(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサタグと演算機とセンタとを有するセンシングシステムであって、
前記センサタグは、物理量および化学量のうち、少なくとも１つを測定するセンサと、
前記センサの有効期限および補正係数の値、ならびに個別認識情報を記憶するメモリと、
前記センサで測定された測定値と前記個別認識情報、ならびに前記センサの前記有効期限および前記補正係数の値を前記演算機に送出する送出部とを有し、
前記センタは、前記個別認識情報ごとに前記センサタグの前記メモリに記憶された前記有効期限および前記補正係数の値よりも細かい有効期限および補正係数の値が記憶された記憶部と、
前記演算機に前記個別認識情報に応じた前記細かい有効期限および補正係数の値を送出する送出部とを有し、
前記演算機は、前記センサタグの前記個別認識情報を前記センタに送出する送出部と、
前記センサタグの前記送出部から前記個別認識情報と測定値、前記センタから前記細かい有効期限および補正係数の値を受け取る受取部と、
前記センタからの前記細かい有効期限を判定する判定部と、
前記センタからの補正係数の値を用いて前記測定値を補正する処理部とを有し、
前記演算機は、前記センタと情報のやり取りができない場合、前記処理部で前記センサの前記有効期限および前記補正係数の値を用いて前記測定値を補正することを特徴とするセンシングシステム。
【請求項２】
前記センサタグは、塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタを有する請求項１に記載のセンシングシステム。
【請求項３】
前記センサタグは、前記センサの補正係数が測定された後、前記メモリに前記個別認識情報が不揮発的に書き込まれる請求項１または２に記載のセンシングシステム。
【請求項４】
前記センサタグの前記メモリは、情報を１度だけ書き込むことができるものである請求項１〜３のいずれか１項に記載のセンシングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量および化学量のうち、少なくとも１つを測定するセンサを無線タグ、ＩＣタグまたはＲＦＩＤ等に組み込んだセンサタグを用いたセンシングシステムに関し、特に、センサを組み込んでも構成が複雑になることがなく、かつセンサタグが、補正値等が記憶された外部との情報のやり取りができない状況であっても、センサによる測定が可能なセンシングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、無線タグ、ＩＣタグまたはＲＦＩＤ等と呼ばれるものは、小型であり、かつ識別情報を非接触で読み取ることができるため種々の用途に用いられている。例えば、ガスセンサ、超音波センサ、湿度センサ、水分センサ、温度センサ、光センサ、放射線センサ、磁気センサ、圧力センサ、ｐＨセンサ、濁度センサ、高度センサ、加速度センサ等のセンサを、無線タグ、ＩＣタグまたはＲＦＩＤ等に組み込むことで、種々の物理量または化学量を測定することが試みられている。
【０００３】
しかし、センサを構成する回路にはばらつきがあり、センサで測定される測定値の絶対値が変化するので、通常、補正値の記録、または補正回路の組み込みが必要であり、構成が複雑になる。このため、無線タグ、ＩＣタグまたはＲＦＩＤ等にセンサを組み込んだ場合でも簡便な構成のものが求められている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、センサ本体と、識別情報を記憶させたメモリと、少なくともセンサ本体の検出データを送出する送信部とを一体化したセンサチップと、センサチップから送出された検出データを受信する受信部と、受信部から出力される検出データをセンサ本体の種別に応じて補正する信号補正部とを備えた信号処理部とを含むセンサシステムが記載されている。信号補正部は、センサ本体に対応した基準データを有し、センサチップから出力される検出データと基準データとを比較して検出データを補正する。特許文献１では、信号補正部で検出データをセンサ本体の種別に応じて補正しており、センサチップにセンサ本体の補正手段を組み込む必要がない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１８１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のように、検出データをセンサ本体の種別に応じて補正する信号補正部をセンサチップの外部に設けた場合、センサチップと信号処理部との間での情報のやり取りができない場合、例えば、通信不能になると、センサの測定ができなくなるという問題点がある。このため、センサチップと信号処理部とが通信不能でもセンサによる測定ができることが求められている。
