(57)【要約】  本発明は、下記一般式（１）で示されるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体に関する。2013141182.tif 000070（式中、Ｒは、少なくとも１つのフッ素原子を含む基（但し、フッ素原子（Ｆ）、およびトリフルオロメチル基（−ＣＦ３）を除く。）を示し、ｍは１〜１０の整数を示す。）
2013141182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【化１】
2013141182.tif 000065
（式中、Ｒは、少なくとも１つのフッ素原子を含む基（但し、フッ素原子（Ｆ）、およびトリフルオロメチル基（−ＣＦ３）を除く。）を示し、ｍは１〜１０の整数を示す。）
【請求項２】
Ｒが、下記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする請求項１に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【化２】
2013141182.tif 000066
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。）
【請求項３】
Ｒが、下記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする請求項２に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【化３】
2013141182.tif 000067
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。但し、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項４】
Ｒが、下記一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする請求項３に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【化４】
2013141182.tif 000068
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。）
【請求項５】
Ｒが、下記一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする請求項２に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【化５】
2013141182.tif 000069
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。但し、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項６】
Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【請求項７】
Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることを特徴とする請求項６に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【請求項８】
Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、アルキル基、１−フルオロアルキル基、１，１−ジフルオロアルキル基、１，１，２−トリフルオロアルキル基、１，１，２，２−テトラフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４―オクタフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−テトラデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８−ヘキサデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９−オクタデカフルオロアルキル基、またはパーフルオロアルキル基であることを特徴とする請求項２〜７のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【請求項９】
ｍが１〜３の整数であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【請求項１０】
有機溶媒に可溶であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機半導体インク。
【請求項１２】
２種以上の有機半導体を含み、そのうちの１種以上が請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体であることを特徴とする有機半導体インク。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む有機層を備えることを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。
【請求項１４】
基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とを有し、
前記有機半導体層が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
基板上に、陽極と、発光層と、正孔輸送層および／または電子輸送層と、陰極とを有し、
前記正孔輸送層および／または前記電子輸送層が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
有機薄膜トランジスタを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動・点灯を行う表示デバイスであって、
前記有機薄膜トランジスタが、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタであることを特徴とする表示デバイス。
【請求項１７】
請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタと、有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える画素がマトリックス状に配置されていることを特徴とするアクティブマトリックス方式の表示デバイス。
【請求項１８】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１６〜１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
【請求項１９】
有機薄膜トランジスタを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動・点灯を行う表示デバイスであって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示デバイス。
【請求項２０】
基板上に、陽極と、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む電荷分離層と、陰極とを有し、
前記電荷分離層が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。
【請求項２１】
基板上に、陽極と、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む電荷分離層と、正孔輸送層および／または電子輸送層と、陰極とを有し、
前記正孔輸送層および／または前記電子輸送層が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。
【請求項２２】
前記基板が可撓性基板であることを特徴とする請求項１３に記載の有機エレクトロニクスデバイス、請求項１４に記載の有機薄膜トランジスタ、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、請求項１６〜１９のいずれか１項に記載の表示デバイス、または請求項２０または２１に記載の有機薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゾビス（チアジアゾール）誘導体、およびそれを用いた有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示デバイス、ディスプレイ、太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）または有機薄膜太陽電池用の化合物としてベンゾビスチアゾール化合物が注目されており、ベンゾビス（チアジアゾール）を主骨格とする各種誘導体の合成が盛んに行われている。【０００３】
特に、正孔および電子の移動度や大気中での安定性を改良するために、強い電子吸引基を導入したベンゾビスチアゾール化合物が提案されており、例えば、非特許文献１および非特許文献２には、トリフルオロメチルフェニル基がチエニレン基を介してベンゾビス（チアジアゾール）に結合している化合物（以下、ＦＰＴＢＢＴと称することもある）が開示されている。この化合物は、強い電子吸引基であるトリフルオロメチルフェニル基の導入によって、移動度の向上が図れている。【０００４】
また、ベンゾビス（チアジアゾール）を主骨格とするものではないが、チオフェン環に強い電子吸引基を導入した化合物は、電子の安定性や移動度の向上が図れることが一般的に知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２８０５１５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４６，３２６５（２０１０）
【非特許文献２】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔ．，９７，１３３３０３（２０１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ベンゾビス（チアジアゾール）を主骨格とする各種誘導体は、一般に、有機溶媒への溶解性が極めて低いために、塗布による薄膜形成が非常に困難である。また、移動度についても、実用的な観点からは未だ不十分である。【０００８】
本発明の課題は、即ち、上記問題点を解決し、有機溶媒に可溶で、塗布による薄膜形成が可能であり、しかも正孔および電子の移動度（電界効果移動度）に優れ、大気中での安定性にも優れるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を提供することにある。本発明の課題は、また、当該ベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いた有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示デバイス、ディスプレイ、太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスを提供することにもある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以下の事項に関する。【００１０】
１．  下記一般式（１）で示されるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００１１】
【化１】
2013141182.tif 000003
（式中、Ｒは、少なくとも１つのフッ素原子を含む基（但し、フッ素原子（Ｆ）、およびトリフルオロメチル基（−ＣＦ３）を除く。）を示し、ｍは１〜１０の整数を示す。）【００１２】
２．  Ｒが、下記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする上記１に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００１３】
【化２】
2013141182.tif 000004
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。）【００１４】
３．  Ｒが、下記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする上記２に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００１５】
【化３】
2013141182.tif 000005
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。但し、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。）【００１６】
４．  Ｒが、下記一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする上記３に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００１７】
【化４】
2013141182.tif 000006
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。）【００１８】
５．  Ｒが、下記一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）のいずれかで示される構造を含むことを特徴とする上記２に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００１９】
【化５】
2013141182.tif 000007
（式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。但し、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。また、二重結合の構造は、シス体でもトランス体でも、その任意の混合物でも良い。【００２０】
６．  Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることを特徴とする上記２〜５のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００２１】
７．  Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることを特徴とする上記６に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００２２】
８．  Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、アルキル基、１−フルオロアルキル基、１，１−ジフルオロアルキル基、１，１，２−トリフルオロアルキル基、１，１，２，２−テトラフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４―オクタフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−テトラデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８−ヘキサデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９−オクタデカフルオロアルキル基、またはパーフルオロアルキル基であることを特徴とする上記２〜７のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００２３】
９．  ｍが１〜３の整数であることを特徴とする上記１〜８のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００２４】
１０．  有機溶媒に可溶であることを特徴とする上記１〜９のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体。【００２５】
１１．  上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機半導体インク。【００２６】
１２．  ２種以上の有機半導体を含み、そのうちの１種以上が上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体であることを特徴とする有機半導体インク。【００２７】
１３．  上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む有機層を備えることを特徴とする有機エレクトロニクスデバイス。【００２８】
１４．  基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、有機半導体層と、ソース電極およびドレイン電極とを有し、
前記有機半導体層が、上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【００２９】
１５．  基板上に、陽極と、発光層と、正孔輸送層および／または電子輸送層と、陰極とを有し、
前記正孔輸送層および／または前記電子輸送層が、上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３０】
１６．  有機薄膜トランジスタを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動・点灯を行う表示デバイスであって、
前記有機薄膜トランジスタが、上記１４に記載の有機薄膜トランジスタであることを特徴とする表示デバイス。【００３１】
１７．  上記１４に記載の有機薄膜トランジスタと、有機エレクトロルミネッセンス素子とを備える画素がマトリックス状に配置されていることを特徴とするアクティブマトリックス方式の表示デバイス。【００３２】
１８．  前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、上記１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする上記１６〜１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。【００３３】
１９．  有機薄膜トランジスタを用いて有機エレクトロルミネッセンス素子の駆動・点灯を行う表示デバイスであって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、上記１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示デバイス。【００３４】
２０．  基板上に、陽極と、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む電荷分離層と、陰極とを有し、
前記電荷分離層が、上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。【００３５】
２１．  基板上に、陽極と、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む電荷分離層と、正孔輸送層および／または電子輸送層と、陰極とを有し、
前記正孔輸送層および／または前記電子輸送層が、上記１〜１０のいずれか１項に記載のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。【００３６】
２２．  前記基板が可撓性基板であることを特徴とする上記１３に記載の有機エレクトロニクスデバイス、上記１４に記載の有機薄膜トランジスタ、上記１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子、上記１６〜１９のいずれか１項に記載の表示デバイス、または上記２０または２１に記載の有機薄膜太陽電池。
【発明の効果】
【００３７】
本発明により、有機溶媒に可溶で、塗布による薄膜形成が可能であり、しかも正孔および電子の移動度（電界効果移動度）に優れ、大気中での安定性にも優れるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体（以下、ベンゾビス（チアジアゾール）化合物と称することもある）を提供することができる。塗布（あるいは印刷）により薄膜（層）を形成できることは、工業的に有利である。本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、正孔および電子の移動度（電界効果移動度）に優れ、大気中での安定性にも優れることから、例えば、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示デバイス、ディスプレイ、太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスに好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）の一例の層構成を示す断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の一例の層構成を示す断面図である。
【図３】本発明の表示デバイスの一例の層構成を示す断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の一例の層構成を示す断面図である。
