(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内で蒸着材料を蒸発させて基板上の予め定められた複数個所に選択的に被着させ、前記蒸着材料の薄膜パターンを形成する真空蒸着方法であって、
前記基板に予め設けられた複数の電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体にて、前記薄膜パターンを形成する箇所に対応して位置する電極の抵抗体に通電しない、又は該電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、
前記薄膜パターンを形成しない箇所に対応して位置する電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電して、
蒸着を行うことを特徴とする真空蒸着方法。
【請求項２】
真空容器内で蒸着材料を蒸発させて基板上の予め定められた複数個所に選択的に被着させ、前記蒸着材料の薄膜パターンを形成する真空蒸着装置であって、
前記基板に予め設けられた複数の電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体にて、前記薄膜パターンを形成する箇所に対応して位置する電極の抵抗体に通電しない、又は該電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記薄膜パターンを形成しない箇所に対応して位置する電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する電圧印加手段を備えたことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項３】
真空容器内で有機ＥＬ材料を蒸発させて、基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極上に選択的に被着させ、前記有機ＥＬ材料の発光層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に通電しない、又は該画素電極の抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、
前記発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電して、
蒸着を行うことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機ＥＬ材料は、赤、緑、青の各色に対応した３種類の有機ＥＬ材料であり、
赤色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該赤色に対応した前記画素電極上に赤色の発光層を形成する工程と、
緑色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該緑色に対応した前記画素電極上に緑色の発光層を形成する工程と、
青色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該青色に対応した前記画素電極上に青色の発光層を形成する工程と、
を順次行うことを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記３種類の有機ＥＬ材料は、夫々昇華温度が異なり、昇華温度の高い有機ＥＬ材料から順番に選択して蒸着されることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記３種類の有機ＥＬ材料の蒸着が終了すると、所定の色の発光層上に付着した別の色の発光層を除去する工程を行うことを特徴とする請求項４又は５記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記発光層の除去は、前記発光層にイオンビームを照射して行うことを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該画素電極上に設けられた有機ＥＬ材料の蒸着膜から成る発光層と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体と、
前記抵抗体に対して外部の電圧印加手段から通電可能に設けられ、発光層形成時に、前記電圧印加手段の印加電圧に応じて、前記発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極に電気的に接触する前記抵抗体に通電せず、又は該抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極に電気的に接触する前記抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する加熱用配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空容器内で蒸着材料を蒸発させて被着体に被着させ、蒸着材料の薄膜パターンを形成する真空蒸着方法に関し、特に高精細な薄膜パターンの形成を容易にしようとする真空蒸着方法、真空蒸着装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