(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路の製造方法であって、
第１の導体層（２０）と第２の導体層（２４）と該第１の導体層および該第２の導体層間に設けられる誘電体（２２）とを含み、前記第１の導体層（２０）が前記第２の導体層（２４）よりも厚い、予成形基板（１０）を設けるステップと、
少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）を、前記予成形基板の前記第１の導体層（２０）上に、前記少なくとも１つの冷却すべき素子と前記第１の導体層との間に熱伝導接続を形成しつつ実装するステップと、
前記第２の導体層（２４）の縁領域を除去して、該縁領域内に前記第２の導体層（２４）に対する前記誘電体（２２）の突出部（５０）を形成するステップと、
を含み、
前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）の実装ステップの前もしくは後に、前記基板（１０）を、前記基板の全厚さを通して個々の基板セクション（１２，１４）に分割し、該個々の基板セクションのうち少なくとも１つの基板セクションが前記少なくとも１つの冷却すべき素子を支持するように、前記基板（１０）をパターニングし、さらに、１つの基板セクション（１４）と電気コンタクトインタフェース（７０）との間または１つの基板セクション（１４）と別の基板セクション（１２）との間の電気的接続を形成し、前記少なくとも１つの冷却すべき素子の実装後に前記基板セクションを注封する、
ことを特徴とする電気回路の製造方法。
【請求項２】
前記予成形基板（１０）を、前記第１の導体層（２０）と前記誘電体（２２）と前記第２の導体層（２４）とが真空中で相互接続された積層体として、または、金属コア回路板として、または、絶縁型金属基板ＩＭＳとして、または、真空中でラミネートされた回路板を含む金属支持体として設ける、請求項１記載の電気回路の製造方法。
【請求項３】
前記個々の基板セクション（１２，１４）を打ち抜きまたはソー切削または切断またはレーザー分離または切削破断により相互に分割し、さらに、前記個々の基板セクションを上部に実装したヒートシンク（４０）を、前記基板の前記第２の導体層（２４）と前記ヒートシンク（４０）との間の熱伝導接続（４２）が形成されるように設ける、請求項１または２記載の電気回路の製造方法。
【請求項４】
前記予成形基板（１０）を電気的ブレークダウン耐性が測定された基板（１０）として設けるか、または、前記基板を設けるステップが、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間に試験電圧を印加して測定電流を検出することによりブレークダウン耐性を求めることを含む、請求項１から３までのいずれか１項記載の電気回路の製造方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）の実装ステップは、さらに、前記素子（３０−３４）と前記第１の導体層（２０）との間の電気的コンタクトを、前記素子に面する前記第１の導体層の表面上にはんだ付けすることによって形成することを含む、請求項１から４までのいずれか１項記載の電気回路の製造方法。
【請求項６】
前記素子（３０−３４）と前記第１の導体層（２０）との間の電気的コンタクトは、前記第１の導体層に面する前記素子のコンタクトである、請求項５記載の電気回路の製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）と電気コンタクトインタフェース（７０）との間、または、１つの素子（３２）と前記第１の導体層上に実装された別の素子（３４）との間に、少なくとも１つの導体のボンディングまたははんだ付けまたは導体のはんだ接続により、電気的接続を形成する、請求項１から６までのいずれか１項記載の電気回路の製造方法。
【請求項８】
前記導体のはんだ接続は、金属ブリッジ（６０−６４）のはんだ接続である、請求項７記載の電気回路の製造方法。
【請求項９】
前記第２の導体層の縁領域の除去を、エッチングまたはフライス加工により行う、請求項１から８までのいずれか１項記載の電気回路の製造方法。
