(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のネブライザーと１以上のメッシュまたはグリッドターゲットとを備えるイオン源であって、
前記１以上のネブライザーが、一定期間にわたって１以上の液体クロマトグラフィー分離装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧するように配置および適合され、
１以上のネブライザーが、使用中に、主に前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させることによって液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた前記液滴の流れを放出するように配置および適合され、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、イオン源。
【請求項２】
前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットが、１以上のワイヤーメッシュまたはグリッドターゲットを含む、請求項１に記載のイオン源。
【請求項３】
前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットが、（ｉ）前記１以上のネブライザーのスプレー軸と略垂直の平面、または（ｉｉ）前記１以上のネブライザーのスプレー軸に対して＜９０度の角度で傾斜した平面のいずれかに配置される、請求項１または２に記載のイオン源。
【請求項４】
前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットが多数の衝撃ゾーンを提供する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項５】
前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットが１次元または２次元アレイの裂け目または開口を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項６】
前記１以上のメッシュまたはグリッドターゲットが複数の層を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項７】
前記層の１以上がメッシュまたはグリッドを含む、請求項６に記載のイオン源。
【請求項８】
前記複数の層が実質的に同一のまたは実質的に異なるメッシュサイズを有する層を含む、請求項６または７に記載のイオン源。
【請求項９】
前記１以上のネブライザーが前記１以上のネブライザーにより放出される質量または物質の大部分が蒸気ではなく液滴の形態となるように配置および適合される、請求項１〜８のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１０】
前記１以上のターゲットが前記１以上のネブライザーの出口から、＜２０ｍｍ、＜１９ｍｍ、＜１８ｍｍ、＜１７ｍｍ、＜１６ｍｍ、＜１５ｍｍ、＜１４ｍｍ、＜１３ｍｍ、＜１２ｍｍ、＜１１ｍｍ、＜１０ｍｍ、＜９ｍｍ、＜８ｍｍ、＜７ｍｍ、＜６ｍｍ、＜５ｍｍ、＜４ｍｍ、＜３ｍｍ、または＜２ｍｍに配置される、請求項１〜９のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１１】
動作モード中、前記１以上のターゲットが正電位に維持され、前記１以上のターゲットに衝突する前記液滴が複数の正に帯電したイオンを形成する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１２】
動作モード中、前記１以上のターゲットが負電位に維持され、前記１以上のターゲットに衝突する前記液滴が複数の負に帯電したイオンを形成する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１３】
前記１以上のターゲットが、前記液滴の流れおよび／または前記複数のイオンを質量分析計のイオン入口装置に向けて偏向させるように配置されるか、あるいは何らかの方法で位置決めされる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１４】
前記１以上のターゲットが質量分析計のイオン入口装置の上流に位置決めされ、その結果イオンが前記イオン入口装置の方向に向けて偏向する、請求項１３に記載のイオン源。
【請求項１５】
前記１以上のターゲットが、ステンレス鋼ターゲット、金属、金、非金属物質、半導体、カーバイドコーティングを有する金属もしくは他の物質、絶縁体またはセラミックを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のイオン源。
【請求項１６】
一定期間にわたって１以上の液体クロマトグラフィー分離装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧することと、
主に液滴の流れを１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させ、前記液滴をイオン化して複数の分析物イオンを形成することと、を含み、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、試料をイオン化する方法。
【請求項１７】
液体クロマトグラフィー分離装置と、
メッシュまたはグリッドターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させることによって液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を含み、
前記ネブライザーが一定期間にわたって前記液体クロマトグラフィー分離装置により放出される溶出液を噴霧するように配置および適合され、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、イオン源を備える質量分析計。
【請求項１８】
メッシュまたはグリッドターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させることによって液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を含み、
前記ネブライザーが一定期間にわたって１以上の液体クロマトグラフィー分離装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧するように配置および適合され、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、イオン源。
【請求項１９】
一定期間にわたって１以上の液体クロマトグラフィー分離装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧することと、主に液滴から形成された流れを生成することと、液滴を１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することとにより試料をイオン化することを含み、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、質量分析の方法。
【請求項２０】
一定期間にわたって１以上の液体クロマトグラフィー分離装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧することと、主に液滴から形成された流れを生成することと、液滴を１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することと、を含み、
前記液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）が（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、または（ｖ）２０〜２５μｍの範囲にある、試料をイオン化する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、質量分析計用のイオン源および試料をイオン化する方法に関する。好ましい実施形態は、質量分析計および質量分析の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＰＬＣまたはＵＰＬＣクロマトグラフィー装置からの液体流をイオン化するために、生じる気相イオンを質量分析計により分析する前に、大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源が広く使用されている。最も一般的に使用される２つの技術としては、エレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）および大気圧化学イオン化（「ＡＰＣＩ」）が挙げられる。ＥＳＩは、中〜高極性分析物に最適であり、ＡＰＣＩは、非極性分析物に最適である。これらの技術の両者を組み合わせたＡＰＩイオン源は、各技術により生成される電界が遮断され、互いに独立であることを保証する幾何学を使用してＥＳＩとＡＰＣＩイオン化とを同時に組み合わせる設計において提案および実現されてきた。これらのいわゆる「マルチモード」イオン源は、異なるイオン化技術間を切り替える必要なく、１回のクロマトグラフの実施で広範囲の極性を含む分析混合物をイオン化できるという利点を有する。米国特許第７０３４２９１号は、ＥＳＩイオン源および下流コロナニードルを含むＥＳＩ／ＡＰＣＩマルチモードイオン源を開示している。米国特許第７４１１１８６号は、マルチモードＥＳＩ／ＡＰＣＩイオン源を開示している。既知のマルチモードイオン源は、機械的に複雑であるという問題を抱えている。
