(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板の切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断方法であって、
前記アシストガスは、前記ガラス板の上方空間において、前記切断部の上方位置から前記切断部に向かって真下に噴射されるセンターアシストガスと、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に噴射されるサイドアシストガスとを含み、
前記サイドアシストガスの噴射圧が、前記センターアシストガスの噴射圧よりも強いことを特徴とするガラス板切断方法。
【請求項２】
前記アシストガスは、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に噴射される補助サイドアシストガスを含むことを特徴と請求項１に記載するガラス板切断方法。
【請求項３】
ガラス板の切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断方法であって、
前記アシストガスは、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に噴射されるサイドアシストガスと、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に噴射される補助サイドアシストガスとを含むことを特徴とするガラス板切断方法。
【請求項４】
前記サイドアシストガスが、前記ガラス板の上面に対して２５°〜６０°の傾斜角をもって噴射されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス板切断方法。
【請求項５】
前記レーザビームが、前記ガラス板に対してデフォーカスで照射されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス板切断方法。
【請求項６】
ガラス板の切断部にアシストガス噴射手段からアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビーム照射手段からレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断装置であって、
前記アシストガス噴射手段が、前記ガラス板の上方空間において、前記切断部の上方位置から前記切断部に向かって真下にセンターアシストガスを噴射するセンターアシストガス噴射手段と、前記センターアシストガスよりも強い噴射圧で、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方にサイドアシストガスを噴射するサイドアシストガス噴射手段とを有することを特徴とするガラス板切断装置。
【請求項７】
前記アシストガス噴射手段は、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に補助サイドアシストガスを噴射する補助サイドアシストガス噴射手段を有することを特徴とする請求項６に記載のガラス板切断装置。
【請求項８】
ガラス板の切断部にアシストガス噴射手段からアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビーム照射手段からレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断装置であって、
前記アシストガス噴射手段は、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方にサイドアシストガスを噴射するサイドアシストガス噴射手段と、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に補助サイドアシストガスを噴射する補助サイドアシストガス噴射手段とを有することを特徴とするガラス板切断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス板を溶断する切断技術の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス板を切断する方法としては、ガラス板の表面にダイヤモンドカッタなどでスクライブ線を形成した後、そのスクライブ線に曲げ応力を作用させて割断する方法（曲げ応力による割断）が広く用いられている。
【０００３】
しかしながら、上記の曲げ応力を利用した切断方法の場合、切断面にクラックが形成され易く、そのクラックを起点としてガラス板が破損するという問題が生じるおそれがあった。そこで、上記の曲げ応力を利用した切断方法に代えて、レーザビームをガラス板の切断部に照射し、その照射熱によって切断部を溶融して切断する、いわゆる溶断が採用される場合もある。
