(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、
前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパと、を有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした温度検出部。
【請求項２】
複数枚の基板を積層して保持する基板保持具と、
前記基板保持具を収容し、該基板保持具上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出部と、を備える基板処理装置であって、
前記温度検出部は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、
前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパと、を有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした基板処理装置。
【請求項３】
複数枚の基板を保持した基板保持具を反応管に収容する工程と、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た前記熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパとを有し、前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の前記熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部が設けられ、前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に前記熱電対素線を通すようにした温度検出部により前記反応管内の温度検出を行う工程と、
前記反応管内へ処理ガスを供給し、前記基板を処理する工程と、
前記基板保持具を前記反応管から搬出する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を処理室に収容し、ヒータによって加熱した状態で処理を施す熱処理技術に関し、例えば、半導体集積回路装置（いわゆる半導体デバイス、以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体基板（例えば、半導体ウェハ）に、酸化処理や拡散処理、あるいは、イオン打ち込み後のキャリアの活性化や平坦化のためのリフロー処理やアニール処理、もしくは、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）反応による成膜処理等の熱処理を施すために使用される温度検出装置や基板処理装置や基板処理方法や半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造において、基板を熱処理するため、バッチ式縦形熱処理装置が広く使用されている。従来のこの種の熱処理装置の処理炉においては、上端が閉塞し下端が開放された略円筒形の縦型反応管の内部に、複数枚のウェハを搭載したボートを下方から挿入し、反応管の外側を囲むように設けられたヒータにより、ボート上のウェハを熱処理する。ボート上において、複数枚のウェハは、水平姿勢、かつ互いにウェハの中心を揃えた状態で多段に積層されて保持される。
反応管とヒータの間には、上端が閉塞し下端が開放された略円筒形の均熱管が設けられている。均熱管は、ヒータからウェハに輻射される熱が、場所により不均一にならないよう均等にするためのものである。
【０００３】
反応管と均熱管の間には、温度を検出するための温度検出管が設置され、該温度検出管で検出した温度に基づき、ヒータ出力、すなわちウェハ温度が所定の温度に制御される。温度検出管の内部には、温度検出素子である熱電対が挿入されており、熱電対は信号線により温度制御部と接続されている。
下記の特許文献１には、反応管とヒータを有する縦型熱処理炉において、処理炉の温度を検出するための熱電対を設置する技術が開示されている。
【０００４】
従来装置における熱電対の設置方法を、図１２〜図１５を用いて説明する。図１２は、従来の熱電対の構造を示す図であり、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図１３は、図１２のＡ−Ａ断面図であり、熱電対の水平断面図である。図１４は、図１２の熱電対を側面から見た垂直断面図である。図１５は、従来の熱電対の支持状態を示す図である。
図１２の例では、熱電対は、熱電対接合部４２３ａを有する第１熱電対、熱電対接合部４２３ｂを有する第２熱電対、熱電対接合部４２３ｃを有する第３熱電対、熱電対接合部４２３ｄを有する第４熱電対、熱電対接合部４２３ｅを有する第５熱電対の５つ存在する。
第１熱電対と第４熱電対は、保護管４３１ａ内に挿入されており、第２熱電対と第５熱電対は、保護管４３１ｂ内に挿入されており、第３熱電対は、保護管４３１ｃ内に挿入されている。
【０００５】
第１熱電対は、処理炉の最上部のヒータ（Ｕゾーンヒータ）の温度検出用であり、第２熱電対は、Ｕゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（ＣＵゾーンヒータ）の温度検出用であり、第３熱電対は、ＣＵゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｃゾーンヒータ）の温度検出用であり、第４熱電対は、Ｃゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（ＣＬゾーンヒータ）の温度検出用であり、第５熱電対は、処理炉の最下部のヒータ（Ｌゾーンヒータ）の温度検出用である。
【０００６】
図１２のＡ−Ａ断面図である図１３に示すように、保護管４３１ａ内において、第４熱電対が前方（処理炉の中心側）にあり、第１熱電対が後方にある。また、保護管４３１ｂ内において、第５熱電対が前方にあり、第２熱電対が後方にある。
第１熱電対の絶縁管４３２ａは断面が長円形で、２つの穴が貫通しており、その穴にプラス側の熱電対素線４２１ａとマイナス側の熱電対素線４２２ａが挿通するように収容されている。第２熱電対〜第５熱電対の絶縁管４３２ｂ〜４３２ｅも同様である。熱電対素線は、温度を熱起電力に変換する熱電対の素線部分である。
【０００７】
第１熱電対は、プラス側の熱電対素線４２１ａとマイナス側の熱電対素線４２２ａ、熱電対素線４２１ａと熱電対素線４２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部４２３ａ、熱電対素線４２１ａと熱電対素線４２２ａとを互いに絶縁するための絶縁管４３２ａ、絶縁管４３２ａの上端を閉塞するキャップ４３４ａ等から構成される。
【０００８】
図１４は、第１熱電対の側面図である。図１４に示すように、熱電対素線４２１ａと熱電対素線４２２ａ（熱電対素線４２２ａは不図示）は、均熱管２２１の内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部４２３ａが設けられている。
熱電対素線４２１ａと熱電対素線４２２ａは、互いに短絡することのないよう、２穴の絶縁管４３２ａ内にそれぞれ収容されている。絶縁管４３２ａの上端には、熱電対接合部４２３ａを封止するように、キャップ４３４ａが取り付けられている。絶縁管４３２ａは、保護管４３１ａ内に挿入されており、保護管４３１ａは、その下部を保護管ホルダ４３６により固定されている。また、鉛直方向に延在する絶縁管４３２ａは、その下部を、水平方向に延在する絶縁管４３３ａと当接しており、絶縁管４３３ａは保護管ホルダ４３６に固定されている。
絶縁管４３２ａ内を鉛直方向に通過する熱電対素線４２１ａと熱電対素線４２２ａは、絶縁管４３２ａの下端で９０度方向を変えて、絶縁管４３３ａ内を水平方向に通過し、温度制御部（不図示）に接続されている。
【０００９】
第１熱電対と同様に、第２熱電対は、プラス側の熱電対素線４２１ｂとマイナス側の熱電対素線４２２ｂ、熱電対素線４２１ｂと熱電対素線４２２ｂがそれらの先端部で接合された熱電対接合部４２３ｂ、熱電対素線４２１ｂと熱電対素線４２２ｂとを互いに絶縁するための絶縁管４３２ｂ、絶縁管４３２ｂの上端を閉塞するキャップ４３４ｂ等から構成される。
第３熱電対は、プラス側の熱電対素線４２１ｃとマイナス側の熱電対素線４２２ｃ、熱電対素線４２１ｃと熱電対素線４２２ｃがそれらの先端部で接合された熱電対接合部４２３ｃ、熱電対素線４２１ｃと熱電対素線４２２ｃとを互いに絶縁するための絶縁管４３２ｃ、絶縁管４３２ｃの上端を閉塞するキャップ４３４ｃ等から構成される。
第４熱電対は、プラス側の熱電対素線４２１ｄとマイナス側の熱電対素線４２２ｄ、熱電対素線４２１ｄと熱電対素線４２２ｄがそれらの先端部で接合された熱電対接合部４２３ｄ、熱電対素線４２１ｄと熱電対素線４２２ｄとを互いに絶縁するための絶縁管４３２ｄ、絶縁管４３２ｄの上端を閉塞するキャップ４３４ｄ等から構成される。
第５熱電対は、プラス側の熱電対素線４２１ｅとマイナス側の熱電対素線４２２ｅ、熱電対素線４２１ｅと熱電対素線４２２ｅがそれらの先端部で接合された熱電対接合部４２３ｅ、熱電対素線４２１ｅと熱電対素線４２２ｅとを互いに絶縁するための絶縁管４３２ｅ、絶縁管４３２ｅの上端を閉塞するキャップ４３４ｅ等から構成される。
【００１０】
そして、図１５に示すように、従来は、プラス側の熱電対素線４２１とマイナス側の熱電対素線４２２を、その下部の熱電対素線支持部４２４において固定状態となるようにしている。具体的には、熱電対素線４２１と熱電対素線４２２は、絶縁管４３２と絶縁管４３３から構成されるＬ字部でＬ字状に屈曲する。したがって、熱電対素線４２１と熱電対素線４２２の下部は、鉛直方向に対して実質的に固定状態となる。
なお、熱電対素線４２１ａ〜４２１ｅを熱電対素線４２１、熱電対素線４２２ａ〜４２２ｅを熱電対素線４２２、熱電対接合部４２３ａ〜４２３ｅを熱電対接合部４２３、絶縁管４３２ａ〜４３２ｅを絶縁管４３２、絶縁管４３３ａ〜４３３ｅを絶縁管４３３、キャップ４３４ａ〜４３４ｅをキャップ４３４と総称する。
【００１１】
図１６は、従来の熱電対の膨張収縮状態を示す図であり、図１６（ａ）は熱処理前の待機状態（５００℃）、図１６（ｂ）は熱処理中のプロセス状態（１２００℃）、図１６（ｃ）は熱処理後の待機状態（５００℃）である。図１６（ａ）の待機状態から図１６（ｂ）の熱処理状態になると、熱電対素線４２１，４２２と絶縁管４３２が熱膨張し、絶縁管４３２上端から熱電対素線が飛出し、ΔＬだけ長くなる。飛出し量ΔＬは、熱電対素線４２１，４２２と絶縁管４３２の膨張差で決定される為、膨張差の少ない絶縁管材料を選択している。図１６（ｂ）の熱処理状態から図１６（ｃ）の待機状態になると、熱電対素線４２１と熱電対素線４２２が熱収縮し、ΔＬだけ短くなって元の長さに戻る。
【００１２】
これらの熱膨張や熱収縮を繰り返すと、熱電対素線４２１や４２２の自重や絶縁管４３２との摩擦力等の経時変化で、熱電対素線４２１や４２２の粒界ずれや引掛りが発生する。粒界ずれとは、熱処理により熱電対素線４２１や４２２の結晶粒が肥大化し、隣接する結晶粒間の結晶粒界が、熱膨張や熱収縮に伴う応力によりずれることである。
図１７は、従来の熱電対が断線する様子を示す図であり、図１７（ａ）は待機状態、図１７（ｂ）は熱処理状態を示す。図１７（ａ）の待機状態と、図１７（ｂ）の熱処理状態を繰り返すと、例えば熱電対素線４２２が伸びて素線変形部４１１が発生し、絶縁管４３２との摩擦力が大きくなる。また、絶縁管４３２が絶縁管４３３から上方に離間する。
更に経時変化が進行すると、図１７（ｃ）に示すように、熱収縮時において、熱電対素線４２２が絶縁管４３２に拘束される拘束力が強くなり、熱電対素線４２１への引張り応力が大きくなる。最終的には、熱電対素線４２２の引張り強度を超過し、断線部４１２において断線に至る。
【００１３】
