(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子ユニットを形成する方法であって、
（ａ）基板の上面の選択された位置に第１の耐エッチング性材料を形成するステップであって、該基板は、該上面に露出した第１金属層と、該基板の底面に露出した第２金属層と、該第１金属層と該第２金属層との間にある第３金属層とを含み、該第３金属層は該第１金属層及び該第２金属層とは異なる金属を含むものである、ステップと、
（ｂ）前記第１の耐エッチング性材料によってカバーされない位置で、前記上面の上方の位置から前記基板に処理を適用することによって、前記基板の上面において前記第１金属層をエッチングするステップであって、これにより、前記基板の選択された位置から上方に突出する前記第１金属層からなる第１のマイクロ接点部分を形成する、ステップと、
（ｃ）前記第１のマイクロ接点部分上に第２の耐エッチング性材料を形成するステップと、
（ｄ）前記第１のマイクロ接点部分の下に第２のマイクロ接点部分を形成するために前記基板の前記上面において前記第１金属層をさらにエッチングするステップであって、前記第２の耐エッチング性材料によって、このさらにエッチングするステップの間に、前記第１のマイクロ接点部分が少なくとも部分的にエッチングされないようにすることによって、前記第３金属層に関して選択的に前記第１金属層をパターニングする、ステップと、
（ｅ）前記基板の前記底面より下方の位置から前記基板に処理を適用することによって、前記第２金属層をエッチングしてトレースを形成するステップと、
（ｆ）前記トレースを形成する前に、前記第１のマイクロ接点部分を残すように、前記第３金属層の一部を除去し、前記第３金属層の一部を除去して露出した前記第２金属層の上面の選択された位置に誘電体層をパターニングするステップであって、前記マイクロ接点は前記第２金属層から前記第３金属層を介して垂直に突出している、ステップと、
（ｇ）はんだ接合、共晶接合又は拡散接合のうちの少なくとも１つのものによって、超小型電子部品の面上の対応する接点に前記マイクロ接点を結合するステップと
を含んでなり、
前記マイクロ接点は、前記マイクロ接点が前記超小型電子部品の対応する接点に接続された状態で、前記超小型電子ユニットを介して回路パネルに接続された前記超小型電子部品と前記回路パネルとの熱膨張差及び熱収縮差に適応するように、前記マイクロ接点の十分な湾曲及び傾斜を可能にする、直径及び高さを備えるように形成されている方法。
【請求項２】
前記上面において前記第１金属層をエッチングするステップは、前記第１の耐エッチング性材料が前記第１のマイクロ接点部分から横方向に突き出るように実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の耐エッチング性材料を形成するステップが、前記第２の耐エッチング性材料がフォトレジストであって、前記第２の耐エッチング性材料を堆積するステップと、前記第２の耐エッチング性材料を露光及び現像するステップとを含む、ことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積された第２の耐エッチング性材料を露光及び現像するステップの間に、横方向に突出した第１の耐エッチング性材料は、前記堆積された第２の耐エッチング性材料の部分を保護する、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料を取り除くステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の耐エッチング性材料を形成するステップが、前記第１の耐エッチング材料がフォトレジストであって、前記第１の耐エッチング性材料を堆積するステップと、前記第１の耐エッチング性材料の上にマスクを配置するステップと、前記マスクを介して前記第１の耐エッチング材料を露光及び現像するステップとを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のマイクロ接点部分上及び前記第２のマイクロ接点部分上に第３の耐エッチング性材料を形成するステップと、
前記基板の前記上面において前記第１金属層をさらにエッチングするステップであって、前記第２の耐エッチング性材料によって、このさらにエッチングするステップの間に、前記第１のマイクロ接点部分及び前記第２のマイクロ接点部分が少なくとも部分的にエッチングされないようにすることによって、前記第３金属層に関して選択的に前記第１金属層をパターニングする、ステップと
をさらに実行して、前記第２のマイクロ接点部分の下に第３のマイクロ接点部分を形成するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料が金である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の耐エッチング性材料がフォトレジストである、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ステップ（ｄ）は前記第３金属層に到達したときに前記第１金属層のパターニングを停止するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ステップ（ｅ）は、前記ステップ（ｄ）の後に実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
超小型電子ユニットを形成する方法であって、
基板の上面の選択された位置に第１の耐エッチング性材料を形成するステップであって、該基板は、該上面に露出した第１金属層と、該基板の底面に露出した第２金属層と、該第１金属層と該第２金属層との間にある第３金属層とを含み、該第３金属層は該第１金属層及び該第２金属層とは異なる金属を含むものである、ステップと、
前記第１の耐エッチング性材料によってカバーされない位置で、前記上面の上方の位置から前記基板に処理を適用することによって、前記基板の上面において前記第１金属層をエッチングするステップであって、これにより、前記基板の選択された位置から上方に突出する前記第１金属層からなる第１のマイクロ接点部分を形成する、ステップと、
