(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定方法であって、
画像表示された線領域を矩形領域と定義し、当該矩形領域を含む検査領域の画像に対して当該矩形領域の長辺に沿った第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して当該画像表示された矩形領域の短辺に沿った第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記先端位置として特定する特定工程を含むことを特徴とする先端位置特定方法。
【請求項２】
上記第１投影プロファイルおよび上記第２投影プロファイルに用いられる画像は、２値化された画像であることを特徴とする請求項１に記載の先端位置特定方法。
【請求項３】
基板上に形成された配線の短絡欠陥の位置を特定する位置特定方法であって、
上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
判断工程にて温度上昇値が閾値以上と判断された画素と閾値未満と判断された画素を含む上記配線に相当する線領域の表示画像を矩形領域と定義し、矩形領域を含む検査領域の画像に対して、当該矩形領域の長辺に平行な第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して、上記矩形領域の短辺に平行な第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、当該連続した画素のうちの最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記短絡欠陥の位置とする特定工程と、を含むことを特徴とする位置特定方法。
【請求項４】
前記電圧印加工程の前に、前記電圧を印加する電圧印加手段および前記赤外線カメラに対する前記基板の位置を調整するアライメント調整工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の位置特定方法。
【請求項５】
画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定装置であって、
画像表示された線領域を矩形領域と定義し、当該矩形領域を含む検査領域の画像に対して当該矩形領域の長辺に沿った第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して当該画像表示された矩形領域の短辺に沿った第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記先端位置として特定する特定手段を備えていることを特徴とする先端位置特定装置。
【請求項６】
基板上に形成された配線の短絡欠陥の位置を特定する位置特定装置であって、
上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
上記配線を撮影する赤外線カメラと、
上記基板における、上記配線を含む少なくとも一部の領域の温度を、上記赤外線カメラを用いて測定する測定手段と、
上記測定手段によって測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断し、温度上昇値が閾値以上と判断された画素と閾値未満と判断された画素を含む上記配線に相当する線領域の表示画像を矩形領域と定義し、矩形領域を含む検査領域の画像に対して、当該矩形領域の長辺に平行な第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して、上記矩形領域の短辺に平行な第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、当該連続した画素のうちの最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記短絡欠陥の位置とする特定手段と、を備えていることを特徴とする位置特定装置。
【請求項７】
前記基板を載置するアライメントステージと、
前記電圧印加手段および前記赤外線カメラに対する前記基板の位置を調整するアライメント調整手段と、をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載の位置特定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定方法および先端位置特定装置、並びに、短絡欠陥の位置を特定する位置特定方法および位置特定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像処理装置として、線領域を細長い矩形領域として定義して、当該矩形領域の幅（線幅）、すなわち矩形領域の短辺、を求めるために、矩形領域の長辺の先端位置を検出する手法がある。
【０００３】
特許文献１では、幅の小さい平行線対（矩形領域の一対の長辺）を求めるために、微分により矩形のエッジを抽出し、そこにハフ変換を適用して細長い矩形領域を求める方法が開示されている。ハフ変換は、画像走査部および投票箱と呼ばれる記憶部からなる。画像中のある点を通りある傾きをもつ直線は、投票箱のひとつと結びつけられている。ただし異なる点を通る直線でも、傾きおよび切片が等しければ同じ投票箱に結びつけられているものとする。まず、画像走査部が入力画像全面を順に走査してゆき、ある座標（ｉ，ｊ）の画素が値Ｉｉｊを持っていたとする。その際、画像走査部は座標（ｉ，ｊ）を通るすべての直線に結びつけられている投票箱の値をそれぞれＩｉｊずつインクリメントする。画像全面の走査が終了した時点で、すべての投票箱の値を調べて、所定より値の大きい投票箱に対応する直線を、検出されるべき直線として選ぶ。そして最終的に、直線と原画像の画素ごとの論理積を取って、画像から線分を抽出する。
【０００４】
また特許文献２でも、ハフ変換を用いて線分抽出処理を行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６２−８４３９１号公報（１９８７年４月１７日公開）
