(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内で基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板の上面に対向する対向面を含む対向部材と、
上位置と下位置との間で前記対向部材を昇降させる対向部材昇降手段と、
前記対向部材が上位置に配置されているときに前記対向部材の周囲に配置された吐出部材を含み、前記吐出部材から吐出された気体を前記基板と前記対向部材との間に供給することにより、前記対向部材が上位置に配置されているときに平面視において前記基板の中心に向かって内方に流れる気流を前記基板の上面と前記対向面との間に形成する気流形成部材とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記気流形成部材の周囲で下方に気体を吐出して、前記チャンバー内に下降流を形成する下降流形成部材をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記チャンバーの外に配置されており、前記対向部材を支持する支持部材をさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記気流形成部材および下降流形成部材に気体を送る送風手段をさらに含む、請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記吐出部材は、前記対向部材の周囲から前記対向部材側に気体を水平に吐出する内向き吐出部を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記内向き吐出部の少なくとも一部は、前記対向部材が上位置に配置されているときに前記基板と前記対向部材との間の高さに配置されている、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記吐出部材は、前記内向き吐出部よりも上方で下方に気体を吐出して、前記内向き吐出部によって吐出された気体に気体を衝突させる下向き吐出部をさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記吐出部材は、前記対向部材の周囲から前記対向部材側に斜め下方に気体を吐出する斜め下向き吐出部を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記気流形成部材は、前記吐出部材から吐出された気体を前記対向部材が上位置に配置されているときに前記基板と前記対向部材との間に案内するガイドをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板保持手段によってチャンバー内で基板を水平に保持する保持工程と、
上位置と下位置との間で昇降可能な対向部材を上位置に位置させながら、前記保持工程と並行して、前記対向部材の対向面を前記基板の上面に対向させる対向工程と、
前記対向工程と並行して実行される工程であって、前記対向部材が上位置に配置されているときに前記対向部材の周囲に配置された気流形成部材の吐出部材から吐出された気体を前記基板と前記対向部材との間に供給することにより、前記対向部材が上位置に位置しているときに平面視において前記基板の中心に向かって内方に流れる気流を前記基板の上面と前記対向面との間に形成する気流形成工程とを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、チャンバー内で基板を水平に保持するスピンチャックと、薬液やリンス液などの処理液を基板の上面に向けて吐出するノズルと、スピンチャックの上方に配置された遮断板と、平面視において遮断板を取り囲む環状の給気口からチャンバー内にクリーンエアー（清浄空気）を供給する給気ユニットとを備えている。遮断板は、昇降アームによって支持されている。遮断板は、昇降アームの昇降に伴って上下に移動する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−７７２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
遮断板が備えられている基板処理装置では、ノズルから吐出された薬液は、遮断板の下方で基板の上面に供給される。薬液が基板の上面に供給されると、薬液のミストや蒸気などを含む薬液雰囲気が、基板と遮断板との間に発生する。しかしながら、特許文献１では、クリーンエアーが、平面視において遮断板を取り囲む環状の給気口から下方に吐出されるので、基板と遮断板との間を漂う薬液雰囲気がクリーンエアーに置換され難い。言い換えると、薬液雰囲気が、基板と遮断板との間で滞留し易い。
【０００５】
