(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子本体と、
直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、
を備えており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、
前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、
前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状又は螺旋状をなしており、
前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する螺旋状をなしていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
ｎは３であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２のＬＣ並列共振器の共振周波数は、前記第１のＬＣ並列共振器の共振周波数及び前記第３のＬＣ並列共振器の共振周波数よりも低いこと、
を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記電子部品は、
前記素子本体に表面に設けられ、前記第１のＬＣ並列共振器に接続されている入力端子と、
前記素子本体に表面に設けられ、前記第３のＬＣ並列共振器に接続されている出力端子と、
前記素子本体の表面に設けられている接地端子と、
前記入力端子と前記第１のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子の間、該第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、該第２のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、又は、該第３のＬＣ並列共振器と前記出力端子との接続点と該接地端子との間に接続されるコンデンサと、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記素子本体は、複数の絶縁体層が前記第２の方向に積層されて構成されており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第３のＬＣ並列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている内部導体及び前記絶縁体層を前記第２の方向に貫通する層間接続導体により構成されていること、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間に前記コンデンサが設けられており、
前記電子部品は、
前記第１のインダクタと前記第２のインダクタとを直列に接続する第１の層間接続導体と、
前記第２のインダクタと前記コンデンサとを接続する第２の層間接続導体と、
更に備えていること、
を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との間と、前記接地端子との間に前記コンデンサが設けられており、
前記電子部品は、
前記第１のインダクタと前記コンデンサとを電気的に接続する第３の層間接続導体と、
前記第２のインダクタと前記コンデンサとを電気的に接続する第４の層間接続導体と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタの少なくとも１つは、複数の内部導体が並列に接続されることにより構成されていること、
を特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記第２のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられ、かつ、前記第１の方向に並ぶ互いに平行な複数の第１のインダクタ導体と、該第１のインダクタ導体よりも前記第２の方向の一方側に位置する前記絶縁体層上に設けられ、かつ、該第１の方向に並ぶ互いに平行な複数の第２のインダクタ導体であって、該第２の方向から平面視したときに、該第１の方向の一方側に位置する前記第１のインダクタ導体の一方の端部と一方の端部において重なり、該第１の方向の他方側に位置する前記第１のインダクタ導体の他方の端部と他方の端部において重なる第２のインダクタ導体と、前記第１のインダクタ導体の一方の端部と前記第２のインダクタ導体の一方の端部とを接続する複数の第５の層間接続導体と、前記第１のインダクタ導体の他方の端部と前記第２のインダクタ導体の他方の端部とを接続する複数の第６の層間接続導体と、により構成されており、
前記複数の第１のインダクタ導体は、複数の前記絶縁体層に分散して設けられていること、
を特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１のインダクタ及び前記第３のインダクタは、螺旋状をなしていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１１】
前記第１のインダクタ及び前記第３のインダクタは、渦巻状をなしていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項９のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１２】
ｎは４以上であること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記第２のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎ−１の共振周波数は、前記第１のＬＣ並列共振器及び前記第ｎの共振周波数よりも低いこと、
を特徴とする請求項１又は請求項１２のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、３以上のＬＣ並列共振器を備えている電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の３次元スパイラルインダクタが知られている。該３次元スパイラルインダクタは、積層体内に設けられ、かつ、積層方向に直交する方向に延在する巻回軸の周囲を周回する螺旋状のコイルである。このような３次元スパイラルインダクタは、例えば、ローパスフィルタに用いられる。【０００３】
３次元スパイラルインダクタが用いられたローパスフィルタは、例えば、３次元スパイラルインダクタ及びコンデンサにより構成される複数のＬＣ並列共振器が直列に接続されて構成される。３次元スパイラルインダクタは、螺旋状をなしているので、渦巻状のインダクタに比べて大きな空芯径を有している。したがって、３次元スパイラルインダクタは、渦巻状のインダクタに比べて、高いＱ値を得ることができる。そのため、ローパスフィルタの挿入損失の低減を図ることができる。【０００４】
