(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された基板の外周部に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、
塗布液を供給する塗布ノズルを、基板最外周部のパターンのショットの外側に沿って走査させながら、前記塗布ノズルから基板に対して塗布液を供給し、
温風の供給又は光の照射のいずれかを行うヒータを、前記塗布ノズルの走査の軌跡に沿って移動させて、前記基板上の塗布液の乾燥を行い、
前記ヒータに隣接して設けられた、前記ヒータ周辺の雰囲気を排気する排気ノズルによって、前記塗布液からの揮発分を排気することを特徴とする、塗布処理方法。
【請求項２】
前記基板におけるパターンのショットが形成された面を撮像し、
当該撮像された画像から基板上のパターンのショットの配置を求め、
前記パターンのショットの配置に基づいて、前記塗布ノズルを走査させることを特徴とする、請求項１に記載の塗布処理方法。
【請求項３】
前記塗布ノズルの走査は、基板を静止させた状態で行うことを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項４】
基板のエッジ部に塗布液が供給されないように、前記基板のエッジ部に対面する位置では、前記塗布ノズルからの塗布液の供給を停止することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項５】
前記塗布ノズルは、インクジェットノズルであることを特徴する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項６】
前記インクジェットノズルはノズルヘッドに複数配置され、
前記塗布液の供給は、前記インクジェットノズルからの塗布液の供給を、個別に制御しながら行われることを特徴とする、請求項５に記載の塗布処理方法。
【請求項７】
前記塗布ノズルは、キャピラリーノズルであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるために、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１０】
パターンが形成された基板の外周部に塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
塗布液を供給する塗布ノズルと、
前記塗布ノズルを基板に対して相対的に移動させるノズル移動機構と、
前記塗布ノズルを、基板最外周部のパターンのショットの外側に沿って移動させながら、前記塗布ノズルから基板に対して塗布液を供給するように当該塗布ノズル及び前記ノズル移動機構を制御する制御機構と、
温風の供給又は光の照射のいずれかを行うヒータと、
前記ヒータを基板に対して相対的に移動させるヒータ移動機構と、
前記ヒータに隣接して設けられた、前記ヒータ周辺の雰囲気を排気する排気ノズルを有し、
前記制御機構は、前記ヒータを前記塗布ノズルの走査の軌跡に沿って移動させるように前記ヒータ移動機構を制御することを特徴とする、塗布処理装置。
【請求項１１】
前記制御機構は、予め撮像された、前記基板におけるパターンのショットが形成された面の画像から基板上のパターンのショットの配置を求め、前記パターンのショットの配置に基づいて、前記塗布ノズルを移動させることを特徴とする、請求項１０に記載の塗布処理装置。
【請求項１２】
前記塗布ノズルは、インクジェットノズルであることを特徴とする、請求項１０または１１のいずれか一項に記載の塗布処理装置。
【請求項１３】
前記塗布ノズルは、キャピラリーノズルであることを特徴とする、請求項１０または１１のいずれか一項に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば基板の外周部に塗布液を塗布する塗布処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとしてエッチング処理などが施され、ウェハに所定のパターンが形成される。
【０００３】
