(57)【要約】  スプリアスの発生を抑制できる電子部品を提供することである。  積層体（１２）は、複数の絶縁体層（１８）が積層されて構成されている。ＬＣ並列共振器（ＬＣ１）は、積層体（１２）に設けられ、かつ、コイル（Ｌ１）及びコンデンサ（Ｃ１）により構成されており、ｘ軸方向から平面視したときに環状をなしている。コンデンサ（Ｃ１）は、コイル（Ｌ１）の一端に接続されているコンデンサ導体層（３０ａ）と、コイル（Ｌ１）の他端に接続され、かつ、コンデンサ導体層（３０ａ）よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている共振グランド導体層（３４）であって、絶縁体層（１８）を介してコンデンサ導体層（３０ａ）と対向している共振グランド導体層（３４）を含んでいる。外部電極（１５）は、ＬＣ並列共振器（ＬＣ１）よりもｚ軸方向の負方向側に設けられており、かつ、絶縁体層（１８）を介してコンデンサ導体層（３０ａ）と対向している。
2013099562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、積層方向の下側において実装面を有している積層体と、
前記積層体に設けられ、かつ、第１のコイル及び第１のコンデンサにより構成されている第１のＬＣ並列共振器であって、積層方向に直交する方向から平面視したときに環状をなしている第１のＬＣ並列共振器と、
第１のグランド導体層と、
を備えており、
前記第１のコンデンサは、
前記第１のコイルの一端に接続されている第１のコンデンサ導体層と、
前記第１のコイルの他端に接続され、かつ、前記第１のコンデンサ導体層よりも積層方向の上側に設けられている第２のグランド導体層であって、前記絶縁体層を介して該第１のコンデンサ導体層と対向している第２のグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第１のグランド導体層は、前記第１のＬＣ並列共振器よりも積層方向の下側に設けられており、かつ、前記絶縁体層を介して前記第１のコンデンサ導体層と対向していること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記電子部品は、
前記積層体に設けられ、かつ、第２のコイル及び第２のコンデンサにより構成されている第２のＬＣ並列共振器であって、積層方向に直交する方向から平面視したときに環状をなしている第２のＬＣ並列共振器と、
第３のグランド導体層と、
を更に備えており、
前記第２のコンデンサは、
前記第２のコイルの一端に接続されている第２のコンデンサ導体層と、
前記第２のコイルの他端に接続され、かつ、前記第２のコンデンサ導体層よりも積層方向の上側に設けられている第４のグランド導体層であって、前記絶縁体層を介して該第２のコンデンサ導体層と対向している第４のグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第３のグランド導体層は、前記第２のＬＣ並列共振器よりも積層方向の下側に設けられており、かつ、前記絶縁体層を介して前記第２のコンデンサ導体層と対向しており、
前記第１のＬＣ並列共振器及び前記第２のＬＣ並列共振器は、前記第１のコイルと前記第２のコイルとが電磁界結合していることにより、フィルタを構成していること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２のグランド導体層及び前記第４のグランド導体層は、１つの導体層により構成されていること、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１のグランド導体層及び前記第３のグランド導体層は、１つの導体層により構成されていること、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記電子部品は、
前記絶縁体層を介して前記第１のコンデンサ導体層及び前記第２のコンデンサ導体層と対向している結合導体層であって、積層方向において、該第１のコンデンサ導体層及び該第２のコンデンサ導体層と前記第１のグランド導体層及び前記第３のグランド導体層との間に設けられている結合導体層を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記電子部品は、
前記積層体に設けられ、かつ、第３のコイル及び第３のコンデンサにより構成されている第３のＬＣ並列共振器であって、積層方向に直交する方向から平面視したときに環状をなしている第３のＬＣ並列共振器を、
更に備えており、
前記第３のコンデンサは、
前記第３のコイルの一端に接続されている第３のコンデンサ導体層と、
前記第３のコイルの他端に接続され、かつ、前記第３のコンデンサ導体層よりも積層方向の下側に設けられている第５のグランド導体層であって、前記絶縁体層を介して該第３のコンデンサ導体層と対向している第５のグランド導体層と、
を含んでおり、
前記第３のＬＣ並列共振器は、前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器とに積層方向に直交する方向において挟まれており、
前記第１のＬＣ並列共振器、前記第２のＬＣ並列共振器及び前記第３のＬＣ並列共振器は、前記第１のコイルと前記第２のコイルと前記第３のコイルとが電磁界結合していることにより、フィルタを構成していること、
を特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記第２のグランド導体層、前記第４のグランド導体層及び前記第５のグランド導体層は、１つの導体層により構成されていること、
を特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１のグランド導体層は、前記実装面に設けられているグランド電極であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記電子部品は、
前記実装面に設けられているグランド電極を、
更に備えており、
前記第１のグランド導体層は、前記グランド電極に接続されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、ＬＣ並列共振器を内蔵している電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタが知られている。該積層帯域通過フィルタは、積層体及び複数のＬＣ並列共振器を備えている。積層体は、複数の誘電体層が積層されて構成されている。各ＬＣ並列共振器は、キャパシタ電極とインダクタ電極とにより構成されている。インダクタ電極は、ループ形状に形成されている。そして、各ＬＣ並列共振器のループ面同士が重なっている。以上のような積層帯域通過フィルタでは、ループ面同士が重なっているので、隣接するＬＣ並列共振器のインダクタ電極間の結合度を高くすることができ、広帯域化を図ることができる。【０００３】
