(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下部電極層と、
前記基板上に前記下部電極層と電気的に分離された共通配線と、
前記基板上に、前記下部電極層の端部及び前記共通配線の端部を覆う隔壁と、
前記共通配線の少なくとも一部を覆う分離層と、
前記下部電極層上及び前記隔壁上にＥＬ層と、
前記ＥＬ層上に上部電極層と、を有し、
前記分離層は、絶縁性を有し、前記分離層の底部よりも前記基板表面に対して平行な方向にせり出した側部を有し、
前記上部電極層は、前記共通配線の前記分離層の底部よりも前記基板表面に対して平行な方向にせり出した側部と重なる領域において、前記共通配線と電気的に接続する、発光装置。
【請求項２】
前記上部電極層の、前記共通配線と接する部分の厚さは、発光領域における前記下部電極層と重なる部分の厚さよりも薄い、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記分離層は、その側面と、前記分離層の底部の最も外側の点と前記分離層の側部の最もせり出した点と、を結んだ線との間に、空間を有する、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記上部電極層は、前記ＥＬ層が発する光に対して透光性を有し、
前記下部電極層は、前記光に対して反射性を有する、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の発光装置を具備する、表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の発光装置を具備する、照明装置。
【請求項７】
基板上に下部電極層を形成する工程と、
前記基板上に共通配線を形成する工程と、
前記基板上に、前記下部電極層の端部及び前記共通配線の端部を覆う隔壁を形成する工程と、
前記共通配線の少なくとも一部と重なり、絶縁性を有し、前記基板表面に対して平行な方向に底部よりもせり出した側部を有する分離層を形成する工程と、
前記下部電極層上にＥＬ層を形成する工程と、
前記ＥＬ層上に、前記共通配線と電気的に接続するように、上部電極層を形成する工程と、を有する、発光装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置とその作製方法に関する。また照明装置に関する。また表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。
【０００３】
また、有機ＥＬ素子と薄膜トランジスタとを組み合わせた、表示装置の開発も盛んに行われている。有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、液晶表示装置で必要であったバックライトを無くすことができ、薄型、高輝度、高コントラストの表示装置とすることができる。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子は膜状に形成することが可能であるため大面積の素子を容易に形成することができ、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
例えば、特許文献１には、有機ＥＬ素子を用いた照明器具が開示されている。
【０００６】
有機ＥＬ素子には、下部電極層側に光を取り出す下面発光型と、上部電極層側に光を取り出す上面発光型、または下部電極層側と上部電極層側の両面から光を取り出す両面発光型とがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１３０１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＬ素子を形成する場合、絶縁表面を有する基板上に形成した下部電極層上に有機化合物を含む層と、上部電極層とを順次積層する方法としては、例えば真空蒸着法がある。真空蒸着法を用いて島状の層を形成する方法としては、金属板に開口部を設けたメタルマスク（シャドーマスクともいう）を用いる方法が知られている。基板に接して蒸着源との間に当該メタルマスクを設け、当該メタルマスクの開口部を介して基板に蒸着を行うと、開口部の形状に応じた形状の蒸着を行うことができる。なお、メタルマスクと基板との距離が短いほど、開口部に応じた明瞭な形状で、言い換えると周辺部のボケが少ない形状で、島状の層が形成できる。
【０００９】
一方で、メタルマスクを基板に接して使用すると不具合が生じる確率が高まる。例えば、メタルマスクの開口部にある開口端が基板表面を傷つけてしまう場合がある。具体的には、メタルマスクを基板に接触する際に、メタルマスクが基板表面を擦り、基板上に形成済みの他の層を破壊してしまう場合がある。また、メタルマスクに付着したゴミ（パーティクルと呼ばれる小さな異物を含む）をメタルマスクから基板に転写してしまう場合もある。
【００１０】
ここで、ＥＬ素子を用いた複数の画素部を有する表示装置において、ＥＬ素子からの発光を白色とし、カラーフィルターを介して射出する方法が知られている。このように、ＥＬ素子からの発光を白色に統一することにより、画素部ごとにＥＬ層を塗り分けるためのメタルマスクを必要とせず、一枚のメタルマスクでＥＬ層を形成できるため好適である。
【００１１】
しかし、上記白色発光のＥＬ素子を用いた場合であっても、基板にあらかじめ設けられた共通配線と、ＥＬ素子の上部電極層とを接続させるため、当該共通配線と上部電極層との接続部にＥＬ層が形成されないよう、ＥＬ層形成用メタルマスクと、上部電極層形成用メタルマスクとの最低二枚のメタルマスクが必要であった。
【００１２】
そのためインライン型の成膜装置においてはＥＬ層を成膜する成膜室と上部電極層を成膜する成膜室との間にはメタルマスクを交換するための交換室を設ける必要があり、工程の煩雑化、装置の複雑化、及びタクトタイムの増大などの問題点がある。
【００１３】
一方、照明装置や、大画面の表示装置において発光部の面積が広くなると、ＥＬ素子の上部電極層、下部電極層の抵抗に起因する電位降下が著しくなる傾向にある。当該電極層における電位降下が著しい場合、輝度の勾配が視認されてしまう問題がある。このような問題を回避するため、当該電極層に抵抗率の低い材料で形成された補助としての電極を接続する必要がある。
【００１４】
特に透明電極に用いられる光透過性を有する導電性材料は、比較的抵抗が高く、補助配線を設ける必要性が高い。当該補助配線は、ＥＬ素子からの発光をなるべく遮らないように、レイアウトする必要がある。しかしながら、特に上部電極層側から発光を得る上面発光型（両面発光型も含む）の場合、ＥＬ素子を形成した後に、補助配線を形成する必要があるため、ＥＬ素子にダメージが加わる場合がある。例えばスパッタリング法で導電膜を形成した後にフォトリソグラフィ法を用いて加工する場合、スパッタリングによる熱、及び物理的なダメージや、フォトリソグラフィ法での加工における光や熱によるダメージ、レジストの除去時の有機溶媒などによるＥＬ素子の溶解の問題などが挙げられる。
【００１５】
本発明はこのような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、その目的は、ＥＬ層と上部電極層との形成に用いるメタルマスクを削減可能な構成の発光装置及びその作製方法を提供することを課題の一とする。また、上部電極層の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置を提供することを課題の一とする。また、このような発光装置が適用された照明装置、及び表示装置を提供することを課題の一とする。
【００１６】
本発明は、上記課題の少なくとも一を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明は、上部電極層と接続される共通配線の構成に着眼した。発光装置が有する共通配線は基板上に設けられ、当該共通配線上に接して、絶縁性を有し、底部よりも上部が基板面方向にせり出した形状の分離層を設ける。当該共通配線上に設けられた分離層を含む領域に形成されたＥＬ層は当該分離層で物理的に分断され、また、ＥＬ層上の同じ領域に形成された上部電極層は当該分離層で物理的に分断されると共に、当該共通配線の当該分離層のせり出した部分と重なる領域において、当該共通配線と電気的に接続する構成とすればよい。またこのような共通配線を補助配線として用いればよい、また、このような共通配線を有する発光装置を照明装置、及び表示装置に適用すればよい。
【００１８】
このような構成の分離層が設けられた共通配線と、上部電極層とのコンタクト部を発光装置に設けることにより、発光領域と分離層上に開口部を有する同一のメタルマスクを用いて、ＥＬ層及び上部電極層を形成することができる。そのため、従来のようにＥＬ層と上部電極層とに異なるメタルマスクを用いる必要が無く、メタルマスクと基板との接触に起因する不具合が抑制され、信頼性の高い発光装置、またこれが適用された信頼性の高い表示装置、照明装置とすることができる。また、メタルマスクが削減されるため、このメタルマスクや工程にかかる製造コストを低減することができる。
【００１９】
すなわち、本発明の一態様の発光装置は、基板上に下部電極層と、下部電極層と電気的に分離された共通配線と、共通配線の少なくとも一部を覆う分離層と、下部電極層上にＥＬ層と、ＥＬ層上に上部電極層と、を有する。また、当該分離層は、絶縁性を有し、分離層の底部よりも基板表面に対して平行な方向にせり出した側部を有し、上部電極層は、共通配線の分離層と重なる領域において、共通配線と電気的に接続する、発光装置である。
【００２０】
本発明の一態様の発光装置は、ＥＬ素子の上部電極層と接続される共通配線上に分離層を有する。当該分離層は基板面に対する投影面よりも、底部の接触面が内側になるように形成される。このような形状の分離層を共通配線上に設けることにより、発光領域と分離層上に開口部を有する同一のメタルマスクを用いて、またはメタルマスクを用いずに当該ＥＬ層及び当該上部電極層を形成できる。上部電極層の端部が、上記分離層のせり出した領域と重なる共通配線表面で接触するように形成することにより、当該上部電極層と当該共通配線とを電気的に接続することができる。
【００２１】
また本発明の一態様の発光装置は、上部電極層の導電性を補助する補助配線として、上記分離層が設けられた共通配線を用いることもできる。分離層と重なる領域において上部電極層の一部が共通配線に接触するように形成することで、異なる発光素子の上部電極層同士は補助配線として機能する共通配線を介して電気的に接続される。
【００２２】
このようなコンタクト部、及び補助配線を用いることにより、上部電極層の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置とすることができ、また、同一のメタルマスクを用いて、またはメタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成可能となる。
【００２３】
また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記発光装置において、上部電極層の、共通配線と接する部分の厚さは、発光領域における下部電極層と重なる部分の厚さよりも薄いことを特徴とする。
【００２４】
このように上部電極層の接触部分の厚さが薄く形成されることにより、分離層の側面と共通配線との隙間が小さい場合であっても接触面を大きくすることが出来るため接触抵抗を小さくでき、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００２５】
また、本発明の他の一態様の発光装置は、上記発光装置の基板に垂直な方向の断面において、分離層の側面と、分離層の底部の最も外側の点と分離層の側面の最もせり出した点とを結んだ線との間に、空間を有することを特徴とする。
【００２６】
上記の分離層を、基板に垂直な方向の断面において、分離層の側面と、分離層の底部の最も外側の点と分離層の側面の最もせり出した点と、を結んだ線との間に、空間を有する形状とすることにより、ＥＬ層及び上部電極層の形成時の回り込みを抑制し、効果的にＥＬ層及び上部電極層を分断させることができる。
【００２７】
また、本発明の他の一態様の発光装置の有する上部電極層は、ＥＬ層が発する光に対して透光性を有し、下部電極層は、当該光に対して反射性を有する。
【００２８】
特に、上部電極層に透光性を有する材料を用いた上面発光型の発光装置においては、上記コンタクト部、及び補助配線として機能する共通配線を適用することにより、効果的に上部電極層の導電性を補助することができる。
【００２９】
また、本発明の他の一態様は、上記発光装置を具備する、表示装置である。
【００３０】
発光装置の一態様である表示装置は、上記の構成の共通配線が接続された画素部を有する。このような構成を有する表示装置は、発光領域と分離層上に開口部を有する同一のメタルマスクを用いて、またはメタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成可能であるため、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【００３１】
特に、上部電極層に透光性を有する材料を用いた上面発光型の発光装置においては、上記共通配線を上部電極層の導電性を補助するための補助配線に適用することにより、効果的に上部電極層の導電性を補助することができる。特に表示装置においてはＥＬ素子よりも基板側にトランジスタを含む回路を有するため、上面発光型とすることで開口率を向上させられる。
