(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェハ貫通インターコネクトに渡って感光性材料を形成すること、
前記感光性材料を光パターン付けして、前記インターコネクト同士の間の前記感光性材料の領域を残して前記インターコネクトの上側面を露出すること、および
前記インターコネクトを超えて横方向および外側に向けてのびて前記インターコネクトを囲み全体が前記感光性材料の真上にあるエッジを持つキャップを前記インターコネクトの上に形成する導電性材料を、前記インターコネクトの前記露出された上側面に向き合いかつ前記感光性材料に向き合って、形成すること、
を含む、
半導体構造物を形成する方法。
【請求項２】
前記キャップの前記エッジの真下の前記感光性材料の上側面は前記インターコネクトの前記上側面より低い位置にある、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インターコネクトに隣接する前記感光性材料の上側面は少なくともいくつかの前記インターコネクトの前記上側面と概ね同一平面上にある、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記導電性材料の前記エッジは前記感光性材料に直接向き合っている、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記感光性材料は、シロキサンを含有する物質、エポキシ・アクリルを含有する物質、ポリイミドを含有する物質、およびポリベンゾオキサゾールを含有する物質からなるグループから選択される一つまたはそれより多くの材料を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記感光性材料は前記半導体ダイの半導体材料に直接向き合って形成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記感光性材料は、一つまたはそれより多くの絶縁性材料によって前記半導体ダイの半導体材料から離間されて形成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記感光性材料を光パターン付けすることは、前記感光性材料を、前記複数のインターコネクトのうち隣り合うインターコネクトの間において前記隣り合うインターコネクトから離間して設けられた膜厚の厚い領域と、前記隣り合うインターコネクトと前記膜厚の厚い領域との間に前記隣り合うインターコネクトにそれぞれ隣接して設けられた膜厚の薄い領域と、に区画することを含み、
前記導電性材料を形成することは、前記キャップの前記エッジが前記膜厚の薄い領域上に位置するように形成されることを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記膜厚の厚い領域と前記キャップの前記エッジは、互いに空隙によって離間されている、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャップの最上面は、前記感光性材料の前記膜厚の厚い領域の最上面より低い位置にある、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
表側面と裏側面を備える半導体ダイと、
前記半導体ダイを貫通し、前記半導体ダイの前記裏側面より高い位置に上側面および前記半導体ダイの前記裏側面と前記上側面との間に垂直にのびる側壁面を持つ導電性ポストと、
前記導電性ポストの周囲に隣接して設けられた膜厚の薄い領域および前記膜厚の薄い領域の外側に延在する膜厚の厚い領域を備える誘電性組成物と、
前記導電性ポストの前記上側面を覆って設けられた導電性材料であって、そのエッジが前記膜厚の薄い領域上に位置し、前記膜厚の厚い領域から空隙によって離間するよう構成される導電性材料を備える、
半導体構造物。
【請求項１２】
前記誘電性組成物の前記膜厚の薄い領域の上側面は前記導電性ポストの前記上側面より低い位置にある、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１３】
前記誘電性組成物の前記膜厚の薄い領域の上側面は前記導電性ポストの前記上側面と概ね同一平面上にある、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１４】
前記導電性材料の最上部は、前記誘電性組成物の前記膜厚の厚い領域の最上部より低い位置にある、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１５】
