(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御端子によって制御可能な切替可能な経路を有する電子スイッチを夫々が有する複数の段；及び
ドライバ段
を有し、
前記電子スイッチの前記切替可能な経路は、切り替えられる電位の間に直列に接続され、
夫々の段は、
夫々の電子スイッチが開状態にある場合に、開放された前記切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされ、当該段内の切替可能な経路から分岐された電流により充電されるとともに、少なくとも１つの光電池素子によっても充電されるエネルギ蓄積部を更に有し、
前記ドライバ段は、前記電子スイッチの前記切替可能な経路を閉じて、少なくとも一時的に閉状態を保つよう、前記エネルギ蓄積部で保持されるエネルギを前記電子スイッチの前記制御端子に供給することで前記電子スイッチを切り替え、
前記電子スイッチの切替は、夫々の段に設けられた光素子により開始され、
前記光素子及び前記少なくとも１つの光電池素子は、前記電子スイッチの切替を開始するよう構成される光源からの光を受けるよう配置される、
スイッチング回路。
【請求項２】
夫々の段は、同じように設計される、
請求項１に記載のスイッチング回路。
【請求項３】
前記段は、前記電子スイッチの前記切替可能な経路に沿った接続の他に相互間の接続がない、
請求項１に記載のスイッチング回路。
【請求項４】
夫々の段は、前記エネルギ蓄積部を更に充電する少なくとも１つの光電池素子を更に有する、
請求項１に記載のスイッチング回路。
【請求項５】
前記段の夫々は、接続ラインのための２つの端子しか有さず、
前記電子スイッチは、前記２つの端子の間に配置される、
請求項１に記載のスイッチング回路。
【請求項６】
スイッチング回路によって電位を切り替える方法であって、前記スイッチング回路は、制御端子によって制御可能な切替可能な経路を有する電子スイッチを夫々が有する複数の段を有し、前記電子スイッチの前記切替可能な経路は切り替えられる前記電位の間に直列に接続される、方法において：
開放された前記切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされる、夫々の段内の前記切替可能な経路からの電流を分岐するステップ；
夫々の電子スイッチが開状態にある間、前記分岐された電流により夫々の段のエネルギ蓄積部を充電するステップ；
夫々の段に設けられた光素子が前記電子スイッチの切替を開始するよう構成される光源からの光を受けることで前記電子スイッチの切替を開始して、前記電子スイッチの前記切替可能な経路をその閉状態へ切り替え、該閉状態を少なくとも一時的に保つよう、前記電子スイッチの前記制御端子へ前記エネルギ蓄積部で保持されるエネルギを供給するステップ
を有し、
前記エネルギを供給するステップは、前記光源から光を受けるよう夫々の段に設けられた少なくとも１つの光電池素子により、前記エネルギ蓄積部を更に充電するステップを有する、方法。
【請求項７】
請求項１に記載のスイッチング回路を有する高電圧発生器。
【請求項８】
請求項１に記載のスイッチング回路を有するＸ線発生器。
【請求項９】
請求項１に記載のスイッチング回路を有する医用撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電位を切り替えるためのスイッチング回路、電位を切り替える方法、並びにそのようなスイッチング回路を有する高電圧発生器、Ｘ線発生器及び医用撮像システムに関する。望ましくは、本発明は、Ｘ線発生器内の電気負荷を放電する高電圧スイッチング回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体技術を用いる高電圧スイッチング回路は、高電圧を切り替えるために知られている。比較的な容易に壊れやすい半導体により高電圧を切り替えることができるために、かかるスイッチング回路は、夫々が全体の電圧の一部のみを受ける幾つかの段に分けられる。
【０００３】
幾つかのタイプのスイッチング回路（クローバ（crowbars））が知られている。しかし、それらのほとんどは、半導体を駆動するために複数のトロイダルコア又は複雑な補助電源を用いる。他は、マスター・スレーブ構成又はカスケード配置のようなものを実装し、１つの段（マスター）のみが駆動され、他は連続的に追随する。
【０００４】