【特許文献２】特開平９−９７３３１号公報（１９９７年４月８日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、パネルに形成された配線に電流を流して当該パネルを赤外線カメラで撮影して当該配線の短絡欠陥の有無を検査する、いわゆるサーモ検査装置が知られているが、これを用いて配線の発熱部位（短絡欠陥を含む部位）を求める場合において、低発熱であると、発熱箇所の形の整った矩形とはならず、外形に凹凸があったり、発熱線幅が変化したり、発熱部が分断されたりする。そのため、サーモ検査装置において特許文献１の方法を採用してエッジ抽出で抽出した画素群に対してハフ変換を実施しても、平行線対を求めることは困難となる。また、非常にノイズが多い画像を用いた場合には方向検出を誤る可能性があり、その結果、正しい矩形の短い方の辺（直線の端点）が求まらないことがある。これは、短絡欠陥を含む配線を正確に特定することができないことを意味し、さらに、その短絡欠陥の修復を行う場合にはその修復処理に支障をきたす。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、サーモ検査装置にも不具合なく適用することができ、直線（線領域）の先端位置を高精度に特定することができる、画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定方法および先端位置特定装置、並びに、短絡欠陥の位置を特定する位置特定方法および位置特定装置を提供することにある。
【０００８】
そこで、上記の課題を解決するために、本発明に係る、画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定方法は、
画像表示された線領域を矩形領域と定義し、当該矩形領域を含む検査領域の画像に対して当該矩形領域の長辺に沿った第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して当該画像表示された矩形領域の短辺に沿った第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記先端位置として特定する特定工程を含むことを特徴としている。
【０００９】
上記の構成によれば、線領域の長手方向に直交する方向、すなわち矩形領域の短辺方向へ画像を投影し、投影結果の中で連続して所定の閾値未満となっている画素の位置を特定し、これを線領域の先端位置としている。
【００１０】
これにより、あらゆる方向の線分を検出対象とするハフ変換を用いて線領域の先端位置を特定する従来方法は背景ノイズが多い画像全体に適用すると誤検出が多く発生する虞があるのに対して、本発明の構成を採用すれば、画像全体より線分を含む領域を選択してから線分の先端位置を特定することができるので、精度よく先端位置を特定することができる。
【００１１】
そのため、サーモ検査装置を用いて配線の発熱部位（短絡欠陥を含む部位）を求める場合、上記の構成を採用することによって短辺方向へ画像を投影することで１次元のデータに変換するので、低発熱では発熱箇所が形の整った矩形とはならず、外形に凹凸があったり、発熱線幅が変化したりしている場合であっても、上記の構成によれば、線領域の長手方向に直交する方向、すなわち矩形領域の短辺方向へ画像を投影することにより、短絡欠陥の位置（線領域の先端）を正確に検出することができる。
【００１２】
また本発明に係る、画像表示された線領域の先端位置特定方法の一形態は、上記の構成に加えて、
上記第１投影プロファイルおよび上記第２投影プロファイルに用いられる画像は、２値化された画像であってもよい。
【００１３】
上記の構成によれば、２値化された画像を用いても、精度よく先端位置を特定することができる。
【００１４】
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る、短絡欠陥の位置特定方法は、
基板上に形成された配線の短絡欠陥の位置を特定する位置特定方法であって、
上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
上記電圧印加工程にて電圧印加した半導体基板の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラを用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
上記測定工程で測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
判断工程にて温度上昇値が閾値以上と判断された画素と閾値未満と判断された画素を含む上記配線に相当する線領域の表示画像を矩形領域と定義し、矩形領域を含む検査領域の画像に対して、当該矩形領域の長辺に平行な第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して、上記矩形領域の短辺に平行な第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、当該連続した画素のうちの最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記短絡欠陥の位置とする特定工程と、を含むことを特徴としている。
【００１５】
上記の構成によれば、画像全体より線分を含む領域を選択して、選択された線分を含む領域に対して短辺方向へ画像を投影する。この投影処理により２次元データを１次元に変換することができる。すなわち、短辺方向へ画像を投影して作成された投影プロファイルは、短辺方向に対して線分のみと背景のみの１次元データであるため、走査することで線分のみと背景のみの切れ目、すなわち線分の先端位置（欠陥位置）を精度よく特定することができる。よって、欠陥が低発熱であるがゆえに温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて、欠陥であるか否かを特定することが難しい２値化画像の場合であっても、目視に頼る方法を用いずに投影プロファイル値などの数値データを用いることによって、欠陥位置を高精度に特定することができる。
【００１６】
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る、画像表示された線領域の先端位置を特定する先端位置特定装置は、
画像表示された線領域を矩形領域と定義し、当該矩形領域を含む検査領域の画像に対して当該矩形領域の長辺に沿った第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して当該画像表示された矩形領域の短辺に沿った第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記先端位置として特定する特定手段を備えていることを特徴としている。
