(57)【要約】  本発明はセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程、および加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液によりガラスを洗浄する洗浄工程を経てガラス製品を製造する方法であって、ガラスの面荒れを防ぐことができるガラス製品の製造方法を提供する。  本発明はセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程と、その後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液を用いてガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該セリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であるガラス製品の製造方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程と、その後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液を用いてガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該セリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であるガラス製品の製造方法。
【請求項２】
前記セリウム系研磨剤がランタンを含む請求項１に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項３】
前記セリウム系研磨剤がランタンをＬａ２Ｏ３として２０〜４０質量％含有する請求項２に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項４】
前記セリウム系研磨剤がフッ素を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項５】
前記セリウム系研磨剤におけるフッ素の含有量が１質量％超である請求項４に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項６】
前記セリウム系研磨剤がホタル石型構造のＣｅｘＬａ１−ｘＯｙＦ２−ｙ（ｘは０．５以上１未満、ｙは１．７〜２）を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項７】
前記セリウム系研磨剤の平均粒子径が０．５μｍ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄液中の硫酸の含有量が５５〜８０質量％、過酸化水素の含有量が１〜１０質量％であり、前記洗浄液の温度が７０〜１００℃である請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項９】
前記洗浄工程の後に、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いてガラスを研磨する仕上げ研磨工程を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項１０】
コロイダルシリカ砥粒の平均粒径が１０〜５０ｎｍである請求項９に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項１１】
前記コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーのｐＨが１〜６である請求項９または１０に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項１２】
ガラス製品がガラス基板である請求項１〜１１のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項１３】
ガラス基板が情報記録媒体用ガラス基板である請求項１２に記載のガラス製品の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のガラス製品の製造方法によって磁気ディスク用ガラス基板を製造し、当該磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス製品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク基板などの高精度な平坦性を要求されるガラス製品の製造方法においては、ガラス製品に残留する異物の除去が大きな技術課題となっている。ガラス製品に残留する異物としては、研磨レートが高いことなどの理由からガラス研磨に好適に用いられているセリウム系研磨剤（酸化セリウムを含む希土類金属酸化物を主成分とする研磨剤）が異物として残りやすいことが知られている。【０００３】
例えば、磁気ディスク用ガラス基板の製造工程では、ガラス板から切り出したガラス円板の主表面および端面を、セリウム系研磨剤を含むスラリーを用いて研磨した後、主表面をさらに平坦化するためにコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーによる仕上げ研磨（最終研磨）を行う。このとき、主表面にセリウム系研磨剤が残留していても仕上げ研磨により除去される。しかし、端面に付着しているセリウム系研磨剤は除去されずに残留し、仕上げ研磨後の洗浄工程において主表面に再付着し磁気ディスク用ガラス基板に異物として残留すると考えられる。【０００４】
また、フォトマスク基板においても磁気ディスク用ガラス基板と同様の課題が存在する。フォトマスク基板に関しても、研磨工程としてはセリウム系研磨剤を含むスラリーで研磨した後、主表面をさらに平坦化する為にコロイダルシリカを用いて研磨される場合が多い。セリウム系研磨剤が端面に付着している場合には、表面に再付着する可能性がある。フォトマスク基板の場合、短波長の紫外線に対する高い透過率が要求されており、表面に付着した異物による散乱が問題になる場合が多い。【０００５】
このような背景から、セリウム系研磨剤を用いる研磨がすべて終了した段階ではセリウム系研磨剤が完全に除去されていることが望まれている。【０００６】
このような要望に応えるべく、無機酸とアスコルビン酸を含有する洗浄液が提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。この洗浄液では、無機酸とアスコルビン酸の作用によって、セリウム系研磨剤を溶かして除去している。【０００７】