ところで、特許文献１に記載の積層帯域通過フィルタでは、キャパシタ電極の自己共振が発生する。そのため、自己共振が発生する周波数において、積層帯域通過フィルタのインピーダンスが低くなり、スプリアス（高周波帯域における不要波）が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／１１９３５６号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、スプリアスの発生を抑制できる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、積層方向の下側において実装面を有している積層体と、前記積層体に設けられ、かつ、第１のコイル及び第１のコンデンサにより構成されている第１のＬＣ並列共振器であって、積層方向に直交する方向から平面視したときに環状をなしている第１のＬＣ並列共振器と、第１のグランド導体層と、を備えており、前記第１のコンデンサは、前記第１のコイルの一端に接続されている第１のコンデンサ導体層と、前記第１のコイルの他端に接続され、かつ、前記第１のコンデンサ導体層よりも積層方向の上側に設けられている第２のグランド導体層であって、前記絶縁体層を介して該第１のコンデンサ導体層と対向している第２のグランド導体層と、を含んでおり、前記第１のグランド導体層は、前記第１のＬＣ並列共振器よりも積層方向の下側に設けられており、かつ、前記絶縁体層を介して前記第１のコンデンサ導体層と対向していること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、スプリアスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図３】電子部品の等価回路図である。
【図４】第１の変形例に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図５】比較例に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。
【図６】第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。
【図７】第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。
【図８】第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。
【図９】第２の変形例に係る電子部品の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１０】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。図３は、電子部品１０の等価回路図である。図１及び図２において、ｚ軸方向は、積層方向を示す。また、ｘ軸方向は、電子部品１０の長辺に沿った方向を示し、ｙ軸方向は、電子部品１０の短辺に沿った方向を示す。ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向は互いに直交している。
【００１１】
電子部品１０は、図１及び図２に示すように、積層体１２、外部電極１４（１４ａ，１４ｂ），１５、接続電極１６（１６ａ，１６ｂ）、折り返し電極１７（１７ａ，１７ｂ）、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３及び結合導体層３６を備えている。
【００１２】
積層体１２は、図２に示すように、セラミック誘電体からなる絶縁体層１８（１８ａ〜１８ｊ）が積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ｚ軸方向の負方向側において実装面Ｓを有している。実装面Ｓは、電子部品１０が回路基板に実装される際に、該回路基板と対向する面である。
【００１３】
絶縁体層１８は、図２に示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１８ａ〜１８ｊは、ｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１８のｚ軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層１８のｚ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
【００１４】
外部電極１４ａは、図１に示すように、実装面Ｓに設けられており、入力電極として用いられる。より詳細には、外部電極１４ａは、絶縁体層１８ｊの裏面に設けられており、Ｔ字型をなしている。外部電極１４ａは、絶縁体層１８ｊのｘ軸方向の負方向側の短辺の中央に引き出されている。
【００１５】
外部電極１４ｂは、図１に示すように、実装面Ｓに設けられており、出力電極として用いられる。より詳細には、外部電極１４ｂは、絶縁体層１８ｊの裏面において外部電極１４ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、Ｔ字型をなしている。外部電極１４ｂは、絶縁体層１８ｊのｘ軸方向の正方向側の短辺の中央に引き出されている。
【００１６】
外部電極１５（第１のグランド導体層及び第３のグランド導体層）は、実装面Ｓに設けられており、グランド電極として用いられる。より詳細には、外部電極１５は、絶縁体層１８ｊの裏面に設けられており、ｙ軸方向に延在する長方形状をなしている。外部電極１５は、ｘ軸方向の両側から外部電極１４ａ，１４ｂに挟まれている。
【００１７】
ＬＣ並列共振器ＬＣ１（第１のＬＣ並列共振器）は、積層体１２に設けられ、かつ、コイルＬ１（第１のコイル）及びコンデンサＣ１（第１のコンデンサ）により構成されている。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、ビアホール導体ｖ１〜ｖ１１、コイル導体層２０ａ，２２ａ，２４ａ、コンデンサ導体層３０ａ（第１のコンデンサ導体層）及び共振グランド導体層３４（第２のグランド導体層及び第４のグランド導体層）からなり、ｘ軸方向から平面視したときに長方形状の環状をなしている。
【００１８】
コイルＬ１は、ビアホール導体ｖ１〜ｖ１１及びコイル導体層２０ａ，２２ａ，２４ａにより構成されている。ビアホール導体ｖ１〜ｖ５はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。
【００１９】
ビアホール導体ｖ６〜ｖ１１はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｇをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｖ６〜ｖ１１は、ビアホール導体ｖ１〜ｖ５よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。
【００２０】
コイル導体層２０ａは、絶縁体層１８ｂの表面上に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２０ａのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ１のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２０ａのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ６のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００２１】
