(57)【要約】  陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法は、有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する工程と、インピーダンス分光から電気容量を算出する工程と、前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する工程と、を有する。
2013111459.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する工程と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出する工程と、
前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法において、
前記インピーダンス分光を測定する工程では、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１〜５００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法。
【請求項３】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法において、
前記インピーダンス分光を測定する工程では、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１０〜５０００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加し、
前記電気容量の値の正負を判定する工程では、前記電気容量の値が負と判定した場合に、前記電気容量の値の正負の境界となる測定周波数をしきい値周波数ｆｔｈとして、前記しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たすかどうかをさらに判定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法。
ｆｔｈ（Ｈｚ）＜０．０１×Ａ・・・（１）
（式（１）中、ｆｔｈはしきい値周波数、Ａは発光素子面積（ｍｍ２）を表している。）
【請求項４】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する測定部と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出するとともに、前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する制御部と、
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置において、
前記測定部が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１〜５００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置。
【請求項６】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置において、
前記測定部が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１０〜５０００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加し、
前記制御部が、前記電気容量の値が負と判定した場合に、前記電気容量の値の正負の境界となる測定周波数をしきい値周波数ｆｔｈとして、前記しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たすかどうかをさらに判定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置。
ｆｔｈ（Ｈｚ）＜０．０１×Ａ・・・（１）
（式（１）中、ｆｔｈはしきい値周波数、Ａは発光素子面積（ｍｍ２）を表している。）
【請求項７】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置としてのコンピューターに、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する機能と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出するとともに、前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する機能と、
を実現させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラム。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラムにおいて、
前記インピーダンス分光を測定する機能が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１〜５００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加する機能を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラム。
【請求項９】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラムにおいて、
前記インピーダンス分光を測定する機能が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１０〜５０００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加する機能を有し、
前記電気容量の値の正負を判定する機能が、前記電気容量の値が負と判定した場合に、前記電気容量の値の正負の境界となる測定周波数をしきい値周波数ｆｔｈとして、前記しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たすかどうかをさらに判定する機能を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラム。
ｆｔｈ（Ｈｚ）＜０．０１×Ａ・・・（１）
（式（１）中、ｆｔｈはしきい値周波数、Ａは発光素子面積（ｍｍ２）を表している。）
【請求項１０】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価装置としてのコンピューターに、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する機能と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出するとともに、前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する機能と、
を実現させるための有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラムを記録したコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の記録媒体において、
