(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物を主成分とするセラミックスからなり、かつ、互いに対向する一対の端面と前記一対の端面を連結するように延びている四つの側面とを有するサーミスタ部と、
金属と金属酸化物とを含む複合材料からなり、かつ、前記サーミスタ部の前記一対の端面に接続されている一対のコンポジット部と、を備え、
前記サーミスタ部は、前記一対の端面の対向方向に直交する断面積が各前記端面側から前記対向方向での中央部分に向けて徐々に減少することにより、所望の抵抗値を有し、
前記一対のコンポジット部は、略直方体形状を呈しており、前記サーミスタ部の前記端面に接続される面と、当該面と対向する端面と、四つの側面とを有し、
前記サーミスタ部の各前記側面は、前記中央部分が最も深く、かつ、各前記コンポジット部の前記側面を含む仮想平面よりも窪んでいると共に、外表面として露出している、チップサーミスタ。
【請求項２】
前記一対のコンポジット部は、前記サーミスタ部の前記端面の略全体と接続されている、請求項１に記載のチップサーミスタ。
【請求項３】
前記一対のコンポジット部に形成されている一対の外部電極を更に備えている、請求項１又は２に記載のチップサーミスタ。
【請求項４】
金属酸化物を主成分とするセラミックスからなり、かつ、互いに対向する一対の端面と前記一対の端面を連結するように延びている四つの側面とを有するサーミスタ部と、金属と金属酸化物とを含む複合材料からなり、かつ、前記サーミスタ部の前記一対の端面に接続されている一対のコンポジット部と、を備え、前記一対のコンポジット部が、略直方体形状を呈しており、前記サーミスタ部の前記端面に接続される面と、当該面と対向する端面と、四つの側面とを有する素体を準備する工程と、
前記素体の前記サーミスタ部の抵抗値を測定する工程と、
前記サーミスタ部が所望の抵抗値を有するように前記サーミスタ部を研磨し、前記サーミスタ部の抵抗値を調整する工程と、を含み、
前記一対のコンポジット部は、前記サーミスタ部より焼き締められた状態とされており、
前記サーミスタ部の抵抗値を調整する前記工程では、前記素体をバレル研磨して、前記サーミスタ部での前記一対の端面の対向方向に直交する断面積が各前記端面側から前記対向方向での中央部分に向けて徐々に減少することにより、前記サーミスタ部を前記所望の抵抗値に調整しており、
前記サーミスタ部の各前記側面が、前記中央部分が最も深く、かつ、各前記コンポジット部の前記側面を含む仮想平面よりも窪んでいるチップサーミスタの製造方法。
【請求項５】
前記サーミスタ部の抵抗値を調整する前記工程では、測定により得られた前記抵抗値に基づいて、前記サーミスタ部の研磨度合いを決定する、請求項４に記載のチップサーミスタの製造方法。
【請求項６】
前記サーミスタ部の前記研磨度合いとして、研磨時間又は研磨回数を決定する、請求項５に記載のチップサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップサーミスタと、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属酸化物を主成分とするセラミックスからなり、かつ、互いに対向する一対の端面を有するサーミスタ部と、金属及び金属酸化物を含む複合材料からなり、かつ、サーミスタ部の一対の端面に接続されている一対のコンポジット部と、を備えているチップサーミスタが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１６２２６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されたチップサーミスタでは、サーミスタ部の抵抗値がバラつき、所望の抵抗値を示さない場合がある。サーミスタ部の抵抗値がバラつく要因としては、サーミスタ部のサイズのバラつき、又は、サーミスタ部の焼成具合のバラつきなどが考えられる。
【０００５】
本発明は、所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタ、及び、当該チップサーミスタを得るための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るチップサーミスタは、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなり、かつ、互いに対向する一対の端面を有するサーミスタ部と、金属と金属酸化物とを含む複合材料からなり、かつ、サーミスタ部の一対の端面に接続されている一対のコンポジット部と、を備え、サーミスタ部は、一対の端面の対向方向に直交する断面積が各端面側から対向方向での中央部分に向けて徐々に減少することにより、所望の抵抗値を有している。
