(57)【要約】  ガラス基板の製造方法であって、（ａ）鉄濃度が１００ｐｐｍ以上の溶融スズ上で、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２が１５００℃以下である溶融ガラスを成形することにより、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４が１１００℃以下であり、１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρが８．８以上のガラスリボンを得るステップと、（ｂ）前記ガラスリボンを室温まで冷却して、ガラス基板を得るステップと、を有することを特徴とするガラス基板の製造方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造するガラスとの平衡濃度よりも大きい鉄濃度を有する溶融スズ上で成形されたガラス基板であって、
１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρが８．８以上であり、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４が１１００℃以下であり、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２が１５００℃以下であるガラス基板。
【請求項２】
酸化物基準で表した場合、Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、およびＳｒＯからなる群から選定された少なくとも１種を、不可避不純物濃度を超える濃度で含むことを特徴とする請求項１に記載のガラス基板。
【請求項３】
Ｋ２Ｏ＋ＢａＯ＋ＳｒＯの合計濃度が酸化物基準の質量比で１％以上であることを特徴とする請求項２に記載のガラス基板。
【請求項４】
溶融スズ中の鉄濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載のガラス基板。
【請求項５】
さらに、透明導電性酸化物の層を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載のガラス基板。
【請求項６】
ガラス基板の製造方法であって、
（ａ）鉄濃度が１００ｐｐｍ以上の溶融スズ上で、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２が１５００℃以下である溶融ガラスを成形することにより、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４が１１００℃以下であり、１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρが８．８以上のガラスリボンを得るステップと、
（ｂ）前記ガラスリボンを室温まで冷却して、ガラス基板を得るステップと、
を有するガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板およびガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高い透過率を有するいわゆる「高透過性ガラス基板」は、その特性を生かし、例えば太陽電池用のガラス基板等に適用されている。【０００３】
なお、工業的には、ガラス基板は、フロート法と呼ばれる方法により製造することができる。このフロート法では、強い還元雰囲気中で溶融スズを有するフロートバス内に溶融ガラスを導入し、溶融スズの表面でガラスリボンを成形した後、このガラスリボンを室温まで冷却することにより、ガラス基板が製造される。ここで、ガラスリボンの溶融スズと接する表面（以下、ボトム面と称する）には、スズイオンが熱拡散により侵入し、最表面は強い還元状態になっていることが知られている。またガラス中の鉄濃度とスズ中の鉄濃度が平衡状態になっていない場合には、その平衡になる方向に、鉄の拡散が起きる。その結果、ガラスリボン中のスズ濃度よりも溶融スズ中の鉄濃度の方が低い場合、溶融スズ中の鉄濃度は、平衡に達するまで増加する。一方、ガラスリボン中のスズ濃度よりも溶融スズ中の鉄濃度の方が高い場合、溶融スズ中の鉄濃度は、平衡に達するまで低下する。【０００４】