【０００７】
本発明の目的は、前述の従来技術に基づく問題点を解消し、センサを組み込んでも構成が複雑になることがなく、かつセンサタグが、補正値等が記憶された外部との情報のやり取りができない状況であっても、センサによる測定が可能なセンシングシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、センサタグと演算機とセンタとを有するセンシングシステムであって、センサタグは、物理量および化学量のうち、少なくとも１つを測定するセンサと、センサの有効期限および補正係数の値、ならびに個別認識情報を記憶するメモリと、センサで測定された測定値と個別認識情報、ならびにセンサの有効期限および補正係数の値を演算機に送出する送出部とを有し、センタは、個別認識情報ごとにセンサタグのメモリに記憶された有効期限および補正係数の値よりも細かい有効期限および補正係数の値が記憶された記憶部と、演算機に個別認識情報に応じた細かい有効期限および補正係数の値を送出する送出部とを有し、演算機は、センサタグの個別認識情報をセンタに送出する送出部と、センサタグの送出部から個別認識情報と測定値、センタから細かい有効期限および補正係数の値を受け取る受取部と、センタからの細かい有効期限を判定する判定部と、センタからの補正係数の値を用いて測定値を補正する処理部とを有し、演算機は、センタと情報のやり取りができない場合、処理部でセンサの有効期限および補正係数の値を用いて測定値を補正することを特徴とするセンシングシステムを提供するものである。
【０００９】
センサタグは、塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタを有することが好ましい。また、センサタグは、センサの補正係数が測定された後、メモリに個別認識情報が不揮発的に書き込まれることが好ましい。
センサタグのメモリは、情報を１度だけ書き込むことができるものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のセンシングシステムによれば、センサを組み込んでも構成が複雑になることがなく、かつ演算機が、補正値等が記憶されたセンタとの情報のやり取りができない状況であっても、センサによる測定が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態のセンシングシステムの構成を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられるセンサタグの一例を示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられる演算機の一例を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられるセンタの一例を示す模式図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第１の例を示す模式的断面であり、（ｂ）は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第２の例を示す模式的断面である。
【図６】本発明の実施形態のセンシングシステムでの温度測定の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明のセンシングシステムを詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態のセンシングシステムの構成を示す模式図である。図２は、本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられるセンサタグの一例を示す模式図である。
【００１３】
図１に示すセンシングシステム１０は、対象物Ｍに取り付けられたセンサタグ１２と、演算機１４と、センタ１６とを有する。
センシングシステム１０は、無線タグ、ＩＣタグまたはＲＦＩＤ等にセンサを組み込んだセンサタグ１２を用いて、種々の物理量または化学量を測定することができる。
なお、対象物Ｍとは、測定対象物のことである。測定対象物とは、体温、被服の温度等を測定する場合には動物および人間等であり、冷蔵保存、冷凍保存の温度を測定する場合には、肉、魚、野菜等の食材である。また、固体または液体の温度を測定する場合には、固体または液体が対象物Ｍとなる。
【００１４】
センサタグ１２は、物理量および化学量のうち、少なくとも１つを測定する機能を有し、個別認識情報、いわゆる個別認識番号（ＩＤ）が記憶されており、センサタグ１２の個別認識情報、センサ２６で測定して得られた測定値、ならびにセンサ２６の有効期限および補正係数を外部に送出する機能を有する。センサタグ１２は、例えば、アクティブタイプと呼ばれるものが用いられる。
