(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式で表される窒素含有フッ化ジケトン化合物。
【化１】
0005945531.tif 000013
（式中、Ｒｆ３は、−Ｒｆ２Ｃ（Ｏ）Ｒｆ５であり、
Ｒｆ２は、独立に、炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基を表し、
Ｒｆ５は、−ＣＦ（ＣＦ３）２である。）
【請求項２】
以下の式で表される窒素含有フッ化モノケトン化合物。
【化２】
0005945531.tif 000014
（式中、Ｒｆ２は、炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり、
Ｒｆ３は、炭素原子数２〜４の直鎖型又は分岐型のペルフルオロアルキル基であり、
式（ＩＩＩ）におけるＲｆ４は、炭素原子数２〜４の直鎖型又は分岐型のペルフルオロアルキル基であり、
式（ＩＶ）におけるＲｆ４は、炭素原子数３又は４のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ５は−ＣＦ（ＣＦ３）２である。）
【請求項３】
デバイスと、
デバイスに又はデバイスから熱を伝導するための機構を含む伝熱装置であって、
前記機構が、伝熱流体を含み、
前記伝熱流体が、以下の式で表される窒素含有フッ化ジケトン化合物又は窒素含有フッ化モノケトン化合物を含む、伝熱装置。
【化３】
0005945531.tif 000015
（式中、Ｒｆ３は、−Ｒｆ２Ｃ（Ｏ）Ｒｆ５又は炭素原子数２〜４の直鎖型又は分岐型のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ２は、炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり、
式（ＩＩＩ）におけるＲｆ４は、炭素原子数２〜４の直鎖型又は分岐型のペルフルオロアルキル基であり、
式（ＩＶ）におけるＲｆ４は、炭素原子数３又は４のペルフルオロアルキル基であり、
Ｒｆ５は−ＣＦ（ＣＦ３）２である。）
【請求項４】
前記デバイスが、マイクロプロセッサ、半導体デバイスを製造するために使用される半導体ウエハ、電力制御半導体、電気化学電池（リチウムイオン電池を含む）、配電スイッチ装置、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された又はパッケージ化されていない半導体デバイス、燃料電池、及びレーザーから選択される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
デバイスを準備することと、
機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む伝熱方法であって、
前記機構が、請求項１に記載の窒素含有フッ化ジケトン化合物を包含する伝熱流体を含む、方法。
【請求項６】
前記デバイスがはんだ付けされる電子的構成要素である、請求項５に記載の気相はんだ付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、伝熱流体として窒素含有フルオロケトンを含む装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、各種流体が伝熱のために使用されている。伝熱流体の適合性は、用途プロセスに左右される。例えば、いくつかの電気的用途では、不活性であり、高い絶縁耐力を有し、低毒性を有し、良好な環境特性を有し、かつ幅広い温度範囲にわたって良好な伝熱特性を有する伝熱流体が必要とされる。他の用途では、精密な温度制御が必要とされ、したがって、伝熱流体はプロセス温度範囲全体にわたって単一相であることが必要とされ、かつ伝熱流体特性が予測可能であることが必要とされる。すなわち、組成物が比較的一定に維持されることから、粘度、沸点などが予測可能であり、精密な温度が維持され、かつ機器を適切に設計することができる。
【０００３】
ペルフルオロカーボン、ペルフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）及びいくつかのハイドロフルオロエーテルが伝熱に使用されてきた。ペルフルオロカーボン（ＰＦＣ）は、高い絶縁耐力及び高い固有抵抗を有し得る。ＰＦＣは、不燃性であり、一般に構造体の材料に機械的に適合し、限られた溶解作用を呈することができる。加えて、ＰＦＣは、一般に、毒性が低く、操作者にとって扱い易い。ＰＦＣは、分子量分布の狭い製品を生成するような方法で製造することができる。しかしながら、ＰＦＣ及びＰＦＰＥは、地球温暖化係数を上昇させ得るほど長期環境持続性であるという１点の重大な不都合を示す恐れがある。電子部品又は電気機器の冷却に伝熱流体として現在使用されている材料としては、ＰＦＣ、ＰＦＰＥ、シリコーンオイル及び炭化水素油が挙げられる。これらの伝熱流体はそれぞれ何らかの欠点を有する。ＰＦＣ及びＰＦＰＥは、環境残留性であり得る。シリコーンオイル及び炭化水素油は、典型的に引火性である。
【０００４】
ペルフルオロケトン化合物には、幅広い特性を示す、市販の有益な化学化合物の部類が含まれる。この化合物は中性の部類に入り、場合によっては、驚くほど不活性であり、熱安定性であり、及び加水分解に対し安定性である。このような特性は、ペルフルオロケトン化合物を伝熱剤として、潤滑剤として、更には消火剤として有用なものにする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、気相はんだ付けで使用されるような、市場に必要とされる高温に対し好適である伝熱流体が引き続き必要とされている。使用温度にて熱安定性であり、かつ地球温暖化係数を低下させる程度に大気寿命の短い伝熱流体も引き続き必要とされている。提供されるフッ化ケトンは、製造しやすく、高温下で伝熱流体として良好に機能し、及び持続的に製造することができる産物を生成する。加えて、このようなフッ化ケトンは使用温度下、典型的には１７０℃以上で熱に対し安定であり、従来の物質と比較して大気寿命がより短い。これらのフッ化ケトンを含む高温伝熱用の、装置及びプロセスも必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示では、
「鎖内ヘテロ原子」とは、炭素−ヘテロ原子−炭素鎖を形成するように、炭素鎖内で炭素原子に結合している炭素以外の原子（例えば、酸素及び窒素）を意味する。
「デバイス」とは、加熱される、冷却される、又は所定の温度に維持される物体又は装置を意味する。