の真空蒸着方法は、真空容器内で、所定パターンに対応した形状の開口を有するシャドウマスクを被着体に対してアライメントした後、被着体上に密着させ、蒸着材料を蒸発させて上記シャドウマスクを介して上記被着体に被着させ、蒸着材料の薄膜パターンを形成するものとなっていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−７３８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような従来の真空蒸着方法において使用するシャドウマスクは、一般に、薄い金属板に所定形状の開口を例えばエッチング等により形成して作られるので、開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。
【０００５】
また、従来のシャドウマスクを用いた真空蒸着方法においては、例えば反り等により生じたシャドウマスクの下側の隙間に蒸着材料が回り込んで、被着体の目標箇所の周辺部分にも蒸着材料が被着するという問題があった。特に、有機ＥＬ表示装置の製造においては、シャドウマスクにより覆われた隣接する画素に、該画素とは異なる色の蒸着材料としての有機ＥＬ材料（発光層形成材料）が回り込んで被着した場合、混色が発生するという問題があった。特に、画素パターンが高精細になればなるほど上記問題は顕著になり、シャドウマスクを用いた真空蒸着方法においては、高精細な有機ＥＬ表示装置の製造が困難であった。
【０００６】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を容易にしようとする真空蒸着方法、真空蒸着装置、有機ＥＬ表示装置の製造方法及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明による真空蒸着方法は、真空容器内で蒸着材料を蒸発させて基板上の予め定められた複数個所に選択的に被着させ、前記蒸着材料の薄膜パターンを形成する真空蒸着方法であって、前記基板に予め設けられた複数の電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体にて、前記薄膜パターンを形成する箇所に対応して位置する電極の抵抗体に通電しない、又は該電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記薄膜パターンを形成しない箇所に対応して位置する電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電して、蒸着を行うものである。
【０００９】
また、本発明による真空蒸着装置は、真空容器内で蒸着材料を蒸発させて基板上の予め定められた複数個所に選択的に被着させ、前記蒸着材料の薄膜パターンを形成する真空蒸着装置であって、前記基板に予め設けられた複数の電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体にて、前記薄膜パターンを形成する箇所に対応して位置する電極の抵抗体に通電しない、又は該電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記薄膜パターンを形成しない箇所に対応して位置する電極の抵抗体に前記蒸着材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する電圧印加手段を備えたものである。
【００１０】
このような構成により、電圧印加手段により基板に予め設けられた複数の電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体にて、薄膜パターンを形成する箇所に対応して位置する電極の抵抗体に通電せず、又は該電極の抵抗体に蒸着材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、薄膜パターンを形成しない箇所に対応して位置する電極の抵抗体に蒸着材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電した状態で、真空容器内で蒸着材料を蒸発させ、上記通電されていない電極上又は蒸着材料を昇華させない程度に制限された温度が発生するように通電された電極上のみに蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成する。
【００１２】
また、本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、真空容器内で有機ＥＬ材料を蒸発させて、基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極上に選択的に被着させ、前記有機ＥＬ材料の発光層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に通電しない、又は該画素電極の抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電して、蒸着を行うものである。
【００１３】
