(57)【要約】  本発明の窒化珪素焼結体は、結晶が実質的に無配向であり、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上であり、かつＪＩＳ  Ｒ１６０１に準拠して測定された常温三点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である。この焼結体は、窒化珪素粉末を含む原料粉末を１〜１００時間にわたり、１４００〜１７５０℃の間の一定温度下に保持するエージング工程と；エージング工程での温度から昇温速度１〜１００℃／ｈで昇温する昇温工程と；１８００〜２０００℃の間の一定温度で、３０〜６０時間にわたり焼成する焼成工程とを備える方法によって好適に製造される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素の結晶が実質的に無配向であり、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上であり、かつＪＩＳ  Ｒ１６０１に準拠して測定された常温三点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である、ことを特徴とする窒化珪素焼結体。
【請求項２】
前記窒化珪素焼結体を粉末Ｘ線回折法によって測定し、窒化珪素の（２００）面及び（００２）面に由来するピークの高さであるＩ200及びＩ002を求め、比Ｉ002／Ｉ200の値を算出したとき、該比Ｉ002／Ｉ200の値が、ＮＤ及びＲＤの双方について０．６〜３である請求項１に記載の窒化珪素焼結体。
【請求項３】
ＪＩＳ  Ｚ８８０７に準拠して測定された嵩比重が３．０〜４．０である請求項１又は２に記載の窒化珪素焼結体。
【請求項４】
ＪＩＳ  Ｒ１６１１に準拠して測定された比熱が０．１〜１Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の窒化珪素焼結体。
【請求項５】
ＪＩＳ  Ｒ３１０２に準拠して測定された線膨張率が、２０〜４００℃の範囲で、３．０〜４．０×１０-6／Ｋである請求項１ないし４のいずれか一項に記載の窒化珪素焼結体。
【請求項６】
請求項１に記載の窒化珪素焼結体の製造方法であって、
窒化珪素粉末を含む原料粉末を窒素雰囲気下に焼成する工程を含み、
前記工程が、前記原料粉末を１〜１００時間にわたり、１４００〜１７５０℃の間の一定温度下に保持するエージング工程と、
エージング工程での温度から昇温速度１〜１００℃／ｈで昇温する昇温工程と、
１８００〜２０００℃の間の一定温度で、３０〜６０時間にわたり焼成する焼成工程と、
を備える、ことを特徴とする窒化珪素焼結体の製造方法。
【請求項７】
窒化珪素粉末を含む原料粉末を窒素雰囲気下に焼成する工程が、前記原料粉末を１〜１０時間にわたり、１４００〜１７５０℃の間の一定温度下に保持するエージング工程と、
エージング工程での温度から昇温速度１〜３０℃／ｈで昇温する昇温工程と、
１８００〜２０００℃の間の一定温度で、３０〜４８時間にわたり焼成する焼成工程と、
を備える請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記原料粉末が、α−Ｓｉ3Ｎ4、を含む請求項６又は７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記原料粉末が、更に焼結助剤を含む請求項６ないし８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記焼結助剤が、Ｙｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＭｇＯの少なくとも一種である請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記原料粉末に占める前記焼結助剤の割合が１〜３０質量％である請求項９又は１０に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化珪素焼結体に関する。