(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネルとなる部分を含む炭化硅素からなる基板の表層へ向けて酸素のＧＣＩＢ（ガスクラスターイオンビーム）を照射し、
前記酸素のＧＣＩＢの照射によって前記チャネルの上に直接形成された薄膜の界面酸化膜へ他の酸化膜を重ねて形成することによってゲート酸化膜を形成することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記薄膜の界面酸化膜の形成及び前記薄膜の界面酸化膜の除去を１サイクルとする処理を繰り返し、前記処理の最後のサイクルの後に前記他の酸化膜を形成することによって前記ゲート酸化膜を形成することを特徴とする請求項１記載のトランジスタの製造方法。
【請求項３】
ゲート電極が平板状を呈する場合、前記基板において前記チャネルとなる部分を前記酸素のＧＣＩＢに正対させ、
前記ゲート電極が平板状を呈さない場合、前記基板において前記チャネルとなる部分の全てに前記酸素のＧＣＩＢが照射されるように、前記基板を傾けることを特徴とする請求項１又は２記載のトランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化硅素からなるチャネルに接するゲート酸化膜を有するトランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
炭化硅素（ＳｉＣ）はバンドギャップが約３ｅＶであり、半導体材料として用いることができるが、絶縁破壊電圧がシリコン（Ｓｉ）の１０倍もある耐性の高い半導体材料であるため、大電流が流れるトランジスタ構造を有する宇宙用デバイスやパワーデバイスに用いることが検討されている。
【０００３】
上述したデバイスは炭化硅素のウエハから製造されるが、炭化硅素のウエハは炭化硅素のインゴットから切り出されて砥粒によって表面が研磨される（例えば、特許文献１参照。）。砥粒による研磨では、砥粒の大きさがマイクロレベルであるため、微少な凹凸、例えば、高さが１μｍ以下の凹凸が表面に残存する。
【０００４】
シリコンのウエハでは砥粒による研磨後に残存する微少な凹凸は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の化学反応を伴う研磨方法によって除去することができるが、シリコンと炭素（Ｃ）の結合は非常に強力であるため、炭化硅素のウエハではＣＭＰ等によって残存する微少な凹凸を除去するのが困難である。
【０００５】
このような微少な凹凸は、炭化硅素のウエハから製造されるトランジスタにおいてゲート酸化膜及び炭化硅素からなるチャネルの界面における凹凸となるため、凹凸に起因する界面準位密度が高くなり、チャネル移動度が低下してチャネルのコンダクタンスを低下させることがある。
【０００６】
また、炭化硅素のウエハから半導体デバイスを製造する場合、１７００℃近辺でのＨ２（水素）による熱処理が必要となるが、このとき、ウエハにおいてシリコン抜けが生じてダメージがチャネルに発生することがある。
【０００７】
さらに、トランジスタにおけるゲート電極は平板状の電極（プレーナ電極）に限られず、ゲート電極を長くして対応するチャネルを長くするために、Ｖ字溝やＵ字溝を呈する立体的なゲート電極が存在する。このような立体的なゲート電極はウエハの表層をエッチングして得ることができるが、ウエハの表層にはエッチングによるダメージが発生することがある。
【０００８】
上述したようなダメージもチャネルのコンダクタンスを低下させることがある。
【０００９】
