(57)【要約】  層間絶縁層の、少なくとも１つの開口部内に位置する部分は、表面が平坦な平坦領域と、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、第１電源信号配線、及び第２電源信号配線のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方において、平坦領域よりも表面が隆起した突出領域と、を有し、絶縁膜は、突出領域の少なくとも一部の上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部の上方は覆わないことを特徴とする表示パネル。
2013118474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、前記ゲート電極と対向するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタを含む駆動部が複数、マトリクス状に配置されてなるトランジスタアレイと、
前記トランジスタアレイの上方に位置する層間絶縁層と、
行列状に形成された複数の開口部を区画し、前記層間絶縁層の上方に配された隔壁層と、
前記開口部単位で前記層間絶縁層上に形成された画素電極と、
前記開口部内であって、前記画素電極の上方に形成された発光層と、
前記画素電極と前記発光層との間に形成された絶縁膜と、
を有し、
前記トランジスタアレイは、行方向に沿って配された第１電源信号配線および列方向に沿って配された第２電源信号配線を含み、
前記層間絶縁層の、少なくとも１つの前記開口部内に位置する部分は、表面が平坦な平坦領域と、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極、前記第１電源信号配線、及び前記第２電源信号配線のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方において、前記平坦領域よりも表面が隆起した突出領域と、を有し、
前記絶縁膜は、前記突出領域の少なくとも一部の上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部の上方は覆わない
ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記平坦領域の上方に位置する前記発光層を点灯状態としたときに、前記絶縁膜の上方に位置する前記発光層は、非点灯状態である
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記突出領域は、前記第１電源信号配線と前記第２電源信号配線とが重なっている部分、または、前記第１電源信号配線と同層の電極配線と前記第２の電源信号配線と同層の電極配線とが重なっている部分の上方に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記突出領域は、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記画素電極と前記発光層との間に正孔注入層を有し、
前記絶縁膜は、前記正孔注入層よりも前記画素電極側に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記画素電極と前記発光層との間に正孔注入層を有し、
前記絶縁膜は、前記正孔注入層上に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記絶縁膜は、平面視において前記開口部の縁から離間している
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記絶縁膜は、前記隔壁層よりも厚みが薄く、平面視において前記開口部の縁と連続している
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記複数の開口部は、第１の発光色を発する第１の発光層が形成された第１の開口部と、前記第１の発光層とは発光色が異なり、かつ、前記第１の発光層よりも発光効率が高い第２の発光層が形成された第２の開口部と、を有し、前記第１の開口部内に位置する前記絶縁膜は、前記第２の開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記複数の開口部内に形成された前記発光層はそれぞれ、赤色、青色、緑色のうちいずれか１つの発光色を有し、青色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層および赤色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１１】
赤色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【請求項１２】
基板を準備する基板準備工程と、
前記基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極と対向するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を行列状に複数配置して、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、
前記トランジスタアレイ基板上に、層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極を行列状に配置する画素電極形成工程と、
前記画素電極の上方において、前記層間絶縁層の一部の上方を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記複数の画素電極のそれぞれに対応した位置に開口部を区画する隔壁層を、前記層間絶縁層および前記絶縁膜上に形成する隔壁層形成工程と、
前記開口部内であって前記絶縁膜の上方に発光層を形成する発光層形成工程と、を含み、
前記トランジスタアレイ基板は、行方向に沿って配された第１電源信号配線および列方向に沿って配された第２電源信号配線を含み、
前記層間絶縁層形成工程において形成される前記層間絶縁層は、少なくとも１つの前記開口部内に位置する予定の部分において表面が平坦な平坦領域と、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極、前記第１電源信号配線、及び前記第２電源信号配線のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方において、前記平坦領域よりも表面が隆起した突出領域とを有し、
前記絶縁膜形成工程において、前記突出領域の少なくとも一部の上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部の上方は覆わないように前記絶縁膜を形成する
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記平坦領域の上方に位置する前記発光層を点灯状態としたときに、前記絶縁膜の上方に位置する前記発光層は、非点灯状態である
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記突出領域は、前記第１電源信号配線と前記第２電源信号配線とが重なっている部分の上方に位置する
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記突出領域は、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方に位置する