「不活性」とは、通常の使用状況下では一般に化学的に反応しない化学的組成物を意味する。
「機構」とは、一部のシステム又は機械設備を意味する。
「ペルフルオロ−」（例えば、「ペルフルオロアルキレン」又は「ペルフルオロアルキルカルボニル」又は「ペルフルオロ化」の場合のような、基又は部分に関して）とは、特記しない限り、炭素に結合している、フッ素で置換可能な水素原子が存在しないように、完全にフッ素化されていることを意味する。
「第三級窒素」は、水素以外に置換基を３つ有する窒素原子を意味する；及び
「末端」とは、分子の末端部分であるか、又は自身に結合した基を１つだけ有する部分又は化学基を意味する。
【０００７】
一態様では、窒素含有フッ化ジケトン化合物であって、３〜１０個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を１つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基；第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を４個以上有する、直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を１つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメントを少なくとも１つ；及び鎖内炭素原子を３〜１０個有し、場合により鎖内酸素原子を１つ以上含み得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が、ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、窒素含有フッ化ジケトン化合物が提供される。典型的には、提供されるフッ化ジケトンは、周囲気圧下で１７０℃以上の沸点を有する。
【０００８】
別の態様では、窒素含有フッ化モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素原子数１〜４のペルフルオロアルキル基により置換されてよく又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含有し、環状ペルフルオロアルキル基；第一末端の環状ペルフルオロアルキル基と結合しており、炭素原子を１〜４個有する、直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメント、並びに第二末端の分岐型ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基、を含む、窒素含有フッ化モノケトン化合物が提供される。
【０００９】
別の態様では、提供される化合物は、式
【化１】
0005945531.tif 000002
を有する：
（式中、Ｒｆ１は、炭素原子数３〜１０個であり、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであるペルフルオロアルキル基を表し、Ｒｆ２は、炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基を表し、Ｒｆ３は炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキル基又は−Ｒｆ２Ｃ（Ｏ）Ｒｆ５であり、Ｒｆ４は、Ｆ−又は炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキル基であり、かつＲｆ５は−ＣＦ（ＣＦ３）２）である。一部の実施形態では、Ｒｆ１は鎖内酸素原子を少なくとも１つ含有し得る。
【００１０】
別の態様では、デバイスと、デバイスに又はデバイスから熱を伝導するための機構を含む伝熱装置であって、この機構は、伝熱流体を含み、この伝熱流体は、窒素含有フッ化ジケトン化合物であって、３〜１０個の鎖内炭素原子を有する、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を４個以上有する、少なくとも１つの直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を１つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、及び鎖内炭素原子を３〜１０個有する第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基であって、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基がペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基、を含む、窒素含有フッ化ジケトン化合物、あるいは、場合により、窒素含有フッ化モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含む、環状ペルフルオロアルキル基、第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメントであって、炭素原子を１〜４個有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、及び第二末端の分岐型ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基、を含む窒素含有フッ化モノケトン化合物、を含む、伝熱装置が提供される。デバイスは電子的構成要素であってよい。機構は熱をデバイスに又はデバイスから伝導し、及びフッ化ケトンを含有する。装置は、例えば、電子部品の気相はんだ付けに使用することができる。
【００１１】