前記インピーダンス分光を測定する機能が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１〜５００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加する機能を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラムを記録したコンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項１２】
請求項１０に記載の記録媒体において、
前記インピーダンス分光を測定する機能が、前記インピーダンス分光の測定周波数範囲を１Ｈｚ〜１０ｋＨｚの範囲とするともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子の輝度が１０〜５０００ｃｄ／ｍ２となる直流電圧を印加する機能を有し、
前記電気容量の値の正負を判定する機能が、前記電気容量の値が負と判定した場合に、前記電気容量の値の正負の境界となる測定周波数をしきい値周波数ｆｔｈとして、前記しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たすかどうかをさらに判定する機能を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価プログラムを記録したコンピューター読み取り可能な記録媒体。
ｆｔｈ（Ｈｚ）＜０．０１×Ａ・・・（１）
（式（１）中、ｆｔｈはしきい値周波数、Ａは発光素子面積（ｍｍ２）を表している。）
【請求項１３】
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する工程と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出する工程と、
前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法、評価装置、評価プログラム、記録媒体および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の性能評価は、実際に有機ＥＬ素子を作製して、電圧−電流特性、電圧−輝度特性、電流−輝度特性等の評価方法に基づいて行われていた。【０００３】
また、特許文献１では、基板上に形成された検査用有機ＥＬ素子に検査用電圧を印加して発光させ、その検査用有機ＥＬ素子が所定の輝度で発光するときの電圧を測定し、測定された電圧と予め設定されたしきい電圧とを比較することで、良好な発光特性を有する有機ＥＬ素子であるか否かを判定する有機ＥＬ素子の評価方法が提案されている。
しかし、この評価方法では、有機ＥＬ素子の耐久性を含めた厳密な評価ができておらず、通常の有機ＥＬ素子の評価方法と同じ評価結果が得られたとしても、駆動耐久性試験を行うと評価結果が異なってしまうという問題がある。
このため、有機ＥＬ素子の耐久性まで含めた厳密な性能を簡便かつ短時間で非破壊検査でき、安定した素子性能の有機ＥＬ素子を大量に安定供給が可能となる有機ＥＬ素子の評価方法が求められていた。【０００４】
このような要求を満たす評価方法として、インピーダンス分光（Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＩＳ）法による有機ＥＬ素子の評価方法がある。
ＩＳ法は、微小な正弦波電圧信号を有機ＥＬ素子に印加し、その応答電流信号の振幅と位相からインピーダンスを算出し、印加電圧信号の周波数の関数としてインピーダンススペクトルを得る測定方法である。
印加電圧信号の周波数をパラメータとし、得られたインピーダンス（Ｚ）を複素平面上に表示したものをＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットと呼ぶ。さらに、このインピーダンスから、基本的な伝達関数であるモジュラス（Ｍ）、アドミタンス（Ｙ）、誘電率（ε）を得ることができる。例えば、モジュラスは、次式により求められる（例えば、非特許文献１参照）。【０００５】
Ｍ＝ｊωＺ
式中、ｊは虚数単位、ω＝２πｆ（ｆは周波数）を表している。【０００６】
これら４つの伝達関数から、解析目的に適した伝達関数を適宜選択することができるが、有機ＥＬ素子の評価においては、モジュラスを複素平面上にプロットしたＭプロットが多く用いられている。
例えば、有機ＥＬ素子に発光開始電圧以下の電圧を印加し、ＩＳ法により測定したＭプロットにおける円弧部の数をｍ、有機層の層数をｎとし、ｎ＞ｍを満たす場合には評価対象の有機ＥＬ素子が良好であると判定する評価方法が開示されている（特許文献２参照）。
また、基準の有機ＥＬ素子に発光開始電圧以下の電圧を印加し、ＩＳ法により測定したＭプロットの形状と、検査対象の有機ＥＬ素子のＭプロットの形状とを比較し、±５％以内であれば良好であると判定する評価方法が開示されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１９２９２５号公報
【特許文献２】特開２０１１−３４８０５号公報
【特許文献３】特開２０１１−３４８１１号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｙ．Ｔｅｒａｏ，Ｋ．Ｋａｗａｇｕｃｈｉ，Ｍ．Ｎｉｓｈｉｕｒａ，Ｈ．Ｋｉｍｕｒａ，Ｔ．Ｓａｉｔｏ，Ｍ．Ｉｃｈｉｋａｗａ，Ｔ．Ｏｋａｃｈｉ  ａｎｄ  Ｈ．Ｎａｉｔｏ:  ＩＤＷ  ２００８  ｐ．９７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、１００ｍｍ２以上の大きな発光素子面積（２５００ｍｍ２）を有する有機ＥＬ素子について、インピーダンス分光測定を行いＭプロットの解析を行ったところ、図１７のような単一の半円と接触抵抗以外の成分は観測されなかった。発光素子面積の異なる、同じ素子構成の大面積有機ＥＬ素子を幾つかＭプロット解析しても同様の結果となり、Ｍプロットを用いた有機ＥＬ素子の評価方法では、各有機ＥＬ素子間の相違を確認することはできなかった。さらに、同じ有機ＥＬ素子群の駆動劣化試験を行ったところ、有機ＥＬ素子により発光寿命の違いが見られた。
原因として、特許文献２，３においては、発光素子面積の小さい有機ＥＬ素子が用いられており、さらに各有機層に対応した円弧状のＭプロットを得るため、有機ＥＬ素子を発光開始電圧以下で駆動しているためと考えられる。
上記のように、Ｍプロットを用いた評価方法では、照明用途などを目的とした大面積有機ＥＬ素子の評価には不十分であることが明らかになった。【００１０】
したがって、本発明の主な目的は、大面積有機エレクトロルミネッセンス素子の素子性能を評価できる方法であって、特に耐久性を厳密に評価できる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明によれば、
陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有し、１００ｍｍ２以上１ｍ２以下の発光素子面積を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子に発光開始電圧以上の直流電圧を印加し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子のインピーダンス分光を測定する工程と、
前記インピーダンス分光から電気容量を算出する工程と、
