(57)【要約】  本発明の１つの固体電子装置は、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層（不可避不純物を含み得る）を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下である。
2013069471.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層（不可避不純物を含み得る）を備え、
前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、
前記酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下である、
固体電子装置。
【請求項２】
前記酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有する、
請求項１に記載の固体電子装置。
【請求項３】
前記パイロクロア型結晶構造が、（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７と略同じ構造である、
請求項１又は請求項２に記載の固体電子装置。
【請求項４】
前記酸化物層が、さらにアモルファス相を有する、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の固体電子装置。
【請求項５】
前記固体電子装置がキャパシタである、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の固体電子装置。
【請求項６】
前記固体電子装置が半導体装置である、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の固体電子装置。
【請求項７】
前記固体電子装置がＭＥＭＳデバイスである、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の固体電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、固体電子装置においては、高速動作の期待できる強誘電体薄膜を備えた装置が開発されている。固体電子装置に用いる誘電体材料として、金属酸化物が現在盛んに開発されているが、Ｐｂを含まず、比較的低温で焼成可能な誘電セラミックスとして、ＢｉＮｂＯ４が挙げられる。このＢｉＮｂＯ４については、固相成長法によって形成されたＢｉＮｂＯ４の誘電特性が報告されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ｐｈａｓｅ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｏｎ  ｔｈｅ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ｏｆ  ＢｉＮｂＯ４，  Ｅｕｎｇ  Ｓｏｏ  Ｋｉｍ，  Ｗｏｏｎｇ  Ｃｈｏｉ，  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ２６  （２００６）  １７６１−１７６６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、固相成長法によって形成されたＢｉＮｂＯ４による絶縁体においては、比誘電率が大きくなく、固体電子装置の絶縁体として用いるには、さらに誘電特性を向上させる必要がある。【０００５】
また、製造面においても工業性ないし量産性に優れた製造方法によって得られる絶縁体を備えた固体電子装置が望まれる。【０００６】
従って、本発明は、固体電子装置として適用可能な電気特性を備えるとともに、製造プロセスが簡素である工業性ないし量産性に優れた固体電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者らは、キャパシタや薄膜トランジスタ等の固体電子装置に適用することができるとともに、安価で簡便な手法を用いても形成することができる酸化物の研究に鋭意取り組んだ。多くの試行錯誤を重ねた結果、発明者らは、従来から広く採用されてきた酸化物に代わるある特定の酸化物材料が、比較的廉価であるとともに製造工程の簡素化がより図れ、比較的高い絶縁性と比誘電率を備えていることを知見した。また、その酸化物が固体電子装置にも適用が可能であることを知見した。本発明は上述の視点に基づいて創出された。【０００８】
第１の態様に係る固体電子装置は、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層（不可避不純物を含み得る）を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下である。【０００９】
第２の態様に係る固体電子装置は、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有する。【００１０】
第３の態様に係る固体電子装置は、パイロクロア型結晶構造が、（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７と略同じ構造である。【００１１】
第４の態様に係る固体電子装置は、前記酸化物層が、さらにアモルファス相を有する。【００１２】
第５の態様に係る固体電子装置は、キャパシタである。【００１３】
第６の態様に係る固体電子装置は、半導体装置である。【００１４】
第７の態様に係る固体電子装置は、ＭＥＭＳデバイスである。
【発明の効果】
【００１５】
第１の態様に係る固体電子装置によれば、高い比誘電率を有し、リーク電流が抑制された絶縁層となる酸化物を備えるので、電気特性が良好な固体電子装置を得ることが可能となる。【００１６】
第２の態様に係る固体電子装置から第３の態様に係る固体電子装置によれば、より優れた電気特性を得ることができる。【００１７】
第４の態様に係る固体電子装置によれば、リーク電流の低減を図ることができる。【００１８】
第５の態様に係る固体電子装置によれば、電気特性が良好なキャパシタを提供することが可能となる。【００１９】
第６の態様に係る固体電子装置によれば、電気特性が良好な半導体装置を提供することが可能となる。【００２０】
第７の態様に係る固体電子装置によれば、電気特性が良好なＭＥＭＳデバイスを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全体構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図５】本発明の第１の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図８】本発明の第２の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図９】本発明の第２の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全体構成を示す図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全体構成を示す図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１８】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図１９】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２０】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２１】本発明の第３の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２２】本発明の第４の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２３】本発明の第４の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２４】本発明の第４の実施形態における薄膜キャパシタの製造方法の一過程を示す断面模式図である。
【図２５】本発明の第４の実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全体構成を示す図である。
【図２６】本発明の第１の実施形態における絶縁層となる酸化物層の結晶構造を示す断面ＴＥＭ写真及び電子線回析像である。
【図２７】比較例における絶縁層となる酸化物層の結晶構造を示す断面ＴＥＭ写真及び電子線回析像である。
【符号の説明】
【００２２】
１０                                  基板
２０，２２０，３２０，４２０          下部電極層
２２０ａ，３２０ａ，４２０ａ          下部電極層用前駆体層
３０，２３０，３３０，４３０          酸化物層
３０ａ，２３０ａ，３３０ａ，４３０ａ  酸化物層用前駆体層
