(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に液処理を施すための基板液処理装置において、
基板を保持する基板保持手段と、
基板保持手段で保持した基板の回路形成面に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、
基板保持手段で保持した基板の回路形成面とは反対面に向けて処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、
前記基板保持手段並びに第１及び第２の処理液吐出手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、
前記第１の処理液吐出手段から処理液として基板の液処理を行うための基板処理薬液を基板の回路形成面に向けて吐出させて基板の回路形成面を基板処理薬液で処理する液処理工程と、
前記液処理工程の前に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて吐出させて、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることで基板を除電処理液で処理する除電処理工程と、
を行うように制御することを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記除電処理工程の前に前記基板保持手段を回転させながら処理液としての純水を前記第１の処理液吐出手段及び前記第２の処理液吐出手段から基板に向けて吐出させて基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
【請求項３】
前記純水の導電率は、前記除電処理液よりも低いことを特徴とする請求項２に記載の基板液処理装置。
【請求項４】
前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理する前記基板処理薬液と比較して導電率が同じ又は高い処理液であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項５】
前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理するための前記基板処理薬液であることを特徴とする請求項４に記載の基板液処理装置。
【請求項６】
前記液処理工程の後に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板のリンス処理を行うためのリンス液を気体と混合してミスト状にして基板に向けて吐出することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項７】
前記基板保持手段は、基板と接触して保持する基板保持体を導電性素材で形成して電気的に接地したことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項８】
前記第１又は／及び第２の処理液吐出手段は、処理液を吐出する処理液吐出管を導電性素材で形成して電気的に接地したことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項９】
前記基板保持手段に基板を搬送する基板搬送手段を有し、基板搬送手段に基板と接触して保持する保持体を設け、保持体を導電性素材で形成して電気的に接地したことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の基板液処理装置。
【請求項１０】
基板の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う基板液処理方法において、
前記液処理工程の前に、基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を吐出し、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることによって基板に帯電した電荷を基板の回路形成面とは反対面から放出させる除電処理工程を行うことを特徴とする基板液処理方法。
【請求項１１】
前記除電処理工程の前に基板を回転させながら処理液としての純水を基板の回路形成面と基板の回路形成面とは反対面に向けて吐出して基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うことを特徴とする請求項１０に記載の基板液処理方法。
【請求項１２】
前記純水の導電率は、前記除電処理液よりも低いことを特徴とする請求項１１に記載の基板液処理方法。
【請求項１３】
前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理する前記基板処理薬液と比較して導電率が同じ又は高い処理液であることを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれかに記載の基板液処理方法。
【請求項１４】
前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理するための前記基板処理薬液であることを特徴とする請求項１３に記載の基板液処理方法。
【請求項１５】
前記液処理工程の後に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板のリンス処理を行うためのリンス液を気体と混合してミスト状にして基板の回路形成面とは反対面に向けて吐出することを特徴とする請求項１０〜請求項１４のいずれかに記載の基板液処理方法。
