(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなり、前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料のデスミア処理装置において、
前記配線基板材料に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と、
前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部とを有し、
前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることを特徴とするデスミア処理装置。
【請求項２】
前記配線基板材料が湿潤処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分に紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部を有することを特徴とする請求項１に記載のデスミア処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層され、絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料をデスミア処理するデスミア処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板としては、絶縁層と導電層（配線層）とが交互に積層されてなる多層配線基板が知られている。このような多層配線基板においては、一の導電層と他の導電層とを電気的に接続するため、１つの若しくは複数の絶縁層を厚み方向に貫通して伸びるビアホールやスルーホールが形成されている。
多層配線基板の製造工程においては、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料に、ドリル加工やレーザ加工を施すことによって絶縁層や導電層の一部を除去することにより、ビアホールやスルーホールが形成される。そして、ビアホールやスルーホールの形成においては、配線基板材料には絶縁層や導電層を構成する材料に起因するスミア（残渣）が生じる。このため、当該配線基板材料に対してスミアを除去するデスミア処理が行われる。
【０００３】
配線基板材料のデスミア処理方法としては、従来、湿式のデスミア処理方法および乾式のデスミア処理方法が知られている（特許文献１および特許文献２参照）。
湿式のデスミア処理方法は、配線基板材料を過マンガン酸カリウムや水酸化ナトリウムが溶解されてなるアルカリ溶液中に浸漬することにより、配線基板材料に残留するスミアを溶解若しくは剥離して除去する方法である。一方、乾式のデスミア処理方法は、配線基板材料に紫外線を照射することにより、当該紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンによってスミアを分解して除去する方法である。
【０００４】
しかしながら、湿式のデスミア処理方法においては、スミアをアルカリ溶液に溶解させるのに長い時間を要すること、配線基板材料をアルカリ溶液に浸漬した後に洗浄処理および中和処理を行う必要があること、使用済みのアルカリ溶液について廃液処理が必要となることなどから、デスミア処理のコストが相当に高くなる、という問題がある。
また、近年、配線基板における配線パターンの微細化の要請に伴って、径の小さいビアホールを形成することが求められている。そして、径の小さいビアホールを有する配線基板材料に対してデスミア処理を行う場合には、アルカリ溶液がビアホール内に十分に浸入しないため、所要のデスミア処理を確実に行うことが困難となる。
【０００５】
これに対して、乾式のデスミア処理方法によれば、短時間でデスミア処理を行うことができ、また、配線基板材料の洗浄・中和や廃液処理が不要であることから、デスミア処理についてコストの低減化を図ることが可能である。更に、径の小さいビアホールを有する配線基板材料についても対応可能である。
【０００６】
しかしながら、従来の乾式のデスミア処理においては、以下のような問題があることが判明した。
乾式のデスミア処理においては、絶縁層を構成する樹脂などの有機物質に起因するスミアは、紫外線およびオゾンの作用によって分解して除去される。然るに、絶縁層中に含有されたフィラーを構成するセラミックスや導電層を構成する金属などの無機物質に起因するスミアは、紫外線やオゾンの作用によっては分解されず、配線基板材料に残留する、という問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２０５８０１号公報
【特許文献２】特開平８−１８０７５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができ、廃液処理が必要な薬品を用いることが不要なデスミア処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のデスミア処理装置は、フィラーが含有された樹脂よりなる絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板材料のデスミア処理装置において、
前記配線基板材料に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部と、
この紫外線照射処理部によって紫外線照射処理された配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理部と、
前記配線基板材料が前記紫外線照射処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤する湿潤処理部とを有し、
前記湿潤処理部は、前記配線基板材料を水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料における被処理部分を湿潤するものであることを特徴とする。
【００１０】
本発明のデスミア処理装置においては、前記配線基板材料が湿潤処理部に供される前に、当該配線基板材料における被処理部分に紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部を有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のデスミア処理装置によれば、紫外線照射処理部において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線が雰囲気ガスに照射されることにより、オゾンや活性酸素が生成される。また、湿潤処理部を有する場合には、当該湿潤処理部において配線基板材料が湿潤されるため、当該配線基板材料に波長２２０ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、ＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物質に起因するスミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素、或いはＯＨラジカルなどによって分解される。
