(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハに対向する面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、
該プローブカードの前記ウエハに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカードを支持するフレームと、
該フレームに設けられた線状のヒータと、
を有し、
前記フレームは複数の矩形の貫通孔を有し、
前記線状のヒータは前記複数の貫通孔の各辺に沿って格子状に設けられていることを特徴とするウエハ検査用インターフェース。
【請求項２】
前記線状のヒータは、前記フレームの厚さ方向に沿った断面において、前記プローブカードとの当接面側に設けられていることを特徴とする請求項１記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項３】
前記プローブカードにおける各プローブは、前記プローブカードが所定温度に加熱されて膨張した際、当該所定温度の前記ウエハに形成された前記半導体デバイスの各電極にそれぞれ当接するように予めオフセットして配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項４】
前記所定温度は、−３０℃〜＋１００℃の範囲内の温度であることを特徴とする請求項３記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項５】
前記貫通孔は、ポゴピン用の貫通孔であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項６】
前記フレームにおいて前記プローブカードと当接する領域の周りに設けられ、且つ前記フレームの厚さ方向に前記フレームを貫通する複数の断熱用の貫通孔をさらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のウエハ検査用インターフェース。
【請求項７】
ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査室と、該検査室への前記ウエハの搬出入を行う搬送機構とを備えるウエハ検査装置において、
前記検査室はウエハ検査用インターフェースを有し、
該ウエハ検査用インターフェースは、
ウエハに対向する面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、
該プローブカードの前記ウエハに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカードを支持するフレームと、
該フレームに設けられた線状のヒータと、
を有し、
前記フレームは複数の矩形の貫通孔を有し、
前記線状のヒータは前記複数の貫通孔の各辺に沿って格子状に設けられていることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項８】
前記ウエハ検査用インターフェースは、前記フレームにおいて前記プローブカードと当接する領域の周りに設けられ、且つ前記フレームの厚さ方向に前記フレームを貫通する複数の断熱用の貫通孔をさらに有することを特徴とする請求項７記載のウエハ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードを備えるウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハ検査装置として、例えば、ウエハに形成された複数の半導体デバイスについて電気的特性検査を行うプローブ装置やバーンイン検査装置が知られている。
【０００３】
図９は、従来のプローブ装置の概略構成を示す断面図、図１０は、図９のプローブ装置におけるポゴフレーム（ポゴリング）を示す断面図である。
【０００４】
図９において、プローブ装置１００は、ウエハＷを搬送する搬送領域を形成するローダ室１０１と、ウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査を行う検査室１０２とを備え、ローダ室１０１及び検査室１０２内の各種の機器を制御装置によって制御して半導体デバイスの電気的特性検査を行うように構成されている。検査室１０２は、ローダ室１０１から搬入されたウエハＷを載置し、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ方向に移動する載置台１０６と、載置台１０６の上方に配置されたポゴフレーム１０９と、ポゴフレーム１０９に支持されたプローブカード１０８と、載置台１０６と協働してプローブカード１０８に設けられた複数のプローブ（検査針）とウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの各電極とのアライメント（位置合わせ）を行うアライメント機構１１０とを備える。アライメント機構１１０と載置台１０６との協働によってウエハＷとプローブカード１０８のアライメントが行われてプローブカード１０８の各プローブとウエハＷの各電極とがそれぞれ当接し、ウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
