(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体対向面に近接するチップ部を有する磁気書込極と、
前記磁気書込極の前記チップ部に近接する近接場トランスデューサと、
前記近接場トランスデューサと反対側の前記チップ部の第１の側面に沿う第１のヒートシンク部とを備え、前記第１のヒートシンク部は、反射性が高い熱伝導性金属を含み、前記媒体対向面から間隔を置いて配置され、
前記チップ部の前記第１の側面に沿い前記媒体対向面と前記第１のヒートシンク部の間にある第２のヒートシンク部を備え、前記第２のヒートシンク部は相対的に硬質の材料を含む、装置。
【請求項２】
前記第１のヒートシンク部および前記第２のヒートシンク部は、前記チップ部からクロストラック方向において外側に延在しており、前記第１のヒートシンク部は、前記クロストラック方向において前記第２のヒートシンク部よりもさらに外側に延在している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
媒体対向面に近接するチップ部を有する磁気書込極と、
前記磁気書込極の前記チップ部の第１のエッジに近接する近接場トランスデューサと、
前記チップ部の少なくとも１つの第２のエッジを囲むキャップとを備え、前記キャップは、前記媒体対向面で露出し、摩耗に対する耐性を有する相対的に硬質の材料を含み、さらに、
前記キャップに近接し、前記媒体対向面から間隔を置いて配置されたヒートシンクと、
前記チップ部の第４の側面に沿い、前記媒体対向面から離れるように延在する熱拡散体とを備える、装置。
【請求項４】
スライダ本体の媒体対向面に近接する近接場トランスデューサを形成することと、
前記媒体対向面において前記近接場トランスデューサに近接するチップ部を有する磁気書込極を形成することと、
前記近接場トランスデューサと反対側の前記チップ部の第１の側面に沿う第１のヒートシンク部を形成することとを備え、前記第１のヒートシンク部は反射性が高い熱伝導性金属を含み、さらに、
前記チップ部の前記第１の側面に沿って、前記媒体対向面と前記第１のヒートシンク部の間に第２のヒートシンク部を形成することを備え、前記第２のヒートシンク部は相対的に硬質の材料を含む、方法。
【請求項５】
前記第２のヒートシンク部を形成する前に、前記第１のヒートシンク部の上にシード層を形成することをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
背景
熱アシスト磁気記録（heat-assisted magnetic recording）（ＨＡＭＲ）データ記憶媒体は、従来のハードドライブ媒体のデータ面密度を現在制限している超常磁性効果（たとえば磁化の向きが熱によってランダムに変化すること）を克服することができる高い保磁力を利用する。ＨＡＭＲ装置では、磁気媒体の小さな部分または「ホットスポット」をそのキュリー温度まで局所的に加熱することにより、トランスデューサ（たとえば磁気書込極）によって媒体に書込を行いながら、ホットスポットにおける媒体の磁化の向きを変化させる。熱を取り除くと、この領域は、その磁性状態を維持することによって、データを後で取出せるよう確実に記憶する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
概要
本開示は、書込極および近接場トランスデューサとともに使用する多重ヒートシンクに関する。ある実施の形態において、装置は、媒体対向面に近接するチップ部を有する磁気書込極を含む。近接場トランスデューサは、磁気書込極のチップ部に近接している。第１のヒートシンク部は、近接場トランスデューサと反対側のチップ部の第１の側面に沿って設けられる。第１のヒートシンク部は、反射性が高い熱伝導性金属を含み、媒体対向面から間隔を置いて配置される。第２のヒートシンク部は、チップ部の第１の側面に沿って、媒体対向面と第１のヒートシンク部の間に設けられる。第２のヒートシンク部は相対的に硬質の材料を含む。
【０００３】
