(57)【要約】この発明は、簡単な構造で高効率の半導体レーザ励起固体レーザを得ることを目的とする。このため、板状の固体レーザ媒質（３）の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッド（１５ａ、１５ｂ）が形成され、固体レーザ基板（２）上に配置された平面導波路型固体レーザ素子（１０１）と、ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイ（１）と、同一面上に２種類の厚さの接合層（６ａ、７、７０）が形成されたサブマウント基板（５）と、を備え、平面導波路型固体レーザ素子は固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、２種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合され、ＬＤアレイは発光層側の面において、２種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合するようにした。
2013073024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、
ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、上記固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイと、
同一面上に２種類の厚さの接合層が形成されたサブマウント基板と、を備え、
上記平面導波路型固体レーザ素子は上記固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、上記２種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合され、上記ＬＤアレイは発光層側の面において、上記２種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合されたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項２】
上記２種類の厚さの接合層は、それぞれ金属のめっき層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項３】
上記他方の種類の厚さの接合層は、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状の接合層から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項４】
上記２種類の厚さの接合層の厚さの差は、上記平面導波路型固体レーザ素子の上記接合層に接合される面から上記平面導波路の導波路中心高さと、上記ＬＤアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差と、誤差が所定の誤差以下の寸法であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザにより励起する固体レーザに関し、特に平面導波路型固体レーザ素子による半導体レーザ励起固体レーザのモジュール構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高出力を得るレーザとしてネオジウム等の希土類元素を添加したＹＶＯ４、ＹＡＧといった光学材料を用いる固体レーザ（ＳＳＬ：Ｓｏｌｉｄ
Ｓｔａｔｅ Ｌａｓｅｒ）が知られている。近年では、小型かつ高効率を得るため、励起光源として半導体レーザ（ＬＤ）を用いた半導体レーザ励起固体レーザが主流となっている。また、高出力を得るため励起用半導体レーザには半導体レーザが光軸と直交する方向に複数配列された半導体レーザアレイ（ＬＤアレイ）を用いる場合が多い。【０００３】
半導体励起固体レーザは加工用途や、また、非線形光学素子を用いた２次高調波発生（ＳＨＧ：Ｓｅｃｏｎｄ
Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）により固体レーザ波長の半分の波長とすることで可視光が得られることからディスプレイ用光源としても用いられている。【０００４】
半導体励起固体レーザのモジュールは、ＬＤ素子、ならびに、固体レーザ素子、それらの素子を冷却するヒートシンク、ＬＤ素子ならびに固体レーザ素子とヒートシンク間の線膨張応力を緩和するためのサブマウント等から構成される。また、ＬＤ素子から出力されたレーザ光を固体レーザ素子に結合させ、固体レーザ発振時の横モード制御を行うため、ＬＤ素子と固体レーザ素子の間に配置される結合レンズを配置する場合が多い。（例えば特許文献１）【０００５】
一方、固体レーザ素子を平面型導波路構造として導波路厚み方向の横モード、すなわち垂直横モードを制御し、固体レーザ素子内に発生させた熱レンズ効果により導波路の幅方向の横モード、すなわち水平横モードを制御することで結合レンズを廃して、より小型の半導体レーザ励起固体レーザモジュールを実現する方法が提案されている。（例えば特許文献２）【０００６】
特許文献１は、固体レーザ素子に導波路構造を用いず、結合レンズによりレーザ光の横モード抑制を実現した例である。特許文献２ならびに特許文献３は、固体レーザ素子を平面型導波路構造としてレーザ光の垂直横モードを制御し、かつ、固体レーザ素子をストライプ状の凹凸を設けたサブマウント上に配置することで導波路内にレーザ吸収を発熱源とした温度分布を生じさることでレーザ光の水平横モード制御した例である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１７７１６７号公報
