(57)【要約】【課題】電気絶縁性、耐熱性、溶媒耐性、ドライエッチバック特性を同時に成立させるパッシベーション膜を提供する。【解決手段】下記式（ｉ）：2013118871.tif 000034（式中、Ｔ０はスルホニル基、フルオロアルキレン基、環状アルキレン基、置換基を有するアリーレン基、又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを示す。）の単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に式（２−Ａ）、式（２−Ｂ）、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含むパッシベーション膜形成用組成物。2013118871.tif 000035ポリマーは下記式（１）：2013118871.tif 000036の単位構造を含むことができる。【選択図】  なし
2013118871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（ｉ）：
【化１】
2013118871.tif 000025
（式中、Ｔ０はスルホニル基、フルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に式（２−Ａ）で表される構造、式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含むパッシベーション膜形成用組成物。
【化２】
2013118871.tif 000026
【請求項２】
下記式（１）：
【化３】
2013118871.tif 000027
（式中、Ｌ１は置換基を有していてもよいアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基若しくはスルホンアミド基との組み合わせを表し、Ｔ１はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせ又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基と環状アルキレン基の組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に下記式（２−Ａ）で表される構造、下記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含む、パッシベーション膜形成用組成物。
【化４】
2013118871.tif 000028
【請求項３】
前記アリーレン基がフェニレン基、ナフチレン基又はアントリレン基である、請求項１又は請求項２に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項４】
前記ポリマーが１種類の単位構造を有する単独重合体である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項５】
前記ポリマーが少なくとも２種類の単位構造を有する共重合体である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項６】
Ｌ１が下記式（３）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が下記式（４）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はこれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含む、請求項２乃至請求項５のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【化５】
2013118871.tif 000029
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｌ２はスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基、又はスルホンアミド基を表し、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ０〜４の整数を表す。）
【請求項７】
Ｔ１が下記式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｔ１が下記式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はこれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含む、請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【化６】
2013118871.tif 000030
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｔ２はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基、又はこれらの基の組み合わせを表し、ｎ４、ｎ５及びｎ６はそれぞれ０〜４の整数を表す。）
【請求項８】
前記式（３）において、Ｒ１が少なくともシアノ基を含む基であり、ｎ１が１〜４の整数を表す、請求項６に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項９】
前記式（４）において、Ｌ２がスルホニル基、又はカルボニル基を表す、請求項６に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１０】
更に式（７）：
【化７】
2013118871.tif 000031
（式中Ｌ３は下記式（３）又は式（４）：
【化８】
2013118871.tif 000032
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｌ２はスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基、又はスルホンアミド基を表し、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ０〜４の整数を表す。）を表し、Ｔ３はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーを含む、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１１】
前記アリーレン基がフェニレン基、ナフチレン基、又はアントリレン基である、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１２】
Ｔ３が式（８）：
【化９】
2013118871.tif 000033
（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれら基の組み合わせを表し、ｎ７及びｎ８はそれぞれ０〜４の整数を示す。Ｔ４はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを表す。）で表される基を表す、請求項１０又は請求項１１に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１３】
第３級炭素原子を有する基がターシャリーブチル基である、請求項６乃至請求項１１のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１４】
ポリマーの重量平均分子量が５００乃至５，０００，０００である、請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１５】
更に溶剤を含む、請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物を基板に塗布して焼成して得られるパッシベーション膜。
【請求項１７】
ウェハに形成されたＩＣ回路を保護する膜として用いられる、請求項１６に記載のパッシベーション膜。
【請求項１８】
ウェハ裏面に形成された電極を保護する膜として用いられる、請求項１６に記載のパッシベーション膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁膜に関するものである。さらに詳しくは、ＩＣチップなどの半導体製品や光学系製品などの積層体を形成する工程において、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）技術を用いて形成されたウェハ裏面の電極を保護するパッシベーション膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＩＣカード等の電子機器の高機能化、小型化に伴い、半導体デバイスの高集積化、実装面積の小面積化、配線間距離の縮小による配線抵抗の低減が求められている。その手法として、半導体素子間を縦方向に積み上げるスタック構造が検討されている。
スタック構造の作製方法の一例として、半導体素子が形成されたウェハを薄化し、その後異方性ドライエッチングなどの技術を用いて貫通孔を設け（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ、ＴＳＶ技術）、その貫通孔に銅などの導電材を充填して裏面に電極を形成した後、電極形成したウェハ裏面にパッシベーション膜を形成し、別の半導体素子が形成されたチップあるいはウェハ表面と電気的に接合する工程が挙げられる。【０００３】
上記工程において、ウェハ裏面に形成する絶縁膜は、電流リークや導電材料のマイグレーション防止などの電気絶縁性、パッシベーション膜形成後の電極部を開口するためのフォトリソグラフィ工程における溶媒耐性や良好なドライエッチバック特性、電極接合工程における耐熱性などが同時に求められる。【０００４】
また公知のパッシベーション膜として、ベンゾシクロブテン樹脂やポリイミド、全芳香族ポリエーテルなどが挙げられる。
しかしながら、ベンゾシクロブテン樹脂は、フォトリソグラフィ工程におけるドライエッチバックの際にフッ素系ガスを使用する必要があり、電極やウェハにダメージを与える。また２００℃程度のキュア温度では十分に架橋反応が進行せず、良好な溶媒耐性が得られない。
一方ポリイミドは成膜温度が３００℃以上の高温となることや、キュア時の膜収縮によって生じる残留応力によって薄化したウェハにダメージを与える問題がある。