ここで、「高透過性ガラス基板」をフロート法で製造する場合、ボトム面において、溶融スズ側からガラスリボン側に鉄成分が侵入することに留意する必要がある。これは、鉄成分は、ガラス中にイオン状態で存在する際に、光を吸収する性質を有するためである。例えば、２価の鉄イオンは、波長約１０００ｎｍの領域で吸収ピークを示す。また、３価の鉄イオンは、波長約３８０ｎｍの領域で吸収ピークを示す。加えて、強い還元状態下では、鉄イオンは、アンバーといわれる４５０ｎｍにピークを持つ強い着色を呈することが知られている。従って、ガラスリボンにそのような鉄成分が含まれると、最終的に得られるガラス基板の透過性が低下してしまう。特に、高い濃度の鉄成分がガラスリボン中に侵入した場合、「高透過性ガラス基板」そのものを製造することが難しくなる場合がある。【０００５】
なお、このような問題に対処するため、特許文献１には、鉄の濃度が５５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満の、低鉄濃度溶融スズを用いて「高透過性ガラス基板」を成形することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４２５１５５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述の特許文献１に記載の方法では、鉄濃度の低い溶融スズを用いることにより、溶融スズ側からガラスリボン側に鉄が侵入することを抑制し、「高透過性ガラス基板」を成形する。【０００８】
しかしながら、このような方法は、以下の理由から現実的な対処法とは言えない。【０００９】
すなわち、一般には、同一のフロート法の設備において、複数の種類のガラス基板が製造されることが多い。例えば、自動車のガラス部材用のガラス基板（鉄濃度が比較的高いという特徴を有する）と、高透過性ガラス基板とが、同一の設備で製造される場合がしばしばある。自動車のガラス部材用のガラス基板の鉄濃度は、高い場合が多いので、自動車のガラス部材用のガラス基板を製造した後、溶融スズ中には、例えば１００ｐｐｍを超えるような、相当量の鉄が含まれていることもある。【００１０】
従って、特許文献１に記載の方法に従った場合、例えば、自動車のガラス部材用のガラス基板を製造した後に、同一の設備で高透過性ガラス基板を製造する場合などにおいて、フロートバス内の溶融スズを、低鉄濃度の溶融スズに交換する必要が生じてしまう。このような溶融スズの交換は、設備の稼働時間の減少およびコストの上昇等につながる。【００１１】
このように、溶融スズ側からガラスリボン側に鉄成分が侵入することを抑制し、高透過性ガラス基板を製造することが可能な方法が、現在もなお要望されている。【００１２】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、フロート法において、比較的高い鉄濃度を有する溶融スズを使用した場合であっても、鉄の侵入を効果的に抑制することが可能なガラス基板の製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一つの形態によれば、
製造するガラスとの平衡濃度よりも大きい鉄濃度を有する溶融スズ上で成形されたガラス基板であって、
１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρが８．８以上であり、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４が１１００℃以下であり、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２が１５００℃以下であるガラス基板が提供される。【００１４】
他の形態によれば、
ガラス基板の製造方法であって、
（ａ）鉄濃度が１００ｐｐｍ以上の溶融スズ上で、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２が１５００℃以下である溶融ガラスを成形することにより、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４が１１００℃以下であり、１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρが８．８以上のガラスリボンを得るステップと、
（ｂ）前記ガラスリボンを室温まで冷却して、ガラス基板を得るステップと、
を有するガラス基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態によるガラス基板の製造方法のフローの一例を概略的に示した図である。