４０，２４０，３４０，４４０          上部電極層
２４０ａ，３４０ａ，４４０ａ          上部電極層用前駆体層
１００，２００，３００，４００        固体電子装置の一例である薄層キャパシタ
Ｍ１                                  下部電極層用型
Ｍ２                                  絶縁層用型
Ｍ３                                  上部電極層用型
Ｍ４                                  積層体用型
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施形態である固体電子装置を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。なお、この説明に際し、全図にわたり、特に言及がない限り、共通する部分には共通する参照符号が付されている。また、図中、本実施形態の要素は必ずしも互いの縮尺を保って記載されるものではない。さらに、各図面を見やすくするために、一部の符号が省略され得る。
【００２４】
＜第１実施形態＞
１．本実施形態の薄膜キャパシタの全体構成
図１は、本実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタ１００の全体構成を示す図である。図１に示すように、薄膜キャパシタ１００は、基板１０上に、基板１０の側から下部電極層２０、誘電体から構成される絶縁層である酸化物層３０及び上部電極層４０を備える。また、本実施形態はこの構造に限定されない。また、図面を簡略化するため、各電極層からの引き出し電極層のパターニングについての記載は省略する。
【００２５】
基板１０は、例えば、高耐熱ガラス、ＳｉＯ２／Ｓｉ基板、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ）基板、Ｓｉ基板の表面にＳｉＯ２層及びＴｉ層を介してＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ）層を形成した絶縁性基板等）、半導体基板（例えば、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、Ｇｅ基板等）を含む、種々の絶縁性基材を用いることができる。
【００２６】
下部電極層２０及び上部電極層４０の材料としては、白金、金、銀、銅、アルミ、モリブデン、パラジウム、ルテニウム、イリジウム、タングステン、などの高融点金属、あるいはその合金等の金属材料が用いられる。
【００２７】
本実施形態においては、誘電体から構成される絶縁層が、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる（不可避不純物を含み得る）酸化物層３０で構成されている。なお、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層は、ＢＮＯ層とも呼ばれる。また、酸化物層３０は、結晶相及びアモルファス相を含んでいることが確認された。より詳細には、酸化物層３０は、結晶相、微結晶相、及びアモルファス相を含む。なお、本出願において、「微結晶相」とは、ある層状の材料が形成されている場合に、その層の膜厚方向の上端から下端に至るまで一様に成長した結晶相ではない結晶相を意味する。より具体的には、ＢＮＯ酸化物層は、Ａ２Ｂ２Ｏ７（但し、Ａは金属元素、Ｂは遷移金属元素、以下、同じ）の一般式で示されるパイロクロア型結晶構造の微結晶相及び三斜晶（ｔｒｉｃｌｉｎｉｃ）のβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相のうちの少なくとも一方を有する。
【００２８】
パイロクロア型結晶構造は、特に（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似するので、薄層キャパシタの絶縁層として、良好な電気特性が得ることが可能となる。さらに、絶縁層となる酸化物層は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を有することによって、固体電子装置の絶縁層として、より良好な電気特性が得ることが可能となる。
【００２９】
また、酸化物層３０中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下である、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であることによって、リーク電流を抑制することができ、絶縁層となる酸化物層の電気特性が向上する。
【００３０】
２．薄膜キャパシタ１００の製造方法
次に薄膜キャパシタ１００の製造方法の例を説明する。本実施形態においては、いわゆる溶液法に基づく製造方法について説明しているが、この方法に限られるものではない。他の実施形態についても同様である。なお、本出願における温度の表示は、ヒーターの設定温度を表している。図２乃至図５は、それぞれ、薄膜キャパシタ１００の製造方法の一過程を示す断面模式図である。図２に示すように、まず、基板１０上に下部電極層２０が形成される。次に、下部電極層２０上に酸化物層３０が形成されて、その後、酸化物層３０上に上部電極層４０が形成される。
【００３１】
（１）下部電極層の形成
図２は、下部電極層２０の形成工程を示す図である。本実施形態においては、薄膜キャパシタ１００の下部電極層２０が、白金（Ｐｔ）によって形成される例を説明する。下部電極層２０は、公知のスパッタリング法により基板１０上に白金（Ｐｔ）よりなる層が形成される。
【００３２】
（２）絶縁層としての酸化物層の形成
次に、下部電極層２０上に酸化物層３０が形成される。酸化物層３０は、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）本焼成の工程の順で形成される。図３及び図５は、酸化物層３０の形成工程を示す図である。本実施形態においては、薄膜キャパシタ１００の製造工程の酸化物層３０が、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物によって形成される例を説明する。
【００３３】
（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成
図３に示すように、下部電極層２０上に、公知のスピンコーティング法により、ビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体及びニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液（前駆体溶液という。以下、前駆体の溶液に対して同じ。）を出発材とする前駆体層３０ａが形成される。ここで、酸化物層３０のためのビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体の例は、オクチル酸ビスマス、塩化ビスマス、硝酸ビスマス、又は各種のビスマスアルコキシド（例えば、ビスマスイソプロポキシド、ビスマスブトキシド、ビスマスエトキシド、ビスマスメトキシエトキシド）が採用され得る。また、本実施形態における酸化物層３０のためのニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体の例は、オクチル酸ニオブ、塩化ニオブ、硝酸ニオブ、又は各種のニオブアルコキシド（例えば、ニオブイソプロポキシド、ニオブブトキシド、ニオブエトキシド、ニオブメトキシエトキシド）が採用され得る。また、前駆体溶液の溶媒は、エタノール、プロパノール、ブタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノールの群から選択される１種のアルコール溶媒、又は酢酸、プロピオン酸、オクチル酸の群から選択される１種のカルボン酸である溶媒であることが好ましい。
【００３４】
その後、予備焼成として、酸素雰囲気中又は大気中（総称して、「酸素含有雰囲気中」ともいう。）で所定の時間、８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で予備焼成を行う。予備焼成では、前駆体層３０ａ中の溶媒を十分に蒸発させるとともに、将来的な塑性変形を可能にする特性を発現させるために好ましいゲル状態（熱分解前であって有機鎖が残存している状態と考えられる）が形成される。前述の観点をより確度高く実現するために、予備焼成温度は、８０℃以上２５０℃以下が好ましい。また、前述のスピンコーティング法による前駆体層３０ａの形成及び予備焼成を複数回繰り返すことによって、酸化物層３０の所望の厚みを得ることができる。
【００３５】
（ｂ）本焼成
