(57)【要約】  微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる、アルミニウムとマグネシウムとを含有するアルミニウム原型において、マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、かつ、当該スタンパ用アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である、スタンパ用アルミニウム原型を用いる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる、アルミニウムとマグネシウムとを含有するアルミニウム原型において、
マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、
かつ、当該スタンパ用アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である、スタンパ用アルミニウム原型。
【請求項２】
相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が８個／１０００μｍ２以下である、請求項１に記載のスタンパ用アルミニウム原型。
【請求項３】
請求項１または２に記載のスタンパ用アルミニウム原型に陽極酸化処理を施し、微細凹凸構造を形成する、スタンパの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のスタンパの製造方法により製造されたスタンパを用いて、該スタンパの表面に形成された微細凹凸構造を物品本体の表面に転写する、物品の製造方法。
【請求項５】
微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられるアルミニウム原型の製造方法において、
マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であるアルミニウム合金を鋳造する鋳造工程と、
鋳造したアルミニウム合金を塑性加工する塑性加工工程と、
塑性加工したアルミニウム合金を４００℃以上で熱処理する熱処理工程と、
熱処理したアルミニウム合金を３００〜４００℃の温度域において１００℃／時間以上の冷却速度で冷却する冷却工程とを有する、スタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理工程において、塑性加工したアルミニウム合金を６００℃以下で熱処理する、請求項５に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
【請求項７】
前記冷却工程において、熱処理したアルミニウム合金を３００〜４００℃の温度域において３００℃／時間以上の冷却速度で冷却する、請求項５記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
【請求項８】
前記アルミニウム合金にチタンを５〜１５０質量ｐｐｍと、ホウ素および炭素の少なくとも一方を１〜３０質量ｐｐｍとを添加して、鋳造工程を行う、請求項５に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
【請求項９】
前記塑性加工工程が、鋳造したアルミニウム合金を鍛造処理して平均結晶粒径を１００μｍ以下とする工程である、請求項５〜８のいずれか一項に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれか一項に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法により製造されたスタンパ用アルミニウム原型に陽極酸化処理を施し、微細凹凸構造を形成する、スタンパの製造方法。
【請求項１１】
微細凹凸構造を表面に有する物品の製造に用いられるスタンパであって、
アルミニウム原型と、
前記アルミニウム原型の表面に形成され、細孔間の平均間隔が可視光の波長以下である微細凹凸構造と、を有し、
前記アルミニウム原型中のマグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、かつ、当該スタンパの表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である、スタンパ。
【請求項１２】
透明基材と、該透明基材上に形成され、平均間隔が可視光の波長以下である複数の突起からなる微細凹凸構造と、を有する反射防止物品であって、
前記微細凹凸構造の表面における、相当直径が５００ｎｍ以上の凸状欠陥の個数が２０個／１０００μｍ２以下である、反射防止物品。
【請求項１３】
前記凸状欠陥の個数が、１０個／１０００μｍ２以下である、請求項１２に記載の反射防止物品。
【請求項１４】
ヘイズが０．５％以下である、請求項１２または１３に記載の反射防止物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スタンパ用アルミニウム原型とその製造方法、スタンパとその製造方法、物品の製造方法、および反射防止物品に関する。
本願は、２０１２年３月３０日に、日本に出願された特願２０１２−０７８８１２号、に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
近年、凹凸構造の周期を可視光の波長以下に制御した微細凹凸構造を有する反射防止構造を設けることによって、テレビや携帯電話などの液晶面の反射戻り光を減少させる研究がなされている。
微細凹凸構造を有する反射防止構造を設ける方法の一つとして、アルミニウム合金を鋳造および塑性加工などして得られるアルミニウム原型の表面に陽極酸化処理を施して微細凹凸構造を形成し、この凹凸部を樹脂などの成形材料に転写することで反射防止物品（転写物）を製造する方法が採用されている。また、陽極酸化処理により形成した凹凸パターンとしては、円錐や四角錐などの錐形体が報告されている。【０００３】
アルミニウム原型の表面に陽極酸化処理を施し、この表面を鋳型（スタンパ）として転写物を製造する場合、スタンパ表面がそのまま転写物に反映されるため、その表面の品質が重要である。
スタンパの表面品質に影響を与えるものとして、アルミニウム原型中の「第２相粒子」、「結晶粒度」、「結晶方位」や、アルミニウム原型素材の「鏡面研磨性」が挙げられている。そして、第２相粒子とその他の項目（結晶粒度、結晶方位、鏡面研磨性）は相反する側面があるとされている。
なお、「第２相粒子」とは、アルミニウム母相とは異なる相を形成する粒子のことであり、例えばアルミニウム合金中の鉄（Ｆｅ）、ケイ素（Ｓｉ）系化合物などが挙げられる。【０００４】
一般的に、第２相粒子等の異物がアルミニウム原型の表面に存在すると、陽極酸化処理時に不連続な凸部を形成したり、第２相粒子が脱落して凹状欠陥を形成したりして、スタンパの表面に欠陥が生じる。このスタンパを用いて転写すると、スタンパの欠陥部分に該当する転写部分が不連続の凹凸となり、通過光が散乱し、転写物の反射防止性が低下する。
このように、第２相粒子の存在は転写物の品質に影響を及ぼす。特に、アルミニウム原型やスタンパの表面における第２相粒子の円相当直径（以下、「相当直径」という。）が可視光の波長よりも大きい場合は、得られる転写物のヘイズ（曇値）を大幅に上昇させる。また、第２相粒子の相当直径が可視光の波長よりも小さい場合でも、第２相粒子が多数存在していると、転写物のヘイズを上昇させてしまう。【０００５】
そのため、スタンパの表面の欠陥になりうるアルミニウム原型中の第２相粒子は極力少ないことが望ましい。第２相粒子を少なくするためには、第２相粒子の由来となる添加元素や不純物が少ない高純度のアルミニウムを用いればよく、例えば純度９９．９９％の純アルミニウムを用いたスタンパが提案されている（例えば特許文献１参照）。【０００６】
しかし、高純度のアルミニウムの結晶粒は、鋳造工程、塑性加工工程、熱処理（焼鈍）工程で粗大化しやすい。目視にて目立つ粗い結晶粒は酸化皮膜にも同様の粒界模様を作り、スタンパによる転写物にもこの模様が転写されるため、転写物の見た目が損なわれることとなる。
そこで、鋳造直前の溶湯に微細化剤（例えばアルミニウム−チタン−ホウ素合金（Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ系合金））を添加することで鋳造組織を微細にすることができるが、高純度のアルミニウムの場合は微細化しにくく、微細化剤の添加量が増える傾向にある。その結果、添加物に起因した第２相粒子（例えば二ホウ化チタン（ＴｉＢ２））が増加し、スタンパの表面品質が損なわれる。【０００７】
これらの問題を解決したアルミニウム原型として、アルミニウム溶湯に含まれるマグネシウム（Ｍｇ）の含有量を０．５〜３質量％に制限し、しかも不純物を含め、Ｍｇ以外の元素の含有量を合計で５００ｐｐｍ以下に制限することにより微細かつ方位の均一な結晶粒を有し、併せて不純物含有量を極力少なくすることにより第２相粒子の出現（析出）が抑制されたスタンパ用アルミニウム原型が提案されている（例えば特許文献２参照）。特許文献２によれば、このスタンパ用アルミニウム原型に陽極酸化処理を施すことで、方向性のない均一な模様の凹凸転写面が形成できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１５６６９５号公報
【特許文献２】国際公開第２０１１／０３０８５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献２に記載のようにＭｇを含有するアルミニウム原型は、微細かつ方向性のない結晶粒を有するが、このアルミニウム原型に陽極酸化処理を施して作製したスタンパの表面構造を転写した転写物を詳細に観察すると、例えば図６に示すように、微小な凸状欠陥Ｄが多数存在することが判明した。なお、転写物の凸状欠陥Ｄを、その形状から金平糖状欠陥と呼ぶ場合がある。【００１０】
転写物の凸状欠陥の多くは可視光波長より小さい欠陥であるが、上述したように多数存在していると転写物表面での乱反射が起こり、転写物のヘイズの上昇をもたらす。また、樹脂等に転写する際に、転写物の凸状欠陥の反転構造となるスタンパ表面の凹状欠陥へ樹脂が埋め込まれ、転写物がスタンパへ貼り付いて剥がれにくくなり、連続転写ができなくなるといった不良の原因となる場合がある。そのため、できる限り転写物の凸状欠陥などの発生を低減する必要がある。【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができるスタンパ用アルミニウム原型基材とその製造方法を提供する。また、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパとその製造方法を提供する。さらに、凸状欠陥の少ない物品の製造方法を提供する。また、凸状欠陥の少ない反射防止物品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは鋭意検討した結果、Ｍｇを含有するアルミニウム原型の場合、第２相粒子の中でも特にＭｇとＳｉが結びついて形成されるケイ化マグネシウム（Ｍｇ２Ｓｉ）が、転写物の凸状欠陥（金平糖状欠陥）の最大要因となることを突き止めた。Ｍｇは固溶しやすいが、特定の濃度や温度域においてＳｉや他の元素と第２相粒子を形成する。そこで、Ｍｇと結合して第２相粒子を形成するＳｉや他の元素の含有量を規定し、さらにアルミニウム原型表面におけるＭｇ２Ｓｉの個数を規定することで、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。【００１３】
本発明は、以下の特徴を有する。
＜１＞  微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる、アルミニウムとマグネシウムとを含有するアルミニウム原型において、マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、かつ、当該スタンパ用アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である、スタンパ用アルミニウム原型。
＜２＞  相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が８個／１０００μｍ２以下である、＜１＞に記載のスタンパ用アルミニウム原型。