【図２】本実施形態によるガラス基板を備える太陽電池の一構成例を概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【００１７】
本実施形態において、ガラス基板は、例えば、太陽電池用の基板等に使用され得る、高い透過率を有するガラス基板とすることができる。
【００１８】
本実施形態では、ガラス基板の製造方法であって、
（ａ）鉄濃度が１００ｐｐｍ以上の溶融スズ上で、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が２となるときの温度Ｔ２（以下、単に「Ｔ２」という。）が１５００℃以下である溶融ガラスを成形することにより、
粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４となるときの温度Ｔ４（以下、単に「Ｔ４」という。）が１１００℃以下であり、１５０℃における体積抵抗率ρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρ（以下、単に「ｌｏｇρ」という。）が８．８以上のガラスリボンを得るステップと、
（ｂ）前記ガラスリボンを室温まで冷却して、ガラス基板を得るステップと、
を有することを特徴とするガラス基板の製造方法が提供される。
【００１９】
前述のように、従来の方法では、溶融スズ中の鉄濃度を５５ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ未満に制御することにより、溶融スズ側からガラスリボン側への鉄の侵入を抑制し、高透過性ガラス基板を製造する。
【００２０】
しかしながら、このような方法は、現在工業的に行われている一般的なガラス基板の製造方法への適用には限界がある。例えば、自動車のガラス部材用のガラス基板（鉄濃度が比較的高いという特徴を有する）と、高透過性ガラス基板とを、同一の設備で製造している場合、溶融スズ中に、例えば１００ｐｐｍを超えるような、相当量の鉄が含まれていることがしばしば生じ得る。この場合、高透過性ガラス基板を製造する前に、毎回フロートバス内の溶融スズを、低鉄濃度の溶融スズに交換することは、設備の稼働時間の減少およびコストの上昇等につながる。
【００２１】
これに対して、本実施形態では、ガラスリボンのｌｏｇρが８．８以上となるように、溶融ガラスが調製されているという特徴を有する。また、本実施形態では、Ｔ４が１１００℃以下になるように、溶融ガラスが調製されているという特徴を有する。
【００２２】
なお、本実施形態において、体積抵抗率ρは、ＡＳＴＭ  Ｃ６５７−７８に準拠した方法によって測定された値を意味する。
【００２３】
また、本実施形態において、Ｔ４は、回転粘度計によって測定された値を意味する。通常、溶融ガラスは、粘度η（ｄＰａ・ｓ）の対数が４の粘度で、溶解状態からスズ浴での成型プロセスに移行する。従って、Ｔ４は、ガラスリボンが溶融スズと接するときの温度に相当する。
【００２４】
本発明者らは、ガラスリボンのｌｏｇρが８．８以上の場合、そのようなガラスリボンでは、溶融スズ側からガラスリボン側への各種イオンの移動が有意に抑制され、高い拡散防止特性が得られるようになることを見いだした。このため、本実施形態では、ガラスリボンが溶融スズと接触した状態であっても、溶融スズ側から、ガラスリボン側に、鉄成分やスズが侵入することを効果的に抑制することが可能になる。従って、本実施形態では、溶融スズに含まれる鉄濃度が１００ｐｐｍ以上であっても、溶融スズ側からガラスリボンに、鉄成分が侵入することを有意に抑制することができる。
【００２５】
また、本実施形態では、Ｔ４が１１００℃以下になっている。すなわち、ガラスリボンが溶融スズと接触する際の温度は、１１００℃以下に抑制されている。このため、ガラスリボンと溶融スズの間の反応性が抑制され、溶融スズ側からの鉄成分の侵入がよりいっそう抑制される。
【００２６】
さらに、本実施形態では、溶融ガラスのＴ２が１５００℃以下であるという特徴を有する。
【００２７】
ここで、本実施形態において、Ｔ２は、回転粘度計によって測定された値を意味する。
【００２８】
一般に、２価の鉄（イオン）と３価の鉄（イオン）の間には、以下の（１）式で示す平衡反応が存在する。
Ｆｅ２Ｏ３＝２ＦｅＯ  ＋  １／２Ｏ２      （１）式
この平衡は、高温ほど右にシフトするという特徴を有する。
【００２９】
