(57)【要約】  磁界測定装置は、磁性体層と、起電層と、磁界情報生成部とを備える。起電層は、磁性体層上に形成され、スピン軌道相互作用を発現する材料で形成される。磁界情報生成部は、起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体層と、
前記磁性体層上に形成され、スピン軌道相互作用を発現する材料で形成された起電層と、
前記起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、前記磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成する磁界情報生成部と
を備える
磁界測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁界測定装置であって、
前記磁性体層は、軟磁性材料である
磁界測定装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁界測定装置であって、
更に、
前記起電層の異なる位置に形成された第１端子及び第２端子
を備え、
前記磁界情報生成部は、前記第１端子及び前記第２端子に接続されており、前記第１端子と前記第２端子との間の前記起電力に関する情報に基づいて前記磁界情報を生成する
磁界測定装置。
【請求項４】
請求項３に記載の磁界測定装置であって、
前記第１端子から前記第２端子へ向かう前記起電力は第１起電力であり、
前記第２端子から前記第１端子へ向かう前記起電力は第２起電力であり、
前記磁界が特定方向に印加されるとき前記第１起電力と前記第２起電力が非対称となるように、前記起電層は形成されている
磁界測定装置。
【請求項５】
請求項４に記載の磁界測定装置であって、
前記起電層は、
第１起電部分と、
前記第１起電部分とスピンホール効果の異なる材料で形成された第２起電部分と
を有し、
前記磁界が前記特定方向に印加される状況において、前記第１起電部分が前記第１起電力を生成し、前記第２起電部分が前記第２起電力を生成する
磁界測定装置。
【請求項６】
請求項５に記載の磁界測定装置であって、
前記第１端子から前記第２端子に向かって前記起電層上を辿った場合の前記起電層の各部分の延在方向を考えたとき、
前記第１起電部分は、前記延在方向が第１延在方向である部分を含み、
前記第２起電部分は、前記延在方向が前記第１延在方向と反平行の第２延在方向である部分を含む
磁界測定装置。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁界測定装置であって、
異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して前記磁界情報が生成されるように、前記異なる方向毎に前記磁界情報生成部が設けられている
磁界測定装置。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の磁界測定装置であって、
前記磁界情報生成部、前記第１端子、前記第２端子及び前記起電層を、１つのセットとして考えたとき、
異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して前記磁界情報が生成されるように、前記異なる方向毎に前記セットが設けられている
磁界測定装置。
【請求項９】
磁性体層と、前記磁性体層上に形成されスピン軌道相互作用を発現する材料で形成された起電層と、を備える熱電変換素子を提供するステップと、
前記起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、前記磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成するステップと
を含む
磁界測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界測定装置及び磁界測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、「スピントロニクス（spintronics）」と呼ばれる電子技術が脚光を浴びている。従来のエレクトロニクスは、電子の１つの性質である「電荷」だけを利用してきたが、スピントロニクスは、それに加えて、電子の他の性質である「スピン」をも積極的に利用する。特に、電子のスピン角運動量の流れである「スピン流（spin-current）」は重要な概念である。スピン流のエネルギー散逸は少ないため、スピン流を利用することによって高効率な情報伝達を実現できる可能性がある。従って、スピン流の生成、検出、制御は重要なテーマである。【０００３】
例えば、電流が流れるとスピン流が生成される現象が知られている。これは、「スピンホール効果（spin-Hall
effect）」と呼ばれている。また、その逆の現象として、スピン流が流れると起電力が発生することも知られている。これは、「逆スピンホール効果（inverse spin-Hall effect）」と呼ばれている。逆スピンホール効果を利用することによって、スピン流を検出することができる。尚、スピンホール効果も逆スピンホール効果も、「スピン軌道相互作用（spin orbit coupling）」が大きな物質（例：Ｐｔ、Ａｕ）において有意に発現する。【０００４】
また、最近の研究により、磁性体における「スピンゼーベック効果（spin-Seebeck effect）」の存在も明らかになっている。スピンゼーベック効果とは、磁性体に温度勾配が印加されると、温度勾配と平行方向にスピン流が誘起される現象である（例えば、特許文献１、非特許文献１、非特許文献２を参照）。すなわち、スピンゼーベック効果により、熱がスピン流に変換される（熱スピン流変換）。特許文献１では、強磁性金属であるＮｉＦｅ膜におけるスピンゼーベック効果が報告されている。非特許文献１、２では、イットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ、Ｙ３Ｆｅ５Ｏ１２）といった磁性絶縁体と金属膜との界面におけるスピンゼーベック効果が報告されている。【０００５】
尚、温度勾配によって誘起されたスピン流は、上述の逆スピンホール効果を利用して電界（電流、電圧）に変換することが可能である。つまり、スピンゼーベック効果と逆スピンホール効果を併せて利用することによって、温度勾配を電気に変換する「熱電変換」が可能となる。【０００６】
図１は、特許文献１に開示されている熱電変換素子の構成を示している。サファイア基板１０１の上に熱スピン流変換部１０２が形成されている。熱スピン流変換部１０２は、Ｔａ膜１０３、ＰｄＰｔＭｎ膜１０４及びＮｉＦｅ膜１０５の積層構造を有している。ＮｉＦｅ膜１０５は、面内方向の磁化を有している。更に、ＮｉＦｅ膜１０５上にはＰｔ電極１０６が形成されており、そのＰｔ電極１０６の両端は端子１０７−１、１０７−２にそれぞれ接続されている。【０００７】
このように構成された熱電変換素子において、ＮｉＦｅ膜１０５が、スピンゼーベック効果によって温度勾配からスピン流を生成する役割を果たし、Ｐｔ電極１０６が、逆スピンホール効果によってスピン流から起電力を生成する役割を果たす。具体的には、ＮｉＦｅ膜１０５の面内方向に温度勾配が印加されると、スピンゼーベック効果により、その温度勾配と平行な方向にスピン流が発生する。すると、ＮｉＦｅ膜１０５からＰｔ電極１０６にスピン流が流れ込む、あるいは、Ｐｔ電極１０６からＮｉＦｅ膜１０５にスピン流が流れ出す。Ｐｔ電極１０６では、逆スピンホール効果により、スピン流方向とＮｉＦｅ磁化方向とに直交する方向に起電力が生成される。その起電力は、Ｐｔ電極１０６の両端に設けられた端子１０７−１、１０７−２から取り出すことができる。【０００８】
その一方で、安心・安全な社会実現のため、様々な場面で種々の物理量をセンシングする技術が期待されている。特に、磁界（磁界）を検出する磁気センサは、ドア・パネルの開閉検知や、モーターの制御、自動車ペダルの位置検出など、様々な応用分野への適用が加速している。従来の磁気センサは、磁気抵抗（ＭＲ）型センサ（例えば、特許文献２）とホール素子型センサ（例えば、特許文献３）の２つに大別される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−１３００７０号公報
【特許文献２】特開２００５−０４９２６２号公報
【特許文献３】特開２００１−３３７１４７号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Uchida et al., “Spin  Seebeck  insulator”,  Nature  Materials, 2010,  vol.9,  p.894.
