(57)【要約】  有機ＥＬ装置において、基板上の接続スペース内で隣接端子間短絡のリスクを低減させることができる。  基板２と、基板２上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子１Ｕと、基板２上に設けられ、有機ＥＬ素子１Ｕの電極に電気的に接続された複数の接続端子４と、接続端子４と接続端子４間の基板２上を覆う絶縁性のカバー層１０と、異方性導電層２０を介して実装され、接続端子４と電気的に接続される被接続端子３Ａを備える実装部品３とを備え、異方性導電層２０は、接続端子４と被接続端子３Ａを電気的に接続する導電性粒子２２を備え、導電性粒子２２は、カバー層１０を貫通して接続端子４と被接続端子３Ａを電気的に接続する。
2013128621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子と、
前記基板上に設けられ、前記有機ＥＬ素子の電極に電気的に接続された複数の接続端子と、
前記接続端子と前記接続端子間の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層と、
異方性導電層を介して実装され、前記接続端子と電気的に接続される被接続端子を備える実装部品とを備え、
前記異方性導電層は、前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続する導電性粒子を備え、
前記導電性粒子は、前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記異方性導電層は、前記基板と前記実装部品を物理的に接合させる絶縁性の接合層を備え、前記導電性粒子は該接合層内に分散されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記基板と前記実装部品の圧着によって、前記導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記接続端子及び前記カバー層は、前記基板と前記実装部品が接続されている接続スペースに配置されていることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記カバー層は、前記有機ＥＬ素子を前記基板との間で封止する封止膜によって形成されることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記カバー層は、無機物を含むことを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記カバー層は、アルミニウム酸化物膜を含むことを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記カバー層は、原子層成長法（ＡＬＤ）によって成膜された層であることを特徴とする請求項５記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記異方性導電層は、熱圧着性の異方性導電フィルムであることを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記異方性導電層の接合層は、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項２記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
前記導電性粒子の直径が前記カバー層の層厚よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
前記導電性粒子は、表面又は全体形状に角部を有することを特徴とする請求項１１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１３】
前記接続端子は複数層の積層構造であることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１４】
基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、
前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、
前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、
前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、
前記有機ＥＬ素子を前記基板との間で封止する封止膜を形成することで、該封止膜によって、前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、
前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、
