(57)【要約】  本発明は、光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供する。本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法は、金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む皮膜を形成する工程と、該皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、前記金属元素とカルコゲン元素とを反応させることによって、前記皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備する。
2013002057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む皮膜を形成する工程と、
該皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、
前記金属元素とカルコゲン元素とを反応させることによって、前記皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。
【請求項２】
前記酸素を発生する物質としてアルカリ金属元素を含むものを用いる、請求項１に記載の半導体層の製造方法。
【請求項３】
前記カルコゲン元素を前記皮膜に含有させておく、請求項１または２に記載の半導体層の製造方法。
【請求項４】
前記カルコゲン元素を前記半導体層を形成する工程における雰囲気に含有させておく、請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体層の製造方法。
【請求項５】
金属元素を含む下部皮膜を形成する工程と、
該下部皮膜の上に金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む上部皮膜を形成する工程と、
前記上部皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、
カルコゲン元素と前記下部皮膜中および前記上部皮膜中の金属元素とを反応させることによって、前記下部皮膜および前記上部皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。
【請求項６】
前記酸素を発生する物質としてアルカリ金属元素を含むものを用いる、請求項５に記載の半導体層の製造方法。
【請求項７】
前記カルコゲン元素を前記下部皮膜および前記上部皮膜の少なくとも一方に含有させておく、請求項５または６に記載の半導体層の製造方法。
【請求項８】
前記カルコゲン元素を前記半導体層を形成する工程における雰囲気に含有させておく、請求項５乃至７のいずれかに記載の半導体層の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体層の製造方法によって第１の半導体層を作製する工程と、
該第１の半導体層に電気的に接続されるように、該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を作製する工程と
を具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む半導体原料。
【請求項１１】
カルコゲン元素をさらに含む請求項１０に記載の半導体原料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属カルコゲナイドを含む半導体層の製造方法およびそれを用いた光電変換装置の製造方法、ならびに半導体原料に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池として、金属カルコゲナイドから成る半導体層を具備する光電変換装置を用いたものがある。金属カルコゲナイドとしては、ＣＩＳやＣＩＧＳのようなＩ−III−VI族化合物、ＣＺＴＳのようなＩ−II−IV−VI族化合物、あるいは、ＣｄＴｅのようなII−VI族化合物等がある。【０００３】
このような半導体層の作製方法としては、例えば特開平５−２６７７０４号公報（以下、特許文献１という）に開示されているような作製方法がある。この作製方法では、まず、金属元素であるＩ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素が、電極上に個別にまたは同時に堆積されて前駆体層が形成される。そして、この前駆体層が、カルコゲン元素であるVI−Ｂ族元素を含むガスを供給しながら加熱されることによって、Ｉ−III−VI化合物半導体が形成される。
【発明の概要】
【０００４】
近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置のさらなる光電変換効率の向上が望まれている。よって、本発明の目的は、光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供することである。
【０００５】
本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法は、金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む皮膜を形成する工程と、該皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、前記金属元素とカルコゲン元素とを反応させることによって、前記皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備する。
【０００６】
本発明の他の実施形態に係る半導体層の製造方法は、金属元素を含む下部皮膜を形成する工程と、該下部皮膜の上に金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む上部皮膜を形成する工程と、前記上部皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、カルコゲン元素と前記下部皮膜中および前記上部皮膜中の金属元素とを反応させることによって、前記下部皮膜および前記上部皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備する。
【０００７】
本発明の他の実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、上記のいずれかの半導体層の製造方法によって第１の半導体層を作製する工程と、該第１の半導体層に電気的に接続されるように、該第１の半導体層とは異なる導電型の第２の半導体層を作製する工程とを具備する。
【０００８】