また全芳香族ポリエーテルは、熱架橋部位がないため溶媒耐性に乏しく、また樹脂の軟化点が低いため、電極接合において樹脂が溶融する問題がある。【０００５】
ガラス基材にシリコーン樹脂を含浸させた無機系絶縁基板上に、３０体積％〜４５体積％のポリエーテルエーテルケトン樹脂粉末と熱硬化性樹脂とを含むアンダーコート膜を形成した厚膜技術用基板が開示されている（特許文献１）。
ポリイミドからなる主鎖を有し末端に炭素と炭素の三重結合を有する官能基を持ったポリマーを含み、プレキシブルプリント配線基板用の接着剤等の被覆物が開示されている（特許文献２）。
フェニル基、尿素、アミド基等と、炭素と炭素の三重結合を有する官能基を含む主鎖を有するポリマーを含む接着剤組成物等の被覆物が開示されている（特許文献３）。
スルホン酸基を有するポリエーテルエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトンを含むポリマーを含む接着剤組成物等の被覆物が開示されている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−０７０８７５号公報
【特許文献２】国際公開第２００６−１３７３６９号パンフレット
【特許文献３】特開２０１０−０６５０９７号公報
【特許文献４】特開２００５−２６４００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、電気絶縁性、耐熱性、溶媒耐性、ドライエッチバック特性を同時に成立させるパッシベーション膜形成用組成物を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は第１観点として、下記式（ｉ）：
【化１】
2013118871.tif 000003
（式中、Ｔ０はスルホニル基、フルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に式（２−Ａ）で表される構造、式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含むパッシベーション膜形成用組成物、
【化２】
2013118871.tif 000004
第２観点として、下記式（１）：
【化３】
2013118871.tif 000005
（式中、Ｌ１は置換基を有していてもよいアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基若しくはスルホンアミド基との組み合わせを表し、Ｔ１はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせ又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基と環状アルキレン基の組み合わせを表す。））で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に下記式（２−Ａ）で表される構造、下記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含む、パッシベーション膜形成用組成物、
【化４】
2013118871.tif 000006
第３観点として、前記アリーレン基がフェニレン基、ナフチレン基又はアントリレン基である、第１観点又は第２観点に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第４観点として、前記ポリマーが１種類の単位構造を有する単独重合体である、第１観点乃至第３観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第５観点として、前記ポリマーが少なくとも２種類の単位構造を有する共重合体である、第１観点乃至第３観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第６観点として、Ｌ１が下記式（３）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が下記式（４）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はこれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含む、第２観点乃至第５観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
【化５】
2013118871.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｌ２はスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基、又はスルホンアミド基を表し、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ０〜４の整数を表す。）
第７観点として、Ｔ１が下記式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｔ１が下記式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はこれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含む、第２観点乃至第６観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
【化６】
2013118871.tif 000008
（式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｔ２はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基、又はこれらの基の組み合わせを表し、ｎ４、ｎ５及びｎ６はそれぞれ０〜４の整数を表す。）
第８観点として、前記式（３）において、Ｒ１が少なくともシアノ基を含む基であり、ｎ１が１〜４の整数を表す、第６観点に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第９観点として、前記式（４）において、Ｌ２がスルホニル基、又はカルボニル基を表す、第６観点に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１０観点として、更に式（７）：
【化７】
2013118871.tif 000009
（式中Ｌ３は下記式（３）又は式（４）：
【化８】
2013118871.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｌ２はスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基、又はスルホンアミド基を表し、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ０〜４の整数を表す。）を表し、Ｔ３はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを表す。）で表される単位構造を含むポリマーを含む、第１観点乃至第９観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１１観点として、前記アリーレン基がフェニレン基、ナフチレン基、又はアントリレン基である、第１観点乃至第１０観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１２観点として、Ｔ３が式（８）：
【化９】
2013118871.tif 000011
（式中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれら基の組み合わせを表し、ｎ７及びｎ８はそれぞれ０〜４の整数を示す。Ｔ４はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを表す。）で表される基を表す、第１０観点又は第１１観点に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１３観点として、第３級炭素原子を有する基がターシャリーブチル基である、第６観点乃至第１１観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１４観点として、ポリマーの重量平均分子量が５００乃至５，０００，０００である、第１観点乃至第１２観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１５観点として、更に溶剤を含む、第１観点乃至第１４観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物、
第１６観点として、第１観点乃至第１５観点のいずれか１項に記載のパッシベーション膜形成用組成物を基板に塗布して焼成して得られるパッシベーション膜、
第１７観点として、ウェハに形成されたＩＣ回路を保護する膜として用いられる、第１６観点に記載のパッシベーション膜、及び
第１８観点として、ウェハ裏面に形成された電極を保護する膜として用いられる、第１６観点に記載のパッシベーション膜である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、上記に記載のポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルアリーレン等のポリエーテル構造を有するポリマーを含む組成物が、パッシベーション膜形成用組成物として適用されることにより、電気絶縁性、耐熱性、溶媒耐性及びドライエッチバック特性に関して満足な性能を達成することが可能な絶縁膜を形成することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物は、上記式（ｉ）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に上記式（２−Ａ）で表される構造、上記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含む。