前記導電性材料の前記エッジの全体が前記誘電性組成物に直接向き合っている、請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１６】
前記誘電性組成物は感光性材料であって、シロキサンを含有する物質、エポキシ・アクリルを含有する物質、ポリイミドを含有する物質、およびポリベンゾオキサゾールを含有する物質からなるグループから選択される一つまたはそれより多くの材料を含む、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１７】
前記誘電性組成物は前記半導体ダイの半導体材料に直接向き合っている、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１８】
一つまたはそれより多くの絶縁性材料が、前記誘電性組成物と前記半導体ダイの半導体材料の間にある、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項１９】
前記導電性ポストは銅を含む、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項２０】
前記導電性材料はTi、Cu、Ni、Pdのうち少なくとも一種類以上の元素を含む、
請求項１１に記載の半導体構造物。
【請求項２１】
表側面と裏側面を備える半導体ダイと、
前記半導体ダイを貫通し、前記半導体ダイの前記裏側面より高い位置に上側面および前記半導体ダイの前記裏側面と前記上側面との間に垂直にのびる側壁面を持つ複数の導電性ポストと、
前記複数の導電性ポストのうち隣り合う導電性ポストの間で、前記隣り合う導電性ポストから離間して設けられた膜厚の厚い領域と、前記隣り合う導電性ポストと前記膜厚の厚い領域との間に前記隣り合う導電性ポストにそれぞれ隣接して設けられた膜厚の薄い領域と、を備える誘電性組成物と、
それぞれの前記隣り合う導電性ポストの前記上側面を覆って設けられた導電性材料であって、そのエッジが前記膜厚の薄い領域上に位置し前記膜厚の厚い領域から空隙によって離間するよう構成される導電性材料を備える、
半導体構造物。
【請求項２２】
前記導電性材料の最上部は、前記誘電性組成物の前記膜厚の厚い領域の最上部より低い位置にある、
請求項２１に記載の半導体構造物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体構造物および半導体構造物を形成する方法である。
【背景技術】
【０００２】
例えばメモリダイといった集積回路装置の商業生産は、多数の同一な回路パターンを単一の半導体ウェハまたは他のバルク半導体基板に作成することを含み得る。ある大きさの半導体基板に作成される半導体装置の密度を高めて半導体装置の歩留まりを高めかつその性能を向上させることは半導体製造業者の永続的な目標である。
【０００３】
半導体アセンブリにおける半導体装置の密度を高めるための一つの方法は、半導体ダイを完全に貫通するビア（すなわち、貫通孔）を形成すること、すなわち、ダイの活性面（ａｃｔｉｖｅ  ｓｕｒｆａｃｅ）から反対側の裏側面までのびる （ｅｘｔｅｎｄ）ビア（すなわち、貫通孔）を形成することである。（ウェハ貫通（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｗａｆｅｒ）インターコネクトとも呼ばれる）基板貫通（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）インターコネクトを形成するために、これらのビアは導電性材料によって満たされ得る。このインターコネクトは、ダイの活性面から裏側面までの電気経路を提供する。この基板貫通インターコネクトは、ダイの裏側に沿いかつダイの外部にある回路部品に達する電気接点に電気結合され得る。ある用途では、ダイは、３次元マルチチップモジュール（３Ｄ  ＭＣＭ）に組み込まれ得、ダイの外部にある回路部品は別の半導体ダイおよび／またはキャリア基板を含み得る。
【０００４】
基板貫通インターコネクトを半導体基板に形成するための様々な方法が開示されてきた。例えば、米国特許第７，８５５，１４０号、第７，６２６，２６９号および第６，９４３，１０６号は、基板貫通インターコネクトを形成するのに利用され得る例示的な方法を開示している。
【発明の概要】
【０００５】
基板貫通インターコネクトへの接続の形成において様々な問題が直面され得る。したがって、基板貫通インターコネクトへの接続を形成する新しい方法を開発することおよび新しい基板貫通インターコネクトアーキテクチャを開発することが望まれる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図２】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図３】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図３Ａ】それぞれ図３Ａの線３−３、図５Ａの線５−５および図７Ａの線７−７に沿った図３、図５および図７の構造物の上面図である。