（ａ）第２の耐エッチング性材料が、基板と一体化され前記基板の表面から上方に突出している前記第１のマイクロ接点部分を少なくとも部分的にカバーするように、前記第２の耐エッチング性材料を製造過程中の基板の上面に露出している第１金属層に加えるステップと、
（ｂ）前記第１のマイクロ接点部分の下側において前記第１のマイクロ接点部分と一体化された第２のマイクロ接点部分を残すように、前記上面の上方の位置から前記基板に処理を適用することによって、前記基板の前記上面において前記第１金属層をエッチングするステップであって、前記第２の耐エッチング性材料は、このエッチングするステップの間に、前記第１のマイクロ接点部分がエッチングされないように少なくとも部分的に保護することによって、前記第３金属層に関して選択的に前記第１金属層をパターニングする、ステップと、
（ｃ）前記基板の前記底面より下方の位置から前記基板に処理を適用することによって、前記第２金属層をエッチングしてトレースを形成するステップと、
（ｄ）前記トレースを形成する前に、前記第１のマイクロ接点部分を残すように、前記第３金属層の一部を除去し、前記第３金属層の一部を除去して露出した前記第２金属層の上面の選択された位置に誘電体層をパターニングするステップであって、前記マイクロ接点は前記第２金属層から前記第３金属を介して垂直に突出している、ステップと、
（ｅ）はんだ接合、共晶接合又は拡散接合のうちの少なくとも１つのものによって、超小型電子部品の面上の対応する接点に前記マイクロ接点を結合するステップと
を含んでなり、
前記マイクロ接点は、前記マイクロ接点が前記超小型電子部品の対応する接点に接続された状態で、前記超小型電子ユニットを介して回路パネルに接続された前記超小型電子部品と前記回路パネルとの熱膨張差及び熱収縮差に適応するように、前記マイクロ接点の十分な湾曲及び傾斜を可能にする、直径及び高さを備えるように形成されている方法。
【請求項１３】
前記第１の耐エッチング性材料を選択された位置に形成するステップが、前記第１の耐エッチング性材料を前記第１のマイクロ接点部分の全体に形成するステップと、前記第１の耐エッチング性材料の上にマスクを形成するステップとを含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の及び前記第２の耐エッチング性材料を取り除くステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ステップ（ｃ）は、前記ステップ（ｂ）の後に実行される、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
第２金属層からなるトレースと、前記トレースの上面から、第３金属層からなるエッチストップ層を介して垂直方向に突出し、超小型電子部品の複数の接点にそれぞれ接続される、第１金属層からなる複数のマイクロ接点と、前記トレースの上面に選択的に設けられた第２の誘電体層とを有する超小型電子ユニットであって、
前記各マイクロ接点は、前記エッチストップ層に隣接するベース領域と、前記エッチストップ層から離れた先端部領域とを含み、中心軸についての回転体の形状を有し、前記ベース領域の垂直位置の第１の関数であると共に前記先端部領域の垂直位置の第２の関数である横方向の寸法を有しており、前記複数のマイクロ接点は、アレイ状に配置されており、
前記超小型電子部品の複数の接点は、はんだ接合、共晶接合又は拡散接合のうちの少なくとも１つによって、前記複数のマイクロ接点にそれぞれ接続されており、前記各マイクロ接点は、前記トレースの底面に接続された回路パネルと、前記超小型電子部品との熱膨張差及び熱収縮差に適応するように、前記マイクロ接点の十分な湾曲及び傾斜を可能にする、直径及び高さを備えている、超小型電子ユニット。
【請求項１７】
前記第１及び第２の関数が実質的に異なっている、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１８】
前記各マイクロ接点における前記横方向の寸法の傾斜は、前記ベース領域と先端部領域との間の境界で急激に変化する、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項１９】
隣接するマイクロ接点間のピッチが、２００ミクロン未満である、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２０】
前記ピッチが１５０ミクロン未満である、ことを特徴とする請求項１９に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２１】
前記ベース領域と前記先端部領域との間に別の領域が存在する、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２２】
前記各マイクロ接点の高さが少なくとも５０ミクロンであり、前記各マイクロ接点の先端部の直径が少なくとも２０ミクロンである、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２３】
前記先端部領域の上面はほぼ平坦で水平な面を有する、ことを特徴とする請求項１６に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２４】
第２金属層からなるトレースと、前記トレースの上面から、第３金属層からなるエッチストップ層を介して垂直方向に突出し、超小型電子部品の複数の接点にそれぞれ接続される、第１金属層からなる複数のマイクロ接点と、前記トレースの上面に選択的に設けられた第２の誘電体層とを有する超小型電子ユニットであって、
前記各マイクロ接点は、前記エッチストップ層に隣接するベース領域と、前記エッチストップ層から離れた先端部領域とを含み、中心軸についての回転体の形状を有し、該中心軸の軸線と該軸線に沿って垂直方向に該軸線に向かって又は該軸線から離れるように傾斜する円周方向の面とを有し、円周方向の面の傾斜が前記先端部領域と前記ベース領域との間の境界において急に変化しており、前記複数のマイクロ接点は、アレイ状に配置されており、