【非特許文献２】Uchida et al., “Observation  of  longitudinal  spin-Seebeck  effect  in  magnetic  insulators”,  Applied  Physics  Letters,  2010,  vol.97,  p172505.
【発明の概要】
【００１１】
特許文献２や特許文献３に記載されている磁気センサは、磁気抵抗やホール抵抗の変化を通して磁界を検出する。そのような磁気抵抗やホール抵抗の変化を検知するためには、外部電源を用いて、素子の両端にバイアス電圧を印加しておく必要がある。従って、磁界測定時の消費電力が大きくなる。
【００１２】
本発明の目的は、磁界測定時の消費電力を低減可能な磁界測定装置及び磁界測定方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の１つの観点において、磁界測定装置が提供される。その磁界測定装置は、磁性体層と、起電層と、磁界情報生成部とを備える。起電層は、磁性体層上に形成され、スピン軌道相互作用を発現する材料で形成される。磁界情報生成部は、起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成する。
【００１４】
本発明の他の観点において、磁界測定方法が提供される。その磁界測定方法は、（Ａ）熱電変換素子を提供するステップを含む。その熱電変換素子は、磁性体層と、磁性体層上に形成されスピン軌道相互作用を発現する材料で形成された起電層と、を備える。磁界測定方法は更に、（Ｂ）起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成するステップを含む。
【００１５】
本発明の磁界測定装置及び磁界測定方法によれば、磁界測定時の消費電力を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、特許文献１に記載されている熱電変換素子を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る磁界測定装置の構成を概略的に示している。
【図３Ａ】図３Ａは、図２で示された磁界測定装置の動作を説明するための概略図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２で示された磁界測定装置の動作を説明するための概略図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の特性を示すグラフである。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る磁界測定装置の構成を概略的に示している。
【図６】図６は、本発明の第３の実施の形態に係る磁界測定装置の構成を概略的に示している。
【図７】図７は、本発明の第４の実施の形態に係る磁界測定装置の構成を概略的に示している。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態における起電層の平面パターンの一例を示している。
【図９Ａ】図９Ａは、図８で示された起電層における起電状態を示している。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図８で示された起電層における起電状態を示している。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施の形態における起電層の平面パターンの他の例を示している。
【図１１Ａ】図１１Ａは、図１０で示された起電層における起電状態を示している。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１０で示された起電層における起電状態を示している。
【図１２】図１２は、本発明の第４の実施の形態における起電層の平面パターンの更に他の例を示している。
【図１３】図１３は、本発明の第４の実施の形態における起電層の平面パターンの更に他の例を示している。
【図１４】図１４は、本発明の第４の実施の形態における起電層の平面パターンの更に他の例を示している。
【図１５】図１５は、本発明の第５の実施の形態に係る磁界測定装置の構成の一例を概略的に示している。
【図１６】図１６は、本発明の第５の実施の形態に係る磁界測定装置の構成の他の例を概略的に示している。
【図１７Ａ】図１７Ａは、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の応用例を説明するための概略図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の応用例を説明するための概略図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の動作を説明するためのグラフである。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の動作を説明するためのグラフである。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置の動作を説明するためのグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
添付図面を参照して、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置及び磁界測定方法を説明する。
【００１８】
１．第１の実施の形態
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る磁界測定装置１の構成を概略的に示している。磁界測定装置１は、磁性体層２０、起電層３０、及び磁界情報生成部４０を備えている。起電層３０は磁性体層２０上に形成されている。つまり、磁性体層２０と起電層３０は積層されている。この積層方向は、以下、Ｚ方向と参照される。Ｚ方向と直交する面内方向は、Ｘ方向とＹ方向である。Ｘ方向とＹ方向は、互いに直交している。
【００１９】
