(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）構造体を製造する方法であって：
複数のＬＥＤを設ける工程であり、各ＬＥＤが少なくとも第１の半導体層を有し、該第１の半導体層は、露出され、且つ各ＬＥＤの第１の電極に接続される、工程；
各ＬＥＤの前記第１の電極に電気的に接続される第１の金属部を有するサブマウントウェハを設ける工程であり、該サブマウントウェハは、前記第１の金属部に近接するが前記第１の金属部に電気的に接続されない第２の金属部を有する、工程；
少なくとも前記第１の半導体層を電気化学（ＥＣ）エッチング用の溶液内に浸漬する工程であり、該溶液は、前記第２の金属部を前記第１の金属部に電気的に接続する導電率を有する、工程；及び
前記第１の半導体層をエッチングする前記ＥＣエッチングにおいて、前記第２の金属部を第１のバイアス電圧でバイアスすることで前記第１の半導体層をバイアスする工程；
を有する方法。
【請求項２】
前記ＥＣエッチングを実行することは、少なくとも前記第１の半導体層を塩基溶液内に浸漬し、前記第１の半導体層にＵＶ光を適用し、且つ第２のバイアス電圧で前記塩基溶液をバイアスして、前記塩基溶液と前記第１の半導体層との間に電界を作り出すことを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のバイアス電圧はグランド電位である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の金属部は前記第１の金属部から約１０μｍから３００μｍの間の間隙だけ離隔される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の金属部は、前記溶液を介した電気接触の長さを増大させるよう、前記第１の金属部とインターディジットされる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のＬＥＤのうちの少なくとも一部は直列に接続され、当該方法は更に、該直列のＬＥＤの端子電極間に電流を結合することによって該直列のＬＥＤを試験する工程を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のＬＥＤはフリップチップである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の半導体層の表面を粗面化するよう前記第１の半導体層をエッチングすることによってＰＥＣエッチングを実行する工程、を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
当該方法は更に、前記第２の金属部を電気的に分離することを含む前記サブマウントウェハを個片化する工程を有し、該個片化する工程は、前記第１の金属部の如何なる部分も切断しない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記浸漬する工程に先立って、第１の相互接続部を介して前記第１の金属部にめっきバイアス電圧を結合することによって前記第１の金属部を電気めっきする工程；及び
前記浸漬する工程に先立って、前記相互接続部を前記第１の金属部から切断する工程；
を更に有する請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を形成すること、特に、電気化学エッチング中に露出されたＬＥＤ層を電気的にバイアスする方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
典型的なフリップチップＬＥＤは、該ＬＥＤの底面に反射性のｐコンタクト及びｎコンタクトを有し、これらのコンタクトがサブマウント上の接合パッドに直接的に接続されている。ＬＥＤによって生成される光は、主として、ＬＥＤの頂面を通して放出される。斯くして、光を遮る頂部コンタクトは存在せず、ワイヤボンドも必要とされない。