別の実施の形態において、装置は、媒体対向面に近接するチップ部を有する磁気書込極を含む。近接場トランスデューサは、磁気書込極のチップ部の第１のエッジに近接している。キャップは、チップ部の少なくとも１つの第２のエッジを囲む。キャップは、媒体対向面で露出し、摩耗に対する耐性を有する相対的に硬質の材料を含む。金の熱拡散体は、キャップに近接し、媒体対向面から間隔を置いて配置される。金の熱拡散体は、チップ部の第４の側面に沿って設けられ、媒体対向面から離れるように延在している。
【０００４】
別の実施の形態において、方法は、スライダ本体の媒体対向面に近接する近接場トランスデューサを形成することを含む。チップ部を有する磁気書込極は、媒体対向面において近接場トランスデューサに近接するように形成される。第１のヒートシンク部は、近接場トランスデューサと反対側のチップ部の第１の側面に沿って形成される。第１のヒートシンク部は反射性が高い熱伝導性金属を含む。第２のヒートシンク部は、チップ部の第１の側面に沿って、媒体対向面と第１のヒートシンク部の間に形成される。第２のヒートシンク部は相対的に硬質の材料を含む。
【０００５】
さまざまな実施の形態の上記およびその他の特徴および局面は、以下の詳細な説明および添付の図面に鑑みて理解されるであろう。
【０００６】
以下の図では、複数の図における同様の／同一の／類似する構成要素を識別するために同一の参照番号を使用する場合がある。これらの図は一律の縮尺で描かれているとは限らない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ある実施の形態に従うスライダアセンブリの斜視図である。
【図２】ある実施の形態に従うスライダアセンブリの断面図である。
【図３】ある実施の形態に従う媒体対向面の平面図である。
【図４】ある実施の形態に従うヒートシンク部を示す斜視図である。
【図５】ある実施の形態に従うヒートシンク部を示す斜視図である。
【図６】ある実施の形態に従うヒートシンク部を示す斜視図である。
【図７】ある実施の形態に従う近接場トランスデューサおよびその周囲の構成要素の破断斜視図である。
【図８】ある実施の形態に従う近接場トランスデューサヒートシンク／熱拡散体間の重なりを示す平面図である。
【図９】実施の形態に従うヒートシンク構成の熱解析結果を示す表である。
【図１０】ある実施の形態に従う方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
詳細な説明
本開示は概して、磁気書込極のチップに沿う第１および第２のヒートシンク部を有する装置（たとえばＨＡＭＲ読取／書込素子）に関する。第１のヒートシンク部（たとえば熱拡散体）は、反射性が高く熱伝導性を有する金属を含み、記録媒体（たとえば磁気ディスク）に対向する装置の面から間隔を置いて配置されている。望ましい拡散体材料の例には、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、およびＣｕが含まれる。これらの材料は、低い機械的堅牢性および／または腐食のせいで、一般的に媒体対向面では使用されない。第２のヒートシンク部（たとえばキャップ）は、相対的に硬質の材料を含み、媒体対向面と第１のヒートシンク部の間に配置される。これらのヒートシンクは一般的に、近接場トランスデューサ（near-field transducer）（ＮＦＴ）およびその周囲の構成要素の信頼性を高める。
【０００９】
スライダまたは読取／書込ヘッドと呼ばれることもあるＨＡＭＲ読取／書込素子は、現在のハードドライブにあるものと同様の磁気読取および書込トランスデューサを含む。たとえば、データの読取は磁気抵抗センサによって行うことができ、磁気抵抗センサは、磁気媒体がこのセンサの下で動いているときに媒体の磁性の変動を検出する。磁気媒体へのデータの書込は、書込極に磁気的に結合された書込コイルによって行うことができる。書込極は、媒体が書込極の下で動いているときに媒体の領域の磁化の向きを変化させる。また、ＨＡＭＲスライダは一般的に、書込極による媒体の書込中に媒体を加熱するレーザダイオード等のエネルギー源を含む。光伝達経路をＨＡＭＲスライダに組込むことによって、エネルギーを媒体の表面に伝達する。
【００１０】
