(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を収納可能な搬送装置に基板ホルダによって保持された前記基板を収納する際に用いられる基板搬送治具であって、
前記基板ホルダを支持する台座部と、
前記基板ホルダの外周部の位置決めを行う第１位置決め部と、
前記基板ホルダの表面に沿った回転方向の位置決めを行う第２位置決め部と、
前記台座部の側部から外方に向かって突出した突出部を有し、前記突出部が前記搬送装置内の前記基板ホルダを支持するレール部に当接することで前記搬送装置への搬送方向に対して位置決めを行う第３位置決め部と、
を有することを特徴とする基板搬送治具。
【請求項２】
前記台座部の最大幅は、前記レール部間の距離よりも小さく構成されている請求項１に記載の基板搬送治具。
【請求項３】
前記第２位置決め部は、前記台座部の表面に設けられた突起部である請求項１または２に記載の基板搬送治具。
【請求項４】
前記基板搬送治具を保持するグリップ部がさらに設けられる請求項１から３のいずれか１つに記載の基板搬送治具。
【請求項５】
複数枚の基板を収納可能な搬送装置に基板ホルダによって保持された前記基板を収納する際に用いられ、前記基板ホルダを支持する台座部と、前記基板ホルダの外周部の位置決めを行う第１位置決め部と、前記基板ホルダの表面に沿った回転方向の位置決めを行う第２位置決め部と、前記台座部の側部から外方に向かって突出した突出部を有し、前記突出部が前記搬送装置内の前記基板ホルダを支持するレール部に当接することで前記搬送装置への搬送方向に対して位置決めを行う第３位置決め部と、を有する基板搬送治具を用いた基板搬送方法であって、
前記基板ホルダを前記台座部に搭載する工程と、
前記台座部に搭載された前記基板ホルダに対し、前記第２位置決め部によって前記基板ホルダの回転方向の位置決めを行う工程と、
前記第３位置決め部を前記搬送装置の前記レール部に当接して前記搬送装置と前記基板搬送治具との位置決めを行う工程と、
を有することを特徴とする基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送治具に関し、特に、基板を移載・載置する際の位置精度の高精度化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板を移載する移載機を備えた基板処理装置に関して、移載機のアーム部に基板と接触する３つの支持部が設けられ、これら３つの支持部によって基板を３点支持する技術が、例えば、特許文献１（特開２００９−８８３９５号公報）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−８８３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
炭化珪素（SiC 、シリコンカーバイド）は珪素（ Si 、シリコン）に比べてエネルギーのバンドギャップが大きいことや、絶縁耐圧が高いことから、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。
【０００５】
一方でSiC は、融点がSiに比べて高いこと、常圧下での液相を持たないこと、不純物拡散係数が小さいことなどから、Siに比べて基板やデバイスの形成が難しいことが知られている。例えば、SiC エピタキシャル成膜装置は、Siのエピタキシャル成膜温度が９００℃〜１２００℃であるのに対して、SiC は１５００℃〜１８００℃程度と高いことから成膜装置の耐熱構造や原料の分解抑制に技術的な工夫が必要である。また、SiとC の２元素の反応で成膜が進むため、膜厚や組成均一性の確保、ドーピングレベルの制御技術にもシリコン系の成膜装置に無い工夫が必要となる。
【０００６】
量産用のSiC エピタキシャル成長装置として市場に供されている装置としては、「パンケーキ型」、「プラネタリ型」と称される形態の装置が主流である。高周波等で成膜温度まで加熱したサセプタ上に数枚〜十数枚程度のSiC 基板を平面的に並べ、原料ガスやキャリアガスを供給する方法で成膜を行っている。C 原料としてC3H8（プロパン）やC2H4（エチレン）、Si原料としてSiH4 (モノシラン）が多く採用されており、キャリアとしてはH2（水素）が使用される。気相中でのシリコン核形成の抑制や結晶の品質向上を狙って塩化水素(HCl）を添加したり、塩素(CL)を構造中に含むトリクロルシラン(SiHCL3)、テトラクロルシラン(SiCL4、四塩化珪素）などの原料を使う場合もある。これらのSiC エピタキシャル成膜装置には以下のような問題点があった。
【０００７】
図１８〜２０にパンケーキ型の成膜装置とプラネタリ型の成膜装置の模式図を示す。このような反応室３５０の構造では平面的に配置された SiCウエハ（半導体ウエハ）３００に対してシリコン成膜材料、カーボン成膜材料が中心部に設置されたガス供給部３１０から供給され、排気は周辺部から行われるのが一般的であり、供給口３２０から排気口３３０にかけてガスの濃度分布は大きく変化する。これに伴う膜厚の不均一性を、 SiCウエハ３００またはウエハホルダ３７０によって保持された SiCウエハ３００、及び誘導コイル３６０が設けられたサセプタ３４０を成膜時に回転させて回避することも一般的に行われている（図１９に示す成膜装置ではサセプタ３４０は、断熱材３８０によって覆われている）。
【０００８】
一度に処理できる基板枚数を増やすにはサセプタ３４０の直径を大きくすれば良いが、サセプタ３４０の直径を大きくすると装置サイズが大きくなりコストが増大する問題があった。この問題はウエハ径が大きくなるほど、より深刻となる。また、ガス供給方向からガス排気口方向（半径方向）に２枚以上並べると前述のガス濃度差の問題により処理ウエハ間に膜厚差が発生するため、一度に処理できる実用的なウエハ枚数が制限される問題があった。
【０００９】
一方でシリコンの成膜装置で用いられている縦型成膜装置は、１枚相当のフットプリントにて一度に複数（例えば、２５〜１００枚）のウエハを縦方向に積み上げて一括して処理できる構造を持つことから大量生産に非常に有利である。
【００１０】
このように一括処理可能な縦型成膜装置では、 SiCウエハ３００を自動搬送可能な構造となっているが、そのまま搬送すると SiCウエハ３００にパーティクル付着の懸念がある。
【００１１】
また、一括処理した SiCウエハ３００を１枚ごとに装置から搬出すると多くの時間がかかってしまう。
【００１２】
そのため、 SiCウエハ３００をまとめて収納可能なツールをフープ（FOUP、搬送装置）内に装着することにより、一括搬出可能とし、外気遮断が可能になる。
【００１３】
ところが、フープ内に配置された前述のツールに対して、 SiCウエハ３００を保持したウエハホルダ（基板ホルダ）を精度よく搬入することが、成膜処理のプロセスにおいて重要となっている。
【００１４】
以上のように半導体成膜装置で成膜される SiCウエハ３００（以降、単にウエハともいう）は、フープと呼ばれる搬送装置を利用しており、フープ内に複数枚のウエハを積載することで搬送され、半導体成膜装置内でウエハ移載装置等によってフープ内のウエハを移動させている。
