(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の端子における一方の端子に供給された基準電圧の大きさと前記一対の端子における他方の端子に供給されると共に出力端に接続された容量性負荷に対して並列に接続された分圧器によって分圧された電圧の大きさとの差に応じた大きさの電圧を前記出力端から出力する差動増幅回路と、
前記出力端の出力レベルを所定レベルに到達させる場合、前記出力レベルを複数回切り替えて前記所定レベルに到達させるように前記分圧器を制御する制御手段と、
を含む増幅器。
【請求項２】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御する請求項１に記載の増幅器。
【請求項３】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に前記出力レベルの上昇量を大きくするように前記分圧器を制御する請求項２に記載の増幅器。
【請求項４】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に、前記分圧器によって分圧された電圧が前記他方の端子に供給される時間を長くするように前記分圧器を制御する請求項２又は請求項３に記載の増幅器。
【請求項５】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御する請求項１に記載の増幅器。
【請求項６】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に前記出力レベルの下降量を大きくするように前記分圧器を制御する請求項５に記載の増幅器。
【請求項７】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に、前記分圧器によって分圧された電圧が前記他方の端子に供給される時間を長くするように前記分圧器を制御する請求項５又は請求項６に記載の増幅器。
【請求項８】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御し、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御する請求項１に記載の増幅器。
【請求項９】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に前記出力レベルの上昇量を大きくするように前記分圧器を制御し、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に前記出力レベルの下降量を大きくするように前記分圧器を制御する請求項８に記載の増幅器。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに上昇させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに上昇させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に、前記分圧器によって分圧された電圧が前記他方の端子に供給される時間を長くするように前記分圧器を制御し、前記出力端の出力レベルを所定レベルに下降させる場合、前記出力端の出力レベルを多段階的に前記所定レベルに下降させるように前記分圧器を制御すると共に、段階を追う毎に、前記分圧器によって分圧された電圧が前記他方の端子に供給される時間を長くするように前記分圧器を制御する請求項８又は請求項９に記載の増幅器。
【請求項１１】
前記分圧器は、前記容量性負荷に対して並列に接続された複数の抵抗器であって、直列に接続された複数の抵抗器と、前記複数の抵抗器のうちの隣接する抵抗器間の接続点に各々接続され、かつ、並列に接続された複数のスイッチと、を有し、
前記制御手段は、前記出力端の出力レベルを所定レベルに到達させる場合、前記出力レベルを複数回切り替えて前記所定レベルに到達させるように前記複数のスイッチを選択的に制御し、
前記複数のスイッチのうちの前記制御手段の制御に従ってオフされるスイッチがオフされる時間は、前記容量性負荷の放電時間よりも短い時間であって、前記制御手段の制御に従って前記容量性負荷の充電を進めることが可能な時間として予め定められた時間である請求項１から請求項１０の何れか１項に記載の増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、出力電圧が定常状態から所定の電圧に上昇した場合に補助バイアス電圧を発生させることにより出力電圧のオーバーシュートを抑制する差動増幅回路が開示されている。なお、オーバーシュートとは、出力端において意図する電圧値を瞬間的に超過する現象を言う。
【０００３】
しかし、特許文献１に記載の技術は、補助バイアス電圧を発生させる複数の素子を差動増幅回路に挿入しなければならないため、差動増幅回路の規模が大きくなってしまう上、出力レベルの出力負荷電流依存も大きくなるという問題点があった。
【０００４】
これに対し、特許文献２に記載の差動増幅回路は、補助バイアス電圧を発生させるための素子を挿入することによる回路の大型化が生じない構成とされている。すなわち、出力電圧を安定化させるために出力端子に接続された容量性負荷に対して並列接続された可変抵抗器によって出力電圧の一部を分圧してフィードバックし、出力電圧を調整している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５３７８３号公報