【０００３】
製造中、サブマウントウェハ上には配列を成したＬＥＤダイがあり、これらのＬＥＤダイはウェハ上でバッチとして更なる処理を受ける。最終的に、ウェハは例えばソーイングによって個片化される。
【０００４】
フリップチップ窒化ガリウム（ＧａＮ）ＬＥＤの効率は、全てのＬＥＤ層がエピタキシャル成長された後に透明サファイア成長基板を除去することによって向上され得る。基板の除去後、露出されたＧａＮ層は、該層を薄くするように、そして、粗面を作り出して光抽出を高めるようにエッチングされる。この露出層に良好なエッチング技術は、光電気化学（photo-electrochemical；ＰＥＣ）エッチングである。ＰＥＣエッチングは、エッチングすべき層を電気的にバイアスすることと、バイアスされた電極を含んだ塩基溶液（例えば、ＫＯＨ）内にＬＥＤを浸漬することと、露出層にＵＶ光を当てることとを必要とする。ＵＶ光に晒すことにより、半導体層内に電子−正孔対が生成される。正孔は、電界の影響下でＧａＮ層の表面に移動し、該表面でＧａＮ及び塩基溶液と反応してＧａＮ結合を切断する。上記露出層は典型的に、Ｎ型閉じ込め層、又は該Ｎ型層上の半絶縁層（例えば、バッファ層）である。
【０００５】
露出されたＮ型ＬＥＤ層をバイアスするための１つの可能な方法は、サブマウントウェハ上に、該ウェハ上の全てのＮメタル接合パッドに接続された接地金属パターンを設けることで、ＰＥＣエッチング中に露出Ｎ型層を電気的にバイアスするものである。ＰＥＣエッチングの後、このバイアス用の金属パターンは、ＬＥＤをダイシングするためにサブマウントウェハを切断するときに切断され、故に、個片化された各ＬＥＤのその後の動作には影響しない。
【０００６】
本出願人が見出したことには、バイアスのためにサブマウント上に相互接続メタルを用いることに伴う１つの問題は、ダイシングのためにサブマウントウェハを切断した後に、Ｎメタルに接続する配線が側壁に露出されることである。これは、アクティブなＮ電極と裏面の接地パッドとの間の沿面距離を短縮させる。これにより、Ｎメタルとグランドとの間で沿面放電（クリーページ）を進展させずに直列接続することが可能なＬＥＤの最大数が制限される。
【０００７】
また、切断されるメタルは、切断中にサブマウントの側壁に沿って擦りつけられて、サブマウントのエッジ又は側部を横切るリーク経路、又は別のリードへのリーク経路を形成してしまい得る。相互接続メタルに伴う別の１つの問題は、個片化のための切断に先立って該メタルが切断されない限り、ＬＥＤ列を試験することができないことである。これはプロセス工程を追加することになる。さらに、単一のダイに複数の小型ＬＥＤを形成するとき、ソーイング可能な相互接続メタルでは、それらのＮ層を相互接続することができない。
【０００８】
上述のメタル相互接続の欠点を有しないような、ＰＥＣエッチング中にサブマウントウェハ上にマウントされたＬＥＤの露出層をバイアスするのに有効な技術が望まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
単一のサブマウントウェハ上にマウントされた任意数のＬＥＤを、ＰＥＣエッチングを用いて、同時にエッチングするウェハスケールプロセスを開示する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施例では、フリップチップＬＥＤを用いて本発明を説明するが、例えば１つ以上の頂部ワイヤボンド電極を有するＬＥＤなどの如何なるタイプのＬＥＤも本発明を使用し得る。
【００１１】
