(57)【要約】【課題】キャビティを囲む側壁を薄肉化し且つ全体が小型化したセラミック製の配線基板、および該配線基板を複数併有し且つ隣接する配線基板ごとの表面に形成した各導体層の上に配設するロウ材同士が金属枠を接合する際に架橋状に連なる不具合を生じ難い多数個取り配線基板を提供する。【解決手段】板状のセラミックＳからなり、表面３および裏面４を有し、該表面３と該裏面４との間の高さＨが０．８ｍｍ以下である基板本体２と、該基板本体２の表面３に開口し且つ平面視が矩形のキャビティ１０と、該キャビティ１０の側面１２と基板本体２の側面との間の厚みＴが０．３ｍｍ以下となる側壁５と、を備えた配線基板１であって、上記基板本体２の表面３に形成され且つ上記キャビティ１０の開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層１６と、該導体層１６に隣接し且つ基板本体２の表面３の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面７と、キャビティ１０の側面１２における該キャビティ１０の底面１１と上記表面３との間に沿って基板本体２内に形成され、キャビティ１０の側面１２に一部１５ａが露出し、上端側で上記導体層１６と接続するビア導体１５とを、有する、配線基板１。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの側面における該キャビティの底面と上記表面との間に沿って上記基板本体内に形成され、上記キャビティの側面に一部が露出し、一端側で上記導体層と接続するビア導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの底面と上記表面との間における該キャビティの側面に形成され、一端側で上記導体層と接続する内側面導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の複数の配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、
前記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、
隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティを囲む側壁を薄肉化し且つ全体が小型化したセラミック製の配線基板（セラミックパッケージ）、および該配線基板を複数併設し且つ隣接する配線基板ごとの表面に形成した導体層の上に配設するロウ材同士が金属枠を接合する際に架橋状に連なる不具合や、上記導体層の表面に被覆したメッキ層のダレにて抵抗溶接すべき金属蓋の接合不良が生じ難い多数個取り配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子などの電子部品を実装するためのキャビティを有する箱形状の配線基板は、全体の小型化を図るため、上記キャビティを囲む側壁の薄肉化が求められている。例えば、平面視が円弧形状で且つ一部がキャビティの内側面に平坦な垂直面として露出する複数のビア導体を側壁に形成し、該ビア導体ごとの上端を、上記キャビティの開口部を囲む平面視が矩形枠状の表面に形成した複数のワイヤーボンディング用のパッドに個別に接続すると共に、上記ビア導体ごとの下端を、上記キャビティの底面に形成した複数の電極パッドに個別に接続するようにしたパッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
しかし、前記キャビティを囲む平面視が矩形枠状の表面を含む側壁を薄肉化すると、多数個取り配線基板において隣接して配置した複数の配線基板の導体層ごとの上に、上記表面上に金属枠をロウ付けするために配置したロウ材を溶融した際に、隣接するロウ材同士が架橋状に連なる不具合を生じる場合があった。
一方、矩形枠状の表面に設けた導体層とキャビティの底面に形成された導体層とを導通するため、両導体層の間を接続する壁面導体層を前記キャビティの側壁に沿って印刷により形成した場合、未接続部の発生による断線、生産性の低下、あるいは壁面導体層の表面導体層側への立ち上がりによる該表面導体層の上にロウ付けされる金属枠が水平姿勢になり難い場合がある、という問題点があった。
更に、前記導体層が枠状の前記表面の幅全体に形成されていると、該導体層の表面に被覆したＮｉやＡｕのメッキ層の一部が上記表面から外れ側壁の外面側やキャビティの内面側に垂れ下がる、いわゆるメッキダレが生じるので、上記導体層の上に金属蓋を抵抗溶接で接合する際に、上記ダレ量に応じて電気抵抗値が変化し易くなる。そのため、上記導体層側のメッキ層と上記金属蓋の表面に被覆したメッキ層との間に溶接不良による封止不良が生じることにより、前記キャビティ内に実装した電子部品が正常に動作しなくなる場合もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７０４９９号公報(第１〜１１頁、図１〜７)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、キャビティを囲む側壁を薄肉化し且つ全体を小型化したセラミック製の配線基板、および該配線基板を複数併有し且つ隣接する配線基板ごとの表面に形成した各導体層の上に配設するロウ材同士が金属枠を接合する際に架橋状に連なる不具合や、上記導体層の表面に被覆したメッキ層のメッキダレにより該導体層の上に抵抗溶接すべき金属蓋の接合不良が生じ難い多数個取り配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、所定サイズ以下とした基板本体の表面に開口するキャビティを囲む矩形枠状の表面に形成すべき導体層を内外方向にてキャビティ側に偏寄すると共に、該導体層に一端が接続されるビア導体の一部を上記キャビティの側面に露出するように基板本体の内部に配置する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の配線基板（請求項1）は、板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、該基板本体の表面に開口するキャビティと、該キャビティの側面と基板本体の側面（外側面）との間の厚みが０．３ｍｍ以下とした側壁と、を備えた配線基板であって、上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、該導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、上記キャビティの側面における該キャビティの底面と上記表面との間に沿って上記基板本体内に形成され、上記キャビティの側面に一部が露出し、一端側で上記導体層と接続するビア導体とを、有する、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記導体層に一端が接続され且つキャビティの側面に一部が露出するビア導体が、平面視における断面が後述するように円形状よりも薄肉化しているため、該ビア導体を内設する上記キャビティを囲む側壁の厚みが０．３ｍｍ以下の薄肉とし、且つ基板本体における表面と裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下とする小型化した配線基板となっている。
