(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの直径に対応した直径を有しウエーハの外周余剰領域に対応する外周部にのみ環状の粘着層を表面に備えた保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
保護テープ貼着工程が実施されたウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
裏面研削工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域と外周余剰領域との境界部の内部に位置付けて該境界部に沿って照射し、該環状の補強部の内側に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程と、
改質層形成工程および環状改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着され表面に粘着層を有するダイシングテープの表面に貼着するフレーム支持工程と、
フレーム支持工程が実施されたウエーハの表面から保護テープを剥離し、保護テープとともに該環状の補強部をウエーハから除去する保護テープ剥離工程と、
保護テープ剥離工程が実施されたウエーハに外力を付与し改質層が形成されることにより強度が低下せしめられたストリートに沿ってウエーハを破断して個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含み、
該ダイシングテープはフレーム装着部とウエーハ貼着部とを有し、該ウエーハ貼着部はデバイスに対応する領域のみ粘着層が敷設され該外周余剰領域に対応する領域には粘着層が敷設されておらず、フレーム支持工程においてはデバイス領域のみがダイシングテープの表面に貼着されることを特徴とするウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、微小電気機械システム(MEMS)等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
なお、ウエーハは一般に個々のデバイスに分割する前に裏面を研削して所定の厚みに形成している。ウエーハの裏面を研削する際には、ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するために、ウエーハの表面に保護テープを貼着している。しかるに、研削終了後にウエーハの表面から保護テープを剥離する際に、粘着層の一部がデバイスの表面に残存してデバイスのバンプ、ボンディングパッドなどを汚染して断線を招いたり、CCD等の撮像素子の撮像精度を低下させるという問題がある。特に、デバイスが微小電気機械システム(MEMS)の場合には、保護テープを剥離する際に微小電気機械システム(MEMS)が破壊するという問題がある。
【０００５】
このような問題を解消するために、ウエーハの外周余剰領域に対応する領域のみに粘着層を有しデバイス領域に対応する領域には粘着層を有しない保護テープをウエーハの表面に貼着してウエーハの裏面を研削する加工方法が提案されている。
（例えば、特許文献２参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２００１−１９６４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
而して、ウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成した後に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成すると、レーザー加工装置からウエーハを搬出してウエーハ分割工程に搬送する際に、搬出時または搬送中にウエーハが破損するという問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの表面に貼着した保護テープを剥離する際やウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成した後に搬送する際に、ウエーハを破損させることなく個々のデバイスに分割することができるウエーハの分割方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備えたウエーハを、複数のストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの直径に対応した直径を有しウエーハの外周余剰領域に対応する外周部にのみ環状の粘着層を表面に備えた保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程と、
保護テープ貼着工程が実施されたウエーハの裏面におけるデバイス領域に対応する領域を研削してデバイス領域の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハの裏面における外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程と、
裏面研削工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域と外周余剰領域との境界部の内部に位置付けて該境界部に沿って照射し、該環状の補強部の内側に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程と、
改質層形成工程および環状改質層形成工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着され表面に粘着層を有するダイシングテープの表面に貼着するフレーム支持工程と、
フレーム支持工程が実施されたウエーハの表面から保護テープを剥離し、保護テープとともに該環状の補強部をウエーハから除去する保護テープ剥離工程と、
保護テープ剥離工程が実施されたウエーハに外力を付与し改質層が形成されることにより強度が低下せしめられたストリートに沿ってウエーハを破断して個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１０】
さらに、上記ダイシングテープはフレーム装着部とウエーハ貼着部を有し、ウエーハ貼着部はデバイスに対応する領域のみ粘着層が敷設され外周余剰領域に対応する領域には粘着層が敷設されておらず、フレーム支持工程においてはデバイス領域のみがダイシングテープの表面に貼着される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるウエーハの分割方法においては、ウエーハの直径に対応した直径を有しウエーハの外周余剰領域に対応する外周部にのみ環状の粘着層を表面に備えた保護テープをウエーハの表面に貼着して裏面研削工程を実施するので、裏面研削工程を実施した後に保護テープを剥離する際に、保護テープは環状の粘着層のみがウエーハの外周余剰領域に貼着されているため、デバイスが微小電気機械システム(MEMS)であっても破損することがない。また、デバイスがＩＣ、ＬＳＩまたはCCD等の撮像素子の場合には、粘着層の一部がデバイスの表面に残存してデバイスのバンプ、ボンディングパッドなどを汚染して断線を招いたり、撮像素子の撮像精度を低下させるという問題を未然に防止することができる。
また、裏面研削工程においては外周余剰領域に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成するので、改質層形成工程が実施されたウエーハをレーザー加工装置から搬出して次工程に搬出する際に、ウエーハは上記環状の補強部によって補強されているため、搬出の際または搬送中にウエーハが割れるという問題が解消される。
