(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナの結晶粒子と粒界相とを有し、アルミナ１００質量％に対して、ＳｉをＳｉＯ２換算で３．０〜５．０質量％、ＭｇをＭｇＯ換算で０．３〜０．５質量％、ＣａをＣａＯ換算で０．２〜０．４質量％、ＣｒをＣｒ２Ｏ３換算で３．０〜６．０質量％含有するとともに、前記Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを除く他の元素の合計の含有量が０．１質量％以下であることを特徴とするアルミナ質セラミックス。
【請求項２】
前記他の元素の合計の含有量が０．０５質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のアルミナ質セラミックス。
【請求項３】
複数の絶縁層が積層された絶縁基体と、該絶縁基体の表面または内部に設けられたＭｏまたはＷの少なくとも１種の金属成分を含む導体層とを有し、前記絶縁層が請求項１または２に記載のアルミナ質セラミックスにより形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記導体層がアルミナを含有するとともに、該導体層中に含まれる前記金属成分の含有量が８０〜９５体積％、前記アルミナの含有量が５〜２０体積％であることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、寸法精度の要求される基板および半導体素子収納用パッケージ等に適したアルミナ質セラミック基板と、そのアルミナ質セラミック基板を適用した配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば、半導体素子や水晶振動子等の電子部品を収納するパッケージに使用される多層配線基板として、高密度の配線設計が可能なセラミック配線基板が多用されている。
【０００３】
この種の多層セラミック配線基板は、アルミナやガラスセラミックなどの絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ、Ｃｕ、Ａｇ等を主成分とする配線導体とから構成されるものである。
【０００４】
近年、高集積化が進むＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を搭載する半導体素子収納用パッケージや、各種電子部品が搭載される混成集積回路装置等に適用されるセラミック配線基板においては、高密度化、低抵抗化、小型軽量化が要求されており、アルミナ系セラミック材料に関しても、配線導体の低抵抗化に対応した手法として、Ｃｕ系導体を同時焼成にて得られる低抵抗導体アルミナ配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このようなセラミック配線基板を形成する手法としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｍｏ等の金属粉末を主成分とする導体ペーストを、スクリーン印刷法等によってセラミックグリーンシート上に形成し、複数枚積層した後に、同時焼成する方法が一般的である。
【０００６】
しかし、上記した製法では、セラミックグリーンシートが焼成時にＸ、Ｙ、Ｚ方向にそれぞれ１０〜２０％程度収縮するため、収縮率を制御し、高い寸法精度を有するセラミックス製の配線基板を得ることが困難となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１２−１１４７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って本発明は、焼成後において、寸法精度の高いアルミナ質セラミックスと、それを絶縁基板とする配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のアルミナ質セラミックスは、アルミナの結晶粒子と粒界相とを有し、アルミナ１００質量％に対して、ＳｉをＳｉＯ２換算で３．０〜５．０質量％、ＭｇをＭｇＯ換算で０．３〜０．５質量％、ＣａをＣａＯ換算で０．２〜０．４質量％、ＣｒをＣｒ２Ｏ３換算で３．０〜６．０質量％含有するとともに、前記Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを除く他の元素の合計の含有量が０．１質量％以下であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の配線基板は、複数の絶縁層が積層された絶縁基体と、該絶縁基体の表面または内部に設けられたＭｏまたはＷの少なくとも１種の金属成分を含む導体層とを有し、前記
