(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品や電子基板の電極端子などに金属バンプを低周波数５〜１００Ｈｚの範囲で低周波ボンディングする低周波ボンディング装置であって、
前記低周波ボンディング装置は、
固定側支持板に固定され、ロータ軸を回転することによって低周波を生成する電動機と、
前記ロータ軸の軸芯に嵌着させて前記ロータ軸芯を偏心させて周回運動を生成する偏心部品と、
前記偏心部品の外周を内輪に挿着させて回転するラジアル玉ベアリングと、
前記ラジアル玉ベアリングの外周を保持し、このラジアル玉ベアリングの外周の運動を伝達する移動側支持板と、
前記固定側支持板と前記移動側支持板との間を掛け持って固定され、前記ラジアル玉ベアリングの前記周回運動をガイドするＸＹステージと、
を備え、
前記金属バンプの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングすることを特徴とする低周波ボンディング装置。
【請求項２】
前記ＸＹステージは、クロスローラガイド方式からなることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項３】
前記ＸＹステージは、エアベアリング方式からなることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項４】
前記金属バンプは、ワイヤボンディングのボール部であることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項５】
前記ワイヤボンディングのボール部は、Ａｕであることを特徴とする請求項４に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項６】
前記金属バンプは、柱形状であることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項７】
前記柱形状の金属バンプは、少なくとも先端部にＡｕメッキを施したＣｕ柱形状のバンプであることを特徴とする請求項６に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項８】
前記周回運動を生成する前記低周波数で、振幅は２μｍ以上、前記金属バンプの直径の２５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項９】
前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間には金属間接合部が生成されることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項１０】
前記周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項１１】
前記電子部品や前記電子基板のフリップチップ、および半導体モジュールに適用することを特徴とする請求項1に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項１２】
前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間を前記低周波ボンディングする少なくとも接合部の大気ガスを不活性ガスに置き換えることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【請求項１３】
前記金属バンプは、半田ボールであることを特徴とする請求項１に記載の低周波ボンディング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品や電子基板の電極端子などに金属バンプを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置に関し、特に、常温環境下において低周波によって接合部を相対的に周回運動させることでボンディングする常温低周波ボンディング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、背景技術について説明する。
図１４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は従来例に係る一実施の形態のワイヤボンディング装置の振動モードとステップホーンの説明図であり、ステップホーンの振動モードについての説明が記載されている。
図１４に示すように、ステップホーンは低周波では共振せず、高周波のみで共振する。このステップホーン１１０、１３０は、その先端部にキャピラリツール１１３を保持しており、振動手段１０４の駆動によりＵＳ振動し、かつ上下方向へ揺動しながら、キャピラリツール１１３に挿通されたワイヤ１１４でワイヤボンディングを行う。ステップホーン１１０、１３０は大径の基端部１１０ａ、１３０ａと小径の先端部１１０ｂ、１３０ｃを有する。支持部１０５は低周波の腹ａにあり、したがって低周波では共振しない。支持部１０５は高周波の節ｂにあり、したがって高周波では共振する。よって振動拡大率の大きいステップホーン１１０、１３０を用い、高周波でのみ振動させることができるので、ワイヤボンディングを高速度で安定的に行うことができる。（ａ）は低周波（本例では３次）の振動モード、（ｂ）は高周波（本例では５次）の振動モード、（ｃ）はステップホーン１１０を示している。また（ｄ）、（ｅ）はそれぞれ他の実施例のステップホーン１１０ａ、１１０ｂを示している。（ｃ）に示すステップホーン１１０の支持部１０５は（ａ）の低周波の振動モードの腹ａにあり、したがってこの３次の低周波では共振しないが、（ｂ）の高周波の振動モードでは支持部１０５は節ｂにあり、この５次の高周波では共振する。よってこのステップホーン１１０は、上述した複合共振は生じないので、高周波の振動モードのみで共振させて、ワイヤボンディング作業を安定的に行うことができる。また（ｄ）に示すステップホーン１３０は、大径の基端部１３０ａと中径の中間部１３０ｂと小径の先端部１３０ｃから成るが、この支持部１０５は（ａ）に示す低周波の腹ａにあるので低周波の振動モードでは共振せず、高周波の振動モードでのみ共振する。以上のように、（ｃ）、（ｄ）に示す複合共振を生じないステップホーン１１０、１３０を使用し、（ｅ）に示す複合共振を生じるステップホーン１４０は使用しない。これによって、振幅拡大率の大きいステップホーンを使用することにより、ワイヤボンディング作業を高速度で安定的に行うことができる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−３２６４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来例では、高周波ボンディングが行われている例であり、低周波を用いたボンディング装置ではないが、これは低周波に関して開示された唯一のボンディング装置である。なお、先行技術文献には、低周波を用いてボンディングする実施例は開示されてない。
