(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）数平均分子量５００以上３００００以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、（Ｂ）エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、（Ｃ）ラジカル重合触媒、（Ｄ）下記一般式（１）または（２）で示されるジスルフィド化合物及び（Ｅ）充填剤を含有することを特徴とする半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
【化１】
0005873284.tif 000015
｛式（１）及び式（２）中、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ３は炭素数２〜１２の２価の飽和炭化水素基または下記一般式（３）、一般式（４）もしくは一般式（５）で表わされる基であり、Ｚは−ＣＯＯ−基、−ＣＨ２Ｏ−基または−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２Ｏ−基（但し、いずれも右端の酸素原子がＲ3に結合する。）であり、Ｒ４は水素原子またはメチル基である。｝。
【化２】
0005873284.tif 000016
（式（３）〜式（５）中、ｎは１〜５の整数であり、ｏ及びｐはそれぞれ独立に１〜１０の整数であり、ｑは１〜５の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に１〜１０の整数である。但し、いずれも式（３）〜式（５）の左端の炭素原子が式（１）または式（２）のＺに結合する。）
【請求項２】
（Ａ）成分が室温で液状であり、かつ１分子内に少なくとも１つのアクリル基もしくはメタクリル基を有することを特徴とする請求項１記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
【請求項３】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が１０：９０〜９０：１０であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対し、（Ｄ）成分を１〜２００質量部含有することを特徴とする請求項１乃至３記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対し、（Ｃ）成分を０．１〜１０質量部、（Ｅ）成分を１〜３００質量部含有することを特徴とする請求項４記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項記載の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により、半導体素子を半導体素子支持部材上に接着してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及びこれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置において、金属薄板（リードフレーム）上の所定部分にＬＥＤ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子（以下、半導体チップとも称する）を固定する工程は、半導体装置の信頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から、この接続方法として、有機材料に充填剤を分散させたペースト状の樹脂組成物を接着剤として使用する方法が知られている。
【０００３】
この接合技術に用いる樹脂組成物においては、半導体素子とリードフレームの密着性に優れること、半導体素子とリードフレームの線膨張率の差を緩和するため低弾性率であること等が要求される。低弾性の樹脂組成物を使用することは、半導体装置の耐半田クラック特性を向上させる上で特に重要な特性である。
【０００４】
低弾性率のペースト状組成物としては、例えば、低応力の変性アクリレートやゴム等を使用したものが知られている（例えば、特許文献１等）。しかしながら、これらの組成物は、低応力化と同時に密着性も低下するという問題があった。このため、低応力と高密着を両立させた樹脂組成物が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１３１７５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記要求に応えるべくなされたもので、低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物、及びそのような半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を用いた耐半田クラック性に優れた半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、（Ａ）数平均分子量５００以上３００００以下で、かつ分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体、（Ｂ）エチレン性不飽和基を有する重合性モノマー、（Ｃ）ラジカル重合触媒、（Ｄ）下記一般式（１）または（２）で示されるジスルフィド化合物及び（Ｅ）充填剤を含有することを特徴としている。
【化１】
0005873284.tif 000002
｛式（１）及び式（２）中、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ３は炭素数２〜１２の２価の飽和炭化水素基または下記の一般式（３）、一般式（４）もしくは一般式（５）で表わされる基であり、Ｚは−ＣＯＯ−基、−ＣＨ２Ｏ−基または−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２Ｏ−基（但し、いずれも右端の酸素原子がＲ3に結合する。）であり、Ｒ４は水素原子またはメチル基である。｝。
【化２】
0005873284.tif 000003
（式（３）〜式（５）中、ｎは１〜５の整数であり、ｏ及びｐはそれぞれ独立に１〜１０の整数であり、ｑは１〜５の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に１〜１０の整数である。但し、いずれも式（３）〜式（５）の左端の炭素原子が式（１）式または式（２）のＺに結合する。）
