(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸周りに回転可能なシャントプレートと、
前記シャントプレートに結合された、内側閉ループ磁極と、
前記シャントプレートに結合された、外側閉ループ磁極と、
を備え、
前記外側閉ループ磁極の磁力を前記内側閉ループ磁極の磁力よりも小さくしたことにより１より小さいアンバランス比となるようにした、マグネトロンアッセンブリ。
【請求項２】
アンバランス比が０．５７ないし０．９７である、請求項１に記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項３】
アンバランス比が０．５７である、請求項１に記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項４】
前記内側閉ループ磁極の複数の第１の磁極の極性が前記外側閉ループ磁極の複数の第２の磁極の極性とは反対の極性を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項５】
前記内側閉ループ磁極がカージオイド形を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項６】
前記内側閉ループ磁極はさらに、内側磁極プレートと、該内側磁極プレートと前記シャントプレートの間に配置された複数の第１のマグネットとを備え、又は
前記外側閉ループ磁極はさらに、外側磁極プレートと、前記外側磁極プレートと前記シャントプレートの間に配置された複数の第２のマグネットとを備える構成の少なくとも１つを備える請求項１〜３のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項７】
前記内側閉ループ磁極は、複数の第１のマグネットを備え、
前記外側閉ループ磁極は、複数の第２のマグネットを備える、
請求項１〜３のいずれかに記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項８】
複数の前記第１及び第２のマグネットにおける各マグネットが均等な磁力を有する、請求項７に記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項９】
複数の前記第１と第２のマグネットにおける少なくともいくつかのマグネットが異なる磁力を有する、請求項７に記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項１０】
複数の前記第１のマグネットにおけるマグネットの数が複数の前記第２のマグネットにおけるマグネットの数より多い、請求項７に記載のマグネトロンアッセンブリ。
【請求項１１】
基板を物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ内で処理する方法であって、
少なくとも幾つかのイオン種を含む処理ガスをＰＶＤチャンバに提供し、
を基板の上方に配置されたターゲットにＤＣ電力を印加して前記イオン種を前記ターゲットに指向させ、
内側閉ループ磁極と外側閉ループ磁極とを有し、該外側閉ループ磁極の磁力を前記内側閉ループ磁極の磁力よりも小さくしたことにより１より小さいアンバランス比となるようにした構成のマグネトロンを前記ターゲットの上方で回転させ、
前記イオン種を使用して前記ターゲットから金属原子をスパッタリングさせ、
前記基板上に複数の第１の金属原子を堆積させ、
堆積された該金属原子の少なくとも幾つかを再スパッタリングするために、ＲＦ電力を前記基板の下部に配置された電極に印加し、
ＤＣ電力とＲＦ電力を所望の期間供給して、前記基板上に層を形成する、
ことかを含む理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ内で基板を処理する方法。
【請求項１２】
アンバランス比が０．５７ないし０．９７である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ターゲットと前記層がタングステン（Ｗ）を含むものである、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記層が２％より小さいが厚みの均一性を有するが、
前記層が１０μΩ／cmより小さい抵抗率を有する、