前記電気容量の値が正または負のいずれであるのかを判定する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の評価方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、大面積有機エレクトロルミネッセンス素子の素子性能を評価できる方法であって、特に耐久性を厳密に評価できる方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】評価装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】評価装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図３Ａ】Ｃ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図３Ｂ】Ｃ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図４】評価装置の動作を説明するためのフローチャートである。
【図５】電気容量−周波数プロットにおけるしきい値周波数を説明するための図である。
【図６Ａ】有機ＥＬパネルの概略構成を示す斜視図である。
【図６Ｂ】有機ＥＬパネルの概略構成を示す断面図である。
【図７】有機ＥＬパネル１−１のＭプロットを概略的に示す図である。
【図８】有機ＥＬパネル１−２のＭプロットを概略的に示す図である。
【図９】有機ＥＬパネル１−３のＭプロットを概略的に示す図である。
【図１０】有機ＥＬパネル１−４のＭプロットを概略的に示す図である。
【図１１】有機ＥＬパネル１−５のＭプロットを概略的に示す図である。
【図１２】有機ＥＬパネル２−１の電気容量−周波数プロット（Ｃ−ｆプロット）を概略的に示す図である。
【図１３】有機ＥＬパネル２−２のＣ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図１４】有機ＥＬパネル２−３のＣ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図１５】有機ＥＬパネル２−４のＣ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図１６】有機ＥＬパネル２−５のＣ−ｆプロットを概略的に示す図である。
【図１７】大面積有機ＥＬ素子におけるＭプロットを概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１の実施形態］
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１５】
《有機ＥＬ素子》
（１）有機ＥＬ素子の構成
本発明に係る有機ＥＬ素子は、支持基盤（基板）、電極、種々の機能を有する有機層等によって構成されている。好ましい構成の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００１６】
（ｉ）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｉｉ）陽極／正孔輸送層／電子阻止層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｉｉｉ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（ｉｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／電子阻止層／発光層ユニット／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
【００１７】
上記の正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層及び後述する中間層は、総称して「キャリア制御層」と呼ばれる。
「キャリア」とは電子及び正孔をいい、「キャリア輸送層」はキャリア輸送材料からなる層であるが、ｐ型又はｎ型半導体層から構成されることが好ましい。ここで、「ｐ型又はｎ型半導体層」とは、各々電子受容性化合物又は電子供与性化合物を含有し半導性を示す有機層をいう。
【００１８】
（２）発光層ユニット
本発明に係る発光層ユニットは、複数または単一の発光層を有する構成単位である。
複数の発光層を有する場合、発光層ユニットとは最も陽極側の発光層から最も陰極側の発光層まで積層された有機層を指す。すなわち、各発光層は異なる発光色の発光性化合物を含有する有機層からなる。なお、当該ユニットは、各発光層間に非発光性の中間層を有してもよい。
また、本発明に係る発光層は、電極、電子輸送層、又は正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００１９】
本発明に係る発光層の層厚の総和は特に制限はないが、層の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、１０〜１００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲である。
【００２０】
本発明に係る不連続発光層を真空蒸着方法により形成する際は、ホスト化合物や発光性ドーパント等の蒸着速度や蒸着量を適切に制御することが必要である。好ましい蒸着速度は、０．０５ｎｍ／秒以下、特に好ましくは０．０３ｎｍ／秒である。蒸着速度を比較的遅くすることにより、ホスト化合物や発光性ドーパントを特定サイトに選択的に蒸着させることができる。好ましい蒸着量は所望の層厚や不連続性に応じて調製することができる。
また、蒸着サイトを限定するために蒸着パターンに応じたマスクを利用することも好ましい。
【００２１】
複数の発光層を有する場合、青、緑、黄、赤の各発光層の積層順については特に制限はないが、青色発光層は発光層の中で最も陰極側に設けることが好ましい。
【００２２】
次に、発光層に含まれるホスト化合物及び発光性ドーパントについて説明する。
【００２３】
（２−１）ホスト化合物
本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含まれるホスト化合物とは、その化合物上のキャリアの再結合によって生成した励起子のエネルギーを発光性ドーパントに移動し、その結果、当該発光性ドーパントを発光させる化合物、及び当該ホスト化合物上のキャリアを発光性ドーパントにトラップさせ、当該発光性ドーパント上で励起子を生成させ、その結果、当該発光性ドーパントを発光させる化合物をいう。したがって、ホスト化合物自体の発光能は低い程良く、例えば、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満、好ましくは０．０１未満である化合物である。
また、発光層に含有される化合物の中で、そのホスト化合物の比率は２０質量％以上であることが好ましい。
【００２４】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。
また、後述する発光性ドーパントとして用いられるリン光性化合物等を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することが可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。
【００２５】
（２−２）ガラス転移温度：Ｔｇ
本発明に係る有機ＥＬ素子を構成する各層の有機化合物は、１００℃以上のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する材料を、各々の層の少なくとも８０質量％以上含有することが好ましい。
