(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、この基部から同一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの振動腕部の表裏面である第一及び第二の主面にそれぞれ設けられた第一及び第二の溝部と、を備えた水晶振動素子において、
前記第一及び第二の溝部は、それぞれ一の開口からなり、当該開口内に前記振動腕部の延設方向に沿って山と谷とが交互に連続する底面を有し、
前記第一の溝部に形成された前記山は前記第二の溝部に形成された前記谷に対向し、
前記第一の溝部に形成された前記谷は前記第二の溝部に形成された前記山に対向する、
ことを特徴とする水晶振動素子。
【請求項２】
前記第一及び第二の溝部に形成された前記谷の深さは、前記振動腕部の厚みの５０％以上かつ６０％以下である、
請求項１記載の水晶振動素子。
【請求項３】
水晶の頂点を通る結晶軸をＺ軸、このＺ軸に垂直な平面内の稜線を結ぶ三つの結晶軸をＸ軸、前記Ｘ軸及び前記Ｚ軸に直交する座標軸をＹ軸とし、これらのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系を前記Ｘ軸を中心として±５度の範囲で回転させたときの回転後の前記Ｙ軸及び前記Ｚ軸を、それぞれＹ’軸及びＺ’軸とした場合、
前記山の前記Ｙ’軸の方向のピッチをＰとしたとき、
前記第一の溝部に形成された前記山に対する、前記第二の溝部に形成された前記山の前記Ｙ’軸の方向のずれは、０．４Ｐ以上かつ０．５Ｐ未満である、
請求項１又は２記載の水晶振動素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の水晶振動素子を製造する方法であって、
水晶ウェハの表裏に耐食膜を形成する耐食膜形成工程と、
前記耐食膜上に感光性レジスト膜を形成する感光性レジスト膜形成工程と、
前記基部及び前記振動腕部となる領域の前記感光性レジスト膜を残し、かつ、前記溝部となる領域の前記感光性レジスト膜を除去する露光現像工程と、
前記感光性レジスト膜で覆われていない前記耐食膜を除去することにより前記耐食膜からなるマスクを作成するパターニング工程と、
前記耐食膜からなるマスクを用いて前記水晶ウェハをウェットエッチングするウェットエッチング工程と、
を含み、
前記露光現像工程では、前記第一及び第二の溝部に形成される前記山となる領域に、前記感光性レジスト膜からなる突起を残し、
前記ウェットエッチング工程では、前記耐食膜で覆われていない領域の前記水晶ウェハを除去するととともに、前記耐食膜からなる前記突起に覆われた領域の前記水晶ウェハをサイドエッチングによって除去する、
ことを特徴とする水晶振動素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基準信号源やクロック信号源に用いられる水晶振動素子及びその製造方法に関する。以下、水晶振動素子の一例として、音叉型屈曲水晶振動素子（以下「振動素子」と略称する。）について説明する。
【背景技術】
【０００２】
振動素子の水晶片は、基部と、この基部から同一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの振動腕部の表裏面に形成された溝部と、からなる。この水晶片は、水晶ウェハにウェットエッチングを施すことにより得られる。その一般的なウェットエッチング工程では、基部及び振動腕部の外形を形成する工程と、溝部を形成する工程とに分かれる。一回のウェットエッチングで外形と溝部の両方を形成しようとすると、溝部が表裏で貫通してしまうからである。
【０００３】
これに対し、関連技術１として、一回のウェットエッチングで外形と溝部の両方を形成し得る技術が知られている（特許文献１）。この関連技術１では、ウェットエッチングのマスクにおいて溝部となる領域にエッチング抑制パターンを形成しているので、外形となる領域の水晶ウェハが貫通しても、溝部となる領域の水晶ウェハは貫通しない。
【０００４】