コイル導体層２２ａは、絶縁体層１８ｃの表面上に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２２ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ａと一致した状態で重なっている。コイル導体層２２ａのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２２ａのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ７のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ６のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００２２】
コイル導体層２４ａは、絶縁体層１８ｄの表面上に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２４ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ａ，２２ａと一致した状態で重なっている。コイル導体層２４ａのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ３のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２４ａのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ８のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ７のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。以上のように、コイル導体層２０ａ，２２ａ，２４ａは、並列接続されている。
【００２３】
以上のように、コイルＬ１は、ビアホール導体ｖ１１のｚ軸方向の負方向側の端部を一端とし、ビアホール導体ｖ５のｚ軸方向の負方向側の端部を他端とするコ字型をなしている。
【００２４】
コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層３０ａ及び共振グランド導体層３４により構成されている。
【００２５】
共振グランド導体層３４は、絶縁体層１８ｇの表面上に設けられており、絶縁体層１８ｇの略全面を覆っている導体層である。共振グランド導体層３４には、ビアホール導体ｖ５のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、共振グランド導体層３４は、コイルＬ１の他端に接続されている。
【００２６】
コンデンサ導体層３０ａは、絶縁体層１８ｈの表面上に設けられており、２つの長方形が連結された形状をなす導体層である。すなわち、コンデンサ導体層３０ａは、ＬＣ並列共振器ＬＣ１においてｚ軸方向の最も負方向側に設けられている。これにより、共振グランド導体層３４は、コンデンサ導体層３０ａよりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。そして、コンデンサ導体層３０ａと共振グランド導体層３４とは、絶縁体層１８ｇを介して対向している。よって、コンデンサ導体層３０ａと共振グランド導体層３４との間には、静電容量が形成されている。コンデンサ導体層３０ａには、ビアホール導体ｖ１１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、コンデンサ導体層３０ａは、コイルＬ１の一端に接続されている。
【００２７】
以上のように、コンデンサＣ１は、コンデンサ導体層３０ａと共振グランド導体層３４との間に形成されている静電容量により構成されている。
【００２８】
引き出し導体層２６ａは、絶縁体層１８ｅの表面に設けられており、Ｌ字型をなしている。引き出し導体層２６ａは、絶縁体層１８ｅのｘ軸方向の負方向側の短辺の中央からｘ軸方向の正方向側に延在し、更に、ｙ軸方向の負方向側に折り返されている。また、引き出し導体層２６ａには、ビアホール導体ｖ９のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ８のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００２９】
接続電極１６ａは、図１に示すように、積層体１２のｘ軸方向の負方向側の端面に設けられ、ｚ軸方向に延在している。接続電極１６ａのｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１４ａと接続されている。また、引き出し導体層２６ａは、外部電極１４ａに接続されている。これにより、外部電極１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１とが電気的に接続されている。
【００３０】
折り返し電極１７ａは、絶縁体層１８ａの表面上に設けられており、絶縁体層１８ａのｘ軸方向の負方向側の短辺の中央からｘ軸方向の正方向側に向かって延在している。折り返し電極１７ａは、接続電極１６ａに接続されている。
【００３１】
ＬＣ並列共振器ＬＣ２（第２のＬＣ並列共振器）は、積層体１２に設けられ、かつ、コイルＬ２（第２のコイル）及びコンデンサＣ２（第２のコンデンサ）により構成されている。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、積層体１２のｘ軸方向の両端の端面の中間に位置する平面であって、ｘ軸及びｚ軸に平行な平面に関してＬＣ並列共振器ＬＣ１と面対称な構造を有している。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ビアホール導体ｖ２１〜ｖ３１、コイル導体層２０ｂ，２２ｂ，２４ｂ、コンデンサ導体層３０ｂ（第２のコンデンサ導体層）及び共振グランド導体層３４（第４のグランド導体層）からなり、ｘ軸方向から平面視したときに長方形状の環状をなしている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、ｘ軸方向から平面視したときに、ＬＣ並列共振器ＬＣ１と重なっている。
【００３２】
コイルＬ２は、ビアホール導体ｖ２１〜ｖ３１及びコイル導体層２０ｂ，２２ｂ，２４ｂにより構成されている。ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２５はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。
【００３３】
