(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とを備える、複合積層セラミック電子部品であって、
前記低誘電率セラミック層と前記高誘電率セラミック層とは、いずれも、
（１）ＭｇＡｌ２Ｏ４およびＭｇ２ＳｉＯ４の少なくとも一方からなる第１のセラミックと、
（２）ＢａＯ、ＲＥ２Ｏ３（ＲＥは希土類元素）およびＴｉＯ２からなる第２のセラミックと、
（３）ＲＯ（ＲはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属）を４４．０〜６９．０重量％、ＳｉＯ２を１４．２〜３０．０重量％、Ｂ２Ｏ３を１０．０〜２０．０重量％、Ａｌ２Ｏ３を０．５〜４．０重量％、Ｌｉ２Ｏを０．３〜７．５重量％、およびＭｇＯを０．１〜５．５重量％それぞれ含むガラスと、
（４）ＭｎＯと
を含む、ガラスセラミックからなり、
前記低誘電率セラミック層は、
前記第１のセラミックを１５．５〜４７重量％含み、
前記ガラスを７〜２０重量％含み、
前記ＭｎＯを５．５〜２０．５重量％含み、
前記第２のセラミックとして、ＢａＯを２．１〜５．２重量％、ＲＥ２Ｏ３を１３．２〜３４．７５重量％、およびＴｉＯ２を９．５〜２４．７５重量％それぞれ含み、
さらに、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを１．５〜７．５重量％含み、
比誘電率が２０以上かつ２５以下であり、
前記高誘電率セラミック層は、
前記第１のセラミックを１〜１５重量％含み、
前記ガラスを３〜１５重量％含み、
前記ＭｎＯを２．３〜１０重量％含み、
前記第２のセラミックとして、ＢａＯを２．５〜１５．７重量％、ＲＥ２Ｏ３を２４．６〜６５．３重量％、およびＴｉＯ２を１１．２〜３６．４重量％それぞれ含み、
さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含み、
比誘電率が３０以上である、
複合積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記低誘電率セラミック層に含まれる前記ガラスの含有量ＧＬおよび前記高誘電率セラミック層に含まれる前記ガラスの含有量ＧＨは、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たす、請求項１に記載の複合積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記低誘電率セラミック層に含まれる前記ＭｎＯの含有量ＭＬおよび前記高誘電率セラミック層に含まれる前記ＭｎＯの含有量ＭＨは、１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たす、請求項１に記載の複合積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記低誘電率セラミック層に含まれる前記ガラスの含有量ＧＬおよび前記高誘電率セラミック層に含まれる前記ガラスの含有量ＧＨは、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たすとともに、
前記低誘電率セラミック層に含まれる前記ＭｎＯの含有量ＭＬおよび前記高誘電率セラミック層に含まれる前記ＭｎＯの含有量ＭＨは、１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たす、
請求項１に記載の複合積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記低誘電率セラミック層は、さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含む、請求項１ないし４のいずれかに記載の複合積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、たとえばマイクロ波用共振器、フィルタまたはコンデンサなどを内部に構成する多層セラミック基板のような積層セラミック電子部品に関するもので、特に、比較的低い比誘電率を有する低誘電率セラミック層と比較的高い比誘電率を有する高誘電率セラミック層とが積層された複合構造を有する複合積層セラミック電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化および薄型化に伴って、電子機器に用いられる電子部品の小型化が求められている。しかしながら、従来、コンデンサや共振器などの電子部品は、それぞれ個別に構成されており、これらの部品を小型化しただけでは、電子機器の小型化には限界がある。そこで、コンデンサや共振器などの素子を内部に構成する多層セラミック基板が種々提案されている。【０００３】
また、多層セラミック基板のより一層の小型化および近年の高周波化の流れに対応するため、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とが積層された複合構造を有する多層セラミック基板も種々提案されている。たとえば、特開２００２−２９８２７号公報（特許文献１）および特開２００３−６３８６１号公報（特許文献２）に記載されるように、配線が形成されたり、半導体素子などが実装されたりする低誘電率セラミック層に挟まれて、高誘電率で低誘電損失の材料からなる高誘電率セラミック層を配置し、ここに、コンデンサや共振器などの素子を構成している、多層セラミック基板が提案されている。【０００４】
上記特許文献１および特許文献２には、また、低誘電率セラミック層を形成するのに適したガラスセラミック組成物または高誘電率セラミック層を形成するのに適したガラスセラミック組成物も記載されている。【０００５】
より具体的には、特許文献１では、その請求項１において、ＭｇＡｌ２Ｏ４系セラミックとガラスとを含む、ガラスセラミック組成物が記載されている。より詳細には、ＭｇＡｌ２Ｏ４系セラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ２換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ２Ｏ３換算で８〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ２Ｏ３換算で０〜２０重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０〜５５重量％含むガラス粉末とを含む、ガラスセラミック組成物が記載されている。【０００６】
また、特許文献１では、その請求項２において、アルカリ土類金属酸化物を２０重量％以下の割合でさらに含んでもよいことが記載され、その請求項６において、ガラスの含有量は全体の２０〜８０重量％であることが好ましい旨記載されている。【０００７】
特許文献１に記載のガラスセラミック組成物によれば、その焼結体において、比誘電率がたとえば８以下というように、比較的低い比誘電率が得られ、高周波用途に適したものとすることができる。【０００８】
次に、特許文献２では、比較的高い比誘電率を有する高誘電率セラミック層を構成する高誘電率材料として、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３（ＲＥは希土類元素）系誘電体およびガラスを含むものが記載されている。ガラスは、特許文献２の請求項２によれば、１０〜２５重量％のＳｉＯ２と、１０〜４０重量％のＢ２Ｏ３と、２５〜５５重量％のＭｇＯと、０〜２０重量％のＺｎＯと、０〜１５重量％のＡｌ２Ｏ３と、０．５〜１０重量％のＬｉ２Ｏと、０〜１０重量％のＲＯ（ＲはＢａ、ＳｒおよびＣａの少なくとも１種）とを含む。また、特許文献２の請求項４に記載されるように、ガラスの含有量は、１５〜３５重量％であることが好ましい。【０００９】
他方、上記低誘電率セラミック層を構成する低誘電率材料として、特許文献２には、特許文献１と類似の材料が記載されている。【００１０】
本件発明者は、上記のような特許文献１および２に記載の各ガラスセラミック組成物について実験を重ねた結果、まず、絶縁信頼性について、なお改善されるべき点を見出した。その原因は以下のように推測される。【００１１】
特許文献１および２の各々に記載のガラスセラミック組成物に含まれるガラスは、１０００℃以下の温度での焼成を可能にするためのものであるが、結晶化しやすい組成になっている。特許文献１および２に記載のガラスセラミック組成物では、焼成過程でガラス成分とセラミック成分とが反応して結晶が析出されるため、焼成完了時点での結晶の量とガラス成分の量を安定化させることが困難である。そして、このような焼成完了時点での結晶の量とガラス成分の量の不安定さが、絶縁信頼性を低下させていると推測される。【００１２】
たとえば、特許文献１および２の各々に記載のガラスセラミック組成物に含まれるガラスはＭｇＯを比較的多く含むが、このように、ガラス中のＭｇＯが多いと、ガラス成分からＭｇＡｌ２Ｏ４および／またはＭｇ２ＳｉＯ４の結晶が析出されると考えられ、このことが絶縁信頼性の低下を招いていると推測される。【００１３】