【図５】実施例２の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図６】実施例３の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図７】比較例１の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図８】比較例２の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図９】実施例４の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１０】実施例５の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１１】実施例６の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１２】実施例７の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１３】比較例３の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１４】比較例４の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１５】比較例５の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１６】比較例６の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１７】実施例８の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１８】実施例９の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【図１９】比較例７の有機ＴＦＴの電気特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
＜ベンゾビス（チアジアゾール）化合物＞
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は、前記一般式（１）で示される。
【００４０】
一般式（１）において、Ｒは、少なくとも１つのフッ素原子を含む基（但し、フッ素原子（Ｆ）、およびトリフルオロメチル基（−ＣＦ３）を除く。）を示す。なお、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）以外のトリフルオロメチル基を含む基、例えば、−ＯＣＦ３等を除くものではない。
【００４１】
具体的には、Ｒは、前記一般式（Ａ−１）で示される構造、または前記一般式（Ａ−２）で示される構造、または前記一般式（Ａ−３）で示される構造を含むことが好ましく、前記一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）のいずれかで示される構造、または前記一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）のいずれかで示される構造を含むことがより好ましい。
【００４２】
一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、および一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）、一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）において、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。但し、一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）、および一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）において、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。
【００４３】
Ｒは、ジフルオロメチレン基（−ＣＦ２−）を含むことが好ましく、前記一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）のいずれかで示される構造を含むことが好ましい。一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）においても、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された直鎖状または分岐状のアルキル基を示す。
【００４４】
上記のアルキル基、および少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、炭素原子数が１〜３０であることが好ましく、炭素原子数が１〜１０であることがより好ましい。なお、このアルキル基、および少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、直鎖状であっても、分岐状であってもよい。すなわち、Ｒ１が、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基、または少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１０の直鎖状または分岐状のアルキル基であることがより好ましい。
【００４５】
炭素原子数１〜３０のアルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。少なくとも１つのフッ素原子で置換された炭素原子数１〜３０のアルキル基の具体例としては、例えば、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、トリフルオロエチル基、ジフルオロエチル基、モノフルオロエチル基、へプタフルオロプロピル基、ヘキサフルオロプロピル基、ペンタフルオロプロピル基、テトラフルオロプロピル基、トリフルオロプロピル基、ジフルオロプロピル基、モノフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、オクタフルオロブチル基、へプタフルオロブチル基、ヘキサフルオロブチル基、ペンタフルオロブチル基、テトラフルオロブチル基、トリフルオロブチル基、ジフルオロブチル基、モノフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基、デカフルオロペンチル基、ノナフルオロペンチル基、オクタフルオロペンチル基、へプタフルオロペンチル基、ヘキサフルオロペンチル基、ペンタフルオロペンチル基、テトラフルオロペンチル基、トリフルオロペンチル基、ジフルオロペンチル基、モノフルオロペンチル基等が挙げられる。
【００４６】
フッ素原子の数および置換位置は、特に限定されないが、一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）、一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−４）、および一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）において、Ｒ１は、フッ素原子、アルキル基、１−フルオロアルキル基、１，１−ジフルオロアルキル基、１，１，２−トリフルオロアルキル基、１，１，２，２−テトラフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４―オクタフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−テトラデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８−ヘキサデカフルオロアルキル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９−オクタデカフルオロアルキル基、またはパーフルオロアルキル基であることが好ましい。なお、これらの中でも、炭素原子数が１〜３０であるものが好ましく、炭素原子数が１〜１０であるものがより好ましい。また、一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−６）、および一般式（Ｄ−１）〜（Ｄ−６）において、２つのＲ１は同一であっても異なっていてもよい。
【００４７】
また、一般式（Ｂ−１）〜（Ｂ−２）においては、２つのＲ１のうち１つが水素原子であることも好ましい。一般式（Ｃ−１）〜（Ｃ−２）においては、Ｒ１が水素原子であることも好ましい。（Ｄ−１）、（Ｄ−４）においては、Ｒ１が水素原子であることも好ましい。
【００４８】
−Ｒ基の置換位置は、特に限定されず、チエニレン基に対して２位（オルト位）または３位（メタ位）であってもよいが、チエニレン基に対して好ましくは４位（パラ位）である。
【００４９】
一般式（１）において、チエニレン基の数を示すｍは１〜１０の整数を示し、好ましくは１〜５、更に好ましくは１〜３の整数である。
【００５０】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物としては、例えば、以下の式（１−１）〜（１−３６）で示される化合物が挙げられる。
【００５１】
【化６】
2013141182.tif 000008
【００５２】
【化７】
2013141182.tif 000009
【００５３】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は、（１）Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５３巻、２９号、１０１６９頁、１９９７年、若しくは、（２）Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，１２巻、１５号、３３４０頁、２０１０年等を参考にして、例えば、以下に示す反応スキームに従って合成することができる。
【００５４】
また、ジフルオロメチレン基を有する化合物を減圧下で加熱することによって、二重結合を有する化合物を合成することができる。
【００５５】
【化８】
2013141182.tif 000010
【００５６】
反応終了後、得られた反応液から、例えば、濾過、濃縮、抽出、蒸留、昇華、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の一般的な操作によって、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を単離・精製することができるが、溶解度の異なる不純物を除去し、化合物純度を向上させるためには、有機溶媒によるソックスレー抽出を精製工程に組み込むことが簡便で好ましい。
【００５７】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は、通常、水；メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルイミダゾリジン−２，４−ジオン等の尿素類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド類；スルホラン等のスルホン類；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、ブロモベンゼン、１，２−ジブロモベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルムなどのハロゲン化脂肪族炭化水素類などの種々の有機溶媒に溶解する。溶媒としては、中でも、ハロゲン化芳香族炭化水素類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類を好適に使用することができる。なお、これらの溶媒は、単独で使用してもよく、二種以上を混合して使用してもよい。
【００５８】
従って、これらの有機溶媒に本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を溶解させ、得られた溶液を有機半導体インクとすることができる。
【００５９】
本発明の有機半導体インクは、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物１種以上を含むものであり、さらに他の有機半導体１種以上を含むこともできる。また，インクを構成する溶媒は、単独で使用してもよく、二種以上を混合して使用してもよい。さらに本発明の有機半導体インクには、インクの粘度を調整するための添加剤、および、インクの親水性もしくは撥水性を制御するための添加剤など、インクの物性を制御する添加剤を含むことができる。
【００６０】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物のインク中の含有量は特に限定されず、適宜選択することができ、例えば０．００１ｗｔ％〜１０ｗｔ％程度とすることができ、さらに０．０１ｗｔ％〜１ｗｔ％程度が製膜性の観点から好適である。
【００６１】
他の有機半導体としては、例えば、高分子半導体化合物が挙げられる。ここでの高分子半導体化合物とは、半導体性を示すことを特徴とする高分子化合物であり、具体的には、ポリアセチレン系高分子、ポリジアセチレン系高分子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリアニリン系高分子、ポリトリフェニルアミン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリパラフェニレンビニレン系高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン系高分子、ナフタレンジイミドを一成分とする共重合高分子、ペリレンジイミドを一成分とする共重合高分子、ジケトピロロピロールを一成分とする共重合高分子などが挙げられる。これらの高分子半導体化合物の中でも、ポリアニリン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリパラフェニレンビニレン系高分子、ナフタレンジイミドを一成分とする共重合高分子、ペリレンジイミドを一成分とする共重合高分子、ジケトピロロピロールを一成分とする共重合高分子などが好適である。
【００６２】
さらに他の有機半導体として、例えば、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物以外の低分子半導体化合物が挙げられる。ここでの低分子半導体化合物とは、半導体性を示すことを特徴とする低分子化合物であり、具体的には、アセン誘導体、フェニレンビニレン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、フルオレン誘導体、アザアセン誘導体、チエノアセン誘導体、チオフェン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、チアゾール誘導体、チアゾロチアゾール誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナフタレンジイミド誘導体、ペリレンジイミド誘導体、ベンゾチアジアゾール誘導体、ナフトビスチアジアゾール誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、フラーレン誘導体などが挙げられる。これらの低分子半導体化合物の中でも、アセン誘導体、チエノアセン誘導体、チオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、ナフタレンジイミド誘導体、ペリレンジイミド誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、フラーレン誘導体などが好適である。
【００６３】
また他の有機半導体として、例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，２０１２，Ｖｏｌ．１１２，ｐｐ．２２０８−２２６７に記載の有機半導体を挙げることができる。
【００６４】
本発明の有機半導体インクは、必要に応じて、添加成分として、絶縁性の高分子化合物を含むこともできる。ここでの絶縁性高分子化合物とは、合成樹脂、プラスチック、合成ゴムなどであり、具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエステル、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アミド樹脂、ナイロン、ビニロン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、アクリルゴム、アクリロニトリルゴム、ウレタンゴムなどが挙げられる。これらの添加の効果としては、インクの粘度の最適化や製膜性の向上などが挙げられる。
【００６５】
さらに本発明の有機半導体インクは、必要に応じて、添加成分として、導電性の高分子化合物を含むことができる。ここでの導電性高分子化合物とは、電気伝導性を示すことを特徴とする高分子化合物であり、具体的には、ポリアセチレン系高分子、ポリジアセチレン系高分子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリアニリン系高分子、ポリトリフェニルアミン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリパラフェニレンビニレン系高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン系高分子、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸の混合物（一般名、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などが挙げられる。これらの導電性高分子化合物の中でも、ポリアセチレン系高分子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリアニリン系高分子、ポリトリフェニルアミン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリピロール系高分子、ポリパラフェニレンビニレン系高分子などが好適である。これらの添加の効果としては、インクの粘度の最適化や製膜性の向上などに加えて電荷移動性の向上が挙げられる。
【００６６】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む有機半導体インクを塗布することで、ベンゾビス（チアジアゾール）化合物の層、または薄膜を形成することができる。なお、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む有機半導体インクの塗布は、公知の方法、例えば、スピンコート法、インクジェット法、キャスト法、ラングミュア−ブロジェット法などで行うことができる。また塗布法として、一般に印刷の技法として知られる公知の方法を用いることも可能で、例えば、インクジェット法、スクリーン法、オフセット法、グラビア法、フレキソ法、マイクロコンタクト法などで印刷を行うことができる。
【００６７】
なお、本発明の有機半導体インクは、基材上に塗布もしくは印刷した後に、溶媒成分が除去されると、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜を形成するが、溶媒成分除去条件は適宜選択することができる。
【００６８】
例えば溶媒成分を室温下で自然乾燥もしくは風乾することが好ましいが、溶媒の沸点が高く除去しにくい場合は、室温付近で減圧下で溶媒除去するか、５０℃〜２００℃程度に加熱して溶媒除去するか、もしくは両者を併用し減圧下で加熱処理することができる。
【００６９】
さらに本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜の半導体特性を向上させる目的で、ベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜を加熱処理することができる。この場合の加熱処理条件は適宜選択することができ、例えば、５０℃〜２５０℃程度で、０．１時間〜２４時間、加熱処理する方法が挙げられる。この工程は溶媒除去工程と兼ねても良い。
【００７０】
また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜の半導体特性を向上させる目的で、ベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜を、溶媒蒸気に暴露する処理を施しても良い。
【００７１】
この工程に用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチルイミダゾリジン−２，４−ジオン等の尿素類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド等のスルホキシド類；スルホラン等のスルホン類；アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、ブロモベンゼン、１，２−ジブロモベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類などの種々の有機溶媒が挙げられる。溶媒としては、中でも、ハロゲン化芳香族炭化水素類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化脂肪族炭化水素類を好適に使用することができる。なお、これらの溶媒は、単独で使用してもよく、二種以上を混合して使用してもよい。
【００７２】
溶媒蒸気暴露処理工程は、例えば、ベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜と溶媒とを、直接ベンゾビス（チアジアゾール）化合物を含む層、または含む薄膜と溶媒が触れないようにしつつ、密閉性のある空間に静置することで達成される。溶媒蒸気の量を増やすために、溶媒を４０℃〜１５０℃程度に加温しても良い。この溶媒蒸気暴露処理工程の後には、上記の溶媒除去工程以降の工程を適宜選択することができる。
【００７３】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は、正孔および電子の移動度（電界効果移動度）に優れ、例えば、有機薄膜トランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示デバイス、ディスプレイ、太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスに好適に使用することができる。また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は、バックライト、光通信、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読取光源、標識、看板、インテリア等の広範に亘る各分野の用途に供することができる。