【０００８】
また、本発明の他の一態様に係る半導体装置は、上記半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により、半導体素子が半導体素子支持部材上に接着されてなることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様によれば、低弾性率で、かつ高密着性の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の他の一態様によれば、耐半田クラック性に優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用される（Ａ）成分は、分子骨格中に二重結合を有する炭化水素化合物またはその誘導体であり、例えば、ブチルゴム（ＢＲ）、イソプレンゴム（ＩＲ）、ポリブタジエン等のジエン系ゴム、あるいはその水素添加型等の誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本発明においては、可とう性を付与するために、（Ａ）成分である炭化水素化合物またはその誘導体は、数平均分子量が５００以上３００００以下であり、好ましくは５００以上２００００以下であり、より好ましくは５００以上１５０００以下である。数平均分子量が５００未満では、可とう性が低下し、また耐熱性も低下する。一方、３００００を超えると、組成物調製時の作業性や使用時の塗布作業性が不良となる傾向にある。（Ａ）成分としては、特に、室温で液状であり、かつ１分子内に少なくとも１つのアクリル基もしくはメタクリル基を有するものが好ましい。（Ａ）成分は１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００１３】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用される（Ｂ）成分の重合性モノマーは、エチレン性不飽和基を有するものであり、例えば、脂環式（メタ）アクリル酸エステル、脂肪族（メタ）アクリル酸エステル、芳香族（メタ）アクリル酸エステル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。具体的には、例えば、１、６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１、９−ノナンジオールジメタクリレート、フェノキシジエチレングリコールジメタクリレート、ラウリルアクリレート、ステアリルアクリレート、フェノキシエチルメタクリレート等が使用される。（Ｂ）成分は１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００１４】
この（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計質量中の割合が１０〜９０質量％となる範囲、つまり、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が１０：９０〜９０：１０となる範囲が好ましい。（Ｂ）成分の割合が１０質量％未満では、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度が高くなり作業性が低下する。また、９０重量％を越えると接着性に問題が生ずるおそれがある。より好ましくは（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が２０：８０〜８０：２０となる範囲である。
【００１５】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用される（Ｃ）成分のラジカル重合触媒は、ラジカル重合に一般に用いられているものであれば特に限定されることなく使用することができるが、好ましくは、急速加熱試験における分解温度（試料１ｇを電熱板の上に乗せ、４℃／分で昇温したときの分解開始温度）が４０〜１４０℃となるものである。分解温度が４０℃未満であると、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の常温における保存性が不良となり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くなるおそれがある。
【００１６】
上記条件をラジカル重合触媒の例としては、例えば、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ジクミルパーオキサイド等が挙げられる。これらは１種を単独で使用してもよく、あるいは硬化性を制御するために２種以上を混合して使用してもよい。
【００１７】
なお、本発明においては、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の保存性の低下を防止するために、重合禁止剤をラジカル重合触媒を添加する前に予め添加しておいてもよい。そのような重合禁止剤の例としては、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ジブチルヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）等が挙げられる。
【００１８】
この（Ｃ）成分の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計質量１００質量部に対して、０．１〜１０質量部が好ましく、０．５〜８質量部がより好ましい。０．１質量部未満では、硬化性が著しく低下するおそれがあり、１０質量部を越えると、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度の経時変化が大きくなり、作業性が低下するおそれがある。
【００１９】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用される（Ｄ）成分は、下記一般式（１）または（２）で示されるジスルフィド化合物であり、本発明の目的とする低弾性率と高密着性を実現する上で重要な成分である。
【化３】
0005873284.tif 000004
【００２０】