ノズルから基板への処理液の供給は、遮断板が基板の上方に退避している状態で行われる。基板の乾燥は、処理液の供給が行われた後に、遮断板が基板に近接している状態で行われる。基板の乾燥が行われた後は、遮断板が、再び基板の上方に退避する。基板の乾燥が行われるときに遮断板が下降すると、薬液雰囲気が基板と遮断板との間から排出される。しかしながら、基板の乾燥後に遮断板が上昇すると、排出された薬液雰囲気が、基板と遮断板との間に流入し、乾燥後の基板に接触してしまう。そのため、基板が汚染される場合がある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、チャンバー（４）と、前記チャンバー内で基板（Ｗ）を水平に保持する基板保持手段（５）と、前記基板保持手段に保持されている基板の上面に対向する対向面（１６）を含む対向部材（６）と、上位置と下位置との間で前記対向部材を昇降させる対向部材昇降手段と、前記対向部材が上位置に配置されているときに前記対向部材の周囲に配置された吐出部材を含み、前記吐出部材から吐出された気体を前記基板と前記対向部材との間に供給することにより、前記対向部材が上位置に配置されているときに平面視において前記基板の中心に向かって内方に流れる気流を前記基板の上面と前記対向面との間に形成する気流形成部材（４５、３４５、６４５、２５５、４５５、５５５）とを含む、基板処理装置（１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１）である。気流形成部材は、対向部材を取り囲む気体吐出口を含んでいてもよい。この場合、気体吐出口は、対向部材の周方向に間隔を空けて配置された複数の吐出口、および対向部材を取り囲むように全周に亘って連続した環状吐出口のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。
【０００８】
この構成によれば、気流形成部材からの気体が、基板保持手段によってチャンバー内で水平に保持されている基板と、基板の上面に対向する対向面を含む対向部材との間に供給される。これにより、基板の上面と対向部材の対向面との間に気流が形成される。そのため、基板を汚染させる汚染雰囲気（薬液やパーティクルを含む雰囲気）が、基板と対向部材との間に存在しているとしても、汚染雰囲気の置換が促進され、汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。したがって、汚染雰囲気との接触による基板の汚染が低減される。これにより、基板の清浄度を高めることができる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記気流形成部材の周囲で下方に気体を吐出して、前記チャンバー内に下降流を形成する下降流形成部材（４６）をさらに含む、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、下降流形成部材が、気流形成部材の周囲で気体を下方に吐出する。これにより、下降流がチャンバー内に形成される。そのため、チャンバー内での汚染雰囲気の滞留を抑制または防止できる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、前記チャンバーの外に配置されており、前記対向部材を支持する支持部材（１９）をさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、対向部材を支持する支持部材が、チャンバーの外に配置されているので、気流形成部材からの気体や、下降流形成部材からの気体は、支持部材に衝突しない。そのため、気体と支持部材との衝突によってチャンバー内に乱流が発生することを防止できる。これにより、チャンバー内での雰囲気の滞留を抑制または防止できる。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、前記気流形成部材および下降流形成部材に気体を送る送風手段（５１）をさらに含む、請求項２または３に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、共通の送風機からの気体が、気流形成部材および下降流形成部材に供給されるので、気流形成部材および下降流形成部材ごとに送風機が設けられている場合よりも、装置構成の複雑化を抑制または防止できる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、前記吐出部材は、前記対向部材の周囲から前記対向部材側に気体を水平に吐出する内向き吐出部（４７、４９）を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、内向き吐出部が、対向部材の周囲から対向部材側に気体を水平に吐出するので、対向部材側に向かって水平に流れる気流が形成される。これにより、基板と対向部材との間に気体が供給され、基板と対向部材との間での雰囲気の置換が促進される。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、前記内向き吐出部の少なくとも一部は、前記対向部材が上位置に配置されているときに前記基板と前記対向部材との間の高さに配置されている、請求項５に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、内向き吐出部の少なくとも一部が、対向部材よりも下方に配置されているので、対向部材の下方に向けて気体が水平に吐出される。