(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイス層を含むＯＬＥＤデバイスの共通基板上に、空間的に孤立した発光領域を設ける方法であって、前記複数のデバイス層は、第１電極と第２電極の間に囲まれるアクティブ層を含み、前記方法は：
前記デバイス層の少なくとも１つの領域を選択的に除去するステップであり、そうして、前記第２電極の領域を空間的且つ電気的に孤立させる、ステップと；
デバイス層の物質が除去された露出領域を横断するよう非導電性層を付加することにより、導体パッドと前記第２電極の前記孤立領域の間に絶縁ブリッジを付加するステップと；
その後、前記導体パッドから前記第２電極の前記孤立領域まで導電体を前記絶縁ブリッジ上に付加するステップであり、前記導体パッドと前記孤立領域との間に電気的接続を形成する、ステップとを有する、
方法。
【請求項２】
前記デバイス層の少なくとも１つの領域を選択的に除去するステップは、前記第２電極の物質を除去するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記デバイス層の少なくとも１つの領域を選択的に除去するステップは、前記第２電極の除去される領域に対応する領域において、前記アクティブ層の物質を除去するステップを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記デバイス層の物質は、前記除去される領域にわたってレーザービームを方向付けることによって除去され、そうして当該領域内の物質を除去する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項５】
絶縁ブリッジを付加する前記ステップは、前記導体パッドと前記第２電極の前記孤立領域との間に非導電性ストリップをプリントするステップを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項６】
前記導体パッドから前記第２電極の前記孤立領域まで導電体を付加する前記ステップは、導電性ストリップを前記絶縁ブリッジ上にプリントするステップを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項７】
導電性ストリップを、前記絶縁ブリッジの端部を越えて前記孤立領域上まで延在するようにプリントすることにより、電気的接続が前記導電体と前記孤立領域との間に形成される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項８】
電気的接続が、前記導電体と前記孤立領域との間に、前記絶縁ブリッジの端部の開口部を通って形成される、請求項１又は２記載の方法。
【請求項９】
前記導電体をアニールするステップを含む、請求項１又は２記載の方法。
【請求項１０】
共通基板上に複数の空間的に孤立した発光領域を含むＯＬＥＤデバイスであって、前記ＯＬＥＤデバイスの複数のデバイス層は、第１電極と第２電極の間に囲まれるアクティブ層を含み、前記ＯＬＥＤデバイスは：
前記デバイス層から除去された少なくとも１つの領域によって、前記第２電極から空間的且つ電気的に孤立した少なくとも１つの領域と；
デバイス層物質が除去された露出領域を横断する非導電性層であり、導体パッドと前記第２電極の前記孤立した領域との間に絶縁ブリッジを構築する、非導電性層と；
前記絶縁ブリッジ上に付加される導電体であり、前記導体パッドと前記第２電極の前記孤立した領域とを電気的に接続する、導電体とを含む、ＯＬＥＤデバイス。
【請求項１１】
前記第２電極の複数の空間的に孤立した領域を含み、第１の空間的に孤立した領域が第２の空間的に孤立した領域に取り囲まれるように配置される、請求項１０記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１２】
前記導電体は、前記絶縁ブリッジ上にプリントされた銀インクのプリントラインを含む、請求項１０又は１１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１３】
