(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真方式で画像を形成する画像形成装置であって、
側壁が設けられた本体フレームと、
該本体フレームの外面を覆う外装カバーと、
高圧電源を必要とする機器に高電圧を発生させて電力を供給する高圧発生回路を含む高圧基板と、
前記画像形成装置の画像形成処理に係る制御を実行する主制御回路を含むメイン基板と、
を備え、
前記本体フレームの側壁と前記外装カバーとで形成される前記画像形成装置の側部領域に、前記高圧基板と前記メイン基板とを、少なくともその一部が重なり合うように前記側壁に沿って配置すると共に、該高圧基板を、該メイン基板の外側に配置し、
前記高圧基板の高圧発生回路は、一次側の回路の電圧を変圧して二次側の回路に高電圧を生成する変圧手段を備え、
前記メイン基板は、前記高圧基板の該一次側の回路のみと重なるように配置することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記高圧基板の一次側の回路は、前記変圧手段に通電される電流を制御するスイッチング素子を備え、
前記メイン基板は、該スイッチング素子とは重ならないように配置することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
外部電源からの電圧を所定の電圧に降圧して、少なくとも前記メイン基板に電力を供給する低圧回路を含む低圧基板を備え、
該低圧基板は、前記高圧基板の下端に連設又一体的に設けると共に、前記メイン基板と略重ならないように配置することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記高圧基板又は／及び前記低圧基板と、前記メイン基板とは、互いに部品の実装面が対向するように配置されると共に、その間に所定の空間が形成されることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記高圧基板又は／及び前記低圧基板と、前記メイン基板との間にシールド板を設け、該シールド板を、前記メイン基板、前記高圧基板又は／及び前記低圧基板の所定の発熱部品と直接又は間接に接触させてヒートシンクとしたことを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真方式で画像を形成する画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザプリンタなどの電子写真方式で画像を形成する画像形成装置は、コンセントなどの外部電源からの商用電圧（例えば１００Ｖ）を所定の低電圧に降圧する低圧回路、低圧回路からの電力の供給を受けて各種機器を制御し、画像形成装置の画像形成処理に係る制御を実行する主制御回路、帯電器や転写器などの高圧電源を必要とする機器に高電圧を発生させて電力を供給する高圧発生回路などが設けられ、これらの回路を構成するための各種基板が画像形成装置の所定箇所に配置されている。
【０００３】
近年、画像形成装置の小型化への要求がさらに高まっているが、画像形成装置を小型化するには、これらの基板配置をどのようにするかが課題となり、例えば、特許文献１に示すような技術が提案されている。即ち、この特許文献１の技術は、画像形成装置の一側面に、高圧発生回路を含む第１の電装基板と、主制御回路を構成する第２の電装基板とを、平行に重ねて近接配置するものである。このような構成にすれば、例えば、画像形成装置の両側に対向状に基板を配置するのに比して、集中して基板を配置することができ、その分、画像形成装置を小型化でき、加えて、基板間のインターフェイスが短く形成できるという利点もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１５２６０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように、単純に基板を重ねて近接配置しただけでは、つぎのような問題点が生ずる。即ち、画像形成装置の一側面という限られた領域に、基板が集中配置されるため、各基板から発生する電気放射ノイズや熱などにより、各基板が正常に機能しなくなったり、基板から外部に漏れた電気放射ノイズが外部機器に影響を及ぼしたりする虞がある。