図９は、関連技術１の製造方法における耐食膜のパターンの一部を拡大して示す平面図である。図１０は、関連技術１の振動素子の溝部を示す断面図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【０００５】
図９に示すように、水晶ウェハ３４１の表裏には、耐食膜３４２からなるマスクが形成されている。耐食膜３４２のパターンは、振動腕部となる領域３５２、溝部となる領域３５４、表の溝部内の山となる領域３５５、裏の溝部内の山となる領域３５６などに分けられる。表の溝部内の山となる領域３５５には耐食膜３４２からなる突起３５７（実線）が形成され、裏の溝部内の山となる領域３５６には耐食膜３４２からなる突起３５７（破線）が形成されている。
【０００６】
このような耐食膜３４２からなるマスクを用いることにより、ウェットエッチング工程では、耐食膜３４２で覆われていない領域の水晶ウェハ３４１を除去するととともに、耐食膜３４２からなる突起３５７に覆われた領域３５５，３５６の水晶ウェハ３４１をサイドエッチングによって除去する。このとき、耐食膜３４２からなる突起３５７がエッチング抑制パターンとして作用するので、図１０に示すように、振動腕部３１２ａの外形と表の溝部４４１ａと裏の溝部４４３ａとが、一回のウェットエッチングで同時に形成される。
【０００７】
図１０に示すように、表の溝部４４１ａは、一の開口３２１からなり、開口３２１内に振動腕部３１２ａの延設方向に沿って山５２１と谷５２２とが交互に連続する底面３２２を有する。裏の溝部４４３ａも、表から見て表の溝部４４１ａと同じ位置に同じ形状で形成される。そのため、表の溝部４４１ａに形成された山５２１は裏の溝部４４３ａに形成された山５２１に対向し、表の溝部４４１ａに形成された谷５２２は裏の溝部４４３ａに形成された谷５２２に対向する。
【０００８】
また、関連技術２として、一回のウェットエッチングで外形と溝部の両方を形成し得る技術が知られている（特許文献２）。この関連技術２では、エッチング抑制パターンを用いる代わりに、溝部を仕切部で複数の小溝部に分けることにより、溝部におけるエッチングレートが小さくなるので、外形となる領域の水晶ウェハが貫通しても、溝部となる領域の水晶ウェハは貫通しない。
【０００９】
図１１は、関連技術２の振動素子の溝部を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００１０】
表の溝部７４１ａは、振動腕部６１２ａの延設方向に沿って、複数の仕切部８２１によって複数の小溝部６２１に分けられている。小溝部６２１内の底面６２２には、エッチングレートの差に起因して谷８２２が形成されている。裏の溝部７４３ａも、表の溝部７４１ａの形状と同じである。ただし、表の溝部７４１ａの仕切部８２１は裏の溝部７４３ａの谷８２２に対向し、表の溝部７４１ａの谷８２２は裏の溝部７４３ａの仕切部８２１に対向する。
【００１１】
ここで、表の溝部７４１ａにおいて仕切部８２１から谷８２２までのピッチをＱとし、振動腕部６１２ａ（すなわち水晶ウェハ）の厚みをｔとすると、Ｑ＜ｔとする必要がある。その理由は、底面６２２の傾斜角８２４がピッチＱの大小によらずほぼ一定であることから、Ｑ≧ｔとすると、表の溝部７４１ａ（又は裏の溝部７４３ａ）の谷８２２が裏（又は表）の仕切部８２１へ貫通する割合が多くなることにより、歩留りが低下するからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１１−２１７０３９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１３９２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図１０に示す関連技術１において、振動素子のクリスタルインピーダンスを低減するには、溝部４４１ａ，４４３ａの内側面３２３の面積を大きくする必要がある。図１１に示す関連技術２でも、振動素子のクリスタルインピーダンスを低減するには、溝部７４１ａ，７４３ａの内側面６２３の面積を大きくする必要がある。しかしながら、関連技術１，２には次のような問題があった。
