(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持する保持手段と、
前記基板における前記樹脂のパターンを形成するインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、
前記インプリント領域に前記未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、
前記保持手段に対して前記インプリント領域を相対的に移動させる移動手段と、
前記保持手段、前記異物検査手段、前記塗布手段、及び前記移動手段の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記異物検査手段による検査位置、前記塗布手段による塗布位置、及び前記保持手段による押印位置のそれぞれに前記インプリント領域を移動可能であり、
前記制御手段は、前記移動手段により前記インプリント領域を前記塗布位置に移動させた後に当該移動方向とは反対の方向に移動させて前記インプリント領域を前記押印位置に位置させ、さらに、前記移動方向の切り替えにおける加速中または減速中に前記異物検査手段に対して前記インプリント領域の検査を実施させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記異物検査手段、前記保持手段、及び前記塗布手段は、同軸上に設置され、
前記制御手段は、前記塗布手段による前記未硬化樹脂の塗布の前に、前記検査を実施させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記異物検査手段は、前記同軸上で、前記保持手段と前記塗布手段との間に設置されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記移動方向に移動しながら減速している間に検査を実施させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記塗布手段は、前記異物検査手段と前記保持手段との間に設置され、
前記制御手段は、前記減速時における検査が終了した後、前記インプリント領域を前記移動方向とは反対の方向へ移動させて、加速時に、再度、前記インプリント領域の検査を実施させることを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記異物検査手段、及び前記塗布手段は、前記保持手段の設置位置を基準として、前記インプリント領域の移動方向と同軸上で、＋側と−側とにそれぞれ１つずつ設置され、
前記基板上に前記インプリント領域が複数ある場合には、
前記制御手段は、前記＋側に配置される第１異物検査手段、及び第２塗布手段と、前記−側に配置される第２異物検査手段、及び第２塗布手段とにより、前記複数のインプリント領域に対して交互に前記検査、及び前記樹脂の塗布を実施させることを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
【請求項７】
基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持する保持手段と、
前記基板における前記樹脂のパターンを形成するインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、
前記インプリント領域に前記未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、
前記保持手段に対して前記インプリント領域を相対的に移動させる移動手段と、
前記保持手段、前記異物検査手段、前記塗布手段、及び前記移動手段の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記異物検査手段による検査位置、前記塗布手段による塗布位置、及び前記保持手段による押印位置のそれぞれに前記インプリント領域を移動可能であり、
前記異物検査手段は、前記移動手段の移動と同期し、前記移動手段と同じタイミング、かつ、前記移動手段と異なる速度で平行に移動可能であり、
前記制御手段は、前記移動手段による前記インプリント領域の動きと連動させて、前記異物検査手段に対して前記インプリント領域の検査を実施させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持する保持手段と、
前記基板における前記樹脂のパターンを形成するインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、
前記インプリント領域に前記未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、
