(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表わされる白金スルフィド錯体：
【化１０】
0005880083.tif 000012
（式中、二つ存在するＸは、同一又は異なっていてもよく、酸素原子又はジメチルシリレン基を示し、
二つずつ存在するＲ１〜Ｒ８は、水素原子を示し、
四つ存在するＲは、それぞれ同一又は異なっていてもよく、メチル基、エチル基又はフェニル基である。）。
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｒがエチル基である、請求項１に記載の白金スルフィド錯体。
【請求項３】
有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料である請求項１又は２に記載の白金スルフィド錯体。
【請求項４】
下記一般式（ＩＩＩ）で表わされる芳香族化合物とアルカリ金属塩基試薬Ｑ−Ａ（ここで、Ｑはｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジイソプロピルアミノ基又はビス（トリメチルシリル）アミノ基であり、Ａはアルカリ金属である）とを反応させ、
得られた下記一般式（Ｉ）で表わされるアルカリ金属化合物を、下記一般式（ＩＩ）で表わされる塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体と反応させる、請求項１から３のいずれかに記載の白金スルフィド錯体の製造方法：
【化１１】
0005880083.tif 000013
【化１２】
0005880083.tif 000014
（式中、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ８、Ｒ及びＡは上記で定義したとおりであり、Ｚは水素原子又はハロゲン原子である。）。
【請求項５】
一対の対向する電極間に発光層及び任意に１層以上の有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層及び有機化合物層の少なくとも１層が、少なくとも一種の請求項１から３のいずれかに記載の白金スルフィド錯体を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用発光材料等として有用な白金スルフィド錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、有機蛍光（又はリン光）物質を電極で挟み、電流を流すことで発光させるものであり、液晶ディスプレイよりも構造が単純であり、応答速度が速く、また視野角も広いため、広くディスプレイ用の安価な発光素子として期待されている。
【０００３】
さらに、ディスプレイ用途のほか、ＬＥＤ照明とともに次世代照明技術としても期待されている。
【０００４】
このような有機エレクトロルミネッセンス素子に使用される化合物として、発光色、製造コスト、発光効率等の種々の観点から検討がなされており、例えば特許文献１には、下記式で表わされる白金スルフィド錯体が開示されている。
【化１】
0005880083.tif 000002
【０００５】
式中、Ｒ１及びＲ２は同一又は異なっていてもよく、炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ１及びＲ２は互いに結合して環を形成していてもよい。
【０００６】
しかしながら従来、本願発明の白金スルフィド錯体及び当該錯体を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子については、全く知られていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２３５４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、電圧印加により青色〜緑色の発光を示す新規な有機エレクトロルミネッセンス素子及びその有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料等として有用な新規白金スルフィド錯体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の課題は、下記一般式（１）で表わされる白金スルフィド錯体によって解決される。
【００１０】
【化２】
0005880083.tif 000003
【００１１】
式中、二つ存在するＸは、同一又は異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ９−又はシリレン基を示し（Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基又はアリールオキシル基である）、
Ｘが−ＮＲ９−又はシリレン基である場合には、該−ＮＲ９−又はシリレン基中の一つ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又は置換シリル基で置換されていてもよく、
Ｘがシリレン基であって、該シリレン基中の二つの水素原子がアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又は置換シリル基で置換されている場合には、これら二つの置換基同士が結合して環を形成していてもよく、
二つずつ存在するＲ１〜Ｒ８は、それぞれ同一又は異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又はアルキルシリル基を示し、Ｒ1〜Ｒ８が水素原子を有する基（水素原子を除く）である場合、その任意の水素原子が置換されていてもよく、
Ｒ１〜Ｒ８の隣接している基同士が結合して環を形成していてもよく、
