(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇ：２．８〜４．２重量％、Ｃｕ：０．４〜０．６重量％を含有し、残部がＳｎ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、
前記不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下であり、
前記不可避不純物のうちＡｌ，Ｚｎ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｉｎ及びＳｂの合計が１５ｐｐｍ以上かつ２３ｐｐｍ未満であることを特徴とするバンプ用はんだ合金粉末。
【請求項２】
請求項１に記載のバンプ用はんだ合金粉末と、フラックスとを混合したことを特徴とするバンプ用はんだペースト。
【請求項３】
請求項１に記載のバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されたことを特徴とするはんだバンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ形成時にバンプ表面に生じる突起を抑制することができるバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体の高密度実装技術としてはんだバンプによる接合技術が一般に用いられている。このはんだバンプに用いるはんだ合金粉末としては、例えば特許文献１に記載のＰｂ−Ｓｎはんだ合金粉末などが知られている。また、近年の環境上の配慮等に対応して鉛フリーのはんだ合金の開発が進んでおり、この鉛フリーのはんだ合金としては、ＳｎＡｇ系やＳｎＡｇＣｕ系の合金はんだが知られている。
【０００３】
例えば、従来、特許文献２には、ＳｎＡｇＣｕ系の鉛フリーはんだが提案されている。この鉛フリーはんだは、Ａｇを３．０〜５．０重量％，Ｃｕを０．５〜３．０重量％、及び残部Ｓｎから成る組成を有するはんだ合金である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２３３６８６号公報
【特許文献２】特許第３０２７４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、鉛フリーはんだとして代表的なＳｎＡｇＣｕ系はんだ合金粉末を用いてペースト化後、印刷・リフロー処理を行い、はんだバンプを形成すると、はんだバンプにニードル状の突起が発生してバンプ形状不良となる場合があった。このニードル状の突起は、隣接する他のはんだバンプに接触してショートを引き起こすおそれがあり、特に、近年のファインピッチのはんだバンプでは、隣接するバンプ同士が近接しており、ニードル状の突起の発生が大きな問題となる。また、ニードル状の突起が生じるとバンプ高さの均一性が悪くなり、フリップチップ接合時のアッセンブリの際に接合ができなくなる不都合もあった。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、ニードル状の突起の発生を抑制可能なバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、ＳｎＡｇＣｕ系のはんだ合金材料について鋭意検討の結果、含有される特定の不純物元素がニードル状の突起の発生要因となっていることを突き止めた。
【０００８】
したがって、本発明は、上記知見から得られたものであり、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明に係るバンプ用はんだ合金材料は、Ａｇ：２．８〜４．２重量％、Ｃｕ：０．４〜０．６重量％を含有し、残部がＳｎ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、前記不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
すなわち、このバンプ用はんだ合金粉末では、不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下であるので、ニードル状の突起発生の核となる金属間化合物を造りやすいＦｅ，Ｎｉ，Ａｓを上記含有量以内に制限することで、リフロー処理等ではんだバンプを形成した際にニードル状の突起の発生を抑制し、良好なバンプ形状を得ることができる。
【００１０】
なお、Ｆｅ，Ｎｉ及びＡｓは、上述したようにニードル状の突起の発生を助長させる元素であり、それぞれが上記含有量を超えると、ニードル状の突起の発生率が大幅に高くなる。
また、Ａｇ及びＣｕの含有量を上記範囲とした理由は、業界において、Ａｇ含有量が多い鉛フリー合金の主成分としては、Ｓｎ３Ａｇ０．５Ｃｕ，Ｓｎ４Ａｇ０．５Ｃｕ合金が一般的であるためである。
【００１１】
第２の発明に係るバンプ用はんだペーストは、第１の発明のバンプ用はんだ合金粉末と、フラックスとを混合したことを特徴とする。
【００１２】
第３の発明に係るはんだバンプは、上記第１の発明のバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されたことを特徴とする。
すなわち、このはんだバンプでは、上記第１の発明のバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されているので、ニードル状の突起が生じず、良好なバンプ形状を有しており、ファインピッチのフリップチップであっても良好な接合が可能である。
なお、従来、ニードル状の突起は約２５μｍ程度のものが発生しうるが、１５０μｍ以下のファインピッチでは、バンプ端部の間の距離が約５０μｍとなり、２５μｍの突起によってショートが発生する。このため、特に１５０μｍ以下のファインピッチ用途において、ニードル状の突起の発生を抑えた本発明の利用価値は極めて高いものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプによれば、不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下であるので、ニードル状の突起の発生を抑制し、良好なバンプ形状を得ることができる。したがって、本発明によれば、ファインピッチの高密度フリップチップであっても良好な接合ができ、信頼性の高い高密度実装が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプの一実施形態において、はんだペースト印刷時の状態を示す簡易的な断面図である。
【図２】本実施形態において、リフロー処理のプロファイルを示すグラフである。
【図３】本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプの実施例において、良好なはんだバンプを示すＳＥＭ写真である。