更に、本発明においては、保護テープ剥離工程においてウエーハの表面から保護テープを剥離する際に保護テープとともに環状の補強部をウエーハから除去するので、ダイシングテープにはデバイス領域のみとなるため、ウエーハ分割工程が円滑に遂行される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図。
【図２】本発明によるウエーハの分割方法における保護テープ貼着工程の説明図。
【図３】本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程を実施するための研削装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法における裏面研削工程の説明図。
【図５】図４に示す裏面研削工程が実施されたウエーハの拡大断面図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法における改質層形成工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハの分割方法における環状改質層形成工程の説明図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法におけるフレーム支持工程の説明図。
【図１０】本発明によるウエーハの分割方法における保護テープ剥離工程の説明図。
【図１１】本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ分割工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。
【図１２】本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ分割工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１には、本発明によるウエーハの分割によって加工されるウエーハの斜視図が示されている。図１に示すウエーハ２は、厚みが例えば６００μmのシリコンウエーハからなっており、表面２aに格子状に形成された複数のストリート２１によって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイス２２としての微小電気機械システム(MEMS)が形成されている。このように構成されたウエーハ２は、デバイス２２が形成されているデバイス領域２３と、該デバイス領域２３を囲繞する外周余剰領域２４を備えている。
【００１５】
上記ウエーハ２をストリート２１に沿って個々のデバイスに分割するには、先ずウエーハの直径に対応した直径を有しウエーハの外周余剰領域に対応する外周部にのみ環状の粘着層を表面に備えた保護テープをウエーハの表面に貼着する保護テープ貼着工程を実施する。即ち、図２の(a)および(b)に示すようにウエーハ２の直径に対応した直径を有しウエーハ２の外周余剰領域２４に対応する外周部にのみ環状の粘着層３０を表面３aに備えた保護テープ３をウエーハ２の表面２aに貼着する。従って、保護テープ３は、環状の粘着層３０がウエーハ２の外周余剰領域２４に貼着されることになる。
【００１６】
上述した保護テープ貼着工程を実施したならば、ウエーハ２の裏面におけるデバイス領域２３に対応する領域を研削してデバイス領域２３の厚さを所定の仕上がり厚さに形成するとともに、ウエーハ２の裏面における外周余剰領域２４に対応する領域を残存させて環状の補強部を形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図３に示す研削装置によって実施する。
【００１７】
図３に示す研削装置４は、被加工物としてのウエーハを保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１に保持されたウエーハの加工面を研削する研削手段４２を具備している。チャックテーブル４１は、上面にウエーハを吸引保持し図３において矢印４１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段４２は、スピンドルハウジング４２１と、該スピンドルハウジング４２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル４２２と、該回転スピンドル４２２の下端に装着されたマウンター４２３と、該マウンター４２３の下面に取り付けられた研削ホイール４２４とを具備している。この研削ホイール４２４は、円板状の基台４２５と、該基台４２５の下面に環状に装着された研削砥石４２６とからなっており、基台４２５がマウンター４２３の下面に取り付けられている。
【００１８】
上述した研削装置４を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル４１の上面（保持面）に図示しないウエーハ搬入手段によって搬送された上記半導体ウエーハ２の保護部材３側を載置し、半導体ウエーハ２をチャックテーブル４１上に吸引保持する。ここで、チャックテーブル４１に保持された半導体ウエーハ２と研削ホイール４２４を構成する環状の研削砥石４２６の関係について、図４を参照して説明する。チャックテーブル４１の回転中心P1と環状の研削砥石４２６の回転中心P2は偏芯しており、環状の研削砥石４２６の外径は、半導体ウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界線２５の直径より小さく境界線２５の半径より大きい寸法に設定され、環状の研削砥石４２６がチャックテーブル４１の回転中心P1（半導体ウエーハ２の中心）を通過するようになっている。
【００１９】
次に、図３および図４に示すようにチャックテーブル４１を矢印４１aで示す方向に３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２４を矢印４２４aで示す方向に６０００ｒｐｍで回転せしめるとともに、研削ホイール４２４を下方に移動して研削砥石４２６を半導体ウエーハ２の裏面に接触させる。そして、研削ホイール４２４を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面には、図５に示すようにデバイス領域２３に対応する領域が研削除去されて所定厚さ（例えば６０μm）の円形状の凹部２３bに形成されるとともに、外周余剰領域２４に対応する領域が図示の実施形態においては厚さ５４０μm残存されて環状の補強部２４bに形成される（裏面研削工程）。
【００２０】
上述した裏面研削工程を実施したならば、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハ２の内部にストリートに沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図６に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図６に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図６において矢印Ｘで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図６において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りされるようになっている。