しかも、平面視で矩形枠状を呈する基板本体の表面において、該表面に形成された導体層の外周側に沿って枠形状のセラミック面が位置しているため、複数の配線基板を得るための後述する多数個取り配線基板の状態で、隣接する配線基板ごとの表面に形成された導体層ごとの上に金属枠（リング）をロウ付けするために配設したロウ材を溶融した際に、上記隣接する配線基板ごとのロウ材同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できる。その結果、上記金属枠の上に金属蓋などを接合することにより、配線基板ごとのキャビティを確実に封止することが可能となる。
更に、前記基板本体の表面に枠状に形成された導体層と該導体層に隣接して前記表面の外周側に沿って平面視が枠形状のセラミック面が位置しているため、前述したようなメッキダレが生じにくくなる。その結果、上記導体層の上に金属蓋を抵抗溶接で接合する際に、電気抵抗値が安定し、上記導体層側のメッキ層と金属蓋の表面に被覆したメッキ層とを良好に接合できるので、封止性が向上して前記キャビティ内に実装する電子部品の正常な動作を保証することが可能となる。
【０００８】
更に、本発明による第２の配線基板（請求項２）は、板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、該基板本体の表面に開口するキャビティと、該キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、該導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、上記キャビティの底面と上記表面との間における該キャビティの側面に形成され、一端側で上記導体層と接続する内側面導体とを、有する、ことを特徴とする。
【０００９】
これによれば、前記導体層に一端が接続され且つキャビティの側面に形成された内側面導体が薄いため、該内側面導体を内設する上記キャビティを囲む側壁の厚みが０．３ｍｍ以下の薄肉とし、且つ基板本体における表面と裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下とする小型化した配線基板となっている。
しかも、前記同様に基板本体の表面に形成された導体層の外周側に沿って枠形状のセラミック面が位置しているため、多数個取り配線基板の状態で、隣接する配線基板ごとの表面に形成された導体層ごとの上に金属枠をロウ付けするために配設したロウ材を溶融した際に、隣接する配線基板ごとのロウ材同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できる。その結果、金属枠の上に金属蓋などを接合することにより、配線基板ごとのキャビティを確実に封止することが可能となる。
更に、基板本体の表面に枠状に形成された導体層と該導体層に隣接して前記表面の外周側に沿って平面視が枠形状のセラミック面が位置しているため、前述したメッキダレが生じにくくなり、上記導体層の上に金属蓋を抵抗溶接で接合する際に、電気抵抗値が安定し、上記導体層側のメッキ層と金属蓋の表面に被覆したメッキ層とを良好に接合できるので、封止性が向上して前記キャビティ内に実装する電子部品の正常な動作を保証可能にし得る。
【００１０】
尚、前記セラミックには、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミックや、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックが含まれる。
また、前記基板本体は、２層以上のグリーンシートを積層および圧着し、且つ該積層体を焼成した複数のセラミック層からなる積層体である。
更に、前記基板本体は、その表面に開口する平面視が矩形などを呈する前記キャビティのほかに、該基板本体の裏面においても上記キャビティと対称に開口する別のキャビティを有する形態としても良い。換言すれば、前記キャビティには、基板本体の表面または裏面のみに開口する形態と、同じ基板本体の表面および裏面の双方に開口する形態とが含まれる。尚、キャビティは、平面視で矩形（正方形あるいは長方形）を呈する形状に限らない。
また、前記基板本体において、表面と裏面との間の高さを０．８ｍｍ以下とし、且つ該表面を含む側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたのは、該基板本体を含む本配線基板を小型化すると共に、側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたことに起因して、前記ビア導体の一部をキャビティの側面に露出させる構成としたものである。
更に、前記ビア導体は、１つの配線基板ごとに少なくとも１個が形成される。
また、前記キャビティの底面には、水晶振動子、ＳＡＷフィルタ、トランジスタ、インダクタ、半導体素子、あるいはコンデンサなどの電子部品や、発光ダイオードなどの発光素子を実装するための一対の電極が形成されている。
加えて、前記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜を被覆され、該Ｎｉメッキ膜の上にＡｇロウおよびＡｕメッキ膜を介して枠形状の金具が接合される。あるいは、上記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆され、該Ａｕメッキ膜の上に前記キャビティを閉塞（封止）するための金属製の蓋が接合される。
【００１１】
また、本発明には、前記ビア導体は、断面が半円形、円弧形、半長円形、あるいは半楕円形の何れかであり、且つ断面積がベースとなる円形、長円形、あるいは楕円形の断面積の５０〜９０％である、第１の配線基板も含まれ得る。
これによる場合、前記ビア導体の断面が半円形、円弧形、半長円形、あるいは半楕円形であり、且つこれらの断面積がベースとなる円形、長円形、あるいは楕円形の断面積の５０〜９０％としたので、該ビア導体を内設する前記キャビティを囲む前記基板本体の側壁を確実に薄肉化でき、これに伴って配線基板（パッケージ）全体の小型化も一層容易となる。
尚、前記ビア導体の断面積がベースとなる円形、長円形、あるいは楕円形の断面積の５０％未満になると、通電時の電気抵抗値が顕著に増え始め、一方、前記断面積の９０％を超えると、キャビティを囲む側壁の薄肉化が困難となるので、これらの範囲を除いたものである。
また、前記のような断面形状を有するビア導体は、グリーンシートに穿孔した断面円形状のビアホール内にＷ粉末やＭｏ粉末などを含む導電性ペーストを充填して断面が円形状で且つ未焼成のビア導体を予め形成した後、該ビア導体の径方向、あるいは該径方向と接線方向との間にこれらと平行な方向に沿った上記ビア導体の断面と交差する垂直面を含む平面視が矩形状を呈し且つキャビティに相当する内側部分を打ち抜き加工することによって、形成することができる。
更に、前記第２の配線基板における内側面導体は、前記キャビティの一側面における中間に形成するほか、隣接する一対の側面間のコーナ部に形成した形態としても良い。
【００１２】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項３）は、複数の前記配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、前記配線基板と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、ことを特徴とする。
これによれば、個々の配線基板における基板本体の表面（側壁）を薄肉化し且つ各配線基板および製品領域全体を小型化できると共に、隣接する配線基板ごとの表面に形成された導体層ごとの上に配置したロウ材を溶融した際に、上記隣接する配線基板ごとのロウ材同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できる。その結果、上記ロウ材を介して金属枠や該金属枠の上に金属蓋などを接合することで、隣接する配線基板ごとのキャビティ内を確実に封止することが可能となる。