ここで、ガラス基板中に含まれる鉄成分（２価の鉄イオンと３価の鉄イオンの総和）の量が多くなると、可視光透過率Ｔｖが低下することが知られている。また、ガラス基板中に含まれる２価の鉄イオンの量が多くなると、日射透過率Ｔｅが低下することが知られている。従って、可視光透過率Ｔｖおよび日射透過率Ｔｅがともに高い「高透過性ガラス基板」を得るためには、ガラス基板中に含まれる鉄成分の総量を抑制するとともに、ガラス基板中に含まれる２価の鉄イオンの量を抑制する必要がある。
【００３０】
前述のように、本実施形態では、ガラスのｌｏｇρが８．８以上となっている上、Ｔ４が１１００℃以下になるように、溶融ガラスが調製されている。
【００３１】
これらの特徴により、本実施形態では、可視光透過率Ｔｖの低下に寄与する鉄成分の総量を抑制することができる。
【００３２】
また、本実施形態では、溶融ガラスのＴ２が１５００℃以下であるという特徴を有する。このため、本実施形態では、（１）式の反応が右方向にあまり進まなくなり、ガラス基板中に鉄成分がわずかに含まれる場合であっても、日射透過率Ｔｅに影響する２価の鉄イオンの量を抑制することができる。
【００３３】
従って、本実施形態では、可視光透過率Ｔｖおよび日射透過率Ｔｅがともに高い「高透過性ガラス基板」を得ることが可能になる。
【００３４】
このように、本実施形態では、従来のフロート法の設備において、溶融スズに含まれる鉄の濃度をあまり意識することなく、高い透過性を有する高透過性ガラス基板を製造することが可能になる。
【００３５】
また、本実施形態による方法では、ガラスは、ｌｏｇρが８．８以上となる体積抵抗率ρを有する。また、溶融ガラスは、Ｔ４が１１００℃以下であるという特徴を有する。
【００３６】
この場合、溶融スズに含まれる鉄成分に加えて、溶融スズそのものがガラスリボン側に侵入することも有意に抑制することができる。
【００３７】
例えば、ガラス基板の熱処理の際に生じる不具合の一つに、ガラス基板の表面に曇りが発生するブルームと呼ばれる現象がある。この現象は、ガラス基板のボトム面に、過剰にスズイオンが拡散し、スズリッチ層が形成されている場合に生じる。すなわち、スズリッチ層とガラス基板のバルク側とでは、熱膨張係数が異なるため、スズリッチ層を有するガラス基板を熱処理した際に、熱膨張挙動のミスマッチによって、スズリッチ層に曇りが発生する場合がある。
【００３８】
本実施形態による方法では、ガラスは、ｌｏｇρが８．８以上の体積抵抗率ρを有する。また、溶融ガラスは、Ｔ４が１１００℃以下であるという特徴を有する。このため、ガラスリボンの溶融スズとの接触面から、スズがガラスリボン側に侵入することを有意に抑制することができる。従って、本実施形態による方法では、ブルーム現象を抑制することができるという追加の効果が得られる。
【００３９】
（本実施形態におけるガラス基板の製造方法）
次に、本実施形態におけるガラス基板の製造方法を、より具体的に説明する。
【００４０】
図１には、本実施形態におけるガラス基板の製造方法のフローの一例を概略的に示す。
【００４１】
図１に示すように、本実施形態におけるガラス基板の製造方法は、
（ａ）鉄濃度が１００ｐｐｍ以上の溶融スズ上で、Ｔ２が１５００℃以下である溶融ガラスを成形することにより、Ｔ４が１１００℃以下であり、ｌｏｇρが８．８以上のガラスリボンを得るステップ（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）前記ガラスリボンを室温まで冷却して、ガラス基板を得るステップ（ステップＳ１２０）と、
を有する。
【００４２】
以下、各ステップについて説明する。
【００４３】
（ステップＳ１１０）
まず、溶融ガラスの原料となるガラス原料が調製される。
【００４４】
ガラス原料は、各種ガラス母組成原料、カレット、および清澄剤等を含む。清澄剤は、例えばＳＯ３、ＳｎＯ２、および／またはＳｂ２Ｏ３等であっても良い。
【００４５】
ガラス原料は、溶融ガラスの状態において、Ｔ２が１５００℃以下となるように調整される。また、ガラス原料は、Ｔ４が１１００℃以下となり、ガラスのｌｏｇρが８．８以上となるように調整される。
【００４６】
このようなガラス原料の調整方法は、以下に限定されないが、例えば以下の方法で制御することができる。
【００４７】