四つ存在するＲは、それぞれ同一又は異なっていてもよく、アルキル基又はアリール基を示し、Ｒの任意の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又はアルキルシリル基で置換されていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、電圧印加により青色〜緑色の発光を示す新規な有機エレクトロルミネッセンス素子及びその有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料等として有用な新規白金スルフィド錯体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施例３において作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施態様について詳細に説明する。
【００１５】
［白金スルフィド錯体］
本発明の白金スルフィド錯体は、下記一般式（１）で表わされる。
【００１６】
【化３】
0005880083.tif 000004
【００１７】
以下、この白金スルフィド錯体におけるそれぞれの可変基について説明する。
【００１８】
＜Ｘについて＞
上記一般式（１）において、二つ存在するＸは、同一又は異なっていてもよく、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ９−又はシリレン基を示す。
【００１９】
ここで、Ｒ９は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基又はアリールオキシル基である。
【００２０】
また、Ｘが−ＮＲ９−又はシリレン基である場合には、それらの基中の一つ又は複数の水素原子が、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又は置換シリル基で置換されていてもよい。
【００２１】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。
【００２２】
前記アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００２３】
前記シクロアルキル基としては、炭素数３〜１２のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基及びシクロドデシル基等が挙げられる。
【００２４】
前記アルケニル基としては、炭素数２〜２０、特に炭素数２〜１２のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００２５】
前記アリール基としては、炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ジメチルナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基、クリセニル基、テトラフェニル基、ナフタセニル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００２６】
前記アラルキル基としては、炭素数７〜２０のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、ナフチルメチル基、インデニルメチル基及びビフェニルメチル基等が挙げられる。
【００２７】
前記アルコキシル基としては、炭素数１〜１０のアルコキシル基が好ましく、例えば、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、ブトキシル基、ペンタノキシル基、ヘキサノキシル基、ヘプタノキシル基、オクタノキシル基、ノナノキシル基、デカノキシル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００２８】
前記アリールオキシル基としては、炭素数６〜１４のアリールオキシル基が好ましく、例えば、フェノキシル基、トリロキシル基、キシリロキシル基、ナフトキシル基、ジメチルナフトキシル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００２９】
前記ジアルキルアミノ基としては、炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基が好ましく、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００３０】
前記置換シリル基としては、置換基中の炭素数が２〜２１の置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基及びそれらの異性体等が挙げられる。
【００３１】
また、一般式（１）においてＸがシリレン基であって、そのシリレン基中の二つの水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又は置換シリル基で置換されている場合には、これら二つの置換基同士が結合して環を形成していてもよい。
【００３２】
そのようにして形成される環としては、
置換基が二つともアルキル基である場合の例として、シラシクロプロピル環、シラシクロブタン環、シラシクロペンタン環及びシラシクロヘキサン環等が挙げられ；
置換基がアルキル基及びアルケニル基である場合の例として、シラシクロペンテン環及びシラシクロヘキセン環が挙げられ；
置換基がアルキル基及び置換シリル基である場合の例として、ジシラシクロペンタン環及びジシラシクロヘキサン環等が挙げられ；
置換基が二つともアルコキシル基である場合の例として、ジオキサシラシクロペンタン環及びジオキサシラシクロヘキサン環等が挙げられる。
【００３３】
以上説明したＸは、合成原料の入手容易性の観点から酸素原子又はジメチルシリレン基であることが好ましい。
【００３４】
＜Ｒ１〜Ｒ８について＞
上記一般式（１）において二つずつ存在するＲ１〜Ｒ８は、それぞれ同一又は異なっていてもよく（二つ存在するＲ１同士、Ｒ２同士、Ｒ３同士、Ｒ４同士、Ｒ５同士、Ｒ６同士、Ｒ７同士、Ｒ８同士も同一でも異なっていてもよい）、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又はアルキルシリル基を示す。
【００３５】
これらの基はそれぞれＸの説明において対応する基について定義したものと同様であり、前記アルキルシリル基としては、炭素数１〜４０のアルキルシリル基が好ましく、例えば、モノメチルシリル基、ジメチルシリル基、モノエチルシリル基、ジエチルシリル基等が挙げられる。