本発明は、電子部品や電子基板の電極端子などに金属バンプを常温で低周波ボンディングする低周波ボンディング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明の低周波ボンディング装置は、電子基板の電極端子などに金属バンプを低周波数５〜１００Ｈｚの範囲で低周波ボンディングする低周波ボンディング装置であって、前記低周波ボンディング装置は、固定側支持板に固定され、ロータ軸を回転することによって低周波を生成する電動機と、前記ロータ軸の軸芯に嵌着させて前記ロータ軸芯を偏心させて周回運動を生成する偏心部品と、前記偏心部品の外周を内輪に挿着させて回転するラジアル玉ベアリングと、前記ラジアル玉ベアリングの外周を保持し、このラジアル玉ベアリングの外周の運動を伝達する移動側支持板と、前記固定側支持板と前記移動側支持板との間を掛け持って固定され、前記ラジアル玉ベアリングの前記周回運動をガイドするＸＹステージと、を備え、前記金属バンプの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングすることを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記ＸＹステージは、クロスローラガイド方式からなることを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記ＸＹステージは、エアベアリング方式からなることを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、ワイヤボンディングのボール部であることを特徴とする。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の低周波ボンディング装置であって、前記ワイヤボンディングのボール部は、Ａｕであることを特徴とする。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、柱形状であることを特徴とする。
【００１１】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の低周波ボンディング装置であって、前記柱形状の金属バンプは、少なくとも先端部にＡｕメッキを施したＣｕ柱形状のバンプであることを特徴とする。
【００１２】
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動を生成する前記低周波数の範囲で、振幅は２μｍ以上、前記金属バンプの直径の２５％以下であることを特徴とする。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間には金属間接合部が生成されることを特徴とする。
【００１４】
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することを特徴とする。
【００１５】
請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記電子部品や電子基板のフリップチップ、および半導体モジュールに適用することを特徴とする。
【００１６】
請求項１２に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記周回運動によって、前記電極端子と前記金属バンプとの間を前記低周波ボンディングする少なくとも接合部の大気ガスを不活性ガスに置き換えることを特徴とする。
なお、不活性ガスは窒素ガスを用いたが、これに限定するものではない。
【００１７】
請求項１３に記載の発明は、請求項１に記載の低周波ボンディング装置であって、前記金属バンプは、半田ボールであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に平坦性が無く段差が有ったとしても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げても、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、１０Ｈｚの低周波を３秒間印加することで、３０回の周回運動が起こり接合可能である。また、直線的に振動する場合は、折り返し点で停止して、そして、停止した段階で接合が進み、この後、再度反転して接合面を引き剥がすようにして直進運動するため、接合と剥離が交互に起こり、停止させるタイミングに問題があった。しかしながら、周回運動する場合は、折り返し点が無く、一旦、周回運動を開始すると、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出すと共に、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。また、これによって条件出しの時間が低減できる。また、市販のスパイラル状接触子であればそのバネ性によって接触面の粗さを吸収するが、スパイラル状接触子でなくとも容易にコプラナリティを得ることができるのでコスト低減できる。また、ＸＹステージはクロスローラガイド方式でも滑らかで良好な周回運動が可能であるが、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。また、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数１０Ｈｚ、振幅５μｍで、後半は周波数２０Ｈｚ、振幅２μｍで周回運動をさせる。
【００１９】
請求項２に係る発明によれば、ＸＹステージはクロスローラガイド方式にすることで滑らかな運動を伝達するため良好な周回運動が可能である
【００２０】
請求項３に係る発明によれば、ＸＹステージはクロスローラガイド方式でも良好な周回運動が可能であるが、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。
【００２１】
請求項４に係る発明によれば、金属ワイヤを用いたキャピラリツール側に周回運動を行ったり、電子基板の電極端子側を周回運動させたりすることで、ワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。
【００２２】
請求項５に係る発明によれば、Ａｕワイヤを用いたキャピラリツール側に周回運動を行ったり、電子基板の電極端子側を周回運動させたりすることで、Ａｕワイヤを用いたワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。