このような、ウェハ処理においては、ウェハの外周縁部のみに塗布液を供給して塗布膜を形成し、ウェハ外周縁部を被覆する工程が用いられることがある。かかる工程においては、例えばレジスト液を供給するノズルをウェハ外周縁部に移動させ、その状態でウェハを回転させながら塗布液を供給する。それにより、例えば図１１に示すように、ウェハＷの外周縁部にリング状の塗布膜Ｐが形成される（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−６２４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、ウェハの全面にパターンのショットが形成される。ウェハの外周縁部に形成されたショット（以下、「無効ショット」という。）は製品化されることはないが、レジストなどにより例えばトレンチパターンなどが形成されている。そのため、当該トレンチパターンに異物が付着すると、後の工程においてこの異物が再飛散し、無効ショットよりも内側に形成された製品化されるショット（以下、「有効ショット」という。）を汚染するおそれがある。そのため、ウェハ全面にパターンのショットが形成された後に、上述したようなリング状の塗布膜により無効ショットを覆い、当該無効ショットに起因するウェハの汚染を防止することが好ましい。
【０００６】
しかしながら、例えば特許文献１に開示されるように、ウェハを回転させながら塗布液を供給してリング状の塗布膜を形成する場合、有効ショットを避けて塗布膜Ｐを形成しようとすると、例えば図１２に示すように、無効ショットＮ全体を覆うことができない。なお、図１２では、有効ショットＡの外側とウェハＷの外周端部との間の領域を無効ショットＮとして表示している。
【０００７】
また、無効ショットＮ全体を覆うように塗布膜Ｐを形成すると、図１３のように、塗布膜Ｐに部分的に覆われてしまう有効ショットＡｎが生じる。この場合、有効ショットＡｎは、製品として使用できなくなるため、生産性の観点から好ましくない。そのため、無効ショットＮだけを効率的に塗布膜で覆う技術が望まれている。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板の外周部に所望の形状の塗布膜を形成することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、パターンが形成された基板の外周部に塗布膜を形成する塗布処理方法であって、塗布液を供給する塗布ノズルを、基板最外周部のパターンのショットの外側に沿って走査させながら、前記塗布ノズルから基板に対して塗布液を供給し、温風の供給又は光の照射のいずれかを行うヒータを、前記塗布ノズルの走査の軌跡に沿って移動させて、前記基板上の塗布液の乾燥を行い、前記ヒータに隣接して設けられた、前記ヒータ周辺の雰囲気を排気する排気ノズルによって、前記塗布液からの揮発分を排気することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、塗布ノズルを基板最外周部のパターンのショットの外側に沿って走査させながら、塗布ノズルから基板に対して塗布液を供給するので、ショットの外側のみに塗布液が供給される。したがって、例えば有効ショットが塗布膜に覆われることがなく、且つ無効ショットには適切に塗布膜を形成することができる。
【００１１】
前記基板におけるパターンのショットが形成された面を撮像し、当該撮像された画像から基板上のパターンのショットの配置を求め、前記パターンのショットの配置に基づいて、前記塗布ノズルを走査させてもよい。
【００１２】
前記塗布ノズルの走査は、基板を静止させた状態で行ってもよい。
【００１３】
基板のエッジ部に塗布液が供給されないように、前記基板のエッジ部に対面する位置では、前記塗布ノズルからの塗布液の供給を停止すればよい。
【００１５】
前記塗布ノズルは、インクジェットノズルであってもよい。
【００１６】
前記インクジェットノズルはノズルヘッドに複数配置され、前記塗布液の供給は、前記インクジェットノズルからの塗布液の供給を、個別に制御しながら行ってもよい。
【００１７】
前記塗布ノズルは、キャピラリーノズルであってもよい。
【００１８】
別な観点による本発明によれば、前記塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるために、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００１９】
