(57)【要約】  本出願は、行方向および列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルの製造方法を開示する。当該製造方法は、発光領域を、それぞれが少なくとも１つの発光画素を含むように、複数の分割領域に区画する第１のステップと、複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、行方向および列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、第１領域内に存する発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有する。
2013157262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルの製造方法であって、
前記発光領域を、それぞれが少なくとも１つの前記発光画素を含むように、複数の分割領域に区画する第１のステップと、
前記複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、前記行方向及び列方向において前記第１領域に隣接する前記複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、
前記第１領域内に存する前記発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有することを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２のステップにおいて、２以上の前記分割領域が前記第１領域として選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２のステップにおいて、前記第２領域は、１つの前記第１領域に対して複数選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記発光領域中の前記複数の発光画素は、Ｍ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリクス状に配置され、
前記第１のステップにおいて区画された前記複数の分割領域は、同一形状を有し、
前記複数の分割領域内の前記発光画素は、ｍ行ｎ列（ｍはＭの約数、ｎはＮの約数）に配置されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１のステップにおいて、Ｍ／ｍ＝Ｎ／ｎとなるように、ｍおよびｎが設定されることを特徴とする請求項４に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１のステップにおいて、ｍ＝Ｍ／１０、ｎ＝Ｎ／１０となるように、ｍおよびｎが設定されることを特徴とする請求項５に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１のステップにおいて、ｍ＝ｎ＝１であることを特徴とする請求項４に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、前記発光領域の対角方向に連続するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、間隔をおいて行方向及び列方向に整列するように選択され、前記第２領域は、前記第１領域を取り囲むように選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１領域は、等間隔に整列するよう選択されることを特徴とする請求項９に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、ランダムに選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
発光パネルを発光させるための回路基板が、前記発光パネルに接続されており、
前記第３のステップにおいて、前記発光画素は、前記回路基板を介して通電されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記エージング領域以外の前記複数の分割領域のうち、少なくとも一部を前記第１領域として選択し、かつ、
前記第１領域に対して行方向及び列方向に隣接する前記分割領域を前記第２領域として選択する第４のステップと、
前記第１領域に含まれる前記発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を新たに生成する第５のステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルのエージング装置であって、
前記発光領域を区画し、複数の分割領域を規定する区画データと、前記複数の分割領域のうち一部を、第１領域として指定するとともに、前記行方向及び前記列方向において前記第１領域に隣接する前記複数の分割領域を、第２領域として指定する領域指定データと、を含む、発光パターンデータを記憶する記憶部と、
前記発光パターンデータに基づいて前記複数の発光画素の制御信号を生成する信号生成部と、を含むことを特徴とする発光パネルのエージング装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の発光パネルの製造方法により得られた発光パネルを備える表示装置であって、
発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する電源部と、
前記発光素子と前記電源部との間の電力供給路に設けられ、輝度信号を受けてそれに応じた電流を前記発光素子に流す画素回路と、
前記画素回路に前記輝度信号を出力すると共に、前記発光素子をエージングするエージングモード、および前記発光素子を用いて映像を表示する映像表示モードのいずれかで選択的に動作する制御部とを備え、
前記電源部が出力する電源電圧は、前記エージングモードおよび前記映像表示モードにおいて同一であり、
前記制御部は、前記エージングモードでの前記発光素子の発光輝度が、前記映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、前記エージングモードでの前記輝度信号に示される前記発光素子の発光輝度を設定することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記制御部から前記画素回路への前記輝度信号を伝送する信号伝送路に設けられ、デジタル信号をアナログ信号へと変換する変換器をさらに備え、
前記制御部は、前記エージングモードで扱うデジタル信号のビット数が、前記映像表示モードで扱うデジタル信号のビット数よりも大きくなるよう、前記変換器に対し各モードで扱うデジタル信号のビット数を切り替えさせることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記制御部は、操作者の操作に基づく操作信号により、前記エージングモードおよび前記映像表示モードのいずれかを判定し、この判定に基づき、前記変換器に対し各モードで扱うデジタル信号のビット数を切り替えさせることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネルの製造方法、エージング装置及び発光パネルを備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
映像光を出射する発光パネルを備える様々な装置が開発されている。発光パネルが備える発光素子の輝度は、発光パネルの温度上昇下において経時的に低下する。発光素子の輝度の低下は、発光パネルの初期使用時に顕著である。発光素子の輝度低下を防止するために発光素子を予めエージングするエージング処理が知られている。【０００３】
エージング処理は、発光パネルの全面を一括に発光させて行われる。しかしながら、全面を一括で行うエージング処理は、発光パネルの面内に顕著な温度斑を引き起こす。発光素子は、熱により劣化しやすい。温度斑は、それぞれの発光素子の間で寿命のばらつきを引き起こす。その結果、発光パネルには、輝度斑が現れることになる。全面を一括で処理しないエージング処理の手法が提案されている（例えば、特許文献１〜３を参照）。【０００４】
上述のエージング処理の手法は、発光パネルの温度斑の発生を、尚、充分に解消できていない。したがって、得られる発光パネルは、輝度斑を生じやすく、長期に亘って均一な画質を表示することができない。即ち、発光パネルは、低い信頼性を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１８７８６０号公報
【特許文献２】特開昭６２−１４３３９５号公報
【特許文献３】特開昭６０−２４４９９２号公報
【発明の概要】
【０００６】
本発明は、エージング処理における発光パネルの温度斑を抑制できる技術を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の一局面に係る発光パネルの製造方法は、行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルを製造するために利用可能である。発光パネルの製造方法は、発光領域を、複数の分割領域に区画し、複数の分割領域それぞれに複数の発光画素のうち少なくとも１つを含ませる第１のステップと、複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、行方向及び列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、第１領域内に存する発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有する。
【０００８】
本発明の他の局面に係るエージング装置は、行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルのエージングに利用可能である。エージング装置は、発光領域を区画し、複数の分割領域を規定する区画データと、複数の分割領域のうち一部を、第１領域として指定するとともに、行方向及び列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を、第２領域として指定する領域指定データと、を含む、発光パターンデータを記憶する記憶部と、発光パターンデータに基づいて複数の発光画素の制御信号を生成する信号生成部と、を含む。
【０００９】
本発明の他の局面に係る表示装置は、上述の製造方法により得られた発光パネルを備える。表示装置は、発光素子と、発光素子に電力を供給する電源部と、発光素子と電源部との間の電力供給路に設けられ、受信した輝度信号に応じた電流を発光素子に流す画素回路と、画素回路に輝度信号を出力するとともに、発光素子をエージングするエージングモード及び発光素子を用いて映像を表示する映像表示モードのいずれかで選択的に動作する制御部と、を備える。電源部が出力する電源電圧は、エージングモード及び映像表示モードにおいて同一である。制御部は、エージングモードでの発光素子の発光輝度が、映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、エージングモードでの輝度信号に示される発光素子の発光輝度を設定する。
【００１０】
上述の技術は、エージング処理における発光パネルの温度斑を抑制できる。上述の技術が用いられるならば、発光素子の性能は、劣化しにくい。即ち、発光パネルに、輝度斑が現れにくくなる。したがって、発光パネル及び表示装置は、長期に亘って均一な画質を維持することができるので、発光パネル及び表示装置は、高い信頼性を有することになる。
【００１１】
本発明の目的、特徴及び利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】回路基板と接続された発光パネルの概略的な平面図である。
【図２】発光パネルの概略的な部分断面図である。
【図３】発光パネルを全面点灯したときの温度分布を表す概略的な等温線図である。
【図４】発光領域の大きさを変更して発光領域を発光させた時の温度分布を表す概略的な等温線図である。
【図５】発光領域の対角インチサイズの比率と温度上昇幅および温度分布幅との関係を表す概略的なグラフである。
【図６】発光パネルの製造方法の概略的なフローチャートである。
【図７】複数の分割領域に区画された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図８】図７に示される複数の分割領域のうちの１個の分割領域と、当該分割領域に含まれる複数個の発光画素との概略的な平面図である。
【図９】図７に示される複数の分割領域のうちの１個の分割領域と、当該分割領域に含まれる１個の発光画素との概略的な平面図である。
【図１０】第１領域および第２領域が選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１１】第１領域がランダムに選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１２】第１領域がランダムに選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１３】第１領域が規則性に従って選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１４】第１領域が規則性に従って選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１５】発光領域の列方向において互いに隣接する分割領域が選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１６】図１２に関連して説明された発光領域中の第１領域がエージングされたときの温度分布を表す概略的な等温線図である。
【図１７】図１５に関連して説明された発光領域中の選択された分割領域がエージングされたときの温度分布を表す概略的な等温線図である。
【図１８】図１３に関連して説明された発光領域において、第１領域が選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図１９】図１８に関連して説明された発光領域において、新たに第１領域が選択された発光領域を備える発光パネルの概略的な平面図である。
【図２０】エージング装置と発光パネルとの接続を説明するための概略的な模式図である。
【図２１】区画データが規定する複数の分割領域に区画された発光領域の概略的な平面図である。
【図２２】領域指定データが指定する第１領域および第２領域が示された発光領域の概略的な平面図である。
【図２３】第２実施形態の表示装置の概略的なブロック図である。
【図２４】図２３に示される表示装置の一画素分の回路図である
【図２５】図２３に示される表示装置の動作を表すグラフである。
【図２６】エージングモード及び映像表示モードにおける表示装置の動作を表すフローチャートである。
【図２７】映像を表示する表示装置の製造方法の概略的なフローチャートである。
【図２８】図２７に示される製造方法の組立工程において組み立てられる組立体の概略的な正面図である。
【図２９】図２８に示される組立体の概略的な側面図である。
【図３０】図２８に示される組立体の概略的な背面図である。
【図３１】図２８に示される組立体が有する発光領域中で生ずる温度分布を表す概略的な等温線図である。
【図３２】図３１に示される発光領域中に設定される分割領域の概略図である。
【図３３】図３１に示される発光領域に設定される他の分割領域の概略図である。
【図３４】図２７に示される製造方法のエージング条件設定工程及びエージング工程の手順を概略的に示すフローチャートである。
【図３５】図３３に示される分割領域を含む発光領域の概略図である。
【図３６】図３４に示されるエージング条件設定工程において用いられるエージング条件の概略的な表である。
【図３７】図３４に示されるエージング処理に要する期間を表す概略的なチャートである。
【図３８】図２７に示される製造方法に従って製造された表示装置の概略的な斜視図である。
【図３９Ａ】図３８に示される表示装置の輝度特性を概略的に表すグラフである。
【図３９Ｂ】エージング処理を受けない表示装置の輝度特性を概略的に表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
発光パネルに対する様々なエージング技術が図面を参照して説明される。以下の例示的なエージング技術は、発光パネルに現れる温度斑を低減することに寄与する。以下に説明される実施形態において、同様の構成要素に対して同様の参照符号が付される。説明の明瞭化のため、必要に応じて、重複する説明は省略される。図面に示される構成、配置あるいは形状並びに図面に関連する記載は、エージング技術の原理を容易に理解させることを目的とする。エージング技術の原理はこれに何ら限定されない。
【００１４】
＜第１実施形態＞
（エージング処理に関する課題）
図１は、回路基板２００に接続された発光パネル１００の概略的な平面図である。図２は、発光パネル１００の概略的な部分断面図である。図１及び図２を用いて、発光パネル１００が説明される。
【００１５】
図１に示される如く、略矩形状の発光パネル１００は、フレキシブル基板３００によって、四辺に沿って配置された回路基板２００に電気的に接続される。発光パネル１００は、略矩形状の発光領域１１０を規定するようにマトリクス状に配置された複数の発光画素を有する。
【００１６】
図２に示される如く、発光パネル１００は、映像が表示される表示面１３１を規定する第１基板１０１と、第１基板１０１に対向する第２基板１０２と、を備える。第２基板１０２は、表示面１３１とは反対側の裏面１３２を規定する。第１基板１０１と第２基板１０２との間には、映像を表示するための様々な素子（後述される）が配置される。
【００１７】
発光パネル１００は、第２基板１０２上に形成されたＴＦＴ基板１０３と、ＴＦＴ基板１０３を平坦化するための平坦化層１０４と、平坦化層１０４上に形成されたバンク部１０５と、を含む。バンク部１０５は、赤の色相で発光する発光画素（図２中、「発光画素（赤）」と表記されている）、緑の色相で発光する発光画素（図２中、「発光画素（緑）」と表記されている）及び青の色相で発光する発光画素（図２中、「発光画素（青）」と表記されている）の輪郭を規定する。
【００１８】
発光パネル１００は、発光画素それぞれに対応して配置された反射陽極１０６と、反射陽極１０６に対して略直交する方向に延びる透明陰極１０７と、を更に含む。反射陽極１０６は、バンク部１０５の間において、平坦化層１０４上に形成される。透明陰極１０７は、第１基板１０１とバンク部１０５との間に形成される。回路基板２００から駆動信号が出力されると、反射陽極１０６と透明陰極１０７との間に電圧が印加される。
