(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石と、
ニッケル、リン及び硫黄を含み、前記希土類磁石を覆う第一膜と、
ニッケル、リン及び硫黄を含み、前記第一膜を覆う第二膜と、
を備え、
前記第二膜における硫黄の含有率が、前記第一膜における硫黄の含有率よりも高く、
前記第一膜における硫黄の含有率が、３９０〜６２０質量ｐｐｍであり、
前記第二膜における硫黄の含有率が、５６０〜２２４０質量ｐｐｍである、
磁石部材。
【請求項２】
前記第一膜の厚みが、０．５〜１．６μｍであり、
前記第二膜の厚みが、１．０〜８．７μｍであり、
前記第二膜の厚みが、前記第一膜の厚みの２倍以上１０．９倍以下である、
請求項１に記載の磁石部材。
【請求項３】
前記第一膜が前記希土類磁石の表面全体を覆い、
前記第二膜が前記第一膜の表面全体を覆う、
請求項１又は２に記載の磁石部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁石部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ（鉄等）及びホウ素Ｂを含むＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石は、磁気特性に優れるため、様々な分野で実用されている。しかしながら、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の主成分である希土類元素Ｒ及び遷移金属元素Ｔは酸化され易い。したがって、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石は他の磁石に比べて腐食し易い。腐食は磁気特性の劣化及びばらつきを招く。Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の耐食性を向上させる方法として、耐食性を有する保護膜により希土類磁石の表面を覆う方法が従来から知られている。保護膜としては、ニッケルめっき膜又はニッケル合金めっき膜が従来から知られている（下記特許文献１及び２参照。）。以下では、場合により、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石を単に「希土類磁石」と記す。保護膜で覆われた希土類磁石を、「磁石部材」と記す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−３７６３号公報
【特許文献２】特開２００１−２３０１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁石部材が、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）のように、小さく薄い電子機器に搭載される場合、小さく薄い磁石部材が要求される。しかし、磁石部材が小さく薄いほど、磁石部材の磁束密度は低下してしまう。保護膜を均一に薄くして、磁石部材における希土類磁石自体の体積の割合を増やすことにより、磁束密度の低下を抑制することができる。しかし、保護膜が薄いほど、磁石部材の耐食性は劣化してしまう。したがって、保護膜が薄いにもかかわらず耐食性に優れた磁石部材が求められる。例えば、保護膜の厚みが１０μｍ未満であるにもかかわらず、耐食性に優れた磁石部材が求められる。
【０００５】
また、保護膜として、従来の無電解ニッケルめっき膜を希土類磁石の表面に形成した場合、希土類磁石の腐食により無電解ニッケルめっき膜が希土類磁石の表面から剥がれることがある。したがって、保護膜の密着性に優れた磁石部材も求められる。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、耐食性及び保護膜の密着性に優れた磁石部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面に係る磁石部材は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石と、ニッケル、リン及び硫黄を含み、希土類磁石を覆う第一膜と、ニッケル、リン及び硫黄を含み、第一膜を覆う第二膜と、を備え、第二膜における硫黄の含有率が、第一膜における硫黄の含有率よりも高い。