【特許文献２】特開２００５−１５７５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、出力電圧の一部を単にフィードバックしたところで可変抵抗器の抵抗値の切替速度や切替による抵抗値の変化量次第ではオーバーシュートが解消されない場合もある、という問題点があった。例えば図９には、差動増幅回路の出力端の電圧値として意図する電圧値（要望の電圧値）を１．８Ｖとした場合のオーバーシュートの例が示されており、この例では、可変抵抗器の抵抗値を突然大きく変化させたことで、意図する電圧値の１．８Ｖを瞬間的に０．０５Ｖ程度オーバーシュートしてしまっている。なお、ここまでオーバーシュートを例に挙げたが、これに限らず、アンダーシュートについても同様の問題点が存在している。ここで言う「アンダーシュート」とは、出力端において意図する電圧値を瞬間的に下回る現象を言う。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、出力レベルを切り替えた際に、出力レベルを所定レベルに高精度に到達させることができる増幅器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の増幅器を、一対の端子における一方の端子に供給された基準電圧の大きさと前記一対の端子における他方の端子に供給されると共に出力端に接続された容量性負荷に対して並列に接続された分圧器によって分圧された電圧の大きさとの差に応じた大きさの電圧を前記出力端から出力する差動増幅回路と、前記出力端の出力レベルを所定レベルに到達させる場合、前記出力レベルを複数回切り替えて前記所定レベルに到達させるように前記分圧器を制御する制御手段と、を含んで構成した。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、出力レベルを切り替えた際に、出力レベルを所定レベルに高精度に到達させることができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態に係る増幅器の構成の一例を示す構成図である。
【図２】実施の形態に係る増幅器に含まれる分圧器の構成の一例を示す構成図である。
【図３】実施の形態に係る増幅器の出力端における電圧値の時間変化の一例（その１）を示すグラフである。
【図４】実施の形態に係る増幅器の出力端における電圧値の時間変化の一例（その２）を示すグラフである。
【図５】実施の形態に係る増幅器の出力端における電圧値の時間変化の一例（その３）を示すグラフである。
【図６】実施の形態に係る増幅器に含まれる分圧器によって分圧された電圧（供給電圧）と供給時間との関係の一例（その１）を示すグラフである。
【図７】実施の形態に係る増幅器に含まれる分圧器によって分圧された電圧（供給電圧）と供給時間との関係の一例（その２）を示すグラフである。
【図８】実施の形態に係る増幅器に含まれる分圧器によって分圧された電圧（供給電圧）と供給時間との関係の一例（その３）を示すグラフである。
【図９】従来の問題点の説明に供するグラフであって、増幅器の出力端における電圧値の時間変化の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態例について詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態に係る増幅器１０の構成の一例を示す構成図である。図１に示すように、増幅器１０は、差動増幅回路１２及び制御部１４を含んで構成されており、これらが１チップ化された半導体装置とされている。差動増幅器１２は、駆動用電圧が供給される駆動用電圧端子ＶＤＤ及び駆動用電圧の大きさよりも小さな電圧（一例として接地電圧）が供給される接地電圧端子ＧＮＤを含んで構成されている。また、差動増幅回路１２は、Ｐチャネル型電界効果トランジスタ（以下、「ＰＭＯＳトランジスタ」という。）１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ、Ｎチャネル型電界効果トランジスタ（以下、「ＮＭＯＳトランジスタ」という。）１２Ｅ，１２Ｆ，１２Ｇ、定電流回路１２Ｈ、抵抗器１２Ｊ、分圧器１２Ｋ、容量性負荷の一例であるコンデンサ１２Ｌ、出力端１２Ｍを含んで構成されている。
【００１３】
ＰＭＯＳトランジスタ１２Ａは、駆動用電圧端子ＶＤＤが接続されたソースと、ダイオード接続されたドレイン及びゲートと、を備えている。ＮＭＯＳトランジスタ１２Ｅは、大きさが固定された固定電圧が供給されるゲートと、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ａのドレインが接続されたドレインと、定電流回路１２Ｈを介して接地電圧端子ＧＮＤに接続されたソースと、を備えている。ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｂは、駆動用電圧端子ＶＤＤが接続されたソースと、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ａのゲートが接続されたゲートと、ソースに流入した電流を流出可能なドレインと、を備えている。ＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆは、分圧器１２Ｋによって分圧された電圧が供給されるゲートと、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｂのドレインが接続されたドレインと、ＮＭＯＳトランジスタ１２Ｅのソースが接続されたソースと、を備えている。
【００１４】
ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｃは、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｂのドレインが接続されたゲートと、駆動用電圧端子ＶＤＤが接続されたソースと、ソースに流入した電流を流出可能なドレインと、を備えている。ＮＭＯＳトランジスタ１２Ｇは、予め定められた電圧が供給されるゲートと、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｃのドレインが接続されたドレインと、接地電圧端子ＧＮＤが接続されたソースと、を備えている。
【００１５】
ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｄは、基準電圧端子ＶＤＤが接続されたソースと、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｃのドレインが接続されたゲートと、出力端１２Ｍに接続されたドレインと、を備えている。
【００１６】
抵抗器１２Ｊは、ＰＭＯＳトランジスタ１２Ｄに直列に接続されている。すなわち、抵抗器１２Ｊの一端は出力端１２Ｍに接続されており、抵抗器１２Ｊの他端は接地電圧端子ＧＮＤに接続されている。
【００１７】
コンデンサ１２Ｌは、出力端１２Ｍに接続されている。すなわち、コンデンサ１２Ｌの一方の電極は出力端１２Ｍに接続されており、コンデンンサ１２Ｌの他方の電極は接地電圧端子ＧＮＤに接続されている。
【００１８】
分圧器１２Ｋは、コンデンサ１２Ｌに並列に接続されており、出力端１２Ｍを分圧するものである。すなわち、分圧器１２Ｋの一端は出力端１２Ｍに接続されており、分圧器１２Ｋの他端は接地電圧端子ＧＮＤに接続されている。
【００１９】
制御部１４は、分圧器１２Ｋの作動を制御するものである。すなわち、分圧器１２Ｋによって分圧されて取り出される電圧の大きさを制御するものである。
【００２０】
図２は、本実施の形態に係る分圧器１２Ｋの構成の一例を示す構成図である。図２に示すように、分圧器１２は、抵抗器ユニット１６及びスイッチ群１８を含んで構成されている。抵抗器ユニット１６は、基準抵抗器の一例である抵抗器１６Ａと、複数の分圧用抵抗器の一例である抵抗器１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅと、を含んで構成されており、抵抗器１６Ａ〜１６Ｅは直列に接続されている。このように構成された抵抗器ユニット１６の一端は出力端１２Ｍに接続されており、抵抗器ユニット１６の他端は接地電圧端子ＧＮＤに接続されている。
【００２１】
スイッチ群１８は、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄを含んで構成されている。スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄは、抵抗器１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄを跨いで並列に接続されている。すなわち、スイッチ１８Ａの一端は抵抗器１６Ａと抵抗器１６Ｂとの接続点に、スイッチ１８Ｂの一端は抵抗器１６Ｂと抵抗器１６Ｃとの接続点に、スイッチ１８Ｃの一端は抵抗器１６Ｃと抵抗器１６Ｄとの接続点に、スイッチ１８Ｄの一端は抵抗器１６Ｄと抵抗器１６Ｅとの接続点に、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄの他端はＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに各々接続されている。また、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄの各々は制御部１４の制御下でスイッチング動作する。従って、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄの各々は制御部１４によってスイッチング制御されることにより、抵抗器１６Ａ〜１６Ｅ間の電圧を選択的に取り出してＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに供給することができる。
【００２２】
次に、図１〜図３を参照しながら本実施の形態に係る増幅器１０の動作について説明する。なお、図３は、出力端１２Ｍの出力レベルに相当する物理量である出力端１２Ｍにおける電圧値の時間変位の一例を示すグラフである。また、ここでは、錯綜を回避するために、出力端１２Ｍにおける電圧値を１．２Ｖに設定する場合にはスイッチ群１８に含まれるスイッチのうちのスイッチ１８Ａのみがオンされ、出力端１２Ｍにおける電圧値を１．８Ｖに設定する場合にはスイッチ群１８に含まれるスイッチのうち、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄがオンされるものとする。また、ここでは、錯綜を回避するために、出力端１２Ｍにおける電圧値を１．２Ｖから１．８Ｖに上昇させる場合について説明する。
【００２３】
図３に示すように出力端１２Ｍにおける電圧値が１．２Ｖとされている状態で、制御部１４は、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃが所定時間オンされるようにスイッチ群１８を制御する。「所定時間」とは、スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃがオンされることにより出力端１２Ｍにおける電圧値が１．８Ｖ未満の予め定められた電圧値に達する時間として予め定められた時間のことであり、ここで言う「予め定められた電圧値」は、例えば図３に示すように１．３９Ｖとされているが、これに限らず、突然スイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃがオンされたとしても１．８Ｖを超えることがない電圧値として事前に定められた電圧値であれば良い。
