(57)【要約】  陽極と陰極との間に少なくとも発光層を備え、前記発光層は、第一ホスト材料と、第二ホスト材料と、燐光発光性ドーパント材料とを含み、前記第一ホスト材料は、下記一般式（１）で表される化合物であり、前記第二ホスト材料は、下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2013058343.tif 0002512013058343.tif 000252
2013058343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を備え、
前記発光層は、第一ホスト材料と、第二ホスト材料と、燐光発光性ドーパント材料とを含み、
前記第一ホスト材料は、下記一般式（１）で表される化合物であり、
前記第二ホスト材料は、下記一般式（３）で表される化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2013058343.tif 000231
［前記一般式（１）において、
Ｒ１は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（１）において、ａおよびｂは、４であり、複数のＲ１は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１）において、ｐは、０以上４以下の整数である。
前記一般式（１）において、Ｌ１は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基である。
前記一般式（１）において、Ａｚ１は、一般式（２）で表される基である。］
【化２】
2013058343.tif 000232
［前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちいずれか１つは、Ｌ１と結合する炭素原子を表す。
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちＬ１と結合しない他の４つについては、
ｐが０の場合、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表し、
ｐが１以上４以下の場合、Ｘ１〜Ｘ５のうちｐ個は、それぞれ、Ａｒ１と結合する炭素原子を表し、（４−ｐ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表す。Ｒ１は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１）において、Ａｒ１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。］
【化３】
2013058343.tif 000233
［前記一般式（３）において、
Ｒ２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（３）において、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数であり、複数のＲ２は、互いに同一または異なる。
前記一般式（３）において、ｑは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（３）において、ｒは、０または１である。
前記一般式（３）において、１≦ｑ＋ｒ≦４である。
前記一般式（３）において、Ｌ２は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｚ２は、下記一般式（４）で表される基である。］
【化４】
2013058343.tif 000234
（前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちいずれか１つは、Ｌ２と結合する。
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちＬ２と結合しない他の４つについては、
当該４つのうちｑ個は、Ａｒ２と結合する炭素原子を表し、
当該４つのうちｒ個は、ＨＡｒと結合する炭素原子を表し、
当該４つのうち（４−ｑ−ｒ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ３または窒素原子を表す。
前記一般式（４）において、Ｒ３は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（４）において、ＨＡｒは、下記一般式（５）から一般式（７）までのいずれか１つである。）
【化５】
2013058343.tif 000235
【化２３１】
2013058343.tif 000236
【化２３２】
2013058343.tif 000237
（前記一般式（５）において、ｆおよびｇは、４であり、
前記一般式（６）において、ｈおよびｉは、４であり、
前記一般式（７）において、ｊおよびｋは、４である。
前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、複数のＲ４は、互いに同一または異なり、複数のＲ４のうちいずれか一つは、Ａｚ２と結合する単結合である。前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、Ｒ４は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（７）において、２つのＲ５は、互いに同一または異なり、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（３）においてＲ２が結合するカルバゾール環に対して、下記一般式（８）で表される部分構造が結合する。）
【化６】
2013058343.tif 000238
（前記一般式（８）で表される部分構造において、Ｃｘ１およびＣｘ２は、前記一般式（３）においてＲ２が結合する前記カルバゾール環の１位から８位までの炭素原子のいずれか隣接する２つを表す。
前記一般式（８）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ２またはＣ(Ｒ２)２である。
前記一般式（８）において、ｅは、４である。
前記一般式（８）において、Ｒ２は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。）
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（９）で表される化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2013058343.tif 000239
（前記一般式（９）において、ｓは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（９）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（９）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。）
【請求項３】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表される化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2013058343.tif 000240
（前記一般式（１０）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｓは、０または１であり、ｕは、０または１であり、ｓ＋ｕ＝１の関係を満たす。
前記一般式（１０）において、Ｒ８は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｔは、４であり、複数のＲ８は、互いに同一または異なる。）
【請求項４】
下記一般式（１）で表される化合物及び下記一般式（３）で表される化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化９】
2013058343.tif 000241
［前記一般式（１）において、
Ｒ１は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（１）において、ａおよびｂは、４であり、複数のＲ１は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１）において、ｐは、０以上４以下の整数である。
前記一般式（１）において、Ｌ１は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基である。
前記一般式（１）において、Ａｚ１は、一般式（２）で表される基である。］
【化１０】
2013058343.tif 000242
［前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちいずれか１つは、Ｌ１と結合する炭素原子を表す。
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちＬ１と結合しない他の４つについては、
ｐが０の場合、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表し、
ｐが１以上４以下の場合、Ｘ１〜Ｘ５のうちｐ個は、それぞれ、Ａｒ１と結合する炭素原子を表し、（４−ｐ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表す。Ｒ１は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１）において、Ａｒ１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。］
【化１１】
2013058343.tif 000243
［前記一般式（３）において、
Ｒ２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（３）において、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数であり、複数のＲ２は、互いに同一または異なる。
前記一般式（３）において、ｑは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（３）において、ｒは、０または１である。
前記一般式（３）において、１≦ｑ＋ｒ≦４である。
前記一般式（３）において、Ｌ２は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｚ２は、下記一般式（４）で表される基である。］
【化１２】
2013058343.tif 000244
（前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちいずれか１つは、Ｌ２と結合する。
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちＬ２と結合しない他の４つについては、
当該４つのうちｑ個は、Ａｒ２と結合する炭素原子を表し、
当該４つのうちｒ個は、ＨＡｒと結合する炭素原子を表し、
当該４つのうち（４−ｑ−ｒ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ３または窒素原子を表す。
前記一般式（４）において、Ｒ３は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（４）において、ＨＡｒは、下記一般式（５）から一般式（７）までのいずれか１つである。）
【化１３】
2013058343.tif 000245
【化１４】
2013058343.tif 000246
【化１５】
2013058343.tif 000247
（前記一般式（５）において、ｆおよびｇは、４であり、
前記一般式（６）において、ｈおよびｉは、４であり、
前記一般式（７）において、ｊおよびｋは、４である。
前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、複数のＲ４は、互いに同一または異なり、複数のＲ４のうちいずれか一つは、Ａｚ２と結合する単結合である。前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、Ｒ４は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（７）において、２つのＲ５は、互いに同一または異なり、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（３）においてＲ２が結合するカルバゾール環に対して、下記一般式（８）で表される部分構造が結合する。）
【化１６】
2013058343.tif 000248
（前記一般式（８）で表される部分構造において、Ｃｘ１およびＣｘ２は、前記一般式（３）においてＲ２が結合する前記カルバゾール環の１位から８位までの炭素原子のいずれか隣接する２つを表す。
前記一般式（８）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ２またはＣ(Ｒ２)２である。
前記一般式（８）において、ｅは、４である。
前記一般式（８）において、Ｒ２は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。）
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（９）で表される化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１７】
2013058343.tif 000249
（前記一般式（９）において、ｓは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（９）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（９）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。）
【請求項６】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料において、
前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表される化合物である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【化１８】
2013058343.tif 000250
（前記一般式（１０）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｓは、０または１であり、ｕは、０または１であり、ｓ＋ｕ＝１の関係を満たす。