【００１５】
具体的には、図２に示すセンサタグ１２は、絶縁性の基板２０の周縁部に沿って形成されたアンテナ２２と、このアンテナ２２に接続されて、基板２０に設けられたＩＣチップ２４と、センサ２６と、メモリ２８と、電源部３０とを有する。ＩＣチップ２４は、アンテナ２２とともに、センサタグ１２内の各種の情報を演算機１４に送出する送出部２５を構成する。送出部２５により、ＩＣチップ２４によりアンテナ２２を介してセンサタグ１２内の各種の情報が電波として演算機１４に送出される。図２に示すセンサタグ１２ではアンテナ２２を用いた無線形式で送出部２５を構成したが、これに限定されるものではなく、送出部２５は有線形式でもよい。
なお、送出部２５は、後述するようにセンサタグ１２に送信された情報を受け取る受信部としても機能するものである。
【００１６】
ＩＣチップ２４は、変調回路（図示せず）と、復調回路（図示せず）とＲＦ回路（図示せず）を備える。変調回路により、センサタグ１２の個別認識情報、センサ２６の測定値、ならびにセンサ２６の有効期限および補正係数を送信データとしてアンテナ２２を介して演算機１４に送信する際に、演算機１４で受け取り可能な形態に変換するものである。変調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００１７】
復調回路により、演算機１４からアンテナ２２を介して受信した受信データを、メモリ２８で利用可能な形態に変換するものである。復調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
また、ＲＦ回路は、アンテナ２２を介して内部の各種の情報を演算機１４に送出するためのものである。ＲＦ回路は、ＩＣタグ、ＲＦＩＤ等で用いられている公知のものを適宜利用可能である。
【００１８】
センサ２６は、物理量および化学量のうち、少なくとも１つを測定するものである。センサ２６は特に限定されるものではなく、例えば、ガスセンサ、超音波センサ、湿度センサ、水分センサ、温度センサ、光センサ、放射線センサ、磁気センサ、圧力センサ、ｐＨセンサ、濁度センサ、高度センサ、加速度センサ等を用いることができる。センサ２６の数は１つに限定されるものではなく、上述の各種のセンサを複数組み合わせたものでもよい。
【００１９】
メモリ２８は、センサ２６の有効期限および補正係数の値、センサ２６で測定して得られた測定値、ならびにセンサタグ１２の個別認識情報を記憶するものである。このメモリ２８は、例えば、不揮発性メモリで構成される。また、メモリ２８は、情報を１度だけ書き込むことができるもの、ライトワンスのものであってもよい。
電源部３０は、ＩＣチップ２４の変調回路、復調回路、ＲＦ回路を駆動するものであり、またセンサ２６の測定にも利用される。
【００２０】
ＩＣチップ２４およびメモリ２８は、複数のトランジスタで構成されるが、このトランジスタは、塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタ（以下、単に塗布型ＴＦＴという）で構成することが好ましい。塗布型ＴＦＴは、作製に要する温度が低いこと印刷で形成可能といった利点があるため、樹脂基板を用いたセンサタグを安価に実現できる。
しかし、塗布型ＴＦＴは記録容量が小さく、記憶する情報量を小さくする必要がある。このため、メモリ２８に記憶されるセンサ２６の有効期限および補正係数の値およびセンサタグ１２の個別認識情報、ならびにセンサ２６で測定して得られた測定値は、少ないビット数で記憶することが好ましい。なお、塗布型ＴＦＴについては後に詳細に説明する。
【００２１】
以下、演算機１４について詳細に説明する。
図３は、本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられる演算機の一例を示す模式図である。
演算機１４は、図３に示すように、アンテナ４０と、復調部４２と、変調部４４と、判定部４６と、処理部４８と、メモリ５０と、表示部５２と、制御部５４と、入力部５６とを有する。アンテナ４０と変調部４４とで送出部４５が構成される。アンテナ４０と復調部４２とで受取部４７が構成される。
【００２２】
アンテナ４０は、センサタグ１２から電波として送出される各種の情報の受信、およびセンタ１６への情報の送信に利用されるものである。アンテナ４０としては、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００２３】
復調部４２は、センサタグ１２およびセンタ１６からアンテナ４０を介して受信した受信データを、判定部４６、処理部４８、メモリ５０で利用可能な形態に変換するものである。例えば、復調部４２では、センタ１６から送出される細かい有効期限および補正係数の値の情報を、判定部４６および処理部４８で処理可能な形態に、メモリ５０に記憶可能な形態に変換する。