【００７４】
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の有機薄膜トランジスタ（以下、有機ＴＦＴと称する）について説明する。本発明の有機薄膜トランジスタは、有機半導体層が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むものである。本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、分子の配向方向を揃えやすく、高電界効果移動度を達成できるので、有機ＴＦＴの半導体層に用いると効果的である。
【００７５】
本発明の有機薄膜トランジスタは、半導体層が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む以外、公知の構造、材料を使用することができる。
【００７６】
半導体層の膜厚は、必要な機能を失わない範囲で、薄いことが好ましい。必要な機能を示すための半導体層の膜厚は、通常、１ｎｍ〜１０μｍ、好ましくは５ｎｍ〜５μｍ、より好ましくは１０ｎｍ〜１μｍである。
【００７７】
図１に、本発明の有機ＴＦＴの一例の層構成を示す。図１に示す有機ＴＦＴは、ボトムゲート−トップコンタクト構造のものであり、基板１１上に、ゲート電極１２と、ゲート絶縁層１３と、有機半導体層１６と、ドレイン電極１４およびソース電極１５とをこの順に積層してなるものである。
【００７８】
基板１１としては、例えば、ガラス、石英、シリコンまたはセラミック等の材料や、プラスチック材料を用いることができる。
【００７９】
ゲート電極１２としては、例えば、金、白金、クロム、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム等の金属、あるいはそれらの合金、およびポリシリコン、アモルファスシリコン、グラファイト、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、導電性ポリマー等の材料を用いることができ、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法または印刷法等の周知の膜作製方法により形成することができる。
【００８０】
ゲート絶縁層１３としては、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、アモルファスシリコン、ポリイミド樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリパラキシリレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂等の材料を用いることができ、ゲート電極１２と同様の周知の膜作製方法により形成することができる。
【００８１】
本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、有機半導体層１６は、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体１種以上を含み、例えば、真空蒸着法やスピンコート等の周知の膜作製方法により形成することができる。本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は有機溶媒に可溶であるため、スピンコート等の塗布（印刷）法により有機半導体層１６を形成することができる。また、有機半導体層１６は、他の有機化合物１種以上を含むこともできる。
【００８２】
ドレイン電極１４およびソース電極１５は、例えば、金、白金、クロム、タングステン、タンタル、ニッケル、銅、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム等の金属あるいはそれらの合金、およびポリシリコン、アモルファスシリコン、グラファイト、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、導電性ポリマー等の材料を用いることができ、ゲート電極１２と同様の周知の膜作製方法により形成することができる。
【００８３】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は、正孔輸送層および／または電子輸送層が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むものである。本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、正孔および電子輸送性に優れているので、有機ＥＬ素子の正孔輸送層や電子輸送層に用いると効果的である。
【００８４】
本発明の有機ＥＬ素子は、正孔輸送層および／または電子輸送層が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む以外、公知の構造、材料を使用することができる。
【００８５】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極の間に、発光層を含む少なくとも１層以上の有機化合物層を形成した素子である。典型的には、（陽極／正孔輸送層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）等の素子構造に構成される。
【００８６】
図２に、本発明の有機ＥＬ素子の一例の層構成を示す。図２に示す有機ＥＬ素子は、基板２１上に、陽極２２、正孔輸送層２３、発光層２４、電子輸送層２５および陰極２６をこの順に積層してなるものである。
【００８７】
上記のように構成された有機ＥＬ素子に対して、陽極２２と陰極２６との間に所定の直流電圧を印加すると、発光層２４から高輝度の発光が得られる。この発光のメカニズムは以下のように考えられている。
【００８８】
すなわち、上記２つの層間に所定の直流電圧が印加されると、陽極２２から正孔輸送層２３に流入された正孔が発光層２４まで輸送される。一方、陰極２６から電子輸送層２５に注入された電子は発光層２４まで輸送され、この発光層２４中を拡散移動して正孔と再結合し、電気的に中和状態となる。この再結合が行なわれると所定のエネルギーが放出され、そのエネルギーにより発光層２４内の有機発光材料が励起状態に励起される。その状態から基底状態に戻る際に光が放出される。
【００８９】
有機ＥＬ素子の正孔輸送層２３や電子輸送層２５に高電界効果移動度の本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いることによって、正孔および電子を発光層中に効率よく注入することができ、発光効率を高めることができる。
【００９０】
基板２１としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を用いることができる。
【００９１】
陽極２２としては、通常、光を透過させる材料を用いる。具体的には、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズまたは酸化インジウム、酸化亜鉛合金であることが好ましい。金、白金、銀、マグネシウム合金等の金属の薄膜を用いることもできる。ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、それらの誘導体等の有機材料も使用可能である。陽極２２は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法または塗布（印刷）法等の周知の膜形成方法により形成することができる。
【００９２】
陰極２６としては、電子注入性の観点から、仕事関数の小さい、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属やＭｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属を用いることが好ましい。また、安定なＡｌ等を用いることも好ましい。安定性と電子注入性を両立させるために２種以上の材料を含む層にしてもよく、それらの材料については、例えば特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報等に詳しく記載されている。陰極２６は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法等の周知の膜形成方法により形成することができる。
【００９３】
発光層２４としては、キノリノール錯体や芳香族アミン等のホスト材料に、クマリン誘導体やＤＣＭ、キナクリドン、ルブレン等の色素材料を添加（ドーピング）したものを用いることが好ましいが、ホスト材料のみで発光層２４を形成することもできる。また、イリジウム金属錯体をドーピングして発光層２４を形成することで、効率の良い有機ＥＬ素子を作製することができる。発光層２４は、真空蒸着法、スパッタ法または塗布（印刷）法等の周知の膜形成方法により形成することができる。
【００９４】
正孔輸送層２３および／または電子輸送層２５には、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いる。使用するベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は１種類としてもよいし、複数種類としてもよい。さらに、正孔輸送層２３および電子輸送層２５は、他の化合物１種以上を含むこともできる。
【００９５】
正孔輸送層２３に本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いない場合、正孔輸送層２３としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２’−ジメチルベンジジン（α−ＮＰＤ）、２，２−ビス（３−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニル）ビフェニル（３ＤＴＡＰＢＰ）等の材料を用いることができる。電子輸送層２５に本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いない場合、電子輸送層２５としては、例えば、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサゾール（ＰＢＤ）、１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール（ＴＰＢｉ）等の材料を用いることができる。
【００９６】
正孔輸送層２３および電子輸送層２５の膜形成方法としては、上記発光層２４の膜形成方法と同様の方法が用いられる。また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は有機溶媒に可溶であるため、スピンコート等の塗布（印刷）法により正孔輸送層２３および電子輸送層２５を形成することができる。
【００９７】
なお、本発明の有機発光素子は、上記各層の他、電子注入層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層、保護層等を設けるように構成することが可能である。これらの層も、上記発光層２４の膜形成方法と同様の方法により形成することができる。
【００９８】
＜表示デバイス＞
次に、本発明の表示デバイスについて説明する。本発明の表示デバイスは、有機ＴＦＴにより有機ＥＬ素子の駆動および点灯を制御するものであり、有機ＴＦＴが上記のような本発明の有機ＴＦＴであるか、有機ＥＬ素子が上記のような本発明の有機ＥＬ素子である。本発明の表示デバイスにおいては、有機ＴＦＴが本発明の有機ＴＦＴであり、且つ、有機ＥＬ素子が本発明の有機ＥＬ素子であることが好ましい。
【００９９】
図３に、本発明の表示デバイスの一例を示す。図３に示す表示デバイスは、基板１１１上に、バリア層１１２を介して、陰極１０１、電子輸送層１０２、発光層１０３、正孔輸送層１０４および陽極１０５から構成される有機ＥＬ素子１２０と、ゲート電極１０６、ゲート絶縁層１０７、有機半導体層１０８、ソース電極１０９およびドレイン電極１１０から構成される有機ＴＦＴ１２１とを有する。そして、これらの層構造の上方部分が保護膜１１３により被覆されている。
【０１００】
この表示デバイスは、有機ＥＬ素子１２０の陰極１０１（基板１１１に近い側の電極）と、有機ＴＦＴ１２１のドレイン電極１１０が電気的に接続された構造となっている。ゲート電極１０６に電圧を印加することによりソース・ドレイン電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子１２０が発光する。また、陽極と有機ＴＦＴのドレイン電極が電気的に接続された構造とすることもできる。
【０１０１】
本発明においては、前述の通り、有機ＴＦＴ、および有機ＴＦＴにより駆動・点灯される有機ＥＬ素子両方とも、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いた本発明の有機ＴＦＴおよび本発明の有機ＥＬ素子であることが好ましいが、いずれか一方が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含まない、公知の材料および構成のものであってもよい。
【０１０２】
さらに、図３に示すような、スイッチング用の有機ＴＦＴと有機ＥＬ素子とを組み合わせた素子（画素）をマトリックス状に配置することでアクティブマトリックス型の有機ＥＬディスプレイを作製することができる。アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは、画素数が多くなっても、非選択点に不要な電圧が印加されるおそれが小さく、また、高デューティ時においても効率低下や劣化を生じるおそれが小さく、応答性に優れているという利点を有している。
【０１０３】
なお、本発明の表示デバイス（ディスプレイ）は、本発明の有機ＴＦＴおよび／または本発明の有機ＥＬ素子を用いていること以外は、公知の構造、材料を使用することができ、公知の方法により製造することができる。
【０１０４】
＜太陽電池＞
次に、本発明の太陽電池（以下、有機ＰＶ素子と称する）について説明する。本発明の有機ＰＶ素子は、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む電荷分離層、正孔輸送層または電子輸送層のいずれか１つ以上が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含むものである。本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、正孔および電子輸送性に優れているので、有機ＰＶ素子の電荷分離層や、正孔輸送層、電子輸送層に用いると効果的である。
【０１０５】
本発明の有機ＰＶ素子は、電荷分離層、正孔輸送層または電子輸送層のいずれか１つ以上が本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む以外、公知の構造、材料を使用することができる。
【０１０６】
有機ＰＶ素子は、陽極と陰極の間に、電荷分離層を含む少なくとも１層以上の有機化合物層を形成した素子である。典型的には、（陽極／電荷分離層／陰極）、（陽極／電荷分離層／電子輸送層／陰極）、（陽極／正孔輸送層／電荷分離層／電子輸送層／陰極）等の素子構造に構成される。
【０１０７】
図４に、本発明の有機ＰＶ素子の一例の層構成を示す。図４に示す有機ＰＶ素子は、基板３１上に、陽極３２、電荷分離層３３および陰極３４をこの順に積層してなるものである。
【０１０８】
上記のように構成された有機ＰＶ素子に光が照射されると、電荷分離層３３において正孔と電子が発生し、陽極３２と陰極３４を接続すると電流を取り出すことができる。この発電のメカニズムは以下のように考えられている。
【０１０９】
すなわち、上記電荷分離層３３に光が照射されると、光が吸収され、そのエネルギーにより有機分子が励起されて電荷分離を生じ、正孔と電子が発生する。正孔は電荷分離層３３中の正孔輸送性材料により陽極３２まで輸送され、電子は電荷分離層３３中の電子輸送性材料により陰極３４まで輸送され、外部回路へ取り出される。
【０１１０】
有機ＰＶ素子の電荷分離層３３に高電界効果移動度の本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いることによって、正孔および電子を電荷分離層３３中から効率的に取り出すことができ、発電効率を高めることができる。また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を正孔輸送層に用いることによって正孔を陽極に、または電子輸送層に用いることによって電子を陰極に、それぞれ効率的に輸送することができ、発電効率を高めることができる。
【０１１１】
基板３１としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を用いることができる。
【０１１２】
陽極３２としては、通常、光を透過させる材料を用いる。具体的には、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化インジウム、酸化スズまたは酸化インジウム、酸化亜鉛合金であることが好ましい。金、白金、銀、マグネシウム合金等の金属の薄膜を用いることもできる。ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、それらの誘導体等の有機材料も使用可能である。陽極３２は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法または塗布（印刷）法等の周知の膜形成方法により形成することができる。
【０１１３】
陰極３４としては、電子取出性の観点から、仕事関数の小さい、Ｌｉ、Ｋ、Ｎａ等のアルカリ金属やＭｇ、Ｃａ等のアルカリ土類金属を用いることが好ましい。また、安定なＡｌ等を用いることも好ましい。安定性と電子取出性を両立させるために２種以上の材料を含む層にしてもよい。陰極３４は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、ＲＦスパッタ法等の周知の膜形成方法により形成することができる。
【０１１４】
電荷分離層３３には、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いる。使用するベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は１種類としてもよいし、複数種類としてもよい。さらに、電荷分離層３３は、他の化合物１種以上を含むこともできる。
【０１１５】
ベンゾビス（チアジアゾール）誘導体とともに電荷分離層を構成する材料としては、例えば、正孔輸送材料としては、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等が挙げられ、また、電子輸送材料としては、フラーレンＣ６０、（６，６）−フェニル−Ｃ６１ブチル酸メチルエステル（Ｃ６１−ＰＣＢＭ）、フラーレンＣ７０、（６，６）−フェニル−Ｃ７１ブチル酸メチルエステル（Ｃ７１−ＰＣＢＭ）等が挙げられる。
【０１１６】
電荷分離層３３は、真空蒸着法、スパッタ法または塗布（印刷）法等の周知の膜形成方法により形成することができる。また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）化合物は有機溶媒に可溶であるため、スピンコート等の塗布（印刷）法により電荷分離層３３を形成することができる。
【０１１７】
本発明の有機ＰＶ素子は、さらに、正孔輸送層および／または電子輸送層を設けることができる。これらの層にも本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を好適に用いることができる。使用するベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は１種類としてもよいし、複数種類としてもよい。さらに、正孔輸送層および電子輸送層は、他の化合物１種以上を含むこともできる。
【０１１８】
正孔輸送層または電子輸送層に本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を用いない場合、正孔輸送層としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等の材料を用いることができ、電子輸送層としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等の材料を用いることができる。正孔輸送層および電子輸送層の膜形成方法としては、上記電荷分離層３３の膜形成方法と同様の方法が用いられる。
【０１１９】
本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を含む有機エレクトロニクスデバイス、あるいは有機薄膜デバイスにおいては、基板として、プラスチック基板を使用することができる。基板として用いるプラスチックは、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性、低通気性および低吸湿性に優れていることが必要である。このようなプラスチックとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリイミド等が挙げられる。
【０１２０】
プラスチック基板の場合、基板の電極側の面、電極と反対側の面、またはその両方に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることが好ましい。透湿防止層を構成する材料としては窒化ケイ素や酸化ケイ素等の無機物であることが好ましい。透湿防止層はＲＦスパッタ法等の周知の膜作製方法により形成することができる。また、必要に応じてハードコート層やアンダーコー卜層を設けてもよい。
【実施例】
【０１２１】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に制限されるものではない。【０１２２】
