(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品において、
金属材料からなる層が中間層として前記誘電体部と前記磁性体部との間に配置され、
前記中間層の周囲を取り囲むプレート状の形状を有する第１の接合層を有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項２】
請求項１記載の複合電子部品において、
前記中間層と前記第１の接合層とに接して配置された第２の接合層をさらに有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項３】
請求項２記載の複合電子部品において、
前記第２の接合層は、前記中間層及び前記第１の接合層と前記磁性体部との間に配置されていることを特徴とする複合電子部品。
【請求項４】
請求項２又は３記載の複合電子部品において、
前記第２の接合層に接触して形成された第３の接合層をさらに有することを特徴とする複合電子部品。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合電子部品において、
前記中間層が前記誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、前記磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素からなることを特徴とする複合電子部品。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の複合電子部品において、
前記誘電体部の導電体と前記磁性体部の導電体とが同じ材料または元素から構成されていることを特徴とする複合電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に複合電子部品であるＬＣ複合部品が記載されている。このＬＣ複合部品は、誘電材料からなる部分（以下この部分を「誘電体部」という）と磁性材料からなる部分（以下この部分を「磁性体部」という）とを特定の材料からなる部分（以下この部分を「中間部分」という）を介して互いに接合することによって形成されている。なお、このＬＣ複合部品では、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。
【０００３】
ところで、特許文献１に記載の複合電子部品の誘電体部は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯなどを含有する結晶化ガラスにＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを含有する材料から構成されている。一方、特許文献１に記載の複合電子部品の磁性体部は、磁性フェライト粉末から構成されている。このため、これら誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。したがって、仮にこれら誘電体部と磁性体部とを中間部分を介することなく互いに直接接合し、これら接合された誘電体部と磁性体部とを焼成し、これら焼成された誘電体部と磁性体部とを冷却した場合、この冷却段階において誘電体部と磁性体部との接合領域にクラックが発生する可能性があるし、これら誘電体部と磁性体部とが互いから剥がれてしまう可能性もある。そこで、特許文献１では、上記中間部品を構成する材料としてガラスが使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【０００４】
また、特許文献２にも複合電子部品が記載されている。この複合電子部品も、誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成されている。なお、この複合電子部品でも、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。そして、特許文献２に記載の複合電子部品の誘電体部は、ＴｉＯ２やＢａ３Ｏ４などのセラミックから構成されている。一方、特許文献２に記載の複合電子部品の磁性体部は、磁性酸化物フェライトから構成されている。このため、特許文献１に記載の複合電子部品と同様に、特許文献２に記載の複合電子部品においても誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。そこで、特許文献２では、上記中間部品を構成する材料としてガラス、アルミナ、および、フェライトのうちの１つと誘電体部を構成する材料とを混合した材料が使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【０００５】
また、特許文献３にも複合電子部品が記載されている。この複合電子部品も、誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成されている。なお、この複合電子部品でも、誘電体部の内部には導電体からなる複数対の電極が設けられ、当該誘電体部がコンデンサとして機能し、磁性体部の内部には導電体からなるコイルが形成され、当該磁性体部がインダクタとして機能する。そして、特許文献３に記載の複合電子部品の誘電体部は、例えば、Ｔｉ系セラミックから構成される。一方、特許文献３に記載の複合電子部品の磁性体部は、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトから構成される。このため、特許文献１に記載の複合電子部品と同様に、特許文献３に記載の複合電子部品においても誘電体部の熱膨張率と磁性体部の熱膨張率とは互いに異なる。そこで、特許文献３では、上記中間部品を構成する材料としてＦｅ−Ｚｎ−Ｃｕ系非磁性フェライトとホウ珪酸亜鉛系ガラスとが使用され、これによって中間部品の熱膨張率が焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階における誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率とされている。
【０００６】
このように、特許文献１〜３では、互いに熱膨張率が異なる誘電体部と磁性体部とを接合する場合、焼成された誘電体部および磁性体部の冷却段階におけるこれら誘電体部の収縮と磁性体部の収縮との間の差を吸収する熱膨張率を備えた中間部分を介して誘電体部と磁性体部とを互いに接合することによってこれら誘電体部と磁性体部とを良好に接合するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭５８−１７２８０４号公報
【特許文献２】特公昭５９−３３２４７号公報
【特許文献３】特許４０２０８８６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述したように誘電体部と磁性体部とを中間部分を介して互いに接合することによって形成される複合電子部品では、当該複合電子部品が焼成されるときに誘電体部を構成する材料の一部が磁性体部の内部に拡散したり、磁性体部を構成する材料の一部が誘電体部の内部に拡散したり、中間部分を構成する材料の一部が誘電体部の内部または磁性体部の内部に拡散したりすることがある。そして、これら拡散が生じると中間部分を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されない可能性がある。また、誘電体部や中間部分を構成する材料の一部が磁性体部の内部に拡散すれば、磁性体部の特性を低下させることになりかねないし、磁性体部や中間部分を構成する材料の一部が誘電体部の内部に拡散すれば、誘電体部の特性を低下させることにもなりかねない。
【０００９】