【請求項１０】
電気回路であって、
第１の導体層（２０）と第２の導体層（２４）とこれらの間に設けられた誘電体（２２）とによって形成された予成形基板（１０）を備え、
前記第１の導体層（２０）は前記第２の導体層（２４）よりも厚く、
さらに、前記第１の導体層（２０）上に実装された少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）を備え、
前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）と前記第１の導体層（２０）との間に熱伝導接続部が設けられており、
前記第２の導体層（２４）の縁領域を除去して該縁領域内に形成された、前記第２の導体層（２４）に対する前記誘電体（２２）の突出部（５０）が設けられており、
前記基板（１０）は、前記基板の全厚さを通して複数の個別の基板セクション（１２，１４）に分割されており、該複数の個別の基板セクションのうち少なくとも２つの基板セクション上に前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）が配置されており、１つの基板セクション（１４）と電気コンタクトインタフェース（７０）との間または１つの基板セクション（１４）と別の基板セクション（１２）との間に電気的接続が形成されており、各基板セクション（１２，１４）と前記少なくとも１つの冷却すべき素子（３０−３４）とが注封材（８０）内に埋め込まれている、
ことを特徴とする電気回路。
【請求項１１】
各基板セクションはヒートシンク（４０）上に固定されており、前記ヒートシンクは各基板セクションの前記第２の導体層（２４）に熱伝導接続されている、請求項１０記載の電気回路。
【請求項１２】
前記予成形基板（１０）は、前記第１の導体層（２０）と前記誘電体（２２）と前記第２の導体層（２４）とが真空中で相互接続された積層体、または、金属コア回路板、または、絶縁型金属基板ＩＭＳ、または、真空中でラミネートされた回路板を含む金属支持体である、請求項１０または１１記載の電気回路。
【請求項１３】
前記予成形基板（１０）は、電気的ブレークダウン耐性が測定された基板（１０）である、請求項１０から１２までのいずれか１項記載の電気回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来技術
電気部品または電子部品の損失熱を放出するために、プリント回路板または基板を介して各部品に熱伝導接続された冷却体を用いることが知られている。熱はまず熱源すなわち各部品から、各部品を実装しているプリント回路板へ伝わり、さらに、プリント回路板から冷却体へ伝わる。
【０００２】
いわゆる絶縁型金属基板ＩＭＳ（インシュレーテッドメタルサブストレート）は、良好な放熱のために、冷却体に実装された厚い金属プレートを有する。一方、誘電体を介して金属プレートに接続された銅被覆材は、上部に実装される電気部品に対する導体路を有する。銅被覆材は、薄く（最大で３００μｍ）、この銅被覆材をパターニングして導体路を構成することができるよう、特にフォトリソグラフィおよび続くエッチングによって、構成される。このため、こうした装置に必然的に発生する欠点として、部品が実装された銅被覆材がその薄さのために熱を充分に分散できない。しかも、これに接する誘電体の材料の熱伝導率が小さいことによって、その欠点は甚だしくなる。熱負荷が高くなると、誘電体の絶縁効果と銅被覆材を介した熱分散度が低いこととによって、部品の実装位置で熱の滞留点（ホットスポット）が発生する。
【０００３】
独国特許第１０３３１８５７号公報には、厚い金属プレートが熱源となるパワー半導体を支持しているパワー半導体装置が示されている。金属プレートは、絶縁樹脂層および薄い金属層から一体に形成された複合体上に配置されており、熱負荷をともなうプレス処理により、注封材に既に埋め込まれた金属プレートに接続される。この場合、複合体は厚い金属プレートをはるかに越えて延在し、縁領域でさらに注封材に接続される。
【０００４】
