(57)【要約】  デバイスの製造においては、基板準備工程と、画素電極形成工程と、感光性膜形成工程と、第１部分露光工程と、第２部分露光工程と、現像工程とを有する。このうち、第１部分露光工程では、感光性膜形成工程の実行後、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する。また、第２部分露光工程では、第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する。そして、第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が、画素電極形成工程における電気配線と対応する位置をとるようにする。
2013088479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する基板準備工程と、
前記基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の画素電極を形成し、且つ、少なくとも一部の隣接画素電極間に電気配線を形成する画素電極形成工程と、
前記基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
前記感光性膜形成工程の実行後、前記基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、前記第１のフォトマスクを介して前記感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
前記第１部分露光工程の実行後または前記第１部分露光工程の実行とともに、前記基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、前記第２のフォトマスクを介して前記感光性膜の前記第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
前記第１部分露光工程および前記第２部分露光工程の実行により、前記第１部分および前記第２部分が露光された前記感光性膜を現像する現像工程と、
を有し、
前記第２部分露光工程では、前記第２のフォトマスクを、その端部が前記第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、
前記画素電極形成工程および第１部分露光工程および前記第２部分露光工程では、前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの前記重なり合う部分が、前記画素電極形成工程における前記電気配線と対応する位置をとるようにする
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記画素電極形成工程では、前記電気配線を基板主面に対してライン状で、且つ、幅が前記重なり合う部分の幅よりも大きくなるように形成する
請求項１記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記画素電極形成工程の実行後に、前記感光性膜形成工程を実行する
請求項１記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記感光性膜形成工程から前記現像工程の実行後に、前記画素電極形成工程を実行する
請求項１記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１のフォトマスクおよび前記第２のフォトマスクの各々においては、少なくとも一部領域にマスクパターンが形成されており、
前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの前記重なり合う部分において、前記第１のフォトマスクのマスクパターンと前記第２のフォトマスクのマスクパターンとが重なり合う
請求項１記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
基板を準備する基板準備工程と、
前記基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記基板上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
前記感光性膜形成工程の実行後に、前記基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、前記第１のフォトマスクを介して前記感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
前記第１部分露光工程の実行後または前記第１部分露光工程の実行とともに、前記基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、前記第２のフォトマスクを介して前記感光性膜の前記第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
前記第１部分露光工程および前記第２部分露光工程の実行により、露光された前記感光性膜を現像する現像工程と、
を有し、
前記画素電極形成工程では、前記複数の画素電極の形成領域を、第１画素電極形成領域と第２画素電極形成領域とに分けて考えるとき、前記第２画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔が、前記第１画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔に比べて大きくなるように、前記複数の画素電極を形成し、
前記第２部分露光工程では、前記第２のフォトマスクを、その端部が、前記第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、
前記画素電極形成工程および第１部分露光工程および前記第２部分露光工程では、前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、前記画素電極形成工程における第２画素電極形成領域と対応する位置をとるようにする
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記画素電極形成工程では、前記第２画素電極形成領域において、金属膜を基板主面に対してライン状に形成し、
前記画素電極形成工程および第１部分露光工程および前記第２部分露光工程では、前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、前記画素電極形成工程における前記金属膜と対応する位置をとるようにする
請求項６記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記画素電極形成工程の実行後に、前記感光性膜形成工程を実行する
請求項６記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記感光性膜形成工程から前記現像工程の実行後に、前記画素電極形成工程を実行する
請求項６記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
基板を準備する基板準備工程と、
前記基板上に、電極材料を含む電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、
前記電極材料膜上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
前記感光性膜形成工程の実行後、前記基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、前記第１のフォトマスクを介して前記感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
前記第１部分露光工程の実行後または前記第１部分露光工程の実行とともに、前記基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、前記第２のフォトマスクを介して前記感光性膜の前記第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
前記第１部分露光工程および前記第２部分露光工程の実行により、前記第１部分および前記第２部分が露光された前記感光性膜を現像する現像工程と、
前記現像工程の実行後、現像された前記感光性膜を介して前記電極材料膜をエッチングすることにより、互いに間隔を開けた状態の複数の画素電極と、一部の隣接画素電極間に配置される電気配線とを形成する画素電極形成工程と、
を有し、
前記第２部分露光工程では、前記第２のフォトマスクを、その端部が、前記第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、且つ、前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの前記重なり合う部分を前記電気配線の形成予定領域の上方に配置する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１１】
基板を準備する基板準備工程と、
前記基板上に、電極材料を含む電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、
前記電極材料膜上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
前記感光性膜形成工程の実行後、前記基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、前記第１のフォトマスクを介して前記感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
前記第１部分露光工程の実行後または前記第１部分露光工程の実行とともに、前記基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、前記第２のフォトマスクを介して前記感光性膜の前記第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
前記第１部分露光工程および前記第２部分露光工程の実行により、前記第１部分および前記第２部分が露光された前記感光性膜を現像する現像工程と、
前記現像工程の実行後、現像された前記感光性膜を介して前記電極材料膜をエッチングすることにより、互いに間隔をあけた状態の複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
