(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の主面と、互いに対向する一対の側面と、互いに対向する一対の端面と、誘電体からなる複数のセラミック層及び前記複数のセラミック層に挟まれるように交互に形成される少なくとも一対の内部電極と、を備えるセラミック素体と、前記セラミック素体の前記端面上に前記内部電極に接続されるように形成された一対の外部電極と、
を備えるセラミック電子部品であって、
前記少なくとも一対の内部電極を構成する各対は、それぞれ、一方の内部電極の一端部が前記セラミック素体の一方端面に延びて形成されるとともに、他方の内部電極の一端部が前記セラミック素体の他方端面に延びて形成され、
前記外部電極は、
前記端面上に形成され、かつ、前記主面上および前記側面上のいずれにも回り込まない第１の導電層と、
前記第１の導電層を被覆するようにして前記端面上に形成され、かつ、前記主面上および前記側面上に回り込んだ第２の導電層と、
を有し、
前記第１の導電層はＮｉ焼結金属を含み、
前記第２の導電層はＣｕめっき金属を含み、
前記第２の導電層は、前記主面上および前記側面上において、前記端面から遠ざかるにつれて薄くなるように形成されており、
前記主面上および前記側面上に接触するように形成されている前記第２の導電層の前記一対の端面を結ぶ方向の長さは、前記第１の導電層上に形成されている前記第２の導電層の前記一対の端面を結ぶ方向の厚みよりも長く、
前記セラミック素体を積層方向から見たときに、前記第２の導電層と前記内部電極とがオーバーラップする領域では前記第２の導電層と前記セラミック素体とが直接接触し、
前記セラミック素体を前記積層方向から見たときに、前記第２の導電層の端部は、前記端面には引き出されていない側の前記内部電極に架かるように形成されていることを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記第１の導電層に含まれる焼結金属と、前記第２の導電層に含まれるめっき金属と、が同じ金属であることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
互いに対向する一対の主面と、互いに対向する一対の側面と、互いに対向する一対の端面と、誘電体からなる複数のセラミック層及び前記複数のセラミック層に挟まれるように交互に形成される少なくとも一対の内部電極と、を備えるセラミック素体を準備する工程と、
前記主面上および前記側面上のいずれにも回り込まないようにして、前記端面上に前記内部電極に接続されるようにＮｉを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、第１の導電層を形成する工程と、
前記セラミック素体にめっき処理を施し、前記第１の導電層を被覆するようにして、かつ、前記主面上および前記側面上に回り込むようにして、かつ、前記端面から遠ざかるにつれて薄くなるようにして、Ｃｕを含むストライクめっきにより第２の導電層を形成する工程と、
を備え、
前記セラミック素体を積層方向から見たときに、前記第２の導電層と前記内部電極とがオーバーラップする領域では前記第２の導電層と前記セラミック素体とが直接接触し、前記セラミック素体を前記積層方向から見たときに、前記第２の導電層の端部は、前記端面には引き出されていない側の前記内部電極に架かるように形成されることを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記第１の導電層は焼結金属を含み、
前記第２の導電層はめっき金属を含み、
前記第１の導電層に含まれる焼結金属と、前記第２の導電層に含まれるめっき金属とが同じ金属により形成され、
前記第２の導電層を熱処理する工程を含む、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック電子部品の外部電極は、通常セラミック素体の端面を外部電極用導電性ペースト中にディッピングすることにより形成される。この場合、外部電極用導電性ペーストのレオロジー等の影響で、外部電極のｅ寸部分（セラミック素体の主面と側面に回りこんだ部分）の中央部が厚く盛り上がった形状になる。
このような形状の外部電極を有するセラミック電子部品に熱衝撃が加わると、外部電極の熱収縮の応力がセラミック素体から外部電極を引き剥がすように作用し、ｅ寸端部からセラミック素体内部に向けてクラックが発生するおそれがある。
【０００３】
上記の問題を解決するために、例えば、特許文献１では、端面のみに外部電極を形成することにより、上記応力によるクラックの発生を防止することが提案されている。
しかしながら、特許文献１に開示されたセラミック電子部品の構造では、実装面に外部電極が回り込まないため、半田付け性が悪くなるという問題があった。