【００１９】
発光パネル１００は、反射陽極１０６上に積層された正孔注入層１０８と、正孔注入層１０８上に積層された正孔輸送層１０９と、を更に含む。発光パネル１００は、赤の色相で発光する発光画素に対応して形成された発光層１４０Ｒと、緑の色相で発光する発光画素に対応して形成された発光層１４０Ｇと、青の色相で発光する発光画素に対応して形成された発光層１４０Ｂと、を更に含む。発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂは、それぞれ正孔輸送層１０９上に形成される。
【００２０】
反射陽極１０６と透明陰極１０７との間に電圧が印加されると、発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂ中に電流が流れる。発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂは、電流の流れに応じて発光する発光素子から形成される。例えば、発光素子は、有機ＥＬ素子であってもよい。発光層１４０Ｒは、電流に応じて赤の色相で発光する。発光層１４０Ｇは、電流に応じて緑の色相で発光する。発光層１４０Ｂは、電流に応じて青の色相で発光する。本実施形態において、発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂは、互いに異なる色相で発光する複数の発光素子として例示される。
【００２１】
本実施形態において、「通電する」との用語は、上述の如く、反射陽極１０６と透明陰極１０７との間での電圧の印加下において、発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂ中に電流が流れることを意味する。発光画素が通電されるならば、発光素子は発光する。
【００２２】
発光パネル１００は、発光層１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂ上に積層された電子輸送層１４１と、電子輸送層１４１と透明陰極１０７との間に形成された電子注入層１４２と、を含む。図２を参照して説明された発光パネル１００の詳細な構造は、本実施形態の原理を何ら限定しない。本実施形態の原理は、エージング処理を受ける他の発光パネルに対しても、好適に適用される。
【００２３】
回路基板２００は、発光パネル１００の発光を制御するための駆動信号を生成する。駆動信号は、フレキシブル基板３００を介して発光パネル１００に入力される。発光画素は駆動信号に従って通電される。この結果、発光素子は、発光する。発光の結果、発光素子は、エージングされる。代替的に、回路基板２００は、発光パネル１００の四辺のうち少なくとも１つに沿う３以下の回路基板であってもよい。回路基板２００は、発光パネル１００の背面に配置されてもよい。回路基板２００は、エージング処理に専ら用いられるように形成されてもよい。回路基板２００は、エージング処理だけでなく、映像信号に応じて発光パネル１００を駆動し、映像を表示するために用いられてもよい。
【００２４】
回路基板２００は、エージング処理の間、発光パネル１００が全面点灯するように発光領域１１０に含まれる全ての発光画素を発光させる駆動信号を生成してもよい。駆動信号の生成の結果、発光パネル１００は、全面点灯するので、発光素子は、発熱する。
【００２５】
図３は、発光パネル１００を全面点灯したときの温度分布を表す概略的な等温線図である。図３を用いて、発光パネル１００を全面点灯したときにおける発光パネル１００の面内の温度分布が説明される。
【００２６】
図３に示される如く、発光パネル１００が所定の輝度（例えば、６０ｃｄ／ｍ２）で一様に発光されるならば、発光素子は発熱し、発光パネル１００の面内には温度の異なる複数の領域が生じる。図３に示される発光領域１１０において、温度の異なる複数の領域は、等温線Ｃ１〜等温線Ｃ６によって区分されている。
【００２７】
等温線Ｃ１により区分された発光領域１１０の右上の領域は、発光領域１１０中、最も高温となる。等温線Ｃ１により区分された発光領域１１０の右上の領域内に配置された発光素子は大幅に劣化する。一方、等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とによって区分された領域や等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０の左下の領域は、発光領域１１０中、比較的低温となる。等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とにより区分された領域及び等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０の左下の領域内において、発光素子の劣化は、小さい。即ち、発光パネル１００の面内における温度斑は、発光素子の寿命に関する領域的なばらつきを引き起こす。
【００２８】
（エージング処理に関する新たな知見）
図４は、発光領域の大きさを変更して発光領域を発光させた時の温度分布を表す概略的な等温線図である。図４を参照して、本発明者らが見出したエージング処理に関する新たな知見が説明される。
【００２９】
図４は、図３を参照して説明された発光領域１１０の対角インチサイズを段階的に小さくした複数の発光領域を示す。図４において最も左の発光領域１１０ａは、図３を参照して説明された発光領域１１０の０．７倍の対角インチサイズを有する。図４において中央の発光領域１１０ｂは、図３を参照して説明された発光領域１１０の０．４倍の対角インチサイズを有する。図４において最も右の発光領域１１０ｃは、図３を参照して説明された発光領域１１０の０．１倍の対角インチサイズを有する。
【００３０】
図４に示される如く、発光領域（発光領域１１０ａ、発光領域１１０ｂ、発光領域１１０ｃ）が図３を参照して説明された発光パネル１００と同条件の輝度（例えば、６０ｃｄ／ｍ２）で一様に発光されるならば、発光素子は発熱し、発光領域（発光領域１１０ａ、発光領域１１０ｂ、発光領域１１０ｃ）には温度の異なる複数の領域が生じる。
【００３１】
発光領域１１０ａにおいて、温度の異なる複数の領域は、図３を参照して説明された等温線Ｃ１〜等温線Ｃ６と、等温線Ｃ７〜等温線Ｃ９とによって区分されている。等温線Ｃ１に囲まれた領域は、発光領域１１０ａ中、最も高温となる。等温線Ｃ９によって区分された発光領域１１０ａの左端の領域は、発光領域１１０ａ中、最も低温となる。図３を参照して説明された発光領域１１０との比較において、等温線Ｃ１に囲まれた領域の面積比率は小さい。即ち、発光領域１１０ａにおいて、大幅に劣化する発光素子が配置された領域の面積比率は小さい。一方、図３を参照して説明された如く、等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とにより区分された領域や等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０ａの左下の領域及び右上の領域は、発光領域１１０ａ中、比較的低温となる。等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とにより区分された領域や等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０ａの左下の領域内及び右上の領域内において、発光素子の劣化は小さくなる。図３を参照して説明された発光領域１１０との比較において、発光領域１１０ａにおける等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とにより区分された領域の面積比率や等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０ａの左下の領域及び右上の領域の面積比率は、大きい。即ち、発光領域１１０ａは、図３を参照して説明された発光領域１１０よりも、発光素子をほとんど劣化させない領域に関して大きな面積比率を有する。発光領域１１０ａは、図３に関連して説明された発光領域１１０との比較において、面内の温度斑を抑制することができるので、それぞれの発光素子の寿命のばらつきは、低減される。
【００３２】
発光領域１１０ｂにおいて、温度の異なる複数の領域は、等温線Ｃ２〜等温線Ｃ９により区分されている。等温線Ｃ２に囲まれた領域は、発光領域１１０ｂ中、比較的高温となる。等温線Ｃ９により区分された発光領域１１０ｂの左端の領域は、発光領域１１０ｂ中、最も低温となる。発光領域１１０ｂにおいて、等温線Ｃ１に囲まれた領域は存在しない。即ち、発光領域１１０ｂにおいて、発光素子を著しく劣化させる領域は存在しない。図３を参照して説明された発光領域１１０及び図４を参照して説明された発光領域１１０ａとの比較において、等温線Ｃ５と等温線Ｃ６とにより区分された領域の面積比率や、等温線Ｃ６により区分された発光領域１１０の左端の領域の面積比率は更に大きい。図３を参照して説明された発光領域１１０及び図４を参照して説明された発光領域１１０ａとの比較において、発光領域１１０ｂに現れる面内の温度斑は小さくなるので、それぞれの発光素子の寿命のばらつきは、効果的に低減される。
【００３３】
発光領域１１０ｃにおいて、温度の異なる複数の領域は、等温線Ｃ６〜等温線Ｃ９と、等温線Ｃ１０と、により区分されている。等温線Ｃ６に囲まれた領域は、発光領域１１０ｃ中、比較的高温となる。等温線Ｃ１０により区分された発光領域１１０ｃの左下の領域は、発光領域１１０ｃ中、最も低温となる。発光領域１１０ｃにおいて、等温線Ｃ５に囲まれた領域は存在しない。即ち、発光領域１１０ｃは、等温線Ｃ６に囲まれた領域と等温線Ｃ６の外側の領域とから構成されるので、発光素子はほとんど劣化しない。図３を参照して説明された発光領域１１０、図４を参照して説明された発光領域１１０ａ、発光領域１１０ｂ及び発光領域１１０ｃとの間の比較において、発光領域１１０ｃに現れる面内の温度斑は最も小さい。したがって、発光領域１１０ｃ中のそれぞれの発光素子の寿命のばらつきは、効果的に低減される。
【００３４】
図５は、発光領域の対角インチサイズの比率と温度上昇幅及び温度分布幅との関係を表す概略的なグラフである。図５を参照して、図３及び図４の発光領域（発光領域１１０、発光領域１１０ａ、発光領域１１０ｂ、発光領域１１０ｃ）の大きさと、それぞれの発光領域を発光させた時の温度上昇幅及び温度分布幅との関係が示される。図５において、発光領域の大きさは、発光領域の対角方向のインチサイズの比率で示される。代替的に、発光領域の大きさは、それぞれの発光領域の面積比率やそれぞれの発光領域の辺の長さの比率で示されてもよい。
【００３５】
図５において、横軸には発光領域の対角インチサイズの比率が示されている。縦軸にはそれぞれ温度上昇幅（℃）及び温度分布幅（℃）が示される。温度上昇幅は、発光時の発光領域の最高温度から基準温度（例えば、２４．５℃）を引いた値として示されている。温度分布幅は、発光時の発光領域の最高温度から最低温度を引いた値として示されている。尚、温度上昇幅及び温度分布幅に関する上述の表記は、本実施形態の原理を何ら限定しない。
【００３６】
図４及び図５に示される如く、発光領域の対角インチサイズが段階的に小さくされるならば、発光領域の発光時の最高温度及び最低温度はともに低くなる。この結果、発光領域の温度上昇幅及び温度分布幅はともに狭くなる。図４を参照して説明された発光領域１１０ｃの如く、発光領域の対角インチサイズが発光パネルの０．１倍（即ち、発光領域の面積が発光パネルの面積の１００分の１）に設定されるならば、発光時の発光領域の最高温度は大幅に低減されるので、発光素子の劣化は生じにくくなる。即ち、発光パネルの発光領域が小さく設定されるならば、エージング処理における発光素子の発熱及び発光パネルの面内の温度斑がともに小さくなる。その結果、得られる発光パネルは、輝度斑を生じにくく、長期に亘って均一な画質を維持することができる。したがって、発光パネルは、高い信頼性を有することとなる。
【００３７】
以下に説明される様々な実施形態に係る発光パネル１００の製造方法及びエージング装置４００は、上述の知見に基づいて、発光パネルの輝度斑の発生に関する課題を適切に解決する。
【００３８】
（発光パネルの製造方法）
図６は、本実施形態における発光パネル１００の製造方法の概略的なフローチャートである。図６を参照して、発光パネル１００の製造方法が説明される。
【００３９】
（ステップＳ１１０）
ステップＳ１１０において、発光パネルの発光領域は、複数の分割領域に区画される。尚、発光領域に対する区画は、複数の分割領域それぞれが少なくとも１つの発光画素を含むように設定される。発光領域の区画方法は、後述される。発光領域が複数の分割領域に区画された後、ステップＳ１２０が実行される。本実施形態において、ステップＳ１１０は、発光領域を複数の分割領域に区画する第１のステップとして例示される。
【００４０】
（ステップＳ１２０）
ステップＳ１２０において、分割領域の一部は、第１領域として選択される。第１領域に対して行方向及び列方向において隣接する分割領域は、第２領域として選択される。第１領域及び第２領域の選択方法は、後述される。第１領域及び第２領域が適切に選択された後、ステップＳ１３０が実行される。本実施形態において、ステップＳ１２０は、複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、且つ、行方向及び列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップとして例示される。
【００４１】
（ステップＳ１３０）
ステップＳ１３０において、第１領域に含まれる発光画素は通電される。この結果、通電された発光画素は、エージング処理を受けることになる。以下の説明において、エージング処理を受けた発光画素の領域は、「エージング領域」と称される。エージング処理は、後述される。第１領域へのエージング処理によってエージング領域が生成された後、ステップＳ１４０が実行される。本実施形態において、ステップＳ１３０は、第１領域内に存する発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップとして例示される。
【００４２】
（ステップＳ１４０）
ステップＳ１４０において、エージング領域以外の複数の分割領域のうち少なくとも一部は、第１領域として選択される。加えて、第１領域に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域は、第２領域として選択される。第１領域及び第２領域の選択方法は、後述される。第１領域が適切に選択された後、ステップＳ１５０が実行される。本実施形態において、ステップＳ１４０は、エージング領域以外の複数の分割領域のうち少なくとも一部を第１領域として選択し、且つ、第１領域に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域を第２領域として選択する第４のステップとして例示される。
【００４３】
（ステップＳ１５０）
ステップＳ１５０において、第１領域に含まれる発光画素が通電される。この結果、新たなエージング領域が生成されることになる。エージング処理は、ステップＳ１３０に関連して説明されるエージング条件に従って実行される。第１領域が適切にエージングされ、エージング領域が新たに生成された後、ステップＳ１６０が実行される。本実施形態において、ステップＳ１５０は、第１領域に含まれる発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を新たに生成する第５のステップとして例示される。
【００４４】
（ステップＳ１６０）
ステップＳ１６０において、エージング領域以外の分割領域が存在するかが判定される。発光領域のうちエージング処理を受けていない分割領域が存在しないならば、エージング処理は終了される。発光領域のうちエージング処理を受けていない分割領域が存在するならば、ステップＳ１４０が再度実行される。再度実行されるステップＳ１４０において、新たな第１領域及び新たな第２領域が選択される。新たな第１領域及び新たな第２領域の選択方法は後述される。新たに選択された第１領域が適切にエージングされた後、再度ステップＳ１６０が実行される。ステップＳ１６０は、エージング領域以外の分割領域が存在しないことを終了条件として規定するので、ステップＳ１４０からステップＳ１６０は、発光領域からエージング処理を受けていない分割領域が存在しなくなるまで繰り返し実行される。
【００４５】
（発光領域の区画方法）
図７は、複数の分割領域１２０に区画された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図７を参照して、発光領域１１０の例示的な区画方法及び複数の分割領域１２０に区画された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。
【００４６】
図７に示される如く、略矩形状の発光領域１１０は、行方向に１０個、列方向に１０個の矩形状の分割領域１２０に区画される。それぞれの分割領域は、一点鎖線の矩形で示される。代替的に、行方向及び列方向の分割領域１２０の数は、２以上且つ１０未満であってもよく、或いは、１０を超える数であってもよい。各分割領域１２０は同一の形状を有してもよい。
【００４７】
本実施形態において、発光領域１１０の分割領域１２０への区画は、発光領域１１０に含まれる発光画素の数に依存する。各分割領域１２０が少なくとも１つの発光画素を含むように、発光領域１１０は区画される。各分割領域１２０が少なくとも１つの発光画素を含むならば、エージング処理を受ける分割領域中の少なくとも１つの発光画素への通電によって、少なくとも１つの発光画素は、エージングされる。代替的に、発光領域１１０は、Ｍ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリクス状に配置された発光画素が発光領域１１０に含まれるならば、発光領域１１０は、ｍ行ｎ列（ｍはＭの約数、ｎはＮの約数）に配置された発光画素を含む複数の分割領域１２０に区画されてもよい。それぞれの分割領域１２０には、ｍ×ｎ個の発光画素が含まれる。この場合、複数の分割領域１２０は、それぞれ同一形状を有してもよい。同一形状の複数の分割領域１２０に区画されるならば、発光領域１１０は、所定のエージング条件に従って、全ての分割領域１２０が略均一にエージングされる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきは、低減される。