前記超小型電子部品の複数の接点は、はんだ接合、共晶接合又は拡散接合のうちの少なくとも１つによって、前記複数のマイクロ接点にそれぞれ接続されており、前記各マイクロ接点は、前記トレースの底面に接続された回路パネルと、前記超小型電子部品との熱膨張差及び熱収縮差に適応するように、前記マイクロ接点の十分な湾曲及び傾斜を可能にする、直径及び高さを備えている、超小型電子ユニット。
【請求項２５】
隣接するマイクロ接点間のピッチが１５０ミクロン未満であり、前記各マイクロ接点の高さが６０ミクロンから１５０ミクロンである、ことを特徴とする請求項２４に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２６】
前記各マイクロ接点の先端部領域の上面における直径が少なくとも２０ミクロンである、ことを特徴とする請求項２５に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２７】
前記ピッチがｈ＋ｄよりも小さく、ｈが前記各マイクロ接点の垂直方向の高さであり、ｄが前記先端部領域の上面における直径である、ことを特徴とする請求項２５に記載の超小型電子ユニット。
【請求項２８】
第２金属層からなるトレースと、前記トレースの上面から、第３金属層からなるエッチストップ層を介して垂直方向に突出し、超小型電子部品の複数の接点にそれぞれ接続される、第１金属層からなる複数のマイクロ接点と、前記トレースの上面に選択的に設けられた第２の誘電体層とを有する超小型電子ユニットであって、
前記各マイクロ接点は、前記エッチストップ層に隣接するベース領域と、前記エッチストップ層から離れた先端部領域とを含み、中心軸についての回転体の形状を有し、前記マイクロ接点の幅が、前記ベース領域と前記先端部領域との境界で最大になっており、前記複数のマイクロ接点は、アレイ状に配置されており、
前記超小型電子部品の複数の接点は、はんだ接合、共晶接合又は拡散接合のうちの少なくとも１つによって、前記複数のマイクロ接点にそれぞれ接続されており、前記各マイクロ接点は、前記トレースの底面に接続された回路パネルと、前記超小型電子部品との熱膨張差及び熱収縮差に適応するように、前記マイクロ接点の十分な湾曲及び傾斜を可能にする、直径及び高さを備えている、超小型電子ユニット。
【請求項２９】
前記トレース底面に設けられた第１の誘電体層をさらに有する、ことを特徴とする請求項１６、２４又は２８に記載の超小型電子ユニット。
【請求項３０】
前記第１の誘電体層は、開口を有し、該開口によって露出した前記トレースは端子となる、ことを特徴とする請求項２９に記載の超小型電子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本願は、２００７年３月１３日に出願された米国特許出願第１１／７１７，５８７号に対する優先権を主張する。この特許出願は、２００５年６月２４日に出願された米国特許出願第１１／１６６，９８２号の一部継続出願であり、２００４年６月２５日に出願された米国仮特許出願第６０／５８３，１０９号の出願日に関する利点を請求する。特許出願第１１／１６６，９８２号はまた、２００４年１０月６日に出願された米国特許出願第１０／９５９，４６５号の一部継続出願である。この特許出願第１０／９５９，４６５号も、２００３年１０月６日に出願された米国仮特許出願第６０／５０８，９７０号、２００３年１２月３０日に出願された６０／５３３，２１０号、２００３年１２月３０日に出願された６０／５３３，３９３号、及び２００３年１２月３０日に出願された６０／５３３，４３７号の出願日に関する利点を請求する。前述された特許出願の全開示内容は、参照することによって本願に組み込まれる。
【０００２】
［発明の分野］
本発明は、超小型電子パッケージ、超小型電子パッケージを製造する場合に使用する部品、及びこのパッケージや部品を製作する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
細長いポスト又はピン形状のマイクロ接点用部品は、超小型電子パッケージングの中で超小型電子パッケージを回路基板や他の接続体に接続するために使用することができる。ある場合には、マイクロ接点は、１つ以上の金属層を含む金属構造体をマイクロ接点を形成するようにエッチングすることによって形成されてきた。このエッチング処理によって、マイクロ接点の寸法が制限される。従来のエッチング処理は一般的に、本願では「アスペクト比」と呼ばれる、最大幅に対する高さの比率が大きいマイクロ接点を形成することはできない。高さが大きく隣接するマイクロ接点間のピッチすなわち間隔が極めて小さいマイクロ接点のアレイを形成することは困難又は不可能であった。さらに、従来のエッチング処理によって形成されたマイクロ接点の構成は限定されている。
【０００４】
これら及び他の理由に対して、さらに改良を行うことが望ましい。
【発明の概要】
【０００５】
１つの実施形態では、マイクロ接点を形成する方法には、（ａ）基板の上面の選択された位置に第１の耐エッチング性材料を設けるステップと、（ｂ）第１の耐エッチング性材料でカバーされていない位置の基板の上面をエッチングして、これにより選択された位置の基板から上方に突出する第１のマイクロ接点部分を形成するステップと、（ｃ）第１のマイクロ接点部分に第２の耐エッチング性材料を設けるステップと、（ｄ）第１のマイクロ接点部分の下に第２のマイクロ接点部分を形成するように基板をさらにエッチングするステップと、が含まれ、第２の耐エッチング性材料がさらにエッチングを行うステップの間に第１のマイクロ接点部分がエッチングされないように少なくとも部分的に保護する。別の実施形態では、マイクロ接点を形成する方法には、（ａ）最後の耐エッチング性材料が少なくとも部分的に、基板と一体で基板の表面から上方に突出する第１のマイクロ接点部分をカバーするために、最後の耐エッチング性材料を処理中の基板に加えるステップと、（ｂ）第２のマイクロ接点部分を第１のマイクロ接点部分の下でそれと一体の部分に残すように、基板の表面をエッチングするステップとが含まれ、この最後の耐エッチング性材料が、さらにエッチングを行うステップの間に第１のマイクロ接点部分がエッチングされないように少なくとも部分的に保護する。