前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子を備えた自発光装置（有機ＥＬ装置）は、例えば携帯電話の表示画面，車載用或いは家庭用電子機器のモニタ画面，パーソナルコンピュータやテレビジョン受像装置の情報表示画面，宣伝用点灯パネルなどに用いられる各種表示装置として、スキャナやプリンタなどに用いられる各種光源として、一般照明や液晶表示装置のバックライトなどに用いられる照明装置として、また、光電変換機能を利用した光通信用デバイスとして、各種用途及び機種に利用可能なものである。【０００３】
有機ＥＬ装置は、基板上に有機ＥＬ素子が配置されており、有機ＥＬ素子は封止部材によって気密に封止される封止領域内に配置されている。有機ＥＬ素子の電極は、封止領域の外に引き出された引出電極に接続されており、引出電極は基板の周縁に設けられる接続スペースで駆動素子や配線基板に接続される。【０００４】
引出電極と駆動素子や配線基板との接続は、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電フィルム）工法や共晶工法が一般に採用されている。下記特許文献１に記載された従来技術では、封止部材の外側における基板上に有機ＥＬ素子に接続される回路パターンが形成され、この回路パターンに対してＩＣチップの実装（ＣＯＧ）やフレキシブルプリント基板の実装（ＦＰＣ）を行い、回路パターンの露出する部分に樹脂を塗布することが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２８９６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
有機ＥＬ装置においては、基板上の有機ＥＬ素子が配置されている素子形成スペースが発光を得るための有効スペースであり、その外側のスペースは発光が得られない所謂額縁スペースになる。有機ＥＬ装置を電子機器や自動車内などの限られたスペースに搭載させる際には、有効スペースである素子形成スペースをできるだけ大きくし、額縁スペースをできるだけ狭くすることが求められる。【０００７】
有機ＥＬ装置において前述した額縁スペースを狭くするためには、封止領域外側の接続スペースを狭くせざるを得ない。接続スペースを狭くすると、異方性導電層を用いたＣＯＧやＦＰＣ実装において、導電性粒子が狭い接続スペース内で接続端子の存在する接続領域から接続端子の存在しない非接続領域に流動して、非接続領域での導電性粒子の過密化が生じる。これによると、非接続領域内で導電性粒子が連なり、接続スペース内の隣接端子間で短絡不良が生じ易くなる問題が生じる。これのような隣接端子間短絡は、高解像度を得るために有機ＥＬ素子の電極間隔を密にした場合には更に問題が顕在化することになる。【０００８】
一方、前述した接続スペースにおいては、封止領域から接続端子を引き出して露出させることで、ＣＯＧやＦＰＣ実装が可能になる。これに対して、有機ＥＬ素子の封止を封止膜によって行う場合には、接続スペースの接続端子を露出させるために、封止膜の成膜工程に先立って接続スペースを覆うマスクパターンを形成するか、或いは、封止膜の成膜工程後に接続スペース上の封止膜を除去（リフトオフ）することが必要になる。何れの方法による場合も、封止膜の成膜工程に加えて接続端子を露出させるための別工程が必要になり、その工程を実行するための設備が必要になるので、これによってタクト時間の延長と製造コストの高額化が避けられない問題が生じる。【０００９】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、有機ＥＬ装置において、基板上の接続スペース内で隣接端子間短絡のリスクを低減させることができること、有機ＥＬ素子の封止を封止膜によって行う場合に、接続スペースにおける接続端子の露出に要する工程と設備を排除し、タクト時間の延長と製造コストの高額化を避けることができること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するために、本発明による有機ＥＬ装置及びその製造方法は、以下の構成を少なくとも具備するものである。【００１１】
基板と、前記基板上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子と、前記基板上に設けられ、前記有機ＥＬ素子の電極に電気的に接続された複数の接続端子と、前記接続端子と前記接続端子間の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層と、異方性導電層を介して実装され、前記接続端子と電気的に接続される被接続端子を備える実装部品とを備え、前記異方性導電層は、前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続する導電性粒子を備え、前記導電性粒子は、前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置。【００１２】