本発明のパッシベーション膜形成用組成物は、上記式（ｉ）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に上記式（２−Ａ）で表される構造、上記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーと溶剤とを含み、さらに任意成分として付加的樹脂、安定剤、着色剤、界面活性剤等を含有することができる。
【００１１】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物は、上記式（１）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に上記式（２−Ａ）で表される構造、上記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーを含む。
上記パッシベーション膜形成用組成物は、上記式（１）で表される単位構造を含むポリマーであって、該ポリマーの末端、側鎖、又は主鎖に上記式（２−Ａ）で表される構造、上記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基を少なくとも一つ有するポリマーと溶剤とを含み、さらに任意成分として付加的樹脂、安定剤、着色剤、界面活性剤等を含有することができる。
【００１２】
本発明に用いられるポリマーは、後述するように、ポリマー中（末端或いは側鎖）に含まれるヒドロキシ基とアミノ基が上記式（２−Ａ）で表される構造、上記式（２−Ｂ）で表される構造、又はそれら両方の構造を有する基からなる多重結合含有有機基に変換されたものであり、その変換率が１００％となるポリマーを用いることができるが、電気物性や溶剤への溶解性や密着性等を考慮して、その変換率は例えば３０〜９９％、６０〜９９％、又は７０〜９５％の範囲で用いることが可能である。
【００１３】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物の固形分は、０．１〜８０質量％、好ましくは１〜６０質量％である。固形分は該パッシベーション膜形成用組成物から溶剤を取り除いた残部の割合で示される。固形分中に占める上記式（１）で表される単位構造を含むポリマーの割合は３０〜１００質量％、好ましくは５０〜１００質量％とすることが可能である。
【００１４】
本発明に用いられるポリマーは熱硬化性樹脂であることが好ましい。
【００１５】
上記式（２−Ａ）で表される構造は炭素と炭素の三重結合であり、また上記式（２−Ｂ）で表される構造は炭素と炭素の二重結合である。これらは、ポリマーの末端や側鎖においては下記構造
【化１０】
2013118871.tif 000012
にて存在し、ポリマーの主鎖中では上記式（２−Ａ）で表される構造、又は上記式（２−Ｂ）で表される構造で存在する。
この炭素と炭素の三重結合は加熱（例えば、４００℃以上）により二量化又は三量化反応が進行し、連続した不飽和結合（例えばジエン構造）や芳香族環構造を形成することによって、ポリマー分子同士が架橋すると考えられる。
また、炭素と炭素の二重結合もやはり加熱により二量化反応が進行し、環化による架橋構造の形成にいたると考えられる。
【００１６】
本発明に用いられる上記ポリマーの分子量は重量平均分子量として、５００〜５，０００，０００、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、好ましくは１，０００〜１００，０００である。
【００１７】
前記式（ｉ）中、Ｔ０はスルホニル基、フルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか、又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを表す。
前記式（１）中、Ｌ１は置換基を有していてもよいアリーレン基を表すか、又は置換基を有していてもよいアリーレン基とスルホニル基若しくはカルボニル基との組み合わせを表し、Ｔ１はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基若しくは置換基を有するアリーレン基を表すか、又は置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせを表す。
【００１８】
置換基を有するアリーレン基としては、後述する置換基を有するアリーレン基が挙げられる。
置換基を有していてもよいアリーレン基とフルオロアルキレン基若しくは環状アルキレン基との組み合わせとは、置換又は非置換のアリーレン基とフルオロアルキレン基の組み合わせ、又は置換又は非置換のアリーレン基と環状アルキレン基との組み合わせを示す。
アリーレン基としては、フェニレン基、ナフチル基、又はアントリル基等が挙げられるが、フェニレン基又はナフチル基を好ましく用いることができる。
上記フロオロアルキレン基としては炭素原子数１〜１０のフルオロアルキレン基が挙げられ、これらのフルオロアルキレン基は、完全フッ素化（パーフルオロ化）された基や、一部フッ素化（モノフルオロ化、ジフルオロ化等）されたアルキレン基を用いることができる。その具体例としては、例えばフルオロメチレン基、フルオロエチレン基、フルオロ−ｎ−プロピレン基、フルオロイソプロピレン基、フルオロプロパン−２，２−ジイル基、フルオロ−ｎ−ブチレン基、フルオロイソブチレン基、フルオロ−ｓ−ブチレン基、フルオロ−ｔ−ブチレン基等が挙げられる。中でもパーフルオロプロパン−２，２−ジイル基等の炭素原子数１〜４のフルオロアルキレン基が挙げられる。
環状アルキレン基としては、炭素原子数が３〜３０の環状アルキレン基が挙げられ、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基、１−メチル−シクロペンチレン基、２−メチル−シクロペンチレン基、３−メチル−シクロペンチレン基、１−エチル−シクロブチレン基、２−エチル−シクロブチレン基、３−エチル−シクロブチレン基、１，２−ジメチル−シクロブチレン基、１，３−ジメチル−シクロブチレン基、２，２−ジメチル−シクロブチレン基、２，３−ジメチル−シクロブチレン基、２，４−ジメチル−シクロブチレン基、３，３−ジメチル−シクロブチレン基、１−ｎ−プロピル−シクロプロピレン基、２−ｎ−プロピル−シクロプロピレン基、１−ｉ−プロピル−シクロプロピレン基、２−ｉ−プロピル−シクロプロピレン基、１，２，２−トリメチル−シクロプロピレン基、１，２，３−トリメチル−シクロプロピレン基、２，２，３−トリメチル−シクロプロピレン基、１−エチル−２−メチル−シクロプロピレン基、２−エチル−１−メチル−シクロプロピレン基、２−エチル−２−メチル−シクロプロピレン基及び２−エチル−３−メチル−シクロプロピレ基等が挙げられる。また、アダマンタン、ノルボルネンから誘導される２価の有機基を用いることができる。
【００１９】
本発明に用いられる前記式（１）で表される単位構造を含むポリマーにおいて、Ｌ１、Ｔ１は上述に定義したこれらの官能基を一種単独で用いることも、複数種を組み合わせて用いることもできる。
【００２０】
本発明に用いられる上記ポリマーは繰り返し単位構造が１種類からなる単独重合体として用いることも、繰り返し単位構造が２種類又はそれ以上である共重合体として用いることができる。
【００２１】
本発明では、Ｌ１が上記式（３）及び／又は式（４）で表される基である、上記式（１）の単位構造を含むポリマーを含むことができる。
即ち、Ｌ１が上記式（３）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が上記式（４）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを、本発明のパッシベーション膜形成組成物に含むことができる。
【００２２】
式（３）、（４）中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、Ｌ２はスルホニル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフィニル基、又はスルホンアミド基を表し、ｎ１、ｎ２、ｎ３はそれぞれ０〜４の整数を表す。
【００２３】
前記炭素原子数１〜１０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、１−メチル−ｎ−ブチル基、２−メチル−ｎ−ブチル基、３−メチル−ｎ−ブチル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−ｎ−プロピル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチル−ｎ−ペンチル基、２−メチル−ｎ−ペンチル基、３−メチル−ｎ−ペンチル基、４−メチル−ｎ−ペンチル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチル基、１−エチル−ｎ−ブチル基、２−エチル−ｎ−ブチル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１，２，２−トリメチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル基、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル基等が挙げられる。
【００２４】
前記炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基としては、完全フッ素化（パーフルオロ化）された基や、一部フッ素化（モノフルオロ化、ジフルオロ化等）されたアルキル基を用いることができる。その具体例としては、例えばフルオロメチル基、フルオロエチル基、フルオロ−ｎ−プロピル基、フルオロイソプロピル基、フルオロ−ｎ−ブチル基、フルオロイソブチル基、フルオロ−ｓ−ブチル基、フルオロ−ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００２５】
