(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備することと、
前記基板上に結合層を堆積することと、
ポリマフィルムに真空を適用して平坦な軸受面を形成することと、
前記結合層上に前記ポリマフィルムを堆積することと、
を含む、空気軸受の軸受面を製造する方法。
【請求項２】
前記基板は、金属、ガラスおよびセラミックからなる群から選択される材料から成る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記結合層は、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルおよび２，２，４−トリメチルヘキサメチレン−１，６−ジアミンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマフィルムは、ポリオキシジフェニレンピロメリットイミドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマフィルムは、少なくとも厚さ２５ミクロンである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
真空チャックの平面上にポリマフィルムを配置することと、
前記ポリマフィルムに真空を適用することと、
前記ポリマフィルムの表面上に液状エポキシを配置することと、
前記ポリマフィルムを基板と接触させずに前記基板を前記液状エポキシ上に配置することと、
前記基板を前記液状エポキシ上に解放することと、
重りを前記基板上に配置することと、
前記液状エポキシを硬化させることと、
前記重りを除去することと、
前記ポリマフィルムを前記真空チャックから剥離することと、
を含む、空気軸受の軸受面を製造する方法。
【請求項７】
前記基板の外形と合うように前記ポリマフィルムをトリミングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
堆積させるステップの前に重力と実質的に垂直に前記真空チャックを位置決めすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記適用するステップは、前記真空チャックの前記平面に適合するように前記ポリマフィルムを引く、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
堆積させるステップの前に前記エポキシを予備混合および脱気することをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記液状エポキシを堆積させるステップは、前記エポキシを前記基板の形状に依存する形状で堆積させることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板を配置することは、前記基板を前記重力と実質的に垂直に維持することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板が前記ポリマフィルムの前記表面から約０〜１ミリメートルの範囲にあった場合、前記基板は解放される、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
エポキシによって基板をコーティングすることと、
ポリマフィルムを前記エポキシ上に広げることと、
前記ポリマフィルムに通気孔を形成することと、
前記エポキシによって前記基板に固定された前記ポリマフィルムを光学平面上に置くことと、
余分のエポキシを搾り出すために前記基板に力を加えることであって、前記通気孔は、前記ポリマフィルムと前記光学平面との間に捕捉されたガスを放出する、ことと、
前記ポリマフィルムを前記光学平面から引き離すことと、
を含む、空気軸受の軸受面を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１０年６月２３日に出願した米国仮出願第６１／３５７，７７１号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、一般に、リソグラフィに関し、より詳細には、空気軸受に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）、ならびに他のデバイスおよび構造を製造するための重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、パターンを基板上、例えば、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いたＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）は、ＩＣにおける個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの異なる層を製造することは、多くの場合、異なるレチクルを有する異なる層上に異なるパターンを結像することを要求する。したがって、レチクルおよび基板はリソグラフィプロセス中に変更される必要がある。レチクルハンドリングを容易にするために、レチクルを支持するステージには空気軸受が設けられる。
【０００４】
[0004]  軸受は、可動部分間の摩擦を減らし、および／または可動荷重を支持するデバイスである。軸受には主に２つの種類がある。減摩軸受は、ころ軸受または玉軸受などのデバイスを用いて摩擦を最小にする。摩擦軸受は、活性潤滑または可動部分間の動作を容易にするための他の手段を用いて摩擦を最小にする。摩擦軸受は滑り軸受としても知られている。多数の軸受アセンブリは、両方の原理、例えば、潤滑玉軸受アセンブリを利用する。
【０００５】
[0005]  空気軸受は摩擦または滑り軸受の一例である。これは、圧縮ガスを用いて軸受面が載せられて移動する均一なガスフィルムを生成する。ガスフィルムは、空気軸受の表面間で平滑な動作を容易にする事実上ほぼ摩擦のない潤滑剤として機能する。潤滑ガスフィルムが生成される軸受面を「活性表面」と呼ぶ。一般的に、空気軸受は、潤滑ガスフィルムを維持するために少なくとも安定した圧縮ガス源を必要とする。
【０００６】