【００３６】
ここで、Ｒ１〜Ｒ８が水素原子を有する基（水素原子を除く）である場合には、その基の任意の水素原子が置換されていてもよく、その置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基及びアルキルシリル基が挙げられる。これらの基はそれぞれＸの説明において対応する基について定義したもの、及び前記アルキルシリル基について定義したものと同様である。
【００３７】
また、Ｒ１〜Ｒ８は、隣接している基同士が結合して環を形成していてもよい。
以上説明したＲ１〜Ｒ８としては、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシル基、炭素数６〜１４のアリールオキシル基、炭素数２〜１０のジアルキルアミノ基又は炭素数１〜４０のアルキルシリル基が好ましい。
【００３８】
＜Ｒについて＞
上記一般式（１）において、四つ存在するＲは、それぞれ同一又は異なっていてもよく、アルキル基又はアリール基を示す。
【００３９】
前記アルキル基及びアリール基はそれぞれ、Ｘについて説明した対応する基について定義したものと同様である。
【００４０】
さらに、前記アルキル基又はアリール基中の任意の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、アリールオキシル基、ジアルキルアミノ基又はアルキルシリル基で置換されていてもよい。
【００４１】
これらの基はそれぞれＸの説明において対応する基について定義したもの、及びＲ１〜Ｒ８の説明においてアルキルシリル基について定義したものと同様である。
【００４２】
Ｒとして好ましいのは、炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜１８のアリール基であり、より好ましくはメチル基、エチル基又はフェニル基であり、さらに好ましくはエチル基である。
【００４３】
さらに上記一般式（１）において、二つのＲがＳに結合して形成されている配位子であるＳＲ２の例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド及びジフェニルスルフィドが挙げられる。一般式（１）においてＳＲ２は二つ存在するが、これらは同一でも異なっていてもよい。
【００４４】
＜白金スルフィド錯体の製造方法＞
本発明の一般式（１）で示される白金スルフィド錯体は、例えば、下記反応工程式（１）：
【００４５】
【化４】
0005880083.tif 000005
【００４６】
（式中、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ８及びＲは、前記と同義であり、Ａはアルカリ金属である。）
で示されるように、二つの芳香族環がＸにより連結され、そのＸに対してオルト位にアルカリ金属Ａが結合した、一般式（Ｉ）で表わされるアルカリ金属化合物と、一般式（ＩＩ）で表わされる塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体とを反応させることによって得られる。
【００４７】
前記アルカリ金属Ａは、反応性の点から好ましくはリチウムであり、前記塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体としては市販のものをそのまま使用することが出来る。
【００４８】
前記塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体としては、ジクロロビス（ジエチルスルフィド）白金（ＩＩ）、ジクロロビス（ジメチルスルフィド）白金（ＩＩ）及びジクロロビス（ジフェニルスルフィド）白金（ＩＩ）等が挙げられる。
【００４９】
以上説明したアルカリ金属化合物及び塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体は、それぞれ単独で用いても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５０】
また、上記反応工程式（１）における反応原料である、前記アルカリ金属化合物は、例えば、下記反応工程式（２）：
【００５１】
【化５】
0005880083.tif 000006
【００５２】
（式中、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ８及びＡは、前記と同義である。Ｚは水素原子又はハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり好ましくは臭素原子）を示す。Ｑはｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジイソプロピルアミノ基又はビス（トリメチルシリル）アミノ基を示す。）
で示されるように、Ｘにより二つの芳香族環が連結された、一般式（ＩＩＩ）で表される芳香族化合物と、アルカリ金属塩基試薬Ｑ−Ａとのアルカリ金属交換反応によって得られる。
【００５３】
前記芳香族化合物は、市販されているか又は公知の方法により合成することができ、前記アルカリ金属塩基試薬としては市販のものをそのまま使用することが出来る。
【００５４】
前記芳香族化合物として、例えば、Ｘが酸素原子である場合、ジフェニルエーテル、およびこれのオルト位ハロゲン化誘導体が挙げられる。
また、例えば、Ｘが硫黄原子である場合、ジフェニルスルフィド、およびこれのオルト位ハロゲン化誘導体が挙げられる。
また、例えば、Ｘが−ＮＲ９−である場合、ジフェニルメチルアミン、トリフェニルアミン、およびこれらのオルト位ハロゲン化誘導体が挙げられる。
さらに、例えばＸがシリレン基である場合、ジフェニルジメチルシラン、トリフェニルメチルシラン、テトラフェニルシラン、およびこれらのオルト位ハロゲン化誘導体が挙げられる。
【００５５】
前記芳香族化合物は、市販品をそのまま用いてもよいし、公知の方法によって合成したものを使用してもよい。
【００５６】
例えば、Ｘがシリレン基である場合の前記芳香族化合物の合成法については、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９８４，３，２５５．に記載があり、
