(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるモノアミン化合物。
【化１】
0005880092.tif 000035
（一般式（１）中、ArG1〜ArG３は、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの
芳香環基、若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの芳香族環基が２つ以上連結した基を表し、Zは置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの芳香族
環基が２つ以上連結した２価の基を表すが、ArG1〜ArG３のいずれか１つが、下記一般式
（３）で表される部分構造を有している。）
【化２】
0005880092.tif 000036
【請求項２】
前記一般式（１）において、Zは、下記一般式（２）で表される請求項１に記載のモノ
アミン化合物。
【化３】
0005880092.tif 000037
（但し、構造式（２）中、ｎ＝2〜8であり、括弧内のベンゼン環が有する置換基Ｒ１は各々独立に水素原子又はアルキル基を表す。）
【請求項３】
前記一般式（１）において、ArG３が、置換基を有していてもよい炭素数３から６０ま
での芳香族環基が２つ以上連結した基である請求項１又は２に記載のモノアミン化合物
【請求項４】
ArG1〜ArG３における炭素数３から６０までの芳香族環基が２つ以上連結した基が、下
記の何れかからなる基であり、Ｚにおける炭素数３から６０までの芳香族環基が２つ以上連結した２価の基が、下記の何れかからなる２価の基である、請求項１又は２に記載のモノアミン化合物。
【化４】
0005880092.tif 000038
【請求項５】
１００度以上の高沸点の有機溶剤が２０％以上の成分を有して成る溶媒への溶解度が、１質量％以上である請求項１〜４のいずれか１項に記載のモノアミン化合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のモノアミン化合物からなる電荷輸送材料。
【請求項７】
請求項６に記載の電荷輸送材料と溶剤とを含有することを特徴とする電荷輸送膜用組成物。
【請求項８】
基板上に、陽極、陰極、及びこれら両極間に設けられた発光層を有する有機電界発光素子において、請求項６に記載の電荷輸送材料を含有する発光層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項９】
請求項８に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の有機電界発光素子を具備することを特徴とする有機ＥＬ照明。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱的及び電気化学的に安定で種々の溶剤に可溶なモノアミン化合物、該モノアミン化合物からなる電荷輸送材料、該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物、該電荷輸送材料を含有する層を有し、且つ発光効率及び駆動安定性が高い有機電界発光素子、並びに該素子を備えた有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜を用いた電界発光素子（有機電界発光素子）の開発が行われている。有機薄膜の形成方法としては、真空蒸着法と湿式製膜法が挙げられる。このうち、湿式製膜法は真空プロセスが要らず、大面積化が容易で、１つの層（塗布液）に様々な機能をもった複数の材料を混合して入れることが容易である等の利点がある。
湿式製膜法によって形成された発光層の材料としては、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体やポリフルオレン誘導体等の高分子材料が主に用いられているが、高分子材料には以下の様な問題がある。
・高分子材料は重合度や分子量分布を制御することが困難である。
・連続駆動時に末端残基による劣化が起こる。
・材料自体の高純度化が困難で、不純物を含む。
【０００３】
上記問題のために、湿式製膜法による有機電界発光素子は、真空蒸着法による有機電界発光素子に比べて駆動安定性に劣り、一部を除いて実用レベルに至っていないのが現状である。
以上の様な問題を解決する試みとして、特許文献１には高分子化合物ではなく、複数の低分子材料（電荷輸送材料、発光材料）を混合して湿式製膜法により形成した有機薄膜を用いた有機電界発光素子が記載されており、正孔輸送性の電荷輸送材料としては、以下に示す、化合物Ｈ−１、Ｈ−２が用いられている。
【０００４】
【化１】
0005880092.tif 000002
【０００５】
又、湿式製膜法により形成された複数の低分子材料からなる有機薄膜を用いた有機電界発光素子において、非特許文献１、特許文献２−４、では、有機電界発光素子の発光効率を高めるために、燐光発光を利用した素子が記載され、電荷輸送材料には、以下に示す化合物Ｈ−３、Ｈ−４、Ｈ−５、Ｈ−６、Ｈ−７が用いられている。
【０００６】
【化２】
0005880092.tif 000003
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２７３８５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１１００９３号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１１／０５５９３３号公報
【特許文献４】ＷＯ２００７／０６３７５４号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Japanese Journal of Applied Physics Vol.44, No.1B, 2005, pp.626-629
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記化合物Ｈ−１、Ｈ−２、Ｈ−３、Ｈ−４及びＨ−５は溶剤に対する溶解性が必ずしも十分でなく、またＨ−６はスピロ環の剛直さから，Ｈ−７は対称性の高さから溶解性が低いものと考えられる。このため、クロロホルム等のハロゲン系溶剤を塗布溶剤に用いる必要があるが、ハロゲン系溶剤は環境負荷が大きい。更に、ハロゲン系溶剤中に含まれる不純物により材料を劣化させる可能性があり、またハロゲン系溶剤を用いた湿式製膜法による有機電界発光素子は駆動安定性が十分でないと考えられる。
【００１０】
又、上記化合物Ｈ−１、Ｈ−２、Ｈ−３及びＨ−４はガラス転移温度が低いため、特許文献１及び非特許文献１に開示されている有機電界発光素子は耐熱性につき改良の余地があると考えられる。さらに、上記化合物Ｈ−１、Ｈ−２、Ｈ−３、Ｈ−４及びＨ−５は非常に結晶化しやすく、湿式製膜法で均一な非晶質膜を得ることが容易ではない。
又、上記化合物Ｈ−７は正電荷を帯びるアミン窒素原子に置換されている環はそれぞれベンゼン環１つしかないため、正電荷に対する安定化の寄与が小さく、特許文献4に例示さ
れている化合物は電気的安定性が低いと考えられる。
【００１１】
従って、本発明は上記従来の実状に鑑みてなされたものであり、その課題は熱的及び電気化学的に安定であり、溶剤に可溶な電荷輸送材料及びそれを含有する電荷輸送膜用組成物を提供することにある。本発明はまた、高い発光効率、高い駆動安定性を有する有機電界発光素子、並びにそれを具備する有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは鋭意検討した結果、下記一般式（１）で表されるモノアミン化合物が、溶剤に対する溶解性に優れ、高い非晶質性を有するため、湿式製膜法による薄膜形成が可能であり、しかも優れた電荷輸送性及び電気的酸化還元耐久性を有するため、有機電界発光素子に用いると高い発光効率かつ高い駆動安定性を発現できることを見出し、本発明の完成に至った。
【００１３】
即ち、本発明の要旨は、以下に示すモノアミン化合物に存する。
下記一般式（１）で表されるモノアミン化合物。
【００１４】
【化３】
0005880092.tif 000004
【００１５】
（一般式（１）中、ArG1〜ArG３は、置換基を有していてもよい炭素数３から３０まで
の芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの芳香族環基が２つ以上連結した基を表し、Zは置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの芳香族
環基が２つ以上連結した２価の基を表すが、ArG1〜ArG３のいずれか１つが、後述の一般
式（３）で表される部分構造を有している。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明のモノアミン化合物、該モノアミン化合物からなる電荷輸送材料、及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物によれば、熱的及び電気化学的に安定である材料を含む有機薄膜を湿式製膜法によって容易に形成することが可能であり、有機電界発光素子の大面積化が容易となる。又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物を用いた有機電界発光素子によれば、高輝度・高効率で発光させることが可能となり、且つ素子の安定性、特に駆動安定性が向上する。
【００１７】
尚、本発明の電荷輸送材料は、優れた成膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、湿式製膜法による製膜に適用可能である。
又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物は、優れた成膜性、電荷輸送性、発光特性、耐熱性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層などの有機層の形成にも適用可能である。
【００１８】
従って、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えば、ＯＡ コンピュータ用や
壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【００１９】
又、本発明の電荷輸送材料及び該電荷輸送材料を含む電荷輸送膜用組成物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、その他、電子写真感光体等にも有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に限定されない。