【００１５】
このような半導体成膜装置内で用いられるウエハ移載装置は、ウエハが載置されている位置が非常に重要であり、フープ内での載置場所に少しずれが生じてしまうだけで、ウエハ上にパーティクルが付着してしまうだけでなく、半導体成膜装置内で保持する際の保持位置がずれてしまい、ウエハへの成膜の均一性に影響が生じてしまうため、フープに積載する段階から精度良く設置する必要がある。
【００１６】
なお、ウエハのフープ内への搬入は作業者が行っており、作業者の手を介して積載されているが、フープ内の作業空間は狭く、作業が行いにくいため、ウエハを保持したウエハホルダのフープ内への設置位置が作業者間でばらついて、精度良く設置が行えないという課題が発生する。
【００１７】
さらに、作業者による手作業では時間がかかることや、他のウエハとの接触の可能性があることも課題である。
【００１８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板を保持した基板ホルダを搬送装置内に高精度に収納することができる技術を提供することにある。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、基板を保持した基板ホルダの搬送装置内への収納の作業時間を短縮化することができる技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２２】
本発明に係る基板搬送治具は、基板ホルダによって保持された基板を搬送装置に収納する際に用いられるものであり、前記基板ホルダを支持する台座部と、前記基板ホルダの外周部の位置決めを行う第１位置決め部と、前記基板ホルダの表面に沿った回転方向の位置決めを行う第２位置決め部と、前記台座部の側部から外方に向かって突出した突出部を有し、前記突出部が前記搬送装置内の前記基板ホルダを支持するレール部に当接することで前記搬送装置への搬送方向に対して位置決めを行う第３位置決め部と、を有している。
また、本発明に係る基板搬送方法は、複数枚の基板を収納可能な搬送装置に基板ホルダによって保持された前記基板を収納する際に用いられ、前記基板ホルダを支持する台座部と、前記基板ホルダの外周部の位置決めを行う第１位置決め部と、前記基板ホルダの表面に沿った回転方向の位置決めを行う第２位置決め部と、前記台座部の側部から外方に向かって突出した突出部を有し、前記突出部が前記搬送装置内の前記基板ホルダを支持するレール部に当接することで前記搬送装置への搬送方向に対して位置決めを行う第３位置決め部と、を有する基板搬送治具を用いたものであり、前記基板ホルダを前記台座部に搭載する工程と、前記台座部に搭載された前記基板ホルダに対し、前記第２位置決め部によって前記基板ホルダの回転方向の位置決めを行う工程と、前記第３位置決め部を前記搬送装置の前記レール部に当接して前記搬送装置と前記基板搬送治具との位置決めを行う工程と、を有している。
【発明の効果】
【００２３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００２４】
基板の搬送装置内への収納を高精度に行うことができ、さらに非接触で収納することができる。これにより、基板へのパーティクルの付着を低減することができ、基板に形成する膜の質を高めることができる。
【００２５】
また、基板の搬送装置内への収納の作業時間を短縮化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態の基板の成膜処理で用いられる成膜装置の反応室の構造の一例を一部断面にして示す概念図である。
【図２】図１に示す反応室が設けられた成膜装置の全体構造の一例を内部を透過して示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態の基板搬送治具の構造の一例を示す斜視図である。
【図４】図３に示す基板搬送治具の構造の一例を示す平面図である。
【図５】図３に示す基板搬送治具にウエハホルダを搭載した構造の一例を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態の基板搬送治具を用いた基板ホルダの搬送装置への設置状態の一例を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態の基板搬送治具を用いた基板ホルダの搬送装置への設置時の位置決め状態の一例を一部破断して示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態の基板搬送治具によって保持される基板ホルダの構造の一例を示す斜視図である。
【図９】図８に示す基板ホルダにおける反応ガスの消費部分の一例を示す概念図である。
【図１０】本発明の実施の形態の変形例の基板ホルダの構造を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示す基板ホルダにおける反応ガスの消費部分を示す概念図である。
【図１２】本発明の実施の形態のフープ内に設置されるブリッジツールの構造の一例を示す正面図である。
【図１３】図１２に示すブリッジツールが設置されたフープ内にウエハホルダを収納した状態の一例を示す正面図である。
【図１４】図１３に示す構造の蓋開時の状態の一例を内部を透過して示す平面図である。
【図１５】図１４に示す構造の蓋閉時の状態の一例を内部を透過して示す平面図である。
【図１６】図１２に示すブリッジツールが偏芯配置されたフープ内にウエハホルダを収納した状態の一例を示す正面図である。
【図１７】図１６に示す構造の蓋閉時の状態の一例を内部を透過して示す平面図である。
【図１８】比較例の成膜装置の反応室の構造を示す概念図である。
【図１９】他の比較例の成膜装置の反応室の構造を示す概念図である。
【図２０】図１８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２８】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２９】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００３０】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３１】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００３３】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の基板の成膜処理で用いられる成膜装置の反応室の構造の一例を一部断面にして示す概念図、図２は図１に示す反応室が設けられた成膜装置の全体構造の一例を内部を透過して示す斜視図である。
【００３４】
最初に、本実施の形態の成膜処理で用いられる図１に示す反応室４４と、図２に示す成膜装置全体の構造について説明する。
【００３５】