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜は、前記隔壁層よりも厚みが薄く、平面視において前記開口部の縁と連続していることを特徴とする請求項１３に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記複数の開口部は、第１の発光色を発する第１の発光層が形成された第１の開口部と、前記第１の発光層とは発光色が異なり、かつ、前記第１の発光層よりも発光効率が高い第２の発光層が形成された第２の開口部と、を有し、
前記第１の開口部内に位置する前記絶縁膜は、前記第２の開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記発光層形成工程においてそれぞれの前記開口部内に形成される前記発光層は、それぞれ赤色、青色、緑色のうちいずれか１つの発光色を有し、
前記絶縁膜形成工程において形成される前記絶縁膜のうち、青色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜は、赤色および緑色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜形成工程において形成される前記絶縁膜のうち、赤色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きい
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネル等の表示パネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として基板上に有機ＥＬ素子を配設した有機ＥＬ表示パネルが普及しつつある。有機ＥＬ表示パネルは、自己発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるなどの特徴を有する。【０００３】
有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極及び陰極の電極対の間に、キャリア（正孔、電子）の再結合による電界発光現象を行う発光層等の機能層を積層して構成される。また、有機ＥＬ表示パネルでは、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応する有機ＥＬ素子をそれぞれサブピクセルとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせが１ピクセル（１画素）に相当する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１８２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、そのような有機ＥＬ表示パネルにおいては、１つのサブピクセルの発光領域内おいて、電流密度が不均一な部分が生じる場合がある。電流密度が高い部分にはより多くの電流が流れることとなるため、当該部分の発光層の劣化が促進されて寿命が短くなり、やがて局所的な非発光領域が生じることとなる。このような局所的な非発光領域が生じると、時間の経過とともに非発光領域が拡大して発光素子からの発光量が変動してしまう。【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、サブピクセル単位の発光領域における発光量の変動を抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様である表示パネルは、層間絶縁層と、行列状に形成された複数の開口部を有し、前記層間絶縁層の上方に配された隔壁層と、前記開口部単位で前記層間絶縁層上に形成された画素電極と、前記開口部内であって、前記画素電極の上方に形成された発光層と、前記画素電極と前記発光層との間に形成された絶縁膜と、を有し、前記層間絶縁層の、平面視で前記複数の開口部のうちの少なくとも１つの開口部内に位置する部分は、表面が平坦な平坦領域と、前記平坦領域よりも表面が隆起した突出領域と、を有し、前記絶縁膜は、前記突出領域の少なくとも一部の  上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部
の上方は覆わないことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る表示パネルは、画素電極と発光層との間において突出領域の上方を覆うように絶縁膜が形成されており、突出領域の上方の部分においては画素電極と発光層との間が電気的に絶縁されているため、絶縁膜が形成された領域の上方に位置する発光層には電流が流れない。従って、電流密度が不均一な部分の面積を減少させて、発光量の変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る表示装置の構成を示す模式ブロック図である。
【図２】実施の形態に係る表示パネルの構成を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、図６におけるＡ−Ａ’断面図である。（ｂ）は、図６におけるＢ−Ｂ’断面図である。
【図３】ＴＦＴ層に形成された画素回路を示す回路図である。
【図４】ＴＦＴ層のレイアウトを示す平面図である。
【図５】隔壁層のレイアウトを示す平面図である。
【図６】実施の形態に係る表示パネルの絶縁膜のレイアウトを示す平面図である。
【図７】実施の形態に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。
【図８】実施の形態に係る表示パネルの製造過程の一部を示す模式断面図である。（ａ）は、基板上にＴＦＴ層が形成された状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す模式断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に画素電極が形成された状態を示す模式断面図である。
【図９】実施の形態に係る表示パネルの製造過程の一部を示す模式断面図である。（ａ）は、画素電極上に絶縁膜が形成された状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、層間絶縁層および画素電極上に隔壁層が形成された状態を示す模式断面図である。
【図１０】実施の形態に係る表示パネルの製造過程の一部を示す模式断面図である。（ａ）は、絶縁膜上に正孔注入層および正孔輸送層が形成された状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、正孔輸送層上に発光層が形成された状態を示す模式断面図である。
【図１１】実施の形態に係る表示パネルの製造過程の一部を示す模式断面図である。（ａ）は、発光層上に電子輸送層および電子注入層が形成された状態を示す模式断面図である。（ｂ）は、電子注入層上に共通電極が形成された状態を示す模式断面図である。
【図１２】変形例１に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。
【図１３】変形例３に係る表示パネルの絶縁膜のレイアウトを示す平面図である。
【図１４】（ａ）は、変形例４に係る表示パネルの絶縁膜のレイアウトを示す平面図であり、（ｂ）は、変形例５に係る表示パネルの絶縁膜のレイアウトを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明の一態様の概要≫