こうした誘電体部、磁性体部、および、中間部分の間における材料の拡散を抑制する対策を講じていない特許文献１および２に記載の複合電子部品では、上述したように誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されない可能性が高く、また、誘電体部や磁性体部の特性が低下する可能性が高い。
【００１０】
一方、特許文献３に記載の複合電子部品では、中間部分におけるＺｎの含有量を磁性体部におけるＺｎの含有量よりも多くすることによって、磁性体部に含有されるＺｎが誘電体部に拡散することを抑制するようにしている。つまり、これによれば、磁性体部と誘電体部との間に介在する中間部分におけるＺｎの含有量が磁性体部におけるそれよりも多いことから、磁性体部に含有されるＺｎが誘電体部に拡散することが中間部分によって抑制されるのである。しかしながら、中間部分によって拡散が抑制される材料はＺｎに限られる。ところが、誘電体部や磁性体部にはＺｎ以外の材料または元素も含有されており、こうした材料または元素の拡散を中間部分によって抑制することができない。そして、こうした材料または元素の拡散が誘電体部と磁性体部との間で生じても、誘電体部と磁性体部との間の接合強度が十分に確保されなかったり、誘電体部や磁性体部の特性が低下したりすることになる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品において、誘電体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素が磁性体部の内部に拡散することを抑制し、或いは、磁性体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素が誘電体部の内部に拡散することを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願の発明は、内部に導電体を備えた誘電体部と内部に導電体を備えた磁性体部とを有する複合電子部品に関する。そして、本発明では、金属材料からなる層が中間層として誘電体部と磁性体部との間に配置されている。
【００１３】
これによれば、本発明の複合電子部品が焼成されるときに誘電体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という）が磁性体部の内部に拡散しようとしてもその拡散が上記中間層によって抑制される。すなわち、誘電体材料が磁性体部の内部に拡散することが抑制される。また、本発明の複合電子部品が焼成されるときに磁性体部の導電体を包囲する部分を構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という）が誘電体部の内部に拡散しようとしてもその拡散が上記中間層によって抑制される。すなわち、磁性体材料が誘電体部の内部に拡散することが抑制される。そして、これによれば、誘電体部と磁性体部との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部や磁性体部の特性として十分に高い特性が確保される。
【００１４】
また、上記発明において、前記中間層が前記誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、前記磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素からなる。
【００１５】
これによれば、中間層が誘電体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素、或いは、磁性体部の導電体を構成する材料または元素と同じ材料または元素から構成されるので、本発明の複合電子部品が製造されやすいものとなる。
【００１６】
また、上記発明において、前記誘電体部の導電体と前記磁性体部の導電体とが同じ材料または元素から構成されている。
【００１７】
これによれば、中間層を構成する材料または元素が誘電体部の導電体を構成する材料または元素とも磁性体部の導電体を構成する材料または元素とも同じであるので、本発明の複合電子部品が製造されやすいものとなる。
【００１８】
また、上記発明において、前記誘電体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された層が接合層として前記誘電体部と前記中間層との間に配置されており、或いは、前記磁性体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された層が接合層として前記磁性体部と前記中間層との間に配置されている。
【００１９】
これによれば、誘電体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された接合層が誘電体部と中間層との間に配置されている場合、上記中間層と誘電体部との間の接合強度が低く、ひいては、上記中間層を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が低いとしても上記接合層と誘電体部および中間層との間の接合強度が比較的高いことから、上記接合層を介して誘電体部と磁性体部との間の接合強度として比較的高い強度が確保される。一方、磁性体部および中間層に対する接合強度が予め定められた強度よりも高くなる材料から構成された接合層が誘電体部と磁性体部との間に配置されている場合、上記中間層と磁性体部との間の接合強度が低く、ひいては、上記中間層を介した誘電体部と磁性体部との間の接合強度が低いとしても上記接合層と磁性体部および中間層との間の接合強度が比較的高いことから、上記接合層を介して誘電体部と磁性体部との間の接合強度として比較的高い強度が確保される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態の複合電子部品の斜視図である。
【図２】図１の一点鎖線Ｓで示されている面に沿った第１実施形態の複合電子部品の縦断面図である。
【図３】第２実施形態の複合電子部品の斜視図である。
【図４】図３の一点鎖線Ｓで示されている面に沿った第２実施形態の複合電子部品の縦断面図である。
【図５】第１実施形態の複合電子部品の製造手順の一例を示した図である。
【図６】第１実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例を示した図である。
【図７】第１実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例を示した図である。
【図８】第２実施形態の複合電子部品の製造手順の一例を示した図である。
【図９】第２実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例を示した図である。
【図１０】第２実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第１実施形態）
以下、本発明の複合電子部品の実施形態について説明する。本発明の複合電子部品の１つの実施形態（以下「第１実施形態」）が図１の斜視図および図２の縦断面図に示されている。図１および図２において、１０が第１実施形態の複合電子部品を示している。図１に示されているように、複合電子部品１０は直方体の形状を有している。また、図１および図２に示されているように、複合電子部品１０は、その構成要素として、誘電体部１１、磁性体部１２、中間層１３、第１接合層１４（第２の接合層）、第２接合層１５（第１の接合層）、および、外部電極１６Ａ〜１６Ｈを有する。誘電体部１１および磁性体部１２は直方体の形状を有している。また、中間層１３、および、第１接合層１４も直方体の形状を有しているが、これら層はその厚みが比較的薄いことからプレート状をしているとも言える。また、第２接合層１５は、中間層１３の周囲を取り囲むプレート状の形状を有している。
