(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品基板とダミー基板を少なくとも含む各種基板を所定枚数ずつ処理する複数の処理室と、
前記所定枚数となるように、前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数を決定する枚数決定手段と、
前記ダミー基板の交換のための累積膜厚値の閾値を指定する累積膜厚情報、及び前記ダミー基板の搬入先である前記複数の処理室のうちいずれか一つの処理室を指定する割当情報を少なくとも設定する設定手段と、を少なくとも有する制御手段と、を有し、
前記制御手段が、
前記処理室毎に前記製品基板を前記所定枚数ずつ搬送し、前記処理室内で前記製品基板を処理するとき、
各処理室内で処理される前記製品基板の枚数が前記各処理室で一度に処理される前記所定枚数より不足した場合、
前記ダミー基板の表面上への１回の処理における膜厚値と前記ダミー基板の枚数に基づいて、前記処理室内で処理される前記ダミー基板の表面上に堆積される累積膜厚値の総和を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記累積膜厚値の総和が前記処理室間で同じとなるよう前記ダミー基板を前記枚数決定手段に決定させ、前記割当情報に基づいて選択された前記処理室に対して前記ダミー基板を決められた枚数ずつ搬送するよう制御する基板処理装置。
【請求項２】
処理室毎に処理される製品基板とダミー基板を少なくとも含む各種基板が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用されるダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、
前記ダミー基板の交換のための累積膜厚値の閾値を指定する累積膜厚情報、及び前記ダミー基板の搬入先である前記複数の処理室のうちいずれか一つの処理室を指定する割当情報を少なくとも設定する設定工程と、
前記製品基板及び前記ダミー基板のうち少なくとも一方の基板を所定枚数になるまで前記処理室に搬送する基板搬送工程と、を含む基板搬送方法であって、
前記枚数決定工程では、前記ダミー基板の表面上への１回の処理における膜厚値と前記ダミー基板の枚数に基づいて、前記処理室内で処理される前記ダミー基板の表面上に堆積される累積膜厚値の総和を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記累積膜厚値の総和が、前記処理室間で同じになるように前記ダミー基板を決定し、
前記基板搬送工程において、前記割当情報に基づいて選択された前記処理室に対して前記ダミー基板を決められた枚数ずつ搬送する基板搬送方法。
【請求項３】
処理室毎処理される製品基板とダミー基板を少なくとも含む各種基板が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用されるダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、
前記ダミー基板の交換のための累積膜厚値の閾値を指定する累積膜厚情報、及び前記ダミー基板の搬入先である前記複数の処理室のうちいずれか一つの処理室を指定する割当情報を少なくとも設定する設定工程と、
前記製品基板及び前記ダミー基板のうち少なくとも一方の基板を所定枚数になるまで前記処理室に搬送する基板搬送工程と、
前記処理室毎に前記所定枚数の前記各種基板を処理する基板処理工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記基板搬送工程において、各処理室内で処理される前記製品基板の枚数が前記各処理室で一度に処理される前記所定枚数より不足した場合、前記枚数決定工程において、前記ダミー基板の表面上への１回の処理における膜厚値と前記ダミー基板の枚数に基づいて、前記処理室内で処理される前記ダミー基板の表面上に堆積される累積膜厚値の総和を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記累積膜厚値の総和が、前記処理室間で同じになるように前記ダミー基板を決定し、前記割当情報に基づいて選択された前記処理室に対して前記ダミー基板を決められた枚数ずつ搬送し、前記処理室毎に前記製品基板と前記ダミー基板を少なくとも含め前記所定枚数ずつ搬送する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記制御手段は、
各処理室内で処理される前記製品基板の枚数が前記各処理室で一度に処理される枚数より不足した場合、前記ダミー基板に形成される累積膜厚値の総和を、前記ダミー基板の枚数の総和で除算した値を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記除算した値が、前記処理室間で同じとなるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する請求項１の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、
各処理室内で処理される前記製品基板の枚数が前記各処理室で一度に処理される枚数より不足した場合、一回の処理で前記処理室内に形成される膜厚値を、前記処理室内で使用された前記ダミー基板の枚数で積算した値を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記積算した値が、前記処理室間で同じとなるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する請求項１の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、複数回ロット処理するとき、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際に、
前記処理室毎の前記ダミー基板に形成される堆積膜の累積積算値の総和を前記処理室毎に使用された前記ダミー基板の累積枚数で除算した値を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記除算した値が、前記処理室間で同じとなるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する請求項１の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、前記各種基板を複数回処理するとき、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際に、
前記処理室内に形成される堆積膜を前記処理室内で使用された前記ダミー基板の枚数で積算した値の累積値を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、前記累積値が、前記処理室間で同じとなるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する請求項１の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記製品基板を振り分け、前記製品基板を複数回処理するとき、
各処理室内で処理される前記製品基板の枚数が前記各処理室で一度に処理される前記所定枚数より不足した場合、
少なくとも前回の処理までに、前記ダミー基板の表面上への１回の処理における膜厚値と前記処理室内で処理された前記ダミー基板の枚数に基づいて、前記処理室内で処理された前記ダミー基板の表面上に堆積された前記膜厚値の総和を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、
今回の処理では、前記膜厚値の総和が多いと判定した処理室に前記製品基板を搬送し、前記膜厚値の総和が少ないと判定した処理室に前記ダミー基板を搬送するよう前記枚数決定手段に決定させ、決定された前記処理室に前記設定手段で指定された前記累積膜厚情報及び前記割当情報に基づいて前記ダミー基板を決められた枚数搬送し、
前記複数回処理された後、前記処理室毎に使用された前記ダミー基板の枚数を同じにするよう制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記製品基板を振り分け、前記製品基板を複数回処理するとき、
各ロット処理開始前に、前記ダミー基板の表面上への１回の処理における膜厚値と前記ダミー基板の枚数に基づいて、前回のロットまでに前記処理室内で処理された前記ダミー基板の表面上に堆積された前記膜厚値の総和を前記処理室毎に算出し、算出した結果を各処理室間で比較し、
今回のロット処理では、前記膜厚値の総和が多いと判定した処理室に前記製品基板を搬送し、前記膜厚値の総和が少ないと判定した処理室に前記ダミー基板を搬送するよう前記枚数決定手段に決定させ、決定された前記処理室に前記設定手段で指定された前記累積膜厚情報及び前記割当情報に基づいて前記ダミー基板を決められた枚数搬送し、
前記複数回ロット処理された後、前記処理室毎に使用された前記ダミー基板の枚数を同じにする請求項１の基板処理装置。
【請求項１０】
更に、前記ロット処理を開始する処理室を指定するための操作画面を備え、
各ロット処理開始前に、前記操作画面上で指定された処理室に前記ロット処理で処理される製品基板を搬送する請求項８または請求項９の基板処理装置。
【請求項１１】
前記操作画面は、前記ロット処理を開始する処理室に指定された処理室を明示するよう構成されている請求項１０の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板(半導体ウェハ)等の基板を一括で処理する処理室を備えた基板処理装置において、ダミー基板を用いる場合の一般的な運用方法としては、複数のダミー基板を収納した基板収納手段を基板処理装置に常駐させ、製品基板が処理室内で処理可能な基板枚数に満たない場合、基板収納手段から不足分のダミー基板を搬出し、処理室内で１回に処理される基板の組み合わせ（以下、バッチという）を構成する。基板処理が施されたダミー基板は、基板収納手段内へ戻され繰り返し使用される。例えば、特許文献１によれば、ロットの最後に生じてしまう基板載置台の空きスペースをダミー基板で埋めることにより、処理室内の処理品質の向上が図られている。
【０００３】
また、ダミー基板は繰り返し使用されるため、例えば基板処理が成膜処理である場合、複数回使用されるうちにダミー基板上には堆積膜が累積していく。そこで、累積膜厚値の増大による膜剥がれや発塵、堆積膜の応力によるダミー基板の反りや変形を未然に防ぐため、所定の使用回数又は所定の累積膜厚値を超過した場合にはダミー基板を交換する。工場の製造ラインでは、複数枚のダミー基板のいずれかが上記所定値を超えると基板収納手段ごとダミー基板が交換され、一様に廃棄されるか再生される。そこで、例えばダミー基板の累積膜厚値等に基づきダミー基板を選択することにより、全ダミー基板について有効利用が図られてきた（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３８２４８３５号公報
【特許文献２】特許第４２９４９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のダミー基板の運用に際し、処理室を複数備えた基板処理装置では、各処理室間での相互汚染等を抑制するうえで、処理室毎に使用するダミー基板を分けることが望ましい。しかしながら、例えば処理室毎に基板処理の内容が異なる場合等にダミー基板の使用状況に偏りが生じ、累積膜厚値の少ないダミー基板であっても交換時期に達したダミー基板とともに交換され廃棄されてしまう。
【０００６】
このように、ダミー基板の使用回数や使用枚数の偏りは、ダミー基板全体での使用効率の低下を招く。そこで、本発明者等は、処理室毎のダミー基板の割り当て、ダミー基板を優先使用する処理室や使用するダミー基板の順位付け、基板処理の内容で括ったグループ単位ごとのバッチ組みの手法等について鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成させるに至った。尚、ここでは、バッチを構成することをバッチ組みと称する。
【０００７】
本発明の目的は、ダミー基板の使用効率の向上及び交換頻度の増加の抑制が可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室を複数備えた基板処理装置であって、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定し、前記ダミー基板が均等に使用されるよう制御する制御手段を備えた基板処理装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、前記制御手段は、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数を、前記処理室間で略同枚数となるように決定するよう構成される基板処理装置が提供される。
【００１０】
更に、本発明の他の態様によれば、前記制御手段が、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、前記各種基板を複数回処理するとき、
少なくとも前回処理における処理室毎の前記ダミー基板の膜厚値を比較し、前記膜厚値が少ない処理室に前記ダミー基板を搬送するよう構成される基板処理装置が提供される。
【００１１】
本発明のさらに他の態様は、処理室毎の各種基板が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用されるダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、前記各種基板を搬送する基板搬送工程と、を含む基板搬送方法であって、前記枚数決定工程では、前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数が、前記処理室間で略同枚数になるように決定する基板搬送方法である。
【００１２】
本発明のさらに他の態様は、処理室毎の各種基板が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用されるダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、前記各種基板を搬送する基板搬送工程と、前記処理室毎に前記各種基板を処理する基板処理工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記枚数決定工程では、前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数が、前記処理室間で略同枚数になるように決定する半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ダミー基板の使用効率の向上及び有効なダミー基板の運用が可能となり、ダミー基板の使用回数や使用枚数の処理室間の偏りを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理を管理するレシピとジョブとの関係を示すクラス関連図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る振分処理を行う際のレシピとジョブとの関係を示すオブジェクト関連図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る並行処理を行う際のレシピとジョブとの関係を示すオブジェクト関連図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る制御手段によるジョブ生成の一例を示す説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御手段の構成図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の備える表示装置の表示画面の一例である。
【図８】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御手段により実行されるソフトウエア上の主なクラスの関係を示すクラス関連図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御手段により実行されるソフトウエアを示す機能構成図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る基板処理装置における基板処理工程の概要を示すフロー図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行する材料管理手段によるキャリアカセット受け入れ処理のフロー図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するジョブ制御手段によるジョブ生成処理及びグループ制御手段によるジョブのグループ化処理のフロー図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するグループ制御手段によるバッチ開始要求処理のフロー図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するグループ制御手段による今回実行グループ決定処理のフロー図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段によるバッチ組み処理のフロー図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段による基板枚数決定処理の前半を示すフロー図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段による基板枚数決定処理の後半を示す図であって、アルゴリズムＡ１を用いたときのフロー図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段による基板枚数決定処理の後半を示す図であって、アルゴリズムＡ２を用いたときのフロー図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段による基板枚数決定処理の後半を示す図であって、アルゴリズムＡ３を用いたときのフロー図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するバッチ組み手段によるダミー優先使用ＰＭ順決定処理のフロー図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するグループ制御手段によるバッチ投入処理のフロー図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る制御手段が実行するＰＭ管理手段によるＰＭステータス更新処理及び材料管理手段によるダミー基板ステータス更新処理のフロー図である。