ところで、炭化硅素は酸化可能であることから、チャネルを構成するウエハの表層を熱酸化して当該チャネルへ直接接するゲート酸化膜を生成することが検討されているが、この場合、炭化硅素を熱酸化して酸化珪素を生じさせる際に炭素が酸化膜内に残留することがある。このような残留炭素は他の元素との結合によって不純物を発生させ、該不純物は酸化膜及びチャネルの界面が円滑化されるのを妨げるため、界面準位密度を高くし、チャネル移動度を低下させてチャネルのコンダクタンスを低下させることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許公開２００９−１０５１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したような、界面準位の高密度化によるチャネル移動度の低下を防止するために、ウエハの表層の熱酸化による酸化膜の形成において温度を変えた二段酸化方法を用いることや、チャネルに窒素（Ｎ）やリン（Ｐ）を導入することが検討されているが、これらの手法を持ってしてもチャネルにおける界面準位密度や移動度は十分に改善されない。すなわち、チャネルのコンダクタンスは十分に改善されない。
【００１２】
本発明の目的は、チャネルのコンダクタンスの低下を防止することができるトランジスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明のトランジスタの製造方法は、チャネルとなる部分を含む炭化硅素からなる基板の表層へ向けて酸素のＧＣＩＢを照射し、前記酸素のＧＣＩＢの照射によって前記チャネルの上に直接形成された薄膜の界面酸化膜へ他の酸化膜を重ねて形成することによってゲート酸化膜を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のトランジスタの製造方法によれば、チャネルとなる部分を含む炭化硅素からなる基板の表層へ向けて酸素のＧＣＩＢが照射される。ＧＣＩＢは基板の表層に衝突すると分子や原子に分解し、分解した分子や原子が基板の表層から突出する凸部を積極的にスパッタするラテラルスパッタ効果を有するので、基板の表層から分子レベルの大きさの凸部を除去することができ、もって、界面準位密度を低く抑えることができ、これにより、チャネル移動度が低下するのを防止することができる。
【００１６】
また、酸素のＧＣＩＢにおける酸素ガスクラスターのスパッタリングによって基板の表層におけるダメージを除去することができる。
【００１７】
さらに、酸素のＧＣＩＢを基板の表層に照射すると、酸化によって炭化硅素から酸化膜が生成されるとともに、酸素ガスクラスターのエネルギーによって基板の表層の炭素及び酸素の結合が促進されて炭素が二酸化炭素（ＣＯ２）として排出されるため、生成される酸化膜には殆ど炭素が残留せず、もって、界面準位密度を低く抑えることができ、これにより、チャネル移動度が低下するのを防止することができる。
【００１８】
その結果、チャネルのコンダクタンスの低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態に係るトランジスタの製造方法を実行する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１におけるＧＣＩＢ照射装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】炭化硅素への酸素のＧＣＩＢの照射を説明するための図である。
【図４】本実施の形態に係るトランジスタの製造方法によって製造されるＭＯＳＦＥＴの構成を概略的に示す断面図である。
【図５】本実施の形態に係るトランジスタの製造方法を示す工程図である。
【図６】図６のトランジスタの製造方法の変形例を示す工程図である。
【図７】立体的なゲート電極を有するトランジスタの製造方法における酸素のＧＣＩＢの照射を説明するための図であり、図７（Ａ）はゲート電極がＶ字溝を呈する場合を示し、図７（Ｂ）はゲート電極がＵ字溝を呈する場合を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
図１は、本実施の形態に係るトランジスタの製造方法を実行する基板処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００２２】
図１において、基板処理装置１０は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗを収容するチャンバ１１と、該チャンバ１１の内側面に設けられたウエハ保持ユニット１２と、該ウエハ保持ユニット１２と正対するようにチャンバ１１の内側壁に設けられたＧＣＩＢ照射装置１３とを備える。
【００２３】