まず、図１に縦型SiC 成膜装置の反応室及びその周囲の構成を説明する。反応室４４及びその周囲には、反応空間を形成する主に石英からなる反応管４２、ウエハホルダ１００によって保持された図８に示すウエハ（半導体ウエハ）１４を処理温度に加熱するための誘導コイル５０、誘導コイル５０を支持する絶縁物質（例えばアルミナなどのセラミック材）からなる支持体５１及び誘導コイル５０によって発生するうず電流により発熱するSiC を表面にコーティングしたカーボングラファイトからなる被加熱体４８、処理温度に加熱された被加熱体４８から放射されるふく射熱により反応管４２の壁の温度が上昇するのを防止する炭素繊維（カーボンフェルト）を主体とする断熱材５４が設けられ、さらに、反応管４２の外側には、電磁波及び熱の外部への漏洩を防止する筐体カバー５８が設けられ、反応管４２と筐体カバー５８の間のヒータ室５８ａには、水冷パルプ５５ａが設けられた水冷板５５が設置されている。
【００３６】
また、反応室４４には、ウエハ１４の裏面成膜を防止するSiC コーティングされたカーボングラファイトからなるウエハホルダ１００、ウエハ１４がセットされたウエハホルダ１００を複数枚積層状態に保持し、かつ表面がSiC コーティングされたカーボングラファイトからなるボート３０、ウエハ１４に対して原料ガスを供給する原料タンク７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄとバルブ７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ、流量調節器（マスフローコントローラとも呼ぶ）７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄを介して連結されたガスノズル６２，６５、各ウエハ１４間に均一なガス流れを形成するための圧力調整弁７９を介してポンプ８０と連結された排気ノズル６６、反応室４４の下部のシール部材の温度上昇を防止する下部断熱手段３４、ウエハ１４上の膜厚が均一となるよう処理中にウエハ１４を回転させるための回転軸１０４、積層されたウエハ１４を反応室４４にロード・アンロードする上下動手段（図示せず）に連結された反応室４４の下部の開口部を密閉するシール体１０２等が設けられている。
【００３７】
なお、ガスノズル６２は、カーボン系原料を供給し、かつ石英からなり、その先端側には、グラファイトからなる供給ノズル６２ａが取り付けられている。また、ガスノズル６５は、Si系原料を供給し、かつ石英からなる。
【００３８】
一方、排気ノズル６６は、石英からなり、その先端側には、グラファイトからなる排気ノズル６６ａが取り付けられている。
【００３９】
次に、図１に示す縦型SiC 成膜装置の作用について説明する。
【００４０】
シール体１０２上に固定され、かつウエハ１４がそれぞれにセットされた複数枚のウエハホルダ１００を搭載したボート３０を上下動手段（図示せず）により反応室４４にロードして反応室４４の空間を密閉する。そして、炉内に不活性ガス（例えばAr等）を導入しながら排気管７６や圧力調整弁７９を介して接続されたポンプ８０により反応室４４の空間を所望の圧力にする。反応室４４の外周部に設けられた誘導コイル５０に高周波電力（例えば１０〜１００KHz 、１０〜２００ KW ）を印加して被加熱体４８に渦電流を発生させ、ジュール熱により所望の処理温度（１５００〜１８００℃）に加熱する。これにより、被加熱体４８より内側に配置されたウエハ１４、ウエハホルダ１００及びボート３０は、被加熱体４８より放射されるふく射熱により被加熱体４８の温度と同等の温度に加熱される。
【００４１】
一方、反応室４４の下部の開口部の周辺においては、シール部材（Ｏリング等）の耐熱性から下部断熱手段３４により温度を低く（２００℃程度）維持している。処理温度（１５００〜１８００℃）に維持されたウエハ１４に対してガスノズル６５とガスノズル６２及び供給ノズル６２ａよりキャリアガスを混合したSi系原料（図示ではSiCL4 、その他SiH4、TCS 、DCS 等）とカーボン系材料（図示ではC3H8、その他C2H4等）を供給しつつ、バルブ（圧力調整弁）７４ｄによって反応室４４内を所望の圧力に制御しながらSiC エピタキシャル成膜処理を行う。成膜処理中はウエハ１４面内の均一性を確保するため、回転軸１０４により回転する。
【００４２】
なお、キャリアガス（H2）の漏洩による爆発を防止するために、反応管４２の外側にライナーチューブ（石英管）４５を設置する。また、ガスを供給したり、排気の起点となるポートを具備しているインレットアダプタ５９からの漏洩による爆発を防止するために、その周辺にスカベンジャー４６を設置する。さらに、反応管４２とライナーチューブ４５との間の空間とスカベンジャー４６は、ヒータベース４７を境にして同一雰囲気化されている。
【００４３】
ここで、ライナーチューブ４５にはその内側に溶接された上部開口ノズル４９があり、接続口よりN2を供給することで、ライナーチューブ４５の上部より下部のスカベンジャー４６側に大気が押し出され、徐々にN2雰囲気化されていく。押し出された大気は、ヒータベース４７に開いている穴を通してダクト４３に接続されており、ここより排気される。なお、スカベンジャー４６の下は、インレットアダプタ５９と密閉可能な構造となっている。ダクト４３はガス検知器３９と接続されており、O2やH2が検知できるようになっている。このような構造により、反応管４２の外にH2が漏洩した場合、大気混合による爆発を未然防止することが可能となり、かつ漏洩も検知できるようになっている。
【００４４】
次に、図２を用いて縦型SiC 成膜装置を含む全体構成である熱処理装置（基板処理装置）１０の構成について説明する。
【００４５】
図２に示す熱処理装置１０は、バッチ式縦型熱処理装置であり、基板熱処理のための主要部が配置される筺体１２を有している。なお、熱処理装置１０では、例えば、SiC で構成される基板である図８のウエハ１４を収納する基板収容器としてのフープ（以下、ポッドともいう）１６が、ウエハキャリアとして使用される。ポッド１６は、複数枚のウエハ１４またはウエハホルダ１００をそれぞれ所定の間隔を設けて高さ方向に積層して収納可能な容器（搬送装置）である。
【００４６】
前記筺体１２の正面側には、ポッドステージ１８が配置されており、このポッドステージ１８にポッド１６が搬送される。ポッド１６には、例えば２５枚のウエハ１４またはウエハホルダ１００が収納され、蓋が閉じられた状態でポッドステージ１８にセットされる。
【００４７】
筺体１２内の正面側であって、ポッドステージ１８に対向する位置には、ポッド搬送装置２０が配置されている。また、このポッド搬送装置２０の近傍には、ポッド棚２２、ポッドオープナ２４及び基板枚数検知器２６が配置されている。ポッド棚２２はポッドオープナ２４の上方に配置され、ポッド１６を複数個載置した状態で保持するように構成されている。また、基板枚数検知器２６はポッドオープナ２４に隣接して配置される。ポッド搬送装置２０は、ポッドステージ１８とポッド棚２２とポッドオープナ２４との間でポッド１６を搬送する。ポッドオープナ２４は、ポッド１６の蓋を開けるものであり、基板枚数検知器２６は蓋が開けられたポッド１６内のウエハ１４の枚数を検知する。