【００２１】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１の先端に装着された集光器５２２からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２２】
上述したレーザー加工装置５を用いて実施する改質層形成工程について、図６および図７を参照して説明する。
この改質層形成工程を実施するには、図６に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の表面２aに貼着された保護テープ３側を載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル５１上にウエーハ２を吸引保持する。従って、チャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２は、裏面が上側となる。このようにしてウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。
【００２３】
チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によってウエーハ２の表面２aに形成されたストリート２１に沿ってレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、該ストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、ウエーハ２に所定方向に形成されているストリート２１と直交する方向に形成されている複数のストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、ウエーハ２におけるストリート２１が形成されている表面は下側に位置しているが、撮像手段５３は赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているので、ウエーハ２の裏面（上面）側から透かしてストリート２１を撮像することができる。
【００２４】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２の表面２aに形成されたストリート２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の(a)で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図７の(a)において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐをウエーハ２の表面２a（下面）から例えば３０μｍの位置に合わせる。次に、集光器５２２からウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図７の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図７の(b)で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置にストリート２１の他端（図７の(b)において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、ウエーハ２には、デバイス領域２３における厚み方向中間部にストリート２１に沿って改質層２００が形成される。なお、改質層形成工程においては、外周余剰領域２４（環状の補強部２４b）にも改質層を形成してもよい。
【００２５】
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源            ：Ybレーザー：イッテリビウムドープドファイバーレーザー
波長            ：１０４５ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数  ：１００ｋＨｚ
平均出力        ：０．３W
集光スポット径  ：φ１〜１．５μｍ
加工送り速度    ：１００ｍｍ／秒
【００２６】
上記加工条件においては、ウエーハ２に形成される改質層２００の厚みは、４０μｍ程度である。
上述したように、ウエーハ２の所定方向に形成された全てのストリート２１に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、ウエーハ２を保持したチャックテーブル５１を９０度回動した位置に位置付ける。そして、ウエーハ２の上記所定方向と直交する方向に形成された全てのストリート２１に沿って上記改質層形成工程を実施する。
【００２７】
上述した改質層形成工程を実施したならば、ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部の内部に位置付けて該境界部に沿って照射し、環状の補強部２４bの内側に沿って環状の改質層を形成する環状改質層形成工程を実施する。この環状改質層形成工程は、上記改質層形成工程を実施した状態から図８の(a)および(b)に示すようにチャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２のデバイス領域２３と外周余剰領域２４との境界部をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐをウエーハ２の表面２a（下面）から例えば３０μｍの位置に合わせる。次に、集光器５２２からウエーハ２に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図８の(a)において矢印５１aで示す方向に所定の回転速度で回転せしめる。そして、チャックテーブル５１が１回転したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の回転を停止する。この結果、ウエーハ２には、環状の補強部２４bの内側に沿って環状の改質層２１０が形成される。
【００２８】
上述した改質層形成工程を実施したならば、ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着され表面に粘着層を有するダイシングテープの表面に貼着するフレーム支持工程を実施する。このフレーム支持工程について図９を参照して説明する。図９に示す実施形態においては、図９の(a)に示すように環状のフレーム６に装着されるダイシングテープ７は、フレーム装着部７１とウエーハ貼着部７２を有している。フレーム装着部７１は、表面に粘着層が敷設され環状のフレーム６に装着される。ウエーハ貼着部７２は、ウエーハ２のデバイス２２に対応する領域７２１のみ粘着層が敷設され外周余剰領域２４に対応する領域には粘着層が敷設されていない。このように形成されたダイシングテープ７におけるウエーハ貼着部７２に図９の(b)に示すようにウエーハ２の裏面を貼着する。ダイシングテープ７におけるウエーハ貼着部７２に貼着されたウエーハ２は、デバイス２２の裏面のみが領域７２１（図９の(a)参照）に貼着され、外周余剰領域２４（環状の補強部２４b）はダイシングテープ７に貼着されない。なお、改質層形成工程が実施されたウエーハ２をレーザー加工装置５のチャックテーブル５１から搬出して次工程であるフレーム支持工程に搬出する際に、ウエーハ２は外周余剰領域２４に対応する領域に形成された環状の補強部２４bによって補強されているので、搬出の際または搬送中にウエーハ２が割れるという問題が解消される。
【００２９】