【図４】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図５】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図５Ａ】それぞれ図３Ａの線３−３、図５Ａの線５−５および図７Ａの線７−７に沿った図３、図５および図７の構造物の上面図である。
【図６】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図７】例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図７Ａ】それぞれ図３Ａの線３−３、図５Ａの線５−５および図７Ａの線７−７に沿った図３、図５および図７の構造物の上面図である。
【図８】他の例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図９】他の例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図１０】他の例示的実施形態による方法の様々な加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａの線１０−１０に沿った図１０の構造物の上面図である。
【図１１】他の例示的実施形態による、図３の加工段階の代替になる加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【図１２】例示的実施形態による、図１１の加工段階の後の加工段階における構造物の部分の概略的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
いくつかの実施形態では、本発明は、（いくつかの態様ではウェハ貫通インターコネクトであり得る）導電性ポストの上（ｏｖｅｒ）に感光性材料が提供され、そして、その感光性材料は、ポストの上に開口を形成するようにパターン付けされる（ｂｅ  ｐａｔｔｅｒｎｅｄ）方法を含む。その後、アンダーバンプメタラジー（ＵＢＭ）が開口内および感光性材料の上に形成され得る。感光性材料は、ＵＢＭの導電性材料の下の絶縁性材料として完成された（ｆｉｎｉｓｈｅｄ）構造物内に留まり得る。いくつかの実施形態は、導電性ポストに隣接する感光性材料およびポストの上にあり感光性材料の上にのびる導電性キャップを含む構造物を含む。
【０００８】
図１から図１２までを参照して例示的実施形態が記載される。
図１において、半導体構造物１０が示され、半導体構造物１０は、半導体基材１２内にのびる複数の導電性ポスト２０〜２０を含む。いくつかの実施形態では、基材１２は半導体ダイに対応し得る。そのようなダイは裏側１４および表側１６を持つ。集積回路（図示せず）が表側と関連付けられ得、破線１７はダイ内での回路のおおよその境界を概略的に表すために引かれている。集積回路は（例えばＮＡＮＤ，ＤＲＡＭ、その他といった）メモリ、論理回路等を含み得る。集積回路（図示せず）は主に表側と関連付けられ得るが、いくつかの実施形態では、裏側と関連付けられる集積回路もあり得る。
【０００９】
裏側は面（ｓｕｒｆａｃｅ）１５を持ち、そのような裏側面は、図１の加工段階においてポストより高い位置にある。基材も表側面を持つ場合があり、いくつかの実施形態では、ポスト２０〜２２は、ダイを貫通してダイの表側面に沿った面を持ち得る。表側面は図１に示されていない。ダイの表側面は、図１の加工段階においてキャリアウェハ（図示せず）に接合され得る。
【００１０】
基材１２は単結晶シリコンを含み得、半導体基板または半導体基板の部分と記載され得る。「半導性質基板（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）」、「半導体構造物」および「半導体基板」らの語は、半導性ウェハ（単体であるか他の材料を含むアセンブリ内のものであるかを問わない）といったバルク半導性材料および半導性材料層（単体であるか他の材料を含むアセンブリ内のものであるかを問わない）を非限定的に含む半導性材料を含む任意の構造物を意味する。「基板」という語は、上述された半導性基板を非限定的に含む任意の支持構造体（ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を意味する。
【００１１】