欧州特許出願公開第２０４０３７９（Ａ２）号明細書（特許文献１）は、電源と接続可能な負荷を扱う回路について記載する。回路は、複数の３端子スイッチと、１つの制御電源とを有する。３端子スイッチは、電源と負荷との間に接続可能な直列導電経路を定める。３端子スイッチは、ソース端子、ドレイン端子及びゲート端子を有する。回路は、制御電源と各スイッチのゲート端子との間に配置される絶縁回路を更に有する。絶縁回路は、各スイッチのゲート端子で遊離電圧を供給するよう制御電源及びコントローラと共に動作して、開スイッチ電位が接続を閉じるのに必要な制御電圧を超えないようにする。
【０００５】
しかし、この設計はむしろ複雑であり、従って、より簡単な設計を有するスイッチング回路が必要とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許出願公開第２０４０３７９（Ａ２）号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、より簡単な設計を有するスイッチング回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的は、独立請求項に従うスイッチング回路により達成される。有利な更なる展開は、従属請求項の対象である。
【０００９】
本発明の実施形態に従って、電位を切り替えるための、特に、高電圧ケーブルの容量性高電圧負荷のような電気負荷を放電するためのスイッチング回路が提供される。本明細書において、語「高電圧」は、４ｋＶよりも大きい電圧をいう。スイッチング回路は、夫々が望ましくはトランジスタ、特にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ又はＩＧＢＴである電子スイッチを有する複数の段を有する。夫々の電子スイッチは、制御端子（例えば、トランジスタのゲート／ベース）によって制御可能な切替可能な経路を有し、電子スイッチの切替可能な経路は、切り替えられる電位、又は放電される電気負荷の間に直列に接続される。トランジスタの場合に、切替可能な経路は、ドレイン−ソース経路又はコレクタ−エミッタ経路である。より具体的に、直列配置は、１つのトランジスタのソース（又はエミッタ）が連続したトランジスタのドレイン（又はコレクタ）と接続されるように、実装される。切替可能な経路の直列配置は、切り替えられる電位を接続するための直列導電線を形成する。夫々の段は、夫々の電子スイッチが開状態（高抵抗切替可能経路）にある間に、当該段内の切替可能な経路から分岐されて、開放された切替可能な経路にわたる電圧降下によって引き起こされる電流により充電されるキャパシタ又は蓄電池のようなエネルギ蓄積部を更に有する。これに関連して、エネルギ蓄積部は、望ましくは、夫々の電子スイッチが開状態にある間に、もっぱら当該段内の切替可能な経路から分岐された電流により充電される。更に、スイッチング回路は、電子スイッチの切替可能な経路を閉じて、少なくとも一時的に閉状態（低抵抗切替可能経路）を保つために、エネルギ蓄積部に蓄えられたエネルギを電子スイッチの制御端子に供給することによって電子スイッチを切り替えるドライバ段を有する。望ましくは、夫々の段は、同じように設計される。この設計は、夫々の電子スイッチの切替可能な経路へ接続されるラインの他にエネルギを供給する如何なる電源ラインもない段を提供する。それはまた、電子スイッチの切替可能な経路に沿った接続の他に相互間の接続ラインがない段を提供する。
【００１０】
この実施形態は、必要な配線が低減され得るという利点を提供する。電子スイッチの制御端子に与えられる電力を供給する付加的な電源は必要とされない。よって、自立的な自己供給型スイッチング回路が、その自立的な自己供給型段により提供され得る。
【００１１】
それらの利点はまた、そのようなスイッチング回路により電位を切り替える方法により、又はそのようなスイッチング回路有する高電圧発生器、Ｘ線発生器若しくは医用撮像システムにより、達成され得る。
【００１２】
更なる実施形態に従って、夫々の段は、電子スイッチの切替を開始するためのフォトトランジスタのような光素子を有する。光素子を段に組み込むことにより、制御ラインのための配線が節約され得る。更に、この配置は、低電圧制御ユニットからの、高電圧スイッチング回路のような高電圧発生器の高電圧部分のガルバニック分離を可能にする。
【００１３】
更に、夫々の段は、エネルギ蓄積部を更に充電する少なくとも１つの光電池素子を更に有することが考えられる。光素子を駆動する光源がオンされ、エネルギ蓄積部の放電を引き起こす場合に、光源によって発せられる光は少なくとも１つの光電池素子によって受光され、エネルギ蓄積部に供給され得る。これは、延長された時間期間に電流が電子スイッチの制御端子へ供給され得るという利点を有する。
【００１４】