【０００８】
本発明の一側面においては、第一膜における硫黄の含有率が、３９０〜６２０質量ｐｐｍであり、第二膜における硫黄の含有率が、５６０〜２２４０質量ｐｐｍである。
【０００９】
本発明の一側面においては、第一膜の厚みが、０．５〜１．６μｍであってよく、第二膜の厚みが、１．０〜８．７μｍであってよく、第二膜の厚みが、第一膜の厚みの２倍以上１０．９倍以下であってよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、耐食性及び保護膜の密着性に優れた磁石部材が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１中のａ（図１ａ）は、本発明の一実施形態に係る磁石部材の模式的斜視図であり、図１中のｂ（図１ｂ）は、図１ａに示すｂ−ｂ線における磁石部材の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について説明する。各図面において、同一又は同等の構成要素には同一の符号を付す。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
図１ａに示すように、本実施形態に係る磁石部材２は、例えば扇形の板であってよい。ただし、磁石部材２の形状は扇形に限定されない。例えば、磁石部材２は、略直方体、又は略円板であってもよい。図１ｂに示すように、磁石部材２は、希土類磁石４と、希土類磁石４の表面を覆う第一膜６と、第一膜６の表面を覆う第二膜８、とを備える。第一膜６及び第二膜８は、希土類磁石４を保護し、希土類磁石４の腐食（例えば酸化）を抑制する。以下では、第一膜６及び第二膜８からなる二重の膜の全体を、「保護膜」と記す場合がある。第一膜６は、希土類磁石４の表面の一部又は全体を覆っていてよい。第二膜８は、第一膜６の表面の一部又は全体を覆っていてよい。第二膜８の一部が、希土類磁石４の表面の一部を直接覆っていてもよい。希土類磁石４の表面全体が、第一膜６又は第二膜８のいずれかによって完全に覆われていてよい。つまり、希土類磁石４の表面全体が全く露出していなくてよい。磁石部材２全体の寸法は、例えば、縦４〜５０ｍｍ×横５〜１００ｍｍ×厚み０．５〜１０ｍｍであってよい。磁石部材２全体の厚みとは、図１ａのｂ−ｂ線方向における磁石部材２の幅と言い換えてよい。
【００１４】
希土類磁石４は、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ及びホウ素Ｂを含有する。希土類元素Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくともいずか又は両方であってよい。希土類磁石４は、必要に応じて、Ｍｎ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｌ及びＢｉから群より選ばれる少なくとも一種の元素を更に含んでもよい。希土類磁石４自体は、一般的な方法によって調製してよい。例えば、上元素を含有する原料粉末を成形して焼結することにより、希土類磁石４自体が調製される。
【００１５】
第一膜６は、ニッケル（Ｎｉ）、リン（Ｐ）及び硫黄（Ｓ）を含む。第二膜８も、ニッケル、リン及び硫黄を含む。第二膜８における硫黄の含有率は、第一膜６における硫黄の含有率よりも高い。硫黄の含有率が高い第二膜８では、第一膜６に比べて、応力が減少するので、第二膜８では、第一膜６に比べて、クラックが生じ難い。したがって、第二膜８は第一膜６よりも緻密な膜である。緻密な第二膜８が第一膜６を覆うため、希土類磁石４を腐食する成分（例えば、水）が磁石部材２の内部へ侵入し難い。その結果、磁石部材２の耐食性が向上する。一方、第二膜８よりも硫黄の含有率が低い第一膜６が希土類磁石４を覆うことにより、第二膜８が希土類磁石４を直接覆う場合に比べて、硫黄による希土類磁石４の腐食が抑制される。したがって、希土類磁石４の腐食に起因する保護膜の剥離が抑制される。つまり、保護膜の密着性が向上する。また、第一膜６が硫黄を含有することにより、第一膜６における応力が低下する。第一膜６における応力の低下により、第一膜６においてクラックが生じ難くなり、第一膜６が緻密になり易い。したがって、希土類磁石４を腐食する成分（例えば、水）が第一膜６を通じて希土類磁石４へ到達し難くなる。その結果、磁石部材２の耐食性が向上する。さらに第一膜６における応力の低下により、第一膜６が希土類磁石４から剥がれ難くなる。つまり、保護膜の密着性が向上する。