【００４８】
Ｍ、Ｎ、ｍ及びｎが、下記の数式で表される条件を満たすならば、各分割領域１２０の形状は、発光領域１１０の形状と相似となる。
【００４９】
【数１】
2013157262.tif 000003
【００５０】
分割領域１２０の形状と発光領域１１０の形状とが相似であるならば、行方向及び列方向に区画されるそれぞれの分割領域１２０の数は同じとなる。行方向及び列方向における分割領域１２０の数が同じであるならば、エージング処理において所定の規則性を有する発光パターンが作成されやすくなる。その結果、エージング処理の作業効率は高められる。発光領域１１０の全面点灯時の温度斑の結果と比較して、発光領域１１０の形状と相似形状を有する分割領域１２０の温度斑の傾向は、予測されやすい。そのため、効率的なエージングパターンが作成され得る。
【００５１】
上述の数式で表される条件が満たされ、且つ、Ｍ、Ｎ、ｍ及びｎが以下の数式２及び数式３で表される条件を満たすならば、各分割領域１２０の面積は、発光領域１１０の面積の０．０１倍（１００分の１）となる。加えて、各分割領域１２０は、発光領域１１０の形状と相似となる。
【００５２】
【数２】
2013157262.tif 000004
【００５３】
【数３】
2013157262.tif 000005
【００５４】
分割領域１２０の形状と発光領域１１０の形状とが相似であり、且つ、それぞれの分割領域１２０の面積が、発光領域１１０の面積の１００分の１となるならば、図３〜図５を参照して説明された如く、エージング処理時における各分割領域１２０の温度上昇幅並びに温度分布幅はともに大幅に狭くなる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきは、大幅に低減される。
【００５５】
図８は、図７に示される複数の分割領域１２０のうちの１個の分割領域１２０ａ並びに当該分割領域１２０ａに含まれる複数個の発光画素１２１ａの概略的な平面図である。図７及び図８を参照して、各分割領域１２０が複数の発光画素１２１ａを含むように区画された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。
【００５６】
図８に示される如く、それぞれの分割領域１２０には、行方向に１６個、列方向に９個の矩形状の発光画素１２１ａがマトリクス状に配置される。それぞれの発光画素１２１ａは、実線の矩形で示される。代替的に、行方向において分割領域１２０に含まれる発光画素１２１ａの数は、２以上且つ１６未満であってもよく、或いは、１６を超えてもよい。列方向において分割領域１２０に含まれる発光画素１２１ａの数は、２以上且つ９未満であってもよく、９を超えてもよい。
【００５７】
図９は、図７に示される複数の分割領域１２０のうちの１個の分割領域１２０ｂ並びに当該分割領域１２０ｂに含まれる１個の発光画素１２１ｂとの概略的な平面図である。図９を参照して、１個の発光画素１２１ｂを含む例示的な分割領域１２０ｂが説明される。
【００５８】
図９に示される如く、それぞれの分割領域１２０ｂは、行方向に１個（ｍ＝１）、列方向に１個（ｎ＝１）の発光画素１２１ｂを含む。それぞれの分割領域１２０ｂに含まれる発光画素１２１ｂが１個であるならば、発光素子の発熱に起因する発光領域１１０の温度上昇は小さい。そのため、エージング時のそれぞれの分割領域１２０ｂの温度上昇幅及び温度分布幅はともに非常に狭くなる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきは、非常に小さくなる。
【００５９】
（ステップＳ１２０における第１領域および第２領域の選択方法）
図１０は、第１領域１２２及び第２領域１２３が選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１０を参照して、第１領域１２２及び第２領域１２３が選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。
【００６０】
図１０に示される如く、複数の分割領域１２０の一部は、第１領域１２２として選択される。図１０において、第１領域１２２は２個選択されている。代替的に、１つの第１領域１２２が選択されてもよく、或いは、２を超える数の第１領域が選択されてもよい。第１領域１２２が複数選択されるならば、同時に複数の第１領域１２２がエージング処理を受ける。そのため、エージング処理の作業効率は高められる。
【００６１】
発光領域１１０の行方向及び列方向において第１領域１２２に隣接する分割領域１２０は、第２領域１２３として選択される。第２領域１２３は、１つの第１領域１２２に対して複数選択されてもよい。即ち、第１領域１２２に対して発光領域１１０の行方向及び列方向において隣接するすべての分割領域１２０は、第２領域１２３として選択され得る。例えば、図１０に示される如く、第１領域１２２に対して行方向及び列方向において隣接する分割領域１２０の個数が４個であるならば、当該４個の分割領域１２０は、第２領域１２３として選択され得る。例えば、第１領域１２２が発光領域１１０の辺に接するならば、第１領域１２２に対して、行方向及び列方向において隣接する分割領域１２０の個数が３個になることもある。この場合、当該３個の分割領域１２０は、第２領域１２３として選択され得る。例えば、第１領域１２２が発光領域１１０の角に接するならば、第１領域１２２に対して行方向及び列方向において隣接する分割領域１２０の個数が２個になることもある。この場合、当該２個の分割領域１２０は、第２領域１２３として選択され得る。第１領域１２２に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域１２０に加えて、第１領域１２２の行方向及び列方向に隣接する分割領域１２０以外の分割領域１２０が、第２領域１２３として選択されてもよい。即ち、第１領域１２２を除く全ての分割領域１２０が、第２領域１２３として選択されてもよい。
【００６２】
ステップＳ１２０において、第１領域１２２に対して行方向及び列方向において隣接する分割領域１２０は、第２領域１２３として選択される。そのため、発光領域１１０の行方向及び列方向において複数の第１領域１２２が選択されるならば、それぞれの第１領域１２２は隣接しない。その代わり、各第１領域１２２は、行方向及び列方向において第２領域と隣接する。この結果、第１領域１２２において、温度は上昇しにくくなる。したがって、第１領域１２２に含まれる発光素子は劣化しにくくなる。
【００６３】
本実施形態において、発光領域１１０の行方向及び列方向において第１領域１２２が互いに隣接しないならば、第１領域１２２は、ランダムに複数選択されてもよい。代替的に、発光領域１１０の行方向及び列方向において第１領域１２２が互いに隣接しないならば、第１領域１２２は、所定の規則性に従って複数選択されてもよい。
【００６４】
（第１領域のランダムな選択）
図１１は、第１領域１２２がランダムに複数選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１１を参照して、第１領域１２２がランダムに選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。説明の明瞭化のため、図１１において、第１領域として選択されていない分割領域は省略されている。
【００６５】
図１１に示される如く、行方向及び列方向において第１領域１２２が互いに隣接しないとの条件下において、第１領域１２２は、ランダムに複数選択される。図１１に示される第１領域１２２それぞれは、特定の規則に従わずに選択される。
【００６６】
本実施形態において、「ランダムに選択される」という文言は、図１１に関連して説明された如く、第１領域１２２同士が、発光領域１１０の行方向及び列方向において互いに隣接しないとの条件以外の特定の規則に従うことなく第１領域１２２が選択されることを意味してもよい。代替的に、「ランダムに選択される」という文言は、全体として、第１領域１２２が単一の規則に従うことなく分布していることを意味してもよい。例えば、特定の規則に従って複数の第１領域１２２の一部が選択される一方で、他の第１領域１２２が他の規則に従って選択されてもよい。或いは、特定の規則に従って複数の第１領域１２２の一部が選択される一方で、他の第１領域１２２がランダムに選択されてもよい。
【００６７】
図１２は、第１領域１２２がランダムに複数選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１２を用いて、第１領域１２２がランダムに選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。説明の明瞭化のため、図１２において、第１領域として選択されていない分割領域は省略されている。
【００６８】
図１２に示される如く、行方向及び列方向において第１領域１２２が互いに隣接しないとの条件下において、第１領域１２２は、ランダムに複数選択される。尚、複数の第１領域１２２のうち発光領域１１０の比較的に右上位置において選択された第１領域１２２ａ以外の第１領域１２２ｂは、発光領域１１０の列方向及び対角方向に所定の間隔で整列している。したがって、発光領域１１０内において、第１領域１２２は、単一の規則性に従うことなく選択される。
【００６９】
本実施形態において、第１領域１２２がランダムに選択されるならば、エージングパターンの設計は簡略化され得る。
【００７０】
（特定の規則に従って選択された第１領域）
図１３は、第１領域１２２が規則性に従って複数選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１３を参照して、特定の規則に従って第１領域１２２が選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。説明の明瞭化のため、図１３において、第１領域として選択されていない分割領域は省略されている。
【００７１】
図１３に示される如く、複数の第１領域１２２は、発光領域１１０の行方向及び列方向において互いに隣接しない。対角方向に連続する分割領域が第１領域として選択されるとの条件下において、第１領域１２２は、選択される。なお、本実施形態において、「対角方向に連続する」という文言は、１つの第１領域１２２と他のもう１つの第１領域１２２とが角で接し、複数の第１領域１２２が発光領域１１０の対角方向に整列することを意味してもよい。図１３に示される如く、発光領域１１０中、左上隅の分割領域並びに当該分割領域の右下において対角方向に連続する複数の分割領域が、第１領域１２２として選択される。代替的に、発光領域１１０中、左下隅の分割領域並びに右上において対角方向に連続する分割領域が、第１領域１２２として、選択されてもよい。
【００７２】
対角方向に連続する複数の分割領域のそれぞれが第１領域１２２として選択されるならば、エージング処理を終えた分割領域とエージング処理を終えていない分割領域との区別が容易になる。したがって、エージング処理の進行状況は、監視されやすくなる。
【００７３】
図１４は、第１領域１２２が特定の規則に従って選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１４を参照して、第１領域１２２が特定の規則に従って選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。説明の明瞭化のため、図１４において、第２領域は省略される。
【００７４】
図１４に示される如く、複数の第１領域１２２は、発光領域１１０の行方向及び列方向において互いに隣接しない。第１領域が行方向及び列方向において連続することなく整列するという条件下において、第１領域１２２は、選択される。第１領域１２２間の間隔は、一定であってもよい。代替的に、第１領域１２２間の間隔は、一定でなくともよい。
【００７５】
説明の明瞭化のため、図１４は、行方向及び列方向にそれぞれ１０個の分割領域１２０を含むよう区画された発光領域１１０を示す。発光領域の左上隅の分割領域に対して、行方向及び列方向においてともに１の番号が付されている。左上隅の分割領域から下方に行番号は１ずつ増分されている。左上隅の分割領域から右方に列番号は１ずつ増分されている。したがって、図１４に示される分割領域の位置は、１から１０の行番号と、１から１０の列番号とによって特定される。図１４において、奇数の行番号及び奇数の列番号が付された分割領域１２０は、第１領域１２２として選択されている。代替的に、偶数の行番号及び奇数の列番号が付された分割領域１２０、奇数の行番号及び偶数の列番号が付され得た分割領域１２０又は偶数の行番号及び偶数の列番号が付された分割領域１２０が、第１領域１２２として選択されてもよい。
【００７６】
間隔を空けて行方向及び列方向に整列するように第１領域１２２が選択されるならば、エージング処理を終えた分割領域１２０とエージング処理を終えていない分割領域１２０との区別が容易になされる。したがって、エージング処理の進行状況は、監視されやすくなる。第１領域１２２の間隔が一定であるならば、エージング処理を終えた分割領域１２０と終えていない分割領域１２０との区別は、非常に容易となる。したがって、エージング処理の進行状況は、非常に監視されやすくなる。
【００７７】
本実施形態の奏する効果を明瞭化するために、発光領域の行方向及び列方向において隣接する分割領域がエージング処理の対象領域として設定された例示的な発光パネルが、本実施形態の発光パネル１００と比較される。
【００７８】
図１５は、発光領域１１０の列方向において互いに隣接する分割領域がエージング処理の対象領域として選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１５を参照して、発光領域１１０の列方向において隣接する分割領域１２０をエージング処理の対象領域として選択した発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。説明の明瞭化のため、図１５において、エージング処理の対象領域として選択された分割領域は、参照符号１２０ａで示される。図１５において、選択されていない分割領域は省略される。
【００７９】
図１５に示される如く、分割領域１２０ａは、行方向に互いに隣接するよう選択される。代替的に、分割領域１２０ａは、列方向に互いに隣接するよう選択されてもよい。選択された分割領域１２０ａは、後述されるステップＳ１３０に相当するエージング処理を受ける。エージング時の発光領域１１０の温度分布は後述される。なお、比較条件を揃えるため、図１５に示される選択された分割領域１２０ａは、総面積が図１２に関連して説明された第１領域１２２の総面積と等しくなるよう選択される。
【００８０】
（エージング処理）
エージング処理は、第１領域１２２に対し、予め設定されたエージング条件に従って実行される。適切なエージング処理を受けた第１領域１２２は、エージング領域として取り扱われる。本実施形態において、「エージング領域」との用語は、エージング処理が適切に実行された第１領域１２２を意味する。エージング条件は、図１に関連して説明された回路基板２００が生成する駆動信号に含まれてもよい。例えば、エージング条件は、発光素子が所定の輝度の下で発光され、且つ、所定時間経過後に発光が終了されることであってもよい。代替的に、エージング条件は、発光素子が所定の輝度の下で発光され、且つ、所定温度に達した後に発光が終了されることであってもよい。
【００８１】
図１６は、図１２に関連して説明された発光領域１１０中の第１領域１２２がエージング処理を受けたときの温度分布を表す概略的な等温線図である。図１６を参照して、エージング処理下の発光領域１１０の例示的な温度分布が説明される。
【００８２】
図１６に示される如く、第１領域１２２は、所定の輝度（例えば、４５０ｃｄ／ｍ２）で一様に発光されるならば、発光素子は発熱し、発光領域１１０には温度の異なる複数の領域が生じる。図１６に示される発光領域１１０は、等温線Ｃｂ〜等温線Ｃｉにより区分されている。等温線Ｃｂに囲まれる領域は、図１６に示される発光領域１１０中、最も高温となる。等温線Ｃｉの外側の領域は、発光領域１１０中、最も低温となる。したがって、等温線Ｃｉの外側の領域において発光素子は、劣化しにくくなる。
【００８３】
本実施形態の奏する効果を明瞭化するために、ステップＳ１２０とは異なり、発光領域の列方向において隣接する分割領域１２０がエージング処理の対象領域として選択された発光領域を備える発光パネルに対してエージング処理が実行されたときの発光領域の例示的な温度分布が、本実施形態の原理によって得られた温度分布と比較される。
【００８４】
図１７は、図１５を参照して説明された発光領域１１０中の選択された分割領域１２０ａがエージングされたときの温度分布を表す概略的な等温線図である。図１７を参照して、エージング処理下の発光領域１１０の例示的な温度分布が説明される。
【００８５】
図１５を参照して説明された選択された分割領域１２０ａと図１６を参照して説明された第１領域１２２とが同条件の輝度（例えば、４５０ｃｄ／ｍ２）で一様に発光するならば、図１７に示される如く、発光素子は発熱し、発光領域１１０には温度の異なる複数の領域が生じる。
【００８６】
図１７に示される発光領域１１０中の温度の異なる複数の領域は、図１６を参照して説明された等温線Ｃｂ〜Ｃｉと等温線Ｃａとにより区分されている。等温線Ｃａに囲まれる領域は、図１７に示される発光領域１１０中、最も高温となる。したがって、等温線Ｃａに囲まれる領域内の発光素子は、等温線Ｃｂに囲まれる領域内の発光素子よりも劣化する。図１７において、等温線Ｃａと等温線Ｃｂとにより区分された領域の面積は、図１６を参照して説明された発光領域１１０内の等温線Ｃｂに囲まれる領域の面積よりも大きい。その結果、図１６を参照して説明された発光領域１１０との比較において、発光領域１１０の面内の温度斑は大きくなる。それぞれの発光素子の寿命は、大きなばらつきを生じる。
【００８７】
図１６を参照して説明された如く、第１領域１２２が適切にエージングされるならば、エージング処理下の発光面内の最高温度は低くなる。したがって、発光領域１１０の面内の温度斑は抑制される。その結果、それぞれの発光素子の寿命のばらつきは、低減される。本実施形態の原理に従ってエージング処理を受けた発光パネルは、輝度斑を生じにくく、長期に亘って均一な画質を維持することができる。したがって、発光パネルは、高い信頼性を有することになる。
【００８８】
（ステップＳ１４０における第１領域および第２領域の選択方法）