＜実施例１−１＞
［ＢＢＴ−（１）の合成］
（工程１―Ａ：化合物（１−１）の合成）【０１２３】
【化９】
2013141182.tif 000011
温度計と攪拌装置を備えた容量１０００ｍｌのガラス製反応容器に、塩化パラジウム３．０ｇ（４．３ｍｍｏｌ）、フッ化カリウム１０ｇ（１７４ｍｍｏｌ）、４−（トリフルオロメトキシ）ヨードベンゼン２５ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）、２−ブロモチオフェン１７ｇ（１０４．２ｍｍｏｌ）、硝酸銀１４．２ｇ（８６．８ｍｍｏｌ）及び無水ジメチルスルホキシド５００ｍｌを加え、凍結脱気を２回行った。アルゴン雰囲気下１００℃で５時間加熱後、室温まで冷却してセライトで無機物をろ別除去し、真空ポンプで溶媒を留去した。得られた粗体をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ヘキサン）で精製し、薄黄色固体として化合物（１−１）を１６．７ｇ得た。【０１２４】
化合物（１−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；δ（ｐｐｍ）  ７．０１〜７．０４（ｍ、２Ｈ）、７．２０〜７．２４（ｍ、２Ｈ）、７．４９〜７．５４（ｍ、２Ｈ）
ＣＩ−ＭＳ；３２４（Ｍ＋１）【０１２５】
（工程１−Ｂ：化合物（１−２）の合成）【０１２６】
【化１０】
2013141182.tif 000012
温度計と攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１−１）を１５ｇ（４６．４ｍｍｏｌ）及び無水テトラヒドロフラン３００ｍｌを加え、−６５℃に冷却した。内温を−６５℃に保ちながら、ｔ−ブチルリチウムのテトラヒドロフラン溶液３３．６ｍｌ（５３．４ｍｍｏｌ）を滴下後、３０分攪拌し、その後トリブチルスズクロリド１５．７ｍｌ（５８ｍｍｏｌ）を滴下した。１時間同温度で攪拌後、室温で１時間反応させ、中性アルミナで反応液をろ過した。溶媒を留去後、カラムクロマトグラフィー（Ｃ８修飾シリカゲル：水−アセトニトリル；４０：６０→０：１００容量％）で精製し、黄色液体として化合物（１−２）を１８．８ｇ得た。【０１２７】
化合物（１−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；δ（ｐｐｍ）  ０．８８〜０．９３（ｍ、９Ｈ）、１．１０〜１．１６（ｍ、６Ｈ）、１．２９〜１．４２（ｍ、６Ｈ）、１．５１〜１．６４（ｍ、６Ｈ）、７．１３〜７．１４（ｍ、１Ｈ）、７．１８〜７．２２（ｍ、２Ｈ）、７．３９〜７．４０（ｍ、１Ｈ）、７．６１〜７．６４（ｍ、２Ｈ）
ＣＩ−ＭＳ；５３５（Ｍ＋２）【０１２８】
（工程１―Ｃ：化合物（１−３）の合成）【０１２９】
【化１１】
2013141182.tif 000013
温度計と攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、ジニトロ体１を２．９５ｇ（７．７ｍｍｏｌ）、化合物（１−２）を９．０ｇ（１６．９ｍｍｏｌ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリドを１．０８ｇ（１．５４ｍｍｏｌ）及び無水テトラヒドロフラン８０ｍｌを加え、凍結脱気を２回繰り返した後、５時間還流させた。もう一度同量、同操作で反応後、２回分の反応液を併せ、飽和フッ化カリウム水溶液１００ｍｌを加えた後、３０分攪拌した。そして、クロロホルム７００ｍｌで２回抽出後、硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ヘキサン−酢酸エチル：９０：１０→５０：５０容量％）で精製し、赤い固体として化合物（１−３）を１３．５ｇ得た。【０１３０】
化合物（１−３）の物性値は以下の通りであった。
ＥＩ−ＭＳ；７１０（Ｍ＋）【０１３１】
（工程１−Ｄ：化合物（１−４）の合成）【０１３２】
【化１２】
2013141182.tif 000014
温度計と攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１−３）を１３ｇ（１８．３ｍｍｏｌ）、鉄粉末１２．３ｇ（２２０ｍｍｏｌ）及び酢酸１３０ｍｌを加え、室温から１００℃に昇温し、１００℃で１．５時間反応させた。室温に冷却後、無機物をろ別し、溶媒を留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：ヘキサン−酢酸エチル：５０：５０容量％）で精製し、茶色固体として化合物（１−４）を５．７ｇ得た。【０１３３】
化合物（１−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；δ（ｐｐｍ）  ４．４９（ｂｒｓ、２Ｈ）、７．２３〜７．２７（ｍ、２Ｈ）、７．３６〜７．３８（ｍ、２Ｈ）、７．４２〜７．４３（ｍ、２Ｈ）、７．６５〜７．７１（ｍ、２Ｈ）
ＥＩ−ＭＳ；６５０（Ｍ＋）【０１３４】
（工程１−Ｅ：ＢＢＴ−（１）の合成；粗体１）【０１３５】
【化１３】
2013141182.tif 000015
温度計と攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１−４）を５ｇ（７．７ｍｍｏｌ）及び無水ピリジン１００ｍｌを加え、８０℃に加熱した。そして、Ｎ−チオニルアニリン１．８５ｍｌ（１６．１ｍｍｏｌ）を滴下し、次いでトリメチルシリルクロリド９．７ｍｌ（７６．８ｍｍｏｌ）を１分かけて滴下し、８時間反応させた。溶媒を留去し、得られた固体にメタノール１５０ｍｌを加えて１５分還流洗浄をした後、生成した固体を取得した。メタノール１５０ｍｌによる還流洗浄を更に２回繰り返し、暗緑色の固体として２．９３ｇのＢＢＴ−（１）（粗体１）を得た。【０１３６】
（精製工程１：ＢＢＴ−（１）の還流洗浄精製；粗体２）
攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、上記ＢＢＴ−（１）（粗体１）を２．５６ｇ及びクロロホルム２００ｍｌを加え、３時間還流洗浄した。そして、生成した固体を熱時ろ過し、暗緑色固体として２．２４ｇのＢＢＴ−（１）（粗体２）を得た。【０１３７】
（精製工程２：ＢＢＴ−（１）の再結晶精製；粗体３）
温度計と攪拌装置を備えた容量２０００ｍｌのガラス製反応容器に、上記ＢＢＴ−（１）（粗体２）を９００ｍｇ及びトルエン１８００ｍｌを加え、加熱還流させて均一溶液とした。室温で放冷後２日間放置して生成した固体をろ過し、金属光沢を持つ暗緑色結晶としてＢＢＴ−（１）（粗体３）を０．５ｇ得た。【０１３８】
（精製工程３：ＢＢＴ−（１）の昇華精製；精製体）
減圧装置と加熱源を有する昇華精製装置に、上記ＢＢＴ−（１）（粗体３）０．４１ｇを加え、減圧度０．６〜２．８×１０−３Ｐａ、温度２５０〜３５０℃で昇華精製を行い、暗緑色粉末としてＢＢＴ−（１）（精製体）を３１０ｍｇ得た（４−（トリフルオロメトキシ）ヨードベンゼン基準の単離収率５．７％）。【０１３９】
ＢＢＴ−（１）（精製体）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＤＭＳＯ−ｄ６、１８０℃）；δ（ｐｐｍ）  ７．６０〜７．６２（ｍ、４Ｈ）、７．９１（ｂｒｓ、２Ｈ）、８．０６〜８．１３（ｍ、４Ｈ）、９．１８（ｂｒｓ、２Ｈ）
ＣＩ−ＭＳ；６７８（Ｍ＋）
元素分析；理論値  （炭素）４９．５５％、（水素）１．７８％、（窒素）８．２６％、
（フッ素）１６．８％、（硫黄）１８．９０％
実測値  （炭素）４９．９％、  （水素）２．０％、  （窒素）８．３％、
（フッ素）１６％、  （硫黄）１９％【０１４０】
〔溶解度実験１〕
攪拌装置を備えた２０ｍｌガラス製容器に、ＢＢＴ−（１）５ｍｇ及び１．６ｇの１，２−ジクロロベンゼンを加え、１５０℃に加熱したところ、完全に溶解して緑色溶液となった。【０１４１】
〔溶解度実験２〕
攪拌装置を備えた２０ｍｌガラス製容器に、ＢＢＴ−（１）５ｍｇ及び１．６ｇのメシチレンを加え、１００℃に加熱したところ、完全に溶解して緑色溶液となった。【０１４２】
〔塗布法による薄膜形成実験〕
表面に膜厚２００ｎｍの熱酸化シリコンを形成した市販のシリコンウェハ上に、〔溶解度実験１〕に従って調製したＢＢＴ−（１）の１，２−ジクロロベンゼン溶液を０．２μｍのフィルターでろ過した後滴下し、そのまま溶媒成分を揮発させたところ、ＢＢＴ−（１）の薄膜の形成が確認できた。また、〔溶解度実験２〕に従って調製したＢＢＴ−（１）のメシチレン溶液を０．２μｍのフィルターでろ過した後滴下し、そのまま溶媒成分を揮発させたところ、ＢＢＴ−（１）の薄膜の形成が確認できた。【０１４３】
一方、ＢＢＴ−（１）のかわりに参考例１で合成したＢＢＴ−（１１）：（ＦＰＴＢＢＴ）を用い、〔溶解度実験１〕に準じて１，２−ジクロロベンゼン溶液を調整しようとしたがＢＢＴ−（１１）は溶けきらず、懸濁液となった。この懸濁液を０．２μｍのフィルターでろ過した後滴下し、そのまま溶媒成分を揮発させたところ、ＢＢＴ−（１１）の薄膜の形成は確認できなかった。また、ＢＢＴ−（１）のかわりにＢＢＴ−（１１）を用い、〔溶解度実験２〕に準じてメシチレン溶液を調整しようとしたがＢＢＴ−（１１）は溶けきらず、懸濁液となった。この懸濁液を０．２μｍのフィルターでろ過した後滴下し、そのまま溶媒成分を揮発させたところ、ＢＢＴ−（１１）の薄膜の形成は確認できなかった。【０１４４】
＜実施例１−２＞
［化合物ＢＢＴ−（２）の合成］
（工程（２−Ａ）：化合物（２−１）の合成）【０１４５】
【化１４】
2013141182.tif 000016
【０１４６】
攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、１−ブロモ−３−（トリフルオロメトキシ）ベンゼンを１４．０ｇ（５８ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を４．１ｇ（５．８ｍｍｏｌ）、２−（トリブチルスズ）チオフェン２８．２ｇ（７６ｍｍｏｌ）及び無水トルエン１４０ｍｌを加え、内温約１００℃で４時間反応させた。反応終了後、溶媒を濃縮し、ヘキサン４００ｍｌを加え、シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量％）を通じてろ過した。ろ液を濃縮し、濃縮物を減圧蒸留し、無色液体１７．３ｇ（沸点１３２−１４８℃／２．０ｋＰａ）を得た。蒸留物８．０ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、無色液体として化合物（２−１）を５．０ｇ得た。【０１４７】
化合物（２−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；７．０７−７．１１（ｍ、１Ｈ）、７．１０−７．１６（ｍ、１Ｈ）、７．２９−７．３５（ｍ、２Ｈ）、７．３５−７．４２（ｍ、１Ｈ）、７．４２−７．４７（ｍ、１Ｈ）、７．５０−７．５５（ｍ、１Ｈ）【０１４８】
（工程（２−Ｂ）：化合物（２−２）の合成）【０１４９】
【化１５】
2013141182.tif 000017
【０１５０】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（２−１）を５．０ｇ（２０．５ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン５０ｍｌを加え、内温−６０℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を１６．６ｍｌ（２７ｍｍｏｌ）加え、同温度で３０分撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド９．０ｇ（２７ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、１夜撹拌した。ＴＨＦ−水混液を加えてクエンチしたのち、溶媒を留去した。濃縮物にヘキサンを加え、シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量％）を通じてろ過した。ろ液を濃縮し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９５：５容量％）で精製し、淡黄色液体として化合物（２−２）を１０．０ｇ得た。【０１５１】
化合物（２−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６−０．９５（ｍ、９Ｈ）、１．０３−１．２４（ｍ、６Ｈ）、１．２６−１．４２（ｍ、６Ｈ）、１．４８−１．７２（ｍ、６Ｈ）、７．０６−７．１２（ｍ、１Ｈ）、７．１０−７．２０（ｍ、１Ｈ）、７．３３−７．４１（ｍ、１Ｈ）、７．４２−７．４８（ｍ、２Ｈ）、７．５１−７．５８（ｍ、１Ｈ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；４７７（Ｍ−Ｃ４Ｈ９）【０１５２】
（工程（２−Ｃ）：ＢＢＴ−（２）の合成）【０１５３】
【化１６】
2013141182.tif 000018
【０１５４】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（２−２）を８．５ｇ（１６ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール（以下ジブロモ体と記載）１．４ｇ（４．０ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．８４ｇ（１．２ｍｍｏｌ）及び無水トルエン５０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体２．１ｇを得た。粗体の一部を精製し、緑色固体としてＢＢＴ−（２）を０．２５ｇ得た。【０１５５】
ＢＢＴ−（２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；７．０１−７．１２（ｍ、２Ｈ）、７．２２−７．３４（ｍ、２Ｈ）、７．４１−７．４９（ｍ、２Ｈ）、７．５５−７．６６（ｍ、４Ｈ）、８．９７−９．０６（ｍ、２Ｈ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ−）；６７７．９７５０（Ｍ−）；Ｃａｌｃｄ．６７７．９７４７【０１５６】
＜実施例１−３＞
［化合物ＢＢＴ−（３）の合成］
（工程（３−Ａ）：化合物（３−１）の合成）【０１５７】
【化１７】
2013141182.tif 000019
【０１５８】
攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、１−ブロモ−２−（トリフルオロメトキシ）ベンゼンを１０．０ｇ（４２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を２．９ｇ（４．２ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン２０．１ｇ（５４ｍｍｏｌ）及びトルエン１００ｍｌを加え、内温約１００℃で４時間反応させた。反応終了後、溶媒を濃縮し、ヘキサン３００ｍｌを加え、シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量％）を通じてろ過した。ろ液を濃縮し、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、淡黄色液体として化合物（３−１）を６．６ｇ得た。【０１５９】
化合物（３−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；７．０９−７．１４（ｍ、１Ｈ）、７．２７−７．３７（ｍ、３Ｈ）、７．３７−７．４１（ｍ、１Ｈ）、７．４１−７．４４（ｍ、１Ｈ）、７．６３−７．７０（ｍ、１Ｈ）【０１６０】
（工程（３−Ｂ）：化合物（３−２）の合成）【０１６１】
【化１８】
2013141182.tif 000020
【０１６２】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（３−１）を６．３５ｇ（２６ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン６０ｍｌを加え、内温−６０℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を２１ｍｌ（３４ｍｍｏｌ）加え、同温度で３０分撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド１１．５ｇ（３４ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、１時間撹拌した。ＴＨＦ−水混液を加えてクエンチしたのち、溶媒を留去した。濃縮物にヘキサンを加え、シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量％）を通じてろ過した。ろ液を濃縮し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９５：５容量％）で精製し、淡黄色液体として化合物（３−２）を１３．７ｇ得た。【０１６３】
化合物（３−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６−０．９４（ｍ、９Ｈ）、１．０２−１．２４（ｍ、６Ｈ）、１．２６−１．４２（ｍ、６Ｈ）、１．４８−１．７２（ｍ、６Ｈ）、７．１２−７．２２（ｍ、１Ｈ）、７．２４−７．３６（ｍ、３Ｈ）、７．５２−７．５７（ｍ、１Ｈ）、７．６６−７．７３（ｍ、１Ｈ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；４７７（Ｍ−Ｃ４Ｈ９）【０１６４】
（工程（３−Ｃ）：ＢＢＴ−（３）の合成）【０１６５】
【化１９】
2013141182.tif 000021
【０１６６】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（３−２）を９．１ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール（以下ジブロモ体と記載）１．５ｇ（４．２６ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．９０ｇ（１．３ｍｍｏｌ）及びトルエン５０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体２．３ｇを得た。粗体の一部を精製し、暗緑色固体としてＢＢＴ−（３）を０．１５ｇ得た。【０１６７】
ＢＢＴ−（３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；７．１４−７．２４（ｍ、４Ｈ、重水素化ジクロロベンゼンのシグナルに重なる）、７．２５−７．３３（ｍ、２Ｈ）、７．５７−７．６４（ｍ、２Ｈ）、７．７１−７．７９（ｍ、２Ｈ）、８．９９−９．０５（ｍ、２Ｈ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；６７８．９８２２（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ．６７８．９８２６【０１６８】
＜実施例１−４＞
［化合物ＢＢＴ−（４）の合成］
（工程（４−Ａ）：化合物（４−１）の合成）【０１６９】
【化２０】
2013141182.tif 000022
【０１７０】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、４−ブロモアセトフェノンを２５ｇ（１２６ｍｍｏｌ）、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド１１１ｇ（５００ｍｍｏｌ）及び無水クロロホルム２５０ｍｌを加えて均一溶液とした後、内温約５０℃で３５時間反応させた。室温まで冷却したのち、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１０００ｍｌに反応液を加えた後、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。溶媒を減圧留去し、得られた反応混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、無色液体として化合物（４−１）を１７．２６ｇ得た。【０１７１】
化合物（４−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝１８．１Ｈｚ）、７．５４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．３Ｈｚ）、７．５７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．４Ｈｚ）
ＣＩ−ＭＳ；２２２（Ｍ＋２）【０１７２】
（工程（４−Ｂ）：化合物（４−２）の合成）【０１７３】
【化２１】
2013141182.tif 000023
【０１７４】
攪拌装置を備えた容量１０００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（４−１）を１４．８５ｇ（６７．２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を１４．０９ｇ（２０．２ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン３２．６ｇ（８７．４ｍｍｏｌ）及びトルエン４５０ｍｌを加え、内温約１００℃で２時間反応させた。反応終了後、反応溶液をセライトろ過後、溶媒を濃縮し、さらに無機物をろ過して濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（順相シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量比）、ヘキサン１００容量％）精製した。次いで順相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で再精製し、白色固体として化合物（４−２）を９．８ｇ得た。【０１７５】