そこで、この問題を解決するために、特許文献２に示されるように、端面の厚膜電極を覆うようにしてめっき膜を形成したセラミック電子部品が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１９９７５２号公報
【特許文献２】特開平１１−０２６２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２において提案されたセラミック電子部品の構造では、ｅ寸部分に回り込んだめっき膜が一定の厚みで形成されているため、セラミック電子部品に熱衝撃が加わった際、ｅ寸端部において熱収縮応力が低減されず、再びセラミック電子部品に対してクラックが発生するといった問題が生じた。
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、セラミック電子部品の製造時において、クラックの発生を防止するセラミック電子部品およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサは、互いに対向する一対の主面と、互いに対向する一対の側面と、誘電体からなる複数のセラミック層及び複数のセラミック層に挟まれるように交互に形成される少なくとも一対の内部電極と、を備えるセラミック素体と、セラミック素体の端面上に内部電極に接続されるように形成された一対の外部電極とを備えるセラミック電子部品であって、少なくとも一対の内部電極の各対は、それぞれ、一方の内部電極の一端部がセラミック素体の一方端面に延びて形成されるとともに、他方の内部電極の一端部がセラミック素体の他方端面に延びて形成され、外部電極は、端面上に形成され、かつ、主面上および側面上のいずれにも回り込まない第１の導電層と、第１の導電層を被覆するようにして端面上に形成され、かつ、主面上および側面上に回り込んだ第２の導電層とを有し、第１の導電層はＮｉ焼結金属を含み、第２の導電層はＣｕめっき金属を含み、第２の導電層は、主面上および側面上において、端面から遠ざかるにつれて薄くなるように形成されており、主面上および側面上に接触するように形成されている第２の導電層の一対の端面を結ぶ方向の長さは、第１の導電層上に形成されている第２の導電層の一対の端面を結ぶ方向の厚みよりも長く、セラミック素体を積層方向から見たときに、第２の導電層と内部電極とがオーバーラップする領域では前記第２の導電層と前記セラミック素体とが直接接触し、セラミック素体を積層方向から見たときに、第２の導電層の端部は、端面には引き出されていない側の内部電極に架かるように形成されていることを特徴とする、セラミック電子部品である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、第１の導電層に含まれる焼結金属と、第２の導電層に含まれるめっき金属とが同じ金属であることが好ましい。
この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、互いに対向する一対の主面と、互いに対向する一対の側面と、互いに対向する一対の端面と、誘電体からなる複数のセラミック層及び複数のセラミック層に挟まれるように交互に形成される少なくとも一対の内部電極と、を備えるセラミック素体を準備する工程と、主面上および側面上のいずれにも回り込まないようにして、端面上に内部電極に接続されるようにＮｉを含む導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、第１の導電層を形成する工程と、セラミック素体にめっき処理を施し、第１の導電層を被覆するようにして、かつ、主面上および側面上に回り込むようにして、かつ、端面から遠ざかるにつれて薄くなるようにして、Ｃｕを含むストライクめっきにより第２の導電層を形成する工程とを備え、第２の導電層を形成する工程は、主面上および側面上に接触するように形成されている第２の導電層の一対の端面を結ぶ方向の長さが、セラミック素体の一方端面からセラミック素体の一方端面には引き出されていない内部電極の一端部までの一対の端面を結ぶ方向の長さよりも長く、セラミック素体を積層方向から見たときに、第２の導電層と内部電極とがオーバーラップする領域では前記第２の導電層と前記セラミック素体とが直接接触し、セラミック素体を積層方向から見たときに、第２の導電層の端部は、端面には引き出されていない側の内部電極に架かるように形成されることを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法である。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法では、第１の導電層が焼結金属を含み、第２の導電層がめっき金属を含み、第１の導電層に含まれる焼結金属と、第２の導電層に含まれるめっき金属とが同じ金属により形成され、第２の導電層を熱処理する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