また、特に特許文献２に記載の高誘電率材料は、１０００℃以下の温度での焼成を可能とするため、ガラスの添加が必要であり、他方、比誘電率を高くするため、ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３系誘電体を含む必要がある。しかし、このＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３系誘電体から遊離したＴｉイオンは、酸素欠陥を引き起こす。そして、このような酸素欠陥は、特に、高温・高電圧・長時間等の使用下での絶縁信頼性を低下させる原因となり得る。【００１４】
また、本件発明者は、実験を重ねた結果、特許文献１および２に記載の各ガラスセラミック組成物が有する組成では、比誘電率の低いものから高いものまで、幅広い範囲で所望の比誘電率のものを安定して得ることが困難であるといった問題を認識するに至った。【００１５】
すなわち、特許文献１および２に記載のガラスセラミック組成物に含まれるガラスは、前述のとおり、焼成過程において、セラミック成分と反応して結晶化しやすい。結晶が析出されてしまうと、比誘電率が変化するため、所望の比誘電率を得ることが困難である。【００１６】
また、特許文献１および２に記載のガラスセラミック組成物に含まれるガラスは、ＭｇＡｌ２Ｏ４系セラミックやＢａＯ−ＴｉＯ２−ＲＥ２Ｏ３系誘電体に対する濡れ性が良好ではない。そのため、ガラスを比較的多く添加しなければ、ガラスセラミック組成物を焼結させることができない。しかし、ガラスの添加量が多いと、比誘電率が低下してしまう。このことから、特に高誘電率材料を作製することが困難である。【００１７】
さらに、複合積層セラミック電子部品独自の課題として、低誘電率セラミック層単独の場合に得られる特性や、高誘電率セラミック層単独の場合に得られる特性が、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層との共焼成の場合にほぼ維持されるかどうかについても考慮されなければならない。特に、特許文献１および２の各々に記載のガラスセラミック組成物に含まれるガラスが結晶化しやすい組成になっているため、焼成完了時点での結晶の量とガラス成分の量を安定化させることが困難である点からすると、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層との共焼成の結果、各セラミック層の単独での特性が失われている可能性も十分にあり得るものと推測される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００２−２９８２７号公報
【特許文献２】特開２００３−６３８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
そこで、この発明の目的は、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とが共焼成されることができ、低誘電率セラミック層および高誘電率セラミック層の各々において相応の特性が得られる、複合積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この発明は、積層された低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とを備える、複合積層セラミック電子部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。【００２１】
低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とは、いずれも、（１）ＭｇＡｌ２Ｏ４およびＭｇ２ＳｉＯ４の少なくとも一方からなる第１のセラミックと、（２）ＢａＯ、ＲＥ２Ｏ３（ＲＥは希土類元素）およびＴｉＯ２からなる第２のセラミックと、（３）ＲＯ（ＲはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属）を４４．０〜６９．０重量％、ＳｉＯ２を１４．２〜３０．０重量％、Ｂ２Ｏ３を１０．０〜２０．０重量％、Ａｌ２Ｏ３を０．５〜４．０重量％、Ｌｉ２Ｏを０．３〜７．５重量％、およびＭｇＯを０．１〜５．５重量％それぞれ含むガラスと、（４）ＭｎＯとを含む、ガラスセラミックからなる。【００２２】
そして、低誘電率セラミック層は、上記第１のセラミックを１５．５〜４７重量％含み、上記ガラスを７〜２０重量％含み、上記ＭｎＯを５．５〜２０．５重量％含み、上記第２のセラミックとして、ＢａＯを２．１〜５．２重量％、ＲＥ２Ｏ３を１３．２〜３４．７５重量％、およびＴｉＯ２を９．５〜２４．７５重量％それぞれ含み、さらに、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを１．５〜７．５重量％含み、比誘電率が２０以上かつ２５以下である。
【００２３】
他方、高誘電率セラミック層は、上記第１のセラミックを１〜１５重量％含み、上記ガラスを３〜１５重量％含み、上記ＭｎＯを２．３〜１０重量％含み、上記第２のセラミックとして、ＢａＯを２．５〜１５．７重量％、ＲＥ２Ｏ３を２４．６〜６５．３重量％、およびＴｉＯ２を１１．２〜３６．４重量％それぞれ含み、さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含み、比誘電率が３０以上である。
【００２４】
好ましくは、低誘電率セラミック層に含まれるガラスの含有量ＧＬおよび高誘電率セラミック層に含まれるガラスの含有量ＧＨは、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たすようにされる。後述する実験例からわかるように、この条件を満たせば、特に低誘電率セラミック層の絶縁信頼性を向上させることができる。【００２５】
また、好ましくは、低誘電率セラミック層に含まれるＭｎＯの含有量ＭＬおよび高誘電率セラミック層に含まれるＭｎＯの含有量ＭＨは、１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たすようにされる。後述する実験例からわかるように、この条件を満たせば、特に高誘電率セラミック層の絶縁信頼性を向上させることができる。【００２６】
より好ましくは、上記２つの条件を双方とも満たすようにされる。これによって、後述する実験例からわかるように、低誘電率セラミック層および高誘電率セラミック層の双方について、絶縁信頼性をより向上させることができる。【００２８】
低誘電率セラミック層は、さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含んでもよい。
【発明の効果】
【００２９】
この発明によれば、低誘電率セラミック層および高誘電率セラミック層が共通する元素を含むガラスセラミックからなるので、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層とを問題なく共焼結させることができる。【００３０】
また、低誘電率セラミック層および高誘電率セラミック層の各々について、そこに含まれるガラスが結晶化しにくく、また、ＭｎＯを含んでいるため、絶縁信頼性を高くすることができる。【００３１】
また、低誘電率セラミック層においては、比誘電率が２０以上かつ２５以下で、絶縁信頼性が高く、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数（ＴＣＣ）が絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋ以下である、といった特性を得ることができる。【００３２】
他方、高誘電率セラミック層においては、比誘電率が３０以上で、絶縁信頼性が高く、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数（ＴＣＣ）が絶対値で１５０ｐｐｍ／Ｋ以下である、といった特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明に係る複合積層セラミック電子部品の一例としての多層セラミック基板２を備えるセラミック多層モジュール１を示す断面図である。
【図２】図１に示したセラミック多層モジュール１を分解して示す斜視図である。
【図３】この発明に係る複合積層セラミック電子部品の他の例としてのＬＣフィルタ２１の外観を示す斜視図である。
【図４】図３に示したＬＣフィルタ２１が与える等価回路図である。
【図５】図３に示したＬＣフィルタ２１に備える部品本体２３を分解して示す斜視図である。
【図６】実験例において作製した２種類の共焼結体を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
図１および図２を参照して、この発明に係る複合積層セラミック電子部品の一例としての多層セラミック基板２を備えるセラミック多層モジュール１について説明する。
【００３５】
セラミック多層モジュール１に備える多層セラミック基板２は、積層された複数の低誘電率セラミック層３および積層された複数の高誘電率セラミック層４を備え、複数の低誘電率セラミック層３は、複数の高誘電率セラミック層４を挟むように位置し、これらは共焼成される。