紫外線照射処理部においては、無機物質に起因するスミアは分解されず、配線基板材料に残留するが、当該無機物質に起因するスミア、例えばシリカやアルミナなどの無機物質は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部において、配線基板材料に物理的振動を与えることにより、無機物質に起因するスミアが破壊されて当該配線基板材料から離脱する。或いは、無機物質に起因するスミアの収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じるため、無機物質に起因するスミアは、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料から離脱する。
従って、本発明のデスミア処理装置によれば、無機物質および有機物質のいずれに起因するスミアであっても確実に除去することができる。
また、配線基板材料に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のデスミア処理装置によるデスミア処理の処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
【図２】図１に示す配線基板材料の製造工程を示す説明用断面図である。
【図３】本発明のデスミア処理装置の第１の例における構成を示す説明図である。
【図４】波長２２０ｎｍの紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明のデスミア処理装置の第２の例における構成を示す説明図である。
【図６】本発明のデスミア処理装置の第３の例における構成を示す説明図である。
【図７】本発明のデスミア処理装置の第４の例における構成を示す説明図である。
【図８】本発明のデスミア処理装置の第５の例における構成を示す説明図である。
【図９】本発明のデスミア処理装置において、配線基板材料を紫外線照射部および物理的振動処理部に交互に繰り返して供する場合の処理工程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明のデスミア処理装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明のデスミア処理装置によるデスミア処理の処理対象となる配線基板材料の一例における要部の構成を示す説明用断面図である。この配線基板材料１は、第１絶縁層２と、この第１絶縁層２の表面上に積層された、所要のパターンの導電層（配線層）３と、この導電層３を含む第１絶縁層２上に積層された第２絶縁層４とにより構成されている。第２絶縁層４には、その厚み方向に伸びる、例えばビアホールなどの貫通孔５が形成されており、この貫通孔５によって、導電層３の一部が露出した状態とされている。
【００１４】
第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々は、無機物質よりなる粒状のフィラーが含有された樹脂によって構成されている。
第１絶縁層２および第２絶縁層４を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。
第１絶縁層２中および第２絶縁層４中に含有されるフィラーを構成する材料としては、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。フィラーの平均粒子径は、例えば０．１〜３μｍである。
第１絶縁層２および第２絶縁層４の各々におけるフィラーの割合は、例えば２０〜６０質量％である。
導電層３を構成する材料としては、銅、ニッケル、金などを用いることができる。
第１絶縁層２の厚みは、例えば２０〜８００μｍ、第２絶縁層４の厚みは、例えば１０〜５０μｍである。導電層３の厚みは、例えば１０〜１００μｍである。また、貫通孔５の径は、例えば３０〜１００μｍである。
【００１５】
このような配線基板材料１は、例えば以下のようにして得られる。
先ず、図２（ａ）に示すように、第１絶縁層２の表面上に、所要のパターンの導電層３を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に第２絶縁層４を形成する。そして、図２（ｃ）に示すように、第２絶縁層４における所要の箇所に、当該第２絶縁層４の厚み方向に貫通して伸びる貫通孔５を形成する。
【００１６】
以上において、導電層３を形成する方法としては、特に限定されず、サブトラクティブ法、セミアディティブ法などの種々の方法を利用することができる。
第２絶縁層４を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中にフィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、導電層３を含む第１絶縁層２の表面上に、フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法を利用することができる。
第２絶縁層４に貫通孔５を形成する方法としては、ドリル加工による方法、レーザ加工による方法を利用することができる。レーザ加工によって貫通孔５を形成する場合には、炭酸ガスレーザ装置やＹＡＧレーザ装置などを用いることができる。
このようにして得られる配線基板材料１においては、第２絶縁層４における貫通孔５の内壁面、第２絶縁層４の表面における貫通孔５の周辺領域、および貫通孔５の底部すなわち導電層３における貫通孔５によって露出した部分などには、貫通孔５を形成する際に生じたスミア６が残留している。
【００１７】
図３は、本発明のデスミア処理装置の第１の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。
【００１８】
この第１の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、その他の処理部から独立した筐体３１を有する。
また、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。この筐体６５は、その内部に物理的振動処理部４０において用いられる水を貯蔵するタンク６７と、リンス処理部５０において用いられる水を貯蔵するタンク６８とを有する。また、筐体６５には、乾燥処理部６０側の側面に、排気口６５Ｈが設けられている。
紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から物理的振動処理部４０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。  また、筐体６５の内部には、配線基板材料１を、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０にこの順で搬送する搬送機構６６が設けられている。
【００１９】
紫外線照射処理部３０における筐体３１内には、複数のエキシマランプ１０が収容されたランプ収容室Ｓ１が設けられている。また、筐体３１の下面には、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓部材３２が設けられている。そして、ランプ収容室Ｓ１の下方には、紫外線透過窓部材３２を介して、配線基板材料１が搬入される処理室Ｓ２が設けられている。
処理室Ｓ２内には、配線基板材料１が載置されるステージ３３が設けられている。このステージ３３には、処理室Ｓ２内に処理用ガスを供給するガス供給口３４ａおよび処理室Ｓ２からガスを排出するガス排出口３４ｂが形成されている。
また、ステージ３３には、ヒータが内蔵されている。このヒータによって、ステージ３３上に載置された配線基板材料１を、例えば８０〜２００℃に加熱することができる。
【００２０】
エキシマランプ１０としては、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下の紫外線を放射するものが用いられる。紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、樹脂などの有機物質に起因するスミア（以下、「有機物スミア」ともいう。）を分解除去することが困難となる。波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射するエキシマランプ１０としては、キセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）を用いることができる。
【００２１】
図４は、波長２２０ｎｍ以下の紫外線の光源として用いられるエキシマランプの一例における構成の概略を示す説明用断面図であって、（ａ）放電容器の長手方向に沿った断面を示す横断面図、（ｂ）（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図である。
このエキシマランプ１０は、両端が気密に封止されて内部に放電空間Ｓが形成された、断面矩形状の中空長尺状の放電容器１１を備えており、この放電容器１１の内部には、放電用ガスとして、例えばキセノンガスや、アルゴンと塩素とを混合したガスが封入されている。
放電容器１１は、真空紫外光を良好に透過するシリカガラス、例えば合成石英ガラスよりなり、誘電体としての機能を有する。
【００２２】
放電容器１１における長辺面の外表面には、一対の格子状の電極、すなわち、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５および接地電極として機能する他方の電極１６が長尺な方向に伸びるよう対向して配置されており、これにより、一対の電極１５，１６間に誘電体として機能する放電容器１１が介在された状態とされている。
このような電極は、例えば、金属よりなる電極材料を放電容器１１にペースト塗布することにより、あるいは、プリント印刷や蒸着することによって形成することができる。
【００２３】
このエキシマランプ１０においては、一方の電極１５に点灯電力が供給されると、誘電体として機能する放電容器１１の壁を介して両電極１５，１６間に放電が生成され、これにより、エキシマ分子が形成されると共にこのエキシマ分子から真空紫外光が放射されるエキシマ放電が生ずるが、このエキシマ放電によって発生する真空紫外光を効率良く利用するために、放電容器１１の内表面に、シリカ粒子とアルミナ粒子とからなる紫外線反射膜２０が設けられている。ここに、放電用ガスとしてキセノンガスを用いた場合は、波長１７２ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出され、放電用ガスとしてアルゴンと塩素とを混合したガスを用いた場合には、波長１７５ｎｍにピークを有する真空紫外線が放出される。
【００２４】
紫外線反射膜２０は、例えば、放電容器１１における長辺面の、高電圧供給電極として機能する一方の電極１５に対応する内表面領域とこの領域に連続する短辺面の内表面領域の一部にわたって形成されており、放電容器１１における長辺面の、接地電極として機能する他方の電極１６に対応する内表面領域において紫外線反射膜２０が形成されていないことによって光出射部（アパーチャ部）１８が構成されている。
紫外線反射膜２０の膜厚は、例えば１０〜１００μｍであることが好ましい。
【００２５】
紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子それ自体が高い屈折率を有する真空紫外光透過性を有するものであることから、シリカ粒子またはアルミナ粒子に到達した真空紫外光の一部が粒子の表面で反射されると共に他の一部が屈折して粒子の内部に入射され、さらに、粒子の内部に入射される光の多くが透過され（一部が吸収）、再び、出射されるに際して屈折される、このような反射、屈折が繰り返し起こる「拡散反射」させる機能を有する。
また、紫外線反射膜２０は、シリカ粒子およびアルミナ粒子、すなわちセラミックスにより構成されていることにより、不純ガスを発生させず、また、放電に耐えられる特性を有する。
【００２６】
紫外線反射膜２０を構成するシリカ粒子は、例えばシリカガラスを粉末状に細かい粒子としたものなどを用いることができる。
シリカ粒子は、以下のように定義される粒子径が例えば０．０１〜２０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜１０μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜３μｍであるものである。
また、中心粒径を有するシリカ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。
【００２７】
紫外線反射膜２０を構成するアルミナ粒子は、数平均粒子径が例えば０．１〜１０μｍの範囲内にあるものであって、中心粒径（数平均粒子径のピーク値）が、例えば０．１〜３μｍであるものが好ましく、より好ましくは０．３〜１μｍであるものである。
また、中心粒径を有するアルミナ粒子の割合が５０％以上であることが好ましい。
【００２８】
この第１の例のデスミア処理装置における物理的振動処理部４０は、配線基板材料１に対して液体を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、具体的には、例えば水中において配線基板材料１に超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理を行うものである。
