(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素がマトリックス状に配置された表示領域と、前記画素に映像信号を供給するソース信号線と、前記画素の発光の選択／非選択を制御する信号を供給するゲート信号線と、前記表示領域の周囲部分に形成されかつ前記画素に電圧を供給するための配線パターンとを備えたＥＬ表示パネルを有し、
前記ＥＬ表示パネルの周縁部に配置される配線基板を有し、
前記配線基板は、前記配線パターンに対して電気的に並列となる補強配線パターンと、前記補強配線パターンを前記ＥＬ表示パネルの配線パターンに電気的に接続する接続端子を備え、
前記補強配線パターンは、前記配線基板の一辺に沿って配置され、
当該一辺は、前記配線基板の辺のうちＥＬ表示パネル側の辺である
ＥＬ表示装置。
【請求項２】
画素がマトリックス状に配置された表示領域と、前記画素に映像信号を供給するソース信号線と、前記画素の発光の選択／非選択を制御する信号を供給するゲート信号線と、前記表示領域の周囲部分に形成されかつ前記画素に電圧を供給するための配線パターンとを備えたＥＬ表示パネルを有し、
前記ＥＬ表示パネルの前記ソース信号線またはゲート信号線に接続される接続電極を備えた配線基板を有し、
前記配線基板は、前記配線パターンに対して電気的に並列となる補強配線パターンと、前記補強配線パターンを前記ＥＬ表示パネルの配線パターンに電気的に接続する接続端子を有し、かつ前記配線基板は、前記配線パターンに電気的に並列となるように前記補強配線パターンを接続し、
前記補強配線パターンは、前記配線基板の一辺に沿って配置され、
当該一辺は、前記配線基板の辺のうちＥＬ表示パネル側の辺である
ＥＬ表示装置。
【請求項３】
画素がマトリックス状に配置された表示領域と、前記画素に映像信号を供給するソース信号線と、前記画素の発光の選択／非選択を制御する信号を供給するゲート信号線と、前記表示領域の周囲部分に形成されかつ前記画素に電圧を供給するための配線パターンとを備えたＥＬ表示パネルを有し、
前記ＥＬ表示パネルの周縁部に配置される第１、第２の配線基板を有し、
前記第１の配線基板は、ＥＬ表示パネルの前記ソース信号線またはゲート信号線に接続される接続電極を備え、
前記第２の配線基板は、ＥＬ表示パネルの配線パターンに対して電気的に並列となる補強配線パターンと、前記補強配線パターンを前記ＥＬ表示パネルの配線パターンに電気的に接続する接続端子を備え、
前記補強配線パターンは、前記第２の配線基板の一辺に沿って配置され、
当該一辺は、前記第２の配線基板の辺のうちＥＬ表示パネル側の辺である
ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記配線基板は、直線状に配列された前記接続電極および前記接続端子と、前記ソース信号線またはゲート信号線に信号を供給するドライバＩＣと、前記補強配線パターンとを有し、前記接続電極および前記接続端子は、前記ドライバＩＣと前記補強配線パターンの間に配置される請求項２に記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記補強配線パターンのシート抵抗値は、前記配線パターンのシート抵抗値に比較して、１／１．５以下である請求項４に記載のＥＬ表示装置。
【請求項６】
補強配線パターンのシート抵抗値は、前記配線パターンのシート抵抗値に比較して、１／２以下である請求項４に記載のＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光材料として有機材料を用いたエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子がマトリックス状に配置されたＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子をマトリックス状に備えたアクティブマトリックス型のＥＬ表示装置がスマートフォンなどの表示パネルに採用され、商品化されている。ＥＬ素子は、アノード電極およびカソード電極間にＥＬ層が形成されている。ＥＬ素子は、アノード、カソード電極（端子）に供給された電流あるいは電圧により発光する。
【０００３】
ＥＬ表示パネルが大型化すると、表示画面にマトリックス状に形成された画素のＥＬ素子に流すアノード電流、カソード電流が大きくなる。そのため、アノード電流などが流れる配線などでの電圧降下が大きくなる。電圧降下が大きいと、電力ロスが大きくなり、ＥＬ表示パネルが発熱し劣化する。また、ＥＬ表示画面に輝度傾斜、クロストークなどが発生し、表示品位を低下させる。
【０００４】
特許文献１には、アレイ部の外部に、共通電源供給線を形成し、この共通電源供給線に補助配線を接続したＥＬ表示装置が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、プリント基板の電圧を、ＴＣＰに形成された配線を介して、ＥＬ表示装置に供給する構成が開示されている。
【０００６】
ＥＬ表示パネルにおいて、表示領域に形成されているカソード電極は、光透過性を有するように形成するため、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）が、極薄く、形成されている。したがって、シート抵抗値は高い。シート抵抗値が高いと、カソード電極に流れる電流により電圧降下が大きく、輝度傾斜、クロストークが発生する。また、カソード電極にカソード電圧を供給する配線との接続点に、電流集中が発生し、接続点が過熱、発熱し、溶断するという課題が発生する。
【０００７】
この課題に対応するため、表示領域の周囲に、低抵抗の金属材料からなる配線部を形成し、配線部とカソード電極とを接続していた。しかし、課題を解決するには、配線部を太くし、十分な低抵抗値化を実現する必要があるが、配線部を太くすると、ＥＬ表示パネルに占める表示領域の面積が小さくなり、ＥＬ表示パネルの額縁が大きくなるという課題が発生する。また、カソード電圧を供給するフレキシブル基板の接続箇所が限定されるため、接続箇所の数を多くできなく、そのため、接続箇所にカソード電流が集中し、接続箇所が溶断するという配線の信頼性に対する課題も発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−１０９５１９号公報
【特許文献２】特開２００６−０３９５４１号公報
【発明の概要】
【０００９】
本開示のＥＬ表示装置は、画素がマトリックス状に配置された表示領域と、前記画素に映像信号を供給するソース信号線と、画素の発光の選択／非選択を制御する信号を供給するゲート信号線と、表示領域の周囲部分に形成されかつ画素に電圧を供給するための配線パターンとを備えたＥＬ表示パネルを有する。配線パターンに対して電気的に並列となる補強配線パターンおよび補強配線パターンをＥＬ表示パネルの配線パターンに電気的に接続する接続端子を備えた配線基板を有する。配線基板をＥＬ表示パネルの周縁部に配置している。
【００１０】