＜３＞  ＜１＞または＜２＞に記載のスタンパ用アルミニウム原型に陽極酸化処理を施し、微細凹凸構造を形成する、スタンパの製造方法。
＜４＞  ＜３＞または下記＜１０＞に記載のスタンパの製造方法により製造されたスタンパ、あるいは下記＜１１＞に記載のスタンパを用いて、該スタンパの表面に形成された微細凹凸構造を物品本体の表面に転写する、物品の製造方法。【００１４】
＜５＞  微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられるアルミニウム原型の製造方法において、マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であるアルミニウム合金を鋳造する鋳造工程と、鋳造したアルミニウム合金を塑性加工する塑性加工工程と、  塑性加工したアルミニウム合金を４００℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理したアルミニウム合金を３００〜４００℃の温度域において１００℃／時間以上の冷却速度で冷却する冷却工程とを有する、スタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
＜６＞  前記熱処理工程において、塑性加工したアルミニウム合金を６００℃以下で熱処理する、＜５＞に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
＜７＞  前記冷却工程において、熱処理したアルミニウム合金を３００〜４００℃の温度域において３００℃／時間以上の冷却速度で冷却する、＜５＞または＜６＞に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
＜８＞  前記アルミニウム合金にチタンを５〜１５０質量ｐｐｍと、ホウ素および炭素の少なくとも一方を１〜３０質量ｐｐｍとを添加して、鋳造工程を行う、＜５＞〜＜７＞のいずれか一項に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
＜９＞  前記塑性加工工程が、鋳造したアルミニウム合金を鍛造処理して平均結晶粒径を１００μｍ以下とする工程である、＜５＞〜＜８＞のいずれか一項に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法。
＜１０＞  ＜５＞〜＜９＞のいずれか一項に記載のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法により製造されたスタンパ用アルミニウム原型に陽極酸化処理を施し、微細凹凸構造を形成する、スタンパの製造方法。【００１５】
＜１１＞  微細凹凸構造を表面に有する物品の製造に用いられるスタンパであって、アルミニウム原型と、前記アルミニウム原型の表面に形成され、細孔間の平均間隔が可視光の波長以下である微細凹凸構造と、を有し、前記アルミニウム原型中のマグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、かつ、当該スタンパの表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である、スタンパ。
＜１２＞  透明基材と、該透明基材上に形成され、平均間隔が可視光の波長以下である複数の突起からなる微細凹凸構造と、を有する反射防止物品であって、前記微細凹凸構造の表面における、相当直径が５００ｎｍ以上の凸状欠陥の個数が２０個／１０００μｍ２以下である、反射防止物品。
＜１３＞  前記凸状欠陥の個数が、１０個／１０００μｍ２以下である、＜１２＞に記載の反射防止物品。
＜１４＞  ヘイズが０．５％以下である、＜１２＞または＜１３＞に記載の反射防止物品。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のスタンパ用アルミニウム原型を用いれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができる。
また、本発明のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法によれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができるスタンパ用アルミニウム原型が得られる。
また、本発明のスタンパの製造方法によれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパが得られる。
また、本発明のスタンパを用いれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できる。
また、本発明の物品の製造方法によれば、凸状欠陥の少ない物品が得られる。
また、本発明の反射防止物品は、凸状欠陥が少ない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】熱処理条件とＭｇ２Ｓｉの析出の関係を示す相関図である。
【図２】冷却速度とＭｇ２Ｓｉの析出の関係を理論計算により求めた相関図である。
【図３】スタンパ用アルミニウム原型の表面に複数の細孔を有する酸化皮膜が形成されたスタンパの製造工程を示す断面図である。
【図４】物品の製造装置の一例を示す構成図である。
【図５】物品の一例を示す断面図である。
【図６】表面に凸状欠陥（金平糖状欠陥）が形成された転写物の電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本明細書においては、「アルミニウム原型素材」とは、鋳造工程の後、かつ塑性加工工程の前のアルミニウム合金のことをいい、「アルミニウム原型」とは、塑性加工工程後、切削等を行い、陽極酸化処理を施す直前のアルミニウム合金のことをいう。
また、「細孔」とは、スタンパ用アルミニウム原型の表面の酸化皮膜に形成された微細凹凸構造の凹部のことをいう。
また、「微細凹凸構造」は、凸部または凹部の平均間隔がナノスケールである構造を意味する。
また、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートの総称である。
また、「活性エネルギー線」は、可視光線、紫外線、電子線、プラズマ、熱線（赤外線等）等を意味する。
【００１９】
「スタンパ用アルミニウム原型」
本発明のスタンパ用アルミニウム原型（以下、単に「アルミニウム原型」という。）は、微細凹凸構造を表面に有するスタンパの製造に用いられる原型であり、アルミニウム（Ａｌ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを含有するアルミニウム材料からなる。また、ＡｌおよびＭｇ以外の元素を含有していてもよい。
本発明のアルミニウム原型は、Ｍｇの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素（Ｓｉ）の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、ＡｌおよびＭｇ以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、残りがＡｌである。
【００２０】
Ｍｇは、６６〜１８０℃の温度域でＡｌと結合して第２相粒子（Ａｌ３Ｍｇ２などのＡｌ−Ｍｇ系化合物）を形成しやすい。
アルミニウム原型の製造工程において、特に熱間鍛造や熱処理工程（焼鈍）は再結晶温度（３００℃）以上で行われるが、その昇温・冷却過程では短い時間ではあるもののアルミニウム材料が６６〜１８０℃の温度域に晒されるため、このときに第２相粒子（Ａｌ３Ｍｇ２など）が形成されてしまう。
また、アルミニウム原型がＭｇを含有することは、スタンパの使用条件にも影響を与える。例えば、酸化皮膜の劣化によりスタンパが寿命を迎えた場合、スタンパ表面の酸化皮膜を切削により除去し、再度陽極酸化処理することでスタンパを再生することができる。しかしながら、スタンパの使用温度が６６〜１８０℃の場合、スタンパの表面近傍に第２相粒子（Ａｌ３Ｍｇ２など）が形成されやすくなるため、スタンパの再生が困難となりコストアップに繋がる。あるいは、スタンパの再生を行うためには、スタンパの使用温度が６６〜１８０℃以外に限定されてしまう。
【００２１】
そのため、アルミニウム原型中のＭｇの含有量を３質量％以下とする。Ｍｇの含有量が３質量％を超えると、６６〜１８０℃の温度域でＡｌと結合して第２相粒子（Ａｌ３Ｍｇ２など）を形成する割合が高まり、この第２相粒子が陽極酸化処理時に脱落してスタンパ表面の凹状欠陥となる。特に、Ｍｇの固溶強化による変形抵抗を抑え、後述する塑性加工工程の費用を低減するためには、Ｍｇの含有量を２質量％以下にすることが好ましい。
ただし、Ｍｇの濃度が低くなりすぎると、後述する鋳造工程において、結晶粒の粒状化に必要な微細化剤の添加量が非常に多くなり、含まれる第２相粒子により悪影響を及ぼしてしまう。適量の微細化剤で粒状化させるためには、Ｍｇの含有量は０．１質量％以上とする。
なお、Ｍｇと微細化剤の添加により粒状化しても、Ｍｇ量が多い方がより微細な鋳造組織となるため、結晶粒の微細化要求が高い場合には、Ｍｇの含有量を０．５質量％以上とすることが好ましい。
また、Ｍｇの含有量を０．１質量％未満とし、代わりに後述する塑性加工工程において鍛造による加工度を上げて、再結晶の駆動力となる歪の蓄積を増やし結晶粒の微細化を行うことも考えられるが、この場合は鍛造費用の増加を招く。
【００２２】
Ｓｉの含有量は１００質量ｐｐｍ以下である。Ｓｉの含有量が１００質量ｐｐｍを超えると、Ｍｇと結合してケイ化マグネシウム（Ｍｇ２Ｓｉ）が形成されやすくなる。また、後述する熱処理工程を行うと、熱処理条件により、Ｓｉが固溶しにくくなり、Ｍｇ２Ｓｉの形成につながる場合がある。
【００２３】
ところで、Ａｌ中には、ほとんど固溶せず単独でも第２相粒子の原因となる元素（鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）など）や、高温では固溶するものの室温では第２相粒子として存在する元素（銅（Ｃｕ）など）が存在する。これらの元素が第２相粒子として存在していると、転写物の凸状欠陥の原因となる。
アルミニウム原型中のＡｌおよびＭｇ以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であれば、これらの元素が第２相粒子として存在する割合を低減できるので、凹状欠陥を抑制したスタンパが得られる。
【００２４】
また、本発明のアルミニウム原型は、チタン（Ｔｉ）を５〜１５０質量ｐｐｍと、ホウ素（Ｂ）および炭素（Ｃ）の少なくとも一方を１〜３０質量ｐｐｍとが添加されていることが好ましい。Ｔｉ、Ｂ、Ｃは、鋳造組織の微細化を容易に行なわせる微細化剤として、Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ系母合金またはＡｌ−Ｔｉ−Ｃ系母合金の形態で添加される。なお、「Ｔｉを５〜１５０質量ｐｐｍ、ＢおよびＣの少なくとも一方を１〜３０質量ｐｐｍ添加する」とは、アルミニウム原型中のＴｉの含有量の上昇が添加前に比べて５〜１５０質量ｐｐｍ、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が添加前に比べて１〜３０質量ｐｐｍとなる量の微細化剤を添加することを意味する。
アルミニウム原型中のＴｉの含有量の上昇が添加前に比べて５質量ｐｐｍ未満、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が添加前に比べて１質量ｐｐｍ未満であると、微細化剤としての微細化効果が十分に得られない。一方、Ｔｉの含有量の上昇が添加前に比べて１５０質量ｐｐｍ超、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が添加前に比べて３０質量ｐｐｍ超であると、二ホウ化チタン（ＴｉＢ２）や炭化チタン（ＴｉＣ）などの第２相粒子が形成されやすくなる。特に、Ｔｉの含有量の上昇が添加前に比べて３０質量ｐｐｍ以下、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が添加前に比べて６質量ｐｐｍ以下であれば、ＴｉＢ２やＴｉＣなどの第２相粒子の形成をより抑制できる。
ただし、Ｔｉ、Ｂ、Ｃを添加する場合は、これらＴｉ、Ｂ、ＣおよびＳｉを含む、ＡｌおよびＭｇ以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下となるようにする。
