(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  少なくとも１つの制御電極（１０）と、
−  半導体構造物（１２）と、
−  前記少なくとも１つの制御電極（１０）と前記半導体構造物（１２）との間に位置決めされる誘電材料の少なくとも１つの第１の層（１１）と、
−  第１の種類の電荷を前記半導体構造物（１２）に注入するのに適した少なくとも１つのソース電極（１３）と、
−  第２の種類の電荷を前記半導体構造物（１２）に注入するのに適した少なくとも１つのドレイン電極（１４）とを含む、電界発光有機トランジスタ（１）であって、
−  前記半導体構造物（１２）が、ｐ型半導体材料の少なくとも１つの層、ｎ型半導体材料の少なくとも１つの層（１５，１５’、１５’’．．．）および発光材料の少なくとも２つの層（１６、１６’）を含み、発光材料の各層（１６、１６’）が、ｐ型半導体材料の１つの層およびｎ型半導体材料の１つの層（１５，１５’、１５’’．．．）に直接接触することを特徴とする、電界発光有機トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース電極（１３）および前記ドレイン電極（１４）が両方とも、半導体材料の同じ層（１５’’’）に接触することを特徴とする、請求項１に記載の電界発光有機トランジスタ。
【請求項３】
前記ソース電極（１３）および前記ドレイン電極（１４）が両方とも、誘電材料の前記第１の層（１１）と接触する半導体材料の層から最も遠い半導体材料の層（１５’’’）に接触することを特徴とする、請求項２に記載の電界発光有機トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体構造物（１２）が、誘電材料の前記第１の層（１１）と前記ソース（１３）およびドレイン（１４）電極との間に位置決めされることを特徴とする、請求項２に記載の電界発光有機トランジスタ。
【請求項５】
前記電界発光有機トランジスタが、誘電材料の第２の層を含み、前記半導体構造物が、誘電材料の前記第１の層と誘電材料の前記第２の層との間に位置決めされることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の電界発光有機トランジスタ。
【請求項６】
誘電材料の前記第２の層と接触する第２の制御電極、第１の種類の電荷を前記半導体構造物に注入するのに適した第２のソース電極および第２の種類の電荷を前記半導体構造物に注入するのに適した第２のドレイン電極を含み、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極は、前記ソース電極および前記ドレイン電極が接触する半導体材料の層から最も遠い半導体材料の層に接触する、請求項５に記載の電界発光有機トランジスタ。
【請求項７】
前記電界発光有機トランジスタが、半導体材料の５から１１の層を含むことを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の電界発光有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光有機トランジスタ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（有機発光トランジスタ）の頭字語ＯＬＥＴで当分野において周知の）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機トランジスタ工学の分野において２つ以上の材料で形成されたヘテロ構造物の使用について関心が高まっている。１９９６年にＡｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｖｏｌｕｍｅ  ８、８５３〜８５５頁で発表された「Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ  ｅｎｅｒｇｙ  ｌｅｖｅｌ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｉｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」という題名の、Ｄｏｄａｂａｌａｐｕｒ他の名前での科学出版物は、有機ｎ型半導体、すなわち電子を輸送する能力がある半導体で被覆された有機ｐ型半導体、すなわちホールを運ぶ能力がある半導体から成る構造物のバイポーラ挙動の可能性を示す。これらの構造物は通常、ｐ−ｎヘテロ構造物と定義される。しかしながら、その出版物では、この応用の特定の技術的問題に対処することもなく、この目的に最も適したヘテロ構造物の構造的特性および組成特性を識別することもなく、発光デバイスの開発のために前記挙動を利用する可能性が、想定されるだけである。
【０００３】
