(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さ方向に貫通する複数の第１貫通孔が形成された絶縁性基材と、
厚さ方向に貫通する複数の第２貫通孔が前記第１貫通孔と連通するように形成され、前記絶縁性基材の第１の面を被覆する絶縁層と、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に充填され、前記絶縁性基材及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、を有し、
前記絶縁層は、前記絶縁性基材よりも弾性率の低い絶縁層であり、
前記絶縁性基材は、多孔質金属酸化膜であり、
隣接する前記第１貫通孔同士の間隔は、前記各第１貫通孔の直径よりも小さくなるように設定され、
前記線状導体の一方の端部が、前記絶縁性基材と接する面とは反対側の前記絶縁層の第１の面から突出されていることを特徴とする電気的接続部材。
【請求項２】
前記絶縁性基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成され、前記第２の面から露出する前記複数の線状導体と電気的に接続された第１配線層を有することを特徴とする請求項１に記載の電気的接続部材。
【請求項３】
前記第１配線層は、信号用の第１配線パターンと、前記第１配線パターンの周囲に形成された接地用の第２配線パターンとを有し、
前記線状導体は、前記第１配線パターンに接続される線状導体と、前記第２配線パターンに接続される線状導体とを有することを特徴とする請求項２に記載の電気的接続部材。
【請求項４】
前記絶縁性基材の前記第２の面上に積層され、前記第１配線層を含む配線層と該配線層上に積層される層間絶縁層とが交互に積層されてなる配線構造が形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気的接続部材。
【請求項５】
前記絶縁層のヤング率が１ＭＰａ〜１００ＭＰａであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気的接続部材。
【請求項６】
前記絶縁層を第１絶縁層としたときに、厚さ方向に貫通する複数の第３貫通孔が前記第１貫通孔と連通するように形成され、前記絶縁性基材の第１の面とは反対側の第２の面を被覆する第２絶縁層と、を有し、
前記線状導体が前記第１貫通孔、前記第２貫通孔及び前記第３貫通孔に充填され、前記
線状導体の他方の端部が前記第２絶縁層から突出されていることを特徴とする請求項１に記載の電気的接続部材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気的接続部材を用いて検査対象物を検査する検査方法であって、
前記絶縁層の第１の面側に、電極パッドを有する前記検査対象物を搭載し、
１つの前記電極パッドに対し、前記絶縁層の第１の面から突出する複数の前記線状導体が束になって接続された状態で前記検査を行うことを特徴とする検査方法。
【請求項８】
絶縁性基材として厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有する多孔質金属酸化膜を準備する工程と、
前記複数の貫通孔のそれぞれに導体を充填して、複数の線状導体を形成する工程と、
前記絶縁性基材の第１の面側から前記絶縁性基材を薄化し、前記各線状導体の一方の端部を前記薄化後の絶縁性基材から突出させる工程と、
前記突出された線状導体の全面を覆うように、前記絶縁性基材よりも弾性率の低い絶縁層を前記絶縁性基材の前記第１の面上に形成する工程と、
前記絶縁性基材と接する面とは反対側の前記絶縁層の第１の面側から前記絶縁層を薄化し、前記各線状導体の一方の端部を前記薄化後の絶縁層から突出させる工程と、
を有することを特徴とする電気的接続部材の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁性基材を薄化する工程の前に、前記絶縁性基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に金属層を形成する工程と、
前記絶縁性基材を薄化する工程では、前記金属層をマスクにして、前記絶縁性基材の前記第１の面側から前記絶縁性基材の一部をウェットエッチングにより除去することを特徴とする請求項８に記載の電気的接続部材の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層を形成する工程の後であって、前記絶縁層を薄化する工程の前に、
前記金属層をパターニングし、前記絶縁性基材の前記第２の面に、前記複数の線状導体が接続される第１配線層を形成する工程を有することを特徴とする請求項９に記載の電気的接続部材の製造方法。
【請求項１１】
絶縁性基材として厚さ方向に貫通する複数の貫通孔を有する多孔質金属酸化膜を準備する工程と、
前記複数の貫通孔のそれぞれに導体を充填して、複数の線状導体を形成する工程と、
前記絶縁性基材の両面側から前記絶縁性基材を薄化し、前記複数の線状導体の両端部を前記薄化後の絶縁性基材から突出させる工程と、
前記突出された線状導体の全面を覆うように、前記絶縁性基材よりも弾性率の低い絶縁層を前記絶縁性基材の両面それぞれに形成する工程と、
前記絶縁性基材と接する面とは反対側の前記各絶縁層の第１の面側から前記各絶縁層を薄化し、前記複数の線状導体の両端部を前記薄化後の絶縁層から突出させる工程と、
を有することを特徴とする電気的接続部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的接続部材、検査方法及び電気的接続部材の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程は、半導体チップの電気的特性を検査する検査工程を含む。この工程では、例えば、電極パッドの形成された半導体チップと、パターン電極の形成された検査用基板との間に電気的接続部材が介在され、その電気的接続部材を介して電極パッドとパターン電極とが電気的に接続される（例えば、特許文献１〜３参照）。そして、テスタから検査用基板及び電気的接続部材を介して半導体チップに形成された回路に電気信号が供給され、同回路から出力される信号が電気的接続部材及び検査用基板を介してテスタに供給される。この供給された信号に基づいて回路の動作を検査することにより、半導体チップの良否を判定することができる。上述のような接続端子（電極パッド及びパターン電極）間を電気的に接続する電気的接続部材としては、例えば、絶縁樹脂シート中に、該絶縁樹脂シートの厚さ方向に貫通する金属配線が分散配置された異方性導電シートが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３２４６０１号公報
【特許文献２】特開２００６−３４４６０４号公報