【０００６】
さらに別の実施形態では、超小型電子ユニットが、（ａ）基板と、（ｂ）基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点と、を備えて、それぞれのマイクロ接点が基板に隣接したベース領域と基板から離れた先端部領域を含み、それぞれのマイクロ接点がベース領域の垂直方向の位置の第１の関数であると共に先端部領域の垂直方向の位置の第２の関数である横方向の寸法を有している。
【０００７】
さらに別の実施形態では、超小型電子ユニットは、基板と、基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点とを備えて、２つの隣接するマイクロ接点間のピッチが１５０ミクロン未満である。
【０００８】
さらに別の実施形態では、超小型電子ユニットは、（ａ）基板と、（ｂ）基板から垂直方向に突出する複数の細長いマイクロ接点を備えて、それぞれのマイクロ接点が基板に隣接したベース領域と基板から離れた先端部領域を含み、それぞれのマイクロ接点が軸線と、軸線に沿って垂直方向に軸線に向かって又は軸線から離れるように傾斜する円周方向の面を有して、円周方向の壁の傾斜が先端部領域とベース領域との間の境界において急に変化する。
【０００９】
別の実施形態では、超小型電子ユニットは、（ａ）基板と、（ｂ）基板から垂直方向に突出する複数のマイクロ接点とを備えて、それぞれのマイクロ接点が基板に隣接した近位部分と、基板から離れる垂直方向に近位部分から延びる細長い遠位部分とを有し、ポストの幅が近位部分と遠位部分との間の接続部において段階的に増加する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】基板の略図である。
【図２】フォトレジスト層が付いた図１の基板の略図である。
【図３】フォトレジスト層とマスク層が付いた図１の基板の斜視図の略図である。
【図４】エッチングされた図１の基板の略図である。
【図５】第２のフォトレジストが付いた図１の基板の略図である。
【図６】現像された第２のフォトレジストを有する図１の基板の略図である。
【図７】二度目にエッチングされた図１の基板の略図である。
【図８Ａ−８Ｄ】マイクロ接点の側面図の実例である。
【図９】第１の実施形態を表すフローチャートである。
【図１０】第２の実施形態を表すフローチャートである。
【図１１】アプリケーションの中の多層基板の略図である。
【図１２】超小型電子ユニットの略図である。
【図１３】２つの隣接する超小型電子ユニットの略図である。
【図１４】超小型電子構体の略図である。
【図１５】本発明の別の実施形態による超小型電子構体の略図である。
【図１６】追加のポスト部分が付いた図１５の構体の略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
第１の方法すなわち実施形態が説明される。図１は、３層金属基板（tri-metal substrate）１０の略図である。この３層金属基板１０は、トレース層１２、エッチストップ層１４、厚い層１６、及び上面１８を有する。トレース層１２及び厚い層１６は、銅などの容易にエッチング可能な第１の金属から形成され、一方向エッチストップ層１４は、ニッケルなどの金属から形成される。ニッケルは、銅をエッチングするために使用される工程では、エッチングに対して強い耐性がある。なお、銅とニッケルを挙げたが、基板１０は要望どおりの任意の適当な材料から形成することができる。
【００１２】
図２は、第１のフォトレジスト層２０が付いた図１の３層金属基板１０の略図である。この第１のフォトレジスト２０は、上面１８に堆積される。第１のフォトレジスト２０は、光などの照射を受けたときの化学反応に耐性があるすなわち耐える任意の種類の材料とすることができる。従って、任意の耐エッチング性材料を使用できる。正及び負のフォトレジストも使用することができ、このことは技術的に周知である。「上部」、「下部」及び他の方向を示す用語が本願で使用される場合、それらの用語は重力に基づいた方向ではなく、超小型電子部品に関連するとみなされる。
【００１３】
図３は、第１のフォトレジスト層２０とマスク層２２が付いた図１の３層金属基板の斜視図の略図である。マスク２２は、多くの場合、フォトマスク又はシャドーマスクと呼ばれるマスク上にプリントされた不透明な領域を有する透明なプレートであり、参照番号２６で示されたマスク２２によってカバーされた領域と、参照番号２８で示されたマスク２２によってカバーされない領域を有するパターン２４をマスク２２の上に作る。カバーされた領域及びカバーされない領域、それぞれ２６及び２８、を有するパターン２４により、第１のフォトレジスト２０の部分を放射に対して選択的に露光することが可能になる。
【００１４】
マスク２２が第１のフォトレジスト２０の上に置かれると、放射が行われる。ほとんどの場合、この放射には、紫外光が使用される。この放射が第１のフォトレジスト２０のカバーされない領域２８を露光すると、結果としてカバーされない領域２８が不溶性にされる。負のフォトレジストが使用される場合、逆の場合も真である、すなわちカバーされた領域２６が不溶性になる。第１のフォトレジスト２０を露光した後で、マスク２２が除かれる。次に、第１のフォトレジスト２０が不溶性になっていない場所の第１のフォトレジストを取り除く溶液を用いて洗浄することによって、第１のフォトレジスト２０が現像される。これにより、フォトレジストの露光と現像によって、基板１０の表面１８の上部にある不溶性材料のパターンが残される。この不溶性材料のパターンは、マスク２２のパターン２４を描写する。
【００１５】