また、本開示のＥＬ表示装置に用いる配線基板は、画素がマトリックス状に配置された表示領域と、画素に映像信号を供給するソース信号線と、画素の発光の選択／非選択を制御する信号を供給するゲート信号線と、表示領域の周囲部分に形成されかつ画素に電圧を供給するための配線パターンとを備えたＥＬ表示パネルに接続される。配線基板は、配線パターンに対して電気的に並列となる補強配線パターンと、補強配線パターンをＥＬ表示パネルの配線パターンに電気的に接続する接続端子とを有する。配線基板をＥＬ表示パネルのソース信号線またはゲート信号線に接続するとともに、配線パターンに電気的に並列となるように補強配線パターンを接続している。
【００１１】
本開示のＥＬ表示装置によれば、ＥＬ表示パネルに占める表示領域の面積を大きくすることができる。
【００１２】
また、本開示のＥＬ表示装置に用いる配線基板によれば、信頼性の高い電気的配線を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の概略構成を示す構成図である。
【図２Ａ】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の動作を説明するための動作説明図である。
【図２Ｂ】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の動作を説明するための動作説明図である。
【図２Ｃ】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の動作を説明するための動作説明図である。
【図２Ｄ】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の動作を説明するための動作説明図である。
【図３】一実施の形態におけるＥＬ表示装置のＥＬ表示パネルの一例を示す断面図である。
【図４】一実施の形態におけるＥＬ表示装置のＥＬ表示パネルの一例を示す断面図である。
【図５】他の実施の形態におけるＥＬ表示装置の配線構造を示す平面図である。
【図６】図５に示すＥＬ表示装置において、ＣＯＦとＥＬ表示パネルとの接続構造の要部を示す平面図である。
【図７】一実施の形態におけるＥＬ表示装置のＥＬ表示パネルにおいて、カソード電極とカソードリングとの接続構造およびＣＯＦ接続端子部分を拡大して示す概略平面図である。
【図８】一実施の形態におけるＥＬ表示装置のＥＬ表示パネルにおいて、カソード電極とカソードリングとの接続構造およびＣＯＦ接続端子部分を拡大して示す概略平面図である。
【図９】アノードリングとカソードリングの両方を形成した場合の例を示す概略平面図である。
【図１０】一実施の形態に使用するＣＯＦの一例を示す平面図である。
【図１１】一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。
【図１２】一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。
【図１３】図１２の１３−１３線で切断した断面図である。
【図１４】一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。
【図１５】一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。
【図１６】図１０に示すＣＯＦにおいて、ＥＬ表示パネルおよびプリント基板との接続部分を拡大して示す概略平面図である。
【図１７】図４に示す構造のＥＬ表示パネルにおいて、ＣＯＦの接続構造の例を示す平面図である。
【図１８】図１７の１８−１８線で切断した断面図である。
【図１９】図１７の１９−１９線で切断した断面図である。
【図２０】一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。
【図２１】図２０の２１−２１線で切断した断面図である。
【図２２】図２０に示すＣＯＦにおいて、ＥＬ表示パネルおよびプリント基板との接続部分を拡大して示す概略平面図である。
【図２３】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の配線構造の他の例を示す平面図である。
【図２４】一実施の形態におけるＥＬ表示装置の配線構造の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、一実施の形態におけるＥＬ表示装置およびそれに用いる配線基板について、図面を用いて説明する。
【００１５】
図１は一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の概略構成を示す構成図である。図１に示すように、ＥＬ表示装置は、ＥＬ表示パネル１と駆動回路を搭載した配線基板とから構成されている。ＥＬ表示パネル１は、表示領域２にＥＬ素子を有する複数個の画素をマトリックス状に配置した構成である。
【００１６】
まず、画素の構成について説明する。１個の画素１０は、Ｐチャンネルの駆動用のトランジスタ１１ａのドレイン端子に、スイッチ用のトランジスタ１１ｄのソース端子が接続され、トランジスタ１１ｄのドレイン端子にＥＬ素子１２のアノード端子が接続された構成を有している。トランジスタ１１ｂ、１１ｃ、１１ｅ、１１ｆは、画素１０に設けられた他のスイッチ用のトランジスタであり、またコンデンサ１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅは、トランジスタ１１ａ〜１１ｆのオンオフを制御するためのコンデンサである。
【００１７】
また、ＥＬ素子１２のカソード端子には、カソード電圧Ｖｓｓが印加されており、トランジスタ１１ａのソース端子には、ＥＬ表示装置のアノード電極からアノード電圧Ｖｄｄが印加されており、それらのアノード電圧Ｖｄｄとカソード電圧Ｖｓｓとは、アノード電圧Ｖｄｄ＞カソード電圧Ｖｓｓの関係になるように設定されている。
【００１８】
図１において、画素１０の発光の選択／非選択を制御する信号が供給されるゲート信号線において、ゲート信号線１７ｄ（Ｇｄ）にオン電圧が印加されると、トランジスタ１１ｄがオンし、トランジスタ１１ａからの発光電流がＥＬ素子１２に供給され、ＥＬ素子１２は、発光電流の大きさに基づき発光する。発光電流の大きさは、ソース信号線１８に印加された映像信号を、スイッチ用のトランジスタ１１ｂを通して画素１０に印加することにより決定される。
【００１９】
すなわち、トランジスタ１１ａのゲート端子とドレイン端子間には、トランジスタ１１ｂのソース端子とドレイン端子が接続され、ゲート信号線１７ｂ（Ｇｂ）にオン電圧が印加されることにより、トランジスタ１１ａのゲート端子とドレイン端子間を短絡（接続）する。トランジスタ１１ａのゲート端子には、コンデンサ１３ｂの一方の端子が接続され、コンデンサ１３ｂの他方の端子は、トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続されている。トランジスタ１１ｃのソース端子は、トランジスタ１１ｂを介してソース信号線１８と接続されており、トランジスタ１１ｃのゲート端子にゲート信号線１７ｃ（Ｇｃ）のオン電圧が印加されると、トランジスタ１１ｃがオンして、ソース信号線１８に供給された映像信号に応じて、電圧Ｖｓが画素１０に印加される。