【特許文献３】特開２０１０−１１４４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、半導体チップにおいては、素子の高集積化及び処理信号数の増加に伴って、半導体チップに形成される電極パッドの数が増加（多ピン化）するとともに、電極パッドの狭ピッチ化が進んでいる。このような電極パッドの多ピン化及び狭ピッチ化に対応するために、上記異方性導電シートの金属配線の直径をさらに小さくし、金属配線をさらに狭ピッチ化する必要がある。しかしながら、金属配線の一部が絶縁樹脂シートから突出している場合には、金属配線の直径が小さくなると、その金属配線の自立状態が保てなくなるという問題がある。これに対し、絶縁樹脂シートから突出される金属配線の長さを短くすると、異方性導電シートを介して半導体チップと検査用基板とを電気的に接続する際の押圧力によって、金属配線に大きな荷重が作用するため、その金属配線や基材となる絶縁樹脂シートが損傷しやすくなるといった別の問題が発生する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、厚さ方向に貫通する複数の第１貫通孔が形成された絶縁性基材と、厚さ方向に貫通する複数の第２貫通孔が前記第１貫通孔と連通するように形成され、前記絶縁性基材の第１の面を被覆する絶縁層と、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に充填され、前記絶縁性基材及び前記絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の線状導体と、を有し、前記絶縁層は、前記絶縁性基材よりも弾性率の低い絶縁層であり、前記絶縁性基材は、多孔質金属酸化膜であり、隣接する前記第１貫通孔同士の間隔は、前記各第１貫通孔の直径よりも小さくなるように設定され、前記線状導体の一方の端部が、前記絶縁性基材と接する面とは反対側の前記絶縁層の第１の面から突出されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、電気的接続部材の耐久性を向上することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は、第１実施形態の電気的接続部材を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す領域Ｒ１の拡大断面図。
【図２】線状導体と第１配線層との接続構造を示す概略斜視図。なお、本図では、一部の部材（絶縁性基材、絶縁層及び層間絶縁層）の図示を省略している。
【図３】（ａ）は、図１（ａ）に示す領域Ｒ２の拡大断面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示す領域Ｒ２の電気的接続部材を下面側から見た拡大平面図。なお、本図では、一部の部材（層間絶縁層及び第２配線層）の図示を省略している。
【図４】第１実施形態の電気的接続部材の適用例を示す説明図。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【図７】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、変形例の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】変形例の電気的接続部材を示す概略断面図。
【図１１】変形例の電気的接続部材の適用例を示す説明図。
【図１２】（ａ）は、第２実施形態の電気的接続部材を示す概略断面図、（ｂ）は、（ａ）に示す領域Ｒ３の拡大断面図。
【図１３】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の電気的接続部材の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図８に従って説明する。
図１（ａ）に示すように、電気的接続部材１は、コアシート１０と、そのコアシート１０上に積層された配線構造２０とを有している。コアシート１０は、絶縁性基材１１と、絶縁層１２と、複数の線状導体１３とを有している。
【００１０】
絶縁性基材１１は、第１の面（図１（ａ）では、上面）１１Ａと第２の面（図１（ａ）では、下面）１１Ｂとを有している。絶縁性基材１１には、その絶縁性基材１１の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１１Ｘが形成されている。すなわち、各貫通孔１１Ｘは、絶縁性基材１１の上面１１Ａと下面１１Ｂとの間を貫通するように形成されている。これら複数の貫通孔１１Ｘは平行に隣接して形成されている。また、これら複数の貫通孔１１Ｘは、絶縁性基材１１の上面１１Ａ又は下面１１Ｂが延びる方向（平面方向）全体に亘って形成されている。これら複数の貫通孔１１Ｘの配置形態については、特に限定されず、例えばヘキサゴナル状に配置されていてもよいし、グリッド状に配置されていてもよい。
【００１１】
各貫通孔１１Ｘは、その平面形状が例えば円形であり、その直径が例えば１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。貫通孔１１Ｘは、隣接する貫通孔１１Ｘとの間隔Ｐ１が貫通孔１１Ｘの直径Φ１よりも小さくなる程度に高密度に形成されていることが好ましい。このような貫通孔１１Ｘのピッチは例えば２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。
【００１２】
上記絶縁性基材１１の材料としては、例えばアルミナ（酸化アルミニウム）、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス（ガラスとセラミックスの複合材料）、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタンジルコン酸鉛等の無機材料を用いることができる。ここで、絶縁性基材１１がキャパシタとして利用されるような用途で電気的接続部材１を使用する場合には、絶縁性基材１１の材料としては誘電率の高い無機材料を用いることが好適である。例えば上記アルミナの誘電率は８〜１０、上記ムライトの誘電率は６．５である。なお、絶縁性基材１１の厚さは、例えば７０〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００１３】
絶縁層１２は、絶縁性基材１１の上面１１Ａを覆うように形成されている。絶縁層１２には、上記複数の貫通孔１１Ｘのそれぞれと対向する位置に、当該絶縁層１２の厚さ方向に貫通する複数の貫通孔１２Ｘが形成されている。各貫通孔１２Ｘはそれぞれ、貫通孔１１Ｘと連通しており、その開口径が貫通孔１１Ｘの開口径と略同一となるように形成されている。
【００１４】
上記絶縁層１２は、絶縁性基材１１よりも弾性率の低い絶縁層である。すなわち、絶縁層１２は、絶縁性基材１１を形成する無機材料よりも弾性率の低い低弾性材料によって形成されている。この低弾性材料としては、室温付近におけるヤング率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の材料であることが好ましい。このような低弾性材料としては、例えばシリコーン系、フッ素系、ポリオレフィン系やウレタン系のエラストマーを用いることができる。
【００１５】
各線状導体１３は、貫通孔１１Ｘ，１２Ｘ内を充填するように形成されている。この各線状導体１３は、絶縁性基材１１及び絶縁層１２を厚さ方向に貫通するように形成されている。このため、各線状導体１３は、一方の端面（図１（ａ）では、上面）１３Ａが絶縁層１２の第１の面（図１（ａ）では、上面）１２Ａから露出されており、他方の端面（図１（ａ）では、下面）１３Ｂが絶縁性基材１１の下面１１Ｂから露出されている。これら複数の線状導体１３は平行に隣接して形成されている。また、これら複数の線状導体１３は、絶縁性基材１１及び絶縁層１２の平面方向全体に亘って形成されている。これら複数の線状導体１３の配置形態については、特に限定されず、例えばヘキサゴナル状に配置されていてもよいし、グリッド状に配置されていてもよい。