前記絶縁ブリッジ及び／又は前記導電体は透過性物質を有する、請求項１０又は１１に記載のＯＬＥＤデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は空間的に隔離した発光領域を備えたＯＬＥＤの製造方法について説明する。本発明は更にそうしたＯＬＥＤデバイスについて述べる。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤは表示装置や照明装置に広く使用されるようになっている。ＯＬＥＤデバイスは通常は透過ガラス又はプラスチック基板の上に構成され、その上に第１電極層が蒸着（デポジット）される。この第１電極は通常はアノードであって、しばしばスパッタリング工程を用いて付加される。第１電極は通常は透過的であり、アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＺｎＯ）やスズ・ドープの酸化インジウム（ＩＴＯ）のような物質、又は、ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ等の高延性透過導電性ポリマーからなる。追加の金属領域がデバイスの端部に沿って付加されることも可能であり、その金属領域は後にアノードとカソードとの導体パッド（コンタクトパッド）として使用されるだろう。第１電極層が付加されると、発光特性に対して選択される有機半導体物質の１つ以上の層が付加され、アクティブな発光層を付与する。これに加えて、通常はカソードである第２電極層が付加され、電気的導体が、第２電極とＯＬＥＤデバイスの端部の導体パッドの間に作られる。最終ステップでは、デバイスは密封シールされ、デバイス層を湿気から保護し、さらに、アノードとカソードとは導体パッドによってのみアクセスされ、その導体パッドは通常はデバイスの外側端部に位置する。
【０００３】
ＯＬＥＤデバイスが、デバイスの表面全体にわたるのではなく、或る領域の範囲内のみで発光するのが望まれるなら、シャドーマスクを使用して、第２電極が付加される。シャドーマスクは、発光すべき領域に対応する開口部を有するだろう。しかし、確立された製造技術を使用すると、各カソード領域は導体パッド、又はＯＬＥＤカプセル化の外側の“パッチ”に電気的に接続されなければならないので、或る幾何形状だけが発光領域に対して実現される。このことは、非常に限定された幾何学形状だけが、発光領域に対して効果的に実現されるということを意味する。他の形状を得るには、分離したＯＬＥＤ要素は、それぞれが第２電極を部分形状で実現し、組み合わされて、全体的な所望の発光形状を備えたＯＬＥＤが得られるが、このアプローチは満足のいくものではない。というのも、各ＯＬＥＤ要素の必要なカプセル化は、分離した要素の間に明確に認識できる“シーム”をもたらすからである。それ故、本発明の目的は、分離した発光領域を備えたＯＬＥＤデバイスの作成の、より経済的な方法を提供することである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、請求項１の方法によって、更に、請求項１０のＯＬＥＤデバイスによって達成される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
複数デバイス層を有するＯＬＥＤデバイスの共通基板上に、空間的に孤立した発光領域を設ける本発明に従った方法であり、そのデバイス層は第１電極と第２電極との間に囲まれたアクティブ層を含み、その方法は、導体パッドと第２電極の孤立領域の間に絶縁ブリッジを付加するステップと、その後、導体パッドから第２電極の孤立領域へ導体を付加し、導体パッドと孤立領域との間に電気的接続を形成するステップを含む。
【０００６】
このようにして、電圧がＯＬＥＤデバイスのアノードとカソードにわたって印加されると、各空間的に孤立した領域は発光することができる。本発明の明らかな効果は、分離した発光領域は所望の如何なる形状をも有することができ、さらに、如何なる制限も受けないことである。また、絶縁ブリッジと導体とは分離した孤立第２電極領域を導体パッドに接続するように使用されるので、第２電極の空間的に孤立した領域は、ＯＬＥＤデバイスの境界の範囲内のどこに位置することも可能であり、デバイスの端部上のカソードパッドの直接の届く範囲内にある必要はない。
【０００７】
