(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコート法によりインライン方式で連続積層塗布して有機エレクトロルミネッセンス膜を形成し、
前記少なくとも２層の有機機能層が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の第１の雰囲気（エリア１）で連続積層塗布された後、不活性ガスを除く気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の第２の雰囲気（エリア２）で加熱乾燥処理を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の雰囲気（エリア１）及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１の雰囲気（エリア１）及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスを除く気体が、水分及び酸素ガスであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項５】
枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコータを用いてインライン方式で連続積層塗布して有機機能層積層体を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該基板を基板浮上ユニットで保持し、該基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、該気体の吹き出し量と吸引量を制御して、前記基板を浮上させながら前記ダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成し、
前記少なくとも２層の有機機能層を第１の雰囲気（エリア１）で塗布し、
前記第１の雰囲気（エリア１）が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の雰囲気であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記枚葉形態の基板上に１つの有機機能層を塗布した後に、それぞれ独立した乾燥ゾーンを有していることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の気体であることを特徴とする請求項５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも２層の有機機能層をダイコータによりインライン方式で連続積層塗布した有機機能層積層体に、不活性ガスを除く気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の第２の雰囲気（エリア２）で加熱乾燥処理を施すことを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１の雰囲気（エリア１）、基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の雰囲気（エリア１）、基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスを除く気体が、水分及び酸素ガスであることを特徴とする請求項８または９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１１】
前記枚葉形態の基板上に形成する有機機能層が、パターン状であることを特徴とする請求項５から１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
前記枚葉形態の基板上にアライメントマークを設け、該アライメントマークを検知して、前記ダイコータから該枚葉形態の基板上への有機機能層形成用塗布液の供給及び停止を制御することを特徴とする請求項５から１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項５から１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコータを用いてインライン方式で連続積層塗布して有機機能層積層体を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該基板を基板浮上ユニットで保持し、該基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、該気体の吹き出し量と吸引量を制御して、前記基板を浮上させながら前記ダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成し、
前記ダイコータへの有機機能層形成用塗布液の停止時期に、該ダイコータのリップ部にワイピング洗浄処理を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、均一な膜厚で高品位な有機機能膜を得ることができ、更には高い生産性でありながら、設備費用を低く抑えられる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬともいう）は、蒸着方式を用いた製膜法により製造されているが、生産性の向上や製造コスト低減のため、近年では、湿式塗布方式を適用した製造方式の開発が望まれている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の各構成層を、湿式塗布方式により形成する場合、各構成層の形成に用いる塗布液の粘度は非常に低く、塗布膜厚も非常に薄いため、均一な膜厚を有する層の形成が強く要望されている。【０００３】
薄層形成に適用される塗布方式の１つとして、スピンコート法が知られている。スピンコート法は、薄膜形成用塗布液を基板上に滴下した後、支持体を回転させて遠心力により支持体全面に塗布を行って薄膜を形成する方法であり、回転数、回転時間、あるいは塗布液の粘度等により膜厚を制御するものである。スピンコート法は、例えば半導体製造工程等に用いられるフォトレジスト膜やＳＯＧ（スピンオンガラス）等の層間絶縁膜の形成、液晶装置製造工程等におけるオーバーコート膜（平坦膜）や配向膜の形成、さらには光ディスク等の製造工程における保護膜の形成等に広く用いられている。【０００４】
しかしながら、スピンコート法は、膜厚精度は高いものの、支持体を回転させる必要があるため、帯状支持体に連続して塗布することができない。このため、切断した支持体を毎回取り替えながら塗布する必要があり、また塗布の際に支持体の端部からはみ出す塗布液の量が多く、生産コストが高くなるという問題がある。【０００５】
また、他の薄膜塗布法としては、インクジェット方式も知られているが、インクジェット方式では塗布速度が遅く生産性が低いという問題がある。【０００６】
一方、フレキソ印刷方式は、連続生産が可能で高速塗布に有効な方式として知られている。しかしながら、液晶装置や有機ＥＬ装置等のディスプレイ装置に用いられるディスプレイ材料の塗布膜は、要求される膜厚精度が高く、フレキソ印刷方式で作成した塗布膜では要求される膜厚精度や塗布品質が得られないという問題がある。【０００７】
このため、フレキソ印刷方式で塗布ムラを抑制するために、版材の全面に均等に凹凸を設けたものを用いて、版材の凹部に充填された塗布液を支持体に転写させる塗布方法が特許文献１に記載されているものの、ディスプレイ材料の塗布膜に要求される膜厚精度や塗布品質を満足するには十分でなかった。【０００８】
更に、スリット型ダイコータを用いたエクストルージョン塗布法も塗布精度の高さ、高速、薄膜、多層塗布適性等の対応が可能であることから検討されており、例えばロールツーロール方式で連続塗布する方法が特許文献２に記載されている。しかし、ロールツーロール方式は、生産性としては高いものの、生産ライン設備が複雑で投資費用が膨大になるため、均一な膜厚の塗布膜を得ることができ、更には高い生産性でありながら、設備費用を低く抑えられる製造方法が求められていた。【０００９】
一方、大型で枚葉の基板の搬送手段として、一般にベルトコンベア、ローラコンベア等が広く用いられるが、製造ラインにおける搬送や移載の際に、基板と搬送手段との接触等により基板が傷つき、更には接触による細かな微粉が基板表面に付着してダークスポットになる上に、振動により塗布スジが発生してしまうことが判明した。そこで、多孔質板から噴き出すエア圧で浮上させながら搬送させる方法が、例えば、特許文献３に記載されているものの、その効果は十分であるとは言い難いのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平９−１３１９５９号公報
【特許文献２】特開２００７−９８２２４号公報
【特許文献３】特開２００４−１８２３７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、生産効率（高生産性、低設備コスト）が高く、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の目的は、高い生産性を有し、塗膜の均一性が高く、ダークスポット等の塗布故障が低減した高品位の有機機能膜を得ることができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。【００１３】
１．枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコート法によりインライン方式で連続積層塗布して有機エレクトロルミネッセンス膜を形成し、
前記少なくとも２層の有機機能層が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の第１の雰囲気（エリア１）で連続積層塗布された後、不活性ガスを除く気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の第２の雰囲気（エリア２）で加熱乾燥処理を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１６】
２．前記第１の雰囲気（エリア１）及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１７】
３．前記第１の雰囲気（エリア１）及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスを除く気体が、水分及び酸素ガスであることを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１８】
４．前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする前記１から３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１９】
５．枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコータを用いてインライン方式で連続積層塗布して有機機能層積層体を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該基板を基板浮上ユニットで保持し、該基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、該気体の吹き出し量と吸引量を制御して、前記基板を浮上させながら前記ダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成し、
前記少なくとも２層の有機機能層を第１の雰囲気（エリア１）で塗布し、
前記第１の雰囲気（エリア１）が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の雰囲気であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２０】
６．前記枚葉形態の基板上に１つの有機機能層を塗布した後に、それぞれ独立した乾燥ゾーンを有していることを特徴とする前記５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２２】
７．前記基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体が、不活性ガスを除く気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の気体であることを特徴とする前記５または６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２３】
８．前記少なくとも２層の有機機能層をダイコータによりインライン方式で連続積層塗布した有機機能層積層体に、不活性ガスを除く気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の第２の雰囲気（エリア２）で加熱乾燥処理を施すことを特徴とする前記５から７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２４】
９．前記第１の雰囲気（エリア１）、基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする前記８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２５】
１０．前記第１の雰囲気（エリア１）、基板浮上ユニットの吹き出し部より供給する浮上用気体及び第２の雰囲気（エリア２）を構成する不活性ガスを除く気体が、水分及び酸素ガスであることを特徴とする前記８または９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２６】
１１．前記枚葉形態の基板上に形成する有機機能層が、パターン状であることを特徴とする前記５から１０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２７】
１２．前記枚葉形態の基板上にアライメントマークを設け、該アライメントマークを検知して、前記ダイコータから該枚葉形態の基板上への有機機能層形成用塗布液の供給及び停止を制御することを特徴とする前記５から１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
１３．前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする前記５から１２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２８】
１４．枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコータを用いてインライン方式で連続積層塗布して有機機能層積層体を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該基板を基板浮上ユニットで保持し、該基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、該気体の吹き出し量と吸引量を制御して、前記基板を浮上させながら前記ダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成し、
前記ダイコータへの有機機能層形成用塗布液の停止時期に、該ダイコータのリップ部にワイピング洗浄処理を施すことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００２９】
１５．前記枚葉形態の基板が、ガラス基板であることを特徴とする前記１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の効果】
【００３０】
本発明により、生産効率（高生産性、低設備コスト）が高く、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができた。【００３１】
本発明において、さらに、基板を基板浮上ユニットで保持し、基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、気体の吹き出し量と吸引量を制御して、基板を浮上させながらダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成する構成とすることにより、高い生産性を有し、塗膜の均一性が高く、ダークスポット等の塗布故障が低減した高品位の有機機能膜を得ることができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の概略的な構成の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な製造工程の一例を示す工程フロー図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能なダイコータの一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な製造工程の他の一例を示す工程フロー図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な製造工程のさらに他の一例を示す工程フロー図である。