化合物（４−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；１．９４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝１８．１Ｈｚ）、７．０９−７．２６（１Ｈ，ｍ）、７．３１−７．３６（２Ｈ，ｍ）、
７．５１（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）、７．６６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）
ＥＩ−ＭＳ；２２４（Ｍ＋）【０１７６】
（工程（４−Ｃ）：化合物（４−３）の合成）【０１７７】
【化２２】
2013141182.tif 000024
【０１７８】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（４−２）を２．２４ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン４０ｍｌを加え、内温−７８℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を７．５ｍｌ（１２．０ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド３．３ｍｌ（１２．２ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温しながら、終夜撹拌した。メタノールを加えてクエンチしたのち、溶媒を留去して得られた粗体を、ヘキサン−順相シリカゲル／炭酸カリウム（９０／１０、重量比）で１０分撹拌した後にろ過して濃縮して黄色液体として粗体Ａを５．４６ｇ得た。同様の操作にて、本反応のスケールアップ実験を行い、粗体Ｂ１８．５９ｇ得た。粗体ＡとＢを合わせてＣ１逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝９０：１０〜１００：０容量％）で精製し、黄色オイルとして化合物（４−３）を２２．３５ｇ得た。【０１７９】
化合物（４−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９１（９Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ）、１．０５−１．２２（６Ｈ，ｍ）、１．２５−１．４０（６Ｈ，ｍ）、１．４２−１．６８（６Ｈ，ｍ）、１．９４（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝１８．１Ｈｚ）、７．１２−７．１８（１Ｈ，ｍ）、７．４５−７．５２（３Ｈ，ｍ）、７．６６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）、
ＥＩ−ＭＳ；５１４（Ｍ＋）【０１８０】
（工程（４−Ｄ）：ＢＢＴ−（４）の合成）【０１８１】
【化２３】
2013141182.tif 000025
【０１８２】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（４−３）を６．２ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール（以下ジブロモ体と記載）１．０６ｇ（３ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．６３ｇ（０．９ｍｍｏｌ）及びトルエン５０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体１．８８ｇを得た。粗体を精製し、暗緑青色固体として化合物ＢＢＴ−（４）を０．３３ｇ得た。【０１８３】
ＢＢＴ−（４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃；δ（ｐｐｍ））；
１．８３−１．９２（６Ｈ，ｍ）、７．５０（６Ｈ，ｂｒｓ）、７．７４（４Ｈ，ｂｒｓ）、９．０４（２Ｈ，ｂｒｓ）
ＴＯＦ−ＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；６３９（Ｍ＋１）【０１８４】
＜実施例１−５＞
［化合物ＢＢＴ−（５）の合成］
（工程（５−Ａ）：化合物（５−１）の合成）【０１８５】
【化２４】
2013141182.tif 000026
【０１８６】
温度計と攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、窒素雰囲気下、塩化アルミニウム４０ｇ（２５５ｍｍｏｌ）、二硫化炭素９０ｍｌを加えた後に、撹拌しながら内温を−５〜５℃に保って４−ヨードベンゼン４５ｇ（２２１ｍｍｏｌ）、次いでウンデカノイルクロリド５９ｇ（２９０ｍｍｏｌ）を緩やかに滴下し、室温まで昇温させながら一晩反応させた。反応終了後、得られた反応液を氷冷した１規定塩酸２００ｍｌに加えた後、酢酸エチル１０００ｍｌで抽出し、有機層を水、次いで食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。得られた反応混合物を、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（水：アセトニトリル＝４０：６０〜５：９５容量％）で精製し、白色固体として化合物（５−１）を２２．４ｇ得た（単離収率２７％）。【０１８７】
化合物（５−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９０（３Ｈ，ｍ）、１．２６〜１．７５（１６Ｈ、ｍ）、２．８９〜２．９３（２Ｈ、ｍ）、７．６４〜７．６８（２Ｈ、ｍ）、７．８０〜７．８４（２Ｈ、ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；３７３（Ｍ＋１）【０１８８】
（工程（５−Ｂ）：化合物（５−２）の合成）【０１８９】
【化２５】
2013141182.tif 000027
【０１９０】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、化合物（５−１）を１４．７ｇ（３９．５ｍｍｏｌ）、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド３４．８ｇ（１５８ｍｍｏｌ）及び無水クロロホルム１４７ｍｌを加えて均一溶液とした後、内温約５０℃で３５時間反応させた。室温まで冷却したのち、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ｍｌに反応液を加えてクエンチし、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、得られた反応混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、無色液体として化合物（５−２）を７．１ｇ得た（単離収率４６％）。【０１９１】
化合物（５−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．８９（３Ｈ，ｍ）、１．２４〜１．４６（１６Ｈ、ｍ）、２．０１〜２．１３（２Ｈ、ｍ）、７．１８〜７．２０（２Ｈ、ｍ）、７．７４〜７．７７（２Ｈ、ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３９４（Ｍ＋）【０１９２】
（工程（５−Ｃ）：化合物（５−３）の合成）【０１９３】
【化２６】
2013141182.tif 000028
【０１９４】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（５−２）を８．５ｇ（２１．６ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を３．０ｇ（４．３２ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン１６．１ｇ（４３．２ｍｍｏｌ）及びトルエン２５６ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応終了後、溶媒を濃縮し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９０：１０容量％）、ついで、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００％）で精製し、白色固体として化合物（５−３）を５．９ｇ得た（単離収率７８％）。【０１９５】
化合物（５−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８５〜０．９１（３Ｈ，ｍ）、１．２４〜１．４４（１６Ｈ、ｍ）、２．０６〜２．１８（２Ｈ，ｍ）、７．０８〜７．１０（１Ｈ，ｍ）、７．３０〜７．３５（２Ｈ，ｍ）、７．４５〜７．４７（２Ｈ，ｍ）、７．６３〜７．６５（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３５０（Ｍ＋）；【０１９６】
（工程（５−Ｄ）：化合物（５−４）の合成）【０１９７】
【化２７】
2013141182.tif 000029
【０１９８】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（５−３）を４．００ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン４０ｍｌを加え、内温−５５℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を９．３ｍｌ（１４．８ｍｍｏｌ）加え、同温度で３０分撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド５．０ｇ（１４．８ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、終夜撹拌した。ＴＨＦ−水混液を加えてクエンチしたのち、溶媒を留去した。濃縮物にヘキサンを加え、ろ過した。ろ液を濃縮し、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝７０：３０〜１００：０容量％）で精製し、淡黄色液体として化合物（５−４）を６．１ｇ得た。【０１９９】
化合物（５−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８４−０．９４（ｍ、１２Ｈ）、１．０２−１．２１（ｍ、６Ｈ）、１．２１−１．７２（ｍ、２８Ｈ）、２．０２−２．２２（ｍ、２Ｈ）、７．１１−７．１９（ｍ、１Ｈ）、７．４０−７．５０（ｍ、３Ｈ）、７．６２−７．６９（ｍ、２Ｈ）【０２００】
（工程（５−Ｅ）：ＢＢＴ−（５）の合成）【０２０１】
【化２８】
2013141182.tif 000030
【０２０２】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（５−４）を５．８ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール０．８ｇ（２．２７ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．４８ｇ（０．６８ｍｍｏｌ）及びトルエン５０ｍｌを加え、内温約１００℃で７時間反応させた。反応液を濾過して粗体１．７６ｇを得た。粗体を精製し、暗緑色固体としてＢＢＴ−（５）を１．３２ｇ得た。【０２０３】
ＢＢＴ−（５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；０．７８−０．９０（ｍ、６Ｈ）、１．１８−１．４０（ｍ、２８Ｈ）、１．４６−１．６０（ｍ、４Ｈ）、２．０５−２．３０（ｍ、４Ｈ）、７．４４−７．５８（ｍ、６Ｈ）、７．７０−７．８４（ｍ、４Ｈ）、９．００−９．０７（ｍ、２Ｈ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；８９１．３２２３（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ．８９１．３２４６【０２０４】
＜実施例１−６＞
［化合物ＢＢＴ−（６）の合成］
（工程（６−Ａ）：化合物（６−１）の合成）【０２０５】
【化２９】
2013141182.tif 000031
【０２０６】
攪拌装置を備えた容量２０００ｍｌのガラス製反応容器に、アルゴン雰囲気下、４−ブロモフェノールを１７３．０ｇ（１．０ｍｏｌ）、トリエチルアミン２０８ｍｌ（１．５ｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（スパチュラ１杯）及び無水クロロホルム５００ｍｌを加えて均一溶液とした後、内温約０〜１０℃に冷却した。塩化アセチル８６ｍｌ（１．２ｍｏｌ）を無水クロロホルム１０００ｍｌに希釈し、滴下ロートよりゆっくりと加え、終夜室温まで昇温させながら撹拌、反応させた。水５００ｍｌに反応液を加えてクエンチし、有機層を水５００ｍｌで２回、１規定塩酸５００ｍｌで３回洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、得られた反応混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９５：５容量％）で精製し、黄色液体として化合物（６−１）を１７２．１ｇ得た。【０２０７】
化合物（６−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；２．３０（３Ｈ，ｓ）、６．９６−７．０１（２Ｈ，ｍ）、７．４６−７．５２（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；２１６（Ｍ＋２）【０２０８】
（工程（６−Ｂ）：化合物（６−２）の合成）【０２０９】
【化３０】
2013141182.tif 000032
【０２１０】
温度計と攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、窒素雰囲気下、化合物（６−１）５０ｇ（２３３ｍｍｏｌ），ローソン試薬１０５ｇ（２３３ｍｍｏｌ）、メシチレン５０ｍｌを加えた後に、撹拌しながら内温を約１６５℃に保って１時間反応させた後に、トルエン２００ｍｌを加えた。同じ反応を更に２回行い、合計３回分の反応液を合わせて濾過し、ろ液を濃縮した。得られた粗体をシリカゲルカラム（ヘキサン１００容量％）で２回精製し、赤色固体として化合物（６−２）を１５．３ｇ得た（単離収率１０％）。【０２１１】
化合物（６−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；２．８０（３Ｈ，ｓ）、６．８９〜６．９３（２Ｈ、ｍ）、７．５１〜７．５７（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；２３３（Ｍ＋２）；【０２１２】
（工程（６−Ｃ）：化合物（６−３）の合成）【０２１３】
【化３１】
2013141182.tif 000033
【０２１４】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、化合物（６−２）を６．１１ｇ（２６．４ｍｍｏｌ）、三塩化アンチモン０．６ｇ（２．６ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン８０ｍｌを加えた溶液に、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド２３．４ｇ（１０５．８ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン４０ｍｌを加えた均一溶液を水浴中で滴下し、終夜撹拌した。反応終了後、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ｍｌに反応液を加え、塩化メチレン５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し反応粗体を得た。これと、化合物（６−２）７．８ｇ（３３．８ｍｍｏｌ）を用いて同様な操作で取得した反応粗体を合わせてシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、薄黄色液体として化合物（６−３）を４．２２ｇ得た（単離収率３０％）。【０２１５】
化合物（６−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；１．８８〜１．９４（３Ｈ，ｍ）、７．０４〜７．１３（２Ｈ，ｍ）、７．４３〜７．４８（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；２３８（Ｍ＋１）【０２１６】
（工程（６−Ｄ）：化合物（６−４）の合成）【０２１７】
【化３２】
2013141182.tif 000034
【０２１８】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（６−３）を４．２ｇ（１７．８ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を３．１ｇ（４．４５ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン８．６４ｇ（２３．１ｍｍｏｌ）及びトルエン１２０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応終了後ヘキサン１００ｍｌを加えて濾過し、ろ液を濃縮して得た粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００％）で、次いで炭酸カリウムを１０重量％混合したシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、白色固体として化合物（６−４）を１．９ｇ得た（単離収率４４％）。【０２１９】
化合物（６−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；１．９０〜１．９６（３Ｈ，ｍ）、７．０６〜７．０８（１Ｈ，ｍ）、７．１７〜７．２０（２Ｈ，ｍ）、７．２５〜７．２７（２Ｈ，ｍ）、７．５５〜７．５８（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；２４１（Ｍ＋１）【０２２０】
（工程（６−Ｅ）：化合物（６−５）の合成）【０２２１】
【化３３】
2013141182.tif 000035
【０２２２】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（６−４）を１．９ｇ（７．９１ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン４０ｍｌを加え、内温−５５℃以下を保ちながら、１．５８規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を６．０ｍｌ（９．４８ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド３．０８ｇ（９．４８ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、終夜撹拌した。メタノールを加えてクエンチしたのち、溶媒を留去して得られた粗体を、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝８０：２０〜８５：１５容量％）で精製し、黄色オイルとして化合物（６−５）を３．５２ｇ得た（単離収率８４％）。【０２２３】
化合物（６−５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８９〜０．９２（９Ｈ，ｍ）、１．０６〜１．２１（６Ｈ，ｍ）、１．３１〜１．４０（６Ｈ，ｍ）、１，５３〜１．６３（６Ｈ，ｍ）、１．８９〜１．９６（３Ｈ，ｍ）、７．１２〜７．１８（３Ｈ，ｍ）、７．３７〜７．３８（１Ｈ，ｍ）、７．５６〜７．５９（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；５３０（Ｍ＋１）；【０２２４】
（工程（６−Ｆ）：化合物ＢＢＴ−（６）の合成）【０２２５】
【化３４】
2013141182.tif 000036
【０２２６】
攪拌装置を備えた容量２０ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（６−５）を３．５２ｇ（６．６５ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール０．６２ｇ（１．６６ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．３５ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体０．５ｇを得た。粗体を精製し、暗緑青色固体としてＢＢＴ−（６）を０．４５ｇ得た（単離収率３４％）。【０２２７】
ＢＢＴ−（６）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；１．８０〜１．８７（６Ｈ，ｍ）、７．１７〜７．２０（４Ｈ，ｍ）、７．４０〜７．４１（２Ｈ，ｍ）、７．６６〜７．６８（４Ｈ，ｍ）、９．００〜９．０１（２Ｈ，ｍ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；６７１．０３２０（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ．６７１．０３２７．【０２２８】
＜実施例１−７＞
［化合物ＢＢＴ−（７）の合成］
（工程（７−Ａ）：化合物（７−１）の合成）【０２２９】
【化３５】
2013141182.tif 000037
【０２３０】
温度計と攪拌装置を備えた容量２０００ｍｌのガラス製反応容器に、窒素雰囲気下、４−ヨードフェノール１２５ｇ（５６８ｍｍｏｌ）及びクロロホルム２５０ｍｌを加えて均一溶液とした中に、トリエチルアミン８６．２ｇ（８５２ｍｍｏｌ）を滴下し、次いでデカノイルクロリド１３０ｇ（６８１ｍｍｏｌ）をクロロホルム１０００ｍｌに溶解させた液を内温１０℃以下で滴下し、終夜撹拌した。反応液を水５００ｍｌで３回、１規定塩酸５００ｍｌで３回洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶液を濃縮し、得られた粗体をシリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝９５：５容量％）で精製し、無色オイルとして化合物（７−１）を２１７ｇ得た（単離収率１００％）【０２３１】