【００２５】
上述したように、スタンパ表面の凹状欠陥は、アルミニウム原型中の第２相粒子が陽極酸化処理時に脱落することが原因の一つであると考えられる。特にＭｇを含有するアルミニウム原型では、第２相粒子の中でもＭｇ２Ｓｉが最も問題となる。
Ｍｇ２Ｓｉの多くは、相当直径１０〜２５０ｎｍの大きさであり、可視光の波長以下である。しかし、Ｍｇ２Ｓｉが多数存在していると、可視光の波長よりも大きい粒子が存在する場合と同様に、当該粒子の存在が転写物の凸状欠陥を招き、ヘイズを上昇させる原因となる。また、Ｍｇ２Ｓｉの粒子とアルミニウムとの間で腐食が発生し、比較的大きな凹部が形成されてＭｇ２Ｓｉが脱落してしまう場合、Ｍｇ２Ｓｉの粒子自体の大きさは小さくても、スタンパや転写物に形成される欠陥は比較的サイズの大きなものになってしまう場合がある。
なお、凸状欠陥とは、図６に示されるような相当直径が５００ｎｍ以上の金平糖状の突起のことをいう。
【００２６】
そのため、本発明のアルミニウム原型は、その表面における相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数が１０個／１０００μｍ２以下である。アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数が１０個／１０００μｍ２を超えると、本発明のアルミニウム原型より得られるスタンパの表面構造を転写した転写物の表面に多数の凸状欠陥が形成され、ヘイズが上昇する。上述のＭｇ２Ｓiの個数は、８個／１０００μｍ２以下であることが好ましい。また、転写物のヘイズは０．５％以下であることが好ましく、０．３％以下であることがより好ましい。
なお、本発明において相当直径とは、粒子の投影面積と同じ面積を有する円の直径のことである。
【００２７】
＜作用効果＞
以上説明した本発明のアルミニウム原型は、Ｍｇの含有量が０．１〜３質量％、Ｓｉの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、ＡｌおよびＭｇ以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であるため、スタンパ表面の凹状欠陥の原因となる第２相粒子の形成を抑制できる。また、第２相粒子の中でも特に問題となるＭｇ２Ｓｉの個数が１０個／１０００μｍ２以下であるため、本発明のアルミニウム原型を用いれば凹状欠陥が抑制されたスタンパを製造できる。
【００２８】
「スタンパ用アルミニウム原型の製造方法」
アルミニウム原型は、通常、鋳造工程と塑性加工工程を経て製造される。
アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数を１０個／１０００μｍ２以下とするには、塑性加工工程の後に特定の条件にて熱処理工程および冷却工程を行ったり、アルミニウム原型素材中のＳｉの含有量を低減したりすればよい。
以下、アルミニウム原型の製造方法の一実施形態例について、具体的に説明する。
【００２９】
本実施形態例のアルミニウム原型の製造方法は、アルミニウム原型の原料となるアルミニウム合金を鋳造する鋳造工程と、鋳造したアルミニウム合金を塑性加工する塑性加工工程と、塑性加工したアルミニウム合金を熱処理する熱処理工程と、熱処理したアルミニウム合金を冷却する冷却工程と、冷却したアルミニウム合金を所望の形状に切削する切削工程とを有する。
【００３０】
（鋳造工程）
鋳造工程は、アルミニウム合金を鋳造する工程である。鋳造工程の条件としては特に限定されない。
アルミニウム合金としては、Ｍｇの含有量が０．１〜３質量％であり、Ｓｉ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、ＡｌおよびＭｇ以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、残りがＡｌであるインゴット（鋳塊）を用いる。
【００３１】
ところで、高純度アルミニウムの鋳造組織は粗く、平均結晶粒径はセンチメートルオーダーである。鋳塊の粗大な結晶粒の痕跡は、後述する塑性加工工程や熱処理工程の後にも粗大に残りやすいため、鋳塊の結晶粒を微細にすることが好ましい。
そのため、鋳塊の微細化のためには、一般的にＡｌ−Ｔｉ−Ｂ系母合金やＡｌ−Ｔｉ−Ｃ系母合金などの微細化剤を鋳造直前に溶湯に加え、ＴｉＢ２粒子やＴｉＣ粒子を核として結晶核の発生数を増やすことが行われる。この際、鋳塊に元々含まれていたＴｉ、Ｂ、Ｃは凝集してしまっており、ほとんど微細化能力を持たない。
純度９９．９５％以上の高純度アルミニウムの場合、通常の微細化剤の添加量（Ｔｉの含有量の上昇が添加前に比べて５〜１００質量ｐｐｍおよびＢの含有量の上昇が１〜２０質量ｐｐｍ、またはＴｉの含有量の上昇が添加前に比べて５〜２５０質量ｐｐｍおよびＣの含有量の上昇が１〜５０質量ｐｐｍとなる添加量）では微細化しにくく、Ｔｉの含有量の上昇が３５０ｐｐｍ、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が７０ｐｐｍとなる添加量でも、微細化は不十分である。そこで、十分に微細化させるためには微細化剤の添加量を増やす必要があるが、微細化剤の添加量の増加は、第２相粒子（ＴｉＢ２やＴｉＣ）の増加につながり、スタンパ表面の凹状欠陥の原因となる。
【００３２】
しかし、本発明に用いるアルミニウム合金は、原料として高純度アルミニウムを使用しているものの、これにＭｇが添加されているため純度が下がる。そのため、Ｔｉの含有量の上昇が添加前に比べて５〜１５０質量ｐｐｍ、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が添加前に比べて１〜３０質量ｐｐｍとなる添加量で、２００〜５００μｍ程度の平均結晶粒径にまで微細化できる。特に、Ｔｉの含有量の上昇が８質量ｐｐｍ、ＢおよびＣの少なくとも一方の含有量の上昇が２質量ｐｐｍ程度の少量であっても、十分に微細化できる。
【００３３】
（塑性加工工程）
塑性加工工程は、鋳造したアルミニウム合金を塑性加工する工程である。
鋳造工程での鋳造組織の微細化により結晶方位に起因した不均一さは軽減できるが、平均結晶粒径は２００〜５００μｍ程度である。より微細化が必要とされる場合は、目視にて目立たなくなる程度（具体的には平均結晶粒径が１００μｍ以下）になるまで微細化するのが好ましい。そこで、組織をさらに微細化させるために、鋳造したアルミニウム合金（アルミニウム原型素材）に塑性加工を施す。なお、結晶粒の微細化が要求されない場合には、塑性加工により結晶粒の微細化を行わなくてもよい。
【００３４】
塑性加工の方法としては、より大きな加工度をアルミニウム原型素材に与えられる加工方法が採用され、例えば、圧延処理、押出処理、鍛造処理などが挙げられる。ただし、圧延処理や押出処理の場合、加工方向が一方向に限られるため鋳塊の結晶粒が加工方向に伸びた加工組織が形成され、後述の熱処理による再結晶後にも加工組織の痕跡が加工方向に残り、筋状の不均一な組織が形成されてしまう場合がある。このような不均一な組織を有するアルミニウム原型を用いてスタンパを製造すると、不均一な組織がマクロな模様として現れ、このようなスタンパから形成された転写面にも不均一なマクロな模様が生じてしまう。そのため、加工方向は２方向以上が好ましい。
鍛造処理の場合、加工方向を自由に変えることが可能なため、異方性が少ないランダムな組織を作る上で有利であり、塑性加工の方法として好適である。
【００３５】
また、圧延処理や押出処理の場合、加工方向が限られているため、塑性加工前のアルミニウム原型素材の寸法と加工後の寸法にて加工度が決まってしまう。
一方、鍛造処理の場合、加工方向を入れ替えることで塑性加工を繰り返し加えることができるため、より大きな加工度を得ることができる。より大きな加工度は再結晶の駆動力となる歪の蓄積につながり、この歪の蓄積は再結晶組織をより微細とし、酸化皮膜を鋳型とした転写物の均一性に寄与する。よって、より微細な結晶粒を得たいときには鍛造処理が好ましい。
以下、鍛造処理に関して詳細に説明する。
【００３６】
鍛造処理は、比較的粗い鋳造組織を破壊し微細均一化することを主目的とする熱間鍛造と、熱間鍛造により微細均一化したアルミニウム原型素材をさらに微細化することを主目的とする冷間鍛造に大別される。
なお、アルミニウム原型の結晶粒の微細化が必要とされる場合は、上記のような鍛造処理を施し、平均結晶粒径を１００μｍ以下とすることが好ましい。なお、結晶粒の微細化要求が高くない場合は、平均結晶粒径を５００μｍ以下とすれば十分であり、このような場合には、塑性加工方法として鍛造処理の代わりに圧延処理や押出処理などを用いてもよい。
また、塑性加工工程に先立ち、鋳造したアルミニウム合金を４２０〜６３０℃に加熱処理し、１００℃／時間以上で冷却することでアルミニウム合金を均質化してもよい（均質化処理）。均質化処理することで、ＡｌおよびＭｇを除くアルミニウム合金中の不純物（Ｓｉなど）をＡｌ中に溶け込ませることができる。
【００３７】
熱間鍛造：
熱間鍛造に供する前に、アルミニウム原型素材を予熱するのが好ましい。予熱温度は、低温すぎると熱間鍛造時に再結晶が起こりにくくなり均一化が期待できず、高温すぎると予熱時の粒成長が顕著となって粗大な結晶粒が生じ、この痕跡が冷間鍛造後も残ってしまう。予熱温度は３５０〜４７０℃が好ましく、４２０℃に近いほど好ましい。
予熱は通常、数時間程度行なわれる。
次に、予熱されたアルミニウム原型素材を自由鍛造によって鍛造材を得る。
【００３８】
熱間鍛造は（２／３Ｕ−１．５Ｓ）を１サイクルとした場合、３サイクルを基本とし、より高い均一性が求められる場合には再予熱後に同様の条件で熱間鍛造を繰り返す。ここで、「２／３Ｕ」や「１．５Ｓ」という表記はＪＩＳ  Ｇ  ０７０１にて定義されており、「２／３Ｕ」とは鍛錬成形比２／３の据込鍛錬を示し、「１．５Ｓ」とは鍛錬成形比１．５の実体鍛錬を示す。
この据込鍛錬と実体鍛錬の順序は問わず、逆になってもよい。
【００３９】
熱間鍛造のサイクル回数は、多い方が均一組織を得られやすいが、鍛造時間の増加による鍛造材の温度の低下が大きくなる。この温度低下により鍛造材の温度が３００℃未満になると再結晶を起こし難くなり、熱間鍛造の第一の目的である組織の均一化が起こり難くなる。そのため予熱温度を高める必要がある。しかし、予熱温度を高めるとこの予熱の際に結晶粒の粗大化が起こりやすくなる。そのため、熱間鍛造のサイクル回数は３サイクル程度にとどめるのが好ましい。熱間鍛造のサイクル回数を減らし熱間鍛造中の温度低下を抑え、これにより予熱温度を下げることもできるが、この場合、均一組織を得るためにサイクル回数の減少を熱間鍛造・再加熱の回数を増やすことで補うことになり、工業的に現実的ではない。
【００４０】
また、（２Ｓ−１／２Ｕ）×３サイクルのように一度の鍛伸量・据込量を大きくすると同じサイクル回数でも歪の蓄積が多く結晶粒微細化の点では有利である。しかし、鍛造時に表面のシワが内部に巻き込まれやすく、このシワが後の陽極酸化処理時に欠陥となって現れるため好ましくない。また、熱間鍛造による再結晶の代わりに冷間鍛造および熱処理を繰り返すことによる再結晶も考えられる。
なお、高い均一性が要求されない場合は、鋳造時に平均結晶粒径が２００〜５００μｍ程度まで微細化されていれば、この熱間鍛造を省くことができ鍛造コストを低減することができる。
【００４１】
ところで、例えば予熱温度３００℃〜３８０℃で数時間予熱を行った場合、詳しくは後述するが、図１に示す領域Ｂと同じ条件となるため、Ｍｇ２Ｓｉの析出が起こると考えられる。
しかし、熱間鍛造と冷間鍛造を行った後のアルミニウム合金を調べてみたところ、Ｍｇ２Ｓｉは析出していないことが判明した。熱間鍛造の後と冷間鍛造の後では析出状態は変化しにくいと考えられるため、熱間鍛造（特に予熱）における温度はＭｇ２Ｓｉの析出に大きな影響を与えるものではないと考えられる。
熱間鍛造でＭｇ２Ｓｉの析出が起きにくいのは、蓄積されている歪みが少なくＳｉが拡散しにくいためであると考えられる。また、同様の温度で圧延処理や押出処理を行った場合においてもＭｇ２Ｓｉの析出は起こらない。
【００４２】
冷間鍛造：
冷間鍛造は再結晶粒の微細化のための歪の蓄積が主な目的のため、より高い鍛錬成型比の方が微細化には有利である。しかし、鍛錬成型比が高すぎる場合、鍛造時に割れが入るため（１．５Ｓ−２／３Ｕ）を１サイクルとした場合、２〜３サイクルが好ましい。また、冷間鍛造時には加工熱により鍛造材の温度が上昇する。歪の開放が顕著となる２００℃を超えた場合は水冷・空冷等により冷却するのが好ましく、さらに１５０℃以下に保つのがより好ましい。