【００３６】
低誘電率セラミック層３と高誘電率セラミック層４とは、いずれも、
（１）ＭｇＡｌ２Ｏ４およびＭｇ２ＳｉＯ４の少なくとも一方からなる第１のセラミックと、
（２）ＢａＯ、ＲＥ２Ｏ３（ＲＥは希土類元素）およびＴｉＯ２からなる第２のセラミックと、
（３）ＲＯ（ＲはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属）を４４．０〜６９．０重量％、ＳｉＯ２を１４．２〜３０．０重量％、Ｂ２Ｏ３を１０．０〜２０．０重量％、Ａｌ２Ｏ３を０．５〜４．０重量％、Ｌｉ２Ｏを０．３〜７．５重量％、およびＭｇＯを０．１〜５．５重量％それぞれ含むガラスと、
（４）ＭｎＯと
を含む、ガラスセラミックからなる。
【００３７】
このように、低誘電率セラミック層３および高誘電率セラミック層４が共通する元素を含むガラスセラミックからなるので、低誘電率セラミック層３と高誘電率セラミック層４とを問題なく共焼結させることができる。
【００３８】
また、この発明において用いられる上述のガラスセラミックによれば、後述する実験例から明らかになるように、次のような効果が奏される。
【００３９】
（Ａ）絶縁信頼性が高い。
【００４０】
このガラスセラミックに含まれるガラスは、結晶化しにくい組成となっている。そのため、焼成完了時点での結晶量とガラス成分量が安定し、よって絶縁信頼性を向上させることができる。このガラスは、特許文献１および２に記載のものに含まれるガラスに比べて、ＭｇＯ含有量が少ないため、ＭｇＡｌ２Ｏ４やＭｇ２ＳｉＯ４といった結晶の析出を抑えることができ、しかも、ＲＯ含有量を多くすることで、結晶化しない組成になるようにすることができるからである。
【００４１】
また、上記ガラスセラミック組成物は、ＭｎＯを含んでいる。特許文献１および２に記載のものは、ＭｎＯを含まない。Ｔｉ酸化物の還元により生じるＴｉイオンは、酸素欠陥を引き起こし、高温・高電圧・長時間等の使用下での絶縁信頼性を低下させる原因となり得る。この発明では、ＭｎがＴｉサイトに置換することによって酸素欠陥が生じるのを抑制する。このことも、絶縁信頼性の向上に寄与しているものと推測される。
【００４２】
（Ｂ）比誘電率の低いものから高いものまで、幅広い範囲で所望の比誘電率の製品を容易に得ることができる。
【００４３】
前述したように、特許文献１および２に記載のガラスは、セラミック成分と反応して結晶化しやすく、そのため、比誘電率が変化しやすい。これに対し、この発明において用いられるガラスセラミックに含まれるガラスは、結晶化しにくいため、所望の比誘電率を有する製品を作製することが容易である。
【００４４】
また、この発明において用いられるガラスセラミックに含まれるガラスは、上記第１のセラミックおよび上記第２のセラミックに対する濡れ性が高く、かつ反応性が低いガラスである。したがって、当該ガラスセラミックは、ガラス成分を少なくしても焼結させることができ、逆に、ガラス成分を多くしても反応しにくく安定である。そのため、ガラスセラミックにおいて、セラミック成分およびガラス成分の各々の含有量を幅広く調整することが可能であり、よって、セラミック成分およびガラス成分の各含有量を調整するだけで、低誘電率品から高誘電率品まで幅広い製品を容易に提供することができる。すなわち、以下に説明するように、低誘電率セラミック層３を構成するのに適したガラスセラミックと高誘電率セラミック層４を構成するのに適したガラスセラミックとを提供することができる。
【００４５】
なお、この発明において用いられるガラスセラミックは、焼成前後で大きく組成が変動しない。ガラス中のＢ２Ｏ３やＬｉ２Ｏは焼成時に揮発する場合があるが、その場合であっても、焼成後におけるその他の成分の比率は焼成前とほぼ変わらない。
【００４６】
低誘電率セラミック層３を構成するガラスセラミックは、第１のセラミックを１５．５〜４７重量％含み、ガラスを７〜２０重量％含み、ＭｎＯを５．５〜２０．５重量％含み、第２のセラミックとして、ＢａＯを２．１〜５．２重量％、ＲＥ２Ｏ３を１３．２〜３４．７５重量％、およびＴｉＯ２を９．５〜２４．７５重量％それぞれ含んでいる。
【００４７】
低誘電率セラミック層３においては、比誘電率が２０以上かつ２５以下で、絶縁信頼性が高く、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数（ＴＣＣ）が絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋ以下である、といった特性を得ることができる。
【００４８】
他方、高誘電率セラミック層４を構成するガラスセラミックは、第１のセラミックを１〜１５重量％含み、ガラスを３〜１５重量％含み、ＭｎＯを２．３〜１０重量％含み、第２のセラミックとして、ＢａＯを２．５〜１５．７重量％、ＲＥ２Ｏ３を２４．６〜６５．３重量％、およびＴｉＯ２を１１．２〜３６．４重量％それぞれ含んでいる。
【００４９】
高誘電率セラミック層４においては、比誘電率が３０以上で、絶縁信頼性が高く、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数（ＴＣＣ）が絶対値で１５０ｐｐｍ／Ｋ以下である、といった特性を得ることができる。
【００５０】
好ましくは、低誘電率セラミック層３に含まれるガラスの含有量ＧＬおよび高誘電率セラミック層４に含まれるガラスの含有量ＧＨは、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たすようにされる。後述する実験例からわかるように、この条件を満たせば、特に低誘電率セラミック層３の絶縁信頼性を向上させることができる。これは、低誘電率セラミック層３のガラス成分と高誘電率セラミック層４のガラス成分との間での相互拡散を抑えることができるためであると推測される。
【００５１】
また、好ましくは、低誘電率セラミック層３に含まれるＭｎＯの含有量ＭＬおよび高誘電率セラミック層４に含まれるＭｎＯの含有量ＭＨは、１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たすようにされる。後述する実験例からわかるように、この条件を満たせば、特に高誘電率セラミック層４の絶縁信頼性を向上させることができる。これは、低誘電率セラミック層３のＭｎＯ成分と高誘電率セラミック層４のＭｎＯ成分との間での相互拡散を抑えることができるためであると推測される。
【００５２】
より好ましくは、上記２つの条件を双方とも満たすようにされる。これによって、後述する実験例からわかるように、低誘電率セラミック層３および高誘電率セラミック層４の双方について、絶縁信頼性をより向上させることができる。
【００５３】
また、低誘電率セラミック層３は、さらに、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを１．５〜７．５重量％含む。これによって、後述する実験例からわかるように、多層セラミック基板２において、反りをより生じにくくすることができる。
【００５４】
低誘電率セラミック層３は、さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含んでもよい。他方、この発明では、高誘電率セラミック層４は、さらに、ＣｕＯを１．２重量％以下含むことを要件としている。
【００５５】
多層セラミック基板２は、種々の配線導体を備えている。配線導体としては、典型的には、セラミック層３および４間の特定の界面に沿って形成される内部導体膜６、セラミック層３および４の特定のものを貫通するように延びるビアホール導体７、および多層セラミック基板２の外表面上に形成される外部導体膜８がある。
【００５６】
上述の内部導体膜６のうち、高誘電率セラミック層４に関連して設けられるもののいくつかは、静電容量を与えるように配置され、それによってコンデンサ素子を構成している。
【００５７】
多層セラミック基板２の上面には、複数の電子部品９〜１７が搭載されている。図示された電子部品９〜１７のうち、たとえば、電子部品９はダイオードであり、電子部品１１は積層セラミックコンデンサであり、電子部品１６は半導体ＩＣである。これら電子部品９〜１７は、多層セラミック基板２の上面に形成された外部導体膜８の特定のものに電気的に接続されながら、多層セラミック基板２の内部に形成された配線導体とともに、セラミック多層モジュール１にとって必要な回路を構成している。
【００５８】
多層セラミック基板２の上面には、電子部品９〜１７をシールドするための導電性キャップ１８が固定されている。導電性キャップ１８は、前述したビアホール導体７の特定のものに電気的に接続されている。
【００５９】
また、セラミック多層モジュール１は、多層セラミック基板２の下面上に形成された外部導体膜８の特定のものを接続用端子として、図示しないマザーボード上に実装される。
【００６０】
多層セラミック基板２は、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて製造することができる。
【００６１】
