(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離隔される第１及び第２金属層を含む複数の金属層と、
前記複数の金属層の間の上に前記複数の金属層間の間隔より広い幅を有し付着される第１絶縁フィルムと、
前記複数の金属層の何れか一層上に配置されて前記第１及び第２金属層と電気的に接続される発光チップと、
前記複数の金属層、前記第１絶縁フィルム及び前記発光チップ上に配置される樹脂層と、を含み、
前記第１金属層は前記発光チップが配置される第１ベース部と、前記第１ベース部の外枠部に前記第１ベース部から折曲される第１サイド部とを含み、
前記第２金属層は、前記第１金属層の第１ベース部に対応する第２ベース部と、前記第２ベース部の外枠部に前記第２ベース部から前記第１サイド部と対応するように折曲された第２サイド部とを含み、
前記第１金属層の第１サイド部から外側方向に折曲された第１外枠部と、前記第２金属層の第２サイド部から外側方向に折曲された第２外枠部とを含み、
前記第１金属層及び前記第２金属層の外枠部の上面の縁に付着される第２絶縁フィルムを含み、
前記第２絶縁フィルムの上に前記第２絶縁フィルムの厚さ方向に配置されるガイド部材を含み、
前記第１絶縁フィルムは、前記第１及び第２ベース部の上面に配置され、前記第１及び第２サイド部の境界部上面に延長され、
前記第２絶縁フィルムは、前記第１金属層の第１外枠部及び前記第２金属層の第２外枠部の上面に配置されて、前記第１絶縁フィルムと接続され、
前記第１及び第２絶縁フィルムは前記第１及び第２金属層を支持し、
前記樹脂層は前記第２絶縁フィルムの上面上に配置され、
前記ガイド部材は前記樹脂層の縁に配置され、
前記ガイド部材は前記第２絶縁フィルムの幅より細い幅を有し、
前記第１及び第２ベース部の縁に前記第１及び第２サイド部が配置され、
前記第１金属層の前記第１サイド部または前記第２金属層の前記第２サイド部は、前記発光チップの縁に配置され、
前記複数の金属層は、前記第１及び第２ベース部が前記第１及び第２金属層の外枠部より低い深さを有するキャビティを含み、
前記第１及び第２サイド部は、前記第１及び第２ベース部に対して傾斜しており、
前記第１及び第２金属層の前記第１及び第２外枠部の下に外部空間が形成され、
前記第１及び第２サイド部は、伝導される熱を前記外部空間を介して放熱し、
前記第１及び第２外枠部は、外側縁に多角形状の枠を有する上面を提供し、
前記第１及び第２ベース部は、ボードの上にボンディングされ、
前記ガイド部材は、樹脂物質を含む発光素子。
【請求項２】
前記第１及び第２外枠部は前記第１及び第２ベース部の延長線に対して平行に配置される請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１及び第２ベース部と前記第１及び第２サイド部は同一厚さで形成される請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１絶縁フィルムは、ＰＩ（ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む請求項１乃至３の何れか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記樹脂層の上部において前記発光チップの方向に凹む凹部を備え、前記凹部は反射物質を含む請求項１乃至４の何れか一項に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、発光素子及びそれを備える照明システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種である。発光ダイオードは蛍光灯、白熱灯など既存の光源に比べ低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境に優しい所などの長所を有している。この点から既存の光源を発光ダイオードに代わりにするための多くの研究が進められており、発光ダイオードは各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの照明装置の光源としてその使用が増加されている趨勢である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の実施形態は、新たなタイプの発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
【０００４】
本発明の実施形態は、外側が折曲される金属層を支持する絶縁フィルムと前記期複数の金属層に電気的に接続される発光チップを含む発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
【０００５】
本発明の実施形態は、発光チップの縁にガイド部材及びその内部に樹脂層を配置する発光素子及びそれを備える照明システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施形態による発光素子は、互いに離隔される第１及び第２金属層を含む複数の金属層と、前記複数の金属層の間の上に前記複数の金属層間の間隔より広い幅を有し付着される第１絶縁フィルムと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層上に配置されて前記第１及び第２金属層と電気的に接続される発光チップと、前記複数の金属層のうち少なくとも一層、前記第１絶縁フィルム及び前記発光チップ上に配置される樹脂層を含め、前記第１金属層は前記発光チップが配置される第１ベース部と、前記第１ベース部の外枠部に前記第１ベース部から折曲される第１サイド部と、を含む。
【０００７】
本発明の実施形態において、前記複数の金属層のうち第２金属層は前記第１金属層の第１ベース部に対応される第２ベース部、及び前記第２ベース部の外枠部に前記第２ベース部から前記第１サイド部と対応になるように折曲される第２サイド部を含む。
【０００８】
本発明の実施形態において、前記第１金属層の第１サイド部または前記第２金属層の第２サイド部は前記樹脂層の上面より高く突出される。
【０００９】
本発明の実施形態において、前記第１金属層の第１サイド部または前記第２金属層の第２サイド部は前記発光チップの縁に配置される。
【００１０】
本発明の実施形態において、前記第１金属層の第１サイドから折曲される第２外枠部と、前記第２金属層の第２サイド部から折曲される第２外枠部と、を含め、前記第１及び第２外枠部は前記第１及び第２ベース部の延長線に対して変更に配置される。
【００１１】
本発明の実施形態において、前記第１金属層及び前記第２金属層の外枠部の上面の縁に第２絶縁フィルムを含む。
【００１２】
本発明の実施形態において、前記第１金属層の第１ベース部及び前記第２金属層の第２ベース部の上面の縁に配置されてオープン領域を有する第２絶縁フィルムを含め、前記第２絶縁フィルムは前記第１絶縁フィルムと接続される。
【００１３】
本発明の実施形態において、前記第２絶縁フィルムの上に前記第２絶縁フィルムの厚さ方向に突出されるガイド部材を含む。
【００１４】
本発明の実施形態において、前記ガイド部材は樹脂物質または金属材質を含む。
【００１５】
本発明の実施形態において、前記第１金属層の第１サイド部及び前記第２金属層の第２サイド部は前記発光チップより低い領域にて互いに対応されるように配置され、前記第１金属層及び前記第２金属層の外枠部の上面の縁に第２絶縁フィルムを含む。
【００１６】
本発明の実施形態において、前記複数の金属層の内側部は外枠部より低い深さを有するキャビティを含む。
【００１７】
本発明の実施形態において、前記キャビティの縁に前記第１金属層と前記第２金属層の内側部に対して斜めの傾斜部を含む。
【００１８】
本発明の実施形態において、前記複数の金属層は第１金属層と前記第２金属層の間に第３金属層を含め、前記発光チップは前記第３金属層の上に配置されて、前記第１及び第２金属層とワイヤで接続される。
【００１９】
本発明の実施形態において、前記第１絶縁フィルムはＰＩ（ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィルムのうち少なくとも一つを含む。
【００２０】
本発明の実施形態において、前記樹脂層の上部に発光チップ方向に凹む凹部及び前記凹部に反射物質を含む。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の実施形態は、テープ型の発光素子を提供することができる。
【００２２】
本発明の実施形態は、パッケージ本体を用いなくて絶縁フィルムを介して金属層を支持する発光素子を提供することができる。
【００２３】
本発明の実施形態は、発光素子の製造工程を改善させることができる。
【００２４】
本発明の実施形態は、発光素子の厚さを減らすことができる。
【００２５】
実施形態は、凹むキャビティまたは光遮断部を備える金属層を提供することによって、発光素子の光抽出効率を改善させることができる。
【００２６】
本発明の実施形態は、発光素子の信頼性を改善させることができる。
【００２７】
本発明の実施形態は、発光素子の小型化及び集積化を改善させることができる。
【００２８】
本発明の実施形態は、発光素子及びそれを備える照明システムにおいての放熱効率を改善させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態に係る発光素子の斜視図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａから見た側断面図である。
【図３】図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【図４】図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【図５】図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【図６】図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【図７】図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る発光素子の斜視図である。
【図９】第２実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１１】第４実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１２】第５実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１３】図１２に示す発光素子において、金属層の斜視図である。
【図１４】第６実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１５】図１４に示すＢ−Ｂから見た側断面図である。
【図１６】第７実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１７】第８実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１８】第９実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図１９】第１０実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図２０】図１９に示す発行素子の平面図である。