ところで、ローパスフィルタでは、３次元スパイラルインダクタは、互いの巻回軸が略一致するように一列に並ぶように配置される。そのため、３次元スパイラルインダクタ同士が近接しすぎて、３次元スパイラルインダクタ同士の電磁気結合が強くなってしまう。そのため、ローパスフィルタにおいて、３次元スパラルインダクタ間を高周波信号が伝送されやすくなる。その結果、ローパスフィルタの通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９０９３４号公報（図１６ａ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態に係る電子部品は、素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状又は螺旋状をなしており、前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回する螺旋状をなしていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。
【図１Ｂ】図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。
【図２Ａ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図２Ｂ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図３】電子部品１０の通過特性を示したグラフである。
【図４Ａ】変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。
【図４Ｂ】変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１１】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係るフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。図１Ｂは、図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。図２Ａ及び図２Ｂは、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、上下方向は、絶縁体層１６の積層方向を示す。また、上側から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向を前後方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向を左右方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。
【００１２】
電子部品１０の等価回路は、図１Ａに示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３、コンデンサＣ４〜Ｃ７及び外部端子１４ａ〜１４ｈを備えている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間においてこの順に直列に接続されている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の共振周波数及びＬＣ並列共振器ＬＣ３の共振周波数よりも低い。
【００１３】
コンデンサＣ４は、外部端子１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に設けられている。コンデンサＣ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に設けられている。コンデンサＣ６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３との接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に設けられている。コンデンサＣ７は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３と外部端子１４ｂとの接続点と外部端子１４ｃ〜１４ｈとの間に設けられている。
【００１４】
以上のような電子部品１０は、ローパスフィルタとして用いられる。外部端子１４ａが入力端子として用いられ、外部端子１４ｂが出力端子として用いられ、外部端子１４ｃ〜１４ｈが接地端子として用いられる。
【００１５】
電子部品１０は、図１Ｂ、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｈ、インダクタ導体１８ａ〜１８ｆ，２２ａ〜２２ｅ，２６ａ〜２６ｆ、コンデンサ導体２８，３０，３２ａ，３２ｂ，３４，３６，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ、グランド導体４２及びビアホール導体ｖ１〜ｖ１２を備えている。
【００１６】
積層体１２は、図１Ｂ、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｐが上下方向に積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３及びコンデンサＣ４〜Ｃ７を内蔵している。
【００１７】
絶縁体層１６ａ〜１６ｐは、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｐは、上側から下側へとこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｐの上側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｐの下側の面を裏面と称す。
【００１８】
インダクタＬ１は、上下方向と平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしており、積層体１２の前面近傍に設けられている。また、インダクタＬ１は、インダクタ導体１８ａ〜１８ｆ及びビアホール導体ｖ１，ｖ２により構成されている。インダクタ導体１８ａ，１８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ，１６ｃの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｂ，１６ｃの前側の短辺の中央から後ろ側に向かってわずかに延在した後、反時計回り方向に約１周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体１８ａ，１８ｂの長さは、１周分よりもわずかに短い。そのため、インダクタ導体１８ａ，１８ｂの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｂ，１６ｃの前側の短辺の中央に対して右側に位置している。
【００１９】
インダクタ導体１８ｃ，１８ｄはそれぞれ、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの前側の短辺の中央に対して右側の位置から反時計回り方向に約１周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄの長さは、１周分よりもわずかに短い。そのため、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｄ，１６ｅの右側の長辺の前端近傍に位置している。また、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄの反時計回り方向の上流側の端部は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ａ，１８ｂの反時計回り方向の下流側の端部と重なっている。