ビアホール導体ｖ２６〜ｖ３１はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｇをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｖ２６〜ｖ３１は、ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２５よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。
【００３４】
コイル導体層２０ｂは、絶縁体層１８ｂの表面上において、コイル導体層２０ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２０ｂのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２１のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２０ｂのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２６のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００３５】
コイル導体層２２ｂは、絶縁体層１８ｃの表面上においてコイル導体層２２ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２２ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ｂと一致した状態で重なっている。コイル導体層２２ｂのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２２のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２２ｂのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２７のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２６のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００３６】
コイル導体層２４ｂは、絶縁体層１８ｄの表面上においてコイル導体層２４ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ｂ，２２ｂと一致した状態で重なっている。コイル導体層２４ｂのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２３のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２２のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２４ｂのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ２８のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２７のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００３７】
以上のように、コイルＬ２は、ビアホール導体ｖ３１のｚ軸方向の負方向側の端部を一端とし、ビアホール導体ｖ２５のｚ軸方向の負方向側の端部を他端とするコ字型をなしている。
【００３８】
コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層３０ｂ及び共振グランド導体層３４により構成されている。
【００３９】
共振グランド導体層３４は、絶縁体層１８ｇの表面上に設けられており、絶縁体層１８ｇの略全面を覆っている導体層である。共振グランド導体層３４には、ビアホール導体ｖ２５のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、共振グランド導体層３４は、コイルＬ２の他端に接続されている。このように、コンデンサＣ１のグランド導体層とコンデンサＣ２のグランド導体層とは、１つの共振グランド導体層３４により構成されている。
【００４０】
コンデンサ導体層３０ｂは、絶縁体層１８ｈの表面上においてコンデンサ導体層３０ａよりもｘ軸方向の正方向側に設けられており、２つの長方形が連結された形状をなす導体層である。すなわち、コンデンサ導体層３０ｂは、ＬＣ並列共振器ＬＣ２においてｚ軸方向の最も負方向側に設けられている。これにより、共振グランド導体層３４は、コンデンサ導体層３０ｂよりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。そして、コンデンサ導体層３０ｂと共振グランド導体層３４とは、絶縁体層１８ｇを介して対向している。よって、コンデンサ導体層３０ｂと共振グランド導体層３４との間には、静電容量が形成されている。コンデンサ導体層３０ｂには、ビアホール導体ｖ３１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、コンデンサ導体層３０ｂは、コイルＬ２の一端に接続されている。
【００４１】
以上のように、コンデンサＣ２は、コンデンサ導体層３０ｂと共振グランド導体層３４との間に形成されている静電容量により構成されている。
【００４２】
引き出し導体層２６ｂは、絶縁体層１８ｅの表面に設けられており、Ｌ字型をなしている。引き出し導体層２６ｂは、絶縁体層１８ｅのｘ軸方向の正方向側の短辺の中央からｘ軸方向の負方向側に延在し、更に、ｙ軸方向の負方向側に折り返されている。また、引き出し導体層２６ｂには、ビアホール導体ｖ２９のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ２８のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００４３】
接続電極１６ｂは、図１に示すように、積層体１２のｘ軸方向の正方向側の端面に設けられ、ｚ軸方向に延在している。接続電極１６ｂのｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１４ｂと接続されている。また、引き出し導体層２６ｂは、外部電極１４ｂに接続されている。これにより、外部電極１４ｂとＬＣ並列共振器ＬＣ２とが電気的に接続されている。
【００４４】
折り返し電極１７ｂは、絶縁体層１８ａの表面上に設けられており、絶縁体層１８ａのｘ軸方向の正方向側の短辺の中央からｘ軸方向の負方向側に向かって延在している。折り返し電極１７ｂは、接続電極１６ｂに接続されている。
【００４５】
ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、積層体１２に設けられ、かつ、コイルＬ３及びコンデンサＣ３により構成されている。より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ビアホール導体ｖ４１〜ｖ４９、コイル導体層２０ｃ，２２ｃ，２４ｃ、コンデンサ導体層３２及び共振グランド導体層３４からなり、ｘ軸方向から平面視したときに長方形状の環状をなしている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２にｘ軸方向の両側から挟まれており、ｘ軸方向から平面視したときに、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２と重なっている。