図１８は、図１３を参照して説明されたパターンに従って第１領域１２２が選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１８において、ステップＳ１３０においてエージング処理を受けた第１領域は、エージング領域１２４として示される。図１８を用いて、第１領域１２２が選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。
【００８９】
図１８に示される如く、エージング領域１２４以外の複数の分割領域のうち、少なくとも一部の分割領域は、第１領域１２２として選択される。第１領域１２２に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域は、第２領域として選択される。なお、説明の明瞭化のため、図１８は、第１領域１２２とエージング領域１２４とを示す一方で、その他の分割領域は省略している。
【００９０】
図１８において、複数の第１領域１２２は、図１３を参照して説明されたそれぞれの第１領域１２２の右隣の分割領域１２０としてそれぞれ選択される。第１領域１２２は、１０個選択される。代替的に、１０未満の分割領域又は１０を超える分割領域が、第１領域１２２として選択されてもよい。なお、図１３に示される発光領域１１０の右端に接する第１領域１２２には右隣の分割領域１２０が存在しないので、当該分割領域１２０の属する行の他の分割領域１２０のうち発光領域１１０の左端に接する分割領域１２０が、第１領域１２２として選択される。
【００９１】
代替的に、発光領域１１０の行方向及び列方向において複数の第１領域１２２が隣接しないならば、第１領域１２２は、ランダムに選択されてもよい。或いは、第１領域１２２は、特定の規則に従って選択されてもよい。
【００９２】
第１領域１２２の選択及びその後のエージング処理によって、選択された第１領域１２２は、適切にエージングされる。適切にエージングされた第１領域１２２は、エージング領域１２４として取り扱われる。
【００９３】
（ステップＳ１４０における新たな第１領域及び新たな第２領域の選択方法）
図１９は、図１８を参照して説明された発光領域１１０において第１領域１２２が新たに選択された発光領域１１０を備える発光パネル１００の概略的な平面図である。図１９において、ステップＳ１５０の実行によってエージング処理を受けた第１領域は、エージング領域１２４ａとして示される。図１９を参照して、再度実行されたステップＳ１４０において、第１領域１２２が新たに選択された発光領域１１０を備える例示的な発光パネル１００が説明される。
【００９４】
図１９に示される如く、エージング領域１２４、１２４ａ以外の複数の分割領域のうち、少なくとも一部の分割領域は、新たな第１領域１２２として選択される。新たに選択された第１領域１２２に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域は、新たな第２領域として選択される。なお、説明の明瞭化のため、図１９は、新たな第１領域１２２とエージング領域１２４、１２４ａとを示し、その他の分割領域を省略している。
【００９５】
図１９において、新たに選択された第１領域１２２は、ステップＳ１５０においてエージング処理を受けたエージング領域１２４ａの右隣の分割領域１２０としてそれぞれ選択される。１０の分割領域が第１領域１２２として選択される。代替的に、１０未満の分割領域或いは１０を超える分割領域が、第１領域１２２として選択されてもよい。なお、エージング領域１２４ａのうち発光領域１１０の右端に接する第１領域１２２には右隣の分割領域１２０が存在しないため、当該分割領域１２０の属する行の他の分割領域１２０のうち発光領域１１０の左端に接する分割領域１２０が、新たな第１領域１２２として選択される。
【００９６】
新たな第１領域１２２の選択及びその後のエージング処理によって、新たに選択された第１領域１２２は適切にエージングされる。適切にエージングされた新たな第１領域１２２は、エージング領域１２４として取り扱われる。
【００９７】
代替的に、発光領域１１０の行方向及び列方向において複数の第１領域１２２が隣接しないならば、新たな第１領域１２２は、ランダムに選択されてもよい。或いは、新たな第１領域１２２は、特定の規則に従って選択されてもよい。
【００９８】
（エージング装置）
図２０は、エージング装置４００と発光パネル１００との接続を表す概略図である。図２０を参照して、エージング装置４００が説明される。
【００９９】
図２０に示される如く、エージング装置４００は、回路基板２００を介して発光パネル１００に接続される。発光パネル１００は、図７及び図８に関連して説明された如く、マトリクス状に配置された複数の発光画素によって形成される発光領域１１０を有する。
【０１００】
エージング装置４００は、記憶部４１０と信号生成部４２０とを含む。
【０１０１】
記憶部４１０は、発光パターンデータを記憶する。発光パターンデータは、区画データと領域指定データとを含む。記憶部４１０としては、ハードディスクといった情報記憶媒体が例示される。
【０１０２】
区画データは、発光パネル１００の発光領域１１０を区画して、複数の分割領域１２０を規定するために利用される。図２１は、区画データが規定する複数の分割領域１２０に区画された発光領域１１０の概略的な平面図である。図２１を参照して、区画データが説明される。
【０１０３】
図２１に示される如く、区画データは、発光領域１１０を行方向及び列方向に区画する数を規定する。加えて、区画データは、規定された数に基づいて区画されたそれぞれの分割領域１２０の場所を規定する。図２１において、区画データが規定する行方向の区画数は「１０」であり、列方向の区画数は「１０」である。分割領域の場所は、Ｄ１〜Ｄ１００として規定される。代替的に、区画データが規定する行方向の区画数は、２以上且つ１０未満であってもよく、１０を超えてもよい。同様に、区画データが規定する裂方向の区画数は、２以上且つ１０未満であってもよく、１０を超えてもよい。
【０１０４】
領域指定データは、区画データにより区画され、場所が規定された複数の分割領域１２０の一部を第１領域１２２として指定するために利用される。加えて、領域指定データは、第１領域１２２に発光領域１１０の行方向及び列方向において隣接する分割領域１２０を第２領域１２３として指定するために利用される。図２２は、領域指定データが指定する第１領域１２２及び第２領域１２３が示された発光領域１１０の概略的な平面図である。図２２を参照して、領域指定データが説明される。
【０１０５】
図２２に示される如く、領域指定データは、分割領域１２０の一部を、第１領域１２２（図２２において、「第１領域」と表記されている）として指定する。加えて、領域指定データは、発光領域１１０の行方向及び列方向において、第１領域１２２に隣接する分割領域１２０を第２領域１２３（図２２において、「第２領域」と表記されている）として指定する。図１３を参照して説明された選択手法にしたがって、対角方向に連続する分割領域が第１領域１２２として指定されている。代替的に、発光領域１１０の行方向及び列方向において複数の第１領域１２２が互いに隣接しないならば、第１領域１２２は、ランダムに指定されてもよい。更に代替的に、発光領域１１０の行方向及び列方向において複数の第１領域１２２が隣接しないならば、第１領域１２２は、特定の規則に従って指定されてもよい。代替的に、第１領域１２２の行方向及び列方向に隣接する分割領域１２０に加えて、第１領域１２２の行方向及び列方向に隣接する分割領域１２０以外の分割領域１２０が、第２領域１２３として指定されてもよい。即ち、第１領域１２２以外の全ての分割領域１２０が第２領域１２３として指定されてもよい。
【０１０６】
信号生成部４２０は、記憶部４１０と電気的に接続される。信号生成部４２０は、記憶部４１０に記憶された発光パターンデータに基づいて、発光画素の制御信号を生成する。例えば、信号生成部４２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、所定の制御プログラムが記憶された不揮発性のＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やデータを一時的に記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）であってもよい。
【０１０７】
記憶部４１０及び信号生成部４２０は、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）の筐体内に収容されてもよい。代替的に、記憶部４１０及び信号生成部４２０は、それぞれ別々の筐体内に収容され、且つ、互いに電気的に接続されてもよい。
【０１０８】
回路基板２００は、図１を参照して説明された如く、発光パネル１００に接続される。回路基板２００は、信号生成部４２０により生成される制御信号に応じて、発光パネル１００を発光させるための駆動信号を生成する。駆動信号は、回路基板２００から発光パネル１００に出力される。発光パネル１００は、回路基板２００からの駆動信号に応じて、発光画素中の発光素子に通電する。この結果、発光パネル１００は、発光する。発光により発光素子はエージングされる。代替的に、回路基板２００は、エージング装置４００の一部としてエージング装置４００に組み込まれてもよく、或いは、発光パネル１００の一部として組み込まれてもよい。回路基板２００が発光パネル１００の一部として組み込まれるならば、回路基板２００は、映像信号に応じて発光パネル１００を駆動し、映像を表示してもよい。
【０１０９】
エージング処理は、図６に関連して説明された手法に従い実行される。したがって、エージング装置４００は、エージング処理において発光パネル１００内の温度斑を抑制することができる。その結果、発光パネル１００に含まれる発光素子は性能劣化を起こしにくくなる。発光パネル１００は、輝度斑を生じにくいので、長期に亘って均一な画質を維持することができる。したがって、発光パネルは、高い信頼性を有する。
【０１１０】
＜第２実施形態＞
第２実施形態において、第１実施形態の技術に基づきエージング処理を受ける発光パネル１００を備える表示装置１が説明される。尚、表示装置１は、発光素子として、有機ＥＬ素子を利用する。表示装置１は、上述のエージング処理を実行するためのエージングモードと映像を表示するための映像表示モードとを実行する。
【０１１１】
本実施形態の表示装置１は、外部のエージング装置を利用することなくエージング処理を実行することができる。尚、表示装置１のエージング処理において、第１実施形態に関連して説明された領域分割に関する技術が適用される。冗長的な説明を避けるべく、本実施形態において、領域分割に関する説明は省略される。一方、本実施形態において、エージングモード中の信号の出力制御が主に説明される。
【０１１２】
図２３は、表示装置１の概略図である。図２３を参照して、表示装置１が説明される。
【０１１３】
図２３に示されるように、表示装置１は、発光パネル１００と、回路に電力を供給する電源部１０と、回路を制御する制御部２０と、駆動回路部２２とを備える。発光パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用する。第１実施形態に関連して説明された如く、画素は、マトリクス状に配列される。尚、画素の構造は、図２に示される構造であってもよい。発光層１４０Ｒ，１４０Ｇ，１４０Ｂに有機ＥＬ材料が用いられる。駆動回路部２２は、４つの駆動回路２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを含む。なお、発光パネル１００に対する駆動回路部２２の配置として、他の構造が採用されてもよい。
【０１１４】
図２４は、図２３に示される表示装置１の一画素分の回路図である。図２３及び図２４を参照して、表示装置１が更に説明される。
【０１１５】
図２４に示される如く、表示装置１は、電源部１０と、制御部２０と、駆動回路部２２と、画素回路３０と、有機ＥＬ素子４０と、を備える。図２３及び図２４に示す駆動回路部２２は、選択信号生成回路２４とデータ信号生成回路２６とＤＡＣ２８（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）とを含む。画素回路３０は、選択線３１と、データ線３２と、電源線３３と、スイッチングトランジスタ３４と、駆動トランジスタ３５と、保持容量３６と、を含む。スイッチングトランジスタ３４及び駆動トランジスタ３５は、薄膜トランジスタ素子であってもよい。
【０１１６】
電源部１０は、電源線３３を介して有機ＥＬ素子４０に接続される。電源部１０は、有機ＥＬ素子４０を駆動するための電力を供給する。上述の如く、表示装置１は、有機ＥＬ素子４０をエージングするためのエージングモード及び有機ＥＬ素子４０を用いて映像を表示する映像表示モードを実行する。電源部１０は、エージングモード及び映像表示モードにおいて、同一の電源電圧ＶＤＤを電源線３３に出力する。
【０１１７】
制御部２０は、エージングモード及び映像表示モードのうち一方で選択的に動作する。制御部２０は、操作者の操作に基づく操作信号の入力に応じて、エージングモード及び映像表示モードのうち一方を選択する判定動作を実行する。判定結果に応じて、制御部２０は、選択信号生成回路２４に、選択されたモードに応じた選択信号を出力する。加えて、制御部２０は、データ信号生成回路２６に、選択されたモードに応じたデジタル輝度信号を出力する。制御部２０は、ＤＡＣ２８に、選択されたモードに応じた切替信号を更に出力する。
【０１１８】
選択信号生成回路２４はシフトレジスタであってもよい。制御部２０は、１フレームごとにスタートパルスを選択信号生成回路２４に一回出力する。スタートパルスは、シフトレジスタに順次シフトするので、有機ＥＬ素子４０を発光させる行が選択される。制御部２０は、有機ＥＬ素子４０の発光階調を制御するためのデジタル輝度信号を生成する。デジタル輝度信号は、制御部２０からデータ信号生成回路２６へ出力される。例えば、輝度Ｙ、色差Ｃｂ及びＣｒを表すコンポーネント信号が、デジタル輝度信号として利用されてもよい。
【０１１９】
制御部２０から出力されるデジタルコンポーネント信号のビット数は、エージングモードにおいて１０ｂｉｔであり、映像表示モードにおいて８ｂｉｔである。使用されるデジタルコンポーネント信号のビット数が１０ｂｉｔであるならば、制御部２０は、１０ｂｉｔを表す切替信号を生成する。使用されるデジタルコンポーネント信号のビット数が８ｂｉｔであるならば、制御部２０は、８ｂｉｔを表す切替信号を生成する。切替信号は、制御部２０からＤＡＣ２８に出力される。
【０１２０】
制御部２０が出力した選択信号に応じて、選択信号生成回路２４は、選択線３１を介して、発光させる有機ＥＬ素子４０の行に対応するスイッチングトランジスタ３４のゲート電極に、オン状態を設定するための電圧を、印加する。一方、選択信号生成回路２４は、選択線３１を介して、発光させない有機ＥＬ素子４０の行に対応するスイッチングトランジスタ３４のゲート電極に、オフ状態を設定するための電圧を印加する。
【０１２１】
データ信号生成回路２６は、輝度Ｙ、色差Ｃｂ及びＣｒで表すデジタル輝度信号を、Ｒ、Ｇ、Ｂで表すデジタル輝度信号へ変換する。さらに、データ信号生成回路２６は、Ｒ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号とデジタル電圧信号との交換マップを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号をＲ、Ｇ、Ｂデジタル電圧信号へと変換する。その後、Ｒ、Ｇ、Ｂデジタル電圧信号は、データ信号生成回路２６からＤＡＣ２８へ出力される。
【０１２２】
表示装置１は、画素列と同じ数のＤＡＣ２８を備える。ＤＡＣ２８は、制御部２０から画素回路３０へとデジタル輝度信号を伝送するための信号伝送路に設けられる。ＤＡＣ２８は、データ信号生成回路２６から出力されたデジタル電圧信号をアナログデータ電圧に変換する。得られたアナログデータ電圧は、データ線３２を介して、ＤＡＣ２８からスイッチングトランジスタ３４のソース電極に印加される。
【０１２３】
ＤＡＣ２８は、制御部２０からの切替信号に応じて、処理対象のデジタル電圧信号のビット数を切り替える。この結果、エージングモードで扱われるデジタル電圧信号のビット数は、映像表示モードで扱われるデジタル電圧信号のビット数よりも大きくなる。
【０１２４】
ＤＡＣ２８に設定されたデジタル電圧信号のビット数が、映像表示モードにおいて必要とされるビット数よりも大きいならば、ＤＡＣ２８に設定されたデジタル電圧信号のビット数と映像表示モードにおいて必要とされるビット数との差分だけ、ＤＡＣ２８は、上位ビットをマスクする。エージングモードにおいて、ＤＡＣ２８は、上位ビットをマスクしない。
【０１２５】
例えば、ＤＡＣ２８が扱うデジタル電圧信号のビット数は、１０ｂｉｔとして設計されてもよい。この場合、エージングモードにおいて利用されるデジタル電圧信号のビット数は、１０ｂｉｔとして設定されてもよい。映像表示モードにおいて扱われるデジタル信号は、８ｂｉｔに設定されてもよい。上位２ｂｉｔがマスクされるならば、映像表示モードは適切に実行される。
【０１２６】
ＤＡＣ２８は、レジスタ部と、変換部と、マスク部と、を備える。レジスタ部は、データ信号生成回路２６と接続された複数のレジスタを含む。変換部は、各レジスタからパラレル入力を受け付ける。加えて、変換部は、デジタル電圧信号をアナログ電圧信号に変換する。マスク部は、デジタル電圧信号の上位２ビットをマスクする。変換部として、ラダー抵抗型、抵抗ストリング型、パルス幅変調型及びデルタシグマ型といったＤＡＣが用いられてもよい。
【０１２７】
以下、例示的なＤＡＣ２８が説明される。ＤＡＣ２８のレジスタ部は、シフトレジスタである。レジスタ部にデジタル電圧信号がシリアルで入力される。レジスタ部の上位２ｂｉｔと変換器との間には、ＡＮＤ回路が各ビットに対応して設けられる。ＡＮＤ回路は、マスク部として機能する。
【０１２８】
この場合、各ＡＮＤ回路の一方の入力端子には、レジスタに格納されたデジタル電圧信号が入力される。各ＡＮＤ回路の他方の入力端子には、制御部２０から出力された切替信号が入力される。尚、切替信号のビット数は１ｂｉｔである。エージングモードにおいて、切替信号のビットは、１に設定される。映像表示モードにおいて、切替信号のビットは、０に設定される。
【０１２９】
エージングモードにおいて、データ信号生成回路２６から出力された１０ｂｉｔのデジタル電圧信号は、レジスタ部に格納される。その後、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号は、レジスタ部から変換部に出力される。レジスタ部の上位２ｂｉｔから出力され、且つ、ＡＮＤ回路を通過した後のビット値は、レジスタ部の上位２ｂｉｔから出力され、且つ、ＡＮＤ回路を通過する前のビット値と等しい。なぜなら、ＡＮＤ回路に入力されている切替信号のビット値が１であるならば、ＡＮＤ回路に入力されるビット値（０又は１）に関係なく、ビット値は、ＡＮＤ回路を通過する前と通過した後との間で変化しないためである。したがって、レジスタ部の１０ｂｉｔがそのまま変換部に出力される。その後、変換部は、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号をアナログデータ電圧に変換する。得られたアナログデータ電圧は、データ線へ出力される。