絶縁層が上記のアルミナ質セラミックスにより形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、焼成後において、寸法精度の高いアルミナ質セラミックスと、それを絶縁基板とする配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態のアルミナ質セラミックスとなる成形体を加熱したときの収縮挙動を示すグラフである。
【図２】本発明の配線基板の一実施形態を示す断面模式図である。
【図３】配線基板の寸法精度を求めるときの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本実施形態のアルミナ質セラミックスは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の結晶粒子と粒界相とを有している。その基板を構成するアルミナ質セラミックスの組成は、アルミナ１００質量％に対して、Ｓｉ（珪素）をＳｉＯ２換算で３．０〜５．０質量％、Ｍｇ（マグネシウム）をＭｇＯ換算で０．３〜０．５質量％、Ｃａ（カルシウム）をＣａＯ換算で０．２〜０．４質量％、Ｃｒ（クロム）をＣｒ２Ｏ３換算で３．０〜６．０質量％である。また、これらＳｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを除き、不可避不純物を含めた他の元素の合計の含有量が０．１質量％以下である。
【００１４】
図１は、本実施形態のアルミナ質セラミックスとなる成形体を加熱したときの収縮挙動を示すグラフである。図１に示す収縮率（％）は、焼成後のアルミナ質セラミックスの寸法を焼成前の生の成形体の寸法で除したものを％表示したものである。図１のグラフに示した３つの曲線は、後述する実施例における試料の例を示したものであるが、図１に示しているグラフの試料Ｎｏ．１、試料Ｎｏ．３および試料Ｎｏ．４は、それぞれアルミナに対するＳｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒの含有量が異なるものである。
【００１５】
図１からわかるように、試料１は、他の試料である試料Ｎｏ．３および試料Ｎｏ．４に比較して、１５５０〜１６００℃の温度領域における収縮量が小さくなっており、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒ等の添加成分の組成によって、アルミナ質セラミックスの焼成収縮挙動が大きく異なることがわかる。
【００１６】
本実施形態のアルミナ質セラミックスは、アルミナを質量比で８８質量％以上含まれ、通常、１５５０〜１６００℃の温度で焼成されて得られるものである。
【００１７】
通常、アルミナの含有比率の高いセラミックスを緻密な焼結体にするには、様々な焼結助剤を添加する必要があるが、上述のように、焼結助剤の組成や添加量によっては、アルミナ質セラミックスの元となる成形体が焼結して緻密化する、例えば、上記の１５５０〜１６００℃の温度範囲においても、依然として、わずかな収縮が起こってしまう（図１の試料３、４）。
【００１８】
本実施形態のアルミナ質セラミックスは、アルミナに対して、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを所定の組成範囲とし、さらに、アルミナの結晶粒子中へのＣｒの固溶量を規定するとともに、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを除き、不可避不純物を含めた他の元素の合計の含有量を０．１質量％以下にしている。これにより、アルミナ質セラミックスが緻密化する１５５０〜１６００℃の温度範囲における収縮量を小さくすることができる。その結果、アルミナ質セラミックスを同時に多数個焼成した場合にも、焼結後のアルミナ質セラミックスは収縮量のばらつきが小さいものとなり、寸法精度を高くすることができる。
【００１９】