また、従来の熱電対設置方法では、上述のように、熱電対素線４２１や４２２の下部を固定しているので、熱電対接合部４２３の位置、つまり温度測定位置が熱電対素線４２１や４２２の熱膨張によって少なからず変化する。例えば、熱電対素線長さ１５００ｍｍ、周囲温度１２００℃において、温度測定位置が約１９ｍｍシフトする。このため、正確な温度測定が難しく、適切な温度制御を行うことが容易ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−３１１７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる温度検出装置や基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するための、本発明に係る温度検出装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持された温度検出装置。
【発明の効果】
【００１７】
上記の構成により、経時変化により熱電対素線が断線することや、熱電対接合部の位置ずれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態における基板処理装置の斜透視図である。
【図２】本発明の実施形態における処理炉の垂直断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態における熱電対の構造を示す図である。
【図５】図４の熱電対の水平断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態における熱電対の構造を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態における熱電対の膨張収縮状態を示す図である。
【図９】本発明の第３実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
【図１０】本発明の第３実施形態における熱電対の構造を示す図である。
【図１１】図１０の熱電対の水平断面図である。
【図１２】従来の熱電対の構造を示す図である。
【図１３】図１２の熱電対の水平断面図である。
【図１４】図１２の熱電対を側面から見た垂直断面図である。
【図１５】従来の熱電対の支持状態を示す図である。
【図１６】従来の熱電対の膨張収縮状態を示す図である。
【図１７】従来の熱電対が断線する様子を示す図である。
【図１８】本発明の第４実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
【図１９】本発明の第４実施形態における熱電対構造の一例を示す図である。
【図２０】図１９の熱電対の水平断面図である。
【図２１】本発明の第４実施形態における熱電対構造の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１実施形態）
本発明を実施するための形態において、半導体装置（ＩＣ等）の製造工程の１工程としての熱処理による基板処理工程を実施する基板処理装置の構成例について、図１を用いて説明する。
図１は、本発明の第１〜第４の各実施形態における基板処理装置の斜透視図である。図１に示すように、本発明の各実施形態に係る基板処理装置１０は、筐体１０１を備え、シリコン等からなる基板であるウェハ２００を筐体１０１内外へ搬送するために、ウェハキャリア（基板収容器）としてカセット１１０が使用される。
【００２０】
筐体１０１の正面前方側にはカセットステージ１０５が設置されている。カセット１１０は、筐体１０１外の工程内搬送装置（図示せず）によって、カセットステージ１０５上に搬入、載置され、また、カセットステージ１０５上から筐体１０１外へ搬出される。
筐体１０１内の前後方向における略中央部には、カセット棚１１４が設置されている。カセット棚１１４は、複数個のカセット１１０を保管する。カセット棚１１４の一部として、移載棚１２３が設けられ、移載棚１２３には、後述するウェハ移載機構１１２の搬送対象となるカセット１１０が収納される。
カセットステージ１０５とカセット棚１１４との間には、カセット搬送装置１１５が設置されている。カセット搬送装置１１５は、カセットステージ１０５、カセット棚１１４、移載棚１２３の間で、カセット１１０を搬送する。
【００２１】
カセット棚１１４の後方には、ウェハ移載機構１１２が設置されている。ウェハ移載機構１１２は、ウェハ２００を移載棚１２３上のカセット１１０内からピックアップして、後述するボート（基板保持具）２１７へ装填（チャージング）したり、ウェハ２００をボート２１７から脱装（ディスチャージング）して、移載棚１２３上のカセット１１０内へ収納したりすることができる。
【００２２】
筐体１０１の後側上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ１１６により開閉可能なように構成されている。処理炉２０２の構成については後述する。
処理炉２０２の下方には、ボート２１７を昇降させて処理炉２０２内外へ搬送する機構としてのボートエレベータ１２１が設置されている。ボートエレベータ１２１には、昇降台としてのアーム１２２が設置されている。アーム１２２上には、シールキャップ２１９が水平姿勢で設置されている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を鉛直に支持するとともに、ボートエレベータ１２１によりボート２１７が上昇したときに、処理炉２０２の下端部を気密に閉塞する蓋体として機能するものである。ボート２１７の構成については後述する。
【００２３】
（処理炉の構成）
次に、第１〜第４の各実施形態における処理炉２０２の構成について、図２を用いて説明する。図２は、基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。この実施形態においては、処理炉２０２は、バッチ式縦形ホットウオール形の熱処理炉として構成されている。
【００２４】
（反応管と均熱管）
処理炉２０２は、その内側に、縦形の反応管２２２を備えている。反応管２２２は、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が鉛直になるように縦向きに配置されている。
反応管２２２内には、基板保持具としてのボート２１７によって水平姿勢で多段に積層された複数枚のウェハ２００を収容して処理する処理室２０４が形成される。反応管２２２の内径は、ウェハ２００群を保持するボート２１７の最大外径よりも大きくなるように設定されている。
反応管２２２は、本例では、石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。
【００２５】
反応管２２２の外側には、後述するヒータユニット２０８から反応管２２２へ輻射される熱の均一化を図る均熱管２２１が設けられている。均熱管２２１は、反応管２２２と同様に、上端が閉塞され下端が開口された略円筒形状をしており、開口された下端が下方を向くように、かつ、筒方向の中心線が鉛直になるように縦向きに配置されている。
均熱管２２１は、反応管２２２より大きく、かつ、反応管２２２と略相似形状であり、反応管２２２の外側を取り囲むように同心円状に被せられている。均熱管２２１の下端部は、筐体１０１の一部である金属製のベース２０９によって支えられている。
均熱管２２１は、本例では、石英（ＳｉＯ２）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、略円筒形状に一体成形されている。
【００２６】
反応管２２２の下端部は、その水平断面が略円形リング形状であるマニホールド２０６によって気密に封止されている。反応管２２２は、その保守点検作業や清掃作業のために、マニホールド２０６に着脱自在に取り付けられている。マニホールド２０６が筐体１０１に支持されることにより、反応管２２２は、筐体１０１に鉛直に据え付けられた状態になっている。マニホールド２０６の下端開口は、ウェハ２００群を保持したボート２１７を出し入れするための炉口２０５を構成している。
【００２７】
（基板保持具）
マニホールド２０６には、マニホールド２０６の下端開口を閉塞するシールキャップ２１９が、鉛直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は反応管２２２の外径と同等以上の外径を有する円盤形状に形成されており、反応管２２２の外部に鉛直に設備されたボートエレベータ１２１によって、前記円盤形状を水平姿勢に保った状態で鉛直方向に昇降されるように構成されている。
シールキャップ２１９上には、ウェハ２００を保持する基板保持具としてのボート２１７が鉛直に支持されるようになっている。ボート２１７は、上下で一対の端板と、両端板間に渡って鉛直に設けられた複数本、本例では３本のウェハ保持部材（ボート支柱）とを備えている。端板及びウェハ保持部材は、例えば、石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料から構成される。
【００２８】
各ウェハ保持部材には、水平方向に刻まれた多数条の保持溝が、長手方向にわたって等間隔に設けられている。各ウェハ保持部材は、保持溝が互いに対向し、各ウェハ保持部材の保持溝の鉛直位置（鉛直方向の位置）が一致するように設けられている。ウェハ２００の周縁が、複数本のウェハ保持部材における同一の段の保持溝内に、それぞれ挿入されることにより、複数枚（例えば、５０〜１５０枚程度）のウェハ２００は、水平姿勢、かつ互いにウェハの中心を揃えた状態で鉛直方向に多段に積層されて保持される。
【００２９】
また、ボート２１７とシールキャップ２１９との間には、保温筒２１０が設けられている。保温筒２１０は、例えば、石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料から構成されている。保温筒２１０によって、後述するヒータユニット２０８からの熱が、マニホールド２０６側に伝わるのを抑止する。
【００３０】
シールキャップ２１９の下側（処理室２０４と反対側）には、ボート２１７を回転させるボート回転機構２３７が設けられている。ボート回転機構２３７のボート回転軸は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。ボート回転軸を回転させることにより、処理室２０４内にてウェハ２００を回転させることが可能となる。シールキャップ２１９は、上述のボートエレベータ１２１によって鉛直方向に昇降されるように構成されており、これにより、ボート２１７を処理室２０４内外に搬送することが可能となっている。
ボート回転機構２３７及びボートエレベータ１２１は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、ボート回転機構２３７及びボートエレベータ１２１が所望のタイミングにて所望の動作をするように制御する。
【００３１】
（ヒータユニット）
均熱管２２１の外部には、反応管２２２内を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱する加熱機構としてのヒータユニット２０８が、均熱管２２１を包囲するように設けられている。ヒータユニット２０８は、基板処理装置１０の筐体１０１に支持されることにより鉛直に据え付けられた状態になっており、例えば、カーボンヒータ等の抵抗加熱ヒータにより構成されている。
【００３２】
（温度検出装置）
均熱管２２１と反応管２２２の間には、温度測定素子である熱電対を内蔵し保護する保護管３１が、鉛直方向に延在するように設置されている。保護管３１の下端は、保護管ホルダ３６により支持され固定されている。
保護管３１は、炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性の高い材料によって、円筒形状に形成され、その長さは約１５００ｍｍ、外径は約８ｍｍであり、上端は閉じられ、下端に開口部を有する。その開口部から、熱電対素線を収容した絶縁管を挿入する。こうして、熱電対素線を腐食性ガスに曝さないようにするとともに、絶縁管や熱電対から発生する汚染物質を拡散させないようになっている。絶縁管や熱電対素線については後述する。