ウエハ保持ユニット１２は、ウエハＷを静電気力等で吸着するステージ１４と、該ステージ１４を支持する軸状のベース１５とを有する。ベース１５は内側面に沿って移動自在に構成されるとともに、中心軸回りに回転可能に形成される。これにより、ベース１５はステージ１４に吸着されたウエハＷの所望の部位をＧＣＩＢ照射装置１３と正対させることができる。また、ＧＣＩＢ照射装置１３は酸素のＧＣＩＢ（Gas Cluster Ion Beam）１６を図中横方向に沿って照射する。
【００２４】
図２は、図１におけるＧＣＩＢ照射装置の構成を概略的に示す断面図である。
【００２５】
図２において、ＧＣＩＢ照射装置１３は、略水平に配置され、且つ内部が減圧された筒状の本体１７と、該本体１７の一端に配置されるノズル１８と、板状のスキマー１９と、イオナイザー２０と、加速器２１と、永久磁石２２と、アパーチャー板２３とを有する。
【００２６】
ノズル１８は本体１７の中心軸に沿って配置され、該中心軸に沿ってＯ２ガス（酸素ガス）を噴出する。スキマー１９は本体１７内の横断面を覆うように配置され、中心部が本体１７の中心軸に沿ってノズル１８へ向けて突出し、該突出した部分の頂部に細穴２４を有する。アパーチャー板２３も本体１７内の横断面を覆うように配置され、本体１７の中心軸に対応する部分にアパーチャー穴２５を有し、本体１７の他端も本体１７の中心軸に対応する部分にアパーチャー穴２６を有する。
【００２７】
イオナイザー２０、加速器２１及び永久磁石２２はいずれも本体１７の中心軸を囲むように配置され、イオナイザー２０は内蔵するフィラメントを加熱することによって電子を本体１７の中心軸へ向けて放出し、加速器２１は本体１７の中心軸に沿って電位差を生じさせ、永久磁石２２は本体１７の中心軸近傍で磁界を生じさせる。なお、上記電位差を生じさせるために加速器２１へ印加される電圧を、以下「加速電圧」と称する。
【００２８】
ＧＣＩＢ照射装置１３では、本体１７の一端側（図中左側）から他端側（図中右側）へかけて、ノズル１８、スキマー１９、イオナイザー２０、加速器２１、アパーチャー板２３及び永久磁石２２がこの順で配置される。
【００２９】
ノズル１８が減圧された本体１７の内部へ向けて酸素ガスを噴出すると、酸素ガスの体積が急激に大きくなり、酸素ガスは急激な断熱膨張を起こして酸素分子が急冷される。各酸素分子は急冷されると、運動エネルギーが低下して各酸素分子間に作用する分子間力（ファンデルワールス力）によって互いに密着し、これにより、多数の酸素分子からなる複数の酸素ガスクラスター２７が形成される。
【００３０】
スキマー１９は細穴２４によって複数の酸素ガスクラスター２７のうち本体１７の中心軸に沿って移動する酸素ガスクラスター２７のみを選別し、イオナイザー２０は本体１７の中心軸に沿って移動する酸素ガスクラスター２７へ電子を衝突させることによって当該酸素ガスクラスター２７をイオン化し、加速器２１はイオン化された酸素ガスクラスター２７を電位差によって本体１７の他端側へ加速し、アパーチャー板２３はアパーチャー穴２５により、加速された酸素ガスクラスター２７のうち本体１７の中心軸に沿って移動する酸素ガスクラスター２７のみを選別し、永久磁石２２は磁界によって比較的小さい酸素ガスクラスター２７（イオン化された酸素分子のモノマーを含む）の進路を変更する。永久磁石２２では、比較的大きい酸素ガスクラスター２７も磁界の影響を受けるが、質量が大きいため、磁力によって進路が変更されず、本体１７の中心軸に沿って移動を継続する。
【００３１】
永久磁石２２を通過した比較的大きい酸素ガスクラスター２７は本体１７の他端のアパーチャー穴２６を通過し、酸素のＧＣＩＢとして本体１７の外へ射出され、ウエハＷへ向けて照射される。
【００３２】
なお、酸素ガスクラスター２７の酸素源としては、上述した酸素ガスに限られず、酸素を含有するガス、例えば、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素ガスや亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガスを用いてもよい。
【００３３】