米国特許出願第２００８／０１１６４５０号から、第１の電極、第２の電極ならびにより高い電荷移動度を有する半導体材料の２つの層および最初の２つの層の間に配置されたより低い電荷移動度を持つ半導体材料の層を含む半導体構造物を含む電界発光デバイスが、周知である。この種の構造物の使用は、簡単なｐ−ｎ型ヘテロ構造物と比較して電荷輸送を増加させるのに十分であり、その結果、再結合プロセス速度の増加およびそれ故にデバイスの効率を改善すると述べられている。いずれにせよ、この特許出願はまた間接的に、デバイスの発光効率を増加させる問題も提示し、電極が挿入されて上下に積み重ねられた３つの半導体構造物を含む電界発光デバイスも述べる。しかしながら、電極が挿入されたダイオード層状構造を持つデバイスは、有機層の厚さの限界と関連がある技術的実現可能性の相当な問題を有する。
【０００４】
２００８年にＯｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ｖｏｌｕｍｅ  ９、３２３〜３２７頁で発表された「Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ａｎｄ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｉｎ  ａ  ｓｉｎｇｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ」という題名のＷｅｉ他の科学出版物は、ＯＬＥＴ構造物の使用を避け、従っていくつかのＯＬＥＴ構造物で生じる端部発光および金属ドレイン電極の近くの消光を克服することを目的として、ＯＬＥＤスタックの発光層に達する電荷担体を制御し、操作するためにＦＥＴ構造を持つＯＬＥＤの使用を教示する。いずれにせよ、Ｗｅｉ他によって述べられるデバイスは、発光構造としてＯＬＥＤを使用する結果として効果的な駆動回路の簡略化を可能にしない。
【０００５】
２０１０年にＮａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、ｖｏｌｕｍｅ  ９、４９６〜５０３頁で発表された「Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ｗｉｔｈ  ａｎ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｔｈａｔ  ｏｕｔｐｅｒｆｏｒｍｓ  ｔｈｅ  ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ」という題名の、Ｃａｐｅｌｌｉ他の科学出版物は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間に位置決めされた発光材料ｒ（すなわち、電荷再結合プロセスに起因して発光特性を有する）の１つの層の存在を特徴とする、ＯＬＥＴデバイスでの三層ヘテロ構造物の使用を開示する。このアーキテクチャは、従来技術のアーキテクチャと比較して発光効率の観点からかなりの改善を示したけれども、このアーキテクチャはなお、ゲート電圧の閾値、半導体構造に注入されることもある電流密度および輝度と関連がある技術的問題を示す。周知の構造の技術特性は、ほとんどの商業的用途に適合しない。これらの制限は、本発明によって克服される。
【０００６】
従って、現在のところ、特に電荷のより効率的蓄積およびより良好な平衡、より高い輝度および効率の能力がある、改善された電界発光特徴を持つ有機トランジスタを開発する必要性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願第２００８／０１１６４５０号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｄｏｄａｂａｌａｐｕｒ他、「Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ  ｅｎｅｒｇｙ  ｌｅｖｅｌ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｉｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ」、Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、Ｖｏｌｕｍｅ  ８、１９９６年、８５３〜８５５頁
【非特許文献２】Ｗｅｉ他、「Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｎｇ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ａｎｄ  ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ  ｉｎ  ａ  ｓｉｎｇｌｅ  ｄｅｖｉｃｅ」、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、ｖｏｌｕｍｅ  ９、２００８年、３２３〜３２７頁
