(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記ライトシールド層は、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向する対向シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、該前側シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぐようにして前記媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、
前記前側シールド部は前記媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、該シールド前端面よりも前記基板から離れた位置に配置され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿って前記媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、前記シールド前端面と前記シールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、
前記前側シールド部の、前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分が切除されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記ライトシールド層は、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向する対向シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記対向シールド部に直に接続されている前側シールド部とを有し、
前記前側シールド部は前記媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、該シールド前端面よりも前記基板から離れた位置に配置され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿って前記媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、前記シールド前端面と前記シールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、前記薄膜コイルの前記基板から最も離れた位置に配置されている上端面と、前記シールド上端面とが段差なく形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記シールド接続部は、前記交差方向に沿って形成された横平坦部を有し、該横平坦部が前記シールド前端面に接続されている請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記シールド接続部は、前記媒体対向面に沿って形成された縦平坦部を有し、該縦平坦部が前記シールド上端面に接続されている請求項１または２項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記前側シールド部における前記シールド接続部の全体に接し、かつ前記シールド接続部と前記媒体対向面との間に隙間なく埋め込まれ、さらに前記連結シールド部を覆うように形成された保護絶縁層を更に有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記主磁極層の前記基板から離れた上面に接続されている上部ヨーク層を更に有し、前記薄膜コイルが磁性材からなる磁性層を介することなく前記上部ヨーク層に接続されている請求項１〜５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記ライトシールド層は、前記連結シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルよりも前記媒体対向面から離れた位置に配置され、さらに前記前側シールド部と等しい高さに形成されている後側シールド部を更に有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記ライトシールド層は、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向する対向シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記対向シールド部に直に接続されている第１の前側シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記第１の前側シールド部に直に接続されている第２の前側シールド部と、該第２の前側シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぐようにして前記媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、
前記第１の前側シールド部は、前記媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、該シールド前端面よりも前記基板から離れた位置に配置され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿って前記媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、前記シールド前端面と前記シールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、
前記第１の前側シールド部の、前記第２の前側シールド部および前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分が切除されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第２の前側シールド部は、前記媒体対向面から離れて形成され、かつ前記交差方向に沿った横幅が前記第１の前側シールド部における前記シールド上端面の前記交差方向に沿った横幅と等しく形成されている請求項８記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記第２の前側シールド部は、前記媒体対向面に沿って平坦に形成された平坦前端面を有し、該平坦前端面が前記シールド接続部と段差なく接続されている請求項８または９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記平坦前端面および前記シールド接続部の表面上に前記平坦前端面から前記シールド接続部にわたって連続して形成されている連続絶縁膜を更に有する請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極層を形成した後、前記ライトシールド層を構成する対向シールド部を前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を前記対向シールド部形成工程によって形成された前記対向シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程と、
前記ライトシールド層を構成する連結シールド部を前記第１のシールド部形成工程によって形成された前記第１のシールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぎ、さらに前記媒体対向面から離れるように前記媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程と、
前記第１のシールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記トリミング工程は、前記連結シールド部形成工程によって形成された前記連結シールド部をマスクに用いて、前記第１のシールド部の前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分を切除する請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第１のシールド部の前記媒体対向面内に配置される前端面の一部をシールド前端面として残すようにして、前記トリミング工程を実行する請求項１２または１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記第１のシールド部の前記連結シールド部につながるシールド上端面と前記シールド前端面とを接続し、かつ前記シールド前端面から前記シールド上端面に近づくにしたがい前記媒体対向面から漸次離れる傾斜構造を有するシールド接続部が出現するようにして、前記トリミング工程を実行する請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極層を形成した後、前記ライトシールド層を構成する対向シールド部を前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を前記対向シールド部形成工程によって形成された前記対向シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記第１のシールド部形成工程によって形成された前記第１のシールド部に接続され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿った横幅が前記第１のシールド部の横幅と等しい第２のシールド層を形成する第２のシールド層形成工程と、
該第２のシールド層形成工程によって形成された前記第２のシールド層の前記媒体対向面側の一部分を露出させるマスクを用いて、前記第２のシールド層の前記媒体対向面側部分と前記第１のシールド部の前記媒体対向面側の一部分とをまとめて切除するトリミング工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記主磁極層を形成した後、前記ライトシールド層を構成する対向シールド部を前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を前記対向シールド部形成工程によって形成された前記対向シールド部に接続され、かつ前記媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程と、
該第１のシールド部形成工程によって形成された前記第１のシールド部の前記媒体対向面側の一部分を露出させるマスクを用いて、前記第１のシールド部の前記媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程と、
前記薄膜コイルを構成する導体層の前記媒体対向面側に、前記第１のシールド部の上端面のうちの前記トリミング工程を実行したことによって前記媒体対向面に交差する交差方向に沿った横幅が狭められたシールド上端面と同じ横幅を有する第２のシールド層を、前記シールド上端面に接続しかつ前記媒体対向面から後退させて形成する第２のシールド層形成工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層は、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向する対向シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、該前側シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぐようにして前記媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、
前記前側シールド部は前記媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、該シールド前端面よりも前記基板から離れた位置に配置され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿って前記媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、前記シールド前端面と前記シールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、
前記前側シールド部の、前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分が切除されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１９】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記ライトシールド層は、前記媒体対向面内において前記主磁極層に対向する対向シールド部と、前記薄膜コイルを跨ぐことなく前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置され、かつ前記対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、該前側シールド部に接続され、かつ前記薄膜コイルを跨ぐようにして前記媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、
前記前側シールド部は前記媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、該シールド前端面よりも前記基板から離れた位置に配置され、かつ前記媒体対向面に交差する交差方向に沿って前記媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、前記シールド前端面と前記シールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、
前記前側シールド部の、前記連結シールド部によって被覆されていない前記媒体対向面側の一部分が切除されているハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
【０００５】
従来のＰＭＲとして、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４等には、主磁極層のトレーリング側にシールド層を備えたＰＭＲが開示されている。図４３に示すＰＭＲ６００はそのようなＰＭＲの一例である。
ＰＭＲ６００は記録媒体の垂直方向に沿った記録磁界が通る主磁極層６０１と、主磁極層６０１の周りに巻き回わされた薄膜コイル６０２と、記録ギャップ層６０３と、記録ギャップ層６０３を挟んで主磁極層６０１と対向するシールド層６０４とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７２９５８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７６７３２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５７３０３号公報