【請求項１６】
基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面とは反対面に向けて処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、前記基板保持手段並びに第１及び第２の処理液吐出手段を制御する制御手段とを有する基板液処理装置に基板の液処理を行わせる基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
前記制御手段によって前記第１の処理液吐出手段から処理液として基板の液処理を行うための基板処理薬液を基板の回路形成面に向けて吐出させて基板の回路形成面を基板処理薬液で処理する液処理工程と、
前記液処理工程の前に、前記制御手段によって前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて吐出させて、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることで基板を除電処理液で処理する除電処理工程と、
を有することを特徴とする基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１７】
前記除電処理工程の前に基板を回転させながら処理液としての純水を前記第１の処理液吐出手段及び前記第２の処理液吐出手段から基板に向けて吐出して基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うことを特徴とする請求項１６に記載の基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液で基板に液処理を施すための基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットディスプレイなどを製造する場合には、半導体ウエハや液晶基板などの基板を洗浄剤やエッチング剤などの処理液で洗浄処理やエッチング処理するために基板液処理装置を用いている。
【０００３】
この基板液処理装置では、処理液の帯電や可動部の摩擦などの様々な理由によって、基板液処理装置で処理する基板や基板液処理装置を構成する部材などに静電気による電荷が帯電してしまうことがある。
【０００４】
そして、基板や構成部材に電荷が帯電していると、電荷が放電される際に基板の回路形成面（トランジスタやダイオードなどの電子素子やそれらを接続する配線などを形成した面）で静電破壊が発生してしまうおそれがある。
【０００５】
そのため、従来の基板液処理装置では、基板の周縁部に当接して基板を保持するチャックを導電性素材で形成し、基板の液処理時にチャックで基板を保持したときに、基板に帯電した電荷をチャックから放出させるように構成したものが開発されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３５６５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記従来の基板液処理装置では、基板を保持するチャックから基板に帯電した電荷を放出させるように構成しているために、基板の表層に帯電した電荷を基板の外部に部分的に放電させることはできるものの、基板の内部に帯電した電荷までを基板の外部に良好に放出させることができず、基板の回路形成面の基板薬液処理時に残存した電荷が放電される際に基板の回路形成面を静電破壊させてしまうおそれがあることが本発明者らの実験により知見された。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、基板に液処理を施すための基板液処理装置において、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面とは反対面に向けて処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、前記基板保持手段並びに第１及び第２の処理液吐出手段を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記第１の処理液吐出手段から処理液として基板の液処理を行うための基板処理薬液を基板の回路形成面に向けて吐出させて基板の回路形成面を基板処理薬液で処理する液処理工程と、前記液処理工程の前に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて吐出させて、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることで基板を除電処理液で処理する除電処理工程とを行うように制御することにした。
【０００９】
また、前記基板液処理装置において、前記制御手段は、前記除電処理工程の前に前記基板保持手段を回転させながら処理液としての純水を前記第１の処理液吐出手段及び前記第２の処理液吐出手段から基板に向けて吐出させて基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うように制御することにした。
【００１０】
また、前記基板液処理装置において、前記純水の導電率は、前記除電処理液よりも低いことにした。
【００１１】
また、前記基板液処理装置において、前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理する前記基板処理薬液と比較して導電率が同じ又は高い処理液であることにした。
【００１２】
また、前記基板液処理装置において、前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理するための前記基板処理薬液であることにした。