【非特許文献３】Ｃａｐｅｌｌｉ他、「Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ  ｗｉｔｈ  ａｎ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｔｈａｔ  ｏｕｔｐｅｒｆｏｒｍｓ  ｔｈｅ  ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ」、Ｎａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、ｖｏｌｕｍｅ  ９、２０１０年、４９６〜５０３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、従来技術に関して改善された電界発光有機トランジスタを提供することが、本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的は、その主要特徴が第１の請求項で開示され、一方他の特徴が残りの請求項で開示される、電界発光有機トランジスタで達成される。
【００１１】
本発明による電界発光有機トランジスタの第１の利点は、その電界発光有機トランジスタが、複数の半導体構造物の存在による電荷のより効率的な蓄積および結果として生じるより高い電荷密度に起因して、制御電極（用語「ゲート」によって周知の）に印加される電圧閾値の低減の達成を可能にするということにある。特に、多層構造での第１の種類の電荷の蓄積は、第２の種類の電荷の多層構造での注入および蓄積を促進し、それ故に例えば同じ電圧が印加される３つの層だけを持つ構造物に関して、得られる電荷密度および平衡を改善する。本発明による電界発光有機トランジスタは実際にまた、使用される半導体構造物の数、より大きな電荷密度およびその最良の平衡の両方に起因する放射光強度の最大化、ならびに発光層ｒの数、それ故に発光材料容積の増加に比例して電流フローの増加も可能にする。
【００１２】
本発明による電界発光有機トランジスタはまた、様々な層の間の優れた電荷平衡も特徴とする。
【００１３】
意外にも、ソースおよびドレイン電極の単一対に接続される、多数の半導体構造物の存在は、界面現象の発生の増加に起因して横電場にネガティブな方向で影響を及ぼさないことがわかっている。対照的にかつ予想外に、本発明によるトランジスタの機能性は、半導体構造物に周期的に位置決めされる多重電極を使用することなく、しかし前記電極を排他的に前記複数の半導体構造物の最初の層かもしくは最後の層と接触して、または別法として前記最初の層および最後の層の両方と接触して位置決めし、それ故にまた電荷蓄積および平衡ならびに電流フロー増加に関して上述の利点も得ることによって、半導体層の数および前記層を形成する材料の適切な選択を通じて維持される可能性があることがわかった。構造的観点からすると、このことは、従来技術と比較して、本発明によるデバイスが、繰り返されるｒ発光型層の存在を特徴とする半導体構造物を有し、その発光型層のそれぞれが、少なくとも１つのｐ型半導体材料層および少なくとも１つのｎ型半導体材料層と接触して置かれるので、可能になる。
【００１４】
本発明による電界発光有機トランジスタの半導体構造物は、例えば上で規定されたように５から１１の半導体層を含んでもよく、そのうち発光半導体層ｒの少なくとも２つおよびｎ型またはｐ型である少なくとも３つの半導体層がある。好ましくは、前記半導体構造物は、５つの半導体層を含む。
【００１５】
本発明によるデバイスのさらなる利点および特徴は、添付の図面を参照してその実施形態の次の詳細なかつ限定されない説明から当業者には明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の最も一般的な実施形態による電界発光有機トランジスタの概略断面図を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による電界発光有機トランジスタの概略断面図を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による電界発光有機トランジスタの概略断面図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図面の特徴は、一定の縮尺ではなくて、それらの寸法は、図面の明瞭さを高めるために拡大または縮小される。
【００１８】
図１を参照すると、本発明による電界発光有機トランジスタ１は、少なくとも１つの制御電極１０を含み、その上に誘電材料の第１の層１１が、堆積されることが、示される。
【００１９】
トランジスタはさらに、半導体構造物１２ならびに第１の種類の電荷、例えば電子を前記半導体構造物に注入するのに適したソース電極１３および第２の種類の電荷、例えばホールを前記半導体構造物に注入するのに適したドレイン電極１４から成る一対の電極を含む。
【００２０】
誘電材料の前記第１の層１１は、制御電極１０と前記半導体構造物１２との間に、すなわち表現「下部ゲート／上部接点」で当分野において周知のトランジスタ構造に従って位置決めされる。
【００２１】
本発明によると、電界発光有機トランジスタ１の半導体構造物１２は、少なくとも１つのｐ型半導体材料層、少なくとも１つのｎ型半導体材料層および発光材料の少なくとも２つの層を含み、発光材料の各層は、ｐ型半導体材料層およびｎ型半導体材料層と直接接触して位置決めされる。
【００２２】
従って、半導体構造物は、参照番号１５’、１５’’、１５’’’、…によって図で示される半導体材料の複数の層を含み、前記層のそれぞれは、ｐ型半導体材料またはｎ型半導体材料で形成される。加えて、少なくとも１つのｎ型またはｐ型半導体層１５’、１５’’、１５’’’、…によって分離される少なくとも２つのｒ発光半導体層１６、１６’、…がある。
