(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一リード線および第二リード線を横並びに配置する第一配置工程と、
第一外部電極および第二外部電極が本体に形成されており、互いに対向する第一側面および第二側面と、前記第一側面と隣り合って第一角をなす第三側面と、前記第一角と対角の位置にて前記第二側面と隣り合って第二角をなす第四側面と、を有するサーミスタ素子を準備する準備工程と、
前記第一リード線の先端部分が前記第一側面に沿って前記第一側面を横切り、かつ前記第二リード線の先端部分が前記第二側面に沿うように、前記サーミスタ素子を配置する第二配置工程と、
前記第一角および前記第二角を前記第一リード線および前記第二リード線が支持した状態で、前記第一リード線を前記第一外部電極に電気的に接続しつつ固定すると共に、前記第二リード線を前記第二外部電極に電気的に接続しつつ固定する固定工程と、を備える温度センサの製造方法。
【請求項２】
前記第一側面はさらに前記第四側面と隣り合って第三角をなしており、
前記固定工程では、前記第一角および前記第三角の両方を前記第一リード線が支持し、前記第二角を前記第二リード線が支持する、請求項１に記載の温度センサの製造方法。
【請求項３】
前記第二配置工程前に、前記第一リード線の先端部分が前記第一角にて前記第三側面側に折り曲げられる折り曲げ工程をさらに備える、請求項１または２に記載の温度センサの製造方法。
【請求項４】
前記折り曲げ工程ではさらに、前記第二リード線の先端部分が前記第二角にて前記第四側面に向かって折り曲げられている、請求項３に記載の温度センサの製造方法。
【請求項５】
第一外部電極および第二外部電極が本体に形成されており、互いに対向する第一側面および第二側面と、前記第一側面と隣り合って第一角をなす第三側面と、前記第一角と対角の位置にて前記第二側面と隣り合って第二角を形成する第四側面とを少なくとも有するサーミスタ素子と、
前記第一側面に沿いつつ該第一側面を横切る先端部分を有し、前記第一角にて前記第一外部電極と電気的に接続される第一リード線と、
前記第二側面に沿う先端部分を有し、前記第二角にて前記第二外部電極と電気的に接続される第二リード線と、を備えた温度センサ。
【請求項６】
前記第一リード線の先端部分は、前記第一角にて前記第三側面側に折り曲げられている、請求項５に記載の温度センサ。
【請求項７】
前記第二リード線は、前記第二角にて前記第四側面に向かって折り曲げられている、請求項５または６に記載の温度センサ。
【請求項８】
前記第一リード線および前記第二リード線はそれぞれ単線である、請求項５〜７のいずれかに記載の温度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーミスタ素子を備えた温度センサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の温度センサとしては、下記の特許文献１に記載のものがある。この温度センサは下記の手順にて製造される。
【０００３】
まず、長さが異なる二本のリード線が準備される。次に、これらリード線の先端が切断される。この切断により、それぞれの切断面は互いに内方に向かって傾斜状となると共に、各リード線の切断面から金属線が露出する。次に、一方のリード線の側面がサーミスタ素子の長手方向に平行に添着するように、かつ他方のリード線の先端でサーミスタ素子の端子電極を支持するように、サーミスタ素子が配置される。
【０００４】
次に、各リード線と、対応する端子電極の接合点とに、はんだペーストが塗布される。その後、温風ヒータで加熱することではんだペーストが溶融させられる。これにより、サーミスタ本体は両リード線に固着する。
【０００５】
次に、両リード線の先端部分およびサーミスタ素子全体を覆うように絶縁部材が塗布され硬化させられる。その後、両リード線の終端部分を高温のはんだ槽に浸漬させ、これによって、当該部分を覆っている絶縁皮膜を剥ぎ取ると共に、はんだコート処理が施される。