【００３２】
また、本発明の他の一態様は、上記発光装置を具備する、照明装置である。
【００３３】
上記の発光装置を照明装置に適用することにより、発光領域と分離層上に開口部を有する同一のメタルマスクを用いて、またはメタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成可能であるため、信頼性の高い照明装置とすることができる。
【００３４】
また、本発明の一態様の発光装置の作製方法は、基板上に下部電極層を形成する工程と、共通配線を形成する工程と、当該共通配線の少なくとも一部と重なり、絶縁性を有し、基板表面に対して平行な方向に底部よりもせり出した側部を有する分離層を形成する工程と、下部電極層上にＥＬ層を形成する工程と、ＥＬ層上に、共通配線と電気的に接続するように、上部電極層を形成する工程と、を有する。
【００３５】
上記作製方法によれば、同一のメタルマスクを用いて、またはメタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成できるため、信頼性の高い発光装置を作製することができる。
【００３６】
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
【００３７】
なお、本明細書等において、ＥＬ素子の有する上部電極層と電気的に接続する配線のことを共通配線と呼ぶこととする。
【発明の効果】
【００３８】
本発明の一態様によれば、ＥＬ層と上部電極層との形成に用いるメタルマスクを削減可能な構成の発光装置及びその作製方法を提供できる。また、上部電極層の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い発光装置を提供できる。また、このような発光装置が適用された照明装置、及び表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図２】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図３】本発明の一態様の、発光装置の作製方法を説明する図。
【図４】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図５】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図６】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図７】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図８】本発明の一態様の、照明装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様の、ＥＬ素子を説明する図。
【図１０】本発明の一態様の、照明装置を説明する図。
【図１１】本発明の一態様の、電子機器を説明する図。
【図１２】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１３】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図１４】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【図１５】本発明の一態様の、発光装置を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００４１】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００４２】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置とその作製方法の例について、図１乃至図５を用いて説明する。
【００４３】
＜構成例１＞
図１（Ａ）は発光装置１０の上面概略図である。また、図１（Ｂ）は図１（Ａ）内の切断線Ａ−Ａ’における断面概略図である。なお、明瞭化のため、図１（Ａ）にはＥＬ層及び上部電極層は明示していない。
【００４４】
発光装置１０は、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、隔壁１０９、及び共通配線１１１を有する。また、共通配線１１１上に分離層１１３を有する。
【００４５】
また、図示しないが、発光装置１０は、基板１０１に接する下地膜、及び上部電極層１０７を覆う封止膜を有していても良い。下地膜や封止膜を設けることにより、ＥＬ層の劣化を抑制することができ、発光装置１０の信頼性を高めることが出来る。
【００４６】
発光装置１０は、下部電極層１０３と上部電極層１０７と、これらに挟持されたＥＬ層１０５とからなる発光素子に電圧を印加することにより発光を得ることができる。
【００４７】
隔壁１０９は、下部電極層１０３及び共通配線１１１の端部に形成される。これらの端部に形成された隔壁１０９は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が、これらの段差により断線しないために設けられる。そのため、隔壁１０９は、その上面に形成される膜が途切れないよう、順テーパ形状を有していることが好ましい。順テーパ形状とは、断面において、ある層がその上端部からなだらかに厚みを増して下地となる層に接する構成を言う。
【００４８】
共通配線１１１は下部電極層１０３の周囲を囲うようにして設けられ、少なくとも上部電極層１０７よりも十分に低抵抗な導電性材料からなる。また当該共通配線１１１上にはこれと接して設けられた分離層１１３を有する。
【００４９】
分離層１１３は絶縁性を有し、その上部が基板表面に対して平行な方向にせり出した形状を有している。言い換えると、分離層１１３を基板表面に投影した場合において、その投影面積よりも、共通配線１１１と接触する領域の面積が小さく、且つ投影面より内側に設けられる形状を有する。
【００５０】
このような形状の分離層１１３を設け、後に説明する方法でＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成することにより、図１（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１０５は分離層１１３によって膜が分断され、また上部電極層１０７は分離層１１３のせり出した部分と重なる領域において共通配線１１１の上面と接触し、これらが電気的に接続された構成とすることができる。
【００５１】
したがって上部電極層１０７は、下部電極層１０３の周囲を囲う共通配線１１１と電気的に接続されるため、当該上部電極層１０７には共通配線１１１を介して共通電位を印加することができる。
【００５２】
ここで、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の形成に用いるメタルマスクは、下部電極層１０３及び共通配線１１１上に開口部を有するメタルマスクを共通して用いることができる。上記分離層１１３を共通配線１１１上に設けることにより、共通配線１１１上にＥＬ層が成膜されても、後に成膜される上部電極層１０７と共通配線１１１とを電気的に接続することができる。
【００５３】
また、メタルマスクを用いずにＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成してもよい。メタルマスクを用いずに、発光装置１０を覆う領域全域にＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成しても、共通配線１１１と上部電極層１０７とは電気的に接続される。またメタルマスクを用いずにＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成すると、メタルマスクと基板１０１との接触による不具合が排除されるため好ましい。
【００５４】
ここで図１２に共通配線１１１と上部電極層１０７とが接続する領域を拡大した断面概略図を示す。
【００５５】
図１２中の破線で示す領域は、共通配線１１１と上部電極層１０７との接触部を示す。共通配線１１１と上部電極層１０７とは分離層１１３のせり出した部分と重なる共通配線１１１の表面の一部で接触し、これらが電気的に接続される。ここで、上部電極層１０７の共通配線１１１と接触する部分の厚さは、発光領域（下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７が積層される領域）における上部電極層１０７の厚さに比べて薄く形成される。また、上部電極層１０７の接触部分の厚さは、分離層１１３に近いほど薄くなる、所謂順テーパ形状を有していてもよい。このように接触部分の厚さが薄く形成されることにより、分離層１１３の側面と共通配線１１１との隙間が小さい場合であっても接触面を大きくすることが出来るため接触抵抗を小さくできる。
【００５６】
またＥＬ層１０５を分断させるためには、分離層１１３の形状をＥＬ層１０５の形成時に膜の回り込みを抑制するような形状とすればよく、例えば、分離層１１３の最もせり出した点と、分離層１１３の側面が共通配線１１１と接する点とを結んだ線と基板面との角度ができるだけ小さくなるように形成すればよい。また、上記の線と分離層１１３の側面との間に空間を設けるように、くびれた形状としてもよい。
【００５７】
本実施の形態では、分離層１１３が共通配線１１１上に接して設けられる構成としたが、少なくとも分離層１１３のせり出した部分と重なる領域の一部が、共通配線１１１の表面と重なる構成であれば、共通配線１１１上に分離層１１３を接して設けなくとも良い。
【００５８】
また、共通配線１１１は発光装置１０の外側に引き出されており、上部電極層１０７へ印加する電位を与えることができる。また、下部電極層１０３も同様に発光装置１０の外側に引き出され、下部電極層１０３に印加する電位を与えることができる。なお、本実施の形態では、共通配線１１１を下部電極層１０３と異なる材料、工程で形成する構成について説明するが、上部電極層１０７よりも十分に低抵抗な同じ材料を用いて、下部電極層１０３を形成する工程と同じ工程により作製してもよい。また、下部電極層１０３を共通配線１１１と同じ材料で形成された引き出し配線に接続する構成としてもよい。
【００５９】
上記のような共通配線１１１及び分離層１１３を発光装置１０に適用することにより、ＥＬ層１０５の形成時に共通配線１１１と上部電極層１０７との接続部を覆うメタルマスクを用いる必要がなく、上部電極層１０７と同一のメタルマスクを用いて形成することができる。したがって、発光装置１０の作製に用いるメタルマスク数が削減できるため、メタルマスクと基板との接触による不具合が低減され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００６０】
＜構成例２＞
上記で示した分離層１１３が設けられた共通配線１１１は、上部電極層１０７の導電性を補助するための補助配線としても用いることができる。以下では、分離層１１３を有する共通配線１１１を、上部電極層１０７の補助配線に適用した発光装置１００について説明する。
【００６１】
図２（Ａ）は発光装置１００の上面概略図である。また、図２（Ｂ）は図２（Ａ）内の切断線Ｂ−Ｂ’における断面概略図であり、図２（Ｃ）は切断線Ｃ−Ｃ’における断面概略図である。なお、明瞭化のため、図２（Ａ）にはＥＬ層及び上部電極層は明示していない。
【００６２】
発光装置１００は、基板１０１上に下部電極層１０３、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７、隔壁１０９、及び共通配線１１１、を有する。また、共通配線１１１上に形成される、分離層１１３、及び発光装置１００の外周を囲う、分離層１１５を備える。
【００６３】
また図示しないが、発光装置１００は、基板１０１に接する下地膜、及び上部電極層１０７を覆う封止膜を有していてもよい。下地膜や封止膜を設けることにより、ＥＬ層の劣化を抑制することができ、発光装置１００の信頼性を高めることができる。
【００６４】
発光装置１００は、下部電極層１０３と上部電極層１０７と、これらに挟持されたＥＬ層１０５とからなる発光素子に電圧を印加することにより発光を得ることができる。
【００６５】
隔壁１０９は、下部電極層１０３及び共通配線１１１の端部に形成される。これらの端部に形成された隔壁１０９は、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７が、これらの段差により断線しないために設けられる。そのため、隔壁１０９は、その上面に形成される膜が途切れないよう、順テーパ形状を有していることが好ましい。順テーパ形状とは、断面において、ある層がその上端部からなだらかに厚みを増して下地となる層に接する構成を言う。
【００６６】
共通配線１１１は少なくとも上部電極層１０７よりも十分に低抵抗な導電性材料からなり、当該共通配線１１１上にはこれと接して設けられた分離層１１３を有する。
【００６７】
分離層１１３は絶縁性を有し、その上部が基板表面に平行な方向に対してせり出した形状を有している。言い換えると、分離層１１３を基板表面に投影した場合において、その投影面積よりも、共通配線１１１と接触する領域の面積が小さく、且つ投影面より内側に設けられる形状を有する。