ＨＡＭＲスライダの光伝達経路は、媒体対向面（たとえばエアベアリング面、接触面）に近接する近接場トランスデューサ（ＮＦＴ）を含み得る。ＮＦＴは、エネルギーを成形して媒体上の小さな領域に伝達する。ＮＦＴは、光アンテナ、表面プラズモン共鳴器等と呼ばれることもあり、金、銀、銅、アルミニウム等のプラズモン金属およびその合金を含み得る。ＨＡＭＲ装置用のＮＦＴは、非常に小さく（たとえばおよそ１０〜１００ｎｍまたはその間の任意の値）、電磁相互作用によってパワー密度が高い局所領域を媒体に生じさせる。その結果、媒体上の小さな領域で温度が大幅に上昇し、キュリー温度を超えるこの領域は寸法が１００ｎｍ未満である。また、その結果、伝達経路の光損失が原因でＮＦＴの近くのスライダで温度が大幅に上昇する。
【００１１】
図１を参照して、斜視図はある実施の形態に従うＨＡＭＲスライダアセンブリ１００を示す。スライダアセンブリ１００は、スライダ本体１０１の入力面１０３上に位置するレーザダイオード１０２を含む。この例では、入力面１０３は、装置の動作中記録媒体（図示せず）の表面の上に位置付けられる媒体対向面１０８と反対側にある上面である。媒体対向面１０８は、媒体の読取および書込の間、動いている媒体に対向しかつ近接した状態で保たれる。媒体対向面１０８は、薄い空気の層を介して媒体の表面から離れた状態を保つエアベアリング面（air-bearing surface）（ＡＢＳ）として構成してもよい。
【００１２】
レーザダイオード１０２は、媒体対向面１０８の近くに位置するＨＡＭＲ読取／書込ヘッド１０６に近接する領域に光を伝達する。そのエネルギーを利用して、記録媒体が読取／書込ヘッド１０６を通過するときに記録媒体を加熱する。導波路１１０等の光結合要素が、スライダ本体１０１の中に組込まれるように形成され（この例では後端面１０４の近傍）、エネルギーをＮＦＴ１１２を介してレーザダイオード１０２から記録媒体に伝達する光学経路として機能する。ＮＦＴ１１２は、読取／書込ヘッド１０６の近傍にあり、記録動作中、媒体の加熱を生じさせる。
【００１３】
この例におけるレーザダイオード１０２は、端面発光レーザとして構成しても面発光レーザとして構成してもよい。一般的に、端面発光レーザはレーザの角のエッジの近傍から光を発し、面発光レーザは、レーザ本体の表面に垂直な方向に、たとえばこの面の中心の近傍のポイントから、光を発する。端面発光レーザは、媒体対向面に対して平行である（または少なくとも垂直でない）方向に光を発するように、スライダ本体１０１の上面１０３に（たとえばポケットまたは空洞に）搭載してもよい。面発光または端面発光レーザは、これらの例のいずれにおいても、スライダ本体１０１に直接結合されてもよく、または、サブマウント（図示せず）等の中間要素を介して結合されてもよい。サブマウントを用いて、端面発光レーザの出力が真っ直ぐ下方向に（この図では負のｙ方向）になるように、端面発光レーザの向きを定めることができる。
【００１４】
図１の例はスライダ本体１０１に直接搭載されたレーザダイオード１０２を示しているが、本明細書に記載の導波路１１０は、どのような種類の光伝達構成にも適用できる。たとえば、レーザを、上面１０３ではなく後端面１０４上に搭載してもよい。自由空間の光の伝達として知られている別の構成では、レーザをスライダ１００の外部に配置し、光ファイバおよび／または導波路によってスライダに結合してもよい。スライダ本体１０１の入力面は、光ファイバおよび／または導波路を介してレーザからの光を受ける格子またはその他の結合の特徴を含み得る。
【００１５】
図２において、断面図は、ある実施の形態に従うＮＦＴ１１２の近傍のスライダ本体１０１の一部を示す。この図において、示されているＮＦＴ１１２は、磁気媒体２０２たとえば磁気ディスクの表面に近接している。導波路１１０は電磁エネルギー２０４をＮＦＴ１１２に伝達し、ＮＦＴ１１２はエネルギーを方向付けて媒体２０２上に小さなホットスポット２０８を生じさせる。磁気書込極２０６は、印加電流に応じて媒体対向面１０８の近傍で磁束を変化させる。書込極２０６からの磁束により、ホットスポット２０８の磁化の向きは、ダウントラック方向（ｚ方向）にホットスポット２０８が書込極２０６を通過するときに変化する。
【００１６】
