(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層が積層されてなる直方体状の積層体であって、積層方向に直交する第１の方向に位置する上面及び実装面を有する積層体と、
Ｎｉめっき膜及び該Ｎｉめっき膜上に設けられているＳｎめっき膜により構成されている第１の外部電極及び第２の外部電極であって、前記上面には設けられず、かつ、前記実装面に設けられている第１の外部電極及び第２の外部電極と、
を備えており、
前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極はそれぞれ、複数の前記絶縁体層を積層方向に貫通する複数の外部導体層が積層されて構成されており、
前記Ｎｉめっき膜は、前記複数の外部導体層が前記積層体の表面から露出している部分に設けられており、
前記Ｎｉめっき膜の厚みと前記Ｓｎめっき膜の厚みとの合計は、１１．６μｍ以上であり、
前記Ｎｉめっき膜の厚みは、前記Ｓｎめっき膜の厚みの１．３７倍以上であること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記積層体は、積層方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に位置する第１の端面及び第２の端面を有しており、
前記第１の外部電極は、前記実装面及び前記第１の端面に跨って設けられており、
前記第２の外部電極は、前記実装面及び前記第２の端面に跨って設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記Ｎｉめっき膜の厚みと前記Ｓｎめっき膜の厚みとの合計は、１７．７μｍ以下であること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
【請求項４】
前記Ｎｉめっき膜の厚みは、前記Ｓｎめっき膜の厚みの２．５４倍以下であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記上面と前記実装面とは平行ではないこと、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、例えば、複数の絶縁体層が積層されてなる電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の電子部品が知られている。図１２は、特許文献１に記載の電子部品５１０の外観斜視図である。図１２において、積層方向をｙ軸方向と定義する。ｙ軸方向から平面視したときに、電子部品５１０の長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義し、電子部品の短辺が延在している方向をｚ軸方向と定義する。
【０００３】
電子部品５１０は、例えば、積層チップインダクタであり、積層体５１２及び外部電極５１４ａ，５１４ｂを備えている。積層体５１２は、長方形状の複数の絶縁体層がｙ軸方向に積層されることにより構成され、直方体状をなしている。そのため、積層体５１２のｘ軸方向の両側に位置する端面、ｚ軸方向の上側に位置する上面及びｚ軸方向の負方向側に位置する底面は、絶縁体層の外縁が連なって形成された面である。
【０００４】
また、外部電極５１４ａは、積層体５１２のｚ軸方向の負方向側の底面及びｘ軸方向の負方向側の端面に跨って設けられている。外部電極５１４ｂは、積層体５１２のｚ軸方向の負方向側の底面及びｘ軸方向の正方向側の端面に跨って設けられている。
【０００５】
ところで、特許文献１に記載の電子部品５１０では、電子部品５１０の回路基板への実装時に、積層体５１２にひびや欠けが発生するおそれがある。より詳細には、電子部品５１０の製造時には、複数の大判のセラミックグリーンシートを積層してマザー積層体を作製した後、該マザー積層体を複数の積層体５１２にカットする。そのため、積層体５１２の端面、上面及び底面は、マザー積層体のカットによって形成される面である。したがって、マザー積層体のカットの精度によっては、上面と底面との関係が平行から僅かにずれてしまうおそれがある。
【０００６】
ここで、積層体５１２の底面には外部電極５１４ａ，５１４ｂが設けられる。一方、積層体５１２の上面は、電子部品５１０の実装の際に、吸着ノズルにより吸引され、基板へ装着される。そのため、上面と底面との関係が平行からずれていると、吸着ノズルが積層体５１２の上面に接触した際に、積層体５１２の上面の一部に吸着ノズルが押し付けられる。その結果、積層体５１２の上面にひびや欠けが発生するおそれがある。また、積層体５１２の上面の一部に吸着ノズルが押し付けられて積層体５１２が傾くと、積層体５１２の底面と電子部品５１０を実装する回路基板上のランド電極とが強く接触する。その結果、積層体５１２の底面にひびや欠けが発生するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−７９８７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、積層体にひびや欠けが発生することを抑制できる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る電子部品は、複数の絶縁体層が積層されてなる直方体状の積層体であって、積層方向に直交する第１の方向に位置する上面及び実装面を有する積層体と、Ｎｉめっき膜及び該Ｎｉめっき膜上に設けられているＳｎめっき膜により構成されている第１の外部電極及び第２の外部電極であって、前記上面には設けられず、かつ、前記実装面に設けられている第１の外部電極及び第２の外部電極と、を備えており、前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極はそれぞれ、複数の前記絶縁体層を積層方向に貫通する複数の外部導体層が積層されて構成されており、前記Ｎｉめっき膜は、前記複数の外部導体層が前記積層体の表面から露出している部分に設けられており、前記Ｎｉめっき膜の厚みと前記Ｓｎめっき膜の厚みとの合計は、１１．