【００６８】
このような形状の分離層１１３を設け、後に説明する方法でＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成することにより、図２（Ｂ）に示すように、ＥＬ層１０５は分離層１１３によって膜が分断され、また上部電極層１０７は分離層１１３のせり出した部分と重なる領域において共通配線１１１の上面と接触し、これらが電気的に接続された構成とすることができる。
【００６９】
したがって上部電極層１０７は、電気的に分断されること無く共通配線１１１を介して発光装置１００の発光領域全域に渡って電気的接続が保証される。さらに、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下は当該上部電極層１０７と電気的に接続された共通配線１１１によって抑制される。
【００７０】
ここでＥＬ層１０５を分断させるためには、分離層１１３の形状をＥＬ層１０５の形成時に膜の回り込みを抑制するような形状とすればよく、例えば、分離層１１３の最もせり出した点と、分離層１１３の側面が共通配線１１１と接する点とを結んだ線と基板面との角度ができるだけ小さくなるように形成すればよい。また、上記の線と分離層１１３の側面との間に空間を設けるように、くびれた形状としてもよい。
【００７１】
また、共通配線１１１は発光装置１００の外側に引き出されており、上部電極層１０７に印加する電位を与えることができる。また、下部電極層１０３も同様に発光装置１００の外側に引き出され、下部電極層１０３に印加する電位が与えられる。
【００７２】
また、発光装置１００は、これを囲うようにして隔壁１０９上に設けられる分離層１１５を有する。分離層１１５はＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を物理的、電気的に分断する機能を有する。したがって、このような分離層１１５によって発光装置１００を囲うことにより、例えばメタルマスクを用いずにＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成した場合でも、発光装置１００に含まれる上部電極層１０７を分離層１１５の外部と電気的に分離させることができる。
【００７３】
図２（Ｃ）は図２（Ａ）の切断線Ｃ−Ｃ’における断面概略図である。発光装置１００を囲うようにして設けられた分離層１１５は、隔壁１０９上に形成され、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を分断する。分離層１１５を設けることにより、発光装置１００同士を隣接して配置する場合にこれらを電気的に分離することができる。
【００７４】
分離層１１５は、分離層１１３と同様の材料、工程で形成され、その上部が基板の表面に対して平行な方向にせり出した形状を有している。したがって分離層１１５はＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７の形成時においてこれらを共に分断する。分離層１１５を境界として分断されたＥＬ層１０５、及び上部電極層１０７の端部は、共に隔壁１０９に接する。したがって、上部電極層１０７は当該分離層１１５を介して電気的に分離される。
【００７５】
なお、発光装置１００を単体で用いる場合や、隣接する発光装置１００間を電気的に分離する必要のない場合は、分離層１１５は設けなくてもよい。
【００７６】
なお、本構成例では共通配線１１１と下部電極層１０３とを異なる材料、工程を用いて基板１０１上に併設する構成としたが、例えばこれらを同一の材料、工程で形成することもできる。またその場合、基板１０１上に低抵抗な材料で引き出し配線を形成し、当該引き出し配線上に開口部を有する平坦化膜を設け、これと共通配線１１１又は下部電極層１０３を接続する構成としてもよい。上面発光型の発光装置の場合、引き出し配線を発光装置１００の下側に設けることにより、基板１０１の面積に対する発光面積を大きくすることができる。
【００７７】
上記のような共通配線１１１及び分離層１１３を発光装置１００に適用することにより、ＥＬ層１０５の形成時に共通配線１１１と上部電極層１０７との接続部を覆うメタルマスクを用いる必要がなく、上部電極層１０７と同一のメタルマスクを用いて形成することができる。したがって、発光装置１００の作製に用いるメタルマスク数が削減され、メタルマスクと基板との接触による不具合が低減され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【００７８】
また、低抵抗な材料からなる共通配線１１１により、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下の影響を極めて抑制し、信頼性の高い発光装置とすることができる。特に、上部電極層１０７として抵抗の高い透明導電膜を用いた上面発光型の発光装置の場合において大きな効果を奏する。
【００７９】
また、発光装置１００を隣接して複数配置する場合においても、上記のように発光装置１００を囲うように分離層１１５を設けることにより、メタルマスクを用いずにＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を形成した際にこれらを電気的に分離することができる。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成することが可能なため、メタルマスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高いＥＬ発光装置とすることができる。
【００８０】
＜材料＞
以下にそれぞれの層に用いることができる材料の一例を記す。
【００８１】
［基板］
発光装置１００が下面発光型、両面発光型の場合、基板１０１の材料としては、ガラス、石英、有機樹脂などの透光性を有する材料を用いることができる。また上面発光型の場合は、透光性を有していなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミック、有色の有機樹脂などの材料を用いることができる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形成することにより基板の表面に絶縁性を持たせることが好ましい。
【００８２】
基板１０１として有機樹脂を用いる場合、有機樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、またはポリ塩化ビニル樹脂などを用いることができる。また、ガラス繊維に有機樹脂を含浸した基板や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜた基板を使用することもできる。
【００８３】
特に、上面発光型の発光装置１００の場合、基板には金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。ＥＬ素子を用いた大型の照明装置の場合、ＥＬ素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【００８４】
［封止膜・下地膜］
下面発光型、両面発光型の発光装置の場合、封止膜・下地膜は、透光性且つバリア性を有する材料を用いて形成することができる。上面発光型の発光装置では、必ずしも透光性を有していなくともよい。
【００８５】
封止膜・下地膜としては、例えば、無機絶縁膜をスパッタリング法で形成することができる。例えば、窒化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ケイ素膜などを形成すればよい。また、光射出方向と反対側に設けられる封止膜、または下地膜は、金属膜と上記無機絶縁膜を積層したものを用いてもよい。
【００８６】
封止膜は、例えば水分の透過率が１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下程度のガスバリア性を備えるものが好ましい。また、封止膜の構成としては、例えば無機物を含む層を少なくとも一層、有機物を含む層の間に挟んで積層したものを用いることができる。有機物を含む層としては、例えばエポキシ系などの接着材層を一例として挙げることができ、無機物を含む層としては酸化珪素、窒化珪素などバリア性を有する膜を一例として挙げることができる。
【００８７】
また、基板として有機樹脂を用いる場合には、下地膜として、２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さのガラス層を用いてもよい。ガラス層の厚さは、代表的には、４５μｍ以上８０μｍ以下である。有機樹脂基板とガラス層とを組み合わせることで水分又は不純物等が発光装置の外部から発光素子に含まれる有機化合物や金属材料に侵入することを抑制することができ、かつ発光装置の軽量化を実現することができる。
【００８８】
［分離層］
分離層は無機絶縁材料、有機絶縁材料を用いて形成することができる。例えば、ネガ型やポジ型の感光性を有する樹脂材料、非感光性の樹脂材料などを用いることができる。
【００８９】
［発光素子］
光射出側の電極層に用いることができる透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、グラフェンなどを用いることができる。
【００９０】
また、上記電極層として、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、又はチタン等の金属材料や、これらの合金を用いることができる。または、それら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等を用いてもよい。なお、金属材料（又はその窒化物）を用いる場合、透光性を有する程度に薄くすればよい。
【００９１】
また、上記材料の積層膜を電極層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズとの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【００９２】
光射出側の電極層の膜厚は、例えば５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、好ましくは８０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。
【００９３】
ＥＬ層は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層を有する。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。
【００９４】
なお、本発明の一態様では、上部電極層と下部電極層との間に、複数のＥＬ層が設けられた発光素子（タンデム型発光素子）を適用することができる。好ましくは、２〜４層（特に３層）構造とする。ＥＬ層の構成例は実施の形態４で詳細に説明する。
【００９５】
光射出とは反対側に設けられる電極層は、反射性を有する材料を用いて形成される。反射性を有する材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料を用いることができる。そのほか、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅の合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、又は金属酸化物膜を積層することでアルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。
【００９６】
［共通配線・配線］
共通配線・配線の材料としては、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、ニッケル（Ｎｉ）、から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成する。また、配線の材料としてアルミニウムを用いることもできるが、その場合には酸化インジウム酸化スズなどと直接接して設けると腐食する恐れがある。よって、配線を積層構造とし、酸化インジウム酸化スズなどと接しない層にアルミニウムを用いればよい。また銅は抵抗が低いため、好適に用いることができる。配線の膜厚は、１００ｎｍ以上３５μｍ以下とすることが好ましい。
【００９７】
［隔壁］
隔壁の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の有機樹脂、または無機絶縁材料を用いることができる。
【００９８】
下地となる層に順テーパ状の端部を接する他の層の側面の角度としては、例えば１０度以上８５度以下、好ましくは６０度以上８０度以下を有する。
【００９９】
特に感光性の樹脂材料を用いて開口部を形成し、その開口部の側面が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。具体的には、絶縁膜の断面が描いている曲線の曲率半径が、０．２〜２μｍ程度であることが望ましい。
【０１００】
隔壁の形成方法は、特に限定されないが、スパッタリング法、蒸着法、塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）などを用いればよい。
【０１０１】