先ず、サファイア基板上に複数のＬＥＤが形成される。これらのＬＥＤは個片化されてサブマウントウェハ上にマウントされる。サブマウントウェハは、フリップチップＬＥＤのＮ（カソード）電極及びＰ（アノード）電極に接合される金属パッドを有する。金属パッドは、最終的に電源に接続される端子まで延在する。
【００１２】
その後、例えばレーザリフトオフプロセスを用いることによって、各ＬＥＤダイからサファイア基板が除去される。そして、全てのＬＥＤの露出層（Ｎ型と仮定する）が、薄層化と光抽出を高めるための粗面化とのために、ＰＥＣエッチングプロセスを用いてエッチングされる。ＰＥＣエッチング中に全てのＬＥＤのＮ型層をバイアスするためにサブマウントウェハの全てのＮメタルに直接接続されるメタルインターコネクトに代えて、サブマウントウェハ上に、Ｎメタルに近接して、例えば５０μｍだけＮメタルから離隔されて、メタルパターンが形成される。このメタルパターンは、Ｎメタルから電気的に分離されているので、ＬＥＤの動作には影響を及ぼさない。しかしながら、ＰＥＣエッチングにおいて、サブマウントウェハがＰＥＣエッチング用のＫＯＨ溶液内に浸漬され、上記メタルパターンが接地（バイアス）されるとき、ＫＯＨ溶液の比較的低い抵抗（例えば、０．０１６Ω・ｍ）が実効的に上記金属パターンをＮメタルに短絡させることで、全てのＬＥＤのＮ型層がグランドにバイアスされる。その他のバイアス電圧も使用することができる。
【００１３】
ＰＥＣエッチングプロセスの後、上記メタルパターンは、サブマウントウェハ上でＮメタルから電気的に分離されているので、ＬＥＤの動作に影響を及ぼさない。故に、このサブマウントは、サブマウントのＮメタルに接続される従来技術に係るメタルインターコネクトを切断することによって生じる欠点に悩まされることがない。発明に係るメタルパターンはＬＥＤから電気的に分離されているので、ウェハ上の一連の直列接続されたＬＥＤを試験することが可能である。
【００１４】
他の一実施形態においては、Ｐ層が発光層であり、該Ｐ層が、発明に係る技術を用いてバイアスされながらＰＥＣエッチングを用いてエッチングされる。
【００１５】
他の一実施形態において、上記エッチングは、ＰＥＣエッチングではなく、ＵＶを使用しない電気化学（ＥＣ）エッチングとすることができる。ＰＥＣエッチングは電気化学エッチングの一部である。
【００１６】
プロセス態様は、例えばＡｌＧａＡｓのＬＥＤ及びＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤなどの、ＧａＮベースではないＬＥＤに適用されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】ＬＥＤダイのアレイが装着されたサブマウントウェハを例示する図である。
【図２】図１のサブマウントウェハ上の４つのＬＥＤ領域を拡大して示す上面図であり、本発明の一実施形態に従ったバイアス用メタルパターンを示している。
【図３】図２の直線３−３に沿ったサブマウントウェハ上の２つのＬＥＤ領域を単純且つ簡潔に示す断面図であり、本発明の一実施形態に従ったバイアス用メタルパターンを示している。
【図４】ＫＯＨ溶液の濃度に対するモル伝導度を示す従来技術に関するグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に従った、サブマウント上の実際の接合パッドパターンを、ＰＥＣバイアスメタルとともに示す図である。
【図６Ａ】サブマウントウェハ上でバイアス用メタルを用いて相互接続された従来技術に係るＬＥＤ列を試験することに伴う問題を例示する図である。
【図６Ｂ】本発明を用いるとサブマウントウェハ上でＬＥＤ列を試験可能であることを示す図である。
【図７】サブマウントウェハ上のメタルパターンを示す上面図であり、本発明を用いることで、どのように、該ウェハ上にＬＥＤがマウントされる前にめっきのためにＰ及びＮのコンタクトパッドがバイアスされ、その後、ＰＥＣエッチングのためにＬＥＤがバイアスされるかを示している。