【００１３】
尚、前記多数個取り配線基板は、個々の配線基板の基板本体における表面に開口する前記キャビティとは別に、各基板本体の裏面に対称に開口するキャビティを更に有する形態としても良い。
また、前記分割溝は、刃物をグリーンシート積層体に挿入する溝入れ加工によるほか、複数回に渉るレーザ加工によっても形成され得る。
更に、前記分割溝を挟んで隣接する配線基板ごとの表面の外周側に位置する各セラミック面の幅は、例えば、上記分割溝が約３０μｍの場合、約１０μｍずつとされる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による第１の配線基板を示す斜め下向きの斜視図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図３】上記配線基板を含む第１の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図５】上記多数個取り配線基板の応用形態を示す図４と同様の垂直断面図。
【図６】本発明による第２の配線基板を示す斜め下向きの斜視図。
【図７】図６中のコーナ部Ｙを示す一部に透視部を含む斜め下向きの斜視図。
【図８】上記配線基板を含む第２の多数個取り配線基板を示す平面図。
【図９】図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図。
【図１０】第２の多数個取り配線基板の一製造工程を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１は、本発明による第１の配線基板（パッケージ）１を示す斜視図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った垂直断面図である。
上記配線基板１は、図１，図２に示すように、全体が板状で且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、該基板本体２の表面３に開口するキャビティ１０と、該キャビティ１０を囲む四辺の側壁５とを備えている。
上記基板本体２は、例えば、全体が板状を呈し且つアルミナなどのセラミックＳからなり、平面視が長方形（矩形）の裏面４と、該裏面４と平面視の外形が同じで且つ前記長方形とほぼ相似形の長方形（矩形）状のキャビティ１０を囲む平面視が矩形枠状の表面３と、該キャビティ１０を囲む四辺の側壁５とからなる。
尚、上記基板本体２において、表面３と裏面４との間の高さ（Ｈ：厚さ）は、０．８ｍｍ以下であり、且つ基板本体２の（外）側面とキャビティ１０の側面１２とに挟まれた四辺の側壁５の厚み（Ｔ）は、０．３ｍｍ以下である。
また、上記キャビティ１０は、平面視が長方形（矩形）状の底面１１と、該底面１１の四辺から立設する長方形（矩形）状の側面１２と、図１で右側の短辺側に突設された上記セラミックＳからなる一対の台座１３とを有している。各台座１３の上面には、例えば、追って実装すべき水晶振動子などの電子部品の接続端子（何れも図示せず）と接続するためのＷあるいはＭｏからなる一対の電極１４が個別に配設されている。
【００１６】
図１，図２に示すように、平面視が矩形枠状の表面３には、キャビティ１０の開口部側である内周の四辺に沿って、平面視が矩形枠状の導体層１６が形成されている。該導体層１６に隣接した表面３の各コーナ付近を除く四辺ごとの外周側には、全体の平面視が枠形状のセラミック面７が位置している。
上記導体層１６には、図２中における左側の一点鎖線部分の部分拡大図に示すように、ＷあるいはＭｏからなるメタライズ層１６ａと、その表面上に順次被覆したＮｉメッキ膜１７およびＡｕメッキ膜１８とからなり、該Ａｕメッキ膜１８の上方に表面にＮｉメッキ膜が被覆された金属蓋（図示せず）を抵抗溶接するための形態、あるいは、図２中の右側の一点鎖線部分の部分拡大図に示すように、上記同様のメタライズ層１６ａと、その表面上に順次被覆したＮｉメッキ膜１７、およびロウ材層１９とからなり、該ロウ材層１９の上方に図示しない金属枠（リング）をロウ付けする形態との２種類がある。上記ロウ材層１９には、例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金、あるいはＡｕ−Ｓｎ合金が適用される。
【００１７】
また、図１に示すように、基板本体２の各コーナにおいて隣接する側壁５，５の間には、平面視で約４分の１の凹んだ円弧面６が位置しており、該円弧面６ごとの下部には、凹形導体層８が形成されている。該凹形導体層８は、本配線基板１の外部接続端子である裏面４の四隅側に形成された裏面導体層９と個別に接続され、且つ該裏面導体層９と前記電極１４との間を導通するための回路の一部を構成している。該回路は、前記側壁５を水平に貫通する図示しない導体も含んでいる。尚、凹形導体層８や裏面導体層９も、前記同様のＷやＭｏなどからなる。
【００１８】
更に、図１，図２に示すように、基板本体２を構成する四辺の側壁５のうち、平面視が長辺である１つの側壁５の中間には、上端（一端）が前記導体層１６に接続され、且つ下端（他端）が前記裏面導体層９の１つと接続したビア導体１５が形成されている。該ビア導体１５も、前記同様のＷやＭｏなどからなり、平面視の断面が半円形あるいは半円形よりも大きな円弧形状を呈し、キャビティ１０の側面１２に平坦な垂直面（一部）１５ａを露出している。該ビア導体１５は、前記メタライズ層１６ａの上にＮｉメッキ膜１７やＡｕメッキ膜１８を電解メッキにより被覆する際のメッキ電流の通路になると共に、前記一対の電極１４を含む内部配線を上記メタライズ層１６ａに接続する接地回路の一部も兼ねている。
尚、上記ビア導体１５のうち、キャビティ１０の底面１１と基板本体２の裏面４との間は、上記垂直面１５ａを有しない断面が円形の別形態としても良い。
以上のような配線基板１によれば、前記導体層１６に上端が接続され且つキャビティ１０の側面１２に一部１５ａが露出するビア導体１５は、平面視の断面が円形の形態よりも薄肉化しているので、該ビア導体１５を内設する基板本体２の側壁５を薄肉化でき、これに伴って配線基板１の全体も小型化されている。
【００１９】
更に、基板本体２の表面３において、該表面３に形成された前記導体層１６の外周側に沿って枠形状のセラミック面７が位置しているので、複数の配線基板１を得るための多数個取り配線基板の状態で、隣接する配線基板１ごとの表面３に形成された各導体層１６の上に金属枠をロウ付けするために配設したロウ材層１９を溶融した際に、隣接する配線基板１ごとのロウ材１９同士が架橋状に連なって、個々の配線基板１への分割不良や電気的短絡などの不具合を確実に防げる。あるいは、上記セラミック面７を設けたことにより、前記導体層１６の表面に被覆する前記メッキ膜１７，１８のメッキダレが抑制されるので、該導体層１６の上方に抵抗溶接すべき金属蓋を確実に溶接することが可能となる。
従って、前記金属枠の上方への金属蓋の溶接や、上記導体層１６の上方に直に金属蓋を溶接することによって、配線基板１ごとのキャビティ１０を確実に封止することが可能となる。
尚、前記配線基板１は、前記基板本体２の裏面４にも前記同様のキャビティが開口し、該裏面４にも前記同様の導体層１６を有し、且つ上記裏面４側のキャビティの側面に一部が露出する前記同様のビア導体を有する形態としても良い。
また、前記配線基板１や上記裏面４側にもキャビティを有する形態において、導体層１６と裏面導体層９とを接続する前記ビア導体１５を２つ以上併有している形態としても良い。
【００２０】
