(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割予定ラインによって格子状に区画されたデバイスが表面に形成されたウエーハに、パルス発振のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、レーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
該ウエーハに集光される集光スポットの重なり率が９５％以下になるように該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、第一のレーザー加工溝を形成する第一加工溝形成ステップと、
該ウエーハに集光される集光スポットの重なり率が９７％以上になるように該レーザー光線を該第一のレーザー加工溝に沿って照射し、該第一のレーザー加工溝の底部に第二のレーザー加工溝を形成する第二加工溝形成ステップと、を少なくとも含んで構成され、
該第一のレーザー加工溝の深さより第二のレーザー加工溝の深さの方が深く、かつ、該第一のレーザー加工溝の幅より第二のレーザー加工溝の幅の方が狭く、
該第二加工溝形成ステップで発生したデブリが該第一のレーザー加工溝内に付着して該ウエーハの表面に突出しないウエーハのレーザー加工方法。
【請求項２】
前記レーザー光線は、前記集光スポットが楕円形に形成され、該集光スポットの長尺側が前記分割予定ラインに沿って照射され、
前記第一加工溝形成ステップより前記第二加工溝形成ステップの方が、該レーザー光線の該集光スポットの長尺側の長さが長い、請求項１記載のウエーハのレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスが形成されたウエーハの表面に対してレーザー光線を照射し、アブレーション加工を施すウエーハのレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子等の光デバイスが形成されたウエーハの分割予定ラインにレーザー加工装置によってレーザー光線を照射し、メモリー、ＣＰＵやＬＥＤ等の半導体デバイスが製造されている。
【０００３】
このレーザーによる加工方法では、レーザーで溝を形成後切削ブレードでフルカットしたり、レーザーで改質層を形成後破断して分割することでデバイスチップに分割していたが、レーザーで溝を深く形成して最終的に分割するという工法も検討されている。この際、レーザー光線のスポット径を極端に長尺にすることで、１回のレーザー光線照射で深い溝が形成でき効率的に加工ができることがわかっている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７５９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウエーハにレーザー光線で溝を形成する加工では、ウエーハの除去量に応じてデブリと呼ばれるウエーハの溶融物が溝の両岸に付着する特性がある。１回のレーザー光線の走査で深い溝を形成した場合も、同じ位置に何度もレーザー光線を照射して最終的に深い溝を形成した場合も、同様に高いデブリが形成されてしまう。こうしたデブリは次工程においてチップをピックアップするためのピッカー（チップを吸引保持する部品）の吸引詰まりの原因になってしまうため、非常に大きな問題であった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、デブリと呼ばれるウエーハの溶融物がウエーハの表面から表出することを抑制できるウエーハのレーザー加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハのレーザー加工方法は、複数の分割予定ラインによって格子状に区画されたデバイスが表面に形成されたウエーハに、パルス発振のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、レーザー加工溝を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、該ウエーハに集光される集光スポットの重なり率が９５％以下になるように該レーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、第一のレーザー加工溝を形成する第一加工溝形成ステップと、該ウエーハに集光される集光スポットの重なり率が９７％以上になるように該レーザー光線を該第一のレーザー加工溝に沿って照射し、該第一のレーザー加工溝の底部に第二のレーザー加工溝を形成する第二加工溝形成ステップと、を少なくとも含んで構成され、該第一のレーザー加工溝の深さより第二のレーザー加工溝の深さの方が深く、かつ、該第一のレーザー加工溝の幅より第二のレーザー加工溝の幅の方が狭く、該第二加工溝形成ステップで発生したデブリが該第一のレーザー加工溝内に付着して該ウエーハの表面に突出しないことを特徴とする。
【０００８】