これにより、基板と対向部材との間に気体が確実に供給される。そのため、基板と対向部材との間での雰囲気の置換がさらに促進される。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、前記吐出部材は、前記内向き吐出部よりも上方で下方に気体を吐出して、前記内向き吐出部によって吐出された気体に気体を衝突させる下向き吐出部（４８）をさらに含む、請求項５または６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、下向き吐出部から下方に吐出された気体が、内向き吐出部から水平に吐出された気体に衝突する。そのため、対向部材側に向かって水平に流れる気流の方向が変更され、対向部材側に向かって斜め下方に流れる気流が形成される。これにより、基板と対向部材との間に気体が確実に供給され、基板と対向部材との間での雰囲気の置換がさらに促進される。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、前記吐出部材は、前記対向部材の周囲から前記対向部材側に斜め下方に気体を吐出する斜め下向き吐出部（６５８）を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、斜め下向き吐出部が、対向部材の周囲から対向部材側に向けて斜め下方に気体を吐出するので、対向部材側に向かって斜め下方に流れる気流が形成される。これにより、基板と対向部材との間に気体が確実に供給され、基板と対向部材との間での雰囲気の置換がさらに促進される。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、前記気流形成部材は、前記吐出部材から吐出された気体を前記対向部材が上位置に配置されているときに前記基板と前記対向部材との間に案内するガイド（２５５、４５５、５５５）をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、吐出部材によって対向部材の周囲で吐出された気体が、ガイドによって基板と対向部材との間に案内される。これにより、基板と対向部材との間に気体が確実に供給され、基板と対向部材との間での雰囲気の置換がさらに促進される。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、基板保持手段によってチャンバー内で基板を水平に保持する保持工程と、上位置と下位置との間で昇降可能な対向部材を上位置に位置させながら、前記保持工程と並行して、前記対向部材の対向面を前記基板の上面に対向させる対向工程と、前記対向工程と並行して実行される工程であって、前記対向部材が上位置に配置されているときに前記対向部材の周囲に配置された気流形成部材の吐出部材から吐出された気体を前記基板と前記対向部材との間に供給することにより、前記対向部材が上位置に位置しているときに平面視において前記基板の中心に向かって内方に流れる気流を前記基板の上面と前記対向面との間に形成する気流形成工程とを含む、基板処理方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【００１８】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの横断面図である。
【図４】チャンバー内での気体の流れについて説明するための縦断面図である。
【図５】基板と遮断板との間でのアンモニアの濃度を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１および図２は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の縦断面図である。図３は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の横断面図である。図１は、図３に示すＩ−Ｉ線に沿う断面を示しており、図２は、図３に示すＩＩ−ＩＩ線に沿う断面を示している。
【００２１】
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを処理する枚葉式の処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置３とを含む。
図１に示すように、処理ユニット２は、内部が密閉されたチャンバー４と、チャンバー４内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数のノズルと、チャンバー４内でスピンチャック５の上方に配置された遮断板６と、チャンバー４内でスピンチャック５を取り囲むカップ７とを含む。複数のノズルは、基板Ｗの上面に向けて処理液を吐出するスキャンノズル８と、基板Ｗの下面中央部に向けて処理液を吐出する下面ノズル９と、基板Ｗの上面中央部に向けて処理液を吐出する中心軸ノズル１０とを含む。
【００２２】