図３は、複数の前記配線基板１を得るための多数個取り配線基板２０を示す平面図、図４は、図３中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板２０は、図３に示すように、平面視が矩形（長方形）の表面２３、裏面２４、および四辺の側面２５を有し、複数の前記配線基板１を縦横に隣接して併設した製品領域２１と、前記と同じセラミックＳからなり、前記製品領域２１の周囲に位置する平面視が矩形（長方形）枠状の耳部２２と、上記製品領域２１内において隣接する配線基板１，１同士間の境界、および製品領域２１で最外側に位置する配線基板１と耳部２２との境界に沿って平面視が格子枠状に形成された分割溝２８とを備えている。
【００２１】
図４に示すように、上記配線基板１，１同士間の境界、および最外側に位置する配線基板１と耳部２２との境界は、それぞれ同図中の破線で示す切断予定面２６であり、該切断予定面２６の上端部が露出する表面２３に沿って断面ほぼＶ字形状の上記分割溝２８が平面視で格子状に形成されている。
図３に示すように、前記製品領域２１内において隣接する配線基板１，１同士間の境界に沿って位置する分割溝２８は、その両側に位置する配線基板１ごとの表面３の外周側に露出する帯状のセラミック面７，７に挟まれている。また、分割溝２８と該分割溝２８を挟む一対のセラミック面７が平面視で直交する位置ごとには、多数個取り配線基板２０の表面２３と裏面２４との間を貫通する断面円形状のスルーホール２７が形成されている。各スルーホール２７の裏面２４側には、分割後において４つの円弧状の前記凹形導体層８に区分される円筒形状の図示しない導体層が形成されている。
【００２２】
更に、図３，図４に示すように、前記製品領域２１内に位置する複数の配線基板１ごとにおいて、その表面３には前記導体層１６およびセラミック面７が形成され、キャビティ１０の側面１２に一部が露出するビア導体１５の上端が上記導体層１６に接続され、該ビア導体１５の下端は裏面２４側の裏面導体層９の一部と接続されている。
加えて、図５に示すように、裏面２４側にも、前記同様の分割溝２９を前記分割溝２８と対称にして更に形成した多数個取り配線基板２０ａとしても良い。
尚、前記多数個取り配線基板２０，２０ａは、個々の配線基板１ごとにおける裏面２４側に開口するキャビティを前記キャビティ１０と対称に更に有し、且つ該裏面２４側にも前記導体層１６やセラミック面７を有する形態としても良い。
【００２３】
前記のような多数個取り配線基板２０，２０ａを得るには、以下の方法に依った。予め、例えば、アルミナを主成分とする複数のグリーンシートを用意し、これらのグリーンシートにビアホールまたはスルーホールを打ち抜き、比較的小径のビアホール内には、Ｗ粉末などを含む導電性ペーストを充填し、比較的大径のスルーホールの内壁面に沿って上記同様の導電性ペーストを円筒形状に塗布した。
次に、最上層のセラミック層となるグリーンシートの上面には、追って前記耳部２２となる周辺部を除く全面に上記同様の導電性ペーストを印刷した後、追って前記キャビティ１０となる複数の部分を打ち抜き加工した。また、最下層のセラミック層となるグリーンシートの下面には、追って前記裏面導体層９となる部分ごとに上記同様の導電性ペーストを印刷した。更に、追って中層のセラミック層となる単数または複数のグリーンシートに対しては、複数の前記ビア導体とその径方向に沿って交差する部分を含み且つ平面視が矩形（長方形）状の前記キャビティ１０となる複数の位置を打ち抜き加工した。
【００２４】
次いで、前記最上層、中層、および下層となる複数のグリーンシートを積層し且つ圧着して、大判のグリーンシート積層体を形成した。該グリーンシート積層体の表面２３における前記切断予定面２６に沿ってレーザを複数回にわたり照射して、表面の全体に成形してあった前記導電性ペーストを上記切断予定面２６に沿って分割溝２８を形成した際に、該分割溝２８の両側に沿った上記導電性ペーストを優先的に除去することにより、複数の前記メタライズ層１６ａを配線基板１ごとに表面２３側に形成した。尚、上記積層および圧着工程で、メタライズ層１６ａと未焼成のビア導体１５と裏面導体層９とキャビティ１０内の台座１３上ごとに形成した前記電極１４とは、互いに導通可能に接続されていた。
そして、前記グリーンシート積層体を所定の温度帯で焼成した後、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキの電解浴に順次浸漬し、Ｎｉメッキ膜１７およびＡｕメッキ膜１８を順次被覆して、前記メタライズ層１６ａを導体層１６とした。
一方、前記ロウ材１９を配設する場合は、メタライズ層１６ａの上にＮｉメッキを施し、該Ｎｉメッキ膜１７の上にロウ材１９を配設し、所定温度で加熱して冷却することにより、該ロウ材１９を溶融および固化した後で、これらの表面にＡｕメッキ１８を施して導体層１６とした。
【００２５】
尚、上記導体層１６以外で外部に露出する裏面導体層９、前記電極１４、およびビア導体１５の一部である垂直面１５ａの表面に対してもＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を順次被覆した。
上述した方法によって、前記多数個取り配線基板２０を得ることができた。
尚、前記グリーンシート積層体の裏面２４における前記切断予定面２６に沿ってレーザを照射することで、裏面２４側にも分割溝２９を有する前記多数個取り配線基板２０ａを得ることができた。
最後に、前記多数個取り配線基板２０を前記分割溝２８に沿って剪断加工を施すことにより、個片化された複数の配線基板１を得ることができた。尚、前記多数個取り配線基板２０ａを前記分割溝２８，２９に沿って個片化することによっても複数の配線基板１を得ることができた。
【００２６】
以上のような多数個取り配線基板２０，２０ａによれば、個々の配線基板１における基板本体２の表面３を含む側壁５を薄肉化でき且つ各配線基板１および製品領域２１全体を小型化できると共に、隣接する配線基板１ごとの表面３に配置したロウ材１９を溶融した際に、上記隣接する配線基板１ごとのロウ材１９同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できた。その結果、電気的短絡や個々の配線基板１への分割不良などの不具合を確実に防げた。更に、配線基板１ごとの表面３の外周側に沿って上前記セラミック面７を設けたことにより、前記導体層１６の表面に被覆する前記メッキ膜１７，１８のメッキダレが抑制されたので、該導体層１６の上方に抵抗溶接すべき金属蓋を電気抵抗値を一定として確実に溶着することが可能となった。
従って、上記ロウ材１９を介してロウ付けした金属枠（リング）の上方に、あるいは前記導体層１６上に直に、金属蓋を抵抗溶接などにより接合することで、隣接する配線基板１ごとのキャビティ１０を確実に封止するが可能となった。
【００２７】
図６は、本発明による第２の配線基板（パッケージ）１ａを示す斜視図、図７は、図７中のＹ部分の異なる視角による一部に透視部分を含む斜視図である。
上記配線基板ａは、図６，図７に示すように、全体が板状で且つ表面３および裏面４を有する前記同様の基板本体２と、該基板本体２の表面３に開口する前記同様のキャビティ１０と、該キャビティ１０を囲む四辺の側壁５とを備えている。キャビティ１０の底面１１には、前記同様の台座１３と電極１４が位置している。
尚、上記基板本体２においても、表面３と裏面４との間の高さ（Ｈ：厚さ）は、０．８ｍｍ以下であり、且つ基板本体２の（外）側面とキャビティ１０の側面１２とに挟まれた四辺の側壁５の厚み(Ｔ)は、０．３ｍｍ以下である。