【図６】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能なダイコータの他の一例を示す概略断面図である。
【図７】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な基板浮上ユニットの構成の一例を示す概略図である。
【図８】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な基板浮上ユニットの構成の他の一例を示す概略図である。
【図９】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能なアライメントの検出とダイコータのワイピング洗浄装置の配置を示す概略図である。
【図１０】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能なダイコータのワイピング洗浄装置の主要構成の一例を示す概略斜視図である。
【図１１】実施例で用いた比較例であるバッチ方式により有機機能層を形成する製造ラインの一例を示す模式図である。
【図１２】実施例で用いた比較例であるロールツーロール方式により有機機能層を形成する製造ラインの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
【００３４】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコート法によりインライン方式で連続積層塗布して有機エレクトロルミネッセンス膜を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により、生産効率（高生産性、低設備コスト）が高く、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を実現できることを見出し、本発明に至った次第である。
【００３５】
また、本発明者は、枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコータを用いてインライン方式で連続積層塗布して有機機能層積層体を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、該基板を基板浮上ユニットで保持し、該基板浮上ユニットは、気体の吹き出し部と、気体の吸引部とを有し、該気体の吹き出し量と吸引量を制御して、前記基板を浮上させながら前記ダイコータにより塗布して有機機能層積層体を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により、高い生産性を有し、塗膜の均一性が高く、ダークスポット等の塗布故障が低減した高品位の有機機能膜を得ることができる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を実現できることを見出した。
【００３６】
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法について、その詳細を説明する。
【００３７】
《有機ＥＬ素子の基本的な構成》
図１に、本発明に係る有機ＥＬ素子の基本的な構成の一例を示す。
【００３８】
図１において、有機ＥＬ素子１は、支持基板Ｐを有している。支持基板Ｐ上には陽極２が形成され、陽極２上には、複数の有機機能層から構成される有機機能層群２０が形成され、有機機能層群２０上には陰極８が形成されている。
【００３９】
有機機能層群２０とは、陽極２と陰極８との間に設けられている有機ＥＬ素子１を構成する各有機機能層から構成されている。
【００４０】
有機機能層群２０を構成する各有機機能層としては、例えば、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７が含まれ、そのほかに正孔ブロック層や電子ブロック層等が含まれてもよい。
【００４１】
支持基板Ｐ上の陽極２、有機機能層２０、陰極８は、封止接着剤９を介して可撓性封止部材１０によって封止されている。
【００４２】
なお、有機ＥＬ素子１のこれらの層構造（図１参照）は単に好ましい具体例を示したものであり、本発明はこれらに限定されない。
【００４３】
例えば、本発明に係る有機ＥＬ素子１の構成としては、下記に示す（ｉ）〜（viii）の層構造を有していてもよい。
【００４４】
（ｉ）支持基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ii）支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（iii）支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（iv）支持基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｖ）支持基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
また、基板としては、上記支持基板に代えて、ガラス支持体を用いることもできる。
【００４５】
（vi）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極／封止部材
（vii）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極／封止部材
（viii）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極／封止部材
《有機ＥＬ素子の製造方法》
次いで、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について、図を交えてその詳細を説明する。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法では、枚葉形態の基板上に、少なくとも２層の有機機能層を、ダイコート法によりインライン方式で、湿式塗布液を用いて、連続積層塗布して有機機能層群を形成することを特徴とする。
【００４７】
図２は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な製造工程の一例を示す工程フロー図であり、図２に示すフローに従って本発明に係る有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００４８】
図２に示すように、矢印方向に移動している基板保持部材（基板保持ベルト）３２上に、所望のサイズに断裁した枚葉形態の基板Ｐを一定間隔で配置する。第１の塗布工程であるＳｔａｇｅ１で、例えば、図１に示す構成の有機ＥＬ素子においては、陽極２まで形成した基板Ｐ上に、第１のダイコータＣｏ１を用いて、第１の有機機能層Ｌ１、例えば、図１の構成で示す正孔注入層３を、ダイコート法により湿式塗布方式で形成する。基板Ｐ上に形成した第１の有機機能層Ｌ１（例えば、正孔注入層３）は、紙面の右側に移送され、必要に応じて乾燥部Ｈ１にて有機溶媒等の除去が行われる。次いで、基板Ｐは、第２の塗布工程であるＳｔａｇｅ２に移送される。Ｓｔａｇｅ２では、第１の有機機能層Ｌ１を形成した基板Ｐ上に、第２のダイコータＣｏ２を用い、第２の有機機能層Ｌ２として、例えば、図１の構成で示す正孔輸送層４を、ダイコート法により湿式塗布方式で形成する。基板Ｐ上に形成した第２の有機機能層Ｌ２（例えば、正孔輸送層４）は、紙面の右側に移送され、必要に応じて乾燥部Ｈ２にて乾燥される。
【００４９】
同様にして、第３の塗布工程であるＳｔａｇｅ３で第３の有機機能層Ｌ３（例えば、発光層５）を、第４の塗布工程であるＳｔａｇｅ４で第４の有機機能層Ｌ４（例えば、電子輸送層６）を、枚葉基板Ｐ上にオンラインで形成する。
【００５０】
次いで、有機機能層群２０を形成した枚葉の基板Ｐは、オフラインで雰囲気条件の異なるエリア２（４０）に移送し、ここで特定の雰囲気条件下で加熱処理（ベイク処理）により、最終乾燥を行う。
【００５１】
次いで、乾燥処理が施された有機機能層群２０を形成した枚葉の基板Ｐは、蒸着工程５０、例えば、真空蒸着装置５１内に移送され、蒸着源５２より所望の構成材料を蒸着させて、電子注入層７や陰極８が形成される。
【００５２】
陰極８を形成した後、封止工程にて、封止接着剤９を介して可撓性封止部材１０によって封止して、有機ＥＬ素子が製造される。
【００５３】
上記一連の有機ＥＬ素子の製造フローにおいて、第１の製膜環境３０（エリア１、Ｓｔａｇｅ１〜４）における乾燥部Ｈ１〜Ｈ４での乾燥は行わずに、第２の製膜環境４０（エリア２）で一括乾燥を行っても良い。
【００５４】
図４は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な製造方法の他の一例として、基板浮上ユニットを備えた製造工程の一例を示す工程フロー図であり、図４に示すフローに従って本発明に係る有機ＥＬ素子を製造することができる。なお、図４において、図２と共通する構成には同一符号を付している。
【００５５】
図４に示すように、エリア１（３０）では、サポートロール５４で保持されながら、搬送ロール５３により矢印方向に搬送移動している多孔質構造で気体通気性を有する基板保持部材３２上に、所望のサイズに断裁した枚葉形態の基板Ｐを一定間隔で配置する。第１の塗布工程であるＳｔａｇｅ１で、例えば、図１に示す構成の有機ＥＬ素子においては、陽極２まで形成した基板Ｐ上に、第１のダイコータＣｏ１を用いて、第１の有機機能層Ｌ１、例えば、図１の構成で示す正孔注入層３を、ダイコート法により湿式塗布方式で形成する。基板Ｐ上に形成した第１の有機機能層Ｌ１（例えば、正孔注入層３）は、下流側に移送され、必要に応じて、乾燥ゾーンＤ１の乾燥部Ｈ１にて有機溶媒等の除去が行われる。次いで、基板Ｐは、第２の塗布工程であるＳｔａｇｅ２に移送される。Ｓｔａｇｅ２では、第１の有機機能層Ｌ１を形成した基板Ｐ上に、第２のダイコータＣｏ２を用い、第２の有機機能層Ｌ２として、例えば、図１の構成で示す正孔輸送層４を、ダイコート法により湿式塗布方式で形成する。基板Ｐ上に形成した第２の有機機能層Ｌ２（例えば、正孔輸送層４）は、更に下流側に移送され、必要に応じて、乾燥ゾーンＤ２の乾燥部Ｈ２にて乾燥される。
【００５６】
同様にして、第３の塗布工程であるＳｔａｇｅ３で第３の有機機能層Ｌ３（例えば、発光層５）を、第４の塗布工程であるＳｔａｇｅ４で第４の有機機能層Ｌ４（例えば、電子輸送層６）を、枚葉基板Ｐ上にオンラインで形成する。
【００５７】
次いで、有機機能層群２０を形成した枚葉の基板Ｐは、オフラインで雰囲気条件の異なるエリア２（４０）に移送し、ここで特定の雰囲気条件下で加熱処理（ベイク処理）により、最終乾燥を行う。
【００５８】
次いで、乾燥処理が施された有機機能層群２０を形成した枚葉の基板Ｐは、蒸着工程５０、例えば、真空蒸着装置５１内に移送され、蒸着源５２より所望の構成材料を蒸着させて、電子注入層７や陰極８が形成される。
【００５９】
陰極８を形成した後、封止工程にて、封止接着剤９を介して可撓性封止部材１０によって封止して、有機ＥＬ素子が製造される。
【００６０】
上記の様な有機ＥＬ素子の製造ラインにおいて、各Ｓｔａｇｅの塗布工程（それぞれダイコータが配置されているポジション）では、搬送されている多孔質構造で気体通気性を有する基板保持部材３２の背面部に、基板浮上部５５がそれぞれ配置され、ダイコータにより塗布を行う際に、基板浮上部５５内に設置された多孔質の基板浮上ユニット５６（詳細については、後述する）より基板浮上用の圧縮気体の送風及び真空ポンプによる吸引を行い、基板を一定の高さで制御して浮上させると共に、吸引部で吸引を行うことにより浮上させた基板を基板保持部材３２の搬送を同期させて搬送を行う方法である。
【００６１】
本発明に適用可能な基板保持部材３２の構造としては、特に制限はないが、背面側に配置している基板浮上ユニット５６からの基板浮上用の圧縮気体を安定に、基板に送風できる構造であることが好ましく、例えば、膜厚方向に貫通した空隙構造を有する多孔質構成、あるいは、基板保持部材３２面に、一定の間隔で、多数の厚さ方向で貫通している細孔を設けたパンチ板構造であっても良い。また、細孔の配置も厚さ方向に対して垂直方法であっても、あるいは、浮上させる基板の搬送性を加味して、斜め構造、例えば、図４に記載の基板保持部材３２では、細孔が右側に傾斜した構造であることが好ましい。
【００６２】
基板保持部材３２に固定した状態で基板Ｐを搬送する場合には、基板保持部材３２の搬送時の振動等による変位の影響を受け、固定されているダイコータの底面と基板Ｐの表面との距離が変動し、その結果、ビード間隙が過度に広くなることによる液切れが発生する恐れがあり、未塗布部を発生させる要因となる。また、ビード間隙が過度に狭くなることにより、塗布スジを発生させる要因となる。加えて、基板保持部材３２と基板Ｐとの搬送時の接触により、基板Ｐのエッジ部が破損し、発生した粉塵等の付着により、塗布故障を誘発させる恐れがある。
【００６３】
上記課題に対し、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、基板保持部材３２に対し、基板Ｐを浮上させた状態で塗布することにより、ダイコータの底面と基板Ｐの表面との距離（ビード間隙ともいう）を一定の範囲に厳密に制御することにより、塗布時の液切れや塗布スジの発生を防止できると共に、非接触搬送により、粉塵等の発生も防止することができる。
【００６４】
図５は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能で、基板保持部材として無端搬送ベルト５９を有する基板浮上ユニット一例を示す工程フロー図であり、図５には、塗布工程であるエリア１（３０）のみを記載してある。
【００６５】
図５に示す様に、基板保持部材としてサポートロール５４及び搬送ロール５３Ａで保持された無端搬送ベルト５９を搬送させながら、図４に示す方法と同様にして、基板浮上部５５内に設置された多孔質の基板浮上ユニット５６により、基板浮上用の圧縮気体の基板への送風及び吸引を行うことにより、基板を浮上させながら塗布を行う。
【００６６】
この様な無端搬送ベルト５９を基板保持部材として用いる場合には、折り曲げ等に耐久性を有する細孔を多数配列した金属無端ベルトを用いることが好ましい。
【００６７】
上記一連の有機ＥＬ素子の製造フローにおいて、第１の製膜環境３０（エリア１、Ｓｔａｇｅ１〜４）における乾燥部Ｈ１〜Ｈ４での乾燥は行わずに、第２の製膜環境４０（エリア２）で一括乾燥を行っても良い。
【００６８】
〔有機機能層群の塗膜形成環境〕
図２、図４に示すような本発明の有機ＥＬ素子の製造方法において、例えば、陽極が形成された枚葉の基板Ｐ上に、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７等の有機機能層群２０を形成させる工程と、その後工程である乾燥工程における環境（雰囲気）条件としては、主に、
（ｉ）その有機機能層群を構成する各有機機能層塗布液を用い、不活性ガス以外の気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の第１の雰囲気３０（エリア１）で、図２、図４に記載の工程に従って枚葉の基板Ｐの陽極２上に、ダイコート法によりインライン方式で複数の有機機能層を塗布、積層する工程と、
（ii）第１の雰囲気３０（エリア１）で、ダイコート法により各有機機能層を塗布、積層した後の有機機能層群を、オフラインで不活性ガス以外の気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の第２の雰囲気４０（エリア２）で乾燥させる工程（ベーク工程）と、
で構成することができる。
【００６９】
なお、上記（ｉ）の工程においては、図４に記載の工程の基板浮上用の圧縮気体も、不活性ガス以外の気体の体積濃度が５００ｐｐｍ以上の気体であることが好ましい。
【００７０】
本発明においては、（ｉ）の工程で、各有機機能層の形成方法として、ウェットプロセスであるダイコート法を用いることが特徴の１つである。
【００７１】
本発明に係る各有機機能層塗布液を調製する際に、有機ＥＬ材料を溶解または分散するのに用いる溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【００７２】