【００１６】
また、各線状導体１３は、その上面１３Ａ側の端部１３Ｃが絶縁層１２の上面１２Ａから鉛直方向（ここでは、上方）に向かって突出するように形成されている。この絶縁層１２から突出された線状導体１３の端部１３Ｃの高さは、例えば０．１μｍ未満とすることができる。一方、各線状導体１３の下面１３Ｂは、絶縁性基材１１の下面１１Ｂと略面一となるように形成されている。各線状導体１３は、その平面形状が例えば円形であり、その直径が例えば１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。また、図１（ｂ）に示すように、各線状導体１３は、隣接する線状導体１３との間隔Ｐ１が線状導体１３の直径Φ１よりも小さくなる程度に密度に形成されている。このような線状導体１３のピッチは例えば２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。
【００１７】
図１（ａ）に示した各線状導体１３は、コアシート１０の一方の面（例えば、絶縁層１２の上面１２Ａ側）に配置される導体（第１部材）と、他方の面（例えば、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ側）に配置される導体（第２部材）とを接続するビアとしての機能を有する。但し、当該電気的接続部材１が第１部材と第２部材との間に介在された状態において、複数の線状導体１３の一部の線状導体１３は導体には接続されず、電気的に孤立（フローティング）した状態であっても構わない。このような線状導体１３の材料としては、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はそれらの合金を用いることができる。
【００１８】
配線構造２０は、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに配線層と層間絶縁層とが交互に積層されてなる。配線層は任意の層数とすることができ、層間絶縁層は各配線層が互いに絶縁されるような層厚とすることができる。図１（ａ）に示す例では、配線構造２０は、第１配線層２１と、層間絶縁層２２と、第２配線層２３とを有している。
【００１９】
第１配線層２１は、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに形成されている。図２に示すように、第１配線層２１は各々、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ（図２では図示略）から露出した複数の線状導体１３の下面１３Ｂと電気的に接続されている。すなわち、第１配線層２１に対して、複数の線状導体１３が束になって電気的に接続されている。この第１配線層２１は、図３（ａ）に示すように、信号用の配線パターン２１ｓと、接地（グランド）用の配線パターン２１ｇとを有している。図３（ｂ）に示すように、接地用の配線パターン２１ｇは、信号用の配線パターン２１ｓを取り囲むように形成されている。具体的には、接地用の配線パターン２１ｇは、信号用の配線パターン２１ｓの周囲に、その配線パターン２１ｓと所定の間隔を空けて対向配置されている。第１配線層２１（配線パターン２１ｓ，２１ｇ）の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。この第１配線層２１の厚さは、例えば３〜２０μｍ程度とすることができる。
【００２０】
図３（ａ）に示すように、層間絶縁層２２は、第１配線層２１を覆うように絶縁性基材１１及び線状導体１３の下面１１Ｂ，１３Ｂに形成されている。層間絶縁層２２には、厚さ方向に貫通して第１配線層２１の下面２１Ｂを露出するビアホールＶＨ１が形成されている。この層間絶縁層２２は、絶縁性基材１１及び線状導体１３の下面１１Ｂ，１３Ｂを保護する保護層として機能する。このような層間絶縁層２２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。なお、第１配線層２１の下面２１Ｂから層間絶縁層２２の下面２２Ｂまでの厚さは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００２１】
第２配線層２３は、層間絶縁層２２上に形成された最上層（最外層）の配線層である。第２配線層２３は、ビアホールＶＨ１内に充填され上記配線パターン２１ｓに電気的に接続されたビア配線２４ｓと、そのビア配線２４ｓに接続され層間絶縁層２２上に形成された信号用の配線パターン２５ｓとを有している。また、第２配線層２３は、ビアホールＶＨ１内に充填され上記配線パターン２１ｇに電気的に接続されたビア配線２４ｇと、そのビア配線２４ｇに接続され層間絶縁層２２上に形成された接地用の配線パターン２５ｇとを有している。そして、信号用の配線パターン２５ｓ、ビア配線２４ｓ、信号用の配線パターン２１ｓ、及び該配線パターン２１ｓに接続された複数の線状導体１３には、信号配線（図示略）が電気的に接続され、その信号配線を介して所定の信号電流が流れる。ここで、配線パターン２１ｓは、例えば半導体チップ４０（図４参照）に形成される電極パッド４１の平面形状に合わせて形成され、配線パターン２５ｓは、例えば検査用基板５０（図４参照）に形成されるパターン電極５１の平面形状に合わせて形成されている。また、接地用の配線パターン２５ｇ、ビア配線２４ｇ、接地用の配線パターン２１ｇ、及び該配線パターン２１ｇに接続された複数の線状導体１３には、グランド配線（図示略）が電気的に接続される。このため、信号電流が流れる複数の線状導体１３の周囲には、所定の間隔を空けてグランド配線に接続された複数の線状導体１３が配置されることになる。
【００２２】
ビアホールＶＨ１及びビア配線２４ｓ，２４ｇは、上側（線状導体１３側）から下側（配線パターン２５ｓ，２５ｇ側）に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。また、これらビアホールＶＨ１及びビア配線２４ｓ，２４ｇの平面形状は例えば円形であり、その直径は例えば５０〜７５μｍ程度とすることができる。配線パターン２５ｓ，２５ｇの厚さは、例えば１５〜３５μｍ程度とすることができる。このようなビア配線２４ｓ，２４ｇ及び配線パターン２５ｓ，２５ｇを含む第２配線層２３の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。
【００２３】
（電気的接続部材の適用例）
次に、上記電気的接続部材１を適用した形態の一例を説明する。ここでは、半導体検査装置に電気的接続部材１を適用した場合について説明する。
【００２４】