【０００４】
この種の溶断による切断方法では、切断部の真上から略鉛直下方に向かってレーザビームと共に噴射されるセンターアシストガスによって、レーザの照射熱で切断部に生じる溶融物を吹き飛ばしながら、ガラス基板の切断（溶断）を行うのが通例とされている。
【０００５】
この場合、センターアシストガスにより飛散させた溶融物が、ドロスと称される異物となってガラス板に付着することがあり、ガラス板の製品価値を低下させる要因となっている。そこで、溶断による切断方法においては、このような異物の付着を防止する対策が種々講じられている。
【０００６】
例えば、特許文献１は、ガラス板の切断に関するものではないが、セラミックスや金属の溶断時に生じるドロスの付着を防止するために、次のような切断方法を開示している。すなわち、同文献には、被加工物の切断部の真上に配置された加工ノズルから略鉛直下方に向かってアシストガス（上記のセンターアシストガスに相当）を噴射すると共に、被加工物の切断部の表裏両面に対して、補助ノズルからアシストガスとは異なったガスを、被加工物の製品となる側からそれぞれ吹き付けると共に、被加工物の切断部の真下において吸引ノズルで吸引を行うことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１４１７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ガラス板を溶断する場合、レーザビームの照射熱でガラス板の切断部を溶融させるため、ガラス板の切断部近傍は軟化状態となる。
【０００９】
しかしながら、特許文献１では、加工ノズルから噴射されるアシストガスの噴射圧を、補助ノズルから噴射されるガスの噴射圧よりも大きく設定しているため、仮にガラス板Ｇの切断に適用した場合には次のような問題が生じ得る。
【００１０】
すなわち、加工ノズルから噴射されるアシストガスの噴射圧が大き過ぎると、その噴射圧によって溶融状態のガラス板の切断部近傍が下方に強く押圧されてしまう。その結果、図１２に示すように、溶融状態にあるガラス板Ｇの切断部Ｃ近傍が垂れ下がって、切断部Ｃ（厳密には製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１及び非製品部Ｇｂの切断端面Ｇｂ１の近傍）に形状不良が生じ得る。
【００１１】
ガラス板の場合、このように切断部に形状不良が生じると、製品品位の低下を招くばかりでなく、破損などの大きな問題を招くことになる。
【００１２】
本発明は、以上の実情に鑑み、製品となるガラス板の切断端面に形状不良を生じさせることなく、ガラス板を溶断により切断することを技術的課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために創案された第１の発明は、ガラス板の切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断方法であって、前記アシストガスは、前記ガラス板の上方空間において、前記切断部の上方位置から前記切断部に向かって真下に噴射されるセンターアシストガスと、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に噴射されるサイドアシストガスとを含み、前記サイドアシストガスの噴射圧が、前記センターアシストガスの噴射圧よりも強いことに特徴づけられる。
【００１４】
このような方法によれば、センターアシストガスの噴射圧が相対的に弱められるので、主としてサイドアシストガスによって、溶断時に生じる切断部の溶融異物（ドロス等）を吹き飛ばすことになる。このサイドアシストガスは、製品部となる側の上方位置から切断部に向かって斜め下方に噴射されることから、センターアシストガスに比べて、溶融状態にあるガラス板の切断部近傍を下方に押圧する力は弱い。そのため、溶融状態にあるガラス板の切断部の垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部の垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスによって切断部に生じる溶融異物は非製品部となる側に優先的に飛散するため、製品部の切断端面に溶融異物が溜まり難くなる。したがって、製品部の切断端面の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。
【００１５】
上記の課題を解決するために創案された第２の発明は、ガラス板の切断部にアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断方法であって、前記アシストガスは、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方に噴射されるサイドアシストガスのみを含むことに特徴づけられる。
