(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が、電気的に正又は負のイオンの形態のプラズマ中に発生される化学種が、処理室に導入されかつ少なくとも二つの電極の間に置かれる基板によって選択的に誘引され、対応する電荷を持つ電極によって反発されるように、二次回路に直列に挿入されること、及びＶＨＶ変成器の二次回路中に挿入されるＤＣ電源によって発生されるＤＣ電圧が１５．１〜１００ｋＶの範囲であることを特徴とする装置。
【請求項２】
ＤＣ電源によって発生されるＤＣ電圧が２０〜１００ｋＶの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
装置が、電極を基板に対して正又は負のいずれかに分極するように正極及び負極を入れ替えることができるスイッチを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
装置が、分極電圧がプラズマを正又は負の半周期のみに発生することができるように分極電圧の調整の手段を含み、分極が、電極が膜蒸着のための化学的な役割を有する種に対して反対の符号を持つときにのみプラズマが前記種を発生するようなものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
ＤＣ電源の極が、放電セルによって形成されるより少なくとも１０００倍小さいインピーダンスを有するコンデンサによって短絡されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
装置が、ＶＨＶ／ＨＦ変成器の作動を妨げる電流のＤＣ成分を避けるように変成器と直列に直接置かれた阻止コンデンサを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
以下の操作を含むことを特徴とする、無機基板上に膜を蒸着するための方法：
−  処理室中に基板を導入するか又は通過させる、但し処理室では少なくとも二つの電極が基板の各側上に配置され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリアが置かれる；
−  少なくとも二つの電極を接続した端子を持つ二次回路を含む超高電圧（ＶＨＶ）及び高周波（ＨＦ）変成器を含む、電源を付ける；
−  この変成器の二次回路において、少なくとも二つの電極間に、処理室にフィラメント状プラズマの発生に導くような値の高周波で安定した電圧を発生させる、但しプラズマは電子、中性種、正又は負イオン、安定及び励起状態の種から構成される；
−  ＡＣ電圧の値に依存して基板の極性を増加し、電極の極性を減少するように又はその逆にするように、変成器によって発生されるＡＣ電圧上に重ねられるＤＣ電圧を発生するためにＶＨＶ／ＨＦ変成器と直列に置かれたＤＣ電流の電源を付ける、但し、ＤＣ電圧は、１５．１〜１００ｋＶの範囲のものである；
−  プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を処理室中に導入する；
−  基板の面の少なくとも一つの上に所望の厚さで層を得るのに十分な長さの時間で処理室中に基板を維持する。
【請求項８】
基板に対する極性の反転を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
高ＡＣ電圧が適用される電極上の望ましくない蒸着物を減少又は除去するための、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置の使用であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が二次回路に直列に挿入され、二次回路は、１５．１〜１００ｋＶの範囲のＤＣ電圧を与えることを特徴とする使用。
【請求項１０】
ＤＣ電源からのＤＣ電圧が２０〜１００ｋＶの範囲であり、少なくとも１５％の望ましくない蒸着物の減少に導くことを特徴とする請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
交互サイクルで電圧を増加し、その間所望の種が基板上に蒸着されることによって膜蒸着工程の効率を改良するための、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置の使用であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が二次回路に直列に挿入され、二次回路は、１５．１〜１００ｋＶの範囲のＤＣ電圧を与えることを特徴とする使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無機基板上に膜を蒸着してその特性を改変するための方法に関する。特に、本発明の目的は、ガラスプレート上への膜の蒸着である。本発明の文脈において、基板の表面処理と基板上への膜の蒸着は同一の意味を有する。