前記一般式（１０）において、Ｒ８は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｔは、４であり、複数のＲ８は、互いに同一または異なる。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）に電圧を印加すると、陽極から正孔が、また陰極から電子が、それぞれ発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。このとき、電子スピンの統計則により、一重項励起子、及び三重項励起子が２５％：７５％の割合で生成する。発光原理に従って分類した場合、蛍光型では、一重項励起子による発光を用いるため、有機ＥＬ素子の内部量子効率は２５％が限界といわれている。一方、燐光型では、三重項励起子による発光を用いるため、一重項励起子から項間交差が効率的に行われた場合には内部量子効率が１００％まで高められることが知られている。
従来、有機ＥＬ素子においては、蛍光型、及び燐光型の発光メカニズムに応じ、最適な素子設計がなされてきた。特に燐光型の有機ＥＬ素子については、その発光特性から、蛍光素子技術の単純な転用では高性能な素子が得られないことが知られている。その理由は、一般的に以下のように考えられている。
まず、燐光発光は、三重項励起子を利用した発光であるため、発光層に用いる化合物のエネルギーギャップが大きくなくてはならない。何故なら、ある化合物のエネルギーギャップ（以下、一重項エネルギーともいう。）の値は、通常、その化合物の三重項エネルギー（本発明では、最低励起三重項状態と基底状態とのエネルギー差をいう。）の値よりも大きいからである。【０００３】
従って、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーを効率的に素子内に閉じ込めるためには、まず、燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きい三重項エネルギーのホスト材料を発光層に用いなければならない。さらに、発光層に隣接する電子輸送層、及び正孔輸送層を設け、電子輸送層、及び正孔輸送層に燐光発光性ドーパント材料の三重項エネルギーよりも大きい化合物を用いなければならない。このように、従来の有機ＥＬ素子の素子設計思想に基づく場合、蛍光型の有機ＥＬ素子に用いる化合物と比べて大きなエネルギーギャップを有する化合物を燐光型の有機ＥＬ素子に用いることにつながり、有機ＥＬ素子全体の駆動電圧が上昇する。
また、蛍光素子で有用であった酸化耐性や還元耐性の高い炭化水素系の化合物はπ電子雲の広がりが大きいため、エネルギーギャップが小さい。そのため、燐光型の有機ＥＬ素子では、このような炭化水素系の化合物が選択され難く、酸素や窒素などのヘテロ原子を含んだ有機化合物が選択され、その結果、燐光型の有機ＥＬ素子は、蛍光型の有機ＥＬ素子と比較して寿命が短いという問題を有する。
さらに、燐光発光性ドーパント材料の三重項励起子の励起子緩和速度が一重項励起子と比較して非常に長いことも素子性能に大きな影響を与える。即ち、一重項励起子からの発光は、発光に繋がる緩和速度が速いため、発光層の周辺層（例えば、正孔輸送層や電子輸送層）への励起子の拡散が起きにくく、効率的な発光が期待される。一方、三重項励起子からの発光は、スピン禁制であり緩和速度が遅いため、周辺層への励起子の拡散が起きやすく、特定の燐光発光性化合物以外からは熱的なエネルギー失活が起きてしまう。つまり、電子、及び正孔の再結合領域のコントロールが蛍光型の有機ＥＬ素子よりも重要である。
以上のような理由から燐光型の有機ＥＬ素子の高性能化には、蛍光型の有機ＥＬ素子と異なる材料選択、及び素子設計が必要になっている。 【０００４】
このような燐光発光性ドーパント材料と組み合わせるホスト材料（燐光ホスト材料）としては、カルバゾール誘導体、芳香族アミン誘導体、キノリノール金属錯体等を用いる技術が開示されているが、いずれも充分な発光効率を示すものは無かった。
これらの燐光ホスト材料に代わるものとして、例えば、特許文献１および特許文献２には、カルバゾール骨格およびアジン骨格を有するカルバゾール-アジン誘導体をホスト材料として用いる技術、並びに特許文献１および特許文献２に記載の有機ＥＬ素子は、発光層に２種類のホスト材料を用いた構成を採用した有機ＥＬ素子が開示されている。
特許文献１および特許文献２に記載の有機ＥＬ素子では、発光層に、カルバゾール-アジン誘導体、アミン骨格およびカルバゾール骨格を有するカルバゾール-アミン誘導体、並びに燐光発光性ドーパント材料と共に用いている。
特許文献３には、カルバゾール-アミン誘導体およびフェニレン基を介して２つのカルバゾール環が結合するｍｃｐをホスト材料として用いた有機ＥＬ素子が記載されている。
特許文献４には、ビフェニレン基を介して２つのカルバゾール環が結合するカルバゾール誘導体およびアミン誘導体をホスト材料として用いた有機ＥＬ素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１２６７６号公報
【特許文献２】特開２０１０−２０６１９１号公報
【特許文献３】特開２０１０−２２７４６２号公報
【特許文献４】特開２００７−２５１０９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１〜４に開示されているように、従来とは異なるカルバゾール系の材料をアミン系の材料とともに発光層に用いた有機ＥＬ素子であっても、充分な発光効率を示すものは無い。【０００７】
本発明の目的は、充分な発光効率を示す有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子用材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ素子は、
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を備え、
前記発光層は、第一ホスト材料と、第二ホスト材料と、燐光発光性ドーパント材料とを含み、
前記第一ホスト材料は、下記一般式（１）で表される化合物であり、
前記第二ホスト材料は、下記一般式（３）で表される化合物である
ことを特徴とする。【０００９】
【化１】
2013058343.tif 000003
【００１０】
前記一般式（１）において、
Ｒ１は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（１）において、ａおよびｂは、４であり、複数のＲ１は、互いに同一または異なる。
本発明において、複素環基には、含窒素芳香族複素環基が含まれる。【００１１】
前記一般式（１）において、ｐは、０以上４以下の整数である。
前記一般式（１）において、Ｌ１は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基である。
前記一般式（１）において、Ａｚ１は、下記一般式（２）で表される基である。【００１２】
【化２】
2013058343.tif 000004
【００１３】
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちいずれか１つは、Ｌ１と結合する炭素原子を表す。
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちＬ１と結合しない他の４つについては、
ｐが０の場合、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表し、
ｐが１以上４以下の場合、Ｘ１〜Ｘ５のうちｐ個は、それぞれ、Ａｒ１と結合する炭素原子を表し、（４−ｐ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表す。Ｒ１は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
ここで、ＣＲ１は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ１が結合したものである。【００１４】
前記一般式（１）において、Ａｒ１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。【００１５】
【化３】
2013058343.tif 000005
【００１６】
前記一般式（３）において、
Ｒ２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（３）において、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数であり、複数のＲ２は、互いに同一または異なる。【００１７】
前記一般式（３）において、ｑは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（３）において、ｒは、０または１である。
前記一般式（３）において、１≦ｑ＋ｒ≦４である。
前記一般式（３）において、Ｌ２は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
前記一般式（３）において、Ａｚ２は、下記一般式（４）で表される基である。【００１８】
【化４】
2013058343.tif 000006
【００１９】
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちいずれか１つは、Ｌ２と結合する。
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちＬ２と結合しない他の４つについては、
当該４つのうちｑ個は、Ａｒ２と結合する炭素原子を表し、
当該４つのうちｒ個は、ＨＡｒと結合する炭素原子を表し、
当該４つのうち（４−ｑ−ｒ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ３または窒素原子を表す。ここで、ＣＲ３は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ３が結合したものである。
前記一般式（４）において、Ｒ３は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。【００２０】
前記一般式（４）において、ＨＡｒは、下記一般式（５）から一般式（７）までのいずれか１つである。【００２１】
【化５】
2013058343.tif 000007
【００２２】
【化６】
2013058343.tif 000008
【００２３】
【化７】
2013058343.tif 000009
【００２４】
前記一般式（５）において、ｆおよびｇは、４であり、
前記一般式（６）において、ｈおよびｉは、４であり、
前記一般式（７）において、ｊおよびｋは、４である。
前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、複数のＲ４は、互いに同一または異なり、複数のＲ４のうちいずれか一つは、Ａｚ２と結合する単結合である。前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、Ｒ４は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（７）において、２つのＲ５は、互いに同一または異なり、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。【００２５】
前記一般式（３）においてＲ２が結合するカルバゾール環に対して、下記一般式（８）で表される部分構造が結合する。【００２６】
【化８】
2013058343.tif 000010
【００２７】
前記一般式（８）で表される部分構造において、Ｃｘ１およびＣｘ２は、前記一般式（３）においてＲ２が結合する前記カルバゾール環の１位から８位までの炭素原子のいずれか隣接する２つを表す。【００２８】
前記一般式（８）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ２またはＣ(Ｒ２)２である。ここで、ＮＲ２は、窒素原子（Ｎ）に、Ｒ２が１つ結合したものであり、Ｃ(Ｒ２)２は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ２が２つ結合したものである。
前記一般式（８）において、ｅは、４である。
前記一般式（８）において、Ｒ２は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。【００２９】
前述した本発明の有機ＥＬ素子において、
前記第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（９）で表される化合物であることが好ましい。【００３０】
【化９】
2013058343.tif 000011
【００３１】
前記一般式（９）において、ｓは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（９）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（９）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。【００３２】
前述した本発明の有機ＥＬ素子において、
前記第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表される化合物であることが好ましい。【００３３】
【化１０】
2013058343.tif 000012
【００３４】
前記一般式（１０）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｓは、０または１であり、ｕは、０または１であり、ｓ＋ｕ＝１の関係を満たす。
前記一般式（１０）において、Ｒ８は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｔは、４であり、複数のＲ８は、互いに同一または異なる。【００３５】
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（３）で表される化合物を含むことを特徴とする。【００３６】
前述した本発明の有機ＥＬ素子用材料において、前記一般式（１）で表される化合物は、前記一般式（９）で表される化合物であることが好ましい。【００３７】
前述した本発明の有機ＥＬ素子用材料において、前記一般式（１）で表される化合物は、前記一般式（１０）で表される化合物であることが好ましい。【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子によれば、充分な発光効率を示す。また、本発明の有機ＥＬ素子用材料によれば、充分な発光効率を示す有機ＥＬ素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第一実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図。