【００４３】
（熱処理工程）
熱処理工程は、塑性加工したアルミニウム合金を熱処理（焼鈍）する工程である。
塑性加工工程後の熱処理工程は、冷間鍛造など塑性加工にて蓄積された歪を駆動力とし再結晶を起こさせるために行なう。
結晶粒組織に着目した場合、熱処理温度（焼鈍温度）が低すぎると再結晶が起こらず加工組織が残ってしまう。また熱処理温度が高すぎると粒成長が起こってしまい粗大な結晶粒が生じてしまう。
【００４４】
一方、本発明者らは、熱処理条件とＭｇ２Ｓｉの析出の関係に着目した結果、３００℃超４００℃未満の間で熱処理を行うと図１に示すように、Ｍｇ２Ｓｉが析出してしまうことを突き止めた。
図１は、熱処理条件とＭｇ２Ｓｉの析出の関係を示す相関図であり、以下のようにして作成される。
まず、Ｍｇの含有量が１．０４質量％、Ｓｉの含有量が２０質量ｐｐｍのアルミニウム合金を鋳造した後、塑性加工として熱間鍛造および冷間鍛造を施して供試材を得る。なお、冷間鍛造後のアルミニウム合金は、Ｍｇ２Ｓｉが析出していなかった。
次に、供試材に各種熱処理条件（熱処理温度および熱処理時間）にて熱処理を行なう。そして、各種熱処理条件にて熱処理した後の供試材から透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）用試料を作製し、ＴＥＭで観察を行ないＭｇ２Ｓｉの析出の有無を観察し、熱処理条件とＭｇ２Ｓｉの析出の関係を図１にプロットする。
なお、Ｓｉの含有量が同一であれば、Ｍｇの含有量に関係なく図１に示す結果と同一の傾向を示す。特に、Ｍｇの含有量が０．１〜３質量％の範囲内であれば、図１に示す結果と同じになると考えられる。
【００４５】
図１に示すように、熱処理条件（熱処理温度および熱処理時間）は大きく３つの領域に分けられる。領域Ｂでは、Ｍｇ２Ｓｉの析出が起こるため、領域Ａまたは領域Ｃの条件にて熱処理を施せばＭｇ２Ｓｉの析出が抑制されたアルミニウム原型が得られる。ただし領域Ｃの条件では、今回はＭｇ２Ｓｉは観察されなかったが、熱間鍛造中や、熱処理中に観察出来ていない微細なＭｇ２Ｓｉの析出している可能性がある。そのためＭｇ２Ｓｉの析出を防止するためには、３００℃以下で熱処理をした場合よりも、４００℃以上で熱処理を施しＳｉをＡｌ格子中に溶け込ませた場合の方が効果は大きくより好ましい。
領域ＡでＭｇ２Ｓｉの析出が起きないのは、熱処理温度が高く、Ａｌ格子中のＡｌとＳｉが置換するのに十分なエネルギーが与えられ、ＳｉがＡｌ格子中に溶け込み、Ｍｇと結合しにくくなるためである。
また、領域ＣでＭｇ２Ｓｉの析出が起きないのは、Ｓｉが拡散しにくく熱処理中のＳｉの移動距離が短いため、Ｍｇと結合しにくくなるためである。
【００４６】
３００℃超４００℃未満の間で熱処理を行うとＭｇ２Ｓｉが析出してしまうのは、この温度範囲が、不純物であるＳｉが拡散するのに十分な温度であり、またＭｇ２Ｓｉが固溶するには不十分な温度であるためである。つまり、上述したように３００℃以下（図１の領域Ｃ）ではＳｉが拡散しにくいためＭｇ２Ｓｉが析出しにくい。また、４００℃以上（図１の領域Ａ）ではＡｌ格子中のＡｌとＳｉが置換するのに十分なエネルギーが与えられるため、ＳｉがＡｌ格子中に溶け込む。その結果、Ｍｇと結合しにくくなるため、Ｍｇ２Ｓｉの析出は起こりにくくなる。
【００４７】
このように、Ｍｇ２Ｓｉの析出と結晶粒組織には相反する性質があるため、最終用途の必要特性に応じてどちらかを優先させる必要がある。
本実施形態では、Ｍｇ２Ｓｉの析出を抑制させるために、熱処理温度は３００℃以下または４００℃以上とする。熱処理を３００℃以下で行う場合、熱処理温度は３００℃未満が好ましく、２８０℃以下がより好ましく、２５０℃以下が特に好ましい。一方、熱処理を４００℃以上で行う場合、熱処理温度が高くなるにつれて結晶粒が粗大になる傾向にあるが、結晶粒微細化を要求されない用途の場合には、熱処理温度が高くしても差し支えはない。
特に、アルミニウム原型を反射防止物品製造用のスタンパの原型として用いる場合、Ｍｇ２Ｓｉの析出により反射防止物品のヘイズが上昇してしまう恐れがあるため、熱処理温度は４００℃以上とすることが好ましい。一方で、結晶粒が粗大になりすぎると、結晶粒の模様が反射防止物品の表面に転写され、反射防止物品の外観品位を低下させてしまう恐れがあることから、熱処理温度は６００℃以下とすることが好ましい。
【００４８】
なお、図１に示す領域Ａでは、加熱処理工程の後、アルミニウム合金の冷却中に３００℃超４００℃未満の領域に達するため、Ｍｇ２Ｓｉが析出する可能性がある。
従って、本実施形態例では、熱処理工程の後に以下の冷却工程を行う。
【００４９】
（冷却工程）
冷却工程は、４００℃以上で熱処理した場合に熱処理したアルミニウム合金を３００〜４００℃の温度域において１００℃／時間以上の冷却速度で冷却する工程である。
本発明者らは、冷却速度とＭｇ２Ｓｉの析出の関係に着目した結果、４００℃以上で熱処理した場合に、３００〜４００℃の温度域において冷却速度１００℃／時間未満で冷却を行うと、図２に示すようにＭｇ２Ｓｉが析出してしまうことを突き止めた。
図２は、４５０℃からアルミニウム合金を冷却し、０．００１質量％のＭｇ２Ｓｉが析出するときの冷却速度を理論計算により求めた、冷却速度とＭｇ２Ｓｉの析出の関係を示す相関図である。
【００５０】
図２に示すように、冷却速度が領域ＹにあればＭｇ２Ｓｉは析出しないが、冷却速度が領域ＸにかかるとＭｇ２Ｓｉが析出することが予想される。
従って、本実施形態では、４００℃以上で熱処理した場合、熱処理工程の後（特に、図１に示す領域Ａの条件で熱処理工程を行った後）に３００〜４００℃の温度域において１００℃／時間以上の冷却速度でアルミニウム合金を冷却することにより、Ｍｇ２Ｓｉの析出を抑制することができる。特に、３００〜４００℃の温度域、好ましくは２５０〜４００℃の温度域において、１００℃／時間以上、好ましくは３００℃／時間以上、より好ましくは５００℃／時間以上の冷却速度でアルミニウム合金を冷却するのが好ましい。
【００５１】
（切削工程）
切削工程は、冷却したアルミニウム合金を所望の形状に切削してアルミニウム原型を得る工程である。
本発明に用いるアルミニウム合金は、容易に所望の形状に切削できる。切削方法については特に限定されない。
アルミニウム原型の形状は、板形状でもよいしロール形状でもよい。特に、ロール形状に切削すれば、微細凹凸構造を連続的に転写できるスタンパが得られるので、転写物の生産性を高めることができる。
【００５２】
また、アルミニウム原型は、全体が上記のアルミニウム素材から構成されていなくてもよく、少なくともアルミニウム原型の表面が上記のアルミニウム素材から構成されていればよい。例えば円筒状の上記アルミニウム素材に、アルミニウム素材以外からなる芯材をはめ込むなどして、表面が上記のアルミニウム素材から構成され、内部がアルミニウム素材以外の素材から構成されるアルミニウム原型を用いることができる。なお、このような場合、アルミニウム原型の組成とは表面のアルミニウム部分の組成を指すものであり、芯材を加えたアルミニウム原型全体としての組成を指すものでは無い。
【００５３】
＜作用効果＞
以上説明した本発明のアルミニウム原型の製造方法によれば、特定のアルミニウム合金を用いるので、Ｍｇ２Ｓｉの析出を抑制させ、アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数を１０個／１０００μｍ２以下にすることができる。よって、スタンパ表面の凹状欠陥の原因となる第２相粒子の形成を抑制できので、凹状欠陥が抑制されたスタンパを得ることができるアルミニウム原型を製造できる。
なお、塑性加工として熱間鍛造および冷間鍛造を行う場合、加工方向が２方向以上であるため圧延処理や押出処理の場合よりは、異方性の少ない組織を作ることができるが、冷間鍛造後、結晶粒が伸びた加工組織となる場合がある。このような場合には、塑性加工工程の後に特定の条件にて熱処理工程および冷却工程を行うことで、加工組織の痕跡が残りにくく、転写物にも転写されにくい。
【００５４】
また、アルミニウム合金（アルミニウム原型素材）中のＳｉの含有量を低減させれば、Ｍｇ２Ｓｉの析出をより効果的に抑制できる。
ただし、アルミニウム合金中のＳｉの含有量を低減させるには、Ｓｉの含有量の少ないアルミニウム地金を用いたり、鋳造工程で使用する装置などからの汚染を防止する処置を行ったりする必要があり、製品のコストアップにつながる。
このような場合には、塑性加工工程の後に特定の条件にて熱処理工程を行えば、Ｓｉの含有量の少ないアルミニウム地金を用いたり、汚染防止の処置を行ったりしなくても、Ｓｉの拡散を抑制したり、ＳｉをＡｌ格子中に溶け込ませたりできるので、Ｍｇ２Ｓｉの析出を抑制できる。
【００５５】
本発明のアルミニウム原型の製造方法により得られたアルミニウム原型を用いれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパ、すなわち、凹状欠陥が抑制されたスタンパが得られる。
以下、スタンパとその製造方法について説明する。
【００５６】
「スタンパとその製造方法」
＜スタンパの製造方法＞
以下に、本発明のアルミニウム原型、または本発明のアルミニウム原型の製造方法により製造されたアルミニウム原型の表面を陽極酸化することによって、平均間隔が可視光の波長以下である複数の細孔からなる微細凹凸構造を有する酸化皮膜が表面に形成されたスタンパを製造する方法の一例について、図３を参照しながら説明する。
【００５７】
本発明のスタンパの製造方法は、下記の工程（ａ）を有する方法であり、下記の工程（ｂ）および工程（ｃ）をさらに有することが好ましく、下記の工程（ｄ）〜（ｆ）をさらに有することがより好ましい。
（ａ）アルミニウム原型を電解液中で陽極酸化してアルミニウム原型の表面に酸化皮膜を形成する工程（第１の酸化皮膜形成工程）。
（ｂ）前記工程（ａ）の後、工程（ａ）で形成された酸化皮膜を除去する工程（酸化皮膜除去工程）。
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、アルミニウム原型を電解液中で再度陽極酸化して複数の細孔を有する酸化皮膜を形成する工程（第２の酸化皮膜形成工程）。
（ｄ）前記工程（ｃ）または下記工程（ｅ）の後、細孔の径を拡大させる工程（孔径拡大処理工程）。
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、アルミニウム原型を電解液中で再度陽極酸化する工程（酸化皮膜再形成工程）。
（ｆ）前記工程（ｄ）と前記工程（ｅ）とを繰り返し行う工程（繰り返し工程）。
【００５８】
工程（ａ）〜（ｆ）を有する方法によれば、鏡面化されたアルミニウム原型の表面に、開口部から深さ方向に徐々に径が縮小するテーパ形状の細孔が周期的に形成され、その結果、複数の細孔を有する酸化皮膜が表面に形成されたスタンパを得ることができる。
なお、工程（ａ）の前に、アルミニウム原型の表面の酸化皮膜を除去する前処理を行ってもよい。酸化皮膜を除去する方法としてはクロム酸／リン酸混合液に浸漬する方法等が挙げられる。
また、細孔の配列の規則性はやや低下するが、スタンパの表面を転写した材料の用途によっては工程（ａ）を行わず、工程（ｃ）から行ってもよい。
以下、各工程を詳細に説明する。
【００５９】
（工程（ａ））
工程（ａ）では、鏡面化されたアルミニウム原型の表面を電解液中、定電圧下で陽極酸化し、図３に示すように、アルミニウム原型１０の表面に、細孔１２を有する酸化皮膜１４を形成する。
電解液としては、酸性電解液、アルカリ性電解液が挙げられ、酸性電解液が好ましい。
酸性電解液としては、シュウ酸、硫酸、リン酸、これらの混合物等が挙げられる。
【００６０】
シュウ酸を電解液として用いる場合、シュウ酸の濃度は、０．７Ｍ以下が好ましい。シュウ酸の濃度が０．７Ｍを超えると、陽極酸化時の電流値が高くなりすぎて酸化皮膜の表面が粗くなることがある。
また、陽極酸化時の電圧は３０〜８０Ｖの間で適宜設定すればよい。陽極酸化時の電圧を３０〜６０Ｖとすることにより、平均間隔が１００ｎｍ程度の規則性の高い細孔を有する酸化皮膜が表面に形成されたスタンパを得ることができる。陽極酸化時の電圧がこの範囲より高くても低くても規則性が低下する傾向にあり、平均間隔が可視光の波長より大きくなることがある。