本発明の他の実施形態に係る半導体原料は、金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法および本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図６】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図７】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図８】実施例に係る光電変換装置における光電変換効率の面内分布を示す図である。
【図９】実施例に係る光電変換装置における光電変換効率の面内分布を示す図である。
【図１０】実施例に係る光電変換装置における光電変換効率の面内分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の一実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
＜＜（１）光電変換装置の構成＞＞
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法および本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置を示す斜視図であり、図２はこの光電変換装置の断面図である。なお、図１〜図７には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視左右方向）をＸ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。光電変換装置１１は、基板１と、第１の電極層２と、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３と、第２の半導体層４と、第２の電極層５とを含んでいる。
【００１２】
第１の半導体層３と第２の半導体層４は導電型が異なっており、第１の半導体層３と第２の半導体層４とで光照射によって生じた正負のキャリアの電荷分離を良好に行うことができる。例えば、第１の半導体層３がｐ型であれば、第２の半導体層４はｎ型である。あるいは、第２の半導体層４が、バッファ層と第１の半導体層３とは異なる導電型の半導体層とを含む複数層であってもよい。本実施形態では、第１の半導体層３が一方導電型の光吸収層であり、第２の半導体層４がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。
【００１３】
また、本実施形態における光電変換装置１１は第２の電極層５側から光が入射されるものを示しているが、これに限定されず、基板１側から光が入射されるものであってもよい。
【００１４】
図１において、光電変換装置１１は複数個の光電変換セル１０が並べられて形成されている。光電変換セル１０は、第１の半導体層３の基板１側に第１の電極層２と離して設けられた第３の電極層６を具備している。そして、第１の半導体層３に設けられた接続導体７によって、第２の電極層５と第３の電極層６とが電気的に接続されている。図１においては、この第３の電極層６は、隣接する光電変換セル１０の第１の電極層２が延伸されたものである。この構成により、隣接する光電変換セル１０同士が直列接続されている。また、１つの光電変換セル１０内において、接続導体７は第１の半導体層３および第２の半導体層４を貫通するように設けられており、第１の電極層２と第２の電極層５とで挟まれた第１の半導体層３と第２の半導体層４とで光電変換が行なわれる。
【００１５】
基板１は、第１の半導体層３および第２の半導体層４を支持するためのものである。基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。
【００１６】
第１の電極層２および第３の電極層６は、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉおよびＡｕ等から選ばれる導電体が用いられ、基板１上にスパッタリング法および蒸着法等から選ばれる方法で形成される。
【００１７】
第１の半導体層３は金属カルコゲナイドを主に含んだ半導体層である。金属カルコゲナイドとは、金属元素とカルコゲン元素との化合物である。また、カルコゲン元素とは、VI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）のうちのＳ、Ｓｅ、Ｔｅをいう。金属カルコゲナイドとしては、例えば、II−VI族化合物、Ｉ−III−VI族化合物、Ｉ−II−IV−VI族化合物等が挙げられる。
【００１８】
II−VI族化合物とは、II−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物であり、例えば、ＣｄＴｅ等が挙げられる。
【００１９】
Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物であり、例えば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（ＣＩＧＳＳともいう）、およびＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳともいう）等が挙げられる。なお、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２とは、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとから主に構成された化合物をいう。また、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２とは、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとＳとを主成分として含む化合物をいう。
【００２０】
Ｉ−II−IV−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物であり、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎ（Ｓｅ，Ｓ）４等が挙げられる。
【００２１】
第２の半導体層４は上記第１の半導体層３上に形成されている。本実施形態では、第１の半導体層３が一方導電型の光吸収層であり、第２の半導体層４がバッファ層と他方導電型半導体層とを兼ねている例を示している。リーク電流の低減という観点からは、第２の半導体層４は抵抗率が１Ω・ｃｍ以上であってもよい。第２の半導体層４としては、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。第２の半導体層４は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で形成される。なお、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）とは、ＩｎとＯＨとＳとを主成分として含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）は、ＺｎとＩｎとＳｅとＯＨとを主成分として含む化合物をいう。（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏは、ＺｎとＭｇとＯとを主成分として含む化合物をいう。第２の半導体層４は、第１の半導体層３の吸収効率を高めるため、第１の半導体層３が吸収する光の波長領域に対して高い光透過性を有するものであってもよい。