磁性体層２０は、スピンゼーベック効果を発現する熱−スピン流変換部である。つまり、磁性体層２０は、スピンゼーベック効果によって温度勾配∇Ｔからスピン流ｊｓを生成（駆動）する。スピン流ｊｓの方向は、温度勾配∇Ｔの方向と平行あるいは反平行である。図２で示される例では、＋Ｚ方向の温度勾配∇Ｔが印加され、＋Ｚ方向あるいは−Ｚ方向に沿ったスピン流ｊｓが生成される。尚、後に説明されるように、磁性体層２０は、軟磁性材料を主成分として含んでいることが好適である。
【００２０】
起電層３０は、逆スピンホール効果（スピン軌道相互作用）を発現するスピン流−電流変換部である。つまり、起電層３０は、逆スピンホール効果によって上記スピン流ｊｓから起電力を発生する。起電層３０は、「スピン軌道相互作用」の大きな材料を含有する。例えば、スピン軌道相互作用の比較的大きなＡｕやＰｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、その他ｆ軌道を有する金属材料、またはそれらを含有する合金材料を用いる。また、Ｃｕなどの一般的な金属膜材料に、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒなどの材料を０．５〜１０％程度ドープするだけでも、同様の効果を得ることができる。起電層３０は、ＩＴＯなどの酸化物であってもよい。尚、測定感度の観点から言えば、スピン流信号を有効活用するために、起電層３０の厚さは、金属材料のスピン拡散長程度、もしくはそれ以下に設定することが好ましい。例えばＡｕであれば５０ｎｍ、Ｐｔであれば１０ｎｍ程度に設定することが望ましい。
【００２１】
このような磁性体層２０と起電層３０の積層により、熱電変換素子（スピンゼーベック熱電素子）が構成される。以下、図３Ａ及び図３Ｂを参照して、そのような熱電変換素子によって生成される起電力について説明する。
【００２２】
図３Ａは、−Ｙ方向の外部磁界Ｈが素子全体に一様に印加されている状況を示している。磁性体層２０が軟磁性材料で形成されている場合、その磁化Ｍの方向は、外部磁界Ｈと同じ−Ｙ方向となる。また、磁性体層２０に＋Ｚ方向の温度勾配∇Ｔが印加されると、スピン流ｊｓが起電層３０に流れ込む。起電層３０中では、逆スピンホール効果の結果、次の式（１）で表されるような起電界ＥＩＳＨＥが生成される。
【００２３】
【数１】
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【００２４】
上記式（１）において、θＨはスピンホール角、ρは起電層３０の抵抗率、ｊｓはスピンゼーベック効果によって駆動される界面スピン流をそれぞれ表す。
【００２５】
ここで、駆動されるスピン流ｊｓの量は、温度勾配∇Ｔだけでなく磁化Ｍの大きさにも依存する。磁化Ｍの大きさは外部磁界Ｈに依存するため、スピン流ｊｓは、印加される温度勾配∇Ｔと外部磁界Ｈの関数ｊｓ（∇Ｔ，Ｈ）として表されることになる。スピン流ｊｓの方向は、図３Ａの例では、温度勾配∇Ｔ（＋Ｚ方向）と逆の−Ｚ方向である。
【００２６】
また、起電界ＥＩＳＨＥは、スピン流ｊｓと磁化Ｍ（つまり、外部磁界Ｈ）の外積に依存している。従って、起電界ＥＩＳＨＥも、印加される温度勾配∇Ｔと外部磁界Ｈの関数ＥＩＳＨＥ（∇Ｔ，Ｈ）として表される。起電界ＥＩＳＨＥの大きさは、温度勾配∇Ｔの大きさと外部磁界Ｈの大きさに依存する。起電界ＥＩＳＨＥの方向は、外部磁界Ｈと温度勾配∇Ｔの外積（Ｈ×∇Ｔ）の方向で与えられ、図３Ａの例では＋Ｘ方向である。
【００２７】
ここで、起電層３０上においてＸ方向に離間した２点を考える。その２点間で観測される起電力Ｖ（出力電圧）は、２点間を積分範囲とする以下の線積分式（２）で与えられる。
【００２８】
【数２】
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【００２９】
起電層３０に発生する起電力Ｖも、印加される温度勾配∇Ｔと外部磁界Ｈの関数Ｖ（∇Ｔ，Ｈ）として表される。図３Ａに示される例では、起電界ＥＩＳＨＥは起電層３０上にわたって一定であり、起電力Ｖの方向は＋Ｘ方向となる。
【００３０】
図３Ｂは、素子に印加されている外部磁界Ｈの方向が、図３Ａの場合と逆方向、すなわち＋Ｙ方向である状況を示している。この場合、軟磁性材料で形成された磁性体層２０の磁化Ｍの方向は、外部磁界Ｈと同じ＋Ｙ方向となる。その他の条件が図３Ａの場合と同じであれば、起電力Ｖの方向だけが変わり、−Ｘ方向となる。
【００３１】
このように、素子に印加される外部磁界Ｈの方向に応じて、起電層３０に発生する起電力Ｖの方向が変わる。従って、その起電力Ｖの方向を観測することによって、少なくとも外部磁界Ｈの方向を検出することができる。
【００３２】
図４は、外部磁界Ｈと起電力Ｖとの関係をより詳しく示している。ここでは、図３Ａや図３Ｂで示されたようなＹ方向の磁界成分Ｈｙだけを考える。
【００３３】
−Ｙ方向の磁界成分Ｈｙが０から大きくなっていくと、それに伴って起電力Ｖの絶対値も増加していく。そして、−Ｙ方向の磁界成分Ｈｙがある値“−Ｈｓｙ”を超えると、起電力Ｖはある一定値“−Ｖｓ”で飽和する。起電力Ｖが一定値“−Ｖｓ”となるこの領域（Ｈｙ＜−Ｈｓｙ）は、以下「飽和領域ＲＳＡ」と参照される。
【００３４】
同様に、＋Ｙ方向の磁界成分Ｈｙが０から大きくなっていくと、それに伴って起電力Ｖの絶対値も増加していく。そして、＋Ｙ方向の磁界成分Ｈｙがある値“Ｈｓｙ”を超えると、起電力Ｖはある一定値“Ｖｓ”で飽和する。起電力Ｖが一定値“Ｖｓ”となるこの領域（Ｈｙ＞Ｈｓｙ）は、以下「飽和領域ＲＳＢ」と参照される。
【００３５】
飽和領域ＲＳＡと飽和領域ＲＳＢとの間の領域（−Ｈｓｙ＜Ｈｙ＜Ｈｓｙ）は、以下「過渡領域ＲＴ」と参照される。過渡領域ＲＴでは、磁界成分Ｈｙの大きさの変動に応じて、起電力Ｖの大きさも変動する。
【００３６】
飽和領域ＲＳＡ、ＲＳＢの場合、起電力Ｖの情報から、磁界成分Ｈｙの方向に関する情報が得られるが、磁界成分Ｈｙの大きさに関しては、「Ｈｙ＜−Ｈｓｙ」あるいは「Ｈｙ＞Ｈｓｙ」という情報しか得られない。つまり、磁界成分Ｈｙの絶対値を検出することはできない。一方、過渡領域ＲＴの場合、起電力Ｖの情報から、磁界成分Ｈｙの方向と絶対値の両方を検出することができる。例えば、起電力Ｖの大きさが“Ｖ１”である場合、図４のグラフから、磁界成分Ｈｙの大きさが“Ｈ１”であることが分かる。
