(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１−１）または式（１−２）で表される化合物。
【化１】
0005867583.tif 000065
［式（１−１）および式（１−２）中、
Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり；
２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり；
２つあるＲ3は、炭素数１〜２０のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される同一の基であり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられていてもよい。］
【請求項２】
式（１−１）および式（１−２）中のＲ3が、炭素数４〜１５のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される同一の基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（２−１）で表される化合物。
【化２】
0005867583.tif 000066
［式（２−１）中、
Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり；
２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり；
２つあるＲ1は、炭素数６〜１５のアルキル、フェニル、フリル、チエニルおよびチアゾリルから選択される同一の基である。］
【請求項４】
式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程；式（１３）で表される化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドまたはＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドとを反応させて、式（１４）で表される化合物を得る工程；および式（１４）で表される化合物を加熱することにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、請求項１に記載の化合物（ただし、Ｘ＝硫黄またはセレン）の製造方法。
【化３】
0005867583.tif 000067
［式（１１）〜（１５）中、
Ｘは硫黄またはセレンであり；
ｎはそれぞれ独立に０または１であり；
Ｒ1およびＲ2は水素であり；
Ｒ3は、隣り合う炭素原子に結合したＲ3の一方が、炭素数１〜２０のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される基であり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく、他方が水素であり；
Ｍｅはメチルであり；
式（１４）中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。］
【請求項５】
式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程；式（１３）で表される化合物とトリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを反応させて、式（１６）で表される化合物を得る工程；式（１６）で表される化合物をボラン類とカップリングすることにより、式（１７）で表されるボロン酸エステルを得る工程；式（１７）で表されるボロン酸エステルを臭化銅で臭素化して、式（１８）で表される化合物を得る工程；および式（１８）で表される化合物をリチオ化した後、塩化セレンと反応させることにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、請求項１に記載の化合物（ただし、Ｘ＝セレン）の製造方法。
【化４】
0005867583.tif 000068
［式（１１）〜（１３）および式（１５）〜（１８）中、
Ｘはセレンであり；
ｎはそれぞれ独立に０または１であり；
Ｒ1およびＲ2は水素であり；
Ｒ3は、隣り合う炭素原子に結合したＲ3の一方が、炭素数１〜２０のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される基であり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく、他方が水素であり；
Ｍｅはメチルであり；
式（１７）中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。］
【請求項６】
式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程：および式（１３）で表される化合物をゼオライト触媒下、加熱脱水することにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、請求項１に記載の化合物（ただし、Ｘ＝酸素）の製造方法。
【化５】
0005867583.tif 000069
［式（１１）〜（１３）および（１５）中、
Ｘは酸素であり；
ｎはそれぞれ独立に０または１であり；
Ｒ1およびＲ2は水素であり；
Ｒ3は、隣り合う炭素原子に結合したＲ3の一方が、炭素数１〜２０のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される基であり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられていてもよく、他方が水素であり；
Ｍｅはメチルである。］
【請求項７】
式（２７）で表される化合物を臭素化して、式（２８）で表される化合物を得る工程；および式（２８）で表される化合物とクロスカップリング反応剤とを反応させて、式（２９）で表される化合物を得る工程を有する、請求項３に記載の化合物の製造方法。
【化６】
0005867583.tif 000070
［式（２７）〜（２９）中、Ｘ、ｎおよびＲ1はそれぞれ式（２−１）中の同一記号と同義である。］
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物からなる有機半導体材料。
【請求項９】
請求項８に記載の有機半導体材料を含む有機半導体膜。
【請求項１０】
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を有する有機電界効果トランジスタであって、前記有機半導体層が請求項９に記載の有機半導体膜で構成される有機電界効果トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なカルコゲン含有有機化合物およびその用途に関する。さらに詳しくは、新規なカルコゲン含有有機化合物およびその製造方法、前記有機化合物からなる有機半導体材料、前記有機半導体材料を含む有機半導体膜、ならびに前記有機半導体膜を有する有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体特性を有する有機化合物が注目されている。その中でも、ペンタセンおよびテトラセン等のポリアセン化合物は、その高いキャリア移動度から、有機半導体材料として古くから知られている。なお、本明細書において、「キャリア移動度」は、電子移動度および正孔移動度を含む広義の意味で用いる。【０００３】
しかしながら、公知のポリアセン化合物は、溶媒に対する溶解性が低いため、塗布法または印刷法等による膜形成が困難である。したがって、製造コストのかかる蒸着プロセスで半導体特性を有する素子（以下「素子」ともいう。）を作製せざるを得ない。さらに、公知のポリアセン化合物は、耐酸化性等の化学的安定性にも問題があり、産業上の実用性という観点では難しい材料である。【０００４】
そこで、溶解性や化学的安定性を改善するために、アセン骨格に種々の置換基を導入した化合物が検討されている（例えば、特許文献１および非特許文献１参照）。さらに、アセン骨格の一部に硫黄やセレン等のカルコゲンを導入した化合物、例えば、ジベンゾチエノチオフェン（ＢＴＢＴ）やジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）等も既に検討されている（例えば、特許文献２〜３参照）。【０００５】
上記特許文献によると、上記化合物において、高いキャリア移動度を維持しつつ、化学的安定性を改善することに成功している。しかしながら、これらは直線型でかつ対称性が高い分子構造を有するため、アルキル基等の置換基を導入しても溶解性が必ずしも充分ではない等の問題を抱えている。また、上記化合物は、分子構造の複雑化に伴い、高価な原料や環境への負荷が高い反応剤を用い、かつ多段階の合成を経て、ようやく合成することができる。【０００６】
このように、これまでに半導体特性を有する有機化合物が種々開発されている。しかしながら、化学的安定性に優れ、溶媒に対する高い溶解性を有し、かつ高いキャリア移動度を有する有機化合物（例えば、溶液の状態で塗布または印刷することが可能であり、トランジスタ作製等の広範な用途に適用可能な材料である。）の開発は、未だ充分になされていない。【０００７】
そこで、直線型よりも対称性の低い非直線型分子を基本骨格とする有機半導体材料が、近年注目されている。具体的には、ジナフトフラン、ジナフトチオフェン、ジアントラフランおよびジアントラチオフェン等のＶ字型あるいはＵ字型の構造を有する化合物が挙げられる。これらの基本骨格（無置換体）は既に公知である（例えば、特許文献４〜５、非特許文献２〜６参照）。しかしながら、これらの化合物は、化学的および熱的安定性に優れているものの、溶媒に対する溶解性に乏しいという問題がある。【０００８】
また、上記骨格に置換基を導入した化合物も、既に数例開示されている（例えば、特許文献６および非特許文献７参照）。特許文献６には、アルキル基やフェニル基が４〜１２個導入されたジナフトチオフェン誘導体、およびこの誘導体を含む有機膜に言及されている。しかしながら、前記誘導体の合成例は全く開示されておらず、いわゆる当業者が前記誘導体の製造方法を理解し得る程度の記載もなく、前記誘導体が特許文献６に開示されているとは実質的にいえない。また、前記誘導体の溶媒に対する溶解性、前記誘導体を含む溶液の塗布性、前記誘導体の半導体特性も何ら検証されておらず、置換基導入による効果も不明である。加えて、アルキル基やフェニル基が１〜３個導入されたジナフトチオフェン誘導体については、化合物自体何ら開示されていない。さらに、非特許文献７には、下記式で表されるジアントラチオフェン誘導体が開示されているが、同様に半導体特性は何ら検証されていない。【０００９】
【化１】
0005867583.tif 000002
（式中、Ｂｕはブチルである。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２００５／８０３０４号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００６／７７８８８号パンフレット
【特許文献３】国際公開第２００８／５０７２６号パンフレット
【特許文献４】特表２００８−５４５７２９号公報
【特許文献５】国際公開第２０１０／３６７６５号パンフレット
【特許文献６】特開２００７−１９７４００号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Journal of the American Chemical Society, 2001年,123巻,9482頁
【非特許文献２】Bulletin des Societes Chimiques Belges, 1956年,65巻,874頁
【非特許文献３】Journal of the Chemical Society, 1959年,1670頁
【非特許文献４】Journal of the Chemical Society, 1928年,1148頁
【非特許文献５】Chemische Berichte, 1880年,13巻,1725頁
【非特許文献６】Org Lett, 2012年,14巻,78頁
【非特許文献７】Org Lett, 2009年,11巻,3702頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
合成が容易であり、化学的安定性に優れ、半導体特性（高いキャリア移動度）を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物は、当該有機化合物を含む溶液を用いることによって、塗布法または印刷法等の方法で膜形成が可能となることから、その利用価値が非常に大きい。【００１３】
すなわち本発明の課題は、合成が容易であり、化学的安定性に優れ、半導体特性（高いキャリア移動度）を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物、前記有機化合物の製造方法、前記有機化合物からなる有機半導体材料、前記有機半導体材料を含む有機半導体膜、ならびに前記有機半導体膜を有する有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、以下の構成を有する新規なカルコゲン含有有機化合物によって、上記課題を解決できることを見いだし、本発明を完成するに至った。【００１５】
すなわち本発明は、以下の［１］〜［１５］に関する。【００１６】
［１］式（１）で表される化合物。
【化２】
0005867583.tif 000003
［式（１）中、Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり；２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり；Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ独立に水素、フッ素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルであり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素はハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよく；ただし、Ｘがセレンの場合を除き、全てのＲ1〜Ｒ3が同時に水素であることはなく、また、Ｘが硫黄であり、かつ全てのＲ1が同時にブチルであることはない。］【００１７】
［２］式（１）において、要件（Ａ）および（Ｂ）が満たされる、前記［１］に記載の化合物：（Ａ）全てのＲ1〜Ｒ2が水素であること。（Ｂ）Ｘがセレンの場合を除き、全てのＲ3が同一の原子または基であることはないこと。
［３］式（１−１）または式（１−２）で表される、前記［２］に記載の化合物。
【化３】
0005867583.tif 000004
［式（１−１）および式（１−２）中、Ｘおよびｎは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり；２つあるＲ3は、それぞれ独立にフッ素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルであり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも一つの水素はハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。］
［４］式（１−１）および式（１−２）中のＲ3が、炭素数４〜１５のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される同一の基である、前記［３］に記載の化合物。【００１８】
［５］式（２）で表される化合物。
【化４】
0005867583.tif 000005
［式（２）中、Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり；２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり；Ｒ1〜Ｒ2は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルであり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素はハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよく；ただし、全てのＲ1〜Ｒ2が同時に水素であることはない。］【００１９】
［６］式（２）において、全てのＲ2が水素である、前記［５］に記載の化合物。
［７］式（２−１）で表される、前記［６］に記載の化合物。
【化５】
0005867583.tif 000006
［式（２−１）中、Ｘおよびｎは、それぞれ式（２）中の同一記号と同義であり；２つあるＲ1は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルであり、前記アルキル中の少なくとも１つの水素はフッ素で置き換えられてもよく、前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素はハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。］【００２０】
［８］式（２−１）中のＲ1が、炭素数６〜１５のアルキル、フェニル、フリル、チエニルおよびチアゾリルから選択される同一の基である、前記［７］に記載の化合物。【００２１】
［９］式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程；式（１３）で表される化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドまたはＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドとを反応させて、式（１４）で表される化合物を得る工程；および式（１４）で表される化合物を加熱することにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、前記［１］に記載の化合物（ただし、Ｘ＝硫黄またはセレン）の製造方法。
【化６】
0005867583.tif 000007