前記保持手段に対して前記インプリント領域を相対的に移動させる移動手段と、
前記保持手段、前記異物検査手段、前記塗布手段、及び前記移動手段の動作を制御する制御手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記異物検査手段による検査位置、前記塗布手段による塗布位置、及び前記保持手段による押印位置のそれぞれに前記インプリント領域を移動可能であり、
前記塗布手段は、前記保持手段の設置位置を基準として、前記インプリント領域の移動方向と同軸上に少なくとも１つ設置され、かつ、
前記異物検査手段、前記保持手段の設置位置を基準として、前記インプリント領域の移動方向とは直交する軸上に少なくとも１つ設置され、
前記基板上に前記インプリント領域が複数ある場合には、
前記制御手段は、前記複数のインプリント領域のうち、前記検査、及び前記樹脂の塗布が完了したインプリント領域に対して、前記保持手段により前記未硬化樹脂と前記モールドとを押し付けている間に、前記異物検査手段により、前記塗布手段による前記未硬化樹脂の塗布の前のインプリント領域に対して検査を実施させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項９】
前記異物検査手段は、前記保持手段に対して、前記インプリント領域の移動方向、又は該移動方向と直交する方向に単体で移動可能であることを特徴とする請求項８に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記異物検査手段が前記異物を検出した場合、
前記異物が存在する前記インプリント領域にて、前記樹脂の塗布、及び前記未硬化樹脂と前記モールドとを押し付けを回避する、
前記異物が存在する前記インプリント領域にて、前記樹脂の塗布を実施し、前記押し付けを回避する、又は、
前記基板上の全てのインプリント領域にて、前記樹脂の塗布、及び前記押し付けを停止する、
のいずれか１つを実行することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板を搭載して移動する移動手段と、
前記基板に前記未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、
前記基板の複数のインプリント領域のうちの第１インプリント領域に前記パターン面を接触させている間、または、前記第１インプリント領域に前記パターンを形成した後に、前記第１インプリント領域とは異なるインプリント領域に前記未硬化樹脂を塗布するために前記基板を移動している間に、前記第１インプリント領域とは異なるインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、を備え、
前記移動手段は、前記インプリント領域を塗布がなされる位置に移動させた後に当該移動方向とは反対の方向に移動させて前記インプリント領域を前記パターンの形成がなされる位置に位置させ、
前記異物検査手段は、前記移動方向の切り替えにおける加速中または減速中に検査をすることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加え、モールド（型）と基板上の未硬化樹脂とを互いに接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応する樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が存在する。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の一つとして、光硬化法がある。この光硬化法は、まず、基板上のショット領域（インプリント領域）に紫外線硬化樹脂（インプリント樹脂）を塗布する。次に、この樹脂（未硬化樹脂）とモールドとを互いに押し付ける。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで離型することにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。このインプリント技術を応用した方法として、例えば、特許文献１は、加工領域からはみ出した、はみ出し領域の樹脂層を容易に除去するインプリント方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−６００８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に示すような従来のインプリント方法（装置）において、インプリント領域に異物が存在すると、樹脂とモールドとの押し付けの際に異物を挟んでしまい、モールドに形成された凹凸パターンが破損する可能性がある。