【０００２】
本発明はまた、問題の方法を特に連続的に適用することができる設備に関する。
【背景技術】
【０００３】
様々なタイプの基板の上に薄い膜として被覆を蒸着するために様々な方法が使用されている。それらは、特に所望の化合物の製造及び／又は所望の化合物の媒質への結合のためにエネルギーが発生される方法によって区別される。
【０００４】
薄い膜としての被覆の蒸着は、電子機器、腐食防止及び摩擦防止被覆、耐火層（チタン又はアルミニウムの窒化物、炭化物及び酸化物）、光学特性（反射防止、太陽光遮蔽、フィルターなど）を持つ被覆、他の特別な表面特性（抗微生物性、自己洗浄性、親水性、疎水性など）を与える被覆、様々な用途（光電池、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ、有機光電池など）のための酸化錫の導電層のような多くの様々な用途の一部を形成する。
【０００５】
関係する基板は様々な異なるタイプを持つことができる：ガラス、鋼、セラミック、有機ポリマー、熱可塑性プラスチック。
【０００６】
特にガラス産業において適用可能な薄い膜の蒸着のために四つの主要な技術がある：ゾルゲル、マグネトロン、熱分解スプレー、及び化学蒸着（ＣＶＤ）。
【０００７】
ＣＶＤは、熱い基板上に、予め蒸発された化学的な反応種又はプリカーサを投射することからなり、それは熱い基板と接触すると熱分解によって分解する。
【０００８】
この方法は、フロートガラスの製造時に「オンライン」で適用されることが一般的である。特に酸化物の薄膜（数十又は数百ｎｍのオーダ）はかくして得られる。得られた層は、緻密で、高純度で、化学的にも機械的にも一般に極めて安定している。蒸着速度は高い。
【０００９】
しかしながら、蒸着されることができる材料の範囲は限定される。なぜならば十分に揮発し、かつガラスメーカにアクセス可能な温度の範囲（５００〜７５０℃）で熱分解するプリカーサを見つけることは難しいからである。基板の温度の問題を克服し、従ってＣＶＤで使用可能なプリカーサの範囲、結果として蒸着されることができる材料の範囲を拡張する一つの可能性は、従来のＣＶＤ（おそらく低い温度）とプラズマ装置を組み合わせることである。
【００１０】
ＰＥＣＶＤ（「プラズマ助長化学蒸着（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）」は、冷プラズマ（非平衡）又は熱プラズマ（平衡）のいかなるタイプのプラズマによっても実施されることができる。冷プラズマが一般に好ましい。プラズマの活性種（電子、イオン、準安定原子など）は典型的に数電子ボルト（ｅＶ）のエネルギーを持ち、従って化学プリカーサの解離又は活性化を起こしうる。
【００１１】
プラズマが平衡に達しないようにするためには、低い圧力で操作することが必要であることが多い。それゆえ、既知のＰＥＣＶＤ技術の大多数は低圧プラズマを使用する。しかしながら、この方法を工業規模で適用するためには、コストを最小にすることが必要であるだろう。それゆえ、低圧プラズマ技術を大気圧に近い圧力範囲で操作するプラズマ技術に移転することについて実業家の一部に関心が高まっている。
【００１２】
さらに、プラズマ蒸着法には様々な異なる方式が区別される：均一なプラズマ方式（「グロー放電プラズマ」を使用する）。これは、極めて均一な蒸着を可能にし、要求するエネルギーレベルが比較的低い。対照的に、それは遅く、それは安定にするためには狭い周波数範囲に制限されることが必要であり、それは蒸着されることができる種の組成を制限する。
【００１３】
もしプラズマのエネルギーが増加されるなら、電気アークの外観を生じる危険がある。電極間の誘電体の介入は、「グロー放電」とアークの出現の間の中間方式を維持することを可能にする：これは「フィラメント状」方式として言及される。極めて不安定な「フィラメント」は高いエネルギーを担持し、従って処理時間をそれに応じて減少すること、換言すれば基板の通過を加速することを可能にする。さらに、フィラメントの極めてランダムな作用のため、逆説的に蒸着される材料の極めて均一な分配速度が得られる。これらの二つの技術の実施は出版物に広く記載されており、従って当業者に公知である。
【００１４】
目的は、従来のＣＶＤ処理方法の可能性と大気圧プラズマ法の可能性を組み合わせることである。出願人の選択は、誘電体バリア放電（ＤＢＤ）を使用することであった。それは、実際には、他のプラズマ法に対して、低い圧力及び大気圧の両方で操作し、大きな表面積上への連続的な被覆法を可能にする利点を提供する。それはメガワットのオーダのワット出力を開発できることを意味する。
【００１５】
ＤＢＤ法による蒸着物の形成時に、蒸着が釣り合っていること、換言すれば基板上及び電極上に蒸着される材料の品質が単位時間あたり同じであることが観察される。