【図２１】第１１実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【図２２】本発明の実施形態に係る発光チップの一例を示す図である。
【図２３】本発明の実施形態に係る発光チップの一例を示す図である。
【図２４】本発明の実施形態に係る表示装置の一例を示す斜視図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る表示装置の他の一例を示す斜視図である。
【図２６】本発明の実施形態に係る照明ユニットを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
実施形態の説明に当たって、各層（膜）、領域、パターン又は構造物が基板、各層（膜）、領域、パッド又はパターンの「上（ｏｎ）」に又は「下（ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合、「上（ｏｎ）」と「下（ｕｎｄｅｒ）」は、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」又は「他の層を介在して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）」形成されることをすべて含む。また、各層の「上」又は「下」に対する基準は、図面を基準として説明する。
【００３１】
図において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、又は概略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを全的に反映するのではない。
【００３２】
以下、添付された図面を参照して、説明する。
【００３３】
図１は、第１実施形態に係る発光素子を示す斜視図で、図２は、図１に示すＡ−Ａから見た側断面図である。
【００３４】
図１及び図２を参照すると、発光素子１００はキャビティＡ１を形成する複数の金属層１１１、１１３と、前記複数の金属層１１１、１１３の境界部に配置される絶縁フィルム１２１と、前記複数の金属層１１１、１１３のうち何れか一つの金属層１１１の上に配置される発光チップ１４５と、前記発光チップ１４５をモールディングする樹脂層１６１を含む。
【００３５】
前記複数の金属層１１１、１１３は少なくとも２個を含め、少なくとも２個の金属層１１１、１１３は互いに離隔されて物理的に離隔されるように配置される。前記金属層１１１、１１３は好ましくは、リードフレームのような金属プレートで具現されることができる。
【００３６】
前記複数の金属層１１１、１１３は鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、Ｆｅ−Ｎｉのように鉄（Ｆｅ）を含む合金（ａｌｌｏｙ）、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金類、またはＣｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることができる。また前記金属層１１１、１１３は単層または多層に形成されることができる。前記金属層１１１、１１３の上面または／及び下面にはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）のような反射層またはボンディング層が形成されることができる。
【００３７】
前記金属層１１１、１１３がリードフレームで具現される場合、機械的な強度が強く、熱伝導性が大きく、熱膨張係数が大きく、加工性が良好であり、曲げ動作を繰り返すときに損失がほぼなく、メッキと半田付けが容易であるという特性がある。前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の表面には酸化防止コーティング層を形成することができ、これに対して限定するものではない。
【００３８】
前記金属層１１１、１１３の厚さは実質的に１５μｍ〜３００μｍの厚さで形成されることができ、この厚さは好ましくは１５μｍ〜５０μｍの範囲に形成されることができて、発光素子全体を支持する支持フレームとして働き、また発光チップ４１から生じる熱を伝導する放熱部材として動作することができる。
【００３９】
前記金属層１１１、１１３は別途の本体、例えばＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のような樹脂系の本体で金属層を固定する構造を使用しなくて、前記金属層１１１、１１３の一部を曲面形状や予め設定の角度に折曲させて使用することができる。
【００４０】
前記複数の金属層１１１、１１３は内側にキャビティＡ１を備えて、前記キャビティＡ１は金属層１１１、１１３の外側上面に対して所定深さＨ１、例えば、３５０μｍ以上の深さに形成されることができる。
【００４１】
前記複数の金属層１１１、１１３は第１金属層１１１と第１金属層１１３を含め、前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３は金属層のウエハに対してエッチングするかカッティングする工程を介して各々分割される。
【００４２】
前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の内側部領域に形成されるキャビティＡ１は上部が開放される形態である。前記キャビティＡ１は上部から見ると、多角形状、または円形状を含む。また前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の内側部に形成されるキャビティＡ１は上部以外に他の側面領域がさらに開放されることができ、これに対して限定するものではない。
【００４３】
前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の間に対応される領域は分離部１１９によって物理的に離隔される。前記分離部１１９は例えば、Ｚ軸方向のようにライン形状に形成されるか、多角形状に形成されることができる。前記分離部１１９は前記第１及び第２金属層１１１，１１３の間に一定の幅または領域によって異なる幅に形成されるか、ライン形状または屈曲の形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００４４】
前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３との間の間隔は１０μｍ以上離隔されることができ、この間隔は二つの金属層１１１、１１３間の短絡や電気的な干渉を防止することができる距離である。
【００４５】
前記第１金属層１１１または前記第２金属層１１３の外形状は多角形状であることができ、他の例として球面形状を含むことができる。
【００４６】
第１金属層１１１はベース部１１１Ａ、サイド部（側部）１１１Ｂ、及び外枠部１１１Ｃを含め、前記第２金属層１１１３はベース部１１３Ａ、サイド部１１３Ｂ、及び外枠部１１３Ｃを含む。前記各の金属層１１１、１１３はＺ軸方向の長さがＸ軸方向の幅よりは大きく形成されることができる。
【００４７】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３のベース部１１１Ａ、１１３Ａはボード（ｂｏａｒｄ）の上にボンディングされるボンディング部であることができ、電源を各々供給することができる。前記第１金属層１１１のベース部１１１Ａの上には前記発光チップ１４５が搭載され、前記発光チップ１４５は前記第１金属層１１１のベース部１１１Ａに台ボンディングされて電気的に接続されて、第２金属層１１３とワイヤ１５２に接続されることができる。
【００４８】
前記第１金属層１１１のサイド部１１１Ｂと前記第２金属層１１３のサイド部１１３ＢはキャビティＡ１のＺ軸方向及びＸ軸方向を基準に互いに対向されるように形成される。前記第１金属層１１１のサイド部１１１Ｂと前記第２金属層１１３のサイド部１１３Ｂは前記発光チップ１４５の縁に斜めの面に対応される。
【００４９】
前記第１金属層１１１のＺ軸方向の両サイド部１１１Ｂは互いに対向され、第２金属層１１３のＺ軸方向の両サイド部１１３Ｂは互いに対向される。
【００５０】
図２のように、前記第１及び２金属層１１１、１１３のサイド部１１１Ｂ、１１３Ｂは前記ベース部１１１Ａ、１１３Ａの延長線上から所定角度
1312873872324_0
１、例えば、実質的に１５〜９０°の角度で斜めに延長されることができる。
【００５１】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃは前記各サイド部１１１Ｂ、１１３Ｂから外側方向に水平に延長されることができる。前記第１金属層１１１の外枠部１１１Ｃと前記第２金属層１１３の外枠部１１３Ｃは前記発光チップ１４５に搭載されるベース部１１１Ａ、１１３Ａの延長線上に対して平行に配置される。前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃは発光素子１００のベース部１１１Ａ、１１３Ａから離隔されているため、所定の外部空間Ｓ１が形成され、前記外部空間Ｓ１はサイド部１１１Ｂ、１１３Ｂから伝導される熱を効果的に放熱することができる。
【００５２】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃは前記ベース部１１１Ａ、１１３Ａから段差を有するように形成され、発光素子１００の外側縁に多角形状の枠を有する上面を提供することができる。実施形態においてキャビティＡ１の形状は多角形ではない円形状に提供されていることができるが、これに対して限定するものではない。
【００５３】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３の上面、下面、側面のうち少なくとも一つには凹凸構造に形成されることができ、前記凹凸構造は金属層１１１、１１３の表面積を増加させることになり、放熱効率を改善させることができる。
【００５４】
絶縁フィルム１２１は前記第１金属層１１１及び前記第２金属層１１３の上面に付着される。絶縁フィルム１２１は前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３が対応される領域の上面に付着されることができる。前記絶縁フィルム１２１は、例えば隣接の二つの金属層１１１、１１３の分離部１９より大きい幅を有し前記金属層１１１、１１３の上面に付着され、金属層１１１、１１３の間隔を予め定められた間隔に維持させて、金属層１１１、１１３を支持及び固定する。前記絶縁フィルム１２１は金属層１１１、１１３間に配置される分離部１１９をカバーし、この場合前記分離部１１９を介して樹脂層１６１を形成する過程にて液状の樹脂物が漏洩されることを防止することができる。
【００５５】
前記絶縁フィルム１２１は金属層１１１、１１３のサイド部１１１Ｂ、１１３Ｂ、及び外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃまで延長されることができる。
【００５６】
前記絶縁フィルム１２１の幅Ｗ１は前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３間の間隔または分離部１１９より広い幅に形成されることができ、例えば数十μｍ以上好ましくは、２０μｍ以上の幅に接着されることができる。
【００５７】