図１０において、ポゴフレーム１０９は、変換リング１１２に支持されており、変換リング１１２を介してプローブ装置１００の上部プレートに装着されている。ポゴフレーム１０９は、中央に厚さ方向に貫通する開口部１０９Ａを有し、開口部１０９Ａの周りのリング部１０９Ｂには、多数のポゴピン１０９Ｃが厚さ方向に貫通するように配置されている。ポゴピン１０９Ｃはポゴフレーム１０９の下方に設けられたプローブカード１０８の外周縁部に設けられた接続端子１０８Ａと当接し、プローブカード１０８の下面中央部に設けられたプローブ１０８Ｂと、図示省略された検査装置とを電気的に接続する。プローブ１０８Ｂは、その下方に配置されるウエハＷに設けられた半導体デバイスの対応する電極と当接する。ポゴフレーム１０９の開口部１０９Ａ内には、プローブカード１０８の変形を防止するために、例えば、金属製の平板状部材からなるスティフナ１１３が配置されている。
【０００６】
ところで、半導体デバイスは高温雰囲気で使用されることがあり、ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性検査も高温状態で実施される場合がある。ウエハ及びプローブカードは温度変化に応じて伸縮するので、高温雰囲気、例えば９０℃雰囲気では、熱膨張率の差異に起因してウエハに形成された半導体デバイスの電極位置とプローブカードに形成されたプローブ位置とにずれが生じ、プローブカードのプローブを対応する半導体デバイスの電極に正確に当接させることができないために、電気的特性検査を適正に行うことができないという問題がある。
【０００７】
かかる場合、従来のプローブ装置においては、ポゴフレーム１０９の開口部１０９Ａ内に配置されたスティフナ材へウエハＷと熱膨張係数が近い低膨張材を適用することによって見掛け上ポゴフレーム１０９に取り付けられたプローブカード１０８とウエハＷとの熱膨張率を近似させ、これによって、プローブカード１０８に設けられたプローブの位置とウエハに形成された半導体デバイスの電極位置とのずれを抑制することも可能であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１４０２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、本発明が対象とするウエハ検査装置においては、複数の検査室をマンション風に多数組合せ、ウエハのアライメントを検査室以外の場所で行うなどして共用できる装置はできるだけ共用し、軽量、小型化を図っている。したがって、各検査室において剛性を確保するためのスティフナは採用されていない。また、本発明が対象とするウエハ検査装置における各検査室は、ウエハに形成された全ての半導体デバイスの電極に、プローブカードに形成された全プローブを一度に接触させる一括接触型装置であるために、プローブカードを支持するポゴフレームには、全面に多数のポゴピンが嵌め込まれており、これによってポゴフレームに取り付けられたプローブカードの剛性が確保される上、スティフナを設置するスペースがないことからスティフナは採用されていない。
【００１０】
すなわち、本発明が対象とするウエハ検査装置においては、従来のプローブ装置のように、スティフナの適用材料を選択することによって見かけ上プローブカードの熱膨張率をウエハの熱膨張率に近似させ、これによって、温度変化に基づくウエハＷに形成された半導体デバイスの電極とプローブカードに形成されたプローブとの位置ずれを解消させることができず、その対策が望まれていた。
【００１１】
本発明の課題は、熱膨張差に基づくウエハとプローブカードとの位置ずれを解消し、プローブカードに設けられたプローブとウエハに形成された半導体デバイスの電極とを正確に位置合わせして半導体デバイスについて適正な電気的特性検査を行うことができるウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明のウエハ検査用インターフェースは、ウエハに対向する面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、該プローブカードの前記ウエハに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカードを支持するフレームと、該フレームに設けられた線状のヒータと、を有し、前記フレームは複数の矩形の貫通孔を有し、前記線状のヒータは前記複数の貫通孔の各辺に沿って格子状に設けられていることを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