【００２３】
請求項６に係る発明によれば、フリップチップＩＣの電極端子として、沢山の柱形状の金属バンプを用いることによって、モジュール基板などに低周波ボンディングを一括で行うことができる。特に、このとき接合面を互いに研磨するため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うことによってコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。
【００２４】
請求項７に係る発明によれば、フリップチップＩＣの電極端子として、Ｃｕ材を素材とし、接合面にＡｕめっきを施した沢山の柱形状の金属バンプを用いることによって、モジュール基板などに低周波ボンディングを一括で行うことができる。特に、このとき接合面を互いに研磨するため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うことによってコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。
【００２５】
請求項８に係る発明によれば、周回運動を生成する低周波数は５〜１００Ｈｚの範囲で、振幅は２μｍ以上、前記金属バンプの直径の２５％以下とすることによって、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して、金属バンプの中心が円周を描き、金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨され、密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、１０Ｈｚの低周波を３秒間印加することで、３０回の周回運動が起こり接合可能である。また、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。
【００２６】
請求項９に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨され、接触面を拡散させるため密着性が進み、金属間接合が生成される。
【００２７】
請求項１０に係る発明によれば、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数１０Ｈｚ、振幅５μｍで、後半は周波数２０Ｈｚ、振幅２μｍで周回運動をさせる。
【００２８】
請求項１１に係る発明によれば、金属バンプの中心が円周を描くことで金属バンプの接合面は周回運動を行って、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、キャピラリツールによっても良好な接合が生成され、フリップチップ、および半導体モジュールに適用することができる。
【００２９】
請求項１２に係る発明によれば、周回運動によって、電極端子と前記金属バンプとの間を低周波ボンディングする少なくとも接合部の大気ガスを不活性ガスに置き換えることによって、周回運動中でも接合部に大気に触れる領域を無くし、接合面は大気に触れないため、密着性が進み接触圧を下げて、さらに小さな加圧力で接合が可能となる。また、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。
【００３０】
請求項１３に係る発明によれば、金属バンプを半田ボールとすることによって、この技術をより広く適用することができ、半田ボールの中心が円周を描くことで半田ボールと電極端子の接合面は周回運動によって、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置を用いて、研磨動作によるコンタミ排除とコプラナリティの確保を説明する図であり、（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプが電極端子に対して平坦性が粗い様子を示し、（ｂ）は（ａ）に示すＰ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）に示すように、金属バンプと電極端子とが接触するまでの様子が工程図で示されている。（ｃ）は（ｂ）に示すＱ部の拡大図であり、コンタミ排除とコプラナリティの確保がなされ、電極端子と金属バンプとの良好な接合が行われている様子を示している。金属バンプの直径は、１０μｍから１０ｍｍ以下としたが、これに限定したものではない。
【００３２】
図１の（ａ）に示すように、フリップチップ１に設けられた複数のＣｕ柱形状の金属バンプ１ａがそれぞれの対向する電子基板２に設けられた電極端子２ａに接続されようとしている。このとき金属バンプ１ａと電極端子２ａとは必ずしも平坦性が揃ってないこともあり、本図では互いの接触面が粗い様子を示している。そこで（ｂ）に示すように、コプラナリティの揃っていない（イ）の状態から、（ロ）に示すように、金属バンプ側または電極端子２ａ側に周回運動をかけることによって、（ハ）に示すように、金属バンプと電極端子とが接触して、コンタミ排除とコプラナリティの確保がなされ、電極端子と金属バンプとの良好な接合が行われている。この拡大図を（ｃ）に示している。（ｃ）に示すように、金属バンプ１ａは、低周波数１０Ｈｚで振幅１０μｍの周回運動をしている。これによって、金属バンプ１ａの中心が円周を描くことで金属バンプ１ａまたは電極端子２ａは周回運動を行って、金属バンプ１ａの接合面１ａａと電極端子２ａの接合面２ａａが互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うようにすればコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。この周回運動によって接触面を拡散させるため密着性が進み接触圧を下げて、小さな加圧力で接合が可能となる。例えば、１０Ｈｚの低周波を３秒間印加することで、３０回の周回運動が起こり接合可能である。
【００３３】