最後に、別の態様では、デバイスを準備することと、機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む伝熱方法が提供され、この機構は伝熱流体を含む。ここで、伝熱流体は、フッ化ケトン化合物であって、３〜１０個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を１つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基；第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を４個以上有する、直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を１つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメント；及び鎖内炭素原子を３〜１０個有し、場合により鎖内酸素原子を１つ以上含み得る、第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、上記第二のペルフルオロアルキルカルボニル基が、ペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、フッ化ケトン化合物、あるいは場合によりフッ化窒素含有モノケトン化合物であって、第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、上記ペルフルオロアルキル基が、場合により炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得るペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を有する、環状ペルフルオロアルキル基、上記第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合している炭素原子を１〜４個有するペルフルオロアルキレンセグメントで置換されてもよい、ペルフルオロアルキル基、及び第２の末端分岐ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基を含む、フッ化窒素含有モノケトン化合物を含む。
【００１２】
提供される窒素含有フッ化モノ及びジケトンは、伝熱流体に有用であり得る化合物を提供する。提供されるフッ化ケトンは熱に対する安定性が驚くほど良好である。また、これらのフッ化ケトンは、高絶縁耐力、低電気伝導率、化学的不活性さ、及び良好な環境特性をも有する。提供されるフッ化ケトンは、気相はんだ付けにも有用であり得る。
【００１３】
上記の概要は、本発明のすべての実施の開示された各実施形態を記述することを意図したものではない。以下の詳細な説明により、例示的な実施形態をより具体的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の説明において、本発明の範囲又は趣旨から逸脱することなく、その他の実施形態を想到し実施し得ることが、理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈されるべきではない。
【００１５】
他に指示がない限り、本明細書及び特許請求の範囲で使用される特徴の大きさ、量、物理特性を表わす数字はすべて、どの場合においても用語「約」によって修飾されるものとして理解されるべきである。それゆえに、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。終点による数の範囲の使用は、その範囲内（例えば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５を含む）のすべての数及びその範囲内の任意の範囲を含む。
【００１６】
例えば、気相はんだ付けなどで、市場に必要とされる高温に対し特に好適である伝熱流体が引き続き必要とされている。気相はんだ付けなどの用途では、１７０℃〜２５０℃の温度が典型的に使用され、鉛系のはんだを用いるはんだ付け用途では２００℃が特に有用であり、無鉛はんだをより高温で溶解させる際には２３０℃が有用である。この用途で使用される本発明の物質は、ペルフルオロポリエーテルの部類である。過去には、この気相はんだ付けの領域では特定のペルフルオロ化アミンが市販されてきた。ペルフルオロポリエーテルは、使用時温度下で必要とされる熱安定性を有するものの、大気寿命が非常に長く、環境中に非常に持続的に存在するという欠点を有すると同時に、フッ素含量が高いことから地球温暖化係数が高いという欠点も有する。そのため、大気寿命が非常に短いだけでなく、更には気相はんだ付けに、並びにその他の高熱伝導用途に有用である充分な安定性も保有している新しい物質が必要とされている。
【００１７】
一部のハイドロフルオロエーテルは、伝熱流体として開示されている。例示的なハイドロフルオロエーテルは、米国特許出願番号第１２／２６３，６６１号、表題「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｍａｋｉｎｇ  Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｅｔｈｅｒｓ，Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｅｔｈｅｒｓ  ａｎｄ  Ｕｓｅｓ  Ｔｈｅｒｅｏｆ」（２００８年１１月３日出願）、及び米国特許公報第２００７／０２６７４６４号（Ｖｉｔｃａｋ  ｅｔ  ａｌ．）及び同第２００８／０１３９６８３号（Ｆｌｙｎｎ  ｅｔ  ａｌ．）、及び米国特許番号第７，１２８，１３３号及び同第７，３９０，４２７号（Ｃｏｓｔｅｌｌｏ  ｅｔ  ａｌ．）に見出すことができる。しかしながら、不活性で、高い絶縁耐力、低い電気伝導率、化学的不活性、熱安定性、及び効果的熱伝導を有し、幅広い温度範囲にわたって液体であり、広い範囲の温度で良好な熱伝達特性を有し、更には地球温暖化係数が比較的低くなるように大気中での寿命が適度に短い伝熱流体が必要とされている。
【００１８】
少なくとも１７０℃の沸点を有する、好適な構造のペルフルオロ化ケトンは、必要とされる安定性、並びに必要とされる短い大気寿命を保有しているものと考えられ、ひいては高温伝熱用途で使用可能な候補になる程地球温暖化係数が低い。例えば、低分子量ケトン、Ｃ２Ｆ５ＣＯＣＦ（ＣＦ３）２は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）からＮＯＶＥＣ  ６４９として入手可能であり、より低い周囲大気圧下でも光化学的に活性であり、大気寿命は約５日程度である。分子量がより大きいペルフルオロ化窒素含有モノ又はジケトンは、ＵＶスペクトルにおいて、それらの構造によりほんの僅かに異なることが予想されるものの、同様の光化学的な寿命をもたらす同様の吸収帯を有するものと見込まれる。