以上の工程により、温度センサが完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００８／１５６０８２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の製法では、サーミスタ素子が一方のリード線に添着させられると共に、他方のリード線の先端でサーミスタ素子の端子電極を支持するだけである。よって、両リード線によるサーミスタ素子の保持力は相対的に弱く、はんだペーストの塗布等の際に、小さな外力がサーミスタ本体に加わった場合でも、サーミスタ素子が両リード線から脱落する。その結果、従来の製法では良品率が低くなるという問題点があった。
【０００８】
それゆえに、本発明の目的は、良品率を向上可能な温度センサおよびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の第一局面は、温度センサの製造方法であって、第一リード線および第二リード線を横並びに配置する第一配置工程と、第一外部電極および第二外部電極が本体に形成されており、互いに対向する第一側面および第二側面と、前記第一側面と隣り合って第一角をなす第三側面と、前記第一角と対角の位置にて前記第二側面と隣り合って第二角をなす第四側面と、を有するサーミスタ素子を準備する準備工程と、前記第一リード線の先端部分が前記第一側面に沿って前記第一側面を横切り、かつ前記第二リード線の先端部分が前記第二側面に沿うように、前記サーミスタ素子を配置する第二配置工程と、前記第一角および前記第二角を前記第一リード線および前記第二リード線が支持した状態で、前記第一リード線を前記第一外部電極に電気的に接続しつつ固定すると共に、前記第二リード線を前記第二外部電極に電気的に接続しつつ固定する固定工程と、を備える。
【００１０】
本発明の第二局面は、温度センサであって、第一外部電極および第二外部電極が本体に形成されており、互いに対向する第一側面および第二側面と、前記第一側面と隣り合って第一角をなす第三側面と、前記第一角と対角の位置にて前記第二側面と隣り合って第二角を形成する第四側面とを少なくとも有するサーミスタ素子と、前記第一側面に沿いつつ該第一側面を横切る先端部分を有し、前記第一角にて前記第一外部電極と電気的に接続される第一リード線と、前記第二側面に沿う先端部分を有し、前記第二角にて前記第二外部電極と電気的に接続される第二リード線と、を備えている。
【発明の効果】
【００１１】
上記局面によれば、良品率を向上可能な温度センサおよびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係る温度センサの完成品の斜視図である。
【図２】図１の温度センサの先端部分（封止部材およびその周辺部分）を透視した図である。
【図３】図１のサーミスタ素子の拡大図である。
【図４】図２の温度センサの先端部分の拡大図である。
【図５】図１の温度センサの用途の一例を示す模式図である。
【図６Ａ】図１の温度センサの製造工程を示す第一の模式図である。
【図６Ｂ】図１の温度センサの製造工程を示す第二の模式図である。
【図７Ａ】図２の温度センサの変形例を示す第一の模式図である。
【図７Ｂ】図２の温度センサの変形例を示す第二の模式図である。
【図７Ｃ】図２の温度センサの変形例を示す第三の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
《実施形態》
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態に係る温度センサ１を説明する。その説明に先立ち、いくつかの図面に示すＬ軸、Ｗ軸、Ｔ軸を定義する。Ｌ軸、Ｗ軸およびＴ軸は、互いに直交しており、サーミスタ素子２の左右方向（長さ方向）、前後方向（幅方向）および上下方向（高さ方向）を示す。
【００１４】
《温度センサ１の基本構成》
図１，図２に示すように、温度センサ１は、大略的には、サーミスタ素子２と、第一リード線３１と、第二リード線３２と、封止部材４と、固着部材５と、を備えている。ここで、サーミスタ素子２と、リード線３１，３２の先端とは、封止部材４により封止されるため、図１には示されない。また、図２では、封止部材４の外形線だけが破線にて示され、サーミスタ素子２と、リード線３１，３２の先端とは透視された状態で示されている。
【００１５】
サーミスタ素子２は、例えば積層型のチップサーミスタであって、図３に示すように、サーミスタ本体２１と、第一外部電極２２と、第二外部電極２３と、を含んでいる。