フォトレジストを露光及び現像した後で、基板は図４に示されているようにエッチングされる。エッチングが一定の深さに達すると、エッチング工程が中止される。例えば、このエッチング工程は、所定の時間の後で終了することができる。エッチング工程は、厚い層１６において基板１０から上方に突出する第１のマイクロ接点部分３２を残している。エッチング液が厚い層１６を腐食するため、第１のフォトレジスト２０のエッジの下の材料が除かれて、この第１のフォトレジストが、オーバーハング３０として示されるように、第１のマイクロ接点部分３２の上部から横方向に突き出るようにされる。第１のフォトレジスト２０は、マスク２２によって確定される特定の位置に残される。
【００１６】
厚い層１６が望ましい深さまでエッチングされると、フォトレジスト３４の第２の層（図５）が、３層金属基板１０上に堆積される。この場合、第２のフォトレジスト３４が、厚い層１６が前にエッチングされた位置の厚い層１６上に堆積される。このため、この第２のフォトレジスト３４も、第１のマイクロ接点部分３２をカバーすることになる。電気泳動のフォトレジストを用いる場合、この第２のフォトレジスト３４は、その固有の化学的特性のために、第１のフォトレジスト２０上には堆積しない。
【００１７】
次のステップで、第１のフォトレジスト２０及び第２のフォトレジスト３４が付いた基板が放射に露光されて、ここで第２のフォトレジストが作られる。図６に示されているように、第１のフォトレジスト２０が厚い層１６の部分の上に横方向に突き出て、オーバーハング３０で示されている。このオーバーハング３０により、第２のフォトレジスト３４が放射に露光されないようにされ、これにより、それが現像されて除かれないようにされて、第２のフォトレジスト３４の部分が第１のダイのマイクロ接点部分３２に付着される。これにより、第１のフォトレジスト２０は、第２のフォトレジスト３４に対するマスクとして動作する。第２のフォトレジスト３４は、放射露光された第２のフォトレジスト３４を取り除くために洗浄することによって作られる。これにより、第２のフォトレジスト３４の未露光の部分が、第１のマイクロ接点部分３２の上に残される。
【００１８】
第２のフォトレジスト３４の部分が露光及び現像されると、第２のエッチング工程が行われて、３層金属基板１０の厚い層１６の別の部分が除かれて、図７に示されているように、第１のマイクロ接点部分３２の下に第２のマイクロ接点部分３６が形成される。このステップの間に、第２のフォトレジスト３４が第１のマイクロ接点部分３２になおも付着していて、この第１のマイクロ接点部分３２が再度エッチングされるのを防止する。
【００１９】
これらのステップは、第３、第４又は第ｎ番目のマイクロ接点部分を形成して好ましいアスペクト比やピッチを作るために、望ましい回数繰り返すことができる。エッチストップ層１４に達したときに、この工程を停止することができる。最終ステップとして、第１及び第２のフォトレジスト２０及び３４は、それぞれ、完全にストリップされる(stripped)。
【００２０】
これらの工程の結果として、図８Ａ〜図８Ｄに示されているマイクロ接点３８が作られる。これらの図面はまた、本願で説明された工程を用いて実現することができる様々なプロフィールを例示している。図８Ａ〜図８Ｄを参照すると、このマイクロ接点３８は、上部領域として周知の第１の部分３２と、ベース領域とも呼ばれる第２の部分３６を有している。前述されたステップで使用された第１のフォトレジストのスポットが円形の場合、各マイクロ接点は一般に、中心軸５１（図８Ａ）を中心にした回転体の形状になる。この中心軸５１は、基板の残りの部分から上方の垂直すなわちＺ方向に延び、かつ全体的にエッチストップ層１４の面に対して直立している。第１及び第２の部分の幅すなわち直径Ｘは、各部分内のＺすなわち高さ方向の位置と共に変化する。別の言い方をすれば、第１の部分内では、Ｘ＝Ｆ１（Ｚ）であり、また第２の部分では、Ｘ＝Ｆ２（Ｚ）である。傾斜すなわちｄＸ／ｄＺは、第１と第２の部分の間の境界において急速に変化する。マイクロ接点の特定の機能と形状は、第１及び第２のエッチング工程で使用されるエッチング条件によって決定される。例えば、エッチング液とエッチング温度の組合せを変えて、エッチング液が金属層を腐食する速度を変化させることができる。また、エッチング液が金属層と接触する仕組みを変えることもできる。エッチング液を基板に向けて強く吹き付けたり、基板をエッチング液の中に浸漬することができる。エッチング条件は、第１及び第２の部分をエッチングする間において同じにするか又は変えることができる。
【００２１】
図８Ａに示されているマイクロ接点では、見た目には下方向に膨らむ円周方向の面４４を有するため、傾斜の大きさすなわちｄＸ／ｄＺは下向き方向に増加する。第２の部分３６も外面的に膨らむ円周方向の面４６を有し、この第２の部分の傾斜の大きさすなわちｄＸ／ｄＺは境界５２で最小になり、ポストのベースに向かう方向に次第に増加する。境界５２では、傾斜に著しい変化が存在する。マイクロ接点が層１４と接合するマイクロ接点のベースにおける、第２の部分の最大の幅すなわち直径Ｘは、第１の部分の最大の幅すなわち直径よりも相当大きい。図８Ｂでは、第２の部分３６の最大幅は、第１の部分３２の最大幅よりもわずかに大きいだけである。また、第２の部分は、ポストのベースと境界５２との間の位置で幅が最大になるため、幅は上向き方向に最小になるまで徐々に減少し、次に上向き方向に最小位置から境界５２まで次第に増加するそのような形状は一般に「冷却塔(cooling tower)」形と呼ばれる。図８Ｂのマイクロ接点では、傾斜すなわちｄＸ／ｄＺは、部分間の境界５２で符号を変化させる。図８Ｃでは、第２の部分３６の幅は、マイクロ接点のベース近くで最小になる。
【００２２】