【図２３】本発明の実施例１，２及び比較例１に係る基板処理装置において、異なるシーケンスレシピによるロット内処理の結果を示す説明図である。
【図２４】本発明の実施例１，２及び比較例１に係る基板処理装置において、異なるシーケンスレシピによる複数ロット処理の結果を示す説明図である。
【図２５】本発明の実施例３及び比較例２に係る基板処理装置において、同一のシーケンスレシピによる複数ロット処理の結果を示す説明図である。
【図２６】本発明の他の実施例に係る基板処理装置において、システムコマンドを選択する画面の一実施例を示す図である。
【図２７】本発明の他の実施例に係る基板処理装置において、ロットを開始する際に、初めに製品基板が投入されるプロセスチャンバＰＭを選択する画面の一実施例を示す説明図である。
【図２８】本発明の他の実施例に係る基板処理装置におけるデータ処理の結果を示す一実施例を示す画面である。
【図２９】本発明の他の実施例に係る基板処理装置において、制御部２３９に実現される機能構成を示す図である。
【図３０】本発明の他の実施例を具体的に説明するための一実施例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
【００１６】
（１）基板処理装置の構成
まずは、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略構成図である。  
【００１７】
図１に示すように、基板処理装置１０は真空側と大気側とに分れている。
【００１８】
（真空側の構成）
基板処理装置１０の真空側には、真空気密可能な真空搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）と、予備室としてのロードロック室ＬＭ（Ｌｏａｄ  Ｌｏｃｋ  Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＬＭ２と、複数の基板Ｗを一括処理する処理室としてのプロセスチャンバＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ）１，ＰＭ２と、が設けられる。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、真空搬送室ＴＭの外周を囲むように配置されている。
【００１９】
真空搬送室ＴＭは、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐えることが出来る構造に構成されている。なお、本実施形態においては、真空搬送室ＴＭの筐体は、平面視が五角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
【００２０】
真空搬送室ＴＭ内には、搬送手段としての真空ロボットＶＲが設けられている。真空ロボットＶＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２との間で、シリコン（Ｓｉ）等からなる製品基板やダミー基板等の基板Ｗの搬送を基板載置部である２本のアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットＶＲは、真空搬送室ＴＭの気密性を維持しつつ昇降できるように構成される。また、２本のアームはそれぞれ水平方向に伸縮でき、係る水平面内で回転移動できるように構成されている。また、真空搬送室ＴＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。
【００２１】
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、基板Ｗが載置される基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５およびＳＴ２１〜ＳＴ２５をそれぞれ備え、例えば基板Ｗを５枚ずつ一括処理する多枚葉式の処理室として構成されている。すなわち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、それぞれが例えばプラズマ等を用いたエッチングやアッシング、化学反応による成膜（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）など、基板Ｗに付加価値を与える処理室として機能する。
【００２２】
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、その機能に応じた各種の構成、例えばガス導入・排気機構や温度制御・プラズマ放電機構（いずれも図示せず）を備えている。これらの機構は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内へ供給する処理ガスの流量を制御する図示しないマスフローコントローラ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の温度を制御する図示しない温度調整器、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４などを備えている。上記各構成は、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐに電気的に接続されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐを含む制御手段としての制御部２３９の構成については後述する。
【００２３】
また、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室ＴＭとそれぞれ連通している。したがって、ゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭとの間で基板Ｗの搬送を行うことが可能である。また、ゲートバルブを閉じることにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力や処理ガス雰囲気を保持したまま、基板Ｗに対して各種の基板処理を行うことが可能である。
【００２４】
ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空搬送室ＴＭ内へ基板Ｗを搬入する予備室として、あるいは真空搬送室ＴＭ内から基板Ｗを搬出する予備室として機能する。ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部には、基板Ｗを搬入搬出する際、基板Ｗを一時的に支持する基板載置部としての図示しないバッファステージが、それぞれ設けられている。バッファステージは、複数枚（例えば２枚）の基板Ｗを保持する多段型スロットとしてそれぞれ構成されていてもよい。
【００２５】
また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、図示しないゲートバルブを介して真空搬送室ＴＭとそれぞれ連通しており、また、図示しないゲートバルブを介して後述する大気搬送室ＥＦＥＭとそれぞれ連通している。したがって、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを閉じたまま、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空気密を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と大気搬送室ＥＦＥＭとの間で基板Ｗの搬送を行うことが可能である。
【００２６】
また、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来る構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを閉じてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の内部を真空排気した後で、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを開けることにより、真空搬送室ＴＭ内の真空状態を保持したまま、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２と真空搬送室ＴＭとの間で、基板Ｗの搬送を行うことが可能である。
【００２７】
（大気側の構成）
一方、基板処理装置１０の大気側には、上述の通り、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に接続されたフロントモジュールである大気搬送室ＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）と、大気搬送室ＥＦＥＭに接続され、例えば１ロット分、２５枚の基板Ｗを収納した基板収納手段としてのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を載置する基板収容部としてのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３と、が設けられる。
【００２８】
大気搬送室ＥＦＥＭ内には、搬送手段としての大気ロボットＡＲが例えば１台設けられている。大気ロボットＡＲは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２とロードポートＬＰ１〜ＬＰ３との間で基板Ｗの搬送を相互に行なう。大気ロボットＡＲも、真空ロボットＶＲと同様に基板載置部である２本のアームを有する。また、大気搬送室ＥＦＥＭ内であって、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の各手前位置には、図示しない基板有無センサが設置され、アーム上の基板Ｗの存在を検知できるように構成されている。
【００２９】
なお、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、基板位置補正装置として、基板Ｗの結晶方位の位置合わせ等を行う図示しないオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｆｌａｔ）合わせ装置が設けられている。基板Ｗがノッチタイプであるときは、基板位置補正装置としてのノッチ合わせ装置を設けることも可能である。また、大気搬送室ＥＦＥＭには、大気搬送室ＥＦＥＭの内部にクリーンエアを供給する図示しないクリーンエアユニットが設けられている。
【００３０】
各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３は、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３上に、複数枚の基板Ｗを収納する基板収納手段としてのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３をそれぞれ載置するように構成される。キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３内には、基板Ｗをそれぞれ収納する収納部としてのスロット（図示せず）が例えば１ロット分、２５スロット設けられている。各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３はキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３が載置されると、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３に付され、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード等を読み取って記憶するよう構成される。
【００３１】
また、各ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のうち、例えばロードポートＬＰ３にはダミー基板としての基板Ｗを収納するキャリアカセットＣ３が常駐されている。製品基板としての基板Ｗは、例えばキャリアカセットＣＡ１又はキャリアカセットＣＡ２に収納され、ロードポートＬＰ１又はロードポートＬＰ２に載置され、基板処理装置１０内に搬送されて各種の基板処理を受けることとなる。なお、基板処理装置１０の基板処理能力の向上を図るため、また、多品種小ロット化に伴って製品基板用の搬送スペースを多数確保する必要があるため、基板処理装置１０内に常駐されるダミー基板のキャリアカセットは１つに留めることが望ましい。
【００３２】
以上、本実施形態の基板処理装置１０について説明をしたが、各室の数や構成、組み合わせは上記に限られず、適宜、選択することができる。
【００３３】
（２）レシピ及びジョブ
上記の基板処理装置１０において施される基板処理は、各種レシピとジョブとにより管理される。以下に、レシピ及びジョブについて図２〜図５を用いて説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理を管理するレシピとジョブとの関係を示すクラス関連図である。図３は、本実施形態に係る振分処理を行う際のレシピとジョブとの関係を示すオブジェクト関連図である。図４は、本実施形態に係る並行処理を行う際のレシピとジョブとの関係を示すオブジェクト関連図である。図５は、本実施形態に係る制御部２３９によるジョブ生成の一例を示す説明図である。
【００３４】
図２に示すように、レシピには、例えばプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での基板処理の内容を規定するプロセスレシピと、製品基板をどのプロセスチャンバで処理するかを規定するシーケンスレシピがある。ジョブは、制御部２３９により実行されるソフトウエア上のオブジェクトであり、処理を行う製品基板とシーケンスレシピとに関連付けられている。例えば、シーケンスレシピが異なる毎に、また、製品基板のロットが異なる毎に、製品基板の処理要求とともに生成され、処理完了とともに削除されるよう構成される。ジョブは同時に複数存在することができ、生成順に実行されるよう構成される。なお、これ以降、ジョブをジョブオブジェクトとも呼ぶことがある。
【００３５】
図２に示すように、ジョブはシーケンスレシピを１個持つ。シーケンスレシピは１個以上のプロセスレシピを持ち、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２・・・ＰＭｎごとにプロセスレシピを０個又は１個持っている。
【００３６】
次に、上記２つのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を備える基板処理装置１０において、振分処理及び並行処理を行う場合について説明する。
【００３７】
両プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での基板処理の内容が同じであり、製品基板をどちらで処理してもよい場合の処理を振分処理という。この場合、図３に示すように、ジョブＪａはシーケンスレシピＳａを持ち、シーケンスレシピＳａは、プロセスチャンバＰＭ１のプロセスレシピＰａと、プロセスチャンバＰＭ２のプロセスレシピＰａとを持つ。係るジョブＪａを実行すると、ジョブＪａに関連付けられた製品基板には、プロセスチャンバＰＭ１或いはプロセスチャンバＰＭ２のどちらかで、プロセスレシピＰａによる基板処理が施されるよう構成される。
【００３８】
プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２での基板処理の内容がそれぞれ異なる場合の処理を並行処理という。この場合、図４に示すように、それぞれの基板処理の内容に応じて異なるジョブＪａ，Ｊｂが生成され、同時に実行される。すなわち、例えばジョブＪａはシーケンスレシピＳａを持ち、シーケンスレシピＳａはプロセスチャンバＰＭ１のプロセスレシピＰａを持つ。また、例えばジョブＪｂはシーケンスレシピＳｂを持ち、シーケンスレシピＳｂはプロセスチャンバＰＭ２のプロセスレシピＰｂを持つ。それぞれのジョブＪａ，Ｊｂはプロセスチャンバが競合しないため同時に実行可能である。よって、ジョブＪａに関連付けられた製品基板にはプロセスチャンバＰＭ１でのプロセスレシピＰａによる基板処理が、ジョブＪｂに関連付けられた製品基板にはプロセスチャンバＰＭ２でのプロセスレシピＰｂによる基板処理が、それぞれ同時に施されるよう構成される。
【００３９】
なお、基板載置台を１つのみ有するプロセスチャンバを３つ以上備える枚葉式の基板処理装置においては、振分処理と並行処理とが同時に実行される場合もある。この場合、例えば２つのプロセスチャンバで同じプロセスレシピによる振分処理を実行し、もう１つのプロセスチャンバではこれと異なるプロセスレシピにより並行処理を実行するよう構成される。
【００４０】
次に、図５に示すジョブ生成及びリスト化の一例について説明する。
【００４１】
図５に示すように、例えばキャリアカセット内に製品基板が２３枚収納されており、このうち７枚の製品基板にシーケンスレシピＳａを持つジョブＪａを割り振り、他の７枚の製品基板にシーケンスレシピＳｂを持つジョブＪｂを割り振り、残り９枚の製品基板にシーケンスレシピＳｃを持つジョブＪｃを割り振ったとする。
【００４２】