導電性ポスト２０〜２２は、任意の適切な導電性組成物または組成物の組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態では、ポストは、基板貫通ビア（ＴＳＶｓ）内に形成された１つまたはそれより多くの導電性組成物を含み得る。いくつかの実施形態では、ポストは銅を含み得る。
【００１２】
誘電性材料１８はポスト２０〜２２の周囲でのび、ポストを基材１２から絶縁する。誘電性材料は、例えば二酸化ケイ素、窒化ケイ素等といった適切な組成物または組成物の組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態では、ポストは銅を含み得、（例えばルテニウム含有材料といった）銅バリア材（ｃｏｐｐｅｒ−ｂａｒｒｉｅｒ  ｍａｔｅｒｉａｌ）がポストの銅と誘電性材料１８の間に存在し得る。
【００１３】
図２では、ポスト２０〜２２および基材１２に渡って（ａｃｒｏｓｓ）のびる平坦化された面になるように裏側面１５を形成するための研削および／または他の適切な加工を構造物１０は受ける 。
【００１４】
図３では、半導体材料１２は、裏側面１５をポスト２０〜２２と比較して凹んだ状態にするリリーフエッチング（ｒｅｌｉｅｆ  ｅｔｃｈ）を受ける。例えば、半導体材料１２が裏側１４に沿ったケイ素を含み、裏側１４に沿ったケイ素から本質的になり、または裏側１４に沿ったケイ素からなる場合、リリーフエッチはフッ化炭素および／またはオキシダントを利用して実行され得る。
【００１５】
図３のポスト２０〜２２は、裏側面１５より高い位置に上面を持ち、また、上面から裏側面１５までのびる側壁面を持つ。例えば導電性ポスト２０は、上面２５を含むものとして示され、かつ上面２５から基材１２の裏側面１５までのびる側壁面２３を含むものとして示されている。
【００１６】
ポスト２０〜２２は適切な任意の構成を持ち得る。例えば、図３Ａは図３の上面図であり、いくつかの実施形態では円筒状の柱であり得るポストを示す。図３Ａの上面図は、図３の側壁２３はポスト２０の周囲の全体的にのびる連続的な側壁の部分であり得ることを示す。
【００１７】
図３の加工段階は、裏側面１５より高い位置にある領域でポストの側壁に沿った位置から誘電性材料１８が除去されている様子を示しているが、他の実施形態では誘電性材料はポストのそのような側壁に沿った状態で留まり続け得る。そのような他の実施形態の例は図１１を参照して下記にて記載される。
【００１８】
図４において、ダイ１２の裏側面１５の上およびポスト２０〜２２の上に感光性材料３０が形成されている。図示される実施形態では、感光性材料３０は、ダイ１２の半導体材料に直接接触し、かつ、（例えばポスト２０の上面２５といった）ポストの上面および（例えばポスト２０の側壁２３といった）ポストの側壁に沿って、ポスト２０〜２２の導電性材料に直接接触する。いくつかの実施形態では、ポストが銅を含む場合、感光性材料３０はポストの上面および側壁に沿った銅に直接接触し得る。他の実施形態では、（例えばルテニウム含有材料といった）銅バリア材によって、感光性材料はポストの側壁に沿った銅から離間され（ｂｅ  ｓｐａｃｅｄ）得る。いくつかの実施形態では、感光性材料３０の形成に優先して、（図１１を参照して下記に材料８０として記載される）誘電性材料が裏側面１５に渡って提供され得、したがって誘電性材料によって感光性材料はダイ１２の裏側面から離間される。
【００１９】
感光性材料３０は任意の適切な組成物を含み得、また、完成された構造物内に留まるのに適切な誘電性組成物を好ましくは含む。いくつかの実施形態では、感光性材料は、シロキサンを含有する物質、エポキシ・アクリルを含有する物質、ポリイミドを含有する物質、およびポリベンゾオキサゾールを含有する物質からなるグループから選択される一つまたはそれより多くの材料を含む。
【００２０】
いくつかの実施形態では、感光性材料は、光画像形成可能な（ｐｈｏｔｏ−ｉｍａｇｅａｂｌｅ）スピンオン誘電体であり得る。また、感光性材料は約２００℃かそれより低い温度にて付着（ｂｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ）可能な材料であり得る。ダイをキャリアウェハに貼り付けるために使用される接着剤は約２００℃を超える温度にさらされるとダイを離すように構成されていることがあり得るため、感光性材料の付着のための低温度の利用は有利である。
【００２１】
感光性材料３０の使用は、次に続く電磁放射への露出によって容易にパターン付けされなおかつ完成された半導体構造物に誘電性材料として留まることが可能な材料を有利に提供する。本開示およびそれに続く請求の範囲を解釈する目的では、「感光性材料」は、露出された領域が露出されない領域との関係において選択的に除去され得るようにまたはその逆のことがおきるように、電磁放射への露出によって変化する材料である。露出された領域の露出されない領域との関係における選択的な除去またはその逆のことは、現像溶液（ｄｅｖｅｌｏｐｅｒ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を利用して行われ得る。