また、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を最終工程の洗浄にて使用することも提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国特開２００６−９９８４７号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】日本国特開２００４−５９４１９号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】日本国特開２００８−９０８９８号公報（特許請求の範囲）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、本発明者らが上記の洗浄技術について検証したところ、アスコルビン酸および無機酸を含む洗浄液による洗浄では、ガラス円板の端部に残留するセリウム系研磨剤を少なくすることは可能であるものの、完全には除去できない場合があることを確認した。また、この洗浄液はｐＨが１〜２と低いため、アルカリアルミノシリケートガラスからなるガラス円板に適用すると大きな面荒れを引き起こす場合があることも確認した。【００１０】
一方、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を最終研磨工程後の洗浄に使用する場合においては、ガラス基板の端部に残留するセリウム系研磨剤をほぼ完全に除去できるが、ガラス表面にガラスのくずが付着し、該付着物を取り除くと、ガラス表面に凹みが発生して大きな面荒れが起こる場合があることを確認した。【００１１】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程、および加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液によりガラスを洗浄する洗浄工程を経てガラス製品を製造する方法であって、ガラスの面荒れを防ぐことができるガラス製品の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、ガラスの研磨工程において、ＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨し、その後加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液によりガラスを洗浄することにより、先に述べたようなガラスの面荒れを抑制できることを見出し、本発明を完成させた。【００１３】
すなわち、本発明は以下の通りである。
１．セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程と、その後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液を用いてガラスを洗浄する洗浄工程とを含むガラス製品の製造方法であって、該セリウム系研磨剤がＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤であるガラス製品の製造方法。
２．前記セリウム研磨剤がランタンを含む前項１に記載のガラス製品の製造方法。
３．前記セリウム系研磨剤がランタンをＬａ２Ｏ３として２０〜４０質量％含有する前項２に記載のガラス製品の製造方法。
４．前記セリウム系研磨剤がフッ素を含む前項１〜３のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
５．前記セリウム系研磨剤におけるフッ素の含有量が１質量％超である前項４に記載のガラス製品の製造方法。
６．前記セリウム系研磨剤がホタル石型構造のＣｅｘＬａ１−ｘＯｙＦ２−ｙ（ｘは０．５以上１未満、ｙは１．７〜２）を含む、前項１〜５のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
７．前記セリウム系研磨剤の平均粒子径が０．５μｍ以下である前項１〜６のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
８．前記洗浄液中の硫酸の含有量が５５〜８０質量％、過酸化水素の含有量が１〜１０質量％であり、前記洗浄液の温度が７０〜１００℃である前項１〜７のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
９．前記洗浄工程の後に、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いてガラスを研磨する仕上げ研磨工程を含む前項１〜８のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
１０．コロイダルシリカ砥粒の平均粒径が１０〜５０ｎｍである前項９に記載のガラス製品の製造方法。
１１．前記コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーのｐＨが１〜６である前項９または１０に記載のガラス製品の製造方法。
１２．ガラス製品がガラス基板である前項１〜１１のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法。
１３．ガラス基板が情報記録媒体用ガラス基板である前項１２に記載のガラス製品の製造方法。
１４．前項１〜１３のいずれか１に記載のガラス製品の製造方法によって磁気ディスク用ガラス基板を製造し、当該磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁気記録層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のガラス製品の製造方法によれば、ＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤でガラスを研磨した後、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄剤を用いてガラスを洗浄することにより、ガラスへのセリウム系研磨剤の付着を効果的に抑制することができるとともにガラスの面荒れを防ぎ、平坦性に優れたガラス製品を得ることができる。【００１５】
また、従来のガラス製品の製造方法では、セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する工程の後に純水等による予備洗浄工程によりセリウム系研磨剤をガラスから除去した後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄剤を用いてガラスを洗浄する。【００１６】
ここで、本発明のガラス製品の製造方法によれば、セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨する研磨工程の後に、純水等による予備洗浄工程を経ることなく、該研磨工程に引き続いて加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄剤を用いてガラスを洗浄した場合にも、ガラスの面荒れを防いで平坦性を得ることができるため、生産効率の観点からも優れている。【００１７】