【００４８】
また、筺体１２内には、基板移載機２８、基板支持具としてのボート３０が配置されている。基板移載機２８は、アーム（ツイーザ）３２を有し、図示しない駆動手段により上下回転動作が可能な構造となっている。アーム３２は、例えば５枚のウエハ１４やウエハホルダ１００を取り出すことができ、このアーム３２を動かすことにより、ポッドオープナ２４の位置に置かれたポッド１６及びボート３０間にて、ウエハ１４やウエハホルダ１００を搬送する。
【００４９】
ボート３０は、例えばカーボングラファイトや炭化珪素等の耐熱性材料で構成され、複数枚のウエハ１４やウエハホルダ１００を水平姿勢で、かつ互いに中心を揃えた状態で整列させて縦方向に多段に保持するように構成されている。なお、ボート３０の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成される円板形状をした断熱部材としてのボート断熱部３５が配置されており、サセプタである被加熱体４８（図１参照）からの熱が処理炉４０の下方側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００５０】
図２に示す熱処理装置１０では、筺体１２内の背面側の上部には処理炉４０が配置されており、この処理炉４０内に複数枚のウエハ１４またはウエハホルダ１００を装填したボート３０が搬入され熱処理が行われる。
【００５１】
熱処理装置１０において、ウエハキャリアとして用いられるポッド（フープ）１６内には、後述する図６に示すようなブリッジツール８８が設けられていても良い。このブリッジツール８８は、大口径ウエハ用のポッド１６であっても小口径のウエハ１４を収納可能にするために、小口径のウエハ１４の外周部に対応した形状（大きさ）で設けられたウエハ支持部（レール部）８８ｄを複数段に亘って有しており、このブリッジツール８８を配置することで、大口径ウエハ用のポッド１６であっても小口径のウエハ１４やウエハホルダ１００を使用することができる。
【００５２】
つまり、本実施の形態の小口径のウエハ１４は、まずウエハホルダ１００によって保持され、ウエハホルダ１００に保持された状態でポッド（フープ）１６内に収納される。
【００５３】
したがって、熱処理装置１０を用いたSiC のウエハ１４の熱処理（成膜処理）では、ウエハ１４を保持したウエハホルダ１００を精度良く、ポッド１６内のブリッジツール８８内に収納することが、最終的に熱処理装置１０のボート３０にウエハホルダ１００を移載した時のボート３０上でのウエハホルダ１００の姿勢の精度につながることになる。
【００５４】
すなわち、ウエハ１４を保持したウエハホルダ１００をポッド１６に収納する際のウエハホルダ１００の姿勢精度が、成膜処理において非常に重要になる。
【００５５】
本実施の形態では、ウエハ１４を保持したウエハホルダ１００をポッド１６内に収納する際に、治具（基板搬送治具）を用いてポッド１６への収納を行う。
【００５６】
次に図３〜図７を用いて、本実施の形態の基板搬送治具の構造と、ウエハホルダ１００の前記基板搬送治具を用いたポッド（フープ）１６への収納方法について説明する。
【００５７】
図３は本発明の実施の形態の基板搬送治具の構造の一例を示す斜視図、図４は図３に示す基板搬送治具の構造の一例を示す平面図、図５は図３に示す基板搬送治具にウエハホルダを搭載した構造の一例を示す平面図、図６は本発明の実施の形態の基板搬送治具を用いた基板ホルダの搬送装置への設置状態の一例を示す斜視図、図７は本発明の実施の形態の基板搬送治具を用いた基板ホルダの搬送装置への設置時の位置決め状態の一例を一部破断して示す平面図である。
【００５８】
図３に示す基板搬送治具であるウエハ搬送治具９０は、図２に示す熱処理装置１０で用いられるポッド（フープ：ウエハ１４の搬送装置）１６に、基板ホルダであるウエハホルダ１００によって保持されたウエハ１４を収納する際に用いられる治具である。
【００５９】
図３〜図５を用いてウエハ搬送治具９０の構造について説明すると、図８に示すようなウエハ１４を保持した円盤状のウエハホルダ１００を支持する板状の台座部９１と、ウエハ搬送治具９０をハンドリングする際に作業者が保持する（掴む）部分であるグリップ部９３とを有している。グリップ部９３は、台座部９１に、例えばねじ固定されている。
【００６０】
ここで、台座部９１には、上面（表面）９１ａから一段下がったザグリ面９１ｂが形成されており、このザグリ面９１ｂにウエハホルダ１００を搭載する構造となっている。また、上面９１ａからザグリ面９１ｂに下がる箇所が落とし込み部９１ｃ，９１ｄ，９１ｅとしてウエハホルダ１００の外周部の位置決めを行う部分となっている。すなわち、第１位置決め部である落とし込み部９１ｃ，９１ｄ，９１ｅは、ウエハホルダ１００の外周形状に対応して外周形状に沿った形状となっており、したがって、本実施の形態では、落とし込み部９１ｃ，９１ｄ，９１ｅがそれぞれウエハホルダ１００の外周形状に沿った円弧状に形成されている。
【００６１】
これにより、ザグリ面９１ｂにウエハホルダ１００を搭載した際には、図５に示すように、ウエハホルダ１００の外周部が円弧状の落とし込み部９１ｃ，９１ｄ，９１ｅによって位置決めされる。
【００６２】
また、図３及び図４に示すように、ザグリ面９１ｂには、上方に突出した第２位置決め部であるコマ状の突起部９１ｆが３箇所設けられている。この突起部９１ｆは、ザグリ面９１ｂにウエハホルダ１００を搭載した際のウエハホルダ１００の表面に沿った回転方向の位置決めを行うものであり、図５に示すようにウエハホルダ１００に形成された３つの穴である第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃにそれぞれ１つずつ突起部９１ｆが入り込んで（配置されることで）、ザグリ面９１ｂ上でのウエハホルダ１００の回転方向が位置決めされる。
【００６３】
以上の構造により、ウエハ搬送治具９０に対するウエハホルダ１００の位置決めが行われる。
【００６４】
次に、ウエハ搬送治具９０とポッド（フープ）１６の位置決めについて説明する。
【００６５】
ウエハ搬送治具９０の台座部９１の左右両側の側部には、第３位置決め部である位置決めブロック９２が取り付けられている。すなわち、位置決めブロック９２は台座部９１の両側の側部に、例えばねじ固定で取り付けられており、台座部９１の側部から外方に向かって突出した突出部９２ａを備えている。
【００６６】
これにより、ウエハホルダ１００をポッド１６内に収納する際は、図７のＡ部に示すように、ポッド１６内のウエハホルダ１００を支持するレール部（ここでは図６に示すブリッジツール８８のウエハ支持部（レール部）８８ｄの端部８８ｅ）に位置決めブロック９２の突出部９２ａを突き当ててウエハ搬送治具９０とポッド１６の位置決めを行う。
【００６７】
さらに、ウエハ搬送治具９０の台座部９１の先端部には、図３及び図４に示すように、切り欠き部９１ｇが形成されている。この切り欠き部９１ｇは、ウエハホルダ１００をポッド１６内に収納する際に、図７のＢ部に示すように、台座部９１の切り欠き部９１ｇをブリッジツール８８の位置決め柱８８ｆに突き合わせてウエハ搬送治具９０の水平方向の回転防止（ウエハ搬送治具９０の回転方向の位置決め）を行う。