【０１３０】
映像表示モードにおいて、データ信号生成回路２６から出力された８ｂｉｔのデジタル電圧信号は、レジスタ部に格納される。その後、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号が、レジスタ部から変換部に出力される。尚、デジタル電圧信号の上位２ｂｉｔは、０である。なぜなら、レジスタ部の上位２ｂｉｔからＡＮＤ回路に入力されている切替信号のビット値が０であるならば、ＡＮＤ回路に入力されるビット値（０又は１）とは関係なく、ビット値は、ＡＮＤ回路を通過した後に、０になるためである。したがって、映像表示モードにおいて、変換器に入力される１０ｂｉｔのデジタル電圧信号の上位２ｂｉｔは常に０となる。その後、変換部は、デジタル電圧信号がアナログデータ電圧に変換する。得られたアナログデータ電圧は、データ線へ出力される。
【０１３１】
選択信号生成回路２４が、スイッチングトランジスタ３４のゲート電極に、オン状態を設定するための電圧を印加すると、駆動トランジスタ３５のゲート電極にアナログデータ電圧が印加される。この結果、アナログデータ電圧に応じた大きさのドレイン電流が駆動トランジスタ３５に流れる。その後、ドレイン電流が、有機ＥＬ素子４０に流れ込むので、有機ＥＬ素子４０が発光する。
【０１３２】
図２５は、図２３に示される表示装置１の動作を表すグラフである。図２５を参照して表示装置１の動作が説明される。
【０１３３】
図２５のグラフの横軸は、駆動トランジスタ３５のゲート電極に印加されるアナログデータ電圧Ｖｄａｔａの大きさを示す。図２５のグラフの縦軸は、アナログデータ電圧Ｖｄａｔａが印加された時の有機ＥＬ素子４０の発光輝度Ｌを示す。図２５のグラフの横軸に示されるＶｍａｘは、映像表示モードでの最大輝度での発光に必要な最大の電圧である。図２５のグラフの横軸に示されるＶＥはエージングに必要とされる電圧である。
【０１３４】
図２５に示される如く、有機ＥＬ素子４０に印加される電圧Ｖｄａｔａが大きいほど、有機ＥＬ素子４０の発光輝度Ｌが上昇する傾向がある。映像表示モードにおいて、表示装置１の制御部２０は、映像表示に必要な電圧を印加する。同様に、エージングモードにおいて、表示装置１の制御部２０は、エージング処理に必要な電圧ＶＥを印加する。Ｖｍａｘよりも大きなＶＥによって、エージング処理下の有機ＥＬ素子４０の発光輝度ＬＥは、Ｌｍａｘよりも大きくなる。この結果、エージング時間は、短縮される。
【０１３５】
上述の如く、エージングモードにおいて、制御部２０は、有機ＥＬ素子４０にエージング処理用の高電圧ＶＥを印加する。エージングモードにおいて、発光素子は、映像表示モードにおける最大輝度よりも高い輝度で発光するので、エージング時間は、短縮される。表示装置１の電源部１０や画素回路３０の回路は、映像表示モードにおいて印加される電圧よりも高い電圧に耐えられるように設計される。例えば、電源部１０は、映像の表示に必要な最大の電源電圧よりも大きい電源電圧に耐えられるように設計される。スイッチングトランジスタ３４及び駆動トランジスタ３５は、エージング処理用の高電圧ＶＥに対する耐圧特性を有するように設計される。なお、ＶＥは、Ｖｍａｘの１．５倍〜２倍である。ＬＥはＬｍａｘの２倍〜３倍である。当該条件下において、エージング時間は２時間〜３時間となる。
【０１３６】
図２６は、エージングモード及び映像表示モード下の表示装置１の動作のフローチャートを示す図である。図２６を参照して、表示装置１の動作が説明される。
【０１３７】
制御部２０は、エージングを行うか否かを判定する（ステップＳ０１）。例えば、操作者がエージング処理を行うことを決定するならば、操作者は、表示装置１を操作し、操作信号を制御部２０へ入力してもよい。エージング処理の実行を指示する操作信号が入力されるならば、制御部２０は、エージング処理を実行する。他の場合には、制御部２０は、エージング処理を実行しない。
【０１３８】
エージング処理が実行されるならば（ステップＳ０１においてＹｅｓ）、制御部２０は、ＤＡＣ２８が処理する信号のビット数を、８ｂｉｔから１０ｂｉｔへと切り替える（ステップＳ０２）。例えば、ＤＡＣ２８が備えるＡＮＤ回路に、切替信号１を出力する。
【０１３９】
その後、表示装置１は、エージングモード用の１０ｂｉｔの映像信号を用いて表示を行う（ステップＳ０３）。例えば、制御部２０は、選択信号生成回路２４を介して一行目に対応する選択線３１に選択電圧を出力する。加えて、制御部２０は、１０ｂｉｔのデジタルコンポーネント信号をデータ信号生成回路２６に出力し、エージング処理用のアナログデータ電圧ＶＥをＤＡＣ２８に出力させる。その後、データ信号生成回路２６は、１０ｂｉｔのデジタルコンポーネント信号を、１０ｂｉｔのＲ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号へと変換する。その後、データ信号生成回路２６は、Ｒ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号を、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号へと変換する。ＤＡＣ２８は、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号を取得する。ＤＡＣ２８は、１０ｂｉｔのデジタル電圧信号をアナログデータ電圧ＶＥへと変換する。アナログデータ電圧ＶＥは、データ線３２及びスイッチングトランジスタ３４を介して、駆動トランジスタ３５のゲート電極に印加される。この結果、アナログデータ電圧ＶＥに応じた電流が、駆動トランジスタ３５から有機ＥＬ素子４０に流れ、有機ＥＬ素子４０を発光させる。一行ごとの発光動作が発光パネル１００の二行目から最終行まで繰り返され、１フレームの表示が完了する。
【０１４０】
１フレームの表示が完了すると、制御部２０は、所定時間が経過したか否かを判定する（ステップＳ０４）。制御部２０が、所定時間が経過していないと判定すると（ステップＳ０４においてＮｏ）、ステップＳ０３の処理が再度実行される。制御部２０が、所定時間が経過したと判定すると（ステップＳ０４においてＹｅｓ）、ステップＳ０５の処理が実行される。この結果、所定時間、有機ＥＬ素子４０を高輝度で発光させるエージング処理が適切に実行される。なお、エージング完了の判定基準となる所定時間は、発光輝度の累積発光時間と最大輝度との関係に基づいて予め設定されてもよい。例えば、エージング完了の判定基準となる所定時間は、エージング処理の直後の発光素子の目標最大輝度に応じて予め設定されてもよい。
【０１４１】
エージング処理が完了すると、制御部２０は、ＤＡＣ２８の扱う信号のビット数を、１０ｂｉｔから８ｂｉｔへと切り替える（ステップＳ０５）。例えば、制御部２０は、ＤＡＣ２８に備えられたＡＮＤ回路に、切替信号０を出力する。
【０１４２】
エージング処理が実行されないならば（ステップＳ０１においてＮｏ）、表示装置１は、通常の輝度信号を用いて、映像の表示を行う（ステップＳ０６）。例えば、制御部２０は、８ｂｉｔのデジタルコンポーネント信号をデータ信号生成回路２６に出力し、映像表示モード用のアナログデータ電圧ＶｍａｘをＤＡＣ２８に出力させる。データ信号生成回路２６は、８ｂｉｔのデジタルコンポーネント信号を、８ｂｉｔのＲ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号に変換する。データ信号生成回路２６は、Ｒ、Ｇ、Ｂデジタル輝度信号を、８ｂｉｔのデジタル電圧信号へと更に変換する。ＤＡＣ２８は、８ｂｉｔのデジタル電圧信号を取得する。ＤＡＣ２８は、その後、８ｂｉｔのデジタル電圧信号を、アナログデータ電圧Ｖｍａｘへと変換する。ＤＡＣ２８が、データ線３２を通じて、アナログデータ電圧Ｖｍａｘを、スイッチングトランジスタ３４へ出力すると、アナログデータ電圧Ｖｍａｘは、データ線３２及びスイッチングトランジスタ３４を介して、駆動トランジスタ３５のゲート電極に印加される。この結果、アナログデータ電圧Ｖｍａｘに応じた電流が、有機ＥＬ素子４０に電流が流れ、有機ＥＬ素子４０を発光させる。上述の処理が二行目から最終行まで繰り返されると、１フレームの表示が完了する。
【０１４３】
上述の如く、発光素子は、エージングモードにおいて、映像表示モードでの最大輝度よりも大きな発光輝度で、発光する。したがって、映像表示モードでの発光輝度で発光させる従来のエージング処理よりも、本実施形態のエージング処理技術は、エージング時間を短縮することができる。加えて、本実施形態のエージング処理技術は、エージング処理のために、外部のエージング装置を必要としない。したがって、本実施形態のエージング処理技術は、スループットの低下を抑制できる。即ち、本実施形態のエージング処理技術は、エージング時間を短縮し、且つ、スループットを向上させる。
【０１４４】
外部のエージング装置を用い、且つ、出荷前の複数の表示装置に同時にエージングを行うためには、表示装置と同数のエージング装置が必要とされる。しかしながら、工場で複数のエージング装置が稼働されるならば、複雑な工場設備が必要とされる。加えて、外部のエージング装置が用いられるならば、発光素子に電圧を印加するための接続端子を通じて、外部の静電気が表示装置の内部に侵入し、回路を破壊してしまうおそれもある。本実施形態のエージング処理技術は、外部のエージング装置を用いずに、エージング処理を実行することを可能にするので、工場設備の複雑化及び回路の短絡は生じにくくなる。
【０１４５】
本実施形態のエージング処理技術によれば、使用者が、エージング処理を実行するか否かを決定する。制御部２０は、その後、使用者の決定（エージングモード又は映像表示モード）に応じて、ＤＡＣ２８が処理するデジタル電圧信号のビット数の切り替えを行う。したがって、映像表示モードにおいて、上位２ｂｉｔに冷蔵庫といった他の家電製品からのノイズデータが格納されても、上位２ｂｉｔがマスクされ０となる。この結果、有機ＥＬ素子４０は、映像表示モードにおいて、エージングモードにおける発光輝度と同レベルの高い輝度では発光しにくくなる。
【０１４６】
上述の説明において、エージング処理は、出荷前の表示装置に適用されている。しかしながら、本実施形態のエージング処理は、出荷後の表示装置に適用されてもよい。使用者は、出荷後において、エージングモード及び映像表示モードのうち一方を選択し、表示装置を動作させることができる。このことは、簡素化されたエージング処理に帰結する。例えば、出荷後の表示装置に対するトラブルシューティング作業において、本実施形態のエージング処理技術は、外部のエージング装置を必要としない。したがって、使用者は、表示装置を工場へ戻すことなく、オンサイトでエージング処理を実行することができる。発光素子の最大輝度が出荷後にばらつきを生じた場合に、オンサイトでのエージング処理は、非常に有用である。
【０１４７】
図２６のフローチャートのステップＳ０４において、エージング処理の開始から所定時間が経過するならば、エージング処理が完了したと判定される。代替的に、センサを用いて、発光素子の発光輝度が直接的に検出されてもよい。センサによって検出された輝度の値が所定の輝度を上回っているか否かの判定に応じて、エージング処理の完了が決定されてもよい。
【０１４８】
本実施形態において、制御部は、切替信号をＤＡＣに出力し、ＤＡＣが処理するデジタル信号のビット数を変更する。代替的に、データ生成回路から出力されるデータにビット数を制御するための切替信号が付加されてもよい。この場合、制御部からＤＡＣに出力される切替信号なしに、ビット数の切替制御が実行される。
【０１４９】
本実施形態において、ＤＡＣが処理するデジタル信号のビット数は、８ｂｉｔと１０ｂｉｔとの間で切り替えられる。代替的に、デジタル信号のビット数は、映像表示モードにおける最大輝度に対応する電圧Ｖｍａｘに対するエージングモードにおけるアナログデータ電圧ＶＥの倍率に応じて決定されてもよい。例えば、ＶＥがＶｍａｘの２倍以下であるならば、ＤＡＣが処理するデジタル信号のビット数は、８ｂｉｔと９ｂｉｔとの間で切り替えられてもよい。ＶＥがＶｍａｘの２倍より大きく４倍以下であれば、ＤＡＣが処理するデジタル信号のビット数は、８ｂｉｔと１０ｂｉｔとの間で切り替えられてもよい。
【０１５０】
＜第３実施形態＞
第３実施形態において、第１実施形態とは異なる領域分割を利用したエージング処理技術が説明される。
【０１５１】
（表示装置の製造方法）
図２７は、映像を表示する表示装置の製造方法の概略的なフローチャートである。図２７を用いて、表示装置の概略的な製造方法が説明される。
【０１５２】
（ステップＳ１００）
表示装置の製造方法において、まず、組立工程（ステップＳ１００）が実行される。組立工程において、映像が表示される発光領域を含む発光パネル及び発光パネルを駆動するための回路基板が用意される。その後、回路基板は、発光パネルに取り付けられる。発光パネルと回路基板との組立体及び回路基板による発光パネルの駆動下における発光パネルの温度分布は後述される。発光パネルに回路基板が取り付けられた後、ステップＳ２００が実行される。
【０１５３】
（ステップＳ２００）
ステップＳ２００において、発光領域を複数の分割領域に区分する区分工程が実行される。本実施形態において、発光領域の複数の分割領域への区分は、回路基板による発光パネルの駆動下における発光パネルの温度分布に基づく。発光領域の複数の分割領域への区分手法は後述される。発光領域が複数の分割領域に区分されると、ステップＳ３００が実行される。
【０１５４】
（ステップＳ３００）
ステップＳ３００において、分割領域ごとにエージング条件が設定される（エージング条件設定工程）。上述の如く、発光領域の複数の分割領域への区分は、回路基板による発光パネルの駆動下における発光パネルの温度分布に基づく。したがって、分割領域ごとにエージング条件が適切に設定されるならば、エージング条件は、映像を表示するために発光パネルを駆動するときに生ずる熱によって発生する発光領域中の温度分布に対応することとなる。発光領域に設定された複数の分割領域それぞれに対してエージング条件が設定されると、ステップＳ４００が実行される。
【０１５５】
（ステップＳ４００）
ステップＳ４００において、エージング条件設定工程において設定されたエージング条件の下、分割領域毎にエージング処理が実行される（エージング工程）。分割領域毎のエージング処理は、後述される。
【０１５６】
（組立工程によって組み立てられる組立体）
図２８は、上述の組立工程において組み立てられる組立体５００の概略的な正面図である。図２９は、図２８に示される組立体５００の概略的な側面図である。図３０は、図２８に示される組立体５００の概略的な背面図である。図２８乃至図３０を用いて、組立体５００が説明される。
【０１５７】
上述の如く、組立体５００は、発光パネル１００Ａと回路基板２００Ａとを備える。図２８に示される如く、発光パネル１００Ａは、矩形状の発光領域１１０Ａを規定するように行列状（マトリックス状）に配設された複数の発光画素１１１と、複数の発光画素１１１それぞれを支持するための基板５２０と、を含む。図２９に示される如く、基板５２０は、発光領域１１０Ａが形成される第１面５２１と、第１面５２１とは反対側の第２面５２２と、を含む。
【０１５８】
図２９及び図３０に示される如く、組立工程において、回路基板２００Ａは、基板５２０の第２面５２２に取り付けられる。回路基板２００Ａは、複数の発光画素１１１それぞれに電気的に接続され、複数の発光画素１１１それぞれを駆動する。本実施形態において、回路基板２００Ａは、発光領域１１０Ａに不均一な温度分布を生じさせる熱源として作用する。尚、表示装置は、映像を表示するために発光パネルに熱を発生し、発光領域に不均一な温度分布を生じさせる他の熱源を有してもよい。
【０１５９】
（発光領域中の温度分布）
図３１は、発光領域１１０Ａ中で生ずる温度分布を表す概略的な等温線図である。図２７、図３０及び図３１を用いて、発光領域１１０Ａ中で生ずる温度分布が説明される。
【０１６０】
図３０に示される如く、本実施形態において、回路基板２００Ａは、基板５２０の略中央（即ち、発光領域１１０Ａの略中央に対応する第２面５２２）に取り付けられている。したがって、発光領域１１０Ａが所定輝度（例えば、６０ｃｄ／ｍ２）で一様に発光されるならば、発光領域１１０Ａの中央領域は、他の領域と比べて高温となる。尚、回路基板が発光領域の下部領域の近くに取り付けられるならば、発光領域の下部領域が他の領域よりも高温となる。回路基板が発光領域の上部領域の近くに取り付けられるならば、発光領域の上部領域が他の領域よりも高温となる。本実施形態において、回路基板２００Ａは、第２面５２２に固定されなくともよい。
【０１６１】
図３１に示される等温線図は、区分工程或いはエージング条件設定工程において、基準として用いられる発光領域１１０Ａ中の温度分布に関する分布データとして例示される。分布データは、組立工程の前に予め取得されてもよい。上述のエージング条件設定工程において、エージング条件は、分布データに基づき設定される。
【０１６２】
分布データは、好適には、本実施形態の表示装置が製造される製造条件と共通する製造条件で製造された他の表示装置から取得される。例えば、分布データを取得するための他の表示装置が、本実施形態の表示装置の発光パネル１００Ａと回路基板２００Ａとの組立工程に用いられた組立ラインで組み立てられるならば、分布データは、発光パネル１００Ａと回路基板２００Ａとの間の取付誤差に起因する誤差をほとんど含まない。或いは、分布データを取得するための他の表示装置が、本実施形態の表示装置の回路基板２００Ａと同一の製造ラインで製造された回路基板を備えるならば、分布データは、回路基板の発熱特性に起因する誤差をほとんど含まない。
【０１６３】
更に好ましくは、温度分布データを取得するために、共通する製造条件下で製造された複数の表示装置が用意される。複数の表示装置の温度分布データが平均化されたデータが区分工程或いはエージング条件設定工程において、基準として用いられるならば、分割領域及びエージング条件は、一層、適切に設定される。
【０１６４】
（分割領域の設定）
図３２は、発光領域１１０Ａ中に設定される分割領域の概略図である。図２７及び図３２を用いて、発光領域１１０Ａ中に設定される分割領域が説明される。
【０１６５】