その後、本焼成として、前駆体層３０ａを、酸素雰囲気中（例えば１００体積％であるが、これに限定されない）で、所定の時間、５２０℃以上６５０℃以下の範囲の温度で加熱する。その結果、図４に示すように、電極層上に、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層３０（不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）が形成される。ここで、溶液法における本焼成として、酸化物層を形成するための加熱温度は、５２０℃以上６５０℃以下であるが、上限を限定するものではない。しかし、加熱温度が、６５０℃を超える場合は、酸化物層の結晶化が進み、リーク電流量が顕著に増大してしまう傾向にある点から、加熱温度を６５０℃以下とすることがより好ましい。一方、加熱温度が、５２０℃未満の場合は、前駆体溶液の溶媒及び溶質中の炭素が残存し、リーク電流量が顕著に増大してしまうので、加熱温度は、５２０℃以上６５０℃以下とすることが好ましい。
【００３６】
酸化物層３０の結晶構造は、前駆体層３０ａの本焼成の温度により異なる。本実施形態においては、本焼成の温度が６００℃及び６５０℃の場合に、β−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相が得られる。また、本焼成の温度が５２０℃、５３０℃、及び５５０℃の場合に、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができる。
【００３７】
また、酸化物層３０の膜厚の範囲は３０ｎｍ以上が好ましい。酸化物層３０の膜厚が３０ｎｍ未満になると、膜厚の減少に伴うリーク電流及び誘電損失の増大により、固体電子装置に適用するには、実用的ではなくなるため好ましくない。
【００３８】
なお、酸化物層３０におけるビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）の原子組成比と、１ＫＨｚにおける比誘電率並びに０．５ＭＶ／ｃｍ印加時のリーク電流値の関係について測定した結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2013069471.tif 000003
【００４０】
ビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）の原子組成比については、ラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ法）を用いて、ビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）の元素分析を行い、ビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）の原子組成比を求めた。比誘電率並びにリーク電流値の測定方法の詳細については後述しているが、表１については、１ＫＨｚの交流電圧印加時の比誘電率と、０．５ＭＶ／ｃｍの電圧印加時のリーク電流値の結果を示している。表１に示すように、酸化物層３０におけるビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）の原子組成比については、（Ｂｉ）が１としたときにニオブ（Ｎｂ）が０．８以上３．３以下の範囲内においては、比誘電率並びにリーク電流値は、デバイスとして適用可能な値を示していた。
【００４１】
（３）上部電極層の形成
次に、酸化物層３０上に上部電極層４０が形成される。図５は、上部電極層４０の形成工程を示す図である。本実施形態においては、薄膜キャパシタ１００の上部電極層４０が、白金（Ｐｔ）によって形成される例を説明する。上部電極層４０は、下部電極層２０と同様、公知のスパッタリング法により酸化物層３０上に白金（Ｐｔ）よりなる層が形成される。
【００４２】
本実施形態によれば、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であるので、良好な電気特性を備えるとともに、簡素な製造プロセスにより製造することができるので、工業性ないし量産性に優れる固体電子装置を得ることができる。
【００４３】
＜第２実施形態＞
１．本実施形態の薄膜キャパシタの全体構成
本実施形態においては、固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの下部電極層及び上部電極層が、金属酸化物からなる導電性酸化物（不可避不純物を含みうる）で構成されている。本実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタ２００の全体構成は、図１０に示されている。本実施形態は、下部電極層及び上部電極層が、金属酸化物からなる導電性酸化物で構成されている以外は第１実施形態と同じである。従って、本実施の形態の構成については、前述の図１と対応する構成には同一の参照符号を付して説明を省略し、異なる構成について説明する。図１０に示すように、薄膜キャパシタ２００は、基板１０を有し、基板１０上に、基板１０の側から下部電極層２２０、誘電体から構成される絶縁層である酸化物層３０、上部電極層２４０を備える。
【００４４】
下部電極層２２０及び上部電極層２４０の例としては、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる酸化物層、アンチモン（Ｓｂ）と錫（Ｓｎ）とからなる酸化物層、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）とからなる酸化物（但し、不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）を採用することができる。
【００４５】
２．薄膜キャパシタ２００の製造工程
次に薄膜キャパシタ２００の製造方法を説明する。図６乃至図９は、それぞれ、薄膜キャパシタ２００の製造方法の一過程を示す断面模式図である。図６に示すようにまず、基板１０上に下部電極層２２０が形成される。次に、下部電極層２２０上に酸化物層３０が形成されて、その後、上部電極層２４０が形成される。なお、薄膜キャパシタ２００の製造工程においては、第１実施形態と重複する説明は省略する。
【００４６】
（１）下部電極層の形成
図６及び図７は、下部電極層２２０の形成工程を示す図である。本実施形態においては、薄膜キャパシタ２００の下部電極層２２０が、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる導電用酸化物層によって形成される例を説明する。下部電極層２２０は、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）本焼成の工程の順で形成される。
【００４７】
（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成
図６に示すように、基板１０上に、公知のスピンコーティング法により、ランタン（Ｌａ）を含む前駆体及びニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液（下部電極層用前駆体溶液という。以下、下部電極層用前駆体の溶液に対して同じ。）を出発材とする下部電極層用前駆体層２２０ａが形成される。ここで、下部電極層２２０のためのランタン（Ｌａ）を含む前駆体の例は、酢酸ランタンである。その他の例として、硝酸ランタン、塩化ランタン、又は各種のランタンアルコキシド（例えば、ランタンイソプロポキシド、ランタンブトキシド、ランタンエトキシド、ランタンメトキシエトキシド）が採用され得る。また、下部電極層用前駆体層２２０ａのためのニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体の例は、酢酸ニッケルである。その他の例として、硝酸ニッケル、塩化ニッケル、又は各種のニッケルアルコキシド（例えば、ニッケルインジウムイソプロポキシド、ニッケルブトキシド、ニッケルエトキシド、ニッケルメトキシエトキシド）が採用され得る。
【００４８】
なお、下部電極層としてアンチモン（Ｓｂ）と錫（Ｓｎ）とからなる導電用酸化物層を採用する場合、アンチモン（Ｓｂ）を含む下部電極層用前駆体の例として、酢酸アンチモン、硝酸アンチモン、塩化アンチモン、又は各種のアンチモンアルコキシド（例えば、アンチモンイソプロポキシド、アンチモンブトキシド、アンチモンエトキシド、アンチモンメトキシエトキシド）が採用され得る。また、錫（Ｓｎ）を含む前駆体の例として、酢酸錫、硝酸錫、塩化錫、又は各種の錫アルコキシド（例えば、アンチモンイソプロポキシド、アンチモンブトキシド、アンチモンエトキシド、アンチモンメトキシエトキシド）が採用され得る。さらに、下部電極層としてインジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）とからなる導電用酸化物を採用する場合、インジウム（Ｉｎ）を含む前駆体の例は、酢酸インジウム、硝酸インジウム、塩化インジウム、又は各種のインジウムアルコキシド（例えば、インジウムイソプロポキシド、インジウムブトキシド、インジウムエトキシド、インジウムメトキシエトキシド）が採用され得る。また、錫（Ｓｎ）を含む下部電極層用前駆体の例は、前述の例と同じである。