【００４６】
コイルＬ３は、ビアホール導体ｖ４１〜ｖ４９及びコイル導体層２０ｃ，２２ｃ，２４ｃにより構成されている。ビアホール導体ｖ４１〜ｖ４４はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｅをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。
【００４７】
ビアホール導体ｖ４５〜ｖ４９はそれぞれ、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｖ４５〜ｖ４９は、ビアホール導体ｖ４１〜ｖ４４よりもｙ軸方向の負方向側に設けられている。
【００４８】
コイル導体層２０ｃは、絶縁体層１８ｂの表面上においてコイル導体層２０ａ，２０ｂの間に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２０ｃのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４１のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２０ｃのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４５のｚ軸方向の正方向側の端部が接続されている。
【００４９】
コイル導体層２２ｃは、絶縁体層１８ｃの表面上においてコイル導体層２２ａ，２２ｂの間に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２２ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ｃと一致した状態で重なっている。コイル導体層２２ｃのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４２のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ４１のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２２ｃのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４６のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ４５のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００５０】
コイル導体層２４ｃは、絶縁体層１８ｄの表面上においてコイル導体層２４ａ，２４ｂの間に設けられており、ｙ軸方向に延在している線状の導体層である。コイル導体層２４ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、コイル導体層２０ｃ，２２ｃと一致した状態で重なっている。コイル導体層２４ｃのｙ軸方向の正方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４３のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ４２のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。また、コイル導体層２４ｃのｙ軸方向の負方向側の端部には、ビアホール導体ｖ４７のｚ軸方向の正方向側の端部及びビアホール導体ｖ４６のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。
【００５１】
以上のように、コイルＬ３は、ビアホール導体ｖ４４のｚ軸方向の負方向側の端部を一端とし、ビアホール導体ｖ４９のｚ軸方向の負方向側の端部を他端とするコ字型をなしている。そして、コイルＬ１，Ｌ３と電磁界結合している。
【００５２】
コンデンサＣ３は、コンデンサ導体層３２及び共振グランド導体層３４により構成されている。コンデンサ導体層３２は、絶縁体層１８ｆの表面上に設けられており、長方形状をなす導体層である。コンデンサ導体層３２には、ビアホール導体ｖ４４のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、コンデンサ導体層３２は、コイルＬ３の一端に接続されている。
【００５３】
共振グランド導体層３４は、絶縁体層１８ｇの表面上に設けられることにより、コンデンサ導体層３２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。すなわち、共振グランド導体層３４は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３においてｚ軸方向の最も負方向側に設けられている。共振グランド導体層３４は、絶縁体層１８ｇの略全面を覆っている。これにより、コンデンサ導体層３２と共振グランド導体層３４とは、絶縁体層１８ｆを介して対向している。よって、コンデンサ導体層３２と共振グランド導体層３４との間には、静電容量が形成されている。また、共振グランド導体層３４には、ビアホール導体ｖ４９のｚ軸方向の負方向側の端部が接続されている。よって、共振グランド導体層３４は、コイルＬ３の他端に接続されている。このように、コンデンサＣ１のグランド導体層とコンデンサＣ２のグランド導体層とコンデンサＣ３のグランド導体層とは、１つの共振グランド導体層３４により構成されている。
【００５４】
結合導体層３６は、絶縁体層１８ｉの表面上に設けられており、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体層である。したがって、結合導体層３６は、ｚ軸方向において、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと外部電極１５との間に設けられている。また、結合導体層３６は、絶縁体層１８ｈを介してコンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと対向している。これにより、結合導体層３６とコンデンサ導体層３０ａ，３０ｂとの間にはそれぞれコンデンサＣ１０，Ｃ１１が形成される。これにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２が結合導体層３６を介して容量結合している。
【００５５】
また、外部電極１５は、絶縁体層１８ｊの裏面上に設けられることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。また、外部電極１５は、絶縁体層１８ｈ〜１８ｊを介してコンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと対向していると共に、絶縁体層１８ｉ，１８ｊを介して結合導体層３６と対向している。外部電極１５は、グランド導体層であり、マザーボード上のグランド電位が直接印加される。コンデンサ導体層３０ａと対向しているグランド導体層とコンデンサ導体層３０ｂと対向しているグランド導体層は、１つの外部電極１５により構成されている。
