(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域と、
第１電極と、前記第１電極上に配置され、前記絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサと前記絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサとを含む第２電極と、前記第２電極の上層に配置され所定の配向方向を有する配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持され、前記配向膜の配向方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記絵素は前記行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素、緑色表示画素、および、青色表示画素を含み、
前記第２センサは、前記赤色表示画素と前記青色表示画素との間に配置され、且つ、前記赤色表示画素と前記緑色表示画素との間に配置されていない液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２センサは、前記青色表示画素と前記緑色表示画素との間にさらに配置されている請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域と、
第１電極と、前記第１電極上に配置され、前記絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサと前記絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサとを含む第２電極と、前記第２電極の上層に配置され所定の配向方向を有する配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持され、前記配向膜の配向方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記絵素は前記行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素、緑色表示画素、および、青色表示画素を含み、
前記第２センサは、前記緑色表示画素と前記青色表示画素との間に配置され、且つ、前記赤色表示画素と前記緑色表示画素との間に配置されていない液晶表示装置。
【請求項４】
マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域と、
第１電極と、前記第１電極上に配置され、前記絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサと前記絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサとを含む第２電極と、前記第２電極の上層に配置され所定の配向方向を有する配向膜と、を備えた第１基板と、
前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持され、前記配向膜の配向方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層と、を備え、
前記絵素は前記行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素、緑色表示画素、および、青色表示画素を含み、
前記第２センサは、行方向に隣り合う第１部分及び第２部分を有し、
前記赤色表示画素及び前記緑色表示画素は、行方向に隣り合う前記第１部分と前記第２部分との間に位置する液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２センサは、さらに、前記第２部分の行方向に隣り合う第３部分を有し、
前記青色表示画素は、前記第２部分と前記第３部分との間に位置する請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板は、前記第２電極の上層に配置され絶縁層を介して前記第１電極と対向するように配置された第３電極をさらに備え、
前記第３電極は、互いに略平行に延びる複数のスリットを有している請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。このような液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画素電極と共通電極との間の電界によって液晶層を通過する光に対する変調率を制御し、画像を表示するものである。
【０００３】
液晶表示装置は、一対の基板の基板面と略直交する方向の縦電界を液晶層に印加して液晶の配向状態を制御する方式と、一対の基板の基板面と略平行な方向の横電界（フリンジ電界も含む）を液晶層に印加して液晶の配向状態を制御する方式とが知られている。
【０００４】