前記ウエーハのレーザー加工方法は、前記レーザー光線は、前記集光スポットが楕円形に形成され、該集光スポットの長尺側が前記分割予定ラインに沿って照射され、前記第一加工溝形成ステップより前記第二加工溝形成ステップの方が、該レーザー光線の該集光スポットの長尺側の長さが長いことが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のウエーハのレーザー加工方法は、重なり率９５％以下でレーザー光線を照射して予め浅い第一のレーザー加工溝を形成した後に、その底部に重なり率９７％以上で深い第二のレーザー加工溝を形成し、チップに分割する。このような加工では、重なり率９５％以下では低いデブリが発生し、重なり率９７％以上では深い溝が形成でき発生した高いデブリは第一のレーザー加工溝の内部に収まって、ウエーハの表面に表出することを抑制できる。よって、ウエーハを比較的深く加工したりフルカットしたりする場合、このウエーハのレーザー加工方法によれば、少ないレーザー光線の走査数でデブリをウエーハの表面に表出することを抑制しながらも、効率的な加工が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法を行うレーザー加工装置の構成例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法によりレーザー加工が施されるウエーハなどの斜視図である。
【図３】図３は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法によりレーザー加工が施されるウエーハが環状フレームに保持された斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを楕円形にしたレーザー光線照射手段の集光器の構成のＹ軸方向の説明図であり、図４（ｂ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを楕円形にしたレーザー光線照射手段の集光器の構成のＸ軸方向の説明図であり、図４（ｃ）は、実施形態に係るレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の集光器により楕円形に形成された集光スポットの平面図である。
【図５】図５（ａ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを円形にしたレーザー光線照射手段の集光器の構成のＹ軸方向の説明図であり、図５（ｂ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを円形にしたレーザー光線照射手段の集光器の構成のＸ軸方向の説明図であり、図５（ｃ）は、実施形態に係るレーザー加工装置のレーザー光線照射手段の集光器により円形に形成された集光スポットの平面図である。
【図６】図６（ａ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の第一のレーザー加工溝を形成する状態の側断面を模式的に示す図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＶＩｂ−ＶＩｂ線に沿う断面図である。
【図７】図７（ａ）は、実施形態に係るレーザー加工装置の第二のレーザー加工溝を形成する状態の側断面を模式的に示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）中のＶＩＩｂ−ＶＩＩｂ線に沿う断面図である。
【図８】図８は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法のフローである。
【図９】図９は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の集光スポットの重なり率を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
〔実施形態１〕
図１は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法を行うレーザー加工装置の構成例を示す図である。図２は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法によりレーザー加工が施されるウエーハなどの斜視図である。図３は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法によりレーザー加工が施されるウエーハが環状フレームに保持された斜視図である。図４は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを楕円形にしたレーザー光線照射手段の説明図である。図５は、実施形態に係るレーザー加工装置の集光スポットを円形にしたレーザー光線照射手段の説明図である。図６は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の第一加工溝形成ステップを示すウエーハの断面図である。図７は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の第二加工溝形成ステップを示すウエーハの断面図である。図８は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法のフローである。図９は、実施形態に係るウエーハのレーザー加工方法の集光スポットの重なり率を示す図である。