【００２０】
インダクタ導体１８ｅ，１８ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの右側の長辺の前端近傍の位置から反時計回り方向に約１／２周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆの長さは、１／２周分よりもわずかに長い。そのため、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇの中央（対角線の交点）に対して前側に位置している。また、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆの反時計回り方向の上流側の端部は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄの反時計回り方向の下流側の端部と重なっている。
【００２１】
ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体１８ａ，１８ｂの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体１８ｃ，１８ｄの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。
【００２２】
ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２は、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体１８ｅ，１８ｆの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。
【００２３】
以上のように構成されたインダクタＬ１は、上側から平面視したときに、反時計回り方向の周回しながら上側から下側に向かって進行する螺旋状をなしている。
【００２４】
インダクタＬ３は、上下方向と平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしており、積層体１２の後面近傍に設けられている。また、インダクタＬ３は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｆ及びビアホール導体ｖ９，ｖ１０により構成されている。インダクタ導体２６ａ，２６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｇ，１６ｆの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｇ，１６ｆの中央に対して後ろ側の位置から反時計回り方向に約１／２周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの長さは、１／２周分よりもわずかに長い。そのため、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｇ，１６ｆの右側の長辺の後端近傍に位置している。
【００２５】
インダクタ導体２６ｃ，２６ｄはそれぞれ、絶縁体層１６ｅ，１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｅ，１６ｄの右側の長辺の後端近傍から反時計回り方向に約１周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体２６ｃ，２６ｄの長さは、１周分よりもわずかに短い。そのため、インダクタ導体２６ｃ，２６ｄの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｅ，１６ｄの後ろ側の短辺の中央に対して右側に位置している。また、インダクタ導体２６ｃ，２６ｄの反時計回り方向の上流側の端部は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの反時計回り方向の下流側の端部と重なっている。
【００２６】
インダクタ導体２６ｅ，２６ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｃ，１６ｂの表面に設けられている線状の導体層であり、上側から平面視したときに、絶縁体層１６ｃ，１６ｂの後ろ側の短辺の中央に対して右側の位置から反時計回り方向に約１周分だけ周回している線状の導体層である。ただし、インダクタ導体２６ｅ，２６ｆの長さは、１周分よりもわずかに短い。また、インダクタ導体２６ｅ，２６ｆの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｃ，１６ｂの後ろ側の短辺の中央に引き出されている。また、インダクタ導体２６ｅ，２６ｆの反時計回り方向の上流側の端部は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｃ，２６ｄの反時計回り方向の下流側の端部と重なっている。
【００２７】
ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｆのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ９は、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体２６ｃ，２６ｄの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。
【００２８】
ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１０は、インダクタ導体２６ｃ，２６ｄの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体２６ｅ，２６ｆの反時計回り方向の上流端とを接続している。
【００２９】
以上のように構成されたインダクタＬ３は、上側から平面視したときに、反時計回り方向の周回しながら下側から上側に向かって進行する螺旋状をなしている。
【００３０】
インダクタＬ２は、前後方向と平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしており、積層体１２の前後方向の中央付近に設けられている。すなわち、インダクタＬ２は、インダクタＬ１とインダクタＬ３との間に設けられている。これにより、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。
【００３１】
また、インダクタＬ２は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｅ及びビアホール導体ｖ４〜ｖ７により構成されている。インダクタ導体２２ａ，２２ｃ，２２ｅは、絶縁体層１６ｈの表面において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている線状の導体層である。
【００３２】
インダクタ導体２２ａは、絶縁体層１６ｈの前後方向の中央よりも前側から後ろ側に向かってわずかに延在した後、左後ろ側に向かって延在している１つの角部を有する導体である。インダクタ導体２２ａの左端は、絶縁体層１６ｈの左側の長辺の中央よりもわずかに前側に位置している。