また、本発明においては、有機ＥＬ材料を溶解または分散する調液工程は不活性ガス雰囲気下であることが好ましく、図２、図４に示すフローで基板上に塗布されるまで、有機機能層塗布液が、塗布雰囲気に曝されない工程であることが好ましい。
【００７３】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、各有機機能層を形成する際の雰囲気（第１の製膜環境３０（エリア１））及び基板浮上用の圧縮気体は、不活性ガス以外の気体の体積濃度を５００ｐｐｍ以上とすることが好ましく、各有機機能層の塗膜の形成に最適であると考えられる。
【００７４】
本発明でいう不活性ガス以外の気体としては、例えば、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯｘ、ＳＯｘ等が挙げられ、好ましくはＯ２およびＨ２Ｏであり、製造コスト上から最も好ましくは大気である。
【００７５】
また、本発明でいう不活性ガスとしては、好ましくは窒素ガスやアルゴンガス、キセノンガス等の希ガスであり、製造コスト上最も好ましくは窒素ガスである。
【００７６】
これら各有機機能性層を形成する際、第１の有機機能層塗布液を基板上に塗布した後、次の有機機能層を積層までの塗布間隔をあまり空け過ぎると塗布雰囲気内の不活性ガス以外の気体の影響が塗布膜最表面にとどまらなくなり、層内に不活性ガス以外の気体分子が入り込み、結果として有機ＥＬ素子の性能を低下してしまうため、本発明では、インライン方式で、図２に示すように塗布間隔を大きく空けずに連続して積層することを特徴とする。
【００７７】
（ii）の工程では、塗布・積層された有機機能層群の乾燥をまとめて行う。
【００７８】
ここでいう乾燥とは、塗布直後の積層膜の総溶媒含有量を１００％とした時、最終的に残留溶媒率を０．２％以下まで低減する工程をいう。
【００７９】
乾燥の手段としては、一般的に汎用されているものを使用でき、減圧あるいは加圧乾燥、加熱乾燥、送風乾燥、ＩＲ乾燥および電磁波による乾燥などが挙げられる。中でも加熱乾燥が好ましく、有機機能層塗布液を構成する溶媒の中で最も低沸点の溶媒の沸点以上の温度であり、有機機能層材料のＴｇの中で最も低Ｔｇである材料の（Ｔｇ＋２０）℃より低い温度で保持することが最も好ましい。本発明において、より具体的には８０℃以上１５０℃以下で保持し乾燥することが好ましく、１００℃以上１３０℃以下で保持し乾燥することがより好ましい。乾燥時間としては、５分以上、３００分以下が好ましい。
【００８０】
塗布・積層後の塗布液を乾燥させる際の雰囲気を、不活性ガス以外の気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の雰囲気とすることが、好ましい。
【００８１】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、第２の製膜環境４０（エリア２）である（ii）の工程でも、不活性ガス以外の気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の環境下で乾燥させる工程を有することが好ましい。
【００８２】
（ii）の工程で適用可能な不活性ガス以外の気体としては、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＮＯｘ、ＳＯｘ等が挙げられる。
【００８３】
また、不活性ガスとしては、好ましくは窒素ガス及びアルゴンガス、キセノンガス等の希ガスであり、製造コスト上最も好ましくは窒素ガスである。
【００８４】
〔コータ〕
一般に、湿式方式の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法等が挙げられるが、本発明では、高精度で均一な薄膜を形成できる観点から、ダイコート法を用いることを特徴とする。
【００８５】
図３、図６は、本発明に係るダイコート法で適用可能なスリット型ダイコータの概略断面図とスリット型ダイコータを用いて塗布を行っている状態の概略図である。すなわち、図３、図６の（ａ）は前計量型塗布方式であるスリット型ダイコータを使用し、塗布を行っている状態の概略断面図である。図３、図６の（ｂ）は図３、図６の（ａ）に示されるスリット型ダイコータの概略斜視図である。
【００８６】
図中、Ｃはスリット型ダイコータを示す。スリット型ダイコータＣは２つのブロック１０１ａと、ブロック１０１ｂと、側板１０１ｃと、側板１０１ｄとを有し、ボルト等で締結することで組み立てられている。１０２ａはリップ１０３の先端部の塗布幅手端部に設けた切欠き部を示す。１０２ｂはリップ１０３の先端部の塗布幅手端部に設けた切欠き部を示す。リップ１０３は、バックリップ１０３ａとフロントリップ１０３ｂとを有している。
【００８７】
１０４はブロック１０１ａと、ブロック１０１ｂとの間隙で出来たスリットを示し、１０５はマニホールドと呼ばれる塗布液を一旦溜めるための部分であり、ここには塗布液供給管１０６から塗布液が送り込まれる。
【００８８】
マニホールド１０５で塗布幅方向に溜められた塗布液はスリット１０４を通ってスリット１０４の先端のスリット出口１０４ａからリップ１０３と枚葉の基板Ｐとの間に供給され塗布液される。供給された塗布液はビードを形成し、枚葉の基板Ｐの上に塗布され塗膜１０７が形成される。
【００８９】
スリット出口１０４ａから供給された塗布液のビード部のスリット出口の圧力は負圧或いはゼロの状態で枚葉の基板Ｐ上に塗布される。
【００９０】
図３、図６に示す様にスリット型ダイコータＣを使用した塗布方法は、減圧室を配設することなく行う方法である。
【００９１】
図３、図６に示す様なスリット型ダイコータＣを使用した塗布は、塗布の開始に合わせ、必要とする塗布液をスリット出口から供給された状態で、待機位置から塗布位置に移動手段（不図示）により移動し、後述する基板に設けられたアライメントマークを検知し、その情報に従って、基板が塗布位置に来たときに、塗布液を送液し、塗布コータＣの先端のリップ１０３を枚葉の基板Ｐに近接させ、そのリップと基板Ｐとの間のコータギャップにビードを形成させ、塗布液を基板Ｐに転移（液付き）させる塗布方式である。
【００９２】
この時、図６に示すスリット型ダイコータＣでは、図６の（ａ）に示すように、基板Ｐは、基板保持部材３２を介して、基板浮上ユニットから供給される圧縮気体Ａと、真空ポンプ（不図示）による吸引Ｂを行って、基板保持部材３２より一定の高さＨ２で基板を浮上させることにより、塗布コータＣの先端のリップ１０３と基板表面との高さＨ２（ビードギャップともいう）を所望の条件に制御させながら、安定したビードを形成して塗布を行う。
【００９３】
この時、基板保持部材３２と基板底部との間隙Ｈ２、すなわち、基板を浮上させる高さとしては、１００〜３００μｍの範囲であることが好ましい。また、固定されている塗布コータＣの先端のリップ１０３と基板表面との高さＨ２（ビードギャップ）としては、１００〜７００μｍであることが好ましく、より好ましくは２００〜５００μｍである。ビードギャップが１００μｍ以上であれば、塗布スジ等の発生を抑制でき、７００μｍ以下であれば液切れ等の発生を防止することができる。
【００９４】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、ダイコータを用いて図２〜図３、図４〜図６で示したように、基板上に有機機能層を塗布するが、塗布により形成する有機機能層のパターンとしては、基板のほぼ全面に均一塗布する方法であっても、特定のパターン、例えば、ストライプ状、格子状に特定のパターンで塗布して有機機能層を形成する方法であっても良い。
【００９５】
ここでは、コータを固定して被塗布体である基板Ｐが可動の場合について述べているが、本発明は、基板Ｐを固定してコータＣが可動の場合や、基板Ｐとコータの両方が可動する場合を含む。
【００９６】
〔基板浮上ユニット〕
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、基板浮上ユニットを用い、基板を基板保持部材から浮上させた状態で、ダイコータを用いて基板上に有機機能層を塗布することを特徴とする。
【００９７】
以下、図を交えて、基板浮上ユニットの詳細構造及び膜厚制御方法について説明する。
【００９８】
図７は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な基板浮上ユニットの構成の一例を示す概略図である。
【００９９】
図７に示す基板浮上ユニットは、図４に示した基板浮上部５５とその内部に設置されている基板浮上ユニット５６の構成を更に詳細に示した概略図である。
【０１００】
図７において、基板保持部材３２の上に基板Ｐが配置され、基板保持部材３２の背面部に基板浮上部５５が配置されている。
【０１０１】
基板浮上部５５は、基板Ｐを浮上させるための圧縮気体Ａ１を供給するチャンバー３０２及び基板浮上ユニット３０１から構成される圧縮気体供給部３００Ａ、３００Ｂが前後の２基配置されている。基板浮上ユニット３０１は、前述のよう膜厚方向に貫通した気体通過経路を有する多孔質で構成されている。
【０１０２】
また、２つの圧縮気体供給部３００Ａ、３００Ｂの間に、吸気Ａ３するための減圧部３０６が設けられている。
【０１０３】
本発明では、基板保持部材３２近傍に設けられた位置検知センサー３０７により、基板保持部材３２に対する基板Ｐの浮上量Ｈ１を検出する。
【０１０４】
この検出したデータを基に、塗布コータＣｏの先端のリップと基板Ｐ表面との高さＨ２（ビードギャップ）が所望の条件となるように、位置検知センサー３０７から情報を基に、圧縮気体の供給量Ａ１を、情報ライン３０８を介して気体送風ポンプ３０４Ａ、３０４Ｂの稼働量を制御する。同様に、吸気Ａ３の条件を、情報ライン３０９を介して真空ポンプ３０５の稼働量を制御して、両者をバランスさせることにより、所望の基板の浮上量Ｈ２を実現する。
【０１０５】
この時、浮上させた基板を、紙面の右方向に搬送させる方法としては、例えば、エアーシリンダー等で基板の後端部を押して搬送する方法、あるいは２つ設置した圧縮気体供給部３００において、上流側に配置されている圧縮気体供給部３００Ａから供給する圧縮気体Ａ１の圧力を、下流側に配置されている圧縮気体供給部３００Ｂから供給する圧縮気体Ａ３の圧力よりも高く設定する方法、あるいは、図７のＡ２として示すように圧縮気体の放出方向を、搬送させる方向に配置させる方法等が挙げられる。
【０１０６】
また、本発明において、この様な構成からなる基板浮上ユニットは市販品としても入手することが可能であり、例えば、株式会社妙徳社製の非接触搬送機器  「浮上搬送ユニット  近フロート  ＬＴＵシリーズ」等を挙げることができる。
【０１０７】
図８に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に適用可能な基板浮上ユニットの他の構成からなる一例を示す。
【０１０８】
図８に記載の基板浮上ユニット３１０は、基板保持部材３２の全面にわたり設置されており、基板Ｐを浮上させるための２対の圧縮気体送風部３１１と、真空ポンプ３０５により減圧するための吸引部３１２とが、全面に交互に配置されて、基板浮上ユニット３１０を構成されている。
【０１０９】
各２対の圧縮気体送風部３１１にはそれぞれ独立したポンプ３０４が接続されており、位置検知センサー３０７による基板保持部材３２に対する基板Ｐの浮上量Ｈ１情報を基に、圧縮気体の供給量Ａを、情報ライン３０８を介して気体送風ポンプ３０４のＰ１〜Ｐ９の稼働量を制御する。同様に、位置検知センサー３０７による基板保持部材３２に対する基板Ｐの浮上量Ｈ１情報を基に、真空ポンプ３０５の吸気量Ｂを制御する。
【０１１０】
また、基板Ｐを下流側に搬送させるため、例えば、上流側のポンプＰ１から下流側のポンプＰ９に向かって、圧縮気体の供給量Ａを順次小さくなるように、それぞれのポンプ０Ｐ１〜Ｐ９の稼働量を制御することが好ましい。
【０１１１】
〔アライメントマーク〕
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、枚葉形態の基板上にアライメントマークを設け、該アライメントマークを検知して、ダイコータから該枚葉形態の基板上への有機機能層形成用塗布液の供給及び停止を制御することが好ましい。加えて、本発明に係るアライメントマークにより、搬送している基板の位置情報を検知することにより、塗布開始時期情報に従って、基板浮上ユニットを作動させて、基板を浮上させる。
【０１１２】
アライメントマークとしては、図９に示すように、基板のぞれぞれのコーナー部に、コーナートンボとして付与することができる。アライメントマークの付与方法としては、特に制限はないが、例えば、５×１０−１Ｐａ程度の減圧環境条件下で、基板上の４隅に、厚さ１２０ｎｍのインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）膜による十字マークを、スパッタリング法により製膜することにより形成することができる。
【０１１３】
本発明において、アライメントマークによる基板位置の検出方法としては、第１の塗布ゾーンであるＳｔａｇｅ１の上流側に、基板の全幅をカバーするように、ＣＣＤカメラ４０１を設置し、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知及び位置情報と、基板の搬送速度情報を基に、基板Ｐ上への各ダイコータによる塗布開始時期（有機機能層形成用塗布液のダイコータへの供給開始時期）と、塗布完了時期（有機機能層形成用塗布液のダイコータへの供給停止時期）を、フィードバック回路４０４を経由して、各コータ（図９に記載のＣｏ１〜Ｃｏ３）に指示して塗布を制御する。同時に、図９には記載していないが、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知及び位置情報と、基板の搬送速度情報を基に、所定の時期に基板浮上ユニットを作動させて、基板を浮上させて、塗布を行う。
【０１１４】
〔ワイピング洗浄装置〕
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法においては、ダイコータへの有機機能層形成用塗布液の停止時期に、ダイコータのリップ部にワイピング洗浄処理を施すことが好ましい。
【０１１５】
すなわち、上記ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知及び位置情報により、未塗布段階では有機機能層形成用塗布液のダイコータへの供給を停止した状態になっている。この時、ダイコータのリップ部では、供給が停止された有機機能層形成用塗布液がメニスカスを形成して、外気に直接晒された状態になっている。その結果、外気に接している有機機能層形成用塗布液の表面部から溶媒等の蒸発を起こして被膜が形成されること、塗布過程で飛散した有機機能層形成用塗布液の飛沫がダイコータのリップ部で固化して、塗布故障を誘発する原因となる。
【０１１６】
上記塗布故障の要因を排除する目的で、ダイコータへの塗布液停止時期に、ダイコータのリップ面に対し、ワイピング洗浄処理を施す。
【０１１７】
具体的なワイピング洗浄処理方法及びワイピング洗浄処理装置の一例を、図を交えて説明する。
【０１１８】
図９に示すように、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知及び位置情報により、Ｓｔａｇｅ２及びＳｔａｇｅ３に示すように、有機機能層形成用塗布液のダイコータへの供給停止時期に、ダイコータＣｏ２、Ｃｏ３を、それぞれの塗布ポジションから、ワイピング洗浄処理装置４０３位置に移動させて、クリーニング液を用いて、ダイコータのリップ面のクリーニングを行う。クリーニングが完了し、塗布開始時期になると、再びフィードバック回路４０４を経由しダイコータに情報を伝達し、それぞれの塗布ポジションにダイコータを移動した後、塗布開始時期に有機機能層形成用塗布液を供給して塗布を開始する。
【０１１９】
図１０に、本発明に適用可能なダイコータのワイピング洗浄装置の主要構成の一例を示す。
【０１２０】
図１０に示すように、ワイピング洗浄装置４０３は、上方に向かって凸状に延出するワイピング部材４０９とこれを支持するシート状可撓性部材４０８が箱形の筐体４０７内に設けられていて、ワイプユニット４０６自体を図示しないモータ等の駆動源により上方向に移動させた後、ダイコータをワイピング部材４０９の上部まで移動させ、このワイピング部材４０９とヘッドＣｏのノズル面（図６に示す１０３）とが接触した状態で、ワイピング部材４０９がヘッドＣｏのノズル面１０３を摺擦し、ノズル面１０３全体に付着した固着物やメニスカス部の乾燥皮膜等を除去するようになっている。そして、ワイピング動作が終了したならば、ワイプユニット４０６を下降させ、ワイピング部材４０９とノズル面１０３との接触状態を解除する。
【０１２１】