【００５６】
ビアホール導体ｖ１２〜ｖ１５は、絶縁体層１８ｇ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ１２のｚ軸方向の正方向側の端部は、共振グランド導体層３４に接続されている。ビアホール導体ｖ１５のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１５に接続されている。
【００５７】
ビアホール導体ｖ３２〜ｖ３５は、絶縁体層１８ｇ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ３２のｚ軸方向の正方向側の端部は、共振グランド導体層３４に接続されている。ビアホール導体ｖ３５のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１５に接続されている。
【００５８】
ビアホール導体ｖ６１〜ｖ６４は、絶縁体層１８ｇ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ６１のｚ軸方向の正方向側の端部は、共振グランド導体層３４に接続されている。ビアホール導体ｖ６４のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１５に接続されている。
【００５９】
ビアホール導体ｖ７１〜ｖ７４は、絶縁体層１８ｇ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。ビアホール導体ｖ７１のｚ軸方向の正方向側の端部は、共振グランド導体層３４に接続されている。ビアホール導体ｖ７４のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１５に接続されている。
【００６０】
以上のように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、ｘ軸方向から平面視したときに重なっている。そして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３を挟んでいる。これにより、図３に示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とが電磁界結合する。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とＬＣ並列共振器ＬＣ２のコイルＬ２とが電磁界結合する。更に、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂのそれぞれに対向する結合導体層３６が設けられることにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２とは、図３に示すように、容量結合している。以上のように構成されたＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、帯域通過フィルタを構成している。
【００６１】
次に、電子部品１０の動作の一例について、図１ないし図３を参照しながら説明する。例えば、正の電圧を持つ高周波信号Ｓｉｇ１が外部電極１４ａから入力された場合は、図３に示すように、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに流れる。
【００６２】
ＬＣ並列共振器ＬＣ１のコイルＬ１とＬＣ並列共振器ＬＣ３のコイルＬ３とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ１が、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ１において時計回りに流れると、高周波信号Ｓｉｇ３が、電磁誘導により、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ３において反時計回りに流れる。
【００６３】
ＬＣ並列共振器ＬＣ３とＬＣ並列共振器ＬＣ２とは、電磁界結合している。よって、高周波信号Ｓｉｇ３が、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ３において反時計回りに流れると、高周波信号Ｓｉｇ２が、電磁誘導により、ｘ軸方向の正方向側から平面視したときにＬＣ並列共振器ＬＣ２において時計回りに流れる。これにより、高周波信号Ｓｉｇ２は、外部電極１４ｂから出力される。
【００６４】
ここで、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３はそれぞれコイルＬ１〜Ｌ３及びコンデンサＣ１〜Ｃ３により定まる固有の共振周波数を有している。そして、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３のインピーダンスは、これらの共振周波数において高くなる。これにより、これらの共振周波数により定まる所定の周波数帯域の高周波信号Ｓｉｇ２が外部電極１４ｂから出力される。
【００６５】
更に、外部電極１４ａから高周波信号Ｓｉｇ１が入力され、外部電極１４ｂから高周波信号Ｓｉｇ２が出力されると、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂの自己共振により、電子部品１０の使用周波数帯域（以下、所定の周波数帯域と称す）でスプリアスが発生するおそれがある。そこで、電子部品１０では、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと外部電極１５とが対向している。これにより、自己共振により発生した高周波信号は、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂを介して外部電極１５へと流れるようになる。その結果、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂの自己共振により、所定周波数帯域で発生した高周波信号が外部電極１４ｂから出力されることが抑制され、スプリアスの発生が抑制されるようになる。
【００６６】
（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について図１及び図２を参照しながら説明する。
【００６７】
まず、絶縁体層１８となるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１８ｂ〜１８ｊとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ１５，ｖ２１〜ｖ３５，ｖ４１〜ｖ４９，ｖ６１〜ｖ６４，ｖ７１〜ｖ７４を形成する。具体的には、絶縁体層１８ｂ〜１８ｊとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００６８】