さらに、前記有機ＥＬ材料は、赤、緑、青の各色に対応した３種類の有機ＥＬ材料であり、赤色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該赤色に対応した前記画素電極上に赤色の発光層を形成する工程と、緑色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該緑色に対応した前記画素電極上に緑色の発光層を形成する工程と、青色に対応した前記有機ＥＬ材料を使用して該青色に対応した前記画素電極上に青色の発光層を形成する工程と、を順次行うものである。これにより、赤、緑、青の各色に対応した３種類の有機ＥＬ材料を夫々蒸発させて、対応色の画素電極上に各色の発光層を形成する。
【００１４】
また、前記３種類の有機ＥＬ材料は、夫々昇華温度が異なり、昇華温度の高い有機ＥＬ材料から順番に選択して蒸着される。
【００１５】
さらに、前記３種類の有機ＥＬ材料の蒸着が終了すると、所定の色の発光層上に付着した別の色の発光層を除去する工程を行うものである。
【００１６】
そして、前記発光層の除去は、前記発光層にイオンビームを照射して行うものである。
【００１７】
また、本発明による有機ＥＬ表示装置は、基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該画素電極上に設けられた有機ＥＬ材料の蒸着膜から成る発光層と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記画素電極の前記基板側の面に電気的に接触させて設けられた抵抗体と、前記抵抗体に対して外部の電圧印加手段から通電可能に設けられ、発光層形成時に、前記電圧印加手段の印加電圧に応じて、前記発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極に電気的に接触する前記抵抗体に通電せず、又は該画素電極の抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電し、前記発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触する前記抵抗体に前記有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する加熱用配線と、を備えたものである。
【００１８】
このような構成により、基板面にマトリクス状に設けられた複数の画素電極上に選択的に被着させて有機ＥＬ材料の発光層を形成する際に、外部の電圧印加手段から加熱用配線を介して上記電圧印加手段の印加電圧に応じて、発光層を形成する箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に電気的に接触する抵抗体に通電しない、又は該画素電極の抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように通電する段階と、発光層を形成しない箇所に対応して位置する画素電極の基板側の面に接触する抵抗体に有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように通電する段階と、を経て製造する。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１，２に係る発明によれば、シャドウマスクを使用することなく高精細な薄膜パターンを真空蒸着により容易に形成することができる。したがって、高精細な有機ＥＬ表示装置の製造が容易になる。
【００２１】
さらに、請求項３，４に係る発明によれば、高密度に画素が形成された有機ＥＬ表示用基板の各画素電極上にシャドウマスクを使用することなく発光層を真空蒸着により容易に形成することができる。したがって、高精細な有機ＥＬ表示装置の製造が容易になる。
【００２２】
また、請求項５に係る発明によれば、前工程で発光層が形成された画素電極を後工程において加熱しても上記発光層が昇華することがない。したがって、後工程の別の発光層形成時に、該別の発光層の有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度まで上記画素電極を加熱することができ、上記画素電極の発光層上に別の発光層が被着するのを防止することができる。これにより、混色のない高品質の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００２３】
さらに、請求項６に係る発明によれば、前工程で形成した発光層上に後工程で別の発光層が積層形成されても、該別の発光層を除去することができ、この場合も、混色ない高品質の有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００２４】
そして、請求項７に係る発明によれば、前工程の発光層上に積層形成された別の発光層をイオンビームの照射により容易に除去することができる。
【００２５】
また、請求項８に係る発明によれば、高密度に画素が形成された有機ＥＬ表示用基板の各画素電極上にシャドウマスクを使用することなく発光層を真空蒸着により容易に形成することができる。したがって、高精細な有機ＥＬ表示装置の製造が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明による真空蒸着装置の実施形態を示す概要図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置を示す説明図である。