電解液の温度は、６０℃以下が好ましく、４５℃以下がより好ましい。電解液の温度が６０℃を超えると、いわゆる「ヤケ」といわれる現象が起こる傾向にあり、細孔が壊れたり、表面が溶けて細孔の規則性が乱れたりすることがある。
【００６１】
硫酸を電解液として用いる場合、硫酸の濃度は０．７Ｍ以下が好ましい。硫酸の濃度が０．７Ｍを超えると、陽極酸化時の電流値が高くなりすぎて定電圧を維持できなくなることがある。
また、陽極酸化時の電圧を２５〜３０Ｖとすることにより、平均間隔が６３ｎｍ程度の規則性の高い細孔を有する酸化皮膜が表面に形成されたスタンパを得ることができる。陽極酸化時の電圧がこの範囲より高くても低くても規則性が低下する傾向があり、平均間隔が可視光の波長より大きくなることがある。
電解液の温度は、３０℃以下が好ましく、２０℃以下がより好ましい。電解液の温度が３０℃を超えると、いわゆる「ヤケ」といわれる現象が起こる傾向にあり、細孔が壊れたり、表面が溶けて細孔の規則性が乱れたりすることがある。
【００６２】
工程（ａ）では、陽極酸化を長時間施すことで形成される酸化皮膜１４が厚くなり、細孔１２の配列の規則性を向上させることができるが、その際、酸化皮膜１４の厚さを０．０１〜３０μｍとすることにより、結晶粒界によるマクロな凹凸がより抑制され、光学用途の物品の製造により適したスタンパを得ることができる。酸化皮膜１４の厚さは、０．０５〜１０μｍがより好ましく、１〜３μｍがさらに好ましい。酸化皮膜１４の厚さは、電界放出形走査電子顕微鏡等で観察できる。
【００６３】
（工程（ｂ））
工程（ａ）の後、工程（ａ）により形成された酸化皮膜１４を除去することにより、図３に示すように、除去された酸化皮膜１４の底部（バリア層と呼ばれる）に対応する周期的な窪み、すなわち、細孔発生点１６を形成する。
形成された酸化皮膜１４を一旦除去し、陽極酸化の細孔発生点１６を形成することで、最終的に形成される細孔の規則性を向上させることができる（例えば、益田、「応用物理」、２０００年、第６９巻、第５号、ｐ．５５８参照。）。
【００６４】
酸化皮膜１４を除去する方法としては、アルミニウムを溶解せず、アルミナを選択的に溶解する溶液によって除去する方法が挙げられる。このような溶液としては、例えば、クロム酸／リン酸混合液等が挙げられる。
工程（ｂ）においては、酸化皮膜１４の一部を除去しても構わないが、酸化皮膜１４を完全に除去することで、より規則性の高い細孔を形成することができる。
【００６５】
（工程（ｃ））
細孔発生点１６が形成されたアルミニウム原型１０を電解液中、定電圧下で再度陽極酸化し、再び酸化皮膜１４を形成する。
工程（ｃ）では、工程（ａ）と同様の条件（電解液濃度、電解液温度、化成電圧等）で陽極酸化すればよい。
これにより、図３に示すように、円柱状の細孔１２が形成された酸化皮膜１４を形成できる。工程（ｃ）においても、陽極酸化を長時間施すほど、深い細孔を得ることができるが、例えば反射防止物品等の光学用の物品を製造するためのスタンパを製造する場合には、ここでは０．０１〜０．５μｍ程度の酸化皮膜を形成すればよく、工程（ａ）で形成するほどの厚さの酸化皮膜を形成する必要はない。
【００６６】
（工程（ｄ））
工程（ｃ）の後、工程（ｃ）で形成された細孔１２の径を拡大させる孔径拡大処理を行って、図３に示すように、細孔１２の径を拡径する。
孔径拡大処理の具体的方法としては、アルミナを溶解する溶液に浸漬して、工程（ｃ）で形成された細孔の径をエッチングにより拡大させる方法が挙げられる。このような溶液としては、例えば、５質量％程度のリン酸水溶液等が挙げられる。工程（ｄ）の時間を長くするほど、細孔の径は大きくなる。
【００６７】
（工程（ｅ））
図３に示すように、再度、陽極酸化すると、円柱状の細孔１２の底部から下に延びる、直径の小さい円柱状の細孔１２がさらに形成される。
陽極酸化は、工程（ａ）と同様な条件で行ってもよく、条件を種々に変更しても構わない。陽極酸化の時間を長くするほど深い細孔を得ることができる。
【００６８】
（工程（ｆ））
工程（ｄ）と工程（ｅ）とを繰り返すことにより、図３に示すように、細孔１２の形状を開口部から深さ方向に徐々に径が縮小するテーパ形状にでき、その結果、周期的な複数の細孔１２を有する酸化皮膜１４が表面に形成されたスタンパ１８を得ることができる。
【００６９】
工程（ｄ）および工程（ｅ）の条件、例えば、陽極酸化の時間および孔径拡大処理の時間を適宜設定することにより、様々な形状の細孔を形成することができる。よって、スタンパから製造しようとする物品の用途等に応じて、これら条件を適宜設定すればよい。例えば、工程（ｄ）と工程（ｅ）とを短い間隔で多数回繰り返すと、略円錐状の細孔を得ることができる。また、工程（ｄ）および工程（ｅ）の時間を調整することで逆釣鐘状や先鋭形状の細孔を形成することができ、適宜形状を変化させたスタンパを製造することができる。また、このスタンパが反射防止膜等の反射防止物品を製造するものである場合には、このように条件を適宜設定することにより、細孔の平均間隔や深さを任意に変更できるため、最適な屈折率変化を設計することも可能となる。
【００７０】
＜スタンパ＞
こうして製造されたスタンパは、多数の周期的な細孔が形成された結果、アルミニウム原型と、該アルミニウム原型の表面に形成された微細凹凸構造とを有するものとなる。
アルミニウム原型は、マグネシウムの含有量が０．１〜３質量％であり、ケイ素の含有量が１００質量ｐｐｍ以下であり、アルミニウムおよびマグネシウム以外の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であり、かつ、当該スタンパの表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のケイ化マグネシウムの個数が１０個／１０００μｍ２以下である。
【００７１】
微細凹凸構造における細孔間の平均間隔が可視光の波長以下、すなわち４００ｎｍ以下であると、いわゆるモスアイ構造となる。
細孔間の平均間隔が４００ｎｍより大きいと可視光の散乱が起こるため、十分な反射防止機能は発現せず、反射防止膜等の反射防止物品の製造には適さない。
細孔間の平均間隔は、電子顕微鏡観察によって隣接する細孔間の間隔（細孔の中心からこれに隣接する細孔の中心までの距離）を５０点測定し、これらの値を平均したものである。
【００７２】
スタンパが反射防止膜等の反射防止物品を製造するものである場合には、細孔間の平均間隔が可視光の波長以下であるとともに、細孔の深さは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。細孔の深さが５０ｎｍ以上であれば、スタンパの表面の転写により形成された光学用途の物品の表面、すなわち転写面の反射率が低下する。細孔の深さは、反射防止膜に設けられる突起（凸部）の機械的強度の観点から、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましい。
細孔の深さは、電子顕微鏡で観察したときにおける、細孔の開口部から最深部までの距離を５０点測定し、これらの値を平均したものである。
【００７３】
スタンパの細孔のアスペクト比（深さ／平均間隔）は、０．５〜５．０が好ましく、０．８〜４．５がより好ましく、１．２〜４．０が特に好ましい。アスペクト比が０．５以上であれば、反射率が低い転写面を形成でき、その入射角依存性や波長依存性も十分に小さくなる。アスペクト比が５．０より大きいと転写面の機械的強度が低下する傾向がある。
【００７４】
スタンパの微細凹凸構造が形成された表面は、離型が容易になるように、離型処理が施されていてもよい。離型処理の方法としては、例えば、シリコーン系ポリマーやフッ素ポリマーをコーティングする方法、フッ素化合物を蒸着する方法、フッ素系またはフッ素シリコーン系のシランカップリング剤をコーティングする方法等が挙げられる。
【００７５】
＜作用効果＞
以上説明したスタンパの製造方法によれば、上述した本発明のアルミニウム原型、または本発明のアルミニウム原型の製造方法により製造されたアルミニウム原型を陽極酸化処理して得られるので、第２相粒子の脱落などによる凹状欠陥が抑制されたスタンパを製造できる。
このようにして得られたスタンパは表面の凹状欠陥が少ないので、凸状欠陥の少ない転写物を製造できる。
【００７６】
「物品の製造方法」
本発明の物品の製造方法は、上述した本発明のスタンパ、または本発明のスタンパの製造方法により製造されたスタンパを用い、スタンパ表面に形成された微細凹凸構造を物品本体の表面に転写する方法である。
具体的には、本発明のスタンパと物品本体との間に活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を充填し、これに活性エネルギー線を照射して硬化させて、スタンパの微細凹凸構造が転写された硬化樹脂層を物品本体の表面に形成し、硬化樹脂層が表面に形成された物品本体をスタンパから剥離する方法（いわゆる光インプリント法）により、微細凹凸構造を表面に有する物品（転写物）を得る。
【００７７】
＜物品本体＞
物品本体の材料としては、物品本体を介して活性エネルギー線の照射を行うため、透明性の高い材料が好ましく、例えばポリカーボネート、ポリスチレン系樹脂、ポリエステル、アクリル系樹脂、セルロース系樹脂（トリアセチルセルロース等）、ポリオレフィン、ガラス等が挙げられる。
また、物品本体の形状としては、フィルム、シート、射出成形品、プレス成形品等が挙げられる。
【００７８】
＜製造装置＞
微細凹凸構造を表面に有する物品は、例えば図４に示す製造装置を用いて、下記のようにして製造される。
表面に微細凹凸構造（図示略）を有するロール状スタンパ２０と、ロール状スタンパ２０の表面に沿って移動する帯状のフィルム（物品本体）４２との間に、タンク２２から活性エネルギー線硬化性樹脂組成物３８を供給する。
【００７９】
ロール状スタンパ２０と、空気圧シリンダ２４によってニップ圧が調整されたニップロール２６との間で、フィルム４２および活性エネルギー線硬化性樹脂組成物３８をニップし、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物３８を、フィルム４２とロール状スタンパ２０との間に均一に行き渡らせると同時に、ロール状スタンパ２０の微細凹凸構造の細孔内に充填する。
【００８０】
ロール状スタンパ２０の下方に設置された活性エネルギー線照射装置２８から、フィルム４２を通して活性エネルギー線硬化性樹脂組成物３８に活性エネルギー線を照射し、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物３８を硬化させることによって、ロール状スタンパ２０の表面の微細凹凸構造が転写された硬化樹脂層４４を形成する。
剥離ロール３０により、表面に硬化樹脂層４４が形成されたフィルム４２をロール状スタンパ２０から剥離することによって、表面に微細凹凸構造を有する物品４０を得る。
【００８１】
活性エネルギー線照射装置２８としては、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等が挙げられる。
活性エネルギー線照の光照射エネルギー量は、１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。
【００８２】
＜物品＞
図５は、本発明の製造方法で得られる、微細凹凸構造を表面に有する物品４０の一例を示す断面図である。
【００８３】
硬化樹脂層４４は、後述の活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる膜であり、表面に微細凹凸構造を有する。
本発明のスタンパを用いた場合の物品４０の表面の微細凹凸構造は、スタンパの酸化皮膜の表面の微細凹凸構造を転写して形成されたものであり、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる複数の凸部（突起）４６を有する。
【００８４】
微細凹凸構造としては、略円錐形状、角錐形状等の凸部（突起）が複数並んだ、いわゆるモスアイ構造が好ましい。突起間の間隔が可視光の波長以下であるモスアイ構造は、空気の屈折率から材料の屈折率へと連続的に屈折率が増大していくことで有効な反射防止の手段となることが知られている。
【００８５】
凸部間の平均間隔は、可視光の波長以下、すなわち４００ｎｍ以下が好ましい。本発明のスタンパを用いて凸部を形成した場合、凸部間の平均間隔は１００ｎｍ程度となることから、２００ｎｍ以下がより好ましく、１５０ｎｍ以下が特に好ましい。