また、ワイプユニット４０６には、送液路４０５を介してクリーニング液タンク４１０が接続されている。また、この送液路４０５の途中にはクリーニング液供給弁（不図示）が設けられている。
【０１２２】
送液路４０５は、クリーニング液供給弁の作動によってクリーニング液が流れる通路であり、例えば、樹脂製チューブによって構成されている。
【０１２３】
クリーニング液タンク４１０は、ワイプユニット４０６の位置（ワイピング部材４０９の位置）の位置よりも高い位置に配設されているため、水頭差により容易にワイピング部材４０９にクリーニング液を供給することができる。
【０１２４】
クリーニング液としては、ノズル面に付着した有機機能層形成用塗布液の乾燥物を溶解、再分散、及び軟化させることで確実にふき取る機能を備えていることが求められる。従って、クリーニング液は、有機機能層形成用塗布液を構成している溶液成分、例えば、種々の溶剤や水、界面活性剤、塩基性化合物等を含有していることが好ましいが、これらに限定されるものではない。特に、表面張力が低い溶剤を含有していると、乾燥した機機能層形成用塗布液固着物に浸透しやすいため効果的である。また、塩基性化合物を含有することは、有機機能層形成用塗布液中に含まれる樹脂等の再溶解もしくは再分散を促進するため好ましい。
【０１２５】
《有機ＥＬ素子の構成材料》
次いで、本発明に係る有機ＥＬ素子を構成する有機機能層の詳細について説明する。
【０１２６】
（１）注入層：正孔注入層、電子注入層
本発明に係る有機ＥＬ素子においては、注入層は必要に応じて設けることができる。注入層としては電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０１２７】
本発明でいう注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機機能層間に設けられる層で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
【０１２８】
正孔注入層は、例えば、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に適用可能な正孔注入材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体等を含むポリマーやアニリン系共重合体、ポリアリールアルカン誘導体、または導電性ポリマーが挙げられ、好ましくはポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体であり、さらに好ましくはポリチオフェン誘導体である。
【０１２９】
電子注入層は、例えば、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。本発明においては、上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムが好ましい。その膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは０．１〜１００ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜１０ｎｍ、最も好ましくは０．５〜４ｎｍである。
【０１３０】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、電子注入層は湿式塗布方式ではなく、真空蒸着装置等を用いた蒸着法で形成することが好ましい。
【０１３１】
（２）正孔輸送層
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、上記正孔注入層で適用するのと同様の化合物を使用することができるが、さらには、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１３２】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１３３】
さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０１３４】
また、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、特開２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）、特表２００３−５１９４３２号公報に記載されているような、いわゆるｐ型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料を用いることもできる。
【０１３５】
本発明においては、正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を含む塗布液をダイコート法により薄膜化することにより形成する。正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１３６】
（３）電子輸送層
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔ブロック層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
【０１３７】
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔ブロック材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８−キノリノール誘導体等の金属錯体等が挙げられる。
【０１３８】
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。
【０１３９】
これらの中でもカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピリジン誘導体等が本発明では好ましく、アザカルバゾール誘導体であることがより好ましい。
【０１４０】
本発明において、電子輸送層は、上記電子輸送材料、半導体ナノ粒子（後述参照），フッ化アルコール溶剤を含有する電子輸送層塗布液を、ダイコート法を用いたウェットプロセスにより形成する。
【０１４１】
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
【０１４２】
また、本発明においては、半導体ナノ粒子の他に、不純物をゲスト材料としてドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１４３】
本発明における電子輸送層には、有機物のアルカリ金属塩を含有することが好ましい。
有機物の種類としては特に制限はないが、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩が挙げられ、好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、より好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸のアルカリ金属塩が好ましく、脂肪族カルボン酸の炭素数が４以下であることが好ましい。最も好ましくは酢酸塩である。
【０１４４】
有機物のアルカリ金属塩のアルカリ金属の種類としては特に制限はないが、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓが挙げられ、好ましくはＫ、Ｃｓ、さらに好ましくはＣｓである。有機物のアルカリ金属塩としては、前記有機物とアルカリ金属の組み合わせが挙げられ、好ましくは、ギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋ、安息香酸Ｃｓ、より好ましくは酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、最も好ましくは酢酸Ｃｓである。
【０１４５】
これらドープ材の含有量は、添加する電子輸送層に対し、好ましくは１．５〜３５質量％であり、より好ましくは３〜２５質量％であり、最も好ましくは５〜１５質量％である。
【０１４６】
（４）発光層
本発明に係る有機ＥＬ素子を構成する発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【０１４７】
本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。
【０１４８】
また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
【０１４９】
本発明における発光層の膜厚の総和は１〜１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから５０ｎｍ以下である。なお、本発明でいう発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。
【０１５０】
個々の発光層の膜厚としては１〜５０ｎｍの範囲に調整することが好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。
【０１５１】
本発明においては、発光層の形成には、後述する発光材料やホスト化合物を含む発光層形成用塗布液を、ダイコート法により製膜して形成する。
【０１５２】
本発明においては、各発光層には複数の発光材料を混合してもよく、また燐光発光材料と蛍光発光材料を同一発光層中に混合して用いてもよい。
【０１５３】
本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、発光材料（発光ドーパント化合物ともいう）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【０１５４】
〈４．１：ホスト化合物〉
本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）における燐光発光の燐光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくは燐光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【０１５５】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０１５６】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもよいが、高分子材料を用いた場合、化合物が溶媒を取り込んで膨潤やゲル化等、溶媒が抜けにくいと思われる現象が起こりやすいので、これを防ぐために分子量は高くない方が好ましく、具体的には塗布時での分子量が２，０００以下の材料を用いることが好ましく、塗布時の分子量１，０００以下の材料を用いることが更に好ましい。
【０１５７】
乾燥工程では発光ホストに低分子材料を用いた場合、発光層に接する隣接層からの溶媒移行による混入が起こりやすく、素子駆動時に正孔と電子の再結合が妨げられる可能性があるが、本発明の製造方法および材料を選択することにより詳細は不明だが、各層に表面酸化被膜、または水素結合被膜が形成されることで溶媒など寿命劣化要因の層間移行の影響を低減し、長寿命かつ保存安定性に優れた発光素子を得ることができると考えられる。
【０１５８】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【０１５９】
公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等が挙げられる。
【０１６０】
本発明に用いられるホスト化合物は、カルバゾール誘導体であることが好ましく、カルバゾール誘導体であってジベンゾフラン化合物であることがより好ましい。
【０１６１】
〈４．２：発光ドーパント〉
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとしては、上記の発光ホストを含有すると同時にリン光ドーパントを含有することが好ましい。
【０１６２】
〈リン光ドーパント〉
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【０１６３】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【０１６４】
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送される発光ホスト上でキャリアの再結合が起こって発光ホストの励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーは発光ホストの励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１６５】
リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【０１６６】
本発明に適用可能なリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８属、９属、１０属の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくは、イリジウム化合物、白金化合物、オスミウム化合物、パラジウム化合物、ロジウム化合物であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物、白金化合物である。
【０１６７】
具体的には以下の特許公報に記載されている化合物であり、例えば、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２−２８０１７８号公報、同２００１−１８１６１６号公報、同２００２−２８０１７９号公報、同２００１−１８１６１７号公報、同２００２−２８０１８０号公報、同２００１−２４７８５９号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００１−３１３１７８号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２−３３２２９１号公報、同２００２−５０４８４号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、同２００２−３３８５８８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２−５０４８３号公報、同２００２−１００４７６号公報、同２００２−１７３６７４号公報、同２００２−３５９０８２号公報、同２００２−１７５８８４号公報、同２００２−３６３５５２号公報、同２００２−１８４５８２号公報、同２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、同２００２−２２６４９５号公報、同２００２−２３４８９４号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−２４１７５１号公報、同２００１−３１９７７９号公報、同２００１−３１９７８０号公報、同２００２−６２８２４号公報、同２００２−１００４７４号公報、同２００２−２０３６７９号公報、同２００２−３４３５７２号公報、同２００２−２０３６７８号公報等に記載されている化合物を用いることができる。
【０１６８】
また、これら例示されている化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法に準じて合成することができる。
【０１６９】
本発明において、発光層に含まれる発光ドーパントは１種類でも良いし、異なる発光極大波長を持つ２種類以上の発光ドーパントを含有させても良い。２種類以上の発光ドーパントを含有させる場合、全ての発光ドーパントについて発光層の厚さ方向で濃度勾配を形成させても良いが、１種類の発光ドーパントのみ濃度勾配を形成させても良い。１種類の発光ドーパントのみ濃度勾配を形成させる場合は、発光極大波長が最も短波な発光ドーパントについて濃度勾配を形成させることが好ましい。
【０１７０】
《陽極》
有機ＥＬ素子を構成する陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状パターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、１０〜１０００ｎｍの範囲であり、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１７１】
《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【０１７２】
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に形成することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する有機ＥＬ素子を作製することができる。