【００１７】
上記の構成によれば、線領域の長手方向に直交する方向、すなわち矩形領域の短辺方向へ画像を投影し、投影結果の中で連続して所定の閾値未満となっている画素の位置を特定し、これを線領域の先端位置としている。
【００１８】
これにより、ハフ変換を用いて線領域の先端位置を特定する従来方法に比べて、精度よく先端位置を特定することができる。
【００１９】
また、上記の課題を解決するために、本発明に係る、短絡欠陥の位置特定装置は、
基板上に形成された配線の短絡欠陥の位置を特定する位置特定装置であって、
上記配線に所定の電圧を印加する電圧印加手段と、
上記配線を撮影する赤外線カメラと、
上記基板における、上記配線を含む少なくとも一部の領域の温度を、上記赤外線カメラを用いて測定する測定手段と、
上記測定手段によって測定した温度値から、該電圧印加する前の該半導体基板の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断し、温度上昇値が閾値以上と判断された画素と閾値未満と判断された画素を含む上記配線に相当する線領域の表示画像を矩形領域と定義し、矩形領域を含む検査領域の画像に対して、当該矩形領域の長辺に平行な第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して、上記矩形領域の短辺に平行な第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、当該連続した画素のうちの最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記短絡欠陥の位置とする特定手段と、を備えていることを特徴としている。
【００２０】
上記の構成によれば、欠陥が低発熱であるがゆえに温度変化不足となり、赤外線画像の差分画像を用いた欠陥検出方法にて、欠陥であるか否かを特定することが難しい２値化画像の場合であっても、目視に頼る方法を用いずに投影プロファイル値などの数値データを用いることによって、欠陥位置を高精度に特定することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、位置を高精度に特定することができる、画像表示された線領域の先端位置特定方法、および、短絡欠陥の位置特定方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係る配線欠陥検出装置の構成を示すブロック図、および液晶パネルを有するマザー基板の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線欠陥検出装置の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係る液晶パネルおよびプローブの平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線欠陥検出方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態に係る画素部の欠陥を示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係る配線欠陥検出方法で撮像した画像とその２値化画像を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る配線欠陥検出方法で作成される第１投影プロファイルと第２投影プロファイルとを示す図である。
【図８】本発明の実施形態において用いられる短絡経路を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明に係る線領域の先端位置特定方法の一実施形態であるとともに、短絡欠陥の位置特定方法の一実施形態である液晶パネルの配線の短絡欠陥の位置特定方法について、図１〜図８を参照して説明する。
【００２４】
なお以下では、配線の短絡欠陥の位置特定方法を実現する配線欠陥検出装置の構成について説明し、続いて、短絡欠陥の位置特定方法を説明する。
【００２５】
（１）配線欠陥検出装置の構成
図１の（ａ）は、本実施形態における配線の短絡欠陥の位置特定方法を実現する配線欠陥検出装置１００の構成を示すブロック図であり、図１の（ｂ）は、配線欠陥検出装置１００を用いて配線欠陥検出される対象であるマザー基板１（半導体基板）の斜視図である。
【００２６】
配線欠陥検出装置１００は、図１の（ｂ）に示すマザー基板１上に形成された複数の液晶パネル２（半導体基板）において配線等の欠陥を検出することができる。そのため、配線欠陥検出装置１００は、図１の（ａ）に示すように、液晶パネル２と導通させるためのプローブ３、プローブ３を各液晶パネル２上に移動させるプローブ移動手段４、赤外線画像を取得するための赤外線カメラ５、赤外線カメラ５を液晶パネル２上において移動させるカメラ移動手段６、および、プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６を制御する制御部７を備えている。
【００２７】
上記プローブ３には、液晶パネル２の配線間の抵抗を測定するための抵抗測定部８、および、液晶パネル２の配線間に電圧を印加するための電圧印加部９が接続されている。これら抵抗測定部８および電圧印加部９は、制御部７により制御されている。
【００２８】
上記制御部７は、配線間の抵抗値および画像データを記憶するデータ記憶部１０に接続されている。
【００２９】
図２は、配線欠陥検出装置１００の斜視図である。配線欠陥検出装置１００は、図２に示すように、基台上にアライメントステージ１１が設置されており、アライメントステージ１１にはマザー基板１が載置できるように構成されている。マザー基板１が載置されたアライメントステージ１１は、プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６のＸＹ座標軸と平行に位置調整される。このとき、アライメントステージ１１の位置調整には、アライメントステージ１１の上方に設けられた、マザー基板１の位置を確認するための光学カメラ１２が用いられる。
【００３０】
上記プローブ移動手段４は、アライメントステージ１１の外側に配置されたガイドレール１３ａにスライド可能に設置されている。また、プローブ移動手段４の本体側にもガイドレール１３ｂおよび１３ｃが設置されており、マウント部１４ａがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に移動できるように設置されている。このマウント部１４ａには、液晶パネル２に対応したプローブ３が搭載されている。