【００１６】
このような方法によれば、ガラス板の上方空間において、第１の発明のように、切断位置の上方位置から切断部に向かって真下に噴射されるセンターアシストガスが存在せず、サイドアシストのみで、溶断時に生じる切断部の異物（ドロス等）を吹き飛ばすことになる。このサイドアシストガスは、製品部となる側の上方位置から切断部に向かって斜め下方に噴射されることから、センターアシストガスに比べて、溶融状態にあるガラス板の切断部近傍を下方に押圧する力は弱い。そのため、溶融状態にあるガラス板の切断部の垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部の垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスによって切断部に生じる異物は非製品部となる側に優先的に飛散するため、製品部の切断端面に異物が溜まり難くなる。したがって、製品部の切断端面の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。
【００１７】
上記の方法において、前記サイドアシストガスが、前記ガラス板の上面に対して２５°〜６０°の傾斜角をもって噴射されることが好ましい。
【００１８】
すなわち、ガラス板の上面に対するサイドアシストガスの傾斜角が２５°未満であると、サイドアシストガスがガラス板に浅く入射し過ぎて、切断部にサイドアシストガスを効率よく供給できないという問題が生じるおそれがある。一方、ガラス板の上面に対するサイドアシストガスの傾斜角が６０°を超えると、サイドアシストガスがガラス板に深く入射し過ぎて、切断部近傍を下方に押圧する力が大きくなるおそれがある。したがって、サイドアシストガスの傾斜角は上記数値範囲内であることが好ましく、この範囲であれば、サイドアシストガスを切断部に効率よく供給しつつ、サイドアシストガスが切断部近傍を下方に押圧する力を適切に抑えることができる。
【００１９】
上記の方法において、前記アシストガスは、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に噴射される補助サイドアシストガスを含むことが好ましい。
【００２０】
このようにすれば、ガラス板の下方からも切断部に生じた異物を、非製品部となる側に効率よく吹き飛ばすことが可能となる。また、ガラス板の下面にサイドアシストガスが作用することから、ガラス板の切断部近傍を下方から支持する効果も期待でき、切断部近傍の垂れ下がり防止に寄与するものと考えられる。
【００２１】
上記の方法において、前記レーザビームを、前記ガラス板に対してデフォーカスで照射してもよい。
【００２２】
このようにすれば、レーザビームのエネルギー密度が、切断部に対応する位置で小さくなることから、照射位置周辺におけるエネルギーの変化量も小さくなる。そのため、ガラス板の反りや振動などによって、照射位置が多少変動したとしても、切断部に加わる照射熱が変化し難く、ほぼ同条件で溶断を実行することが可能となる。
【００２３】
上記の課題を解決するために創案された第３の発明は、ガラス板の切断部にアシストガス噴射手段からアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビーム照射手段からレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断装置であって、前記アシストガス噴射手段が、前記ガラス板の上方空間において、前記切断部の上方位置から前記切断部に向かって真下にセンターアシストガスを噴射するセンターアシストガス噴射手段と、前記センターアシストガスよりも強い噴射圧で、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方にサイドアシストガスを噴射するサイドアシストガス噴射手段とを有することに特徴づけられる。
【００２４】
このような構成によれば、既に述べた第１の発明と同様の作用効果を享受することができる。
【００２５】
上記の課題を解決するために創案された第４の発明は、ガラス板の切断部にアシストガス噴射手段からアシストガスを噴射しながら、前記切断部に向かってレーザビーム照射手段からレーザビームを照射し、前記切断部を境界として前記ガラス板を製品部と非製品部とに溶断分離するガラス板切断装置であって、前記アシストガス噴射手段は、前記ガラス板の上方空間において、前記製品部となる側の上方位置から前記切断部に向かって斜め下方にサイドアシストガスを噴射するサイドアシストガス噴射手段のみを有することに特徴づけられる。
