(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動オブジェクトと、
前記可動オブジェクトの位置量を決定する変位測定システムと、
パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムとを備え、
前記変位測定システムはエンコーダとグリッド構造とを備え、
前記エンコーダ及び前記グリッド構造のうちの１つは前記可動オブジェクトに接続され、
前記グリッド構造は、高精度グリッド部分と低精度グリッド部分とを備え、
前記高精度グリッド部分は、前記低精度グリッド部分よりも前記投影システムの近くに設けられ、
前記エンコーダは、前記基板の前記ターゲット部分上への前記パターン形成された放射ビームの投影中に前記高精度グリッド部分と協働して前記グリッド構造に対する前記位置量を高精度で決定し、
前記エンコーダは、前記基板の前記ターゲット部分上への前記パターン形成された放射ビームが投影されない間に前記低精度グリッド部分と協働して前記グリッド構造に対する前記位置量を低精度で決定する、リソグラフィ装置。
【請求項２】
放射ビームにパターンを付与してパターン形成された前記放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するサポート構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
を備え、
前記可動オブジェクトは、前記サポート構造及び前記基板テーブルのうちの１つを備える、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記エンコーダは、前記パターン形成された放射ビームの前記基板に対するアライメント中に前記高精度グリッド部分と協働する、請求項１または２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記高精度グリッド部分及び前記低精度グリッド部分のうちの少なくとも１つは２次元パターンを有し、前記エンコーダは、前記２次元パターンと協働して少なくとも２つの方向の前記位置量を決定する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記変位測定システムは、さらなるエンコーダを備え、前記グリッド構造は、前記高精度グリッド部分と前記低精度グリッド部分との間の境界を有し、前記エンコーダ及び前記さらなるエンコーダは、前記エンコーダ及び前記さらなるエンコーダの一方が前記境界に面する場合、前記エンコーダ及び前記さらなるエンコーダの他方が前記高精度グリッド部分及び前記低精度グリッド部分の一方と協働する方向に、互いにオフセットに配置される、請求項１〜４のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記境界は直線部分を備え、前記方向と前記直線部分との間の最小角度は１０度〜８０度である、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記低精度グリッド部分は前記高精度グリッド部分を少なくとも部分的に囲む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記低精度グリッド部分は前記グリッド構造の外縁に実質的に沿う、請求項１〜７のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記高精度グリッド部分は前記グリッド構造の内縁に実質的に沿う、請求項１〜８のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記高精度グリッド部分は前記低精度グリッド部分に隣接する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
可動オブジェクトと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、パターン形成された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置を用いてパターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのデバイス製造方法であって、
前記可動オブジェクトを移動させることと、
高精度グリッド部分と低精度グリッド部分とを備え、前記高精度グリッド部分は前記低精度グリッド部分よりも前記投影システムの近くに設けられるグリッド構造を提供することと、
エンコーダによって、前記基板の前記ターゲット部分上への前記パターン形成された放射ビームの投影中に前記高精度グリッド部分に対する前記可動オブジェクトの位置量を高精度で測定することと、
前記エンコーダによって、前記基板の前記ターゲット部分上への前記パターン形成された放射ビームが投影されない間に前記低精度グリッド部分に対する前記可動オブジェクトの前記位置量を低精度で測定することと、を含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願の相互参照]
[0001]  本出願は、２０１２年８月２３日に出願された米国仮出願第６１／６９２，５８０号の利益を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、リソグラフィ装置、デバイス製造方法及び変位測定システムに関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。そのような場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパが含まれる。また、従来のリソグラフィ装置としては、放射ビームによってある特定の方向にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置の変位を測定するために、基板及び／又はパターニングデバイスの位置を決定するように構成された変位測定システムが提供される。変位測定システムは、反復パターンが設けられたグリッド構造に対して位置を測定するように構築及び配置された少なくとも１つのエンコーダを有し得る。必要とされるサイズ及び精度でグリッド構造を製造することは難しい場合がある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  改善された変位測定システムを備えるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態において、可動オブジェクトと変位測定システムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。変位測定システムは、可動オブジェクトの位置量を決定するように配置される。変位測定システムはエンコーダとグリッド構造とを備える。