【図８】サブマウント上の電気めっきされたパッドを例示する断面図である。  同一あるいは同等の要素には同じ参照符号が付されている。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、ＬＥＤダイ１２のアレイが装着されたサブマウントウェハ１０を例示している。何百ものダイ１２がウェハ１０に接合され得る。サブマウントのベース材料は、セラミック、シリコン、絶縁被覆されたアルミニウム、又はその他の材料とし得る。
【００１９】
図２は、ウェハ１０上の４つの隣り合うＬＥＤ領域の拡大図であり、ウェハ１０表面のＮメタル１４及びＰメタル１６を示している。メタル１４／１６は、ＬＥＤダイ１２の電極に接合されるパッドを形成している。ＬＥＤ１２及びメタル１４／１６は如何なるサイズともし得る。メタル１４／１６は、ＬＥＤダイ１２の底面のカソード及びアノードＮｉ／Ａｕ電極に接合されるよう、Ｎｉ／Ａｕめっきされた銅とし得る。ＬＥＤ電極は、超音波溶接又はその他の方法によってメタル１４／１６に接合され得る。
【００２０】
メタル１４／１６は、ウェハ１０を貫通して延在するビアによって、ウェハ１０内の各サブマウントの底面パッドに接続され得る。個片化の後、該底面パッドは印刷回路基板上に表面実装され得る。
【００２１】
メタルパターン２０は、電気的に分離されるよう、例えば５０μｍだけ離して、Ｎメタル１４の非常に近くに形成される。この間隙は、ＰＥＣエッチング中にＬＥＤダイ１２のＮ層をバイアスするために、ＰＥＣエッチング中にＫＯＨ溶液（又は、その他の電解質溶液）がメタルパターン２０をＮメタル１４に短絡させる導電体として作用するように選定される。一実施形態において、ＫＯＨ溶液（例えば、４モル／リットルの濃度を用いる）の抵抗率は約０．０１６Ω・ｍである。これは、一典型例において、間隙の幅が約１１．５６ｍｍであり且つメタライゼーション厚さが５０μｍであると仮定すると、５０μｍの間隙を横切って１．４Ωより低い抵抗を生じさせることになる［（０．０１６Ω・ｍ×５０μｍ間隙）／（１１．５６ｍｍ×５０μｍ厚さ）＝１．３８４Ω］。この間隙は、乾燥した環境でメタルパターン２０をＮメタル１４から電気的に分離しながらＰＥＣエッチング中には適正なバイアスを提供するために、１０μｍ又はそれ未満から数百μｍ（例えば、３００μｍ）までの範囲とすることができる。これら２つの金属間の導通は、この間隙に沿って対向するエッジの幅、及び配線厚さによって直接的に決定される。ＰＥＣエッチングにおいては非常に小さい電流が存在するのみであり、ＫＯＨ溶液中の抵抗率がいかほどであろうとＰＥＣプロセスには有意に影響しない。
【００２２】
メタルパターン２０は、例えばグランド又はその他の電圧などのバイアス電圧Ｖに接続されるブスバー２２及び２４を含んでいる。メタルパターン２０は如何なる幅又は厚さであってもよい。
【００２３】
ＰＥＣエッチング後、メタルパターン２０は分離され、個片化中のブスバー２２及び２４の切断はＬＥＤダイ１２の性能に影響を及ぼさない。
【００２４】
他の一実施形態において、バイアス印加は、エッチングプロセスを加速するために、ＵＶを使用しない電気化学（ＥＣ）エッチングのために行われる。
【００２５】
図３は、図２の直線３−３に沿ったＬＥＤダイ１２及びサブマウントウェハ１０を単純且つ簡潔に示す断面図である。ＬＥＤダイ１２は、単純化されているが、一般に、エピタキシャル成長された半導体Ｎ型層２６、半導体活性層２８及び半導体Ｐ型層３０を有する。フリップチップの場合、Ｎ型層２６を露出させるようにＰ型層３０及び活性層２８の一部がエッチング除去され、Ｎ型層２６に接触するようにＮ電極３２が堆積される。Ｐ型層３０にはＰ電極３４が接触している。一実施形態において、ＬＥＤはＡｌＩｎＧａＮであり、青色から琥珀色の光を放出する。
【００２６】