【特許文献４】特開２００９−２９５２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のＰＭＲでは、薄膜コイルに電流を流し磁界を発生させて記録媒体にデータを記録する。例えば、前述したＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２に電流を流して記録媒体にデータを記録する。
【０００８】
しかし、薄膜コイル６０２は、電流を流すと発熱するため、その熱が周囲のコイル絶縁層６０５に伝わってしまう。コイル絶縁層６０５は、フォトレジスト等の有機物質で形成されているため、薄膜コイル６０２よりも熱膨張係数が大きい。そのため、コイル絶縁層６０５は熱が加わると膨張しやすい。コイル絶縁層６０５が膨張すると、シールド層６０４の媒体対向面６０６側の端部が媒体対向面６０６よりも外側に向かって押し出されて、突出してしまう。
【０００９】
ＰＭＲは、スライダと呼ばれる電子部品に薄膜形成プロセスを駆使して形成されている。ＰＭＲによって記録媒体にデータを記録するときは、スライダを記録媒体から浮上させている。スライダを記録媒体から浮上させる高さ（記録媒体とスライダとの距離）はフライングハイトと呼ばれ、７〜１０ｎｍ程度のごくわずかな距離であることが知られている。そして、６５０〜８５０ＧＢ／ｉｎ２（１インチ平米あたり６５０〜８５０ギガバイト）程度の高記録密度を達成するためには、このフライングハイトを５〜８ｎｍ以下にすることが求められる。
【００１０】
しかしながら、前述のＰＭＲ６００のように媒体対向面が突出すると、ＰＭＲが記録媒体に衝突し、ＰＭＲが破損しやすくなる。このようなＰＭＲの破損を回避するためには、ＰＭＲが記録媒体に衝突しにくくなるよう、フライングハイトを高くせざるを得ない。そのため、従来のＰＭＲでは、フライングハイトを低くすることが困難である。その結果、従来のＰＭＲでは、記録密度を高めることが極めて困難であった。
【００１１】
こうした磁極層の突出（プルトルージョン）は、前述したように、主に薄膜コイルの発熱によって引き起こされる。そのため、磁極層の突出を抑制するためには、薄膜コイルの発熱を抑制すればよい。一般に、電流の流れている導体から発生する熱はジュール熱と呼ばれ、電流の大きさの２乗および導体の電気抵抗に比例することが知られている（ジュールの法則）。したがって、薄膜コイルの発熱を抑制するには、薄膜コイルの電気抵抗を小さくすればよい。
【００１２】
薄膜コイルの電気抵抗は薄膜コイルの断面積（電流の流れる方向と交差する方向の断面の面積）に反比例する。そのため、薄膜コイルの電気抵抗を小さくするためには、薄膜コイルの断面積を大きくすればよい。薄膜コイルの磁極層の回りに巻き回される回数（ターン数ともいう）を少なくすれば、薄膜コイルを太くすることができ、断面積を大きくすることができる。しかし、そうすると、薄膜コイルが発生する磁界の強さが弱くなり、ＰＭＲの書き込み特性（例えば、オーバーライト特性）が低下するという課題がある。
【００１３】
また、薄膜コイルのターン数を変えることなく、薄膜コイルの幅を広げるか、または、薄膜コイルの厚さを大きくしても、薄膜コイルの断面積を大きくすることができる。例えば、ＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２の幅ｗ６０２を広げるか、厚さｈ６０２を大きくしても薄膜コイルの断面積を大きくすることができる。
【００１４】
しかし、幅ｗ６０２を広げると、磁路長を短くすることが難しくなる。磁路長は薄膜コイルが巻かれている磁極層の長さであり、その大きさは主に図４３に示す幅ＬＸによって左右される。
【００１５】
ところで、薄膜コイルには交流電流が流されるが、そのときのインピーダンスは周波数とインダクタンスに比例する。そのため、磁気記録媒体への記録密度を高めるべく薄膜コイルに周波数の高い交流電流を流すと、インピーダンスが高くなり、電流が流れにくくなる。これを回避するにはインダクタンスを小さくすることが有効であり磁路長の短縮が有効である。しかし、薄膜コイルの幅を広げると磁路長を長くせざるを得ず、ＰＭＲのインダクタンスが大きくなってしまう。こうなると、記録信号の周波数を高くすることができなくなり、磁気記録媒体への記録密度を高めることができなくなる。また、薄膜コイルの厚さを大きくしても磁路長を長くせざるを得ない。
【００１６】
一方、ＰＭＲ６００では、薄膜コイル６０２よりも媒体対向面６０６に近い位置と、薄膜コイル６０２よりも媒体対向面６０６から離れた位置のそれぞれにコイル絶縁層６０５の一部がコイル絶縁層６０５ａ，６０５ｂとして形成されている。そのため、コイル絶縁層６０５ａの幅とコイル絶縁層６０５ｂの幅（媒体対向面６０６に交差する方向の幅でそれぞれ１．５μｍ程度、合わせて３μｍ程度）の分だけ幅ＬＸが長くなってしまう。
【００１７】
このような課題を解決し得るＰＭＲとして、従来、例えば図４４に示されているＰＭＲ７００が知られていた。特許文献４にも同様のＰＭＲが記載されている。ＰＭＲ７００は、薄膜コイル７０８と、ＰＭＲ６００と同様の主磁極層７１０を有している。このＰＭＲ７００では、シールド層が、主磁極層７１０に対向するシールド部７０１と、薄膜コイル７０８の媒体対向面７０６側に配置された前側シールド部７０３と、薄膜コイル７０８を跨ぐ連結シールド部７０４とを有し、さらに、前側シールド部７０３と対向シールド部７０１との接続用シールド部７０２が形成されていた。このＰＭＲ７００では、隣接する薄膜コイル７０８の間にコイル絶縁層７０９が配置され、薄膜コイル７０８の外側にはコイル絶縁層７０９が配置されていないため、前述したＰＭＲ６００よりも磁路長を短縮することができる。
【００１８】
しかし、ＰＭＲ７００のように接続用シールド部７０２が形成されていると、その接続用シールド部７０２の分だけシールド層の媒体対向面に沿った方向の高さが高くなる。すると、接続用シールド部７０２を備えた分だけ磁路長が長くなり、したがって磁路長を短くすることが困難になる。
【００１９】
この点、接続用シールド部７０２を省き、接続用シールド部７０２を有しない構造でシールド層を形成することによって、シールド層の媒体対向面に沿った方向の高さを低くするという解決策が考えられる。
【００２０】
しかし、シールド層をこのような構造で形成すると、主磁極層に対向するシールド部と、前側シールド部とが分断されてしまい、１本につながった磁気回路を形成することができない。
【００２１】
そして、主磁極層に対向するシールド部と、前側シールド部とが確実に接続されるようにするためには、主磁極層に対向するシールド部と、前側シールド部とが接続される部分（以下「接続部分」という）をできるだけ大きくすることが必要である。そのためには、前側シールド部を媒体対向面側に寄せて（媒体対向面に近づけて）形成しなければならない。
【００２２】
しかし、接続部分を大きくするため、前側シールド部を媒体対向面側に寄せて形成すると、前側シールド部と、薄膜コイルを跨ぐシールド部とが媒体対向面に露出するおそれがある。前側シールド部は、薄膜コイルの媒体対向面の側に配置されているため、コイル絶縁層が膨張したときに媒体対向面から外側に向かって押し出されやすい。そして、従来のＰＭＲ７００には、前側シールド部が媒体対向面側に寄せられたことに伴い媒体対向面に露出するシールド層が大きくなったときに、シールド層の突出を抑制することが困難になるという課題があった。
【００２３】
以上のように、従来のＰＭＲでは、媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立させることが極めて困難であった。
【００２４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置において、媒体対向面の一部が突出することを、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなく抑制できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、ライトシールド層は、媒体対向面内において主磁極層に対向する対向シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、その前側シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぐようにして媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、前側シールド部は媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、そのシールド前端面よりも基板から離れた位置に配置され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿って媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、シールド前端面とシールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、前側シールド部の、連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分が切除されている薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００２６】
この薄膜磁気ヘッドの場合、前側シールド部がシールド前端面と、シールド上端面と、シールド接続部とを有している。シールド前端面は、シールド上端面が媒体対向面に接続されている場合の前端面よりも大きさが小さくなっている。
【００２７】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、ライトシールド層は、媒体対向面内において主磁極層に対向する対向シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ対向シールド部に直に接続されている前側シールド部とを有し、前側シールド部は媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、そのシールド前端面よりも基板から離れた位置に配置され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿って媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、シールド前端面とシールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、薄膜コイルの基板から最も離れた位置に配置されている上端面と、シールド上端面とが段差なく形成されている薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００３１】
また、シールド接続部は、交差方向に沿って形成された横平坦部を有し、その横平坦部がシールド前端面に接続されていることが好ましい。
【００３２】
さらに、シールド接続部は、媒体対向面に沿って形成された縦平坦部を有し、その縦平坦部がシールド上端面に接続されていることが好ましい。
【００３４】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、前側シールド部におけるシールド接続部の全体に接し、かつシールド接続部と媒体対向面との間に隙間なく埋め込まれ、さらに連結シールド部を覆うように形成された保護絶縁層を更に有することが好ましい。
【００３５】
上記薄膜磁気ヘッドは、主磁極層の基板から離れた上面に接続されている上部ヨーク層を更に有し、薄膜コイルが磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層に接続されていることが好ましい。
【００３６】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、ライトシールド層は、連結シールド部に接続され、かつ薄膜コイルよりも媒体対向面から離れた位置に配置され、さらに前側シールド部と等しい高さに形成されている後側シールド部を更に有することが好ましい。
【００３７】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、ライトシールド層は、媒体対向面内において主磁極層に対向する対向シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ対向シールド部に直に接続されている第１の前側シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ第１の前側シールド部に直に接続されている第２の前側シールド部と、その第２の前側シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぐようにして媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、第１の前側シールド部は、媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、そのシールド前端面よりも基板から離れた位置に配置され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿って媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、シールド前端面とシールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、第１の前側シールド部の、第２の前側シールド部および連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分が切除されている薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００３８】
この薄膜磁気ヘッドの場合、第２の前側シールド部は、媒体対向面から離れて形成され、かつ交差方向に沿った横幅が第１の前側シールド部におけるシールド上端面の交差方向に沿った横幅と等しく形成されていることが好ましい。
【００３９】
また、第２の前側シールド部は、媒体対向面に沿って平坦に形成された平坦前端面を有し、その平坦前端面がシールド接続部と段差なく接続されていることが好ましい。
【００４０】
さらに、平坦前端面およびシールド接続部の表面上に平坦前端面からシールド接続部にわたって連続して形成されている連続絶縁膜を更に有することが好ましい。
【００４１】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）から（４）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）主磁極層を形成した後、ライトシールド層を構成する対向シールド部を媒体対向面内において主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程