前記絶縁フィルム１２１は透光性または非透光性フィルムを含め、例えば、ＰＩ（ポリイミド）フィルム、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）フィルム、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム、ＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルム、ＰＡＩ（ポリアミド−イミド）、ＰＥＥＫ（ポリエーテル−エーテル−ケトン）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、樹脂フィル（ＰＥ、ＰＰ、ＰＥＴ）などを含むことができる。
【００５８】
前記絶縁フィルム１２１と前記金属層１１１、１１３間には接着層が形成されることができ、前記接着層は絶縁フィルム１２１を前記金属層１１１、１１３上に付着させることができる。また前記絶縁フィルム１２１は両面または単面接着テープを含むことができる。
【００５９】
前記絶縁フィルム１２１は所定の反射率、例えば、３０％以上の反射率を有することができ、このような反射特性は素子内部においての表面反射効率を改善させることができる。
【００６０】
また前記絶縁フィルム１２１は光学的な機能を含むことができる。ここで、前記光学的機能は５０％以上の透過率を有する透光性フィルムを含め、好ましくは７０％以上の透過率を有するフィルムを含む。
【００６１】
前記絶縁フィルム１２１は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は前記絶縁フィルム１２１の上面または下面に塗布されるか、内部に添加されることができる。前記蛍光体の種類はＹＡＧ系、シリケート系、室化物系の蛍光体のうち少なくとも一つを含むことができ、その発光波長は赤色、黄色、緑色などのような可視光線系を含むことができる。また前記絶縁フィル１２１は蛍光体フィルムで具現されることができ、前記蛍光体フィルムは前記発光チップ１４５から放出される光を吸収して他の波長の光を発光する。
【００６２】
また前記絶縁フィルム１２１は耐湿性フィルムを含むことができ、この耐湿性フィルムは湿気が浸透することを抑制し、第１金属層１１１と第２金属層１１３の酸化防止及び短絡を防止することができる。
【００６３】
前記絶縁フィルム１２１はフィルム類で形成されることができ、その表面例えば上面、下面、または外側面の一部が所定の凹凸パターンで形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００６４】
前記絶縁フィルム１２１の厚さは前記金属層１１１、１１３の厚さＴ１より少なくとも厚くまたはその以上に形成されることができ、例えば３０μｍ〜５００μｍの厚さに形成されることができ、好ましくは４０μｍ〜６０μｍの厚さに形成されることができる。
【００６５】
前記発光チップ１４５は前記第１金属層１１１の上に配置され、前記第１金属層１１１と第２金属層１１３に電気的に接続されることができる。
【００６６】
前記発光チップ１４５は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現されることができるが、これに限定されるものではない。
【００６７】
前記発光チップ１４５は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記水平型チップは少なくとも２個のワイヤに接続されることができて、垂直型チップは少なくとも１個のワイヤ１５２に接続されることができる。図１及び図２は、垂直型チップを例に挙げて示し、これに対して限定するものではない。
【００６８】
前記発光チップ１４５は前記第１金属層１１１に伝導性接着剤で接着されることができる。ここで、前記発光チップ１４５の下部に電極が配置される場合、伝導性接着剤で付着され、第１金属層１１１と電気的に接続されることができる。
【００６９】
前記発光チップ１４５は第１金属層１１１にダイボンディングされて、第２金属層１１３とワイヤ１５２で接続されることができる。また前記発光チップ１４５はフリップチップ（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ）などで前記第１金属層１１１と第２金属層１１３に電気的に接続されることができる。前記発光チップ１４５は第１金属層１１１上に配置された例に説明したが、第２金属層１１３の上に配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００７０】
ここで、前記発光チップ１４５は８０μｍの厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ１５２の頂点は前記発光チップ１４５の上面から１００μｍ以上に離隔されるように配置されることができる。
【００７１】
前記発光チップ１４５の上面には蛍光体層がコーティングされることができ、前記蛍光体層は前記発光チップ１４５の上面の内に形成されることができる。
【００７２】
保護素子は前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３のうち少なくとも一つ上または下に配置される。前記保護素子はツェナーダイオードまたはＴＶＳ（ｔｒａｎｓｉｅｎｔ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｓｕｐｐｒｅｓｓｏｒ）ダイオードのような種類の素子で配置されることができ、前記発光チップ１４５と電気的に接続されることができて、前記発光素子１４５を回路的に保護する。前記保護素子は第１及び第２金属層１１１、１１３に接続されて前記発光チップ１４５と並列に接続され、前記発光チップ１４５に印加される異常な電圧から前記発光チップ１４５を保護する。このような保護素子を備えないこともある。
【００７３】
樹脂層１６１は第１及び第２金属層１１１、１１３のキャビティＡ１の領域に形成され、前記発光チップ１４５を密封する。前記樹脂層１６１は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシリコンまたはエポキシを含むことができる。
【００７４】
前記樹脂層１６１は８０μｍ〜５００μｍの厚さに形成されることができ、単層または多層に形成されることができ、多層である場合何れか一層は８０μｍより薄い厚さに形成されることができる。
【００７５】
前記樹脂層１６１は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、また硬度が低い物質から硬度が高い物質の順に順次的に積層されるか、屈折率が高い物質から屈折率が低い物質の順に順次的に積層されることができる。
【００７６】
前記樹脂層１６１は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色などのような可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層１６１は透光性樹脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層１６１の上／下には蛍光体フィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００７７】
前記樹脂層１６１の上面は図２の側断面図から見ると、フラットな面に形成されることができる。前記樹脂層１６１の上面は他の例といて、凹レンズ形状または凸レンズ形状を含むことができる。前記樹脂層１６１は前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外側部１１１Ｃ、１１３Ｃの上に配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【００７８】
前記樹脂層１６１の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、凹レンズ形状、凸と凹が混ざり合ったレンズ形状を含むことができ、また前記樹脂層１６１の上面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定するものではない。
【００７９】
図３〜図８は、図１に示す発光素子の製造過程を示す図である。
【００８０】
図３を参照すると、金属層１１０は図１に示すように一つの発光素子を製造することができる大きさであるか、第１方向（横または縦）に配列される複数の発光素子を製造できるバー形状（棒状）の大きさに形成されるか、横及び縦方向に配列される複数の発光素子を製造できるマトリックス形態の大きさに形成されることができる。前記の複数の発光素子に製造される金属層は個別発光素子または２個以上の発光素子単位にカッティングして使用することができる。以下、実施形態の説明のために１個の発光素子を製造する金属層を説明する。
【００８１】
前記金属層１１０は、好ましくは、リードフレームのような金属プレートで具現されることができ、その物質とは鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、Ｆｅ−Ｎｉのように鉄（Ｆｅ）を含む合金（ａｌｌｏｙ）、またはアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを含む合金類、またはＣｕ−Ｎｉ、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｓｎのように銅（Ｃｕ）を含む合金で形成されることができる。また前記金属層１０は単層または多層金属に形成されることができて、その上面または／及び下面にはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、半田レジストなどのような反射層またはボンディング層が形成されることができる。この金属層のメッキ過程やコーティング過程は絶縁フィルムの形成の前または後に行うことがある。
【００８２】
前記金属層１１０の厚さは均一な厚さで形成されることができ、例えば、実質的に１５μｍ〜３００μｍの厚さで形成されることができ、このような厚さは発光素子全体を支持する支持フレームとして働く。この支持フレーム構造は別当の本体、例えばＰＰＡ（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ）のような樹脂系の本体と金属層を射出成形する工程を使用しないことから、前記金属層１１０の一部を予め設定の角度に曲げて使用することができる。
【００８３】
前記金属層１１０は図３Ａのように所定大きさを有するフラットなプレートに対してプレス装備を用いて図３ＢのようなキャビティＡ１形状を形成させることができる。前記キャビティＡ１は上側に対して所定深さＨ１の段差を有する形状に形成されることができる。
【００８４】
前記金属層１１０はベース部１１０Ａ、サイド部１１０Ｂ、及び外枠部１１０Ｃを含め、前記ベース部１１０Ａは前記金属層１１０のキャビティＡ１の底面を形成し、前記サイド部１１０Ｂは前記キャビティＡ１の縁をカバーするように前記ベース部１１０Ａから所定角度
1312873872324_1
１で斜めに延長され、前記外枠部１１０Ｃは前記サイド部１１０Ｂから外側方向に折曲される。
【００８５】
前記金属層１１０のサイド部１１０Ｂは前記ベース部１１０Ａのすべての側方向をカバーするか、両側方向をカバーし残りは開放した（オープンされる）構造に形成されることができる。前記金像層１１０のキャビティＡ１は多角形状に形成されることができ、この場合キャビティＡ１の下部幅は上部幅より狭い幅に形成されることができる。前記金属層１１０のキャビティＡ１は他の形状例えば、円形状、楕円形状などを含むことができ、これに対して限定するものではない。