【０００６】
特に、高圧発生回路には、電流を制御するためにオンオフするスイッチング素子としてのトランジスタや、逆起電力を発生することにより昇圧するトランスなどが電装されており、このように構成される高圧発生回路の基板に主制御回路の基板を重ね合わせると、高圧発生回路のトランジスタやトランスから発生する電気放射ノイズを主制御回路がまともに受け、重要な役割を担う主制御回路が誤作動を起こす蓋然性が高くなる。また、主制御回路の基板から発生した電気放射ノイズが外部に漏れて、近くに設置されている外部機器などに影響を与える虞がある。
【０００７】
そこで、このような電気放射ノイズや熱などを遮蔽するためにシールド板を付設するなどの対策を基板に施すことも考えられるが、その結果、基板自体が大きくなってしまい、結局、画像形成装置の小型化に寄与しないという事になりかねない。
【０００８】
本発明は、上記した問題点に鑑みなされたもので、その目的とするところは、画像形成装置の限られた領域に、高圧発生回路の基板や主制御回路の基板などを好適に配置し、基板間の距離を短くしながらも該基板の小型化を可能にすることで、画像形成装置を小型化する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような問題を解決するために、第１の発明は、電子写真方式で画像を形成する画像形成装置であって、側壁が設けられた本体フレームと、該本体フレームの外面を覆う外装カバーと、高圧電源を必要とする機器に高電圧を発生させて電力を供給する高圧発生回路を含む高圧基板と、前記画像形成装置の画像形成処理に係る制御を実行する主制御回路を含むメイン基板と、を備え、前記本体フレームの側壁と前記外装カバーとで形成される前記画像形成装置の側部領域に、前記高圧基板と前記メイン基板とを、少なくともその一部が重なり合うように前記側壁に沿って配置すると共に、該高圧基板を、該メイン基板の外側に配置することを要旨とする。
【００１０】
従って、このように構成される本発明においては、高圧基板をメイン基板のシールド板として利用することができ、メイン基板から発生する電気放射ノイズによって外部機器が影響を受けることを抑制でき、また、外部からメイン基板が受ける電気放射ノイズなどを低減することが可能になる。また、別途、メイン基板専用のシールド板を設ける必要がなく、限られた画像形成装置の側部領域を効率よく活用することができ、その結果、画像形成装置の小型化に資することができる。
【００１１】
また、第２の発明は、第１の発明において、前記高圧基板の高圧発生回路は、一次側の電圧を変圧して二次側に高電圧を生成する変圧手段を備え、前記メイン基板は、前記高圧基板の該一次側の回路のみと重なるように配置することを要旨とする。
【００１２】
従って、このように構成される本発明においては、メイン基板は、変圧手段により生成される高電圧に基づく高圧発生回路の二次側の回路から発せられる電気放射ノイズを受け難くなり、重要な役割を担う主制御回路が誤作動を起こす蓋然性が低くなる。また、メイン基板に電気放射ノイズ対策を施す必要がなく、その分、メイン基板を小さく形成することもできる。
【００１３】
さらに、メイン基板が高圧基板の一次側の回路と重なる場合、次のように構成するとよい。即ち、第３の発明は、第２の発明において、前記高圧基板の一次側の回路は、前記変圧手段に通電される電流を制御するスイッチング素子を備え、前記メイン基板は、該スイッチング素子とは重ならないように配置することを要旨とする。
【００１４】
従って、このように構成される本発明においては、メイン基板は、高圧基板の一次側の回路と重なっていても、この一次側の回路に設けられたスイッチング素子のオンオフに基づいて発せられる電気放射ノイズを受け難くなり、その結果、さらに主制御回路が誤作動を起こす蓋然性が低くなり、第２の発明の効果を顕著にすることができる。
【００１５】
また、第４の発明は、第１の発明〜第３の発明の何れか１つにおいて、外部電源からの電圧を所定の電圧に降圧して、少なくとも前記メイン基板に電力を供給する低圧回路を含む低圧基板を備え、該低圧基板は、前記高圧基板の下端に連設又一体的に設けると共に、前記メイン基板と略重ならないように配置することを要旨とする。