Ｘが酸素原子である場合の前記化合物の合成法については、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９６７，３２，３１６３．及びＯｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２００６，２５，３９７４．に記載がある。
【００５７】
以上説明した反応工程式（２）の反応において、上記芳香族化合物及びアルカリ金属塩基試薬は、それぞれ単独で用いても、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５８】
本発明の白金スルフィド錯体の合成において使用する溶媒としては、上記反応工程式（１）の反応を阻害しないものならば特に限定されないが、例えば、テトラヒドロフラン、フラン、ジオキサン、テトラヒドロピラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、ジクロロエタン、ジクロロプロパン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；及びクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類が挙げられる。なお、これらの溶媒は、単独又は二種以上を混合して使用してもよい。
【００５９】
前記溶媒の使用量は、反応液の均一性や攪拌性により適宜調節するが、目的化合物である白金スルフィド錯体１モルに対して、好ましくは１〜２００Ｌ、更に好ましくは２〜１５０Ｌである。
【００６０】
さらに、反応工程式（１）の反応は、前記反応工程式（２）の反応から続けて同一系内で実施可能である。反応工程式（２）の反応においては、反応工程式（１）の反応に使用する溶媒と同様の溶媒を使用することができる。
【００６１】
本発明の白金スルフィド錯体の合成は、例えば、上記一般式（ＩＩ）で表わされる塩化白金（ＩＩ）スルフィド錯体と、配位子である上記一般式（Ｉ）で表わされるアルカリ金属化合物と、溶媒とを混合して、攪拌しながら反応させる等の方法によって行われる（反応工程式（１））。
【００６２】
その際の反応温度は、好ましくは−１５０〜１２０℃、更に好ましくは−１００〜１００℃であり、反応圧力は特に制限されず、反応時間は好ましくは０．５時間〜３００時間である。
【００６３】
本発明の白金スルフィド錯体は、前記反応終了後、中和、抽出、濾過、濃縮、蒸留、再結晶、昇華、クロマトグラフィー等の公知の方法によって単離・精製される。
【００６４】
＜白金スルフィド錯体＞
以上説明した本発明の白金スルフィド錯体の具体例としては、下記式（２）〜（２８）
【００６５】
【化６】
0005880083.tif 000007
【００６６】
【化７】
0005880083.tif 000008
【００６７】
【化８】
0005880083.tif 000009
【００６８】
【化９】
0005880083.tif 000010
で示される化合物が挙げられる。
【００６９】
本発明の白金スルフィド錯体は、後述の実施例に示すように、ジクロロメタン中、温度７７Ｋ（ケルビン）において紫外線照射下にＣＩＥ色度座標（０．２５４，０．２９３）〜（０．１９４，０．３６４）の青色から緑色の発光を示し、有機エレクトロルミネッセンス素子として好適に用いられることが示唆された。
【００７０】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について、その実施形態を示す。
【００７１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、好ましくは一対の電極間に発光層及び任意に１層以上の有機化合物層を有し、当該発光層及び有機化合物層の少なくとも１層が、少なくとも一種の本発明の白金スルフィド錯体を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【００７２】
前記有機化合物層としては、電子注入層又は正孔注入層が挙げられる。また、前記発光層及び各有機化合物層は、単層であっても多層であってもよい。
【００７３】
単層型の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は発光材料を含有し、更に、陽極から注入した正孔、又は陰極から注入した電子を前記発光材料まで輸送させるための正孔注入材料又は電子注入材料を含有していてもよい。
【００７４】
多層型の有機エレクトロルミネッセンス素子としては、例えば、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）等の多層構成で積層したものが挙げられる。
【００７５】
前記発光層には、本発明の白金スルフィド錯体の他に、例えば、公知の発光材料、ホスト材料、ドーピング材料、正孔注入材料（例えば、フタロシアニン（以下「Ｐｃ」とも略記する）誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等及びそれらの誘導体、並びにポリビニルカルバゾール、ポリシラン、ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸、導電性高分子等の高分子材料）及び電子注入材料（例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン及びそれらの誘導体）からなる群より選ばれる少なくともひとつの材料を含有させてもよい。
【００７６】
本発明の白金ホスフィン錯体は、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する発光層及びその他の有機化合物層の構成成分として有用であるが、特に発光層の構成成分として有用である。
【００７７】
本発明の白金スルフィド錯体の発光層中の含有量は、発光層１ｇ中、通常０．００５〜１ｇである。
【００７８】
前述の通り、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記正孔注入層、発光層及び電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成で形成されていてもよい。