図４に示すように、上記電気的接続部材１は、半導体チップ４０と検査用基板５０との間に介在され、半導体チップ４０の電極パッド４１と検査用基板５０のパターン電極５１とを電気的に接続する部材として使用される。この場合には、テスタ６０と電気的に接続された検査用基板５０上に電気的接続部材１が接合されている。具体的には、検査用基板５０のパターン電極５１と電気的接続部材１の配線パターン２５ｓ，２５ｇとが電気的に接続されるように、検査用基板５０上に電気的接続部材１が接合されている。より具体的には、信号用のパターン電極５１ｓと信号用の配線パターン２５ｓとが電気的に接続され、且つ接地用のパターン電極５１ｇと接地用の配線パターン２５ｇとが電気的に接続されるように、検査用基板５０上に電気的接続部材１が接合されている。そして、このように検査用基板５０上に接合された電気的接続部材１に対して半導体チップ４０を図中の上側から押し付けることにより、半導体チップ４０と検査用基板５０とが電気的接続部材１を介して電気的に接続される。詳述すると、半導体チップ４０に形成された電極パッド４１が電気的接続部材１の線状導体１３の上面１３Ａに接続される。具体的には、各電極パッド４１には、絶縁層１２の上面１２Ａから突出された複数の線状導体１３が束になって電気的に接続される。より具体的には、各電極パッド４１はそれぞれ、上記信号用の配線パターン２１ｓと対向する位置に形成され、その配線パターン２１ｓに接続された複数の線状導体１３と電気的に接続される。これにより、コアシート１０を介して対向配置された電極パッド４１と配線パターン２１ｓとが単軸状に導電接続される。ここで、「単軸状に導電接続される」とは、配線層等を厚さ方向と直交する平面方向に引き回すことなく、コアシート１０の厚さ方向に形成された導体（ここでは、複数の線状導体１３）により接続することをいう。そして、半導体チップ４０の電極パッド４１が、電気的接続部材１の線状導体１３と、信号用の配線パターン２１ｓと、ビア配線２４ｓと、信号用の配線パターン２５ｓとを介して検査用基板５０のパターン電極５１に電気的に接続される。これにより、半導体チップ４０の検査が可能となる。すなわち、テスタ６０から検査用基板５０及び電気的接続部材１を介して半導体チップ４０に形成された回路に電気信号が供給され、同回路から出力される信号が電気的接続部材１及び検査用基板５０を介してテスタ６０に供給される。この供給された信号に基づいて回路の動作を検査することにより、半導体チップ４０の良否を判定することができる。
【００２５】
（電気的接続部材の作用）
電気的接続部材１では、接続対象（検査対象）である半導体チップ４０の電極パッド４１が接続される（押し付けられる）線状導体１３の上面１３Ａ側に低弾性材料からなる絶縁層１２を形成するようにした。この絶縁層１２によって、半導体チップ４０を電気的接続部材１に押し付ける際に線状導体１３に加わる応力を分散させることができる。このため、線状導体１３や絶縁性基材１１が損傷することが抑制される。
【００２６】
また、電気的接続部材１では、信号電流が流れる複数の線状導体１３の周囲に、所定の間隔を空けてグランド配線に接続された複数の線状導体１３が配置されている。この構造は、同軸線路と同等の構造であるため、シールド（遮蔽）効果を奏することができる。また、隣接して配置され、異なる信号電流が流れる複数の線状導体１３間には、グランド配線に接続された複数の線状導体１３が配置されることになる。このため、隣接して配置され、異なる信号電流が流れる複数の線状導体１３間に生じる電気的結合（容量結合）を低減することができ、信号電流が流れる複数の線状導体１３自体がノイズ源となることを抑制することができる。
【００２７】
（電気的接続部材の製造方法）
次に、上記電気的接続部材１の製造方法を説明する。
図５（ａ）に示す工程では、まず、絶縁性基材１１（図１（ａ）参照）の母材となる絶縁性基材７１を準備する。絶縁性基材７１の厚さは、例えば厚さ７０〜１５０μｍ程度とすることができる。絶縁性基材７１の材料としては、絶縁性基材１１と同様に、例えばアルミナ（酸化アルミニウム）、ムライト、窒化アルミニウム、ガラスセラミックス（ガラスとセラミックスの複合材料）、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタンジルコン酸鉛等の無機材料を用いることができる。
【００２８】
続いて、上記準備した絶縁性基材７１全体に亘ってその厚さ方向に貫通する複数の貫通孔７１Ｘを形成する。この貫通孔７１Ｘは、後述する図６（ａ）に示す工程において、絶縁性基材７１が薄化されることにより、貫通孔１１Ｘ（図１（ａ）参照）となるものである。この各貫通孔７１Ｘの深さは、例えば７０〜１５０μｍ程度とすることができる。各貫通孔７１Ｘは、例えば平面視略円形とすることができ、その場合の直径は例えば１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。また、貫通孔７１Ｘは、隣接する貫通孔７１Ｘとの間隔が貫通孔７１Ｘの直径よりも小さくなる程度に高密度に形成されている。このような貫通孔７１Ｘのピッチは例えば２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。
【００２９】
このような微小径でアスペクト比（孔深さと孔径の比）が高く、且つ高密度に配置された貫通孔７１Ｘの形成方法の一例を以下に示す。貫通孔７１Ｘは、例えば陽極酸化法を用いて形成することができる。ここでは、酸化アルミニウムからなる絶縁性基材７１に貫通孔７１Ｘを形成する方法について説明する。
【００３０】
具体的には、アルミニウム（Ａｌ）の基板の一方の面を絶縁被膜したＡｌ基板、又はガラス基板上にスパッタリング等によりＡｌの電極層を形成したＡｌ電極層を用意する。その用意したＡｌ基板又はＡｌ電極層の表面を洗浄後、電解液（好適には硫酸水溶液）中に浸漬し、浸漬したＡｌ基板又はＡｌ電極層を陽極とし、これに対向配置される白金（Ｐｔ）電極を陰極として通電（パルス電圧を印加）する。これにより、Ａｌ基板又はＡｌ電極層の表面に多孔質金属酸化膜（微小径の孔が規則正しく形成された酸化アルミニウムの膜）を形成することができる。
【００３１】
この後、陽極酸化とは逆電位の電圧を各電極に印加（Ａｌ基板又はＡｌ電極層を陰極とし、白金電極を陽極として通電）することで、多孔質金属酸化膜をＡｌ配線基板又はＡｌ電極層から分離する。これによって、所望の微小径の貫通孔７１Ｘが高密度に形成された絶縁性基材７１が得られる。
【００３２】
なお、上記陽極酸化法では、電解液の種類、電圧、時間などの条件を変更することにより、絶縁性基材７１の厚さ（貫通孔７１Ｘの深さ）、貫通孔７１Ｘの径や貫通孔７１Ｘのピッチを調整することができる。
【００３３】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、絶縁性基材７１に形成された貫通孔７１Ｘに金属材料を充填して線状導体１３（ビア）を形成する。線状導体１３は、例えばスクリーン印刷法やインクジェット法等を用いて、例えば銀や銅等の導電性ペーストを貫通孔７１Ｘに充填することにより形成することができる。また、絶縁性基材７１の一方の面に電極を設けた電解めっき法によっても線状導体１３を形成することができる。
【００３４】
さらに、必要に応じて機械研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等により両面を研磨して平坦化してもよい。これにより、線状導体１３の両端を絶縁性基材７１の両面から露出させることができ、線状導体１３の長さの均一性を確保することができる。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、絶縁性基材７１の下面７１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに第１配線層２１（図１（ａ）参照）となる金属層７２を形成する。