高電圧負荷を放電するために使用される直列導電線からエネルギを引き込む複数の段を有する高電圧スイッチング回路を提供することが、本発明の主旨と見なされてよい。直列導電線が遮断される時間期間中に、段のエネルギ蓄積部は、後に直列導電線を閉じてその閉状態を保つために利用されるエネルギを充電される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に従う高電圧スイッチング回路の概略図を示す。
【図２】本発明の実施形態に従うスイッチング回路の２つの段を示す。
【図３】本発明の実施形態に従うスイッチ回路の段をより詳細に示す。
【図４】本発明に従う、電気負荷を放電する方法を示す。
【図５】医用撮像システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、夫々が自己供給特性を有する段を備えた高電圧スイッチング回路（クローバとも呼ばれる。）を対象とする。夫々の単一段は各自のフォトトランジスタを設けられ、全ての段が、フォトトランジスタによって受光される中央光源をオンすることによって、同時に作動することができるようにする。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に従う高電圧スイッチング回路１の概略図を示す。スイッチング回路１は、放電される高電圧負荷に直列に接続された複数の段２を有し、そのうちの１つは例として破線により囲まれている。参照符号３は、段２にわたって印加される派生電位を示す。
【００１８】
Ｘ線高電圧発生器（図５参照）では、最大１４０ｋＶの電位が存在する。Ｘ線発生器を開くとき、検査される患者に対するＸ線量を下げるために、高電圧の迅速な切替が必要とされる（μｓ内）。そのような大きさを有する電圧のそのような高速スイッチングを実現するために、高電圧発生器からＸ線管へエネルギを供給する電力ケーブル（その全てがＸ線発生器の部分である。）の残留容量負荷は放電される必要がある。これは、高電圧スイッチング回路により実現され得る。より厳密には、夫々の段に設けられている電子スイッチ６は、開状態から閉状態に切り替えられ、それにより、スイッチング回路２は、高電圧負荷が放電され得る低抵抗経路形成する。単一半導体素子は特定の電圧（例えば、最大４ｋＶ）を切り替えることしかできないので、段２は、放電される負荷の全体的な電圧を段２の全体にわたって等しく分けるために、直列に配置されている。本明細書において、電子スイッチの語「開状態」は、この電子スイッチの切替可能な経路が高抵抗であること、すなわち、電子スイッチがトランジスタである場合には、コレクタ−エミッタ経路又はドレイン−ソース経路が高抵抗であり、実質的に電流が流れないようにすることをいう。必要な変更を加えて、電子スイッチの語「閉状態」は、この電子スイッチの切り換え可能な経路が低抵抗であること、すなわち、電子スイッチがトランジスタである場合には、コレクタ−エミッタ経路又はドレイン−ソース経路が低抵抗であり、電流が実質的に抵抗なく流れるようにすることをいう。
【００１９】
段２の数は、スイッチング回路１に印加される電圧の大きさに適応され得る。目下の場合に、放電される電気負荷の電圧は最大１４０ｋＶであり、これは、使用されるＭＯＳＦＥＴ又はＩＧＢＴスイッチ及びそれらの最大降伏電圧に依存して４５から２００段を必要とする。しかし、本発明の適用範囲は、特定の数の段に限定されず、あらゆる数量をカバーすべきである。
【００２０】
夫々の段２の電子スイッチ６のスイッチング状態、すなわち、閉又は開状態は、夫々の段に設けられている光素子４を介して制御され得る。光素子４は、フォトトランジスタが使用されてよく、高周波光源５から発せられた光を受けることができるように配置される。光源５は、望ましくは複数の発光ダイオードであるが、単一又は複数のランプであってもよい。負荷の放電がＸ線高電圧発生器に置いて必要とされる場合に、光源５はコントローラ（図示せず。）によってオンされる。発せられた光は光素子４によって受光され、光素子４は、個々の段２の電子スイッチがそれらの閉状態に適応することを開始する。光源５及び光素子４を用いることによって、全ての段２は同時に切り替えられ得る。更に、この配置は、光源が結合されている制御回路からの、Ｘ線発生器の高電圧部分（例えば、高電圧スイッチング回路）のガルバニック分離を可能にする。
【００２１】
図２は、スイッチング回路１の２つの段２を示す。段２の夫々は、光素子４、望ましくはトランジスタである電子スイッチ６、エネルギ蓄積部を有する高電圧電源７、及び低電力ドライバ段８を有してよい。
【００２２】
図３は、スイッチング回路１の段２をより詳細に示す。参照符号４、７及び８を付された破線囲みは、どの電子部品が図２に示された夫々のモジュールに割り当てられ得るのかを示す。簡単のために、それらの破線囲みは段２の１つにおいてしか与えられていないが、段は全く同じに設計されるので、それらは全ての段に適用される。