【００６８】
また、図４に示すウエハ搬送治具９０の台座部９１のザグリ面９１ｂの最大幅Ｍは、図７に示すポッド１６内のブリッジツール８８のウエハ支持部８８ｄ間の距離Ｌより僅かに小さくなっている。
【００６９】
次に、ウエハ搬送治具９０を用いたウエハホルダ１００のポッド１６内への収納動作について説明する。
【００７０】
まず、図５に示すように、図８のウエハ１４を保持したウエハホルダ１００を、図３及び図４に示すウエハ搬送治具９０の台座部９１のザグリ面９１ｂに搭載する。その際、台座部９１に形成された円弧状の落とし込み部９１ｃ，９１ｄ，９１ｅによってウエハホルダ１００の外周部が位置決めされる。
【００７１】
さらに、ウエハ搬送治具９０のザグリ面９１ｂに形成された３つの突起部９１ｆをそれぞれウエハホルダ１００の第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃに１つずつ配置することで、ザグリ面９１ｂに搭載したウエハホルダ１００の回転方向を位置決めする。
【００７２】
この状態で図６及び図７に示すように、作業者がグリップ部９３を保持してウエハ搬送治具９０を用いてウエハホルダ１００のポッド１６内への収納を行う。
【００７３】
図６に示すように前面のフタ部１６ａ（図１５参照）を開けた状態で、図７に示すようにウエハ搬送治具９０に搭載されたウエハホルダ１００をポッド１６内に収納する。
【００７４】
まず、図７のＢ部に示すように、台座部９１の先端部の切り欠き部９１ｇをブリッジツール８８の位置決め柱８８ｆに突き合わせてウエハ搬送治具９０の回転方向の位置決めを行うとともに、図７のＡ部に示すように、フープ１６内のブリッジツール８８のウエハ支持部８８ｄの端部８８ｅに位置決めブロック９２の突出部９２ａを突き当ててウエハ搬送治具９０とポッド１６の位置決めを行う。
【００７５】
この時、図７に示すブリッジツール８８内の左右のウエハ支持部８８ｄ間の距離Ｌより、図４に示すウエハ搬送治具９０の台座部９１のザグリ面９１ｂの最大幅Ｍが僅かに小さいため、ウエハ搬送治具９０はブリッジツール８８内の左右のウエハ支持部８８ｄによってガイドされ、これによってウエハ搬送治具９０は、水平方向及び回転方向が位置決めされる。
【００７６】
その後、ウエハ搬送治具９０を僅かに下降させ、ザグリ面９１ｂの３つの突起部９１ｆのそれぞれを、ウエハホルダ１００の第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃから外してウエハ搬送治具９０のみをポッド１６内から搬出する（取り出す）。
【００７７】
これにより、ウエハホルダ１００は精度高くポッド１６内に収納される。
【００７８】
次に、本実施の形態で用いられる基板ホルダであるウエハホルダ１００について説明する。
【００７９】
図８は本発明の実施の形態の基板搬送治具によって保持される基板ホルダの構造の一例を示す斜視図、図９は図８に示す基板ホルダにおける反応ガスの消費部分の一例を示す概念図である。
【００８０】
ウエハ１４を搭載するウエハホルダ１００は、図８、図９に示すように円盤状に形成され、当該ウエハホルダ１００は、円環状のホルダベース１１０と円盤状のホルダカバー１２０とを備えている。ここで、ホルダベース１１０及びホルダカバー１２０においても、何れもSiC 等の耐熱材料によりそれぞれ形成されている。なお、ホルダベース１１０は本実施の形態におけるウエハホルダを、ホルダカバー１２０は本実施の形態における蓋部材をそれぞれ構成している。このように、ホルダカバー１２０によりウエハ１４の上面１４ｂを覆う構成とすることにより、ウエハ１４の上方側から落下してくるパーティクル（微細ゴミ）からウエハ１４を保護することができる。
【００８１】
ウエハホルダ１００を構成するホルダベース１１０の外径寸法は、ウエハ１４の外形寸法よりも大きい外径寸法に設定されている。ホルダベース１１０の中央部分には、ホルダベース１１０を軸方向に貫通する貫通穴１１０ａが設けられ、当該貫通穴１１０ａの内周縁には環状段差部１１１が形成されている。この環状段差部１１１は、ウエハ１４を保持するようになっている。
【００８２】
このように、ホルダベース１１０の環状段差部１１１にウエハ１４を保持させることで、ホルダベース１１０の中央部分にウエハ１４を精度良く位置決め（搭載）することができ、各ボート柱３１ａ〜３１ｃとウエハ１４とを遠ざけることができる。また、ウエハ１４を環状段差部１１１に保持させることで、ウエハ１４の成膜面となる下面１４ａを反応室４４内の雰囲気に曝すことができる。
【００８３】
ホルダベース１１０は、本体部１１２と薄肉部１１３とを備えており、薄肉部１１３は、ホルダベース１１０の他の部分、つまり本体部１１２よりも薄肉に形成されている。これらの本体部１１２及び薄肉部１１３は、それぞれホルダベース１１０の径方向に沿って対向配置されている。ウエハホルダ１００を図２のボート３０に移載した状態のもとで、本体部１１２の各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対応する部分には、本体部１１２の厚み方向、つまりウエハホルダ１００の軸方向に沿うよう貫通した第１連通穴１１２ａ，第２連通穴１１２ｂ，第３連通穴１１２ｃがそれぞれ設けられている。
【００８４】
各連通穴１１２ａ〜１１２ｃは、何れも同じ形状に形成され、ホルダベース１１０の周方向に沿う長穴形状に形成されている。各連通穴１１２ａ〜１１２ｃのホルダベース１１０の周方向に沿う長さ寸法は、各ボート柱３１ａ〜３１ｃの幅寸法よりも大きく設定され、一方、各連通穴１１２ａ〜１１２ｃのホルダベース１１０の径方向に沿う長さ寸法（幅寸法）は、少なくともホルダベース１１０の最低限の強度を確保し得る大きい寸法に設定されている。つまり、本体部１１２の径方向に沿う各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対応する部分の幅寸法は、少なくともホルダベース１１０の最低限の強度を確保し得る小さい寸法（幅狭）に設定されている。
【００８５】
本体部１１２の周方向に沿う第１連通穴１１２ａ（第１ボート柱３１ａ）と第２連通穴１１２ｂ（第２ボート柱３１ｂ）との間、および第１連通穴１１２ａ（第１ボート柱３１ａ）と第３連通穴１１２ｃ（第３ボート柱３１ｃ）との間には、本体部１１２の径方向に沿う幅寸法を小さくする一対の切り欠き部１１２ｄが形成されている。各切り欠き部１１２ｄはそれぞれ同じ形状に形成されている。各切り欠き部１１２ｄの本体部１１２の周方向に沿う長さ寸法は、その両端側が各連通穴１１２ａ〜１１２ｃに臨む位置にまで延びる長さ寸法に設定されている。ここで、各連通穴１１２ａ〜１１２ｃ及び各切り欠き部１１２ｄは、いずれも各ボート柱３１ａ〜３１ｃによる反応ガスの消費を考慮して設けられるものであり、これらの機能については後述する。
【００８６】