すなわち、まず、低誘電率セラミック層３のためのセラミックグリーンシートが作製される。より具体的には、上述したガラスセラミックを与える原料組成物に、バインダ樹脂および溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、たとえばドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥した後、所定の寸法に打ち抜くことによって、セラミックグリーンシートを得る。そして、このセラミックグリーンシートに、配線導体を形成するため、たとえば銅または銀を主成分とする導電性ペーストを、所望のパターンをもって付与する。
【００６２】
他方、高誘電率セラミック層４を構成するガラスセラミックを与える原料組成物を含むセラミックグリーンシートが、低誘電率セラミック層３のためのセラミックグリーンシートの場合と同様の方法で作製される。そして、このセラミックグリーンシートに、配線導体を形成するため、たとえば銅または銀を主成分とする導電性ペーストを、所望のパターンをもって付与する。
【００６３】
次に、上述のようにして得られた低誘電率セラミック層３のためのセラミックグリーンシートおよび高誘電率セラミック層４のためのセラミックグリーンシートを、それぞれ、所定の順序で所定の枚数積層し、次いで、厚み方向に加圧する。
【００６４】
次に、上述のようにして得られた生の積層体を１０００℃以下、たとえば８００〜１０００℃の温度で焼成することにより、多層セラミック基板２を得ることができる。ここで、焼成は、配線導体が銅を主成分とする場合、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中で実施され、銀を主成分とする場合には、大気等の酸化性雰囲気中で実施される。
【００６５】
次に、多層セラミック基板２の表面に、半田付け等を適用して、電子部品９〜１７を搭載し、導電性キャップ１８を取り付けることによって、セラミック多層モジュール１が完成される。
【００６６】
以上のようなセラミック多層モジュール１によれば、多層セラミック基板２に備える低誘電率セラミック層３においては、比誘電率が２０以上かつ２５以下で、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数が絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、他方、高誘電率セラミック層４においては、比誘電率が３０以上で、Ｑｆ値が高く、静電容量温度係数（ＴＣＣ）が絶対値で１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であるので、高周波用途に適し、かつ信頼性に優れたものとすることができる。また、セラミック多層モジュール１の絶縁信頼性を優れたものとすることができる。
【００６７】
次に、図３ないし図５を参照して、この発明に係る複合積層セラミック電子部品の他の例としてのＬＣフィルタ２１について説明する。
【００６８】
ＬＣフィルタ２１は、図３に示すように、複数の積層されたガラスセラミック層をもって構成される積層構造物としての部品本体２３を備え、この部品本体２３の外表面上であって、各端部には、端子電極２４および２５が設けられ、各側面の中間部には、端子電極２６および２７が設けられている。
【００６９】
ＬＣフィルタ２１は、図４に示すように、端子電極２４および２５の間に直列接続された２つのインダクタンスＬ１およびＬ２を構成し、インダクタンスＬ１およびＬ２の接続点と端子電極２６および２７との間にキャパシタンスＣを構成するものである。
【００７０】
図５に示すように、部品本体２３は、複数の積層されたセラミック層２８〜４０を備えている。なお、セラミック層の積層数は図示したものに限定されない。
【００７１】
セラミック層２８〜４０の各々は、ガラスセラミックを与える原料組成物に、バインダ樹脂および溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、これらを混合して得られたセラミックスラリーを、ドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥した後、所定の大きさに打ち抜くことによって得られたセラミックグリーンシートを焼成して得られたものである。
【００７２】
また、図４に示すようなインダクタンスＬ１およびＬ２ならびにキャパシタンスＣを与えるため、セラミック層２８〜４０の特定のものに関連して、以下のような態様で配線導体が設けられる。
【００７３】
セラミック層３０には、インダクタンスＬ１の一部を構成するコイルパターン４１が形成されるとともに、このコイルパターン４１の一方端から延びる引出しパターン４２が形成され、コイルパターン４１の他方端には、ビアホール導体４３が設けられる。引出しパターン４２は端子電極２４に接続される。
【００７４】
セラミック層３１には、インダクタンスＬ１の一部を構成するコイルパターン４４が形成されるとともに、その一方端には、ビアホール導体４５が設けられる。コイルパターン４４の他方端は、前述したビアホール導体４３に接続される。
【００７５】
セラミック層３２には、上述のビアホール導体４５に接続されるビアホール導体４６が設けられる。
【００７６】
セラミック層３３には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン４７が形成されるとともに、コンデンサパターン４７から延びる引出しパターン４８および４９が形成される。引出しパターン４８および４９は端子電極２６および２７に接続される。また、セラミック層３３には、前述したビアホール導体４６に接続されるビアホール導体５０が設けられる。
【００７７】
セラミック層３４には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン５１が形成されるとともに、コンデンサパターン５１に接続されるビアホール導体５２が設けられる。コンデンサパターン５１は、前述したビアホール導体５０に接続される。
【００７８】
セラミック層３５には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン５３が形成されるとともに、このコンデンサパターン５３から延びる引出しパターン５４および５５が形成される。引出しパターン５４および５５は端子電極２６および２７に接続される。また、このセラミック層３５には、前述したビアホール導体５２に接続されるビアホール導体５６が設けられる。
【００７９】
セラミック層３６には、上述のビアホール導体５６に接続されるビアホール導体５７が設けられる。
【００８０】
セラミック層３７には、インダクタンスＬ２の一部を構成するコイルパターン５８が形成されるとともに、その一方端には、ビアホール導体５９が設けられる。コイルパターン５８の他方端は、前述したビアホール導体５７に接続される。
【００８１】
セラミック層３８には、インダクタンスＬ２の一部を構成するコイルパターン６０が形成されるとともに、このコイルパターン６０の一方端から延びる引出しパターン６１が形成される。引出しパターン６１は端子電極２５に接続される。コイルパターン６０の他方端は、前述したビアホール導体５９に接続される。
【００８２】
以上のような配線導体としての、コイルパターン４１、４４、５８および６０、引出しパターン４２、４８、４９、５４、５５および６１、ビアホール導体４３、４５、４６、５０、５２、５６、５７および５９、ならびにコンデンサパターン４７、５１および５３を形成するにあたっては、たとえば銅または銀を主成分とする導電性ペーストが用いられ、この導電性ペーストの付与のため、たとえばスクリーン印刷が適用される。
【００８３】
そして、部品本体２３を得るため、上述したセラミック層２８〜４０の各々となるべきセラミックグリーンシートが所定の順序で積層され、厚み方向に加圧され、その後、１０００℃以下、たとえば８００〜１０００℃の温度で焼成される。ここで、焼成は、前述したセラミック多層モジュール１の場合と同様、配線導体が銅を主成分とする場合には、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気で実施され、銀を主成分とする場合には、大気等の酸化性雰囲気中で実施される。
【００８４】
また、部品本体２３の外表面上にある端子電極２４〜２７の形成のため、たとえば、銅または銀を主成分とする導電性ペーストの塗布および焼付け、または、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法等が適用される。
【００８５】
以上のようなＬＣフィルタ２１において、セラミック層２８〜４０のうち、特にキャパシタンスＣの構成に直接寄与するセラミック層３３および３４については、前述の図１に示したセラミック多層モジュール１に備える高誘電率セラミック層４を構成するものと同様の高誘電率セラミック材料から構成され、その他のセラミック層２８〜３２および３５〜４０は、セラミック多層モジュール１に備える低誘電率セラミック層３を構成するものと同様の低誘電率セラミック材料から構成される。
【００８６】