[0006]  上記したように、空気軸受のための例示的環境は、半導体のリソグラフィ分野にある。ここで、空気軸受には多数の利点が与えられる。空気軸受には事実上摩擦がなく、したがって、軸受が動作するときに微粒子の磨耗材料を生成しない。そのような微粒子物質は、超清浄半導体製造環境において面倒なことになり得る。さらに、玉またはころ軸受に存在する潤滑剤は、半導体製造環境に有害である汚染分子からガスを放出することができる。空気軸受は、さらに、比較的少ないメンテナンスまたは定期的な修理を必要とする。
【０００７】
[0007]  これら全ての利点にもかかわらず、空気軸受表面間の偶発的な「ドライ」接触が使用中に起きて従来の空気軸受表面を引っ掻きその性能に欠陥を生じさせる。この問題を解決するために、従来の軸受が研磨された花崗岩またはクロムめっき鋼の案内路に乗る一方、軸受自体は浸炭ステンレス鋼によって加工されている。浸炭プロセスは、鋼のスキン層を硬化させることによって耐摩耗性、耐腐食性および耐摩損性を提供する。鋼の大部分は硬化されないままであり、したがって、硬度は表面で最大であり、表面からの距離の直接関数としてスキン層の厚さを介して迅速かつ連続的に減る。あいにく、浸炭プロセスは、軸受が再粉砕されることを要求して軸受を僅かに変形させ、これは部分的かつ少し不均一に硬化された層を取り除く。最終製品は機能的かつ平坦な軸受であるが、硬化されたスキン層の厚さは軸受表面にわたって均一ではない。さらに、その厚さは、平坦性を回復させるために必要とされた粉砕の深さによって軸受ごとに異なる。実際には、軸受の硬度は浸炭プロセスによって厳密に制御することはできない。
【０００８】
[0008]  硬化したスキン層の不均一性は、リソグラフィレチクルハンドラモジュールで使用される異なるシール軸受の場合に悪化する。このシール軸受はステージ軸受より一段階大きく、薄い鋼板から成る。薄い鋼板は、その部分の加熱を必要とする浸炭プロセスを含むあらゆる処理によって永久的に変形する傾向がある。真空環境においては、浸炭鋼は、良好な耐摩損性を提供し、過度の量の粒子を生成せず、比較的低価格である。したがって、これは従来最適な表面処理であった。
【０００９】
[0009]  空気軸受設計の改善は常に必要とされている。これは、製造ツールがより正確な許容差かつより早い速度へと常に押し進められる半導体リソグラフィツールの分野において特に当てはまる。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  上記を踏まえると、真空対応であって軸受にガスが入力されないときに乾燥滑りを含むあらゆる潤滑なしで動作することができる空気軸受面を生成する方法が必要である。さらに、真空チャンバの汚染を防止するためにそのような状況下で非常に少ない粒子（ある場合）を生成する空気軸受面が必要である。改善される空気軸受は低価格であるべきである。これらの要求を満たすために、本発明の実施形態は、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受およびその製造方法に関する。
【００１１】
[0011]  例えば、本発明の一実施形態は、基板と、基板上に配置された結合層と、結合層上に配置されたポリイミドフィルムとを含む軸受面を有する空気軸受を提供する。基板はセラミック材料であってよく、結合層は、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルおよび２，２，４−トリメチルヘキサメチレン−１，６−ジアミンを含んでよい。ポリイミドフィルムは、ポリオキシジフェニレンピロメリットイミドを含み、約７〜１００ミクロンの範囲にあってよく、少なくとも厚さ２５ミクロンであることが好ましい。空気軸受はリソグラフィ装置で使用することができる。
【００１２】
[0012]  さらなる例では、本発明の一実施形態は、空気軸受の軸受面を製造する方法を提供する。方法は、真空チャックの平面上にポリイミドフィルムを配置することと、ポリイミドフィルムに真空を適用することと、ポリイミドフィルムの表面上に液状エポキシを配置することとを含んでよい。ポリイミドフィルムを基板と接触させずに基板を液状エポキシ上に配置することができる。基板は液状エポキシ上に解放され、重りは基板上に配置される。液状エポキシは硬化されて重りは除去される。ポリイミドフィルムは、真空チャックから剥離される。基板の外形と合うようにポリアミドフィルムをトリミングすることができる。
【００１３】
[0013]  本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
[0014]  明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。
【図１Ａ】[0015]  図１Ａは、反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0015]  図１Ｂは、透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0016]  図２は、例示的ＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図３】[0017]  図３は、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する例示的空気軸受を示す。
【図４】[0018]  図４は、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法のフローチャートである。
【図５Ａ】[0019]  図５Ａは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｂ】[0019]  図５Ｂは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｃ】[0019]  図５Ｃは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｄ】[0019]  図５Ｄは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｅ】[0019]  図５Ｅは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｆ】[0019]  図５Ｆは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図５Ｇ】[0019]  図５Ｇは、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法を示す。