前記アシル基としては炭素原子数２〜１０のアシル基が挙げられ、例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、ｉ−プロピルカルボニル基、シクロプロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｉ−ブチルカルボニル基、ｓ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、シクロブチルカルボニル基、１−メチル−シクロプロピルカルボニル基、２−メチル−シクロプロピルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニル基、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニル基、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニル基、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、１−メチル−シクロブチルカルボニル基、２−メチル−シクロブチルカルボニル基、３−メチル−シクロブチルカルボニル基、１，２−ジメチル−シクロプロピルカルボニル基、２，３−ジメチル−シクロプロピルカルボニル基、１−エチル−シクロプロピルカルボニル基、２−エチル−シクロプロピルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニル基、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニル基、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニル基、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニル基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニル基、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニル基、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニル基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニル基等が挙げられる。
【００２６】
前記アシルオキシ基としては、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基が挙げられ、例えば、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｉ−プロピルカルボニルオキシ基、シクロプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｉ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔ−ブチルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、１−メチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、２−メチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、１−メチル−シクロブチルカルボニルオキシ基、２−メチル−シクロブチルカルボニルオキシ基、３−メチル−シクロブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、１−エチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、２−エチル−シクロプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、１，１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、３，３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００２７】
本発明において第３級炭素原子を有する基は、第３級炭素原子を有する官能基である。この官能基が炭素原子の水素原子に置換して第４級炭素を生じる。この第３級炭素原子の炭素に結合している有機基は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基や、フェニル基等のアリール基が例示されるが、メチル基が好ましく用いられ、３つのメチル基を有するターシャリーブチル基を好ましく用いることができる。
【００２８】
環状アルキル基としては、炭素原子数が３〜３０の環状アルキル基が挙げられ、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、１−メチル−シクロペンチル基、２−メチル−シクロペンチル基、３−メチル−シクロペンチル基、１−エチル−シクロブチル基、２−エチル−シクロブチル基、３−エチル−シクロブチル基、１，２−ジメチル−シクロブチル基、１，３−ジメチル−シクロブチル基、２，２−ジメチル−シクロブチル基、２，３−ジメチル−シクロブチル基、２，４−ジメチル−シクロブチル基、３，３−ジメチル−シクロブチル基、１−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｎ−プロピル−シクロプロピル基、１−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、２−ｉ−プロピル−シクロプロピル基、１，２，２−トリメチル−シクロプロピル基、１，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、２，２，３−トリメチル−シクロプロピル基、１−エチル−２−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−１−メチル−シクロプロピル基、２−エチル−２−メチル−シクロプロピル基及び２−エチル−３−メチル−シクロプロピル基等が挙げられる。また、アダマンタン、ノルボルネンから誘導される１価の有機基を用いることができる。
【００２９】
なお上記置換基としては、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基が挙げられ、これらの基の具体例は上述したものが挙げられる。
【００３０】
式（３）において、Ｒ１が少なくともシアノ基を含み、ｎ１が１〜４の整数である構造を用いることができる。
式（４）において、Ｌ２がスルホニル基又はカルボニル基である構造を用いることができる。
【００３１】
本発明に用いるポリマーは、上記Ｌ１の選択とは別に、又は上記Ｌ１の選択と共に、Ｔ１が上記式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｔ１が上記式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はそれらの単位構造の組み合わせを含むポリマーを含むことができる。
即ち、Ｌ１が式（３）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が式（４）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｔ１が式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｔ１が式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が式（３）で表される基でありＴ１が式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が式（３）で表される基でありＴ１が式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が式（４）で表される基でありＴ１が式（５）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、Ｌ１が式（４）で表される基でありＴ１が式（６）で表される基である上記式（１）で表される単位構造、又はこれらの組み合わせを含むポリマーを用いることができる。
【００３２】
式（５）、（６）中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせを表し、ｎ４、ｎ５及びｎ６はそれぞれ０〜４の整数を表す。Ｔ２はフルオロアルキレン基、環状アルキレン基、又はこれらの基の組み合わせを表す。
【００３３】
炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、アシル基、アシルオキシ基、第３級炭素原子を有する基、及び環状アルキル基は上述の例示を用いることができる。
またフルオロアルキレン基及び環状アルキレン基は上述の例示を用いることができ、これらを単独で用いることも、組み合わせて用いることもできる。
【００３４】
本発明は式（１）で表される単位構造に加え、更に上記式（７）で表される単位構造を含む共重合体を用いることができる。
【００３５】
式（７）中、Ｌ３は上記式（３）又は式（４）で表される基を表し、Ｔ３はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを示す。これらのアリーレン基、アルキレン基は上述の例示を用いることができる。
式（７）においてアリーレン基は、置換若しくは非置換のフェニレン基又はナフチレン基を用いることができる。式（７）において、上記アルキレン基としては炭素原子数１〜１０のアルキレン基が挙げられ、これらのアルキレン基は例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、プロパン−２，２−ジイル基、ブチレン基、イソブチレン基、ブチレン基、ブチレン基等が挙げられる。中でもプロパン−２，２−ジイル基等の炭素原子数１〜４のアルキレン基が挙げられる。
【００３６】
式（７）においてＴ３は式（８）で表される基を用いることができる。式（８）中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、ヒドロキシ基、アリル基、アリロキシ基、アミノ基、シアノ基、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、カルボキシル基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、又はこれらの基の組み合わせであり、ｎ７及びｎ８はそれぞれ０〜４の整数を示す。Ｔ４はアルキレン基、スルホニル基、カルボニル基、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリーレン基、又はこれらの基の組み合わせを示す。上記アルキル基、炭素原子数１〜４のフルオロアルキル基、アシル基、アシルオキシ基、第３級炭素原子を有する基、環状アルキル基、アルキレン基、及びアリーレン基は上述の例示を用いることができる。