【００２３】
図３に示される実施形態に従って、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）（metal-oxide-semiconductor  field-effect  transistors）Ｍ１〜Ｍ３が、段２の夫々において電子スイッチ６として設けられている。なお、ＩＧＢ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）（insulated  gate  bipolar  transistor）（例えば、ＩＸＧＨ２５Ｎ１６０又はＩＸＧＴ２５Ｎ１６０）もＭＯＳＦＥＴ（例えば、ＩＸＴＨ１２Ｎ１２０）に代えて使用されてよい。既に述べられたように、段２のＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３は直列に配置される。すなわち、ＭＯＳＦＥＴの１つ（例えば、Ｍ３）のソース（又は、ＩＧＢＴが使用される場合には、コレクタ）が、連続するＭＯＳＦＥＴ（例えば、Ｍ２）のドレイン（又は、ＩＧＢＴが使用される場合には、エミッタ）と接続される。直列の最も外側のＭＯＳＦＥＴＭ３のドレインは、例えば高電圧ケーブルによって搬送される電気負荷から得られる正の電位９と接続され、その直列の遠端部にある最も外側のＭＯＳＦＥＴＭ１のソースは接地される（例えば、ケーブルの負の電位に接続される）。直列に配置されているＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３は、このようにして、放電され又は切り替えられるケーブル又はいずれかの他の負荷の電位を接続するための直列導電線を形成する。直列におけるいずれかの位置で、ダンピング抵抗Ｒ１（例えば、１００Ω）が設けられてよい。この抵抗は、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３が損傷を与えられることを防ぐために、全てのＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３がそれらの閉状態にある状態において直列導電線を通る電流フローを制限する。ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３と並列に、夫々の抵抗Ｒ１０、Ｒ１９、Ｒ２８（例えば、１００００ｋΩ）が設けられており、抵抗Ｒ１０、Ｒ１９、Ｒ２８の一方の端子は夫々のＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３のドレインに接続され、抵抗Ｒ１０、Ｒ１９、Ｒ２８の他方の端子は夫々のＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３のソースに接続される。それらのトランジスタＲ１０、Ｒ１９、Ｒ２８は、ＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３がそれらの開状態にある場合にスイッチング回路１に印加される高電圧を段２の全てに等しく分ける静的な対称抵抗として機能する。目下の実施形態では、これは段２ごと、すなわち、開放されたＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３のいずれかのドレインとソースとの間の８００Ｖの電位である。
【００２４】
以下の記載では、段２の１つについてしか説明されない。段２は同じであるから、その説明は、異なる段２における同一の電子部品が図３において異なる参照符号を付されているとしてしても、段２の全て及びそれらの電子部品に当てはまる。
【００２５】
抵抗Ｒ２６（例えば、１００００ｋΩ）、トランジスタＱ１２（ＮＰＮ型トランジスタ）及びツェナーダイオードＤ８（例えば、ＢＺＸ８４Ｃ１５Ｌ）は、抵抗Ｒ２６の一方の端子がＭＯＳＦＥＴＭ３のドレインと、トランジスタＱ１２のコレクタとへ接続されるように、接続されている。トランジスタＱ１２のベースは、抵抗Ｒ２６の他方の端子と、ツェナーダイオードＤ８のカソードとへ接続されている。ツェナーダイオードＤ８のアノードは、ＭＯＳＦＥＴＭ３のソースへ接続されている。この構成において、ツェナーダイオードＤ８は、そのカソードとアノードとの間に１５Ｖの電位差を引き起こす。ＭＯＳＦＥＴＭ３のドレイン−ソース経路に印加された電位差の残りは、抵抗Ｒ２６に印加される。抵抗Ｒ２６はまた、ツェナーダイオードＤ８を保護するための電流制限素子として働く。