本発明の一態様に係る表示パネルは、ゲート電極と、前記ゲート電極と対向するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタを含む駆動部が複数、マトリクス状に配置されてなるトランジスタアレイと、前記トランジスタアレイの上方に位置する層間絶縁層と、行列状に形成された複数の開口部を区画し、前記層間絶縁層の上方に配された隔壁層と、前記開口部単位で前記層間絶縁層上に形成された画素電極と、前記開口部内であって、前記画素電極の上方に形成された発光層と、前記画素電極と前記発光層との間に形成された絶縁膜と、を有し、前記トランジスタアレイは、行方向に沿って配された第１電源信号配線および列方向に沿って配された第２電源信号配線を含み、前記層間絶縁層の、少なくとも１つの前記開口部内に位置する部分は、表面が平坦な平坦領域と、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極、前記第１電源信号配線、及び前記第２電源信号配線のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方において、前記平坦領域よりも表面が隆起した突出領域と、を有し、前記絶縁膜は、前記突出領域の少なくとも一部の上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部の上方は覆わないことを特徴とする。
【００１１】
画素電極のうち突出領域の上に形成された部分は、その他の部分よりも突出した形状を有する。画素電極の突出した部分の上に形成される発光層は、その部分の膜厚が他の部分よりも薄くなる。発光層の膜厚の薄い部分は、電気抵抗が小さいためより多くの電流が流れる。すると、膜厚の薄い部分が強く発光して輝度ムラを生じたり、劣化が促進されたりといった問題が生じる原因となる。即ち、発光層のうち突出領域の上方に形成される部分は、電荷が集中して輝度ムラや劣化の促進の問題が発生することが予測される。本発明の一態様に係る表示パネルは、画素電極と発光層との間において突出領域の上方を覆うように絶縁膜が形成されており、突出領域の上方の部分においては画素電極と発光層との間が電気的に絶縁されているため、絶縁膜が形成された領域の上方に位置する発光層には電流が流れない。従って、電流密度が不均一な部分の面積を減少させて、輝度ムラや発光量の経時変動を抑制することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記平坦領域の上方に位置する前記発光層を点灯状態としたときに、前記絶縁膜の上方に位置する前記発光層は、非点灯状態であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記突出領域は、前記第１電源信号配線と前記第２電源信号配線とが重なっている部分、または、前記第１電源信号配線と同層の電極配線と前記第２の電源信号配線と同層の電極配線とが重なっている部分の上方に位置することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記突出領域は、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方に位置することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記画素電極と前記発光層との間に正孔注入層を有し、前記絶縁膜は、前記正孔注入層よりも前記画素電極側に位置することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記画素電極と前記発光層との間に正孔注入層を有し、前記絶縁膜は、前記正孔注入層上に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記絶縁膜は、平面視において前記開口部の縁から離間していることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記絶縁膜は、前記隔壁層よりも厚みが薄く、平面視において前記開口部の縁と連続していることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記複数の開口部は、第１の発光色を発する第１の発光層が形成された第１の開口部と、前記第１の発光層とは発光色が異なり、かつ、前記第１の発光層よりも発光効率が高い第２の発光層が形成された第２の開口部と、を有し、前記第１の開口部内に位置する前記絶縁膜は、前記第２の開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、前記複数の開口部内に形成された前記発光層はそれぞれ、赤色、青色、緑色のうちいずれか１つの発光色を有し、青色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層および赤色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの特定の局面では、赤色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層が形成された前記開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００２２】
本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法は、基板を準備する基板準備工程と、前記基板上に、ゲート電極と、前記ゲート電極と対向するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ素子を含む駆動部を行列状に複数配置して、トランジスタアレイ基板を形成するトランジスタアレイ基板形成工程と、前記トランジスタアレイ基板上に、層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層上に、前記複数の駆動部に対応して複数の画素電極を行列状に配置する画素電極形成工程と、前記画素電極の上方において、前記層間絶縁層の一部の上方を覆うように絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記複数の画素電極のそれぞれに対応した位置に開口部を区画する隔壁層を、前記層間絶縁層および前記絶縁膜上に形成する隔壁層形成工程と、前記開口部内であって前記絶縁膜の上方に発光層を形成する発光層形成工程と、を含み、前記トランジスタアレイ基板は、行方向に沿って配された第１電源信号配線および列方向に沿って配された第２電源信号配線を含み、前記層間絶縁層形成工程において形成される前記層間絶縁層は、少なくとも１つの前記開口部内に位置する予定の部分において表面が平坦な平坦領域と、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極、前記第１電源信号配線、及び前記第２電源信号配線のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方において、前記平坦領域よりも表面が隆起した突出領域とを有し、前記絶縁膜形成工程において、前記突出領域の少なくとも一部の上方は覆い、前記平坦領域の少なくとも一部の上方は覆わないように前記絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記平坦領域の上方に位置する前記発光層を点灯状態としたときに、前記絶縁膜の上方に位置する前記発光層は、非点灯状態であることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記突出領域は、前記第１電源信号配線と前記第２電源信号配線とが重なっている部分の上方に位置することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記突出領域は、前記ゲート電極、前記ドレイン電極、前記ソース電極のうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方に位置することを特徴とする。
