(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の比透磁率を有する複数の第１の基材層と、該第１の比透磁率よりも低い比透磁率を有する第２の基材層とが積層されて構成された素体と、
前記素体に設けられている第１の信号線路と、
前記素体に設けられ、前記第１の信号線路に沿って延在している第２の信号線路と、
を備えており、
前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、該第１の信号線路と前記第２の信号線路とに挟まれた領域の少なくとも一部には、前記第２の基材層が設けられており、
前記複数の第１の基材層は、前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、該第１の信号線路、前記第２の信号線路及び前記第２の基材層を囲む環状をなしていること、
を特徴とする高周波信号伝送線路。
【請求項２】
前記第２の基材層は、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路に接していること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号伝送線路。
【請求項３】
前記第１の基材層は、前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路に接していること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の高周波信号伝送線路。
【請求項４】
前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とは、該第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、積層方向に並んでおり、
前記第２の基材層は、２つの前記第１の基材層により挟まれており、
前記第１の信号線路は、前記第２の基材層と前記２つの第１の基材層の内の一方と前記第２の基材層との間に設けられており、
前記第２の信号線路は、前記第２の基材層と前記２つの第１の基材層の内の他方と前記第２の基材層との間に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項５】
前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とは、該第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、積層方向に直交する方向に並んでおり、
前記第２の基材層は、２つの前記第１の基材層により挟まれており、
前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記第１の基材層と前記第２の基材層との間に設けられていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項６】
前記素体に設けられ、前記第１の信号線路に沿って延在している第３の信号線路を、
更に備えており、
前記第１の信号線路及び前記第２の信号線路と前記第３の信号線路とは、該第１の信号線路が延在する第１の方向に直交する断面において、該第１の方向に直交する第２の方向において異なる位置に設けられており、
前記第１の信号線路、前記第３の信号線路及び前記第２の信号線路は、前記第１の方向及び前記第２の方向に直交する第３の方向においてこの順に並んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項７】
前記第２の基材層は、熱可塑性樹脂を含む材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号伝送線路。
【請求項８】
前記第１の基材層は、熱可塑性樹脂に対して磁性材料が混合された材料により作製されていること、
を特徴とする請求項７に記載の高周波信号伝送線路。
【請求項９】
第１の比透磁率を有する複数の第１の基材層を準備する第１の基材層工程と、
熱可塑性樹脂を含む材料により構成され、かつ、前記第１の比透磁率よりも低い第２の比透磁率を有する第２の基材層を準備する第２の基材層工程と、
第１の信号線路、及び、該第１の信号線路に沿って延在する第２の信号線路を準備する信号線路工程と、
前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とに挟まれる領域又は該領域に隣接するように前記第２の基材層を配置した状態で、前記複数の第１の基材層が、該第１の信号線路、該第２の信号線路及び該第２の基材層を挟み込むように、該複数の第１の基材層及び該第２の基材層を積層する積層工程と、
積層された前記複数の第１の基材層及び前記第２の基材層を加熱しながら加圧する圧着工程と、
を備えていること、
を特徴とする高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の基材層は、前記第２の基材層と実質的に同じ熱可塑性樹脂を含む材料により構成されていること、
を特徴とする請求項９に記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の基材層は、熱可塑性樹脂に対して磁性材料が混合された材料により作製されていること、
を特徴とする請求項１０に記載の高周波信号伝送線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号伝送線路及びその製造方法に関し、特に、複数の信号線路を備えた高周波信号伝送線路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波信号伝送線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の台座付きフェライトコアが知られている。該フェライトコアは、筒状をなすフェライトコア本体と、ビス孔が設けられた台座とを備えている。電源線、グランド線、信号線等を内蔵するフラットケーブルがフェライトコア本体内を通過する。また、フェライトコアは、電子機器のシャーシー等に対して、ビス孔に挿入されたビスにより取り付けられる。以上のようなフェライトコアでは、電源線、グランド線、信号線等に流れるコモンモードノイズを除去することができる。【０００３】