導波路１１０は、クラッド層２１２、２１４によって囲まれたコア材料の層２１０を含む。コア層２１０およびクラッド層２１２、２１４は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、またはＮｂ２Ｏ５等の誘電材料から作られたものでもよい。一般的に、誘電材料は、コア層２１０の屈折率がクラッド層２１２、２１４の屈折率よりも高くなるように選択される。このように材料を構成することにより、導波路１１０を通して光を効率的に伝搬し易くなる。
【００１７】
ホットスポット２０８を生じさせるためにＮＦＴ１１２に印加されるエネルギー２０４によって、ＮＦＴ１１２の温度が大幅に上昇する可能性がある。ＮＦＴ１１２は、発生したプラズモン場を小さく保つために相対的に寸法が小さいペグ（peg）、ピン、バー、またはその他の突出部を含むように形成してもよい。ＮＦＴ１１２は、高温で変形しやすい相対的に軟質のプラズモン金属（たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびその合金）から形成される。このため、ヒートシンク２１８はＮＦＴ１１２に近接して（またはＮＦＴ１１２と一体化させて）形成してもよい。ＮＦＴ１１２から熱を抜くために、ヒートシンク２１８をその他の構成要素（たとえば書込極２０６）に熱的に結合してもよい。
【００１８】
ヒートシンク２１８およびその他の仕組みがあっても、動作中の書込ヘッド領域の温度は、ＮＦＴ１１２を変形または損傷させるのに十分高い可能性がある。場合によっては、熱によって、ＮＦＴ１１２が媒体対向面１０８を超えて突出する可能性がある。このような場合にヘッドと媒体が接触すると、ＮＦＴの材料が媒体対向面１０８および／または媒体２０２の上に堆積する可能性がある。そうなると、媒体対向面１０８および／または媒体２０２が汚染されて、性能に影響する可能性がある。また、熱によって、書込極２０６の腐食および／または面１０８の上に積層されることがあるヘッド保護膜の軟化等、その他のダメージが生じることもある。
【００１９】
熱をさらに拡散させてＮＦＴ１１２の突出を小さくするために、示されているスライダ本体１０１は、異なる材料からなる部分を有する追加のヒートシンクアセンブリ２２２を含む。ヒートシンクアセンブリ２２２は、媒体対向面１０８に近接する書込極２０６のチップ部２２４に沿って位置している。ヒートシンクアセンブリ２２２は、ＮＦＴ１１２の反対側であるチップ部の少なくとも第１の側面２２６に近接し、その他の側面を囲んでいてもよい。
【００２０】
ヒートシンクアセンブリ２２２は、チップ部２２４の第１の側面２２６に沿う第１のヒートシンク部２２３を含む。第１のヒートシンク部２２３は、相対的に軟質で熱伝導性を有する金属（たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびその金属）で形成され、反射性が高くてもよい。高い反射性は、ヒートシンクアセンブリ２２２におけるレーザエネルギーの局所的吸収を最小にするのに役立つであろう。
【００２１】
第１のヒートシンク部２２３は、媒体対向面１０８から間隔を置いて配置されることによって、空気およびその他の要素に対する露出を最小にする。第１のヒートシンク部２２３の材料のうちのいくつか（たとえばＡｌ、Ｃｕ）は腐食しやすいので、媒体対向面１０８における露出を最小にすることが望ましい。同様に、第１のヒートシンク部２２３の材料のうちのいくつか（たとえばＡｕ、Ａｇ）は、スミアリング（smearing）が生じ易く、書込極２０６にガルバニック腐食（Galvanic  Corrosion）を生じさせる場合がある。このため、媒体対向面１０８におけるこうした種類の材料の露出を制限することが望ましいであろう。
【００２２】
ヒートシンクアセンブリ２２２は、チップ部２２４の第１の側面２２６に沿う第２のヒートシンク部２２５（本明細書では「キャップ」とも呼ばれる）を含む。第２のヒートシンク部２２５は、媒体対向面１０８と第１のヒートシンク部２２３の間に位置する。第２のヒートシンク部２２５は、Ｃｒおよび／またはＴａのような金属およびその合金等の相対的に硬質の材料で形成される。第２のヒートシンク部２２５を、アルミナ、シリカ、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）またはＳｉＣ等の誘電体で形成してもよい。