また、凸部間の平均間隔は、凸部の形成のしやすさの点から、２０ｎｍ以上が好ましい。
凸部間の平均間隔は、電子顕微鏡観察によって隣接する凸部間の間隔（凸部の中心から隣接する凸部の中心までの距離）を５０点測定し、これらの値を平均したものである。
【００８６】
凸部の高さは、平均間隔が１００ｎｍの場合は、８０〜５００ｎｍが好ましく、１２０〜４００ｎｍがより好ましく、１５０〜３００ｎｍが特に好ましい。凸部の高さが８０ｎｍ以上であれば、反射率が十分低くなり、かつ反射率の波長依存性が少ない。凸部の高さが５００ｎｍ以下であれば、凸部の耐擦傷性が良好となる。
凸部の高さは、電子顕微鏡によって倍率３００００倍で観察したときにおける、凸部の最頂部と、凸部間に存在する凹部の最底部との間の距離を測定した値である。
【００８７】
凸部のアスペクト比（凸部の高さ／凸部間の平均間隔）は、０．５〜５．０が好ましく、０．８〜４．５がより好ましく、１．２〜４．０が特に好ましい。凸部のアスペクト比が０．５以上であれば、超親水性膜や超撥水性膜として充分に使用できる。凸部のアスペクト比が５．０以下であれば、凸部の耐擦傷性が良好となる。
【００８８】
凸部の形状は、高さ方向と直交する方向の凸部断面積が最表面から深さ方向に連続的に増加する形状、すなわち、凸部の高さ方向の断面形状が、三角形、台形、釣鐘型等の形状が好ましい。
【００８９】
ところで、モスアイ構造を表面に有する場合、その表面が疎水性の材料から形成されていればロータス効果により超撥水性が得られ、その表面が親水性の材料から形成されていれば超親水性が得られることが知られている。
【００９０】
硬化樹脂層４４の材料が疎水性の場合の微細凹凸構造の表面の水接触角は、９０°以上が好ましく、１１０°以上がより好ましく、１２０°以上が特に好ましい。水接触角が９０°以上であれば、水汚れが付着しにくくなるため、十分な防汚性が発揮される。また、水が付着しにくいため、着氷防止を期待できる。
【００９１】
硬化樹脂層４４の材料が親水性の場合の微細凹凸構造の表面の水接触角は、２５°以下が好ましく、２３°以下がより好ましく、２１°以下が特に好ましい。水接触角が２５°以下であれば、表面に付着した汚れが水で洗い流され、また油汚れが付着しにくくなるため、十分な防汚性が発揮される。該水接触角は、硬化樹脂層４４の吸水による微細凹凸構造の変形、それに伴う反射率の上昇を抑える点から、３°以上が好ましい。
【００９２】
＜活性エネルギー線硬化性樹脂組成物＞
活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、重合性化合物および重合開始剤を含む。
重合性化合物としては、分子中にラジカル重合性結合および／またはカチオン重合性結合を有するモノマー、オリゴマー、反応性ポリマー等が挙げられる。
【００９３】
ラジカル重合性結合を有するモノマーとしては、単官能モノマー、多官能モノマーが挙げられる。
単官能モノマーとしては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、アリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリレート誘導体；（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリロニトリル；スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン誘導体；（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド誘導体等が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
【００９４】
多官能モノマーとしては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性ジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル）プロパン、１，２−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）エタン、１，４−ビス（３−（メタ）アクリロキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）ブタン、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのエチレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのプロピレンオキサイド付加物ジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、メチレンビスアクリルアミド等の二官能性モノマー；ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロピレンオキシド変性トリアクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオキシド変性トリアクリレート、イソシアヌール酸エチレンオキサイド変性トリ（メタ）アクリレート等の三官能モノマー；コハク酸／トリメチロールエタン／アクリル酸の縮合反応混合物、ジペンタエリストールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールペンタ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート等の四官能以上のモノマー；二官能以上のウレタンアクリレート、二官能以上のポリエステルアクリレート等が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。
【００９５】
カチオン重合性結合を有するモノマーとしては、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリル基、ビニルオキシ基等を有するモノマーが挙げられ、エポキシ基を有するモノマーが特に好ましい。
【００９６】
オリゴマーまたは反応性ポリマーとしては、不飽和ジカルボン酸と多価アルコールとの縮合物等の不飽和ポリエステル類；ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリオール（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、カチオン重合型エポキシ化合物、側鎖にラジカル重合性結合を有する上述のモノマーの単独または共重合ポリマー等が挙げられる。
【００９７】
光硬化反応を利用する場合、光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾフェノン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、α，α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等のカルボニル化合物；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等の硫黄化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ベンゾイルジエトキシフォスフィンオキサイド等が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９８】
電子線硬化反応を利用する場合、重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノン、メチルオルソベンゾイルベンゾエート、４−フェニルベンゾフェノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２，４−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン；ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等のアセトフェノン；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド；メチルベンゾイルホルメート、１，７−ビスアクリジニルヘプタン、９−フェニルアクリジン等が挙げられる。
これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００９９】
熱硬化反応を利用する場合、熱重合開始剤としては、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシオクトエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系化合物；前記有機過酸化物にＮ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−トルイジン等のアミンを組み合わせたレドックス重合開始剤等が挙げられる。
【０１００】
重合開始剤の量は、重合性化合物１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましい。重合開始剤の量が０．１質量部未満では、重合が進行しにくい。重合開始剤の量が１０質量部を超えると、硬化膜が着色したり、機械強度が低下したりすることがある。
【０１０１】
活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、非反応性のポリマー、活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物、帯電防止剤、防汚性を向上させるためのフッ素化合物等の添加剤、微粒子、少量の溶媒を含んでいてもよい。
【０１０２】
非反応性のポリマーとしては、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリウレタン、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
活性エネルギー線ゾルゲル反応性組成物としては、アルコキシシラン化合物、アルキルシリケート化合物等が挙げられる。
【０１０３】
アルコキシシラン化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリメチルブトキシシラン等が挙げられる。
【０１０４】
アルキルシリケート化合物としては、メチルシリケート、エチルシリケート、イソプロピルシリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｎ−ブチルシリケート、ｎ−ペンチルシリケート、アセチルシリケート等が挙げられる。
【０１０５】
（疎水性材料）
硬化樹脂層の微細凹凸構造の表面の水接触角を９０°以上にするためには、疎水性の材料を形成し得る活性エネルギー線硬化性樹脂組成物として、フッ素含有化合物またはシリコーン系化合物を含む組成物を用いることが好ましい。
【０１０６】
フッ素含有化合物：
フッ素含有化合物としては、フッ素含有モノマー、フッ素含有シランカップリング剤、フッ素含有界面活性剤、フッ素含有ポリマー等が挙げられる。
【０１０７】
フッ素含有モノマーとしては、フルオロアルキル基置換ビニルモノマー、フルオロアルキル基置換開環重合性モノマー等が挙げられる。
フルオロアルキル基置換ビニルモノマーとしては、フルオロアルキル基置換（メタ）アクリレート、フルオロアルキル基置換（メタ）アクリルアミド、フルオロアルキル基置換ビニルエーテル、フルオロアルキル基置換スチレン等が挙げられる。
【０１０８】
フルオロアルキル基置換開環重合性モノマーとしては、フルオロアルキル基置換エポキシ化合物、フルオロアルキル基置換オキセタン化合物、フルオロアルキル基置換オキサゾリン化合物等が挙げられる。
【０１０９】
フッ素含有シランカップリング剤としては、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリアセトキシシラン、ジメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【０１１０】
フッ素含有界面活性剤としては、フルオロアルキル基含有アニオン系界面活性剤、フルオロアルキル基含有カチオン系界面活性剤等が挙げられる。
【０１１１】