【図２】本発明の第二実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図。
【図３】本発明の第三実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
［第一実施形態］
（有機ＥＬ素子の構成）
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（５）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
などの構造を挙げることができる。
上記の中で（５）の素子構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、一般的にドーピングシステムが採用されており、ホスト材料とドーパント材料を含む有機層である。ホスト材料は、一般的に電子と正孔の再結合を促し、再結合により生じた励起エネルギーをドーパント材料に伝達させる。ドーパント材料としては、量子収率の高い化合物が好まれ、ホスト材料から励起エネルギーを受け取ったドーパント材料は、高い発光性能を示す。
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。
【００４１】
次に、第一実施形態における有機ＥＬ素子１を図１に示す。
有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、陽極３と、陰極４と、正孔輸送層６と、発光層５と、電子輸送層７とを備える。
そして、陽極３側から順に、正孔輸送層６、発光層５、電子輸送層７及び陰極４が積層される。
【００４２】
〔発光層〕
発光層５は、第一ホスト材料、第二ホスト材料および燐光発光性ドーパント材料を含有する。
このような発光層５は、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。
ここで、発光層５に含まれる材料の質量百分率の合計が１００質量％となるように、第一ホスト材料については、１０質量％以上９０質量％以下、第二ホスト材料については、１０質量％以上９０質量％以下、並びに燐光発光性ドーパント材料については、０．１質量％以上３０質量％以下で設定されることが好ましい。さらに、第一ホスト材料については、４０質量％以上６０質量％以下、並びに第二ホスト材料については、４０質量％以上６０質量％以下で設定されることがより好ましい。
【００４３】
（第一ホスト材料）
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる第一ホスト材料としては、下記一般式（１）で表される化合物が用いられる。
【００４４】
【化１１】
2013058343.tif 000013
【００４５】
前記一般式（１）において、
Ｒ１は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（１）において、ａおよびｂは、４であり、複数のＲ１は、互いに同一または異なる。
【００４６】
前記一般式（１）におけるＲ１の環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、ベンズアントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、１−トリフェニレニル基、２−トリフェニレニル基、３−トリフェニレニル基、４−トリフェニレニル基、１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、９−フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−ターフェニル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−クウォーターフェニル基、３−フルオランテニル基、４−フルオランテニル基、８−フルオランテニル基、９−フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，３−キシリル基、３，４−キシリル基、２，５−キシリル基、メシチル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基が挙げられる。
前記一般式（１）におけるアリール基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、前記一般式（１）における置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基が置換されていることが好ましい。
【００４７】
前記一般式（１）におけるＲ１の環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基、およびピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、インドール環、キノリン環、アクリジン環、ピロリジン環、ジオキサン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環から形成される基が挙げられる。
さらに具体的には、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、２−ピリミジニル基、４−ピリミジニル基、５−ピリミジニル基、６−ピリミジニル基、１，２，３−トリアジン−４−イル基、１，２，４−トリアジン−３−イル基、１，３，５−トリアジン−２−イル基、１−イミダゾリル基、２−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、１−インドリジニル基、２−インドリジニル基、３−インドリジニル基、５−インドリジニル基、６−インドリジニル基、７−インドリジニル基、８−インドリジニル基、２−イミダゾピリジニル基、３−イミダゾピリジニル基、５−イミダゾピリジニル基、６−イミダゾピリジニル基、７−イミダゾピリジニル基、８−イミダゾピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、アザカルバゾリル−１−イル基、アザカルバゾリル−２−イル基、アザカルバゾリル−３−イル基、アザカルバゾリル−４−イル基、アザカルバゾリル−５−イル基、アザカルバゾリル−６−イル基、アザカルバゾリル−７−イル基、アザカルバゾリル−８−イル基、アザカルバゾリル−９−イル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル−１−インドリル基、４−ｔ−ブチル−１−インドリル基、２−ｔ−ブチル−３−インドリル基、４−ｔ−ブチル−３−インドリル基、１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−シラフルオレニル基、２−シラフルオレニル基、３−シラフルオレニル基、４−シラフルオレニル基、１−ゲルマフルオレニル基、２−ゲルマフルオレニル基、３−ゲルマフルオレニル基、４−ゲルマフルオレニル基が挙げられる。
前記一般式（１）における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、前記一般式（１）における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。
【００４８】
前記一般式（１）におけるＲ１の炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、１，２−ジニトロエチル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基が挙げられる。
環状のアルキル基（シクロアルキル基）としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
前記一般式（１）におけるＲ１の直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基が好ましい。
前記一般式（１）におけるＲ１のシクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロメチルメチル基等が挙げられる。
【００４９】
前記一般式（１）におけるＲ１の炭素数２〜３０のアルケニル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル、プロペニル、ブテニル、オレイル、エイコサペンタエニル、ドコサヘキサエニル、スチリル、２，２−ジフェニルビニル、１，２，２−トリフェニルビニル、２−フェニル−２−プロペニル等が挙げられる。上述したアルケニル基の中でもビニル基が好ましい。
【００５０】
前記一般式（１）におけるＲ１の炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。上述したアルキニル基の中でもエチニル基が好ましい。
【００５１】
前記一般式（１）におけるＲ１の炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００５２】
前記一般式（１）におけるＲ１の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。２つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。２つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。３つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００５３】
前記一般式（１）におけるＲ１の炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＹと表される。このＹの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基があげられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。
【００５４】
前記一般式（１）におけるＲ１の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基は、−Ｙ−Ｚと表される。このＹの例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺの例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０アラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基が挙げられる。
【００５５】
前記一般式（１）におけるＲ１の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺと表される。このＺの例として、上記環形成炭素数６〜３０アリール基または後述する単環基および縮合環基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。
【００５６】
前記一般式（１）におけるＲ１のハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００５７】
本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
【００５８】
また、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のようなアリール基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基）、アルケニル基、アルキニル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、重水素原子、シアノ基に加え、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシ基等が挙げられる。ここで挙げた置換基の中では、アリール基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基、重水素原子が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。また、これらの置換基は、さらに上述の置換基により置換されていてもよい。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合置換基についても、上記と同様である。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
【００５９】
前記一般式（１）において、ｐは、０以上４以下の整数である。
前記一般式（１）において、Ｌ１は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基である。
この連結基である場合のＬ１の環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、前記一般式（１）におけるＲ１の環形成炭素数６〜３０アリール基から誘導される二価の基が挙げられる。
この連結基である場合のＬ１の環形成原子数５〜３０の複素環基としては、前記一般式（１）におけるＲ１の環形成原子数５〜３０の複素環基から誘導される二価の基が挙げられる。
この連結基である場合のＬ１の環形成原子数５〜３０の環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基としては、前記一般式（１）におけるＲ１の環状のアルキル基（シクロアルキル基）から誘導される二価の基が挙げられ、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基などが挙げられる。
連結基としてのＬ１には、ここで挙げた連結基としてのアリール基、複素環基および環状炭化水素基が、互いに結合したものも含まれ、同じ基が連結しても良いし、異なる基が連結しても良い。
【００６０】
前記一般式（１）において、Ａｚ１は、下記一般式（２）で表される基である。
【００６１】
【化１２】
2013058343.tif 000014
【００６２】
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちいずれか１つは、Ｌ１と結合する炭素原子を表す。
前記一般式（２）において、Ｘ１〜Ｘ５のうちＬ１と結合しない他の４つについては、
ｐが０の場合、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表し、