【０００７】
本発明に係るチップサーミスタでは、サーミスタ部が、一対の端面の対向方向に直交する断面積が各端面側から対向方向での中央部分に向けて徐々に減少することにより、所望の抵抗値を有している。すなわち、サーミスタ部は、上記断面積が狭く設定された領域を有することにより、当該サーミスタ部の抵抗値が高められて、所望の抵抗値を有している。したがって、本発明では、抵抗値が所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタが実現される。
【０００８】
サーミスタ部は、当該サーミスタ部がバレル研磨されることにより、一対の端面の対向方向に直交する断面積が各端面側から対向方向での中央部分に向けて徐々に減少していてもよい。この場合、抵抗値が所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタを容易に実現することができる。
【０００９】
一対のコンポジット部は、サーミスタ部の端面の略全体と接続されていてもよい。この場合、サーミスタ部とコンポジット部とが確実に結合される。
【００１０】
一対のコンポジット部に形成されている一対の外部電極を更に備えていてもよい。この場合、チップサーミスタの実装を容易に行うことができる。
【００１１】
本発明に係るチップサーミスタの製造方法は、金属酸化物を主成分とするセラミックスからなり、かつ、互いに対向する一対の端面を有するサーミスタ部と、金属と金属酸化物とを含む複合材料からなり、かつ、サーミスタ部の一対の端面に接続されている一対のコンポジット部と、を備える素体を準備する工程と、素体のサーミスタ部の抵抗値を測定する工程と、サーミスタ部が所望の抵抗値を有するようにサーミスタ部を研磨し、サーミスタ部の抵抗値を調整する工程と、を含む。
【００１２】
本発明に係る製造方法では、サーミスタ部の抵抗値が測定され、サーミスタ部が所望の抵抗値を有するようにサーミスタ部が研磨され、サーミスタ部の抵抗値が調整される。すなわち、サーミスタ部は、研磨されることにより、当該サーミスタ部の抵抗値が高められて、所望の抵抗値に調整される。したがって、本発明によれば、抵抗値が所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタを得ることができる。
【００１３】
サーミスタ部の抵抗値を調整する工程では、測定により得られた抵抗値に基づいて、サーミスタ部の研磨度合いを決定してもよい。この場合、測定により得られた抵抗値に基づいて、サーミスタ部の研磨度合いが決定されるので、サーミスタ部の抵抗値をより一層確実に所望の抵抗値に調整することができる。
【００１４】
サーミスタ部の研磨度合いとして、研磨時間又は研磨回数を決定してもよい。この場合、サーミスタ部の研磨度合いを簡易に変えることができる。
【００１５】
サーミスタ部の抵抗値を調整する工程では、素体をバレル研磨してもよい。この場合、サーミスタ部を簡易に研磨することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタ、及び、当該チップサーミスタを得るための製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るチップサーミスタの斜視図である。
【図２】図１に示されたII−II線に沿った断面構成を示す図である。
【図３】図２に示されたIII−III線に沿った断面構成を示す図である。
【図４】コンポジット部内における導通路を示す模式的断面図である。
【図５】本実施形態に係るチップサーミスタの製造過程を示すフロー図である。
【図６】サーミスタ部の側面の窪みの状態を示す図である。
【図７】本実施形態に係るチップサーミスタの実装構造を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１９】
まず、図１〜図３を参照して、本実施形態に係るチップサーミスタの構成を説明する。図１は、一実施形態に係るチップサーミスタの斜視図である。図２は、図１に示されたII−II線に沿った断面構成を示す図である。図３は、図２に示されたIII−III線に沿った断面構成を示す図である。
【００２０】
チップサーミスタ１は、図１に示されるように、略直方体形状の素体３と、素体３の長手方向の両端部に形成されている一対の外部電極５と、を備えている。チップサーミスタ１は、たとえば、長さが０．４ｍｍ、高さが０．２ｍｍ、幅が０．２ｍｍである、いわゆる「０４０２」サイズのチップサーミスタである。チップサーミスタ１は、ＮＴＣサーミスタである。
【００２１】