（２）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を対向シールド部形成工程によって形成された対向シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程
（３）ライトシールド層を構成する連結シールド部を第１のシールド部形成工程によって形成された第１のシールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぎ、さらに媒体対向面から離れるように媒体対向面から後退させて形成する連結シールド部形成工程
（４）第１のシールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程
【００４２】
上記製造方法の場合、トリミング工程は、連結シールド部形成工程によって形成された連結シールド部をマスクに用いて、第１のシールド部の連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分を切除することが好ましい。
【００４３】
また、第１のシールド部の媒体対向面内に配置される前端面の一部をシールド前端面として残すようにして、トリミング工程を実行することが好ましい。
【００４４】
さらに、第１のシールド部の連結シールド部につながるシールド上端面とシールド前端面とを接続し、かつシールド前端面からシールド上端面に近づくにしたがい媒体対向面から漸次離れる傾斜構造を有するシールド接続部が出現するようにして、トリミング工程を実行することが好ましい。
【００４５】
さらに、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（５）から（８）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（５）主磁極層を形成した後、ライトシールド層を構成する対向シールド部を媒体対向面内において主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程
（６）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を対向シールド部形成工程によって形成された対向シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程
（７）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、第１のシールド部形成工程によって形成された第１のシールド部に接続され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿った横幅が第１のシールド部の横幅と等しい第２のシールド層を形成する第２のシールド層形成工程
（８）その第２のシールド層形成工程によって形成された第２のシールド層の媒体対向面側の一部分を露出させるマスクを用いて、第２のシールド層の媒体対向面側部分と第１のシールド部の媒体対向面側の一部分とをまとめて切除するトリミング工程
【００４６】
さらに、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（９）から（１２）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（９）主磁極層を形成した後、ライトシールド層を構成する対向シールド部を媒体対向面内において主磁極層に対向するように形成する対向シールド部形成工程
（１０）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、ライトシールド層を形成するための第１のシールド部を対向シールド部形成工程によって形成された対向シールド部に接続され、かつ媒体対向面内に配置されるように形成する第１のシールド部形成工程
（１１）その第１のシールド部形成工程によって形成された第１のシールド部の媒体対向面側の一部分を露出させるマスクを用いて、第１のシールド部の媒体対向面側の一部分を切除するトリミング工程
（１２）薄膜コイルを構成する導体層の媒体対向面側に、第１のシールド部の上端面のうちのトリミング工程を実行したことによって媒体対向面に交差する交差方向に沿った横幅が狭められたシールド上端面と同じ横幅を有する第２のシールド層を、シールド上端面に接続しかつ媒体対向面から後退させて形成する第２のシールド層形成工程
【００４７】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層は、媒体対向面内において主磁極層に対向する対向シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、その前側シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぐようにして媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、前側シールド部は媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、そのシールド前端面よりも基板から離れた位置に配置され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿って媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、シールド前端面とシールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、前側シールド部の、連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分が切除されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００４８】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内において主磁極層に対向するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、ライトシールド層は、媒体対向面内において主磁極層に対向する対向シールド部と、薄膜コイルを跨ぐことなく薄膜コイルの媒体対向面側に配置され、かつ対向シールド部に直に接続されている前側シールド部と、その前側シールド部に接続され、かつ薄膜コイルを跨ぐようにして媒体対向面から離れて形成されている連結シールド部とを有し、前側シールド部は媒体対向面内に配置されているシールド前端面と、そのシールド前端面よりも基板から離れた位置に配置され、かつ媒体対向面に交差する交差方向に沿って媒体対向面から離れて形成されているシールド上端面と、シールド前端面とシールド上端面とを直に接続しているシールド接続部とを有し、前側シールド部の、連結シールド部によって被覆されていない媒体対向面側の一部分が切除されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００４９】
以上詳述したように、本発明によれば、媒体対向面の一部が突出することを、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなく抑制できるようにした、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】下部薄膜コイルを示す平面図である。
【図４】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】下部薄膜コイルの要部を示す平面図である。
【図６】対向シールド部、前側シールド部および連結シールド部の要部を示す斜視図である。
【図７】トリム前シールド部と前側シールド部とを示す側面図である。
【図８】前側シールド部の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。
【図９】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１０】図９の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１１】図１０の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１２】図１１の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１３】図１２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１５】図１４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１６】図１５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１７】図１６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１８】図１７の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１９】図１８の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２０】図１９の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２１】図２０の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２２】変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図２４】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図２５】下部薄膜コイルを示す平面図である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一部省略した図１に対応した断面図である。
【図２７】図２６の後続の工程を示す断面図である。
【図２８】図２７の後続の工程を示す断面図である。
【図２９】図２８の後続の工程を示す断面図である。
【図３０】図２９の後続の工程を示す断面図である。
【図３１】図３０の後続の工程を示す断面図である。
【図３２】図３１の後続の工程を示す断面図である。
【図３３】変形例にかかる製造工程を示す断面図である。
【図３４】図３３の後続の工程を示す断面図である。
【図３５】図３４の後続の工程を示す断面図である。
【図３６】変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３７】別の変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３８】さらに別の変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図３９】別の変形例に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図４０】（ａ）は主磁極層のＡＢＳ付近を示す一部省略した斜視図、（ｂ）は図１の要部を示す断面図である。
【図４１】本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図４２】ＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【図４３】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【図４４】別の従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図８を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は下部薄膜コイル１１を示す平面図、図４は上部薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は下部薄膜コイル１１の要部を示す平面図である。図６は対向シールド部６１、前側シールド部６２および連結シールド部６３の要部を示す斜視図である。図７はトリム前シールド部と前側シールド部とを示す側面図である。図８は前側シールド部６２の変形例を示し、（ａ）は横平坦部を有しない場合、（ｂ）は縦平坦部を有しない場合の側面図である。
【００５２】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００５３】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００５４】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００５５】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００５６】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Disk
flying heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００５７】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。
【００５８】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１１と、ベース絶縁層２４と、主磁極層２６と、ギャップ層２９と、シールド磁性層４０と、上部薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５、変位抑制層８５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００５９】
図３に示すように下部薄膜コイル１１は３つのターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは後述する第１の前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に配置されている。下部薄膜コイル１１はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆがフォトレジスト層１５を介して並んだ構造を有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆのうち、ターン部１１ｂがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部１１ｂが前側ターン部に対応している。ターン部１１ｆが後側ターン部に対応している。
【００６０】
そして、下部薄膜コイル１１は、リード部１３Ａからターン部１１ｂにつながるループ部１１ａと、ターン部１１ｂからターン部１１ｄにつながるワンループ部１１ｃと、ターン部１１ｄからターン部１１ｆにつながるワンループ部１１ｅと、ターン部１１ｆから接続部１１ｈまでのハーフループ部１１ｇを有している。
【００６１】