【００４９】
その後、酸素含有雰囲気中で所定の時間、前述の第１実形態施の酸化物層と同様の理由により、８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で予備焼成を行う。また、前述のスピンコーティング法による下部電極層用前駆体層２２０ａの形成及び予備焼成を複数回繰り返すことによって、下部電極層２２０の所望の厚みを得ることができる。
【００５０】
（ｂ）本焼成
その後、本焼成として、下部電極層用前駆体層２２０ａを、酸素雰囲気中、約２０分間、５５０℃に加熱する。その結果、図７に示すように、基板１０上に、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる下部電極層２２０（但し、不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）が形成される。ここで、溶液法における本焼成として、導電用酸化物層を形成するための加熱温度は、第１実施形態の酸化物層と同様の理由により、５２０℃以上６５０℃以下が好ましい。なお、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなるとからなる導電用酸化物層は、ＬＮＯ層とも呼ばれる。
【００５１】
（２）絶縁層としての酸化物層の形成
次に、下部電極層２２０上に酸化物層３０を形成する。本実施形態の酸化物層３０は、第１実施形態と同様、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）本焼成の工程の順で形成される。図８は、下部電極層２２０上に酸化物層３０が形成された状態を示す図である。第１実施形態と同様、酸化物層３０の膜厚の範囲は３０ｎｍ以上が好ましい。
【００５２】
（３）上部電極層の形成
次に、図９及び図１０に示すように、上部電極層２４０を酸化物層３０上に形成する。本実施形態においては、薄膜キャパシタ２００の上部電極層２４０が、下部電極層２２０と同様に、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる導電用酸化物層によって形成される例を説明する。上部電極層２４０は、下部電極層２２０と同様、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）本焼成の工程の順で形成される。酸化物層３０上に形成された下部電極層用前駆体層２４０ａが、図９に示され、酸化物層３０上に形成された上部電極層２４０が、図１０に示されている。
【００５３】
本実施形態においても、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であるので、良好な電気特性を備えるとともに、簡素な製造プロセスにより製造することができるので、工業性ないし量産性に優れる固体電子装置を得ることができる。また、下部電極層、絶縁層となる酸化物層、及び上部電極層すべてが金属酸化物によって構成され、真空プロセスを用いることなく全ての工程を酸素含有雰囲気中で行うことができるため、工業性ないし量産性を格段に高めることが可能となる。
【００５４】
＜第３実施形態＞
１．本実施形態の薄膜キャパシタの全体構成
本実施形態においては、固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全ての層の形成過程において型押し加工が施されている。本実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタ３００の全体構成は、図１１に示されている。本実施形態では、下部電極層及び酸化物層が、型押し加工を施されている以外は第２実施形態と同じである。従って、本実施の形態の構成については、前述の図６と対応する構成には同一の参照符号を付して説明を省略し、異なる構成について説明する。図１１に示すように、薄膜キャパシタ３００は、基板１０を有し、基板１０上に、基板１０の側から下部電極層３２０、誘電体から構成される絶縁層である酸化物層３３０、上部電極層３４０を備える。
【００５５】
ところで、本願において、「型押し」は「ナノインプリント」と呼ばれることもある。
【００５６】
２．薄膜キャパシタ３００の製造工程
次に薄膜キャパシタ３００の製造方法を説明する。図１２乃至図２１は、それぞれ、薄膜キャパシタ３００の製造方法の一過程を示す断面模式図である。薄膜キャパシタ３００は、まず基板１０上に型押し加工が施された下部電極層３２０が形成される。次に、下部電極層３２０上に型押し加工が施された酸化物層３３０が形成される。その後、酸化物層３３０上に上部電極層３４０が形成される。薄膜キャパシタ３００の製造工程においても第２実施形態と重複する説明は省略する。
【００５７】
（１）下部電極層の形成
本実施形態においては、薄膜キャパシタ３００の下部電極層３２０が、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる導電用酸化物層によって形成される例を説明する。下部電極層３２０は、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）型押し加工の工程、（ｃ）本焼成の工程の順で形成される。初めに、基板１０上に、公知のスピンコーティング法により、ランタン（Ｌａ）を含む前駆体及びニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体を溶質とする下部電極層用前駆体溶液を出発材とする下部電極層用前駆体層３２０ａが形成される。
【００５８】
その後、予備焼成として、酸素含有雰囲気中で所定の時間、下部電極層用前駆体層３２０ａを８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で加熱する。また、前述のスピンコーティング法による下部電極層用前駆体層３２０ａの形成及び予備焼成を複数回繰り返すことによって、下部電極層３２０の所望の厚みを得ることができる。
【００５９】
（ｂ）型押し加工
次に、下部電極層用前駆体層３２０ａのパターニングを行うために、図１２に示すように、８０℃以上３００℃以下の範囲内で加熱した状態で、下部電極層用型Ｍ１を用いて、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の圧力で型押し加工が施される。型押し加工における加熱方法の例としては、チャンバー、オーブン等により、所定の温度雰囲気の状態にする方法、基板１０を搭載する基台を下部からヒーターにより加熱する方法、また、予め８０℃以上３００℃以下に加熱した型を用いて型押し加工が施される方法等がある。この場合、基台を下部からヒーターにより加熱する方法と予め８０℃以上３００℃以下に加熱した型を併用することが加工性の面でより好ましい。
【００６０】
なお、上述の型の加熱温度を８０℃以上３００℃以下としたのは、以下の理由による。型押し加工時の加熱温度が８０℃未満である場合には、下部電極層用前駆体層３２０ａの温度が低下することに起因して下部電極層用前駆体層３２０ａの塑性変形能力が低下することになるため、型押し構造の成型時の成型の実現性、又は成型後の信頼性ないし安定性が乏しくなる。また、型押し加工時の加熱温度が３００℃を超える場合には、塑性変形能の根源である有機鎖の分解（酸化熱分解）が進むため、塑性変形能力が低下するからである。さらに、前述の観点から言えば、下部電極層用前駆体層３２０ａを、型押し加工の際、１００℃以上２５０℃以下の範囲内で加熱することは、さらに好ましい一態様である。
【００６１】
また、型押し加工における圧力は、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の範囲内の圧力であれば、下部電極層用前駆体層３２０ａが型の表面形状に追随して変形するようになり、所望の型押し構造を高い精度で形成することが可能となる。また、型押し加工が施される際に印加する圧力を１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下という低い圧力範囲に設定する。その結果、型押し加工が施される際に型が損傷し難くなるとともに、大面積化にも有利となる。
【００６２】
その後、下部電極層用前駆体層３２０ａを全面エッチングする。その結果、図１３に示すように、下部電極層に対応する領域以外の領域から下部電極層用前駆体層３２０ａを完全に除去する（下部電極層用前駆体層３２０ａの全面に対するエッチング工程）。
【００６３】
また、上述の型押し加工において、予め、型押し面が接触することになる各前駆体層の表面に対する離型処理及び／又はその型の型押し面に対する離型処理を施しておき、その後、各前駆体層に対して型押し加工が施されることが好ましい。そのような処理を施す。その結果、各前駆体層と型との間の摩擦力を低減することができるため、各前駆体層に対してより一層精度良く型押し加工が施されることが可能となる。なお、離型処理に用いることができる離型剤としては、界面活性剤（例えば、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等）、フッ素含有ダイヤモンドライクカーボン等を例示することができる。