また本発明は、窒化珪素焼結体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非常に高い関心が寄せられているハイブリッド車及び電気自動車を駆動するためのモータの分野や、持続可能エネルギーとして注目されている太陽光発電及び風力発電等の分野においては、エネルギー効率の向上及び省エネルギーの観点から、パワー半導体デバイスが重要な技術要素となる。パワー半導体デバイスは発熱量が大きいことから、その回路基板は、放熱のために高い熱伝導率を有することが必要である。該基板としては絶縁性のものが用いられるところ、近年、該基板として窒化珪素を用いることが種々検討されている（特許文献１及び２参照）。窒化珪素は、高い理論熱伝導率、優れた機械的特性及び高い電気絶縁性を有する材料だからである。【０００３】
特許文献１には、窒化珪素粒子内にＯ、Ａｌ、Ｃａ及びＦｅが残留すると、窒化珪素粒子内のフォノン伝播が阻害され、結果的に窒化珪素焼結体の熱伝導率が低下することが記載されている。また同文献には、窒化珪素粒子の方向を任意の一方向に配向させることで、その方向へのフォノン伝播が滞ることがなくなり、それによって高い熱伝導性が達成されると記載されている。また、窒化珪素粒子の短軸径を２μｍ以上とすることでも、窒化珪素焼結体の熱伝導率を高めることができると、同文献には記載されている。【０００４】
特許文献２には、基板面方向の熱伝導率に対する、厚み方向の熱伝導率の比が１．２以上である窒化珪素焼結体からなる基板が記載されている。同文献の記載によれば、熱伝導率に異方性を付与することで、基板表面に回路やＩＣなどの発熱する素子を搭載した場合、基板の一方の面に形成された回路や素子において発生した熱が、側面よりも裏面に効率よく伝わり、面方向ではなく厚み方向に熱を逃がすことができ、放熱性を高めることができるので、回路や素子の温度が上昇することを防止できる、とされている。窒化珪素焼結体からなる基板の熱伝導率に異方性を付与するために、同文献においては次の製造方法を採用している。すなわち、種結晶としてβ型窒化珪素粉末を含み、更にα型窒化珪素粉末を含む原料粉末を磁場中で成形して、β型窒化珪素粉末を配向させる。次いで焼成を行うと、配向したβ型窒化珪素粒子を種として、α型窒化珪素粒子が溶解・析出して柱状に粒成長し、厚み方向にｃ軸配向した基板が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９５５５号公報
【特許文献２】特開２００２−１２１０７６号公報
【発明の概要】
【０００６】
しかし、近年のパワー半導体デバイスが扱う電力はますます大きくなっており、また電流密度もますます高くなっている。特許文献１及び２の記載の窒化珪素焼結体では、そのような大電力化及び高電流密度化に十分に対応することが容易でなくなってきている。
【０００７】
したがって本発明の課題は、前述した従来技術が有する種々の欠点を解消し得る窒化珪素焼結体及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
本発明は、窒化珪素の結晶が実質的に無配向である窒化珪素焼結体を提供するものである。この窒化珪素焼結体は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ以上であり、かつＪＩＳ  Ｒ１６０１に準拠して測定された常温三点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である。
【０００９】
また本発明は、前記の窒化珪素焼結体の好ましい製造方法として、窒化珪素粉末を含む原料粉末を窒素雰囲気下に焼成する工程を含む窒化珪素焼結体の製造方法を提供するものである。前記工程は、前記原料粉末を１〜１００時間にわたり、１４００〜１７５０℃の間の一定温度下に保持するエージング工程と、エージング工程での温度から昇温速度１〜１００℃／ｈで昇温する昇温工程と、１８００〜２０００℃の間の一定温度で、３０〜６０時間にわたり焼成する焼成工程とを備える。
【発明の詳細な説明】
【００１０】
本発明の窒化珪素焼結体における窒化珪素は、α型及びβ型のいずれであってもよい。α型とβ型とを比較すると、β型の方が単純な結晶構造をとるので、フォノン散乱が起こりづらく、熱伝導率が高くなると推測される。したがって、窒化珪素はβ型であることが好ましい。