６μｍ以上であり、前記Ｎｉめっき膜の厚みは、前記Ｓｎめっき膜の厚みの１．３７倍以上であること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、積層体にひびや欠けが発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。
【図２】図１の電子部品のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図３】図１の電子部品の分解斜視図である。
【図４】電子部品の製造時の平面図である。
【図５】電子部品の製造時の平面図である。
【図６】電子部品の製造時の平面図である。
【図７】電子部品の製造時の平面図である。
【図８】電子部品の製造時の平面図である。
【図９】電子部品の製造時の平面図である。
【図１０】装着機で電子部品をノズルにより基板へ実装する様子を示した図である。
【図１１】図１０のノズルのＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【図１２】特許文献１に記載の電子部品の外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１３】
（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、図１の電子部品１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。図３は、図１の電子部品１０の分解斜視図である。以下では、電子部品１０の積層方向をｙ軸方向と定義する。また、ｙ軸方向から平面視したときに、電子部品１０の長辺が延在している方向をｘ軸方向と定義し、電子部品１０の短辺が延在している方向をｚ軸方向と定義する。
【００１４】
電子部品１０は、図１ないし図３に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ，１４ｂ及びコイルＬ（図１及び図２には図示せず）を備えている。
【００１５】
積層体１２は、図３に示すように、複数の絶縁体層１６ａ〜１６ｌがｙ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並ぶように積層されて構成されており、直方体状をなしている。よって、積層体１２は、上面Ｓ１、底面Ｓ２、端面Ｓ３，Ｓ４及び側面Ｓ５，Ｓ６を有している。上面Ｓ１は、積層体１２のｚ軸方向の正方向側に位置する面である。底面Ｓ２は、積層体１２のｚ軸方向の負方向側に位置する面であり、電子部品１０の回路基板への実装の際に該回路基板と対向する実装面である。上面Ｓ１及び底面Ｓ２はそれぞれ、絶縁体層１６のｚ軸方向の正方向側の長辺（外縁）及び負方向側の長辺（外縁）が連なることにより構成されている。端面Ｓ３，Ｓ４はそれぞれ、積層体１２のｘ軸方向の負方向側及び正方向側に位置する面である。端面Ｓ３，Ｓ４はそれぞれ、絶縁体層１６のｘ軸方向の負方向側の短辺（外縁）及び正方向側の短辺（外縁）が連なることにより構成されている。また、端面Ｓ３，Ｓ４は、底面Ｓ２に隣接している。側面Ｓ５，Ｓ６はそれぞれ、積層体１２のｙ軸方向の正方向側及び負方向側に位置する面である。
【００１６】
絶縁体層１６は、図３に示すように、長方形状をなしており、例えば、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁材料により形成されている。以下では、絶縁体層１６のｙ軸方向の正方向側の面を表面と称し、絶縁体層１６のｙ軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
【００１７】
コイルＬは、コイル導体層１８ａ〜１８ｆ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ６により構成されており、ｙ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回りに旋回しながら、ｙ軸方向の負方向側から正方向側へと進行する螺旋状をなしている。コイル導体層１８ａ〜１８ｆは、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉの表面上に設けられており、ｙ軸方向から平面視したときに互いに重なりあって環状の軌道を形成している。コイル導体層１８ａ〜１８ｆは、軌道の一部が切り欠かれた形状をなしている。コイル導体層１８は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。以下では、コイル導体層１８の時計回り方向の上流側の端部を上流端と呼び、コイル導体層１８の時計回り方向の下流側の端部を下流端と呼ぶ。