【００３１】
上記カメラ移動手段６は、プローブ移動手段４の外側に配置されたガイドレール１３ｄにスライド可能に設置されている。また、カメラ移動手段６の本体にもガイドレール１３ｅおよび１３ｆが設置されており、３箇所のマウント部１４ｂ、１４ｃ、および１４ｄがこれらのガイドレール１３に沿ってＸＹＺの各座標方向に別々に移動することができる。
【００３２】
本実施形態において、配線欠陥検出装置１００に備えられている赤外線カメラ５は２種類ある。一方は、マクロ測定用の赤外線カメラ５ａであり、もう一方はミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂである。マクロ測定用の赤外線カメラ５ａはマウント部１４ｃに搭載され、ミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂはマウント部１４ｂに搭載され、光学カメラ１６はマウント部１４ｄに搭載されている。
【００３３】
マクロ測定用の赤外線カメラ５ａは、視野が５２０×４０５ｍｍ程度まで広げられたマクロ測定が可能な赤外線カメラである。マクロ測定用の赤外線カメラ５ａは、視野を広げるため、例えば、４台の赤外線カメラを組み合わせて構成されている。すなわち、マクロ測定用の赤外線カメラ１台当たりの視野は、マザー基板１の概ね１／４になっている。ミクロ測定用の赤外線カメラ５ｂは、視野が３２×２４ｍｍ程度と小さいが高分解能の撮影が行えるミクロ測定が可能な赤外線カメラである。
【００３４】
なお、カメラ移動手段６には、マウント部を追加して、欠陥箇所を修正するためのレーザ照射装置を搭載することもできる。レーザ照射装置を搭載することにより、欠陥部の位置を特定した後、欠陥部にレーザを照射することにより連続して欠陥修正を行うことができる。
【００３５】
プローブ移動手段４およびカメラ移動手段６は、それぞれが別々のガイドレール１３ａおよび１３ｄに設置されている。そのため、アライメントステージ１１の上方をＸ座標方向に、互いに干渉されずに移動することができる。これにより、液晶パネル２にプローブ３を接触させた状態のまま、赤外線カメラ５ａ、５ｂ、および光学カメラ１６を液晶パネル２上に移動させることができる。
【００３６】
図３（ａ）は、マザー基板１に形成されている複数の液晶パネル２のうちの１つの液晶パネル２の平面図である。各液晶パネル２には、図３（ａ）に示すように、走査線および信号線が交差する各交点にＴＦＴが形成された画素部１７、および、走査線および信号線をそれぞれ駆動する駆動回路部１８が形成されている。液晶パネル２の縁部には、端子部１９ａ〜１９ｄが設置されており、端子部１９ａ〜１９ｄは画素部１７または駆動回路部１８の配線と繋がっている。
【００３７】
図３（ｂ）は、液晶パネル２に設置された端子部１９ａ〜１９ｄと導通させるためのプローブ３（電圧印加手段）の平面図である。プローブ３は、図３（ａ）に示す液晶パネル２の大きさとほぼ同じ大きさの枠状の形状を成しており、液晶パネル２に設置された端子部１９ａ〜１９ｄに対応した複数のプローブ針２１ａ〜２１ｄを備えている。
【００３８】
複数のプローブ針２１ａ〜２１ｄは、スイッチングリレー（図示なし）を介して、プローブ針２１の一本ずつを個別に図１の（ａ）に示す抵抗測定部８および電圧印加部９に接続することができる。このため、プローブ３は、端子部１９ａ〜１９ｄに繋がる複数の配線を選択的に接続させたり、複数の配線をまとめて接続させたりすることができる。
【００３９】
また、プローブ３は、液晶パネル２とほぼ同じ大きさの枠の形状を成している。そのため、端子部１９ａ〜１９ｄと、プローブ針２１ａ〜２１ｄとの位置を合わせる際に、プローブ３の枠の内側から光学カメラ１６を用いて該位置を確認することができる。
【００４０】
上記のように、配線欠陥検出装置１００は、プローブ３、および、プローブ３と接続された抵抗測定部８を備えており、プローブ３を液晶パネル２に導通させて、後述するような各配線の抵抗値および隣接する配線間の抵抗値などを測定することができる。
【００４１】
そして、プローブ３を介して液晶パネル２の配線または配線間に所定の電圧を印加する前後に、赤外線カメラ５を用いて液晶パネル２の温度を測定する。具体的には、電圧を印加する前後に赤外線カメラ５を用いて液晶パネル２を動画で撮像する。撮像して得られた動画像は、データ記憶部１０に保存される。
【００４２】
データ記憶部１０に保存された動画像は、制御部７においてデータ処理され、画素ごとの温度値が算出される。この温度値も、データ記憶部１０に保存される。
【００４３】
更に制御部７は、データ記憶部１０に保存された電圧印加前の画像と電圧印加後の画像とからその差分画像を算出し、画像化されたデータの画素ごとに、電圧印加による発熱に基づいた温度上昇値を算出する。これより、この「画像化されたデータの画素」を「データ画素」と表現する。本実施形態では、算出された温度上昇値が、予め設定された時間（フレーム数）閾値内に、予め設定された温度上昇閾値を越えた場合、対応するデータ画素が、欠陥部に繋がる配線に対応していると判定する。そこで、温度上昇閾値を越えたデータ画素から配線に対応している線状の画像を特定し、その線状の画像の先端位置を特定する。この先端位置が、欠陥部である。
【００４４】
（２）配線欠陥検出方法
以下に、配線欠陥検出装置１００を用いておこなう欠陥検出について詳述する。本実施形態の配線欠陥検出方法は、
（ｉ）液晶パネル２に形成された配線に所定の電圧を印加する電圧印加工程と、
（ｉｉ）電圧印加工程にて電圧印加した液晶パネル２の少なくとも一部の領域の温度を、赤外線カメラ５を用いて一定時間連続して測定する測定工程と、
（ｉｉｉ）測定工程で測定した温度値から、電圧印加する前の液晶パネル２の温度値を差分して導出される温度上昇値が、閾値以上であるか否かを判断する判断工程と、
（ｉｖ）上記判断工程にて温度上昇値が閾値以上と判断された画素と閾値未満と判断された画素を含む画像に対して、上記配線に相当する線領域の表示画像を矩形領域と定義し、該矩形領域を含む検査領域の画像に対して当該矩形領域の長辺に沿った第１投影プロファイルを作成し、当該第１投影プロファイルのピーク位置を中心とする複数画素の局所領域に対して当該画像表示された矩形領域の短辺に沿った第２投影プロファイルを作成し、当該第２投影プロファイルを走査して所定の閾値未満のプロファイル値が一定画素連続したと判断された場合の、最初に当該所定の閾値未満のプロファイル値を示した画素の位置を、上記先端位置として特定する特定工程と、