【００１６】
仮に、第一膜６及び第二膜８のいずれもリンを含まない場合、硫黄の化学的作用により各膜自体（ニッケル）の腐食が促される場合がある。しかし、第一膜６及び第二膜８はそれぞれ、硫黄のみならず、リンを含むため、硫黄に起因する各膜自体の腐食が抑制される。
【００１７】
第一膜６における硫黄の含有率は、例えば、３９０〜６２０質量ｐｐｍ、又は４００〜６００質量ｐｐｍであってよい。第一膜６における硫黄の含有率が３９０〜６２０質量ｐｐｍである場合、磁石部材２の耐食性及び保護膜の密着性が向上し易い。第二膜８における硫黄の含有率は、例えば、５６０〜２２４０質量ｐｐｍ、５６０〜２１９０質量ｐｐｍ、５９０〜１５１０質量ｐｐｍ、又は６００〜１５００質量ｐｐｍであってよい。第二膜８における硫黄の含有率が５９０〜１５１０質量ｐｐｍである場合、磁石部材２の耐食性及び保護膜の密着性が向上し易い。
【００１８】
第一膜６は、ニッケル、リン及び硫黄のみからなっていてよい。第一膜６におけるリン及び硫黄以外の残部は、ニッケルのみであってよい。第一膜６におけるリンの濃度（含有率）は、例えば、８．７〜２０．２原子％であってよい。第二膜８は、ニッケル、リン及び硫黄のみからなっていてよい。第二膜８におけるリン及び硫黄以外の残部は、ニッケルのみであってよい。第二膜８におけるリンの濃度（含有率）は、例えば、０．９〜７．８原子％であってよい。第一膜６又は第二膜８は、ニッケル、リン及び硫黄以外に、例えば、ホウ素を含んでもよい。
【００１９】
第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計は、１μｍ以上１０μｍ未満、１．１μｍ以上９．９μｍ以下、又は１．５μｍ以上９．５μｍ以下であってよい。第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計が１．５μｍ以上である場合、耐食性が向上し易い。第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計が９．５μｍ以下である場合、保護膜の密着性が向上し易い。第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計とは、保護膜全体の厚みと言い換えてよい。第一膜６の厚み６ａは平均値であってよい。第二膜８の厚み８ａも平均値であってよい。
【００２０】
本実施形態では、保護膜が薄いため、磁石部材２における希土類磁石４の体積の割合が大きい。したがって、磁石部材２は高い残留磁束密度を有することができる。また本実施形態では、保護膜が薄くとも、磁石部材２が優れた耐食性を有することができる。
【００２１】
第一膜６の厚み６ａは、０．３〜１．９μｍ、０．５〜１．６μｍ、又は０．５〜１．５μｍであってよい。第一膜６の厚み６ａが０．５μｍ以上である場合、耐食性が向上し易い。第一膜６の厚み６ａが１．６μｍ以下である場合、耐食性及び保護膜の密着性が向上し易い。第二膜８の厚み８ａは、０．６〜９．１μｍ、１．０〜８．７μｍ、又は１．０〜８．５μｍであってよい。第二膜８の厚み８ａが１．０μｍ以上である場合、耐食性が向上し易い。第二膜８の厚み８ａが９．５μｍ以下である場合、保護膜の密着性が向上し易い。
【００２２】
第二膜８の厚み８ａがＴ２であり、第一膜６の厚み６ａがＴ１であるとき、Ｔ２／Ｔ１は１．２〜１１．４、２〜１０．９、又は２〜１０であってよい。Ｔ２／Ｔ１が２以上である場合、耐食性が向上し易い。Ｔ２／Ｔ１が１０．９以下である場合、保護膜の密着性が向上し易い。
【００２３】