［式（１１）〜（１５）中、Ｘは硫黄またはセレンであり、ｎおよびＲ1〜Ｒ3はそれぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｍｅはメチルであり、式（１４）中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。］【００２２】
［１０］式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程；式（１３）で表される化合物とトリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを反応させて、式（１６）で表される化合物を得る工程；式（１６）で表される化合物をボラン類とカップリングすることにより、式（１７）で表されるボロン酸エステルを得る工程；式（１７）で表されるボロン酸エステルを臭化銅で臭素化して、式（１８）で表される化合物を得る工程；および式（１８）で表される化合物をリチオ化した後、塩化セレンと反応させることにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、前記［１］に記載の化合物（ただし、Ｘ＝セレン）の製造方法。
【化７】
0005867583.tif 000008
［式（１１）〜（１３）および式（１５）〜（１８）中、Ｘはセレンであり、ｎおよびＲ1〜Ｒ3はそれぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｍｅはメチルであり、式（１７）中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。］【００２３】
［１１］式（１１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）で表される化合物を得る工程；式（１２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）で表される化合物を得る工程：および式（１３）で表される化合物をゼオライト触媒下、加熱脱水することにより、式（１５）で表される化合物を得る工程を有する、前記［１］に記載の化合物（ただし、Ｘ＝酸素）の製造方法。
【化８】
0005867583.tif 000009
［式（１１）〜（１３）および（１５）中、Ｘは酸素であり、ｎおよびＲ1〜Ｒ3はそれぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｍｅはメチルである。］【００２４】
［１２］式（２７）で表される化合物を臭素化して、式（２８）で表される化合物を得る工程；および式（２８）で表される化合物とクロスカップリング反応剤とを反応させて、式（２９）で表される化合物を得る工程を有する、前記［７］に記載の化合物の製造方法。
【化９】
0005867583.tif 000010
［式（２７）〜（２９）中、Ｘ、ｎおよびＲ1はそれぞれ式（２−１）中の同一記号と同義である。］【００２５】
［１３］前記［１］〜［８］のいずれか１項に記載の化合物からなる有機半導体材料。
［１４］前記［１３］に記載の有機半導体材料を含む有機半導体膜。
［１５］基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を有する有機電界効果トランジスタであって、前記有機半導体層が前記［１４］に記載の有機半導体膜で構成される有機電界効果トランジスタ。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、合成が容易であり、化学的安定性に優れ、半導体特性（高いキャリア移動度）を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物、前記有機化合物の製造方法、前記有機化合物からなる有機半導体材料、前記有機半導体材料を含む有機半導体膜、ならびに前記有機半導体膜を有する有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、（ａ）ボトムゲート−トップコンタクト型，（ｂ）ボトムゲート−ボトムコンタクト型、（ｃ）トップゲート−トップコンタクト型，（ｄ）トップゲート−ボトムコンタクト型の有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の断面図である。
【図２】図２は、エッジキャスト法による製膜の概略を示す図である。
【図３】図３は、ギャップキャスト法による製膜の概略を示す図である。
【図４】図４は、実施例７で合成した化合物のＦＥＴ特性を示す図である。
【図５】図５は、合成化合物（溶液）のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルである。
【図６】図６は、合成化合物（膜）のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明について詳細に説明する。
〔カルコゲン含有有機化合物〕
本発明のカルコゲン含有有機化合物は、式（１）または式（２）で表される化合物であり、カルコゲンの架橋部分（−Ｘ−）を屈曲点としてベンゼン環が両翼に連なった、Ｖ字型（式（１））またはＵ字型（式（２））の構造を持ち、ベンゼン環上の任意の位置に置換基を有する。なお、本明細書において、「置換基」とは、水素以外の原子または基を意味する。
【００２９】
以下、式（１）で表される化合物を「化合物（１）」ともいい、式（２）で表される化合物を「化合物（２）」ともいい、化合物（１）および化合物（２）を総称して「本発明の化合物」ともいう。また、その他の式（ｉ）で表される化合物も「化合物（ｉ）」（ｉは式番号である。）ともいう。
【００３０】
【化１０】
0005867583.tif 000011
【００３１】
式（１）中、各記号の意味は以下のとおりである：
Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり、本発明の化合物が高いキャリア移動度を示すことから、酸素または硫黄が好ましく、硫黄が特に好ましい。
２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり、好ましくは０である。
【００３２】
Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に水素、フッ素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル（フラン環）、チエニル（チオフェン環）またはチアゾリル（チアゾール環）である。前記アルキル中の少なくとも１つの水素は、フッ素で置き換えられてもよい。前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素は、ハロゲンおよび炭素数１〜１０（好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３）のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。なお、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の規定における「それぞれ独立に」とは、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3が相互に同一でも異なってもよいだけでなく、複数あるＲ1が相互に同一でも異なってもよく、複数あるＲ2が相互に同一でも異なってもよく、複数あるＲ3が相互に同一でも異なってもよいことを意味する。
【００３３】
式（１）においてｎがいずれも０の場合は、１２位と１３位の炭素に結合した原子または基は同一であることが好ましく、また、１位と１１位、２位と１０位、３位と９位、４位と８位、５位と７位の炭素に結合した原子または基も、同様に、それぞれ同一であることが好ましい。
【００３４】
式（１）においてｎがいずれも１の場合は、１５位と１６位の炭素に結合した原子または基は同一であることが好ましく、また、１４位と１７位、１位と１３位、２位と１２位、３位と１１位、４位と１０位、５位と９位、６位と８位の炭素に結合した原子または基も、同様に、それぞれ同一であることが好ましい。
【００３５】
【化１１】
0005867583.tif 000012
【００３６】
ただし、Ｘがセレンの場合を除き、全てのＲ1〜Ｒ3が同時に水素であることはない。
また、Ｘが硫黄であり、かつ全てのＲ1が同時にブチルであることはない。
【００３７】
式（１）において、要件（Ａ）および（Ｂ）が満たされることが好ましい。
（Ａ）全てのＲ1〜Ｒ2が水素であること。
（Ｂ）Ｘがセレンの場合を除き、全てのＲ3が同一の原子または基であることはないこと。
【００３８】
【化１２】
0005867583.tif 000013
【００３９】
式（２）中、各記号の意味は以下のとおりである：
Ｘは、酸素、硫黄またはセレンである。
２つあるｎは、それぞれ独立に０または１であり、好ましくは０である。
【００４０】
Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に水素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル（フラン環）、チエニル（チオフェン環）またはチアゾリル（チアゾール環）である。前記アルキル中の少なくとも１つの水素は、フッ素で置き換えられてもよい。前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素は、ハロゲンおよび炭素数１〜１０（好ましくは１〜６、より好ましくは１〜３）のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。なお、Ｒ1およびＲ2の規定における「それぞれ独立に」とは、Ｒ1およびＲ2が相互に同一でも異なってもよいだけでなく、複数あるＲ1が相互に同一でも異なってもよく、複数あるＲ2が相互に同一でも異なってもよいことを意味する。
ただし、全てのＲ1〜Ｒ2が同時に水素であることはない。
【００４１】
式（２）においてｎがいずれも０の場合は、１位と１３位の炭素に結合した原子または基は同一であることが好ましく、また、２位と１２位、３位と１１位、４位と１０位、５位と９位、６位と８位の炭素に結合した原子または基も、同様に、それぞれ同一であることが好ましい。
【００４２】
式（２）においてｎがいずれも１の場合は、１位と１５位の炭素に結合した原子または基は同一であることが好ましく、また、２位と１４位、３位と１３位、４位と１２位、５位と１１位、６位と１０位、７位と９位、１６位と１７位の炭素に結合した原子または基も、同様に、それぞれ同一であることが好ましい。
【００４３】
【化１３】
0005867583.tif 000014
【００４４】
式（２）において、全てのＲ2が水素であることが好ましい。
【００４５】
式（１）〜（２）中、Ｒ1〜Ｒ3として列挙される炭素数１〜２０のアルキルとしては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ウンデシルおよびオクタデシルが挙げられる。アルキルの炭素数は、本発明の化合物の溶媒への高い溶解性と、分子間の電子雲の重なりやすさとの両立の点から、好ましくは４〜１５であり、より好ましくは４〜１２であり、特に好ましくは６〜１２である。アルキルは、直鎖状および分岐鎖状のいずれであってもよく、結晶中における分子配列の観点から、直鎖状であることが好ましい。
【００４６】
前記アルキル中の少なくとも１つの水素をフッ素で置き換えてなる基としては、トリフルオロメチル、パーフルオロヘキシル、パーフルオロオクチルおよびパーフルオロデシル等のアルキル中の全ての水素がフッ素に置き換えられた基；トリフルオロエチル、１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロヘキシル、１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロオクチルおよび１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロデシル等の芳香環に直結した炭素に結合した水素のみがフッ素に置き換えられておらず、他の全ての水素がフッ素に置き換えられた基が挙げられる。
【００４７】
式（１）〜（２）中、Ｒ1〜Ｒ3として列挙されるアリールとしては、例えば、フェニル、ナフチル（例：１−ナフチル、２−ナフチル）、フルオレニル（例：２−フルオレニル）およびビフェニルが挙げられる。アリールの炭素数は、好ましくは６〜１４であり、より好ましくは６〜１０である。これらの中でも、フェニルが特に好ましい。
式（１）〜（２）中、Ｒ1〜Ｒ3として列挙されるピリジルとしては、例えば、２−ピリジル、３−ピリジルおよび４−ピリジルが挙げられる。
【００４８】
前記アリールの環上の少なくとも１つの水素を炭素数１〜１０のアルキルで置き換えてなる基としては、例えば、トリルおよびキシリルが挙げられる。前記アリールの環上の少なくとも１つの水素をハロゲンで置き換えてなる基としては、例えば、ｐ−フルオロフェニル、ペンタフルオロフェニル、ｐ−クロロフェニルおよびペンタクロロフェニルが挙げられる。
【００４９】
式（１）〜（２）中、Ｒ1〜Ｒ3として列挙されるフリルは、例えば、２−フリル、３−フリルであり；チエニルは、例えば、２−チエニルおよび３−チエニルであり；チアゾリルは、例えば、２−チアゾリルである。
【００５０】
アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素は、ハロゲンで置き換えられてもよい。ハロゲンとしては、例えば、塩素、臭素およびフッ素が挙げられ、好ましくはフッ素である。
【００５１】
本発明の化合物（１）の中でも、有機半導体分子の高密度な集合化の観点から、二置換誘導体、すなわち、式（１−１）または式（１−２）で表される化合物が好ましく、高いキャリア移動度を示すことから、式（１−１）で表される化合物が特に好ましい。
【００５２】
【化１４】
0005867583.tif 000015
【００５３】
式（１−１）および式（１−２）中、Ｘおよびｎは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義である。２つあるＲ3は、それぞれ独立にフッ素、炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルである。前記アルキル中の少なくとも１つの水素は、フッ素で置き換えられてもよい。前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも一つの水素は、ハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。これらの置換基の具体例および好適例は、式（１）〜（２）の説明にて上述したとおりである。
【００５４】
式（１−１）および式（１−２）中、２つあるＲ3は、相互に同一でも異なってもよく、同一の置換基であることが好ましい。２つあるＲ3は、炭素数１〜２０のアルキル、フェニル、フリルおよびチエニルから選択される同一の基であることが好ましく、より好ましくは炭素数１〜２０のアルキルであり、本発明の化合物が高いキャリア移動度を示すことから、さらに好ましくは炭素数４〜１５のアルキル、特に好ましくは炭素数４〜１２のアルキル、最も好ましくは炭素数６〜１２のアルキルである。
本発明の化合物（１）の中でも、以下の式で表される化合物もまた、好ましい。
【化１５】
0005867583.tif 000016
式中、ｎは、式（１）中の同一記号と同義である。
【００５５】
本発明の化合物（２）の中でも、有機半導体分子の高密度な集合化の観点から、二置換誘導体、すなわち、式（２−１）で表される化合物が好ましい。
【００５６】
【化１６】
0005867583.tif 000017
【００５７】
式（２−１）中、Ｘおよびｎは、それぞれ式（２）中の同一記号と同義である。２つあるＲ1は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリルである。前記アルキル中の少なくとも１つの水素は、フッ素で置き換えられてもよく、前記アリール、ピリジル、フリル、チエニルおよびチアゾリルの環上の少なくとも１つの水素は、ハロゲンおよび炭素数１〜１０のアルキルから選択される少なくとも１種で置き換えられてもよい。これらの置換基の具体例および好適例は、式（１）〜（２）の説明にて上述したとおりである。
【００５８】
式（２−１）中、２つあるＲ1は、相互に同一でも異なってもよく、同一の置換基であることが好ましい。２つあるＲ1は、炭素数６〜１５のアルキル、フェニル、フリル、チエニルおよびチアゾリルから選択される同一の基であることがより好ましい。
【００５９】
式（１−１）、式（１−２）、式（２−１）は、例えば、下記式である。
【化１７】
0005867583.tif 000018
【００６０】
本発明の化合物は、その構造（非直線型かつカルコゲン架橋型の構造）および好ましくは置換基導入の効果により、溶媒に対して高い溶解性を示す。すなわち、後述する化合物の濃度で溶液を調製することができる。よって、本発明の化合物を含む溶液を基板上に塗布または印刷することが可能となり、簡便な製膜工程により本発明の化合物を含む有機半導体膜を製造することができる。例えば、印刷法を用いる膜形成は、常温かつ常圧下で行うことができ、また簡便かつ短時間で膜を形成できるので、高温かつ高圧下で行う蒸着法等の膜形成よりも、製造コスト等の点で有利である。したがって、本発明の化合物が有する優れた性質を損なうことなく、有機半導体膜および当該有機半導体膜を有する有機半導体素子を製造することができる。
【００６１】
本発明の化合物は、分子の屈曲部位に存在するカルコゲンにより、分子間相互作用が向上し、分子間でπ電子軌道の重なりが充分あるため、本発明の化合物およびこの化合物を含む有機半導体膜は、充分に高いキャリア移動度を示す。用途によってキャリア移動度の最適値は異なるが、有機半導体素子として使用する場合のキャリア移動度は、好ましくは０．５ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上、より好ましくは１．０ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上、特に好ましくは５．０ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である。キャリア移動度の上限値は特に限定されないが、例えば、５０．０ｃｍ2／Ｖ・ｓ程度である。なお、キャリア移動度は、例えば、本発明の化合物の０．２質量％濃度ｏ−キシレン溶液、０．２質量％濃度１，２−ジクロロエタン溶液、または０．２質量％濃度ｏ−ジクロロベンゼン溶液を用いて形成された有機半導体膜について測定され、その製膜方法および測定方法の詳細（例：エッジキャスト法、ギャップキャスト法）は、実施例に記載したとおりである。