式（１）及び式（２）中、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が例示される。
【００２１】
式（１）及び（２）中、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基であり、Ｒ２がアルキル基の場合、上記Ｒ１と同様のものが例示できる。
【００２２】
式（１）及び（２）中、Ｒ３は炭素数２〜１２の２価の飽和炭化水素基、または下記の一般式（３）、一般式（４）もしくは一般式（５）で表わされる基である。
【化４】
0005873284.tif 000005
Ｒ３が炭素数２〜１２の２価の飽和炭化水素基の場合、その例としては、エチレン基、プロピレン基、イソプロペン基、ヘキシレン基、デシレン基、ドデシレン基等が挙げられる。また、一般式（３）で表される基において、ｎは１〜５の整数であり、一般式（４）で表される基において、ｏ及びｐはそれぞれ独立に１〜１０の整数であり、ｑは１〜５の整数である。さらに、一般式（５）で表される基において、ｒ及びｓはそれぞれ独立に１〜５の整数である。なお、一般式（３）〜一般式（５）で表される基は、いずれも左端の炭素原子が式（１）または式（２）のＺに結合し、右端の炭素原子が式（１）または式（２）の酸素原子に結合する。
【００２３】
式（１）及び式（２）中、Ｚは−ＣＯＯ−基、−ＣＨ２Ｏ−基または−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２Ｏ−基である。なお、これらの基は、いずれも右端の酸素原子がＲ3に結合し、左端の炭素原子が不飽和炭素原子に結合する。
【００２４】
式（１）及び式（２）中、Ｒ４は水素原子またはメチル基である。
【００２５】
このようなジスルフィド化合物は、例えば、次のように製造することができる。
下記一般式（６）
【化５】
0005873284.tif 000006
（式中、Ｒ１は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。）
で示されるチオ尿素誘導体と、下記一般式（７）
【化６】
0005873284.tif 000007
（式中、Ｒ2は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基またはフェニル基である。）
で示されるマロン酸誘導体を縮合反応させ、下記一般式（８）または（９）
【化７】
0005873284.tif 000008
（式（８）及び（９）中、Ｒ1及びＲ2は前述の通りである。）
で示されるカルボエトキシチオウラシル誘導体を得た後、このカルボエトキシチオウラシル誘導体を加水分解して下記一般式（１０）または（１１）
【化８】
0005873284.tif 000009
（式中、（１０）及び（１１）Ｒ１及びＲ２は前述の通りである。）
で示されるカルボキシチオウラシル誘導体を得る。
【００２６】
次いで、このカルボキシチオウラシル誘導体と下記一般式（１２）
【化９】
0005873284.tif 000010
｛式中、Ｒ３は炭素数２〜１２の２価の飽和炭化水素基または下記一般式（３）、一般式（４）もしくは一般式（５）
【化１０】
0005873284.tif 000011
（式（３）〜式（５）中、ｎは１〜５の整数であり、ｏ及びｐはそれぞれ独立に１〜１０の整数であり、ｑは１〜５の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に１〜１０の整数である。但し、いずれも式（３）〜式（５）の左端の炭素原子が式（１）または式（２）のＺに結合する。）で表わされる基であり、Ｚは−ＣＯＯ−基、−ＣＨ２Ｏ−基または−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２Ｏ−基（但し、いずれも右端の酸素原子がＲ3に結合する。）であり、Ｒ４は水素原子またはメチル基である。｝
で示される重合性不飽和結合を有するアルコール（以下、重合性アルコールという）を反応させることにより、下記一般式（１３）または（１４）
【化１１】
0005873284.tif 000012
（式（１３）及び（１４）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｚ及びＲ４は前述の通りである。）
で示されるチオウラシル誘導体を得た後、このチオウラシル誘導体を酸化的二量化反応させる。これにより、一般式（１）または（２）で示されるジスルフィド化合物が得られる。
【００２７】
（Ｄ）成分としては、接着力や合成の容易さの観点から、特に、下記式（１５）及び（１６）に示すジスルフィド化合物の使用が好ましい。（Ｄ）成分は１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【化１２】
0005873284.tif 000013
【００２８】
この（Ｄ）成分の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計質量１００質量部に対して、１〜２００質量部が好ましく、２〜５０質量部がより好ましい。１質量部未満では、密着性が十分に得られないおそれがあり、２００質量部を越えると、硬化物の耐熱性が低下するおそれがある。
【００２９】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物に使用される（Ｅ）成分の充填材は、無機系及び有機系のいずれであってもよい。無機系充填材としては、例えば、銀粉、金粉、銅粉、アルミニウム粉、ニッケル粉等の金属粉や、溶融シリカ、結晶シリカ、窒化珪素、アルミナ、窒化アルミニウム、炭酸カルシウム等が挙げられる。これらの無機系充填材のうち、金属粉は主に導電性や熱伝導性を付与するために用いられる。また、有機系充填材としては、例えば、シリコーン樹脂、ポリテトラフロロエチレン等のフッ素樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ベンゾグアナミンやメラミンとホルムアルデヒドとの架橋物等が挙げられる。さらに、シリカとアクリル樹脂との複合材や、有機系充填材表面に金属コーティングを施したもの等、有機化合物と無機化合物を複合した充填材等も使用される。これらの充填材は、分散性等を高めるため、アルコキシシラン、アシロキシシラン、シラザン、オルガノアミノシラン等のシランカップリング材等により表面処理が施されていてもよい。これらの充填剤は１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３０】