素体３は、サーミスタ部７と、一対のコンポジット部９とを含むように構成されている。素体３は、外表面として、一対の端面３ａと、四つの側面と、を有している。一対の端面３ａは、略正方形状を呈し、かつ、互いに対向している。四つの側面は、一対の端面３ａを連結するように、一対の端面３ａの対向方向に延びている。一対の端面３ａは、略矩形状を呈していてもよい。
【００２２】
チップサーミスタ１は、他の電子機器（たとえば、回路基板又は電子部品など）にハンダ実装される。すなわち、四つの側面のうち一つの側面は、他の電子機器に対向する面（実装面）を構成する。
【００２３】
サーミスタ部７は、図１〜図３に示されるように、素体３の長手方向の略中央部に位置している。サーミスタ部７は、一対の端面７ａと、四つの側面７ｂと、を有している。一対の端面７ａは、略正方形状を呈し、かつ、互いに対向している。四つの側面７ｂは、一対の端面７ａを連結するように、一対の端面７ａの対向方向に延びている。側面７ｂは、素体３の側面の一部を構成している。
【００２４】
サーミスタ部７は、負の温度係数を有するサーミスタ素体から構成される。サーミスタ部７を構成するサーミスタ素体は、たとえば、主成分としてＭｎ、Ｎｉ、及びＣｏの各金属酸化物を含んだセラミックスから形成されている。サーミスタ素体は、主成分であるＭｎ、Ｎｉ、及びＣｏの各金属酸化物の他に、特性の調整のために、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＺｒなどを副成分として含んでいてもよい。また、サーミスタ部７は、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＣｏの各金属酸化物に代えて、Ｍｎ及びＮｉの各金属酸化物、又は、Ｍｎ及びＣｏの各金属酸化物から形成されていてもよい。サーミスタ素体は、所定のＢ定数を有している。
【００２５】
各コンポジット部９は、図１及び図２に示されるように、素体３の対応する端部に位置している。一対のコンポジット部は、サーミスタ部７をその間に挟むように、サーミスタ部７の両側に配置されている。各コンポジット部９は、サーミスタ部７の対応する端面７ａに接続されている。各コンポジット部９は、サーミスタ部７の対応する端面７ａの略全体と接続されている。コンポジット部９のサーミスタ部７に接続される面は、サーミスタ部７の対応する端面７ａと同等の形状を呈している。
【００２６】
コンポジット部９の外表面は、素体３の端面３ａを構成する端面と、素体３の各側面の一部を構成する側面と、を含んでいる。コンポジット部９における、サーミスタ部７の端面７ａに接続される面と対向する面が、端面３ａを構成している。各コンポジット部９は、略直方体形状を呈している。
【００２７】
コンポジット部９は、金属と、金属酸化物と、ガラス成分と、を含む複合材料からなる。コンポジット部９は、金属として、たとえば、Ａｇ又はＡｇ−Ｐｄ合金などを含む。コンポジット部９は、金属酸化物として、たとえば、Ａｌの金属酸化物（Ａｌ２Ｏ３）などを含む。コンポジット部９は、Ａｌの金属酸化物の代わりに、サーミスタ部７を構成する金属酸化物と同様の金属酸化物（たとえば、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＣｏの各金属酸化物）を含んでいてもよい。コンポジット部９は、ガラス成分として、たとえば、ＳｉＯ２などを含む。
【００２８】
サーミスタ部７とコンポジット部９とが、同様の金属酸化物を含んで形成される場合、サーミスタ部７とコンポジット部９との境界面における接続強度が強固となる。本実施形態では、コンポジット部９の厚み（素体３の長手方向での長さ）は、サーミスタ部７の厚み（素体３の長手方向での長さ）より小さく設定されている。コンポジット部９の厚みは、サーミスタ部７の厚みと同等に設定されていてもよく、また、サーミスタ部７の厚みよりも大きく設定されていてもよい。コンポジット部９を構成する複合材料は、金属酸化物中に金属が分散している材料であってもよく、また、金属中に金属酸化物が分散している材料であってもよい。
【００２９】
コンポジット部９を構成する複合材料において、Ａｇは、上述した金属酸化物中に分散された状態となっており、図４に示されるように、Ａｇによって、外部電極５とサーミスタ部７との間を繋ぐ導通路９ｂが形成されるようになっている。図４では説明を容易にするため、一つの導通路９ｂのみを示しているが、各コンポジット部９には、多数の導通路９ｂが形成されるようになっている。コンポジット部９は、含有金属として、Ａｇに代えて、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ、Ｐｄ、又はＰｔなどの金属を含んでいてもよい。コンポジット部９は、Ｍｎ及びＮｉの各金属酸化物、又は、Ｍｎ及びＣｏの各金属酸化物から形成されていてもよい。
【００３０】