【特許文献２】国際公開 ＷＯ２００６／１０３７６７号
【特許文献３】国際公開 ＷＯ２００９／１１６１３１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２のように固体レーザ素子に平面型導波路を用い、かつ結合レンズを備えない場合、十分な結合効率を得ようとするとＬＤ素子の発光点と固体レーザ素子の導波路位置とを高精度に位置決めする必要がある。特許文献２においては、ＬＤ素子と固体レーザ素子とを別々のサブマウントやヒートシンクに設置したサブモジュールとしてあらかじめ構成している。それらサブモジュール同士を位置決め調整した上で接着等の方法によって接合固定する必要があるため、部品点数および組立工数が増大するという問題点があった。【０００９】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、平面型導波路を備えた固体レーザ素子を用いて構成した半導体レーザ励起固体レーザにおいて、サブモジュール構造をとることなく、ＬＤ素子と固体レーザ素子の間の位置決めが容易かつ高い結合効率を得ることが可能な半導体レーザ励起固体レーザモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明の半導体レーザ励起固体レーザは、板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイと、同一面上に２種類の厚さの接合層が形成されたサブマウント基板と、を備え、固体レーザ素子は固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、２種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合され、ＬＤアレイは発光層側の面において、２種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介してサブマウント基板に接合するようにした。
【発明の効果】
【００１１】
ＬＤアレイと平面導波路型固体レーザ素子をサブマウント基板に実装した時点でＬＤアレイの発光点位置と平面導波路型固体レーザ素子の導波路中心が一致することから、単純な構成で、ＬＤアレイと平面導波路型固体レーザ素子の間の高さを位置調整すること無く、高効率の半導体レーザ励起固体レーザが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体励起固体レーザを示す側面断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による半導体励起固体レーザを示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態１によるサブマウント基板上の接合層の形成方法の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態２による半導体励起固体レーザを示す側面断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２による半導体励起固体レーザを示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
図１は本実施の形態１に係る半導体レーザ励起固体レーザモジュール１００の側面断面図、図２は上面図である。半導体レーザ励起固体レーザモジュール１００は、ＬＤアレイ１、平面導波路型固体レーザ素子１０１、サブマウント１０２、ヒートシンク４から構成されている。
【００１４】
ヒートシンク４はＣｕ、Ｆｅ、ＣｕＷなど高熱伝導の金属材料で構成されている。サブマウント１０２は、ＡｌＮもしくはＳｉＣなどの高熱伝導絶縁材料により構成されたサブマウント基板５と、このサブマウント基板５の上下面に配置され、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕなどの高導電性かつ高熱伝導性を有する金属材料で構成された接合層６ａ、６ｂ、ならびに、同じくＣｕ、Ｎｉ、Ａｕなどの高熱伝導金属材料で構成されたストライプ状接合層７から構成されている。このサブマウント１０２は、ヒートシンク４上に半田付け等の方法により実装固定されている。ＬＤアレイ１は、厚さおよそ１００μm程度のＧａＡｓなどの材料のＬＤ基板上に、厚さ１μm程度のｎ型クラッド層、厚さ０．０１μm程度の発光（活性）層、厚さ１μm程度のｐ型クラッド層、厚さ２〜３μm程度の電極が形成された構造となっている。このＬＤアレイ１は、後述の板状の固体レーザ媒質３の固体レーザの光軸に直交する端面の幅方向にアレイ状に複数の発光点を有している。また、ＬＤアレイ１は、ＬＤ基板とは反対側の面、すなわち発光層側の面において（いわゆるジャンクションダウンで）サブマウント１０２の接合層６ａに半田付け等の方法により電気・機械的に接合されている。
【００１５】
平面導波路型固体レーザ素子１０１は、ネオジム等の希土類元素が添加されたＹＶＯ４、ＹＡＧ等の材料から構成された板状の固体レーザ媒質３、固体レーザ媒質３の屈折率と異なる材料から構成され、板状の固体レーザ媒質３の上下両面に配置されたクラッド１５ａ、ｂ、固体レーザ媒質３およびクラッド１５ａ、１５ｂを保持する固体レーザ基板２から構成されている。上下両面にクラッド１５ａ、１５ｂが配置された固体レーザ媒質３は平面導波路を形成する。平面導波路型固体レーザ素子１０１のＬＤ側端面にはＬＤからの励起レーザ光の波長を透過し、固体レーザ媒質３より誘導放出される固体レーザ光の波長を反射する反射コーティング１４ａが、また出力側端面には固体レーザ光を部分反射する反射コーティング１４ｂが施されている。平面導波路型固体レーザ素子１０１は、固体レーザ媒質３が下向きとなるようにサブマウント１０２のストライプ状接合層７上に半田付け等の方法により機械的に接合されている。