この発明は、図示したようなセラミック多層モジュール１またはＬＣフィルタ２１以外の複合積層セラミック電子部品にも適用され得る。
【００８７】
次に、この発明において用いられるガラスセラミックによって得られる特性、および当該ガラスセラミックを用いて構成される複合積層セラミック電子部品が有する特性を評価するために実施した実験例について説明する。
【００８８】
［ガラスの準備］
まず、ガラスセラミックに含まれるガラスであって、以下の実験例において共通して用いられるガラスとして、表１に示すような組成をもって調合したものを１１００〜１４００℃の温度で溶融し、急冷してガラス化した後、湿式粉砕することによって、種々の組成のガラス粉末を用意した。
【００８９】
【表１】
0005888524.tif 000002
【００９０】
［実験例１］
実験例１では、高誘電率セラミック層のためのガラスセラミック単体での評価を行なった。
【００９１】
まず、第１のセラミックとして、ＭｇＣＯ３とＡｌ２Ｏ３とを所定の比率で調合して、仮焼し、湿式粉砕することによって、スピネル化合物：ＭｇＡｌ２Ｏ４を作製するとともに、ＭｇＣＯ３とＳｉＯ２とを所定の比率で調合して、仮焼し、湿式粉砕することによって、フォルステライト化合物：Ｍｇ２ＳｉＯ４を作製した。
【００９２】
次に、表２および表３に示す組成となるように、表１に示したガラス、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３、ＭｎＯ、およびＣｕＯの各粉末を調合し、混合した後、有機溶剤およびバインダを加えて、スラリーを作製した。
【００９３】
【表２】
0005888524.tif 000003
【００９４】
【表３】
0005888524.tif 000004
【００９５】
次に、上記スラリーをドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥することによって、セラミックグリーンシートを得た。このセラミックグリーンシートを用いて適宜試料を作製し、表４および表５に示すように、比誘電率（εｒ）、Ｑｆ、静電容量温度係数（β）および絶縁信頼性を評価した。
【００９６】
より具体的は、εｒおよびＱｆの測定にあたっては、上記セラミックグリーンシートをカットし、積層し、圧着することによって、０．６ｍｍ×５０ｍｍ×５０ｍｍの寸法を有する圧着体を作製した。これを９９０℃の温度で焼成することによって、試料となるセラミック基板を得た。このセラミック基板を用いて、空洞共振器法により、εｒおよびＱｆを測定した。このとき、測定周波数を約２５ＧＨｚとした。
【００９７】
この実験例では、εｒが３０以上の誘電体材料を得ることを目的とした。Ｑｆについては、５０００未満のものを不合格と判定した。
【００９８】
βの測定および絶縁信頼性の評価にあたっては、上記セラミックグリーンシートをカットした後、内部電極を形成するため、Ｃｕを含む導電性ペーストをセラミックグリーンシート上に印刷し、その後、積層、圧着、焼成、外部電極形成の各工程を経て、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。この積層セラミックコンデンサにおける隣り合う内部電極間距離は１０μｍ、重なり合う電極面積は４ｍｍ□であった。
【００９９】
そして、上記積層セラミックコンデンサ静電容量を−４０℃〜８５℃の範囲で測定し、２０℃を基準とする静電容量温度係数βを求めた。βについては、絶対値で１５０ｐｐｍ／Ｋを超えるものを不合格と判定した。
【０１００】
また、上記積層セラミックコンデンサについて、１５０℃の温度下で、ＤＣ２００Ｖを１００時間印加する試験後において絶縁抵抗を測定し、この試験後のlog （ＩＲ［Ω］）が１１未満となった場合は、不合格と判定し、表４および表５の「絶縁信頼性」の欄において「×」で表示し、他方、log （ＩＲ［Ω］）が１１以上となった場合は、合格と判定し、表４および表５の「絶縁信頼性」の欄において「○」で表示した。
【０１０１】
なお、十分に焼結しなかった試料については、表４および表５の「備考」欄に「未焼結」と表示し、また、ガラスがガラス化しなかった試料については、「備考」欄に「ガラス化しない」と表示し、これらの試料では、εｒ、Ｑｆ、βおよび絶縁信頼性の各評価を行なわなかった。また、「備考」欄には、この実験例において不合格となった試料についての不合格理由が簡潔に記載されている。
【０１０２】
【表４】
0005888524.tif 000005
【０１０３】
【表５】
0005888524.tif 000006
【０１０４】
表４および表５において、この実験例で不合格と判定された試料については、その試料番号に＊が付されている。
【０１０５】
表１ないし表５から、以下のことがわかる。
【０１０６】
まず、表２および表４に示した試料１〜３６について考察する。試料１〜３６では、表１に示したガラスＧ１〜Ｇ３６のすべてについて、そのいずれかが用いられた。なお、「ガラス」の含有量については、試料１〜３６のすべてにおいて、「９重量％」と一定とした。
【０１０７】
試料１では、十分に焼結しなかった。これは、Ｌｉ２Ｏ含有量が０．３重量％より少ないガラスＧ１を用いたためであると推測される。
【０１０８】
試料５では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ｌｉ２Ｏ含有量が７．５重量％より多いガラスＧ５を用いたためであると推測される。
【０１０９】
試料８では、εｒが低く、絶縁信頼性が低下した。これは、アルカリ土類金属含有量が４４．０重量％より少ないガラスＧ８を用いたためであると推測される。
【０１１０】
試料１３では、十分に焼結しなかった。これは、アルカリ土類金属含有量が６９．０重量％より多いガラスＧ１３を用いたためであると推測される。
【０１１１】
試料１５では、十分に焼結しなかった。これは、Ｂ２Ｏ３含有量が１０．０重量％より少ないガラスＧ１５を用いたためであると推測される。
【０１１２】
試料１７では、十分に焼結しなかった。これは、ＳｉＯ２含有量が３０．０重量％より多いガラスＧ１７を用いたためであると推測される。
【０１１３】
試料１９では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ｂ２Ｏ３含有量が２０．０重量％より多いガラスＧ１９を用いたためであると推測される。
【０１１４】
試料３２では、Ｑｆが低下した。これは、ＭｇＯ含有量が０．１重量％より少ないガラスＧ３２を用いたためであると推測される。
【０１１５】
試料３３では、絶縁信頼性が低下した。これは、ＭｇＯ含有量が５．５重量％より多いガラスＧ３３を用いたためであると推測される。
【０１１６】
試料３４では、ガラス化しなかった。これは、ＳｉＯ２含有量が１４．２重量％より少ないガラスＧ３４を用いたためであると推測される。
【０１１７】
試料３５では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ａｌ２Ｏ３含有量が０．５重量％より少ないガラスＧ３５を用いたためであると推測される。
【０１１８】
試料３６では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ａｌ２Ｏ３含有量が４．０重量％より多いガラスＧ３６を用いたためであると推測される。
【０１１９】
上記試料１、５、８、１３、１５、１７、１９、および３２〜２６以外の表２および表４に示した試料２〜４、６、７、９〜１２、１４、１６、１８、および２０〜３１では、εｒが３０以上であり、また、Ｑｆが５０００ＧＨｚ以上であり、βが絶対値で１５０ｐｐｍ／Ｋ以下であり、絶縁信頼性において、log （ＩＲ［Ω］）で１１以上の結果を示した。
【０１２０】
これは、アルカリ土類金属含有量が４４．０〜６９．０重量％、ＳｉＯ２含有量が１４．２〜３０．０重量％、Ｂ２Ｏ３含有量が１０．０〜２０．０重量％、Ａｌ２Ｏ３含有量が０．５〜４．０重量％、Ｌｉ２Ｏ含有量が０．３〜７．５重量％、およびＭｇＯ含有量が０．１〜５．５重量％であるという条件を満たすガラスＧ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１４、Ｇ１６、Ｇ１８、Ｇ２０、Ｇ２１、Ｇ２２、Ｇ２３、Ｇ２４、Ｇ２５、Ｇ２６、Ｇ２７、Ｇ２８、Ｇ２９、Ｇ３０、およびＧ３１のいずれかを用いたためであると推測される。
【０１２１】
次に、表３および表５に示した試料３７〜７３について考察する。試料３７〜７３では、「ガラス」として表１に示したガラスＧ２２を用いながら、「ガラス」、「第１のセラミック」、「第２のセラミック」、「ＭｎＯ」、および「ＣｕＯ」の各含有量を変更した。
【０１２２】
試料３７では、絶縁信頼性が低下した。これは、第２のセラミックにおけるＢａＯ含有量が１５．７重量％より多かったためであると推測される。
【０１２３】
試料３８では、εｒが３０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＢａＯ含有量が２．５重量％より少なかったためであると推測される。
【０１２４】
試料４０では、絶縁信頼性が低下した。これは、第２のセラミックにおけるＴｉＯ２含有量が１１．２重量％より少なかったためであると推測される。