横電界を利用した液晶表示装置は、広視野角化の観点から特に注目されている。In-Plane Switching（ＩＰＳ）モードや、Fringe Field Switching（ＦＦＳ）モードなどの横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と共通電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングするように構成されている。
【０００５】
また、表示部にユーザの指やペン先が接触したことを検出する接触センサを有する液晶表示装置が提案されている。接触センサは液晶表示装置の表示部にさらにセンサ電極を有するセンサ基板を重ねて形成される場合や、液晶表示装置の一対の基板の一方にセンサ電極が一体に形成される場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−２３１７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一対の基板の液晶層と接触する表面には配向膜が配置されている。配向膜の表面はラビング処理や光配向処理等の配向処理が成されている。配向膜の配向処理方向により液晶層に含まれる液晶分子の初期配向方向が規定される。
【０００８】
一方の基板に複数の導電層および絶縁層を重ねて配置する場合、基板の表面には導電層や絶縁層のパターン端部に沿って段差が生じる。この段差に配置された配向膜は配向処理が成されず、段差近傍の液晶層に非配向領域が生じることがあった。非配向領域は液晶分子が所望の配向方位に制御されない領域であって、非配向領域で光抜けが生じるとコントラストが低下して表示品位が低下することがあった。
【０００９】
本発明は上記事情を鑑みて成されたものであって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態によれば、マトリクス状に配置された複数の絵素を含む表示領域と、第１電極と、前記第１電極上に配置され、前記絵素の配列する行方向と略平行に延びる第１センサと前記絵素の配列する列方向と略平行に延びる第２センサとを含む第２電極と、前記第２電極の上層に配置され所定方向に配向処理された配向膜と、を備えた第１基板と、前記第１基板と対向するように配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持され、前記配向膜の配向処理の方向に初期配向方向を規定される液晶分子を含む液晶層と、を備え、前記絵素は前記行方向において周期的に並んで配置された赤色表示画素、緑色表示画素、および、青色表示画素を含み、前記第２センサは、少なくとも前記赤色表示画素と前記青色表示画素との間に配置されている液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の液晶表示装置の一構成例を説明するための斜視図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置の線ＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置の表示領域の一構成例を説明するための平面図である。
【図４】図１に示す液晶表示装置の表示領域に配置されたセンサ電極の一構成例を説明するための平面図である。
【図５】アレイ基板のセンサ電極の第２センサ近傍における走査線と略平行な方向における断面の一例を示す図である。
【図６】比較例の液晶表示装置の表示領域の一構成例を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。  
図１に、本実施形態の液晶表示装置の一例を概略的に示す。液晶表示装置は、アレイ基板１１０とアレイ基板１１０と所定の間隙をおいて対向配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０（図２に示す）と、マトリクス状に配置された表示画素ＰＸを含む表示領域２５と、を備える液晶表示パネルと、液晶表示パネルを背面側から照明するバックライトユニット１３０と、を備えている。
【００１３】
図２に、図１に示す液晶表示パネルのＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す。本実施形態の液晶表示装置は、横電界を利用して液晶層の配向状態を制御するＦＦＳモードの液晶表示装置である。
【００１４】
アレイ基板１１０は、ガラス等の透明絶縁性基板１０と、透明絶縁性基板１０上に配置された画素駆動配線と、スイッチング素子１４と、絶縁膜Ｌ１、５０と、平坦化膜２０と、共通電極（第１電極）３０と、センサ電極（第２電極）４０と、画素電極（第３電極）６０と、図示しない配向膜と、駆動回路と、を備えている。画素駆動配線は、複数の表示画素ＰＸが配列する行に沿って延びる走査線１１と、複数の表示画素ＰＸが配列する列に沿って延びる信号線１２と、を備えている。
【００１５】