本発明に従ったＯＬＥＤデバイスは、共通基板上の多数の空間的に孤立した発光領域を含み（ＯＬＥＤデバイスは最初に、第１電極層と第２電極層との間に囲まれたアクティブ層を有する）、そのＯＬＥＤデバイスは、少なくとも１つの空間的に且つ電気的に孤立した第２電極の領域を含み、その孤立した領域は、第２電極の孤立領域の周りのデバイス層の選択的に除去された領域によって電気的に孤立される；導体パッドと第２電極の孤立領域の間に付加される絶縁ブリッジ；及び、絶縁ブリッジ上に付加される導体であって、導体パッドと第２電極の孤立領域とを電気的に接続する。
本方法は、デバイス層の領域を除去するステップであって、そうして第２電極の領域を空間的且つ電気的に孤立させる、ステップを含む。第２電極の除去された領域の形状又は輪郭は、従って、発光可能な残余領域の形状を決定することになる。
絶縁ブリッジは最終的に導体パッドと空間的孤立領域との間に伸び、絶縁ブリッジによってカバーされるデバイス層を電気的に絶縁するように機能するべきである。それ故、絶縁ブリッジを導体パッドと第２電極の孤立領域との間に付加するステップは、電気的非導電性層を、物質が除去された露出領域上に付加するステップを含む。特定の孤立領域に届くよう、絶縁ブリッジは、カソードパッドと該特定の孤立領域との間に横たわる第２電極の他の空間的孤立領域を通り越すか又は横断することもできる。
【０００８】
従属請求項と以下の説明は、詳しくは、本発明の有利な実施形態群と特徴群を開示する。実施形態群の特徴群は適切に組み合わされてもよい。
【０００９】
以下において、明確性の目的で、第１電極は単にアノードとして言及されてもよく、第２電極は単にカソードとして言及されてもよく、いずれにしても本発明を制限するものではない。
【００１０】
デバイスが動作しているときは、電流は基本的にアノードからカソードへ流れる。発光領域（群）の形状は、第２電極により規定される。というのも、アクティブ層は、アノードとカソードの間で“サンドウィッチ”されるときにのみ電気を導くことができ、それ故に、そのままの第２電極領域の下のアクティブ層の領域でのみ光が発せられることになるからである。
【００１１】
分離した発光領域は、様々な層の蒸着の間に、シャドーマスクを用いて作成することができる。しかし、好ましい方法では、空間的に孤立した領域は、後蒸着（即ち“ポスト・デポ”）ステップで、層がすでに全て蒸着されているデバイスから選択的に領域を除去することにより形成される。従って、当初のデバイス層スタックは、如何なる特定のパターニングのシャドーマスクも必要とせずにアクティブな第２電極層を単に蒸着することにより、直接的な方法で製造することができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施形態では、第２電極の特定領域を孤立させるために、デバイス層の物質を選択的に除去するステップは、第２電極の物質を除去するステップを含む。これは、デバイスの表面トポロジーが比較的に均一であるようにアクティブ層をそのままにしながら、第２電極の周囲部分が除去された後に残存する第２電極の領域にのみ、電流がアノードからアクティブ層を通って流れることを確保する。
【００１３】
しかし、或る領域内の第２電極のみを除去することは困難なことがある。というのも、その第２電極は通常はとても薄い層だからである。従って、本発明の更なる好ましい実施形態では、デバイス層物質を選択的に除去するステップは、第２電極の除去領域に対応する領域内のアクティブ層の物質を除去するステップも含む。こうして、ポスト・デポの除去ステップは大きく簡素化することができ、例えば、とても薄い層を除去するよりも、より厚い層を除去するレーザーを構成することの方が容易である。
【００１４】
デバイス層の物質を除去するには様々な方法が存在する。例えば、デバイス層は、適切なフライス技術を適用することにより、或る深さまで除去できる。デバイス層は、また、プラズマエッチングプロセスのような適切なエッチングプロセスを用いて、エッチング処理して除去することもできる。代替的には、本発明の好ましい実施形態では、デバイス層の物質は、レーザービームをその領域にわたって向けることにより、除去され、その領域内の物質を除去する。除去される物質の深さは、周波数やパルス幅等の適切なレーザーのパラメータを用いてレーザーを駆動することにより、コントロールできる。