【０１２５】
試料４３では、εｒが３０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＴｉＯ２含有量が３６．４重量％より多かったためであると推測される。
【０１２６】
試料４５では、十分に焼結しなかった。これは、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３含有量が６５．３重量％より多かったためであると推測される。
【０１２７】
試料４９では、εｒが３０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３含有量が２４．６重量％より少なかったためであると推測される。
【０１２８】
試料５０では、十分に焼結しなかった。これは、ガラス含有量が３重量％より少なかったためであると推測される。
【０１２９】
試料５５では、絶縁信頼性が低下した。これは、ガラス含有量が１５重量％より多かったためであると推測される。
【０１３０】
試料５６および試料６０では、静電容量温度係数βが悪化した。これは、第１のセラミックとしてのＭｇＡｌ２Ｏ４またはＭｇ２ＳｉＯ４の含有量が１５重量％より多かったためであると推測される。
【０１３１】
試料５９および試料６３では、静電容量温度係数βが悪化した。これは、第１のセラミックとしてのＭｇＡｌ２Ｏ４またはＭｇ２ＳｉＯ４の含有量が１重量％より少なかったためであると推測される。
【０１３２】
試料６４では、絶縁信頼性が低下した。これは、ＭｎＯ含有量が２．３重量％より少なかったためであると推測される。
【０１３３】
試料６６では、Ｑｆが低下した。これは、ＭｎＯ含有量が１０重量％より多かったためであると推測される。
【０１３４】
試料７０では、絶縁信頼性が低下した。これは、ＣｕＯ含有量が１．２重量％より多かったためであると推測される。
【０１３５】
上記試料３７、３８、４０、４３、４５、４９、５０、５５、５６、５９、６０、６３、６４、６６および７０以外の表３および表５に示した試料３９、４１、４２、４４、４６〜４８、５１〜５４、５７、５８、６１、６２、６５、６７〜６９、および７１〜７３では、Ｑｆ、βおよび絶縁信頼性において良好な結果を示した。
【０１３６】
これは、第１のセラミック含有量が１〜１５重量％、ガラス含有量が３〜１５重量％、ＭｎＯ含有量が２．３〜１０重量％、ＢａＯ含有量が２．５〜１５．７重量％、ＲＥ２Ｏ３含有量が２４．６〜６５．３重量％、ＴｉＯ２含有量が１１．２〜３６．４重量％、および、ＣｕＯ含有量が１．２重量％以下であるという条件を満たしたためであると推測される。
【０１３７】
なお、実験例１では、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３として、Ｎｄ２Ｏ３を用いたが、Ｓｍ２Ｏ３をはじめ、他の希土類元素を用いた場合も同様の傾向を示すことが確認されている。
【０１３８】
［実験例２］
実験例２では、低誘電率セラミック層のためのガラスセラミック単体での評価を行なった。
【０１３９】
実験例１の場合と同様にして、第１のセラミックとしてのスピネル化合物：ＭｇＡｌ２Ｏ４およびフォルステライト化合物：Ｍｇ２ＳｉＯ４、第２のセラミックとなるＢａＯ、ＴｉＯ２、ＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３およびＳｍ２Ｏ３、ＭｎＯ、ならびにＣｕＯの各粉末を用意した。
【０１４０】
また、この実験例２では、表７および表８に示すように、ＭｇＣＯ３とＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とを所定の比率で調合して仮焼し、湿式粉砕することによって、第３のセラミックとしてのコージェライト化合物：Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18の粉末を作製した。また、同じく表７および表８に示すように、ＢａＣＯ３とＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２とを所定の比率で調合して仮焼し、湿式粉砕することによって、第３のセラミックとしてのセルシアン化合物：ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の粉末を作製した。
【０１４１】
次に、表６ないし表８に示す組成となるように、表１に示したガラス、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３およびＳｍ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｕＯ、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の各粉末を調合し、混合した後、有機溶剤およびバインダを加えて、スラリーを作製した。
【０１４２】
【表６】
0005888524.tif 000007
【０１４３】
【表７】
0005888524.tif 000008
【０１４４】
【表８】
0005888524.tif 000009
【０１４５】
以後、実験例１の場合と同様の要領で、試料を作製し、表９および表１０に示すように、比誘電率（εｒ）、Ｑｆ、静電容量温度係数（β）および絶縁信頼性を評価した。この実験例では、εｒが２０〜２５の範囲というように、比較的低いεｒを有する誘電体材料を得ることを目的とした。なお、βについては、より厳しく、絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋを超えるものを不合格と判定した。表９および表１０の「絶縁信頼性」の欄には、実験例１の場合と同様の試験を実施し、試験後のlog （ＩＲ［Ω］）が１１未満となった場合は、「×」と表示し、他方、log （ＩＲ［Ω］）が１１以上となった場合は、「○」と表示した。
【０１４６】
なお、表９および表１０の「備考」欄には、この実験例において不合格となった試料についての不合格理由が簡潔に記載されている。
【０１４７】
【表９】
0005888524.tif 000010
【０１４８】
【表１０】
0005888524.tif 000011
【０１４９】
表９および表１０において、この実験例で不合格と判定された試料については、その試料番号に＊が付されている。
【０１５０】
表６ないし表１０から、以下のことがわかる。
【０１５１】
まず、表６および表９に示した試料１０１〜１４８について考察する。試料１０１〜１４８では、表１に示したガラスＧ１〜Ｇ３６のすべてについて、そのいずれかが用いられた。なお、「ガラス」の含有量については、試料１０１〜１４８では、「１１．１重量％」および「１１．５重量％」のいずれかとした。
【０１５２】
試料１０１および１０２では、十分に焼結しなかった。これは、Ｌｉ２Ｏ含有量が０．３重量％より少ないガラスＧ１を用いたためであると推測される。
【０１５３】
試料１０６および１０７では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ｌｉ２Ｏ含有量が７．５重量％より多いガラスＧ５を用いたためであると推測される。
【０１５４】
試料１１１および１１２では、Ｑｆが低下した。これは、アルカリ土類金属含有量が４４．０重量％より少ないガラスＧ８を用いたためであると推測される。
【０１５５】
試料１１８では、十分に焼結しなかった。これは、アルカリ土類金属含有量が６９．０重量％より多いガラスＧ１３を用いたためであると推測される。
【０１５６】
試料１２０では、十分に焼結しなかった。これは、Ｂ２Ｏ３含有量が１０．０重量％より少ないガラスＧ１５を用いたためであると推測される。
【０１５７】
試料１２２では、十分に焼結しなかった。これは、ＳｉＯ２含有量が３０．０重量％より多いガラスＧ１７を用いたためであると推測される。
【０１５８】
試料１２４では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ｂ２Ｏ３含有量が２０．０重量％より多いガラスＧ１９を用いたためであると推測される。
【０１５９】
試料１３９および１４０では、静電容量温度係数βが悪化した。これは、ＭｇＯ含有量が０．１重量％より少ないガラスＧ３２を用いたためであると推測される。
【０１６０】
試料１４１および１４２では、絶縁信頼性が低下した。これは、ＭｇＯ含有量が５．５重量％より多いガラスＧ３３を用いたためであると推測される。
【０１６１】
試料１４３および１４４では、ガラス化しなかった。これは、ＳｉＯ２含有量が１４．２重量％より少ないガラスＧ３４を用いたためであると推測される。
【０１６２】
試料１４５および１４６では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ａｌ２Ｏ３含有量が０．５重量％より少ないガラスＧ３５を用いたためであると推測される。
【０１６３】
試料１４７および１４８では、絶縁信頼性が低下した。これは、Ａｌ２Ｏ３含有量が４．０重量％より多いガラスＧ３６を用いたためであると推測される。