この発明にかかる積層セラミックコンデンサによれば、主面上および側面上に形成される第２の導電層の厚みが一対の端面から遠ざかるにつれて薄くなるため、第２の導電層の先端部が最も薄く形成されているので、セラミック電子部品の製造時において、セラミック電子部品に熱衝撃が加わった場合でも、第２の導電層の先端部に加わる熱収縮応力が小さくなり、セラミック電子部品に対するクラックの発生を防止することができるセラミック電子部品を得ることができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサでは、第１の導電層に含まれる焼結金属と第２の導電層に含まれるめっき金属とが同じ金属とした上で、第２の導電層の形成後に熱処理を加えることで、層間において金属どうしが拡散し合うことから、第１の導電層と第２の導電層との固着力を高めることができる。
さらに、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、主面上および側面上に形成される第２の導電層の厚みが一対の端面から遠ざかるにつれて薄くなるようにストライクめっきにより形成され、第２の導電層の先端部が最も薄く形成されるので、セラミック電子部品の製造時において、セラミック電子部品に熱衝撃が加わった場合でも、第２の導電層の先端部に加わる熱収縮応力が小さくなることから、セラミック電子部品に対するクラックの発生を防止しうる、セラミック電子部品を製造することができる。
また、この発明にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、第１の導電層に含まれる焼結金属と、第２の導電層に含まれるめっき金属とが同じ金属により形成され、第２の導電層の形成後に熱処理する工程を含めることで、第１の導電層と第２の導電層との間において金属どうしが拡散し合うことから、第１の導電層と第２の導電層との固着力を高めたセラミック電子部品を製造することができる。
【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明にかかるセラミック電子部品の外観の一例を示す一部を切り欠いた概略斜視図である。
【図２】この発明にかかる図１に記載のセラミック電子部品のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図である。
【図３】この発明にかかるセラミック電子部品の一例を示す図２の断面図解図の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明にかかるセラミック電子部品の一実施形態について説明する。図１は、電子部品素体であるセラミック素体と外部電極とにより構成されたセラミック電子部品の外観の一例である概略斜視図を示し、図２は、図１に示されるセラミック電子部品のＡ−Ａ線における断面を示す断面図解図を示す。また、図３は、この実施形態にかかるセラミック電子部品の一例の図２の断面図解図の部分拡大図を示す。なお、図１に記載のセラミック電子部品の概略斜視図においては、その一部を切り欠いて表示しているが、本実施形態におけるセラミック電子部品は実際には切り欠かれていない。
【００１２】
この実施形態にかかるセラミック電子部品１０は、電子部品素体である積層セラミックコンデンサのセラミック素体１２（積層体）と、セラミック素体１２の表面に形成される外部電極１４ａおよび１４ｂとを含む。
【００１３】
この実施形態にかかるセラミック電子部品１０に用いられるセラミック素体１２は、例えば、略直方体に形成され、互いに対向する一方主面２６ａおよび他方主面２６ｂと、互いに対向する一方側面２８ａおよび他方側面２８ｂと、互いに対向する一方端面３０ａおよび他方端面３０ｂとを有する。なお、セラミック素体１２は、角部３２および稜部３４に丸みがつけられていることが好ましい。
【００１４】
セラミック素体１２は、誘電体からなる多数のセラミック層２２を含む。
セラミック層２２には、例えば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などの主成分からなる誘電体セラミックを用いることができる。また、これらの主成分に、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。その他、ＰＺＴ系セラミックなどの圧電体セラミック、スピネル系セラミックなどの半導体セラミック、フェライトなどの磁性体セラミックを用いることもできる。
【００１５】
また、焼成後のセラミック層２２の厚みは、０．５〜１０μｍであることが好ましい。
【００１６】