【００１８】
ビアホール導体ｖ１〜ｖ６はそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｉをｙ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｖ１は、コイル導体層１８ａの下流端とコイル導体層１８ｂの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、コイル導体層１８ｂの下流端とコイル導体層１８ｃの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、コイル導体層１８ｃの下流端とコイル導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、コイル導体層１８ｃの下流端とコイル導体層１８ｄの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、コイル導体層１８ｄの下流端とコイル導体層１８ｅの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ６は、コイル導体層１８ｅの下流端とコイル導体層１８ｆの上流端とを接続している。ビアホール導体ｖ１〜ｖ６は、例えば、Ａｇを主成分とする導電性材料により作製されている。
【００１９】
外部電極１４ａは、図１に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｌの外縁が連なることによって形成されている積層体１２の底面Ｓ２及び端面Ｓ３に埋め込まれており、底面Ｓ２及び端面Ｓ３に跨って設けられている。すなわち、外部電極１４ａは、ｙ軸方向から平面視したときに、Ｌ字型をなしている。ただし、外部電極１４ａは、上面Ｓ１には設けられていない。外部電極１４ａは、図３に示すように、外部導体層２５ａ〜２５ｆが積層されて構成されている。
【００２０】
外部導体層２５ａ〜２５ｆは、図３に示すように、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉをｙ軸方向に貫通しており、積層されることによって、電気的に接続されている。外部導体層２５ａ〜２５ｆは、Ｌ字型をなしており、ｙ軸方向から平面視したときに、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉのｘ軸方向の負方向側の短辺及びｚ軸方向の負方向側の長辺が交差する角に設けられている。また、外部導体層２５ａは、コイル導体層１８ａの上流端に接続されている。
【００２１】
また、外部導体層２５ａ〜２５ｆにおける積層体１２から外部に露出している部分には、図２及び図３に示すように、実装時に良好なはんだ接続性を得るために、Ｎｉめっき及びＳｎめっきが施されている。すなわち、外部電極１４ａは、外部導体層２５ａ〜２５ｆにおける端面Ｓ３及び底面Ｓ２から外部に露出している部分において、Ｎｉめっき膜５０及び該Ｎｉめっき膜５０上に設けられているＳｎめっき膜５２を更に含んでいる。Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計は、１１．６μｍ以上１７．７μｍ以下である。また、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍以上２．５４倍以下である。
【００２２】
外部電極１４ｂは、図１に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｌの外縁が連なることによって形成されている積層体１２の底面Ｓ２及び端面Ｓ４に埋め込まれており、底面Ｓ２及び端面Ｓ４に跨って設けられている。すなわち、外部電極１４ｂは、ｙ軸方向から平面視したときに、Ｌ字型をなしている。ただし、外部電極１４ｂは、上面Ｓ１には設けられていない。外部電極１４ｂは、図３に示すように、外部導体層３５ａ〜３５ｆが積層されて構成されている。
【００２３】
外部導体層３５ａ〜３５ｆは、図３に示すように、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉをｙ軸方向に貫通しており、積層されることによって、電気的に接続されている。外部導体層３５ａ〜３５ｆは、Ｌ字型をなしており、ｙ軸方向から平面視したときに、絶縁体層１６ｄ〜１６ｉのｘ軸方向の正方向側の短辺及びｚ軸方向の負方向側の長辺が交差する角に設けられている。また、外部導体層３５ｆは、コイル導体層１８ｆの下流端に接続されている。
【００２４】
また、外部導体層３５ａ〜３５ｆにおける積層体１２から外部に露出している部分には、図２に示すように、実装時に良好なはんだ接続性を得るために、Ｎｉめっき及びＳｎめっきが施されている。すなわち、外部電極１４ｂは、外部導体層３５ａ〜３５ｆにおける端面Ｓ４及び底面Ｓ２から外部に露出している部分において、Ｎｉめっき膜５０及び該Ｎｉめっき膜５０上に設けられているＳｎめっき膜５２を更に含んでいる。Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計は、１１．６μｍ以上１７．７μｍ以下である。また、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍以上２．５４倍以下である。
【００２５】