【図３】上記有機ＥＬ表示装置の画素回路を示す説明図である。
【図４】有機ＥＬ素子構成を示す模式図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法における各画素電極への電圧印加について示す説明図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法の一工程例を示す説明図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法の別の工程例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による真空蒸着装置の実施形態の概略構成を示す部分断面正面図である。この真空蒸着装置は、蒸着材料を蒸発させて被着体に被着させ、蒸着材料の薄膜パターンを形成するもので、真空容器１と、蒸着源２と、基板保持部３と、電圧印加手段４とを備えて構成されている。以下、被着体が本発明の有機ＥＬ表示層を製造するための有機ＥＬ表示用基板５である場合について説明する。
【００２８】
一般に、有機ＥＬ表示装置は、図２に示すように、基板表面に複数の走査線６と信号線７とが縦横に配線されており、それぞれの交差部に対応して一つの画素８が設けられた構成となっている。また、各画素８は、図３に示すように、有機ＥＬ素子９と、駆動トランジスタ１０と、サンプリングトランジスタ１１と、保持容量１２とを備えて構成されている。また、有機ＥＬ素子９は、図４に示すように、基板１３面側から陽極としての画素電極１４、ホール輸送層１５、発光層１６、電子輸送層１７、陰極としての対向電極１８をこの順に積層した構成を成しており、画素電極１４が駆動トランジスタ１０のソースに接続されている。そして、有機ＥＬ表示用基板５の周辺領域には、走査線６を駆動する走査線駆動回路１９と輝度情報に応じた映像信号を信号線７に供給する信号線駆動回路２０とが設けられている。これにより、走査線駆動回路１９による駆動により、サンプリングトランジスタ１１を介して信号線７から書き込まれた映像信号が保持容量１２に保持され、保持された信号量に応じた電流が有機ＥＬ素子９に供給され、この電流値に応じた輝度で有機ＥＬ素子９が発光する。ここで、本発明の有機ＥＬ表示装置は、図４に示すように画素電極１４の下面に電気的に接触させて抵抗体２１を設け、該抵抗体２１に通電するための加熱用配線２２を図２に示すように複数の走査線６に平行に設けており、図３に示すように、駆動トランジスタ１０を介さずに抵抗体２１に対して外部から通電できるようになっている。なお、図４において、符号２３は絶縁層を示す。このように構成された本発明の有機ＥＬ表示装置の上記抵抗体２１及び加熱用配線２２は、発光層を蒸着形成する際にのみ使用され、製品として完成した後は何ら機能しないものである。また、本実施形態において使用する有機ＥＬ表示用基板５は、発光層１６を形成する前の状態のものを言う。
【００２９】
上記真空容器１は、内部を一定の真空状態に保持する密閉容器であり、図示省略の真空ポンプが接続されて、該真空ポンプの駆動により内部の空気を排気して真空状態にするようになっている。そして、リークバルブを開いて大気を容器内にリークさせ、内部を大気圧にさせた状態で容器を開き、内部の有機ＥＬ表示用基板５の取付け及び取外しや蒸着材料のセット等ができるようになっている。
【００３０】
上記真空容器１内部の底部側には、蒸着源２が設けられている。この蒸着源２は、蒸着材料としての有機ＥＬ材料（発光層形成材料）を加熱して溶融させ、有機ＥＬ材料の蒸気を発生させるものであり、有機ＥＬ材料を入れる容器（図示省略）と有機ＥＬ材料を加熱蒸発させるための加熱手段（図示省略）とを備えて構成されている。そして、赤色用蒸着源２ｒ、緑色用蒸着源２ｇ及び青色用蒸着源２ｂが並べて備えられ、各蒸着源２ｒ〜２ｂの容器の上方には、近接してシャッタ２４が設けられている。図１においては、緑色用蒸着源２ｇのシャッタ２４が開かれ、緑色有機ＥＬ材料が蒸着されている状態を示している。なお、各色の蒸着源２ｒ〜２ｂは、夫々待機位置から後述の基板保持部３に保持された有機ＥＬ表示用基板５の真下の位置まで移動可能に設けられてもよい。
【００３１】
上記真空容器１内にて上記蒸着源２に対向してその上方には、基板保持部３が設けられている。この基板保持部３は、有機ＥＬ表示用基板５の被着面を下側にして保持するもので、金属材料で形成される。そして、有機ＥＬ表示用基板５の周辺領域に設けられている加熱用配線２２の電極端子部に電気的に接続する図示省略の接続手段が設けられている。
【００３２】
上記基板保持部３の接続手段に結線して真空容器１の外部には、電圧印加手段４が備えられている。この電圧印加手段４は、発光層１６を形成する箇所に対応して位置する画素電極１４に電気的に接触する抵抗体２１に通電せず、又は該抵抗体２１に有機ＥＬ材料を昇華させない程度の制限された温度が発生するように電圧を印加して通電し、発光層１６を形成しない箇所に対応して位置する画素電極１４に電気的に接触する抵抗体２１に有機ＥＬ材料を昇華させるのに十分な温度が発生するように電圧を印加して通電するものである。これにより、抵抗体２１には、印加電圧に応じた電流が流れ、その結果ジュール熱が発生して画素電極１４を所望の温度に加熱することができる。
【００３３】