を含む。
【００４５】
図４は、本実施形態に係る配線欠陥検出装置１００を用いた配線欠陥検出方法のフローチャートである。
【００４６】
本実施形態の配線欠陥検出方法は、図１の（ｂ）に示すマザー基板１に形成された複数の液晶パネル２について、ステップＳ１〜ステップＳ２４のステップにより、順次、配線欠陥検出が実施される。
【００４７】
ステップＳ１では、図２に示す配線欠陥検出装置１００のアライメントステージ１１にマザー基板１が載置され、ＸＹ座標軸と平行になるように基板の位置が調整される。
【００４８】
ステップＳ２では、図２に示すプローブ移動手段４によりプローブ３が、ステップＳ１において位置調整がされたマザー基板１の、検出対象となる液晶パネル２の上部に移動され、プローブ針２１ａ〜２１ｄが液晶パネル２の端子部１９ａ〜１９ｄと接触する。
【００４９】
ステップＳ３では、ステップＳ２に続けて、各種欠陥の検出モードに対応して、抵抗検査するための配線または配線間が選択され、導通させるプローブ針２１の切り替えが行われる。
【００５０】
ここで、各種欠陥の検出モードについて、図５（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図５（ａ）〜（ｃ）では、一例として、画素部１７に生じる欠陥部２３（短絡欠陥）の位置を模式的に示している。
【００５１】
図５（ａ）は、例えば、走査線および信号線のように、配線Ｘおよび配線Ｙが上下に交差する液晶パネルにおいて、当該交差部分において配線Ｘと配線Ｙとが短絡している欠陥部２３を示している。導通させるプローブ針２１を、図３に示した２１ａと２１ｄとの組または２１ｂと２１ｃとの組に切り替え、配線Ｘ１〜Ｘ１０および配線Ｙ１〜Ｙ１０に関して１対１で配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有無を特定することができる。
【００５２】
図５（ｂ）は、例えば、走査線および補助容量線のような、隣接する配線Ｘの配線間において短絡した欠陥部２３を示している。このような欠陥部２３は、導通させるプローブ針２１を、２１ｂの奇数番と２１ｄの偶数番との組に切り替えて、配線Ｘ１〜Ｘ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有る配線を特定することができる。
【００５３】
図５（ｃ）は、例えば、信号線および補助容量線のような、隣接する配線Ｙの配線間において短絡した欠陥部２３を示している。このような欠陥部２３は、導通させるプローブ針２１を、２１ａの奇数番と２１ｃの偶数番との組に切り替えて、配線Ｙ１〜Ｙ１０の隣り合う配線間の抵抗値を測定することにより、欠陥部２３の有る配線を特定できる。
【００５４】
ステップＳ４では、ステップＳ３において切り替えられたプローブ針２１を導通して、選択された配線または配線間の抵抗値を測定し、取得する。取得された抵抗値は、データ記憶部１０に記憶される。
【００５５】
ステップＳ５では、ステップＳ４において取得された抵抗値と、予めデータ記憶部１０に記憶されている、欠陥が無いパネル（基準パネル）の配線または配線間の抵抗値とが比較される。ここでは、ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一である場合、ステップＳ２３に移行する。ステップＳ４で取得された抵抗値が、欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一である場合は、この検出モードにおいて欠陥は無いと特定することができる。一方、ステップＳ５において、ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一でない場合、ステップＳ６に移行する。ステップＳ４で取得された抵抗値が、予めデータ記憶部１０に記憶されている欠陥が無いパネルの配線または配線間の抵抗値と同一でない場合、この検出モードにおいて配線または配線間に欠陥が存在する可能性が有ると特定することができる。欠陥が存在する可能性が有る場合、赤外線検出をおこなう必要がある。
【００５６】
例えば、図５（ａ）に示すように、配線Ｘおよび配線Ｙが交差する箇所において欠陥部２３が生じる場合は、配線間の抵抗検査により、配線Ｘ４および配線Ｙ４に異常が検出されるので、欠陥部２３の位置まで特定することができる。そのため、図５（ａ）に示す欠陥部２３の場合は、その位置を赤外線検出により特定することを必ずしも要しない。つまり、配線Ｘと配線Ｙのすべての組み合わせ毎に抵抗検査するのであれば、位置特定もできるので、赤外線検出は不要となる。しかし、組み合わせ数は膨大であるため長時間を要する。例えば、フルハイビジョン用液晶パネルの場合、配線Ｘが１０８０本、配線Ｙが１９２０なので、全組み合わせは約２０７万となる。このような組み合わせ毎に抵抗検査をすると、タクトが長時間となり、検出処理能力が大幅に低くなってしまい、現実的ではない。そのため、配線Ｘと配線Ｙのすべての組み合わせをいくつかにまとめて抵抗検査をすることで、抵抗検査回数を削減できる。例えば、一つにまとめた配線Ｘと、一つにまとめた配線Ｙとの間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。しかしながら、抵抗検査により、配線間の短絡を検出することはできるが、位置を特定することはできない。そのため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。
【００５７】
一方、図５（ｂ）または図５（ｃ）のように、隣接する配線間において欠陥部２３が生じる場合は、一対の配線、例えば、配線Ｘ３と配線Ｘ４との間に欠陥部が有ることは特定できる。しかし、その配線の長さ方向においては欠陥部２３の位置は特定できないため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。
【００５８】
隣り合う配線間の抵抗検査は膨大な数であるため長時間を要する。例えば、フルハイビジョン用液晶パネルの場合、隣り合う配線Ｘ間の抵抗検査回数は１０７９、隣り合う配線Ｙ間の抵抗検査回数は１９１９となる。図５（ｂ）の場合のような隣り合う配線Ｘ間の抵抗検査の場合、すべてのＸ奇数番と、すべてのＸ偶数番との間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。図５（ｃ）の場合のような隣り合う配線Ｙ間の抵抗検査の場合、すべてのＹ奇数番と、すべてのＹ偶数番との間で抵抗検査を行えば、この抵抗検査回数はわずか１回となる。しかしながら、抵抗検査により、配線間の短絡を検出することはできるが、位置を特定することはできない。そのため、欠陥部２３の位置を赤外線検出により特定することが必要となる。