これに対し、アルミナ１００質量％に対する、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒのそれぞれの含有量が、ＳｉＯ２換算で３．０〜５．０質量％、ＭｇＯ換算で０．３〜０．５質量％、ＣａＯ換算で０．２〜０．４質量％およびＣｒ２Ｏ３換算で３．０〜６．０質量％の組成の範囲からはずれるか、または、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒを除き、不可避不純物を含めた他の元素の合計の含有量が０．１質量％より多くなった場合には、焼結後のアルミナ質セラミックスは収縮量のばらつきが大きくなり、寸法精度が低下する。また、組成によっては誘電損失が大きくなる場合もある。
【００２０】
なお、本実施形態のアルミナ質セラミックスを構成するアルミナの結晶粒子には、Ｃｒが固溶しており、その含有量はＣｒ２Ｏ３換算で３．０〜４．０質量％である。この場合、アルミナの結晶粒子中にＣｒが上記のような組成範囲で固溶することにより、Ｃｒ以外の添加成分であるＳｉ、Ｍｇ、Ｃａのアルミナの結晶粒子への固溶を抑制でき、これによりアルミナの結晶粒子の粒成長が抑制される。
【００２１】
そのため、Ｃｒ以外の添加成分であるＳｉ、Ｍｇ、Ｃａは、いずれも酸化物の状態で化合し、ガラスとなり、主として、アルミナの結晶粒子の粒界相に存在しており、その結果、アルミナの結晶粒子同士がネック成長する固相焼結ではなくガラスによる液相焼結により緻密化する。
【００２２】
通常、ガラスが介在した液相焼結によってもアルミナの結晶粒子の粒成長は進むが、本実施形態のアルミナ質セラミックスの場合には、Ｓｉ、Ｍｇ、ＣａおよびＣｒの含有量を所定の範囲とし、これ以外の成分がほとんど含まれない組成としているために、１５５０〜１６００℃の温度領域において、Ｓｉ、ＭｇおよびＣａにより構成されるガラスの他の成分との共融が起こりにくい。こうしてガラスによるアルミナの結晶粒子の粒成長が抑制されるのである。この場合、不可避不純物を含めた他の元素の合計の含有量が０．０５質量％以下であることが望ましい。
【００２３】
こうして得られるアルミナ質セラミックスでは、アルミナの結晶粒子の粒径は５〜２０μｍの範囲にあるのがよく、また、吸水率が０．２％以下であるのがよい。
【００２４】
また、このアルミナ質セラミックスは、比誘電率が９．５〜９．７でありながら、誘電正接が３×１０−４以下である。
【００２５】
図２は、本発明の配線基板の一実施形態を示す断面模式図である。図１に示す配線基板は、複数の絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃおよび１ｄ（以下、１ａ〜１ｄと記す場合がある。）が積層された絶縁基体１と、絶縁基体１の表面または内部に導体層３（ビアホール導体も含む）を有し、絶縁基体１が上記のアルミナ質セラミックスにより形成されている。また、導体層３はＭｏまたはＷの少なくとも１種の金属成分を主成分として含むものである。絶縁基体１が上述したアルミナ質セラミックスにより形成されているために、絶縁基体１をＭｏまたはＷの少なくとも１種の金属成分を含む導体層３とともに同時焼成した場合においても、焼結後の絶縁基体１の収縮量のばらつきが小さくなり、高い寸法精度を有する配線基板を得ることができる。
【００２６】
また、本実施形態の配線基板では、導体層３がアルミナを含有するとともに、導体層３中に含まれるＭｏまたはＷの少なくとも１種の金属成分の含有量が８０〜９５体積％、アルミナの含有量が５〜２０体積％であることが望ましい。導体層３が上記構成であると、上述したアルミナ質セラミックスを適用した絶縁基体１との同時焼成して得られた配線基板において、絶縁基体１の表面に形成した導体層３の接着強度をさらに高めることができる。
【００２７】
ここで、絶縁基体１であるアルミナ質セラミックスに含まれるＳｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｒの含有量は、絶縁基体１を酸に溶解させ、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ  ｃｏｕｐｌeｄ  ｐｌaｓｍa）分析により求めることができ、この場合、アルミナ１００質量％に対
して、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＣｒ２Ｏ３のように、それぞれの元素を酸化物換算した値として求める。
【００２８】
絶縁基体１の吸水率は、配線基板から切り出した絶縁基体１の切断片を用いてアルキメデス法により求める。
【００２９】
