(57)【要約】  本発明は、ジメチルスルホキシドをメチルブロミド（ＭｅＢｒ）と反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する方法であって、（１）および（２）を満たすように、ＭｅＢｒを添加する：（１）所定の投入プロファイルに従う添加速度でもって、ＭｅＢｒを添加する、（２）反応系中の温度が所定の上限温度に達しているときにはＭｅＢｒを添加する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法であって、
下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加することを特徴とするトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法：
（１）目標反応温度から推定される反応速度に基づき予め定められた投入プロファイルに従う添加速度でもって、メチルブロミドを添加する、
（２）ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときには、メチルブロミドを添加する。
【請求項２】
上記上限温度は、上記目標反応温度よりも高く、かつ上記目標反応温度＋５．０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項３】
検出された上記温度が予め定められた下限温度を下回っているときには、メチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することを特徴とする請求項１または２に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項４】
上記下限温度は、上記目標反応温度よりも低く、かつ上記目標反応温度−５．０℃以上であることを特徴とする請求項３に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項５】
ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応を行っている間、該反応を行う反応槽を加温することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項６】
上記反応槽を、上記目標反応温度よりも０℃〜２０℃高い温度に維持するように加温することを特徴とする請求項５に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項７】
上記反応系中に、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オルトギ酸トリプロピル、オルト炭酸テトラメチル、オルト炭酸テトラエチル、オルト炭酸テトライソプロピルおよびオルト炭酸テトラプロピルからなる群より選択される少なくとも一化合物が含まれていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項８】
上記反応系中の水分濃度を４００ｐｐｍ以下とすることを特徴とする請求項７に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項９】
ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応が微圧条件下で行われることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法。
【請求項１０】
ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法であって、
下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加することを特徴とするトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法：
（１）反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加する、
（２）上記検出された温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるかまたは添加を停止する。
【請求項１１】
ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとを反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応系の温度の制御方法であって、
上記反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加し、該温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるかまたは添加を停止することにより、反応系の温度を制御することを特徴とするトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応系の温度制御方法。
【請求項１２】
さらに反応系を加温することを特徴とする請求項１１に記載のトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応系の温度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
トリメチルスルホキソニウムブロミドは、殺菌性アゾール誘導体の中間体として有用な化合物である。トリメチルスルホキソニウムブロミドは、ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させることにより製造される。ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する方法として、たとえば、特許文献１には、大気圧下、５０〜７５℃に加熱したジメチルスルホキシドに、メチルブロミドを少量ずつ添加して、最終的に、ジメチルスルホキシド１モルあたり、０．４０〜０．７０モルを反応させる、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平９−２３５２６８号公報（１９９７年９月９日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造における出発原料であるジメチルスルホキシドは、反応温度が高かったり、反応液中に酸が混在したりすると分解反応が生じる。一度分解反応が生じると、酸が生成され、その酸がさらなる分解反応を促進するため、分解反応が一気に進んでしまう。また、断熱状態で反応液を放置しただけでも、自己分解の蓄熱により反応液の温度が上昇し、分解反応が加速されてしまう。【０００５】
いったん分解反応が生じると、その分解を止めることができないうえに、一気に分解反応が進むため、大きな爆発を起こす危険がある。したがって、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造においては、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応温度を適切に制御する必要がある。【０００６】