ことの少なくとも１つを備える請求項１１又は１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、一般に基板処理に関し、具体的には物理蒸着処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
タングステン（Ｗ）蒸着などの、従来の物理蒸着（ＰＶＤ）処理では、膜蒸着には直流（ＤＣ）電力だけを印加していた。従来のマグネトロン設計では、膜厚の均一性は高くなるが、結果として得られる蒸着Ｗ膜の抵抗率が非常に高くなるため、線抵抗が高くなり、これがトランジスタ統合における密度を制限するものとなっていた。Ｗ膜の特性を改善しようとする方法の一つは、無線周波数（ＲＦ）付加方式のＰＶＤ蒸着であり、この方法では、高エネルギーのイオン再スパッタリングと膜の緻密化によって、Ｗ膜の抵抗を著しく減少させることができる。しかし蒸着処理中に、ＲＦ電力とプラズマが結合することで、Ｗ膜の膜厚の均一性は低くなる。
【０００３】
従って発明者は、抵抗率と不均一性が減少された薄膜のＰＶＤ蒸着のための装置及び方法を提供する。
【発明の概要】
【０００４】
本明細書には、膜厚均一性が高く、低抵抗率の薄膜を形成するための方法及び装置について記載されている。いくつかの実施形態では、マグネトロンアッセンブリが、軸周りを回転可能なシャントプレート、該シャントプレートと結合した内側閉ループ磁極、及び、該シャントプレートと結合した外側閉ループ磁極を備え、該外側閉ループ磁極と該内側閉ループ磁極の磁力のアンバランス比が約１より小さい値とされている。いくつかの実施形態では、この比率は約０．５７である。いくつかの実施形態では、外側閉ループ磁極はカージオイド形をしている。
【０００５】
いくつかの実施形態においては、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバ内で基板を処理する方法が、少なくとも幾つかのイオン種を有する処理ガスをＰＶＤチャンバに提供し、基板の上方に配置されたターゲットにＤＣ電力を印加して、該イオン種をターゲットに指向させ、内側閉ループ磁極と外側閉ループ磁極を備え、外側閉ループ磁極の磁場強度と内側閉ループ磁極の磁場強度のアンバランス比が約１より小さいマグネトロンを該ターゲットの上方で回転させ、該イオン種を使用して、ターゲットから金属原子をスパッタリングし、複数の第１の金属原子を基板上に蒸着させ、該基板の下方に配置した電極にＲＦ電力を印加し、該イオン種を使用して蒸着された金属原子の少なくとも一部を再スパッタリングし、ＤＣ電力とＲＦ電力を望ましい期間印加することにより、該基板上に層を形成することを含む。いくつかの実施形態では、タングステン（Ｗ）からなる層は、厚さの均一性が約２％より小さく、抵抗率は約１０μΩ／cmより低い値であった。
【０００６】
本発明のその他の実施形態は以下に記載してある。
【０００７】
上記において簡単に概略を述べ、さらに詳細は以下に記載することになる本発明の実施形態は、添付図面に示す例示的な実施形態を参照することにより、理解することができる。しかし、添付の図面は本発明の代表的な実施形態についてのみ示しており、本発明はこの他にも、同等に有効な実施形態を含み得るものであるから、これら図示実施形態は、本発明の範囲を限定するものではないということに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態のマグネトロンの構造を示す底面斜視図である。
【図１Ａ】本発明の実施形態のマグネトロンの構造を示す底面斜視図の一部である。
【図２】本発明の実施形態の物理蒸着チャンバの構造を示す概略側断面図である。
【図３】本発明の実施形態に基づき、ＤＣ電力のみを使用したマグネトロンの外側磁極と内側磁極のアンバランス比に応じた、ウエハー表面の蒸着膜の厚みを示した図である。
【図４】本発明の実施形態に基づき、ＲＦ電力とＤＣ電力のみを使用したマグネトロンの外側磁極と内側磁極のアンバランス比に応じた、ウエハー表面の蒸着膜の厚みを示した図である。
【図５】本発明の実施形態に基づき、マグネトロンの外側磁極と内側磁極のアンバランス比に応じた、蒸着膜の膜厚均一性と抵抗率を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
