(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する基板上に配置されたマスク部材の１つの開口部につき複数のはんだボールを供給するはんだボール供給方法であって、
前記基板の上方に設けられたホッパーから前記電極上に形成される前記開口部に粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、
前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填する第２の工程と
を有するはんだボール供給方法。
【請求項２】
前記電極の一辺または直径が１０〜３０μｍからなる
請求項１に記載のはんだボール供給方法。
【請求項３】
前記第１の工程または前記第２の工程の少なくとも一工程において、前記基板を振動させる
請求項１または２に記載のはんだボール供給方法。
【請求項４】
前記第１および第２の工程において、少なくとも前記マスク部材に振り落とされる複数の前記はんだボールの静電気を除去する
請求項１に記載のはんだボール供給方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記マスク部材に振り落とされた複数の前記はんだボールを前記スキージを用いて前記マスク部材上から除去する
請求項１または２に記載のはんだボール供給方法。
【請求項６】
電極を有する基板上に配置されたマスク部材の１つの開口部につき複数のはんだボールを供給するはんだボール供給装置であって、
前記基板の上方に設けられ、前記電極上に形成される前記開口部に粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落すホッパーと、
前記マスク部材の平面方向に移動することで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填するスキージと
を備えるはんだボール供給装置。
【請求項７】
前記電極の一辺または直径が１０〜３０μｍからなる
請求項６に記載のはんだボール供給装置。
【請求項８】
少なくとも複数の前記はんだボールの静電気を除去するイオナイザーを備える
請求項６に記載のはんだボール供給装置。
【請求項９】
電極を有する基板上に配置されたマスク部材の前記電極上に形成される１つの開口部につき前記基板の上方に設けられたホッパーから粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、
前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填する第２の工程と、
有機酸ガスを用いて前記開口部に充填された複数の前記はんだボールを溶融することにより前記電極上にはんだバンプを形成する第３の工程と
を有するはんだバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記電極の一辺または直径が１０〜３０μｍからなる
請求項９に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１１】
少なくとも複数の前記はんだボールの静電気を除去する工程を有する
請求項９に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１２】
前記第３の工程が終了した後に、前記基板上に配置された前記マスク部材を除去する第４の工程を有する
請求項９に記載のはんだバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される電子部品の電極も狭ピッチ化している。例えば、電極間のピッチは１００μｍ以下となっている。このような微細ピッチの電極上にはんだバンプを形成する方法として、めっき法やはんだボール搭載法（例えば特許文献１参照）、ソルダーペースト印刷法が知られているが、生産効率の有利性から、一般的にはソルダーペースト印刷法が広く利用されている。【０００３】
ソルダーペースト印刷法では、まず、はんだ粉末とフラックスとを主成分とするはんだペーストを印刷する部分に開口部を有するマスク部材を基板上に配置し、スキージを用いてはんだペーストをマスク部材の開口部に充填させる。その後、開口部に充填されたはんだペーストを加熱、溶融させることにより電極上にはんだバンプを形成している。【０００４】
上記ソルダーペースト印刷法では、ソルダーペーストのリフロー後、はんだや基板の表面にフラックス残渣が残るので、フラックス残渣を洗浄除去するための洗浄工程を行う必要がある。ところが、上記洗浄工程では、有機溶剤等による処理が必要となるので、環境への影響を増大させる原因になっている。そのため、フラックス残渣の洗浄を行う必要がないフラックスレスのはんだバンプの形成方法が望まれている。【０００５】
フラックスレスのはんだバンプの形成方法として、特許文献２には、はんだ粉末のみを用い、真空下で還元性遊離基ガスを照射しながら、基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだ粉末をスキージを移動させて充填し、続けてはんだ粉末を溶融させることではんだバンプを形成する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４９４０９号公報
【特許文献２】特許第４４５８８３５号