を有し、
前記電極材料膜形成工程から前記画素電極形成工程では、前記複数の画素電極の形成領域を、第１画素電極形成領域と第２画素電極形成領域とに分けて考えるとき、前記第２画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔が、前記第１画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔に比べて大きくなるように、前記複数の画素電極を形成し、
前記第２部分露光工程では、前記第２のフォトマスクを、その端部が、前記第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、且つ、前記第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、前記第２画素電極形成領域の上方に配置する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１２】
基板と、
前記基板上に設けられ、電極材料を含み、互いに間隔をあけた状態で形成された複数の画素電極と、
前記基板上における一部の隣接画素電極間に設けられる電気配線と、
感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および前記画素電極と前記電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する隔壁と、
発光性の有機材料を含み構成され、前記サブピクセル領域において、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられた複数の有機層と、
前記複数の画素電極の各々に対して前記有機層を挟んで対向するとともに、前記電気配線に対向する共通電極と、
を有し、
前記電気配線領域において、前記電気配線の前記共通電極側の表面の幅は、前記複数のフォトマスクの重ね合わせ部分の幅よりも広い
ことを特徴とする有機ＥＬデバイス。
【請求項１３】
基板と、
前記基板上に設けられ、互いに間隔をあけた状態で形成された複数の画素電極と、
前記基板上における一部の画素電極間に設けられる電気配線と、
感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および前記画素電極と前記電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する隔壁と、
発光性の有機材料を含み構成され、前記サブピクセル領域において、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられた複数の有機層と、
前記複数の画素電極の各々に対して前記有機層を挟んで対向するとともに、前記電気配線に対向する共通電極と、
を有し、
前記電気配線は、その表面部が、前記複数のフォトマスクを重ね合わせるために重ね合わせ部として機能する
ことを特徴とする有機ＥＬデバイス。
【請求項１４】
基板と、
前記基板上に設けられ、互いに間隔をあけた状態で形成された複数の画素電極と、
前記基板上における一部の画素電極間に設けられる電気配線と、
感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および前記画素電極と前記電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する隔壁と、
発光性の有機材料を含み構成され、前記サブピクセル領域において、前記複数の画素電極の各々に対応して設けられた複数の有機層と、
前記複数の画素電極の各々に対して前記有機層を挟んで対向するとともに、前記電気配線に対向する共通電極と、
を有し、
前記電気配線領域における構成の一部には、前記複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光したことによる痕跡が残存する
ことを特徴とする有機ＥＬデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法、および有機ＥＬデバイスに関し、特に、製造過程の露光に際してのフォトマスクの配置形態に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスである有機ＥＬデバイスは、例えば、（ａ）基板上にＴＦＴ層を形成、（ｂ）ＴＦＴ層上に層間絶縁膜を積層、（ｃ）層間絶縁膜上に平坦化膜を積層、（ｄ）平坦化膜上にアノードを形成、（ｅ）隣接発光部間を区画するバンクを形成、（ｆ）バンクの形成により構成された凹部内に有機発光層を含む機能層を形成、（ｇ）複数の機能層上に連絡してカソードを形成、（ｈ）カソードを覆う封止膜を形成、という工程を経て形成される。【０００３】
ここで、有機ＥＬデバイスを始めとするデバイスの製造では、感光性膜を露光し、現像するという工程が多く含まれている。例えば、上記（ａ）のＴＦＴ層の形成においても、ゲート電極の形成、半導体層の形成、ソース・ドレイン電極の形成に際に露光・現像という工程が実行される。【０００４】
ところで、露光に用いるフォトマスクのサイズは、製造ラインにおけるジェネレーション（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）により規定されている。例えば、Ｇ（Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）６であれば８００［ｍｍ］×９２０［ｍｍ］（３２インチ）と規定されている。このため、露光対象とするデバイスのサイズによっては、複数回に分けて露光する必要が生じる（分割露光）。分割露光について、図３２を用い説明する。【０００５】
図３２（ａ）に示すように、基板９００上に金属膜９０１０ａおよびポジティブ型のレジスト膜９３０を順に堆積した後、レジスト膜９３０の一部を覆うようにフォトマスク５９０を配する。フォトマスク５９０は、透光基板５９０ａのＺ軸方向下側主面に遮光領域５９０ｂが形成されることによりパターン形成されている。フォトマスク５９０を配した状態で、当該フォトマスク５９０が配された部分に光を照射して１回目の露光を行う。【０００６】
次に、図３２（ｂ）に示すように、１回目の露光がなされたレジスト膜９３０の上方に、フォトマスク５９１を配し、当該状態でフォトマスク５９１が配された部分に光を照射して２回目の露光を行う。フォトマスク５９１も、フォトマスク５９０と同様に、透光基板５９１ａのＺ軸方向下側主面に遮光領域５９１ｂが形成されることによりパターン形成されている。【０００７】
ここで、２回目の露光の際に配されるフォトマスク５９１は、１回目の露光の際に配されるフォトマスク５９０に対し、互いの端部同士が重複するように配される（継ぎ目領域ＯＲ900）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４６０４７５２号公報
【特許文献２】特開２００６−４０５８９号公報
【特許文献３】特開２００５−２０３３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図３２（ａ）、（ｂ）に示す継ぎ目領域ＯＲ900では、２回の露光がなされているため、現像した後に他の領域とは異なる形状・性質となることが考えられる。例えば、現像・エッチングなどを行った後の状態では、継ぎ目領域ＯＲ900に微小な段差などが生じることも考えられる。【００１０】
上記のように、継ぎ目領域ＯＲ900がそのデバイス本来の特性に大きく影響する部分に割り当てられてしまった場合には、デバイスの品質低下が懸念される。【００１１】
本発明は、上記のような問題に鑑みなされたものであって、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができるデバイスの製造方法、および有機ＥＬデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法は、
（ａ）基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の画素電極を形成し、且つ、少なくとも一部の隣接画素電極間に電気配線を形成する画素電極形成工程と、
（ｃ）基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
（ｄ）感光性膜形成工程の実行後、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
（ｅ）第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
（ｆ）第１部分露光工程および第２部分露光工程の実行により、第１部分および第２部分が露光された感光性膜を現像する現像工程と、
を有する。【００１３】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｅ）第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が（ｄ）第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、（ｂ）画素電極形成工程、および（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が、（ｂ）画素電極形成工程における電気配線と対応する位置をとるようにする、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を、電気配線と対応する位置をとるようにしているので、デバイス特性の低下を抑えることが可能となる。即ち、デバイスにおいて、電気配線と対応する位置に、例え第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が規定され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、デバイスとしての特性の大きな低下は回避できるためである。【００１５】