【００１６】
本体２１は、複数のセラミック層をＴ軸方向に積層した積層体を含む。また、Ｔ軸方向に隣り合うセラミック層の間には、一つの内部電極が設けられている場合がある。
【００１７】
また、本体２１は、周囲温度の変化に対して抵抗値が大きく変化する温度特性を有する。本実施形態では、本体２１は、温度上昇と共に抵抗値が小さくなるＮＴＣサーミスタであるとする。かかるＮＴＣサーミスタは、例えば、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）および銅（Ｃｕ）等の遷移元素のグループから選ばれた二種から四種の酸化物を混合し焼結した酸化物焼結体（セラミック焼結体）から作製可能である。
【００１８】
また、本体２１は、例えばＪＩＳ（日本工業規格）にて規格化されたサイズを有する。本体２１のサイズは特に限定される訳では無いが、一例として、本体２１は１００５サイズを有するとする。この場合、Ｌ軸方向の寸法（つまり、Ｌ寸）は１．０ｍｍであり、Ｗ軸方向の寸法（つまり、Ｗ寸）は０．５ｍｍである。また、Ｔ軸方向の寸法（つまり、Ｔ寸）はＪＩＳ規格にて定められている訳では無いが、例えば０．５ｍｍである。ここで、Ｌ寸、Ｗ寸およびＴ寸はいずれも設計目標値であって、必ずしも正確に１．０ｍｍ、０．５ｍｍおよび０．５ｍｍとなるわけではない。つまり、Ｌ寸、Ｗ寸およびＴ寸はいずれも公差を持っている。
【００１９】
本体２１は、図３右側の点線円内に示すように、第一主面Ｍ１、第二主面Ｍ２、第一側面Ｓ１、第二側面Ｓ２、第三側面Ｓ３および第四側面Ｓ４からなる略直方体形状を有する。主面Ｍ１，Ｍ２は、本体２１の底面および上面であって、Ｔ軸方向にＴ寸だけ離れて相対向する。また、側面Ｓ１，Ｓ２は、本体２１の前面および背面であって、Ｗ軸方向にＷ寸だけ離れて相対向する。側面Ｓ３，Ｓ４は、本体２１の右側面および左側面であって、Ｌ軸方向にＬ寸だけ離れて相対向する。
【００２０】
外部電極２２，２３は、例えば銀（Ａｇ）を主成分とする下地層と、下地層上に形成されたニッケル（Ｎｉ）のめっき層と、Ｎｉめっき層上に形成されたスズ（Ｓｎ）めっき層とからなる。
【００２１】
外部電極２２は、例えば本体２１の右端部を覆っている。具体的には、外部電極２２は、本実施形態では、本体２１の側面Ｓ３全域に加え、主面Ｍ１，Ｍ２および側面Ｓ１，Ｓ２それぞれの右端部分を覆うものとする。
【００２２】
外部電極２３は、例えば本体２１の左端部を覆っている。具体的には、外部電極２３は、本実施形態では、本体２１の側面Ｓ４全域に加え、主面Ｍ１，Ｍ２および側面Ｓ１，Ｓ２それぞれの左端部分を覆う。この外部電極２３は、外部電極２２を基準としてＬ軸負方向側に所定距離だけ離して設けられている。
【００２３】
次に、図４を参照して、サーミスタ素子２としての第一側面Ｓ１'、第二側面Ｓ２'、第三側面Ｓ３'および第四側面Ｓ４'について説明する。図４は、図２のサーミスタ素子２の部分をＴ軸方向から平面視した時の模式図である。側面Ｓ１'は、Ｗ軸負方向側からサーミスタ素子２を平面視した時に視認される面であって、本体２１の側面Ｓ１と、外部電極２２，２３の前面とから構成される。また、側面Ｓ２'は、Ｗ軸正方向側からの平面視で視認される面であって、本体２１の側面Ｓ２と、外部電極２２，２３の背面とから構成される。また、側面Ｓ３'は、Ｌ軸正方向側からの平面視で視認される面であって、外部電極２２の右側面から構成される。また、側面Ｓ４'は、Ｌ軸負方向側からの平面視で視認される面であって、外部電極２３の左側面から構成される。
【００２４】
また、側面Ｓ３'の前側の辺は側面Ｓ１'の右側の辺と実質同じである。つまり、側面Ｓ１'，Ｓ３'はこの辺を共有して互いに隣り合っており、約９０°の第一角θ１をなす。また、側面Ｓ４'の後側の辺は側面Ｓ２'の左側の辺と実質同じである。つまり、側面Ｓ２'，Ｓ４'はこの辺を共有して互いに隣り合っており、約９０°の第二角θ２をなす。ここで、角θ１，θ２は、Ｔ軸方向からの平面視で互いに対角の位置にある。また、側面Ｓ１'，Ｓ４'もまた前面側にて隣り合っており、約９０°の第三角θ３をなす。
【００２５】