この場合、例えばジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃは生成順にリスト化され実行される。まず、ジョブＪａが生成され、ジョブキューＱにリスト化される。次に、ジョブＪｂが生成され、ジョブキューＱにリスト化される。最後に、ジョブＪｃが生成され、ジョブキューＱにリスト化される。このようにリスト化された各ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃは、ジョブキューＱの先頭であるジョブＪａから順に実行される。各ジョブの生成及びリスト化は、後述の制御部２３９により実行されるよう構成される。このように、複数のジョブがリスト化されたジョブキューＱをジョブリストと呼ぶことがある。
【００４３】
（３）制御手段の構成
次に、基板処理装置１０を制御する制御手段としての制御部２３９について、主に図６を用いて説明する。図６は、基板処理装置１０の制御部２３９の概略構成の一例を示すブロック図である。
【００４４】
図６に示すように、制御部２３９には、スイッチングハブ２３９ｈを介して、操作部コントローラ２３６と、ＧＥＭコントローラ２３７と、搬送コントローラ２３９ｔと、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐとがＬＡＮ等の通信ネットワーク２０で相互に接続されるように設けられている。また、真空搬送室ＴＭが備える真空ロボットＶＲと、大気搬送室ＥＦＥＭが備える大気ロボットＡＲとを制御するロボットコントローラ１１が、ＬＡＮ等の通信ネットワーク２０によりスイッチングハブ２３９ｈを介して設けられている。
【００４５】
制御手段としての制御部２３９は、基板処理装置１０の内部に設けられ、搬送コントローラ２３９ｔ、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐを備えることで、基板処理装置１０の各部を制御するよう構成される。搬送コントローラ２３９ｔとプロセスチャンバコントローラ２３９ｐとは、基板処理装置１０内に設けることに替えて、基板処理装置１０外に設けられていても良い。
【００４６】
また、制御部２３９は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとにダミー基板を割り当てる材料管理手段５６、レシピが同一の所定のジョブ同士をグループとして管理するグループ制御手段５３、製品基板とダミー基板とを組み合わせてバッチ組みをするバッチ組み手段５４（いずれも図９を参照）等の機能を備え、ダミー基板の運用や、ダミー基板及び製品基板等の基板Ｗの振り分けを行うよう構成される。制御部２３９のこれらの機能については後述する。
【００４７】
操作部コントローラ２３６は、操作員とのインタフェースであり、表示装置２３６ｓや図示しない入力装置等を介して操作員による操作を受け付けるよう構成される。また、各スロットの表示とともに、後述するダミー基板の割り当てＰＭ（プロセスチャンバ）や累積膜厚等の情報を表示装置２３６ｓに表示するよう構成される。係る表示装置２３６ｓの表示画面の一例を図７に示す。
【００４８】
図７は、ロードポートＬＰ３のロードポートキャリア情報の一例を示す図である。図７に示すように、本表示画面例では、各スロット情報の表示と共に、搬入元情報、ダミー累積膜厚値、ダミー割当ＰＭの情報が表示されるよう構成される。各スロット情報は、スロットに載置されたダミー基板の属性がわかるように明示されている。本ロードポートキャリア情報の下側にスロットの凡例が表示されているため、この凡例を参照することで各スロットに載置されたダミー基板の状態が把握できるようになっている。例えば、図７で示される表示例では、スロット１８，１９に載置されたダミー基板は未処理の状態であり、他のスロットに載置されたダミー基板は処理済みの状態であることがわかる。また、搬入元情報３−１，３−２・・・３−２５は、左側の３がＬＰ３を示し、右側の１，２・・・２５がそれぞれスロット番号を示している。ダミー累積膜厚情報は、交換のための閾値となる情報である。本実施形態においては、ダミー割当ＰＭとして、１（ＰＭ１）若しくは２（ＰＭ２）が指定されている。
【００４９】
ＧＥＭコントローラ２３７は、顧客のホストコンピュータ２３７ｕに接続され、工場内の自動化システムを実現するよう構成される。
【００５０】
プロセスチャンバコントローラ２３９ｐ及び搬送コントローラ２３９ｔは、例えばＣＰＵ等からなる。また、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐ及び搬送コントローラ２３９ｔには、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔ等のデジタル信号回線３０を通じて、処理ガスの供給や排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ１３、各種スイッチ（ＳＷ）等のオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ１４が、シーケンサ１２を介してそれぞれ接続されている。
【００５１】
また、プロセスチャンバコントローラ２３９ｐには、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ）等の圧力コントローラ１５が、例えばシリアル回線４０を通じて接続されている。プロセスチャンバコントローラ２３９ｐは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集されたプロセスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を処理する際の制御データ（制御指示）を、圧力コントローラ１５や、処理ガスの供給・排気用バルブ、各種スイッチ、マスフローコントローラ、温度調整器等に対して出力し、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内における基板処理の制御を行なう。
【００５２】
また、搬送コントローラ２３９ｔには、ロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されたキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を識別するキャリアＩＤを示すバーコード１，２，３・・・等が記憶される記憶部１６が、例えばシリアル回線４０を通じて接続されている。搬送コントローラ２３９ｔは、例えば操作部コントローラ２３６を介して操作員により作成又は編集されたシーケンスレシピに基づいて、製品基板やダミー基板を搬送する際の制御データ（制御指示）を、真空ロボットＶＲや大気ロボットＡＲ、各種バルブ、スイッチ等に対して出力し、基板処理装置１０内における基板Ｗの搬送を制御する。
【００５３】
（４）制御手段により実現されるソフトウエア
制御手段としての制御部２３９の機能説明に先駆けて、係る機能の実現に必要な値、状態等を管理する主なクラス及び各クラスの関係について、図８を用いて説明する。図８は、本実施形態に係る基板処理装置１０の制御部２３９により実行されるソフトウエアの主なクラスの関係を示すクラス関連図である。
【００５４】
図８に示すように、制御部２３９に係る主なクラスには、基板クラス５６ｃ、製品基板クラス５６ｐ、ダミー基板クラス５６ｆ、ジョブクラス５２ｃ、バッチクラス５４ｃ、グループクラス５３ｃがある。これら各クラスは、インスタンス化され、制御部２３９が実行するソフトウエア上のオブジェクトとして存在し得る。
【００５５】
基板クラス５６ｃは、メンバ変数としてステータスと「キャリアＩＤ」と「スロット番号」とを持つ。基板Ｗの状態を示すステータスには、「未バッチ」、「投入待ち」及び「投入済み」がある。「未バッチ」はその基板Ｗが未だバッチ組みされていない状態を表わす。「投入待ち」はバッチ組みされた基板Ｗがロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２への投入待ちとなっている状態を表わし、「投入済み」はロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２への搬入要求済みの状態を表わす。「キャリアＩＤ」は、上述のバーコード等のキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３を特定可能な識別値である。「スロット番号」は、キャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３のスロット位置を表わす。「キャリアＩＤ」と「スロット番号」とにより、どのキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３の、どのスロット位置の基板Ｗであるかを特定することができる。
【００５６】
製品基板クラス５６ｐ、ダミー基板クラス５６ｆは、基板クラス５６ｃを継承する。また、ダミー基板クラス５６ｆは、メンバ変数として「割り当てＰＭ」と「累積膜厚値」とを持つ。「割り当てＰＭ」は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに使用するダミー基板を割り当てた場合の、その割り当てに係るプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の識別値である。「累積膜厚値」は、繰り返し使用されるダミー基板の累積的な膜厚値を表わす。
【００５７】
ジョブクラス５２ｃは、メンバ変数としてシーケンスレシピ名と基板リストとを持つ。また、ジョブクラス５２ｃは、基板クラス５６ｃと１対１以上の関連となっている。ジョブクラス５２ｃがインスタンス化されたジョブオブジェクトは、そのジョブに関連付けた基板オブジェクトの参照ポインタを基板リストへ格納し、基板リストを介して基板オブジェクトへアクセス可能に構成される。また、ジョブオブジェクトは、０個以上の他のジョブオブジェクトと関連付けられることにより、ジョブの生成順を示すよう構成される。
【００５８】
バッチクラス５４ｃは、基板Ｗのバッチ組みを管理する役割を担い、メンバ変数として基板リストと「未投入基板数」とを持つ。また、バッチクラス５４ｃは、基板クラス５６ｃと１対１以上の関連となっている。「未投入基板数」は、バッチ組みした基板Ｗのうち、基板Ｗのステータスが「投入待ち」となっている基板Ｗの数である。例えば、１バッチの基板枚数が５枚の場合、「未投入基板数」の初期値は５であり、基板Ｗが投入されるにつれ１ずつ減算されるよう構成される。バッチクラス５４ｃがインスタンス化されたバッチオブジェクトは、バッチ組みした基板オブジェクトの参照ポインタを基板リストへ格納し、基板リストを介して基板オブジェクトへアクセス可能に構成される。
【００５９】
グループクラス５３ｃは、同一のシーケンスレシピを持つジョブ同士をグループとして管理する役割を担い、メンバ変数としてステータスとジョブリストと「未バッチ基板数」とを持つ。また、グループクラス５３ｃは、ジョブクラス５２ｃと１対１以上の関連となっており、バッチオブジェクトを０個又は１個持っている。ジョブの状態を示すステータスには、「開始待ち」及び「開始済み」がある。「開始待ち」はジョブリストの先頭のジョブが開始待ちとなっている状態を表わし、「開始済み」は少なくともジョブリストの先頭のジョブが開始済みとなっている状態を表わす。「未バッチ基板数」は、関連する各ジョブに関連付けられた基板オブジェクトのうち、ステータスが「未バッチ」となっている基板Ｗの総数である。例えば、２個のジョブを管理するグループがある場合に、１個目のジョブに関連付けられた基板Ｗのうち、ステータスが「未バッチ」の基板Ｗが５枚あり、２個目のジョブに関連付けられた基板Ｗのうち、ステータスが「未バッチ」の基板Ｗが２５枚あるときは、そのグループの「未バッチ基板数」は３０枚となる。グループクラス５３ｃがインスタンス化されたグループオブジェクトは、同一のシーケンスレシピを持つジョブをジョブの生成順に従ってジョブリストへ格納し、ジョブリストを介してジョブオブジェクトへアクセス可能に構成される。また、グループオブジェクトは、０個以上の他のグループオブジェクトと関連付けられることにより、グループの処理順序を示すよう構成される。
【００６０】
（５）制御手段の機能構成
続いて、制御手段としての制御部２３９の機能構成について、図９を用いて説明する。図９は、本実施形態に係る基板処理装置１０の制御部２３９の機能構成図である。
【００６１】
制御部２３９により実現されるソフトウエアは、図９に示すように、主に、メッセージ解析手段５１、ジョブ制御手段５２、グループ制御手段５３、バッチ組み手段５４、ＰＭ管理手段５５、材料管理手段５６により構成される。
【００６２】
メッセージ解析手段５１は、操作部コントローラ２３６等の各コントローラ、或いは制御部２３９が備える他の手段からの要求や通知等のメッセージを受信し、その内容にしたがって他の手段へと係るメッセージを割り振るよう構成される。
【００６３】
ジョブ制御手段５２は、ジョブオブジェクトを生成するよう構成される。また、生成したジョブオブジェクトをグループ制御手段５３へと渡すよう構成される。ジョブ制御手段５２は、更に、ジョブオブジェクト同士を関連付け、ジョブリストとしてジョブデータ５２ｄへ格納し、更新するよう構成される。
【００６４】
グループ制御手段５３は、グループオブジェクトを生成するよう構成される。また、グループオブジェクト同士を関連付け、グループリストとしてグループデータ５３ｄへと格納し、更新するよう構成される。また、ジョブデータ５２ｄを参照し、ジョブ制御手段５２から渡されたジョブオブジェクトのシーケンスレシピと同一のシーケンスレシピを持つジョブがあるかを判定するよう構成される。また、グループオブジェクトをバッチ組み手段５４へと渡し、バッチ組み手段５４によりバッチ組みされた基板Ｗについて、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内への搬入要求をし、基板データ５６ｄを更新することで、基板オブジェクトのステータスを更新するよう構成される。また、ＬＭ（ロードロック室）搬入可能通知の受信時には、投入中のバッチがあれば次の基板Ｗについてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内への搬入要求をするよう構成される。
【００６５】
バッチ組み手段５４は、バッチオブジェクトを生成し、グループオブジェクトに所有させるためグループデータ５３ｄを更新するよう構成される。また、ジョブデータ５２ｄを参照してジョブオブジェクトを取得し、ジョブオブジェクトの基板リストを基に基板データ５６ｄを参照して基板オブジェクトを取得するよう構成される。また、ダミー基板による枚数調整が必要か否かを判定し、必要と判定した場合は、基板データ５６ｄを参照して使用するダミー基板を決定する。
【００６６】
ＰＭ管理手段５５は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２への投入順序を示すＰＭ投入順序リスト、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の累積膜厚値である「ＰＭ累積膜厚値」、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の基板処理の回数である「ＰＭ基板処理回数」を、ＰＭ管理データ５５ｄへと格納し、或いは更新するよう構成される。
【００６７】
材料管理手段５６は、基板処理装置１０内にキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３が投入されると、投入されたキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３内の基板数を判別し、基板オブジェクトを生成して基板データ５６ｄへと格納し、或いは更新するよう構成される。また、基板Ｗがダミー基板であるときは、「割り当てＰＭ」をセットし、「累積膜厚値」を更新する。
【００６８】
（６）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１０の動作について、図１及び図１０を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態に係る基板処理装置１０における基板処理工程の概要を示すフロー図である。以下の説明において、基板処理装置１０の各部の動作は制御部２３９により制御される。係る動作及び制御によって、本実施形態に係るダミー基板の運用方法或いは基板振り分け方法を用いて行われる基板処理工程は、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。
【００６９】
（大気搬送室内への搬送）
まずは、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを閉じ、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを開いて、真空搬送室ＴＭ内及びプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内を真空排気する。併せて、大気搬送室ＥＦＥＭ内には、大気搬送室ＥＦＥＭ内が略大気圧になるようにクリーンエアを供給する。
【００７０】
上記各部の準備が整った後に、例えば複数枚の基板Ｗを収納したキャリアカセットＣＡ１〜ＣＡ３のいずれかがロードポートＬＰ１〜ＬＰ３のいずれかに載置（投入）されると、キャリアカセットを識別するキャリアＩＤが読み取られる。また、キャリアカセット投入通知がメッセージ解析手段５１へと送信される。
【００７１】
図１０に示すように、キャリアカセット投入通知を受信したメッセージ解析手段５１は、このキャリアカセット投入通知を材料管理手段５６へと送信する。材料管理手段５６は、キャリアカセット投入通知を受信すると、キャリアカセット受け入れ処理を実行する。すなわち、投入されたキャリアカセットが製品基板、ダミー基板のいずれのキャリアカセットかを判定し、それぞれの場合に応じて基板オブジェクトを生成し、更に、ダミー基板のキャリアカセットであれば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに各ダミー基板の割り当てを行う。係る「キャリアカセット受け入れ」処理のフローの詳細については後述する。
【００７２】
続いて、ホストコンピュータ２３７ｕからの、又は操作部コントローラ２３６を介した操作員によるジョブ生成要求を受信すると、メッセージ解析手段５１は、このジョブ生成要求をジョブ制御手段５２へと送信する。ジョブ制御手段５２は、ジョブ生成要求を受信すると、ジョブ生成処理を実行し、生成したジョブオブジェクトをグループ制御手段５３へと渡す。係る「ジョブ生成」処理のフローの詳細については後述する。