ところで、特許文献１に記載のフェライトコアは、フラットケーブルの周囲を囲むように、フラットケーブルに対して取り付けられる。そのため、フェライトコアを配置するために大きな空間が必要となり、電子機器内に用いることが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−９１９０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、コモンモードノイズを除去する機能を備えた高周波信号伝送線路の小型化を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路は、第１の比透磁率を有する複数の第１の基材層と、該第１の比透磁率よりも低い比透磁率を有する第２の基材層とが積層されて構成された素体と、前記素体に設けられている第１の信号線路と、前記素体に設けられ、前記第１の信号線路に沿って延在している第２の信号線路と、を備えており、前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、該第１の信号線路と前記第２の信号線路とに挟まれた領域の少なくとも一部には、前記第２の基材層が設けられており、前記複数の第１の基材層は、前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、該第１の信号線路、前記第２の信号線路及び前記第２の基材層を囲む環状をなしていること、を特徴とする。【０００７】
本発明の一形態に係る高周波信号伝送線路の製造方法は、第１の比透磁率を有する複数の第１の基材層を準備する第１の基材層工程と、熱可塑性樹脂を含む材料により構成され、かつ、前記第１の比透磁率よりも低い第２の比透磁率を有する第２の基材層を準備する第２の基材層工程と、第１の信号線路、及び、該第１の信号線路に沿って延在する第２の信号線路を準備する信号線路工程と、前記第１の信号線路が延在する方向に直交する断面において、前記第１の信号線路と前記第２の信号線路とに挟まれる領域又は該領域に隣接するように前記第２の基材層を配置した状態で、前記複数の第１の基材層が、該第１の信号線路、該第２の信号線路及び該第２の基材層を挟み込むように、該複数の第１の基材層及び該第２の基材層を積層する積層工程と、積層された前記複数の第１の基材層及び前記第２の基材層を加熱しながら加圧する圧着工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、コモンモードノイズを除去する機能を備えた高周波信号伝送線路の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。
【図２】高周波信号伝送線路１０の分解図である。
【図３Ａ】高周波信号伝送線路１０のＸ−Ｘにおける断面構造図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＡにおける拡大図である。
【図４】図３ＡのＢにおける拡大図である。
【図５】高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。
【図６】高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。
【図７】高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。
【図８】高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。
【図９】高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。
【図１０Ａ】比較例に係る高周波信号伝送線路２１０の断面構造図である。
【図１０Ｂ】第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法における工程断面図である。
【図１１Ａ】第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法における工程断面図である。
【図１１Ｂ】高周波信号伝送線路１０ａの断面構造図である。
【図１１Ｃ】高周波信号伝送線路１０ａの分解図である。
【図１２】高周波信号伝送線路１０ｂの断面構造図である。
【図１３】高周波信号伝送線路１０ｂの分解図である。
【図１４】高周波信号伝送線路１０ｃの断面構造図である。
【図１５】高周波信号伝送線路１０ｄの断面構造図である。
【図１６】高周波信号伝送線路１０ｄの分解図の第１例である。
【図１７】高周波信号伝送線路１０ｄの分解図の第２例である。
【図１８】高周波信号伝送線路１０ｅの断面構造図である。
【図１９】高周波信号伝送線路１０ｅの分解図である。
【図２０】高周波信号伝送線路１０ｆの断面構造図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の一実施形態に係る高周波信号伝送線路及びその製造方法について説明する。
【００１１】
（電子部品の構成）
まず、高周波信号伝送線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、高周波信号伝送線路１０の外観斜視図である。図２は、高周波信号伝送線路１０の分解図である。図３Ａは、高周波信号伝送線路１０のＸ−Ｘにおける断面構造図である。図３Ｂは、図３ＡのＡにおける拡大図である。図４は、図３ＡのＢにおける拡大図である。
【００１２】
以下では、素体１２の積層方向を上下方向と定義する。素体１２を上側から平面視したときに、素体１２が延在する方向を前後方向と定義し、上下方向及び前後方向に直交する方向を左右方向と定義する。上下方向、左右方向及び前後方向は互いに直交している。なお、ここでの上下方向、左右方向及び前後方向は、実際の使用時におけるこれらの方向と一致している必要はない。また、以下では、素体１２等の前後方向の長さを単に長さと呼び、素体１２等の左右方向の幅を単に幅と呼び、素体１２等の上下方向の厚さを単に厚さと呼ぶ。
【００１３】
高周波信号伝送線路１０は、２つの回路基板を電気的に接続するためのフラットケーブルであり、例えば、携帯電話等の電子機器内に用いられる。高周波信号伝送線路１０は、図１、図２及び図３Ａに示すように、素体１２及び信号線路２０ａ〜２０ｆを備えている。
【００１４】
素体１２は、高周波信号伝送線路１０の本体を構成しており、上側から平面視したときに、前後方向に延在する帯状をなしている。ただし、素体１２は、直線状に延在している必要はなく、曲がっていてもよい。また、高周波信号伝送線路１０はいわゆるフラットケーブルであるので、素体１２の幅は素体１２の厚みよりも十分に大きい。
【００１５】
素体１２は、図２及び図３Ａに示すように、基材層１８ａ，１９，１８ｂが上側から下側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。すなわち、基材層１９は、基材層１８ａ，１８ｂにより上下方向から挟まれている。また、素体１２は、可撓性を有している。以下では、素体１２の上側の面を表面と呼び、素体１２の下側の面を裏面と呼ぶ。