従って、本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置１の製造工程のうち、有機ＥＬパネル１０の製造工程を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１５】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１６】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１７】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１８】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図１９】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２０】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２１】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２２】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２３】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２４】（ａ）、（ｂ）は、有機ＥＬ装置１の製造工程の一部を示す模式断面図である。
【図２５】有機ＥＬ装置１における有機ＥＬパネル１０の構成を示す模式断面図である。
【図２６】有機ＥＬ装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【図２７】（ａ）は、有機ＥＬパネル１０の構成を示す断面図であり、（ｂ）は、ゲート電極形成に係る１回目の露光工程を示す模式断面図であり、（ｂ）は、ゲート電極形成に係る２回目の露光工程を示す模式断面図である。
【図２８】（ａ）は、１回目の露光工程での第１マスクの配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、２回目の露光工程での第２マスクの配置形態を示す模式平面図である。
【図２９】（ａ）は、比較例に係る１回目の露光工程での第１マスクの配置形態を示す模式平面図であり、（ｂ）は、比較例に係る２回目の露光工程での第２マスクの配置形態を示す模式平面図である。
【図３０】（ａ）は、露光工程で用いるマスクの構成を示す模式平面図であり、（ｂ）は、第１マスクと第２マスクとの継ぎ目を示す模式断面図である。
【図３１】（ａ）は、１回目の露光工程を実行した後のレジストパターンを示す模式平面図であり、（ｂ）は、２回目の露光と現像を行った後のレジストパターンを示す模式平面図である。
【図３２】（ａ）は、従来技術に係る１回目の露光工程を示す模式断面図であり、（ｂ）は、従来技術に係る２回目の露光工程を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
［本発明の態様の概要］
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法は、
（ａ）基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の画素電極を形成し、且つ、少なくとも一部の隣接画素電極間に電気配線を形成する画素電極形成工程と、
（ｃ）基板上に感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
（ｄ）感光性膜形成工程の実行後、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
（ｅ）第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
（ｆ）第１部分露光工程および第２部分露光工程の実行により、第１部分および第２部分が露光された感光性膜を現像する現像工程と、
を有する。
【００１８】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｅ）第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が（ｄ）第１部分露光工程における前記第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、（ｂ）画素電極形成工程、および（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が、（ｂ）画素電極形成工程における電気配線と対応する位置をとるようにする、ことを特徴とする。
【００１９】
上記構成を採用する本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を、電気配線と対応する位置をとるようにしているので、デバイス特性の低下を抑えることが可能となる。即ち、デバイスにおいて、電気配線と対応する位置に、例え第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が規定され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、デバイスとしての特性の大きな低下は回避できるためである。
【００２０】
従って、本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００２１】
上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、画素電極形成工程において、電気配線を基板主面に対してライン状で、且つ、幅が重なり合う部分の幅よりも大きくなるように形成する、という構成を採用することもできる。このような構成を採用することにより、露光における継ぎ目領域を確実に電気配線の形成領域内へと収めることができ、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００２２】
上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、画素電極形成工程の実行後に、感光性膜形成工程を実行する、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、電気配線が形成された層レベルよりも上層の部位形成において、露光の継ぎ目領域を電気配線の形成領域内に収めることができる。よって、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００２３】
上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、感光性膜形成工程から現像工程の実行後に、画素電極形成工程を実行する、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、電気配線が形成される予定の層レベルよりも下層の部位形成において、露光の継ぎ目領域を電気配線の形成領域内に収めることができる。よって、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００２４】
上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、第１のフォトマスクおよび第２のフォトマスクの各々においては、少なくとも一部領域にマスクパターンが形成されており、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分で、第１のフォトマスクのマスクパターンと第２のフォトマスクのマスクパターンとが重なり合う、という構成を採用することもできる。
【００２５】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、
（ａ）基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）基板上に、互いに間隔をあけた状態で複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
（ｃ）基板上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
（ｄ）感光性膜形成工程の実行後に、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
（ｅ）第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
（ｆ）第１部分露光工程および第２部分露光工程の実行により、露光された感光性膜を現像する現像工程と、を有する。
【００２６】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｂ）画素電極形成工程において、複数の画素電極の形成領域を、第１画素電極形成領域と第２画素電極形成領域とに分けて考えるとき、第２画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔が、第１画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔に比べて大きくなるように、複数の画素電極を形成し、（ｅ）第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が、（ｄ）第１部分露光工程における第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、（ｂ）画素電極形成工程および（ｄ）第１部分露光工程および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、（ｂ）画素電極形成工程における第２画素電極形成領域と対応する位置をとるようにする、ことを特徴とする。
【００２７】
上記構成を採用する本発明の一態様に係るデバイスの製造方法でも、（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を、隣接画素電極間の間隔が相対的に広い第２画素電極形成領域と対応する位置（隣接画素電極間の間隔領域）にとるようにしているので、デバイス特性の低下を抑えることが可能となる。即ち、デバイスにおいて、隣接画素電極間の間隔が相対的に広い第２画素電極形成領域に露光の継ぎ目領域を配することで、例え第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が規定され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、画素電極およびその上下層への影響がなく、デバイスとしての特性の大きな低下は回避できるためである。
【００２８】
従って、本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００２９】