【００２４】
制御部１４は、上記所定時間が経過した場合にスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄのうち、スイッチ１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄのみが一時的にオフされてからスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄの全てが共にオンされるようにスイッチ群１８を制御する。スイッチ１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄのみが一時的にオフされる時間は、コンデンサ１２Ｌの放電時間よりも十分に短い時間としている。なぜならば、オフされる時間があまりにも長すぎると、単にコンデンサ１２Ｌの充放電を繰り返すだけの動作になってしまい、一向にコンデンサ１２Ｌの充電が進まないこととなってしまうからである。
【００２５】
このように、本実施の形態に係る増幅器１０では、制御部１４が、出力端１２Ｍにおける電圧値を１．２Ｖから１．８Ｖに上昇させる場合にコンデンサ１２Ｌを徐々に充電すべく出力端１２Ｍにおける電圧値を多段階的に（小刻みに）上昇させるように分圧器１２Ｋを制御しているので、このような制御を行わない場合に比べ、出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をオーバーシュートするという事態の発生を抑制することができる。
【００２６】
しかも、オンされるスイッチの個数をスイッチ１８Ａからスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃに増やしてから更にスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄに増やすことで、出力端１２Ｍにおける電圧値の上昇量を多段階的に大きくしているので、簡易な構成ながらも、出力端１２Ｍにおける電圧値をオーバーシュートさせることなく迅速に意図する電圧値に上昇させることができる。なお、上昇量を多段階的に大きくするには、例えばスイッチング時間は同じにして、変化させる抵抗値を異ならせれば良い。
【００２７】
なお、図３に示す例では出力端１２Ｍの電圧値を２段階で１．８Ｖまで上昇させているが、これに限らず、出力端１２Ｍの電圧値を３段階以上で１．８Ｖまで上昇させても良い。例えば図４に示すように、出力端１２Ｍの電圧値を３段階で１．８Ｖまで上昇させる場合、オンされるスイッチの個数をスイッチ１８Ａからスイッチ１８Ａ，１８Ｂに増やしてからスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃに増やし、それから更にスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄに増やすことで、出力端１２Ｍにおける電圧値の上昇量を３段階で大きくすることできる。このように、分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに供給される電圧の大きさを、段階を追う毎に大きくするにあたって、段階数を増やすことで、出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をオーバーシュートするという事態の発生をより一層確実に抑制することができる。
【００２８】
また、出力端１２Ｍの電圧値の上昇量を段階的に大きくすることに加え、例えば図５に示すように、段階を追う毎に出力端１２Ｍの電圧値の上昇時間を長くするようにしても良い（変化する抵抗値は一定のままで、１．８Ｖに対応する抵抗値になっている時間を徐々に延ばしていくことで、段階的に電圧値を上昇させる。上記実施の形態で説明した場合と違って、この変形例では、抵抗値が１．２Ｖに対応する抵抗値と１．８Ｖに対応する抵抗値しかなくても実現可能となる。）。段階を追う毎に出力端１２Ｍの電圧値の上昇時間を長くすることは、一例として図６に示すように、分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに電圧（出力端１２Ｍの出力レベルよりも小さな大きさの電圧）が供給される時間を、段階を追う毎に長くすることにより実現される。すなわち、制御部１４は、スイッチ群１８に含まれるスイッチのうち、オン対象 とされるスイッチがオンされる時間を、段階を追う毎に長くするように、スイッチ群１８をスイッチング制御することで、段階を追う毎に出力端１２Ｍの電圧値の上昇時間を長くすることが実現される。従って、段階を追う毎に出力端１２Ｍの電圧値の上昇時間を長くする構成によって、本構成を有しない場合に比べ、出力端１２Ｍにおける電圧値をオーバーシュートさせることなく迅速に意図する電圧値に上昇させることができる上、段階を追う毎に出力端１２Ｍの電圧値の上昇時間を長くする構成によって、本構成を有しない場合に比べ、出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をオーバーシュートするという事態の発生をより一層確実に抑制することができる。
【００２９】