最後に、図８Ｄは、３つ以上の部分を有するマイクロ接点３８のプロフィールを例示している。この種のプロフィールは、本願で説明された工程のステップが複数回実行された結果生じる。従って、この特定のマイクロ接点３８は４つの部分、すなわち第１及び第２の部分それぞれ３２及び３６、並びに第３及び第４の部分それぞれ４０及び４２を有することが分かる。これら４つの部分は、どのような寸法であっても良く、説明された別の部分よりも広く又は狭くすることができる。この場合、１つの境界よりも大きくすることができる。図８Ａ〜図８Ｄは、単に代表的なプロフィールであり、種々のプロフィールを実現することができる。２つのマイクロ接点しか含まないアレイが図８Ａ〜図８Ｄのそれぞれで説明されたが、実際には、多数のポストを含むポストのアレイを形成することができる。図８Ａ〜図８Ｄのそれぞれに示された実施形態では、全てのマイクロ接点すなわちアレイ内のポストが、１つの金属層１６（図１）から形成される。各マイクロ接点は、マイクロ接点が金属層１２に接触しているマイクロ接点のベースにおいて、エッチストップ層１４の上にある。以下に説明されるように、エッチストップ層１４は一般に、マイクロ接点間の領域では取り除かれ、また金属層１２は一般的に、マイクロ接点に接続されたトレース又は他の導電性の構造体に変換するためにエッチングされるか又は別の方法で処理される。しかしながら、各マイクロ接点のボディは、そのベースから先端部まで、溶性部などの継ぎ目がない単一のボディであり、全体を通してほぼ均一の構成物である。また、層１２及び１４から離れたマイクロ接点の端部にある、マイクロ接点の先端面１８’が金属層１６（図１）の本来の上面１８の部分であるため、これらの先端面はほぼ平坦で水平であり、マイクロ接点の全ての先端面は互いにほぼ同一平面上にある。
【００２３】
別の実施形態では、第１のエッチング工程の後で選択された位置のみにおいて第１のフォトレジスト２０を取り除くのではなく、第１のフォトレジスト２０の全体が取り除かれる。この場合、第２のフォトレジスト３４が基板１０の全面に堆積される。次に、マスク２２が第２のフォトレジスト３４上に配置される。このマスク２２は適切に位置合わせされて、第１のマイクロ接点部分３２上の前に露光された位置のみが露光される必要がある。次に、第２のフォトレジスト３４が現像され、そしてさらに別のエッチングが基板１０上で実行される。
【００２４】
図９は、第１の実施形態を示すフローチャートである。ステップ１００が開始すると、基板が提供される。次に、ステップ１０２において、フォトレジストｎがこの基板に堆積される。次に、ステップ１０４で、マスクがフォトレジストｎの上に配置される。ステップ１０６で、フォトレジストｎが放射に露光される。その後、ステップ１０８で、マスクが取り除かれ、次にステップ１１０で、フォトレジストｎの選択された位置が現像され、そして基板がエッチングされる。
【００２５】
次に、ステップ１１２でｎ＋１として周知の別のフォトレジストが堆積される。次に、ステップ１１４で、このｎ＋１フォトレジストは放射に露光される。その後、ステップ１１６において、選択された位置のフォトレジストｎ＋１が取り除かれ、そして基板が再度エッチングされる。次に、望ましいマイクロ接点の高さが得られたかどうかが、ステップ１１８で評価される。望ましいマイクロ接点の高さが得られていない場合、ステップ１２０において、処理はステップ１１２に戻り、別のフォトレジストが基板上に堆積される。望ましい高さがステップ１２２で得られると、残りのフォトレジストがステップ１２４で取り除かれて、処理は終了する。
【００２６】
図１０は、第２の実施形態を示すフローチャートである。この第２の実施形態のステップ２００〜２１０は、第１の実施形態のステップ１００〜１１０と酷似している。しかしながら、ステップ２１２では、フォトレジストｎの全体が取り除かれる。次に、ステップ２１４において、フォトレジストｎ＋１の別の層が基板上に堆積される。次に、マスクがステップ２１６において基板上に配置される。このステップの間に、マスクを位置合わせして、そのパターンをマークがフォトレジストｎ上に配置されたときとほぼ同じ位置に置く必要がある。その後、ステップ２１８で、フォトレジストｎ＋１が放射に露光され、そしてマスクが除かれる。
【００２７】
次に、ステップ２２０で、フォトレジストｎ＋１が選択的に除かれて、基板が再度エッチングされる。この工程はまた、望ましいマイクロ接点の高さが得られるまで繰り返される。このため、ステップ２２２において、望ましいマイクロ接点の高さが得られたかどうかが評価される。好ましい高さがステップ２２４で得られていない場合、工程はステップ２１２に戻る。このステップ２１２では、フォトレジストが完全に取り除かれ、別のフォトレジストｎ＋１が堆積されて、工程が進められる。しかしながら、望ましい高さがステップ２２６で得られた場合、残りのフォトレジストがステップ２２８で除かれて、この工程は終了する。
【００２８】
エッチストップ層１４と薄い層１２は誘電体層と結合され、次に薄い層１２はエッチングされてトレースを形成し、トレースに接続され誘電体層から突出しているマイクロ接点に部品を提供する。そのような構造体は、例えば、半導体チップのパッケージ用部品として使用することができる。例えば、２００５年１２月２７日に出願された米国特許出願第１１／３１８，８２２号を使用することができる。この特許出願の開示内容は、参照することによって本願に組み込まれる。
【００２９】
本願で説明された構造体は、多層基板、例えば、図１１で示されているような多層基板１０の上部の層の一体部分とすることができる。マイクロ接点３８は、ダイ５４にはんだ付けされる。はんだ５６は、マイクロ接点３８の周囲の部分に吸い上げられる。この吸い上げ動作により、マイクロ接点３８とダイ５４との間に極めて良好な接触が行われる。はんだ５６に加えて他の結合方法も、使用することができる。マイクロ接点３８の周りには、ダイ５４をマイクロ接点３８や基板１０に付着するために使用されるアンダーフィル（underfill）５８がある。どんな種類のアンダーフィルも要望どおりに使用できる、又はアンダーフィルを省略することができる。マイクロ接点３８の下には、トレース６０と誘電体層６２がある。端子６４が、基板１０の底部に配置されている。
【００３０】