【００６２】
本発明の化合物は、キャリア移動度が高いという性質に加えて、トランジスタのゲート電圧によるドレイン電流のオン／オフ比が高いという、有機半導体材料として優れた性質を有する。
【００６３】
また、本発明の化合物は、耐酸化性等の化学的安定性に優れている。
また、本発明の化合物は、後述するように、有機合成化学的に実施容易な反応を用いて短工程で合成できることから、工業的に製造可能であって、実用性に富む有機半導体材料として用いることができる。
以上より、本発明の化合物は、有機半導体材料として好適に用いられる。
【００６４】
以下、本発明の化合物の具体例を示す。
Ｘ＝酸素の化合物（１）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００６５】
【化１８】
0005867583.tif 000019
【００６６】
Ｘ＝硫黄の化合物（１）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００６７】
【化１９】
0005867583.tif 000020
【００６８】
Ｘ＝セレンの化合物（１）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００６９】
【化２０】
0005867583.tif 000021
【００７０】
Ｘ＝酸素の化合物（２）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００７１】
【化２１】
0005867583.tif 000022
【００７２】
Ｘ＝硫黄の化合物（２）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００７３】
【化２２】
0005867583.tif 000023
【００７４】
Ｘ＝セレンの化合物（２）としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【００７５】
【化２３】
0005867583.tif 000024
【００７６】
〔化合物（１）および化合物（２）の製造方法〕
本発明の化合物（１）または化合物（２）（Ｘ＝硫黄またはセレン）の製造方法は、式（１１）または式（２１）で表される化合物をカップリングさせて、式（１２）または式（２２）で表される化合物を得る工程１Ａ；式（１２）または式（２２）で表される化合物のメトキシを脱保護させて、式（１３）または式（２３）で表される化合物を得る工程２Ａ；式（１３）または式（２３）で表される化合物とＮ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドまたはＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドとを反応させて、式（１４）または式（２４）で表される化合物を得る工程３Ａ；および式（１４）または式（２４）で表される化合物を加熱することにより、式（１５）または式（２５）で表される化合物を得る工程４Ａを有する。
【００７７】
本発明の化合物（１）または化合物（２）（Ｘ＝酸素）の製造方法は、上記工程１Ａ；上記工程２Ａ：および式（１３）または式（２３）で表される化合物をゼオライト触媒下、加熱脱水することにより、式（１５）または式（２６）で表される化合物を得る工程３Ａ’を有する。
【００７８】
【化２４】
0005867583.tif 000025
【００７９】
【化２５】
0005867583.tif 000026
【００８０】
式（１１）〜（１５）において、Ｒ1〜Ｒ3およびｎは、それぞれ式（１）中の同一記号と同義であり；式（２１）〜（２６）において、Ｒ1〜Ｒ2およびｎは、それぞれ式（２）中の同一記号と同義であり；Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。また、反応式中、Ｍｅはメチルであり、ｎ−Ｂｕはノルマルブチルであり、Ｅｔはエチルであり、Ｐｙはピリジンであるが、これらは一例であって、各反応に用いる試薬はこれらに限定されるものではない。
【００８１】
以下の各工程では、溶液の状態で反応を行うことが好ましい。溶媒としては、例えば、アセトニトリル等のニトリル系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼン等のハロゲン化溶媒；テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；トルエン等の芳香族炭化水素溶媒；からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒を用いることが好ましい。また、有機金属化合物を化合物（１１）または（２１）の溶液に添加する際には、ヘキサン等の有機溶媒の溶液として添加することが好ましい。
【００８２】
また、各工程間において、得られた化合物（粗生成物）の精製を適宜行ってもよい。精製方法としては、例えば、カラムクロマトグラフィーや再結晶による方法が挙げられる。
【００８３】
〈工程１Ａ〉（ホモカップリング）
工程１Ａでは、有機金属化合物の存在下、化合物（１１）をホモカップリングさせ、あるいは化合物（２１）をホモカップリングさせる。工程１Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常０〜６０℃、好ましくは０℃〜室温であり；反応時間は、通常２〜１４時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。なお、室温とは２３℃程度の温度環境を意味する。
【００８４】
有機金属化合物としては、例えば、ｎ−ブチルリチウムおよびｓ−ブチルリチウムが挙げられ、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。有機金属化合物の使用量は、化合物（１１）または（２１）１ｍｏｌに対して、通常１．０５〜２．１０ｍｏｌである。
【００８５】
〈工程２Ａ〉（脱保護）
工程２Ａでは、脱保護剤の存在下、化合物（１２）または（２２）のメトキシの脱保護を行う。工程２Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常−７８℃〜室温、好ましくは０℃〜室温であり；反応時間は、通常１〜２時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。
【００８６】
脱保護剤としては、例えば、三臭化ホウ素および塩化アルミニウムが挙げられ、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。脱保護剤の使用量は、化合物（１２）または（２２）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜２．４ｍｏｌである。
【００８７】
〈工程３Ａ〉
工程３Ａでは、塩基の存在下、化合物（１３）または（２３）と、Ｎ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドまたはＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドとを反応させる。工程３Ａの反応温度（例：溶液の加熱温度）は、通常６０〜８０℃であり；反応時間は、通常１０〜４８時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。
【００８８】
Ｎ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドおよびＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドにおける２つあるアルキルの炭素数は、それぞれ独立に１〜３であり、好ましくは１〜２である。
【００８９】
Ｎ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイルクロリドおよびＮ，Ｎ−ジエチルチオカルバモイルクロリドが挙げられる。Ｎ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルセレノカルバモイルクロリドおよびＮ，Ｎ−ジエチルセレノカルバモイルクロリドが挙げられる。Ｎ，Ｎ−ジアルキルチオカルバモイルクロリドまたはＮ，Ｎ−ジアルキルセレノカルバモイルクロリドの使用量は、化合物（１３）または（２３）１ｍｏｌに対して、通常３．０〜４．０ｍｏｌである。
【００９０】
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、ピリジンおよび水素化ナトリウムが挙げられ、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。塩基の使用量は、化合物（１３）または（２３）１ｍｏｌに対して、トリエチルアミンを通常１．１〜５．０ｍｏｌ、好ましくは１．５〜２．５ｍｏｌ、ピリジンを通常５〜３０ｍｏｌ、好ましくは１０〜２０ｍｏｌである。
【００９１】
〈工程４Ａ〉（環化）
工程４Ａでは、化合物（１４）または（２４）を加熱し、環化を行うことで、本発明の化合物である化合物（１５）または（２５）を得る。工程４Ａの加熱温度は、通常３００〜３１０℃であり；反応時間は、通常４〜６時間である。
【００９２】
〈工程３Ａ’〉（脱水環化）
工程３Ａ’では、化合物（１３）または（２３）の溶液に、ゼオライトを加え、脱水・環化を行うことで、本発明の化合物である化合物（１５）または（２６）を得る。工程３Ａ’の加熱温度（例：溶液の加熱温度）は、通常１６０〜１８０℃であり；反応時間は、通常８〜２０時間、好ましくは１０〜１６時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。
【００９３】
以上の製造方法のほか、本発明の化合物（２−１）は、公知の方法で合成した無置換の式（２７）で表される化合物を、臭素化して、続いて公知のクロスカップリング反応によって臭素部分に所望の置換基を導入することで、製造することができる。クロスカップリング反応により所望の置換基を導入する方法は、特に二置換体の合成に有用である。
【００９４】
具体的には、本発明の化合物（２−１）の製造方法は、式（２７）で表される化合物を臭素化して、式（２８）で表される化合物を得る工程１Ｂ；および式（２８）で表される化合物とクロスカップリング反応剤とを反応させて（クロスカップリング反応を行うことで）、式（２９）で表される化合物を得る工程２Ｂを有する。
【００９５】
【化２６】
0005867583.tif 000027
【００９６】
式（２７）〜（２９）中、Ｘ、ｎおよびＲ1はそれぞれ式（２−１）中の同一記号と同義である。
【００９７】
〈工程１Ｂ〉（臭素化）
工程１Ｂでは、化合物（２７）の５位および９位（ｎ＝０の場合）、６位および１０位（ｎ＝１の場合）を臭素化する。臭素の使用量は、化合物（２７）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜２．２ｍｏｌである。
【００９８】
工程１Ｂの加熱温度（例：溶液または懸濁液の加熱温度）は、通常室温〜１００℃、好ましくは８０〜１００℃であり；反応時間は、通常４〜１０時間、好ましくは４〜８時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。
【００９９】
工程１Ｂでは、溶液または懸濁液の状態で化合物（２７）の臭素化を行うことが好ましい。溶媒としては、例えば、酢酸、クロロホルムからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒を用いることが好ましい。
【０１００】
また、工程１Ｂと工程２Ｂとの間において、得られた化合物（粗生成物）の精製を適宜行ってもよい。精製方法としては、例えば、カラムクロマトグラフィーや再結晶による方法が挙げられる。
【０１０１】
化合物（２８）、すなわち式（２−１’）で表される化合物は、化合物（２９）、すなわち式（２−１）で表される化合物の合成に用いられる原料化合物として、好適である。
【０１０２】
【化２７】
0005867583.tif 000028
【０１０３】
式（２−１’）中、Ｘは、酸素、硫黄またはセレンであり；２つあるｎは、それぞれ独立に０または１である。
【０１０４】
〈工程２Ｂ〉（クロスカップリング）
工程２Ｂでは、公知のクロスカップリング反応、例えば、鈴木カップリング、スティルカップリング、根岸カップリング、玉尾カップリング、およびこれらから派生した反応によって、化合物（２８）の臭素部分を置換基Ｒ1に変換する。Ｒ1は、式（２−１）中の同一記号と同義である。
【０１０５】
工程２Ｂでは、溶液または懸濁液の状態で化合物（２８）のクロスカップリングを行うことが好ましい。溶媒としては、クロスカップリングの反応形態によって異なるが、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエンおよびジエチルエーテルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒を用いることが好ましい。
【０１０６】
クロスカップリング反応に用いるクロスカップリング反応剤（置換基Ｒ1を導入するための化合物）、触媒、および反応条件（例：温度、時間）としては、クロスカップリングの反応形態によって異なり、特に限定されない。
【０１０７】
以下、具体例を示す。
クロスカップリング反応剤としては、例えば、トリブチル（２−チエニル）スズ、トリブチル（２−フリル）スズおよびトリブチル（２−チアゾリル）スズ等のＲ1−ＳｎＲ3（式中、Ｒ1はチエニル、フリルまたはチアゾリルであり、Ｒはブチル等のアルキルである。）；Ｒ1−ＭｇＸ（式中、Ｒ1は炭素数１〜２０のアルキル、炭素数６〜１４のアリール、またはピリジルであり、Ｘは臭素等のハロゲンである。）；Ｒ1−Ｂ（ＯＨ）2（式中、Ｒ1は炭素数６〜１４のアリール、またはピリジルである。）；Ｒ1−ＺｎＸ（式中、Ｒ1は炭素数６〜１４のアリール、またはピリジルである。）が挙げられる。クロスカップリング反応剤の使用量は、化合物（２８）１ｍｏｌに対して、通常１．１〜４．０ｍｏｌ、好ましくは２．０〜３．０ｍｏｌである。
【０１０８】
触媒としては、例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロリド−ジクロロメタン錯体およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体等のパラジウム触媒、ならびに［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（II）ジクロリド等のニッケル触媒が挙げられる。
【０１０９】
工程２Ｂの反応温度（例：溶液または懸濁液の温度）は、通常０〜１４０℃、好ましくは室温〜１４０℃であり；反応時間は、通常１０分〜２４時間、好ましくは１〜２４時間であり；反応は、常圧下で通常行われる。反応温度はカップリングの種類により異なり，例えば、スティルカップリングにおいては８０〜１４０℃、玉尾カップリングにおいては０℃〜室温，鈴木カップリングにおいては８０〜１１０℃である。
【０１１０】
また、本発明の化合物（１）（Ｘ＝セレン）は、以下の方法によって製造することもできる。具体的には、この方法は、上記工程１Ａ；上記工程２Ａ；式（１３）で表される化合物とトリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを反応させて、式（１６）で表される化合物を得る工程５Ａ；式（１６）で表される化合物をボラン類とカップリングすることにより、式（１７）で表されるボロン酸エステルを得る工程６Ａ；式（１７）で表されるボロン酸エステルを臭化銅で臭素化して、式（１８）で表される化合物を得る工程７Ａ；および式（１８）で表される化合物をリチオ化した後、塩化セレンと反応させることにより、式（１５）で表される化合物を得る工程８Ａを有する。
【０１１１】
【化２８】
0005867583.tif 000029
【０１１２】
式（１１）〜（１３）および式（１５）〜（１８）中、Ｘはセレンであり、ｎおよびＲ1〜Ｒ3はそれぞれ式（１）中の同一記号と同義であり、Ｍｅはメチルであり、式（１７）中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。
【０１１３】
以下の各工程５Ａ〜８Ａでは、溶液の状態で反応を行うことが好ましい。溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のピロリドン系溶媒；ジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼン等のハロゲン化溶媒；テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル系溶媒；メタノール等のアルコール系溶媒；からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒を用いることが好ましい。
【０１１４】
〈工程５Ａ〉
工程５Ａでは、化合物（１３）とトリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物とを反応させて、化合物（１６）を得る。工程５Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常０〜３０℃であり；反応時間は、通常２〜２４時間である。
【０１１５】
トリフルオロメタンスルホニルクロリドまたはトリフルオロメタンスルホン酸無水物の使用量は、化合物（１３）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜５．０ｍｏｌである。
【０１１６】