【０００３】
液体クロマトグラフィーを質量分析とインターフェース接続するために、他の汎用またはマルチモードイオン源が提案されてきた。そのような例の１つに、表面活性化化学イオン化（「ＳＡＣＩ」）イオン源がある。これは、加熱ネブライザープローブからの蒸気流を、質量分析計のイオン入口開口部の近くでネブライザーの端から１５〜２０ｍｍ離れて位置するブロードエリア帯電ターゲットプレートに導く。ＳＡＣＩイオン源のスプレーポイントは、加熱ネブライザープローブ内にあり、その結果、ＳＡＣＩイオン源のスプレーポイントとターゲットプレートとの間の典型的な距離は７０ｍｍとなる。スプレーヤーとターゲットとの間の距離が比較的長いこの幾何学的構成により、ターゲットにおいて分散反射流を有する発散スプレーが生成される。これは、通常、最適化ＥＳＩおよびＡＰＣＩ源と比較して感度を低下させる。米国特許第７３６８７２８号は、公知の表面活性化化学イオン化イオン源を開示している。
【０００４】
原子吸光分光に使用されるインパクターネブライザーの噴霧されるスプレー点に極めて近い位置に、ビーズの形態の小さいターゲットを設置することも知られている。インパクターネブライザーは、例えば、Ａｎａｌ．Ｃｈｅｍ．１９８２、５４、１４１１〜１４１９に開示されている。公知のインパクターネブライザーは、試料のイオン化には使用されない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
質量分析計のための改善されたイオン源を提供することが望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様によれば、
１以上のネブライザーと１以上のターゲットとを備え、
１以上のネブライザーが、１以上のターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するイオン源が提供される。
【０００７】
液滴は、好ましくは分析物液滴を含む。複数のイオンは、好ましくは分析物イオンを含む。
【０００８】
しかしながら、別の実施形態によれば、液滴は、試薬液滴を含んでもよい。複数のイオンは、試薬イオンを含んでもよい。
【０００９】
好ましい実施形態によれば、作成される試薬イオンは、中性分析物分子と反応する、相互作用する、またはそれに電荷を運び、分析物分子をイオン化できる。試薬イオンを使用して分析物イオンの形成を強化することもできる。
【００１０】
実施形態によれば、１以上のチューブを、１種以上の分析物または他のガスを１以上のターゲットに隣接した領域に供給するように配置および適合させてもよい。
【００１１】
試薬イオンは、好ましくは分析物ガスをイオン化して複数の分析物イオンを形成するように配置される。
【００１２】
分析物液体を１以上のターゲットに供給し、イオン化して複数の分析物イオンを形成し、かつ／または試薬液体を１以上のターゲットに供給し、イオン化して試薬イオンを形成できる。この試薬イオンは、電荷を中性分析物原子または分子に運び分析物イオンを形成する、および／または分析物イオンの形成を強化する。
【００１３】
１以上のターゲットは、好ましくは１以上の開口部を備える。分析物液体および／または試薬液体が、１以上のターゲットに直接に供給され、１以上の開口部から出る。
【００１４】
実施形態によれば、１以上のターゲットは、１種以上の液体、固体またはゼラチン状分析物でコーティングしてもよい。１種以上の分析物をイオン化して複数の分析物イオンを形成する。
【００１５】
１以上のターゲットを１種以上の分析物から形成することができ、１種以上の分析物をイオン化して複数の分析物イオンを形成することができる。
【００１６】
好ましい実施形態によれば、イオン源は、大気圧イオン化（「ＡＰＩ」）イオン源を含む。
【００１７】
１以上のネブライザーは、好ましくは１以上のネブライザーにより放出される質量または物質の大部分が、蒸気ではなく液滴の形態となるように配置および適合される。
【００１８】
好ましくは、１以上のネブライザーにより放出される質量または物質の少なくとも５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、８５％、９０％または９５％が液滴の形態である。
【００１９】
１以上のネブライザーは、好ましくは、液滴の流れを放出するように配置および適合される。液滴のザウター平均直径（「ＳＭＤ」、ｄ３２）は、（ｉ）＜５μｍ、（ｉｉ）５〜１０μｍ、（ｉｉｉ）１０〜１５μｍ、（ｉｖ）１５〜２０μｍ、（ｖ）２０〜２５μｍ、または（ｖｉ）＞２５μｍの範囲にある。
【００２０】
１以上のネブライザーから放出された液滴の流れは、好ましくは１以上のターゲットに衝突した後に、二次液滴の流れを形成する。
【００２１】
液滴の流れおよび／または二次液滴の流れは、好ましくは、（ｉ）＜２０００、（ｉｉ）２０００〜２５００、（ｉｉｉ）２５００〜３０００、（ｉｖ）３０００〜３５００、（ｖ）３５００〜４０００、または（ｖｉ）＞４０００の範囲のレイノルズ数（Ｒｅ）を有する流れ領域を横切る。
【００２２】
好ましい実施形態によれば、実質的に液滴が１以上のターゲットに衝突する点において、液滴が、（ｉ）＜５０、（ｉｉ）５０〜１００、（ｉｉｉ）１００〜１５０、（ｉｖ）１５０〜２００、（ｖ）２００〜２５０、（ｖｉ）２５０〜３００、（ｖｉｉ）３００〜３５０、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００、（ｉｘ）４００〜４５０、（ｘ）４５０〜５００、（ｘｉ）５００〜５５０、（ｘｉｉ）５５０〜６００、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０、（ｘｉｖ）６５０〜７００、（ｘｖ）７００〜７５０、（ｘｖｉ）７５０〜８００、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００、（ｘｉｘ）９００〜９５０、（ｘｘ）９５０〜１０００、および（ｘｘｉ）＞１０００からなる群から選択されるウェーバー数（Ｗｅ）を有する。
【００２３】
好ましい実施形態によれば、実質的に液滴が１以上のターゲットに衝突する点において、液滴が、（ｉ）１〜５、（ｉｉ）５〜１０、（ｉｉｉ）１０〜１５、（ｉｖ）１５〜２０、（ｖ）２０〜２５、（ｖｉ）２５〜３０、（ｖｉｉ）３０〜３５、（ｖｉｉｉ）３５〜４０、（ｉｘ）４０〜４５、（ｘ）４５〜５０、および（ｘｉ）＞５０の範囲のストローク数（Ｓｋ）を有する。
【００２４】
１以上のターゲットに対する液滴の平均軸衝撃速度は、好ましくは、（ｉ）＜２０ｍ／ｓ、（ｉｉ）２０〜３０ｍ／ｓ、（ｉｉｉ）３０〜４０ｍ／ｓ、（ｉｖ）４０〜５０ｍ／ｓ、（ｖ）５０〜６０ｍ／ｓ、（ｖｉ）６０〜７０ｍ／ｓ、（ｖｉｉ）７０〜８０ｍ／ｓ、（ｖｉｉｉ）８０〜９０ｍ／ｓ、（ｉｘ）９０〜１００ｍ／ｓ、（ｘ）１００〜１１０ｍ／ｓ、（ｘｉ）１１０〜１２０ｍ／ｓ、（ｘｉｉ）１２０〜１３０ｍ／ｓ、（ｘｉｉｉ）１３０〜１４０ｍ／ｓ、（ｘｉｖ）１４０〜１５０ｍ／ｓ、および（ｘｖ）＞１５０ｍ／ｓからなる群から選択される。
【００２５】
１以上のターゲットは、好ましくは１以上のネブライザーの出口から＜２０ｍｍ、＜１９ｍｍ、＜１８ｍｍ、＜１７ｍｍ、＜１６ｍｍ、＜１５ｍｍ、＜１４ｍｍ、＜１３ｍｍ、＜１２ｍｍ、＜１１ｍｍ、＜１０ｍｍ、＜９ｍｍ、＜８ｍｍ、＜７ｍｍ、＜６ｍｍ、＜５ｍｍ、＜４ｍｍ、＜３ｍｍ、または＜２ｍｍに配置される。
【００２６】
１以上のネブライザーは、好ましくは一定期間にわたって１以上の装置により放出される１種以上の溶出液を噴霧するように配置および適合される。
【００２７】
１以上の装置は、好ましくは１以上の液体クロマトグラフィー分離装置を含む。
【００２８】
１以上のネブライザーは、好ましくは１種以上の溶出液を噴霧するように配置および適合される。この１種以上の溶出液は、（ｉ）＜１μＬ／分、（ｉｉ）１〜１０μＬ／分、（ｉｉｉ）１０〜５０μＬ／分、（ｉｖ）５０〜１００μＬ／分、（ｖ）１００〜２００μＬ／分、（ｖｉ）２００〜３００μＬ／分、（ｖｉｉ）３００〜４００μＬ／分、（ｖｉｉｉ）４００〜５００μＬ／分、（ｉｘ）５００〜６００μＬ／分、（ｘ）６００〜７００μＬ／分、（ｘｉ）７００〜８００μＬ／分、（ｘｉｉ）８００〜９００μＬ／分、（ｘｉｉｉ）９００〜１０００μＬ／分、（ｘｉｖ）１０００〜１５００μＬ／分、（ｘｖ）１５００〜２０００μＬ／分、（ｘｖｉ）２０００〜２５００μＬ／分、および（ｘｖｉｉ）＞２５００μＬ／分からなる群から選択される液体流速を有する。