また、復調部４２は、センサタグ１２から送出されるセンサタグ１２の個別認識情報、センサ２６で測定された測定値、センサ２６の有効期限および補正係数の値の情報を、判定部４６および処理部４８で処理可能な形態に、メモリ５０に記憶可能な形態に変換する。なお、復調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００２４】
変調部４４は、センサタグ１２のメモリ２８に書き込むセンサタグ１２の個別認識情報を送信データとして送信する際にセンサタグ１２で受け取り可能な形態に変換するものである。また、センタ１６にセンサタグ１２の個別認識情報を送信データとして送信する際に、センタ１６で受け取り可能な形態に変換するものである。変調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００２５】
判定部４６は、センタ１６から受信したセンサタグ１２のセンサ２６の有効期限およびセンサタグ１２に記憶されたセンサ２６の有効期限が、受信した日時において有効であるか否かを判定するものである。
処理部４８は、センタ１６からの補正係数の値を用いてセンサ２６の測定値を補正し、最終的なセンサ２６での測定値を得るものである。また、処理部４８は、センタ１６と情報をやり取りができない場合、センサ２６の有効期限および補正係数の値を用いてセンサ２６の測定値を補正し、最終的なセンサ２６での測定値を得る。この場合、センタ１６からの補正係数の値を用いていないため、精度は劣るが測定値が得られず、測定不能になるという事態を回避することができる。
【００２６】
メモリ５０は、上述の受信データおよび送信データ、センサタグ１２のセンサ２６で測定された測定値、センサタグ１２の個別認識情報等が記憶されるものである。メモリ５０は、書き換え可能なメモリであれば、その構成は特に限定されるものではなく、公知のメモリを種々用いることができる。
【００２７】
表示部５２は、演算機１４で得られた結果等を表示するものである。例えば、センサ２６で得られた測定値を画像または文字として表示する。対象物Ｍが複数であれば、センサ２６で得られた測定値を対象物Ｍ毎に表示する。この表示部５２には、液晶表示パネル等の各種の表示機器を用いることができる。
【００２８】
制御部５４は、演算機１４の各構成要素を制御するものである。
入力部５６は、演算機１４での各種の設定条件等を設定するために指示入力するものである。入力部５６は、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、キーボード、マウス等が用いられ、タッチパネルでもよい。なお、演算機１４において、表示部５２と入力部５６はなくてもよい。
【００２９】
センタ１６は、演算機１４から送出されたセンサタグ１２の個別認識情報を受信する機能と、センサタグ１２の個別認識情報に応じて、センサタグ１２のメモリ２８に記憶された有効期限および前記補正係数の値よりも細かい有効期限および補正係数の値を演算機１４に送出する機能を有する。
【００３０】
以下、センタ１６について詳細に説明する。
図４は、本発明の実施形態のセンシングシステムに用いられるセンタの一例を示す模式図である。
センタ１６は、図４に示すように、アンテナ６０と、復調部６２と、変調部６４と、処理部６６と、記憶部６８と、表示部７０と、制御部７２と、入力部７４とを有する。アンテナ６０と変調部６４とで送出部６５が構成される。アンテナ６０と復調部６２とで受取部６７が構成される。
アンテナ６０は、演算機１４との送受信に利用される。アンテナ６０としては、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００３１】
復調部６２は、演算機１４からアンテナ６０を介して受信した受信データを、処理部６６で処理可能な形態に変換するものである。例えば、復調部６２では、演算機１４から送出されるセンサタグ１２の個別認識情報を、処理部６６および記憶部６８で処理可能な形態に変換する。復調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００３２】
変調部６４は、細かい有効期限および補正係数の値の情報を、演算機１４で受け取り可能な形態に変換するものである。変調方式としては、特に限定されるものではなく、公知のものを種々用いることができる。
【００３３】
処理部６６は、演算機１４からの個別認識情報に応じて、個別認識情報ごとに記憶部６８に記憶されている細かい有効期限および補正係数の値の情報を読み出し、演算機１４に細かい有効期限および補正係数の値の情報を送出するものである。