ここで、外部電極１４ａ，１４ｂのｙ軸方向の両側にはそれぞれ、絶縁体層１６ａ〜１６ｃ，１６ｊ〜１６ｌが積層されている。これにより、外部電極１４ａ，１４ｂは、側面Ｓ５，Ｓ６には露出していない。
【００２６】
（電子部品の製造方法）
以下に、本実施形態に係る電子部品１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図４ないし図９は、電子部品１０の製造時の平面図である。
【００２７】
まず、図４に示すように、硼珪酸ガラスを主成分とする絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層１１６ａ〜１１６ｄを形成する。該絶縁ペースト層１１６ａ〜１１６ｄは、コイルＬよりも外側に位置する外層用絶縁体層である絶縁体層１６ａ〜１６ｄとなるべきペースト層である。
【００２８】
次に、図５に示すように、フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層１８ａ及び外部導体層２５ａ，３５ａを形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、導電ペースト層を絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、外部導体層２５ａ，３５ａ及びコイル導体層１８ａは、絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成される。
【００２９】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ工程により、開口ｈ１及びビアホールＨ１が設けられた絶縁ペースト層１１６ｅを形成する。具体的には、感光性絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布して、絶縁ペースト層を絶縁ペースト層１１６ｄ上に形成する。更に、絶縁ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。絶縁ペースト層１１６ｅは、絶縁体層１６ｅとなるべきペースト層である。開口ｈ１は、外部導体層２５ｂ，３５ｂが２つ繋がった十字型の孔である。
【００３０】
次に、図７に示すように、フォトリソグラフィ工程により、コイル導体層１８ｂ、外部導体層２５ｂ，３５ｂ及びビアホール導体ｖ１を形成する。具体的には、Ａｇを金属主成分とする感光性導電ペーストをスクリーン印刷により塗布して、導電ペースト層を絶縁ペースト層１１６ｅ上、開口ｈ１及びビアホールＨ１内に形成する。更に、導電ペースト層にフォトマスクを介して紫外線等を照射し、アルカリ溶液等で現像する。これにより、外部導体層２５ｂ，３５ｂは、開口ｈ１内に形成され、ビアホール導体ｖ１は、ビアホールＨ１内に形成され、コイル導体層１８ｂは、絶縁ペースト層１１６ｅ上に形成される。
【００３１】
この後、図６及び図７に示す工程と同じ工程を繰り返すことにより、絶縁ペースト層１１６ｆ〜１１６ｉ、コイル導体層１８ｃ〜１８ｆ、外部導体層２５ｃ〜２５ｆ，３５ｃ〜３５ｆ及びビアホール導体ｖ２〜ｖ６を形成する。これにより、図８に示すように、絶縁ペースト層１１６ｉ上にコイル導体層１８ｆ及び外部導体層２５ｆ，３５ｆが形成される。
【００３２】
次に、図９に示すように、絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して、絶縁ペースト層１１６ｊ〜１１６ｌを形成する。該絶縁ペースト層１１６ｊ〜１１６ｌは、コイルＬよりも外側に位置する外層用絶縁体層である絶縁体層１６ｊ〜１６ｌとなるべきペースト層である。以上の工程を経て、マザー積層体１１２を得る。
【００３３】
次に、ダイシング等によりマザー積層体１１２を複数の未焼成の積層体１２にカットする。マザー積層体１１２のカット工程では、カットにより形成されるカット面において外部電極１４ａ，１４ｂを積層体１２から露出させる。
【００３４】
次に、未焼成の積層体１２を所定条件で焼成し、積層体１２を得る。更に、積層体１２に対してバレル加工を施す。
【００３５】
最後に、外部電極１４ａ，１４ｂが積層体１２から露出している部分に、Ｎｉめっきを施した後に、Ｓｎめっきを施す。この際、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１１．６μｍ以上１７．７μｍ以下となり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１がＳｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍以上２．５４倍以下となるように、Ｎｉめっき及びＳｎめっきを施す。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。
【００３６】