一実施形態において、これらの半導体層はサファイア基板上にエピタキシャル成長される。ＬＥＤダイ１２が、ＬＥＤウェハから個片化され、且つ、必要に応じてＬＥＤダイ１２の下方にアンダーフィル材を塗布して、サブマウントウェハ１０上にマウントされた後、サファイア基板は例えばレーザリフトオフによって除去され、それによりＮ型層２６が露出される。Ｎ型層２６は、核形成、応力緩和及び被覆（クラッド形成）のために使用される様々な層を有し得る。その後、Ｎ型層２６は、ＰＥＣエッチングを含む様々な方法のうちの何れかを用いて薄層化され得る。ＰＥＣエッチングは、この薄層化の全てに使用されてもよいし、Ｎ型層２６を薄層化するその他の方法と組み合わされてもよい。好ましくは、ＰＥＣエッチングは少なくとも、光抽出の向上のためにＮ型層２６の表面を粗面加工するために使用される。
【００２７】
サブマウントウェハ１０は、その上に、メタル１４及び１６と、ＰＥＣエッチング中のバイアス用のメタルパターン２０とを形成されている。図３が模式的に示しているように、メタルパターン２０は、図２のブス２２を表す直線３６によってその他のメタルパターン２０に電気的に接続されている。
【００２８】
メタル１４及び１６は、ウェハ１０を貫いて延在するビア４２によって、底面カソードパット３８及び底面アノードパッド４０に接続されている。
【００２９】
ＰＥＣエッチングにおいては、エッチングレートを高め且つ制御するために、エッチングすべき表面と溶液との間に電界が作り出される。そのようなバイアス印加を実現するため、ＬＥＤダイ１２のＮ型層２６はメタルパターン２０、ＫＯＨ溶液及びＮメタルパッド１４を介してグランド（又は、その他の好適なバイアス電圧）に結合される。
【００３０】
図４は、ＫＯＨ溶液の濃度に対するその導電率を示す２００３刊行物からの簡略化したグラフである。数百μｍ未満の間隙では、ＫＯＨ溶液の抵抗は、ＰＥＣエッチング中にＮ型層２６をバイアスするためにメタルパターン２０とＮメタル１４との間に適当な低電流ブリッジを提供するのに十分な低さである。
【００３１】
図３に示すように、層２６の露出表面のＰＥＣエッチング４６が実行される。矢印４６は導電性溶液をも表している。層２６は、ＰＥＣエッチング中に、多孔質層を作り出すように完全に貫通してエッチングされてもよい。
【００３２】
ＰＥＣエッチングを行うため、少なくとも、エッチングすべき層が、電解質溶液に浸漬され、且つメタルパターン２０に印加される電位によってバイアスされる。正電位を有する電極が上記電解質溶液に浸漬されて、この塩基溶液がバイアスされる。好適な電解質溶液の一例は０．２Ｍ−４ＭのＫＯＨであるが、数多くのその他の好適な塩基性又は酸性の電解質溶液も使用され得る。使用される溶液及びその濃度は、エッチングすべき材料の組成及び所望の表面テクスチャに依存する。層２６のエピタキシャル表面は、この表面層のバンドギャップより大きいエネルギーを有する光に晒される。一例において、約３６５ｎｍの波長と約１０ｍＷ／ｃｍ２と約１００ｍＷ／ｃｍ２との間の強度とを有する紫外光が使用される。光に晒すことにより、半導体層内に電子−正孔対が生成される。正孔は、電界の影響下でＧａＮ層の表面に移動する。正孔は、そして、該表面でＧａＮ及び塩基溶液と反応し、式２ＧａＮ＋６ＯＨ−＋６ｅ＋＝２Ｇａ（ＯＨ）３＋Ｎ２に従ってＧａＮ結合を切断する。Ｎ型層２６を流れる電流は、１×１ｍｍ２のＬＥＤダイ１２当たり約１０μＡとなり得る。ＰＥＣ電圧はダイオード降伏電圧未満（例えば、５Ｖ未満）に維持されるべきである。ＧａＮ層のＰＥＣエッチングの更なる詳細は、本願と同一出願人による米国特許出願公開第２００６／００１４３１０号及び第２０１０／０００６８６４号に見出すことができる。なお、その内容をここに援用する。
【００３３】
結果として得られる層２６の表面の粗面化により、ＬＥＤ構造内での内部反射が低減され、抽出効率が高められる。