まず、絶縁性基材７１の下面７１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂを覆うようにシード層７３を形成する。このシード層７３は、例えばスパッタ法により形成することができる。例えば絶縁性基材７１の下面７１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂを覆うようにチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させて金属膜７４を形成する。その後、その金属膜７４上に銅をスパッタリングにより堆積させて金属膜７５を形成し、２層構造（Ｔｉ／Ｃｕ）のシード層７３を形成する。金属膜７４の厚さは例えば５０ｎｍ程度とすることができ、金属膜７５の厚さは例えば１００ｎｍ程度とすることができる。続いて、シード層７３を給電層とする電解めっき法により、シード層７３上に導電層７６を形成する。導電層７６の厚さは例えば３〜２０μｍ程度とすることができる。これらにより、シード層７３及び導電層７６からなる金属層７２を形成することができる。この金属層７２は、絶縁性基材７１の下面７１Ｂを後工程のエッチング処理等から保護する保護層として機能し、製造工程中において比較的薄い絶縁性基材７１の機械的強度を補強する補強層としても機能する。なお、導電層７６の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。また、上記シード層７３の金属膜７４（Ｔｉ膜）は、金属膜７５（Ｃｕ膜）や導電層７６から絶縁性基材７１に銅が拡散することを抑制する機能を有するとともに、絶縁性基材７１と金属膜（Ｃｕ膜）７５との密着性を高める機能を有する。このような金属膜７４の材料としては、チタンの他に、窒化タンタル（ＴａＮ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）等を用いることができる。
【００３６】
次に、絶縁性基材７１の上面７１Ａ側から絶縁性基材７１を厚さ方向に薄化して、図６（ａ）に示すように、線状導体１３の上面１３Ａ側の端部（一部）を露出させる。具体的には、図５（ｃ）に示した絶縁性基材７１の上面７１Ａ側の一部を線状導体１３に対して選択的に除去する。この絶縁性基材７１の薄化により、図６（ａ）に示すように、絶縁性基材７１が絶縁性基材１１になると共に貫通孔７１Ｘが貫通孔１１Ｘになり、その絶縁性基材１１の上面１１Ａから線状導体１３の端部が突出（露出）される。本工程では、絶縁性基材１１の上面１１Ａから線状導体１３が例えば５μｍ程度突出されるように、上記絶縁性基材７１の薄化が行われる。このような絶縁性基材７１の薄化は、例えばアルカリ性水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングなどによって行うことができる。上記アルカリ性水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの水酸化物、アンモニア系化合物の水溶液を用いることができる。この水溶液中の化合物濃度は例えば０．５〜５ｗｔ％程度とすることができ、上記水溶液のｐＨは１２〜１４程度とすることができる。なお、上記ウェットエッチングにおいて、金属層７２はエッチングマスクとして機能する。
【００３７】
一般に、アルミニウムが陽極酸化して形成された酸化アルミニウムの結晶は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）であることが知られている。アルミナは耐久性に優れ、酸やアルカリにも強い。但し、本実施形態での絶縁性基材７１は、完全なアルミナではなく、ベーマイトの状態で酸化アルミニウムを形成している。このため、絶縁性基材７１はアルカリに弱く、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムによって容易に絶縁性基材７１の表面をエッチングすることができる。
【００３８】
続いて、図６（ｂ）に示す工程では、絶縁性基材１１から露出された線状導体１３を覆うように、絶縁性基材１１の上面１１Ａに絶縁層１２（図１（ａ）参照）となる絶縁層７７を形成する。具体的には、絶縁性基材１１から露出された線状導体１３の全面（上面１３Ａ及び側面）を覆うように、絶縁性基材１１の上面１１Ａ上に絶縁層７７を形成する。この絶縁層７７は、例えばスピンコート法やディスペンサによって、液状又はペースト状のシリコーン系エラストマー前駆体を絶縁性基材１１の上面１１Ａ上に塗布することにより形成することができる。本工程では、各線状導体１３間に形成される微小な空間（凹部）を充填するように上記絶縁層７７を形成するため、絶縁性基材１１の上面１１Ａに塗布される材料としては、粘度の低い材料であることが好ましい。
【００３９】
次いで、図６（ｃ）に示す工程では、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに第１配線層２１（信号用の配線パターン２１ｓ及び接地用の配線パターン２１ｇ）を形成する。この第１配線層２１は、サブトラクティブ法やセミアディティブ法等の各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてサブトラクティブ法を用いて第１配線層２１を形成する方法を以下に示す。
【００４０】
まず、図６（ｂ）に示した金属層７２の下面に配線パターン２１ｓ，２１ｇに対応する位置の金属層７２を覆うレジスト層（図示略）を形成する。続いて、そのレジスト層をマスクにして、レジスト層に覆われていない部分の金属層７２をエッチングにより除去する。その後に上記レジスト層を除去する。これにより、配線パターン２１ｓ，２１ｇを含む第１配線層２１が形成される。
【００４１】
次に、図７（ａ）に示す工程では、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに、第１配線層２１を覆うように層間絶縁層２２を形成する。この層間絶縁層２２は、例えば絶縁性基材１１の下面１１Ｂに樹脂フィルムをラミネートした後に、樹脂フィルムを押圧しながら１３０〜１９０℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより形成することができる。また、樹脂フィルムのラミネートに代えて、液状又はペースト状の樹脂をスピンコート法等により塗布するようにしてもよい。
【００４２】
続いて、図７（ｂ）に示す工程では、第１配線層２１の下面２１Ｂの一部が露出されるように、層間絶縁層２２の所定箇所にビアホールＶＨ１を形成する。このビアホールＶＨ１は、例えばＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。なお、層間絶縁層２２が感光性樹脂を用いて形成されている場合には、例えばフォトリソグラフィ法により所要のビアホールＶＨ１を形成するようにしてもよい。
【００４３】
次いで、ビアホールＶＨ１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行って、ビアホールＶＨ１内の樹脂残渣（樹脂スミア）を除去する。このデスミア処理は、例えば過マンガン酸塩法などを用いて行うことができる。
【００４４】
次に、図８（ａ）に示す工程では、層間絶縁層２２のビアホールＶＨ１にビア導体を充填してビア配線２４ｓ，２４ｇを形成するとともに、それらビア配線２４ｓ，２４ｇをそれぞれ介して配線パターン２１ｓ，２１ｇに電気的に接続される配線パターン２５ｓ，２５ｇを層間絶縁層２２上に形成する。これらビア配線２４ｓ，２４ｇ及び配線パターン２５ｓ，２５ｇ、つまり第２配線層２３は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成できるが、一例としてセミアディティブ法を用いて第２配線層２３を形成する方法を以下に示す。
【００４５】