【００１６】
従って、このように構成される本発明においては、低圧基板は、高圧基板の下端に連設又一体的に設けられるので、これらの基板（メイン基板、低圧基板、高圧基板）を効率よく配置することができ、これにより画像形成装置の側部領域をより小さく形成することが可能となる。特に、低圧基板が高圧基板に一体的に設けられる場合には、伝導や輻射などによる熱が放熱し易くなる。さらに、メイン基板は、比較的大きな電流が流れる低圧基板と略重ならないように配置されるので、画像形成装置の側部領域に低圧基板が一緒に設けられる場合であっても、低圧基板から発せられる電気放射ノイズや熱などを受け難くなる。
【００１７】
また、第５の発明は、第４の発明において、前記高圧基板又は／及び前記低圧基板と、前記メイン基板とは、互いに部品の実装面が対向するように配置されると共に、その間に所定の空間が形成されることを要旨とする。
【００１８】
従って、このように構成される本発明においては、基板間に形成された空間が通り道となって、この空間にエアーが流れ易くなり、且つ、高圧基板又は／及び低圧基板と、メイン基板とは、互いに部品の実装面が対向するように配置されるので、この空間に流れるエアーによって、各基板上の部品を効率的に冷却することができ、これにより基板間の距離を短くすることができる。
【００１９】
また、第６の発明は、第５の発明において、前記高圧基板又は／及び前記低圧基板と、前記メイン基板との間にシールド板を設け、該シールド板を、前記メイン基板、前記高圧基板又は／及び前記低圧基板の所定の発熱部品と直接又は間接に接触させてヒートシンクとしたことを要旨とする。
【００２０】
従って、このように構成される本発明においては、シールド板をヒートシンクとしても使用できるので、もともと基板上に設けられているヒートシンクを小さくしたり、不要にしたりすることも可能となり、これにより、基板間の距離を短くしながらも、各基板を小さく形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係わるレーザプリンタ１の概略構成を示す正断面図である。
【図２】本実施形態に係わる低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０の配置を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本実施形態に係わるレーザプリンタ１の基板構成を示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係わる高圧基板５０の構成の一部を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
＜レーザプリンタの全体構成＞
以下に、本発明を実施するための形態を図１〜４を参照しながら説明する。本発明に係る画像形成装置は、電子写真方式で画像を形成するレーザプリンタ１であって、このレーザプリンタ１は、図１に示すように、略箱型をなすケーシング３内に、用紙カセット１１とプロセスユニット１３を収容している。
【００２３】
用紙カセット１１は、形成した画像を転写するための用紙が積載されるもので、ケーシング３の下部に設けられている。プロセスユニット１３は、用紙カセット１１の上方に設けられる画像を形成するための装置であって、例えば、感光ドラム、スコロトロン帯電器、現像カートリッジ、転写ローラなどにより構成され、後述の高圧基板５０から高圧電力を受けて、帯電、現像、転写等の処理を行う。なお、図１は、レーザプリンタ１の概略構成を示す正断面図である。
【００２４】
ケーシング３は、骨組みとなる本体フレーム５と、この本体フレーム５の外面に覆い付けられた合成樹脂製の外装カバー７とから構成されている。本体フレーム５には、互いに対向する一対の側壁５Ａ、５Ｂが立設されており、ケーシング３の側部（図１において右側）には、側壁５Ａと外装カバー７とで側部領域９が形成されている。
【００２５】