【００１３】
また、前記基板液処理装置において、前記液処理工程の後に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板のリンス処理を行うためのリンス液を気体と混合してミスト状にして基板に向けて吐出することにした。
【００１４】
また、前記基板液処理装置において、前記基板保持手段は、基板と接触して保持する基板保持体を導電性素材で形成して電気的に接地することにした。
【００１５】
また、前記基板液処理装置において、前記第１又は／及び第２の処理液吐出手段は、処理液を吐出する処理液吐出管を導電性素材で形成して電気的に接地することにした。
【００１６】
また、前記基板液処理装置において、前記基板保持手段に基板を搬送する基板搬送手段を有し、基板搬送手段に基板と接触して保持する保持体を設け、保持体を導電性素材で形成して電気的に接地することにした。
【００１７】
また、本発明では、基板の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う基板液処理方法において、前記液処理工程の前に、基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を吐出し、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることによって基板に帯電した電荷を基板の回路形成面とは反対面から放出させる除電処理工程を行うことにした。 
【００１８】
また、前記基板液処理方法において、前記除電処理工程の前に基板を回転させながら処理液としての純水を基板の回路形成面と基板の回路形成面とは反対面に向けて吐出して基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うことにした。
【００１９】
また、前記基板液処理方法において、前記純水の導電率は、前記除電処理液よりも低いことにした。
【００２０】
また、前記基板液処理方法において、前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理する前記基板処理薬液と比較して導電率が同じ又は高い処理液であることにした。
【００２１】
また、前記基板液処理方法において、前記除電処理液は、基板の回路形成面を処理するための前記基板処理薬液であることにした。
【００２２】
また、前記基板液処理方法において、前記液処理工程の後に、前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板のリンス処理を行うためのリンス液を気体と混合してミスト状にして基板の回路形成面とは反対面に向けて吐出することにした。
【００２３】
また、本発明では、基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段と、基板保持手段で保持した基板の回路形成面とは反対面に向けて処理液を吐出する第２の処理液吐出手段と、前記基板保持手段並びに第１及び第２の処理液吐出手段を制御する制御手段とを有する基板液処理装置に基板の液処理を行わせる基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、前記制御手段によって前記第１の処理液吐出手段から処理液として基板の液処理を行うための基板処理薬液を基板の回路形成面に向けて吐出させて基板の回路形成面を基板処理薬液で処理する液処理工程と、前記液処理工程の前に、前記制御手段によって前記第２の処理液吐出手段から処理液として基板に帯電した電荷を放出させるための除電処理液を基板の回路形成面とは反対面であって基板の中央に向けて吐出させて、基板の回路形成面とは反対面全体に除電処理液の液膜を形成させることで基板を除電処理液で処理する除電処理工程とを有することにした。
【００２４】
また、前記記録媒体において、前記除電処理工程の前に基板を回転させながら処理液としての純水を前記第１の処理液吐出手段及び前記第２の処理液吐出手段から基板に向けて吐出して基板の表面に純水の液膜を形成する予備処理工程を行うことにした。
【発明の効果】
【００２５】
そして、本発明では、基板の回路形成面を基板処理薬液で液処理する薬液処理工程を行う前に、基板の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板に帯電した電荷を回路形成面と反対側より放出させる除電処理工程を行うようにしているために、基板からの放電による回路形成面の静電破壊が発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】基板液処理装置を示す平面図。
【図２】基板処理部を示す模式図。
【図３】同動作説明図（基板受取工程）。
【図４】同動作説明図（基板受取工程）。
【図５】同動作説明図（予備処理工程）。
【図６】同動作説明図（除電処理工程）。
【図７】同動作説明図（液処理工程）。
【図８】同動作説明図（リンス液処理工程）。
【図９】同動作説明図（ミスト処理工程）。
【図１０】基板液処理方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に、本発明に係る基板液処理装置及びこの基板液処理装置で用いる基板液処理方法並びに基板液処理装置に基板の液処理を行わせるための基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１に示すように、基板液処理装置１は、前端部に基板２（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめてキャリア３で搬入及び搬出するための基板搬入出台４を形成するとともに、基板搬入出台４の後部にキャリア３に収容された基板２を１枚ずつ搬送するための基板搬送室５を形成し、基板搬送室５の後部に基板２の洗浄や乾燥などの各種の処理を施すための枚葉型の基板処理室６を形成している。