【０００５】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、生産性の低下を抑えつつ、インプリント領域に存在する異物を効率良く検出するインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、モールドを保持する保持手段と、基板上にて樹脂のパターンを形成するインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、インプリント領域に未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、保持手段に対してインプリント領域を相対的に移動させる移動手段と、保持手段、異物検査手段、塗布手段、及び移動手段の動作を制御する制御手段とを備え、移動手段は、異物検査手段による検査位置、塗布手段による塗布位置、及び保持手段による押印位置のそれぞれにインプリント領域を移動可能であり、制御手段は、移動手段によりインプリント領域を塗布位置に移動させた後に当該移動方向とは反対の方向に移動させてインプリント領域を押印位置に位置させ、さらに、移動方向の切り替えにおける加速中または減速中に異物検査手段に対してインプリント領域の検査を実施させることを特徴とする。
【０００７】
更に、本発明は、基板に塗布された未硬化樹脂とモールドのパターン面とを接触させることによってパターンを形成するインプリント装置であって、基板を搭載して移動する移動手段と、基板に未硬化樹脂を塗布する塗布手段と、基板の複数のインプリント領域のうちの第１インプリント領域に前記パターン面を接触させている間、または、第１インプリント領域にパターンを形成した後に、第１インプリント領域とは異なるインプリント領域に未硬化樹脂を塗布するために基板を移動している間に、第１インプリント領域とは異なるインプリント領域に異物が存在するかどうかを検査する異物検査手段と、を備え、移動手段は、インプリント領域を塗布がなされる位置に移動させた後に当該移動方向とは反対の方向に移動させてインプリント領域を前記パターンの形成がなされる位置に位置させ、異物検査手段は、移動方向の切り替えにおける加速中または減速中に検査をすることを特徴とするインプリント装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、生産性の低下を抑えつつ、インプリント領域に存在する異物を効率良く検出するインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】従来の異物検査装置を示す概略図である。
【図３】第１実施形態に係るインプリント工程を示すフローチャートである。
【図４】図３の各工程に対応した各構成要素の動きを示す概略図である。
【図５】第２実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図６】第２実施形態に係るインプリント工程を示すフローチャートである。
【図７】図６の各工程に対応した各構成要素の動きを示す概略図である。
【図８】第４実施形態に係る各ショットへの樹脂の塗布状況を示す概略図である。
【図９】第４実施形態に係るウエハ上のショットのレイアウトを示す概略図である。
【図１０】第４実施形態に係るインプリント工程を示すフローチャートである。
【図１１】第５実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面等を参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態のインプリント装置の構成を示す概略図である。このインプリント装置は、半導体デバイス製造工程に使用される、被処理基板であるウエハ上（基板上）に対してモールドの凹凸パターンを転写する加工装置であり、インプリント技術の中でも光硬化法を採用した装置である。なお、以下の各図において、モールドに対する紫外線の照射軸と平行にＺ軸（鉛直方向）を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で後述のモールド保持装置を基準としてウエハステージが移動する方向にＸ軸（水平方向）を取り、Ｘ軸に直交する方向にＹ軸を取って説明する。本実施形態のインプリント装置１は、まず、照明系ユニット２と、モールド保持装置４と、ウエハステージ６と、塗布装置７と、異物検査装置８と、制御装置９とを備える。
【００１２】
照明系ユニット２は、インプリント処理の際に、モールド３に対して紫外線１０を照射する照明手段である。この照明系ユニット２は、不図示であるが、光源と、該光源から射出された紫外線１０をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学素子から構成される。モールド３は、ウエハ５への対向面に、所定の凹凸パターン（例えば、回路パターン）が３次元状に形成された型材である。凹凸パターンのパターン面は、ウエハ５の表面との密着性を保つために、高平面度に加工されている。なお、モールド３の材質は、石英等、紫外線を透過させることが可能な材料である。