下部薄膜コイル１１はリード部１３Ａから接続部１１ｈまでが一本につながることによってシールド磁性層４０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、下部薄膜コイル１１について、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、接続部１１ｈのみが示されている。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００６２】
また、下部薄膜コイル１１は、図５に示すように、ワンループ部１１ｃがＡＢＳ３０に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ＡＢＳ３０に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図５に示すようにして、ワンループ部１１ｃの幅をＷｄ１、Ｗｄ２、Ｗｄ０を定めたときにＷｄ１＞Ｗｄ２＞Ｗｄ０となっている。そして、ワンループ部１１ｃのうちの最も幅の狭い部分がターン部１１ｄとなっている。ループ部１１ａおよびワンループ部１１ｅもワンループ部１１ｃと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部１１ｂ、１１ｆとなっている。ここで、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆの幅はそれぞれＷｂ０（約０．９μｍ）、Ｗｄ０（約０．９μｍ）、Ｗｆ０（約０．９μｍ）である。
【００６３】
そして、下部薄膜コイル１１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、リード部１３Ａから、ループ部１１ａ、ワンループ部１１ｃ、ワンループ部１１ｅ、ハーフループ部１１ｇを通って接続部１１ｈにつながることによって、３ターンループが形成されている。
【００６４】
なお、図５において、ターン部１１ｂの前側面１１ｂｆからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の前側距離を示している。また、ターン部１１ｆの後側面１１ｆｒからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の後側距離を示している。
【００６５】
次に、上部薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、上部薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、後述する前側シールド部６２と、後側シールド部６４との間に配置されている。上部薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００６６】
そして、上部薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００６７】
上部薄膜コイル５１は接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながることによってライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、上部薄膜コイル５１について、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃ、接続部５１ａのみが示されている。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆと同様に縦長の構造および可変幅構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。
【００６８】
そして、上部薄膜コイル５１は次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００６９】
また、図１に示したように、上部薄膜コイル５１は上端面５１Ａを有している。上端面５１Ａは基板１から最も離れた位置に配置されている。この上端面５１Ａは後述するシールド上端面６２ｆと段差なく形成され、シールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９（図１９参照）を形成している。さらに、上部薄膜コイル５１は層間絶縁膜３２だけを介して後述する上部ヨーク層６５の上面に接続されている。上部薄膜コイル５１は磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層６５に接続されている。
【００７０】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の接続部１１ｈが上部薄膜コイル５１の接続部５１ａに接続されている。これにより、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とは一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とには、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流され、その電流によって記録磁界が発生する。
【００７１】
次に、主磁極層２６について説明する。主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic  permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００７２】
主磁極層２６は、図２、図４０に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは下部薄膜コイル１１側よりも上部薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの上部薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００７３】
主磁極層２６は磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００７４】
また、図４０（ａ）に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃと、第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００７５】
第１の上傾斜面２６ｂおよび第２の上傾斜面２６ｃはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の上傾斜面２６ｂの傾斜角度よりも第２の上傾斜面２６ｃの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の上面が２段傾斜構造に形成されている。第１の上傾斜面２６ｂは磁極端面２６ａと、第２の上傾斜面２６ｃとに接続されている。第２の上傾斜面２６ｃは第１の上傾斜面２６ｂと、幅広部の上面２６ｄとに接続されている。
【００７６】
第１の下傾斜面２６ｈおよび第２の下傾斜面２６ｅはいずれもＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。ただし、ＡＢＳ３０の交差方向からみた第１の下傾斜面２６ｈの傾斜角度よりも第２の下傾斜面２６ｅの傾斜角度が大きくなっている。そのため、トラック幅規定部の下面も２段傾斜構造に形成されている。第１の下傾斜面２６ｈは磁極端面２６ａと、第２の下傾斜面２６ｅとに接続されている。第２の下傾斜面２６ｅは第１の下傾斜面２６ｈと、幅広部の下面２６ｆとに接続されている。
【００７７】
主磁極層２６には、上面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００７８】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００７９】
ギャップ層２９は主磁極層２６の第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、第１の上傾斜面２６ｂ、第２の上傾斜面２６ｃおよび上面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００８０】
続いて、シールド磁性層４０について説明する。図１に示すように、シールド磁性層４０は、第１の前側シールド部４１と、第２の前側シールド部４２と、連結シールド部４３と、第１の後側シールド部４４と、第２の後側シールド部４５と、第３の後側シールド部４６と、回り込みシールド部４７とを有している。シールド磁性層４０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。
【００８１】
第１、第２の前側シールド部４１、４２は、下部薄膜コイル１１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。また、第１の前側シールド部４１の上に第２の前側シールド部４２が重なっている。第１の前側シールド部４１はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。しかし、第２の前側シールド部４２はＡＢＳ３０内に配置された前端面を有している。
【００８２】
連結シールド部４３は、下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを跨ぐようにして形成され、第１の前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４とを接続している。連結シールド部４３は、主磁極層２６から放出された磁束を還流させるリターン磁極としての機能を有している。
【００８３】
第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、いずれも下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第１の後側シールド部４４の上に第２の後側シールド部４５が重なり、第２の後側シールド部４５の上に第３の後側シールド部４６が重なっている。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６はＡＢＳ３０に近い前側面からＡＢＳ３０までの距離の等しい三段構造を形成している。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、連結シールド部４３を主磁極層２６に連結する連結部としての機能を有している。
【００８４】
回り込みシールド部４７は第２の前側シールド部４２に接続され、その反対側上面に非磁性薄膜２５が形成されている。回り込みシールド部４７は幅方向中間部分にＶ溝部が形成されている。Ｖ溝部は概ね断面Ｖ字状に形成されている。その底部は主磁極層２６のトラック幅規定部の下面に応じた２段傾斜構造を有している。図２に示すように、Ｖ溝部の内側に後述する非磁性薄膜２５と、主磁極層２６のトラック幅規定部とが納められている。非磁性薄膜２５はＶ溝部の内側内面上に形成されている。Ｖ溝部の上側にＶ溝部を覆うようにしてギャップ層２９が形成されている。
【００８５】
さらに、回り込みシールド部４７は切欠部を有している。切欠部は、Ｖ溝部の後側に形成されている。切欠部の内側に主磁極層２６の幅広部の一部が納められている。
【００８６】
次に、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、対向シールド部６１と、前側シールド部６２と、連結シールド部６３と、後側シールド部６４とを有している。
【００８７】
対向シールド部６１はＡＢＳ３０に臨む前端面を有している。また、対向シールド部６１はＡＢＳ３０内において回り込みシールド部４７に対峙している。また、対向シールド部６１のＡＢＳ３０に臨む前端面に、ギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面に前側シールド部６２が接続されている。
【００８８】
前側シールド部６２は上部薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。この前側シールド部６２について、図６、図７を参照して詳しく説明する。
【００８９】
前側シールド部６２はシールド前端面６２ｂと、シールド上端面６２ｆと、シールド接続部６２ｃと、シールド下端面６２ｒとを有している。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に露出している。図６において、網掛けした部分がシールド前端面６２ｂを示している。シールド上端面６２ｆは、シールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されている。基板１から離れる側を上側、基板１に近づく側を下側ともいう。シールド上端面６２ｆは、連結シールド部６３に接続されている。シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。しかも、シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０から離れて形成されている。シールド上端面６２ｆは、シールド下端面６２ｒよりも小さい大きさを有している。
【００９０】
シールド接続部６２ｃはシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続する部分である。シールド接続部６２ｃは、シールド前端面６２ｂとの接続部６２ｘを除くすべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００９１】
シールド接続部６２ｃは接続部６２ｘから、シールド上端面６２ｆに接続される接続部６２ｙに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から漸次離れるように傾斜した傾斜構造を有している。接続部６２ｘはＡＢＳ３０内に配置されているが、接続部６２ｙはＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、ＡＢＳ３０から後退している。
【００９２】
そして、図7に示すように、この接続部６２ｘと接続部６２ｙとを結ぶ仮想的な平坦面９９を考えた場合、この平坦面９９はシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを最短距離で結ぶ平坦面である。この平坦面９９よりも、シールド接続部６２ｃはＡＢＳ３０から離れるように傾斜した後退傾斜構造を有している。さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１と、縦平坦部６２ｃ２と、湾曲部６２ｃ３とを有し、これらが滑らかにつながり一体となった構造を有している。横平坦部６２ｃ１は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。縦平坦部６２ｃ２は概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。
【００９３】
シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０に達する大きさを有している。シールド下端面６２ｒはシールド上端面６２ｆよりも大きい大きさを有している。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０側に対向シールド部６１が接続され、そのＡＢＳ３０から離れた後側に絶縁層３１が接続されている。
【００９４】
前側シールド部６２は以上のような構造を有しているので、トリム前前側シールド部６２Ａ（図7の上側）よりも、ＡＢＳ３０内に配置されている端面の大きさが小さく、体積も小さい。トリム前前側シールド部６２Ａは、後述するトリミング工程を実行することによって形成される直前の前側シールド部である。トリム前前側シールド部６２Ａは、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に達し、トリム前前端面６２ａを有している。そして、トリム前前端面６２ａとシールド前端面６２ｂの大きさを比較すると、シールド前端面６２ｂ＜トリム前前端面６２ａである。
【００９５】
次に、連結シールド部６３は、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成されている。連結シールド部６３はＡＢＳ３０から離れて形成されている。連結シールド部６３は前側シールド部６２と、後側シールド部６４とに接続されている。
【００９６】
後側シールド部６４は上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部６４は、連結シールド部６３と、上部ヨーク層６５とに接続されている。後側シールド部６４は前側シールド部６２と等しい高さに形成されている。そのため、後側シールド部６４は、上部薄膜コイル５１およびシールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９を形成している。
【００９７】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面とともに共通平坦面５９Ａ(図１６参照)を形成している。
【００９８】
その他、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層８５を有している。変位抑制層８５は連結シールド部６３の上端面に接続されている。変位抑制層８５は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層８５は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４、Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層８５は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層８５はＳｉＣを用いることが好ましい。
【００９９】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０は埋込部９０ａと、カバー部９０ｂとを有し、埋込部９０ａとカバー部９０ｂとが一体となっている。埋込部９０ａは、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれている。カバー部９０ｂは連結シールド部６３および変位抑制層８５を覆うように形成されている。
【０１００】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１、図２、図７とともに、図９（ａ），図９（ｂ）〜図２１（ａ），図２１（ｂ）を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【０１０１】
ここで、図９（ａ）〜図２１（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図、図９（ｂ）〜図２１（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。
【０１０２】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図９（ａ）、図９（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【０１０３】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【０１０４】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて連結シールド部４３を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、対向絶縁層１７と連結シールド部４３が形成される。このとき、連結シールド部４３はＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離して形成する。
【０１０５】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。そして、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて第１の前側シールド部４１，第１の後側シールド部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。
【０１０６】
次に、図１０（ａ）、図１０（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は０．０２μｍ〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、第１の前側シールド部４１、第１の後側シールド部４４を被覆するように形成される。
【０１０７】
それから、下部コイル形成工程を実行する。下部コイル形成工程では、まずフレームめっき法によって、第１の前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に導体層７０を形成する。この導体層７０は後に下部薄膜コイル１１となるものである。導体層７０は、２つの間隙部７０ａを備え、かつ絶縁層１９を介して第１の前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層７０は間隙部７０ａを備えているから間欠導体層である。
【０１０８】
次に、図１１（ａ）、図１１（ｂ）に示すように、導体層７０における２つの間隙部７０ａを埋めるようにフォトレジスト層８０（膜厚は１．５μｍ〜２．５μｍ程度）を形成する。次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜２０を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、第１の前側シールド部４１と第１の後側シールド部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図１２（ａ）、図１２（ｂ）に示すように、下部薄膜コイル１１が形成される。また、第１の前側シールド部４１よりもＡＢＳ３０側に対向絶縁層２０も形成される。
【０１０９】
続いて、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１（膜厚は０．３μｍ〜０．７μｍ程度）を形成する。その後、この絶縁層２１を選択的に開口する。
【０１１０】
次に、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて第２の前側シールド部４２と、第２の後側シールド部４５とをともに厚さ０．５μｍ〜１．２μｍ程度で形成する。その後、積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１１１】
それから、図１４に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。ベース絶縁層２４を形成するときに加熱部２３が形成される。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。続いて、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてフレームめっき法によって、開口した部分に回り込みシールド部４７となるべき磁性層と、第３の後側シールド部４６とをそれぞれ厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。
【０１１２】
そして、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、積層体の表面にレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、回り込みシールド部４７となるべき磁性層の表面を、Ｖ溝部および切欠部に応じた形状に露出させる形状に形成する。そのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、積層体の表面のレジストパターンで被覆されない部分を除去する。
【０１１３】
すると、回り込みシールド部４７となるべき磁性層にＶ溝部および切欠部が形成され、これによって、回り込みシールド部４７が形成される。回り込みシールド部４７が形成されることによって、シールド磁性層４０が形成される。
【０１１４】
それから、図１５（ａ）、図１５（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２４および回り込みシールド部４７を被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。非磁性薄膜２５は回り込みシールド部４７のＶ溝部にも形成される。
【０１１５】
続いて、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて積層体の表面全体に０．４〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５をスパッタリングによって形成する。この磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１１６】
その後、スパッタリングにより積層体の表面全体に、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【０１１７】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１１８】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１１９】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばＩＢＥによって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に傾斜面２６ｂが形成される。
【０１２０】
続いて、図１６（ａ）、図１６（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１２１】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１２２】
続いて、対向シールド部形成工程を実行することによって対向シールド部６１を形成する。この工程では、まず、積層体の表面全体に磁性層を形成する。この磁性層は、めっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１２３】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。
【０１２４】
次に、第１のシールド部形成工程を実行する。この工程では、図１７（ａ），図１７（ｂ）に示すように、積層体の表面のうちの前側シールド部６２と後側シールド部６４とを形成しようとする部分にそれぞれトリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４とを形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２ＡがＡＢＳ３０内に配置されるので、本発明の実施の形態に係る第１のシールド部に対応している。第１のシールド部形成工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてトリム前前側シールド部６２Ａおよび後側シールド部６４を例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４との間隔が３．０μｍから３．５μｍ程度となるようにする。
【０１２５】
そして、トリム前前側シールド部６２Ａは対向シールド部６１に接続され、かつＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。トリム前前側シールド部６２Ａは、図７の上側に示したような形状を有している。このトリム前前側シールド部６２Ａでは、前端面６２ａのすべてがＡＢＳ３０内に配置されている。
【０１２６】
それから、図１８（ａ），図１８（ｂ）に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４との間に導体層７１を形成する。この導体層７１によって、後に上部薄膜コイル５１が形成される。導体層７１は２つの間隙部７１ａを備え、かつ第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４に層間絶縁膜３２を介して隙間なく接触するようにして形成する。導体層７１は、間隙部７１ａを備えているから間欠導体層である。
【０１２７】
その後、導体層７１における２つの間隙部７１ａを覆うようにフォトレジスト層５５（膜厚は２μｍ〜３μｍ程度）を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る図示しないカバー絶縁膜を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１２８】
すると、図１９（ａ），図１９（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５１およびフォトレジスト層５５が形成される。このとき、上部薄膜コイル５１の厚さが１．０μｍ〜１．８μｍ程度となるように、積層体表面の平坦化を行う。また、積層体表面の平坦化が行われたことによって、前述した共通平坦面５９が形成される。
【０１２９】
続いて、図２０（ａ），図２０（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３４を形成し、絶縁層３４を部分的に開口する。その後、連結シールド部形成工程を実行する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって連結シールド部６３を形成する。連結シールド部６３は、トリム前シールド部６２Ａに接続されるように形成する。連結シールド部６３は、絶縁層３４を介して上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成する。
【０１３０】