理解を助けるため、図面上に共通する同じ要素を示すときには、可能な限り、同じ参照番号を使用している。この図面は縮尺比に従っておらず、明瞭にするため単純化されている。一つの実施形態の要素や特性を、記載されていない他の実施形態と組み合わせることで有益となることも考えられる。
【００１０】
厚さの均一性が高く、抵抗率が低い薄膜を形成する方法及び装置がここに記載されている。本発明の装置のいくつかの実施形態は、無線周波数（ＲＦ）方式の物理蒸着（ＰＶＤ）に使用するためのマグネトロン設計に関する。この方法のいくつかの実施形態は、高い厚さの均一性（例えば、約２％より小さい）と、低い抵抗率（例えば約１０μΩ／cmより低い）を有する薄膜を形成することに関する。
【００１１】
図１は、本発明の実施形態によるマグネトロンの構造を示している。本発明のマグネトロンは、一般的に、ＤＣ電力をターゲットに印加し、ＲＦ電力を１又は複数個の基板サポート又はＰＶＤチャンバのターゲットに印加するようになったＰＶＤチャンバ、例えば、以下に説明する図２に示されたＰＶＤチャンバ２００内で使用することができる。本発明のマグネトロンを使用することにより利点がもたらされる方法の非限定的な例としては、タングステン（Ｗ）蒸着処理その他の蒸着処理を挙げることができる。
【００１２】
図１は、本発明の幾つかの実施形態によるマグネトロン１００の底面斜視図である。このマグネトロン１００は、シャントプレート１０２を備えており、これはマグネトロンアッセンブリの構造上の基部となる役割も果たしている。シャントプレート１０２は、回転軸１０４を含み、該シャントプレート１０２は、シャフトに接続された状態で該回転軸まわりに回転することができる。例えば、シャントプレート１０２をシャフト（例えば図２に示したシャフト２１６）に取り付ける取付板（図示されていない）をシャントプレート１０２に接続し、使用中にマグネトロン１００が回転できるようにすることができる。いくつかの実施形態では、図で示したように、シャントプレート１０２はカージオイド形とすることができる。しかし、シャントプレート１０２は、他の形状とすることもできる。
【００１３】
マグネトロン１００は、少なくとも２個の磁極、例えば内側磁極１０６と外側磁極１０８とを含む。内側磁極１０６及び外側磁極１０８の各々は、閉ループ磁場を形成することができる。ここで使用されている閉ループ磁場とは、区別できる始まりと終わりがなく、ループを形成している磁極のことを言う。任意の磁極内における極性は同じ（例えばＳ極又はＮ極）であるが、各々の磁極１０６と１０８の間の極性は互いに反対となる（例えば、内側がＳ極で外側がＮ極、あるいは内側がＮ極で外側がＳ極）。
【００１４】
各磁極は、磁極プレートとシャントプレート１０２との間に配置された複数個のマグネットを含むものとすることができる。例えば、内側磁極１０６は、磁極プレート１１０とシャントプレート１０２の間に配置された複数個の第１のマグネット１１２を有する磁極プレート１１０を含む。同様に、外側磁極１０８は、磁極プレート１１４とシャントプレート１０２の間に配置された複数個の第２のマグネット１１２を有する磁極プレート１１４を含む。磁極プレート１１０、１１４は、強磁性物質、例えば非限定的な例として４００シリーズステンレス鋼その他適切な物質から作ることができる。磁極プレート１１０、１１４は、適切な閉ループの形のいずれかとすることができる。磁極プレート１１０、１１４の形は、磁極プレート１１０、１１４の間の距離が磁極プレート１１０、１１４のループに沿って全体として等しくなるように、相似形にすることができる。図に示したように、いくつかの実施形態では、磁極プレート１１４は、カージオイド形とすることができる。いくつかの実施形態では、磁極プレート１１４は、シャントプレート１０２の外周にほぼ沿うようにすることができる。
【００１５】
複数のマグネットの各々におけるマグネットは、完全に均等に分布されている必要はない。例えば、図１に示したようにいくつかの実施形態では、複数の第２のマグネット１１６におけるマグネットのうちの少なくともいくつかは、対に配置することができる。図１Ａに示したように、複数のマグネットは多数の列に配置することができる。例えば、複数の第１のマグネット１１２は、２列で配置されたものとして示されている。
【００１６】