また、従来のように直線的に振動する場合は、折り返し点で停止して、そして、停止した段階で接合が進み、この後、再度反転して接合面を引き剥がすようにして直進運動するため、接合と剥離が交互に起こり、停止させるタイミングに問題があった。しかしながら、周回運動する場合は、折り返し点が無く、一旦、周回運動を開始すると、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出すと共に、接合面は大気に触れない領域を多く有して周回して研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。また、これによって接合の条件出しの時間が低減できる。また、市販のスパイラル状接触子であればそのバネ性によって接触面の粗さを吸収するが、スパイラル状接触子でなくとも容易にコプラナリティを得ることができるのでコスト低減できる。また、ＸＹステージはクロスローラガイド方式でも良好な周回運動が可能であるが、後記するように、エアベアリング方式にすることでさらに軽量化ができる。また、後記するように、周回運動は、この周回運動の始動時から終動時にかけて前半は後半より低速および大きい振幅で回転し、後半は前半より高速および小さい振幅で回転することで、さらに接合面の密着性が向上する。例えば、前半は周波数１０Ｈｚ、振幅５μｍで、後半は周波数２０Ｈｚ、振幅２μｍで周回運動をさせる。
【００３４】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、（ａ）は接合される金属バンプの周回運動の軌跡を示す平面図である。（ｂ）はモータ（電動機）が低速でスタートし、次第に速度を上げて中速回転から高速回転へ移行する際の金属バンプの中心Ｃ点の軌跡を示している。（ｃ）は（ｂ）に示す低速、中速、高速への連続的な移行時の軌跡を示したものであり、高速域では振幅が最小となり、渦巻状に収束して停止する。この現象は、モータ３ａのロータ軸３ａａ（図３参照）のクリアランスの範囲内でこのような挙動を示しており、振幅を実測して変化することが判明した。この変化が接合精度に重要な役割を果たしている。すなわち、回転体が低速域から高速域へ移行する段階で軸芯のブレが小さくなる現象と同じである。数ミクロンの世界での現象あるために初めてその効果を実験により見出すことができた。また、（ａ）に示すように、周回運動の中心Ｃからの領域（図中空白部）は、大気に触れない領域であり、接合部ではすり鉢状に低周波ボンディングされ、接合面１ａａ、２ａａの密着が進み良好な接合ができる。中心付近に接合された金属バンプ１ａとその周辺に２点鎖線で描かれた、周回運動する金属バンプ１ａの軌跡が描かれている。金属バンプ１ａの中心Ｃの軌跡は円形であり、後記する偏心部品を用いたモータ（電動機）３ａの偏心回転によって生成される。中心Ｃの位置は適宜設定可能である。なお、モータ３ａはサーボタイプを用いることによって、モータ停止制御後約０．２°の精度で停止するように制動できるため、高速領域から一挙に停止可能となる。その他、ＤＣモータなど、その他のモータでも構わない。このように、ロータ軸３ａのクリアランス自体〜２０μｍはあるため、上述したように実際には振幅は低速時に大きく、高速時には小さく収束する。この周回運動を生成する低周波数は５〜１００Ｈｚの範囲で、振幅は２μｍ以上、金属バンプ１ａの直径の２５％以下としている。これによって、大気に触れずに接合する接合面積も広くすることができる。
【００３５】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、（ａ）はＣｕ柱形状の複数の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ（半導体ＩＣ）１を上側にし、フリップチップ１を電子基板２に接合する様子を示す正面断面図であり、電子基板はモジュール基板や電子部品などである。（ｂ）は（ａ）に示すＫ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプ１ａと電極端子２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＬ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。この場合、フリップチップ側が周回運動するようにしても構わない。周回運動機構を上下逆にすることで対応可能である。
【００３６】
（ａ）に示すように、電子基板２の電極端子２ａにＣｕ柱形状の金属バンプ１ａを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置３は、固定側支持板３ｂに固定され、ロータ軸３ａａを回転することによって低周波を生成する電動機３ａと、ロータ軸３ａａに嵌着させてロータ軸芯３ａｂを偏心させて周回運動を生成する偏心部品３ｃと、偏心部品３ｃの外周３ｃａを内輪３ｄａに挿着させて回転するラジアル玉ベアリング３ｄと、ラジアル玉ベアリング３ｄの外周３ｄｂを保持し、このラジアル玉ベアリング３ｄの外周３ｄｂの運動を伝達する移動側支持板３ｅと、固定側支持板３ｂと移動側支持板３ｅとの間を掛け持って固定され、ラジアル玉ベアリング３ｄの周回運動をガイドする、Ｘステージ３ｆａ、Ｙステージ３ｆｂおよび仲介ステージ３ｆｃなどから構成される既存のクロスローラガイド方式からなるＸＹステージ３ｆとを備え、金属バンプ１ａの中心Ｃが円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングを行う。フリップチップ１はクランプ部３ｇに固定されている。Ｃｕ柱形状の金属バンプ１ａの先端部はＡｕめっきが施されている。なお、Ａｕめっきは無くても構わないし、半田を介在させても構わない。
【００３７】
また、図３の（ｂ）の（イ）に示すように、不活性ガスの噴出ノズル６を設けたり、接合部全体に囲み８を設けて、不活性ガス雰囲気にして、電極端子と金属バンプとの間を低周波ボンディングする少なくとも接合部の大気ガスを、不活性ガスに置き換えることによって、周回運動中でも接合部に大気に触れる領域を無くし、接合面は大気に触れないため、密着性が進み接触圧を下げて、さらに小さな加圧力で接合が可能となり、周回運動することによって、接合面のコンタミやパティクルを外に掻き出し、研磨されながら接合するため、密着性とコプラナリティが向上する。不活性ガスは窒素ガスを用いたが、これに限定するものではない。
【００３８】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置の偏心部品３ｃとラジアル玉ベアリング３ｄの概略図であり、（ａ）は偏心部品３ｃとラジアル玉ベアリング３ｄの正面断面図、（ｂ）は偏心部品３ｃとラジアル玉ベアリング３ｄの平面図、（ｃ）は偏心部品３ｃの斜視図、（ｄ）は（ｃ）に示すＲ−Ｒ線断面図である。（ａ）（ｂ）に示すように、ラジアル玉ベアリング３ｄの内輪３ｄａには偏心部品３ｃが嵌着されている。（ｃ）（ｄ）に示すように、ロータ軸挿着穴３ｃｂの中心軸３ｃｂａがロータ軸芯３ａｂであり、このロータ軸芯３ａｂと、偏心部品３ｃの中心軸３ｃｃとの差が偏心量σである。これによって、ロータ軸３ａａの回転を偏心量σだけ偏心させて、ラジアル玉ベアリング３ｄを回転させることができる。
【００３９】
＜第２の実施形態＞