【００１６】
なお、サブマウント１０２の、ＬＤアレイ１が配置される接合層６ａと、平面導波路型固体レーザ素子１０１が配置されるストライプ状接合層７は、これら２つの接合層の間に厚みの差Δｔが設けられている。ここで、ＬＤアレイ１はジャンクションダウンで配置されていることから、ＬＤアレイ１の底面から発光層までの高さは下式で表される。
発光層高さｈLD＝電極厚さhmetal＋ｐ型クラッド厚さhpcrad
【００１７】
また、平面導波路型固体レーザ素子１０１は、固体レーザ媒質３が下向きとなるように配置されていることから、平面導波路型固体レーザ素子１０１の底面から導波路中心１２までの高さは下記で表される。
導波路中心高さｈcenter＝固体レーザ媒質厚さhcore／２＋クラッド厚さhcrad
【００１８】
サブマウント１０２上の接合層６ａとストライプ状接合層７との厚みの差Δｔは下式となるように製作されている。
Δｔ＝導波路中心高さｈcenter−発光層高さｈLD
【００１９】
上記のように、電極厚さhmetalは２〜３μｍ、ｐ型クラッド層厚さhpcradは１μｍ程度であり、固体レーザ媒質３の厚みは、典型的には４０μｍ程度であるので、Δｔは２０μｍ程度となる。接合層６ａとストライプ状接合層７との間に、この程度の差を持たせるのは、それぞれの接合層をめっきにより形成する場合、めっき時間などで十分調整できる差である。また、ＬＤアレイ１がサブマウント１０２の接合層６ａ上に、平面導波路型固体レーザ素子１０１がサブマウント１０２のストライプ状接合層７上に半田付けなどで接合されるが、その半田層の厚さは数μｍであり、それぞれの半田層の厚さをほぼ同一とすることは容易にできる。
【００２０】
次に、図１〜図２を用いて動作を説明する。ＬＤアレイ１を発振・発光させると、励起レーザ光１１は縦横方向に一定の広がり角をもって進行し、平面導波路型固体レーザ素子１０１の固体レーザ媒質３に入射される。入射された励起レーザ光１１はクラッド１５ａ、１５ｂで全反射する成分が導波路の厚み方向のモードを制御して平面導波路内に結合して進行しながら固体レーザ媒質３に吸収される。また、吸収されたエネルギーの一部は熱に変換される。固体レーザ媒質３の内部の発熱はストライプ状接合層７を通じて排熱される。ここで、ストライプ状接合層７は、図２に示すように、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状接合層により構成されている。固体レーザ媒質３表面のクラッド１５ａがストライプ状接合層７に接触している部分は冷却経路が短く、接触していない部分は冷却経路が長い。このため、固体レーザ媒質３には、ストライプ状接合層７に接触していない部分に対応する中心部が相対的に高い温度となる温度分布が生じる。この温度分布により材料の屈折率にも分布が生じる、いわゆる熱レンズ効果により、固体レーザ媒質内のストライプ状接合層７で接合した部分に、それぞれ集光レンズを配置したのと同等の効果が得られる。
【００２１】
また、固体レーザ媒質３は吸収した励起光により励起されて誘導放出を生じ、反射コーティング１４ａ、１４ｂを共振器とし、垂直横モードは導波路により制御され、水平横モードは熱レンズ効果により制御されることでレーザ発振する。
【００２２】
ここで、ＬＤアレイ１の発光点位置と固体レーザ媒質３の縦方向位置がずれていると、レーザ光が十分に導波路に結合されず効率の低下を招く。しかしながら本実施の形態１による半導体レーザ励起固体レーザモジュールでは、ストライプ状接合層７と接合層６ａの厚さの差をΔｔとすることで、あらかじめＬＤアレイ発光点が導波路の中心と一致するように配置されるため、ＬＤアレイ１の発光点と平面導波路型固体レーザ素子１０１との高さ位置調整を行うことなく励起光を高効率に導波路に結合できる。
【００２３】
次に、サブマウント基板５をヒートシンク４に、ＬＤアレイ１、平面導波路型固体レーザ素子１０１をサブマウント１０２に半田付けにより機械的に固定する際の工程について説明する。この際、半田を溶融させるための加熱・冷却過程が生じる。
【００２４】
半田をＡｕＳｎとした場合について記載する。ＡｕＳｎ半田を溶融させるための加熱過程において、ヒートシンク４、サブマウント１０２、ＬＤアレイ１ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１は、温度が上昇するにつれ、前記の各材料の線膨張係数に応じた熱膨張を生じる。また、ＡｕＳｎ半田を固化するための冷却過程においては、温度が低下するにつれ前記各部品は熱収縮を生じる。ＬＤアレイ１ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１とサブマウント１０２はＡｕＳｎ半田の融点である２８０℃に達した時点で機械的に接合されるが、融点から室温までの冷却過程において、サブマウント１０２とＬＤアレイ１ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１の熱収縮量に違いがあると、ＬＤアレイ１内ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１内に応力が負荷される。また、前記熱収縮量の違いが大きければ大きいほど負荷される応力も大きくなり、平面導波路型固体レーザの駆動寿命が低下する。