３〜１０個の鎖内炭素原子を有し、場合により鎖内酸素原子を１つ以上含み得る、第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基；第一末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を４個以上有する直鎖型、分岐型、又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントであって、鎖内第三級窒素原子を１つ以上含有する、ペルフルオロアルキレンセグメントを少なくとも１つ；及び鎖内炭素原子を３〜１０個有し、場合によりさない酸素原子を１つ以上含み得る第二末端の分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基を含み、第二のペルフルオロアルキルカルボニル基はペルフルオロアルキレンセグメントに結合している、窒素含有フッ化ケトン、あるいは、場合により第一末端の、置換された又は未置換の環状ペルフルオロアルキル基であって、場合により炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基で置換されてもよい又は未置換であり得る、ペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル又はペルフルオロピロリジニル基を含有している、環状ペルフルオロアルキル基；第一末端の環状ペルフルオロアルキル基に結合した直鎖型又は分岐型ペルフルオロアルキレンセグメントであって、炭素原子を１〜４個有する、ペルフルオロアルキレンセグメント、並びに第二末端の分岐ヘプタフルオロイソプロピルカルボニル基を含む、窒素含有フッ化モノケトン化合物が提供される。
【００１９】
分岐型ペルフルオロアルキルカルボニル基は、鎖内炭素原子を３〜１０個含むペルフルオロアルキル基を有する。加えて、ペルフルオロアルキルカルボニル基のアルキル部分は、炭素原子を１〜４個有する分岐型ペルフルオロアルキル基を有することができ、かつ鎖内に酸素基を１つ以上含有することもできる。
【００２０】
提供される窒素含有フッ化ケトンは、カルボニル基を１つ又は２つ含有する。提供される窒素含有フッ化ジケトンは、典型的には、直鎖型、分岐型又は環状ペルフルオロアルキレンセグメントの各末端に末端ペルフルオロアルキルカルボニル基を有するものであり、このセグメントは、２つの末端ペルフルオロアルキルカルボニル基間に実質的に結合している鎖内炭素原子又は窒素原子を４個以上有し、上記ペルフルオロアルキレンセグメントは鎖内第三級窒素原子を１個以上含有する。一部の実施形態では、提供されるジケトンは、構成Ａ−Ｂ−Ａの対称的な分子である。式中、Ａはペルフルオロアルキルカルボニル基であり、かつＢはペルフルオロアルキレンセグメントである。提供される窒素含有フッ化モノケトンは、場合により炭素原子数１〜４のペルフルオロアルキル基により置換されてもよいペルフルオロピペラジニル、ペルフルオロピペリジニル、又はペルフルオロピロリジニル基を含有する、ペルフルオロアルキル基を有する。提供される窒素含有フッ化ケトンは：
【化２】
0005945531.tif 000003
を含む化学構造を有する（式中、Ｒｆ１は炭素原子数３〜１０のペルフルオロアルキル基であって、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであり、場合により鎖内酸素を少なくとも１つ含有する、ペルフルオロアルキル基を表し；Ｒｆ２は炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり；Ｒｆ３は炭素原子数１〜４の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基又は−Ｒｆ２Ｃ（Ｏ）Ｒｆ５であり；Ｒｆ４はＦ−又は炭素原子数１〜４の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基であり；Ｒｆ５は（ＣＦ３）２ＣＦ−である）。例示的なＲｆ１基としては、（ＣＦ３）２ＣＦ−、Ｃ３Ｆ７ＯＣＦ（ＣＦ３）−、ＣＦ３ＯＣ３Ｆ６ＯＣＦ（ＣＦ３）−、Ｃ４Ｆ９ＯＣＦ（ＣＦ３）−及びＣＦ３ＯＣＦ（ＣＦ３）−が挙げられる。一部の実施形態では、提供されるフッ化ケトンは、
【化３】
0005945531.tif 000004
を含む。
【００２１】
一部の実施形態では、伝熱を必要とする装置が提供される。この装置は、デバイスと、伝熱流体を用いてデバイスへ、又はデバイスから熱を伝導する機構と、を含む。代表的な装置として、冷房システム、冷却システム、試験装置、及び機械加工装置が挙げられる。その他の例として、半導体ダイスの性能検査用自動試験装置に用いられるテストヘッド、アッシャー、ステッパー、エッチャー、ＰＥＣＶＤ装置内のシリコンウエファーの保持に使用されるウエファーチャック、恒温槽、及び熱衝撃試験用槽が挙げられる。更に他の実施形態では、提供される装置として、冷凍輸送車両、ヒートポンプ、スーパーマーケットの食料用冷却器、業務用陳列ケース、保管倉庫用冷房システム、地熱暖房システム、太陽熱暖房システム、有機ランキンサイクルデバイス、及びこれらの組み合わせを挙げることができる。
【００２２】
特定の実施形態では、提供される装置としてはデバイスが挙げられる。本明細書では、デバイスは、冷却される、加熱される、又は選択温度に維持される、構成要素、加工対象物、アセンブリなどとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例としては、限定するものではないが、マイクロプロセッサ、半導体素子製造に用いられるウエファー、出力制御用半導体、配電スイッチギヤ、電力変圧器、回路基板、マルチチップモジュール、パッケージ化された、及びパッケージ化されていない半導体素子、レーザー、化学反応器、燃料電池、及び電気化学セルが挙げられる。一部の実施形態では、デバイスとして、冷却装置、加熱装置、又はこれらの組み合わせを挙げることができる。他の実施形態では、デバイスとしては、はんだ付けされる電子的構成要素及びはんだごて（solder）を挙げることができる。典型的には、はんだ付けに必要とされる熱は、１７０℃超、２００℃超、２３０℃超、又は更にはそれ以上の温度を有する蒸気相により供給することができる。
【００２３】
特定の実施形態では、本開示は、熱を伝導する機構を含む。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触して配置されると、デバイスから熱を除去し、又は、デバイスに熱を提供し、又は、デバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向（デバイスから又はデバイスへ）は、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。
【００２４】