ｐが１以上４以下の場合、Ｘ１〜Ｘ５のうちｐ個は、それぞれ、Ａｒ１と結合する炭素原子を表し、（４−ｐ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ１または窒素原子を表す。Ｒ１は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
ここで、ＣＲ１は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ１が結合したものである。
【００６３】
前記一般式（１）において、Ａｒ１は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
このＡｒ１の環形成炭素数６〜３０のアリール基および環形成原子数５〜３０の複素環基としては、前記一般式（１）におけるＲ１で説明したものと同義である。
このＡｒ１には、ここで挙げたアリール基および複素環基が、互いに結合したものも含まれ、同じ基が連結しても良いし、異なる基が連結しても良い。
【００６４】
また、第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（９）で表される化合物であることが好ましい。
【００６５】
【化１３】
2013058343.tif 000015
【００６６】
前記一般式（９）において、ｓは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（９）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（９）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（９）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
【００６７】
また、前記第一ホスト材料の前記一般式（１）で表される化合物は、下記一般式（１０）で表される化合物であることが好ましい。
【００６８】
【化１４】
2013058343.tif 000016
【００６９】
前記一般式（１０）において、Ｒ６およびＲ７は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｍは、４であり、複数のＲ６は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、ｎは、３であり、複数のＲ７は、互いに同一または異なる。
前記一般式（１０）において、Ａｒ３は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｓは、０または１であり、ｕは、０または１であり、ｓ＋ｕ＝１の関係を満たす。
前記一般式（１０）において、Ｒ８は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
前記一般式（１０）において、ｔは、４であり、複数のＲ８は、互いに同一または異なる。
【００７０】
上記一般式（１）、（９）および（１０）で表される化合物の例としては、次に示される一般式で示される化合物が挙げられる。但し、本発明は、これらの構造の化合物に限定されない。
【００７１】
【化１５】
2013058343.tif 000017
【００７２】
これらの一般式において、Ａｒ１０１〜Ａｒ１０３は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
【００７３】
さらに、上記一般式（１）、（９）および（１０）で表される化合物の具体例としては、以下の化合物が挙げられる。但し、本発明は、これらの構造の化合物に限定されない。
【００７４】
【化１６】
2013058343.tif 000018
【００７５】
【化１７】
2013058343.tif 000019
【００７６】
【化１８】
2013058343.tif 000020
【００７７】
【化１９】
2013058343.tif 000021
【００７８】
【化２０】
2013058343.tif 000022
【００７９】
【化２１】
2013058343.tif 000023
【００８０】
【化２２】
2013058343.tif 000024
【００８１】
【化２３】
2013058343.tif 000025
【００８２】
【化２４】
2013058343.tif 000026
【００８３】
【化２５】
2013058343.tif 000027
【００８４】
【化２６】
2013058343.tif 000028
【００８５】
【化２７】
2013058343.tif 000029
【００８６】
【化２８】
2013058343.tif 000030
【００８７】
【化２９】
2013058343.tif 000031
【００８８】
【化３０】
2013058343.tif 000032
【００８９】
【化３１】
2013058343.tif 000033
【００９０】
【化３２】
2013058343.tif 000034
【００９１】
【化３３】
2013058343.tif 000035
2013058343.tif 000036
【００９２】
【化３４】
2013058343.tif 000037
【００９３】
【化３５】
2013058343.tif 000038
【００９４】
【化３６】
2013058343.tif 000039
【００９５】
【化３７】
2013058343.tif 000040
【００９６】
【化３８】
2013058343.tif 000041
【００９７】
【化３９】
2013058343.tif 000042
【００９８】
【化４０】
2013058343.tif 000043
【００９９】
【化４１】
2013058343.tif 000044
【０１００】
【化４２】
2013058343.tif 000045
【０１０１】
【化４３】
2013058343.tif 000046
【０１０２】
【化４４】
2013058343.tif 000047
【０１０３】
【化４５】
2013058343.tif 000048
【０１０４】
【化４６】
2013058343.tif 000049
【０１０５】
【化４７】
2013058343.tif 000050
【０１０６】
【化４８】
2013058343.tif 000051
【０１０７】
【化４９】
2013058343.tif 000052
【０１０８】
【化５０】
2013058343.tif 000053
【０１０９】
【化５１】
2013058343.tif 000054
【０１１０】
【化５２】
2013058343.tif 000055
【０１１１】
【化５３】
2013058343.tif 000056
【０１１２】
【化５４】
2013058343.tif 000057
【０１１３】
【化５５】
2013058343.tif 000058
【０１１４】
【化５６】
2013058343.tif 000059
【０１１５】
【化５７】
2013058343.tif 000060
【０１１６】
【化５８】
2013058343.tif 000061
【０１１７】
【化５９】
2013058343.tif 000062
【０１１８】
【化６０】
2013058343.tif 000063
【０１１９】
【化６１】
2013058343.tif 000064
【０１２０】
【化６２】
2013058343.tif 000065
【０１２１】
【化６３】
2013058343.tif 000066
【０１２２】
【化６４】
2013058343.tif 000067
【０１２３】
【化６５】
2013058343.tif 000068
【０１２４】
【化６６】
2013058343.tif 000069
【０１２５】
【化６７】
2013058343.tif 000070
【０１２６】
【化６８】
2013058343.tif 000071
【０１２７】
【化６９】
2013058343.tif 000072
【０１２８】
【化７０】
2013058343.tif 000073
【０１２９】
【化７１】
2013058343.tif 000074
【０１３０】
【化７２】
2013058343.tif 000075
【０１３１】
【化７３】
2013058343.tif 000076
【０１３２】
【化７４】
2013058343.tif 000077
【０１３３】
【化７５】
2013058343.tif 000078
【０１３４】
【化７６】
2013058343.tif 000079
【０１３５】
【化７７】
2013058343.tif 000080
【０１３６】
【化７８】
2013058343.tif 000081
【０１３７】
【化７９】
2013058343.tif 000082
【０１３８】
【化８０】
2013058343.tif 000083
【０１３９】
【化８１】
2013058343.tif 000084
【０１４０】
【化８２】
2013058343.tif 000085
【０１４１】
【化８３】
2013058343.tif 000086
【０１４２】
【化８４】
2013058343.tif 000087
【０１４３】
【化８５】
2013058343.tif 000088
【０１４４】
【化８６】
2013058343.tif 000089
【０１４５】
【化８７】
2013058343.tif 000090
【０１４６】
【化８８】
2013058343.tif 000091
【０１４７】
【化８９】
2013058343.tif 000092
【０１４８】
【化９０】
2013058343.tif 000093
【０１４９】
【化９１】
2013058343.tif 000094
【０１５０】
【化９２】
2013058343.tif 000095
【０１５１】
（第二ホスト材料）
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる第二ホスト材料としては、下記一般式（２）で表される化合物が用いられる。
【０１５２】
【化９３】
2013058343.tif 000096
【０１５３】
前記一般式（３）において、
Ｒ２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基である。
前記一般式（３）において、ｃおよびｄは、それぞれ独立して、０以上４以下の整数であり、複数のＲ２は、互いに同一または異なる。
前記一般式（３）において、Ｒ２は、前記一般式（１）におけるＲ１と同義である。
【０１５４】
前記一般式（３）において、ｑは、１以上４以下の整数である。
前記一般式（３）において、ｒは、０または１である。
前記一般式（３）において、１≦ｑ＋ｒ≦４である。
【０１５５】
前記一般式（３）において、Ｌ２は、
単結合または連結基であり、連結基としては、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
環形成炭素数５〜３０の環状炭化水素基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
この連結基としてのＬ２は、前記一般式（１）における連結基としてのＬ１と同義である。
【０１５６】
前記一般式（３）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜３０の複素環基、または、
これらが互いに結合した基を表す。
このＡｒ２は、前記一般式（１）におけるＡｒ１と同義である。
【０１５７】
前記一般式（３）において、Ａｚ２は、下記一般式（４）で表される基である。
【０１５８】
【化９４】
2013058343.tif 000097
【０１５９】
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちいずれか１つは、Ｌ２と結合する。
前記一般式（４）において、Ｙ１〜Ｙ５のうちＬ２と結合しない他の４つについては、
当該４つのうちｑ個は、Ａｒ２と結合する炭素原子を表し、
当該４つのうちｒ個は、ＨＡｒと結合する炭素原子を表し、
当該４つのうち（４−ｑ−ｒ）個は、それぞれ独立に、ＣＲ３または窒素原子を表す。ここで、ＣＲ３は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ３が結合したものである。
前記一般式（４）において、Ｒ３は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
【０１６０】
前記一般式（４）において、ＨＡｒは、下記一般式（５）から一般式（７）までのいずれか１つである。
【０１６１】
【化９５】
2013058343.tif 000098
【０１６２】
【化９６】
2013058343.tif 000099
【０１６３】
【化９７】
2013058343.tif 000100
【０１６４】
前記一般式（５）において、ｆおよびｇは、４であり、
前記一般式（６）において、ｈおよびｉは、４であり、
前記一般式（７）において、ｊおよびｋは、４である。
前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、複数のＲ４は、互いに同一または異なり、複数のＲ４のうちいずれか一つは、Ａｚ２と結合する単結合である。前記一般式（５）、一般式（６）および一般式（７）のそれぞれにおいて、Ｒ４は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
前記一般式（７）において、２つのＲ５は、互いに同一または異なり、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
【０１６５】
前記一般式（３）においてＲ２が結合するカルバゾール環に対して、下記一般式（８）で表される部分構造が結合する。
【０１６６】
【化９８】
2013058343.tif 000101
【０１６７】
前記一般式（８）で表される部分構造において、Ｃｘ１およびＣｘ２は、前記一般式（３）においてＲ２が結合する前記カルバゾール環に対し当該一般式（８）で表される部分構造が結合する１位から８位までの炭素原子のいずれか隣接する２つを表す。