上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｂ）画素電極形成工程において、第２画素電極形成領域に、金属膜を基板主面に対してライン状に形成し、（ｂ）画素電極形成工程および（ｄ）第１部分露光工程および（ｅ）第２部分露光工程で、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、（ｂ）画素電極形成工程における金属膜と対応する位置をとるようにする、という構成を採用することもできる。
【００３０】
また、上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｂ）画素電極形成工程の実行後に、（ｃ）感光性膜形成工程を実行する、という構成を採用することもできる。この構成を採用することにより、画素電極が形成された層レベルよりも上層側についての露光処理を実行する際に、上述のように第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの重なり合う部分を配置することで、高品位なデバイスの製造を行うことができる。
【００３１】
また、上記本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｃ）感光性膜形成工程から（ｆ）現像工程の実行後に、（ｂ）画素電極形成工程を実行する、という構成を採用することもできる。このような構成を採用する場合には、画素電極が形成された層レベルよりも下層側についての露光処理を実行する際に、上述のように第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの重なり合う部分を配置することで、高品位なデバイスの製造を行うことができる。
【００３２】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、
（ａ）基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）基板上に、電極材料を含む電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、
（ｃ）電極材料膜上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
（ｄ）感光性膜形成工程の実行後、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
（ｅ）第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
（ｆ）第１部分露光工程および第２部分露光工程の実行により、第１部分および第２部分が露光された感光性膜を現像する現像工程と、
（ｇ）現像工程の実行後、現像された感光性膜を介して電極材料膜をエッチングすることにより、互いに間隔を開けた状態の複数の画素電極と、一部の隣接画素電極間に配置される電気配線とを形成する画素電極形成工程と、を有する。
【００３３】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｅ）第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が、（ｄ）第１部分露光工程における第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、且つ、第１のフォトマスクと前記第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を電気配線の形成予定領域の上方に配置する、ことを特徴とする。
【００３４】
上記構成を採用する本発明の一態様に係るデバイスの製造方法でも、（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を、電気配線の形成予定領域の上方にとるようにしているので、デバイス特性の低下を抑えることが可能となる。即ち、デバイスにおいて、デバイス特性に大きな影響を与えないことが多い電気配線の形成予定領域に露光の継ぎ目領域を配することで、例え第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が規定され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、画素電極およびその上下層への影響がなく、デバイスとしての特性の大きな低下は回避できるためである。
【００３５】
従って、本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００３６】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、
（ａ）基板を準備する基板準備工程と、
（ｂ）基板上に、電極材料を含む電極材料膜を形成する電極材料膜形成工程と、
（ｃ）電極材料膜上に、感光性材料を塗布して感光性膜を形成する感光性膜形成工程と、
（ｄ）感光性膜形成工程の実行後、基板に対向させて第１のフォトマスクを配置し、第１のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分を露光する第１部分露光工程と、
（ｅ）第１部分露光工程の実行後または第１部分露光工程の実行とともに、基板に対向させて第２のフォトマスクを配置し、第２のフォトマスクを介して感光性膜の第１部分とは少なくとも一部が異なる第２部分を露光する第２部分露光工程と、
（ｆ）第１部分露光工程および第２部分露光工程の実行により、第１部分および第２部分が露光された感光性膜を現像する現像工程と、
（ｇ）現像工程の実行後、現像された感光性膜を介して電極材料膜をエッチングすることにより、互いに間隔をあけた状態の複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、を有する。
【００３７】
本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、（ｂ）電極材料膜形成工程から（ｇ）画素電極形成工程において、複数の画素電極の形成領域を、第１画素電極形成領域と第２画素電極形成領域とに分けて考えるとき、第２画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔が、第１画素電極形成領域における隣接画素電極間の間隔に比べて大きくなるように、複数の画素電極を形成し、（ｅ）第２部分露光工程において、第２のフォトマスクを、その端部が、第１部分露光工程における第１のフォトマスクの端部に重なり合うように配置し、且つ、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの重なり合う部分が、第２画素電極形成領域の上方に配置する、ことを特徴とする。
【００３８】
上記構成を採用する本発明の一態様に係るデバイスの製造方法でも、（ｄ）第１部分露光工程、および（ｅ）第２部分露光工程において、第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分を、隣接画素電極間の間隔が相対的に広い第２画素電極形成領域と対応する位置（隣接画素電極間の間隔領域）にとるようにしているので、デバイス特性の低下を抑えることが可能となる。即ち、デバイスにおいて、隣接画素電極間の間隔が相対的に広い第２画素電極形成領域に露光の継ぎ目領域を配することで、例え第１のフォトマスクと第２のフォトマスクとの上記重なり合う部分が規定され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、画素電極およびその上下層への影響がなく、デバイスとしての特性の大きな低下は回避できるためである。
【００３９】
従って、本発明の一態様に係るデバイスの製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、デバイス特性の低下を抑えることができる。
【００４０】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、基板と、複数の画素電極と、電気配線と、隔壁と、複数の有機層と、共通電極とを有する。複数の画素電極は、基板上に設けられ、電極材料を含み、互いに間隔をあけた状態で形成されている。電気配線は、基板上における一部の隣接画素電極間に設けられている。隔壁は、感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および画素電極と電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する。複数の有機層は、発光性の有機材料を含み構成され、サブピクセル領域において、複数の画素電極の各々に対応して設けられている。共通電極は、複数の画素電極の各々に対して有機層を挟んで対向するとともに、電気配線に対向している。
【００４１】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、電気配線領域において、電気配線の共通電極側の表面の幅が、複数のフォトマスクの重ね合わせ部分の幅よりも広い、ことを特徴とする。
【００４２】
上記のように、電気配線における共通電極側の表面の幅を、複数のフォトマスクの重ね合わせ部分の幅よりも広い、という構成を採用することで、当該有機ＥＬデバイスの製造において、複数のフォトマスクについて、その端部同士の重ね合わせ部分が電気配線領域に対応するように配することができる。これにより、上記重ね合わせ部分で２回あるいはそれ以上の露光がなされた場合にあっても、表示品位に直接影響する画素部への影響はないのでデバイスとしての特性低下は抑えられる。
【００４３】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、高い表示品質を備える。
【００４４】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、基板と、複数の画素電極と、電気配線と、隔壁と、複数の有機層と、共通電極とを有する。複数の画素電極は、基板上に設けられ、互いに間隔をあけた状態で形成されている。電気配線は、基板上における一部の画素電極間に設けられている。隔壁は、感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および画素電極と電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する。複数の有機層は、発光性の有機材料を含み構成され、サブピクセル領域において、複数の画素電極の各々に対応して設けられている。共通電極は、複数の画素電極の各々に対して有機層を挟んで対向するとともに、電気配線に対向している。