セラミック素体１２は、複数のセラミック層２２に挟まれるように内部電極２４ａおよび２４ｂを有する。内部電極２４ａおよび２４ｂは、そのセラミック素体１２を構成するセラミック層２２に挟まれるように、交互に形成される。この場合、内部電極２４ａは一端部がセラミック素体１２の一方端面３０ａに延びて形成され、内部電極２４ｂは一端部がセラミック素体１２の他方端面３０ｂに延びて形成される。また、内部電極２４ａおよび２４ｂは、中間部および他端部がセラミック層２２を介して重なり合うように形成される。したがって、このセラミック素体１２は、内部にセラミック層２２を介して複数の内部電極２４ａおよび２４ｂが設けられた積層構造を有する。
内部電極２４ａおよび２４ｂには、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。焼成後の内部電極２４ａおよび２４ｂの厚みは、０．３〜２．０μｍであることが好ましい。
【００１７】
セラミック素体１２の一方端面３０ａには、外部電極１４ａが内部電極２４ａに接続されるように形成される。同様に、セラミック素体１２の他方端面３０ｂには、外部電極１４ｂが内部電極２４ｂに接続されるように形成される。
外部電極１４ａは、第１の導電層１６ａ、第２の導電層１８ａおよび第３の導電層２０ａを有し、外部電極１４ｂは、第１の導電層１６ｂ、第２の導電層１８ｂおよび第３の導電層２０ｂを有する。
【００１８】
第１の導電層１６ａは、セラミック素体１２の一方端面３０ａ上に形成され、第１の導電層１６ｂは、セラミック素体１２の他方端面３０ｂ上に形成される。これにより、一方端面３０ａに引き出されている内部電極２４ａと第１の導電層１６ａとが導通し、他方端面３０ｂに引き出されている内部電極２４ｂと第１の導電層１６ｂとが導通する。また、第１の導電層１６ａは、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上に回り込まないように形成され、第１の導電層１６ｂは、他方主面２６ｂおよび他方側面２８ｂ上に回り込まないように形成される。なお、第１の導電層１６ａは、一方端面３０ａ上にのみに形成されていてもよく、一方端面３０ａに隣接する角部２６や稜部２８にかかるように形成されていてもよい。同様に、第１の導電層１６ｂは、他方端面３０ｂ上にのみ形成されていてもよく、他方端面３０ｂに隣接する角部２６や稜部２８にかかるように形成されていてもよい。
【００１９】
第１の導電層１６ａおよび１６ｂは、焼結金属を含む。この焼結金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等が用いられる。第１の導電層１６ａおよび１６ｂは、ガラスを含むことが好ましい。
なお、第１の導電層１６ａおよび１６ｂは、セラミック素体１２、内部電極２４ａおよび２４ｂと同時焼成したコファイア法により形成されてもよく、既に焼成したセラミック素体上に導電性ペーストを塗布して焼き付けたポストファイア法により形成されてもよい。
第１の導電層１６ａおよび１６ｂの厚みは、３〜２０μｍであることが好ましい。
【００２０】
第２の導電層１８ａは、第１の導電層１６ａを被覆するようにして、一方端面３０ａ上に形成され、第２の導電層１８ｂは、第１の導電層１６ｂを被覆するようにして、他方端面３０ｂ上に形成される。また、第２の導電層１８ａは、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上に回り込むように形成され、第２の導電層１８ｂは、他方主面２６ｂ上および他方側面２８ｂ上に回り込むように形成される。
第２の導電層１８ａは、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上において、一方端面３０ａから遠ざかるにつれて薄くなるように形成され、第２の導電層１８ｂは、他方主面２６ｂ上および他方側面２８ｂ上において、他方端面３０ｂから遠ざかるにつれて薄くなるように形成される。
上記のように、第２の導電層１８ａは、一方端面３０ａから遠ざかるにつれてその厚みが薄くなっており、第２の導電層１８ｂは、他方端面３０ｂから遠ざかるにつれてその厚みが薄くなっていくため、図３に示すように、第２の導電層１８ａおよび１８ｂは、その先端おいて鋭利な断面形状になりうる。
【００２１】
第２の導電層１８ａおよび１８ｂはめっき金属を含む。このめっき金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等が用いられる。
なお、第１の導電層１６ａおよび１６ｂに含まれる焼結金属と、第２の導電層１８ａおよび１８ｂに含まれるめっき金属とは、同じ金属であることが好ましい。なぜなら、同じ金属により形成される方が、なじみがよく、例えば、第２の導電層１８ａおよび１８ｂの形成後に熱処理を加える場合等において、第１の導電層１６ａと第２の導電層１８ａおよび第１の導電層１６ｂと第２の導電層１８ｂのそれぞれの層の間において金属どうしが拡散し合い、第１の導電層１６ａと第２の導電層１８ａとの固着力、および第１の導電層１６ｂと第２の導電層１８ｂとの固着力が高められるからである。