【００６４】
（ｃ）本焼成
次に、下部電極層用前駆体層３２０ａに対して本焼成を行う。その結果、図１４に示すように、基板１０上に、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる下部電極層３２０（但し、不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）が形成される。
【００６５】
（２）絶縁層となる酸化物層の形成
次に、下部電極層３２０上に絶縁層となる酸化物層３３０を形成する。酸化物層３３０は、（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成の工程、（ｂ）型押し加工の工程、（ｃ）本焼成の工程の順で形成される。図１５乃至図１８は、酸化物層３３０の形成工程を示す図である。
【００６６】
（ａ）前駆体層の形成及び予備焼成
図１５に示すように、基板１０及びパターニングされた下部電極層３２０上に、第２実施形態と同様に、ビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体及びニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層３３０ａを形成する。その後、酸素含有雰囲気中で、８０℃以上２５０℃以下に加熱した状態で予備焼成を行う。
【００６７】
（ｂ）型押し加工
本実施形態では、図１６に示すように、予備焼成のみを行った前駆体層３３０ａに対して、型押し加工が施される。具体的には、酸化物層のパターニングを行うため、８０℃以上３００℃以下に加熱した状態で、絶縁層用型Ｍ２を用いて、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の圧力で型押し加工が施される。
【００６８】
その後、前駆体層３３０ａを全面エッチングする。その結果、図１７に示すように、酸化物層３３０に対応する領域以外の領域から前駆体層３３０ａを完全に除去する（前駆体層３３０ａの全面に対するエッチング工程）。なお、本実施形態の前駆体層３３０ａのエッチング工程は、真空プロセスを用いることないウェットエッチング技術を用いて行われたが、プラズマを用いた、いわゆるドライエッチング技術によってエッチングされることを妨げない。
【００６９】
（ｃ）本焼成
その後、第２実施形態と同様に、前駆体層３３０ａを本焼成する。その結果、図１８に示すように、下部電極層３２０上に、絶縁層となる酸化物層３３０（但し、不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）が形成される。本焼成として、前駆体層３３０ａを、酸素雰囲気中で、所定時間５２０℃以上６５０℃以下の温度範囲で加熱する。
【００７０】
なお、前駆体層３３０ａの全面に対するエッチング工程を本焼成後に行うことも可能であるが、前述のように、型押し工程と本焼成の工程との間に、前駆体層を全体的にエッチングする工程が含まれることは、より好ましい一態様である。これは、各前駆体層を本焼成した後にエッチングするよりも容易に不要な領域を除去することが可能なためである。
【００７１】
（３）上部電極層の形成
その後、酸化物層３３０上に、下部電極層３２０と同様に、公知のスピンコーティング法により、ランタン（Ｌａ）を含む前駆体及びニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする上部電極層用前駆体層３４０ａが形成される。その後、上部電極層用前駆体層３４０ａに対して酸素含有雰囲気中において８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で加熱して予備焼成を行う。
【００７２】
続いて、図１９に示すように、予備焼成が行われた上部電極層用前駆体層３４０ａのパターニングを行うため、上部電極層用前駆体層３４０ａを、８０℃以上３００℃以下に加熱した状態で、上部電極層用型Ｍ３を用いて、上部電極層用前駆体層３４０ａに対して１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の圧力で型押し加工が施される。その後、図２０に示すように、上部電極層用前駆体層３４０ａを全面エッチングすることにより、上部電極層３４０に対応する領域以外の領域から上部電極層用前駆体層３４０ａを完全に除去する。
【００７３】
さらにその後、図２１に示すように、本焼成として、酸素雰囲気中で、上部電極層用前駆体層３４０ａを、所定の時間、５３０℃乃至６００℃に加熱することにより、酸化物層３３０上に、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる上部電極層３４０（但し、不可避不純物を含み得る。以下、同じ。）が形成される。
【００７４】
本実施形態においても、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であるので、良好な電気特性を備えるとともに、簡素な製造プロセスにより製造することができるので、工業性ないし量産性に優れる固体電子装置を得ることができる。
【００７５】
また、本実施形態では、基板１０上に、基板１０の側から下部電極層３２０、誘電体から構成される絶縁層である酸化物層３３０、上部電極層３４０を備える型押し加工が施されることによって型押し構造を形成する、型押し加工が採用されている。その結果、真空プロセスやフォトリソグラフィー法を用いたプロセス、あるいは紫外線の照射プロセス等、比較的長時間、及び／又は高価な設備を必要とするプロセスが不要になる。また、本実施形態では、溶液法及び型押し加工を採用する。その結果、上部電極層及び酸化物層が、いずれも簡便にパターニングされ得るため、本実施形態の薄膜キャパシタ３００は、極めて工業性ないし量産性に優れている。
【００７６】
＜第４実施形態＞
１．本実施形態の薄膜キャパシタの全体構成
本実施形態においても、固体電子装置の一例である薄膜キャパシタの全ての層の形成過程において型押し加工が施されている。本実施形態における固体電子装置の一例である薄膜キャパシタ４００の全体構成は、図２５に示されている。本実施形態では、下部電極層、酸化物層、及び上部電極層は、各々の前駆体層を積層した後に予備焼成が行なわれる。そして、予備焼成が行なわれた全ての前駆体層は、型押し加工を施された後に本焼成が行われる。従って、本実施の形態の構成については、前述の図１１と対応する構成には同一の参照符号を付して説明を省略し、異なる構成について説明する。図２５に示すように、薄膜キャパシタ４００は、基板１０を有し、基板１０上に、基板１０の側から下部電極層４２０、誘電体から構成される絶縁層である酸化物層４３０、上部電極層４４０を備える。
【００７７】
２．薄膜キャパシタ４００の製造工程
次に薄膜キャパシタ４００の製造方法を説明する。図２２乃至図２４は、それぞれ、薄膜キャパシタ４００の製造方法の一過程を示す断面模式図である。薄膜キャパシタ４００は、まず基板１０上に、下部電極層４２０の前駆体層である下部電極層用前駆体層４２０ａ、酸化物層４３０の前駆体層である前駆体層４３０ａ、上部電極層４４０の前駆体層である上部電極層用前駆体層４４０ａの積層体が形成される。次に、この積層体に型押し加工が施され、本焼成が行われる。薄膜キャパシタ４００の製造工程においては、第３実施形態と重複する説明は省略する。
【００７８】
（１）前駆体層の積層体の形成
図２２に示すように、まず基板１０上に、下部電極層４２０の前駆体層である下部電極層用前駆体層４２０ａ、酸化物層４３０の前駆体層である前駆体層４３０ａ、上部電極層４４０の前駆体層である上部電極層用前駆体層４４０ａの積層体が形成される。本実施形態においては、第３実施形態と同様、薄膜キャパシタ４００の下部電極層４２０及び上部電極層４４０が、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる導電用酸化物層によって形成され、絶縁層となる酸化物層４３０がビスマス（Ｂｉ）及びニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層によって形成される例を説明する。初めに、基板１０上に、公知のスピンコーティング法により、ランタン（Ｌａ）を含む前駆体及びニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体を溶質とする下部電極層用前駆体溶液を出発材とする下部電極層用前駆体層４２０ａが形成される。その後、予備焼成として、酸素含有雰囲気中で所定の時間、下部電極層用前駆体層４２０ａを８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で加熱する。また、前述のスピンコーティング法による下部電極層用前駆体層４２０ａの形成及び予備焼成を複数回繰り返すことによって、下部電極層４２０の所望の厚みを得ることができる。