隔壁の膜厚としては、例えば、２０ｎｍ以上２０μｍ以下とすればよい。好ましくは、５０ｎｍ以上３μｍ以下である。
【０１０２】
［平坦化膜］
平坦化膜は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化膜を形成してもよい。
【０１０３】
平坦化膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート法、ディッピング法、印刷法、インクジェット法等を用いることができる。
【０１０４】
＜作製方法例＞
続いて、基板上に上記の発光装置１００を作製する方法の一例について図３を用いて説明する。
【０１０５】
なお、本実施の形態では発光装置１００として上面射出型の発光装置を例に挙げて説明するが、下面射出型とする場合は下部電極層に透光性の材料を用い、上部電極層に反射性を有する材料を用いればよい。また両面射出型とする場合は上部電極層と下部電極層の両方に透光性の材料を用いればよい。
【０１０６】
なお、発光装置１０を形成する場合は、以下で例示する発光装置１００の作製方法において、各層の形成パターンを異ならせることにより、以下の作製方法を適用することが出来る。
【０１０７】
まず、基板１０１上に下部電極層１０３、共通配線１１１を形成する。
【０１０８】
下部電極層１０３、共通配線１１１の形成は、まずこれを構成する導電膜をスパッタリング法などの堆積方法を用いて形成し、公知のフォトリソグラフィ法を用いて不要な部分を除去して形成する。
【０１０９】
ここで、下部電極層１０３と共通配線１１１とは、どちらを先に形成してもよい。この場合、後に形成した導電膜のエッチングの際に、先に形成した層をエッチングしないようなエッチング手法を選択することが重要である。また、下部電極層１０３と共通配線１１１とを同じ材料で形成する場合は同時に形成することができる。
【０１１０】
なお、下部電極層１０３を形成する前に、下地膜を形成してもよい。下地膜はバリア膜として機能する絶縁膜を用いることができ、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の成膜方法により形成できる。
【０１１１】
また、基板１０１上に低抵抗な材料を用いて引き出し配線を形成し、当該引き出し配線上に開口部を有する平坦化膜を設け、平坦化膜上に形成された共通配線１１１及び下部電極層１０３が引き出し配線と接続するようにしてもよい。平坦化膜としては、上記のような絶縁材料を用いればよい。
【０１１２】
続いて、隔壁１０９を形成する。隔壁１０９は、上記で例示した材料、作製方法を用いて形成することができる。例えばスピンコート法により感光性の樹脂材料を塗布し、露光、現像処理を行うことにより形成する。
【０１１３】
この段階における断面概略図が図３（Ａ）に相当する。
【０１１４】
続いて、分離層１１３及び１１５を形成する。ここではネガ型の感光性を有する有機樹脂を用いて形成する方法について説明する。
【０１１５】
まず、ネガ型の感光性を有する有機樹脂から成る有機樹脂膜１１７を形成する。有機樹脂膜１１７はスピンコート法などの塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）を用いて形成することができる。
【０１１６】
続いて、マスク１１９を介して後に分離層１１３、分離層１１５が形成される領域の有機樹脂膜１１７に露光光１２１を照射する（図３（Ｂ））。ここで、露光光１２１は、有機樹脂膜１１７の厚さ方向に対して、基板１０１に近いほど露光強度が小さくなるように調整する。ネガ型の感光性を有する有機樹脂は、感光した領域が後の現像処理での溶解性が低下する性質を有するため、露光強度を膜表面が最も大きく、基板１０１に近いほど小さくなるよう、光を照射することにより、現像処理を経て形成される分離層１１３及び分離層１１５の形状は、基板１０１に近いほどその投影面積が小さくなる。
【０１１７】
また、露光の際、露光の焦点を人為的にずらし、基板１０１に近い領域の露光強度を小さくなるようにしてもよい。
【０１１８】
続いて現像処理を行い、露光光１２１が照射されていない領域の有機樹脂膜１１７を除去することにより、分離層１１３、及び分離層１１５が形成される（図３（Ｃ））。また、加熱処理を行い、分離層１１３、分離層１１５を硬化させてもよい。
【０１１９】
ここで、分離層１１３、分離層１１５に無機絶縁性材料を用いる場合は、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの堆積方法を用いて無機絶縁膜を成膜した後、公知のレジストマスクを用いたフォトリソグラフィ法により、当該無機絶縁膜の不要な部分をエッチングして形成すればよい。ここでエッチングの際に無機絶縁膜をエッチングした後に、さらに側面下部がエッチングされるようにエッチング時間を延長することにより、逆テーパ形状の分離層１１３、分離層１１５を得ることができる。
【０１２０】
ここで分離層１１３及び分離層１１５は、上部電極層１０７の成膜時に、これを物理的に分断させるような形状であることが重要である。例えば、上部が大きくせり出すような形状や、くびれの大きな形状とすることにより、上部電極層１０７の成膜時に分離層１１３、分離層１１５の側面に成膜され、物理的に分断されないような不具合を抑制することができる。
【０１２１】
分離層１１５は、上記のように単層で形成してもよいし、２層以上の多層としてもよく、絶縁性の有機材料、無機材料を組み合わせて形成してもよい。
【０１２２】
続いて、メタルマスクを用いることなく、ＥＬ層１０５、上部電極層１０７を形成する（図３（Ｄ））。
【０１２３】
ＥＬ層１０５は、蒸着法を用いて形成することができる。ここで、成膜されるＥＬ層１０５は分離層１１３、及び分離層１１５によって物理的に分断される。分離層１１３の近傍ではＥＬ層１０５の端部は隔壁１０９を越えて共通配線１１１上に接して形成される。また分離層１１５の近傍では、ＥＬ層１０５の端部は隔壁１０９上に接して形成される。
【０１２４】
上部電極層１０７は、蒸着法、スパッタリング法を用いて形成することができる。上部電極層１０７の成膜は、少なくとも共通配線１１１表面の、分離層１１３のせり出した部分に重なる領域と接触するように行うことが重要である。上部電極層１０７を共通配線１１１表面の、分離層１１３のせり出した部分に重なる領域と接触するように形成する方法としては、例えば蒸着源やスパッタリング用ターゲットと基板１０１との距離を短くして成膜することなどが挙げられる。
【０１２５】
このようにして形成された上部電極層１０７は、ＥＬ層１０５の端部を乗り越えて共通配線１１１に接触するため、共通配線１１１と電気的に接続される。したがって発光装置１００の発光時における、上部電極層１０７の抵抗に起因する電位降下を抑制することが可能となる。
【０１２６】
その後、上部電極層１０７を覆う封止膜を形成する。封止膜を形成することにより、外部からの水などの不純物の浸入を抑制できるため、信頼性の高い発光装置１００とすることができる。
【０１２７】
以上の作製工程により、発光装置１００を作製することができる。このような作製方法を適用することにより、メタルマスクを用いることなく発光装置１００を形成することができるため、メタルマスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【０１２８】
＜変形例＞
上記で例示した分離層１１３及び分離層１１５は、ＥＬ層１０５と上部電極層１０７とを物理的に分断させる形状であれば、様々な形態をとることができる。以下、図４を用いて分離層１１３及び分離層１１５として用いることのできる形状の例について説明する。
【０１２９】
図４（Ａ）に示す分離層１３１は、その側面がくびれた形状を有している。言い換えると、分離層１３１の底部の最も外側の点と、分離層１３１の側面の最もせり出した点とを結んだ線と分離層１３１の側面との間に、空間を有する形状を有している。ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の成膜時の回り込みが大きい場合には、このようにくびれた形状とすることにより、効果的にＥＬ層１０５及び上部電極層１０７を分断することができる。
【０１３０】
また、図４（Ｂ）に示す分離層１３３は、その下部においてその側面と接地面との角度が小さくなるような形状を有している。このような形状とすることにより、下部でＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の成膜時における回り込みが抑制され、これらを効果的に分断することができる。
【０１３１】
ここで、分離層は２つ以上の絶縁性材料を組み合わせて形成することもできる。
【０１３２】
図４（Ｃ）に示す分離層１３５は、有機絶縁材料からなる脚部１３５ａと、無機絶縁材料からなる台部１３５ｂとを有する。脚部１３５ａはその投影面が台部１３５ｂよりも小さく、且つ内側に配置されるよう形成され、図４（Ｃ）に示すようにくびれた形状を有していてもよい。このように台部１３５ｂの底部において、基板１０１と対向する面が露出するような形状とすることにより、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の成膜時の回り込みが大きい場合であっても効果的にこれらを分断することができる。分離層１３５の作製方法としては、例えば有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層膜を形成し、フォトリソグラフィ法によりまず無機絶縁膜をエッチングして台部１３５ｂを形成する。その後、当該台部１３５ｂをハードマスクとして用いて有機絶縁膜をエッチングした後に、その側面が退行するように追加エッチングを施して脚部１３５ａを形成すればよい。
【０１３３】
なお、発光装置１００に用いることのできる分離層の形状は、上記に限られず、ＥＬ層及び上部電極層の成膜時にこれらを物理的に分断させられる形状であればよく、少なくとも絶縁性を有し、その上部が基板表面に対して平行な方向にせり出した形状を有する。言い換えると、分離層を基板表面に投影した場合において、その投影面積よりも下層と接触する領域の面積が小さく、且つ投影面より内側に設けられる形状を有する。また、分離層の側面と、分離層の底部の最も外側の点と、分離層の側面の最もせり出した点とを結んだ線との間に空間を有する、くびれた形状を有していると、よりＥＬ層及び上部電極層の回りこみを抑制でき、好ましい。
【０１３４】
また分離層は、２層以上の積層構造としてもよい。また分離層を構成する材料は絶縁性材料であればよく、無機絶縁膜、非感光性の有機絶縁膜、感光性（ネガ型、ポジ型を含む）の有機絶縁膜等を用いることができる。また積層構造とするときは、上記材料から適宜選択して形成することができる。
【０１３５】
ここで発光装置１００は、その下部電極層１０３にも補助配線を設けた構成としてもよい。特に下面発光型（両面発光型を含む）の発光装置の場合、下部電極層１０３として比較的抵抗の高い光透過性の導電材料を用いるため、当該補助配線を設けることは有効である。また、上面発光型の発光装置においても、発光面積を大きくすると下部電極層１０３の抵抗が無視できなくなる場合があるため、当該補助配線が必要な場合がある。以下、下部電極層１０３に設ける補助配線の一例について図５を用いて説明する。
【０１３６】
図５（Ａ）は、下部電極層１０３の下側に接する補助配線１２３を設けた構成である。このような構成は、下面発光型の場合その光を遮蔽する領域が補助配線１２３のみとなるため、開口率を大きくすることができる。また上面発光型の場合は、補助配線１２３の直上も発光領域とすることができるため、開口率の低下がなく好ましい。
【０１３７】
補助配線１２３の端部での段差によって、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の断線が懸念される場合は、補助配線１２３の端部を覆う隔壁１２５を備える構成としてもよい。図５（Ｂ）は、補助配線１２３の端部を覆う隔壁１２５を下部電極層１０３に接して設ける構成である。ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７の積層は、補助配線１２３の端部において隔壁１２５に接して形成されるため、断線が抑制される。また、図５（Ｃ）のように当該隔壁１２５を補助配線１２３と下部電極層１０３との間に設ける構成としてもよい。特に上面発光型の場合はこのような構成とすることにより、隔壁１２５上も発光領域とすることができるため好ましい。
【０１３８】
なお、本実施の形態では補助配線１２３を下部電極層１０３の下側に設ける構成のみを例示したが、上側に設ける構成としてもよい。また、その場合、補助配線１２３の端部に起因する段差の影響を緩和するため、適宜隔壁１２５を設ければよい。
【０１３９】
また、下部電極層１０３と上部電極層１０７に接続する共通配線１１１とを別の材料、工程で形成する場合は、当該共通配線１１１と同時に下部電極層１０３に設ける補助配線１２３を形成することが好ましい。下部電極層１０３と共通配線１１１及び補助配線１２３とを形成する順番を適宜変更することにより、下部電極層１０３の上層、又は下層に共通配線１１１及び補助配線１２３を設けることができる。
【０１４０】