物理的振動処理部４０は、水槽４１を有する。水槽４１内には、振動板４２が設けられている。また、水槽４１には、排水口４１Ｈが設けられている。
水槽４１には、ポンプ４３によって、タンク６７内に貯蔵された水が、フィルター４４を介して供給される。また、排水口４１Ｈから排出された水は、タンク６７に回収される。これにより、水槽４１内の水を、フィルター４４を介して循環させることができる。
【００２９】
振動板４２の表面から水面までの距離は、３０〜３００ｍｍであることが好ましい。この距離が３０ｍｍ未満である場合には、超音波の反射によって、振動板４２自体の寿命が短くなることがある。一方、この距離が３００ｍｍを超える場合には、電力密度が低下するために、無機スミアが除去されにくくなることがある。
【００３０】
物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に対する物理的振動処理は、当該配線基板材料１を、搬送機構６６によって搬送しながら行うことができる。配線基板材料１の搬送速度は、処理時間や水槽４１の寸法などを考慮して設定されるが、例えば０．５ｍ／ｍｉｎである。
【００３１】
物理的振動処理部４０の仕様の一例を示すと、以下の通りである。
水槽４１の縦横の寸法が、７００ｍｍ×８００ｍｍである。
振動板４２の縦横の寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍで、振動板４２の駆動電力が２ｋＷである。
【００３２】
リンス処理部５０においては、配線基板材料１に水を噴射することにより、当該配線基板材料１のリンス処理が行われる。このリンス処理は、搬送機構６６によって配線基板材料１を搬送しながら行うことができる。
リンス処理部５０は、配線基板材料１に水を噴射するスプレーノズル５６を有する。このスプレーノズル５６には、ポンプ５７によって、タンク６８に貯蔵された水がフィルター５８を介して供給される。スプレーノズル５６から噴射された水は、タンク６８に回収される。これにより、リンス処理に用いられる水を、フィルター５８を介して循環して使用することができる。
また、スプレーノズル５６から噴射される水の水圧は、例えば０．１〜０．５ＭＰａである。
【００３３】
乾燥処理部６０においては、配線基板材料１にエアーを噴射することにより、当該配線基板材料１の乾燥処理が行われる。この乾燥処理は、搬送機構６６によって配線基板材料１を搬送しながら行うことができる。
乾燥処理部６０は、配線基板材料１にエアーを噴射するスリットノズル６１を有する。このスリットノズル６１には、ブロワー６２によって、フィルター６３を介してエアーが供給される。スリットノズル６１から噴射されたエアーは、排気口６５Ｈを介して、筐体６５の外部に排出される。
【００３４】
上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス供給口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理部３０において、配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、配線基板材料１に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度やスミアの残留状態などを考慮して適宜設定されるが、例えば３０秒間〜１８０分間である。
【００３５】
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が水中に浸漬される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
超音波振動処理における超音波の周波数は、２０〜７０ｋＨｚであることが好ましい。この周波数が７０ｋＨｚを超える場合には、無機物質に起因するスミア（以下、「無機物スミア」ともいう。）を破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となる。
また、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０〜６００秒間である。
【００３６】
振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。
【００３７】
図５は、本発明のデスミア処理装置の第２の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。
【００３８】
この第２の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、その他の処理部から独立した筐体３１を有する。
また、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。物理的振動処理部４０、リンス処理部５０、乾燥処理部６０および筐体６５の構成は、第１の例のデスミア処理装置と同様である。
【００３９】
紫外線照射処理部３０における筐体３１内には、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を放射する複数のエキシマランプ１０が収容されたランプ収容室Ｓ１が設けられている。また、筐体３１の下面には、例えば合成石英ガラスよりなる紫外線透過窓部材３２が設けられている。そして、ランプ収容室Ｓ１の下方には、紫外線透過窓部材３２を介して、配線基板材料１が搬入される処理室Ｓ２が設けられている。この処理室Ｓ２は、筐体３１の下面および箱型の処理室形成材３５によって形成されている。具体的には、処理室形成材３５は上面に開口を有し、この開口を塞ぐよう筐体３１が配置されている。
処理室形成材３５には、処理室Ｓ２内に処理用ガスを導入する複数のガス導入口３６ａおよび処理室Ｓ２からガスを排出する複数のガス排出口３６ｂが形成されている。処理室形成材３５の内部および筐体６５の内部には、配線基板材料１を、紫外線照射処理部３０、物理的振動処理部４０、リンス処理部５０および乾燥処理部６０にこの順で搬送する共通の搬送機構６６が設けられている。配線基板材料１に対する紫外線照射処理は、当該配線基板材料１を、搬送機構６６によって搬送しながら行うことができる。
【００４０】
上記のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が搬送機構６６によって紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２内に搬送される。また、ガス導入口３６ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、処理室Ｓ２内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。