【発明の概要】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の記載されるはんだバンプの形成方法では以下のような問題がある。すなわち、特許文献１のはんだバンプ形成方法のように、一般的にスキージを水平方向に移動させてはんだ粉末をマスク部材の開口部に充填させる方法では、はんだ粉末を円滑かつ効率的に開口部に充填させることが難しいという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フラックスレスでかつ微細ピッチの電極にも対応可能なはんだボール供給方法、はんだボール供給装置、はんだバンプ形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るはんだボール供給方法は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の１つの開口部につき複数のはんだボールを供給するはんだボール供給方法であって、前記基板の上方に設けられたホッパーから前記電極上に形成される前記開口部に粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填する第２の工程とを有するものである。
本発明において、電極の一辺または直径は１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００１０】
また本発明に係るはんだボール供給装置は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の１つの開口部につき複数のはんだボールを供給するはんだボール供給装置であって、前記基板の上方に設けられ、前記電極上に形成される前記開口部に粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落すホッパーと、前記マスク部材の平面方向に移動することで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填するスキージとを備えるものである。
本発明において、電極の一辺または直径は１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００１１】
また本発明に係るはんだバンプ形成方法は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の前記電極上に形成される１つの開口部につき前記基板の上方に設けられたホッパーから粒径が１〜１０μｍの複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に押し込んで充填する第２の工程と、有機酸ガスを用いて前記開口部に充填された複数の前記はんだボールを溶融することにより前記電極上にはんだバンプを形成する第３の工程とを有するものである。
本発明において、電極の一辺または直径は１０〜３０μｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ホッパーからはんだボールを開口部に振り落とし、その後スキージにより振り落としたはんだボールを開口部に充填するので、電極の直径が微細化した場合でも効率的かつ円滑にはんだボールを開口部に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係るはんだボール供給装置の構成例を示す図である。
【図２】はんだ振込部の構成例を示す図である。
【図３Ａ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｂ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｃ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｄ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｅ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｆ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｇ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図３Ｈ】はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。
【図４Ａ】粒径が２μｍのはんだボールを開口部に充填したときの状態を示す図である。
【図４Ｂ】開口部に充填した粒径が２μｍのはんだボールをリフローした後に得られるはんだバンプの状態を示す図である。
【図５Ａ】粒径が３μｍのはんだボールを開口部に充填したときの状態を示す図である。
【図５Ｂ】開口部に充填した粒径が３μｍのはんだボールをリフローした後に得られるはんだバンプの状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は、説明の都合上拡張されており、実際の比率と異なる場合がある。
【００１５】
［はんだボール供給装置の構成例］
まず、本発明に係るはんだボール供給装置１００の構成例について説明する。図１は、はんだボール供給装置１００の構成の一例を示している。図２は、はんだボール供給装置１００を構成するはんだ振込部２０の構成の一例を示している。なお、図１において、紙面の水平方向をＸ方向とし、紙面の垂直方向をＺ方向とし、Ｘ方向およびＺ方向に直交する方向をＹ方向としている。
【００１６】
はんだボール供給装置１００は、図１に示すように、装置全体の動作を制御する制御装置５０と、基台１０と、基台１０の基板載置面側を覆うケース１２とを備えている。制御装置５０は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)やＲＯＭ(Read Only Memory)を有し、ＲＯＭに格納されるプログラムを起動して各部を制御することにより後述するはんだボール供給の各工程やはんだバンプ形成の各工程を実行する。