第２の導電層１８ａおよび１８ｂの厚みは、１〜１０μｍであることが好ましい。
【００２２】
第３の導電層２０ａおよび２０ｂは、実装基板に対するセラミック電子部品１０の実装性を考慮すると形成されているのが好ましい。
この場合、第３の導電層２０ａは、第２の導電層１８ａを被覆するようにして、一方端面３０ａ上に形成され、第３の導電層２０ｂは、第２の導電層１８ｂを被覆するようにして、他方端面３０ｂ上に形成される。また、第３の導電層２０ａは、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上に回りこむように形成され、第３の導電層２０ｂは、他方主面２６ｂ上および他方側面２８ｂ上に回り込むように形成される。
【００２３】
第３の導電層２０ａおよび２０ｂは、めっき金属を含む。めっき金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金等が用いられる。
また、第３の導電層２０ａおよび２０ｂは、複数の層から構成されていてもよい。例えば、下層がＮｉ、上層がＳｎの２層構造等を採用することができる。
【００２４】
続いて、本発明にかかるセラミック電子部品１０の製造方法の一実施形態について説明する。
まず、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペーストおよび第１の導電層となる第１の外部電極用導電性ペーストを準備する。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダ樹脂および溶剤が含まれるが、公知のバインダ樹脂や有機溶剤を用いることができる。また、第１の外部電極用導電性ペーストには、ガラス成分が含まれることが好ましい。
そして、セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷などにより所定のパターンで内部電極用導電性ペーストを印刷し、セラミックグリーンシートには、内部電極のパターンが形成される。それから、内部電極パターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に内部電極のパターンが印刷されたセラミックグリーンシートが順次所定枚数積層され、その上に内部電極のパターンが印刷されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、生のマザー積層体が作製される。このマザー積層体は、必要に応じて、静水圧プレスなどの手段により積層方向に圧着される。
その後、生のマザー積層体が所定のサイズにカットされ、生の積層体が切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層体の角部や稜部に丸みをつけてもよい。
続いて、切り出された生の積層体が焼成され、積層体であるセラミック素体が生成される。なお、焼成温度は、セラミックの材料や内部電極の材料に依存するが、９００〜１３００℃であることが好ましい。
そして、セラミック素体の両端面に外部電極用導電性ペーストをディップ工法によって塗布し、焼き付け、第１の導電層を形成する。このとき、一方端面に塗布される導電性ペーストは、セラミック素体の一方主面および一方側面に回り込まないように塗布され、他方端面に塗布される導電性ペーストは、セラミック素体の他方主面および他方側面に回り込まないように塗布される。焼き付け温度は、７００〜９００℃であることが好ましい。
【００２５】
そして、電解めっきを施し、第１の導電層を被覆するようにして、第２の導電層を形成する。第１の導電層を核としてめっきが成長し、第２の導電層が一方主面および他方主面ならびに一方側面および他方側面に回り込む。
なお、電解めっきの中でも、ストライクめっきを用いると、横方向（すなわち、一方端面および他方端面から遠ざかる方向）のめっき成長が促進されやすく、一方端面および他方端面から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる。
【００２６】
ここで、本実施形態におけるストライクめっきの条件の一例を表１に示す。
【００２７】
【表１】
0005899609.tif 000002
【００２８】
なお、本発明においては、無電解めっきは適切ではない。なぜなら、無電解めっきの場合、セラミック素体の一方主面および他方主面ならびに一方側面および他方側面の回り込み部分に触媒を付与してからめっきを成長させることになるが、一方端面側および他方端面側から先端にかけて一律の厚みでめっきが成長するため、一方端面および他方端面から遠ざかるにつれて厚みが薄くなる形状を実現することが困難となるからである。
【００２９】