【００４５】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスは、電気配線の表面部が、複数のフォトマスクを重ね合わせるために重ね合わせ部として機能する、ことを特徴とする。
【００４６】
上記のように、電気配線の表面部が、複数のフォトマスクを重ね合わせるために重ね合わせ部として機能する、という構成を採用することにより、露光における複数のフォトマスクの重ね合わせ部分について、２回あるいはそれ以上の露光がなされたとしても、表示品質の低下が抑えられる。即ち、有機ＥＬデバイスにおける電気配線は、その反射率が一定であるため、複数のフォトマスクの重ね合わせ部で２回あるいはそれ以上の露光がなされた場合にあっても、形状が安定する。よって、電気配線の表面部を、複数のフォトマスクの重ね合わせ部として機能させることにより、高い表示品質を得ることができる。
【００４７】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、高い表示品質を備える。
【００４８】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、基板と、複数の画素電極と、電気配線と、隔壁と、複数の有機層と、共通電極とを有する。複数の画素電極は、基板上に設けられ、互いに間隔をあけた状態で形成されている。電気配線は、基板上における一部の画素電極間に設けられている。隔壁は、感光性材料を含み、感光性材料膜を複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光されて設けられ、隣接画素電極間および画素電極と電気配線との間に配置され、サブピクセル領域および電気配線領域を規定する。複数の有機層尾は、発光性の有機材料を含み構成され、サブピクセル領域において、複数の画素電極の各々に対応して設けられている。共通電極は、複数の画素電極の各々に対して有機層を挟んで対向するとともに、電気配線に対向している。
【００４９】
本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、電気配線領域における構成の一部について、複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光したことによる痕跡が残存する、ことを特徴とする。
【００５０】
上記のように、電気配線領域に複数のフォトマスクを部分的に重ね合わせて露光したことによる痕跡が存在するという構成は、換言すると、電気配線領域で複数のフォトマスクを重ね合わせて露光が実行されたということになる。この場合、上述のように、表示品質に大きな影響を与えず、また、反射率が一定であるために重ね合わせ部での形状が不安定になり難い電気配線領域で２回あるいはそれ以上の露光がなされても、表示品質に大きく影響する画素領域への２回露光の影響を回避することができる。
【００５１】
従って、本発明の一態様に係る有機ＥＬデバイスでは、高い表示品質を備える。
【００５２】
［実施の形態］
以下では、具体例を用い、本発明に係る態様の特徴、および作用・効果について説明する。なお、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以下の実施の形態に何ら限定を受けるものではない。
【００５３】
１．有機ＥＬパネル１０の製造方法
先ず、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法について、図１から図２５を用い説明する。なお、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０は、デバイスの一例とするっものである。
【００５４】
（１）ＴＦＴ層１０１の形成
図２（ａ）に示すように、基板１００を準備する（図１のステップＳ１）。基板１００としては、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素基などの半導体基板、樹脂基板等を用いることができる。
【００５５】
樹脂基板としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルベンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、プリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変形ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち１種、または２種以上を積層した積層体を用いることができる。
【００５６】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板１００の一方の主面（Ｚ軸方向上側主面）上に、金属膜１０１０ａを成膜する。金属膜１０１０ａの成膜には、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などを用いることができる。
【００５７】
また、金属膜１０１０ａとしては、例えば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００５８】
次に、図２（ｃ）に示すように、金属膜１０１０ａを覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３００を堆積させる。
【００５９】
次に、図３（ａ）に示すように、金属膜１０１０ａ上に体積されたレジスト膜３００の上方の一部を覆うように、フォトマスク５００を配置する。フォトマスク５００は、透光基板５００ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５００ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５００を介して光を照射することにより、レジスト膜３００の一部３００ａが露光される。
【００６０】
続いて、図３（ｂ）に示すように、レジスト膜３００の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０１を配置する。フォトマスク５０１についても透光基板５０１ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０１ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５００とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ1）。この位置関係については、後述する。
【００６１】
図３（ｂ）の状態でフォトマスク５０１を介して光を照射することにより、レジスト膜３００の一部３００ｂが露光される。
【００６２】
次に、図４（ａ）に示すように、２回の露光を実行した後のレジスト膜３００を現像することにより、露光された部分３００ａ，３００ｂが除去され、開口３０１ａが開けられパターニングされたレジスト膜３０１が得られる。
【００６３】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜３０１の開口３０１ａを介して金属膜１０１０ａをエッチングし、ＴＦＴ層１０１のゲート電極１０１ａが得られる（図１のステップＳ２）。ゲート電極１０１ａの形成に係るエッチングについては、ドライエッチングとウェットエッチングのどちらを用いてもよい。
【００６４】
次に、図５（ａ）に示すように、レジスト膜３０１を除去した後に、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極１０１ａの表面を含めた基板１００の表面を覆うように、絶縁膜１０１０ｂを成膜する。絶縁膜１０１０ｂの成膜には、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いることができ、形成材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮX）や酸化シリコン（ＳｉＯX）などを採用することができる。
【００６５】
次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜１０１０ｂを覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３０２を堆積させる。
【００６６】
次に、図６（ａ）に示すように、絶縁膜１０１０ｂ上に体積されたレジスト膜３０２の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０２を配置する。フォトマスク５０２についても、透光基板５０２ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０２ｂが形成されることでパターニングされているが、図５（ａ）に図示する範囲内では光透過部はなく、図示の範囲外に光の透過部が設定されている。この状態でフォトマスク５０２を介して光を照射することにより、レジスト膜３０２の一部が露光される（図示を省略）。
【００６７】
続いて、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜３０２の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０３を配置する。フォトマスク５０３についても透光基板５０３ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０３ｂが形成されることでパターニングされているが、上記同様に、図５（ａ）に図示する範囲内では光透過部はなく、図示の範囲外に光の透過部が設定されている。そして、本工程においても、先の露光で用いられたフォトマスク５０２とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ2）。
【００６８】
図６（ｂ）の状態でフォトマスク５０３を介して光を照射することにより、レジスト膜３０２の一部が露光される（図示を省略）。
【００６９】
図７（ａ）に示すように、レジスト膜３０２を現像することにより、フォトマスク５０２，５０３の各遮光領域５０２ｂ，５０３ｂで遮光されることで露光されなかった部分が残り、図示の範囲外の露光された部分が除去される。
【００７０】