【００３７】
本発明に用いられるポリマーに含まれる単位構造は以下に示す式（１−１）〜（１−４５）で表される単位構造を例示することができる。
【化１１】
2013118871.tif 000013
【化１２】
2013118871.tif 000014
【化１３】
2013118871.tif 000015
【化１４】
2013118871.tif 000016
【化１５】
2013118871.tif 000017
【化１６】
2013118871.tif 000018
【化１７】
2013118871.tif 000019
【化１８】
2013118871.tif 000020
【化１９】
2013118871.tif 000021
【化２０】
2013118871.tif 000022
【化２１】
2013118871.tif 000023
【００３８】
上記式（ｉ）や上記式（１）で表される単位構造を含むポリマーの合成では、その工程中において、末端にヒドロキシ基を導入するか、また側鎖にヒドロキシ基を有する官能基を導入することができる。
そして、このヒドロキシ基とモノハロゲン化アルキン（例えば、ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。）や、モノハロゲン化アルケン（例えば、ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。）等を反応させることにより、脱ハロゲン化水素反応により末端や側鎖に炭素−炭素の三重結合（アルキン）や、炭素−炭素の二重結合（アルケン）が形成される。
また、末端や側鎖にヒドロキシ基を有するポリマーと、ジハロゲン化アルキン（例えば、ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。）や、ジハロゲン化アルケン（例えば、ハロゲンはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。）等を反応させることにより、脱ハロゲン化水素反応により分子主鎖中に炭素−炭素の三重結合（アルキン）や、炭素−炭素の二重結合（アルケン）が形成されることとなる。
そして、ポリマー中（末端あるいは側鎖）にアミノ基を含有する場合には、やはり同様の反応により上記多重結合が形成される。
【００３９】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物は、スピン塗布するために有機溶剤に溶解させて塗布液の形態とすることができる。ポリマーが有機溶剤に溶解し、溶液粘度が０．００１〜５，０００Ｐａ・ｓの粘度を示す範囲でスピンコート性を示す塗布液とすることができる。
上記有機溶剤としては、その他半導体工程で使用できる溶媒であれば特に限定はないが、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサン等の環式エーテル類；及び乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。
【００４０】
本実施の形態に係るパッシベーション膜形成用組成物には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲で、さらに、混和性のある添加剤、例えば塗布性能の改良するための界面活性剤や、付加的樹脂、安定剤、着色剤などの慣用されている添加剤を添加することができる。
【００４１】
界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類；ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類；ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類；ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤；エフトップ（登録商標）ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（（株）ジェムコ製）、メガファック（登録商標）Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ３０（ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード（登録商標）ＡＧ７１０、サーフロン（登録商標）Ｓ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤；及びオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、二種以上の組合せで添加することもできる。配合量は全固形分中で例えば０．０１質量％乃至１０質量％である。
【００４２】
付加的樹脂（ポリマー）としては、ポリエステル、ポリスチレン、ポリイミド、アクリルポリマー、メタクリルポリマー、ポリビニルエーテル、フェノールノボラック、ナフトールノボラック、ポリエーテル、ポリアミド、及びポリカーボネート等の付加重合ポリマーまたは縮重合ポリマーを使用することができる。中でもベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリアジン環、キノリン環、及びキノキサリン環等の芳香環構造を有するポリマーが好ましく使用される。
そのような付加的樹脂（ポリマー）としては、例えば、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、スチレン、ヒドロキシスチレン、ベンジルビニルエーテル、及びＮ−フェニルマレイミド等の付加重合性モノマーをその構造単位として含む付加重合ポリマーや、フェノールノボラック、及びナフトールノボラック等の縮重合ポリマーが挙げられる。
【００４３】
また、付加的樹脂（ポリマー）としては芳香環構造を有さないポリマーを使用することができる。そのようなポリマーとしては、例えば、アルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、ビニルエーテル、アルキルビニルエーテル、アクリロニトリル、マレイミド、Ｎ−アルキルマレイミド、及びマレイン酸無水物等の芳香環構造を有さない付加重合性モノマーのみをその構造単位として含む付加重合ポリマーが挙げられる。
【００４４】
付加的樹脂（ポリマー）として付加重合ポリマーが使用される場合、そのポリマーは単独重合体でもよく共重合体であってもよい。付加重合ポリマーの製造には付加重合性モノマーが使用される。そのような付加重合性モノマーとしてはアクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル化合物、メタクリル酸エステル化合物、アクリルアミド化合物、メタクリルアミド化合物、ビニル化合物、スチレン化合物、マレイミド化合物、マレイン酸無水物、及びアクリロニトリル等が挙げられる。
【００４５】
アクリル酸エステル化合物としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ノルマルヘキシルアクリレート、イソプロピルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ベンジルアクリレート、フェニルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，２−トリクロロエチルアクリレート、２−ブロモエチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート、５−アクリロイルオキシ−６−ヒドロキシノルボルネン−２−カルボキシリック−６−ラクトン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、及びグリシジルアクリレート等が挙げられる。
【００４６】
メタクリル酸エステル化合物としては、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ノルマルヘキシルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート、２，２，２−トリクロロエチルメタクリレート、２−ブロモエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート、５−メタクリロイルオキシ−６−ヒドロキシノルボルネン−２−カルボキシリック−６−ラクトン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルメタクリレート、２−フェニルエチルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、及びブロモフェニルメタクリレート等が挙げられる。
【００４７】
アクリルアミド化合物としては、アクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリルアミド、Ｎ−ベンジルアクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、及びＮ−アントリルアクリルアミド等が挙げられる。
【００４８】
メタクリルアミド化合物、メタクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−エチルメタクリルアミド、Ｎ−ベンジルメタクリルアミド、Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、及びＮ−アントリルアクリルアミド等が挙げられる。
【００４９】
ビニル化合物としては、ビニルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、ビニル酢酸、ビニルトリメトキシシラン、２−クロロエチルビニルエーテル、２−メトキシエチルビニルエーテル、ビニルナフタレン、及びビニルアントラセン等が挙げられる。
【００５０】