【００１３】
本実施形態に係るウエーハＷのレーザー加工方法は、図１に示されたレーザー加工装置１により行われる。レーザー加工装置１は、ウエーハＷを保持したチャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０とを相対移動させながら、ウエーハＷにパルス発振のレーザー光線Ｌを分割予定ラインＲに沿って照射し、ウエーハＷにアブレーション加工を施して、ウエーハＷにレーザー加工溝Ｓ（図７に示す）を形成する方法である。
【００１４】
ここで、ウエーハＷは、レーザー加工装置１によりレーザー加工される加工対象であり、本実施形態ではシリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図２及び図３に示すように、複数の分割予定ラインＲによって格子状に区画されたデバイスＤが表面ＷＳに形成されている。ウエーハＷは、図３に示すように、デバイスＤが複数形成されている表面ＷＳの反対側の裏面が粘着テープＴに貼着され、ウエーハＷに貼着された粘着テープＴに環状フレームＦが貼着されることで、環状フレームＦに固定される。
【００１５】
レーザー加工装置１は、図１に示すように、チャックテーブル１０と、レーザー光線照射手段２０と、撮像手段３０と、図示しない制御手段とを含んで構成されている。なお、レーザー加工装置１は、更に、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＸ軸方向に相対移動させるＸ軸移動手段４０と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＹ軸方向に相対移動させるＹ軸移動手段５０と、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とをＺ軸方向に相対移動させるＺ軸移動手段６０とを含んで構成されている。
【００１６】
チャックテーブル１０は、表面を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、レーザー加工前のウエーハＷが載置されて、当該ウエーハＷを吸引することで保持する。なお、チャックテーブル１０は、レーザー加工装置１の装置本体２に設けられたテーブル移動基台３（図１に示す）に着脱可能である。なお、テーブル移動基台３は、Ｘ軸移動手段４０によりＸ軸方向に移動自在に設けられかつＹ軸移動手段５０によりＹ軸方向に移動自在に設けられているとともに図示しない基台駆動源により中心軸線（Ｚ軸と平行である）回りに回転自在に設けられている。
【００１７】
レーザー光線照射手段２０は、レーザー光線Ｌ（図４及び図５に示す）をウエーハＷの表面ＷＳに照射するものである。レーザー光線照射手段２０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｚ軸移動手段６０によりＺ軸方向に移動自在に設けられている。レーザー光線照射手段２０は、図示しないレーザー光線発振手段と、レーザー光線発振手段により発振されたレーザー光線ＬをウエーハＷの表面ＷＳに照射する集光器２１（図４及び図５に示す）とを含んで構成されている。
【００１８】
レーザー光線発振手段は、ウエーハＷに吸収性を有する波長のレーザー光線Ｌをパルス発振するものであり、ウエーハＷの種類、加工形態などに応じて適宜選択することができ、例えば、ＹＡＧレーザー発振器やＹＶＯレーザー発振器などを用いることができる。また、レーザー光線発振手段は、繰り返し周波数が例えば１０ｋＨｚでレーザー光線Ｌをパルス発振する。集光器２１は、図４及び図５に示すように、レーザー光線発振手段により発振されたレーザー光線Ｌを通す第一のシリンドリカルレンズ２２、第二のシリンドリカルレンズ２３及びレーザー光線Ｌを集光する集光レンズ２４などを含んで構成される。第一のシリンドリカルレンズ２２は、凸レンズで構成され、第二のシリンドリカルレンズ２３は、凹レンズで構成されている。
【００１９】
また、集光器２１は、図５に示す第一のシリンドリカルレンズ２２と第二のシリンドリカルレンズ２３とを接合する位置と、図４に示す第一のシリンドリカルレンズ２２から第二のシリンドリカルレンズ２３が離間した位置とに亘って、図示しないモータの駆動力により第二のシリンドリカルレンズ２３を移動自在に設けている。集光器２１は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第一のシリンドリカルレンズ２２と第二のシリンドリカルレンズ２３とを接合させると、図５（ｃ）に示すように、レーザー光線Ｌの集光スポットＣ１を円形に形成する。また、集光器２１は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、第一のシリンドリカルレンズ２２から第二のシリンドリカルレンズ２３を離間させると、図４（ｃ）に示すように、レーザー光線Ｌの集光スポットＣ２を楕円形に形成する。