【００３３】
インダクタ導体２２ｃは、絶縁体層１６ｈの右側の長辺の中央よりもわずかに前側の位置から左後ろ側に向かって延在している導体である。インダクタ導体２２ｃの左端は、絶縁体層１６ｈの左側の長辺の中央近傍に位置している。
【００３４】
インダクタ導体２２ｅは、絶縁体層１６ｈの右側の長辺の中央近傍から左後ろに向かって延在した後、後ろ側に向かってわずかに延在している１つの角部を有する導体である。インダクタ導体２２ｅの後端は、絶縁体層１６ｈの中央よりも後ろ側に位置している。
【００３５】
インダクタ導体２２ａの一部、インダクタ導体２２ｃ及びインダクタ導体２２ｅの一部は、互いに平行に延在している。
【００３６】
インダクタ導体２２ｂ，２２ｄは、絶縁体層１６ｂの表面上において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている線状の導体層である。したがって、インダクタ導体２２ｂ，２２ｄは、インダクタ導体２２ａ，２２ｃ，２２ｅよりも上側に設けられている。
【００３７】
インダクタ導体２２ｂは、絶縁体層１６ｂの中央よりも前側において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｂの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ａの左端と重なっている。インダクタ導体２２ｂの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｃの右端と重なっている。
【００３８】
インダクタ導体２２ｄは、絶縁体層１６ｂの中央よりも後ろ側において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｄの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｃの左端と重なっている。インダクタ導体２２ｄの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｅの右端と重なっている。
【００３９】
インダクタ導体２２ｂ及びインダクタ導体２２ｄは、互いに平行に延在している。
【００４０】
ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ４は、インダクタ導体２２ａの左端とインダクタ導体２２ｂの左端とを接続している。
【００４１】
ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ５は、インダクタ導体２２ｂの右端とインダクタ導体２２ｃの右端とを接続している。
【００４２】
ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ６は、インダクタ導体２２ｄの左端とインダクタ導体２２ｃの左端とを接続している。
【００４３】
ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ７は、インダクタ導体２２ｄの右端とインダクタ導体２２ｅの右端とを接続している。
【００４４】
以上のようなインダクタＬ２は、前側から平面視したときに、反時計回り方向に周回しながら前側から後ろ側に向かって進行する螺旋状をなしている。
【００４５】
コンデンサＣ１は、コンデンサ導体２８，３０により構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３０は、絶縁体層１６ｊの表面に設けられており、絶縁体層１６ｊの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３０はそれぞれ、絶縁体層１６ｊの前側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体２８は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられており、絶縁体層１６ｉの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体２８は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０と重なっている。これにより、コンデンサ導体２８は、絶縁体層１６ｉを介してコンデンサ導体３０と対向している。
【００４６】
コンデンサＣ２は、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂにより構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｌ，１６ｎの表面に設けられており、絶縁体層１６ｌ，１６ｎの左半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３８ａ，３８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｌ，１６ｎの表面に設けられており、絶縁体層１６ｌ，１６ｎの左半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体４０ａ，４０ｂは、絶縁体層１６ｋ，１６ｍの表面に設けられており、絶縁体層１６ｋ，１６ｍの左半分の領域において前後方向に延在する帯状をなす導体層である。コンデンサ導体４０ａ，４０ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ａ，３８ａは、絶縁体層１６ｋを介してコンデンサ導体４０ａと対向すると共に、絶縁体層１６ｌを介してコンデンサ導体４０ｂと対向し、コンデンサ導体３２ｂ，３８ｂは、絶縁体層１６ｍを介してコンデンサ導体４０ｂと対向している。
【００４７】
コンデンサＣ３は、コンデンサ導体３４，３６により構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３６は、絶縁体層１６ｊの表面に設けられており、絶縁体層１６ｊの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３６は、絶縁体層１６ｊの後ろ側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体３４は、絶縁体層１６ｉの表面に設けられており、絶縁体層１６ｉの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体３４は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６と重なっている。これにより、コンデンサ導体３４は、絶縁体層１６ｉを介してコンデンサ導体３６と対向している。
【００４８】
コンデンサＣ４は、コンデンサ導体３０及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、絶縁体層１６ｏの略全面を覆う長方形状の導体層であり、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０と重なっている。これにより、コンデンサ導体３０は、絶縁体層１６ｊ〜１６ｎを介してグランド導体４２と対向している。また、グランド導体４２は、絶縁体層１６ｏの左側の長辺の３箇所及び右側の長辺の３箇所に引き出されている。