第一膜６は、例えば、無電解ニッケルめっきにより形成してよい。無電解ニッケルめっきにより、均一な厚みの第一膜６を形成し易い。第一膜６中の硫黄は、めっき液に含まれる硫黄化合物に由来する。したがって、めっき液における硫黄化合物の含有率の調整により、第一膜６における硫黄の含有率を自在に制御することができる。第一膜６中のリンは、めっき液に含まれる還元剤である次亜リン酸塩（例えば、次亜リン酸ナトリウム）に由来する。したがって、めっき液における次亜リン酸塩の含有率の調整により、第一膜６におけるリンの濃度を自在に制御することができる。無電解ニッケルめっき条件を調整することにより、第一膜６の厚みを自在に制御することができる。調整される無電解ニッケルめっき条件は、例えば、めっき液におけるニッケルの含有率、硫黄化合物の含有率、還元剤の含有率、めっき液の温度、めっき液のｐＨ、又は希土類磁石４をめっき液（めっき浴）に浸漬する時間等であってよい。還元剤として、次亜リン酸塩に加えて、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）又はヒドラジンをめっき液に添加してもよい。第一膜６は、例えば、電解ニッケルめっきにより形成してもよい。電解ニッケルめっきにより形成される第一膜６中の硫黄は、例えば、陽極材料でニッケルに含まれる硫黄、又はめっき液（めっき浴）に含まれる硫黄化合物に由来する。したがって、陽極材料の選定、又はめっき液中の硫黄化合物の含有率の調整により、第一膜６における硫黄の含有率を自在に制御することができる。電解ニッケルめっきにより形成される第一膜６中のリンは、電解めっき液中に添加する亜リン酸に由来する。したがって、亜リン酸の添加量により、第一膜６におけるリンの濃度を自在に制御することができる。電解ニッケルめっき条件を調整することにより、第一膜６の厚みを自在に制御することができる。調整される電解ニッケルめっき条件は、めっき液におけるニッケルの含有率、硫黄化合物の含有率、めっき液の温度、めっき液のｐＨ、希土類磁石４における電流密度、又はめっき液に電流を流す時間等であってよい。
【００２４】
無電解ニッケルめっき液又は電解ニッケルめっき液に含まれる硫黄化合物は、例えば、１，３，６−ナフタレントリスルホン酸、１，５−ナフタレンジスルホン酸、１，６−ナフタレンジスルホン酸、２，５−ナフタレンジスルホン酸、アリルスルホン酸又はベンゼンスルホン酸等のスルホン酸塩、サッカリン又はサッカリンナトリウム等の芳香族スルホンイミド、パラトルエンスルホンアミド又はベンゼンスルホンアミド等のスルホンアミド、スルフィン酸、ベンゼンスルフィン酸等のスルフィン酸塩、チオ硫酸塩、亜硫酸塩、チオ尿素、チオセミカルバジド又はメチルチオセミカルバジド等のチオ尿素基を有する化合物、及びこれらの有機化合物の塩、誘導体又は誘導体塩であってよい。これらのうち一種の硫黄化合物が、無電解ニッケルめっき液又は電解ニッケルめっき液に含まれてよく、複数種の硫黄化合物が、無電解ニッケルめっき液又は電解ニッケルめっき液に含まれてもよい。
【００２５】
第二膜８は、例えば、無電解ニッケルめっきにより形成してよい。無電解ニッケルめっきにより形成された第二膜８の厚みは均一になり易い。第二膜８の厚みが均一であるほど、第二膜８が第一膜６又は希土類磁石４を斑なく覆うので、磁石部材２の耐食性が向上し易い。対照的に、電解ニッケルめっきにより形成された第二膜８の厚みは均一になり難い。第二膜８中の硫黄の含有率の制御に関する点を除いて、第一膜６と同様の無電解ニッケルめっきにより、第二膜８を形成してよい。第二膜８用のめっき液における硫黄化合物の含有率は、第一膜６用のめっき液における硫黄化合物の含有率よりも高くてよい。第二膜８用のめっき液における硫黄化合物の含有率が高いほど、第二膜８における硫黄の含有率が高くなり易い。第二膜８は、例えば、電解ニッケルめっきにより形成してもよい。第二膜８中の硫黄の含有率の制御に関する点を除いて、第一膜６と同様の電解ニッケルめっきにより、第二膜８を形成してよい。
【００２６】
上述した磁石部材２は、例えば、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、永久磁石同期モータ(ＩＰＭモータ、若しくはＳＰＭモータ)、リニア同期モータ又は振動モータ等に用いてよい。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００２８】
（参考例１）
Ｎｄ、Ｆｅ及びＢを含む希土類磁石を準備した。希土類磁石は直方体状の板であった。希土類磁石の寸法は、縦２０ｍｍ×横３４．５ｍｍ×厚み０．７ｍｍであった。