【００２９】
１以上のネブライザーは、さほど好ましくない実施形態によれば、１以上の回転ディスクネブライザーを含んでもよい。
【００３０】
１以上のネブライザーは、好ましくは使用中に液滴の流れを放出する出口を有する第１のキャピラリーチューブを含む。
【００３１】
第１のキャピラリーチューブは、好ましくは使用中に、（ｉ）−５〜−４ｋＶ、（ｉｉ）−４〜−３ｋＶ、（ｉｉｉ）−３〜−２ｋＶ、（ｉｖ）−２〜−１ｋＶ、（ｖ）−１０００〜−９００Ｖ、（ｖｉ）−９００〜−８００Ｖ、（ｖｉｉ）−８００〜−７００Ｖ、（ｖｉｉｉ）−７００〜−６００Ｖ、（ｉｘ）−６００〜−５００Ｖ、（ｘ）−５００〜−４００Ｖ、（ｘｉ）−４００〜−３００Ｖ、（ｘｉｉ）−３００〜−２００Ｖ、（ｘｉｉｉ）−２００〜−１００Ｖ、（ｘｉｖ）−１００〜−９０Ｖ、（ｘｖ）−９０〜−８０Ｖ、（ｘｖｉ）−８０〜−７０Ｖ、（ｘｖｉｉ）−７０〜−６０Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）−６０〜−５０Ｖ、（ｘｉｘ）−５０〜−４０Ｖ、（ｘｘ）−４０〜−３０Ｖ、（ｘｘｉ）−３０〜−２０Ｖ、（ｘｘｉｉ）−２０〜−１０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）−１０〜０Ｖ、（ｘｘｉｖ）０〜１０Ｖ、（ｘｘｖ）１０〜２０Ｖ、（ｘｘｖｉ）２０〜３０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）３０〜４０Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）４０〜５０Ｖ、（ｘｘｉｘ）５０〜６０Ｖ、（ｘｘｘ）６０〜７０Ｖ、（ｘｘｘｉ）７０〜８０Ｖ、（ｘｘｘｉｉ）８０〜９０Ｖ、（ｘｘｘｉｉｉ）９０〜１００Ｖ、（ｘｘｘｉｖ）１００〜２００Ｖ、（ｘｘｘｖ）２００〜３００Ｖ、（ｘｘｘｖｉ）３００〜４００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉ）４００〜５００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）５００〜６００Ｖ、（ｘｘｘｉｘ）６００〜７００Ｖ、（ｘｌ）７００〜８００Ｖ、（ｘｌｉ）８００〜９００Ｖ、（ｘｌｉｉ）９００〜１０００Ｖ、（ｘｌｉｉｉ）１〜２ｋＶ、（ｘｌｉｖ）２〜３ｋＶ、（ｘｌｖ）３〜４ｋＶ、および（ｘｌｖｉ）４〜５ｋＶの電位に維持される。
【００３２】
第１のキャピラリーチューブは、好ましくは使用中に質量分析計および／または１以上のターゲットの第１の真空度にするイオン源および／またはイオン入口装置を囲む筐体の電位に対して、（ｉ）−５〜−４ｋＶ、（ｉｉ）−４〜−３ｋＶ、（ｉｉｉ）−３〜−２ｋＶ、（ｉｖ）−２〜−１ｋＶ、（ｖ）−１０００〜−９００Ｖ、（ｖｉ）−９００〜−８００Ｖ、（ｖｉｉ）−８００〜−７００Ｖ、（ｖｉｉｉ）−７００〜−６００Ｖ、（ｉｘ）−６００〜−５００Ｖ、（ｘ）−５００〜−４００Ｖ、（ｘｉ）−４００〜−３００Ｖ、（ｘｉｉ）−３００〜−２００Ｖ、（ｘｉｉｉ）−２００〜−１００Ｖ、（ｘｉｖ）−１００〜−９０Ｖ、（ｘｖ）−９０〜−８０Ｖ、（ｘｖｉ）−８０〜−７０Ｖ、（ｘｖｉｉ）−７０〜−６０Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）−６０〜−５０Ｖ、（ｘｉｘ）−５０〜−４０Ｖ、（ｘｘ）−４０〜−３０Ｖ、（ｘｘｉ）−３０〜−２０Ｖ、（ｘｘｉｉ）−２０〜−１０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）−１０〜０Ｖ、（ｘｘｉｖ）０〜１０Ｖ、（ｘｘｖ）１０〜２０Ｖ、（ｘｘｖｉ）２０〜３０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）３０〜４０Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）４０〜５０Ｖ、（ｘｘｉｘ）５０〜６０Ｖ、（ｘｘｘ）６０〜７０Ｖ、（ｘｘｘｉ）７０〜８０Ｖ、（ｘｘｘｉｉ）８０〜９０Ｖ、（ｘｘｘｉｉｉ）９０〜１００Ｖ、（ｘｘｘｉｖ）１００〜２００Ｖ、（ｘｘｘｖ）２００〜３００Ｖ、（ｘｘｘｖｉ）３００〜４００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉ）４００〜５００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）５００〜６００Ｖ、（ｘｘｘｉｘ）６００〜７００Ｖ、（ｘｌ）７００〜８００Ｖ、（ｘｌｉ）８００〜９００Ｖ、（ｘｌｉｉ）９００〜１０００Ｖ、（ｘｌｉｉｉ）１〜２ｋＶ、（ｘｌｉｖ）２〜３ｋＶ、（ｘｌｖ）３〜４ｋＶ、および（ｘｌｖｉ）４〜５ｋＶの電位に維持される。
【００３３】
実施形態によれば、ワイヤーを第１のキャピラリーチューブに囲まれる容積内に配置させてもよい。ワイヤーは、液滴の流れを集中させるように配置および適合される。
【００３４】
好ましい実施形態によれば、
（ｉ）第１のキャピラリーチューブは、ガス流を第１のキャピラリーチューブの出口に供給するように配置および適合された第２のキャピラリーチューブに囲まれる、または、
（ｉｉ）第２のキャピラリーチューブは、ガスのクロスフロー流を第１のキャピラリーチューブの出口に供給するように配置および適合される。
【００３５】
第２のキャピラリーチューブは、好ましくは第１のキャピラリーチューブを囲む、および／または第１のキャピラリーチューブと同心円状もしくは非同心円状である。
【００３６】
第１のキャピラリーチューブの端と第２のキャピラリーチューブの端とは、好ましくは、（ｉ）互いに同一平面上にあるもしくは平行である、または（ｉｉ）互いに対して突出している、陥凹しているもしくは平行でない。
【００３７】
第１のキャピラリーチューブの出口は、好ましくは直径Ｄを有し、液滴のスプレーは、好ましくは１以上のターゲットの衝撃ゾーンに衝突するように配置される。
【００３８】
衝撃ゾーンは、好ましくはｘの最大寸法を有する。比率ｘ／Ｄは、＜２、２〜５、５〜１０、１０〜１５、１５〜２０、２０〜２５、２５〜３０、３０〜３５、３５〜４０、または＞４０の範囲にある。
【００３９】
衝撃ゾーンは、好ましくは、（ｉ）＜０．０１ｍｍ２、（ｉｉ）０．０１〜０．１０ｍｍ２、（ｉｉｉ）０．１０〜０．２０ｍｍ２、（ｉｖ）０．２０〜０．３０ｍｍ２、（ｖ）０．３０〜０．４０ｍｍ２、（ｖｉ）０．４０〜０．５０ｍｍ２、（ｖｉｉ）０．５０〜０．６０ｍｍ２、（ｖｉｉｉ）０．６０〜０．７０ｍｍ２、（ｉｘ）０．７０〜０．８０ｍｍ２、（ｘ）０．８０〜０．９０ｍｍ２、（ｘｉ）０．９０〜１．００ｍｍ２、（ｘｉｉ）１．００〜１．１０ｍｍ２、（ｘｉｉｉ）１．１０〜１．２０ｍｍ２、（ｘｉｖ）１．２０〜１．３０ｍｍ２、（ｘｖ）１．３０〜１．４０ｍｍ２、（ｘｖｉ）１．４０〜１．５０ｍｍ２、（ｘｖｉｉ）１．５０〜１．６０ｍｍ２、（ｘｖｉｉｉ）１．６０〜１．７０ｍｍ２、（ｘｉｘ）１．７０〜１．８０ｍｍ２、（ｘｘ）１．８０〜１．９０ｍｍ２、（ｘｘｉ）１．９０〜２．００ｍｍ２、（ｘｘｉｉ）２．００〜２．１０ｍｍ２、（ｘｘｉｉｉ）２．１０〜２．２０ｍｍ２、（ｘｘｉｖ）２．２０〜２．３０ｍｍ２、（ｘｘｖ）２．３０〜２．４０ｍｍ２、（ｘｘｖｉ）２．４０〜２．５０ｍｍ２、（ｘｘｖｉｉ）２．５０〜２．６０ｍｍ２、（ｘｘｖｉｉｉ）２．６０〜２．７０ｍｍ２、（ｘｘｉｘ）２．７０〜２．８０ｍｍ２、（ｘｘｘ）２．８０〜２．９０ｍｍ２、（ｘｘｘｉ）２．９０〜３．００ｍｍ２、（ｘｘｘｉｉ）３．００〜３．１０ｍｍ２、（ｘｘｘｉｉｉ）３．１０〜３．２０ｍｍ２、（ｘｘｘｉｖ）３．２０〜３．３０ｍｍ２、（ｘｘｘｖ）３．３０〜３．４０ｍｍ２、（ｘｘｘｖｉ）３．４０〜３．５０ｍｍ２、（ｘｘｘｖｉｉ）３．５０〜３．６０ｍｍ２、（ｘｘｘｖｉｉｉ）３．６０〜３．７０ｍｍ２、（ｘｘｘｉｘ）３．７０〜３．８０ｍｍ２、（ｘｌ）３．８０〜３．９０ｍｍ２、および（ｘｌｉ）３．９０〜４．００ｍｍ２からなる群から選択される面積を有する。
【００４０】
イオン源は、好ましくは１種以上の加熱ガス流を１以上のネブライザーの出口に供給するように配置および適合された１以上のヒーターをさらに備える。
【００４１】
実施形態によれば、
（ｉ）１以上のヒーターは第１のキャピラリーチューブを囲み、加熱ガス流を第１のキャピラリーチューブの出口に供給するように配置および適合される、および／または
（ｉｉ）１以上のヒーターは１以上の赤外線ヒーターを含む、および／または
（ｉｉｉ）１以上のヒーターは１以上の燃焼式ヒーターを含む。
【００４２】
イオン源は、１以上のターゲットを直接的におよび／または間接的に加熱するように配置および適合された１以上の加熱装置をさらに備えてよい。