【００２６】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記絶縁膜は、前記隔壁層よりも厚みが薄く、平面視において前記開口部の縁と連続していることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記複数の開口部は、第１の発光色を発する第１の発光層が形成された第１の開口部と、前記第１の発光層とは発光色が異なり、かつ、前記第１の発光層よりも発光効率が高い第２の発光層が形成された第２の開口部と、を有し、前記第１の開口部内に位置する前記絶縁膜は、前記第２の開口部内に位置する前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記発光層形成工程においてそれぞれの前記開口部内に形成される前記発光層は、それぞれ赤色、青色、緑色のうちいずれか１つの発光色を有し、前記絶縁膜形成工程において形成される前記絶縁膜のうち、青色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜は、赤色および緑色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００２９】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法の特定の局面では、前記絶縁膜形成工程において形成される前記絶縁膜のうち、赤色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜は、緑色の発光色を有する前記発光層が上方に形成される予定の前記突出領域を覆うように形成される前記絶縁膜よりも、平面視において面積が大きいことを特徴とする。
【００３０】
≪実施の形態≫
［１−１．全体構成］
図１は実施の形態に係る表示パネル１００を有する表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。表示パネル１００は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列され構成されている。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
【００３１】
なお、実際の表示装置１では、表示パネル１００に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
【００３２】
［１−２．表示パネルの構成］
表示パネル１００の構成について、図２を用い説明する。
【００３３】
図２は、表示パネル１００の概略構成を示す部分断面図である。表示パネル１００は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。なお、図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ表示パネル１００の異なる部分の断面図を示している。具体的には、図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ図６におけるＡ−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図を示している。図６については、詳しくは後述する。
【００３４】
表示パネル１００は、基板１０１、ＴＦＴ層１０２、層間絶縁層１０３、画素電極１０４、絶縁膜１０５、隔壁層１０６、正孔注入層１０７、正孔輸送層１０８、発光層１０９、電子輸送層１１０、電子注入層１１１、共通電極１１２を備える。
【００３５】
＜基板＞
基板１０１は、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、アルミナ等の絶縁性材料からなる。
【００３６】
＜ＴＦＴ層＞
ＴＦＴ層１０２は、サブピクセル毎に設けられており、各々には薄膜トランジスタ素子を含む画素回路が形成されている。図２に示すように、ＴＦＴ層１０２は、ゲート電極１０２ａ、ゲート絶縁膜層１０２ｂ、ソース電極１０２ｃ、ドレイン電極１０２ｃ、チャネル層１０２ｄ等を含む。ＴＦＴ層１０２の上面には、画素回路に電気的に接続された引出電極１０２ｅ（図４参照）が形成されている。なお、基板１０１上にＴＦＴ層１０２を形成したものを、薄膜トランジスタアレイ基板ともいう。なお、ソース電極およびドレイン電極については、ここでは特に区別しなくてもよいため、双方に同一の符号を付している。また、ソース電極とドレイン電極とをまとめて「ソースドレイン電極」という。
【００３７】
＜層間絶縁層＞
層間絶縁層１０３は、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料からなり、ＴＦＴ層１０２の上面の段差を平坦化するためのものである。しかし、段差を完全には平坦化することはできず、表面が平坦な平坦領域１０３ａと平坦領域１０３ａよりも隆起した突出領域１０３ｂとを有する。層間絶縁層１０３の各引出電極１０２ｅ上の部分には引出電極１０２ｅの上面の一部を露出するためのコンタクトホール（コンタクト部）１１３（図４参照）が形成されている。
【００３８】
なお、層間絶縁層１０３と基板１０１との間に、ＴＦＴ層１０２および引出電極１０２ｅを被覆し、これらを保護するために、ＳｉＯ（酸化シリコン）またはＳｉＮ（窒化シリコン）からなる薄膜であるパッシベーション膜が形成されてもよい。
【００３９】
また、平坦領域は、完全に平坦な表面を有していなくてもよい。平坦領域１０３ａには、表面が凹入した凹部を含んでもよい。さらには、突出領域１０３ｂよりも比較的緩やかな隆起を有する部分を平坦領域１０３ａに含めてもよい。具体的には、例えば、発光層１０９の膜厚をｄとした場合に、１／２ｄ以上の隆起については突出領域１０３ｂとし、１／２ｄ未満の隆起については平坦領域１０３ａとしてもよい。しかし、突出領域１０３ｂと平坦領域１０３ａとを区分する隆起の程度については１／２ｄに限られず、１／２ｄよりも大きくてもよいし（例えば、２／３ｄ）、１／２ｄよりも小さくてもよい（例えば１／５ｄ）。なお、突出領域１０３ｂと平坦領域１０３ａとを区分する隆起の程度は、隔壁内に印刷される層のインク物性や塗布・乾燥の際のプロセス条件等に応じて適宜設定すればよい
＜画素電極＞
画素電極１０４は、サブピクセル毎に個別に設けられており、層間絶縁層１０３に設けられたコンタクトホール１１３内に入り込んで引出電極１０２ｅに電気的に接続されている。画素電極１０４は、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）、ＡＣＬ（アルミニウム、コバルト、ゲルマニウム、ランタンの合金）等の光反射性導電材料からなる。
【００４０】
なお、画素電極１０の表面には公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。