【００１１】
本発明の窒化珪素焼結体は、高熱伝導率を有するとともに、高強度を有するものであることを特徴の一つとする。熱伝導率に関しては、本発明の窒化珪素焼結体は、１００Ｗ／ｍＫ以上の高熱伝導率を有し、好ましくは１００〜１５０Ｗ／ｍＫ、更に好ましくは１００〜１４０Ｗ／ｍＫ、一層好ましくは１００〜１３５Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。このような高熱伝導率を有する本発明の窒化珪素焼結体は、例えば高い放熱性が要求されるパワー半導体デバイスの基板や、各種のアルミニウム溶湯用部品及び鉄鋼製造設備のローラ等として特に好適なものとなる。この熱伝導率は、本発明の窒化珪素焼結体が例えば板状のものである場合、そのＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のいずれか一方向で満たしていればよく、これら３方向のうちの２方向で満たしていることが好ましく、特に、これら３方向のすべてで満たしていることが最も好ましい。熱伝導率は、ＪＩＳ  Ｒ１６１１に準拠し、例えばレーザーフラッシュ法によって測定することができる。
【００１２】
強度に関しては、本発明の窒化珪素焼結体は、常温三点曲げ強度が５００ＭＰａ以上の高強度を有し、好ましくは５００〜９００ＭＰａ、更に好ましくは５００〜８００ＭＰａ、一層好ましくは５００〜７００ＭＰａの強度を有する。このような高強度を有する本発明の窒化珪素焼結体は、上述した高熱伝導率と相まって、該焼結体を例えばパワー半導体デバイスの基板として用いる場合、デバイスの製造工程でのハンドリング時に破損しにくくなり、またデバイスの熱サイクルに起因して生じやすいクラックが効果的に防止されたものとなる。また、急熱急冷時の熱応力を低減できる効果が大きいので、耐熱衝撃部材として有用でもある。この強度は、本発明の窒化珪素焼結体が例えば板状のものである場合、そのＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のいずれか一方向で満たしていればよく、これら３方向のうちの２方向で満たしていることが好ましく、特に、これら３方向のすべてで満たしていることが最も好ましい。常温三点曲げ強度は、Ｒ１６０１に準拠して測定される。
【００１３】
本発明の窒化珪素焼結体が、上述の熱伝導率及び強度を有するためには、該焼結体中の窒化珪素粒子の結晶粒が実質的に無配向であることが重要である。これまでに知られている高熱伝導率の窒化珪素焼結体では、結晶に配向性を付与することで、フォノン伝播が阻害されないようにして、熱伝導率を高めていた。これに対して、窒化珪素の結晶粒が無配向で、かつ高熱伝導率を有する窒化珪素焼結体を得るという本発明の発想は、これまでに知られていない極めて斬新なものである。窒化珪素の結晶粒が実質的に無配向になっている窒化珪素焼結体を得るための好適な方法については後述する。
【００１４】
本発明の窒化珪素焼結体における窒化珪素の結晶粒の配向性の程度は、該焼結体のＸ線回折法による測定から判断することができる。具体的には、窒化珪素がβ型である場合、粉末Ｘ線回折法によって測定された回折図から、窒化珪素の（２００）面及び（００２）面に由来するピークの高さであるＩ200及びＩ002を測定する。そして、これらのピーク高さの比、すなわちＩ002／Ｉ200を、ＮＤ（Ｎｏｒｍａｌ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）とＲＤ（Ｒｏｌｌｉｎｇ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）の双方について算出する。窒化珪素の結晶粒が無配向の場合には、理論上、ＮＤ及びＲＤの双方について、前記の比Ｉ002／Ｉ200の値が１となる。そこで本発明においては、ＮＤ及びＲＤの双方について、算出された前記の比の値がいずれも０．６〜３、特に０．６〜１．５、とりわけ０．６〜１．３の範囲内である場合、その窒化珪素焼結体における窒化珪素の結晶粒は実質的に無配向であると判断する。「実質的」とは、前記の比の値が１の場合だけでなく、前記の比の値が１から偏倚した前記の範囲内である場合も無配向であると判断することを意味する。なお、（００２）面に由来するピーク高さＩ002は、窒化珪素の結晶性が高い場合には、α1とα2とに分離して観察されるので、その場合には、Ｉ002は、Ｉ002＝（２α1＋α2）／３から算出する。