【００４３】
１以上の加熱装置は、１以上のターゲットを加熱するために１以上のターゲットに衝突する１以上のレーザー光を放出するように配置および適合された１以上のレーザーを備えてよい
【００４４】
実施形態によれば、１以上のターゲットは、使用中に、（ｉ）−５〜−４ｋＶ、（ｉｉ）−４〜−３ｋＶ、（ｉｉｉ）−３〜−２ｋＶ、（ｉｖ）−２〜−１ｋＶ、（ｖ）−１０００〜−９００Ｖ、（ｖｉ）−９００〜−８００Ｖ、（ｖｉｉ）−８００〜−７００Ｖ、（ｖｉｉｉ）−７００〜−６００Ｖ、（ｉｘ）−６００〜−５００Ｖ、（ｘ）−５００〜−４００Ｖ、（ｘｉ）−４００〜−３００Ｖ、（ｘｉｉ）−３００〜−２００Ｖ、（ｘｉｉｉ）−２００〜−１００Ｖ、（ｘｉｖ）−１００〜−９０Ｖ、（ｘｖ）−９０〜−８０Ｖ、（ｘｖｉ）−８０〜−７０Ｖ、（ｘｖｉｉ）−７０〜−６０Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）−６０〜−５０Ｖ、（ｘｉｘ）−５０〜−４０Ｖ、（ｘｘ）−４０〜−３０Ｖ、（ｘｘｉ）−３０〜−２０Ｖ、（ｘｘｉｉ）−２０〜−１０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）−１０〜０Ｖ、（ｘｘｉｖ）０〜１０Ｖ、（ｘｘｖ）１０〜２０Ｖ、（ｘｘｖｉ）２０〜３０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）３０〜４０Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）４０〜５０Ｖ、（ｘｘｉｘ）５０〜６０Ｖ、（ｘｘｘ）６０〜７０Ｖ、（ｘｘｘｉ）７０〜８０Ｖ、（ｘｘｘｉｉ）８０〜９０Ｖ、（ｘｘｘｉｉｉ）９０〜１００Ｖ、（ｘｘｘｉｖ）１００〜２００Ｖ、（ｘｘｘｖ）２００〜３００Ｖ、（ｘｘｘｖｉ）３００〜４００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉ）４００〜５００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）５００〜６００Ｖ、（ｘｘｘｉｘ）６００〜７００Ｖ、（ｘｌ）７００〜８００Ｖ、（ｘｌｉ）８００〜９００Ｖ、（ｘｌｉｉ）９００〜１０００Ｖ、（ｘｌｉｉｉ）１〜２ｋＶ、（ｘｌｉｖ）２〜３ｋＶ、（ｘｌｖ）３〜４ｋＶ、および（ｘｌｖｉ）４〜５ｋＶの電位に維持される。
【００４５】
実施形態によれば、１以上のターゲットは、使用中に質量分析計および／または１以上のネブライザーの第１の真空度にするイオン源および／またはイオン入口装置を囲む筐体の電位に対して、（ｉ）−５〜−４ｋＶ、（ｉｉ）−４〜−３ｋＶ、（ｉｉｉ）−３〜−２ｋＶ、（ｉｖ）−２〜−１ｋＶ、（ｖ）−１０００〜−９００Ｖ、（ｖｉ）−９００〜−８００Ｖ、（ｖｉｉ）−８００〜−７００Ｖ、（ｖｉｉｉ）−７００〜−６００Ｖ、（ｉｘ）−６００〜−５００Ｖ、（ｘ）−５００〜−４００Ｖ、（ｘｉ）−４００〜−３００Ｖ、（ｘｉｉ）−３００〜−２００Ｖ、（ｘｉｉｉ）−２００〜−１００Ｖ、（ｘｉｖ）−１００〜−９０Ｖ、（ｘｖ）−９０〜−８０Ｖ、（ｘｖｉ）−８０〜−７０Ｖ、（ｘｖｉｉ）−７０〜−６０Ｖ、（ｘｖｉｉｉ）−６０〜−５０Ｖ、（ｘｉｘ）−５０〜−４０Ｖ、（ｘｘ）−４０〜−３０Ｖ、（ｘｘｉ）−３０〜−２０Ｖ、（ｘｘｉｉ）−２０〜−１０Ｖ、（ｘｘｉｉｉ）−１０〜０Ｖ、（ｘｘｉｖ）０〜１０Ｖ、（ｘｘｖ）１０〜２０Ｖ、（ｘｘｖｉ）２０〜３０Ｖ、（ｘｘｖｉｉ）３０〜４０Ｖ、（ｘｘｖｉｉｉ）４０〜５０Ｖ、（ｘｘｉｘ）５０〜６０Ｖ、（ｘｘｘ）６０〜７０Ｖ、（ｘｘｘｉ）７０〜８０Ｖ、（ｘｘｘｉｉ）８０〜９０Ｖ、（ｘｘｘｉｉｉ）９０〜１００Ｖ、（ｘｘｘｉｖ）１００〜２００Ｖ、（ｘｘｘｖ）２００〜３００Ｖ、（ｘｘｘｖｉ）３００〜４００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉ）４００〜５００Ｖ、（ｘｘｘｖｉｉｉ）５００〜６００Ｖ、（ｘｘｘｉｘ）６００〜７００Ｖ、（ｘｌ）７００〜８００Ｖ、（ｘｌｉ）８００〜９００Ｖ、（ｘｌｉｉ）９００〜１０００Ｖ、（ｘｌｉｉｉ）１〜２ｋＶ、（ｘｌｉｖ）２〜３ｋＶ、（ｘｌｖ）３〜４ｋＶ、および（ｘｌｖｉ）４〜５ｋＶの電位に維持される。
【００４６】
好ましい実施形態によれば、動作モード中、１以上のターゲットが正電位に維持され、１以上のターゲットに衝突する液滴が、複数の正に帯電したイオンを形成する。
【００４７】
別の好ましい実施形態によれば、動作モード中、１以上のターゲットが負電位に維持され、１以上のターゲットに衝突する液滴が、複数の負に帯電したイオンを形成する。
【００４８】
イオン源は、正弦波または非正弦波ＡＣまたはＲＦ電圧を１以上のターゲットに印加するように配置および適合された装置をさらに備えてよい。
【００４９】
１以上のターゲットは、好ましくは液滴の流れおよび／または複数のイオンを、質量分析計のイオン入口装置に向けて偏向させるように配置されるか、あるいは何らかの方法で位置決めされる。
【００５０】
１以上のターゲットは、好ましくは質量分析計のイオン入口装置の上流に位置決めされ、イオンがイオン入口装置の方向に向けて偏向する。
【００５１】
１以上のターゲットは、ステンレス鋼ターゲット、金属、金、非金属物質、半導体、カーバイドコーティングを有する金属もしくは他の物質、絶縁体またはセラミックを含んでもよい。
【００５２】
１以上のターゲットは、複数のターゲット要素を含んでもよく、１以上のネブライザーからの液滴は複数のターゲット要素上に落ちる、および／またはターゲットは多数の衝撃点を有するように配置され、液滴は多数のそれた偏向によりイオン化される。
【００５３】
１以上のターゲットは、１以上のターゲットを通過するガス流が質量分析計のイオン入口装置に向かうか、これと平行になる、これと直交する、またはこれから離れるように案内もしくは偏向されるように形成するまたは空気力学プロファイルを有することができる。
【００５４】
複数のイオンの少なくとも一部または大多数を、使用中に１以上のターゲットを通過するガス流に巻き込まれるように配置してもよい。
【００５５】
実施形態によれば、動作モード中、１以上の基準または検量体ネブライザーからの液滴は１以上のターゲット上に案内される。
【００５６】
実施形態によれば、動作モード中、１種以上の分析物ネブライザーからの液滴は１以上のターゲット上に案内される。
【００５７】
本発明の別の態様によれば、前述のイオン源を備える質量分析計が提供される。
【００５８】
質量分析計は、好ましくは質量分析計の第１の真空度にするイオン入口装置をさらに備える。
【００５９】
イオン入口装置は、好ましくはイオンオリフィス、イオン入口コーン、イオン入口キャピラリー、イオン入口加熱キャピラリー、イオントンネル、イオン移動度分光計もしくは分離器、示差イオン移動度分光計、非対称電界イオン移動度分光計（「ＦＡＩＭＳ」）装置、または他のイオン入口を備える。
【００６０】
１以上のターゲットは、好ましくはイオン入口装置から第１の方向における第１の距離Ｘ１、およびイオン入口装置から第２の方向における第２の距離Ｚ１に位置し、第２の方向は第１の方向と直交しており、
（ｉ）Ｘ１は、（ｉ）０〜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される、および／または
（ｉｉ）Ｚ１は、（ｉ）０〜１ｍｍ、（ｉｉ）１〜２ｍｍ、（ｉｉｉ）２〜３ｍｍ、（ｉｖ）３〜４ｍｍ、（ｖ）４〜５ｍｍ、（ｖｉ）５〜６ｍｍ、（ｖｉｉ）６〜７ｍｍ、（ｖｉｉｉ）７〜８ｍｍ、（ｉｘ）８〜９ｍｍ、（ｘ）９〜１０ｍｍ、および（ｘｉ）＞１０ｍｍからなる群から選択される。
【００６１】
１以上のターゲットは、好ましくは液滴の流れおよび／または複数のイオンをイオン入口装置に向けて偏向させるように位置決めされる。
【００６２】
１以上のターゲットは、好ましくはイオン入口装置の上流に位置決めされる。
【００６３】
１以上のターゲットは、好ましくは（ｉ）１以上のロッド、または（ｉｉ）テーパコーンを有する１以上のピンのいずれかを備える。
【００６４】
液滴の流れは、好ましくは１以上のロッドまたは１以上のピンのテーパコーンに対して、（ｉ）１以上のロッドまたはピンの中心線に直接的に、または（ｉｉ）イオン入口オリフィスの方をまたはそれから離れる方を向く１以上のロッドまたは１以上のピンのテーパコーンの側面のいずれかに衝突するように配置される。
【００６５】
質量分析計は、１以上のネブライザー、１以上のターゲット、およびイオン入口装置を囲む筐体をさらに備えてよい。
【００６６】
質量分析計は、１以上の偏向またはプッシャー電極をさらに含んでもよく、イオンを質量分析計のイオン入口装置に向けて偏向するまたは付勢するために、使用中に１種以上のＤＣ電圧またはＤＣ電圧パルスが１以上の偏向またはプッシャー電極に印加される。
【００６７】
本発明の態様によれば、主に液滴の流れを１以上のターゲットに衝突させて、液滴をイオン化して複数の分析物イオンを形成させることを含む、試料をイオン化する方法が提供される。