ここで、本発明の一態様の発光装置は、上記の分離層と共通配線とを適用することにより、発光装置同士を直列に接続することができる。例えば発光装置を有する照明装置において、家庭用電源電圧から、照明装置を駆動する電圧に変換するためにコンバータを用いるが、当該発光装置の駆動電圧が低い場合、コンバータによる変換効率が悪くなる。そこで発光装置を直列に接続することにより、照明装置の駆動電圧を大きくすることができ、コンバータによる変換時の電力ロスを低減することができる。
【０１４１】
以下では、上記で例示した分離層と共通配線とを用いて発光装置を直列に接続する構成について図１４を用いて説明する。
【０１４２】
図１４（Ａ）は、本発明の一態様の２つの発光装置と、その直列接続部を含む上面概略図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）内の切断線Ｈ−Ｈ’における断面概略図である。なお、図１４（Ａ）には明瞭化のため、ＥＬ層１０５及び上部電極層１０７は明示していない。
【０１４３】
発光装置１５０ａと発光装置１５０ｂとの接続部には、共通配線１１１上に開口部を有する絶縁層１５３と、当該開口部で共通配線１１１と接続する発光装置１５０ｂの有する下部電極層１０３と、下部電極層１０３上に共通配線１１１の端部に重畳する隔壁１０９とを有する。また、共通配線１１１上に設けられた分離層１１３によって直列接続されている。
【０１４４】
ここで、分離層１１３の発光装置１５０ｂ側の側面が、下部電極層１０３上の隔壁１０９と接し、一方これと対向する側面は露出する構成となっている。このような構成とすることにより、発光装置１５０ａの上部電極層１０７が、分離層１１３のせり出した部分と重なる領域において、発光装置１５０ｂの下部電極層１０３と電気的に接続する。また、発光装置１５０ａ及び発光装置１５０ｂの上部電極層１０７同士は、分離層１１３によって電気的に分離される。
【０１４５】
続いて、上記の接続方法を用いて、複数の発光装置を直列に接続する例を示す。以下では、４つの発光装置を直列に接続して配置する例について図１５を用いて説明する。
【０１４６】
図１５（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ４つの発光装置（発光装置１６０ａ乃至１６０ｄ）を直列に接続して配置した場合の模式図である。
【０１４７】
図１５（Ａ）に示す４つの発光装置（発光装置１６０ａ乃至１６０ｄ）は接続部１６１を介して直列に接続されている。また、その周囲を分離層１１５によって覆う構成となっている。分離層１１５によってＥＬ層及び上部電極層をその外周から電気的に分離することができる。
【０１４８】
また、図１５（Ｂ）の構成は、それぞれの発光装置の形状を帯状の形状とした構成である。このような配置とすることにより、発光装置を流れる電流経路を短くすることが出来るため、配線や電極の抵抗に起因する電圧降下に伴う輝度ムラを抑制することができる。
【０１４９】
接続部１６１には、上記で例示した発光装置間の接続部を適用することが出来る。
【０１５０】
ここで、上述した接続部により複数の発光装置を直列接続する場合において、各々の発光装置は当該接続部からの距離が遠いほど、上部電極層の抵抗に起因する電位降下により発光輝度が低下する場合がある。このような場合であっても、上述した分離層を備える補助配線を各発光装置に設けることにより、各々の発光装置からの発光の輝度を均一なものとすることができる。
【０１５１】
以上のように、隣接する２つの発光装置の間に上記で例示した構成の共通配線と分離層を設けることにより、少なくとも分離層を含む領域に開口部を有するメタルマスクを用いる、またはメタルマスクを用いずに、ＥＬ層及び上部電極層を形成した場合においても発光装置間を直列に接続することが出来る。
【０１５２】
このような直列接続された複数の発光装置を、照明装置に適用することにより、コンバータの電力変換ロスが低減され、低消費電力の照明装置とすることが出来る。
【０１５３】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１５４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した共通配線及び分離層を複数の画素部を有する表示装置に適用した例について、図６及び図７を用いて説明する。
【０１５５】
図６（Ａ）は、本発明の一態様である表示装置２０の上面概略図である。
【０１５６】
表示装置２０は、周期的に配置された複数の画素部２０１を有する表示領域２１と、表示領域２１を囲う共通配線２１１と、を有する。共通配線２１１は、表示領域２１内の画素部２０１に設けられた上部電極層と電気的に接続され、当該上部電極層に共通電位を入力する。
【０１５７】
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）中の一点鎖線で囲む、画素部２０１と共通配線２１１とを含む領域を拡大した、上面概略図である。
【０１５８】
複数の画素部２０１を含む表示領域２１に隣接して、共通配線２１１を有する。明瞭化のため図６（Ｂ）には、表示装置２０の共通配線２１１を含む一領域のみを図示しており、また、画素部２０１には下部電極層２０３と、下部電極層２０３上に破線で囲って示した発光領域と、円形の破線で示したコンタクト領域のみを図示している。
【０１５９】
図６（Ｃ）は、図６（Ｂ）中に示す切断線Ｄ−Ｄ’、及び切断線Ｅ−Ｅ’における断面概略図である。断面Ｄ−Ｄ’は、上記コンタクト領域と、画素部２０１に設けられるトランジスタ２２０とを含む領域の断面概略図であり、断面Ｅ−Ｅ’は、最も外側に配置される画素部２０１と、これに隣接する共通配線２１１とを含む領域の断面概略図である。
【０１６０】
画素部２０１は、少なくとも一つのトランジスタ（トランジスタ２２０）を有し、当該トランジスタ２２０にコンタクト領域を介して接続された下部電極層２０３と、ＥＬ層２０５と、上部電極層２０７とを有する。また、下部電極層２０３及び後に説明する共通配線２１１の端部、並びにコンタクト領域を覆う隔壁２０９を有する。
【０１６１】
なお、少なくとも画素部２０１を覆う封止膜を形成することが好ましい。
【０１６２】
トランジスタ２２０は、基板１０１上に下地膜２２１を介して形成され、半導体層２２３、ゲート電極２２５を有する。また、トランジスタ２２０を覆う第１絶縁層２３１に形成されたコンタクトホールを介して、半導体層２２３に設けられるソース又はドレインの一方に第１電極２２７が、ソース又はドレインの他方に第２電極２２９がそれぞれ接続される。
【０１６３】
またトランジスタ２２０、第１電極２２７、第２電極２２９及び第１絶縁層２３１を覆う第２絶縁層２３３に設けられたコンタクト部を介して、第１電極２２７と下部電極層２０３とが接続される。したがって、トランジスタ２２０と下部電極層２０３とが接続される。
【０１６４】
トランジスタ２２０のスイッチング動作により、下部電極層２０３へ供給される電圧あるいは電流が制御され、画素部２０１からの発光が制御される。
【０１６５】
共通配線２１１は、複数の画素部２０１を囲うようにして設けられ、その端部は隔壁２０９によって覆われている。また、共通配線２１１上には、分離層２１３が形成されている。さらに、共通配線２１１の隔壁２０９及び分離層２１３に覆われていない一部の領域で、上部電極層２０７と接触する。したがって、複数の画素部２０１に共通して設けられる上部電極層２０７は、共通配線２１１に電気的に接続されている。
【０１６６】
分離層２１３は、上記実施の形態で例示した様々な形態の分離層を適用することができる。
【０１６７】
なお、画素部２０１は、少なくとも一つのトランジスタを有していれば良く、表示装置２０の駆動方法、回路構成などにより、複数のトランジスタや、容量素子などの回路素子を有していてもよい。
【０１６８】
また画素部２０１は上面発光型、下面発光型、両面発光型のいずれであってもよいが、上面発光型とすることで発光領域の開口率を大きくすることができるため好ましい。また、下面発光型、両面発光型とする場合は、トランジスタ２２０を構成する材料（半導体層２２３、ゲート電極２２５、第１電極２２７、第２電極２２９等）に透光性を有する材料を適用すると、効率的に発光を得られるため好ましい。
【０１６９】
また、画素部２０１からの発光を単色、好ましくは白色とし、画素部２０１に重なるカラーフィルターを設けて光を取り出すことが好ましい。当該カラーフィルターは、基板１０１上に形成してもよいし、対向基板上に形成してもよい。画素部２０１からの発光色を同一とすると、画素部２０１ごとにＥＬ層２０５を塗り分ける必要が無く、メタルマスクを用いずに一度の工程でＥＬ層２０５を形成することができる。
【０１７０】
また上面発光型の場合、ＥＬ層２０５からの上面発光と、下部電極層２０３で反射した下面発光とが干渉して特定の波長の光が強めあうように、下部電極層２０３上に光路長調整膜を形成してもよい。当該光路長調整膜は透光性を有し、ＥＬ層２０５へのキャリアの注入に影響しない膜を用いることが好ましい。
【０１７１】
ここで、本発明の一態様の共通配線を適用可能な表示装置の別の一態様について、図１３を用いて説明する。
【０１７２】
図１３は発光装置の画素の一部分に相当する断面図である。
【０１７３】
図１３に示す発光装置は、図１３に矢印で示す方向に光を発する。すなわち、ＥＬ層２０５が形成された基板１０１を介することなく、基板１０１に対向して設けられる基板１０２を介して発光する所謂上面射出構造（トップエミッション構造）の発光装置である。
【０１７４】
図１３に示すように、基板１０１と、基板１０２との間に、青色画素２４０ａ、緑色画素２４０ｂ、及び赤色画素２４０ｃが形成されている。また、基板１０１上には、発光素子の駆動を制御するトランジスタ２２０と、絶縁層２５８に設けられたコンタクトホールを介してトランジスタ２２０に電気的に接続された下部電極層２０３と、を有している。
【０１７５】
なお、基板１０１と基板１０２の間にある空間２６０は、特に限定はなく、透光性を有していれば良い。ただし、空間２６０は、屈折率が空気よりも大きい透光性を有した材料で充填した方が好ましい。屈折率が小さい場合、ＥＬ層２０５から射出された斜め方向の光が、空間２６０の界面においてさらに屈折し、場合によっては隣接の画素から光が射出してしまう。従って、空間２６０としては、例えば、基板１０１と基板１０２とが、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤を用いることができる。また、窒素やアルゴンなどの不活性な気体なども用いることができる。
【０１７６】
なお、本実施の形態において、青色画素２４０ａは、少なくとも青色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された構成であり、緑色画素２４０ｂは、少なくとも緑色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された構成であり、赤色画素２４０ｃは、少なくとも赤色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された構成である。
【０１７７】
青色画素２４０ａ、緑色画素２４０ｂ、赤色画素２４０ｃは共通して、下部電極層２０３の上にＥＬ層２０５が直接形成され、ＥＬ層２０５上に上部電極層２０７が形成されている。
【０１７８】
このように、各画素（青色画素２４０ａ、緑色画素２４０ｂ、赤色画素２４０ｃ）の発光素子は同様の構成となっている。
【０１７９】
また、基板１０２は、基板１０２の上に、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜２５２と、カラーフィルター２５４と、オーバーコート２５６を有している。カラーフィルター２５４は、有色層であり、各発光素子からの発光の色（青、緑、赤）に対応する光を基板１０２側に透過する。
【０１８０】
このような表示装置に、上記の分離層を有する共通配線を適用することが出来る。したがって、ＥＬ層２０５及び上部電極層２０７を、少なくとも当該分離層上に開口部を有する同一のメタルマスクを用いて形成することができる。
【０１８１】
また、このように、各発光素子の有するＥＬ層からの発光を単一とし、上部に各発光素子からの発光色を実現するカラーフィルター２５４を設ける構成とすることにより、ＥＬ層を塗り分けるためのメタルマスクが削減されるため、メタルマスクや作製工程のコストが低減されると共に、メタルマスクと基板との接触に伴う不具合の発生確率を低減することができる。
【０１８２】
以上のように、本発明の一態様の共通配線を表示装置に適用することにより、ＥＬ層１０５の形成時に共通配線１１１と上部電極層１０７との接続部を覆うメタルマスクを用いる必要がなく、上部電極層１０７と同一のメタルマスクを用いて形成することができる。したがって、表示装置２０の作製に用いるメタルマスク数が削減され、メタルマスクと基板との接触による不具合が低減され、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１８３】
また、本発明の一態様の分離層を備える共通配線は、発光素子の上部電極層の導電性を補助する補助配線として用いることができる。以下では、当該共通配線及び分離層を、補助配線に適用した表示装置２００について説明する。
【０１８４】
図７（Ａ）は本発明の一態様である表示装置２００の上面概略図である。
【０１８５】
表示装置２００は、周期的に複数配置された画素部２０１と、画素部２０１を囲む共通配線２１１を有する。明瞭化のため、図７（Ａ）には、表示装置２００の共通配線２１１を含む一領域のみを図示しており、また、画素部２０１には下部電極層２０３と、下部電極層２０３上に破線で囲って示した発光領域と、円形の破線で示したコンタクト領域のみを図示している。