化合物（７−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９０（３Ｈ，ｍ），１．２３〜１，４６（１２Ｈ，ｍ）、１．６９〜１．７７（２Ｈ，ｍ）、２．５１〜２．５５（２Ｈ，ｍ）、６．８２〜６．８６（２Ｈ，ｍ）、７．６５〜７．６８（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３７４（Ｍ＋）；【０２３２】
（工程（７−Ｂ）：化合物（７−２）の合成）【０２３３】
【化３６】
2013141182.tif 000038
【０２３４】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（７−１）を１０ｇ（２６．７ｍｍｏｌ），ローソン試薬９．６ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）を加えた後に、撹拌しながら内温を約１６５℃に保って３０分反応させた。１００℃程度に冷却後、トルエン１００ｍｌを加えて懸濁液とした。同じ反応を更に２回行い、懸濁液を合せて反応液Ａとした。次いで、攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に化合物（７−１）を２０ｇ（５３．４ｍｍｏｌ），ローソン試薬１９．２ｇ（４２．７ｍｍｏｌ）を加えた後に、撹拌しながら内温を約１６５℃に保って４０分反応させた。１００℃程度に冷却後、トルエン１００ｍｌを加えて懸濁液とした。同じ反応を更に２回行い懸濁液を合せて反応液Ｂとした。次いで、攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に化合物（７−１）を３０ｇ（８０．１ｍｍｏｌ），ローソン試薬２８．８ｇ（６４．１ｍｍｏｌ）を加えた後に、撹拌しながら内温を約１６５℃に保って４５分反応させた。１００℃程度に冷却後、トルエン１００ｍｌを加えて懸濁液とした。同じ反応を更に２回行い懸濁液を合せて反応液Ｃとした。反応液Ａ，Ｂ，Ｃを合わせて固体を濾過し、ろ液を濃縮して得た粗体をシリカゲルカラム（ヘキサン１００容量％）で２回精製し、化合物（７−２）を含む赤色オイルを８７ｇ得た。【０２３５】
化合物（７−２）の物性値は以下の通りであった。
ＣＩ−ＭＳ；３９１（Ｍ＋１）；【０２３６】
（工程（７−Ｃ）：化合物（７−３）の合成）【０２３７】
【化３７】
2013141182.tif 000039
【０２３８】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、工程（７−Ｂ）で得た化合物（７−２）を含む赤色液体８７ｇ、三塩化アンチモン５．０９ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）及び無水クロロホルム４００ｍｌを加えた溶液に、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド１４７．６ｇ（６６７ｍｍｏｌ）を水浴中で滴下し、終夜撹拌した。反応終了後、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１０００ｍｌに反応液を加え、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し反応粗体を得た。反応粗体を合わせてシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で２回精製を行った後、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９０：１０容量％）で精製し、薄黄色液体として化合物（７−３）を７．２５ｇ得た（化合物（７−１）基準の単離収率４％）。【０２３９】
化合物（７−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８７〜０．９０（３Ｈ，ｍ）、１．２８〜１．３９（１２Ｈ，ｍ）、１．５７〜１．６５（２Ｈ，ｍ）、２．０６〜２．１６（２Ｈ，ｍ）、６．９２〜６．９５（２Ｈ，ｍ）、７．６１〜７．６５（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３９６（Ｍ＋）；【０２４０】
（工程（７−Ｄ）：化合物（７−４）の合成）【０２４１】
【化３８】
2013141182.tif 000040
【０２４２】
攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（７−３）を７．２ｇ（１８．２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を２．９４ｇ（３．５５ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン１０．１８ｇ（２７．３ｍｍｏｌ）及びトルエン２２０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた後、２−（トリブチルスズ）チオフェン２．３６ｇ（６．３ｍｍｏｌ）を加えて、内温１１０℃で２時間反応させた。反応終了後溶媒を濃縮して得た粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、次いで逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜１００：０容量％）で精製し、白色固体として化合物（７−４）を４．５３ｇ得た（単離収率７１％）。【０２４３】
化合物（７−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８７〜０．９１（３Ｈ，ｍ）、１．２８〜１．４０（１２Ｈ，ｍ）、１．６０〜１．６８（２Ｈ，ｍ）、２，０９〜２．１８（２Ｈ，ｍ）、７．０５〜７．０８（１Ｈ，ｍ）、７．１６〜７．２７（３Ｈ，ｍ）、７．５４〜７．５８（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３５２（Ｍ＋）【０２４４】
（工程（７−Ｅ）：化合物（７−５）の合成）【０２４５】
【化３９】
2013141182.tif 000041
【０２４６】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（７−４）を４．５３ｇ（１２．８５ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン１００ｍｌを加え、内温−５５℃以下を保ちながら、１．５９規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を９．２９ｍｌ（１４．７７ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド４．８１ｇ（１４．７７ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、終夜撹拌した。メタノールを加えた後、溶媒を留去して得られた粗体を、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜１００：０容量％）で２回精製し、黄色オイルとして化合物（７−５）を６．６５ｇ得た（単離収率８１％）。【０２４７】
化合物（７−５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８９〜０．９２（１２Ｈ，ｍ）、１．０６〜１．６６（３２Ｈ，ｍ）、２．１１〜２．１５（２Ｈ，ｍ）、７．１２〜７．１７（３Ｈ，ｍ）、７．３７〜７．３８（１Ｈ，ｍ）、７．５６〜７．５８（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；６４２（Ｍ＋１）【０２４８】
（工程（７−Ｆ）：化合物ＢＢＴ−（７）の合成）【０２４９】
【化４０】
2013141182.tif 000042
【０２５０】
攪拌装置を備えた容量２０ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（７−５）を２．０ｇ（３．１２ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール０．２８ｇ（０．７８ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．１６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）及びトルエン６ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体Ａを０．６８ｇを得た。化合物（７−５）を４．４９ｇ使用して同様に反応を行い、粗体Ｂを１．７６ｇ得た。粗体Ａと粗体Ｂを合わせて精製し、暗緑青色固体としてＢＢＴ−（７）を０．５５ｇ得た（単離収率２４％）。【０２５１】
ＢＢＴ−（７）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；０．８５〜０．８８（６Ｈ，ｍ），１．２７〜１．４１（２８Ｈ，ｍ），１．６４〜１．７２（４Ｈ，ｍ）、２．１１〜２．２１（４Ｈ，ｍ）、７．２１〜７．２４（４Ｈ，ｍ）、７．３９〜７．４０（２Ｈ，ｍ）、７．６７〜７．６９（４Ｈ，ｍ）、８．９７〜８．９８（２Ｈ，ｍ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；８９５．２８１４（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ．８９５．２８３１．【０２５２】
＜実施例１−８＞
［化合物ＢＢＴ−８の合成］
（工程（８−Ａ）：化合物（８−１）の合成）【０２５３】
【化４１】
2013141182.tif 000043
【０２５４】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのガラス製反応容器に、アルゴン雰囲気下、１−ブロモ−４−（ヘプタデカフルオロオクチル）ベンゼンを１１．４０ｇ（１９．８ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を４．１７ｇ（５．９ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン９．６ｇ（２５．８ｍｍｏｌ）及びトルエン３４０ｍｌを加え、内温約１００℃で３時間反応させた。反応終了後、反応溶媒を濃縮し、濃縮物を順相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００％）で精製し白色固体を得た。この白色固体を順相シリカゲル：炭酸カリウム＝９０：１０（重量比）、ヘキサン１００％で精製した。次いでＣ１８逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝８０：２０〜１００：０容量％）で精製し、白色固体として化合物（８−１）を８．３ｇ得た。【０２５５】
化合物（８−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；７．１３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，Ｊ＝５．０Ｈｚ）、７．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ）、７．４１（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ）、７．５９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ）、７．７３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ）
ＥＩ−ＭＳ；５７８（Ｍ＋）【０２５６】
（工程（８−Ｂ）：化合物（８−２）の合成）【０２５７】
【化４２】
2013141182.tif 000044
【０２５８】
攪拌装置を備えた容量１０００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（８−１）を７．４２ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン８００ｍｌを加え、内温−７８℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を８．８ｍｌ（１４．１ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド３．８ｍｌ（１４．０ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温しながら、終夜撹拌した。メタノール１０ｍｌを加えてクエンチしたのち、溶媒を留去して得られた粗体を、クロロホルム−順相シリカゲル／炭酸カリウム（９０：１０重量％）で１０分撹拌した後に、ろ過及び濃縮して紫色固体として粗体を１１．４ｇ得た。粗体をＣ１逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝９５：５〜１００：０容量％）、２−プロパノール１００容量％）で精製し、赤色オイルとして化合物（８−２）を３．５８ｇ得た。【０２５９】
化合物（８−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９１（９Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）、１．１２−１．１６（６Ｈ，ｍ）、１．３１−１．４０（６Ｈ，ｍ）、１．５５−１．６４（６Ｈ，ｍ）、７．１４−７．２０（１Ｈ，ｍ）、７．５１−７．５３（１Ｈ，ｍ）、７．５７（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．７４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）、
ＣＩ−ＭＳ；８６７（Ｍ＋）【０２６０】
（工程（８−Ｃ）：化合物ＢＢＴ−８の合成）【０２６１】
【化４３】
2013141182.tif 000045
【０２６２】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（８−２）を３．５８ｇ（４．１３ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール（以下ジブロモ体と記載）０．３６ｇ（１．０３ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．２２ｇ（０．３１ｍｍｏｌ）及びトルエン３０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して粗体１．９８ｇを得た。粗体を精製し、暗緑青色固体として化合物ＢＢＴ−（８）を０．５１ｇ得た。【０２６３】
ＢＢＴ−（８）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃；δ（ｐｐｍ））；７．５５−７．６０（６Ｈ，ｍ）、７．８１−７．８３（４Ｈ，ｍ）、９．０５（２Ｈ，ｂｒｓ）、
ＴＯＦ−ＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；１３４６（Ｍ＋１）【０２６４】
＜実施例１−９＞
［化合物ＢＢＴ−（９）の合成］
（工程（９−Ａ）：化合物（９−１）の合成）【０２６５】
【化４４】
2013141182.tif 000046
【０２６６】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのガラス製反応容器に、アルゴン雰囲気下、１，４−ジブロモベンゼンを２５ｇ（１０６ｍｍｏｌ）、無水テトラヒドロフラン３００ｍｌを加え、内温−７８℃以下を保ちながら、１．６規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を７５ｍｌ（１２０ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でイソバレルアルデヒド１３．８ｍｌ（１２８ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温して３時間撹拌した。０〜１０℃に冷却した飽和塩化アンモニウム水溶液に反応溶液を加えて、酢酸エチルで分液した。有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮後に黄色液体として粗体２６ｇを得た。順相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン、ヘキサン：酢酸エチル＝３０：１〜１０：１容量％）で精製し、黄色液体として化合物（９−１）を２２ｇ得た。【０２６７】
化合物（９−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９４−０．９６（６Ｈ，ｍ）、１．４３−１．５２（１Ｈ，ｍ）、１．６４−１．７６（３Ｈ，ｍ）、４．７０−４．７４（１Ｈ，ｍ）、７．２１−７．２５（２Ｈ，ｍ）、７．４５−７．４８（２Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；２４４（Ｍ＋）【０２６８】
（工程（９−Ｂ）：化合物（９−２）の合成）【０２６９】
【化４５】
2013141182.tif 000047
【０２７０】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、化合物（９−１）２０ｇ（８２．３ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン４５０ｍｌを加えた溶液に、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド２１．８４ｇ（９８．７６ｍｍｏｌ）及び無水クロロホルム５０ｍｌを加えた均一溶液を水浴中で滴下し、終夜撹拌した。反応終了後、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ｍｌに反応液を加え、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し反応粗体を得た。反応粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、無色液体として化合物（９−２）を１４．１６ｇ得た（単離収率７５％）。【０２７１】
化合物（９−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９６〜０．９９（６Ｈ，ｍ）、１．４７〜１．６１（１Ｈ，ｍ）、１．７７〜１．９４（２Ｈ，ｍ）、５．３８〜５．５３（１Ｈ，ｍ）、７．１９〜７．２１（２Ｈ，ｍ）、７．４８〜７．５０（２Ｈ，ｍ） 
ＣＩ−ＭＳ；２４６（Ｍ＋）【０２７２】
（工程（９−Ｃ）：化合物（９−３）の合成）【０２７３】
【化４６】
2013141182.tif 000048
【０２７４】
攪拌装置を備えた容量３００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（９−２）を７．０ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を２．０ｇ（２．８５ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン１３．９２ｇ（３７．１８ｍｍｏｌ）及びトルエン２１０ｍｌを加え、内温約１００℃で２時間反応させた後、ヘキサン１００ｍｌを加えて濾過し、反応液Ａを得た。同様にして、化合物（９−２）を７．０ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）用いて反応を行い、反応液Ｂを得た。反応液ＡとＢを合わせ、減圧濃縮して得た粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン１００容量％）で精製し、白色固体として化合物（９−３）を５．３７ｇ得た（単離収率３９％）。【０２７５】
化合物（９−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９３〜０．９７（６Ｈ，ｍ）、１．５１〜１．５６（１Ｈ，ｍ）、１．６９〜１．７９（３Ｈ，ｍ）、４．７４〜４．７７（１Ｈ，ｍ）、７．０６〜７．０９（１Ｈ，ｍ）、７．２６〜７．３７（４Ｈ，ｍ）、７．５８〜７．６１（２Ｈ，ｍ） 
ＣＩ−ＭＳ；２４６（Ｍ＋）【０２７６】
（工程（９−Ｄ）：化合物（９−４）の合成）【０２７７】
【化４７】
2013141182.tif 000049
【０２７８】
攪拌装置を備えた容量５００ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド５．７６ｇ（２６．１６ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン１７０ｍｌを加えた溶液に、化合物（９−３）５．３７ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）及び無水クロロホルム３０ｍｌを加えた均一溶液を−７８℃で滴下し、室温まで昇温させながら終夜撹拌した。反応終了後、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ｍｌに反応液を加え、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し反応粗体を得た。反応粗体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜８０：２０容量％）で精製し、薄黄色固体として化合物（９−４）を１．４１ｇ得た（単離収率２７％）。【０２７９】