ここで、ガラス転移温度（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。上記のような同一の物理的特性を有するホスト化合物を用いること、さらに好ましくは、同一の分子構造を有するホスト化合物を用いることにより、有機ＥＬ素子の有機化合物層全体に渡って均質な膜性状が得られる。また、ホスト化合物のリン光発光エネルギーを２．９ｅＶ以上になるように調整することにより、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得ることが出来る。
【００２６】
（２−３）リン光発光ドーパント
本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層や発光層ユニットには、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点から、上記のホスト化合物を含有すると同時にリン光発光ドーパントを含有することが好ましい。
リン光発光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が室温（２５℃）において０．０１以上、好ましくは０．１以上の化合物である。
リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光ＩＩの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００２７】
リン光発光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光ドーパントに移動させることでリン光発光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光発光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光発光ドーパントの励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００２８】
リン光発光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
リン光発光ドーパントとしては、例えば、元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物が好ましく、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、特に好ましくはイリジウム化合物である。
【００２９】
また、リン光発光ドーパントしては、下記に示す従来公知の化合物を併用することができる。
【００３０】
【化１】
2013111459.tif 000003
【００３１】
【化２】
2013111459.tif 000004
【００３２】
【化３】
2013111459.tif 000005
【００３３】
【化４】
2013111459.tif 000006
【００３４】
（３）塗布による成膜
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機化合物薄膜（有機層）の形成には、スピンコート法、インクジェット法、スプレー法、印刷法等の塗布法を用いてもよい。
塗布法に適した有機ＥＬ素子材料として公知の化合物材料を用いることができ、具体的には特開２０１０−２７２２８６号などに記載されている化合物などを用いることができる。
【００３５】
本発明においては、塗布液調製（分散液調製の場合もある）時の有機ＥＬ素子材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
有機ＥＬ素子材料の分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【００３６】
これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
【００３７】
（４）用途
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられ、これらに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては従来公知の方法を用いることができる。
【００３８】
《評価装置》
有機ＥＬ素子の評価装置の一例としては、図１に示すように、インピーダンス分光測定装置１が使用される。
インピーダンス分光測定装置１は、主に、制御部１０と、測定部２０と、記憶部３０と、入力部４０と、出力部５０とから構成されている。
【００３９】
制御部１０は、主に、ＣＰＵ１２と、ＲＡＭ１４とから構成されている。
ＣＰＵ１２は、インピーダンス分光測定装置１の各部を集中制御する。ＣＰＵ１２は、記憶部３０に記憶されているシステムプログラム及び各種アプリケーションプログラムの中から指定されたプログラムをＲＡＭ１４に展開し、ＲＡＭ１４に展開されたプログラムとの協働で、各種処理を実行する。例えば、ＣＰＵ１２は、プログラムとの協働により、後述する測定処理を実行することにより、データ作成手段、判定手段として機能する。
【００４０】
ＲＡＭ１４は、ＣＰＵ１２がプログラムを実行する際に展開するプログラム展開エリア、入力部４０から入力される入力データ、各種処理結果等を一時的に記憶するワークエリアを有している。
【００４１】
測定部２０は、主に、インピーダンスアナライザー２２及びポテンショスタット２４から構成されている。
ポテンショスタット２４は、有機ＥＬ素子に対し、直流電圧に３０〜１００ｍＶｒｍｓの交流（周波数範囲は０．１Ｈｚ〜１０ＭＨｚ）を重畳して印加する。
インピーダンスアナライザー２２は、電圧印加された有機ＥＬ素子からの応答電流信号を受信し、当該信号を制御部１０に送信する。
【００４２】
従来、ＩＳ法では、インピーダンスアナライザー２２（例えば、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザ）及び誘電体インターフェイス（例えば、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２９６型誘電体インターフェイス）を用いた測定システムが広く用いられていた。
インピーダンスアナライザー２２及び誘電体インターフェイスを用いた測定システムでは、最大直流電流の装置スペックは１００ｍＡであり、インピーダンスアナライザー２２及びポテンショスタット２４を用いた測定システムでは、最大直流電流の装置スペックは２Ａである。
２ｍｍ×２ｍｍ程度の発光素子面積を有する有機ＥＬ素子において、１００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るための電流は１０μＡ程度であるが、駆動電流は発光素子面積に比例して大きくなるため、照明用途で実用的な５０×５０ｍｍの発光素子面積では、同じく１００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るための電流は５ｍＡ以上に達する。
このため、大電流（１ｍＡ以上の直流電流）に重畳させた微小な交流信号を精度良く測定するためには、上記のようなポテンショスタット２４を含むインピーダンス測定システムが好ましい。
【００４３】
インピーダンスアナライザー２２としては、具体的には、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザを用いることができる。
ポテンショスタット２４としては、具体的には、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２８７型ポテンショスタットを用いることができる。