また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２０】
さらに別な観点による本発明は、パターンが形成された基板の外周部に塗布膜を形成する塗布処理装置であって、塗布液を供給する塗布ノズルと、前記塗布ノズルを基板に対して相対的に移動させるノズル移動機構と、前記塗布ノズルを、基板最外周部のパターンのショットの外側に沿って移動させながら、前記塗布ノズルから基板に対して塗布液を供給するように当該塗布ノズル及び前記ノズル移動機構を制御する制御機構と、温風の供給又は光の照射のいずれかを行うヒータと、前記ヒータを基板に対して相対的に移動させるヒータ移動機構と、前記ヒータに隣接して設けられた、前記ヒータ周辺の雰囲気を排気する排気ノズルを有し、前記制御機構は、前記ヒータを前記塗布ノズルの走査の軌跡に沿って移動させるように前記ヒータ移動機構を制御することを特徴としている。
【００２１】
前記制御機構は、予め撮像された、前記基板におけるパターンのショットが形成された面の画像から基板上のパターンのショットの配置を求め、前記パターンのショットの配置に基づいて、前記塗布ノズルを移動させてもよい。
【００２４】
前記塗布ノズルは、インクジェットノズルであってもよい。
【００２５】
前記塗布ノズルは、キャピラリーノズルであってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板の外周部に所望の形状の塗布膜を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図２】本実施の形態にかかる塗布処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図３】塗布ノズルを走査させている状態を示す説明図である。
【図４】塗布ノズルを個別に制御している状態を示す説明図である。
【図５】ウェハのエッジ部に塗布液が供給された状態を示す説明図である。
【図６】支持部材を塗布ノズルの軌跡に沿って移動させる状態を示す説明図である。
【図７】塗布液をヒータにより乾燥させている状態を示す説明図である。
【図８】無効ショットの全面に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【図９】ウェハの外周部近傍に環状に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【図１０】ウェハの外周部近傍に環状に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【図１１】ウェハの外周縁部に環状に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【図１２】ウェハの外周縁部に環状に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【図１３】ウェハの外周縁部に環状に塗布膜が形成された状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる、塗布処理装置１の構成の概略を示す縦断面図である。図２は、塗布処理装置１の構成の概略を示す横断面図である。
【００２９】
塗布処理装置１は、図１に示すように処理容器１０を有している。処理容器１０内の中心部には、ウェハＷの裏面を保持するウェハ保持機構２０が設けられている。ウェハ保持機構２０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウェハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウェハＷをウェハ保持機構２０上に吸着保持できる。
【００３０】
ウェハ保持機構２０には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構２１を有し、その昇降駆動機構２１によりウェハ保持機構２０は上下動可能になっている。
【００３１】
ウェハ保持機構２０の周囲には、例えば排気用のカップ２２が設けられている。カップ２２の下面には、カップ２２内の雰囲気を排気する排気管２３が接続されており、ウェハＷ近傍の雰囲気を排気管２３から適宜排気できる。