フッ素含有ポリマーとしては、フルオロアルキル基含有モノマーの重合体、フルオロアルキル基含有モノマーとポリ（オキシアルキレン）基含有モノマーとの共重合体、フルオロアルキル基含有モノマーと架橋反応性基含有モノマーとの共重合体等が挙げられる。フッ素含有ポリマーは、共重合可能な他のモノマーとの共重合体であってもよい。
【０１１２】
シリコーン系化合物：
シリコーン系化合物としては、（メタ）アクリル酸変性シリコーン、シリコーン樹脂、シリコーン系シランカップリング剤等が挙げられる。
（メタ）アクリル酸変性シリコーンとしては、シリコーン（ジ）（メタ）アクリレート等が挙げられ、例えば、信越化学工業社製のシリコーンジアクリレート「ｘ−２２−１６４」「ｘ−２２−１６０２」等が好ましく用いられる。
【０１１３】
（親水性材料）
硬化樹脂層の微細凹凸構造の表面の水接触角を２５°以下にするためには、親水性の材料を形成し得る活性エネルギー線硬化性樹脂組成物として、少なくとも親水性モノマーを含む組成物を用いることが好ましい。また、耐擦傷性や耐水性付与の観点からは、架橋可能な多官能モノマーを含むものがより好ましい。なお、親水性モノマーと架橋可能な多官能モノマーは、同一（すなわち、親水性多官能モノマー）であってもよい。さらに、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、その他のモノマーを含んでいてもよい。
【０１１４】
親水性の材料を形成し得る活性エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、４官能以上の多官能（メタ）アクリレート、２官能以上の親水性（メタ）アクリレート、必要に応じて単官能モノマーを含む組成物を用いることがより好ましい。
【０１１５】
４官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、コハク酸／トリメチロールエタン／アクリル酸のモル比１：２：４の縮合反応混合物、ウレタンアクリレート類（ダイセル・サイテック社製：ＥＢＥＣＲＹＬ２２０、ＥＢＥＣＲＹＬ１２９０、ＥＢＥＣＲＹＬ１２９０Ｋ、ＥＢＥＣＲＹＬ５１２９、ＥＢＥＣＲＹＬ８２１０、ＥＢＥＣＲＹＬ８３０１、ＫＲＭ８２００）、ポリエーテルアクリレート類（ダイセル・サイテック社製：ＥＢＥＣＲＹＬ８１）、変性エポキシアクリレート類（ダイセル・サイテック社製：ＥＢＥＣＲＹＬ３４１６）、ポリエステルアクリレート類（ダイセル・サイテック社製：ＥＢＥＣＲＹＬ４５０、ＥＢＥＣＲＹＬ６５７、ＥＢＥＣＲＹＬ８００、ＥＢＥＣＲＹＬ８１０、ＥＢＥＣＲＹＬ８１１、ＥＢＥＣＲＹＬ８１２、ＥＢＥＣＲＹＬ１８３０、ＥＢＥＣＲＹＬ８４５、ＥＢＥＣＲＹＬ８４６、ＥＢＥＣＲＹＬ１８７０）等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
４官能以上の多官能（メタ）アクリレートとしては、５官能以上の多官能（メタ）アクリレートがより好ましい。
【０１１６】
４官能以上の多官能（メタ）アクリレートの割合は、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を構成する全モノマーの合計に対し、１０〜９０質量％が好ましく、２０〜９０質量％がより好ましく、３０〜９０質量％が特に好ましい。４官能以上の多官能（メタ）アクリレートの割合が１０質量％以上であれば、弾性率が高くなって耐擦傷性が向上する。４官能以上の多官能（メタ）アクリレートの割合が９０質量％以下であれば、表面に小さな亀裂が入りにくく、外観不良となりにくい。
【０１１７】
２官能以上の親水性（メタ）アクリレートとしては、アロニックスＭ−２４０、アロニックスＭ２６０（東亞合成社製）、ＮＫエステルＡＴ−２０Ｅ、ＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ（新中村化学社製）等の長鎖ポリエチレングリコールを有する多官能アクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１１８】
ポリエチレングリコールジメタクリレートにおいて、一分子内に存在するポリエチレングリコール鎖の平均繰り返し単位の合計は、６〜４０が好ましく、９〜３０がより好ましく、１２〜２０が特に好ましい。ポリエチレングリコール鎖の平均繰り返し単位が６以上であれば、親水性が十分となり、防汚性が向上する。ポリエチレングリコール鎖の平均繰り返し単位が４０以下であれば、４官能以上の多官能（メタ）アクリレートとの相溶性が良好となり、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物が分離しにくい。
【０１１９】
２官能以上の親水性（メタ）アクリレートの割合は、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を構成する全モノマーの合計に対し、３〜９０質量％が好ましく、３〜７０質量％がより好ましい。２官能以上の親水性（メタ）アクリレートの割合が３質量％以上であれば、親水性が十分となり、防汚性が向上する。２官能以上の親水性（メタ）アクリレートの割合が９０質量％以下であれば、弾性率が高くなって耐擦傷性が向上する。
【０１２０】
単官能モノマーとしては、親水性単官能モノマーが好ましい。
親水性単官能モノマーとしては、Ｍ−２０Ｇ、Ｍ−９０Ｇ、Ｍ−２３０Ｇ（新中村化学社製）等のエステル基にポリエチレングリコール鎖を有する単官能（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート等のエステル基に水酸基を有する単官能（メタ）アクリレート、単官能アクリルアミド類、メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート、メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウムメチルサルフェート等のカチオン性モノマー類等が挙げられる。
また、単官能モノマーとして、アクリロイルモルホリン、ビニルピロリドン等の粘度調整剤、物品本体への密着性を向上させるアクリロイルイソシアネート類等の密着性向上剤等を用いてもよい。
【０１２１】
単官能モノマーの割合は、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を構成する全モノマーの合計に対し、０〜２０質量％が好ましく、５〜１５質量％がより好ましい。単官能モノマーを用いることにより、基材と硬化樹脂との密着性が向上する。単官能モノマーの割合が２０質量％以下であれば、４官能以上の多官能（メタ）アクリレートまたは２官能以上の親水性（メタ）アクリレートが不足することなく、防汚性または耐擦傷性が十分に発現する。
【０１２２】
単官能モノマーは、１種または２種以上を（共）重合した低重合度の重合体として活性エネルギー線硬化性樹脂組成物に０〜３５質量部配合してもよい。低重合度の重合体としては、Ｍ−２３０Ｇ（新中村化学社製）等のエステル基にポリエチレングリコール鎖を有する単官能（メタ）アクリレート類と、メタクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムメチルサルフェートとの４０／６０共重合オリゴマー（ＭＲＣユニテック社製、ＭＧポリマー）等が挙げられる。
【０１２３】
＜作用効果＞
以上説明した本発明の物品の製造方法によれば、上述した本発明のアルミニウム原型、または本発明のアルミニウム原型の製造方法により製造されたアルミニウム原型を陽極酸化処理して得られるスタンパを用いる。該スタンパは、表面の凹状欠陥が抑制されているので、本発明によれば、凸状欠陥（例えば図６に示す凸状欠陥（金平糖状欠陥）Ｄ）の少ない物品が得られる。具体的には、相当直径が５００ｎｍ以上の凸状欠陥の個数が２０個／１０００μｍ２以下の物品が得られやすい。
【０１２４】
本発明により得られる物品は、表面の微細凹凸構造によって、反射防止性能、撥水性能等の種々の性能を発揮する。物品の用途としては、反射防止物品、防曇性物品、防汚性物品、撥水性物品、より具体的には、ディスプレー用反射防止、自動車メーターカバー、自動車ミラー、自動車窓、有機または無機エレクトロルミネッセンスの光取り出し効率向上部材、太陽電池部材等が挙げられる。
【０１２５】
例えば物品が反射防止物品である場合、該反射防止物品は、物品本体として透明基材と、該透明基材上に形成され、平均間隔が可視光の波長以下である複数の突起からなる微細凹凸構造とを有する。
また、この反射防止物品は、上述したスタンパを用いて製造されるので、微細凹凸構造の表面における、相当直径が５００ｎｍ以上の凸状欠陥の個数が２０個／１０００μｍ２以下、好ましくは１０個／１０００μｍ２以下となりやすい。また、ヘイズが０．５％以下、好ましくは０．３％以下となりやすい。
ここで、「透明」とは、活性エネルギー線を透過することを意味する。
【実施例】
【０１２６】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１２７】
「実施例１」
＜アルミニウム原型の製造＞
純度９９．９９５質量％のＡｌに、１．１４質量％のＭｇを添加し溶解した。この溶湯を５０８ｍｍ厚×１１１０ｍｍ幅のＤＣ鋳造鋳型にて、鋳造温度６８０℃、鋳造速度５２ｍｍ／分、冷却水量２３０Ｌ／分／鋳型長さ１ｍ当りの鋳造条件にて長さ３８５０ｍｍの鋳塊（アルミニウム原型素材）を鋳造した（鋳造工程）。
この鋳造の際、鋳型へ流れ込む溶湯へ微細化剤（Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ）をＴｉの含有量の上昇が、添加前に比べて８ｐｐｍ、Ｂの含有量の上昇が添加前に比べて２ｐｐｍになるように連続的に添加し、Ａｌの純度（含有量）が９８．８６質量％、Ｓｉの含有量が１４質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量が６質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量が８質量ｐｐｍ、Ｂの含有量が４質量ｐｐｍ、その他の元素の含有量が合計で１４質量ｐｐｍの鋳塊とした。得られた鋳塊の平均結晶粒径は１４０μｍであった。アルミニウム原型素材の成分組成を表１に示す。
なお、鋳塊の「平均結晶粒径」とは、鋳塊の被加工面における任意に選ばれた１００個以上の結晶粒について算出された円換算直径の平均値である。被加工面の結晶粒の観察は光学顕微鏡などで行うことができ、円換算直径の平均値は、日本ローパー社製の「Ｉｍａｇｅ−Ｐｒｏ  ＰＬＵＳ」の画像解析ソフトウエアを用いることで求めた。【０１２８】
ついで、得られた鋳塊から３３１ｍｍ×３３１ｍｍ×５０８ｍｍの大きさのアルミニウム合金を切出し、これを鍛造素材とした。この鍛造素材を３７３℃まで加熱（予熱）し、０．７５Ｕ−（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの１回目の熱間鍛造を行い、３４７℃にて終えた。ついで３６１℃に再加熱（再予熱）を行った後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの２回目の熱間鍛造を行い、３２９℃にて終えた。
熱間鍛造後の鍛造素材を３５℃まで冷却した後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×２サイクル−３．１Ｓの冷間鍛造を行い、φ２４５ｍｍ×１１８０ｍｍＬの形状とし１４５℃にて終えた（塑性加工工程）。熱間鍛造および冷間鍛造の条件等を表２に示す。【０１２９】
ついで、冷間鍛造後の鍛造素材を３５０ｍｍＬに切断し、これを昇温速度５０℃／時間の条件で４００℃まで昇温し、４００℃で１時間保持して熱処理を行い（熱処理工程）、さらに水冷を行い（冷却工程）、アルミニウム原型を得た。なお、冷却工程での冷却速度は約１００００℃／時間であった。【０１３０】
熱処理工程前後のアルミニウム原型について、以下のようにして第２相粒子を観察した。
まず、熱処理工程前のアルミニウム原型から２０ｍｍ×２０ｍｍ×２０ｍｍの大きさの試料を採取し、第２相粒子（Ｍｇ２Ｓｉ）を観察したところ、Ｍｇ２Ｓｉの析出は観察されなかった。なお、第２相粒子の観察は、試料をエメリー紙で機械研磨した後、イオンスライサーで薄片試料とし、ＴＥＭにて行った。