【００３７】
このような方法で起電力Ｖから外部磁界Ｈを推定するための回路が、「磁界情報生成部４０」である。図２、図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、磁界情報生成部４０は、起電層３０に接続されている。そして、磁界情報生成部４０は、起電層３０に発生する起電力Ｖに関する情報（方向、大きさ）に基づいて、外部磁界Ｈに関する情報（方向、大きさ）を生成する。このとき、磁界情報生成部４０は、図４で示されたような電圧−磁界特性を参照する。そのような電圧−磁界特性は、テーブル化あるいは数式化され、磁界情報生成部４０に実装されていればよい。磁界情報生成部４０によって生成される外部磁界Ｈに関する情報は、以下「磁界情報ＤＨ」と参照される。磁界情報生成部４０は、生成した磁界情報ＤＨを出力する。
【００３８】
外部磁界Ｈの絶対値に関する磁界情報ＤＨを取得することが望まれる場合は、上述の通り、過渡領域ＲＴでの動作が望ましい。従って、外部磁界Ｈの測定対象レンジよりも過渡領域ＲＴが広くなるような飽和磁界（−Ｈｓｙ、Ｈｓｙ）を有する磁性材料を、磁性体層２０の材料として用いることが好ましい。
【００３９】
外部磁界Ｈの大きさが小さい場合であってもその方向を感度良く検出するためには、磁性体層２０の材料として、保持力の小さい軟磁性材料を用いることが好適である。具体的には、保磁力が１０Ｏｅ以下の軟磁性材料を用いることが望ましく、高感度磁界測定を行う場合は保磁力１Ｏｅ以下がより望ましい。
【００４０】
熱電変換効率を増加させるためには、低熱伝導率の材料を磁性体層２０に用いて、磁性体層２０の表面と裏面との間の温度差を大きくすることが考えられる。また、低電気伝導率の磁性絶縁材料を磁性体層２０に用いて、起電層３０で発生した電流が磁性体層２０に流れることを抑えることも有効である。
【００４１】
これらのことを考慮すると、磁性体層２０の材料として、例えば、イットリウム鉄ガーネット（ＹＩＧ）やＭｎ−Ｚｎ系フェライトなどのソフトフェライト材料を用いることが考えられる。尚、磁性体層２０は、全て軟磁性材料で形成されている必要はなく、軟磁性材料を主成分として含んでいればよい。
【００４２】
（効果）
以上に説明されたように、本実施の形態によれば、熱電変換素子（スピンゼーベック熱電素子）を利用した新規の磁界測定装置１が提供される。本実施の形態に係る磁界測定装置１によれば、温度勾配∇Ｔが存在していれば、外部磁界Ｈに応じた起電力Ｖが発生する。従って、発生した起電力Ｖに関する情報に基づいて、外部磁界Ｈに関する情報を得ることができる。
【００４３】
既出の特許文献２や特許文献３に記載の技術によれば、磁気抵抗やホール抵抗の変化を通して磁界測定が実施される。そのような磁気抵抗やホール抵抗の変化を検知するためには、外部電源を用いて、素子の両端にバイアス電圧を印加しておく必要がある。このことは、磁界測定時の消費電力や待機電力の増大を招き、また、配線や回路の複雑化の原因となる。
【００４４】
一方、本実施の形態によれば、磁界測定時に、外部電源を用いて、素子の両端にバイアス電圧を印加しておく必要はない。従って、磁界測定時の消費電力や待機電力が低減される。また、配線や回路を簡略化することができる。
【００４５】
本実施の形態に係る磁界測定装置１は、外部電源の代わりに、身近な熱をエネルギー源として利用していると言える。尚、そのような熱源としては、電子機器等が考えられる。
【００４６】
２．第２の実施の形態
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る磁界測定装置１の構成を概略的に示している。磁性体層２０は、基板１０上に形成されている。また、起電層３０上の異なる位置に第１端子５１と第２端子５２が形成されている。磁界情報生成部４０は、第１配線６１を介して第１端子５１に接続されており、第２配線６２を介して第２端子５２に接続されている。そして、磁界情報生成部４０は、第１端子５１と第２端子５２との間の起電力Ｖに関する情報に基づいて、磁界情報ＤＨを生成する。
【００４７】
図５に示される例では、第１端子５１と第２端子５２は、起電層３０上でＸ方向に離間した位置にそれぞれ設けられている。従って、磁界情報生成部４０は、第１端子５１と第２端子５２との間のＸ方向の起電力Ｖに関する情報に基づいて、外部磁界ＨのＹ方向の磁界成分に関する磁界情報ＤＨを生成することができる。
【００４８】
また、図５に示される例では、第１端子５１と第２端子５２の各々は、一方向に長く形成されており、その長手方向は、Ｘ方向と直交するＹ方向である。このような構造により、第１端子５１と第２端子５２との間の起電力のＸ成分を確実に検出し、Ｙ方向磁界成分を正確に測定することが可能となる。
【００４９】
また、第１端子５１及び第２端子５２の各々の表面抵抗は、起電層３０の表面抵抗より低いことが望ましい。例えば、第１端子５１と第２端子５２の各々は、厚さ１００ｎｍ以上のＣｕ，Ａｕ，Ａｌ等の金属材料によって形成される。
【００５０】
尚、素子に温度勾配∇Ｔを印加する手段としては、様々考えられる。例えば、素子の片側もしくは両側に熱源が近接配置される。あるいは、基板１０自体が熱源であってもよい。
【００５１】
３．第３の実施の形態
本発明の第３の実施の形態では、異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して磁界情報ＤＨを生成するために、磁界成分毎に異なる磁界情報生成部４０が設けられる。例えば図６には、外部磁界Ｈに関してＸ方向とＹ方向の両方の磁界成分を検出可能な磁界測定装置１が示されている。
【００５２】
Ｘ方向の磁界成分用の磁界情報生成部４０として、Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘが設けられている。このＸ方向磁界情報生成部４０Ｘは、起電層３０に発生するＹ方向の起電力Ｖに関する情報に基づいて、Ｘ方向の磁界成分に関するＸ方向磁界情報ＤＨ−Ｘを生成する。より詳細には、起電層３０上でＹ方向に離間した位置に第１端子５１Ｘと第２端子５２Ｘが形成されている。Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘは、第１配線６１Ｘを介して第１端子５１Ｘに接続されており、第２配線６２Ｘを介して第２端子５２Ｘに接続されている。そして、Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘは、第１端子５１Ｘと第２端子５２Ｘとの間のＹ方向の起電力Ｖに関する情報に基づいて、Ｘ方向磁界情報ＤＨ−Ｘを生成する。