以下、本発明の第２の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１の実施形態ではクロスローラガイド方式のＸＹステージ３ｆを適用しているが、第２の実施形態ではエアベアリング方式のＸＹステージ１３ｆを適用した点である。第１の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、Ｃｕ柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１を上側にし、軽量化のためにエアベアリング方式のＸＹステージ１３を用いた例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１をモジュール基板（電子基板）２の電極端子２ａに接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＭ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプ１ａと電極端子２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＮ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプ１ａが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプ１ａの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプ１ａの軌跡を示している。
【００４０】
図５の（ａ）に示すように、Ｘステージ１３ｆａ、Ｙステージ１３ｆｂおよび仲介ステージ１３ｆｃを備えたＸＹステージ１３ｆは、仲介ステージ１３ｆｃに設けられた噴出孔１３ｆｃａからエアを噴出して、ＸＹにクロスしたＸステージ１３ｆａおよびＹステージ１３ｆｂを互いに摺動させるようにした既存のエアベアリング方式を備えたものである。これによって、さらに軽量化が可能であり、滑らかで良好な周回運動が可能である。他の構成は第１の実施形態の構成と同様であり、説明を省略する。
【００４１】
＜第３の実施形態＞
以下、本発明の第３の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第３の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第１の実施形態では、Ｃｕ柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１が上側に設けられているが、第３の実施形態では下側に取り付けられている点である。したがって、モジュール基板２２が上側に設けられている。第１の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。
図６は、本発明の第３の実施形態に係る低周波ボンディング装置２３の概略図であり、Ｃｕ柱バンプを備えたフリップチップ１を下側にした変形例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１をモジュール基板２２の電極端子２２ａに接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプ１ａと電極端子２２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＪ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプ１ａが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプ１ａの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプ１ａの軌跡を示している。
【００４２】
＜第４の実施形態＞
以下、本発明の第４の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第４の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、複数の柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１を電子基板２に接続しているが、第４の実施形態では、キャピラリツール３３ｊを用いて、Ａｕワイヤ３３ｋにボール３３ｋａを形成してそれを金属バンプとした点である。
図７は、本発明の第４の実施形態を説明するための常温低周波ボンディング装置の原理を示す概略図であり、（ａ）はキャピラリツール３３ｊにＡｕワイヤ３３ｋを挿通してボール（Ａｕボール）３３ｋａを形成してボンディングを行う工程を示す工程図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部拡大図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ部拡大図である。（ａ）に示すように、レーザなどのトーチ（図略）によってＡｕボール３３ｋａを形成し、ランドなどの電極端子３２ａにＡｕボール３３ｋａを加圧接触させてキャピラリツール３３ｊを周回運動による振動によって、電極端子３２ａとＡｕボール３３ｋａとの間の接触面に接合が生成する。（ｂ）に示すように、周回運動の中心からの広い領域は大気に触れない領域であり、接合面の密着が進み良好な接合ができる。（ｃ）に示すように、キャピラリツール３３ｊを引き上げることによって、接合したＡｕボール３３ｋａを応力が集中する括れ部で引きちぎられて、金属バンプ３１ａが形成される。この場合の金属バンプ３１ａはＡｕバンプであるが、Ａｌバンプ、Ｃｕバンプなどでも形成する。直径１０ｍｍ程度までの金属バンプを形成可能である。周回運動はキャピラリツール３３ｊ側でも電極端子３２ａのステージ３４（図１０参照）側でも、両方でも構わない。これは常温低周波だからできる接合であり、共振点を用いる高周波（超音波）では接合することはできない。これによれば、Ａｕワイヤ３３ｋの金属ワイヤを用いたキャピラリツール３３ｊ側に周回運動を行ったり、電子基板３２の電極端子３２ａ側を周回運動させたりすることで、ワイヤボンディングのボール部で金属バンプを容易に生成することができる。
【００４３】
図８は、本発明の第４の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、（ａ）は図７の（ｂ）に示す拡大正面断面図であり、（ｂ）は接合される金属バンプの周回運動による軌跡を示す平面図である。（ａ）に示すように、周回運動の中心からの広い領域は大気に触れない領域であり、接合面の密着が進み良好な接合ができる。（ｂ）に示すように、中心付近に接合された金属バンプ３１ａとその周辺に２点鎖線で描かれた、周回運動する金属バンプ３１ａの軌跡が描かれている。金属バンプ３１ａの中心Ｃの軌跡は円形であり、後記する偏心部品３ｃを用いたモータ（電動機）３ａの回転によって生成される。中心Ｃの位置は適宜設定可能である。