【００１５】
絶縁ブリッジは如何なる適切な物質を用いても、如何なる適切な技術を用いても適用付加されることができる。例えば、絶縁ブリッジは蒸着され、又は付加されることができ、除去された領域を大きくカバーする。そうしたアプローチでは、絶縁ブリッジは付加されるか、又は、カバーされる領域上に吹き付けられることもできる。代替的に、好ましい実施形態では、絶縁ブリッジは、ほんの数ミリメータまでの幅を有する細いストリップとして付加されることができる。例えば、非導電物質の薄いストリップが、カソードパッドと孤立領域との間のデバイス面に接着剤で付けられてもよい。代替的に、電気的非導電性物質が、適切なシャドーマスクを用いて、蒸着プロセスを用いて、蒸着されてもよい。しかし、特に好ましい直接的な方法では、絶縁ブリッジを付加するステップは、導体パッドと第２電極の孤立領域との間に、電気的非導電性の細いストリップをプリントするステップを含む。インクジェット技術のようなプリント技術は、特には適切であり、こうして、薄く、精密な物質層を付加する。
【００１６】
この絶縁ブリッジを付加する予備的ステップの後、カソードパッドと特定の孤立領域は、相互に電気的に接続されることができる。それ故、本発明の好ましい実施形態では、電気的な導体が、カソードパッドと特定の孤立領域との間に付加される。如何なる適切な電気的導体も使用できる。例えば、好ましい電気的導体特性を有する薄いワイヤが、カソードパッドと孤立領域とにはんだ付けされ、そうして、そのワイヤは絶縁ブリッジを横断する。そのワイヤは、絶縁ブリッジにも接着されることができる。しかし、本発明の特に好ましい実施形態では、導体パッドから第２電極の孤立領域へ導体を付加するステップは、電気的導電性物質のストリップ又はラインを絶縁ブリッジ上にプリントするステップを含む。再び、インクジェットプリンティングのような如何なるプリント技術も使用することができ、薄く、電気的導電性なストリップを絶縁ブリッジ上にプリントする。本発明の好ましい実施形態では、電気的導体は、銀インクで絶縁ブリッジ上に直接プリントされたプリントラインを含む。好ましくは、電気的導体は可能な限り細く、その幅は、伝えられる電流や電気的導体の物質の導電性等の幾つかのファクタに依存するだろう。電気的導体の幅は、例えば、ほぼ１００μｍ−２００μｍ程度であってよい。代替的に、導体パッドと特定の孤立領域との間の単一の“広い”プリントラインの代わりに、それぞれがほぼ数十μｍ以下の細いラインが、導体パッドと特定の孤立領域との間に付加されることができる。
【００１７】
第１電極、又は、カソードパッドと孤立領域との間のアクティブ層の如何なる残余部分も電気的導体によって接触されないことを確保するため、電気的導体は好ましくは、絶縁ブリッジの外側の間又は端部の間にある。電気的導体のそれぞれの側での数百μｍの“ボーダー”は、これが絶縁ブリッジの下のデバイス層から電気的に絶縁されることを確実にする。絶縁ブリッジのそれぞれの端で、電気的導体は、カソードパッド又は孤立領域への接点をなすべきである。それ故、更なる好ましい本発明の実施形態では、絶縁ブリッジの端を越えて延在する電気的導電性ストリップを、孤立領域にプリントすることにより、電気的導体は、カソードパッドと孤立領域の間に形成される。
【００１８】
使用されるインクのタイプに応じて、孤立領域内の第２電極の表面への付着、又は、カソードパッドの表面への付着は、検討を要してもよい。例えば、第２電極表面の湿潤性が使用されるインクが充分に接着しないような場合、代替的なアプローチが使用されてもよい。それ故、本発明の他の好ましい実施形態では、電気的接続が、絶縁ブリッジ終端の開口部を通って、導電体と孤立領域との間に形成される。この目的のため、小さい開口部又は貫通孔が、絶縁ブリッジの１つ又は両方の端に設けられてもよい。従って、これらの開口部又は貫通孔にわたって付加される電気的導体は、カソードパッドと孤立領域との間に充分な電気的接続を与えることができる。
【００１９】