薄肉部１１３は、第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間に配置され、ホルダベース１１０におけるウエハ１４の下面１４ａ側とは反対側の上面１４ｂ側を、例えば切削する（切削加工）ことにより形成されている。薄肉部１１３は、本体部１１２のように連通穴や切り欠き部を備えていない。また、薄肉部１１３の厚み寸法は、本体部１１２の厚み寸法の略半分の厚み寸法に設定されている。本実施の形態においては、例えば本体部１１２の厚み寸法を４ｍｍに設定し、薄肉部１１３の厚み寸法を２ｍｍに設定している。なお、ウエハ１４の厚み寸法は、例えば１ｍｍに設定されている。
【００８７】
ここで、薄肉部１１３を設けることで、ホルダベース１１０の中心を挟む本体部１１２側と薄肉部１１３側とで、当該ホルダベース１１０の重量バランスを良くしている。つまり、本体部１１２に設けた各連通穴１１２ａ〜１１２ｃおよび各切り欠き部１１２ｄを設けたことによる本体部１１２の軽量化に対応し、その反対側を薄肉部１１３として両者を略同じ重量としている。これにより、ウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００が、搬送中に傾斜したりボート３０上でがたついたりするのを防止する。
【００８８】
ホルダカバー１２０は、大径本体部１２１と小径嵌合部１２２とを備えており、小径嵌合部１２２は、ホルダベース１１０の環状段差部１１１に入り込んで装着されるようになっている。これにより、ホルダベース１１０に対するホルダカバー１２０のがたつきを抑制している。小径嵌合部１２２は、環状段差部１１１との間でウエハ１４を挟み、ウエハ１４の成膜面である下面１４ａとは反対側の上面（非成膜面）１４ｂと接触している。このように、ホルダカバー１２０を、上面１４ｂと接触するよう構成することで、反応ガス（成膜ガス）が上面１４ｂに入り込まず、上面１４ｂが成膜されないようにできる。
【００８９】
図９はウエハホルダ１００のホルダカバー１２０を省略し、上方側から見た図であり、ウエハ１４にはハッチングを施している。ウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００は、図１に示す回転軸１０４の回転駆動に伴うボート３０の回転により、反応室４４内で破線矢印Ｒ方向に回転するようになっている。図９においては、ウエハホルダ１００を形成するホルダベース１１０による反応ガスの消費を説明するために、ウエハホルダ１００の径方向外側から当該ウエハホルダ１００の中心Ｏまで延びる第１仮想長方形ＶＲ１，第２仮想長方形ＶＲ２及び第３仮想長方形ＶＲ３（図中二点鎖線）を記載している。ここで、各仮想長方形ＶＲ１〜ＶＲ３の短手方向に沿う幅寸法は、各ボート柱３１ａ〜３１ｃの幅寸法（直径寸法）となっている。
【００９０】
第１仮想長方形ＶＲ１は、第１ボート柱３１ａに対応する部分に設けられ、当該第１仮想長方形ＶＲ１の部分におけるウエハホルダ１００（ホルダベース１１０）の表面積は、合計でＳ１（図中網掛部分）に設定されている。このホルダベース１１０（本体部１１２）における表面積Ｓ１は、第１連通穴１１２ａの大きさに依存し、小さい値に設定されている。
【００９１】
ここで、図９においては、第１ボート柱３１ａに対応する部分にのみ第１仮想長方形ＶＲ１を記載しているが、第２ボート柱３１ｂ及び第３ボート柱３１ｃに対応する部分にも第１仮想長方形ＶＲ１と同じ仮想長方形を記載できる。つまり、第２ボート柱３１ｂ及び第３ボート柱３１ｃに対応する部分の仮想長方形（図示せず）におけるホルダベース１１０の表面積についても、上述と同様に合計でＳ１に設定されている。
【００９２】
第２仮想長方形ＶＲ２は、ウエハホルダ１００の中心Ｏを中心として、第１仮想長方形ＶＲ１を図中左側へ４５度傾けた位置、つまり第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間の中間位置まで回転させた位置に設けられている。第２仮想長方形ＶＲ２の部分におけるホルダベース１１０の表面積は、第１仮想長方形ＶＲ１の部分の表面積Ｓ１よりも大きい表面積Ｓ２（図中網掛部分）に設定、つまり第１仮想長方形ＶＲ１の部分の表面積Ｓ１は、第２仮想長方形ＶＲ２の部分の表面積Ｓ２よりも小さくなっている（Ｓ１＜Ｓ２）。第２仮想長方形ＶＲ２の部分における本体部１１２には、切り欠き部１１２ｄを設けているが、当該切り欠き部１１２ｄのウエハホルダ１００の径方向に沿う幅寸法よりも、第１仮想長方形ＶＲ１の部分に対応して設けた第１連通穴１１２ａのウエハホルダ１００の径方向に沿う幅寸法の方が大きいため、表面積Ｓ２＞表面積Ｓ１となる。
【００９３】
ここで、図９においては、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間にのみ第２仮想長方形ＶＲ２を記載しているが、第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間にも第２仮想長方形ＶＲ２と同じ仮想長方形を記載できる。つまり、第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間の中間位置における仮想長方形（図示せず）においても、そのホルダベース１１０の表面積は上述と同様にＳ２に設定される。
【００９４】
第３仮想長方形ＶＲ３は、ウエハホルダ１００の中心Ｏを中心として、第１仮想長方形ＶＲ１を図中左右側のいずれか一方に１８０度傾けた位置、つまり第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間で、中心Ｏを挟む第１ボート柱３１ａの反対側にある薄肉部１１３の中間位置まで回転させた位置に設けられている。第３仮想長方形ＶＲ３の部分におけるホルダベース１１０の表面積は、第２仮想長方形ＶＲ２の部分の表面積Ｓ２よりも大きい表面積Ｓ３（図中網掛部分）に設定、つまり第２仮想長方形ＶＲ２の部分の表面積Ｓ２は、切り欠き部１１２ｄを設けた分、第３仮想長方形ＶＲ３の部分の表面積Ｓ３よりも小さくなっている（Ｓ２＜Ｓ３）。
【００９５】
このように、各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対応する部分のホルダベース１１０の表面積をＳ１とし、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間及び第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間のホルダベース１１０の表面積をＳ２とし、第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間のホルダベース１１０の表面積をＳ３とし、これらの大小関係をＳ１＜Ｓ２＜Ｓ３としている。これにより、図中矢印に示すように、第１ガス供給ノズル６１の各第１ガス供給口６０から供給される反応ガスは、各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対応する部分では、各ボート柱３１ａ〜３１ｃおよび表面積Ｓ１の部分（消費位置Ａ）で消費される。また、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間および第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間では、反応ガスは表面積Ｓ２の部分（消費位置Ｂ）で消費される。さらに、第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間では、反応ガスは表面積Ｓ３の部分（消費位置Ｃ）で消費される。