【００２６】
このような構成によれば、既に述べた第２の発明と同様の作用効果を享受することができる。
【００２７】
上記の構成において、前記アシストガス噴射手段は、前記ガラス板の下方空間において、前記製品部となる側の下方位置から前記切断部に向かって斜め上方に補助サイドアシストガスを噴射する補助サイドアシストガス噴射手段を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
以上のような第１〜４の発明によれば、溶融状態にある切断部近傍が噴射されるガスによって下方に押圧される力を抑えることができるので、ガラス板の製品部の切断端面に形状不良を生じさせることなく、ガラス板を溶断により切断することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断側面である。
【図２】第１実施形態に係るガラス板切断装置を示す平面図である。
【図３】図２のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】第１実施形態に係るガラス板切断装置で溶断された直後のガラス基板の状態を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。
【図９】第５実施形態に係るガラス板切断装置の第２吸引ノズルを示す斜視図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係るガラス板切断装置を示す縦断面図である。
【図１１】本発明の溶断対象となるガラス板の他の一例を示す図である。
【図１２】従来の溶断による切断方法をガラス板に適用した場合に生じる問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。なお、以下では、ガラス板は、厚み５００μｍ以下のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板とするが、勿論これに限定されるものではない。例えば、太陽電池用、有機ＥＬ照明用、タッチパネル用、デジタルサイネージ用等、種々の分野に利用される薄板ガラス基板や、その有機樹脂との積層体などに適用が可能である。なお、薄板ガラスの厚みは、３００μｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
（第１実施形態）
図１に示すように、本発明の第１実施形態に係るガラス板切断装置１は、平置き姿勢のガラス基板Ｇを下方から支持する支持ステージ２と、この支持ステージ２に支持されたガラス基板Ｇを溶断分離するレーザビーム照射器３とを備えている。
【００３２】
支持ステージ２は、ステージ本体２１と、ステージ本体２１の上面に沿って移動するコンベア２２とを備えている。ガラス基板Ｇは、コンベア２２の移動により切断予定線ＣＬに沿った搬送方向下流側（図中の矢印Ａ方向）に搬送される。このとき、ステージ本体２１は、コンベア２２をガイドする役割を果たす。なお、コンベア２２には図示しない多数の通気孔が形成されており、この通気孔を介してガラス基板Ｇをコンベア２２上に吸着保持しながら搬送するようになっている。勿論、ガラス基板Ｇを吸着せずに、コンベアによってガラス基板Ｇの幅方向端部を表裏両側から挟持して搬送するなど、他の搬送方法を採用してもよい。
【００３３】
ステージ本体２１及びコンベア２２は、図２に示すように、ガラス基板Ｇの幅方向に間隔を置いて２つに分離されており、ガラス基板Ｇの切断予定線ＣＬの下方位置に非支持空間Ｓを有している。この非支持空間Ｓでは、ガラス基板Ｇの下面と支持ステージ２が接触しておらず、ガラス基板Ｇの下面が非支持空間Ｓに対して露出している。
【００３４】
レーザビーム照射器３は、図３に示すように、レーザビームＬＢを伝搬させる内部空間を有し、この空間内にレンズ３１を備えている。この実施形態では、レンズ３１で集光されたレーザビームＬＢは、微焦点に集光してガラス基板Ｇの上面に焦点位置ＦＰを合わせた状態で、切断部（レーザビームＬＢを照射して溶断を行なっている部分）Ｃに照射される。そして、このレーザビームＬＢの照射熱によって切断予定線ＣＬに沿ってガラス基板Ｇを溶断し、製品となる製品部Ｇａと、廃棄等され製品とならない非製品部Ｇｂとに分離する。なお、レーザビームＬＢの焦点位置ＦＰは、ガラス基板Ｇの厚み方向中間位置であってもよい。また、レーザビームＬＢの焦点位置ＦＰをガラス基板Ｇの上方に設定し、レーザビームＬＢをデフォーカスした状態で切断部Ｃに照射するようにしてもよい。
【００３５】
更に、ガラス板切断装置１は、製品部Ｇａとなる側の上方位置から切断部Ｃに向かって斜め下方にサイドアシストガスＡ１を噴射するサイドアシストガス噴射ノズル４を備えている。このサイドアシストガスＡ１は、ドロスなどの溶融異物を非製品部Ｇｂ側へ吹き飛ばす役割を果たす。