【００７３】
これを受けて、グループ制御手段５３は、グループオブジェクトを生成してジョブのグループ化処理を行い、さらにバッチ開始要求処理を実行する。バッチ開始要求処理の中では、グループ制御手段５３からバッチ組み手段５４へとグループオブジェクトが渡され、バッチ組み手段５４は、渡されたグループオブジェクトの情報にしたがい、バッチ組み処理を実行してバッチオブジェクトを生成する。グループ制御手段５３は、バッチ制御手段５４からバッチオブジェクトを受け取り、その情報にしたがってバッチ開始要求処理を継続し、バッチの先頭の基板Ｗについてロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２のいずれかに搬入要求する。「ジョブのグループ化」処理、「バッチ開始要求」処理、「バッチ組み」処理の各フローの詳細については後述する。
【００７４】
グループ制御手段５３により搬入要求がなされると、図１に示すように、大気ロボットＡＲが、グループ制御手段５３から搬入要求のあったバッチの先頭の基板Ｗを、キャリアカセット内の所定スロットから大気搬送室ＥＦＥＭ内に搬送し、図示しないオリフラ合わせ装置上に設置し、結晶方位の位置合わせ等を実施する。
【００７５】
（真空搬送室内への搬送）
続いて、大気ロボットＡＲにより、オリフラ合わせ装置上の基板Ｗをピックアップし、少なくとも片側のロードロック室、例えばロードロック室ＬＭ１の大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブが開放された状態で、ロードロック室ＬＭ１内に搬送し、図示しないバッファステージ上に設置する。そして、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを閉じて、ロードロック室ＬＭ１内部を真空排気する。ロードロック室ＬＭ１内を所定の圧力まで減圧したら、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを閉じたまま、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを開ける。そして、真空ロボットＶＲにより、ロードロック室ＬＭ１内に設置されている基板Ｗをピックアップし、真空搬送室ＴＭ内へと搬送する。
【００７６】
この間、ロードロック室ＬＭ２を用いた真空搬送室ＴＭ内への基板Ｗの搬送も同時進行で行われる。すなわち、基板Ｗが搬送されたロードロック室ＬＭ１内を減圧している間、バッチの２枚目の基板Ｗについても搬入要求がなされ、上記と同様の手順により、ロードロック室ＬＭ２内へ、そして、真空搬送室ＴＭ内へと搬送する。
【００７７】
このように、基板Ｗのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内への搬送およびロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２から真空搬送室ＴＭ内への搬送が完了し、再びロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内への基板Ｗの搬送が可能になると、メッセージ解析手段５１はＬＭ搬入可能通知を受信し、それをグループ制御手段５３へと送信する。ＬＭ搬入可能通知を受信したグループ制御手段５３は、バッチ投入処理を実行する。バッチ投入処理では、投入中のバッチがあれば次の基板ＷについてＬＭ（ロードロック室）搬入要求をし、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内及び真空搬送室ＴＭ内への基板Ｗの搬送を継続する。「バッチ投入」処理のフローの詳細については後述する。
【００７８】
（プロセスチャンバ内への搬送）
真空搬送室ＴＭ内へと基板Ｗが搬送されると、例えばプロセスチャンバＰＭ１側のゲートバルブを開けて、プロセスチャンバＰＭ１内に基板Ｗを搬送し、基板載置台ＳＴ１１に設置する。上記バッチ投入処理に基づく基板ＷのプロセスチャンバＰＭ１内への搬送は、例えばプロセスチャンバＰＭ１内にて処理可能な基板枚数の基板Ｗが搬送され、プロセスチャンバＰＭ１内の全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まるまで繰り返される。
【００７９】
すなわち、グループ制御手段５３は、バッチ内の全ての基板Ｗの投入が完了するまでバッチ投入処理を継続する。また、バッチ投入処理の完了後は、グループ制御手段５３は、再びバッチ開始要求処理を実行し、次のバッチの投入処理を例えばプロセスチャンバＰＭ２に対して行う。
【００８０】
（プロセスチャンバ内での処理）
所定の基板枚数の基板ＷがプロセスチャンバＰＭ１内に搬送された後、プロセスチャンバＰＭ１内に処理ガスを供給したり基板Ｗを加熱したりなどして、基板Ｗに対して所定の処理、例えばプラズマ等を用いた成膜処理等を実施する。このとき、プロセスチャンバＰＭ２内においても、同一の、或いは異なる内容の基板処理が同時進行される場合もある。
【００８１】
ここで、全ての基板載置台を埋めることなく、１バッチの基板枚数に満たない状態で基板処理を行った場合、基板が搬入されなかった基板載置台には、基板処理の内容に応じて、不要の成膜やエッチング処理等が施されてしまう。特にプラズマを用いた基板処理では、プラズマ電極ともなる基板載置台に電気的特性の変化やそれに伴う基板処理性能の変化が生じ、成膜特性やエッチング特性が悪化してしまうことがあった。
【００８２】
本実施形態では、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５が埋まるように、製品基板とダミー基板を所定枚数組み合わせて１バッチとしている。よって、全ての基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に基板Ｗが載置され、基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に不要の基板処理が施されることを抑制できる。よって、成膜特性やエッチング特性等の基板処理特性が安定する。
【００８３】
プロセスチャンバＰＭ１内における基板Ｗの処理が完了すると、図１０に示すように、メッセージ解析手段５１は、ＰＭ（プロセスチャンバ）基板処理終了通知を受信する。メッセージ解析手段５１は、このＰＭ基板処理終了通知をＰＭ管理手段５５へと送信する。ＰＭ基板処理終了通知を受信すると、ＰＭ管理手段５５は、ＰＭステータス更新処理を行って、プロセスチャンバＰＭ１内に形成された堆積膜の累積膜厚値である「ＰＭ累積膜厚値」等のプロセスチャンバＰＭ１のステータスを更新する。また、材料管理手段５６へと今回の膜厚値のデータを渡す。材料管理手段５６は、ダミー基板ステータス更新処理を行って、この膜厚値を今回使用されたダミー基板の累積膜厚値に加算する更新をダミー基板オブジェクトに加える。これら、「ＰＭステータス更新」処理、「ダミー基板ステータス更新」処理の各フローの詳細については後述する。
【００８４】
（ロードロック室内への搬送）
必要な処理が全て完了したら、真空ロボットＶＲにより、例えばプロセスチャンバＰＭ１内部の基板載置台ＳＴ１１〜ＳＴ１５に設置されている処理済の基板Ｗをピックアップし、例えばロードロック室ＬＭ１の真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを開けてロードロック室ＬＭ１内に搬送し、バッファステージ上へ配置する。その後、真空搬送室ＴＭ側のゲートバルブを閉め、ロードロック室ＬＭ１内にクリーンガスを供給してロードロック室ＬＭ１内を略大気圧に戻し、大気搬送室ＥＦＥＭ側のゲートバルブを開ける。
【００８５】
（ロードポートに載置されたキャリアカセットへの収納）
続いて、大気ロボットＡＲにより、ロードロック室ＬＭ１内に設置されている処理済みの製品基板をピックアップして、例えばロードポートＬＰ１に載置されたキャリアカセットＣＡ１に搬送して空きスロットに収納する。また、ロードロック室ＬＭ１内に設置されるダミー基板があれば、ダミー基板をピックアップして、例えばロードポートＬＰ３に載置されたキャリアカセットＣ３に搬送して空きスロットに収納する。処理済みの全ての基板Ｗを所定のキャリアカセットＣＡ１，Ｃ３等に収納したら、ダミー基板を収納したキャリアカセットＣ３はロードポートＬＰ３に常駐させたまま、処理済みの製品基板を収納したキャリアカセットＣＡ１をロードポートＬＰ１から搬出して、自動搬送処理を完了する。
【００８６】
（７）キャリアカセットの受け入れ処理
続いて、上述の各フローについて更に詳しく説明する。まずは、図１１を用いて、キャリアカセット受け入れ処理のフローについて説明する。図１１は、本実施形態に係る制御部２３９が実行する材料管理手段５６によるキャリアカセット受け入れ処理のフロー図である。  
【００８７】
以下、キャリアカセットがロードポートに載置された際に実施される各種基板の割り当て手法について、図１１のフロー図にしたがって説明する。  
【００８８】
まずは、基板オブジェクトを生成しメンバ変数をセットする。  
【００８９】
すなわち、図１１に示すように、複数枚の基板Ｗを収納したキャリアカセットがいずれかのロードポートＬＰ１〜ＬＰ３に載置されると（Ｓ１）、材料管理手段５６は、載置されたキャリアカセットの種別を判定する（Ｓ２）。製品基板の専用キャリアカセットである場合、キャリアカセット内の基板数を判別し、製品基板オブジェクトを生成する（Ｓ３ｐ）。ダミー基板の専用キャリアカセットである場合、キャリアカセット内の基板数を判別し、ダミー基板オブジェクトを生成する（Ｓ３ｄ）。次に、それぞれの基板オブジェクトのステータスに「未バッチ」をセットし（Ｓ４ｐ，Ｓ４ｄ）、基板Ｗが収納されているキャリアカセットのキャリアＩＤを基板オブジェクトの「キャリアＩＤ」にセットし、基板Ｗが積載されているスロットの番号を「スロット番号」にセットする（Ｓ５ｐ，Ｓ５ｄ）。以上、Ｓ３ｐ〜Ｓ５ｐ及びＳ３ｄ〜Ｓ５ｄまでを全ての基板Ｗについて行う（Ｓ６ｐ，Ｓ６ｄ）。
【００９０】
続いて、プロセスチャンバごとに使用するダミー基板の枚数を割り当てる。  
【００９１】
すなわち、投入されたキャリアカセットがダミー基板の専用キャリアカセットである場合、さらに、ＰＭ管理データ５５ｄを参照して所定のプロセスチャンバの累積膜厚値（ＰＭ累積膜厚値）を係るプロセスチャンバの基板処理の回数（ＰＭ基板処理回数）で除算し、ＰＭ平均膜厚値を算出する（Ｓ７ｄ）。ＰＭ平均膜厚値を全プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２について求めた後（Ｓ８ｄ）、各ＰＭ平均膜厚値の比率を算出し（Ｓ９ｄ）、その比率にしたがってプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎のダミー基板の割り当て枚数を決定する（Ｓ１０ｄ）。つまり、１回あたりの処理により所定のプロセスチャンバ内に形成される堆積膜の平均膜厚値を、このプロセスチャンバに割り当てられたダミー基板の枚数で除算した値が、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を割り当てる。
【００９２】
次に、ダミー基板オブジェクトのメンバ変数をセットする。  
【００９３】
すなわち、全てのダミー基板オブジェクトの「累積膜厚値」を初期化し（Ｓ１１ｄ）、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の割り当て枚数にしたがって、それぞれのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のＰＭ識別値を「割り当てＰＭ」にセットする（Ｓ１２ｄ）。これを、全てのダミー基板について行い（Ｓ１３ｄ）、さらに全プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２について行う（Ｓ１４ｄ）。このとき、同一のプロセスチャンバに割り当てるダミー基板は、連続したスロットとなるようにし、スロット番号の小さい順にＰＭ識別値の小さい順または大きい順となるようにする。
【００９４】
最後に、製品基板、ダミー基板ともに、全ての基板オブジェクトを基板データ５６ｄへ追加する（Ｓ１５）。以上により、キャリアカセット受け入れ処理が終了する。  
【００９５】
本実施形態においては、１回あたりの処理により各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内に形成される堆積膜の平均膜厚値が大きいプロセスチャンバに対しては、割り当て枚数が多くなるようにダミー基板を割り当てる。これにより、従来、ダミー基板をキャリアカセット毎のロットで管理するという運用では、ロット内のダミー基板のいずれかが所定の累積膜厚値を超えたためにロット毎ダミー基板を交換すると、累積膜厚値の小さいダミー基板までもが交換され廃棄されてしまい、使用効率が低下してしまう場合があったが、このような不備が抑えられる。
【００９６】
例えば、２つのプロセスチャンバを備えた基板処理装置において、それぞれのプロセスチャンバを指定した並行処理のシーケンスレシピを用いて基板処理を行う場合に、各プロセスチャンバにおける１回当たりの膜厚値がそれぞれ２００Åと１００Åであるとする。また、基板処理装置内にダミー基板２４枚を常駐させ、１２枚ずつをそれぞれのプロセスチャンバに均等に割り当て、いずれかの累積膜厚値が１００００Åに達したらダミー基板をロットごと交換するものとする。  
【００９７】
上記条件下において、各プロセスチャンバ間での相互汚染等を抑制するため、使用するダミー基板をプロセスチャンバ毎に均等に割り当てた場合、それぞれのプロセスチャンバに割り当てたダミー基板が同数回ずつ使用されたとすると、一方の割り当てのダミー基板の累積膜厚値が１００００Åに達して交換時期がきたときに、もう一方の割り当てのダミー基板の累積膜厚値は５０００Åにしか達していない。すなわち、これらもう一方のダミー基板は規定の累積膜厚値の半分で交換されることとなり、使用効率が低下してコスト高となってしまう。しかしながら、本実施形態によれば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに基板処理の内容が異なる場合等であっても、各ダミー基板の使用状況を略均等に揃えることができ、ダミー基板の全体での使用効率を向上させることができる。よって、ダミー基板の消耗を抑え、交換頻度を減らしてコストを削減することが可能となる。また、ダミー基板の交換のために基板処理が停滞する頻度が減って、基板処理装置１０の生産効率が向上する。
【００９８】
また、プロセスチャンバ毎に基板処理の内容が異なる場合、所定のプロセスチャンバで処理したダミー基板を、基板処理が異なる他のプロセスチャンバへ搬入すると、基板処理の特性に影響を与えるおそれがあった。また、同一の基板処理を施すプロセスチャンバ同士であっても、所定のプロセスチャンバでは他のプロセスチャンバに比べ、何らかの要因によりパーティクルが多く発生してしまうことがあり、パーティクルの多いプロセスチャンバで処理したダミー基板を他のプロセスチャンバへ搬入すると、パーティクルの拡散を引き起こすおそれがあった。しかしながら、本実施形態においては、例えばキャリアカセットＣ３内のダミー基板をプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに割り当て、割り当てのプロセスチャンバのみにダミー基板を搬入することとしたので、上述のような、ダミー基板によるパーティクルの拡散（相互汚染）が抑えられる。
【００９９】
（８）ジョブ生成処理及びグループ化処理
次に、図１２を用いて、ジョブ生成処理及びジョブのグループ化処理の各フローについて説明する。図１２は、本実施形態に係る制御部２３９が有するジョブ制御手段５２によるジョブ生成処理及びグループ制御手段５３によるジョブのグループ化処理のフロー図である。  
【０１００】
本実施形態においては、以下に述べるように、同一のシーケンスレシピを持つ異なるジョブを同一のグループにまとめるジョブのグループ化処理を行い、グループ単位ごとにバッチ組みをして基板処理を実行する。これにより、例えば複数のロットを同一のシーケンスで処理する場合に、ロットの異なる製品基板同士をバッチ組みし、一括して処理することができる。よって、ダミー基板によるロットごとの枚数調整の回数が減り、ダミー基板の使用頻度を低減することができる。  
【０１０１】
以下、具体的なジョブのグループ化の手法について、図１２のフロー図にしたがって説明する。  
【０１０２】
まずは、ジョブ制御手段５２によりジョブを生成する。  
【０１０３】
すなわち、図１２に示すように、ジョブ制御手段５２は、メッセージ制御手段５１を介してジョブ生成要求を受信すると（Ｓ１６）、ジョブオブジェクトを新規に生成し（Ｓ１７）、さらに、ジョブデータ５２ｄを更新し、生成したジョブオブジェクトをグループ制御手段５３へと渡す。以上により、ジョブ生成処理が終了する。  
【０１０４】
続いて、ジョブオブジェクトの既存グループへの追加可否の判定を行い、既存グループへの追加、或いは、新規グループオブジェクトの生成を行う。
【０１０５】
すなわち、グループ制御手段５３は、グループデータ５３ｄを参照してグループオブジェクト同士の関連を示すグループリストを取得し（Ｓ１９）、グループオブジェクトの有無を判定する（Ｓ２０）。つまり、例えば基板処理装置１０に製品基板のキャリアカセットが投入されていない状態で、新規に製品基板のキャリアカセットが投入されてジョブ生成要求が送信されてきた場合には、グループオブジェクトは存在していない。この場合、グループ制御手段５３は、グループオブジェクトを新規に生成し（Ｓ２５）、ステータスに「開始待ち」をセットし（Ｓ２６）、渡されたジョブオブジェクトのポインタをジョブリストに追加して新規のグループへとジョブを追加し（Ｓ２７）、「未バッチ基板数」をゼロに初期化する（Ｓ２８）。また、生成したグループオブジェクトをリスト化し、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ２９）。  
【０１０６】