配線基板の表面に形成した導体層３の接着強度は、配線基板を所定の形状になるように切り出し、導体層３上に形成されためっき膜の表面に銀ロウを用いて金具を接合し、金具を引き剥がす際の引き剥がし荷重を測定し、得られた荷重の値を接着強度とすることにより求める。
【００３０】
アルミナ質セラミックスまたは配線基板１の寸法精度は次のように求める。図３は、配線基板の寸法精度を求めるときの一例を示す模式図である。この場合、配線基板の平面図を示している。まず、焼成後のアルミナ質セラミックスまたは配線基板の表面に所定の間隔で配置された、例えば、導体層３について、配線基板のお互いに垂直な２つの方向（図３では、Ｘの間隔の方向、Ｙの間隔の方向）を指定し、これらの間隔の少なくとも一方の間隔を寸法測定装置を用いて位置を測定する。この測定を例えば、５０個の試料について行うことにより、その寸法の平均値（ｘ）と標準偏差（σ）を求め、標準偏差（σ）／平均値（ｘ）から寸法のばらつきを求め、そのばらつきを寸法精度の値とする。
【００３１】
アルミナの結晶粒子の粒径は、配線基板から切り出した絶縁基体の部分を研磨し、試料表面のガラス成分をエッチングにより除去した後、走査型電子顕微鏡を用いて結晶組織の写真を撮り、その写真上に約５０個入る円を描き、円内および円周にかかった結晶粒子を選択し、次いで、各結晶粒子の輪郭を画像処理して、各結晶粒子の面積を求め、同じ面積をもつ円に置き換えたときの直径を算出して粒径を求める。
【００３２】
アルミナの結晶粒子に固溶しているＣｒの含有量は、配線基板から切り出した絶縁基体の試料片をミクロトーム、電解研磨法、イオンエッチング法、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法などにより薄膜試料片へ加工を行った後、薄膜試料片に透過型電子顕微鏡およびＥＤＳ分析装置を用いて求める。具体的には、結晶粒子の粒界が一視野の中に一箇所確認できるまで電子顕微鏡像を拡大し、結晶粒子の粒界から内側に少なくとも０．２μｍ以上離れた部位を結晶粒子の内部と定義し、その部位においてＥＤＳ分析を実施し、結晶粒子中に固溶しているＣｒ元素を確認する。次に、ＥＤＳ分析値から定量的にＣｒ元素の組成比を質量％として求め、同様の測定を１０箇所に対して実施し、各測定位置で得られた組成比を平均化して、アルミナの結晶粒子に含まれるＣｒの含有量を求める。
【００３３】
なお、本実施形態のアルミナ質セラミックスを構成しているＳｉ、Ｍｇ、Ｃａを含む添加成分で構成されるガラスは、絶縁基体を定量分析した組成と同じ組成の酸化物粉末を１２００〜１３００℃の温度範囲にて平行板回転法により測定した粘度が１×１０６〜１×１０８ポイズであるのがよい。このような粘度特性を示す組成のガラスは、１２００℃〜１３００℃の温度でガラスが低粘度化していくことに伴い、アルミナの焼結を進行させるが、１５００℃以上の温度において粘度低下が小さくなるためである。なお、アルミナ質セラミックスの粒界相におけるガラス成分の特定および組成の定量は、アルミナへ固溶しているＣｒの固溶比と同様に、配線基板から切り出した絶縁基体の試料片をミクロトーム、イオンエッチング法、ＦＩＢ法などにより薄膜試料片へ加工を行った後、薄膜試料片に透過型電子顕微鏡及びＥＤＳ分析装置を用いて求める。
【００３４】
次に、本実施形態のアルミナ質セラミックスおよびそれを用いた配線基板の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、絶縁基体１となるアルミナ質セラミックスを作製するために、アルミナ粉末として純度が９９％以上、平均粒径が１．０〜１０．０μｍのものを用いる。アルミナ粉末の平均粒径を１．０μｍ以上とすることでシート成形性を良好なものとし、１０．０μｍ以下とすることで１６２０℃以下の温度での焼成によって緻密化を促進させることが可能となる。
【００３６】
次に、アルミナ粉末１００質量％に対して、ＳｉＯ２粉末を３．０〜５．０質量％、ＭｇＯ粉末を０．３〜０．５質量％、ＣａＯ粉末を０．２〜０．４質量％およびＣｒ２Ｏ３粉末を３．０〜６．０質量％添加して混合粉末を調製する。この場合、添加剤として用いるＳｉＯ２粉末は平均粒径が１．０〜５．０μｍ、ＭｇＯ粉末は平均粒径が１．０〜５．０μｍ、ＣａＯ粉末は平均粒径が１．０〜５．０μｍ及びＣｒ２Ｏ３粉末は平均粒径が１．０〜５．０μｍであるものを用いるのがよい。また、ＳｉＯ２粉末、ＭｇＯ粉末、ＣａＯ粉末及びＣｒ２Ｏ３粉末の純度はともに９９％以上であるものがよい。これにより、シート成形性を良好なものとし、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ及びＣｒの拡散やアルミナ粉末への固溶を制御することが可能となり、しかも１５８０〜１６２０℃の温度での焼結性を高めることができる。