ある種のパッケージは、スタックされた超小型電子チップを含んでいる。これにより、パッケージは、スタック内のチップの全表面積よりも小さい、基板上の表面積を占有することができる。本願で列挙された工程を用いて製造されたマイクロ接点を含むパッケージは、積み重ねることができる。同時係属の２００５年５月２７日に出願された米国特許出願第１１／１４０，３１２号、及び米国特許第６，７８２，６１０号を参照されたい。それらの開示内容は、参照することによって本願に組み込まれる。これらの開示内容の中で教示されたマイクロ接点のエッチング工程は、本願で説明された工程により置き換えられることができる。
【００３１】
３層金属基板が前に説明されたが、例えば、１つの金属などの任意の数の層を有する適当な基板を使用できる。さらに、フォトレジストを使用するのではなく、厚い金属層をエッチングするために使用されるエッチング液に相当耐性がある金又は他の金属などの耐エッチング性金属を使用することができる。例えば、前述された第１のフォトレジスト２０の代わりに、耐エッチング性金属を使用できる。耐エッチング性金属のスポットを、これらのスポット用の望ましい位置に穴が空いたフォトレジストなどのマスクを加えた後で、厚い層１６の上部に配置することができる。厚い層の上部にある耐エッチング性金属をめっきした後で、厚い層がエッチングされて、上記のようにマイクロ接点が形成される。耐エッチング性金属は、マイクロ接点の先端部の所定の位置に残される。（前述された第２のフォトレジスト３４の代わりに）耐エッチング性金属が使用される場合、マイクロ接点の第１の部分のみに対して、第２の耐エッチング性金属が堆積するのを制限するためにマスクを使用して、マイクロ接点間の領域が耐エッチング性金属がない状態に残される。別の方法では、耐エッチング性金属の第１の層の全体が、第１のマイクロ接点部分３２をエッチングすることにより取り除かれて、耐エッチング性金属の第２の層が堆積され、第１のマイクロ接点部分３２が保護される。
【００３２】
図１２を参照すると、マイクロ接点７２を有する超小型電子ユニット７０が示されている。マイクロ接点７２は、エッチストップ層７４を有している。マイクロ接点７２は、トレース７６に形成されている金属層から垂直に突き出ている。トレース７６の間には、ギャップすなわちスペース７８が存在する。誘電体８０の第１の層が、トレース７６に隣接したユニット７０の底側に付着されている。誘電体８０の第１の層内の開口８２により、トレース７６が電子接点を形成することができる。誘電体の第２の層８４が、ユニット７０の上側に形成される。
【００３３】
これらの工程から形成されたマイクロ接点は一般に、約４０ミクロンから約２００ミクロンの範囲の高さを有する。さらに、マイクロ接点間の典型的なピッチは、約２００ミクロン未満であり、好ましくは１５０ミクロン未満である。特に、図１３を参照すると、先端部の直径がｄで、マイクロ接点の高さがｈの２つのマイクロ接点が示されている。ピッチｐは、２つのマイクロ接点の縦軸間の距離として定義される。多くのアプリケーションでは、特に、例えば図１４を参照して以下に説明される構造体の中で半導体チップの接点に接続されたマイクロ接点が使用されるアプリケーションでは、小さいピッチが提供されることが望ましい。しかしながら、マイクロ接点が１つのエッチング工程によって１つの金属層から形成される工程では、特定の最小ピッチＰ０よりも小さいピッチＰを作ることは一般に実際的ではない。この特定の最小ピッチＰ０は、直径ｄに高さｈを加えた合計の長さに等しい。これにより、Ｐ０＝ｄ＋ｈである。理論上は、この最小ピッチは、先端部の直径ｄを減らすことによって縮小することができる。しかしながら、先端部の直径をゼロよりも小さくすることは不可能である。さらに、多くの場合、先端部の直径を約２０又は３０ミクロンよりも小さくすることは望ましくない。例えば、ピンの先端部とエッチングの間に先端部を保護するために使用されるフォトレジストのスポットとの間の接着力は、先端部の面積、このため先端部の直径の２乗に比例する。従って、先端部の直径が極めて小さい場合、フォトレジストのスポットは処理の間に取り外される可能性がある。このため、従来の処理を用いて、極めて小さいピッチのマイクロ接点を形成することは困難であった。
【００３４】
しかしながら、本願で列挙された工程を用いるマイクロ接点間のピッチは、Ｐ０未満、（Ｐ＜Ｐ０）、例えば、Ｐ＝（０．９）Ｐ０未満とすることができる。例として、先端部の直径ｄが３０ミクロンで、高さｈが６０ミクロンの場合、従来の工程ではピッチＰ０は９０ミクロンになるであろう。しかしながら、本願で説明された工程では、少なくとも２回のエッチングを行う場合、約８０ミクロン未満のピッチＰを実現できる。別の言い方をすれば、多段階のエッチング工程により、従来のエッチング工程では実現できないピッチ、先端部の直径及び高さを組み合わせた、単一金属のマイクロ接点又はポストを１つの金属層から形成することが可能にされる。エッチング工程の数が増加するにつれて、所定の先端部の直径と高さに対する最小の実現可能なピッチは小さくなる。
【００３５】
ここで、図１４を参照すると、前述されたようなマイクロ接点３８を有するパッケージ素子又はチップ・キャリアを用いる超小型電子パッケージ９０が示されている。このチップ・キャリアは、第１の誘電体層６２を備えている。この第１の誘電体層６２は、ポリイミド、ＢＴ樹脂又はチップ・キャリア用に一般に使用される種類の他の誘電体材料から形成することができる。このチップ・キャリアは、マイクロ接点３８の幾つか又は全てに接続されたトレース６０も備えている。トレースは、端子６１を内蔵している。マイクロ接点は、図１４に示されているように、誘電体層６２の第１の側から上向きに突出している。誘電体層６２は開口８２を有し、第１の誘電体層６２の第２のすなわち下向きの面において、端子６１が開口８２を通って露出される。このキャリアは、随意的な第２の誘電体層８４をさらに備えている。
【００３６】