【００５３】
一方、Ｙ方向の磁界成分用の磁界情報生成部４０として、Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙが設けられている。このＹ方向磁界情報生成部４０Ｙは、起電層３０に発生するＸ方向の起電力Ｖに関する情報に基づいて、Ｙ方向の磁界成分に関するＹ方向磁界情報ＤＨ−Ｙを生成する。より詳細には、起電層３０上でＸ方向に離間した位置に第１端子５１Ｙと第２端子５２Ｙが形成されている。Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙは、第１配線６１Ｙを介して第１端子５１Ｙに接続されており、第２配線６２Ｙを介して第２端子５２Ｙに接続されている。そして、Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙは、第１端子５１Ｙと第２端子５２Ｙとの間のＸ方向の起電力Ｖに関する情報に基づいて、Ｙ方向磁界情報ＤＨ−Ｙを生成する。
【００５４】
Ｘ方向磁界成分とＹ方向磁界成分に対する感度を同等にするためには、Ｘ方向に関する端子ペア（５１Ｘ、５２Ｘ）の形状及び配置と、Ｙ方向に関する端子ペア（５１Ｙ、５２Ｙ）の形状及び配置とを同等すればよい。
【００５５】
４．第４の実施の形態
上記の式（２）から分かるように、起電力Ｖは、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の長さにも依存している。起電界ＥＩＳＨＥが一定であれば、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の長さに比例して、起電力Ｖも増加する。これは、外部磁界Ｈが同じ量だけ変化した場合であっても、起電力Ｖがより大きく変化することを意味する。すなわち、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の長さを大きくすることによって、測定感度を増加させることができる。
【００５６】
但し、既出の図５等で示されたような長方形状の起電層３０の場合、それを単純に一方向に長くすることは、素子面積の増大を招き、好ましくない。そこで、本発明の第４の実施の形態では、磁性体層２０上の起電層３０の形成パターンを工夫することによって、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の“実効的な長さ”を増加させることを考える。
【００５７】
例えば、図７に示されるように、細長い起電層３０が複数回折り曲げられたようなパターンが考えられる。そして、そのようなパターンの起電層３０の両端部に、第１端子５１と第２端子５２がそれぞれ形成される。この場合、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の延在方向に沿った長さ（つまり、実効的な長さ）は、磁性体層２０の一辺の長さよりもはるかに長くなる。つまり、素子面積を増大させることなく、起電層３０の実効的な長さを増加させることができる。
【００５８】
図８は、本実施の形態における起電層３０の平面パターンの一例を詳しく示している。細長い起電層３０が複数回折り曲げられたようなパターンが形成され、その両端部に第１端子５１と第２端子５２がそれぞれ設けられている。ここで、第１端子５１から第２端子５２に向かって起電層３０上を辿った場合の起電層３０の各部分の延在方向を考える。この場合、起電層３０は、延在方向がＡ方向である起電部分３０Ａ、延在方向がＢ方向である起電部分３０Ｂ、延在方向がＣ方向である起電部分３０Ｃ、及び延在方向がＤ方向である起電部分３０Ｄに区分けされる。ここで、Ａ方向とＢ方向は直交しており、Ｂ方向とＣ方向は直交しており、Ｃ方向とＤ方向は直交しており、Ｄ方向とＡ方向は直交しており、Ａ方向とＣ方向は反平行であり、Ｂ方向とＤ方向は反平行である。そして、第１端子５１から第２端子５２に向かって、「３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ａ・・・」という順番で起電部分が繰り返し現れる。その結果、図８に示されるような“渦巻き状”の平面パターンが形成される。
【００５９】
次に、図９Ａ及び図９Ｂを参照して、上記図８で示された起電層３０に関して、外部磁界Ｈが印加された場合の起電状態を考える。ここでは、一例として、起電層３０が単一材料で一様に形成されている場合を考える。また、起電部分３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄの幅は略同じであり、それぞれの全長も略同じであるとする。
【００６０】
図９Ａは、＋Ｘ方向の外部磁界Ｈが印加されている場合を示している。この場合、起電層３０の各点において、＋Ｙ方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。従って、起電部分３０Ａ、３０Ｂでは、それぞれの延在方向Ａ、Ｂとは逆方向、すなわち、起電層３０に沿って第２端子５２から第１端子５１へ向かう方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。一方、起電部分３０Ｃ、３０Ｄでは、それぞれの延在方向Ｃ、Ｄと同じ方向、すなわち、起電層３０に沿って第１端子５１から第２端子５２へ向かう方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。
【００６１】