【００３７】
この場合、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃａ及びＣｒは、上記の酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等として添加しても良い。
【００３８】
次に、この複合粉末に対して有機バインダー、溶媒を添加してセラミックスラリーを調製した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法などの成形方法によって所定の厚みのグリーンシートを作製する。なおグリーンシートの厚みはセラミック多層配線基板１の設計上の理由により、たとえば５０〜３００μｍまで自由に設定することができるが、特に限定されるものではない。
【００３９】
次に、作製したセラミックグリーンシートのうち、最上層に積層するセラミックグリーンシートの表面に、例えば、図３に示すような導体パターンを印刷し、導体パターンを印刷していない他のセラミックグリーンシートを複数枚重ねて、プレスを行って、積層成形体を作製する。
【００４０】
次に、この積層成形体を所定の温度条件にて焼成を行う。焼成条件は、非酸化性雰囲気（窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気）中、最高温度を１５８０〜１６２０℃とする。
【００４１】
配線基板を作製する場合には、セラミックグリーンシートの表面に所定の形状に設計された導体パターンを上記と同様に印刷により形成し、場合によっては、マイクロドリル、レーザー等により、ビア導体となる直径５０〜２５０μｍの貫通孔を形成する。
【００４２】
次に、導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを位置合わせして積層し、積層成形体を形成した後、上記と同様の条件にて焼成する。
以上述べた方法により作製されたアルミナ質セラミックスおよびそれを絶縁基体１とする配線基板は寸法精度の高いものとなる。
【実施例】
【００４３】
純度が９９％で平均粒子径が１．８μｍのＡｌ２Ｏ３粉末に対して、純度が９９％で平均粒子径が２．０μｍのＳｉＯ２粉末、純度が９９％以上で平均粒子径が２．０μｍのＭ
ｇＯ粉末、純度が９９％で平均粒子径が２．０μｍのＣａＯ粉末、純度が９９％で平均粒子径が２．０μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、純度が９９％で平均粒子径が１．５μｍのＴｉＯ２粉末を表１に示すような割合で混合した後、さらに成形用有機樹脂（有機バインダー）としてアクリル系バインダーと、有機溶媒としてトルエンとを混合してセラミックスラリーを調製した後、ドクターブレード法にて厚さ２００μｍのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製した。
【００４４】
次に、得られたセラミックグリーンシートのうち、最上層に積層するセラミックグリーンシートの表面に、図３に示す導体パターンを印刷し、導体パターンを印刷していない他のセラミックグリーンシートを１４枚重ねて、プレス成形を行い積層成形体を作製した。この場合、導体層の接着強度の測定用に２．４ｍｍ×２８ｍｍの矩形状の導体パターンが１０個配置されているものを用いた。
【００４５】
次に、この積層成形体を下記の条件にて焼成してアルミナ質セラミックスの基板を得た。焼成は露点が＋１７．５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、昇温速度１５０℃／ｈｒで１０００℃から１６００℃まで昇温し、１６００℃にて１時間保持した後、冷却速度１００℃／時で室温まで冷却するという条件とした。
【００４６】
次に、作製したアルミナ質セラミックスおよび配線基板について、下記の評価を行った。
【００４７】
吸水率は、ＪＩＳ−Ｃ２１４１に基づき測定した。試料数は３個とし平均値を求めた。
【００４８】
比誘電率および誘電正接（ｔａｎδ）は、ブリッジ回路法を用いて周波数１ＭＨｚにおいて測定した。試料数は５個とし平均値を求めた。
【００４９】