【００３６】
以上のように構成されたガラス板切断装置１の動作を説明する。
【００３７】
図１及び図２に示すように、支持ステージ２のコンベア２２によってガラス基板Ｇを搬送し、搬送経路上に静止状態で配置されたレーザビーム照射器３から照射されるレーザビームＬＢをガラス基板Ｇの切断予定線ＣＬに沿って走査する。
【００３８】
そして、このようにレーザビームＬＢを照射しながら、図３に示すように、ガラス基板Ｇの製品部Ｇａとなる側の上方位置に配置されたサイドアシストガス噴射ノズル４からガラス基板Ｇの切断予定線ＣＬ上に位置する切断部Ｃに向かって斜め下方にサイドアシストガスＡ１を噴射する。これにより、切断部Ｃから溶融異物が除去され、溶断が効率的に行なわれる。また、溶融異物が非製品部Ｇｂ側へ吹き飛ばされるので、製品部Ｇａに溶融異物が付着する事態を防止することができる。ここで、「溶融異物」は、ガラス基板Ｇの溶断時に発生するドロス等の異物を意味し、溶融状態にあるもの、固化状態にあるものの双方を含む。
【００３９】
また、ガラス基板Ｇの上方空間において、ガラス基板Ｇに対してガスを噴射する手段は、サイドアシストガス噴射ノズル４のみである。そして、このサイドアシストガス噴射ノズル４は、ガラス基板Ｇの切断部Ｃに対してサイドアシストガスＡ１を斜めに噴射するので、ガラス基板Ｇの切断部Ｃに対して真上から略鉛直に噴射する場合（例えば、センターアシストガスを噴射する場合）に比べて、溶融状態にある切断部Ｃ近傍を下方に押圧する力は作用し難い。そのため、溶融状態にあるガラス基板Ｇの切断部Ｃ近傍の下方への垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部Ｃの垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスＡ１によって切断部Ｃに生じる溶融異物は非製品部Ｇｂとなる側に優先的に飛散するため、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１に溶融異物が溜まり難くなる。したがって、図４に示すように、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。付言すれば、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１は、火造り面で構成される。また、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１の算術平均粗さＲａは、例えば、０．３μｍ以下で、且つ、その粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、例えば、１５０μｍ以上となる。ここで、Ｒａの下限値およびＲＳｍの上限値について説明するならば、Ｒａは限りなく零に近いことが望ましく、ＲＳｍは限りなく無限大に近いことが望ましい。しかしながら、実用上は加工設備等による限界があるため、Ｒａの下限値やＲＳｍの上限値を規定する意義は乏しい。そのため、上記では、Ｒａの下限値とＲＳｍの上限値を設けていない。なお、Ｒａ及びＲＳｍは、ＪＩＳ  ２００１に基づくものとする。さらに、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１の圧縮応力は、例えば、２０ＭＰａ〜５００ＭＰａとなる。なお、非製品部Ｇｂの切断端面Ｇｂ１には、サイドアシストガスＡ１によって吹き飛ばされた溶融異物（ドロスなど）が付着し、切断端面Ｇｂ１の形状が、略円弧状から逸脱する場合もある。
【００４０】
更に、上記のようにガラス基板Ｇを溶断すれば、ガラス基板Ｇの切断部Ｃの一部が溶融除去され、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１と、非製品部Ｇｂの切断端面Ｇｂ１との間には隙間が形成される。そのため、この隙間の分だけ製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１と、非製品部Ｇｂの切断端面Ｇｂ１とが離間しているので、切断端面Ｇａ１，Ｇｂ１同士が接触して破損する事態を防止しつつ、製品部Ｇａと非製品部Ｇｂとを円滑に分離できる。
【００４１】