【００２３】
本説明および特許請求の範囲では、用語「ｐ型半導体材料」は、電界効果輸送の条件で測定される、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖｓのｐ型電荷担体の移動度の値を有する半導体材料を意味することを意図する。好ましくは、ｐ型電荷担体の移動度のこの値は、電界効果輸送の条件で測定される、少なくとも１０−１ｃｍ２／Ｖｓである。
【００２４】
用語「ｎ型半導体材料」は、電界効果輸送の条件で測定される、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖｓのｎ型電荷担体移動度の値を有する半導体材料を意味することを意図する。好ましくは、ｎ型電荷担体移動度のこの値は、電界効果輸送の条件で測定される、少なくとも１０−１ｃｍ２／Ｖｓである。
【００２５】
本発明による電界発光有機トランジスタの半導体構造物１２は、上で規定されたように半導体材料のＮ層を含み、そのうち発光半導体の少なくとも２つの層ｒがあり、その層のそれぞれは、半導体材料の２つの層と接触し、片方がｐ型であり、他方がｎ型である。
【００２６】
半導体構造物に含有されるｐ型半導体材料は好ましくは、オリゴアセン、オリゴチオフェン、オリゴフルオレン、オリゴチオフェンのピリミジン誘導体、αおよびω位置をアルキル鎖で置換されたテトラチオフェン、オリゴチオフェンのジイミド誘導体、チアゾールコアを持つオリゴチオフェンで形成される。前記ｐ型半導体材料層は好ましくは、５から２０ｎｍの間の厚さを有する。
【００２７】
構造物に含有されるｎ型半導体材料は好ましくは、ペリレンのジイミド誘導体、チアゾールコアを持つオリゴチオフェン、位置αおよびωを完全フッ素化（ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ）鎖で置換されたテトラチオフェンのコロネン誘導体および誘導体で形成される。前記ｎ型半導体材料層は好ましくは、５から２０ｎｍの間の厚さを有する。
【００２８】
半導体構造物に含有される層１６、１６’、…を形成するｒ発光半導体材料は、例えば４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン、白金オクタエチル−ポルフィリン、アセチルアセトネートイリジウムフェニルイソキノリンをドープされてもよいアルミニウムキノリンのマトリクスなどの、オプションとしてホスト−ゲスト型の、発光材料または発光材料の組合せである。
【００２９】
これらのｒ発光半導体層は好ましくは、１０から４０ｎｍの間の厚さを有する。
【００３０】
前記ソース電極１３のための材料として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、金、銅、銀、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、鉄およびポリ（スチレンスルホン酸）と組み合わされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が、使用されてもよい。好ましくは、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、または金が、使用される。
【００３１】
前記ドレイン電極１４のための材料として、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、金、銅、銀、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、鉄およびポリ（スチレンスルホン酸）と組み合わされたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が、使用されてもよい。好ましくは、金またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）が、使用される。
【００３２】
本発明の有利な実施形態によると、前記ソース電極１３および前記ドレイン電極１４は両方とも、半導体材料の同じ層と接触する、すなわち好ましくは、それらは、前記半導体構造物の半導体材料の層に関して、誘電材料の前記第１の層から最も遠い半導体材料の層と接触する。言い換えれば、半導体構造物は、誘電材料の前記第１の層と前記ソースおよびドレイン電極との間に位置決めされる。
【００３３】
ソースおよびドレイン電極１３および１４は、それらが接触する半導体材料層の実質的に平坦な表面に位置決めされてもよく、または各電極は、半導体材料層の適切な凹部に位置決めされる。
【００３４】
本発明の他の実施形態では、そのような電極は、半導体材料内に埋め込まれてもよく、またはそれらが接触する半導体材料のこの層と同じ厚さを有し、前記層の側部に「キャップ形成」していてもよい。
【００３５】
好ましくは、本発明による電界発光有機トランジスタでは、前記ソース電極１３および前記ドレイン電極１４は、半導体材料層と同一平面にあり、または前記電極１３および１４は両方とも、半導体材料の前記層がその上にある平面に平行な平面の上にある。