【００１４】
図１０に示す関連技術１において、溝部４４１ａ，４４３ａの内側面３２３の面積を大きくするには、底面３２２を更に深くする必要がある。一方、エッチング抑制パターンを用いたことにより、表裏の溝部４４１ａ，４４３ａの底面３２２には山５２１と谷５２２が生じている。そのため、底面３２２の深さは、表裏の溝部４４１ａ，４４３ａが谷５２２の部分で貫通しない程度に制限される。その結果、表裏の溝部４４１ａ，４４３ａを隔てる底板５２３の厚みが山５２１の部分で厚くなってしまい、その分、内側面３２３の面積を大きくできない。
【００１５】
図１１に示す関連技術２では、エッチング抑制パターンを用いないので、表裏の溝部７４１ａ，７４３ａの底面６２２には、実施形態１と異なり、一の開口内に山と谷が交互に連続する形状が生じない。その代わり、表裏の溝部７４１ａ，７４３ａを隔てる底板８２３が表裏を横断する構造になっている。ところが、この構造では、底板８２３の専有面積が大きくなるので、内側面６２３の面積を増やすことが困難である。その詳しい理由については後述する。
【００１６】
なお、底板８２３の専有面積とは、内側面６２３と同一面で底板８２３を切断した場合の底板８２３の断面積をいうものとする。つまり、（底板の専有面積）＋（内側面の面積）＝一定、であるから、底板の専有面積が大きくなれば、その分、内側面の面積が小さくなる。以下に述べる「底板の専有面積」と「内側面の面積」との関係も同様である。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、エッチング抑制パターンを用いて一回のウェットエッチングで外形と溝部の両方を形成し得るとともに、そのエッチング抑制パターンに起因する問題を解決してクリスタルインピーダンスを低減し得る水晶振動素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る水晶振動素子は、
基部と、この基部から同一方向に延設された二本の振動腕部と、これらの振動腕部の表裏面である第一及び第二の主面にそれぞれ設けられた第一及び第二の溝部と、を備えた水晶振動素子において、
前記第一及び第二の溝部は、それぞれ一の開口からなり、当該開口内に前記振動腕部の延設方向に沿って山と谷とが交互に連続する底面を有し、
前記第一の溝部に形成された前記山は前記第二の溝部に形成された前記谷に対向し、
前記第一の溝部に形成された前記谷は前記第二の溝部に形成された前記山に対向する、
ことを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る製造方法は、
本発明に係る水晶振動素子を製造する方法であって、
水晶ウェハの表裏に耐食膜を形成する耐食膜形成工程と、
前記耐食膜上に感光性レジスト膜を形成する感光性レジスト膜形成工程と、
前記基部及び前記振動腕部となる領域の前記感光性レジスト膜を残し、かつ、前記溝部となる領域の前記感光性レジスト膜を除去する露光現像工程と、
前記感光性レジスト膜で覆われていない前記耐食膜を除去することにより前記耐食膜からなるマスクを作成するパターニング工程と、
前記耐食膜からなるマスクを用いて前記水晶ウェハをウェットエッチングするウェットエッチング工程と、
を含み、
前記露光現像工程では、前記第一及び第二の溝部に形成される前記山となる領域に、前記感光性レジスト膜からなる突起を残し、