【００１７】
ケース１２の内部には、ステージ１４と、はんだ振込部２０と、はんだ充填部３０と、イオナイザー４０とがそれぞれ設けられている。ステージ１４は、レジスト７４が配置された基板７０を載置する。ステージ１４には、振動装置６０が取り付けられている。振動装置６０は、ホッパー２２によるはんだボールＳBLの振り落とし時やスキージ３２によるはんだボールＳBLの充填時に制御装置５０の制御に基づいて駆動してステージ１４を振動させる。振動方向は、例えばＸ−Ｙ平面に振動させても良い。これにより、開口部７６内のはんだボールＳBLを密に充填することができ、その結果、はんだボールＳBLの充填率を高くすることができる。
【００１８】
図２に示すように、はんだ振込部２０は、ホッパー２２と、あみ２４と、超音波発信機２６と、移動機構２８（図１参照）とを有している。ホッパー２２は、基板７０の上方に設けられた円錐台形状の筒体であって、面積の小さい面側が下方に向くようにして移動機構２８に取り付けられている。移動機構２８は、例えばＸ−Ｙ−Ｚステージから構成され、制御装置５０の制御により図示しないモーターが駆動することでホッパー２２をＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能とする。
【００１９】
ホッパー２２の内部には、複数のはんだボールＳBLが収容される。はんだボールＳBLをホッパー２２内に供給する方法としては、図示しない供給装置を用いて自動的に所定量のはんだボールＳBLを供給するようにしても良いし、ユーザーが手動ではんだボールＳBLを供給するようにしても良い。
【００２０】
本例で使用するはんだボールＳBLとしては、粒径が例えば１〜１０μｍであり、金属組成がＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。具体的には、３.０Ａｇ−０.５Ｃｕ−残Ｓｎの鉛フリーはんだを好適に用いることができる。なお、はんだボールＳBLは、上記以外にも、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ−Ｂｉ系またはＳｎ−Ｚｎ−Ａｌ系等の鉛フリーはんだを用いても良いし、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系の鉛含有はんだを用いても良い。本発明に使用されるはんだ組成は前記はんだ組成に限定はされることはない。
【００２１】
あみ２４は、ホッパー２２の下端部に取り付けられ、格子状の微細な開口部を有している。開口部の径は、使用するはんだボールＳBLの粒径と等しいか、または若干大きくなるように選定される。あみ２４は、ホッパー２２に対して着脱可能に構成することができる。これにより、使用するはんだボールＳBLの粒径に応じて網２４を適宜交換することができる。ホッパー２２先端の振出部２３の形状は、本例の場合は円形である。
【００２２】
超音波発信機２６は、ホッパー２２の例えば側面部に取り付けられ、制御装置５０の制御に基づいて例えば２０〜４０ｋＨｚの周波数でホッパー２２を振動させる。これにより、ホッパー２２内に収容されている複数のはんだボールＳBLを均一かつ一様にレジスト７４上に振り落とすことができる。また、あみ２４の開口部の径は、使用するはんだボールＳBLの球形と等しいかまたは若干大きくなっているので、超音波発信機２６のＯＮ・ＯＦＦによってシャッターとして機能させることもできる。
【００２３】
図１に戻り、はんだ充填部３０は、スキージ３２と、固定部３４と、移動機構３６とを有している。スキージ３２は、例えばウレタンからなり、固定部３４を介して移動機構に３６に取り付けられている。移動機構３６は、例えばＸ−Ｙ−Ｚステージであり、制御装置５０の制御により図示しないモーターが駆動することでスキージ３２をＸ−Ｙ−Ｚ方向に移動可能とする。
【００２４】
イオナイザー４０は、ステージ１４に載置される基板７０の一方の端部側であって、レジスト７４上面や開口部７６に振り落とされるはんだボールＳBLおよび基板７０に対して吹出口が向くように設置されている。イオナイザー４０は、制御装置５０の制御により作動してプラスイオンおよびマイナスイオンをはんだボールＳBLおよび基板７０に吹き付ける。プラスイオン等は、はんだボールＳBLがレジスト７４上に振り落とされる前に吹き付けるようにしても良い。これにより、はんだボールＳBLおよび基板７０の電荷の偏りを中和することではんだボールＳBLおよび基板７０の静電気を除電し、はんだボールＳBLの開口部７６への充填中にはんだボールＳBL同士が凝集し、開口部７６に充填し難くなることを防止できる。なお、イオナイザー４０は、スイングさせる構成とすることもできる。
【００２５】
［はんだバンプの形成方法例（はんだボールの供給方法例）］
次に、本発明に係るはんだバンプＳBPの形成方法の一例について図１〜図３Ｈを参照して説明する。図３Ａ〜図３Ｈは、はんだバンプＳBPを形成する工程の一例を示している。このうち、図３Ａ〜図３Ｅは、はんだボールＳBLをレジスト７４の開口部７６に供給する工程の一例を示している。なお、本例では、基板７０上には１０〜３０μｍの直径からなる複数の電極７２が形成され、電極７２，７２間のピッチは２０〜６０μｍに選定されているものとする。
【００２６】