【００２９】
希土類磁石を、脱脂液に５分浸漬し、純水で洗浄した。続いて、希土類磁石を、１．０体積％の硝酸を含む水溶液に２分浸漬し、純水で再び洗浄した。続いて、希土類磁石を、Ｐｄイオンを含む水溶液に５分浸漬し、純水で再び洗浄した。
【００３０】
硫酸ニッケル、次亜リン酸ナトリウム及び硫黄化合物を含む無電解ニッケルめっき液（第一めっき液）を調製した。硫黄化合物としては、サッカリンナトリウムを含む化合物を用いた。上記の処理を経た希土類磁石を、第一めっき液に１０分浸漬した。続いて、第一めっき液から取り出した希土類磁石を純水で洗浄した。このような無電解ニッケルめっきにより、希土類磁石と、希土類磁石の表面全体を覆う第一膜と、を備える試料Ａを得た。
【００３１】
上記第一膜の表面の中央に位置する１点における硫黄の含有率を、レーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳ）により測定した。ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳ装置としては、横河アナリティカルシステムズ社製のＡｇｉｌｅｎｔ７５００ｓを用いた。第一膜における硫黄（Ｓ）の含有率を、下記表１に示す。なお、ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳにより、第一膜はニッケル、リン及び硫黄を含有することが確認された。
【００３２】
上記第一膜の表面上の１５点において、第一膜の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計により測定した。これ等の測定値から第一膜の厚みの平均値Ｔ１を算出した。蛍光Ｘ線膜厚計としては、Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｉｎｃ製のＳＦＴ９３００を用いた。Ｔ１を、下記表１に示す。
【００３３】
第一めっき液よりも上記硫黄化合物の含有率が高い無電解ニッケルめっき液（第二めっき液）を調製した。上記試料Ａを、第二めっき液に２０分浸漬した。続いて、第二めっき液から取り出した試料を純水で洗浄した。洗浄後の試料を、９０℃で１時間乾燥した。このような無電解ニッケルめっきにより、希土類磁石と、希土類磁石の表面全体を覆う第一膜と、第一膜の表面全体を覆う第二膜と、を備える参考例１の磁石部材を得た。
【００３４】
参考例１の磁石部材の表面（つまり、第二膜の表面）の中央に位置する１点における硫黄の含有率を、上記のＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳにより測定した。第二膜における硫黄（Ｓ）の含有率を、下記表１に示す。なお、ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳにより、第二膜はニッケル、リン及び硫黄を含有することが確認された。
【００３５】
第二膜の表面の表面上の１５点において、第一膜の厚み及び第二膜の厚みの合計を上記の蛍光Ｘ線膜厚計により測定した。これ等の測定値から、第一膜の厚み及び第二膜の厚みの合計の平均値（Ｔ１＋Ｔ２）を算出した。（Ｔ１＋Ｔ２）及びＴ１から、第二膜の厚みの平均値Ｔ２を算出した。Ｔ１及びＴ２から、Ｔ２／Ｔ１を算出した。Ｔ２、（Ｔ１＋Ｔ２）及びＴ２／Ｔ１を、下記表１に示す。
【００３６】
（実施例２〜４、参考例５、実施例６〜１８、及び比較例１）
下記の事項を除いて参考例１と同様の方法で、実施例２〜４、参考例５、実施例６〜１８、及び比較例１其々の磁石部材を作製した。参考例１と同様の方法で、実施例２〜４、参考例５、実施例６〜１８、及び比較例１其々の磁石部材についての測定を行った。各磁石部材についての測定結果を下記表に示す。
【００３７】
各実施例及び参考例５では、第二めっき液における硫黄化合物の含有率を、第一めっき液における硫黄化合物の含有率よりも高い値に調整した。一方、比較例１では、第二めっき液における硫黄化合物の含有率を、第一めっき液における硫黄化合物の含有率よりも低い値に調整した。各実施例、参考例５及び比較例１のいずれにおいても、第一めっき液における硫黄化合物の含有率の調整により、第一膜における硫黄の含有率を制御した。各実施例、参考例５及び比較例１のいずれにおいても、第二めっき液における硫黄化合物の含有率の調整により、第二膜における硫黄の含有率を制御した。