一方、例えば基板処理装置１０に製品基板のキャリアカセットが既に投入されており、そのジョブが実行中となっているときに、新たに製品基板のキャリアカセットが投入されてジョブ生成要求が送信されてきた場合には、グループオブジェクトは既に存在している。また、異なるシーケンスレシピを持つジョブが複数ある場合、グループオブジェクトは複数存在している。この場合、グループ制御手段５３は、グループリストの先頭からグループオブジェクトを取り出し（Ｓ２１）、取り出したグループオブジェクトのシーケンスレシピ名と、ジョブ制御手段５２から渡されたジョブオブジェクトのシーケンスレシピ名とを比較し（Ｓ２２）、一致するか否かを判定する（Ｓ２３）。  
【０１０７】
グループ制御手段５３は、シーケンスレシピ名が不一致の場合、グループリストから次のグループオブジェクトを取り出し同様に比較する。このように、全てのグループオブジェクトのシーケンスレシピ名を比較し（Ｓ２４）、不一致の場合、Ｓ２５以降の処理を行う。シーケンスレシピ名が一致した場合、そのグループオブジェクトのジョブリストの末尾へ、渡されたジョブオブジェクトのポインタを追加し（Ｓ２３ａ）、ジョブに関連付けられた基板数を「未バッチ基板数」に加算してグループデータ５３ｄを更新する（Ｓ２３ｂ）。  
【０１０８】
以上により、ジョブのグループ化処理が終了する。  
【０１０９】
このように、本実施形態では、製品基板のロットが異なっていても１つのプロセスチャンバ内で一括して処理することができる。よって、ダミー基板によるジョブごと、ロットごとの枚数調整の回数が減って、ダミー基板の使用頻度を低減することができる。したがって、ダミー基板の消耗を抑え、交換頻度を減らしてコストを削減することが可能となる。さらに、基板処理装置１０の全体での基板処理枚数が減り、また、ダミー基板の交換による基板処理の停滞の頻度が減って、生産効率が向上する。
【０１１０】
（９）バッチ開始要求処理
次に、図１３を用いて、バッチ開始要求処理のフローについて説明する。また、バッチ開始要求処理の中で実行される「今回実行グループ決定」処理についても併せて説明する。図１３は、本実施形態に係る制御部２３９が有するグループ制御手段５３によるバッチ開始要求処理のフロー図である。
【０１１１】
ジョブのグループ化処理に続くバッチ開始要求処理では、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２内への搬入要求を行ってバッチの先頭の基板Ｗの投入を開始する。
【０１１２】
すなわち、図１３に示すように、ジョブのグループ化処理を終えたグループ制御手段５３は、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２への基板Ｗの搬入が可能か否かを判定する（Ｓ３１）。基板Ｗの搬入が可能であれば、後に詳述する今回実行グループ決定処理を実行する（Ｓ３２）。  
【０１１３】
グループ制御手段５３は、実行可能なグループがあれば（Ｓ３３）そのグループオブジェクトを取得し（Ｓ３４）、バッチ組み手段５４へと渡す。グループオブジェクトを渡されたバッチ組み手段５４は、後に詳述するバッチ組み処理を行ってバッチオブジェクトを生成し（Ｓ４０）、グループ制御手段５３へと渡す（Ｓ３５）。  
【０１１４】
グループ制御手段５３は、バッチ組み手段５４から取得したバッチオブジェクトの基板データ５６ｄを参照し、基板リストの先頭の基板オブジェクトに該当する基板Ｗについて、いずれかのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に対して搬入要求する（Ｓ３６）。次に、基板オブジェクトのステータスに「投入済み」をセットし、基板データ５６ｄを更新する（Ｓ３７）。また、これに該当するグループオブジェクトのステータスに「開始済み」をセットし、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ３８）。さらに、他に搬入可能なロードロック室があれば、搬入可能な全てのロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２について上記Ｓ３６〜Ｓ３８までの処理を繰り返す（Ｓ３９）。  
【０１１５】
以上により、バッチ開始要求処理が終了する。
【０１１６】
（今回実行グループ決定処理）
続いて、バッチ開始要求処理の中で実行される今回実行グループ決定処理について図１４を用いて説明する。図１４は、本実施形態に係る制御部２３９が有するグループ制御手段５３による今回実行グループ決定処理のフロー図である。  
【０１１７】
今回実行グループ決定処理では、既に基板処理が開始済みとなっている他グループの有無や、開始済みグループとの並行処理の可否に応じて、今回実行グループを決定する。  
【０１１８】
すなわち、図１４に示すように、グループ制御手段５３は、グループデータ５３ｄからグループリストを取得し（Ｓ３２−１）、グループオブジェクトの有無を判定する（Ｓ３２−２）。グループオブジェクトがない場合、今回実行グループはないものとして処理を終了する（Ｓ３２−２ａ）。  
【０１１９】
グループオブジェクトがある場合、グループデータ５３ｄを参照し、グループリストの先頭のグループオブジェクトについて、そのステータスが「開始待ち」となっているかを判定する（Ｓ３２−３）。ステータスが「開始待ち」以外の場合、グループリストの次のグループオブジェクトを参照し、全てのグループオブジェクトの参照が終了するまで判定を繰り返す（Ｓ３２−４）。  
【０１２０】
参照したグループオブジェクトのステータスが「開始待ち」の場合、他の全てのグループオブジェクトのステータスが「開始待ち」となっているかを判定し（Ｓ３２−３ａ）、「開始待ち」となっている場合、今回参照したグループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−３ｃ）。一方、「開始済み」のグループオブジェクトがある場合、全ての開始済みのグループオブジェクトと今回参照したグループオブジェクトとの並行処理が可能か否かを判定する（Ｓ３２−３ｂ）。並行処理が可能な場合、今回参照したグループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−３ｃ）。並行処理が不可の場合、グループリストの次のグループオブジェクトを参照し、全てのグループオブジェクトの参照が終了するまで判定を繰り返す（Ｓ３２−４）。  
【０１２１】
ここまでの処理で今回実行グループが決定されない場合、前回実行グループを検索し（Ｓ３２−５）、前回実行グループの次のグループオブジェクトの有無を判定する（Ｓ３２−６）。次のグループオブジェクトがない場合、グループリストの先頭のグループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−７）。  
【０１２２】
次のグループオブジェクトがある場合、それを参照グループオブジェクトとし（Ｓ３２−６ａ）、他の全てのグループオブジェクトのステータスが「開始待ち」となっているかを判定し（Ｓ３２−６ｂ）、「開始待ち」となっている場合、参照グループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−６ｄ）。一方、「開始済み」のグループオブジェクトがある場合、全ての開始済みのグループオブジェクトと参照グループオブジェクトとの並行処理が可能か否かを判定する（Ｓ３２−６ｃ）。並行処理が可能な場合、参照グループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−６ｄ）。並行処理が不可の場合、グループリストの次のグループオブジェクトを参照し、末尾のグループオブジェクトの参照が終了するまで判定を繰り返す（Ｓ３２−６ｅ）。末尾のグループオブジェクトまで参照し、今回実行グループが決定しない場合、グループリストの先頭のグループオブジェクトを今回実行グループに決定する（Ｓ３２−７）。  
【０１２３】
以上により、今回実行グループ決定処理が終了する。このように決定された今回実行グループに対し、上記のようにバッチ組みが行われ、バッチ開始要求処理によりバッチの投入が開始される。バッチの投入開始後は、後述のバッチ投入処理により各ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に対する２巡目以降の基板Ｗの搬送が実行され、これ以降、バッチ開始要求処理とバッチ投入処理とを繰り返すことで、全てのバッチの搬送が実行される。
【０１２４】
（１０）バッチ組み処理
次に、図１５を用いて、バッチ組み処理のフローについて説明する。また、バッチ組み処理の中で実行される「基板枚数決定」処理、及び基板枚数決定処理の中で実行される「ダミー優先使用ＰＭ順決定」処理についても併せて説明する。図１５は、本実施形態に係る制御部２３９が有するバッチ組み手段５４によるバッチ組み処理のフロー図である。  
【０１２５】
以下、製品基板とダミー基板とを所定枚数ずつ指定して行われるバッチ組み処理について、図１５のフロー図にしたがって説明する。
【０１２６】
図１５に示すように、バッチ組み手段５４は、グループ制御手段５３から渡されたグループオブジェクトを参照し、グループオブジェクト内の「未バッチ基板数」を「未投入基板数」にセットし（Ｓ４１）、バッチ組みする製品基板及びダミー基板の枚数を決定する基板枚数決定処理を実行する（Ｓ４２）。「基板枚数決定」処理のフローの詳細については後述する。  
【０１２７】
次に、製品基板を指定してバッチに追加する。
【０１２８】
すなわち、バッチ組み手段５４は、バッチオブジェクトを新規に生成し、グループオブジェクトに関連付け、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ４３）。次に、製品基板について以下のフローを行う。つまり、グループオブジェクトのジョブデータ５２ｄを参照し、ジョブリストの先頭のジョブオブジェクトを取得する（Ｓ４４）。続いて、係るジョブオブジェクトの基板データ５６ｄを参照して基板リストの先頭の基板オブジェクトを取得し（Ｓ４５）、係る基板オブジェクトのステータスが「未バッチ」となっているかを判定する（Ｓ４６）。
【０１２９】
基板オブジェクトのステータスが「未バッチ」の場合、バッチオブジェクトの基板リストへ基板オブジェクトのポインタを追加してバッチに所定の製品基板を加え、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ４６ａ）。次に、その基板オブジェクトのステータスに「投入待ち」をセットし、基板データ５６ｄを更新する（Ｓ４６ｂ）。製品基板枚数の追加が終了するまで上記Ｓ４５〜Ｓ４６ｂを繰り返した後（Ｓ４６ｃ）、未バッチ基板数から製品基板枚数を減算した値を「未バッチ基板数」にセットし、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ４６ｄ）。
【０１３０】
基板オブジェクトのステータスが「未バッチ」ではない場合には、基板リストの次の基板オブジェクトに対して同様の処理を行い、製品基板枚数に達するか、基板リスト末尾に達するまで繰り返す（Ｓ４７）。追加された製品基板が所定枚数に満たない場合は、ジョブリストの次のジョブオブジェクトを取得し、製品基板枚数に達するか、グループ内の全てのジョブが終了するまで同様の処理を繰り返す（Ｓ４８）。  
【０１３１】
次に、必要に応じてダミー基板を指定してバッチに追加する。
【０１３２】
すなわち、バッチ組み手段５４は、ダミー基板の追加が必要か否かを判定し（Ｓ５０）、必要ない場合（ダミー基板枚数＝０）には、バッチ組み処理を終了する。ダミー基板の追加が必要な場合（ダミー基板枚数＞０）には、このバッチが投入されるプロセスチャンバを特定する（Ｓ５１）。そして、基板データ５６ｄを参照してそのプロセスチャンバに割り当てたダミー基板オブジェクトを全て抽出し、累積膜厚値が最小のダミー基板を使用基板として決定する（Ｓ５２）。使用基板が決定したら、バッチオブジェクトの基板リストに使用するダミー基板の基板オブジェクトのポインタを追加してバッチにそのダミー基板を加え、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ５３）。また、その基板オブジェクトの
ステータスに「投入待ち」をセットし、基板データ５６ｄを更新する（Ｓ５４）。以上の処理を、ダミー基板枚数に達するまで繰り返す（Ｓ５５）。
【０１３３】
以上により、バッチ組み処理が終了する。
【０１３４】
上述のように、本実施形態におけるバッチ組み処理では、所定の製品基板とダミー基板とを所定枚数ずつ指定してバッチ組みを行う。その際、プロセスチャンバ内で使用されるダミー基板がなるべく均等に使用されるよう、累積膜厚値の小さい順にダミー基板を指定する。これにより、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内でのダミー基板の使用状況の偏りが低減され、ダミー基板の使用効率を向上させることができる。
【０１３５】
従来、製品基板１ロットに対し複数の処理を複数の処理室内で施す場合、ダミー基板を使用したバッチ組みは１つの処理に対する最後のバッチ或いは最初のバッチに固定されていた。このため、複数の処理室間で順に複数のバッチを処理していくと、ダミー基板を含むバッチに当たった処理室とそれ以外の処理室とでダミー基板の使用回数や使用枚数に偏りが生じてしまう。また、ダミー基板を使用したバッチ組みがロットの先頭或いは末尾に固定され、上記同様、複数の処理室間での偏りが生じることとなる。バッチ組みは通常、ロットごとに行われるため、複数のロットに同一の処理を施す場合も同様である。更に、多品種小ロット化に伴い、上記構成ではダミー基板による枚数調整が頻繁となり、ダミー基板の使用頻度も増加してしまう。本実施形態によれば、このようなダミー基板の使用回数や使用枚数の偏りを抑えることができる。
【０１３６】
（基板枚数決定処理）
続いて、バッチ組み処理の中で実行される基板枚数決定処理について図１６〜図１９を用いて説明する。図１６は、本実施形態に係る制御部２３９が有するバッチ組み手段５４による基板枚数決定処理の前半を示すフロー図である。図１７〜図１９は、本実施形態に係る制御部２３９が有するバッチ組み手段５４による基板枚数決定処理の後半を示す図であって、それぞれアルゴリズムＡ１，Ａ２，Ａ３を用いたときのフロー図である。
【０１３７】
基板枚数決定処理では、所定のアルゴリズムに基づいて製品基板及びダミー基板のバッチ内の枚数を決定する。以下に、いくつかのアルゴリズムに基づく基板枚数決定処理について例示する。なお、図１６〜図１９中および以下の説明中、「Ｕ」は未処理の製品基板数であり、「Ｂ」はバッチ基板枚数であり、「Ｎ」はバッチ数であり、「Ｍ」はプロセスチャンバ数であり、「Ｐ」はバッチ内の製品基板枚数であり、「Ｄ」はバッチ内のダミー基板枚数である。例えば、上述の基板処理装置１０においては、バッチ基板枚数Ｂは「５」、プロセスチャンバ数Ｍは「２」である。
【０１３８】
まずは、ダミー基板が不要となるときの処理について説明する。  
【０１３９】
すなわち、図１６に示すように、未処理の製品基板数Ｕをバッチ基板枚数Ｂで除算して余りを算出し（Ｓ４２−１）、余りがゼロの場合、バッチ基板枚数Ｂをバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−４）。  
【０１４０】
余りがゼロ以外の場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ基板枚数Ｂで除算した値に１を加算した値をバッチ数Ｎにセットする（Ｓ４２−２）。バッチ数Ｎとプロセスチャンバ数Ｍとを比較し（Ｓ４２−３）、バッチ数Ｎがプロセスチャンバ数Ｍより大きい場合、バッチ基板枚数Ｂをバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−４）。  
【０１４１】
次に、ダミー基板が必要となるときの処理について説明する。  
【０１４２】
すなわち、未処理の製品基板数Ｕをバッチ基板枚数Ｂで除算した余りがゼロ以外の場合であって、バッチ数Ｎがプロセスチャンバ数Ｍ以下の場合、ダミー基板が必要となる。図１６の処理に続いてダミー基板の必要枚数を割り出す手法として、アルゴリズムＡ１，Ａ２，Ａ３にしたがう処理を図１７、図１８、図１９に例示した。  
【０１４３】
図１７に、アルゴリズムＡ１を用いたフロー図を示す。  
【０１４４】
アルゴリズムＡ１を用いたフローでは、ダミー基板を優先使用するプロセスチャンバ順を決定し、優先順位の高いプロセスチャンバほどダミー基板の投入枚数が多くなるよう基板枚数を決定する。すなわち、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算して余りを算出し（Ｓ４２−５ａ）、余りがゼロの場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算した値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−１０ａ）。
【０１４５】
余りがゼロ以外の場合、後に詳述するダミー基板優先使用ＰＭ決定処理を実行し、ダミー基板を優先使用するプロセスチャンバ順を決定する（Ｓ４２−６ａ）。
【０１４６】
次に、投入先のプロセスチャンバとダミー基板を最優先使用するプロセスチャンバとを比較し（Ｓ４２−７ａ）、両者が一致する場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算した値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−１０ａ）。両プロセスチャンバが一致しない場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算した値に１を加算した値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−８ａ）。以上により、バッチ内の製品基板枚数Ｐが決定される。
【０１４７】
バッチ内のダミー基板枚数Ｄは、上記のように決定されたバッチ内の製品基板枚数Ｐをバッチ基板枚数Ｂから減算することで決定される（Ｓ４２−９ａ）。  
【０１４８】
図１８に、アルゴリズムＡ２を用いたフロー図を示す。  
【０１４９】