（Ｅ）成分の充填剤としては、導電性の用途には、特に銀粉が、入手が容易で、形状、粒径の種類が多く、導電性が良好で、かつ加熱しても導電性が変化しないことから好ましい。また、絶縁用途には、特にシリカが、入手の容易さと種類の豊富さの観点から好ましい。これらの充填剤は、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイオン性不純物の含有量が１０ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、充填剤の形状は特に限定されず、例えば、フレーク状、鱗片状、樹枝状、球状のもの等が用いられる。また、粒径も特に限定されず、例えば、粒径が１〜１００ｎｍ程度のナノスケールのものも用いられる。
【００３１】
この（Ｅ）成分の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計質量１００質量部に対して、１〜３００質量部が好ましい。配合量を１質量部以上とすることで、硬化物の膨張係数が過度に大きくなることを抑制し、接着の信頼性を良好にすることができる。また、３００質量部以下とすることで、粘度が過度に大きくなることを抑制し、作業性を良好にすることができる。
【００３２】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物には、以上の各成分の他、本発明の効果を阻害しない範囲で、この種の組成物に一般に配合される、硬化促進剤、ゴムやシリコーン等の低応力化剤、カップリング剤、消泡剤、界面活性剤、着色剤（顔料、染料）、難燃剤、その他の各種添加剤を、必要に応じて配合することができる。また、各種溶剤も必要に応じて適宜配合することができる。これらの各添加剤はいずれも１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３３】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、前記した（Ａ）〜（Ｅ）成分、及び必要に応じて配合されるカップリング剤等の添加剤等を十分に混合した後、さらにディスパース、ニーダー、３本ロールミル等により混練処理を行い、次いで、脱泡することにより、調製することができる。
【００３４】
本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、低弾性率で、かつ密着性に優れており、これを用いて、特に耐半田クラック性が従来に比べ向上した半導体装置を得ることができる。
【００３５】
次に、本発明の半導体装置について説明する。
本発明の半導体装置は、例えば、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を介して半導体素子をリードフレームにマウントし、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を加熱硬化させた後、リードフレームのリード部と半導体素子上の電極とをワイヤボンディングにより接続し、次いで、これらを封止樹脂を用いて封止することにより製造することができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、銅、金、アルミ、金合金、アルミ−シリコン等からなるワイヤが例示される。また、導電性ペーストを硬化させる際の温度は、通常、１５０〜２５０℃であり、０．５〜２間程度加熱することが好ましい。
【００３６】
図１は、このようにして得られた本発明の半導体装置の一例を示したものであり、銅フレーム等のリードフレーム１と半導体素子２の間に、本発明の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の硬化物である接着剤層３が介在されている。また、半導体素子２上の電極４とリードフレーム１のリード部５とがボンディングワイヤ６により接続されており、さらに、これらが封止樹脂７により封止されている。なお、接着剤層３の厚さとしては、１０〜３０μｍ程度が好ましい。
【００３７】
本発明の半導体装置は、低弾性率で、かつ密着性に優れた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物により半導体素子が接着固定されているので、耐半田クラック性に優れており、高い信頼性を具備している。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
６−ヒドロキシヘキシルアクリレート７．７６ｇ（４５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド１１．１ｇ（５４ｍｍｏｌ）、５−カルボキシ−２−シオウラシル５．１６ｇ（３０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン０．３６ｇ（３ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン３００ｍｌを５００ｍｌ三つ口フラスコに入れて溶解し、室温で３日間撹拌を続けた。その後、溶液をろ過し、反応中に生じた白色沈殿物を除去した。得られたろ液からテトラヒドロフランを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに添加した。酢酸エチル及び塩化メチレンの混合溶媒を展開溶媒として用いて、６−アクリロイルオキシヘキシル−２−チオウラシル−５−カルボキシレート４．１２ｇを得た。
【００４０】
得られた６−アクリロイルオキシヘキシル−２−チオウラシル−５−カルボキシレート３．２６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ｐ−メトキシフェニル）セレノオキサイド３．４０ｇ（１１ｍｍｏｌ）及びエタノール４００ｍｌを１Ｌの三つ口フラスコに入れて溶解し、室温で２時間攪拌した。反応終了後、反応混合物からエタノールを減圧留去し、残渣にクロロホルムを加えた。不溶物をろ過し、ろ液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに添加した。クロロホルムを展開溶媒として用いて、前述した式（１５）で示されるジスルフィド化合物２．０５ｇ（３．１４ｍｍｏｌ）を得た。