【００１３】
モールド保持装置４は、モールド３を保持し、ウエハ５上に塗布された紫外線硬化樹脂にモールド３のパターン面を押し付ける（接触させる）保持手段（押印手段）である。モールド保持装置４は、吸着力や静電力によりモールド３を引きつけて保持するモールドベース（保持部）１１と、該モールドベース１１を駆動する不図示のベース駆動機構とを備える。ベース駆動機構は、押印動作のためにモールドベース１１をＺ軸方向に駆動する駆動系である。この駆動機構に採用するアクチュエーターは、特に限定するものではなく、リニアモーターやエアシリンダー等が採用可能である。なお、本実施形態のインプリント装置１では、固定されたウエハ５上の紫外線硬化樹脂に対してモールド３を押し付ける構成としているが、これとは反対に、固定されたモールド３に対してウエハ５上の紫外線硬化樹脂を押し付ける構成もあり得る。この場合、後述するウエハステージ６が押印手段となる。
【００１４】
ウエハ５は、例えば、単結晶シリコンからなる被処理基板であり、被処理面には、成形部となる紫外線硬化樹脂（以下、単に「樹脂」と表記する）が塗布される。また、ウエハステージ６は、ウエハ５を真空吸着により保持（搭載）し、かつ、ＸＹ平面内でモールド保持装置４に対して相対的に移動可能な基板保持手段（移動手段）である。このウエハステージ６は、不図示であるが、ウエハ５を直接保持する補助部材（チャック）と、該補助部材を駆動するためのアクチュエーターとを備える。また、ウエハステージ６は、パターンの重ね合せのための精密な位置決めだけではなく、ウエハ５の表面の姿勢を調整する不図示の機構をも有し、上記アクチュエーターの駆動と併せ、位置決め手段１２により制御される。
【００１５】
塗布装置７は、ウエハ５上に紫外線硬化樹脂を塗布する塗布手段であり、本実施形態では、ウエハステージ６の移動方向において、モールド保持装置４を基準としてＸ軸上の＋側と−側との２箇所に設置される。紫外線硬化樹脂は、紫外線を受光することにより硬化する性質を有する光硬化樹脂（インプリント樹脂）であり、製造する半導体デバイスの種類により適宜選択される。以下、簡単化のために、紫外線硬化樹脂を単に「樹脂」と表記し、紫外線照射前の未硬化の状態の樹脂を「未硬化樹脂」と表記する。ここで、樹脂は、揮発性が高く、一般に１〜数ショット（インプリント領域）毎に塗布されるので、塗布装置７は、モールドベース１１付近に設置し、可能な限りウエハステージ６の移動距離を短くする。なお、塗布装置７の設置台数は、デバイスの生産性を向上させるために、図１に示すように複数としているが、十分に生産性を満たすのであれば、少なくとも１つ配置すればよい。
【００１６】
異物検査装置８は、ウエハ５上に異物が存在（付着）しているかどうかを検査する異物検査手段である。この異物検査装置８は、不図示であるが、ウエハ５のショットに向けて光を照射する照明系と、ショットからの散乱光を受光する検出系とを備える。また、異物検査装置８は、ウエハステージ６の移動方向において、モールド保持装置４と、該モールド保持装置４を基準としてＸ軸上の＋側と−側との２箇所に設置された塗布装置７との間のそれぞれ２箇所に設置される。なお、異物検査装置８による異物検査の作用については後述する。また、異物検査装置８の構成は、これに限らず、例えば、ＣＣＤセンサー等を採用し、ショットを撮影することで異物検査を実施する撮像装置も適用可能である。
【００１７】
制御装置９は、インプリント装置１の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。制御装置９は、インプリント装置１の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、及びシーケンサ等で構成され、プログラム、若しくはシーケンスにより、各構成要素の制御を実行する。なお、制御装置９は、インプリント装置１と一体で構成しても良いし、若しくは、インプリント装置１とは別の場所に設置し、遠隔で制御する構成としても良い。
【００１８】