まず、無電解めっき法又はスパッタ法により、ビアホールＶＨ１の内壁面を含む層間絶縁層２２の表面及びビアホールＶＨ１内に露出する第１配線層２１上にシード層（図示略）を形成する。その後、シード層上に、第２配線層２３に対応する開口部を有するレジスト層（図示略）を形成する。続いて、上記シード層をめっき給電層に利用した電解めっき法により、レジスト層の開口部に導電パターン（図示略）を形成する。次いで、レジスト層を除去した後に、導電パターンをマスクにしてシード層をエッチングすることにより、第２配線層２３を得ることができる。
【００４６】
このような工程により、絶縁性基材１１の下面１１Ｂに、第１配線層２１、層間絶縁層２２及び第２配線層２３を有する配線構造２０が形成される。なお、この配線構造２０を形成する際に、上記絶縁層７７は絶縁性基材１１から露出される線状導体１３をエッチング処理などから保護する保護層として機能する。
【００４７】
次に、絶縁層７７の上面７７Ａ側から絶縁層７７を厚さ方向に薄化して、図８（ｂ）に示すように、線状導体１３の上面１３Ａ側の端部（一部）を露出させる。具体的には、図８（ａ）に示した絶縁層７７の上面７７Ａ側の一部を線状導体１３に対して選択的に除去する。この絶縁層７７の薄化により、図８（ｂ）に示すように、絶縁層７７が絶縁層１２になり、その絶縁層１２の上面１２Ａから線状導体１３の端部１３Ｃが突出（露出）される。本工程では、絶縁層１２の上面１２Ａから突出される線状導体１３の端部１３Ｃの高さが例えば０．１μｍ未満となるように、上記絶縁層７７の薄化が行われる。このような絶縁層７７の薄化は、例えばプラズマエッチングによって行うことができる。以上の製造工程により、図１に示した電気的接続部材１を製造することができる。
【００４８】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）電気的接続部材１では、接続対象（検査対象）である半導体チップ４０の電極パッド４１が接続される線状導体１３の上面１３Ａ側に低弾性材料からなる絶縁層１２を形成するようにした。この絶縁層１２によって、半導体チップ４０を電気的接続部材１に押し付ける際に線状導体１３に加わる応力を分散させることができる。このため、線状導体１３や絶縁性基材１１が損傷することを抑制することができ、ひいては電気的接続部材１の耐久性を向上することができる。したがって、絶縁層１２の上面１２Ａから突出される線状導体１３を短くすることができる。これにより、線状導体１３の直径が小さくなった場合であっても、絶縁層１２の上面１２Ａから突出された線状導体１３の自立状態を保持することができる。
【００４９】
（２）線状導体１３の上面１３Ａ側の端部１３Ｃを絶縁層１２の上面１２Ａから突出させるようにした。これにより、接続対象の半導体チップ４０の電極パッド４１がどのような形状であっても、電極パッド４１を線状導体１３の上面１３Ａに対向させて半導体チップ４０を電気的接続部材１に押し付けるだけで、電極パッド４１と線状導体１３との電気的な接続を容易に確保することができる。また、電極パッド４１と線状導体１３とを電気的に接続する際に、半導体チップ４０と電気的接続部材１とを接着又は粘着する必要がないため、多数の半導体チップ４０に対する検査工程で電気的接続部材１を繰り返し使用することができる。
【００５０】
（３）信号電流が流れる複数の線状導体１３の周囲に、所定の間隔を空けてグランド配線に接続された複数の線状導体１３を配置するようにした。この構造は、同軸線路と同等の構造であるため、シールド（遮蔽）効果を奏することができる。また、隣接して配置され、異なる信号電流が流れる複数の線状導体１３間には、グランド配線に接続された複数の線状導体１３が配置されることになる。このため、隣接して配置され、異なる信号電流が流れる複数の線状導体１３間に生じる電気的結合（容量結合）を低減することができ、信号電流が流れる複数の線状導体１３自体がノイズ源となることを抑制することができる。
【００５１】
（４）コアシート１０の一方の面側（絶縁性基材１１の下面１１側）に、第１配線層２１と層間絶縁層２２と第２配線層２３とを有する多層の配線構造２０を形成するようにした。これにより、例えば半導体チップ４０の電極パッド４１に対応した第１配線層２１（配線パターン２１ｓ）と、検査用基板５０のパターン電極５１に対応した第２配線層２３（配線パターン２３ｓ）とをコアシート１０上に形成することができる。このため、半導体チップ４０の電極パッド４１と検査用基板５０のパターン電極５１とが対向配置されない場合であっても、それら半導体チップ４０と検査用基板５０との間に電気的接続部材１のみを介在させることによって電極パッド４１とパターン電極５１とを電気的に接続することができる。したがって、上記配線構造２０に相当する部材をコアシート１０とは別に用意する場合と比べて、電極パッド４１とパターン電極５１とを電気的に接続する際に生じる位置合わせ誤差の合計値を小さくすることができる。
【００５２】
（５）第１配線層２１を、コアシート１０の平面方向全体に亘って形成された複数の線状導体１３と電気的に接続するようにした。このため、第１配線層２１を形成する位置を任意に選定可能である。したがって、接続対象の半導体チップ４０が異なる場合であっても、コアシート１０の構造を変更する必要はなく、半導体チップ４０の電極パッド４１のパターンに対応して第１配線層２１のサイズや位置を適宜変更するだけで、上記複数の線状導体１３を介して第１配線層２１と電極パッド４１とを容易に接続することができる。このようにコアシート１０の共通化を図ることができるため、製造コストを低減することができる。また、コアシート１０に対するアライメント精度等に依存して第１配線層２１の径を大きくする必要がないため、第１配線層２１の設計自由度を高めることができる。これにより、半導体チップ４０の電極パッド４１の狭ピッチ化に対応して第１配線層２１を容易に狭ピッチ化することができる。
【００５３】
（６）微細な線状導体１３を、陽極酸化法により形成された絶縁性基材７１の貫通孔７１Ｘに導体を充填することによって形成するようにした。これにより、絶縁性基材７１の平面方向全体に亘って微小径の線状導体１３を高密度に形成することができるため、接続対象の半導体チップ４０の電極パッド４１の狭ピッチ化に容易に対応することができる。
【００５４】
（第１実施形態の変形例）
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００５５】
・図９に示される製造方法により、第１配線層２１を形成するようにしてもよい。詳述すると、先の図５（ａ）に示した工程と同様の製造工程により、絶縁性基材７１に所望の微小径の貫通孔７１Ｘを高密度に形成する。続いて、図９（ａ）に示す工程では、絶縁性基材７１の下面７１Ｂにシード層７８を形成する。本工程では、貫通孔７１Ｘの一方の開口（ここでは、下面側の開口）を閉塞するようにシード層７８が形成される。このシード層７８は、例えばスパッタ法により形成することができる。例えばシード層７８が２層構造（Ｔｉ／Ｃｕ）である場合には、絶縁性基材７１の下面７１Ｂを覆うようにチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ膜を形成し、そのＴｉ膜上に銅（Ｃｕ）をスパッタリングにより堆積してＣｕ膜を形成する。なお、Ｔｉ膜の厚さは例えば５０ｎｍ程度とすることができ、Ｃｕ膜の厚さは例えば１００ｎｍ程度とすることができる。
【００５６】