保護管ホルダ３６は、アルミナやステンレス等によって形成され、保護管３１を支える鉛直部分と、熱電対素線を挿通して処理室２０４外へ導く水平部分を備える。
【００３３】
均熱管２２１と反応管２２２の間の空間は、大気が流通する大気雰囲気であり、処理室２０４内と気密に隔離されており、処理ガスが侵入することがなく、また、均熱管２２１と反応管２２２の間の空間の大気が、処理室２０４内に侵入することのない構造となっている。ヒータユニット２０８と熱電対は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、処理室２０４内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、前記熱電対により検出された温度情報に基づいてヒータユニット２０８への通電量を制御する。
【００３４】
第１実施形態においては、図３に示すように、熱電対素線２１と熱電対素線２２の上端を、熱電対素線支持部２４において支持するようにしている。図３は、本発明の第１実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。熱電対素線支持部２４は、熱電対素線２１，２２を通すために後述する絶縁管３２に設けられた２つの貫通穴の間の壁部の上端３２ｋである。また、熱膨張時においても熱電対素線の下部が拘束されない自由状態を保つようにしている。
これらの構成により、熱膨張時において、熱電対素線２１と熱電対素線２２が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することや拘束力を受けることを抑制でき、その結果、熱電対素線２１，２２と絶縁管３２との間に大きな摩擦力が発生することを抑制できる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
【００３５】
図４は、本発明の第１実施形態における温度検出装置の構造を示す図である。図４（ａ）は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。図５は、図４のＡ−Ａ部における水平断面図である。
第１実施形態においては、図４（ａ）に示すように、熱電対の保護管は、保護管３１ａ、保護管３１ｂ、保護管３１ｃの３本存在する。各保護管は、その下端を保護管ホルダ３６で支持されている。詳しくは、保護管ホルダ３６は、基板処理装置１０の筐体１０１に部品を介して固定され、保護管３１を挿入固定して保護管３１が鉛直方向に直立するよう保持している。
【００３６】
また、各保護管３１内には、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２を収容し該熱電対素線２１，２２を互いに絶縁するための絶縁管３２が、１本ずつ挿入されている。図４（ａ）（ｂ）に示すように、絶縁管３２の下端は、絶縁管ストッパ３３に挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ３３の下端は、保護管ホルダ３６の底部により支持されている。
絶縁管３２と絶縁管ストッパ３３の材質は、例えばアルミナであり、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２の材質は、例えばそれぞれ、白金ロジウム合金と白金である。
【００３７】
なお、保護管３１ａ〜３１ｃを保護管３１と総称する。また、後述する熱電対素線２１ａ〜２１ｅを熱電対素線２１、熱電対素線２２ａ〜２２ｅを熱電対素線２２、熱電対接合部２３ａ〜２３ｅを熱電対接合部２３、絶縁管３２ａ〜３２ｃを絶縁管３２、絶縁管ストッパ３３ａ〜３３ｃを絶縁管ストッパ３３、キャップ３４ａ〜３４ｃをキャップ３４と総称する。
【００３８】
第１実施形態においては、処理炉の５つのヒータゾーンに対し、それぞれ熱電対を配置している。第１熱電対は、処理炉の最上部のヒータ（Ｕゾーンヒータ）の温度検出用であり、第２熱電対は、Ｕゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（ＣＵゾーンヒータ）の温度検出用であり、第３熱電対は、ＣＵゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｃゾーンヒータ）の温度検出用であり、第４熱電対は、Ｃゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（ＣＬゾーンヒータ）の温度検出用であり、第５熱電対は、処理炉の最下部のヒータ（Ｌゾーンヒータ）の温度検出用である。
【００３９】
第１熱電対を構成する第１温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ａとマイナス側の熱電対素線２２ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第２熱電対を構成する第２温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｂとマイナス側の熱電対素線２２ｂ、熱電対素線２１ｂ，２２ｂがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｂ、熱電対素線２１ｂ，２２ｂを互いに絶縁するための絶縁管３２ｂ、絶縁管３２ｂの上端を閉塞するキャップ３４ｂ、絶縁管ストッパ３３ｂ、保護管３１ｂ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第３熱電対を構成する第３温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｄとマイナス側の熱電対素線２２ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第４熱電対を構成する第４温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｅとマイナス側の熱電対素線２２ｅ、熱電対素線２１ｅ，２２ｅがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｅ、熱電対素線２１ｅ，２２ｅを互いに絶縁するための絶縁管３２ｂ、絶縁管３２ｂの上端を閉塞するキャップ３４ｂ、絶縁管ストッパ３３ｂ、保護管３１ｂ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第５熱電対を構成する第５温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｃとマイナス側の熱電対素線２２ｃ、熱電対素線２１ｃ，２２ｃがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｃ、熱電対素線２１ｃ，２２ｃを互いに絶縁するための絶縁管３２ｃ、絶縁管３２ｃの上端を閉塞するキャップ３４ｃ、絶縁管ストッパ３３ｃ、保護管３１ｃ、保護管ホルダ３６等から構成される。
【００４０】
図４（ａ）で示すと、第１熱電対用の熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの先端のキャップ３４ａの位置に配置され、第２熱電対用の熱電対接合部２３ｂは、絶縁管３２ｂの先端のキャップ３４ｂの位置に配置され、第３熱電対用の熱電対接合部２３ｄは、絶縁管３２ａの中間の３２ａｍの位置に配置され、第４熱電対用の熱電対接合部２３ｅは、絶縁管３２ｂの中間の３２ｂｍの位置に配置され、第５熱電対用の熱電対接合部２３ｃは、絶縁管３２ｃの先端のキャップ３４ｃの位置に配置されている。
【００４１】
図４や図５に示すように、保護管３１ａ内には絶縁管３２ａが挿入されている。保護管３１ｂ内には絶縁管３２ｂが挿入されている。保護管３１ｃ内には絶縁管３２ｃが挿入されている。保護管ホルダ３６内において、絶縁管３２ａの下端は絶縁管ストッパ３３ａで支持され、絶縁管３２ｂの下端は絶縁管ストッパ３３ｂで支持され、絶縁管３２ｃの下端は絶縁管ストッパ３３ｃで支持されている。
【００４２】
図５に示すように、絶縁管３２ａは、断面が円形で４つの穴が貫通しており、その４つの穴に、第１熱電対用の熱電対素線２１ａ，２２ａと第３熱電対用の熱電対素線２１ｄ，２２ｄが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管３２ｂは、断面が円形で４つの穴が貫通しており、その４つの穴に、第２熱電対用の熱電対素線２１ｂ，２２ｂと第４熱電対用の熱電対素線２１ｅ，２２ｅが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管３２ｃは、断面が円形で４つの穴が貫通しており、そのうち２つの穴に、第５熱電対用の熱電対素線２１ｃ，２２ｃが挿通し収容されるようになっている。
【００４３】
図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である図５に示すように、絶縁管３２ａ内において、第３熱電対が前方（処理室２０４の中心側）にあり、第１熱電対が後方にある。また、絶縁管３２ｂ内において、第４熱電対が前方にあり、第２熱電対が後方にある。
【００４４】
図４（ｂ）は、保護管３１ａや保護管ホルダ３６の側面図であり、第１熱電対及び第３熱電対の側面図でもある。図４（ｃ）は、絶縁管３２ａの上端にある第１熱電対の熱電対接合部２３ａ付近の垂直断面拡大図である。図４（ｄ）は、絶縁管３２ａの上端と下端の中間にある第３熱電対の熱電対接合部２３ｄ付近の垂直断面拡大図である。
図４（ｃ）に示すように、熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａ（熱電対素線２２ａは不図示）は、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部２３ａが設けられている。熱電対接合部２３ａが設けられている部分の絶縁管３２ａは、絶縁管３２ａの外周部だけが残る円筒状になっており、熱電対接合部２３ａは、熱電対素線２１ａ用の穴と熱電対素線２２ａ用の穴との境界における絶縁管３２ａの壁部の上端（図３の３２ｋに相当）により支持されている。
【００４５】
また、図４（ｄ）に示すように、熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄ（熱電対素線２２ｄは不図示）は、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端であって絶縁管３２ａの途中部分には熱電対接合部２３ｄが設けられている。熱電対接合部２３ｄが設けられている部分の絶縁管３２ａは、絶縁管３２ａの外周部の一部及び熱電対素線２１ｄ用の穴と熱電対素線２２ｄ用の穴との境界部が削除された形状になっており、熱電対接合部２３ｄは、熱電対素線２１ｄ用の穴と熱電対素線２２ｄ用の穴との境界における絶縁管３２ａの壁部の上端（図３の３２ｋに相当）により支持されている。前述の絶縁管３２ａの外周部の一部は、処理室２０４の中心側に向いた部分である。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａの他端、及び熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄの他端は、中空構造の保護管ホルダ３６内において、絶縁管３２ａの下端から鉛直方向に出て素線保持部３５内を水平方向に挿通し、処理室２０４外の温度制御部（不図示）に接続されている。保護管ホルダ３６内において、各熱電対素線は、８００℃程度までの耐熱絶縁チューブ（例えば、セラミック繊維やガラス繊維などで編みこんだチューブ）で覆われており、互いに絶縁されている。
なお、図４（ｂ）では、熱電対素線２１ｄのみを示しているが、熱電対素線２２ｄ，２１ａ，２２ａや、絶縁管３２ｂ内の熱電対素線２１ｂ，２２ｂ，２１ｅ，２２ｅや、絶縁管３２ｃ内の熱電対素線２１ｃ，２２ｃについても、熱電対素線２１ｄと同様であるので、以下、熱電対素線２１ｄについて説明する。