【００４４】
図９は、本発明の第４の実施形態に係る金属バンプ３１ａが連続した板材７に形成される様子を示す工程図であり、（ａ）は第１電極端子３２ａａに接合されたＡｕボール３３ｋａを示し、（ｂ）はキャピラリツール３３ｊを引き上げることによって、接合したＡｕボール３３ｋａが引きちぎられて形成された金属バンプ３１ａを示し、（ｃ）は連続する次の第２電極端子３２ａｂに移動したＡｕボール３３ｋａを備えたキャピラリツール３３ｊを示し、連続的に金属バンプ３１ａが形成され、（ｄ）は金属バンプ３１ａが形成されて行く様子を斜め上方から見た斜視図である。板材７にはＢｅＣｕやリン青銅の半導体基板を用いた例で示しており、半導体基板の島状のアイランドに金属バンプ３１ａを接合している。
【００４５】
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、（ａ）は上側に周回運動機構を備えた例であり、キャピラリツール３３ｊを備えたＸＹステージ３ｆをモータ３３ａで周回運動を行う機構を示す正面断面図、（ｂ）は上下両側に周回運動機構を備えた低周波ボンディング装置４３の概略図である。（ａ）に示すように、電子基板３２の電極端子３２ａに金属バンプ３１ａを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置３３は、固定側支持板３３ｂに固定され、ロータ軸３ａａを回転することによって低周波を生成する電動機３ａと、ロータ軸３ａａを嵌着させてロータ軸芯３ａｂを偏心させて周回運動を生成する偏心部品３ｃと、この偏心部品３ｃの外周３ｃａを内輪３ｄａに挿着させて回転するラジアル玉ベアリング３ｄと、このラジアル玉ベアリング３ｄの外周３ｄｂを保持し、このラジアル玉ベアリング３ｄの外周３ｄｂの運動を伝達する移動側支持板３３ｅ´と、固定側支持板３３ｂと移動側支持板３３ｅ´との間を掛け持って固定され、ラジアル玉ベアリング３ｄの周回運動をガイドするクロスローラガイド方式からなるＸＹステージ３ｆとを備え、金属バンプ３１ａの中心が円周を描くように周回運動させて低周波ボンディングする。この場合、キャピラリツール３３ｊが周回運動するように示しているが、電子基板３２側が周回運動しても構わない。（ｂ）に示すように、上下両側に周回運動機構を備えており、さらに複雑な軌跡を描くことができると思われるが、今後の課題である。第１の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。
【００４６】
＜第５の実施形態＞
以下、本発明の第５の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第５の実施形態が第１および第３の実施形態と異なる点は、第３の実施形態では、柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１を適用したが、第５の実施形態では半田ボール１１ａを備えたフリップチップ１１に適用した点である。
図１１は、本発明の第５の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップ１１を下側にした例である。（ａ）は複数の半田ボール形状の金属バンプ１１ａを備えたフリップチップ１１をモジュール基板２２の電極端子２２ａに接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＤ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する半田ボール１１ａと電極端子２２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＥ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、金属バンプ１１ａとしての半田ボールが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプ１１ａの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプ１１ａの軌跡を示している。第１、第３の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。
【００４７】
＜第６の実施形態＞
以下、本発明の第６の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第６の実施形態が第５の実施形態と異なる点は、第５の実施形態では、半田ボール１１ａを備えたフリップチップ１１を下側に設けたが、第６の実施形態では、半田ボール１１ａを備えたフリップチップ１１を上側に設けた点である。
図１２は、本発明の第６の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップ１１を上側にした変形例である。（ａ）は複数の半田ボール形状の金属バンプ１１ａを備えたフリップチップ１１を電子基板２に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＦ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する半田ボール１１ａと電極端子２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＧ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）のように、金属バンプ１１ａとしての半田ボールが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプ１１ａの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプ１１ａの軌跡を示している。
【００４８】
これによれば、金属バンプを半田ボールとすることによって、この技術をより広く適用することができ、半田ボールの中心が円周を描くことで半田ボールと電極端子の接合面は周回運動によって、接合面が互いに研磨されるため、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。なお、第５の実施形態と同様の構成については同符号を付し、その説明を省略する。
【００４９】
＜第７の実施形態＞