次いで、図９（ｂ）に示す工程では、シード層７８を給電層とする電解めっき法により、貫通孔７１Ｘに導体を充填して上記線状導体１３を形成するとともに、シード層７８の下面７８Ｂに導電層７９を形成する。本工程では、貫通孔７１の一方の開口を閉塞するシード層７８上に析出するめっき金属により、貫通孔７１Ｘ内に線状導体１３が形成される。これにより、シード層７８及び導電層７９からなる金属層８０を形成することができる。なお、導電層７９の材料としては、例えば銅又は銅合金を用いることができる。また、導電層７９の厚さは例えば３〜２０μｍ程度とすることができる。
【００５７】
さらに、必要に応じて機械研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）等により両面を研磨して平坦化してもよい。これにより、貫通孔７１Ｘに充填された導体が絶縁性基材７１の上面７１Ａから突出した場合であっても、その突出した導体が研磨されるため、図９（ｂ）に示すような線状導体１３を形成することができる。すなわち、上面１３Ａが絶縁性基材７１の上面７１Ａと同一面となって平坦化された線状導体１３が形成される。
【００５８】
次に、図９（ｃ）に示す工程では、先の図６（ａ）及び図６（ｂ）に示した工程と同様に、絶縁性基材７１を上面７１Ａ側から薄化して絶縁性基材１１を形成し、その絶縁性基材１１の上面１１Ａから露出された線状導体１３を覆うように絶縁層７７を形成する。さらに、図９（ｃ）に示す工程では、図６（ｃ）に示した工程と同様に、金属層８０をパターニングすることにより、絶縁性基材１１の下面１１Ｂ及び線状導体１３の下面１３Ｂに第１配線層２１を形成する。
【００５９】
このように、線状導体１３を形成する際に形成された金属層８０（シード層７８及び導電層７９）をパターニングして第１配線層２１を形成するようにしてもよい。
・上記第１実施形態において、接地用の配線パターン２１ｇ，２５ｇ及びビア配線２４ｇを省略するようにしてもよい。
【００６０】
・上記第１実施形態における配線構造２０を、複数の配線層（第１配線層２１及び第２配線層２３）が層間絶縁層２２を介して積層された多層の配線構造とした。これに限らず、例えば図１０に示されるように、第２配線層２３及び層間絶縁層２２を省略し、絶縁性基材１１の下面１１Ｂに第１配線層２１のみを形成するようにしてもよい。このような電気的接続部材１Ａは、例えば図１１に示されるようなソケット８１に適用することができる。詳述すると、ソケット８１のソケット本体８２は、板状に形成された支持板８３と、この支持板８３の外周部に立設された枠状の枠体８４とを有している。ソケット本体８２内では、支持板８３の上面８３Ａに電気的接続部材１Ａが搭載されている。具体的には、支持板８３の上面８３Ａに形成された電極端子（図示略）と電気的接続部材１Ａの配線パターン２１ｓとが電気的に接続されるように、支持板８３上に電気的接続部材１Ａが搭載されている。そして、ソケット本体８２内に挿入された半導体チップ４２が放熱板８５により電気的接続部材１Ａに押圧され、半導体チップ４２とソケット本体８２とが電気的接続部材１Ａを介して電気的に接続される。詳述すると、半導体チップ４２に形成された電極パッド４３が電気的接続部材１Ａの線状導体１３の上面１３Ａに接続される。具体的には、電極パッド４３は各々、絶縁層１２の上面１２Ａから突出された複数の線状導体の上面１３Ａと電気的に接続される。より具体的には、電極パッド４３は各々、上記信号用の配線パターン２１ｓと対向する位置に形成され、配線パターン２１ｓに接続された複数の線状導体１３の上面１３Ａと電気的に接続される。これにより、コアシート１０を介して対向配置された電極パッド４３と配線パターン２１ｓとが単軸状に導電接続され、半導体チップ４２の電極パッド４３が電気的接続部材１Ａを介して支持板８３の電極端子に電気的に接続される。なお、上記放熱板８５は、ソケット本体８２に対する蓋体としての機能も有している。また、支持板８３の上面８３Ａに形成された電極端子は、その支持板８３の内部配線を介して外部接続端子８６と電気的に接続されている。
【００６１】
このようなソケット８１は、半導体チップ４２の良否を判定する検査用の部材として利用することができる。例えば検査用基板５２のパターン電極とソケット８１の外部接続端子８６とが電気的に接続されるように検査用基板５２にあらかじめソケット８１を接合しておき、このソケット８１に半導体チップ４２をセットすることにより、半導体チップ４２の良否を判定することができる。また、上記ソケット８１は、半導体チップ４２を実装基板に実装する際に利用することもできる。
【００６２】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１２及び図１３に従って説明する。なお、先の図１〜図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００６３】
図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気的接続部材１Ｂは、絶縁性基材１１と、絶縁層１２と、絶縁層１４と、複数の線状導体１５とを有している。
絶縁層１４は、絶縁性基材１１の下面１１Ｂを覆うように形成されている。絶縁層１４には、絶縁性基材１１の貫通孔１１Ｘと対向する位置に、当該絶縁層１４の厚さ方向に貫通する貫通孔１４Ｘが形成されている。この貫通孔１４Ｘは、貫通孔１１Ｘ，１２Ｘと連通しており、その開口径が貫通孔１１Ｘ，１２Ｘの開口径と略同一となるように形成されている。
【００６４】
上記絶縁層１４は、絶縁性基材１１よりも弾性率の低い絶縁層である。すなわち、絶縁層１４は、絶縁性基材１１を形成する無機材料よりも弾性率の低い低弾性材料によって形成されている。この低弾性材料としては、室温付近におけるヤング率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の材料であることが好ましい。このような低弾性材料としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、ポリオレフィン系やウレタン系のエラストマーを用いることができる。
【００６５】
各線状導体１５はそれぞれ、貫通孔１１Ｘ，１２Ｘ，１４Ｘ内を充填するように形成されている。この各線状導体１５は、絶縁性基材１１及び絶縁層１２，１４を厚さ方向に貫通するように形成されている。これら複数の線状導体１５は平行に隣接して形成されている。また、これら複数の線状導体１５は、絶縁性基材１１及び絶縁層１２、１４の平面方向全体に亘って形成されている。これら複数の線状導体１５の配置形態については、特に限定されず、例えばヘキサゴナル状に配置されていてもよいし、グリッド状に配置されていてもよい。
【００６６】
各線状導体１５は、一方の端面（図１２では、上面）１５Ａが絶縁層１２の上面１２Ａから露出されており、他方の端面（図１２では、下面）１５Ｂが絶縁層１４の下面１４Ｂから露出されている。この各線状導体１５は、上面１５Ａ側の端部１５Ｃが絶縁層１２の上面１２Ａから鉛直方向（ここでは、上方）に突出するように形成されている。この絶縁層１２から突出された線状導体１５の端部１５Ｃの高さは、例えば０．１μｍ未満とすることができる。また、各線状導体１５は、下面１５Ｂ側の端部１５Ｄが絶縁層１４の下面１４Ｂから鉛直方向（ここでは、下方）に突出するように形成されている。この絶縁層１４から突出された線状導体１５の端部１５Ｃの高さは、例えば０．１μｍ未満とすることができる。
【００６７】
線状導体１５は、その平面形状が例えば円形であり、その直径が例えば１０〜１０００ｎｍ程度とすることができる。また、線状導体１５は、図１２（ｂ）に示すように、隣接する線状導体１５との間隔Ｐ２が線状導体１５の直径Φ２よりも小さくなる程度に高密度に形成されている。このような線状導体１５のピッチは例えば２０〜２０００ｎｍ程度とすることができる。