【０１６４】
上記試料１０１、１０２、１０６、１０７、１１１、１１２、１１８、１２０、１２２、１２４、および１３９〜１４８以外の表６および表９に示した試料１０３〜１０５、１０８〜１１０、１１３〜１１７、１１９、１２１、１２３、および１２５〜１３８では、εｒが２０〜２５の範囲にあり、Ｑｆが７０００ＧＨｚ以上、βが絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋ以下、および絶縁信頼性がlog （ＩＲ［Ω］）で１１以上というように良好な結果を示した。
【０１６５】
これは、アルカリ土類金属含有量が４４．０〜６９．０重量％、ＳｉＯ２含有量が１４．２〜３０．０重量％、Ｂ２Ｏ３含有量が１０．０〜２０．０重量％、Ａｌ２Ｏ３含有量が０．５〜４．０重量％、Ｌｉ２Ｏ含有量が０．３〜７．５重量％、およびＭｇＯ含有量が０．１〜５．５重量％であるという条件を満たすガラスＧ２、Ｇ３、Ｇ４、Ｇ６、Ｇ７、Ｇ９、Ｇ１０、Ｇ１１、Ｇ１２、Ｇ１４、Ｇ１６、Ｇ１８、Ｇ２０、Ｇ２１、Ｇ２２、Ｇ２３、Ｇ２４、Ｇ２５、Ｇ２６、Ｇ２７、Ｇ２８、Ｇ２９、Ｇ３０、およびＧ３１のいずれかを用いたためであると推測される。
【０１６６】
なお、上述した表６および表９に示した試料１０１〜１４８は、第３のセラミックとしての「Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18」および「ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８」のいずれをも含まない点で、この発明の範囲外の参考例である。
次に、表７および表８ならびに表１０に示した試料１４９〜１９５について考察する。試料１４９〜１９５では、「ガラス」として表１に示したガラスＧ２２を用いながら、「ガラス」、「第１のセラミック」、「第２のセラミック」、「ＭｎＯ」、「ＣｕＯ」、「Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18」および「ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８」の各含有量を変更した。
【０１６７】
試料１４９では、十分に焼結しなかった。これは、ガラス含有量が７重量％より少なかったためであると推測される。
【０１６８】
試料１５２では、絶縁信頼性が低下した。これは、ガラス含有量が２０重量％より多かったためであると推測される。
【０１６９】
試料１５３では、Ｑｆが低下した。これは、第１のセラミックとしてのＭｇＡｌ２Ｏ４またはＭｇ２ＳｉＯ４の含有量が１５．５重量％より少なかったためであると推測される。
【０１７０】
試料１５６では、静電容量温度係数βが悪化した。これは、第１のセラミックとしてのＭｇＡｌ２Ｏ４またはＭｇ２ＳｉＯ４の含有量が４７重量％より多かったためであると推測される。
【０１７１】
試料１６３では、εｒが２０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＢａＯ含有量が２．１重量％より少なかったためであると推測される。
【０１７２】
試料１６７では、絶縁信頼性が低下した。これは、第２のセラミックにおけるＢａＯ含有量が５．２重量％より多かったためであると推測される。
【０１７３】
試料１６８では、εｒが２０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＴｉＯ２含有量が９．５重量％より少なかったためであると推測される。
【０１７４】
試料１７４では、絶縁信頼性が低下した。これは、第２のセラミックにおけるＴｉＯ２含有量が２４．７５重量％より多かったためであると推測される。
【０１７５】
試料１７５では、εｒが２０未満となった。これは、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３含有量が１３．２重量％より少なかったためであると推測される。
【０１７６】
試料１８１では、絶縁信頼性が低下した。これは、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３としてのＮｄ２Ｏ３含有量が３４．７５重量％より多かったためであると推測される。
【０１７７】
試料１８２では、十分に焼結しなかった。これは、ＭｎＯ含有量が５．５重量％より少なかったためであると推測される。
【０１７８】
試料１８５では、Ｑｆが低下した。これは、ＭｎＯ含有量が２０．５重量％より多かったためであると推測される。
【０１７９】
試料１９２では、静電容量温度係数βが悪化した。これは、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックの含有量が７．５重量％より多かったためであると推測される。
【０１８０】
試料１９５は、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを含まない点で、この発明の範囲外の参考例であるが、試料１９５では、Ｑｆが低下した。これは、ＣｕＯ含有量が１．２重量％より多かったためであると推測される。
【０１８１】
上記試料１４９、１５２、１５３、１５６、１６３、１６７、１６８、１７４、１７５、１８１、１８２、１８５、１９２および１９５以外の表７および表８ならびに表１０に示した試料１５０、１５１、１５４、１５５、１５７〜１６２、１６４〜１６６、１６９〜１７３、１７６〜１８０、１８３、１８４、１８６〜１９１、１９３および１９４では、εｒが２０〜２５の範囲にありながら、Ｑｆが７０００ＧＨｚ以上、βが絶対値で６０ｐｐｍ／Ｋ以下、および絶縁信頼性がlog （ＩＲ［Ω］）で１１以上というように良好な結果を示した。
【０１８２】
これは、第１のセラミック含有量が１５．５〜４７重量％、ガラス含有量が７〜２０重量％、ＭｎＯ含有量が５．５〜２０．５重量％、ＢａＯ含有量が２．１〜５．２重量％、ＲＥ２Ｏ３含有量が１３．２〜３４．７５重量％、ＴｉＯ２含有量が９．５〜２４．７５重量％、ＣｕＯ含有量が１．２重量％以下、ならびに、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックの含有量が７．５重量％以下であるという条件を満たしたためであると推測される。
【０１８３】
なお、実験例２における試料１０１〜１９５のうち、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックの含有量が７．５重量％以下であるという条件だけでなく、１．５重量％以上であるという条件をも満たす、この発明の範囲内の試料は、試料１５４、１５７、１７３、１８７〜１９０であり、これら以外のものは、この発明の範囲外の参考例である。
なお、実験例２では、第２のセラミックにおけるＲＥ２Ｏ３として、Ｎｄ２Ｏ３およびＳｍ２Ｏ３を用いたが、他の希土類元素を用いた場合も同様の傾向を示すことが確認されている。
【０１８４】
［実験例３］
実験例３では、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層との各々について、これらが共焼結体とされた場合の特性への影響、特に、比誘電率εｒおよび静電容量温度係数βへの影響について調査した。図６（Ａ）および同（Ｂ）には、それぞれ、この実験例において作製した２種類の共焼結体７１および７２が断面図で示されている。
【０１８５】
図６（Ａ）に示した共焼結体７１は、厚み１０μｍの低誘電率セラミック層７３を、厚み０．５ｍｍの２つの高誘電率セラミック層７４および７５で挟んだ構造を有するものとした。低誘電率セラミック層７３と高誘電率セラミック層７４および７５との各間には、それぞれ、内部電極７６および７７が一部において互いに対向するように形成され、相対向する端面上には、内部電極７６および７７にそれぞれ電気的に接続される外部電極７８および７９が形成された。
【０１８６】
図６（Ｂ）に示した共焼結体７２は、図６（Ａ）に示した共焼結体７１とは低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層との位置関係が逆であり、厚み１０μｍの高誘電率セラミック層８０を、厚み０．５ｍｍの２つの低誘電率セラミック層８１および８２で挟んだ構造を有するものとした。高誘電率セラミック層８０と低誘電率セラミック層８１および８２との各間には、それぞれ、内部電極８３および８４が一部において互いに対向するように形成され、相対向する端面上には、内部電極８３および８４にそれぞれ電気的に接続される外部電極８５および８６が形成された。この内部電極間距離は１０μｍ、電極面積は４ｍｍ□であった。
【０１８７】
上記共焼結体７１および７２において、平面寸法は１０ｍｍ×１０ｍｍとした。また、内部電極７６、７７、８３および８４ならびに外部電極７８、７９、８５および８６はＣｕを導電成分とする導電性ペーストの印刷により形成した。
【０１８８】
前述した実験例１において作製した高誘電率ガラスセラミックの、共焼結体とされたときの特性を評価する場合には、図６（Ａ）に示した共焼結体７１を用い、実験例２において作製した低誘電率ガラスセラミックの、共焼結体とされたときの特性を評価する場合には、図６（Ｂ）に示した共焼結体７２を用いた。