【００１６】
基材層１８ａ，１８ｂは、図２に示すように、上側から平面視したときに、前後方向に延在する帯状をなしており、素体１２と同じ形状をなしている。基材層１８ａ，１８ｂは、熱可塑性樹脂に対して磁性体材料の粉末が混合された材料により作製されており、相対的に高い比透磁率μ１を有している。本実施形態では、基材層１８ａ，１８ｂは液晶ポリマーにフェライトやパーマロイ等の合金系粉末が混合された材料により作製されている。
【００１７】
基材層１９は、図２に示すように、上側から平面視したときに、前後方向に延在する帯状をなしている。ただし、基材層１９の幅は、基材層１８ａ，１８ｂの幅よりも小さい。基材層１９の左右方向の中心と、基材層１８ａ，１８ｂの左右方向の中心とが実質的に一致するように、基材層１８ａ，１９，１８ｂが積層される。よって、基材層１８ａ，１９，１８ｂが積層されると、基材層１８ａ，１８ｂが基材層１９から左右方向にはみ出している。基材層１８ａが基材層１９から右側にはみ出した部分と基材層１８ｂが基材層１９から右側にはみ出した部分とは互いに接合されている。基材層１８ａが基材層１９から左側にはみ出した部分と基材層１８ｂが基材層１９から左側にはみ出した部分とは互いに接合されている。
【００１８】
また、基材層１９は、磁性体材料の粉末が混合されていない熱可塑性樹脂により作製されており、相対的に低い比透磁率μ２を有している。すなわち、比透磁率μ２は、比透磁率μ１よりも低い。本実施形態では、基材層１９が液晶ポリマーにより作製されているので、比透磁率μ２は１に近い値である。また、基材層１８ａ，１８ｂの作製に用いられる材料に含まれる熱可塑性樹脂と基材層１９の作製に用いられる材料に含まれる熱可塑性樹脂とは実質的に同じであることが好ましい。以下では、基材層１８ａ，１８ｂ，１９の上側の面を表面と呼び、基材層１８ａ，１８ｂ，１９の下側の面を裏面と呼ぶ。
【００１９】
信号線路２０ａ〜２０ｆは、素体１２内に設けられ、前後方向に沿って延在している。信号線路２０ａ〜２０ｆは、Ｃｕ等の比較的に抵抗率の低い導電性材料により作製されている。信号線路２０ａ〜２０ｃは、図２に示すように、基材層１８ａの裏面上に設けられ、右側から左側へとこの順に等間隔に並んでいる。また、信号線路２０ａ〜２０ｃは、上側から平面視したときに、基材層１９と重なっている。これにより、信号線路２０ａ〜２０ｃは、基材層１８ａと基材層１９との間に設けられている。したがって、信号線路２０ａ〜２０ｃは、基材層１８ａ及び基材層１９に接している。
【００２０】
ここで、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域及び信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域の一部には、基材層１９が設けられている。以下に、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域Ａ１を例に挙げて、図３Ｂを参照しながら説明する。
【００２１】
高周波信号伝送線路１０の製造時には、素体１２を加熱しながら上下方向から加圧する。基材層１８ａ，１９は、熱可塑性樹脂により作製されている。そのため、基材層１８ａ，１９は、加熱処理により軟化する。軟化した基材層１８ａは、加圧処理により、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域Ａ１に上側から侵入する。同様に、軟化した基材層１９は、加圧処理により、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域Ａ１に下側から侵入する。これにより、領域Ａ１の上部には基材層１８ａが存在し、領域Ａ１の下部には基材層１９が存在している。また、基材層１９は、領域Ａ１内において信号線路２０ａ及び信号線路２０ｂに接している。信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域については、領域Ａ１と同じであるので説明を省略する。
【００２２】
信号線路２０ｄ〜２０ｆは、図２に示すように、基材層１８ｂの表面上に設けられ、右側から左側へとこの順に等間隔に並んでいる。また、信号線路２０ｄ〜２０ｆは、上側から平面視したときに、基材層１９と重なっている。これにより、信号線路２０ｄ〜２０ｆは、基材層１９と基材層１８ｂとの間に設けられている。したがって、信号線路２０ｄ〜２０ｆは、基材層１８ｂ及び基材層１９に接している。更に、信号線路２０ｄ〜２０ｆはそれぞれ、上側から平面視したときに、信号線路２０ａ〜２０ｃと重なっている。したがって、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとは、上下方向に並んでおり、信号線路２０ｂと信号線路２０ｅとは、上下方向に並んでおり、信号線路２０ｃと信号線路２０ｆとは、上下方向に並んでいる。
【００２３】
また、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれた領域の一部には、基材層１９が設けられている。これらの領域の上部には基材層１９が存在し、これらの領域の下部には基材層１８ｂが存在する。ただし、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれた領域については、上下が逆である点以外は領域Ａ１と同じであるので説明を省略する。
【００２４】
また、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとに挟まれた領域、信号線路２０ｂと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｃと信号線路２０ｆとに挟まれた領域には、基材層１９が設けられている。以下に、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとに挟まれた領域Ａ２を例に挙げて、図４を参照しながら説明する。
【００２５】
信号線路２０ａは、上側から平面視したときに、信号線路２０ｄと重なっている。また、信号線路２０ａは、基材層１８ａと基材層１９との間に設けられ、信号線路２０ｄは、基材層１９と基材層１８ｂとの間に設けられている。これにより、図４に示すように、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとに挟まれた領域Ａ２には、基材層１９が存在している。また、領域Ａ２には、基材層１８ａ，１８ｂは存在しない。信号線路２０ｂと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｃと信号線路２０ｆとに挟まれた領域については、領域Ａ２と同じであるので説明を省略する。