上述したタイプの、電気的導電性インク又はメタルペーストは、プリント又はディスペンスするものであり、金属の小さい粒子や小球体を含み、通常は、ポリマーシェル内にカプセル化され、適切な溶媒内に浮遊している。プリントされた電気的導体の電気的導電性を改善するため、本発明の方法は、好ましくは、プリントされた導体をアニーリングするステップを含む。アニーリングの間、メタルペーストは高温度で効果的に“ベイクされ”、カプセル化は或る程度溶解又は分解し、如何なる溶媒も蒸発し、メタル小球体を結合して、導電性“ネットワーク”を形成する。これは、プリントされたラインと、下に位置する物質（この例では、絶縁ブリッジ、カソードパッドの表面、及び、孤立領域の表面である）との間の接触を向上させる。良好なアニーリングプロセスに必要な温度は、使用されるメタルペーストに依存する。しかし、高温度は、アクティブ層の機能性に対して不利であることがある。従前のアニーリングプロセスでは、アニーリングのステップは通常オーブンの中で行われて、ＯＬＥＤデバイスの全体が高温度に晒される。しかし、電気的導電性のラインをプリントするのに、銀ナノインクや銀メタル前駆インクを使用するときは、１３０℃又は９０℃の有利に低い温度が充分に、プリントされたラインをアニーリングする。９０℃と１３０℃の間で、短い期間、ＯＬＥＤを熱処理することは、デバイスの性能に影響を及ぼさずに可能である。
【００２０】
より高い温度で、ＯＬＥＤデバイスにダメージを与えず良好にアニーリングするために（例えば異なるメタルペーストを使用するとき）、電気的導体をアニーリングするステップは、電気的導体の物質内のエネルギーの局所的な付与（デポジション）を含むことができ、そうして、効果的に、電気的導体だけが加熱され、ＯＬＥＤの残余は熱に直接的には晒されない。熱エネルギーの如何なる適切なソース、例えば、ＵＶ又はＩＲ光源を使用することができる。しかし、好ましい実施形態では、アニーリングステップは、レーザー光ビームを電気的導体に向けるステップを含み、電気的導体の物質だけを実質的に加熱する。レーザーパラメータを選択することで、レーザー光エネルギーが本質的に電気的導体にのみ吸収されるようにすることができる。このようにして、熱の暴露は、電気的導体のすぐ近くの領域に限定される。
【００２１】
既に上述したように、本発明による方法は、如何なる形状又はデザインの分離した発光領域の実現をも可能にする。それ故、本発明のＯＬＥＤデバイスの好ましい実施形態では、第２電極の複数の空間的に孤立した領域は、第１の空間的に孤立した領域が第２の空間的に孤立した領域に取り囲まれるように配置される。即ち、分離したネスト化した領域、例えば分離した同心状の領域が実現されることができる。これは、出口標識、非常用標識、又は、シンボルや文字からなる会社のロゴといった応用例においてたいへん望ましいことになる。
【００２２】
ＯＬＥＤは、底面発光（即ち、ＯＬＥＤは基板を通して発光し、その基板は通常は透過的なガラスやプラスチック層である）や頂面発光（その場合、第２電極は透過的である）として実現することが可能である。底面発光ＯＬＥＤの場合は、絶縁ブリッジと電気的導体の物質の選択は、如何なる透過的制限をも受けない。しかし、幾つかの照明応用例では、ＯＬＥＤは電源がオフになると透過的であるべきである。それ故、本発明のＯＬＥＤの更に好ましい実施形態では、基板、第１電極、アクティブ層、及び、第２電極は、透過性物質を用いて実現され、また、絶縁ブリッジは、クリアなフォトレジストのような透過性物質を含む。透過的なＯＬＥＤに対しては、絶縁ブリッジが、ＯＬＥＤ全体領域を実質的にカバーする層として適応されることができる。こうして、ＯＬＥＤが電源オフになったとき、エッジ（さもなければ、かすかとはいえ視認可能である）は存在しないだろう。このアプローチでは、効果的に、１つの絶縁‘ブリッジ’だけが必要とされ、導体パッドと如何なる孤立領域との電気的接続もこの絶縁層に付加することができる（適切な貫通孔を用いて、各孤立領域上の第２電極の表面にアクセスする）。導体パッドと孤立領域との間の導電体が、透過的ＯＬＥＤに対して可能な限り認識できないことを確実にするため、その導電体は一群の狭いラインとして付加されてもよく、それにより各ラインは導体パッドと孤立領域との間の電気的接続を形成する。電気的導電体が、シルバーインクを上述のようにプリントすることによって、付加されるとき、非常に薄い（そしてそれ故に実質的に認識できない）プリントされたラインの導電性で充分であり得る。明らかに、より広い電気的導電体が望ましい場合は、透過性物質が電気的導電体に使用されることが可能であろう。例えば、ＩＴＯや酸化亜鉛が導電体に使用できるだろうし、電気的導電ラインはバキュームチャンバー内で公知の方法で付加することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】既知の技術を用いて製造されたＯＬＥＤデバイスの断面図を示す。