図３２に示される発光領域１１０Ａ中には、最も小さな領域を取り囲む等温線Ｃ１及び等温線Ｃ１を取り囲む等温線Ｃ２が示されている。等温線Ｃ１によって囲まれる領域は、発光領域１１０Ａ中、最も高温となる。以下の説明において、等温線Ｃ１によって囲まれる領域は、「高温領域」と称される。等温線Ｃ２より外側の領域は、発光領域１１０Ａ中、比較的低温である。以下の説明において、等温線Ｃ２より外側の領域は、「低温領域」と称される。等温線Ｃ１と等温線Ｃ２とによって囲まれる領域は、低温領域と高温領域との間の温度である。以下の説明において、等温線Ｃ１と等温線Ｃ２とによって囲まれる領域は、「中間領域」と称される。
【０１６６】
等温線Ｃ１，Ｃ２に加えて、図３２に示される発光領域１１０Ａ中には、等温線Ｃ１に外接するように規定された矩形枠Ｆ１及び等温線Ｃ２に外接するように規定された矩形枠Ｆ２が示されている。以下の説明において、矩形枠Ｆ１内の領域は、「分割領域Ｄ１」と称される。矩形枠Ｆ１と矩形枠Ｆ２との間の領域は、「分割領域Ｄ２」と称される。矩形枠Ｆ２よりも外側の領域は、「分割領域Ｄ３」と称される。
【０１６７】
図３２に示される如く、等温線Ｃ１，Ｃ２に外接する矩形枠Ｆ１，Ｆ２によって分割領域Ｄ１乃至Ｄ３が規定されるならば、分割領域Ｄ１乃至Ｄ３それぞれは、発光領域１１０Ａ内の温度分布の温度域に対応することとなる。即ち、分割領域Ｄ１は、高温領域の温度域に対応する。分割領域Ｄ２は、中間領域の温度域に対応する。分割領域Ｄ３は、低温領域の温度域に対応する。
【０１６８】
高温領域の温度が、「Ｔ１」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ１の温度は、「Ｔ１」に設定されてもよい。代替的に、高温領域と分割領域Ｄ１との間の形状的差異（面積及び／又は形状）に基づく補正値と高温領域の温度「Ｔ１」とを用いて、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ１の温度が設定されてもよい。
【０１６９】
中間領域の温度が、「Ｔ２」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ２の温度は、「Ｔ２」に設定されてもよい。代替的に、中間領域と分割領域Ｄ２との間の形状的差異（面積及び／又は形状）に基づく補正値と中間領域の温度「Ｔ２」とを用いて、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ２の温度が設定されてもよい。
【０１７０】
低温領域の温度が、「Ｔ３」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ３の温度は、「Ｔ３」に設定されてもよい。代替的に、低温領域と分割領域Ｄ３との間の形状的差異（面積及び／又は形状）に基づく補正値と低温領域の温度「Ｔ３」とを用いて、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ３の温度が設定されてもよい。
【０１７１】
図３２に示される分割領域Ｄ１乃至Ｄ３の設定において、等温線Ｃ１，Ｃ２に外接する矩形枠Ｆ１，Ｆ２が用いられている。代替的に或いは追加的に、等温線に内接する矩形枠が発光領域を区分するために用いられてもよい。分割領域の設定の基準となる等温線の数は、「１」であってもよく、「２」よりも大きくともよい。分割領域の設定の基準となる等温線の数が大きいならば、エージング条件設定工程において設定されるエージング条件に対して、発光領域の温度分布は一層反映される。一方、分割領域の設定の基準となる等温線の数の増大は、エージング条件設定工程及びエージング工程を煩雑にすることもあるので、好ましくは、分割領域は、温度分布への適合度とエージング条件設定工程及びエージング工程の煩雑さを考慮に入れて設定される。
【０１７２】
図３３は、発光領域１１０Ａ中に設定される他の分割領域の概略図である。図２７、図３２及び図３３を用いて、発光領域１１０Ａ中に設定される分割領域が説明される。
【０１７３】
図３３に示される発光領域１１０Ａ中には、マトリックス状に配列された矩形状の分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が示されている。図３３に示される如く、区分工程において、発光領域１１０Ａ中で生ずる温度分布に無関係に、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が設定されてもよい。区分工程の後のエージング条件設定工程において、温度分布に対応した温度が分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６に割り当てられ、エージング条件が設定されるならば、発光領域１１０Ａ中の温度分布はエージング条件に反映されることとなる。
【０１７４】
例えば、図３３に示される分割領域Ｄ４４は、高温領域に包含される。したがって、高温領域の温度が、「Ｔ１」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ１１の温度は、「Ｔ１」に設定されてもよい。
【０１７５】
図３３に示される分割領域Ｄ２２は、高温領域と中間領域とを含む。したがって、高温領域の温度が「Ｔ１」で表され、且つ、中間領域の温度が「Ｔ２」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ２２の温度は、「Ｔ１」と「Ｔ２」との間に設定されてもよい。
【０１７６】
図３３に示される分割領域Ｄ１１は、低温領域に略包含される。したがって、低温領域の温度が「Ｔ３」で表されるならば、エージング条件設定工程において、分割領域Ｄ１１の温度は、「Ｔ３」に設定されてもよい。
【０１７７】
図３３において、発光領域１１０Ａは、７行×６列のマトリックス状に分割されている。尚、発光領域の分割パターンは、図３３に示されるパターンよりも粗くともよく、細かくてもよい。分割パターンが細かく設定されるならば、エージング条件設定工程において設定されるエージング条件に対して、発光領域の温度分布は一層反映される。一方、分割パターンの細かさは、エージング条件設定工程及びエージング工程を煩雑にすることもあるので、好ましくは、分割パターンは、温度分布への適合度とエージング条件設定工程及びエージング工程の煩雑さを考慮に入れて設定される。
【０１７８】
図３２及び図３３において、複数の矩形領域によって分割領域が表されている。代替的に、他の形状（三角形領域、円形領域や他の幾何学的形状）の領域によって分割領域が規定されてもよい。
【０１７９】
（エージング条件設定工程及びエージング工程）
図３４は、エージング条件設定工程及びエージング工程の手順を概略的に示すフローチャートである。図３５は、図３３と同様に分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６に区分された発光領域１１０Ａの概略図である。図３６は、エージング条件の概略的な表である。図２７乃至図２９並びに図３３乃至図３６を用いて、エージング条件設定工程及びエージング工程が説明される。
【０１８０】
（ステップＳ３１０）
図２７に関連して説明された区分工程において、発光領域１１０Ａが分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６に区分されると、ステップＳ３１０が実行される。ステップＳ３１０において、図３３に関連して説明された如く、所定輝度で発光領域１１０Ａ全体が発光したときに生ずる温度分布を反映した温度データが分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６それぞれに割り当てられる。
【０１８１】
図３５には、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６にそれぞれ割り当てられた温度データＴＤ１１乃至ＴＤ７６が示されている。図３３に関連して説明された如く、例えば、高温領域に包含される分割領域Ｄ４４に対して割り当てられた温度データＴＤ４４は、他の分割領域よりも高く設定される。低温領域に略包含される分割領域Ｄ１１に対して割り当てられた温度データＴＤ１１は、他の分割領域よりも低く設定される。高温領域と中間領域とを含む分割領域Ｄ２２に割り当てられた温度データＴＤ２２は、温度データＴＤ４４と温度データＴＤ１１との間の温度に設定される。これらの温度データの関係は、以下の数式で表される。分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６にそれぞれに対して温度データＴＤ１１乃至ＴＤ７６が割り当てられると、ステップＳ３２０が実行される。
【０１８２】
【数４】
2013157262.tif 000006
【０１８３】
（ステップＳ３２０）
ステップＳ３２０において、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６にそれぞれに対して、割り当てられた温度データＴＤ１１乃至ＴＤ７６に基づき、エージング率が設定される。エージング率は、以下の数式によって定義されてもよい。
【０１８４】
【数５】
2013157262.tif 000007
【０１８５】
上述のエージング率に対する定義式において、「処理前輝度」とは、エージング処理の前における発光画素１１１の輝度を意味する。例えば、「組立工程」の直後において、回路基板２００Ａが発光画素１１１それぞれに対して所定の輝度での発光を指示するための輝度信号を発光パネル１００Ａに出力したときに、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が実際に発光する輝度を意味する。「処理後輝度」とは、エージング処理後において、同輝度信号の下で発光する分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の実際の輝度を意味する。
【０１８６】
エージング条件は、エージング工程後において発光画素１１１が発する輝度が、同発光画素１１１の処理前輝度より低くなるように設定される。したがって、エージング率は、０％以上１００％以下の範囲の値に設定される。尚、上述のエージング率に対する定義は、例示的である。したがって、エージングの程度を表す他の適切な定義がエージング率に対して用いられてもよい。
【０１８７】
図３５には、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６それぞれに対して設定されたエージング率ＡＲ１１乃至ＡＲ７６が示されている。高い温度を表す温度データが割り当てられた分割領域に対して、高いエージング率が設定される。上述の如く、分割領域Ｄ４４に割り当てられた温度データＴＤ４４は、他の分割領域（例えば、分割領域Ｄ２２や分割領域Ｄ１１）よりも高い温度を指し示すので、分割領域Ｄ４４に設定されるエージング率ＡＲ４４は、他の領域に設定されるエージング率（例えば、分割領域Ｄ２２に設定されるエージング率ＡＲ２２や分割領域Ｄ１１に設定されるエージング率ＡＲ１１）よりも高い。分割領域Ｄ１１に割り当てられた温度データＴＤ１１は、他の分割領域（例えば、分割領域Ｄ２２や分割領域Ｄ４４）よりも低い温度を指し示すので、分割領域Ｄ１１に設定されるエージング率ＡＲ１１は、他の領域に設定されるエージング率（例えば、分割領域Ｄ２２に設定されるエージング率ＡＲ２２や分割領域Ｄ４４に設定されるエージング率ＡＲ４４）よりも低い。分割領域Ｄ２２に割り当てられた温度データＴＤ２２は、上述の如く、分割領域Ｄ１１に割り当てられた温度データＴＤ１１と分割領域Ｄ４４に割り当てられた温度データＴＤ４４との間の温度を指し示す。したがって、分割領域Ｄ２２に対して、分割領域Ｄ１１に設定されたエージング率ＡＲ１１と分割領域Ｄ４４に設定されたエージング率ＡＲ４４との間の大きさのエージング率ＡＲ２２が設定される。
【０１８８】
図３６に示されるように、所定輝度（例えば、「６０ｃｄ／ｍ２」）の処理前輝度で発光領域１１０Ａを全体的に発光させたときに、回路基板２００Ａが発した熱によって生じた温度分布（図３３を参照）に基づき、例えば、分割領域Ｄ１１において、基準温度（例えば、２５℃）に対して１０℃以上の温度上昇が観察されるならば、分割領域Ｄ１１に対して、「５％」のエージング率ＡＲ１１が設定される（即ち、処理前輝度に対して、処理後輝度が５％低下するようにエージング率ＡＲ１１が設定される）。例えば、分割領域Ｄ２２において、基準温度に対して、２５℃以上の温度上昇が観察されるならば、分割領域Ｄ２２に対して、「１４％」のエージング率ＡＲ２２が設定される（即ち、処理前輝度に対して、処理後輝度が１４％低下するようにエージング率ＡＲ２２が設定される）。例えば、分割領域Ｄ４４において、５０℃以上の温度上昇が観察されるならば、分割領域Ｄ４４に対して、「３２％」のエージング率ＡＲ４４が設定される（即ち、処理前輝度に対して、処理後輝度が３２％低下するようにエージング率ＡＲ４４が設定される）。上述の如く、分割領域Ｄ１１において、基準温度に対して１０℃以上の温度上昇が観察されるならば、分割領域Ｄ１１は、第１分割領域として例示される。分割領域Ｄ２２において、基準温度に対して、２５℃以上の温度上昇が観察されるならば、分割領域Ｄ２２は、第２分割領域として例示される。分割領域Ｄ３３において、基準温度に対して、５０℃以上の温度上昇が観察されるならば、第３分割領域として例示される。これらのエージング率の関係は、以下の数式で表される。
【０１８９】
【数６】
2013157262.tif 000008
【０１９０】
上述の説明において、エージング率の設定のために、基準温度（室温）に対して上昇した温度が用いられている。代替的に、所定輝度（例えば、「６０ｃｄ／ｍ２」）の処理前輝度で発光領域１１０Ａを全体的に発光させたときの発光領域１１０Ａ全体の平均温度に対する各分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の温度差がエージング率の設定に用いられてもよい。
【０１９１】
分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６にエージング率ＡＲ１１乃至ＡＲ７６がそれぞれ設定されると、ステップＳ４１０が実行される。尚、ステップＳ３１０及びステップＳ３２０は、図２７に関連して説明されたエージング条件設定工程に含まれる。ステップＳ４１０以降の工程は、エージング工程に含まれる。
【０１９２】
（ステップＳ４１０）
ステップＳ４１０において、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６それぞれに対して、エージング処理が行われる。本実施形態において、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６は、所定輝度（例えば、「６０ｃｄ／ｍ２」）で連続的に発光される。代替的に、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６は、所定温度まで一様に加熱されてもよい（加熱処理）。更に代替的に、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６は、１２０Ｈｚ或いは１８０Ｈｚといった高周波数で駆動されてもよい（高周波駆動処理）。更に代替的に、エージング処理のために連続的な発光処理、加熱処理及び高周波駆動処理が組み合わされてもよい。分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が、所定期間に亘って、連続的に発光されると、ステップＳ４２０が実行される。
【０１９３】
（ステップＳ４２０）
ステップＳ４２０において、全ての分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６がステップＳ３２０で設定されたエージング率を達成したか否かが判定される。全ての分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が設定されたエージング率を達成しているならば、エージング工程は終了する。分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の一部又は全部がエージング率を達成していないならば、ステップＳ４３０が実行される。
【０１９４】
（ステップＳ４３０）
ステップＳ４３０において、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の一部が、設定されたエージング率を達成しているか、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６全てが設定されたエージング率を達成していないかが判定される。分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の一部が、設定されたエージング率を達成しているならば、ステップＳ４４０が実行される。その他の場合は、ステップＳ４１０が再度実行される。
【０１９５】
（ステップＳ４４０）
ステップＳ４４０において、設定されたエージング率を達成した一部の分割領域に対するエージング処理が停止される。一方で、設定されたエージング率を達成していない他の分割領域に対するエージング処理は継続される。他の分割領域に対して、所定期間、エージング処理が継続されると、ステップＳ４５０が実行される。
【０１９６】
（ステップＳ４５０）
ステップＳ４５０において、全ての分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６がステップＳ３２０で設定されたエージング率を達成したか否かが判定される。全ての分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６が設定されたエージング率を達成しているならば、エージング工程は終了する。分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の一部がエージング率を達成していないならば、ステップＳ４４０が再度実行される。
【０１９７】
図３７は、エージング処理に要する期間を表す概略的なチャートである。図２７乃至図２９並びに図３４、図３５及び図３７を用いて、エージング処理に要する期間が説明される。
【０１９８】
図３７のチャートの横軸は、エージング処理を開始時刻からの経過時間を表す。図３７のチャートの縦軸は、図３４に関連して説明されたエージング率の大きさを示す。
【０１９９】