起電層３０に沿って第１端子５１から第２端子５２へ向かう起電力Ｖの総計は、以下「第１起電力Ｖ１」と参照される。一方、起電層３０に沿って第２端子５２から第１端子５１へ向かう起電力Ｖの総計は、以下「第２起電力Ｖ２」と参照される。図９Ａで示される例では、起電部分３０Ｃ、３０Ｄが第１起電力Ｖ１に寄与し、起電部分３０Ａ、３０Ｂが第２起電力Ｖ２に寄与する。そして、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２はほぼ等しくなる。すなわち、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が互いに打ち消し合い、第１端子５１と第２端子５２との間の起電力Ｖ（出力電圧）がほぼゼロになってしまう。
【００６２】
図９Ｂは、＋Ｙ方向の外部磁界Ｈが印加されている場合を示している。この場合、起電層３０の各点において、−Ｘ方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。従って、起電部分３０Ｂ、３０Ｃでは、それぞれの延在方向Ｂ、Ｃとは逆方向、すなわち、起電層３０に沿って第２端子５２から第１端子５１へ向かう方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。一方、起電部分３０Ｄ、３０Ａでは、それぞれの延在方向Ｄ、Ａと同じ方向、すなわち、起電層３０に沿って第１端子５１から第２端子５２へ向かう方向の起電界ＥＩＳＨＥが発生する。従って、図９Ａの場合と同様に、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が互いに打ち消し合い、第１端子５１と第２端子５２との間の起電力Ｖ（出力電圧）がほぼゼロになってしまう。
【００６３】
このように、図８で示されたような平面パターンの起電層３０が単一材料で一様に形成されている場合、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が打ち消し合い、熱電変換効率が非常に悪くなる。すなわち、第１端子５１と第２端子５２との間の起電層３０の“実効的な長さ”を大きくしたことによる利点が十分に得られない。
【００６４】
従って、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２とがなるべく“非対称”となるように、起電層３０が形成されることが好適である。そのためには、第１起電力Ｖ１に寄与する起電部分と第２起電力Ｖ２に寄与する起電部分とで、熱電変換効率（スピンホール効果）が異なっていればよい。
【００６５】
例えば、図１０に示されるような起電層３０が考えられる。図１０に示される起電層３０の平面パターンは、図８で示されたものと同じである。但し、起電層３０の材料は一様ではなく、熱電変換効率の異なる材料が混在している。具体的には、起電部分３０Ａ、３０Ｂの材料のスピン軌道相互作用（スピンホール効果）は、起電部分３０Ｃ、３０Ｄの材料のものよりも小さい。従って、起電部分３０Ａ、３０Ｂにおける熱電変換効率は、起電部分３０Ｃ、３０Ｄにおけるものよりも低くなる（抑えられる）。外部磁界Ｈが印加された際の起電層３０での起電状態は、次の通りである。
【００６６】
図１１Ａは、＋Ｘ方向の外部磁界Ｈが印加されている場合を示している。このとき、上記の図９Ａの場合と同様に、起電部分３０Ｃ、３０Ｄによって、第１端子５１から第２端子５２へ向かう方向の第１起電力Ｖ１が生成される。その一方で、第２起電力Ｖ２に寄与する起電部分３０Ａ、３０Ｂのスピンホール効果は小さいため、第２起電力Ｖ２は非常に小さくなる。すなわち、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２は非対称となり、第１端子５１と第２端子５２から有効な起電力Ｖ（出力電圧）を取り出すことが可能となる。
【００６７】
図１１Ｂは、＋Ｙ方向の外部磁界Ｈが印加されている場合を示している。この場合、起電部分３０Ｄが、第１端子５１から第２端子５２へ向かう第１起電力Ｖ１を生成し、起電部分３０Ｃが、第２端子５２から第１端子５１へ向かう第２起電力Ｖ２を生成する。従って、上記の図９Ｂの場合と同様に、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が互いに打ち消し合い、第１端子５１と第２端子５２との間の起電力Ｖ（出力電圧）はほぼゼロになる。
【００６８】
このように、図１０で示された起電層３０は、Ｘ方向の磁界成分に対して高い感度を有する。ＸＹ面内で９０度回転させることによって、Ｙ方向の磁界成分に対して高い感度を有する起電層３０を実現することも可能である。いずれの場合であっても、平面パターンの工夫により、起電層３０の“実効的な長さ”が大きくなっている。これにより、素子面積を増大させることなく、測定感度の向上が実現される。
【００６９】
尚、起電層３０の平面パターンは、図１０で示されたものに限られない。特定方向の外部磁界Ｈが素子に印加されているときに第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が非対称となるように、起電層３０が形成されていればよい。
【００７０】
例えば、図１２に示されるような起電層３０の平面パターンも可能である。また、図１３に示されるような“渦巻き状”の平面パターンも可能である。図１３に示される例では、スピン軌道相互作用（スピンホール効果）の異なる起電部分３０Ｅ、３０Ｆが混在している。また、図１４に示されるような“蛇行状”の平面パターンも可能である。図１４に示される例では、スピン軌道相互作用（スピンホール効果）の異なる起電部分３０Ｇ、３０Ｈが混在している。いずれの場合であっても、Ｘ方向の外部磁界Ｈが印加された際、第１起電力Ｖ１と第２起電力Ｖ２が非対称となる。
【００７１】
５．第５の実施の形態
本発明の第５の実施の形態では、上記の第４の実施の形態をベースとして、異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して磁界情報ＤＨを生成することを考える。具体的には、磁界情報生成部４０、第１端子５１、第２端子５２、及び起電層３０を、ある特定方向の磁界成分を検出するための１つのセットとして考える。そして、そのようなセットが、異なる磁界成分毎に設けられる。
【００７２】