上述した段階的な製造プロセスには、複数回の層接合ステップが必要となる。少なくとも、複合体と既に完全に実装された部品を備えた残りの回路とが（１回のステップで）固定される。したがって、圧力および温度が制限され、回路は圧力および温度によりさらに負荷される。また、複数の層を段階的に固定するため、所望の耐熱性を有する装置を実現できない。なぜなら、個々の積層ステップによって各層間に残留空気が発生し、これによりホットスポットが生じるからである。さらに、個々の部品も、大量生産によって製造可能な標準的部品でないので、製造ステップは複雑であり、組み立てコストもかかる。
【０００５】
本発明の課題は、簡単かつ低コストに製造可能であって、高い放熱性を有する電気回路およびその製造方法を提供することである。
【０００６】
発明の開示
この課題は、本発明の独立請求項に記載された発明によって解決される。
【０００７】
本発明により、低コストの標準部品を利用でき、必要なプロセスステップが低減される。また、負荷に強く、効率の良い放熱が達成される。さらに、放熱部品を配置する間、回路部品が熱および圧力に曝されないので、形成される回路の欠陥率が低減される。また、本発明によれば、付加的な部品による試験への障害なく、また、電気部品の損傷のおそれもなしに、電気的ブレークダウン耐性を試験することができる。
【０００８】
本発明によれば、第１の導体層と第２の導体層とこれら第１の導体層および第２の導体層間に設けられた誘電体とを含み、第１の導体層が第２の導体層よりも数倍厚い、予成形基板が用いられる。第１の導体層は、冷却すべき熱源である実装素子から直接に熱を受け取るのに用いられる。第１の導体層の厚さが大きいため、発生した熱は大きく分散される。第１の導体層は主として熱伝導に用いられ、第２の導体層は、特に誘電体の保護に用いられ、場合により複数の導体路へパターニングされて配線に用いられる。第２の導体層による保護により、誘電体を薄い絶縁層として構成でき、この誘電体は、特に厚さが小さいため、高い熱伝導性を実現できる。第２の導体層は、製造中（および後の実装中）、誘電体を機械的影響から保護する。第１の導体層に続く誘電体は、大きな通過面によって、広く分散された熱流を第２の導体層へ伝導させる。第２の導体層は冷却体（または冷却体へ通じるヒートシンク）のコンタクトに用いられる。本発明の製造方法を適用して回路を製造する場合、層パターンが形成された予成形基板が基礎となる。こうした基板はプリント回路板ないし基板の通常の製造プロセスによって形成される。製造時には（コンポーネント数が僅かなため）、基板の特性のみを考慮して圧力および熱を利用すればよい。特に、回路の埋め込みのための注封材や半導体素子または熱ペーストなどの他の要素が持続的に損なわれるおそれのある高めの熱ないし圧力などの製造パラメータであっても利用可能となる。
【０００９】
第１の導体層は金属プレート、特に、銅、アルミニウム、銅合金、アルミニウム合金、または他の熱伝導性材料から成るプレートである。第１の導体層の厚さは０．５ｍｍから１０ｍｍの範囲であり、有利には０．８ｍｍから８ｍｍの範囲または１ｍｍから５ｍｍの範囲であり、特に有利には１ｍｍから３ｍｍの範囲である。第１の導体層の厚さは特には少なくとも０．５ｍｍまたは０．８ｍｍまたは１ｍｍまたは２ｍｍである。これにより、上部に実装されて直接に冷却されるべき素子を基礎とした高度な熱分散が可能となる。
【００１０】
第２の導体層は金属コーティング、特に、銅被覆材である。第２の導体層の厚さは０．０３ｍｍから０．４５ｍｍの範囲であり、有利には０．０７ｍｍから０．３ｍｍの範囲であって、０．４ｍｍまたは０．２ｍｍを越えない。本発明で必ずしも第２の導体層にパターニングを行わなくてよい場合でも、第２の導体層の厚さは、通常のフォトリソグラフィプロセスまたはパターニングのためのフライス加工プロセスが可能となって、他の目的に用いられる部品へアクセスでき、大量生産品として低コストに製造できるように選択される。
【００１１】