図７（ｂ）に示すように、絶縁膜１０１０ｂをドライエッチングすることにより、ＴＦＴ層１０１におけるゲート絶縁膜１０１ｂが得られる（図１のステップＳ３）。そして、この後、レジスト膜３０２を除去する。
【００７１】
次に、図７（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜１０１ｂを覆うように、半導体膜１０１０ｃを成膜する。半導体膜１０１０ｃの形成には、例えば、ＣＶＤ法を用いることができ、形成材料としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）を採用することができる。
【００７２】
次に、図７（ｄ）に示すように、半導体膜１０１０ｃを覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３０３を堆積させる。
【００７３】
次に、図８（ａ）に示すように、半導体膜１０１０ｃ上に体積されたレジスト膜３０３の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０４を配置する。フォトマスク５０４についても、透光基板５０４ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０４ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５０４を介して光を照射することにより、レジスト膜３０３の一部３０３ａが露光される。
【００７４】
続いて、図８（ｂ）に示すように、レジスト膜３０３の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０５を配置する。フォトマスク５０５についても透光基板５０５ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０５ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５０４とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ3）。
【００７５】
図８（ｂ）の状態でフォトマスク５０５を介して光を照射することにより、レジスト膜３０３の一部３０３ｂが露光される。
【００７６】
次に、図９（ａ）に示すように、露光後のレジスト膜３０３を現像することにより、露光部分が開口３０４ａされたレジスト膜３０４が得られる。
【００７７】
次に、図９（ｂ）に示すように、半導体膜１０１０ｃをドライエッチングすることにより、ＴＦＴ層１０１における半導体層１０１ｃが得られる（図１のステップＳ４）。
【００７８】
次に、図１０（ａ）に示すように、レジスト膜３０４を除去した後に、図１０（ｂ）に示すように、半導体層１０１ｃおよびゲート絶縁膜１０１ｂを覆うように、金属膜１０１０ｄｅを成膜する。金属膜１０１０ｄｅの成膜には、例えば、スパッタリング法を用いることができ、形成材料としては、ゲート電極１０１ａと同様に、例えば、クロム、アルミニウム、タンタル、モリブデン、ニオブ、銅、銀、金、白金、プラチナ、パラジウム、インジウム、ニッケル、ネオジウムなどの金属もしくはそれらの合金、または、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ガリウムなどの導電性金属酸化物もしくはインジウムスズ複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）、インジウム亜鉛複合酸化物（以下、「ＩＺＯ」と略す。）、アルミニウム亜鉛複合酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛複合酸化物（ＧＺＯ）などの導電性金属複合酸化物、または、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレンなどの導電性高分子もしくはそれらに、塩酸、硫酸、スルホン酸などの酸、六フッ化リン、五フッ化ヒ素、塩化鉄などのルイス酸、ヨウ素などのハロゲン原子、ナトリウム、カリウムなどの金属原子などのドーパントを添加したもの、もしくは、カーボンブラックや金属粒子を分散した導電性の複合材料などが挙げられる。また、金属微粒子とグラファイトのような導電性粒子を含むポリマー混合物を用いてもよい。これらは、１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７９】
次に、図１０（ｃ）に示すように、金属膜１０１０ｄｅを覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３０５を堆積させる。
【００８０】
次に、図１１（ａ）に示すように、金属膜１０１０ｄｅ上に体積されたレジスト膜３０５の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０６を配置する。フォトマスク５０６についても、透光基板５０６ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０６ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５０６を介して光を照射することにより、レジスト膜３０５の一部３０５ａが露光される。
【００８１】
続いて、図１１（ｂ）に示すように、レジスト膜３０５の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０７を配置する。フォトマスク５０７についても、透光基板５０７ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０７ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５０６とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ4）。
【００８２】
図１１（ｂ）の状態でフォトマスク５０７を介して光を照射することにより、レジスト膜３０５の一部３０５ｂが露光される。
【００８３】
次に、図１２（ａ）に示すように、露光後のレジスト膜３０５を現像することにより、露光部分が開口３０６ａされたレジスト膜３０６が得られる。
【００８４】
次に、図１２（ｂ）に示すように、金属膜１０１０ｄｅをエッチングすることにより、ＴＦＴ層１０１におけるソース電極１０１ｄおよびドレイン電極１０１ｅが得られる（図１のステップＳ５）。なお、本工程の実施では、ドライエッチングを用いてもよいし、ドライエッチングを用いてもよい。
【００８５】
（２）層間絶縁膜１０２および平坦化膜１０３の形成
次に、図１２（ｃ）に示すように、レジスト膜３０６を除去した後、図１３（ａ）に示すように、ＴＦＴ層１０１を覆う状態で、層間絶縁膜１０２０を積層する（図１のステップＳ６）。層間絶縁膜１０２０の形成には、例えば、ＣＶＤ法を用いることができ、形成材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＯX）や酸化シリコン（ＳｉＯX）を採用することができる。
【００８６】
次に、図１３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０２０を覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３０７を堆積させる。
【００８７】
次に、図１４（ａ）に示すように、層間絶縁膜１０２０上に体積されたレジスト膜３０７の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０８を配置する。フォトマスク５０８についても、透光基板５０８ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０８ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５０８を介して光を照射することにより、レジスト膜３０７の一部３０７ａが露光される。
【００８８】
続いて、図１４（ｂ）に示すように、レジスト膜３０７の上方の一部を覆うように、フォトマスク５０９を配置する。フォトマスク５０９についても、透光基板５０９ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５０９ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５０８とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ5）。
【００８９】
図１４（ｂ）の状態でフォトマスク５０９を介して光を照射することにより、レジスト膜３０７の一部３０７ｂが露光される。
【００９０】
次に、図１５（ａ）に示すように、レジスト膜３０７を現像することにより、露光された部分３０７ａ，３０７ｂが開口され、開口３０８ａが開けられたレジスト膜３０８が得られる。
【００９１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、レジスト膜３０８の開口３０８ａを介してドライエッチングを実行することにより、開口（コンタクトホール）１０２１ａが開けられた層間絶縁膜１０２１が得られる（図１のステップＳ７）。
【００９２】
次に、図１６（ａ）に示すように、レジスト膜３０８を除去した後、図１６（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０２１を覆うように、平坦化膜１０３０を堆積させる（図１のステップＳ８）。平坦化膜１０３０は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成できる。
【００９３】
次に、図１７（ａ）に示すように、平坦化膜１０３０の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１０を配置する。フォトマスク５１０についても、透光基板５１０ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１０ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５１０を介して光を照射することにより、平坦化膜１０３０の一部１０３０ａが露光される。
【００９４】