一対の外部電極５は、素体３の各端面３ａを含むコンポジット部９の外表面の略全体を覆うようにそれぞれ形成されている。外部電極５は、コンポジット部９に直接接続されている電極層５ａと、電極層５ａを覆うように形成されている電極層５ｂと、を有している。外部電極５は、素体３の一部を構成するコンポジット部９に直接めっきされることにより形成されている。電極層５ａは、たとえばＮｉからなり、Ｎｉめっきにより形成することができる。電極層５ｂは、たとえばＳｎからなり、Ｓｎめっきにより形成することができる。
【００３１】
サーミスタ部７は、一対の端面７ａの対向方向に直交する断面積が各端面７ａ側から一対の端面７ａの対向方向での中央部分に向けて徐々に減少している。本実施形態では、サーミスタ部７の各側面７ｂは、各側面７ｂの中央部分が最も深くなるように全体的に窪んでいる。すなわち、各側面７ｂは、各コンポジット部９における、素体３の側面７ｂの一部を構成する側面を含む仮想平面ＶＰよりも窪んでいる。サーミスタ部７は、当該サーミスタ部７がバレル研磨されることにより、上記断面積が各端面７ａ側から上記中央部分に向けて徐々に減少している。
【００３２】
続いて、図５を参照して、上述した構成を備えるチップサーミスタ１の製造過程の一例について説明する。図５は、本実施形態に係るチップサーミスタの製造過程を示すフロー図である。
【００３３】
まず、グリーンシートを作成する（Ｓ１０１）。ここでは、サーミスタ素体の主成分であるＭｎ、Ｎｉ、及びＣｏの各金属酸化物と、副成分であるＦｅ、Ｃｕ、Ａｌ、及びＺｒなどと、を所定の割合で混合してサーミスタ材料を調整する。その後、このサーミスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、及び有機可塑剤などを添加してスラリーを得る。このスラリーを、フィルム上に塗布して、所定の厚さの膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離してグリーンシートを得る。
【００３４】
次に、グリーンシートに、所定の条件（たとえば、１８０〜４００℃で、かつ、０．５〜２４時間）で加熱処理を実施して脱バインダを行う。その後、脱バインダされたグリーンシートを、所定の条件（たとえば、１０００〜１４００℃で、かつ、２〜１６時間）で焼成する（Ｓ１０２）。これにより、サーミスタ基板が得られる。
【００３５】
次に、得られたサーミスタ基板を所定の厚みに研磨する（Ｓ１０３）。サーミスタ基板の研磨には、機械研磨などが利用できる。
【００３６】
次に、所定の厚みに研磨されたサーミスタ基板の両主面に、コンポジット部９に対応するグリーン層を形成する（Ｓ１０４）。これにより、サーミスタ基板と、一対のグリーン層とからなる積層基板が得られる。グリーン層は、コンポジット材料、有機バインダ、及び有機溶剤を混合したペーストをスクリーン印刷などの印刷法にてサーミスタ基板の主面に印刷し、乾燥させることにより形成する。コンポジット材料は、Ａｇ（金属）と、Ａｌの金属酸化物と、ガラス成分と、を所定の割合で混合し調整することにより得られる。
【００３７】
次に、積層基板に、所定の条件（たとえば、１８０〜４００℃で、かつ、０．５〜２４時間）で加熱処理を実施して脱バインダを行う。その後、脱バインダされた積層基板を、所定の条件（たとえば、７００〜１２００℃で、かつ、０．５〜１２時間）で焼成する（Ｓ１０５）。
【００３８】
次に、焼成された積層基板をチップ単位に切断し、複数のチップ素体を得る（Ｓ１０６）。焼成された積層基板の切断は、たとえばダイシングソーなどにより行う。
【００３９】
次に、複数のチップ素体をバレル研磨する（Ｓ１０７）。バレル研磨では、バレル漕中に複数のチップ素体、研磨用メディア、及び研磨液などを入れ、回転又は振動などにより、相対運動を生じさせることで各チップ素体を研磨加工する。研磨用メディアは、たとえば、直径がサーミスタ部７の厚みより小さく、かつ、ＺｒＯ２からなるメディアを用いることができる。研磨液、たとえば、水を用いることができる。研磨時間は、たとえば２〜３時間程度に設定される。
【００４０】
バレル研磨により、チップ素体の稜部が丸められると共に、チップ素体の外表面が平滑化される。チップ素体の稜部が丸められることにより、チップ素体に割れ又は欠けなどが生じるのを抑制することができる。チップ素体の外表面が平滑化されることにより、外部電極５をめっきにて形成する際に、めっき延びなどが生じるのを抑制することができる。
【００４１】
これらの過程により、サーミスタ部７と一対のコンポジット部９とを備える素体３が準備される。すなわち、上述した過程が、素体３を準備する工程を構成している。
【００４２】