伝熱機構としては、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷房システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムを非制限的に含む、伝熱流体を管理するための設備を挙げることができる。好適な伝熱機構の例としては、限定するものではないが、ＰＥＣＶＤ装置内の温度制御されたウエファーチャック、ダイ性能試験用の温度制御されたテストヘッド、半導体プロセス装置内の温度制御されたワークゾーン、熱衝撃試験用槽の液体リザーバ、及び恒温槽が挙げられる。エッチャー、アッシャー、ＰＥＣＶＤチャンバー、気相はんだ付けデバイス、及び熱衝撃試験器などの一部の系では、上記所望される実用温度は１７０℃、２００℃、又は更にはそれ以上の温度に達する。
【００２５】
伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。提供される伝熱流体は、化学構造：
【化４】
0005945531.tif 000005
を有する窒素含有フッ化ケトンにより表わすことができる（式中、Ｒｆ１は、分岐型又は環状又はこれらの組み合わせであり、場合により鎖内酸素を少なくとも１つ含有する、炭素原子数３〜１０のペルフルオロアルキル基を表し；Ｒｆ２は炭素原子数１〜４の直鎖型又は分岐型ペルフルオロ化アルキレン基であり；Ｒｆ３は直鎖型又は分岐型の炭素原子数１〜４のペルフルオロアルキル基であるか、又は−Ｒｆ２Ｃ（Ｏ）Ｒｆ５であり；Ｒｆ４はＦ−であるか、又は炭素原子数１〜４の直鎖型若しくは分岐型ペルフルオロアルキル基であり；Ｒｆ５は（ＣＦ３）２ＣＦ−である）。例示的なＲｆ１基としては、（ＣＦ３）２ＣＦ−、Ｃ３Ｆ７ＯＣＦ（ＣＦ３）−、ＣＦ３ＯＣ３Ｆ６ＯＣＦ（ＣＦ３）−、Ｃ４Ｆ９ＯＣＦ（ＣＦ３）−及びＣＦ３ＯＣＦ（ＣＦ３）−が挙げられる。
【００２６】
提供される装置及び伝熱流体は、高温伝熱流体に対する市場の必要を満たす。提供される窒素含有フッ化ケトンは、安定な高温伝熱流体を提供する。一部の実施形態では、提供される窒素含有フッ化ケトンは、少なくとも７日間２３１℃の温度に加熱され、維持された場合にも、ガスクロマトグラフィ／質量分析（ＣＧ／ＭＳ）で測定される純度が実質的に変化しない安定な高温伝熱流体を提供する。
【００２７】
一実施形態では、デバイスは、半導体ダイスの性能を試験するために使用される機器を備えることができる。ダイスは、半導体基材のウエファーから切り出される個々の「チップ」である。ダイスは、半導体製造工場から入手され、必要とされる機能及びプロセッサ速度を満たすものであるか確認するために検査しなければならない。試験は、「良品保証済みダイス」（ＫＧＤ）と、性能要件を満たさないダイスとを選別するために使用される。この試験は、通常、約−８０℃〜約１００℃の範囲の温度にて行われる。
【００２８】
一部の場合では、ダイスは一つずつ試験され、個々のダイは、チャックに把持される。このチャックは、そのデザインの一部として、ダイの冷却の供給をもたらす。他の場合では、複数のダイスがチャックに把持され、連続して又は並行して試験される。この状況で、チャックは、試験手順中に複数のダイスに冷却を提供する。高温条件下でダイスの性能の特徴を判定するために高温でダイスを試験することが有利であり得る。この場合、室温を優に上回る良好な冷却性能を有する伝熱流体が有利である。一部の場合では、ダイスは、非常に低温にて試験される。例えば、相補的な金属酸化物半導体（「ＣＭＯＳ」）デバイスは、特に低温であるほど迅速に機能する。自動化試験機器（ＡＴＥ）が恒久論理ハードウェアの部品として「基板上」にＣＭＯＳデバイスを採用する場合、論理ハードウェアを低温にて維持することは有利であり得る。
【００２９】
それゆえに、ＡＴＥに最大の汎用性をもたらすために、伝熱流体は、典型的には、低温及び高温の両方にて良好に機能し（すなわち、典型的には広い温度範囲にわたって良好な伝熱特性を有し）、不活性であり（すなわち、不燃性、低毒性、非化学反応性であり）、高い絶縁耐力を有し、環境影響が低く、操作温度範囲全体にわたって予測可能な伝熱特性を有する。
【００３０】
別の実施形態では、デバイスは、エッチャーを備えることができる。エッチャーは、約７０℃〜約１５０℃の温度範囲にわたって稼働させることができる。典型的には、エッチング中、反応性プラズマを使用して、構造体に非等方散乱的にエッチングして半導体にする。半導体には、シリコンウエファーを含ませることができ、あるいは、ＩＩ−ＶＩ又はＩＩＩ−Ｖ半導体を含ませることができる。一部の実施形態では、半導体材料としては、例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ又はＧａＩｎＮＡｓといった、例えば、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料を挙げることができる。他の実施形態では、提供されるプロセスは、ＩＩ−ＶＩ半導体材料（例えば、カドミウム、マグネシウム、亜鉛、セレン、テルル、及びこれらの組み合わせを含むことができる材料など）をエッチングするのに有用であり得る。代表的なＩＩ−ＶＩ半導体材料としては、ＣｄＭｇＺｎＳｅ合金を挙げることができる。ＣｄＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＣｄＳｅ、及びＨｇＣｄＴｅなどの他のＩＩ−ＶＩ半導体材料もまた、提供されるプロセスを用いてエッチングされることができる。処理されることになる半導体は、典型的には、一定温度で保持される。したがって、温度範囲全体にわたって単相を有することができる伝熱流体が、典型的には使用される。加えて、伝熱流体は、典型的には、範囲全体にわたって予測可能な性能を有し、その結果、温度を正確に維持することができる。
【００３１】
他の実施形態では、デバイスには、約４０℃〜約１５０℃の範囲の温度で稼働するアッシャーを備えることができる。アッシャーは、ポジ型又はネガ型フォトレジストから作られる光電性有機マスクを除去できるデバイスである。これらのマスクは、エッチング中に使用されて、エッチングされる半導体上にパターンを提供する。
【００３２】
一部の実施形態では、デバイスには、約４０℃〜約８０℃の範囲の温度で稼動させることができるステッパーを備えることができる。ステッパーは、半導体製造で使用されるフォトリソグラフィの本質的な部分であり、ここで、製造に必要とされるレチクルが製造される。レチクルは、ウエファー又はマスク全体を露光するためにステッパーを用いてステッピングし、繰り返す必要があるパターン像を含有するツールである。レチクルを使用して、光電性マスクを露光するのに必要とされる光と影のパターンを作り出す。ステッパーに使用されるフィルムは、典型的には、仕上がりレチクルの良好な性能を維持するために±０．２℃の温度帯内に維持される。