工程５Ａは、塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、例えば、ピリジン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジンが挙げられ、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。塩基の使用量は、化合物（１３）１ｍｏｌに対して、通常０．１〜１０．０ｍｏｌである。
【０１１７】
〈工程６Ａ〉
工程６Ａでは、化合物（１６）をボラン類とカップリングすることにより、ボロン酸エステル（１７）を得る。工程６Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常２０〜１５０℃であり；反応時間は、通常３〜２４時間である。
【０１１８】
ボラン類としては、例えば、下記式で表される化合物、具体的には４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロランが挙げられる。ボラン類の使用量は、化合物（１６）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜５．０ｍｏｌである。
【０１１９】
【化２９】
0005867583.tif 000030
式中、Ｒはそれぞれ独立に炭素数１〜３のアルキルである。
【０１２０】
この反応では、触媒を用いることができる。例えば、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロリド−ジクロロメタン錯体およびトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体等のパラジウム触媒、ならびに［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（II）ジクロリド等のニッケル触媒が挙げられる。
【０１２１】
工程６Ａは、塩基の存在下で行うことができる。塩基としては、例えば、トリエチルアミンが挙げられる。塩基の使用量は、化合物（１６）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜１０．０ｍｏｌである。
【０１２２】
〈工程７Ａ〉
工程７Ａでは、ボロン酸エステル（１７）を臭化銅で臭素化して、化合物（１８）を得る。工程７Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常０〜２００℃であり；反応時間は、通常６〜３０時間である。臭化銅の使用量は、ボロン酸エステル（１７）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜１０．０ｍｏｌである。
【０１２３】
〈工程８Ａ〉
工程８Ａでは、化合物（１８）をリチオ化した後、塩化セレンと反応させることにより、化合物（１５）を得る。工程８Ａの反応温度（例：溶液の温度）は、通常−８０〜３０℃であり；反応時間は、通常１〜５時間である。
【０１２４】
リチオ化剤としては、例えば、ｔ−ブチルリチウムが挙げられる。リチオ化剤の使用量は、化合物（１８）１ｍｏｌに対して、通常２．０〜５．０ｍｏｌである。塩化セレンの使用量は、化合物（１８）１ｍｏｌに対して、通常１．０〜１．５ｍｏｌである。
【０１２５】
なお、以上の本発明の化合物の製造方法において、本発明の化合物は、溶媒に対して高い溶解性を示すため、カラムクロマトグラフィーや再結晶等の簡易な方法によって、合成後の化合物の粗生成物を容易に精製することができる。
【０１２６】
〔有機半導体膜等の膜〕
本発明の膜（例：有機半導体膜）は、本発明の化合物、すなわち化合物（１）および化合物（２）から選択される少なくとも１種を含む。本発明の化合物は、溶媒に対して高い溶解性を示すため、これらを溶媒に溶解させた溶液（以下「有機半導体溶液」ともいう。）を、基板上に塗布または印刷することで、表面均一性に優れた膜（例：有機半導体膜）を形成することができる。
【０１２７】
有機半導体溶液の調製に使用される溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、酢酸エチル、乳酸エチル、ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、ジクロロベンゼン、アセトニトリル、アセトン、シクロヘキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、ブチルセロソルブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）およびジメチルスルホキシド等の有機溶媒；水；またはこれらの２種以上の混合物が挙げられる。
【０１２８】
有機半導体溶液中の本発明の化合物の濃度は、好ましくは０．０５〜１０質量％、より好ましくは０．１〜５質量％である。本発明の化合物は、溶媒に対して高い溶解性を示すため、高濃度溶液を調製することができる。ここで、本発明の化合物の高濃度溶液とは、有機半導体溶液中の当該化合物濃度が０．１質量％以上である溶液をいう。
【０１２９】
本発明の化合物の溶媒に対する優れた溶解性により、種々の濃度の有機半導体溶液を調製することができるので、得られる膜の結晶化度を変化させることができる。膜の結晶化度が変化すると、結晶化度に影響されるキャリア移動度も変化する。したがって、本発明では、結晶から非晶質までの広い範囲での結晶性を容易に調整でき、有機半導体膜の厚さおよびキャリア移動度といった、必要な素子特性を安定して再現できる。
【０１３０】
また、本発明の化合物と高分子化合物とを含有する樹脂組成物を用いて製膜してもよい。前記樹脂組成物における高分子化合物の含有量は、通常１〜９９質量％、好ましくは５〜９０質量％、より好ましくは５〜８０質量％である。また、前記樹脂組成物における溶媒の含有量は、本発明の化合物および高分子化合物の含有量が上記範囲であり、かつ前記樹脂組成物が製膜に適した粘度を有するよう、適宜設定される。
【０１３１】
高分子化合物としては、例えば、熱可塑性高分子および熱硬化性高分子が挙げられる。具体的には、ポリエステル、ポリアミド、ポリスチレン、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリシクロオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネート、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアセチレン、ポリピロールおよびポリアリレンビニレンが挙げられる。また、前記高分子化合物として、導電性高分子を用いてもよい。導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリピロールおよびポリアニリンが挙げられる。
【０１３２】
本発明の膜の厚さは、所望の用途に応じて適宜選択することができる。例えば、有機半導体素子に使用される有機半導体膜の厚さは、好ましくは１０〜１，０００ｎｍ、より好ましくは１０〜２００ｎｍである。
【０１３３】
本発明の膜の製造方法としては、種々の方法が挙げられる。
塗布法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法およびブレード法が挙げられる。また、本発明者らが開発した、塗布法に分類される、実施例にて後述するエッジキャスト法およびギャップキャスト法も有効である。
【０１３４】
印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷、平版印刷、凹版印刷および凸版印刷が挙げられる。印刷法の中でも、本発明の化合物の溶液をそのままインクとして用いたプリンタにより行うインクジェット印刷は、簡易な方法であるため好ましい。
上記方法以外の製膜法、例えば蒸着法を用いて製膜を行っても差し支えはない。
【０１３５】
製膜時の温度は特に限定されず、通常室温〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。ここでの温度は、例えば、塗布法や印刷法では、有機半導体溶液の加熱温度であり、雰囲気の温度であり、製膜に使用される基板の加熱温度である。また、前記溶液温度、雰囲気温度、基板温度はお互いに異なる温度であってもかまわない。上記の溶液を使用しない製膜法、例えば蒸着法では、製膜に使用される基板の加熱温度を意味する。
【０１３６】
有機半導体膜を有機半導体素子の一部としてそのまま使用する際には、印刷法によりパターニングを行うことが好ましく、さらに印刷法において、本発明の化合物の高濃度溶液を用いることが好ましい。高濃度溶液を用いれば、インクジェット印刷、マスク印刷、スクリーン印刷およびオフセット印刷等を活用できる。また、印刷法による有機半導体膜の製造は、加熱や真空プロセスの必要性がなく流れ作業によって製造できるので、低コスト化および工程変更への対応性を増すことに寄与する。また、印刷法による有機半導体膜の製造は、素子の回路の単純化、製造効率の向上、および素子の低廉化・軽量化に寄与する。以上の観点から、溶媒への高い溶解性を示す本発明の化合物は優れている。
【０１３７】
〔有機半導体素子〕
本発明の有機半導体素子は、上記有機半導体膜および電極を有する。具体的には、上記有機半導体膜と、他の半導体特性を有する素子とを組み合わせることによって、有機半導体素子とすることができる。他の半導体特性を有する素子としては、例えば、整流素子、スイッチング動作を行うサイリスタ、トライアックおよびダイアックが挙げられる。
【０１３８】
本発明の有機半導体素子は、表示素子としても用いることができ、特にすべての部材を有機化合物で構成した表示素子が有用である。
【０１３９】
表示素子としては、例えば、フレキシブルな、シート状表示装置（例：電子ペーパー、ＩＣカードタグ）、液晶表示素子およびエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子が挙げられる。これらの表示素子は、可撓性を示す高分子から形成される絶縁基板上に、本発明の有機半導体膜と、この膜を機能させる構成要素を含む１つ以上の層とを形成することで作製することができる。このような方法で作製された表示素子は、可撓性を有しているため、衣類のポケットや財布等に入れて持ち運ぶことができる。
【０１４０】
表示素子としては、例えば、固有識別符号応答装置を挙げることもできる。固有識別符号応答装置は、特定周波数または特定符号を持つ電磁波に反応し、固有識別符号を含む電磁波を返答する装置である。固有識別符号応答装置は、再利用可能な乗車券または会員証、代金の決済手段、荷物または商品の識別用シール、荷札または切手の役割、および会社または行政サービス等において、書類または個人を識別する手段として用いられる。
【０１４１】
固有識別符号応答装置は、ガラス基板または可撓性を示す高分子から形成される絶縁基板上に、信号に同調して受信するための空中線と、受信電力で動作し、識別信号を返信する本発明の有機半導体素子とを有する。
【０１４２】
〈有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）〉
本発明の有機半導体素子の例としては、有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）が挙げられる。本発明の有機ＦＥＴは、液晶表示素子およびエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と組み合わせても用いることができる。
【０１４３】
本発明の有機ＦＥＴは、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および有機半導体層を有し、前記有機半導体層が本発明の有機半導体膜からなる。また、本発明の有機ＦＥＴは、キャリアの注入効率を上げるために、キャリア注入層を有してもよい。
【０１４４】
有機ＦＥＴにおいて、ゲート電極に印加する電圧を制御することによって、ゲート絶縁膜上の有機半導体層界面にキャリアを誘起し、ソース電極およびドレイン電極に流れる電流を制御し、スイッチング動作を行う。
【０１４５】
有機ＦＥＴにおいて、ドレイン電圧およびゲート電圧を変化させながらソース・ドレイン電極間の電流を測定することで得られる、ドレイン電流／ゲート電圧曲線から、キャリア移動度を求めることができる。さらに、ゲート電圧によるドレイン電流のオン／オフ動作を観測することもできる。
【０１４６】
一般に、有機ＦＥＴの構造は、ボトムゲート型構造およびトップゲート型構造に大別され、これらは、さらにトップコンタクト構造およびボトムコンタクト構造に分類される。
【０１４７】
有機ＦＥＴとしては、基板上にゲート電極が形成され、さらにゲート絶縁膜および有機半導体層がこの順で形成された態様をボトムゲート型と呼び；基板上に有機半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極がこの順で形成された構造をトップゲート型と呼ぶ。
【０１４８】
また、有機ＦＥＴとしては、ソース電極およびドレイン電極が有機半導体層の下部（基板側）に配置される態様をボトムコンタクト型ＦＥＴと呼び；ソース電極およびドレイン電極が有機半導体層の上部（有機半導体層を挟んで基板と反対側）に配置される態様をトップコンタクト型ＦＥＴと呼ぶ。ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層との間のキャリア注入の観点からは、トップコンタクト型構造が、ボトムコンタクト型構造よりも有機ＦＥＴ特性が優れることが多い。
【０１４９】
図１に、それぞれ，（ａ）ボトムゲート−トップコンタクト型，（ｂ）ボトムゲート−ボトムコンタクト型、（ｃ）トップゲート−トップコンタクト型，（ｄ）トップゲート−ボトムコンタクト型の有機ＦＥＴの断面図を示す。ただし、本発明の有機ＦＥＴは、上記で例示した有機ＦＥＴ構造に限定されず、公知の有機ＦＥＴ構造を有していてもよい。また、縦型の有機ＦＥＴ構造を採用してもよい。
【０１５０】
基板としては、種々の基板が挙げられる。具体的には、ガラス基板、金、銅および銀等の金属基板、結晶性シリコン基板、アモルファスシリコン基板、トリアセチルセルロース基板、ノルボルネン基板、ポリエチレンテレフタレート基板等のポリエステル基板、ポリビニル基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板が挙げられる。
【０１５１】
ゲート電極の材料としては、例えば、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｃｒ、ポリシリコン、アモルファスシリコン、ハイドープ等のシリコン、錫酸化物、酸化インジウムおよびインジウム錫化合物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）等の無機材料；導電性高分子等の有機材料が挙げられる。ただし、導電性高分子は、不純物添加により導電性を向上させる処理がされていても構わない。
【０１５２】
ゲート絶縁膜の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3およびＴａ2Ｏ5等の無機材料；ポリイミドおよびポリカーボネート等の高分子材料が挙げられる。
【０１５３】
ゲート絶縁膜および基板の表面は、公知のシランカップリング剤、例えば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）、デシルトリエトキシシラン（ＤＴＳ）、オクタデシルトリエトキシシラン（ＯＤＳＥ）等のアルキル基を有するシランカップリング剤、あるいはトリエトキシトリデカフルオロオクチルシラン（Ｆ−ＳＡＭ）等のフルオロアルキル基を有するシランカップリング剤を用いて表面処理を行うことができる。ＨＭＤＳ、ＯＴＳ、ＤＴＳ、ＯＤＳＥ、Ｆ−ＳＡＭ等を用いた適切な表面処理を行うと、一般に、有機ＦＥＴ層を構成する結晶粒径の増大、結晶性の向上、分子配向の向上等が見られる。結果として、キャリア移動度およびオン／オフ比が向上し、閾値電圧が低下する傾向がある。
【０１５４】
ソース電極およびドレイン電極の材料としては、ゲート電極と同種の材料を用いることができ、ゲート電極の材料と同一であっても異なっていてもよく、異種材料を積層してもよい。
【０１５５】
キャリア注入層は、キャリアの注入効率を高めるために必要に応じて、ソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とのいずれにも接する形で設けられる。キャリア注入層は、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）および酸化モリブデン等を用いて製膜される。
【実施例】
【０１５６】
以下、本発明を実施例に基づいて更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。合成化合物の物性値の測定方法は、以下のとおりである。【０１５７】
融点は、メトラー社製Toledo MP70自動融点測定システムを用いて測定した。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトルおよび13Ｃ−ＮＭＲスペクトルは、日本電子（株）製ECA-600、およびECS400スペクトロメーターを用いて測定した。
元素分析には、（株）ジェイ・サイエンス・ラボ製JM10 MICRO CORDERを用いた。
質量分析には、日本電子（株）製JMS-T100LC APCI/ESI質量分析計、およびブルカーダルトニクス社製ultraflex III TOF/TOFを用いた。
なお、以下の実施例の表題化合物において、アルキルはいずれも直鎖状基である。【０１５８】
［実施例１］
２，１０−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]フランの合成【０１５９】
（第１工程）
７，７’−ジデシル−３，３’−ジメトキシ−２，２’−ビナフタレンの合成【０１６０】
【化３０】
0005867583.tif 000031
【０１６１】