【００６８】
本発明の態様によれば、前述のイオンをイオン化する方法を含む質量分析の方法が提供される。
【００６９】
本発明の態様によれば、
ターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を備えるイオン源を備える質量分析計が提供される。
【００７０】
本発明の態様によれば、
ターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を備えるイオン源が提供される。
【００７１】
本発明の態様によれば、
主に液滴から形成された流れを生成し、液滴を１以上のターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することにより試料をイオン化することを含む、質量分析の方法が提供される。
【００７２】
本発明の態様によれば、
主に液滴から形成された流れを生成することと、液滴を１以上のターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することと、を含む、試料をイオン化する方法が提供される。
【００７３】
本発明の態様によれば、１以上のネブライザーと１以上のターゲットとを備える脱溶媒和装置であって、
１以上のネブライザーが、使用中に、主に１以上のターゲットに衝突させ、液滴に脱溶媒和気相分子および／または二次液滴を形成させるようにされた液滴の流れを放出するよう配置および適合されている装置が提供される。
【００７４】
本発明の態様によれば、主に液滴の流れを１以上のターゲットに衝突させて、液滴に脱溶媒和気相分子および／または二次液滴を形成させることを含む脱溶媒和方法が提供される。
【００７５】
本発明の態様によれば、１以上のネブライザーと１以上のメッシュまたはグリッドターゲットとを備えるイオン源であって、
１以上のネブライザーが、使用中に、主に１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴の流れを放出するよう配置および適合されているイオン源が提供される。
【００７６】
１以上のメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは１以上のワイヤーメッシュまたはグリッドターゲットを含む。
【００７７】
ワイヤーメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは、（ｉ）＜５０μｍ、（ｉｉ）５０〜１００μｍ、（ｉｉｉ）１００〜１５０μｍ、（ｉｖ）１５０〜２００μｍ、（ｖ）２００〜２５０μｍ、（ｖｉ）２５０〜３００μｍ、（ｖｉｉ）３００〜３５０μｍ、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００μｍ、（ｉｘ）４００〜４５０μｍ、（ｘ）４５０〜５００μｍ、（ｘｉ）５００〜５５０μｍ、（ｘｉｉ）５５０〜６００μｍ、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０μｍ、（ｘｉｖ）６５０〜７００μｍ、（ｘｖ）７００〜７５０μｍ、（ｘｖｉ）７５０〜８００μｍ、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００μｍ、（ｘｉｘ）９００〜９５０μｍ、（ｘｘ）９５０〜１０００μｍ、および（ｘｘｉ）＞１ｍｍの群から選択される直径を有するワイヤーを含む。
【００７８】
メッシュまたはグリッドは、好ましくは、（ｉ）＜５０μｍ、（ｉｉ）５０〜１００μｍ、（ｉｉｉ）１００〜１５０μｍ、（ｉｖ）１５０〜２００μｍ、（ｖ）２００〜２５０μｍ、（ｖｉ）２５０〜３００μｍ、（ｖｉｉ）３００〜３５０μｍ、（ｖｉｉｉ）３５０〜４００μｍ、（ｉｘ）４００〜４５０μｍ、（ｘ）４５０〜５００μｍ、（ｘｉ）５００〜５５０μｍ、（ｘｉｉ）５５０〜６００μｍ、（ｘｉｉｉ）６００〜６５０μｍ、（ｘｉｖ）６５０〜７００μｍ、（ｘｖ）７００〜７５０μｍ、（ｘｖｉ）７５０〜８００μｍ、（ｘｖｉｉ）８００〜８５０μｍ、（ｘｖｉｉｉ）８５０〜９００μｍ、（ｘｉｘ）９００〜９５０μｍ、（ｘｘ）９５０〜１０００μｍ、および（ｘｘｉ）＞１ｍｍの群から選択される間隔を有する。
【００７９】
１以上のメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは、（ｉ）１以上のネブライザーのスプレー軸と略垂直の平面、または（ｉｉ）１以上のネブライザーのスプレー軸に対して＜９０度の角度で傾斜した平面のいずれかに配置される。
【００８０】
１以上のメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは多数の衝撃ゾーンを提供する。
【００８１】
１以上のメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは１次元または２次元アレイの裂け目または開口を備える。
【００８２】
１以上のメッシュまたはグリッドターゲットは、好ましくは複数の層を含む。好ましくは、層の１以上はメッシュまたはグリッドを含む。
【００８３】
複数の層は、好ましくは実質的に同一のまたは実質的に異なるメッシュサイズを有する層を含む。
【００８４】
本発明の態様によれば、主に液滴の流れを１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数の分析物イオンを形成させることを含む、試料をイオン化する方法が提供される。
【００８５】
本発明の態様によれば、前述のイオンをイオン化する方法を含む質量分析の方法が提供される。
【００８６】
本発明の態様によれば、
メッシュまたはグリッドターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を備えるイオン源を備える質量分析計が提供される。
【００８７】
本発明の態様によれば、
メッシュまたはグリッドターゲットと、
使用中に、主にターゲットに衝突させ、液滴をイオン化して複数のイオンを形成するようにされた液滴から形成された流れを放出するよう構成されたネブライザーと、を備えるイオン源が提供される。
【００８８】
本発明の態様によれば、
主に液滴から形成された流れを生成し、
液滴を１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することにより試料をイオン化することを含む、質量分析の方法が提供される。
【００８９】
本発明の態様によれば、
主に液滴から形成された流れを生成することと、液滴を１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させるようにすることにより液滴をイオン化して複数のイオンを形成することを含む、試料をイオン化する方法が提供される。
【００９０】
本発明の態様によれば、１以上のネブライザーと１以上のメッシュまたはグリッドターゲットとを備える脱溶媒和装置であって、
１以上のネブライザーが、使用中に、主に１以上のターゲットに衝突させ、液滴に脱溶媒和気相分子および／または二次液滴を形成させるようにされた液滴の流れを放出するよう配置および適合されている装置が提供される。
【００９１】
本発明の態様によれば、
主に液滴の流れを１以上のメッシュまたはグリッドターゲットに衝突させ、液滴に脱溶媒和気相分子および／または二次液滴を形成させることを含む脱溶媒和方法が提供される。
【００９２】
本発明がイオン源および試料をイオン化する方法を越えて液滴の流れを少なくとも部分的に脱溶媒和するまたはさらに脱溶媒和するための装置および方法を含むことが明らかであろう。生じる気相分子および／または二次液滴は、その後別のイオン源によりイオン化され得る。
【００９３】
本発明の態様によれば、
第１のキャピラリーチューブを含み、使用中に分析物液滴の流れを放出する出口を有するネブライザーと、
ネブライザーの出口から１０ｍｍ未満に配置されたターゲットと、を備える質量分析計であって、
一定期間にわたって溶出液を出すように配置および適合された液体クロマトグラフィー分離装置と、
ネブライザーを備える、溶出液をイオン化するように配置および適合されたイオン源と、をさらに含み、
使用中に、分析物液滴の流れをターゲットに衝突させ、分析物をイオン化して複数の分析物イオンを形成するようにされていることを特徴とする質量分析計が提供される。
【００９４】
対照として、ＳＡＣＩイオン源のターゲットは、質量分析計のイオン入口オリフィスの下流に置かれ、イオンはイオン入口オリフィスのほうに反射される。
【００９５】
本発明の別の態様によれば、
第１のキャピラリーチューブを含み、分析物液滴の流れを放出する出口を有するネブライザーを提供することと、
ターゲットをネブライザーの出口から１０ｍｍ未満に位置決めすることと、を含む質量分析の方法であって、
一定期間にわたって溶出液を放出するす液体クロマトグラフィー分離装置を提供することと、