以下、本発明の第７の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。第７の実施形態が第３の実施形態と異なる点は、第３の実施形態では、ＸＹステージ３ｆのサイドにモータ３ａを設けたが、第７の実施形態では、ＸＹステージ３ｆのセンターにモータ３ａのロータ軸３ａを設けた点である。
図１３は、本発明の第７の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、ＸＹステージの中心に偏心軸を設け、フリップチップＩＣを下側にした変形例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプ１ａを備えたフリップチップ１をモジュール基板２２に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＲ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する金属バンプ１ａと電極端子２２ａの相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＳ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）のように、金属バンプ１ａが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプ１ａの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプ１ａの軌跡を示している。
【００５０】
これによれば、ロータ軸３ａａおよび偏心部品３ｃを備えたラジアル玉ベアリング３ｄを嵌着させる穴１３ｆｄ、１３ｆｅをＸＹステージ１３ｆに設けることによって、ＸＹステージ１３ｆのほぼ中心にモータ３ａのロータ軸３ａａがあるため、ＸＹステージ１３ｆのバランスが極めて良くなり、周回運動の精度が良く、綺麗な円周を描き、周回運動の始動時から終動時にかけての大きな振幅から小さな振幅まで滑らかに中心に向かって渦巻状の軌跡を形成することができる。
【００５１】
また、ＸＹステージはＺ軸方向にも数ミクロンぶれるが、常に押圧しているため、接合面は互いに追随して研磨され、多数の接合面に段差が有っても、段差が揃うところまで周回運動を行うのでコプラナリティが得られ、良好な接合ができる。これは金属バンプの種類を問わず、同じような効果を奏する。
【００５２】
以上、好ましい実施の形態を説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することの無い範囲内において適宜変更が可能なものである。例えば、周回運動の機構は、上下いずれに配置しても構わないし、上下両側に設けても構わない。また、本実施形態ではＸＹステージにローラを用いて説明したが、ボールを用いても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置を用いて、研磨動作によるコンタミ排除とコプラナリティの確保を説明する図であり、（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプが電極端子に対して平坦性が粗い様子を示し、（ｂ）は（ａ）に示すＰ部の拡大断面図であり、金属バンプと電極端子とが接触するまでの工程図（イ）（ロ）（ハ）で示されている。（ｃ）は（ｂ）に示すＱ部の拡大図であり、コンタミ排除の様子とコプラナリティの確保がなされ、全ての電極端子と金属バンプとの良好な接合が行われている様子を示している。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、（ａ）は接合される金属バンプの周回運動の軌跡を示す平面図である。（ｂ）はモータ（電動機）が低速でスタートし、次第に速度を上げて中速回転から高速回転へ移行する際の実際のＣ点の軌跡を示している。（ｃ）は（ｂ）に示す低速、中速、高速への連続的な移行時の軌跡を示したものであり、高速域では振幅が最小となる。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、（ａ）はＣｕ柱形状の複数の金属バンプを備えたフリップチップＩＣを上側にし、フリップチップＩＣをモジュール基板の電極端子に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＫ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＬ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。この場合、フリップチップ側が周回運動するようにしても構わない。周回運動機構を上下逆にすることで対応可能である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る低周波ボンディング装置の偏心部品とラジアル玉ベアリングの概略図であり、（ａ）は偏心部品とラジアル玉ベアリングの正面断面図、（ｂ）は偏心部品とラジアル玉ベアリングの平面図、（ｃ）は偏心部品の斜視図、（ｄ）は（ｃ）に示すＲ−Ｒ線断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、Ｃｕ柱形状の金属バンプを備えたフリップチップＩＣを上側にし、軽量化のためにエアベアリング方式のＸＹステージを用いた例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプを備えたフリップチップＩＣをモジュール基板の電極端子に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＭ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＮ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、Ｃｕ柱バンプを備えたフリップチップＩＣを下側にした変形例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプを備えたフリップチップＩＣをモジュール基板の電極端子に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＨ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動するＣｕ柱形状の金属バンプと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＪ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）に示すように、Ｃｕ柱形状の金属バンプが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。