２−デシル−６−メトキシナフタレン（１１．４ｇ、３８．１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１５３ｍＬ）に、０℃でｎ−ブチルリチウム（１．６２Ｍヘキサン溶液、４７ｍＬ、７６．１４ｍｍｏｌ）を１０ｍＬ／分の速度で滴下した。０℃で一時間撹拌した後、シアン化銅（３．４３ｇ、３８．３ｍｍｏｌ）を加えた。温度を室温に戻し、１時間撹拌した後、０℃でテトラメチルベンゾキノン（デュロキノン；１２．５ｇ、７６．３ｍｍｏｌ）を加えた。温度を室温に戻し、２時間撹拌した後、１Ｎ塩酸を加えて中和した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝７：３（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（７．４７ｇ、１２．６ｍｍｏｌ、６６％）を得た。【０１６２】
融点: 65.5-66.5 ℃. 1H NMR (400 MHz, CD3Cl): δ 0.88 (t, J = 6.8 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.35 (m, 28H, (CH2)3), 1.69 (quin, J = 6.8 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.74 (t, J = 7.6 Hz, 4H, ArCH2), 3.86 (s, 6H, OCH3), 7.19 (s, 2H, ArH), 7.30 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.55 (s, 2H, ArH), 7.68 (s, 2H, ArH), 7.70 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.3, 22.9, 29.48, 29.51, 29.7, 29.80 (two carbons), 31.7, 32.1, 36.1, 55.8, 105.3, 126.3, 126.4, 127.9, 129.0, 129.9, 130.1, 132.8, 138.3, 155.9. TOF HRMS (APCI): Calcd for C42H59O2 [M+H] 595.4515, found, 595.4509.  Anal. Calcd for C42H58O2: C, 84.79; H, 9.83.  Found: C, 84.73; H, 9.56.【０１６３】
（第２工程）
７，７’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジオールの合成【０１６４】
【化３１】
0005867583.tif 000032
【０１６５】
７，７’−ジデシル−３，３’−ジメトキシ−２，２’−ビナフタレン（１．４９ｇ、２．５０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（ＤＣＭ；１０ｍＬ）に、０℃で三臭化ホウ素（１．０Ｍジクロロメタン溶液、５．５０ｍＬ、５．５０ｍｍｏｌ）を２ｍＬ／分の速度で滴下した。温度を室温に戻し、一時間撹拌した後、反応溶液を氷水に加えた。酢酸エチルで有機層を抽出した後、食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝８：２（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（１．３８ｇ、２．４３ｍｍｏｌ、９７％）を得た。【０１６６】
融点: 108.5-109.5 ℃. 1H NMR (400 MHz, CD3Cl): δ 0.88 (t, J = 6.4 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.35 (m, 28H), 1.72 (m, 4H), 2.76 (t, J = 7.6 Hz, 4H, ArCH2), 5.63 (s, 2H, OH), 7.34 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.39 (s, 2H, ArH), 7.58 (s, 2H, ArH), 7.69 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.79 (s, 2H, ArH).【０１６７】
（第３工程）
２，１０−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]フランの合成【０１６８】
【化３２】
0005867583.tif 000033
【０１６９】
７，７’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジオール（１．１９ｇ、２．１０ｍｍｏｌ）のｏ−ジクロロベンゼン溶液（ＯＤＣＢ；４２ｍＬ）に、ゼオライトTosoh HSZ-360HUA（３５７ｍｇ）を加え、１６０℃で１６時間撹拌した。温度を室温に戻し、セライト濾過し、ゼオライトを濾分した。この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンとジクロロメタンとの混合溶媒（ヘキサン：ジクロロメタン＝８：２（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（１．１３ｇ、２．０６ｍｍｏｌ、９８％）を得た。【０１７０】
融点: 175-176 ℃. 1H NMR (400 MHz, CD3Cl): δ 0.89 (t, J = 6.4 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.40 (m, 28H, (CH2)3), 1.75 (quin, J = 6.8 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.40 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.81 (s, 2H, ArH), 7.83 (s, 2H, ArH), 7.88 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.43 (s, 2H, ArH).  13C NMR (150 MHz, CDCl2CDCl2): δ 14.4, 22.9, 29.5, 29.6, 29.70, 29.77, 29.79, 31.5, 32.0, 36.1, 106.5, 119.6, 125.1, 126.8, 127.6, 128.3, 130.3, 132.0, 139.3, 155.4. TOF HRMS (APCI): Calcd for C40H53O [M+H] 549.4096, Found 549.4093. Anal. Calcd for C40H52O: C, 87.37; H, 9.72.  Found: C, 87.61; H, 9.50.【０１７１】
［実施例２］
２，１０−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０１７２】
（第１工程）
Ｏ，Ｏ’−（７，７’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）の合成【０１７３】
【化３３】
0005867583.tif 000034
【０１７４】
７，７’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジオール（２．０ｇ、３．５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（ＴＨＦ；２１ｍＬ）に、トリエチルアミン（１．１ｍＬ）、ピリジン（２．８ｍＬ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイルクロリド（１．３８ｇ、１０．５ｍｍｏｌ）を加え、６５℃で２０時間撹拌した。この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝８：２（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、無色液体の表題化合物（１．９０ｇ、２．５７ｍｍｏｌ、７３％）を得た。【０１７５】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 0.88 (t, J = 6.0 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.35 (m, 28H), 1.68 (m, 4H), 2.76 (t, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2), 2.99 (s, 6H, NCH3), 3.15 (s, 6H, NCH3), 7.35 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 7.59 (s, 2H, ArH), 7.60 (s, 2H, ArH), 7.77 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 7.88 (s, 2H, ArH).【０１７６】
（第２工程）
２，１０−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０１７７】
【化３４】
0005867583.tif 000035
【０１７８】
Ｏ，Ｏ’−（７，７’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）（１．９０ｇ、２．５７ｍｍｏｌ）をパイレックチューブに封管し、３００℃で４時間加熱した。温度を室温に戻した後、トルエンと２−プロパノールとの混合溶媒（トルエン：２−プロパノール＝８：２（体積比））による熱再結晶により、淡黄色固体の表題化合物（１．０１ｇ、１．７９ｍｍｏｌ、７０％）を得た。【０１７９】
融点: 122-123 ℃. 1H NMR (400 MHz, CD3Cl): δ 0.88 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.40 (m, 28H, (CH2)3), 1.75 (quin, J = 6.8 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.83 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.39 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 7.81 (s, 2H, ArH), 7.82 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 8.17 (s, 2H, ArH), 8.64 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.3, 22.9, 29.52, 29.54, 29.74, 29.81 (two carbons), 31.5, 32.1, 36.3, 120.0, 120.3, 126.8, 126.9, 128.2, 131.3, 131.9, 134.9, 137.3, 140.0. TOF HRMS (APCI): Calcd for C40H53S [M+H] 565.3868, found 565.3876. Anal. Calcd for C40H52S: C, 85.05; H, 9.28. Found: C, 85.26; H, 9.30.【０１８０】
［実施例３］
３，９−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]フランの合成【０１８１】
【化３５】
0005867583.tif 000036
【０１８２】
実施例１において、出発原料を６，６’−ジデシル−３，３’−ジメトキシ−２，２’−ビナフタレンに変更したこと以外は実施例１に準拠して、白色固体の表題化合物（収率：９４％）を得た。物性値を以下に示す。【０１８３】
融点: 216-217 ℃. 1H NMR (600 MHz, CDCl2CDCl2): δ 0.82 (t, J = 6.6 Hz, 6H, CH3), 1.22-1.36 (m, 28H, (CH2)3), 1.68 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.75 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.31 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.67 (s, 2H, ArH), 7.75 (s, 2H, ArH), 7.90 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.40 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl2CDCl2, 100℃): δ 14.0, 22.6, 29.3, 29.4, 29.51, 29.59 (two carbons), 31.1, 31.9, 36.2, 106.1, 119.6, 124.6, 126.1, 126.3, 128.3, 128.9, 134.1, 141.2, 156.2. TOF HRMS (APCI): Calcd for C40H53O [M+H] 549.4096, found 549.4095. Anal. Calcd for C40H52O: C, 87.37; H, 9.72.  Found: C, 87.61; H, 9.50.【０１８４】
［実施例４］
３，９−ジブチルジナフト[2,3-b:2',3'-d]フランの合成【０１８５】
【化３６】
0005867583.tif 000037
【０１８６】
実施例１において、出発原料を６，６’−ジブチル−３，３’−ジメトキシ−２，２’−ビナフタレンに変更したこと以外は実施例１に準拠して、白色固体の表題化合物（収率：９７％）を得た。物性値を以下に示す。【０１８７】
融点: 264.0-265.0 ℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.98 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.43 (sext, J = 7.2 Hz, 4H, CH2CH3), 1.74 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.83 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.34 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 7.73 (s, 2H, ArH), 7.80 (s, 2H, ArH), 7.95 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 8.44 (s, 2H, ArH).【０１８８】
［実施例５］
３，９−ジヘキシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]フランの合成【０１８９】
【化３７】
0005867583.tif 000038
【０１９０】
実施例１において、出発原料を６，６’−ジヘキシル−３，３’−ジメトキシ−２，２’−ビナフタレンに変更したこと以外は実施例１に準拠して、白色固体の表題化合物（収率：８８％）を得た。物性値を以下に示す。【０１９１】
融点: 198.7-199.1 ℃. 1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.91 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.33-1.43 (m, 12H, (CH2)3), 1.75 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.34 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 7.73 (s, 2H, ArH), 7.80 (s, 2H, ArH), 7.95 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 8.45 (s, 2H, ArH). TOF HRMS (APCI): Calcd for C32H37O [M+H] 437.2844, found 437.2837. Anal. Calcd for C32H36O: C, 88.03; H, 8.31. Found: C, 88.06; H, 8.26.【０１９２】
［実施例６］
３，９−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０１９３】
（第１工程）
Ｏ，Ｏ’−（６，６’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）の合成【０１９４】
【化３８】
0005867583.tif 000039
【０１９５】