【０１７３】
《基板》
本発明に係る有機ＥＬ素子に用いることのできる基板（以下、支持基体、支持基板、基板、支持体等ともいう）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができ、特に好ましくは、ガラス基板である。
【０１７４】
本発明に適用可能なガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
【０１７５】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
【０１７６】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定した酸素透過度が、１×１０−３ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度が１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが、さらに好ましい。
【０１７７】
バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等の有機ＥＬ素子の劣化を招く因子の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機機能層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０１７８】
バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１７９】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０１８０】
本発明に係る有機ＥＬ素子において、発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
【０１８１】
《封止：封止接着剤、封止部材》
本発明に係る有機ＥＬ素子に適用可能な封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
【０１８２】
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
【０１８３】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコーン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
【０１８４】
本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１８５】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１８６】
接着剤としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０１８７】
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１８８】
また、有機機能層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機機能層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１８９】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相を形成することを目的として、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０１９０】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１９１】
封止にはケーシングタイプの封止（缶封止）と密着タイプの封止（固体封止）があるが、薄型化の観点からは固体封止が好ましい。また、可撓性の有機ＥＬ素子を作製する場合は、封止部材にも可撓性が求められるため、固体封止が好ましい。
【０１９２】
本発明に係る封止用接着剤には、熱硬化接着剤や紫外線硬化樹脂などを用いることができるが、好ましくはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂など熱硬化接着剤、より好ましくは耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ系熱硬化型接着性樹脂である。
【０１９３】
本発明に係る封止用接着剤の含水率は、３００ｐｐｍ以下であることが好ましく、０．０１〜２００ｐｐｍであることがより好ましく、０．０１〜１００ｐｐｍであることが最も好ましい。
【０１９４】
本発明でいう含水率は、いかなる方法により測定しても構わないが、例えば容量法水分計（カールフィッシャ−）、赤外水分計、マイクロ波透過型水分計、加熱乾燥重量法、ＧＣ／ＭＳ、ＩＲ、ＤＳＣ（示差走査熱量計）、ＴＤＳ（昇温脱離分析）が挙げられる。また、精密水分計ＡＶＭ−３０００型（オムニテック社製）等を用い、水分の蒸発によって生じる圧力上昇から水分を測定でき、フィルムまた固形フィルム等の水分率の測定を行うことができる。
【０１９５】
本発明おいて、封止用接着剤の含水率は、例えば、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下に置き時間を変化させることで調整することが出来る。また、１００Ｐａ以下の真空状態で置き時間を変化させて乾燥させることもできる。また、封止用接着材は接着剤のみで乾燥させることも出来るが、封止部材へ予め配置し乾燥させることも出来る。
【０１９６】
密着封止（固体封止）を行う場合、封止部材としては、例えば、５０μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）にアルミ箔（３０μｍ厚）をラミネートしたものを用いる。これを封止部材として、アルミニウム面にディスペンサを使用して均一に塗布し封止用接着剤を予め配置しておき、樹脂基板１と封止部材５を位置合わせ後、両者を圧着して（０．１〜３ＭＰａ）、温度８０〜１８０℃で密着・接合（接着）して、密着封止（固体封止）する。
【０１９７】
接着剤の種類また量、そして面積等によって加熱また圧着時間は変わるが０．１〜３ＭＰａの圧力で仮接着、また８０〜１８０℃の温度で、熱硬化時間は５秒〜１０分間の範囲で選べばよい。
【０１９８】
加熱した圧着ロールを用いると圧着（仮接着）と加熱が同時にでき、且つ内部の空隙も同時に排除でき好ましい。
【０１９９】
また、接着層の形成方法としては、材料に応じて、ディスペンサを用い、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。
【０２００】
固体封止は以上のように封止部材と有機ＥＬ素子基板との間に空間がなく硬化した樹脂で覆う形態である。封止部材としては、ステンレス、アルミニウム、マグネシウム合金等の金属、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル等のプラスチック、およびこれらの複合物、ガラス等が挙げられ、必要に応じて、特に樹脂フィルムの場合には、樹脂基板と同様、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のガスバリア層を積層したものを用いることができる。ガスバリア層は、封止部材成形前に封止部材の両面若しくは片面にスパッタリング、蒸着等により形成することもできるし、封止後に封止部材の両面若しくは片面に同様な方法で形成してもよい。これについても、酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０２０１】
封止部材としては、アルミニウム等の金属箔をラミネートしたフィルム等でも良い。金属箔の片面にポリマーフィルムを積層する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。接着剤としてはポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法および共押出しラミネーション法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。
【０２０２】
また、金属箔をスパッタや蒸着等で形成し、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成する場合は、逆にポリマーフィルムを基板としてこれに金属箔を成膜する方法で作成してもよい。
【０２０３】
《保護膜、保護板》
有機機能層を挟み支持基板と対向する側の封止膜、あるいは封止用フィルムの外側に、有機ＥＬ素子の機械的強度を高めるため、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０２０４】
本発明において、基板から陽極との間、あるいは基板から光出射側の何れかの場所に光取出し部材を有することが好ましい。
【０２０５】
光取出し部材としては、プリズムシートやレンズシートおよび拡散シートが挙げられる。また、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に導入される回折格子や拡散構造等が挙げられる。
【０２０６】
通常、基板から光を放射するような有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層から放射された光の一部が基板と空気との界面において全反射を起こし、光を損失するという問題が発生する。この問題を解決するために、基板の表面にプリズムやレンズ状の加工を施す、もしくは基板の表面にプリズムシートやレンズシートおよび拡散シートを貼り付けることにより、全反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
【０２０７】
また、光取り出し効率を高めるためには、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法や拡散構造を導入する方法が知られている。
【０２０８】
《用途》
本発明に係る有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
【０２０９】
発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源、さらには表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられるが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０２１０】
本発明に係る有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、有機ＥＬ素子全層をパターニングしてもよく、有機ＥＬ素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【実施例】
【０２１１】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。【０２１２】
実施例１
《有機ＥＬ素子の作製》
〔有機ＥＬ素子１０１の作製：真空蒸着法による有機機能層形成〕
（陽極の形成）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで成膜したガラス基板（ＮＨテクノガラス社製、ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２１３】
（有機機能層の形成）
次いで、このＩＴＯ透明電極を有するガラス基板を、市販の真空蒸着装置に接続するプラズマ処理用チャンバー内の基板ホルダーに固定した。また、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を各々有機ＥＬ素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。【０２１４】
酸素圧力１Ｐａ、電力１００Ｗ（電極面積  約４５０ｃｍ２）で２分間、プラズマ処理を行った後、基板を大気に曝露することなく、有機ＥＬ構成層の各蒸着チャンバーに移送し、各有機機能層の成膜を行った。【０２１５】
はじめに、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、ｍ−ＭＴＤＡＴＡの入った前記蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。次いで、α−ＮＰＤを同様にして蒸着し３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。【０２１６】
次いで、以下の手順に従って、各発光層を形成した。【０２１７】
化合物Ｄ−１、Ｄ−２及びＣＢＰを、Ｄ−１が１４質量％、Ｄ−２が１．８質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、発光極大波長が６２２ｎｍ、厚さ６ｎｍの黄色リン光発光層を形成した。次いで、化合物Ｄ−３及びＨ−１を、Ｄ−３が９質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、発光極大波長が４７０ｎｍ、厚さ２０ｎｍの青色リン光発光層を形成した。【０２１８】
その後、化合物Ｍ−１を膜厚５０ｎｍに蒸着して正孔阻止及び電子輸送の機能を有する層を形成し、更にＬｉＦを厚さ１ｎｍで蒸着して電子輸送層を形成した。【０２１９】
更に、アルミニウムを厚さ１１０ｎｍで蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１０１を作製した。【０２２０】
〔有機ＥＬ素子１０２の作製：バッチ法による有機機能層形成〕
図１１に記載のバッチ方式による有機機能層の製造ラインに従って、有機ＥＬ素子１０２を作製した。【０２２１】
図１１は、比較例であるバッチ方式により有機機能層を形成する製造ラインの一例を示す模式図である。【０２２２】
図１１のａ）において、保持部材２０１上には、例えば、陽極２０３を形成した基板Ｐの設置位置を決定するための位置決めピン２０２が４箇所に設けられており、この位置決めピン２０２に合わせて、陽極２０３を形成した基板Ｐを搬入する。【０２２３】
次いで、図１１のｂ）に示す様に、保持部材２０１上に設置した基板Ｐを吸引固定する。【０２２４】
次いで、図１１のｃ）として、図３に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏを用いて、陽極２０３上に、第１の有機機能層Ｌ１（例えば、正孔注入層）を形成し、塗布後、図１１のｄ）に示すように、乾燥部Ｈにより、形成した第１の有機機能層Ｌ１に、加熱温風２０４を吹き付けて乾燥を行う。【０２２５】
次いで、図１１のｅ）、ｆ）に示すように保持部材２０１上に設置した基板Ｐを脱着、搬出して、有機機能層の１層目を形成し、このプロセスａ）〜ｆ）を順次繰り返して、有機機能層群を形成した。【０２２６】
（陽極の形成）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐ上に、陽極２０３としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで製膜した基板（ＮＨテクノグラス製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極（陽極２０３）を設けた基板Ｐ（ＩＴＯ基板ともいう）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２２７】
（正孔注入層の形成）
次いで、陽極２０３としてＩＴＯ透明電極を形成した基板Ｐを、図１１のａ）ｂ）に示すように、保持部材２０１上の位置決めピン２０２に合わせて、陽極２０３を形成した基板Ｐを搬入、装着した。【０２２８】
この装着した基板Ｐの陽極２０３上に、図１１のｃ）に示すように、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した正孔注入層塗布液１を、スリット型のダイコータＣｏを用いて、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔注入層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔注入層Ｌ１の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布した後、図１１のｄ）に示すように、乾燥部Ｈより、１２０℃の加熱温風２０４を３０分間吹き付けて乾燥した。次いで、図１１のｅ）、ｆ）に示す手順で脱着、搬送して、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０２２９】