【００４９】
コンデンサＣ５は、コンデンサ導体３２ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ｂは、絶縁体層１６ｎを介してグランド導体４２と対向している。
【００５０】
コンデンサＣ６は、コンデンサ導体３８ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３８ｂは、絶縁体層１６ｎを介してグランド導体４２と対向している。
【００５１】
コンデンサＣ７は、コンデンサ導体３６及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６と重なっている。これにより、コンデンサ導体３６は、絶縁体層１６ｊ〜１６ｎを介してグランド導体４２と対向している。
【００５２】
ビアホール導体ｖ３は、インダクタＬ１とインダクタＬ２とを直列に接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ３は、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体２２ａの前端とを接続している。
【００５３】
ビアホール導体ｖ８は、インダクタＬ２とインダクタＬ３とを直列に接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｆ，１６ｇのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ８は、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの反時計回り方向の上流側の端部とインダクタ導体２２ｅの後端とを接続している。
【００５４】
ビアホール導体ｖ１１は、インダクタＬ１，Ｌ２とコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ５とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１１は、インダクタ導体２２ａの前端とコンデンサ導体２８，３２ａ，３２ｂとを接続している。
【００５５】
ビアホール導体ｖ１２は、インダクタＬ２，Ｌ３とコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ６とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１２は、インダクタ導体２２ｅの後端とコンデンサ導体３４，３８ａ，３８ｂとを接続している。
【００５６】
外部端子１４ａは、図１Ｂに示すように、積層体１２の前面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ａは、インダクタ導体１８ａ，１８ｂ及びコンデンサ導体３０と接続されている。すなわち、外部端子１４ａは、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１，Ｃ４と接続されている。
【００５７】
外部端子１４ｂは、図１Ｂに示すように、積層体１２の後面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ｂは、インダクタ導体２６ｅ，２６ｆ及びコンデンサ導体３６と接続されている。すなわち、外部端子１４ｂは、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３，Ｃ７と接続されている。
【００５８】
外部端子１４ｃ〜１４ｅは、図１Ｂに示すように、積層体１２の左面において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている。また、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、上下方向に延在している。これにより、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、グランド導体４２と接続されている。すなわち、外部端子１４ｃ〜１４ｅは、コンデンサＣ４〜Ｃ７と接続されている。
【００５９】
外部端子１４ｆ〜１４ｈは、図１Ｂに示すように、積層体１２の右面において前側から後ろ側へとこの順に並ぶように設けられている。また、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、上下方向に延在している。これにより、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、グランド導体４２と接続されている。すなわち、外部端子１４ｆ〜１４ｈは、コンデンサＣ４〜Ｃ７と接続されている。
【００６０】
（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ及び図２Ｂを参照しながら説明する。
【００６１】
まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｍとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ１２を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ〜１６ｍとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００６２】
次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体１８ａ〜１８ｆ，２２ａ〜２２ｅ，２６ａ〜２６ｆ、コンデンサ導体２８，３０，３２ａ，３２ｂ，３４，３６，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ及びグランド導体４２を形成する。なお、インダクタ導体１８ａ〜１８ｆ，２２ａ〜２２ｅ，２６ａ〜２６ｆ、コンデンサ導体２８，３０，３２ａ，３２ｂ，３４，３６，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ及びグランド導体４２の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
【００６３】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｐとなるべきセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体に静水圧プレスなどにより本圧着を施す。
【００６４】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。
【００６５】
以上の工程により、未焼成の積層体１２が得られる。積層体１２にバレル加工を施して、面取りを行い、この未焼成の積層体１２に脱バインダー処理及び焼成を施す。
【００６６】
最後に、積層体１２の表面にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストを塗布して、外部端子１４ａ〜１４ｈの下地電極を形成する。そして、下地電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部端子１４ａ〜１４ｈを形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。なお、積層体１２にカットした後、バレル加工を行い、その次に導電性ペーストによる外部端子１４ａ〜１４ｈを形成した後、積層体１２を焼成しても構わない。