【図６】[0020]  図６は、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する別の例示的方法のフローチャートである。
【００１５】
[0021]  本発明における図は必ずしも縮尺通りに描かれていない。本発明の特徴および利点は、以下に述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することによりさらに明白になるであろう。ここで、同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
１．概要
[0022]  本発明は、結合ポリマフィルム磨耗面およびその製造方法に関する。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される（１つ以上の）実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
[0023]  本説明は、半導体リソグラフィの分野の文脈において与えられる。この環境は、本発明の特定の特徴を上手く示すように選択される。しかしながら、環境は、添付の特許請求の範囲に記載された特徴を超えて本発明を限定するように解釈されるべきではない。当業者は、当然、半導体リソグラフィツールの文脈を超えて本明細書中に記載される特徴を有する空気軸受に対して多数の使用を想定する。
【００１８】
[0024]  記載される実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１９】
[0025]  結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受およびその製造方法を開示する。例えば、ペイロード（payload）を支持するための空気軸受を開示する。空気軸受は、結合層によって基板に固定されたポリイミドフィルムを有する軸受面を有する。一実施形態では、ポリイミドフィルムは、ポリオキシジフェニレンピロメリットイミドを含み、結合層は、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルおよび２，２，４−トリメチルヘキサメチレン−１，６−ジアミンを含む。軸受面は、真空対応であって軸受にガスが入力されないときに乾燥滑りを含むあらゆる潤滑なし動作をすることができる。さらに、チャンバの汚染を防止するために、軸受面は、乾燥滑り状況下で非常に少ない粒子を生成する。この解決策は、従来のエア軸受と比較したときに低価格でもある。
【００２０】
[0026]  本発明の実施形態は、低価格な材料および容易なプロセスを用いて有用かつ非常に平坦な工具面の複製を可能にする。費用のかかる精密な粉砕および熱処理ステップを回避する一方、高い性能、ロバスト性および耐久性が達成される。さらなる利点としては、真空環境における金属対金属の摩損が排除されることが挙げられる。
【００２１】
[0027]  これらおよび他の実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。
【００２２】
ＩＩ．例示的リソグラフィ環境
Ａ．例示的反射型および透過型リソグラフィシステム
[0028]  図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００２３】
[0029]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２４】
[0030]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００２５】
[0031]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。
【００２６】
[0032]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）であっても、反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２７】
[0033]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含し得る。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。なぜなら、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００２８】
[0034]  リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置１００では、装置の１つ以上の可動部分に空気（例えば、エア）軸受を設けることができる。例えば、基板テーブルＷＴ、マスクテーブルＭＴおよびレチクルハンドリングデバイスなどのデバイスを空気軸受によって支持することができる。
【００２９】
[0035]  図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００および１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００および１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３０】
[0036]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３１】
[0037]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから放射ビームＢが反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３２】
[0038]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００３３】
[0039]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３４】
[0040]  リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００３５】