図３は、炭化硅素への酸素のＧＣＩＢの照射を説明するための図である。
【００３４】
図３において、酸素のＧＣＩＢ１６を炭化硅素からなるウエハＷへ照射すると、酸素分子のファンデルワールス力は弱いため、酸素ガスクラスター２７がウエハＷに衝突したときに、酸素ガスクラスター２７が酸素分子２８へ分解し、分解した酸素分子２８がウエハＷの表層に沿って飛散してウエハＷの表層から突出する凸部を積極的にスパッタ（ラテラルスパッタ）する（図３（Ａ）参照）。すなわち、酸素分子２８によるスパッタリングが施されるため、ウエハＷの表層から分子レベルの大きさの凸部を除去することができる。その結果、ウエハＷの表層を分子レベルの大きさで平滑化することができる。
【００３５】
また、酸素ガスクラスター２７がウエハＷに衝突する際、酸素分子２８が炭化硅素を酸化し、ウエハＷの表層（界面）へ薄膜の界面酸化膜２９が生成されるが（図３（Ｂ）参照。）、界面酸化膜２９の生成時、酸素ガスクラスター２７の運動エネルギーによってウエハＷにおいて炭素及び酸素の結合が促進されて界面酸化膜２９に含まれる炭素が二酸化炭素として排出される。その結果、殆ど炭素が残留しない界面酸化膜２９を得ることができる。
【００３６】
図４は、本実施の形態に係るトランジスタの製造方法によって製造されるＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）の構成を概略的に示す断面図である。
【００３７】
図４において、ＭＯＳＦＥＴ３０は炭化硅素基部３１と、炭化硅素基部３１の表層において互いに離間して形成されるドレイン領域３２、ソース領域３３と、ドレイン領域３２及びソース領域３３に挟まれるチャネル領域３４と、該チャネル領域３４の上に形成されるゲート酸化膜３５と、該ゲート酸化膜３５の上に形成されるゲート電極３６と、ドレイン領域３２、ソース領域３３の上にそれぞれ形成されるドレイン電極３７、ソース電極３８とを有する。
【００３８】
ＭＯＳＦＥＴ３０において、ゲート酸化膜３５はチャネル領域３４の上に直接形成された薄膜の界面酸化膜２９と、該界面酸化膜２９へ重ねて形成された厚膜の被覆酸化膜３９（他の酸化膜）とからなる。
【００３９】
図５は、本実施の形態に係るトランジスタの製造方法を示す工程図である。
【００４０】
図５において、まず、炭化硅素のインゴットからウエハＷを切り出し、該ウエハＷの表層を砥粒によって研磨し、ウエハＷの表層へ不純物をドープしてドレイン領域３２及びソース領域３３を形成する。
【００４１】
次いで、ＧＣＩＢ照射装置１３においてウエハＷの表層へ向けて酸素ガスクラスター２７を含む酸素のＧＣＩＢ１６を照射する（図５（Ａ））。このとき、上述したように、酸素ガスクラスター２７によるラテラルスパッタによってウエハＷの表層から分子レベルの大きさの凸部を除去することができ、炭化硅素の酸化によってドレイン領域３２、ソース領域３３及びこれらに挟まれるチャネル領域３４の上へ直接に界面酸化膜２９が形成され、さらに、ウエハＷの炭素及び酸素ガスクラスター２７からの酸素の結合の促進によって界面酸化膜２９から炭素が排出される（図５（Ｂ））。
【００４２】
次いで、界面酸化膜２９の上にＣＶＤ等によって酸化珪素等からなる被覆酸化膜３９を形成し（図５（Ｃ））、その後のリソグラフィや金属成膜によってゲート酸化膜３５、ゲート電極３６、ドレイン電極３７やソース電極３８を形成して本方法を終了する。
【００４３】
本実施の形態に係るトランジスタの製造方法によれば、ウエハＷの表層へ向けて酸素ガスクラスター２７を含む酸素のＧＣＩＢ１６が照射される。酸素のＧＣＩＢ１６は酸素ガスクラスター２７から分解した酸素分子２８によってウエハＷの表層から突出する凸部を積極的にスパッタするラテラルスパッタ効果を有するので、酸素のＧＣＩＢはウエハＷの表層から分子レベルの大きさの凸部を除去することができる。
【００４４】
また、酸化によって炭化硅素から界面酸化膜２９が生成されるとともに、ウエハＷの炭素及び酸素ガスクラスター２７からの酸素の結合の促進によって界面酸化膜２９から炭素が排出されるため、界面酸化膜２９には殆ど炭素が残留せず、残留炭素と他の元素との結合によって発生する不純物が界面酸化膜２９及びチャネル領域３４の界面の円滑化を妨げることがない。