例えば、図１５に示されるように、Ｘ方向の磁界成分を検出するために、起電層３０Ｘ、Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘ、第１端子５１Ｘ及び第２端子５２Ｘが設けられている。起電層３０Ｘは、Ｘ方向の磁界成分に対して高い感度を有するように構成されている。その起電層３０Ｘの両端に、第１端子５１Ｘ及び第２端子５２Ｘが形成されている。Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘは、第１端子５１Ｘ及び第２端子５２Ｘに接続されており、第１端子５１Ｘと第２端子５２Ｘとの間の起電力Ｖに関する情報に基づいてＸ方向磁界情報ＤＨ−Ｘを生成する。
【００７３】
また、Ｙ方向の磁界成分を検出するために、起電層３０Ｙ、Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙ、第１端子５１Ｙ及び第２端子５２Ｙが設けられている。起電層３０Ｙは、Ｙ方向の磁界成分に対して高い感度を有するように構成されている。その起電層３０Ｙの両端に、第１端子５１Ｙ及び第２端子５２Ｙが形成されている。Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙは、第１端子５１Ｙ及び第２端子５２Ｙに接続されており、第１端子５１Ｙと第２端子５２Ｙとの間の起電力Ｖに関する情報に基づいてＹ方向磁界情報ＤＨ−Ｙを生成する。
【００７４】
図１６に示される例では、Ｘ方向の磁界成分を検出するために、起電層３０Ｘ、Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘ、端子５１（第１端子）及び端子５２（第２端子）が設けられている。起電層３０Ｘは、Ｘ方向の磁界成分に対して高い感度を有するように構成されている。その起電層３０Ｘの両端に、端子５１、５２が形成されている。Ｘ方向磁界情報生成部４０Ｘは、端子５１、５２に接続されており、それら端子５１、５２との間の起電力Ｖに関する情報に基づいてＸ方向磁界情報ＤＨ−Ｘを生成する。
【００７５】
また、Ｙ方向の磁界成分を検出するために、起電層３０Ｙ、Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙ、端子５３（第１端子）及び端子５２（第２端子）が設けられている。起電層３０Ｙは、Ｙ方向の磁界成分に対して高い感度を有するように構成されている。その起電層３０Ｙの両端に、端子５２、５３が形成されている。Ｙ方向磁界情報生成部４０Ｙは、端子５２、５３に接続されており、それら端子５２、５３との間の起電力Ｖに関する情報に基づいてＹ方向磁界情報ＤＨ−Ｙを生成する。
【００７６】
図１６に示される例では、起電層３０Ｘと起電層３０Ｙが連結しており、端子５２がＸ方向とＹ方向とで共用されている。端子の共用は、素子面積削減の観点から好適である。
【００７７】
６．第６の実施の形態
図１７Ａ及び図１７Ｂを参照して、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置１の応用例を説明する。図１７Ａ及び図１７Ｂには、開閉可能な電子機器７０が示されている。その電子機器７０は、ベース部７１及びカバー部７２を備えており、カバー部７２を回転させることにより電子機器７０の開閉が行われる。
【００７８】
カバー部７２には、上部永久磁石８０が取り付けられている。一方、ベース部７１には、下部永久磁石９０が取り付けられており、その下部永久磁石９０上に、ギャップ層（バッファ層）を介して、本発明の実施の形態に係る磁界測定装置１が設けられている。ここで、上部永久磁石８０の磁化方向は＋Ｙ方向であり、下部永久磁石９０の磁化方向は−Ｙ方向である。また、上部永久磁石８０の磁化は、下部永久磁石９０の磁化よりも大きい。
【００７９】
電子機器７０は、動作することにより熱を発生し、その熱が磁界測定装置１に印加される。すなわち、電子機器７０（ベース部７１）は、磁界測定装置１に対して温度勾配∇Ｔを印加する熱源としての役割も果たす。図１７Ａ及び図１７Ｂの例では、＋Ｚ方向の温度勾配∇Ｔが磁界測定装置１に対して印加されている。
【００８０】
図１７Ａは、「開状態」を示している。開状態において、磁性体層２０の近傍には、下部永久磁石９０だけが存在する。従って、磁性体層２０の磁化方向は、下部永久磁石９０のつくる局所磁場に応じた方向（本例では＋Ｙ方向）となる。
【００８１】
図１７Ｂは、「閉状態」を示している。閉状態において、磁性体層２０は、下部永久磁石９０と上部永久磁石８０との間に挟まれ、その両方から影響を受ける。ここで、上部永久磁石８０の磁化は下部永久磁石９０の磁化よりも大きいため、上部永久磁石８０からの影響が支配的となる。従って、磁性体層２０の磁化方向は、上部永久磁石８０のつくる局所磁場に応じた方向（本例では−Ｙ方向）となる。
【００８２】
このように、開状態と閉状態とで、磁性体層２０の磁化方向が切り替わるため、起電層３０に発生する起電力の方向も切り替わる。従って、磁界情報生成部４０から出力される磁界情報ＤＨを参照することによって、電子機器７０の開閉を検知することが可能となる。
【００８３】
本例で示されように、電子機器などで自然発生する熱を利用して磁界測定装置１を動作させることができるため、外部電源が不要で、容易に外付け可能なセンシングシステムが構築できる。
【００８４】
７．第７の実施の形態
磁性体層２０がヒステリシス特性を有する場合、測定精度を高めるために、測定前に磁化の初期化を行ってもよい。磁化の初期化は、永久磁石等を用いて、外部から初期化用磁界を印加することにより行われる。その初期化用磁界は、磁性体層２０の保磁力よりも強い。
【００８５】
例えば、図１８Ａに示されるように、磁性体層２０の磁化状態が飽和領域ＲＳＡとなるように初期化が行われる。その初期化が完了した後、磁界測定が行われる。この場合、磁界情報生成部４０は、電圧磁界特性ＣＡを参照することによって、磁界情報ＤＨを生成する。
【００８６】
また、例えば、図１８Ｂに示されるように、磁性体層２０の磁化状態が飽和領域ＲＳＢとなるように初期化が行われてもよい。その初期化が完了した後、磁界測定が行われる。この場合、磁界情報生成部４０は、電圧磁界特性ＣＢを参照することによって、磁界情報ＤＨを生成する。
【００８７】
