドの製造］
粉状の水酸化ナトリウム０．４７ｇ（１２ｍｍｏｌ）と硫酸鉄（ＩＩ）・七水和物０．５４ｇ（１．９ｍｍｏｌ）を氷浴下、黒く変色するまで攪拌する。変色後直ちに、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３ｇを加え、２―フルオロ―３―（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−フェニル）ベンズアミド０．６０ｇ（１．４ｍｍｏｌ）およびヨウ化ヘプタフルオロイソプロピル０．５７ｇ（１．９ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３ｇ溶液を加え、室温にて３時間攪拌した。得られた反応液をセライトろ過し、酢酸エチル５０ｍＬで洗浄した後、得られた反応液に水４０ｇを加え、抽出後、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別し、減圧下溶媒を留去した後、濃縮残渣をシリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、表題化合物０．０９２ｇ（収率１１％）を白色固体として得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，δｐｐｍ）８．９７（１Ｈ，ｂｒｓ），８．７０（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ），８．０１（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），７．８４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．６０−７．５９（１Ｈ，ｍ），７．４０−７．３６（３Ｈ，ｍ），７．２９−７．２２（４Ｈ，ｍ），３．５０（３Ｈ，ｓ）．【０１４８】
以上から、本発明のアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法により、短工程で目的とするアルキル化芳香族アミド誘導体を得ることができた。【０１４９】
日本出願第２０１２−０８５０５３の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月26日(2014.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2013150988.tif 000068
（一般式（１）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。
ｍは１〜４の整数を示し、ｎ１は１〜４の整数を示す。
Ｇ１は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、またはアセチルアミノ基を示す。
Ａは水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルフィニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、メチルスルホニルＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、アセチルアミノ基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基、または
下記一般式（２）
【化２】
2013150988.tif 000069
（一般式（２）中、Ｇ２は酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。）で表される基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体と、下記一般式（３）
【化３】
2013150988.tif 000070
（一般式（３）中、Ｚ１はＣ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を示す。Ｘａはヨウ素原子または臭素原子を示す。）で表されるハロアルキル化合物とを、
塩基、および金属または金属塩の存在下で反応させる工程を含む、下記一般式（４）
【化４】
2013150988.tif 000071
（一般式（４）中、ｎ２は１〜４の整数を示す。Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義であり、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ、およびＡとそれぞれ同義である。）
で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項２】
前記一般式（１）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（５）
【化５】
2013150988.tif 000072
（一般式（５）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（１）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（４）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（６）
【化６】
2013150988.tif 000073
（一般式（６）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡは前記一般式（５）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、およびＡとそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記一般式（５）で表される芳香族アミド誘導体が下記一般式（７）
【化７】
2013150988.tif 000074
（一般式（７）中、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（２）におけるＧ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は前記一般式（５）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４とそれぞれ同義である。）で表される芳香族アミド誘導体であり、前記一般式（６）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体が、下記一般式（８）
【化８】
2013150988.tif 000075
（一般式（８）中、Ｚ１は前記一般式（３）におけるＺ１と同義である。Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１は前記一般式（７）におけるＹ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、およびＲ１とそれぞれ同義である。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の製造方法により前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を得る工程と、
前記一般式（８）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体を塩基性条件下でハロゲン化する工程とを含む、下記一般式（１０）
【化９】
2013150988.tif 000076
（一般式（１０）中、Ｚ２はハロゲン原子を示す。Ｘ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１は前記一般式（８）におけるＸ、ｍ、Ｇ１、Ｇ２、Ｑ１、Ｒ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＺ１とそれぞれ同義である。）で表されるハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法であって、前記一般式（８）において、Ｙ４は水素原子である、ハロゲン化芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項５】
下記一般式（７）
【化１０】
2013150988.tif 000077
（一般式（７）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１は水素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示し、Ｙ２およびＹ３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示し、Ｙ４は水素原子、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。ただし、Ｙ１およびＹ４の少なくとも一方は水素原子ではない。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６のアルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表される芳香族アミド誘導体。
【請求項６】
下記一般式（９）
【化１１】
2013150988.tif 000078
（一般式（９）中、Ｘはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、またはジメチルアミノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。
Ｇ１およびＧ２はそれぞれ独立に、酸素原子、または硫黄原子を示す。
Ｙ１、Ｙ２、およびＹ３はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、またはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を示す。
Ｚ１はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｒ１は水素原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、またはＣ１−Ｃ６ハロアルキル基を示す。
Ｑ１はＣ１−Ｃ６ハロアルキル基、
無置換のフェニル基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有するフェニル基、または
無置換の複素環基、もしくはハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル基、Ｃ３−Ｃ６ハロシクロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、アセチルアミノ基、およびフェニル基からなる群より選択される１以上の同一または異なっていてもよい置換基を有する複素環基を示す。
前記複素環基は、ピリジル基、ピリジン−Ｎ−オキシド基、ピリミジニル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、またはテトラゾリル基を示す。）で表されるアルキル化芳香族アミド誘導体。
【請求項７】
前記一般式（９）におけるＹ１がＣ１−Ｃ２ハロアルキル基であり、Ｙ２およびＹ３がそれぞれ水素原子であり、Ｚ１がＣ１―Ｃ６ハロアルキル基であり、Ｘがハロゲン原子である請求項６に記載のアルキル化芳香族アミド誘導体。
【国際調査報告】
2013150988.tif 000079
2013150988.tif 000080
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