スチレン化合物としては、スチレン、ヒドロキシスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、メトキシスチレン、シアノスチレン、及びアセチルスチレン等が挙げられる。
【００５１】
マレイミド化合物としては、マレイミド、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、及びＮ−ヒドロキシエチルマレイミド等が挙げられる。
【００５２】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物に付加的樹脂（ポリマー）が使用される場合、該付加的樹脂の分子量としては、重量平均分子量として、例えば、１，０００〜１，０００，０００であり、または３，０００〜３００，０００であり、また、例えば５，０００〜２００，０００であり、または１０，０００〜１００，０００である。
発明のパッシベーション膜形成用組成物に付加的樹脂（ポリマー）が含まれる場合、その含有量としては、固形分中で例えば０〜４０質量％であり、または０〜２０質量％であり、または１〜１９質量％である。
【００５３】
本発明では、基板上にパッシベーション膜形成用組成物をスピンコーター等の装置でスピンコートで塗布したパッシベーション膜の厚さを、好ましくは０．１μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。この厚さが薄すぎると表面の凹凸を追従できず膜にボイドが入る可能性があり、厚すぎると接着層にクラックが生じる可能性がある。よって好ましくは１μｍ〜５０μｍである。
【００５４】
また、基板塗布後に１００〜３５０℃、１００〜３００℃、又は１００〜２５０℃程度の温度で０．５分〜１８０分、０．５分〜４０分、又は０．５分〜５分程度の焼成を行うことができる。
【００５５】
こうして得られたパッシベーション膜も本発明の対象である。
本発明のパッシベーション膜は、ウェハに形成されたＩＣ回路を保護する膜として、或いはウェハ裏面に形成された電極を保護する膜として、好適に使用される。
【００５６】
以下、本発明を実施例、比較例により更に具体的に説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。
【実施例】
【００５７】
以下に記載する合成例で得られた高分子化合物のＧＰＣ分析は、下記の装置を用い、測定条件は下記のとおりである。
装置：一体型高速ＧＰＣシステム  ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ  東ソー株式会社製
カラム：ＫＦ−Ｇ，ＫＦ８０４Ｌ
カラム温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
流量：１．０ｍＬ／分
標準試料：ポリスチレン
ディテクター：ＲＩ【００５８】
合成例１
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン９．２７ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン９．１６ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン８．６６ｇを１−メチル−２−ピロリジノン８１．２７ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン３９．７３ｇに溶解させたプロパルギルブロミド５０．５６ｇおよび炭酸カリウム２０．７３ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１６）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１４，７００であり、末端フェノール基およびアミノ基の三重結合含有有機基への反応率は８６％であった。【００５９】
合成例２
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジクロロジフェニルスルホン５４．５６ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン６７．２５ｇを１−メチル−２−ピロリドン７５３．４６ｇに溶解させ、炭酸カリウム２８．８８ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１９，０００であった。【００６０】
合成例３
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン４０．３７ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン６９．１１ｇを１−メチル−２−ピロリドン５５８．５６ｇに溶解させ、炭酸カリウム７６．７１ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−２）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１５，０００であった。【００６１】
合成例４
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン２５．８３ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン５０．４３ｇ、２，２’−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジヒドロキシメチルフェニル）プロパン２．７５ｇを１−メチル−２−ピロリドン５０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム２１．８２ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−３）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２２，０００であった。【００６２】
合成例５
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジクロロジフェニルスルホン４３．０７ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン５０．４３ｇ、２，２’−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジヒドロキシメチルフェニル）プロパン２．７５ｇを１−メチル−２−ピロリドン５９０．４０ｇに溶解させ、炭酸カリウム２１．８２ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２６，０００であった。【００６３】
合成例６
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，４−フルオロベンゾニトリル１０．４３ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２６．５４ｇを１−メチル−２−ピロリドン２０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム３１．１０ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−５）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は７，０００であった。【００６４】
合成例７
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，５−フルオロベンゾニトリル１０．７６ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２６．５４ｇを１−メチル−２−ピロリドン２０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム３１．１０ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−６）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１２，０００であった。【００６５】
合成例８
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，６−フルオロベンゾニトリル１０．７６ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２６．５４ｇを１−メチル−２−ピロリドン２０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム３１．１０ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−７）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１１０００であった。【００６６】
合成例９
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジクロロジフェニルスルホン２５．８４ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン２６．５４ｇを１−メチル−２−ピロリドン２０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム３１．１０ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、炭酸カリウム１２．４４ｇとプロパルギルブロミド２２．５４ｇを加え、８０℃で20時間反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−８）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４０，０００であった。【００６７】
合成例１０