【００７９】
その際、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。
【００８０】
同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。
【００８１】
また、発光層からの正孔漏出の抑制のために発光層と電子輸送層あるいは電子注入層との間に正孔阻止層を、さらに、発光層からの電子漏出の抑制のために発光層と正孔輸送層あるいは正孔注入層との間に電子阻止層を設けてもよい。
【００８２】
これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機化合物層もしくは電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【００８３】
本発明の白金スルフィド錯体と共に発光層もしくは有機化合物層に使用出来る発光材料又はホスト材料としては、例えば、縮合多環芳香族化合物（例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、ペンタセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、ルブレン及びそれらの誘導体）、芳香族化合物（例えば、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、スチルベン系誘導体及びテトラフェニルシラン）、カルバゾール化合物（４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、２，２’―ジ〔４’’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１’−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ））、芳香族ゲルマニウム化合物（テトラフェニルゲルマニウム等）、高分子化合物（ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリフルオレン等）、蛍光色素及びりん光色素が挙げられる。
【００８４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において使用出来る公知の正孔注入材料の中で、更に効果的な正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体又はフタロシアニン誘導体であり、具体的には、例えば、トリフェニルアミン、トリトリルアミン、トリルジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、ＴＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−フェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−（４−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−α−ナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下α−ＮＰＤと記載）、Ｎ，Ｎ’−（メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−（４−ｎ−ブチルフェニル）−フェナントレン−９，１０−ジアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ジ−４−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、及びこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー或いはポリマー等の芳香族三級アミン誘導体；Ｈ2Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体並びにナフタロシアニン誘導体が挙げられる。
【００８５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、更に効果的な公知の電子注入材料としては、金属錯体化合物又は含窒素五員環誘導体（好ましくは、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール及びトリアゾール誘導体）が挙げられ、
例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３と記載。）、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム及びビス（２−メチル−８−キノリナート）（２−ナフトラート）ガリウム；ならびに、
２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、ジメチルＰＯＰＯＰ（ここでＰＯＰＯＰは１，４−ビス（５−フェニルオキサゾール−２−イル）ベンゼンを示す。）、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）］ベンゼン、１，４−ビス［２−（５−フェニルオキサジアゾリル）−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン］、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−(４”−ビフェニル)−１，３，４−チアジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−チアジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−トリアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルトリアゾリル）］ベンゼン及び１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼンが使用できる。