【００２０】
また、画素１０のコンデンサ１３ａの一方の端子は、トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続され、他方の端子は、ＥＬ表示装置のアノード電極に接続され、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている。
【００２１】
トランジスタ１１ｅのドレイン端子は、トランジスタ１１ｂのドレイン端子と接続され、トランジスタ１１ｅのソース端子は、リセット電圧Ｖａが印加された信号線と接続されている。ゲート信号線１７ａ（Ｇａ）にオン電圧が印加されることにより、トランジスタ１１ｅがオンし、リセット電圧Ｖａがコンデンサ１３ａに印加される。
【００２２】
ここで、トランジスタ１１ｃ、１１ｅはＰチャンネルにし、ＬＤＤ構造を採用する。つまり、複数のトランジスタのゲートが直列に接続した構造を採用することにより、トランジスタ１１ｃ、１１ｅのオフ特性を良好にできる。トランジスタ１１ｃ、１１ｅ以外のトランジスタもＰチャンネルを採用し、ＬＤＤ構造を採用することが好ましく、必要に応じて、マルチゲート構造とすることにより、オフリークを抑制でき、良好なコントラスト、オフセットキャンセル動作を実現できる。
【００２３】
なお、コンデンサ１３ａについて、アノード電圧Ｖｄｄを印加する構成としているが、これに限定するものではなく、他の任意の直流電圧と接続してもよい。トランジスタ１１ａについても同様にアノード電圧Ｖｄｄ以外の任意の直流電圧を印加する構成としてもよい。つまり、コンデンサ１３ａと、トランジスタ１１ａのソース端子には、同じ電圧を印加するのではなく、異なる電圧を印加するようにしてもよい。例えば、トランジスタ１１ａのソース端子は、アノード電圧Ｖｄｄを印加し、コンデンサ１３ａには、直流電圧Ｖｂ（５（Ｖ））の電圧を印加する接続構成としてもよい。
【００２４】
また、ＰＷＭ駆動方式のように、画素１０を点滅あるいはデジタル的に点灯させて表示するデジタル駆動方式の場合は、トランジスタ１１ｂを通して所定の電圧値を画素１０に印加し、映像信号の階調に対応するビット数に応じて、トランジスタ１１ｄをオンオフさせて、階調表示することにより発光駆動制御を行う。また、トランジスタ１１ｄをオンオフ制御し、表示領域２に帯状の黒表示（非表示）を発生させ、表示領域２に流れる電流量を制御する。
【００２５】
次に、図１において、点線で示しているコンデンサ１３ｃ、１３ｄの作用について説明する。コンデンサ１３ｃは、ゲート信号線１７ｂとトランジスタ１１ａの間に形成され、コンデンサ１３ｄは、ゲート信号線１７ｄとトランジスタ１１ａのゲート端子の間に形成される。このコンデンサ１３ｃ、１３ｄなどを突き抜けコンデンサと呼び、また、変化させる電圧あるいは変化した電圧を、突き抜け電圧と呼ぶ。
【００２６】
図１において、ゲート信号線１７ｂにオン電圧（ＶＧＬ）が印加されている時には、トランジスタ１１ｂがオン状態であり、ソース信号線１８に印加されている映像信号が画素１０に印加される。次に、ゲート信号線１７ｂに印加される電圧が、オン電圧ＶＧＬからオフ電圧ＶＧＨに変化すると、トランジスタ１１ｂはオフする。その際、コンデンサ１３ｃの一端の電圧もＶＧＬからＶＧＨに変化し、変化に基づいた電圧がトランジスタ１１ａのゲート端子に伝達される。伝達された電圧は、トランジスタ１１ａのゲート端子電圧を上昇させる方向であり、またトランジスタ１１ａがＰチャンネルトランジスタであるため、電圧変化は、トランジスタ１１ａがＥＬ素子１２に流す電流を減少させる方向となり、良好な黒表示を実現できる。
【００２７】
このように、コンデンサ１３ｃの容量を介して駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子電圧（コンデンサ１３ｅの電位）を変化させることにより、良好な黒表示を行うことができる。
【００２８】
また、トランジスタ１１ｄがオンのときは、ゲート信号線１７ｄには、ＶＧＬ２電圧が印加され、トランジスタ１１ｄがオフのときは、ゲート信号線１７ｄには、ＶＧＨ２電圧が印加される。トランジスタ１１ｄは、オフセットキャンセル動作の時は、オフ状態であり、ＥＬ素子１２を発光させるときは、オン状態である。したがって、表示開始時に、ゲート信号線１７ｄは、ＶＧＨ２電圧→ＶＧＬ２電圧に変化する。そのため、トランジスタ１１ａのゲート端子の電圧は、突き抜けコンデンサ１３ｄの作用により低下する。トランジスタ１１ａのゲート端子の電圧が低下すると、トランジスタ１１ａは、ＥＬ素子１２に大きな電流を流すことができ、高輝度表示が可能である。
【００２９】
このように、コンデンサ１３ｄの容量を介して駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子電圧を変化させることにより、ＥＬ素子１２に流す電流の振幅を大きくして、高輝度表示が可能となる。
【００３０】
コンデンサ１３ｃの容量は、コンデンサ１３ａまたはコンデンサ１３ｂの容量の１／１２以上で１／３以下とすることが好ましい。コンデンサ１３ｃの容量比が小さすぎると、トランジスタ１１ａのゲート端子電圧の変化割合が大きくなりすぎ、オフセットキャンセルした状態の理想値からの差異が大きくなりすぎる。また、容量比が大きすぎると、トランジスタ１１ａのゲート端子電圧の変化は小さくなり、効果が得られにくい。
【００３１】
なお、駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子電圧を変化させる方法として、コンデンサ１３ｃにより直接に変化させることのみに限定されない。例えば、他のコンデンサを介して、間接的に駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子電圧を変化させてもよい。
【００３２】
次に、駆動回路を搭載した配線基板および配線構造について説明する。
【００３３】
図１において、駆動回路は、ソースドライバ回路としてのソースドライバＩＣ２０と、ゲートドライバ回路としてのゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂとを有する。それぞれのソースドライバＩＣ２０とゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂは、配線基板としてのフレキシブル基板（以下、ＣＯＦという）２２に搭載されている。
【００３４】
それぞれのＣＯＦ２２は、ＥＬ表示パネル１との接続のための接続電極２３および接続端子２４を備え、さらにＥＬ表示パネル１の表示領域２の周囲に形成されたリング状の配線パターンであるアノードリング２５とカソードリング２６それぞれに電気的に並列となるように接続される補強配線パターンであるアノード補強配線２７とカソード補強配線２８とが設けられている。アノードリング２５とカソードリング２６は、各画素１０に所定の電圧を印加するためにＥＬ表示パネル１の表示領域２の周囲に形成された配線パターンであり、ＣＯＦ２２のアノード補強配線２７とカソード補強配線２８とは、電気的に並列となるように接続端子２４において電気的に接続されている。また、一方のＣＯＦ２２の接続電極２３は、ＥＬ表示パネル１のソース信号線１８に電気的に接続され、他方のＣＯＦ２２の接続電極２３は、ＥＬ表示パネル１のゲート信号線１７ａ〜１７ｅに電気的に接続されている。