【００２６】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０では、図３Ａに示すように、前後方向に直交する断面において、基材層１８ａ，１８ｂは、信号線路２０ａ〜２０ｆ及び基材層１９を囲む環状をなしている。
【００２７】
（高周波信号伝送線路の製造方法）
次に、高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図５〜図９は、高周波信号伝送線路１０の製造時の工程断面図である。なお、図５ないし図８では、シート１１８ａについては、上下を反転させて記載している。したがって、図５ないし図８では、シート１１８ａの上側の面が裏面であり、シート１１８ａの下側の面が表面である。
【００２８】
まず、基材層１８ａ，１８ｂとなるべきシート１１８ａ，１１８ｂを準備する。シート１１８ａ，１１８ｂは、液晶ポリマーに磁性体材料の粉末が混合された材料により作製されている。また、シート１１８ａ，１１８ｂはそれぞれ、複数の基材層１８ａ，１８ｂがマトリクス状に配列された基材層１８ａ，１８ｂの集合体であり、大判のシートである。
【００２９】
次に、基材層１９となるべきシート１１９を準備する。また、シート１１９は、液晶ポリマーにより作製されている。また、シート１１９は、複数の基材層１９がマトリクス状に配列された基材層１９の集合体である。ただし、基材層１９の幅は基材層１８ａ，１８ｂの幅よりも小さいので、複数の基材層１９がマトリクス状に配列されると、隣り合う基材層１９間には空隙が存在する。よって、シート１１９は予めカットされている。
【００３０】
次に、図５に示すように、シート１１８ａの裏面及びシート１１８ｂの表面の全面のそれぞれを覆う金属膜１２０ａ，１２０ｂを形成する。具体的には、シート１１８ａの裏面及びシート１１８ｂの表面のそれぞれに銅箔を張り付ける。更に、シート１１８ａ，１１８ｂの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化して、金属膜１２０ａ，１２０ｂを形成する。金属膜１２０ａ，１２０ｂの厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。
【００３１】
次に、図６に示すように、金属膜１２０ａ上に、信号線路２０ａ〜２０ｃと同じ形状のレジスト１５０ａを印刷する。同様に、金属膜１２０ｂ上に、信号線路２０ｄ〜２０ｆと同じ形状のレジスト１５０ｂを印刷する。
【００３２】
次に、図７に示すように、金属膜１２０ａ，１２０ｂに対してエッチング処理を施すことにより、レジスト１５０ａ，１５０ｂに覆われていない部分の金属膜１２０ａ，１２０ｂを除去する。更に、図８に示すように、レジスト除去液を吹き付けてレジスト１５０ａ，１５０ｂを除去する。以上の工程により、シート１１８ａの裏面上に信号線路２０ａ〜２０ｃを形成する工程、及び、シート１１８ｂの表面上に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する工程が完了する。図５ないし図８に示す工程を、信号線路を準備する信号線路工程と呼ぶ。
【００３３】
次に、図９に示すように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを上側から下側へとこの順に積層する。すなわち、シート１１８ａ及びシート１１８ｂにより上下方向からシート１１９を挟みこむように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを積層する。より詳細には、信号線路２０ｄ〜２０ｆが形成されたシート１１８ｂの表面上にシート１１９を積層すると共に、シート１１９の表面上に信号線路２０ａ〜２０ｃが形成されたシート１１８ａを積層する。この際、信号線路２０ａ〜２０ｃがそれぞれ信号線路２０ｄ〜２０ｆと上下方向に対向し、かつ、シート１１９が信号線路２０ａ〜２０ｃと信号線路２０ｄ〜２０ｆとに上下から挟まれるように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを積層する。これにより、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれる領域、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれる領域、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれる領域、及び、信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれる領域に隣接するようにシート１１９が配置される。なお、図９では、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂの間隔をあけて図示しているので、シート１１９は、これらの領域に隣接しないように図示されている。また、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとに挟まれる領域、信号線路２０ｂと信号線路２０ｅとに挟まれる領域、及び、信号線路２０ｃと信号線路２０ｆとに挟まれる領域にシート１１９が配置される。
【００３４】
次に、積層されたシート１１８ａ，１１９，１１８ｂに対して加熱処理を施すとともに、上下方向から加圧処理を施すことにより、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを一体化する。
【００３５】
ここで、加熱処理及び加圧処理時に各シート１１８ａ，１１８ｂ，１１９に生じる現象ついて説明する。シート１１８ａ，１１９は、加熱処理により軟化する。更に、軟化したシート１１８ａは、加圧処理により、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域、及び、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域に上側から侵入する。同様に、軟化したシート１１９は、加圧処理により、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域、及び、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域に下側から侵入する。
【００３６】