【００３２】
図２に示すようにカップ２２の両側には、Ｙ方向（図２の左右方向）に沿って平行に、２本のレール３０、３０がそれぞれ設けられている。レール３０、３０は、例えばカップ２２のＹ方向負方向（図２の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図２の右方向）側の外方まで延伸して設けられている。
【００３３】
レール３０、３０には、当該レール３０、３０を跨ぎ、レール３０、３０に直交するアーム３１が設けられている。アーム３１には、図１及び図２に示すようにウェハＷに塗布液を供給する塗布ノズル３２を複数有するノズルヘッド３３が設けられている。塗布ノズル３２は、例えばインクジェットノズルであり、各塗布ノズル３２には、図示しない塗布液供給源から塗布液が供給される。ノズルヘッド３３は、ノズル移動機構３４により、アーム３１に沿って移動自在に構成されている。なお、塗布液としては例えばレジスト液が用いられる。
【００３４】
また、アーム３１は、図２に示すアーム移動機構３５により、レール３０、３０に沿って移動自在である。これにより、アーム３１は、カップ２２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部３６からカップ２２内のウェハＷの上方まで移動できる。したがって、ノズルヘッド３３は、ノズル移動機構３４とアーム移動機構３５により、ウェハＷの表面上を、ＸＹ方向に自在に移動することができる。また、アーム３１は、アーム移動機構３５によって昇降自在であり、塗布ノズル３２の高さを調整できる。
【００３５】
また、レール３０、３０には、他のアーム４０が設けられている。他のアーム４０には、塗布ノズル３２からウェハＷに供給された塗布液を乾燥させるためのヒータ４１と、ヒータ４１周辺の雰囲気を排気するための排気ノズル４２とが支持部材４３を介して設けられている。ヒータ４１と排気ノズル４２とは、隣り合った位置に配置されている。ヒータ４１としては、例えばウェハＷに光を照射して加熱するランプヒータや、ウェハＷに温風を供給して加熱する温風ヒータなどを用いることができる。排気ノズル４２には、図示しない排気機構が接続されている。また、排気ノズル４２は、鉛直軸に対して斜めに傾けて設けられ、ヒータ４１の先端部近傍の雰囲気を効率的に排気できるように構成されている。
【００３６】
支持部材４３は、支持部材移動機構４４により、他のアーム４０に沿って移動自在に構成されている。また、他のアーム４０は、図２に示すアーム移動機構４５により、レール３０、３０に沿って移動自在である。これにより、支持部材４３は、支持部材移動機構４４とアーム移動機構４５により、ウェハＷの表面上を、ＸＹ方向に自在に移動することができる。また、他のアーム４０は、アーム移動機構４５によって昇降自在であり、ヒータ４１や排気ノズル４２の高さを調整できる。
【００３７】
また、処理容器１０の天井の下面であって、例えばウェハＷの中心部に対応する位置には、撮像装置５０がウェハＷに対向して設けられている。これにより、例えばノズルヘッド３３を待機部３６に退避させた状態で撮像装置５０により撮像することで、ウェハＷ全面の撮像画像を取得できる。
【００３８】
上述のウェハ保持機構２０の上下動作、ノズル移動機構３４及びアーム移動機構３５による塗布ノズル３２の移動動作、支持部材移動機構４４及びアーム移動機構４５によるヒータ４１及び排気ノズル４２の移動動作などの駆動系の動作は、制御機構としての制御部１００により制御されている。また、撮像装置５０により撮像されたウェハの画像も、制御部１００に入力される。制御部１００は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布処理装置１における塗布処理を実現できる。なお、塗布処理装置１における塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体Ｈに記憶されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１００にインストールされたものが用いられている。
【００３９】
次に、以上のように構成された塗布処理装置１で行われる塗布処理について説明する。
【００４０】