【００２２】
また、第２の半導体層４は、その厚みが１０〜２００ｎｍである。第２の半導体層４上に第２の電極層５がスパッタリング等で製膜される際のダメージが抑制される観点から言えば、第２の半導体層４の厚みは１００〜２００ｎｍとされ得る。
【００２３】
第２の電極層５は、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の０．０５〜３．０μｍの厚みを有する透明導電膜である。第２の電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成される。第２の電極層５は、第２の半導体層４よりも抵抗率の低い層であり、第１の半導体層３で生じた電荷を取り出すためのものである。電荷を良好に取り出すという観点からは、第２の電極層５の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満でシート抵抗が５０Ω／□以下であってもよい。なお、第２の電極層５は省略可能であり、第２の半導体層４が第２の電極層５を兼ねてもよい。
【００２４】
第２の電極層５としては、第１の半導体層３の吸収効率を高めるため、第１の半導体層３の吸収光に対して高い光透過性を有するものが用いられてもよい。光透過性を高めると同時に光反射ロス低減効果および光散乱効果を高め、さらに光電変換によって生じた電流を良好に伝送するという観点から、第２の電極層５は０．０５〜０．５μｍの厚さであってもよい。また、第２の電極層５と第２の半導体層４との界面での光反射ロスを低減する観点からは、第２の電極層５と第２の半導体層４の屈折率は略等しくてもよい。
【００２５】
光電変換セル１０は、複数個が並べられて電気的に接続され、光電変換装置１１となる。隣接する光電変換セル１０同士を容易に直列接続するために、図１に示すように、光電変換セル１０は、第１の半導体層３の基板１側に第１の電極層２と離して設けられた第３の電極層６を具備している。そして、第１の半導体層３に設けられた接続導体７によって、第２の電極層５と第３の電極層６とが電気的に接続されている。
【００２６】
図１において、接続導体７は、第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を貫通（分断）する溝内に、導電性ペースト等の導体が充填されて形成されている。接続導体７はこれに限定されず、第２の電極層５が延長されて形成されていてもよい。なお、接続導体７は第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を貫通（分断）する溝内に形成された形態に限らず、これらの積層体の側面に沿って形成されていてもよい。
【００２７】
また、図１のように、第２の電極層５上に集電電極８が設けられていてもよい。集電電極８は、第２の電極層５の電気抵抗を小さくするためのものである。第２の電極層５上に集電電極８が設けられることにより、第２の電極層５の厚さを薄くして光透過性を高めるとともに第１の半導体層３で発生した電流が効率よく取り出される。その結果、光電変換装置１１の発電効率が高められる。
【００２８】
集電電極８は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３の光電変換によって生じた電荷が第２の電極層５を介して集電電極８に集電され、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に伝達される。なお、第２の電極層５が省略され、集電電極８が第２の半導体層４上に形成されていてもよい。
【００２９】
集電電極８の幅は、第１の半導体層３への光を遮るのを低減するとともに良好な導電性を有するという観点からは、５０〜４００μｍとされ得る。また、集電電極８は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
【００３０】
集電電極８は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
【００３１】
＜＜（２）第１の半導体層の製造方法＞＞
＜（２−１）第１の方法＞
金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３は、次のようにして作製することができる。まず、第１の電極層２を有する基板１上に、金属元素、カルコゲン元素、および加熱によって酸素を発生する物質（以下では、加熱によって酸素を発生する物質を酸素発生剤という）を含む皮膜を形成する。皮膜は、金属元素、カルコゲン元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体原料を、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等の塗布法によって第１の電極層２上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。なお、上記皮膜形成を複数回繰り返して複数層の皮膜の積層体としてもよい。
【００３２】
また、上記の酸素発生剤としては、例えば、塩素酸塩類、過塩素酸塩類、亜塩素酸塩類、臭素酸塩類、硝酸塩類、ヨウ素酸塩類、過マンガン酸塩類、重クロム酸塩類、無機過酸化物等がある。
【００３３】
このような塩素酸塩類としてはＫＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ３、ＮＨ４ＣｌＯ３等がある。過塩素酸塩類としてはＫＣｌＯ４、ＮａＣｌＯ４、ＮＨ４ＣｌＯ４等がある。亜塩素酸塩類としてはＮａＣｌＯ２等がある。臭素酸塩類としてはＫＢｒＯ３等がある。硝酸塩類としては、ＫＮＯ３、ＮａＮＯ３、ＮＨ４ＮＯ３等がある。ヨウ素酸塩類としては、ＮａＩＯ３、ＫＩＯ３等がある。過マンガン酸塩類としては、ＫＭｎＯ４、ＮａＭｎＯ４・３Ｈ２Ｏ等がある。重クロム酸塩類としては、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、（ＮＨ４）２Ｃｒ２Ｏ７等がある。無機過酸化物としては、Ｋ２Ｏ２、Ｎａ２Ｏ２、Ｃｕ２Ｏ２、ＭｇＯ２、ＢａＯ２等がある。
【００３４】
第１の半導体層３の結晶性を高めるという観点からは、酸素発生剤として、ＫＣｌＯ３、ＮａＣｌＯ３、ＫＣｌＯ４、ＮａＣｌＯ４、ＮａＣｌＯ２、ＫＢｒＯ３、ＫＮＯ３、ＮａＮＯ３、ＮａＩＯ３、ＫＩＯ３等のアルカリ金属元素を含むものを用いてもよい。
【００３５】
酸素発生剤は、第１の半導体層３の半導体特性を良好なものにするという観点から、皮膜に含まれる全金属元素のモル数に対して、１〜５０ｍｏｌ％の比率（つまり、皮膜中に含まれる全金属元素を１００ｍｏｌとした場合に、酸素発生剤が１〜５０ｍｏｌ含まれている）で皮膜中に含有していてもよい。
【００３６】