［語句の説明］
炭化水素芳香環とは、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、フルオレン等のように炭素と水素のみの原子で構成される芳香族環を表す。
【００２２】
複素芳香族環とは、ピリジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環等の様に炭素と水素原子の他に酸素原子、硫黄原子、窒素原子、珪素原子等を含んでなる芳香族環を表す。芳香族環とは、炭化水素芳香環と複素芳香族環の全てを表す。
芳香族環集合原子団とは、ビフェニル、ターフェニルのように芳香族環同士が連なって形成される原子団である。
【００２３】
[モノアミン化合物]
本発明のモノアミン化合物（以下、「化合物（１）」とも称する。）は、下記一般式（１）で表されるものである。
【００２４】
【化４】
0005880092.tif 000005
【００２５】
（一般式（１）中、ArG1〜ArG３は、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの
芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表し、Zは置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上
の芳香族環集合原子団からなる２価の置換基を表す）
【００２６】
［１．構造上の特徴］
化合物（１）は、インドロカルバゾールと窒素原子の周囲に２環以上の芳香族が存在するアミン部分を併せ持ち、正電荷をアミン部位が、負電荷をインドロカルバゾール環が共役により安定化させることで、優れた電荷（正孔）輸送能と長い寿命を有する。
又、化合物（１）は、インドロカルバゾール構造部分がアミンの共役平面とねじれた形を取ることにより、非晶質性が極めて高く、種々の有機溶剤に対する溶解性に優れ、容易には結晶化しない非晶質な有機薄膜を形成することが可能である。
尚、ArG3は、２つ以上の芳香族環集合原子団基であることが溶解性の更なる向上の点から好ましく、ArG1〜ArG3のいずれか１つが下記一般式３で表される部分構造を有している事が、さらに非晶質性を高めるために好ましい。
【００２７】
【化５】
0005880092.tif 000006
【００２８】
［２．分子量の範囲］
化合物（１）の分子量は、通常５０００以下、好ましくは４０００以下、より好ましくは３０００以下であり、また通常７００以上、好ましくは８００以上である。
上記範囲内であると、精製が容易で、ガラス転移温度及び、融点、気化温度などが高いため、耐熱性が良好である。
【００２９】
［３．物性］
（１）ガラス転移温度
化合物（１）は、通常８０℃以上のガラス転移温度を有するが、耐熱性の観点から、ガラス転移温度は９０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることが更に好ましい。
【００３０】
（２）気化温度
化合物（１）は、通常３００℃以上、８００℃以下の気化温度を有する。なお、本発明の電荷輸送材料は、ガラス転移温度と気化温度の間に結晶化温度を有さないことが好まし
い。
（３）溶解度
化合物（１）としては、２５℃、大気圧条件下で、１００度以上の高沸点の炭化水素系溶媒に対して１質量％以上溶解するものであることが、溶剤溶解性を確保して、湿式製膜法による成膜性を得るために好ましい。この溶解度は好ましくは３質量％以上、更に好ましくは５質量％以上である。この溶解度の上限については特に定めないが通常５０質量％以下である。
【００３１】
（４）IP、EA
本発明の化合物は優れた電荷（正孔）注入輸送能を有する特徴がある。その指標として、ＩＰ（イオン化ポテンシャル）およびＥＡ（電子親和力）がある。
種々の測定方法や見積り方法が存在するが、例えば、Stochastic  Monte  Carlo法などで計算的に算出することも可能である。
【００３２】
ＩＰ、ＥＡの範囲は、Stochastic  Monte  Carlo法において、ＩＰが通常６．５以下、好ましくは６．０以下、さらにこのましくは５．７以下、ＥＡが通常１．０以上、好ましくは１．５以上、さらに好ましくは１．８以上である。
［５．ArG1〜ArG3］
（１）中、ArG1〜ArG3は、各々独立して、置換基を有していてもよい炭素数３から３０までの芳香環基若しくは、置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基を表す。
【００３３】
炭素数３から３０までの芳香環基の例としては、１個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環の基が挙げられる。
【００３４】
ここで、本発明において、遊離原子価とは、有機化学・生化学命名法（上）（改訂第２版、南江堂、１９９２年発行）に記載のとおり、他の遊離原子価と結合を形成できるものを言う。すなわち、例えば、「１個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニル基のことを言い、「２個の遊離原子価を有するベンゼン環」はフェニレン基のことを言う。
炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団基の例としては、以下に示す通りである。
【００３５】
【化６】
0005880092.tif 000007
【００３６】
［５．２価の置換基Z］
Zは置換基を有していてもよい炭素数３から６０までの２つ以上の芳香族環集合原子団
からなる２価の置換基を表し、その例としては、上記ArG1〜ArG3の芳香族環集合原子団と同値の原子団からなる２個の遊離原子価を有する基である。化学的安定性の点から、２個の遊離原子価を有するベンゼン環、ジベンゾフラン環である芳香族環集合原子団が好ましく、２個の遊離原子価を有するベンゼン環である芳香族環集合原子団が特に好ましい。
【００３７】
これらArG1〜ArG3、２価の置換基Zが有していても良い置換基の例としては、炭素数１
〜８の直鎖又は分岐のアルキル基（例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基など）、炭素数２〜９のアルケニル基（例えばビニル基、アリル基、１−ブテニル基など）、炭素数２〜９のアルキニル基（例えばエチニル基、プロパルギル基など）、炭素数７〜１７のアラルキル基（例えばベンジル基など）炭素数１〜２０のアルコキシ基（例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基など）、炭素数６〜１２のアリールオキシ基（例えばフェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基など）、炭素数３〜２０の５又は６員環の芳香族複素環基を有するヘテロアリールオキシ基（例えばピリジルオキシ基、チエニルオキシ基など）、炭素数１〜１０のアシル基（例えばホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基など）、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基など）、炭素数７〜１３のアリールオキシカルボニル基（例えばフェノキシカルボニル基など）、炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基（例えばアセトキシ基など）、炭素数１〜８までのアルキルチオ基（例えばメチルチオ基、エチルチオ基など）、炭素数６〜１２のアリールチオ基（例えばフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基など）、炭素数３〜３０シリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基など）、１個の遊離原子価を有する芳香族炭化水素（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アン
トラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５又は６員環の単環又は２〜５縮合環が挙げられる。）、１個の遊離原子価を有する芳香族複素環（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環）が挙げられる。
【００３８】
電気化学的耐久性を向上させる観点及び耐熱性を向上させる観点からは、ArG1〜ArG3の置換基としては、芳香族炭化水素基、或いは芳香族複素環基等が好ましく、より好ましくは芳香族炭化水素基、或いは芳香族複素環基、更に好ましくはフェニル基、ナフチル基、又は１個の遊離原子価を有するカルバゾール環もしくはベンゾフラン環等であり、特に好ましくは、フェニル基、ナフチル基である。
溶解性及び非晶質性を更に向上させる観点からは、ArG1〜ArG3の置換基としては、アルキル基等が好ましく、より好ましくはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等であり、さらに好ましくはメチル基、エチル基等である。
【００３９】
［６］特に好ましい部分構造
本発明のモノアミン化合物を後述する電荷輸送材料として使用する場合は、溶剤への溶解性を更に向上させる観点から、ArG1〜ArG3のいずれか１つが下記一般式３で表される部分構造を有している事が、さらに非晶質性を高めるために好ましい。
［８．例示］
以下に、本発明のモノアミン化合物としての好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
【化７】
0005880092.tif 000008
【００４１】
【化８】
0005880092.tif 000009
【００４２】
【化９】
0005880092.tif 000010
【００４３】
［９．合成方法］
本発明のアミン化合物は、例えば、アリールアミン化合物を出発原料とし、順次、環を導入することにより合成できる。
【００４４】
【化１０】
0005880092.tif 000011
【００４５】
（Ｃ−Ｎカップリング反応）
反応基質と、芳香族炭化水素基を有するハロゲン化物又はトリフルオロメタンスルホン酸エステル試薬を、遷移金属元素触媒を用いて、塩基存在下で反応させることにより、芳香族炭化水素基にアミノ基を導入することができる。単離精製は、例えば、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより行うことができる。