【００９６】
ここで、各消費位置Ａ〜Ｃにおける反応ガスの消費量は、何れの部分においても略同じ消費量となるようバランスされている。例えば、消費位置Ｃではホルダベース１１０の表面積Ｓ３の部分で消費量２０％となり、消費位置Ａでは各ボート柱３１ａ〜３１ｃで消費量１８％、ホルダベース１１０の表面積Ｓ１の部分で消費量２％となる。消費位置Ｂでは、消費位置Ｃに比して各ボート柱３１ａ〜３１ｃに近接しており、これにより各ボート柱３１ａ〜３１ｃでの消費（消費量５％）が影響する。このため、消費位置Ｂでは、切り欠き部１１２ｄを設けて反応ガスの消費量を微調整（消費量１５％となるよう調整）している。
【００９７】
このように各消費位置Ａ〜Ｃにおいて反応ガスの消費量をバランス、つまり各消費位置Ａ〜Ｃの全て部分において、上述の例示のようにウエハ１４に到達するまでの反応ガスの消費量を略２０％とすることができ、ひいてはウエハ１４に到達するまでの反応ガスの濃度を略均一化できるようにしている。すなわち、本実施の形態における各連通穴１１２ａ〜１１２ｃの大きさや、切り欠き部１１２ｄの大きさは、上述したような反応ガスの消費量を考慮に入れて設定されると良い。
【００９８】
次に、本実施の形態の変形例のウエハホルダ（基板ホルダ）２００について説明する。図１０は本発明の実施の形態の変形例の基板ホルダの構造を示す斜視図、図１１は図１０に示す基板ホルダにおける反応ガスの消費部分を示す概念図である。
【００９９】
変形例の基板ホルダでは、上述のウエハホルダ１００に比してウエハホルダ２００を形成するホルダベース２１０の形状のみが異なっている。つまり、ウエハホルダ１００ではホルダベース１１０に一対の切り欠き部１１２ｄ（図８参照）を設け、その外周側を非円形としたのに対し、変形例ではホルダベース２１０に各切り欠き部１１２ｄを設けず、その外周側を円形としている。ホルダベース２１０は、各切り欠き部１１２ｄに換えて一対の抜き穴２１１を備えており、各抜き穴２１１は各切り欠き部１１２ｄと同じ機能を有している。各抜き穴２１１は、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間、及び第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間にそれぞれ設けられ、ウエハホルダ２００の軸方向に沿うようホルダベース２１０の本体部２１２を貫通して設けられている。
【０１００】
各抜き穴２１１（ウエハホルダ２００）は、各切り欠き部１１２ｄ（ウエハホルダ１００）に比して径方向内側に配置されるため、ホルダベース２１０の第２仮想長方形ＶＲ２の部分の表面積Ｓ２０（図１１参照）と、図９に示す表面積Ｓ２とを略同じ表面積とするために、各抜き穴２１１の径方向に沿う幅寸法を、各切り欠き部１１２ｄの径方向に沿う幅寸法よりも大きくしている。これにより、ホルダベース２１０の本体部２１２側の重量は、図９に示すホルダベース１１０の本体部１１２側の重量よりも軽くなっている。したがって、ホルダベース２１０の中心Ｏを挟む本体部２１２側の重量と薄肉部２１３側の重量とをバランスさせるために、薄肉部２１３には円弧穴２１３ａを設けている。円弧穴２１３ａは、ウエハホルダ２００の軸方向に沿うようホルダベース２１０の薄肉部２１３を貫通して設けられている。
【０１０１】
ここで、ホルダベース２１０の第３仮想長方形ＶＲ３の部分の表面積Ｓ３０は、図９に示す表面積Ｓ３よりも若干小さくなっているため、これに合わせて、第１，第２仮想長方形ＶＲ１，ＶＲ２の部分の表面積Ｓ１０，Ｓ２０も、図９に示す表面積Ｓ１，Ｓ２よりも若干小さく設定されている。これにより、ウエハホルダ１００と同様、各ウエハ１４に到達する反応ガスの濃度をその全周において略均一化させている。なお、変形例のウエハホルダ２００によるウエハ１４の膜厚状態は、ウエハホルダ１００の場合と略同じ結果となる。
【０１０２】
以上、変形例のウエハホルダ２００においても、上述したウエハホルダ１００と同様の作用効果を奏することができる。これに加え、変形例のウエハホルダ２００においては、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間及び第１ボート柱３１ａと第３ボート柱３１ｃとの間に、ウエハホルダ２００（ホルダベース２１０）の軸方向に沿う各抜き穴２１１を設けたので、ホルダベース２１０の外周側を円形にできる。したがって、第１ガス供給ノズル６１の第１ガス供給口６０から供給される反応ガスの流れ方向が乱れるのを抑制して、各ウエハ１４への反応ガスの供給をより安定化させることができる。
【０１０３】
次に本実施の形態で用いられるブリッジツール８８について説明する。
【０１０４】
図１２は本発明の実施の形態のフープ内に設置されるブリッジツールの構造の一例を示す正面図、図１３は図１２に示すブリッジツールが設置されたフープ内にウエハホルダを収納した状態の一例を示す正面図、図１４は図１３に示す構造の蓋開時の状態の一例を内部を透過して示す平面図、図１５は図１４に示す構造の蓋閉時の状態の一例を内部を透過して示す平面図である。また、図１６は図１２に示すブリッジツールが偏芯配置されたフープ内にウエハホルダを収納した状態の一例を示す正面図、図１７は図１６に示す構造の蓋閉時の状態の一例を内部を透過して示す平面図である。
【０１０５】
図１２に示すブリッジツール８８は、大口径ウエハ用のポッド１６を小口径のウエハ１４の収納容器（搬送装置）として用いることができるようにするための変換ツールであり、大口径ウエハ用のポッド１６の内部に取り付けて小口径のウエハ１４を収納可能にするものである。すなわち、１つのポッド１６で異なった複数種類の径の半導体ウエハの収納に対応させるための変換ツールである。
【０１０６】
ブリッジツール８８の構成は、底板８８ａ及び天板８８ｂと、底板８８ａ及び天板８８ｂの間に立てて配置され、かつ両者に接合する柱部８８ｃと、小口径のウエハ１４やウエハホルダ１００を所定の間隔を設けて複数段に亘って収納可能なように柱部８８ｃに設けられた複数のウエハ支持部（レール部）８８ｄと、ウエハホルダ１００の水平方向の回転を防止する位置決めとなる位置決め柱８８ｆとを備えている。ウエハ支持部８８ｄは、左右両側と中央奥の３本の柱部８８ｃに複数段に亘って設けられており、ウエハ１４やウエハホルダ１００の外周部に対応した段差形状８８ｇを有している。
【０１０７】
図１３に示すように、ポッド（フープ）１６内においてブリッジツール８８は、２本の固定棒１６ｆに設置されており、天板８８ｂと底板８８ａそれぞれが、ポッド１６の大口径ウエハ用のウエハ支持部１６ｂに支持されている。なお、図１３は、ブリッジツール８８をポッド１６の中心に設置した場合である。