【００１６】
電極上への蒸着は望ましくなく、大容量工業用途におけるこの方法の開発に対して有意な欠点を構成する。なぜならばそれは、均一層の形成を保証するために不可欠なパラメータを構成する電極間隔の変更によってターゲット基板上に蒸着される層の品質に素早く影響しはじめるからである。
【００１７】
それゆえ、頻繁な浄化が不可欠であり、それは生産性の損失とともに、交互の浄化操作を可能にするために連続製造法における重複する層蒸着設備に導く。
【００１８】
しかしながら、プラズマ中に形成された化学種は特に正及び負のイオンの形態であることが観察される。これは、被覆される材料上の層の形成の方法に関与する化学種が電気的に中性でないことを言っていることと等価である。
【発明の概要】
【００１９】
本発明の第一目的は、高電圧電極上の望ましくない蒸着物を高電圧電極を分極することによって減少又はさらには除去することである。
【００２０】
別の目的は、所望の種が基板上に蒸着される間に交互のサイクルで電圧を増加することによって膜蒸着法の効率を改良することである。
【００２１】
本発明の第一の主題は、以下の操作を含むことを特徴とする、無機基板上に膜を蒸着するための方法である：
−  処理室中に基板を導入するか又は通過させる、但し処理室では少なくとも二つの電極が基板の各側上に配置され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリアが置かれる；
−  少なくとも二つの電極を接続した端子を持つ二次回路を含む超高電圧（ＶＨＶ）及び高周波（ＨＦ）変成器を含む、振幅及び周波数を安定させた電源を付ける；
−  この変成器の二次回路において、少なくとも二つの電極間に、処理室にフィラメント状プラズマの発生に導くような値の高周波で安定した電圧を発生させる、但しプラズマは電子、中性種、正又は負イオン、安定及び励起状態の種から構成される；
−  ＡＣ電圧の値に依存して基板の極性を増加し、電極の極性を減少するように又はその逆にするように、変成器によって発生されるＡＣ電圧上に重ねられるＤＣ電圧を発生するためにＶＨＶ／ＨＦ変成器と直列に置かれたＤＣ電流の電源を付ける；
−  プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を処理室中に導入する；
−  基板の面の少なくとも一つの上に所望の厚さで層を得るのに十分な長さの時間で処理室中に基板を維持する。
【００２２】
本発明の方法は、「工程」よりむしろ「操作」に関して規定されることに注目されるだろう。換言すれば、操作の順序は、それらが上で与えられるような順序で必ずしも実施されない。
【００２３】
処理室は、「オフライン」として言及される方法で実施されるような閉鎖系、又は基板（例えばガラス）の上への層のインライン蒸着のために「オンライン」として言及される方法で実施されるような開放系であることができる。
【００２４】
典型的には、電圧は１〜５０ｋＶの範囲である。
【００２５】
通常、処理室内に導入される混合物は、限定されないが、基板上に金属又は金属酸化物層を形成するように蒸着されることができる種を形成することができる、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｓｎ及びＡｌ、又はこれらの混合物を含むガス状有機金属プリカーサを含む。混合物はまた、蒸着技術に従って当業者が使用する当業者に公知の割合でベクターガス、酸化剤、水、Ｓｎ，Ｆ，Ｉｎなどを含む金属酸化物ドーパントのような他の物質を含んでもよい。
【００２６】
経過時間は一般に１秒〜１分の範囲、好ましくは１０秒〜５０秒の範囲である。得られる層厚さもまた、変動可能であり、典型的には数ナノメートル〜数百ナノメートルの範囲、典型的には１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲である。
【００２７】
方法はさらに、ＡＣ電圧が極性方向の一つでプラズマ開始のための値に到達しない方法でＤＣ電源の値を調整することからなる操作を含む。
【００２８】
本発明の別の主題は、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が、電気的に正又は負のイオンの形態のプラズマ中に発生される化学種が、処理室に導入されかつ少なくとも二つの電極の間に置かれるターゲット基板によって選択的に誘引され、対応する電荷を持つ電極によって反発されるように、二次回路に直列に挿入されることを特徴とする装置である。
【００２９】
変成器の二次回路とのＤＣ電流の電源の直列配置は、ＡＣ電圧を阻止するインダクタンスの存在が回避されることを意味する。これは、特に電気回路を単純化し、従って工業的規模での実施コストを低減する利点を提供する。