６，６’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジオール（１．０２ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０．９ｍＬ）に、トリエチルアミン（０．５６ｍＬ）、ピリジン（１．５ｍＬ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイルクロリド（８９０ｍｇ、７．２０ｍｍｏｌ）を加え、６５℃で２０時間撹拌した。この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝８：２（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、無色液体の表題化合物（１．００ｇ、１．３５ｍｍｏｌ、７５％）を得た。【０１９６】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 0.89 (t, J = 6.0 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.39 (m, 28H, (CH2)3), 1.68 (quin, J = 6.8 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.77 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 3.00 (s, 6H, NCH3), 3.17 (s, 6H, NCH3), 7.32 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 7.56 (s, 2H, ArH), 7.61 (s, 2H, ArH), 7.75 (d, J = 7.8 Hz, 2H, ArH), 7.90 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.3, 22.8, 29.47, 29.56, 29.69, 29.73, 29.76, 31.5, 32.0, 36.3, 38.5, 43.2, 120.4, 126.0, 127.6, 127.9, 129.4, 129.9, 131.1, 133.4, 141.4, 149.9 187.4. TOF HRMS (APCI+): Calcd for C46H65N2O2S2 [M+H] 741.4487, Found 741.4487. Anal. Calcd for C46H64N2O2S2: C, 74.55; H, 8.70; N, 3.78.  Found: C, 74.68; H, 8.61; N, 3.70.【０１９７】
（第２工程）
３，９−ジデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０１９８】
【化３９】
0005867583.tif 000040
【０１９９】
Ｏ，Ｏ’−（６，６’−ジデシル−２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）（７５１ｍｇ、１．０１ｍｍｏｌ）をパイレックチューブに封管し、３００℃で４時間加熱した。温度を室温に戻した後、ヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝９５：５（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、淡黄色固体の表題化合物（４４０ｍｇ、０．７７９ｍｍｏｌ、７７％）を得た。【０２００】
融点: 182-183 ℃ (TG-DTA). 1H NMR (600 MHz, CD3Cl): δ 0.88 (t, J = 6.6 Hz, 6H, CH3), 1.26-1.40 (m, 28H, (CH2)3), 1.74 (quin, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2), 7.37 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.3, 22.9, 29.51, 29.54, 29.73, 29.78, 29.80, 31.5, 32.1, 36.4, 120.0, 120.2, 125.4, 127.2, 128.4, 129.6, 133.5, 134.2, 138.2, 141.2. TOF HRMS (APCI+): Calcd for C40H53S [M+H] 565.3868, Found 565.3864. Anal. Calcd for C40H52S: C, 85.05; H, 9.28.  Found: C, 84.84; H, 9.31.【０２０１】
［実施例７］
３，９−ジヘキシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２０２】
【化４０】
0005867583.tif 000041
【０２０３】
実施例６において、出発原料のデシルをヘキシルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：７２％）を得た。物性値を以下に示す。【０２０４】
融点: 202.0-202.4 ℃. 1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 0.88 (t, J = 7.8 Hz, 6H, CH3), 1.27-1.40 (m, 20H, (CH2)3)), 1.74 (quin, J = 7.8 Hz, 2H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2), 7.38 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.6 Hz, 2H, ArH), 8.14 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.3, 22.8, 29.2, 31.4, 31.9, 36.4, 120.0, 120.2, 125.4, 127.2, 128.4, 129.7, 133.6, 134.3, 138.3, 141.2. TOF HRMS (APCI+): Calcd for C32H37S [M+H] 453.2616, found 453.2615. Anal. Calcd for C32H36S: C, 84.90; H, 8.02.  Found: C, 85.09; H, 8.02.【０２０５】
［実施例８］
３，９−ジオクチルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２０６】
【化４１】
0005867583.tif 000042
【０２０７】
実施例６において、出発原料のデシルをオクチルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：７３％）を得た。物性値を以下に示す。【０２０８】
融点: 193.7-194.8 ℃. 1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 0.88 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.27-1.38 (m, 20H, (CH2)5), 1.73 (quin, J = 7.8 Hz, 2H, ArCH2CH2), 2.81 (t, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2), 7.37 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CDCl3): δ 14.1, 22.7, 29.3, 29.4, 29.5, 31.3, 31.9, 36.3, 119.9, 120.0, 125.3, 127.0, 128.2, 129.7, 133.5, 134.2, 138.2, 141.1. TOF HRMS (APCI+): Calcd for C36H45S [M+H] 509.3242, found 509.3242. Anal. Calcd for C36H44S: C, 84.98; H, 8.72. Found: C, 85.15; H, 8.69.【０２０９】
［実施例９］
３，９−ジブチルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２１０】
【化４２】
0005867583.tif 000043
【０２１１】
実施例６において、出発原料のデシルをブチルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：８１％）を得た。物性値を以下に示す。【０２１２】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.97 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.43 (sext, J = 7.2 Hz, 4H, CH2CH3), 1.75 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.38 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH), 8.64 (s, 2H, ArH).【０２１３】
［実施例１０］
３，９−ジペンチルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２１４】
【化４３】
0005867583.tif 000044
【０２１５】
実施例６において、出発原料のデシルをペンチルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：７３％）を得た。物性値を以下に示す。【０２１６】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.92 (t, J = 6.4 Hz, 6H, CH3), 1.37-1.41 (m, 8H, (CH2)2), 1.75 (quin, J = 7.6 Hz, 2H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.6 Hz, 4H, ArCH2), 7.37 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH).【０２１７】
［実施例１１］
３，９−ジヘプチルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２１８】
【化４４】
0005867583.tif 000045
【０２１９】
実施例６において、出発原料のデシルをヘプチルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：７５％）を得た。物性値を以下に示す。【０２２０】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.90 (t, J = 6.4 Hz, 6H, CH3), 1.27-1.40 (m, 16H, (CH2)4), 1.77 (quin, J = 7.2 Hz, 2H, ArCH2CH2), 2.82 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.37 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.0 Hz, 2H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH).【０２２１】
［実施例１２］
３，９−ジドデシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２２２】
【化４５】
0005867583.tif 000046
【０２２３】
実施例６において、出発原料のデシルをドデシルに変更したこと以外は実施例６に準拠して、淡黄色固体の表題化合物（収率：８３％）を得た。物性値を以下に示す。【０２２４】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 0.88 (t, J = 7.2 Hz, 6H, CH3), 1.27-1.38 (m, 36H, (CH2)9), 1.73 (quin, J = 7.8 Hz, 2H, ArCH2CH2), 2.81 (t, J = 7.8 Hz, 4H, ArCH2), 7.36 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.66 (s, 2H, ArH), 7.96 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.14 (s, 2H, ArH), 8.65 (s, 2H, ArH). TOF HRMS (APCI+): Calcd for C44H60S [M+H] 621.4494, found 621.4493.【０２２５】
［実施例１３］
ジナフト[2,3-b:2',3'-d]セレノフェンの合成
（第１工程）
[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイルビス(トリフルオロメタンスルホナト)の合成【０２２６】
【化４６】
0005867583.tif 000047
【０２２７】
[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジオール（２．８６ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）の脱水ジクロロメタン溶液（５０ｍＬ）に、０℃でピリジン（２．９８ｍＬ、３７．０ｍｍｏｌ）を加えた後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（Ｔｆ2Ｏ；３．６９ｍＬ、２２．０ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で８時間撹拌した後、０℃でピリジン（２．９８ｍＬ、３７．０ｍｍｏｌ）を加えた後、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．６９ｍＬ、２２．０ｍｍｏｌ）を滴下した。室温で４時間撹拌した後、水を加えて反応を停止した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝90：10〜70：30（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（２．９２ｇ、２．０７ｍｍｏｌ）を得た。収率：５３％。
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 7.62-7.68 (m, 4H, ArH), 7.92 (s, 2H, ArH), 7.94-7.97 (m, 4H, ArH), 8.04 (s, 2H, ArH).【０２２８】
（第２工程）
3,3'-ビス（4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラニル）-2,2'-ビナフタレンの合成【０２２９】
【化４７】
0005867583.tif 000048
【０２３０】
[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイルビス(トリフルオロメタンスルホナト)（１．４９ｇ、２．７０ｍｍｏｌ）の脱水1,4-ジオキサン溶液（１３．５ｍＬ）に、トリエチルアミン（２．２６ｍＬ、１６．２ｍｍｏｌ）、1,1′-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド（ＰｄＣｌ2（ｄｐｐｆ）-ジクロロメタン錯体（１３２ｍｇ、０．１６２ｍｍｏｌ）、および4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン（１．１７ｍＬ、８．１０ｍｍｏｌ）を室温で加えた。昇温し、１２時間加熱還流した後、水を加えて反応を停止した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝7：3〜4：6（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（９８３ｍｇ、１．９４ｍｍｏｌ）を得た。収率：７２％。
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 1.08 (s, 24H, CH3), 7.48 (dd, J = 8.4Hz, 8.4Hz, 2H, ArH), 7.51 (dd, J = 8.4Hz, 8.4Hz, 2H, ArH), 7.79 (s, 2H, ArH), 7.82 (d, J = 8.4Hz, ArH), 7.92 (d, J = 8.4Hz, ArH), 8.27 (s, 2H, ArH).【０２３１】
（第３工程）
3,3'-ジブロモ-2,2'-ビナフタレンの合成【０２３２】
【化４８】
0005867583.tif 000049
【０２３３】
3,3'-ビス（4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラニル）-2,2'-ビナフタレン（８６１ｍｇ、１．７０ｍｍｏｌ）の脱水1,4-ジオキサン溶液（２１．３ｍＬ）にメタノール（８．５ｍＬ）、水（４．３ｍＬ)、臭化銅(II)（２．２８ｇ、１０．２ｍｍｏｌ）を室温で加えた。加熱還流し、２６時間撹拌した後、室温に戻し反応を停止した。水を加え、クロロホルムで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝95：5〜85：15（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（４４１ｍｇ、１０．７ｍｍｏｌ）を得た。収率：６３％。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 7.53-7.59 (m, 4H, ArH), 7.81 (s, 2H, ArH), 7.83-7.87 (m, 4H, ArH), 8.22 (s, 2H, ArH).【０２３４】
（第４工程）
ジナフト[2,3-b:2',3'-d]セレノフェンの合成【０２３５】
【化４９】
0005867583.tif 000050
【０２３６】
セレン（７．９ｍｇ、０．１００ｍｍｏｌ）に塩化スルフリル（１３．４ｍｇ、０．１００ｍｍｏｌ）を加え５分間室温で撹拌した後、脱水テトラヒドロフラン溶液（０．２ｍＬ）を加えた。室温で１時間撹拌し赤色溶液のセレニウムジクロリドを調製した。3,3'-ジブロモ-2,2'-ビナフタレン（４１．２ｍｇ、０．１００ｍｍｏｌ）の脱水テトラヒドロフラン溶液（０．５０ｍＬ）に−７８℃でt-ブチルリチウム（１．６５Ｍペンタン溶液、０．２４２ｍＬ、０．４ｍｍｏｌ）を滴下した。２０分撹拌した後、調製したセレニウムジクロリドを−７８℃で加え室温に昇温し２時間撹拌した。水を加え、クロロホルムで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝95：5〜90：10（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、ゲル浸透クロマトグラフィーで精製することで淡黄色固体（１８．２ｍｇ、０．０６７３ｍｍｏｌ）を得た。収率：６７％。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 7.51-7.57 (m, 4H, ArH), 7.86-7.90 (m, 2H, ArH), 8.02-8.06 (m, 2H, ArH), 7.81 (s, 2H, ArH), 8.28 (s, 2H, ArH), 8.71 (s, 2H, ArH).【０２３７】