アルゴリズムＡ２を用いたフローでは、ダミー基板を優先使用するプロセスチャンバ順を決定し、図１７とは異なる手法により、優先順位の高いプロセスチャンバほどダミー基板の投入枚数が多くなるよう基板枚数を決定する。すなわち、未処理の製品基板数Ｕとバッチ基板枚数Ｂとを比較し（Ｓ４２−５ｂ）、未処理の製品基板数Ｕがバッチ基板枚数Ｂ以下の場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−１１ｂ）。  
【０１５０】
未処理の製品基板数Ｕがバッチ基板枚数Ｂより大きい場合、後に詳述するダミー基板優先使用ＰＭ決定処理を実行し、ダミー基板を優先使用するプロセスチャンバ順を決定する（Ｓ４２−６ｂ）。
【０１５１】
次に、投入先のプロセスチャンバとダミー基板を最優先使用するプロセスチャンバとを比較し（Ｓ４２−７ｂ）、両者が一致する場合、バッチ基板枚数Ｂを未処理の製品基板数Ｕから減算し、その値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−１０ｂ）。両プロセスチャンバが一致しない場合、バッチ基板枚数Ｂをバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−８ｂ）。以上により、バッチ内の製品基板枚数Ｐが決定される。
【０１５２】
バッチ内のダミー基板枚数Ｄは、上記のように決定されたバッチ内の製品基板枚数Ｐをバッチ基板枚数Ｂから減算することで決定される（Ｓ４２−９ｂ）。
【０１５３】
図１９に、アルゴリズムＡ３を用いたフロー図を示す。  
【０１５４】
アルゴリズムＡ３を用いたフローでは、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２へのダミー基板の投入数をなるべく均等にする。すなわち、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算して余りを算出し（Ｓ４２−５ｃ）、余りがゼロの場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算した値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−１０ｃ）。余りがゼロ以外の場合、未処理の製品基板数Ｕをバッチ数Ｎで除算した値に１を加算した値をバッチ内の製品基板枚数Ｐにセットする（Ｓ４２−８ｃ）。以上により、バッチ内の製品基板枚数Ｐが決定される。
【０１５５】
バッチ内のダミー基板枚数Ｄは、上記のように決定されたバッチ内の製品基板枚数Ｐをバッチ基板枚数Ｂから減算することで決定される（Ｓ４２−９ｃ）。
【０１５６】
以上により、所定のアルゴリズムに基づく基板枚数決定処理が終了する。なお、上記に示すアルゴリズムＡ１，Ａ２，Ａ３はあくまで例示であって、例えばダミー優先使用ＰＭ順にしたがってダミー基板の投入数に差をつけバッチ基板枚数内で振り分けるなど、上記以外のアルゴリズムを用いることも可能である。また、上記のようなアルゴリズムを複数組み合わせて用いてもよい。  
【０１５７】
（ダミー優先使用ＰＭ順決定処理）
次に、基板枚数決定処理の中で実行されるダミー優先使用ＰＭ順決定処理について図２０を用いて説明する。図２０は、本実施形態に係る制御部２３９が有するバッチ組み手段５４によるダミー優先使用ＰＭ順決定処理のフロー図である。  
【０１５８】
上述のように、バッチ組みを行う際、製品基板が処理枚数に満たずダミー基板が組み込まれるバッチは、１つの処理又は１つのロットに対する最後のバッチ或いは最初のバッチに固定されていた。このようにバッチ組みされた複数のバッチを、複数のプロセスチャンバで順次処理していくと、ダミー基板を含むバッチに当たり易いプロセスチャンバが生じるなどして、係るプロセスチャンバに割り当てられたダミー基板の使用頻度が増加してしまう場合があった。  
【０１５９】
本実施形態においては、以下に述べるように、割り当てられたダミー基板の累積膜厚値の総和が小さいプロセスチャンバから順に、ダミー基板が優先的に使用されるプロセスチャンバ順を決定する。これにより、上記の基板枚数決定処理にて、例えば優先順位の高いプロセスチャンバ、つまり、ダミー基板の累積膜厚値が小さく、ダミー基板があまり使用されていないプロセスチャンバほど、ダミー基板枚数が多く振り分けられ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎のダミー基板の使用状況の偏りを更に低減することができる。  
【０１６０】
以下、具体的なダミー優先使用ＰＭ順決定の手法について、図２０のフロー図にしたがって説明する。
【０１６１】
図２０に示すように、バッチ組み手段５４は、基板データ５６ｄを参照し、所定のプロセスチャンバに割り当てられたダミー基板を順次抽出し（Ｓ４２−６１）、係るダミー基板の累積膜厚値を加算して（Ｓ４２−６２）総和を算出する（Ｓ４２−６３）。更に、振り分け可能な全てのプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２についてＳ４２−６１〜Ｓ４２−６３までを繰り返す（Ｓ４２−６４）。次に、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎に割り当てられたダミー基板の累積膜厚値の総和を比較し（Ｓ４２−６５）、総和が小さい順にダミー基板を優先使用するプロセスチャンバ順を決定する（Ｓ４２−６６）。総和が等しい場合は、例えばプロセスチャンバの番号が若い方（ＰＭ１とＰＭ２とであればＰＭ１の方）を優先する。  
【０１６２】
以上により、ダミー優先使用ＰＭ順決定処理が終了する。  
【０１６３】
以上、バッチ組み手段５４は、バッチ開始処理とバッチ投入処理とを繰り返すグループ制御手段５３からグループオブジェクトを渡されるごとに、ダミー優先使用ＰＭ順にしたがって上記バッチ組みの処理を実行し、各バッチ内の基板Ｗが順次、投入されていく。  
【０１６４】
なお、各プロセスチャンバのＰＭ平均膜厚値を上記同様の手順で求め、全てのＰＭ平均膜厚値が等しい場合、各プロセスチャンバに使用されたダミー基板の枚数（回数）で、ダミー優先使用ＰＭ順を決定してもよい。これにより、上述の基板枚数決定処理においてダミー基板の枚数が決定される際、１回あたりの処理により形成される堆積膜の平均膜厚値を、決定したダミー基板の枚数で除した値が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにすることができる。よって、プロセスチャンバ毎のダミー基板の累積膜厚値を略同値に揃えることができる。
【０１６５】
（１１）バッチ投入処理
次に、バッチ投入処理のフローについて図２１を用いて説明する。図２１は、本実施形態に係る制御部２３９が有するグループ制御手段５３によるバッチ投入処理のフロー図である。
【０１６６】
バッチ投入処理では、バッチ開始要求により開始されたバッチの２巡目以降の基板Ｗを、バッチ内の全ての基板Ｗの搬送が終了するまで、順次、基板処理装置１０内へと投入する。  
【０１６７】
すなわち、図２１に示すように、グループ制御手段５３は、グループデータ５３ｄを参照して、グループオブジェクトの有無を判定する（Ｓ６１）。グループオブジェクトがない場合、バッチ投入処理を終了する。グループオブジェクトがある場合、バッチ組み手段５４から取得したバッチオブジェクトの基板データ５６ｄを参照して、グループオブジェクトにバッチオブジェクトが関連付けられているか否かを判定する（Ｓ６２）。バッチオブジェクトが関連付けられていない場合、バッチ投入処理を終了する。バッチオブジェクトが関連付けられている場合、そのバッチオブジェクトの基板データ５６ｄを参照し、基板リストの先頭の基板オブジェクトを取得して（Ｓ６３）、その基板オブジェクトのステータスが「投入待ち」となっているかを判定する（Ｓ６４）。ステータスが「投入待ち」以外の場合、基板リストの次の基板オブジェクトを参照し、バッチオブジェクト内の全ての基板オブジェクトの参照が終了するまで判定を繰り返す（Ｓ６５）。  
【０１６８】
ステータスが「投入待ち」となっている場合、その基板オブジェクトに該当する基板Ｗについて、ロードロック室ＬＭ１，ＬＭ２に対する搬入要求をする（Ｓ６６）。また、基板オブジェクトのステータスに「投入済み」をセットし、基板データ５６ｄを更新する（Ｓ６７）。次に、グループデータ５３ｄを参照し、グループオブジェクトのバッチ内の「未投入基板数」の数値から１を減算した値を新たに「未投入基板数」としてセットし、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ６８）。更新後、「未投入基板数」がゼロか否かを判定し（Ｓ６９）、ゼロより大きい場合は、Ｓ６３以降の処理を繰り返す。  
【０１６９】
更新後の「未投入基板数」がゼロの場合、バッチオブジェクト及びそのバッチオブジェクトのグループオブジェクトとの関連付けを削除し、グループデータ５３ｄを更新する（Ｓ７０）。さらに、グループオブジェクトの「未バッチ基板数」がゼロか否かを判定し（Ｓ７１）、ゼロの場合は、グループオブジェクトを削除してグループデータ５３ｄを更新する（Ｓ７２）。「未バッチ基板数」がゼロより大きい場合は、グループオブジェクトの削除は行わず、バッチ投入処理を終える。  
【０１７０】
以上により、バッチ投入処理が終了する。上記のように、バッチ内の全ての基板Ｗの搬送が終了しバッチ投入処理が終了すると、グループ制御手段５３は、再びバッチ開始要求を実行して次のバッチの投入を開始する。このように、バッチ開始要求処理とバッチ投入処理とを繰り返し、全てのバッチの搬送が実行される。
【０１７１】
（１２）ＰＭステータス更新処理及びダミー基板ステータス更新処理
次に、図２２を用いて、ＰＭステータス更新処理及びダミー基板ステータス更新処理の各フローについて説明する。図２２は、本実施形態に係る制御部２３９が有するＰＭ管理手段５５によるＰＭステータス更新処理及び材料管理手段５６によるダミー基板ステータス更新処理のフロー図である。
【０１７２】
ＰＭステータス更新処理では、所定のプロセスチャンバでの基板処理が終了すると、係るプロセスチャンバの累積膜厚値等のステータスを更新する。ダミー基板ステータス更新処理では、使用したダミー基板の累積膜厚値を更新する。  
【０１７３】
すなわち、図２２に示すように、ＰＭ管理手段５５は、今回実行グループの基板処理が終了したプロセスチャンバの識別値を、ＰＭ投入順序リストの末尾に追加し、ＰＭ管理データ５５ｄを更新する（Ｓ８１）。また、そのプロセスチャンバの「ＰＭ累積膜厚値」に、今回の基板処理における膜厚値を加算し（Ｓ８２）、「基板処理回数」に１を加算して（Ｓ８３）ＰＭ管理データ５５ｄを更新する。さらに、今回の膜厚値を材料管理手段５６へと渡す。  
【０１７４】
材料管理手段５６は、今回の基板処理にて使用したダミー基板がある場合、使用した全てのダミー基板についてダミー基板オブジェクトの「累積膜厚値」にＰＭ管理手段５５から渡された膜厚値を加算し、基板データ５６ｄを更新する（Ｓ９１）。
【０１７５】
以上により、ＰＭステータス更新処理及びダミー基板ステータス更新処理が終了する。
【０１７６】
（１３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【０１７７】
（ａ）本実施形態によれば、基板処理装置１０の備える制御部２３９が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとの基板枚数が所定枚数となるように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに使用するダミー基板の枚数を決定する。
【０１７８】
上記構成において、制御部２３９は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎に各種基板を振り分け、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での最後の１回あたりの処理により、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎に使用されるダミー基板の枚数が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同枚数となるようにダミー基板の枚数を決定するよう制御する。
【０１７９】
また、上記構成において、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎に各種基板を振り分け、連続してロット処理を行うときは、ロット処理毎に、ダミー基板の累積膜厚値の総和を比較した結果、総和が少ないプロセスチャンバにダミー基板を振り分け、ダミー基板が各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で均等に使用されるよう制御する。
【０１８０】
以上により、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の使用状況の偏りが低減し、ダミー基板の使用効率を向上させることができる。
【０１８１】
（ｂ）また、本実施形態によれば、基板処理装置１０の備える制御部２３９が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに使用するダミー基板の枚数を割り当てる。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の使用状況の偏りが低減し、ダミー基板の使用効率を向上させることができる。特に、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で少なくとも一つのロットが振分処理されている場合、ロットの最後の処理において、処理室内に割り当てるダミー基板の枚数を各プロセスチャンバＰＭで略同枚数にすることができる。振分処理では基本的に同じプロセスが各プロセスチャンバＰＭで実施されるので、最低限同枚数に調整することが重要である。更に、本実施形態によれば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で少なくとも一つのロットが振分処理されている場合、ロットの最後の処理において、所定のプロセスチャンバ内での１回あたりの処理により、プロセスチャンバ内に形成される堆積膜の積算値を、割り当てられたダミー基板の枚数で除算した値が、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を割り当てる。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の累積膜厚値が略同値となり、ダミー基板の使用状況を同程度に揃えることができる。また、ロットの最後の処理において、所定のプロセスチャンバ内での１回あたりの処理により、プロセスチャンバ内に使用されるダミー基板の堆積膜を、割り当てられたダミー基板の枚数で積算した値が、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を割り当てる。よって、ダミー基板の全体での使用効率の向上及び使用頻度の低減を図ってダミー基板の消耗を抑え、交換頻度を減らしてコストを削減することができる。
【０１８２】
（ｃ）また、本実施形態の上記構成によれば、基板処理の内容が異なるプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間でダミー基板が共有されてしまうことがないので、基板処理の特性変化を抑えることができる。また、何らかの要因でパーティクルが多く発生したプロセスチャンバと他のプロセスチャンバとの間でのパーティクルの拡散を抑制することができる。
【０１８３】
（ｄ）また、本実施形態によれば、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２で少なくとも２つのロットが連続して振分処理されている場合、ロットの最後の処理において、所定のプロセスチャンバ内での１回あたりの処理により、プロセスチャンバ内に形成される堆積膜の累積積算値を、割り当てられたダミー基板の累積枚数で除算した値が、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を割り当てる。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の累積膜厚値が略同値となり、ダミー基板の使用状況を同程度に揃えることができる。また、ロットの最後の処理において、所定のプロセスチャンバ内での１回あたりの処理により、プロセスチャンバ内に使用されるダミー基板の堆積膜を、割り当てられたダミー基板の枚数で積算した累積値が、各プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を割り当てる。よって、ダミー基板の全体での使用効率の向上及び使用頻度の低減を図ってダミー基板の消耗を抑え、交換頻度を減らしてコストを削減することができる。
【０１８４】
（ｅ）また、本実施形態によれば、制御部２３９は、製品基板とダミー基板とを組み合わせて複数の基板Ｗとして一括処理する。このとき、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに基板Ｗに対する処理が異なるときは、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに割り当てられ、製品基板と組み合わされたダミー基板の全体がなるべく均等に使用されるよう制御する。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとの基板処理の違いによるダミー基板の使用状況の偏りが低減される。
【０１８５】
（ｆ）また、本実施形態によれば、制御部２３９は、製品基板のロットが異なっていても１つのプロセスチャンバ内で一括して処理するよう制御する。これにより、ダミー基板によるロット毎の枚数調整の頻度が低減される。よって、ダミー基板の使用頻度を低減することができる。
【０１８６】
（ｇ）また、本実施形態によれば、上記異なるロットの製品基板の一括処理は、プロセスチャンバを少なくとも１つ備えた基板処理装置にも適用され得る。すなわち、所定ロットの最後の製品基板をプロセスチャンバ内の所定位置に配置したときにプロセスチャンバ内で処理可能な基板枚数に達しない場合、次のロットの製品基板を同一プロセスチャンバ内に搬入して補充し、一括して処理する。このとき、各ロットのシーケンスレシピは同一である。