【図２】構造化されたカソード層を備えた従来のＯＬＥＤの平面図を示す。
【図３】孤立した発光領域を備えたＯＬＥＤを製造する本発明にかかる方法のステップを示す。
【図４】図３で説明される方法を用いて製造された、本発明にかかるＯＬＥＤデバイスの一実施形態を示す。  図中、同様の番号は全体を通じて同様の対象について言及する。ダイアグラム内の対象は、必ずしも原寸通りには表されず、特に、ＯＬＥＤデバイス層の厚さとＯＬＥＤデバイス要素の相対的寸法は、原寸通りには描かれていない。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、既知の技術を用いて製造されたＯＬＥＤデバイス１０の一断面図を示す。ここで、第１電極層１２はガラス又はプラスチック基板１１に付加される。第１電極１２の物質は、構造化され、分離した領域１２は基板１１上に蒸着（デポジット）される。外側エッジでは、カソード導体パッド１３とアノード導体パッド１４とが蒸着される。続きのステップでは、アクティブ層１５（有機物質の１つ以上の層）が通常は蒸着プロセスにおいて付加される。その後、カソード層１６がアクティブ層１５の上に蒸着され、カソード導体パッド１３を少なくとも部分的にカバーする。デバイス１０は最終ステップでカプセル化され（図示せず）、アノードとカソードの導体パッド１３、１４を露出させたままにしながら、デバイス層を湿気から保護するためシールする。デバイス１０を発光させるため、電圧がカソード導体パッド１３とアノード導体パッド１４を横断して印加され、電流がアクティブ層１５を通って流れることを可能にし、こうして発光を生ずる。光は、基板１１及びカソード１６の一方又は両方が透過性物質で作られているかに応じて、基板１１を通って、及び／又は、カソード１６を通って放出される。何れの場合も、電圧がアノード１２とカソード１６を横断して印加されると、全体のアクティブ層１５が活性化されて、全体のアクティブ層が発光する。デバイス層の相対的厚さは、原寸通りには示されない。一般的には、電極層１２，１６はおおよそ８０ｎｍ乃至３００ｎｍの厚さを有してもよく、一方、アクティブ層は８０ｎｍから５００ｎｍまでの厚さを有することができる。
【００２５】
図２は、分離した発光領域１６０を可能にするように構造化されたカソード層を有する従前のＯＬＥＤ２０の平面図を示している。このため、カソード層は、適切な形状の開口部を有するシャドーマスクを用いて、蒸着されて、カソード物質は、互いに空間的に分離した領域１６０においてだけ蒸着される。デバイス２０をこれらの領域１６０で発光させるため、これらの領域１６０の各々は、ＯＬＥＤデバイス２０の側面で、カソードパッド１３と電気的に接触していなければならない。このことは、分離した発光領域の実現に対して、考慮すべき制限を課す。というのも、各々がカソードパッド１３へ何らかの方法で接続されなければならないからである。さらに、蒸着ステップでのシャドーマスクの使用は、デバイスの全体コストを押し上げる。また、シャドーマスクの既知の制限は、分離したカソード領域１６０が規則的な幾何形状を有するようにしか実現されることができないことを意味する。このように製造された従前のＯＬＥＤの寸法は、約５ｃｍｘ５ｃｍのデバイスに制限される。
【００２６】