[0041]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３６】
[0042]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００３７】
[0043]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３８】
[0044]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３９】
[0045]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「基板」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００４０】
[0046]  さらなる実施形態においては、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般には、ＥＵＶ源は放射システム内に構成されており（下記参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成されている。
【００４１】
Ｂ．例示的ＥＵＶリソグラフィ装置
[0047]  図２は、本発明の一実施形態による例示的ＥＵＶリソグラフィ装置２００を概略的に示す。図２では、ＥＵＶリソグラフィ装置２００は、放射システム４２、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳを含む。放射システム４２は、放射ビームが放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。一実施形態では、ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電によって生成することによって作り出すことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７における開口部内またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介してコレクタチャンバ４８へと進む。一実施形態では、ガスバリア４９はチャネル構造を含んでもよい。
【００４２】
[0048]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０（集光ミラーまたはコレクタとも呼ぶ）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａおよび下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０を通った放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタチャンバ４８内のアパーチャにおける仮想光源点５２に合焦することができる。放射コレクタ５０は、当業者には周知である。
【００４３】
[0049]  放射ビーム５６は、集光チャンバ４８から、法線入射リフレクタ５３および５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク（図示せず）上へと照明光学ユニット４４内で反射する。パターン付きビーム５７が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射要素５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上で支持された基板（図示せず）上に結像される。様々な実施形態では、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くの（または少ない）要素を含んでもよい。例えば、格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、一実施形態では、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムＰＳは、反射要素５８および５９に加えて１〜４個の反射要素を組み入れてもよい。図２では、参照番号１８０は２つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間の空間を示す。
【００４４】
[0050]  一実施形態では、集光ミラー５０は、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。さらに、集光ミラー５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタについて記述されているが、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。
【００４５】
[0051]  さらに、図２に概略的に示すような格子５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。ＥＵＶが透過する光フィルタ、ならびにＵＶ放射があまり透過せず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当業者には周知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてほぼ同じ意味でさらに示される。図２には示されていないが、ＥＵＶ透過型光フィルタは、例えば集光ミラー５０の上流に構成された追加の光学要素、あるいは照明ユニット４４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタとして含まれてもよい。
【００４６】
[0052]  光学要素に対する「上流」および「下流」という用語は、それぞれ、１つ以上の追加の光学要素の「光学的上流」および「光学的下流」である１つ以上の光学要素の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置２００を通り抜ける光路に従って、第２光学要素より放射源ＳＯに近い第１光学要素は第２光学要素の上流に構成され、第２光学要素は第１光学要素の下流に構成される。例えば、集光ミラー５０がスペクトルフィルタ５１の上流に構成されるのに対して、光学要素５３はスペクトルフィルタ５１の下流に構成される。