【００３３】
更に他の実施形態では、デバイスには、約５０℃〜約１５０℃の範囲の温度で稼動させることができるプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）チャンバーを備えることができる。ＰＥＣＶＤのプロセスでは、ケイ素と、酸素、窒素又は炭素のうちの少なくとも１つとを含有する試薬気体混合物中で開始する化学反応により、酸化ケイ素、窒化ケイ素及び炭化ケイ素のフィルムをウエファー上で成長させることができる。ウエファーが置かれるチャックは、それぞれ選択された温度にて均一で一定の温度に保持される。
【００３４】
更に他の実施形態では、デバイスは、マイクロプロセッサなどのプロセッサのような電子デバイスを備えることができる。これらの電子デバイスが強力になるにつれて、単位時間当たりに生成する熱量も増加する。したがって、伝熱の機構は、プロセッサ性能において重要な役割を果たす。伝熱流体は、典型的には、良好な伝熱性能、良好な電気適合性（冷却板を採用するもののような「間接接触」用途で使用される場合でも）、並びに低毒性、低（又は不）燃性及び低環境影響性を有する。電気適合性が良好であるには、伝熱流体候補は、高絶縁耐力、高体積固有抵抗、及び極性物質に対する乏しい溶解性を呈することが必要とされる。加えて、伝熱流体は、良好な機械適合性を呈さなければならず、すなわち、伝熱流体は、構造体の典型的材料に悪影響を与えてはならない。
【００３５】
提供されるデバイスは、本明細書では、選択された温度にて冷却、加熱又は維持される、構成要素、部品組立体などとして定義される。このようなデバイスとしては、電気部品、機械部品及び光学部品が挙げられる。本発明のデバイスの例としては、限定するものではないが、マイクロプロセッサ、半導体デバイス製造に使用されるウエファー、電力制御半導体、配電用スイッチギヤ、電力変圧器、回路板、マルチチップモジュール、パッケージ化された及びパッケージされていない半導体デバイス、化学反応素子、燃料電池及びレーザーが挙げられる。
【００３６】
提供される装置は、伝熱機構を備える。デバイスと熱接触している伝熱機構を配置することにより、熱は伝達される。伝熱機構は、デバイスと熱接触して配置されると、デバイスから熱を除去し、又はデバイスに熱を提供し、又はデバイスを選択された温度に維持する。熱の流れの方向（デバイスから又はデバイスへ）は、デバイスと伝熱機構との間の相対的温度差によって決定される。提供される装置はまた、冷凍システム、冷却システム、試験機器及び加工機器を備えることもできる。一部の実施形態では、提供される装置は、恒温槽又は熱衝撃試験槽であることができる。
【００３７】
伝熱機構は、提供される伝熱流体を含む。加えて、伝熱機構としては、例えば、限定するものではないが、ポンプ、バルブ、流体収納システム、圧力制御システム、コンデンサー、熱交換器、熱源、ヒートシンク、冷凍システム、アクティブ温度制御システム、及びパッシブ温度制御システムが挙げられる、伝熱流体を管理するための設備を備えてもよい。好適な伝熱機構の例としては、限定するものではないが、ＰＥＣＶＤツールにおける温度制御ウエファーチャック、ダイ性能試験のための温度制御試験ヘッド、半導体加工機器内の温度制御作業領域、熱衝撃試験槽液体貯蔵室、及び恒温槽が挙げられる。恒温槽は、典型的には、広い温度範囲にわたって操作される。したがって、望ましい伝熱流体は、好ましくは、広い液体範囲及び良好な低温伝熱特性を有する。このような特性を有する伝熱流体は、恒温槽に対して非常に広い稼動範囲を可能にする。典型的には、ほとんどの試験流体は、広い温度限界に対して流体の交換を必要とする。また、良好な温度制御は、伝熱流体の物理特性を精確に予測するにあたり必須のものである。
【００３８】
他の態様では、デバイスを提供することと、機構を用いデバイスに又はデバイスから熱を伝導することとを含む、伝熱方法が提供される。この機構は、本明細書で開示される窒素含有フッ化ケトンなどの伝熱流体を含む。提供される方法には、気相はんだ付けを包含し得る。その場合のデバイスは、はんだ付けされる電子的構成要素である。
【００３９】
本発明の目的及び利点は、以下の実施例によって更に例示されるが、これらの実施例において列挙された特定の材料及びその量は、他の諸条件及び詳細と同様に本発明を過度に制限するものと解釈されるべきではない。
【実施例】
【００４０】
別途記載のない限り、すべての溶媒及び試薬はＡｌｄｒｉｃｈ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．（Ｍｉｌｗａｕｋｅｅ，ＷＩ）から入手することができる。本明細書で使用するとき、「ＮＯＶＥＣ−７２００」は、３Ｍ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手することのできるエチルペルフルオロブチルエーテルを意味する。同様に、本明細書で使用するとき、「ＨＦＰＯ」はヘキサフルオロプロペンオキシドを意味し、及び「ＨＦＰ」はヘキサフルオロプロペンを意味する。「ジグリム」は、ジエチレングリコールジメチルエーテルを意味する。
【００４１】
実施例１：１，１’−（ペルフルオロピペラジン−１，４−ジイル）ビス（１，１，３，４，４，４−ヘキサフルオロ−３−（トリフルオロメチル）ブタン−２−オン）の調製（Ｖ）
中間体：（４−エトキシカルボニルメチル−ピペラジン−１−イル）酢酸エチルエステルの調製
５Ｌの三口丸底フラスコにオーバーヘッドスターラー、水凝縮器、温度計及び滴加漏斗を取り付け、凝縮器の頂部にガラス製のＴ字管を用い、装置を窒素雰囲気下に置いた。フラスコに、ピペラジン（２３０．９ｇ，２．６８ｍｏｌ（Ａｌｄｒｉｃｈ））、メチルｔ−ブチルエーテル（２．０Ｌ）及びイソプロパノール（２８０ｇ）を加えた。混合物を５０℃に加熱し、クロロ酢酸エチル（ＣｌＣＨ２ＣＯ２Ｅｔ，６５８ｇ，５．３７ｍｏｌ（Ａｌｄｒｉｃｈ））を迅速に滴加した。イソプロパノールを更に１５０ｍＬ加え、この滴下中、混合流体を維持した。反応物中でＨＣｌを生成させて使用するために、クロロ酢酸エチルの添加終了間際にトリエチルアミン（５４２ｇ，５．３７ｍｏｌ（Ａｌｄｒｉｃｈ））を迅速に滴加し、反応混合物を１６時間５５℃に加熱した。反応混合物を冷却し、ろ過したトリエチルアミン塩酸塩（固体）及びろ過ケーキをメチルｔ−ブチルエーテルで１回洗浄した。回転蒸発によりエーテルを除去し、残留物を１４０〜１５０℃／２ｍｍ  Ｈｇの真空下で蒸留することで、純度９７％の生成物を得た。この生成物を、本質的に米国特許第２，７１３，５９３号（Ｂｒｉｃｅ  ｅｔ  ａｌ．）及びＲ．Ｅ．Ｂａｎｋｓ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，ｐａｇｅｓ  １９〜４３，Ｈａｌｓｔｅｄ  Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８２）に記載されるように２つの他の調製物と組み合わせ、Ｓｉｍｏｎｓ  ＥＣＦセルで電気化学的にフッ素化し、蒸留することで２，２’−（ペルフルオロピペラジン−１，４−ジイル）ビス（２，２−ジフルオロ酢酸フルオリド）を得た。