また、本発明のガラス製品の製造方法によれば、酸によるダメージに起因する主表面の面荒れがないかほとんどなく、平坦性も良好であり、今後求められる高記録容量化にも十分に対応可能な磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、Ｘ線回折法により解析したセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図２】図２（ａ）は、ＬａＯＦ結晶を含むセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨した後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄剤によりガラスを洗浄することにより、ガラスに面荒れが生じる機構を説明する図である。図２（ｂ）は、ＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨した後に、加熱した硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄剤によりガラスを洗浄することにより、ガラスに面荒れが生じないことを説明する図である。
【図３】図３は、Ｘ線回折法により解析した、実施例１で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図４】図４は、Ｘ線回折法により解析した、実施例２で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図５】図５は、Ｘ線回折法により解析した、実施例３で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図６】図６は、Ｘ線回折法により解析した、比較例１で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図７】図７は、Ｘ線回折法により解析した、比較例２で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図８】図８は、Ｘ線回折法により解析した、比較例３で用いたセリウム系研磨剤の結晶相を示す。
【図９】白色干渉法で観察した、ガラス基板の面荒れを示す図である（実施例１〜３、比較例１〜３）。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明者らは、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液をガラスの最終研磨工程後の洗浄に使用したときにガラスに大きな面荒れが起こる現象を調べたところ、ガラス面にセリウム系研磨剤が付着した場合にこの洗浄を行うと、その結果ガラス面に部分的な面荒れが発生することを見出した。ここで、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を用いる洗浄とは、４５℃以上に加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄をいい、その温度は通常６０℃以上、典型的には７０℃以上である。
【００２０】
前記面荒れの原因を検討するため、種々のセリウム系研磨剤にガラスを浸漬後、乾燥させて水洗せずに、表面の付着物を加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液により洗浄した後、ＡＤＥ社製Ｏｐｔｉｆｌａｔを用いて光学的測定方法によりガラスにおける凹み欠点を観察した。凹み欠点が生じるセリウム系研磨剤についてＸ線回折法で結晶相を調べたところ、図１に示すように、凹み欠点が観察されたセリウム系研磨剤では、ホタル石型構造結晶（ＣｅｘＬａ１−ｘＯｙＦ２−ｙ）（ｘは０．５以上１未満、ｙは１．７〜２）の結晶ピークとランタンのオキシフッ化物（ＬａＯＦ）の結晶ピークとが認められたのに対し、凹み欠点が観察されなかったセリウム系研磨剤においてはオキシフッ化物の結晶ピークは認められずホタル石型構造結晶の結晶ピークのみが認められた。
【００２１】
このことから、セリア系研磨剤に含まれるＬａＯＦ結晶が凹み欠点の原因になっている事が明らかとなった。この結果から、ガラスの研磨にＬａＯＦ結晶を含まないセリア系研磨剤を使用する事で、その後に加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液によりガラスを洗浄したとしても、凹み欠点の発生が抑制されることに想到し本発明に至った。すなわち、ＬａまたはＦを含有しないセリア系研磨剤を使用すれば凹み欠点は発生せず、またセリア研磨剤にＬａまたはＦが含まれていたとしても、例えば、ＣｅＯ２のＣｅの一部をＬａで置換されたセリア系研磨剤、ＣｅＯ２のＯの一部をＦで置換されたセリア研磨剤、または、ＬａとＦとがそれぞれＣｅとＯの一部と置換されたセリア系研磨剤であれば、凹み欠点は発生しないというアイデアを考えつくに至った。
【００２２】
セリウム系研磨剤に含まれるランタンのオキシフッ化物（ＬａＯＦ）は、次のような機構で、ガラスに面荒れが発生する原因となっていると考えられる。図２（ａ）に示すように、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液中にＬａＯＦが溶け、ＬａＯＦに含まれているフッ素イオン（Ｆ−）が洗浄液中のＨ＋またはＨ２Ｏと反応してフッ化水素（ＨＦ）として機能し、下記式（１）に示すようにガラスがエッチングされて、Ｈ２ＳｉＦ６が生じる。
ＳｉＯ２＋６ＨＦ→Ｈ２ＳｉＦ６  （１）
【００２３】
Ｈ２ＳｉＦ６は水に可溶性であるが、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液中は水分量が少ないため、下記式（２）により少量のＨ２Ｏと反応してＨ２ＳｉＯ３となる。Ｈ２ＳｉＯ３は酸性の洗浄液中では不溶性であるため、ガラス表面上にゲル状の付着物となり、その後のスクラブ洗浄または仕上げ研磨等によりガラスを研磨することにより、ガラスに付着したＨ２ＳｉＯ３が除去されることに伴いガラスに凹みが生じ、ガラスの面荒れが生じる。
Ｈ２ＳｉＦ６＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２ＳｉＯ３＋６ＨＦ  （２）
【００２４】
一方、図２（ｂ）に示すように、セリウム系研磨剤がＬａＯＦを含まない場合、フッ素イオンが生じないため、セリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨した後に加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液でガラスを洗浄した場合にも、ガラスがエッチングされることがなく、ガラスの面荒れが生じにくい。