次に、本実施形態の特徴となる、異物検査装置８を用いてウエハ５上のインプリント領域に存在する異物を検出する異物検査工程を含むインプリント方法について説明する。図２は、異物検査装置を示す概略図である。異物検査装置６０は、ウエハ６１のショットに向けて光を照射する照明系６２と、ショットからの散乱光を受光する検出系６３とを備える。ここで、照明系６２が光を照射し、ショットに異物が存在しない場合には、ショットに入射する入射光は、ウエハ６１の表面上で正反射するので、検出系６３は、反射光を受光しない。これに対して、図２に示すように、ショットに異物６４が存在する場合には、入射光が異物６４にて散乱するため、正反射角度以外でも光を反射する。したがって、検出系６３は、この散乱光を受光することで異物６４を検出する。なお、複数のショットにおける画像又は信号を比較することで、異物検査装置がこの相違点から異物の存在を判断してもよい。本実施形態のインプリント装置１では、異物検査装置８は、押印工程と塗布工程との間でウエハステージ６の移動と連動させて、好適には１ショットずつ異物検査を実施する。これにより、モールドとウエハ６１上の樹脂と押し付ける押印工程の前にウエハ６１の表面全面にて行う場合に比べて検査時間を短くできる。また、異物検査工程と押印工程との間の時間を短くできるため、新たに異物が付着する可能性が低くなる。
【００１９】
図３は、本実施形態のインプリント工程の流れを示すフローチャートである。また、図４は、図３に示すインプリント工程の各工程に対応したインプリント装置１の各構成要素の動きを示す概略図である。ここで、制御装置９は、前のショット（第１ショット）に対する第１インプリント工程（ステップＳ１００）が終了したウエハ５上の次のショット（第２ショット１５）にて第２インプリント工程を実行する。この場合、まず、制御装置９は、第２ショット１５に対して樹脂を塗布するために、図４（ａ）に示すように、第１塗布装置７ａの塗布位置に第２ショット１５が位置するように、Ｘ方向＋側から−側へウエハステージ６を駆動する（ステップＳ１０１）。このとき、第２ショット１５は、図４（ｂ）に示すように、モールド３と第１塗布装置７ａとの間に位置する第１異物検査装置８ａの検査位置を通過する。そこで、制御装置９は、第１異物検査装置８ａに対して第２ショット１５の表面上の異物検査を実施させる（異物検査工程：ステップＳ１０２）。ここで、制御装置９は、第１異物検査装置８ａによる検査結果に基づいて、第２ショット１５の表面上に異物があるかどうかを判定する（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３にて、制御装置９は、異物が存在しないと判断した場合（Ｎｏ）、図４（ｃ）に示すようにそのままウエハステージ６の駆動を続け、第１塗布装置７ａの塗布位置に第２ショット１５を位置させて樹脂を塗布させる（塗布工程：ステップＳ１０４）。次に、制御装置９は、モールド３の押印位置に第２ショット１５が位置するように、Ｘ方向−側から＋側へウエハステージ６を駆動する（ステップＳ１０５）。そして、制御装置９は、第２ショット１５に対して押印工程を実行し、樹脂を硬化させた後、離型工程を実行し（ステップＳ１０６）、第２インプリント工程を終了する（ステップＳ１０７）。
【００２０】
一方、ステップＳ１０３にて、制御装置９は、第２ショット１５の表面上に異物が存在すると判断した場合（Ｙｅｓ）、通常の塗布及び押印工程を回避する回避工程に移行する（ステップＳ１０８）。この回避工程では、例えば、制御装置９は、第２ショット１５に対して塗布及び押印工程を行わず、第２インプリント工程を終了する。これにより、ウエハ５の表面上に異物が存在したままの押印動作を回避することができるので、モールド３に形成された凹凸パターンの破壊を抑止することができる。
【００２１】
なお、ステップＳ１０８における回避工程では、上記の他、例えば、制御装置９は、第２ショット１５に対して塗布工程のみを実行する方法もある。即ち、半導体デバイスの製造工程に含まれるエッチング工程等の後工程を考慮すると、異物が存在する第２ショット１５のみにインプリント工程を実施しない場合、正常にインプリント工程を実施した他のショットの構造との差異が発生する。そこで、この回避工程において、制御装置９は、第２ショット１５の一面に樹脂を塗布させる塗布工程のみを実行することで、この差異を減らすことができる。その他、この回避工程において、例えば、制御装置９は、後の全てのインプリント工程を停止するという方法もある。この場合、一旦全てのインプリント工程を停止することで、異物が付着した原因等を特定し、その原因を取り除くことで、新たにインプリント工程を実施することができる。
【００２２】
この図３及び４に示すインプリント工程を、本実施形態のインプリント装置１は、複数のショットに対して順次、第１塗布装置７ａ及び第１異物検査装置８ａと、これらに対向する第２塗布装置７ｂ及び第２異物検査装置８ｂとで交互に実施する。即ち、例えば、上記第２ショット１５に対する第２インプリント工程では、ステップＳ１０５における押印工程への移行の際、ウエハステージ６は、Ｘ方向−側から＋側へ移動する。したがって、次の第３ショット（不図示）にインプリント工程を実施する際には、制御装置９は、そのままウエハステージ６をＸ方向−側から＋側へ移動させて、第２塗布装置７ｂ及び第２異物検査装置８ｂを利用して、第３インプリント工程を実行する。これにより、インプリント装置１は、複数のショットに対する個々のインプリント工程をウエハステージ６の移動方向に合わせて平行に実施するので、生産性を低下させることがない。