【００２０】
撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面ＷＳを撮像するものである。撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに対して、Ｚ軸移動手段６０によりレーザー光線照射手段２０と一体にＺ軸方向に移動自在に設けられている。撮像手段３０は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの表面ＷＳの画像を制御手段に出力する。
【００２１】
制御手段は、レーザー加工装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御して、ウエーハＷに対する加工動作をレーザー加工装置１に行わせるものである。また、制御手段は、レーザー光線照射手段２０からウエーハＷの表面ＷＳにレーザー光線Ｌを照射させて、第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成させた後に、第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成させて、ウエーハＷにレーザー加工溝Ｓを形成するものでもある。なお、制御手段は、例えばＣＰＵ等で構成された演算処理装置やＲＯＭ、ＲＡＭ等を備える図示しないマイクロプロセッサを主体として構成されており、加工動作の状態を表示する図示しない表示手段や、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない操作手段と接続されている。
【００２２】
次に、本実施形態に係るウエーハＷのレーザー加工方法について説明する。本実施形態に係るウエーハＷのレーザー加工方法は、パルス発振のレーザー光線ＬをウエーハＷの表面ＷＳに形成された分割予定ラインＲに沿って照射し、アブレーション加工を施してレーザー加工溝Ｓを形成する方法であって、第一加工溝形成ステップと、第二加工溝形成ステップと、を少なくとも含んで構成されている。
【００２３】
ウエーハＷのレーザー加工方法では、オペレータが加工内容情報を制御手段に登録し、オペレータから加工動作の開始指示があった場合に、レーザー加工装置１が加工動作を開始する。加工動作において、環状フレームＦに粘着テープＴを介して貼着されたウエーハＷをチャックテーブル１０上に載置され、制御手段が、図８中のステップＳＴ１において、ウエーハＷをチャックテーブル１０に吸引保持させて、ステップＳＴ２に進む。
【００２４】
そして、制御手段は、Ｘ軸移動手段４０及びＹ軸移動手段５０によりチャックテーブル１０を移動して、撮像手段３０の下方にチャックテーブル１０に保持されたウエーハＷを位置付け、撮像手段３０に撮像させる。撮像手段３０は、撮像した画像を制御手段に出力する。そして、制御手段が、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷの分割予定ラインＲとレーザー光線照射手段２０の集光器２１との位置合わせを行なうためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射手段２０のアライメントを遂行して、ステップＳＴ３に進む。
【００２５】
次に、制御手段は、ステップＳＴ３では、ウエーハＷに集光される集光スポットＣ２の重なり率が５０％以上でかつ９５％以下となるように、Ｘ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０を矢印Ｘ１方向（図６（ａ）に示す）に移動させながら、レーザー光線Ｌを分割予定ラインＲに沿って照射させる。制御手段は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第一のレーザー加工溝Ｓ１（レーザー加工溝Ｓを構成する）を形成する。第一のレーザー加工溝Ｓ１は、比較的浅く形成されており、第一のレーザー加工溝Ｓ１が形成される際に生じるウエーハＷの溶融物で構成されるデブリＤＢ１（図６（ｂ）中に密な平行斜線で示す）は、第一のレーザー加工溝Ｓ１の両岸に低い突起として形成される。なお、ステップＳＴ３は、第一加工溝形成ステップに相当し、ステップＳＴ３の後に、ステップＳＴ４に進む。
【００２６】
次に、制御手段は、ステップＳＴ４では、ウエーハＷに集光される集光スポットＣ２の重なり率が９７％以上でかつ１００％未満となるように、Ｘ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０を矢印Ｘ１の逆向きの矢印Ｘ２方向（図７（ａ）に示す）に移動させながら、レーザー光線Ｌを第一のレーザー加工溝Ｓ１に沿って照射させる。そして、制御手段は、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に第二のレーザー加工溝Ｓ２（レーザー加工溝Ｓを構成する）を形成する。