（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、積層体１２にひびや欠けが発生することを抑制できる。より詳細には、電子部品１０では、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１１．６μｍ以上１７．７μｍ以下となっており、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１がＳｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍以上２．５４倍以下となっている。このように、外部電極１４ａ，１４ｂのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２とを設定することによって、以下に説明する実験より、積層体１２にひびや欠けが発生することを抑制できることを、本願発明者は突き止めた。図１０は、装着機で電子部品１０をノズル２００により基板へ実装する様子を示した図である。図１１は、図１０のノズル２００のＢ−Ｂにおける断面構造図である。
【００３７】
まず、本願発明者は、電子部品１０の第１のサンプルないし第５のサンプルをそれぞれ２００個ずつ作製した。以下に、第１のサンプルないし第５のサンプルの条件を記載する。
【００３８】
第１のサンプルないし第５のサンプルのサイズ（縦×横×高さ）：０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ
第１のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：６．７μｍ
第１のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：４．９μｍ
第２のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：７．４μｍ
第２のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：４．８μｍ
第３のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：１２．７μｍ
第３のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：５．０μｍ
第４のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：４．６μｍ
第４のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：４．６μｍ
第５のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：４．４μｍ
第５のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：４．２μｍ
【００３９】
Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１及びＳｎめっき膜５２の厚みＴ２の測定は、以下に説明する方法によって測定した。具体的には、第１のサンプルないし第５のサンプルをｙ軸方向の厚みが半分になるまで研磨し、断面を露出させた。そして、第１のサンプルないし第５のサンプルの外部電極１４ａ，１４ｂの断面において、底面Ｓ２上に位置している部分のｘ軸方向の中央におけるＮｉめっき膜５０の厚みＴ１及びＳｎめっき膜５２の厚みＴ２を測定した。
【００４０】
本願発明者は、図１０に示すように第１のサンプルないし第５のサンプルを装着機でノズル２００により基板へ装着した。この際、ノズル２００から上面Ｓ１に加わるストレス（衝撃荷重）の強さを１３Ｎ及び２２Ｎとした。また、ノズル２００の先端の形状は、図１１に示すように長円状をなしている。そして、本願発明者は、吸着において、ひび及び欠けが発生した第１のサンプルないし第５のサンプルの数を評価した。表１は、実験結果を示した表である。
【００４１】
【表１】
0005888289.tif 000002
【００４２】
表１によれば、第１のサンプルないし第３のサンプルでは、２００個中０個〜２個程度のサンプルにしかひび又は欠けが発生しなかった。一方、第４のサンプル及び第５のサンプルでは、２００個中５個以上のサンプルにひび又は欠けが発生した。よって、第１のサンプルないし第３のサンプルでは、ひび又は欠けの発生が抑制され、第４のサンプル及び第５のサンプルではひび又はかけの発生が十分に抑制されていないことが分かる。
【００４３】
ここで、第１のサンプルでは、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１１．６μｍであり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍である。また、第２のサンプルでは、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１２．２μｍであり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．５４倍である。また、第３のサンプルでは、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１７．７μｍであり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の２．５４倍である。
【００４４】
一方、第４のサンプルでは、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が９．２μｍであり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．００倍である。また、第５のサンプルでは、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が８．６μｍであり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１は、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．０５倍である。