エンコーダ及びグリッド構造のうちの１つは、可動オブジェクトに連結される。グリッド構造は、高精度グリッド部分と低精度グリッド部分とを備える。エンコーダは、高精度グリッド部分と協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を高精度で決定する。エンコーダは、低精度グリッド部分と協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を低精度で決定する。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態において、リソグラフィ装置を用いてパターニングデバイスから基板上にパターンを転写するためのデバイス製造方法が提供される。リソグラフィ装置は可動オブジェクトを備える。当該方法は、可動オブジェクトを移動させることを含む。当該方法は、可動オブジェクトの位置量を高精度で測定することを含む。当該方法は、可動オブジェクトの位置量を低精度で測定することを含む。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる実施形態において、可動オブジェクトの位置量を決定するように構成された変位測定システムが提供される。変位測定システムはエンコーダとグリッド構造とを備える。エンコーダ及びグリッド構造のうちの１つは可動オブジェクトに連結可能である。グリッド構造は高精度グリッド部分と低精度グリッド部分とを備える。エンコーダは、高精度グリッド部分と協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を高精度で決定する。エンコーダは、低精度グリッド部分と協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を低精度で決定する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は、対応する部分を示す。
【００１０】
【図１】[0010]  本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0011]  さらなる実施形態に係る基板テーブル及び変位測定システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0012]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、照明システムＩＬと、サポート構造ＭＴと、基板テーブルＷＴと、投影システムＰＳと、を含む。照明システムＩＬは、放射ビームを調整するように構成される。サポート構造ＭＴ、例えば、パターニングデバイスサポート又はマスクテーブルは、パターニングデバイスＭＡを支持するように構築される。サポート構造ＭＴは、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結される。基板テーブルＷＴ、例えば、ウェーハテーブル又は基板サポートは、基板、例えば、レジストコートウェーハＷを保持するように構築される。基板テーブルＷＴは、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結される。投影システムＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影するように構成される。
【００１２】
[0013]  放射ビームＢは、ＵＶ放射又は他のあらゆる適切な放射とすることができる。本明細書で使用される「放射ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。電磁放射は、極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含み得る。電磁放射は、イオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含み得る。
【００１３】
[0014]  照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、成形し、又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１４】
[0015]  図１を参照すると、照明システムＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯから照明システムＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及び照明システムＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００１５】
[0016]  照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムＩＬを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００１６】
[0017]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持する、すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００１７】
[0018]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用可能なあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１８】
[0019]  パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１９】
[0020]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている放射ビームにとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。
【００２０】
[0021]  リソグラフィ装置は、１以上の基板テーブルＷＴ又は１以上のサポート構造ＭＴを有する型のものであってもよい。追加のウェーハテーブルＷＴ又はサポート構造ＭＴを並行して使うことができ、又は予備工程を１以上の基板テーブルＷＴ又はサポート構造ＭＴ上で実行しつつ、別の１以上のテーブル又はサポートを、放射ビームＢを基板Ｗ上に投影するために使うこともできる。１以上の基板テーブルＷＴに加えて、リソグラフィ装置は、測定機器を保持するように配置された測定テーブルを有してよい。測定テーブルは、ウェーハを保持するように配置されなくてもよい。
【００２１】