【００４７】
[0053]  図２に示される全ての光学要素（および本実施形態の概略図に示されていない追加の光学要素）には、例えばＳｎなどの放射源ＳＯによって生成される汚染物質が堆積しやすいことがある。これは放射コレクタ５０にも当てはまり、スペクトル純度フィルタ５１が存在した場合にも当てはまる。したがって、洗浄デバイスがこれらの光学要素のうちの１つ以上を洗浄するために採用されるとともに洗浄方法がそれらの光学要素に適用されてもよいが、法線入射リフレクタ５３および５４、ならびに反射要素５８および５９、または追加のミラー、格子等の他の光学要素に適用されてもよい。
【００４８】
[0054]  放射コレクタ５０はかすめ入射コレクタであってもよく、そのような実施形態では、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像は、光軸Ｏに沿って配置されてもよい。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６（「シェル)」またはいくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても公知である）を含んでもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称であってもよい。図２では、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示される。放射コレクタ５０は、ある体積（すなわち（１つ以上の）外側リフレクタ１４６内の体積）を包囲する。通常、（１つ以上の）外側リフレクタ１４６内の体積は、小さな開口部が存在してもよいが、円周方向で閉じられている。
【００４９】
[0055]  リフレクタ１４２、１４３および１４６のそれぞれは、その少なくとも一部が１層の反射層または多数の反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（あるいは３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ）は、放射源ＳＯからＥＵＶ放射を反射および集光するように少なくとも部分的に設計され、かつリフレクタ１４２、１４３および１４６の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されない。これらの反射層の表面上には、反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる保護のためまたは光フィルタとしてのキャップ層があってもよい。
【００５０】
[0056]  放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の付近に配置されてよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６の各々は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬するＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有してもよいことが理解されたい。
【００５１】
[0057]  本明細書中に記載する実施形態において、「レンズ」および「レンズ要素」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５２】
[0058]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）または５ｎｍ未満で働く硬Ｘ線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含している。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（以上）の間の波長を有する放射がＩＲ放射とみなされる。ＵＶとは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射のことを指す。リソグラフィにおいて、ＵＶは、水銀放電ランプによって生成することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍおよび／またはＩ線３６５ｎｍにも当てはまる。真空ＵＶまたはＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）とは、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射のことを指す。深ＵＶ(ＤＵＶ)とは、通常、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射のことを指し、一実施形態では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。当然のことながら、例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関する。
【００５３】
ＩＩＩ．改良空気軸受
Ａ．結合ポリマフィルム磨耗面を有する平坦な空気軸受
[0059]  図３は、本発明による、結合ポリマフィルム磨耗面を有する例示的空気軸受３００を示す。空気軸受３００の一部として、ポリイミドフィルム３０２が結合剤３０６によって基板３０４に永久的に結合される。空気エア軸受３００は、上記のリソグラフィ装置１００および１００’などのリソグラフィツールで使用することができる。例えば、基板３０４は、上記のリソグラフィ装置１００および１００’の一部であるレチクルハンドリングデバイスの一部としてペイロードを支持することができる。
【００５４】
[0060]  ポリイミドフィルム３０２は丈夫で耐久性のあるポリマフィルムである。好ましいポリイミドフィルム３０２は、ＤｕＰｏｎｔ社によってフィルム形態で製造されＫａｐｔｏｎ（登録商標）という商号の下で販売されているポリオキシジフェニレンピロメリットイミドである。例えば、ポリイミドフィルム３０２の厚さは、７〜１００ミクロンの範囲であり、好ましくは、少なくとも２５ミクロンである。
【００５５】