【００２２】
図５および図５Ａにおいて、感光性材料３０は光パターン付けされている。そのような光パターン付けは、パターン付けされた電磁放射に感光性材料を露出し、現像液を使用して、露出された領域を露出されない領域との関係において選択的に除去しまたはその逆のことを行うことを含み得る。感光性材料の光パターン付けにおいては、感光性材料３０でのポスト間の領域を残して、ポスト２０〜２２の上側面 を露出（例えばポスト２０の上側面２５を露出）する。図示される実施形態では、感光性材料３０はパターン付けされてポストの各々の周囲に凹み領域３２を形成し、そのような凹み領域は、ポストの上面を露出することに加えて（例えばポスト２０の側壁２３といった）ポストの側壁を露出する。いくつかの実施形態では、凹み領域３２は薄い領域と考えられ得、また、図５の光パターン付けされた材料３０はこれらの薄い領域の間にのびる厚い領域３１を含むと考えられ得る。厚い領域は厚さＴ１を持ち、薄い領域は厚さＴ２を持つ。図示される実施形態では、（例えばポスト２０の上側面２５といった）ポスト２０〜２２の上側面は薄い領域３２の感光性材料３０より高い位置にある。いくつかの実施形態では、厚さＴ２は厚さＴ１の約半分に等しいかそれより小さいことがあり得る。
【００２３】
図６では、導電性材料４０が材料３０およびポスト２０〜２２に渡って形成されている。図示されている実施形態では、導電性材料４０は（例えばポスト２０の上面２５といった）ポスト２０〜２２の上面に直接向き合っており（ｂｅ  ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ａｇａｉｎｓｔ）、また、そのようなポストの（例えばポスト２０の側壁面２３といった）側壁面に直接向き合っている。導電性材料４０は感光性材料３０の上側面に直接向き合ってもいる。いくつかの実施形態では、ポスト２０〜２２は銅を含み得、（例えばルテニウム含有材料といった）銅バリア材がポストの側壁に沿ってあり得る。そのような実施形態では、導電性材料４０は、ポストの銅に直接向き合っているのではなくポストの側壁に隣接する銅バリア材料に沿ってあり得る。
【００２４】
いくつかの実施形態では、導電性材料４０は、銅のその後の電解成長のためのシード材料として利用され得る。そのような実施形態では、材料４０は、例えば、チタニウムおよび銅の混合物を含み得、チタニウムおよび銅の混合物から本質的になり得、またはチタニウムおよび銅の混合物からなり得る。
【００２５】
パターン付けされたマスキング材料４２は導電性材料４０の上に形成される。いくつかの実施形態では、パターン付けされたマスキング材料４２は、フォトリソグラフィによりパターン付けされたフォトレジストを含み得る。パターン付けされたマスキング材料４２はそれを通ってのびる開口４３〜４５を有する。開口はポスト２０〜２２の真上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  Ｏｖｅｒ）にあり、感光性材料３０の薄い領域３２部分の真上にある。
【００２６】
導電性材料４６および４８は開口４３〜４５内に形成される。いくつかの実施形態では、材料４６は導電性材料４０の上に電解成長された銅を含み得、材料４８は材料４６の上に電解成長されたニッケルまたはパラジウムを含み得る。図示される実施形態では２つの材料４６および４８は開口４３〜４５内で形成されるが、他の実施形態では、開口内で１つの導電性材料が形成され得、あるいは２つより多くの材料がそのような開口内で形成され得る。例えば、いくつかの実施形態では、ニッケルおよびパラジウムの両方が銅を含有する材料４６の上に形成され得る。材料４６および４８は最終的にはアンダーバンプメタラジー（ＵＢＭ）に組み込まれ得、したがって、ＵＢＭでの利用に適切な一般的な組成物をいくつかの実施形態では含み得る。
【００２７】
図７および図７Ａにおいて、マスキング材料４２（図６）は除去され、その後、材料４０のエッチング中に材料４８はハードマスクとして利用される。図７および図７Ａの構造物は材料４６および４８を組み合わせて材料４０によって形成される複数の導電性キャップ５０〜５２を含むと考えられ得る。キャップ５０〜５２はポスト２０〜２２と一対一の対応関係にあり、半田ボールまたは他の配線部品（図示せず）をポストに電気的に結合するために利用されるＵＢＭに最終的に対応し得る。
【００２８】