【００４７】
熱電対素線２１ｄは、絶縁管３２ａの下端から鉛直下方に出た後、水平方向に向きを変え、素線保持部３５の一端３５ａ（処理室２０４の中心側）から素線保持部３５内に入っている。前記一端３５ａから保護管ホルダ３６の底部までの寸法は、例えば約１０〜１５ｍｍであり、熱膨張時に熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６に拘束されないためのバッファエリア３８が、保護管ホルダ３６内に形成されている。熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６に拘束されない状態とは、例えば、熱膨張時に熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６の底部に接触しないか、接触したとしても熱電対素線２１ｄに断線に至るような力が加わらないような状態である。
絶縁管ストッパ３３は、絶縁管３２の底部をバッファエリア３８より高い位置、つまり、素線保持部３５の一端３５ａより高い位置で支持する。これにより、バッファエリアを広くすることがより容易になる。
絶縁管ストッパ３３ａは、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管３２ａ下端からの熱電対素線２１ｄをバッファエリア３８に導くようになっている。これにより、熱電対素線が鉛直方向に直線状を保つことが容易となり、絶縁管ストッパから受ける拘束力を抑制できる。
【００４８】
このように、熱電対素線２１ｄが入る素線保持部３５の位置（３５ａ）と熱電対素線２１ｄが出る絶縁管３２の下端の位置を、保護管ホルダ３６の底部から約１０ｍｍ以上とする、つまり、バッファエリア３８より高い位置で支持することにより、熱膨張時に熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６の底部に接触して断線に至るような力で拘束されることを抑制できる。
図４（ｂ）では、バッファエリア３８内において、熱処理前後の待機状態（５００℃）における熱電対素線２１ｄを実線で、熱処理中のプロセス状態（１２００℃）における熱電対素線２１ｄを破線で示している。
【００４９】
また、熱電対素線２１ｄは、素線保持部３５内でセラミック系接着剤等により固定されている。これは、バッファエリア３８内の熱電対素線２１ｄが、処理室２０４外から引っ張られないようにするためである。
【００５０】
以上説明したように、熱電対接合部２３は絶縁管３２の上端又は途中部分で支持され、絶縁管３２は絶縁管ストッパ３３で支持され、絶縁管ストッパ３３は保護管ホルダ３６で支持されている。つまり、熱電対素線２１，２２は、その上端を絶縁管３２等により支持されている。また、熱電対素線２１，２２は、絶縁管３２の下端から出た部分が、バッファエリア３８内において保護管ホルダ３６の底部等に拘束されない状態になっている。したがって、熱膨張時において、熱電対素線２１，２２が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することを抑制でき、その結果、熱電対素線２１，２２と絶縁管３２との間に大きな摩擦力が発生することを抑制でき、熱電対素線２１，２２の断線を抑制できる。
また、絶縁管３２の線膨張係数は、熱電対素線２１，２２の線膨張係数よりも小さいものを採用しており、熱膨張に伴う熱電対接合部２３の位置、つまり温度測定位置の変化を従来よりも小さくすることができる。例えば、絶縁管３２の線膨張係数は８．１×１０−４／℃であり、熱電対素線２１の線膨張係数は１０．２×１０−４／℃であり、熱電対素線２２の線膨張係数は１０．６×１０−４／℃である。
【００５１】
（ガス供給系）
ガス供給系について、図２を用いて説明する。図２に示すように、処理室２０４内に処理ガスを供給するガスノズル２２４が、反応管２２２の側壁に沿ってして設けられ、反応管２２２の上部にノズル開口部２２４ａが設けられている。ガスノズル２２４には、処理ガス供給管２２５が接続されている。処理ガス供給管２２５には、処理ガス供給機構２２６が接続されている。処理ガス供給機構２２６は、上流から順に、処理ガスを供給する処理ガス供給源、流量制御装置としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）、及び開閉バルブを有する。主にガスノズル２２４、処理ガス供給管２２５、処理ガス供給機構２２６から処理ガス供給部が構成される。
処理ガス供給機構２２６のＭＦＣや開閉バルブは、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、処理室２０４内に供給するガスの種類が所望のタイミングにて所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるよう、ＭＦＣ及び開閉バルブを制御する。
【００５２】
（ガス排気系）
マニホールド２０６の側壁の一部には、処理室２０４内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には、上流から順に、圧力検出器としての圧力センサ２３６、圧力調整器としてのＡＰＣ（Auto  Pressure  Controller）バルブ２３２が設けられている。ＡＰＣバルブ２３２の下流には、排気管２３３を介し、真空排気装置としての真空ポンプ２３４が接続されている。主に排気管２３１、ＡＰＣバルブ２３２、真空ポンプ２３４から、反応管２２２内からガスを排気する排気部が構成される。
ＡＰＣバルブ２３２および圧力センサ２３６は、制御部２８０に電気的に接続されている。制御部２８０は、処理室２０４内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、圧力センサ２３６により検出された圧力値に基づいてＡＰＣバルブ２３２の開度を制御する。
【００５３】
（コントローラ）
制御部２８０は、図示しない操作部や入出力部を備え、基板処理装置１０の各構成部と電気的に接続されており、基板処理装置１０の各構成部を制御する。制御部２８０は、成膜等のプロセスの制御シーケンスを時間軸で示したレシピに基づく温度制御や圧力制御、流量制御および機械駆動制御を指令する。
【００５４】
（本実施形態に係る基板処理動作）
次に、本実施形態に係る基板処理動作を、ＩＣの製造方法における成膜工程を例にして説明する。この基板処理動作は、コントローラ２８０により制御される。まず、ウェハチャージングステップにおいて、ウェハ２００はボート２１７に装填される。複数枚のウェハ２００は、ボート２１７におけるチャージング状態において、その中心を揃えられて互いに平行かつ水平、多段に積載され、整列されている。
次に、ボートローディングステップにおいて、複数枚のウェハ２００を積載、保持したボート２１７は、処理室２０４に搬入（ボートローディング）される。続いて、減圧ステップにおいて、排気管２３１を介して真空ポンプ２３４により、反応管２２２の内部が所定の真空度に減圧されるとともに、昇温ステップにおいて、温度検出装置により測定した温度に基づき、ヒータユニット２０８により反応管２２２の内部が所定の温度に昇温される。
【００５５】
次に、成膜ステップにおいて、ボート２１７が回転されつつ、所定の原料ガスが、ガスノズル２２４に供給され、処理室２０４に導入される。処理室２０４に導入された原料ガスは、反応管２２２内に流出して、マニホールド２０６に開設された排気管２３１から排気される。このようにして、ウェハ２００の表面に接触しながら上下で隣合うウェハ２００と１０との間の空間を平行に流れて行く原料ガスによって、ウェハ２００の表面が成膜される。
【００５６】
以上のようにして所望の成膜処理がなされた後に、原料ガスの供給が停止され、不活性ガスにより、処理室２０４内が大気圧に復帰された後に、ボートアンローディングステップにおいて、シールキャップ２１９が下降されることによって処理室２０４の下端が開口され、ボート２１７に保持された状態で処理済みのウェハ２００群が処理室２０４から外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００５７】
第１実施形態によれば、少なくとも次の（１）〜（７）の効果を得ることができる。
（１）熱電対素線をその上部で支持し、熱電対素線の下方にバッファエリアを設けて、熱電対素線の下部を他の部材、例えば保護管ホルダの底部等で拘束されない状態としたので、熱電対素線が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することを抑制でき、熱電対素線の断線を抑制できる。
（２）熱電対素線を収容する絶縁管の下端の高さと、熱電対素線の一部を固定する素線保持部の高さを、保護管ホルダの底部から１０ｍｍ以上の高さとしたので、熱電対素線の下方に十分なバッファエリアを容易に設けることができる。
（３）熱電対素線を収容する絶縁管の下端を、熱電対素線の一部を固定する素線保持部より高い位置で支持するようにしたので、バッファエリアを広くすることがより容易になる。
（４）絶縁管ストッパに鉛直方向の貫通穴を設け、該貫通穴に熱電対素線を通すようにしたので、熱電対素線が鉛直方向に直線状を保つことが容易となり、絶縁管ストッパから受ける拘束力を抑制できる。
（５）熱電対素線を素線保持部内で固定しているので、バッファエリア内の熱電対素線が処理室外から引張力を受けることを防止できる。
（６）熱電対素線を収容する絶縁管の下端を絶縁管ストッパで支持し、絶縁管ストッパの下端を保護管ホルダの底部で支持するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に接着剤で接着しなくても済み、熱電対素線の上部を容易に支持することができる。
（７）絶縁管を、断面が円形で４つの穴が鉛直方向に貫通するよう構成し、その４つの穴に、複数の熱電対用の熱電対素線を収容しているので、保護管の直径を小さくすることができる。
【００５８】
（第２実施形態）
第２実施形態の温度検出装置の構成について、図６ないし図８を用いて説明する。なお、温度検出装置以外の構成や基板処理動作は、第１実施形態と同じであるので説明を省略する。
本実施形態においては、図６に示すように、鉛直方向（上下方向）に延在する熱電対の熱電対素線支持部２５、つまり熱電対素線の支持位置２５を、鉛直方向における熱電対素線２１，２２の概ね中間位置に設けている。図６は、第２実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。
この構成により熱膨張時において、支持位置２５より下部では、熱電対素線２１，２２の自重によって、それ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管との摩擦力増加を抑制することができ、経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。また、熱電対支持位置２５より上部では、支持位置２５から熱電対接合点２３までの距離の短縮により、熱電対自身の自重が減少し、絶縁管との摩擦力が減少するので、同様に経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
【００５９】
図７は、第２実施形態における温度検出装置の構造を示す図である。図７（ａ）は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。
第２実施形態においては、図７（ａ）に示すように、熱電対の保護管は、保護管３１ａ、保護管３１ｂの２本存在する。各保護管は、その下端を保護管ホルダ３６で支持されている。保護管ホルダ３６の構造や保護管ホルダ３６が保護管を支持する構造は、第１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００６０】
各保護管３１内には、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２を収容し、該熱電対素線２１，２２を互いに絶縁するための絶縁管３２が挿入されている。保護管３１ａには絶縁管３２ａが挿入され、保護管３１ｂには絶縁管３２ｂと絶縁管３２ｃが挿入されている。