【００２３】
以上のように、本実施形態のインプリント装置１によれば、生産性を低下させることなく、インプリント領域に存在する異物を効率良く検出することができる。
【００２４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント装置について説明する。図５は、本実施形態のインプリント装置２０の構成を示す概略図である。なお、図５において、図１のインプリント装置１と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。このインプリント装置２０の特徴は、塗布装置７と異物検査装置８とを、第１実施形態では、モールド保持装置４から順に、異物検査装置８、塗布装置７と配置するのに対して、これとは逆に、塗布装置２１を挟んで異物検査装置２２を配置する点にある。
【００２５】
図６は、本実施形態のインプリント工程の流れを示すフローチャートである。また、図７は、図６に示すインプリント工程の各工程に対応したインプリント装置２０の各構成要素の動きを示す概略図である。この場合も、制御装置９は、前のショット（第１ショット）に対する第１インプリント工程（ステップＳ２００）が終了したウエハ５上の次のショット（第２ショット２５）にて第２インプリント工程を実行する。まず、制御装置９は、第２ショット２５に対して樹脂を塗布するために、図７（ａ）に示すように、第１塗布装置２１ａの塗布位置に向けて、Ｘ方向＋側から−側へウエハステージ６を駆動する（ステップＳ２０１）。ここで、制御装置９は、図７（ｂ）に示すように、第２ショット２５が第１塗布装置２１ａの塗布位置に位置しても、そのままウエハステージ６を移動させる。そして、制御装置９は、第２ショット２５を、その先に配置された第１異物検査装置２２ａの検査位置を通過させて、第１異物検査装置２２ａに対して第２ショット２５の表面上の第１回目の異物検査を実施させる（第１異物検査工程：ステップＳ２０２）。ここで、制御装置９は、第１異物検査装置２２ａによる第１回目の検査結果に基づいて、第２ショット２５の表面上に異物があるかどうかを判定する（ステップＳ２０３）。このステップＳ２０３にて、制御装置９は、異物が存在しないと判断した場合（Ｎｏ）、図７（ｃ）に示すように、これまでの移動方向とは反対にＸ方向−側から＋側へウエハステージ６を駆動する。そして、制御装置９は、第２ショット２５を、その先に配置された第１異物検査装置２２ａの検査位置を通過させて、第１異物検査装置２２ａに対して第２ショット２５の表面上の第２回目の異物検査を実施させる（第２異物検査工程：ステップＳ２０４）。ここで、制御装置９は、第１異物検査装置２２ａによる第２回目の検査結果に基づいて、第２ショット２５の表面上に異物があるかどうかを判定する（ステップＳ２０５）。ステップＳ２０５にて、制御装置９は、異物が存在しないと判断した場合（Ｎｏ）、図７（ｄ）に示すようにそのままウエハステージ６の駆動を続け、第１塗布装置２１ａの塗布位置に第２ショット２５を位置させて樹脂を塗布する（塗布工程：ステップＳ２０６）。次に、制御装置９は、モールド３の押印位置に第２ショット２５が位置するように、そのままウエハステージ６を駆動する（ステップＳ２０７）。そして、制御装置９は、第２ショット２５に対して押印工程を実行し、樹脂を硬化させた後、離型工程を実行し（ステップＳ２０８）、第２インプリント工程を終了する（ステップＳ２０９）。
【００２６】
一方、ステップＳ２０３、及び２０５のいずれかにおいて、制御装置９は、第２ショット２５の表面上に異物が存在すると判断した場合（Ｙｅｓ）、通常の塗布及び押印工程を回避する回避工程に移行する（ステップＳ２１０）。この回避工程の内容は、第１実施形態におけるステップＳ１０８における回避工程と同様である。また、この図６及び７に示すインプリント工程を、複数のショットに対して順次、各塗布装置２１及び各異物検査装置２２にて交互に実施することも、第１実施形態と同様である。
【００２７】
このように、本実施形態のインプリント装置２０によれば、第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、異物検査装置２２は、１つのインプリント工程において、同じショットに対して２回異物検査を実施するので、異物検査の精度を向上させることができる。
【００２８】