基板上に有機ＥＬ素子を形成すると共に、該有機ＥＬ素子の電極に接続される接続端子を前記基板上の接続スペースに形成する工程と、前記接続端子と前記接続スペース内の前記基板上を覆う絶縁性のカバー層を形成する工程と、前記接続スペースに異方性導電層を介して実装部品を実装する実装工程を有し、前記実装工程では、前記基板と前記実装部品とを圧着することで、前記異方性導電層の導電性粒子が前記カバー層を貫通して前記接続端子と前記実装部品の被接続端子を電気的に接続することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示した説明図である（図１（ａ）がＣＯＧ実装の例であり、図１（ｂ）がＦＰＣ実装の例である）。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の部分断面図であり、図１（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図を示している。
【図３】図２におけるＸ１−Ｘ１断面図であり、接続スペース内の接続構造を拡大して示した説明図である。
【図４】本発明の実施形態における好ましい導電性粒子の形態例を模式的に示した説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。本発明の実施形態は図示の内容を含むがこれのみに限定されるものではない。図１は本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示した説明図である（図１（ａ）がＣＯＧ実装の例であり、図１（ｂ）がＦＰＣ実装の例である）。図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の部分断面図であり、図１（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図を示している。図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ異なる形態例の断面図を示している。【００１５】
有機ＥＬ装置１は、基板２と、基板２上に形成された一つ又は複数の有機ＥＬ素子１Ｕと、基板２上に実装された実装部品３を備える。実装部品３としては、例えば、図１（ａ）に例示すような半導体チップ３−１や図１（ｂ）に例示すようなフレキシブルプリント基板３−２を挙げることができるが、特にこれらに限定されるものではない。【００１６】
基板２上には、有機ＥＬ素子１Ｕが形成される素子形成スペース２ａが設けられ、その素子形成スペース２ａの外側に接続スペース２ｂが設けられる。接続スペース２ｂには、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（下部電極１１又は上部電極１３）に電気的に接続される複数の接続端子４が設けられる。接続端子４は、素子形成スペース２ａ内の有機ＥＬ素子１Ｕの電極（下部電極１１又は上部電極１３）と引出配線５や補助電極などを介して電気的に接続されている。また、ここで言う有機ＥＬ素子の電極に接続される複数の接続端子には、アクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ装置におけるＴＦＴに接続された接続端子も含まれる。この場合は、接続端子はＴＦＴを介して有機ＥＬ素子に間接的に接続されている。また、接続端子４は、金や銅などでメッキ等の処理がなされた複数層構造でもよい。これによって接続端子４による配線の低抵抗化を実現できる。【００１７】
基板２上の素子形成スペース２ａ内に形成される有機ＥＬ素子１Ｕは、基板２と封止部材６との間で気密に封止されている。封止部材６としては、図２（ａ）に示すような封止基板６Ａを用い、接着層７を介して基板２と封止基板６Ａとを貼り合わせて基板２と封止基板６Ａとの間に封止空間６Ｓを形成するもの（中空封止）であってもよいし、図２（ｂ）に示すような封止膜６Ｂを用い、封止膜６Ｂが空間無く有機ＥＬ素子１Ｕの構成要素を覆うもの（膜封止）であってもよい。【００１８】
有機ＥＬ素子１Ｕは、図２（ａ），（ｂ）に示すように、基板２上に積層されている。この有機ＥＬ素子１Ｕは、下部電極１１と有機層１２と上部電極１３を少なくとも備えている。図示の例では、基板２上に下部電極１１が成膜され、その上に有機層１２が成膜され、さらにその上に上部電極１３が成膜されているが、基板２と下部電極１１の間にはいくつかの成膜層が存在していてもよく、下部電極１１、有機層１２、上部電極１３の間に他の層が積層されていてもよい。有機層１２は、一つの発光層によって構成されるか、発光するためのいくつかの機能層（正孔注入・輸送層，発光層，電子注入・輸送層など）によって構成される。図示の例では、有機ＥＬ素子１Ｕは、下部電極１１上における有機ＥＬ素子１Ｕ毎の発光領域を絶縁区画する絶縁膜１４と、絶縁膜１４上に形成され上部電極１３を絶縁区画する隔壁１５を備える。図示した有機ＥＬ素子１Ｕの構成例は一例であって、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子１Ｕの駆動方式は、パッシブ駆動方式、アクティブ駆動方式のいずれであってもよい。【００１９】