【００５９】
そこで、ステップＳ６（電圧印加工程）では、液晶パネル２に対して赤外線検出で配線に印加する電圧値が、ステップＳ４においてデータ記憶部１０に記憶された抵抗値に基づいて設定される。具体的には、ステップＳ６では、ステップＳ４において取得した抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を、上記液晶パネル２に印加する。すなわち、ステップＳ６では、印加電圧Ｖ（ボルト）を以下の式（１）；
【００６０】
【数１】
0005893436.tif 000002
【００６１】
と設定する。
【００６２】
ここで、単位時間当たりの発熱量Ｊ（ジュール）は、以下の式（２）；
【００６３】
【数２】
0005893436.tif 000003
【００６４】
と表されるから、上記式（１）および（２）より、単位時間当たりの発熱量Ｊは以下の式（３）；
【００６５】
【数３】
0005893436.tif 000004
【００６６】
と表される。
【００６７】
すなわち、式（１）に基づいて、抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を液晶パネル２に印加することにより、単位時間当たりの発熱量を一定にすることができる。
【００６８】
したがって、基板の種類または基板上における欠陥部２３の発生場所等の短絡原因により、欠陥部２３を含む短絡経路の抵抗値は大きく変動するが、本実施形態のステップＳ６を行えば、単位時間当たりの発熱量を一定にすることができる。
【００６９】
なお、本実施形態では、抵抗検査と、抵抗検査により得られた抵抗値に基づいた電圧値の設定をおこなっているが、本発明はこれに限定されるものではなく、抵抗検査を行うことなく、所定の電圧値を以下のステップで液晶パネルに印加してもよい。ただし、検査対象である配線基板が、本実施形態のように比較的大型のものである場合には、抵抗検査を行って短絡欠陥の有無を事前に検査することによって、短絡欠陥の無い配線基板や、配線および配線間について赤外線検出することを省略することができ、検査作業時間の短縮に寄与することができる。
【００７０】
ステップＳ７では、ステップＳ６にて設定された電圧値に基づく電圧を液晶パネル２に印加する前に、赤外線カメラ５を用いて発熱していない液晶パネル２の動画像を読み込む。詳しく述べると、図１に示されている制御部７が、赤外線カメラ５を用いて発熱していない液晶パネル２の温度を測定し、測定された温度値データを記録している画像データをコンピュータメモリに読み込み、データ記憶部１０に記憶させる。
【００７１】
ステップＳ８（電圧印加工程、測定工程）では、まずステップＳ６にて設定された電圧値に基づく電圧を液晶パネル２に印加する。そして、赤外線カメラ５を用いて、電圧が印加されてからの発熱している液晶パネル２の動画像を読み込む。詳しく述べると、図１に示されている制御部７が、赤外線カメラ５を用いて発熱している液晶パネル２の温度値を測定し、測定された温度値データを記録している画像データをコンピュータメモリに読み込み、データ記憶部１０に記憶させる。ここで、印加電圧の調整は、制御部７が電圧印加部９を制御して行う。
【００７２】
ステップＳ９（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ７にて読み込まれた電圧印加前の動画像から温度上昇閾値を算出する。ここで、図６を参照しながら、本実施形態における温度上昇閾値の算出方法を説明する。
【００７３】
上記温度上昇閾値は、図６に示されているように、電圧印加前の発熱していない液晶パネル２の動画像（９フレーム分）の隣接フレーム間において、該動画像を差分して積算平均することにより背景画像（符号付（絶対値ではない））を作成し、この背景画像のヒストグラムの平均値と標準偏差を用いて、以下の式（４）；
【００７４】
【数４】
0005893436.tif 000005
【００７５】
と設定される。
【００７６】
例えば、ｎを大きく設定すると、式（４）から、温度上昇閾値が大きくなるので、背景ノイズを削減することが可能となる。本実施形態おいては、ｎを４に設定して温度上昇閾値を算出しており、温度上昇閾値は約０．１（ΔＫ）と設定される。
【００７７】
しかしながら、本発明は、式（４）においてｎ＝４に限定されるものではない。
【００７８】
ステップＳ１０（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ７にて読み込まれた電圧印加前の発熱していない液晶パネル２の動画像のデータ画素ごとの基準温度値を算出する。ここで、基準温度値とは、図６に示されている方法により作成された背景画像に対応する温度値のことである。
【００７９】
ステップＳ１１（判断工程）では、制御部７が、ステップＳ８にて読み込まれた電圧を印加されてからの発熱している液晶パネル２の動画像のデータ画素ごとの温度上昇値を算出する。ここで、温度上昇値は、以下の式（５）；
【００８０】
【数５】
0005893436.tif 000006
【００８１】
から算出される。
【００８２】
ステップＳ１２（判断工程）では、温度上昇値が予め設定された温度上昇閾値を越えたか否かが判定される。
【００８３】
ステップＳ１３（特定工程）では、ステップＳ１２にて温度上昇値が閾値以上と判断された画素と、閾値未満と判断された画素を含む画像とを含むデータ画像を２値化画像に変換する。ここで、図６（ａ）は、発熱後の赤外画像を示す。図６（ａ）では、発熱していることを示す部分が複数箇所ある。この発熱箇所は、液晶パネル２において、欠陥部２３に至るまでの配線の線上およびその近傍にある。欠陥部２３自体は発熱しない。一方、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示した撮像画像の２値化画像である。この２値化画像では、欠陥と背景の分離が困難なため、背景ノイズが大量に残っており、この２値化画像から直接、欠陥部２３の位置を正確に特定することはできない。そこで、本実施形態では、以後のステップによって、欠陥部２３の位置を正確に特定することを可能にしている。
【００８４】