図１に示すように、スピンチャック５は、基板Ｗを水平に保持する円盤状のスピンベース１１と、スピンベース１１上に配置された複数個のチャックピン１２と、スピンベース１１を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１３とを含む。スピンチャック５は、複数個のチャックピン１２によってスピンベース１１の上方で基板Ｗを水平に挟持する。スピンチャック５は、挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着して、基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。スピンチャック５は、基板Ｗを保持している状態でスピンモータ１３によってスピンベース１１を回転軸線Ａ１まわりに回転させる。これにより、基板Ｗが回転軸線Ａ１まわりに回転する。下面ノズル９の上端部は、スピンベース１１の上面と基板Ｗの下面との間に配置されている。下面ノズル９の吐出口は、基板Ｗの下面中央部に対向している。下面ノズル９の吐出口から上向きに吐出された処理液は、基板Ｗの下面中央部に供給される。
【００２３】
図１に示すように、スキャンノズル８は、吐出口を下に向けた状態で、水平に延びるノズルアーム１４に保持されている。ノズルアーム１４の端部は、スピンチャック５の周囲に配置されたノズル移動機構１５に連結されている。ノズル移動機構１５は、スピンチャック５の周囲に設けられた鉛直な回転軸線Ａ２まわりにノズルアーム１４を回動させる。ノズル移動機構１５が、ノズルアーム１４を回転軸線Ａ２まわりに回動させると、スキャンノズル８も回転軸線Ａ２まわりに回動する。これにより、スキャンノズル８が水平に移動する。図３に示すように、ノズル移動機構１５は、平面視において基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡Ｘ１に沿ってスキャンノズル８を水平に移動させる。したがって、スキャンノズル８は、スピンチャック５の上方を含む水平面内で移動する。
【００２４】
スキャンノズル８が用いられない場合には、制御装置３は、ノズル移動機構１５を制御して、スキャンノズル８をスピンチャック５の周囲に待機させる。スキャンノズル８が用いられる場合には、制御装置３は、ノズル移動機構１５を制御して、スキャンノズル８を基板Ｗの上方に移動させる。このとき、制御装置３は、スキャンノズル８から下向きに処理液を吐出させると共に、スピンチャック５によって基板Ｗを回転させながら、ノズル移動機構１５によってスキャンノズル８を基板Ｗの上方で円弧状の軌跡Ｘ１に沿って水平に移動させる。基板Ｗに供給された処理液は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗ上を外方に広がる。さらに、処理液の着液位置は、スキャンノズル８の移動と基板Ｗの回転とによって基板Ｗの上面全域を走査する。したがって、処理液が、基板Ｗの上面全域に均一に供給される。
【００２５】
図１に示すように、遮断板６は、基板Ｗより直径が大きい円板状のプレートである。遮断板６は、遮断板６の中心軸線が回転軸線Ａ１上に位置するように水平な姿勢で支持されている。遮断板６は、基板Ｗの上面に対向する対向面１６（下面）を含む。遮断板６は、遮断板６の上面中央部から上方に延びる回転軸１７に連結されている。回転軸１７は、回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びる筒状である。中心軸ノズル１０は、非接触状態で回転軸１７内に挿入されている。中心軸ノズル１０は、回転軸１７内で回転軸線Ａ１に沿って上下方向に延びている。中心軸ノズル１０は、スピンチャック５の上方に配置されている。中心軸ノズル１０の吐出口は、遮断板６の中央部を上下に貫通する貫通孔内に配置されている。中心軸ノズル１０の吐出口から下方に吐出された処理液は、遮断板６の下面中央部に設けられた開口を通過した後、基板Ｗの上面中央部に供給される。
【００２６】
図１に示すように、遮断板６は、回転軸１７を介して遮断板回転機構１８に連結されている。遮断板回転機構１８は、回転軸線Ａ１まわりに回転軸１７を回転させる。遮断板回転機構１８が、回転軸１７を回転させると、遮断板６も回転軸線Ａ１まわりに回転する。遮断板６、回転軸１７、中心軸ノズル１０、および遮断板回転機構１８は、チャンバー４の外に配置された支持アーム１９によって支持されている。支持アーム１９は、支持アーム１９を上下に移動させる遮断板昇降機構２０に連結されている。遮断板昇降機構２０が、支持アーム１９を昇降させると、支持アーム１９と共に、回転軸１７および遮断板回転機構１８も昇降する。これにより、遮断板６がチャンバー４内で昇降する。
【００２７】
図１および図２に示すように、遮断板回転機構１８は、下位置（図２に示す位置）と上位置（図１に示す位置）との間で遮断板６を平行に移動させる。下位置および上位置は、いずれもチャンバー４内の位置である。下位置は、スキャンノズル８が基板Ｗと遮断板６との間に進入できない高さまで遮断板６の対向面１６が基板Ｗの上面に近接する位置である。上位置は、スキャンノズル８が基板Ｗと遮断板６との間に進入できる高さまで遮断板６が上方に退避した位置である。遮断板昇降機構２０は、下位置から上位置までの間の任意の位置で遮断板６を保持可能である。遮断板昇降機構２０が、支持アーム１９を昇降させると、支持アーム１９は、チャンバー４の上壁３６に設けられた貫通孔を出入りする。チャンバー４の上壁３６と遮断板６との隙間は、遮断板６の上下動に伴って上下に伸縮する筒状のベローズ２１によって塞がれている。これにより、チャンバー４内の雰囲気が外部に流出しないように遮断されている。