【００２７】
なお、ステップＳＴ４の重なり率がステップＳＴ３の重なり率よりも高いために、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第二のレーザー加工溝Ｓ２の深さＤ２の方が、第一のレーザー加工溝Ｓ１の深さＤ１より深く形成されている。また、ステップＳＴ４で発生したウエーハＷの溶融物で構成されるデブリＤＢ２（図７（ｂ）中に密な平行斜線で示す）が、第二のレーザー加工溝Ｓ２の両岸に突起として形成されて、第一のレーザー加工溝Ｓ１内に付着してウエーハＷの表面ＷＳに突出しない。また、本実施形態では、第二のレーザー加工溝Ｓ２は、ウエーハＷを貫通している。なお、ステップＳＴ４は、第二加工溝形成ステップに相当し、図６（ａ）及び図７（ａ）では、デブリＤＢ１，ＤＢ２を省略している。
【００２８】
本実施形態では、ステップＳＴ３及びステップＳＴ４では、制御手段がレーザー光線照射手段２０の集光器２１のシリンドリカルレンズ２２，２３同士を離間させる。そして、レーザー光線Ｌは、集光スポットＣ２が楕円形に形成され、図４（ｃ）に示すように、集光スポットＣ２の長尺（長手）側が分割予定ラインＲ及びＸ軸に沿って照射される。そして、制御手段がレーザー光線照射手段２０からレーザー光線Ｌをパルス発振させることで、Ｘ軸移動手段４０により移動されるウエーハＷの表面ＷＳに集光される集光スポットＣ２は、図９に示された実線及び二点鎖線で示すように、一部が重なり、他の部分が重ならない。
【００２９】
本発明でいう重なり率とは、パルス発振されてウエーハＷの表面ＷＳに集光される集光スポットＣ２の長尺（長手）側の径をＭＡとし、互いに隣り合う集光スポットＣ２の重ならない部分（図９に平行斜線で示す）の中央の長尺（長手）側の長さをｌとすると、以下の式１で示すことができる。
重なり率（％）＝（（ＭＡ−ｌ）／ＭＡ）×１００・・・式１
【００３０】
また、本実施形態では、ステップＳＴ３及びステップＳＴ４では、レーザー光線照射手段２０は、同じ周波数、同じ繰り返し周波数のレーザー光線Ｌを、ウエーハＷの表面ＷＳにおいて同形の楕円形の集光スポットＣ２に集光するように照射している。例えば、集光スポットＣ２の長尺（長手）側の径ＭＡ（図４（ｃ）に示す）が１００〜８００μｍでかつ短尺（短手）側の径ＭＢ（図４（ｃ）に示す）が５〜１０μｍとなる。さらに、本実施形態では、ステップＳＴ３におけるチャックテーブル１０の移動速度よりも、ステップＳＴ４におけるチャックテーブル１０の移動速度を遅くしている。
【００３１】
そして、ステップＳＴ４の後に、ステップＳＴ５に進む。ステップＳＴ５では、制御手段は、全ての分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１及び第二のレーザー加工溝Ｓ２が形成されたかを否か、即ち全ての分割予定ラインＲにレーザー加工溝Ｓが形成されたかを否かを判定する。全ての分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１及び第二のレーザー加工溝Ｓ２が形成されていないと判定されると、ステップＳＴ３に戻る。
【００３２】
なお、全ての分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１及び第二のレーザー加工溝Ｓ２が形成されると、全ての分割予定ラインＲに形成された第一のレーザー加工溝Ｓ１及び第二のレーザー加工溝Ｓ２がウエーハＷを貫通して、ウエーハＷがデバイスＤを含んだチップに分割されている。全ての分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１及び第二のレーザー加工溝Ｓ２が形成されたと判定すると、制御手段は、レーザー光線照射手段２０によるレーザー加工を停止して、Ｘ軸移動手段４０によりチャックテーブル１０をレーザー光線照射手段２０の下方から退避させる。レーザー加工が施されたウエーハＷ即ちチップがチャックテーブル１０から取り外される。制御手段は、チャックテーブル１０にレーザー加工前のウエーハＷが載置されると、先ほどの工程と同様にウエーハＷにレーザー加工を施す。
【００３３】
以上のように、本実施形態に係るウエーハＷのレーザー加工方法によれば、重なり率９５％以下でレーザー光線Ｌを照射して予め浅い第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成した後に、その底部に重なり率９７％以上で深い第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成する。このような加工では、重なり率９５％以下では低いデブリＤＢ１が発生し、重なり率９７％以上では深い溝が形成できかつ発生した高いデブリＤＢ２が第一のレーザー加工溝Ｓ１の内部に収まることとなる。このために、第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成する際に生じる高いデブリＤＢ２が、ウエーハＷの表面ＷＳに表出することを抑制できる。よって、ウエーハＷを比較的深く加工したりフルカットしたりする場合、このウエーハＷのレーザー加工方法によれば、少ないレーザー光線Ｌの走査数でデブリＤＢ２がウエーハＷの表面ＷＳに表出することを抑制しながらも、効率的な加工が可能となる。