キャップ５０〜５２は、任意の適切な形状を取り得、図７Ａはキャップが円形である場合の実施形態を示す。図７Ａではポスト２０〜２２は、そのようなポストがキャップ５０〜５２より下にあることを表すために、破線で示されている。
【００２９】
図７はポスト２０〜２２の上側面に直接向き合っておりまたポストの側壁面に沿ってもいるキャップ５０〜５２の導電性材料を示す。具体的には、図示される実施形態ではキャップの導電性材料４０はポストの上側面および側壁面に直接向き合っている。図７は、ポストを超えて（ｂｅｙｏｎｄ）横方向および外側に向かってのびてポストを囲むエッジをキャップが有している（例えば、ポスト２１に対して横方向および外側に向かいかつポストを囲むエッジ５５をキャップ５１が有することが示されている）ことも示す。図示される実施形態では、キャップのそのようなエッジは感光性材料３０の真上にある。キャップのエッジの真下（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｕｎｄｅｒ）にある感光性材料３０の領域はポスト２０〜２２の上側面より低い位置にある上側面を有する。
【００３０】
図示される実施形態では、キャップ５０〜５２のエッジは感光性材料３０の薄い領域３２の部分を覆い、薄い領域の他の部分は覆わずに残す（すなわち、第二厚さ領域３２のある部分はキャップ５０〜５２のエッジを越えて外側にむかってのびる）。図示される実施形態では、（例えばキャップ５１のエッジ５５といった）キャップの導電性材料のエッジの全体は感光性材料３０に直接向き合っている。他の実施形態（図示せず）では、（例えば二酸化ケイ素または窒化ケイ素といった）誘電性材料が、キャップの導電性材料と感光性材料３０の間に提供され得る。
【００３１】
図８から図１０は、導電性ポストの上にありかつ導電性ポストに電気的に結合された導電性キャップを形成する加工に感光性材料を組み込む他の例示的実施形態の方法を示す。図８は、いくつかの実施形態では図４の加工段階に続き得る加工段階における構造物１０ａを示す。
【００３２】
図８の構造物１０ａはダイ１２の裏側面１５に渡って感光性材料３０を含む。材料は材料を通ってポスト２０〜２２の上側面へのびる複数の開口６０〜６２を形成するようにパターン付けされている。パターン付け材料３０はポスト２０〜２２に隣接する薄い領域６４を有し、薄い領域間に厚い領域６３を有する。図示される実施形態では、薄い領域は、ポスト２０〜２２の上側面と概ね同一平面上にある上側面を有する。いくつかの実施形態では、いくつかの薄い領域のみが、隣接するポストの上側面と概ね同一平面上にある面を有するように、いくつかの薄い領域は隣接するポストの上側面より高い位置または低い位置にある面を持ち得る。
【００３３】
図示される実施形態では、開口６０〜６２はポスト２０〜２２より広く、他の実施形態では、開口ポストの幅に近く、さらに他の実施形態では、開口は、ポストの上側面の部分のみが露出するように、ポストより狭くあり得る。
【００３４】
図９において、導電性材料４０は材料３０およびポスト２０〜２２に渡って形成されている。図示される実施形態では、導電性材料４０はポスト２０〜２２の上面に直接向き合っており、感光性材料３０の上側面に直接向き合っている。
【００３５】
パターン付けされたマスキング材料４２は導電性材料４０の上に形成される。パターン付けされたマスキング材料はそれを通ってのびる開口７０〜７２を有する。開口はポスト２０〜２２の真上にあり、ポストに隣接する感光性材料３０の部分の真上にある。
【００３６】
導電性材料６６は開口７０〜７２内で形成される。いくつかの実施形態では、材料６６は、図６を参照して上述された材料４６および４８を含み得、かつアンダーバンプメタラジー（ＵＢＭ）に最終的に組み込まれ得る。
【００３７】
図１０および図１０Ａにおいて、マスキング材料４２（図９）は除去され、その後、材料６６は材料４０のエッチング中にハードマスクとして利用される。図１０および図１０Ａの構造物は材料６６と組み合わせて材料４０によって形成される複数の導電性キャップ７４〜７６を含むと考えられ得る。キャップ７４〜７６はポスト２０〜２２と一対一の対応関係にあり、半田ボールまたは他の配線部品（図示せず）をポストに電気的に結合するために利用されるＵＢＭに最終的に対応し得る。
【００３８】
キャップ７４〜７６は、任意の適切な形状を取り得、図１０Ａはキャップが円形である場合の実施形態を示す。ポスト２０〜２２は図１０Ａでは、これらのポストがキャップ７４〜７６より下にあることを示すために破線によって描かれている。
【００３９】