【００４１】
図６は、本発明のデスミア処理装置の第３の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１を水中に浸漬する第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂが、配線基板材料１の搬送方向に沿ってこの順に設けられている。第２リンス処理部５０ｂの下流側には、当該第２リンス処理部５０ｂによってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。
【００４２】
この第３の例のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０は、第１の例のデスミア処理装置の紫外線照射処理部３０と同様の構成である。
また、物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０は、共通の筐体６５内に、配線基板材料１の搬送方向に沿って並ぶよう設けられている。筐体６５には、乾燥処理部６０側の上面に、排気口６５Ｈが設けられている。
紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から後述する搬送用かご６９内に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。
【００４３】
物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０の各々は、複数の配線基板材料１を搬送用かご６９内に収納した状態で、各配線基板材料１に対する処理を行うものである。また、筐体６５の内部には、配線基板材料１が収容された搬送用かご６９を、物理的振動処理部４０、第１リンス処理部５０ａ、第２リンス処理部５０ｂおよび乾燥処理部６０にこの順で搬送する搬送用レール６６ａが設けられている。
【００４４】
物理的振動処理部４０においては、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１に対して、液体例えば水を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
物理的振動処理部４０は、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９を収容する水槽４１を有する。水槽４１内には、２つの振動板４２がそれぞれ垂直な姿勢で互いに対向するよう配置されている。水槽４１内の水は、ポンプ４３によって、フィルター４４を介して循環される。
【００４５】
第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂにおいては、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１を水に浸漬することにより、当該配線基板材料１のリンス処理が行われる。
第１リンス処理部５０ａおよび第２リンス処理部５０ｂの各々は、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９を収容する水槽５１ａ，５１ｂを有する。水槽５１ａ，５１ｂ内の水は、ポンプ５７ａ，５７ｂによって、フィルター５８ａ，５８ｂを介して循環される。
【００４６】
乾燥処理部６０には、２つのヒータ６４が互いに離間して対向するよう配置されている。乾燥処理部６０においては、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９が、２つのヒータ６４の間に配置される。そして、搬送用かご６９内に収納された配線基板材料１がヒータ６４によって加熱されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。
【００４７】
上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス供給口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５によって搬送用かご６９内に搬送されて収納される。配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、物理的振動処理部４０の水槽４１内に収容される。そして、水槽４１内において配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
次いで、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、第１リンス部５０ａの水槽５１ａ内の水中に浸漬される。その後、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、第２リンス部５０ｂの水槽５１ｂ内の水中に浸漬される。このようにして、配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
次いで、配線基板材料１が収納された搬送用かご６９は、搬送用レール６６ａに沿って搬送され、乾燥処理部６０における２つのヒータ６４の間に配置される。そして、配線基板材料１がヒータ６４によって加熱されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。
【００４８】
図７は、本発明のデスミア処理装置の第４の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０を有する。この紫外線照射処理部３０は、第１の例のデスミア処理装置の紫外線照射処理部３０と同様の構成である。紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。紫外線照射処理部３０と物理的振動処理部４０との間には、紫外線照射処理部３０から物理的振動処理部４０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２５が設けられている。この運搬ロボット２５は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２６を有する。
【００４９】
この第４の例のデスミア処理装置における物理的振動処理部４０は、配線基板材料１に対して空気を振動媒体として超音波振動処理を施すことによって、配線基板材料１に対する物理的振動処理を行うものである。具体的には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料１に吹きつけることにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