次に、このように構成された真空蒸着装置の動作及び有機ＥＬ表示装置の製造方法について図５のフローチャートを参照して説明する。なお、以下の説明においては、昇華温度が赤色有機ＥＬ材料、緑色有機ＥＬ材料及び青色有機ＥＬ材料の順に低くなるように各有機ＥＬ材料が選択されており、赤色発光層１６ｒ、緑色発光層１６ｇ、青色発光層１６ｂ（図７参照）をこの順に形成する場合について述べる。
【００３４】
先ず、ステップＳ１においては、真空容器１を開いて内部の三つの蒸着源２ｒ〜２ｂの容器に夫々対応色の有機ＥＬ材料をセットすると共に、基板保持部３に有機ＥＬ表示用基板５を被着面を下にして保持し、有機ＥＬ表示用基板５の周辺領域に設けられた加熱用配線２２の電極端子部に接続手段を取り付けて、蒸着開始準備を行う。
【００３５】
次に、ステップＳ２においては、真空容器１を閉じた後、真空ポンプを駆動して容器内の空気を排気し、容器内を予め設定された圧力の真空状態にする。
【００３６】
ステップＳ３においては、電圧印加手段４により各画素８の画素電極１４に接触する抵抗体２１に予め設定された電圧を印加して通電する。この場合、図６（ａ）に示すように、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒに接触する抵抗体２１に対する印加電圧は、０Ｖに設定され、緑色画素８ｇ及び青色画素８ｂの各画素電極１４ｇ，１４ｂに接触する抵抗体２１に対する印加電圧は、画素電極１４ｇ，１４ｂ部に赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｇ，Ｖｂに設定される。
【００３７】
ステップＳ４においては、赤色用蒸着源２ｒを駆動し、赤色有機ＥＬ材料を蒸発させる。この場合、赤色有機ＥＬ材料の蒸発が安定し、また緑色及び青色画素電極１４ｇ，１４ｂ部の温度が赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上となるまでの一定時間待った後、シャッタ２４を開き蒸着を開始する。
【００３８】
ステップＳ５においては、赤色有機ＥＬ材料の蒸着を予め定められた一定時間だけ行い、一定時間経過後シャッタ２４を閉じると共に赤色用蒸着源２ｒの駆動を停止して赤色有機ＥＬ材料の蒸着を終了する。この場合、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、該画素電極１４ｒ部の温度Ｔｒは、赤色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く、図７（ａ）に示すように画素電極１４ｒに赤色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの赤色発光層１６ｒが形成される。一方、緑色画素８ｇ及び青色画素８ｂの各画素電極１４ｇ，１４ｂに接触する抵抗体２１には、赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｇ，Ｖｂを印加して通電されているので、該各画素電極１４ｇ，１４ｂの温度Ｔｇ，Ｔｂは赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上（Ｔｒ＜Ｔｇ，Ｔｒ＜Ｔｂ）となっており、各画素電極１４ｇ，１４ｂに被着する赤色有機ＥＬ材料は、同図に示すように直ぐに昇華してしまい、各画素電極１４ｇ，１４ｂ上には赤色発光層１６ｒは形成されない。
【００３９】
ステップＳ６においては、全ての発光層１６の蒸着形成を終了したか否かが判定される。この場合、赤色発光層１６ｒが形成されただけであるので、ステップＳ６は“ＮＯ”判定となってステップＳ３に戻る。
【００４０】
ステップＳ３においては、図６（ｂ）に示すように、緑色画素８ｇの画素電極１４ｇに接触する抵抗体２１に対する印加電圧は、０Ｖに設定され、赤色画素８ｒ及び青色画素８ｂの各画素電極１４ｒ，１４ｂに接触する抵抗体２１に対する印加電圧は、各画素電極１４ｒ，１４ｂ部に緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｒ，Ｖｂに設定される。この場合、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒに接触する抵抗体２１に対する印加電圧Ｖｒは、緑色有機ＥＬ材料の蒸着時に、前工程で形成された赤色発光層１６ｒが再昇華しないように、画素電極１４ｒの温度が緑色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも高く、赤色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低いか、又は高くてもその昇華温度近傍となるように設定するとよい。
【００４１】
ステップＳ４においては、緑色用蒸着源２ｇを駆動し、緑色有機ＥＬ材料を蒸発させる。この場合、緑色有機ＥＬ材料の蒸発が安定し、また赤色及び青色画素電極１４ｒ，１４ｂ部の温度が緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上となるまでの一定時間待った後、シャッタ２４を開き蒸着を開始する。
【００４２】