[0061]  好ましい結合剤３０６は、Ｅｐｏ−ｔｅｋ（登録商標）３０１−２エポキシという商号の下で販売されている、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテルおよび２，２，４−トリメチルヘキサメチレン−１，６−ジアミンなどの低い粘着性を有する、二部の室温硬化エポキシである。
【００５６】
[0062]  基板３０４は非硬化面を有するため、軸受面を生成するためには丈夫で耐久性のあるポリマフィルムが非硬化基板に結合される。したがって、対向する軸受面はその自然で低歪みの非硬化状態のまま残すことができる。基板３０４は、例えばステンレス鋼などの金属であってよく、対向面は、例えばステンレス鋼などの同様なまたは異なる材料であってもよい。当業者には明らかであるが、基板３０４の材料の選択としては、例えば、ガラスおよびセラミックなどの高度の平坦性を達成するのに好ましい他の材料も挙げられる。非限定例では、基板３０４の厚さは約１０ミリメートルおよび直径は約３００ミリメートルであり、基板３０４の有用面にわたる表面の平坦性は山対谷約３〜約６ミクロンである。
【００５７】
Ｂ．結合ポリマフィルム磨耗面を有する平坦な空気軸受を製造する方法
[0063]  図４は、空気軸受３００などの結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造する例示的方法４００のフローチャートである。さらに、図５Ａ〜図５Ｇは、図４に示す例示的製造方法の異なる段階を示す。特に、図５Ａ〜図５Ｇは、結合ポリマフィルム磨耗面を有する例示的な環状の形状の空気軸受の製造を断面図で示す。記載した方法４００を用いて、正方形、長方形、環状または他の有用な形状である結合ポリイミドフィルム３０２磨耗面を有する空気軸受３００を製造することができる。この方法４００の後、ポリイミドフィルム３０２の表面の平坦性は基板３０４より平坦性を有し、さらにエア軸受として有用となるように十分に平坦となるようにできる。これは、基板３０４は正確な機械加工をあまり要求しないため比較的低費用での有用で平坦なフィルムの生産を可能にする。さらなる利点としては、有用な平坦度を達成するために結合後のポリイミドフィルム３０２の表面の機械加工は必要ではないことである。方法４００は、デブリが基板３０６の表面を汚染する可能性を減らすためにクリーンルームで行うことができる。
【００５８】
[0064]  図５Ａに示すように、ステップ４０２では、非常に平坦で良く研磨された表面を有する真空チャック５０２が設けられる。真空チャック５０２の平面の平坦性は、製造プロセスの終わりでポリイミドフィルム３０２の表面の平坦性を決定する。より高い平坦度は、乾燥滑りが生じる確率を下げ、軸受動作中の軸受面と案内路との間のガス圧の均一性を上げる。真空チャック５０２は、その有用面全体にわたって約２ミクロンの山対谷の平坦性を有することができる。
【００５９】
[0065]  真空チャック５０２の平面は、ステップ４０８〜４１４において基板３０４がポリイミドフィルム３０２に対して滑らないよう保つように重力に対して垂直（例えば、水平）に位置決めされる。その後、ポリイミドフィルム３０２は、真空チャック５０２の平面上に配置される。
【００６０】
[0066]  ステップ４０４では、例えば、図５Ｂに示すように、円形の溝であり得る真空ポート５０４を介してポリイミドフィルム３０２に真空が適用される。これは、ポリイミドフィルム３０２を真空チャック５０２の平面に実質的に適合させる。この技術は、ポリイミドフィルム３０２の表面仕上げを必要とすることなく有用で平坦な軸受面を有する仕上げられた軸受を提供する。
【００６１】
[0067]  ステップ４０６では、図５Ｃに示すように、予備混合および脱気された液状エポキシ３０６が、例えば単一の連続曲線の形状を有するポリイミドフィルム３０２上に流し込まれるか、そうでない場合、その上に配置されるかまたは加えられる。加えられるエポキシ３０６は、厚さ４〜５ｍｍを有してよい。環状基板に対しては、曲線は閉じている。長方形基板に対しては、エポキシ３０６は線状に加えられてよく、円形または正方形基板に対しては、エポキシ３０６は点の形状で加えられてよい。後続ステップで基板３０４とポリイミドフィルム３０２との間の空気の取込を回避するために、加えられるエポキシ３０６の形状は、基板３０４の形状によって選択される。図５Ｄ〜図５Ｇは、輪状基板３０４を、基板３０４の形状の例として示す。ポリイミドフィルム３０２にエポキシ３０６を加えた後、このアセンブリは、重力がポリイミドフィルム３０２上のエポキシ３０６の分配を平滑にする間の時間放置しておいてよい。この時、エポキシに混入したあらゆるガスも漏れることがある。
【００６２】
[0068]  ステップ４０８では、図５Ｄに示すように、基板３０４はエポキシ３０６上に配置される（例えば、下げられる）。一例では、基板３０４は、ゆっくりとした下降動作を介して常に重力に対して（外部手段によって）水平に維持される。これは、基板３０４とポリイミドフィルム３０２との間にエポキシ３０６が不均一に分配されないように保つ。当業者には明らかなように、重力を用いることより複雑である、基板３０４をエポキシ３０６上に配置するための他の方法を用いてもよい。
【００６３】
[0069]  ステップ４１０では、基板３０４は、制御された方法で解放され、ポリイミドフィルム３０２およびエポキシ３０６の両方の上に置くことができる。一例では、基板３０４とポリイミドフィルム３０２との距離がエポキシ３０６の表面から約０〜１ｍｍ、好ましくは約０．５ｍｍであったときに基板３０４が解放される。
【００６４】
[0070]  ステップ４１２では、図５Ｅに示すように、重み５０６を基板３０４の上に配置して（例えば、置いて）力（例えば、重力）を基板３０４に加えることができ、これはあらゆる余分なエポキシ３０６を搾り出す。ステップ４１４では、エポキシ３０６は、エポキシ製造者によって規定されているように硬化することが可能である。
【００６５】
[0071]  ステップ４１６では、図５Ｆに示すように、重み５０６は取り除かれる。ステップ４１８では、部分的に仕上げられた軸受５０８は、真空チャック５０２から取り外される。任意選択として、圧縮ガスが真空ポート５０４を介して注入されて取り外しを容易にする。
【００６６】
[0072]  ステップ４２０では、図５Ｇに示すように、ポリイミドフィルム３０２の端が基板３０４の外形と合うようにトリミングされる。当業者には明らかなように、トリミングは多数の技術によって達成することができる。ポリイミドフィルム３０２は、その表面の平坦性を改善するための表面研削およびその硬さを改善するための熱処理も必要としない。