前記ウェットエッチング工程では、前記耐食膜で覆われていない領域の前記水晶ウェハを除去するととともに、前記耐食膜からなる前記突起に覆われた領域の前記水晶ウェハをサイドエッチングによって除去する、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、振動腕部の表裏面である第一及び第二の主面にそれぞれ第一及び第二の溝部が設けられ、第一の溝部の底面の山と第二の溝部の底面の谷とが対向し、第一の溝部の底面の谷と第二の溝部の底面の山とが対向することにより、一方の溝部の最も深い場所である谷が他方の溝部の最も浅い場所である山と向かい合うことになるので、エッチング抑制パターンを用いて水晶振動素子の外形と溝部とを一回のウェットエッチングで同時に形成する場合でも、溝部同士の貫通を回避しつつ谷を極限まで深く形成できる。その結果、溝部の内側面の面積が増加することにより、その内側面に形成される励振電極の面積も増加するので、クリスタルインピーダンスを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】実施形態１の振動素子における水晶片を示す斜視図である。
【図２】図１の水晶片に励振電極を形成した状態を示す、図１におけるII−II線断面図である。
【図３】図１の水晶片の一部を拡大して示す平面図である。
【図４】図３におけるIV−IV線断面図である。
【図５】実施形態１の製造方法を示す断面図であり、図５［１］［２］［３］の順に工程が進行する。
【図６】実施形態１の製造方法を示す断面図であり、図６［４］［５］の順に工程が進行する。
【図７】実施形態１の製造方法における感光性レジスト膜及び耐食膜のパターンの一部を拡大して示す平面図である。
【図８】実施形態１の振動素子のクリスタルインピーダンスの測定値を示すグラフである。
【図９】関連技術１の製造方法における耐食膜のパターンの一部を拡大して示す平面図である。
【図１０】関連技術１の振動素子の溝部を示す断面図である。
【図１１】関連技術２の振動素子の溝部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００２３】
図１は、実施形態１の振動素子における水晶片を示す斜視図である。図２は、図１の水晶片に励振電極を形成した状態を示す、図１におけるII−II線断面図である。図３は、図１の水晶片の一部を拡大して示す平面図である。図４は、図３におけるIV−IV線断面図である。以下、図１乃至図４に基づき説明する。
【００２４】
図１及び図２に示すように、振動素子は、水晶片１０と励振電極３１ａ，３１ｂとを少なくとも備えている。水晶片１０は、基部１１と、基部１１から同一方向に延設された二本の振動腕部１２ａ，１２ｂと、振動腕部１２ａ，１２ｂの第一の主面１３１にそれぞれ設けられた第一の溝部１４１ａ，１４２ａ，１４１ｂ，１４２ｂと、振動腕部１２ａ，１２ｂの第二の主面１３２にそれぞれ設けられた第二の溝部１４３ａ，１４４ａ，１４３ｂ，１４４ｂと、からなる。主面１３１，１３２は、振動腕部１２ａ，１２ｂの表裏面である。
【００２５】
図３及び図４に示すように、溝部１４１ａは、一の開口２１からなり、開口２１内に振動腕部１２ａの延設方向に沿って山２２１と谷２２２とが交互に連続する底面２２を有する。溝部１４１ａに形成された山２２１は溝部１４３ａに形成された谷２２２に対向し、溝部１４１ａに形成された谷２２２は溝部１４３ａに形成された山２２１に対向する。他の溝部１４２ａ，…についても同様である。図３において、谷２２２は、露出しているが、わかりやすくするために破線で示している。
【００２６】
なお、図面では、わかりやすくするために、主面１３１，１３２と底面２２とを平行にしたり、エッチング残渣を省略したりしている。しかし、実際の形状は、水晶のウェットエッチングが異方性を有することにより、図示した形状とは若干異なる。
【００２７】
次に、本実施形態１の振動素子の動作について説明する。
【００２８】
図１に示すように、水晶の結晶は三方晶系であり、水晶の頂点を通る結晶軸をＺ軸（光軸）、Ｚ軸に垂直な平面内の稜線を結ぶ三つの結晶軸をＸ軸（電気軸）、Ｘ軸及びＺ軸に直交する座標軸をＹ軸（機械軸）とする。ここで、これらのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系をＸ軸を中心として±５度の範囲で回転させたときの回転後のＹ軸及びＺ軸を、それぞれＹ’軸及びＺ’軸とする。この場合、本実施形態１では、二本の振動腕部１２ａ，１２ｂの延設方向がＹ’軸の方向であり、二本の振動腕部１２ａ，１２ｂの並ぶ方向がＸ軸の方向である。なお、Ｘ軸、Ｙ’軸及びＺ’軸は、図９乃至図１１においても図１と同様である。