図１に戻ると、いくつかの実施形態では、複数の第１のマグネット１１２と複数の第２のマグネット１１６における各々のマグネットの磁力は同じにすることができる。また、複数の第１のマグネット１１２及び複数の第２のマグネット１１６における１つまたは複数のマグネットの磁力を異ならせることもできる。いくつかの実施形態では、内側磁極１０６で形成された磁力は、外側磁極１０８で形成された磁力より強くすることができる。その場合、いくつかの実施形態では、複数の第１のマグネット１１２におけるマグネットは、複数の第２のマグネット１１６におけるマグネットよりも高い密度でパックすることができる。代わりに、或いはこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、複数の第１のマグネット１１２におけるマグネットの数は、複数の第２のマグネット１１６におけるマグネットの数よりも多くすることができる。
【００１７】
内側磁極１０６と外側磁極１０８の間の磁場の強度の差は、内側磁極１０６磁力と外側磁極１０８の磁力のアンバランス比によって定義することができる。例えば、複数の第１のマグネット１１２と複数の第２のマグネット１１６の各々のマグネットが均等な磁力を有する均等なマグネットである実施形態では、磁力が等しくなり、アンバランス比は、単純に、複数の第１のマグネット１１２におけるマグネットの数と複数の第２のマグネット１１６におけるマグネットの数との比まで減少する。本明細書に記載されている、本発明のマグネトロンについては、アンバランス比を約１より小さくすること、例えば、外側磁極１０８の磁力を内側磁極１０６の磁力より低くすること、及び／又は複数の第２のマグネット１１６におけるマグネットの数を複数の第１のマグネット１１２におけるマグネットの数よりも少なくすることによって、上述したように厚みの均一性が高く、抵抗率が低い層を形成できることを発明者らは見出した。例えば、いくつかの実施形態では、望ましいアンバランス比は、約０．５７となる場合がある。いくつかの応用例では、異なるアンバランス比を用いることも考慮されている。図３及び４について後述するように、本発明者らは、このアンバランス比を選択し、変更することで、形成される膜の厚み形状を制御できることを発見した。
【００１８】
図２は、本発明のいくつかの実施形態による処理チャンバ２００の概略側断面図である。この処理チャンバ２００は、ＤＣ電力及び任意にはＲＦ電力を使用するように構成された適当なＰＶＤチャンバとすることができる。以下に記載するように、いくつかの実施形態では、この処理チャンバ２００は、ＤＣ電力とＲＦ電力の両方を使用するように構成されたものとすることができる。例えば、処理チャンバ２００は、基板２０４が配置された基板サポート２０２を備えている。基板サポート２０２内には、ＲＦ電力を処理チャンバ２００へ供給するための電極２０６が配置されている。ＲＦ電力は、ＲＦ電力供給部２０８から電極２０８にと供給することができる。ＲＦ電力供給部２０８は、整合ネットワーク（図示されていない）により電極２０６に結合することができる。代わりに、或いはこれと組み合わせて、（図示されていない）ＲＦ電力供給部２０８（または他のＲＦ電力供給部）を、基板サポート２０２の上方、例えば、処理チャンバ２００の天井に配置されたターゲット２１０（又はターゲットの裏側近傍接に配置された電極）に結合することができる。
【００１９】
ターゲット２１０は、基板２０４上に層を形成するのに適切なものであれば、どのような金属及び／又は金属合金で構成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ターゲットは、タングステン（Ｗ）により構成することができる。当てるために、ＤＣ電力供給２１２をターゲット２１０に結合して、バイアス電圧をターゲット２１０に提供し、チャンバ２００内に形成されたプラズマをターゲット２１０に指向させるようにすることができる。このプラズマは、ガス源２１３からチャンバ２００に供給される処理ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）又は同様のものから形成される。マグネトロン１００と該マグネトロン１００を回転させるシャフト２１６とを備えたマグネトロンアッセンブリ２１４が、ターゲット２１０の上方に配置されている。このマグネトロンアッセンブリ２１４は、例えば、ターゲット２１０からの金属原子の均一なスパッタリング、及び／又は上述のように厚みの均一性が高く、抵抗率の低い金属原子の層を基板２０４上に均一に堆積することを助長するものとなる。
【００２０】