【００４６】
遷移金属元素触媒の例としては、パラジウム触媒や銅触媒が挙げられ、反応の簡便さや反応収率の高さからパラジウム触媒が望ましい。
塩基は、特に限定しないが、例えば、炭酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム、トリエチルアミン等を使用することができる。
溶剤としては、パラジウム触媒を用いる場合には、トルエンが好ましく、銅触媒を用いる場合には、ピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などが好ましい。
【００４７】
また、本発明に係る化合物（１）において、Z = -Ph-Ar- （Arは芳香族環）とした場合は、トリアリールアミンのトリハロゲン化物を出発原料として、順次カップリング反応を行うことによっても合成できる。
【００４８】
【化１１】
0005880092.tif 000012
【００４９】
（Ｃ−Ｃカップリング反応）
反応基質と、芳香族炭化水素基を有する有機金属試薬を、遷移金属元素触媒を用いて、塩基存在下で無極性又は極性溶剤中で反応させることにより、基質に芳香族炭化水素基を導入することができる。単離精製は、例えば、蒸留、濾過、抽出、再結晶、再沈殿、懸濁洗浄、クロマトグラフィーの操作を組み合わせることにより行うことができる。
【００５０】
有機金属試薬の例としては、有機硼素試薬、有機マグネシウム試薬、有機亜鉛試薬などが挙げられる。中でも、取り扱いの簡便さから有機硼素試薬が望ましい。
遷移金属元素触媒の例としては、有機パラジウム触媒、有機ニッケル触媒、有機銅触媒、有機白金触媒、有機ロジウム触媒、有機ルテニウム触媒、有機イリジウム触媒などが挙げられる。中でも、反応の簡便さや反応収率の高さから有機パラジウム触媒が望ましい。
【００５１】
塩基は、特に限定しないが、金属水酸化物、金属塩、有機アルカリ金属試薬などが好ましい。
使用する溶剤としては、反応基質に対して活性である溶剤以外であれば特に限定しないが、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル；エタノール、プロパノール等のアルコール；水等を単独で又は混合して使用することができる。
【００５２】
また、必要であれば界面活性剤を１〜１００ｍｏｌ％加えることもできる。
［電荷輸送材料］
本発明の電荷輸送材料は、前記一般式（１）で表されるモノアミン化合物からなる。該モノアミン化合物は、溶剤に対する溶解性に優れ、高い非晶質性を有するため、湿式成膜法による薄膜形成が可能である。
【００５３】
又、本発明の電荷輸送材料として使用される該モノアミン化合物は、電荷輸送性及び電気的酸化還元耐性にも優れ、且つ高い三重項励起準位を有するため、有機電界発光素子に用いることにより、高い発光効率と高い駆動安定性を実現できる。
［電荷輸送膜用組成物］
本発明の電荷輸送膜用組成物は、前述の本発明の電荷輸送材料を含むものであり、好ましくは、有機電界発光素子用に使用される。
【００５４】
［１］溶剤
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物は溶剤を含むことが好ましい。
本発明の電荷輸送膜用組成物に含まれる溶剤としては、溶質である本発明の電荷輸送材料等が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されない。
【００５５】
本発明の電荷輸送材料は、溶剤に対する溶解性が非常に高いため、種々の溶剤が適用可能である。例えば、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル；シクロヘキサノン、シクロオクタノン等の脂環式ケトン；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環式アルコール；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル等の脂肪族エステル等が利用できる。
【００５６】
これらのうち、水の溶解度が低い点、容易には変質しない点で、トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素が好ましい。
有機電界発光素子には、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、組成物中の水分の存在は、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられる。その為、組成物中の水分量を低減させることが好ましい。
【００５７】
組成物中の水分量を低減する方法としては、例えば、窒素ガスシール、乾燥剤の使用、溶剤を予め脱水する方法、水の溶解度が低い溶剤を使用する方法等が挙げられる。中でも、水への溶解度が低い溶剤を使用する場合は、湿式製膜工程中に、溶液膜が大気中の水分を吸収して白化する現象を防ぐことができるため好ましい。この様な観点からは、本発明の電荷輸送膜用組成物としては、例えば、２５℃における水の溶解度が１質量％以下、好ましくは０．１質量％以下である溶剤を、組成物中に１０質量％以上含有することが好ましい。
【００５８】
また、湿式製膜時における組成物からの溶剤蒸発による、製膜安定性の低下を低減するためには、電荷輸送膜用組成物の溶剤として、沸点が１００℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上の溶剤を用いることが効果的である。また、より均一な膜を得るためには、製膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが必要であるが、このためには通常沸点の下限が８０℃、好ましくは１００℃、より好ましくは１２０℃で、かつ通常上限が２７０℃未満、好ましくは２５０℃未満、より好ましくは２３０℃未満の溶剤を用いることが効果的である。
上述の条件、即ち溶質の溶解性、蒸発速度、水の溶解度の条件を満足する溶剤を単独で用いてもよいが、すべての条件を満たす溶剤が選定できない場合は、２種類以上の溶剤を混合して用いることもできる。
【００５９】
［２］発光材料
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物は、発光材料を含有することが好ましい。
発光材料とは、本発明の電荷輸送膜用組成物において、主として発光する成分を指し、有機電界発光デバイスにおけるドーパント成分に当たる。即ち、電荷輸送膜用組成物から発せられる光量（単位：ｃｄ／ｍ2）の内、通常１０〜１００％、好ましくは２０〜１０
０％、より好ましくは５０〜１００％、最も好ましくは８０〜１００％が、ある成分材料からの発光と同定される場合、それを発光材料と定義する。
【００６０】
発光材料としては、任意の公知材料を使用可能であり、例えば、蛍光発光材料、燐光発光材料を単独で又は複数種を混合して使用できるが、内部量子効率の観点から、好ましくは、燐光発光材料である。
この発光材料の最大発光ピーク波長は３９０〜７００ｎｍの範囲にあることが好ましく、より好ましくは５００〜７００ｎｍである。
なお、溶剤への溶解性を向上させる目的で、発光材料分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることも可能である。
【００６１】
青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン及びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【００６２】
燐光発光材料としては、例えば周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（Ｖ）又は式（VI）で表される化合物が挙げられる。
【００６３】
ＭＬ(q-j)Ｌ'j（Ｖ）
（上記一般式（Ｖ）中、Ｍは金属を示し、ｑは上記金属の価数を示す。また、Ｌ及びＬ'
は二座配位子を示す。ｊは０〜２の整数を示す。）
【００６４】
【化１２】
0005880092.tif 000013
【００６５】
（上記一般式（VI）中、Ｍdは金属を示し、Ｔは炭素原子又は窒素原子を示す。Ｒ92〜Ｒ95は、それぞれ独立に置換基を示す。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ94及びＲ95は無い。
）
以下、まず、一般式（Ｖ）で表される化合物について説明する。
一般式（Ｖ）中、Ｍは任意の金属を示し、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、一般式（Ｖ）中の二座配位子Ｌ及びＬ'は、それぞれ、以下の部分構造を有する配
位子を示す。
【００６６】
【化１３】
0005880092.tif 000014
【００６７】
【化１４】
0005880092.tif 000015
【００６８】
Ｌ'として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、下記のものが挙げられる。
【００６９】
【化１５】
0005880092.tif 000016
【００７０】
上記Ｌ，Ｌ'の部分構造において、環Ａ１は芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示
し、環Ａ２は含窒素芳香族複素環基を示し、これらは置換基を有していてもよい。
環Ａ１、Ａ２が置換基を有する場合、好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００７１】
一般式（Ｖ）で表される化合物として、更に好ましくは、下記式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される化合物が挙げられる。
【００７２】
【化１６】
0005880092.tif 000017
【００７３】
（一般式（Ｖａ）中、Ｍaは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、環Ａ１は置
換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を示し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。）
【００７４】
【化１７】
0005880092.tif 000018
【００７５】
（一般式（Ｖｂ）中、Ｍbは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、環Ａ１は置