【００２９】
基板搬入出台４は、４個のキャリア３を基板搬送室５の前壁７に密着させた状態で左右に間隔をあけて載置できるように構成している。
【００３０】
基板搬送室５は、内部に基板搬送装置８と基板受渡台９とを収容しており、基板搬送装置８を用いて基板搬入出台４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台９との間で基板２を１枚ずつ搬送するように構成している。
【００３１】
基板処理室６は、中央部に基板搬送装置10を収容し、基板搬送装置10の左側に第１〜第６の基板処理部11〜16を前後に並べて収容するとともに、基板搬送装置10の右側に第７〜第12の基板処理部17〜22を前後に並べて収容している。
【００３２】
そして、基板処理室６は、基板搬送装置10を用いて基板搬送室５の基板受渡台９と各基板処理部11〜22との間で基板２を１枚ずつ搬送するとともに、各基板処理部11〜22を用いて基板２を１枚ずつ処理するようにしている。
【００３３】
各基板処理部11〜22は、同様の構成となっており、代表して基板処理部11の構成について説明すると、基板処理部11は、図２に示すように、基板２を水平に保持する基板保持手段23と、基板保持手段23で保持した基板２の回路形成面（上面）に向けて処理液を吐出する第１の処理液吐出手段24と、基板保持手段23で保持した基板２の回路形成面とは反対面（下面）に向けて処理液を吐出する第２の処理液吐出手段25とを有しており、これらの基板保持手段23と第１及び第２の処理液吐出手段24,25を制御手段26で制御するように構成している。なお、制御手段26は、基板搬送装置8,10など基板液処理装置１の全体を制御するようになっている。
【００３４】
基板保持手段23は、中空円筒状の回転軸27の上端部に円板状のテーブル28を水平に形成するとともに、テーブル28の周縁部に基板２の周縁部と接触して基板２を水平に保持する複数個の基板保持体29を円周方向に間隔をあけて取付けて、回転可能なベース30を構成している。ここで、ベース30は、基板保持体29をカーボン繊維を含む導電性フッ素樹脂などの導電性素材で形成するとともに、回転軸27やテーブル28を導電性素材で形成して後述する回転駆動手段33を介して電気的に接地するようにしている。
【００３５】
また、基板保持手段23は、ベース30の周囲を上方を開口させたカップ32で囲んで処理液の飛散を防止している。
【００３６】
さらに、基板保持手段23は、ベース30の回転軸27に回転駆動手段33を連動連結し、回転駆動手段33によってベース30及びベース30で保持した基板２を回転させるようにしている。この回転駆動手段33は、制御手段26で回転制御されるようになっている。
【００３７】
第１の処理液吐出手段24は、ベース30（テーブル28）よりも上方に第１の処理液吐出管34を配置し、第１の処理液吐出管34に純水を供給する純水供給源35と洗浄薬液を供給する薬液供給源36とを切換器37及びフローコントローラ38を介して接続し、第１の処理液吐出管34から基板２の回路形成面（上面）に向けて処理液として純水や洗浄薬液のいずれかを所定流量だけ選択的に吐出できるようにしている。ここで、切換器37やフローコントローラ38は、制御手段26で制御されるようになっている。また、第１の処理液吐出手段24は、第１の処理液吐出管34をカーボン繊維を含む導電性フッ素樹脂などの導電性素材で形成するとともに、アース31に接続して電気的に接地している。
【００３８】
また、第１の処理液吐出手段24は、第１の処理液吐出管34に移動手段39を連動連結し、移動手段39によって第１の処理液吐出管34を基板２の中心部から周縁部まで移動可能とするとともに、第１の処理液吐出管34を基板２の周縁部よりも外方まで退避可能としている。この移動手段39は、制御手段26で制御されるようになっている。
【００３９】
第２の処理液吐出手段25は、ベース30（テーブル28）よりも下方に第２の処理液吐出管40を配置し、第２の処理液吐出管40の中央部に液体流路41を形成するとともに、第２の処理液吐出管40の先端部（上端部）において液体流路41と連通する気体流路42を形成している。液体流路41には、純水供給源35'（純水供給源35と同一としてもよい。）と薬液供給源36'（薬液供給源36と同一としてもよい。）とを切換器37'及びフローコントローラ43を介して接続している。気体流路42には、窒素ガスなどの不活性な気体を供給する気体供給源44をフローコントローラ45を介して接続している。そして、第２の処理液吐出手段25は、第２の処理液吐出管40の液体流路41から基板２の回路形成面とは反対面（下面）に向けて処理液として純水や洗浄薬液のいずれかを所定流量だけ選択的に吐出でき、しかも、第２の処理液吐出管40の液体流路41及び気体流路42から基板２の回路形成面とは反対面（下面）に向けて処理液として純水や洗浄薬液と気体とを混合してミスト状としたものを所定流量だけ選択的に吐出できるようにしている。ここで、フローコントローラ43,45は、制御手段26で制御されるようになっている。
【００４０】
この第２の処理液吐出手段25は、基板保持手段23のベース30の中央の中空部に第２の処理液吐出管40を間隔をあけて昇降可能に収容し、第２の処理液吐出管40の先端周縁部（上端周縁部）に複数個の突起状の保持体46を円周方向に間隔をあけて取付けるとともに、第２の処理液吐出管40に昇降手段47を連動連結し、昇降手段47によって第２の処理液吐出管40を昇降させるようにしている。この昇降手段47は、制御手段26で昇降制御されるようになっている。