【００３５】
なお、図１に示す例では、表示領域２の周囲にアノードリング２５とカソードリング２６を形成しているが、いずれか一方の配線パターンのみを形成してもよく、また表示領域２の周囲の全周に形成しなくてもよい。ＣＯＦ２２に設ける補強配線パターンについても、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８のうちの少なくとも一方の補強配線パターンを形成してもよい。
【００３６】
ここで、アノード補強配線２７とカソード補強配線２８のシート抵抗値は、アノードリング２５とカソードリング２６のシート抵抗値に比較して、１／１．５以下となるように設定する。好ましくは、１／２以下となるように設定する。具体的には、アノードリング２５とカソードリング２６のシート抵抗が、１．５Ωであれば、アノード補強配線２７とカソード補強配線２８のシート抵抗は、１．５／１．５＝１Ω以下となるように、アノード補強配線２７とカソード補強配線２８の膜厚、配線幅を調整して形成する。
【００３７】
なお、ソースドライバＩＣ２０およびゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂは、単なるドライバ機能だけでなく、電源回路、バッファ回路（シフトレジスタなどの回路を含む）、データ変換回路、ラッチ回路、コマンドデコーダ、シフト回路、アドレス変換回路、画像メモリなどを内蔵させてもよい。
【００３８】
一実施の形態におけるＥＬ表示装置においては、ＥＬ表示パネル１の表示領域２の周囲に形成したアノードリング２５およびカソードリング２６に、ＣＯＦ２２に形成したアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を電気的に並列になるように接続している。これにより、表示領域２の周囲の配線パターンに流れる電流が補強配線パターンに分流されて流れることとなり、ＣＯＦ２２に形成する補強配線パターンは容易にシート抵抗値を低く形成することができる。この結果、表示領域２周囲の配線パターンの幅を細くすることができ、ＥＬ表示パネル１に占める表示領域２の面積を大きくすることができる。また、ＥＬ表示パネル１の配線パターンに電流が集中して溶断するということもなく、信頼性の高い電気的配線を行うことができる。
【００３９】
さらに、アノード電圧Ｖｄｄなどの電圧降下を抑制することができ、大きな映像振幅を得ることができる。よって、ソースドライバＩＣ２０の電源電圧が低くとも、電源電圧に比較して大きな映像振幅を得ることができる。結果的に電源電圧を低く設定することができ、低消費電力のドライバＩＣを使用することができので、ＥＬ表示装置の低コスト化を実現することができる。
【００４０】
また一実施の形態によれば、突き抜けコンデンサの作用により、駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子の電圧を変化させることができる。よって、駆動用のトランジスタ１１ａが流す電流を減少させることができる。これにより、使用する映像信号の振幅値を小さくして、ソースドライバＩＣ２０の低消費電力化を図ることができる。
【００４１】
なお、駆動用のトランジスタ１１ａのゲート端子を変化させる突き抜け電圧を可変するには、図１に示すＶＧＨ電圧またはＶＧＬ電圧、もしくはＶＧＨ電圧とＶＧＬ電圧の電位差を変化すればよい。例えば、点灯率に応じて、ＶＧＨ電圧、ＶＧＬ電圧を変化あるいは操作する駆動方法が例示される。また、画素１０に印加する映像信号の階調あるいは振幅に基づいて、ＶＧＨ電圧またはＶＧＬ電圧もしくは、両方の電圧を変化あるいは可変すればよい。すなわち、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８に流れる電流の大きさ、または電圧降下の大きさのうち、少なくとも一方の大きさに基づいて、ＶＧＨ電圧とＶＧＬ電圧のうち、少なくとも一方の電圧を可変すればよい。
【００４２】
なお、上記説明では、アノード電圧Ｖｄｄが印加されるアノードリング２５と、カソード電圧Ｖｓｓが印加されるカソードリング２６とを有する構成について説明したが、アノード電圧Ｖｄｄ、カソード電圧Ｖｓｓのいずれか一方が接地電位（グランド）あるいは基準電位とされている場合がある。この場合は、表示領域２の周囲に形成する配線パターンは、アノード電圧Ｖｄｄとカソード電圧Ｖｓｓのいずれか一方を供給するものでよい。
【００４３】
図２Ａ〜図２Ｄは、一実施の形態におけるＥＬ表示装置の画素の動作を説明するための動作説明図である。図２Ａ〜図２Ｄを用いて、画素１０の点灯動作についてさらに詳しく説明する。画素に映像信号を書き込む動作、ＥＬ素子１２の発光動作は、図２Ａ→図２Ｂ→図２Ｃ→図２Ｄで進行する。
【００４４】
図２Ａは初期動作の説明図である。水平同期信号（ＨＤ）後、初期化動作が実施される。図１において、ゲート信号線１７ａ、１７ｄ、１７ｅにオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｄ、１１ｅ、１１ｆがオンする。ゲート信号線１７ｂ、１７ｃにはオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｂ、１１ｃがオフする。リセット電圧Ｖａが印加された信号線から、リセット電圧Ｖａが、コンデンサ１３ａの一方の端子に供給される。
【００４５】
トランジスタ１１ａには、ソース端子の電位Ｖｄｄから、トランジスタ１１ａ、１１ｃ、１１ｆのチャンネルを介して、トランジスタ１１ｆのドレイン端子の電極に印加された直流電圧Ｖｂに向ってオフセットキャンセル電流Ｉｆが流れる。なお、電圧の大きさは、アノード電圧Ｖｄｄ＞直流電圧Ｖｂ、リセット電圧Ｖａ＞直流電圧Ｖｂなる関係としている。
【００４６】
オフセットキャンセル電流Ｉｆが流れることにより、トランジスタ１１ａのドレイン端子電位が低下する。また、リセット電圧Ｖａによりリセット電流Ｉｒが流れ、コンデンサ１３ｂの端子にＶａ電圧が印加される。
【００４７】
トランジスタ１１ａはオンし、僅かな期間の間、オフセットキャンセル電流Ｉｆを流す。オフセットキャンセル電流Ｉｆにより、少なくともトランジスタ１１ａのドレイン端子電圧はアノード電圧Ｖｄｄより降下し、動作可能状態となる。
【００４８】
図２Ｂはリセット動作である。図１において、ゲート信号線１７ｃにオン電圧が印加され、ゲート信号線１７ｄにオフ電圧が印加される。トランジスタ１１ｄがオフし、トランジスタ１１ｃがオンする。
【００４９】