駆動回路は、表示領域２５の周囲を囲む額縁領域に配置された複数の走査線１１を駆動する走査線駆動回路ＹＤと、複数の信号線１２を駆動する信号線駆動回路ＸＤと、を備えている。
【００１６】
走査線駆動回路ＹＤは走査線１１が延びる方向における表示領域２５の両脇に配置され、走査線駆動回路ＹＤには表示領域２５から延びる複数の走査線１１が電気的に接続されている。信号線駆動回路ＸＤには表示領域２５から延びる複数の信号線１２が電気的に接続されている。
【００１７】
アレイ基板１１０の端部には図示しないフレキシブル基板が接続され、走査線駆動回路ＹＤおよび信号線駆動回路ＸＤには、フレキシブル基板を介して図示しない信号源から制御信号および映像信号が供給される。
【００１８】
走査線１１は、表示領域２５においてマトリクス状に配置された表示画素ＰＸの行に沿って延びている。信号線１２は、表示領域２５においてマトリクス状に配置された表示画素ＰＸの列に沿って延びている。
【００１９】
スイッチング素子１４は、走査線１１と信号線１２とが交差する位置近傍に配置されている。スイッチング素子１４は、透明絶縁性基板１０上に配置された図示しないアンダーコート層上に配置され、アモルファスシリコンあるいはポリシリコンの半導体層ＳＣと、ゲート電極１４ｂと、ソース電極１４ａと、ドレイン電極１４ｃと、を含む薄膜トランジスタを備えている。
【００２０】
スイッチング素子１４の半導体層ＳＣの上層にはゲート絶縁膜が配置され、ゲート絶縁膜上にスイッチング素子１４のゲート電極１４ｂが配置されている。スイッチング素子１４のソース電極１４ａとドレイン電極１４ｃとは絶縁膜Ｌ１に設けられたコンタクトホールにおいて半導体層ＳＣと接続されている。
【００２１】
スイッチング素子１４のゲート電極１４ｂは、対応する走査線１１と電気的に接続されている（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子１４のソース電極１４ａは、対応する信号線１２と電気的に接続されている（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子のドレイン電極１４ｃは、後述するコンタクトホール２１、５１において対応する画素電極６０と電気的に接続されている。
【００２２】
走査線駆動回路ＹＤにより走査線１１が駆動されてスイッチング素子１４のゲート電極１４ｂに電圧が印加されると、ソース電極１４ａとドレイン電極１４ｃとの間が導通し、スイッチング素子１４が一定期間オン状態となる。スイッチング素子１４がオン状態である期間に、信号線１２からスイッチング素子１４を介して画素電極６０へ映像信号が供給される。
【００２３】
スイッチング素子１４上には平坦化膜２０が配置されている。本実施形態では、平坦化膜２０は透明有機絶縁膜であって、平坦化膜２０の膜厚は略３μｍである。平坦化膜２０は、コンタクトホール２１を除いて表示領域２５の全体に渡って配置されている。スイッチング素子１４のドレイン電極１４ｃ上の平坦化膜２０には、後述する画素電極６０と電気的接続を取るためのコンタクトホール２１が設けられている。平坦化膜２０上には共通電極３０が配置されている。
【００２４】
図３に、アレイ基板１１０の表示領域２５の構成の一例を示す。なお、図３では、画素電極６０とセンサ電極４０とを一部省略して共通電極３０の形状を示している。  
カラー表示タイプの液晶表示装置である場合、複数の表示画素ＰＸは複数種類の色画素を含んでいる。本実施形態では、複数の表示画素ＰＸは、赤色を表示する赤色表示画素ＰＸＲと、緑色を表示する緑色表示画素ＰＸＧと、青色を表示する青色表示画素ＰＸＢと、含んでいる。赤色表示画素ＰＸＲと緑色表示画素ＰＸＧと青色表示画素ＰＸＢとの３種類の色画素により、１絵素が構成されている。表示領域２５には赤色表示画素ＰＸＲと、緑色表示画素ＰＸＧと、青色表示画素ＰＸＢと、が走査線１１の延びる方向に周期的に並んで配置され、信号線１２が延びる方向には同種類の色画素が並んで配置されている。
【００２５】
共通電極３０は例えばＩＴＯ（indium tin oxide）やＩＺＯ（indium zinc oxide）等の透明電極材料により形成されている。表示領域２５の端部に配置された共通電極３０は額縁領域へ延びて配置され、例えば外部の信号源からフレキシブル基板を介して共通電圧が印加されている。
【００２６】
共通電極３０は後述のセンサ電極４０との重ね合せ精度を考慮した同じパターンも盛り込み形成する。すなわち、共通電極３０は複数の画素電極６０と対向するように配置されている。共通電極３０は、１絵素に配置された３つの画素電極６０と対向するように配置されている。
【００２７】
また、コンタクトホール２１には共通電極３０と同じ材料で形成された接続電極３１が配置されている。スイッチング素子１４のドレイン電極１４ｃと接続電極３１とはコンタクトホール２１において電気的に接続している。
【００２８】
図４に、センサ電極４０の一構成例を説明するための平面図を示す。なお、図４には共通電極３０および接続電極３１のパターン形状を破線で記載している。共通電極３０上にはセンサ電極４０が配置されている。