決するために、本発明のウエハ検査装置は、ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査室と、該検査室への前記ウエハの搬出入を行う搬送機構とを備えるウエハ検査装置において、前記検査室はウエハ検査用インターフェースを有し、該ウエハ検査用インターフェースは、ウエハに対向する面に該ウエハに形成された複数の半導体デバイスの電極に対応して設けられた複数のプローブを備えたプローブカードと、該プローブカードの前記ウエハに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカードを支持するフレームと、該フレームに設けられた線状のヒータと、を有し、前記フレームは複数の矩形の貫通孔を有し、前記線状のヒータは前記複数の貫通孔の各辺に沿って格子状に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、プローブカードのウエハに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカードを支持するフレームに加熱部材を設けたので、該加熱部材によってプローブカードを予め半導体デバイスの特性検査温度に加熱しておくことにより、当該特性検査温度に加熱された際、当該特性検査温度に加熱されたウエハにおける半導体デバイスの各電極とそれぞれ当接するように配置された複数のプローブを備えたプローブカードを用いることによって、ウエハに形成された半導体デバイスの電極とプローブカードに形成されたプローブとを正確に位置合わせすることができ、もって半導体デバイスについて適正な電気的特性検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１におけるウエハ検査装置のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図２における検査室が有するウエハ検査用インターフェースの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図３におけるフレーム（ポゴフレーム）を示す図であって、図４（Ａ）は表面を示す平面図、図４（Ｂ）は裏面を示す底面図である。
【図５】図３のウエハ検査用インターフェースの部分拡大断面図である。
【図６】図４のフレーム（ポゴフレーム）に挿嵌されるポゴピンを示す斜視図である。
【図７】図５のウエハ検査用インターフェースを用いたウエハにおける各半導体デバイスの電気的特性検査の工程図である。
【図８】図５のウエハ検査用インターフェースを用いたウエハにおける各半導体デバイスの電気的特性検査の工程図である。
【図９】従来のプローブ装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】図９におけるポゴフレームを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態に係るウエハ検査装置の外観を示す斜視図である。ウエハ検査装置１０は、ウエハに形成された全半導体デバイスについてプローブカードの全プローブを一度に当接させて電気的特性検査を行う一括接触型の検査装置であって、共用できる装置についてはできるだけ共用するという概念の下、開発されたものである。従って、装置の小型化を図るために、検査室以外の別の場所でウエハのアライメントが行われる。
【００２５】
図１において、ウエハ検査装置１０は、当該ウエハ検査装置１０の背面においてウエハの搬出入を行う搬出入領域Ｓ１０と、該搬出入領域Ｓ１０に対向して正面に設けられた検査領域Ｓ４０と、搬出入領域Ｓ１０と検査領域Ｓ４０との間に設けられた搬送領域Ｓ３０とから主として構成されている。
【００２６】
搬出入領域Ｓ１０は、複数の載置機構に対向して複数の単位搬出入領域に仕切られており、検査領域Ｓ４０も複数の検査室に対応して複数の単位検査領域に仕切られている。すなわち、搬出入領域Ｓ１０及び検査領域Ｓ４０は、それぞれマンション風に複数の部屋に仕切られており、その間の搬送領域Ｓ３０をウエハ搬送機構（後述する図２参照）が移動する。
【００２７】
図２は、図１のII−II線に沿う断面図である。
【００２８】
図２において、搬出入領域Ｓ１０には載置機構として、例えば複数のフープＦの受け入れ機構が設けられている。また、搬出入領域Ｓ１０の図中左端にはアライメント室１２を有するアライメント領域Ｓ２０が形成されており、右端には針跡検査装置１７を有する針跡検査領域Ｓ５０が設けられている。また、搬送領域Ｓ３０にはウエハ搬送機構１３が設けられており、検査領域Ｓ４０には複数の検査室１４が設けられている。
【００２９】