また、平面視が矩形枠状である基板本体２の表面３には、キャビティ１０の開口部側である内周の四辺に沿って、前記同様の導体層１６が形成され、該導体層１６に隣接した基板本体２の表面３の各コーナ付近を含めた四辺ごとの外周側には、全体の平面視が枠形状のセラミック面７が全周に沿って位置している。
【００２８】
更に、図６，図７に示すように、基板本体２の各コーナにおいて隣接する側壁５，５の間には、前記同様の円弧面６が位置し、該円弧面６ごとの下部には、前記同様の凹形導体層８が形成されている。該凹形導体層８は、配線基板１ａの外部接続端子である裏面４の四隅側に形成された裏面導体層３４と個別に接続され、且つ一部の裏面導体層３４と前記電極１４との間を導通するための回路も構成している。該回路は、前記側壁５を水平に貫通する図示しない導体も含んでいる。
加えて、基板本体２を構成する四辺の側壁５のうち、平面視で長辺と短辺との側壁５，５間の内隅部には、上端（一端）が前記導体層１６に接続された内側面導体３０が形成されている。かかる内側面導体３０は、平面視の断面が約４分の１円である薄い円弧形状を呈し、且つその下端（他端）は、キャビティ１０の底面１１と基板本体２の裏面４との間を貫通する断面が円形のビア導体３２と接続され、該ビア導体３２を介して、前記裏面導体層３４と導通可能とされている。
尚、前記内側面導体３０やビア導体３２も、前記同様のＷやＭｏなどからなる。また、前記内側面導体３０は、後述するように、上層側のグリーンシートを打ち抜き加工してキャビティ１０となる貫通孔の１つのコーナ部付近の側面に沿って、前記同様の導電性ペーストを、負圧を利用した垂らし込み印刷によって形成される。
【００２９】
以上のような配線基板１ａによれば、前記導体層１６に上端が接続され且つキャビティ１０の側面１２，１２間のコーナ部に沿って断面が薄い円弧形状の内側面導体３０が形成されているので、該内側面導体３０を内設する基板本体２の側壁５を薄肉化でき、これに伴って配線基板１ａの全体も小型化されている。
また、基板本体２の表面３に形成された前記導体層１６の外周側の全周に沿って枠形状のセラミック面７が位置しているので、複数の配線基板１ａを得るための多数個取り配線基板の状態で、隣接する配線基板１ａごとの表面３に形成された導体層１６の上に金属枠をロウ付けするために配設したロウ材層１９を溶融した際に、隣接する配線基板１ごとのロウ材１９同士が架橋状に連なり、個々の配線基板１ａへの分割不良や電気的短絡などの不具合を確実に防止できる。あるいは、上記セラミック面７を設けたことにより、導体層１６の表面に被覆する前記メッキ膜１７，１８のメッキダレが抑制されるので、該導体層１６の上方に抵抗溶接すべき金属蓋を確実に溶接することも可能となる。従って、前記金属枠の上方への金属蓋の溶接や、上記導体層１６の上方に直に金属蓋を溶接することによって、配線基板１ａごとのキャビティ１０を確実に封止することが可能となる。
【００３０】
尚、前記内側面導体３０は、キャビティ１０における１つの側面１２の水平方向における中間に形成しても良い。また、前記配線基板１ａは、前記基板本体２の裏面４にも前記同様のキャビティが開口し、該裏面４にも前記同様の導体層１６を有し、且つ上記裏面４側のキャビティの側面のコーナ部に露出する前記同様の内側面導体を有する形態としても良い。更に、前記配線基板１ａや上記裏面４側にもキャビティを有する形態において、前記導体層１６と裏面導体層３４とを接続する前記内側面導体３０を２つ以上併有した形態としても良い。
【００３１】
図８は、複数の前記配線基板１ａを得るための多数個取り配線基板４０を示す平面図であり、図９は、図８中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った垂直断面図である。
多数個取り配線基板４０は、前記と同じセラミックＳからなり、図８に示すように、平面視で複数の前記配線基板１ａを縦横に隣接して併設した製品領域４１と、該製品領域４１の周囲に位置する平面視が矩形（長方形）枠状の耳部４２と、上記製品領域４１内において隣接する配線基板１ａ，１ａ同士間の境界、および製品領域４１で最外側に位置する配線基板１ａと耳部４２との境界に沿って平面視が格子枠状に形成された分割溝４８とを備えている。
図９に示すように、上記配線基板１ａ，１ａ同士間の境界、および最外側に位置する配線基板１ａと耳部４２との境界は、それぞれ同図中の破線で示す切断予定面４６であり、該切断予定面４６の上端部が交差する表面４３に沿って断面ほぼＶ字形状の上記分割溝４８が平面視で格子状に形成されている。尚、切断予定面４６の下端部が交差する裏面４４にも、分割溝を上下対称に形成しても良い。
【００３２】
また、図８に示すように、前記製品領域４１内において隣接する隣接する１ａ，１ａ同士間の境界に沿って位置する分割溝４８は、その両側に位置する配線基板１ａごとの表面３の外周側に露出する帯状のセラミック面７，７に挟まれている。また、分割溝４８と該分割溝４８を挟む一対ずつのセラミック面７が平面視で直交する位置ごとには、多数個取り配線基板４０の表面４３と裏面４４との間を貫通する断面円形状のスルーホール４７が形成されている。各スルーホール４７の裏面４４側には、分割後において４つの前記凹形導体層８に区分される円筒形状の図示しない導体層が形成されている。
更に、図８，図９に示すように、前記製品領域４１内に位置する複数の配線基板１ａごとにおいて、その表面３の全周に沿って前記導体層１６およびセラミック面７が形成され、キャビティ１０の側面１２に露出する内側面導体３０の上端部は上記導体層１６に接続され、該内側面導体３０の下端は、キャビティ１０の底面１１に上端面が露出するビア導体３２に接続され、且つ該ビア導体３２を介して、裏面４４側に位置する一部の裏面導体層３４に導通可能とされている。
【００３３】
前記のような多数個取り配線基板４０を得るには、以下の方法により行った。
予め、前記同様のグリーンシートを複数用意し、各グリーンシートの所定の位置ごとにビアホールとスルーホール４７とを打ち抜き、得られたビアホールごとの内側には前記同様の導電性ペーストを充填し、あるいは内周面に塗布した。
次に、最上層のセラミック層となるグリーンシートの上面のうち、追って耳部４２側となる周辺部を除く全面に、上記同様の導電性ペーストを印刷した後、追ってキャビティとなる位置ごとに打ち抜き加工を施して貫通孔を形成した。また、前記キャビティ１０の段部１３となる部分を含む中層のセラミック層となるグリーンシートにも上記同様の打ち抜き加工を施して貫通孔を形成した。更に、最下層のセラミック層となるグリーンシートの下面には、追って裏面導体層３４となる位置ごとに上記同様の導電性ペーストを印刷により形成した。
次いで、最上層のセラミック層および中層のセラミック層となる２つのグリーンシートとを、両者の各貫通孔が連通するよう積層して、図１０に示すように、上層側のグリーンシート積層体３６を形成した。また、該グリーンシート積層体３６の貫通孔ごとの１つのコーナ部に対し、該積層体３６の厚み方向に沿って負圧を加えた状態で、前記同様の導電性ペーストを該負圧を形成する気流に載せて印刷する、いわゆる垂らし込み印刷を行った。
【００３４】
その結果、図１０に示すように、上記グリーンシート積層体３６の貫通孔ごとのコーナ部に未焼成の内側面導体３０が形成された。尚、図１０中に示す下層側のグリーンシート３８は、ビアホール３９ごとに未焼成のビア導体３２が充填され、該ビア導体３２の裏面側には、未焼成の裏面導体層３４が接続されていた。