【００６７】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ２を螺旋状のインダクタとしている。螺旋状のインダクタの空芯径は渦巻状のインダクタの空芯径よりも大きいので、インダクタＬ２のＱ値を高くすることができる。また、螺旋状のインダクタＬ２のインダクタンス値は渦巻状のインダクタタンス値よりも大きい。これにより、電子部品１０の挿入損失の低減が図られる。
【００６８】
また、電子部品１０によれば、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。更に、インダクタＬ１とインダクタＬ３とは、上下方向に平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしている。また、インダクタＬ２は、前後方向に平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしている。すなわち、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸とインダクタＬ２の巻回軸とが直交している。よって、インダクタＬ１〜Ｌ３の巻回軸が一致している場合に比べて、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸とインダクタＬ２の巻回軸とが直交している場合の方が、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合が弱くなる。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間において高周波信号が伝送されにくくなり、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【００６９】
ここで、電子部品１０において、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くすることが好ましい。これにより、電子部品１０がローパスフィルタとして用いられた場合に、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。図３は、電子部品１０の通過特性を示したグラフである。縦軸は通過特性を示し、横軸は周波数を示している。
【００７０】
より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くした場合、ＬＣ並列共振器ＬＣ２により減衰極Ｐ２が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ１により減衰極Ｐ１が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ３により減衰極Ｐ３が形成される。減衰極Ｐ２の周波数は、減衰極Ｐ１，Ｐ３の周波数よりも低く、通過帯域の上限近傍に位置している。このような電子部品１０において、減衰極Ｐ２を形成しているＬＣ並列共振器ＬＣ２のインダクタＬ２を高いＱ値を有する螺旋状のインダクタにより構成すれば、減衰極Ｐ２近傍における挿入損失が低減される。その結果、図３のＡ部分に示すように、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。
【００７１】
また、電子部品１０では、インダクタＬ１とインダクタＬ２との結合度を調整することができる。より詳細には、インダクタＬ１はビアホール導体ｖ３，ｖ１１を介してコンデンサＣ５に接続されており、インダクタＬ２は、ビアホール導体ｖ１１を介してコンデンサＣ５に接続されている。すなわち、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが１本のビアホール導体ｖ１１を介してコンデンサＣ５に接続されている。ビアホール導体ｖ１１は、インダクタとして作用する。そのため、インダクタＬ１とビアホール導体ｖ１１とが電磁気結合し、インダクタＬ２とビアホール導体ｖ１１とが電磁気結合する。よって、インダクタＬ１とインダクタＬ２とがビアホール導体ｖ１１を介して互いに電磁気結合する。よって、ビアホール導体ｖ１１の長さを調整することによって、インダクタＬ１とインダクタＬ２との結合度を調整することができる。なお、同様の原理により、インダクタＬ２とインダクタＬ３との結合度も調整することができる。
【００７２】
また、電子部品１０では、インダクタＬ１，Ｌ３の低抵抗化が図られている。以下に、インダクタＬ１を例に挙げて説明する。インダクタＬ１では、インダクタ導体１８ａ，１８ｂが並列接続され、インダクタ導体１８ｃ，１８ｄが並列接続され、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆが並列接続されている。これにより、インダクタＬ１の低抵抗化が図られている。なお、インダクタＬ３も同じ理由により低抵抗化が図られている。また、インダクタＬ２においても、インダクタＬ１，Ｌ３と同じように、インダクタ導体が並列接続されてもよい。
【００７３】
また、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１における電流の周回方向とインダクタＬ３における電流の周回方向とが同じである。
【００７４】
また、電子部品１０では、コンデンサＣ４〜Ｃ７が設けられている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３を通過する高周波信号の内、通過帯域よりも高い周波数を有する高周波信号がコンデンサＣ４〜Ｃ７を介してグランドへと流れるようになる。これにより、電子部品１０のローパスフィルタとしての機能をより向上させることができる。
【００７５】
（変形例）
以下に、変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図４Ａ及び図４Ｂは、変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。電子部品１０ａの等価回路図及び外観斜視図については、図１Ａ及び図１Ｂを援用する。
【００７６】
電子部品１０ａは、インダクタＬ１，Ｌ２とコンデンサＣ５との接続構造、及び、インダクタＬ２，Ｌ３とコンデンサＣ６との接続構造において電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に電子部品１０ａの構成について説明する。
【００７７】
電子部品１０ａでは、ビアホール導体ｖ３，ｖ８，ｖ１１，ｖ１２の代わりに、ビアホール導体ｖ２１〜ｖ２４が設けられている。
【００７８】
ビアホール導体ｖ２１は、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２１は、インダクタ導体１８ｅ，１８ｆの反時計回り方向の下流側の端部とコンデンサ導体２８，３２ａ，３２ｂとを接続している。
【００７９】
ビアホール導体ｖ２２は、インダクタＬ２とコンデンサＣ５とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２２は、インダクタ導体２２ａの前端とコンデンサ導体２８，３２ａ，３２ｂとを接続している。