【００８６】
前記金属層１１０びキャビティＡ１は外枠部領域に比べて凹む埋め込み構造で形成されることができる。
【００８７】
図３及び図４を参照すると、前記金属層１１０の上面には絶縁フィルム１２１が形成される。前記絶縁フィルム１２１は前記金属層１１０の上面から中央側第１方向に沿って付着され、前記金属層１１０のベース部１１０Ａ、サイド部１１０Ｂ及び外枠部１１０Ｃに沿って配置されることができる。前記絶縁フィルム１２１は前記金属層１１０を分離するための領域の上面に沿って付着されることができる。
【００８８】
前記絶縁フィルム１２１は前記金属層１１０上に接着層を塗布した後付着されることができる。前記絶縁フィルム１２１の接着過程は前記金属層１１０上に絶縁フィルム１２１を付着した後所定の温度でラミネーティング処理過程を介して接着させることができる。ここで、実施形態は金属層１１０の上に絶縁フィルム１２１を付着した構成に説明したが、絶縁フィルム１２１の上に金属層１１０を付着することができ、このような工程の順序は互いに変更されることができる。
【００８９】
前記絶縁フィルム１２１は所定の厚さ例えば、３０μｍ〜５００μｍの厚さを有するか、前記金属層１１０の厚さ以上に形成されることができる。
【００９０】
前記絶縁フィルム１２１は絶縁性フィルムとして、光学的機能、熱伝導性機能、耐湿性機能のフィルムを選択的に含むことができる。前記絶縁フィルム１２１は単面または両面接着テープのように接着層を有するフィルムで形成されることができる。前記絶縁フィルム１２１は透光性材質である場合、蛍光体または／及び散乱剤を含むことができる。前記蛍光体または散乱剤は前記絶縁フィルム１２１の表面に塗布されるか内部に添加されることができる。または前記絶縁フィルム１２１は所定の反射率例えば３０％以上の反射特性（反射率）を有するフィルム類を含むことができる。
【００９１】
前記絶縁フィルム１２１は他の物質例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙなどの酸化物または窒化物のような絶縁物質で印刷するか絶縁材料をコーティングすることができ、この場合硬化される絶縁フィルム１２１はフレキシブルであるか所定の粘度を有する材料で形成されることができる。
【００９２】
前記絶縁フィルム１２１１の幅Ｗ１は少なくとも２０μｍ以上に形成されることができ、この幅Ｗ１は分割される金属層を指示することができる程度の幅を有する。前記絶縁フィルム１２１の幅Ｗ１の一部は他の部分より広い幅に形成されることができる。前記絶縁フィルム１２１の長さは前記金属層１１０の何れか一辺の長さと実際的に同一長さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００９３】
図４及び図５を参照すると、図４の金属層１１０は図５のように少なくとも２個の金属層１１１、１１３に分割されることができる。
【００９４】
ここで、図４の金属層１１０を分割する過程は例えば、前記リードフレーム１１０のエッチング表面を活性化させた後、フォトレジストを塗布し露光を行う現像工程を含む。そして現像工程が完了されるとエッチング工程を介して要する領域を分割して前記フォトレジストを剥離する。以後、金属層の表面にＡｇメッキなどを行ってボンディング可能な表面に処理する。
【００９５】
図４の金属層１１０を引っ繰り返した後、図５に示すような状態にて金属層の上面すなわち、前記絶縁フィルム１２１が付着される面の反対側面を介してエッチングを行って図５のような２個以上の金属層１１１、１１３に分割する。前記金属層１１１、１１３の分割領域は分離部１１９によって形成され、前記絶縁フィルム１２１の中央領域と重なる。ここで、前記絶縁フィルム１２１は分割される金属層１１１、１１３の境界部上面を互いに支持し、前記第１金属層１１１と第２金属層１１３の間の分離部１１９を一定に維持させる。
【００９６】
前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の間の分離部１１９はその間隔が１０μｍ以上に形成されることができ、このような空間は絶縁フィルム１２１の幅Ｗ１未満に形成されることができる。
【００９７】
実施形態は、前記絶縁フィルム１２１と分離部１１９をライン形態に示して説明したが、半球形状、多角形状、斜線形状、直線と曲線が混合した形状などに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【００９８】
図６及び図７を参照すると、前記発光チップ１４５は前記第１金属層１１１の上に搭載され、前記第１金属層１１１と第２金属層１１３に電気的に接続されることができる。
【００９９】
前記発光チップ１４５は二つの電極が平行に配置される水平型チップ、または二つの電極が互いに反対側面に配置される垂直型チップに具現されることができる。前記発光チップ１４５は前記第１金属層１１１に伝導性接着剤で接着されて第１金属層１１１と電気的に接続され、第２金属層１１３とワイヤ１５２で接続される。
【０１００】
前記発光チップ１４５は、赤色、緑色、青色、白色などの光を放出する可視光線帯域の発光ダイオードであるか紫外線（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）帯域の発光ダイオードに具現されることができるが、これに限定されるものではない。ここで、前記発光チップ１４５は８０μｍの厚さ以上に形成されることができ、前記ワイヤ１５２の頂点は前記発光チップ１４５の上面から４０μｍ以上により高く配置されることができる。
【０１０１】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３の内部に形成されるキャビティＡ１には樹脂層１６１が形成され、前記樹脂層１６１は透光性樹脂系の物質を含め、例えばシリコンまたはエポキシを含むことができる。
【０１０２】
前記樹脂層１６１は８０μｍ〜５００μｍの厚さに形成されることができ、単層または多層に形成されることができ、多層である場合何れか一層は８０μｍより薄い厚さに形成されることができる。前記樹脂層１６１は多層である場合同一物質または他の物質で積層されることができ、また硬度が低い物質から順次的に積層するか、屈折率が高い物質から積層されるか、この逆に積層されることができる。
【０１０３】
前記樹脂層１６１の上面の一部は前記絶縁フィルム１２１の上面より高く形成されることができる。また前記樹脂層１６１はワイヤ１５１を覆う高さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１０４】
前記樹脂層１６１は蛍光体を含むことができ、前記蛍光体は黄色、緑色、赤色などのような可視光線帯域の蛍光体を少なくとも一つ含むことができる。前記樹脂層１６１は透光性樹脂層と蛍光体層に区分されて積層されることができる。前記樹脂層１６１の上／下には蛍光体フィルム例えば、光励起フィルム（ＰＬＦ）が配置されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１０５】
前記樹脂層１６１の上にはレンズが形成されることができ、前記レンズは凸レンズ形状、凹レンズ形状、凸と凹が混在するレンズ形状を含むことができ、これに対して限定するものではない。前記レンズは前記樹脂層１６１の上面に接触されるか離隔されることができ、これに対して限定しない。
【０１０６】
図８及び図９は、第２実施形態に係る発光素子の斜視図及びその側断面図である。前記第２実施形態を説明することにおいて、前記第１実施形態と同一部分は第１実施形態を参照する。
【０１０７】
図８及び図９を参照すると、発光素子は隣接の第１金属層１１１と第２金属層１１３の対応領域に第１絶縁フィルム１２２が配置され、前記第１金属層１１１と第２金属層１１３の上面縁に沿って第２絶縁フィルム１２２Ａが配置される。前記第２絶縁フィルム１２２Ａは前記第１絶縁フィルム１２２から延長され、前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃの上面に沿ってリング形状または環形状に形成されることができる。前記第２絶縁フィルム１２２Ａの幅Ｗ２は前記各の金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃと同一幅またはその以下に形成されることができる。前記第２絶縁フィルム１２２Ａは前記第１絶縁フィルム１２２とともに前記二つの金属層１１１、１１３を支持及び固定させる。
【０１０８】
前記第１及び第２絶縁フィルム１２２、１２２Ａは前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の間のベース部１１１Ａ、１１３Ａ上面と外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃ上面に付着され、二つの金属層１１１、１１３間の間隔を支持し固定させることができる。
【０１０９】
前記第２絶縁フィルム１２２Ａは二つの金属層１１１、１１３の上面縁に形成されることによって、樹脂層１６１が溢れることを防止することができる。また前記樹脂層１６１の縁は前記第２絶縁フィルム１２２Ａの上面より低い高さに形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１１０】
前記絶縁フィルム１２２、１２２Ａが絶縁性フィルム類で付着されるため前記の領域以外にも他の領域にもさらに付着されることができる。
【０１１１】
図１０は、第３実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。
【０１１２】
図１０を参照すると、発光素子は第２絶縁フィルム１２２Ａ上にガイド部材１３１が形成される。前記ガイド部材１３１は前記第２絶縁フィルム１２２Ａの上面に沿って形成される。例えば、前記第２絶縁フィルム１２２Ａと前記ガイド部材１３１はリング形状または環形状に形成され、樹脂層１６１の縁をカバーする。
【０１１３】
前記ガイド部材１３１は前記第２絶縁フィルム１２２Ａの幅よりは狭い幅を有志前記第２絶縁フィルム１２２Ａの厚さ方向に突出される。前記ガイド部材１３１は実質的に１５μｍ〜５００μｍの厚さで形成されることができ、前記絶縁フィルム１２２、１２２Ａの厚さと同じであるかまたは異なることができる。
【０１１４】
前記ガイド部材１３１はプリント方式、コーティング方式、フィルム接着方式のうち何れか一つの方式を利用することができ、プリント方式はプリントする領域を除いた領域にマスキングを行った後スクリーンプリント方式に形成されることができ、コーティング方式は望む領域の上に反射物質で塗布して形成することができ、フィルム接着方式は反射シートのようなフィルム類で接着させて形成することができる。ここで、前記ガイド部材１３１及び前記絶縁フィルム１２２、１２２Ａの材質はワイヤボンディングまたはリフロー工程に伴う熱特性を考慮して選択されることができる。
【０１１５】
前記ガイド部材１３１はプリント方式で形成されることができ、その材質は半田レジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）のような樹脂材質、半田ペースト（ｓｏｌｄｅｒ  ｐａｓｔｅ）などのような伝導性材質を含む。前記半田レジストは白色として、入射される光を効果的に反射させることができる。また前記ガイド部材１３１はＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ−ａｌｌｏｙ、Ａｌ−ａｌｌｏｙ、Ｃｕ−ａｌｌｏｙ、Ａｕ−ａｌｌｏｙなどの高反射物質を選択的に含むことができ、この反射物質は単層または多層に形成されることができる。また前記ガイド部材１３１は金属シード層例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉなどのペースト上にメッキ工程を行って形成することができる。