次に、上記の皮膜を、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気あるいは水素ガス等の還元ガス雰囲気において５０〜６００℃に加熱する。これにより、酸素発生剤から酸素が発生するとともに、金属元素とカルコゲン元素とが反応し、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。このとき、加熱によって発生した酸素は、金属カルコゲナイドの結晶化を促進する機能をすると考えられ、良好な金属カルコゲナイド結晶を有する、光電変換効率の高い第１の半導体層３が得られる。これは以下のような現象によるのではないかと考えられる。つまり、皮膜中で酸素を発生させて、効率よく皮膜中に酸素を存在させることによって、一部の金属元素が酸化され、金属元素と金属酸化物が混在した状態となる。そして、金属元素はカルコゲン化が進行し、金属カルコゲナイドから成る小さな粒子が生成する。一方、金属酸化物はすぐにはカルコゲン化が進行せず、一度、金属に変化して流動性を有するものとなり、上記金属カルコゲナイドの小さな粒子同士の隙間に入り込んで緻密な状態になった後にカルコゲン化が進行する。このように緻密な状態でカルコゲン化が進行するため、結晶化が促進するのではないかと考えられる。
【００３７】
なお、皮膜の加熱条件としては、金属カルコゲナイドが結晶化して多結晶体となる温度である４００〜６００℃に維持する１段階の温度設定であってもよいが、これに限定されない。例えば、比較的低温である５０〜３５０℃に維持して酸素を発生させた後、金属カルコゲナイドが結晶化して多結晶体となる温度である４００〜６００℃に維持する２段階の温度設定であってもよい。このように、２段階の加熱条件にすると、１段階目に有機成分等の不要な成分を良好に消失させ、その後、２段階目で結晶化を良好に進行させることができるため、第１の半導体層３の結晶性がより良好になる傾向がある。
【００３８】
また、皮膜のカルコゲン化反応をより促進するという観点から、皮膜の加熱時の雰囲気中にカルコゲン元素を、例えば、硫黄蒸気、硫化水素、セレン蒸気またはセレン化水素等として含有させてもよい。また、雰囲気ガスをすべて硫化水素やセレン化水素のようなカルコゲン元素を含むガスにしてもよい。
【００３９】
＜（２−２）第２の方法＞
金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３は、次のような方法によっても作製され得る。第２の方法では、皮膜中にカルコゲン元素を含んでおらず、カルコゲン元素を外部雰囲気から供給することにより、金属元素のカルコゲン化を行なう。
【００４０】
まず、金属元素および酸素発生剤を含む皮膜を形成する。皮膜は、金属元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体原料を、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等の塗布法によって第１の電極層２上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。なお、上記皮膜形成を複数回繰り返して複数層の皮膜の積層体としてもよい。
【００４１】
上記の金属元素を含む原料および酸素発生剤としては、第１の方法で示されたものと同様のものをそれぞれ用いることができる。皮膜に含まれる全金属元素のモル数に対する酸素発生剤の含有量も第１の方法と同様であってもよい。
【００４２】
次に、上記の皮膜を、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気あるいは水素ガス等の還元ガス雰囲気において５０〜６００℃に加熱することによって、上記の酸素発生剤から酸素が発生する。その後、この皮膜を、カルコゲン元素を含む雰囲気中で５０〜６００℃に加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。この第２の方法も第１の方法と同様に、良好な金属カルコゲナイド結晶を有する、光電変換効率の高い第１の半導体層３が得られる。このように、カルコゲン元素を含まない雰囲気での加熱後、カルコゲン元素を含む雰囲気での加熱を行なう２段階の加熱処理であれば、１段階目に有機成分等の不要な成分を良好に消失させ、その後、２段階目で結晶化を良好に進行させることができるため、第１の半導体層３の結晶性がより良好になる傾向がある。
【００４３】
＜（２−３）第３の方法＞
金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３は、次のような方法によっても作製され得る。第３の方法も、第２の方法と同様、皮膜中にカルコゲン元素を含んでおらず、カルコゲン元素を外部雰囲気から供給することにより、金属元素のカルコゲン化を行なう。
【００４４】
まず、金属元素および酸素発生剤を含む皮膜を形成する。皮膜は、金属元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体原料を、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、またはダイコータ等の塗布法によって第１の電極層２上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。なお、上記皮膜形成を複数回繰り返して複数層の皮膜の積層体としてもよい。
【００４５】
上記の金属元素および酸素発生剤としては、第１の方法で示されたものと同様のものをそれぞれ用いることができる。皮膜に含まれる全金属元素のモル数に対する酸素発生剤の含有量も第１の方法と同様であってもよい。
【００４６】
次に、上記の皮膜を、カルコゲン元素を含む雰囲気において５０〜６００℃に加熱することによって、上記の酸素発生剤から酸素が発生するとともに、金属元素とカルコゲン元素とが反応し、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。この第３の方法も第１の方法と同様に、良好な金属カルコゲナイド結晶を有する、光電変換効率の高い第１の半導体層３が得られる。
【００４７】
＜（２−４）第４の方法＞
上記第１〜第３の方法においては、金属元素および酸素発生剤を含む皮膜中の酸素発生剤の含有位置については特に限定していなかったが、第１の半導体層３となる皮膜の厚み方向の一部に酸素発生剤を含むようにしてもよい。以下、第４〜第６の方法においてその製造方法の例を示す。第４〜第６の方法においては、まず、金属元素を含む下部皮膜を、第１の電極層２上に一層あるいは複数の積層体として形成する。そして、この下部皮膜の上に、金属元素および酸素発生剤を含む上部皮膜を、１層あるいは複数層の積層体として形成する。つまり、酸素発生剤は積層された皮膜の上部側に存在するようにする。このような構成により、生成する第１の半導体層３が全体において良好に結晶化が進行しやすくなる。その結果、光電変換効率の面内ばらつきが小さくなり、光電変換効率がさらに高くなる。
【００４８】