【００３４】
ＬＥＤダイ及びサブマウントウェハを形成することについての更なる説明は、本願と同一出願人による米国特許出願公開第２０１０／０００６８６４号に見出すことができる。なお、その内容をここに援用する。
【００３５】
このエッチングプロセスの後、光を波長変換するために、ＬＥＤ上に蛍光体が堆積されてもよい。
【００３６】
図５は、サブマウントウェハ上の単一のＬＥＤダイの実際のメタルパッド構成を例示しており、Ｎメタル１４と、Ｐメタル１６と、ＰＥＣエッチング中にＬＥＤダイの露出Ｎ型層をバイアスするためのメタルパターン２０とを示している。図５において、上記５０μｍ間隙は約１１．５６ｍｍ長さである。
【００３７】
ウェハ１０がＫＯＨ溶液から取り出され、洗浄され且つ乾燥された後、ＬＥＤダイ１２は、メタルパターン２０の影響を気にすることなく試験され得る。
【００３８】
図６Ａは、従来技術の一例に係る単一ダイ内に形成された一連の小型ＬＥＤ（又は、ＬＥＤセル）を示している。単一のチップがトレンチ（溝）によって分割され、金属層が複数の小型ＬＥＤのアノード及びカソードを直列接続する。ＰＥＣエッチング中にＮ型層をバイアスするために、サブマウントウェハ上の金属配線４８によってＬＥＤカソード同士を直接的に相互接続する従来技術では、一連の小型ＬＥＤのうちの最も左側の小型ＬＥＤ５０を試験することができるのみである。その他の小型ＬＥＤは配線４８によって短絡されているからである。
【００３９】
図６Ｂは、本発明に従った一連の小型ＬＥＤの一例を示しており、それらのカソードは、電解質溶液内にないとき、バイアス用メタルパターン２０から電気的に分離されている。なお、メタルパターン２０とＮメタル１４との交互噛み合い（インターディジテーション）は、ＫＯＨ溶液を介した電気接触の長さを長くするものである。小型ＬＥＤのカソードはともに短絡されてはいないので、この一連物の終端部５４／５５間に電流を印加することによって、一連の小型ＬＥＤダイの試験を行うことができる。
【００４０】
ＬＥＤダイ１２がウェハ１０上にマウントされるのに先立ち、図７に示すバイアス用の相互接続を用いて、ウェハ１０上の（少なくとも図３のメタル１４、１６、２０、３８及び４０を形成する）銅配線がＮｉ／Ａｕで電気めっきされ得る。
【００４１】
図７は、サブマウントウェハ１０上のＮメタル１６及びＰメタル１６を電気めっきするためにメタル１４及び１６をバイアスし、且つ後に、ＰＥＣエッチングのためにＮメタル１４をバイアスするための、バイアス技術を模式的に示している。図７に示したメタル構成はまた、特定のロウ（行）配線とコラム（列）配線とに電流を印加することによって各ＬＥＤダイを別々に試験することを可能にする。全てのＮメタル１４がともに、複数のＮメタルコラムブス５４と１つの接続ブス配線５６とによって、サブマウントウェハ１０の前面（フロント面）で接続されている。全てのＰメタル１６がともに、複数のＰメタルロウブス５８と１つの接続ブス配線５７とにより、サブマウントウェハ１０の底面（ボトム面）でアノードパッド４０（図３）同士を相互接続することによって接続されている。接続ブス配線５７は、突き詰めていくと、例えばウェハ１０の外部の相互接続を用いることなどで、接続ブス配線５６に短絡されている。メタル１４及び１６とサブマウントウェハ１０の底面のパッドとの電気めっき中、ブス配線５６及び５７がバイアス電圧に接続され、ウェハ１０上の全てのメタルがＮｉ／Ａｕ層でめっきされる。
【００４２】
図８は、Ｎｉ／Ａｕ層６０でめっきされたＮメタル１４及びＰメタル１６の銅シード層を例示している。シード層は既にパターニングされているので、銅の側壁もめっきされる。これは、ＬＥＤダイ１２のＮｉ／Ａｕ電極６１と接合するパッドを拡幅し、サブマウント１０上でのＬＥＤダイの配置許容度を高める。
【００４３】