【００４１】
そして、第２の処理液吐出手段25は、基板搬送装置10から基板２を受取る際又は基板搬送装置10に基板２を受け渡す際に第２の処理液吐出管40を基板保持手段23よりも上方に上昇させた状態として基板２の下面を保持体46で保持し、第２の処理液吐出管40を下降させた状態として基板２の周縁を基板保持手段23の基板保持体29で保持させるようにしている。なお、第２の処理液吐出管40を下降させた状態では、保持体46の先端部（上端部）が基板２の下面から離反するようにしている。
【００４２】
そのため、第２の処理液吐出手段25は、基板２の回路形成面とは反対面（下面）に向けて処理液を吐出する機能を有するとともに、基板２を基板搬送装置10と基板保持手段23との間で搬送する基板搬送手段としての機能をも有している。そして、第２の処理液吐出手段25は、第２の処理液吐出管40及び保持体46をカーボン繊維を含む導電性フッ素樹脂などの導電性素材で形成するとともに、アース31に接続して電気的に接地している。
【００４３】
なお、上記基板液処理装置１では、純水供給源35から供給する純水として、超純水に炭酸ガスやアンモニアガスなどを溶解させて超純水よりも導電率を増大させた純水を用い、薬液供給源36から供給する洗浄薬液として、純水供給源35から供給する純水よりもさらに導電率が高い薬剤を用いている。そのため、上記基板液処理装置１では、超純水よりも純水供給源35から供給する純水のほうが基板２に帯電した電荷を放出させやすく、さらに、純水供給源35から供給する純水よりも薬液供給源36から供給する洗浄薬液のほうが基板２に帯電した電荷を放出させやすくなっている。
【００４４】
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段26（コンピュータ）で読み取り可能な記録媒体48に記録した基板液処理プログラムにしたがって各基板処理部11〜22で基板２を処理する。なお、記録媒体48は、基板液処理プログラム等の各種プログラムを記録できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記録媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記録媒体であってもよい。
【００４５】
上記基板液処理装置１では、基板液処理プログラムによって図10に示す工程図に従って以下に説明するようにして基板２の液処理（ここでは、洗浄処理。）を行うようにしている。
【００４６】
まず、基板液処理プログラムは、図３に示すように、制御手段26によって移動手段39を制御して、第１の処理液吐出管34を基板２の周縁部よりも外方まで退避させるとともに、制御手段26によって昇降手段47を制御して、基板搬送手段としての第２の処理液吐出管40を上昇させ、基板搬送装置10から基板２を受け取り、基板２を保持体46で支持し、その後、図４に示すように、制御手段26によって昇降手段47を制御して、基板搬送手段としての第２の処理液吐出管40を下降させ、基板保持手段23の基板保持体29に受け渡し、基板２を基板保持体29で保持する（基板受取工程）。
【００４７】
次に、基板液処理プログラムは、図５に示すように、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を回転させるとともに、制御手段26によって移動手段39を制御して、第１の処理液吐出管34を基板２の中央部上方に移動させ、制御手段26によって切換器37,37'を純水供給源側に切換制御し、フローコントローラ45を閉塞状態に制御するとともにフローコントローラ38,43を流量制御して、純水供給源35,35'から供給される純水（ここでは、炭酸ガスを溶解した純水）を処理液として第１及び第２の処理液吐出手段24,25の第１及び第２の処理液吐出管34,40から基板２の回路形成面（上面）及びその反対面（下面）の中央に向けて吐出させ、基板２の回路形成面（上面）及びその反対面（下面）全体に純水の液膜を形成する（予備処理工程）。この際に、純水の導電率が基板２の回路形成面を静電破壊しない程度であるために、基板２の回路形成面が静電破壊されることはない。
【００４８】
このようにして、第１及び第２の処理液吐出手段24,25から純水を基板２の回路形成面（上面）及びその反対面（下面）に向けて吐出することで基板２の電荷を放出させる予備処理を行っている。
【００４９】
特に、基板２の回路形成面（上面）及びその反対面（下面）全体にその後の回路形成面処理時の薬液よりも伝導率が低い純水の液膜を形成しているために、基板２の回路形成面（上面）及びその反対面（下面）全体から均等に電荷を放出させることができるとともに、その後の薬液吐出開始時に純水の薄膜によって薬液が直接基板２に吐出されるのを防止できるので、電荷の放出を良好に行わせることができる。
【００５０】
また、第１の処理液吐出手段24の第１の処理液吐出管34を導電性素材で形成するとともに電気的に接地しているために、第１の処理液吐出管34から吐出する除電処理液自体の帯電を防止することができるとともに、基板２から除電処理液を介して第１の処理液吐出管34に電荷を放出させることができる。
【００５１】
