(57)【要約】有機半導体層は、水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る。あるいは又、有機半導体層は、水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る有機半導体層。
【請求項２】
第１の多環芳香族炭化水素はフェニル基を有しており、
置換基Ｒ1はフェニル基に結合している請求項１に記載の有機半導体層。
【請求項３】
第１の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る請求項２に記載の有機半導体層。
【請求項４】
置換基Ｒ1はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合している請求項３に記載の有機半導体層。
【請求項５】
置換基Ｒ1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である請求項１に記載の有機半導体層。
【請求項６】
第２の多環芳香族炭化水素は、フェニル基を有しており、フェニル基に結合している第２の置換基Ｒ2を有し、
置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の置換基Ｒ2が結合したフェニル基を有する第２の多環芳香族炭化水素とは、異なっている請求項１に記載の有機半導体層。
【請求項７】
第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのオルソ位又はメタ位に結合している請求項６に記載の有機半導体層。
【請求項８】
第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合しており、
置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる請求項６に記載の有機半導体層。
【請求項９】
第２の多環芳香族炭化水素は、２，８−ジフェニルペリキサンテノキサンテン又は１，７−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る請求項６に記載の有機半導体層。
【請求項１０】
第２の置換基Ｒ2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である請求項６に記載の有機半導体層。
【請求項１１】
第２の多環芳香族炭化水素は、ＴＩＰＳ−ペンタセンから成る請求項１に記載の有機半導体層。
【請求項１２】
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる有機半導体層。
【請求項１３】
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のオルソ位又はメタ位である請求項１２に記載の有機半導体層。
【請求項１４】
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる有機半導体層。
【請求項１５】
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位である請求項１４に記載の有機半導体層。
【請求項１６】
第１の置換基Ｒ1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基であり、
第２の置換基Ｒ2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である請求項１２又は請求項１４に記載の有機半導体層。
【請求項１７】
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えており、
能動層は、請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の有機半導体層から成る電子デバイス。
【請求項１８】
第１電極、第１電極と離間して設けられた第２電極、制御電極、及び、絶縁層を備えており、
制御電極は、絶縁層を介して、第１電極と第２電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられている請求項１７に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る混合溶液、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる混合溶液、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる混合溶液を、塗布、乾燥することで能動層を形成する電子デバイスの製造方法。
【請求項２０】
混合溶液には、更に、有機絶縁材料が混合されている請求項１９に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機半導体層、係る有機半導体層を備えた電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料から成る半導体層を備えた半導体装置等の電子デバイスが注目されている。このような電子デバイスは、無機材料から成る半導体層を備えた構成と比較して、半導体層を低温で成膜することが可能である。そのため、プラスチック等の、耐熱性は低いが、可撓性を有する基板上への形成が可能であり、多機能化と共に低コスト化も期待されている。【０００３】
現在、半導体層を構成する有機半導体材料として、例えば、下記の構造式を有する、６，１２−ジオキサアンタントレン（所謂、ペリキサンテノキサンテン，6,12-dioxaanthanthreneであり、『ＰＸＸ』と略称する場合がある）の３位、９位の少なくとも一方を水素以外の置換基で置換した有機半導体材料が広く研究されている（例えば、特開２０１０−００６７９４参照）。【０００４】
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【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−００６７９４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の特許公開公報に開示された上記の構造式を有する有機半導体材料は、高いキャリア移動度を有し、しかも、分子設計の自由度が高く、プロセスに対する適応性が高い有機半導体材料である。しかしながら、更に一層高いキャリア移動度を示す材料に対する強い要望がある。【０００７】
従って、本開示の目的は、一層高いキャリア移動度を有する有機半導体層、係る有機半導体層を備えた電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る有機半導体層は、水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る。【０００９】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る有機半導体層は、水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる。【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る有機半導体層は、水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる。【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の電子デバイスは、
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えており、
能動層は、上記の本開示の第１の態様あるいは第２の態様あるいは第３の態様に係る有機半導体層から成る。【００１２】
上記の目的を達成するための本開示の電子デバイスの製造方法は、
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る混合溶液（Ａ）、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる混合溶液（Ｂ）、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる混合溶液（Ｃ）を、塗布、乾燥することで能動層を形成する。
【発明の効果】
【００１３】
本開示において、有機半導体層あるいは能動層は２種類の多環芳香族炭化水素の混合物から構成されているので、一層高いキャリア移動度を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１Ａ及び図１Ｂは、実施例１の電子デバイスの製造方法の概要を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、実施例２の電子デバイスの製造方法の概要を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、実施例３の電子デバイスの製造方法の概要を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図４】図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、実施例４の電子デバイスの製造方法の概要を説明するための基体等の模式的な一部端面図である。