側部領域９には、図１、２に示すように、コンセントなどの外部電源からの商用電圧を所定の低電圧に降圧する低圧回路が設けられた低圧基板２０、レーザプリンタ１の画像形成処理に係る制御を実行する主制御回路が設けられたメイン基板３０、高圧電源を必要とする機器に高電圧を発生させて電力を供給する高圧発生回路、例えば、感光ドラムの表面を一様に帯電するためのスコロトロン帯電器、感光ドラムの表面に形成された静電潜像に対してトナー（現像剤）を供給するための現像ローラ、さらには、顕像された感光ドラム上のトナー像（現像剤像）を記録用紙に転写するための転写ローラなどに対して高電圧を供給する高圧発生回路が設けられた高圧基板５０が集中的に収納されている。なお、図２は、低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０の配置を示す図１のＡ−Ａ断面図である。
【００２６】
＜レーザプリンタの基板構成＞
次に、図３を参照しながら、レーザプリンタ１の基板構成について説明する。図３は、レーザプリンタ１の基板構成を示すブロック図である。レーザプリンタ１の基板構成は、上述したように、側部領域９に収納された低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０からなっている。
【００２７】
低圧基板２０は、図示しない商用電源、例えば、１００Ｖ電源のコンセントから電力の供給を受け、用途別に、例えば制御回路用の３．３Ｖ、インターフェイス用の５Ｖ、高圧基板５０のトランスを駆動するための２４Ｖに分割・変圧してメイン基板３０などに給電する回路基板であって、メイン基板３０や高圧基板５０に比して大きな電流が流れるようになっている。
【００２８】
メイン基板３０は、図示しないＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を備え、低圧基板２０から電力の供給を受けて、レーザプリンタ１の各部を制御する回路基板である。また、メイン基板３０は、高圧基板５０の出力電力を制御するためのＰＷＭ信号を高圧基板５０に供給すると共に、高圧基板５０のトランスの二次側からの出力電力の帰還信号としてのＦＢ信号を入力してＰＷＭのデューティ比を可変制御する。
【００２９】
高圧基板５０は、メイン基板３０を介して低圧基板２０から３．３Ｖ及び２４Ｖの電源電圧を受け、メイン基板３０から供給されたＰＷＭ信号に基づき、供給された電圧を昇圧して、プロセスユニット１３に出力すると共に、その出力の一部をフィードバックし、ＦＢ信号としてメイン基板３０に帰還させる回路基板である。なお、図３においては、高圧基板５０は、メイン基板３０を介して電源電圧の供給を受けるように構成したが、これは、低圧基板２０から直接受けるようにしてもよい。
【００３０】
＜高圧基板の回路構成＞
次に、図４を参照しながら、高圧基板５０の回路構成について説明する。図４は、高圧基板５０の構成の一部を示す回路図である。高圧基板５０は、２４Ｖの直流電源からの通電により一次側巻線４０Ａに電流を流し、その電流がコアにより磁気エネルギーに変換され、そのエネルギーが二次側巻線４０Ｂに伝わることにより、電流に変換される変圧手段としてのトランス４０と、一次側巻線４０Ａに通電される電流をスイッチングするスイッチング素子としてのトランジスタ４１と、そのトランジスタ４１のベース電流を制御する電流制御部５４とを備えている。また、トランジスタ４１のベースと電流制御部５４との間にはトランス４０の補助巻線４０Ｃが設けられている。
【００３１】
電流制御部５４は、出力されたＰＷＭ信号を平滑するための抵抗器５１、コンデンサ５２を有するＰＷＭ信号平滑回路と、その抵抗器５１、コンデンサ５２間の電圧が抵抗器５３を介してベースに印加されるトランジスタ５５とを備えている。また、トランジスタ５５のエミッタは、抵抗器５７を介して３．３Ｖの直流電源に接続され、コレクタは、抵抗器５８を介して補助巻線４０Ｃに接続されている。
【００３２】
このように構成される高圧基板５０は、ＰＷＭ信号が出力されると、そのＰＷＭ信号の電圧は抵抗器５１、コンデンサ５２により平滑化されてトランジスタ５５のベースに印加される。そして、メイン基板３０によりＦＢ信号の値に応じて可変制御されるＰＷＭ信号のデューティ比が所定値になると、トランジスタ５５がオンしてコレクタ電流に対応した電流が通電され、トランジスタ４１に補助巻線４０Ｃを介してベース電流が流れる。すると、トランジスタ４１がオンされ、２４Ｖの直流電源から一次側巻線４０Ａを介してコレクタ電流が流れ、トランス４０の磁束は上昇していく。