【００２５】
（ガラス）
本発明におけるガラス製品は特に限定されないが、典型的には磁気ディスク用ガラス基板またはフォトマスク基板などのガラス基板である。以下では磁気ディスク用ガラス基板を例にして説明するが、本発明はこの例に限定されない。
【００２６】
磁気ディスク用ガラス基板を製造する場合、例えば、モル％表示で、ＳｉＯ２を５５〜７５％、Ａｌ２Ｏ３を５〜１７％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏを４〜２７％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯを０〜２０％含有し、これら成分の含有量の合計が９０％以上であるガラスからなるガラス板からガラス円板を切り出す。
【００２７】
前記ガラスにおいて、ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成する成分であり、必須である。ＳｉＯ２の含有量を５５％以上とすることにより、比重が大きくなるのを防ぎ、ガラスにキズが付きにくくなる、失透温度が上昇するのを防ぎガラスが安定になる、または耐酸性が向上する。ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは６０％以上、より好ましくは６１％以上、特に好ましくは６２％以上、最も好ましくは６３％以上、典型的には６４％以上である。また、ＳｉＯ２の含有量を７５％以下とすることにより、ヤング率が低くなるのを防ぎ、比弾性率が向上し、熱膨張係数が小さくなるのを防ぎ、または粘性が高くなりすぎることなくガラスの溶解が容易となる。ＳｉＯ２の含有量は、好ましくは７１％以下、より好ましくは７０％以下、最も好ましくは６８％以下である。なお、ＳｉＯ２の含有量を６３モル％以上とすることにより耐酸性が低下しにくくなる。
【００２８】
Ａｌ２Ｏ３はガラスの骨格を形成し、ヤング率や比弾性率、破壊靭性を高くする成分であり、必須である。Ａｌ２Ｏ３の含有量を５％以上とすることにより、ヤング率、比弾性率、または破壊靭性が低くなるのを防ぐことができる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは６％以上、より好ましくは７％以上、典型的には８％以上である。また、Ａｌ２Ｏ３の含有量を１７％以下とすることにより、熱膨張係数が小さくなるのを防ぎ、粘性が高くなりすぎることなくガラスの溶解が容易となり、または耐酸性が低下するのを防ぐ。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、好ましくは１５％以下、より好ましくは１４％以下である。耐酸性はＡｌ２Ｏ３の含有量を、１２．５％以下とすることにより耐酸性が低下しにくくなる。
【００２９】
上記の通り、ＳｉＯ２が多くＡｌ２Ｏ３が少ないガラスは耐酸性が低下しにくい。このため、（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３）が大きくなるとガラスの耐酸性が向上する。一方、ヤング率、比弾性率または破壊靭性などの機械特性を向上させるにはＡｌ２Ｏ３が多いことが有効であり、機械特性に優れたガラスは耐酸性が低い傾向がある。（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３）は典型的には４８〜６２％である。
【００３０】
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏはガラスの溶解性を改善し、熱膨張係数を高くする成分であり、いずれか１成分以上を含有しなければならない。これら３成分の含有量の合計Ｒ２Ｏを４％以上とすることによりこの効果が大きくなる。３成分の含有量の合計Ｒ２Ｏは、好ましくは１３％以上、より好ましくは１５％以上、特に好ましくは１６％以上、最も好ましくは１７％以上、典型的には１８％以上である。また、３成分の含有量の合計Ｒ２Ｏを２７％以下とすることによりヤング率、比弾性率または破壊靭性が向上する、または水分との反応でアルカリが溶出しにくくなるため、好ましい。３成分の含有量の合計Ｒ２Ｏは好ましくは２５％以下、より好ましくは２４％以下、特に好ましくは２２％以下である。Ｒ２Ｏは典型的には１６〜２４％である。
【００３１】
また、上記アルカリ金属酸化物の中でもＬｉ２Ｏはヤング率や比弾性率、破壊靭性を高くする効果が高いため、５％以上含有させることが好ましい。より好ましくは７％以上、最も好ましくは８％以上である。
【００３２】
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスの溶解性を改善し、熱膨張係数を高くする成分であり、これら４成分の含有量の合計Ｒ’Ｏが２０％までの範囲で含有してもよい。該４成分の含有量の合計Ｒ’Ｏを２０％以下とすることにより比重が大きくなるのを防ぐ、またはガラスが傷つきにくくなる。該４成分の含有量の合計Ｒ’Ｏは、好ましくは１０％以下、より好ましくは８％以下、最も好ましくは６％以下、典型的には４％以下である。
【００３３】
また、ヤング率、比弾性率、比重、熱膨張係数、傷つきにくさや破壊靭性といった機械特性を高めるためには、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｒ２Ｏ＋Ｒ’Ｏを９０％以上とすることが好ましい。ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｒ２Ｏ＋Ｒ’Ｏを９０％以上とすることによりこの効果が大きくなる。ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｒ２Ｏ＋Ｒ’Ｏは、好ましくは９３％以上、より好ましくは９５％以上、最も好ましくは９７％以上である。
【００３４】
この例示ガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。
【００３５】
その他の成分としては、例えば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５およびＬａ２Ｏ３はヤング率、比弾性率または破壊靭性を高くする効果がある。これらのいずれか１以上を含有する場合、合計の含有量が７％以下であることが好ましい。７％以下とすることにより、比重が大きくなるのを防ぎ、またはガラスが傷つきにくくなる。これらの成分の合計の含有量は、より好ましくは５％未満、特に好ましくは４％未満、最も好ましくは３％未満である。
【００３６】