図３４に関連して説明されたステップＳ４１０乃至ステップＳ４５０の手順に従うならば、高いエージング率が設定された分割領域（例えば、分割領域Ｄ４４）に対して、比較的長い期間のエージング処理（即ち、所定輝度下における発光処理、所定温度における加熱処理及び／又は所定周波数での高周波駆動処理）が行われる。低いエージング率が設定された分割領域（例えば、分割領域Ｄ１１）に対して、比較的短い期間のエージング処理が行われる。この結果、エージング条件設定工程において設定された条件に従ったエージング処理が達成される。
【０２００】
例えば、比較的大きな値のエージング率ＡＲ４４が設定された分割領域Ｄ４４に対するエージング処理に時間「ｔ３」を要するならば、エージング率ＡＲ４４よりも小さなエージング率ＡＲ１１が設定された分割領域Ｄ１１のエージング処理に要する時間「ｔ１」は、時間「ｔ３」よりも短くなる。エージング率ＡＲ４４とエージング率ＡＲ１１との間のエージング率ＡＲ２２に設定された分割領域Ｄ２２のエージング処理に要する時間「ｔ２」は、時間「ｔ１」よりも長く、且つ、時間「ｔ３」よりも短くなる。
【０２０１】
本実施形態において、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６ごとに異なるエージング処理時間が設定される。代替的に、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６ごとに異なる他のエージング処理条件が設定されてもよい。図３４に関連して説明されたステップＳ４１０において、比較的大きな値のエージング率ＡＲ４４が設定された分割領域Ｄ４４が、他の領域（例えば、分割領域Ｄ１１や分割領域Ｄ２２）よりも高い輝度で発光されてもよい。また、比較的小さな値のエージング率ＡＲ１１が設定された分割領域Ｄ１１が、他の領域（例えば、分割領域Ｄ４４や分割領域Ｄ２２）よりも低い輝度で発光されてもよい。エージング率ＡＲ４４とエージング率ＡＲ１１との間のエージング率ＡＲ２２に設定された分割領域Ｄ２２は、ステップＳ４１０において、分割領域Ｄ１１の発光輝度よりも高く、且つ、分割領域Ｄ４４の発光輝度よりも低い輝度で発光されてもよい。
【０２０２】
更に代替的に、図３４に関連して説明されたステップＳ４１０において、比較的大きな値のエージング率ＡＲ４４が設定された分割領域Ｄ４４は、他の領域（例えば、分割領域Ｄ１１や分割領域Ｄ２２）よりも高い温度環境下に曝されてもよい。比較的小さな値のエージング率ＡＲ１１が設定された分割領域Ｄ１１は、他の領域（例えば、分割領域Ｄ４４や分割領域Ｄ２２）よりも低い温度環境下に曝されてもよい。エージング率ＡＲ４４とエージング率ＡＲ１１との間のエージング率ＡＲ２２に設定された分割領域Ｄ２２は、ステップＳ４１０において、分割領域Ｄ１１よりも高く、且つ、分割領域Ｄ４４よりも低い温度環境下に曝されてもよい。
【０２０３】
更に代替的に、図３４に関連して説明されたステップＳ４１０において、比較的大きな値のエージング率ＡＲ４４が設定された分割領域Ｄ４４に対して、他の領域（例えば、分割領域Ｄ１１や分割領域Ｄ２２）よりも高い周波数での高周波駆動処理が実行されてもよい。比較的小さな値のエージング率ＡＲ１１が設定された分割領域Ｄ１１に対して、他の領域（例えば、分割領域Ｄ４４や分割領域Ｄ２２）よりも低い周波数での高周波駆動処理が実行されてもよい。エージング率ＡＲ４４とエージング率ＡＲ１１との間のエージング率ＡＲ２２に設定された分割領域Ｄ２２に対して、ステップＳ４１０において、分割領域Ｄ１１よりも高く、且つ、分割領域Ｄ４４よりも低い周波数での高周波駆動処理が実行されてもよい。
【０２０４】
上述の如く、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６ごとに発光輝度、温度及び／又は交流電圧の周波数を変更することによって、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６の間でのエージング処理に要する時間長さの差異が低減される。理想的には、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６ごとの発光輝度、温度及び／又は交流電圧の周波数の調整の結果、分割領域Ｄ１１乃至Ｄ７６に亘って、エージング処理に要する時間長さは略一定となる。
【０２０５】
エージング工程が完了した後、回路基板２００Ａの設定が調整されてもよい。回路基板２００Ａの設定が調整された後、回路基板２００Ａは、図３４に関連して説明されたエージング条件に基づき、発光画素１１１それぞれを駆動するための信号電流を印加することができる。
【０２０６】
（表示装置）
図３８は、表示装置６００の概略的な斜視図である。図２７乃至図３１及び図３８を用いて、表示装置６００が説明される。
【０２０７】
表示装置６００は、図２８乃至図３０に関連して説明された組立体５００に加えて、筐体６１０を備える。図２７に関連して説明されたエージング工程の後、組立体５００は、筐体６１０内に固定され、表示装置６００が完成する。筐体６１０からは、発光領域１１０Ａが露出する。
【０２０８】
図３１には、高温領域において映像を表示するために用いられる発光画素１１１Ｈ及び低温領域において映像を表示するために用いられる発光画素１１１Ｌが複数の発光画素１１１として示されている。発光画素１１１Ｈ及び発光画素１１１Ｌを用いて、表示装置６００の輝度特性が説明される。
【０２０９】
図３９Ａ及び図３９Ｂは、表示装置の輝度特性を概略的に表すグラフである。図２７、図３１、図３９Ａ及び図３９Ｂを用いて、表示装置の輝度特性が説明される。
【０２１０】
図３９Ａは、図２７に関連して説明されたエージング工程を経て製造された表示装置の輝度特性を表す概略的なグラフである。図３９Ｂは、エージング工程を経ずに製造された表示装置の輝度特性を表す概略的なグラフである。図３９Ａ及び図３９Ｂのグラフの横軸は、発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌの発光時間を表す。図３９Ａ及び図３９Ｂのグラフにおいて、発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌは、総計、１０００時間に亘って発光している。図３９Ａ及び図３９Ｂのグラフの縦軸は、所定電流が発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌに所定時間印加されたときの発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌの相対輝度を表す。
【０２１１】
発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌの輝度は、経時的に低下する。したがって、発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌの輝度及びこれらの相対輝度は、時間の関数として表現される。以下の数式において、「ｔ」は、時刻を意味する。ＢＨ（ｔ）は、時刻「ｔ」における発光画素１１１Ｈの輝度を表す。ＢＬ（ｔ）は、時刻「ｔ」における発光画素１１１Ｌの輝度を表す。ＲＢＨ（ｔ）は、時刻「ｔ」における発光画素１１１Ｈの相対輝度を表す。ＲＢＬ（ｔ）は、時刻「ｔ」における発光画素１１１Ｌの相対輝度を表す。ＢＨ（０）は、発光開始時刻における発光画素１１１Ｈの輝度を表す。ＢＬ（０）は、発光開始時刻における発光画素１１１Ｌの輝度を表す。
【０２１２】
【数７】
2013157262.tif 000009
【０２１３】
【数８】
2013157262.tif 000010
【０２１４】
エージング工程の効果の明瞭化のため、発光画素１１１Ｌが存する分割領域に対して、エージング工程は施与されていない。したがって、図３９Ａ及び図３９Ｂにおいて発光画素１１１Ｌ（低温領域の発光画素）に対応する曲線は共通である。
【０２１５】
図３９Ａ及び図３９Ｂの発光画素１１１Ｈ（高温領域の発光画素）に対応する曲線を比較すると、エージング工程が施与されない場合、発光開始時刻から１００時間を経過するまでの間に相対輝度ＲＢＨ（ｔ）は著しく低下することが分かる。一方、エージング工程が施与されるならば、発光開始時刻から１００時間を経過するまでの間の相対輝度ＲＢＨ（ｔ）の低下は緩和される。
【０２１６】
以下の数式において、ＢＤＨ（ｔ）は、発光画素１１１Ｈに対する相対輝度の降下率を表す。ＢＤＬ（ｔ）は、発光画素１１１Ｌに対する相対輝度の降下率を表す。
【０２１７】
【数９】
2013157262.tif 000011
【０２１８】
【数１０】
2013157262.tif 000012
【０２１９】
図３９Ａに示される発光画素１１１Ｈ，１１１Ｌとの間の相対輝度の降下率の差異は、「２％」未満である。尚、高温領域の発光画素の降下率と低温領域の発光画素の降下率との差異が、「１０％」以下であるならば、発光領域１１０Ａ中における経時的な輝度変化のばらつき（発光領域１１０Ａ中の温度分布によって規定される領域間での輝度変化のばらつき）に起因する画質の低下は観察されにくい。
【０２２０】
上述の実施形態に関連して説明された様々な技術は、以下の特徴を主に備える。
【０２２１】
上述された実施形態の一の局面に係る発光パネルの製造方法は、行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルを製造するために利用可能である。発光パネルの製造方法は、発光領域を、複数の分割領域に区画し、複数の分割領域それぞれに複数の発光画素のうち少なくとも１つを含ませる第１のステップと、複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、行方向及び列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、第１領域内に存する発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有する。
【０２２２】
上記構成によれば、エージング処理の間、第１領域は発熱する。第１領域は、行方向及び列方向において第２領域と隣接する。そのため、温度上昇が抑制され、発光素子は劣化しにくい。また、発光パネルの面内の温度斑が抑制される。その結果、得られる発光パネルは、輝度斑を生じにくい。したがって、発光パネルは、長期に亘って均一な画質を維持することができ、高い信頼性を有する。
【０２２３】
上記構成において、第２のステップでは、２以上の分割領域が第１領域として選択されてもよい。
【０２２４】
上記構成によれば、同時に２以上の第１領域がエージングされる。そのため、エージング処理の作業効率は高められ得る。
【０２２５】
上記構成において、第２のステップでは、第２領域は、１つの第１領域に対して複数選択されてもよい。
【０２２６】
上記構成によれば、第１領域は、行方向及び列方向において複数の第２領域と隣接する。そのため、温度上昇が抑制され、発光素子は劣化しにくい。
【０２２７】
上記構成において、発光領域中の複数の発光画素は、Ｍ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリクス状に配置されてもよい。第１のステップにおいて区画された複数の分割領域は、同一形状を有してもよい。複数の分割領域内の複数の発光画素は、ｍ行ｎ列（ｍはＭの約数、ｎはＮの約数）のマトリクス状に配置されてもよい。
【０２２８】
上記構成によれば、分割領域はそれぞれ同一の形状となり、かつ、同数の発光画素を含む。そのため、発光領域は、所定のエージング条件に従って、偏り無くすべての分割領域をエージングされる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきは低減される。
【０２２９】
上記構成において、第１のステップでは、Ｍ／ｍ＝Ｎ／ｎとなるように、ｍおよびｎが設定されてもよい。
【０２３０】
上記構成によれば、Ｍ／ｍ＝Ｎ／ｎとなるので、分割領域の形状と発光領域の形状とは相似となる。また、行方向における分割領域の数と列方向における分割領域の数とが同じとなる。そのため、エージング処理における発光パターンは、規則性を持って作成されやすい。その結果、エージング処理の作業効率は高められる。また、発光領域の全面点灯時の温度斑の結果をもとに、分割領域の温度斑の傾向が予測されやすい。そのため、効率的なエージングパターンが作成され得る。
【０２３１】
上記構成において、第１のステップでは、ｍ＝Ｍ／１０、ｎ＝Ｎ／１０となるように、ｍおよびｎが設定されてもよい。
【０２３２】
上記構成によれば、分割領域と発光領域との形状が相似となる。また、ｍ＝Ｍ／１０、ｎ＝Ｎ／１０となるので、それぞれの分割領域の面積は、発光領域の面積の１００分の１となる。エージング時のそれぞれの分割領域の温度上昇幅、温度分布幅がいずれも狭められる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきが低減される。
【０２３３】
上記構成において、第１のステップでは、ｍ＝ｎ＝１であってもよい。
【０２３４】
上記構成によれば、それぞれの分割領域に１つの発光画素が含まれる。発光素子の温度上昇はわずかであるため、エージング時のそれぞれの分割領域の温度上昇幅及び温度分布幅はともに狭くなる。その結果、発光素子間の寿命のばらつきは、低減される。
【０２３５】
上記構成において、第２のステップにおいて、第１領域は、発光領域の対角方向に連続するように選択されてもよい。
【０２３６】
上記構成によれば、エージングを終えた分割領域は、終えていない分割領域から容易に区別される。したがって、エージング処理の進行状況が監視されやすくなる。
【０２３７】
上記構成において、第２のステップにおいて、第１領域は、間隔をおいて行方向及び列方向に整列するように選択されてもよい。第２領域は、第１領域を取り囲むように選択されてもよい。
【０２３８】
上記構成によれば、エージングを終えた分割領域は、終えていない分割領域から容易に区別されることになる。したがって、エージング処理の進行状況は、監視されやすくなる。
【０２３９】
上記構成において、第１領域は、等間隔に整列するよう選択されてもよい。
【０２４０】
上記構成によれば、エージングを終えた分割領域は、終えていない分割領域から容易に区別されることになる。したがって、エージング処理の進行状況は、監視されやすくなる。
【０２４１】
上記構成において、第２のステップにおいて、第１領域は、ランダムに選択されてもよい。
【０２４２】
上記構成によれば、エージングパターンの設計が簡略化され得る。
【０２４３】
上記構成において、発光パネルを発光させるための回路基板は、発光パネルに接続されてもよい。第３のステップにおいて、発光画素は、回路基板を介して通電されてもよい。
【０２４４】
上記構成によれば、回路基板に映像出力機能とエージング機能とが併せ持たれる。その結果、映像出力機能をもつ回路基板を別途準備する必要がなくなるので、製造工程は簡略化され得る。
【０２４５】
上記構成において、発光パネルの製造方法は、エージング領域以外の複数の分割領域のうち、少なくとも一部を第１領域として選択し、かつ、第１領域に対して行方向及び列方向に隣接する分割領域を第２領域として選択する第４のステップと、第１領域に含まれる発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第５のステップと、をさらに含んでもよい。
【０２４６】
上記構成によれば、発光領域に含まれるすべての分割領域がエージングされ得る。
【０２４７】
上述された実施形態の他の局面に係るエージング装置は、行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルのエージングに利用可能である。エージング装置は、発光領域を区画し、複数の分割領域を規定する区画データと、複数の分割領域のうち一部を、第１領域として指定するとともに、行方向及び列方向において第１領域に隣接する複数の分割領域を、第２領域として指定する領域指定データと、を含む発光パターンデータを記憶する記憶部と、発光パターンデータに基づいて複数の発光画素の制御信号を生成する信号生成部と、を含む。
【０２４８】
上記構成によれば、エージング処理の間、第１領域は発熱する。第１領域は、行方向及び列方向において第２領域と隣接する。そのため、発光パネルの面内の温度上昇が抑制され、発光素子は劣化しにくい。また、発光パネルの面内の温度斑が抑制される。その結果、得られる発光パネルは、輝度斑を生じにくい。したがって、発光パネルは、長期に亘って均一な画質を維持することができ、高い信頼性を有する。
【０２４９】
上述された実施形態の他の局面に係る表示装置は、上述の発光パネルの製造方法により得られた発光パネルを備える。表示装置は、発光素子と、発光素子に電力を供給する電源部と、発光素子と電源部との間の電力供給路に設けられ、受信した輝度信号に応じた電流を発光素子に流す画素回路と、画素回路に輝度信号を出力するとともに、発光素子をエージングするエージングモード及び発光素子を用いて映像を表示する映像表示モードのいずれかで選択的に動作する制御部と、を備える。電源部が出力する電源電圧は、エージングモード及び映像表示モードにおいて同一である。制御部は、エージングモードでの発光素子の発光輝度が、映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、エージングモードでの輝度信号に示される発光素子の発光輝度を設定する。
【０２５０】
上記構成によれば、エージングモードにおける発光素子の発光輝度は、大きくなる。発光素子の最大輝度は、大幅に低減される。したがって、エージング時間は短くなる。エージングモードでの発光素子の発光輝度が、映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、制御部は、制御を実行する。この結果、エージングモードにおける発光素子の発光輝度が映像表示モードの範囲内である場合と較べて、発光素子の最大輝度は大幅に低減する。したがって、エージング時間は、短縮される。また、エージングモード及び映像表示モードにおいて、制御部は、発光素子の発光輝度を制御するので、外部のエージング装置は、必要とされない。電源部が出力する電源電圧は、エージングモード及び映像表示モードにおいて同一であるので、エージングモードにおいて外部のエージング装置から電源電圧を与える必要はない。したがって、表示装置の製造工程において、外部のエージング装置を準備するための時間は必要とされない。かくして、エージング時間は、短縮され、且つ、スループットは、向上される。
【０２５１】
上記構成において、表示装置は、制御部から画素回路への輝度信号を伝送するための信号伝送路に設けられ、デジタル信号をアナログ信号へと変換する変換器を更に備えてもよい。エージングモードで扱うデジタル信号のビット数が、映像表示モードで扱うデジタル信号のビット数よりも大きくなるように、制御部は、変換器に対し各モードで扱うデジタル信号のビット数を切り替えてもよい。