【０１８７】
（ｈ）また、本実施形態によれば、製品基板とダミー基板とを組み合わせる際に、同一のシーケンスレシピを持つ異なるジョブにて指定された製品基板を組み合わせ、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内にて同時に処理する。これにより、ダミー基板によるジョブ毎の枚数調整の頻度が低減される。よって、ダミー基板の使用頻度を低減することができる。
【０１８８】
（ｉ）また、本実施形態によれば、上記ジョブ毎の枚数調整の頻度低減は、異なるシーケンスレシピを持つジョブを複数実行するにあたり、同一のジョブからなるグループ単位ごとに製品基板とダミー基板とを組み合わせ、このグループ単位ごとに順次プロセスチャンバ内にて処理することによっても実現される。
【０１８９】
（ｊ）また、本実施形態によれば、バッチ組み手段５４は、同一のプロセスチャンバ内で使用されるダミー基板を累積膜厚値の小さい順に指定する。これにより、同一プロセスチャンバ内でのダミー基板の使用状況の偏りが低減され、ダミー基板の使用効率を向上させることができる。
【０１９０】
（ｋ）また、本実施形態によれば、バッチ組み手段５４は、割り当てられたダミー基板の累積膜厚値の総和が小さいプロセスチャンバから順に、ダミー基板が優先的に使用されるプロセスチャンバ順を決定する。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の使用状況の偏りが一層低減される。
（ｌ）また、本実施形態によれば、基板処理装置１０の備える制御部２３９が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとの基板枚数が所定枚数となるように、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとに使用するダミー基板の枚数を決定する。このような構成により、ロット処理が連続ではなく、例えば、ロットＡとロットＢの間に空き時間が空いていたとしても、ダミー基板に使用の偏りが無くすことができる。また、ロットＡとロットＢで使用するシーケンスレシピが異なる場合でも、ロット毎にダミー基板の使用を調整しているので、ダミー基板の使用の偏りを無くすことができる。上記構成において、制御部２３９は、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２内での１回あたりの処理により形成される堆積膜の平均膜厚値を、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２毎に決定されたダミー基板の枚数で除算した値が、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２間で略同値となるようにダミー基板の枚数を決定するようにしてもよい。
【実施例】
【０１９１】
（１）異なるシーケンスレシピによるロット内処理
本発明の実施例１，２および比較例１に係る基板処理装置にて、２３枚の製品基板が収納されたキャリアカセット１ロットに対し、異なるシーケンスレシピによりロット内処理を行う場合について説明する。
【０１９２】
実施例１，２に係る基板処理装置は、上述の基板処理装置１０と同様、１バッチの基板枚数をそれぞれ５枚ずつとする２つのプロセスチャンバＰＭ１ａ，ＰＭ２ａ、及びプロセスチャンバＰＭ１ｂ，ＰＭ２ｂをそれぞれ備えている。また、上述の制御部２３９と同様にダミー優先使用ＰＭ順決定処理を行う制御部を有する。また、実施例１に係る制御部は上述のアルゴリズムＡ１にしたがって基板枚数決定処理を行い、実施例２に係る制御部は上述のアルゴリズムＡ２にしたがって基板枚数決定処理を行うよう構成されている。
【０１９３】
比較例１に係る基板処理装置は、上記同様、１バッチの基板枚数をそれぞれ５枚ずつとする２つのプロセスチャンバＰＭ１ｃ，ＰＭ２ｃを備えている。また、複数のバッチをプロセスチャンバの番号の若い順に処理する制御部を有する。
【０１９４】
具体的な処理条件としては、図２３に示すように、キャリアカセット内に製品基板が２３枚収納されており、このうち７枚の製品基板にシーケンスレシピＳａを持つジョブＪａが割り振られ、他の７枚の製品基板にシーケンスレシピＳｂを持つジョブＪｂが割り振られ、残り９枚の製品基板にシーケンスレシピＳｃを持つジョブＪｃが割り振られている。
【０１９５】
いずれのシーケンスレシピＳａ，Ｓｂ，Ｓｃとも、各実施例および比較例が備える２つのプロセスチャンバを指定した振分処理のシーケンスレシピである。また、いずれのシーケンスレシピＳａ，Ｓｂ，Ｓｃとも、１回の基板処理で各プロセスチャンバ内に形成される堆積膜の膜厚値は１００Åである。各プロセスチャンバに割り当てたダミー基板の累積膜厚値の総和は、初期値で０Åとなっている。各ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃは生成順に実行され、ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃの順に実行される。
【０１９６】
以上の条件下で、実施例１，２に係る基板処理装置にて、上記２３枚の製品基板のロット内処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳、使用されたダミー基板の累積膜厚値の総和を、それぞれ図２３（ａ），（ｂ）に示す。
【０１９７】
図２３（ａ）に示すように、実施例１に係る基板処理装置では、ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃごとにバッチ組み処理が行われ、その中でダミー優先使用ＰＭ順決定処理が行われている。ジョブＪａでは、両プロセスチャンバＰＭ１ａ，ＰＭ２ａともダミー基板の累積膜厚値の総和が０Åで等しいため、番号の若いプロセスチャンバＰＭ１ａがダミー基板を最優先使用するプロセスチャンバに指定されている。よって、アルゴリズムＡ１を用い、プロセスチャンバＰＭ１ａに対しては製品基板３枚＋ダミー基板２枚のバッチ組みがされ、プロセスチャンバＰＭ２ａに対しては製品基板４枚＋ダミー基板１枚のバッチ組みがされている。ジョブＪａの実行後のダミー基板の累積膜厚値の総和は、プロセスチャンバＰＭ１ａ，ＰＭ２ａでそれぞれ２００Å及び１００Åであった。
【０１９８】
ジョブＪｂでは、ダミー基板の累積膜厚値の総和が小さいプロセスチャンバＰＭ２ａがダミー基板の最優先使用プロセスチャンバに指定され、それにしたがってバッチ組みがされ、それぞれ処理されている。ジョブＪｃでは、ダミー基板の累積膜厚値の総和が３００Åで再び等しくなったので、番号の若いプロセスチャンバＰＭ１ａを最優先使用プロセスチャンバとし、それぞれ処理を行っている。
【０１９９】
また、図２３（ｂ）に示すように、実施例２に係る基板処理装置では、実施例１の場合と同様の手順でダミー優先使用ＰＭ順決定処理が行われ、アルゴリズムＡ２を用いてバッチ組みが行われ、各ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃが実行されている。
【０２００】
以上の基板処理の後、実施例１，２に係る基板処理装置ともに、プロセスチャンバＰＭ１ａ，１ｂでのダミー基板の使用枚数が４枚、累積膜厚値の総和が４００Åであり、プロセスチャンバＰＭ２ａ，２ｂでのダミー基板の使用枚数が３枚、累積膜厚値の総和が３００Åであった。このように、実施例１，２に係る基板処理装置では、ダミー基板の使用枚数および累積膜厚値の総和をプロセスチャンバごとに略均等に均すことができた。
【０２０１】
上記と同様の条件下で、比較例１に係る基板処理装置にて、上記２３枚の製品基板のロット内処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳、使用されたダミー基板の累積膜厚値の総和を図２３（ｃ）に示す。
【０２０２】
図２３（ｃ）に示すように、比較例１に係る基板処理装置では、プロセスチャンバＰＭ１ｃでのダミー基板の使用枚数が０枚、累積膜厚値の総和が０Åであり、プロセスチャンバＰＭ２ｃでのダミー基板の使用枚数が７枚、累積膜厚値の総和が７００Åであった。このように、比較例１に係る基板処理装置では、複数のバッチをプロセスチャンバの番号の若い順に処理するため、プロセスチャンバＰＭ２ｃに割り当てたダミー基板に偏った使用となってしまった。
【０２０３】
（２）異なるシーケンスレシピによる複数ロット処理
次に、上記と同様、実施例１，２および比較例１に係る基板処理装置（構成は上記と同じ）にて、異なるシーケンスレシピのジョブがそれぞれ割り振られた複数のロットの処理を行う場合について説明する。
【０２０４】
具体的な処理条件としては、図２４に示すように、キャリアカセット内に製品基板が２５枚収納されたロットＡと、製品基板が２１枚収納されたロットＢと、製品基板が２５枚収納されたロットＣと、製品基板が２１枚収納されたロットＤと、製品基板が２５枚収納されたロットＥとが順次投入される。ジョブはロットごとに異なり、具体的には、ロットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの製品基板に対し、それぞれシーケンスレシピＳａを持つジョブＪａ、シーケンスレシピＳｂを持つジョブＪｂ、シーケンスレシピＳｃを持つジョブＪｃ、シーケンスレシピＳｄを持つジョブＪｄ、シーケンスレシピＳｅを持つジョブＪｅが割り振られている。
【０２０５】
いずれのシーケンスレシピＳａ，Ｓｂ，Ｓｃとも振分処理のシーケンスレシピであり、１回の基板処理での堆積膜の膜厚値は１００Åである。ダミー基板の累積膜厚値の総和は、初期値で０Åとなっている。各ジョブは、ジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃ，Ｊｄ，Ｊｅの順に実行される。
【０２０６】
以上の条件下で、実施例１，２に係る基板処理装置にて、上記複数ロットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳、使用されたダミー基板の累積膜厚値の総和を、それぞれ図２４（ａ），（ｂ）に示す。
【０２０７】
図２４（ａ），（ｂ）に示すように、実施例１，２に係る基板処理装置ともに、ロット内の製品基板枚数に不足のあるロットＢ，Ｄに割り振られたジョブＪｂ，Ｊｄにおいて、それぞれアルゴリズムＡ１，Ａ２にしたがって、ダミー基板による枚数調整が行われている。その結果、実施例１，２に係る基板処理装置ともに、プロセスチャンバＰＭ１ａ，１ｂでのダミー基板の使用枚数が４枚、累積膜厚値の総和が４００Åであり、プロセスチャンバＰＭ２ａ，２ｂでのダミー基板の使用枚数が４枚、累積膜厚値の総和が４００Åであった。このように、実施例１，２に係る基板処理装置では、異なるシーケンスレシピによる複数ロット処理においても、ダミー基板の使用枚数および累積膜厚値の総和をプロセスチャンバごとに均等に均すことができた。
【０２０８】
上記と同様の条件下で、比較例１に係る基板処理装置にて、上記複数ロットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳、使用されたダミー基板の累積膜厚値の総和を図２４（ｃ）に示す。
【０２０９】
図２４（ｃ）に示すように、比較例１に係る基板処理装置では、プロセスチャンバＰＭ１ｃでのダミー基板の使用枚数が０枚、累積膜厚値の総和が０Åであり、プロセスチャンバＰＭ２ｃでのダミー基板の使用枚数が８枚、累積膜厚値の総和が８００Åであった。このように、比較例１に係る基板処理装置では、異なるシーケンスレシピによる複数ロット処理においても、プロセスチャンバＰＭ２ｃに割り当てたダミー基板に偏った使用となってしまった。
【０２１０】
（３）同一のシーケンスレシピによる複数ロット処理
続いて、実施例３および比較例２に係る基板処理装置にて、同一のシーケンスレシピのジョブがそれぞれ割り振られた複数のロットの処理を行う場合について説明する。
【０２１１】
実施例３に係る基板処理装置は、上述の基板処理装置１０と同様、１バッチの基板枚数をそれぞれ５枚ずつとする２つのプロセスチャンバＰＭ１ｄ，ＰＭ２ｄを備えている。また、上述の制御部２３９と同様に同一のシーケンスレシピのジョブ毎にグループ化処理を行う制御部を有する。
【０２１２】
比較例２に係る基板処理装置は、上記同様、１バッチの基板枚数をそれぞれ５枚ずつとする２つのプロセスチャンバＰＭ１ｅ，ＰＭ２ｅを備えている。また、異なるジョブ毎にプロセスチャンバの番号の若い順に処理する制御部を有する。
【０２１３】
具体的な処理条件としては、図２５に示すように、製品基板が２５枚のロットＡと、２３枚のロットＢと、２５枚のロットＣと、２２枚のロットＤと、２５枚のロットＥとに対し、同一のシーケンスレシピＳａを持つジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃ，Ｊｄ，Ｊｅがそれぞれ割り振られている。シーケンスレシピＳａは振分処理のシーケンスレシピであり、各ジョブはジョブＪａ，Ｊｂ，Ｊｃ，Ｊｄ，Ｊｅの順に実行される。
【０２１４】
以上の条件下で、実施例３に係る基板処理装置にて、上記複数ロットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳を、それぞれ図２５（ａ），（ｂ）に示す。
【０２１５】
図２５（ａ）に示すように、実施例３に係る基板処理装置では、ロット内の製品基板枚数に不足のあるロットＢ，Ｄに割り振られたジョブＪｂ，Ｊｄにおいて、ロットＢ，Ｄ間のロットＣに割り振られたジョブＪｃとのグループ化がなされている。その結果、実施例３に係る基板処理装置では、プロセスチャンバＰＭ１ｄ，ＰＭ２ｄでのダミー基板の使用枚数が０枚であった。このように、実施例３に係る基板処理装置では、製品基板のロットが異なっていても１つのプロセスチャンバで一括して処理がなされ、ダミー基板を使用することなく複数ロットの処理を行うことができた。
【０２１６】
上記と同様の条件下で、比較例２に係る基板処理装置にて、上記複数ロットＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの処理を行った場合の各バッチ内の製品基板枚数の内訳を図２５（ｂ）に示す。
【０２１７】
図２５（ｂ）に示すように、比較例２に係る基板処理装置では、プロセスチャンバＰＭ１ｅでのダミー基板の使用枚数が０枚であり、プロセスチャンバＰＭ２ｅでのダミー基板の使用枚数が５枚であった。このように、比較例２に係る基板処理装置では、同一のシーケンスレシピを持つジョブが連続しても、異なるジョブを割り振られたロット同士をバッチ組みすることができずダミー基板の使用頻度が増してしまった。また、プロセスチャンバＰＭ２ｅに割り当てたダミー基板に偏った使用となってしまった。
【０２１８】
＜  他の実施例  ＞
以上、上述の実施形態では、主として、複数のロットが連続して基板処理される(ジョブが実行される)場合について、ダミー基板を効率よく使用することができ、また、ダミー基板レスな基板処理を実現できた。しかしながら、複数のロットが連続して処理されるとは限らない。例えば、ロットＡとロットＢの間に空き時間が発生してしまう可能性がある。この場合、ロットＡとロットＢの枚数に応じて基板処理を開始する処理室をプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２のどちらにするか選択できるように構成するのが望ましい。尚、本実施の形態(他の実施例)においても、装置構成およびコントローラ構成（制御手段２３９の構成）は、本発明の実施例１乃至実施例３と同じであるため、詳細な説明は省略する。
【０２１９】
つまり、本実施の形態においては、作業者が基板処理を開始する位置を変更し、変更後の状態を確認できることを特徴としている。以下、図２６から図２８を用いて説明する。
【０２２０】
図２６は、所定のコマンドを選択するための画面例を示し、図２７は基板処理を開始するプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を選択する画面例を示し、図２８は、次に基板処理を開始するプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２の表示を行う画面例を示している。
【０２２１】
作業者は、タイトルパネルにある「システムコマンド」ボタンを押下し、図２６で示すシステムコマンド選択画面を表示する。次に、システムコマンド選択画面から「振分時間開始ＰＭ指定」ボタンを押下して、開始ＰＭ選択画面を表示する。表示された開始ＰＭ選択画面から、「ＰＭ１」ボタン、若しくは「ＰＭ２」ボタンのどちらかを選択、および「開始ＰＭ設定」ボタンを押下することにより、基板処理開始時に開始したいプロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２を確定する。
【０２２２】
「開始ＰＭ設定」ボタンを押下されると、例えば、図２８に示すように基板処理を開始するプロセスチャンバＰＭ１に対して「ＮＥＸＴ」が表示される。
【０２２３】
図２９は、本実施形態における制御部２３９に実現される機能構成を示す図である。以下、図２９を用いて、データ処理(フロー)に関して説明する。
【０２２４】
画面制御部は、例えば、作業者が「開始ＰＭ設定」ボタンを押下することにより所定の指示を受け付けると、前記所定の指示（基板処理を開始するＰＭを示す指示）を振分制御部に通知する。また、記憶部としての記憶媒体内で記憶されている前記所定の指示を示す設定値(開始ＰＭ位置)を参照して、例えば、所定の画面に「ＮＥＸＴ」表示を実施する。
【０２２５】
振分制御部は、本機能を実行するメイン処理で、画面制御部からの(開始ＰＭ位置を示す)指示を受け付けると、記憶部としての記憶媒体に保持されている設定値を更新する。更新した設定値は、プロセス処理要求が行われた場合に参照され、指定された開始位置を持つアプリケーション(プロセスレシピ等)に対して、プロセスの開始指示を行う。
【０２２６】
＜  他の実施例の具体例  ＞
次に図３０を用いて、一具体例を説明する。図３０は、ロットＡが１８枚、ロットＢが１８であり、
且つ、ロットＡとロットＢは連続して実行されるのではなく、空き時間Ｔを介して実行される場合を示す。
【０２２７】