なお、センタ１６は機器の故障等で演算機１４と情報のやり取りができない場合、センタ１６は演算機１４に細かい有効期限および補正係数の値の情報を送出することができない。
【００３４】
記憶部６８は、演算機１４からの個別認識情報、個別認識情報ごとの細かい有効期限および補正係数の値の情報が記憶されるものである。記憶部６８は、書き換え可能なメモリであれば、その構成は特に限定されるものではなく、公知のメモリを種々用いることができる。
【００３５】
表示部７０は、例えば、演算機１４からの個別認識情報、個別認識情報を送出した演算機１４の情報、個別認識情報ごとの細かい有効期限および補正係数の値の情報、演算機１４に送出する細かい有効期限および補正係数の値の情報等を表示するものである。また、演算機１４が複数であれば、演算機１４毎に、上述の各種の情報を表示する。この表示部７０には、液晶表示パネル等の各種の表示機器を用いることができる。
【００３６】
制御部７２は、センタ１６の各構成要素を制御するものである。
入力部７４は、センタ１６での各種の設定条件等を設定するために指示入力するものでえる。入力部７４は、上述の機能を果たせば、その構成は、特に限定されるものではなく、キーボード、マウス等が用いられる。なお、センタ１６において、表示部７０と入力部７４はなくてもよい。
【００３７】
センシングシステム１０において、演算機１４はセンタ１６に対して通信確立のためにテスト信号を送り、センタ１６ではこのテスト信号に対して返信信号を送信する。返信信号を受信した場合には通信が確立したとし、返信信号を受信できない場合には通信不能とする。
【００３８】
センシングシステム１０ではセンサタグ１２のメモリ２８に記憶される有効期限と補正係数は、例えば、有効期限は、２０１５年、２０１７年、２０１９年、２０２１年と年単位で設定される。また、補正係数は、例えば、１、２、３、４と整数で設定され、小数点以下の設定はない。このようにして、記憶する情報の情報量を少なくすることができる。
一方、センタ１６の記憶部６８に記憶される有効期限と補正係数は、センサタグ１２のメモリ２８に記憶される有効期限と補正係数よりも細かいものである。例えば、有効期限は、２０１５年〜２０２２年迄の範囲を１ケ月おきで設定される。補正係数は、例えば、０．５〜４．５迄の範囲を０．１おきで設定される。センタ１６では、記憶する情報の情報量を少なくする必要がないため、細かい有効期限と補正係数を設定することができる。
【００３９】
センタ１６の記憶部６８に記憶される有効期限と補正係数は、センサタグ１２のメモリ２８に記憶される有効期限と補正係数に比して細かい。センサタグ１２のメモリ２８に記憶される有効期限と補正係数は情報量の制約等からセンタ１６に比して相対的に粗い。有効期限と補正係数において細かいものに対して粗いものは、２進数でのビット数が少なくとも１桁小さい。例えば、粗いものが２ビットであれば、細かいものは３ビットである。細かいものに対して粗いものは、２進数でのビット数が少なくとも８桁以上小さいことが好ましく、細かいものに対して粗いものは、２進数でのビット数が少なくとも１０桁以上小さいことがさらに好ましい。
【００４０】
センサタグ１２に、個別識別情報として個別認識番号を付けるが、これは、例えば、下記表１を用いて付与される。
センサタグ１２の製造時に、センサ２６の補正係数を測定し、例えば、有効期限２０１７．１０、補正係数０．６を得る。この数値の組み合わせが、センタ１６に記憶される細かい有効期限と補正係数の組合せである。
下記表１を用いて個別認識番号の１桁目を付与する。下記表１から有効期限が２０１７年は１桁目の数字が５である。１桁目が５のセンサタグ１２は、１つ目から５００１と４桁の番号を付与し、２つ目のセンサタグ１２は５００２とする。
【００４１】
【表１】
0006026456.tif 000002
【００４２】
上述のように、演算機１４がセンタ１６と送受信できない場合、有効期限は２０１７となる。センサタグ１２の使用日時が２０１６．１０のように２０１７．１．１以前であれば、粗い有効期限２０１７で設定された補正係数を使用する。このとき、補正係数は粗いため、例えば、温度を測定していれば、その温度の測定結果は３７℃、３８℃となり、小数点以下の精度を得ることができない。温度としては３７℃、３８℃が表示される。
一方、演算機１４がセンタ１６と送受信が可能な場合、個別認識番号に基づいて、有効期限２０１７．１０、補正係数０．６を得ることができる。この場合、２０１７．１．１以降であっても、センタ１６に記憶された有効期限２０１７．１０以前であれば使用することができる。得られる温度の数値は、例えば、３７．５℃、３８．５℃と、小数点以下の精度を得ることができ、温度としては、３７．５℃、３８．５℃が表示される。
【００４３】
以下、塗布型ＴＦＴについて説明する。