例えば、ガラス母組成原料にＫ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯを添加して、その際の添加量を適切に制御することにより、上記のような特徴を有するガラス基板を得ることができる。具体的には、例えば、Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯを、ガラス母組成原料に添加して、ガラス基板中にＫ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯが不可避不純物としての濃度を超える量存在するようにすることができる。Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯを適切な量添加することにより、ガラス基板のｌｏｇρを高めるとともに、溶融ガラスやガラスリボンの状態における粘度を低く保ち、Ｔ２及びＴ４を低くすることができる。
【００４８】
Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯ（Ｋ２Ｏ＋ＢａＯ＋ＳｒＯの合計濃度）は、ガラス原料に対して、酸化物基準の質量比で１％以上、より好ましくは１．５％以上とすることができる。このような範囲とすることにより、ガラス原料を、ガラスのｌｏｇρが８．８以上となるように安定的に調整することができる。
【００４９】
また、Ｋ２Ｏ、ＢａＯ、および／またはＳｒＯ（Ｋ２Ｏ＋ＢａＯ＋ＳｒＯの合計濃度）は、ガラス原料に対して、酸化物基準の質量比で７％以下、より好ましくは５％以下とすることができる。このような範囲とすることにより、例えばＴ２の温度を適切に保つことができる。
【００５０】
ここで、「酸化物基準の質量比」とは、本実施形態のガラス原料として使用される酸化物、複合塩等が熔融時にすべて分解され酸化物へ変化すると仮定した場合に、当該生成酸化物の質量比によってガラス中に含有される各成分を表記した組成である。
【００５１】
次に、調製されたガラス原料を溶融し、溶融ガラスを形成する。溶融温度は、ガラス原料によって変化する。例えば、ソーダライムシリカガラスの場合、溶融温度は、約１３００〜約１６００℃であっても良い。
【００５２】
次に、この溶融ガラスは、雰囲気制御されたフロートバス室に導入される。通常の場合、フロートバス室の雰囲気は、水素を含む還元性雰囲気である。フロートバス室には、溶融スズが満たされた浴（溶融スズ浴）が設置されている。ここで、本実施形態では、溶融スズ中の鉄濃度は１００ｐｐｍ以上であってもよく、１００ｐｐｍを超える濃度、１５０ｐｐｍ以上であってもよい。
【００５３】
導入された溶融ガラスは、溶融スズの表面でガラスリボンに成形される。
【００５４】
本実施形態では、成形されたガラスリボンは、ｌｏｇρが８．８以上となっている。このため、ガラスリボンの溶融スズとの接触面から、鉄成分やスズ成分がガラスリボン側に拡散、侵入することが有意に抑制される。
【００５５】
また、本実施形態では、Ｔ４が１１００℃以下になっている。すなわち、ガラスリボンが溶融スズと接触する際の温度は、１１００℃以下に抑制されている。このため、ガラスリボンと溶融スズの間の反応性が抑制され、溶融スズ側からの鉄成分やスズ成分の侵入がよりいっそう抑制される。
【００５６】
さらに、本実施形態では、Ｔ２が１５００℃以下である溶融ガラスが使用される。このため、仮に鉄成分がガラスリボン中に侵入した場合であっても、２価の鉄イオンの量を有意に抑制することができる。
【００５７】
以上のように、本発明者らは、ガラス原料の特性を、ガラスリボンのｌｏｇρが８．８以上となるとともに、Ｔ４が１１００℃以下及びＴ２が１５００℃以下となるようにすることにより、溶融スズ側から鉄成分やスズ成分がガラスリボン側に拡散、侵入することを効果的に抑制できることを見いだした。
【００５８】
（ステップＳ１２０）
次に、ステップＳ１１０で成形されたガラスリボンは、フロートバス室から排出され、その後、室温まで冷却される。これにより、ガラス基板を製造することができる。
【００５９】
本実施形態による製造方法では、ガラス基板への鉄成分の侵入を有意に抑制することができる上、２価の鉄イオンの量を有意に抑制することができる。従って、本実施形態による製造方法で得られたガラス基板は、高い透過性を有する。
【００６０】
（本実施形態によるガラス基板）
例えば前述のような方法によって、本実施形態によるガラス基板が得られる。ただし、本実施形態によるガラス基板は、他の方法によって製造されても良い。
【００６１】
本実施形態によるガラス基板は、
鉄濃度が、製造するガラスとの平衡濃度よりも大きい溶融スズ（例えば溶融スズ中の鉄濃度１００ｐｐｍ以上）上で成形され、
ｌｏｇρが８．８以上であり、
Ｔ２が１５００℃以下であり、
Ｔ４が１１００℃以下であるという特徴を有する。
【００６２】