【００２９】
センサ電極４０は、例えばアルミニウムとモリブデンとの多層電極である。センサ電極４０のモリブデン層の厚さは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であって、アルミニウム層の厚さは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが望ましい。センサ電極４０は２つのモリブデン層と、これらのモリブデン層の間に配置されたアルミニウム層とを備え、厚さは１２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００３０】
センサ電極４０は走査線１１が延びる方向と略平行に延びた第１センサ４０Ａと信号線１２が延びる方向と略平行に延びた第２センサ４０Ｂとを含む格子状に配置され、複数の共通電極３０を電気的に接続している。本実施形態では、走査線１１が延びる方向の第２センサの幅および信号線１２が延びる方向の第１センサの幅は略５μｍである。センサ電極４０は、表示領域２５において共通電極３０上の段差のない平坦な部分に配置されることが望ましい。
【００３１】
第２センサ４０Ｂは、表示領域２５において走査線１１の延びる方向に周期的に並んで配置された赤色表示画素ＰＸＲと、緑色表示画素ＰＸＧと、青色表示画素ＰＸＢとの所定の色画素間において、信号線１２の上層に配置されている。本実施形態では、第２センサ４０Ｂは、赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間、青色表示画素ＰＸＢと緑色表示画素ＰＸＧとの間に配置されている。
【００３２】
センサ電極４０は表示領域２５から額縁領域へ延びて配置され、例えば外部に設けられた図示しない感知回路と電気的に接続されている。本実施形態の液晶表示装置で接触位置を検出する場合、感知回路はセンサ電極４０へ所定波形の信号を供給する。ユーザの指先やペン先とセンサ電極４０と距離に応じて、指先等とセンサ電極４０との間に生じる容量の大きさが変化する。感知回路は、指先等とセンサ電極４０との間の容量の変化によるセンサ電極４０の電位の変化を、センサ電極４０から出力された信号の出力波形から検出して、ユーザの指先やペン先等が接触した位置に対応するセンサ電極４０の座標位置を検出する。
【００３３】
センサ電極４０上には絶縁膜５０が配置されている。絶縁膜５０は、画素電極６０と接続電極３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール５１を備えている。
【００３４】
絶縁膜５０上には画素電極６０が配置され、コンタクトホール５１において接続電極３１と電気的に接続している。画素電極６０は、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極材料により形成されている。画素電極６０の上層には図示しない配向膜が配置されている。
【００３５】
図３に示すように、画素電極６０は、互いに略平行に延びたスリット６０Ｓを備えている。本実施形態では、複数のスリット６０Ｓは信号線１２が延びる方向と略平行に延びている。
【００３６】
画素電極６０と共通電極３０との間、あるいは、画素電極６０の端部とセンサ電極４０との間に生じる電界により液晶層７０の配向状態が制御される。画素電極６０にスリット６０Ｓを設けることにより、表示画素ＰＸの中央部分においても画素電極６０と共通電極３０との間に電界が生じて、液晶層７０の配向状態を制御することが可能となる。
【００３７】
対向基板１２０は、ガラス等の透明絶縁性基板２８と、透明樹脂平坦化膜２９と、複数の着色層と、図示しない配向膜とを備えている。
【００３８】
複数の着色層は、有機絶縁膜である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちのいずれかのレジストによって着色された第１着色層２４ａ、第２着色層２４ｂ、第３着色層２４ｃと、黒色の第４着色層２７ａ、第５着色層２７ｂと、を備えている。
【００３９】
赤色の第１着色層２４ａは赤色表示画素ＰＸＲに配置され、緑色の第２着色層２４ｂは緑色表示画素ＰＸＧに配置され、青色の第３着色層２４ｃは青色表示画素ＰＸＢに配置されている。第４着色層２７ａは表示領域２５を囲むように配置され、額縁領域における光抜けを防止する遮光層である。第５着色層２７ｂは、アレイ基板１１０の走査線１１および信号線１２と対向する位置に格子状に配置され、表示画素ＰＸ間における光抜けを防止する遮光層である。
【００４０】
アレイ基板１１０の画素電極６０上および、対向基板１２０の透明樹脂平坦化膜２９上には配向膜が配置されている。配向膜の表面はラビング処理や光学配向処理等の配向処理が成されている。
【００４１】