化合物（９−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．９８〜１．０１（６Ｈ，ｍ）、１．５３〜１．６７（１Ｈ，ｍ）、１．８１〜１．９７（２Ｈ，ｍ）、５．４３〜５．５８（１Ｈ，ｍ）、７．０７〜７．０９（１Ｈ，ｍ）、７．２７〜７．３５（４Ｈ，ｍ）、７．６０〜７．６２（２Ｈ，ｍ） 
ＣＩ−ＭＳ；２４９（Ｍ＋１）【０２８０】
（工程（９−Ｅ）：化合物（９−５）の合成）【０２８１】
【化４８】
2013141182.tif 000050
【０２８２】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（９−４）を１．４１ｇ（５．６７ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン２０ｍｌを加え、内温−５５℃以下を保ちながら、１．５８規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を３．５９ｍｌ（５．６７ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド２．２２ｇ（６．８ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、１時間撹拌した。メタノールを加えた後、溶媒を留去して得られた粗体を、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９０：１０容量％）で精製し、黄色オイルとして化合物（９−５）を２．７７ｇ得た（単離収率９１％）。【０２８３】
化合物（９−５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，δ（ｐｐｍ））；０．８７〜１．６９（３４Ｈ，ｍ），１．７８〜２．０１（２Ｈ，ｍ），５．４２〜５．５７（１Ｈ，ｍ），７．１１〜７．１７（１Ｈ，ｍ），７．３１〜７．３４（２Ｈ，ｍ），７．４２〜７．４３（１Ｈ，ｍ）、７．６１〜７．６３（２Ｈ，ｍ） 
ＥＩ−ＭＳ；５３８（Ｍ＋１）【０２８４】
（工程（９−Ｆ）：化合物ＢＢＴ−（９）の合成）【０２８５】
【化４９】
2013141182.tif 000051
【０２８６】
攪拌装置を備えた容量５０ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（９−５）を２．７７ｇ（５．１５ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール０．４５ｇ（１．２９ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．２７ｇ（０．３９ｍｍｏｌ）及びトルエン１５ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた。反応液を濾過して得た粗体を精製し、暗緑青色固体としてＢＢＴ−（９）を０．２９ｇ得た（単離収率３２％）。【０２８７】
ＢＢＴ−（９）の物性値は以下の通りであった。
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；６８７．１５３９（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ．６８７．１５５６．【０２８８】
＜実施例１−１０＞
［化合物ＢＢＴ−（１０）の合成］
（工程（１０−Ａ）：化合物（１０−１）の合成）【０２８９】
【化５０】
2013141182.tif 000052
【０２９０】
攪拌装置を備えた容量１０００ｍｌのガラス製反応容器に、４−ヨード安息香酸２５ｇ（１００．８ｍｍｏｌ）、ノルマルデカノール１９．１５ｇ（１２０．９６ｍｍｏｌ）及び塩化メチレン５００ｍｌを加えて均一溶液とした後、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩２８．９ｇ（１５０．７ｍｍｏｌ）を水浴中で分割添加した。次いで、４―ジメチルアミノピリジン３．０８ｇ（２５．２ｍｍｏｌ）を添加し、水浴中で終夜撹拌した。反応液を、水２００ｍｌで２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を濃縮して得られた粗体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝９５：５容量％）で精製し、無色液体として化合物（１０−１）を２２．３７ｇ得た（単離収率５７％）。【０２９１】
化合物（１０−１）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９０（３Ｈ，ｍ）、１．３６〜１．４６（１４Ｈ，ｍ）、１．７２〜１．７９（２Ｈ、ｍ）、４．２８〜４．３２（２Ｈ，ｍ）、７．７２〜７．８１（４Ｈ、ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３８８（Ｍ＋）【０２９２】
（工程（１０−Ｂ）：化合物（１０−２）の合成）【０２９３】
【化５１】
2013141182.tif 000053
【０２９４】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１０−１）を１３．２７ｇ（３４．２ｍｍｏｌ），ローソン試薬１２．２９ｇ（２７．３６ｍｍｏｌ）を加えた後に、撹拌しながら内温を約１９０℃に保って６０分反応させた。１００℃程度に冷却後、トルエン１００ｍｌを加えて懸濁液とした。固体を濾過し、ろ液を濃縮して得た粗体をシリカゲルカラム（ヘキサン１００容量％）で精製し、赤色固体として化合物（１０−２）を１０．０３ｇ得た（単離収率７３％）。【０２９５】
化合物（１０−２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８７〜０．９０（３Ｈ，ｍ）、１．２７〜１．５１（１４Ｈ，ｍ）、１．８６〜１．９３（２Ｈ，ｍ）、４．６１〜４．６５（２Ｈ，ｍ）、７．６９〜７．９０（４Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；４０５（Ｍ＋１）【０２９６】
（工程（１０−Ｃ）：化合物（１０−３）の合成）【０２９７】
【化５２】
2013141182.tif 000054
【０２９８】
攪拌装置を備えた容量２５０ｍｌのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）製反応容器に、アルゴン雰囲気下、化合物（１０−２）９．０ｇ（２２．３ｍｍｏｌ）、三塩化アンチモン０．５１ｇ（２．２３ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン６８ｍｌを加えた液に、ビス（２−メトキシエチル）アミノサルファートリフルオリド９．８６ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）及び無水塩化メチレン２２ｍｌを加えた均一溶液を水浴中で滴下し、終夜撹拌した。反応終了後、氷冷した飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５００ｍｌに反応液を加え、クロロホルム５００ｍｌで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し反応粗体を得た。逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９５：５容量％）で精製し、薄黄色液体として化合物（１０−３）を８．０ｇ得た（単離収率８７％）。【０２９９】
化合物（１０−３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９０（３Ｈ，ｍ）、１．２７〜１．４０（１４Ｈ，ｍ）、１．６５〜１．７２（２Ｈ，ｍ）、３．９９〜４．０２（２Ｈ，ｍ）、７．３３〜７．７７（４Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；４１０（Ｍ＋）【０３００】
（工程（１０−Ｄ）：化合物（１０−４）の合成）【０３０１】
【化５３】
2013141182.tif 000055
【０３０２】
攪拌装置を備えた容量１００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１０−３）を２．０ｇ（４．８７ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．３４ｇ（０．４８７ｍｍｏｌ），２−（トリブチルスズ）チオフェン２．４８９ｇ（６．３３１ｍｍｏｌ）及びトルエン６０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応させた後、溶媒を減圧濃縮して得た粗体を逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜９０：１０容量％）で精製し、白色固体として化合物（１０−４）を１．３１ｇ得た（単離収率７４％）。【０３０３】
化合物（１０−４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９４（３Ｈ，ｍ）、１．２７〜１．４４（１４Ｈ，ｍ）、１．６９〜１．７４（２Ｈ，ｍ）、４．０１〜４．０４（２Ｈ，ｍ）、７．０８〜７．１１（１Ｈ，ｍ）、７．３１〜７．３６（２Ｈ，ｍ）、７．６０〜７．６６（４Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；３６６（Ｍ＋）【０３０４】
（工程（１０−Ｅ）：化合物（１０−５）の合成）【０３０５】
【化５４】
2013141182.tif 000056
【０３０６】
攪拌装置を備えた容量２００ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１０−４）を６．１１ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）及び、無水テトラヒドロフラン１２０ｍｌを加え、内温−５５℃以下を保ちながら、１．６４規定のノルマルブチルリチウムヘキサン溶液を１１．２ｍｌ（１８．４ｍｍｏｌ）加え、同温度で１時間撹拌したのち、同温度でトリブチルスズクロリド５．９６ｇ（１８．４ｍｍｏｌ）を加えて、室温まで昇温し、終夜撹拌した。メタノールを加えた後、溶媒を留去して得られた粗体を、逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリル：水＝６０：４０〜１００：０容量％）で精製し、黄色オイルとして化合物（１０−５）を４．８８ｇ得た（単離収率４５％）。【０３０７】
化合物（１０−５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３）；０．８６〜０．９３（１２Ｈ，ｍ）、１．１１〜１．７３（３４Ｈ，ｍ）、４．００〜４．０４（２Ｈ，ｍ）、７．１２〜７．１９（１Ｈ，ｍ）、７．４５〜７．４７（１Ｈ、ｍ）、７．５８〜７．６７（４Ｈ，ｍ）
ＥＩ−ＭＳ；６５６（Ｍ＋１）【０３０８】
（工程（１０−Ｆ）：化合物ＢＢＴ−（１０）の合成）【０３０９】
【化５５】
2013141182.tif 000057
【０３１０】
攪拌装置を備えた容量５０ｍｌのガラス製反応容器に、化合物（１０−５）を４．４４ｇ（６．７７ｍｍｏｌ）、ジブロモベンゾビスチアジアゾール０．５９５ｇ（１．６９ｍｍｏｌ），ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）を０．３６ｇ（０．５０７ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍｌを加え、内温約１００℃で６時間反応後、反応液を濾過して粗体１．１１ｇを得た。精製を行い、暗緑青色固体としてＢＢＴ−（１０）を０．８２ｇ得た（単離収率５３％）。【０３１１】
ＢＢＴ−（１０）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ；ＣＤＣｌ３：５０℃）；０．９０〜０．８８（６Ｈ，ｍ）、１．２９〜１．４７（２８Ｈ，ｍ）、１．７１〜１．７７（４Ｈ，ｍ）、４．０４〜４．０６（４Ｈ，ｍ）、７．６７〜７．６９（２Ｈ，ｍ）、７．８４〜７．８６（４Ｈ，ｍ）、８．０１〜８．１１（４Ｈ，ｍ）、９．０６〜９．０７（２Ｈ，ｍ）
ＴＯＦ−ＨＲＭＳ（ＡＳＡＰ＋）；９２３．３１２３（Ｍ＋１）；Ｃａｌｃｄ  ９２３．３１４４．
＜実施例１−１１＞
［化合物ＢＢＴ−（１５）の合成］【０３１２】
【化５６】
2013141182.tif 000058
【０３１３】
ＢＢＴ−（４）を減圧度５×１０−３Ｐａ以下、３００℃以上に加熱し、ＢＢＴ−（１５）を得た。【０３１４】
ＢＢＴ−（１５）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）：４．７６〜５．００（２Ｈ，ｍ）※オレフィン部位のみ記載【０３１５】
＜実施例１−１２＞
［化合物ＢＢＴ−（１６）の合成］【０３１６】
【化５７】
2013141182.tif 000059
【０３１７】
ＢＢＴ−（６）を減圧度５×１０−３Ｐａ以下、３００℃以上に加熱し、ＢＢＴ−（１６）を得た。【０３１８】
ＢＢＴ−（１６）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）：３．７６〜４．０３（２Ｈ，ｍ）※オレフィン部位のみ記載【０３１９】
＜参考例１＞
［化合物ＢＢＴ−（１１）の合成］【０３２０】
【化５８】
2013141182.tif 000060
実施例（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）による中間体合成、及びＢＢＴ−（１）の合成を参考にして、ＢＢＴ−（１１）を合成した。【０３２１】
ＢＢＴ−（１１）の物性値は以下の通りであった。
ＦＡＢ−ＭＳ（―）；６４６（Ｍ＋）．【０３２２】
＜参考例２＞
［化合物ＢＢＴ−（１２）の合成］【０３２３】
【化５９】
2013141182.tif 000061
実施例（２−１）、（２−２）による中間体合成、及びＢＢＴ−（２）の合成を参考にして、ＢＢＴ−（１２）を合成した。【０３２４】
ＢＢＴ−（１２）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；２．２７（６Ｈ，ｓ）、７．０９〜７．１１（４Ｈ，ｍ），７．４３〜７．４４（２Ｈ，ｍ）、７．６０〜７．６３（４Ｈ，ｍ）、９．００〜９．０１（２Ｈ，ｍ）
ＣＩ−ＭＳ；５３８（Ｍ＋）．【０３２５】
＜参考例３＞
［化合物ＢＢＴ−（１３）の合成］【０３２６】
【化６０】
2013141182.tif 000062
実施例（２−１）、（２−２）による中間体合成、及びＢＢＴ−（２）の合成を参考にして、ＢＢＴ−（１３）を合成した。【０３２７】
ＢＢＴ−（１３）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；３．６９（６Ｈ，ｓ）、６．８５〜６．８７（４Ｈ，ｍ）、７．３６〜７．４０（２Ｈ，ｍ）、７．６３〜７．６５（４Ｈ、ｍ）、９．００（２Ｈ，ｂｒｓ）
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ；５７１（Ｍ＋）．【０３２８】
＜参考例４＞
［化合物ＢＢＴ−（１４）の合成］【０３２９】
【化６１】
2013141182.tif 000063
実施例（２−１）、（２−２）による中間体合成、及びＢＢＴ−（２）の合成を参考にして、ＢＢＴ−（１４）を合成した。【０３３０】
ＢＢＴ−（１４）の物性値は以下の通りであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ；重水素化ジクロロベンゼン：１４０℃）；０．８４〜０．８７（６Ｈ，ｍ）、１．２６〜１．３８（２４Ｈ，ｍ）、１．６２〜１．６９（４Ｈ、ｍ）、２．５９〜２．６３（４Ｈ，ｍ）、７．１７〜７．１９（４Ｈ，ｍ）、７．４４〜７．４５（２Ｈ，ｍ），７．６５〜７．６８（４Ｈ，ｍ）、９．０１〜９．０２（２Ｈ，ｍ）
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ；７６３（Ｍ＋）【０３３１】
〔溶解度実験３〕
表１に示す各化合物［ＢＢＴ−（１）〜ＢＢＴ−（１４）］１ｍｇを１ｍＬの溶媒（クロロベンゼン）に加えて１００℃または１４０℃に加熱し、溶解性を目視で評価した。化合物が完全に溶解したものを○、一部溶解したものを△、不溶だったものを×とした。その結果を表１に示す。【０３３２】
【表１】
2013141182.tif 000064
【０３３３】
＜実施例２＞
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＢＢＴ−（１）を用いた有機ＴＦＴ］
実施例１−１で得られたＢＢＴ−（１）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３３４】
（ＴＦＴの基板の作製）
有機ＴＦＴの基板として、表面に膜厚２００ｎｍの熱酸化シリコンを形成した市販のシリコンウェハを用いた。シリコンウェハは低抵抗のものとし、有機ＴＦＴのゲート電極としても機能させた。また、酸化シリコン膜をゲート絶縁膜として用いた。上記シリコンウェハは、過酸化水素水と硫酸の混合液で洗浄し、次工程で使用する直前にＵＶオゾン処理により表面を清浄して用いた。このように処理した基板を以降「ベア基板」と表記する。【０３３５】
「ベア基板」を市販のヘキサメチルジシラザンに浸漬して１２時間以上静置し、基板表面を修飾した。このように処理した基板を以降「ＨＭＤＳ修飾基板」と表記する。【０３３６】
（有機半導体層の作製）
昇華精製したＢＢＴ−（１）を用い、真空蒸着法により「ＨＭＤＳ修飾基板」上に膜厚約５０ｎｍの有機半導体層を形成した。有機半導体層形成時の蒸着装置チャンバ内は圧力２．７×１０−５Ｐａとし、有機半導体化合物をカーボン坩堝に入れ、坩堝周囲に巻いたタンタル線フィラメントにより加熱し、蒸着を行った。カーボン坩堝加熱温度は２９５℃であった。蒸着速度は０．２±０．１Å毎秒とした。【０３３７】
（ソース電極およびドレイン電極の作製）
上記有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で成膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作製した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ１０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。【０３３８】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を５０Ｖとした場合の電気特性を図５に示す。図５の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３３９】
電界効果移動度（μ）は、ドレイン電流Ｉｄを表わす下式（式Ａ）を用いて算出することができる。
Ｉｄ＝（Ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔ）２        …  （式Ａ）
ここで、ＬおよびＷはチャネル長およびチャネル幅である。また、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量である。Ｖｇはゲート電圧であり、Ｖｔはしきい値電圧である。【０３４０】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＢＢＴ−（１）の有機ＴＦＴでは、４．１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４１】
さらに、この有機ＴＦＴを１３日間大気下に放置した後、再びドレイン電圧を５０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、８．０×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４２】
さらに、上記と同一の有機ＴＦＴを、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．０ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４３】
また、この有機ＴＦＴをさらに１５日間、計２８日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４４】
また、この有機ＴＦＴをさらに２８日間、計５６日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、９．７×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４５】
また、この有機ＴＦＴをさらに６８日間、計１２４日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、９．７×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３４６】
＜実施例３＞
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（１）を用いた有機ＴＦＴ］
実施例１−１で得られたＢＢＴ−（１）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３４７】
（ＴＦＴの基板の作製）
「ベア基板」に、市販のポリスチレンを０．５ｗｔ％でキシレンに溶解した溶液をスピンコートし、次いで１５０℃で１時間加熱して、基板表面に２０ｎｍのポリスチレン薄膜を作製した。このように処理した基板を以降「ＰＳ基板」と表記する。【０３４８】
（有機半導体層の作製）
昇華精製したＢＢＴ−（１）を用い、真空蒸着法により「ＰＳ基板」上に膜厚約５０ｎｍの有機半導体層を形成した。有機半導体層形成時の蒸着装置チャンバ内は圧力２．７×１０−５Ｐａとし、有機半導体化合物をカーボン坩堝に入れ、坩堝周囲に巻いたタンタル線フィラメントにより加熱し、蒸着を行った。カーボン坩堝加熱温度は２９５℃であった。蒸着速度は０．２±０．１Å毎秒とした。【０３４９】
（ソース電極およびドレイン電極の作製）