また、シート１１８ｂ，１１９は、加熱処理により軟化する。更に、軟化したシート１１８ｂは、加圧処理により、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれた領域、及び、信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれた領域に下側から侵入する。同様に、軟化したシート１１９は、加圧処理により、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれた領域、及び、信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれた領域に上側から侵入する。これにより、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａ〜２０ｆ同士に挟まれた領域の少なくとも一部には、シート１１９が設けられるようになる。
【００３７】
更に、シート１１８ａがシート１１９から右側にはみ出した部分とシート１１８ｂがシート１１９から右側にはみ出した部分とが互いに接合される。シート１１８ａがシート１１９から左側にはみ出した部分とシート１１８ｂがシート１１９から左側にはみ出した部分とが互いに接合される。これにより、シート１１８ａ，１１８ｂが、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａ〜２０ｆ及びシート１１９を囲む環状をなすようになる。以上の工程を経て、マザー素体１１２が完成する。
【００３８】
最後に、マザー素体１１２をダイサー等によりカットすることにより、複数の高周波信号伝送線路１０を得る。
【００３９】
（効果）
本実施形態に係る高周波信号伝送線路１０によれば、以下に説明するように、コモンモードノイズを除去する機能を備えた高周波信号伝送線路１０の小型化を図ることができる。図１０Ａは、比較例に係る高周波信号伝送線路２１０の断面構造図である。
【００４０】
図１０Ａに示す高周波信号伝送線路２１０は、基材層２１９が基材層２１８ａ，２１８ｂと同じ相対的に高い比透磁率を有する材料により作製されている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。
【００４１】
高周波信号伝送線路２１０において、信号線路２２０ａ，２２０ｂに前側から後ろ側に向かってコモンモード信号が流れると、信号線路２２０ａ，２２０ｂの周りを時計回りに周回する磁束φ１１，φ１２が発生する。ただし、高周波信号伝送線路２１０では、素体２１２全体が実質的に均一な比透磁率を有している。そのため、磁束φ１１，φ１２はそれぞれ、短い経路を通過しようとして、信号線路２２０ａ，２２０ｂのみの周りを周回する。そのため、磁束φ１１と磁束φ１２とが強め合わないため、コモンモード信号に対するインピーダンスが発生しにくい。
【００４２】
そこで、高周波信号伝送線路１０では、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域Ａ１の一部に相対的に低い比透磁率μ２を有する基材層１９が設けられている。これにより、信号線路２０ａ，２０ｂの周りを周回する磁束φ１，φ２は、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域Ａ１を通過しにくくなる。更に、相対的に高い比透磁率μ１を有する基材層１８ａ，１８ｂが、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａ〜２０ｆ及び基材層１９を囲む環状をなしている。その結果、磁束φ１，φ２は、信号線路２０ａ〜２０ｆ及び基材層１９の周りを周回するようになる。すなわち、磁束φ１と磁束φ２とは同じ経路を通過するようになる。これにより、磁束φ１，φ２同士が強め合うようになり、コモンモード信号に対するインピーダンスが発生する。その結果、熱に変換されたり、反射されたりすることにより、外部にコモンモード信号が伝搬することが抑制される。以上のように、高周波信号伝送線路１０は、外部にフェライトコアが配置されるのではなく、相対的に低い比透磁率μ２を有する基材層１９が素体１２内に設けられることにより、コモンモード信号を除去できる。すなわち、コモンモード信号を除去する機能を備えた高周波信号伝送線路１０の小型化を図ることができる。
【００４３】
また、基材層１９は、信号線路２０ａ及び信号線路２０ｂに接している。これにより、基材層１９は、領域Ａ１において左右方向の全体に存在している。よって、磁束φ１，φ２が、領域Ａ１を通過することがより効果的に妨げられる。
【００４４】
なお、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとの関係を例に挙げて説明を行ったが、信号線路２０ａ〜２０ｆにおいて隣り合うもの同士全ての関係において、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとの関係と同じ関係が成立する。
【００４５】
また、相対的に高い比透磁率μ１を有する基材層１８ａは、信号線路２０ａ〜２０ｃに接しており、相対的に高い比透磁率μ１を有する基材層１８ｂは、信号線路２０ｄ〜２０ｆに接している。これにより、信号線路２０ｄ〜２０ｆにコモンモード信号が流れることにより発生する磁束が、信号線路２０ａ〜２０ｆの近くを通過することができるようになり、磁束が通過する経路の長さが短くなる。その結果、信号線路２０ａ〜２０ｆが発生した磁束同士がより強め合うようになり、コモンモード信号に対してより大きなインピーダンスが発生するようになる。
【００４６】
また、高周波信号伝送線路１０及び高周波信号伝送線路１０の製造方法によれば、コモンモード信号を除去する機能を有する小型の高周波信号伝送線路１０を容易に製造できる。より詳細には、基材層１９は、熱可塑性樹脂を含む材料により作製されている。そのため、素体１２の熱圧着の際に、基材層１９は、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｅと信号線路２０ｆとに挟まれた領域に侵入するようになる。したがって、これらの領域に基材層１９を設けるために、基材層１９の材料を塗布する等の工程が不要である。よって、高周波信号伝送線路１０を容易に作製することが可能となる。
【００４７】
また、基材層１８ａ，１８ｂ，１９が同じ熱可塑性樹脂を含んでいるので、素体１２の熱圧着により基材層１８ａ，１８ｂ，１９が強固に接合されるようになり、素体１２の層間剥離が抑制される。
【００４８】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１０Ｂは、第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法における工程断面図である。
【００４９】