【００８０】
ビアホール導体ｖ２３は、インダクタＬ２とコンデンサＣ６とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ２３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２３は、インダクタ導体２２ｅの後端とコンデンサ導体３４，３８ａ，３８ｂとを接続している。
【００８１】
ビアホール導体ｖ２４は、インダクタＬ３とコンデンサＣ６とを接続する層間接続導体である。より詳細には、ビアホール導体ｖ２４は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｍを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２４は、絶縁体層１６ｆ〜１６ｍのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２４は、インダクタ導体２６ａ，２６ｂの反時計回り方向の上流側の端部とコンデンサ導体３４，３８ａ，３８ｂとを接続している。
【００８２】
以上のように構成された電子部品１０ａでは、減衰量を大きくすることができる。より詳細には、電子部品１０ａでは、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とを接続するビアホール導体ｖ２１と、インダクタＬ２とコンデンサＣ５とを接続するビアホール導体ｖ２２とが別々に設けられている。この場合、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とを接続するビアホール導体ｖ２１及びインダクタＬ１が１つのインダクタを構成し、インダクタＬ２とコンデンサＣ５とを接続するビアホール導体ｖ２２及びインダクタＬ２が１つのインダクタを構成する。そして、２つのインダクタは、電子部品１０のように１本のビアホール導体を介してコンデンサＣ５に接続されるのではなく、直接にコンデンサＣ５に接続されている。よって、電子部品１０のように、２つのインダクタが１本のビアホール導体を介して電磁気結合することがない。その結果、インダクタＬ１とインダクタＬ２との結合度が低くなる。よって、電子部品１０ａの減衰量を大きくすることができる。なお、同様の原理により、インダクタＬ２とインダクタＬ３との結合度も低くなる。
【００８３】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０，１０ａに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
【００８４】
なお、ＬＣ並列共振器の数は、３つに限らない。ＬＣ並列共振器の数は、４以上であってもよい。ｎ個のＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣｎが設けられた場合には、前後方向の両端に位置するＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣｎのインダクタＬ１，Ｌｎは、上下方向に平行な巻回軸を周回する螺旋状をなす。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣｎ−１の内の少なくとも１つのインダクタは、前後方向に平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしている。なお、この場合には、外部端子１４ａ，１４ｂの近傍に設けられているＬＣ並列共振器ＬＣ１及びＬＣ並列共振器ＬＣｎの共振周波数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２ないしＬＣ共振周波数ＬＣｎ−１の共振周波数よりも低いことが好ましい。
【００８５】
加えて、ＬＣ２〜ＬＣｎ−１の内の少なくとも１つのインダクタのコイル径が途中で変化しても良い。コイル径を変化させることで、適切なインダクタンス値を得られるように調整することができる。
【００８６】
なお、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸は、上下方向に平行であるとしたが、上下方向に対してわずかにずれていてもよい。すなわち、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸は、上下方向に沿っていればよい。
【００８７】
また、インダクタＬ２の巻回軸は、前後方向に平行であるとしたが、前後方向に対してわずかにずれていてもよい。すなわち、インダクタＬ２の巻回軸は、前後方向に沿っていればよい。
【００８８】
なお、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１における電流の周回方向とＬ３における電流の周回方向とが逆向きであってもよい。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ３との電磁気結合を強くすることができる。
【００８９】
また、電子部品１０，１０ａでは、インダクタ導体２２ｂ，２２ｄが絶縁体層１６ｂに設けられているが、インダクタ導体２２ｂ，２２ｄが異なる絶縁体層に分散して設けられていてもよい。このように、インダクタ導体２２ｂ，２２ｄの上下方向の位置を変化させることにより、インダクタＬ２の空芯径を調整することができ、インダクタＬ２のインダクタンス値を調整することができる。同じ理由で、インダクタ導体２２ａ，２２ｃ，２２ｅが異なる絶縁体層に分散して設けられていてもよい。
【００９０】
また、インダクタＬ１，Ｌ３は、上下方向に沿う巻回軸を周回する渦巻状をなしていてもよい。渦巻状のインダクタとは、上側から平面視したときに、実質的に同一平面上において複数周にわたって周回しながら中心から外周又は外周から中心に向かう形状のインダクタを意味する。
【００９１】
なお、コンデンサＣ４〜Ｃ５は、全て設けられていなくてもよく、これらのコンデンサの内の少なくともいずれか一つが設けられていればよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、電子部品に有用であり、特に、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる点において優れている。
【符号の説明】
【００９３】
Ｃ１〜Ｃ７  コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３  インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ３  ＬＣ並列共振器
ｖ１〜ｖ１２，ｖ２１〜ｖ２４  ビアホール導体
１０，１０ａ  電子部品
１２  積層体
１４ａ〜１４ｈ  外部端子
１６ａ〜１６ｐ  絶縁体層
１８ａ〜１８ｆ，２２ａ〜２２ｅ，２６ａ〜２６ｆ  インダクタ導体
２８，３０，３２ａ，３２ｂ，３４，３６，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ  コンデンサ導体
４２  グランド導体
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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