ロットＡが終了したときに、基板処理開始をするプロセスチャンバはＰＭ１である。しかしながら、そのままＰＭ１で開始すると、ダミー基板をプロセスチャンバＰＭ２だけで処理してしまうため、ダミー基板の使用状況に偏りが生じてしまう。そこで、本実施の形態によれば、ロットＡ終了後、空き時間Ｔの間に、操作画面上で被処理体である基板を初めに投入するプロセスチャンバをＰＭ１からＰＭ２に変更することができる。よって、ロットＢを開始する際に、作業者がロットを開始するプロセスチャンバＰＭを選択することができる。
【０２２８】
従い、本実施の形態によれば、ダミー基板を平等に、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２に割り当てることができ、ダミー基板がなるべく均等に使用することができる。これにより、プロセスチャンバＰＭ１，ＰＭ２ごとのダミー基板の使用状況の偏りが低減される。
【０２２９】
本実施の形態において、作業者が次に開始するＰＭ位置を正しく把握でき、必要に応じてプロセス開始位置を自由に変更できるため、プロセスの再現性、およびこれらに起因する歩留りに貢献することができる。
【０２３０】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０２３１】
例えば、上述の実施形態においては、基板処理装置１０における基板処理の内容が、主に成膜処理である場合について説明したが、基板処理の内容はこれに限られず、例えばエッチング処理等であってもよい。基板処理がエッチング処理である場合、プロセスチャンバやダミー基板は、累積的にエッチング除去された膜厚値等で管理することができる。
【０２３２】
このように、本発明は、酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する処理を行う場合に適用できるほか、エッチング処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、基板処理中のみならず、処理炉２０２内のクリーニングやコンディショニングの際にダミー基板を使用する場合等にも適用できる。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも適用できる。
【０２３３】
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１０のような半導体ウエハ等の基板を処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
【０２３４】
また、本発明は、制御部２３９が基板処理装置１０内に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置１０の本体をクリーンルーム内に配置すると共に、制御部の少なくとも一部を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア内）に配置し、基板処理装置１０の状態を遠隔から監視し解析するようにしてもよい。
【０２３５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
【０２３６】
本発明の一態様は、
所定枚数の各種基板を一括で処理する処理室を複数備えた基板処理装置であって、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定し、前記ダミー基板が均等に使用されるよう制御する制御手段を備えた基板処理装置である。
【０２３７】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて処理を行うときに、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
前記処理室内での最後の１回あたりの処理による前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数が、前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する基板処理装置。
【０２３８】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて処理を行うときは、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
各処理室内での１回あたりの処理により、前記ダミー基板に形成される堆積膜の積算値を前記ダミー基板の枚数で除算した値が、前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する。
【０２３９】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて処理を行うときは、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
前記処理室内での１回あたりの処理により、前記処理室内に形成される堆積膜を前記処理室内で使用された前記ダミー基板の枚数で積算した値が、前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する。
【０２４０】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて、ロット処理を行うときは、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
各処理室内での１回あたりの処理による、前記ダミー基板に形成される堆積膜の累積積算値を前記処理室毎に使用された前記ダミー基板の累積枚数で除算した値が、前記ロット処理毎に前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する。
【０２４１】
好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて、ロット処理を行うときは、
前記処理室毎の基板枚数が前記所定枚数となるように前記ダミー基板の枚数を決定する際、
前記処理室内での１回あたりの処理により、前記処理室内に形成される堆積膜を前記処理室内で使用された前記ダミー基板の枚数で積算した値の累積値が、前記ロット処理毎に前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定するよう制御する。
【０２４２】
また、好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、前記各種基板を複数回処理するとき、
少なくとも前回処理における処理室毎の前記ダミー基板の膜厚値を比較し、前記膜厚値が少ない処理室に前記ダミー基板を搬送するよう制御する基板処理装置。
【０２４３】
また、好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、連続してロット処理を行うときは、
前記ロット処理開始時に、前記ダミー基板の累積膜厚値の総和を比較した結果、前記総和が少ない処理室に前記ダミー基板を振り分け、前記ロット処理終了迄に前記ダミー基板が前記各処理室で均等に使用されるよう制御する。
【０２４４】
また、好ましくは、
前記制御手段は、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、連続してロット処理を行うときは、
前記ロット処理開始時、若しくは、各ロットの処理時に、前記処理室毎に前記ダミー基板の累積膜厚値の総和を比較した結果、前記総和が少ない処理室に前記ダミー基板を搬送し、前記ロット処理終了迄に前記ダミー基板が前記各処理室で均等に使用されるよう制御する。
【０２４５】
本発明の他の態様は、
複数の製品基板を処理する処理室を複数備えた基板処理装置であって、
前記各処理室内に前記製品基板を振り分けてロット処理を行う際に、
前記製品基板のロットが異なっていても１つの処理室内で一括して処理するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置である。
【０２４６】
本発明のさらに他の態様は、
複数の製品基板を処理する処理室を少なくとも１つ備えた基板処理装置であって、
前記処理室内にて複数のロットからなる前記製品基板を連続して処理する際に、
所定ロットの製品基板を前記処理室内の所定位置に配置したときに前記処理室内で処理可能な基板枚数に達しない場合、次のロットの製品基板を同一処理室内に搬入して補充し、前記同一処理室内で前記複数の製品基板を一括して処理するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置である。
【０２４７】
好ましくは、
前記各ロットのシーケンスレシピが同一である。
【０２４８】
本発明のさらに他の態様は、
複数のダミー基板と複数の製品基板とをそれぞれ別個に収容する専用の基板収納手段と、
前記ダミー基板又は前記製品基板の少なくともいずれかから構成される複数の基板を一括して処理する処理室と、を備えた基板処理装置であって、
前記ダミー基板がなるべく均等に使用されるように、前記基板収納手段内の前記ダミー基板を前記処理室毎に割り当て、前記複数の基板を前記処理室内にて処理するよう制御する制御手段を備えた基板処理装置である。
【０２４９】
好ましくは、
前記ダミー基板を割り当てる際に、
所定の処理室内での１回あたりの処理により前記所定の処理室内に形成される堆積膜の平均膜厚値を、前記所定の処理室に割り当てられた前記ダミー基板の枚数で除算した値が、前記各処理室間で略同値となるように前記処理室毎に前記ダミー基板の割り当て枚数を決定する。
【０２５０】
また、好ましくは、
前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせる際に、
同一のシーケンスレシピを持つ異なるジョブにて指定された前記製品基板を組み合わせ、前記処理室内にて同時に処理する前記製品基板を決定する。
【０２５１】
また、好ましくは、
前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせる際に、
異なるシーケンスレシピを持つジョブを複数実行するにあたり、
同一のジョブからなるグループ単位ごとに前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせ、前記グループ単位ごとに前記複数の処理室内にて並行処理する。
【０２５２】
本発明のさらに他の態様は、
製品基板とダミー基板を含む複数の基板を同時に処理する処理室を複数備えた基板処理装置であって、
前記ダミー基板を前記処理室毎に割り当て、
前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせて前記複数の基板とし、
前記処理室毎に割り当てられた前記ダミー基板がなるべく均等に使用されるように、前記処理室内にて同時に処理する前記製品基板と前記ダミー基板とを決定するよう構成される基板処理装置である。
【０２５３】
好ましくは、
前記ダミー基板を割り当てる際に、
所定の処理室内での１回あたりの処理により前記所定の処理室内に形成される堆積膜の平均膜厚値を、前記所定の処理室に割り当てられた前記ダミー基板の枚数で除算した値が、前記各処理室間で略同値となるように前記処理室毎に前記ダミー基板の割り当て枚数を決定するよう構成される。
【０２５４】
また、好ましくは、
前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせる際に、
同一のシーケンスレシピを持つ異なるジョブにて指定された前記製品基板を組み合わせ、前記処理室内にて同時に処理する前記製品基板を決定するよう構成される。
【０２５５】
また、好ましくは、
前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせる際に、
異なるシーケンスレシピを持つジョブを複数実行するにあたり、
同一のジョブからなるグループ単位ごとに前記製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせ、前記グループ単位ごとに前記複数の処理室内にて並行処理するよう構成される。
【０２５６】
本発明のさらに他の態様は、
複数の基板を処理する処理室を複数備えた基板処理装置におけるダミー基板の運用方法であって、
前記処理室毎に使用する前記ダミー基板の枚数を割り当て、製品基板と前記ダミー基板とを組み合わせて前記複数の基板として、前記ダミー基板をなるべく均等に使用するダミー基板の運用方法である。
【０２５７】
本発明のさらに他の態様は、
複数の製品基板を処理する処理室を複数備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記各処理室内に前記製品基板を振り分け、繰り返しロット処理する際に、
前記製品基板のロットが異なっていても１つの処理室内で一括して処理する基板処理方法である。
【０２５８】
本発明のさらに他の態様は、
複数の製品基板を処理する処理室を少なくとも１つ備えた基板処理装置における基板処理方法であって、
前記処理室内にて複数のロットからなる前記製品基板を連続して処理する際に、
所定ロットの最後の製品基板を、前記処理室内の所定位置に配置したときに前記処理室内で処理可能な基板枚数に達しない場合、次のロットの製品基板を同一処理室内に搬入して補充し、前記同一処理室内で前記複数の製品基板を一括して処理する基板処理方法である。
【０２５９】
本発明のさらに他の態様は、
複数のダミー基板と複数の製品基板とをそれぞれ別個に収容する専用の基板収納手段と、
前記ダミー基板又は前記製品基板の少なくともいずれかから構成される複数の基板を一括して処理する処理室と、を備えた基板処理装置におけるダミー基板の運用方法であって、
前記ダミー基板がなるべく均等に使用されるように、前記基板収納手段内の前記ダミー基板を前記処理室毎に割り当て、前記複数の基板を前記処理室内にて処理するダミー基板の運用方法である。
【０２６０】
本発明のさらに他の態様は、
処理室毎の基板枚数が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、
前記ダミー基板を含む各種基板を搬送する基板搬送工程と、を含む基板搬送方法であって、
前記枚数決定工程では、
前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数を、前記処理室間で略同枚数となるように決定する基板搬送方法である。
【０２６１】
本発明のさらに他の態様は、
処理室毎の基板枚数が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定する枚数決定工程と、
前記ダミー基板を含む各種基板を前記処理室が前記所定枚数になるように搬送する基板搬送工程と、を含む基板搬送方法であって、
前記枚数決定工程では、
各処理室間で前記ダミー基板の累積膜厚値の総和を比較した結果、前記総和が少ない処理室に前記ダミー基板を振り分ける基板搬送方法である。
【０２６２】
本発明のさらに他の態様は、
処理室毎の基板枚数が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定する
枚数決定工程と、
前記ダミー基板を含む各種基板を搬送する基板搬送工程と、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分けて処理する基板処理工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記枚数決定工程では、
前記処理室毎に使用される前記ダミー基板の枚数が、前記処理室間で略同値となるように前記ダミー基板の枚数を決定する半導体装置の製造方法である。
【０２６３】
本発明のさらに他の態様は、
処理室毎の基板枚数が所定枚数となるように、前記処理室毎に使用するダミー基板の枚数を決定する
枚数決定工程と、
前記ダミー基板を含む各種基板を前記処理室が前記所定枚数になるように搬送する基板搬送工程と
前記所定枚数の前記基板を処理する基板処理工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記処理室毎に前記各種基板を振り分け、連続してロット処理を行うときは、
前記枚数決定工程では、
前記ロット処理開始時に各処理室間で前記ダミー基板の累積膜厚値の総和を比較した結果、前記総和が少ない処理室に前記ダミー基板を振り分ける半導体装置の製造方法である。
【符号の説明】
【０２６４】
１０    基板処理装置
２３９  制御部（制御手段）
ＰＭ１，ＰＭ２  プロセスチャンバ（処理室）
Ｗ      基板
【図１】
0006026801.tif 000002
【図２】
0006026801.tif 000003
【図３】
0006026801.tif 000004
【図４】
0006026801.tif 000005
【図５】
0006026801.tif 000006
【図６】
0006026801.tif 000007
【図７】
0006026801.tif 000008
【図８】
0006026801.tif 000009
【図９】
0006026801.tif 000010
【図１０】
0006026801.tif 000011
【図１１】
0006026801.tif 000012
【図１２】
0006026801.tif 000013
【図１３】
0006026801.tif 000014
【図１４】
0006026801.tif 000015
【図１５】
0006026801.tif 000016
【図１６】
0006026801.tif 000017
【図１７】
0006026801.tif 000018
【図１８】
0006026801.tif 000019
【図１９】
0006026801.tif 000020
【図２０】
0006026801.tif 000021
【図２１】
0006026801.tif 000022
【図２２】
0006026801.tif 000023
【図２３】
0006026801.tif 000024
【図２４】
0006026801.tif 000025
【図２５】
0006026801.tif 000026
【図２６】
0006026801.tif 000027
【図２７】
0006026801.tif 000028
【図２８】
0006026801.tif 000029
【図２９】
0006026801.tif 000030
【図３０】
0006026801.tif 000031