また、連結シールド部６３はＡＢＳ３０から後退させ、ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。すなわち、ＡＢＳ３０との間に後退スペース６３ｈが確保されるような位置に連結シールド部６３を形成する。後退スペース６３ｈはＡＢＳ３０に沿った例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有し、かつ連結シールド部６３と同じ高さを備えた細長い部分になる。
【０１３１】
次に、トリミング工程を実行する。この工程では、図２１（ａ），図２１（ｂ）に示すように、連結シールド部６３をマスクに用いてイオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除する。トリム前前側シールド部６２Ａは、連結シールド部６３によってＡＢＳ３０側部分が被覆されていないので、ＩＢＥを行うとトリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側の一部分が切除される。このとき、ＩＢＥは、トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０内に配置されるトリム前前端面６２ａの一部を残すようにして実行する。こうすることで、図７に示したように、トリム前前端面６２ａのうち、切除されずに残された部分によって前述したシールド接続部６２ｃが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１３２】
前述のトリミング工程では、連結シールド部６３自体をマスクに用いているが、連結シールド部６３を用いる代わりに連結シールド部６３の上面をカバーするフォトレジスト等のマスクを用いてもよい。すなわち、連結シールド部６３と大きさの等しいマスクをフォトレジスト等を用いて連結シールド部６３の上面に形成し、そのマスクを用いて、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除してもよい。
【０１３３】
また、エッチングに用いるガスプラズマの化学的な作用が伴うと、トリム前前側シールド部６２Ａの垂直方向（図２１の縦方向）だけでなく、水平方向（（図２１の横方向）にもエッチングが進行するおそれがある。そのため、トリミング工程では、ノンリアクティブなＩＢＥ、すなわち、イオンミリングを行うことが好ましい。不活性なイオンを照射したときの物理的な衝撃を利用して行うエッチングをリアクティブイオンエッチングと区別するため、イオンミリングともいう。
【０１３４】
続いて、図１に示したように変位抑制層８５を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて変位抑制層８５をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１３５】
保護絶縁層９０は、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれるように形成する。
【０１３６】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、対向シールド部６１と、連結シールド部６３との間に配置される磁性層として、前側シールド部６２だけが形成されている。そのため、前述した従来のＰＭＲ７００のように、対向シールド部７０１と連結シールド部７０４との間に、前側シールド部７０３と接続用シールド部７０２という２つの磁性層が形成されている場合に比べて、薄膜磁気ヘッド３００は、上下方向に沿った磁路の長さが短くなり、その分、磁路長を短縮することができる。
【０１３７】
よって、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux  Rize  Time）や、非線形トランジションシフト（Non-linear  Transition  Shift:NLTS)特性、重ね書き(Over  Write)特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。
【０１３８】
その上、前側シールド部６２は、ＡＢＳ３０から、層間絶縁膜３２を介して上部薄膜コイル５１に到達し得るだけの横幅を有している。そのため、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているにもかかわらず、前側シールド部６２は、対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方に確実に接続されている。したがって、主磁極層２６に対向する対向シールド部６１と、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐ連結シールド部６３とが１本につながり、１本につながった磁気回路を形成することができる。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって、対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１３９】
ここで、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているなかで、前側シールド部６２によって対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方を確実に接続するための構造を考える。トリム前前側シールド部６２Ａのように、前端面のすべての部分がＡＢＳ３０内に配置されているときに上端面と下端面の大きさが最大になるから、前述の構造を実現するためには、トリム前前側シールド部６２Ａのように前端面のすべてがＡＢＳ３０内に配置されていることが望ましい。
【０１４０】
しかし、そうすると、トリム前前端面６２ａがＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。前側シールド部６２もトリム前前側シールド部６２Ａも、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材により形成されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａのようにトリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出していると、上部薄膜コイル５１の発熱によってフォトレジスト層５５が膨張したときの影響をトリム前前側シールド部６２Ａがより強く受けてしまう。
【０１４１】
フライングハイトは極めて微小なので、トリム前前端面６２ａの限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。トリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１４２】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、図７の下側に示したような構造の前側シールド部６２を形成している。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになるようにしている。
【０１４３】
そして、前側シールド部６２では、シールド上端面６２ｆがシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されていて、そのシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続するシール接続部６２ｃを前側シールド部６２が有している。このような構造では、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に到達している場合、すなわち、図７の上側に示したようなトリム前前側シールド部６２ＡよりもＡＢＳ３０内に配置される前端面の大きさが小さくなる。そのため、前側シールド部６２を有することによって、薄膜磁気ヘッド３００が記録媒体と衝突する事態を抑制できるようになる。
【０１４４】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、特に上部薄膜コイル５１の発熱に伴いライトシールド層６０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１４５】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量（フライングハイト）を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１４６】
一方、前側シールド部６２は、連結シールド部６３を形成した後、連結シールド部６３が接触していないＡＢＳ３０側の一部分を切除することによって形成されている。そのため、ＡＢＳ３０に露出する部分が小さいにもかかわらず、シールド上端面６２ｆが確実に確保されており、前側シールド部６２と連結シールド部６３とが確実に接続され得る構造となっている。
【０１４７】
また、前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保され、トリム前前端面６２ａのすべてが切除されることなくその一部がシールド前端面６２ｂとして残るようにしている。トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保されなくなるまでＩＢＥを進めると、シールド下端面６２ｒまでもが切除されるおそれがある。この場合、対向シールド部６１に接続される部分が小さくなってしまい、対向シールド部６１と、前側シールド部６２との接続が不十分になるおそれがある。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無である。
【０１４８】
そして、前側シールド部６２はシールド接続部６２ｃを有しているが、このシールド接続部６２ｃは傾斜構造を有している。そのため、前側シールド部６２は前述の上方向からのＩＢＥによって確実に形成できる構造を有している。傾斜構造を有していない場合、例えば、シールド前端面６２ｂからシールド上端面６２ｆにつながる表面部分がＳ字状に屈曲していると、ＩＢＥによって、前側シールド部６２を形成するのは困難である。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無であり、上方向からのＩＢＥによって確実に前側シールド部６２を形成することができる。
【０１４９】
また、シールド接続部６２ｃは後退傾斜構造を有しているため、後退傾斜構造を有していない場合に比べて前側シールド部６２の体積が縮減されている。したがって、前側シールド部６２が突出する可能性がいっそう抑制されている。
【０１５０】
さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１を有している。横平坦部６２ｃ１は、概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。したがって、横平坦部６２ｃ１を有していない場合よりも、保護絶縁層９０の埋込部９０ａから縦方向に受ける圧力をシールド接続部６２ｃがより確実に受け止めることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００では、保護絶縁層９０の埋め込み状態が安定化している。
【０１５１】
しかも、シールド接続部６２ｃは縦平坦部６２ｃ２を有している。縦平坦部６２ｃ２は、概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。したがって、前側シールド部６２は、トリム前前側シールド部６２Ａに対する上方向からのＩＢＥ等によって確実に形成できる構造となっている。
【０１５２】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長を短縮することができ、しかもＡＢＳ３０の一部が突出することを抑制できるから、媒体対向面の一部が突出することを抑制することと、磁路長の短縮とを両立できる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１５３】
そして、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１の熱の発生を効果的に抑制することができる。
【０１５４】
（変形例）
薄膜磁気ヘッド３００は、前述した前側シールド部６２の代わりに図８（ａ）に示すような前側シールド部６２Ｂを有していてもよい。前側シールド部６２Ｂは前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｄを有する点で相違している。シールド接続部６２ｄは、シールド接続部６２ｃと比べて横平坦部６２ｃ１を有していない点で相違している。
【０１５５】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、前側シールド部６２の代わりに図８（ｂ）に示すような前側シールド部６２Ｄを有していてもよい。前側シールド部６２Ｄは前側シールド部６２と比べてシールド接続部６２ｃの代わりにシールド接続部６２ｅを有する点で相違している。シールド接続部６２ｅは、シールド接続部６２ｃと比べて縦平坦部６２ｃ２を有していない点で相違している。
【０１５６】
前側シールド部６２Ｂを有する場合、前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも、ＡＢＳ３０内にシールド前端面６２ｂが配置され、ＡＢＳ３０内に露出している部分の大きさがトリム前前側シールド部６２Ａよりも縮減されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａよりも、前側シールド部６２Ｂ、６２Ｄが突出する可能性は確実に抑制されている。したがって、前側シールド部６２Ｂを有する場合、前側シールド部６２Ｄを有する場合のいずれも、媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立することができる。
【０１５７】
次に、図２２を参照して薄膜磁気ヘッド３０１について説明する。薄膜磁気ヘッド３０１は、薄膜磁気ヘッド３００と比べて、シールド磁性層４０の代わりにシールド磁性層４９を有する点と、絶縁層２１を有していない点とで相違している。
【０１５８】
シールド磁性層４９はシールド磁性層４０と比べて、第２の前側シールド部４２および第２の後側シールド部４５を有していない点と、第１の前側シールド部４１がＡＢＳ３０内に配置されている点とで相違している。
【０１５９】
このような薄膜磁気ヘッド３０１でも、ライトシールド層６０が前述した前側シールド部６２を有しているから、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、媒体対向面の一部の突出を抑制することと、磁路長の短縮とを両立することができる。
【０１６０】