図７（ａ）（ｂ）に示すように、絶縁管３２ａの下端は絶縁管ストッパ３３ａに挿入されて支持され、絶縁管３２ｂと絶縁管３２ｃの下端は絶縁管ストッパ３３ｂに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ３３ａ，３３ｂの下端は、保護管ホルダ３６の底部により支持されている。
絶縁管３２、絶縁管ストッパ３３、熱電対素線２１，２２の材質は、第１実施形態と同様である。
【００６１】
なお、保護管３１ａ〜３１ｂを保護管３１と総称する。また、後述する熱電対素線２１ａ〜２１ｃを熱電対素線２１、熱電対素線２２ａ〜２２ｃを熱電対素線２２、熱電対接合部２３ａ〜２３ｃを熱電対接合部２３、絶縁管３２ａ〜３２ｃを絶縁管３２、絶縁管ストッパ３３ａ〜３３ｂを絶縁管ストッパ３３、キャップ３４ａ〜３４ｃをキャップ３４と総称する。
【００６２】
第２実施形態においては、処理炉の３つのヒータゾーンに対し、それぞれ熱電対を配置している。第１熱電対は、処理炉の最上部のヒータ（Ｕゾーンヒータ）の温度検出用であり、第２熱電対は、Ｕゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｃゾーンヒータ）の温度検出用であり、第３熱電対は、Ｃゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｌゾーンヒータ）の温度検出用である。
【００６３】
第１熱電対を構成する第１温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ａとマイナス側の熱電対素線２２ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａとを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第２熱電対を構成する第２温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｂとマイナス側の熱電対素線２２ｂ、熱電対素線２１ｂ，２２ｂがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｂ、熱電対素線２１ｂ，２２ｂとを互いに絶縁するための絶縁管３２ｂ、絶縁管３２ｂの上端を閉塞するキャップ３４ｂ、絶縁管ストッパ３３ｂ、保護管３１ｂ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第３熱電対を構成する第３温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｃとマイナス側の熱電対素線２２ｃ、熱電対素線２１ｃ，２２ｃがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｃ、熱電対素線２１ｃ，２２ｃとを互いに絶縁するための絶縁管３２ｃ、絶縁管３２ｃの上端を閉塞するキャップ３４ｃ、絶縁管ストッパ３３ｂ、保護管３１ｂ、保護管ホルダ３６等から構成される。
【００６４】
図７（ａ）で示すと、第１熱電対用の熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの先端のキャップ３４ａの位置に配置され、第２熱電対用の熱電対接合部２３ｂは、絶縁管３２ｂの先端のキャップ３４ｂの位置に配置され、第３熱電対用の熱電対接合部２３ｃは、絶縁管３２ｃの先端のキャップ３４ｃの位置に配置されている。
【００６５】
図１３に示す従来例の絶縁管と同様に、絶縁管３２ａは、断面が長円形で２つの穴が貫通しており、その２つの穴に、第１熱電対用の熱電対素線２１ａ，２２ａが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管３２ｂも、絶縁管３２ａと同様の形状で、その２つの穴に、第２熱電対用の熱電対素線２１ｂ，２２ｂが挿通し収容されるようになっている。
また、絶縁管３２ｃも、絶縁管３２ａと同様の形状で、その２つの穴に、第３熱電対用の熱電対素線２１ｃ，２２ｃが挿通し収容されるようになっている。
また、図７（ａ）に示すように、絶縁管３２ｂ内において、第３熱電対が前方（処理室２０４の中心側）にあり、第２熱電対が後方にある。
【００６６】
図７（ｂ）は、保護管３１ａや保護管ホルダ３６の側面図であり、第１熱電対の側面図でもある。図７（ｃ）は、絶縁管３２ａの上端と下端の中間位置（図７（ｂ）の熱電対素線固定位置４４の位置）の垂直断面拡大図である。図７（ｄ）は、絶縁管３２ｃの上端にある第３熱電対の熱電対接合部２３ｃ付近の垂直断面拡大図である。
図７（ｃ）に示すように、熱電対素線２１ａ，２２ａは、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部２３ａが設けられている。絶縁管３２ａの上端と下端の中間位置には、熱電対素線２１ａを絶縁管３２ａに固定して支持する固定部４１と、熱電対素線２２ａを絶縁管３２ａに固定して支持する固定部４２が設けられている。
【００６７】
固定部４１は、図に向かって右側面から絶縁管３２ａの一部を抉り（えぐり）取り、プラス線である熱電対素線２１ａのみを暴露したのち、セメント等の固定剤を抉った部分に注入し固定したものである。隙間無く固定剤を注入し埋め込むことによって、抉り取りで暴露された熱電対素線２１ａが絶縁管３２ａに接着固定され、あるいは、熱電対素線２１ａを通す貫通穴が狭くなることによる摩擦の増加で、熱電対素線２１ａは固定部４１で意図的に固定されてこの部分で支持されるようになっている。
また、図７（ｃ）に示すように、いったん暴露された熱電対素線２１ａを若干曲げ、曲げた状態で固定することによって、熱電対素線２１ａの固定をさらに強化することができる。
【００６８】
固定部４２は、マイナス線である熱電対素線２２ａに対して同様の処理を行った部分である。固定部４１，４２の大きさは、上下方向は例えば２０〜３０ｍｍとし、抉りの深さは絶縁管３２ａの概ね中心部までとしており、熱電対素線２１，２２を固定支持するという目的を十分に達成するようにしている。固定部４１と固定部４２は、上下方向に、例えば５０ｍｍ程度の距離をとっているが、これは、抉り取る加工をする時に絶縁管３２ａが折れないように配慮したものである。
【００６９】
図７（ａ）において、固定部４１や固定部４２の位置を、絶縁管３２ａの中間部からやや先端部の熱電対接合部２３ａ側にずらした位置にしているのは、支持位置から下方の熱電対素線は熱膨張方向と自重方向が同方向であるのに対し、支持位置から上方のそれは逆方向なので従来構成と同様な問題が発生するリスクを伴っているため、そのリスクを抑えるためである。
【００７０】
また、図７（ｄ）に示すように、熱電対素線２１ｃ，２２ｃは、絶縁管３２ｃの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部２３ｃが設けられている。絶縁管３２ｃの上端には、熱電対素線２１ｃ，２２ｃを絶縁管３２ｃに固定して支持する固定部４３が設けられている。
【００７１】
固定部４３は、絶縁管３２ｃの先端に対し、図に向かって奥行き方向にスリット状の抉り部分を設けたのち、セメント等の固定剤を注入し固定したものである。隙間無く固定剤を注入し埋め込むことによって、抉り部分でいったん暴露された熱電対素線２１ｃ，２２ｃが絶縁管３２ｃに接着固定され、あるいは、熱電対素線２１ｃ，２２ｃを通す貫通穴が狭くなることによる摩擦の増加で、熱電対素線２１ｃ，２２ｃは固定部４３で意図的に固定されてこの部分で支持されるようになっている。
図７（ｄ）に示すように、いったん暴露された熱電対素線２１ｃ，２２ｃを若干曲げ、曲げた状態で固定することによって固定をさらに強化することができる。
固定部４３の上下方向の大きさ及び深さは、いずれも例えば２０〜３０ｍｍとしており、熱電対素線２１ｃ，２２ｃを固定支持するという目的を十分に達成するようにしている。
【００７２】
図７（ｂ）に示すように、熱電対素線２１ａ，２２ａの他端は、中空構造の保護管ホルダ３６内において、絶縁管３２ａの下端から鉛直方向に出て素線保持部３５内を水平方向に挿通し、処理室２０４外の温度制御部（不図示）に接続されている。
なお、図７（ｂ）では、熱電対素線２１ａのみを示しているが、熱電対素線２２ａ，２１ｂ，２２ｂ，２１ｃ，２２ｃについても、熱電対素線２１ａと同様である。
【００７３】
熱電対素線２１ａは、絶縁管３２ａの下端から鉛直下方に出た後、水平方向に向きを変え、素線保持部３５の一端３５ａから素線保持部３５内に入っている。前記一端３５ａから保護管ホルダ３６の底部までの寸法は、第１実施形態と同様に、例えば約１０〜１５ｍｍであり、熱膨張時に熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６に拘束されないためのバッファエリア３８が、保護管ホルダ３６内に形成されている。
絶縁管ストッパ３３は、第１実施形態と同様に、絶縁管３２の底部をバッファエリア３８より高い位置で支持するもので、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管３２ａ下端からの熱電対素線２１ａをバッファエリア３８に導くようになっている。
【００７４】
このように、熱電対素線２１ａが入る素線保持部３５の位置と絶縁管３２の下端の位置を、バッファエリア３８より高い位置で支持することにより、熱膨張時に熱電対素線２１ｄが保護管ホルダ３６の底部に接触して断線に至るような力で拘束されることを抑制できる。
図７（ｂ）では、バッファエリア３８内において、熱処理前後の待機状態（５００℃）における熱電対素線２１ａを実線で、熱処理中のプロセス状態（１２００℃）における熱電対素線２１ａを破線で示している。
また、熱電対素線２１ａは、第１実施形態と同様に、素線保持部３５内で固定されている。
【００７５】
図８は、第２実施形態における第１熱電対の膨張収縮状態を示す図であり、図８（ａ）は熱処理前後の待機状態（５００℃）、図８（ｂ）は熱処理中のプロセス状態（１２００℃）である。図８（ａ）の待機状態から図８（ｂ）の熱処理状態になると、熱電対素線２１ａ，２２ａと絶縁管３２ａが熱膨張し、絶縁管３２ａ上端から熱電対素線が飛出し、ΔＬだけ長くなる。図８（ｂ）の熱処理状態から図８（ａ）の待機状態になると、熱電対素線２１ａ，２２ａが熱収縮し、ΔＬだけ短くなって元の長さに戻る。
【００７６】
第２実施形態では、絶縁管３２ａの中間位置２５で熱電対素線２１ａ，２２ａを支持するため、支持位置２５から上方の熱電対接合部２３ａまでにおいては、熱膨張時は絶縁管３２ａ上端からの熱電対素線２１ａ，２２ａの飛出し量ΔＬが発生するが、その量は従来構成と比較して小さいために熱膨張・熱収縮の繰り返しによる引掛りが発生する確率は小さくなる。また、支持位置２５から下方のバッファエリアまでにおいては熱電対素線２１ａ，２２ａの自重によってそれ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管３２ａとの摩擦力増加を抑制することが可能となる。
【００７７】
以上説明したように、熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの上端と下端の中間位置で支持され、絶縁管３２ａは、絶縁管ストッパ３３ａで支持され、絶縁管ストッパ３３ａは、保護管ホルダ３６で支持されている。つまり、熱電対素線２１ａ，２２ａは、その中間位置を絶縁管３２ａ等により支持されている。また、熱電対素線２１ａ，２２ａは、絶縁管３２ａの下端から出た部分が、バッファエリア３８内において保護管ホルダ３６の底部等に拘束されない状態になっている。
したがって、熱膨張時において、熱電対素線２１ａ，２２ａの支持部の下部では、熱電対素線２１ａ，２２ａが自重で直線状を保ち、部分的に屈曲することを抑制できる。熱電対素線２１ａ，２２ａの支持部の上部では、絶縁管３２ａ上端からの熱電対素線２１ａ，２２ａの飛出し量ΔＬが従来よりも小さくなる。その結果、熱電対素線２１ａ，２２ａと絶縁管３２ａとの間に大きな摩擦力が発生することを抑制でき、熱電対素線２１ａ，２２ａの断線を抑制できる。