ステップＳ１４では、ステップＳ１３において作成された２値化画像から、温度上昇値が閾値以上と判断された画素によって構成される線状の画像を特定する。図６（ｂ）に線状の画像を示す。ここで本実施形態では、この線を、一対の長辺と一対の短辺とを有した矩形領域と定義する。すなわち、当該線を、その延設方向に対して垂直方向にも或る長さ（つまり、線の幅）を有しているとみなす。
【００８５】
ステップＳ１５では、ステップＳ１４で特定された矩形領域の長辺の延設方向を検出する。液晶パネル２の配線の延設方向を予めデータ記録部に情報として記録しておき、当該情報と撮像画像とを対比させることにより効率的に当該延設方向を特定する。なお、ステップＳ１５の時点では、矩形領域を構成する一対の長辺と一対の短辺のうちの長辺の延設方向が特定できているだけで、長辺の長さ、および、短辺の位置（つまり長辺の端）とその長さについては判らない。
【００８６】
ステップＳ１６では、ステップＳ１５において特定された当該矩形領域を含む或る範囲を検査領域として特定する。或る範囲とは、サーモ検査装置によって検査対象セルのアクティブエリアと判定された領域に対応するマクロサーモ貼り合わせ後画像内の一部の領域である。
【００８７】
ステップＳ１７では、ステップＳ１６において特定した検査領域の画像に対して、ステップＳ１５において特定された矩形領域の長辺に平行にＸ軸をとり、Ｘ方向の投影プロファイル（第１投影プロファイル）を作成する。図７（ａ）にＸ方向の投影プロファイル結果を示す。
【００８８】
ステップＳ１８では、ステップＳ１７において作成したＸ方向の投影プロファイルから、投影ピーク位置（図７（ａ）中の破線で囲んだ箇所）を特定する。
【００８９】
ステップＳ１９では、ステップＳ１８において特定されたピーク位置を中心とした複数画素の局所領域を特定する。図７（ｂ）に局所領域を示す。
【００９０】
ステップＳ２０では、ステップＳ１９において特定された局所領域の画像に対して、Ｘ軸に対して垂直なＹ方向の投影プロファイル（第２投影プロファイル）を作成する。図７（ｂ）にＹ方向の投影プロファイル結果を示す。
【００９１】
ステップＳ２１では、ステップＳ２０において作成したＹ方向の投影プロファイルを走査して閾値未満のプロファイル値が一定画素連続すると、その連続した画素のうちの最初の画素の位置座標（図７（ｂ）中の破線で囲んだ箇所）を、欠陥部２３の位置として特定する。ここで、上記閾値とは、投影プロファイル値を投影数で割った値＝(０．０〜１．０)で設定することができる。また、一定画素とは、５〜１０ｐｉｘで設定することができる。
【００９２】
このようにして、各データ画素における欠陥の有無が制御部１０によって判定されている。
【００９３】
ステップＳ２２では、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了しているか否かが判定される。ここで、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了していない場合、ステップＳ１１に戻り、次の検出対象となるデータ画素に対して検出が始められる。反対に、検出中の液晶パネル２におけるデータ画素の全てにおいて検出が終了している場合、次のステップＳ２３に移行する。
【００９４】
ステップＳ２３では、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了しているか否かが判定される。ここで、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了していない場合、ステップＳ３に戻り、次の検出モードに対応するようにプローブ３の接続が切り替えられ、欠陥検出が繰り返される。反対に、検出中の液晶パネル２において、検出モードの全てにおいて検出が終了している場合、次のステップＳ２４に移行する。
【００９５】
なお、上述の検出モードとは、図５に示したような欠陥部２３の種類に対応した検出の方法（電圧の印加方法）を示している。すなわち、図５（ａ）の配線Ｘと配線Ｙとの短絡欠陥に対応した検出の方法、図５（ｂ）の配線Ｘ間の短絡欠陥に対応した検出の方法、および、図５（ｃ）の配線Ｙ間の短絡欠陥に対応した検出の方法である３つの検出モードである。
【００９６】
ステップＳ２４では、検出中のマザー基板１について、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了しているか否かが判定される。ここで、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了していない場合、ステップＳ２に戻り、次の検出対象となる液晶パネル２にプローブが移動されて、欠陥検出が繰り返される。反対に、液晶パネル２の全てにおいて欠陥検出が終了している場合、配線欠陥検出は終了となる。
【００９７】
（３）本実施形態の作用効果
本実施形態によれば、線領域の長手方向に直交する方向、すなわち矩形領域の短辺方向へ画像を投影し、投影結果の中で連続して所定の閾値未満となっている画素の位置を特定し、これを線領域の先端位置としている。これにより、あらゆる方向の線分を検出対象とするハフ変換を用いて線領域の先端位置を特定する従来方法は背景ノイズが多い画像全体に適用すると誤検出が多く発生する虞があるのに対して、本実施形態の構成を採用すれば、画像全体より線分を含む領域を選択してから線分の先端位置を特定することができるので、精度よく先端位置を特定することができる。
【００９８】
換言すれば、従来手法のハフ変換はあらゆる方向の線分を検出対象とする手法であるため、背景ノイズが多い画像全体に適用すると誤検出が多く発生する。一方、本実施形態の手法は、検出対象とする線分は水平と垂直の２方向のみという条件（サーモ検査装置では検査前に基板の傾きがなくなるようにアライメント補正される。基板配線は基板に対して平行に並んでいるため、基板配線の発熱は水平か垂直の２方向のみで観測される。）に限定して、画像全体より線分を含む領域を選択してから線分の先端位置を特定するため、従来手法に比べて背景ノイズの影響を抑制しつつ線分の先端位置を特定することができる。画像全体より線分を含む領域を選択するのは、上記の第１投影プロファイルデータに基づき、選択された領域より線分の先端位置を特定するのは、上記の第２投影プロファイルデータに基づく。
【００９９】