【００２２】
次に、複合電子部品１０の上述した構成要素について詳細に説明する。なお、以下の説明では、便宜上、図２の紙面上で見て上方を「上」、同様に下方を「下」、同様に左を「左」、同様に右を「右」と称することとする。
【００２３】
図２に示されているように、誘電体部１１は複数の導電体１１Ｃと本体１１Ｂとを有する。本体１１Ｂは導電体１１Ｃを包囲している。云い方を換えれば、導電体１１Ｃは本体１１Ｂの内部、つまり、誘電体部１１の内部に配置されている。各導電体１１Ｃはプレート状をしている。また、導電体１１Ｃは互いに並行に配置されており、複数対の導電体がそれぞれ所定の外部端子と接続される。したがって、誘電体部１１はコンデンサとして機能する。つまり、誘電体部１１の内部には複数のコンデンサが形成され、それぞれが所定の外部端子と接続されている。
【００２４】
誘電体部１１の本体１１ＢはＢａＴｉＯ３系の誘電体材料、ＴｉＯ２系の誘電体材料などの誘電体材料から構成される。また、誘電体部１１の導電体１１ＣはＡｇ、Ｃｕなどの金属材料、つまり、導電性材料から構成される。
【００２５】
図２に示されているように、磁性体部１２は複数の導電体１２Ｃと本体１２Ｂとを有する。本体１２Ｂは導電体１２Ｃを包囲している。云い方を換えれば、導電体１２Ｃは本体１２Ｂの内部、つまり、磁性体部１２の内部に配置されている。各導電体１２Ｃはコイル状をしている。各導電体１２Ｃにおいて、各コイルの端部が磁性体部１２の壁面に露出しており、一例では、各コイルを形成している導電体１２Ｃの一方の端部が電極１６Ａあるいは１６Ｃに接続され、他方の端部が電極１６Ｄあるいは１６Ｆに接続されている。したがって、磁性体部１２はインダクタとして機能する。つまり、磁性体部１２の内部には複数のインダクタが形成され、それぞれが所定の外部端子と接続されている。
【００２６】
磁性体部１２の本体１２ＢはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライト材料、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト材料などの磁性材料から構成される。また、磁性体部１２の導電体１２ＣはＡｇ、Ｃｕなどの金属材料、つまり、導電性材料から構成される。
【００２７】
図２に示されているように、中間層１３は誘電体部１１と第１接合層１４との間に配置されていると共に第２接合層１５によって包囲されている。図２で見て中間層１３の左側にある第２接合層１５の部分を「第２接合層の左側部分」と称し、参照符号１５Ｌを付すと共に、中間層１３の右側にある第２接合層１５の部分を「第２接合層の右側部分」と称し、参照符号１５Ｒを付したとき、図２で見ると、中間層１３は誘電体部１１と第１接合層１４と第２接合層の左側部分１５Ｌと第２接合層の右側部分１５Ｒとの間に配置されているとも言える。そして、中間層１３は、その上壁面全体が誘電体部１１の本体１１Ｂの下壁面の一部に接触し、その下壁面全体が第１接合層１４の上壁面の一部に接触し、その端面全体が第２接合層１５内端面全体に接触している。つまり、中間層１３の上壁面は誘電体部１１の本体１１Ｂの下壁面のうち誘電体部１１の壁面に近い領域を除く領域の下壁面にのみ接触しており、中間層１３の下壁面は第１接合層１４の上壁面のうち誘電体部１１の壁面に近い領域を除く領域の上壁面にのみ接触している。そして、中間層１３の外端面全体が第２接合層１５の内端面に接触していることから、中間層１３は複合電子部品１０の壁面には露出しておらず、外部端子電極１６Ａ〜１６Ｈには接触していない。中間層１３はＡｇ、Ｃｕなどの金属材料から構成される。
【００２８】
図２に示されているように、第１接合層１４は中間層１３と第２接合層１５と磁性体部１２との間に配置されている。そして、第１接合層１４は、その上壁面の一部が中間層１３の下壁面全体および第２接合層１５の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が磁性体部１２の本体１２Ｂの上壁面全体に接触している。つまり、第１接合層１４の上壁面はその周辺領域において第２接合層１５の下壁面全体に接触し、この周辺領域を除く領域において中間層１３の下壁面全体に接触している。また、第１接合層１４の端面は複合電子部品１０の壁面に露出し、各外部端子電極１６Ａ〜１６Ｈに接触している。第１接合層１４はＢａ−Ｔｉ−Ｚｎ系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとＣｕＯとが混合された材料から構成される。
【００２９】
図２に示されているように、第２接合層１５は誘電体部１１と第１接合層１４との間に配置され、中間層１３を包囲している。そして、第２接合層１５は、その上壁面全体が誘電体部１１の本体１１Ｂの下壁面の一部に接触し、その内端面全体が中間層１３の外端面全体に接触し、その下壁面全体が第１接合層１４の上壁面の一部に接触している。また、第２接合層の外端面は複合電子部品１０の壁面に露出し、外部端子電極１６Ａ〜１６Ｈに接触している。第２接合層１５はＢａ−Ｔｉ−Ｚｎ系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとＣｕＯとが混合された材料から構成される。つまり、第２接合層１５は第１接合層１３を構成する材料と同じ組成の材料から構成される。しかしながら、第２接合層１５を構成する材料中の誘電体材料の割合とガラスの割合とＣｕＯの割合とがそれぞれ第１接合層１４を構成する材料中のそれらの割合と同じであってもよいし、第２接合層１５を構成する材料中のガラスの割合とＣｕＯの割合とがそれぞれ第１接合層１４を構成する材料中のそれら割合よりも大きくてもよい。
【００３０】
ところで、第１実施形態の複合電子部品１０は、誘電体部１１、磁性体部１２、中間層１３、第１接合層１４、および、第２接合層１５を上述した位置関係でもって組み立てることによって積層体を作製し、この積層体を焼成することによって焼成体を作製し、この焼成体に外部電極１６Ａ〜１６Ｈを形成することによって製造される。
【００３１】
ここで、上記積層体の焼成中、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という）の一部が磁性体部１２の内部に拡散しようとする。ここで、中間層１３が設けられていない場合、誘電体材料が第１接合層１４を通って磁性体部１２の内部に拡散してしまう。すると、この拡散した材料が最終的に製造される複合電子部品１０における第１接合層１４と磁性体部１２との間の接合強度を低下させてしまうし、最終的に製造される複合電子部品１０における磁性体部１２の電気的な特性も低下させてしまう。さらに、元素拡散によって誘電体部１１の組成も変化してしまい、誘電体部１１の焼結性や電気的な特性をも低下させてしまう。中間層１３を設けず（したがって、第２接合層１５も設けず）に誘電体部１１と磁性体部１２との間に第１接合層１４のみを配置してこれら誘電体部１１、磁性体部１２、および、第１接合層１４からなる積層体を焼成した実験では、磁性体部１２にも第１接合層１４にも多数の気孔が見られ、第１接合層１４と磁性体部１２との間の接合強度が低く、また、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性も低かった。このように多数の気孔が見られたのは、誘電体材料が第１接合層１４および磁性体部１２の内部に拡散したことによって、第１接合層１４を構成する材料および磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料の焼結が十分に進行しなかったためであると推察される。
【００３２】