【００２５】
ＬＤアレイ１の材料がＧａＡｓ、固体レーザ媒質３ならびに固体レーザ基板２の材料がＹＶＯ４とすると、それぞれの線膨張係数は6.6×10-6[ｍｍ/ｍｍ]、1.7×10-6[ｍｍ/ｍｍ]である。これに対して、サブマウント基板５の材料をＳｉＣとすると、ＳｉＣの線膨張係数は3.7×10-6[ｍｍ/ｍｍ]であり、前記ＬＤアレイ１ならびに固体レーザ媒質３ならびに固体レーザ基板２と十分近いことから、ＬＤアレイ１ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１の半田付け時および半導体レーザ励起固体レーザモジュール１００の駆動時に温度上昇が生じた場合おいてもＬＤアレイ１ならびに平面導波路型固体レーザ素子１０１に発生する応力を十分小さくすることができる。また、サブマウント基板材料には、他の低膨張絶縁材料であるＡｌＮやＳｉを用いても良い。
【００２６】
次に、サブマウント基板５上に接合層６ａ、６ｂ、７の形成方法の一例として、それぞれの接合層を金属のめっきにより形成する方法について図３を用いて説明する。まず、サブマウント基板５に接合層６ａ、６ｂに対応するレジスト層２１ａを形成し（図３（ａ））、めっきの時間を調整して厚さｔ１のめっきを施す（図３（ｂ））。次にレジスト層２１ａを剥離し（図３（ｃ））、新たにストライプ状接合層７に対応するレジスト層２１ｂを形成する（図３（ｄ））。この際、レジスト層２１ｂは既に形成した接合層６ａ、６ｂを被覆するようにも形成する。次に、めっきの時間を調整して厚さｔ２のめっきを施し（図３（ｅ））、その後レジスト層２１ｂを剥離する（図３（ｆ））ことで、厚さｔ１の接合層６ａおよび６ｂと、厚さｔ２のストライプ状接合層７が形成される。ここでｔ１−ｔ２＝Δｔとなるようにすることで、ＬＤアレイ１の発光部と固体レーザ媒質３の入射中心部とが位置合わせでき、位置調整無く効率の高い半導体レーザ励起固体レーザルが得られる。なお、この厚みの差Δｔの誤差は、固体レーザ媒質の厚みが例えば４０μｍの場合、+/-１０μｍ程度あっても励起の効率はそれほど低下しない。この程度以下の誤差でめっきの厚みを調整するのは容易である。なお、許容される誤差は、例えば、固体レーザ媒質３の厚みや、ＬＤアレイ１が発生するレーザ光の発散角、固体レーザ媒質３の端面とＬＤアレイ１の発光点との距離、などにより異なるが、例えば励起効率が最大効率から１０％、より好ましくは５％低下する値で決定される。すなわち、個々の平面導波路型の半導体レーザ励起固体レーザにおいて効率の低下の割合を考慮して、個々に所定の誤差が決定される。
【００２７】
以上のように、２種類の厚さの接合層の厚さの差は、平面導波路型固体レーザ素子の接合層に接合される面から平面導波路の導波路中心高さと、ＬＤアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差と、誤差が所定の誤差以下の寸法となるよう設定すればよい。
なお、接合層６ａ、６ｂやストライプ状接合層７は、異なる複数の金属のめっき層を順次形成した、積層構造のめっき層であっても良い。また、これらの接合層は、めっきではなく、厚さがΔｔだけ異なる金属薄板をサブマウント基板５上に接合して、接合層６ａとストライプ状接合層７とを形成しても良い。
【００２８】
以上のように、本発明の実施の形態１の半導体レーザ励起固体レーザによれば、ＬＤアレイ１および平面導波路型固体レーザ素子１０１を、共通のサブマウント基板５上に、それぞれ接合層６ａおよびストライプ状接合層７を介して接合する構造とし、接合層６ａとストライプ状接合層７の厚みにΔｔの差を設けたので、単純な構造で、ＬＤアレイ１の発光部と固体レーザ媒質３の入射中心部とが位置調整無く位置が合うため、高効率の半導体レーザ励起固体レーザを得ることができる。
【００２９】
実施の形態２．
図４は本実施の形態２に係る半導体レーザ励起固体レーザモジュール１００の側面断面図、図５は上面図である。図４、図５において、図１、図２と同一符号は、同一または相当する部分を示す。本実施の形態２においては、平面導波路型固体レーザ素子１０１をサブマウント基板５にマウントするための接合層を、図５の上面図で示すように、接合層６ａと同様な、連続した接合層７０としている。
【００３０】
実施の形態１においては、ストライプ状接合層７にマウントして水平横モードを制御する方式の半導体レーザ励起固体レーザの場合を説明した。しかし本発明は、ＬＤアレイからの励起光を、例えばマイクロレンズアレイによって平面導波路型固体レーザ素子１０１に結合して水平横モードを制御する方式など、他の方式の半導体レーザ励起固体レーザに適用しても、実施の形態１と同様の効果を奏する。
【００３１】
すなわち、本実施の形態２においても、実施の形態１と同様、接合層７０と接合層６ａの厚みの差をΔｔとすることで、ＬＤアレイ１の発光部と固体レーザ媒質３の入射中心部とが位置調整無く位置合わせでき、効率の高い半導体レーザ励起固体レーザが得られる。
【符号の説明】
【００３２】
１：ＬＤアレイ             ２：固体レーザ基板
３：固体レーザ媒質           ４：ヒートシンク
５：サブマウント基板          ６ａ、６ｂ、７０：接合層
７：ストライプ状接合層         １５ａ、１５ｂ：クラッド
１０１：平面導波路型固体レーザ素子   １０２：サブマウント
【図１】
2013073024.tif 000003
【図２】
2013073024.tif 000004