基板２上の接続スペース２ｂ内には、接続端子４と接続端子４間の基板２上を覆う絶縁性のカバー層１０が設けられる。図２（ａ）に示した例では、カバー層１０は接続スペース２ｂ内に単独で形成されている。図２（ｂ）に示した例では、カバー層１０は封止膜６Ｂを延設することで形成されている。この例では、封止膜６Ｂを基板２の全体に形成することで、接続スペース２ｂ内にカバー層１０を形成することができる。接続スペース２ｂ内においては、異方性導電層２０を介して実装部品３が実装されており、接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとは異方性導電層２０の導電性粒子を介して電気的に接続されている。この際、接続端子４は金や銅などでメッキ等の処理がなされた複数層構造にすることができる。この場合、接続端子４の表面がカバー層１０によって覆われているため、腐食し易い金などの金属を接続端子４の表層に使用して積極的に端子の低抵抗化を図ることができる。【００２０】
図３は、図２におけるＸ１−Ｘ１断面図であり、接続スペース内の接続構造を拡大して示した説明図である。接続スペース２ｂにおいて、基板２と実装部品３との間に介在する異方性導電層２０は、基板２と実装部品３を物理的に接合させる接合層２１と接合層２１内に分散される導電性粒子２２を備える。異方性導電層２０としては、熱圧着性の異方性導電フィルム（ＡＣＦ）や、光硬化性樹脂からなる接合層２１に導電性粒子２２を分散させたものなどを用いることができる。【００２１】
基板２と実装部品３との圧着が行われる前には、接続スペース２ｂにおける接続端子４は、絶縁性のカバー層１０で個別に覆われることで絶縁区画された状態になっている。そのカバー層１０の上に異方性導電層２０が形成されて、基板２と実装部品３とが圧着されると、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２によってカバー層１０が貫通されることになる。これによって、接続端子４と被接続端子３Ａが対面した接続領域において、導電性粒子２２がカバー層１０を貫通した箇所で接続端子４と被接続端子３Ａとの電気的な接続がなされる。【００２２】
この際、隣接する接続端子４，４の間、或いは被接続端子３Ａ，３Ａの間の被接続領域では、導電性粒子２２に直接圧接力が加わることがないので、この領域では導電性粒子２２がカバー層１０を貫通することはない。【００２３】
このような構成を備えた有機ＥＬ装置１は、狭額縁化のために接続スペース２ｂが狭められて接続スペース２ｂの被接続領域内で導電性粒子２２の密度が高まる場合であっても、個々の接続端子４の側面は絶縁性のカバー層１０で覆われているので、導電性粒子２２が連なった状態になったとしても、隣接する接続端子４，４間での短絡不具合を回避することができる。【００２４】
基板２と実装部品３との圧接によって、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２がカバー層１０を貫通するための条件は、導電性粒子２２の硬度，粒径，形態とカバー層１０の材質，膜厚との相対関係で試験的に設定することができる。一つの条件としては、導電性粒子２２の直径がカバー層１０の層厚よりも大きいことが好ましい。しかしながら、接続端子４の表面や被接続端子３Ａの表面に微細な突起を設けることで、この条件を満たさなくても接続端子４と被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２がカバー層１０を貫通することは可能である。【００２５】
導電性粒子２２の形態の一条件としては、導電性粒子２２の表面又は全体形状に角部を有することが好ましい。図４は、好ましい導電性粒子２２の形態例を模式的に示している。図４（ａ），（ｂ）に示した例は、全体形状が三角形状又は多角形状であって、全体形状に角部を有している。図４（ｃ），（ｄ），（ｅ）に示した例は、表面に突起を有した形状であって、表面に部分的な角部を有している。【００２６】
以下に、前述した有機ＥＬ素子１Ｕの具体的な構成例について説明する。【００２７】
基板２は、光透過性であり、ガラスやプラスチックなど、有機ＥＬ素子１Ｕを支持することができる基材によって形成される。下部電極１１を形成する透明導電膜層は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide），酸化亜鉛系透明導電膜，ＳｎＯ2系透明導電膜，二酸化チタン系透明導電膜などの透明金属酸化物を用いることができる。【００２８】
下部電極１１が複数の電極にパターン形成されている場合は、各電極間の絶縁性を確保するために絶縁膜１４が設けられる。この絶縁膜１４は、ポリイミド樹脂，アクリル系樹脂，酸化シリコン，窒化シリコンなどの材料が用いられる。絶縁膜１４の形成は、絶縁膜１４の材料を下部電極１１がパターン形成された基板２上に成膜した後、下部電極１１上に有機ＥＬ素子１Ｕ毎の発光領域を形成する開口を形成するパターニングがなされる。具体的には、下部電極１１が形成された基板２にスピンコート法により所定の塗布厚となるように膜を形成し、露光マスクを用いて露光処理，現像処理を施すことにより、有機ＥＬ素子１Ｕの開口パターン形状を有する絶縁膜１４の層が形成される。この絶縁膜１４は、下部電極１１のパターン間を埋めると共にその側端部分を一部覆うように形成され、有機ＥＬ素子１Ｕをドットマトリクス状に配置する場合は格子状に形成される。【００２９】