図５（ａ）は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第１の例を示す模式的断面であり、（ｂ）は、本発明の実施形態のセンサタグに用いられる塗布型半導体を半導体活性層に含む薄膜トランジスタの構成の第２の例を示す模式的断面である。
上述のように、塗布型ＴＦＴは、塗布型半導体を半導体活性層に含むものであるが、さらに半導体活性層以外にその他の層を含んでいてもよい。
塗布型ＴＦＴは、有機電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor、以下、単にＦＥＴという。）が好ましく、ゲート−チャンネル間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴがより好ましい。
【００４４】
塗布型ＴＦＴの構造は、特に限定されるものではなく、公知の様々な構造とすることができる。
塗布型ＴＦＴの構造の一例としては、最下層の基板の上面に、電極、絶縁体層、半導体活性層（有機半導体層）、２つの電極を順に配置した構造（ボトムゲート・トップコンタクト型）を挙げることができる。この構造では、最下層の基板の上面の電極は基板の一部に設けられ、絶縁体層は、電極以外の部分で基板と接するように配置される。また、半導体活性層の上面に設けられる２つの電極は、互いに隔離して配置される。
【００４５】
塗布型ＴＦＴとして、ボトムゲート・トップコンタクト型素子の構成を、具体的に図５（ａ）に示す。図５（ａ）に示す塗布型ＴＦＴ８０は、最下層に絶縁性の基板８２を配置し、基板８２の上面の一部にゲート電極８４を設け、さらにゲート電極８４を覆い、かつゲート電極８４以外の部分で基板８２と接するように絶縁体層８６を設けている。さらに絶縁体層８６の上面に半導体活性層８８を設け、半導体活性層８８の上面の一部にソース電極９０ａとドレイン電極９０ｂとを隔離して配置している。
【００４６】
図５（ａ）に示す塗布型ＴＦＴ８０以外に、塗布型ＴＦＴとして、ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子がある。ボトムゲート・ボトムコンタクト型素子の構成を図５（ｂ）に示す。なお、図５（ｂ）に示す塗布型ＴＦＴ８０ａにおいて、図５（ａ）に示す塗布型ＴＦＴ８０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００４７】
塗布型ＴＦＴ８０ａは、最下層に絶縁性の基板８２を配置し、基板８２の上面の一部にゲート電極を設け、さらにゲート電極８４を覆い、かつゲート電極８４以外の部分で基板８２と接するように絶縁体層８６を設けている。さらに絶縁体層８６の上面の一部にソース電極９０ａとドレイン電極９０ｂとを隔離して配置している。ソース電極９０ａとドレイン電極９０ｂとを覆い、かつソース電極９０ａとドレイン電極９０ｂ以外の部分で絶縁体層８６と接するように半導体活性層８８を設けており、ソース電極９０ａとドレイン電極９０ｂが半導体活性層８８の下部にある。
図５（ａ）に示す塗布型ＴＦＴ８０と図５（ｂ）に示す塗布型ＴＦＴ８０ａは、いずれもドレイン−ソース間の電流通路であるチャンネルとゲート電極８４との間が絶縁されている絶縁ゲート型ＦＥＴである。
塗布型ＴＦＴの構造としては、絶縁体、ゲート電極が半導体活性層の上部にあるトップゲート・トップコンタクト型素子、またはトップゲート・ボトムコンタクト型素子も好ましく用いることができる。
【００４８】
（厚さ）
塗布型ＴＦＴ８０、８０ａにおいて、より薄いトランジスタとする必要がある場合には、例えば、トランジスタ全体の厚さを０．１〜０．５μｍとすることが好ましい。
（封止）
塗布型ＴＦＴ８０、８０ａを大気および水分から遮断し、塗布型ＴＦＴ８０、８０ａの保存性を高めるために、塗布型ＴＦＴ８０、８０ａ全体を金属の封止缶で封止しても、ガラス、窒化ケイ素等の無機材料、パリレン等の高分子材料、または低分子材料等で封止してもよい。
【００４９】
以下、塗布型ＴＦＴ８０、８０ａの各部について説明する。
＜基板＞
（材料）
基板の材料としては、絶縁性を有するものであれば、特に制限はなく、公知の材料を用いることができる。例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリカーボネートフィルム、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、またはポリイミドフィルム、およびこれらポリマーフィルムを極薄ガラスに貼り合わせたもの、セラミック、シリコン、石英、ならびにガラス等を基板の材料として用いることができる。この中でも、基板の材料としてはシリコンが好ましい。
【００５０】
＜各種電極＞
（材料）