誘電体は、電気的絶縁性材料、特にエポキシ樹脂または熱伝導性の絶縁性接着剤から成る。一般の層として構成されている誘電体の厚さは、有利には０．０３ｍｍから０．３ｍｍの値、特に有利には０．０７５ｍｍから０．２ｍｍの値である。誘電体は、基板の製造中、化学的硬化または物理的硬化または冷却による剛性化によって、流動可能状態から弾性状態へ移行する。第１の導体層と誘電体と第２の導体層とは基板の完成時に相互にプレスされるが、誘電体は流動可能である。誘電体によって導体層間に少なくとも部分的弾性を有する強靱な接合部を形成することによって、本発明で使用される基板は機械的にローバストとなる。本発明で使用される基板は、さらに、製造中、真空のもとで複数の層がプレスされ（場合により加熱され）る。これにより、全ての層間の残留空気が除去されるので、基板は誘電体を通した良好な熱伝導性を有する。こうしてホットスポットが回避される。また、基板材料（特に誘電体の弾性特性）を選択することにより、当該基板は、セラミックベースのプリント回路板に比べ、障害なく機械的負荷を吸収できる。
【００１２】
本発明によって設けられる電気回路は、有利には、特に自動車分野で用いられる電力回路である。冷却すべき素子は有利にはパワー半導体、例えばトランジスタ、ＩＧＢＴ、ダイオード、ＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、サイリスタ、ＴＲＩＡＣなど、または、抵抗、チョーク、トランスなどの高い損失電力を有するその他の素子である。これらの素子は、さらに、プロセッサまたはコントローラなどの、熱放出量の大きいクロック制御素子であってもよい。本発明は特に、自動車分野において、機関制御または電気駆動機構制御用の制御回路、出力段、ドライバ回路に用いられる。
【００１３】
したがって、本発明の電気回路の製造方法では、まず、第１の導体層および第２の導体層とその間に設けられた誘電体とを含む予成形基板が設けられる。基板は第１の導体層と第２の導体層との間に位置する。第１の導体層は第２の導体層よりも数倍厚い。数倍とは、１．２倍から３５０倍、有利には３倍から１００倍に達し、一般に実数である。ついで、少なくとも１つの冷却すべき素子が、予成形基板の第１の導体層上に実装される。この実装により、少なくとも１つの冷却すべき素子と第１の導体層との間に熱伝導接続が形成される。各素子および第１の導体層は、直接接触、有利には物理的な直接接触によって、および／または、はんだ接続部などの材料結合部を介して、相互に接続される。はんだ接続部では薄いはんだ層が直接接触を支援する。所定の構成として、コンタクトが薄い層の熱伝導性材料（熱伝導性ペーストまたは熱伝導性パッド）によって設けられるようにしてもよい。コンタクトを介した熱伝導力が高いため、上述したコンタクトは直接接触部と見なすことができる。
【００１４】
本発明の特に有利な実施形態によれば、予成形基板は、第１の導体層と誘電体と第２の導体層とを（有利には真空中で）相互接続した積層体として設けられる。簡単に実現可能な変形形態として、基板を、いわゆるメタルコア回路板、または、ＩＭＳ（アイソレーテッドメタルサブストレート）、絶縁型金属基板、（真空中で）ラミネートされた回路板を含む金属支持体などと称される回路板として設けてもよい。この種のＩＭＳは以前から公知であり、僅かなコストで大量に製造できる。これが本発明の回路ないし本発明の方法の出発材料として用いられる。通常の利用で、各素子が薄い第２の層上に実装されることに代え、本発明では、冷却すべき素子を厚い第１の導体層上に実装し、この厚い第１の導体層の全体にわたって熱が邪魔されずに分散されるようにする。本発明によれば、通常の利用では分散されない誘電体上の熱流が時間の経過にしたがって累積されることが認識されており、この欠点が、本発明にしたがって厚い第１の導体層上に素子を実装することにより克服される。本発明の主たる特徴は、ＩＭＳをいわば反対に利用し、素子が厚い第１の導体層上に実装されるようにすることである。従来技術で導体路のために用いられる薄い層は、本発明では冷却体に対するコンタクト面として用いられる。
【００１５】