特に、薄膜磁気ヘッド３０１については、対向シールド部６１と、連結シールド部６３とを前側シールド部６２によって接続し得る構造を有しているため、従来の薄膜磁気ヘッド７００よりも磁路長を短縮することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３０１のインダクタンスを小さくすることができる。したがって、薄膜コイルに周波数が高い記録信号を流すことが可能であり、記録媒体に対する記録密度を高くすることができる。
【０１６１】
第２の実施の形態
次に、図２３〜図２５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図２３は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図２４は上部薄膜コイル５０を構成する第２のコイル層５３を示す平面図、図２５は同じく第１のコイル層５２を示す平面図である。
【０１６２】
薄膜磁気ヘッド３１０は、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、ＡＢＳ３０を有している。なお、薄膜磁気ヘッド３１０は薄膜磁気ヘッド３００と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド３１０の薄膜磁気ヘッド３００と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０１６３】
再生ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、基板１上に形成されている絶縁層２と、下部シールド層３と、シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と、上部シールド層６、絶縁層７、加熱部８および感熱部９を有している。
【０１６４】
薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、上部薄膜コイル５１の代わりに上部薄膜コイル５０を有する点と、ライトシールド層６０の代わりにライトシールド層１６０を有する点で相違している。また、薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、連続絶縁膜３９を有する点と、保護絶縁層９０の代わりに保護絶縁層９１および保護絶縁層９２を有する点で相違している。
【０１６５】
前述した薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１の双方が単層構造を有していた。各ターン部がＡＢＳ３０の交差方向に沿って配置され、ＡＢＳ３０に沿った方向に重ならない構造が単層構造である。しかし、薄膜磁気ヘッド３１０では、下部薄膜コイル１１が単層構造を有するものの、上部薄膜コイル５０は２層の多重構造を有している。
【０１６６】
上部薄膜コイル５０は、ＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている第１のコイル層５２および第２のコイル層５３を有し、第１のコイル層５２および第２のコイル層５３によって上部導体群を構成している。
【０１６７】
そして、第１のコイル層５２と、第２のコイル層５３とは、ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）に配置されている。第２のコイル層５３がコイル間絶縁層８４を介して第１のコイル層５２の上に重なっている。上部薄膜コイル５０は２層の多重構造を有している。また、上部薄膜コイル５０は、第１のコイル層５２の前側距離と第２のコイル層５３の前側距離とが等しく、第１のコイル層５２の後側距離と第２のコイル層５３の後側距離も等しい等距離二段構造を有している。
【０１６８】
第１のコイル層５２は、図２５に示すようなターン部５２ｃを有している。ターン部５２ｃは第１の前側シールド部６２と、第１の後側シールド部６４との間に配置されている。第１のコイル層５２は、第２のコイル層５３につながる接続部５２ａからターン部５２ｃにつながるループ部５２ｄと、ターン部５２ｃから接続部５２ｅまでのハーフループ部５２ｂを有している。第１のコイル層５２は接続部５２ａから接続部５２ｅまでが一本につながることによってライトシールド層１６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で１ターンループを形成している。
【０１６９】
第２のコイル層５３は、２つのターン部５３ｂ，５３ｄを有している。ターン部５３ｂ，５３ｄは、後述する第２の前側シールド部６６と、第２の後側シールド部６７との間に配置されている。また、第２のコイル層５３は、ターン部５３ｂ，５３ｄがフォトレジスト層５６を介して並んだ構造を有している。
【０１７０】
そして、図２４に示すように、第２のコイル層５３は、第１のコイル層５２につながる接続部５３ｆからターン部５３ｄにつながるハーフループ部５３ｅと、ターン部５３ｄからターン部５３ｂにつながるワンループ部５３ｃと、ターン部５３ｂからリード部１３ａまでのハーフループ部５３ａを有している。
【０１７１】
第２のコイル層５３は接続部５３ｆからリード部１３ａまでが一本につながることによってライトシールド層１６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で２ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図２３では、第２のコイル層５３について、接続部５３ｆ、ターン部５３ｂ，５３ｄのみが示されている。ターン部５３ｂ，５３ｄも、ターン部１１ｂ，１１ｄ、１１ｆと同様の縦長の構造を有している。また、第２のコイル層５３も下部薄膜コイル１１と同様に可変幅構造を有している。
【０１７２】
そして、上部薄膜コイル５０は、第１のコイル層５２と第２のコイル層５３とが次のようにしてつながることによって、一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５２ｅから、ハーフループ部５２ｂ、ターン部５２ｃ、ループ部５２ｄを通って接続部５２ａにつながり、その接続部５２ａが接続部５３ｆにつながる。続いて接続部５３ｆから、ハーフループ部５３ｅ、ターン部５３ｄ、ワンループ部５３ｃ、ターン部５３ｂ、ハーフループ部５３ａを通ってリード部１３ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【０１７３】
つまり、上部薄膜コイル５０は第１のコイル層５２により１ターンループを形成した後、その真上に位置する第２のコイル層５３により２ターンループを形成することによって３ターンループを形成するという（１＋２）ターン構造を有している。なお、本実施の形態において（Ａ＋Ｂ）ターン構造とは、ターン数が“Ａ”のコイル層の上にターン数が“Ｂ”のコイル層が重なった多重構造を意味している。
【０１７４】
ライトシールド層１６０は、ライトシールド層６０と比較して、第２の前側シールド部６６と、第２の後側シールド部６７とを有する点で相違している。
【０１７５】
第２の前側シールド部６６は、第１の前側シールド部６２と、連結シールド部６３とに接続されている。第２の前側シールド部６６は、すべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。第２のコイル層５３のターン部５３ｂ、５３ｄを跨ぐことなく第１の前側シールド部６２に接続されている。また、第２の前側シールド部６６は、上部薄膜コイル５０を構成する第２のコイル層５３のＡＢＳ３０側に配置されている。
【０１７６】
第２の前側シールド部６６は、第１の前側シールド部６２のシールド上端面６２ｆに応じた横幅を有している。また、第２の前側シールド部６６の交差方向に沿った横幅がシールド上端面６２ｆの交差方向に沿った横幅と等しく形成されている。さらにＡＢＳ３０側の前端面６６ａが平坦前端面となっている。前端面６６ａはＡＢＳ３０に沿って平坦に形成されている。また、前端面６６ａがシールド接続部６２ｃと段差なく接続されている。前端面６６ａは図３０に示されている。
【０１７７】
第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４と、連結シールド部６３とに接続されている。第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４に応じた横幅を有している。
【０１７８】
連続絶縁膜３９は、前端面６６ａおよびシールド接続部６２ｃの表面上に、前端面６６ａからシールド接続部６２ｃにわたって連続して形成されている。
【０１７９】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
続いて、前述の図２３とともに、図２６〜図３２を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３１０の製造方法について説明する。
【０１８０】
ここで、図２６〜図３２は、薄膜磁気ヘッド３１０の各製造工程における一部省略した図１に対応した断面図である。薄膜磁気ヘッド３１０を製造する場合、図２６に示すように、第１のシールド部形成工程までは薄膜磁気ヘッド３００を製造する場合と同様の手順で実行する。ただし、第１の前側シールド部６２と第１の後側シールド部６４との間隔を少し狭め、２．５μｍから２．９μｍ程度で形成する。その後、図２６に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて絶縁層３８を形成する。
【０１８１】
続いて、図２７に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（第１の前側シールド部６２）と、第１の後側シールド部６４との間に導体層７２を形成する。この導体層７２は後に第１のコイル層５２となる。導体層７２は第１のシールド部（前側シールド部６２）と第１の後側シールド部６４に絶縁層３８を介して隙間なく接触するようにして形成する。それから、第１の前側シールド部６２と第１の後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。すると、図２８に示すように第１のコイル層５２が形成される。
【０１８２】
次に、第２のシールド層形成工程を実行する。この工程では、図２９に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層（膜厚は０．１μｍ〜０．１５μｍ程度）を形成した後、その絶縁層を選択的に開口する。この絶縁層は後にコイル間絶縁層８４となる。それから、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて、開口した部分に重ねて第２のシールド層（第２の前側シールド部６６）と、第２の後側シールド部６７とをフレームめっき法によって厚さ１．０μｍ〜２．０μｍ程度で形成する。
【０１８３】
それから、フォトレジストを用いてマスク８８を形成する。マスク８８は、図２９に示すように、第２の前側シールド部６６のＡＢＳ３０側を一部露出させ、ＡＢＳ３０から後退させるようにして形成する。すなわち、第２の前側シールド部６６の上面に後退スペース６６ｈが確保されるような位置にマスク８８を形成する。後退スペース６６ｈは、後退スペース６３ｈと同様に、例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有する細長い部分である。
【０１８４】
続いて、トリミング工程を実行する。このトリミング工程では、図３０に示すように、上方向からイオンビームＩＢを照射してＩＢＥを行い、第２の前側シールド部６６のＡＢＳ３０側部分と、第１の前側シールド部６２のＡＢＳ３０側部分とをまとめて切除する。このとき、ＩＢＥは上側に配置されている第２の前側シールド部６６については前端面がすべて切除されるが、下側の第１の前側シールド部６２については前端面の一部が残るようにして実行する。こうすることにより、第１の前側シールド部６２について、前述したシールド接続部６２ｃが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１８５】
次に、図３１に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３９を形成する。この絶縁膜３９のうち、第１の前側シールド部６２の前端面から第２の前側シールド部６６の前端面にわたって形成される部分が前述した連続絶縁膜３９になる。
【０１８６】
続いて、図３２に示すように、積層体の表面における第２のシールド層（第２の前側シールド部６６）と第２の後側シールド部６７との間に、間隙部を１つ備えた導体層７３を形成する。この導体層７３は後に第２のコイル層５３となる。導体層７３は第２のシールド層（第２の前側シールド部６６）と第２の後側シールド部６７に絶縁膜３９を介して隙間なく接触するようにして形成する。
【０１８７】
その後、導体層７３の間隙部にフォトレジスト層８６を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る保護絶縁膜９１を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、第２の前側シールド部６６と第２の後側シールド部６７が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。そして、この後、薄膜磁気ヘッド３００の場合と同様に実行することによって、変位抑制層８５と保護絶縁層９２とを形成すると、薄膜磁気ヘッド３１０が得られる。
【０１８８】
（薄膜磁気ヘッド３１０の作用効果）
薄膜磁気ヘッド３１０は、下部薄膜コイル１１と、上部薄膜コイル５０を有している。下部薄膜コイル１１も上部薄膜コイル５０も、ターン数は３本であるが、上部薄膜コイル５０は第１のコイル層５２と、第２のコイル層５３の多重構造を有している。そのため、１平面あたりのターン数は１本または２本と少ないながら全体で３本のターン数を確保できている。したがって、薄膜磁気ヘッド３１０は、ＡＢＳ３０からの奥行きを狭めることができる。
【０１８９】
その上、薄膜磁気ヘッド３１０は、薄膜磁気ヘッド３００と同様の第１の前側シールド部６２を有している。この第１の前側シールド部６２も、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、シールド前端面６２ｂ、シールド上端面６２ｆおよびシールド接続部６２ｃを有し、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになっている。そのため、薄膜磁気ヘッド３１０では、図7の上側に示したようなトリム前前端面６２ａよりもＡＢＳ３０に配置される前端面の大きさが小さくなる。したがって第１の前側シールド部６２が突出する可能性を抑制することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３１０は薄膜磁気ヘッド３００と同様、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１９０】