【００２９】
図２に示すように、振動腕部１２ａにおいて、励振電極３１ａは外側面１５に設けられ、励振電極３１ｂは内側面２３に設けられている。振動腕部１２ｂにおいて、励振電極３１ｂは外側面１５に設けられ、励振電極３１ａは内側面２３に設けられている。したがって、振動腕部１２ａの外側面１５に設けられた励振電極３１ａと溝部１４１ａ，１４２ａ，１４３ａ，１４４ａの内側面２３に設けられた励振電極３１ｂとが異極同士となり、振動腕部１２ｂの外側面１５に設けられた励振電極３１ｂと溝部１４１ｂ，１４２ｂ，１４３ｂ，１４４ｂの内側面２３に設けられた励振電極３１ａとが異極同士となる。このとき、振動腕部１２ａにおいては、外側面１５の励振電極３１ａと内側面２３の励振電極３１ｂとがほぼ平行平板電極となり、振動腕部１２ｂにおいては、外側面１５の励振電極３１ｂと内側面２３の励振電極３１ａとがほぼ平行平板電極となり、それらの電極間で大きな電界強度が得られる。
【００３０】
励振電極３１ａ，３１ｂに交番電圧を印加した場合、印加後のある電気的状態を瞬間的に捉えると、振動腕部１２ａにおいて、内側面２３に設けられた励振電極３１ｂはプラス電位となり、外側面１５に設けられた励振電極３１ａはマイナス電位となり、プラスからマイナスに電界が生じる。このとき、振動腕部１２ｂにおいて、内側面２３に設けられた励振電極３１ａはマイナス電位となり、外側面１５に設けられた励振電極３１ｂはプラス電位となり、振動腕部１２ａに生じた極性とは反対の極性となり、プラスからマイナスに電界が生じる。この交番電圧で生じた電界によって、振動腕部１２ａ，１２ｂに伸縮現象が生じ、所定の共振周波数の屈曲振動モードが得られる。
【００３１】
ここで、クリスタルインピーダンスを下げるには、内側面２３の面積をできるだけ大きくすることが求められる。
【００３２】
次に、本実施形態１の振動素子の作用及び効果について説明する。
【００３３】
水晶のウェットエッチング工程において、溝部１４１ａ，…の開口２１内となる領域の水晶を耐食膜からなる複数の突起（すなわちエッチング抑制パターン）で覆うことにより、基部１１及び振動腕部１２ａ，１２ｂの外形と溝部１４１ａ，…とを一回のウェットエッチングで同時に形成できる。この場合、溝部１４１ａ，…の開口２１内における水晶のエッチングレートは、突起で覆われた領域が最も小さくなり、この領域から離れるに従い大きくなり、隣接する二つの突起の概ね中間の領域が最も大きくなる。その結果、図４に示すように、溝部１４１ａの底面２２は、山２２１と谷２２２が交互に連続する形状となる。ただし、谷２２２は、水晶のウェットエッチングの異方性により、隣接する二つの山２２１の中間から少しずれた位置になる。
【００３４】
本実施形態１によれば、一方の溝部１４１ａ，…の最も深い場所である谷２２２と他方の溝部１４３ａ，…の最も浅い場所である山２２１とが向かい合うように形成されているので、エッチング抑制パターンを用いて基部１１及び振動腕部１２ａ，１２ｂの外形と溝部１４１ａ，…とを一回のウェットエッチングで同時に形成する場合でも、溝部１４１ａ，…同士の貫通を回避しつつ谷２２２を極限まで深く形成できる。その結果、溝部１４１ａ，…の内側面２３の面積が増加することにより、内側面２３に形成される励振電極３１ａ，３１ｂの面積も増加するので、クリスタルインピーダンスを低減できる。
【００３５】
また、図４において、溝部１４１ａ，１４３ａに形成された谷２２２の深さ６８は、振動腕部１２ａの厚みｔの５０％以上かつ６０％以下とすることが望ましい。この場合、５０％未満では、後述の累積度数分布図（図８）から明らかなように、前述の効果がやや不十分になる。６０％を越えると、水晶の結晶方位依存性によるエッチングレートの差によって形成される傾斜角７１，７２がほぼ一定であるため、エッチング抑制パターンや厚みｔについて最良の選択をしても、幾何学的な条件により、溝部１４１ａ，１４３ａ同士が貫通する割合が増える。なお、図１０に示す関連技術１では、谷５２２の深さを振動腕部３１２ａの厚みの５０％以上にすることはできない。なぜなら、表裏の溝部４４１ａ，４４３ａが谷５２２の部分で貫通してしまうからである。