次に、サーミスタ部７の抵抗値を測定する（Ｓ１０８：抵抗値測定工程）。ここでは、各コンポジット部９に測定端子を接触させ、コンポジット部９間の抵抗値、すなわち、サーミスタ部７の抵抗値を測定する。
【００４３】
サーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値でない素体３、特に、サーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値よりも低い素体３には、所望の抵抗値となるようにサーミスタ部７の抵抗値を調整する（Ｓ１０９：抵抗値調整工程）。ここでは、測定により得られた抵抗値に基づいて、サーミスタ部７の研磨度合いを決定し、当該研磨度合いが得られるようにサーミスタ部７を研磨する。具体的には、測定により得られた抵抗値に基づいて、研磨時間を決定し、決定した研磨時間に亘りサーミスタ部７を研磨する。サーミスタ部７の研磨には、バレル研磨が利用される。バレル研磨は、研磨時間を除いて、チップ素体のバレル研磨と同様に行われる。一つの研磨処理での研磨時間が一定である場合、研磨時間の代わりに、研磨回数を決定してもよい。サーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値である素体３は、抵抗値を調整しない。すなわち、サーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値である素体３の研磨時間は、０時間とされる。
【００４４】
研磨時間は、測定により得られた抵抗値と所望の抵抗値との差が大きいほど、長くなるように設定される。すなわち、測定により得られた抵抗値が低ければ低いほど、研磨時間が長くなるように設定される。同様に、研磨回数は、測定により得られた抵抗値と所望の抵抗値との差が大きいほど、多くなるように設定される。測定により得られた抵抗値と研磨時間（又は研磨回数）との関係は、試験などにより、予め求められている。サーミスタ部７の抵抗値を調整するための研磨時間は、たとえば、２〜１５時間の範囲内の値に設定される。
【００４５】
研磨時間が長くなるほど、図６に示されるように、サーミスタ部７の各側面７ｂの窪みは深くなる。図６は、サーミスタ部の側面の窪みの状態を示す図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の順に、研磨時間が長く設定されている。サーミスタ部７の各側面７ｂの窪みは深くなると、サーミスタ部７における、一対の端面７ａの対向方向での中央部分の断面積が小さくなり、サーミスタ部７の抵抗値が高くなる。すなわち、研磨時間とサーミスタ部７の抵抗値の変化量とは、比例関係にある。コンポジット部９は、サーミスタ部７に比して、十分に焼き締められた状態にあるため、上述した研磨条件（研磨時間）では、コンポジット部９は、サーミスタ部７のように研磨され難い。
【００４６】
次に、測定されたサーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値である素体３、及び、サーミスタ部７の抵抗値が調整された素体３に、外部電極５を形成する（Ｓ１１０）。外部電極５の形成は、上述したように、めっき処理（たとえば電気めっき処理など）により行われる。
【００４７】
これらの過程により、上述したチップサーミスタ１が得られる。
【００４８】
以上のように、本実施形態では、サーミスタ部７の抵抗値が測定され、サーミスタ部７が所望の抵抗値を有するようにサーミスタ部７が研磨され、サーミスタ部７の抵抗値が調整される。すなわち、サーミスタ部７は、研磨されることにより、当該サーミスタ部７の抵抗値が高められて、所望の抵抗値に調整される。したがって、サーミスタ部７の抵抗値が所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタ１を得ることができる。
【００４９】
得られたチップサーミスタ１では、サーミスタ部７が、一対の端面７ａの対向方向に直交する断面積が各端面７ａ側から一対の端面７ａの対向方向での中央部分に向けて徐々に減少している。すなわち、サーミスタ部７は、上記断面積が狭く設定された領域を有することにより、当該サーミスタ部７の抵抗値が高められて、所望の抵抗値を有している。
【００５０】
本実施形態では、サーミスタ部７の抵抗値を調整する際に、測定により得られた抵抗値に基づいて、サーミスタ部７の研磨度合いを決定している。測定により得られた抵抗値に基づいて、サーミスタ部７の研磨度合いが決定されるので、サーミスタ部７の抵抗値をより一層確実に所望の抵抗値に調整することができる。
【００５１】
本実施形態では、サーミスタ部７の研磨度合いとして、研磨時間又は研磨回数を決定している。これにより、サーミスタ部７の研磨度合いを簡易に変えることができる。
【００５２】