【００７９】
次に、予備焼成が行われた下部電極層用前駆体層４２０ａ上に前駆体層４３０ａを形成する。まず下部電極層用前駆体層４２０ａ上にビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体及びニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする前駆体層４３０ａを形成する。その後、予備焼成として、酸素含有雰囲気中で所定の時間、前駆体層４３０ａを８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で加熱する。
【００８０】
次に、予備焼成が行われた前駆体層４３０ａ上に、下部電極層用前駆体層４２０ａと同様に、公知のスピンコーティング法により、ランタン（Ｌａ）を含む前駆体及びニッケル（Ｎｉ）を含む前駆体を溶質とする前駆体溶液を出発材とする上部電極層用前駆体層４４０ａが形成される。その後、上部電極層用前駆体層４４０ａに対して酸素含有雰囲気中で８０℃以上２５０℃以下の温度範囲で加熱して予備焼成を行う。
【００８１】
（２）型押し加工
次に、各前駆体層の積層体（４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ）のパターニングを行うために、図２３に示すように、８０℃以上３００℃以下の範囲内で加熱した状態で、積層体用型Ｍ４を用いて、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下の圧力で型押し加工が施される。
【００８２】
その後、各前駆体層の積層体（４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ）を全面エッチングする。その結果、図２４に示すように、下部電極層、酸化物層、及び上部電極層に対応する領域以外の領域から各前駆体層の積層体（４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ）を完全に除去する（各前駆体層の積層体（４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ）の全面に対するエッチング工程）。
【００８３】
（３）本焼成
次に、各前駆体層の積層体（４２０ａ，４３０ａ，４４０ａ）に対して本焼成を行う。その結果、図２５に示すように、基板１０上に、下部電極層４２０、酸化物層４３０、上部電極層４４０が形成される。
【００８４】
本実施形態においても、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び／又はβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であるので、良好な電気特性を備えるとともに、簡素な製造プロセスにより製造することができるので、工業性ないし量産性に優れる固体電子装置を得ることができる。また、本実施形態では、予備焼成が行われた全ての酸化物層の前駆体層に対して型押し加工が行った後に本焼成が行われるので、より製造プロセスの簡素化を図ることが可能となる。
【００８５】
＜実施例＞
以下、本発明をより詳細に説明するために、実施例及び比較例をあげて説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
【００８６】
実施例及び比較例については、以下の方法によって、固体電子装置の物性の測定及びＢＮＯ酸化物層の組成分析を実施した。
１．電気特性
（１）リーク電流
下部電極層と上部電極層の間に０．２５ＭＶ／ｃｍの電圧を印加して電流を測定した。この測定にはアジレントテクノロジー社製、４１５６Ｃ型を用いた。
【００８７】
（２）誘電損失（ｔａｎδ）
実施例及び比較例の誘電損失は以下のようにして測定した。室温において、下部電極層と上部電極層の間に０．１Ｖの電圧、１ＫＨｚの交流電圧を印加して誘電損失を測定した。この測定には東陽テクニカ社製、１２６０−ＳＹＳ型広帯域誘電率測定システムを用いた。
【００８８】
（３）比誘電率
実施例及び比較例の比誘電率は以下のようにして測定した。下部電極層と上部電極層の間に０．１Ｖの電圧、１ＫＨｚの交流電圧を印加して比誘電率を測定した。この測定には東陽テクニカ社製、１２６０−ＳＹＳ型広帯域誘電率測定システムを用いた。
【００８９】
２．ＢＮＯ酸化物層の炭素及び水素の含有率
Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  製  Ｐｅｌｌｅｔｒｏｎ  ３ＳＤＨを用いて、ラザフォード後方散乱分光法（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＲＢＳ分析法）、水素前方散乱分析法（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｆｏｒｗａｒｄ  ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＨＦＳ分析法）、及び核反応解析法（（Ｎｕｃｌｅａｒ  Ｒｅａｃｔｉｏｎ  Ａｎａｌｙｓｉｓ：ＮＲＡ分析法）により元素分析を行い、実施例及び比較例におけるＢＮＯ酸化物層の炭素及び水素の含有率を求めた。
【００９０】
３．ＢＮＯ酸化物層の断面ＴＥＭ写真及び電子線回析による結晶構造解析
実施例及び比較例におけるＢＮＯ酸化物層について断面ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）写真Ｖ及び電子線回析像による観察を行った。また、実施例及び比較例におけるＢＮＯ酸化物層の電子線回析像を用いて、ミラー指数及び原子間距離を求め、既知の結晶構造モデルとフィッティングを行うことにより構造解析を行った。既知の結晶構造モデルとして、（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７，β−ＢｉＮｂＯ４、及びＢｉ３ＮｂＯ７を用いた。
【００９１】
（実施例１）
実施例１においては、本実施形態の実施形態の製造方法に基づき、薄膜キャパシタを作成した。まず、基板の上に下部電極層を形成し、次に、酸化物層を形成する。その後、酸化物層上に上部電極層を形成する。基板として、高耐熱ガラスを用いた。下部電極層は、公知のスパッタリング法により基板上に白金（Ｐｔ）よりなる層を形成した。このときの下部電極層の膜厚は２００ｎｍであった。絶縁層となる酸化物層のためのビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体は、オクチル酸ビスマスを用い、ニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体は、オクチル酸ニオブを用いた。予備焼成として、５分間、２５０℃に加熱し、スピンコーティング法による前駆体層の形成と予備焼成を５回繰り返した。本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、約２０分間、５２０℃に加熱した。酸化物層３０の厚みを約１７０ｎｍとした。各層の膜厚は、各層と基板の段差を触針法により求めた。酸化物層におけるビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）との原子組成比は、ビスマス（Ｂｉ）が１としたときにニオブ（Ｎｂ）を１とした。上部電極層は、公知のスパッタリング法により酸化物層上に白金（Ｐｔ）よりなる層を形成した。このときの上部電極層のサイズは１００μｍ×１００μｍとし、膜厚は１５０ｎｍであった。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。また、電気特性は、リーク電流値が、３．０×１０−４Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０２５、比誘電率が６２であった。
【００９２】
（実施例２）
実施例２においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、１時間、５２０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。また、炭素含有率は、１．５ａｔｍ％以下と検出限界以下の小さな値となり、水素含有率が１．６ａｔｍ％であった。また、電気特性は、リーク電流値が、３．０×１０−８Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０１、比誘電率が７０であった。
【００９３】
（実施例３）
実施例３においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２０分、５３０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。電気特性は、リーク電流値が、３．０×１０−６Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０１、比誘電率が１１０であった。