塗布処理を行うにあたり、先ずウェハＷが塗布処理装置１の処理容器１０内に図示しない搬送機構により搬入される。なお、本実施の形態におけるウェハＷには、予めパターンのショットＳ（有効ショット）が多数形成されている。塗布処理装置１に搬入されたウェハＷは、先ず、ウェハ保持機構２０に吸着保持される。この際、ウェハＷは、当該ウェハＷのノッチＫが所定の位置となるようにウェハ保持機構２０に受け渡される。なお、図２では、ノッチＫがＸ方向の負方向側に向いた状態を一例として示している。
【００４１】
続いて、撮像装置５０によりウェハＷの上面が撮像され、制御部１００にウェハＷの画像が入力される。次いで、制御部では、ウェハＷ上のショットＳの配置が認識される。なお、図２では、ウェハＷ上にショットＳのみを描図しているが、ウェハＷの最外周部のショットＳｎとウェハＷの外周縁部との間には、製品化されることのない無効ショット（図示せず）が形成されている。
【００４２】
制御部１００でショットＳの配置が認識されると、制御部１００は、ウェハＷの最外周部のパターンのショットＳｎの外側に沿って塗布ノズル３２を走査させるように、ノズル移動機構３４とアーム移動機構３５によりノズルヘッド３３を移動させる。この際、塗布ノズル３２の走査は、ウェハＷを静止させた状態で行われる。ここで、最外周部のパターンのショットＳｎの外側とは、図３に斜線で示す領域Ｅを意味しており、ショットＳｎそのものは含まない。なお、無効ショットは、この領域Ｅに形成されているショットである。また、図２では、ノズルヘッド３３はショットＳよりも大きく描図されているが、図３に示すように、ノズルヘッド３３は、１つのショットＳよりも小さく構成されることが好ましい。図３では、矩形状のノズルヘッド３３に９つの塗布ノズル３２が設けられた状態を描図しているが、ノズルヘッド３３の形状や塗布ノズル３２の配置及び設置数は任意に設定が可能である。
【００４３】
ノズルヘッド３３の移動と共に、塗布ノズル３２からは、塗布液が供給される。これにより、領域Ｅ、即ち無効ショット上に、順次塗布膜が形成される。そして、制御部１００は、ウェハＷ上の全ての無効ショットに塗布膜を形成するように、塗布ノズル３２がウェハＷの領域Ｅの全面を走査するようにノズルヘッド３３を移動させる。なおこの際、例えば制御部１００により、塗布ノズル３２のうち、ウェハＷのエッジ部に対面する位置の塗布ノズル３２及びウェハＷより外側に位置する塗布ノズル３２からは、塗布液の供給を停止するように制御することが好ましい。換言すれば、ウェハＷに対面し、且つウェハＷのエッジ部には対面していない塗布ノズル３２ａのみから塗布液を供給することが好ましい。なお、図４では、塗布ノズル３２ａを黒く塗りつぶして、それ以外の塗布ノズル、即ち塗布液を供給していない塗布ノズル３２を白塗りで表している。ウェハＷより外側に位置する塗布ノズル３２から供給される塗布液は、ウェハＷ上には供給されないため、供給を停止することで塗布液の使用量が低減できる。
【００４４】
本発明者らによれば、従来のスピン塗布を用いて例えば直径が３００ｍｍのウェハＷの、外周部２ｍｍの領域に塗布膜Ｍを形成する場合、ウェハ一枚あたり０．５ｍＬの塗布液が必要であった。この０．５ｍＬという量は、スピン塗布によりウェハＷの全面に塗布膜Ｍを形成する場合の使用量にほぼ等しく、塗布膜Ｍが形成される領域の面積比から計算すると、ウェハＷの外周部２ｍｍの領域に供給する塗布液Ｐの量は０．０１３ｍＬでよいので、実に９７％の薬液を無駄にしていることになる。一方、本実施の形態のように、塗布ノズル３２として例えばインクジェットノズルを用い、ウェハＷを静止した状態で塗布膜Ｍを形成する場合、必要な量の塗布液Ｐのみを供給すればよいので、大幅に塗布液の使用量を低減できる。
【００４５】
また、例えば図５に示すように、ウェハＷのエッジ部に対面する塗布ノズル３２から塗布液Ｐを供給すると、ウェハＷの外側端面やウェハＷの裏面にも塗布液Ｐが供給されてしまい、その後の工程で、パーティクルの発生原因となってしまう。そこで、上述のように、ウェハＷに対面し、且つウェハＷのエッジ部には対面していない塗布ノズル３２ａのみから塗布液Ｐを供給することで、不要な部分に塗布液Ｐが供給されることを防ぐことができる。
【００４６】