上記有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で成膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作製した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ１０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。【０３５０】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を５０Ｖとした場合の電気特性を図６に示す。図６の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３５１】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（１）の有機ＴＦＴでは、５．１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５２】
さらに、この有機ＴＦＴを１３日間大気下に放置した後、再びドレイン電圧を５０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、８．２×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５３】
さらに、上記と同一の有機ＴＦＴを、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．６ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５４】
また、この有機ＴＦＴをさらに１５日間、計２８日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．６ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５５】
また、この有機ＴＦＴをさらに２８日間、計５６日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．６ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５６】
また、この有機ＴＦＴをさらに６８日間、計１２４日間大気下に放置した後、ドレイン電圧を８０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．５ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３５７】
＜比較例１＞
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＦＰＴＢＢＴを用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＦＰＴＢＢＴを用い、実施例２と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力３．３×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３２０℃であった。【０３５８】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を５０Ｖとした場合の電気特性を図７に示す。図７の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３５９】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＦＰＴＢＢＴの有機ＴＦＴでは、４．０×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３６０】
さらに、この有機ＴＦＴを１３日間大気下に放置した後、再度ドレイン電圧を５０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、４．５×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３６１】
＜比較例２＞
［ＰＳ基板上にＦＰＴＢＢＴを用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＦＰＴＢＢＴを用い、実施例３と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力３．３×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３２０℃であった。【０３６２】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を５０Ｖとした場合の電気特性を図８に示す。図８の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３６３】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＦＰＴＢＢＴの有機ＴＦＴでは、４．０×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３６４】
さらに、この有機ＴＦＴを１３日間大気下に放置した後、再度ドレイン電圧を５０Ｖとして電気特性を評価した。その結果、３．０×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３６５】
＜実施例４＞
実施例１−２で得られた化合物ＢＢＴ−（２）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３６６】
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＢＢＴ−（２）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（２）を用い、実施例２と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力２．０×１０−４Ｐａであった。【０３６７】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図９に示す。図９の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３６８】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＢＢＴ−（２）の有機ＴＦＴでは、５．６×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３６９】
＜実施例５＞
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（２）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（２）を用い、実施例３と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力２．０×１０−４Ｐａであった。【０３７０】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１０に示す。図１０の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３７１】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（２）の有機ＴＦＴでは、５．３×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３７２】
＜実施例６＞
実施例１−６で得られた化合物ＢＢＴ−（６）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３７３】
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＢＢＴ−（６）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（６）を用い、実施例２と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力２．４×１０−４Ｐａであった。【０３７４】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１１に示す。図１１の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３７５】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＢＢＴ−（６）の有機ＴＦＴでは、１．１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３７６】
さらに、この有機ＴＦＴを７日間大気下に放置した後、再度ドレイン電圧を１００Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．６ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３７７】
＜実施例７＞
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（６）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（６）を用い、実施例３と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力２．０×１０−４Ｐａであった。【０３７８】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１２に示す。図１２の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３７９】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（６）の有機ＴＦＴでは、１．５ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３８０】
さらに、この有機ＴＦＴを７日間大気下に放置した後、再度ドレイン電圧を１００Ｖとして電気特性を評価した。その結果、１．８ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３８１】
＜比較例３＞
参考例３で得られた化合物ＢＢＴ−（１３）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３８２】
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＢＢＴ−（１３）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（１３）を用い、実施例２と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力１．３×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３３７℃であった。【０３８３】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を８０Ｖとした場合の電気特性を図１３に示す。図１３の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３８４】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＢＢＴ−（１３）の有機ＴＦＴでは、２．０×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３８５】
＜比較例４＞
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（１３）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（１３）を用い、実施例３と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力１．３×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３３７℃であった。【０３８６】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を８０Ｖとした場合の電気特性を図１４に示す。図１４の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３８７】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（１３）の有機ＴＦＴでは、２．０×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３８８】
＜比較例５＞
参考例２で得られた化合物ＢＢＴ−（１２）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３８９】
［ＨＭＤＳ修飾基板上にＢＢＴ−（１２）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（１２）を用い、実施例２と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力１．７×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３２５℃であった。【０３９０】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を８０Ｖとした場合の電気特性を図１５に示す。図１５の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この結果、「ＨＭＤＳ修飾基板」上のＢＢＴ−（１２）は、ｎ型のトランジスタ特性を示さないことが確認された。【０３９１】
＜比較例６＞
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（１２）を用いた有機ＴＦＴ］
ＢＢＴ−（１）に代えて、昇華精製したＢＢＴ−（１２）を用い、実施例３と同様にして有機ＴＦＴを作製した。有機半導体層形成時のチャンバ内は圧力１．７×１０−５Ｐａ、カーボン坩堝加熱温度は３２５℃であった。【０３９２】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を８０Ｖとした場合の電気特性を図１６に示す。図１６の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３９３】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（１２）の有機ＴＦＴでは、４．９×１０−３ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３９４】
＜実施例８＞
実施例１−５で得られた化合物ＢＢＴ−（５）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０３９５】
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（５）を用いた有機ＴＦＴ］
（有機半導体層の作製）
ＢＢＴ−（５）を１，２−ジクロロベンゼンに０．３ｗｔ％となるように加え、１３０℃で加熱し作成した溶液０．１８ｍＬを「ＰＳ基板」上に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、有機半導体層を形成した「ＰＳ基板」を１８０℃で３５分間加熱した。【０３９６】
（ソース電極およびドレイン電極の作製）
上記有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で成膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作製した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。【０３９７】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１７に示す。図１７の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０３９８】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（５）の有機ＴＦＴでは、１．０×１０−１ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０３９９】
＜実施例９＞
実施例１−２で得られた化合物ＢＢＴ−（２）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０４００】
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（２）を用いた有機ＴＦＴ］
（有機半導体層の作製）
ＢＢＴ−（２）を１，２−ジクロロベンゼンに０．３ｗｔ％となるように加え、１３０℃で加熱し作成した溶液０．１８ｍＬを「ＰＳ基板」上に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約２０ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、有機半導体層を形成した「ＰＳ基板」を１８０℃で３５分間加熱した。【０４０１】
（ソース電極およびドレイン電極の作製）
上記有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で成膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作製した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。【０４０２】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１８に示す。図１８の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この素子はｎ型の半導体特性を示している。【０４０３】
上記（式Ａ）を用いて電界効果移動度（μ）を計算した結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（２）の有機ＴＦＴでは、２．６×１０−２ｃｍ２／Ｖｓの電界効果移動度が得られることが分かった。【０４０４】
＜比較例７＞
参考例４で得られた化合物ＢＢＴ−（１４）を用いて、ＴＦＴ素子の作製及び評価を行った。【０４０５】
［ＰＳ基板上にＢＢＴ−（１４）を用いた有機ＴＦＴ］
（有機半導体層の作製）
ＢＢＴ−（１４）を１，２−ジクロロベンゼンに０．３ｗｔ％となるように加え、１３０℃で加熱し作成した溶液０．１８ｍＬを「ＰＳ基板」上に滴下し、１０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートを行い、膜厚約１７ｎｍの有機半導体層を形成した。その後、有機半導体層を形成した「ＰＳ基板」を１８０℃で３５分間加熱した。【０４０６】
（ソース電極およびドレイン電極の作製）
上記有機半導体層上に、金属マスクを用いて金を真空蒸着法で成膜することにより、ソース電極とドレイン電極を形成し、有機ＴＦＴを作製した。有機ＴＦＴのチャネル幅およびチャネル長はそれぞれ２０００μｍおよび７０μｍとした。また、電極層膜厚は約５０ｎｍとした。【０４０７】
作製した有機ＴＦＴのドレイン電圧を１００Ｖとした場合の電気特性を図１９に示す。図１９の横軸はゲート電圧（Ｖ）、縦軸はドレイン電流（Ａ）である。この結果、「ＰＳ基板」上のＢＢＴ−（１４）は、ｎ型のトランジスタ特性を示さないことが確認された。【０４０８】
以上の結果から、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、初期および１２４日間放置後でも、高い電界効果移動度を示すことが分かった。すなわち、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、高い電界効果移動度とともに、大気中でも安定である特性を兼ね備えることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０４０９】
本発明により、有機溶媒に可溶で、塗布による薄膜形成が可能であり、しかも正孔および電子の移動度（電界効果移動度）に優れ、大気中での安定性にも優れるベンゾビス（チアジアゾール）誘導体を提供することができる。【０４１０】
また、本発明のベンゾビス（チアジアゾール）誘導体は、熱的に安定である上、高い電界効果移動度を有しているので、この化合物を有機ＴＦＴの半導体層に用いることで高い電界効果移動度特性が実現できる。また、この化合物を有機ＥＬ素子の正孔輸送層や電子輸送層に用いることで高い発光効率が実現できる。さらに、この化合物を太陽電池の電荷分離層、正孔輸送層や電子輸送層に用いることで高い光電変換効率が実現できる。【０４１１】
また、本発明の有機ＴＦＴと、本発明の有機ＥＬ素子または他の有機ＥＬ素子とを組み合わせてなる画素を配列した有機ＥＬディスプレイは発光効率に優れ、かつ応答性にも優れるという利点を有している。
【符号の説明】
【０４１２】
１１，２１，３１，１１１  基板
１２，１０６  ゲート電極
１３，１０７  ゲート絶縁膜
１４，１１０  ドレイン電極
１５，１０９  ソース電極
１６，１０８  有機半導体層
２２，１０５  陽極
２３，１０４  正孔輸送層
２４，１０３  発光層
２５，１０２  電子輸送層
２６，１０１  陰極
１１２  バリア層
１１３  保護層
１２０  有機ＥＬ素子
１２１  有機ＴＦＴ
３２  陽極
３３  電荷分離層
３４  陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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