しかしながら、第１実施形態では、中間層１３が設けられており、この中間層１３が金属材料から構成され、つまり、中間層１３が金属結合からなる構造を有していることから、誘電体材料は中間層１３内を拡散することができない。その結果、第１接合層１４を介した磁性体部１２の内部への誘電体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品１０における第１接合層１４と磁性体部１２との間の接合強度（ひいては、誘電体部１１と磁性体部１２との間の接合強度）として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。第１実施形態に従って誘電体部１１、磁性体部１２、第１接合層１４、第２接合層１５、および、中間層１３からなる積層体を焼成した実験では、磁性体部１２、および、第１接合層１４に見られる気孔は殆どなく、第１接合層１４と磁性体部１２との間の接合強度が高く、また、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性も高かった。
【００３３】
一方、上記積層体の焼成中、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という）の一部が誘電体部１１の内部に拡散しようとする。ここで、中間層１３が設けられていない場合、磁性体材料が第１接合層１４を通って誘電体部１１の内部に拡散してしまう。すると、この拡散した磁性体材料が最終的に製造される複合電子部品１０における第１接合層１４と誘電体部１１との間の接合強度を低下させてしまうし（中間層１３が設けられていない場合、第２接合層１５も設けられず、第１接合層１４の上壁面が誘電体部１１の下壁面に直接接触することになる）、最終的に製造される複合電子部品１０における誘電体部１１の電気的な特性も低下させてしまう。さらに、元素拡散によって磁性体部１２の組成も変化してしまい、磁性体部１２の焼結性や電気的な特性をも低下させてしまう。中間層１３を設けず（したがって、第２接合層１５も設けず）に誘電体部１１と磁性体部１２との間に第１接合層１４のみを配置してこれら誘電体部１１、磁性体部１２、および、第１接合層１４の積層体を焼成した実験では、誘電体部１１にも第１接合層１４にも多数の気孔が見られ、第１接合層１４と誘電体部１１との間の接合強度が低く、また、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性も低かった。このように多数の気孔が見られたのは、磁性体材料が第１接合層１４および誘電体部１１の内部に拡散したことによって第１接合層１４を構成する材料および誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料の焼結が十分に進行しなかったためであると推察される。
【００３４】
しかしながら、第１実施形態では、中間層１３が設けられており、この中間層１３が金属材料から構成され、つまり、中間層１３が金属結合からなる構造を有していることから、磁性体材料は中間層１３内を拡散することができない。その結果、第１接合層１４を介した誘電体部１１の内部への磁性体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品１０における中間層１３を介した第１接合層１４と誘電体部１１との間の接合強度（ひいては、磁性体部１２と誘電体部１１との間の接合強度）として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。第１実施形態に従って誘電体部１１、磁性体部１２、第１接合層１４、第２接合層１５、および、中間層１３からなる積層体を焼成した実験では、誘電体部１１、および、第１接合層１４に見られる気孔は殆どなく、第１接合層１４と中間層１３との間の接合強度、および、中間層１３と誘電体部１１との間の接合強度が高く、また、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性も高かった。
【００３５】
なお、第１実施形態では、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料（すなわち、誘電体部の導電体材料）と磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料（すなわち、磁性体部の導電体材料）とが同じであることから、中間層１３を構成する材料は誘電体部の導電体材料とも磁性体部の導電体材料とも同じである。しかしながら、第１実施形態に含まれる思想は、誘電体部の導電体材料と磁性体部の導電体材料とが互いに異なる場合にも適用可能であり、それによって、一定の効果が得られる。詳細には、誘電体部の導電体材料と磁性体部の導電体材料とが互いに異なる場合、誘電体部の導電体材料と同じ材料によって中間層１３を構成してもよいし、磁性体部の導電体材料と同じ材料によって中間層１３を構成してもよい。
【００３６】
また、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料、および、第１接合層１４を構成する材料の少なくとも１つが第１実施形態の材料とは異なる場合に第１実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。なお、この場合、誘電体部１１と磁性体部１２との間の接合強度、ならびに、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性に関して一定の効果が得られるだけでなく、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性以外の特性に関しても一定の効果が得られることもある。
【００３７】
また、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料、および、第１接合層１４を構成する材料にもよるが、中間層１３と第１接合層１４との位置関係が第１実施形態の位置関係とは逆になっている場合に第１実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。つまり、第１接合層１４が誘電体部１１と中間層１３と第２接合層１５との間に配置されており、中間層１３が第１接合層１４と磁性体部１２との間に配置されていると共に第２接合層１５によって包囲されている場合に第１実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【００３８】
また、第１接合層１４と磁性体部１１との間に別の接合層が配置されている場合に第１実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【００３９】
また、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料、および、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料にもよるが、第１接合層１４が設けられておらず、中間層１３が誘電体部１１と磁性体部１２との間に配置されていると共に第２接合層１５によって包囲されている場合に第１実施形態に含まれる思想を適用し、それによって一定の効果を得ることもできる。
【００４０】
また、第１実施形態では、中間層１３が金属材料から構成されており、中間層１３が導電性を有することから、中間層１３を外部電極１６Ａ〜１６Ｈに接触させないようにする必要があり、また、中間層１３を外部環境に露出させないことが好ましいことから、第２接合層１５が中間層１３を包囲している。しかしながら、中間層１３を外部電極１６Ａ〜１６Ｈに接触させないような素子または外部電極の構成であれば、或いは、中間層１３を外部環境に露出させないようにする必要がなければ、第２接合層１５が設けられていなくてもよい。