そこで、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応温度が適切かつ容易に制御される、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法であって、
下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法を提供する：
（１）反応温度から推定される反応速度に基づき予め定められた投入プロファイルに従う添加速度でもって、メチルブロミドを添加する、
（２）ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときには、メチルブロミドを添加する。【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法であって、
下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加する、トリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法もまた提供する：
（１）反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加する、
（２）上記検出された温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるかまたは添加を停止する。【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとを反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応系の温度制御方法であって、上記反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加し、該温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるかまたは添加を停止することにより、反応系の温度を制御する、反応系の温度の制御方法もまた提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加している：（１）目標反応温度から推定される反応速度に基づき予め定められた投入プロファイルに従う添加速度でもって、メチルブロミドを添加する、（２）ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときには、メチルブロミドを添加する。メチルブロミドの添加によって温度制御ができるため、ジャケット等の反応系外部からの温度制御を行わずとも、反応系の温度制御が可能である。したがって、容易に効率的かつ安定的な反応を実現できるとともに、反応系の温度上昇を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】メチルブロミドの投入プロファイルの例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法の一実施形態について説明する。
【００１３】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法は、ジメチルスルホキシドをメチルブロミドと反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する方法であって、下記（１）および（２）を満たすように、メチルブロミドをジメチルスルホキシドに添加するものである。
（１）目標反応温度から推定される反応速度に基づき予め定められた投入プロファイルに従う添加速度でもって、メチルブロミドを添加する。
（２）ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加する。
【００１４】
投入プロファイルは、目標反応温度から推定される反応速度に基づき設定された、反応開始からの時間と、それまでのメチルブロミドの添加総量との関係を表すものである。なお、「目標反応温度」とは、予め定められた目標とする反応系中の温度であり、実際に検出された反応系中の温度ではない。この投入プロファイルに従うことにより、常に穏やかなメチルブロミドの還流を維持することができ、安定的に反応系中の温度を制御することができる。投入プロファイルの一例を図１に示す。図１に示すプロファイルでは、時間は左から右に進んでいる。また、縦軸は、最終的なメチルブロミドの添加総量を１００％とした場合の、各時間におけるメチルブロミドの添加総量を表している。反応速度、すなわちメチルブロミドの消費速度は、反応系中の温度および原料濃度に依存している。したがって、目標反応温度が定まると、メチルブロミドの大凡の消費速度も定まる。本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、後述するように、メチルブロミドの蒸発潜熱を利用して反応系の除熱を行っている。そのため、反応系が過度に冷却されて反応速度が低下してしまうこと、およびメチルブロミド不足によって反応系中の温度が上昇してしまうことを防ぐためには、反応系には、メチルブロミドの消費速度に見合ったメチルブロミドが、その都度添加されていることが好ましい。さらには、常に穏やかなメチルブロミドの還流により安定的な除熱が行われていることが好ましい。投入プロファイルは、このような観点から予め定められたものである。
【００１５】
なお、投入プロファイルは、穏やかな還流を維持して安定的な除熱が行われるようにするための指標であり、本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法における上記（１）の投入条件は、ある時点でのメチルブロミドの添加総量を、予め定められた投入プロファイルに完全に一致させる場合に限定することを意図しているものではない。
【００１６】
さらに本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加する。
【００１７】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、メチルブロミドの蒸発潜熱を利用して反応系の除熱を行っている。具体的には、蒸発したメチルブロミドをコンデンサーにおいて凝縮し、凝縮したメチルブロミドを反応系で蒸発させることによって反応系の除熱を行っている。メチルブロミドが添加されるとメチルブロミドの蒸発量が増えるため、蒸発潜熱も増加し、その結果、反応系の温度が低下する。すなわち、反応系中の温度が予め定められた上限温度に達している場合に、反応系にメチルブロミドを添加することにより、反応系の温度を低下させて、この上限温度よりも低い温度に制御することができる。したがって、反応系中の温度が上昇した際にメチルブロミドを添加することによって、反応系中の温度上昇によるジメチルスルホキシドの分解を防ぐことができる。
【００１８】