【００２３】
第２のヒートシンク部２２５を、近接場トランスデューサ１１２のプラズモン励起に応じて、媒体対向面１０８から近接場トランスデューサ１１２よりもさらに、熱的に突出するように構成してもよい。これは、媒体のおよび／またはスライダ本体１０１の媒体対向面１０８の腐食を結果として生じさせる、近接場トランスデューサ１１２の媒体面への接触を防止するのに役立つであろう。このため、相対的に硬質の材料は、摩擦（burnish）、腐食、摩剥、および摩耗のうちの少なくとも１つに対して耐性を有するように選択してもよい。熱拡散体および第１のヒートシンク２２３は一般的にＮＦＴの熱を取り除くのに非常に効果的なので、第２のヒートシンク部２２５用に選択する材料は、第１のヒートシンク部２２３ほどの熱伝導性がなくてもよい。よって、第２のヒートシンク部２２５のキャップ材料は、熱的な不利益が最小の誘電材料で構成すればよい。
【００２４】
スライダアセンブリ１０１はまた、熱をさらに拡散させるため熱拡散体２２１を含み得る。熱拡散体は２２１は、相対的に軟質で熱伝導性を有する金属（たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、およびその合金）で形成される。熱拡散体２２１は、媒体対向面１０８から間隔を置いて配置され、書込極２０６の、ＮＦＴ１１２と同じ側に対向する。熱拡散体は、チップ部２２４近傍のＮＦＴ１１２と重なっており、ＮＦＴヒートシンク２１８の一部に接触していてもよい。
【００２５】
次に図３を参照して、ある実施の形態に従う媒体対向面１０８の平面図は、ヒートシンク部２２３、２２５の詳細を示す。第１のヒートシンク部２２３は、媒体対向面１０８から間隔を置いて配置されており、そのため隠れ線で示されている。第２のヒートシンク部／キャップ２２５は、媒体対向面１０８で露出しており、そのため実線で示されている。導波路２１０、書込極のチップ部２２４、および戻り極３０２の一部それぞれの端部も、媒体対向面１０８で露出していることが示されている。導波路２１０は、媒体対向面１０８から離れた場所で終端されていてもよく、そのため図に示されるように露出していなくてもよいことに留意すべきである。
【００２６】
図３の図は、第１のヒートシンク部２２３および第２のヒートシンク部２２５が、チップ部２２４からクロストラック方向（正および負のｘ方向）において外側に延在していることを示している。また、第１のヒートシンク部２２３は、クロストラック方向において第２のヒートシンク部２２５よりもさらに外側に延在していることがわかる。第１のヒートシンク部２２３および第２のヒートシンク部２２５は、チップ部２２４の３つの側面を囲んでいる。近接場トランスデューサ１１２は、チップ部２２４の、これら側面と異なる第４の側面に対向している。
【００２７】
この図では第２のキャップ部３０４も見える。第２のキャップ部３０４は、第２のヒートシンク部／キャップ２２５と異なる材料から作られても同一の材料から作られてもよい。後者の場合、キャップ部３０４は、第２のヒートシンク部／キャップ２２５と一体であるとみなされてもよい。一般的に、第２のキャップ部３０４は、摩擦（burnish）、腐食、摩剥、および摩耗のうちの少なくとも１つに対して耐性を有するように選択され、また、ＮＦＴ１１２が加熱されるときに、媒体対向面から外側に延在するように構成されてもよい。第２のキャップ部３０４により、戻り極３０２に向かって熱を拡散させ易くなる。
【００２８】
図４および図５を参照して、斜視図は実施の形態に従う第１のヒートシンク部２２３の局面を示す。これらの図では、明確にするために、第２のヒートシンク部２２５は削除されている。第１のヒートシンク部２２３の相対的に小さい部分４０１が、書込極のチップ部２２４を囲んでいる。この部分４０１は、媒体対向面１０８から、空間距離４０４（図４に示されている）だけ間隔を置いて配置される。以下の解析の一部では、この空間距離４０４がゼロに設定され、たとえば第１のヒートシンク部２２３の一部が媒体対向面１０８で露出する。