次に、基板液処理プログラムは、図６に示すように、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を回転させたまま、制御手段26によって切換器37を純水供給源側に切換制御したまま切換器37'を薬液供給源側に切換制御し、フローコントローラ38,45を閉塞状態に制御するとともにフローコントローラ43を流量制御して、薬液供給源36から供給される洗浄薬液を除電処理液として第２の処理液吐出手段25の第２の処理液吐出管40から基板２の回路形成面とは反対面（下面）の中央に向けて吐出させ、基板２の回路形成面とは反対面（下面）全体に除電処理液を供給する（除電処理工程）。これにより、基板２に残存して帯電している電荷を、第２の処理液吐出手段25から吐出する洗浄薬液、及び、基板保持体29、ベース30、回転軸27を介して基板２の回路形成面とは反対面（下面）から電荷を放出させることができる。
【００５２】
このように、基板２の回路形成面に薬液を供給する前に第２の処理液吐出手段25から除電処理液を基板２の回路形成面とは反対面（下面）に向けて吐出することで基板２の電荷を放出させる除電処理を行っている。そのため、基板２の回路形成面とは反対面（下面）から多くの電荷を放出させることができ、この後実施される基板２の回路形成面への薬液供給時に基板２の回路形成面で静電破壊が発生するのを防止することができる。この際に、基板２の回路形成面側には、第1の処理液吐出手段24から回路形成面を静電破壊しない程度の導電率の純水を供給し、さらに電荷を放出させる。
【００５３】
特に、基板２の回路形成面とは反対面（下面）全体に除電処理液の液膜を形成することにより、基板２の回路形成面とは反対面（下面）全体から均等に電荷を放出させることができ、電荷の放出を良好に行わせることができる。
【００５４】
また、第２の処理液吐出手段25から洗浄薬液を吐出しているために、基板２の除電処理と同時に基板２の下面の洗浄を行うことができる。
【００５５】
また、基板保持手段23の基板保持体29を導電性素材で形成するとともに電気的に接地しているために、基板２から除電処理液を介して基板保持体29に電荷を放出させることができ、電荷の放出を円滑に行わせることができる。
【００５６】
さらに、第２の処理液吐出手段25の第２の処理液吐出管40を導電性素材で形成するとともに電気的に接地しているために、第２の処理液吐出管40から吐出する除電処理液自体の帯電を防止することができるとともに、基板２から除電処理液を介して第２の処理液吐出管40に電荷を放出させることができる。
【００５７】
次に、基板液処理プログラムは、図７に示すように、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を回転させたままにし、制御手段26によって移動手段39を制御して、第１の処理液吐出管34を基板２の中央部から周縁部まで往復移動させるとともに、制御手段26によって切換器37'を薬液供給源側に切換制御したまま切換器37を薬液供給源側に切換制御し、フローコントローラ45を閉塞状態に制御するとともにフローコントローラ38,43を流量制御して、薬液供給源36,36'から供給される洗浄薬液を基板処理液として第１の処理液吐出手段24の第１の処理液吐出管34から基板２の回路形成面（上面）の中央に向けて吐出させ、基板２の回路形成面（上面）を基板処理液で液処理する（液処理（洗浄）工程）とともに第２の処理液吐出管40から基板２の回路形成面とは反対面（下面）の中央に向けて吐出させ、基板の下面も薬液で処理する。
【００５８】
このように、基板液処理装置１では、液処理工程によって基板処理液で基板２の回路形成面（上面）を液処理する液処理工程を行う前に、除電処理工程及び予備処理工程によって基板２に帯電した電荷を放出させるようにしている。
【００５９】
そのため、基板液処理装置１では、液処理工程よりも前に行う除電処理工程や予備処理工程で基板２に帯電した電荷を回路形成面に薬液が供給された際に回路形成面に静電破壊が発生しない程度まで電荷を放出させることができ、液処理工程において回路形成面（上面）に静電破壊が発生するのを防止することができる。
【００６０】
その後、基板液処理プログラムは、図８に示すように、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を回転させたままにし、制御手段26によって切換器37,37'を純水供給源側に切換制御し、フローコントローラ45を閉塞状態に制御するとともにフローコントローラ38,43を流量制御して、純水供給源35から供給される純水をリンス液として第１の処理液吐出手段24の第１の処理液吐出管34から基板２の回路形成面（上面）の中央に向けて吐出させ、基板２の回路形成面（上面）をリンス液でリンス処理する（リンス処理工程前半（リンス液処理工程））とともに第２の処理液吐出管40から基板２の回路形成面とは反対面（下面）の中央に向けて吐出させ、基板２の下面もリンス液で処理する。
【００６１】
このリンス処理工程の後半において基板液処理プログラムは、図９に示すように、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を回転させたままにし、制御手段26によって切換器37,37'を純水供給源側に切換制御したまま、フローコントローラ38,43,45を流量制御して、純水供給源35から供給される純水と気体供給源44から供給される気体をミスト状に混合したものをリンス液として第２の処理液吐出手段25の第２の処理液吐出管40から基板２の回路形成面とは反対面（下面）の中央に向けて吐出させ、基板２の回路形成面とは反対面（下面）と基板保持手段23のベース30との間にミスト状のリンス液を充満させる（リンス処理工程後半（ミスト処理工程））とともに第１の処理液吐出管34から基板２の回路形成面の中央に向けてリンス液を吐出させ、基板２の下面もリンス液で処理する。