【００９４】
（実施例４）
実施例４においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２時間、５３０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。また、炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下と検出限界以下の小さな値となり、水素含有率が１．４ａｔｍ％であった。電気特性は、リーク電流値が、８．８×１０−８Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０１８、比誘電率が１７０であった。
【００９５】
（実施例５）
実施例５においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、１分、５５０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。電気特性は、リーク電流値が、５．０×１０−７Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０１、比誘電率が１００であった。
【００９６】
（実施例６）
実施例６においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２０分、５５０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。また、炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下、水素含有率が１．０ａｔｍ％以下と双方検出限界以下の小さな値となった。電気特性は、リーク電流値が、１．０×１０−６Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００１、比誘電率が１８０であった。
【００９７】
（実施例７）
実施例７においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、１２時間、５５０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。また、パイロクロア型結晶構造は、より具体的には（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していた。電気特性は、リーク電流値が、２．０×１０−５Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００４、比誘電率が１００であった。
【００９８】
（実施例８）
実施例８においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２０分、６００℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、β−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を得ることができた。電気特性は、リーク電流値が、７．０×１０−６Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００１、比誘電率が８０であった。
【００９９】
（実施例９）
実施例９においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２０分、６５０℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、β−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を得ることができた。電気特性は、リーク電流値が、５．０×１０−３Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００１、比誘電率が９５であった。
【０１００】
（実施例１０）
実施例１０においては、本実施形態の第４実施形態の製造方法に基づき、薄膜キャパシタを作成した。基板１０として、高耐熱ガラスを用いた。下部電極層及び上部電極層は、ランタン（Ｌａ）とニッケル（Ｎｉ）とからなる酸化物層を形成した。下部電極層及び上部電極層のためのランタン（Ｌａ）を含む前駆体は、酢酸ランタンを用いた。また、絶縁層となる酸化物層は、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を形成した。酸化物層のためのビスマス（Ｂｉ）を含む前駆体は、オクチル酸ビスマスを用い、ニオブ（Ｎｂ）を含む前駆体は、オクチル酸ニオブを用いた。まず、基板の上に下部電極層の前駆体層を形成して予備焼成した。予備焼成として、約５分間、２５０℃に加熱し、スピンコーティング法による前駆体層の形成と予備焼成を５回繰り返した。次に、下部電極層の前駆体層の上に、絶縁層となるＢＮＯ酸化物層の前駆体層を形成し、予備焼成として、約５分間、２５０℃に加熱した。その後、ＢＮＯ酸化物層の前駆体層の上に、下部電極層の前駆体層と同様の条件で上部電極層の前駆体層を形成した。次に予備焼成として、約５分間、１５０℃に加熱し、スピンコーティング法による前駆体層の形成と予備焼成を５回繰り返した。その後、これら前駆体層の積層体を本焼成として、酸素含有雰囲気中で、２０分間、６５０℃に加熱した。絶縁層となる酸化物層の厚みは約１７０ｎｍであった。ＢＮＯ酸化物層におけるビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）との原子組成比は、ビスマス（Ｂｉ）が１としたときにニオブ（Ｎｂ）を１とした。上部電極層及び下部電極層の厚みは約６０ｎｍであった。このときの上部電極層のサイズを１００μｍ×１００μｍとした。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、β−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を得ることができた。電気特性は、リーク電流値が、２．４×１０−５Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．０１５、比誘電率が１２０であった。
【０１０１】
（比較例１）
比較例１においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２０分、５００℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。電気特性は、リーク電流値が、１．０×１０−２Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００１、比誘電率が１００であった。
【０１０２】
（比較例２）
比較例２においては、本焼成として、前駆体層を、酸素雰囲気中で、２時間、５００℃に加熱した以外は実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。炭素含有率が６．５ａｔｍ％、水素含有率が７．８ａｔｍ％と大きい値となった。電気特性は、リーク電流値が、１．０×１０−１Ａ／ｃｍ２と大きく、誘電損失が、０．００７、比誘電率が１８０であった。
【０１０３】
（比較例３）
比較例３においては、下部電極層上に絶縁層となるＢＮＯ酸化物層を、公知のスパッタリング法により室温にて形成し、この後５５０℃で２０分熱処理を行った。その他については、実施例１と同様の条件で薄膜キャパシタを作成した。ＢＮＯ酸化物層の結晶相の組成は、Ｂｉ３ＮｂＯ７型結晶構造の微結晶相を得ることができた。また、炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下、水素含有率が１．０ａｔｍ％以下と双方検出限界以下の小さな値となった。電気特性は、リーク電流値が、１．０×１０−７Ａ／ｃｍ２、誘電損失が、０．００５となり、比誘電率が５０であった。
【０１０４】
実施例１乃至７および比較例１乃至３における薄層キャパシタの構成及び酸化物層の成膜条件、得られた電気特性及びＢＮＯ酸化物層の炭素及び水素の含有率、結晶構造の結果を表２及び表３に示す。なお、表２及び表３における「結晶相の組成」とは、結晶相及び微結晶相を含む。また、表２及び表３におけるＢｉＮｂＯ４は、β−ＢｉＮｂＯ４を示す。
【０１０５】
【表２】
2013069471.tif 000004
【０１０６】
【表３】
2013069471.tif 000005
【０１０７】
１．断面ＴＥＭ写真及び電子線回析による結晶構造解析と電気特性