この物理的振動処理部４０は、筐体４５を有する。この筐体４５には、当該筐体４５内に配置された配線基板材料１に、超音波振動させた圧縮空気を噴射する圧縮空気噴射口４６と物理的振動処理によって配線基板材料１から離脱したスミアを吸引するスミア吸引口４７とが形成されている。また、筐体４５の内部には、配線基板材料１を搬送する搬送機構４８が設けられている。超音波振動させた圧縮空気を供給する手段としては、実開平５−８０５７３号公報、特開平７−６０２１１号公報、特開平７−６８２２６号公報等に記載された手段を用いることができる。
【００５０】
上記のデスミア処理装置においては、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に、配線基板材料１が載置される。また、ガス導入口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、配線基板材料１に圧縮空気噴射口４６から超音波振動させた圧縮空気を噴射することにより、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
圧縮空気の圧力は０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５〜６０秒間である。
【００５１】
第１〜第４の例のデスミア処理装置によれば、紫外線照射処理部３０において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線が酸素を含む雰囲気ガスに照射されることにより、オゾンや活性酸素が生成される。そして、配線基板材料１に残留する有機物スミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。
紫外線照射処理部３０においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料１に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料１から離脱する。
従って、第１〜第４の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料１から除去することができる。
また、配線基板材料１に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
【００５２】
図８は、本発明のデスミア処理装置の第５の例における構成を示す説明図である。このデスミア処理装置は、配線基板材料１における被処理部分を湿潤する湿潤処理部７０を有する。この湿潤処理部７０の下流側には、湿潤処理された配線基板材料１に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射する紫外線照射処理部３０が設けられている。この紫外線照射処理部３０の下流側には、当該紫外線照射処理部３０によって紫外線照射処理された配線基板材料１に物理的振動を与える物理的振動処理部４０が設けられている。この物理的振動処理部４０の下流側には、当該物理的振動処理部４０によって振動処理された配線基板材料１に水を噴射するリンス処理部５０が設けられている。このリンス処理部５０の下流側には、当該リンス処理部５０によってリンス処理された配線基板材料１を乾燥処理する乾燥処理部６０が設けられている。この第５の例における紫外線照射処理部３０から乾燥処理部６０までの構成は、第１の例のデスミア処理装置と同様である。また、湿潤処理部７０と紫外線照射処理部３０との間には、湿潤処理部７０から紫外線照射処理部３０に配線基板材料１を運搬する運搬ロボット２７が設けられている。この運搬ロボット２７は、配線基板材料１を吸着して保持する吸着アーム２８を有する。
【００５３】
湿潤処理部７０は、筐体７５を有する。筐体７５内には、配線基板材料１に対して湿潤処理を行う湿潤処理室Ｓ３と、湿潤処理された配線基板材料１から余剰の水分を除去する水分除去処理室Ｓ４が形成されている。また、筐体７５の内部には、配線基板材料１を湿潤処理室Ｓ３から水分除去処理室Ｓ４に搬送する搬送機構７４が設けられている。
【００５４】
湿潤処理部７０においては、配線基板材料１を水に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、配線基板材料１に対する湿潤処理が行われる。超音波振動させることにより、配線基板材料における貫通孔内に水が短時間で進入するため、浸漬時間を短縮することができる。
湿潤処理部７０における湿潤処理室Ｓ３内には、水槽７１が設けられている。水槽７１内には、振動板７２が設けられている。また、水槽７１には、排水口７１Ｈが設けられている。また、水槽７１の下方には、湿潤処理に用いられるタンク７３が設けられている。  水槽７１には、ポンプ７６によって、タンク７３内に貯蔵された水が、フィルター７７を介して供給される。また、排水口７１Ｈから排出された水は、タンク７３に回収される。これにより、水槽７１内の水を、フィルター７７を介して循環させることができる。
水分除去処理室Ｓ４内には、配線基板材料１にエアーを噴射するスリットノズル７８が設けられている。このスリットノズル７８には、ブロワー７９によって、フィルター８０を介してエアーが供給される。スリットノズル７８から噴射されたエアーは、筐体７５に形成された排気口７５Ｈを介して、筐体７５の外部に排出される。
【００５５】
上記のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が搬送機構７４によって湿潤処理部７０の水槽７１に搬送される。そして、水槽７１内において、配線基板材料１が搬送機構７４によって搬送されながら、当該水を超音波振動させることにより、当該配線基板材料１に対する湿潤処理が行われる。湿潤処理された配線基板材料１は、搬送機構７４によって水分除去処理室Ｓ４に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構７４によって搬送されながら、スリットノズル７８から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１から余剰の水分が除去される。
以上において、配線基板材料１の浸漬時間は、例えば１０〜６０秒間である。
【００５６】
このようにして湿潤処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２７によって、紫外線照射処理部３０の処理室Ｓ２におけるステージ３３上に載置される。また、ガス導入口３４ａから酸素を含む処理用ガスが処理室Ｓ２内に供給される。そして、エキシマランプ１０によって配線基板材料１にから紫外線を照射することにより、配線基板材料１に対する紫外線照射処理が行われる。