このように、前記一般式（３）においてＲ２が結合するカルバゾール環に対して、前記一般式（８）で表される部分構造が結合する態様について、次のように具体的に説明する。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の１位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の２位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、下記一般式（３−１）で表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の２位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の１位の炭素原子または３位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、前者の場合、下記一般式（３−２）で表され、後者の場合、下記一般式（３−３）で表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の３位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の２位の炭素原子または４位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、前者の場合、下記一般式（３−４）で表され、後者の場合、下記一般式（３−５）で表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の４位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の３位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、下記一般式（３−６）で表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の５位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の６位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、下記一般式（３−６）と同様に表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の６位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の５位の炭素原子または７位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、前者の場合、下記一般式（３−５）と同様に表され、後者の場合、下記一般式（３−４）と同様に表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の７位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の６位の炭素原子または８位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、前者の場合、下記一般式（３−３）と同様に表され、後者の場合、下記一般式（３−２）と同様に表される。
Ｃｘ１が当該カルバゾール環の８位の炭素原子である場合、Ｃｘ２が、当該カルバゾール環の７位の炭素原子となり、前記一般式（３）は、下記一般式（３−１）と同様に表される。
【０１６８】
【化９９】
2013058343.tif 000102
【０１６９】
前記一般式（８）において、Ｘは、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ２またはＣ(Ｒ２)２である。ここで、ＮＲ２は、窒素原子（Ｎ）に、Ｒ２が１つ結合したものであり、Ｃ(Ｒ２)２は、炭素原子（Ｃ）に、Ｒ２が２つ結合したものである。
前記一般式（８）において、ｅは、４である。
前記一般式（８）において、Ｒ２は、前記一般式（３）におけるＲ２と同義である。
【０１７０】
上記一般式（３）で表される化合物の例としては、以下の化合物が挙げられる。但し、本発明は、これらの構造の化合物に限定されない。
【０１７１】
【化１００】
2013058343.tif 000103
【０１７２】
【化１０１】
2013058343.tif 000104
【０１７３】
【化１０２】
2013058343.tif 000105
【０１７４】
【化１０３】
2013058343.tif 000106
【０１７５】
【化１０４】
2013058343.tif 000107
【０１７６】
【化１０５】
2013058343.tif 000108
【０１７７】
【化１０６】
2013058343.tif 000109
【０１７８】
【化１０７】
2013058343.tif 000110
【０１７９】
【化１０８】
2013058343.tif 000111
【０１８０】
【化１０９】
2013058343.tif 000112
【０１８１】
【化１１０】
2013058343.tif 000113
【０１８２】
【化１１１】
2013058343.tif 000114
【０１８３】
【化１１２】
2013058343.tif 000115
【０１８４】
【化１１３】
2013058343.tif 000116
【０１８５】
【化１１４】
2013058343.tif 000117
【０１８６】
【化１１５】
2013058343.tif 000118
【０１８７】
【化１１６】
2013058343.tif 000119
【０１８８】
【化１１７】
2013058343.tif 000120
【０１８９】
【化１１８】
2013058343.tif 000121
【０１９０】
【化１１９】
2013058343.tif 000122
【０１９１】
【化１２０】
2013058343.tif 000123
【０１９２】
【化１２１】
2013058343.tif 000124
【０１９３】
【化１２２】
2013058343.tif 000125
【０１９４】
【化１２３】
2013058343.tif 000126
【０１９５】
【化１２４】
2013058343.tif 000127
【０１９６】
【化１２５】
2013058343.tif 000128
【０１９７】
【化１２６】
2013058343.tif 000129
【０１９８】
【化１２７】
2013058343.tif 000130
【０１９９】
【化１２８】
2013058343.tif 000131
【０２００】
【化１２９】
2013058343.tif 000132
【０２０１】
【化１３０】
2013058343.tif 000133
【０２０２】
【化１３１】
2013058343.tif 000134
【０２０３】
【化１３２】
2013058343.tif 000135
【０２０４】
【化１３３】
2013058343.tif 000136
【０２０５】
【化１３４】
2013058343.tif 000137
【０２０６】
【化１３５】
2013058343.tif 000138
【０２０７】
【化１３６】
2013058343.tif 000139
【０２０８】
【化１３７】
2013058343.tif 000140
【０２０９】
【化１３８】
2013058343.tif 000141
【０２１０】
【化１３９】
2013058343.tif 000142
【０２１１】
【化１４０】
2013058343.tif 000143
【０２１２】
【化１４１】
2013058343.tif 000144
【０２１３】
【化１４２】
2013058343.tif 000145
【０２１４】
【化１４３】
2013058343.tif 000146
【０２１５】
【化１４４】
2013058343.tif 000147
【０２１６】
【化１４５】
2013058343.tif 000148
【０２１７】
【化１４６】
2013058343.tif 000149
【０２１８】
【化１４７】
2013058343.tif 000150
【０２１９】
【化１４８】
2013058343.tif 000151
【０２２０】
【化１４９】
2013058343.tif 000152
【０２２１】
【化１５０】
2013058343.tif 000153
【０２２２】
【化１５１】
2013058343.tif 000154
【０２２３】
【化１５２】
2013058343.tif 000155
【０２２４】
【化１５３】
2013058343.tif 000156
【０２２５】
【化１５４】
2013058343.tif 000157
【０２２６】
【化１５５】
2013058343.tif 000158
【０２２７】
【化１５６】
2013058343.tif 000159
【０２２８】
【化１５７】
2013058343.tif 000160
【０２２９】
【化１５８】
2013058343.tif 000161
【０２３０】
【化１５９】
2013058343.tif 000162
【０２３１】
【化１６０】
2013058343.tif 000163
【０２３２】
【化１６１】
2013058343.tif 000164
【０２３３】
【化１６２】
2013058343.tif 000165
【０２３４】
【化１６３】
2013058343.tif 000166
【０２３５】
【化１６４】
2013058343.tif 000167
【０２３６】
【化１６５】
2013058343.tif 000168
【０２３７】
【化１６６】
2013058343.tif 000169
【０２３８】
【化１６７】
2013058343.tif 000170
【０２３９】
【化１６８】
2013058343.tif 000171
【０２４０】
【化１６９】
2013058343.tif 000172
【０２４１】
【化１７０】
2013058343.tif 000173
【０２４２】
【化１７１】
2013058343.tif 000174
【０２４３】
【化１７２】
2013058343.tif 000175
【０２４４】
【化１７３】
2013058343.tif 000176
【０２４５】
【化１７４】
2013058343.tif 000177
【０２４６】
【化１７５】
2013058343.tif 000178
【０２４７】
【化１７６】
2013058343.tif 000179
【０２４８】
【化１７７】
2013058343.tif 000180
【０２４９】
【化１７８】
2013058343.tif 000181
【０２５０】
【化１７９】
2013058343.tif 000182
【０２５１】
【化１８０】
2013058343.tif 000183
【０２５２】
【化１８１】
2013058343.tif 000184
【０２５３】
【化１８２】
2013058343.tif 000185
【０２５４】
【化１８３】
2013058343.tif 000186
【０２５５】
【化１８４】
2013058343.tif 000187
【０２５６】
【化１８５】
2013058343.tif 000188
【０２５７】
【化１８６】
2013058343.tif 000189
【０２５８】
【化１８７】
2013058343.tif 000190
【０２５９】
【化１８８】
2013058343.tif 000191
【０２６０】
【化１８９】
2013058343.tif 000192
【０２６１】
【化１９０】
2013058343.tif 000193
【０２６２】
【化１９１】
2013058343.tif 000194
【０２６３】
【化１９２】
2013058343.tif 000195
【０２６４】
【化１９３】
2013058343.tif 000196
【０２６５】
【化１９４】
2013058343.tif 000197
【０２６６】
【化１９５】
2013058343.tif 000198
【０２６７】
（燐光発光性ドーパント材料）
燐光発光性ドーパント材料は、金属錯体を含有し、この金属錯体は、Ｉｒ（イリジウム），Ｐｔ（白金），Ｏｓ（オスミウム），Ａｕ（金），Ｃｕ（銅），Ｒｅ（レニウム）及びＲｕ（ルテニウム）から選択される金属原子と、配位子と、を有することが好ましい。特に、前記配位子は、オルトメタル結合を有することが好ましい。
燐光量子収率が高く、有機ＥＬ素子の外部量子効率をより向上させることができるという点で、Ｉｒ，Ｏｓ及びＰｔから選ばれる金属原子を含有する化合物であると好ましく、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体であるとさらに好ましく、中でもイリジウム錯体及び白金錯体がより好ましく、オルトメタル化イリジウム錯体が最も好ましい。また、発光効率等の観点からフェニルキノリン、フェニルイソキノリン、フェニルピリジン、フェニルピリミジン、フェニルピラジン及びフェニルイミダゾールから選択される配位子から構成される有機金属錯体が好ましい。
好ましい金属錯体の具体例を、以下に示す。
【０２６８】
【化１９６】
2013058343.tif 000199
【０２６９】
【化１９７】
2013058343.tif 000200
【０２７０】
【化１９８】
2013058343.tif 000201
【０２７１】
【化１９９】
2013058343.tif 000202
【０２７２】
【化２００】
2013058343.tif 000203
【０２７３】
燐光発光性ドーパント材料は、単独で使用しても良いし、２種以上を併用しても良い。
発光層５に含まれる前記燐光発光性ドーパント材料のうち少なくとも１種は、発光波長のピークが５００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下であることが好ましく、５１０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下であることがより好ましい。本実施形態における発光色としては、緑色が好ましい。一般に緑色を示す発光波長のピークは、４９５ｎｍ以上５７０ｎｍであるが、本実施形態においては、特に発光波長が５１０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下であることが好ましい。
このような発光波長の燐光発光性ドーパント材料を、前述した特定の第一材料および第二ホスト材料にドープして発光層５を構成することにより、高効率な有機ＥＬ素子とすることができる。
【０２７４】
〔基板〕
有機ＥＬ素子１は、透光性の基板２上に陽極３、発光層５、陰極４等が積層されて構成される。基板２は、これら陽極３等を支持する基板であり、４００ｎｍ〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
透光性の基板としては、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものを挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。
なお、基板は、剥離法によって有機ＥＬ素子から剥離除去することができる。
【０２７５】
〔陽極及び陰極〕
有機ＥＬ素子１の陽極３は、正孔を正孔注入層、正孔輸送層６又は発光層５に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。
陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、酸化インジウム亜鉛酸化物、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極３は、これらの陽極材料を蒸着法やスパッタリング法等の方法で、例えば基板２上に薄膜を形成させることにより作製することができる。
発光層５からの発光を陽極３側から取り出す場合、陽極３の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極３のシート抵抗は、数百Ω／□（Ω／ｓｑ）以下が好ましい。陽極３の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【０２７６】
陰極としては、発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい材料が好ましい。
陰極材料は特に限定されないが、具体的にはインジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が使用できる。
陰極４も、陽極３と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で、例えば電子輸送層７上に薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極４側から、発光層５からの発光を取り出す態様を採用することもできる。発光層５からの発光を陰極４側から取り出す場合、陰極４の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。
陰極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。
陰極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選択される。
【０２７７】
〔その他の層〕
さらに電流（又は発光）効率を上げるために、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層等を設けてもよい。有機ＥＬ素子１には、正孔輸送層６及び電子輸送層７を設けている。
【０２７８】
（正孔輸送層）
正孔輸送層６は、発光層への正孔注入を助け、正孔を発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化ポテンシャルが小さい。
正孔輸送層６を形成する正孔輸送材料としては、より低い電界強度で正孔を発光層５に輸送する材料が好ましく、本発明の前記一般式（２）で表される第二ホスト材料を用いることができる。その他、例えば、下記一般式（Ａ１）で表わされる芳香族アミン誘導体が好適に用いられる。
【０２７９】
【化２０１】
2013058343.tif 000204
【０２８０】
前記一般式（Ａ１）において、Ａｒ１からＡｒ４までは、それぞれ独立に、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
環形成原子数５以上３０以下の複素環基、
それらアリール基とそれら複素環基とを結合させた基、または
それらアリール基とそれら複素環基とを結合させた基、
を表す。但し、ここで挙げたアリール基、および複素環基は、置換基を有してもよい。
【０２８１】
前記一般式（Ａ１）において、Ｌは、連結基であり、
環形成炭素数６以上３０以下の２価のアリール基、
環形成原子数５以上３０以下の２価の複素環基、
２個以上のアリール基または複素環基を
単結合、
エーテル結合、
チオエーテル結合、
炭素数１以上２０以下のアルキレン基、
炭素数２以上２０以下のアルケニレン基、もしくは
アミノ基
で結合して得られる２価の基、
を表す。但し、ここで挙げた２価のアリール基、および２価の複素環基は、置換基を有してもよい。
【０２８２】
前記一般式（Ａ１）の化合物の具体例を以下に記すが、これらに限定されるものではない。
【０２８３】
【化２０２】
2013058343.tif 000205
【０２８４】
また、下記一般式（Ａ２）の芳香族アミンも、正孔輸送層の形成に好適に用いられる。
【０２８５】
【化２０３】
2013058343.tif 000206
【０２８６】
前記一般式（Ａ２）において、Ａｒ１からＡｒ３までの定義は前記一般式（Ａ１）のＡｒ１からＡｒ４までの定義と同様である。以下に一般式（Ａ２）の化合物の具体例を記すがこれらに限定されるものではない。
【０２８７】
【化２０４】
2013058343.tif 000207
【０２８８】
（電子輸送層）
電子輸送層７は、発光層５への電子の注入を助ける層であって、電子移動度が大きい。
本実施形態は、発光層５と陰極との間に電子輸送層７を有し、電子輸送層７は、含窒素環誘導体を主成分として含有しても好ましい。ここで、電子注入層は電子輸送層として機能する層であってもよい。
なお、「主成分として」とは、電子輸送層７が５０質量％以上の含窒素環誘導体を含有していることを意味する。
【０２８９】
電子輸送層７に用いる電子輸送性材料としては、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物が好ましく用いられ、特に含窒素環誘導体が好ましい。また、含窒素環誘導体としては、含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する芳香族環、または含窒素６員環もしくは５員環骨格を有する縮合芳香族環化合物が好ましい。
この含窒素環誘導体としては、例えば、下記一般式（Ｂ１）で表される含窒素環金属キレート錯体が好ましい。
【０２９０】
【化２０５】
2013058343.tif 000208
【０２９１】
一般式（Ｂ１）におけるＲ２からＲ７までは、独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
オキシ基、
アミノ基、
炭素数１以上４０以下の炭化水素基、
アルコキシ基、
アリールオキシ基、
アルコキシカルボニル基、または、
複素環基であり、
これらは置換基を有してもよい。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。また、置換されていてもよいアミノ基の例としては、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミノ基が挙げられる。
【０２９２】
一般式（Ｂ１）におけるアルコキシカルボニル基は−ＣＯＯＹ’と表され、Ｙ’の例としては前記アルキル基と同様のものが挙げられる。アルキルアミノ基およびアラルキルアミノ基は−ＮＱ１Ｑ２と表される。Ｑ１およびＱ２の具体例としては、独立に、前記アルキル基、前記アラルキル基（アルキル基の水素原子がアリール基で置換された基）で説明したものと同様のものが挙げられ、好ましい例も同様である。Ｑ１およびＱ２の一方は水素原子であってもよい。なお、アラルキル基は、前記アルキル基の水素原子が前記アリール基で置換された基である。
一般式（Ｂ１）におけるアリールアミノ基は−ＮＡｒ１Ａｒ２と表され、Ａｒ１およびＡｒ２の具体例としては、それぞれ独立に前記アリール基で説明した基と同様である。Ａｒ１およびＡｒ２の一方は水素原子であってもよい。
【０２９３】
一般式（Ｂ１）におけるＭは、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）またはインジウム（Ｉｎ）であり、Ｉｎであると好ましい。
上記一般式（Ｂ１）のＬは、下記一般式（Ｂ２）または（Ｂ３）で表される基である。
【０２９４】
【化２０６】
2013058343.tif 000209
【０２９５】
前記一般式（Ｂ２）において、Ｒ８からＲ１２までは、それぞれ独立に、
水素原子、または炭素数１以上４０以下の炭化水素基であり、互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。この炭化水素基は、置換基を有してもよい。
また、前記一般式（Ｂ３）中、Ｒ１３からＲ２７までは、それぞれ独立に、
水素原子、または炭素数１以上４０以下の炭化水素基であり、
互いに隣接する基が環状構造を形成していてもよい。この炭化水素基は、置換基を有してもよい。
前記一般式（Ｂ２）および一般式（Ｂ３）のＲ８からＲ１２まで、およびＲ１３からＲ２７までが示す炭素数１以上４０以下の炭化水素基としては、前記一般式（Ｂ１）中のＲ２からＲ７までの具体例と同様のものが挙げられる。
また、Ｒ８からＲ１２まで、およびＲ１３からＲ２７までの互いに隣接する基が環状構造を形成した場合の２価の基としては、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ジフェニルメタン−２，２’−ジイル基、ジフェニルエタン−３，３’−ジイル基、ジフェニルプロパン−４，４’−ジイル基などが挙げられる。
【０２９６】
また、電子輸送層は、下記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までで表される含窒素複素環誘導体の少なくともいずれか１つを含有することが好ましい。
【０２９７】
【化２０７】
2013058343.tif 000210
【０２９８】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までにおいて、Ｒは、
水素原子、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジル基、
キノリル基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、または
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基である。
ｎは０以上４以下の整数である。
【０２９９】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ｒ１は、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジル基、
キノリル基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、または
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基である。
【０３００】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ｒ２およびＲ３は、独立に、
水素原子、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジル基、
キノリル基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、または
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基である。
【０３０１】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ｌは、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジニレン基、
キノリニレン基、または
フルオレニレン基である。
【０３０２】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ａｒ１は、    環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジニレン基、
キノリニレン基である。
【０３０３】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ａｒ２は、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
ピリジル基、
キノリル基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、または
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基である。
【０３０４】
前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中、Ａｒ３は、
環形成炭素数６以上６０以下のアリール基、
ピリジル基、
キノリル基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または
「−Ａｒ１−Ａｒ２」で表される基（Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ前記と同じ）である。
【０３０５】
また、前記一般式（Ｂ４）から（Ｂ６）までの式中のＲ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｌ、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＡｒ３の説明で挙げたアリール基、ピリジル基、キノリル基、アルキル基、アルコキシ基、ピリジニレン基、キノリニレン基、フルオレニレン基は、置換基を有してもよい。
【０３０６】
電子注入層または電子輸送層に用いられる電子伝達性化合物としては、８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、含窒素複素環誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリンまたはその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを用いることができる。そして、オキサジアゾール誘導体としては、下記のものを挙げることができる。
【０３０７】
【化２０８】
2013058343.tif 000211
【０３０８】
これらオキサジアゾール誘導体の各一般式中、Ａｒ１７、Ａｒ１８、Ａｒ１９、Ａｒ２１、Ａｒ２２およびＡｒ２５は、環形成炭素数６以上３０以下のアリール基である。
但し、ここで挙げたアリール基は、置換基を有してもよい。また、Ａｒ１７とＡｒ１８、Ａｒ１９とＡｒ２１、Ａｒ２２とＡｒ２５は、互いに同一でも異なっていてもよい。
ここで挙げたアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基などが挙げられる。そして、これらへの置換基としては炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基またはシアノ基などが挙げられる。
【０３０９】
これらオキサジアゾール誘導体の各一般式中、Ａｒ２０、Ａｒ２３およびＡｒ２４は、環形成炭素数６以上３０以下の２価のアリール基である。
但し、ここで挙げたアリール基は、置換基を有してもよい。