トランジスタＱ１２のエミッタは、ダイオードＤ９（例えば、１Ｎ４１４８）のアノードと接続されている。ダイオードＤ９のカソードは、抵抗Ｒ２４（例えば、４７０Ω）を介してキャパシタＣ３（エネルギ蓄積部）の端子と接続されている。キャパシタＣ３の他方の端子は、ＭＯＳＦＥＴＭ３のソースへ接続されている。トランジスタＱ１２がその閉状態（コレクタ−エミッタ経路が低抵抗）にある場合に、キャパシタＣ３は、ＭＯＳＦＥＴＭ３のドレインからトランジスタＱ１２のコレクタ−エミッタ経路、ダイオードＤ９及び抵抗Ｒ２４を介して流れる電流によって充電される。キャパシタＣ３がますます充電されると、トランジスタＱ１２が特定のベース−エミッタ電位差に達した場合にそのコレクタ−エミッタ経路を開くまで、トランジスタＱ１２のエミッタでの電位はますます高くなる。キャパシタＣ３が以下で説明されるように放電される場合に、トランジスタＱ１２のエミッタでの電位は再び下がり、そのコレクタ−エミッタ経路の閉成を開始する。抵抗Ｒ２４は、電流制限素子及び／又は電流調整素子として働く。これは、さもなければ、キャパシタＣ３が完全放電状態にある場合に、初期充電電流が高すぎるためである。ダイオードＤ９は、キャパシタＣ３がトランジスタＱ１２を介して放電することを防ぐ。高電圧電源７のまさに説明された設計に代えて、まさに説明されたものに類似する２つの回路が直列に配置されてもよく、２つの回路の夫々は、高電圧電源７の電圧出力の半分を供給する。更に、図３に示される設計に代えて、高電圧電源７としてバックコンバータを用いることが考えられ得る。キャパシタＣ３に代えて、蓄電池が使用されてもよい。
【００２６】
更に、フォトトランジスタｑ９が光素子として設けられ、光源５から発せられた光を受けるよう位置付けられている。フォトトランジスタＱ９のコレクタは、抵抗Ｒ２０（例えば、２２００Ω）を介して、抵抗Ｒ２４へも接続されているキャパシタＣ３の端子へ接続されている。フォトトランジスタＱ９のエミッタは、抵抗Ｒ２１（例えば、１００ｋΩ）の端子と、トランジスタＱ１０（例えば、２Ｎ５０８９）のベースと、トランジスタＱ１１（例えば、２Ｎ４１２６）のベースとに接続されている。トランジスタＱ１０はＮＰＮ型であり、トランジスタＱ１１はＰＮＰ型である。抵抗Ｒ２１の他方の端子は、ＭＯＳＦＥＴＭ３のソースと接続されている。高抵抗Ｒ２１により、フォトトランジスタＱ９が光源５によって発せられた光によってその閉状態に切り替えられる場合に、充電されたキャパシタＣ３の両端の電位差の一部はトランジスタＱ１０及びＱ１１のベースへ印加される。結果として、トランジスタＱ１０はその閉状態に切り替えられ、トランジスタＱ１１はその開状態に切り替えられる。かかる配置は、プッシュプル段として知られている。トランジスタＱ１０の閉じられたコレクタ−エミッタ経路により、電流はキャパシタＣ３から（抵抗Ｒ２０と接続されているキャパシタ端子から）ＭＯＳＦＥＴＭ３のゲートへ流れることができる。従って、ＭＯＳＦＥＴＭ３は閉状態に切り替えられ、そのドレイン−ソース経路は低抵抗である。全てのＭＯＳＦＥＴＭ１〜Ｍ３が同時に切り替えられるので、直列導電線全体が低抵抗であり、電位９を接地することができる。
【００２７】
光源５がオフされる場合、フォトトランジスタＱ９は開状態に切り替えられ、トランジスタＱ１０及びＱ１１のベースでの電位をＭＯＳＦＥＴＭ３のソースに存在する電位とする。結果として、トランジスタＱ１０は開状態に切り替わり、トランジスタＱ１１は閉状態に切り替わる。次いで、ＭＯＳＦＥＴＭ３のゲートは、抵抗Ｒ２５（例えば、１０Ω）を介してＭＯＳＦＥＴＭ３のソースに存在する電位に引っ張られ得る。更に、ＭＯＳＦＥＴＭ３のゲートとＭＯＳＦＥＴＭ３のソースとの間には、抵抗Ｒ２３が、当該技術から知られるレッジング（ledging）のために設けられている。ゲート抵抗Ｒ２２（例えば、１０Ω）は、ＭＯＳＦＥＴＭ３のゲートとトランジスタＱ１０のエミッタとの間に接続されている。ゲート抵抗Ｒ２２は、ＭＯＳＦＥＴのターンオン速度の調整を可能にする。ターンオフの間、抵抗Ｒ２２に対して逆並列であるショットキーダイオードＤ７（例えば、１Ｎ５８１８）は、ＭＯＳＦＥＴゲート放電の速度を速めるために、ゲート抵抗Ｒ２２を短絡する。
【００２８】
更なる他の実施形態に従って、夫々の段２は、図３に示されて先に記載された設計に加えて、キャパシタＣ３を更に充電する光電池素子（例えば、ＣＰＣ１８３１）を有することができる。また、複数の光電池素子が使用されて、直列に配置されてよい。この単一の光電池素子又は光電池素子の直列は、キャパシタＣ３と並列に設けられる。光源５がオンされ、先に記載されたようにキャパシタＣ３の放電を引き起こす場合に、光源５によって発せられた光は、光電池素子によって受光され、キャパシタＣ３へ供給される。これは、延長された時間期間に電流がキャパシタＣ３からＭＯＳＦＥＴＭ３のゲートへ供給され得るという効果を有する。