（正孔輸送層の形成）
次いで、上記正孔注入層を形成した基板Ｐに、上記と同様に図１１のａ）〜ｆ）に示すプロセスで、正孔注入層上に、正孔輸送層をバッチ方式で形成した。【０２３０】
具体的には、正孔注入層を形成した基板Ｐを窒素ガス（グレードＧ１）の雰囲気下に移し、正孔輸送材料であるＨＴ−１化合物（Ｍｗ＝８０，０００）をクロロベンゼンに０．５％溶解した正孔輸送層塗布液１を、スリット型のダイコータＣｏを用いて塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔輸送層Ｌ２の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成し、図１１のｄ）に示す乾燥部Ｈより、１２０℃の加熱温風２０４を３０分間吹き付けて乾燥して、正孔輸送層を形成した。【０２３１】
（発光層の形成）
次いで、上記正孔輸送層を形成した基板Ｐに、上記と同様に図１１のａ）〜ｆ）に示すプロセスで、正孔輸送層上に、発光層をバッチ方式で形成した。【０２３２】
具体的には、下記組成の発光層塗布液１を上記と同様にしてそれぞれ製膜し、膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。製膜は、窒素ガス（酸素濃度２５０ｐｐｍ、水分濃度２５０ｐｐｍ）雰囲気下において行った後、図１１のｄ）に示す乾燥部Ｈより、１２０℃の加熱温風２０４を３０分間吹き付けて乾燥して、発光層を形成した。【０２３３】
〈発光層塗布液１〉
ホスト化合物（Ｈ−Ａ）                                      １４．１５質量部
青色ドーパント（Ｄ−６６）                                    ２．４５質量部
緑色ドーパント（Ｄ−６７）                                  ０．０２５質量部
赤色ドーパント（Ｄ−８０）                                  ０．０２５質量部
トルエン                                                    ２，０００質量部【０２３４】
【化１】
0005861705.tif 000002
【０２３５】
（電子輸送層の形成）
次いで、上記発光層を形成した基板Ｐに、上記と同様に図１１のａ）〜ｆ）に示すプロセスで、発光層上に、電子輸送層をバッチ方式で形成した。【０２３６】
具体的には、２０ｍｇの下記化合物Ａを、４ｍｌのテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰＯ）に溶解して調製した電子輸送層塗布液１を、上記と同様にして製膜し、次いで、図１１のｄ）に示す乾燥部Ｈより、１２０℃の加熱温風２０４を３０分間吹き付けて乾燥して、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。製膜は、窒素ガス（酸素濃度２５０ｐｐｍ、水分濃度２５０ｐｐｍ）雰囲気下で行った。【０２３７】
【化２】
0005861705.tif 000003
【０２３８】
（電子注入層および陰極の形成）
続いて、基板Ｐ上に電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層を形成した試料を、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、上記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの薄膜を形成した電子注入層を作製した。引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成して、有機ＥＬ素子１０２を作製した。【０２３９】
〔有機ＥＬ素子１０３の作製：ロールツーロール方式による有機機能層形成〕
図１２に記載のロールツーロール方式による有機機能層の製造ラインに従って、比較例である有機ＥＬ素子１０３を作製した。【０２４０】
図１２に示すロールツーロール方式による有機機能層の製造ラインは、陽極等を形成した基板積層ロール５０１を、アンワインダー部より繰り出し、ダンサーロール部５０６を経て、第１の製膜工程であるＳｔａｇｅ１に搬送し、塗布工程５０３で、バックロール５０５で保持して連続搬送している基板５０２上に、塗布手段であるダイコータＣｏを用いて第１の有機機能層、例えば、電子注入層を形成し、乾燥工程５０４で搬送手段Ｈを用いて、乾燥させた後、次工程であるＳｔａｇｅ２にて同様に有機機能層を塗布乾燥して製膜する。Ｓｔａｇｅ３、４を経て有機機能層群を形成した基板５０２は、ダンサーロール５０６を経て、ワインダー部で積層ロール５０７として積層される。【０２４１】
（帯状基体の準備）
厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ５００ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＴと略記する）を準備した。【０２４２】
（陽極の形成）
準備したＰＥＴに付けられたアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って、ＰＥＴの上に５×１０−１Ｐａの真空環境条件で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、取り出し電極を有する１２ｍｍ×５ｍｍの大きさの陽極を一定間隔で１２列連続的に形成し、一旦巻き取り保管した。【０２４３】
（正孔注入層の形成）
次いで、図１２に示すロールツーロール方式による有機機能層の製造ラインに従って、Ｓｔａｇｅ１にて正孔注入層を形成した。【０２４４】
アンワインダー部より、上記陽極まで形成した基板５０２を繰り出し、Ｓｔａｇｅ１にて、塗布工程３０３で、図３に示すスリット型ダイコータＣｏを用い、上記有機ＥＬ素子１０２の作製に用いた正孔注入層塗布液１を、バックロール５０５で保持された基板５０２上に、塗布速度５ｍ／ｍｉｎ、塗布幅１８０ｍｍ、ウェット膜厚に対するコーターギャップ２００μｍ、正孔注入層形成用塗布液の塗布時の温度は２５℃で塗布し、次いで、乾燥工程５０４で１２０℃の加熱温風と吹き付けて、厚さ３０ｎｍの正孔注入層を形成した。【０２４５】
（正孔輸送層の形成）
次いで、上記と同様にして、Ｓｔａｇｅ２にて、上記有機ＥＬ素子１０２の作製に用いた正孔輸送層塗布液１を用いて、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０２４６】
（発光層の形成）
次いで、上記と同様にして、Ｓｔａｇｅ３にて、上記有機ＥＬ素子１０２の作製に用いた発光層塗布液１を用いて、膜厚４０ｎｍの発光層を形成した。【０２４７】
（電子輸送層の形成）
次いで、上記と同様にして、Ｓｔａｇｅ４にて、上記有機ＥＬ素子１０２の作製に使用した電子輸送層塗布液１を用い、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を形成し、アンワインダー部で積層ロール５０７として巻き取った。【０２４８】
（電子注入層および陰極の形成）
続いて、基板Ｐ上に電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層を形成した試料を所定のサイズに断裁した後、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、上記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの薄膜を形成した電子注入層を作製した。引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成して、有機ＥＬ素子１０３を作製した。【０２４９】
〔有機ＥＬ素子１０４の作製：インライン方式による有機機能層形成１〕
図２に記載のインライン方式による有機機能層の製造ラインに従って、本発明である有機ＥＬ素子１０４を作製した。【０２５０】
（陽極の形成）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐ上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで製膜した基板（ＮＨテクノグラス製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極（陽極）を設けた基板Ｐ（ＩＴＯ基板ともいう）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２５１】
（正孔注入層の形成）
次いで、陽極としてＩＴＯ透明電極を形成した基板Ｐを、連続搬送している基板保持ベルト３２上に配置し、図２に示すＳｔａｇｅ１において、図３に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ１を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔注入層塗布液１を用い、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔注入層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔注入層Ｌ１の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ１で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔注入層Ｌ１を形成した。【０２５２】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔注入層Ｌ１の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２５３】
（正孔輸送層の形成）
次いで、正孔注入層Ｌ１を形成した基板Ｐを、図２に示すＳｔａｇｅ２に移送し、図３に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ２を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔輸送層塗布液１を用い、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔輸送層Ｌ２の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ２で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔輸送層Ｌ２を形成した。【０２５４】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔輸送層Ｌ２の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２５５】
（発光層の形成）
次いで、正孔輸送層Ｌ２を形成した基板Ｐを、図２に示すＳｔａｇｅ３に移送し、図３に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ３を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した発光層塗布液１を用い、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、発光層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の発光層Ｌ３の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ３で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、発光層Ｌ３を形成した。【０２５６】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における発光層Ｌ３の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２５７】
（電子輸送層の形成）
次いで、発光層Ｌ３を形成した基板Ｐを、図２に示すＳｔａｇｅ４に移送し、図３に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ４を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した電子輸送層塗布液１を用い、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、電子輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の電子輸送層Ｌ４の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ４で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、電子輸送層Ｌ４を形成した。【０２５８】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における電子輸送層Ｌ４の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２５９】
（ベーク処理工程）
続いて、基板Ｐ上に電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層を形成した試料を連続搬送している基板保持ベルト３２より取り外し、第２の製膜環境４０に移動し、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理を施した。【０２６０】
ベーク処理時の第２の製膜環境４０（エリア２）としては、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度９０ｐｐｍ、水分濃度９０ｐｐｍの雰囲気下４１で行った。【０２６１】
（電子注入層および陰極の形成）
続いて、ベーク処理を施した電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層まで形成した基板Ｐを、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。【０２６２】
真空蒸着装置内のモリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、上記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの薄膜を形成し電子注入層を得た。引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成して、有機ＥＬ素子１０４を作製した。【０２６３】
〔有機ＥＬ素子１０５の作製：インライン方式による有機機能層形成２〕
上記有機ＥＬ素子１０４の作製において、Ｓｔａｇｅ１〜４において、乾燥部Ｈ１〜Ｈ４による乾燥は行わずに、ベーク処理工程でのみ、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理（乾燥処理）を施した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０５を作製した。【０２６４】
《有機ＥＬ素子の生産適性の評価》
〔生産効率の評価〕
有機ＥＬ素子１０４の作製方法において、有機ＥＬ素子を１枚作製に要する時間を１．００として、各有機ＥＬ素子を作製するのに要する相対時間を算出し、下記の基準に従って生産効率を評価した。【０２６５】
◎：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、０．９０未満である
○：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、０．９０以上、１．１０未満である
△：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、１．１０以上、１．５０未満である
×：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、１．５０以上である
〔設備投資コストの評価〕
有機ＥＬ素子１０４の作製に適用する設備費用を１．００として、各有機ＥＬ素子を作製に適用する設備費用を算出し、下記の基準に従って設備投資コストを評価した。【０２６６】
◎：有機ＥＬ素子の作製に適用する製造設備の相対投資費用が、０．９０未満である
○：有機ＥＬ素子の作製に適用する製造設備の相対投資費用が、０．９０以上、１．１０未満である