換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表し、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を示す。）
【００７６】
【化１８】
0005880092.tif 000019
【００７７】
（一般式（Ｖｃ）中、Ｍcは金属を示し、ｗは前記金属の価数を示す。また、ｊは０〜２
の整数を示す。さらに、環Ａ１及び環Ａ１'は、それぞれ独立に、置換基を有していても
よい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。また、環Ａ２及び環Ａ２'は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を
示す。）
上記一般式（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）において、環Ａ１及び環Ａ１'を構成する基
としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【００７８】
また、環Ａ２、環Ａ２'を構成する基としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリ
ミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
更に、環Ａ１、環Ａ１'環Ａ２及び環Ａ２'が有していてもよい置換基としては、フッ素
原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【００７９】
上記置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１〜６である。更に、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２〜６である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２〜６である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１〜６である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６〜１４である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２〜２４である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２〜２８である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１〜１４である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１〜１２である。
【００８０】
尚、これら置換基は互いに連結して環を形成してもよい。具体例としては、環Ａ１が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、又は、環Ａ１'が有する置換基と環
Ａ２'が有する置換基とが結合して、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環
基としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１、環Ａ１'、環Ａ２及び環Ａ２'の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が好ましい。
【００８１】
又、Ｍa、Ｍb、Ｍcとしては上記Ｍと同様の金属が挙げられ、中でもルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が好ましい。
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）又は（Ｖｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるものではない（以下において、Ｐｈ'はフェ
ニル基を示す。）。
【００８２】
【化１９】
0005880092.tif 000020
【００８３】
【化２０】
0005880092.tif 000021
【００８４】
上記一般式（Ｖ）、（Ｖａ）、（Ｖｂ）、（Ｖｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ'として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリー
ルピリジンを有する錯体、これに置換基が結合した錯体、及び、置換基が互いに結合して縮合環を形成している錯体が好ましい。
また、国際公開第２００５／０１９３７３号パンフレットに記載の化合物も使用することができる。
【００８５】
次に、前記一般式（VI）で表される化合物について説明する。
一般式（VI）中、Ｍdは金属を示し、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ば
れる金属として前述した金属が挙げられる。中でも、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が好ましい。
【００８６】
また、一般式（VI）において、Ｒ92及びＲ93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。
【００８７】
さらに、Ｔが炭素原子の場合、Ｒ94及びＲ95は、それぞれ独立に、Ｒ92及びＲ93と同様
の例示物で表される置換基を示す。また、前述の如く、Ｔが窒素原子の場合はＲ94及びＲ95は無い。
また、Ｒ92〜Ｒ95は更に置換基を有していてもよい。この場合の置換基として特に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ92〜Ｒ95は互いに連結して環を形成してもよく、この環が更に任意の置換基を有していてもよい。
【００８８】
一般式（VI）で表される有機金属錯体の具体例（Ｔ−１、Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示すが、下記の例示化合物に限定されるものではない。なお、以下において、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示す。
【００８９】
【化２１】
0005880092.tif 000022
【００９０】
［３］その他の成分
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物として用いられる電荷輸送膜用組成物中には、前述した溶剤及び発光材料以外にも、必要に応じて、各種の他の溶剤を含んでいてもよい。このような他の溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系の溶剤、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。また、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
また、２層以上の層を湿式製膜法により積層する際に、これらの層が相溶することを防ぐため、製膜後に硬化させて不溶化させる目的で光硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を含有させておくこともできる。
【００９１】
［４］電荷輸送膜用組成物中の材料濃度と配合比
電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料、発光材料及び必要に応じて添加可能な成分（レベリング剤など）などの固形分濃度は、下限が通常０．０１質量％、好ましくは０．０５質量％、より好ましくは０．１質量％、更に好ましくは０．５質量％、最も好ましくは１質量％であり、他方上限が通常８０質量％、好ましくは５０質量％、より好ましくは４０質量％、更に好ましくは３０重量％、最も好ましくは２０質量％である。この濃度が下限を下回ると、薄膜を形成する場合、厚膜を形成するのが
困難となり、上限を超えると、薄膜を形成するのが困難となる。
【００９２】
また、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物において、発光材料／電荷輸送材料の含有質量比は、下限が通常０．１／９９．９、より好ましくは０．５／９９．５、更に好ましくは１／９９、最も好ましくは２／９８以上であり、他方上限が通常５０／５０、より好ましくは４０／６０、更に好ましくは３０／７０、最も好ましくは２０／８０である。この質量比が下限を下回ったり、上限を超えたりすると、著しく発光効率が低下するおそれがある。
【００９３】
［５］電荷輸送膜用組成物の調製方法
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料、発光材料、及び必要に応じて添加可能なレベリング剤や消泡剤等の各種添加剤よりなる溶質を、適当な溶剤に溶解させることにより調製される。溶解工程に要する時間を短縮するため、及び組成物中の溶質濃度を均一に保つため、通常、溶液を撹拌しながら溶質を溶解させる。溶解工程は常温で行ってもよいが、溶解速度が遅い場合は加熱して溶解させることもできる。溶解工程終了後、必要に応じて、フィルタリング等の濾過工程を付してもよい。
【００９４】
［６］電荷輸送膜用組成物の性状、物性等
（水分濃度）
有機電界発光素子を、本発明の電荷輸送膜用組成物（有機電界発光素子用組成物）を用いた湿式製膜法により層形成して製造する場合、用いる有機電界発光素子用組成物に水分が存在すると、形成された膜に水分が混入して膜の均一性が損なわれるため、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中の水分含有量はできるだけ少ない方が好ましい。また一般に、有機電界発光素子は、陰極等の水分により著しく劣化する材料が多く使用されているため、電荷輸送膜用組成物中に水分が存在した場合、乾燥後の膜中に水分が残留し、素子の特性を低下させる可能性が考えられ好ましくない。
【００９５】
具体的には、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物中に含まれる水分量は、通常１質量％以下、好ましくは０．１質量％以下、より好ましくは０．０１質量％以下である。