なお、本実施形態では、異物検査装置２２による２回の異物検査は、ウエハステージ６の加減速中での計測となるため、その検査結果に考慮を要する。即ち、異物検査装置２２が同じ粒径の異物を同じ時間で計測したと仮定すると、ウエハステージ６の移動速度が速い場合は、散乱光の受光量が少なく、一方、移動速度が遅い場合は、受光量が多くなる。したがって、制御装置９は、異物の有無の判定には、ウエハステージ６の移動速度に応じた補正値を加味し出力する。但し、本実施形態における異物検査装置２２の設置位置は、ウエハステージ６の折り返し移動地点にあり、これにより、ウエハステージ６の移動速度が一旦低下するので、異物検査を精度良く行うには有利である。
【００２９】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置では、上記実施形態に示す異物検査装置８（２２）が、ウエハステージ６の移動方向に合わせて、この移動方向と平行に移動可能である点にある。近年、更に生産性を向上させるために、ウエハステージ６の移動速度は、高速化が進んでいる。したがって、異物検査装置８を固定したままでは、その検出位置を通過するウエハ５の移動速度が速すぎて、異物を検出不能、又は検出精度が劣化する場合も考えられる。そこで、本実施形態では、ウエハステージ６の移動に対して異物検査装置８を同期させ、それぞれ同じタイミングで異なる速度で平行に移動させることで相対速度を低下させる。これにより、異物検査装置８による異物検査の精度を向上させることができる。
【００３０】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係るインプリント装置について説明する。図８は、本実施形態のインプリント装置による各ショットへの樹脂の塗布状況を示す概略図である。図８において、ウエハ５の各ショットに付した英字は、後述の図９に示す各ショットに対応する。また、各ショットの表面上において、記載がないものは「未処理ショット」、黒丸が記載されたものは「樹脂塗布済みショット」、及び、黒三角が記載されたものは「インプリント工程済みショット」をそれぞれ示す。なお、図８に示すインプリント装置の構成は、説明のために、上記第２実施形態のインプリント装置２０と同一構成とするが、例えば、第１実施形態のインプリント装置１と同一構成でもよい。また、図９は、ウエハ５上のショットのレイアウトを示す概略図である。本実施形態では、図９に示すように、ウエハ５のほぼ中心に位置するショットから、ウエハステージ６の移動方向に合わせて左右に領域を分割して考える。そして、左側の第１領域Ｌに配置される一列の複数のショットをウエハ５の外周部のものから順に、ＳＡ、ＳＢ、ＳＣと設定し、一方、右側の第２領域Ｒに配置される同列の複数のショットをウエハ５の内周部のものから順に、ＳＡ´、ＳＢ´、ＳＣ´と設定する。その上で、本実施形態のインプリント装置の特徴は、あるショットに対する押印工程、硬化工程、または離型工程を含むインプリント工程を実施している間に、別のショットに対する異物検査工程を実施する点にある。
【００３１】
図１０は、本実施形態のインプリント工程の流れを示すフローチャートである。まず、制御装置９は、予め樹脂が塗布されたショット（第１インプリント領域）ＳＡ´に対してインプリント工程を実行する（ステップＳ３０１Ａ）。このとき、制御装置９は、図８（ａ）に示すように、ショットＳＡ´へのインプリント工程と平行して、第１異物検査装置２２ａにより、ショットＳＡの表面上の異物検査を実行する（ステップＳ３０１Ｂ）。次に、制御装置９は、Ｘ方向−側から＋側へウエハステージ６を駆動させ、第１塗布装置２１ａにて、異物検査が終了したショットＳＡに樹脂を塗布する（ステップＳ３０２Ｂ）。次に、制御装置９は、再度、Ｘ方向−側から＋側へウエハステージ６を駆動させてショットＳＡを押印位置に合わせ、ショットＳＡに対するインプリント工程を実行する（ステップＳ３０３Ａ）。このとき、制御装置９は、図８（ｂ）に示すように、ショットＳＡへのインプリント工程と平行して、第２異物検査装置２２ｂにより、ショットＳＢ´の表面上の異物検査を実行する（ステップＳ３０３Ｃ）。次に、制御装置９は、Ｘ方向＋側から−側へウエハステージ６を駆動させ、第２塗布装置２１ｂにて、異物検査が終了したショットＳＢ´に樹脂を塗布する（ステップＳ３０４Ｃ）。次に、制御装置９は、再度、Ｘ方向＋側から−側へウエハステージ６を駆動させてショットＳＢ´を押印位置に合わせ、ショットＳＢ´に対するインプリント工程を実行する（ステップＳ３０５Ａ）。以降、制御装置９は、ステップＳ３０５Ｂ、ステップＳ３０６Ｂと、上記のインプリント工程を所望のショット数に合わせて繰り返す。なお、本実施形態では、各異物検査装置２２ａ、２２ｂは、第３実施形態と同様に、ウエハステージ６の移動に対して同期して平行移動しつつ、異物検査を実施することが望ましい。また、例えば、モールド保持装置４（モールドベース１１）の大きさや、モールド３と塗布装置２１、及び異物検査装置２２の各相対位置に起因して、上記インプリント工程において異物検査ができないショットが存在する場合もある。しかしながら、このようなショットの数は、全ショット数よりも十分に少ないので、予めこのインプリント工程とは別に異物検査を実施することで対応可能である。