また、上記のように、分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに供給される電圧の大きさを、段階を追う毎に大きくすると共に、分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに電圧が供給される時間を、段階を追う毎に長くする構成に限定される必要はなく、例えば図７に示すように、電圧（出力端１２Ｍの出力レベルよりも小さな大きさの電圧）を分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに供給する時間を、図６に示す場合よりも細かい時間間隔で且つ等分割して区切るように制御部１４がスイッチ群１８をスイッチング制御しても良い。この場合も出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をオーバーシュートするという事態の発生を抑制することができる。
【００３０】
また、図７に示す例では、分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに電圧が供給される時間を等分割した場合が示されているが、これに限らず、例えば図８に示すように、電圧（出力端１２Ｍの出力レベルよりも小さな大きさの電圧）を分圧器１２ＫからＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲートに供給する時間を、徐々に長く（段階を追う毎に長く）供給するように制御部１４がスイッチ群１８をスイッチング制御しても同様の効果が期待できる。この場合、出力端１２Ｍにおける電圧値が１．８Ｖに到達するまでの図７に示すパルス波形の総面積と図８に示すパルス波形の総面積とが一致するように制御部１４はスイッチ群１８をスイッチング制御することが好ましい。
【００３１】
また、本実施の形態では、出力端１２Ｍの電圧値を意図する電圧値に上昇させる場合（出力レベルを所定レベルに上昇させる場合）の形態例を挙げて説明したが、出力端１２Ｍの電圧値を意図する電圧値に下降させる場合（出力レベルを所定レベルに下降させる場合）も上昇させる場合と同様にすれば良い。すなわち、出力端１２Ｍにおける電圧値を多段階的に（小刻みに）下降させるように制御部１４が分圧器１２Ｋを制御することにより、出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をアンダーシュートするという事態の発生を抑制することができる。例えば、出力端１２Ｍにおける１．８Ｖの電圧値を１．２Ｖに下降させる場合、制御部１４は、オンされているスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄのうちのスイッチ１８Ｄのみが所定時間オフされるようにスイッチ群１８を制御し、上記所定時間が経過した場合にスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄが一時的にオンされてからスイッチ１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄがオフされるようにスイッチ群１８を制御する。
【００３２】
また、オンされるスイッチの個数をスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ，１８Ｄからスイッチ１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃに減らしてから更にスイッチ１８Ａに減らすことで、出力端１２Ｍにおける電圧値の下降量を多段階的に大きくすることができるので、簡易な構成ながらも、出力端１２Ｍにおける電圧値をアンダーシュートさせることなく迅速に意図する電圧値に下降させることができる。また、３段階以上かけて電圧値を意図する電圧値まで下降させても良い。この場合、出力端１２Ｍにおける電圧値が、意図する電圧値をアンダーシュートするという事態の発生をより一層確実に抑制することができる。
【００３３】
以上詳細に説明したように、本実施の形態に係る増幅器１０によれば、一対の端子（一例としてＮＭＯＳトランジスタ１２Ｅ，１２Ｆのゲート）における一方の端子（一例としてＮＭＯＳトランジスタ１２Ｅのゲート）に供給された基準電圧（一例として固定電圧）の大きさと一対の端子における他方の端子（一例としてＮＭＯＳトランジスタ１２Ｆのゲート）に供給されると共に出力端１２Ｍに接続された容量性負荷（一例としてコンデンサ１２Ｌ）に対して並列に接続された分圧器１２Ｋによって分圧された電圧の大きさとの差に応じた大きさの電圧を出力端１２Ｍから出力する差動増幅回路１２と、出力端１２Ｍの出力レベル（一例として電圧値）を所定レベル（一例として１．８Ｖ）に到達させる場合、出力レベルを多段階的に所定レベルに到達させるように分圧器１２Ｋを制御する制御部１４と、を備えているので、出力レベルを切り替えた際に、出力レベルを、所定レベルを跨がせることなく所定レベルに到達させることができる。
【符号の説明】
【００３４】
１０  増幅器
１２  差動増幅回路
１２Ｋ  分圧器
１２Ｌ  コンデンサ
１２Ｍ  出力端
１４  制御部
１８Ａ，１８Ｂ，８Ｃ，１８Ｄ  スイッチ
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ  抵抗器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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