ウエハ搬送機構１３は、例えば、基台上に設けられた回転体と、回転体上でそれぞれ個別に一方向に往復移動する上下二枚のアームと、基台及びアームを昇降させる昇降機構と、これらを搬送領域Ｓ３０に沿って往復移動させる移動機構とを備えており、上側のアーム１３Ａの先端にはウエハＷを載置して搬送するピック１３Ｂが設けられている。また、ピック１３Ｂには加熱装置１３Ｃが内蔵されている（後述する図３参照）。加熱装置１３Ｃは、ウエハＷに形成された半導体デバイスについて電気的特性試験を行う際、ウエハＷを該ウエハＷの特性検査温度に加熱する。加熱装置１３Ｃとしては、例えば電熱ヒータが用いられる。
【００３０】
ウエハ検査装置１０では、ウエハ搬送機構１３がフープＦから未検査のウエハＷを受け取ってアライメント室１２へ搬送し、該アライメント室１２は、ウエハ搬送機構１３のピック１３Ｂに対するウエハＷのアライメントを行い、ウエハ搬送機構１３がアライメント後のウエハＷを所定の検査室１４へ搬入する。ウエハは、搬送中にピック１３Ｂに内蔵された加熱装置１３Ｃによって特性検査温度まで加熱される。検査室１４は、後述するウエハ検査用インターフェース１８を有し、該ウエハ検査用インターフェース１８は、ウエハＷに形成された複数の半導体デバイスの電気的特性検査を行う。
【００３１】
さらに、ウエハ搬送機構１３は検査済みのウエハＷを所定の検査室１４から搬出入領域Ｓ１０の一端に位置する針跡検査領域Ｓ５０内に設けられた針跡検査装置１７へ受け渡し、針跡検査装置１７は検査済みのウエハＷにおける各半導体デバイスの電極における針跡（プローブ２５の接触痕）の検査を行い、その後、ウエハ搬送機構１３が検査後のウエハＷを搬出入領域Ｓ１０のフープＦへ搬入する。検査後のウエハは、フープＦに搬入される間に常温まで冷却される。
【００３２】
この場合、ウエハ搬送機構１３は、第１のフープＦから搬出した第１のウエハＷをアライメント室１２経由で第１の検査室１４内に搬入するが、第１の検査室１４内で第１のウエハＷに形成された半導体デバイスの電気的特性検査が行われている間に、第２のフープＦから搬出した第２のウエハＷをアライメント室１２経由で第２の検査室１４内に搬入することができる。また、ウエハ搬送機構１３は、第１の検査室１４内で第１のウエハＷに形成された半導体デバイスの電気的特性検査が行われている間に、第３の検査室から検査後の第３のウエハＷを搬出して第３のフープＦに搬入することもできる。すなわち、ウエハ搬送機構１３は、複数のフープＦ及び複数の検査室１４間で順次ウエハＷの搬出入を行い、複数の検査室１４は、各検査室１４において、順次複数のウエハＷについて該ウエハＷに形成された半導体デバイスの電気的特性検査を行う。
【００３３】
図３は、図２における検査室が有するウエハ検査用インターフェースの構成を概略的に示す断面図である。
【００３４】
図３において、ウエハ検査用インターフェース１８は、検査室１４内の天井部に配された板状部材からなるヘッドプレート１９と、該ヘッドプレート１９の下面を構成するフレーム（以下、「ポゴフレーム」という。）４０と、該ポゴフレーム４０の下面に当接するように配置されたプローブカード２０と、該プローブカード２０の外周を保持してポゴフレーム４０に固定する固定リング２１と、検査室１４内の底部から立設されて図３中上下方向に移動する棒状のリフター２２と、該リフター２２の頂部に設置された台状のチャックトップ２３とを有する。チャックトップ２３は断面凸状を呈し、中央部において図中上方へ突出する凸部２３Ａと、該凸部２３Ａを囲んで凸部２３Ａよりも一段低く形成された段差部２３Ｂとを有する。凸部２３Ａの上部平面はウエハＷを載置する載置面２３Ｃとなっている。
【００３５】
図４は、図３におけるポゴフレーム４０を示す図であって、図４（Ａ）は表面を示す平面図、図４（Ｂ）は裏面を示す底面図である。
【００３６】
図４（Ａ）、（Ｂ）において、ポゴフレーム４０は、ポゴフレーム本体４１と、該ポゴフレーム本体４１の中央部に形成され、プローブカード２０と当接する当接領域４２と、該当接領域４２に設けられた複数の貫通孔４３とから主として構成されている。ポゴフレーム本体４１は、例えばインバーなどの低熱膨張材料製であって、４５０ｍｍ×５００ｍｍの長方形の板状体を呈し、その厚さは、例えば１０ｍｍである。中央部の当接領域４２は３００ｍｍφの円形領域であり、例えば、一辺が１６．５ｍｍの正方形の貫通孔４３が規則正しく多数形成されている。貫通孔４３は、ポゴピンを嵌合させるためのものである。
【００３７】
正方形の貫通孔４３の各辺に沿うように、図４（Ａ）中、格子状に加熱装置としての線状のヒータ４４が配設されている。線状のヒータ４４としては、例えば、シーズヒータが好適に使用される。シーズヒータは、金属、例えばステンレス製の断面２ｍｍφのパイプの中心に発熱コイルを挿入し、パイプと発熱コイルの隙間をＭｇＯパウダーで固めた直管状のヒータであって、曲げ加工可能で、寿命の長いヒータである。
【００３８】
当接領域４２の周りには、熱損失を低減するために、断熱用の貫通孔４６が多数形成されている。貫通孔４６は、ポゴフレーム本体４１をその厚さ方向に貫通して熱伝導による熱損失を低減する。