図１０はポスト２０〜２２の上側面に直接向き合っているキャップ７４〜７６の導電性材料を示し、また、ポストを超えて横方向および外側に向かってのびてポストを囲むエッジをキャップが有していることも示す（例えば、ポスト２１に対して横方向および外側に向かいかつポストを囲むエッジ７７をキャップ７５が有することが示されている）。図示される実施形態では、キャップのそのようなエッジは感光性材料３０の真上にある。キャップのエッジの真下にある感光性材料３０の領域はポスト２０〜２２の上側面より高い位置にある上側面を有する。
【００４０】
図１１および図１２は、導電性ポストの上にありかつ導電性ポストに電気的に結合された導電性キャップを形成する加工に感光性材料を組み込む他の例示的実施形態の方法を示す。図１１は、図４を参照して上記した加工段階の代替になり得る加工段階における構造物１０ｂを示す。材料３０はダイ１２の裏側面１５の上に形成される。しかし、材料３０は、そのような裏側面に直接向き合っているのではなく、誘電性材料８０によってダイ１２の裏側面から離間されている。誘電性材料８０は任意の材料を含み得、例えば、第二の窒化物、酸化ケイ素等を含み得、第二の窒化物、酸化ケイ素等から本質的になり得、または第二の窒化物、酸化ケイ素等からなり得る。誘電性材料８０は、感光性材料３０のみによって提供される保護および／または絶縁を上回るさらなる保護および／または絶縁をダイ１２の半導体材料の上に提供するために利用され得る。
【００４１】
ダイ１２の裏側面１５より高い位置でのポスト２０〜２２の側壁面に沿って誘電性材料１８がのびていることが示されている（例えば、誘電性材料１８はポスト２０の側壁面２３に沿ってのびていることが示されている）点でも図１１の実施形態は図４の実施形態と異なる。図１１の実施形態では、裏側１５より高い位置でのポストの側壁に沿っていると示されているのは誘電性材料１８だが、これに加えてまたはこれに換えて他の実施形態では、ポストのそのような側壁に沿う導電性材料があり得る。例えば、ポストが銅を含む場合、裏側面１５より高い位置でのポストの側壁に沿って（例えばルテニウム含有料といった）銅バリア材があり得る。
【００４２】
図１２において、構造物１０ｂは、図７を参照して上述された加工段階に似た加工段階にあるものとして示されている。したがって、材料３０は厚い領域３１および薄い領域３２にパターン付けされており、薄い領域の上に、およびポスト２０〜２２の上側面に直接向き合って導電性キャップが形成されている。キャップは導電性材料４０、４６および４８を含み、ＵＢＭメタラジーに対応し得る。図１２の構造物は図７を参照して上述された構造物に類似している。感光性材料３０とダイ１２の間に誘電性材料８０があるという点で、この構造物は図７の構造物と異なる。導電性材料４０が（例えばポスト２０の側壁面２３といった）ポスト２０〜２２の側壁面に直接向き合っているのではなくそのような側壁面から材料１８によって離間されているという点でも、この構造物は図７の構造物と異なる。
【００４３】
本書類に記載されるいくつかの実施形態は、これら実施形態が、例えばフォトプロセス用の道具等といった半導体製造設備にすでにある道具を利用し得るといった点で、従来技術による方法と比べて既存の製造プロセスに有利に比較的組み込みやすい。いくつかの実施形態では、上述された感光性材料３０は光画像形成可能なスピンオン誘電体であり得る。そのような材料は１マイクロメータと等しいかそれより低い光解像度（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を持つことが可能であり、ダイのパッケージング処理（ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｐｒｏｃｅｓｓ）で使用され得る高温積層処置に耐えるのに十分な耐熱性を持つことが可能である。いくつかの実施形態は、従来技術による加工と比べてウェハの厚さ方向での減少されたばらつき（ｔｈｒｏｕｇｈ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ  （ＴＴＶ））を可能にし得る。
【００４４】
図面における各種実施形態の特定の配向は説明目的のみにあり、いくつかの用途では、実施形態は図示される配向から回転されることがあり得る。本書類に提供される記載およびそれに続く特許請求の範囲は、各種の特徴間の記載された関係を有する任意の構造体に、それら構造体が図面の特定の配向通りであるかそのような配向から回転されているかを問わず、係わる。
【００４５】
図面を単純化するために、添付の図面の断面図は、当該断面の平面内にある特徴のみを示し、当該断面の平面の背後の（ｂｅｈｉｎｄ）材料を示さない。
【００４６】