【０２５２】
上記構成において、制御部は、操作者の操作に基づく操作信号により、エージングモード及び映像表示モードのいずれかを判定してもよい。この判定に基づき、制御部は、変換器に対し各モードで扱うデジタル信号のビット数を切り替えてもよい。
【０２５３】
（付記）
上述の実施形態に関連して説明された様々な技術は、以下の構成に特徴付けられてもよい。
【０２５４】
（付記１）
映像を表示する表示装置の製造方法であって、前記映像を表示する発光領域を規定する複数の発光画素を含む発光パネルを準備する第１工程と、前記発光領域を複数の分割領域に区分する第２工程と、前記映像を表示するために前記発光パネルを駆動するときに生ずる熱によって発生する前記発光領域中の温度分布に対応して、前記分割領域ごとにエージング条件を設定する第３工程と、前記エージング条件の下、前記分割領域ごとに前記発光画素をエージングする第４工程と、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【０２５５】
上記構成によれば、第１工程において、映像を表示する発光領域を規定する複数の発光画素を含む発光パネルが用意される。第２工程において、発光領域は、複数の分割領域に区分される。第３工程において、分割領域ごとにエージング条件が設定される。第４工程において、発光画素は、分割領域ごとにエージングされる。分割領域ごとのエージング条件は、映像を表示するために発光パネルを駆動するときに生ずる熱によって発生する発光領域中の温度分布に対応するので、表示装置は、長期間に亘って、均一な輝度特性を維持することができる。
【０２５６】
（付記２）
前記第２工程において、前記発光領域は、前記温度分布の温度域に基づき、前記複数の分割領域に分割されることを特徴とする付記１に記載の表示装置の製造方法。
【０２５７】
上記構成によれば、第２工程において、発光領域は、温度分布の温度域に基づき、複数の分割領域に分割されるので、エージング条件は、発光領域中の温度分布に対応して適切に設定される。
【０２５８】
（付記３）
前記発光パネルと共通する製造条件下で製造された他の発光パネルから前記温度分布に関する分布データを取得する工程を更に含み、前記エージング条件は、前記分布データに基づき設定されることを特徴とする付記１又は２に記載の表示装置の製造方法。
【０２５９】
上記構成によれば、エージング条件は、分布データに基づき設定されるので、エージング処理の対象となる発光パネルの温度分布を測定することなく、分割領域の設定がなされる。
【０２６０】
（付記４）
前記分布データは、前記共通する製造条件下で製造された他の複数の発光パネルから得られた温度分布の平均データであることを特徴とする付記３に記載の表示装置の製造方法。
【０２６１】
上記構成によれば、分布データは、共通する製造条件下で製造された他の複数の発光パネルから得られた温度分布の平均データであるので、発光領域は適切に区分される。
【０２６２】
（付記５）
前記第１工程において準備された前記発光画素が所定の輝度を指示する輝度信号の下において発する処理前輝度よりも、前記第４工程後において前記輝度信号の下、前記発光画素が発する処理後輝度の方が低くなるように、前記エージング条件が設定されることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【０２６３】
上記構成によれば、第１工程において準備された発光画素が所定の輝度を指示する輝度信号の下において発する処理前輝度よりも、第４工程後において輝度信号の下、発光画素が発する処理後輝度の方が低くなるように、エージング条件が設定されるので、表示装置は、長期間に亘って、均一な輝度特性を維持することができる。
【０２６４】
（付記６）
前記複数の分割領域は、前記熱によって１０℃以上の温度上昇が観察される第１分割領域を含み、前記エージング条件は、前記第１分割領域の処理前輝度に対して、前記第１分割領域の処理後輝度が５％以上低下するように設定されることを特徴とする付記５に記載の表示装置の製造方法。
【０２６５】
上記構成によれば、エージング条件は、第１分割領域の処理前輝度に対して、第１分割領域の処理後輝度が５％以上低下するように設定されるので、第４工程の後の発光に伴う急激な輝度低下が抑制される。
【０２６６】
（付記７）
前記複数の分割領域は、前記熱によって２５℃以上の温度上昇が観察される第２分割領域を含み、前記エージング条件は、前記第２分割領域の処理前輝度に対して、前記第２分割領域の処理後輝度が１４％以上低下するように設定されることを特徴とする付記６に記載の表示装置の製造方法。
【０２６７】
上記構成によれば、エージング条件は、第２分割領域の処理前輝度に対して、第２分割領域の処理後輝度が１４％以上低下するように設定されるので、第４工程の後の発光に伴う急激な輝度低下が抑制される。
【０２６８】
（付記８）
前記複数の分割領域は、前記熱によって５０℃以上の温度上昇が観察される第３分割領域を含み、前記エージング条件は、前記第３分割領域の処理前輝度に対して、前記第３分割領域の処理後輝度が３２％以上低下するように設定されることを特徴とする付記７に記載の表示装置の製造方法。
【０２６９】
上記構成によれば、エージング条件は、第２分割領域の処理前輝度に対して、第２分割領域の処理後輝度が３２％以上低下するように設定されるので、第４工程の後の発光に伴う急激な輝度低下が抑制される。
【０２７０】
（付記９）
前記第１工程において、前記発光画素を駆動する駆動部が前記発光パネルに取り付けられ、前記駆動部は、前記第４工程の後、前記エージング条件に基づき、前記発光画素を駆動するための信号電流を印加することを特徴とする付記１乃至８のいずれかに記載の表示装置の製造方法。
【０２７１】
上記構成によれば、駆動部は、第４工程の後、エージング条件に基づき、発光画素を駆動するための信号電流を印加するので、表示装置は適切に映像を表示することができる。
【０２７２】
（付記１０）
前記第４工程において、前記発光画素は、該発光画素を発光させる発光処理、前記発光画素を加熱する加熱処理及び前記発光画素を所定の周波数で駆動する駆動処理のうち少なくとも１つのエージング処理を受けることを特徴とする付記８に記載の表示装置の製造方法。
【０２７３】
上記構成によれば、第４工程において、発光画素は、発光画素を発光させる発光処理、発光画素を加熱する加熱処理及び発光画素を所定の周波数で駆動する駆動処理のうち少なくとも１つのエージング処理を受けるので、第４工程の後の発光に伴う急激な輝度低下が抑制される。
【０２７４】
（付記１１）
前記第４工程において、前記第２分割領域の前記発光画素は、前記第１分割領域の前記発光画素よりも長い期間、前記少なくとも１つのエージング処理を受け、前記第３分割領域の前記発光画素は、前記第２分割領域の前記発光画素よりも長い期間、前記少なくとも１つのエージング処理を受けることを特徴とする付記８に記載の表示装置の製造方法。
【０２７５】
上記構成によれば、第１分割領域、第２分割領域及び第３分割領域との間で、長期間に亘って、均一な輝度特性が維持される。
【０２７６】
（付記１２）
前記第４工程において、前記第２分割領域の前記発光画素は、前記第１分割領域の前記発光画素よりも高い輝度で発光され、前記第３分割領域の前記発光画素は、前記第２分割領域の前記発光画素よりも高い輝度で発光されることを特徴とする付記８に記載の表示装置の製造方法。
【０２７７】
上記構成によれば、第１分割領域、第２分割領域及び第３分割領域との間で、長期間に亘って、均一な輝度特性が維持される。
【０２７８】
（付記１３）
前記第４工程において、前記第２分割領域の前記発光画素は、前記第１分割領域の前記発光画素よりも高い温度環境に曝され、前記第３分割領域の前記発光画素は、前記第２分割領域の前記発光画素よりも高い温度環境に曝されることを特徴とする付記８に記載の表示装置の製造方法。
【０２７９】
上記構成によれば、第１分割領域、第２分割領域及び第３分割領域との間で、長期間に亘って、均一な輝度特性が維持される。
【０２８０】
（付記１４）
前記第４工程において、前記第２分割領域の前記発光画素は、前記第１分割領域の前記発光画素よりも高い周波数で駆動され、前記第３分割領域の前記発光画素は、前記第２分割領域の前記発光画素よりも高い周波数で駆動されることを特徴とする付記８に記載の表示装置の製造方法。
【０２８１】
上記構成によれば、第１分割領域、第２分割領域及び第３分割領域との間で、長期間に亘って、均一な輝度特性が維持される。
【０２８２】
（付記１５）
映像を表示する発光領域を規定する複数の発光画素を含む発光パネルを備え、前記発光領域は、第１領域と、前記映像の表示のために前記発光パネルが駆動されている間、前記第１領域よりも高温となる第２領域と、を含み、前記複数の発光画素は、前記第１領域において前記映像を表示する第１発光画素と、前記第２領域において前記映像を表示する第２発光画素と、を含み、前記複数の発光画素に亘って所定電流が所定期間印加されたときの前記第１発光画素の輝度の降下率と、前記所定電流が前記所定期間印加されたときの前記第２発光画素の輝度の降下率と、の間の差異は、１０％以内であることを特徴とする表示装置。
【０２８３】
上記構成によれば、複数の発光画素に亘って所定電流が所定期間印加されたときの第１発光画素の輝度の降下率と、所定電流が所定期間印加されたときの第２発光画素の輝度の降下率と、の間の差異は、１０％以内であるので、表示装置は、均一な輝度特性の下、映像を表示することができる。
【産業上の利用可能性】
【０２８４】
上述の様々の実施形態の原理は、映像を表示するための装置に好適に適用される。
【図１】
2013157262.tif 000013
【図２】
2013157262.tif 000014
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2013157262.tif 000021
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2013157262.tif 000025
【図１４】
2013157262.tif 000026
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2013157262.tif 000036
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2013157262.tif 000039
【図２８】
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【図２９】
2013157262.tif 000041
【図３０】
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【図３１】
2013157262.tif 000043
【図３２】
2013157262.tif 000044
【図３３】
2013157262.tif 000045
【図３４】
2013157262.tif 000046
【図３５】
2013157262.tif 000047
【図３６】
2013157262.tif 000048
【図３７】
2013157262.tif 000049
【図３８】
2013157262.tif 000050
【図３９Ａ】
2013157262.tif 000051
【図３９Ｂ】
2013157262.tif 000052
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍ行Ｎ列（Ｍ、Ｎは２以上の整数）のマトリクス状に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルの製造方法であって、
前記発光領域を、同一形状の複数の分割領域に区画し、且つ、前記複数の分割領域それぞれに前記複数の発光画素のうち少なくとも１つの発光画素を含ませる第１のステップと、
前記複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、行方向及び列方向において前記第１領域に隣接する前記複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、
前記第１領域内に存する前記少なくとも１つの発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有し、
前記複数の分割領域それぞれの中の前記少なくとも１つの発光画素は、ｍ行ｎ列（ｍはＭの約数、ｎはＮの約数）に配置され、
前記第１のステップにおいて、Ｍ／ｍ＝Ｎ／ｎとなるように、ｍ及びｎが設定されることを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第２のステップにおいて、２以上の前記分割領域が前記第１領域として選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２のステップにおいて、前記第２領域は、１つの前記第１領域に対して複数選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、間隔をおいて前記行方向及び前記列方向に整列するように選択され、前記第２領域は、前記第１領域を取り囲むように選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１領域は、等間隔に整列するよう選択されることを特徴とする請求項４に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１のステップにおいて、ｍ＝Ｍ／１０、ｎ＝Ｎ／１０となるように、ｍおよびｎが設定されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１のステップにおいて、ｍ＝ｎ＝１であることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、前記発光領域の対角方向に連続するように選択されることを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルの製造方法であって、
前記発光領域を、複数の分割領域に区画し、且つ、前記複数の分割領域それぞれに前記複数の発光画素のうち少なくとも１つの発光画素を含ませる第１のステップと、
前記複数の分割領域のうち一部を第１領域として選択し、前記行方向及び前記列方向において前記第１領域に隣接する前記複数の分割領域を第２領域として選択する第２のステップと、
前記第１領域内に存する前記少なくとも１つの発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を生成する第３のステップと、を有し、
前記第２のステップにおいて、前記第１領域は、ランダムに選択されることを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記発光パネルを発光させるための回路基板が、前記発光パネルに接続されており、
前記第３のステップにおいて、前記少なくとも１つの発光画素は、前記回路基板を介して通電されることを特徴とする請求項１又は９に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記エージング領域以外の前記複数の分割領域のうち、少なくとも一部を前記第１領域として選択し、且つ、前記第１領域に対して前記行方向及び前記列方向に隣接する分割領域を前記第２領域として選択する第４のステップと、
前記第１領域に含まれる前記少なくとも１つの発光画素に通電してエージングを行い、エージング領域を新たに生成する第５のステップと、を更に含むことを特徴とする請求項１又は９に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
行方向及び列方向に配置された複数の発光画素を有する発光領域を含む発光パネルのエージング装置であって、
前記発光領域を区画し、複数の分割領域を規定する区画データと、前記複数の分割領域のうち一部を、第１領域としてランダムに指定し、且つ、前記行方向及び前記列方向において前記第１領域に隣接する前記複数の分割領域を、第２領域として指定する領域指定データと、を含む発光パターンデータを記憶する記憶部と、
前記発光パターンデータに基づいて前記複数の発光画素の制御信号を生成する信号生成部と、を含むことを特徴とする発光パネルのエージング装置。
【請求項１３】
請求項１又は９に記載の発光パネルの製造方法により得られた発光パネルを備える表示装置であって、
発光素子と、
前記発光素子に電力を供給する電源部と、
前記発光素子と前記電源部との間の電力供給路に設けられ、且つ、輝度信号を受けてそれに応じた電流を前記発光素子に流す画素回路と、
前記画素回路に前記輝度信号を出力し、且つ、前記発光素子をエージングするエージングモード及び前記発光素子を用いて映像を表示する映像表示モードのうち一方で選択的に動作する制御部と、を備え、
前記電源部が出力する電源電圧は、前記エージングモード及び前記映像表示モードにおいて同一であり、
前記制御部は、前記エージングモードでの前記発光素子の発光輝度が、前記映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、前記エージングモードでの前記輝度信号に示される前記発光素子の前記発光輝度を設定することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
前記制御部から前記画素回路への前記輝度信号を伝送する信号伝送路に設けられ、且つ、デジタル信号をアナログ信号へと変換する変換器を更に備え、
前記制御部は、前記エージングモードで扱う前記デジタル信号のビット数が、前記映像表示モードで扱う前記デジタル信号のビット数よりも大きくなるように、前記変換器に対し各モードで扱う前記デジタル信号のビット数を切り替えさせることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記制御部は、操作者の操作に基づく操作信号により、前記エージングモード及び前記映像表示モードのいずれかを判定し、この判定に基づき、前記変換器に対し各モードで扱う前記デジタル信号の前記ビット数を切り替えさせることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【国際調査報告】
2013157262.tif 000053
2013157262.tif 000054
2013157262.tif 000055
2013157262.tif 000056