２Ａ以上の電流が必要な場合は、例えば、東陽テクニカ社製ＰＢｉ２５０型パワーブースターを用いれば２５Ａまでの測定が可能となる。
【００４４】
なお、「発光素子面積」とは有機ＥＬ素子全体のうち電圧印加により発光する部分の面積の総和を意味し、発光する部分の形状は、正方形、長方形、円形、楕円形など如何なる形状でも良く、また、各々独立した発光部分を、並列あるいは直列で配線した回路から形成された状態であってもよい。
また、ＩＳ法の解析ではＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットの軌跡から有機ＥＬ素子の等価回路を推定し、その等価回路から計算したＣｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットの軌跡と測定データを一致させ、等価回路を決定する。等価回路解析には、例えば、Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製のＺｖｉｅｗを用いることができる。
【００４５】
記憶部３０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）３２等の読み出し専用の半導体メモリにより構成され、インピーダンス分光測定装置１の各種機能を実現するためのプログラムやデータを記憶するメモリである。
記憶部３０は、プログラムやデータが予め記憶された記録媒体（図示略）を有しており、この記録媒体は、記憶部３０に固定的に、または着脱自在に装着することができる。各プログラムは、読取可能なプログラムコードの形態で格納され、ＣＰＵ１２は、当該プログラムコードに従った動作を逐次実行する。
また、記憶部３０はＨＤＤ等により構成してもよい。
【００４６】
入力部４０は、外部からインピーダンス分光測定装置１にコマンド（命令）やデータ等を入力するための装置であり、例えば、タッチパネルやキーボード等で構成されている。
【００４７】
出力部５０は、入力部４０から入力されたコマンドやデータおよび制御部１０の演算結果等を出力するための装置であり、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やＥＬＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）等のディスプレイおよびプリンター等の印刷装置等である。
また、出力部５０は、入力部４０と一体的にタッチパネルを構成する態様としてもよい。
【００４８】
《評価方法》
図２は、制御部１０が記憶部３０から評価プログラムＰ１を読み出して実行する測定処理の流れを示すフローチャートである。評価プログラムＰ１は、記録媒体に格納され、後述するステップＳ１〜Ｓ７を実行する。
なお、当該評価プログラムＰ１を用いた評価方法は、１００ｍｍ２〜１ｍ２の発光素子面積を有する有機ＥＬ素子に適用することができる。
【００４９】
ステップＳ１では、電源スイッチ（図示略）がオン状態にされると、インピーダンス分光測定装置１が起動され、制御部１０によって必要な各部の初期化が行われる。
【００５０】
ステップＳ２では、制御部１０が入力部４０から測定開始を指示するコマンドを受け付けると、制御部１０は測定部２０に指示をして、測定対象物である有機ＥＬ素子のインピーダンス分光の測定を開始する。
具体的には、予め電圧−輝度特性により求めた発光開始電圧以上の直流電圧を有機ＥＬ素子に印加する。このとき、有機ＥＬ素子の発光輝度が１ｃｄ／ｍ２以上となる電圧を印加するのが好ましい。
また、インピーダンス分光の測定周波数範囲は１μＨｚ〜１０ＭＨｚが好ましい。１μＨｚ以下と１０ＭＨｚ以上の周波数は、実用上利用可能なインピーダンス分光測定装置１の測定周波数範囲を外れるため好ましくない。さらに好ましい測定周波数範囲は１０ｍＨｚ〜１０ｋＨｚである。１０ｋＨｚ以上の周波数では、電極の影響が大きくなり発光層の評価には適していない。１０ｍＨｚ以下の周波数は、測定時間が著しく長くなるため実用上適していない。
【００５１】
ステップＳ３では、制御部１０が、測定部２０で得られた応答電流信号の振幅、位相に基づき、インピーダンスを算出し、当該インピーダンスから電気容量（Ｃ）を算出する。
電気容量は、下記式により求められる。
【００５２】
Ｃ＝（１／ω）（−ＩｍＺ／（Ｒｅ２Ｚ+Ｉｍ２Ｚ））
ここで、ω＝２πｆ（ｆは周波数）、Ｚはインピーダンス、ＲｅＺはインピーダンスの実数部、ＩｍＺはインピーダンスの虚数部を表している。
【００５３】
ステップＳ４では、縦軸を電気容量、横軸を周波数とする電気容量―周波数プロット（Ｃ−ｆプロット）を、出力部５０に出力する。
なお、Ｃ−ｆプロットとは、Ｃｏｌｅ−Ｃｏｌｅプロットと同様に、インピーダンス分光から得られる電気特性である。
【００５４】
ステップＳ５では、制御部１０が、上記Ｃ−ｆプロットにおいて、すべての周波数域で電気容量が正の値であるか否かを判断する。すべての周波数域で電気容量が正の値である（Ｃ＞０）と判断したときは（ステップＳ５：ＹＥＳ）、有機ＥＬ素子を良好であると判定し、出力部５０に出力する（ステップＳ６）とともに、本処理を終了させる。
すべての周波数域で電気容量が正の値ではない（Ｃ＜０）と判断した場合には（ステップＳ５：ＮＯ）、有機ＥＬ素子を不良であると判定し、出力部５０に出力する（ステップＳ７）とともに、本処理を終了させる。
例えば、図３Ａに示すように、測定周波数範囲において、電気容量の値がすべて正のときには有機ＥＬ素子を良好と判定する。図３Ｂに示すように、測定周波数範囲において、電気容量の値が負を示す領域が観測された場合には、有機ＥＬ素子を不良であると判定する。
なお、本実施形態において有機ＥＬ素子が良好であるとは、発光効率および耐久性を含む性能が高いことを意味する。また、有機ＥＬ素子が不良であるとは、基準となる有機ＥＬ素子に対して、発光寿命が１０％以上短いことを意味している。
【００５５】
Ｃ−ｆ特性における電荷容量の値は、正の値であれば良いが、好ましくは有機ＥＬ素子の幾何容量Ｃ０の０．０１％以上１０６％以下の範囲である。
幾何容量Ｃ０は下記式により求められる。
【００５６】
Ｃ０＝ε０Ｓ／ｄ
ここで、ε０は真空の誘電率、Ｓは発光素子面積、ｄは有機ＥＬ素子の膜厚を表している。
【００５７】
以上の本実施形態によれば、発光素子面積が１００ｍｍ２〜１ｍ２の大面積有機ＥＬパネルの耐久性を厳密に評価することができる。
従来のＭプロットを用いた評価方法では、耐久性の異なる各大面積有機ＥＬパネルのＭプロットの形状に相違が見られず、駆動劣化試験を行うと異なる結果が得られ、厳密な耐久性評価ができなかった。
しかし、本実施形態のようにＣ−ｆプロットを用いた評価方法では、耐久性の異なる各大面積有機ＥＬパネルのＣ−ｆプロットの形状が、その耐久性に対応して異なっており、発光効率とともに厳密な耐久性評価を行うことができる。
【００５８】
さらに、上記インピーダンス分光測定方法は、下記の条件下で行ってもよい（変形例参照）。
【００５９】
［変形例］
測定部２０において有機ＥＬ素子に印加する直流電圧は、有機ＥＬ素子の発光輝度が１ｃｄ／ｍ２〜５００ｃｄ／ｍ２となる電圧であることが好ましい。
また、インピーダンス分光の測定周波数範囲は１Ｈｚ〜１０ｋＨｚである。
本変形例において、評価プログラムＰ１を用いた評価方法は、１００ｍｍ２〜１ｍ２の発光素子面積を有する有機ＥＬ素子に適用することができるが、好ましくは大面積素子の中でも小さい発光素子面積を有する有機ＥＬ素子、具体的には発光素子面積１００ｍｍ２〜１００００ｍｍ２の有機ＥＬ素子に適用することができる。
【００６０】
［第２の実施形態］
第２の実施形態は、主に下記の点で、第１の実施形態と異なっている。