【００４１】
上記ジスルフィド化合物（ジスルフィド化合物Ｉと表記）１０質量部、アクリル変性ポリブタジエンとして「ＭＭ−１０００−８０」（日本石油化学（株）製  商品名、数平均分子量１０００）７０質量部、２−メタクリロイロキシエチルコハク酸として「ライトエステルＨＯ−ＭＳ」（共栄社化学（株）製  商品名）３０質量部、ジクミルパーオキサイドとして「パークミルＤ」（日本油脂（株）製  商品名、急速加熱試験における分解温度１７５℃）１質量部、アルコキシシランとして「ＫＢＭ−４０３」（信越化学工業（株）製  商品名）０．２質量部及び銀粉（粒径０．１〜３０μｍ、平均粒径３μｍ、フレーク状）２５０質量部を十分に混合し、さらに三本ロールで混練して半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４２】
（実施例２）
銀粉に代えて、シリカ粉末（平均粒径３μｍ、最大粒径２０μｍ、球状）１８０質量部を用いるとともに、アルコキシシラン「ＫＢＭ−４０３」の配合量を０．５質量部とした以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４３】
（実施例３）
アクリル変性ポリブタジエンに代えて、アクリル変性水素添加型ポリブタジエン「ＴＥＡＩ−１０００」（日本曹達（株）製  商品名、数平均分子量２２５０）７０質量部を用いた以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４４】
（実施例４）
アクリル変性ポリブタジエンに代えて、メタクリル変性ポリイソプレン「ＵＣ−１０２」（クラレ（株）製  商品名、数平均分子量１７０００）７０質量部を用いた以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４５】
（実施例５）
式（１５）で示されるジスルフィド化合物に代えて、式（１６）で示されるジスルフィド化合物（ジスルフィド化合物IIと表記）１０質量部を用いた以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４６】
（実施例６）
ジスルフィド化合物Ｉの配合量を２０質量部とした以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４７】
（比較例１）
ジスルフィド化合物を非配合とし、かつアルコキシシラン「ＫＢＭ−４０３」の配合量を０．５質量部とした以外は実施例１と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４８】
（比較例２）
ジスルフィド化合物を非配合とした以外は実施例２と同様にして半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を調製した。
【００４９】
上記各実施例及び各比較例で得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物について、下記に示す方法で各種特性を評価した。
（１）初期粘度
調製直後の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の粘度を、東機産業（株）製のＥ型粘度計（３°コーン）を用い、２５℃、２．５ｒｐｍの条件で測定した。
（２）引張弾性率
得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を１５０℃で３０分間加熱し硬化させて作製したフィルム状試験片（２０ｍｍ×４ｍｍ×０．１ｍｍ）について、セイコーインスツルメンツ（株）製の動的粘弾性測定装置ＤＭＳ６１００を用い、２５℃における引張弾性率を測定した。測定条件は以下の通りである。
測定温度：−１００〜３００℃
昇温速度：５℃／分
周波数：１０Ｈｚ
荷重：１００ｍＮ
（３）ポットライフ
得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を２５℃の恒温槽内に放置し、粘度が初期粘度の１．５倍以上に増粘するまでの日数を調べた。
【００５０】
（４）熱時接着強度
得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を銅フレーム上に２０μｍ厚に塗布し、その上に２ｍｍ×２ｍｍの半導体チップ（シリコンチップ）をマウントし、２００℃で６０分間加熱硬化させ、接続サンプルを作製した。この接続サンプルについて、西進商事（株）製のボンドテスターＳＳ−１００ＫＰを用いて２６０℃で測定した。
（５）耐半田リフロー性
得られた半導体接着用熱硬化型樹脂組成物を銅フレーム上に２０μｍ厚に塗布し、その上に６ｍｍ×６ｍｍの半導体チップ（シリコンチップ、表面アルミ配線のみ）をマウントし、２００℃で６０分間加熱硬化させた後、京セラケミカル（株）製のエポキシ樹脂封止材（商品名 ＫＥ−Ｇ１２００）を用いて封止し、半導体パッケージ（８０ｐＱＦＰ、１４ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ）を作製した。封止は、まず、１７５℃、２分間、１ＭＰａの条件でトランスファー成形し、その後、１７５℃で８時間の後硬化を行った。このパッケージに８５℃、８５％ＲＨ、１６８時間の吸湿処理を施した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒）を行い、パッケージの外部クラック（パッケージ表面のクラック）の発生の有無を顕微鏡（倍率：１５倍）で観察し、その発生数を調べた。また、パッケージの内部クラック（チップクラック）の発生の有無を超音波顕微鏡で観察し、その発生数を調べた（ｎ＝５）。
【００５１】
これらの結果を、半導体接着用熱硬化型樹脂組成物の組成とともに表１に示す。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
表１からも明らかなように、実施例の半導体接着用熱硬化型樹脂組成物は、低弾性率で、かつ高い密着性を有しており、また、これを用いた半導体装置は耐半田リフロー性に優れていた。
【符号の説明】
【００５４】
１…リードフレーム、２…半導体素子、３…接着剤層、４…電極、５…リード部、６…ボンディングワイヤ、７…封止樹脂。
【図１】
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