本発明の方法の別の実施形態によれば、少なくとも１つの冷却すべき素子の実装ステップが、さらに、素子と第１の導体層との間の電気的コンタクトを、特に第１の導体層に面する素子のコンタクトを素子に面する第１の導体層の表面上にはんだ付けすることによって形成することを含む。電気的コンタクトを形成する別の方法とは、例えば、クランプコンタクトまたはフランジコンタクトまたはねじコンタクトであってよい。厚い第１の導体層は、放熱のほか、素子の電気コンタクトにも用いられる。したがって、第１の導体層との電気的接続が、例えばはんだ接続部または第１の導体層上に印刷されたコンタクトまたはボンディングによって形成される。特にばね弾性を有する導体フックが用いられる。この導体フックは第１の導体層または素子の上方コンタクト面にプレスされて配置されている。
【００１６】
また、少なくとも１つの冷却すべき素子の実装ステップの前もしくは後に、基板を全厚さにわたって分割することによって、複数の素子をパターニングすることができる。よって、基板は個別の部材として分離された複数の基板セクションへ分割される。この手段により、個々の電気的接続が形成され、それ以外の箇所には導体路が設けられる。さらに、１つの基板セクションと電気コンタクトインタフェースとの間の電気的接続もしくは１つの基板セクションと別の基板セクションとの間の電気的接続が形成される。この接続は、基板セクションの第１の導体層または素子の上方コンタクト面にコンタクトする上記手段、特にはんだ付けされた導体フックまたはばねコンタクト内に支承された導体フックによって行われる。また、別の基板セクションの電気インタフェースまたは別の第１の導体層または別の素子の上方コンタクト面への接続も形成される。少なくとも１つの基板セクションは少なくとも１つの素子を支持する。
【００１７】
少なくとも１つの素子と電気インタフェースとの間、または、第１の導体層上の１つの素子と別の素子との間に、少なくとも１つの導体のボンディングまたははんだ付けまたは導体（特に金属ブリッジ）のはんだ接続によって、電気的接続が形成される。この場合、コンタクトインタフェースは外部の部品を接続するための電気的インタフェースに相当する。
【００１８】
さらに、基板の少なくとも一部と少なくとも一部の素子とを（特に射出成形可能なプラスティックを射出成形法で埋め込むことによって）注封することができる。これは特に複数の基板セクションが用いられる場合に行われ、少なくとも１つの素子を実装した後、複数の基板セクションが注封される。したがって、本発明の回路では、注封材に、基板の少なくとも一部（特に第１の導体層）と少なくとも１つの素子とが埋め込まれる。基板セクションと電気的インタフェースとの間の接続または基板セクション間の接続が行われる場合、これらの接続部も有利には注封される。
【００１９】
個々の基板セクションは打ち抜きもしくはソー切削もしくは切断もしくはレーザー分離もしくは切削破断により相互に分割される。これに代えてまたはこれに加えて、ヒートシンクが設けられ、このヒートシンク上に個々の基板セクションが実装され、基板の第２の導体層とヒートシンクとの間の熱伝導接続が形成されてもよい。ヒートシンクは、上部に回路の基板セクションの幾つかまたは全てが配置された金属プレートによって設けられている。熱伝導接続は第２の導体層とヒートシンクとを直接に接触させることによって行われる（ただし、場合により、熱伝導性ペーストから成る層によって支援してもよい）。また、ヒートシンクは、複数の冷却フィンガを備えた冷却体から形成されていてもよく、この冷却体は熱吸収のためのコンタクト面を含み、第２の導体層と熱伝導接続される。
【００２０】
選択的な実施形態として、基板全体でなく、第１の導体層のみをパターニングしてもよい。つまり、例えばフライス加工を行うか、または、パターニングされた第１の導体層を有する予成形基板を用いて、電気的に相互に分離された複数の部分への分割を行ってもよい。第１の導体層の個々の部分は、誘電体と第２の導体層とによって固定の位置に配置される。パターニングは回路に依存して定められるので、この実施形態のバリエーションは、特に同じ回路ないし同種の回路を大量生産する場合に有利である。
【００２１】
別の有利な実施形態によれば、さらに、特にエッチングもしくはフライス加工により、第２の導体層の縁領域が除去される。縁領域では第２の導体層はその全厚さにわたって除去される。これにより、縁領域内に第２の導体層に対する誘電体の突出部が形成される。本発明の回路も同様に、誘電体が側方で第２の導体層から突出し、突出部を形成する縁領域を有している。この突出部は第１の導体層と第２の導体層（またはヒートシンク）とを電気的に分離するために用いられる。