【００２８】
図１に示すように、カップ７は、スピンチャック５を取り囲む円筒状の外壁２２と、スピンチャック５と外壁２２との間に配置された複数の処理液カップ２３〜２５と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数のガード２６〜２８と、個々のガード２６〜２８を独立して昇降させるガード昇降機構（図示せず）とを含む。図１は、最も外側の第３ガード２８が上位置に配置されており、第１ガード２６および第２ガード２７が下位置に配置されている状態を示している。図２は、全てのガード２６〜２８が下位置に配置されている状態を示している。
【００２９】
図１に示すように、各処理液カップ２３〜２５は、円筒状であり、スピンチャック５と外壁２２との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側から２番目の第２処理液カップ２４は、第１処理液カップ２３よりも外方に配置されており、第３処理液カップ２５は、第２処理液カップ２４よりも外方に配置されている。第３処理液カップ２５は、たとえば、第２ガード２７と一体であり、第２ガード２７と共に昇降する。各処理液カップ２３〜２５は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各処理液カップ２３〜２５に導かれた処理液は、この溝を通じて図示しない回収ユニットまたは廃液ユニットに送られる。これにより、基板Ｗから排出された処理液が回収または廃棄される。
【００３０】
図１に示すように、各ガード２６〜２８は、円筒状であり、スピンチャック５と外壁２２との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。各ガード２６〜２８は、回転軸線Ａ１に向かって斜め上方に延びる円筒状の傾斜部２９と、傾斜部２９の下端から下方に延びる円筒状の案内部３０とを含む。各傾斜部２９の上端部は、ガード２６〜２８の内周部を構成しており、基板Ｗおよびスピンベース１１よりも大きな直径を有している。３つの傾斜部２９は、上下に重ねられており、３つの案内部３０は、同軸的に配置されている。３つの案内部３０は、それぞれ、３つの処理液カップ２３〜２５内に出入り可能である。すなわち、カップ７は、折り畳み可能であり、ガード昇降機構が３つのガード２６〜２８の少なくとも一つを昇降させることにより、カップ７の展開および折り畳みが行われる。
【００３１】
図１および図２に示すように、ガード昇降機構は、ガードの上端が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード２６〜２８を昇降させる。ガード昇降機構は、上位置から下位置までの間の任意の位置で各ガード２６〜２８を保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード２６〜２８が、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。たとえば内側から２番目の第２ガード２７を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第１ガード２６が下位置に配置され、第２ガード２７および第３ガード２８が上位置に配置される。また、最も外側の第３ガード２８を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第３ガード２８が上位置（図１に示す位置）に配置され、第１ガード２６および第２ガード２７が下位置（図１に示す位置）に配置される。
【００３２】
スキャンノズル８からの基板Ｗへの処理液の供給は、遮断板６が上位置に配置されており、３つのガード２６〜２８のいずれかが、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。したがって、基板Ｗに処理液が供給されているときに基板Ｗの周囲に飛散した処理液は、第１ガード２６、第２ガード２７、および第３ガード２８のいずれかによって、いずれかの処理液カップ２３〜２５に案内される。また、基板Ｗの乾燥は、遮断板６が下位置に配置されており、３つのガード２６〜２８のいずれかが、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。したがって、基板Ｗの高速回転によって基板Ｗの周囲に飛散した処理液は、第１ガード２６、第２ガード２７、および第３ガード２８のいずれかによって、いずれかの処理液カップ２３〜２５に案内される。このようにして、基板Ｗの周囲に飛散した処理液がいずれかのガード２６〜２８に受け止められる。そのため、チャンバー４内での処理液の飛散範囲が狭められる。
【００３３】