【０１８６】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）中に示す切断線Ｆ−Ｆ’、及び切断線Ｇ−Ｇ’における断面概略図である。断面Ｆ−Ｆ’は、上記コンタクト領域と、画素部２０１に設けられるトランジスタ２２０とを含む領域の断面概略図であり、断面Ｇ−Ｇ’は、隣接する２つの画素部２０１と、その間の共通配線２１１とを含む領域の断面概略図である。
【０１８７】
表示装置２００は、上記表示装置２０に対して隣接する画素部２０１の間に上部電極層の補助配線として機能する共通配線２１１を有する点以外は同様の構成を有している。
【０１８８】
共通配線２１１は、隣接する２つの画素部２０１の下部電極層２０３の間に設けられ、その端部は隔壁２０９によって覆われている。また、共通配線２１１上には、分離層２１３が形成されている。さらに、共通配線２１１の隔壁２０９及び分離層２１３に覆われていない一部の領域で、上部電極層２０７と接触する。したがって、複数の画素部２０１が有する上部電極層２０７は、共通配線２１１を介して電気的に接続されている。
【０１８９】
また、表示装置２００は、表示装置２０と同様に複数の画素部２０１を囲むように共通配線２１１が配置されていても良い。
【０１９０】
なお、本実施の形態では、１つの画素部２０１を囲む共通配線２１１を備える構成について例示するが、２つ以上の複数の画素部２０１を囲むように共通配線２１１を設けても良い。また、共通配線２１１は、縦方向、又は横方向のみに配置する構成としても良い。
【０１９１】
以上のように、本発明の一態様の共通配線を表示装置に適用することにより、上部電極層の抵抗に起因する電位降下が抑制され、且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。また、メタルマスクを用いずにＥＬ層及び上部電極層を形成することが可能なため、メタルマスクと基板との接触による不具合が排除され、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１９２】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１９３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で例示した発光装置が適用された、上面発光型の照明装置の例について図８を用いて説明する。
【０１９４】
図８（Ａ）に示す照明装置３００は、第１の基板３０１ａ上に複数の発光装置３０３が形成されている。また第１の基板３０１ａと、これと対向する透光性を有する第２の基板３０１ｂとは、発光装置３０３を覆うシール材３０５ａと、端部に設けられるシール材３０５ｂによって貼り合わされた構成となっている。
【０１９５】
発光装置３０３は、実施の形態１で例示した発光装置を適宜用いることができる。
【０１９６】
第１の基板３０１ａには、金属基板などの熱伝導性の高い基板を用いることが好ましい。ＥＬ素子を用いた大型の照明装置の場合、ＥＬ素子からの発熱が問題となる場合があるため、このような熱伝導性の高い基板を用いると放熱性が高まる。例えば、ステンレス基板のほかに、アルミニウム酸化物、ジュラルミンなどを用いると、軽量且つ放熱性を高めることができる。また、アルミニウムとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとアルミニウム酸化物との積層、ジュラルミンとマグネシウム酸化物との積層などを用いると、基板表面を絶縁性とすることができるため好ましい。
【０１９７】
第２の基板３０１ｂには透光性の基板を用いる。また、発光装置３０３の表面や、第２の基板３０１ｂの表裏面など、発光装置３０３からの発光と交差する面に凹凸形状を設け、全反射を抑制する構成としてもよい。例えば、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルムなどを貼り付けてもよいし、直接凹凸形状を形成してもよい。
【０１９８】
シール材３０５ａ、３０５ｂとしては、対向する面同士を接着することができる材料を用いることができる。例えば熱硬化型の材料、紫外線硬化型の材料などからなる公知のシール材を用いることができる。特に、シール材３０５ａには透光性を有する材料を用いることが好ましい。これらの材料は、できるだけ水分や酸素などの不純物を透過しない材料であることが望ましい。また、乾燥剤入りのシール材を用いることもできる。
【０１９９】
図８（Ｂ）に示す照明装置３２０は、第１のガラス層３０７ａ上に形成された複数の発光装置３０３が、第２のガラス層３０７ｂで封止されたものを、第１の基板３０１ａ及び第２の基板３０１ｂで囲う構成となっている。
【０２００】
第１のガラス層３０７ａと第２のガラス層３０７ｂとはシール材３０５ａを用いて貼り合わされており、第１の基板３０１ａと、第２の基板３０１ｂとはシール材３０５ｂで貼り合わされている。
【０２０１】
また、第１のガラス層３０７ａと第２のガラス層３０７ｂとの間の空間は、充填材として不活性気体（窒素、アルゴン等）を充填してもよいし、透光性を有するシール材で充填していてもよい。
【０２０２】
照明装置３２０は、発光装置３０３が２枚の薄いガラス層で封止された構成となっているため、外部からの水分、酸素などの不純物の浸入を抑制でき、信頼性の高い発光装置とすることができる。
【０２０３】
また、照明装置３００及び３２０には、第１の基板３０１ａ上に発光装置３０３と接続するコンバータ３０９が設けられている。コンバータ３０９は例えば家庭用電源の電源電圧から、照明駆動用の電源電圧に変換する。なお、コンバータ３０９はシール材３０５ｂよりも内側に形成されていてもよい。
【０２０４】
また、照明装置３００及び３２０に用いる基板の材料として、プラスチックや有機樹脂フィルムや薄いガラス基板、金属薄膜などの可撓性を有する材料を用いることにより、軽量で可撓性を有する照明装置とすることができる。
【０２０５】
なお、本実施の形態では上面発光型の照明装置について説明したが、例えば下面発光型とする場合には、発光装置が設けられる側の基板に透光性の基板を用いればよい。
【０２０６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２０７】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるＥＬ層の一例について、図９を用いて説明する。
【０２０８】
図９（Ａ）に示すＥＬ層１０５は、第１の電極層７１１と第２の電極層７１２の間に設けられている。第１の電極層７１１及び第２の電極層７１２は、上記実施の形態と同様の構成を適用することができる。
【０２０９】
ＥＬ層１０５は、少なくとも発光性の有機化合物を含む発光層が含まれていればよい。そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することができる。本実施の形態において、ＥＬ層１０５は、第１の電極層７１１側から、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、及び電子注入層７０５の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよい。
【０２１０】
図９（Ａ）に示す発光素子の作製方法について説明する。
【０２１１】
正孔注入層７０１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることができる。また、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、銅（ＩＩ）フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
【０２１２】
また、低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等を用いることができる。
【０２１３】
さらに、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
【０２１４】
特に、正孔注入層７０１として、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることにより、第１の電極層７１１からの正孔注入性を良好にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター物質とを共蒸着することにより形成することができる。該複合材料を用いて正孔注入層７０１を形成することにより、第１の電極層７１１からＥＬ層１０５への正孔注入が容易となる。
【０２１５】
複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。
【０２１６】
複合材料に用いることのできる有機化合物としては、例えば、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＤＰＡＢ、ＤＮＴＰＤ、ＤＰＡ３Ｂ、ＰＣｚＰＣＡ１、ＰＣｚＰＣＡ２、ＰＣｚＰＣＮ１、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ又はα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）等の芳香族アミン化合物や、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等のカルバゾール誘導体を用いることができる。
【０２１７】
また、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【０２１８】
さらに、２，３，６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、ペンタセン、コロネン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等の芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
【０２１９】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等の有機化合物や、遷移金属酸化物を挙げることができる。また、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０２２０】
なお、上述したＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ等の高分子化合物と、上述した電子受容体を用いて複合材料を形成し、正孔注入層７０１に用いてもよい。
【０２２１】
正孔輸送層７０２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、例えば、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ＢＰＡＦＬＰ、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等の芳香族アミン化合物を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２２２】
また、正孔輸送層７０２には、ＣＢＰ、ＣｚＰＡ、ＰＣｚＰＡのようなカルバゾール誘導体や、ｔ−ＢｕＤＮＡ、ＤＮＡ、ＤＰＡｎｔｈのようなアントラセン誘導体を用いてもよい。
【０２２３】
また、正孔輸送層７０２には、ＰＶＫ、ＰＶＴＰＡ、ＰＴＰＤＭＡ、Ｐｏｌｙ−ＴＰＤなどの高分子化合物を用いることもできる。
【０２２４】
発光性の有機化合物を含む層７０３は、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。
【０２２５】
発光性の有機化合物を含む層７０３に用いることができる蛍光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。
【０２２６】
また、発光性の有機化合物を含む層７０３に用いることができる燐光性化合物としては、例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ���アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。
【０２２７】
なお、発光性の有機化合物を含む層７０３としては、上述した発光性の有機化合物（ゲスト材料）を他の物質（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好ましい。
【０２２８】
ホスト材料としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物などを用いることができる。
【０２２９】
また、ホスト材料は複数種用いることができる。例えば、結晶化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等をさらに添加してもよい。
【０２３０】
ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光性の有機化合物を含む層７０３の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制することができる。