【００６８】
各線状導体１５は、電気的接続部材１Ｂの一方の面（例えば、絶縁層１２の上面１２Ａ側）に配置される導体（第１部材）と、他方の面（例えば、絶縁層１４の下面１４Ｂ側）に配置される導体（第２部材）とを接続するビアとしての機能を有する。但し、当該電気的接続部材１Ｂが第１部材と第２部材との間に介在された状態において、複数の線状導体１５の一部の線状導体１５は導体には接続されず、電気的に孤立（フローティング）した状態であっても構わない。このような線状導体１５の材料としては、例えば銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はそれらの合金を用いることができる。
【００６９】
（電気的接続部材の製造方法）
次に、上記電気的接続部材１Ｂの製造方法を説明する。
図１３（ａ）に示す工程では、先の図５（ａ）及び図５（ｂ）に示した工程と同様の製造工程により、絶縁性基材７１に所望の微小径の貫通孔７１Ｘを高密度に形成し、その貫通孔７１Ｘに金属材料を充填して線状導体１５を形成する。
【００７０】
次に、絶縁性基材７１の両面側から絶縁性基材７１を厚さ方向に薄化して、図１３（ｂ）に示すように、線状導体１５の両端部を露出させる。具体的には、図１３（ａ）に示した絶縁性基材７１の上面７１Ａ側の一部及び下面７１Ｂ側の一部を線状導体１５に対して選択的に除去する。この絶縁性基材７１の薄化により、図１３（ｂ）に示すように、絶縁性基材７１が絶縁性基材１１になると共に貫通孔７１Ｘが貫通孔１１Ｘになり、その絶縁性基材１１の上面１１Ａ及び下面１１Ｂから線状導体１５の両端部が突出（露出）される。本工程では、絶縁性基材１１の上面１１Ａ及び下面１１Ｂからそれぞれ線状導体１５が例えば５μｍ程度突出されるように、上記絶縁性基材７１の薄化が行われる。このような絶縁性基材７１の薄化は、例えばアルカリ性水溶液をエッチング液に用いたウェットエッチングなどによって行うことができる。上記アルカリ性水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）や水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの水酸化物、アンモニア系化合物の水溶液を用いることができる。この水溶液中の化合物濃度は例えば０．５〜５ｗｔ％程度とすることができ、上記水溶液のｐＨは１２〜１４程度とすることができる。
【００７１】
続いて、図１３（ｃ）に示す工程では、絶縁性基材１１から露出された線状導体１５を覆うように、絶縁性基材１１の上面１１Ａに絶縁層１２（図１２（ａ）参照）となる絶縁層７７を形成するとともに、絶縁性基材１１の下面１１Ｂに絶縁層１４（図１２（ａ）参照）となる絶縁層９０を形成する。具体的には、絶縁性基材１１の上面１１Ａから露出された線状導体１５の全面（上面１５Ａ及び側面）を覆うように絶縁層７７を形成するとともに、絶縁性基材１１の下面１１Ｂから露出された線状導体１５の全面（下面１５Ｂ及び側面）を覆うように絶縁層９０を形成する。これら絶縁層７７，９０は、例えばスピンコート法やディスペンサによって、液状又はペースト状のシリコーン系エラストマー前駆体を絶縁性基材１１の上面１１Ａ上及び下面１１Ｂ上に塗布することにより形成することができる。本工程では、各線状導体１５間に形成される微小な空間（凹部）を充填するように上記絶縁層７７，９０を形成するため、絶縁性基材１１の上面１１Ａ及び下面１１Ｂに塗布される材料としては、粘度の低い材料であることが好ましい。
【００７２】
次いで、絶縁層７７の上面７７Ａ（第１の面）側から絶縁層７７を厚さ方向に薄化するとともに、絶縁層９０の下面９０Ｂ（第１の面）側から絶縁層９０を厚さ方向に薄化し、図１３（ｄ）に示すように、線状導体１５の両端部を露出させる。具体的には、図１３（ｃ）に示した絶縁層７７の上面７７Ａ側の一部及び絶縁層９０の下面９０Ｂ側の一部を線状導体１５に対して選択的に除去する。これら絶縁層７７，９０の薄化により、図１３（ｄ）に示すように、絶縁層７７が絶縁層１２になると共に絶縁層９０が絶縁層１４になり、それら絶縁層１２の上面１２Ａ及び絶縁層１４の下面１４Ｂから線状導体１５の端部１５Ｃ，１５Ｄがそれぞれ突出（露出）される。本工程では、絶縁層１２の上面１２Ａ及び絶縁層１４の下面１４Ｂから突出される線状導体１５の端部１５Ｃ，１５Ｄの高さが例えば０．１μｍ未満となるように、上記絶縁層７７，９０の薄化が行われる。このような絶縁層７７，９０の薄化は、例えばプラズマエッチングによって行うことができる。
【００７３】
以上説明した本実施形態によれば、上記第１実施形態の（１）、（２）、（６）と同様の効果を奏する。
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
【００７４】
・上記各実施形態における絶縁性基材１１，７１の材料として、ガラスを用いるようにしてもよい。この場合、例えば図５（ａ）に示した貫通孔７１Ｘの形成は、ＣＯ２レーザやＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって行うことができる。この場合の貫通孔７１Ｘの直径は例えば５μｍ程度とすることができ、貫通孔７１Ｘのピッチは例えば１０μｍ程度とすることができる。また、図５（ｃ）に示した金属層７２のシード層７３の形成は、例えばスパッタ法、無電解めっき法や蒸着法によって行うことができる。また、図６（ａ）に示した絶縁性基材７１の薄化は、例えばドライエッチングによって行うことができる。
【００７５】
・上記各実施形態における貫通孔１１Ｘ，１２Ｘ，１４Ｘ，７１Ｘや線状導体１３，１５の平面形状は、円形に限らず、例えば矩形状や六角形状などの多角形状、半円状、楕円状や半楕円状であってもよい。
【００７６】
・上記各実施形態における電気的接続部材１，１Ａ，１Ｂの適用範囲は特に限定されない。すなわち、第１の接続端子を有する第１部材と第２の接続端子を有する第２部材との間に電気的接続部材が介在され、その電気的接続部材を介して上記第１の接続端子と第２の接続端子とが電気的に接続される接続構造（構造体）であれば、上記電気的接続部材１，１Ａ，１Ｂを適用することができる。なお、上記第１実施形態の電気的接続部材１を図１１に示したようなソケット８１に適用してもよいし、図１０に示した電気的接続部材１Ａを図４に示したような半導体検査装置に適用してもよい。
【符号の説明】
【００７７】
１，１Ａ，１Ｂ  電気的接続部材
１０  コアシート
１１  絶縁性基材
１１Ｘ  貫通孔（第１貫通孔）
１２  絶縁層（第１絶縁層）
１２Ｘ  貫通孔（第２貫通孔）
１３，１５  線状導体
１３Ｃ  端部
１５Ｃ，１５Ｄ  端部
１４  絶縁層（第２絶縁層）
１４Ｘ  貫通孔（第３貫通孔）
２０  配線構造
２１  第１配線層
２１ｓ  配線パターン（第１配線パターン）
２１ｇ  配線パターン（第２配線パターン）
２２  層間絶縁層
２３  第２配線層
７１  絶縁性基材
７１Ｘ  貫通孔
７７，９０  絶縁層
７２，８０  金属層
【図１】
0005980554.tif 000002
【図２】
0005980554.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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