次に、絶縁体層１８ａ〜１８ｉとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、折り返し電極１７ａ，１７ｂ、コイル導体層２０ａ〜２０ｃ，２２ａ〜２２ｃ，２４ａ〜２４ｃ、引き出し導体層２６ａ，２６ｂ、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂ，３２、共振グランド導体層３４及び結合導体層３６を形成する。なお、コイル導体層２０ａ〜２０ｃ，２２ａ〜２２ｃ，２４ａ〜２４ｃ、引き出し導体層２６ａ，２６ｂ、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂ，３２、共振グランド導体層３４及び結合導体層３６の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
【００６９】
次に、絶縁体層１８ｊとなるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、外部電極１４ａ，１４ｂ，１５を形成する。なお、外部電極１４ａ，１４ｂ，１５の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
【００７０】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１８ｊとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。次に、絶縁体層１８ｊとなるべきセラミックグリーンシート上に絶縁体層１８ｉとなるべきセラミックグリーンシートを配置する。この後、絶縁体層１８ｉとなるべきセラミックグリーンシートを絶縁体層１８ｊとなるべきセラミックグリーンシートに対して圧着する。この後、絶縁体層１８ｈ，１８ｇ，１８ｆ，１８ｅ，１８ｄ，１８ｃ，１８ｂ，１８ａとなるべきセラミックグリーンシートについても同様にこの順番に積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着が施される。
【００７１】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。
【００７２】
以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工が施されて、面取りが行われる。
【００７３】
次に、導電性ペーストを塗布することによって、接続電極１６ａ，１６ｂを形成する。
【００７４】
最後に、外部電極１４ａ，１４ｂ，１５、接続電極１６ａ，１６ｂ及び折り返し電極１７ａ，１７ｂの表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施す。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０が完成する。
【００７５】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、所定の周波数帯域でのスプリアスの発生を抑制できる。より詳細には、電子部品１０では、グランド導体層である外部電極１５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２よりもｚ軸方向の最も負方向側に設けられており、かつ、絶縁体層１８ｈ〜１８ｊを介してコンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと対向している。その結果、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂにおいて自己共振が発生して高周波信号が発生しても、該高周波信号は、外部電極１５へと流れるようになる。その結果、自己共振により発生した高周波信号が外部電極１４ｂから出力されることが抑制され、所定の周波数帯域でのスプリアスの発生が抑制されるようになる。
【００７６】
また、電子部品１０では、以下の理由によって、所定の周波数帯域でのスプリアスの発生がより効果的に抑制される。より詳細には、電子部品１０では、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂがグランド導体層と対向していることによって、スプリアスの発生が抑制されている。ここで、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂと対向しているグランド導体層は、外部電極１５である。よって、グランド導体層と外部電極１５とが別々に設けられた場合のようにグランド導体層と外部電極１５との間にビアホール導体が設けられることはなく、グランド導体層と外部電極１５との間にインダクタ成分が形成されない。これにより、自己共振により発生した高周波信号は、グランド導体層と外部電極１５との間のインダクタ成分によって電子部品１０内に反射されることなく、外部電極１５から電子部品１０外へと出力される。以上より、電子部品１０では、所定の周波数帯域でのスプリアスの発生がより効果的に抑制される。
【００７７】
また、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２とが電磁界結合している。これにより、電子部品１０の高周波信号の通過特性において、減衰極の周波数を低くすることができる。
【００７８】
また、電子部品１０では、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２のコンデンサ導体層３０ａ，３０ｂは、共振グランド導体層３４よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、ＬＣ並列共振器ＬＣ３のコンデンサ導体層３２は、共振グランド導体層３４よりもｚ軸方向の正方向側に設けられている。よって、コンデンサ導体層３２は、結合導体層３６及びコンデンサ電極３０ａ，３０ｂと対向しない。そのため、結合導体層３６及びコンデンサ電極３０ａ，３０ｂと対向することにより、ＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３とは結合しない。その結果、電子部品１０の高周波信号の通過特性において、減衰極の周波数をより低くすることができる。
【００７９】
（第１の変形例）
以下に、変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図４は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。
【００８０】
電子部品１０ａは、絶縁体層１８ｉ、結合導体層３６及びビアホール導体ｖ１４，ｖ３４，ｖ６３，ｖ７３が設けられていない点で電子部品１０と相違する。結合導体層３６が設けられていないので、電子部品１０ａでは電子部品１０よりも、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との結合度が低い。
【００８１】
以上のように構成された電子部品１０ａも、電子部品１０と同様に、スプリアスの発生を抑制できる。
【００８２】
（シミュレーション）
本願発明者は、電子部品１０，１０ａが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図５は、比較例に係る電子部品の積層体１１１の分解斜視図である。図５では、説明に関係する参照符号のみを付した。