【００３０】
ＶＨＶ／ＨＦ変成器の二次回路に直列に挿入されるＤＣ電源（そのＤＣ電圧は１ｋＶ〜１５ｋＶの範囲が好ましい）は、電極上の望ましくない蒸着物を３％〜７％低減することを可能にする。有利な構成によれば、ＤＣ電源によって発生されるＤＣ電圧は１５．１ｋＶ〜１００ｋＶの範囲であり、それは電極上の望ましくない蒸着物を少なくとも７％減少することを可能にする。
【００３１】
特別な例によれば、２０〜１００ｋＶ、より好ましくは２０〜８０ｋＶの範囲のＤＣ電圧の値が少なくとも１５％、特に少なくとも３５％の望ましくない蒸着物の減少を与える。特に、２０，４０，６０，８０ｋＶの電圧に対して、それぞれ１５％、２５％、３０％及び３５％の蒸着物の減少が得られる。
【００３２】
処理室は、「オフライン」として言及される方法で実施されるような閉鎖系、又は例えばガラス上への層のインライン蒸着のための「オンライン」として言及されるような開放系であることができる。それゆえ、基板は処理室を通過するか、又はその中に置かれることができる。
【００３３】
有利な実施形態によれば、ＤＣ電源は、ＶＨＶ／ＨＦ発生器からとられたＨＦ電圧の部分によって直接供給される整流器回路によって得られる。
【００３４】
装置は、電極をターゲット基板に対して正又は負のいずれかに分極するように正及び負極を入れ替えることができるスイッチを含むことが好ましい。
【００３５】
分極電圧だけがプラズマを正又は負の半周期に発生することができるように分圧器のような分極電圧の調整の手段が与えられることが有利であり、分極は、電極が膜蒸着のための化学的な役割を有する種に対して反対の符号を持つときにのみプラズマが前記種を発生するようなものである。
【００３６】
ＤＣ電源の極は、放電セルによって形成されるインピーダンス（それは数百ｐＦの典型値を持つ）より少なくとも１０００倍小さいインピーダンスを有するコンデンサによって短絡されることが有利である。
【００３７】
有利には、装置は、ＶＨＶ／ＨＦ変成器の作動を妨げる電流のＤＣ成分を避けるように変成器と直列に直接置かれた阻止コンデンサを含む。かかる阻止コンデンサは通常、数μＦの値を持つ。
【００３８】
本発明の方法及び装置の第一利点は、高電圧電極上の望ましくない蒸着物の減少又は除去が誘電率及び電極間隔の変更のような放電プラズマにおける障害を発生しないこと、及び電極の浄化を実施するためにプロセスを中断する必要性がもはやないことである。
【００３９】
本発明の方法の別の利点は、高電圧電極の分極が、膜蒸着が基板上に起こる交互サイクル上で電圧の過剰を可能にすることである。この追加の電圧は、所定の電極間距離に対して、材料効率が蒸着速度とともに増加することを可能にする。それはまた、所定の蒸着速度又は材料効率に対して、電極を分離する間隙を増加することを可能にする。
【００４０】
本発明の装置及び方法は、極めて有利に、フロートガラスのような基板上への金属、金属酸化物及びポリマーのような有機及び／又は無機層の蒸着に適応される。換言すれば、上述のようにフロートガラス製造時に「オンライン」で適用される。
【００４１】
本発明はまた、高ＡＣ電圧が適用される電極上の望ましくない蒸着物を減少又は除去するための、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置の使用であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が二次回路に直列に挿入されることを特徴とする使用に関する。
【００４２】
極めて有利には、ＤＣ電源からのＤＣ電圧は２０〜１００ｋＶ、より好ましくは２０〜８０ｋＶの範囲であり、それは少なくとも１５％、特に少なくとも３５％の望ましくない蒸着物の減少に導く。
【００４３】
本発明はさらに、交互サイクルで電圧を増加し、その間所望の種が基板上に蒸着されることによって膜蒸着工程の効率を改良するための、処理室と一つのＶＨＶ／ＨＦ変成器を含む、フィラメント状プラズマの発生を可能にする誘電体バリア放電によって基板の表面を被覆するための装置の使用であって、処理室が、プラズマと接触すると分解して基板上にほとんど又は完全に膜として蒸着されることができる種を発生するような組成を有する混合物を含み、処理室では少なくとも二つの電極が置かれ、そして基板の各側上に配置され、それらの電極の一つに高ＡＣ電圧が付与され、これらの少なくとも二つの電極の間に少なくとも一つの誘電体バリア（ＤＢＤ）が置かれ、ＶＨＶ／ＨＦ変成器が二次回路を含み、二次回路にはＤＣ電流の電源が二次回路に直列に挿入されることを特徴とする使用に関する。
【００４４】
上で規定された装置の好ましい特徴はまた、前記装置の使用のフレームワークにおいてここで適用可能である。
【００４５】
これらの態様は、本発明の他の態様とともに図面を参照しながら以下に詳細に記載される。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、直列方式の分極の簡略図である。