【０１１６】
またガイド部材１３１は非金属材料を含むことができ、前記非金属材料は、白色樹脂例えば、二酸化チタニウム（ＴｉＯ２）を有する樹脂材料、ガラス繊維（Ｇｌａｓｓ  Ｆｉｂｅｒ）を有する樹脂材料（例：ＰＰＡ）、または高分子物質（シリコン系、エポキシ系など）を含むことができる。前記ガイド部材１３１が絶縁特性と反射特性を有する場合前記絶縁フィルムを別途に形成しなくてもよいが、これに対して限定するものではない。
【０１１７】
前記ガイド部材１３１は５０％以上の反射特性を有する金属または非金属材料を含むことができ、好ましくは９０％以上の反射特性を有する。
【０１１８】
一方、前記ガイド部材１３１が絶縁材質である場合、前記ガイド部材１３１は前記金属層１１１、１１３から離隔されるように形成されることができる。すなわち、前記ガイド部材１３１は電気的な短絡を防止するために前記第２絶縁フィルム１２２Ａの上面を外さないように形成することができる。前記ガイド部材１３１は前記第１絶縁フィルム１２２の上にも延長されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１１９】
前記ガイド部材１３１はリング形状または環形状を含め、連続的な形状または不連続的な形状を含む。ここで、不連続形状である場合、前記第１金属層１１１と第２金属層１１３のうち何れか一フレームに接触されることができる。
【０１２０】
前記ガイド部材１３１は反射部材またはダムの役割を果たす障壁部であることができ、前記絶縁フィルム１２２、１２２Ａより反射特性がさらによい材質で形成されることができる。
【０１２１】
前記樹脂層１６１は前記ガイド部材１３１の内側面に接触される高さに形成されることができる。また前記樹脂層１６１の表面は凸形状に形成されることができ、これに対して限定するものではない。また前記金属層１６１は単層または多層に形成されることができ、その表面は凹部または／及び凸部を含むことができる。
【０１２２】
図１１は、第４実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。
【０１２３】
図１１に示すように、発光素子は、第１金属層１１１の内側部にキャビティＡ１が形成され、前記第１金属層１１１の外枠部１１１Ｃのうちいずれか一側面には第２金属層１１３が対応される。前記第１金属層１１１のベース部１１１Ａはボンディング領域になり、サイド部１１１Ｂは前記ベース部１１１Ａから２側、３側または４側方向を介して斜めの構造に延長されることができ、外枠部１１１Ｃはサイド部１１１Ｂから延長される。
【０１２４】
前記第１金属層１１１の外枠部１１１Ｃのうち少なくとも一側部には第２金属層１１３が対応され、前記第１金属層１１１の外枠部１１１Ｃと前記第２金属層１１３の間の領域の上には第１絶縁フィルム１２２が形成される。前記第１絶縁フィルム１２２は第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の境界部上面に付着されて２個の金属層１１１、１１３の間隔を維持させ支持する。
【０１２５】
前記第２金属層１１３の他端部はほぼ垂直に下方向に折曲されるサイド部１１３Ｆ及び水平のベース部１１３Ｇに延長される。前記第２金属層１１３のベース部１１３Ｇは第２電源を供給する端子として使用することができる。
【０１２６】
前記第２金属層１１３には前記第１金属層１１１のベース部１１１Ａに配置される発光チップ１４５とワイヤ１５２で接続される。前記ワイヤ１５２は前記発光チップ１４５の上面から所定の高さの差を有して前記第２金属層１１３にボンディングされることができる。
【０１２７】
前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の境界部は第１絶縁フィルム１２２が付着され、第１金属層１１１の外枠部１１１Ｃと前記第２金属層１１３の上面縁に第２絶縁フィルム１２２Ａが付着される。前記第１絶縁フィルム１２２と前記第２絶縁フィルム１２２Ａは互いに接続されることができる。
【０１２８】
前記第２絶縁フィルム１２２Ａの上にはガイド部材１３１が形成され、前記ガイド部材１３１は反射物質を含む。前記ガイド部材１３１の材質は上述の実施形態を参照する。
【０１２９】
前記樹脂層１６１Ｂは前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３によって形成されるキャビティＡ１内にモールディングされることができ、前記ガイド部材１３１によって溢れることを防止されることができる。前記樹脂層１６１Ｂの縁は前記ガイド部材１３１の上面と同一高さに形成されることができ、その表面がフラットであるか、凹むまたは凸の形状に形成されることができる。
【０１３０】
図１２は、第５実施形態を示す側断面図であり、図１３は、図１２の金属層の上に絶縁フィルムが配置される例を示す斜視図である。
【０１３１】
図１２を参照すると、発光素子は数なくとも２個の金属層１１１、１１３のうちいずれか一つの金属層を用いて光漏れ防止膜として使用するように配置することができる。
【０１３２】
第１金属層１１１は光遮断部１１１Ｈを含め、前記光遮断部１１１Ｈは前記第２金属層１１３との対応される側の半体側に前記第１金属層１１１の下面から所定角度
1312873872324_2
２、例えば、７０〜１２０°の角度で折曲されることができ、その高さＨ３は前記発光チップ１４５との距離及び光分布を考慮した高さに、例えば、３５０μｍに形成されることができる。
【０１３３】
前記第１金属層１１１の光遮断部１１１Ｈは光を反射させることができる。これによって、前記第１金属層１１１の光遮断部１１１Ｈは発光素子が図２４のように配列されるとき、導光板１０４１の上面に接触され、前記導光板１０４１と発光素子の間の方向に漏洩される光を遮断させることができる。前記第１金属層１１１の光遮断部１１１Ａは前記発光チップ１４５から放出される光が漏洩されることを遮断して、図２４のようなバックライトユニットにおいての光漏れ現象を防止することができる。
【０１３４】
第１絶縁フィルム１２２は前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の間の上面に付着され、第２絶縁フィルム１２２Ａは前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の上面領域の縁に配置されｔ前記第１絶縁フィルム１２２と接続される。前記第１絶縁フィルム１２２と前記第２絶縁フィルム１２２Ａの間の第１金属層１１１上には発光チップ１４５が配置されて、第２金属層１１３上にはワイヤ１５２がボンディングされる。ガイド部材１３１は前記第２絶縁フィルム１２２Ａの上に形成され、樹脂層１６１は前記ガイド部材１３１の内側領域にモールディングされる。
【０１３５】
前記第２絶縁フィルム１２２Ａ及びガイド部材１３１は第１金属層１１１と第２金属層１１３の上面縁にリング形状に形成され、連続的な形状または不連続的な形状を含むか、上面が凹凸構造に形成されることができる。
【０１３６】
前記ガイド部材１３１の上端は前記第１金属層１１１の光遮断部１１１Ｈの上端より低く配置されることができる。
【０１３７】
前記第２絶縁フィルム１２２Ａ及び前記ガイド部材１３１の内側領域Ａ３は内部が開放されるオープン領域であることができる。
【０１３８】
図１３は、図１２の金属層の上に絶縁フィルムが配置される例を示す図である。
【０１３９】
図１２及び図１３を参照すると、絶縁フィルム１２２、１２２Ａは前記第１及び第２金属層１１１、１１３の上面に付着される。図１２に示す第２絶縁フィルム１２２Ａの内側領域Ａ３は前記第１絶縁フィルム１２２によって前記第１金属層１１１の内側領域Ａ１１と第２金属層１１３の内側領域Ａ１２に区分されることができる。ここで、前記内側領域Ａ１１、Ａ１２は四角形状に示したが、円形または多角形状に形成されることができる。まは前記第１金属層１１１の内側領域Ａ１１は発光チップをボンディングすることができる程度の大きさ例えば、発光チップから数ｍｍ以内の距離ほど離隔される大きさに形成されることができる。前記第２金属層１１３の内側領域Ａ１３はワイヤがボンディングされる領域の大きさ程度に開放状態とする（オープンされる）ことができる。
【０１４０】
前記第１金属層１１１から光遮断部１１１Ｈが折曲される部分には少なくとも一つの孔１０５が形成されることができ、前記孔１０５は複数で形成されることができ、前記折曲される部分に沿って所定間隔に離隔されて形成される。前記孔１０５は前記第１金属層１１１から光遮断部１１１Ｈを折曲させるとき前記光遮断部１１１Ｈの折曲が用意に行われるように働く。また他の例として、前記第１金属層１１１とそれの光遮断部１１１Ｈの間の折曲部分には溝が形成され、折曲が容易に行われるように働く。
【０１４１】
図１４は、第６実施形態を示す側断面図であり、図１５は、図１４のＢ−Ｂからみた側断面図である。
【０１４２】
図１４を参照すると、発光素子は金属層１１１，１１３の外枠部を内側部に対して垂直方向に折曲される光遮断部１１１Ｈ、１１３Ｈを含む。前記光遮断部１１１Ｈ、１１３Ｈは発光チップ１４１の両側方向またはすべての側方向に入射される光を反射させることができる。
【０１４３】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３の光遮断部１１１Ｈ、１１３Ｈは例えば、前記発光チップ１４１と対応されて前記樹脂層１６３の頂点より高く形成されて、サイド方向への光漏れを防止することができる。
【０１４４】
実施形態は第１金属層１１１と第２金属層１１３の外枠部を垂直方向に折曲させて光遮断部１１１Ｈ、１１３Ｈとして用いることによって、図２４のようなバックライトユニットの導光板１０４１の上面及び下面に接触することができるようにする。このとき前記発光素子の光遮断部１１１Ｈ、１１３Ｈは前記導光板（図２４中、１０４１）の上側及び下側方向へ漏洩される光を効果的に遮断することができる。
【０１４５】
そして、第１絶縁フィルム１２２は第１及び第２金属層１１１、１１３の間の上面に付着され、第２絶縁フィルム１２３は前記第１及び第２金属層１１１、１１３の平坦な上面縁に形成され、二つの金属層１１１、１１３を支持する。
【０１４６】
前記第２絶縁フィルム１２２Ａは発光チップ１４１をモールディングする樹脂層１６３が溢れることをを防止する。
【０１４７】
図１５は図１４のＢ−Ｂから見た側断面図であって、第１金属層１１１の他の側を示す図である。
【０１４８】
図１５を参照すると、第１金属層１１１の他の外枠部は光遮断部１１１Ｈのような突出構造なしに平坦に形成され、樹脂層１５３の縁に第２絶縁フィルム１２２Ａが配置される。ここで、前記第１金属層１１１の他の外枠部は平坦な構造ではなく傾斜を有する構造または前記光遮断部１１１Ｈの高さより低い高さの構造に突出されるように形成することができる。そして、第２金属層の他の外枠部に対しては前記第１金属層の説明を参照する。
【０１４９】
図１６は、第７実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【０１５０】
図１６を参照すると、発光素子は第１金属層１１１と第２金属層１１３の外枠部に三角形または半球形状のような側部構造を含め、外枠部１１１Ｅ、１１３Ｅは平坦なプレートに形成されることができる。
【０１５１】