【００４２】
２，２’−（ペルフルオロピペラジン−１，４−ジイル）ビス（２，２−ジフルオロ酢酸フルオリド）（純度７０％，１４０ｇ，０．３３ｍｏｌ）、フッ化カリウム（９．５７ｇ，０．１６ｍｏｌ）、及びジグリム（２７０ｇ）を６００ｍＬのＰａｒｒリアクタ内で組み合わせた。リアクタを密閉し、混合物を７５℃に加熱した。ヘキサフルオロプロペン（１００ｇ，０．６６ｍｏｌ，ＭＤＡ）を気体として混合物に加えた。次に、反応混合物を１８時間撹拌して、二酸フルオリドをヘキサフルオロプロペンと最高速度で反応させた。１８時間後、反応混合物を室温に冷却し、及び真空ろ過により塩を除去した。次に液体を分液漏斗に移し、低フッ化物相をジグリム相から分離させた。同心円のチューブカラムを用い、粗生成物を分別蒸留により精製した。ＧＣ−ＦＩＤによると、最終的な試料純度は９１．４％であった。生成物の質量をＧＣ／ＭＳで確認した。７６０ｍｍＨｇ下での生成物の沸点を測定したところ、２０９℃であった。
【００４３】
実施例２：５，５’−（（トリフルオロメチル）アザンジイル）ビス（１，１，１，２，４，４，５，５−オクタフルオロ−２−ペルフルオロプロポキシ）ペンタン−３−オン）の調製（ＶＩ）
中間体：ＣＨ３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ３）２
の調製ウォーターバスで冷却し、オーバーヘッドスターラー、温度計、ガス取り込み管、及び固形二酸化炭素／アセトンを充填した凝縮器、を取り付けた、窒素雰囲気下の３Ｌの丸底フラスコに、４−メトキシフェノール（Ａｌｄｒｉｃｈ，３．５ｇ）及びメチル酢酸（Ａｌｄｒｉｃｈ，９０７ｇ，１０．５ｍｏｌ）を加えた。温度を約３０℃未満に維持しつつ、メチルアミン（Ａｌｄｒｉｃｈ，１６３ｇ，５．２５ｍｏｌ）をガス取り込み管から２時間かけてゆっくりと加えた。添加終了後、反応混合物を室温で１６時間撹拌した。次に、３ｍｍ  Ｈｇの真空下で、過剰量の酢酸メチル及び十分量の１：１の付加生成物を反応混合物から希釈し、純度９６．６％の、所望の最終生成物ＣＨ３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ３）２を得た。
【００４４】
ＣＦ３Ｎ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＦ）２の調製
米国特許第２，７１３，５９３号（Ｂｒｉｃｅ  ｅｔ  ａｌ．）及びＲ．Ｅ．Ｂａｎｋｓ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，ｐａｇｅｓ  １９〜４３，Ｈａｌｓｔｅｄ  Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８２）に記載されるようなタイプのＳｉｍｏｎｓ  ＥＣＦセルでＣＨ３Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ３）２を電気化学的にフッ素化することで化合物を調製した。分留により精製することで、純度９４．７％（ＧＣ−ＦＩＤ及びＧＣ／ＭＳ分析により測定）で化合物を得た。
【００４５】
ＣＦ３Ｎ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＦ）２（２４０ｇ，０．６３６ｍｏｌ）、フッ化セシウム（Ａｌｄｒｉｃｈ，７７ｇ，０．５１ｍｏｌ）、ペルフルオロプロピルビニルエーテル（Ｄｙｎｅｏｎ，６１８ｇ，２．３２ｍｏｌ）及びジグリム溶媒（４００ｍＬ）を、２ＬのＰａｒｒ圧力反応器内で組み合わせた。リアクタを密閉し、６５℃で７２時間加熱した。７２時間後、混合物を冷却し、試料をＧＣ−ＦＩＤにより分析した。ＧＣ−ＦＩＤによると変換率は８７％であった。生成物の混合物をフッ化セシウム塩からろ別し、１Ｌの分液漏斗に移した。下側のフルオロケトン生成物相をジグリム溶媒から取り出した。このフルオロケトン相をシリカゲルカラムに通過させ、ジグリム残渣を除去した。次に２０トレーのＯｌｄｅｒｓｈａｗカラムにより分留しケトンを精製した。生成物の質量をＧＣ／ＭＳにより確認し、構成及び純度を１Ｈ及び１９Ｆ  ＮＭＲにより確認した。この試料の純度は９８．９％であった。７６０ｍｍＨｇ下での沸点は２３１℃であると測定された。
【００４６】
実施例３：
【化５】
0005945531.tif 000006
中間体：
【化６】
0005945531.tif 000007
の調製
５５℃にて、メチルメタクリレート（５００ｇ，５．０ｍｏｌ，Ａｌｄｒｉｃｈ）／メタノール（３７５ｍＬ）溶液に１−エチルピペラジン（５７０ｇ，５．０ｍｏｌ，Ａｌｄｒｉｃｈ）を迅速に滴加した。添加終了後、反応混合物を５５℃で１６時間保持した。
【００４７】
５０ｇのメチルメタクリレートを更に加え、反応混合物を６５℃で１６時間保持した。メタノール及びほとんどの過剰量のメチルメタクリレートを回転蒸発により除去し、残留物を真空下（１０５〜１１０℃／４ｍｍＨｇ）で蒸留することで、純度９９％超のエステル（ＸＩ）を１０５１ｇ得、次にこのエステルを本質的に実施例１に記載されるようにＥＣＦすることで、ペルフルオロ化アシルフッ化物生成物（ＸＩＩ）を得た（この生成物は、蒸留により更に精製した）（沸点＝１５８℃，純度９０％）。
【化７】
0005945531.tif 000008
【００４８】
蒸留した酸フッ化物（７５ｇ，純度９０％，０．１２４ｍｏｌ）、フッ化セシウム（６．２１ｇ，０．０４１ｍｏｌ，Ａｌｄｒｉｃｈ）、及び無水ジグリム（２８ｇ，Ａｌｄｒｉｃｈ）を６００ｍＬのＰａｒｒリアクタに加え、リアクタを密閉し、窒素下で脱ガスし、４０℃に加熱した。ヘキサフルオロプロピレン（６６．４ｇ，０．４４ｍｏｌ，３Ｍ，Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）を何回かに分けて２時間かけて加え、次に更に４０℃で８８時間保持した。次に反応物を冷却し、任意の過剰量のヘキサフルオロプロピレンをベントし、下側のフッ化物相をジエチレングリコールジメチルエーテル溶媒から分離し、蒸留することで純度９５％でケトン生成物を生成した（沸点＝２００℃）。生成物の質量をＧＣ／ＭＳで確認した。ケトンのＩＲは１７７０ｃｍ−１にてカルボニルの吸収を示した。