また、Ａｒ２３とＡｒ２４は、互いに同一でも異なっていてもよい。
ここで挙げた２価のアリール基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。そして、これらへの置換基としては炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数１以上１０以下のアルコキシ基またはシアノ基などが挙げられる。
【０３１０】
これらの電子伝達性化合物は、薄膜形成性の良好なものが好ましく用いられる。そして、これら電子伝達性化合物の具体例としては、下記のものを挙げることができる。
【０３１１】
【化２０９】
2013058343.tif 000212
【０３１２】
電子伝達性化合物としての含窒素複素環誘導体は、以下の一般式を有する有機化合物からなる含窒素複素環誘導体であって、金属錯体でない含窒素化合物が挙げられる。例えば、下記一般式（Ｂ７）に示す骨格を含有する５員環もしくは６員環や、下記一般式（Ｂ８）に示す構造のものが挙げられる。
【０３１３】
【化２１０】
2013058343.tif 000213
【０３１４】
前記一般式（Ｂ８）中、Ｘは炭素原子もしくは窒素原子を表す。Ｚ１ならびにＺ２は、それぞれ独立に含窒素ヘテロ環を形成可能な原子群を表す。
【０３１５】
含窒素複素環誘導体は、さらに好ましくは、５員環もしくは６員環からなる含窒素芳香多環族を有する有機化合物である。さらには、このような複数窒素原子を有する含窒素芳香多環族の場合は、上記一般式（Ｂ７）と（Ｂ８）もしくは上記一般式（Ｂ７）と下記一般式（Ｂ９）を組み合わせた骨格を有する含窒素芳香多環有機化合物が好ましい。
【０３１６】
【化２１１】
2013058343.tif 000214
【０３１７】
前記の含窒素芳香多環有機化合物の含窒素基は、例えば、以下の一般式で表される含窒素複素環基から選択される。
【０３１８】
【化２１２】
2013058343.tif 000215
【０３１９】
これら含窒素複素環基の各一般式中、Ｒは、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、
環形成原子数５以上３０以下の複素環基、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、または
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基
である。
これら含窒素複素環基の各一般式中、ｎは０以上５以下の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲは互いに同一または異なっていてもよい。
【０３２０】
さらに、好ましい具体的な化合物として、下記一般式（Ｂ１０）で表される含窒素複素環誘導体が挙げられる。
ＨＡｒ−Ｌ１−Ａｒ１−Ａｒ２    ・・・（Ｂ１０）
前記一般式（Ｂ１０）中、ＨＡｒは、
環形成炭素数１以上４０以下の含窒素複素環基である。
前記一般式（Ｂ１０）中、Ｌ１は、
単結合、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または
環形成炭素数２以上４０以下の複素環基である。
【０３２１】
前記一般式（Ｂ１０）中、Ａｒ１は、
環形成炭素数６以上４０以下の２価のアリール基である。
前記一般式（Ｂ１０）中、Ａｒ２は、
環形成炭素数６以上４０以下のアリール基、または
環形成炭素数２以上４０以下の複素環基である。
【０３２２】
また、前記一般式（Ｂ１０）の式中のＨＡｒ、Ｌ１、Ａｒ１、およびＡｒ２の説明で挙げた含窒素複素環基、アリール基、および複素環基は、置換基を有してもよい。
【０３２３】
前記一般式（Ｂ１０）の式中のＨＡｒは、例えば、下記の群から選択される。
【０３２４】
【化２１３】
2013058343.tif 000216
【０３２５】
前記一般式（Ｂ１０）の式中のＬ１は、例えば、下記の群から選択される。
【０３２６】
【化２１４】
2013058343.tif 000217
【０３２７】
前記一般式（Ｂ１０）の式中のＡｒ１は、例えば、下記のアリールアントラニル基から選択される。
【０３２８】
【化２１５】
2013058343.tif 000218
【０３２９】
前記アリールアントラニル基の一般式中、Ｒ１からＲ１４までは、独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素数１以上２０以下のアルキル基、
炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、
環形成炭素数６以上３０以下のアリールオキシ基、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または
環形成原子数５以上３０以下の複素環基である。
【０３３０】
前記アリールアントラニル基の一般式中、Ａｒ３は、
環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または
環形成原子数５以上３０以下の複素環基である。
【０３３１】
但し、前記アリールアントラニル基の一般式中のＲ１からＲ１４まで、およびＡｒ３の説明で挙げたアリール基、および複素環基は、置換基を有してもよい。
また、Ｒ１からＲ８までは、いずれも水素原子である含窒素複素環誘導体であってもよい。
【０３３２】
前記アリールアントラニル基の一般式中、Ａｒ２は、例えば、下記の群から選択される。
【０３３３】
【化２１６】
2013058343.tif 000219
【０３３４】
電子伝達性化合物としての含窒素芳香多環有機化合物には、この他、下記の化合物（特開平９−３４４８号公報参照）も好適に用いられる。
【０３３５】
【化２１７】
2013058343.tif 000220
【０３３６】
この含窒素芳香多環有機化合物の一般式中、Ｒ１からＲ４までは、独立に、
水素原子、
脂肪族基、
脂肪族式環基、
炭素環式芳香族環基、または
複素環基
を表す。但し、ここで挙げた脂肪族基、脂肪族式環基、炭素環式芳香族環基、および複素環基は、置換基を有してもよい。
この含窒素芳香多環有機化合物の一般式中、Ｘ１、Ｘ２は、独立に、酸素原子、硫黄原子、またはジシアノメチレン基を表す。
【０３３７】
また、電子伝達性化合物として、下記の化合物（特開２０００−１７３７７４号公報参照）も好適に用いられる。
【０３３８】
【化２１８】
2013058343.tif 000221
【０３３９】
前記一般式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は互いに同一のまたは異なる基であって、下記一般式で表わされるアリール基または縮合アリール基である。
【０３４０】
【化２１９】
2013058343.tif 000222
【０３４１】
前記一般式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８およびＲ９は互いに同一のまたは異なる基であって、水素原子、或いはそれらの少なくとも１つが飽和もしくは不飽和アルコキシル基、アルキル基、アミノ基、またはアルキルアミノ基である。
【０３４２】
さらに、電子伝達性化合物は、該含窒素複素環基または含窒素複素環誘導体を含む高分子化合物であってもよい。
【０３４３】
また、電子注入層の構成成分としては、含窒素環誘導体の他に、無機化合物として絶縁体または半導体を使用することが好ましい。電子注入層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
【０３４４】
（電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体）
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と有機薄膜層との界面領域に電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを有することも好ましい。
このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、および希土類金属化合物などから選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、および希土類金属を含む有機金属錯体などから選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【０３４５】
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）（仕事関数：２．９３ｅＶ）、ナトリウム（Ｎａ）（仕事関数：２．３６ｅＶ）、カリウム（Ｋ）（仕事関数：２．２８ｅＶ）、ルビジウム（Ｒｂ）（仕事関数：２．１６ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ）（仕事関数：１．９５ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）（仕事関数：２．９ｅＶ）、ストロンチウム（Ｓｒ）（仕事関数：２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下）、バリウム（Ｂａ）（仕事関数：２．５２ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
【０３４６】
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）などのアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）などのアルカリハロゲン化物などが挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）およびこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａxＳｒ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａxＣａ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）などが挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）などが挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【０３４７】
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、およびそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【０３４８】
電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の添加形態としては、界面領域に層状または島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体還元ドーパントの少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度はモル比で有機物：電子供与性ドーパント，有機金属錯体＝１００：１から１：１００まで、好ましくは５：１から１：５までである。
電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
また、本発明の有機ＥＬ素子における、主成分と電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかとの割合としては、モル比で主成分：電子供与性ドーパント，有機金属錯体＝５：１から１：５までであると好ましく、２：１から１：２までであるとさらに好ましい。
【０３４９】
〔膜厚〕
本発明の有機ＥＬ素子において、陽極と陰極との間に設けられた各層の膜厚は、前述した中で特に規定したものを除いて、特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
【０３５０】
〔有機ＥＬ素子の製造法〕
本発明の有機ＥＬ素子の製造法については、特に制限はなく、従来の有機ＥＬ素子に使用される製造方法を用いて製造することができる。具体的には、各層を真空蒸着法、キャスト法、塗布法、スピンコート法等により形成することができる。また、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリエステル等の透明ポリマーに、各層の有機材料を分散させた溶液を用いたキャスト法、塗布法、スピンコート法の他、有機材料と透明ポリマーとの同時蒸着等によっても形成することができる。
【０３５１】
［第二実施形態］
【０３５２】
次に、第二実施形態について説明する。
第二実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第二実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
第二実施形態に係る有機ＥＬ素子１Ａは、発光ユニット５Ａ、第三の発光層５３が設けられ、発光ユニット５Ａと第三の発光層５３との間にスペーシングレイヤー８が設けられている点で第一実施形態と異なる。そして、図２に示すように、基板２の上に、陽極３、正孔輸送層６、発光ユニット５Ａ、スペーシングレイヤー８、第三の発光層５３、電子輸送層７、および陰極４がこの順に積層されている。
発光ユニット５Ａは、正孔輸送層６に連続して形成された第一の発光層５１と、第一の発光層５１およびスペーシングレイヤー８の間に連続して形成された第二の発光層５２とを備える。
【０３５３】
第一の発光層５１は、第一発光層用ホスト材料及び第一発光層用発光材料を含有する。第一発光層用ホスト材料としては、モノアミン化合物、ジアミン化合物、トリアミン化合物、テトラミン化合物、カルバゾール基で置換されたアミン化合物などのアミン誘導体が好ましい。なお、第一発光層用ホスト材料としては、前記した一般式（１）で表される第一ホスト材料および一般式（２）で表される第二ホスト材料と同じ材料を用いてもよい。第一発光層用発光材料としては、５７０ｎｍ以上の発光ピークを示す材料が好ましい。ここで、５７０ｎｍ以上の発光ピークを示す発光色としては、例えば、赤色である。
第二の発光層５２は、本発明の発光層であり、すなわち第一実施形態の発光層５と同様である。
【０３５４】
スペーシングレイヤー８とは、隣接する第二の発光層５２及び第三の発光層５３間にＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルのエネルギー障壁を設けることにより、第二の発光層５２及び第三の発光層５３への電荷（正孔又は電子）注入を調整し、第二の発光層５２及び第三の発光層５３に注入される電荷のバランスを調整するための層である。また、三重項エネルギーの障壁を設けることにより、第二の発光層５２で生じた三重項エネルギーを第三の発光層５３へ拡散するのを防止し、第二の発光層５２内で効率的に発光させるための層である。