Ｂ２Ｏ３はガラスの溶解性を改善し、比重を小さくし、またガラスを傷つきにくくする効果がある。これを含有する場合３％以下が好ましい。３％以下とすることによりヤング率または比弾性率が低くなるのを防ぎ、または揮散によりガラスの品質を低下させるのを防ぐことができる。Ｂ２Ｏ３の含有量は、より好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下、最も好ましくは０．５％以下である。
【００３７】
ＳＯ３、Ｃｌ、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｎＯ２およびＣｅＯ２はガラスを清澄する効果がある。これらのいずれかを含有する場合、合計で２％以下が好ましい。
【００３８】
なお、フォトマスク基板を製造する場合、典型的には合成石英ガラスを用いる。合成石英ガラスは、例えば珪素源と酸素源とを気相で反応させてスートと呼ばれる酸化珪素からなる多孔質体を成長させ、燒結して得られる実質的に酸化珪素のみからなるガラスである。以下、再び磁気ディスク用ガラス基板を例にして説明する。
【００３９】
ガラス板の比重は２．６０以下であることが好ましい。ガラス板の比重を２．６０以下とすることにより、磁気ディスクドライブ回転時にモーター負荷がかかるのを防ぎ消費電力を抑えることができる、またはドライブ回転が安定化する。ガラスの比重は、好ましくは２．５５以下、より好ましくは２．５３以下、最も好ましくは２．５２以下である。
【００４０】
また、ガラス板の−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数（平均線膨張係数）は６０×１０−７／℃以上であることが好ましい。６０×１０−７／℃以上とすることにより、金属製のドライブなど他の部材の熱膨張係数との差が小さくなり、温度変動時の応力発生による基板の割れなどが起こりにくくなる。ガラス板の−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数（平均線膨張係数）は、好ましくは６２×１０−７／℃以上、より好ましくは６５×１０−７／℃以上、最も好ましくは７０×１０−７／℃以上である。
【００４１】
さらに、ガラス板のヤング率は８０ＧＰａ以上、比弾性率は３２ＭＮｍ／ｋｇ以上であることが好ましい。ヤング率が８０ＧＰａ以上であるか比弾性率が３２ＭＮｍ／ｋｇ以上であるとドライブ回転中に反りまたはたわみが発生しにくく、高記録密度の情報記録媒体を得易い。ガラス板のヤング率は８１ＧＰａ以上かつ比弾性率が３２．５ＭＮｍ／ｋｇ以上であることがより好ましい。
【００４２】
前記例示ガラスからなるガラス板は、ヤング率、比弾性率、比重、熱膨張係数、傷つきにくさまたは破壊靭性等の諸特性が優れたものとなりやすい。
【００４３】
なお、ガラス板の製造方法は特に限定されず、各種方法を適用できる。例えば、通常使用される各成分の原料を目標組成となるように調合し、これをガラス溶融窯で加熱溶融する。バブリング、撹拌または清澄剤の添加等によりガラスを均質化し、周知のフロート法、プレス法、フュージョン法またはダウンドロー法などの方法により所定の厚さの板ガラスに成形し、徐冷後必要に応じて研削、研磨などの加工を行った後、所定の寸法・形状のガラス基板とする。成形法としては、特に、大量生産に適したフロート法が好ましい。また、フロート法以外の連続成形法、例えば、フュージョン法またはダウンドロー法も好ましい。
【００４４】
次いで、ガラス円板の中央に円孔を開け、面取り、主表面ラッピングおよび端面鏡面研磨を順次行う。なお、主表面ラッピング工程を粗ラッピング工程と精ラッピング工程とに分け、それらの間に形状加工工程（円形ガラス板中央の孔開け、面取り、端面研磨）を設けてもよい。
【００４５】
また、端面鏡面研磨は、ガラス円板を積層して内周端面をセリウム系研磨剤を用いたブラシ研磨を行い、エッチング処理をしてもよいし、内周端面のブラシ研磨の代わりにそのエッチング処理された内周端面に、例えば、ポリシラザン化合物含有液をスプレー法等によって塗布し、焼成して内周端面に被膜（保護被膜）を形成してもよい。主表面ラッピングは通常、平均粒径が６〜８μｍである酸化アルミニウム砥粒または酸化アルミニウム質の砥粒を用いて行う。ラッピングされた主表面は通常、３０〜４０μｍ研磨されることが好ましい。
【００４６】
これらの加工において、中央に円孔を有さないガラス基板を製造する場合には当然、ガラス円板中央の孔開けおよび内周端面の鏡面研磨は不要である。
【００４７】
（研磨工程）
本発明のガラス製品の製造方法は、セリウム系研磨剤を用いてガラス円板の主表面を研磨する研磨工程を含む。該セリウム系研磨剤はＬａＯＦ結晶を含まない研磨剤である。また、該セリウム系研磨剤はＬａＯＦ結晶のＬａの一部をＣｅで置換した結晶を含まない研磨剤であってもよい。
【００４８】
本発明の製造方法に用いるセリウム系研磨剤は、それがＬａを含む場合にはホタル石型構造のＣｅｘＬａ１−ｘＯｙＦ２−ｙを含むものであることが好ましい。ここで、典型的にはｘは０．５以上１未満であり、ｙは１．７〜２である。なお、セリウム系研磨剤がフッ素を含む場合は、ｙは２未満である。
【００４９】
ＬａとＦとをオキシフッ化物（ＬａＯＦ結晶）としてではなくホタル石型構造結晶として含有するセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨した後に、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を用いて、ガラスを十分に洗浄することができる。
【００５０】
ガラス研磨で用いられるセリウム系研磨剤、特に磁気ディスク用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板の製造で用いられるセリウム系研磨剤はコスト低減の観点などから、ホタル石型構造のＣｅｘＬａ１−ｘＯｙＦ２−ｙ（ｘは０．５以上１未満、ｙは１．７〜２）とＬａＯＦ結晶とを含むものが一般的である。しかしながら、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を用いる製造方法においては、ＬａＯＦは加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液に溶解して、ＬａＯＦ結晶に含まれるフッ素がフッ酸として機能してガラスがエッチングされて面荒れが発生する。この為、本発明ではＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤を用いる。
【００５１】
本発明に用いるセリウム系研磨剤は、水等の分散媒に分散させてスラリーとして用いてもよい。スラリーにおけるセリウム系研磨剤の含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、３質量％以上１５質量％以下がより好ましい。