詳細には、図４に示すように、ガラス基板Ｇの厚みをａとし、溶断後における製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１と非製品部Ｇｂの切断端面Ｇｂ１との間の最小隙間をｂとした場合に、０．１≦ｂ／ａ≦２なる関係を満足する最小隙間ｂを溶断により形成する。このようにすれば、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１が、非製品部Ｇｂと切断端面Ｇｂ１に接触して破損するという事態を確実に防止することができる。ここで、最小隙間ｂの大きさを調整する方法としては、（１）レーザビームＬＢの出力パワーを変更する、（２）ガラス基板Ｇに対するスポット径の大きさを変更する、（３）ガラス基板Ｇの表面（上面）に対するサイドアシストガスＡ１の仮想中心線Ｌ１の傾斜角α１（図３を参照）を変更する、（４）サイドアシストガスＡ１などのガラス基板Ｇに供給されるガスの噴射圧を変更する、（５）レーザビームのパルス幅やパターンを変更する、などの溶断条件の変更が挙がられる。
【００４２】
レーザビームＬＢ及びサイドアシストガスＡ１の諸条件は、以下の通りである。なお、レーザビームＬＢ及びサイドアシストガスＡ１の諸条件は、勿論、これに限定されるものではない。
【００４３】
レーザビームＬＢのスポット径は、図４の最小隙間ｂよりも小さく設定される。
【００４４】
レーザビームＬＢの照射エネルギーは、ガラス基板Ｇの上面において、１００〜１０００００[Ｗ／ｍｍ2]に設定される。
【００４５】
サイドアシストガスＡ１の噴射圧は、０．０１〜０．５［ＭＰａ］に設定される。
【００４６】
サイドアシストガスＡ１の傾斜角α１は、２５°〜６０°、好ましくは３０°〜５０°、より好ましくは３５°〜４５°に設定される。なお、製品部Ｇａへの溶融異物の付着を防止する観点からは、サイドアシストガスＡ１の傾斜角α１は、１５°〜４５°に設定されることが好ましい。したがって、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１の形状と製品部Ｇａへの溶融異物の付着とを考慮した場合には、サイドアシストガスＡ１の傾斜角α１は、２５°〜４５°に設定されることが好ましい。
【００４７】
サイドアシストガスＡ１の指向方向は、切断部Ｃ近傍であればよい。例えば、図示例では、サイドアシストガスＡ１の仮想中心線Ｌ１が、切断部Ｃと交差するようにしているが、仮想中心線Ｌ１が、切断部Ｃよりも製品部Ｇａとなる側でガラス基板Ｇの上面や下面と交差するようにしてもよい。
【００４８】
サイドアシストガスＡ１としては、例えば、酸素（又は空気）や、水蒸気・二酸化炭素・窒素・アルゴンなどの不活性ガスが用いられ、適所でこれらのガスを混合してもよい。また、サイドアシストガスＡ１は、熱風として噴射してもよい。
【００４９】
（第２実施形態）
図５に示すように、本発明の第２実施形態に係るガラス板切断装置１は、第１実施形態に係るガラス板切断装置１の構成に、更に、センターアシストガス噴射ノズル５を付加したものである。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
【００５０】
センターアシストガス噴射ノズル５は、レーザビーム照射器３の先端部に接続されており、レーザビーム照射器３の内部空間（レンズ３１よりも下方の空間）にセンターアシストガスＡ２を供給する。レーザビーム照射器３の内部空間に供給されたセンターアシストガスＡ２は、レーザビーム照射器３の先端からガラス基板Ｇの切断部Ｃに向かって真下に噴射される。すなわち、レーザビーム照射器３の先端からは、レーザビームＬＢが出射されると共に、センターアシストガスＡ２が噴射される。センターアシストガスＡ２は、ガラス基板Ｇを溶断する際に生じる溶融異物をガラス基板Ｇの切断部Ｃから除去する役割と、その溶融異物からレーザビーム照射器３のレンズ３１等の光学部品を保護する役割、更には、レンズの熱を冷却する役割を果たす。
【００５１】
そして、サイドアシストガスＡ１の噴射圧をＰ１、センターアシストガスＡ２の噴射圧をＰ２とした場合に、Ｐ２／Ｐ１は０〜２に設定される。詳細には、例えば、センターアシストガスＡ２の噴射圧は、０〜０．０２［ＭＰａ］に設定され、サイドアシストガスＡ１の噴射圧は、０．０１〜０．５［ＭＰａ］に設定される。そして、好ましくは、サイドアシストガスＡ１の噴射圧が、センターアシストガスＡ２の噴射圧よりも大きく設定される。例えば、Ｐ２／Ｐ１は、０．１〜０．５に設定される。この場合、センターアシストガスＡ２の噴射圧は、レーザビーム照射器３のレンズ３１等の光学部品を溶融異物から保護できる程度の圧力に設定することが好ましい。
【００５２】