また、本実施形態の手法によれば、形の整った矩形とはならず、外形に凹凸があったり、発熱線幅が変化したりしている場合であっても、短辺方向へ画像を投影することで１次元のデータに変換するため、発熱線幅が矩形領域の短辺幅に収まっているという条件付きではあるが、発熱線幅は３〜５ｐｉｘ程度（２．５４〜４．２４ｍｍ相当）なので本範囲内であれば、矩形領域の短辺幅の制御が可能である。なお、発熱線が分断している場合については、画像のクロージングによって分断された領域をつなげた後に、上述の第１および第２投影プロファイルの処理を行うことにより、先端位置（欠陥位置）を特定することができる。
（４）変形例
本変形例では、上記実施形態における装置と同様の装置を用い、印加電圧Ｖ（ボルト）が実施形態と異なるよう、以下のように設定する。
【０１００】
上述の実施形態では、ステップＳ６において、ステップＳ４において取得した抵抗値の平方根に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を液晶パネル２に印加する。これに対して、本変形例では、ステップＳ４において取得した抵抗値に比例する印加電圧Ｖ（ボルト）を、液晶パネル２（図１の（ｂ）および図２）に印加する。
【０１０１】
具体的には、本実施形態のステップＳ６では、印加電圧Ｖ（ボルト）を以下の式（６）；
【０１０２】
【数６】
0005893436.tif 000007
【０１０３】
と設定する。ここで、電流Ｉ（アンペア）は次の式（７）；
【０１０４】
【数７】
0005893436.tif 000008
【０１０５】
となる。つまり、印加電圧を適切に定めることにより、電流を一定にすることができる。
【０１０６】
ここで、基板に形成された配線の抵抗値Ｒは、次の式（８）；
【０１０７】
【数８】
0005893436.tif 000009
【０１０８】
であり、電気抵抗率ρおよび断面積Ａは、配線の種類および場所によって決まっている定数である。したがって、単位長さ当たりの配線の抵抗値Ｒ／Ｌ＝ρ／Ａも定数となる。すなわち、配線の種類および場所ごとに付与した番号をｉとすると、配線ｉの単位長さ当たりの抵抗値ｒ（ｉ）は、次の式（９）；
【０１０９】
【数９】
0005893436.tif 000010
【０１１０】
と表される。
【０１１１】
したがって、配線ｉの単位長さ当たりの配線ｉの発熱量は、上記式（２）、（７）および（９）より、次の式（１０）；
【０１１２】
【数１０】
0005893436.tif 000011
【０１１３】
となる。
【０１１４】
ここで、図８は、短絡経路を説明するための図であり、薄膜トランジスタ基板の電気的配線図の一例である。図８の薄膜トランジスタ基板は、ガラス基板上に走査線（配線）３１〜３５と信号線（配線）４１〜４５が格子状に配置され、各交点には図示しない薄膜トランジスタおよび透明画素電極が接続された、全体で５×５画素が形成された基板である。この薄膜トランジスタ基板と、図示しない共通電極基板とを平行に配置して、その間に液晶が封入したものが、液晶パネルである。また、薄膜トランジスタ基板には、図８に示すように、走査線の各引き出し線３１ｐ〜３５ｐの先端部を共通線３０により共通に接続して静電破壊を防止するようにしている。信号線についても同様である。図８に示す薄膜トランジスタ基板では、走査線３３と信号線４３との間に、短絡箇所５０が形成されている。このような薄膜トランジスタ基板において、短絡経路が引き出し線３３ｐ→走査線３３→短絡箇所５０→信号線４３→引き出し線４３ｐのように分けられた場合を考えると、単位長さ当たりの走査線３３および信号線４３の発熱量を、それぞれ一定にすることができる。
【０１１５】
したがって、短絡箇所の電気抵抗の大小に関わらず、あらかじめ定数ｍを適切に定めておくことにより、赤外線画像により、走査線３３および信号線４３を安定して認識することができる。
【０１１６】
そして、この認識された配線部分を更に解析して、走査線３３と信号線４３とが短絡している部分を特定することにより、短絡箇所を特定することができる。もし、短絡箇所の抵抗値が高い場合、短絡箇所の発熱量が大きくなるため、赤外線画像から短絡箇所を容易に特定することができる。
【０１１７】
また、配線の抵抗値に基づいて電圧を定めるには、制御部７が上記式（１）を計算する処理をその都度実行すればよい。あるいは、抵抗値と電圧との関係を予めテーブルにして記憶しておき、制御部７がこのテーブルをその都度参照して、抵抗値から電圧を定めればよい。
【０１１８】
以上、本発明に係る実施形態および変形例について説明したが、本発明は上記の実施形態および変形例に限定されるものではない。本請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明は、液晶パネルなどの配線を有する半導体基板の配線状態の検出に用いることができる。
【符号の説明】
【０１２０】
１    マザー基板（基板）
２    液晶パネル（基板）
３    プローブ（電圧印加手段）
４    プローブ移動手段
５、５ａ、５ｂ    赤外線カメラ
６    カメラ移動手段
７    制御部（測定手段、特定手段）
８    抵抗測定部
９    電圧印加部（電圧印加手段）
１０    データ記憶部
１１    アライメントステージ
１２、１６    光学カメラ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ    ガイドレール
１４ａ、１４ｂ、１４ｄ、１４ｄ    マウント部
１７    画素部
１８    駆動回路部
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄ    端子部
２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ    プローブ部
２３    欠陥部（配線短絡）
３０、４０ａ、４０ｂ    共通線
３１、３２、３３、３４、３５    走査線
３１ｐ、３２ｐ、３３ｐ、３４ｐ、３５ｐ    走査線引出線
４１、４２、４３、４４、４５    信号線
４１ｐ、４２ｐ、４３ｐ、４４ｐ、４５ｐ    信号線引出線
５０    短絡箇所
１００    配線欠陥検出装置
【図１】
0005893436.tif 000012
【図２】
0005893436.tif 000013
【図３】
0005893436.tif 000014
【図４】
0005893436.tif 000015
【図５】
0005893436.tif 000016
【図８】
0005893436.tif 000017
【図６】
0005893436.tif 000018
【図７】
0005893436.tif 000019