ステップＳ５においては、緑色有機ＥＬ材料の蒸着を予め定められた一定時間だけ行い、一定時間経過後シャッタ２４を閉じると共に緑色用蒸着源２ｇの駆動を停止して緑色有機ＥＬ材料の蒸着を終了する。この場合、緑色画素８ｇの画素電極１４ｇに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、該画素電極１４ｇの温度Ｔｇは、緑色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く、図７（ｂ）に示すように画素電極１４ｇに緑色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの緑色発光層１６ｇが形成される。一方、赤色及び青色画素８ｒ，８ｂの各画素電極１４ｒ，１４ｂに接触する抵抗体２１には、緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｒ，Ｖｂを印加して通電されているので、該各画素電極１４ｒ，１４ｂの温度Ｔｒ，Ｔｂは緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上（Ｔｇ＜Ｔｒ≦Ｔｂ）となっており、各画素電極１４ｒ，１４ｂに被着する緑色有機ＥＬ材料は、同図に示すように直ぐに昇華してしまい、各画素電極１４ｒ，１４ｂ上には緑色発光層１６ｇは形成されない。
【００４３】
ステップＳ６においては、再び、全ての発光層１６の蒸着形成を終了したか否かが判定される。この場合、赤色及び緑色発光層１６ｒ，１６ｇの蒸着を終えただけであるので、ステップＳ６は“ＮＯ”判定となってステップＳ３に戻り、再度ステップＳ３〜Ｓ６が実行される。
【００４４】
即ち、ステップＳ３においては、図６（ｃ）に示すように、青色画素８ｂの画素電極１４ｂの印加電圧は、０Ｖに設定され、赤色画素８ｒ及び緑色画素８ｇの各画素電極１４ｒ，１４ｇに接触する抵抗体２１に対する印加電圧は、各画素電極１４ｒ，１４ｇに青色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｒ，Ｖｇに設定される。この場合、赤色及び緑色画素８ｒ，８ｇの画素電極１４ｒ，１４ｇに接触する抵抗体２１に対する印加電圧Ｖｒ，Ｖｇは、青色有機ＥＬ材料の蒸着時に被着された赤色及び緑色発光層１６ｒ，１６ｇが再昇華しないように、各画素電極１４ｒ，１４ｇの温度が青色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも高く、赤色又は緑色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低いか、又は高くてもその昇華温度近傍となるように設定するとよい。
【００４５】
ステップＳ４においては青色用蒸着源２ｂを駆動し、青色有機ＥＬ材料を蒸発させる。この場合、青色有機ＥＬ材料の蒸発が安定し、また赤色及び緑色画素電極１４ｒ，１４ｇの温度が青色有機ＥＬ材料の昇華温度以上となるまでの一定時間待った後、シャッタ２４を開き蒸着を開始する。
【００４６】
ステップＳ５においては、青色有機ＥＬ材料の蒸着を予め定められた一定時間だけ行い、一定時間経過後シャッタ２４を閉じると共に青色用蒸着源２ｂの駆動を停止して青色有機ＥＬ材料の蒸着を終了する。この場合、青色画素８ｂの画素電極１４ｂに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、該画素電極１４ｂの温度Ｔｂは、青色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く、図７（ｃ）に示すように青色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの青色発光層１６ｂが形成される。一方、赤色画素８ｒ及び緑色画素８ｇの各画素電極１４ｒ，１４ｇに接触する抵抗体２１には、青色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｒ，Ｖｇを印加して通電されているので、該各画素電極１４ｒ，１４ｇの温度Ｔｒ，Ｔｇは青色有機ＥＬ材料の昇華温度以上（Ｔｂ＜Ｔｇ≦Ｔｒ）となっており、各画素電極１４ｒ，１４ｇに被着する青色有機ＥＬ材料は、同図に示すように直ぐに昇華してしまい、各画素電極１４ｒ，１４ｇ上には青色発光層１６ｂは形成されない。
【００４７】
ステップＳ６においては、再々度、全ての発光層１６の蒸着形成を終了したか否かが判定される。この場合、全ての発光層１６が形成されたので、ステップＳ６は“ＹＥＳ”判定となって蒸着工程を終了する。
【００４８】
図８は、有機ＥＬ表示装置の製造方法の別の工程例を示す説明図である。
先ず、同図（ａ）に示すように、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒに接触する抵抗体２１へは電圧を印加せず、緑色画素８ｇ及び青色画素８ｂの各画素電極１４ｇ，１４ｂに接触する抵抗体２１に赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｇ，Ｖｂを印加する。この状態で、赤色用蒸着源２ｒを駆動して赤色有機ＥＬ材料を蒸発させて有機ＥＬ表示用基板５に被着させる。この場合、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、該画素電極１４ｒの温度Ｔｒは、赤色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く、画素電極１４ｒに赤色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの赤色発光層１６ｒが形成される。一方、緑色画素８ｇ及び青色画素８ｂの各画素電極１４ｇ，１４ｂに接触する抵抗体２１には、赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｇ，Ｖｂを印加して通電されているので、該各画素電極１４ｇ，１４ｂの温度Ｔｇ，Ｔｂは赤色有機ＥＬ材料の昇華温度以上（Ｔｒ＜Ｔｇ，Ｔｒ＜Ｔｂ）となっており、各画素電極１４ｇ，１４ｂに被着する赤色有機ＥＬ材料は直ぐに昇華してしまい、各画素電極１４ｇ，１４ｂ上には赤色発光層１６ｒは形成されない。