【００３６】
本発明による電界発光有機トランジスタ１はさらに、誘電材料の第１の層に関して半導体構造物１２の反対側に配置される、誘電材料の第２の層および第２の制御電極を含んでもよい。このようにして、半導体構造物は、誘電材料の前記第１の層１１と誘電材料の前記第２の層との間に配置される。第２の制御電極は、誘電材料の前記第２の層の上部に、すなわち誘電材料の前記第２の層と接触して配置される。第１の誘電体層１１および可能性のある第２の誘電体層の材料は、電界発光有機トランジスタのための従来の誘電材料の中から選択されてもよい。特に、二酸化シリコン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ジルコニウム、二酸化ハフニウム、例えば商品Ｃｙｔｏｐ（商標）などのフッ素重合体、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）ならびにジルコニウムおよび有機分子の自己組織化ナノ構造物（Ｚｒ−ＳＡＮＤ、Ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ  Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｎａｎｏ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ  （ジルコニウム自己組織化ナノ誘電体））が、使用されてもよい。好ましくは、前記第１の誘電体層１１は、酸化ジルコニウムおよびポリメチルメタクリレートの２つの層を含み、前記第２の誘電体層は、ポリメチルメタクリレートまたはＣｙｔｏｐ（商標）でできている。
【００３７】
制御電極１０および可能性のある第２の制御電極の材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、金、銅、銀、アルミニウムから選択され得る。好ましくは、インジウムスズ酸化物および／または金が、使用されてもよい。
【００３８】
図２を参照すると、本発明の可能性のある実施形態では、２つのｒ発光半導体層１６および１６’がその中にある、半導体構造物１２が、使用される。発光半導体層１６は、制御電極１０と接触する誘電体層１１の上に堆積されるｐ型半導体材料の層１５の上に位置決めされる。発光半導体材料の前記層１６は、ｎ型半導体材料の層１５’で覆われ、その層１５’は、発光半導体材料の第２の層ｒ１６’によって覆われる。半導体構造物１２は次いで、ｐ型半導体材料の層１５’’によって完了され、その層１５’’の表面にはソース電極１３およびドレイン１４が、位置決めされる。それ故に、５つの層を有するこの半導体構造物のアーキテクチャは、異なる種類（ｐ、ｎまたはｒ）の材料の様々な層が互いに堆積される順序に基づいてｐ−ｒ−ｎ−ｒ−ｐ型から成ると述べられてもよい。
【００３９】
図２で提示される上述のアーキテクチャは、発光半導体材料の２つの層ｒの存在を可能にする実施形態のただ１つの様式ではない。例として、図３では、ｐ−ｒ−ｎ−ｐ−ｒ−ｎ型のアーキテクチャが、示される。図２の半導体構造ｐ−ｒ−ｎ−ｒ−ｐについて述べられた構造と異なり、ここではｎ型半導体材料層１５’が、ｐ型半導体材料層１５’’で覆われ、その層１５’’は、発光半導体材料の第２の層ｒ１６’によって覆われる。半導体構造物１２は次いで、ｎ型半導体材料層１５’’’によって完了され、その層１５’’’の上にソース電極１３およびドレイン１４が、位置決めされる。
【００４０】
それのさらなる実施形態では、電界発光有機トランジスタはさらに、第１の種類の電荷を前記半導体構造物に注入するのに適した第２のソース電極および第２の種類の電荷を前記半導体構造物に注入するのに適した第２のドレイン電極を含んでもよく、前記第２のソース電極および前記第２のドレイン電極が、前記第１のソース電極および前記第１のドレイン電極と接触する半導体層から最も遠い半導体材料の層と接触することを特徴とする。実際的観点からすると、この実施形態は、第２の誘電体層と接触する第２のゲート電極（Ｇ２）ならびに半導体多層構造物を形成する第１の層に対応するソース（Ｓ２）およびドレイン（Ｄ２）電極の追加の対の存在をもたらし、一方半導体構造物の最後の層に対応して、図２および図３で示されるのと等価なソース（Ｓ１）およびドレイン（Ｄ１）電極の対が、存在する。
【００４１】
可能性のある変更および／または追加が、次の特許請求の範囲内にとどまりながら、上で開示され、例示された実施形態に対して当業者によってなされてもよい。
【符号の説明】
【００４２】
１  電界発光有機トランジスタ
１０  制御電極
１１  誘電材料の第１の層
１２  半導体構造物
１３  ソース電極
１４  ドレイン電極
１５  半導体材料の層
１５’  半導体材料の層
１５’’  半導体材料の層
１５’’’  半導体材料の層
１６  発光半導体層
１６’  発光半導体層
１６’’  発光半導体層
【図１】
0005878632.tif 000002
【図２】
0005878632.tif 000003
【図３】
0005878632.tif 000004