【００８６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、電荷注入性向上のために発光層と電極との間に無機化合物層を設けることも出来る。
【００８７】
この無機化合物層としては、ＬｉＦ等のアルカリ金属フッ化物；ＢａＦ２、ＳｒＦ２等のアルカリ土類金属フッ化物；Ｌｉ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物；ＲａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物が使用される。
【００８８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極に使用される導電性材料としては、通常4ｅＶ〜６ｅＶの範囲の仕事関数を持つものが適しており、例えば、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０重量％添加した物質）基板、酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることが出来る。
【００８９】
陰極に使用される導電性材料としては、２．５ｅＶ〜４．５ｅＶの範囲の仕事関数を持つものが適しており、例えば、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等及びそれらの合金が用いられる。
【００９０】
前記合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。
【００９１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００９２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも一方の面は該素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。又、電極を支持する基板も透明であることが望ましい。
【００９３】
透明電極基板（透明な基板上に電極を形成したもの）は、前記の導電性材料を使用して、所定の透光性が確保されるように設定して蒸着又はスパッタリング等の方法を実施することにより、得られる。
【００９４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
【００９５】
前記基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィルムが好ましく使用される。
【００９６】
前記透明性樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド及びポリプロピレンが挙げられる。
【００９７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、又はシリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護してもよい。
【００９８】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の各層の形成には、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、又はスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。
【００９９】
これらの方法により形成される各層の膜厚は特に制限されないが、好ましくは５ｎｍ〜１０μｍ、更に好ましくは１０ｎｍ〜０．２μｍである。
【０１００】
前記湿式成膜法の場合、例えば、所定の層上に本発明の白金スルフィド錯体を、エタノール、トルエン、クロロホルム、クロロベンゼン等の溶媒に溶解又は分散させて塗布することによって薄膜を調製することが出来る。この薄膜が発光層又は有機化合物層となる。
【０１０１】
また、発光層や一つの有機化合物層中に、２つ以上の材料、例えば発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて用いる場合は、同一の溶媒に組み合わせる材料を混合溶解、又は混合分散させて所定の層上に塗布することで、薄膜を調製することができる。
【０１０２】
前記湿式成膜工程後には、溶媒除去工程を経ることが望ましく、例えば、加熱処理、減圧処理さらにそれらを組み合わせた処理が好適に用いられる。
【０１０３】
また、湿式成膜後に、発光層または有機化合物層中に含まれる有機分子の配向および分散や分布状態を制御する工程を加えてもよい。例えば、加熱処理や溶媒蒸気曝露処理さらにそれらを組み合わせた処理が好適に用いられる。
【０１０４】
本発明の白金ホスフィン錯体は種々の溶媒に可溶であるので、当該錯体を含有する発光層又は有機化合物層を形成するにあたって、湿式成膜法を採用することができる。当該方法は蒸着よりも簡便であり、また蒸着における蒸発時の錯体分子の分解等を考慮する必要がないという利点がある。
【０１０５】
上記乾式成膜法としては真空蒸着が好ましく、真空蒸着装置を用い、真空度２×１０−３Ｐａ以下、基板温度を室温にして、蒸着セルに入れた本発明の白金スルフィド錯体を加熱し、それを蒸発させることにより薄膜を調製することが出来る。この時、蒸着源の温度をコントロールするためには、蒸着セルに接触させた熱電対や非接触の赤外線温度計等が好適に用いられる。また、蒸着量をコントロールするためには、蒸着膜厚計が好適に用いられる。
【０１０６】
前記蒸着膜厚計としては、蒸着源に対向して設置された水晶振動子を用い、前記水晶振動子表面に付着した蒸着膜の重量を該振動子の発振周波数の変化から計測し、この計測重量から膜厚をリアルタイムに求める形式のものが好適に用いられる。
【０１０７】
４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）等のホスト材料と本発明の白金スルフィド錯体の共蒸着は、それぞれに蒸着源を用い、且つ温度をそれぞれ独立に制御することによって行うことが出来る。
【０１０８】