また、第２の導電層の形成後、第２の導電層を熱処理してもよい。この熱処理を行うことにより、第１の導電層と第２の導電層との固着力が向上し、また、第２の導電層とセラミック素体との固着力が向上しうる。さらに、この熱処理を行うことにより、第２の導電層の形成時に、セラミック素体に侵入した、あるいは第２の導電層とセラミック素体との界面に残留しためっき液の残渣を除去することができる。これにより、セラミック電子部品の信頼性を向上させることができる。この熱処理の温度は、５００℃以上であることが好ましい。また、熱処理の温度の上限は、内部電極、第１の導電層および第２の導電層の溶融し始める温度のうち、最も低いものが選択される。例えば、内部電極にＮｉ、第１の導電層および第２の導電層にＣｕを用いた場合、Ｃｕの融点（１０８３℃）を考慮して、１０６５℃等が選択される。
そして、必要に応じて、さらにめっき処理が施され、第３の導電層が形成される。
【００３０】
本発明にかかるセラミック電子部品によれば、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上に形成される第２の導電層１８ａの厚みが、一方端面３０ａから遠ざかるにつれて薄くなるように形成され、他方主面２６ｂ上および他方側面２８ｂ上に形成される第２の導電層１８ｂの厚みが、他方端面３０ｂから遠ざかるにつれて薄くなるように形成されるため、セラミック電子部品１０の製造時において、セラミック電子部品１０に熱衝撃が加わった場合でも、第２の導電層１８ａおよび１８ｂの先端部に加わる熱収縮応力が小さくなり、セラミック電子部品１０におけるクラックの発生を防止することができるセラミック電子部品を得ることができる。
【００３１】
また、本発明にかかるセラミック電子部品によれば、第１の導電層１６ａおよび１６ｂに含まれる焼結金属と第２の導電層１８ａおよび１８ｂに含まれるめっき金属が同じ金属により形成され、さらに、第２の導電層１８ａおよび１８ｂの形成後に熱処理を加えることで、層間において金属同士が拡散し合うことから、第１の導電層１６ａと第２の導電層１８ａとの固着力、および第１の導電層１６ｂと第２の導電層１８ｂとの固着力を高めることができる。
【００３２】
さらに、本発明にかかるセラミック電子部品の製造方法によれば、一方主面２６ａ上および一方側面２８ａ上に形成される第２の導電層１８ａの厚みが、一方端面３０ａから遠ざかるにつれて薄くなるように形成され、他方主面２６ｂ上および他方側面２８ｂ上に形成される第２の導電層１８ｂの厚みが、他方端面３０ｂから遠ざかるにつれて薄くなるように形成されることから、第２の導電層１８ａおよび１８ｂの先端部が最も薄く形成されるので、セラミック電子部品１０の製造時において、セラミック電子部品１０に熱衝撃が加わった場合でも、第２の導電層１８ａおよび１８ｂの先端部に加わる熱収縮応力が小さくなることから、セラミック電子部品１０に対するクラックの発生を防止し、セラミック電子部品１０を製造することができる。
【００３３】
なお、本発明にかかるセラミック電子部品１０の外部電極１４ａおよび１４ｂにおける第２の導電層１８ａおよび１８ｂを被覆するように、第３の導電層２０ａおよび２０ｂが形成されているが、必ずしも形成されていなくてもよい。
【００３４】
また、本発明にかかる実施形態においては、セラミック電子部品として積層セラミックコンデンサとしたが、これに限られるものではなく、本発明にかかるセラミック電子部品は、その他、インダクタ、積層セラミックＬＣフィルタ、サーミスタにも用いることができる。すなわち、セラミック素体１２について、誘電体セラミックを用いた場合はコンデンサとして機能し、圧電体セラミックを用いた場合は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合は、インダクタとして機能する。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
この発明にかかるセラミック電子部品およびその製造方法は、例えば、積層セラミックコンデンサなどのセラミック電子部品を製造する際に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００３６】
１０  セラミック電子部品
１２  セラミック素体
１４ａ，１４ｂ  外部電極
１６ａ，１６ｂ  第１の導電層
１８ａ，１８ｂ  第２の導電層
２０ａ，２０ｂ  第３の導電層
２２  セラミック層
２４ａ，２４ｂ  内部電極
２６ａ  一方主面
２６ｂ  他方主面
２８ａ  一方側面
２８ｂ  他方側面
３０ａ  一方端面
３０ｂ  他方端面
３２  角部
３４  稜部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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