【０１０８】
また、図１４はポッド１６のフタ部１６ａを開けた状態、図１５はポッド１６のフタ部１６ａを閉めた状態を示す図である。
【０１０９】
図１４に示すようにフタ部１６ａを開けた際には、第１支持棒１６ｃによって支持された移動板１６ｄが前面側に移動（Ｐ方向に沿って移動）し、さらに第２支持棒１６ｅによって支持されてウエハ１４やウエハホルダ１００を保持していたリテーナ１６ｇがＱ方向に沿って移動してウエハ１４やウエハホルダ１００から離れた状態となる。
【０１１０】
一方、図１５に示すようにポッド１６のフタ部１６ａを閉めた際には、移動板１６ｄが奥側に移動し、これによりリテーナ１６ｇもウエハ１４やウエハホルダ１００に接触してウエハ１４やウエハホルダ１００を保持した状態となり、この状態でポッド１６の搬送等が行われる。
【０１１１】
図１６、図１７は、ブリッジツール８８をポッド１６内で偏芯させて設置した場合である。例えば、ウエハ１４やウエハホルダ１００より径が大きな（径が異なる）ウエハ１５をポッド１６内に設置したブリッジツール８８に収納する場合等に、ブリッジツール８８をポッド１６内で偏芯させて設置する。この場合にも、フタ部１６ａを閉じた際にはウエハ１５はリテーナ１６ｇによって保持される。
【０１１２】
以上、本実施の形態で説明した技術的思想によれば、以下に記す効果のうち少なくとも１つを実現することができる。
【０１１３】
（１）基板を保持した基板ホルダを基板搬送治具で支持し、かつ基板搬送治具を搬送装置との間で位置決めした状態で基板ホルダを搬送装置内に設置することで、基板を保持した基板ホルダの搬送装置内への収納を高精度に行うことができる。すなわち、基板の搬送装置内への収納を、その収納位置が作業者間でばらつくことなく、高精度に行うことができる。
【０１１４】
（２）前記（１）により、基板処理時の基板へのパーティクルの付着を低減することができ、基板に膜を形成する場合、膜の質を高めることができる。
【０１１５】
（３）基板の搬送装置内への収納を、作業者が直接的な手作業ではなく、基板搬送治具を介して行うことができるため、基板の収納の作業時間の短縮化を図ることができる。
【０１１６】
（４）作業者が基板に触れることなく基板搬送治具を介して非接触で基板の収納を行うため、他の基板との接触の可能性を低減することができ、基板へのパーティクルの付着を低減することができる。
【０１１７】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１８】
例えば、前記実施の形態では、ポッド（フープ）内にブリッジツールを設置し、ブリッジツールのウエハ支持部に対して、基板（ウエハ）を保持した基板ホルダを基板搬送治具を用いて収納する場合を一例として説明したが、前記基板搬送治具は、ポッド内にブリッジツールを設置せずに、ポッド内に設けられた元々のウエハ支持部に対して、基板（ウエハ）を保持した基板ホルダを収納する際に用いられるものであってもよい。すなわち、基板搬送治具の台座部９１の最大幅を、ポッド内に設けられたウエハ支持部間の距離に対応させておくことでブリッジツールを使用しない場合でも適用可能となる。
【０１１９】
最後に本発明の好ましい主な態様を以下に付記する。
（１）基板を保持した基板ホルダを支持する台座部と、前記基板ホルダの外周部の位置決めを行う第１位置決め部と、前記基板ホルダの表面に沿った回転方向の位置決めを行う第２位置決め部と、複数枚の基板を収納可能な搬送装置内の前記基板ホルダを支持するレール部に対して位置決めを行う第３位置決め部と、を有する基板搬送治具。
（２）基板ホルダの外周形状に適合した形状を有し、かつ基板ホルダに対して位置決めを行うザグリ部及びコマ部が設けられ、さらに搬送装置内の変換ツールに接触させて位置決めを行う位置決め部を備えた基板搬送治具。
（３）搬送装置内の変換ツールの基板支持部の設置ピッチに対応して高さ方向にそれぞれに基板ホルダを支持可能な複数の台座部を有した基板搬送治具。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、基板を移載する技術に好適である。
【符号の説明】
【０１２１】
１０…熱処理装置、１２…筐体、１４…ウエハ（基板）、１４ａ…下面、１４ｂ…上面、１５…ウエハ（基板）、１６…ポッド（フープ）、１６ａ…フタ部、１６ｂ…ウエハ支持部、１６ｃ…第１支持棒、１６ｄ…移動板、１６ｅ…第２支持棒、１６ｆ…固定棒、１６ｇ…リテーナ、１８…ポッドステージ、２０…ポッド搬送装置、２２…ポッド棚、２４…ポッドオープナ、２６…基板枚数検知器、２８…基板移載機、３０…ボート、３１ａ…第１ボート柱、３１ｂ…第２ボート柱、３１ｃ…第３ボート柱、３２…アーム、３４…下部断熱手段、３５…ボート断熱部、３９…ガス検知器、４０…処理炉、４２…反応管、４３…ダクト、４４…反応室、４５…ライナーチューブ、４６…スカベンジャー、４７…ヒータベース、４８…被加熱体、４９…上部開口ノズル、５０…誘導コイル、５１…支持体、５４…断熱材、５５…水冷板、５５ａ…水冷パルプ、５８…筐体カバー、５８ａ…ヒータ室、５９…インレットアダプタ、６０…第１ガス供給口、６１…第１ガス供給ノズル、６２…ガスノズル、６２ａ…供給ノズル、６５…ガスノズル、６６…排気ノズル、６６ａ…排気ノズル、７０ａ，７０ｂ，７０ｃ，７０ｄ…原料タンク、７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄ…流量調節器、７４ａ，７４ｂ，７４ｃ，７４ｄ…バルブ、７６…排気管、７９…圧力調整弁、８０…ポンプ、８８…ブリッジツール、８８ａ…底板、８８ｂ…天板、８８ｃ…柱部、８８ｄ…ウエハ支持部（レール部）、８８ｅ…端部、８８ｆ…位置決め柱、８８ｇ…段差形状、９０…ウエハ搬送治具（基板搬送治具）、９１…台座部、９１ａ…上面、９１ｂ…ザグリ面、９１ｃ，９１ｄ，９１ｅ…落とし込み部（第１位置決め部）、９１ｆ…突起部（第２位置決め部）、９１ｇ…切り欠き部、９２…位置決めブロック（第３位置決め部）、９２ａ…突出部、９３…グリップ部、１００…ウエハホルダ（基板ホルダ）、１０２…シール体、１０４…回転軸、１１０…ホルダベース、１１０ａ…貫通穴、１１１…環状段差部、１１２…本体部、１１２ａ…第１連通穴、１１２ｂ…第２連通穴、１１２ｃ…第３連通穴、１１２ｄ…切り欠き部、１１３…薄肉部、１２０…ホルダカバー、１２１…大径本体部、１２２…小径嵌合部、２００…ウエハホルダ（基板ホルダ）、２１０…ホルダベース、２１１…抜き穴、２１２…本体部、２１３…薄肉部、２１３ａ…円弧穴、３００… SiCウエハ、３１０…ガス供給部、３２０…供給口、３３０…排気口、３４０…サセプタ、３５０…反応室、３６０…誘導コイル、３７０…ウエハホルダ、３８０…断熱材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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