【００３６】
更に、図３及び図４において、前述のようにＸ軸、Ｙ’軸及びＺ’軸を設定した場合、山２２１のＹ’軸方向のピッチをＰとしたとき、溝部１４１ａに形成された山２２１に対する、溝部１４３ａに形成された山２２１のＹ’軸方向のずれ６４は、０．４Ｐ以上かつ０．５Ｐ未満が好ましく、０．４５Ｐがより好ましい。実験によれば、ずれ６４をこの範囲内とすることにより、内側面２３の面積を最も広くできる。その理由は、このずれ６４の範囲における本実施形態１の振動腕部１２ａ，１２ｂの結晶方位では、水晶の結晶方位によるウェットエッチングレートの異方性に基いて、底板２２３の厚みｄがほぼ一定となることにより、厚みｄを最小化できるので、底板２２３の専有面積を小さくできるからである。
【００３７】
つまり、図４において、ウェットエッチングレートの異方性に起因して、山２２１から−Ｙ’軸方向の底面２２の傾斜角７１の方が、山２２１からＹ’軸方向の底面２２の傾斜角７２よりも少し小さくなる。そのため、谷２２２の形成される位置は、隣接する二つの山２２１の中間ではなく、その中間から−Ｙ’方向へ少しずれる。そこで、ウェットエッチングレートの異方性を考慮して、溝部１４１ａの谷２２２に溝部１４３ａの山２２１が対向するように、溝部１４１ａに形成された山２２１に対する、溝部１４３ａに形成された山２２１のＹ’軸方向のずれ６４を、設定すると良い。
【００３８】
また、図１１に示す関連技術２では、前述したように、ピッチＱと厚みｔの関係がＱ＜ｔを満たす必要がある。一方、底面６２２の傾斜角８２４はピッチＱの大小によらずほぼ一定であるので、Ｑ≒ｔのときに底板８２３の厚みｄが最小となり、このとき底板８２３の専有面積も最小となる。そこで、ピッチＱをｔとし、底板８２３の専有面積をＳ２とし、ピッチＱ方向の単位長さをｔとすると、単位長さｔ当たりの専有面積Ｓ２の最小値は次式で与えられる。
Ｓ２＝√（ｔ2＋ｔ2）×ｄ≒１．４１ｔｄ
【００３９】
これに対し、図４に示す実施形態１では、厚みｔ，ｄを上記と同じ値とし、底板２２３の専有面積をＳ１とすると、傾斜角７１，７２が小さいため、ピッチＰ方向の単位長さｔ当たりの専有面積Ｓ１はおおよそ次式で与えられる。
Ｓ１≒ｔ×ｄ＝ｔｄ
【００４０】
したがって、Ｓ１／Ｓ２≒０．７０７となることから、本実施形態１によれば、底板２２３の専有面積を関連技術２に比べて最低でも３０％削減できるので、その分、内側面２３の面積を増大できる。
【００４１】
図５及び図６は、実施形態１の製造方法を示す断面図である。図７は、実施形態１の製造方法における感光性レジスト膜及び耐食膜のパターンの一部を拡大して示す平面図である。以下、図５乃至図７を中心に、図１乃至図４も用いつつ、本実施形態１の製造方法ついて説明する。
【００４２】
本実施形態１の製造方法は、実施形態１の振動素子を製造する方法である。まず、図５［１］に示すように、水晶ウェハ４１の表裏に耐食膜４２を形成する（耐食膜形成工程）。例えば、スパッタによりクロム又はクロム及び金の二層からなる耐食膜４２を成膜する。
【００４３】
続いて、図５［２］に示すように、耐食膜４２上に感光性レジスト膜４３を形成する（感光性レジスト膜形成工程）。感光性レジスト膜４３は、例えばポジ型を使用する。
【００４４】
続いて、図５［３］に示すように、基部及び振動腕部となる領域５２の感光性レジスト膜４３を残し、かつ、溝部となる領域５４の感光性レジスト膜４３を除去する（露光現像工程）。ここで、水晶ウェハ４１上に残された感光性レジスト膜４３は、図７に示す平面形状となる。
【００４５】
続いて、図６［４］に示すように、感光性レジスト膜４３で覆われていない耐食膜４２を除去することにより、耐食膜４２からなるマスクを作成する（パターニング工程）。耐食膜４２の除去には、耐食膜４２のみをエッチングし、水晶ウェハ４１をエッチングしない強酸を用いる。この耐食膜４２からなるマスクも、図７に示す平面形状となる。