本実施形態によるガラス基板は、鉄成分の濃度が有意に抑制されている。このため、本実施形態によるガラス基板では、２価の鉄イオンに起因した波長１０００ｎｍにおける吸収が有意に抑制される。また、３価の鉄イオンに起因した波長４５０ｎｍにおける吸収も、有意に抑制される。このため、本実施形態によるガラス基板は、高い透過性を有する。
【００６３】
ここで、本実施形態によるガラス基板のｌｏｇρは、８．８以上１２．０以下の範囲とすることができる。
【００６４】
また、本実施形態によるガラス基板において、Ｔ２は、１３５０℃以上１５００℃以下の範囲とすることができる。
【００６５】
さらに、本実施形態によるガラス基板において、Ｔ４は、９００℃以上１１００℃以下の範囲とすることができる。
【００６６】
本実施形態によるガラス基板の組成は、前述の特性を有するように調整される限り、特に限られない。例えば、本実施形態によるガラス基板は、酸化物換算の質量百分率表示で、以下の表１に示す組成を有しても良い。
【００６７】
【表１】
2013099768.tif 000002
特に、本実施形態によるガラス基板は、表２または表３に示す組成を有しても良い。
【００６８】
【表２】
2013099768.tif 000003
【００６９】
【表３】
2013099768.tif 000004
なお、これらの３種類の組成において、Ｋ２Ｏの少なくとも一部は、ＢａＯおよび／またはＳｒＯに置換されても良い。
【００７０】
以上の表１〜表３に示した組成範囲内において、Ｔ２が１５００℃以下であり、Ｔ４が１１００℃以下であるという特徴のガラスを安定的に得ることができる。
【００７１】
（本実施形態によるガラス基板の適用例）
次に、本実施形態によるガラス基板の適用例について説明する。
【００７２】
本実施形態によるガラス基板は、例えば、太陽電池用の基板に適用することができる。以下、図２を参照して、本実施形態によるガラス基板を備える太陽電池について説明する。
【００７３】
図２は、本実施形態によるガラス基板を備える太陽電池の一構成例を模式的に示した断面図である。
【００７４】
図２に示すように、太陽電池２００は、第１の表面２１２および第２の表面２１４を有するガラス基板２１０と、該ガラス基板２１０の第１の表面２１２上に構成された太陽電池用素子２３０とを有する。なお、図２には示されていないが、太陽電池２００は、さらに、ガラス基板２１０の第２の表面２１４上に設置された反射防止膜（図示されていない）を有しても良い。
【００７５】
太陽電池用素子２３０は、ガラス基板２１０から近い順に、透明導電層（第１の電極層）２５０、光電変換層（発電層）２６０、および裏面導電層（第２の電極層）２７０を有する。
【００７６】
透明導電層２５０は、例えば、ＳｎＯ２を主成分とする層、ＺｎＯを主成分とする層、またはスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）からなる層等で形成されても良い。これらの中では、原料コスト、量産性、および透明導電層２５０の成分が光電変換層（発電層）２６０に混入した際の光電変換層（発電層）２６０への影響の少なさから、ＳｎＯ２を主成分とする層が好ましい。ここで、「主成分」とは、該成分が酸化物基準の質量百分率表示で、９０％以上含まれていることを意味する。
【００７７】
また、ＳｎＯ２を主成分とする層としては、ＳｎＯ２からなる層の他、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）からなる層およびアンチモンドープ酸化スズからなる層等が挙げられる。
【００７８】
透明導電層２５０の形成方法としては、熱分解法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法、およびスプレー法等が挙げられる。
【００７９】
透明導電層２５０の厚さは、通常、２００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲である。
【００８０】
光電変換層（発電層）２６０は、通常、薄膜半導体で構成される。薄膜半導体としては、アモルファスシリコン系半導体、微結晶シリコン系半導体、化合物半導体（ＣｄＴｅ系半導体等）、および有機系半導体等が挙げられる。また、これらの半導体層が複数積層される場合もある。
【００８１】
光電変換層（発電層）２６０の厚さは、通常、アモルファスシリコン系半導体の場合には、５０ｎｍ〜５００ｎｍ、微結晶シリコン系半導体の場合には、５００ｎｍ〜５０００ｎｍ、アモルファスシリコン系と微結晶シリコン系の積層の場合には、５００ｎｍ〜６０００ｎｍ、ＣｄＴｅ系半導体の場合には、５００ｎｍ〜１０μｍの範囲である。