【図５】図５Ａ及び図５Ｂは、実施例５の電子デバイスの模式的な一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第３の態様に係る有機半導体層、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様〜第３の態様に係る有機半導体層、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例１の更に別の変形、２端子型電子デバイス）、その他
【００１６】
［本開示の第１の態様〜第３の態様に係る有機半導体層、電子デバイス、及び、電子デバイスの製造方法、全般に関する説明］
本開示の電子デバイス、あるいは、本開示の電子デバイスの製造方法にて得られる電子デバイスを、所謂２端子型の電子デバイスとすることができるし、あるいは又、
第１電極、第１電極と離間して設けられた第２電極、制御電極、及び、絶縁層を備えており、
制御電極は、絶縁層を介して、第１電極と第２電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられている形態、即ち、所謂３端子型の電子デバイスとすることができる。
【００１７】
上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスにおける本開示の第１の態様に係る有機半導体層、上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスの製造方法における本開示の第１の態様に係る有機半導体層、あるいは又、本開示の第１の態様に係る有機半導体層（以下、これらの有機半導体層を総称して、『本開示の第１の態様に係る有機半導体層等』と呼ぶ）において、
第１の多環芳香族炭化水素はフェニル基を有しており、
置換基Ｒ1はフェニル基に結合している形態とすることができ、このような形態において、第１の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（『Ｐｈ−ＰＸＸ』と略称する）から成る形態とすることができる。そして、Ｐｈ−ＰＸＸから成るこのような形態にあっては、以下の構造式（１）に示すように、置換基Ｒ1はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合している形態とすることができ、ここで、置換基Ｒ1として、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、トリメチルシリル基を含むシリル基から成る群から選択された１種類の置換基を挙げることができる。
【００１８】
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【００１９】
以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る有機半導体層等において、
第２の多環芳香族炭化水素は、フェニル基を有しており、フェニル基に結合している第２の置換基Ｒ2を有し、
置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の置換基Ｒ2が結合したフェニル基を有する第２の多環芳香族炭化水素とは、異なっている構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第２の多環芳香族炭化水素の第１の構成』と呼ぶ。
【００２０】
そして、このような第２の多環芳香族炭化水素の第１の構成にあっては、
以下の構造式（２）あるいは構造式（３）に示すように、第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、
第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのオルソ位又はメタ位に結合している構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第２の多環芳香族炭化水素の第１Ａの構成』と呼ぶ。尚、第２の置換基Ｒ2がフェニル基のそれぞれのオルソ位及びパラ位に結合していてもよいし、第２の置換基Ｒ2がフェニル基のそれぞれのメタ位及びパラ位に結合していてもよい。また、第２の置換基Ｒ2は、置換基Ｒ1と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
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【００２２】
あるいは又、第２の多環芳香族炭化水素の第１の構成にあっては、
第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合しており、
置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第２の多環芳香族炭化水素の第１Ｂの構成』と呼ぶ。
【００２３】
あるいは又、第２の多環芳香族炭化水素の第１の構成にあっては、第２の多環芳香族炭化水素は、２，８−ジフェニルペリキサンテノキサンテン又は１，７−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る構成とすることができる。尚、このような構成を、便宜上、『第２の多環芳香族炭化水素の第１Ｃの構成』と呼ぶ。
【００２４】
そして、第２の置換基Ｒ2として、水素原子、又は、置換基Ｒ1において挙げた上記の置換基を例示することができる。
【００２５】
あるいは又、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第１の態様に係る有機半導体層等において、第２の多環芳香族炭化水素は、ＴＩＰＳ−ペンタセンから成る構成とすることができる。
【００２６】
上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスにおける本開示の第２の態様に係る有機半導体層、上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスの製造方法における本開示の第２の態様に係る有機半導体層、あるいは又、本開示の第２の態様に係る有機半導体層（以下、これらの有機半導体層を総称して、『本開示の第２の態様に係る有機半導体層等』と呼ぶ）において、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のオルソ位又はメタ位である構成とすることができる。尚、第２の置換基Ｒ2がフェニル基のそれぞれのオルソ位及びパラ位に結合していてもよいし、第２の置換基Ｒ2がフェニル基のそれぞれのメタ位及びパラ位に結合していてもよい。また、第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２７】
また、上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスにおける本開示の第３の態様に係る有機半導体層、上記の好ましい形態を含む本開示の電子デバイスの製造方法における本開示の第３の態様に係る有機半導体層、あるいは又、本開示の第３の態様に係る有機半導体層（以下、これらの有機半導体層を総称して、『本開示の第３の態様に係る有機半導体層等』と呼ぶ）において、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位である構成とすることができる。
【００２８】
上記の好ましい構成を含む本開示の第２の態様あるいは第３の態様に係る有機半導体層等において、第１の置換基Ｒ2として、置換基Ｒ1において挙げた上記の置換基を例示することができるし、第２の置換基Ｒ2として、水素原子、又は、置換基Ｒ1において挙げた上記の置換基を例示することができる。
【００２９】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の電子デバイスの製造方法において、混合溶液には、更に、有機絶縁材料が混合されている構成とすることができる。ここで、有機絶縁材料として、ポリ（α−メチルスチレン）、環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーを例示することができる。環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマーとして、具体的には、ＴＯＰＡＳ（Topas Advanced Polymers GmbH 社製、登録商標）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ株式会社製、登録商標）、ＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン株式会社製、登録商標）を挙げることができる。
【００３０】
第１の多環芳香族炭化水素と第２の多環芳香族炭化水素の混合割合として、第１の多環芳香族炭化水素の質量を「１」としたとき、第２の多環芳香族炭化水素の質量は、０．５以下、好ましくは０．３５以下であることが望ましいが、これに限定するものではない。