【００４６】
続いて、図６［５］に示すように、耐食膜４２からなるマスクを用いて水晶ウェハ４１をウェットエッチングする（ウェットエッチング工程）。このエッチング液には、フッ酸を用いる。図６［５］では、感光性レジスト膜４３が除去されているが、感光性レジスト膜４３を残しておき次の工程でリフトオフ法を用いて電極等を形成してもよい。
【００４７】
その後、図２に示すように、振動腕部１２ａ，１２ｂ等に励振電極３１ａ，３１ｂ等の金属膜を形成する。これらの金属膜は、例えば成膜、フォトリソグラフィ、エッチングにより形成され、例えばチタンの上にパラジウム又は金が設けられた積層構造となっている。
【００４８】
前述のとおり、露光現像工程（図５［３］）において水晶ウェハ４１上に残される感光性レジスト膜４３は、図７に示す平面形状となる。つまり、図７に示すように、露光現像工程では、表側の溝部に形成される山となる領域５５、及び、裏側の溝部に形成される山となる領域５６に、それぞれ感光性レジスト膜４３からなる突起５７を残す。
【００４９】
この場合、水晶のエッチングレートは、表側の溝部において、突起５７で覆われた領域５５が最も小さくなり、領域５５から離れるに従い大きくなり、隣接する二つの領域５５の概ね中間で最も大きくなる。裏側の溝部において突起５７で覆われた領域５６についても同様である。そのため、領域５５，５６に対応して、図４に示すように、底面２２の山２２１が形成され、隣接する二つの山２２１の概ね中間に谷２２２が形成される。そこで、一方の溝部の最も深い場所である谷２２２が他方の溝部の最も浅い場所である山２２１と向かい合う形状になるように、表側の溝部に形成される山となる領域５５と裏側の溝部に形成される山となる領域５６とを一定距離（ずれ６４）ずらして、それぞれ感光性レジスト膜４３からなる突起５７を残す。この一定距離は、隣接する二つの山２２１のピッチＰの概ね半分であるが、水晶のウェットエッチングに異方性があるため、ピッチＰの半分丁度になるとは限らない。
【００５０】
また、前述のとおり、パターニング工程（図６［４］）で作成される耐食膜４２からなるマスクも、図７に示す平面形状となる。そして、図７に示すように、このような平面形状の耐食膜４２からなるマスクを用いることにより、ウェットエッチング工程では、耐食膜４２で覆われていない領域の水晶ウェハ４１を除去するととともに、耐食膜４２からなる突起５７に覆われた領域５５，５６の水晶ウェハ４１をサイドエッチングによって除去する。このとき、耐食膜４２からなる突起５７がエッチング抑制パターンとして作用するので、図１に示す基部１１及び振動腕部１２ａ，１２ｂの外形と溝部１４１ａ，…とが一回のウェットエッチングで同時に形成される。
【００５１】
なお、図７に示す突起５７の傾き６６及び幅６７は、エッチング抑制パターンとして作用する値、かつ、領域５５，５６の水晶が当該サイドエッチングによって消滅する値に設定しておく。また、突起５７の傾き６６を６０°とすると、突起５７で覆われる水晶の突出方向がＹ’軸方向、当該水晶の両側面の法線方向が±Ｘ軸方向となる。そして、水晶のエッチングレートは、Ｘ軸方向がＹ’軸方向よりも大きい。したがって、突起５７の傾き６６を６０°とすることにより、突起５７で覆われる水晶はサイドエッチングされやすくなる。ただし、Ｘ軸及びＹ’軸は三本ずつあるので、ここでいうＸ軸及びＹ’軸は、図１に示すＸ軸及びＹ’軸とは異なる。
【００５２】
本実施形態１の製造方法によれば、実施形態１の振動素子を製造できることにより、実施形態１の振動素子と同様の作用及び効果を奏する。
【００５３】
次に、本実施形態１の寸法例について説明する。
【００５４】