【００８２】
裏面導電層２７０は、光透過性を有さない材料で構成されても、光透過性を有する材料で構成されても、それらの積層でも良い。光透過性を有さない材料の一例としては、銀およびアルミニウム等が挙げられる。また、光透過性を有する材料の一例としては、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、およびＺｎＯ等が挙げられる。裏面電極層２７０に光透過性材用を用いた場合、さらに、光電変換層２６０とは反対の面に、反射層を積層しても良い。反射層としては、銀およびアルミニウム等、それらの合金、ならびに白色インクが用いられる。
【００８３】
裏面導電層２７０の厚さは、通常、１００ｎｍ〜１０μｍの範囲である。
【００８４】
ここで、太陽電池２００において、ガラス基板２１０には、本実施形態によるガラス基板が使用される。
【００８５】
前述のように、本実施形態によるガラス基板は、鉄製分の濃度が有意に抑制されているため、高い透過性を示す。すなわち、ガラス基板２１０は、特に、波長約１０００ｎｍの領域での吸収が有意に抑制されている。従って、本実施形態によるガラス基板２１０を備える太陽電池２００は、良好な効率を発揮することができる。
【００８６】
本実施形態によるガラス基板が適用できる太陽電池は、以上に挙げた太陽電池の構造に限られない。例えば、ＣＩ（Ｇ）Ｓ系化合物太陽電池、結晶シリコン系太陽電池、およびガラス封止薄膜太陽電池カバーガラスに用いることができる。
【実施例】
【００８７】
以下、本実施形態の実施例について説明する。【００８８】
（実施例１）
鉄濃度が約１５０ｐｐｍ以上のスズ浴を用いて、フロート法により、ｌｏｇρの異なる２種類のガラス基板（ガラス基板Ａ、Ｂ）を製造した。また、得られたガラス基板Ａ、Ｂの透過率を評価した。【００８９】
（ガラス基板の製造）
ガラス基板Ａ、Ｂの組成は、前述の表１に示したソーダライムガラス系のものとした。ガラス基板Ａ、Ｂの厚さは、いずれも３．９ｍｍを目標とした。【００９０】
なお、体積抵抗率ρは、ＡＳＴＭ  Ｃ６５７−７８に準拠した方法で、以下のように測定した。【００９１】
まず、ガラス基板を、縦約５０ｍｍ×横約５０ｍｍの寸法に切断し、サンプルを作製する。得られたサンプルの両面を、厚さが約３．５ｍｍとなるように光学研磨する。【００９２】
次に、サンプルの両面に、蒸着法で金属アルミニウム膜を成膜する。この金属アルミニウム膜を電極として、１００℃、１５０℃および２００℃の３条件において、サンプルの体積抵抗率を測定する。【００９３】
得られた各温度での体積抵抗率の測定結果を、測定温度の逆数に対してプロットする。得られた直線の傾きＡおよび切片Ｂから、以下の（２）式により、ρ（Ω・ｃｍ）の対数を算出する
ｌｏｇρ＝Ａ／Ｔ＋Ｂ      （２）式
表４には、製造したガラス基板（ガラス基板Ａ、Ｂ）の組成、Ｔ４、Ｔ２、およびρ（Ω・ｃｍ）の対数ｌｏｇρをまとめて示した。【００９４】
【表４】
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（ガラス基板の透過率評価）
次に、前述の２種類のガラス基板Ａ、Ｂを用いて、波長４５０ｎｍおよび１０００ｎｍにおける透過率を測定した。一般に、アンバー着色の吸収は、波長４５０ｎｍ近傍に吸収ピークを有する。また、２価の鉄イオンは、波長約１０００ｎｍ近傍に吸収ピークを有する。これらの２つの吸光係数は、波長３８０ｎｍ近傍にピークがある３価の鉄イオンの吸収係数と比較しても非常に大きい。従って、４５０ｎｍと１０００ｎｍの両波長における透過率を評価することにより、ガラス基板の透過性をある程度把握することができる。【００９５】
透過率は、４０ｍｍ×４０ｍｍの平板形状に加工したサンプルを用いて、分光光度計（パーキン・エルマー社製、商品名：Ｌａｍｂｄａ９５０）により測定した。【００９６】
結果を前述の表４の「透過率」の欄に示す。【００９７】
この結果から、ｌｏｇρが８．８以上のガラス基板Ａは、ｌｏｇρが８．８未満のガラス基板Ｂに比べて、より高い透過率を示している。【００９８】
本実施例において、ガラス基板中のＫ２Ｏの濃度を適切に制御することにより、ｌｏｇρが８．８以上のガラス基板を得ることができることがわかる。また、Ｔ２及びＴ４の値も適切に保つことができる。このような特徴を有するガラス基板において、４５０ｎｍおよび１０００ｎｍのいずれの波長においても、高い透過率が得られることがわかる。【００９９】