【００４１】
また、中間層１３が誘電体材料（すなわち、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料）が磁性体部１２の内部に拡散することを抑制し、磁性体材料（すなわち、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料）が誘電体部１１の内部に拡散することを抑制する働きをすることから、中間層１３は拡散抑制層であるとも言える。
【００４２】
もちろん、中間層１３は金属材料であり、塑性変形の特性を持つため、上記積層体の焼成後に当該焼成体が冷却されるときの誘電体部１１の収縮率と磁性体部１２の収縮率との差を吸収し、冷却された焼成体内にクラックが生じることを抑制する働きもある。また、誘電体部１１と磁性体部１２の中間の熱膨張率を有し、両者の収縮率の差を吸収する働きを第１接合層１４および第２接合層１５も有しており、或いは、この働きを第１接合層１４および第２接合層１５も有するように第１接合層１４および第２接合層１５を構成する材料を選択することが好ましい。
【００４３】
また、第１実施形態では、中間層１３を構成する材料として誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料が使用され、或いは、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料が使用されている。しかしながら、中間層１３を構成する材料として、中間層１３に望まれる特性に応じて誘電体部１１の導電体１１Ｃまたは磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料以外の金属材料、或いは、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料とそれ以外の材料とが使用され、或いは、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料とそれ以外の材料とが使用されてもよい。
【００４４】
なお、第１実施形態に従った誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料、第１接合層１４を構成する材料、および、第２接合層１５を構成する材料として採用可能な材料の具体例として以下のものが挙げられる。すなわち、誘電体部１１の本体１１Ｂを構成する材料として、４５〜５０ｍｏｌ％のＢａＯと、４５〜５０ｍｏｌ％のＴｉＯ２を主成分とし、副成分として０．５〜２ｍｏｌ％のＺｎＯと、０．１〜０．５ｍｏｌ％のＭｎＯと、２〜５ｍｏｌ％のＣｕＯと、１〜３ｍｏｌ％のＢｉ２Ｏ３を含むＢａＴｉＯ３系の誘電体材料が採用可能である。また、このとき、磁性体部１２の本体１２Ｂを構成する材料として、４６〜４９ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、１６〜３２ｍｏｌ％のＺｎＯと、１０〜２４ｍｏｌ％のＮｉＯと、７〜１２ｍｏｌ％のＣｕＯと、を主成分とし、副成分として０．１〜１ｍｏｌ％のＭｎＯ２を含むＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェライト材料が採用可能である。また、このとき、第１接合層１４を構成する材料として、８〜１２ｍｏｌ％のＢａＯと、５３〜５７ｍｏｌ％のＴｉＯ２と、３０〜３５ｍｏｌ％のＺｎＯを主成分とし、副成分として０．５〜２ｍｏｌ％のＭｎＯと、０〜０．５ｍｏｌ％のＡｌ２Ｏ３と、０〜０．１ｍｏｌ％のＺｒＯ２と、０〜０．０１ｍｏｌ％のＦｅ２Ｏ３と、０〜０．０１ｍｏｌ％のＳｉＯ２を含むＢａ−Ｔｉ−Ｚｎ系の誘電体材料を１００重量％とし、この材料に対して、６１〜６５重量％のＺｎＯと、２５〜３０重量％のＢ２Ｏ３と、７〜９重量％のＳｉＯ２と、０．１〜０．５重量％のＡｌ２Ｏ３とからなるホウ珪酸亜鉛ガラスを２．５〜５重量％添加し、ＣｕＯを６〜１０重量％添加した混合物が採用可能である。また、このとき、第２接合層１５を構成する材料として、第１接合層１４に関連して説明したＢａ−Ｔｉ−Ｚｎ系の誘電体と同じ組成を有する誘電体材料を１００重量％とし、第１接合層１４に関連して説明したホウ珪酸亜鉛ガラスと同じ組成を有するホウ珪酸亜鉛ガラスを２．５〜７．５重量％添加し、ＣｕＯを６〜１２重量％添加した混合物が採用可能である。
【００４５】
なお、第１実施形態に鑑みたとき、誘電体部１１の導電体１１Ｃを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層１３を誘電体部１１と磁性体部１２との間に配置し、或いは、磁性体部１２の導電体１２Ｃを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層１３を誘電体部１１と磁性体部１２との間に配置すれば、誘電体部１１と磁性体部１２との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性として十分に高い特性が確保されるとも言える。この観点からは、中間層１３が設けられず（したがって、第２接合層１５も設けられず）、誘電体部１１の導電体１１Ｃの１つが誘電体部１１の下壁面に露出し、つまり、誘電体部１１の下壁面が導電体１１Ｃの下壁面によって構成されており、この導電体１１Ｃの下壁面に第１接合層１４の上壁面が接触すると共に第１接合層１４の下壁面に磁性体部１２の上壁面が接触するように第１接合層１４および磁性体部１２が設けられたとしても、誘電体部１１の下壁面に露出した導電体１１Ｃが中間層１３の働きをし、誘電体部１１と磁性体部１２との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部１１および磁性体部１２の電気的な特性として十分に高い特性が確保されると言える。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、第１実施形態において第１接合層１４と磁性体部１１との間に別の接合層が配置されている場合に本発明を適用した実施形態（以下「第２実施形態」）の複合電子部品について説明する。第２実施形態の複合電子部品が図３の斜視図および図４の縦断面図に示されている。図３および図４において、２０が第２実施形態の複合電子部品を示している。図３に示されているように、複合電子部品２０は直方体の形状を有している。また、図３および図４に示されているように、複合電子部品２０は、その構成要素として、誘電体部２１、磁性体部２２、中間層２３、第１接合層２４（第２の接合層）、第２接合層２５（第１の接合層）、第３接合層２７（第３の接合層）、および、外部電極２６Ａ〜２６Ｈを有する。誘電体部２１および磁性体部２２は直方体の形状を有している。また、中間層２３、第１接合層２４、および、第３接合層２７も直方体の形状を有しているが、これら層はその厚みが比較的薄いことからプレート状をしているとも言える。また、第２接合層２５は、中間層２３の周囲を取り囲むプレート状の形状を有している。
【００４７】
次に、複合電子部品２０の上述した構成要素について詳細に説明する。なお、以下の説明では、便宜上、図４の紙面上で見て上方を「上」、同様に下方を「下」、同様に左を「左」、同様に右を「右」と称することとする。
【００４８】
図４に示されているように、誘電体部２１は複数の導電体２１Ｃと本体２１Ｂとを有する。なお、導電体２１Ｃの構成は第１実施形態の導電体１１Ｃの構成と同じであり、本体２１Ｂの構成は第１実施形態の本体１１Ｂの構成と同じであるから、これら導電体２１Ｃおよび本体２１Ｂの更なる説明は省略する。
【００４９】