更に、図１０中の矢印で示すように、上層側のグリーンシート積層体３６と下層側のグリーンシート３８を積層し且つ圧着して、大判のグリーンシート積層体を形成した。該グリーンシート積層体の表面４３における前記切断予定面４６に沿ってレーザを複数回にわたり照射して、表面の全体に成形してあった前記導電性ペーストを上記切断予定面４６に沿って分割溝４８を形成した際に、該分割溝４８の両側に沿った前記導電性ペーストを優先的に除去することにより、複数の前記メタライズ層１６ａを配線基板１ａごとに表面４３側に形成した。
尚、上記積層および圧着工程において、未焼成のメタライズ層１６ａと内側面導体３０とビア導体３２と裏面導体層３４とキャビティ１０内の台座１３上ごとに形成した前記電極１４とは、互いに導通可能に接続されていた。
【００３５】
そして、前記グリーンシート積層体を所定の温度帯で焼成した後、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキの電解浴に順次浸漬し、メタライズ層１６ａの上にＮｉメッキ膜１７およびＡｕメッキ膜１８を順次被覆して、導体層１６を形成した。
一方、前記ロウ材１９を配設する場合は、メタライズ層１６ａの上にＮｉメッキを施し、該Ｎｉメッキ膜１７の上にロウ材１９を配設し、所定温度で加熱して冷却することにより、該ロウ材１９を溶融および固化した後で、これらの表面にＡｕメッキ１８を施して前記同様の導体層１６を形成した。
尚、上記導体層１６以外で外部に露出する裏面導体層３４、前記電極１４、および内側面導体３０、およびビア導体３２の表面（露出面）に対してもＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を順次被覆した。
以上のような方法により、前記多数個取り配線基板４０を得ることができた。
尚、前記グリーンシート積層体の裏面４４における前記切断予定面４６に沿ってレーザを照射することで、裏面４４側にも別の分割溝を上下対称に有する前記多数個取り配線基板を得ることができた。
最後に、前記多数個取り配線基板４０を前記分割溝４８に沿って剪断加工を施すことにより、個片化された複数の配線基板１ａを得ることができた。
【００３６】
以上のような多数個取り配線基板４０によれば、個々の配線基板１ａにおける基板本体２の表面３を含む側壁５を薄肉化でき且つ各配線基板１および製品領域４１全体を小型化できると共に、隣接する配線基板１ａごとの表面３に配置したロウ材１９を溶融した際に、上記隣接する配線基板１ａごとのロウ材１９同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できた。その結果、電気的短絡や個々の配線基板１ａへの分割不良などの不具合を確実に防げた。更に、配線基板１ａごとの表面３の外周側の全周に沿って前記セラミック面７を設けたことにより、前記導体層１６の表面に被覆する前記メッキ膜１７，１８のメッキダレが抑制されたので、該導体層１６の上方に抵抗溶接すべき金属蓋を抵抗値を一定として確実に溶接することが可能となった。従って、上記ロウ材１９を介してロウ付けした金属枠（リング）の上方に、あるいは前記導体層１６上に直に、金属蓋を抵抗溶接などにより接合することで、隣接する配線基板１ａごとのキャビティ１０を確実に封止することが可能となった。
【００３７】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体２や耳部２２などのセラミックＳは、アルミナ以外のムライトや窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミックとしたり、あるいはガラス−セラミックなどの低温焼成セラミックとしても良い。後者のセラミックの場合、前記ビア導体１５や導体層１６などの導体は、ＡｇあるいはＣｕなどが適用される。
また、前記配線基板１，１ａのコーナごとに配置した凹んだ円弧面６や凹形導体層８は、省略しても良く、これに応じて多数個取り配線基板２０，４０の前記スルーホール２７を省略しても良い。
更に、前記配線基板１の表面３において、各円弧面６に隣接する４つのコーナ部にも、前記セラミック面７が露出する形態としても良い。係る形態のセラミック面７を配線基板１ごとの表面３に有する多数個取り配線基板２０としても良い。
また、前記配線基板１，１ａの導体層１６の最上層に配設したロウ材層１９の上方には、４２アロイやコバールなどの金属蓋のほかに、セラミック製の蓋をロウ付けすることで、キャビティ１０内に実装した電子部品を封止しても良い。
加えて、前記配線基板は、平面視で正方形を呈する形態としても良く、前記多数個取り配線基板の表面および裏面や、該多数個取り配線基板の製品領域を平面視で正方形を呈する形態としても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明によれば、小型化およびキャビティを囲む側壁を薄肉化でき且つ全体が小型化したセラミック製の配線基板、および該配線基板を複数併有し且つ隣接する配線基板ごとの表面に形成した導体層同士の上に配設するロウ材同士が金属枠を接合する際に架橋状に連なる不具合などが生じ難い多数個取り配線基板を確実に提供できる。
【符号の説明】
【００３９】
１，１ａ………………配線基板
２………………………基板本体
３，２３，４３………表面
４，２４，４４………裏面
７………………………セラミック面
１０……………………キャビティ
１１……………………キャビティの底面
１２……………………キャビティの側面
１５………………………ビア導体
１５ａ…………………ビア導体の一部
１６……………………導体層
２０，２０ａ，４０…多数個取り配線基板
２１，４１……………製品領域
２２，４２……………耳部
２６，４６……………切断予定面（境界）
２８，２９，４８……分割溝
３０……………………内側面導体層
Ｓ………………セラミック
Ｈ………………高さ
Ｔ………………厚み
【図１】
2013099854.tif 000003
【図２】
2013099854.tif 000004
【図３】
2013099854.tif 000005
【図４】
2013099854.tif 000006
【図５】
2013099854.tif 000007
【図６】
2013099854.tif 000008
【図７】
2013099854.tif 000009
【図８】
2013099854.tif 000010
【図９】
2013099854.tif 000011
【図１０】
2013099854.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの側面における該キャビティの底面と上記表面との間に沿って上記基板本体内に形成され、上記キャビティの側面に一部が露出し、一端側で上記導体層と接続するビア導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成された平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの底面と上記表面との間における該キャビティの側面に形成され、一端側で上記導体層と接続する内側面導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記導体層の表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記導体層の表面に対する枠形状の金具、あるいは金属製の蓋の接合は、抵抗溶接により成される、
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記ビア導体または内側面導体の他端側は、前記基板本体の裏面に形成された裏面導体層に電気的に導通可能とされている、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の複数の配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、