△：有機ＥＬ素子の作製に適用する製造設備の相対投資費用が、１．１０以上、１．５０未満である
×：有機ＥＬ素子の作製に適用する製造設備の相対投資費用が、１．５０以上である
《有機ＥＬ素子の品質評価》
〔量子効率の測定〕
各有機ＥＬ素子について、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用い、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ２定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。量子効率は、有機ＥＬ素子１０４の量子効率を１００とした相対値で表示した。数値が大きいほど、外部取り出し量子効率に優れていることを表す。【０２６７】
〔発光寿命の測定〕
作製した各有機ＥＬ素子に対し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２となるような電流を与え、連続駆動した。正面輝度が初期の半減値（５００ｃｄ／ｍ２）になるまでに要する時間（発光寿命）を求めた。測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用い、有機ＥＬ素子１０４の発光寿命を１００とした相対値で表示した。数値が大きいほど、発光寿命に優れていることを表す。【０２６８】
〔輝度ムラ耐性の評価〕
作製した各有機ＥＬ素子に対し、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流を印加したときの発光面内輝度分布を、Ｐｒｏｍｅｔｒｉｃ（サイバネットシステム社製）で測定した。なお、輝度分布は、発光面を均等に４０分割したときの各発光面内輝度の標準偏差として表した。数値が低いほど、輝度ムラが少なく、輝度ムラ耐性に優れていることを表す。【０２６９】
以上により得られた結果を、表１に示す。【０２７０】
【表１】
0005861705.tif 000004
【０２７１】
表１に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する有機ＥＬ素子の製造方法は、従来の製造方法に対し、生産効率と設備投資コストとの両立が図られ、かつ製造される有機ＥＬ素子の量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性に優れていることが分かる。【０２７２】
実施例２
《有機ＥＬ素子２０１〜２０３の作製》
実施例１に記載の有機ＥＬ素子１０４（第１の製膜環境３０（エリア１）における塗布速度：３ｍ／ｍｉｎ）において、第１の製膜環境３０（エリア１）における塗布速度を、それぞれ５ｍ／ｍｉｎ、１０ｍ／ｍｉｎ、１５ｍ／ｍｉｎに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０１〜２０３を作製した。【０２７３】
《有機ＥＬ素子の生産適性、品質評価》
上記作製した有機ＥＬ素子２０１〜２０３と実施例１で作製した有機ＥＬ素子１０４について、実施例１に記載の方法と同様にして、生産効率、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性の評価を行い、得られた結果を表２に示す。【０２７４】
【表２】
0005861705.tif 000005
【０２７５】
有機ＥＬ素子の製造における第１の製膜環境３０（エリア１）の塗布速度を５ｍ／ｍｉｎ以上とすることで、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性等の特性を損なうことなく、生産効率を高めることができる。【０２７６】
実施例３
《有機ＥＬ素子３０１〜３０９の作製》
実施例１に記載の有機ＥＬ素子１０５（第１の製膜環境（エリア１）：不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下。第２の製膜環境（エリア２）：不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度９０ｐｐｍ、水分濃度９０ｐｐｍの雰囲気下）において、第１の製膜環境（エリア１）における雰囲気組成及び第２の製膜環境（エリア２）における雰囲気組成を、表３に記載の条件にそれぞれ変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０１〜３０９を作製した。【０２７７】
《有機ＥＬ素子の品質評価》
上記作製した有機ＥＬ素子３０１〜３０９と実施例１で作製した有機ＥＬ素子１０５について、下記の方法により生産コストの評価と、実施例１に記載の方法と同様にして、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性の評価を行い、得られた結果を表３に示す。【０２７８】
〔生産コスト〕
有機ＥＬ素子１０５の作製において、有機機能層形成に要するコストを１．００とし、下記の基準に従って、相対生産コストの評価を行った。【０２７９】
◎：有機ＥＬ素子の相対生産コストが、１．０５以上である
○：有機ＥＬ素子の相対生産コストが、０．９５以上、１．０５未満である
△：有機ＥＬ素子の相対生産コストが、０．９０以上、０．９５未満である
×：有機ＥＬ素子の相対生産コストが、０．９０未満である【０２８０】
【表３】
0005861705.tif 000006
【０２８１】
本発明の有機ＥＬの製造方法において、第１の製膜環境（エリア１）における不活性ガス以外のガス成分濃度を５００ｐｐｍ以上とし、かつ第２の製膜環境（エリア２）における不活性ガス以外のガス成分濃度を２００ｐｐｍ以下とすることにより、生産コストに優れ、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性がより向上していることが分かる。【０２８２】
実施例４
《有機ＥＬ素子４０１〜４０８の作製》
実施例１に記載の有機ＥＬ素子１０５（ガラス基板、第２の製膜環境（エリア２）におけるベーク条件：１２０℃、６０分）において、基板の種類（樹脂基板：厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム、ガラス基板：厚さ１．１ｍｍのＮＨテクノグラス製、ＮＡ４５）及び第２の製膜環境（エリア２）におけるベーク条件を、表４に記載の条件にそれぞれ変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４０１〜４０８を作製した。【０２８３】
《有機ＥＬ素子の品質評価》
上記作製した有機ＥＬ素子４０１〜４０８と実施例１で作製した有機ＥＬ素子１０５について、実施例１に記載の方法と同様にして、生産効率、量子効率、発光寿命及び輝度ムラ耐性の評価を行い、得られた結果を表４に示す。【０２８４】
【表４】
0005861705.tif 000007
【０２８５】
本発明の有機ＥＬの製造方法において、基板としてガラス基板を用いることにより、樹脂基板を用いた有機ＥＬ素子に比較して、生産効率が高く、第２の製膜環境（エリア２）におけるベーク時間を短くしても、性能低下が小さいことが分かる。これは、ガラス基板は、有機機能層を塗布した際に、樹脂基板に比較して、基板中への各塗布液を構成する溶剤等の侵入が少なく、その結果、短時間であっても所望の特性を得ることができたと推測している。【０２８６】
実施例５
〔有機ＥＬ素子５０２の作製〕
図４に記載のインライン方式による有機機能層の製造ラインにおいて、基板浮上部５５による基板の浮上は行わずに、基板保持部材上に直接配置して塗布を行って、有機ＥＬ素子５０２を作製した。【０２８７】
（アライメントマークの付与）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐの４隅に、アライメントマークを付与した。【０２８８】
アライメントマークの付与は、５×１０−１Ｐａの真空環境条件でガラス基板Ｐ上の４隅に、厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）膜による十字マークをスパッタリング法により形成した。【０２８９】
（陽極の形成）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐ上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで製膜した基板（ＮＨテクノグラス製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極（陽極）を設けた基板Ｐ（ＩＴＯ基板ともいう）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２９０】
（正孔注入層の形成）
次いで、陽極としてＩＴＯ透明電極を形成した基板Ｐを、連続搬送している基板保持部材３２上に配置し、図４に示すＳｔａｇｅ１において、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ１を用い、アライメントマークをＣＣＤカメラで検知し、その情報に従って、基板Ｐ上に前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔注入層塗布液１を、基板を全く浮上させないで、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔注入層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔注入層Ｌ１の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ１で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔注入層Ｌ１を形成した。【０２９１】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔注入層Ｌ１の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２９２】
（正孔輸送層の形成）
次いで、正孔注入層Ｌ１を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ２に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ２を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔輸送層塗布液１を用い、アライメントマークのＣＣＤカメラによる検知情報に従って、基板を全く浮上させないで、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔輸送層Ｌ２の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ２で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔輸送層Ｌ２を形成した。【０２９３】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔輸送層Ｌ２の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２９４】
（発光層の形成）
次いで、正孔輸送層Ｌ２を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ３に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ３を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した発光層塗布液１を用い、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知情報に従って、基板を全く浮上させないで、基板を全く浮上させないで、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、発光層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の発光層Ｌ３の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ３で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、発光層Ｌ３を形成した。【０２９５】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における発光層Ｌ３の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２９６】
（電子輸送層の形成）
次いで、発光層Ｌ３を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ４に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ４を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した電子輸送層塗布液１を用い、ＣＣＤカメラによるアライメントマークの検知情報に従って、基板を全く浮上させないで、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、電子輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の電子輸送層Ｌ４の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ４で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、電子輸送層Ｌ４を形成した。【０２９７】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における電子輸送層Ｌ４の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０２９８】
（ベーク処理工程）
続いて、基板Ｐ上に電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層を形成した試料を連続搬送している基板保持部材３２より取り外し、第２の製膜環境４０に移動し、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理を施した。【０２９９】
ベーク処理時の第２の製膜環境４０（エリア２）としては、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度９０ｐｐｍ、水分濃度９０ｐｐｍの雰囲気下４１で行った。【０３００】
（電子注入層および陰極の形成）
続いて、ベーク処理を施した電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層まで形成した基板Ｐを、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。【０３０１】
真空蒸着装置内のモリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、上記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの薄膜を形成し電子注入層を得た。引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成して、有機ＥＬ素子５０２を作製した。【０３０２】
〔有機ＥＬ素子５０３の作製：基板浮上方式〕
図４に記載のインライン方式による有機機能層の製造ラインを用い、図７に示す構造からなる基板浮上部により、基板を浮上させながら塗布を行って、有機ＥＬ素子５０３を作製した。【０３０３】
（アライメントマークの付与）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐの４隅に、アライメントマークを付与した。【０３０４】
アライメントマークの付与は、５×１０−１Ｐａの真空環境条件でガラス基板Ｐ上の４隅に、厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）膜による十字マークをスパッタリング法により形成した。【０３０５】
（陽極の形成）
１５０ｍｍ×１５０ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板Ｐ上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を厚さ１５０ｎｍで製膜した基板（ＮＨテクノグラス製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極（陽極）を設けた基板Ｐ（ＩＴＯ基板ともいう）をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０３０６】