【００３１】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第３の態様に係る有機半導体層、本開示の電子デバイス、本開示の電子デバイスの製造方法（以下、これらを総称して、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある）において、置換基Ｒ1、第１の置換基Ｒ1あるいは第２の置換基Ｒ2を構成するアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ターシャリーブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等を挙げることができる。尚、直鎖、分岐は問わない。また、シクロアルキル基として、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができるし；アルケニル基として、ビニル基等を挙げることができるし；アルキニル基として、エチニル基等を挙げることができるし；アリール基として、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基等を挙げることができるし；アリールアルキル基として、メチルアリール基、エチルアリール基、イソプロピルアリール基、ノルマルブチルアリール基、ｐ−トリル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−イソプロピルフェニル基、ｐ−イソブチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ノニルフェニル基を挙げることができるし；芳香族複素環として、ピリジル基、チエニル基、フリル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等を挙げることができるし；複素環基として、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等を挙げることができるし；アルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等を挙げることができるし；シクロアルコキシ基として、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等を挙げることができるし；アリールオキシ基として、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等を挙げることができるし；アルキルチオ基として、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基等を挙げることができるし；シクロアルキルチオ基として、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等を挙げることができるし；アリールチオ基として、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等を挙げることができるし；アルコキシカルボニル基として、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基等を挙げることができるし；アリールオキシカルボニル基として、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等を挙げることができるし；スルファモイル基として、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等を挙げることができるし；アシル基として、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等を挙げることができるし；アシルオキシ基として、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等を挙げることができるし；アミド基として、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等を挙げることができるし；カルバモイル基として、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等を挙げることができるし；ウレイド基として、メチルウレイド基、エチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等を挙げることができるし；スルフィニル基として、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等を挙げることができるし；アルキルスルホニル基として、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等を挙げることができるし；アリールスルホニル基として、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等を挙げることができるし；アミノ基として、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等を挙げることができるし；ハロゲン原子として、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができるし；フッ化炭化水素基として、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等を挙げることができる。更には、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基を挙げることができるし、シリル基として、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等を挙げることができる。ここで、以上に例示した置換基は、上記の置換基によって更に置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数が互いに結合して環を形成してもよい。更には、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。
【００３２】
本開示の電子デバイスは、前述したとおり、所謂３端子構造を有していてもよいし、２端子構造を有していてもよい。３端子構造を有する電子デバイスによって、例えば、電界効果トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が構成され、あるいは又、発光素子が構成される。即ち、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）を構成することができる。これらの電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。ここで、発光素子において、能動層を構成する有機半導体材料は、制御電極に印加される電圧に基づく変調による電荷の蓄積や、注入された電子と正孔（ホール）との再結合に基づく発光機能を有し、発光強度は、第１電極から第２電極に流れる電流の絶対値に比例し、制御電極に印加する電圧と、第１電極及び第２電極の間に印加する電圧とによって変調することができる。尚、電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。また、２端子構造を有する電子デバイスとして、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子を挙げることができる。電子デバイスから光電変換素子を構成する場合、光電変換素子によって、具体的には、太陽電池や、イメージセンサー、光センサーといった各種のセンサーを構成することができる。あるいは又、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）あるいは有機ＥＬ表示装置を構成することもできるし、化学物質センサーとして機能させることもできる。即ち、電子デバイスは、表示素子、表示装置、太陽電池又はセンサーである形態とすることができる。あるいは又、キャパシタとすることもできる。尚、３端子構造を有する電子デバイスからも光電変換素子を構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。
【００３３】
第１電極や第２電極、能動層は、基体上に形成され、あるいは又、基体の上方に形成される。
【００３４】
本開示の電子デバイスから半導体装置を構成する場合、半導体装置として、具体的には、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、ボトムゲート／トップコンタクト型のＦＥＴ、トップゲート／ボトムコンタクト型のＦＥＴ、トップゲート／トップコンタクト型のＦＥＴを挙げることができる。
【００３５】
半導体装置を、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）から構成する場合、係るボトムゲート／ボトムコンタクト型のＦＥＴは、
（Ａ）基体上に形成されたゲート電極（制御電極）、
（Ｂ）ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層（絶縁層）、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成されたソース／ドレイン電極（第１電極及び第２電極）、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成され、能動層によって構成されたチャネル形成領域、
を備えている。
【００３６】
あるいは又、半導体装置を、ボトムゲート／トップコンタクト型のＦＥＴから構成する場合、係るボトムゲート／トップコンタクト型のＦＥＴは、
（Ａ）基体上に形成されたゲート電極（制御電極）、