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，４’−ジクロロベンゾトリフルオリド１０．２１ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン９．１６ｇ、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン８．４１ｇを１−メチル−２−ピロリジノン２０４．２２ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、系内を窒素置換した。１９０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、プロパルギルブロミド１４．１４ｇを加え、８０℃で２０時間反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１４）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は４０，０００であった。【００６８】
合成例１１
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコにビス（４−フルオロフェニル）スルホン１０．８１ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン９．１６ｇ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン６．７１ｇを１−メチル−２−ピロリジノン８０．０１ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン４３．３１ｇに溶解させたアリルブロミド６６．５４ｇ及び炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−３６）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１３，４００であり、末端フェノール基およびアミノ基の反応率は８８％であった。【００６９】
合成例１２
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン３７．０９ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３６．６３ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン３４．６５ｇを１−メチル−２−ピロリジノン３２５．１０ｇに溶解させ、炭酸カリウム８２．９３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン１５６．７６ｇに溶解させたアリルブロミド１９３．５７ｇおよび炭酸カリウム１３８．２１ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−３７）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１３，９００であり、末端フェノール基およびアミノ基の反応率は８８％であった。【００７０】
合成例１３
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン９．２７ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン９．１６ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン８．６６ｇを１−メチル−２−ピロリジノン８１．２７ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン３９．７３ｇに溶解させたプロパルギルブロミド１２．６４ｇおよび炭酸カリウム２０．７３ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１６）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１４，７００であり、末端フェノール基およびアミノ基の反応率は５２％であった。【００７１】
合成例１４
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，４−ジフルオロベンゾニトリル６．６１ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン９．１６ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン８．６６ｇを１−メチル−２−ピロリジノン７３．２８ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．７３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン２７．９６ｇに溶解させたプロパルギルブロミド１４．１３ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１７）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１２，７００であり、末端フェノール基およびアミノ基の反応率は５０％であった。【００７２】
合成例１５
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，６−ジフルオロベンゾニトリル２０．８６ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン５４．９１ｇ、２，２’−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジヒドロキシメチルフェニル）プロパン１．１６ｇを１−メチル−２−ピロリドン４８９．５０ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．９３ｇを加え、系内を窒素置換した。
１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとプロパルギルブロミド１．６９ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−１８）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１８，０００であった。【００７３】
合成例１６
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン２９．０５ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン５０．４３ｇ、２，２’−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジヒドロキシメチルフェニル）プロパン１．０６ｇを１−メチル−２−ピロリドン５１９．１３ｇに溶解させ、炭酸カリウム２１．８２ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、炭酸カリウム２．１６ｇとアリルブロミド１．９７ｇを加え、リフラックス条件で２０時間反応させた。得られた反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られた溶液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４０）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２７，０００であった。【００７４】
合成例１７
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに２，６−ジフルオロベンゾニトリル２０．４４ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン５０．４４ｇ、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１．１２ｇを１−メチル−２−ピロリドン５２８．５０ｇに溶解させ、炭酸カリウム６３．４３ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン５３．５３ｇに溶解させたプロパルギルブロミド１７．８４ｇ、ヨウ化カリウムを６．０２ｇおよび炭酸カリウム２２．８０ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−２０）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２３，０００であった。【００７５】
合成例１８
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン２０．６７ｇと２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３３．６２ｇ、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１．９２ｇを１−メチル−２−ピロリドン３６１．１２ｇに溶解させ、炭酸カリウム２０．６７ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。
反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に１Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリドン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
テトラヒドロフラン１００ｇに得られた粉体１０ｇを溶解させた後、トリエチルアミン０．４５ｇを加え、０℃に冷却し、テトラヒドロフラン１０ｇに溶かしたアクリル酸クロリド０．３６ｇを１０分間かけて滴下した。その後、自然昇温させ、２０時間反応させた。得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４２）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量はＮＤであった。【００７６】
合成例１９