【００４５】
その結果、ウエハＷの表層におけるチャネル領域３４の界面準位密度を低く抑えることができ、これにより、チャネル移動度が低下するのを防止することができ、もって、チャネル領域３４のコンダクタンスの低下を防止することができる。
【００４６】
ここで、加速電圧と残存する界面酸化膜の関係を実験によって確認したところ、酸素のＧＣＩＢを炭化硅素からなる基板の表層へ照射した際、加速電圧が５ｋＶ、１０ｋＶ及び２０ｋＶの場合において、表層に酸化膜が形成され、加速電圧の増加に伴って酸化膜の膜厚が増加することを確認したが、酸素のＧＣＩＢから分解した酸素の分子や原子の基板への侵入深さが浅いため、結果として得られる酸化膜２９は薄膜となることも確認した。
【００４７】
これに対応して、上述した本実施の形態に係るトランジスタの製造方法では、界面酸化膜２９の上へＣＶＤ等によって被覆酸化膜３９を形成してゲート酸化膜３５を得ることにより、所望の膜厚のゲート酸化膜３５を容易、確実に得ることができる。また、酸素のＧＣＩＢ１６の照射によって界面近傍にのみ界面酸化膜２９を形成する一方、界面近傍以外では製造方法を問わずに被覆酸化膜３９を形成するので、ゲート酸化膜３５の形成効率を向上することができる。
【００４８】
ところで、図５の製造方法において、ウエハＷの表層を砥粒によって研磨した後に当該表層に発生する凹凸がやや大きい場合、一度の酸素のＧＣＩＢ１６の照射ではウエハＷの表層から凹凸を除去することができないことがある。この場合、酸素のＧＣＩＢ１６の照射を複数回繰り返すのが好ましい。
【００４９】
例えば、図６に示すように、まず、砥粒によって研磨され、ドレイン領域３２及びソース領域３３が形成されたウエハＷの表層へ酸素のＧＣＩＢ１６を照射し（図６（Ａ））、酸素ガスクラスター２７によるラテラルスパッタによってウエハＷの表層の凹凸を軽減させるとともに、ドレイン領域３２、ソース領域３３及びチャネル領域３４の上へ直接に界面酸化膜２９を形成する（図６（Ｂ））。
【００５０】
次いで、フッ酸（ＨＦ）によるウェットエッチングやフッ酸ガスを処理ガスとするドライエッチングによって界面酸化膜２９を除去する。このとき、凹凸が軽減されたウエハＷの表層が露出する（図６（Ｃ））。
【００５１】
次いで、再度、ウエハＷの表層へ酸素のＧＣＩＢ１６を照射し（図６（Ｄ））、酸素ガスクラスター２７によるラテラルスパッタによってウエハＷの表層から分子レベルの大きさの凸部を除去するとともに、ドレイン領域３２、ソース領域３３及びチャネル領域３４の上へ直接に界面酸化膜２９を形成する（図６（Ｅ））。
【００５２】
次いで、界面酸化膜２９の上に被覆酸化膜３９を形成し（図６（Ｆ））、その後のリソグラフィや金属成膜によってゲート酸化膜３５、ゲート電極３６、ドレイン電極３７やソース電極３８を形成する。
【００５３】
図６のトランジスタの製造方法では、最初の酸素のＧＣＩＢ１６の照射によってウエハＷの表層の凹凸が完全に除去されないうちに界面酸化膜２９がチャネル領域３４の上に形成され、界面酸化膜２９は酸素ガスクラスター２７によるラテラルスパッタを抑制するおそれがあるが、これに対応して、次の酸素のＧＣＩＢ１６の照射の前に界面酸化膜２９を除去してウエハＷの表層を露出させる。これにより、酸素のＧＣＩＢ１６の照射を繰り返しても酸素ガスクラスター２７によるラテラルスパッタが抑制されるのを防止することができる。
【００５４】
一方、界面酸化膜２９及びチャネル領域３４の界面の円滑化を実現するためには厚膜の界面酸化膜２９は必要なく、例え、厚さが数ｎｍであっても炭素が殆ど残留しない界面酸化膜２９がチャネル領域３４の上に直接形成されればよいため、最後の酸素のＧＣＩＢ１６の照射によって生成された界面酸化膜２９のみが残存すればよい。したがって、最後の酸素のＧＣＩＢ１６の照射によって生成された界面酸化膜２９以外の界面酸化膜２９は除去されても、界面の円滑化の観点からは問題が生じない。
【００５５】
以上より、図６のトランジスタの製造方法では、後の酸素のＧＣＩＢ１６の照射によって生成された界面酸化膜２９以外の界面酸化膜２９を除去するのが好ましい。
【００５６】