【００４１】
＜絶縁膜＞
絶縁膜１０５は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等の有機絶縁材料や、ＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料からなり、画素電極１０４の突出領域１０３ｂ上に形成された部分の上に形成されている。これにより、突出領域１０３ｂの上方において、画素電極１０４と発光層１０９との間を電気的に絶縁し、発光層１０９の突出領域１０３ｂの上方に相当する部分を非発光領域とする。
【００４２】
なお、図２（ａ）における絶縁膜１０５ａと図２（ｂ）における絶縁膜１０５ｂは、形成されている箇所やサイズが異なっているが、用いられている材料は同じである。これらを特に区別する必要が無い場合には、単に「絶縁膜１０５」と呼ぶ場合も有る。
【００４３】
また、後述する隔壁層１０６と同じ材料を用いて形成してもよい。同じ材料を用いて形成する場合、絶縁膜１０５と隔壁層１０６とを同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。
【００４４】
＜隔壁層＞
隔壁層１０６（以下、「バンク」とも言う）は、画素電極１０４上に形成されており、サブピクセル毎に設けられた開口部１０６ａを有する。隔壁層１０６は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなる。隔壁層１０６は、発光層１０９を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層１０９を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。
【００４５】
＜正孔注入層＞
正孔注入層１０７は、画素電極１０４から発光層１０９への正孔の注入を促進させる目的で設けられている。正孔注入層１０７は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる層である。上記の内、酸化金属からなる正孔注入層１０７は、正孔（ホール）を安定的に、または正孔（ホール）の生成を補助して、発光層１０９に対し正孔（ホール）を注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。本実施の形態においては、正孔注入層１０７は、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料からなる。
【００４６】
ここで、正孔注入層１０７を遷移金属の酸化物から構成する場合には、複数の酸化数をとるためこれにより複数の準位をとることができ、その結果、正孔注入が容易になり駆動電圧を低減することができる。
【００４７】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１０８は、親水基を備えない高分子化合物を用い形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
【００４８】
正孔輸送層１０８は、正孔注入層１０７から注入された正孔を発光層１０９へ輸送する機能を有する。
【００４９】
＜発光層＞
発光層１０９は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色に対応する有機材料を含むように構成されている。発光層１０９は、隔壁層１０６の開口部１０６ａ内にそれぞれ形成されており、そのため、サブピクセル毎に形成されていることになる。発光層は、例えば、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。
【００５０】
＜電子輸送層＞
電子輸送層１１０は、共通電極１１２から注入された電子を発光層１０９へ輸送する機能を有し、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。
【００５１】
＜電子注入層＞
電子注入層１１１は、共通電極１１２から発光層１０９への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層１１１は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属、及びフッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物などを用いて形成されている。
【００５２】
＜共通電極＞
共通電極１１２は、各サブピクセル共通に設けられており、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電性を有する光透過性材料で形成されている。
【００５３】
なお、図２においては、図示を省略しているが、共通電極１１２の上に、封止層、ブラックマトリクス、カラーフィルター等が形成されていてもよい。
【００５４】
［１−３．各層のレイアウト］
以下、ＴＦＴ層１０２、画素電極１０４、絶縁膜１０５、隔壁層１０６のレイアウトについて説明する。
【００５５】
図３は、ＴＦＴ層１０２に形成された画素回路を例示する回路図である。図３に示すように、画素回路は、ゲート線１０２ｆ、データ線１０２ｇ、電源線１０２ｈ、選択トランジスタ１０２ｉ、駆動トランジスタ１０２ｊ、保持容量１０２ｋを備える。選択トランジスタ１０２ｉおよび駆動トランジスタ１０２ｊは、薄膜トランジスタ素子である。
【００５６】
図４は、ＴＦＴ層１０２のレイアウトを示す平面図である。ＴＦＴ層１０２は、行方向（Ｘ方向）および列方向（Ｙ方向）にマトリクス状（行列状）に区画された領域に形成されている。
【００５７】
図４に示すように、ゲート線１０２ｆが各行に配され、データ線１０２ｇと電源線１０２ｈが各列に配されている。そして、１区画に１個のＴＦＴ層１０２が形成されている。各ＴＦＴ層１０２に着目すると、選択トランジスタ１０２ｉ、駆動トランジスタ１０２ｊおよび保持容量１０２ｋが１区画に形成されていることが分かる。駆動トランジスタ１０２ｊのソースドレイン電極は引出電極１０２ｅに電気的に接続されており、引出電極１０２ｅはコンタクトホール１１３を介して画素電極１０４に電気的に接続されている。
【００５８】
なお、ゲート線１０２ｆ、データ線１０２ｇ、電源線１０２ｈを総称して「電源信号配線」といい、行方向（Ｘ方向）に沿って配された電源信号配線を第１電源信号配線とし、列方向（Ｙ方向）に沿って配された電源信号配線を第２電源信号配線とする。本実施の形態においては、第１電源信号配線は、ゲート線１０２ｆであり、第２電源信号配線は、データ線１０２ｇおよび電源線１０２ｈである。
【００５９】
図５は、隔壁層１０６のレイアウトを示す平面図である。隔壁層１０６は、行方向（Ｘ方向）および列方向（Ｙ方向）にマトリクス状に設けられた複数の開口部１０６ａを有する。開口部１０６ａは、例えば、１個が、行方向に約７０μｍ、列方向に約２１０μｍである。
【００６０】
各開口部１０６ａ内には、それぞれ選択トランジスタ１０２ｉ、電極配線積層部１０２ｍ、および電源信号配線積層部１０２ｎが位置している。
【００６１】
電極配線は、薄膜トランジスタ素子のゲート電極およびソースドレイン電極と電源信号配線とを接続する配線および、選択トランジスタ１０２ｉのソースドレイン電極と駆動トランジスタ１０２ｊのゲート電極とを接続する配線であって、ゲート電極およびソースドレイン電極が電極配線の機能を兼ねる場合も有る。本実施の形態においては、電極配線積層部１０２ｍは、ゲート線（第１電源信号配線）と同層の電極配線である駆動トランジスタ１０２ｊのゲート電極と、データ線１０２ｇ（第２電源信号配線）と同層の電極配線である選択トランジスタ１０２ｉのソースドレイン電極とが重なり合う部分である。