【０２３１】
また、発光性の有機化合物を含む層７０３として高分子化合物を用いることができる。具体的には、青色系の発光材料として、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）（略称：ＰＦＯ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＤＭＯＰ）、ポリ｛（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−［Ｎ，Ｎ’−ジ−（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−ジアミノベンゼン］｝（略称：ＴＡＢ−ＰＦＨ）などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（略称：ＰＰＶ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ａｌｔ−ｃｏ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル）］（略称：ＰＦＢＴ）、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−ａｌｔ−ｃｏ−（２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−フェニレン）］などが挙げられる。また、橙色〜赤色系の発光材料として、ポリ［２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ（３−ブチルチオフェン−２，５−ジイル）（略称：Ｒ４−ＰＡＴ）、ポリ｛［９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝、ポリ｛［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−ビス（１−シアノビニレンフェニレン）］−ａｌｔ−ｃｏ−［２，５−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン］｝（略称：ＣＮ−ＰＰＶ−ＤＰＤ）などが挙げられる。
【０２３２】
また、発光性の有機化合物を含む層を複数設け、それぞれの層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性の有機化合物を含む層を２つ有する発光素子において、第１の発光性の有機化合物を含む層の発光色と第２の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有機化合物を含む層を３つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
【０２３３】
電子輸送層７０４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０２３４】
電子注入層７０５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層７０５には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層７０４を構成する物質を用いることもできる。
【０２３５】
なお、上述した正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入層７０５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０２３６】
ＥＬ層は、図９（Ｂ）に示すように、第１の電極層７１１と第２の電極層７１２との間に複数積層されていてもよい。この場合、積層された第１のＥＬ層８００と第２のＥＬ層８０１との間には、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料からなる層と他の材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。
【０２３７】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、３つ以上のＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様である。
【０２３８】
ＥＬ層１０５は、図９（Ｃ）に示すように、第１の電極層７１１と第２の電極層７１２との間に、正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、電子輸送層７０４、電子注入バッファー層７０６、電子リレー層７０７、及び第２の電極層７１２と接する複合材料層７０８を有していてもよい。
【０２３９】
第２の電極層７１２と接する複合材料層７０８を設けることで、特にスパッタリング法を用いて第２の電極層７１２を形成する際に、ＥＬ層１０５が受けるダメージを低減することができるため、好ましい。複合材料層７０８は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物にアクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
【０２４０】
さらに、電子注入バッファー層７０６を設けることで、複合材料層７０８と電子輸送層７０４との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層７０８で生じた電子を電子輸送層７０４に容易に注入することができる。
【０２４１】
電子注入バッファー層７０６には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０２４２】
また、電子注入バッファー層７０６が、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層７０４の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０２４３】
さらに、電子注入バッファー層７０６と複合材料層７０８との間に、電子リレー層７０７を形成することが好ましい。電子リレー層７０７は、必ずしも設ける必要は無いが、電子輸送性の高い電子リレー層７０７を設けることで、電子注入バッファー層７０６へ電子を速やかに送ることが可能となる。
【０２４４】
複合材料層７０８と電子注入バッファー層７０６との間に電子リレー層７０７が挟まれた構造は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層７０６に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
【０２４５】
電子リレー層７０７は、電子輸送性の高い物質を含み、該電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるように形成する。また、電子リレー層７０７がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー準位も複合材料層７０８におけるアクセプター性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層７０４に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位との間となるようにする。具体的なエネルギー準位の数値としては、電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質のＬＵＭＯ準位は−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするとよい。
【０２４６】
電子リレー層７０７に含まれる電子輸送性の高い物質としてはフタロシアニン系の材料又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
【０２４７】
電子リレー層７０７に含まれるフタロシアニン系材料としては、具体的にはＣｕＰｃ、ＳｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｎ（ＩＩ）  ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＺｎＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｚｉｎｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）、ＣｏＰｃ（Ｃｏｂａｌｔ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ，  β−ｆｏｒｍ）、ＦｅＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  Ｉｒｏｎ）及びＰｈＯ−ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ  ２，９，１６，２３−ｔｅｔｒａｐｈｅｎｏｘｙ−２９Ｈ，３１Ｈ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）のいずれかを用いることが好ましい。
【０２４８】
電子リレー層７０７に含まれる金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としては、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重結合はアクセプター性（電子を受容しやすい性質）を有するため、電子の移動（授受）がより容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられる。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
【０２４９】
金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体としてはフタロシアニン系材料が好ましい。具体的には、ＶＯＰｃ（Ｖａｎａｄｙｌ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、ＳｎＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｎ（ＩＶ）  ｏｘｉｄｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ）及びＴｉＯＰｃ（Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ  ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ  ｃｏｍｐｌｅｘ）のいずれかは、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすく、アクセプター性が高いため好ましい。
【０２５０】
なお、上述したフタロシアニン系材料としては、フェノキシ基を有するものが好ましい。具体的にはＰｈＯ−ＶＯＰｃのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
【０２５１】
電子リレー層７０７はさらにドナー性物質を含んでいてもよい。ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、又は希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いることができる。電子リレー層７０７にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
【０２５２】
電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質としては上記した材料の他、複合材料層７０８に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位より高いＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位としては、−５．０ｅＶ以上、好ましくは−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下の範囲にＬＵＭＯ準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定であるため、電子リレー層７０７を形成する為に用いる材料として、好ましい材料である。
【０２５３】
ペリレン誘導体の具体例としては、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックビスベンゾイミダゾール（略称：ＰＴＣＢＩ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、Ｎ，Ｎ’−ジヘキシル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：Ｈｅｘ  ＰＴＣ）等が挙げられる。
【０２５４】