【００４７】
【図２】図２は、変成器の二次側につないだ電圧及び整流を有する分極の方式の簡略図である。
【００４８】
【図３】図３は、二つのＤＣ及びＡＣ電圧の重ね合わせの効果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４９】
図は縮尺通りに描かれていない。一般に、同様の要素は図の同様の参照符号によって示される。
【００５０】
本発明は、誘電体バリア放電（ＤＢＤ）装置のセルのＤＣ電流における分極のための方法及び装置に関し、このセルの電極の一つの上へのいかなる望ましくない蒸着物も２０〜１００ｋＶの範囲の電圧に対して例えば少なくとも１５％、特に少なくとも３５％低減又は除去することを可能にする。電極は、ターゲット基板（それは例えばガラスである）上への蒸着によって膜を形成する電気的に正又は負のイオンの形態の化学種を生成するプラズマの発生のために使用される。
【００５１】
この機能は、電極のＤＣ分極によって改良されることができ、それは前記電極上へのいかなる望ましくない蒸着物も減少又は除去されることを可能にする。実際、高電圧電極の分極は、同符号の電荷が反発し、従ってこの電極上への望ましくない蒸着物の形成を減少することを可能にする。実際、この場合において、電極の符号とは反対の符号を有する種（一般にはイオン化された分子）だけが電極によって引き寄せられ、それの上に蒸着されることができ、それは望ましくない蒸着をかなり遅くする。
【００５２】
図３に示すように、分極電圧は、それだけがプラズマを交互半周期（正又は負）に発生することを可能にするような方法で調整されることができる。これは、高電圧電極と接地用導体の間で生じた電圧がプラズマの開始のための電圧より低いように分極を適用することによって可能にされる。そのとき正又は負の交互半周期と関連したいかなる蒸着も回避することができる。膜蒸着のための役割を有する化学種は、それらが電極の方に引き寄せられる半周期の間にもはや発生されないので、望ましくない蒸着は実際に除去される。
【００５３】
この分極は、ＶＨＶ／ＨＦ変成器の二次回路において好ましくは１ｋＶ〜１５ｋＶの範囲、有利な構成によれば、１５．１ｋＶ〜１００ｋＶの範囲のＤＣ電源を直列で挿入することによって得られる。特別な例によれば、２０〜１００ｋＶ、より好ましくは２０〜８０ｋＶの範囲のＤＣ電圧の値が少なくとも１５％、特に少なくとも３５％の望ましくない蒸着物の減少を生み出す。特に、２０，４０，６０，８０ｋＶに対して、それぞれ１５％、２５％、３０％及び３５％の減少が得られる。
【００５４】
より正確には、ＤＣ電源は、図１に示すように、接地と同じ接地用導体と、補償インダクタ及び高電圧変成器の二次回路の「冷たい」接点との間に挿入される。ある状況では、高電圧ＶＨＶ／ＨＦ変成器の作動を妨げるＤＣ成分を、そのフェライト芯の磁気飽和を起こすことによって避けるために、変成器と直列に直接置かれた阻止コンデンサＣｃを挿入することが有利である。
【００５５】
ＤＣ電源は、様々なタイプの膜に依存して、正又は負の分極を可能にするための流動的な極を有する。正及び負の極は、電極をターゲット基板に対して正又は負のいずれかに分極するために切り替えられることができる。ＤＣ電源の極は、放電セルのキャパシタンスより少なくとも１０００倍小さいインピーダンスを有するコンデンサによって短絡され、放電セルは実際には、表面被覆操作が行なわれるプラズマ室の電気的等価である。ＤＣ電源と並列のコンデンサは、そのインピーダンスが、システムの容量性部分（Ｃｐ）と補償インダクタの誘導部分（Ｌｃ）の間の結合によって形成された共振回路の作動に影響しないように放電セルのインピーダンスよりずっと低いような値を有する。
【００５６】
高い生産能力のために必要とされる高出力設備の場合において、高周波数電圧の部分をとることによって分極ＤＣ電圧を発生することが有利であることができる。図２に示すように、ＤＣ電源は、ＶＨＶ／ＨＦ発生器からとられたＶＨＶ／ＨＦ電圧の部分によって直接供給される整流回路によって得られる。
【００５７】
本発明が上で示されかつ記載された例に限定されないことは当業者に明らかであるだろう。本発明は、新規な特徴の各々を含み、それらの組み合わせを含む。参照符号の存在は限定として考えることはできない。用語「含む」の使用は、いかなる場合にも上で述べた以外の要素の存在を除外することができない。不定冠詞「ａ」の使用は複数のこれらの要素の存在を除外しない。本発明は特定の実施形態を参照して記載され、それらは純粋に例示の価値を有し、限定として考えられるべきではない。
【図１】
0005850847.tif 000002
【図２】
0005850847.tif 000003
【図３】
0005850847.tif 000004