【００６７】
[0073]  図６は、空気軸受３００などの結合ポリマフィルム磨耗面を有する空気軸受を製造するための例示的方法６００のフローチャートである。記載した方法６００を用いて、正方形、長方形、環状または他の有用な形状である結合ポリイミドフィルム３０２磨耗面を有する空気軸受３００を製造することができる。この方法６００の後、ポリイミドフィルム３０２の表面の平坦性は基板３０４より平坦性を有し、さらにエア軸受として有用となるように十分に平坦となるようにできる。これは、基板３０４は正確な機械加工をあまり要求しないため比較的低費用での有用で平坦なフィルムの生産を可能にする。さらなる利点としては、有用な平坦度を達成するために結合後のポリイミドフィルム３０２の表面の機械加工は必要ではないことである。方法６００は、デブリが基板３０４の表面を汚染する可能性を減らすために温度制御されたクリーンルームで行うことができる。
【００６８】
[0074]  ステップ６０２では、基板３０４は液状エポキシ３０６でコーティングされる。コーティングは、少なくとも厚さ１００ミクロンであるエポキシ３０６の実質的に均一な層を提供することができる。
【００６９】
[0075]  ステップ６０４では、エポキシ３０６を排気して重力に基板３０４上のエポキシ３０６の分配を平滑にさせかつ混入したガスをエポキシ３０６から放出させる。非限定例では、空気を外に出すには約１０分かかる。
【００７０】
[0076]  ステップ６０６では、ポリイミドフィルム３０２はエポキシ３０６上に広げられる。エポキシ３０６の表面張力は、ポリイミドフィルム３０２を基板３０４へとゆっくりと引っ張る。ポリイミドフィルム３０２とエポキシ３０６とを接触させるために外力を加える必要はない。
【００７１】
[0077]  ステップ６０８では、ポリイミドフィルム３０２は、ポリイミドフィルム３０２と基板３０４との間のガスポケットおよびその間に捕捉された粒子を調べる。あらゆる捕捉されたガスがエポキシ３０６を通って大気にさらされるエポキシ３０６の一部に向かうように押し出され、その後、エポキシ３０６から放出される。
【００７２】
[0078]  ステップ６１０では、基板／フィルムアセンブリは反転される。基板３０４が環状の形状を有した場合、ポリイミドフィルム３０２の中心に通気孔が切り込まれる。この通気孔は、製造プロセス中にポリイミドフィルム３０２にわたってガスを伝達するために後で使用される。
【００７３】
[0079]  ステップ６１２では、基板／フィルムアセンブリは、真空チャック５０２などの光学平面上に配置される。配置のとき、基板／フィルムアセンブリの傾斜を最小にする。配置の後、ポリイミドフィルム３０２は光学平面と接触する。
【００７４】
[0080]  ステップ６１４では、基板３０４に力が加えられて余分なエポキシ３０６を搾り出す。重りを基板３０４に加えて力を与えることができる。ステップ６１０に形成された通気孔は、ポリイミドフィルム３０２と光学平面との間に捕捉されたあらゆるガスを放出する。力を加えているとき、ポリイミドフィルム３０２および基板３０４は光学平面と同一平面上にあるように強要され、それによって基板３０４およびポリイミドフィルム３０２がエポキシ３０６上で互いに滑ることを防ぐことができる。
【００７５】
[0081]  ステップ６１６では、エポキシ３０６は硬化することが可能である。非限定例では、硬化時間は約４８時間である。
【００７６】
[0082]  ステップ６１８では、ポリイミドフィルム３０２は、光学平面から離される。圧縮ガスは、ステップ６１０で設けられた通気孔内に注入されてポリイミドフィルム３０２と光学平面との間のあらゆる表面張力を壊すことができる。
【００７７】
[0083]  ステップ６２０では、余分のポリイミドフィルム３０２は、基板からトリミングされる。ステップ６２２では、余分のエポキシ３０６が基板からトリミングされる。当業者には明らかなように、トリミングは多数の技術によって達成することができる。ポリイミドフィルム３０２は、その表面の平坦性を改善するための表面研削およびその硬さを改善するための熱処理も必要としない。
【００７８】
[0084]  ステップ６２４では、エポキシ３０６は、基板／フィルムアセンブリをベークすることによってさらに硬化される。非限定例では、基板／フィルムアセンブリは１２時間の間１２０℃でベークされる。ベーキングは、真空チャンバ内で行われてよい。
【００７９】
ＩＶ．結論
[0085]  「発明の概要」および「要約書」の項は、発明者が考える本発明の１つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明および添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。
【００８０】
[0086]  以上、特定の機能およびそれらの関係の実施態様を示す機能構成ブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能構成ブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。
【００８１】
[0087]  特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、および／または適合させることができる。したがって、このような適合および修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示および手引きに基づく同等物の意味および範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現または用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者によって、教示およびガイダンスに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００８２】
[0088]  本発明の広さおよび範囲は、上で説明したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図６】
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