電荷輸送膜用組成物中の水分濃度の測定方法としては、日本工業規格「化学製品の水分測定法」（ＪＩＳ Ｋ００６８：２００１）に記載の方法が好ましく、例えば、カールフ
ィッシャー試薬法（ＪＩＳ Ｋ０２１１−１３４８）等により分析することができる。
【００９６】
（均一性）
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物は、湿式製膜プロセスでの安定性、例えば、インクジェット製膜法におけるノズルからの吐出安定性を高めるためには、常温で均一な液状であることが好ましい。常温で均一な液状とは、組成物が均一相からなる液体であり、かつ組成物中に粒径０．１μｍ以上の粒子成分を含有しないことをいう。
【００９７】
（物性）
本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の粘度については、極端に低粘度の場合は、例えば製膜工程における過度の液膜流動による塗面不均一、インクジェット製膜におけるノズル吐出不良等が起こりやすくなり、極端に高粘度の場合は、インクジェット製膜におけるノズル目詰まり等が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における粘度は、下限が通常２ｍＰａ・ｓ、好ましくは３ｍＰａ・ｓ、より好ましくは５ｍＰａ・ｓであり、他方上限が通常１０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１００ｍＰａ・ｓ、より好ましくは５０ｍＰａ・ｓである。
【００９８】
また、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の表面張力が高い場合は、基板に対する製膜用液の濡れ性の低下、すなわち液膜のレベリング性が悪化し、乾燥時の製膜面の乱れが起こりやすくなる等の問題が発生するため、本発明の組成物の２０℃における表面張力は、通常５０ｍＮ／ｍ未満、好ましくは４０ｍＮ／ｍ未満である。
更に、本発明の電荷輸送膜用組成物、特に有機電界発光素子用組成物の蒸気圧が高い場合は、溶剤の蒸発による溶質濃度の変化等の問題が起こりやすくなる。このため、本発明の組成物の２５℃における蒸気圧は、通常５０ｍｍＨｇ以下、好ましくは１０ｍｍＨｇ以下、より好ましくは１ｍｍＨｇ以下である。
【００９９】
＜有機電界発光素子の構成＞
本発明の有機電界発光素子は、基板上に形成された一対の電極に一層以上の有機層を備え、有機層のうちの少なくとも一層が本発明の電荷輸送材料を含有するものであれば、特に限定されるものではない。ここで、有機層としては、有機電界発光素子の層構成により一様ではないが、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。
【０１００】
本発明の有機電界発光素子が１つの有機層を有する場合、この有機層は発光層を意味し、この発光層は電荷輸送能を有し、かつ本発明の電荷輸送材料を含有する。
一方、複数の有機層を有する有機電界発光素子の場合、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一層が本発明の電荷輸送材料を含有すればよい。なお、複数の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の層構成としては、発光可能であれば特に限定されないが、例えば、次のものが挙げられる。
１）少なくとも発光層及び電子輸送層から構成されるもの
２）少なくとも正孔輸送層及び発光層から構成されるもの
３）少なくとも正孔輸送層、発光層及び電子輸送層から構成されるもの
以下、図１を参照しながら本発明の有機電界発光素子の層構成及びその一般的形成方法等について説明する。なお、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のものと必ずしも一致しない。
【０１０１】
図１は、本発明にかかる有機電界発光素子の一例を示す模式断面図である。図１に示す有機電界発光素子は、基板１上に、陽極２、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、電子注入層８及び陰極９が順次積層された構造を有するものである。
なお、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。
【０１０２】
（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがある。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１０３】
（陽極）
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／又はスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【０１０４】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
なお、陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【０１０５】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることが好ましい。
【０１０６】
（正孔注入層）
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１０７】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製する。次いで、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１０８】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物及び溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１０９】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から、４
．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１１０】
なお、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例に挙げると、芳香族アミンそのもの及び芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の形成に用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種又は２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種又は２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１１】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）が更に好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（VII）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられ
る。
【０１１２】
【化２２】
0005880092.tif 000023
【０１１３】
（一般式（VII）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香
族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ａｒ3〜Ａｒ5は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を示す。また、Ａｒ1〜Ａｒ5のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。）
【０１１４】
【化２３】
0005880092.tif 000024
【０１１５】
（上記各一般式中、Ａｒ6〜Ａｒ16は、各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族
炭化水素基又は置換基を有していてもよい芳香族複素環基を示す。Ｒ101及びＲ102は、各々独立して、水素原子又は任意の置換基を示す。）
Ａｒ1〜Ａｒ16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解
性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基が更に好ましい。
【０１１６】
Ａｒ1〜Ａｒ16の芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基は、更に置換基を有していても
よい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
Ｒ101及びＲ102が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１１７】
式（VII）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例と
しては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である3,4-ethylenedioxythiophene（3,4-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（PEDOT/PSS）も好ましく、このポリマーの末端をメタクリレ
ート等でキャップしたものであってもよい。
【０１１８】
さらに、正孔輸送性化合物は、下記［正孔輸送層］の項に記載の架橋性重合体であってもよい。該架橋性重合体を用いた場合の成膜方法についても同様である。
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で、下限は通常０．０１質量％、好ましくは０．１質量％、更に好ましくは０．５質量％であり、また上限は通常７０質量％、好ましくは６０質量％、更に好ましくは５０質量％である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１１９】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物としては、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましい。具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が