【００５２】
スラリーにおけるセリウム系研磨剤の含有量を１質量％以上とすることにより、充分な研磨レートが得られる。また、２０質量％以下とすることで、研磨中にスラリーに混入するガラス成分の影響でスラリー粘度が上昇するのを抑え、研磨レートを向上することができる。
【００５３】
スラリーのために用いることができる分散媒としては、例えば、水を挙げることができる。
【００５４】
スラリーには分散剤または潤滑剤としてとして界面活性剤を含有してもよい。分散剤としての界面活性剤としては、例えば、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤および両性イオン界面活性剤等、又はそれらの組み合わせを挙げることができる。
【００５５】
また、例えば、２リン酸ナトリウムおよびホスホン酸ナトリウムなどのリン酸系の塩、クエン酸ナトリウムなどのカルボン酸塩、並びにリグニンスルフォン酸ナトリウムおよびナフタレンスルフォン酸ナトリウムなどのスルフォン酸塩などのモノマーの塩又はこれらの組み合わせを挙げることができる。
【００５６】
セリウム系研磨剤における分散剤の含有量は砥粒に対して０．５〜２質量％であることが好ましい。また、潤滑剤としての界面活性剤としては、例えば、アルキレンジオールをはじめとする非泡性の界面活性剤が挙げられる。セリウム系研磨剤における界面活性剤の含有量は０．０１〜１質量％であることが好ましい。
【００５７】
セリウム系研磨剤の平均粒子径は、ガラス製品の製造工程におけるガラスの洗浄時間が通常５〜２０分であることを考慮すると、０．１μｍ以上０．５μｍ以下であることが好ましい。セリウム系研磨剤の平均粒子径はレーザー散乱を用いて測定する。この測定の場合、充分に分散したスラリーでの状態で測定できるように、上記分散剤のいずれかを研磨剤に対して１質量％程度混ぜて測定することが好ましい。
【００５８】
セリウム系研磨剤の平均粒子径を０．１μｍ以上とすることにより充分な研磨レートを得ることできる。また、セリウム系研磨剤の平均粒子径を０．５μｍ以下とすることにより、ガラスと接触している面積が小さく、表層が少し溶けるだけでガラスからはがれやすくなるため、洗浄液へのセリウム系研磨剤の溶出量が十分となり、洗浄性を向上することができる。
【００５９】
本発明に用いるセリウム系研磨剤はフッ素を含有したとしても、ＬａＯＦ結晶を含まないため、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を用いて洗浄する際にＬａＯＦ結晶に含まれるフッ素がフッ酸として機能することがなく、ガラスがエッチングされて面荒れが発生するのを防ぐことができる。
【００６０】
本発明に用いるセリウム系研磨剤はフッ素を含む場合であってもその含有量は４質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることが特に好ましい。また、下記効果の観点からはフッ素含有量は１質量％超であることが好ましい。フッ素はＣｅＯ２結晶の表面の酸素と置換した場合、セリウムの価数を下げる効果、すなわち、化学研磨力を向上させる効果があると考えられている。しかしＣｅＯ２結晶の表面の一部の酸素を置換するだけでそのような効果が得られるので、セリウム系研磨剤におけるフッ素の含有量は４質量％以下であることが好ましい。また、セリウム系研磨剤におけるフッ素の含有量を１質量％超とすることにより、砥粒表面のセリウムの価数が３価の状態を取りやすくなり、ガラス表面のＳｉ−Ｏ結合が弱められ研磨されやすくなる。
【００６１】
本発明に用いるセリウム系研磨剤としては、ランタンを含むセリウム系研磨剤が挙げられる。セリウム系研磨剤に含まれるランタンは、ＣｅＸＬａ１−ＸＯｙＦ２−Ｙ（ｘは０．５以上１未満、ｙは１．７〜２）であることが好ましい。セリウム系研磨剤はＬａ２Ｏ３としてランタンを２０〜４０質量％含有することが好ましく、３０〜４０質量％含有することがより好ましい。セリウム系研磨剤におけるＬａ２Ｏ３の含有量をこの範囲とすることで、高い研磨レートが得られる。
【００６２】
本発明における研磨の方法は特に限定されないが、例えば、ガラスと研磨布とを接触させ、セリウム系研磨剤を供給しながら、研磨布とガラスとを相対的に移動させて、ガラスを鏡面状に研磨することが好ましい。研磨布としては、例えば、ウレタン製研磨パッドを用いることができる。
【００６３】
研磨工程は、具体的には、例えば、三次元表面構造解析装置［例えばＡＤＥ社製Ｏｐｔｉ−ｆｌａｔ（商品名）］を用いて波長領域がλ≦５ｍｍの条件で測定されたうねり（Ｗａ）が１ｎｍ以下となるように研磨することが好ましい。また、研磨による板厚の減少量（研磨量）は、典型的には５〜１５μｍであることが好ましい。
【００６４】
研磨工程は、１回の研磨で行ってもよいし、平均粒子径の異なるセリウム系研磨剤を用いて２回以上実施してもよい。なお、２回以上行う場合は、最終のセリウム研磨以外は、セリウム系研磨剤は公知のＬａＯＦ結晶を含むものでもよい。
【００６５】
また、本発明における研磨工程はラッピング工程で発生したキズ除去を目的とする酸化セリウム主表面研磨工程を含むが、それに限らず、ラッピング工程後に酸化セリウムによる端面鏡面研磨が行われればそれも含む。
【００６６】
（予備洗浄）
研磨が行われたガラス円板について予備洗浄を行ってもよい。予備洗浄は、例えば、純水での浸漬洗浄、アルカリ洗浄剤での超音波洗浄、純水でのリンスをこの順序で行う。純水での浸漬洗浄または純水でのリンスにおいては、超音波洗浄を併用したり、流水またはシャワー水を用いてもよい。
【００６７】
なお、本発明によれば、ＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤を用いることにより、研磨が行われたガラス円板を予備洗浄することなく、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液により洗浄した場合にも凹み欠点が生じるのを抑え、面荒れを低減させたガラス製品を得ることができる。
【００６８】
（乾燥工程）
研磨が行われたガラス円板を乾燥させてもよい。乾燥は、例えば、スピン乾燥することにより、行う。
【００６９】
（洗浄工程）
本発明のガラス製品の製造方法は、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液を用いてガラスに付着したセリウム系研磨剤を洗浄する工程を含む（以下、この洗浄を本発明における洗浄、この洗浄液を本発明に用いる洗浄液ともいう。）。
【００７０】
本発明に用いる洗浄液における硫酸の含有量は５５〜８０質量％であることが好ましく、より好ましくは６０質量％以上、更に好ましくは６５質量％以上である。硫酸の含有量を５５質量％以上とすることにより、ガラス円板に付着したセリウム系研磨剤が溶解されずに残留するのを防ぐことができる。また、硫酸の含有量を８０質量％以下とすることにより、リーチングによる面荒れを防ぎ、目的とする平坦性を得易く、洗浄装置に汎用的に使用される樹脂製冶具が酸化・分解するのを防ぐことができる。