第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法において製造される高周波信号伝送線路１０は、図３Ａに示す断面構造を有しているので説明を省略する。第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法は、信号線路２０ａ〜２０ｆが形成される位置において、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法と相違する。
【００５０】
図１０Ｂに示すように、シート１１９の表面上に信号線路２０ａ〜２０ｃを形成し、シート１１９の裏面上に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する。シート１１９の両面に信号線路２０ａ〜２０ｆを形成する工程は、シート１１８ａの裏面に信号線路２０ａ〜２０ｃ及びシート１１８ｂの表面に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する工程と実質的に同じであるので説明を省略する。なお、信号線路２０ａ〜２０ｃの形成と信号線路２０ｄ〜２０ｆの形成とは、同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。
【００５１】
次に、図１０Ｂに示すように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを上側から下側へとこの順に積層する。すなわち、シート１１９を上下方向からシート１１８ａ，１１８ｂにより挟むように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを積層する。更に、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂに対して加熱処理を施すとともに、上下方向から加圧処理を施すことにより、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを一体化する。なお、加熱処理及び加圧処理時のシート１１８ａ，１１９，１１８ｂに生じる現象については、前記実施形態と同じであるので説明を省略する。以上の工程を経て、マザー素体１１２が完成する。
【００５２】
最後に、マザー素体１１２をダイサー等によりカットすることにより、複数の高周波信号伝送線路１０を得る。
【００５３】
以上のような第１の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法は、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００５４】
また、シート１１９の表面に信号線路２０ａ〜２０ｃが形成され、シート１１９の裏面に信号線路２０ｄ〜２０ｆが形成される。よって、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂの積層時の積層ずれによって、信号線路２０ａ〜２０ｃと信号線路２０ｄ〜２０ｆとの位置関係にずれが生じることが抑制される。
【００５５】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図１１Ａは、第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法における工程断面図である。
【００５６】
第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法において製造される高周波信号伝送線路１０は、図３Ａに示す断面構造を有しているので説明を省略する。第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法は、信号線路２０ａ〜２０ｆが形成される位置において、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法と相違する。
【００５７】
図１１Ａに示すように、シート１１９の表面上に信号線路２０ａ〜２０ｃを形成し、シート１１８ｂの表面上に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する。シート１１９の表面上に信号線路２０ａ〜２０ｃを形成する工程、及び、シート１１８ｂの表面上に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する工程は、シート１１８ａの裏面に信号線路２０ａ〜２０ｃ及びシート１１８ｂの表面に信号線路２０ｄ〜２０ｆを形成する工程と実質的に同じであるので説明を省略する。
【００５８】
次に、図１１Ａに示すように、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを上側から下側へとこの順に積層する。より詳細には、信号線路２０ｄ〜２０ｆが形成されたシート１１８ｂの表面上に信号線路２０ａ〜２０ｃが形成されたシート１１９を積層すると共に、シート１１９の表面上にシート１１８ａを積層する。更に、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂに対して加熱処理を施すとともに、上下方向から加圧処理を施すことにより、シート１１８ａ，１１９，１１８ｂを一体化する。なお、加熱処理及び加圧処理時のシート１１８ａ，１１９，１１８ｂに生じる現象については、前記実施形態と同じであるので説明を省略する。以上の工程を経て、マザー素体１１２が完成する。
【００５９】
最後に、マザー素体１１２をダイサー等によりカットすることにより、複数の高周波信号伝送線路１０を得る。
【００６０】
以上のような第２の変形例に係る高周波信号伝送線路１０の製造方法は、前記実施形態に係る高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００６１】
（第３の変形例）
以下に第３の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ａについて図面を参照しながら説明する。図１１Ｂは、高周波信号伝送線路１０ａの断面構造図である。図１１Ｃは、高周波信号伝送線路１０ａの分解図である。
【００６２】
高周波信号伝送線路１０ａは、素体１２が、基材層３２ａ，３０ａ，１９，３０ｂ，３２ｂが積層されて構成されている点において高周波信号伝送線路１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に高周波信号伝送線路１０ａについて説明する。
【００６３】