ここで、再度図１，図２を参照する。リード線３１，３２は、互いに同種のリード線であって、Ｌ軸方向に約１５ｍｍ〜約１５０ｍｍの長さと、約０．３ｍｍの線径とを有する。ここで、温度センサ１のコストダウンのため、リード線３１，３２は単線であることが好ましい。より具体的には、リード線３１は、図４に示すように、エナメル３１１で被覆された芯線３１２で構成されている。リード線３２も同様に、エナメル３２１で被覆された芯線３２２からなる。ここで、芯線３１２，３２２の材質は、低熱伝導率の金属材料であることが好ましい。かかる金属材料としては、銅およびニッケルの合金がある。ここで、サーミスタ素子２は自身の周囲温度を検知することが求められる。したがって、リード線３１，３２から熱がサーミスタ素子２に伝わってくることは、周囲温度を検知する観点では好ましくない。この観点で、芯線３１２，３２２には、熱伝導率が相対的に高い銅では無く、銅およびニッケルの合金が用いられる。
【００２６】
以上のようなリード線３１，３２は、例えばＷ軸方向に横並びに配置される。かかるリード線３１，３２の先端部分にサーミスタ素子２が挟み込まれた状態で固定される。以下、サーミスタ素子２の取り付けについてより詳細に説明する。
【００２７】
リード線３１の先端部分は、製造工程における良品率向上の観点から、図４に示すように、側面Ｓ１'上に沿いつつ側面Ｓ１'の左端から右端へと横切るように延在している。リード線３１の先端部分はさらに、はんだによって、外部電極２２と電気的に接続されると共に外部電極２２に固着される。以上のことから、リード線３１の先端部分において、少なくとも外部電極２２と接続される箇所に関しては、エナメル３１１の被覆が除去されている。また、リード線３１の先端部分において、側面Ｓ１'の本体２１および外部電極２３上に沿う部分に関しては、エナメル３１１の被覆は残される。これにより、リード線３１と外部電極２３との電気的絶縁が確保される。また、リード線３１の先端部分は、良品率向上の観点から、角θ１にて側面Ｓ３'側に向けて、９０°よりも若干小さな角度で折り曲げられていることが、さらに好ましい。
【００２８】
一方、リード線３２の先端部分は、側面Ｓ２'上に沿いつつ側面Ｓ２'における外部電極２３の部分を左端から右端へと横切るように延在している。リード線３２の先端部分はさらに、はんだによって、外部電極２３と電気的に接続されると共に外部電極２３に固着される。以上のことから、リード線３２の先端部分において、少なくとも外部電極２３と接続される箇所に関しては、エナメル３２１の被覆が除去されている。
【００２９】
また、リード線３２の先端部分は、角θ２にて側面Ｓ４'側に向けて９０°よりも小さな角度で折り曲げられていることが好ましい。
【００３０】
また、リード線３１，３２について、それぞれの後端から例えば約５ｍｍの位置までの範囲からはエナメル３１１，３２１の被覆が除去されると共に、はんだによりコーティングされている。
【００３１】
封止部材４は、電気絶縁性を有する樹脂材料から形成され、サーミスタ素子２およびリード線３１，３２の先端部分を封止して、サーミスタ素子２を保護する。
【００３２】
固着部材５は、リード線３１，３２の各後端部分のはんだコーティング部よりも先端側に設けられている。この固着部材５は、例えば樹脂製接着剤であって、リード線３１，３２が離れないように互いを固着する。
【００３３】
《温度センサ１の用途例》
以上のような温度センサ１は、様々な用途に応用可能であるが、その一例を挙げると、図５に示すように電子機器６の回路基板６１および筐体６２の間の空間温度を測定する。
【００３４】
《温度センサ１の製造方法》
次に、図６Ａ及び図６Ｂを参照して、上記温度センサ１の製造方法について説明する。
まず、第一配置工程において、図６Ａ左端に示すように、リード線３１，３２が横並びに配置される。次に、図６Ａ左から二番目に示すように、リード線３１がリード線３２よりも若干長くなるようカットされる。次に、図６Ａ左から三番目に示すように、リード線３１，３２の両先端のエナメル被覆が除去される。次に、図６Ａ左から四番目に示すように、折り曲げ工程において、リード線３１，３２の先端部分が折り曲げられる。より具体的には、リード線３１の先端部分が、サーミスタ素子２の挿入時に角θ１にて側面Ｓ３'側に向かうように折り曲げられる。さらに、リード線３２の先端が、サーミスタ素子２の挿入時に角θ２にて側面Ｓ４'側に向かうように折り曲げられる。
【００３５】