（Ｂ）ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層（絶縁層）、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成され、能動層によって構成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極（第１電極及び第２電極）、
を備えている。
【００３７】
あるいは又、半導体装置を、トップゲート／ボトムコンタクト型のＦＥＴから構成する場合、係るトップゲート／ボトムコンタクト型のＦＥＴは、
（Ａ）基体上に形成されたソース／ドレイン電極（第１電極及び第２電極）、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極の間の基体上に形成され、能動層によって構成されたチャネル形成領域、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層（絶縁層）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極（制御電極）、
を備えている。
【００３８】
あるいは又、半導体装置を、トップゲート／トップコンタクト型のＦＥＴから構成する場合、係るトップゲート／トップコンタクト型のＦＥＴは、
（Ａ）基体上に形成され、能動層によって構成されたチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極（第１電極及び第２電極）、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層（絶縁層）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極（制御電極）、
を備えている。
【００３９】
ここで、基体は、酸化ケイ素系材料（例えば、ＳｉＯXやスピンオンガラス（ＳＯＧ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ））；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜；金属酸化物；金属塩から構成することができる。基体をこれらの材料から構成する場合、基体を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持体上に（あるいは支持体の上方に）形成すればよい。即ち、支持体として、あるいは又、上述した基体以外の基体として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができ、あるいは又、雲母等の天然鉱物系絶縁材料、金属系半導体材料、分子性半導体材料を挙げることができる。このような可撓性を有する高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有する画像表示装置（ディスプレイ装置）や電子機器への電子デバイスの組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、表面に絶縁膜が形成された導電性基板（金やアルミニウム、ステンレス鋼等の金属や合金から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板）を挙げることができる。電気絶縁性の支持体としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持体として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。また、電子デバイスの構成、構造によっては、電子デバイスが支持部材上に設けられているが、この支持部材も上述した材料から構成することができる。
【００４０】
制御電極、第１電極、第２電極、ゲート電極やソース／ドレイン電極、配線（以下、これらを総称して、『制御電極等』と呼ぶ）を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ルテニウム（Ｒｈ）、ルビジウム（Ｒｂ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン、炭素系材料等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできるが、有機半導体層と接する電極を、特に、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）から構成することで、キャリア注入の障壁が低い、良好なトランジスタ特性を実現することができるし、電極材料のコスト面からも好ましい。あるいは又、制御電極等を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やＴＴＦ−ＴＣＮＱ、ポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。制御電極等を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００４１】
制御電極等の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；スピンコート法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スタンプ法；キャスト法；ディスペンサーを用いる方法；スプレー法；リフト・オフ法；シャドウマスク法；並びに、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。制御電極等をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極等を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。
【００４２】
絶縁層（ゲート絶縁層）を構成する材料として、酸化ケイ素系材料；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ポリイミド；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）；ポリスチレン；Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）；オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極（ゲート電極）と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率材料［例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、アモルファスフッ素樹脂（例えば、旭硝子株式社製ＣＹＴＯＰ）、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ］を例示することができる。
【００４３】
絶縁層（ゲート絶縁層）は、上述の各種ＰＶＤ法；各種ＣＶＤ法；スピンコート法；上述した各種印刷法；上述した各種コーティング法；浸漬法；キャスティング法；ゾル−ゲル法；電着法；シャドウマスク法；及び、スプレー法の内のいずれかによって形成することができる。あるいは又、制御電極（ゲート電極）の表面を酸化あるいは窒化することによって形成することができるし、制御電極の表面に酸化膜や窒化膜を成膜することで得ることもできる。制御電極の表面を酸化する方法として、制御電極を構成する材料にも依るが、Ｏ2プラズマを用いた酸化法、陽極酸化法を例示することができる。また、制御電極の表面を窒化する方法として、制御電極を構成する材料にも依るが、Ｎ2プラズマを用いた窒化法を例示することができる。あるいは又、例えば、Ａｕ電極に対しては、一端をメルカプト基で修飾された直鎖状炭化水素のように、制御電極と化学的に結合を形成し得る官能基を有する絶縁性分子によって、浸漬法等の方法で自己組織的に制御電極表面を被覆することで、制御電極（ゲート電極）の表面に絶縁層（ゲート絶縁層）を形成することもできる。あるいは又、制御電極（ゲート電極）の表面をシラノール誘導体（シランカップリング剤）により修飾することで、絶縁層（ゲート絶縁層）を形成することもできる。
【００４４】
混合溶液の塗布法、有機半導体層、能動層、あるいは、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の形成方法として、スピンコート法；前述した各種の印刷法；前述した各種のコーティング法；スタンプ法；キャスト法；ディスペンサーを用いる方法；スプレー法といった湿式成膜法を挙げることができる。能動層は、必要に応じて、例えば、ウェットエッチング法やドライエッチング法、レーザアブレーション法等の周知の方法に基づきパターニングしてもよい。混合溶液における溶媒として、公知のものを用いることができ、所望に応じて選択すればよく、具体的には、例えば、キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、トルエン、テトラリン、アニソール、ベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、シクロヘキサン及びエチルシクロヘキサンのうちの少なくとも１種類を挙げることができる。混合溶液の乾燥条件（温度、時間等）は、使用する溶媒等に応じて、適宜、決定すればよい。
【００４５】