アルミナの結晶粒子に固溶しているＣｒの含有量は、配線基板から切り出した絶縁基体の試料片をミクロトーム、電解研磨法、イオンエッチング法、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により薄膜試料片へ加工を行った後、薄膜試料片に透過型電子顕微鏡およびＥＤＳ分析装置を用いて求めた。この場合、結晶粒子の粒界が一視野の中に一箇所確認できるまで電子顕微鏡像を拡大し、結晶粒子の粒界から内側に少なくとも０．２μｍ以上離れた部位を結晶粒子の内部と定義し、その部位においてＥＤＳ分析を実施し、結晶粒子中に固溶しているＣｒ元素を確認した。次に、ＥＤＳ分析値から定量的にＣｒ元素の組成比を質量％として求め、同様の測定を１０箇所に対して実施し、各測定位置で得られた組成比を平均化して、アルミナの結晶粒子に含まれるＣｒの含有量を求めた。試料数は１個とし、平均値を求めた。
【００５０】
アルミナ質セラミックスに含まれるＳｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｒの含有量は、絶縁基体を酸に溶解させ、ＩＣＰ分析により求めることができ、この場合、アルミナ１００質量％に対して、ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＣｒ２Ｏ３に換算した値として求めた。焼結体の組成は表１の調合組成に一致していた。試料数は１個とした。
【００５１】
作製したアルミナ質セラミックスの基板の寸法精度は、平面の面積が３０ｍｍ×３０ｍｍの基板を用い、図３に示した、Ｘの間隔およびＹの間隔を、寸法測定装置を用いて測定した。この測定は５０個の試料について行い、その寸法の平均値（ｘ）と標準偏差（σ）から、標準偏差（σ）／平均値（ｘ）として寸法のばらつきを求めた。これを寸法精度の値とした。
【００５２】
絶縁基体に対する導体層の接着強度は、配線基板の表面に形成れた２ｍｍ×２５ｍｍの導体配線に、無電解Ｎｉめっきを施した後、銀ロウを用いて金具を接合し、金具を引き剥
がす際の引き剥がし荷重を測定した。引き剥がし荷重が４．９ｋｇｆ以上の場合、メタライズの接着強度が高いと判定し、引き剥がし荷重が４．９ｋｇｆよりも低い場合、メタライズの接着強度が低いと判定した。この評価は１０個の導体層について測定し平均値を求めた。これらの結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
0005840993.tif 000002
【００５４】
表１の結果から明らかなように、試料（試料Ｎｏ．１、６、７、１０、１１、１４、１５、１８、１９および２１〜２５）では、寸法精度が０．０３％以下であった。
【００５５】
また、これらの試料は吸水率が０．０２％、比誘電率が９．５〜９．７、誘電正接が３
×１０−４であった。
【００５６】
ＴｉＯ２の含有量が０．１質量％よりも少ない試料（試料Ｎｏ．１、６、７、１０、１１、１４、１５、１８、１９および２１〜２４）では、いずれの試料も寸法精度が０．０２％であった。また、このうち導体層の金属成分（Ｗ）の組成を８０〜９５体積％とした試料（試料Ｎｏ．１、６、７、１０、１１、１４、１５、１８、１９、２１および２２）では、導体層の接着強度が４．９ｋｇｆ以上であった。
【００５７】
なお、ＴｉＯ２の代わりに、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、および希土類元素（ＲＥ）を試料Ｎｏ．２５と同じモル量だけ添加して作製したアルミナ質セラミックスについても試料Ｎｏ．２５と同様の結果となった。
【００５８】
さらに、表１では、導体層の金属成分がＷの場合を例示したが、Ｗの代わりにＭｏを同じ組成で適用した場合にも同様の結果が得られた。
【００５９】
これに対し、試料Ｎｏ．２〜５、８、９、１２、１３，１６、１７および２０では、寸法精度がいずれも０．０３％よりも大きかった。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・・・・・・・・・・・・絶縁基体
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ・・・・絶縁層
３・・・・・・・・・・・・・・導体層
【図１】
0005840993.tif 000003
【図２】
0005840993.tif 000004
【図３】
0005840993.tif 000005