【００４５】
第１のサンプルないし第５のサンプルを比較すると、第１のサンプルないし第３のサンプルでは、第４のサンプル及び第５のサンプルよりも、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が大きく、かつ、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１がＳｎめっき膜５２の厚みＴ２に比べて大幅に大きいことが分かる。これにより、装着機でノズル２００により装着した際の衝撃が外部電極１４ａ，１４ｂによって吸収され、積層体１２のひび又は欠けが発生することが抑制されたと考えられる。以上の実験より、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２との合計が１１．６μｍ以上１７．７μｍ以下であり、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１がＳｎめっき膜５２の厚みＴ２の１．３７倍以上２．５４倍以下であることが好ましいことが分かる。
【００４６】
次に、本願発明者は、電子部品１０の第３のサンプル、第６のサンプルないし第８のサンプルをそれぞれ２００個ずつ作製した。以下に、第６のサンプルないし第８のサンプルの条件を記載する。第３のサンプルの条件については既に説明を行ったので省略する。
【００４７】
第６のサンプルないし第８のサンプルのサイズ（縦×横×高さ）：０．４ｍｍ×０．２ｍｍ×０．２ｍｍ
第６のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：５．３μｍ
第６のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：４．９μｍ
第７のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：４．９μｍ
第７のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：８．９μｍ
第８のサンプルのＮｉめっき膜５０の厚みＴ１：５．３μｍ
第８のサンプルのＳｎめっき膜５２の厚みＴ２：１３．５μｍ
【００４８】
本願発明者は、図１０に示すように第３のサンプル、第６のサンプルないし第８のサンプルを装着機でノズル２００により基板へ装着した。この際、ノズル２００から上面Ｓ１に加わるストレス（衝撃荷重）の強さを２２Ｎとした。そして、本願発明者は、基板への装着において、ひび及び欠けが発生した第３のサンプル、第６のサンプルないし第８のサンプルの数を評価した。表２は、実験結果を示した表である。
【００４９】
【表２】
0005888289.tif 000003
【００５０】
表２によれば、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１とＳｎめっき膜５２の厚みＴ２とが略同等である第６のサンプルでは、２００個中１７個のサンプルにひび又は欠けが発生した。また、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２がＮｉめっき膜５０の厚みＴ１よりも大幅に大きい第７のサンプル及び第８のサンプルでは、ひび又は欠けが発生したサンプルの数は、減少したものの２００個中２個〜３個であった。
【００５１】
これに対して、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１がＳｎめっき膜５２の厚みＴ２よりも大幅に大きい第３のサンプルでは、ひび又は欠けが発生したサンプルの数は存在しなかった。以上より、本実験によれば、Ｓｎめっき膜５２の厚みＴ２を大きくするよりも、Ｎｉめっき膜５０の厚みＴ１を大きくする方が、積層体１２にひび又は欠けが発生することを効果的に抑制できることが分かる。
【００５２】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。より詳細には、電子部品１０は、コイルＬを内蔵しているとしたが、コイル以外の回路素子（例えば、コンデンサ）等を内蔵していてもよい。
【００５３】
なお、積層体１２のカット工程において、製造ばらつきによって、上面Ｓ１と底面Ｓ２とが僅かに平行からずれる場合がある。したがって、電子部品１０において、上面Ｓ１と底面Ｓ２とは平行でなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、積層体にひびや欠けが発生することを抑制できる点で優れている。
【符号の説明】
【００５５】
Ｓ１  上面
Ｓ２  底面
Ｓ３，Ｓ４  端面
Ｓ５，Ｓ６  側面
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ，１４ｂ  外部電極
１６ａ〜１６ｌ  絶縁体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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