塗布ノズル３２からの塗布液Ｐの供給と共に、制御部１００は、例えば図６に示すように、支持部材４３を塗布ノズル３２が走査した軌跡Ｔに沿って移動させるように、支持部材移動機構４４とアーム移動機構４５を制御する。これにより、例えば図７に示すように、塗布ノズル３２から供給された塗布液Ｐを、支持部材４３に設けられたヒータ４１により順次乾燥し、例えば塗布液Ｐが硬化した塗布膜Ｍが無効ショット上に形成される。また、ヒータ４１の熱による塗布液Ｐからの揮発分は、排気ノズル４２によって速やかに排気される。
【００４７】
そして、制御部１００は、ウェハＷの領域Ｅの全面に塗布液Ｐを供給するようにノズルヘッド３３を移動させると共に、ウェハＷに供給された塗布液Ｐを全て乾燥させるように支持部材４３を移動させ、ウェハＷへの塗布処理が完了する。これにより、例えば図８に示すように、有効ショットＳの外側の領域Ｅの全面に、塗布膜Ｍが形成される。
【００４８】
その後、塗布処理が完了したウェハＷは、処理容器１０から図示しない搬送機構により搬出され、この塗布処理が他のウェハＷに対しても順次行われる。
【００４９】
以上の実施の形態によれば、塗布ノズル３２をウェハＷの最外周部のパターンのショットＳｎの外側に沿って走査させながら、塗布ノズル３２からウェハＷに対して塗布液Ｐを供給するので、ショットＳの外側のみに塗布液Ｐが供給される。したがって、例えば有効ショットＳが塗布膜Ｍに覆われることがなく、且つ無効ショットには適切に塗布膜Ｍを形成することができる。
【００５０】
また、ウェハＷに塗布液Ｐを供給するにあたり、ウェハＷのエッジ部に対面する塗布ノズル３２からは塗布液Ｐの供給を停止するので、ウェハＷの外側端面やウェハＷの裏面に塗布液Ｐが供給されることを防止できる。したがって、その後の工程で、ウェハＷの裏面や外側端面に付着した塗布液Ｐに起因するパーティクルの発生を抑制できる。
【００５１】
さらには、従来のように塗布膜をスピン塗布により形成する場合、ウェハＷを回転させることにより塗布液がウェハＷの外周部から遠心力により振り切られるため、塗布膜の膜厚を所定の厚さ以上とすることは困難であった。また、ウェハＷの外周部から振り切られる塗布液は無駄となっていた。この点、本実施の形態のように、塗布ノズル３２にインクジェットを用いることで、ウェハＷの外周部から塗布液が遠心力により振り切られることがない。そのため、無駄となる塗布液Ｐを最小限にできると共に、塗布ノズル３２からの塗布液Ｐの供給量や、塗布ノズル３２の走査速度を制御することで、塗布膜Ｍの膜厚を、容易に所望の値とすることができる。
【００５２】
加えて、ウェハＷより外側に位置する塗布ノズル３２からの塗布液Ｐの供給を停止するので、塗布液Ｐの消費量を最小限に抑え、効率的な塗布処理を行うことができる。
【００５３】
なお、以上の実施の形態では、複数の塗布ノズル３２を用いて塗布処理を行ったが、塗布ノズルの設置数は例えば一つのみであってもよい。しかしながら、塗布ノズル３２を複数設け、個別に塗布液Ｐの供給を制御することで、上述のように、ウェハＷ上に選択的に塗布液Ｐを供給できるので、塗布ノズル３２は複数設けることが好ましい。
【００５４】
塗布ノズル３２による塗布液Ｐの供給量は、ウェハＷのエリアごとに変化させてもよい。かかる場合、例えば所定の領域において塗布液Ｐの供給量を他の領域より多くすることで、当該所定の領域の塗布膜Ｍの膜厚を他の領域よりも厚くすることができる。
【００５５】
以上の実施の形態では、ヒータ４１を塗布ノズル３２の走査の軌跡Ａに沿って移動させたので、ウェハＷに供給された塗布液Ｐを速やかに乾燥させ、効率的に塗布膜Ｍを形成できる。
【００５６】
なお、以上の実施の形態では、ヒータ４１を支持部材４３に設けていたが、ヒータ４１は必ずしも支持部材４３に設ける必要はなく、例えばウェハ保持機構２０に例えば電気ヒータなどの加熱機構を内蔵し、当該加熱機構によりウェハＷを加熱して塗布液Ｐを乾燥させてもよい。また、ヒータ４１は塗布処理装置１内に設ける必要はなく、塗布処理装置１の外部に別途ウェハＷを熱処理する装置を設けてもよい。
【００５７】
また、塗布液Ｐを乾燥させる手段としては、加熱以外に、例えばウェハＷを減圧雰囲気下において乾燥させる減圧乾燥を用いてもよいし、例えばウェハＷを１００ｒｐｍ以下の低速で回転させることで乾燥させるようにしてもよい。また、ヒータ４１と減圧乾燥などを組み合わせてもよい。
【００５８】