【００２９】
第１のヒートシンク部２２３の大半が、磁気書込極２０６に結合されたヨーク４０２に少なくとも部分的に沿って延在していてもよい。ヨーク４０２は、媒体対向面１０８から離れるように延在しており、書込極２０６を、書込トランスデューサの一部である、戻り極とコイル（図示せず）に結合する。第１のヒートシンク部２２３により、ヨーク４０２に向かって内側に熱を拡散させ易くなる。第１のヒートシンク部２２３は、クロストラック方向にも熱を拡散させ、これによってＮＦＴ１１２での熱の集中が減少する。
【００３０】
図６において、斜視図はある実施の形態に従う第２のヒートシンク部２２５の局面を示す。ＺｒＡｕ（またはその他の合金）シード層を第１のヒートシンク部２２３の上に積層してもよい。このような場合、第２のヒートシンク部２２５はシード層の上に形成される。第２のヒートシンク部２２５の上に積層された第２のキャップ部３０４も示されている。第２のヒートシンク部２２５も第２のキャップ部３０４も、媒体対向面１０８で露出している（たとえば媒体対向面１０８まで延在する、媒体対向面１０８と同一面にある）。
【００３１】
上記のように、ＮＦＴ１１２は、ＨＡＭＲ媒体へのレーザエネルギーの伝達の副産物として発生する熱の発生源である。したがって、熱伝導率が最も高い材料として、第１のヒートシンク部２２３を、ＮＦＴ１１２に出来るだけ近付けつつ第２のヒートシンク部２２５で保護して配置することが望ましい。第１のヒートシンク部２２３の高い熱伝導率と第２のヒートシンク部２２５の機械的堅牢性を組合わせることにより、ヒートシンクが１つの材料からなる場合と比較して、性能および信頼性を高めることができる。
【００３２】
図７において、破断斜視図は、ある実施の形態に従うＮＦＴ１１２およびその周囲の構成要素を拡大したものを示す。先に述べたように、ヒートシンク２１８はＮＦＴ１１２と書込極のチップ部２２４の間に配置される。この図からわかるように、ＮＦＴ１１２は、円形のディスク部７０２と、媒体対向面１０８まで延びるペグ７０４とを含む。第２のヒートシンク部２２５は、書込極のチップ部２２４およびＮＦＴ１１２のペグ７０４とともに、媒体対向面１０８で露出している。第１のヒートシンク部２２３は、ＮＦＴ１１２およびそれに関連するヒートシンク２１８の直上にあり、ｘｙ面で見たときにＮＦＴのディスク７０２の少なくとも半分と重なっていてもよい。熱拡散体２２１は、媒体対向面１０８から間隔を置いて、書込極２２４の側面に沿って媒体対向面１０８から離れる方向に延在していることがわかる。熱拡散体２２１は、ＮＦＴ１１２からの熱の吸収を減らし、ＮＦＴ１１２からの熱の伝導を増す。
【００３３】
図８において、平面図は、ＮＦＴ１１２のディスク７０２と熱拡散体２２１の重なりを示す。熱拡散体２２１はＮＦＴのヒートシンク２１８との界面を有し、界面の端８０２に沿ってＮＦＴ１１２と重なる（たとえばｚ方向においてオフセットされている）。この図からわかるように、熱拡散体２２１はディスク７０２の約半分と重なっている。本明細書における例をこの重なりの量に限定する必要はない。一般的に、最適の重なり量は、ＮＦＴ１１２の大きさ、書込極のチップ部２２４の大きさ／材料といった多数の要因に応じて決まるであろう。
【００３４】
図９を参照して、表は実施の形態に従うヒートシンク構成の熱解析結果を示す。設計の個々のバリエーションが行９１１〜９２２に示されており、行９１１の構成は、行９１２〜９２２のその他の変種の比較対象である現行のベースラインを示す。ベースライン９１１の構成は、上記第２のヒートシンク部と同様のプロファイルを媒体対向面で有するＣｒのヒートシンクを使用するが、Ｃｒのヒートシンクは、上記第１のヒートシンク部におけるような熱伝導率が高い材料なしで、書込極のチップ部を囲む。
【００３５】
行９１２〜９２１の構成は、同様の外形を有する異なる材料からなる２つの部分で構成されたヒートシンクを使用しており、第１の部分は媒体対向面から間隔を置いて配置され熱伝導率が高い材料（上記例ではＡｕ）で形成される。媒体対向面で露出する第２のヒートシンク部に使用される材料は、列９０２に示されるように相対的に硬質の材料である。比較のために、行９２２の例では第２のヒートシンク部もＡｕである。