マイクロ接点３８の先端部は、半導体チップ又はダイ５４などの超小型電子部品の接点５５に結合されている。例えば、マイクロ接点の先端部は、超小型電子部品の接点５５にはんだ接続される。共晶接合又は拡散接合などの他の接続方法も採用できる。結果として得られるパッケージ化された超小型電子部品は、マイクロ接点とトレースによって端子６１に接続された超小型電子部品上の接点５５の幾つか又は全てを有する。このパッケージ化された超小型電子部品は、端子６１を回路基板上のパッド９４に結合することによって、プリント回路基板などの回路パネル９２に装着される。例えば、回路パネル９２上のパッド９４は、はんだボール（solder ball）９６を用いて開口８２において端子６１にはんだ接続される。
【００３７】
マイクロ接点３８と超小型電子部品の接点５５との間の接続は、接点５５の間隔が狭い場合でも、信頼できる接続を行うことができる。前述されたように、マイクロ接点３８は妥当な先端部の直径と高さで形成することができる。先端部の直径をかなり大きくすることにより、各マイクロ接点の先端部と超小型電子部品の接点との間の結合領域を相当大きくすることができる。使用する場合、マイクロ接点３８を湾曲及び傾斜することによって、回路パネル９２に対するチップ５４の熱膨張差及び熱収縮差に適応することができる。この動作は、マイクロ接点の高さによって高められる。さらに、このマイクロ接点は共通の金属層から形成されるため、マイクロ接点の高さは極めて精密な許容差内で均一である。このため、マイクロ接点の先端部とチップ又は他の超小型電子部品の接点との間の強固な結合を形成することが容易にされる。
【００３８】
チップ・キャリアの構造は変えることができる。例えば、チップ・キャリアは、ただ１つの誘電体層を含むことができる。トレースは、誘電体層のどちらかの側に配置される。あるいはまた、チップ・キャリアは多層の誘電体を含むことができ、また複数のトレースの層や、導電性の接地面などの他の構造体を含むことができる。
【００３９】
本発明のさらに別の実施形態に関する処理は、誘電体層５０２の表面などの表面５２６から突出するポスト部分５５０（図１５）を有する構造体を使用する。これらのポスト部分５５０は任意の工程で形成することができるが、前述された工程に類似したエッチング処理によって形成することが望ましい。部分５５０を形成した後、金属層又は他の導電層５０２が、ポスト部分５５０の先端部５３３の上に加えられる。例えば、層５０２は部分５５０を内蔵する構造体の上にラミネートされ、そしてポスト部分５５０の先端部に金属結合される。層５０２は選択的に処理されて、ポスト部分５５０から離れた層の材料が取り除かれるが、少なくともポスト部分５５０の上にある層の厚さの部分が残されるため、ポスト部分５５０と整列した付加的なポスト部分５０４（図１６）が形成される。このようにして、複合マイクロ接点が形成され、それぞれが基板に近い近位のポスト部分５５０と基板から離れた遠位のポスト部分５０４を備えており、遠位の部分は近位の部分から垂直すなわちｚ方向に突出している。層５０２に加えられる処理には、前述されたような、ポスト部分５５０と一直線に並べられた耐エッチング性材料のスポットを用いるエッチング処理が含まれる。誘電体の封入剤５０８などの保護層が、層５０２をエッチングする前に、ポスト部分５５０をカバーするために利用される。別の方法では、又は追加として、ポスト部分５５０はめっきされるか、又は別の方法では、層５０２をエッチングする前に、ニッケル又は金などの耐エッチング性の導電性材料でカバーされる。
【００４０】
連続的にポスト部分を増加する処理が繰り返されて、部分５０４上に付加的な部分が形成され、基本的には任意の長さのマイクロ接点を形成することができる。マイクロ接点が長いことにより、ポスト先端部の柔軟性や動きが増加される。図１５及び図１６の層５０８のように、１つ以上の誘電体の封入剤層がすでに形成されたポスト部分の周りの位置に残される場合、この封入剤は柔軟で、ポストが湾曲するのをほとんど制限しないことが望ましい。別の実施形態では、封入剤は部品が使用される前に除かれる。マイクロ接点が、前述されたものと類似した誘電体基板５２２及びトレース５２８と関連して例示されているが、この工程は基本的に任意の構造のマイクロ接点を製造するために使用することができる。
【００４１】
図１６に示されているように、各マイクロ接点は、近位のポスト部分５５０の垂直方向すなわちｚ方向の長さに対して変化し、かつ近位のポスト部分５５０と遠位の部分５０４との間の接合部でほぼ段階的に急激に増加し、また遠位の部分の垂直方向の長さに沿って変化する横方向の寸法すなわち幅寸法ｘを有する。垂直方向の位置において幅が変化する傾斜は、またポスト部分間の接合部で急に変化する。各ポスト部分内の横方向すなわち幅の寸法が変化するパターンは、エッチング又はそのようなポスト部分を形成するために使用される処理に依存する。例えば、さらに別の実施形態では、遠位のポスト部分５０４は、前述されたように、多段のエッチング処理によって形成されるため、各遠位のポスト部分は、垂直すなわちｚ方向の幅ｘの変動を定義する種々の機能を有する種々の下位部分（sub-portion）を含んでいる。
【００４２】
下記の２００４年１１月１０日に出願された米国特許出願第１０／９８５，１２６号、２００５年１２月２７日に出願された１１／３１８，８２２号、２００５年１２月２３日に出願された１１／３１８，１６４号、２００５年６月２４日に出願された１１／１６６，９８２号、２００５年５月２７日に出願された１１／１４０，３１２号、及び米国特許第７，１７６，０４３号に対する参照が行われる。参照することによって、これらの特許は本願に組み込まれる。
【００４３】
本願の発明を特定の実施形態を参照して説明してきたが、これらの実施形態は本発明の原理及び用途を単に例証するものであることは理解されよう。このため、これらの例証となる実施形態に対して多数の変形例を作ることができ、また添付のクレームによって定義された本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、別の装置を考案できることは理解されよう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５−１６】
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