図４に示されているように、磁性体部２２は複数の導電体２２Ｃと本体２２Ｂとを有する。なお、導電体２２Ｃの構成は第１実施形態の導電体１２Ｃの構成と同じであり、本体２２Ｂの構成は第１実施形態の本体１２Ｂの構成と同じであるから、これら導電体２２Ｃおよび本体２２Ｂの更なる説明は省略する。
【００５０】
図４に示されているように、中間層２３は誘電体部２１と第１接合層２４との間に配置されていると共に第２接合層２５によって包囲されている。なお、中間層２３のその他の構成は第１実施形態の中間層１３の構成と同じであるから、中間層２３の更なる説明は省略する。
【００５１】
図４に示されているように、第１接合層２４は中間層２３と第２接合層２５と第３接合層２７との間に配置されている。そして、第１接合層２４は、その上壁面の一部が中間層２３の下壁面全体および第２接合層２５の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が第３接合層２７の上壁面全体に接触している。つまり、第１接合層２４の上壁面はその周辺領域において第２接合層２５の下壁面全体に接触し、この周辺領域を除く領域において中間層２３の下壁面全体に接触している。また、第１接合層２４の端面は複合電子部品２０の壁面に露出し、各外部端子電極２６Ａ〜２６Ｈに接触している。第１接合層２４はＢａ−Ｔｉ−Ｚｎ系の誘電体材料などの誘電体材料とホウ珪酸亜鉛系のガラスなどのガラスとＣｕＯとが混合された材料から構成される。
【００５２】
図４に示されているように、第２接合層２５は誘電体部２１と第１接合層２４との間に配置され、中間層１３を包囲している。なお、第２接合層２５のその他の構成は第１実施形態の第２接合層１５の構成と同じであるから、第２接合層２５の更なる説明は省略する。
【００５３】
図４に示されているように、第３接合層２７は第１接合層２４と磁性体部２２との間に配置されている。そして、第３接合層２７は、その上壁面全体が第１接合層２４の下壁面全体に接触し、その下壁面全体が磁性体部２２の本体２２Ｂの上壁面全体に接触している。また、第３接合層２７の外端面は複合電子部品２０の壁面に露出し、各外部端子電極２６Ａ〜２６Ｈに接触している。第３接合層２７は第１接合層２４を構成する誘電体材料と磁性体部２２の本体２２Ｂを構成する磁性材料との混合物から構成される。つまり、第３接合層２７は第１接合層２４の組成と磁性体部２２の本体２２Ｂの組成との中間の組成を有している。
【００５４】
このように第１接合層２４と磁性体部２２との間にこれらの組成の中間の組成を有する第３接合層２７を配置することによって第１接合層２４と磁性体部２２とをさらに高い接合強度でもって接合することができる。
【００５５】
また、第２実施形態の複合電子部品２０は、誘電体部２１、磁性体部２２、中間層２３、第１接合層２４、第２接合層２５、および、第３接合層２７を上述した位置関係でもって組み立てることによって積層体を作製し、この積層体を焼成することによって焼成体を作製し、この焼成体に外部電極２６Ａ〜２６Ｈを形成することによって製造される。
【００５６】
ここで、上記積層体の焼成中、誘電体部２１の本体２１Ｂを構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「誘電体材料」という）の一部が磁性体部２２の内部に拡散しようとする。しかしながら、誘電体材料は中間層２３内を拡散することができない。その結果、第１接合層２４および第３接合層２７を介した磁性体部２２の内部への誘電体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品２０における第１接合層２４と第３接合層２７との間の接合強度、および、第３接合層２７と磁性体部２２との間の接合強度（ひいては、誘電体部２１と磁性体部２２との間の接合強度）として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部２１および磁性体部２２の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。
【００５７】
一方、上記積層体の焼成中、磁性体部２２の本体２２Ｂを構成する材料または元素（以下これら材料および元素をまとめて「磁性体材料」という）の一部が誘電体部２１の内部に拡散しようとする。しかしながら、磁性体材料は中間層１３内を拡散することができない。その結果、第３接合層２７および第１接合層２４を介した誘電体部２１の内部への磁性体材料の拡散が抑制される。このため、最終的に製造される複合電子部品２０における中間層２３を介した第１接合層２４と誘電体部２１との間の接合強度（ひいては、磁性体部２２と誘電体部２１との間の接合強度）として十分に高い強度が確保されると共に誘電体部２１および磁性体部２２の電気的な特性として十分に高い特性が確保される。
【００５８】
なお、第２実施形態に鑑みたとき、誘電体部２１の導電体２１Ｃを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層２３を誘電体部２１と磁性体部２２との間に配置し、或いは、磁性体部２２の導電体２２Ｃを構成する材料または元素と同じ材料または元素によって構成された中間層２３を誘電体部２１と磁性体部２２との間に配置すれば、誘電体部２１と磁性体部２２との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部２１および磁性体部２２の電気的な特性として十分に高い特性が確保されるとも言える。この観点からは、中間層２３が設けられず（したがって、第２接合層２５も設けられず）、誘電体部２１の導電体２１Ｃの１つが誘電体部２１の下壁面に露出し、つまり、誘電体部２１の下壁面が導電体２１Ｃの下壁面によって構成されており、この導電体２１Ｃの下壁面に第１接合層２４の上壁面が接触すると共に第１接合層２４の下壁面に第３接合層２７の上壁面が接触すると共に第３接合層２７の下壁面に磁性体部２２の上壁面が接触するように第１接合層２４、第３接合層２７、および、磁性体部２２が設けられたとしても、誘電体部２１の下壁面に露出した導電体２１Ｃが中間層２３の働きをし、誘電体部２１と磁性体部２２との間の接合強度として十分に高い強度が確保され、誘電体部２１および磁性体部２２の電気的な特性として十分に高い特性が確保されると言える。
【００５９】
また、中間層２３が誘電体材料（すなわち、誘電体部２１の本体２１Ｂを構成する材料）が磁性体部２２の内部に拡散することを抑制し、磁性体材料（すなわち、磁性体部２２の本体２２Ｂを構成する材料）が誘電体部２１の内部に拡散することを抑制する働きをすることから、中間層２３は拡散抑制層であるとも言える。
【００６０】
もちろん、中間層２３は金属材料であり、塑性変形の特性を持つため、上記積層体の焼成後に当該焼成体が冷却されるときの誘電体部２１の収縮率と磁性体部２２の収縮率との差を吸収し、冷却された焼成体内にクラックが生じることを抑制する働きもある。また、誘電体部１１と磁性体部１２の中間の熱膨張率を有し、両者の収縮率の差を吸収する働きを第１接合層２４、第２接合層２５、および、第３接合層２７も有しており、或いは、この働きを第１接合層２４、第２接合層２５、および、第３接合層２７も有するように第１接合層２４、第２接合層２５、および、第３接合層２７を構成する材料を選択することが好ましい。
【００６１】
また、第２実施形態では、中間層２３を構成する材料として誘電体部２１の導電体２１Ｃを構成する材料が使用され、或いは、磁性体部２２の導電体２２Ｃを構成する材料が使用されている。しかしながら、中間層２３を構成する材料として、中間層２３に望まれる特性に応じて誘電体部２１の導電体２１Ｃまたは磁性体部２２の導電体２２Ｃを構成する材料以外の金属材料が使用され、或いは、誘電体部２１の導電体２１Ｃを構成する材料とそれ以外の材料とが使用され、或いは、磁性体部２２の導電体２２Ｃを構成する材料とそれ以外の材料とが使用されてもよい。