【００３８】
各実施例、参考例５及び比較例１のいずれにおいても、希土類磁石を第一めっき液中に浸漬する時間の調整により、第一膜の厚み（Ｔ１）を制御した。第一めっき液における浸漬時間が長いほど、第一膜は厚くなりやり易い。各実施例、参考例５及び比較例１のいずれにおいても、試料Ａを第二めっき液中に浸漬する時間の調整により、第二膜の厚み（Ｔ２）を制御した。第二めっき液における浸漬時間が長いほど、第二膜は厚くなりやり易い。
【００３９】
［耐食性の評価］
実施例、参考例及び比較例其々の磁石部材の耐食性を、以下のプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ；  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｏｋｅｒ  Ｔｅｓｔ）により評価した。
【００４０】
ＰＣＴでは、各磁石部材を恒温槽内に所定の時間設置した。恒温槽内の気圧を１．７×１０５Ｐａに維持し、恒温槽内の温度を１２０℃に維持し、恒温槽内の湿度を１００％ＲＨに維持した。
【００４１】
実施例、参考例及び比較例其々のＰＣＴの評価を下記表に示す。なお、下記表中のＰＣＴの欄に記載のＡ、Ｂ、Ｃ及びＤは其々以下の事を意味する。評価結果がＡ、Ｂ又はＣである磁石部材は、耐食性に優れる。評価結果がＡである磁石部材は、評価結果がＢである磁石部材よりも、耐食性に優れる。評価結果がＢである磁石部材は、評価結果がＣである磁石部材よりも、耐食性に優れる。評価結果がＤである磁石部材は、耐食性に劣り、実用に耐えない。
【００４２】
Ａとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから４０時間経過した時点において、第一膜及び第二膜が磁石部材から剥離しなかったことを意味する。評価がＡである磁石部材は、下記Ｂ、Ｃ及びＤには該当しない。
Ｂとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから４０時間経過した時点において、第一膜又は第二膜が磁石部材から剥離したことを意味する。評価がＢである磁石部材は、下記Ｃ及びＤには該当しない。
Ｃとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから２０時間経過した時点において、第一膜又は第二膜が磁石部材から剥離したことを意味する。評価がＣである磁石部材は、下記Ｄには該当しない。
Ｄとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから１０時間経過した時点において、第一膜又は第二膜が磁石部材から剥離したことを意味する。
【００４３】
［密着性の評価］
各実施例、参考例及び比較例１其々の磁石部材における第一膜及び第二膜（保護膜）の密着性を、以下のクロスカット試験によって測定した。クロスカット試験は、日本工業規格（ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６）に準拠するものであった。クロスカット試験は、以下の手順で行った。
【００４４】
磁石部材の表面に対して刃を垂直に当てて、平行な６本の切込みを等間隔で磁石部材の表面に形成した。切込みとは、直線状の切り傷と言い換えてよい。これら６本の切込みに直交する平行な６本の切込みを等間隔で磁石部材の表面に形成した。以上の工程により、縦６本及び横６本（計１２本）の切込みから構成される格子を磁石部材の表面に形成した。つまり、縦５列×横５列（計２５個）の升目を磁石部材の表面に形成した。縦方向及び横方向其々における切込みの間隔は、１ｍｍに調整した。
【００４５】
透明な粘着テープの粘着面を磁石部材の表面に貼り付けて、格子全体（全ての升目）を粘着テープで覆った。貼り付けの際には、粘着テープを介して磁石部材の表面が透けて見えるように、磁石部材の表面上の粘着テープを指で擦った。粘着テープの幅は２５ｍｍであり、粘着テープの長さは７５ｍｍであった。
【００４６】