【００４９】
次に、図８（ｂ）に示すように、赤色及び緑色画素８ｒ，８ｇの各画素電極１４ｒ，１４ｇに接触する抵抗体２１へは電圧を印加せず、青色画素８ｂの画素電極１４ｂに接触する抵抗体２１に緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｂを印加する。この状態で、緑色用蒸着源２ｇを駆動して緑色有機ＥＬ材料を蒸発させて有機ＥＬ表示用基板５に被着させる。この場合、赤色及び緑色画素８ｒ，８ｇの各画素電極１４ｒ，１４ｇに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、該画素電極１４ｒ，１４ｇの温度Ｔｒ，Ｔｇは、緑色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く、緑色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの緑色発光層１６ｇが形成される。一方、青色画素８ｂの画素電極１４ｂに接触する抵抗体２１には、緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上の温度を発生させ得る電圧Ｖｂを印加して通電されているので、該画素電極１４ｂの温度Ｔｂは緑色有機ＥＬ材料の昇華温度以上（Ｔｒ＝Ｔｇ＜Ｔｂ）となっており、該画素電極１４ｂに被着する緑色有機ＥＬ材料は直ぐに昇華してしまい、画素電極１４ｂ上には緑色発光層１６ｇは形成されない。
【００５０】
続いて、図８（ｃ）に示すように、全ての画素８の画素電極１４ｒ〜１４ｂに接触する抵抗体２１に通電せず、この状態で、青色用蒸着源２ｂを駆動して青色有機ＥＬ材料を蒸発させて有機ＥＬ表示用基板５に被着させる。この場合、全ての画素８の画素電極１４ｒ〜１４ｂに接触する抵抗体２１には、通電されていないので、各画素電極１４ｒ〜１４ｂの温度Ｔｒ，Ｔｇ，Ｔｂは、青色有機ＥＬ材料の昇華温度よりも低く（Ｔｒ＝Ｔｇ＝Ｔｂ）、青色有機ＥＬ材料が被着して一定厚みの青色発光層１６ｂが形成される。このような蒸着においては、同図に示すように、赤色画素８ｒの画素電極１４ｒ上には、赤色、緑色及び青色の全ての発光層１６ｒ〜１６ｂが積層形成され、緑色画素８ｇの画素電極１４ｇ上には、緑色及び青色の発光層１６ｇ，１６ｂが積層形成されることになる。
【００５１】
そこで、図８（ｄ）に示すように、公知のイオンビーム装置を使用してアルゴンクラスターイオンビームを生成し、該イオンビームを有機ＥＬ材料が蒸着された有機ＥＬ表示用基板５の被着面全面に適切に選択された入射角度で照射する。これにより、赤色画素８ｒ上の緑色及び青色発光層１６ｇ，１６ｂ、及び緑色画素８ｇ上の青色発光層１６ｂを除去する。このとき、イオン種検出手段等により画素８間の分離材料としての例えばシリコン（Ｓｉ）絶縁膜２５のＳｉイオンを検出すると直ちにイオンビームの照射を停止するようにするとよい。このようにして、同図（ｅ）に示すように、有機ＥＬ表示用基板５の各画素８の画素電極１４上には、対応色の発光層１６が形成される。
【００５２】
なお、上記実施形態においては、発光層１６を形成する画素８の画素電極１４に接触する抵抗体２１には電圧を印加しない場合について説明したが、蒸着材料を昇華させない程度に制限された温度を発生させ得る電圧を印加してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態においては、画素電極１４に電気的に接触させて設けた抵抗体２１に通電して発熱させ、画素電極１４を加熱する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、抵抗体２１は設けず、画素電極１４に通電して画素電極１４を所望の温度に発熱させてもよい。
【００５４】
さらに、以上の説明においては、有機ＥＬ表示装置を製造する場合について述べたが、本発明はこれに限られず、本発明の真空蒸着方法により製造できる如何なる製品の製造方法にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１…真空容器
２，２ｒ，２ｇ，２ｂ…蒸着源
４…電圧印加手段
５…有機ＥＬ表示用基板（被着体）
１４，１４ｒ，１４ｇ，１４ｂ…画素電極（電極）
１６，１６ｒ，１６ｇ，１６ｂ…発光層（薄膜パターン）
２１…抵抗体
２２…加熱用配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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