【００２２】
別の有利な実施形態では、予成形基板は電気的ブレークダウン耐性が測定された基板として設けられる。例えば、先行する基板製造プロセスの最終管理工程において電気的ブレークダウン耐性が測定され、その最終製品が本発明で使用される基板となる。これにより、本発明の製造プロセスにおける欠陥率が低減される。これに代えて、基板を設けるに際して、第１の導体層と第２の導体層との間に試験電圧を印加し、測定電流を検出することにより、有利には素子を実装する前に、ブレークダウン耐性を求めてもよい。これにより、電気回路の製造中に層構造体を検査でき、欠陥が発生している場合にはその基板を素子の実装前（または注封前に）廃棄することができる。このようにすれば欠陥に起因する付加コストを低減できる。
【００２３】
本発明はさらに電気回路にも関する。電気回路の特徴は、上述した方法ステップおよびそれによって形成される回路部品の特徴に対応する。これは特に、基板、素子、基板セクションなどに当てはまる。本発明の電気回路は、第１の導体層と第２の導体層とこれらの間に設けられる誘電体とを含む、予成形基板を備える。この基板は（部品の実装時には維持されない製造パラメータのもとでの）予成形により、高い熱伝導性と弾性とを有する。また、素子は（基板の製造パラメータが放棄されないので）圧力または熱の負荷によって損なわれない。本発明の電気回路では、第１の導体層は第２の導体層よりも数倍厚く、少なくとも１つの冷却すべき素子が第１の導体層上に実装されており、少なくとも１つの冷却すべき素子と第１の導体層との間に熱伝導接続部が設けられている。熱伝導接続部は、有利には、素子と第１の導体層との間の薄いはんだ層を用いたはんだ接続部など、直接接触によって形成される。直接接触は特には直接の物理的接触によって形成される。これに代えて、コンタクトを熱伝導層となる熱伝導ペーストによって支援してもよい。直接接触によって素子と第１の導体層との間の高い熱伝導性が得られる。
【００２４】
本発明の電気回路の実施形態では、基板は複数の個別の基板セクションに分割される。複数の個別の基板セクションのうち少なくとも２つの基板セクション上に少なくとも１つの冷却すべき素子が配置され、各基板セクションはヒートシンク上に固定される。ヒートシンクは各基板セクションの第２の導体層に（有利には、熱伝導性ペーストを利用した直接接触によって）熱伝導接続される。各基板セクションと少なくとも１つの冷却すべき素子とは注封材内に埋め込まれる。注封材は電気的絶縁性のプラスティック材料、有利には射出成形可能なプラスティック材料から成る。また、上述したように、電気的接続部（金属ブリッジ、はんだ接続部、ボンディング接続部またはこれらの組み合わせ）を電気回路内に設け、基板セクション間の接続および／または基板セクションとコンタクトインタフェースとの接続を（上述したように）行ってもよい。
【００２５】
これに代えて、第１の導体層を、相互に電気的に分離された複数の部分に分割してもよい。複数の部分は誘電体に機械的に固定に接合される。第１の導体層は打ち抜き板の形態で誘電体および第２の導体層とともに形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の電気回路の実施例の概略図である。
【００２７】
本発明の実施例
図１には本発明の電気回路の実施例が示されている。この電気回路は、２つのセクション１２，１４に分割された基板１０を含む。この基板１０は、第１の導体層２０と、層状の誘電体２２と、第２の導体層２４とを含む。第１の導体層２０上に、複数の素子３０，３２，３４がはんだ接続部を介して実装されている。全セクションの第２の導体層２４は、金属プレート４０の形態の共通のヒートシンク上に、はんだ接続部４２を介して固定されている。はんだ接続部４２はセクションごとに設けられている。これに代わる熱伝導接続部４２として、熱伝導性接着剤の層の形態の電気的絶縁性かつ熱伝導性の接続部も可能である。
【００２８】