【００３９】
ポゴフレーム４０に設けられた線状のヒータ（以下、「シーズヒータ」という）４４は、ポゴフレーム４０に当接するプローブカード２０を加熱するためのものであり、その断面図において、ポゴフレーム４０とプローブカード２０との当接面に近い位置に設けることが好ましい。これによって、シーズヒータ４４の伝熱効率が向上し、短時間でプローブカード２０を、例えばウエハＷの電気的特性検査温度と同じ温度に加熱して、ウエハＷに形成された半導体デバイスの電極位置と、プローブカード２０に設けられた各プローブ２５の位置を整合させることができる。
【００４０】
図５は、図３のウエハ検査用インターフェースの部分拡大断面図である。
【００４１】
図５において、ウエハ検査用インターフェース１８は、ウエハＷに対向する面に複数のプローブ２５を備えたプローブカード２０と、ウエハＷを挟んでプローブカード２０に対向して配置された台状のチャックトップ２３と、プローブカード２０のウエハＷに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカード２０を支持するポゴフレーム４０とから主として構成されている。
【００４２】
ポゴフレーム４０のポゴフレーム本体４１には、多数のポゴピン用の貫通孔４３が設けられている。ポゴピン用の貫通孔４３は、例えば断面正方形の貫通孔であり、該貫通孔４３の各辺に沿って、例えば格子状にシーズヒータ４４が配設されている（図４参照）。各貫通孔４３には、図６に示したように、断面平方形の四角柱状の凸部４５Ａ及び該凸部４５Ａの周りに形成された段差部４５Ｂとからなるポゴピン４５の凸部４５Ａがそれぞれ嵌合されている。ポゴピン４５は、プローブカード２０とヘッドプレート１９上に設けられた図示省略した検査装置とを電気的に接続する。
【００４３】
図５に戻り、プローブカード２０は、ウエハＷに対向する面においてウエハＷに形成された各半導体デバイスの電極に対応して配置された多数のプローブ（検査針）２５を有する。また、固定リング２１は、プローブカード２０におけるプローブ２５が形成された当接領域４２を囲むように形成され、プローブカード２０をポゴフレーム４０に固定する。
【００４４】
なお、プローブカード２０とウエハＷとの間には内側空間２８が形成され、チャックトップ２３と固定リング２１との間には、内側空間２８を包含する外側空間２７が形成されている。内側空間２８及び外側空間２７は、それぞれシール部材２６及び２４によってシールされる（図３参照）。
【００４５】
以下に、このような構成のウエハ検査用インターフェースを備えたウエハ検査装置によるウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性検査について説明する。
【００４６】
図７及び図８は、図５のウエハ検査用インターフェースを備えたウエハ検査装置によるウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性検査の工程図である。
【００４７】
まず、検査室１４にウエハＷを搬入する前処理として、ポゴフレーム４０に設けられたシーズヒータ４４によって、該ポゴフレーム４０に当接するプローブカード２０を予めウエハＷの特性検査温度である、例えば９０℃に加熱する。シーズヒータ４４は、ポゴフレーム４０の貫通孔４３の各辺に沿って格子状に設けられ、且つポゴフレーム４０とプローブカード２０との当接面の近くに配設されているので、プローブカード２０を効率よく加熱する。
【００４８】
次いで、ウエハ搬送機構１３によってウエハＷを検査室１４内に搬入する。すなわち、ウエハ搬送機構１３は、該ウエハ搬送機構１３のピック１３Ｂに対してアライメントが行われ、且つピック１３Ｂに内蔵された伝熱ヒータ１３Ｃによって、特性検査温度、例えば９０℃に加熱されたウエハＷを検査室１４内へ搬入し、プローブカード２０と対向させる。このとき、ウエハ搬送機構１３はアーム１３Ａを微小に移動させて、ピック１３Ｂとプローブカード２０とのアライメントを行う（図７（Ａ））。これにより、ウエハＷとプローブカード２０とのアライメントが行われる。
【００４９】
次いで、ウエハ搬送機構１３がピック１３Ｂをプローブカード２０へ向けて移動させてウエハＷをプローブカード２０へ当接させる。このとき、既にウエハＷとプローブカード２０とのアライメントが行われており、且つウエハＷとプローブカード２０は共にウエハＷの特性検査温度である、例えば９０℃に調整されているので、プローブカード２０の各プローブ２５がウエハＷに形成された各半導体デバイスの電極と正確に当接する（図７（Ｂ））。プローブカード２０のウエハ対向面に設けられた各プローブ２５は、例えば９０℃においてプローブカード２０が熱膨張した際、当該９０℃に加熱されて熱膨張したウエハＷにおける半導体デバイスの対応する電極にそれぞれ当接するように、常温においては、予めオフセットして配置されている。
【００５０】