分析物液滴の流れをターゲットに衝突させ、分析物をイオン化して複数の分析物イオンを形成させることにより、溶出液をイオン化することと、をさらに含むことを特徴とする質量分析の方法が提供される。
【００９６】
前述のように、ＳＡＣＩイオン源のスプレーポイントは、加熱ネブライザープローブ内にあり、その結果、スプレーポイントとターゲットプレートとの間の典型的な距離は約７０ｍｍとなる。対照として、好ましいインパクターイオン源では、スプレーポイントは内部キャピラリーチューブの先端に位置し、スプレーポイントとターゲットとの間の距離は１０ｍｍ未満となり得る。
【００９７】
ＳＡＣＩイオン源が蒸気流を放出し、蒸気のターゲットに対する衝撃速度は比較的低く、約４ｍ／ｓであることが当業者に理解されよう。対照として、好ましい実施形態に係るインパクターイオン源は、蒸気流は放出しないが、代わりに高密度液滴流を放出する。さらに、液滴流のターゲットに対する衝撃速度は比較的高く、約１００ｍ／ｓである。
【００９８】
それ故に、本発明によるイオン源が既知のＳＡＣＩイオン源と全く別であることが明らかであろう。
【００９９】
好ましい実施形態によれば、液体流は、好ましくはスプレーヤーまたはネブライザーチップでの高い電位差の援助なしに、高速ガスの同心円状流によって噴霧スプレーに変換される。液滴流に匹敵する寸法または衝撃ゾーンを有する微小ターゲットは、好ましくは衝撃ゾーンを規定し、スプレーを質量分析計のイオン入口オリフィスに向けて部分的に偏向するようスプレーヤーチップにごく接近して（例えば、５ｍｍ未満に）位置決めされる。生じるイオンおよび帯電した液滴は、質量分析計の第１の真空度により採取される。
【０１００】
好ましい実施形態によれば、ターゲットは、好ましくはステンレス鋼ターゲットを含む。しかしながら、ターゲットが他の金属物質（例えば、金）および非金属物質を含んでもよい他の実施形態が考えられる。例えば、ターゲットが、半導体、カーバイドコーティングを有する金属もしくは他の物質、絶縁体またはセラミックを含む実施形態が考えられる。
【０１０１】
別の実施形態によれば、ターゲットは、複数のターゲットプレートまたはターゲット要素を含んでもよく、その結果、ネブライザーからの液滴は複数のターゲットプレートまたはターゲット要素上に落ちる。この実施形態によれば、好ましくは多数の衝撃点が存在し、液滴は多数のそれた偏向によりイオン化される。
【０１０２】
ＡＰＩ源の観点から、帯電イオン化表面としても作用する密結合インパクターの組み合わせは、高感度のマルチモードイオン源の基礎を提供する。スプレーチップおよび微小ターゲットは、好ましくはそれた衝撃幾何学にごく接近して構成され、その結果、既知のブロードエリアＳＡＣＩイオン源と比較して増加したターゲットでの噴霧束および有意に小さいビーム発散または反射分散が得られる。それ故に、好ましい実施形態は、高感度ＡＰＩ源を提供する。
【０１０３】
好ましい実施形態は、ハードウエアまたはチューニングパラメータを切り替える必要がなく、高効率で高および低極性分析物を有利にイオン化できるマルチモードイオン源を備える。
【０１０４】
１以上のターゲットに衝突する液滴は、好ましくは帯電していない。
【０１０５】
本発明によるイオン源およびイオンをイオン化する方法は、既知のＳＡＣＩイオン源と比較して特に有利であることが明らかであろう。
【０１０６】
例示のみを目的として与えられた本発明の種々の実施形態を、他の配置とともに、単なる例示として以下の添付図面を参照してここに記載する。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の好ましい実施形態に係るインパクタースプレーＡＰＩイオン源を示す。
【図２Ａ】ネブライザーを省略した、本発明の好ましい実施形態に係る質量分析計のターゲットおよび第１の真空度の平面図を示す。
【図２Ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る質量分析計のネブライザーまたはスプレーヤーチップ、ターゲットおよび第１の真空度の側面図を示す。
【図３】コロナ放電ピンを用いる従来のＡＰＣＩイオン源を示す。
【図４】従来のエレクトロスプレーイオン源、従来のＡＰＣＩイオン源、および好ましい実施形態に係るインパクターイオン源を使用して測定した５種の試験分析物の相対強度を示す。
【図５】本発明の好ましい実施形態に係る、ターゲット電位のイオンシグナルへの影響を示す。
【図６Ａ】２．２ｋＶのターゲット電位を用いる本発明の好ましい実施形態に係るインパクタースプレーイオン源から得られた質量スペクトルを示す。
【図６Ｂ】０Ｖのターゲット電位を用いる本発明の実施形態に係るインパクタースプレー源から得られた質量スペクトルを示す。
【図６ＢＣ】４ｋＶの最適化キャピラリー電位を用いる従来のエレクトロスプレーイオン源により得られた質量スペクトルを示す。
【図７】既知の表面活性化化学イオン化イオン源を示す。
【図８】従来のＳＡＣＩイオン源および好ましい実施形態に係るインパクターイオン源スプレーにより得られた相対強度の比較を示す。
【図９】好ましいネブライザーから放出された液滴の位相ドップラー粒子計測分析から得られたデータを示す。
【図１０】本発明の実施形態に係る空気ネブライザーおよびＳＡＣＩイオン源に使用されるような加熱ネブライザーについてのデータレートの径方向分布の比較を示す。
【図１１】メッシュターゲットを含む好ましい実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【０１０８】
図１は、本発明の実施形態に係るインパクタースプレーＡＰＩイオン源の一般的なレイアウトの概略図を示す。分析物を含む液体流は、ネブライザーまたはスプレーヤー１に入るように配置され、液体キャピラリーチューブ３を通じてスプレーヤーチップ２に送達される。液体キャピラリーチューブ３は、好ましくは高速ガス流を液体キャピラリーチューブ３の出口に送達するためのガス入口５を好ましくは備える第２のキャピラリー４に囲まれる。実施形態によれば、液体キャピラリーチューブ３の内径は１３０μｍであり、液体キャピラリーチューブ３の外径は２７０μｍである。第２の（ガス）キャピラリーチューブ４の内径は、好ましくは３３０μｍである。この配置により、１０〜２０μｍの典型的な直径を有する液滴を含み、スプレーヤーチップから近い距離で１００ｍ／ｓを超える速度を有する噴霧スプレーが生成される。
【０１０９】
生じる液滴は、好ましくは第２のガス入口７を通じて同心円状ヒーター６に入る追加のガス流により加熱される。ネブライザーまたはスプレーヤー１は、揺らしてスプレーヤーチップとイオン入口オリフィス９との間の水平距離を変化させることができるように質量分析計のイオン入口コーン８の右手側にちょうつがい式に動かされ得る。プローブもまた、スプレーヤーチップとイオン入口オリフィス９との間の垂直距離を同様に変化できるように構成され得る。好ましくは液体キャピラリーチューブ３と同様の寸法を有するターゲット１０が、スプレーヤーチップとイオン入口オリフィス９との間に置かれる。ターゲット１０は、好ましくは微調整ステージによって（水平面で）ｘおよびｙ方向に操作できる。これは好ましくは、源筐体１１およびイオン入口オリフィス９に対して０〜５ｋＶの電位に保持される。イオン入口コーン８は、好ましくはガス入口１３を通じて入る低流量の窒素ガスにより流される金属コーンガスハウジング１２に囲まれる。源筐体に入る全ガスは、好ましくは質量分析計の第１の真空度１５により排気される源筐体排気１４またはイオン入口オリフィス９を通じて出る。図１１を参照して以下により詳細に記載する特に好ましい実施形態によれば、ターゲットは、メッシュまたはグリッドターゲットを含んでもよい。
【０１１０】
図２Ａは、ネブライザーまたはスプレーヤー１を省略した本発明の実施形態の概略平面図を示す。ターゲット１０は、質量分析計の第１の真空度１５に隣接して位置する。さほど好ましくない実施形態によれば、ターゲット１０は、好ましくは５ｍｍの距離にわたって直線状テーパ部を組み込んだ０．８ｍｍ直径のステンレス鋼ピンを備えてよい。ピンは、好ましくはイオン入口オリフィス９から５ｍｍの水平距離Ｘ１に位置決めされる。ピン１０は、好ましくはプローブ軸とターゲット１０との間の衝撃点が、図２Ｂに示すようにイオン入口オリフィス９に面するテーパコーンの側面に存在するように位置決めされる。この位置により、図２Ｂの端面概略図中の矢印線１６として示す、最適化された逸れた入射角が得られる。また、図２Ｂは、好ましい実施形態、すなわち、Ｚ１＝９ｍｍおよびＺ２＝１．５ｍｍであるネブライザーまたはプローブ２およびターゲット１０の相対垂直位置も示す。ネブライザーまたはスプレーヤー２は、好ましくは０Ｖに維持され、ターゲット１０は、好ましくは２．２ｋＶに保持され、イオン入口コーンは、好ましくは１００Ｖに保持され、コーンガスハウジングは、好ましくは１００Ｖに保持され、ヒーターセンブリおよび源筐体は、好ましくはグラウンド電位に保持される。窒素ネブライザーガスは、好ましくは７バールに加圧され、窒素ヒーターガス流は、好ましくは１２００Ｌ／時間で送達するように加圧され、窒素コーンガス流は、好ましくは１５０Ｌ／時間で送達するように加圧される。好ましい実施形態によれば、ピンターゲットは、メッシュまたはグリッドターゲットと交換できる。