【００３６】
列９００は、ＺｒＮシードが使用されたか否かを示し、使用されていればその厚みを示す。とりわけＺｒ、ＺｒＮ、ＺｒＡｕ、およびＣｒをシード材料として使用し得ることに留意すべきである。列９０１は、第１のヒートシンク部のＡｕの領域が媒体対向面まで延在しているか否かを示し、そうであればその厚みを示す。列９０３および９０４は、周囲温度に対するＮＦＴのペグの温度上昇を、度数Ｋおよびベースラインに対する百分率改善度で示している。列９０５および９０６は、周囲温度に対する書込極のチップ部の温度上昇を、度数Ｋおよびベースラインに対する百分率改善度で示している。
【００３７】
図９の表は概ね、Ａｕを媒体対向面で露出させると熱的に最良の結果が得られることを示している。その理由の１つとして、Ａｕは、反射性が高いので、Ｃｒおよび／またはＴａ等の第２のヒートシンク材料に光が入射した場合と比較して、加熱され難いことが挙げられる。しかしながら、先に述べたように、大量のＡｕを媒体対向面で露出させることにはリスクが伴うので、長期にわたる信頼性のためには、たとえ温度が幾分高くてもＡｕを露出させない構成が望ましいであろう。
【００３８】
図１０を参照して、フローチャートは、ある実施の形態に従うヒートシンクの形成方法を示す。この方法は媒体対向面に近接する近接場トランスデューサを形成すること１０００を含む。任意で近接場トランスデューサに近接しているが媒体対向面から間隔を置いて配置される熱拡散体を形成してもよい１００１。媒体対向面において近接場トランスデューサに近接するチップ部を有する磁気書込極を形成する１００２。第１のヒートシンク部を、近接場トランスデューサと反対側のチップ部の第１の側面に沿って形成する１００４。第１のヒートシンク部は、相対的に軟質の熱伝導性金属（たとえばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、および／またはその合金）を含み、媒体対向面から間隔を置いて配置される。任意で第１のヒートシンク部の上にシード層を形成してもよい１００６。第２のヒートシンク部を、チップ部の第１の側面に沿って媒体対向面と第１のヒートシンク部の間に形成する１００８。第２のヒートシンク部は、Ｃｒおよび／またはＴａ等の相対的に硬質の金属を含む。
【００３９】
特に指定がなければ、本明細書および請求項で使用される、特徴の大きさ、量、および物理的特性を表わすすべての数字は、すべての例において「約」という用語で修飾されるものとして理解されるはずである。したがって、それに反する指定がない限り、上記明細書および下記請求項の数値パラメータは、本明細書で開示されている教示を利用して当業者が得ようとする所望の特性に応じて変化し得る概数である。端点による数値範囲が用いられている場合は、その範囲内のすべての数（たとえば１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、および５を含む）およびこの範囲に含まれる任意の範囲内のすべての数を含む。
【００４０】
実施の形態に関するこれまでの記載は、例示と説明を目的としている。網羅することも発明の概念を開示された形態そのものに限定することも意図していない。上記教示に照らして多くの変形および変更が可能である。開示された実施の形態のうちの任意のまたはすべての特徴を個々にまたは組合わせて適用することができるが、それは限定を意味するのではなく専ら例示を意味している。範囲は上記詳細な説明によって限定されるのではなく以下の請求項によって定められることが意図されている。
【図１】
0005897672.tif 000002
【図３】
0005897672.tif 000003
【図４】
0005897672.tif 000004
【図５】
0005897672.tif 000005
【図６】
0005897672.tif 000006
【図７】
0005897672.tif 000007
【図８】
0005897672.tif 000008
【図９】
0005897672.tif 000009
【図１０】
0005897672.tif 000010
【図２】
0005897672.tif 000011