第２の導体層２４は誘電体に対して後退されており、これにより突出部５０が形成されている。
【００２９】
各素子３０−３４は上方コンタクト面３１’および下方コンタクト面３１を有する。下方コンタクト面３１は第１の導体層２０上に直接にはんだ付けされており、これにより熱伝導接続が形成される。各素子３２−３４の上方コンタクト面３１’は金属製のコンタクトブリッジ６０を介して接続されている。コンタクトブリッジ６０は素子３０の上方コンタクト面３１’と素子３２の上方コンタクト面３１’とを接続している。２つの素子３０，３２は基板１０の異なるセクション１２，１４上に配置されている。破線で示されているコンタクトブリッジ６２は、素子３２の上方コンタクト面３１’と素子３４の上方コンタクト面３１’とを接続しており、２つの素子３２，３４は基板１０の同じセクション１４上に配置されている。素子３２，３４の各下方コンタクト面３１が電気的にアクティブである場合、第１の導体層２０およびはんだ接続部を介して、素子３２，３４の各下方コンタクト面３１とセクション１４の第１の導体層２０との間が相互に接続される。
【００３０】
さらなる電気的接続は（点線で示されている）コンタクトブリッジ６４を介して行われる。このコンタクトブリッジ６４は素子３４の上方コンタクト面３１’をコンタクトインタフェース７０に接続している。コンタクトブリッジ６４は、（回路の他のコンタクトブリッジと同様に）はんだ接続部を介して各コンタクト面に接続されるか、または、弾性特性を有し、図示されていない部材によって下方の基板の方向へ押され、そこに生じる圧点を介して各コンタクト面に接続される。コンタクトインタフェース７０はコンタクトブリッジへのコンタクトを形成するコンタクト面７１を有し、回路の外面を通って外部コンポーネント（センサ、給電部など）の端子まで延在している。また、各素子は、図示されていないボンディングワイヤを介してコンタクトされる図示されていない制御入力側を有する。図１に示されている電気的接続部すなわちコンタクトブリッジは、電力電流を輸送するために特にその断面積および材料（銅、アルミニウムなど）の点で調整された高電流接続部である。さらに、別のコンタクトブリッジ６６の形態の電気的接続部も設けられており、この別のコンタクトブリッジ６６は基板１０のセクション１４の第１の導体層２０に直接に接続されているコンタクト面を有する。各コンタクトブリッジははんだ接続部を介して第１の導体層２０に接続可能である。
【００３１】
回路は注封材８０に埋め込まれており、コンタクトインタフェース７０およびコンタクトブリッジ６６および金属プレート４０の一部を除いて、全てのコンポーネントが注封材８０に埋め込まれている。コンタクトインタフェース７０およびコンタクトブリッジ６６は回路の外面で注封材から突出している。また、金属プレート４０は注封材８０に覆われていない下面を有し、その反対側の上面にその他の回路コンポーネントが配置されている。
【００３２】
図１の回路が製造される場合、まず基板１０が設けられ、これが切断されて、セクション１２，１４が形成される。各素子は（切断前または有利には切断後に）基板上に固定され、セクションに分割された基板が、各セクションのための接合支持体として用いられる金属プレート４０上に固定される。ついで、コンタクトブリッジ６０−６６およびコンタクトインタフェース７０が各素子３０−３４ないし第１の導体層２０に固定される。素子３０−３４とコンタクトブリッジ６０−６６とコンタクトインタフェース７０とははんだ付けにより固定され、これらが固定された後、回路が注封材８０によって注封される。また、金属プレート４０は、熱伝導が可能となるよう、熱伝導性ペーストまたは熱伝導性接着剤４２を介して第２の導体層２４に接続される。ここでの金属プレート４０は冷却体である。有利には、金属プレート４０が第２の導体層２４に熱伝導接続された後、注封が行われる。注封の間、コンタクトブリッジ６６およびコンタクトインタフェース７０の外部領域（すなわち、後に回路の外面から離れる方向へ延在する領域）は、材料が注入される型には入れられない。これに代えて、注封の後にこれらの領域を露出させてもよい。
【図１】
0005882325.tif 000002