【００６２】
これにより、最後に第２の処理液吐出手段25からミスト状のリンス液を基板２の回路形成面とは反対面（下面）と基板保持手段23のベース30との間に充満させることで残存している可能性のある基板２の電荷を放出させる除電処理を行うとともに、基板保持手段23のベース30をリンス液で濡らすことができ、ベース30に電荷が帯電していても、その電荷をミスト状のリンス液を介して外部に放出させるようにしている。これにより、次に処理される基板２に対してベース30からの帯電を防止することもできる。
【００６３】
このように、基板液処理装置１では、液処理工程によって基板処理液で基板２の回路形成面（上面）を液処理する液処理工程を行った後に、リンス処理工程によって基板２をミスト状のリンス液でリンス処理するリンス処理工程を行っており、このリンス処理工程においてミスト状のリンス液で基板２や基板液処理装置１の構成部材であるベース30に帯電した電荷を放出させる除電処理を行うようにしている。
【００６４】
そのため、基板液処理装置１では、次の基板２を液処理する際に基板液処理装置１の構成部材に電荷が帯電しておらず、次の基板２での静電破壊の発生を防止することができる。
【００６５】
その後、基板液処理プログラムは、制御手段26によってフローコントローラ38,43,45を閉塞状態に制御して、第１及び第２の処理液吐出管34,40からの液状及びミスト状のリンス液の吐出を停止するとともに、制御手段26によって回転駆動手段33を制御して、基板保持手段23のベース30及びベース30の基板保持体29で保持する基板２を高速回転させることで、基板２に付着したリンス液を振り切って基板２から除去し、基板２を乾燥処理する（乾燥処理工程）。
【００６６】
最後に、基板液処理プログラムは、図３に示すと同様に、制御手段26によって移動手段39を制御して、第１の処理液吐出管34を基板２の周縁部よりも外方まで退避させるとともに、制御手段26によって昇降手段47を制御して、基板搬送手段としての第２の処理液吐出管40を上昇させ、基板保持手段23から基板搬送装置10に基板２を受け渡す（基板受渡工程）。
【００６７】
以上に説明したように、上記基板液処理装置１では、基板２の回路形成面を基板処理液で液処理する液処理工程を行う前に、基板２の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板２に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにしているために、基板２からの放電による静電破壊が発生するのを防止することができ、基板液処理装置１の歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
なお、除電処理液としては、基板２の回路形成面を処理する基板処理液（洗浄薬液）と比較して導電率が高い又は同じものを使用している。除電処理液として基板処理液よりも導電率が高い又は同じものを使用した場合には、基板処理液での処理前に基板２から電荷を回路形成面と反対側より良好に放出させておくことができ、基板処理時の回路形成面からの放電を防止することができる。また、除電処理液よりも導電率の低い純水で基板２の表面に薄膜を形成する予備処理を行うことで、基板２から電荷を緩やかに放出させておくことができるとともに、薄膜が保護膜として機能して、基板処理液の吐出時に基板２に基板処理液が直接吐出されて放電が発生してしまうのを防止することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板液処理装置                      ２  基板
３  キャリア                            ４  基板搬入出台
５  基板搬送室                          ６  基板処理室
７  前壁                                ８  基板搬送装置
９  基板受渡台                          10  基板搬送装置
11〜22  第１〜第12の基板処理部          23  基板保持手段
24  第１の処理液吐出手段                25  第２の処理液吐出手段
26  制御手段                            27  回転軸
28  テーブル                            29  基板保持体
30  ベース                              31  アース
32  カップ                              33  回転駆動手段
34  第１の処理液吐出管                  35,35'  純水供給源
36,36'  薬液供給源                      37,37'  切換器
38  フローコントローラ                  39  移動手段
40  第２の処理液吐出管                  41  液体流路
42  気体流路                            43  フローコントローラ
44  気体供給源                          45  フローコントローラ
46  保持体                              47  昇降手段
48  記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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