次に、図６Ａ左から五番目に示すように、屈曲工程にて、リード線３１との先端と、リード線３２の先端とが互いに内向させられて近接させられる。
【００３６】
次に、図６Ａ左から六番目に示すように、準備工程において、外部電極２２，２３が本体２１に形成されたサーミスタ素子２（図４参照）が準備される。このサーミスタ素子２は、前述の通り、角θ１をなす側面Ｓ１'，Ｓ３'と、角θ１と対角の位置にて角θ２をなす側面Ｓ２'，Ｓ４'と、を有する。上記側面Ｓ１'，Ｓ４'はさらに角θ３をなす。
【００３７】
さらに、図６Ａ左から六番目に示すように、第二配置工程において、リード線３１，３２の先端同士の間にサーミスタ素子２が挿入される。この時、図４を参照して説明したように、リード線３１となるべき部分の先端部分が、サーミスタ素子２の第一側面Ｓ１'に沿って第一側面Ｓ１'を横切り、かつリード線３２となるべき部分の先端部分が第二側面Ｓ２'に沿うように、サーミスタ素子２は配置される。また、本実施形態では、好ましい構成として、リード線３１，３２の先端部分が折り曲げられている。この場合、リード線３１の先端において折り曲げられた部分がサーミスタ素子２の角θ１を保持し、リード線３２の先端において折り曲げられた部分がサーミスタ素子２の角θ２を保持する。
【００３８】
次に、図６Ｂ左端に示すように、固定工程では、サーミスタ素子２をリード線３１，３２の両先端にはんだによって固定する。より具体的には、サーミスタ素子２の角θ１，θ２をリード線３１，３２の先端が支持した状態で、リード線３１をはんだにより外部電極２２に電気的に接続しつつ固定する。これとほぼ同時に、リード線３２をはんだにより外部電極２３に電気的に接続しつつ固定する。この時、より好ましい形態として、サーミスタ素子２の角θ３もリード線３１によって支持される。
【００３９】
次に、図６Ｂ左から二番目に示すように、封止部材４を形成するために、絶縁性樹脂材料にてサーミスタ素子２およびリード線３１，３２の先端部分が覆われる。その後、必要に応じて絶縁性樹脂材料は塗装された後、硬化させられる。
【００４０】
次に、図６Ｂ左から三番目に示すように、リード線３１，３２の後端部分を高温のはんだに浸漬させて、この部分からエナメル被覆を除去すると共に、リード線３１，３２の後端となるべき部分にはんだコーティングを施す。その後、図６Ｂ左から四番目に示すように、リード線３１，３２においてはんだコーティングよりも先端側が接着剤等で固定されて、固定部材５が形成される。
【００４１】
《温度センサ１の作用・効果》
上記の通り、本温度センサ１の製造方法では、屈曲工程にて、リード線３１，３２の先端同士が互いに内向させ近接させられる。その後、第二配置工程において、リード線３１，３２の両先端間にサーミスタ素子２が挿入される。この時、図４を参照して説明したように、リード線３１の先端部分が、サーミスタ素子２の第一側面Ｓ１'に沿って第一側面Ｓ１'を横切り、かつリード線３２となるべき部分の先端部分が第二側面Ｓ２'に沿うように、サーミスタ素子２は配置される。
【００４２】
したがって、第二配置工程後、サーミスタ素子２の角θ１，θ２をリード線３１，３２の先端がＷ軸の正方向および負方向側から挟み込んで支持することになる。ここで、リード線３１の先端が側面Ｓ１'を横切り、かつリード線３２の先端が側面Ｓ２'に沿っているため、リード線３１，３２と側面Ｓ１'，Ｓ２'との接触面積を従来よりも大きくすることができる。これにより、リード線３１，３２によるクランプ力をより大きくすることが可能となる。その結果、固定工程等でリード線３１，３２からサーミスタ素子２が脱落することを低減させることが可能となるため、より良品率の高い温度センサ１の製造方法を提供することが可能となる。
【００４３】
また、本実施形態では、好ましい構成として、リード線３１の先端部分が側面Ｓ３'に向けて折り曲げられ、リード線３２の先端部分が側面Ｓ４'に向けて折り曲げられている。したがって、リード線３１において折り曲げられた部分が角θ１を覆うように保持し、リード線３２において折り曲げられた部分が角θ２を覆うように保持する。その結果、リード線３１，３２はサーミスタ素子２をより安定的に保持することが可能となるため、固定工程等でリード線３１，３２からサーミスタ素子２が脱落することを低減させることが可能となり、より良品率の高い温度センサ１の製造方法を提供することが可能となる。