【００３３】
このコレクタ電流は、ベース電流の電流値をトランジスタ４１の増幅率だけ増幅した上限電流値以上にはならないので、トランジスタ４１のコレクタ電流は飽和する。すると、一次側巻線４０Ａから供給された磁束の上昇がなくなり、補助巻線４０Ｃの両端間の電位が減少し、トランジスタ４１のベース電流が減少し、トランジスタ４１は急激にオフする。このとき、トランス４０の逆起電力により、トランス４０に蓄えられたエネルギーが二次側巻線４０Ｂに伝わり、電圧が昇圧されて、二次側巻線４０Ｂに高電圧が発生する。
【００３４】
一方、二次側巻線４０Ｂには、整流用のダイオード４５が直列接続され、その二次側巻線４０Ｂ，ダイオード４５からなる直列回路の両端間には、平滑化用のコンデンサ４６と放電用の抵抗器４７とが並列に接続されており、二次側巻線４０Ｂの高圧側から、転写ローラに通電される転写出力がなされる。また、二次側巻線４０Ｂの低圧側は抵抗器４９を介して接地されており、その抵抗器４９に流れる電流によって発生した電圧が、ＦＢ信号としてメイン基板３０に入力される。
【００３５】
なお、図４では、高圧基板５０は、プロセスユニット１３の転写ローラに供給する転写電流（転写出力）のための高圧発生回路のみを示しており、定電流制御によって感光ドラムと転写ローラとの間に転写バイアスが印加されるようになっているが、他の機器（スコロトロン帯電器や現像ローラなど）への高電圧を発生させて電力を供給する電力供給系については、転写ローラと略同様であるので、図示を省略している。ただし、スコロトロン帯電器や現像ローラなどに供給される高電圧は、転写ローラに供給される高電圧とは正負の極性が異なるとともに、定電圧制御を必要とする場合には、その出力電圧に比例した電圧がＦＢ信号としてメイン基板３０に入力されるような回路構成となっている。
【００３６】
＜レーザプリンタの基板配置＞
次に、図１、２、４を参照しながら、レーザプリンタ１の側部領域９に収納される低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０の配置関係について詳述する。まず、メイン基板３０は、図１に示すように、垂直状に立設された本体フレーム５の側壁５Ａに沿って立設され、この際、部品の実装面３０Ａが外装カバー７と対向する向きに配置されている。
【００３７】
一方、高圧基板５０は、メイン基板３０との間に所定の空間が形成されて、該メイン基板３０と平行状に立設され、部品の実装面５０Ａがメイン基板３０の実装面３０Ａと対向する向きに配置されている。つまり、高圧基板５０は、メイン基板３０の外側に配置され、外装カバー７近傍に形成されている。これにより、高圧基板５０をメイン基板３０のシールド板として利用することができる。
【００３８】
また、低圧基板２０は、高圧基板５０の下端に連設され、部品の実装面２０Ａが高圧基板５０の実装面５０Ａと同じ方向を向くように配置されている。つまり、低圧基板２０は、メイン基板３０との間に所定の空間が形成されて、該メイン基板３０と平行状に立設され、部品の実装面２０Ａがメイン基板３０の実装面３０Ａと対向する向きに配置されている。これにより、低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０を効率よく配置することができ、また、メイン基板３０と低圧基板２０及び高圧基板５０との間に形成される空間にエアーが流れ易くなる。なお、高圧基板５０の下端と低圧基板２０の上端とは、僅かな隙間があってもよい。
【００３９】
低圧基板２０、メイン基板３０、高圧基板５０は、図２に示すように、それぞれ大きさの異なる矩形状に形成されている。高圧基板５０は、これらの基板の中で横方向に最も長く形成され、後側（図２のリア側）に一次側の回路（以下、一次側回路と称す）５０Ｂ、前側（図２のフロント側）に二次側の回路（以下、二次側回路と称す）５０Ｃが形成されている。より詳しくは、図４に示すように、高圧基板５０には、トランス４０を境界にして、略一次側巻線４０Ａより後側に一次側回路５０Ｂが、略二次側巻線４０Ｂより前側に二次側回路５０Ｃが形成されている。
【００４０】