【００２９】
図４は、上記の実施形態に従う、電気負荷を放電する方法を示す。電子スイッチ６、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の開放されたスイッチング経路により、特定の電位差（すなわち、ＭＯＳＦＥＴＭ１、Ｍ２、Ｍ３のドレイン−ソース間又はＩＧＢＴのコレクタ−エミッタ間の電圧）が夫々の電子スイッチ６、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３のスイッチング経路にわたって印加される。夫々の段内のこの切替可能な経路から、特に、ＭＯＳＦＥＴ（又はＩＧＢＴ）のドレイン（又はコレクタ）で、電流は分岐される。この電流は、夫々の段２のエネルギ蓄積部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３へ与えられる。電流を分岐することができるために、夫々の電子スイッチ６、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は、電流フローを駆動するために存在する電圧を有するために、開状態にある必要がある。スイッチング回路の切替が先に記載されたように光源５によって開始される場合に、エネルギ蓄積部Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３に蓄えられているエネルギは電子スイッチ６、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の制御端子へ供給される。これは、閉状態への電子スイッチ６、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の切替可能な経路の切替を引き起こし、次いで、閉状態は、少なくとも一時的に保たれる。
【００３０】
図５は、上記のスイッチング回路が使用され得る、合成医療ビュー／画像を生成する医用撮像システム１０を概略的に示す。医用撮像システム１０は、画像取得装置１１、データ処理ユニット１２及びディスプレイ装置１３を有する。例えば、医用撮像システム１０は、Ｘ線発生器１４を有するＸ線撮像システムである。Ｘ線発生器１４は、Ｘ線放射を発生させるよう設けられているＸ線管１９と、高電圧ケーブル２０を介してＸ線管１９へ電力を供給する高電圧発生器２１とを有する。図５において、Ｘ線管１９及び高電圧発生器２１は、別個の装置として概略的に表されているが、それらは、単一の筐体において一体化されてもよい。テーブル１５は、試験される患者１６を支えるために設けられている。更に、Ｘ線画像検出モジュール１７はＸ線発生器１４の反対側に位置付けられており、検出モジュール１７及びＸ線発生器１４の両方へ接続されているデータ処理ユニット１２へデータを送信している。データ処理ユニット１２は、テーブル１５の近くに位置付けられる。更に、ディスプレイ装置１３は、Ｘ線撮像システムを操作する人に情報を表示するためにテーブル１５の近くに配置される。また、インターフェースユニット１８は、ユーザによって情報又はコマンドを入力するために配置される。基本的に、画像検出モジュール１７は、対象をＸ線放射にさらすことによって画像を発生させ、該画像はデータ処理ユニット１２において更に処理される。示される例は所謂ＣＴタイプのＸ線画像取得装置であることが知られる。本発明はまた、ＣＶタイプのＸ線画像取得装置のような他のタイプのＸ線画像取得装置に関する。特に、上記のスイッチング回路は、ＣＶ及びＣＴ用途のための高速グリッドスイッチ及びデュアルエネルギＸ線システムに適用可能である。
【００３１】
本発明の教示は上記の実施形態の如何なる組み合わせもカバーすることが明示的に意図される。
【００３２】
本発明は図面及び上記の説明において詳細に図示及び記載されてきたが、そのような図示及び記載は単なる例であって限定ではなく、開示される実施形態に本発明を制限するよう意図されない。特定の手段が相互に異なる従属請求項において挙げられているという単なる事実は、それらの手段の組み合わせが有利に使用され得ないことを示さない。特許請求の範囲における如何なる参照符号も、本発明の適用範囲を制限するよう解されるべきではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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