（正孔注入層の形成）
次いで、陽極としてＩＴＯ透明電極を形成した基板Ｐを、連続搬送している基板保持部材３２上に配置し、図４に示すＳｔａｇｅ１において、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ１を用い、アライメントマークをＣＣＤカメラにより検知し、得られた基板の位置情報に従って、図７で示す基板浮上部により、基板Ｐを浮上させた。浮上方法は、２基に圧縮気体供給部３００Ａ、３００Ｂに、不活性ガスが窒素ガスで、酸素濃度が３００ｐｐｍ、水分濃度が３００ｐｐｍの圧縮気体を、気体送風ポンプ３０４Ａ、３０４Ｂで供給した。一方、真空ポンプ３０５を稼働させて減圧部３０６より吸気を行った。【０３０７】
次いで、位置検知センサー３０７により、基板保持部材３２に対する基板Ｐの浮上量Ｈ１を１５０μｍに制御し、塗布コータＣｏの先端のリップと基板Ｐ表面との高さＨ２（ビードギャップ）が３００μｍとなるように、圧縮気体の送風量と、減圧部３０６より吸気量を制御した。【０３０８】
上記条件で、基板Ｐ上に前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔注入層塗布液１を、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔注入層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔注入層Ｌ１の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ１で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔注入層Ｌ１を形成した。【０３０９】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔注入層Ｌ１の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０３１０】
（正孔輸送層の形成）
次いで、正孔注入層Ｌ１を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ２に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ２を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した正孔輸送層塗布液１を用い、上記正孔注入層の浮上条件と同様にして、基板を１５０μｍの高さで浮上させながら、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、正孔輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の正孔輸送層Ｌ２の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ２で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、正孔輸送層Ｌ２を形成した。【０３１１】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における正孔輸送層Ｌ２の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０３１２】
（発光層の形成）
次いで、正孔輸送層Ｌ２を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ３に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ３を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した発光層塗布液１を用い、上記正孔注入層の浮上条件と同様にして、基板を１５０μｍの高さで浮上させながら、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、発光層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の発光層Ｌ３の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ３で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、発光層Ｌ３を形成した。【０３１３】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における発光層Ｌ３の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０３１４】
（電子輸送層の形成）
次いで、発光層Ｌ３を形成した基板Ｐを、図４に示すＳｔａｇｅ４に移送し、図６に示す構成からなるスリット型のダイコータＣｏ４を用い、前記有機ＥＬ素子１０２の作製で使用した電子輸送層塗布液１を用い、上記正孔注入層の浮上条件と同様にして、基板を１５０μｍの高さで浮上させながら、塗布速度３ｍ／ｍｉｎ、電子輸送層形成用塗布液の塗布時の温度を２５℃に設定し、乾燥後の電子輸送層Ｌ４の膜厚が３０ｎｍとなる条件で塗布し、次いで、下流に配置されている乾燥部Ｈ４で１２０℃の加熱温風を吹き付けて、電子輸送層Ｌ４を形成した。【０３１５】
なお、第１の製膜環境３０（エリア１）における電子輸送層Ｌ４の形成は、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下３１で行った。【０３１６】
（ベーク処理工程）
続いて、基板Ｐ上に電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層を形成した試料を連続搬送している基板保持部材３２より取り外し、第２の製膜環境４０に移動し、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理を施した。【０３１７】
ベーク処理時の第２の製膜環境４０（エリア２）としては、不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度９０ｐｐｍ、水分濃度９０ｐｐｍの雰囲気下４１で行った。【０３１８】
（電子注入層および陰極の形成）
続いて、ベーク処理を施した電子注入層、電子輸送層、発光層及び電子輸送層まで形成した基板Ｐを、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。【０３１９】
真空蒸着装置内のモリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０−５Ｐａまで減圧した後、上記モリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、フッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの薄膜を形成し電子注入層を得た。引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成して、有機ＥＬ素子５０３を作製した。【０３２０】
〔有機ＥＬ素子５０４の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０３の作製において、図４に記載のインライン方式による有機機能層の製造ラインを用い、図８に示す構造からなる基板浮上部により、基板を浮上させながら塗布を行った以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０４を作製した。【０３２１】
なお、各有機機能層塗布時の基板の浮上条件は、有機ＥＬ素子５０３の作製に適用した条件と同一にした。【０３２２】
〔有機ＥＬ素子５０５の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０３の作製において、図４に示す工程ラインで、Ｓｔａｇｅ１〜Ｓｔａｇｅ４で、アライメントマークの情報に従って、塗布休止時の各コータへの有機機能層塗布液の送液を停止する時期に、図９、図１０に記載のワイピング洗浄装置を用いて、ダイコータのリップ面のワイピングを行った以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０５を作製した。【０３２３】
なお、各Ｓｔａｇｅにおけるクリーニング液としては、各Ｓｔａｇｅで使用する有機機能層塗布液の構成溶媒を用いた。【０３２４】
〔有機ＥＬ素子５０６の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０４の作製において、図４に示す工程ラインで、Ｓｔａｇｅ１〜Ｓｔａｇｅ４で、アライメントマークの情報に従って、塗布休止時の各コータへの有機機能層塗布液の送液を停止する時期に、図９、図１０に記載のワイピング洗浄装置を用いて、ダイコータのリップ面のワイピングを行った以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０６を作製した。【０３２５】
なお、各Ｓｔａｇｅにおけるクリーニング液としては、各Ｓｔａｇｅで使用する有機機能層塗布液の構成溶媒を用いた。【０３２６】
〔有機ＥＬ素子５０７の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０５の作製において、図４に示す工程ラインを、図５に記載の基板保持部材として、無端搬送ベルト５９を用い工程ラインに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０７を作製した。【０３２７】
〔有機ＥＬ素子５０８の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０６の作製において、図４に示す工程ラインを、図５に記載の基板保持部材として、無端搬送ベルト５９を用い工程ラインに変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０８を作製した。【０３２８】
〔有機ＥＬ素子５０９の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０５の作製において、Ｓｔａｇｅ１〜４の各乾燥部による乾燥は行わずに、ベーク処理工程でのみ、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理（乾燥処理）を施した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５０９を作製した。【０３２９】
〔有機ＥＬ素子５１０の作製：基板浮上方式〕
上記有機ＥＬ素子５０６の作製において、Ｓｔａｇｅ１〜４の各乾燥部による乾燥は行わずに、ベーク処理工程でのみ、加熱部Ｈ５より１２０℃の加熱温風を６０分間吹き付けて、ベーク処理（乾燥処理）を施した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５１０を作製した。【０３３０】
《有機ＥＬ素子の生産適性の評価》
〔生産効率の評価〕
有機ＥＬ素子５０３の作製方法において、有機ＥＬ素子を１枚作製に要する時間を１．００として、各有機ＥＬ素子を作製するのに要する相対時間を算出し、下記の基準に従って生産効率を評価した。【０３３１】
◎：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、０．９０未満である
○：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、０．９０以上、１．１０未満である
△：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、１．１０以上、１．５０未満である
×：有機ＥＬ素子１枚を作製するのに要する相対時間が、１．５０以上である
《有機ＥＬ素子の品質評価》
〔輝度ムラ耐性の評価：膜面均一性の評価〕
作製した各有機ＥＬ素子に対し、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流を印加したときの発光面内輝度分布を、Ｐｒｏｍｅｔｒｉｃ（サイバネットシステム社製）で測定した。なお、輝度分布は、発光面を均等に４０分割したときの各発光面内輝度の標準偏差として表した。数値が低いほど、輝度ムラが少なく、輝度ムラ耐性に優れていることを表す。【０３３２】
〔ダークスポット耐性の評価〕
各有機ＥＬ素子を、６０℃、９０％ＲＨの環境下で、４００時間及び６００時間保存した後、撮影倍率として５０倍で拡大写真を撮影し、ダークスポットの発生の有無を確認し、下記の基準に従ってダークスポット耐性の評価を行った。【０３３３】
◎：６００時間後もダークスポットの発生が全く認められない
○：４００時間保存後ではダークスポットの発生が認められないが、６００時間保存後にわずかなダークスポットの発生が認められる
△：４００時間保存後で、微小なダークスポットの発生が僅かに認められるが実用上は許容される品質である
×：４００時間保存後に明らかなダークスポットの発生が認めら、実用上問題となる品質である
△印以上は、実用上使用可能なレベルである。
以上により得られた結果を、表５に示す。【０３３４】
【表５】
0005861705.tif 000008
【０３３５】
表５に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する有機ＥＬ素子の製造方法は、従来の製造方法に対し、生産効率に優れ、かつ製造される有機ＥＬ素子の輝度ムラ耐性に優れ、かつ浮上搬送させながら有機機能層を形成することにより、粉塵等に起因するダークスポットの発生が抑制されていることが分かる。【０３３６】
実施例６
《有機ＥＬ素子６０１〜６０９の作製》
実施例５に記載の有機ＥＬ素子５０５（第１の製膜環境（エリア１）：不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度３００ｐｐｍ、水分濃度３００ｐｐｍの雰囲気下。第２の製膜環境（エリア２）：不活性ガスとして窒素ガスを用い、酸素濃度９０ｐｐｍ、水分濃度９０ｐｐｍの雰囲気下）の作製において、第１の製膜環境（エリア１）における雰囲気組成及び第２の製膜環境（エリア２）における雰囲気組成を、表６に記載の条件にそれぞれ変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子６０１〜６０９を作製した。【０３３７】
《有機ＥＬ素子の品質評価》
上記作製した有機ＥＬ素子６０１〜６０９と実施例５で作製した有機ＥＬ素子５０５について、実施例５に記載の方法と同様にして、輝度ムラ耐性及びダークスポット耐性の評価を行い、得られた結果を表６に示す。【０３３８】
【表６】
0005861705.tif 000009
【０３３９】
本発明の有機ＥＬの製造方法において、第１の製膜環境（エリア１）における不活性ガス以外のガス成分濃度を５００ｐｐｍ以上とし、かつ第２の製膜環境（エリア２）における不活性ガス以外のガス成分濃度を２００ｐｐｍ以下とすることにより、輝度ムラ耐性及びダークスポット耐性がより向上していることが分かる。
【符号の説明】
【０３４０】
１  有機ＥＬ素子
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  電子輸送層
７  電子注入層
８、２０３  陰極
９  封止接着剤
２０  有機機能層群
３０  第１の製膜環境
３２  基板保持部材
４０  第４の製膜環境
５０  蒸着工程
５１  真空蒸着装置
５３  搬送ロール
５４  サポートロール
５５  基板浮上部
５６、３０１  基板浮上ユニット
５９  無端搬送ベルト
１０３  リップ
１０７  塗膜
３００Ａ、３００Ｂ  圧縮気体供給部
３０２  チャンバー
３０４Ａ、３０４Ｂ、３０４  気体送風ポンプ
３０５  真空ポンプ
３０７  位置検出センサー
３１１  圧縮気体送風部
３１２  吸引部
４０１  ＣＣＤカメラ
４０２  アライメントマーク
４０３  ワイピング洗浄装置
４０６  ワイプユニット
４０８  シート状可撓性部材
４０９  ワイピング部材
Ｃ  スリット型ダイコータ
Ｃｏ１〜Ｃｏ４、Ｃｏ  コータ
Ｈ１〜Ｈ５、Ｈ  乾燥部
Ｌ１〜Ｌ４  有機機能層
Ｐ  基板、支持基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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