低圧基板２０は、その高さは、ほぼ高圧基板５０と同じ長さに形成され、横方向の長さは、高圧基板５０よりも若干短く形成されている。そして、図２に示すように、低圧基板２０は、前端位置が高圧基板５０の前端位置と一致し、後端位置は、高圧基板５０の一次側回路５０Ｂの後端寄りの位置まで延在するように配置されている。
【００４１】
メイン基板３０は、横方向に最も短い、ほぼ高圧基板５０の半分程度の長さに形成される一方、縦方向には、高圧基板５０よりも若干長く形成されている。そして、図２に示すように、メイン基板３０は、前端位置が高圧基板５０の一次側回路５０Ｂのほぼ中央と重なるように配置され、後端位置は、ケーシング３の側部近傍まで延在するように配置されている。また、メイン基板３０は、上端が、高圧基板５０の上端よりも僅かに高く位置し、一方、下端は、高圧基板５０の下端よりも若干下方まで延在している。
【００４２】
つまり、メイン基板３０と、低圧基板２０及び高圧基板５０との配置関係は、メイン基板３０の前端位置は、図４に示す一点鎖線の直線ＶＬとなり、即ち、メイン基板３０は、高圧基板５０と、直線ＶＬより後側の一次側回路５０Ｂの領域５０Ｄと重なり合い、且つ、低圧基板２０の図２に示す上部後端箇所の領域２０Ｂと僅かに重なり合っている。
【００４３】
ここで、直線ＶＬの位置、換言すれば、メイン基板３０の前端位置は、逆起電力を発生することにより一次側回路５０Ｂの電圧を変圧して二次側回路５０Ｃに高電圧を生成する変圧手段としてのトランス４０は勿論のこと、トランス４０に通電される電流を制御するためにオンオフするスイッチング素子としてのトランジスタ４１にも重ならないように配置されている。
【００４４】
即ち、メイン基板３０は、電気放射ノイズの発生が比較的少ない高圧基板５０の一次側回路５０Ｂの領域５０Ｄと重なり、電気放射ノイズを発生し易い高圧基板５０の二次側回路５０Ｃ、トランス４０、トランジスタ４１とは重ならないようになっている。これにより、メイン基板３０は、二次側回路５０Ｃから発せられる電気放射ノイズや、トランス４０、トランジスタ４１から発せられる電気放射ノイズを受け難くなる。また、メイン基板３０は、比較的大きな電流が流れる低圧基板２０とほとんど重ならないので、低圧基板２０から発せられる電気放射ノイズや熱なども受け難くなる。
【００４５】
＜シールド板の構成＞
また、低圧基板２０及び高圧基板５０と、メイン基板３０との間の空間にはシールド板８０が設けられている。このシールド板８０は、図１、２に示すように、低圧基板２０より一回り小さい薄板矩形状に形成され、低圧基板２０と対向するように平行状に立設されている。
【００４６】
ここで、低圧基板２０には、電装されるトランジスタなどの発熱部品から発せられる熱を放熱するため、該発熱部品と接触するヒートシンク２２が設けられるようになっており、シールド板８０は、このヒートシンク２２と接触するように設けられている。つまり、シールド板８０は、低圧基板２０の発熱部品とヒートシンク２２を介して間接的に接触している。
【００４７】
従って、このように構成されるシールド板８０には、低圧基板２０からの電気放射ノイズを遮蔽する機能に加え、低圧基板２０の発熱部品からの熱を放熱するヒートシンクとしての機能も持たせることができる。なお、シールド板８０の材料としては、アルミニウム、銅、鉄などの熱伝導性のよい金属が好ましい。
【００４８】
＜本実施形態の効果＞
以上のように構成される本発明に係る画像形成装置としてのレーザプリンタ１では、以下のような効果を奏する。
【００４９】
（１）本体フレーム５の側壁５Ａと外装カバー７とで形成される側部領域９に、側壁５Ａに沿ってメイン基板３０と高圧基板５０とを平行状に立設し、且つ高圧基板５０をメイン基板３０の外側に配置したので、高圧基板５０をメイン基板３０のシールド板として利用することができ、別途、メイン基板３０専用のシールド板を設けることなく、メイン基板３０から発生する電気放射ノイズによって外部機器が影響を受けることを抑制でき、また、外部からメイン基板３０が受ける電気放射ノイズなどを低減することができる。
【００５０】
（２）メイン基板３０は、高圧基板５０の一次側回路５０Ｂの領域５０Ｄのみと重なり、電気放射ノイズを発生し易い二次側回路５０Ｃ、トランス４０（変圧手段）、トランジスタ４１（スイッチング素子）とは重ならないので、これらの機器から発せられる電気放射ノイズを受け難くなり、これにより、画像形成処理に係る重要な制御を実行するメイン基板３０が誤作動を起こす蓋然性が低くなる。