前記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、
隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
尚、前記セラミックには、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミックや、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックが含まれる。
また、前記基板本体は、２層以上のグリーンシートを積層および圧着し、且つ該積層体を焼成した複数のセラミック層からなる積層体である。
更に、前記基板本体は、その表面に開口する平面視が矩形などを呈する前記キャビティのほかに、該基板本体の裏面においても上記キャビティと対称に開口する別のキャビティを有する形態としても良い。換言すれば、前記キャビティには、基板本体の表面または裏面のみに開口する形態と、同じ基板本体の表面および裏面の双方に開口する形態とが含まれる。尚、キャビティは、平面視で矩形（正方形あるいは長方形）を呈する形状に限らない。
また、前記基板本体において、表面と裏面との間の高さを０．８ｍｍ以下とし、且つ該表面を含む側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたのは、該基板本体を含む本配線基板を小型化すると共に、側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたことに起因して、前記ビア導体の一部をキャビティの側面に露出させる構成としたものである。
更に、前記ビア導体は、１つの配線基板ごとに少なくとも１個が形成される。
また、前記キャビティの底面には、水晶振動子、ＳＡＷフィルタ、トランジスタ、インダクタ、半導体素子、あるいはコンデンサなどの電子部品や、発光ダイオードなどの発光素子を実装するための一対の電極が形成されている。
また、本発明には、前記導体層の表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、配線基板（請求項３）も含まれる。
更に、本発明には、前記導体層の表面に対する枠形状の金具、あるいは金属製の蓋の接合は、抵抗溶接により成される、配線基板（請求項４）も含まれる。
加えて、本発明には、前記ビア導体または内側面導体の他端側は、前記基板本体の裏面に形成された裏面導体層に電気的に導通可能とされている、配線基板（請求項５）も含まれる。
尚、前記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜を被覆され、該Ｎｉメッキ膜の上にＡｇロウおよびＡｕメッキ膜を介して枠形状の金具が接合される。あるいは、上記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆され、該Ａｕメッキ膜の上に前記キャビティを閉塞（封止）するための金属製の蓋が接合される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項６）は、複数の前記配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、前記配線基板と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、ことを特徴とする。
これによれば、個々の配線基板における基板本体の表面（側壁）を薄肉化し且つ各配線基板および製品領域全体を小型化できると共に、隣接する配線基板ごとの表面に形成された導体層ごとの上に配置したロウ材を溶融した際に、上記隣接する配線基板ごとのロウ材同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できる。その結果、上記ロウ材を介して金属枠や該金属枠の上に金属蓋などを接合することで、隣接する配線基板ごとのキャビティ内を確実に封止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６は、本発明による第２の配線基板（パッケージ）１ａを示す斜視図、図７は、図６中のＹ部分の異なる視角による一部に透視部分を含む斜視図である。
上記配線基板１ａは、図６，図７に示すように、全体が板状で且つ表面３および裏面４を有する前記同様の基板本体２と、該基板本体２の表面３に開口する前記同様のキャビティ１０と、該キャビティ１０を囲む四辺の側壁５とを備えている。キャビティ１０の底面１１には、前記同様の台座１３と電極１４が位置している。
尚、上記基板本体２においても、表面３と裏面４との間の高さ（Ｈ：厚さ）は、０．８ｍｍ以下であり、且つ基板本体２の（外）側面とキャビティ１０の側面１２とに挟まれた四辺の側壁５の厚み(Ｔ)は、０．３ｍｍ以下である。
また、平面視が矩形枠状である基板本体２の表面３には、キャビティ１０の開口部側である内周の四辺に沿って、前記同様の導体層１６が形成され、該導体層１６に隣接した基板本体２の表面３の各コーナ付近を含めた四辺ごとの外周側には、全体の平面視が枠形状のセラミック面７が全周に沿って位置している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
以上のような多数個取り配線基板４０によれば、個々の配線基板１ａにおける基板本体２の表面３を含む側壁５を薄肉化でき且つ各配線基板１ａおよび製品領域４１全体を小型化できると共に、隣接する配線基板１ａごとの表面３に配置したロウ材１９を溶融した際に、上記隣接する配線基板１ａごとのロウ材１９同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できた。その結果、電気的短絡や個々の配線基板１ａへの分割不良などの不具合を確実に防げた。更に、配線基板１ａごとの表面３の外周側の全周に沿って前記セラミック面７を設けたことにより、前記導体層１６の表面に被覆する前記メッキ膜１７，１８のメッキダレが抑制されたので、該導体層１６の上方に抵抗溶接すべき金属蓋を抵抗値を一定として確実に溶接することが可能となった。従って、上記ロウ材１９を介してロウ付けした金属枠（リング）の上方に、あるいは前記導体層１６上に直に、金属蓋を抵抗溶接などにより接合することで、隣接する配線基板１ａごとのキャビティ１０を確実に封止することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成26年6月24日(2014.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、
を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成され、表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの側面における該キャビティの底面と上記表面との間に沿って上記基板
本体内に形成され、上記キャビティの側面に一部が露出し、一端側で上記導体層と接続するビア導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、
上記基板本体の表面に開口するキャビティと、
上記キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、
を備えた配線基板であって、