コントローラ２１８が設けられ、処理チャンバ２００の様々な部品に結合されて、これら部品の作動を制御する。コントローラ２１８は、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、及びサポート回路を備えている。コントローラ２１８は、直接、或いは特殊な処理チャンバ、及び／又はサポートシステム部品と組み合わせたコンピューター（又はコントローラ）を介して、処理チャンバ２００を制御することができる。コントローラ２１８は、種々のチャンバ及びサブプロセッサを制御するための工業多岐な設定に使用することができるいずれかの形態の汎用コンピューター・プロセッサであればよい。コントローラ２１８のメモリ又はコンピュータ可読媒体は、例えば、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光学式記憶メモリ（例えばコンパクトディスクやデジタルビデオディスク）、フラッシュドライブ、その他ローカルまたはリモートのデジタル格納装置といった、入手が容易なメモリの１つあるいは複数のものとすることができる。プロセッサを補助するためのサポート回路が、従来の方法でＣＰＵに接続されている。これらの回路は、キャッシュ、電力供給、クロック回路、入力／出力回路、サブシステム、その他同様のものを備えている。本明細書に記載されている本発明の方法は、ソフトウェアルーチンとしてメモリに保存され、ここに述べられている方法で実行され、すなわち起動されて、処理チャンバ２００の運転を制御するようにすることができる。このソフトウェアルーチンは、ＣＰＵで制御されるハードウェアから遠隔場所に配置された第２のＣＰＵ（図に示されていない）に保存し、実行することもできる。
【００２１】
作動においては、アルゴン（Ａｒ）または同様の処理ガスが、ガス源２１３から処理チャンバ２００に導入される。このガスは、少なくともガスの一部がＡｒイオンのようなイオン種を含むものとなるように、十分な圧力で供給される。ＤＣ電力供給部２１２からターゲット２１０に印加されるＤＣ電圧により、イオン種がターゲット２１０に向けられる。イオン種がターゲット２１０に衝突すると、ターゲット２１０から金属原子が放出される。金属原子、例えば中性の電荷を持つ金属原子が、基板２０４に向かって落下して基板表面に堆積する。同時に、ターゲット２１０にイオン種が衝突し、それに続いて金属原子が放出されることにより、マグネトロン１００がシャフト２１６周りにターゲット２１０の上方で回転する。マグネトロン１００は、チャンバ２００内において、ターゲット２１０の表面にほぼ平行で、該表面に近接する位置に、磁場を生成して電子を捕獲し、この電子がターゲット２１０近傍のガス分子に衝突してイオン化し、これによって、ターゲット２１０の表面近傍のイオン種の局部密度及びスパッタリング率を増加させる。さらに、ターゲット２１０からの金属原子のスパッタリング中に、ＲＦ電力供給２０８によって、ＲＦ電力を基板サポート２０２に供給することができる。ＲＦ電力を使うと、基板２０４上に堆積された金属原子にイオン種の一部が向けられ、基板２０４上に形成される層からの、堆積された金属原子の少なくとも幾らかの再スパッタリングを促進することができるようになる。堆積された金属原子の再スパッタリングは、堆積された層の抵抗率を減少させ、総の緻密化を促進する。しかし、以下に記載するように、発明者らは、ＲＦ電力のみでは、抵抗率は適切になるが、層の断面の中心は厚く端部は薄くなるということを発見した。従って、本発明のマグネトロン１００は、以上に記載されたような望ましいアンバランス比を持つものとして、これを単独で、又はＲＦ電力と組み合わせて利用することで、望ましい堆積断面形状、例えば厚みの均一性が高く、抵抗率が低い堆積断面形状を提供する。
【００２２】
図３は本発明の幾つかの実施形態に基づき、ＤＣ電力のみを使用したマグネトロンにおける外側磁極と内側磁極のアンバランス比の関数として、ウエハー表面に沿った層の厚みを示す図である。例えばアンバランス比が、約２．７といったように１よりも実質的に大きい場合には、プロット３０２が示すように、層断面の中心は厚く端部は薄くなる。アンバランス比が約１よりも大きいマグネトロンを使用すると、基板上でのイオン衝突を制御でき、及び／又は堆積収縮限定により、金属イオン化を増大させることができる。例えば、約１より小さいアンバランス比を使用して、堆積形状を変調することができる。例えば、図３に示したように、１より小さいアンバランス比による堆積断面形状は、プロット３０４（例えばアンバランス比約０．９７のもの）とプロット３０６（例えばアンバランス比約０．５７のもの）に示すように、中心は薄く端部は厚い形状となる。いくつかの実施形態では、アンバランス比が低いほど、中心の堆積が少なくなり、端部の堆積が大きくなる（プロット３０４と３０６に示すように）。しかし、ＲＦ電力を加えると（ＲＦ電力のみでは、上述したように、中心は厚く端部は薄くなる）、次の図４に示したような望ましい堆積断面形状が達成される。