なお、図６のトランジスタの製造方法では、酸素のＧＣＩＢ１６の照射による界面酸化膜２９の形成を２回行い、その間に界面酸化膜２９の除去を１回行い、最後に界面酸化膜２９の上に被覆酸化膜３９を形成するが、界面酸化膜２９の形成の回数や界面酸化膜２９の除去の回数は図６のトランジスタの製造方法の事例に限られず、例えば、界面酸化膜２９の形成及び界面酸化膜２９の除去を１サイクルとする界面酸化膜形成除去処理を繰り返し、最後の界面酸化膜形成除去処理の後に、界面酸化膜２９の上に被覆酸化膜３９を形成してもよい。
【００５７】
以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００５８】
例えば、上述したＭＯＳＦＥＴ３０では、ゲート電極３６が平板状であったが、Ｖ字溝やＵ字溝を呈する立体的なゲート電極が存在する。ウエハにおいてＶ字溝やＵ字溝はドライエッチング等によって形成されるが、Ｖ字溝やＵ字溝の表層にはドライエッチングによって生じるダメージや凹凸が存在することがある。これらのダメージや凹凸を除去するために、図１の基板処理装置１０を用いた場合、ＧＣＩＢ照射装置１３はウエハ保持ユニット１２に正対するため、Ｖ字溝やＵ字溝の表層はＧＣＩＢ照射装置１３に正対せず、酸素のＧＣＩＢ１６はＶ字溝やＵ字溝の表層に対して斜めに照射される。
【００５９】
この場合、酸素ガスクラスター２７から分解された酸素分子２８は各方向へ均等に飛散せず、例えば、一方向に偏って飛散することがあり、Ｖ字溝やＵ字溝の表層のダメージや凹凸をスパッタできないことがあるが、これに対応して、ステージ１４をベース１５に対して傾斜自在に構成し、ステージ１４に吸着されたウエハＷを酸素のＧＣＩＢ１６に対して傾けてＶ字溝４０やＵ字溝４１の表層をＧＣＩＢ照射装置１３に正対させるのが好ましい（図７（Ａ）及び図７（Ｂ））。
【００６０】
これにより、酸素ガスクラスター２７から分解された酸素分子２８をＶ字溝４０やＵ字溝４１の表層において各方向へ均等に飛散させ、Ｖ字溝４０やＵ字溝４１の表層のダメージや凹凸を確実にスパッタして除去することができる。
【００６１】
また、界面酸化膜２９の生成後、ウエハＷへ５００℃〜１３００℃の熱処理を施して界面酸化膜２９を改質してもよい。この場合、ウエハＷを囲む雰囲気を不活性ガスや酸素ガスで構成してもよく、これにより、界面酸化膜２９において窒素化合物等の不純物が発生するのを防止することができる。
【００６２】
また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ、例えば、基板処理装置１０の制御部に供給し、制御部のＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
【００６３】
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
【００６４】
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることにより制御部に供給されてもよい。
【００６５】
また、制御部が読み出したプログラムコードを実行することにより、上記実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００６６】
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、制御部に挿入された機能拡張ボードや制御部に接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
【００６７】
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
【符号の説明】
【００６８】
Ｗ  ウエハ
１６  酸素のＧＣＩＢ
２９  界面酸化膜
３４  チャネル領域
３５  ゲート酸化膜
３９  被覆酸化膜
【図１】
0005878187.tif 000002
【図２】
0005878187.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005878187.tif 000008