また、第２の前側シールド部６６の前端面６６ａが平坦前端面になっていて、これがシールド接続部６２ｃと段差なく接続されている。そのため、第２の前側シールド部６６と第１の前側シールド部６２とに対し、連続絶縁膜３９を確実に形成することができる。さらに、トリミング工程で、第２のシールド部と第１のシールド部のＡＢＳ３０側部分をまとめて切除しているから、段差なくつながる平坦面を確実に形成することができる。しかも、第１の前側シールド部６２のシールド上端面６２ｆに対して第２の前側シールド部６６を位置合わせする必要がないから、その分、製造工程を簡略化することができる。
【０１９１】
（変形例１）
薄膜磁気ヘッド３１０は、次のようにして製造することもできる。第１のコイル層５２を形成するまでの工程を前述の場合と同様の手順で実行した後、図３３に示すように、フォトレジストを用いてマスク８３を形成する。マスク８３は、第１の前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を一部露出させるようにして形成する。すなわち、第１の前側シールド部６２の上面に後退スペース６２ｈが確保されるような位置にマスク８３を形成する。
【０１９２】
続いて、トリミング工程を実行する。このトリミング工程では、図３３に示すように、イオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、第１の前側シールド部６２のＡＢＳ３０側部分を切除する。このとき、ＩＢＥは第１の前側シールド部６２について、前端面の一部が残るようにして実行する。こうすることにより、第１の前側シールド部６２について、残された前端面によって前述したシールド前端面６２ｂが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１９３】
次に、マスク８３を除去した後、図３４に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層（膜厚は０．１μｍ〜０．１５μｍ程度）を形成した後、絶縁層を選択的に開口する。この絶縁層は、後にコイル間絶縁層８４となる。この場合、すでにトリミング工程によって、第１の前側シールド部６２のＡＢＳ３０側の一部分が切除されているので、コイル間絶縁層８４の一部がシールド接続部６２ｃ上にも形成される。
【０１９４】
それから、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて第２のシールド層（第２の前側シールド部６６）と、第２の後側シールド部６７とを厚さ１．０μｍ〜２μｍ程度で形成する。さらに、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３９を形成する。その後の工程を前述の場合と同様に実行すると、図３５に示すように、薄膜磁気ヘッド３１１が得られる。この薄膜磁気ヘッド３１１は、前述した薄膜磁気ヘッド３１０と比べて上部薄膜コイル５０のＡＢＳ３０側に配置される絶縁層の構造が異なっているが、他は同じ構造を有している。
【０１９５】
（変形例２）
次に、図３６を参照して薄膜磁気ヘッド３１５について説明する。この薄膜磁気ヘッド３１５は、前述した薄膜磁気ヘッド３１１と比べて、下部薄膜コイル１１の代わりに下部薄膜コイル１２を有する点と、上部薄膜コイル５０の代わりに上部薄膜コイル１５０を有する点で相違している。
【０１９６】
下部薄膜コイル１２は、下部薄膜コイル１１と比べてターン数が４本になっている点で相違している。すなわち、下部薄膜コイル１２はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆに加えてターン部１１ｉを有している。また、上部薄膜コイル１５０は、上部薄膜コイル５０と比べて、第１のコイル層５２の代わりに第１のコイル層５４を有する点で相違している。第１のコイル層５４は、第２のコイル層５３と同様に、ターン数が２本である。
【０１９７】
この薄膜磁気ヘッド３１５も、上部薄膜コイル１５０が多重構造を有しているため、ＡＢＳ３０からの奥行きを狭めることができる。また、薄膜磁気ヘッド３１５は、第１の前側シールド部６２を有しているため、第１の前側シールド部６２が突出する可能性を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３１５は薄膜磁気ヘッド３１０と同様に、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１９８】
第３の実施の形態
次に、図３７〜図３９を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図３７は、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１６のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図３８は変形例にかかる薄膜磁気ヘッド３１７のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図、図３９は別の変形例にかかる薄膜磁気ヘッド３１８のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。
【０１９９】
薄膜磁気ヘッド３１６は、薄膜磁気ヘッド３１１と比較して、下部薄膜コイル１１の代わりに下部薄膜コイル１１１を有する点と、上部薄膜コイル５０の代わりに上部薄膜コイル１５１を有する点とで相違している。
【０２００】
下部薄膜コイル１１１は、第１のコイル層１３および第２のコイル層１６を有している。第１のコイル層１３および第２のコイル層１６はいずれもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。下部薄膜コイル１１１は、第１のコイル層１３および第２のコイル層１６によって下部導体群を構成している。第１のコイル層１３、第２のコイル層１６はともにターン数が１本である。下部薄膜コイル１１１は、（１＋１）ターン構造を有している。
【０２０１】
薄膜磁気ヘッド３１６では、下部薄膜コイル１１１と上部薄膜コイル１５１の双方が２層の多重構造を有している。
【０２０２】
上部薄膜コイル１５１は、第１のコイル層５２および第２のコイル層５７を有している。第１のコイル層５２および第２のコイル層５７はＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。上部薄膜コイル１５１は、第１のコイル層５２および第２のコイル層５７によって上部導体群を構成している。第１のコイル層５２、第２のコイル層５７はともにターン数が１本である。上部薄膜コイル１５１も（１＋１）ターン構造を有している。
【０２０３】
（薄膜磁気ヘッド３１６の作用効果）
薄膜磁気ヘッド３１６は、下部薄膜コイル１１１と、上部薄膜コイル１５１を有している。下部薄膜コイル１１１も上部薄膜コイル１５１も、ターン数は２本であるが、多重構造を有している。そのため、１平面あたりのターン数は１本と少ないながら全体で２本のターン数を確保できている。したがって、薄膜磁気ヘッド３１６は、ＡＢＳ３０からの奥行きを狭めることができる。しかも、薄膜磁気ヘッド３１６は、薄膜磁気ヘッド３００と同様の第１の前側シールド部６２を有しているから、第１の前側シールド部６２が突出する可能性を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３１６は薄膜磁気ヘッド３１５と同様に、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０２０４】
このような薄膜磁気ヘッド３１６のほか、図３８に示すように、下部薄膜コイル１１２および上部薄膜コイル５０を有する薄膜磁気ヘッド３１７とすることもできる。また、図３９に示すように、下部薄膜コイル１０Ｂおよび上部薄膜コイル１５２を有する薄膜磁気ヘッド３１８とすることもできる。下部薄膜コイル１１２は、ターン数が２本の第１のコイル層１７と、ターン数が１本の第２のコイル層１６とを有している。
【０２０５】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図４１〜図４２を参照して説明する。
【０２０６】
図４１は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図４２はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図４１に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head  Gimbals  Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０２０７】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図４２に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０２０８】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control  circuit）２０４を有している。
【０２０９】
次に、ＨＧＡ２１０について図４２を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０２１０】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０２１１】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０２１２】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、媒体対向面の一部が突出することを、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなく抑制することができる。そのため、ハードディスク２０２の表面からの浮上量を縮小し、スライダ２０８をハードディスク２０２に近づけることができる。
【０２１３】
特に、ハードディスク装置２０１が薄膜磁気ヘッド３００を有しているときは、ハードディスク装置２０１が従来の薄膜磁気ヘッド７００を有しているときよりも磁路長を短縮することが可能となる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００のインダクタンスを小さくすることができる。したがって、薄膜コイルに周波数が高い記録信号を流すことが可能であり、記録媒体に対する記録密度を高くすることができる。
【０２１４】
なお、以上の各実施の形態では、変位抑制層を有する薄膜磁気ヘッドを例にとって説明しているが、本発明は、変位抑制層を有しない薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。また、薄膜コイルがシールド磁性層４０、ライトシールド層６０の周りに平面渦巻き状に巻回されているが、主磁極層２６の周りに螺旋状に巻回されていてもよい。
【０２１５】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０２１６】
本発明を適用することにより、媒体対向面の一部が突出することを、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなく抑制できるようにすることができる。本発明は垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置で利用することができる。
【符号の説明】
【０２１７】
１…基板、１１，１２，１１１，１１２…下部薄膜コイル、１３，１７，５２…第１のコイル層、１６，５３…第２のコイル層，２６…主磁極層、２６ｆ…底面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、３９…連続絶縁膜、４０，４９…シールド磁性層、５０，５１，１５１…上部薄膜コイル、６０，１６０…ライトシールド層，６１…対向シールド部、６２…前側シールド部、６２ｂ…シールド前端面、６２ｃ…シールド接続部、６２ｆ…シールド上端面、６２ｒ…シールド下端面、６２ｃ１…横平坦部、６２ｃ２…縦平坦部、６３…連結シールド部、６４…後側シールド部、６５…上部ヨーク層、６６…第２の前側シールド部、６６ａ…平坦前端面、６７…第２の後側シールド部、９０，９１，９２…保護絶縁層、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００,３１０，３１１，３１５，３１６，３１７…薄膜磁気ヘッド。
【図３８】
0005882676.tif 000002
【図１】
0005882676.tif 000003
【図２】
0005882676.tif 000004
【図３】
0005882676.tif 000005
【図４】
0005882676.tif 000006
【図５】
0005882676.tif 000007
【図６】
0005882676.tif 000008
【図７】
0005882676.tif 000009
【図８】
0005882676.tif 000010
【図９】
0005882676.tif 000011
【図１０】
0005882676.tif 000012
【図１１】
0005882676.tif 000013
【図１２】
0005882676.tif 000014
【図１３】
0005882676.tif 000015
【図１４】
0005882676.tif 000016
【図１５】
0005882676.tif 000017
【図１６】
0005882676.tif 000018
【図１７】
0005882676.tif 000019
【図１８】
0005882676.tif 000020
【図１９】
0005882676.tif 000021
【図２０】
0005882676.tif 000022
【図２１】
0005882676.tif 000023
【図２２】
0005882676.tif 000024
【図２３】
0005882676.tif 000025
【図２４】
0005882676.tif 000026
【図２５】
0005882676.tif 000027
【図２６】
0005882676.tif 000028
【図２７】
0005882676.tif 000029
【図２８】
0005882676.tif 000030
【図２９】
0005882676.tif 000031
【図３０】
0005882676.tif 000032
【図３１】
0005882676.tif 000033
【図３２】
0005882676.tif 000034
【図３３】
0005882676.tif 000035
【図３４】
0005882676.tif 000036
【図３５】
0005882676.tif 000037
【図３６】
0005882676.tif 000038
【図３７】
0005882676.tif 000039
【図３９】
0005882676.tif 000040
【図４０】
0005882676.tif 000041
【図４１】
0005882676.tif 000042
【図４２】
0005882676.tif 000043
【図４３】
0005882676.tif 000044
【図４４】
0005882676.tif 000045