このように、ガラス基板のｌｏｇρを８．８以上とし、Ｔ４を１１００℃以下とし、Ｔ２を１５００℃以下とすることにより、ガラス基板の製造中に、ガラスリボンに鉄成分が侵入することが抑制され、このため、波長４５０ｎｍおよび１０００ｎｍにおいて、高い透過率が得られることが確認された。【０１００】
（実施例２）
次に、ガラス基板の一方の表面に、透明導電層を成膜した測定用サンプルを作製し、波長１０００ｎｍにおける透過率を評価した。【０１０１】
ガラス基板として、前述の実施例１におけるガラス基板ＡおよびＢを使用した。これらのガラス基板の一方の表面に、一般的なＣＶＤ法により、酸化スズ層を形成し、測定用サンプルを得た。以下、ガラス基板Ａを有する測定用サンプルをサンプルＡと称し、ガラス基板Ｂを有する測定用サンプルをサンプルＢと称することにする。酸化スズ層の厚さは、約５００ｎｍとした。なお、透過率の測定方法は、実施例１の場合と同様である。【０１０２】
測定の結果、測定用サンプルＡの場合、波長１０００ｎｍでの透過率は、８３．７％であった。これに対して、測定用サンプルＢの場合、波長１０００ｎｍでの透過率は、８３．３％であった。【０１０３】
この結果から、ガラス基板に透明導電層を成膜した測定用サンプルの状態においても、測定用サンプルＡでは、測定用サンプルＢに比べて、有意に高い透過率を示すことがわかった。【０１０４】
（実施例３）
次に、実施例２で作製した測定用サンプルＡおよびＢを用いて、ＤＨＢ（Ｄｕｍｐ  Ｈｅａｔ  Ｂｉａｓ）試験を実施した。【０１０５】
ＤＨＢ試験では、透明導電層の電気的および熱的耐久性を同時に評価することができる。【０１０６】
ＤＨＢ試験は、以下のように実施した。【０１０７】
まず、測定用サンプルＡ（またはＢ。以下同じ）を、５０℃〜２００℃の範囲のいずれかの温度に加熱した。【０１０８】
次に、測定用サンプルを加熱したままの状態で、外部電源を用いて、測定用サンプルＡに対して５００Ｖの電圧を印加した。電圧は、測定用サンプルＡのガラス基板側が正（アノード）側となり、透明導電層側が負（カソード）側となるようにして、１５分間印加した。【０１０９】
次に、加熱および電圧印加を停止した後、測定用サンプルＡを、温度および湿度が制御された恒温槽内に配置し、暴露試験を行った。恒温槽内の湿度は、相対湿度１００％とし、温度は、５０℃とした。暴露時間は、１時間とした。【０１１０】
暴露試験後に、測定用サンプルＡの外観を目視で観察し、透明導電層の剥離の有無を評価した。なお評価に際しては、測定用サンプルＡ内に、目視で確認できる剥離部分が少なくとも１か所存在する場合、その温度では、剥離が発生していると判断した。【０１１１】
試験の結果、測定用サンプルＡでは、電圧印加時の加熱温度が１５０℃以下の場合、暴露試験後に、剥離が生じないことがわかった。これに対して、測定用サンプルＢでは、電圧印加時の加熱温度が１２０℃を超えると、透明導電層に剥離が生じることがわかった。【０１１２】
このように、測定用サンプルＡでは、測定用サンプルＢに比べて、ガラス基板と透明導電層との間に良好な密着性が得られた。【０１１３】
これらの結果から、本実施形態によるガラス基板を使用した場合、従来のガラス基板に比べて、より厳しい環境下でも、ガラス基板と透明導電層との間に良好な密着性が維持されることが期待される。【０１１４】
本実施形態では、フロート法において、比較的高い鉄濃度を有する溶融スズを使用した場合であっても、鉄の侵入を有意に抑制することが可能なガラス基板の製造方法を提供することができる。また、本実施形態では、比較的高い鉄濃度を有する溶融スズを使用して製造されたガラス基板であって、鉄の侵入が有意に抑制されたガラス基板を提供することができる。【０１１５】
本実施形態は、太陽電池用ガラス基板など、高い透過性が要求される高透過性ガラス基板に利用することができる。【０１１６】
以上、本発明の好ましい実施形態及び実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。【０１１７】
本国際出願は２０１１年１２月２７日に出願された日本国特許出願２０１１−２８６７３８号に基づく優先権を主張するものであり、その全内容をここに援用する。
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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