【図４】本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプの比較例において、ニードル状の突起が生じたはんだバンプを示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプの一実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。
【００１６】
本実施形態におけるバンプ用はんだ合金粉末は、Ａｇ：２．８〜４．２重量％、Ｃｕ：０．４〜０．６重量％を含有し、残部がＳｎ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、上記不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下である。このバンプ用はんだ合金粉末の粒径は、例えば５〜１５μｍであり、平均粒径は、１０．０〜１１．０μｍである。なお、この粒径は、レーザー回折・散乱式粒度分析計（Ｎｉｋｋｉｓｏ社製ＭＴ３３００）により測定している。また、上記不純物含有量の分析は、高周波誘導結合プラズマ発光分析装置（日本ジャーレル・アッシュ社製ＩＣＡＰ−５７７）を用いて行っている。
【００１７】
このバンプ用はんだ合金粉末の作製方法は、まず、所定含有量になるように秤量したＳｎ，Ａｇ，Ｃｕの各原料をルツボ内で溶解させて合金の溶湯とし、さらにこの合金を、ガスアトマイズ法などの手法を用いて造粒することにより、例えばＳｎ−３重量％Ａｇ−０．５重量％Ｃｕのはんだ合金粉末（固相線温度：２１７℃、液相線温度：２１７℃）とする。
なお、不可避不純物のうちＦｅを８ｐｐｍ以下、Ｎｉを５ｐｐｍ以下、Ａｓを２０ｐｐｍ以下とするため、上記製法中において、Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ原料（特にＳｎ）の不純物を管理し、不純物量の低いものを選定している。
【００１８】
また、このバンプ用はんだ合金粉末を用いてはんだバンプを作製するには、まず上記バンプ用はんだ合金粉末とフラックスとを、例えばフラックス比率：１１質量％で混合してバンプ用はんだペーストとする。このはんだペーストの粘度は、約１５０Ｐａ・ｓである。次に、図１に示すように、例えばバンプ形成用孔Ｈを設けたドライフィルムＦをＳｉウエハＷに貼り付け、該ＳｉウエハＷ上のバンプ形成用孔Ｈ内に配したアンダーバンプメタルＵＢＭ上に上記はんだペーストＰを印刷する。さらに、このはんだペーストＰに対して２回のリフロー処理（１ｓｔリフロー及び２ｎｄリフロー）を行ってはんだバンプＢを作製する。
【００１９】
上記フラックスは、一般的なフラックスを用いることができ、このフラックスには、通常、ロジン、活性剤、溶剤および増粘剤等が含まれる。また、フラックスとしては、ペーストの濡れ性の観点からＲＡやＲＭＡフラックス等が好ましい。
なお、１ｓｔリフローの後に、バンプ形状を整えるため、ドライフィルムＦを除去後、ＲＭＡポストフラックスを塗布し、再度２ｎｄリフローを行ってはんだバンプＢを得ている。
また、上記アンダーバンプメタルＵＢＭは、Ｃｕ又はＣｕにＯＳＰ（有機膜処理）を施したもの、Ａｕ／Ｎｉメッキ処理やＳｎメッキ処理を施したものである。
【００２０】
上記２回のリフロー処理（１ｓｔリフロー及び２ｎｄリフロー）は、例えば図２に示すプロファイルにより行う。また、リフロー処理は、ベルト炉を使用し、窒素雰囲気中で行う。
このように作製したはんだバンプは、例えば直径約１００μｍ、約高さ７０μｍである。また、バンプピッチは、例えば１５０μｍである。
【００２１】
このように本実施形態のバンプ用はんだ合金粉末では、不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下であるので、ニードル状の突起発生の核となる金属間化合物を造りやすいＦｅ，Ｎｉ，Ａｓを上記含有量以内に制限することで、リフロー処理ではんだバンプを形成した際にニードル状の突起の発生を抑制し、良好なバンプ形状を得ることができる。
【００２２】
また、本実施形態のはんだバンプでは、このバンプ用はんだ合金粉末を用いて形成されているので、ニードル状の突起が生じず、良好なバンプ形状を有しており、ファインピッチのフリップチップであっても良好な接合が可能である。
【実施例】
【００２３】
次に、上記実施形態におけるバンプ用はんだ合金粉末、バンプ用はんだペースト及びはんだバンプに基づいて、はんだバンプを作製した実施例について、ニードル状の突起発生の有無に関して評価した結果を説明する。
【００２４】
まず、本発明の実施例として、表１に示す成分組成及び不可避不純物のはんだ合金粉末を作製し、ＲＡフラックスを表１に示すフラックス比率で混ぜてはんだペーストとした。すなわち、本発明の実施例１〜９は、すべて不可避不純物のうちＦｅが８ｐｐｍ以下、Ｎｉが５ｐｐｍ以下、Ａｓが２０ｐｐｍ以下である。本実施例の各はんだペーストを用いて、上述したリフロー処理によってはんだバンプを形成した。そして、作製したはんだバンプを、ＳＥＭ及び光学顕微鏡で観察することで、ニードル状の突起について発生の有無を調べ、その発生率（以下、ニードル発生率と称す）を算出した。
【００２５】
なお、比較例として、本発明の範囲から外れる不可避不純物の含有量としたものを複数作製し、はんだバンプを作製して、同様にニードル発生率を求めた。これらの結果も併せて表１に示す。なお、比較例１〜３は、Ｆｅが本発明の範囲よりも多く含有され、比較例４〜６は、Ｎｉが本発明の範囲よりも多く含有されている。また、比較例７，８は、Ａｓが本発明の範囲よりも多く含有されている。
なお、各実施例及び比較例において、測定したバンプ数はそれぞれ７５６個とした。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
この結果からわかるように、上記比較例は、いずれもニードル発生率が１％を超えているのに対し、本発明の実施例は、いずれもニードル発生率が１％未満であり、ニードル状の突起の発生が抑制されて良好なバンプ形状が得られている。
なお、本実施例のバンプ用はんだ合金粉末をペースト化して、印刷・リフローで形成したバンプで、良好なバンプ形状の例について、ＳＥＭ写真を図３に示す。また、比較例について、ニードル状の突起が発生している例について、ＳＥＭ写真を図４に示す。
【００２８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態及び上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００２９】
Ｂ…はんだバンプ、Ｆ…ドライフィルム、Ｐ…はんだペースト、ＵＢＭ…アンダーバンプメタル、Ｗ…Ｓｉウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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