図３Ａに示すように、まず、基板７０の電極７２に対応した位置に開口部７６を有するレジスト７４が配置された基板７０を用意する。レジスト７４のパターニングには、例えば公知のフォトリソグラフィの技術を用いることができる。具体的には、基板７０上にレジスト７４を塗布し、塗布したレジスト７４にフォトマスクを介して光を照射することで開口部７６のパターンを転写する。続けて、露光部のレジスト７４を除去することでレジスト７４の電極７２上に開口部７６を形成する。レジスト７４は、ポジ型を用いた例を説明したが、ネガ型を用いても良い。
【００２７】
レジスト７４の厚みは、後述するように、目標とするはんだバンプＳBPの厚みの約２倍とすることが好ましい。これは、レジスト７４の開口部７６に充填した複数のはんだボールＳBLを溶融すると、充填時における複数のはんだボールＳBLの高さの約１／２となるからである。なお、レジスト７４には、後述するリフロー装置２００での温度に耐性があって、かつ、基板７０から特定の溶剤によって剥離することが可能な材料が一般的に用いられる。
【００２８】
次に、図３Ｂに示すように、ホッパー２２から複数のはんだボールＳBLをレジスト７４の開口部７６に振り落して充填する。制御装置５０は、超音波発信機２６を駆動して例えば２０〜４０ｋＨｚの周波数でホッパー２２を振動させることであみ２４から複数のはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とす。また制御装置５０は、移動機構２８を駆動してホッパー２２を基板平面方向（Ｘ−Ｙ方向）に移動させてレジスト７４の全面にはんだボールＳBLを一様に振り落とす。このとき、制御装置５０は、イオナイザー４０を駆動してプラス・マイナスイオンを落下中のはんだボールＳBLやレジスト７４上に振り落されたはんだボールＳBLに対して吹き付けることで除電を行う。このとき制御装置５０は、振動装置６０を駆動してステージ１４を振動させるようにしても良い。なお、本例では、充填工程を大気圧下で行ったが真空下等で行っても良い。
【００２９】
これらにより、図３Ｃに示すように、複数のはんだボールＳBLの凝集を防止しつつ全ての開口部７６に対して均一かつ高密度にはんだボールＳBLを充填することができる。このとき、複数のはんだボールＳBLは、開口部７６以外のレジスト７４の上面にも振り落とされて堆積する。なお、超音波発信機２６の周波数やホッパー２２の移動速度、イオナイザー４０からのイオンの吹出量を適宜調整することで、はんだボールＳBLの開口部７６への充填を高精度に制御することができる。
【００３０】
次に、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、イオナイザー４０を駆動させながらスキージ３２をレジスト７４上面のＸ−Ｙ方向にスライド移動させることにより開口部７６以外に振り落とされたはんだボールＳBLをレジスト７４上面からかきとって除去する。また、スキージ３２を開口部７６の上方を通過させることで、開口部７６の内部やその周辺部のはんだボールＳBLをスキージ３２によって開口部７６に押し込む。これにより、開口部７６内のはんだボールＳBLの密度を高くすることができる。このように、スキージ３２は、余分なはんだボールＳBLを取り除く機能の他に、はんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率を高くする機能も有している。またイオナイザー４０によるプラスイオン等の吹き付けにより、はんだボールＳBLの凝集を防止し、開口部７６への充填と余分なはんだボールＳBLの除去をスムーズに行うことができる。
【００３１】
次に、はんだボールＳBLの開口部７６への充填が終了したらはんだボール供給装置１００から基板７０を取り出し、図３Ｆに示すように、取り出した基板７０をリフロー装置２００に搬送する。リフロー装置２００は、有機酸ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で複数のはんだボールＳBLを加熱溶融する。リフロー装置２００内の有機酸の還元力によりはんだボールＳBLや電極７２の酸化物が除去される。したがって従来必要としていたフラックスが不要となる。リフロー工程によるはんだボールＳBLの溶融が終了すると、図３Ｇに示すように、各電極７２上にはんだバンプＳBPが形成される。
【００３２】
有機酸ガスの一例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、ハレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、アクリル酸、サリチル酸、乳酸、ジアセチル、アセチルアセトン、アセトニルアセトンを加熱気化させた何れか１種のガスまたは２種以上の混合ガスを用いることができる。不活性ガスの一例としては、例えば、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等がある。
【００３３】
次に、リフロー工程が終了するとリフロー装置２００から基板７０が取り出され、図３Ｈに示すように、溶剤を用いて基板７０からレジスト７４を剥離、洗浄する。このようにして、基板７０の各電極７２上にはんだバンプＳBPを形成することができる。
【００３４】
［はんだボールの粒径と電極の直径との関係例等］
次に、はんだボールＳBLの粒径Ｓ１と電極７２の直径Ｒとの関係等の一例について説明する。図４Ａは粒径Ｓ１が２μｍのはんだボールＳBLを開口部７６に充填したときの状態を示す図であり、図４Ｂはリフロー後に得られるはんだバンプＳBPの状態を示している。
【００３５】