［実施例１４］
3,9-ジヘキシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]セレノフェンの合成
（第１工程）
6,6'-ジヘキシル-[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイルビス(トリフルオロメタンスルホナト)の合成【０２３８】
【化５０】
0005867583.tif 000051
【０２３９】
6,6'-ジヘキシル- [2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジオール（１６．８ｇ、３７．０ｍｍｏｌ）の脱水ジクロロメタン溶液（１４８ｍＬ）に、０℃でトリエチルアミン（３０．９ｍＬ、２２２ｍｍｏｌ）とN,N-ジメチル-4-アミノピリジン（ＤＭＡＰ；６３３ｍｇ、５．１８ｍｍｏｌ）を加えた後、０℃でトリフルオロメタンスルホン酸無水物（１８．６ｍＬ、１１１ｍｍｏｌ）の脱水ジクロロメタン溶液（５０ｍＬ）を滴下した。室温で１２時間撹拌した後、水を加えて反応を停止した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝98：2〜90：10（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（２１．８ｇ、３０．３ｍｍｏｌ）を得た。収率：８２％。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.93 (t, J = 6.8 Hz, 6H, CH3), 1.32-1.43 (m, 12H, (CH2)3), 1.75 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.83 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2), 7.47 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.71 (s, 2H, ArH), 7.83 (s, 2H, ArH), 7.85 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.97 (s, 2H, ArH). 【０２４０】
（第２工程）
2,2'-（6,6'-ジヘキシル-[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイル）ビス（4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン）の合成【０２４１】
【化５１】
0005867583.tif 000052
【０２４２】
6,6'-ジヘキシル-[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイルビス(トリフルオロメタンスルホナト)（１２．９ｇ、１８．０ｍｍｏｌ）の脱水1,4-ジオキサン溶液（９０ｍＬ）に、トリエチルアミン（１５．１ｍＬ、１０８ｍｍｏｌ）、1,1′-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン-パラジウム(II)ジクロリド-ジクロロメタン錯体（５８８ｍｇ、０．７２０ｍｍｏｌ）、および4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン（７．８４ｍＬ、５４．０ｍｍｏｌ）を室温で加えた。昇温し、１４時間加熱還流した後、水を加えて反応を停止した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝8：2〜7：4（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（８．９９ｇ、１３．３ｍｍｏｌ）を得た。収率：７４％。
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 0.90 (t, J = 6.8 Hz, 6H, CH3), 1.08 (s, 24H, CH3), 1.31-1.43 (m, 12H, (CH2)3), 1.71 (quin, J = 7.6 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.79 (t, J = 7.6 Hz, 4H, ArCH2), 7.35 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.67 (s, 2H, ArH), 7.72 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH),7.73 (s, 2H, ArH), 8.18 (s, 2H, ArH).【０２４３】
（第３工程）
3,3'-ジブロモ-6,6'-ジヘキシル-2,2'-ビナフタレンの合成【０２４４】
【化５２】
0005867583.tif 000053
【０２４５】
シールドチューブに2,2'-（6,6'-ジヘキシル-[2,2'-ビナフタレン]-3,3'-ジイル）ビス（4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン）（６７５ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）のN-メチル-2-ピロリドン溶液（ＮＭＰ；１５ｍＬ）を調製し、メタノール（６ｍＬ）、水（６ｍＬ）、臭化銅(II)（１．３４ｇ、６．００ｍｍｏｌ）を室温で加えた。１５０℃に加熱し、６時間撹拌した後、室温に戻し臭化銅(II)（６７０ｍｇ、３．００ｍｍｏｌ）を加えた。１５０℃に加熱し、６時間撹拌した後、水を加え反応を停止した。酢酸エチルで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をヘキサンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体（４４２ｍｇ、０．７６ｍｍｏｌ）を得た。収率：７６％。
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ0.91 (t, J = 6.6 Hz, 6H, CH3), 1.31-1.40 (m, 12H, (CH2)3), 1.72 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.79 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2),7.38 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.59 (s, 2H, ArH), 7.75-7.76 (m, 4H, ArH), 8.13 (s, 2H, ArH).【０２４６】
（第４工程）
3,9-ジヘキシルジナフト[2,3-b:2',3'-d]セレノフェンの合成【０２４７】
【化５３】
0005867583.tif 000054
【０２４８】
セレン（３３．２ｍｇ、０．４２０ｍｍｏｌ）に塩化スルフリル（３４．０μＬ、０．４２０ｍｍｏｌ）を加え１０分間室温で撹拌した後、脱水テトラヒドロフラン溶液（１．０５ｍＬ）を加えた。室温で１時間撹拌し赤色溶液のセレニウムジクロリドを調製した。3,3'-ジブロモ-6,6'-ジヘキシル-2,2'-ビナフタレン（２３２ｍｇ、０．４００ｍｍｏｌ）の脱水テトラヒドロフラン溶液（１．６ｍＬ）に−７８℃でt-ブチルリチウム（１．６５Ｍペンタン溶液、０．９７０ｍＬ、１．６０ｍｍｏｌ）を滴下した。−７８℃で２０分撹拌した後、調製したセレニウムジクロリドを−７８℃で加え３時間かけて室温に昇温し２時間撹拌した。水を加え、クロロホルムで有機層を抽出した後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。粗生成物をジクロロメタンに溶解させ、貧溶媒としてメタノールを加え淡黄色固体（１４８ｍｇ、０．２９６ｍｍｏｌ）を得た。収率：７４％。
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ0.90 (t, J = 6.6 Hz, 6H, CH3), 1.29-1.40 (m, 12H, (CH2)3), 1.72 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 2.81 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2),7.37 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.62 (s, 2H, ArH), 7.94 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.18 (s, 2H, ArH), 8.63 (s, 2H, ArH).【０２４９】
［実施例１５］
５，９−ジ（２−チエニル）ジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２５０】
（第１工程）
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２５１】
【化５４】
0005867583.tif 000055
【０２５２】
ジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（５．００ｇ、１８．６ｍｍｏｌ）の酢酸（ＡｃＯＨ；１００ｍＬ）懸濁液に、臭素（６．５５ｇ、４１．０ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間撹拌した。温度を室温に戻した後、反応混合物を水酸化カリウム水溶液に加え、析出物をろ別し、トルエンで熱再結晶することで、白色固体の表題化合物（６．３２ｇ、８０％）を得た。【０２５３】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 9.09 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.52 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.19 (s, 2H, ArH), 7.80 (dd, J = 7.8 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.71 (dd, J = 7.8 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH). ESI-MS [M+H] m/z = 425. Anal. Calcd for C20H10Br2O: C, 56.37; H, 2.37; Found: C, 56.50; H, 2.62.【０２５４】
（第２工程）
５，９−ジ（２−チエニル）ジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２５５】
【化５５】
0005867583.tif 000056
【０２５６】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（４２６ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；１０ｍＬ）懸濁液に、トリブチル（２−チエニル）スズ（７６４ｍｇ、２．０４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５８ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え，１３０℃で１０分間撹拌した。温度を室温に戻した後、反応溶液をフッ化カリウム水溶液に加え、析出した無機塩をろ別した。ろ液を水で洗い、トルエンで有機層を三回抽出した。あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をクロロホルムに溶解させてシリカゲルを通した後、さらにクロロホルムを展開溶媒としてゲル濾過クロマトグラフィーを行うことで、黄色固体の表題化合物（３５５ｍｇ、８２％）を得た。【０２５７】
1H NMR (600 MHz, CDCl2CDCl2): δ 9.15 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.41 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.92 (s, 2H, ArH), 7.76 (dd, J = 7.2 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.57 (dd, J = 7.2 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.48 (d, J = 4.8 Hz, 2H, thiophene), 7.33 (d, J = 3.6 Hz, 2H, thiophene), 7.23-7.21 (dd, J = 3.6 Hz, 4.8 Hz, 2H, thiophene). ESI-MS [M+H] m/z = 433. Anal. Calcd for C28H16OS2: C, 77.75; H, 3.73; Found: C, 77.53; H, 3.89.【０２５８】
［実施例１６］
５，９−ジ（２−フリル）ジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２５９】
【化５６】
0005867583.tif 000057
【０２６０】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（４２６ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）懸濁液に、トリブチル（２−フリル）スズ（７４２ｍｇ、２．０８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５８ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で１０分間撹拌した。温度を室温に戻した後、反応溶液をフッ化カリウム水溶液に加え、析出した無機塩をろ別した。ろ液を水で洗い、トルエンで有機層を三回抽出した。あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をクロロホルムに溶解させてシリカゲルを通した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮し、再度最小量のクロロホルムに溶解させ、メタノールで再沈殿を行うことで、白色固体の表題化合物（３１８ｍｇ、８０％）を得た。【０２６１】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 9.20 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.62 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.10 (s, 2H, ArH), 7.78 (dd, J = 7.2 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.70 (d, J = 1.2 Hz, 2H, furan), 7.64 (dd, J = 7.2 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 6.86 (d, J = 3.6 Hz, 2H, furan), 6.66 (d, J = 1.2 Hz, 3.6 Hz, 2H, furan). ESI-MS [M+H] m/z = 401.【０２６２】
［実施例１７］
５，９−ジ（２−チアゾリル）ジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２６３】
【化５７】
0005867583.tif 000058
【０２６４】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（４２６ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１０ｍＬ）懸濁液に、トリブチル（２−チアゾリル）スズ（７７５ｍｇ、２．０７ｍｍｏｌ)、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５８ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で１時間撹拌した。温度を室温に戻した後、反応溶液をフッ化カリウム水溶液に加え、析出した無機塩をろ別した。ろ液を水で洗い、トルエンで有機層を三回抽出した。あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンで洗い、ろ別することで、黄色固体の表題化合物（３８３ｍｇ、８８％）を得た。【０２６５】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 9.23 (d, J = 9.0 Hz, 2H, ArH), 8.95 (d, J = 9.0 Hz, 2H, ArH), 8.20 (s, 2H, ArH), 8.12 (d, J = 4.2 Hz, 2H, thiazole), 7.82 (dd, J = 6.6 Hz, 9.0 Hz, 2H, ArH), 7.69 (dd, J = 6.6 Hz, 9.0 Hz, 2H, ArH), 7.57 (d, J = 4.2 Hz, thiazole). MALDI-TOF-MS (positive) m/z = 435. Anal. Calcd for C26H14N2OS2: C, 71.87; H, 3.25; N, 6.45; Found: C, 71.58; H, 3.31; N, 6.44.【０２６６】