【００８３】
まず、比較例に係る電子部品について図５を参照しながら説明する。比較例に係る電子部品は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１０１〜ＬＣ１０３を備えている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１０１〜ＬＣ１０３はそれぞれ、コンデンサＣ１０１〜Ｃ１０３を含んでいる。ここで、コンデンサＣ１０１，Ｃ１０２のコンデンサ導体層１１２ａ，１１２ｂは、グランド導体層１１４よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、外部電極１１５ａ，１１５ｂと対向している。しかしながら、コンデンサ導体層１１２ａ，１１２ｂは、ｚ軸方向の負方向に設けられ、グランド電位が印加される外部電極１１６には対向していない。
【００８４】
まず、図２及び図４に示す構成を有する第１のモデル及び第２のモデルを作製した。また、図５に示す構成を有する第３のモデルを作製した。そして、第１のモデルないし第３のモデルにおいて、入力信号に対する出力信号の減衰量を調べた。図６は、第１のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図７は、第２のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図８は、第３のモデルのシミュレーション結果を示したグラフである。図６ないし図８において、縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。
【００８５】
第３のモデルでは、図８に示すように、１０ＧＨｚ付近においてスプリアスが発生していることが分かる。一方、第１のモデル及び第２のモデルでは、図６及び図７に示すように、１０ＧＨｚ付近においてスプリアスが発生していないことが分かる。以上より、電子部品１０，１０ａによれば、所定の周波数帯域でのスプリアスの発生が抑制されることが分かる。
【００８６】
また、第１のモデルの減衰極の周波数は、図６によれば、５ＧＨｚ程度であるのに対して、第２のモデルの減衰極の周波数は、図７によれば、３．５ＧＨｚ程度である。よって、結合導体層３６が設けられていることによって、電子部品１０の減衰極の周波数は、電子部品１０ａの減衰極の周波数よりも低く、通過帯域近傍の高周波側の減衰が急峻になっていることが分かる。
【００８７】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図９は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの分解斜視図である。
【００８８】
電子部品１０ｂは、接続電極１６ａ，１６ｂ、折り返し電極１７ａ，１７ｂ、絶縁体層１８ｅ、引き出し導体層２６ａ，２６ｂ、ビアホール導体ｖ４，ｖ９，ｖ２４，ｖ２９，ｖ４４，ｖ４８が設けられていない点、及び、ビアホール導体ｖ８０〜ｖ８４が設けられている点において電子部品１０と相違する。
【００８９】
より詳細には、電子部品１０ｂでは、外部電極は、外部電極１４ａ，１４ｂ，１５のみにより構成されている。そのため、引き出し導体層２６ａ，２６ｂは、不要である。更に、外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、絶縁体層１８ｊのｘ軸方向の負方向側の短辺及びｘ軸方向の正方向側の短辺に引き出されていなくてもよい。
【００９０】
ただし、外部電極１４ａとコイルＬ１及びコンデンサＣ１とを接続する必要があるので、ビアホール導体ｖ８０〜ｖ８２が設けられている。ビアホール導体ｖ８０〜ｖ８２は、絶縁体層１８ｈ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｖ８０のｚ軸方向の正方向側の端部は、コンデンサ導体層３０ａに接続されている。ビアホール導体ｖ８２のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１４ａに接続されている。
【００９１】
また、外部電極１４ｂとコイルＬ２及びコンデンサＣ２とを接続する必要があるので、ビアホール導体ｖ８３〜ｖ８５が設けられている。ビアホール導体ｖ８３〜ｖ８５は、絶縁体層１８ｈ〜１８ｊをｚ軸方向に貫通しており、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成している。また、ビアホール導体ｖ８３のｚ軸方向の正方向側の端部は、コンデンサ導体層３０ｂに接続されている。ビアホール導体ｖ８５のｚ軸方向の負方向側の端部は、外部電極１４ｂに接続されている。
【００９２】
以上のように構成された電子部品１０ｂは、電子部品１０と同じ等価回路を有している。また、電子部品１０ｂも、電子部品１０と同様に、スプリアスの発生を抑制できる。
【００９３】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品の構成は、前記実施形態に係る電子部品１０，１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
【００９４】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂでは、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂは、外部電極１５に対向していた。しかしながら、コンデンサ導体層３０ａ，３０ｂは、積層体１２内に設けられている下層グランド導体層と対向していてもよい。この場合、下層グランド導体層（第１のグランド導体層及び第３のグランド導体層）は、外部電極１５のｚ軸方向の正方向側に設けられ、ビアホール導体により、外部電極１５に接続される。
【００９５】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂでは、ＬＣ並列共振器は、３つ設けられているが、ＬＣ並列共振器の数はこれに限らない。ＬＣ並列共振器は、１以上設けられていればよい。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、スプリアスの発生を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【００９７】
Ｃ１〜Ｃ３，Ｃ１０，Ｃ１１  コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３  コイル
ＬＣ１〜ＬＣ３  ＬＣ並列共振器
１０，１０ｂ，１０ｂ  電子部品
１２  積層体
１４ａ，１４ｂ，１５  外部電極
１８ａ〜１８ｊ  絶縁体層
３０ａ，３０ｂ，３２  コンデンサ導体層
３４  共振グランド導体層
３６  結合導体層
【図１】
2013099562.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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