また、絶縁管３２ａの線膨張係数は、熱電対素線２１ａ，２２ａの線膨張係数よりも小さいものを採用しており、熱膨張に伴う熱電対接合部２３ａの位置、つまり温度測定位置の変化を従来よりも小さくすることができる。
【００７８】
第２実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）の効果に加えて、少なくとも次の（８）〜（１１）の効果を得ることができる。
（８）熱電対素線をその鉛直方向における中間位置で固定して支持し、熱電対素線の下方にバッファエリアを設けて、熱電対素線の下部を他の部材、例えば保護管ホルダの底部等で拘束されない状態としたので、前記中間位置の下部の熱電対素線が自重で直線状を保つことができ、部分的に屈曲することを抑制でき、熱電対素線の断線を抑制できる。また、前記中間位置の上部の熱電対素線が自重で屈曲することを、従来よりも抑制できる。
（９）熱電対素線を絶縁管の上部や中間位置で固定する際に、絶縁管の一部を抉り、その抉り部分にセメント等の接着剤を注入するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に固定することが容易となる。
（１０）熱電対素線を絶縁管の抉り部分で固定する際に、該抉り部分に露出した熱電対素線を曲げ、曲げた状態で接着剤を注入して固定するようにしたので、熱電対素線を絶縁管により確実に固定することができる。
（１１）熱電対素線を絶縁管に固定する位置を、絶縁管の中間部から先端側にずらした位置にしているので、固定位置から上方の熱電対素線が屈曲することを、より抑制できる。
【００７９】
（第３実施形態）
第３実施形態の温度検出装置の構成について、図９ないし図１１を用いて説明する。
本実施形態においては、図９に示すように、鉛直方向（上下方向）に延在する熱電対の熱電対素線支持部２６を、鉛直方向における熱電対素線２１，２２の上端に設け、該支持位置において、熱電対素線２１，２２の上端および熱電対接合部２３を、セメント等の接着剤により絶縁管に固定して支持する。
この構成により熱膨張時において、熱電対素線２１，２２の自重によって、それ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管との摩擦力増加を抑制することができ、経時変化に伴う素線変形による引掛りの発生を抑えることが可能となる。これらの構成については以下に詳しく説明する。
【００８０】
第３実施形態の基板処理装置が第１実施形態と異なる点は、熱電対素線の支持方法のみである。すなわち、第１実施形態では、熱電対素線の上端を絶縁管の貫通穴の間の壁の上端で支持するようにしたが、第３実施形態では、熱電対素線の上端を絶縁管に接着剤で固定して支持する。それ以外の点は、温度検出装置以外の構成や基板処理動作も含め、第１実施形態と同じであるので、適宜説明を省略する。
【００８１】
図１０は、第３実施形態における温度検出装置の構造を示す図である。図１０（ａ）は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。図１１は、図１０（ａ）のＡ−Ａ部における水平断面図である。なお、第３実施形態においても第１実施形態と同様に、熱電対の保護管は保護管３１ａ〜３１ｃの３本存在し、第１熱電対〜第５熱電対が存在するが、図１０では、説明を簡明にするため保護管３１ａのみを示し、保護管３１ａに関連する事項について説明する。
【００８２】
保護管３１ａ内には、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２を収容し、該熱電対素線２１，２２を互いに絶縁するための絶縁管３２ａが挿入されている（図１１参照）。
図１０（ａ）（ｂ）に示すように、保護管３１ａは、その下端を保護管ホルダ３６で支持されている。絶縁管３２ａの下端は絶縁管ストッパ３３ａに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ３３ａの下端は、保護管ホルダ３６の底部により支持されている。
【００８３】
第３実施形態においても第１実施形態と同様に、処理炉の５つのヒータゾーンに対し、第１熱電対〜第５熱電対を配置している。保護管３１ａ内には、第１実施形態と同様に、第１熱電対と第３熱電対を配置している。
第１熱電対を構成する第１温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ａとマイナス側の熱電対素線２２ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａとを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第３熱電対を構成する第３温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｄとマイナス側の熱電対素線２２ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄとを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
【００８４】
図１０（ａ）で示すと、第１熱電対用の熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの先端のキャップ３４ａの位置に配置され、第３熱電対用の熱電対接合部２３ｄは、絶縁管３２ａの中間位置に配置されている。
図１０（ａ）のＡ−Ａ断面図である図１１に示すとおり、第１実施形態の絶縁管と同様に、絶縁管３２ａは、断面が円形で４つの穴が貫通しており、その４つの穴に、第１熱電対用の熱電対素線２１ａ，２２ａと第３熱電対用の熱電対素線２１ｄ，２２ｄが挿通し収容されるようになっている。絶縁管３２ａ内において、第１熱電対が前方（処理室２０４の中心側）にあり、第３熱電対が後方にある。
【００８５】
図１０（ｂ）は、保護管３１ａや保護管ホルダ３６の側面図であり、第１熱電対及び第３熱電対の側面図でもある。図１０（ｃ）は、絶縁管３２ａの上端にある第１熱電対の熱電対接合部２３ａ付近の垂直断面拡大図である。図１０（ｃ）は、図１０（ｃ）部分を拡大し該図の正面から見た図１０（ｈ）、図１０（ｈ）部分を上から見た図１０（ｆ）、図１０（ｈ）部分を左から見た図１０（ｇ）を含む。
【００８６】
図１０（ｃ）に示すように、図に向かって奥行き方向にスリット状の抉り部５１が設けられている。絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａの上端には熱電対接合部２３ａが設けられ、抉り部５１に配置されている。抉り部５１にセメント等の固定剤が注入され、抉り部５１において、熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａおよび熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａに固定され支持される。隙間無く固定剤を注入し埋め込むことによって、抉り取りで暴露された熱電対素線２１ａ,２２ａが絶縁管３２ａに接着固定され、あるいは、熱電対素線２１ａ,２２ａを通す貫通穴が狭くなることによる摩擦の増加で、熱電対素線２１ａ,２２ａは抉り部５１で意図的に固定されてこの部分で支持される。
【００８７】
図１０（ｄ）は、絶縁管３２ａの上端と下端の中間にある第３熱電対の熱電対接合部２３ｄ付近の垂直断面拡大図である。図１０（ｄ）は、図１０（ｄ）部分を拡大し図の正面から見た図１０（ｍ）、図１０（ｍ）部分を右から見た図１０（ｎ）を含む。
図１０（ｄ）に示すように、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄの上端には熱電対接合部２３ｄが設けられている。熱電対接合部２３ｄが設けられている部分の絶縁管３２ａは、絶縁管３２ａの外周部の一部を残して抉り取られている。該抉り部５２において、熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄおよび熱電対接合部２３ｄは、セメント等の接着剤により固定されて支持されている。
【００８８】
抉り部５１，５２の大きさは、上下方向は例えば２０〜３０ｍｍとし、抉り部５２の抉りの深さは絶縁管３２ａの概ね中心部までとしており、熱電対素線２１，２２を固定支持するという目的を十分に達成するようにしている。
【００８９】
図１０（ｂ）に示すように、熱電対素線２１ａ，２２ａの他端は、中空構造の保護管ホルダ３６内において、絶縁管３２ａの下端から鉛直方向に出て素線保持部３５内を水平方向に挿通し、処理室２０４外の温度制御部（不図示）に接続されている。
熱電対素線２１ａは、絶縁管３２ａの下端から鉛直下方に出た後、水平方向に向きを変え、素線保持部３５の一端３５ａから素線保持部３５内に入っている。前記一端３５ａから保護管ホルダ３６の底部までの寸法は、第１実施形態と同様に、例えば約１０〜１５ｍｍであり、熱膨張時に熱電対素線２１ａが保護管ホルダ３６に拘束されないためのバッファエリア３８が、保護管ホルダ３６内に形成されている。
絶縁管ストッパ３３は、第１実施形態と同様に、絶縁管３２の底部をバッファエリア３８より高い位置で支持するもので、内部が鉛直方向に貫通されており、この貫通穴により絶縁管３２ａ下端からの熱電対素線２１ａをバッファエリア３８に導くようになっている。
【００９０】
このように、熱電対素線２１ａが入る素線保持部３５の位置と絶縁管３２の下端の位置を、バッファエリア３８より高い位置で支持することにより、熱膨張時に熱電対素線２１ａが保護管ホルダ３６の底部に接触して断線に至るような力で拘束されることを抑制できる。
図１０（ｂ）では、バッファエリア３８内において、熱処理前後の待機状態（５００℃）における熱電対素線２１ａを実線で、熱処理中のプロセス状態（１２００℃）における熱電対素線２１ａを破線で示している。
また、熱電対素線２１ａは、第１実施形態と同様に、素線保持部３５内で固定されている。
【００９１】
第３実施形態では、熱電対素線接合部２３や熱電対素線２１，２２の上端が、絶縁管３２で固定されて支持されるため、熱電対素線支持部２６から下方のバッファエリアまでにおいては熱電対素線２１，２２の自重によってそれ自身の直線性を高める効果が得られ、絶縁管３２ａとの摩擦力増加を抑制することが可能となる。
【００９２】
以上説明したように、熱電対接合部２３は絶縁管３２の上端又は途中部分で支持され、絶縁管３２は絶縁管ストッパ３３で支持され、絶縁管ストッパ３３は保護管ホルダ３６で支持されている。つまり、熱電対素線２１，２２は、その上端を絶縁管３２に固定されて支持されている。また、熱電対素線２１，２２は、絶縁管３２の下端から出た部分が、バッファエリア３８内において保護管ホルダ３６の底部等に拘束されない状態になっている。したがって、第１実施形態と同様の効果を得ることができ、熱電対素線２１，２２の断線を抑制できる。
【００９３】
第３実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）の効果に加えて、少なくとも次の（１２）の効果を得ることができる。
（１２）熱電対素線を絶縁管の上部や中間位置で固定する際に、絶縁管の一部を抉り、その抉り部分にセメント等の接着剤を注入するようにしたので、熱電対素線を絶縁管に固定することが容易となる。
【００９４】
（第４実施形態）
第４実施形態の温度検出装置の構成について、図１８ないし図２１を用いて説明する。
図１８は、本発明の第４実施形態における熱電対の支持状態を示す図である。第４実施形態の温度検出装置が第３実施形態（図１０）と異なるのは、熱電対素線の支持構造のみであり、他の構成は第３実施形態と同様である。第４実施形態においては、図１８に示すように、熱電対接合部２３の概ね直下において、熱電対素線２１と熱電対素線２２は外側に膨らむように曲げられて、熱電対素線２１と熱電対素線２２にそれぞれ、水平方向外側に膨らむ膨らみ部Ａと膨らみ部Ｂとが形成される。膨らみ部Ａと膨らみ部Ｂにより形成される素線幅は、熱電対素線２１と熱電対素線２２とが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。