まず、第４の方法について説明する。第１の電極層２上に形成された下部皮膜は少なくとも金属元素を含んでいる。下部皮膜は、原料溶液を用いた溶液塗布法、スパッタリング法や蒸着法等を用いた薄膜形成方法、あるいは、その他種々の方法によって形成することができる。なお、下部皮膜にはカルコゲン元素が含まれていてもよい。下部皮膜にカルコゲン元素が含まれていない場合、外部雰囲気からカルコゲン元素を供給して金属元素のカルコゲン化を行なえばよい。下部皮膜にカルコゲン元素が含まれている場合は、この下部皮膜に含まれているカルコゲン元素によって金属元素のカルコゲン化を行なうこともでき、外部雰囲気からカルコゲン元素を供給して金属元素のカルコゲン化を行なうこともできる。
【００４９】
下部皮膜を、原料溶液を用いた溶液塗布法で形成する場合には、この原料溶液として、上部皮膜の形成に用いる半導体原料のうち、酸素発生剤以外の成分を含むものを用いてもよい。このように上部皮膜と類似した製法で下部皮膜を形成することにより、下部皮膜と上部皮膜とが良好に反応し合い、良好な第１の半導体層３を形成することができる。
【００５０】
この下部皮膜の上に形成された上部皮膜は、金属元素、カルコゲン元素、および酸素発生剤を含む。上部皮膜は、上記第１の方法と同様に、金属元素、カルコゲン元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体用原料を、塗布法によって下部皮膜上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。
【００５１】
次に、上記の下部皮膜および上部皮膜の積層体を、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気、水素ガス等の還元ガス雰囲気、あるいはカルコゲン元素を含む雰囲気において５０〜６００℃に加熱する。これにより、酸素発生剤から酸素が発生するとともに、金属元素とカルコゲン元素とが反応し、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。
【００５２】
ここで上記のように、第１の半導体層３となる下部皮膜および上部皮膜を、上層部に酸素発生剤が含まれるように積層した場合は、積層体の上層部で金属酸化物が多く生成し、下層部では比較的金属酸化物が少なくなる。これにより、積層体の下層部や中央部における酸素元素がカルコゲン元素で十分置換されずに残存するのを低減でき、積層体全体においてカルコゲン化が良好に行なわれ、より良好な第１の半導体層３を得ることができる。その結果、光電変換効率の面内ばらつきが小さくなり、光電変換効率がさらに高くなる。なお、上記加熱の工程は、カルコゲン元素を含まない雰囲気で加熱した後、カルコゲン元素を含む雰囲気で加熱する２段階の加熱処理を行なってもよい。このように２段階にすると、１段階目に有機成分等の不要な成分を良好に消失させ、その後、２段階目で結晶化を良好に進行させることができるため、第１の半導体層３の結晶性がより良好になる傾向がある。
【００５３】
＜（２−５）第５の方法＞
金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３は、次のような方法によっても作製することができる。第５の方法では、上部皮膜中にカルコゲン元素を含んでおらず、カルコゲン元素を外部雰囲気から供給することにより、金属元素のカルコゲン化を行なう。
【００５４】
まず、第４の方法と同様に金属元素を含む下部皮膜を形成する。なお、金属カルコゲナイドの形成を良好にするため、下部皮膜にカルコゲン元素を含めておいてもよい。
【００５５】
次に、この下部皮膜の上に金属元素および酸素発生剤を含む上部皮膜を形成する。上部皮膜は、上記第２の方法と同様に、金属元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体原料を、塗布法によって下部皮膜上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。
【００５６】
次に、上記の下部皮膜および上部皮膜の積層体を、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気あるいは水素ガス等の還元ガス雰囲気において５０〜６００℃に加熱する。これにより、上記の酸素発生剤から酸素が発生する。その後、この下部皮膜および上部皮膜の積層体を、カルコゲン元素を、例えば硫黄蒸気、硫化水素、セレン蒸気またはセレン化水素等として含む雰囲気中で５０〜６００℃に加熱することによって、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。この第５の方法も第４の方法と同様に、積層体全体においてカルコゲン化が良好に行なわれ、より良好な第１の半導体層３を得ることができる。その結果、光電変換効率の面内ばらつきが小さくなり、光電変換効率がさらに高くなる。
【００５７】
＜（２−６）第６の方法＞
金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３は、次のような方法によっても作製することができる。第６の方法も、第５の方法と同様、上部皮膜中にカルコゲン元素を含んでおらず、カルコゲン元素を外部雰囲気から供給することにより、金属元素のカルコゲン化を行なう。
【００５８】
まず、第４の方法と同様に金属元素を含む下部皮膜を形成する。なお、金属カルコゲナイドの形成を良好にするため、下部皮膜にカルコゲン元素を含めておいてもよい。
【００５９】
次に、この下部皮膜の上に、金属元素および酸素発生剤を含む上部皮膜を形成する。上部皮膜は、上記第２の方法と同様に、金属元素、酸素発生剤および溶媒を含む液状の半導体原料を、塗布法によって下部皮膜上に膜状に被着し、溶媒を乾燥によって除去することにより形成することができる。
【００６０】
次に、上記の下部皮膜および上部皮膜の積層体を、カルコゲン元素を、例えば硫黄蒸気、硫化水素、セレン蒸気またはセレン化水素等として含む雰囲気において５０〜６００℃に加熱することによって、上記の酸素発生剤から酸素が発生するとともに、金属元素とカルコゲン元素とが反応し、金属カルコゲナイドを含む第１の半導体層３が生成する。この第６の方法も第４の方法と同様に、積層体全体においてカルコゲン化が良好に行なわれ、より良好な第１の半導体層３を得ることができる。その結果、光電変換効率の面内ばらつきが小さくなり、光電変換効率がさらに高くなる。
【００６１】
＜＜（３）半導体原料の製造方法＞＞
上記第１の半導体層の製造方法で用いた半導体原料の製造方法について詳細に説明する。なお、第１の半導体層の製造方法において、半導体層となる皮膜の形成方法としては、下記に示すような液状の半導体原料を塗布して皮膜を形成する方法に限定されず、溶媒を含まない固体状の半導体原料を用いた乾式の薄膜形成方法を適用してもよい。
【００６２】