紫外線照射処理された配線基板材料１は、運搬ロボット２５および搬送機構６６によって物理的振動処理部４０に搬送される。そして、物理的振動処理部４０の水槽４１内において、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、当該配線基板材料１に対する物理的振動処理が行われる。
振動処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によってリンス処理部５０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、リンス処理部５０のスプレーノズル５６から配線基板材料１に水が噴射されることにより、当該配線基板材料１に対するリンス処理が行われる。
リンス処理された配線基板材料１は、搬送機構６６によって乾燥処理部６０に搬送される。そして、配線基板材料１が搬送機構６６によって搬送されながら、乾燥処理部６０のスリットノズル６１から配線基板材料１にエアーが噴射されることにより、当該配線基板材料１に対する乾燥処理が行われる。
【００５７】
第５の例のデスミア処理装置によれば、湿潤処理部７０において配線基板材料１が湿潤され、紫外線照射処理部３０において、配線基板材料１に波長２２０ｎｍ以下の紫外線が照射されることにより、ＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物スミアは、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるＯＨラジカルなどによって分解される。ＯＨラジカルはオゾンや活性酸素などに比べ、酸化力が高いため、有機物スミアは短時間で分解される。
紫外線照射処理部３０においては、無機物スミアは分解されず、配線基板材料１に残留するが、当該無機物スミアは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。このため、物理的振動処理部４０において、配線基板材料１に物理的振動を与えることにより、無機物スミアが破壊し、或いは無機物スミアと有機物スミアとのわずかな隙間から剥離して当該配線基板材料１から離脱する。
従って、第５の例のデスミア処理装置によれば、無機物スミアおよび有機物スミアのいずれであっても確実に配線基板材料１から除去することができる。
また、配線基板材料１に対して紫外線照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いることが不要である。
【００５８】
本発明のデスミア処理装置においては、上記の実施の形態に限定されず、以下のような種々の変更を加えることができる。
（１）紫外線処理部３０において、エキシマランプ１０の代わりに、低圧水銀灯（１８５ｎｍ輝線）、希ガス蛍光ランプなどを用いることもできる。
（２）第１の例、第３の例、第４の例および第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部３０によって配線基板材料１の一面に対して紫外線照射処理を行い、次いで、運搬ロボット２５によって配線基板材料１を反転させた後、紫外線照射処理部３０によって配線基板材料１の他面に対して紫外線照射処理を行うことができる。
（３）第２の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１の両面に対してデスミア処理を行うことが必要である場合には、紫外線照射処理部３０における処理室Ｓ２の上方および下方の両方の位置に、エキシマランプ１０を配置することにより、配線基板材料１の両面に対して同時に紫外線照射処理を行うことができる。
（４）第１の例、第２の例および第５の例のデスミア処理装置においては、物理的振動処理部４０の水槽４１内における配線基板材料１の上方および下方の両方の位置に、振動板４２を配置することができる。このような構成によれば、超音波の電力密度を上げることができる。そのため、振動板４２の長さを小さくすることができ、その結果、デスミア処理装置の全長を小さくすることができる。
【００５９】
（５）第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が湿潤処理部７０に供される前に、配線基板材料１における被処理部分が湿潤していない状態で、当該被処理部分のぬれ性を改善するぬれ性改善処理部が設けられていてもよい。
ぬれ性改善処理部は、配線基板材料１における被処理部分に対して、当該被処理部分が湿潤していない状態で紫外線を照射する乾式紫外線照射処理部、大気圧プラズマ処理部、減圧プラズマ処理部、コロナ放電処理部などによって構成することができるが、乾式紫外線照射処理部が好ましい。乾式紫外線照射処理部としては、紫外線照射処理部３０と同様の構成のものを用いることができる。
乾式紫外線照射処理部において、配線基板材料１に照射される紫外線の照度は、例えば１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2 である。また、配線基板材料１に対する紫外線の照射時間は、紫外線の照度や配線基板材料１の材質などを考慮して適宜設定されるが、例えば１０〜６０秒間である。
このような構成によれば、乾式紫外線照射処理部によって配線基板材料１における被処理部分のぬれ性が改善されるので、湿潤処理部７０において配線基板材料１における被処理部分を確実に湿潤することができる。
【００６０】
（６）第５の例のデスミア処理装置においては、配線基板材料１が物理的振動処理部４０に供される前に、湿潤処理部７０および紫外線照射処理部３０に交互に繰り返して供される構成であってもよい。
配線基板材料１が湿潤処理部７０および紫外線照射処理部３０に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部３０における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜５回である。
このような構成によれは、配線基板材料１における被処理部分が湿潤した状態を確保することができるので、紫外線照射処理部３０においては、有機物スミアが高い効率で分解される。その結果、紫外線照射処理部３０における紫外線照射時間の合計を短縮することができる。
【００６１】
（７）本発明のデスミア処理装置においては、配線基板材料１を紫外線照射処理部３０および物理的振動処理部４０に交互に繰り返して供する構成であってもよい。
配線基板材料１が紫外線照射処理部３０および物理的振動処理部４０に供される繰り返し回数は、紫外線照射処理部３０における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１〜５回である。
【００６２】
このような構成のデスミア処理装置においては、以下のようにして、配線基板材料１に対するデスミア処理が行われる。