ここで、素線幅とは、熱電対接合部２３で接合される２つの熱電対素線の膨らみ部Ａと膨らみ部Ｂの外縁が、絶縁管３２の上端よりも上方においてなす最大距離、つまり、絶縁管３２の上端面と熱電対接合部２３との間における２つの熱電対素線の外縁を水平方向に結ぶ直線のうち最も長い直線の距離である。穴幅とは、熱電対素線２１と熱電対素線２２とが挿通されている２つの貫通穴を含む楕円の長径であって、上記２つの貫通穴の外縁（図１８の例では円周）を結ぶ直線のうち最も長い直線の距離、詳しくは、絶縁管３２の上端において上記２つの貫通穴の水平断面がなす２つの円の円周を水平方向に結ぶ直線のうち最も長い直線の距離である。
【００９５】
このように、熱電対接合部２３の近傍において素線幅が穴幅よりも大きいので、熱電対素線２１と熱電対素線２２の外縁が、絶縁管３２の上端において２つの貫通穴の円周部分に引っ掛かる、つまり、絶縁管３２の上端面により支持される。
例えば前述の第１実施形態においては、素線幅が穴幅よりも大きくなるように構成されていないので、熱電対接合部２３が絶縁管３２により支持された状態において、熱電対素線２１と熱電対素線２２の重力により、熱電対接合部２３に対し外側方向の力が発生する。このため、熱電対素線２１と熱電対素線２２とが接合している熱電対接合部２３が損傷しないよう、熱電対接合部２３の大きさを大きくする等、強度を上げる必要がある。
これに対し、第４実施形態では、素線幅が穴幅よりも大きい構成としたので、Ａ熱電対素線２１と熱電対素線２２が絶縁管３２の上端面により支持された状態において、熱電対素線２１と熱電対素線２２の重力は、絶縁管３２の上端面で支持され、熱電対接合部２３にかかる力を第１実施形態よりも低減することができる。
また、基板処理装置製作の際の熱電対の組み立て時において、誤って熱電対素線が下側に引っ張られることがあっても、熱電対接合部の損傷を抑制できる。また、基板処理装置運搬時において振動により、熱電対素線に対し下側に力がかかっても、熱電対接合部の損傷を抑制できる。
【００９６】
上述したように、第４実施形態の基板処理装置が第３実施形態のそれと異なる点は、熱電対素線の支持構造のみであり、それ以外の点は、温度検出装置以外の構成や基板処理動作も含め、第３実施形態と同じであるので、適宜説明を省略する。
図１９は、第４実施形態における温度検出装置の構造の一例を示す図である。図１９（ａ）は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図１９（ｂ）は、図１９（ａ）の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。図２０は、図１９（ａ）のＡ−Ａ部における水平断面図である。なお、第４実施形態においても第３実施形態と同様に、熱電対の保護管は保護管３１ａ〜３１ｃの３本存在し、第１熱電対〜第５熱電対が存在するが、図１９では、説明を簡明にするため保護管３１ａのみを示し、保護管３１ａに関連する事項について説明する。
【００９７】
保護管３１ａ内には、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２を収容し、該熱電対素線２１，２２を互いに絶縁するための絶縁管３２ａが挿入されている（図２０参照）。
図１９（ａ）（ｂ）に示すように、保護管３１ａは、その下端を保護管ホルダ３６で支持されている。絶縁管３２ａの下端は絶縁管ストッパ３３ａに挿入されて支持されている。絶縁管ストッパ３３ａの下端は、保護管ホルダ３６の底部により支持されている。
【００９８】
第４実施形態においても第３実施形態と同様に、保護管３１ａ内には、第１熱電対と第３熱電対を配置している。
第１熱電対を構成する第１温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ａとマイナス側の熱電対素線２２ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、熱電対接合部２３ｄ近傍において絶縁管３２ａの外周を覆うカバー３７、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
第３熱電対を構成する第３温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ｄとマイナス側の熱電対素線２２ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ｄ、熱電対素線２１ｄ，２２ｄを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、熱電対接合部２３ｄ近傍において絶縁管３２ａの外周を覆うカバー３７、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
【００９９】
図１９（ａ）で示すと、第１熱電対用の熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの先端のキャップ３４ａの位置に配置され、第３熱電対用の熱電対接合部２３ｄは、絶縁管３２ａの中間位置のカバー３７の位置に配置されている。
図１９（ａ）のＡ−Ａ断面図である図２０に示すとおり、第３実施形態の絶縁管と同様に、絶縁管３２ａは、断面が円形で４つの穴が貫通しており、その４つの穴に、第１熱電対用の熱電対素線２１ａ，２２ａと第３熱電対用の熱電対素線２１ｄ，２２ｄが挿通し収容されるようになっている。絶縁管３２ａ内において、第１熱電対が前方（処理室２０４の中心側）にあり、第３熱電対が後方にある。
【０１００】
図１９（ｂ）は、保護管３１ａや保護管ホルダ３６の側面図であり、第１熱電対及び第３熱電対の側面図でもある。図１９（ｃ）は、絶縁管３２ａの上端にある第１熱電対の熱電対接合部２３ａ付近の垂直断面拡大図である。図１９（ｄ）は、図１９（ｃ）部分を上から見た図である。
図１９（ｃ）に示すように、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａの上端には熱電対接合部２３ａが設けられ、絶縁管３２ａの上端面と熱電対接合部２３ａとの間における２つの熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａは、それぞれ水平方向外側に膨らみ部を形成している。図１８で説明したように、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａとが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線２１ａと熱電対素線２２ａは、絶縁管３２ａの上端で支持される。
【０１０１】
図１９（ｅ）は、絶縁管３２ａの上端と下端の中間にある第３熱電対の熱電対接合部２３ｄ付近の垂直断面拡大図である。図１９（ｆ）は、図１９（ｅ）の側面図である。
図１９（ｅ）に示すように、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在する熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄの上端には熱電対接合部２３ｄが設けられている。熱電対接合部２３ｄが設けられている部分の絶縁管３２ａは、絶縁管３２ａの外周部の一部を残して抉り取られている。該抉り部５２において、熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄは、それぞれ水平方向外側に膨らみ部を形成している。図１８で説明したように、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄとが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線２１ｄと熱電対素線２２ｄは、絶縁管３２ａの抉り部５２の下端で支持される。
【０１０２】
抉り部５２の大きさは、上下方向は例えば１０〜３０ｍｍとし、抉り部５２の抉りの深さは絶縁管３２ａの概ね中心部までとしており、熱電対素線２１ｄ，２２ｄを支持するという目的を十分に達成するようにしている。
抉り部５２の外側には、抉り部５２内の熱電対接合部２３ｄや熱電対素線２１ｄや熱電対素線２２ｄを保護するための円筒形のカバー３７が、絶縁管３２ａの外周を囲み覆うように固定して設けられている。カバー３７の材質は、キャップ３４と同様に、例えばアルミナである。
なお、図１９（ｂ）に示すように、熱電対素線２１，２２の他端は、中空構造の保護管ホルダ３６内にあるが、保護管ホルダ３６内における構成や作用は、第３実施形態と同様である。
【０１０３】
第４実施形態の温度検出装置の他の構成例について、図２１を用いて説明する。
図２１は、第４実施形態における温度検出装置の他の構成例の構造を示す図である。図２１（ａ）は、反応管と均熱管の間にある熱電対を、処理炉の中心から見た図である。図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の温度検出装置を側面から見た垂直断面図である。
この構成例は、第２実施形態の温度検出装置（図７）において、熱電対素線の支持構造のみを変更したものであり、他の構成は第２実施形態と同様である。
【０１０４】
本構成例においては、第２実施形態と同様、図２１（ａ）に示すように、熱電対の保護管は、保護管３１ａ、保護管３１ｂの２本存在する。各保護管は、その下端を保護管ホルダ３６で支持されている。保護管ホルダ３６内の構造は、第２実施形態と同様であるので、説明を省略する。
各保護管３１内には、プラス側の熱電対素線２１とマイナス側の熱電対素線２２を収容し、該熱電対素線２１，２２を互いに絶縁するための絶縁管３２が挿入されている。保護管３１ａには絶縁管３２ａが挿入され、保護管３１ｂには絶縁管３２ｂと絶縁管３２ｃが挿入されている。
【０１０５】
本構成例においては、第２実施形態と同様に、処理炉の３つのヒータゾーンに対し、それぞれ熱電対を配置している。第１熱電対は、処理炉の最上部のヒータ（Ｕゾーンヒータ）の温度検出用であり、第２熱電対は、Ｕゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｃゾーンヒータ）の温度検出用であり、第３熱電対は、Ｃゾーンヒータの直ぐ下のヒータ（Ｌゾーンヒータ）の温度検出用である。
各熱電対を構成する各温度検出装置の構成は、第２実施形態と同様であり、例えば、第１熱電対を構成する第１温度検出装置は、プラス側の熱電対素線２１ａとマイナス側の熱電対素線２２ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａがそれらの先端部で接合された熱電対接合部２３ａ、熱電対素線２１ａ，２２ａを互いに絶縁するための絶縁管３２ａ、絶縁管３２ａの上端を閉塞するキャップ３４ａ、絶縁管ストッパ３３ａ、保護管３１ａ、保護管ホルダ３６等から構成される。
【０１０６】
図２１（ａ）で示すと、第１熱電対用の熱電対接合部２３ａは、絶縁管３２ａの先端のキャップ３４ａの位置に配置されている。
図１３に示す従来例の絶縁管と同様に、絶縁管３２ａは、断面が長円形で２つの穴が貫通しており、その２つの穴に、第１熱電対用の熱電対素線２１ａ，２２ａが挿通し収容されるようになっている。絶縁管３２ｂや絶縁管３２ｃも、絶縁管３２ａと同様の形状である。
【０１０７】
図２１（ｃ）は、絶縁管３２ａの上端にある第１熱電対の熱電対接合部２３ａ付近の垂直断面拡大図である。
図２１（ｃ）に示すように、熱電対素線２１ａ，２２ａは、絶縁管３２ａの内部を鉛直方向に延在しており、それらの上端には熱電対接合部２３ａが設けられている。熱電対接合部２３ａと絶縁管３２ａの上端面との間の熱電対素線２１ａ，２２ａには、水平方向外側に膨らむ膨らみ部が設けられている。これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線２１ａ，２２ａが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成されている。したがって、熱電対素線２１ａ，２２ａを絶縁管３２ａの上端で支持することができ、熱電対接合部２３ａにかかる力を低減できる。