本開示の電子デバイスを組み込む装置として、例えば、画像表示装置を例示することができる。ここで、画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等における各種画像表示装置（例えば、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置、電気泳動表示装置、冷陰極電界放出表示装置等）を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。
【００４６】
電子デバイスを、各種画像表示装置や各種電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスを樹脂にて封止してもよい。
【実施例１】
【００４７】
実施例１は、本開示の第１の態様〜第３の態様に係る有機半導体層、本開示の電子デバイス、本開示の電子デバイスの製造方法に関する。【００４８】
実施例１の有機半導体層は、本開示の第１の態様に係る有機半導体層に則って説明すると、水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る。具体的には、第１の多環芳香族炭化水素はフェニル基を有しており、置換基Ｒ1はフェニル基に結合している。ここで、第１の多環芳香族炭化水素は、具体的には、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、下記の構造式（１０）あるいは構造式（１１）に示すように、置換基Ｒ1はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合している。また、置換基Ｒ1は、アルキル基、具体的には、エチル基［構造式（１０）］あるいはプロピル基［構造式（１１）］である。尚、構造式（１０）を、以下、『Ｃ２−Ｐｈ−ＰＸＸ』と呼び、構造式（１１）を、以下、『Ｃ３−Ｐｈ−ＰＸＸ』と呼ぶ場合がある。【００４９】
2013157421.tif 000006
【００５０】
また、第２の多環芳香族炭化水素は、フェニル基を有しており、フェニル基に結合している第２の置換基Ｒ2を有する。ここで、置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の置換基Ｒ2が結合したフェニル基を有する第２の多環芳香族炭化水素とは、異なっている（第２の多環芳香族炭化水素の第１の構成）。【００５１】
そして、更には、第２の多環芳香族炭化水素は、具体的には、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテン（Ｐｈ−ＰＸＸ）から成り、第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのオルソ位又はメタ位に結合している。このような第２の多環芳香族炭化水素（第２の多環芳香族炭化水素の第１Ａの構成）の構造式を以下に示す。【００５２】
［実施例１ａ〜実施例１ｆ］
2013157421.tif 000007
【００５３】
あるいは又、第２の多環芳香族炭化水素は、具体的には、Ｐｈ−ＰＸＸから成り、第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合しており、置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる。このような第２の多環芳香族炭化水素（第２の多環芳香族炭化水素の第１Ｂの構成）の構造式を以下に示す。【００５４】
［実施例１ｇ〜実施例１ｏ］
2013157421.tif 000008
【００５５】
あるいは又、第２の多環芳香族炭化水素は、具体的には、２，８−ジフェニルペリキサンテノキサンテン又は１，７−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る。このような第２の多環芳香族炭化水素（第２の多環芳香族炭化水素の第１Ｃの構成）の構造式を以下に示す。【００５６】
［実施例１ｐ〜実施例１ｒ］
2013157421.tif 000009
【００５７】
あるいは又、第２の多環芳香族炭化水素は、ＴＩＰＳ−ペンタセンから成る。【００５８】
［実施例１ｓ］
2013157421.tif 000010
【００５９】
あるいは又、実施例１の有機半導体層は、本開示の第２の態様に係る有機半導体層に則って説明すると、水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り；第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り；第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる。そして、実施例１にあっては、具体的には、第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、Ｐｈ−ＰＸＸから成り、第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のオルソ位又はメタ位である。【００６０】
具体的には、第１の多環芳香族炭化水素は、Ｃ２−Ｐｈ−ＰＸＸあるいはＣ３−Ｐｈ−ＰＸＸから成り、第２の多環芳香族炭化水素は、実施例１ａ〜実施例１ｆに示した構造式を有する。【００６１】
あるいは又、実施例１の有機半導体層は、本開示の第３の態様に係る有機半導体層に則って説明すると、水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り；第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り；第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり；第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる。そして、実施例１にあっては、具体的には、第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、Ｐｈ−ＰＸＸから成り；第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり；第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位である。【００６２】
具体的には、第１の多環芳香族炭化水素は、Ｃ２−Ｐｈ−ＰＸＸあるいはＣ３−Ｐｈ−ＰＸＸから成り、第２の多環芳香族炭化水素は、実施例１ｇ〜実施例１ｋ、実施例１ｍ〜実施例１ｏに示した構造式を有する。【００６３】
実施例１の電子デバイス、あるいは後述する実施例２〜実施例５の電子デバイスは、
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えており、
能動層は、Ｃ２−Ｐｈ−ＰＸＸあるいはＣ３−Ｐｈ−ＰＸＸから成る第１の多環芳香族炭化水素、及び、上記の実施例１ａ〜実施例１ｓの有機半導体層から成る第２の多環芳香族炭化水素の混合物から構成されている。【００６４】
具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の電子デバイスは、
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、
制御電極、及び、
絶縁層、
を備えており、
制御電極は、絶縁層を介して、第１電極と第２電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられている３端子型電子デバイスである。【００６５】
より具体的には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４の３端子型電子デバイスは、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁膜に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する。【００６６】
即ち、図１Ｂに模式的な一部断面図を示すように、実施例１の電子デバイスは、半導体装置、具体的には、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ［より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）］であり、
（Ａ）基体１０上に形成されたゲート電極１４（制御電極に相当する）、
（Ｂ）ゲート電極１４及び基体１０上に形成されたゲート絶縁層１５（絶縁層に相当する）、
（Ｃ）ゲート絶縁層１５上に形成されたソース／ドレイン電極１６（第１電極及び第２電極に相当する）、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極１６の間であってゲート絶縁層１５上に形成され、能動層２０によって構成されたチャネル形成領域１７、
を備えている。【００６７】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図１Ａ及び図１Ｂを参照して、実施例１の電子デバイス（電界効果トランジスタ）の製造方法の概要を説明する。【００６８】
［工程−１００］
先ず、基体１０上にゲート電極１４を形成する。具体的には、ガラス基板１１の表面に形成されたＳｉＯ2から成る絶縁膜１２上に、ゲート電極１４を形成すべき部分が除去されたレジスト層（図示せず）を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ゲート電極１４としての金（Ａｕ）層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフト・オフ法に基づき、ゲート電極１４を得ることができる。尚、ガラス基板１１の表面に形成されたＳｉＯ2から成る絶縁膜１２上に、印刷法に基づきゲート電極１４を形成することもできる。【００６９】