トランジスタ１１ｄがオフし、トランジスタ１１ｃがオンすることにより、オフセットキャンセル電流Ｉｆが、トランジスタ１１ａのゲート端子に向かって流れる。オフセットキャンセル電流Ｉｆは、最初は比較的大きな電流が流れる。トランジスタ１１ａのゲート端子の電位が上昇し、オフ状態に近づくにつれ、流れる電流は減少する。最終的には、０（μＡ）あるいは０（μＡ）近傍の電流値となる。
【００５０】
以上の動作により、トランジスタ１１ａは、オフセットキャンセルの状態となる。オフセットキャンセル電圧は、コンデンサ１３ｂに保持される。コンデンサ１３ｂは、一方の端子がリセット電圧Ｖａに保持されている。他の端子（トランジスタ１１ａのゲート端子に接続されている端子）に、オフセットキャンセル電圧が保持される。
【００５１】
図２Ｃはプログラム動作である。プログラム動作では、図１において、ゲート信号線１７ａ、１７ｃ、１７ｄにオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｅ、１１ｃ、１１ｄがオフする。ゲート信号線１７ｂにオン電圧が印加され、トランジスタ１１ｂがオンする。
【００５２】
一方、ソース信号線１８には、映像信号電圧Ｖｓが印加される。トランジスタ１１ｂがオンすることにより、映像信号電圧Ｖｓがコンデンサ１３ｂに印加される。コンデンサ１３ｂの端子は、リセット電圧Ｖａから映像信号電圧Ｖｓに変化する。したがって、コンデンサ１３ｂには、映像信号電圧Ｖｓ＋オフセットキャンセル電圧に基づいた電圧が保持されることになる。
【００５３】
なお、映像信号電圧Ｖｓは、アノード電圧Ｖｄｄを基準とした電圧である。アノード電圧Ｖｄｄは、パネル内の配線電圧降下により、パネル内で異なる。したがって、映像信号電圧Ｖｓも画素に印加されるアノード電圧Ｖｄｄに基づいて、可変あるいは変化させる。
【００５４】
図２ＤはＥＬ素子１２の発光動作である。図２Ｃのプログラム動作後、図１において、ゲート信号線１７ｂにはオフ電圧が印加され、トランジスタ１１ｂはオフ状態となる。画素１０はソース信号線１８から切り離される。ゲート信号線１７ｄには、オン電圧が印加され、トランジスタ１１ｄがオンし、トランジスタ１１ａからの発光電流Ｉｅが、ＥＬ素子１２に供給される。ＥＬ素子１２は、供給される発光電流Ｉｅに基づいて発光する。
【００５５】
なお、図１、図２Ａ〜図２Ｄにおいて、トランジスタ１１ｆを削除してもよい。トランジスタ１１ｆがない画素構成では、図２Ａにおいて、トランジスタ１１ｄがオンしたとき、オフセットキャンセル電流Ｉｆは、ＥＬ素子１２に流れる。オフセットキャンセル電流ＩｆがＥＬ素子１２に流れることにより、ＥＬ素子１２が発光するが、オフセットキャンセル電流Ｉｆが流れる時間は、１μｓｅｃ以下であるので、ＥＬ素子１２が発光する時間はわずかである。したがって、本実施の形態におけるＥＬ表示装置（ＥＬ表示パネル）のコントラスト低下は、ほとんど発生しない。
【００５６】
ソースドライバ回路としてのソースドライバＩＣ２０は、単なるドライバ機能だけでなく、電源回路、バッファ回路（シフトレジスタなどの回路を含む）、データ変換回路、ラッチ回路、コマンドデコーダ、シフト回路、アドレス変換回路、画像メモリなどを内蔵させてもよい。
【００５７】
図３は一実施の形態におけるＥＬ表示パネルの一例を示す断面図である。図３に示すように、ＥＬ表示パネルの背面側には封止板３０が配置されるとともに、表示面側にはアレイ基板３１が配置され、そしてアレイ基板３１の表示面には偏光板３２が配置されている。このアレイ基板３１の構成材料としては、光透過性を有するガラス基板、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板、プラスチックシートなどや放熱性を良好にするためにサファイアガラスなどが用いられる。封止板３０の構成材料としては、アレイ基板３１と同様な材料が用いられる。なお、封止板３０とアレイ基板３１との空間には、湿度に弱いＥＬ材料の劣化を防止するために乾燥剤（図示せず）が配置されている。前記封止板３０とアレイ基板３１とは、周辺部を封止樹脂（図示せず）により封止されている。
【００５８】
また、封止板３０とアレイ基板３１との間の空間、あるいは封止板３０の表面などには、温度センサ（図示せず）が配置されており、この温度センサの出力結果により、ＥＬ表示パネルのデューティ比制御や点灯率制御などを実施する。さらに、パネル検査時、温度センサの検出出力に基づいて、ゲートドライバ回路の動作速度を調整するようにしている。
【００５９】
まず、薄膜トランジスタアレイ基板側について説明すると、図３において、アレイ基板３１内面には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）からなるカラーフィルター３３（３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂ）が形成されている。なお、カラーフィルターは、ＲＧＢに限定されものではない、シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）色の画素を形成してもよい。また、白（Ｗ）の画素を形成してもよい。カラー表示を行うための１つの画素は、ＲＧＢの３画素で正方形の形状となるように作製されている。なお、Ｒ、Ｇ、Ｂの画素開口率は、異ならせてもよい。開口率を異ならせることにより、各画素のＲＧＢのＥＬ素子１２に流れる電流密度を異ならせることができ、これにより、ＲＧＢのＥＬ素子１２の劣化速度を同一にすることができる。
【００６０】
ＥＬ表示パネル１において、カラー表示を行う方法としては、上記のようにカラーフィルター３３を用いる以外に、青色発光のＥＬ層を形成し、発光する青色光を、Ｒ、Ｇ、Ｂの色変換層でＲ、Ｇ、Ｂ光に変換してもよい。
【００６１】
また、アレイ基板３１上に形成される各画素は、図１に示すように、複数個のトランジスタ１１を有しており、そして画素間にはゲート信号線１７が配置されている。そして、カラーフィルター３３上には、トランジスタ１１やゲート信号線１７およびソース信号線（図示せず）を覆うように層間絶縁膜としての絶縁膜３４が形成され、さらにカラーフィルター３３間にはブラックマトリクス３５が形成されるとともに、トランジスタ１１を形成している部分には遮光膜３６が形成されている。また、絶縁膜３４内には、アレイ基板３１側のトランジスタ１１と発光部側の画素電極を接続するための接続部３７が配置されている。さらに、絶縁膜３４上には、光散乱層３８が形成されている。この光散乱層３８は、樹脂材料に、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムなどを拡散させたものや、オパールガラスなどの光拡散物で構成すればよい。光散乱層３８は、パネル内から放射される光を増加させることに寄与する。
【００６２】