【００６２】
電源信号配線積層部１０２ｎは、電源信号配線の第１電源信号配線と第２電源信号配線とが重なり合う部分である。本実施の形態においては、電極配線積層部１０２ｍは、ゲート線１０２ｆとデータ線１０２ｇとが重なり合う部分である。この場合、第１電源信号配線はゲート線１０２ｆであり、第２電源信号配線はデータ線１０２ｇである。
【００６３】
なお、図５においては、ＴＦＴ層１０２のレイアウトを示すために、画素電極１０４については、破線で示し、あたかも透明であるかのように下のＴＦＴ層１０２が見えるように図示している。以下、図６および図１６においても同様である。
【００６４】
図６は、絶縁膜１０５のレイアウトを示す平面図である。図６に示すように、開口部１０６ａ内部において、選択トランジスタ１０２ｉおよび電極配線積層部１０２ｍの上方に相当する部分を覆うように絶縁膜１０５ａが形成され、電源信号配線積層部１０２ｎの上方に相当する部分を覆うように絶縁膜１０５ｂが形成されている。
【００６５】
なお、図６のＡ−Ａ’線の位置の断面図が図２（ａ）に相当し、Ｂ−Ｂ’線の位置の断面図が図２（ｂ）に相当する。本実施の形態においては、絶縁膜１０５ｂの端部の一部の上には隔壁層１０６が形成されているため、絶縁膜１０５ｂと隔壁層１０６とは一部繋がっているが、これに限られない。薄膜トランジスタアレイおよび開口部１０６ａのレイアウトによっては、絶縁膜１０５ａ、１０５ｂ共に開口部１０６ａの縁である開口縁１０６ｂから離間して形成されてもよい。開口部の縁から離間していることにより、絶縁膜１０５ａが隔壁層１０６の下に位置していないので、隔壁層の高さが一定に保たれやすくなる。
【００６６】
ＴＦＴ層１０２において、薄膜トランジスタ素子や電極配線積層部１０２ｍ、電源信号配線積層部１０２ｎのように、電極や配線が重なり合う部分は大きな凸部を形成するため、その上に積層された層間絶縁層１０３の表面において、これらの上方に相当する部分は完全には平坦化されず、突出領域１０３ｂが形成される。突出領域１０３ｂは、例えば、ゲート電極１０２ａ、ソース電極１０２ｃ、ドレイン電極１０２ｃ、ゲート線１０２ｆ、データ線１０２ｇ、及び電源線１０２ｈのうち、少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方に形成される。なお、突出領域１０３ｂは、薄膜トランジスタ素子のうち、ゲート電極１０２ａ、ソース電極１０２ｃ、及びドレイン電極１０２ｃのうちの少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方であってもよい。また、突出領域１０３ｂは、ゲート線１０２ｆ、データ線１０２ｇ、及び電源線１０２ｈのうち少なくとも２つ以上が重畳した領域の上方であってもよい。
【００６７】
層間絶縁層１０３上には、画素電極１０４や発光層１０９等が積層されるのである。ここで、発光層１０９のうち突出領域１０３ｂの上方に形成された部分は、平坦領域１０３ａの上方に形成された部分と比較して膜厚が薄くなる。膜厚が薄い部分は電気抵抗が低いため電荷が集中しやすく、より多くの電流が流れて局所的に劣化が促進された結果、局所的な非発光領域が生じる虞がある。本実施の形態における表示パネル１００は、画素電極１０４の突出領域１０３ｂの上方に相当する部分を覆うように絶縁膜１０５が形成されているため、絶縁膜が形成された領域の上方に位置する発光層において画素電極１０４と発光層１０９との間が電気的に絶縁されて電流が流れない。これにより、発光層１０９の局所的な劣化を抑制し、局所的な非発光領域の発生を抑制することができる。
【００６８】
なお、絶縁膜１０５の厚みは、隔壁層１０６の厚みよりも薄い。
【００６９】
なお、絶縁膜１０５を設けない場合には、突出領域の上方に位置する発光層の劣化が進むことで発光素子からの発光量が変動してしまう。絶縁膜１０５を設けない構成に対して、本実施の形態においては絶縁膜１０５が設けられていることにより、従来と同じ電流を印加した場合で比較すると、発光量の変動を抑制することが出来る。
【００７０】
また、突出領域を隔壁で覆う構成も考えられるが、隔壁で覆う構成を採用すると、開口部の領域が小さくなる。開口部の領域が小さくなると、機能層を開口部内に精度よく滴下することが困難になる。一方、隔壁ではなく、隔壁によって区画される開口部の中に絶縁膜１０５を有する本実施の形態の構成によると開口部を広く取ることができ、高精細化が進んだ場合にも機能層をより精度よく形成することができる。
【００７１】
なお、上記説明においては、絶縁膜１０５が形成された部分においては、画素電極１０４と発光層１０９との間が電気的に絶縁されて電流が流れないとしたが、これは完全に絶縁されて全く電流が流れない場合に限られず、多少の電流が流れる場合も含むものである。例えば、絶縁膜１０５の電気抵抗が、正孔注入層１０７の電気抵抗よりも大きければ、該当箇所に流れる電流を抑制して局所的劣化の発生をある程度抑制することができる。
【００７２】
また、上述の例では、突出領域１０３ｂの全域に絶縁膜１０５が形成された例について述べたが、絶縁膜１０５は突出領域１０３ｂの一部のみを覆うものであってもよい。
【００７３】
また、突出領域１０３ｂに、互いに分離した複数の絶縁膜１０５ｂが形成されていてもよい。例えば、突出した領域が開口部中に分散している場合には、絶縁膜１０５ｂを各突出部に形成することで、開口部の発光量の減少を少なく抑えながら、非発光領域の発生を抑制することができる。
【００７４】
以上、表示パネル１００の構成等について説明した。次に、表示パネル１００の製造方法の一例について説明する。
【００７５】
［１−４．表示パネルの製造方法］
ここでは、実施の形態に係る表示パネル１００の製造方法について、図７〜図１１を用いて説明する。なお、図７は、表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図であり、図８〜図１１は、表示パネル１００の製造過程を模式的に示す部分断面図である。図８〜図１１は、代表例として図２（ａ）に示す断面が形成される過程を示す。
【００７６】
まず、図８（ａ）に示すように、ＴＦＴ層１０２が形成された基板１０１を準備する（図７のステップＳ１）。
【００７７】
その後、図８（ｂ）に示すように、フォトレジスト法に基づき、ＴＦＴ層１０２の上に絶縁性に優れる有機材料を用いて、厚み約４［μｍ］の層間絶縁層１０３を形成する（図７のステップＳ２）。
【００７８】
このとき、同図に示すように、下層のＴＦＴ層１０２表面の凹凸に応じて層間絶縁層１０３の表面に突出領域１０３ｂが形成される。
【００７９】
続いて、図８（ｃ）に示すように、真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み４００［ｎｍ］程度の金属材料からなる画素電極１０４をサブピクセル毎に形成する（図７のステップＳ３）。
【００８０】
次に、図９（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー法に基づき、絶縁性に優れる有機材料を用いて、画素電極１０４の突出領域１０３ｂの上方に相当する部分の上に厚み１０〜１００［μｍ］の絶縁膜１０５を形成する（図７のステップＳ４）。具体的には、次の工程により形成する。先ず、感光性レジストを含むペースト状の絶縁膜用材料を層間絶縁層１０３上に一様に塗布する。この上に、突出領域１０３ｂの位置に合わせてパターン形成されたマスクを重ねる。続いてマスクの上から感光させ、絶縁膜パターンを形成する。その後、余分な絶縁膜用材料を水系もしくは非水系エッチング液（現像液）で洗い出す。これにより、絶縁膜１０５が形成される。