【００３２】
このように、本実施形態のインプリント装置によれば、あるショットに対するインプリント工程を実施している間に、別の未処理ショットに対する異物検査工程を実施する。この場合のインプリント工程、すなわちモールド３のパターン面と樹脂とが接触した状態を含む工程では、ウエハステージ６は、停止している。しかしながら、このインプリント工程を繰り返す複数のショットに対する一連の動作で見れば、本実施形態の異物検査工程もウエハステージ６の移動と連動した流れで実施されることになる。したがって、上記実施形態の効果において、更に生産性の向上に有利となる。
【００３３】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１１は、本実施形態のインプリント装置３０の構成を示す概略図である。特に、図１１（ａ）及び１１（ｂ）は、Ｚ方向上面から見た平面図である。上記実施形態では、塗布装置と異物検査装置とのそれぞれを、モールド保持装置４を基準としてウエハステージ６の移動方向の同軸上に設置する。これに対して、本実施形態のインプリント装置３０の特徴は、モールド保持装置４を基準として、塗布装置３１をウエハステージ６の移動方向と同軸のＸ軸上に設置し、一方、異物検査装置３２をウエハステージ６の移動方向と直交するＹ軸上に設置する。なお、インプリント装置３０のその他の構成は、第１実施形態と同一であるので、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３４】
ここで、２箇所に設置された異物検査装置３２ａ、３２ｂは、通常、モールド保持装置４と一体で（同期して）移動するが、この同期移動とは別に、移動方向（Ｘ方向）と、直交する方向（Ｙ方向）とにも単体で移動可能とする。この異物検査装置３２は、図１１に示すように、計測範囲（計測長さ）を適宜変更することも可能である。即ち、例えば、図１１（ａ）に示すように、異物検査装置３２の計測範囲をＹ方向に沿って長くなるように設定すると、Ｘ方向に対してスキャン計測するのに効率的である。また、この場合、異物検査装置３２をＹ方向に適宜移動させることで、検査対象となるショットの列を変更し、ショットのレイアウトに合わせた検査列の最適化が可能となる。一方、図１１（ｂ）に示すように、異物検査装置３２の計測範囲をＸ方向に沿って長くなるように設定すると、Ｙ方向に対してスキャン計測するのに効率的である。この場合も、図１１（ａ）の説明とは逆に、異物検査装置３２をＸ方向に適宜移動させることで、ショットのレイアウトに合わせた検査列の最適化が可能となる。
【００３５】
次に、異物検査時のウエハ５に対するモールド保持装置４と異物検査装置３２との動きについて詳説する。図１１（ｃ）は、モールド保持装置４と異物検査装置３２との動きを示す平面図である。なお、インプリント装置３０の構成としては、図１１（ａ）を採用するものとする。ここで、インプリント装置３０は、黒く塗りつぶしたショット３３に対して押印工程を実施していると仮定する。このとき、モールド３の凹凸パターンに樹脂が充填されるのには、比較的長い時間を要する。そこで、２つの異物検査装置３２ａ、３２ｂは、この間にそれぞれＸ方向にスキャン計測し、各検査列のショット上に異物がないかどうかを検査する。そして、インプリント装置３０は、ショット３３の列に対してインプリント工程を完了させると、既に異物検査が終了した別の検査列に対してインプリント工程を実施する。なお、例えば、異物検査装置３２の計測範囲が、複数の列に掛かるほど広ければ、異物検査装置３２は、同時に複数の列を検査してもよい。また、樹脂の充填時間に更に余裕があれば、異物検査装置３２は、Ｙ方向に移動し、検査列を自ら変更して異物検査を継続してもよい。このように、本実施形態のインプリント装置３０によれば、複数のショット列に対してインプリント工程と、異物検査工程とを平行して実施するので、上記実施形態の効果において、更に生産性の向上に有利となる。
【００３６】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１    インプリント装置
３    モールド
４    モールド保持装置
５    ウエハ
６    ウエハステージ
７ａ  第１塗布装置
７ｂ  第２塗布装置
８ａ  第１異物検査装置
８ｂ  第２異物検査装置
９    制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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