以上の実施の形態では、塗布ノズル３２としてインクジェットノズルを用いたが、塗布ノズル３２としては、ウェハＷを静止させた状態でウェハＷの上面に塗布膜Ｍを形成できるものであれば、インクジェットノズルに限られるものではなく、例えば毛細管効果を用いて塗布液Ｐを供給する、キャピラリーノズルを塗布ノズル３２として用いてもよい。
【００５９】
以上の実施の形態では、ノズルヘッド３３を、直交するレール３０とアーム３１上を移動させる、即ち、Ｘ方向とＹ方向の２方向に移動させることで塗布ノズル３２をウェハＷ上で走査させたが、塗布ノズル３２を走査させるにあたっては、例えばウェハ保持機構２０をＸ方向とＹ方向の２方向に移動させる移動機構を設け、ウェハ保持機構２０ごとウェハＷを移動させるようにしてもよい。また、昇降駆動機構２１を、ウェハ保持機構２０を回転させるように構成し、ウェハＷを低速で回転させながら、塗布ノズル３２を一方向にのみ往復動作させるようにしてもよい。
【００６０】
以上の実施の形態では、処理容器１０内に撮像装置５０を設けていたが、パターンのショットＳを予め確認するに際しては、ウェハＷを塗布処理装置１に搬入する前に、予め他の装置によりウェハＷを撮像しておいてもよい。また、例えばノズルヘッド３３に撮像装置５０を配置して塗布ノズル３２近傍のショットＳの配置を撮像し、当該撮像した画像に基づいて塗布ノズル３２の走査位置を順次制御するようにしてもよい。なお、ウェハＷの撮像は、全てのウェハＷについて行う必要はなく、例えば同一ロットのウェハＷであれば、最初のウェハＷについてのみ撮像を行うようにしてもよい。また、パターンのショットＳを予め確認するにあたっては、必ずしもウェハＷを撮像する必要はなく、例えばショットＳを形成する際の露光処理に用いる露光装置からパターンの情報を制御部１００に入力するようにしてもよい。
【００６１】
なお、以上の実施の形態では、ウェハＷの有効ショットＳの外側の領域（無効ショット）に塗布膜を形成する場合を例にして説明したが、塗布処理装置１による塗布処理は本実施の形態の内容に限定されない。例えば、図９に示すように、ウェハＷの外周部近傍に環状の塗布膜Ｍを形成する場合についても適用できる。かかる環状の塗布膜Ｍを、従来のようにスピン塗布を用いて形成する場合、一旦環状に塗布膜Ｍを形成し、例えば図１０に示すように、外周縁部の塗布膜Ｍａのみをエッチング等により除去する必要がある。この点、本実施の形態にかかる塗布処理装置１を用いれば、例えば図１０に示す塗布膜Ｍの領域に沿って塗布ノズル３２を走査することで、当該領域のみに塗布膜Ｍを形成することができる。
【００６２】
また、塗布処理装置１による塗布処理は、ウェハＷ外周部への塗布膜の形成に適用する場合に限定されず、例えば半導体チップの周辺部、セル内部、周辺回路部、ボックスマークなどの領域に塗布膜を形成する場合にも適用することができる。
【００６３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。また、上述した実施の形態は、ウェハに塗布処理を行う例であったが、本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、例えば半導体ウェハ等の外周部に所定のパターンで塗布膜を形成する際に有用である。
【符号の説明】
【００６５】
１    塗布処理装置
１０  処理容器
２０  ウェハ保持機構
２１  昇降駆動機構
２２  カップ
２３  排気管
３０  レール
３１  アーム
３２  塗布ノズル
３３  ノズルヘッド
３４  ノズル移動機構
３５  アーム移動機構
３６  待機部
４０  他のアーム
４１  ヒータ
４２  排気ノズル
４３  支持部材
４４  支持部材移動機構
４５  アーム移動機構
５０  撮像装置
１００  制御部
Ｐ    塗布液
Ｍ    塗布膜
Ｗ    ウェハ
Ａ    領域
Ｓ    ショット（有効ショット）
【図１】
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【図２】
0006002115.tif 000003
【図３】
0006002115.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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