図３は、本発明に従った、孤立した発光領域を備えたＯＬＥＤデバイス１を製造する方法のステップを例示する。最初に、図１で示されるタイプのＯＬＥＤデバイスが基礎として使用され、基板１１、第１電極１２（例えばアノード１２）、アクティブ層１５、第２電極１６（例えばカソード１６）、及び、導体パッド１３，１４を有する。後堆積除去プロセスで除去されるべき領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が、第１ステージＳ−Ｉでマークされ、垂直の破線で表される。続きのステージＳ−IIでは、レーザー光Ｌのビームが、除去されるＡ１、Ａ２、Ａ３の各領域に向けられ、そして、これらの領域Ａ１、Ａ２、Ａ３の物質は、最初の層厚さを示す水平破線で表されるように除去される。例えば、第２電極層とその下に位置するアクティブ層１５の物質が蒸発され得る。下に位置するアクティブ層１５内の除去の深さは、レーザーが駆動される方法に依存することができる。除去の後、ステージＳ−IIIでは、空間的且つ電気的に孤立した第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２が形成され、互いに空間的に分離し、デバイス１の端部の導体パッド１３とは電気的接触を有しない。それは残って、孤立した領域をデバイスの導体パッドに接続する。ステージＳ−IVは、絶縁ブリッジ２０がどのように、他の孤立領域Ｒ２と２つの孤立領域Ｒ１、Ｒ２の間の露出したアクティブ層とを横切るか横断するかして、デバイス１の端部の導体パッド１３と、第１の孤立領域Ｒ１との間に付加されるかを示している。第５のステージＳ−Ｖでは、電気的導電体３０が、例えば、インクジェットプリントプロセスを用いてプリントすることにより付加され、デバイス１の端部の導体パッド１３と第１の孤立領域Ｒ１との間に電気的接続３０を形成する。明らかに、図には示されないが、同様の絶縁ブリッジ２０及び導電体３０を付加することで、第２孤立領域Ｒ２をデバイス１の端部の導体パッドに接続することができる。
【００２７】
図４は、デバイス１の平面図を示し、そのデバイス１は上述の図３のステップを用いて製造されたものである。ここで、後蒸着(ポスト・デポ)除去手順において、第２電極層とアクティブ層の他の‘不所望の’領域Ａ１、Ａ２，Ａ３を除去することによって、３つの空間的且つ電気的に孤立した領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が形成されたことが見て取れる。どれだけ多くの物質が除去されたかに応じて、除去領域Ａ１、Ａ２，Ａ３は、アクティブ層及び／又は第１電極層を露出させ得る。この例では、孤立領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は同心円Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の形態で示されるが、如何なる形状又は輪郭も可能であることは明らかだろう。その結果、これらの孤立領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は発光することもでき、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３と対応する導体パッド１３との間の絶縁ブリッジ２０の上にプリントされた電気的導電体３０によって、各々はデバイス１の端部の導体パッド１３に接続される。カソードとアノードの導体パッド（図示せず）に渡って電圧がかけられると、電流が各孤立領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３の下のアクティブ層を通って流れ、これらに発光させる。デバイスの他のどの部分も発光しないだろう。図では、絶縁ブリッジ２０と電気導電体３０の相対的幅は、デバイス１の実際の具体化よりもずっと広く図示されている。さらに、ＯＬＥＤデバイスが、底面発光デバイスとして実現される場合、即ち、基板１１を通して発光する場合には、絶縁ブリッジ２０と電気導電体３０とは如何なる場合も認識できないだろう。この技術を使用し、発光領域の興味深いパターンが、大規模ＯＬＥＤディスプレイ、例えば、装飾イルミネーションの応用例に実現できる。
【００２８】
本発明は好ましい実施形態とその変形例の形で開示されたが、様々な追加的な改変や変形が本発明の適用範囲から逸脱することなく為されることが可能であることが理解されるだろう。
【００２９】
明確性の目的で、本明細書を通じて“１つの”は複数形を排除せず、“含む”は他のステップ又は要素を排除しないことは理解されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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