半導体原料は、上記第２の方法、第３の方法、第５の方法および第６の方法に示されるように、金属元素および酸素発生剤が溶媒中に分散または溶解されている（以下では、金属元素、酸素発生剤および溶媒を含む半導体原料を第１の半導体原料という）。あるいは、上記第１の方法および第４の方法に示されるように、金属元素および酸素発生剤に加えて、さらにカルコゲン元素も溶媒中に分散または溶解されていてもよい（以下では、金属元素、カルコゲン元素、酸素発生剤および溶媒を含む半導体原料を第２の半導体原料という）。
【００６３】
第１の半導体原料は、金属元素を含む原料および酸素発生剤を溶媒中に分散または溶解することによって作製できる。また、第２の半導体原料は、金属元素を含む原料および酸素発生剤に加えて、カルコゲン元素を含む原料を溶媒中に分散または溶解することによって作製できる。
【００６４】
上記の金属元素を含む原料としては、金属または金属化合物を用いることができる。このような金属としては、金属単体または合金が挙げられる。また、金属化合物としては、非酸化物系の化合物が挙げられ、例えば、金属塩または金属錯体がある。
【００６５】
上記のカルコゲン元素を含む原料としては、カルコゲン元素単体またはカルコゲン化合物を用いることができる。このようなカルコゲン化合物としては、カルコゲン元素を含む有機化合物またはカルコゲン元素を含む無機化合物が用いられる。
【００６６】
上記の溶媒としては、金属元素や酸素発生剤等の原料が溶解または分散可能なものであればよく、特に限定されない。溶媒としては、例えばピリジンやアニリン等の塩基性溶媒やアルコール等が挙げられる。
【００６７】
なお、上記の金属元素を含む原料およびカルコゲン元素を含む原料は、金属元素を含む原料とカルコゲン元素を含む原料との混合物である必要はなく、金属元素とカルコゲン元素との化合物となったものも含む。反応性を高くして第１の半導体層３の結晶化を良好にするという観点からは、金属元素とカルコゲン元素とが１つの錯体分子中に存在する錯体化合物を用いてもよい。このような錯体化合物としては、例えば、金属元素に有機カルコゲン化合物が配位したものがある。
【００６８】
有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を有する有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。有機カルコゲン化合物は、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドを用いてもよい。
【００６９】
金属元素に有機カルコゲン化合物が配位した錯体化合物としては、例えば、金属元素がIII−Ｂ族元素であり、III−Ｂ元素をＭ、有機カルコゲン化合物をＥ、任意の陽イオンをＡとした場合、Ａ＋［ＭＥ４］−（以下、III族錯体という）である。このようなIII族錯体Ａ＋［ＭＥ４］−は、III−Ｂ族元素の塩Ｍ３＋Ｂ−３（Ｂは任意の陰イオンである）と有機カルコゲン化合物の塩Ａ＋Ｅ−とを反応させることによって得ることができるが、この反応の際の副生成物として、Ａ＋Ｂ−が生成する。この副生成物Ａ＋Ｂ−は、洗浄によって除去してもよいが、副生成物Ａ＋Ｂ−が酸素発生剤となるような陰イオンＢを選択することにより、この副生成物Ａ＋Ｂ−を酸素発生剤として用いることができる。これにより、洗浄工程が不要となり工程を簡略化できる。特に、陽イオンＡがアルカリ金属元素であれば、このアルカリ金属元素も半導体層形成時の結晶化反応を促進する機能を有するため、このアルカリ金属元素を含む副生成物を有効に利用することができる。
【００７０】
具体的には、陽イオンＡ＋をＮａ＋、陰イオンＢ−をＣｌＯ４−、III−Ｂ族元素をＩｎ、有機カルコゲン化合物Ｅをフェニルセレノールとした場合に、Ｎａ（ＳｅＰｈ）とＩｎ（ＣｌＯ４）３とを反応させることにより、金属元素に有機カルコゲン化合物が配位した錯体化合物であるＮａ［Ｉｎ（ＳｅＰｈ）４］が生成するとともに、副生成物として酸素発生剤であるＮａＣｌＯ４が生成する。同様に、Ｎａ（ＳｅＰｈ）とＧａ（ＣｌＯ４）３とを反応させることにより、Ｎａ［Ｇａ（ＳｅＰｈ）４］が生成するとともに、副生成物としてＮａＣｌＯ４が生成する。
【００７１】
第１の半導体層３に含まれる金属カルコゲナイドが複数種の金属元素を含む場合には、反応性を高くして第１の半導体層３の結晶化を良好にするという観点からは、半導体原料が、複数種の金属元素とカルコゲン元素とが１つの錯体分子中に存在する錯体化合物を有していてもよい。このような錯体化合物としては、例えば、第１の半導体層３に含まれる金属カルコゲナイドがＩ−III−VI族化合物の場合、Ｉ−Ｂ族元素とIII−Ｂ族元素とカルコゲン元素（VI−Ｂ族元素）とが１つの錯体分子中に存在する錯体化合物が用いられる。このような錯体化合物の具体例としては、Ｉ−Ｂ元素をＭＩとし、III−Ｂ元素をＭとし、ルイス塩基をＬとし、有機カルコゲン化合物をＥとしたときに、構造式（１）等が挙げられる。
【００７２】
【化１】
2013002057.tif 000003
【００７３】
なお、ルイス塩基は非共有電子対を有する化合物である。ルイス塩基としては、非共有電子対を有するＶ−Ｂ族元素（１５族元素ともいう）を具備した官能基や非共有電子対を有するVI−Ｂ族元素を具備した官能基を有する化合物が挙げられる。ルイス塩基の具体例としては、Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３、Ａｓ（Ｃ６Ｈ５）３、Ｎ（Ｃ６Ｈ５）３等がある。
【００７４】
構造式（１）で示される錯体化合物の具体例としては、構造式（２）や構造式（３）のような化合物が挙げられる。なお、これらの構造式において、Ｐｈはフェニル基を意味する。
【００７５】
【化２】
2013002057.tif 000004
【００７６】
【化３】
2013002057.tif 000005
【００７７】
このような構造式（１）で示される錯体化合物は、ルイス塩基Ｌがトリフェニルフォスフィンであり、有機カルコゲン化合物Ｅがフェニルセレノールの場合であれば、例えば、Ｉ−Ｂ族元素の化合物である｛Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３｝２ＭＩ（ＣＨ３ＣＮ）２・ＰＦ６と、上述したIII族錯体であるＡ＋［Ｍ（ＳｅＰｈ）４］−とを反応させることによって作製することができる。III−Ｂ族元素ＭがＩｎであれば、構造式（２）で示される錯体化合物が得られ、III−Ｂ族元素ＭがＧａであれば、構造式（３）で示される錯体化合物が得られる。
【００７８】
ここでIII族錯体であるＡ＋［Ｍ（ＳｅＰｈ）４］−は、上述したように、その作製工程において生成する副生成物が酸素発生剤となるような陰イオンＢを選択することにより、この副生成物を酸素発生剤として用いることができる。これにより、洗浄工程が不要となり、工程の簡略化が可能となる。特に、陽イオンＡがアルカリ金属元素であれば、このアルカリ金属元素も半導体層形成時の結晶化反応を促進する機能を有するため、このアルカリ金属元素を含む副生成物を有効に利用することができる。
【００７９】
＜＜（４）光電変換装置の製造方法＞＞