【０１０８】
第４実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（７）の効果に加えて、少なくとも次の（１３）の効果を得ることができる。
（１３）熱電対接合部と絶縁管の上端面との間の熱電対素線に水平方向外側に膨らむ膨らみ部を形成し、これらの膨らみ部により形成される素線幅は、熱電対素線２１と熱電対素線２２とが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも大きくなるように構成したので、熱電対素線を絶縁管の上端で支持することができ、熱電対接合部にかかる力を低減できる。
【０１０９】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
上述した第１実施形態では、熱電対素線の上端を絶縁管の貫通穴の間の壁の上端で支持するようにしたが、第３実施形態のように、熱電対素線の上端を絶縁管に接着剤で固定して支持するようにしてもよい。
また、上述した第１実施形態や第３実施形態では絶縁管の貫通穴を４つとし、第２実施形態では絶縁管の貫通穴を２つとしたが、他の数とすることもできる。例えば、絶縁管の貫通穴を１つとし、プラス側の熱電対素線又はマイナス側の熱電対素線を通すこともできる。この場合は、１つの熱電対にプラス線用とマイナス線用の２つの絶縁管が必要となる。
【０１１０】
また、上述した第４実施形態では、熱電対素線の膨らみ部を緩やかに曲げるように形成したが、これに限られず、例えば、直角に曲げて形成することも可能である。
また、上述した第４実施形態では、熱電対素線に膨らみ部を形成し、この膨らみ部により熱電対素線を絶縁管の上端で支持するようにしたが、熱電対接合部と絶縁管の上端面との間の熱電対素線に、熱電対素線２１と熱電対素線２２とが挿通されている２つの貫通穴により形成される穴幅よりも水平方向に長い被支持体を設けるよう構成することも可能である。この被支持体は、例えばアルミナ製の棒状物体を、熱電対素線２１と熱電対素線２２に接着剤で接着することにより構成できる。このようにしても、熱電対素線に膨らみ部を形成した構成と同様に、熱電対接合部にかかる力を低減できる。
また、熱電対素線に膨らみ部を形成するのではなく、２つの貫通穴の外縁を結ぶ最小長よりも、２つの熱電対素線間の間隔を小さくすることにより、熱電対素線を絶縁管の上端面で支持することも可能である。
また、２つの熱電対素線を捩じるあるいは撚ることにより、熱電対素線を絶縁管の上端面で支持することも可能である。この場合、２つの熱電対素線が電気的にショートしないよう、２つの熱電対素線間を絶縁する。
【０１１１】
また、上述した実施形態では、処理がウェハに施される場合について説明したが、処理対象はウェハ以外の基板であってもよく、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクあるいは磁気ディスク等であってもよい。
また、上述した実施形態では、反応管と均熱管を用いるバッチ式縦形ホットウオール形装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、均熱管を用いない基板処理装置にも適用することができる。
また、本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。
【０１１２】
本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、
第１の発明は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持された温度検出装置。
【０１１３】
第２の発明は、第１の発明であって、
さらに、前記絶縁管の下端から出て水平方向に向きを変えた熱電対素線の一部を固定する素線保持部を有する温度検出装置。
【０１１４】
第３の発明は、第２の発明であって、
さらに、前記絶縁管を収容する保護管と、該保護管の下部を支持する保護管ホルダを有し、
前記絶縁管の下端は、前記保護管の下端開口から前記保護管ホルダ内に露出しており、
前記保護管ホルダ内の前記絶縁管の下端の高さと、前記素線保持部の高さが、前記保護管ホルダの底部よりも１０ｍｍ以上高い温度検出装置。
【０１１５】
第４の発明は、第１の発明ないし第３の発明であって、
さらに、前記絶縁管の下端を支持する絶縁管ストッパを有し、
前記絶縁管ストッパに設けられた鉛直方向の貫通穴に熱電対素線を通すようにした温度検出装置。
【０１１６】
第５の発明は、第２の発明ないし第４の発明であって、
前記絶縁管の下端の高さが、前記素線保持部の高さよりも高い温度検出装置。
【０１１７】
第６の発明は、第４の発明又は第５の発明であって、
前記絶縁管の下端を前記絶縁管ストッパで支持し、前記絶縁管ストッパの下端を前記護管ホルダの底部で支持するようにした温度検出装置。
【０１１８】
第７の発明は、第１の発明ないし第６の発明であって、
前記絶縁管には前記鉛直方向の貫通穴が４つ存在しており、１つの絶縁管に２組の熱電対素線を通すようにした温度検出装置。
【０１１９】
第８の発明は、第１の発明ないし第７の発明であって、
前記絶縁管の一部を抉り、その抉り部分に接着剤を注入して、前記熱電対素線を前記絶縁管に固定した温度検出装置。
【０１２０】
第９の発明は、第８の発明であって、
前記抉り部分に露出した熱電対素線を曲げた状態で接着剤を注入して固定した温度検出装置。
【０１２１】
第１０の発明は、第８の発明又は第９の発明であって、
前記熱電対素線を前記絶縁管に固定する位置を、前記絶縁管の中間部から先端側にずらした位置にした温度検出装置。
【０１２２】
第１１の発明は、
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記熱電対素線の上部又は鉛直方向における中間部を前記絶縁管に支持されたものである基板処理装置。
【０１２３】
第１２の発明は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアとを有し、
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けた温度検出装置。
この第１２の発明に対して、上述の第２の発明ないし第１１の発明の構成を適用することも可能である。
【０１２４】
第１３の発明は、第１２の発明であって、
前記被支持部は、前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線を、水平方向外側に膨らませた膨らみ部である温度検出装置。
【０１２５】
第１４の発明は、第１３の発明であって、
前記膨らみ部の水平方向の長さは、前記絶縁管の上端面における前記絶縁管の２つの貫通穴の外縁を結ぶ最大長である穴幅よりも長い温度検出装置。
【０１２６】
第１５の発明は、
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置であって、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けたものである基板処理装置。
【０１２７】
第１６の発明は、
複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、
前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する反応管と、
前記反応管の周囲に設置され、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応管内の温度検出を行うための温度検出装置と、
前記反応管内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管内からガスを排気する排気部とを備え、
前記温度検出装置は、
鉛直方向に延在するように設置され、鉛直方向の貫通穴を有する絶縁管と、
上端に熱電対接合部を有する熱電対素線であって、前記絶縁管の貫通穴に挿通され、前記絶縁管の下端から出た鉛直方向の部分が水平方向に向きを変える熱電対素線と、
前記絶縁管の下方に設けられた空間であって、前記絶縁管の下端から出た熱電対素線の熱膨張が拘束されることを抑制するバッファエリアと、を有し
前記前記絶縁管の上端面と前記熱電対接合部との間の熱電対素線に、前記絶縁管の上端面に支持される被支持部を設けたものである基板処理装置における半導体装置の製造方法であって、
複数枚の基板を保持した前記ボートを前記反応管に収容する工程と、
前記温度検出装置により前記反応管内の温度検出を行いつつ、前記反応管内を前記加熱部により所定の温度に加熱する工程と、
前記処理ガス供給部により前記反応管内へ処理ガスを供給しつつ、前記排気部により前記反応管内からガスを排気して、前記ボート上に保持した複数枚の基板を処理する工程と、
前記処理された複数枚の基板を保持したボートを前記反応管から搬出する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１２８】
１０…基板処理装置、２１…熱電対素線、２２…熱電対素線、２３…熱電対接合部、２４…熱電対素線支持部、２５…熱電対素線支持部、２６…熱電対素線支持部、３１…保護管、３２…絶縁管、３３…絶縁管ストッパ、３４…キャップ、３５…素線保持部、３６…保護管ホルダ、３７…カバー、３８…バッファエリア、４１…固定部、４２…固定部、４３…固定部、４４…熱電対素線固定位置、１００…カセット、１０１…筐体、１０５…カセットステージ、１１２…ウェハ移載機構、１１４…カセット棚、１１５…カセット搬送装置、１１６…炉口シャッタ、１２１…ボートエレベータ、１２３…移載棚、２００…ウェハ（基板）、２０２…処理炉、２０４…処理室、２０５…炉口、２０６…マニホールド、２０８…ヒータユニット、２０９…ベース、２１０…保温筒、２１７…ボート、２１９…シールキャップ、２２１…均熱管、２２２…反応管、２２４…処理ガス供給ノズル、２２４ａ…ノズル開口部、２２５…処理ガス供給管、２２６…処理ガス供給機構、２３１…ガス排気管、２３２…ＡＰＣバルブ、２３３…ガス排気管、２３４…真空ポンプ、２３６圧力センサ、２３７ボート回転機構、２８０…コントローラ、４１１…素線変形部、４１２…断線部、４２１…熱電対素線、４２２…熱電対素線、４２３…熱電接合部、４２４…熱電対素線支持部、４３１…保護管、４３２…絶縁管、４３３…絶縁管、４３４…キャップ、４３５…素線保持部、４３６…保護管ホルダ。
【図１】
0005980551.tif 000002
【図２】
0005980551.tif 000003
【図３】
0005980551.tif 000004
【図４】
0005980551.tif 000005
【図５】
0005980551.tif 000006
【図６】
0005980551.tif 000007
【図７】
0005980551.tif 000008
【図８】
0005980551.tif 000009
【図９】
0005980551.tif 000010
【図１０】
0005980551.tif 000011
【図１１】
0005980551.tif 000012
【図１２】
0005980551.tif 000013
【図１３】
0005980551.tif 000014
【図１４】
0005980551.tif 000015
【図１５】
0005980551.tif 000016
【図１６】
0005980551.tif 000017
【図１７】
0005980551.tif 000018
【図１８】
0005980551.tif 000019
【図１９】
0005980551.tif 000020
【図２０】
0005980551.tif 000021
【図２１】
0005980551.tif 000022