【００５１】
（３）メイン基板３０の実装面３０Ａと高圧基板５０の実装面５０Ａとが対向する向きに所定の空間を隔てて配置され、低圧基板２０は、実装面２０Ａが実装面５０Ａと同じ向きになるように高圧基板５０の下端に連設されているので、この空間に流れるエアーによって、各実装面２０Ａ、３０Ａ、５０Ａ上の部品を効率的に冷却することができ、これによりメイン基板３０と高圧基板５０及び低圧基板２０との間の距離を短くすることができる。即ち、側部領域９を小さく形成することができ、レーザプリンタ１を小型化することができる。
【００５２】
（４）メイン基板３０は、比較的大きな電流が流れる低圧基板２０とほとんど重ならないように配置されているので、つまり、低圧基板２０の領域２０Ｂという僅かな領域にしか重ならないように配置されているので、低圧基板２０から発せられる電気放射ノイズや熱などを受け難くなり、その結果、メイン基板３０に低圧基板２０からの電気放射ノイズ対策を施す必要がなく、その分、メイン基板３０を小さく形成することができる。
【００５３】
（５）メイン基板３０と低圧基板２０及び高圧基板５０との間の空間に、シールド板８０を低圧基板２０と対向するように設け、このシールド板８０を低圧基板２０の予め設けられているヒートシンク２２と接触させるようにしたので、シールド板８０を低圧基板２０の発熱部品からの熱を放熱するヒートシンクとして利用でき、低圧基板２０の放熱効果を高めることができる共に、もともと低圧基板２０上に設けられているヒートシンクを小さくすることができる。
【００５４】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態に係わるレーザプリンタ１を図面に基づいて説明してきたが、具体的な構成は実施形態に示したものに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更や追加などがあっても本発明に含まれる。
【００５５】
例えば、本実施形態では、低圧基板２０は、高圧基板５０の下端に連設するように構成したが、これは、低圧基板２０を高圧基板５０と一体的に設けるようにしてもよい。つまり、１枚の基板の上側に高圧発生回路、下側に低圧回路を形成するようにしてもよい。このように構成すれば、メイン基板３０との空間に流れるエアーに加え、伝導や輻射などによる熱が基板を大きく形成したことにより、さらに放熱し易くなる。
【００５６】
また、シールド板８０は、低圧基板２０のヒートシンク２２と接触させるようにしたが、これは、シールド板８０を上方に延ばし、図１に示すメイン基板３０のヒートシンク３２や高圧基板５０のヒートシンク５６と接触させるようにしてもよく、さらには、シールド板８０を全てのヒートシンク２２、３２、５６と接触させるようにしてもよい。このように構成すれば、シールド板８０の放熱効果をさらに高めることができる。
【００５７】
或いは、シールド板８０は、低圧基板２０の発熱部品と直接接触するように設けてもよい。このように構成すれば、低圧基板２０に設けられるヒートシンク２２を省略することも可能となり、これは、メイン基板３０や高圧基板５０に対しても同様である。
【符号の説明】
【００５８】
１…レーザプリンタ、  ３…ケーシング、
５…本体フレーム、  ５Ａ、５Ｂ…側壁、
７…外装カバー、  ９…側部領域、
１１…用紙カセット、  １３…プロセスユニット、
２０…低圧基板、  ２０Ａ、３０Ａ、５０Ａ…実装面、
２０Ｂ、５０Ｄ…領域、  ２２、３２、５６…ヒートシンク、
３０…メイン基板、  ４０…トランス、
４０Ａ…一次側巻線、  ４０Ｂ…二次側巻線、
４０Ｃ…補助巻線、  ４１、５５…トランジスタ、
４５…ダイオード、  ４６、５２…コンデンサ、
４７、４８、４９、５１、５３、５７、５８…抵抗器、  ５０…高圧基板、
５０Ｂ…一次側回路、  ５０Ｃ…二次側回路、
５４…電流制御部、  ８０…シールド板。
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図１】
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