【００１５】
本発明の窒化珪素焼結体は、その嵩比重が３．０〜４．０、特に３．４〜３．５であることが好ましい。またその比熱が０．１〜１（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）、特に０．５〜０．７（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）であることが好ましい。この理由は、熱伝導率［ｋ］は、熱伝導率［ｋ］＝嵩比重×比熱×熱拡散率で表されるので、嵩比重及び比熱が高いほど熱伝導率が高くなるからである。更に本発明の窒化珪素焼結体は、その線膨張率が、２０〜４００℃の範囲で、３．０〜４．０×１０-6／Ｋ、特に３．２〜３．３×１０-6／Ｋであることが好ましい。
【００１６】
窒化珪素焼結体の嵩比重は、原料粉末の粒径や、焼成条件等によって制御することができる。嵩比重は、ＪＩＳ  Ｚ８８０７に準拠して、アルキメデス法よって測定することができる。窒化珪素焼結体の比熱及び線膨張率は、原料粉末の種類等によって制御することができる。比熱は、ＪＩＳ  Ｒ１６１１に準拠して、例えばレーザーフラッシュ法によって測定することができる。線膨張率は、ＪＩＳ  Ｒ３１０２に準拠して、例えばＴＭＡ法によって測定することができる。
【００１７】
本発明の窒化珪素焼結体は、窒化珪素を主成分とし、更に焼結助剤として用いられる化合物の元素を含むものである。焼結助剤としては、当該技術分野においてこれまで用いられてきたものと同様のものを用いることができる。焼結助剤を構成する元素は、窒化珪素焼結体における粒界に主として存在する。特に、焼結助剤としてＹｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＭｇＯの少なくとも一種を用いることが好ましい。粒界は、結晶相を構成していてもよく、あるいはガラス相であってもよい。両者を比較した場合、結晶相はガラス相よりもフォノン散乱を起こしにくく、その結果ガラス相よりも熱伝導率が高くなる。この観点から、粒界は結晶相を構成していることが有利である。焼結助剤として上述のものを用いた場合、該焼結助剤を構成する元素は、例えばＹｂ2Ｓｉ3Ｎ4Ｏ3やＹｂ2Ｓｉ3Ｎ2Ｏ7、Ｙｂ2Ｓｉ2Ｏ7などの化合物の結晶相の状態で、粒界に主として存在する。これらの結晶相化合物のうち、結晶構造が単純なものほど熱伝導率が高くなるので好ましい。例えば、Ｙｂ2Ｓｉ3Ｎ4Ｏ3やＹｂ2Ｓｉ3Ｎ2Ｏ7などの窒化物結晶は、Ｙｂ2Ｓｉ2Ｏ7などの酸化物結晶よりも一般に共有結合性が高いので、熱伝導率が高くなる。この観点から、結晶相化合物としてＹｂ2Ｓｉ3Ｎ4Ｏ3やＹｂ2Ｓｉ3Ｎ2Ｏ7などの窒化物を用いることが好ましい。
【００１８】
次に、本発明の窒化珪素焼結体の好適な製造方法について説明する。この製造方法は、窒化珪素粉末を含む原料粉末を窒素雰囲気下に焼成する工程を含むものである。原料粉末に含まれる窒化珪素粉末としては、α型及びβ型の窒化珪素のいずれを用いてもよい。好ましくは、α型の窒化珪素粉末を用い、これを後述する条件で焼成することで、β型の窒化珪素に変換することが好ましい。窒化珪素粉末の平均粒径は、０．３〜１．５μｍ、特に０．３〜１μｍであることが好ましい。平均粒径は、ＪＩＳ  Ｒ１６２９に準拠してレーザー回折散乱法によって測定される。窒化珪素粉末が、原料粉末に占める割合は、７０〜９９質量％、特に８５〜９９質量％であることが好ましい。
【００１９】