前記第１金属層１１１のサイド部１１１Ｄは発光チップ１４５が搭載される面に対して斜めの第１傾斜面、前記第１傾斜面から１８０°未満の内角θ３で折曲される第２傾斜面を含み、これは三角形の断面形状を含む。前記サイド部１１１Ｄは三角形の断面形状ではなく多角形または半球型形状を含みうるが、これに対して限定するものではない。
【０１５２】
前記第１金属層１１１の外枠部１１１Ｅは前記サイド部１１１Ｄから前記発光チップ１４５が搭載される面と水平になるか、より高くまたは低く形成されることができる。
【０１５３】
前記第２金属層１１３のサイド部１１３Ｄ及び外枠部１１３Ｅは前記第１金属層１１１と対称になる構造であって、第１金属層１１１の説明を参照する。
【０１５４】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３のサイド部１１１Ｄ、１１３Ｄに形成される内角は前記発光チップ１４５から放出される光を反射させ、所望の指向角分布を有する角度に形成されることができる。
【０１５５】
また前記第１金属層１１１のサイド部１１１Ｄ及び前記第２金属層１１３のサイド部１１３Ｄは発光素子の強度を強化させることができる。
【０１５６】
第２絶縁フィルム１２３は前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｅ、１１３Ｅ上面に付着され、二つの金属層１１１、１１３の縁に沿ってフレーム形状、リング形状、またはループ形態を有し連続的な形状に形成されることができる。
【０１５７】
第３絶縁フィルム１２３は前記第１金属層１１１と前記第２金属層１１３の境界部上面に付着される第１絶縁フィルム１２２に連結されることができる。
【０１５８】
樹脂層１６２は前記第１及び第２金属層１１１、１１３の内側上に形成されて前記発光チップ１４５を密封する。ここで、前記第１及び第２金属層１１１、１１３のサイド部１１１Ｄ、１１３Ｄは前記樹脂層１６２が溢れることを防止することができる。前記樹脂層１６２はディスペンシング方法またはトランスファーモールディング方式で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１５９】
前記樹脂層１６２の上側中央領域には凹部１６８が形成され、前記凹部１６８は前記発光チップ１４５上に配置されて所定深さを有し下部から上部へ上がるほどより広い形態に形成される。前記凹部１６８の最大幅は発光チップ１４５より大きく形成されることができる。前記樹脂層１６２の凹部１６８には所定の反射物質１６９が形成されることができ、前記反射物質１６９はＴｉＯ２、ＳｉＯ２などの散乱剤や拡散剤などを含むことができる。前記反射物質１６９は凹部１６８の方向に入射される光を反射させることによって、図２３に示すようにトップビュー方式にて発光素子から放出される光分布においてのホットスポットが生じることを防止することができる。
【０１６０】
図１７は、第８実施形態に係る発光素子の側断面図である。
【０１６１】
図１７を参照すると、発光素子は第１金属層１１２と第２金属層１１４の外側部が発光チップ１４５が搭載される面に対して下方向に段差を有する構造を含む。
【０１６２】
前記第１金属層１１２の外側部は前記第１金属層１１２の内側部すなわち、発光チップが搭載される部分から下方向にほぼ垂直に折曲されるサイド部１１２Ａと前記サイド部１１２Ａから外側方向に折曲されて水平の外枠部１１２Ｂを含む。前記第２金属層１１４のサイド部１１４Ａ及び外枠部１１４Ｂは前記第２金属層１１２のサイド部１１２Ａと外枠部１１２Ｂと対称になるように形成されるので、上述の第１金属層１１２の説明を参照する。
【０１６３】
前記第１金属層１１２の外枠部１１２Ｂと前記第２金属層１１４の外枠部１１４Ｂは前記発光チップ１４５に搭載されるベース部に対して平行に配置される。
【０１６４】
前記第１金属層１１２のサイド部１１２Ａと前記第２金属層１１４のサイド部１１４Ａは前記発光チップ１４５より低い領域にて互いに対向するように配置される。
【０１６５】
発光チップ１４５は前記第１金属層１１２の内側部の上に配置され、前記第２金属層１１４の内側部とワイヤ１５２で接続される。
【０１６６】
前記金属層１１２、１１４の内側部と外側部間においての高さの差Ｈ１は発光チップ１４５の厚みより大きく形成されることができ、このような高さの差Ｈ１によって生成される空間は発光チップ１４５の下に提供されるので、放熱効率を改善させることができる。
【０１６７】
前記金属層１１２、１１４の外枠部１１２Ｂ、１１４Ｂはボンディング領域になることができる。
【０１６８】
ここで、前記金属層１１２、１１４の外枠部１１２Ｂ、１１４Ｂは発光素子の両側またはすべての側方向に提供されていることができ、このような外枠部１１２Ｂ、１１４Ｂの形態に従って第３絶縁フィルム１２３の付着領域が異なることができる。例えば、前記第１及び第３絶縁フィルム１２２、１２３は金属層１１２、１１４のサイド部１１２Ａ及び内側部に沿って付着され、互いに接続されることができる。
【０１６９】
そして、前記第１金属層１１２と前記第２金属層１１４の内側部は外枠部１１２Ｂ、１１４Ｂから上方向に突出されていて、発光チップ１４５の縁に遮断部がないことから、発光チップ１４５から放出される光は１８０゜±１０゜の指向分布で照射されることができる。
【０１７０】
第１絶縁フィルム１２２は互いに対応する第１金属層１１２と第２金属層１１４の上面に付着され、第３絶縁フィルム１２３は前記第１金属層１１２と前記第２金属層１１４の外枠部１１２Ｂ、１１４Ｂの上面に付着され、前記第１金属層１１２と第２金属層１１４の間隔を維持させて、発光素子を支持する。
【０１７１】
前記第３絶縁フィルム１２３は複数の金属層１１２、１１４の上面領域のうち外枠部縁にリング形状または環形状に形成され、前記第１絶縁フィルム１２２と接続されるか、分離されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１７２】
樹脂層１６３は前記第１及び第２金属層１１１、１１３の上に形成されて前記発光チップ１４５、第１及び第３絶縁フィルム１２２、１２３をカバーする。また樹脂層１６３はトランスファモールディング方式で形成されることができ、その表面は凹凸形状のパターン１６３Ａが形成されることができる。
【０１７３】
図１８は、第９実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。
【０１７４】
図１８を参照すると、発光素子は３個の金属層を含む。前記３個の金属層は放熱フレームである第３金属層１１５、第１及び第２金属層１１１、１１３を含む。
【０１７５】
前記第３金属層は、中央領域にキャビティＡ１が形成され、前記キャビティＡ１は平坦なベース部１１５Ａから斜めのサイド部１１５Ｂにより形成され、前記サイド部１１５Ｂは前記ベース部１１５Ａの両側面またはすべての側面に配置されることができる。前記サイド部１１５Ｂの端部には水平に配置される外枠部１１５Ｃを含む。
【０１７６】
前記第３金属層１１５の両側に配置される外枠部１１５Ｃは第１金属層１１１及び第２金属層１１３に各々対応して形成される。
【０１７７】
第４絶縁フィルム１２５は前記第３金属層１１５の外枠部１１５Ｃと前記第１及び第２金属層１１１、１１３の対応領域の上に付着され、第５絶縁フィルム１２５Ａは第１及び第２金属層１１１、１１３の縁の上面に沿ってフレーム形状、リング形状、またはループ形状で付着される。前記第５絶縁フィルム１２５Ａは前記第４絶縁フィルム１２５に接続されることができ、この場合前記第１及び第２金属層１１１、１１３の上面から第３金属層１１５の上面に延長されることができる。
【０１７８】
発光チップ１４１は第２金属層１１５のベース部１１５Ａ上に配置され、キャビティＡ１内に配置されることができる。
【０１７９】
前記第４絶縁フィルム１２５と第５絶縁フィルム１２５Ａ間のオープン領域Ａ２には第１及び第２金属層１１１、１１３が各々露出され、前記第１金属層１１１及び第２金属層１１３のオープン領域Ａ２は前記キャビティＡ１を基準に互いに反対側に配置されることができる。オープン領域Ａ２に配置される第１金属層１１１と前記第２金属層１１３は前記発光チップ１４１とワイヤ１５１、１５２で接続される。
【０１８０】
樹脂層１６１は前記発光チップ１４１と前記ワイヤ１５１、１５２を密封するためにモールディングされる。前記樹脂層１６１の表面は凸形状に突出されることができるが、これに対して限定するものではない。
【０１８１】
前記第５絶縁フィルム１２５Ａの上面には反射物資のようなガイド部材がさらに形成されることができ、前記ガイド部材はリング形状、フレーム形状、またはループ形状を含む。
【０１８２】
実施形態に係る発光素子は中央側に放熱板である第３金属層１１５が下方向に突出されて、前記第３金属層１１５から上方向に段差を有する第１及び第２金属層１１１、１１３が配置される。これによって、第１及び第２金属層１１１、１１３とボンディングされるための発光モジュールのボード（ＰＣＢ）内には前記第３金属層１１５が格納されることができる孔がさらに形成されることができる。
【０１８３】
図１９は、第１０実施形態に係る発光素子を示す側断面図で、図２０は、図１９の発光素子の平面図である。
【０１８４】
図１９に示すように、発光素子は、第１〜第３金属層１１１、１１３、１１５によってキャビティＡ１を形成する。前記第１及び第２金属層１１１、１１３は第３金属層１１５の両側に対応されるように配置され、前記第３金属層１１５の両側には図２０のように前記第１及び第２金属層１１１、１１３のベース部１１１Ａ、１１３Ａ、サイド部１１１Ｂ、１１３Ｂ、及び外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃを含む。前記第３金属層１１５はＺ軸方向に沿って第１及び第２金属層１１１、１１３と対応されることができる。
【０１８５】
前記第１及び第２金属層１１１、１１３のベース部１１１Ａ、１１３Ａは前記第３金属層１１５の上面と同一平面上に配置されることができる。
【０１８６】
前記第３金属層１１５と前記第１及び第２金属層１１１、１１３間の上面には 第６絶縁フィルム１２５Ｂが形成され、前記 第６絶縁フィルム１２５Ｂは図２０のように、Ｚ軸方向に配列される第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃまで延長され、リング形状を含む。
【０１８７】
前記第３金属層１１５の上には発光チップ１４１が搭載され、前記第１及び第２金属層１１１、１１３とワイヤ１５１、１５２で接続される。図１９の構造は図１２及び図１４の構造に適用して光遮断部を提供することができる。
【０１８８】
図２０のように、前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃは各方向すなわち、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に各々分離されて配置されることができる。これによって、前記第１及び第２金属層１１１、１１３の外枠部１１１Ｃ、１１３Ｃ間にはカッティングされる領域Ｃ１が各々配置される。
【０１８９】
図２１は、第１１実施形態に係る発光素子を示す側断面図である。
【０１９０】
図２１を参照すると、発光素子の第１金属層１１６と第２金属層１１７は光遮断部１１６Ａ、１１７Ａを含め、前記光遮断部１１６Ａ、１１７Ａは発光チップ１４５が搭載される面に対して垂直上方向に折曲されて互いに対向する形態に配置される。前記光遮断部１１６Ａ、１１７Ａの上端部１１６Ｂ、１１７Ｂは内側領域Ａ５に所定角度θ４で折曲される。光遮断部１１６Ａ、１１７Ａとその上端部１１６Ｂ、１１７Ｂの内角θ４は１００〜１７０゜の範囲に形成されることができる。