上限温度は、目標反応温度よりも高い温度であるが、分解反応が生じることを防ぐという観点から、目標反応温度＋２０℃以下の温度に設定することが好ましく、目標反応温度＋５．０℃以下の温度に設定することがより好ましい。
【００１９】
さらに、本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応系中の温度を検出し、検出された温度が予め定められた下限温度を下回っているときには、メチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止している。メチルブロミドの添加速度を減少させたり、添加を停止したりするとメチルブロミドの蒸発量が減少し、蒸発潜熱も減少する。その結果、反応系中の温度が上昇する。すなわち、反応系中の温度が予め定められた下限温度を下回っている場合に、メチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することにより、反応系の温度を上昇させ、反応系の温度を、この下限温度よりも高い温度に制御することができる。したがって、反応系中の温度が低下した際にメチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することによって、反応系中の温度低下による、反応終了までに要する時間が長くなることを防ぐことができる。
【００２０】
下限温度は、目標反応温度よりも低い温度であるが、反応終了までの時間を短くできるという観点から、目標反応温度−１０℃以上の温度に設定することが好ましく、目標反応温度−５．０℃以上の温度に設定することがより好ましい。
【００２１】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、検出された温度が上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加し、検出された温度が下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止すればよい。検出された温度が下限温度以上かつ上限温度未満である場合には、メチルブロミドが添加されてもよく、あるいはメチルブロミドの添加が停止されていてもよい。この温度範囲にある場合、メチルブロミドを添加するか否かは、その時点で反応系中の温度が上昇傾向であるのか下降傾向であるのかによって決定されればよい。換言すれば、メチルブロミドの添加は、穏やかなメチルブロミドの還流が維持されているか否かに基づいて決定すればよい。
【００２２】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法において、反応系中の温度の検出は、常時行ってもよいし、一定時間毎に行ってもよい。常時温度を測定する場合、添加速度は、例えば、検出された温度の変化に応じて経時的に変化させればよい。一定時間毎に温度を測定する場合、添加速度は、例えば、ある測定から次の測定までの間、該ある測定において検出された温度に基づいて一定に維持させればよい。
【００２３】
以上のように、反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加し、反応系の温度の上昇を防いでジメチルスルホキシドの分解を防ぐことができる。また、検出された温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することにより、反応系の温度の低下を防いで反応速度の低下を防ぐことができる。したがって、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとを反応させてトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応において、反応系中の温度を検出して、検出された温度が予め定められた上限温度に達しているときにはメチルブロミドを添加し、検出された温度が予め定められた下限温度を下回っているときにはメチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することにより、反応系の温度を制御する方法もまた、本発明の範疇に含まれるものである。
【００２４】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応を行っている間、反応を行う反応槽をジャケット、オイルバスおよび湯浴等の温度調節器具を用いて加温している。反応槽を加温することにより、メチルブロミドの蒸発量が多くなり、それに伴って還流量が増加するため、除熱量を増加することができる。加温する温度としては、反応槽を、目標反応温度よりも０℃〜２０℃高い温度に維持するように加温することが好ましく、目標反応温度よりも０℃〜１０℃高い温度に維持するように加温することがより好ましい。より容易な温調方法とするために、ジャケット等の温度調節器具の温度は一定とし、メチルブロミドの添加速度の調節のみで反応系中の温度を制御することがさらに好ましい。なお、本明細書において「目標反応温度よりも０℃高い温度に維持する」とは、目標反応温度に維持することをいう。
【００２５】
本実施の形態においては、反応系の除熱（冷却）はメチルブロミドの蒸発、凝縮および還流によってのみ行っている。また、通常の反応時には、ジャケット等の温度調節器具を、反応槽を加温するために用いており、反応槽を外部から冷却する手段としては用いていない。しかしながらジャケット等の温度調節器具を外部からの冷却手段としても使用できるため、たとえば反応系の温度が予期せず上昇し、反応系の温度を緊急的に低下させる必要が生じた場合に、新たな冷却手段を準備することなく、加温のために用いていたジャケット等の温度調節器具を外部からの冷却手段に切り替えることで、急な温度上昇に迅速に対応することができる。
【００２６】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法において、ジメチルスルホキシド１モルあたりのメチルブロミドの使用量は、たとえば０．４０〜０．７０モルであり、好ましくは０．４５〜０．５５モルであり、より好ましくは０．４８〜０．５３モルである。メチルブロミドの使用量が０．４０モル以上であると、生成物の単離のときに、濾液に溶解する生成物の量を相対的に少なくすることができ、単離収率を高めることができる。また、メチルブロミドの使用量が０．７０以下であると、反応に要する時間を短くできる。
【００２７】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、反応系中に、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オルトギ酸トリプロピル、オルト炭酸テトラメチル、オルト炭酸テトラエチル、オルト炭酸テトライソプロピルおよびオルト炭酸テトラプロピルからなる群より選択される少なくとも一化合物（以下、オルトギ酸トリメチル等という）が含まれていることが好ましい。これらの化合物は、ジメチルスルホキシドの分解を促進する物質を捕捉する助剤として機能すると推察される。したがって、上記化合物が反応系中に存在することにより、ジメチルスルホキシドの分解が生じることをより確実に抑えることができる。