【００６１】
図４は、制御部１０が記憶部３０から評価プログラムＰ２を読み出して実行する測定処理の流れを示すフローチャートである。評価プログラムＰ２は、記録媒体に格納され、ステップＳ１〜Ｓ５，Ｓ１０〜１２を実行する。
なお、当該評価プログラムＰ２を用いた評価方法は、１００ｍｍ２〜１ｍ２の発光素子面積を有する有機ＥＬ素子に適用することができるが、好ましくは大面積素子の中でも大きい発光素子面積を有する有機ＥＬ素子、具体的には発光素子面積１００００ｍｍ２〜１ｍ２の有機ＥＬ素子に適用することができる。
【００６２】
ステップＳ２では、制御部１０が入力部４０から測定開始を指示するコマンドを受け付けると、制御部１０は測定部２０に指示をして、測定対象物である有機ＥＬ素子のインピーダンス分光の測定を開始する。
具体的には、予め電圧−輝度特性により求めた発光開始電圧以上の直流電圧を有機ＥＬ素子に印加する。このとき、有機ＥＬ素子の発光輝度が１０ｃｄ／ｍ２〜５０００ｃｄ／ｍ２となる電圧を印加するのが好ましい。
インピーダンス分光の測定周波数範囲は１Ｈｚ〜１０ｋＨｚである。
【００６３】
ステップＳ５では、制御部１０が、上記Ｃ−ｆプロットにおいて、すべての周波数域で電気容量が正の値であるか否かを判断する。すべての周波数域で電気容量が正の値である（Ｃ＞０）と判断したときは（ステップＳ５：ＹＥＳ）、有機ＥＬ素子を良好であると判定し、出力部５０に出力する（ステップＳ１０）とともに、本処理を終了させる。
ステップＳ５において、すべての周波数域で電気容量が正の値ではない（Ｃ＜０）と判断した場合には（ステップＳ５：ＮＯ）、制御部はステップＳ１１の処理を行う。
【００６４】
ステップＳ１１では、しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たすとき（ステップＳ１１：ＹＥＳ）、有機ＥＬ素子を良好であると判定し、出力部５０に出力する（ステップＳ１０）ともに、本処理を終了させる。ここで、しきい値周波数ｆｔｈとは、電気容量が正の値を示す範囲における下限の周波数である（図５参照）。
【００６５】
ｆｔｈ＜０．０１×Ａ・・・（１）
ここで、Ａは発光素子面積（ｍｍ２）を表している。
【００６６】
しきい値周波数ｆｔｈが式（１）の条件を満たさない場合には（ステップＳ１１：ＮＯ）、有機ＥＬ素子を不良であると判定し、出力部５０に出力する（ステップＳ１２）とともに、本処理を終了させる。
例えば、図５に示すように、しきい値周波数ｆｔｈが０．０１×Ａより小さい場合には（図５中、曲線Ｃ１）、有機ＥＬ素子を良好であると判定し、しきい値周波数ｆｔｈが０．０１×Ａより大きい場合には（図５中、曲線Ｃ２）、有機ＥＬ素子を不良であると判定する。
【００６７】
以上の本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、第１の実施形態と異なり、負の電気容量が観測された場合であっても、しきい値周波数により耐久性に優れた大面積有機ＥＬパネルの評価を行うことができる。
【００６８】
一般に、無機半導体では電気容量は常に正であるが、有機ＥＬ素子においては低周波数（およそ１００Ｈｚ以下）で負の値を取り得ることが知られている。これは負の電気容量（Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）と呼ばれ、低分子系・高分子系を問わず多数報告されている（図３Ｂ参照）。
例えば、非特許文献１によれば、負の電気容量と有機ＥＬ素子の発光効率の間に関係があることを明らかにしている。
負の電気容量が生じる原因として、正孔と電子の複注入が起こる発光開始電圧以上でどちらかのキャリアが過剰となっている、つまりキャリアバランスが崩れているためと考えられている。他の原因として、再結合確率が低くキャリア寿命が長い場合には、過剰なキャリアが陽極と陰極の間を交流電圧により走行、到達すること等が挙げられる。
また、発光素子面積が大きくなった場合、素子全体の直流電流が大きくなるため、負の電荷容量も現れやすくなる場合がある。例えば、１０〜５０００ｃｄ／ｍ２の輝度を得るための直流電流は大きな値となるため、負の電気容量が表れやすい。
我々が開発した材料、層構成を用いた発光効率の高い大面積有機ＥＬ素子では、負の電気容量が観測できる場合と観測できない場合とがあることが確認され、さらに、負の電気容量の有無と、実際に有機ＥＬ素子を駆動し続けて劣化させた場合の寿命との間に関係があることがわかった。
負の電気容量が観測されない原因は、有機ＥＬ素子の発光効率が高いので、再結合が効率よく、またキャリアバランスも一致しており過剰キャリアが少ないためと考えられる。
【００６９】
つまり、第１の実施形態では、測定周波数範囲内において少なくとも電気容量がすべて正の値であれば、評価対象の大面積有機ＥＬパネルは発光効率・耐久性ともに良好であると評価することができるが、負の電気容量が観測された場合には、正確な良・不良の判定をすることができない。
そこで、本実施形態では、負の電気容量が観測された場合であっても、しきい値周波数が所定の条件を満たすことにより、大面積有機ＥＬパネルの正確な耐久性評価を行うことができることを見出したものである。
【実施例１】
【００７０】
（１）サンプルの作製
（１．１）有機ＥＬパネル１−１，２−１の作製
有機ＥＬパネル１−１，２−１の作製は同時に行った。【００７１】
陽極として、１５ｍｍ×１５ｍｍ、厚さ０．４ｍｍの２枚のガラス基板（透明支持基板）上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を膜厚１５０ｎｍで成膜し、ＩＴＯ面積が１０ｍｍ×１０ｍｍとなるようにマスクしてパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極が塗設された透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに各々固定し、発光素子面積が１０ｍｍ×１０ｍｍとなるようにマスクを設置した。真空蒸着装置内の蒸着用るつぼに、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、ＮＰＤ、Ｆｉｒ（ｐｉｃ）、ＤＰＶＢｉ、ＣＢＰ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ、ＬｉＦを素子作製に最適な量で充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
次いで、真空度４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＣｕＰｃの入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＣｕＰｃを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板のＩＴＯ電極側に蒸着し、１５ｎｍの正孔注入層を設けた。
次いで、ＮＰＤを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２５ｎｍの正孔輸送層を設けた。
次いで、Ｆｉｒ（ｐｉｃ）を３質量％として、ＤＰＶＢｉをホストとして、合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚１５ｎｍの青色発光層を設けた。
次いで、中間層としてＣＢＰを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で青色発光層上に５ｎｍ蒸着した。