隔壁１５が、マスク等を用いることなく上部電極１３のパターンを形成するため、或いは隣り合う上部電極１３を完全に電気的に絶縁するために、下部電極１１と交差する方向にストライプ状に形成される。具体的には、前述した絶縁膜１４の上に感光性樹脂等の絶縁材料を、有機ＥＬ素子１Ｕを形成する有機層１２と上部電極１３の膜厚の総和より厚い膜厚にスピンコート法等で塗布形成した後、この感光性樹脂膜上に下部電極１１に交差するストライプ状パターンを有するフォトマスクを介して紫外線等を照射し、層の厚さ方向の露光量の違いから生じる現像速度の差を利用して、側部が下向きのテーパ面を有する隔壁１５を形成する。【００３０】
有機層１２は、発光層を含む発光機能層の積層構造を有し、下部電極１１と上部電極１３の一方を陽極とし他方を陰極とすると、陽極側から順次、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などが選択的に形成される。有機層１２の成膜は乾式の成膜として真空蒸着法などが用いられ、湿式の成膜としては塗布や各種の印刷法が用いられる。【００３１】
有機層１２の形成例を以下に説明する。例えば先ず、ＮＰＢ（N,N-di(naphtalence)-N,N-dipheneyl-benzidene）を正孔輸送層として成膜する。この正孔輸送層は、陽極から注入される正孔を発光層に輸送する機能を有する。この正孔輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層したものであってもよい。また正孔輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングしてもよい。【００３２】
次に、正孔輸送層の上に発光層を成膜する。一例としては、抵抗加熱蒸着法により、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光層を、塗分け用マスクを利用してそれぞれの成膜領域に成膜する。赤（Ｒ）としてＤＣＭ１（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（４’−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン）等のスチリル色素等の赤色を発光する有機材料を用いる。緑（Ｇ）としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3） 等の緑色を発光する有機材料を用いる。青（Ｂ）としてジスチリル誘導体、トリアゾール誘導体等の青色を発光する有機材料を用いる。勿論、他の材料でも、ホスト−ゲスト系の層構成でも良く、発光形態も蛍光発光材料を用いてもりん光発光材料を用いたものであってもよい。【００３３】
発光層の上に成膜される電子輸送層は、抵抗加熱蒸着法等の各種成膜方法により、例えばアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3 ）等の各種材料を用いて成膜する。電子輸送層は、陰極から注入される電子を発光層に輸送する機能を有する。この電子輸送層は、１層だけ積層したものでも２層以上積層した多層構造を有してもよい。また、電子輸送層は、単一の材料による成膜ではなく、複数の材料により一つの層を形成しても良く、電荷輸送能力の高いホスト材料に電荷供与（受容）性の高いゲスト材料をドーピングして形成してもよい。【００３４】
有機層１２上に形成される上部電極１３は、こちらが陰極の場合には、陽極より仕事関数の小さい（例えば４ｅＶ以下）材料（金属，金属酸化物，金属フッ化物，合金等）を用いることができ、具体的には、アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属膜、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ2Ｏ3，ＮｉＯ，Ｍｎ2Ｏ5等の酸化物を使用できる。構造としては、金属材料による単層構造、ＬｉＯ2／Ａｌ等の積層構造等が採用できる。【００３５】
有機ＥＬ素子１Ｕを封止する封止部材６は、中空封止を行う封止基板６Ａとしては、ガラス基板や金属基板が用いられる。また、膜封止を行う封止膜６Ｂとしては、一例として、原子層成長法によって成膜される金属やケイ素の酸化物，窒化物，酸窒化物の単層又は多層膜を用いることができる。例えば、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）やＴＥＡ（トリエチルアルミニウム）、ＤＭＡＨ（ジメチルアルミニウム水素化物）等のアルキル系金属と、水や酸素、アルコール類との反応で得られるアルミニウム酸化物膜（例えば、Ａｌ2Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3膜）、ケイ素系材料の気化ガスと水の気化ガスとの反応で得られるケイ素酸化物膜（例えば、ＳｉＯ2膜）などを用いることができる。【００３６】