次いで、プローブカード２０とウエハＷとの間に形成された内側空間２８を減圧してウエハＷをプローブカード２０へ引き寄せて仮止めし、その後、ピック１３ＢはウエハＷから離れてウエハ搬送機構１３によって検査室１４から退出する（図７（Ｃ））。
【００５１】
次いで、チャックトップ２３を支持するリフター２２がチャックトップ２３を上方へ移動させてチャックトップ２３を固定リング２１へ当接させる。このとき、チャックトップ２３の凸部２３Ａは段差部２３Ｂから上方へ突出しているので、該凸部２３Ａの上部平面であるウエハ載置面２３Ｃはプローブカード２０へ仮止めされたウエハＷへ当接し、結果としてウエハＷがウエハ載置面２３Ｃ上に位置することになる（図８（Ａ））。
【００５２】
次いで、チャックトップ２３が固定リング２１へ当接されて、チャックトップ２３と固定リング２１との間に形成された外側空間２７を減圧してチャックトップ２３を固定リング２１へ引き寄せ、チャックトップ２３が固定リング２１によって間接的に保持される。
このとき、固定リング２１へ引き寄せられたチャックトップ２３はウエハ載置面２３Ｃ上に位置するウエハＷをプローブカード２０へ押しつけるが、チャックトップ２３はウエハＷよりも高い剛性を有するので、ウエハＷをプローブカード２０へ均一に押しつけることができる。その後、リフター２２は図中下方へ移動してチャックトップ２３から離れる（図８（Ｂ））。
【００５３】
次いで、プローブカード２０の各プローブ２５から所定値の電流が各半導体デバイスの電極へ流されて各半導体デバイスの電気的特性検査が一括して行われ、その後、本検査を終了する。
【００５４】
本実施の形態によれば、プローブカード２０のウエハＷに対向する面とは逆側の面に当接して該プローブカード２０を支持するポゴフレーム４０にシーズヒータ４４を設けたので、予めシーズヒータ４４によって、プローブカード２０を、半導体デバイスの電気的特性検査温度まで加熱しておくことにより、当該特性検査温度に加熱された際、当該特性検査温度に加熱されたウエハにおける半導体デバイスの各電極とそれぞれ当接するように配置された複数のプローブ２５を備えたプローブカード２０を用いることによって、ウエハＷの半導体デバイスの電極位置とプローブカード２０における各プローブ位置とを正確に位置合わせすることができ、もって、ウエハに形成された半導体デバイスについて適正な電気的特性検査を行うことができる。また、プローブカード２０はウエハＷと当接する前に予めウエハＷの特性検査温度へ加熱されるので、プローブカード２０のプローブ２５がウエハＷに形成された半導体デバイスに当接した後、さらに加熱されて電極位置まで移動することを防止し、不良品の発生を抑制することができる。
【００５５】
また、本実施の形態によれば、シーズヒータ４４は線状のヒータであることから、該シーズヒータ４４を貫通孔４３の各辺に沿って格子状に均等配置することができる。従って、プローブカード２０を均一に加熱することができる。
【００５６】
本実施の形態において、ウエハＷに設けられた半導体デバイスの電気的特性検査温度は、例えば５０℃〜１５０℃であり、好ましくは６０〜９０℃である。温度が高すぎるとシール部材等において耐熱性が保持できなくなる場合がある。また、温度が低すぎると加熱部材としてのシーズヒータ４４の実効が得られない。
【００５７】
本実施の形態においては、プローブカード２０の各プローブ２５をそれぞれ対応するウエハＷの全半導体デバイスにおける対応する全電極に一括して当接させて電気的特性検査が行われる。これによって、半導体デバイスの生産性が向上する。
【００５８】
なお、本実施の形態に係るウエハ検査装置は、検査室１４以外の場所でウエハＷのアライメントを行うので、ウエハＷ及び該ウエハＷに当接するプローブカード２０の温度管理が重要となるが、ポゴフレーム４０に設けたシーズヒータ４４によってプローブカード２０を任意の温度に加熱して適正な温度管理を行うことができる。
【００５９】
以上、本発明について、上記実施の形態を用いて説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６０】
Ｗ  ウエハ
１４  検査室
１８  ウエハ検査用インターフェース
２０  プローブカード
２３  チャックトップ
２５  プローブ
４０  ポゴフレーム
４３  貫通孔
４４  シーズヒータ（加熱部材）
【図１】
0006031238.tif 000002
【図２】
0006031238.tif 000003
【図３】
0006031238.tif 000004
【図４】
0006031238.tif 000005
【図５】
0006031238.tif 000006
【図６】
0006031238.tif 000007
【図７】
0006031238.tif 000008
【図８】
0006031238.tif 000009
【図９】
0006031238.tif 000010
【図１０】
0006031238.tif 000011