［工程−１１０］
次に、ゲート電極１４を含む基体１０（より具体的には、ガラス基板１１の表面に形成された絶縁膜１２）上に、絶縁層に相当するゲート絶縁層１５を形成する。具体的には、ＳｉＯ2から成るゲート絶縁層１５を、スパッタリング法に基づきゲート電極１４及び絶縁膜１２上に形成する。ゲート絶縁層１５の成膜を行う際、ゲート電極１４の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極１４の取出部（図示せず）をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。【００７０】
［工程−１２０］
その後、ゲート絶縁層１５の上に、厚さ２５ｎｍの銅（Ｃｕ）層から成るソース／ドレイン電極１６を、スクリーン印刷法に基づき形成する（図１Ａ参照）。このように、ソース／ドレイン電極１６を銅（Ｃｕ）から構成することで、コンタクト抵抗の低減、移動度の向上といった特性の向上を図ることができる。【００７１】
［工程−１３０］
次いで、具体的には、構造式（１０）及び構造式（１１）に示したＣ２−Ｐｈ−ＰＸＸあるいはＣ３−Ｐｈ−ＰＸＸから成る第１の多環芳香族炭化水素と、実施例１ａ〜実施例１ｓに示した第２の多環芳香族炭化水素とを、第１の多環芳香族炭化水素の質量を「１」としたとき、第２の多環芳香族炭化水素の質量を０．０５３として混合した混合物を、テトラリン、キシレン、トルエン等の溶媒、あるいは、これらに高沸点の溶媒を混合した混合溶媒に０．５質量％となるように溶解した。そして、係る混合溶液（Ａ）あるいは混合溶液（Ｂ）あるいは混合溶液（Ｃ）をスピンコート法に基づき塗布し、乾燥することで、チャネル形成領域１７（能動層２０）をゲート絶縁層１５及びソース／ドレイン電極１６上に形成することができる（図１Ｂ参照）。【００７２】
［工程−１４０］
例えば、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスであるＴＦＴの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子等から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成することで、画像表示装置を製造することができる。ここで、こうして得られた、画像表示装置の制御部（画素駆動回路）を構成する電子デバイスと、画像表示部における電極（例えば、画素電極）とを、例えば、コンタクトホールや配線といった接続部で接続すればよい。以下に説明する実施例２〜実施例４においても、電子デバイスの製造の完了後、同様の工程を経ることで画像表示装置を得ることができる。【００７３】
あるいは又、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成する。こうして、ボトムゲート／ボトムコンタクト型の半導体装置（ＦＥＴ、具体的には、ＴＦＴ）を得ることができる。あるいは又、チャネル形成領域１７及びゲート絶縁層１５をパターニングした後、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成してもよく、これによって、能動層２０及びゲート絶縁層１５の密着性の向上を図ることができる。【００７４】
比較例１として、構造式（１０）に示したＣ２−Ｐｈ−ＰＸＸのみから能動層を構成した電子デバイスを作製した。そして、こうして得られたこれらの電子デバイスのキャリア移動度の測定を行った。その結果を、以下の表１に示す。【００７５】
［表１］
2013157421.tif 000011
【００７６】
実施例１の電子デバイスにあっては、２種類の多環芳香族炭化水素の混合物をチャネル形成領域に用いており、比較例１と比較してキャリア移動度を向上させることができた。具体的には、第１の多環芳香族炭化水素のみから能動層を構成したときのキャリア移動度を「１」としたとき、実施例１ｓを除き、実施例１ａ〜実施例１ｒにおけるキャリア移動度は２以上であった。【００７７】
ところで、実施例１ｇと比較例１において得られた有機半導体層の格子定数等（ａ，ｂ，ｃ，γ）を測定した結果を以下の表２に示すが、実施例１ｇと比較例１とでは大きな相違は認められない。【００７８】
［表２］
実施例１ｇ        比較例１
ａ    １１．５７Å      １１．５２Å
ｂ    １２．９２Å      １２．８２Å
ｃ    ２２．２Å        ２２．６Å
γ    ９６．２°        ９５．７°【００７９】
一方、キャリア移動度μは、以下の式で表される。ここで、
μ0：プリファクター
Ｅa：活性化エネルギー
ｋB：ボルツマン定数
Ｔ ：温度
である。【００８０】
μ＝μ0ｅｘｐ（Ｅa／ｋBＴ）【００８１】
上記の式中、温度を一定とすると、可変なパラメータはμ0及びＥaである。μ0は分子配列に大きく依存される項であるが、表２に示したように、薄膜の格子定数等の変化が小さいので、第１の多環芳香族炭化水素（比較例１）のみ、及び、第１の多環芳香族炭化水素と第２の多環芳香族炭化水素との混合物（実施例１ｇ）とでは、μ0の値に大きな違いは無いと考えられる。よって、活性化エネルギーＥaの値が小さくなることによって移動度μが向上すると考えられる。ここで、Ｅaの値が小さくなる原因として、薄膜のドメインが広い、つまり、結晶子サイズが大きくなることが一因と考えられる。結晶子サイズは薄膜のＸＲＤ解析（in-plane）によって得られる半値幅から求めることができることが広く知られている。比較例１と比較して、第１の多環芳香族炭化水素と第２の多環芳香族炭化水素とを混合することで得られた実施例１ｇでは、結晶子サイズが大きくなることが確認できており、これによってキャリア移動度の向上が図れたと考えられる。尚、比較例１にあっては結晶子サイズが８０ｎｍであったものが、実施例１ｇにあっては結晶子サイズが１０５ｎｍとなった。即ち、結晶子サイズは、約１．３倍となった。【００８２】
また、第１の多環芳香族炭化水素と第２の多環芳香族炭化水素とを溶剤に溶解するが、例えば、溶剤への第１の多環芳香族炭化水素の溶解度が低い場合には、溶剤への溶解度の高い第２の多環芳香族炭化水素を選択すればよい。このように高い選択自由度にて、第１の多環芳香族炭化水素と第２の多環芳香族炭化水素の混合物全体の溶解性の向上を図ることができる結果、塗布法によって有機半導体層を形成する際に最適な混合溶液の状態を容易に得ることができる。更には、構造が大きく異なる２種類の有機半導体材料（低分子の有機半導体材料及び高分子の有機半導体材料）を混合して成膜する場合、それぞれの単成分から成る薄膜の状態とは全く異なった分子配列が形成されるため、成膜条件が著しく変化してしまうという問題が生じ得るし、低分子の有機半導体材料及び高分子の有機半導体材料を混合すると、得られる有機半導体層が非晶質状態となり、オフ電流が上昇してしまうといった問題が生じ得る。然るに、実施例１にあっては、実施例１ｓを除き、同じ中心骨格（キャリアが流れる部分であり、実施例１にあってはＰＸＸ）を有する２種類の多環芳香族炭化水素を混合するので、第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素のそれぞれの単成分から成る薄膜の状態と類似した分子配列を形成することができ、成膜条件が大きく変化することがないし、得られる有機半導体層が高い結晶性を有し得るので、オフ電流が上昇してしまうといった問題が生じることもない。即ち、印刷法等において一層高い濃度が求められる場合、第１の多環芳香族炭化水素の溶解性が低く、更に加えることができないのであれば、一層溶解性に優れた第２の多環芳香族炭化水素を加えることによって、濃度調節を自由に行うことができる。
【実施例２】
【００８３】
実施例２は実施例１の変形である。実施例２にあっては、３端子型電子デバイスを、ボトムゲート／トップコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例２の電界効果トランジスタは、図２Ｂに模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基体１０上に形成されたゲート電極１４（制御電極に相当する）、
（Ｂ）ゲート電極１４及び基体１０上に形成されたゲート絶縁層１５（絶縁層に相当する）、
（Ｃ）ゲート絶縁層１５上に形成され、能動層２０によって構成されたチャネル形成領域１７及びチャネル形成領域延在部１８、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部１８上に形成されたソース／ドレイン電極１６（第１電極及び第２電極に相当する）、
を備えている。【００８４】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図２Ａ及び図２Ｂを参照して、実施例２の電子デバイス（電界効果トランジスタ）の製造方法の概要を説明する。【００８５】
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体１０上にゲート電極１４を形成した後、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、ゲート電極１４を含む基体（より具体的には絶縁膜１２）上にゲート絶縁層１５を形成する。【００８６】