上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成され、表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、平面視が枠形状の導体層と、
上記導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、
上記キャビティの底面と上記表面との間における該キャビティの側面に形成され、一端側で上記導体層と接続する内側面導体とを、有する、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記導体層の表面に対する枠形状の金具、あるいは金属製の蓋の接合は、抵抗溶接により成される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ビア導体または内側面導体の他端側は、前記基板本体の裏面に形成された裏面導体層に電気的に導通可能とされている、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の複数の配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、
前記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、
隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、
ことを特徴とする多数個取り配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、所定サイズ以下とした基板本体の表面に開口するキャビティを囲む矩形枠状の表面に形成すべき導体層を内外方向にてキャビティ側に偏寄すると共に、該導体層に一端が接続されるビア導体の一部を上記キャビティの側面に露出するように基板本体の内部に配置する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の配線基板（請求項1）は、板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、該基板本体の表面に開口するキャビティと、該キャビティの側面と基板本体の側面（外側面）との間の厚みが０．３ｍｍ以下とした側壁と、を備えた配線基板であって、上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成され、表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、平面視が枠形状の導体層と、該導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、上記キャビティの側面における該キャビティの底面と上記表面との間に沿って上記基板本体内に形成され、上記キャビティの側面に一部が露出し、一端側で上記導体層と接続するビア導体とを、有する、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に、本発明による第２の配線基板（請求項２）は、板状のセラミックからなり、表面および裏面を有し、該表面と該裏面との間の高さが０．８ｍｍ以下である基板本体と、該基板本体の表面に開口するキャビティと、該キャビティの側面と基板本体の側面との間の厚みが０．３ｍｍ以下となる側壁と、を備えた配線基板であって、上記基板本体の表面に形成され且つ上記キャビティの開口部を囲むように形成され、表面には、枠形状の金具が接合されるか、あるいは、金属製の蓋が接合される、平面視が枠形状の導体層と、該導体層に隣接し且つ上記基板本体の表面の外周側に沿って位置する平面視が枠形状のセラミック面と、上記キャビティの底面と上記表面との間における該キャビティの側面に形成され、一端側で上記導体層と接続する内側面導体とを、有する、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
尚、前記セラミックには、例えば、アルミナなどの高温焼成セラミックや、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックが含まれる。
また、前記基板本体は、２層以上のグリーンシートを積層および圧着し、且つ該積層体を焼成した複数のセラミック層からなる積層体である。
更に、前記基板本体は、その表面に開口する平面視が矩形などを呈する前記キャビティのほかに、該基板本体の裏面においても上記キャビティと対称に開口する別のキャビティを有する形態としても良い。換言すれば、前記キャビティには、基板本体の表面または裏面のみに開口する形態と、同じ基板本体の表面および裏面の双方に開口する形態とが含まれる。尚、キャビティは、平面視で矩形（正方形あるいは長方形）を呈する形状に限らない。
また、前記基板本体において、表面と裏面との間の高さを０．８ｍｍ以下とし、且つ該表面を含む側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたのは、該基板本体を含む本配線基板を小型化すると共に、側壁の厚みを０．３ｍｍ以下としたことに起因して、前記ビア導体の一部をキャビティの側面に露出させる構成としたものである。
更に、前記ビア導体は、１つの配線基板ごとに少なくとも１個が形成される。
また、前記キャビティの底面には、水晶振動子、ＳＡＷフィルタ、トランジスタ、インダクタ、半導体素子、あるいはコンデンサなどの電子部品や、発光ダイオードなどの発光素子を実装するための一対の電極が形成されている。
更に、本発明には、前記導体層の表面に対する枠形状の金具、あるいは金属製の蓋の接合は、抵抗溶接により成される、配線基板（請求項３）も含まれる。
加えて、本発明には、前記ビア導体または内側面導体の他端側は、前記基板本体の裏面に形成された裏面導体層に電気的に導通可能とされている、配線基板（請求項４）も含まれる。
尚、前記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜を被覆され、該Ｎｉメッキ膜の上にＡｇロウおよびＡｕメッキ膜を介して枠形状の金具が接合される。あるいは、上記導体層は、その表面にＮｉメッキ膜およびＡｕメッキ膜を被覆され、該Ａｕメッキ膜の上に前記キャビティを閉塞（封止）するための金属製の蓋が接合される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一方、本発明の多数個取り配線基板（請求項５）は、複数の前記配線基板を縦横に隣接して併設した製品領域と、前記配線基板と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の耳部と、隣接する配線基板同士の表面側において隣接する前記セラミック面同士間の境界、および平面視で上記製品領域の最外側に位置する配線基板の前記セラミック面と上記耳部との表面側の境界に沿って形成された分割溝と、を備える、ことを特徴とする。
これによれば、個々の配線基板における基板本体の表面（側壁）を薄肉化し且つ各配線基板および製品領域全体を小型化できると共に、隣接する配線基板ごとの表面に形成された導体層ごとの上に配置したロウ材を溶融した際に、上記隣接する配線基板ごとのロウ材同士が架橋状に連なる不具合を確実に防止できる。その結果、上記ロウ材を介して金属枠や該金属枠の上に金属蓋などを接合することで、隣接する配線基板ごとのキャビティ内を確実に封止することが可能となる。
【国際調査報告】
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