本実施の形態では、電極７２の直径Ｒを１０μｍとし、電極７２，７２間のピッチを２０μｍとし、目標のはんだバンプＳBPの厚みを５．３μｍとした。また、はんだボールＳBLとして粒径Ｓ１が電極７２の直径Ｒに対して１／５以下のものを用いた。具体的には、粒径が２μｍのはんだボールＳBLを用いた。また、レジスト７４の高さＨを目標とするはんだバンプＳBPの厚み（５．３μｍ）の約２倍となる１０μｍに形成した。このような条件において、はんだボールＳBLを開口部７６に充填すると、図４Ａに示すように、複数のはんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率が４３．２％となった。
【００３６】
続けて、開口部７６に充填したはんだボールＳBLを加熱、溶融すると、図４Ｂに示すように、はんだバンプＳBPの厚みＴ１が目標とする５．３μｍとなった。このように、はんだボールＳBLの粒径Ｓ１を電極７２の直径Ｒの約１／５以下とすると共にレジスト７４の高さＨを目標とするはんだバンプＳBPの厚みの約２倍とすることで、はんだボールＳBLの開口部７６への充填率を上げることができ、目標とするはんだバンプＳBPの厚みを実現することができた。
【００３７】
続けて、はんだボールＳBLとして粒径Ｓ２が電極７２の１／５超となる３μｍのものを用いた場合について説明する。図５Ａは粒径Ｓ２が３μｍのはんだボールＳBLを開口部７６に充填したときの図であり、図５Ｂはリフロー後に得られるはんだバンプＳBPを示す図である。なお、その他の電極の直径Ｒ、レジスト７４の高さＨ、目標とするはんだバンプＳBPの厚みは、粒径Ｓ１が２μｍのはんだボールＳBLを用いた場合と同様の条件とした。
【００３８】
このような条件において、粒径Ｓ２が３μｍのはんだボールＳBLの開口部７６への充填を行うと、図５Ａに示すように、複数のはんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率が３６．０％となった。
【００３９】
続けて、開口部７６に充填したはんだボールＳBLを加熱、溶融すると、図５Ｂに示すように、はんだバンプＳBPの厚みＴ２が４．５８μｍとなった。
【００４０】
以上説明したように、本実施の形態によれば、基板７０の上方に設けられたホッパー２２からはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とし、その後、スキージ３２をＸ−Ｙ方向の移動により振り落としたはんだボールＳBLを開口部７６に充填するので、電極７２のピッチが微細であっても効率的かつ円滑に開口部７６に対してはんだボールＳBLを充填することができる。また、このとき、ホッパー２２をＸ−Ｙ方向に移動させながらレジスト７４の全面に一様にはんだボールＳBLを振り落とすので、全ての開口部７６に対して均一にはんだボールＳBLを充填させることができる。
【００４１】
また、本実施の形態によれば、はんだバンプＳBPの高さや幅をレジスト７４の開口部７６の高さや幅を変えることにより簡易に制御することができる。
【００４２】
また、はんだバンプＳBPを形成する場合に、有機酸を用いてリフローを行うため、フラックスレスのリフローを実現することができる。また、フラックスを使用しないため、ソルダーペーストで一般に発生するリフロー時のボイドの発生も抑制することができる。
【００４３】
さらに、はんだバンプＳBPを形成する場合に、電極７２，７２間にレジスト７４を設けているので、ブリッジの発生も抑制することができる。
【００４４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。上記実施の形態では、マスク部材としてレジスト７４を用いたが、これに限定されることはない。例えば、マスク部材としてメタルマスク等を用いることもできる。また、超音波発信機２６の周波数は２０〜４０ｋＨｚに限定されることはなく、その他の周波数帯でも適宜選択することができる。また、ホッパー２２の形状は円錐台形状に限定されることはなく、複数のはんだボールＳBLを収容できるような形状であれば適宜採用することができる。
【００４５】
本発明によれば、ホッパー２２からはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とし、その後スキージ３２により振り落としたはんだボールＳBLを開口部７６に充填するので、電極７２の直径が微細化した場合でも効率的かつ円滑にはんだボールＳBLを開口部７６に供給することができる。
また本発明によれば、同一の基板７０上に複数種類の形状（円形、矩形、楕円等）および面積を有する電極７２が存在した場合でも、複数のはんだボールＳBLを用いるので、効率的かつ円滑にはんだボールＳBLを開口部７６に供給することができる。これにより、同一の基板７０上に複数種類の形状のはんだバンプＳBPを形成することができる。
【符号の説明】
【００４６】
２２  ホッパー
３２  スキージ
４０  イオナイザー
７０  基板
７４  レジスト
７６  開口部
ＳBL  はんだボール
ＳBP  はんだバンプ
【図１】
0005880785.tif 000002
【図２】
0005880785.tif 000003
【図３Ａ】
0005880785.tif 000004
【図３Ｂ】
0005880785.tif 000005
【図３Ｃ】
0005880785.tif 000006
【図３Ｄ】
0005880785.tif 000007
【図３Ｅ】
0005880785.tif 000008
【図３Ｆ】
0005880785.tif 000009
【図３Ｇ】
0005880785.tif 000010
【図３Ｈ】
0005880785.tif 000011
【図４Ａ】
0005880785.tif 000012
【図４Ｂ】
0005880785.tif 000013
【図５Ａ】
0005880785.tif 000014
【図５Ｂ】
0005880785.tif 000015