[0022]  また、リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように、少なくとも基板の一部分が比較的高屈折率を有する液体（例えば、水）に浸漬されるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間）に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムＰＳの開口数を増加させるために用いることができる。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板Ｗのような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体があるということを意味するものである。
【００２２】
[0023]  放射ビームＢは、サポート構造上に保持されているパターニングデバイスＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２位置決めデバイスＰＷ及び変位測定システム（例えば、リニアエンコーダ、干渉計デバイス、又は静電容量センサを含む）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の変位測定システム（図１には明示されていない）を使い、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュール（ともに第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成する）を使って達成することができる。ロングストロークモジュールは、低精度で広い範囲にわたってショートストロークモジュールを移動させるように配置される。ショートストロークモジュールは、高精度で狭い範囲にわたってロングストロークモジュールに対して移動するように配置される。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、ロングストロークモジュール及びショートストロークモジュール（ともに第２ポジショナＰＷの一部を形成する）を使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークＰ１及びＰ２をターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる。
【００２３】
[0024]  例示の装置は、以下に説明する３つのモードのうち少なくとも１つのモードで使用可能である。
【００２４】
[0025]  第１モード、いわゆるステップモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを放射ビームＢに対して露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２５】
[0026]  第２モード、いわゆるスキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Ｃの幅が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Ｃの長さが決まる。
【００２６】
[0027]  第３のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保つ。また、基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0028]  上述の使用モードの組み合わせ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２８】
[0029]  リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴの位置量を求めるための変位測定システムを備える。基板テーブルＷＴの位置量を求める代わりに、変位測定システムを用いてリソグラフィ装置のあらゆる可動オブジェクト、例えばサポート構造ＭＴの位置量を求めることができる。位置量は、基板テーブルＷＴの位置を求めるために用いることができるあらゆる種類の量、例えば、位置、速度、又は加速度とすることができる。
【００２９】
[0030]  変位測定システムはエンコーダＥＣとグリッド構造とを備える。エンコーダＥＣは、グリッド構造と協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を測定する。グリッド構造は、高精度グリッド部分ＨＧと低精度グリッド部分ＬＧとを備える。エンコーダＥＣは、高精度グリッド部分ＨＧと協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を高精度で決定する。エンコーダＥＣは、低精度グリッド部分ＨＧと協働するように配置されてグリッド構造に対する位置量を低精度で決定する。高精度での位置量は、低精度での位置量と比べて正確に決定される。
【００３０】
[0031]  高精度グリッド部分ＨＧは低精度グリッド部分ＬＧに隣接し得る。高精度グリッド部分ＨＧ及び低精度グリッド部分ＬＧは、当該２つの部分の間に最小のギャップを有して又はギャップを有さずに隣接し得る。低精度グリッド部分ＬＧと高精度グリッド部分ＨＧとを備えるグリッド構造を製造することはより容易である。というのは、高精度グリッド部分ＨＧのサイズがより小さくなり得るからである。高精度グリッド部分ＨＧを製造することはもっとも難しい場合がある。
【００３１】
[0032]  図１に示すように、グリッド構造は、投影システムＰＳに連結されたフレームに対して設けられる。エンコーダＥＣは基板テーブルＷＴに連結される。一実施形態において、エンコーダＥＣは、投影システムＰＳに連結されたフレームに対して設けられ、グリッド構造は基板テーブルＷＴに対して設けられる。
【００３２】
[0033]  高精度グリッド部分ＨＧは、投影システムＰＳに対して比較的近くに設けられ得る。露光及び／又はアライメントの間、エンコーダは、高精度グリッド部分ＨＧに対する位置を測定し得る。
【００３３】
[0034]  低精度グリッド部分ＬＧは、高精度グリッド部分ＨＧと比べて投影システムＰＳから離れて設けられ得る。基板テーブルＷＴが投影システムＰＳから離れる方向に移動する間、基板テーブルＷＴ上の基板Ｗの上にパターンが投影されないことがある。基板テーブルＷＴの移動は、なお変位測定システムの制御下にあるが、パターンが投影されないため、精度要件はより厳密でなくてよい。
【００３４】
[0035]  低精度グリッド部分ＬＧと協働しているエンコーダＥＣは、約１〜０．０３マイクロメートルの間、例えば、約０．５〜０．１マイクロメートル、例えばおよそ０．２５マイクロメートルの精度で測定し得る。高精度グリッド部分ＨＰと協働しているエンコーダＥＣは、約５ナノメートル未満、例えば約１ナノメートル未満、例えば約０．５ナノメートル未満の精度で測定し得る。
【００３５】
[0036]  高精度グリッド部分ＨＧは、低精度グリッド部分ＬＧと比べて少なくとも１０倍、例えば１００倍、例えば５００倍、正確な精度で測定し得る。