ここで、例えば以上説明した方法により形成されるいずれの薄膜層に対しても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のために、それらの形成材料中に、例えば、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂およびそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂等の樹脂、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等の添加剤を含有させてもよい。
【０１０９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、壁掛けテレビや携帯電話のフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、又は計器類等の光源、表示板、標識灯に利用出来る。
【実施例】
【０１１０】
次に、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【０１１１】
［実施例１］ビス（オキシジ−２，１−フェニレン）ビス［μ−［１，１’−チオビス［エタン］］］ジプラチナ（＝［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］）の合成
アルゴン雰囲気下、５０ｍｌシュレンク管にジフェニルエーテル（０．３５３ｇ、２．０７ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（４ｍＬ）を加え、−７８℃の冷浴中で攪拌しながら、ｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６７Ｍ、５．００ｍＬ、８．３５ｍｍｏｌ）を加え、その後室温で２０時間攪拌した。
【０１１２】
反応混合物を再び−７８℃の冷浴中で攪拌しながら、該混合物に、ｃｉｓ−ジクロロビス（ジエチルスルフィド）白金（ＩＩ）（０．９２７ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２０ｍＬ）に溶解した溶液を加え、同温度で３時間攪拌した。
【０１１３】
その後反応混合物を−２５℃の冷凍庫中で２４時間静置し、次いで反応混合物から揮発成分を減圧下除去し、不揮発成分として褐色粘性固体を得た。その褐色粘性固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製することで、白色固体である［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］を得た。（０．５５８ｇ、収率６２%）
【０１１４】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）:δ７．２５−７．２０（ｍ，４Ｈ），７．１１−６．９８（ｍ，８Ｈ），６．８６−６．８２（ｍ，４Ｈ），３．０６（ｑ，８Ｈ），１．５８（ｔ，１２Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）:９０７  ［Ｍ＋Ｈ ］＋
発光分析（ＣＨ２Ｃｌ２，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：５０３  ＣＩＥ（０．１９４，０．３６４）
【０１１５】
［実施例２］ビス（ジメチルシリレンジ−２，１−フェニレン）ビス［μ−［１，１’−チオビス［エタン］］］ジプラチナ（＝［ジメチルジフェニルシラン誘導体２核白金スルフィド錯体］）の合成
アルゴン雰囲気下、２５ｍｌシュレンク管にビス（２−ブロモフェニル）ジメチルシラン（後述の参考例１参照）（０．４２３ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）、ＴＨＦ（５ｍＬ）を加えて−７８℃の冷浴中で冷却し、攪拌しながらｎ−ブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６７Ｍ、１．４５ｍＬ、２．４２ｍｍｏｌ）をさらに加え、その後同温度で１時間攪拌した。
【０１１６】
反応混合物に、ｃｉｓ−ジクロロビス（ジエチルスルフィド）白金（ＩＩ）（０．５１１ｇ、１．１５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１０ｍＬ）に溶解した溶液を加え、−７８℃の冷浴中で１時間、次いで室温で３０分間攪拌した。
【０１１７】
反応混合物から揮発成分を減圧下で除去し、得られた不揮発成分にジクロロメタン（２０ｍＬ）を加え、不溶物をろ過により除去した。
【０１１８】
次いで得られたジクロロメタン溶液から、揮発成分を減圧下で除去し、得られた不揮発成分をアルミナカラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）によって精製することで、淡黄色固体である［ジメチルジフェニルシラン誘導体２核白金スルフィド錯体］を得た。（０．３３８ｇ、収率６０%）
【０１１９】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）:δ７．３４−７．２７（ｍ，８Ｈ），６．９５−６．８３（ｍ，８Ｈ），３．２８（ｑ，４Ｈ），２．２９（ｑ，４Ｈ），２．１６（ｔ，６Ｈ），０．８６（ｓ，６Ｈ），０．５５（ｓ，６Ｈ），０．２７（ｔ，６Ｈ）
発光分析（ＣＨ２Ｃｌ２，７７Ｋ，Ｅｘ２４０ｎｍ）λｍａｘ（ｎｍ）：３４７  ＣＩＥ（０．２５４，０．２９３）
【０１２０】
［実施例３］［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］を発光材料として発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