【００２８】
オルトギ酸トリメチル等の使用量は、ジメチルスルホキシド１モルあたり、たとえば０．００２〜０．０５モルであり、好ましくは０．００４〜０．０２モルである。
【００２９】
反応系中に、オルトギ酸トリメチル等が含まれている場合には、反応系中の水分濃度は、４００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、２００ｐｐｍ以下とすることがより好ましく、１００ｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。オルトギ酸トリメチル等は、水と反応することで分解されてしまう化合物である。そのため、反応系中の水分濃度を４００ｐｐｍ以下とすることにより、オルトギ酸トリメチル等の分解を抑えることができる。反応系中の水分濃度を４００ｐｐｍ以下とする方法としては、たとえば、１）原料化合物であるジメチルスルホキシドおよびメチルブロミド、ならびにオルトギ酸トリメチル等を、モレキュラーシーブス等の乾燥剤を用いて乾燥しておく方法、２）ジメチルスルホキシドにオルトギ酸トリメチルを加えて加熱した後、オルトギ酸トリメチルを含む低沸点化合物をできる限り留去して乾燥する方法、あるいは、３）原料化合物であるジメチルスルホキシドをＣａＨ存在下で加熱還流し、続いて減圧蒸留して乾燥する方法などが挙げられる。
【００３０】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法は、大気圧下および微圧下の何れでも使用可能である。本明細書において「微圧下」とは、約１０ｋＰａ以下であることをいう。目標反応温度でメチルブロミドが還流する限りにおいては、微圧下および大気圧下の何れであってもよいが、微圧下であることが好ましい。微圧下とすることにより、反応系外の水分が反応系に混入することを防ぐことができる。
【００３１】
本実施の形態におけるトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法においては、所定量のメチルブロミドを添加し終えた後、さらに３〜２４時間、添加中と同じ温度で攪拌を行う。反応終了後は、従来知られている精製手法により単離および精製を行えばよい。たとえば、反応混合物を室温まで冷却した後、不溶分を濾別する。濾別した不溶分（濾物）を、ベンゼン、トルエンおよびキシレン等の有機溶媒を用いて洗浄する。この濾物を、窒素気流下で乾燥することにより、あるいは３０〜６０℃で減圧乾燥することにより、トリメチルスルホキソニウムブロミドを単離することができる。
【００３２】
以上のように、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、上記上限温度は、上記目標反応温度よりも高く、かつ上記目標反応温度＋５．０℃以下であることが好ましい。
【００３３】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、検出された上記温度が予め定められた下限温度を下回っているときには、メチルブロミドの添加速度を減少させるか、または添加を停止することが好ましい。
【００３４】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、上記下限温度は、上記目標反応温度よりも低く、かつ上記目標反応温度−５．０℃以上であることが好ましい。
【００３５】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応を行っている間、該反応を行う反応槽を加温することが好ましい。反応槽の加温は、常時行われていることがより好ましい。
【００３６】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、上記反応槽を、上記目標反応温度よりも０℃〜２０℃高い温度に維持するように加温することが好ましい。また、上記反応槽は一定温度で加温されていることがより好ましい。
【００３７】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、上記反応系中に、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル、オルトギ酸トリプロピル、オルト炭酸テトラメチル、オルト炭酸テトラエチル、オルト炭酸テトライソプロピルおよびオルト炭酸テトラプロピルからなる群より選択される少なくとも一化合物が含まれていることが好ましい。
【００３８】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、上記反応系中の水分濃度を４００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００３９】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドの製造方法では、ジメチルスルホキシドとメチルブロミドとの反応が微圧条件下で行われることが好ましい。
【００４０】
また、本発明に係るトリメチルスルホキソニウムブロミドを製造する反応系の温度制御方法では、さらに反応系を加温することが好ましい。また、反応系は一定温度で加温されていることがより好ましい。
【００４１】
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。
【実施例】
【００４２】
反応液温度指示計と、メチルブロミド吹き込み管と、バキュームシール付き攪拌装置と、ジムロート型冷却管（−２０℃の冷媒を循環）上部にジュワー瓶型トラップ（ドライアイス／アセトン用）を連結した冷却装置とを、５００ｍｌ四ツ口フラスコに取り付けた。窒素気流下で、ジメチルスルホキシド２３１ｇ、オルトギ酸トリメチル３ｇを仕込み、加温した。反応中は冷却装置末端を窒素気流で封止した。【００４３】
反応中はオイルバス温度を６７〜６８℃で保持した。反応液温度が６３℃を下回った場合にはメチルブロミドの滴下速度を減少させるか、または滴下を停止し、６４℃を上回った場合には滴下を再開し、あるいは滴下速度を速めることで、常に穏やかなメチルブロミドの還流を保ちつつ、反応液温度６２〜６５℃の範囲に維持して、反応させた。以上のようにして、メチルブロミド１５５ｇをハイパーグラスシリンダーから反応液中に７９時間かけて添加した。反応進行につれて反応液はスラリーとなるため、十分混合されるように攪拌した。【００４４】
メチルブロミド添加終了後、同じ温度でさらに１６時間攪拌した。黄色反応液を室温まで冷却した後、析出した結晶を濾取した。これをトルエンで洗浄し、５５℃で減圧乾燥した。
得量  １６８．０２ｇ（白色結晶）
収率  ６３．２%
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、農園芸用の殺菌剤における有効成分の中間体の製造に利用することができる。
【図１】
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【国際調査報告】
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