【００３４】
また、ウエーハＷのレーザー加工方法によれば、ステップＳＴ３では、重なり率が５０％以上としているので、一様の幅の第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成できて、第二のレーザー加工溝Ｓ２を第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に確実に形成することができる。また、ステップＳＴ４では、重なり率が１００％未満としているので、第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に第二のレーザー加工溝Ｓ２を確実に形成することができる。
【００３５】
なお、前述した実施形態では、一本の分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成した後に、当該第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成している。しかしながら、本発明では、全ての分割予定ラインＲに第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成した後に、当該第一のレーザー加工溝Ｓ１の底部に第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成しても良い。
【００３６】
また、前述した実施形態では、ステップＳＴ３で第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成した後に、ステップＳＴ４で第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成している。しかしながら、本発明では、更に、第二のレーザー加工溝Ｓ２の底部に少なくとも一以上のレーザー加工溝を形成しても良い。この場合、より後のレーザー加工溝を形成する際には、重なり率を高めても良く、第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成する重なり率と同じにしても良い。さらに、本発明では、第一のレーザー加工溝Ｓ１を複数回形成した後に、第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成しても良い。
【００３７】
また、前述した実施形態では、ステップＳＴ３での集光スポットＣ２と、ステップＳＴ４での集光スポットＣ２とを同形状にしている。しかしながら、本発明では、ステップＳＴ３よりステップＳＴ４の方が、レーザー光線Ｌの集光スポットＣ２の長尺側の長さを長くしても良い。
【００３８】
さらに、前述した実施形態では、ステップＳＴ３では、重なり率が９５％以下となり、ステップＳＴ４では、重なり率が９７％以上としたが、本発明は、これに限定されない。要するに、本発明では、ステップＳＴ３での重なり率よりもステップＳＴ４での重なり率を大きくして、第一のレーザー加工溝Ｓ１を浅くし、第二のレーザー加工溝Ｓ２を第一のレーザー加工溝Ｓ１よりも深くして、第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成する際に生じるデブリＤＢ２を第一のレーザー加工溝Ｓ１内に付着させれば良い。即ち、本発明は、先に、比較的浅く第一のレーザー加工溝Ｓ１を形成するように、重なり率を低くし、その後、比較的深く第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成するように、重なり率を高くするステップを含んでいれば良い。
【００３９】
また、前述した実施形態では、ウエーハＷを貫通するように、第二のレーザー加工溝Ｓ２を形成したが、本発明では、第二のレーザー加工溝Ｓ２がウエーハＷを貫通しなくても良い。
【００４０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４１】
Ｃ２  集光スポット
Ｄ  デバイス
ＤＢ２  デブリ
Ｌ  レーザー光線
Ｓ  レーザー加工溝
Ｓ１  第一のレーザー加工溝
Ｓ２  第二のレーザー加工溝
Ｄ１  第一のレーザー加工溝の深さ
Ｄ２  第二のレーザー加工溝の深さ
Ｒ  分割予定ライン
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  表面
ＳＴ３  第一加工溝形成ステップ
ＳＴ４  第二加工溝形成ステップ
【図１】
0005982172.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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