ここで、同じ外部磁界Ｈが印加された場合であっても、図１８Ａと図１８Ｂとでは、起電力Ｖ（出力電圧）が異なることに留意されたい。従って、初期化の方法に応じて、参照する電圧磁界特性（ＣＡ、ＣＢ）を切り替えればよい。これにより、正確な磁界測定が可能となる。
【００８８】
また、図１９に示されるように、磁性体層２０を消磁する（磁化をゼロにする）ことにより、初期化が行われてもよい。これによっても、正確な磁界測定が可能となる。尚、消磁の方法としては、外部から熱を加え磁化をゼロにする熱消磁や、時間とともに減衰する外部交流磁界によって磁化をゼロにする交流消磁などが利用できる。熱消磁の場合、磁性体層２０をキュリー温度以上に加熱することが望ましい。
【００８９】
尚、実際の磁界測定においては、素子に印加される温度勾配によってスピンゼーベック効果も変化する。よって、出力電圧Ｖのみの測定では磁界の絶対値を正確に決定できない可能性がある。この場合、飽和磁界で磁性体層２０の磁化を飽和させた状態で出力電圧Ｖｓを測定し、それに対してどの程度増減したかを示す相対指標（Ｖ／Ｖｓ）を評価する。Ｖ、Ｖｓはそれぞれ温度勾配に比例することから、相対指標を利用することで温度依存性がキャンセルされ、磁界の絶対値を決定することが可能となる。
【００９０】
以上、本発明の実施の形態が添付の図面を参照することにより説明された。但し、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、要旨を逸脱しない範囲で当業者により適宜変更され得る。
【００９１】
上記の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
【００９２】
（付記１）
磁性体層と、
前記磁性体層上に形成され、スピン軌道相互作用を発現する材料で形成された起電層と、
前記起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、前記磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成する磁界情報生成部と
を備える
磁界測定装置。
【００９３】
（付記２）
付記１に記載の磁界測定装置であって、
前記磁性体層は、軟磁性材料である
磁界測定装置。
【００９４】
（付記３）
付記１又は２に記載の磁界測定装置であって、
更に、
前記起電層の異なる位置に形成された第１端子及び第２端子
を備え、
前記磁界情報生成部は、前記第１端子及び前記第２端子に接続されており、前記第１端子と前記第２端子との間の前記起電力に関する情報に基づいて前記磁界情報を生成する
磁界測定装置。
【００９５】
（付記４）
付記３に記載の磁界測定装置であって、
前記第１端子から前記第２端子へ向かう前記起電力は第１起電力であり、
前記第２端子から前記第１端子へ向かう前記起電力は第２起電力であり、
前記磁界が特定方向に印加されるとき前記第１起電力と前記第２起電力が非対称となるように、前記起電層は形成されている
磁界測定装置。
【００９６】
（付記５）
付記４に記載の磁界測定装置であって、
前記起電層は、
第１起電部分と、
前記第１起電部分とスピンホール効果の異なる材料で形成された第２起電部分と
を有し、
前記磁界が前記特定方向に印加される状況において、前記第１起電部分が前記第１起電力を生成し、前記第２起電部分が前記第２起電力を生成する
磁界測定装置。
【００９７】
（付記６）
付記５に記載の磁界測定装置であって、
前記第１端子から前記第２端子に向かって前記起電層上を辿った場合の前記起電層の各部分の延在方向を考えたとき、
前記第１起電部分は、前記延在方向が第１延在方向である部分を含み、
前記第２起電部分は、前記延在方向が前記第１延在方向と反平行の第２延在方向である部分を含む
磁界測定装置。
【００９８】
（付記７）
付記１乃至３のいずれか一項に記載の磁界測定装置であって、
異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して前記磁界情報が生成されるように、前記異なる方向毎に前記磁界情報生成部が設けられている
磁界測定装置。
【００９９】
（付記８）
付記４乃至６のいずれか一項に記載の磁界測定装置であって、
前記磁界情報生成部、前記第１端子、前記第２端子及び前記起電層を、１つのセットとして考えたとき、
異なる方向の磁界成分のそれぞれに関して前記磁界情報が生成されるように、前記異なる方向毎に前記セットが設けられている
磁界測定装置。
【０１００】
（付記９）
磁性体層と、前記磁性体層上に形成されスピン軌道相互作用を発現する材料で形成された起電層と、を備える熱電変換素子を提供するステップと、
前記起電層に発生する起電力に関する情報に基づいて、前記磁性体層に印加されている磁界に関する磁界情報を生成するステップと
を含む
磁界測定方法。
【０１０１】
本出願は、２０１２年４月１１日に出願された日本国特許出願２０１２−０９０４５９を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【図１】
2013153949.tif 000005
【図２】
2013153949.tif 000006
【図３Ａ】
2013153949.tif 000007
【図３Ｂ】
2013153949.tif 000008
【図４】
2013153949.tif 000009
【図５】
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【図６】
2013153949.tif 000011
【図７】
2013153949.tif 000012
【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2013153949.tif 000023
【図１７Ａ】
2013153949.tif 000024
【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【国際調査報告】
2013153949.tif 000029
2013153949.tif 000030
2013153949.tif 000031
2013153949.tif 000032