素体１２は、基材層３２ａ，３０ａ，１９，３０ｂ，３２ｂが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されて構成されている。基材層３２ａ，３２ｂは、基材層１８ａ，１８ｂと同じように、熱可塑性樹脂に対して磁性体材料の粉末が混合された材料により作製されており、相対的に高い比透磁率μ１を有している。基材層３０ａ，３０ｂは、磁性体材料（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト）からなるセラミック層であり、相対的に高い比透磁率μ３を有している。比透磁率μ３は、比透磁率μ２よりも高ければ、比透磁率μ１よりも高くても低くてもよい。ただし、基材層３０ａ，３０ｂがセラミック層により作製されているので、比透磁率μ３は、一般的には、比透磁率μ１よりも高くなる。このように、基材層３０ａ，３０ｂは、熱可塑性樹脂と異なる材料により作製されている。
【００６４】
また、信号線路２０ａ〜２０ｃは、図１１Ｃに示すように、基材層３０ａの裏面に設けられている。信号線路２０ｄ〜２０ｆは、基材層３０ｂの表面に設けられている。これにより、信号線路２０ａ〜２０ｃは、基材層３０ａと基材層１９との間に設けられている。信号線路２０ｄ〜２０ｆは、基材層１９と基材層３０ｂとの間に設けられている。
【００６５】
以上のように構成された、高周波信号伝送線路１０ａでは、高周波信号伝送線路１０と同様に、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｂに挟まれた領域の一部、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃに挟まれた領域の一部、信号線路２０ｄと信号線路２０ｅに挟まれた領域の一部及び信号線路２０ｅと信号線路２０ｆに挟まれた領域の一部に基材層１９が設けられている。
【００６６】
また、高周波信号伝送線路１０ａでは、高周波信号伝送線路１０と同様に、前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｄとに挟まれた領域、信号線路２０ｂと信号線路２０ｅとに挟まれた領域及び信号線路２０ｃと信号線路２０ｆとに挟まれた領域に基材層１９が設けられている。
【００６７】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ａは、高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００６８】
なお、基材層３２ａ，３２ｂは、例えば、金属により作製されていてもよい。この場合、高周波信号伝送線路１０ａからノイズが放射されることが抑制されると共に、高周波信号伝送線路１０ａ内にノイズが侵入することが抑制される。
【００６９】
（第４の変形例）
以下に第４の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図１２は、高周波信号伝送線路１０ｂの断面構造図である。図１３は、高周波信号伝送線路１０ｂの分解図である。
【００７０】
高周波信号伝送線路１０ｂは、以下の２点において高周波信号伝送線路１０と相違する。
第１の相違点：信号線路２０ｄ〜２０ｆが設けられていない。
第２の相違点：前後方向に直交する断面において、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域、及び、信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域にのみ基材層１９が設けられている。
【００７１】
以上のような構成を有する高周波信号伝送線路１０ｂは、高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００７２】
また、高周波信号伝送線路１０ｂによれば、信号線路２０ａ〜２０ｃの上側及び下側に基材層１９が設けられていない。よって、高周波信号伝送線路１０ｂの薄型化が図られる。
【００７３】
また、高周波信号伝送線路１０ｂによれば、信号線路２０ａ〜２０ｃの上側及び下側に基材層１９が設けられていない。よって、信号線路２０ａ〜２０ｃの直上及び直下を磁束が通過することができるようになり、磁束が通過する経路の長さが短くなる。その結果、信号線路２０ａ〜２０ｃが発生した磁束同士がより強め合うようになり、コモンモード信号に対してより大きなインピーダンスが発生するようになる。
【００７４】
なお、高周波信号伝送線路１０ｂにおいて、基材層１９は、熱可塑性樹脂により作製されたシートにより構成されていてもよいし、絶縁性ペーストが基材層１８ｂの表面に塗布されることにより構成されてもよい。
【００７５】
（第５の変形例）
以下に第５の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図１４は、高周波信号伝送線路１０ｃの断面構造図である。
【００７６】
高周波信号伝送線路１０ｃは、基材層１９が信号線路２０ａ〜２０ｃに接していない点において高周波信号伝送線路１０ｂと相違する。より詳細には、信号線路２０ａ〜２０ｃと基材層１９との間には隙間が存在している。隙間には、基材層１８ａ，１８ｂが存在している。
【００７７】
以上のような構成を有する高周波信号伝送線路１０ａは、高周波信号伝送線路１０ｂと同じ作用効果を奏することができる。
【００７８】
（第６の変形例）
以下に第６の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図１５は、高周波信号伝送線路１０ｄの断面構造図である。図１６は、高周波信号伝送線路１０ｄの分解図の第１例である。図１７は、高周波信号伝送線路１０ｄの分解図の第２例である。
【００７９】
高周波信号伝送線路１０ｄは、信号線路２０ｄ〜２０ｆが設けられていない点において、高周波信号伝送線路１０と相違する。
【００８０】
なお、信号線路２０ａ〜２０ｃは、図１６に示すように、基材層１８ａの裏面上に設けられていてもよいし、図１７に示すように、基材層１９の表面上に設けられていてもよい。
【００８１】
以上のような構成を有する高周波信号伝送線路１０ｄは、高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００８２】
（第７の変形例）
以下に第７の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図１８は、高周波信号伝送線路１０ｅの断面構造図である。図１９は、高周波信号伝送線路１０ｅの分解図である。
【００８３】
高周波信号伝送線路１０ｅは、以下の２点において高周波信号伝送線路１０ｄと相違する。
第１の相違点：基材層１９の材料が熱可塑性樹脂ではなくエポキシ等の熱硬化性樹脂である。