【００８１】
このとき、図７のステップＳ１においてＴＦＴ層１０２を形成する際に、薄膜トランジスタアレイ基板のどの位置に薄膜トランジスタ素子が形成され、どの位置で電極や配線が重なり合うのかは予めわかっている。よって、突出領域１０３ｂが形成される箇所も予めわかっているので、それに従って絶縁膜１０５を形成すればよい。
【００８２】
また、絶縁膜１０５をＳｉＯ（酸化シリコン）やＳｉＮ（窒化シリコン）等の無機絶縁材料により形成する場合、ＣＶＤ、スパッタ法等により製膜した後、フォトリソグラフィー法に基づきレジストを塗布してパターニングを行い、ウェットエッチングまたはドライエッチングによりレジストを除去するという工程により形成してもよい。
【００８３】
そして、図９（ｂ）に示すように、隔壁層１０６をフォトリソグラフィー法に基づいて形成する。まず隔壁層材料として、感光性レジストを含むペースト状の隔壁層材料を用意する。この隔壁層材料を画素電極１０４および絶縁膜１０５上に一様に塗布する。この上に、図５に示した開口部１０６ａのパターンに形成されたマスクを重ねる。続いてマスクの上から感光させ、隔壁層パターンを形成する。その後は、余分な隔壁層材料を水系もしくは非水系エッチング液（現像液）で洗い出す。これにより、隔壁層材料のパターニングが完了する。以上で発光層形成領域となる開口部１０６ａが規定され、表面が撥水性の隔壁層１０６が完成する（図７のステップＳ５）。
【００８４】
次に、図１０（ａ）に示すように、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料をインクジェット法により開口部１０６ａ内に塗布して正孔注入層１０７を形成し（図７のステップＳ６）、その上にインクジェット法により正孔輸送層１０８を形成する（図７のステップＳ７）。
【００８５】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、インクジェット法を用いて発光層１０９を構成する有機材料と溶媒を所定比率で混合した発光層用インクを開口部１０６ａ内に塗布した後、インクに含まれる溶媒を蒸発乾燥させ、必要に応じて加熱焼成して、発光層１０９を形成する（図８のステップＳ８）。
【００８６】
次に、図１１（ａ）に示すように、発光層１０９および隔壁層１０６の上に、電子輸送層１１０を構成する材料を真空蒸着法に基づいて成膜する。これにより、電子輸送層１１０が形成される（図８のステップＳ９）。
【００８７】
続いて、電子注入層１１１を構成する材料を蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により成膜し、電子注入層１１１が形成される（図８のステップＳ１０）。
【００８８】
そして、図１１（ｂ）に示すように、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を用い、真空蒸着法、スパッタ法等で成膜する。これにより共通電極１１２が形成される（図８のステップＳ１１）。
【００８９】
なお、図示しないが、共通電極１１２の表面には、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法、ＣＶＤ法等で成膜することで、封止層を形成する。
【００９０】
以上の工程を経ることにより表示パネル１００が完成する。
【００９１】
［変形例］
以上、本発明の構成を実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例を実施することができる。
【００９２】
（１）上記実施の形態においては、絶縁膜１０５を画素電極１０４上に形成したが、これに限られない。例えば、正孔注入層１０７がスパッタリング法などを用いて、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物により形成される場合には、画素電極１０４上ではなく、正孔注入層１０７上に絶縁膜１０５を形成してもよい。
【００９３】
この場合、画素電極１０４を形成した後に画素電極１０４上に正孔注入層１０７を形成し、続いて隔壁層１０６を正孔注入層１０７の上方に形成する。
【００９４】
変形例１に係る表示パネルの製造過程を示す模式工程図を図１２に示す。ここでは、実施の形態の表示パネル１００の製造過程に変形例１の構成を適用した場合について説明する。
【００９５】
図１２のステップＳ４１〜ステップＳ４３は、図７のステップＳ１〜ステップＳ３と同じであるので、ここでは説明を省略する。
【００９６】
ステップＳ４３において画素電極１０４を形成した後、スパッタリング法により画素電極１０４の上に正孔注入層１０７を形成する（ステップＳ４４）。
【００９７】
続いて正孔注入層１０７の突出領域１０３ｂの上方に相当する部分の上に厚み１０〜１００［μｍ］の絶縁膜１０５を形成する（ステップＳ４５）。
【００９８】
次に、正孔注入層１０７および絶縁膜１０５の上に、隔壁層１０６を形成する。隔壁層１０６は、図７のステップＳ５と同様の方法により形成される。
【００９９】
以下、ステップＳ４８〜ステップＳ５１は、図７のステップＳ８〜ステップＳ１１と同じであるので、ここでは説明を省略する。
【０１００】
ステップＳ４４は、正孔注入層１０７をパターニングする工程を含んでいてもよい。また、画素電極１０４上に正孔注入層１０７を形成した後に、画素電極１０４と正孔注入層１０７を一括でパターニングしてもよい。
【０１０１】
（２）絶縁膜１０５は、発光層１０９の突出領域１０３ｂの上方に相当する部分への正孔または電子の供給を抑制すればよいので、必ずしも画素電極１０４と発光層１０９との間に形成されていなくてもよい。例えば、発光層１０９と共通電極１１２との間のいずれかの層間に形成されてもよい。発光層１０９より下層に絶縁膜１０５を形成すると、絶縁膜１０５の端部近傍での発光層１０９の膜厚分布が悪影響を受ける場合があるが、発光層１０９より上層に絶縁膜１０５を形成することで、このような悪影響を除くことができる。
【０１０２】
（３）実施の形態では、絶縁膜は突出領域の上方の部分のみを覆うように形成されたが、これに限られない。例えば、図１３に示す絶縁膜１０５ｄのように、通常突出領域の上方の部分を覆うように形成された主絶縁膜部１０５ｄ１と、開口部１０６ａ内の開口縁１０６ｂに沿った部分の上方にも周縁絶縁膜部１０５ｄ２とを備えてもよい。本変形例においては、周縁絶縁膜部１０５ｄ２は、主絶縁膜部１０５ｄ１（絶縁膜１０５ａ、１０５ｂに相当）と一体的に形成されて、図１３に示すように、開口部１０６ａ内部において絶縁膜開口部１０５ｅを有する形状となっている。
【０１０３】
開口部１０６ａの開口縁１０６ｂにおいては、隔壁層１０６が壁状のバンクを形成している。開口部１０６ａ内に塗布された発光層１０９の材料を含むインクが乾燥して発光層１０９が形成される過程において、バンクの壁面部分と接触しているインクは、壁面部分の撥水性や濡れ性の影響を受けるため、形成された発光層１０９の周縁部においては、膜厚が不均一になりやすい。本変形例のように、開口縁１０６ｂに沿った部分にも絶縁膜を形成することによって、上記の膜厚が不均一になりやすい部分に電流が流れないようにすることができ、当該部分における局所的な劣化を抑制して局所的な非発光領域の発生を抑制することができる。