このようにすれば、センターアシストガスＡ２の噴射圧が相対的に弱められることから、主として、サイドアシストガスＡ１によって切断部Ｃに生じる溶融異物を吹き飛ばすことになる。このサイドアシストガスＡ１は、製品部Ｇａとなる側の上方位置から切断部Ｃに向かって斜め下方に噴射されることから、センターアシストガスＡ２に比べて、溶融状態にあるガラス基板Ｇの切断部Ｃ近傍を下方に押圧する力は弱い。したがって、サイドアシストガスＡ１の噴射圧を、センターアシストガスＡ２の噴射圧よりも大きくすることで、溶融状態にあるガラス板Ｇの切断部Ｃの垂れ下がりを防止することができる。そして、このように切断部Ｃの垂れ下がりを防止した状態で、サイドアシストガスＡ１によって切断部Ｃに生じる溶融異物は非製品部Ｇｂとなる側に優先的に飛散するため、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１に溶融異物が溜まり難くなる。したがって、図４に示した場合と同様に、製品部Ｇａの切断端面Ｇａ１の形状を略円弧状の良好な形状に維持することが可能となる。
【００５３】
サイドアシストガスＡ１とセンターアシストガスＡ２は、同種のガスであってもよいし、異種のガスであってもよい。
【００５４】
（第３実施形態）
図６に示すように、本発明の第３実施形態に係るガラス板切断装置１が、第１〜２実施形態に係るガラス板切断装置１と相違するところは、ガラス基板Ｇの下方空間に、補助サイドアシストガス噴射ノズル６を備えている点にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。なお、図示例では、センターアシストガス噴射ノズル５を設けているが省略してもよい。
【００５５】
補助サイドアシストガス噴射ノズル６は、ガラス基板Ｇの製品部Ｇａとなる側の下方位置に配置され、切断部Ｃに向かって斜め上方に補助サイドアシストガスＡ３を噴射する。
【００５６】
更に、この実施形態では、製品部Ｇａ側のステージ本体２１の非支持空間Ｓに面する側面部２１ａが、上方が下方よりもガラス基板Ｇの切断部Ｃに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。そして、このテーパ面をなす側面部２１ａによって、補助サイドアシストガス噴射ノズル６から噴射される補助サイドアシストガスＡ３を斜め上方に案内し、ガラス基板Ｇの切断部Ｃに供給するようになっている。なお、図示例では、非製品部Ｇｂ側のステージ本体２１の非支持空間Ｓに面する側面部２１ａも、上方が下方よりもガラス基板Ｇの切断部Ｃに接近するように傾斜したテーパ面をなしている。勿論、製品部Ｇａ側のステージ本体２１の側面部２１ａのみをテーパ面としてもよい。
【００５７】
以上のようにすれば、サイドアシストガスＡ１とサイドアシストガスＡ３によって、ガラス基板Ｇの切断部Ｃに生じた溶融異物を、非製品部Ｇｂとなる側に効率よく吹き飛ばすことが可能となる。また、ガラス基板Ｇの下面に補助サイドアシストガスＡ３が作用することから、ガラス基板Ｇの切断部Ｃ近傍を下方から支持する効果も期待でき、切断部Ｃ近傍の垂れ下がり防止に寄与するものと考えられる。
【００５８】
補助サイドアシストガスＡ３の噴射圧は、例えば、０．０１〜０．５［ＭＰａ］に設定される。
【００５９】
ガラス基板Ｇの裏面（下面）に対する補助サイドアシストガスＡ３の傾斜角α２は、１５°〜７０°、好ましくは２０°〜６０°、より好ましくは２５°〜４５°に設定される。
【００６０】
補助サイドアシストガスＡ３の指向方向は、切断部Ｃ近傍であればよい。例えば、図示例では、補助サイドアシストガスＡ３の仮想中心線Ｌ２が、切断部Ｃと交差するようにしているが、仮想中心線Ｌ２が、切断部Ｃよりも製品部Ｇａとなる側でガラス基板Ｇの上面や下面と交差するようにしてもよい。
【００６１】
補助サイドアシストガスＡ３は、サイドアシストガスＡ１と同種のガスであってもよいし、異種のガスであってもよい。
【００６２】
なお、この第３実施形態では、サイドアシストガスＡ１と補助サイドアシストガスＡ３は、同時にガラス基板Ｇの切断部Ｃに噴射するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Ｇの切断部Ｃが貫通するまでは、サイドアシストガスＡ１で切断部Ｃの溶融異物を吹き飛ばし、ガラス基板Ｇの切断部Ｃが貫通した後は、サイドアシストガスＡ１を止めて、補助サイドアシストガスＡ３で切断部Ｃの溶融異物を吹き飛ばすようにしてもよい。
【００６３】
（第４実施形態）
図７に示すように、本発明の第４実施形態に係るガラス板切断装置１が、第３実施形態に係るガラス板切断装置１と相違するところは、補助サイドアシストガスＡ３の供給方法にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
【００６４】
第４実施形態では、支持ステージ２のステージ本体２１に、斜め上方に向かって延在し、一端が非支持空間Ｓに連通するガス流通路２１ｂが形成されている。このガス流通路２１ｂの他端には、補助サイドアシストガス噴射ノズル６の噴射口が接続されている。補助サイドアシストガス噴射ノズル６から噴射された補助サイドアシストガスＡ３を、ガス流通路２１ｂを通じて斜め上方に誘導して非支持空間Ｓに開放し、ガラス基板Ｇの切断部Ｃに供給する。
【００６５】