［工程−２１０］
次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、能動層２０をゲート絶縁層１５の上に形成する（図２Ａ参照）。こうして、チャネル形成領域１７及びチャネル形成領域延在部１８を得ることができる。【００８７】
［工程−２２０］
その後、チャネル形成領域延在部１８の上に、チャネル形成領域１７を挟むようにソース／ドレイン電極１６を形成する（図２Ｂ参照）。具体的には、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、ソース／ドレイン電極１６としての銅（Ｃｕ）層をスクリーン印刷法に基づき形成する。【００８８】
［工程−２３０］
次に、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、実施例２の電子デバイスを完成させることができる。
【実施例３】
【００８９】
実施例３も実施例１の変形である。実施例３にあっては、３端子型電子デバイスを、トップゲート／ボトムコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例３の電界効果トランジスタは、図３Ｂに模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基体１０上に形成されたソース／ドレイン電極１６（第１電極及び第２電極に相当する）、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極１６の間の基体１０上に形成され、能動層２０によって構成されたチャネル形成領域１７、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極１６及びチャネル形成領域１７上に形成されたゲート絶縁層１５（絶縁層に相当する）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層１５上に形成されたゲート電極１４（制御電極に相当する）、
を備えている。【００９０】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図３Ａ及び図３Ｂを参照して、実施例３の電子デバイス（電界効果トランジスタ）の製造方法の概要を説明する。【００９１】
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１２０］と同様の方法で、基体に相当する絶縁膜１２上にソース／ドレイン電極１６を形成した後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、ソース／ドレイン電極１６を含む絶縁膜１２上に、チャネル形成領域１７（能動層２０）を形成する（図３Ａ参照）。【００９２】
［工程−３１０］
次いで、ゲート絶縁層１５を、実施例１の［工程−１１０］と同様の方法で形成する。その後、チャネル形成領域１７の上のゲート絶縁層１５の部分に、実施例１の［工程−１００］と同様の方法でゲート電極１４を形成する（図３Ｂ参照）。【００９３】
［工程−３２０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、実施例３の電子デバイスを完成させることができる。
【実施例４】
【００９４】
実施例４も実施例１の変形である。実施例４にあっては、３端子型電子デバイスを、トップゲート／トップコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例４の電界効果トランジスタは、図４Ｃに模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基体１０上に形成され、能動層２０によって構成されたチャネル形成領域１７及びチャネル形成領域延在部１８、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部１８上に形成されたソース／ドレイン電極１６（第１電極及び第２電極に相当する）、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極１６及びチャネル形成領域１７上に形成されたゲート絶縁層１５（絶縁層に相当する）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層１５上に形成されたゲート電極１４（制御電極に相当する）、
を備えている。【００９５】
以下、基体等の模式的な一部端面図である図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃを参照して、実施例４の電子デバイス（電界効果トランジスタ）の製造方法の概要を説明する。【００９６】
［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、基体１０（より具体的には絶縁膜１２）上に能動層２０を形成することで、チャネル形成領域１７及びチャネル形成領域延在部１８を得ることができる（図４Ａ参照）。【００９７】
［工程−４１０］
次いで、実施例１の［工程−１２０］と同様の方法で、チャネル形成領域延在部１８上にソース／ドレイン電極１６を形成する（図４Ｂ参照）。【００９８】
［工程−４２０］
その後、ゲート絶縁層１５を実施例１の［工程−１１０］と同様の方法で形成する。次いで、チャネル形成領域１７の上のゲート絶縁層１５の部分に、実施例１の［工程−１００］と同様の方法でゲート電極１４を形成する（図４Ｃ参照）。【００９９】
［工程−４３０］
次に、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、実施例４の電子デバイスを完成させることができる。
【実施例５】
【０１００】
実施例５も実施例１の変形であるが、実施例５において、電子デバイスは、具体的には２端子型の電子デバイスから成り、より具体的には、模式的な一部断面図を図５Ａあるいは図５Ｂに示すように、
第１電極３１及び第２電極３２、並びに、
第１電極３１と第２電極３２との間に形成された能動層３３、
を備えている。尚、能動層３３は、Ｃ２−Ｐｈ−ＰＸＸあるいはＣ３−Ｐｈ−ＰＸＸから成る第１の多環芳香族炭化水素、及び、実施例１ａ〜実施例１ｓにおいて説明した第２の多環芳香族炭化水素の混合物から成る。そして、能動層３３への光の照射によって電力が生成する。即ち、実施例５の電子デバイスは、光電変換素子あるいは太陽電池として機能する。あるいは又、第１電極３１及び第２電極３２への電圧の印加によって能動層３３が発光する発光素子として機能する。【０１０１】
あるいは又、実施例５の電子デバイスは、２端子型電子デバイスから成る化学物質センサーとして機能させることもできる。具体的には、検出すべき化学物質が能動層３３に吸着すると、第１電極３１と第２電極３２との間の電気抵抗値が変化する。従って、第１電極３１と第２電極３２との間に電流を流し、あるいは又、第１電極３１と第２電極３２との間に適切な電圧を印加し、能動層３３の電気抵抗値を測定することで、能動層３３に吸着した化学物質の量（濃度）を測定することができる。尚、化学物質は能動層３３において吸着平衡状態となるので、時間が経過し、能動層３３が置かれた雰囲気における化学物質の量（濃度）が変化すると、平衡状態も変化する。【０１０２】
以上の点を除き、実施例５の電子デバイスの構成、構造は、基本的に、制御電極及び絶縁層を設けない点を除き、実施例１あるいは実施例２において説明した電子デバイスの構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例５の電子デバイスは、実施例１の［工程−１２０］〜［工程−１３０］と同様の工程を実行し、あるいは又、実施例２の［工程−２１０］〜［工程−２２０］と同様の工程を実行することで得ることができる。【０１０３】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素の具体的な構造は実施例に限定されるものでないし、電子デバイスの構造や構成、形成条件、製造条件も例示であり、適宜、変更することができる。場合によっては、複数種の第１の多環芳香族炭化水素と１種類の第２の多環芳香族炭化水素を混合してもよいし、１種類の第１の多環芳香族炭化水素と複数種の第２の多環芳香族炭化水素を混合してもよいし、複数種の第１の多環芳香族炭化水素と複数種の第２の多環芳香族炭化水素を混合してもよい。本開示の電子デバイスを、例えば、各種画像表示装置や各種電子機器に適用、使用する場合、支持部材に多数の電子デバイスを集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスを切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。【０１０４】