次に、発光部側について説明すると、図３において、絶縁膜３４上には、各画素間を仕切るようにリブ３９が形成され、そのリブ３９内に、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯなどの透明電極からなるアノード電極４０と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のＥＬ層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂが形成されている。そして、ＥＬ層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂ上には、アノード電極４０とでＥＬ層４１Ｒ、４１Ｇ、４１Ｂを挟むようにカソード電極４２が形成されている。
【００６３】
このカソード電極４２としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）あるいはこれらの合金や、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、ＩＺＯなどの透明電極を用いることができる。
【００６４】
ここで、図３に示す例は、アレイ基板３１側から光を取り出す構成の例であるが、図４に示すように、発光部側から光を取り出す構成のＥＬ表示パネルを用いてもよい。
【００６５】
図４に示す例のパネルにおいては、カソード電極４２の上層あるいは下層に、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の中から選ばれる金属の積層構造や複数の金属材料の合金金属薄膜からなる低抵抗化配線４３を形成している。そして、この低抵抗化配線４３を含め、カソード電極４２を封止膜４４で覆った後、ガラス基板や光透過性のフィルムからなる封止基板４５を接着層４６により接着した構成としている。
【００６６】
図５は他の実施の形態におけるＥＬ表示装置の配線構造を示す平面図である。図１と同一部分については同一番号を付している。
【００６７】
図５に示すように、ＥＬ表示パネル１の３辺の周縁部には、複数個のＣＯＦ２２が電気的に接続されて配置されている。ソースドライバ回路側のＣＯＦ２２には、ソース信号線１８に接続されるソースドライバＩＣ２０が搭載され、ゲートドライバ回路側のＣＯＦ２２には、ゲート信号線１７ａ〜１７ｅ（以下の説明ではまとめてゲート信号線１７と呼ぶ）に接続されるゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂが搭載されている。また、ソースドライバ回路側のＣＯＦ２２は、ソースドライバＩＣ２０を駆動制御するための駆動回路が構成されたプリント基板２９ａに接続され、ゲートドライバ回路側のＣＯＦ２２は、ゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂを駆動制御するための駆動回路が構成されたプリント基板２９ｂに接続されている。ＣＯＦ２２の電気的接続には、異方導電性接着材が用いられる。
【００６８】
また、ＥＬ表示パネル１の１辺の周縁部には、補強配線パターンであるアノード補強配線２７とカソード補強配線２８のみが設けられた配線基板としてのＣＯＦ２２１が配置されている。このＣＯＦ２２１の補強配線パターンも、画素１０に電圧を供給するための配線パターンであるアノードリング２５とカソードリング２６それぞれに接続端子を介して電気的に並列となるように接続されている。
【００６９】
また、ソースドライバＩＣ２０は、映像信号を出力し、ソース信号線１８に入力され、各画素に印加される。一方、ゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂは、選択／非選択電圧（オン／オフ電圧）を出力し、ゲート信号線１７に入力され、各画素に印加される。
【００７０】
図６は、図５に示すＥＬ表示装置において、ＣＯＦとＥＬ表示パネルとの接続構造の要部を示す平面図である。図６に示すように、ＥＬ表示パネル１のアノードリング２５とカソードリング２６において、ＣＯＦ２２の接続端子２４が電気的に接続される部分には、ＣＯＦ接続端子２５ａ、２６ａが形成されている。このＣＯＦ接続端子２５ａ、２６ａとＣＯＦ２２の接続端子２４とが異方導電性接着材を介して電気的かつ機械的に接続される。
【００７１】
図７は一実施の形態におけるＥＬ表示装置のＥＬ表示パネルにおいて、カソード電極とカソードリングとの接続構造およびＣＯＦ接続端子部分を拡大して示す概略平面図である。
【００７２】
図７に示すように、表示領域２の周辺部には、カソードリング２６が形成され、カソードリング２６には、ＣＯＦ接続端子２６ａが形成されている。図示していないが、ゲート信号線１７とカソードリング２６とは、絶縁膜３４で絶縁されている。ＣＯＦ接続端子２６ａに、ＣＯＦ２２の接続部３７が電気的かつ機械的に接続される。
【００７３】
なお、図７に示す幅広のＣＯＦ接続端子２６ａを設けてもよいが、図８に示すように、複数に分離した細幅のＣＯＦ接続端子２６ａを設けてもよい。
【００７４】
図９はアノードリングとカソードリングの両方を形成した場合の例を示す概略平面図である。表示領域２の周囲に、アノード電圧Ｖｄｄが印加されているアノードリング２５と、カソードリング２６が形成されている。
【００７５】
アノードリング２５、カソードリング２６には、上述したようにＣＯＦ接続端子２５ａ、２６ａが形成され、ＣＯＦ２２の接続端子２４に異方導電性接着材を介して接続される。
【００７６】
図１０は一実施の形態に使用するＣＯＦの一例を示す平面図である。なお、図１０においては、ソースドライバ回路側のＣＯＦ２２を例に説明するが、ゲートドライバ回路側のＣＯＦ２２も同様な構成としている。
【００７７】
図１０に示すように、ＣＯＦ２２には、ソースドライバＩＣ２０が実装されている。ソースドライバＩＣ２０の入力側は、ＣＯＦ２２の入力信号配線２２ａを介して入力端子２２ｂに接続されている。ソースドライバＩＣ２０の出力側は、ＣＯＦ２２の出力信号配線２２ｃを介して接続電極２３に接続されている。
【００７８】
ＣＯＦ２２は、ポリイミドフィルムなどの耐熱性、絶縁性を有する絶縁フィルム２２ａ間に、銅箔からなる導体パターンを形成し、導体パターン上に金やスズからなるメッキ層を形成することにより、入力信号配線２２ｂ、出力信号配線２２ｃを形成した構成である。なお、入力端子２２ｄ側は、ＣＯＦ２２の作製時、入力端子２２ｄとともに短絡パターン２２ｅを形成し、その後、図１０のＡ−Ａ線で切断される。接続電極２３側も同様な方法で形成されている。
【００７９】
一方、出力側の接続端子２４およびアノード補強配線２７とカソード補強配線２８は、銅箔により形成され、接続電極２３とアノード補強配線２７とカソード補強配線２８との間には、接続電極２３とアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８とが接触しないように、図１０のＢ−Ｂ線に沿って打ち抜き加工により溝が形成されている。
【００８０】
図１１は一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。この図１１に示す例においては、接続電極２３と接続端子２４との間の間隔Ｄを広げたものである。
【００８１】