原料粉末には、窒化珪素粉末に加えて、焼結助剤の粉末が含まれていることが好ましい。焼結助剤として、当該技術分野においてこれまで用いられてきたものと同様のものを用いることができることは先に述べたとおりである。特に焼結助剤として、Ｙｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2及びＭｇＯの少なくとも一種を用いることが好ましく、とりわけ、Ｙｂ2Ｏ3とＳｉＯ2との組み合わせ、又はＹｂ2Ｏ3とＭｇＯとの組み合わせを用いることが、後述する焼成条件で焼成を行ったときに、窒化珪素の結晶粒を実質的に無配向にしやすくできる点で好ましい。焼結助剤が、原料粉末に占める割合は、１〜３０質量％、特に１〜１５質量％であることが好ましい。
【００２０】
上述の原料粉末を用い、目的とする窒化珪素焼結体を、その形状に応じて種々の方法で製造することができる。例えば、目的とする焼結体が板状のものである場合には、プレス成形によって成形体を製造し、該成形体を焼成すればよい。一方、基材が三次元形状を有する場合には、鋳込み成形によって成形体を製造し、該成形体を焼成すればよい。これらの方法以外に、必要に応じ例えば押し出し成形を用いることもできる。
【００２１】
板状の焼結体を製造する場合には、上述の原料粉末を、バインダー、分散剤及び溶媒と混合しスラリーを調製し、スプレードライヤー法を用いてそのスラリーを顆粒となし、その顆粒をプレス成形機によって所定形状に成形すればよい。バインダー及び分散剤としては、当該技術分野においてこれまで用いられてきたものと同様のものを用いることができる。バインダーとしては、例えばポリビニルアルコール、ポリアクリル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラールなどを用いることができる。分散剤としては、例えばマレイン酸、ポリカルボン酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸アンモニウム塩などを用いることができる。溶媒としては、バインダー及び分散剤の種類に応じ、例えば水、並びにメタノール、プロパノール、エタノール、ブタノール等の有機溶剤などを用いることができる。スラリー中の原料粉末（窒化珪素粉末及び焼結助剤）の濃度は、例えば１０〜１００質量％、特に３０〜５０質量％とすることが好ましい。
【００２２】
上述のようにして得られた成形体を焼成することで、目的とする窒化珪素焼結体を得る。本製造方法は、焼成条件に特徴の一つを有するものである。詳細には、前記の成形体を焼成炉に窯詰めした後、先ず所定の高温まで昇温し、その温度を所定時間保持してエージングを行う。エージングは、微細なα型窒化珪素粒子をβ型窒化珪素粒子へ相変態させる目的で行われる。このエージングにおいては、好ましくは１〜１００時間、更に好ましくは１〜１０時間にわたり、好ましくは１４００〜１７５０℃、更に好ましくは１４００〜１７００℃、一層好ましくは１４００〜１６００℃、更に一層好ましくは１５００〜１６００℃の間の一定温度下に保持する。
【００２３】
エージングが完了したら焼成炉内を昇温し、目的とする焼成温度にする。焼成温度は好ましくは１８００〜２０００℃、更に好ましくは１８００〜１９００℃とする。エージングの温度から、この焼成温度にまで昇温するときの昇温速度は、好ましくは１〜１００℃／ｈ、更に好ましくは１〜３０℃／ｈ、一層好ましくは３〜３０℃／ｈとする。この範囲の昇温速度を採用すると、窒化珪素の粒子が柱状に成長しやすくなる。この結果、窒化珪素の結晶粒を実質的に無配向にしやすくなるので好ましい。その結果、窒化珪素焼結体の熱伝導率及び常温三点曲げ強度を容易に上述の範囲内に設定することができる。特に、窒化珪素焼結体の熱伝導率を容易に上述の範囲内に設定することができる。
【００２４】
前記の昇温速度で昇温を行い、目的とする焼成温度に到達したら、その焼成温度を維持して、好ましくは３０〜６０時間、更に好ましくは３０〜５０時間、一層好ましくは３０〜４８時間にわたり焼成を行う。焼成時間かこの範囲よりも短いと、窒化珪素の結晶を実質的に無配向にすることが容易でなくなる。
【００２５】
以上の工程においては、焼成炉内を窒素雰囲気とする。焼成炉内の窒素の圧力（絶対圧。以下、窒素の圧力に言及するときは絶対圧を指す。）は、エージング工程及びそれに引き続く昇温工程の途中までは、１〜９２ｋＰａ、特に１０〜９２ｋＰａとすることが好ましい。その後、昇温工程の後半及びそれに引き続く焼成工程では、窒素の圧力を高めて、９２〜９２０ｋＰａ、特に６５〜９２０ｋＰａとすることが好ましい。このように、焼成の段階に応じて窒素の圧力を変化させることで、開気孔が閉気孔に変化するときに、閉気孔中に存在する高圧の窒素ガスが該閉気孔中トラップされにくくなり、高密度の焼成体が得られるので好ましい。