好ましく、５ｅＶ以上である化合物が更に好ましい。
【０１２０】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、塩化鉄（III）（日本国特開平１１−２５１０６７号公報）
、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン（日本国特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１２１】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の含有量は、正孔輸送性化合物に対して、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上であり、かつ通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１２２】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、更にその他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１２３】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物に含まれる溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうるものであることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上であることが好ましい。中でも、沸点が２００℃以上であり、かつ４００℃以下、特に３００℃以下である溶剤が好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。他方、溶剤の沸点が高すぎると、乾燥工程の温度を高くする必要があり、また他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１２４】
溶剤としては、例えば、エーテル、エステル、芳香族炭化水素、アミドなどが挙げられ、ジメチルスルホキシド等も用いることができる。なお、各溶剤の具体例は、上記において説明したとおりである。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いてもよい。
【０１２５】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、基体の外表面に位置する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
塗布工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
【０１２６】
塗布工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
塗布後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。この加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレートが好ましい。
加熱工程における加熱温度は、１２０℃以上４１０℃以下であることが好ましい。
加熱工程において、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上１８０分以下である。
【０１２７】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種又は２種以上を真空容器内に設置された、るつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合は各々独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１２８】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０-6Ｔｏｒｒ（０．１３×１０-4Ｐａ）以上、通常９．０×１０-6Ｔｏｒｒ（１２．０×１０-4Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１２９】
［正孔輸送層］
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１３０】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１３１】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１３２】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビ
ニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【０１３３】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
ポリアリールアミン誘導体としては、下記一般式（VIII）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記一般式（VIII）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、Ａｒa又
はＡｒbが異なっているものであってもよい。
【０１３４】
【化２４】
0005880092.tif 000025
【０１３５】
（一般式（VIII）中、Ａｒa及びＡｒbは、各々独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。）
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、１個または２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環又は２〜５縮合環及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１３６】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えば、１個または２個の遊離原子価を有する、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５又は６員環の単環又は２〜４縮合環及びこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１３７】
溶解性、耐熱性の点から、Ａｒa及びＡｒbは、各々独立に、１個または２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基（ビフェニレン基）やターフェニル基（ターフェニレン基））が好ましい。
中でも、１個または２個の遊離原子価を有する、ベンゼン環、ビフェニル及びフルオレン環が好ましい。
【０１３８】
Ａｒa及びＡｒbにおける芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１３９】
ポリアリーレン誘導体としては、前記ＡｒaやＡｒbとして例示した置換基を有していて
もよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
ポリアリーレン誘導体としては、下記一般式（IX-1）及び／又は下記式（IX-2）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１４０】
【化２５】
0005880092.tif 000026
【０１４１】
（一般式（IX-1）中、Ｒa、Ｒb、Ｒc及びＲdは、各々独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を示す。ｔ及びｓは、各々独立に、０〜３の整数を表す。ｔ又はｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲa又はＲbは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲa又はＲb同士で環を形成していてもよい。）
【０１４２】
【化２６】
0005880092.tif 000027
【０１４３】
（一般式（IX-2）中、Ｒe及びＲfは、各々独立に、上記一般式（IX-1）におけるＲa、Ｒb、Ｒc又はＲdと同義である。ｒ及びｕは、各々独立に、０〜３の整数を示す。ｒ又はｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲe及びＲfは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲe又はＲf同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環又は６員環を構成する原子又は原子群を示す。）
Ｘの具体例としては、−Ｏ−、−ＢＲ103−、−ＮＲ103−、−ＳｉＲ1032−、−ＰＲ103−、−ＳＲ103−、−ＣＲ1032−又はこれらが結合してなる基である。なお、Ｒ103は、
水素原子又は任意の有機基を表す。本発明における有機基とは、少なくとも一つの炭素原子を含む基である。
【０１４４】
また、ポリアリーレン誘導体としては、前記一般式（IX-1）及び／又は前記一般式（IX-2）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記一般式（IX-3）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１４５】
【化２７】
0005880092.tif 000028
【０１４６】
（一般式（IX-3）中、Ａｒc〜Ａｒjは、各々独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を示す。ｖ及びｗは、各々独立に０又は１を示す。）
Ａｒc〜Ａｒjの具体例としては、前記一般式（VIII）における、Ａｒa及びＡｒbと同様である。
上記一般式（IX-1）〜（IX-3）の具体例及びポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報等に記載のものなどが挙げられる。