【００６２】
ところで、第１実施形態および第２実施形態の複合電子部品において、誘電体部１１および磁性体部１２は、公知のテープ積層法で作製されても良く、ゲルキャスト法で作製されてもよい。ゲルキャスト法とは、セラミックス粉末を含むスラリーを型に流し込み、そのスラリーをその型の中で硬化またはゲル化させることにより、流動性を失った成形体を作製するセラミックス粉末の成形の手法をいう。ゲルキャスト法は、スラリーが流動性を失った後に分散媒が蒸発するので、成形収縮が小さいという特徴を有する。このため、厚肉の導電体をセラミックス成形体に埋設するときにゲルキャスト法を用いると、成形収縮によるクラック等の損傷がない成形体を得ることができる。
【００６３】
ゲルキャスト法によるセラミックス成形体の作製に使用するスラリーは、セラミックス粉末を分散させた分散媒に硬化剤およびゲル化剤等を添加することにより準備される。硬化剤（ゲル化剤）は、樹脂硬化物（樹脂ゲル化物）の前駆体と、樹脂硬化物の前駆体の硬化（ゲル化）を開始または促進させる硬化開始／促進剤（ゲル化開始／促進剤）と、を含む。
【００６４】
分散媒は、水、無極性有機溶媒および極性有機溶媒等から選択される。分散媒として選択される有機溶媒には、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコール類、高級アルコール、アセトン、ヘキサン、ベンゼン、トルエンおよびエチレングリコール等のジオール類、グリセリン等のトリオール類、グルタル酸ジメチル等の多塩基酸エステル、トリアセチン等の２個以上のエステル基を有するエステル類、ポリカルボン酸エステル等のポリエステル系化合物、リン酸エステル、アミン縮合物、ならびに、ノニオン系特殊アミド化合物等がある。分散媒は、純物質および混合物のいずれであってもよい。
【００６５】
樹脂硬化物を構成する樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂およびウレタン樹脂等から選択される。樹脂は、分散媒との相溶性が高く分散媒との反応性が低い物質から選択される。エポキシ樹脂としては、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプリピレングリコールおよびグリセリンジグリシジルエーテル等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。アクリル樹脂としては、アクリルアミド、メタクリル酸、Ｎ−ヒドロキシメチルアクリルアミドおよびアクリル酸アンモニウム塩等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。ウレタン樹脂としては、ＭＤＩ（４，４−ジフェニルメタンジイソシアネート）系イソシアネート、ＨＤＩ（ヘキサメチレンジイソシアネート）系イソシアネート、ＴＤＩ（トリレンジイソシアネート）系イシソアネート、ＩＰＤＩ（イソホロンジイソシアネート）系イソシアネートおよびイソチオシネート等を構成モノマーとして含む重合体が選択される。
【００６６】
硬化開始／促進剤は、同硬化開始／促進剤と樹脂硬化物の前駆体との反応性を考慮して選択される。硬化開始／促進剤は、テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ヘキサンジアミンおよびエチレンジアミン等の重合体のポリアルキレンポリアミン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン等のペラジン類、ポリオキシプロピレンジアミン等のポリエーテルアミン、Ｎ，Ｎ´−メチレンビスアクリルアミド、６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール、過硫酸アンモニウム、ならびに、過酸化水素等から選択される。
【００６７】
例えば、分散媒としてトリアセチンとグルタル酸ジメチルとの混合物、ゲル化剤としてポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートおよびエチレングリコールが選択される。分散媒には、分散性を向上するためにカルボン酸共重合体およびアクリル酸共重合体等の分散剤がさらに添加されてもよいし、硬化（ゲル化）させる反応を促進するために６−ジメチルアミノ−１−ヘキサノール等の触媒がさらに添加されてもよい。
【００６８】
ゲルキャスト法は、スラリーに含有させることのできる誘電体や磁性体のセラミックス粉末の含有量を広範に調整できるという特長を持つ。スラリーのセラミックス粉末の含有量により、焼成時の焼成収縮量が制御できるので、誘電体部１１と磁性体部１２の一方または両方をゲルキャスト法で作製することにより、焼成時の収縮量をお互いにあわせることが容易となり、焼成されるときにそれらが互いから剥れることを抑制でき、それらの一体化に有利となる。
【００６９】
（製造手順）
次に、第１実施形態の複合電子部品の製造手順の一例について説明する。この製造手順が図５に示されている。図５の（Ａ）に示されているように、誘電体部１１が用意され、この誘電体部１１の下壁面の所定の領域に中間層１３が印刷によって設けられる。次いで、図５の（Ｂ）に示されているように、誘電体部１１の下壁面の所定の領域に第２接合層１５が印刷によって設けられる。次いで、図５の（Ｃ）に示されているように、中間層１３の下壁面全体および第２接合層１５の下壁面全体に第１接合層１４が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体１０Ａが作製される。一方、図５の（Ｄ）に示されているように、磁性体部１２が用意される。そして、図５の（Ｅ）に示されているように、部分積層体１０Ａの下壁面全体（より具体的には、第１接合層１４の下壁面全体）と磁性体部１２の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体１０Ａと磁性体部１２とが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図５の（Ｆ）に示されているように積層体１０Ｂが作製される。次いで、積層体１０Ｂが最終的に１つの複合電子部品１０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極１６Ａ〜１６Ｈが設けられることによって複合電子部品１０が製造される。
【００７０】
次に、第１実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例について説明する。この製造手順が図６に示されている。図６の（Ａ）に示されているように、誘電体部１１が用意され、この誘電体部１１の下壁面の所定の領域に中間層１３が印刷によって設けられる。次いで、図６の（Ｂ）に示されているように、誘電体部１１の下壁面の所定の領域に第２接合層１５が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体１０Ａが作製される。一方、図６の（Ｃ）に示されているように、磁性体部１２が用意され、この磁性体部１２の上壁面全体に第１接合層１４が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体１０Ｂが作製される。そして、図６の（Ｄ）に示されているように、部分積層体１０Ａの下壁面全体（より具体的には、中間層１３の下壁面全体と第２接合層１５の下壁面全体）と部分積層体１０Ｂの上壁面全体（より具体的には、第１接合層１４の上壁面全体）とが互いに接触するようにこれら部分積層体１０Ａ、１０Ｂが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図６の（Ｅ）に示されているように積層体１０Ｃが作製される。次いで、積層体１０Ｃが最終的に１つの複合電子部品１０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極１６Ａ〜１６Ｈが設けられることによって複合電子部品１０が製造される。