第三の発光層５３は、例えば、青色の蛍光発光を示す層であり、ピーク波長は４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第三の発光層５３は、第三発光層用ホスト材料と、第三発光層用発光材料とを含有する。
第三発光層用ホスト材料としては、例えば、アントラセン中心骨格を有する下記式（４１）に示す構造を有する化合物が挙げられる。
【０３５５】
【化２２０】
2013058343.tif 000223
【０３５６】
式（４１）中、Ａ４１及びＡ４２は、それぞれ置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の芳香族環から誘導される基である。
Ｒ４１〜Ｒ４８は、それぞれ、水素原子、置換基もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びヒドロキシル基のうちのいずれかである。
【０３５７】
Ａ４１及びＡ４２の芳香族環に置換される置換基としては、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜５０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びヒドロキシル基のうちのいずれかが挙げられる。
【０３５８】
第三発光層用発光材料としては、例えば、アリールアミン化合物、スチリルアミン化合物、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン及び蛍光色素等が挙げられる。
第三の発光層５３は、例えば、青色の蛍光発光を示す層であり、ピーク波長は４５０〜５００ｎｍである。
【０３５９】
有機ＥＬ素子１Ａでは、赤色に発光する第一の発光層５１、緑色に発光する第二の発光層５２、および青色に発光する第三の発光層５３を備えるため、素子全体として白色発光させることができる。
従って、有機ＥＬ素子１Ａは、照明やバックライトなどの面光源として好適に利用できる。
【０３６０】
［第三実施形態］
次に、第三実施形態について説明する。
第三実施形態の説明において第一実施形態と同一の構成要素は、同一符号や名称を付す等して説明を省略もしくは簡略にする。また、第三実施形態では、第一実施形態で説明したものと同様の材料や化合物を用いることができる。
第三実施形態の有機ＥＬ素子は、電荷発生層と２つ以上の発光ユニットとを備えるいわゆるタンデム型の素子である。一対の電極から注入される電荷に加えて、電荷発生層から供給される電荷が発光ユニット内に注入されることになるので、電荷発生層を設けることによって、注入した電流に対する発光効率（電流効率）が向上する。
【０３６１】
図３に示すように、第三実施形態の有機ＥＬ素子１Ｂは、基板２の上に、陽極３、正孔輸送層６、第一の発光ユニット５Ａ、電子輸送層７、電荷発生層９、第二の正孔輸送層６Ｂ、第二の発光ユニット５Ｂ、第二の電子輸送層７Ｂ、及び陰極４をこの順に積層されている。
第一の発光ユニット５Ａは、第二実施形態における第一の発光ユニットと同様であり、この第一の発光ユニット５Ａを構成する第二の発光層５２は、本発明の発光層であり、すなわち第一実施形態の発光層５および第二実施形態の第二の発光層と同様である。
第二の発光ユニット５Ｂは、第二の正孔輸送層６Ｂに連続して形成された第三の発光層５３と、第三の発光層５３と第二の電子輸送層７Ｂの間に連続して形成された第四の発光層５４とを備える。
第三の発光層５３は、第二実施形態の第三の発光層と同様である。
第四の発光層５４Ｂは、緑色に発光する蛍光発光層であり、ピーク波長はおよそ５００ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である。第四の発光層５４は、第四のホスト材料と、第四の発光材料とを含有する。
【０３６２】
電荷発生層９は、有機ＥＬ素子１Ｂに電界を印加した際に、電荷が発生する層であり、電子輸送層７に電子を注入し、第二の正孔輸送層６Ｂに正孔を注入する。
電荷発生層９の材料としては、公知の材料や、例えば、ＵＳ７，３５８，６６１に記載の材料を使用することができる。具体的には、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｒｕなどの金属酸化物、窒化物、ヨウ化物、ホウ化物などが挙げられる。また、第三の発光層５３が電荷発生層９から電子を容易に受け取れるようにするため、電子輸送層７における電荷発生層界面近傍にアルカリ金属で代表されるドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、ドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体のうち少なくとも一種を選ぶことができる。このようなドナー性金属、ドナー性金属化合物及びドナー性金属錯体に使用できる化合物の具体例として、国際公開第２０１０／１３４３５２号の公報に記載の化合物が挙げられる。
【０３６３】
なお、第二の正孔輸送層６Ｂ及び第二の電子輸送層７Ｂは、第一実施形態の正孔輸送層及び電子輸送層と同様である。
有機ＥＬ素子１Ｂは、いわゆるタンデム型素子であるため、駆動電流の低減を図ることができ、耐久性の向上も図ることができる。
【０３６４】
［第四実施形態］
次に、第四実施形態について説明する。
第四実施形態では、上記実施形態の有機ＥＬ素子の製造において用いられる有機ＥＬ素子用材料について説明する。
この有機ＥＬ素子用材料は、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（３）で表される化合物を含むことを特徴とする。なお、この有機ＥＬ素子用材料にその他の材料が含まれることは除外されない。
この有機ＥＬ素子用材料において、前記一般式（１）で表される化合物は、前記一般式（９）で表される化合物であることが好ましい。
また、この有機ＥＬ素子用材料において、前記一般式（１）で表される化合物は、前記一般式（１０）で表される化合物であることが好ましい。
ここで、この有機ＥＬ素子用材料に含まれる第一ホスト材料及び第二ホスト材料の質量百分率の合計が１００質量％となるように、第一ホスト材料については、１０質量％以上９０質量％以下、並びに第二ホスト材料については、１０質量％以上９０質量％以下で設定されることが好ましい。さらに、第一ホスト材料については、４０質量％以上６０質量％以下、並びに第二ホスト材料については、４０質量％以上６０質量％以下で設定されることがより好ましい。
【０３６５】
第四実施形態の有機ＥＬ素子用材料は、第一ホスト材料に当たる前記一般式（１）で表される化合物及び第二ホスト材料に当たる前記一般式（３）で表される化合物を含むため、上記実施形態の有機ＥＬ素子の発光層の形成に用いることが好ましい。なお、この有機ＥＬ素子用材料を発光層以外の有機ＥＬ素子を構成する層に用いることもできる。
この有機ＥＬ用材料が発光層に用いられる場合、前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（３）で表される化合物の他に、燐光発光性ドーパント材料をさらに含んでいても良い。
第四実施形態の有機ＥＬ素子用材料を用いて、有機ＥＬ素子を製造する場合、予め前記一般式（１）で表される化合物及び前記一般式（３）で表される化合物が混合されているので、製造時に質量比を調整しながら混合する必要がないため、製造が容易になる。また、例えば、真空蒸着法にて有機ＥＬ素子用材料を用いて発光層を形成するときに、第一ホスト材料及び第二ホスト材料のそれぞれの蒸着温度が互いに近接する場合、第一ホスト材料用及び第二ホスト材料用にそれぞれ蒸着ボートを用意する必要がないため、製造装置を簡略化できる。
【０３６６】
［実施形態の変形例］
なお、本発明は、上記の説明に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での変更は本発明に含まれる。
第一実施形態、第二実施形態では、陽極に連続して正孔輸送層を形成する構成を示したが、陽極及び正孔輸送層間に正孔注入層をさらに形成してもよい。
このような正孔注入層の材料としては、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物またはスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、特に、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）などの芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また、第一実施形態〜第三実施形態では、陰極に連続して電子輸送層を形成する構成を示したが、陰極及び電子輸送層間に電子注入層をさらに形成してもよい。
そして、第三実施形態では、２つの発光ユニットを形成する構成を示したが、発光ユニットを３つ以上形成してもよい。
【実施例】
【０３６７】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は実施例などの内容に何ら限定されるものではない。【０３６８】
実施例にて使用した化合物を以下に示す。【０３６９】
【化２２１】
2013058343.tif 000224
【０３７０】
【化２２２】
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【０３７１】
【化２２３】
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【０３７２】
【化２２４】
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【０３７３】
【化２２５】
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【０３７４】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
［実施例１］
実施例１に係る有機ＥＬ素子は、以下のようにして作製した。
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック（株）製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、７０ｎｍとした。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、化合物ＨＡ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍのＨＡ−１膜を成膜した。このＨＡ−１膜は、正孔注入層として機能する。
この正孔注入層上に、化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚６５ｎｍのＨＴ−１膜を成膜した。このＨＴ−１膜は、第１の正孔輸送層として機能する。
次いで、この第１の正孔輸送層に、化合物ＨＴ−２を蒸着し、膜厚１０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜した。このＨＴ−２膜は、第２の正孔輸送層として機能する。
この第２の正孔輸送層上に、第一ホスト材料として化合物ＰＨ１１と、第二ホスト材料として化合物ＰＨ２１と、燐光発光性ドーパント材料としてＩｒ（ｐｐｙ）３とを共蒸着した。これにより、緑色発光を示す厚さ２５ｎｍの発光層を形成した。この発光層における第一ホスト材料の濃度を４０質量％とし、第二ホスト材料の濃度を５０質量％とし、燐光発光性ドーパント材料の濃度を１０質量％とした。
次に、この発光層上に化合物ＥＴ−１を蒸着して、膜厚３５ｎｍのＥＴ−１膜を成膜した。このＥＴ−１膜は、電子輸送層として機能する。
さらに、この電子輸送層上に、ＬｉＦをレート１Å／ｍｉｎで蒸着し、厚さ１ｎｍの電子注入性陰極を形成した。
そして、この電子注入性陰極上に、金属Ａｌを蒸着し、厚さ８０ｎｍの陰極を形成した。
このようにして、実施例１の有機ＥＬ素子を作製した。【０３７５】
［実施例２〜５］
実施例２〜５の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子において発光層の第一ホスト材料および第二ホスト材料を表２に示すような材料に変更した以外は、実施例１の有機ＥＬ素子と同様に作製した。【０３７６】
［比較例１］
比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子においてホスト材料として、第二ホスト材料を用いず、表１に示すような第一ホスト材料だけを用いた以外は、実施例１の有機ＥＬ素子と同様に作製した。【０３７７】
【表１】
2013058343.tif 000229
【０３７８】
（有機ＥＬ素子の評価）
作製した有機ＥＬ素子の駆動電圧および外部量子効率ＥＱＥについて評価を行った。各評価項目について、電流密度を１０．００ｍＡ／ｃｍ２として評価を行った。評価結果を表３に示す。
・駆動電圧
電流密度が１０．００ｍＡ／ｃｍ２となるようにＩＴＯとＡｌとの間に通電したときの電圧（単位：Ｖ）を計測した。【０３７９】
・外部量子効率ＥＱＥ
電流密度が１０．００ｍＡ／ｃｍ２となるように素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行なったと仮定し外部量子効率ＥＱＥ（単位：％）を算出した。【０３８０】
【表２】
2013058343.tif 000230
【０３８１】
表２が示すように、本発明の第１ホスト材料および第二ホスト材料を用いた実施例１〜５の有機ＥＬ素子は、比較例１の有機ＥＬ素子に比べて、若干の駆動電圧の上昇があるものの、大きな外部量子効率を示した。このことから、本発明の有機ＥＬ素子によれば、充分な発光効率を得られることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【０３８２】
本発明の有機ＥＬ素子は、ディスプレイや照明装置に利用できる。
【符号の説明】
【０３８３】
１，１Ａ，１Ｂ  有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
２  基板
３  陽極
４  陰極
５  発光層
６  正孔輸送層
７  電子輸送層
【図１】
2013058343.tif 000253
【図２】
2013058343.tif 000254
【図３】
2013058343.tif 000255
【国際調査報告】
2013058343.tif 000256
2013058343.tif 000257
2013058343.tif 000258
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