【００４４】
《付記１》
上記実施形態では、サーミスタ素子２はＮＴＣサーミスタであった。しかし、これに限らず、サーミスタ素子２はＰＴＣサーミスタでも構わない。この場合、本体２１は、典型的には、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）に所定量の希土類を混合し焼結したセラミック焼結体からなっている。
【００４５】
《付記２》
上記実施形態では、サーミスタ素子２は積層型チップサーミスタとして説明する。しかし、これに限らず、サーミスタ素子２は、単板型のチップサーミスタであっても構わない。
【００４６】
《付記３》
また、サーミスタ素子２は、１００５サイズに限らず、３２２５サイズ、３２１６サイズ、２０１２サイズ、１６０８サイズ、０６０３サイズ、０４０２サイズでも構わない。これらサイズに関し、Ｌ寸等は下記の表１に記載の通りである。
【００４７】
【表１】
0005880583.tif 000002
【００４８】
《付記４》
上記実施形態では、リード線３１，３２は固着部材５により互いに固着されていた。しかし、これに限らず、リード線３１，３２を撚って互いに離れないようにしても構わない。
【００４９】
《付記５》
上記実施形態では、リード線３１，３２は、芯線３１２，３２２にエナメル３１１，３２１で被覆されていた。しかし、これに限らず、リード線３１，３２はさらに、エナメル３１１，３２１をビニル等で被覆したものであっても構わない。
【００５０】
《変形例》
次に、図７Ａ〜図７Ｃを参照して、温度センサ１のいくつかの変形例について説明する。図４の例では、リード線３１の先端部分が角θ１にて側面Ｓ３'に向けて折り曲げられ、リード線３２の先端部分が角θ２にて側面Ｓ４'に向けて折り曲げられていた。しかし、これに限らず、図７Ａ左端に示すように、温度センサ１は、これに加えて、リード線３１の先端部分は角θ３にて側面Ｓ４'に向けて９０°より小さい角度だけ折り曲げられても構わない。これにより、リード線３１，３２はサーミスタ素子２をより良好に保持することが可能となる。
【００５１】
また、図４の例では、リード線３２の先端部分は、側面Ｓ２'上に沿いつつ側面Ｓ２'における外部電極２３の部分を左端から右端へと横切るように延在している。しかし、これに限らず、リード線３２の先端部分は、図７Ａ中央に示すように、外部電極２２に当接しなければ、側面Ｓ２'上における外部電極２２と本体２１の境界近傍まで延在させても構わない。これにより、リード線３２による保持力が向上する。
【００５２】
また、図４の例では、リード線３１の先端部分が角θ１にて側面Ｓ３'に向けて折り曲げられていた。しかし、図７Ａ右端に示すように、リード線３１の先端部分は角θ１にて折り曲げられなくとも構わない。
【００５３】
また、以上の例では、サーミスタ素子２において外部電極２２，２３はＬ軸方向に対向していた。しかし、これに限らず、図７Ｂに示すように、外部電極２２，２３はＷ軸方向に相対向していても構わない。また、この場合は、図７Ｃに示すように、リード線３１，３２の先端部分において、外部電極２２，２３上の部分からエナメル３１１，３２１が除去されていても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明に係る温度センサおよび製造方法は、良品率を向上させることが可能であり、電子機器向け等に好適である。
【符号の説明】
【００５５】
１  温度センサ
２  サーミスタ素子
２１  サーミスタ本体
２２，２３  第一外部電極，第二外部電極
３１，３２  第一リード線，第二リード線
４  封止部材
【図１】
0005880583.tif 000003
【図２】
0005880583.tif 000004
【図３】
0005880583.tif 000005
【図４】
0005880583.tif 000006
【図５】
0005880583.tif 000007
【図６Ａ】
0005880583.tif 000008
【図６Ｂ】
0005880583.tif 000009
【図７Ａ】
0005880583.tif 000010
【図７Ｂ】
0005880583.tif 000011
【図７Ｃ】
0005880583.tif 000012