続いて、図１７（ｂ）に示すように、平坦化膜１０３０の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１１を配置する。フォトマスク５１１についても、透光基板５１１ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１１ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５１０とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ6）。
【００９５】
図１７（ｂ）の状態でフォトマスク５１１を介して光を照射することにより、平坦化膜１０３０の一部１０３０ｂが露光される。
【００９６】
次に、図１８（ａ）に示すように、露光後における平坦化膜１０３０を現像することにより、層間絶縁膜１０２１における開口（コンタクトホール）１０２１ａ（図１６（ａ）を参照）に連通する開口（コンタクトホール）１０３１ａが開けられた平坦化膜１０３１が得られる（図１のステップＳ９）。
【００９７】
次に、図１８（ｂ）に示すように、平坦化膜１０３１をベークすることにより、Ｚ軸方向の下方から上方に行くに従って断面サイズが漸増する開口１０３ａが開けられた平坦化膜１０３が得られる。
【００９８】
（３）アノード１０４およびバスバー１０９の形成
次に、開口１０３ａを臨む周面を含む平坦化膜１０３の表面に対して、金属膜１０４０を成膜する。金属膜１０４０の成膜には、例えば、スパッタリング法を用いることができ、形成材料としては、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）を含む材料を採用することができる。
【００９９】
次に金属膜１０４０を覆うように、ポジティブ型のレジスト膜３０９を堆積させる。
【０１００】
次に、図２０（ａ）に示すように、レジスト膜３０９の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１２を配置する。フォトマスク５１２についても、透光基板５１２ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１２ｂが形成されることでパターニングされている。この状態でフォトマスク５１２を介して光を照射することにより、レジスト膜３０９の一部３０９ａが露光される。
【０１０１】
続いて、図２０（ｂ）に示すように、レジスト膜３０９の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１３を配置する。フォトマスク５１３についても、透光基板５１３ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１３ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５１２とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ7）。
【０１０２】
図２０（ｂ）の状態でフォトマスク５１３を介して光を照射することにより、レジスト膜３０９の一部３０９ｂが露光される。
【０１０３】
その後、図２１（ａ）に示すように、レジスト膜３０９を現像することにより、露光された部分３０９ａ，３０９ｂに開口３１０ａが開けられたレジスト膜３１０が得られる。そして、図２１（ｂ）に示すように、開口３１０ａの底部に露出する金属膜１０４０をエッチングすることにより、互いに間隔をあけて配置された画素電極（アノード）１０４および電気配線（バスバー）１０９を形成することができる（図１のステップＳ１０）。なお、アノード１０４およびバスバー１０９の形成に用いるエッチングは、ドライエッチングを用いることもできるし、ウェットエッチングを用いることもできる。
【０１０４】
（４）バンク１０５の形成
次に、図２２（ａ）に示すように、レジスト膜３１０を除去した後、図２２（ｂ）に示すように、バンク材料膜１０５０を堆積させる。バンク材料膜１０５０は、樹脂等の有機材料を用い形成されており絶縁性を有し、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等を用い形成することができる。また、バンク材料膜１０５０に用いる有機材料としては、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク材料膜１０５０は、バンク形成工程中において、エッチング処理、ベーク処理など施されることがあることから、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。
【０１０５】
なお、バンク材料膜１０５０の構造については、図２２（ｂ）に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
【０１０６】
ここで、図２２（ａ）に示すように、バスバー１０９が形成された領域（バスバー形成領域）１０ａについては、そのＺ軸方向下方にＴＦＴ層１０１における電極１０１ａ，１０１ｄ，１０１ｅなどが形成されていない。
【０１０７】
次に、図２３（ａ）に示すように、バンク材料膜１０５０の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１４を配置する。フォトマスク５１４についても、透光基板５１４ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１４ｂが形成されることでパターニングされている。図２３（ａ）に示すように、フォトマスク５１４における遮光領域５１４ｂは、各アノード１０４に対応した箇所と、バスバー１０９に対応した箇所となっている。
【０１０８】
図２３（ａ）の状態でフォトマスク５１４を介して光を照射することにより、バンク材料膜１０５０の一部１０５０ａが露光される。
【０１０９】
続いて、図２３（ｂ）に示すように、バンク材料膜１０５０の上方の一部を覆うように、フォトマスク５１５を配置する。フォトマスク５１５についても、透光基板５１５ａのＺ軸方向下側の主面に遮光領域５１５ｂが形成されることでパターニングされており、先の露光で用いられたフォトマスク５１４とは、端部の一部同士が重なり合うように配置される（重ね合わせ部ＯＲ8）。また、フォトマスク５１５における遮光領域５１５ｂについても、アノード１０４に対応した箇所と、バスバー１０９に対応した箇所となっている。
【０１１０】
図２３（ｂ）の状態でフォトマスク５１５を介して光を照射することにより、バンク材料膜１０５０の一部１０５０ｂが露光される。
【０１１１】
次に、図２４（ａ）に示すように、露光されたバンク材料膜１０５０を現像することにより、露光された部分１０５０ａ，１０５０ｂに開口１０５１ａ，１０５１ｂが開けられたバンク材料膜１０５１が得られる。バンク材料膜１０５１に開けられた開口１０５１ａの底部には、アノード１０４およびバスバー１０９が露出する。
【０１１２】
次に、図２４（ｂ）に示すように、バンク材料膜１０５１をベークすることにより、バンク１０５を形成することができる（図１のステップＳ１１）。なお、この後、バンク１０５の表面、より具体的にはバンク１０５における開口を臨む内側面に撥液性をもたせることもできる。例えば、表面をフッ素処理することもできる。
【０１１３】
（５）機能層１０６の形成
次に、バンク１０５で規定された開口のうち、底部にアノード１０４が敷設された部分に、機能層１０６を形成する（図１のステップＳ１２）。機能層１０６は、少なくとも有機発光層を含む積層構造を有し、有機発光層の他に、アノード１０４と有機発光層との間には、例えば、ホール注入層やホール輸送層が介挿され、有機発光層よりもＺ軸方向上側には、電子輸送層などが形成された構成を有する。
【０１１４】
ホール注入層の形成材料としては、例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料や、あるいは、モリブデン（Ｍｏ）酸化物、タングステン（Ｗ）酸化物といった遷移金属酸化物などを採用することができる。
【０１１５】
また、ホール輸送層の形成材料としては、親水基を備えない高分子化合物を採用することができる。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【０１１６】
また、有機発光層は、例えば、ウェットプロセスを用い形成されるものであって、形成材料としては、ウェットプロセスを用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
【０１１７】
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
【０１１８】
また、電子輸送層の形成材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンあるいはその誘導体、アントラキノンあるいはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンあるいはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンあるいはその誘導体、ポリキノキサリンあるいはその誘導体、ポリフルオレンあるいはその誘導体などを採用することができる。
【０１１９】
次に、図２５に示すように、機能層１０６およびバンク１０５の露出面を被覆するように、共通電極（カソード）１０７を形成する（図１のステップＳ１３）。カソード１０７は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型のパネルを一例として採用する本実施の形態では、カソード１０７の光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
【０１２０】
なお、カソード１０７については、バスバー形成領域１０ａにおいて、バスバー１０９に対して電気的に接続されている。
【０１２１】
次に、カソード１０７を被覆するように、封止層１０８を形成する（図１のステップＳ１４）。封止層１０８は、機能層１０６の中でも特に有機発光層が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、形成材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの材料を採用することができる。トップエミッション型を一例として採用する本実施の形態においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
【０１２２】
この後、図示を省略しているが、カラーフィルタ層が形成されたカラーフィルタ（ＣＦ）基板を対向配置し、互いを接合することで有機ＥＬパネル１０が完成する。