例えば、実施例２のボトムゲート／トップコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）の製造方法にあっては、ゲート絶縁層１５及び能動層２０（チャネル形成領域１７及びチャネル形成領域延在部１８）を、以下に説明する相分離法に基づき形成することもできる。即ち、第１の多環芳香族炭化水素、第２の多環芳香族炭化水素、及び、有機絶縁材料であるポリ（α−メチルスチレン）をメシチレンに均一に溶解して混合溶液を調製する。そして、実施例２の［工程−２００］と同様の工程において、基体１０及びゲート電極１４を覆う第１ゲート絶縁層を形成する。具体的には、基体１０及びゲート電極１４の上に、光硬化性あるいは熱硬化性の有機物（高分子）から成る絶縁材料、例えば、架橋剤を含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ）溶液をスピンコート法に基づき塗布した後、１５０゜Ｃに加熱することで、ポリビニルフェノールから成る第１ゲート絶縁層を得ることができる。次いで、上記の混合溶液を、第１ゲート絶縁層上にスピンコート法に基づき塗布し、その後、得られた塗布膜を大気中において１００゜Ｃ以上、好ましくは１３０゜Ｃ以上で２０分乃至３０分間、乾燥させる。これによって、塗布膜中において自発的に相分離が起こり、ポリ（α−メチルスチレン）から成る第２ゲート絶縁層とその上の有機半導体層との積層構造が形成される。その後、実施例２の［工程−２２０］及び［工程−２３０］と同様の工程を実行すればよい。このように、有機半導体層が形成される前に第２ゲート絶縁層が汚染されることがないし、第２ゲート絶縁層と有機半導体層との界面は高い平滑性を有し、且つ、これらの層は、高い膜厚精度を有するので、特性バラツキの少ない、優れた性能を有する電子デバイスを製造することができる。尚、以上に説明した電子デバイスの製造方法、あるいは、以下に説明する電子デバイスの製造方法は、実施例１、実施例３〜実施例４にも適用することができる。【０１０５】
あるいは又、有機絶縁材料として環状シクロオレフィンポリマー又は環状シクロオレフィンコポリマー、具体的には、例えば、ＴＯＰＡＳを用いることもできる。この場合、第１の多環芳香族炭化水素、第２の多環芳香族炭化水素、及び、有機絶縁材料であるＴＯＰＡＳをキシレンに均一に溶解して混合溶液を調製すればよい。そして、実施例２の［工程−２００］と同様の工程において、基体１０及びゲート電極１４を覆う第１ゲート絶縁層を形成する。具体的には、基体１０及びゲート電極１４の上に、光硬化性あるいは熱硬化性の有機物（高分子）から成る絶縁材料、例えば、架橋剤を含むポリビニルフェノール（ＰＶＰ）溶液をスピンコート法に基づき塗布した後、１５０゜Ｃに加熱することで、ポリビニルフェノールから成る第１ゲート絶縁層を得ることができる。次いで、上記の混合溶液を、第１ゲート絶縁層上にスピンコート法に基づき塗布し、その後、得られた塗布膜を大気中において１００゜Ｃ以上、好ましくは１３０゜Ｃ以上で２０分乃至３０分間、乾燥させる。これによって、塗布膜中において自発的に相分離が起こり、ＴＯＰＡＳから成る第２ゲート絶縁層とその上の有機半導体層との積層構造が形成される。その後、実施例２の［工程−２２０］及び［工程−２３０］と同様の工程を実行すればよい。【０１０６】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《有機半導体層：第１の態様》
水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る有機半導体層。
［２］第１の多環芳香族炭化水素はフェニル基を有しており、
置換基Ｒ1はフェニル基に結合している［１］に記載の有機半導体層。
［３］第１の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る［２］に記載の有機半導体層。
［４］置換基Ｒ1はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合している［３］に記載の有機半導体層。
［５］置換基Ｒ1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である［１］乃至［４］のいずれか１項に記載の有機半導体層。
［６］第２の多環芳香族炭化水素は、フェニル基を有しており、フェニル基に結合している第２の置換基Ｒ2を有し、
置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の置換基Ｒ2が結合したフェニル基を有する第２の多環芳香族炭化水素とは、異なっている［１］乃至［５］のいずれか１項に記載の有機半導体層。
［７］第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのオルソ位又はメタ位に結合している［６］に記載の有機半導体層。
［８］第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第２の置換基Ｒ2はフェニル基のそれぞれのパラ位に結合しており、
置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる［６］に記載の有機半導体層。
［９］第２の多環芳香族炭化水素は、２，８−ジフェニルペリキサンテノキサンテン又は１，７−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成る［６］に記載の有機半導体層。
［１０］第２の置換基Ｒ2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である［６］乃至［９］のいずれか１項に記載の有機半導体層。
［１１］第２の多環芳香族炭化水素は、ＴＩＰＳ−ペンタセンから成る［１］乃至［５］のいずれか１項に記載の有機半導体層。
［１２］《有機半導体層：第２の態様》
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる有機半導体層。
［１３］第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のオルソ位又はメタ位である［１２］に記載の有機半導体層。
［１４］《有機半導体層：第３の態様》
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる有機半導体層。
［１５］第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、３，９−ジフェニルペリキサンテノキサンテンから成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位、第１の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位であり、
第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の多環芳香族炭化水素を構成するフェニル基のパラ位である［１４］に記載の有機半導体層。
［１６］第１の置換基Ｒ1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基であり、
第２の置換基Ｒ2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アリールアルキル基、芳香族複素環、複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、ウレイド基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ハロゲン原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、及び、シリル基から成る群から選択された１種類の置換基である［１２］乃至［１５］のいずれか１項に記載の有機半導体層。
［１７］《電子デバイス》
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えており、
能動層は、［１］乃至［１６］のいずれか１項に記載の有機半導体層から成る電子デバイス。
［１８］第１電極、第１電極と離間して設けられた第２電極、制御電極、及び、絶縁層を備えており、
制御電極は、絶縁層を介して、第１電極と第２電極との間に位置する能動層の部分に対向して設けられている［１７］に記載の電子デバイス。
［１９］《電子デバイスの製造方法》
第１電極、
第１電極と離間して設けられた第２電極、及び、
第１電極から第２電極に亙り設けられた能動層、
を少なくとも備えた電子デバイスの製造方法であって、
水素原子以外の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成る混合溶液、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と異なる混合溶液、又は、
水素原子以外の第１の置換基Ｒ1が単結合で結ばれた第１の多環芳香族炭化水素と、水素原子以外の第２の置換基Ｒ2が単結合で結ばれた第２の多環芳香族炭化水素とが混合されて成り、
第１の多環芳香族炭化水素及び第２の多環芳香族炭化水素は、同じ多環芳香族炭化水素から成り、
第１の置換基Ｒ1の第１の多環芳香族炭化水素への結合部位は、第２の置換基Ｒ2の第２の多環芳香族炭化水素への結合部位と同じであり、
第１の置換基Ｒ1と第２の置換基Ｒ2とは異なる混合溶液を、塗布、乾燥することで能動層を形成する電子デバイスの製造方法。
［２０］混合溶液には、更に、有機絶縁材料が混合されている［１９］に記載の電子デバイスの製造方法。
【符号の説明】
【０１０７】
１０・・・基体、１１・・・ガラス基板、１２・・・絶縁膜、１４・・・ゲート電極（制御電極）、１５・・・ゲート絶縁層（絶縁層）、１６・・・ソース／ドレイン電極（第１電極及び第２電極）、１７・・・チャネル形成領域、１８・・・チャネル形成領域延在部、２０，３３・・・能動層、３１・・・第１電極、３２・・・第２電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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