図３に示すように、チャンバー４は、平面視においてスピンチャック５およびカップ７を取り囲む円筒部３１と、円筒部３１の外周面から外方に張り出した張り出し部３２とを含む。張り出し部３２の内部（ノズル退避空間Ｓ１）は、円筒部３１の内部に連通している。スキャンノズル８の退避位置は、張り出し部３２内に設定されている。円筒部３１は、基板Ｗを搬送する搬送ロボットのハンドが出入りする搬入・搬出口３３が形成された円筒壁３４と、搬入・搬出口３３を開閉するシャッタ３５とを含む。さらに、図１に示すように、円筒部３１は、円筒部３１の天井部を形成する上壁３６と、円筒部３１の底部を形成する下壁３７と、カップ７の周囲で円筒部３１の内部を上下に仕切る仕切板３８と、スピンチャック５よりも上方で円筒部３１の内部を仕切る拡散板３９とを含む。
【００３４】
図１に示すように、仕切板３８は、円筒部３１の内部を、仕切板３８よりも上方の上方空間Ｓ２と、仕切板３８よりも下方の下方空間Ｓ３とに仕切っている。仕切板３８は、外壁２２の上端部の周囲に配置されている。図３に示すように、仕切板３８は、カップ７の周囲に配置された複数枚の分割板４０によって構成されている。各分割板４０は、ボルト４１によって円筒壁３４および外壁２２に固定されている。複数の分割板４０は、周方向に間隔を空けて配置されている。各分割板４０は、平面視円弧状である。分割板４０の内端部は、外壁２２の外周面に沿う円弧状であり、分割部の外端部は、円筒壁３４の内周面に沿う円弧状である。分割板４０の内端部は、径方向に間隔を空けて外壁２２の外周面に対向しており、分割部の外端部は、径方向に間隔を空けて円筒壁３４の内周面に対向している。したがって、上方空間Ｓ２は、周方向に隣接する２つの分割板４０の間の隙間と、カップ７と分割板４０との間の隙間と、円筒壁３４と分割板４０との間の隙間とを介して、下方空間Ｓ３に連通している。
【００３５】
図１に示すように、処理ユニット２は、チャンバー４内の気体をチャンバー４外に導く排気ダクト４２（太字の二点鎖線参照）を含む。排気ダクト４２の上流端は、カップ７の底部（外壁２２の下端部）に接続されており、排気ダクト４２の下流端は、排気装置（図示せず）に接続されている。排気ダクト４２の内部は、カップ７の内部に連通している。排気ダクト４２は、カップ７の周囲に配置されている。排気ダクト４２は、仕切板３８よりも下方の空間（下方空間Ｓ３）および張り出し部３２の内部（ノズル退避空間Ｓ１）を通過している。排気ダクト４２は、下方空間Ｓ３で開口する上流側排気口４３と、張り出し部３２内で開口する下流側排気口４４とを含む。したがって、排気ダクト４２の内部は、カップ７の内部だけでなく、下方空間Ｓ３と、ノズル退避空間Ｓ１にも連通している。
【００３６】
排気ダクト４２が、カップ７の底部に接続されているので、排気ダクト４２の内部が、排気装置によって吸引されると、カップ７内の気体が、排気ダクト４２を介して排出される。そのため、カップ７の上方の気体が、カップ７内に吸引され、排気ダクト４２を介して排出される。さらに、排気ダクト４２の内部が、下方空間Ｓ３およびノズル退避空間Ｓ１にも連通しているので、排気ダクト４２の内部が、排気装置によって吸引されると、下方空間Ｓ３およびノズル退避空間Ｓ１内の気体も排気ダクト４２を介して排出される。前述のように、仕切板３８よりも上方の空間（上方空間Ｓ２）は、複数の隙間を介して下方空間Ｓ３に連通している。したがって、排気ダクト４２の内部が、排気装置によって吸引されると、上方空間Ｓ２の気体が、下方空間Ｓ３に吸引され、排気ダクト４２を介して排出される。
【００３７】
図１に示すように、拡散板３９は、鉛直な軸線（回転軸線Ａ１）を取り囲む筒状部材４５と、筒状部材４５の下端部から外方に延びる環状部材４６とを含む。筒状部材４５および環状部材４６は、上壁３６の下方に配置されている。筒状部材４５の上端部は、上壁３６に連結されており、環状部材４６の外周部は、円筒部３１に連結されている。筒状部材４５は、複数の部材によって構成されていてもよいし、一体の部材によって構成されていてもよい。環状部材４６についても同様である。また、筒状部材４５の少なくとも一部が、環状部材４６の少なくとも一部と一体であってもよい。
【００３８】
図１に示すように、環状部材４６の内周部は、筒状部材４５の下端部に沿って配置されている。環状部材４６の外端部は、円筒壁３４の内周面に沿って配置されている。環状部材４６と上壁３６とは、上下方向に間隔を空けて対向している。環状部材４６は、円筒部３１の内部を上下に仕切っている。環状部材４６は、上位置に位置する遮断板６、すなわち、退避状態の遮断板６と同一平面上に配置されている。後述の効果が得られるのであれば、環状部材４６は、退避状態の遮断板６よりも上方または下方に配置されていてもよい。上壁３６、筒状部材４５、および環状部材４６は、クリーンエアーを拡散させる環状の拡散空間Ｓ４を区画している。
【００３９】
図１に示すように、筒状部材４５は、回転軸線Ａ１を取り囲む円筒状の小径部４７と、小径部４７の下端部から外方に延びる環状の水平部４８と、水平部４８の外周部から下方に延びる円筒状の大径部４９とを含む。小径部４７の上端部は、円筒部３１の上壁３６に連結されており、小径部４７の下端部は、水平部４８の内周部に連結されている。大径部４９の上端部は、水平部４８の外周部に連結されており、大径部４９の下端部は、環状部材４６の内周部に連結されている。小径部４７、水平部４８、および大径部４９は、同軸的に配置されている。