図１において、振動腕部１２ａ，１２ｂの長さ６１は１２００μｍ、振動腕部１２ａ，１２ｂの幅６２は５８μｍである。図４において、振動腕部１２ａ（すなわち水晶ウェハ４１）の厚みｔは１００μｍである。図３及び図７において、山２２１のピッチＰ及び突起５７のピッチＰは５０μｍ、表裏の山２２１のずれ６４及び表裏の突起５７のずれ６４は２２．５μｍである。図７において、溝部となる領域５４の幅６５は１３μｍ、突起５７のＹ’軸方向からの傾き６６は６０°、突起５７の幅６７は４．５μｍである。なお、これらの寸法は、あくまで一例であり、設計上適切な値を選べばよい。
【００５５】
図８は、本実施形態１の振動素子のクリスタルインピーダンスの測定値を示すグラフである。以下、この図面に基づき説明する。
【００５６】
図８は、横軸がクリスタルインピーダンス（ＣＩ）［ｋΩ］、縦軸が累積度数［％］からなる、累積度数分布図である。そして、図８では、一枚の水晶ウェハごとにウェハ面内溝深さを変えながら振動素子を製造し、各振動素子のクリスタルインピーダンスを測定し、各水晶ウェハごとに異なる記号で各測定値をプロットしている。図８における「表」、「裏」、「ウェハ面内溝深さ」とは、図４における「主面１３１」、「主面１３２」、「水晶ウェハの厚みｔに対する谷２２２の深さ６８の割合」である。図８から明らかなように、本実施形態１の振動素子のクリスタルインピーダンスは、ウェハ面内溝深さが深くなるにつれて減少する傾向が認められ、関連技術１の振動素子に比べて大幅に低減できることがわかる。すなわち、図４において、溝部１４１ａ，１４３ａに形成された谷２２２の深さ６８は、振動腕部１２ａの厚みｔに対して、前述のとおり５０％以上かつ６０％以下とすることが望ましく、更に５０％以上かつ５５％以下とすることがより望ましい。
【００５７】
以上、上記実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。また、本発明には、上記実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【符号の説明】
【００５８】
１０  水晶片
１１  基部
１２ａ，１２ｂ  振動腕部
１３１  主面（第一の主面）
１３２  主面（第二の主面）
１５  外側面
１４１ａ，１４２ａ，１４１ｂ，１４２ｂ  溝部（第一の溝部）
１４３ａ，１４４ａ，１４３ｂ，１４４ｂ  溝部（第二の溝部）
２１  開口
２２  底面
２２１  山
２２２  谷
２２３  底板
２３  内側面
３１ａ，３１ｂ  励振電極
【００５９】
４１  水晶ウェハ
４２  耐食膜
４３  感光性レジスト膜
５２  振動腕部となる領域
５４  溝部となる領域
５５  第一の溝部の山となる領域
５６  第二の溝部の山となる領域
５７  突起
【００６０】
６１  長さ
６２，６５，６７  幅
６４  ずれ
６６  傾き
６８  深さ
７１，７２  傾斜角
ｄ，ｔ  厚み
Ｐ  ピッチ
【００６１】
３１２ａ  振動腕部
３２１  開口
３２２  底面
５２１  山
５２２  谷
５２３  底板
３２３  内側面
３４１  水晶ウェハ
３４２  耐食膜
３５２  振動腕部となる領域
３５４  溝部となる領域
３５５  表の溝部の山となる領域
３５６  裏の溝部の山となる領域
３５７  突起
４４１ａ，４４３ａ  溝部
【００６２】
６１２ａ  振動腕部
６２１  小溝部
６２２  底面
８２１  仕切部
８２２  谷
８２３  底板
８２４  傾斜角
６２３  内側面
７４１ａ，７４３ａ  溝部
Ｑ  ピッチ
【図１】
0006005001.tif 000002
【図２】
0006005001.tif 000003
【図３】
0006005001.tif 000004
【図４】
0006005001.tif 000005
【図５】
0006005001.tif 000006
【図６】
0006005001.tif 000007
【図７】
0006005001.tif 000008
【図８】
0006005001.tif 000009
【図９】
0006005001.tif 000010
【図１０】
0006005001.tif 000011
【図１１】
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