望ましくない技術においては、サブマウントウェハ１０の全ての銅パッドが、めっきプロセス中に格子状の相互接続を用いて互いに短絡され、その後、個片化中にこの格子が切断されることになる。しかしながら、個片化に先立って個々のＬＥＤを試験することを望む場合、接続の各々をレーザ切断しなければならなくなる。故に、８×８のパッドを有するアレイの場合、少なくとも６４箇所のレーザ切断となる。これは時間が掛かるとともに費用を追加するものである。図７の構成は、Ｎメタル１４を別々のコラム内で相互接続し且つＰメタル１６を別々のロウ内で相互接続することによって、この問題を解決している。Ｎメタル１４は４つのコラムにて水平ブス配線５６に接続されるのみであるので、コラム同士を分離するように、めっき後に４箇所の位置６２のみでレーザ切断を行えばよい。同様に、Ｐメタル１６は４つのロウにてブス（外部のため図示せず）に接続されるのみであるので、ロウ同士を分離するように、めっき後に４箇所の位置６４のみでレーザ切断を行えばよい。故に、６４箇所に代えて、８箇所のレーザ切断が必要とされるのみである。この差は、ＬＥＤダイ位置の数が増加するにつれて幾何学的に増大する。
【００４４】
サブマウント１０のパッドをめっきした後、サブマウントウェハ１０上にＬＥＤダイがマウントされる。ＰＥＣエッチング中、ブス配線５６は例えばそれをグランドに接続することによってバイアスされ、コラムブス５４は、低抵抗率のＰＥＣエッチ溶液によりコラムブス５４に短絡されるメタルパターン２０によって、ブス配線５６に電気的に接続される。これにより、ＬＥＤのＮ型層がバイアスされる。メタルパターン２０は、ＰＥＣエッチ溶液を介した電気結合の幅を増大させるよう、コラムブス５４と交互に噛み合わされている（インターディジットされている）。
【００４５】
ＰＥＣエッチングの後、個々のＬＥＤは、電流を駆動すべきコラムとロウとの組合せを接続することによって、ウェハ１０上で別々にアドレス可能であり、別々に試験され得る。Ｎメタル１４及びＰメタル１６のコラム及びロウの相互接続はなおも、各ＬＥＤダイを個別にアドレス指定することを可能にする。何故なら、コラム同士は４箇所の位置６２でのレーザ切断によって互いに分離され、ロウ同士は他の４箇所の位置６４でのレーザ切断によって互いに分離されているからである。
【００４６】
ＰＥＣエッチング及び更なるウェハレベル処理（例えば、レンズのモールド成形、封止、蛍光体の堆積など）の後、サブマウントウェハ１０がＬＥＤ領域同士の境界に沿って切断あるいは破断されて、ＬＥＤが個片化される。ＬＥＤの個片化はメタルパターン２０を切除が、この切除はＬＥＤの性能に影響を及ぼさない。コラムブス５４及びロウブス５８も切除され、Ｎメタル１４及びＰメタル１６のパッドが分離される。
【００４７】
従って、開示のプロセスは、ＰＥＣエッチング（又は、電気化学エッチング）のための直接相互接続に伴う上述の欠点を解消し、別個のプロセス工程で相互接続を切断することを必要とした従来技術では実行することができなかった試験を可能にする。
【００４８】
本開示において、用語“サブマウント”は、少なくとも１つのＬＥＤダイの支持体であって、該サブマウント上の電気コンタクトがＬＥＤダイの電極に電気的に接続され、且つ該サブマウントが、駆動電流を受け取るために接続される電極を有するもの、を意味するよう意図されたものである。
【００４９】
本発明を特定の実施形態を図示して説明してきたが、当業者に明らかになるように、より広い観点での本発明を逸脱することなく変形及び変更が為され得る。故に、添付の請求項は、本発明の真の精神及び範囲に入る限り、そのような変形及び変更をその範囲内に包含するものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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