カバー層１０は、前述したように、導電性粒子２２の硬度，直径，形態との関係で適正な材料及び膜厚が選択されるが、封止膜６Ｂによってカバー層１０を形成する場合には、カバー層１０は、無機物、特に、Ａｌ2Ｏ3などのアルミニウム酸化物膜を含むことが好ましい。また、原子層成長法（ＡＬＤ）によって成膜された層であることが好ましい。【００３７】
図５及び図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示した説明図である。【００３８】
図５に示した例は、図２（ａ）に示した形態例に対応する製造工程を示している。先ず、基板２上に有機ＥＬ素子１Ｕを形成すると共に、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（上部電極１１，下部電極１３）に接続される接続端子４を基板２上の接続スペース２ｂに形成する（Ｓ１工程）。次に、有機ＥＬ素子１Ｕの封止を行う（Ｓ２工程）。この工程では、基板２と封止基板６Ａとを貼り合わせることで、封止空間６Ｓ内で有機ＥＬ素子１Ｕを封止する。【００３９】
次に、接続スペース２ｂにカバー層１０を形成し（Ｓ３工程）、その上に異方性導電層２０を形成する（Ｓ４工程）。異方性導電層２０の形成は、異方性導電層２０がフレキシブル配線基板など実装部品３と一体に形成されている場合は、実装部品３の被接続端子３Ａを接続スペース２ｂに配置することで行われる。異方性導電層２０を別途形成する場合には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）をカバー層１０が形成された接続スペース２ｂに配置する。または、カバー層１０が形成された接続スペース２ｂに導電性粒子２２が分散された接合層２１を塗布するか、或いは接合層２１を塗布した後に、接合層２１内に導電性粒子２２を分散させる。【００４０】
次に、接続スペース２ｂにおいて、基板２と実装部品３とを圧着する（Ｓ５工程）。基板２と実装部品３との間に介在する異方性導電層２０の接合層２１が熱溶融性の場合には、加熱しながら基板２と実装部品３との圧着を行う。接合層２１が光硬化性樹脂の場合には、樹脂が硬化しない条件下で基板２と実装部品３との圧着を行う。この圧着によって、基板２の接続端子４と実装部品３の被接続端子３Ａとの間に挟まる導電性粒子２２によってカバー層１０が貫通されることになり、接続端子４と被接続端子３Ａが対面した接続領域において導電性粒子２２を介して接続端子４と被接続端子３Ａとの電気的な接続がなされる。その後は、接合層２１を硬化させる（Ｓ６工程）。接合層２１が光硬化性樹脂の場合には、圧着状態を維持したまま、接合層２１に紫外線等の光を照射して接合層２１を硬化させる。【００４１】
図６に示した例は、図２（ｂ）に示した形態例に対応する製造工程を示している。先ず、前述した例と同様に、基板２上に有機ＥＬ素子１Ｕを形成すると共に、有機ＥＬ素子１Ｕの電極（上部電極１１，下部電極１３）に接続される接続端子４を基板２上の接続スペース２ｂに形成する（Ｓ１工程）。次に、有機ＥＬ素子１Ｕを封止する封止膜６Ｂを基板全体に成膜する。この際、有機ＥＬ素子１Ｕの封止が封止膜６Ｂによって成されると共に、封止膜６Ｂによって接続スペース２ｂにカバー層１０が形成される。以後の異方性導電膜形成工程（Ｓ３−１），実装部品圧着工程（Ｓ４−１），接合層硬化工程（Ｓ５−１）は、前述したＳ４工程，Ｓ５工程，Ｓ６工程と同様である。【００４２】
図６に示した製造方法によると、封止膜６Ｂによって有機ＥＬ素子１Ｕの封止を行うに際して、接続スペース２ｂにおいて接続端子４を露出させるための工程が不要になる。これによって、接続スペース２ｂにおける接続端子４の露出に要するタクト時間を削除することができると共に、その工程に要する設備を排除できるので、膜封止を行う有機ＥＬ装置１の製造工程の短縮化と製造コストの低減化が可能になる。【００４３】
以上、本発明の実施の形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施の形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。上述の各図で示した実施の形態は、その目的及び構成等に特に矛盾や問題がない限り、互いの記載内容を組み合わせることが可能である。また、各図の記載内容はそれぞれ独立した実施形態になり得るものであり、本発明の実施形態は各図を組み合わせた一つの実施形態に限定されるものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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