【０１１１】
一連の試験を行い好ましいインパクタースプレー源、従来のＥＳＩイオン源および従来のＡＰＣＩイオン源の相対的感度を試験した。
【０１１２】
従来のＥＳＩイオン源は、ターゲット１０を取り外し、スプレーヤーチップに直接２．５ｋＶの電位を印加することにより構築した。他の全電位およびガス流は、前述のように維持した。
【０１１３】
ＡＰＣＩイオン源は、市販のＡＰＣＩイオン源に使用されているように、図３に示すようにネブライザーまたはスプレーヤー２を従来の加熱ネブライザープローブ１７と交換し、コロナ放電ピン１８を付加することにより構築した。コロナ放電ピン１８の先端は、図３に示すように距離Ｘ＝７ｍｍおよびＺ＝５．５ｍｍに位置していた。ＡＰＣＩイオン源プローブは、５５０℃で運転し、ヒーターガスは５００Ｌ／時間の流速で加熱せず、コロナ放電ピン１８は５μＡの電流に設定した。他の設定は全て前述のとおりとした。
【０１１４】
７０／３０アセトニトリル／水からなり、スルファジメトキシン（１０ｐｇ／μＬ）、ベラパミル（１０ｐｇ／μＬ）、エリスロマイシン（１０ｐｇ／μＬ）、コレステロール（１０ｎｇ／μＬ）、およびシクロスポリン（１００ｐｇ／μＬ）を含む試験溶液を調製した。この試験溶液を１５μＬ／分の流速で７０／３０アセトニトリル／水の０．６ｍＬ／分のキャリア液体流に注入し、次いでこれを３種の異なるＡＰＩイオン源により採取した。
【０１１５】
図４は、従来のエレクトロスプレーイオン源、従来のＡＰＣＩイオン源、および好ましい実施形態に係るインパクターイオン源を使用して５種の試験分析物について得られた相対シグナル強度を示す。各分析物について、シグナル強度を、プロトン化分子（［Ｍ＋Ｈ］＋）に関して観測した。しかしながら、好ましいインパクタースプレーにおいてはシグナル飽和のために、コレステロールシグナルを［Ｍ＋Ｈ］＋イオンの炭素−１３同位体で測定した。この図から、ＡＰＣＩイオン源はＥＳＩイオン源を上回るいくつかの利点（例えば、コレステロールなどの非極性分析物に対する利点など）を有するが、ＥＳＩは一般にこれらの２つの技術よりも高感度であることが明らかである。好ましいインパクタースプレー源が全化合物種についてＥＳＩまたはＡＰＣＩイオン源よりも有意に強いシグナル強度を与えることも明らかである。
【０１１６】
ＳＡＣＩイオン化技術を利用するＡＰＩイオン源では、ブロードエリアターゲットを高電位に維持してイオンシグナルを最適化する。図５は、好ましいインパクタースプレー源についての、生じるイオンシグナルへの、ターゲット電位を変化させることの影響を示しており、同一試験混合物を２．２ｋＶのターゲット電位、引き続いて０ｋＶのターゲット電位で分析した。ＳＡＣＩと対照的に、高ターゲット電位は、有利ではあるが、イオン化工程に必須ではないことが明らかである。対照的に、ブロードエリアＳＡＣＩ源は、同一実験条件下でイオンシグナルの９０％超を失う（データは示さない）。
【０１１７】
必須ではないが、高ターゲット電位はそれでもなお有利であり、質量スペクトルデータの質的側面を改善するという結果を有する。これを示すために、図６Ａは、２．２ｋＶのターゲット電位を用いる実施形態に係るインパクターイオン源から得られた質量スペクトルを示す。図６Ｂは、０Ｖのターゲット電位を用いる実施形態に係るインパクターイオン源から得られた質量スペクトルを示す。図６Ｃは、４ｋＶの最適化キャピラリー電位を用いる従来のエレクトロスプレーヤー源により得られた質量スペクトルを示す。好ましい実施形態に係るイオン源を使用して得られた図６Ａ，図６Ｂに示す質量スペクトルは、ＥＳＩよりも多くの分析物イオンを生成することが示されているが、有意に高いターゲット電位はまた、イオン付加物形成（［Ｍ＋Ｎａ］＋および［Ｍ＋Ｋ］＋）に対する感受性を低下させる。その結果、プロトン化分子（［Ｍ＋Ｈ］＋）は、図６Ａに示す質量スペクトルについての基準ピークに過ぎなくなる。
【０１１８】
実施形態に係るインパクターイオン源の感度とＳＡＣＩ型のイオン源の感度とを比較するための実験を行った。図７は、使用したＳＡＣＩイオン源の概略図を示す。ＳＡＣＩイオン源は、インパクターピンターゲット１０を、約３０ｍｍ×１５ｍｍである０．１５ｍｍ厚さの長方形スズシート１９と交換することにより構築した。シートターゲット１９は、水平に対して約３０度の角度とし、ネブライザーまたはプローブ２軸とターゲット１９との間の交点が、Ｘ＝４ｍｍおよびＺ＝４ｍｍとなるように位置決めした。ＳＡＣＩイオン源を、０Ｖのネブライザーまたはスプレーヤー電位および１ｋＶのターゲット電位で最適化した。他の全ガス流および電圧は好ましいインパクタースプレー源について記載した通りとした。
【０１１９】
図８は、ＳＡＣＩイオン源および好ましい実施形態に係るインパクターイオン源により得られた相対シグナル強度を比較している。好ましいインパクタースプレーイオン源は、典型的にはブロードエリアＳＡＣＩイオン源よりも５〜１０倍高感度であることが認められる。
【０１２０】
中央ワイヤーを液体キャピラリーチューブ３の孔の中に位置決めすることにより、好ましいインパクターイオン源の性能をさらに改善可能な、さらなる実施形態が考えられる。ビデオ写真撮影により、中央ワイヤーが液滴流の焦点を合わせると、結果としてターゲットを、液滴束密度をさらに増加させる焦点に配置できることが示された。焦点の位置は、好ましい実施形態に使用されるスプレーヤーチップとターゲットとの間の距離に匹敵する（１〜２ｍｍ）。
【０１２１】
前述のように、ＳＡＣＩイオン源は液体流を蒸気流に変換し、この蒸気流がブロードエリアターゲットに衝突する。ＳＡＣＩの実験（Ｃｒｉｓｔｏｎｉ他、Ｊ．Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍ、２００５、４０、１５５０）により、イオン化が、気相の中性分析物分子とブロードエリアターゲットのプロトンに富む表面との相互作用の結果生じることが示された。さらに、イオン化効率と１〜４ｃｍ２の範囲内のターゲット面積との間には直線関係がある。
【０１２２】
ＳＡＣＩとは対照的に、流線型ターゲットを使用して液体液滴の高速流を遮断して、二次液滴、気相中性物質およびイオンからなる二次流を与える。
【０１２３】
本発明の実施形態に係る空気ネブライザーをさらに調査した。ネブライザーは、１２７μｍの内径および２３０μｍの外径を有する内部液体キャピラリーを含んでいた。内部液体キャピラリーは、７バールに加圧された３３０μｍの内径を有するガスキャピラリーに囲まれていた。
【０１２４】
図９は、９０％水／１０％メタノールからなる１ｍＬ／分液体流および窒素ネブライザーガスについての、好ましいネブライザーの位相ドップラー粒子計測（「ＰＤＡ」）分析から得られた代表的なデータを示す。
【０１２５】
ＰＤＡサンプリング点を、スプレーポイントから５ｍｍの軸距離、すなわち、実施形態に係る典型的なネブライザーとターゲットとの間に等しい距離で、スプレーを径方向に横切ってスキャンした（プローブ軸＝０）。図９は、ネブライザーが、典型的には１００ｍｓ−１を超える平均軸速度を有する１３〜２０μｍの範囲のザウター平均直径（ｄ３２）の液体液滴を生成することを示している。
【０１２６】
図９はまた、極めて高い速度の液滴がプローブ軸から１ｍｍの半径内で良好にコリメートされ典型的には限局されることを示している。
【０１２７】
図１０の上のラインは、好ましい空気ネブライザーおよび前述の実験条件についてのデータレートＮ／Ｔ（単位時間当たりの有効試料の数）の径方向分布を示している。この対数プロットは、スプレーがプローブ軸から１ｍｍの半径に限局されている総液滴質量の３分の２よりもより良好にコリメートされていることを示している。図１０の下部線は、従来のＳＡＣＩ源に使用されるような加熱ネブライザーを用いた場合の対応するＮ／Ｔ分布を示している。この加熱ネブライザーは、４ｍｍ直径孔を有する９０ｍｍ長さの円筒チューブ（チューブ温度＝６００℃）中にスプレーする空気ネブライザーからなる。このネブライザーについてのＮ／Ｔデータを、加熱チューブの出口端から７ｍｍの軸距離で得た。加熱ネブライザーからのわずかな検出された液滴（ｄ３２は典型的には１４μｍであった、そのデータは示さない）についてのＮ／Ｔは、本発明の実施形態に係る空気ネブライザーから得られたものよりも概して３桁小さいことに留意することが重要である。これは、液体の圧倒的な大部分がＳＡＣＩ型加熱ネブライザーで気化され、極めて低い数密度の残存液滴を含む蒸気流が生成されるという事実のためである。
【０１２８】
したがって、公知のＳＡＣＩイオン源は、主に蒸気の流れを放出するネブライザーを含むものと解釈すべきである。それ故に、ＳＡＣＩイオン源は本発明の範囲内に入らないと理解すべきである。
【０１２９】