次いで、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を５質量％として、ＣＢＰをホストとして、合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で中間層上に共蒸着して、膜厚１０ｎｍの緑色発光層を設けた。
次いで、中間層としてＣＢＰを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で緑色発光上に５ｎｍ蒸着した。
次いで、Ｉｒ（ｐｉｑ）３を８質量％として、ＣＢＰをホストとして、合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で中間層上に共蒸着して、膜厚１０ｎｍの赤色発光層を設けた。
次いで、赤色発光層の上に正孔阻止層としてＢＡｌｑを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１５ｎｍ蒸着した。
次いで、正孔阻止層の上に電子輸送層としてＡｌｑを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で３０ｎｍ蒸着した。
次いで、電子注入層としてＬｉＦを電子輸送層上に蒸着速度０．１ｎｍ／秒で１ｎｍ蒸着した。
次いで、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、発光素子面積１０ｍｍ×１０ｍｍを有する有機ＥＬ素子を作製した。【００７２】
【化５】
2013111459.tif 000007
【００７３】
【化６】
2013111459.tif 000008
【００７４】
最後に、窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）内で、上記有機ＥＬ素子の蒸着面側をガラスケースで覆い、図６Ａに示される有機ＥＬパネル１−１，１−２を作製した。
図６Ｂに示すとおり、有機層５０６および陰極５０５が透明電極付きガラス基板５０７上に形成されている。ガラスカバー５０２内には窒素ガス５０８が充填され、デシカント剤（捕水剤）５０９が設けられている。【００７５】
（１．２）有機ＥＬパネル１−２〜１−５、２−２〜２−５の作製
有機ＥＬパネル１−１、２−１と同様にして、同時に２個ずつのパネルを作製した。
なお、製造条件は下記の通りとした。【００７６】
【表１】
2013111459.tif 000009
【００７７】
（２）有機ＥＬパネル１−１〜１−５の評価
（２．１）初期性能評価
有機ＥＬパネル１−１〜１−５について、特許文献１に記載の評価方法で発光輝度を測定した。具体的には、１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ２）を測定した。発光輝度は有機ＥＬパネル１−１を１００とした時の相対値で表した。
発光輝度は、分光放射輝度計ＣＳ１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて測定した。
その結果を表２に示す。【００７８】
（２．２）初期落ち時間
作製した有機ＥＬパネルを１０ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で定電流駆動させた際に、発光輝度が初期の輝度の９０％になる時間（＝輝度が初期の輝度から１０％落ちる時間）を測定し、有機ＥＬパネル１−１を１００として相対値で示した。
発光輝度は、分光放射輝度計ＣＳ１０００（コニカミノルタセンシング製）により測定した。
その結果を表２に示す。【００７９】
【表２】
2013111459.tif 000010
【００８０】
（２．３）インピーダンス分光法によるＭプロットの測定
有機ＥＬパネル１−１〜１−５について、インピーダンス分光法によりＭプロットを作成した。
インピーダンス分光法による測定は、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザ及び１２９６型誘電体インターフェイスを用いて行った。印加電圧はＤＣバイアス＋ＡＣ１００ｍＶ、周波数範囲は０．１ｍＨｚ〜１ＭＨｚとした。等価回路解析には、Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製のＺＶｉｅｗを用いた。
その結果を図７〜１１に示す。
なお、図８〜１１中、点線で示されるグラフは有機ＥＬパネル１−１のＭプロットである。【００８１】
図７〜１１に示されるように、特許文献２に記載の評価方法（Ｍプロット）では、すべての有機ＥＬパネルでＭプロットの形状に相違が見られず良好と判定され、初期落ち時間が著しく短い有機ＥＬパネル１−２，１−５を識別できず、大面積素子の評価には不十分であることが確認された。【００８２】
（３）有機ＥＬパネル２−１〜２−５の評価
（３．１）初期性能評価
有機ＥＬパネル２−１〜２−５について、直流電源を用いて１〜１０Ｖまで０．５Ｖずつ電圧を上げて印加したときの電流値と、発光輝度を分光放射輝度計ＣＳ１０００（コニカミノルタセンシング製）により測定した。
さらに、１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ２）を測定し、有機ＥＬパネル２−１を１００とした時の相対値で表した。
その結果を表３に示す。【００８３】
（３．２）駆動寿命評価
有機ＥＬパネル２−１〜２−５について、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２を初期輝度として与える電流密度の直流電流を印加して、連続駆動させたときの輝度変動を追跡し、輝度が５０％に到達する時間ｔを半減寿命として評価した。半減寿命は有機ＥＬパネル２−１を１００（基準）とした時の相対値で表し、基準に対して半減寿命が２０％以上短いものを「不良」であると評価した。
その結果を表３に示す。【００８４】
【表３】
2013111459.tif 000011
【００８５】
（３．３）インピーダンス分光法によるＣ−ｆプロットの測定
有機ＥＬパネル２−１〜２−５について、インピーダンス分光法によりＣ−ｆプロットを作成した。
インピーダンス分光法による測定は、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザ及び１２８７型ポテンショスタットを用いて行った。印加電圧は上記初期性能評価の結果から、１００ｃｄ／ｍ２の輝度を与える時の電圧をＤＣバイアスとして印加し、更にＡＣ１００ｍＶを加えた。周波数範囲は１Ｈｚ〜１００ｋＨｚとした。等価回路解析には、Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製のＺＶｉｅｗを用いた。
その結果を図１２〜１６に示す。【００８６】
表３，図１２〜１６に示されるように、Ｃ−ｆプロットを用いた評価方法では、Ｃ−ｆプロットの形状に相違があり、これに対応して、Ｍプロットでは検出できなかった有機ＥＬパネルの寿命の優劣が確認され、Ｃ−ｆプロットを用いた評価方法では有機ＥＬパネルの駆動劣化前に寿命を予測できることがわかる。
【実施例２】
【００８７】
（１）サンプルの作製
（１．１）有機ＥＬパネル３−１の作製
陽極として、１００ｍｍ×１００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを膜厚１００ｎｍで成膜し、ＩＴＯ面積が５０ｍｍ×５０ｍｍとなるようにマスクをしてパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、１８０℃にて３０分乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。