イーエッチシー製インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと略す）被膜付きガラス基板を透明電極基板（図１における１及び２）として用い、Ｌａｕｒｅｌｌ社製スピンコーターを使用して、同基板上にポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（以下、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳと略す）水溶液として市販の、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｋ社製ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｐ  ＶＰ．ＡＩ４０８３をスピンコートし、次いで該ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳがコートされた基板を１５０℃で３０分間加熱処理することで、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳからなる正孔注入層(図１における３)を膜厚４５ｎｍで調製した。
【０１２１】
実施例１で合成した［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］  ６．４ｍｇとポリ（ビニルカルバゾール）（以下、ＰＶＫと略す）４５．０ｍｇおよび１，３−ビス［２−（４−ｔｅｒｔブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン（以下ＯＸＤ−７と略す）１８．０ｍｇをクロロベンゼン３．０ｍＬに溶解し、発光層調製用スピンコート溶液とした。
【０１２２】
この発光層調製用スピンコート溶液を、先に透明電極基板上に調製した正孔注入層上にスピンコートし、［ジフェニルエーテル誘導体白金ＢＤＰＰＥ錯体］を４．５重量％含む発光層(図１における４)を膜厚１０４ｎｍで調製した。
【０１２３】
次いでアルバック機工製真空蒸着装置を使用して、発光層上に電極(図１における５)としてアルミニウム（Ａｌ）を、膜厚１００ｎｍとなるように真空蒸着してエレクトロルミネッセンス素子を作製した（図１参照）。
【０１２４】
なお、真空蒸着は、透明電極基板上に発光層４まで形成したものに対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
【０１２５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子のＩＴＯ電極（図１における２）を正極、Ａｌ電極（図１における５）を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１４Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の緑色発光を開始し、＋３１．５Ｖにおいて１３６ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の発光に係る電流の効率を以下の式で求めた。
【０１２６】
【数１】
0005880083.tif 000011
【０１２７】
このようにして求めた最大電流効率は＋１７．５Ｖで０．１２９ｃｄ／Ａであった。
この素子の発光色を、プレサイスゲージ製有機ＥＬ評価装置を用いて評価した。電極間電圧＋２２Ｖにおいて得られたこの素子の発光スペクトルより、ＪＩＳ  Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．４１，ｙ＝０．５４であった。
【０１２８】
［実施例４］［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］を発光材料として発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子の作製
実施例１で合成した［ジフェニルエーテル誘導体２核白金スルフィド錯体］  ８．２ｍｇとＰＶＫ  ４５．２ｍｇおよび２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４”−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（以下ＰＢＤと略す）３６．２ｍｇをクロロベンゼン３．０ｍＬに溶解し、発光層調製用スピンコート溶液とした以外は、実施例３と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。発光層の膜厚は９９ｎｍとした。
【０１２９】
前記素子のＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極として通電し電極間電圧を上げていくと、＋１０Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の緑色発光を開始し、＋１３Ｖにおいて１５ｃｄ／ｍ２で発光した。この素子の最大電流効率は＋１１Ｖで０．８３ｃｄ／Ａであった。
【０１３０】
電極間電圧＋１３Ｖにおいて得られたこの素子の発光スペクトルより、ＪＩＳ  Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．４６，ｙ＝０．５３であった。
【０１３１】
［参考例１］ビス（２−ブロモフェニル）ジメチルシランの合成
Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，１９８４，３，２５５．に記載の方法に従い、第１工程として、１，２−ジブロモベンゼンとジクロロメチルシランからビス（２−ブロモフェニル）メチルシランを合成し、第２工程としてビス（２−ブロモフェニル）メチルシランとＮ−ブロモスクシンイミドとメチルリチウムからビス（２−ブロモフェニル）ジメチルシランを合成した。
【０１３２】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）:δ７．５３−７．４６（ｍ，４Ｈ），７．３３−７．２０（ｍ，４Ｈ），０．７２（ｓ，６Ｈ）
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
本発明の白金スルフィド錯体は、電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）用の発光材料等として有用である。
【符号の説明】
【０１３４】
１：ガラス基板
２：ＩＴＯ被膜（正極）
３：正孔注入層
４：発光層
５：Ａｌ電極
【図１】
0005880083.tif 000015