図９，図１０に示すデータを参照すると、好ましい実施形態に係るイオン源の物理的モデルは、高速流体液滴の源ヒーターにより間接的に加熱されるターゲットに対する衝撃に支配されると仮定できる。このような衝撃効果は、二次液滴を形成させ、液滴崩壊の性質は以下に与えられるウェーバー数Ｗｅによって決定される。
Ｗｅ＝ρＵ２ｄ／σ（１）
式中、ρは液滴密度であり、Ｕは液滴速度であり、ｄは液滴直径であり、σは液滴表面張力である。
【０１３０】
水滴が４０℃であり、窒素ガス環境が１００℃であり、ｄ＝１８μｍおよびＵ＝５０ｍｓ−１であると仮定すると、好ましい実施形態に係る液滴については、Ｗｅ＝６４０の値が得られる。再微粒化水液滴の数が、２６０〜４００℃の間の温度で加熱鋼ターゲットに対する衝撃について、５０〜７５０の範囲のＷｅと共に線形に増加することが（文献に）示されている。Ｗｅ＝７５０では、単一液滴は、概して４０個の二次液滴を生じる。
【０１３１】
それ故に、インパクターターゲットが有意な液滴崩壊を引き起こし、帯電した液滴、中性物質、イオンおよびクラスターからなる二次流を生成することが明らかである。
【０１３２】
系の衝撃効率は、ストローク数Ｓｋに大きく支配される。
Ｓｋ＝ρｄ２Ｕ／１８μａ（２）
式中、ρは液滴密度であり、ｄは液滴直径であり、Ｕは液滴速度であり、μはガス粘度であり、ａはターゲットの特徴的寸法である。
【０１３３】
衝撃効率は、Ｓｋの増加に伴い増加するので、高速の大粒の液滴および直径が小さいターゲットが好ましい。故に、前述の好ましいインパクタースプレー条件では、Ｓｋの典型的な値は３０であると予想できる。
【０１３４】
Ｓｋ＞＞１の場合、液滴が流れの流線から逸脱してターゲットに衝突する可能性が極めて高い。対照的に、ターゲット寸法が１桁増加し、速度が１桁減少する（すなわち、ＳＡＣＩと同様の条件）と、Ｓｋの値は０．３に下がり、この点では液滴はターゲットの周りのガス流に従う可能性がより高くなる。衝撃効率は、実施形態に係るインパクタースプレーターゲットの流線型性質をさらに好むレイノルズ数の減少に伴い増加することも公知である。
【０１３５】
二次流の形状は、ガス流動力学、特に以下に示すレイノルズ数（Ｒｅ）により支配される。
Ｒｅ＝ρｖＬ／μ（３）
式中、ρはガス密度であり、ｖはガス速度であり、μはガス粘度であり、Ｌはターゲットの重要寸法である。
【０１３６】
１ｍｍ直径のインパクターターゲット、５０ｍｓ−１のガス速度および１００℃の窒素ガスでは、Ｒｅ＝３０００の値が得られる。
【０１３７】
２０００〜３０００の範囲のレイノルズ数は、一般的に層流から乱流の遷移領域に相当する。それ故に、ターゲットからの後流はいくらかの乱流および渦巻の特徴を含むと予想され得る。しかしながら、イオン入口コーンでのイオンまたは液滴の採取を妨げ得る大きな乱流は予想されない。
【０１３８】
ネブライザーを揺らして衝撃ゾーンをターゲットの片側から反対側まで動かすことによりイオン源を調整できる。これにより、二次液滴流の強い照度により視覚的に観察することが可能な後流の変化が生じる。それ故に、源最適化が集中化した衝撃ゾーンおよび非対称ターゲット横断面により達成され得る他の実施形態が考えられる、例えば、飛行機の翼（のプロファイル）。
【０１３９】
ピンを使用する衝撃ベースのスプレーが、典型的なＥＳＩまたはＡＰＣＩと比較して、極性および非極性化合物の両方においてイオン化効率を改善することが示された。しかしながら、異なる移動相組成を有する性能が、プローブおよびピンの物理的幾何学にかなり強く依存することが時々観察される。
【０１４０】
高有機移動相における相対的性能に対するプローブおよびピンの位置依存性によって、要求される公差の問題が引き起こされ得る。さらに、機器の寿命期間にピンおよび／またはプローブキャピラリーを１回以上交換する必要が生じ得るため、これらの公差の維持も問題となり得る。
【０１４１】
本発明のさらなる特に好ましい実施形態によれば、ピンターゲットの代わりに、好ましくはグリッドまたはメッシュターゲットが使用される。グリッドまたはメッシュ衝突面を有するグリッドまたはメッシュターゲットが、ピンターゲットを使用するものと比較して特に有利であることが見出された。この理由は、グリッドまたはメッシュターゲットの利用が、ターゲットとして固体ピンを使用する場合に発生し得る位置依存性の問題を解決するからである。
【０１４２】
本発明の好ましい実施形態を図１１に示す。好ましくは適切なサイズのメッシュまたはグリッドターゲット２０が衝突ターゲットとして使用される。好ましい実施形態によれば、衝撃ゾーン（すなわち、ターゲットの衝撃点におけるプルームの直径）は、好ましくは０．５〜１．０ｍｍである。
【０１４３】
好ましい実施形態によれば、メッシュワイヤーサイズおよび間隔は、好ましくは、衝撃ゾーンまたはエリア内にいくつかの個々の衝撃ゾーンを提供するような適切なサイズに形成される。ワイヤー直径は、好ましくは噴霧を改善するようにプルームの衝撃をワイヤーに与えるのに十分な大きさである。１５０μｍのメッシュの間隔および１００μｍのワイヤー直径が特に有利であることが見出された。しかしながら、他のアスペクト比も考えられ、本発明の範囲内にあると意図される。実施形態によれば、メッシュまたはグリッド２０は、略平坦な長方形（１５ｍｍ×７ｍｍ）を含むことができ、スプレー軸と略垂直に保持できる。この実施形態によれば、スプレーは、本質的にメッシュまたはグリッド２０を通り抜ける。
【０１４４】
あるいは、メッシュまたはグリッド２０は、スプレー軸に対して傾けてもよい。メッシュまたはグリッド２０の角度は、プルームがメッシュまたはグリッド２０を通り抜けるときに、質量分析計の入口９付近にまたはその方向に向けて偏向するように定めることができる。図１１に示す特定の実施形態によれば、メッシュまたはグリッドターゲット２０は、スプレー軸に対して７０度の角度に位置決めされ得る。
【０１４５】
メッシュまたはグリッド２０の物理的寸法は、好ましくはメッシュまたはグリッド２０の表面で液体ビーズが好ましくは最小化するように設定または配置される。メッシュまたはグリッド２０の角度および形状は、液体ビーズを減少するように最適化できる。
【０１４６】
好ましい実施形態によれば、高電圧をメッシュまたはグリッド電極２０に印加して、前述の本発明の他の実施形態と同じようなおよびピンターゲットを利用するイオン化を援助できる。実施形態によれば、メッシュまたはグリッド２０は１ｋＶの電位に維持できる。しかしながら、メッシュまたはグリッドターゲット２０を他の電位にも維持できることが当業者に明らかである。
【０１４７】
メッシュまたはグリッドターゲット２０を使用する特定の利点は、好ましい実施形態に係るメッシュまたはグリッドターゲット２０が位置の幾何学に対する依存性を顕著に減少することである。この理由は、液滴の流れがメッシュまたはグリッドターゲット２０において多数の衝撃点に衝突するからである。プローブまたはメッシュターゲット２０が動いても、ターゲット２０への液滴の衝撃特性は依然として実質的に同じである。したがって、ＭＳ入口９およびプローブの位置と相対的なイオン源の性能は、イオン入口と相対的なエレクトロスプレーイオン化（「ＥＳＩ」）イオン源と同じように作用する。
【０１４８】
さらなる実施形態が考えられる。例えば、メッシュの代わりにグリッドを使用できる。グリッドは、好ましくは液滴の流れがターゲットに衝突する多数の衝撃点をゾーン内に有する。衝撃後のスプレー方向の位置依存性が要求される場合には、単列グリッドを利用できる。
【０１４９】
実施形態によれば、ターゲットが、多層のメッシュおよび／またはグリッドを含むことにより、単一の層で形成されたメッシュまたはグリッドターゲット２０を傾けるのと同一の効果を達成できる。
【０１５０】
好ましい実施形態を参照して本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲により定義される本発明の範囲から逸脱することなく、形態および詳細を様々に変更することができることが当業者に明らかであろう。
【図１】
0005880993.tif 000002
【図２（ａ）】
0005880993.tif 000003
【図２（ｂ）】
0005880993.tif 000004
【図３】
0005880993.tif 000005
【図６（ａ）】
0005880993.tif 000006
【図６（ｂ）】
0005880993.tif 000007
【図６（ｃ）】
0005880993.tif 000008
【図７】
0005880993.tif 000009
【図１１】
0005880993.tif 000010
【図４】
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【図５】
0005880993.tif 000012
【図８】
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【図９】
0005880993.tif 000014
【図１０】
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