【０１８９】
共焼結体７１中の低誘電率セラミック層７３および共焼結体７２中の高誘電率セラミック層８０の各々について、比誘電率εｒおよび静電容量温度係数βを求めたところ、低誘電率ガラスセラミック単体および高誘電率ガラスセラミック単体の各場合と同等の結果が得られた。
【０１９０】
より具体的には、比誘電率εｒは、ＬＣＲメータにより、１ＭＨｚでの静電容量値を測定し、その値と対向電極の面積と距離から、以下の式により求めた。
εｒ＝（ｄ×Ｃａｐ）／（ε０×Ｓ）
ここで、ｄは電極間距離［ｍ］、Ｓは対向電極面積［ｍ２］、Ｃａｐは静電容量［Ｆ］、ε０は真空の誘電率（８．８５４×１０−１２［Ｆ／］)である。
【０１９１】
また、静電容量温度係数βは実験例１の場合と同様の方法により求めた。
【０１９２】
なお、Ｑｆについては特に評価しなかったが、上記のように、比誘電率εｒおよび静電容量温度係数βが同等であることから、Ｑｆについても単体の場合と同等であると推測される。
【０１９３】
［実験例４］
実験例４では、低誘電率セラミック層と高誘電率セラミック層との共焼結体において、低誘電率セラミック層に含まれるガラスの含有量ＧＬと高誘電率セラミック層に含まれるガラスの含有量ＧＨとの比率ＧＬ／ＧＨ、ならびに、低誘電率セラミック層に含まれるＭｎＯの含有量ＭＬと高誘電率セラミック層に含まれるＭｎＯの含有量ＭＨとの比率ＭＬ／ＭＨについての好ましい範囲が存在するのか、もし存在するとすれば、どの範囲が好ましいのか、を調査するための実験を実施した。
【０１９４】
上記比率ＧＬ／ＧＨおよび比率ＭＬ／ＭＨを種々に異ならせた試料を得るため、表１１の「高誘電率層試料番号」の欄に示した試料番号が付された表３に示した高誘電率ガラスセラミックと、表１１の「低誘電率試料番号」の欄に示した試料番号が付された表７または表８に示した低誘電率ガラスセラミックとを組み合わせて、図６（Ａ）および（Ｂ）にそれぞれ示すような共焼結体７１および７２を作製した。
【０１９５】
表１１の「ＧＬ／ＧＨ」および「ＭＬ／ＭＨ」の各欄には、組み合わされた低誘電率ガラスセラミックと高誘電率ガラスセラミックとについての上記比率ＧＬ／ＧＨおよび上記比率ＭＬ／ＭＨがそれぞれ示されている。
【０１９６】
この実験例では、図６（Ａ）に示した共焼結体７１を用いて、低誘電率ガラスセラミックの絶縁信頼性を評価するとともに、図６（Ｂ）に示した共焼結体７２を用いて、高誘電率ガラスセラミックの絶縁信頼性を評価した。
【０１９７】
絶縁信頼性の評価のため、１５０℃の温度下で、共焼結体７１の外部電極７８および７９間または共焼結体７２の外部電極８５および８６間に、ＤＣ２００Ｖ、１００Ｖおよび５０Ｖの各電圧を１００時間印加する試験を実施した。試験後において絶縁抵抗を測定し、この試験後のlog （ＩＲ［Ω］）が１１未満となった場合は、不合格と判定した。
【０１９８】
表１１の「低誘電率側信頼性」の欄には、低誘電率セラミック層側の絶縁信頼性が示され、「高誘電率側信頼性」の欄には、高誘電率セラミック層側の絶縁信頼性が示されているが、印加電圧が２００Ｖでも絶縁抵抗が劣化しなかった場合を「◎」で表示し、２００Ｖでは劣化したが１００Ｖでは劣化しなかった場合を「○」で表示し、２００Ｖおよび１００Ｖでは劣化したが５０Ｖで劣化しなかった場合を「△」で表示している。
【０１９９】
【表１１】
0005888524.tif 000012
【０２００】
表１１において、まず、「ＧＬ／ＧＨ」に注目すると、０・８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たす試料２０２〜２０４および２１３〜２１８では、特に「低誘電率側信頼性」に関して、「○」または「◎」の評価が得られた。
【０２０１】
次に、「ＭＬ／ＭＨ」に注目すると、１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たす試料２０７〜２１１および２１３〜２１８では、特に「高誘電率側信頼性」に関して、「○」または「◎」の評価が得られた。
【０２０２】
さらに、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件および１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件の双方を満たす試料２１３〜２１８では、「低誘電率側信頼性」および「高誘電率側信頼性」の双方に関して、「◎」の評価が得られた。
なお、実験例４において採用された試料のうち、「低誘電率試料番号」が「１８７」である試料２１１を除く、試料２０１〜２１０、２１２〜２１８は、低誘電率セラミック層がＭｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを含まない点で、この発明の範囲外の参考例である。
【０２０３】
［実験例５］
実験例５では、実験例４の場合と同様、共焼結体におけるガラスの含有量の比率ＧＬ／ＧＨおよびＭｎＯの含有量の比率ＭＬ／ＭＨが、絶縁信頼性に及ぼす影響を調査するとともに、低誘電率セラミック層が、さらに、Ｍｇ２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ18およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを含む場合の反り抑制効果を調査した。
【０２０４】
この実験例５では、上記比率ＧＬ／ＧＨおよび比率ＭＬ／ＭＨを種々に異ならせた試料を得るため、表１２の「高誘電率層試料番号」の欄に示した試料番号が付された表３に示した高誘電率ガラスセラミックと、表１２の「低誘電率試料番号」の欄に示した試料番号が付された表８に示した低誘電率ガラスセラミックとを組み合わせて、図６（Ａ）および（Ｂ）にそれぞれ示すような共焼結体７１および７２を作製した。
【０２０５】
次に、実験例４の場合と同様の要領にて、表１２に示すように、「低誘電率側信頼性」および「高誘電率側信頼性」を評価した。
【０２０６】
この実験例５では、さらに、表１２に示すように、「反り」を評価した。「反り」は、厚み０．５ｍｍの低誘電率セラミック層と厚み０．５ｍｍの高誘電率セラミック層とが積層された、平面寸法が５０ｍｍ×５０ｍｍで厚みが１ｍｍの複合基板を作製し、これを定盤に載せ、最高点高さを測定し、これから複合基板の厚みを差し引いた値を反り量として求めた。反り量が０．１ｍｍ以下となったものを合格と判定し、表１４の「反り」の欄に「○」と表示し、反り量が０．１ｍｍを超えたものを不合格と判定し、同欄に「×」と表示した。
【０２０７】
【表１２】
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【０２０８】
表１２の「低誘電率側信頼性」および「高誘電率側信頼性」に関しては、実験例４の場合と同様の傾向が現れている。
【０２０９】
すなわち、表１２において、まず、「ＧＬ／ＧＨ」に注目すると、試料３０１〜３０８のすべてが０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件を満たしており、「低誘電率側信頼性」に関して、「○」の評価が得られた。
【０２１０】
次に、「ＭＬ／ＭＨ」に注目すると、試料３０１〜３０８のすべてが１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件を満たしており、「高誘電率側信頼性」に関して、「○」の評価が得られた。
【０２１１】
次に、「反り」について見ると、試料３０１〜３０８のすべてが、「低誘電率層」において、さらに、Ｍｇ２Ａｌ２Ｓｉ５Ｏ15およびＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８の少なくとも一方からなる第３のセラミックを１．５〜７．５重量％含む試料１７３および１８７〜１８９に係る低誘電率ガラスセラミックを用いたので、「○」の評価が得られた。
【０２１２】
なお、試料３０１〜３０８は、上述したように、「低誘電率層」において、第３のセラミックを含む試料１７３および１８７〜１８９に係る低誘電率ガラスセラミックを用いているので、０．８８≦ＧＬ／ＧＨ≦２．１６の条件および１．００≦ＭＬ／ＭＨ≦２．９３の条件の双方を満たしても、実験例４の場合とは異なり、「低誘電率側信頼性」および「高誘電率側信頼性」の双方に関して、「◎」の評価が得られなかった。
【符号の説明】
【０２１３】
１  セラミック多層モジュール
２  多層セラミック基板
３，７３，８１，８２  低誘電率セラミック層
４，７４，７５，８０  高誘電率セラミック層
２１  ＬＣフィルタ
２３  部品本体
２８〜３２，３５〜４０  低誘電率セラミック層
３３，３４  高誘電率セラミック層
７１，７２  共焼結体
【図１】
0005888524.tif 000014
【図２】
0005888524.tif 000015
【図３】
0005888524.tif 000016
【図４】
0005888524.tif 000017
【図５】
0005888524.tif 000018
【図６】
0005888524.tif 000019