【０１９１】
これによって上端部１１６Ｂ、１１７Ｂ間の間隔Ｄ２は光遮断部１１６Ａ、１１７Ａ間の間隔Ｄ３より狭いため、発光チップ１４５から放出される光は前記上端部１１６Ｂ、１１７Ｂ間の領域Ａ５を介して樹脂層１６４の表面に放出される。
【０１９２】
前記発光素子は発光チップ１４５から放出される光の指向角分布を中央方向に集中させることができ、この場合樹脂層１６４の表面形状に応じて異なることができる。前記樹脂層１６４の表面は半球形状またはフラットな形状であるか、ラフな構造を有する形状を含むことができる。
【０１９３】
前記第１金属層１１６と前記第２金属層１１７の間には前記樹脂層１６４の一部１６４Ａが埋められることができ、前記樹脂層１６４の一部１６４Ａは前記第１金属層１１６と前記第２金属層１１７の対応側面に配置され、二つの金属層１１６、１１７を固定させる。
【０１９４】
前記第１金属層１１６と前記第２金属層１１７間の下面には 第４絶縁フィルム１２５が付着され、前記 第４絶縁フィルム１２５は第１金属層１１６と前記第２金属層１１７の下面に臨時に付着された後、前記樹脂層１６４の形成した後に除去されることができ、これに対して限定するものではない。
【０１９５】
前記各の実施形態の特徴は他の実施形態に選択的に適用されることができ、各の実施形態の特徴に限定しない。
＜発光チップ＞
実施形態に係る発光チップは図２２及び図２３を参照して、説明する。
【０１９６】
図２２を参照すると、発光チップ１４１は基板２１１、バッファ層２１２、第１導電型半導体層２１３、活性層２１４、第２導電型半導体層２１５、第１電極２１６、及び第２電極２１７を含む。前記第１導電型半導体層２１３、活性層２１４及び第２導電型半導体層２１５は発光構造物２１０で定義されることができる。
【０１９７】
前記基板２１１はサファイア基板（Ａｌ２Ｏ３）、ＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、導電性基板、そしてＧａＡｓなどからなる群から選択されることができる。前記基板２１１は成長基板であることができ、前記成長基板の上にはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体に成長されることができる。
【０１９８】
前記バッファ層２１２は前記基板２１１と半導体との格子定数差を緩和させるための層として、２族〜６族化合物半導体に形成されることができる。前記バッファ層２１２上にはドーピングされる３族−５族化合物半導体層がさらに形成されることができるが、これに対して限定するものではない。
【０１９９】
前記バッファ層２１２の上には第１導電型半導体層２１３が形成されて、前記第１導電型半導体層２１３の上には活性層２２４が形成され、前記活性層２２４上には第２導電型半導体層２１５が形成される。
【０２００】
前記第１導電型半導体層２１３は第１導電型ドーパントがドーピングされる３族−５族元素の化合物半導体例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどで選択されることができる。前記第１導電型がＮ型半導体である場合、前記第１導電型ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、ＴｅなどのようなＮ型ドーパントを含む。前記第１導電型半導体層２１４は単層または多層に形成されることができるが、これに対して限定するものではない。
【０２０１】
前記活性層２１４は単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、量子線構造、量子点構造に形成されることができる。前記活性層２１４は３族−５族元素の化合物半導体材料を利用して井戸層と障壁層の周期，例えばＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層またはＩｎＧａＮ井戸層／ＡｌＧａＮ障壁層の周期に形成されることができる。
【０２０２】
前記活性層２１４の上または／及び下には導電型クラッド層が形成されることができ、前記導電型クラッド層はＡｌＧａＮ系半導体に形成されることができる。
【０２０３】
前記活性層２１４上には前記第２導電型半導体層２１５が形成され、前記第２導電型半導体層２１５は第２導電型ドーパントがドーピングされる３族−５族元素の化合物半導体例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰなどから選択されることができる。前記第２導電型がＰ型半導体である場合、前記第２導電型ドーパントはＭｇ、ＺｅなどのようなＰ型ドーパントを含む。前記第２導電型半導体層２１５は単層または多層に形成されることができ、これに対して限定するものではない。
【０２０４】
また前記第２導電型半導体層２１５上には第３導電型半導体層例えば、Ｎ型半導体層が形成されることができる。前記発光構造物２３５はＮ−Ｐ接合、Ｐ−Ｎ接合、Ｎ−Ｐ−Ｎ接合、Ｐ−Ｎ−Ｐ接合構造のうち少なくとも一つが形成されることができる。
【０２０５】
前記第２導電型半導体層２１５上には電流拡散層が形成されることができ、前記電流拡散層はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などから選択的に形成されることができる。
【０２０６】
前記第１導電型半導体層２１３上には第１電極２１６が形成され、第２導電型半導体層２１５上には第２電極２１７が形成されることができる。
【０２０７】
前記第１電極２１６及び第２電極２１７はワイヤを介して図１に示すような金属層に接続されることができる。
【０２０８】
図２３は垂直型チップ構造を示す図面である。
【０２０９】
図２３を参照すると、発光チップ１４５は、発光素子２１０の下にオーミック層２２１が形成され、前記オーミック層２２１下に反射層２２４が形成され、前記反射層２２４下に伝導性支持部材２２５が形成され、前記反射層２２４と前記発光構造物２１０の縁に保護層２２３が形成されることができる。
【０２１０】
このような発光素子１４５は図２２の構造にて第１導電型半導体層２１３を露出するエッチング過程を行わなくて、第２導電型半導体層２１５上にオーミック層２２１及びチャネル層２２３、そして反射層２２５及び伝導性支持部材２２５を形成した後に、前記基板２１１及びバッファ層２１２を除去する方法で形成されることができる。
【０２１１】
前記オーミック層２２１は発光構造物２１０の下層例えば第２導電型半導体層２１５にオーミック接触され、その材料はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質うちから形成されることができる。また前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を利用して多層に形成でき、例えば、ＩＺＯ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することができる。前記オーミック層２２１内部は電極２１６と対応されるように電流をブロッキング（遮断）する層がさらに形成されることができる。
【０２１２】
前記保護層２２３はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｇａｌｌｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などから選択的に形成されることができる。前記保護層２２３はスパッタリング方法または蒸着方法などを利用して形成することができ、反射層２２４のような金属が発光構造物２１０の層を短絡させることを防止することができる。
【０２１３】
前記反射層２２４はＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ及びこれらの選択的な組合に構成される物質で形成されることができる。前記反射層２２４は前記発光構造物２１０の幅より大きく形成されることができ、これは光反射効率を改善させることができる。
【０２１４】
前記伝導性支持部材２２５はベース基板として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）、キャリアウエハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、Ｓｉｃなど）で具現されることができる。前記伝導性支持部材２２５と前記反射層２２４間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層は二つの層を互いに接合させることができる。
【０２１５】
上述の図２２及び図２３に開示される発光チップは一例であり、上述の開示される特徴に限定するものではない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形態に選択的に適用されることができ、これに対して限定するものではない。
＜照明システム＞
上述の開示される実施形態の発光素子は発光チップをパッケージングする構造として、ボードの上に複数個配置して発光モジュールや照明ユニットなどのような照明システムに提供されることができる。上述の実施形態のうち選択される発光素子を照明システムに適用されることができる。
【０２１６】
実施の形態に係る発光素子は、照明ユニットに適用されることができる。前記照明ユニットは複数の発光素子が配列される構造を含め、図２４及び図２５に示す表示装置、図２６に示す照明装置を含めて、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板などが含まれることができる。
【０２１７】
図２４は実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。
【０２１８】
図２４を参照すると、実施形態に係る表示装置１０００は導光板１０４１と、前記導光板１０４１に光を提供する発光モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と、前記導光板１０４１の上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１の上に表示パネル１０６１と、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１及び反射部材１０２２を格納するボトムカバー１０１１を含むことができるが、これに限定されるものではない。
【０２１９】
前記ボトムカバー１０１１、反射シート１０２２、導光板１０４１、光学シート１０５１は、照明ユニット１０５０と定義されうる。
【０２２０】
前記導光板１０４１は、光を拡散させて面光源化させる機能を果たす。前記導光板１０４１は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔａａｃｒｙｌａｔｅ）のようなアクリル樹脂系、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ  ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂のうち、何れか一つを含むことができる。
【０２２１】
前記発光モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。
【０２２２】