図３〜図７は、光電変換装置１１の製造途中の様子をそれぞれ模式的に示す断面図または斜視図である。なお、図３〜図７で示される各断面図は、図２で示された断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００８０】
まず、洗浄された基板１の略全面に、スパッタリング法等を用いて、Ｍｏ等からなる第１の電極層２を成膜する。そして、第１の電極層２の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の基板１の上面にかけて、第１溝部Ｐ１を形成する。第１溝部Ｐ１は、例えば、ＹＡＧレーザー等によるレーザー光を走査しつつ形成対象位置に照射することで溝加工を行なう、スクライブ加工によって形成することができる。図３は、第１溝部Ｐ１を形成した後の状態を示す図である。
【００８１】
第１溝部Ｐ１を形成した後、第１の電極層２の上に、第１の半導体層３を形成する。第１の半導体層３は、上述した第１の半導体層３の製造方法によって形成する。図４は、第１の半導体層３を形成した後の状態を示す図である。
【００８２】
第１の半導体層３を形成した後、第１の半導体層３の上に、第２の半導体層４および第２の電極層５を順に形成する。
【００８３】
第２の半導体層４は、溶液成長法（ＣＢＤ法ともいう）によって形成することができる。例えば、酢酸カドミウムとチオ尿素とをアンモニア水に溶解し、これに第１の半導体層３の形成まで行なった基板１を浸漬することで、第１の半導体層３の上にＣｄＳを含む第２の半導体層４を形成することができる。
【００８４】
第２の電極層５は、例えば、Ｓｎが含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）等を主成分とする透明導電膜であり、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ法等で形成することができる。図５は、第２の半導体層４および第２の電極層５を形成した後の状態を示す図である。
【００８５】
上部電極層５を形成した後、第２の電極層５の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の第１の電極層２（図２の第３の電極層６に相当する部分）の上面にかけて、第２溝部Ｐ２を形成する。第２溝部Ｐ２は、例えば、スクライブ針を用いたメカニカルスクライビングによって形成できる。図６は、第２溝部Ｐ２を形成した後の状態を示す図である。第２溝部Ｐ２は、第１溝部Ｐ１よりも若干Ｘ方向（図中では＋Ｘ方向）にずれた位置に形成される。
【００８６】
第２溝部Ｐ２を形成した後、集電電極８および接続導体７を形成する。集電電極８および接続導体７については、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた導電性を有するペースト（導電ペーストともいう）を、所望のパターンを描くように印刷することで形成できる。図７は、集電電極８および接続導体７を形成した後の状態を示す図である。
【００８７】
集電電極８および接続導体７を形成した後、第２の電極層５の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の第１の電極層２の上面にかけて、第３溝部Ｐ３を形成する。第３溝部Ｐ３の幅は、例えば、４０〜１０００μｍ程度とすることができる。また、第３溝部Ｐ３は、第２溝部Ｐ２と同様に、メカニカルスクライビングによって形成することができる。このようにして、第３溝部Ｐ３の形成によって、図１および図２で示された光電変換装置１１が製作されたことになる。
【００８８】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。
【実施例１】
【００８９】
本発明の実施形態にかかる半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法について、以下のようにして評価した。本実施例においては、半導体層に含まれる金属カルコゲナイドとしてＣＩＧＳを用いた。【００９０】
＜半導体原料の作製＞
［ａ１］１０ミリモル（ｍｍｏｌ）のＣｕ（ＣＨ３ＣＮ）４・ＢＦ４と、２０ｍｍｏｌのＰ（Ｃ６Ｈ５）３とを、１００ｍｌのメタノールに溶解した後、３０℃における３時間の攪拌によって第１錯体溶液を調製した。【００９１】
［ａ２］４０ｍｍｏｌのナトリウムメトキシド（ＣＨ３ＯＮａ）と、有機カルコゲン化合物である４０ｍｍｏｌのフェニルセレノール（Ｃ６Ｈ５ＳｅＨ）とを、３００ｍｌのメタノールに溶解し、さらに、７ｍｍｏｌのＩｎＣｌ３と３ｍｍｏｌのＧａＣｌ３とを溶解した後、室温における２時間の攪拌によって第２錯体溶液を調製した。【００９２】
［ａ３］上記第１錯体溶液に対して、上記第２錯体溶液を１分間に１０ｍｌの速度で滴下することによって析出物が生じた。この析出物をろ過し、室温で乾燥することによって、構造式１および構造式２に示すような単一源錯体の混合物を得た。【００９３】
【化１】
2013002057.tif 000006
【００９４】
【化２】
2013002057.tif 000007
【００９５】
上記工程で作製された単一源錯体の混合物を有機溶媒であるピリジンに溶解することによって、液状の半導体原料１を作製した。さらにこの半導体原料１の一部を取り出し、この取り出した半導体原料１に過塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ４）を添加することによって、液状の半導体原料２を作製した。なお、この半導体原料２に含まれるＮａＣｌＯ４のモル数は、半導体原料２に含まれるＣｕのモル数に対して２％とした。【００９６】
＜評価試料１に係る第１の半導体層の作製＞
次に、ガラスを主に含む、一辺が１００ｍｍの正方形の主面を有する基板を用意した。そして、この基板の主面に、Ｍｏ等を含む第１の電極層を成膜した。そして、窒素ガスの雰囲気下において第１の電極層の上に上記の半導体原料２をブレード法によって塗布し、窒素ガスの雰囲気下において３００℃で１０分間加熱することによって皮膜を形成した。【００９７】
そして、この皮膜を、分圧比で１００ｐｐｍｖのＳｅ蒸気を含む水素ガス雰囲気下において、５５０℃で１時間加熱することにより、主にＣＩＧＳから成る評価試料１に係る第１の半導体層を形成した。【００９８】
＜比較試料１に係る第１の半導体層の作製＞
上記評価試料１に係る第１半導体層の作製において、皮膜を、過塩素酸ナトリウムを含まない半導体原料１に代えて作製した。そして、この皮膜を１００ｐｐｍｖのＳｅ蒸気を含む水素ガス雰囲気下において、５５０℃で１時間加熱することにより、主にＣＩＧＳから成る比較試料１に係る第１の半導体層を形成した。【００９９】
＜光電変換装置の作製＞
次に、上述のように作製された評価試料１および比較試料１に係る各第１の半導体層の上に、それぞれ、第２の半導体層と第２の電極層とを順に形成して光電変換装置を作製した。【０１００】
具体的には、塩化インジウムおよびチオ尿素が溶解された水溶液に、主にＣＩＧＳから成る第１の半導体層が形成された基板を浸漬することで、第１の半導体層の上に厚さが５０ｎｍのＩｎ２Ｓ３を含む第２の半導体層を形成した。さらに、この第２の半導体層の上に、スパッタリング法によってＡｌがドープされた酸化亜鉛を含む透明の導電膜（第２の電極層）を形成した。【０１０１】