構造体が他の構造体に対して「接している（ｏｎ）」または「向き合っている（ａｇａｉｎｓｔ）」ものとして上記にて参照される場合、その構造体は当該他の構造体に直接接している（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）場合があり、またそれら構造体の間に入る構造体も存在する場合もあり得る。対照的に、構造体が他の構造体に対して「直接接している（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」または「直接向き合っている（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ａｇａｉｎｓｔ）」ものとして上記にて参照される場合、それらの構造体の間に入る構造体は存在しない。構造体が他の構造体に「接続されている（Ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」または「結合されている（ｃｏｕｐｌｅｄ）」ものとして参照される場合、その構造体は当該他の構造体に直接に接続または結合されている場合があり、またこれらの構造体の間に入る構造体も存在する場合もあり得る。対照的に、構造体が他の構造体に「直接接続されている（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）」または「直接結合されている（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ）」ものとして参照される場合、これらの構造体の間に入る構造体は存在しない。
【００４７】
いくつかの実施形態では、半導体構造物は半導体ダイを通ってのびる導電性ポストを含む。ポストはダイの裏側面より高い位置に上側面を持ち、裏側面と上側面の間をのびる側壁面を持つ。感光性材料は、裏側面の上にあり、かつ側壁面に沿っている。導電性材料はポストの上側面に直接向き合っている。導電性材料はポストの上のキャップとして構成されている。キャップは、ポストを超えて横方向および外側に向かってのびてポストを囲むエッジを有している。エッジの全体は感光性材料の真上にある。
【００４８】
いくつかの実施形態では、半導体構造物は、半導体ダイを通ってのびる複数の導電性ポストを含む。ポストはダイの裏側面より高い位置に上側面を持ち、裏側面と上側面の間にのびる側壁面を持つ。感光性材料は、裏側面の上にあり、かつ側壁面に沿っている。導電性材料キャップはポストの上側面に直接向き合っており、かつポストに隣接する感光性材料の領域の真上にある。感光性材料は、キャップ同士の間の領域において第一の厚さを有し、キャップの真下の領域において第二の厚さを持つ。第二の厚さは第一の厚さより小さい。第二の厚さの領域の上側面は、ポストの上側面より低い位置にある。
【００４９】
いくつかの実施形態では、半導体構造物は、半導体ダイを通ってのびる複数の導電性ポストを含む。ポストは、ダイの裏側面より高い位置に上側面を持ち、かつ、裏側面と上側面の間にのびる側壁面を持つ。感光性材料は裏側面の上にあり、かつ側壁面に沿っている。導電性材料キャップはポストの上側面に直接向き合っており、かつポストに隣接する感光性材料の領域の真上にある。感光性材料はポスト同士の間の領域において第一の厚さを有し、ポストに隣接する領域において第二の厚さを有する。第二の厚さは第一の厚さより小さい。第一の厚さの領域の上側面はポストの上側面より高い位置にある。
【００５０】
いくつかの実施形態では、半導体構造物を形成する方法は、複数のウェハ貫通インターコネクトに渡って感光性材料を形成すること、および、インターコネクト間で感光性材料の領域を残してインターコネクトの上側面を露出するために感光性材料を光パターン付けすることを含む。方法は、インターコネクトの露出された上側面に直接向き合っておりかつ感光性材料に直接向き合っている導電性材料を形成することをも含む。導電性材料は、インターコネクトを超えて横方向および外側に向かってのびてインターコネクトを囲むエッジ有するキャップをインターコネクトの上に形成する。エッジの全体は感光性材料の真上にある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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【図７Ａ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１０Ａ】
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【図１１】
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【図１２】
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