本実施形態では、サーミスタ部７の抵抗値を調整する際に、素体３をバレル研磨している。これにより、サーミスタ部７を簡易に研磨することができる。
【００５３】
サーミスタ部７は、上述したようにサーミスタ部７がバレル研磨されることにより、一対の端面７ａの対向方向に直交する断面積が各端面７ａ側から一対の端面７ａの対向方向での中央部分に向けて徐々に減少している。これにより、抵抗値が所望の抵抗値に確実に調整されているチップサーミスタ１を容易に実現することができる。
【００５４】
本実施形態では、一対のコンポジット部９は、サーミスタ部７の端面７ａの略全体と接続されていている。これにより、サーミスタ部７とコンポジット部９とが確実に結合される。
【００５５】
本実施形態では、チップサーミスタ１は、一対のコンポジット部９に形成されている一対の外部電極５を備えている。これにより、チップサーミスタ１の実装を容易に行うことができる。
【００５６】
本実施形態では、サーミスタ部７の各側面７ｂが、各側面７ｂの中央部分が最も深くなるように全体的に窪んでおり、各側面７ｂは、各コンポジット部９における、素体３の側面７ｂの一部を構成する側面を含む仮想平面ＶＰよりも窪んでいる。このため、図７に示されるように、チップサーミスタ１が電子機器ＥＤに実装されると、電子機器ＥＤに対向するサーミスタ部７の側面７ｂは、電子機器ＥＤから比較的離れて位置する。チップサーミスタ１の熱が、電子機器ＥＤと当該電子機器ＥＤに対向するサーミスタ部７の側面７ｂとの間の空間から放散されるため、チップサーミスタ１の放熱性が優れる。図７では、チップサーミスタ１が電子機器ＥＤにハンダ実装されている。
【００５７】
サーミスタは元々、熱によって抵抗値が変わる特性を有しているため、放熱性が優れていることで、熱応答性が向上し、より正確な検出が可能となる。また、放熱性に優れたチップサーミスタ１であることから、チップサーミスタ１の定格電力を大きくすることもでき、様々な分野で使用されるチップサーミスタに適用できる。
【００５８】
チップサーミスタ１が電子機器ＥＤにハンダ実装される際に、ハンダＳに含まれるフラックスがサーミスタ部７に付着することがある。フラックスがサーミスタ部７に付着した状態で加熱されると、フラックスによりサーミスタ部７が還元され、サーミスタ部７の抵抗値が減少するおそれがある。チップサーミスタ１では、上述したように、電子機器ＥＤに対向するサーミスタ部７の側面７ｂは、電子機器ＥＤから比較的離れて位置しているため、ハンダに含まれるフラックスがサーミスタ部７に付着し難い。したがって、チップサーミスタ１が電子機器ＥＤにハンダ実装される際に、サーミスタ部７の抵抗値が低下するのを抑制することができる。
【００５９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
【００６０】
本実施形態では、サーミスタ部７の四つの側面７ｂとも窪んでいるが、これに限られない。四つの側面７ｂのうち三つ以下の側面７ｂが窪んでいてもよい。この場合でも、サーミスタ部７は、一対の端面７ａの対向方向に直交する断面積が各端面７ａ側から一対の端面７ａの対向方向での中央部分に向けて徐々に減少する。チップサーミスタ１を実装する際の方向性を無くし、実装の作業性を向上させるためには、四つの側面７ｂが窪んでいることが好ましい。
【００６１】
素体３の側面には、少なくともサーミスタ部７の側面７ｂを覆うように、絶縁層が形成されていてもよい。絶縁層は、たとえば、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、又はＡｌ２Ｏ３などにより形成できる。
【００６２】
外部電極５は、コンポジット部９に形成される焼付電極層を有していてもよい。この場合、電極層５ａは、焼付電極層に形成される。チップサーミスタ１の小型化を図るためには、外部電極５は、焼付電極層を有していないことが好ましい。また、チップサーミスタ１は、必ずしも外部電極５を備えている必要はない。チップサーミスタ１が電子機器ＥＤに導電性接着剤により実装される場合には、チップサーミスタ１は、外部電極５を備えていなくてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１…チップサーミスタ、３…素体、５…外部電極、７…サーミスタ部、７ａ…端面、７ｂ…側面、９…コンポジット部。
【図１】
0005929998.tif 000002
【図２】
0005929998.tif 000003
【図３】
0005929998.tif 000004
【図４】
0005929998.tif 000005
【図５】
0005929998.tif 000006
【図６】
0005929998.tif 000007
【図７】
0005929998.tif 000008