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の構成材料としては、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｎ、ＮｉもしくはＮｄ等の金属材料、またはこれらの合金材料を使用することができる。これ以外にも電極の構成材料としてカーボン材料、または導電性高分子等の既知の導電性材料を使用することができ、導電材料であれば特に制限されることなく使用できる。
【００５１】
（厚さ）
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚さは特に制限はないが、１０〜５０ｎｍとすることが好ましい。
ゲート幅（またはチャンネル幅）Ｗとゲート長（またはソース電極とドレイン電極間の距離であるチャンネル長さ）Ｌに特に制限はないが、これらの比Ｗ／Ｌが１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。
【００５２】
＜アクセプター＞
（材料）
塗布型ＴＦＴは、キャリア注入を促進するためのアクセプターを含むことが好ましい。材料としては公知の２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）等が好ましく挙げられる。
（厚さ）
アクセプターの厚さは特に制限はないが、５ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５３】
＜絶縁層＞
（材料）
絶縁層を構成する材料は必要な絶縁効果が得られれば特に制限はないが、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＣＹＴＯＰ等のフッ素ポリマー系絶縁材料、ポリエステル絶縁材料、ポリカーボネート絶縁材料、アクリルポリマー系絶縁材料、エポキシ樹脂系絶縁材料、ポリイミド絶縁材料、ポリビニルフェノール樹脂系絶縁材料、またはポリパラキシリレン樹脂系絶縁材料等が挙げられる。
絶縁層の上面は表面処理がなされていてもよく、例えば、二酸化ケイ素表面をヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、またはβ−フェニチルトリメトキシシランの塗布により表面処理した絶縁層を好ましく用いることができ、β−フェニチルトリメトキシシランの塗布により表面処理した絶縁層をより好ましく用いることができる。
【００５４】
（厚さ）
絶縁層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜５００ｎｍとすることが好ましく、２０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、５０〜２００ｎｍとすることが特に好ましい。
【００５５】
＜半導体活性層＞
（材料）
塗布型ＴＦＴにおいて、塗布法で形成できる半導体活性層に含まれる化合物としては、例えば、以下に示す有機半導体化合物が挙げられる。
有機半導体化合物としては、ペンタセン、アントラセンおよびルブレン等の多環芳香族炭化水素、テトラシアノキシジメタン等の低分子化合物、ならびにポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ−３−ヘキシルチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン等のポリマーである。
半導体活性層は、上述の有機半導体化合物に加えてポリマーバインダーがさらに含まれていてもよい。また、半導体活性層の形成時の残留溶媒が含まれていてもよい。
半導体活性層中におけるポリマーバインダーの含有量は、特に制限はないが、好ましくは０〜９５質量％の範囲内で用いられ、より好ましくは１０〜９０質量％の範囲内で用いられ、さらに好ましくは２０〜８０質量％の範囲内で用いられ、特に好ましくは３０〜７０質量％の範囲内で用いられる。
【００５６】
（厚さ）
半導体活性層の厚さに特に制限はないが、薄膜化が求められる場合は厚さを１０〜４００ｎｍとすることが好ましく、１０〜２００ｎｍとすることがより好ましく、１０〜１００ｎｍとすることが特に好ましい。
（形成）
半導体活性層は、塗布法で形成することができる。
【００５７】
次に、センシングシステム１０による管理について説明する。
図６は本発明の実施形態のセンシングシステムでの温度測定の一例を示すフローチャートである。
対象物Ｍにセンサタグ１２を取り付ける。対象物Ｍを食材とし、この食材を冷蔵庫に入れて保存する場合の食材の温度測定を例にして説明する。この場合、センサタグ１２は、センサ２６として、温度センサを有する。予め温度センサについて、補正係数と有効期限が求められており、温度センサの有効期限、補正係数がメモリ２８に記憶されている。また、センサタグ１２のメモリ２８には、個別認識情報として、個別認識番号が記憶されている。