【００７１】
本発明に用いる洗浄液における過酸化水素の含有量は１〜１０質量％であることが好ましく、より好ましくは２質量％以上、更に好ましくは４質量％以上である。過酸化水素の含有量を１質量％以上とすることにより、ガラス円板に付着したセリウム系研磨剤が溶解されずに残留するのを防ぐことができる。また、過酸化水素の含有量を１０質量％以下とすることにより、リーチングによる面荒れを防ぎ、目的とする平坦性を得易く、洗浄装置に汎用的に使用される樹脂製冶具が酸化・分解するのを防ぐことができる。
【００７２】
本発明に用いる洗浄液は、温度が７０〜１００℃であることが好ましい。また、７５℃〜９０℃であることがより好ましい。洗浄液の温度を７０℃以上とすることにより、セリウム系研磨剤がガラスに残りにくくなる。また、洗浄液の温度を１００℃以下とすることにより、過酸化水素の分解を抑え、洗浄液組成が変化するのを防ぐことができる。
【００７３】
本発明に用いる洗浄液におけるその他の成分は通常は水であることが好ましい。すなわち本発明に用いる洗浄液は通常水溶液であることが好ましく、その場合でも本発明の目的を損なわない範囲で水以外の成分を含んでもよい。水としては、例えば、脱イオン水、超純水、電荷イオン水、水素水およびオゾン水などが挙げられる。
【００７４】
また、本発明において洗浄工程の時間は典型的には５分間またはそれ以上であることが好ましく、通常は３０分間以下で洗浄目的を達することができる。
【００７５】
本発明に用いる洗浄液には、液の表面張力を下げる目的で、界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤としては、例えば、ポリアクリル酸塩、ポリマレイン酸塩およびポリイタコン酸塩などのカルボン酸塩、並びにアルキルスルフォン酸塩などのスルフォン酸などが挙げられる。洗浄液における界面活性剤の含有量は、特に限定されないが、１質量％以下とすることが好ましい。
【００７６】
洗浄工程では、前記洗浄液をガラスに直接接触させて洗浄することが好ましい。洗浄液をガラスに直接接触させる方法としては、例えば、洗浄液を洗浄槽に満たしてその中にガラスを入れるディップ式洗浄、ノズルからガラスに洗浄液を噴射する方法、およびポリビニルアルコール製のスポンジを用いるスクラブ洗浄などが挙げられる。
【００７７】
本発明に用いる洗浄液は、これらのいずれの方法にも適応できるが、より効率的な洗浄ができることから、ディップ式洗浄が好ましい。ディップ式の場合、洗浄液にガラスを浸漬させる時間を２分以上とすることが好ましい。また、接触中に超音波洗浄を併用することがより好ましい。
【００７８】
（仕上げ研磨工程）
仕上げ研磨工程では、通常、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて最終研磨を行う。仕上げ研磨工程では、通常、平均粒径が１０〜５０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて研磨されるが、その前に平均粒径が５０ｎｍ超１００ｎｍ以下のコロイダルシリカ砥粒を含むスラリーを用いて前研磨してもよい。また、コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーでの研磨の前または後に化学強化を行ってもよい。
【００７９】
コロイダルシリカ砥粒を含むスラリーによる研磨では、水ガラスを原料とするコロイダルシリカでは、一般的に中性領域においてゲル化が進行しやすいため、ｐＨが１〜６もしくは２〜６で行うことが好ましい。
【００８０】
ｐＨ調整剤としては、酸であれば無機酸または有機酸が用いられる。無機酸としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸、ポリ燐酸およびアミド硫酸等が挙げられる。また、有機酸としては、例えば、カルボン酸、有機燐酸、アミノ酸等が挙げられる。カルボン酸としては、例えば、酢酸、グリコール酸およびアスコルビン酸等の一価カルボン酸、蓚酸および酒石酸等の二価カルボン酸、並びにクエン酸等の三価カルボン酸が挙げられる。
【００８１】
特にｐＨを１〜３とすることが好ましく、その場合は無機酸を用いることが好ましい。また、ｐＨ３超においては、カルボン酸を用いるとコロイダルシリカ砥粒のゲル化を抑制できるため好ましい。さらに、スラリーにアニオンもしくはノニオン界面活性剤を添加してもよい。
【００８２】
研磨具はスエードパッドであることが好ましい。このスエードパッドは発泡樹脂層を有し、そのショアＡ硬度が２０°以上６０°以下であり、密度が０．２〜０．８ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。
【００８３】
仕上げ研磨工程によりガラス円板は、主表面の二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）が好ましくは０．１５ｎｍ以下、より好ましくは０．１３ｎｍ以下の平坦性を有するように研磨されることが好ましい。この研磨における板厚の減少量（研磨量）は、典型的には０．５〜２μｍである。
【００８４】
仕上げ研磨工程の後、コロダルシリカ砥粒を除去するために洗浄を行う。この洗浄工程では、少なくとも１回はｐＨ１０以上のアルカリ性洗浄剤による洗浄を行うことが好ましい。洗浄方法は、ガラス円板を浸漬して超音波振動を加えてもよいし、スクラブ洗浄を用いてもよい。また、両方を組み合わせてもよい。さらに、洗浄の前後に、純水による浸漬工程やリンス工程を行うことが好ましい。
【００８５】
最終のリンス工程後にガラス円板を乾燥するが、乾燥方法としては、例えば、イソプロピルアルコール蒸気を用いる乾燥方法、スピン乾燥または真空乾燥などが用いられる。
【００８６】
上記一連の工程により、主表面に残留セリウム系研磨剤がなく、あるいは残留セリウム系研磨剤による問題が生じず、高度に平坦化されたガラス製品が得られる。
【００８７】
本発明の製造方法により製造されるガラス製品は、１ｍｍ×１ｍｍ以上の大きさの凹み欠点が０個／１面以下であることが好ましい。凹み欠点の観察は実施例で後述する方法により行う。
【００８８】
本発明の製造方法により製造されるガラス製品としては、例えば、磁気ディスク用ガラス基板、フォトマスク基板およびディスプレイ基板などのガラス基板、並びにその他にＣＣＤ向けブルーフィルタガラスおよびカバーガラスなどが挙げられる。本発明の製造方法により製造される磁気ディスク用ガラス基板の主表面に磁気記録層を形成することにより磁気ディスクを製造することができる。本発明の製造方法により得られる高度に平坦化されたガラス基板の主表面に磁気記録層を形成した磁気ディスクによれば、高密度記録が可能になる。