アレイ基板１１０と対向基板１２０とは、互いの配向膜が対向するように配置されシール剤２６により固定される。アレイ基板１１０と対向基板１２０との間には、柱状スペーサ２２が配置されている。柱状スペーサ２２によりアレイ基板１１０と対向基板１２０との距離は一定に保持される。本実施形態では、柱状スペーサ２２の高さは２μｍ以上６μｍ以下で任意に制御している。
【００４２】
液晶層７０は、アレイ基板１１０、対向基板１２０、およびシール剤２６により囲まれた領域に配置されている。
【００４３】
アレイ基板１１０および対向基板１２０の液晶層７０側と反対に位置する面には図示しない偏光板が夫々配設されている。
【００４４】
続いて、本実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。  
まず、アレイ基板１１０を形成する方法について説明する。複数のアレイ基板１１０を切り出す第１透明絶縁性基板上に成膜とパターンニングとを繰り返してスイッチング素子１４、走査線１１、信号線１２、絶縁膜Ｌ１、および、アレイ基板１１０上の他のスイッチング素子や各種配線を形成する。
【００４５】
続いて、露光レジストを塗布、露光、現像して平坦化膜２０を形成する。このとき、露光レジストは表示領域２５および額縁領域の全面に塗布される。本実施形態では露光レジストは光硬化性のものを採用し、露光マスクを介してフォトレジストを露光し、現像してコンタクトホール２１を有する所定パターンの平坦化膜２０となるように形成する。
【００４６】
平坦化膜２０の上にＩＴＯ等の透明電極材料を成膜し、透明電極材料上にさらに露光レジストを塗布する。露光レジストを露光および現像して接続電極３１および共通電極３０の所定のパターンにパターンニングする。続いて、エッチングにより透明電極材料をパターンニングして、露光レジストを剥離して所定パターンの共通電極３０を形成する。
【００４７】
続いて、共通電極３０の上層に、モリブデンの成膜、アルミニウムの成膜、さらにモリブデンの成膜を行い、これら多層の金属層のパターンニングを行う。共通電極３０上に配置されたアルミニウムとモリブデンと積層された電極パターンを複数のグループに分けて形成し、センサ電極４０を形成する。
【００４８】
続いて、センサ電極４０上に露光レジストを塗布、露光、現像してコンタクトホール５１を有する絶縁膜５０を形成する。続いて、絶縁膜５０上にＩＴＯ等の透明電極材料を成膜し、スリット６０Ｓを備える所定のパターンにパターンニングして画素電極６０を形成する。その後、画素電極６０上のアレイ基板１１０表面には所定方向にラビング処理や光学配向処理等の配向処理を施した配向膜８０を形成する。
【００４９】
図５に、センサ電極４０の第２センサ４０Ｂ近傍のアレイ基板１１０の、第２センサ４０Ｂが延びる方向と略直交する方向における断面の一例を示す。アレイ基板１１０の表面には、下層に配置された導電層や絶縁層のパターン端部に沿って凹凸が生じている。特に平坦化膜２０の上層に配置されている共通電極３０、センサ電極４０、および画素電極６０のパターン端部の上層に凹凸が生じやすい。さらに、センサ電極４０は複数の導電層から形成されるため他の導電層よりも比較的厚く、センサ電極４０のパターン端部上には他の部分よりも大きな段差が生じやすい。そのため、センサ電極４０のパターン端部上に配置された配向膜８０の配向処理が適切に行われないことがある。
【００５０】
例えば、配向膜８０をラビング処理する場合には、段差部分に配置された配向膜８０上をラビング布で刷り上げ又は刷り下げる際に、配向膜８０にラビング布が十分に接触せずラビング処理が施されない部分Ａが生じる。この配向膜８０のラビング処理が施されない部分Ａの近傍には、液晶分子の初期配向方向が規定されず液晶分子の配向状態を制御することができない非配向領域が発生する場合がある。例えば、センサ電極４０が延びる方向と配向処理方向が略９０度であると非配向領域が生じやすくなり、センサ電極４０が延びる方向と配向処理方向が略４０度であると非配向領域が生じにくくなる。
【００５１】
この非配向領域で光抜けが発生すると、非配向領域近傍の表示画素ＰＸの端部が明るくなり、表示画像のコントラストが低下して表示品位が低下する原因となる。ここで、図６に示すように赤色表示画素ＰＸＲと緑色表示画素ＰＸＧとの間、緑色表示画素ＰＸＧと青色表示画素ＰＸＢとの間、および、青色表示画素ＰＸＢと赤色表示画素ＰＸＲとの間に第２センサ４０Ｂを配置すると、非配向領域における光抜けに起因するコントラストの低下は緑色表示画素ＰＸＧ、赤色表示画素ＰＸＲ、青色表示画素ＰＸＢの順に顕著に視認された。
【００５２】
そこで、本実施形態では、赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間、青色表示画素ＰＸＢと緑色表示画素ＰＸＧとの間にセンサ電極４０の第２センサ４０Ｂを配置し、赤色表示画素ＰＸＲと緑色表示画素ＰＸＧとの間には第２センサ４０Ｂを配置していない。このことにより、緑色表示画素ＰＸＧおよび赤色表示画素ＰＸＲにおいて光抜けが生じてコントラストが低下することが抑制され、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【００５３】