図２６は、実施例６におけるＢＮＯ酸化物層の結晶構造を示す断面ＴＥＭ写真及び電子線回析像である。図２６（ａ）は、実施例６におけるＢＮＯ酸化物層の断面ＴＥＭ写真である。図２６（ｂ）は、図２６（ａ）に示したＢＮＯ酸化物層の断面ＴＥＭ写真の領域Ｘにおける電子線回析像である。また、図２７は、比較例３における絶縁層となる酸化物層の結晶構造を示す断面ＴＥＭ写真及び電子線回析像である。図２７（ａ）は、比較例３におけるＢＮＯ酸化物層の結晶構造を示す断面ＴＥＭ写真である。図２７（ｂ）は、図２７（ａ）に示したＢＮＯ酸化物層の断面ＴＥＭ写真の領域Ｙにおける電子線回析像である。図２６に示すように、断面ＴＥＭ写真及び電子線回析像の結果から、本実施例のＢＮＯ酸化物層は、結晶相及びアモルファス相を含んでいることが確認された。より詳細に見れば、ＢＮＯ酸化物層は、結晶相、微結晶相、及びアモルファス相を含んでいることが分かった。さらに、ミラー指数及び原子間距離から、既知の結晶構造モデルとフィッティングを行うことによって、ＢＮＯ酸化物層は、Ａ２Ｂ２Ｏ７（但し、Ａは金属元素、Ｂは遷移金属元素、以下、同じ）の一般式で示されるパイロクロア型結晶構造の微結晶相及び三斜晶（ｔｒｉｃｌｉｎｉｃ）のβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相うちの少なくとも一方を有していることが示された。また、さらに具体的には、パイロクロア型結晶構造は、（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造であるか、あるいは（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７型構造と略同一ないし近似していることが判明した。
【０１０８】
パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相は、絶縁層となる酸化物層の前駆体層の本焼成の温度によって、出現性が異なる。実施例８，９，１０に示すように、本焼成の温度が６００℃及び６５０℃の場合に、β−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を得ることができた。また、実施例１乃至７に示すように、本焼成の温度が５２０℃、５３０℃、及び５５０℃の場合に、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を得ることができた。
【０１０９】
一方、比較例３におけるスパッタ法による酸化物層は、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相が確認できず、Ｂｉ３ＮｉＯ７型結晶構造を有する微結晶相を有していた。
【０１１０】
測定した電気特性のうち、リーク電流については、表２及び表３に示すように、実施例では、いずれも０．２５ＭＶ／ｃｍ印加時のリーク電流値が、５．０×１０−３Ａ／ｃｍ２以下となり、キャパシタとしての十分な特性を得ることができた。誘電損失（ｔａｎδ）については、表２及び表３に示すように、実施例においては、誘電損失が１ＫＨｚにおいて、０．０３以下となり、キャパシタとしての十分な特性を得ることができた。比誘電率については、表２及び表３に示すように、実施例においては、１ＫＨｚにおける比誘電率が６０以上となり、キャパシタとしての十分な特性を得ることができた。一方、比較例３のＢｉ３ＮｂＯ７型結晶構造のＢＮＯ層は、比誘電率が５０と低い結果が得られた。
【０１１１】
実施例の測定結果から、ＢＮＯ層が、パイロクロア型結晶構造の微結晶相及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相の双方を有することによって、薄層キャパシタの絶縁層として、比較的良好な比誘電率が得られることが判明した。
【０１１２】
２．ＢＮＯ酸化物層の炭素及び水素の含有率と電気特性
本焼成の温度が５２０℃〜６５０℃の範囲である実施例２，４，６については、ＢＮＯ酸化物層の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であった。ここで、本測定法による炭素含有率の測定下限値は、およそ１．５ａｔｍ％であるため、実際の濃度は、この測定下限値以下であると考えられる。また、これらの実施例においては、炭素含有率が比較例３のスパッタ法によるＢＮＯ酸化物層と同様のレベルであることが判明した。一方、比較例２に示すように、本焼成の温度が５００℃と低い場合には、前駆体溶液の溶媒中の炭素が残存すると考えられ、炭素含有率が６．５ａｔｍ％と大きな値を示した。その結果、リーク電流１．０×１０−１Ａ／ｃｍ２と大きい値になったものと考えられる。
【０１１３】
また、水素含有率については、本焼成の温度が５２０℃〜６５０℃の範囲である実施例２，４，６については、ＢＮＯ酸化物層の水素含有率が１．６ａｔｍ％以下と良好な結果であった。ここで、本測定法による水素含有率の測定下限値は、およそ１．０ａｔｍ％であるため、実施例６における実際の濃度は、この測定下限値以下であると考えられる。また、実施例６においては、水素含有率が比較例３のスパッタ法によるＢＮＯ酸化物層と同様のレベルであることが判明した。一方、比較例２に示すように、本焼成の温度が５００℃と低い場合には、前駆体溶液の溶媒及び溶質中の水素が残存すると考えられ、水素含有率が７．８ａｔｍ％と大きな値を示した。このように水素含有率が大きいことも、リーク電流が１．０×１０−１Ａ／ｃｍ２と大きい値になった原因と考えられる。
【０１１４】
上述のとおり、上述の各実施形態における固体電子装置は、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造またはβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相、あるいは、パイロクロア型結晶構造及びβ−ＢｉＮｂＯ４型結晶構造の結晶相を有し、かつ酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下であることによって、良好な電気特性を備えるものである。したがって、本発明の固体電子装置は、その絶縁層となる酸化物層中に従来汎用的に用いられてきた亜鉛（Ｚｎ）等を含ませることなく、ビスマス及びニオブのみからなる金属酸化物によって構成される絶縁層を備えることで固体電子装置の高性能化を実現することができる点で優れているといえる。
【０１１５】
＜その他の実施形態＞
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
【０１１６】
上述の各実施形態においては、ＢＮＯ酸化物層の製造方法は、いわゆる溶液法に基づく製造方法について説明しているが、この方法に限られるものではなく、その他の化学的蒸着法または物理的蒸着法を用いることも可能である。
【０１１７】
上述の各実施形態における固体電子装置は、低い駆動電圧で大きな電流を制御する固体電子装置に適したものである。上述の各実施形態における固体電子装置として、上述した薄膜キャパシタ以外にも、例えば、積層薄膜キャパシタ、容量可変薄膜キャパシタ等のキャパシタ、また、金属酸化物半導体接合電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、不揮発性メモリ等の半導体装置、さらに、マイクロＴＡＳ（Ｔｏｔａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）、マイクロ化学チップ、ＤＮＡチップ等のＭＥＭＳ（微少電気機械システム）デバイスとして適用することもできる。
【０１１８】
以上述べたとおり、上述の各実施形態の開示は、それらの実施形態の説明のために記載したものであって、本発明を限定するために記載したものではない。加えて、各実施形態の他の組合せを含む本発明の範囲内に存在する変形例もまた、特許請求の範囲に含まれるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2013069471.tif 000016
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2013069471.tif 000019
【図１５】
2013069471.tif 000020
【図１６】
2013069471.tif 000021
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2013069471.tif 000029
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2013069471.tif 000032
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる酸化物層（不可避不純物を含み得る）を備え、
前記酸化物層が、（Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５）（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７と略同じ構造であるパイロクロア型結晶構造の結晶相を有し、
前記酸化物層中の炭素含有率が１．５ａｔｍ％以下である、
キャパシタ。
【国際調査報告】
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