【００２６】
このようにして得られた窒化珪素焼結体は、窒化珪素の結晶粒が実質的に無配向なものとなり、それによって高熱伝導率を有し、かつ高強度を有するものとなる。したがって、この窒化珪素焼結体は、例えばパワー半導体デバイスの絶縁基板として、特に好適に用いられる。また、該絶縁基板以外に、高熱伝導性を生かした各種構造部品へ適用することもできる。特に急熱急冷時の熱応力を低減できる効果が大きいので、耐熱衝撃部材として有用である。更に各種のアルミニウム溶湯用部品や鉄鋼製造設備に用いられるローラ類としても有用である。
【実施例】
【００２７】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「％」は「質量％」を意味する。【００２８】
〔実施例１〕
（１）スラリーの調製
原料粉末として、平均粒径が０．７μｍのα型窒化珪素粉末８５％と、平均粒径が１μｍのＹｂ2Ｏ3粉末１３％と、平均粒径が０．８μｍのＳｉＯ2粉末２％とを用意した。更に、バインダーとしてポリビニルアルコールを用い、分散剤としてマレイン酸系共重合体を用いた。これらを、直径１０ｍｍの樹脂ボールが入っている樹脂ポット中に入れ、更に水を入れて密栓した。この樹脂ポットをポットミルに取り付けて２４時間にわたって混合を行い、スラリーを調製した。スラリー中の原料粉末の割合は６３．４％、バインダーの割合２％、分散剤の割合は１．５％とした。【００２９】
（２）成形体の製造
得られたスラリーをスプレードライヤー法で顆粒にした後、該顆粒を油圧成形機で成形し、６０ｍｍ四方で厚さ７ｍｍの成形体を得た。成形圧は１００ＭＰａとした。【００３０】
（３）焼成
得られた成形体を焼成炉内に静置した。焼成炉内には、窒素を圧力９２ｋＰａで流通させた。焼成炉内を室温から１５００℃まで急速昇温し、１５００℃で２時間にわたりエージングした。引き続き、昇温速度５℃／ｈで昇温し、焼成炉内を１９００℃にした。昇温の途中で、焼成炉内の窒素の圧力を９２０ｋＰａに上昇させた。これ以後は、焼成炉内の窒素の圧力は、この値に保持した。そして、１９００℃で４８時間にわたって焼成を行った。このようにして、窒化珪素焼結体を得た。【００３１】
〔実施例２並びに比較例１及び２〕
原料粉末として、以下の表１に示す組成のものを用いた。また、焼成条件として、以下の表１に示す条件を採用した。これら以外は実施例１と同様にして、窒化珪素焼結体を得た。【００３２】
〔評価〕
実施例及び比較例で得られた窒化珪素焼結体について、上述した方法で、熱伝導率及び常温三点曲げ強度を測定した。また粉末ＸＲＤ測定（線源：Ｃｕｋα、θ−２θ法）によってＮＤ及びＲＤについてＩ002／Ｉ200のピーク高さ比を求めた。更に、嵩比重、比熱及び線膨張率を、上述した方法で測定した。これらの結果を以下の表１に示す。【００３３】
【表１】
2013121861.tif 000002
【００３４】
表１に示す結果から明らかなように、実施例で得られた窒化珪素焼結体は、比較例で得られた窒化珪素焼結体に比べて、熱伝導率及び三点曲げ強度のいずれもが高いことが判る。これに対して、比較例で得られた窒化珪素焼結体は、三点曲げ強度は高いものの、熱伝導率は高くならなかった。【００３５】
なお、表に示していないが、得られた窒化珪素焼結体における窒化珪素はβ型のものであった。また、ＸＲＤ測定の結果から、実施例１で得られた窒化珪素焼結体においては、粒界にＹｂ2Ｓｉ3Ｎ4Ｏ3の結晶相が存在することが確認され、実施例２で得られた窒化珪素焼結体においては、粒界にＹｂ2Ｓｉ3Ｎ4Ｏ3やＹｂ2Ｓｉ3Ｎ2Ｏ7の結晶相が存在することが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明によれば、高熱伝導率を有し、かつ高強度を有する窒化珪素焼結体が提供される。
【国際調査報告】
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