＜光電変換装置における光電変換効率の測定＞
作製した各光電変換装置の光電変換効率を、定常光ソーラーシミュレーターを用いて測定した。ここでは、光電変換装置の受光面に対する光の照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２であり且つエアマス（ＡＭ）が１．５である条件下で光電変換効率を測定した。なお、光電変換効率は、光電変換装置において太陽光のエネルギーが電気エネルギーに変換される割合を示し、ここでは、光電変換装置から出力される電気エネルギーの値を、光電変換装置に入射される太陽光のエネルギーの値で割り、１００をかけることで導出した。【０１０２】
その結果、比較試料１に係る第１の半導体層を用いて作製した光電変換装置における光電変換効率は１１．０％であったのに対し、評価試料１に係る第１の半導体層を用いて作製した光電変換装置における光電変換効率は１１．５％であった。【０１０３】
以上の結果から、酸素発生剤を含む半導体原料２で皮膜を形成した場合（評価試料１に係る第１の半導体層）は、酸素発生剤を含まない半導体原料１で皮膜を形成した場合（比較試料１に係る第１の半導体層）よりも、光電変換効率が高くなっていることがわかった。
【実施例２】
【０１０４】
本発明の実施形態にかかる半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法について、以下のようにして評価した。本実施例においては半導体層に含まれる金属カルコゲナイドとしてＣＩＧＳを用いた。【０１０５】
＜半導体原料の作製＞
実施例１と同様にして、過塩素酸ナトリウムを含まない半導体原料１と、過塩素酸ナトリウムを含む半導体原料２とを用意した。【０１０６】
＜評価試料２に係る第１の半導体層の作製＞
次に、ガラスを主に含む、長辺が８００ｍｍで短辺が５００ｍｍの長方形の主面を有する基板を用意した。そして、この基板の主面に、Ｍｏ等を含む第１の電極層を成膜した。そして、窒素ガスの雰囲気下において第１の電極層の上に上記の半導体原料１をブレード法によって塗布し、窒素ガスの雰囲気下において３００℃で１０分間加熱することによって皮膜を形成した。この塗布および加熱工程を合計５回繰り返すことによって、５層の皮膜の積層体１を作製した。【０１０７】
さらに、この５層の皮膜の積層体１の上に上記の半導体原料２をブレード法によって塗布し、窒素ガスの雰囲気下において３００℃で１０分間加熱することにより、合計が６層の皮膜の積層体２を作製した。【０１０８】
そして、この６層の皮膜の積層体２を、分圧比で１００ｐｐｍｖのＳｅ蒸気を含む水素ガス雰囲気下において、５５０℃で１時間加熱することにより、主にＣＩＧＳから成る評価試料２に係る第１の半導体層を形成した。【０１０９】
＜評価試料３に係る第１の半導体層の作製＞
上記評価試料２に係る第１半導体層の作製において、６層の皮膜の積層体を、すべて半導体原料２を用いて作製した。そして、この６層の皮膜の積層体を１００ｐｐｍｖのＳｅ蒸気を含む水素ガス雰囲気下において、５５０℃で１時間加熱することにより、主にＣＩＧＳから成る評価試料３に係る第１の半導体層を形成した。【０１１０】
＜比較試料２に係る第１の半導体層の作製＞
上記評価試料２に係る第１半導体層の作製において、６層の皮膜の積層体を、すべて半導体原料１を用いて作製した。そして、この６層の皮膜の積層体を１００ｐｐｍｖのＳｅ蒸気を含む水素ガス雰囲気下において、５５０℃で１時間加熱することにより、主にＣＩＧＳから成る比較試料２に係る第１の半導体層を形成した。【０１１１】
＜光電変換装置の作製＞
次に、上述のように作製された評価試料２、評価試料３および比較試料２に係る各第１の半導体層の上に、それぞれ、第２の半導体層と第２の電極層とを順に形成して光電変換装置を作製した。【０１１２】
具体的には、アンモニア水に酢酸カドミウムおよびチオ尿素が溶解された溶液に、主にＣＩＧＳから成る第１の半導体層が形成された基板を浸漬することで、第１の半導体層の上に厚さが５０ｎｍのＣｄＳを含む第２の半導体層を形成した。さらに、この第２の半導体層の上に、スパッタリング法によってＡｌがドープされた酸化亜鉛を含む透明の導電膜（第２の電極層）を形成した。【０１１３】
＜光電変換装置における光電変換効率の測定＞
作製した各光電変換装置を図８〜１０に示すように、長辺方向に６等分し、さらに短辺方向に４等分して２４個の光電変換装置（以下、分割光電変換装置ともいう）に分割した。そして、各分割光電変換装置の光電変換効率を実施例１と同様にして測定した。【０１１４】
図８は評価試料２に係る第１の半導体層を用いて作製された光電変換装置における光電変換効率（％）の面内分布を示す図である。図８に示す結果から、光電変換装置の光電変換効率の平均値、すなわち２４個の分割光電変換装置の光電変換効率の平均値は１２．４％であり、標準偏差σは０．４５であった。また、図９は、評価試料３に係る第１の半導体層を用いて作製された光電変換装置における光電変換効率の面内分布を示す図である。図９の結果から、光電変換効率の平均値は１１．５％であり標準偏差σは０．７１であった。また、図１０は比較試料２に係る第１の半導体層を用いて作製された光電変換装置における光電変換効率の面内分布を示す図である。図１０の結果から、光電変換効率の平均値は１１．２％であり標準偏差σは０．６９であった。【０１１５】
以上の結果から、酸素発生剤を含む半導体原料２で形成した皮膜を含む場合（評価試料２に係る第１の半導体層および評価試料３に係る第１の半導体層）は、酸素発生剤を含まない半導体原料１で形成した皮膜のみの場合（比較試料２に係る第１の半導体層）よりも、光電変換効率が高くなっていることがわかった。【０１１６】
特に、酸素発生剤を含む半導体原料２を最上層の皮膜形成のみに用いた場合（評価試料２に係る第１の半導体層）は、光電変換効率の面内ばらつきが非常に小さくなり、平均光電変換効率がさらに高くなっていることがわかった。
【符号の説明】
【０１１７】
１：基板
２：第１の電極層
３：第１の半導体層（金属カルコゲナイドを含む半導体層）
４：第２の半導体層
５：第２の電極層
６：第３の電極層
７：接続導体
８：集電電極
１０：光電変換セル
１１：光電変換装置
【図１】
2013002057.tif 000008
【図２】
2013002057.tif 000009
【図３】
2013002057.tif 000010
【図４】
2013002057.tif 000011
【図５】
2013002057.tif 000012
【図６】
2013002057.tif 000013
【図７】
2013002057.tif 000014
【図８】
2013002057.tif 000015
【図９】
2013002057.tif 000016
【図１０】
2013002057.tif 000017
【国際調査報告】
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