粘着テープを貼り付けてから５分以内に、テープを磁石部材の表面から剥離した。剥離を開始してから粘着テープ全体が完全に剥離するまでの時間を、約０．５〜１．０秒に調整した。つまり、テープを素早く磁石部材の表面から剥離した。隔離中、粘着テープと磁石部材の表面とのなす角度を、約６０°に維持した。
【００４７】
粘着テープが剥がされた磁石部材の表面を目視し、保護膜（第一膜及び第二膜）の剥がれの有無を調べた。状態を確認した。
【００４８】
以上のクロスカット試験に基づき、各磁石部材における保護膜の密着性を評価した。保護膜の密着性は、以下の５段階のランクに基づき評価した。ランクが１〜３のいずれかであった各磁石部材は、保護膜の密着性に優れている。ランクが４又は５であった磁石部材は、保護膜の密着性に劣り、実用に耐えない。各磁石部材の密着性のランクを下記表の「クロスカット試験」の欄に示す。
【００４９】
＜ランク１＞  切込みの交差点における保護膜の小さな剥がれがある。剥がれ率が５％以下である。
＜ランク２＞  保護膜が切込みの縁に沿って、及び／又は交差点において剥がれている。剥がれ率が５％超１５％以下である。
＜ランク３＞  保護膜が切込みの縁に沿って、部分的又は全面的に大剥がれを生じており、及び／又は升目のいろいろな部分が、部分的又は全面的に剥がれている。剥がれ率が１５％超３５％以下である。
＜ランク４＞  保護膜が切込みの縁に沿って、部分的又は全面的に大剥がれを生じており、及び／又は数か所の升目が部分的又は全面的に剥がれている。剥がれ率が３５％超６５％以下である。
＜ランク５＞  ランク４より剥がれ率が大きい。
なお、「剥がれ率」とは、全升目の面積に対する「剥がれ」の面積の割合である。「剥がれ」の面積とは、格子内において保護膜が剥がれた部分の面積の合計である。
【００５０】
［総合評価］
実施例、参考例及び比較例其々の総合評価を、下記表に示す。なお、下記表中の総合評価の欄に記載のＡ’、Ｂ’、Ｃ’及びＤ’は其々以下の事を意味する。Ａ’、Ｂ’又はＣ’である磁石部材は、耐食性及び保護膜の密着性に優れる。総合評価がＤ’である磁石部材は、実用に耐えない。
【００５１】
Ａ’とは、ＰＣＴの評価がＡであり、且つ、クロスカット試験の評価（ランク）が１であることを意味する。
Ｂ’とは、ＰＣＴの評価がＡであり、且つ、ランクが２であることを意味する。またはＢ’とは、ＰＣＴの評価がＢであり、且つ、ランクが１又は２であることを意味する。
Ｃ’とは、ＰＣＴの評価がＣであり、且つ、ランクが１又は２であることを意味する。または、Ｃ’とは、ランクが３であることを意味する。
Ｄ’とは、ＰＣＴの評価がＤであることを意味する。またはＤ’とは、ランクが４又は５であることを意味する。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
【表２】
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【００５４】
【表３】
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【００５５】
【表４】
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【００５６】
【表５】
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【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の一側面に係る磁石部材は、例えば、ＨＤＤが備えるＶＣＭ用の永久磁石に適用される。
【符号の説明】
【００５８】
２…磁石部材、４…希土類磁石、６…第一膜、６ａ…第一膜の厚み、８…第二膜、８ａ…第二膜の厚み。
【要約】
【課題】耐食性及び保護膜の密着性に優れた磁石部材を提供する。
【解決手段】磁石部材２は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石４と、ニッケル、リン及び硫黄を含み、希土類磁石４を覆う第一膜６と、ニッケル、リン及び硫黄を含み、第一膜６を覆う第二膜８と、を備え、第二膜８における硫黄の含有率が、第一膜６における硫黄の含有率よりも高い。
【選択図】図１【図１】
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