なお、本実施形態では、赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間、青色表示画素ＰＸＢと緑色表示画素ＰＸＧとの間にセンサ電極４０の第２センサ４０Ｂを配置しているが、第２センサ４０Ｂは赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間にのみ第２センサ４０Ｂが配置されてもよく、青色表示画素ＰＸＢと緑色表示画素ＰＸＧとの間にのみ第２センサ４０Ｂが配置されてもよい。
【００５４】
赤色表示画素ＰＸＲと青色表示画素ＰＸＢとの間にのみ第２センサ４０Ｂを配置すると、最もコントラストの低下が顕著である緑色表示画素ＰＸＧにおけるコントラストの低下をさらに抑制することが可能となりより表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能である。
【００５５】
青色表示画素ＰＸＢと緑色表示画素ＰＸＧとの間にのみ第２センサ４０Ｂを配置すると、赤色表示画素ＰＸＲにおけるコントラストの低下をさらに抑制することが可能となりより表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００５６】
第２センサ４０Ｂの本数は、表示領域の解像度や接触位置の検出精度に応じて設計されることが望ましい。
【００５７】
次に、対向基板１２０を形成する方法について説明する。複数の対向基板１２０を切り出す第２透明絶縁性基板上に、着色された露光レジストの塗布、露光、現像を繰り返して、第１着色層２４ａ、第２着色層２４ｂ、第３着色層２４ｃ、第４着色層２７ａ、および、第５着色層２７ｂを形成する。さらに、複数の着色層上に透明樹脂平坦化膜２９となる透明樹脂材料を塗布し、所定パターンにパターンニングして透明樹脂平坦化膜２９を形成する。その後、透明樹脂平坦化膜２９の表面に所定方向にラビング処理や光学配向処理等の配向処理を施した配向膜を形成する。
【００５８】
柱状スペーサ２２は、第１透明絶縁性基板あるいは第２透明絶縁性基板の上層に、例えば樹脂材料を塗布し、所定パターンにパターンニングすることにより形成される。
【００５９】
続いて、表示領域２５を囲むように第１透明絶縁性基板上あるいは第２透明絶縁性基板上に例えば紫外線硬化樹脂からなるシール剤２６を塗布し、複数のアレイ基板１１０となる透明絶縁性基板と複数の対向基板１２０となる透明絶縁性基板とを互いの配向膜が向かい合うように対向させて位置あわせし、シール剤２６に紫外線を照射して硬化させて固定する。
【００６０】
液晶材料は、シール剤２６が開口した注入口から表示領域２５に注入されてもよく、第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とを貼り合わせる前に、シール剤２６に囲まれた領域に滴下されてもよい。注入口から液晶材料を注入する場合は、注入後に注入口を封止剤により封止して液晶層７０が形成される。液晶材料を滴下する場合には、滴下した後に第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とを貼り合わせて液晶層７０が形成される。
【００６１】
第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とが貼り合わされた状態で、複数のアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向する第２透明絶縁性基板の部分とを切り出し、さらに第２透明絶縁性基板を割断して対向基板１２０を切り出す。
【００６２】
続いて、アレイ基板１１０および対向基板１２０の液晶層７０側と反対に位置する面に偏光板を配設して、液晶表示装置を形成する。
【００６３】
上記のように、本実施形態によれば、赤色表示画素ＰＸＲと緑色表示画素ＰＸＧとの間に第２センサ４０Ｂを配置しないことにより、緑色表示画素ＰＸＧおよび赤色表示画素ＰＸＲにおいてコントラストが低下することが抑制され、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【００６４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６５】
ＰＸ…表示画素、ＰＸＲ…赤色表示画素、ＰＸＧ…緑色表示画素、ＰＸＢ…青色表示画素、２５…表示領域、３０…共通電極（第１電極）、４０…センサ電極（第２電極）、４０Ａ…第１センサ、４０Ｂ…第２センサ、５０…絶縁膜、５１…コンタクトホール、６０…画素電極（第３電極）、６０Ｓ…スリット、７０…液晶層、８０…配向膜、１１０…アレイ基板（第１基板）、１２０…対向基板（第２基板）、１３０…バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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