【０１０４】
（４）有機ＥＬパネル等の表示パネルにおいては、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の各色に対応する有機ＥＬ素子をそれぞれサブピクセルとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの３つのサブピクセルの組み合わせで１ピクセル（１画素）を構成している。しかし、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色用の発光層１０９に用いられている有機材料は、発光効率がどれも同じではなく、通常、Ｇ色用の有機材料が最も発光効率が高く、Ｂ色用の有機材料が最も発光効率が低い。従って、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）に対しては、Ｒ，Ｇ色の発光層１０９（Ｒ），１０９（Ｇ）よりも大きな駆動電流を供給しなくてはならず、Ｒ色の発光層１０９（Ｒ）に対しては、Ｇ色の発光層１０９（Ｇ）よりも大きな電流を供給しなくてはならない。そのため、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）の下方に配される薄膜トランジスタ素子および電極配線は、Ｒ，Ｇ色の発光層１０９（Ｒ），１０９（Ｇ）の下方に配される薄膜トランジスタ素子および電極配線よりもサイズが大きくなる場合があり、Ｒ色の発光層１０９（Ｒ）の下方に配される薄膜トランジスタ素子および電極配線は、Ｇ色の発光層１０９（Ｇ）の下方に配される薄膜トランジスタ素子および電極配線よりもサイズが大きくなる場合がある。このような場合、Ｂ色のサブピクセル発光領域において形成される突出領域は、Ｒ，Ｇ色のサブピクセル発光領域において形成される突出領域よりもサイズが大きく、Ｒ色のサブピクセル発光領域において形成される突出領域は、Ｇ色のサブピクセル発光領域において形成される突出領域よりもサイズが大きくなる。従って、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）における局所的劣化発生面積が最も大きく、次いでＲ色、Ｇ色の順に局所的劣化の発生面積が小さくなる。
【０１０５】
例えば、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）にのみ突出領域の上方に相当する部分に絶縁膜で覆われていない部分が一部存在する場合、当該部分に発光層の局所的な劣化が発生する。すると、局所的劣化が進行するに従い、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）にのみ非発光領域が発生し、その結果、表示パネルのホワイトバランスずれの発生へと繋がることとなる。
【０１０６】
そこで、図１４（ａ）に示すように、各色のサブピクセル発光領域内に形成される突出領域のサイズに応じて、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）が形成される開口部１０６ａ（Ｂ）内のサブピクセル発光領域に形成される絶縁膜１０５ａ（Ｂ）のサイズが最も大きく、Ｇ色の発光層１０９（Ｇ）が形成される開口部１０６ａ（Ｇ）内のサブピクセル発光領域に形成される絶縁膜１０５ａ（Ｇ）のサイズが最も小さくなるように絶縁膜を形成してもよい。
【０１０７】
これにより、各色のサブピクセル発光領域における局所的劣化程度のずれを抑制して、ホワイトバランスずれの発生を防ぐことができる。
【０１０８】
なお、Ｂ色のサブピクセル発光領域において形成される突出領域のサイズに合わせてＲ，Ｇ，Ｂ各色のサブピクセル発光領域にも全て同じサイズの絶縁膜を形成すると、Ｒ，Ｇ色のサブピクセル発光領域においては、本来発光させても問題ない平坦領域の上方に相当する部分まで絶縁膜で覆ってしまうこととなるため、発光量の無用な低下を招くこととなるため、好ましくない。
【０１０９】
なお、上述の例では、Ｂ色の発光層１０９（Ｂ）に対して最も大きな駆動電流を供給する場合について述べたが、この場合に限られない。３色（３色以上の色を使用する場合には使用される色のうち）最も大きな駆動電力を供給するトランジスタが形成された開口部に、他の色の発光層が形成された開口部よりも、大きな面積の絶縁膜を形成してもよい。
【０１１０】
また、上面から見た場合のトランジスタ面積が最も大きいトランジスタが形成された開口部に、最も大きな面積を有する絶縁膜を形成してもよい。
【０１１１】
また、発光色によって絶縁層の大きさを変えるのではなく、発光層の発光効率によって絶縁層の大きさを変えてもよい。すなわち発光効率が大きい発光層が形成された開口部に位置する絶縁層が大きくなるように形成してもよい。
【０１１２】
（５）変形例４のように、Ｒ，Ｇ，Ｂ色のサブピクセル発光領域に形成する絶縁膜のサイズを発光色によって異ならせる場合、図１４（ｂ）に示すように、各色の突出領域の上方に相当する部分を覆うように形成された主絶縁膜部１０５ｄ１に加えて、開口縁１０６ｂに沿った部分にも周縁絶縁膜部１０５ｄ２を形成してもよい。この場合においても、変形例４と同様の効果に加えて、変形例３と同様の効果を得ることができる。
【０１１３】
（６）図１において、基板１０１上にＴＦＴ層１０２〜共通電極１１２の各層が積層形成されてなる構成を示した。本発明においては、各層のうちの何れかの層を欠いている、もしくは、例えば透明導電層などの他の層をさらに含む構成とすることもできる。
【０１１４】
（７）図１３において、絶縁膜１０５が隔壁層１０６の縁部と連続している構成を示した。本発明においては、絶縁膜１０５が隔壁層１０６と離間している構成とすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の表示パネルおよびその製造方法は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる表示パネルおよびその製造方法に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【０１１６】
１        表示装置
３０      ディスペンサ
１００，２００  表示パネル
１０１    基板
１０２    ＴＦＴ層
１０２ａ  ゲート電極
１０２ｂ  ゲート絶縁膜
１０２ｃ  ソース電極，ドレイン電極，ソースドレイン電極
１０２ｄ  チャネル層
１０２ｅ  引出電極
１０２ｆ  ゲート線
１０２ｇ  データ線
１０２ｈ  電源線
１０２ｉ  選択トランジスタ
１０２ｊ  駆動トランジスタ
１０２ｋ  保持容量
１０２ｍ  電極配線積層部
１０２ｎ  電源信号配線積層部
１０３    層間絶縁層
１０３ａ  平坦領域
１０３ｂ  突出領域
１０４    画素電極
１０５，１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｄ絶縁膜
１０５ｄ１  主絶縁膜部
１０５ｄ２  周縁絶縁膜部
１０５ｅ  絶縁膜開口部
１０６    隔壁層
１０６ａ  開口部
１０６ｂ  開口縁
１０７    正孔注入層
１０８    正孔輸送層
１０９    発光層
１１０    電子輸送層
１１１    電子注入層
１１２    共通電極
１１３    コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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