また、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）反射電子像を用いてＭｇ２Ｓｉの定量化を行なったところ、アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数は、熱処理工程前のアルミニウム原型の場合が０個／１０００μｍ２であり、熱処理工程後のアルミニウム原型の場合が０．３個／１０００μｍ２であった。
さらに、熱処理工程後のアルミニウム原型の平均結晶粒径について、鋳塊の平均結晶粒径と同様の方法で測定したところ、１３４μｍであった。【０１３１】
＜評価＞
（スタンパの製造）
得られたアルミニウム原型を用い、上述した工程（ａ）〜（ｆ）を行い、平均間隔１００ｎｍ、深さ１５０ｎｍの略円錐形状の複数の細孔を有する陽極酸化アルミナが表面に形成された板状のスタンパを得た。
得られたスタンパを、オプツールＤＳＸ（ダイキン工業社製）の０．１質量％希釈溶液に浸漬し、一晩風乾して、陽極酸化アルミナの表面を離型剤で処理した。
なお、陽極酸化アルミナの細孔は、以下のようにして測定した。
陽極酸化アルミナの一部を削り、断面にプラチナを１分間蒸着し、電界放出形走査電子顕微鏡（日本電子社製、ＪＳＭ−７４００Ｆ）を用いて、加速電圧３．００ｋＶの条件にて、断面を観察し、細孔間の間隔、細孔の深さを測定した。各測定は、それぞれ５０点について行い、平均値を求めた。【０１３２】
（活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の調製）
コハク酸／トリメチロールエタン／アクリル酸のモル比１：２：４の縮合反応混合物の４５質量部、
１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（大阪有機化学工業社製）の４５質量部、
ラジカル重合性シリコーンオイル（信越化学工業社製、Ｘ−２２−１６０２）の１０質量部、
１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・スペシャリティーケミカルズ社製、イルガキュア（登録商標）１８４）の３質量部、
ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド（チバ・スペシャリティーケミカルズ社製、イルガキュア（登録商標）８１９）の０．２質量部
を混合し、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を得た。【０１３３】
（物品の製造）
スタンパの表面に、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物を塗布し、この上に厚さ１００μｍのアクリルフィルム（三菱レイヨン社製、ＨＢＫ００３）を被せた。
紫外線照射機（フュージョンランプＤバルブ）を用いて、積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ２でフィルム越しに紫外線を照射し、活性エネルギー線硬化性樹脂組成物の硬化を行った後、スタンパから分離し、円錐台形状の複数の凸部からなる凹凸構造を表面に有する厚さ１０μｍの硬化樹脂層が表面に形成された物品（転写物）を得た。
凸部間の平均間隔は１００ｎｍであり、凸部の高さは約１５０ｎｍであり、凸部の底部の幅は１００ｎｍであった。
なお、硬化樹脂層の凸部は、以下のようにして測定した。
硬化樹脂層の破断面にプラチナを１０分間蒸着し、陽極酸化アルミナの細孔の測定と同様にして断面を観察し、凸部間の間隔、凸部の高さを測定した。各測定は、それぞれ５０点について行い、平均値を求めた。【０１３４】
得られた物品の表面についてＳＥＭ観察を行い、図６に示すような凸状欠陥（金平糖状欠陥）Ｄの個数を測定した。測定は５回行い、平均値を求めた。
また、ＩＳＯ  １３４６８−１：１９９６（ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１：１９９７）に準拠したヘイズメータ（スガ試験機社製）を用いて、得られた物品のヘイズを測定した。
これらの結果を表３に示す。【０１３５】
「実施例２」
純度９９．９９５質量％のＡｌに、０．２８質量％のＭｇを添加し溶解した。この溶湯を５０８ｍｍ厚×１１１０ｍｍ幅のＤＣ鋳造鋳型にて、鋳造温度６８０℃、鋳造速度５２ｍｍ／分、冷却水量２３０Ｌ／分／鋳型長さ１ｍ当りの鋳造条件にて長さ３８５０ｍｍの鋳塊（アルミニウム原型素材）を鋳造した（鋳造工程）。
この鋳造の際、鋳型へ流れ込む溶湯へ微細化剤（Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ）をＴｉの含有量の上昇が、添加前に比べて８ｐｐｍ、Ｂの含有量の上昇が添加前に比べて２ｐｐｍになるように連続的に添加し、Ａｌの純度（含有量）が９９．７２質量％、Ｓｉの含有量が１３質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量が５質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量が１０質量ｐｐｍ、Ｂの含有量が４質量ｐｐｍ、その他の元素の含有量が合計で１９質量ｐｐｍの鋳塊とした。得られた鋳塊の平均結晶粒径は１４０μｍであった。アルミニウム原型素材の成分組成を表１に示す。【０１３６】
ついで、得られた鋳塊から３３１ｍｍ×３３１ｍｍ×５０８ｍｍの大きさのアルミニウム合金を切出し、これを鍛造素材とした。この鍛造素材を３７０℃まで加熱（予熱）し、０．７５Ｕ−（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの１回目の熱間鍛造を行い、３３０℃にて終えた。ついで３６０℃に再加熱（再予熱）を行った後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの２回目の熱間鍛造を行い、３２０℃にて終えた。
熱間鍛造後の鍛造素材を２８℃まで冷却した後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×２サイクル−３．１Ｓの冷間鍛造を行い、φ２４５ｍｍ×１１８０ｍｍＬの形状とし１３０℃にて終えた（塑性加工工程）。熱間鍛造および冷間鍛造の条件等を表２に示す。【０１３７】
ついで、冷間鍛造後の鍛造素材を用いて、実施例１と同様にして熱処理工程および冷却工程を行い、アルミニウム原型を得た。【０１３８】
熱処理工程前後のアルミニウム原型について、実施例１と同様にして第２相粒子を観察したところ、Ｍｇ２Ｓｉの析出は観察されなかった。
また、ＳＥＭ反射電子像を用いてＭｇ２Ｓｉの定量化を行なったところ、アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数は、熱処理工程前のアルミニウム原型の場合が１．２個／１０００μｍ２であり、熱処理工程後のアルミニウム原型の場合が０．３個／１０００μｍ２であった。
さらに、熱処理工程後のアルミニウム原型の平均結晶粒径について、鋳塊の平均結晶粒径と同様の方法で測定したところ、１６６μｍであった。
また、得られたアルミニウム原型を用い、実施例１と同様にしてスタンパを作製し、物品を製造して、凸状欠陥の個数を計測し、ヘイズを測定した。これらの結果を表３に示す。【０１３９】
「比較例１」
純度９９．９９５質量％のＡｌに、１．０４質量％のＭｇを添加し溶解した。この溶湯を５０８ｍｍ厚×１１１０ｍｍ幅のＤＣ鋳造鋳型にて、鋳造温度６８０℃、鋳造速度５２ｍｍ／分、冷却水量２３０Ｌ／分／鋳型長さ１ｍ当りの鋳造条件にて長さ３８５０ｍｍの鋳塊（アルミニウム原型素材）を鋳造した（鋳造工程）。
この鋳造の際、鋳型へ流れ込む溶湯へ微細化剤（Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ）をＴｉの含有量の上昇が、添加前に比べて８ｐｐｍ、Ｂの含有量の上昇が添加前に比べて２ｐｐｍになるように連続的に添加し、Ａｌの純度（含有量）が９８．９６質量％、Ｓｉの含有量が２０質量ｐｐｍ、Ｆｅの含有量が９質量ｐｐｍ、Ｔｉの含有量が９質量ｐｐｍ、Ｂの含有量が４質量ｐｐｍ、その他の元素の含有量の合計が１５質量ｐｐｍの鋳塊とした。得られた鋳塊の平均結晶粒径は３５０μｍであった。アルミニウム原型素材の成分組成を表１に示す。【０１４０】
ついで、得られた鋳塊から３３１ｍｍ×３３１ｍｍ×５０８ｍｍの大きさのアルミニウム合金を切出し、これを鍛造素材とした。この鍛造素材を３６９℃まで加熱（予熱）し、０．７５Ｕ−（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの１回目の熱間鍛造を行い、３２５℃にて終えた。ついで３６０℃に再加熱（再予熱）を行った後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×３サイクルの２回目の熱間鍛造を行い、３１９℃にて終えた。
熱間鍛造後の鍛造素材を３０℃まで冷却した後、（１．５Ｓ−２／３Ｕ）×２サイクル−３．１Ｓの冷間鍛造を行い、φ２４５ｍｍ×１１８０ｍｍＬの形状とし１７３℃にて終えた（塑性加工工程）。熱間鍛造および冷間鍛造の条件等を表２に示す。【０１４１】
ついで、塑性加工工程の後、冷間鍛造後の鍛造素材を昇温速度１００℃／時間の条件で３５０℃まで昇温し、３５０℃で１時間保持して熱処理を行い（熱処理工程）、さらに１２時間かけて５０℃まで空冷を行い（冷却工程）、アルミニウム原型を得た。【０１４２】
熱処理工程前後のアルミニウム原型について、実施例１と同様にして第２相粒子を観察したところ、Ｍｇ２Ｓｉの析出が観察された。
また、ＳＥＭ反射電子像を用いてＭｇ２Ｓｉの定量化を行なったところ、アルミニウム原型の表面における、相当直径が１０ｎｍ以上のＭｇ２Ｓｉの個数は、熱処理工程前のアルミニウム原型の場合が０．２個／１０００μｍ２であり、熱処理工程後のアルミニウム原型の場合が１２．３個／１０００μｍ２であった。
さらに、得られたアルミニウム原型の平均結晶粒径について、鋳塊の平均結晶粒径と同様の方法で測定したところ、６３μｍであった。
また、得られたアルミニウム原型を用い、実施例１と同様にしてスタンパを作製し、物品を製造して、凸状欠陥の個数を計測し、ヘイズを測定した。これらの結果を表３に示す。【０１４３】
【表１】
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【０１４４】
【表２】
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【０１４５】
【表３】
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【０１４６】
表３から明らかなように、実施例１および２で得られたアルミニウム原型によれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができた。熱処理温度が３００℃以上４００℃未満で熱処理工程を行った比較例１と比べると、実施例１および２は熱処理工程後のアルミニウム原型表面におけるＭｇ２Ｓｉの個数が少なかった。また、転写物表面における凸状欠陥の個数も、実施例１および２は比較例１に比べて少なく、物品のヘイズも低かった。
【産業上の利用可能性】
【０１４７】
本発明のスタンパ用アルミニウム原型を用いれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができる。
また、本発明のスタンパ用アルミニウム原型の製造方法によれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパを得ることができるスタンパ用アルミニウム原型が得られる。
また、本発明のスタンパの製造方法によれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できるスタンパが得られる。
また、本発明のスタンパを用いれば、凸状欠陥の少ない転写物を製造できる。
また、本発明の物品の製造方法によれば、凸状欠陥の少ない物品が得られる。
また、本発明の反射防止物品は、凸状欠陥が少ない。
【符号の説明】
【０１４８】
１０  スタンパ用アルミニウム原型
１２  細孔
１４  酸化皮膜
１８  スタンパ
２０  ロール状スタンパ
４０  物品
４２  フィルム（物品本体）
４６  凸部（突起）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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