【００４９】
実施例４：
【化８】
0005945531.tif 000009
の調製
中間体：
【化９】
0005945531.tif 000010
の調製
約６０℃にて、メチルメタクリレート（１２８４ｇ，１２．８４ｍｏｌ  ｍｏｌ，Ａｌｄｒｉｃｈ）／メタノール（４３２ｇ）溶液にピペラジン（５０２ｇ，５．８４ｍｏｌ，Ａｌｄｒｉｃｈ）を迅速に滴加した。添加終了後、温度を７０℃に上昇させ、反応混合物を７０℃にて１８時間保持した。メタノール及びほとんどの過剰量のメチルメタクリレートを回転蒸発により除去し、残留物を真空下（沸点１５５℃／０．１ｍｍＨｇ未満の物質はすべて廃棄）で蒸留することで、純度９５％のエステルを得、次にこのエステルを本質的に実施例１に記載されるようにＥＣＦすることで、ペルフルオロ化アシルフッ化物生成物を得た（この生成物は、蒸留により低沸点の不純物から更に精製した）。酸フッ化物生成物は固体であった。
【００５０】
酸フッ化物（１２６．５ｇ，純度約９０％）、フッ化セシウム（１８．２ｇ，０．１２ｍｏｌ）及びジグリム（５０ｇ）を６００ｍＬのＰａｒｒリアクタ内で組み合わせ、リアクタを密閉し、窒素下で脱ガスし、次に４０℃に加熱した。ヘキサフルオロプロピレン（９０ｇ，０．６ｍｏｌ，３Ｍ）を何回かに分けて５時間かけて加え、次に更に４０℃で６８時間保持した。次にリアクタを冷却し、過剰量のヘキサフルオロプロピレンをベントし、固形のフッ化セシウムを濾去した。溶媒から下側のフッ化物相を分離し、この物質（１３２ｇ）をフッ化セシウム（１０ｇ）及びジグリム（２７ｇ）と共に６００ｍＬのＰａｒｒ反応槽に移し、記載のように大過剰量のＨＦＰ（２１０ｇ）を添加することで反応を繰り返した。ワークアップ後に、記載のように下側フッ化物相を分析したところ、所望のケトンが約６．３％含有されていることがＧＣ／ＭＳにより見出された。ケトンを純度８３％に蒸留した（沸点＞２１８℃）。
【００５１】
実施例５：Ｃ２Ｆ５Ｎ［ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）］２の調製
中間体：Ｃ２Ｈ５Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ３）２の調製
２モルのメチルメタクリレートのメチルアミンへの添加に関し本質的に実施例２に記載されるように、２モルの酢酸メチルをエチルアミンに添加することでジメチルエステルを調製した。
【００５２】
Ｃ２Ｆ５Ｎ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＦ）２の調製
この化合物は、米国特許第２，７１３，５９３号（Ｂｒｉｃｅ  ｅｔ  ａｌ．）及びＲ．Ｅ．Ｂａｎｋｓ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ，Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ  ａｎｄ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ，ｐａｇｅｓ  １９〜４３，Ｈａｌｓｔｅｄ  Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ（１９８２）に記載されるようなタイプのＳｉｍｏｎｓ  ＥＣＦセルで、Ｃ２Ｈ５Ｎ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＯ２ＣＨ３）２を電気化学的にフッ素化することで調製した。分留により精製することで、純度７６％（ＧＣ−ＦＩＤ及びＧＣ／ＭＳ分析により測定）で表題化合物を得た。
【００５３】
清潔な、乾燥している６００ｍＬのステンレス鋼製Ｐａｒｒ圧力容器に、噴霧乾燥させたフッ化カリウム（３．４ｇ）、無水ジグリム（１８０ｇ）、ＮＯＶＥＣ−７２００（１２４ｇ）及びＣ２Ｆ５Ｎ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＯＦ）２（１６５ｇ）を充填した。容器を密閉し、７６℃に加熱した。７時間かけてＨＦＰ（１１２．５ｇ）を添加し、反応物を更に１６時間撹拌した。次に７時間かけてＨＦＰ（５８．５ｇ）の２度目の充填を行い、反応物を７６℃に１６時間保持した。混合物を室温に冷却し、４０ｍｍＨｇの真空ワンプレート蒸留を行なうために配置した１Ｌの丸底フラスコに移し、混合物を７５℃に加熱してＮＯＶＥＣ−７２００を除去した。フラスコを使用時温度に冷却し、５００ｍＬの分液漏斗に移した。約１時間後に下側のフッ化物相を分離し、およそ等量の水で２回洗浄することで、下層の生成物相（２１６ｇ）を純度８２．８％で得た。大気圧下での分留により、ＧＣ−ＦＩＤ、ＧＣ／ＭＳ、１Ｈ−ＮＭＲ及び１９Ｆ−ＮＭＲ分析により測定されるものとして純度９７．１％の物質Ｃ２Ｆ５Ｎ［ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）２］２を得た。
【００５４】
Ｃ３Ｆ７ＯＣＦ（ＣＦ３）Ｃ（Ｏ）ＣＦ２ＣＦ２Ｎ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣ３Ｆ７の安定性試験
０．７３ｇのＡＭＴＥＣＨ  ＮＣ５５９ＡＳはんだを流動させながら存在させ、５０ｍＬのＣ３Ｆ７ＯＣＦ（ＣＦ３）Ｃ（Ｏ）ＣＦ２ＣＦ２Ｎ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣ３Ｆ７試料を大気圧下沸点の２３１℃にて７日間還流させた。はんだを含有しない同一の試料も７日間還流させた。これらの液体を純度に関しＧＣＦＩＤにより相対面積百分率法で分析した。
【００５５】
【表１】
0005945531.tif 000011
【００５６】
フッ化物の分析結果を下表２に要約する。
【００５７】
【表２】
0005945531.tif 000012
＊  ２つ組み分析するための試料が不足。
【００５８】
本発明の範囲及び趣旨から逸脱しない本発明の様々な変更や改変は、当業者には明らかとなるであろう。本発明は、本明細書で述べる例示的な実施形態及び実施例によって不当に限定されるものではないこと、また、こうした実施例及び実施形態は、本明細書において以下に記述する特許請求の範囲によってのみ限定されると意図する本発明の範囲に関する例示のためにのみ提示されることを理解すべきである。本開示に引用されたすべての参照文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。