図９（ａ）に示すように、デスミア処理前の配線基板材料１においては、配線基板材料１における被処理部分例えば導電層３上にはスミア６が残留している。このスミア６は、樹脂などの有機物スミア７と、この有機物スミア７中に含有された、無機物スミア８とよりなるものである。
このような配線基板材料１の被処理部分に対して、紫外線照射処理部において、酸素を含む雰囲気下において波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、雰囲気ガス中の酸素が反応してオゾンや活性酸素が生成される。そして、有機物スミア７の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。また、配線基板材料１が、湿潤処理部によって湿潤した状態である場合には、配線基板材料１の被処理部分に対して、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、水が反応してＯＨラジカルなどが生成される。そして、有機物スミア７の一部は、紫外線のエネルギーおよび紫外線が水に照射されることによって生ずるＯＨラジカルなどによって分解されてガス化される。
【００６３】
その結果、図９（ｂ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の一部が除去される。このとき、無機物スミア８の一部は、有機物スミア７の一部が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８、例えばシリカやアルミナなどの無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。これは、無機物スミア８が紫外線を受けることによって収縮することにより、当該無機物スミア８に歪みが生じるためと考えられる。
次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。  また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、有機物スミア７と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、無機物スミア８は、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。
それらの結果、図９（ｃ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の一部が除去される。
【００６４】
その後、配線基板材料１の被処理部分に波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、有機物スミア７の残部の大部分は、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素などによって分解されてガス化される。その結果、図９（ｄ）に示すように、配線基板材料１から有機物スミア７の残部の大部分が除去される。このとき、無機物スミア８の残部は、有機物スミア７の残部の大部分が除去されることによって露出される。また、露出した無機物スミア８は、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。
次いで、配線基板材料１に対して物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物スミア８や有機物スミア７の残部は、振動による機械的作用によって破壊されて当該配線基板材料１から離脱する。また、無機物スミア８の収縮や、各スミアに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、配線基板材料１と無機物スミア８との間にわずかな隙間が生じることも考えられ、物理的振動処理を施すことにより当該配線基板材料１から離脱する。それらの結果、図９（ｅ）に示すように、配線基板材料１から無機物スミア８の残部および有機物スミア７の残部が除去され、これにより、例えば導電層３の表面が露出した状態となる。
【００６５】
このように、配線基板材料１が紫外線照射処理部および物理的振動処理部に交互に繰り返して供されることにより、紫外線照射処理部における紫外線照射時間の合計を、紫外線照射処理部に供される回数が１開の場合の紫外線照射時間よりも短くすることができる。これは、有機物スミア７が紫外線の照射によって分解されず残留しても、当該有機物スミア７は劣化するため、物理的振動処理によって配線基板材料１から離脱して除去されるためと考えられる。
また、配線基板材料１が湿潤した状態である場合には、ＯＨラジカルおよびオゾンや活性酸素による分解が行われる。ＯＨラジカルは、オゾンや活性酸素よりも分解速度が高いため、紫外線照射処理部に繰り返し供されることにより、ＯＨラジカル反応が起こる時間を長く取ることでき、紫外線照射時間の合計を短くすることができる。
【符号の説明】
【００６６】
１    配線基板材料
２    第１絶縁層
３    導電層
４    第２絶縁層
５    貫通孔
６    スミア
７    有機物スミア
８    無機物スミア
１０  エキシマランプ
１１  放電容器
１５  一方の電極（高電圧供給電極）
１６  他方の電極（接地電極）
１８  光出射部（アパーチャ部）
２０  紫外線反射膜
２５  運搬ロボット
２６  吸着アーム
２７  運搬ロボット
２８  吸着アーム
３０  紫外線照射処理部
３１  筐体
３２  紫外線透過窓部材
３３  ステージ
３４ａ  ガス供給口
３４ｂ  ガス排出口
３５  処理室形成材
３６ａ  ガス導入口
３６ｂ  ガス排出口
４０  物理的振動処理部
４１  水槽
４１Ｈ  排水口
４２  振動板
４３  ポンプ
４４  フィルター
４５  筐体
４６  圧縮空気噴射口
４７  スミア吸引口
４８  搬送機構
５０  リンス処理部
５０ａ  第１リンス処理部
５０ｂ  第２リンス処理部
５１ａ，５１ｂ  水槽
５６  スプレーノズル
５７，５７ａ，５７ｂ  ポンプ
５８，５８ａ，５８ｂ  フィルター
６０  乾燥処理部
６１  スリットノズル
６２  ブロワー
６３  フィルター
６４  ヒータ
６５  筐体
６５Ｈ  排気口
６６  搬送機構
６６ａ  搬送用レール
６７，６８  タンク
６９  搬送用かご
７０  湿潤処理部
７１  水槽
７１Ｈ  排水口
７２  振動板
７３  タンク
７４  搬送機構
７５  筐体
７５Ｈ  排気口
７６  ポンプ
７７  フィルター
７８  スリットノズル
７９  ブロワー
８０  フィルター
Ｓ１  ランプ収容室
Ｓ２  処理室
Ｓ３  湿潤処理室
Ｓ４  水分除去処理室
【図１】
0005967147.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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