【図３】
2013073024.tif 000005
【図４】
2013073024.tif 000006
【図５】
2013073024.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月5日(2013.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、
ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、上記固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイと、
同一面上に２種類の厚さの接合層が形成されたサブマウント基板と、を備え、
上記平面導波路型固体レーザ素子は上記固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、上記２種類の厚さの接合層のうち一方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合され、上記ＬＤアレイは発光層側の面において、上記２種類の厚さの接合層のうち他方の種類の厚さの接合層を介して上記サブマウント基板に接合されたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項２】
上記２種類の厚さの接合層は、それぞれ金属のめっき層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項３】
上記他方の種類の厚さの接合層は、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状の接合層から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項４】
上記２種類の厚さの接合層の厚さの差は、上記平面導波路型固体レーザ素子の上記接合層に接合される面から上記平面導波路型固体レーザ素子の平面導波路の導波路中心高さと、上記ＬＤアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差とし、上記２種類の厚さの接合層の厚さの差の誤差が所定の誤差以下の寸法であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年2月3日(2014.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
上記一方の種類の厚さの接合層は、固体レーザの光軸方向に延びた複数のストライプ状の接合層から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置された平面導波路型固体レーザ素子と、
ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、上記固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイと、
同一平面上に２種類の厚さの金属のめっき層が形成されたサブマウント基板と、を備え、上記平面導波路型固体レーザ素子は上記固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、上記２種類の厚さの金属のめっき層のうち一方の種類の厚さの金属のめっき層を介して上記サブマウント基板に接合され、上記ＬＤアレイは発光層側の面において、上記２種類の厚さの金属のめっき層のうち他方の種類の厚さの金属のめっき層を介して上記サブマウント基板に接合されたことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項２】
上記２種類の厚さの金属のめっき層は、それぞれめっきの時間を調整することにより異なる厚さに形成した金属のめっき層であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【請求項３】
上記２種類の厚さの金属のめっき層の厚さの差は、上記平面導波路型固体レーザ素子の上記金属のめっき層に接合される面から上記平面導波路型固体レーザ素子の平面導波路の導波路中心高さと、上記ＬＤアレイの発光層側の外面から発光層までの高さとの差とし、上記２種類の厚さの金属のめっき層の厚さの差の誤差が所定の誤差以下の寸法であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ励起固体レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明の半導体レーザ励起固体レーザは、板状の固体レーザ媒質の両面に、この固体
レーザ媒質の屈折率と異なる屈折率のクラッドが形成され、固体レーザ基板上に配置され
た平面導波路型固体レーザ素子と、ＬＤ基板上にクラッド層に挟まれた発光層が形成され、固体レーザ媒質を端面から励起するためのレーザ光を発生するＬＤアレイと、同一平面上に２種類の厚さの金属のめっき層が形成されたサブマウント基板と、を備え、固体レーザ素子は固体レーザ基板が設けられた面とは反対の面において、２種類の厚さの金属のめっき層のうち一方の種類の厚さの金属のめっき層を介してサブマウント基板に接合され、ＬＤアレイは発光層側の面において、２種類の厚さの金属のめっき層のうち他方の種類の厚さの金属のめっき層を介してサブマウント基板に接合するようにした。
【国際調査報告】
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