ＣＯＦ２２に設けるアノード補強配線２７とカソード補強配線２８は、アノードリング２５とカソードリング２６の抵抗値を低減させる目的で配置するものである。アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８は、アノードリング２５およびカソードリング２６に対して切れ目なく配置されるのが望ましい。図１１に示すような構成とすることにより、複数のＣＯＦ２２において、アノードリング２５およびカソードリング２６との接続間隔が狭くなるので、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８は、アノードリング２５およびカソードリング２６に対して切れ目なく配置できることとなる。
【００８２】
図１２は、一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図、図１３は図１２の１３−１３線で切断した断面図である。この図１２、図１３に示す例においては、接続電極２３を形成した面に接続端子２４のみ形成し、接続端子２４とは反対側の面に、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を形成したものである。そして、接続端子２４と、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８とは、スルーホール２４ａを介して電気的に接続したものである。
【００８３】
なお、図１２、図１３に示す例では、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８は、接続端子２４を形成した側とは反対側の面にのみ形成したが、両面にアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を形成し、接続端子２４に設けたスルーホール２４ａを介して電気的に接続してもよい。
【００８４】
図１４は一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。上述の実施の形態においては、ＣＯＦ２２にアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８のいずれか一方を形成する例を示したが、この図１４に示す例においては、ＣＯＦ２２にアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を形成したものである。
【００８５】
この図１４に示す例においては、ＣＯＦ２２の作製時は、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８とは短絡部２２ｆにより電気的に接続された状態で作製する。その後、図１０において説明したように、接続電極２３とカソード補強配線２８とが接触しないように、図１４のＢ−Ｂ線に沿って打ち抜き加工により溝を形成するとともに、図１４のＣ−Ｃ線に沿って打ち抜き加工により溝を形成し、短絡部２２ｆを除去することにより作製されている。
【００８６】
図１５は一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す平面図である。この図１５に示す例においては、図１４に示す例のＣＯＦ２２において、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８に、接続端子２４からＣＯＦ２２の入力側に延長させた延長配線部２７ａ、２８ａを設けるとともに、ＣＯＦ２２の入力端子２２ｂに並設させた接続部２７ｂ、２８ｂを設け、プリント基板２９ａ（２９ｂ）に接続するように構成したものである。
【００８７】
この図１５に示す例によれば、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８の延長配線部２７ａ、２８ａを通して、プリント基板２９ａ（２９ｂ）の電源配線からアノード電圧Ｖｄｄ、カソード電圧Ｖｓｓを供給することができる。
【００８８】
図１６は図１０に示すＣＯＦにおいて、ＥＬ表示パネルおよびプリント基板との接続部分を拡大して示す概略平面図である。
【００８９】
図１６に示すように、ＥＬ表示パネル１の表示領域２の周辺部には、アノードリング２５およびカソードリング２６が形成されている。そして、アノードリング２５にはＣＯＦ接続端子２５ａが形成され、カソードリング２６にはＣＯＦ接続端子２６ａが形成されている。このＣＯＦ接続端子２５ａ、２６ａにＣＯＦ２２の接続端子２４が異方導電性接着材を介して電気的かつ機械的に接続され、これによりアノードリング２５およびカソードリング２６に、ＣＯＦ２２に形成したアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８が電気的に並列になるように接続されている。図１６の矢印は、電流経路を示している。
【００９０】
上述したように、アノードリング２５、カソードリング２６は、蒸着工法で形成されるため、抵抗値が高いが、アノード補強配線２７、カソード補強配線２８は、十分な厚みの銅箔をパターンニングして形成することから抵抗値を低く形成することができる。したがって、ＣＯＦ２２にアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を形成し、アノードリング２５およびカソードリング２６に対して、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を電気的に並列に接続することにより、等価回路としては配線抵抗を低くすることができる。
【００９１】
なお、図１６に示す例では、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８の両端部にのみ接続端子２４を形成しているが、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８の中間部部にも接続端子２４を形成し、アノードリング２５、カソードリング２６に電気的に接続するように構成してもよい。
【００９２】
また、図１０に示す例で説明したように、ＣＯＦ２２において、接続電極２３を形成する部分と、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８を形成する部分との間には、打ち抜き加工による溝が形成され、この溝により電気的に分離されている。したがって、接続電極２３と接続端子２４とは直線状に配置することが可能で、一度にＥＬ表示パネル１との接続作業を行うことができる。なお、ＣＯＦ２２に設ける溝としては、０．２ｍｍ以上の幅を有することが好ましい。
【００９３】
図１７〜図１９は図４に示す構造のＥＬ表示パネルの場合のＣＯＦの接続構造の例を示す図である。すなわち、アレイ基板３１に、所定の厚みを有するカラーフィルターが形成された封止基板４５が配置されたパネルにおける接続構造を示す例である。図１８は図１７の１８−１８線で切断した断面図、図１９は図１７の１９−１９線で切断した断面図である。図１７において、２２ｇはＣＯＦ２２に設けられた溝であり、図１０のＢ−Ｂ線に沿って打ち抜き加工することにより形成されたものである。
【００９４】