上述したフレーム支持工程を実施したならば、ウエーハ２の表面２aから保護テープ３を剥離し、保護テープ３ともに環状の補強部２４bをウエーハ２から除去する保護テープ剥離工程を実施する。即ち、図１０に示すようにウエーハ２の表面２aから保護テープ３を剥離する。このとき、ウエーハ２のデバイス２２はダイシングテープ７に貼着しており外周余剰領域２４（環状の補強部２４b）はダイシングテープ７に貼着されないので、外周余剰領域２４（環状の補強部２４b）には保護テープ３とともに上方に変位する力が作用する。従って、ウエーハ２には環状の補強部２４bの内側に沿って環状の改質層２１０が形成されているので（図８の(b)参照）、環状の改質層２１０が破断起点となって破断され環状の補強部２４bはウエーハ２から除去される。この結果、図１０に示すようにウエーハ２のデバイス領域２３のみがダイシングテープ７に貼着された状態が維持される。このとき、保護テープ3は環状の粘着層３０のみがウエーハ２の外周余剰領域２４に貼着されているので、剥離する際に微小電気機械システム(MEMS)からなるデバイス２２を破損することがない。また、デバイスがＩＣ、ＬＳＩまたはCCD等の撮像素子の場合には、粘着層の一部がデバイスの表面に残存してデバイスのバンプ、ボンディングパッドなどを汚染して断線を招いたり、撮像素子の撮像精度を低下させるという問題を未然に防止することができる。
【００３０】
上述した保護テープ剥離工程を実施したならば、ウエーハ２に外力を付与し改質層が形成されることにより強度が低下せしめられたストリート２１に沿ってウエーハ２を破断して個々のデバイス２２に分割するウエーハ分割工程を実施する。このウエーハ分割工程は、図１１に示すテープ拡張装置８を用いて実施する。図１１に示すテープ拡張装置８は、上記環状のフレーム６を保持するフレーム保持手段８１と、該フレーム保持手段８１に保持された環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７を拡張するテープ拡張手段８２と、ピックアップコレット８３を具備している。フレーム保持手段８１は、環状のフレーム保持部材８１１と、該フレーム保持部材８１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８１２とからなっている。フレーム保持部材８１１の上面は環状のフレーム６を載置する載置面８１１ａを形成しており、この載置面８１１ａ上に環状のフレーム６が載置される。そして、載置面８１１ａ上に載置された環状のフレーム６は、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８１は、テープ拡張手段８２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３１】
テープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１の内側に配設される拡張ドラム８２１を具備している。この拡張ドラム８２１は、環状のフレーム６の内径より小さく該環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着されるウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム８２１は、下端に支持フランジ８２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段８２は、上記環状のフレーム保持部材８１１を上下方向に進退可能な支持手段８２３を具備している。この支持手段８２３は、上記支持フランジ８２２上に配設された複数のエアシリンダ８２３aからなっており、そのピストンロッド８２３bが上記環状のフレーム保持部材８１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ８２３aからなる支持手段８２３は、図１２の(a)に示すように環状のフレーム保持部材８１１を載置面８１１ａが拡張ドラム８２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１２の(b)に示すように拡張ドラム８２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。
【００３２】
以上のように構成されたテープ拡張装置８を用いて実施するウエーハ分割工程について図１２を参照して説明する。即ち、ウエーハ２のデバイス領域２３が貼着されているダイシングテープ７が装着された環状のフレーム６を、図１２の(a)に示すようにフレーム保持手段８１を構成するフレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に載置し、クランプ８１２によってフレーム保持部材８１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材８１１は図１２の(a)に示す基準位置に位置付けられている。
【００３３】
上述したフレーム保持工程を実施したならば、図１２の(b)に示すようにテープ拡張手段８２を構成する支持手段８２３としての複数のエアシリンダ８２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材８１１を拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材８１１の載置面８１１ａ上に固定されている環状のフレーム６も下降するため、図１２の(b)に示すように環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７は拡張ドラム８２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープ７に貼着されているウエーハ２のデバイス領域２３には放射状に引張力が作用する。このようにウエーハ２のデバイス領域２３に放射状に引張力が作用すると、ストリート２１に沿って形成された改質層２００は強度が低下せしめられているので、ウエーハ２のデバイス領域２３は強度が低下せしめられている改質層２００が破断起点となってストリート２１に沿って破断され個々のデバイス２２に分割される。このウエーハ分割工程においては、ダイシングテープ７にはデバイス領域２３のみが貼着されているので、ウエーハ２のストリート２１に沿った分割が円滑に遂行される。
【００３４】
上述したウエーハ分割工程を実施することにより、ウエーハ２を改質層２００が形成されたストリート２１に沿って破断し個々のデバイス２２に分割したならば、図１２の(c)に示すようにピックアップコレット８３を作動してデバイス２２を吸着し、ダイシングテープ７から剥離してピックアップする。なお、ピックアップ工程においては、個々のデバイス２２間の隙間Sが広げられているので、隣接するデバイス２２と接触することなく容易にピックアップすることができる。
【符号の説明】
【００３５】
２：ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
２３：デバイス領域
２４：外周余剰領域
３：保護テープ
３０：環状の粘着層
４：研削装置
４１：チャックテーブル
４２：研削手段
４２４：研削ホイール
５：レーザー加工装置
５１：チャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
６：環状のフレーム
７：ダイシングテープ
８：テープ拡張装置
８１：フレーム保持手段
８２：テープ拡張手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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