【００５８】
まず、センサタグ１２を対象物Ｍである食材に取り付け、冷蔵庫に収納する。なお、センサタグ１２には個別認識番号が付与され、センサ２６の有効期限および補正係数が記憶されている。また、細かい有効期限および補正係数が、センタ１６に記憶されている。
【００５９】
次に、センサ２６により温度測定をする（ステップＳ１０）。そして、センサ２６で温度測定値を得る。センサタグ１２から演算機１４に、個別認識情報として、個別認識番号と、センサ２６の温度測定値を送信する（ステップＳ１２）。演算機１４では、受信した個別認識番号の情報をセンタ１６へ送信する（ステップＳ１４）。
次に、センタ１６との通信を確認する（ステップＳ１６）。この場合、演算機１４はセンタ１６に対して通信確立のためにテスト信号を送り、センタ１６からテスト信号に対して返信信号があった場合、通信が確立したとする。一方、返信信号を受信できない場合、すなわち、演算機１４がセンタ１６と情報のやり取りができない場合、通信不能とする。
【００６０】
ステップＳ１６においてセンタ１６との通信が確立できた場合、センタ１６は、個別認識番号に応じた、センサタグ１２で記憶しているものよりも細かい有効期限と補正係数が演算機１４に送信される（ステップＳ１８）。
次に、演算機１４で細かい有効期限と補正係数を受信する（ステップＳ２０）。そして、演算機１４にて有効期限を判定する（ステップＳ２２）。有効期限内であれば、補正係数を用いて補正し、最終的な温度測定値を算出する（ステップＳ２４）。一方、有効期限が過ぎていれば、演算機１４はセンサ２６の有効期限と補正係数をセンサタグ１２に送信させて受信する（ステップＳ２６）。そして、センサタグ１２の補正係数を用いて補正し、最終的な温度測定値を算出する（ステップＳ２８）。温度の測定値は、細かい有効期限と補正係数を用いたものに比して補正精度が低く有効数字の桁数が少ない。温度の測定値は、例えば、演算機１４の表示部５２またはセンタ１６の表示部７０に表示される。
【００６１】
ステップＳ１６において、センタ１６と通信不能である場合、演算機１４がセンサ２６の有効期限と補正係数をセンサタグ１２に送信させて受信する（ステップＳ３０）。そして、センサタグ１２の補正係数を用いて補正し、最終的な温度測定値を算出する（ステップＳ３２）。温度の測定値は、細かい有効期限と補正係数を用いたものに比して補正精度が低く有効数字の桁数が少ない。温度の測定値は、例えば、演算機１４の表示部５２またはセンタ１６の表示部７０に表示される。
【００６２】
このようにして、センシングシステム１０では、冷蔵庫内の食材の温度を知ることができる。１時間間隔等の等時間隔で温度測定をすれば、冷蔵庫内の食材の温度変化を知ることができる。また、対象物Ｍを動物、人間とした場合、体温の変化を知ることができる。センサ２６の種類を温度センサに代えて他のセンサを用いることで、他の物理量または化学量を測定することができる。しかも、センサタグ１２にセンサ２６の有効期限と補正係数を記憶させているが、情報量を小さくしており、センサタグ１２のメモリ容量を増やすことはない。このため、センサ２６の有効期限および補正係数を記憶してもセンサタグ１２の構成が複雑になることはない。
また、センタ１６により細かい有効期限と補正係数を記憶させており、センタ１６の補正係数を用いることで、より高い精度で測定値を算出することができる。
【００６３】
さらには、何等かの事情で演算機１４とセンタ１６とが通信不能になっても、測定精度が落ちるものの、センサタグ１２の補正係数を用いることで、測定値が得られないという事態を回避することができる。
また、センサ２６の有効期限を記憶させておくことで、センサ２６で得られる測定値に対して信頼性を向上させることができる。
【００６４】
本発明は、基本的に以上のように構成されるものである。以上、本発明のセンシングシステムについて詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良または変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００６５】
１０  センシングシステム
１２  センサタグ
１４  演算機
１６  センタ
２０  基板
２２、４０、６０  アンテナ
２４  ＩＣチップ
２６  センサ
２８、５０  メモリ
３０  電源部
４２、６２  復調部
４４、６４  変調部
４６  判定部
４８、６６  処理部
５２、７０  表示部
５４、７２  制御部
５６、７４  入力部
６８  記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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