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン７４．１９ｇと２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン７３．２５ｇ、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン５０．０５ｇを１−メチル−２−ピロリジノン５９２．４８ｇに溶解させ、炭酸カリウム１６５．８５ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン２２３．６７ｇに溶解させたプロパルギルブロミド１０４．６８ｇおよび炭酸カリウム１６５．８５ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４３）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１６，０００であり、末端フェノール基およびアミノ基の三重結合含有有機基への反応率は７９％であった。【００７７】
合成例２０
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン１８．５５ｇと３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン１４．０２ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン１７．３２ｇを１−メチル−２−ピロリジノン１４９．６７ｇに溶解させ、炭酸カリウム４１．４６ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン５６．４３ｇに溶解させたプロパルギルブロミド２６．１７ｇおよび炭酸カリウム４１．４６ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４４）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は６，６００であり、末端フェノール基およびアミノ基の三重結合含有有機基への反応率は５２％であった。【００７８】
合成例２１
撹拌機、温度計、ジムロート冷却管を備えた三口フラスコに４，４’−ジフルオロベンゾフェノン１８．５５ｇと１，３−ビス（４−アミノ―３−ヒドキシフェノキシ）ベンゼン１６．２２ｇ、１，３−ビス［２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン１７．３２ｇを１−メチル−２−ピロリジノン１４９．６７ｇに溶解させ、炭酸カリウム４１．４６ｇを加え、系内を窒素置換した。１６０℃のオイルバスで２０時間反応させた。反応終了後、系内の温度が８０℃になるまで冷却し、１−メチル−２−ピロリジノン５６．４３ｇに溶解させたプロパルギルブロミド２６．１７ｇおよび炭酸カリウム４１．４６ｇを加えて、８０℃で２０時間撹拌し、ポリマー末端のフェノール基およびアミノ基に反応させた。
反応終了後、反応溶液を桐山ロートで吸引濾過し、得られたろ液に２Ｎ−塩酸：１−メチル−２−ピロリジノン＝１：９の溶液を酸性になるまで加え、リトマス試験紙を用いて溶液が酸性条件であることを確認した。その後、得られた溶液を水：メタノール＝１：９の混合液に滴下し、再沈殿した。滴下後、ブフナーロートで吸引濾過し、メタノール３回、水２回、メタノール３回の順で洗浄し、得られた粉体を減圧乾燥機で１２時間乾燥させた。
得られた高分子化合物（式（１−４５）で表される化合物に相当）のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２８，０００であり、末端フェノール基およびアミノ基の三重結合含有有機基への反応率は８４％であった。【００７９】
＜パッシベーション膜形成用組成物の調製＞
実施例１
上記合成例１で得た高分子化合物５０ｇをシクロへキサノン９３ｇに溶解させ、その後、孔径１．０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、固形分として３５質量％含有するパッシベーション膜形成用組成物を調製した。【００８０】
実施例２
上記合成例１９で得た高分子化合物５０ｇをシクロへキサノン９３ｇに溶解させ、その後、孔径１．０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、固形分として３５質量％含有するパッシベーション膜形成用組成物を調製した。【００８１】
実施例３
上記合成例２０で得た高分子化合物５０ｇをシクロへキサノン９３ｇに溶解させ、その後、孔径１．０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、固形分として３５質量％含有するパッシベーション膜形成用組成物を調製した。【００８２】
実施例４
上記合成例２１で得た高分子化合物５０ｇをシクロへキサノン９３ｇに溶解させ、その後、孔径１．０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、固形分として３５質量％含有するパッシベーション膜形成用組成物を調製した。【００８３】
比較例１
ベンゾシクロブテン樹脂溶液である、ＣＹＣＬＯＴＥＮＥ３０２２−３５（ダウケミカル社製）をパッシベーション膜形成用組成物として準備した。【００８４】
比較例２
ポリイミド前駆体溶液である、ポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）アミック酸溶液（Ｐｙｒｅ−ＭＬ  ＲＣ−５０１９  固形分として１６質量％含有する１−メチル−２−ピロリドン溶液、シグマアルドリッチジャパン（株）））５０ｇをパッシベーション膜形成用組成物として準備した。【００８５】
比較例３
ポリスルホン（シグマアルドリッチジャパン（株））５０ｇを１−メチル−２−ピロリドン２００ｇに溶解させ、その後、孔径１．０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、固形分として２５質量％含有する芳香族ポリエーテルであるポリスルホンの溶液をパッシベーション膜形成用組成物として調製した。【００８６】
＜パッシベーション膜の評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物から得られるパッシベーション膜についてそれぞれ、溶剤耐性、耐熱性、密着力、ドライエッチング、電気特性を評価した。【００８７】
＜溶剤耐性＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物をそれぞれシリコンウェハ上にスピンコーターを用いて塗布し、２００℃で３０分間キュアを行い、パッシベーション膜を形成した。この形成した膜の溶媒耐性を、１−メチル−２−ピロリドンに２３℃で１分間浸漬した後の残膜率から評価した。【００８８】
＜耐熱性評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物をそれぞれシリコンウェハ上にスピンコーターを用いて塗布し、２００℃で３０分間キュアを行い、パッシベーション膜を形成した。この形成した膜の耐熱性を、ＴＧ−ＤＴＡ（ブルカーエイエックスエス株式会社製、ＴＧ／ＤＴＡ２０１０ＳＲ）にて１０℃／分で昇温し、３質量％の減量を生ずる温度から評価した。また、このウェハを２６０℃に加熱したホットプレート上に置き、ピンセットを接触させて膜のタック性の有無を評価した。【００８９】
＜密着性評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物をそれぞれ塗布条件１５００ｒｐｍ、３０秒間でシリコンウェハ上にスピンコーターを用いて塗布し、２００℃で３０分間キュアを行い、パッシベーション膜を形成した。この形成した膜について碁盤目試験（ＪＩＳ  Ｋ５４００）を実施し、ウェハに残ったマス数から密着性を評価した。【００９０】
＜Ｏ２ドライエッチング性評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物をそれぞれシリコンウェハ上にスピンコーターを用いて塗布し、２００℃で３０分間キュアを行い、パッシベーション膜を形成した。この形成した膜のエッチング性について、反応性イオンエッチング装置（サムコ（株）製、ＲＩＥ−１０ＮＲ）にて酸素流量５０ｓｃｃｍ、圧力１２Ｐａ、ＲＦ出力２５０Ｗの条件下で、２分間エッチングを行い、１分間当たりに減少した膜厚量から評価した。【００９１】
＜電気特性評価＞
実施例１〜４及び比較例１〜３で得られたパッシベーション膜形成用組成物をシリコンウェハ上にスピンコーターを用いてパッシベーション膜を形成した際に膜厚が1μｍとなるよう、溶剤を加えて希釈溶液を作製した。作製した希釈溶液をシリコンウェハにスピンコーターを用いて塗布し、２００℃で３０分間キュアしてパッシベーション膜を形成した。この膜の電気特性について、水銀プローバ（Ｆｏｕｒ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ社製、ＣＶｍａｐ９２−Ｂ）による２ＭＶ／ｃｍの電圧をかけた際のリーク電流値及び誘電率（比誘電率に換算）を測定した。【００９２】
実施例１〜４及び比較例１〜３の評価結果を表１に示す。
【表１】
2013118871.tif 000024
【００９３】
表１に示すように、本発明から得られたパッシベーション膜は、溶媒耐性、耐熱性、密着性、Ｏ２ドライエッチング性、電気特性のいずれにおいても良好な値を示すことが確認できた。
また合成例２〜合成例１８で得られたポリマーを用いたパッシベーション膜形成用組成物から得られたパッシベーション膜も、実施例１〜４と同様な結果が得られた。【００９４】
一方、比較例１のベンゾシクロブテン樹脂では、２００℃３０分間という低温で且つ短時間のキュアでは十分な溶媒耐性を得ることができず、更にＯ２ドライエッチング性も低かった。
比較例２のポリイミド樹脂はイミド化が十分進行しないため、吸湿やイミド化の進行に伴う脱水による熱重量減が顕著であり、電気特性も極めて悪かった。更に熱収縮による高い内部応力によってウェハとの密着性が得られなかった。
比較例３の芳香族ポリエーテルは熱架橋基がないため、溶媒耐性が全く得られず、更に２６０℃において膜が溶融してしまった。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明のパッシベーション膜形成用組成物から得られるパッシベーション膜は、優れた溶媒耐性、耐熱性、密着性、Ｏ２ドライエッチング性、電気特性等の特性を利用して、ウェハに形成されたＩＣ回路を保護する膜、ウェハ裏面に形成された電極を保護する膜などに用いることができる。
【国際調査報告】
2013118871.tif 000037
2013118871.tif 000038
2013118871.tif 000039
2013118871.tif 000040