【実施例】
【００８９】
以下に本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。【００９０】
モル％表示組成が概略、ＳｉＯ２：６２％、Ａｌ２Ｏ３：１３％、ＭｇＯ：３％、ＴｉＯ２：１％、ＺｒＯ２：１％、Ｌｉ２Ｏ：１１％、Ｎａ２Ｏ：７％、Ｋ２Ｏ：３％、であるガラス板から外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのドーナツ状ガラス円板５０枚を切り出し、内周面および外周面をダイヤモンド砥石を用いて研削加工し、上下主表面を酸化アルミニウム砥粒を用いてラッピングした。【００９１】
次に、内外周の端面について幅０．１５ｍｍ、角度４５°の面取り部を設ける面取り加工を行った。面取り加工後、内外周の端面について、研磨材としてセリウム系研磨剤を含むスラリーを用い、研磨具としてブラシを用いて、ブラシ研磨により鏡面加工を行った。研磨量は、半径方向の除去量で３０μｍであった。【００９２】
鏡面加工後、研磨材として表１または表２に示されるセリウム系研磨剤を含むスラリーを用い、研磨具としてウレタンパッドを用いて、両面研磨装置により上下主表面の研磨加工を行った。研磨量は、上下主表面の厚さ方向で計５μｍであった。なお、実施例２においては、セリウム系研磨剤として通常製品を精製したものを用いた。【００９３】
なお、使用したセリウム系研磨剤のＸ線構造を理学電気社製ＲＩＮＴ２５００により観察した結果を図３〜８に示す。また、表１および表２において、研磨砥粒の粒径は、日機装製ＭＴ３３００ＥＸＩＩにより測定した。【００９４】
表１および表２において、Ｘ線回折から得られる構造が「単相」とはＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｅｎｔｒｅ  ｆｏｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｄａｔａ（登録商標）［ＩＣＤＤ（登録商標）］が提供している粉末回折データをもとに検証した場合、蛍石型構造の酸化セリウム粒子のピーク位置と一致するか、すべてのピークが±０．５°の範囲に入っているものであることを示し、「２相以上」とはＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｃｅｎｔｒｅ  ｆｏｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ  Ｄａｔａ（登録商標）［ＩＣＤＤ（登録商標）］が提供している粉末回折データをもとに検証した場合、蛍石型構造の酸化セリウム粒子のピーク位置と±５°以内で一致するピーク以外にピークがある場合であることを示す。【００９５】
ガラス円板の主表面を研磨後、２時間乾燥させて、１時間７０℃で加熱した後に、７４質量％の硫酸、および１１．４質量％の過酸化水素水を含み８０℃に加熱した洗浄液で５分間浸漬させて洗浄した。【００９６】
このようにして得られたガラス円板について、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄前と後とでＡＤＥ社製Ｏｐｔｉｆｌａｔにより表面形状を測定した。その結果を図９に示す。図９において、Ａ面とは、ガラス円板の一方の面を示し、Ｂ面とはもう一方の面を示す。【００９７】
また、ＡＤＥ社製Ｏｐｔｉ−ｆｌａｔを用いて白色干渉法によりガラス円板両面の表面形状を観察し、１ｍｍ×１ｍｍ以上の大きさの凹みがあるものを面荒れが発生したガラス板とした。その結果を表２に示す。【００９８】
【表１】
2013118648.tif 000002
【００９９】
表１、並びに図３〜５および９に示すように、ＬａＯＦ結晶を含まない、単相の結晶構造であるセリウム系研磨剤を含むスラリーを用いてガラスを研磨した実施例１〜３により得られたガラス板においては、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄により面荒れが発生しなかった。【０１００】
一方、表１、並びに図３〜５および９に示すように、ＬａＯＦ結晶を含む、２相以上の結晶構造であるセリウム系研磨剤を含むスラリーを用いてガラスを研磨した比較例１〜３により得られたガラス板においては、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄により面荒れが発生した。【０１０１】
【表２】
2013118648.tif 000003
【０１０２】
表２に示すように、ＬａＯＦ結晶を含まない、単相の結晶構造であるセリウム系研磨剤を含むスラリーを用いてガラスを研磨した実施例４〜６により得られたガラス板においては、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄により凹み欠点が発生しなかった。【０１０３】
一方、表２に示すように、ＬａＯＦ結晶を含む、２相以上の結晶構造であるセリウム系研磨剤を含むスラリーを用いてガラスを研磨した比較例４〜６により得られたガラス板においては、加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液による洗浄により、凹み欠点が発生した。【０１０４】
これらの結果から、セリウム系研磨剤によりガラスを研磨することにより、その後に加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液でガラスを洗浄することによる面荒れの発生の原因がセリウム系研磨剤に含まれるＬａＯＦ結晶であり、ＬａＯＦ結晶を含まないセリウム系研磨剤を用いてガラスを研磨し、その後に加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液でガラスを洗浄することにより、凹み欠点の発生を防ぎ、面荒れを効果的に抑制し、平坦性に優れたガラスが得られることがわかった。【０１０５】
さらに、本発明の製造方法によれば、研磨工程の後に、予備洗浄工程を経ずにそのまま加熱した硫酸および過酸化水素水を含む洗浄液でガラスを洗浄したとしても、面荒れの発生を抑制できることがわかった。【０１０６】
本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１２年２月６日付で出願された日本特許出願（特願２０１２−０２２７５１）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【図１】
2013118648.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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