【０１４７】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１４８】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１４９】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。 架橋性
化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で有していてもよい。
【０１５０】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。
正孔輸送性化合物としては、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特にトリフェニルアミン誘導体が好ましい。
【０１５１】
架橋性化合物としては、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖又は側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。
また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、前記一般式（VIII）や一般式（IX-1）〜（IX-3）に架橋性基が直接又は連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１５２】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解又は分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
正孔輸送層形成用組成物には、更に、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受
容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
【０１５３】
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１質量％以上、好ましくは０．０５質量％以上、更に好ましくは０．１質量％以上含有し、かつ通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下含有する。
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱及び／又は光などの活性エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
【０１５４】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上で、かつ１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１５５】
光などの活性エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ等の紫外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１５６】
［発光層］
正孔注入層３の上には通常発光層４が設けられる。発光層４は、例えば前述の発光材料を含む層であり、電界を与えられた電極間において、陽極２から正孔注入層３を通じて注入された正孔と、陰極６から電子輸送層５を通じて注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。発光層４は、発光材料（ドーパント）と１種又は２種以上のホスト材料を含むことが好ましい。発光層４は、本発明の電荷輸送材料をホスト材料として含むことが更に好ましい。発光層４は、真空蒸着法で形成してもよいが、本発明の有機電界発光素子用組成物を用い、湿式製膜法によって作製された層であることが特に好ましい。ここで、湿式製膜法とは、前述の如く、溶剤を含む組成物を、スピンコート、スプレーコート、ディップコート、ダイコート、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等により製膜するものである。
【０１５７】
なお、発光層４は、本発明の性能を損なわない範囲で、他の材料、成分を含んでいてもよい。
一般に有機電界発光素子において、同じ材料を用いた場合、電極間の膜厚が薄い方が、実効電界が大きくなる。その結果、注入される電流が多くなり、駆動電圧は低下する。その為、電極間の総膜厚は薄い方が、有機電界発光素子の駆動電圧は低下するが、あまりに薄いと、ＩＴＯ等の電極に起因する突起により短絡が発生する為、ある程度の膜厚が必要となる。
【０１５８】
本発明においては、発光層４以外に、正孔注入層３及び後述の電子輸送層５等の有機層を有する場合、発光層４と正孔注入層３や電子輸送層５等の他の有機層とを合わせた総膜厚は通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上であり、更に好ましくは１００ｎｍ以上である。総膜厚の上限は、通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ、更に好ましくは３００ｎｍである。また、発光層４以外の正孔注入層３や後述の電子注入層５の導電性が高
い場合、発光層４に注入される電荷量が増加する。その為、例えば正孔注入層３の膜厚を厚くして発光層４の膜厚を薄くし、総膜厚をある程度の膜厚を維持したまま駆動電圧を下げることも可能である。
よって、発光層４の膜厚は、通常１０ｎｍ以上、好ましくは２０ｎｍ以上で、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下である。なお、本発明の素子が、陽極及び陰極の両極間に、発光層４のみを有する場合の発光層４の膜厚は、通常３０ｎｍ以上、好ましくは５０ｎｍ以上、通常５００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下である。
【０１５９】
［正孔阻止層］
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号パンフレットに記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０１６０】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１６１】
［電子輸送層］
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９又は電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ'−ジシアノアントラキノンジ
イミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１６２】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１６３】
［電子注入層］
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。その具体例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が挙げられる。また、その膜厚は、通常０．１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以下である。
【０１６４】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１６５】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０１６６】
［陰極］
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８又は発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
陰極９の材料としては、陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１６７】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１６８】
［その他の層］
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記層以外の任意の層を有していてもよく、また任意の層が省略されていてもよい。
さらに、陰極９と発光層５又は電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ3）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子
の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９７年， Ｖｏｌ．７０， ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥ
ＥＥ Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ， １ ９９７年，Ｖｏｌ．４４， ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ ０４ Ｄｉｇｅｓｔ， ｐｐ．１５４等参照）。
【０１６９】
また、本発明の有機電界発光素子の構成は上記に限定されるものではなく、積層順序を変更することが可能である。具体的には、基板１上に、陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３及び陽極２が順次積層された構造としてもよい。
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１７０】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、上記以外の成分が含まれていてもよい。
【０１７１】
＜有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明＞
本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を具備するものである。本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【０１７２】
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイ及び有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０１７３】