また、含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ）、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ（ＣＮ）６）、２，３−ジフェニルピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：２ＰＹＰＲ）、２，３−ビス（４−フルオロフェニル）ピリド［２，３−ｂ］ピラジン（略称：Ｆ２ＰＹＰＲ）等が挙げられる。
【０２５５】
その他にも、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、１，４，５，８，−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＮＴＣＤＡ）、パーフルオロペンタセン、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（略称：Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−ペンタデカフルオロオクチル）−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（略称：ＮＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−５，５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン（略称：ＤＣＭＴ）、メタノフラーレン（例えば、［６，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステル等を用いることができる。
【０２５６】
なお、電子リレー層７０７にドナー性物質を含ませる場合、電子輸送性の高い物質とドナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層７０７を形成すればよい。
【０２５７】
正孔注入層７０１、正孔輸送層７０２、発光性の有機化合物を含む層７０３、及び電子輸送層７０４は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
【０２５８】
以上により、本実施の形態のＥＬ層１０５を作製することができる。
【０２５９】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２６０】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図１０を用いて説明する。
【０２６１】
本発明の一態様では、発光部が曲面を有する照明装置を実現することができる。
【０２６２】
本発明の一態様は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、ダッシュボードや、天井等に照明を設置することもできる。
【０２６３】
図１０（Ａ）では、本発明の一態様を適用した、室内の照明装置９０１、卓上照明器具９０３、及び面状照明装置９０４を示す。発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、厚みが薄いため、壁に取り付けて使用することができる。その他、ロール型の照明装置９０２として用いることもできる。
【０２６４】
図１０（Ｂ）に別の照明装置の例を示す。図１０（Ｂ）に示す卓上照明装置は、照明部９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は、本発明の一態様の発光装置を含む。このように、本発明の一態様では、曲面を有する照明装置、又はフレキシブルに曲がる照明部を有する照明装置を実現することができる。このように、フレキシブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上するのみでなく、例えば、自動車の天井、ダッシュボード等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能となる。
【０２６５】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２６６】
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で作製した発光装置を適用した電子機器について、図１１を用いて説明する。
【０２６７】
また、上記実施の形態にて作製した発光装置を適用した半導体装置としてさまざまな電子機器（遊技機も含む）が挙げられる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２６８】
図１１（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置５００は、筐体５０１に表示部５０３が組み込まれている。表示部５０３により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド５０５により筐体５０１を支持した構成を示している。
【０２６９】
テレビジョン装置５００の操作は、筐体５０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機５１０により行うことができる。リモコン操作機５１０が備える操作キー５０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部５０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機５１０に、当該リモコン操作機５１０から出力する情報を表示する表示部５０７を設ける構成としてもよい。
【０２７０】
なお、テレビジョン装置５００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０２７１】
図１１（Ｂ）は、デジタルフォトフレームの一例を示している。例えば、デジタルフォトフレーム５２０は、筐体５２１に表示部５２３が組み込まれている。表示部５２３は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる。
【０２７２】
なお、デジタルフォトフレーム５２０は、操作部、外部接続用端子（ＵＳＢ端子、ＵＳＢケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など）、記録媒体挿入部などを備える構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像データを取り込み、取り込んだ画像データを表示部５２３に表示させることができる。
【０２７３】
また、デジタルフォトフレーム５２０は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
【０２７４】
図１１（Ｃ）は携帯型のコンピュータの一例を示す斜視図である。
【０２７５】
図１１（Ｃ）の携帯型のコンピュータ５４０は、上部筐体５４１と下部筐体５４２とを接続するヒンジユニットを閉状態として表示部５４３を有する上部筐体５４１と、キーボード５４４を有する下部筐体５４２とを重ねた状態とすることができ、持ち運ぶことが便利であるとともに、使用者がキーボード入力する場合には、ヒンジユニットを開状態として、表示部５４３を見て入力操作を行うことができる。
【０２７６】
また、下部筐体５４２はキーボード５４４の他に入力操作を行うポインティングデバイス５４６を有する。また、表示部５４３をタッチ入力パネルとすれば、表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。また、下部筐体５４２はＣＰＵやハードディスク等の演算機能部を有している。また、下部筐体５４２は他の機器、例えばＵＳＢの通信規格に準拠した通信ケーブルが差し込まれる外部接続ポート５４５を有している。
【０２７７】
上部筐体５４１には更に上部筐体５４１内部にスライドさせて収納可能な表示部５４７を有しており、広い表示画面を実現することができる。また、収納可能な表示部５４７の画面の向きを使用者は調節できる。また、収納可能な表示部５４７をタッチ入力パネルとすれば、収納可能な表示部の一部に触れることで入力操作を行うこともできる。
【０２７８】
また、図１１（Ｃ）の携帯型のコンピュータ５４０は、受信機などを備えた構成として、テレビ放送を受信して映像を表示部に表示することができる。また、上部筐体５４１と下部筐体５４２とを接続するヒンジユニットを閉状態としたまま、表示部５４７をスライドさせて画面全面を露出させ、画面角度を調節して使用者がテレビ放送を見ることもできる。この場合には、ヒンジユニットを閉状態として表示部５４３を表示させず、さらにテレビ放送を表示するだけの回路の起動のみを行うため、最小限の消費電力とすることができ、バッテリー容量の限られている携帯型のコンピュータにおいて有用である。
【０２７９】
上記実施の形態で例示した表示装置をこのような電子機器等の半導体装置に各表示部に適用することにより、信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【０２８０】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０２８１】
１０        発光装置
１００      発光装置
１０１      基板
１０２      基板
１０３      下部電極層
１０５      ＥＬ層
１０７      上部電極層
１０９      隔壁
１１１      共通配線
１１３      分離層
１１５      分離層
１１７      有機樹脂膜
１１９      マスク
１２１      露光光
１２３      補助配線
１２５      隔壁
１３１      分離層
１３３      分離層
１３５      分離層
１３５ａ    脚部
１３５ｂ    台部
１５０ａ    発光装置
１５０ｂ    発光装置
１５３      絶縁層
１６０ａ    発光装置
１６０ｂ    発光装置
１６０ｃ    発光装置
１６０ｄ    発光装置
１６１      接続部
２０        表示装置
２００      表示装置
２０１      画素部
２０３      下部電極層
２０５      ＥＬ層
２０７      上部電極層
２０９      隔壁
２１１      共通配線
２１３      分離層
２２０      トランジスタ
２２１      下地膜
２２３      半導体層
２２５      ゲート電極
２２７      第１電極
２２９      第２電極
２３１      第１絶縁層
２３３      第２絶縁層
２４０ａ    青色画素
２４０ｂ    緑色画素
２４０ｃ    赤色画素
２５２      遮光膜
２５４      カラーフィルター
２５６      オーバーコート
２５８      絶縁層
２６０      空間
３００      照明装置
３０１ａ    第１の基板
３０１ｂ    第２の基板
３０３      発光装置
３０５ａ    シール材
３０５ｂ    シール材
３０７ａ    第１のガラス層
３０７ｂ    第２のガラス層
３０９      コンバータ
３２０      照明装置
５００      テレビジョン装置
５０１      筐体
５０３      表示部
５０５      スタンド
５０７      表示部
５０９      操作キー
５１０      リモコン操作機
５２０      デジタルフォトフレーム
５２１      筐体
５２３      表示部
５４０      コンピュータ
５４１      上部筐体
５４２      下部筐体
５４３      表示部
５４４      キーボード
５４５      外部接続ポート
５４６      ポインティングデバイス
５４７      表示部
７１１      第１の電極層
７１２      第２の電極層
７０１      正孔注入層
７０２      正孔輸送層
７０３      発光性の有機化合物を含む層
７０４      電子輸送層
７０５      電子注入層
７０６      電子注入バッファー層
７０７      電子リレー層
７０８      複合材料層
８００      第１のＥＬ層
８０１      第２のＥＬ層
８０３      電荷発生層
９０１      照明装置
９０２      照明装置
９０３      卓上照明器具
９０４      面状照明装置
９５０１    照明部
９５０３    支柱
９５０５    支持台
【図１】
0005926064.tif 000002
【図２】
0005926064.tif 000003
【図３】
0005926064.tif 000004
【図４】
0005926064.tif 000005
【図５】
0005926064.tif 000006
【図６】
0005926064.tif 000007
【図７】
0005926064.tif 000008
【図８】
0005926064.tif 000009
【図９】
0005926064.tif 000010
【図１０】
0005926064.tif 000011
【図１１】
0005926064.tif 000012
【図１２】
0005926064.tif 000013
【図１３】
0005926064.tif 000014
【図１４】
0005926064.tif 000015
【図１５】
0005926064.tif 000016