図１７、図１８、図１９に示すように、ＣＯＦ２２は、接続端子２４部分においてＣＯＦ接続端子２５ａ、２６ａに異方導電性接着材５０を介して電気的かつ機械的に接続され、接続電極２３部分においてゲート信号線１７に異方導電性接着材５０を介して電気的かつ機械的に接続されている。
【００９５】
ＣＯＦ２２において、接続端子２４間のアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８が形成されている部分は、溝２２ｇが形成されている。これにより、図１９に示すように、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８が折り曲がるので、溝２２ｇが形成された部分には、シリコン樹脂からなる保護樹脂５１を塗布し、溝２２ｇの部分を保護するように構成している。
【００９６】
図２０、図２１は一実施の形態に使用するＣＯＦの他の例を示す図であり、図２０は平面図、図２１は図２０の２１−２１線で切断した断面図である。
【００９７】
この図２０、図２１に示す例においては、図１０に示す例のＣＯＦ２２において、図１５に示すように、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８に、接続端子２４からＣＯＦ２２の入力側に延長させた延長配線部２７ａ（２８ａ）を設けている。そして、ソースドライバＩＣ２０の実装箇所に、遮蔽電極２２ｈを形成し、その遮蔽電極２２ｈをアノード補強配線２７およびカソード補強配線２８の延長配線部２７ａ（２８ａ）にスルーホール５２を介して電気的に接続したものである。なお、図２１において、５３はソースドライバＩＣ２０の端子電極である。
【００９８】
このようにソースドライバＩＣ２０の裏面に遮蔽電極２２ｈを形成することにより、ノイズを抑制することができる。なお、ここではソースドライバＩＣ２０側に遮蔽電極２２ｈを形成する例を示したが、勿論ゲートドライバＩＣ２１ａ、２１ｂが搭載されるＣＯＦ２２についても同様な構成をとることにより、ノイズの抑制の効果が得られる。また、遮蔽電極２２ｈの材質として、熱伝導性に優れた材料を用いることにより、ドライバＩＣから発生する熱を効果的に放熱することもできる。
【００９９】
図２２は図２０に示すＣＯＦにおいて、ＥＬ表示パネルおよびプリント基板との接続部分を拡大して示す概略平面図である。
【０１００】
以上のように一実施の形態に用いるＣＯＦの実施の形態について説明したが、図５に示すＥＬ表示装置の配線構造の他の例として、図２３、図２４に示す構成を用いてもよい。
【０１０１】
図２３に示す例は、１本のゲート信号線１７の一端にゲートドライバＩＣ２１ａを接続し、他端にゲートドライバＩＣ２１ｂを接続してものである。また、アノード補強配線２７、カソード補強配線２８のみが設けられた配線基板としてのＣＯＦ２２１に、アノード電圧Ｖｄｄ、カソード電圧Ｖｓｓを印加する電圧供給基板５３を接続したものである。
【０１０２】
さらに、図２４に示す例は、ソース信号線またはゲート信号線に接続されるＣＯＦ２２とは別に、ＥＬ表示パネル１の４辺の周縁部に、アノード補強配線２７およびカソード補強配線２８のみが設けられた配線基板としてのＣＯＦ２２１を別途配置した例である。このＣＯＦ２２１の補強配線パターンも、画素１０に電圧を供給するための配線パターンであるアノードリング２５およびカソードリング２６に電気的に並列となるように接続されている。
【０１０３】
以上説明したように一実施の形態におけるＥＬ表示装置においては、ＥＬ表示パネル１の表示領域２の周囲に形成したアノードリング２５、カソードリング２６の少なくとも一方に、ＣＯＦ２２、２２１に形成したアノード補強配線２７、カソード補強配線２８の少なくとも一方を電気的に並列になるように接続している。これにより、表示領域２の周囲の配線パターンに流れる電流が補強配線パターンに分流されて流れることになる。よって、ＣＯＦ２２、２２１に形成する補強配線パターンは容易にシート抵抗値を低く形成することができる。この結果、表示領域２周囲の配線パターンの幅を細くすることができ、ＥＬ表示パネルに占める表示領域２の面積を大きくすることができる。また、ＥＬ表示パネル１の配線パターンに電流が集中して溶断するということもなく、信頼性の高い電気的配線を行うことができる。
【０１０４】
本開示は、表示装置を備えた様々な電子機器、例えばビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末に適用可能で、これらの電子機器の性能向上に寄与することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
以上のように本開示は、ＥＬ表示装置の性能を向上させる上で有用である。
【符号の説明】
【０１０６】
１    ＥＬ表示パネル
２    表示領域
１０    画素
１１，１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ    トランジスタ
１２    ＥＬ素子
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ    コンデンサ
１７，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ    ゲート信号線
１８    ソース信号線
２０    ソースドライバＩＣ
２１ａ，２１ｂ    ゲートドライバＩＣ
２２，２２１    ＣＯＦ
２３    接続電極
２４    接続端子
２５    アノードリング
２５ａ    ＣＯＦ接続端子
２６    カソードリング
２６ａ    ＣＯＦ接続端子
２７    アノード補強配線
２８    カソード補強配線
２９ａ，２９ｂ    プリント基板
【図１】
0005899535.tif 000002
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
0005899535.tif 000006
【図３】
0005899535.tif 000007
【図４】
0005899535.tif 000008
【図５】
0005899535.tif 000009
【図６】
0005899535.tif 000010
【図７】
0005899535.tif 000011
【図８】
0005899535.tif 000012
【図９】
0005899535.tif 000013
【図１０】
0005899535.tif 000014
【図１１】
0005899535.tif 000015
【図１２】
0005899535.tif 000016
【図１３】
0005899535.tif 000017
【図１４】
0005899535.tif 000018
【図１５】
0005899535.tif 000019
【図１６】
0005899535.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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