［実施例１８］
５，９−ジオクチルジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２６７】
【化５８】
0005867583.tif 000059
【０２６８】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（９５１ｍｇ、２．２３ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（４．５ｍＬ）溶液に、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロリド−ジクロロメタン錯体（３６ｍｇ、０．０４５ｍｍｏｌ）を加え、０℃で１．０Ｍオクチルマグネシウムブロミドのテトラヒドロフラン溶液（５．８０ｍＬ、５．８０ｍｍｏｌ）を２ｍＬ／分の速度で滴下した。室温で２４時間撹拌した後、塩酸で反応を停止した。トルエンで有機層を三回抽出した。あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（５９５ｍｇ、５４％）を得た。【０２６９】
1H NMR (600 MHz, CDCl3): δ 9.17 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.26 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.72-7.70 (m, 4H, ArH), 7.61 (dd, J = 6.6 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 3.23 (t, J = 6.6 Hz, 4H, ArCH2CH2), 1.86 (quin, J = 6.6 Hz, 4H, ArCH2CH2), 1.53-1.48 (m, 4H, CH2CH2CH2), 1.43-1.37 (m, 4H, CH2CH2CH2), 1.35-1.25 (m, 12H, (CH2)3), 0.89 (t, J = 6.6 Hz, 6H, CH3). MALDI-TOF-MS (positive) m/z = 492.【０２７０】
この化合物の溶解度を評価した結果、室温下クロロホルムに３８１ｇ／Ｌ（２０．５ｗｔ％）、トルエンに１３７ｇ／Ｌ（１３．６ｗｔ％）溶解した。この化合物は、いずれの溶媒に対しても塗布プロセスに使用可能な高い溶解度を示すことが明らかとなった。【０２７１】
［実施例１９］
５，９−ジドデシルジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２７２】
【化５９】
0005867583.tif 000060
【０２７３】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（７７５ｍｇ、１．８２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（３．６ｍＬ）溶液に、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（II）ジクロリド−ジクロロメタン錯体（３０ｍｇ、０．０３６ｍｍｏｌ）を加え、０℃で１．０Ｍドデシルマグネシウムブロミドのジエチルエーテル溶液（４．７３ｍＬ、４．７３ｍｍｏｌ）を２ｍＬ／分の速度で滴下した。室温で２４時間撹拌した後、塩酸で反応を停止した。トルエンで有機層を三回抽出した。あわせた有機層を水、飽和食塩水で洗い、硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥剤除去後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝９：１（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（８３１ｍｇ、７６％）を得た。【０２７４】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 9.17 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.26 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.72-7.70 (m, 4H, ArH), 7.61 (dd, J = 6.6 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 3.23 (t, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 1.86 (quin, J = 7.2 Hz, 4H, ArCH2CH2), 1.51-1.46 (m, 4H, CH2CH2CH2), 1.43-1.39 (m, 4H, CH2CH2CH2), 1.34-1.20 (m, 28H, (CH2)7), 0.89 (t, J = 8.0 Hz, 6H, CH3). MALDI-TOF-MS (positive) m/z = 604.【０２７５】
［実施例２０］
５，９−ジフェニルジナフト[2,1-b:1',2'-d]フランの合成【０２７６】
【化６０】
0005867583.tif 000061
【０２７７】
５，９−ジブロモジナフト[2,1-b:1',2'-d]フラン（４２６ｍｇ、１．００ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（３ｍＬ）に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ2ｄｂａ3）クロロホルム錯体（５２ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、２−ジシクロへキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（Ｓ−Ｐｈｏｓ；４１ｍｇ、０．１０ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム（１．２７ｇ、６．００ｍｍｏｌ）およびフェニルボロン酸（３６６ｍｇ、３．００ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で９０分間撹拌した。温度を室温に戻し、シリカゲルを通して無機物をろ別した後、ロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンとクロロホルムとの混合溶媒（ヘキサン：クロロホルム＝４：１（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、白色固体の表題化合物（３７３ｍｇ、８９％）を得た。【０２７８】
1H NMR (400 MHz, CDCl3): δ 9.25 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 8.11 (d, J = 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.83 (s, 2H, ArH), 7.77 (dd, J = 7.2 Hz, 8.4 Hz, 2H, ArH), 7.63-7.48 (m, 12H, ArH).【０２７９】
この化合物の溶解度を評価した結果、室温下クロロホルムに４３ｇ／Ｌ（２．８ｗｔ％）、トルエンに２３ｇ／Ｌ（２．６ｗｔ％）溶解した。この化合物は、いずれの溶媒に対しても塗布プロセスに使用可能な高い溶解度を示すことが明らかとなった。【０２８０】
［比較例１］
ジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成
特許文献６の実施例に記載された表題化合物を、本発明の方法で合成した。【０２８１】
（第１工程）
Ｏ，Ｏ’−（２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）の合成【０２８２】
【化６１】
0005867583.tif 000062
【０２８３】
２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジオール（１．４３ｇ、５．０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液（１０．９ｍＬ）に、トリエチルアミン（５．３２ｍＬ）、ピリジン（２．０８ｍＬ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルチオカルバモイルクロリド（２．４７ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）を加え、６５℃で４４時間撹拌した。この溶液をロータリーエバポレーターで減圧濃縮した。得られた粗生成物をヘキサンと酢酸エチルとの混合溶媒（ヘキサン：酢酸エチル＝７：３（体積比））を展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、無色固体の表題化合物１．７９ｇ、３．８９ｍｍｏｌ、７８％）を得た。【０２８４】
融点: 230.5-231.0 ℃. 1H NMR (400 MHz, CD3Cl): δ 3.00 (s, 6H, NCH3), 3.16 (s, 6H, NCH3), 7.46-7.52 (m, 4H, ArH), 7.54 (s, 2H, ArH), 7.84-7.88 (m, 4H, ArH), 7.98 (s, 2H, ArH). 13C NMR (150 MHz, CD3Cl): δ 38.5, 43.1, 120.9, 126.0, 126.6, 127.6, 128.0, 130.2, 131.3, 133.2, 149.8, 187.2. TOF HRMS (APCI): Calcd for C26H25N2S2O2 [M+H] 461.1357, found, 461.1349.【０２８５】
（第２工程）
ジナフト[2,3-b:2',3'-d]チオフェンの合成【０２８６】
【化６２】
0005867583.tif 000063
【０２８７】
Ｏ，Ｏ’−（２，２’−ビナフタレン−３，３’−ジイル）ビス（ジメチルカルバモチオエート）（６９１ｍｇ、１．５０ｍｍｏｌ）をパイレックチューブに封管し、３００℃で４時間加熱した。温度を室温に戻した後、トルエンと２−プロパノールとの混合溶媒（トルエン：２−プロパノール＝８：２（体積比））による熱再結晶により、淡黄色固体の表題化合物（３１０ｍｇ、１．０９ｍｍｏｌ、７３％）を得た。【０２８８】
融点: 282-283 ℃. 1H NMR (600 MHz, CDCl2CDCl2): δ 7.49-7.56 (m, 4H, ArH), 7.87 (d, J = 7.2 Hz, 2H, ArH), 8.03 (d, J = 7.2 Hz, 2H, ArH), 8.19 (s, 2H, ArH), 8.66 (s, 2H, ArH). MS (APCI+): 285 (M+H). Anal. Calcd for C20H12S: C, 84.47; H, 4.25. Found: C, 84.89; H, 4.43.【０２８９】
〔化学的安定性の評価〕
実施例３で合成した化合物を０．６９５１ｍｇ秤量し、グローブボックス内でメスフラスコを用いて、脱気したベンゾニトリル（２５ｍｌ）に溶かした(溶液濃度：4.92×10-5 Ｍ)。この調整した溶液を蓋付きのＵＶセルに入れ、直ちにＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（使用装置：日本分光（株）製、Jasco V-570 spectrometer）を測定した。引き続き、大気下で蓋の開け閉めを数回繰り返し、溶液と空気中の酸素とを接触させた。その後、３時間、２４時間、７２時間後同様に測定した結果を図５に示す。その結果、７２時間放置した溶液でもスペクトルに変化は見られなかった。【０２９０】
また、実施例３で合成した化合物を真空蒸着して形成された厚さ１００ｎｍの膜を、大気中に一週間放置した。その間、経時的にＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（使用装置：日本分光（株）製、Jasco V-570 spectrometer）を測定した結果を図６に示す。その結果、一週間放置した膜でもスペクトルに変化は見られなかった。
以上より、実施例３で合成した化合物が化学的に安定であることが明らかとなった。【０２９１】
〔有機トランジスタ素子の作製および特性評価〕
〈エッジキャスト法〉
本発明者らが開発した塗布法（エッジキャスト法；Appl. Phys. Exp. 2, 111501 (2009)）に準拠し、製膜およびボトムゲート−トップコンタクト型有機ＦＥＴの作製を行った。本法の概念図を、図２に示す。【０２９２】
シリコン基板（株式会社フジミファインテクノロジー社製）に対してデシルトリエトキシシラン（ＤＴＳ）により表面処理を行い、熱酸化シリコン絶縁膜（膜厚５００ｎｍ）付きシリコン基板（以下「基板」ともいう。）を得た。基板上に、溶液保持用のシリコン基板の欠片（以下「溶液保持構造」ともいう。）を置いた。基板を傾けながら、実施例で合成したカルコゲン含有有機化合物のｏ−キシレン溶液または１，２−ジクロロエタン溶液（カルコゲン含有有機化合物の濃度：０．２質量％）（有機半導体溶液）を、１２０℃で溶液保持構造のエッジに垂らした。溶媒の蒸発とともに結晶が成長しながら基板に貼り付き、数分で結晶成長が完了した。この状態で６０〜１００℃のアルゴン雰囲気下一夜（１１時間）放置し、結晶膜を完全に乾燥した（膜厚：３０〜１５０ｎｍ）。得られた結晶膜上にステンレス製の金属マスクを通してテトラフルオロテトラシアノキノジメタンのキャリア注入層（膜厚１ｎｍ）、続いて金のソース電極およびドレイン電極（同３０ｎｍ）を真空蒸着して、チャネル長１００μｍ、チャネル幅１ｍｍを形成し、ボトムゲート−トップコンタクト型有機ＦＥＴを作製した。作製した素子について、半導体パラメータアナライザー（型番「keithley 4200」、ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用いて、キャリア移動度およびオン／オフ比の測定を行った。【０２９３】
〈ギャップキャスト法〉
本発明者らが開発した塗布法（ギャップキャスト法；Adv. Mater. 23, 1626 (2011).）に準拠し、製膜およびボトムゲート−トップコンタクト型有機ＦＥＴの素子作製を行った。本法の概念図を図３に示す。【０２９４】
上記〈エッジキャスト法〉で用いた表面処理済みの基板上にスペーサーを置き、その上に、Ｆ−ＳＡＭで表面処理したシリコン基板を溶液保持板として基板上に重ねて、楔形のすき間を形成した。これをホットプレート上で１２０℃に加熱し、温度安定後、実施例で合成したカルコゲン含有有機化合物のｏ−ジクロロベンゼン溶液（カルコゲン含有有機化合物の濃度：０．２質量％）（有機半導体溶液）を楔形のすき間に注入した。溶液は楔形のすき間に保持され、溶媒の蒸発とともに結晶が成長する。溶媒蒸発後、この状態で６０〜１００℃のアルゴン雰囲気下一夜（１１時間）放置し、結晶膜を完全に乾燥した（膜厚：１５０〜２５０ｎｍ）。この後は上記〈エッジキャスト法〉と同様に素子を作製し、ＦＥＴ特性評価を行った。【０２９５】
以上の有機トランジスタ素子の作製および特性評価を、実施例で得られた化合物について行った。評価結果を表１に示す。また、実施例７で合成した化合物のＦＥＴ特性を図４に示す。図４によれば、実施例７で合成した化合物は、１０〜１１ｃｍ2／ｖｓの高いキャリア移動度を示すことが確認された。【０２９６】
一方、比較例１の化合物においては、高品質の２次元状の結晶膜が溶液プロセスでは作成できず、上記塗布法による製膜は困難であった。その結果、比較例１の化合物については、上記塗布法による有機トランジスタ素子の作製および特性評価はできなかった。【０２９７】
【表１】
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【０２９８】
〈蒸着法によるＦＥＴ特性の比較〉
比較例１のカルコゲン含有有機化合物については、塗布法による素子作製が不可能であったため、実施例６および比較例１のカルコゲン含有有機化合物について蒸着法で素子を作製し、ＦＥＴ特性の比較を行った。【０２９９】
上述の熱酸化シリコン絶縁膜（膜厚５００ｎｍ）付きシリコン基板に対して、アセトンおよび２−プロパノールで各５分超音波洗浄を行い、続いてＵＶオゾン処理を３０分間行った。洗浄処理した基板表面にＤＴＳの自己組織化単分子膜を蒸気法で製膜した後、カルコゲン含有有機化合物を蒸着速度０．４〜０．６Å／ｓで真空蒸着し、膜厚が７５ｎｍの有機半導体層を形成した。次いで、ステンレス製の金属マスクを通してテトラフルオロテトラシアノキノジメタンのキャリア注入層（膜厚１ｎｍ）、続いて金のソース電極およびドレイン電極（同３０ｎｍ）を真空蒸着して、チャネル長１００μｍ、チャネル幅１ｍｍを形成し、ボトムゲート−トップコンタクト型有機ＦＥＴを作製した。【０３００】
作製した素子について、半導体パラメータアナライザー（型番「keithley 4200」、ケースレーインスツルメンツ株式会社製）を用いて、キャリア移動度およびオン／オフ比の測定を行った。その結果、実施例６の有機半導体材料を有機半導体層の形成に用いた場合は、キャリア移動度は５．５ｃｍ2／Ｖ・ｓ、オン／オフ比は１０7であった。一方、比較例１の有機半導体材料を有機半導体層の形成に用いた場合は、キャリア移動度は０．４ｃｍ2／Ｖ・ｓ、オン／オフ比は１０6であった。【０３０１】
以上の結果から、各実施例で合成した有機半導体材料は、比較例で合成した有機半導体材料よりも、（１）溶媒に対する溶解性に優れること、（２）製膜方法によらず、本質的に高いキャリア移動度を示すこと、が明らかとなった。
【符号の説明】
【０３０２】
１０…ソース電極、２０…ドレイン電極、３０…ゲート電極、４０…有機半導体層、５０…ゲート絶縁膜、６０…基板、７０…キャリア注入層、８０…結晶膜、９０…有機半導体溶液、１００…溶液保持構造、１１０…スペーサ−、１２０…溶液保持板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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