（第５実施形態）
図８に示すように、本発明の第５実施形態に係るガラス板切断装置１が、第３実施形態に係るガラス板切断装置１と相違するところは、溶断過程で生じる溶融異物を吸引する構成を備えている点にある。以下、共通点についての説明は省略し、相違点についてのみ説明する。
【００６６】
すなわち、非製品部Ｇｂとなる側の上方位置に配置された第１吸引ノズル７と、非製品部Ｇｂとなる側の下方位置に配置された第２吸引ノズル８とを備えている。
【００６７】
第１吸引ノズル７は、その仮想中心線Ｌ３を切断部Ｃに指向させた状態で、サイドアシストガス噴射ノズル４と向かい合うように配置され、ガラス基板Ｇの上方空間の溶融異物を吸引する。ガラス基板Ｇの表面（上面）に対する第１吸引ノズル７の仮想中心線Ｌ３の傾斜角β１は、α１±１５°以内、好ましくは、α１±１０°以内、より好ましくはα１±５°以内の範囲に設定される。
【００６８】
一方、第２吸引ノズル８は、その吸引口を上方に指向させた状態で、補助サイドアシストガス噴射ノズル６と向かい合うように配置されており、ガラス基板Ｇの下方空間、換言すれば、非支持空間Ｓの溶融異物を吸引する。ここで、第２吸引ノズル８を、切断部Ｃの真下から非製品部Ｇｂ側に偏倚させて配置しているのは、サイドアシストガスＡ１や補助サイドアシストガスＡ３によって、溶融異物が非支持空間Ｓ内において非製品部Ｇｂ側に吹き飛ばされながら下降するからである。
【００６９】
そして、第１吸引ノズル７及び第２吸引ノズル８は、サイドアシストガスＡ１及び補助サイドアシストガスＡ３によって非製品部Ｇｂ側に吹き飛ばされた溶融異物を吸引する。このようにすれば、サイドアシストガスＡ１及び補助サイドアシストガスＡ３によって切断部Ｃから吹き飛ばした溶融異物が、周辺空間に浮遊して再び製品部Ｇａに付着するという事態を確実に防止することができる。
【００７０】
なお、この第５実施形態では、第１吸引ノズル７と第２吸引ノズル８によって、同時に溶融異物を吸引するようにしているが、これに限定されるものではない。例えば、ガラス基板Ｇの切断部Ｃが貫通するまでは、第１吸引ノズル７で溶融異物を吸引し、ガラス基板Ｇの切断部Ｃが貫通した後は、第２吸引ノズル８で溶融異物の溶融異物を吸引するようにしてもよい。また、第１吸引ノズル７を省略して、第２吸引ノズル８のみで溶融異物を吸引するようにしてもよい。
【００７１】
ここで、ガラス基板Ｇの下方空間に配置された第２吸引ノズル８は、図９に示すように、ガラス基板Ｇの切断予定線ＣＬ方向に沿って長尺な吸引口８１を有する。これは、ガラス基板Ｇの下方空間において、溶融異物が切断予定線ＣＬ方向に沿った広範囲に飛散する傾向があるためである。なお、レーザビーム照射器３等によるスペース上の制約がなければ、ガラス基板Ｇの上方空間に配置された第１吸引ノズル７も、切断予定線ＣＬの延在方向に沿って長尺な吸引口を有するようにしてもよい。
【００７２】
（第６実施形態）
勿論、図１０に示すように、第４実施形態に係るガラス板切断装置１（図７を参照）に、第１吸引ノズル７および第２吸引ノズル８を配置してもよい。
【００７３】
なお、本発明は、上記第１〜６実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００７４】
例えば、ガラス基板Ｇをオーバーフローダウンドロー法などで成形した場合、図１１に示すように、ガラス基板Ｇの幅方向中央部の厚みよりも、ガラス基板Ｇの幅方向両端部の厚みが相対的に分厚くなる。そして、幅方向中央部が製品部Ｇａとされ、幅方向両端部が非製品部（耳部と称される）Ｇｂとされる。したがって、本発明に係る切断方法及び切断装置を、このようなガラス基板Ｇの非製品部Ｇｂとなる耳部の除去に利用してもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１      ガラス板切断装置
２      支持ステージ
２１    ステージ本体
２２    コンベア
３      レーザビーム照射器
３１    レンズ
４      サイドアシストガス噴射ノズル
５      センターアシストガス噴射ノズル
６      補助サイドアシストガス噴射ノズル
７      第１吸引ノズル
８      第２吸引ノズル
Ａ１    サイドアシストガス
Ａ２    センターアシストガス
Ａ３    補助サイドアシストガス
Ｃ      切断部
Ｇ      ガラス基板
Ｇａ    製品部
Ｇａ１  切断端面
Ｇｂ    非製品部
Ｇｂ１  切断端面
ＬＢ    レーザビーム
Ｓ      非支持空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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