【図７】本発明の第４の実施形態を説明するための常温低周波ボンディング装置の原理を示す概略図であり、（ａ）はキャピラリツールにＡｕワイヤを挿通してボールを形成してボンディングを行う工程を示す工程図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部拡大図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ部拡大図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る周回運動を説明する概略図であり、（ａ）は図７の（ｂ）に示す拡大正面断面図であり、（ｂ）は接合される金属バンプの周回運動の軌跡を示す平面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る金属バンプが連続した板材に形成される様子を示す工程図であり、（ａ）は第１電極端子に接合されたＡｕボールを示し、（ｂ）はキャピラリツールを引き上げることによって、接合したＡｕボールが引きちぎられて形成された金属バンプを示し、（ｃ）は連続する次の第２電極端子に移動したＡｕボールを備えたキャピラリツールを示し、連続的に金属バンプが形成され、（ｄ）は金属バンプが形成されて行く様子を斜め上方から見た斜視図である。板材にはＢｅＣｕやリン青銅の半導体基板を用いた例で示しており、半導体基板の島状のアイランドに金属バンプを接合している。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、（ａ）は上側に周回運動機構を備えた例であり、キャピラリツールを備えたＸＹステージをモータで周回運動を行う機構を示す正面断面図、（ｂ）は上下両側に周回運動機構を備えた低周波ボンディング装置の概略図である。
【図１１】本発明の第５の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップＩＣを下側にした例である。（ａ）は複数の半田ボール形状の金属バンプを備えたフリップチップＩＣをモジュール基板の電極端子に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＤ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する半田ボールと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＥ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）のように、金属バンプとしての半田ボールが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、フリップチップＩＣを上側にした変形例である。（ａ）は複数の半田ボール形状の金属バンプを備えたフリップチップＩＣをモジュール基板の電極端子に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＦ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する半田ボールと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＧ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）のように、金属バンプとしての半田ボールが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。
【図１３】本発明の第７の実施形態に係る低周波ボンディング装置の概略図であり、ＸＹステージの中心に偏心軸を設け、フリップチップＩＣを下側にした変形例である。（ａ）は複数のＣｕ柱形状の金属バンプを備えたフリップチップをモジュール基板に接合する様子を示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＲ部の拡大断面図であり、（イ）（ロ）（ハ）は周回運動する金属バンプと電極端子の相対位置を示している。（ｃ）は（ｂ）に示すＳ部における接合面の周回運動を示す説明図であり、（イ）（ロ）（ハ）（ニ）（ホ）のように、金属バンプが周回している。（ｄ）は（ｃ）に示す金属バンプの中心点Ｃの軌跡と周回する金属バンプの軌跡を示している。
【図１４】従来例に係る一実施の形態のワイヤボンディング装置を示し、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はワイヤボンディング装置の振動モードとステップホーンの説明図であり、ステップホーンの振動モードについての説明が記載されている。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、電子基板の電極端子に金属バンプを低周波ボンディングする低周波ボンディング装置を用いて、常温環境下において低周波によって接合部を相対的に周回運動させることで電子部品、フリップチップ、および半導体モジュールに低周波ボンディンする常温での低周波ボンディング装置に適用される。
【符号の説明】
【００５５】
１、１１ フリップチップ
１ａ、１１ａ、３１ａ Ｃｕ柱形状の金属バンプ
２、２２、３２ 電子基板、電子部品、モジュール基板
２ａ、２２ａ、３２ａ 電極端子、ランド
１ａａ、２ａａ 接合面
３、１３、２３、３３、４３ 低周波ボンディング装置
３ａ、３３ａ 電動機、モータ
３ａａ ロータ軸
３ａｂ ロータ軸芯
３ａｃ、３３ａｃ 固定板
３ａｄ、３３ａｄ ボルト
３ｂ、１３ｂ 固定側支持板
３ｃ 偏心部品
３ｃａ 外周
３ｃｂ ロータ軸挿着穴
３ｃｂａ 穴軸芯
３ｃｃ 偏心部品の中心軸
３ｄ ラジアル玉ベアリング、軸受
３ｄａ 内輪
３ｄｂ 外周
３ｅ、３３ｅ 移動側支持板
３ｆ、１３ｆ ＸＹステージ
３ｆａ Ｘステージ
３ｆｂ Ｙステージ
３ｆｃ 仲介ステージ
３ｆｃａ 噴出孔
１３ｆｄ、１３ｆｅ ＸＹステージ穴
３ｇ、３ｈ クランプ部
４、３４ ステージ
５、１５ 金属間接合部
３３ｊ キャピラリツール
３３ｊａ 固定具
３３ｋ Ａｕワイヤ
３３ｋａ ボール
６ 噴出ノズル
７ 板材
８ 囲み
【図１】
0005861133.tif 000002
【図２】
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【図３】
0005861133.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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