前記発光モジュール１０３１は少なくとも一つを含め、前記導光板１０４１の一側面から直接又は間接的に光を提供できる。前記発光モジュール１０３１は基板１０３３と上記の実施形態に係る発光素子１００とを含め、前記発光素子１００は前記基板１０３３上に所定間隔で配列されうる。
【０２２３】
前記基板１０３３は回路パターン（図示せず）を含む印刷回路ボード（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）でありうる。ただし、前記基板１０３３は一般ＰＣＢのみだけでなく、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、Ｍｅｔａｌ  Ｃｏｒｅ  ＰＣＢ）、フレキシブルＰＣＢ（ＦＰＣＢ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ＰＣＢ）などを含むこともでき、これに対して限定するものではない。前記発光素子１００は、前記ボトムカバー１０１１の側面又は放熱プレート上に搭載される場合、前記基板１０３３は除去されうる。ここで、前記放熱プレートの一部は、前記ボトムカバー１０１１の上面に接触されうる。
【０２２４】
そして、前記複数の発光素子１００は前記基板１０３３上に光が放出される出射面が前記導光板１０４１と所定距離が離隔されるように搭載されることができ、これに対して限定しない。前記発光素子１００は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接又は間接的に提供でき、これに対して限定しない。
【０２２５】
前記導光板１０４１下には、前記反射部材１０２２が配置されることができる。前記反射部材１０２２は、前記導光板１０４１の下面に入射された光を反射させて上に向かうようにすることによって、前記照明ユニット１０５０の輝度を向上させることができる。前記反射部材１０２２は、例えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどから形成されることができるが、これに対して限定しない。前記反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面でありえ、これに対して限定しない。
【０２２６】
前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、発光モジュール１０３１及び反射部材１０２２などを収納できる。このために、前記ボトムカバー１０１１は、上面が開口したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納簿１０１２が備えられることができ、これに対して限定しない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合されることができ、これに対して限定しない。
【０２２７】
前記ボトムカバー１０１１は、金属材質又は樹脂材質から形成されることができ、プレス成形又は圧出成形などの工程を利用して製造できる。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱導電性の良い金属又は非金属材料を含むことができ、これに対して限定しない。
【０２２８】
前記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルとして、互いに対向する透明な材質の第１及び第２基板、そして第１及び第２基板の間に介在された液晶層を含む。前記表示パネル１０６１の少なくとも一面には、偏光板が付着されることができ、このような偏光板の付着構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光により情報を表示するようになる。このような表示装置１０００は、各種携帯端末機、ノート型パーソナルコンピュータのモニター、ラップトップコンピュータのモニター、テレビなどに適用されることができる。
【０２２９】
前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平又は／及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。また前記表示パネル１０６１上には、保護シートが配置されることができ、これに対して限定しない。
【０２３０】
ここで、前記発光モジュール１０３１の光経路上には、光学部材として、前記導光板１０４１、及び光学シート１０５１を含むことができ、これに対して限定しない。
【０２３１】
図２５は、実施形態に係る表示装置を示した図である。
【０２３２】
図２５に示すように、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２、前記に開示された発光素子１００が配列される基板１１２０、光学部材１１５４、及び表示パネル１１５５を含む。
【０２３３】
前記基板１１２０と前記発光素子１００は、発光モジュール１０６０と定義できる。前記ボトムカバー１１５２、少なくとも一つの発光モジュール１０６０、光学部材１１５４は、ライトユニットと定義できる。
【０２３４】
前記ボトムカバー１１５２には、収納部１１５３を具備でき、これに対して限定しない。
【０２３５】
ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記導光板は、ＰＣ材質又はＰＭＭＡ（Ｐｏｌｙ  ｍｅｔｈｙ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）材質からなることができ、このような導光板は除去されることができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失される光を再使用して輝度を向上させる。
【０２３６】
前記光学部材１１５４は、前記発光モジュール１０６０上に配置され、前記発光モジュール１０６０から放出された光を面光源にするか、又は拡散、集光などを行うようになる。
【０２３７】
図２６は、実施形態に係る照明装置の斜視図である。
【０２３８】
図２６に示すように、照明装置１５００は、ケース１５１０と、前記ケース１５１０に設置された発光モジュール１５３０と、前記ケース１５１０に設置され外部電源から電源が提供される接続端子１５２０を含むことができる。
【０２３９】
前記ケース１５１０は、放熱特性が良好な材質から形成されることが好ましく、例えば金属材質又は樹脂材質から形成されることができる。
【０２４０】
前記発光モジュール１５３０は、基板１５３２と、前記基板１５３２に搭載される実施形態に係る発光素子１００とを含むことができる。前記発光素子１００は、複数がマトリックス状又は所定間隔で離隔されて配列されうる。
【０２４１】
前記基板１５３２は、絶縁体に回路パターンが印刷されたものであってもよく、例えば、一般の印刷回路ボード（ＰＣＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）、メタルコアＰＣＢ、フレキシブルＰＣＢ、セラミックＰＣＢなどがありうる。
【０２４２】
また、前記基板１５３２は、光を効率的に反射する材質から形成されるか、表面が光の効率的に反射されるカラー、例えば白色、銀色などのコーティング層からなりうる。
【０２４３】
前記基板１５３２上には、少なくとも一つの発光素子１００が搭載されることができる。前記発光素子１００の各々は、少なくとも一つの発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）チップを含むことができる。前記ＬＥＤチップは、赤色、緑色、青色または白色の有色の光を各々発光する有色の発光ダイオード及び紫外線（ＵＶ：Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）を発光するＵＶ発光ダイオードを含むことができる。
【０２４４】
前記発光モジュール１５３０は、色感及び輝度を得るために多様な発光素子１００の組合わせを有するように配置されることができる。例えば、高演色性（ＣＲＩ）を確保するために、白色発光ダイオード、赤色発光ダイオード及び緑色発光ダイオードを組み合わせて配置できる。
【０２４５】
前記接続端子１５２０は、前記発光モジュール１５３０と電気的に接続されて電源を供給できる。前記接続端子１５２０は、ソケット方式で外部電源にまわし挟まれて結合されるが、これに対して限定しない。例えば、前記接続端子１５２０は、ピン（ｐｉｎ）状に形成されて外部電源に挿入されるか、配線により外部電源に接続されることもできる。
【０２４６】
以上、実施の形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施の形態に含まれ、必ず一つの実施の形態にのみ限定されることではない。なお、各実施の形態にて例示された特徴、構造、効果などは、実施の形態が属する分野の通常の知識を有する者により、他の実施の形態に対しても組合又は変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関係された内容は、本発明の範囲に含まれるものと解析されなければならない。
【０２４７】
また、上述の実施形態を中心として説明したがこれは但し例示に過ぎなく本発明を限定するものでなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施形態の本質的な特性を外さない範囲で以上に例示されない多様な変形と応用が可能であることがわかる。例えば、実施形態に具体的に示した各の構成要素は変形して実施することができる。そしてこのような変形と応用にかかる差異点は添付の請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれることに解析されるべきである。
【符号の説明】
【０２４８】
１００：発光素子
１１１、１１３：金属層
１２１、１２２、１２３、１２５：絶縁フィルム
１３１：ガイド部材
１４１、１４５：発光チップ
１５１、１５２：ワイヤ
１６１、１６２、１６３、１６４：樹脂層
【図１】
0005906038.tif 000002
【図２】
0005906038.tif 000003
【図３】
0005906038.tif 000004
【図４】
0005906038.tif 000005
【図５】
0005906038.tif 000006
【図６】
0005906038.tif 000007
【図７】
0005906038.tif 000008
【図８】
0005906038.tif 000009
【図９】
0005906038.tif 000010
【図１０】
0005906038.tif 000011
【図１１】
0005906038.tif 000012
【図１２】
0005906038.tif 000013
【図１３】
0005906038.tif 000014
【図１４】
0005906038.tif 000015
【図１５】
0005906038.tif 000016
【図１６】
0005906038.tif 000017
【図１７】
0005906038.tif 000018
【図１８】
0005906038.tif 000019
【図１９】
0005906038.tif 000020
【図２０】
0005906038.tif 000021
【図２１】
0005906038.tif 000022
【図２２】
0005906038.tif 000023
【図２３】
0005906038.tif 000024
【図２４】
0005906038.tif 000025
【図２５】
0005906038.tif 000026
【図２６】
0005906038.tif 000027