この基板を窒素雰囲気下に移し、２０ｍｇの化合物４−１６を４ｍｌのトルエンに溶解した溶液を１５００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、８０℃で３０分間乾燥した。次に出力３５ｍＷ／ｃｍ２のＵＶランプを３０秒照射して、重合・架橋し、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層とした。
さらに、Ｈ−Ａ（８７．５質量部）、Ｉｒ−Ａ（１２．０質量部）、Ｉｒ−１（０．２５質量部）、Ｉｒ−１４（０．２５質量部）、トルエン（８０００質量部）からなる発光層組成物を１５００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により成膜した後、８０℃で３０分間乾燥して膜厚５０ｎｍの発光層を形成した。【００８８】
続いて、基板を大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにＥＴ−ＡとＣｓＦをそれぞれ入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ボートに通電し加熱してＥＴ−Ａを蒸着速度０．２ｎｍ／秒、ＣｓＦを０．０３ｎｍ／秒で発光層上に共蒸着して、膜厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。引き続き、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、発光素子面積５０ｍｍ×５０ｍｍを有する白色発光有機ＥＬ素子を作製した。
最後に、白色発光有機ＥＬ素子を用いて、実施例１と同様にして有機ＥＬパネル３−１を作製した。【００８９】
【化７】
2013111459.tif 000012
【００９０】
【化８】
2013111459.tif 000013
【００９１】
（１．２）有機ＥＬパネル３−２〜３−５の作製
有機ＥＬパネル３−１と同様にして、有機ＥＬパネル３−２〜３−５を作製した。
なお、製造条件は下記の通りとした。【００９２】
【表４】
2013111459.tif 000014
【００９３】
（２）有機ＥＬパネル３−２〜３−５の評価
（２．１）初期性能評価
有機ＥＬパネル３−１〜３−５について、直流電源を用いて１〜１０Ｖまで０．５Ｖずつ電圧を上げて印加したときの電流値と、発光輝度を分光放射輝度計ＣＳ１０００（コニカミノルタセンシング製）により測定した。
さらに１０Ｖ直流電圧を印加した時の発光輝度（ｃｄ／ｍ２）を測定し、有機ＥＬパネル３−１を１００とした時の相対値で表した。
その結果を表５に示す。【００９４】
（２．２）駆動寿命評価
有機ＥＬパネル３−１〜３−５について、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２を初期輝度として与える電流密度の直流電流を印加して、連続駆動させたときの輝度変動を追跡し、輝度が５０％に到達する時間ｔを半減寿命として評価した。半減寿命は有機ＥＬパネル３−１を１００（基準）とした時の相対値で表し、基準に対して半減寿命が２０％以上短いものを「不良」であると評価した。
その結果を表５に示す。【００９５】
（２．３）インピーダンス分光法によるＣ−ｆプロットの測定
有機ＥＬパネル３−１〜３−５について、インピーダンス分光法によりＣ−ｆプロットを作成した。
インピーダンス分光法による測定は、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザ及び１２８７型ポテンショスタットを用いて行った。印加電圧は初期性能評価の結果から、１００ｃｄ／ｍ２の輝度を与える時の電圧をＤＣバイアスとして印加し、更にＡＣ１００ｍＶを加えた。周波数範囲は１Ｈｚ〜１００ｋＨｚである。等価回路解析には、Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製のＺＶｉｅｗを用いた。Ｃ−ｆプロットから負の電気容量の有無を判定した。
その結果を表５に示す。【００９６】
【表５】
2013111459.tif 000015
【００９７】
表５に示されるように、有機ＥＬ素子材料が変わっても、測定周波数範囲内での電気容量の正負により寿命の優劣が駆動劣化前に予測できることがわかる。
【実施例３】
【００９８】
（１）有機ＥＬパネル４−１〜４−５の作製
ガラス基板のサイズを２５０ｍｍ×２５０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ、発光素子面積を２００ｍｍ×２００ｍｍに変更した以外は実施例２と同様にして有機ＥＬパネル４−１〜４−５を作製した。
（２）有機ＥＬパネル４−１〜４−５の評価
（２．１）初期性能評価
実施例２と同様にして初期性能の評価を行った。
その結果を表６に示す。
なお、初期性能評価は有機ＥＬパネル４−１を１００とした時の相対値で表した。
（２．２）駆動寿命評価
実施例２と同様にして駆動寿命の評価を行った。
その結果を表６に示す。
なお、半減寿命は有機ＥＬパネル４−１を１００（基準）とした時の相対値で表した。【００９９】
（２．３）インピーダンス分光法によるＣ−ｆプロットの測定
有機ＥＬパネル４−１〜４−５について、インピーダンス分光法によりＣ−ｆプロットを作成した。
インピーダンス分光法による測定は、Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ社製１２６０型インピーダンスアナライザ及び１２８７型ポテンショスタットを用いて行った。印加電圧は初期性能評価の結果から、１０００ｃｄ／ｍ２の輝度を与える時の電圧をＤＣバイアスとして印加し、さらにＡＣ１００ｍＶを加えた。周波数範囲は１Ｈｚ〜１００ｋＨｚとした。等価回路解析には、Ｓｃｒｉｂｎｅｒ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ社製のＺＶｉｅｗを用いた。Ｃ−ｆプロットから電気容量が正から負に変わるしきい値周波数を求めた。
その結果を表６に示す。【０１００】
【表６】
2013111459.tif 000016
【０１０１】
表６に示されるように、負の電気容量が観測された場合であっても、しきい値周波数が所定の条件を満たす場合には（＜４００Ｈｚ＝０．０１×４００００）、大面積有機ＥＬパネルの寿命の優劣を駆動劣化前に予測できることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、大面積有機エレクトロルミネッセンス素子の素子性能、特に耐久性を厳密に評価するのに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１  インピーダンス分光測定装置
１０  制御部
１２  ＣＰＵ
１４  ＲＡＭ
２０  測定部
２２  インピーダンスアナライザー
２４  ポテンショスタット
３０  記憶部
３２  ＲＯＭ
４０  入力部
５０  出力部
５０１  有機ＥＬ素子
５０２  ガラスカバー
５０５  陰極
５０６  有機層
５０７  透明電極付きガラス基板
５０８  窒素ガス
５０９  デシカント剤
Ｐ１，Ｐ２  評価プログラム
Ｃ１，Ｃ２  曲線
【図１】
2013111459.tif 000017
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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