第２の相違点：基材層１９の表面及び信号線路２０ａ〜２０ｃを覆うように基材層２５が設けられている。
【００８４】
基材層１９の材料が熱硬化性樹脂である場合には、素体１２の熱圧着の際に、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域及び信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域に基材層１９が入りこみにくい。そこで、高周波信号伝送線路１０ｅの素体１２は、相対的に低い比透磁率μ２を有する基材層２５を更に備えている。基材層２５は、基材層１９の表面及び信号線路２０ａ〜２０ｃを覆っている。したがって、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域及び信号線路２０ｂと信号線路２０ｃとに挟まれた領域には、基材層２５が設けられている。基材層２５は、例えば、エポキシ等の熱硬化性樹脂等が塗布されることにより形成される。
【００８５】
以上のような構成を有する高周波信号伝送線路１０ｅは、高周波信号伝送線路１０ｄと同じ作用効果を奏することができる。
【００８６】
（第８の変形例）
以下に、第８の変形例に係る高周波信号伝送線路１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図２０は、高周波信号伝送線路１０ｆの断面構造図である。
【００８７】
高周波信号伝送線路１０ｆは、信号線路２０ａ〜２０ｄがジグザグに並んでいる点において高周波信号伝送線路１０ａと相違する。より詳細には、信号線路２０ａ，２０ｃが基材層１９の裏面に位置する。一方、信号線路２０ｂ，２０ｄが基材層１９の表面に位置する。したがって、信号線路２０ａ，２０ｃと信号線路２０ｂ，２０ｄとは、上下方向において異なる位置に設けられている。更に、信号線路２０ａ〜２０ｄが右側から左側へとこの順に並んでいる。また、上側から平面視したときに、信号線路２０ａ〜２０ｄは、左右方向に隣り合うもの同士で重なっていない。
【００８８】
以上のように構成された高周波信号伝送線路１０ｆでは、高周波信号伝送線路１０と同じ作用効果を奏することができる。
【００８９】
更に、高周波信号伝送線路１０ｆでは、高周波信号伝送線路１０ｆの左右方向の幅を小さくできる。より詳細には、高周波信号伝送線路の左右方向の幅を小さくするためには、例えば、左右方向に隣り合う信号線路の間隔を小さくすることが考えられる。しかしながら、信号線路同士が近づき過ぎると、信号線路間の絶縁性を維持することが困難となる。
【００９０】
そこで、高周波信号伝送線路１０ｆでは、信号線路２０ａ〜２０ｄがジグザグに配置されている。これにより、左右方向に隣り合う信号線路２０ａ〜２０ｄの間隔を小さくし過ぎることなく、左右方向に隣り合う信号線路２０ａ〜２０ｄの左右方向における間隔を小さくできる。以上より、高周波信号伝送線路１０ｆでは、高周波信号伝送線路１０ｆの左右方向の幅を小さくできる。
【００９１】
更に、高周波信号伝送線路１０ｆによれば、例えば、左右方向に隣り合う信号線路２０ａと信号線路２０ｂとの左右方向における間隔が小さくなる。したがって、信号線路２０ａの周りに発生する磁束及び信号線路２０ｂの周りに発生する磁束が、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとの間を通過しにくくなる。その結果、信号線路２０ａ，２０ｂの周りに発生する磁束がそれぞれ、信号線路２０ａ〜２０ｄ及び基材層１９の周りを周回するようになる。信号線路２０ｂと信号線路２０ｃ及び信号線路２０ｃと信号線路２０ｄとの間においても同じことが言える。その結果、高周波信号伝送線路１０ｆでは、コモンモード信号をより除去できるようになる。
【００９２】
なお、高周波信号伝送線路１０ｆでは、信号線路２０ａ，２０ｃは基材層１９の裏面に位置し、信号線路２０ｂ，２０ｄは基材層１９の表面に位置する。しかしながら、信号線路２０ａ〜２０ｄは、基材層１９内に設けられていてもよい。
【００９３】
また、高周波信号伝送線路１０ｆでは、信号線路２０ａ〜２０ｄは、左右方向に隣り合うもの同士で重なっていないが、左右方向に隣り合うもの同士で一部重なっていてもよい。また、信号線路の数は４に限らず、３以上であればよい。
【００９４】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号伝送線路及びその製造方法は、前記実施形態及び変形例に係る高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【００９５】
なお、基材層１９は、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域の一部に設けられていたが、信号線路２０ａと信号線路２０ｂとに挟まれた領域の全てに設けられていてもよい。
【００９６】
なお、素体１２は、可撓性を有していなくてもよい。
【００９７】
なお、基材層１９は、磁性体材料の粉末が混合されていない熱可塑性樹脂により作製されているとしたが、磁性体材料の粉末が混合された熱可塑性樹脂により作製されてもよい。ただし、基材層１９の比透磁率μ２は、基材層１８ａ，１８ｂの比透磁率μ１よりも低い必要がある。
【００９８】
なお、基材層１８ａ，１８ｂは、熱可塑性樹脂により作製されているとしたが、熱可塑性樹脂を含む材料により作製されていてもよい。
【００９９】
なお、高周波信号伝送線路１０，１０ａ〜１０ｆの構成を任意に組み合わせてもよい。
【０１００】
なお、基材層３０ａ，３０ｂを、セラミック層ではなく、エポキシ樹脂やゴムなどのような熱可塑性樹脂でない樹脂との混合物からなる基材層にしてもよい。この場合、可撓性に優れ、ハンドリングしやすくなる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、高周波信号伝送線路及びその製造方法に有用であり、特に、コモンモードノイズを除去する機能を備えた高周波信号伝送線路の小型化を図ることができる点において優れている。
【符号の説明】
【０１０２】
１０，１０ａ〜１０ｆ：高周波信号伝送線路
１２：素体
１８ａ，１８ｂ，１９，２５，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ：基材層
２０ａ〜２０ｆ：信号線路
１１２：マザー素体
１１８ａ，１１８ａ，１１９：シート
Ａ１，Ａ２：領域
【図１】
0005880805.tif 000002
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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