【００７１】
次に、第１実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例について説明する。この製造手順が図７に示されている。図７の（Ａ）に示されているように、第１接合層１４が用意される。次いで、図７の（Ｂ）に示されているように、第１接合層１４の上壁面の所定の領域に中間層１３が印刷によって設けられる。次いで、図７の（Ｃ）に示されているように、第１接合層１４の上壁面の所定の領域に第２接合層１５が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体１０Ａが作製される。一方、図７の（Ｄ）に示されているように、誘電体部１１が用意される。一方、図７の（Ｅ）に示されているように、磁性体部１２が用意される。そして、図７の（Ｆ）に示されているように、部分積層体１０Ａの上壁面全体（より具体的には、中間層１３の上壁面全体と第２接合層１５の上壁面全体）と誘電体部１１の下壁面全体とが互いに接触すると共に部分積層体１０Ａの下壁面全体（より具体的には、第１接合層１４の下壁面全体）と磁性体部１２の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体１０Ａ、誘電体部１１、および、磁性体部１２が互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図７の（Ｇ）に示されているように積層体１０Ｂが作製される。次いで、積層体１０Ｂが最終的に１つの複合電子部品１０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極１６Ａ〜１６Ｈが設けられることによって複合電子部品１０が製造される。
【００７２】
次に、第２実施形態の複合電子部品の製造手順の一例について説明する。この製造手順が図８に示されている。図８の（Ａ）に示されているように、誘電体部２１が用意され、この誘電体部２１の下壁面の所定の領域に中間層２３が印刷によって設けられる。次いで、図８の（Ｂ）に示されているように、誘電体部２１の下壁面の所定の領域に第２接合層２５が印刷によって設けられる。次いで、図８の（Ｃ）に示されているように、中間層２３の下壁面全体および第２接合層２５の下壁面全体に第１接合層２４が印刷によって設けられる。次いで、図８の（Ｄ）に示されているように、第１接合層２４の下壁面全体に第３接合層２７が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体２０Ａが作製される。一方、図８の（Ｅ）に示されているように、磁性体部２２が用意される。そして、図８の（Ｆ）に示されているように、部分積層体２０Ａの下壁面全体（より具体的には、第３接合層２７の下壁面全体）と磁性体部２２の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体２０Ａと磁性体部２２とが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図８の（Ｇ）に示されているように積層体２０Ｂが作製される。次いで、積層体２０Ｂが最終的に１つの複合電子部品２０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極２６Ａ〜２６Ｈが設けられることによって複合電子部品２０が製造される。
【００７３】
次に、第２実施形態の複合電子部品の製造手順の別の一例について説明する。この製造手順が図９に示されている。図９の（Ａ）に示されているように、誘電体部２１が用意され、この誘電体部２１の下壁面の所定の領域に中間層２３が印刷によって設けられる。次いで、図９の（Ｂ）に示されているように、誘電体部２１の下壁面の所定の領域に第２接合層２５が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体２０Ａが作製される。一方、図９の（Ｃ）に示されているように、磁性体部２２が用意され、この磁性体部２２の上壁面全体に第３接合層２７が印刷によって設けられる。次いで、図９の（Ｄ）に示されているように、第３接合層２７の上壁面全体に第１接合層２４が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体２０Ｂが作製される。そして、図９の（Ｅ）に示されているように、部分積層体２０Ａの下壁面全体（より具体的には、中間層２３の下壁面全体と第２接合層２５の下壁面全体）と部分積層体２０Ｂの上壁面全体（より具体的には、第１接合層２４の上壁面全体）とが互いに接触するようにこれら部分積層体２０Ａ、２０Ｂが互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図９の（Ｆ）に示されているように積層体２０Ｃが作製される。次いで、積層体２０Ｃが最終的に１つの複合電子部品２０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極２６Ａ〜２６Ｈが設けられることによって複合電子部品２０が製造される。
【００７４】
次に、第２実施形態の複合電子部品の製造手順のさらに別の一例について説明する。この製造手順が図１０に示されている。図１０の（Ａ）に示されているように、第１接合層２４が用意される。次いで、図１０の（Ｂ）に示されているように、第１接合層２４の上壁面の所定の領域に中間層２３が印刷によって設けられる。次いで、図１０の（Ｃ）に示されているように、第１接合層２４の上壁面の所定の領域に第２接合層２５が印刷によって設けられる。これによって、部分積層体２０Ａが作製される。一方、図１０の（Ｄ）に示されているように、誘電体部２１が用意される。一方、図１０の（Ｅ）に示されているように、第３接合層２７が用意される。一方、図１０の（Ｆ）に示されているように、磁性体部２２が用意される。そして、図１０の（Ｇ）に示されているように、部分積層体２０Ａの上壁面全体（より具体的には、中間層２３の上壁面全体と第２接合層２５の上壁面全体）と誘電体部２１の下壁面全体とが互いに接触すると共に部分積層体２０Ａの下壁面全体（より具体的には、第１接合層２４の下壁面全体）と第３接合層２７の上壁面全体とが互いに接触すると共に第３接合層２７の下壁面全体と磁性体部２２の上壁面全体とが互いに接触するようにこれら部分積層体２０Ａ、誘電体部２１、第３接合層２７、および、磁性体部２２が互いに組み立てられ、一軸プレスまたはＣＩＰ（冷間静水等方圧プレス：Cold Isostatic Press）によってプレスされることによって図１０の（Ｈ）に示されているように積層体２０Ｂが作製される。次いで、積層体２０Ｂが最終的に１つの複合電子部品２０を構成する個別の積層体に切断され、これら個別の積層体が焼成された後に冷却され、外部電極２６Ａ〜２６Ｈが設けられることによって複合電子部品２０が製造される。
【符号の説明】
【００７５】
１０、２０…複合電子部品、１１、２１…誘電体部、１１Ｃ、２１Ｃ…導電体、１２、２２…磁性体部、１２Ｃ、２２Ｃ…導電体、１３、２３…中間層（拡散抑制層）、１４、２４…第１接合層、１５、２５…第２接合層、１６Ａ〜１６Ｈ、２６Ａ〜２６Ｈ…外部電極、２７…第３接合層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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