【００３６】
[0037]  図２は、一実施形態に係る変位測定システムと協働している基板テーブルＷＴを示している。図２の基板テーブルＷＴは、グリッド構造に対する基板テーブルＷＴのフィーチャの位置が認識できるように、大部分は透けて見えるようになっている。図２は、基板テーブルＷ及びグリッド構造に向かって下方から上方に図を示している。投影システムＰＳの露光スリットＳＬＴと、基板Ｗがクランプされる領域ＷＡと、が示されている。基板テーブルＷＴは、グリッド構造の表面全体にわたって移動することができる。
【００３７】
[0038]  エンコーダＥＣは、基板テーブルＷＴのコーナ上に搭載される。この実施形態において、基板テーブルＷＴの４つのコーナの各々に２つのエンコーダＥＣが存在する。
【００３８】
[0039]  エンコーダＥＣは、グリッド構造に対する位置量を決定する。グリッド構造は、高精度グリッド部分ＨＧと低精度グリッド部分ＬＧとを備える。グリッド構造は２次元パターンを有するので、エンコーダＥＣは、２次元パターンと協働して少なくとも２方向の位置量を決定することができる。一実施形態において、高精度グリッド部分ＨＧ及び低精度グリッド部分ＬＧのうちの少なくとも１つは２次元パターンを有し得る。２次元パターンはブロックパターンを含み得る。
【００３９】
[0040]  グリッド構造には４つの部分ＰＮが設けられる。各部分ＰＮには、高精度グリッド部分ＨＧ及び低精度グリッド部分ＬＧが設けられる。各部分は、専用のエンコーダＥＣと協働し得る。すなわち、エンコーダＥＣは、４つの部分ＰＮのうちの１つとしか協働しない。エンコーダＥＣは、特定の時間、例えば、パターンが基板Ｗ上に投影される時間の間、４つの部分ＰＮのうちの１つに対して専用であり得る。
【００４０】
[0041]  変位測定システムに１対のエンコーダＥＣを設けて、高精度グリッド部分ＨＧについての測定から低精度グリッドＬＧについての測定への移動中に精度を維持することができる。部分ＰＮは、専用のエンコーダの対と協働し得る。
【００４１】
[0042]  各々が専用のエンコーダの対と協働する３つの部分ＰＮが設けられてよい。
【００４２】
[0043]  各々が専用のエンコーダＥＣ対と協働して基板テーブルＷＴ上の総数８つのエンコーダＥＣとなる、４つの部分ＰＮが設けられてよい。変位測定システムは、変位測定システムを用いて基板テーブルＷＴの変形を測定することができるように、以上のように過剰決定される（over-determined）。
【００４３】
[0044]  部分ＰＮは、図示のとおり、１つの高精度グリッド部分ＨＧと３つの低精度グリッド部分ＬＧとを備え得る。
【００４４】
[0045]  高精度グリッド部分ＨＧは、低精度グリッド部分ＬＧと比べて投影システムＰＳに対して近くに設けられてよい。低精度グリッド部分ＬＧは、高精度グリッド部分ＨＧと比べて投影システムＰＳから離れて設けられてよい。
【００４５】
[0046]  エンコーダＥＣの対は、高精度グリッド部分ＨＧについての測定から別の高精度グリッド部分ＨＧについての測定へのエンコーダＥＣの対の移動中、精度を維持することもできる。これにより、移動中の変位測定システムの測定精度の損失が実質的に無いということになり得る。
【００４６】
[0047]  アライメントセンサＡＳが基板テーブルＷＴに対して設けられる。アライメント中、アライメントセンサＡＳを用いて、投影システムＰＳによって投影されたアライメントパターンに関して基板テーブルＷＴのアライメントを決定することができるように、アライメントセンサＡＳは、露光スリットＳＬＴの下方で移動する。投影されたアライメントパターンは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１及びＭ２によって形成され得る。基板テーブルＷＴ上のエンコーダＥＣは、パターン形成された放射ビームの基板Ｗとのアライメント中、高精度グリッド部分ＨＧと協働している。このように、高精度アライメントが保証される。
【００４７】
[0048]  図２の直線ＳＬは、エンコーダＥＣの対が互いに対してオフセットを有する方向を示す。オフセットの方向は、高精度グリッド部分ＨＧと低精度グリッド部分ＬＧとの間の境界ＢＲに平行でない。直線ＳＬと境界ＢＲとの間の最小角度ＡＮは、一実施形態において、約１０度〜８０度、例えば、約３０度〜６０度、例えば、実質的に４５度とすることができる。このように、両方のエンコーダＥＣが、高精度グリッド部分ＨＧから低精度グリッド部分ＬＧへの移動中、同時に境界ＢＲに面していることを防ぐ。１つのエンコーダＥＣが境界ＢＲに面している場合、他方のエンコーダＥＣは、高精度グリッド部分ＨＧ又は低精度グリッド部分ＬＧと協働する。両方のエンコーダＥＣが同時に境界ＢＲに面している場合、変位測定システムは、その基準位置を失うであろう。基準位置を失うことで、装置の動作を中断し得る新たな較正準備が必要となるであろう。
【００４８】
[0049]  高精度グリッド部分ＨＧは、低精度グリッド部分ＬＧによって少なくとも部分的に囲まれ得る。
【００４９】
[0050]  低精度グリッド部分ＬＧは、グリッド構造の外縁ＯＥに実質的に沿って位置決めされ得る。高精度グリッド部分ＨＧは、グリッド構造の内縁ＩＥに実質的に沿って位置決めされ得る。
【００５０】
[0051]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。トラックは、基板Ｗにレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツールを備えてよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板Ｗは、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板Ｗという用語は、すでに多重処理層を包含している基板Ｗを表すものとしてもよい。
【００５１】
[0052]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイスＭＡ内のトポグラフィによって、基板Ｗ上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板Ｗに供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板Ｗ上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスＭＡは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５２】
[0053]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
0005945632.tif 000002
【図２】
0005945632.tif 000003