【００２３】
図４は、本発明のいくつかの実施形態による、ＤＣ電力とＲＦ電力の両方を使用したマグネトロンの外側磁極と内側磁極のアンバランス比の関数として、ウエハー表面に沿った堆積層の厚みを示した図である。これまでに述べたように、例えばＲＦ電力とＤＣ電力を組み合わせで、１より小さいアンバランス比を使用すると、厚みの均一性が高く、抵抗率が低い層を堆積させることができる。ＲＦ電力は、ウエハーの中心においてＥＳＣを通して結合されたため、ＲＦ電力が寄与したフィルムの堆積は、中心が厚く端部は薄いものとなる。本発明のマグネトロン１００においてアンバランス比を低くすると、ＤＣ電力による」ＰＶＤ蒸着では、磁場の境界及びウエハーの端部へのプラズマの拡散が弱くなるため、ウエハーの中心が厚く端部は薄い蒸着断面形状となる。ＲＦ電力とＤＣ電力を組み合わせることで、基板全面に渡って厚みが均一な断面を達成することができる。ＤＣ電力とＲＦ電力を使用して薄い膜を形成する場合において、例えば図４に示したように、アンバランス比が大きい（例えば約１から約２．７２にわたる）と、プロット４０６で示したように中心は厚く端部は薄い層にとなる。しかし、アンバランス比が低い実施形態の場合、例えば約０．５７（例えばプロット４０２）から約０．９３（例えばプロット４０４）に及ぶ範囲では、図４に示したように、より均一な断面形状の層が堆積される。
【００２４】
さらに、これまでに述べたように、ＲＦ電力は堆積された層の抵抗率を改善することができるが、残念ながら、単独で供給すると中心が厚く端部は薄い蒸着断面となる。このため、本発明のマグネトロン１００を使用してＲＦ電力とＤＣ電力を組み合わせることで、厚みの均一性が高く、抵抗率の低い層の堆積を達成することができる。図５に示したように、このマグネトロン１００を使用すると、堆積層の抵抗率は従来のＰＶＤ処理を使用した蒸着膜の抵抗率よりも大幅に低くなる。図５に示したように、マグネトロン１００のアンバランス比を変えても、プロット５０４が示すように、堆積層の抵抗率への実質的な影響はほとんどない。しかし、図５に示したように、アンバランス比が減少すると、プロット５０２が示すように堆積層の厚みの均一性は大幅に高くなる。
【００２５】
例えば、いくつかの実施形態では、ここに記載された本発明の方法と装置を使用すると、５００オングストロームのタングステン（Ｗ）の膜の抵抗率は約９．４μΩ／ｃｍで、厚みの均一性は約１．５％である。この結果は、従来のＤＣ電力でのマグネトロンを使用したタングステン（Ｗ）の堆積より、大幅に改善されたことを表している。従来の方法では、抵抗率が約１１μΩ／ｃｍで、厚みの均一性は約２．５％である。
【００２６】
以上のように、本明細書には、厚みの均一性が高く、抵抗率の低い薄いフィルム形成のための方法及び装置について記載されている。本発明の装置のいくつかの実施形態は、無線周波数（ＲＦ）物理蒸着（ＰＶＤ）処理で使用されるために設計されたマグネトロンに関する。本方法のいくつかの実施形態は、厚みの均一性が高く（約２％未満）、抵抗率の低い（約１０μΩ／ｃｍ未満）の薄いフィルムを形成するための、ＲＦ電力とＤＣ電力の使用に関する。
【００２７】
以上の記載は、本発明の実施形態を対象としているが、その他の及びそれ以上の本発明の実施形態については、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案できるものである。
【図１】
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【図１Ａ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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