【０１２３】
２．有機ＥＬ装置１の製造方法
図２６に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ装置１は、上記製造された有機ＥＬパネル１０に対して、駆動回路２１〜２４と制御回路２５などとから構成される駆動制御部２０を接続することで製造される。
【０１２４】
なお、有機ＥＬパネル１０に対して駆動制御部２０を接続した後において、エージング処理を適宜実行することもある。
【０１２５】
３．効果
本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法が得られる効果について、図２７から図２９を用い説明する。
【０１２６】
図２７（ａ）には、封止層１０８の形成までが完了したパネルの概略構成を示し、（ｂ）および（ｃ）には、ＴＦＴ層１０１の形成に係るレジスト膜３００の露光工程の模式断面図を示す。
【０１２７】
図２７（ｂ）、（ｃ）に示すように、フォトマスク５００とフォトマスク５０１とは、その端部同士が重なり合うように配置されている（重ね合わせ部ＯＲ1）。この重ね合わせ部ＯＲ1は、図２７（ａ）と対比するとき、バスバー１０９が形成されたバスバー形成領域１０ａに収まるようになっている。換言すると、本実施の形態に係る製造方法では、各サブピクセルにおけるアノード１０４が形成された領域を外し、非発光部であるバスバー形成領域１０ａに選択的に重ね合わせ部ＯＲ1が来るように、フォトマスク５００とフォトマスク５０１とを配置することとしている。
【０１２８】
なお、他の露光工程においても、フォトマスク５０２〜５１５についても、各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8がバスバー形成領域１０ａに収まるように配置している。
【０１２９】
本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法では、上記のようなフォトマスク５００〜５１５の配置形態を採用することにより、高い表示品質を得ることが可能となる。即ち、有機ＥＬパネル１０において、電気配線であるバスバー１０９を形成するバスバー形成領域１０ａに、例えフォトマスク５００〜５１５の各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8が配置され、当該部分で露光における継ぎ目に起因する影響が表れても、表示品質を得ることができるためである。
【０１３０】
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法では、製造過程で分割露光を採用した場合にも、高い表示品質を得ることができる。
【０１３１】
なお、平面視する場合には、図２８（ａ）、（ｂ）に示すように、ライン状に延伸するバスバーに沿って第１（フォト）マスクと第２（フォト）マスクとの重ね合わせ部を規定することで、露光における継ぎ目をバスバー形成領域に合わせることができる。これにより、反射率が一定のバスバーについて、２回露光がなされても、露光の継ぎ目が割り当てられることによる形状のバラツキは小さい。よって、有機ＥＬパネル１０の高い表示品質が得られる。
【０１３２】
一方、図２９（ａ）、（ｂ）に示すように、比較例に係る製造方法のようにサブピクセルを形成領域に、第１（フォト）マスクと第２（フォト）マスクとの重ね合わせ部が規定された場合には、露光の継ぎ目（２回露光された部分）で、発光に直接影響するサブピクセルの構成部位で形状や膜質などに不安定な部分が生じることが考えられる。このため、図２９（ａ）、（ｂ）に示す比較例の製造方法では、表示品質の低下が生じ得る。
【０１３３】
以上のように、本実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法では、フォトマスク５００〜５１５の各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8をバスバー形成領域１０ａに収めることにより、効率的な製造のために分割露光を採用する場合においても、高い表示品質を備えた有機ＥＬパネル１０を製造することができる。
【０１３４】
４．フォトマスクの形態
フォトマスクの形態について、図３０を用い補足しておく。
【０１３５】
図３０（ａ）に示すように、フォトマスクは、ベースとなる透光基板（ベース基板）の外縁を除く中程の領域に、パターン領域が形成されている。上記のフォトマスク５００〜５１５における遮光領域５００ｂ〜５１５ｂは、このパターン領域を構成するものであって、パターン領域の外側には形成されていない。
【０１３６】
従って、図３０（ｂ）に示すように、本明細書において、第１（フォト）マスクと第２（フォト）マスクの端部同士の重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8とは、ベース基板の端部同士の重ね合わせ部を示しているのではなく、厳密に言えば、パターン領域の端部同士の重ね合わせ部を示すものである。
【０１３７】
５．分割露光における露光継ぎ目の痕跡
分割露光における露光継ぎ目の痕跡について、図３１を用い説明する。
【０１３８】
図３１（ａ）に示すように、フォトマスクを介して１回目の露光を行うと、レジストパターン（Ａ）が形成される。そして、先のフォトマスクと端部同士が重ね合わさるようにフォトマスクを配置して２回目の露光を行うと、図３１（ｂ）に示すように、レジストパターン（Ａ）に対して、露光継ぎ目である重なり部分と、アライメントマージン分のズレを持ったレジストパターン（Ｂ）が形成される。
【０１３９】
このような露光を経てデバイスの構成部位を形成した場合には、露光継ぎ目に対応する部分に部位の形状あるいは膜厚などに段差や変形を生じることが考えられる。このため、本実施の形態に係る製造方法を用い製造した有機ＥＬパネル１０では、バスバー１０９が敷設されたバスバー形成領域１０ａに、そのようなパターンズレや膜厚変動部分が痕跡として残存すると考えられる。
【０１４０】
なお、露光装置におけるアライメント精度の３σの値が±１．５［μｍ］であると仮定する場合、フォトマスク同士の重ね合わせ部の重ね代については、例えば、３．０［μｍ］とすることができる。
【０１４１】
［その他の事項］
上記実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法では、全ての露光工程について、フォトマスク５００〜５１５の端部同士の各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8をバスバー形成領域１０ａに収めることとしたが、形成しようとする部位が、デバイスとしての特性、即ち、表示品質に大きな影響を与えないと経験的に分かっている部位の形成工程においては、必ずしも重ね合わせ部をバスバー形成領域１０ａに収める必要はない。
【０１４２】
また、上記実施の形態に係る有機ＥＬパネル１０の製造方法では、全ての露光工程について、フォトマスク５００〜５１５の端部同士の各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8をバスバー形成領域１０ａに収めることとしたが、各重ね合わせ部ＯＲ2〜ＯＲ8を配置する領域については、必ずしもバスバー形成領域１０ａとする必要はない。例えば、隣り合うサブピクセル同士の間の間隔が、他の領域における間隔よりも広い領域がある場合には、当該間隔が広い箇所にフォトマスク同士の重ね合わせ部を納めることができる。これによっても、２回露光による影響が、表示品質に大きく影響しない。
【０１４３】
また、上記実施の形態では、１回目の露光を実行した後に２回目の露光を実行することとしたが、１回目の露光と２回目の露光とが一部で重複するように工程を実行することとしてもよい。
【０１４４】
また、上記実施の形態では、各露光を２回に分割して実行することとしたが、露光の分割回数については、必ずしも２回である必要はなく、３回以上であってもよい。その場合にも、露光の継ぎ目をバスバー形成領域１０ａや隣接サブピクセル間の間隔が他よりも広い領域に収めることで、上記同様の効果を得ることができる。
【０１４５】
また、上記実施の形態では、有機ＥＬ装置１の有機ＥＬパネル１０の製造を一例に説明したが、他のデバイスの製造に対しても、本発明を適用すれば、上記同様の効果を得ることができる。有機ＥＬパネル以外のデバイスとしては、例えば、液晶表示パネルやプラズマディスプレイパネルなどの表示パネルや、その他の面状デバイスであれば好適である。
【０１４６】
さらに、ディスプレイパネル以外でも、例えば、光電変換膜を備える撮像装置や、有機半導体を用いた太陽電池装置などにも適用が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明は、分割露光を採用することで高効率な製造が可能であるとともに、本来的な特性の低下が抑えられた高品位なデバイスを実現するのに有用である。
【符号の説明】
【０１４８】
１．有機ＥＬ装置
１０．有機ＥＬパネル
１０ａ．バスバー領域
２０．駆動制御部
２１〜２４．駆動回路
２５．制御回路
１００．基板
１０１．ＴＦＴ層
１０１ａ．ゲート電極
１０１ｂ．ゲート絶縁膜
１０１ｃ．半導体層
１０１ｄ．ソース電極
１０１ｅ．ドレイン電極
１０２．層間絶縁膜
１０３．平坦化膜
１０４．アノード
１０５．バンク
１０６．機能層
１０７．カソード
１０８．封止層
１０９．バスバー
３００，３０１，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８，３０９，３１０．レジスト膜
５００，５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，５１０，５１１，５１２，５１３，５１４，５１５．フォトマスク
５００ａ，５０１ａ，５０２ａ，５０３ａ，５０４ａ，５０５ａ，５０６ａ，５０７ａ，５０８ａ，５０９ａ，５１０ａ，５１１ａ，５１２ａ，５１３ａ，５１４ａ，５１５ａ．透光基板
５００ｂ，５０１ｂ，５０２ｂ，５０３ｂ，５０４ｂ，５０５ｂ，５０６ｂ，５０７ｂ，５０８ｂ，５０９ｂ，５１０ｂ，５１１ｂ，５１２ｂ，５１３ｂ，５１４ｂ，５１５ｂ．遮光領域
１０１０ａ，１０１０ｄｅ，１０４０．金属膜
１０１０ｂ．絶縁膜
１０１０ｃ．半導体膜
１０２０，１０２１．層間絶縁膜
１０３０，１０３１．平坦化膜
１０５０，１０５１．バンク材料膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【国際調査報告】
2013088479.tif 000035
2013088479.tif 000036