以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実施できる。
［化合物Ｉの合成］
（化合物１の合成）
【０１７４】
【化２８】
0005880092.tif 000029
【０１７５】
窒素雰囲気下、[1,1’:3’,1’’]ターフェニル-3-イルボロン酸 3.00g（10.9 ミリモ
ル）、トリス（4-ブロモフェニル）アミン2.64g（0.5倍mol）、トルエン 56ml、エタノール27ml、2M 炭酸ナトリウム水溶液 13.5ml（2.5 倍mol）の混合溶液に、テトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム（０）0.316g（0.025 倍mol）を加えて、還流温度で2時間反応を行った。反応終了後、室温まで冷却し、分液、有機層を洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下に溶媒を留去して、中間体１を5.1g 得た。
【０１７６】
【化２９】
0005880092.tif 000030
【０１７７】
11,12-Dihydroindolo[2,3-a]carbazole 5.0g（19.5 mmol）に3-Bromobiphenyl （1.0倍mol）、Sodium tert-Butoxide （3.0 倍mol）、 Tri（tert-butyl）phosphine （0.1 倍mol)、Pd2（dba)3 （0.05 倍mol）のトルエン懸濁液を内温65℃で反応させ、中間体２の粗体 12.1g（LC 純度83.5 %）を得た。
【０１７８】
【化３０】
0005880092.tif 000031
【０１７９】
中間体２ 40g（0.49 mmol）と3-Bromoiodobenzene 83.1g（3 倍mol）、炭酸カリウム 40.6g（3.0 倍mol）、銅粉 6.22g（1 倍mol）、テトラグライム200mlの混合溶液を内温200℃で7 時間反応させた。反応液をセライトで濾過し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体３を 34.9g 得た。
【０１８０】
【化３１】
0005880092.tif 000032
【０１８１】
中間体３ 33.0g（58.6 ミリモル）のTHF溶液を-78度まで冷却し、1.6M フ゛チルリチウム（1.2 倍モル）を滴下した。反応の進行をLCで追跡し、全ての原料の臭素がリチウムに置換されたことを確認し、硼酸トリメチル（3.2 倍mol）を反応させた。反応終了後1N 塩酸で処理し、分液、有機層を洗浄後、溶媒を濃縮した。残渣をカラムクロマトグラフィーにて精製する事により中間体４を 21.2g得た。
【０１８２】
【化３２】
0005880092.tif 000033
【０１８３】
中間体１ 26.5g（33.9mmol）と中間体４ 19.7g（1.1倍mol）のトルエン:エタノール＝2:1混液550mlに、2M炭酸ナトリウム水溶液34ml（2倍mol）を加え、窒素カ゛スによる脱気
を行い、テトラキス(トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）1.18g（0.03倍mol）を
加え、溶媒還流温度（内温71℃）で17時間15分反応させた。反応終了後、抽出、有機層を洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物１を21.2gを得た。
化合物１の物性値については、以下の通りである。
【０１８４】
[物性値]
分析法  MALDI-MS法    m/z 1183.5(M+)
1H-NMR(400MHz):7.12-7.67(53H, m), 7.85-7.86(4H,m), 8.15(s,2H), 
8.18-8.21(m,2H)
［ＩＰの計算方法］
（ＳＴＥＰ１：恣意性をなくすため統計物理に満たす十分な数のサンプリング初期分子構造の発生）好適と思われる計算対象化合物に関し、分子モデリングにて立体分子構造を作成した。
該立体分子構造に対し、Stochastic  Monte  Carlo法を用いて初期分子構造をサンプリングした。
【０１８５】
Stochastic  Monte  Carlo法で構造をサンプリングする手法では、まずモデリングにて作成された仮の立体分子構造に対して、ランダムにその構造を変化させ、新しい構造を発生させた。そしてその新旧二つ構造のエネルギー値を用い、構造間の遷移確率を計算した
。さらに[0,1]の範囲で一つ乱数を発生し、その乱数が遷移確率より小さいか等しい場合
に、新しい構造はより安定な構造として採用した。また乱数が遷移確率より大きい場合には、新たな構造がエネルギー的に安定ではないため、古い構造の方を安定な構造として採用した。該手続きを繰り返し、エネルギーポテンシャル面でのエネルギー的な安定な局所構造（ローカルミニマム構造）を複数求めた。その際ローカルミニマム構造の数は十分にBoltzman分布の構造平均を再現できるように発生させた。最終的に全部で10個のローカルミニマム構造を発生させた。
【０１８６】
Stochastic  Monte  Carlo法の計算では、分子エネルギーを計算するときに最大ランダムオフセットを0.05nmと設定し、また力場はＭＭＦＦ９４  (Halgren, T.A. J. Comput. Chem. 1996, 17, 490)を用いた。実際の計算はChemBio3D Ultra 12.0 (Molecular Modeling Software by CambridgeSoft Corporation) を用いて実行した。
【０１８７】
（ＳＴＥＰ２：量子化学計算による立体分子構造の最適化）
前記（ＳＴＥＰ１）で求めた１０個のローカルミニマム分子構造に対して、量子化学計算での構造最適化を行った。
STEP2の半経験的量子化学計算による構造最適化ではPM6法（Stewart, J.J.P. J. Mol. Model. 2007, 13, 1173）を用い基底状態の最適化計算を行った。その上でより計算精度
の高い非経験的分子軌道計算として密度汎関数法を用いた。その時汎関数としてはハイブリッド型のB3LYP(Becke, A.D. J. Chem. Phys. 1993, 98, 5648)を用い、基底関数は6-31G**を使って最終的に10個の基底状態のローカルミニマムの立体構造を計算した。このよ
うにして求めた10個の精度の高いローカルミニマムの最適化構造をIPを見積もるための分子構造とした。
【０１８８】
尚、全ての分子最適化計算はGaussian09プログラム（Gaussian 09, Revision A.1, M. J. Frisch, G. W. Trucks, H. B. Schlegel, G. E. Scuseria, M. A. Robb, J. R. Cheeseman, G. Scalmani, V. Barone, B. Mennucci, G. A. Petersson, H. Nakatsuji, M. Caricato, X. Li, H. P. Hratchian, A. F. Izmaylov, J. Bloino, G. Zheng, J. L. Sonnenberg, M. Hada, M. Ehara, K. Toyota, R. Fukuda, J. Hasegawa, M. Ishida, T. Nakajima, Y. Honda, O. Kitao, H. Nakai, T. Vreven, J. A. Montgomery, Jr., J. E. Peralta, F. Ogliaro, M. Bearpark, J. J. Heyd, E. Brothers, K. N. Kudin, V. N. Staroverov, R. Kobayashi, J. Normand, K. Raghavachari, A. Rendell, J. C. Burant, S. S. Iyengar, J. Tomasi, M. Cossi, N. Rega, J. M. Millam, M. Klene, J. E. Knox, J. B. Cross, V. Bakken, C. Adamo, J. Jaramillo, R. Gomperts, R. E. Stratmann, O. Yazyev, A. J. Austin, R. Cammi, C. Pomelli, J. W. Ochterski, R. L. Martin, K. Morokuma, V. G. Zakrzewski, G. A. Voth, P. Salvador, J. J. Dannenberg, S. Dapprich, A. D. Daniels, O. Farkas, J. B. Foresman, J. V. Ortiz, J. Cioslowski, and D. J. Fox, Gaussian, Inc., Wallingford CT, 2009.）を用いて実行した。
【０１８９】
（ＳＴＥＰ３：ＩＰの算出）
上記（ＳＴＥＰ２：量子化学計算による立体分子構造の最適化）で非経験的量子化学計算により最終的に得られた10個のローカルミニマム構造でのＨＯＭＯの軌道エネルギーの値を利用して、それぞれのローカルミニマムにおいてIP値をヤナックの定理に基づいてＩＰ＝−(HOMOの軌道エネルギー値)の式により算出した（同様にEA=-(LUMOの軌道エネルギ
ー)で算出する）。さらに10個のローカルミニマムに対するＩＰの値から平均値（IPの平
均値）を求めた。
【０１９０】
［ＥＡの計算方法］
前記（ＳＴＥＰ１：分子構造の発生）〜（ＳＴＥＰ２：構造の最適化）と同様にして行った。
更に、前記（ＳＴＥＰ３：ＩＰの算出）において、同様に（ＳＴＥＰ２：構造の最適化）で最終的に得られた１０個の最適化構造ＬＵＭＯエネルギー値を利用して、それぞれEA値がヤナックの定理に基づき軌道エネルギーからＥＡ＝−(ＬＵＭＯの軌道エネルギーで
算出する。それらＥＡの平均値は目的の化合物の単位ユニットのＥＡ値とした。
【０１９１】
上記の計算結果より、本発明の化合物は好ましいＩＰ、ＥＡを有しており、また、置換基の選択により、調整することが可能であり、好適に有機電界発光素子の電荷（注入）輸送材料としていずれかの層の成分として用いることが可能である（表１参照）。
【０１９２】
【表１】
0005880092.tif 000034
【符号の説明】
【０１９３】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
【図１】
0005880092.tif 000039