【００４０】
図１に示すように、小径部４７の内径は、遮断板６の外径よりも大きく、大径部４９の内径は、小径部４７の内径よりも大きい。したがって、筒状部材４５の内径は、筒状部材４５の下端に近づくに従って段階的に増加している。大径部４９の内径は、スピンチャック５の外径よりも大きく、カップ７の外径よりも小さい。小径部４７は、回転軸１７を取り囲むベローズ２１を取り囲んでおり、大径部４９は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。筒状部材４５は、退避状態の遮断板６を収容する円柱状の遮断板退避空間Ｓ５を区画している。
【００４１】
図２に示すように、処理ユニット２は、フィルターによってろ過された空気（クリーンエアー）をチャンバー４の外からチャンバー４内に導く２本の吸気ダクト５０と、クリーンエアーを２本の吸気ダクト５０に送る送風機としてのファンフィルタユニット５１（以下では、「ＦＦＵ５１」という。）とを含む。吸気ダクト５０およびＦＦＵ５１は、チャンバー４の外に配置されている。各吸気ダクト５０の上流端は、ＦＦＵ５１に接続されており、各吸気ダクト５０の下流端は、互いに異なる位置で円筒部３１の上壁３６に接続されている。上壁３６は、上壁３６を上下方向に貫通する２つの吸気口５２を含む。２本の吸気ダクト５０は、それぞれ、２つの吸気口５２に接続されている。２つの吸気口５２は、環状部材４６の上方に配置されている。したがって、吸気ダクト５０の内部は、吸気口５２を介して拡散空間Ｓ４に連通している。そのため、ＦＦＵ５１によって送られたクリーンエアーは、２本の吸気ダクト５０を介して拡散空間Ｓ４に供給される。
【００４２】
図４は、チャンバー４内での気体の流れについて説明するための縦断面図である。図４に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。また、図５は、基板Ｗと遮断板６との間でのアンモニアの濃度を示すグラフである。図５の各測定値は、アンモニア水が上面全域に塗布された基板Ｗと遮断板６との間でのアンモニアの濃度を示している。
実施例１は、第１実施形態に係る処理ユニット２での測定値であり、実施例２は、後述する第２実施形態に係る処理ユニット２０２での測定値であり、実施例３は、後述する第３実施形態に係る処理ユニット３０２での測定値である。比較例１は、第３実施形態に係る処理ユニット３０２において、遮断板６を環状部材４６と同じ高さに配置したときの測定値である。比較例１を除き、濃度の測定は、遮断板６が上位置に配置されている状態で行った。さらに、濃度の測定は、チャンバー４内へのクリーンエアーの供給と、チャンバー４内の排気とが行われており、基板Ｗが非回転状態でスピンチャック５に保持されている状態で行った。
【００４３】
基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、ＦＦＵ５１からのクリーンエアーがチャンバー４の上部からチャンバー４内に供給されており、チャンバー４内の気体がチャンバー４の下部から排出されている状態で行われる。したがって、これらの処理（液処理および乾燥処理）は、チャンバー４内に気流が形成されている状態で行われる。
図４に示すように、ＦＦＵ５１から２本の吸気ダクト５０に送られたクリーンエアーは、チャンバー４の上壁３６で開口する２つの吸気口５２から下方に吐出される。そして、吸気口５２から吐出されたクリーンエアーは、環状部材４６に衝突し、上壁３６、筒状部材４５、および環状部材４６によって拡散空間Ｓ４の周方向に案内される。これにより、クリーンエアーが拡散空間Ｓ４を拡散する。
【００４４】
図４に示すように、環状部材４６の少なくとも一部は、多数の貫通孔が全域に亘って形成された穴あきプレート（いわゆる、パンチングプレート）によって構成されている。環状部材４６は、環状部材４６を厚み方向に貫通する複数の吐出口５３を含む。吐出口５３は、円形または楕円形の孔あってもよいし、帯状または線状の孔であってもよい。複数の吐出口５３は、環状部材４６の全域に形成されている。したがって、拡散空間Ｓ４を拡散するクリーンエアーは、複数の吐出口５３から下方に吐出される。これにより、クリーンエアーが環状部材４６の下方の空間を拡散する。そして、吐出口５３から吐出されたクリーンエアーは、排気ダクト４２（図１参照）を通じてチャンバー４内から排出される。そのため、遮断板６よりも外側では、環状部材４６から下方に流れる環状の下降流（ダウンフロー）が、クリーンエアーによって形成される。
【００４５】
図４に示すように、筒状部材４５の少なくとも一部は、環状部材４６と同様に、穴あきプレートによって構成されている。筒状部材４５は、筒状部材４５を厚み方向に貫通する複数の吐出口５４を含む。吐出口５４は、円形または楕円形の孔あってもよいし、帯状または線状の孔であってもよい。複数の吐出口５４は、周方向および上下方向に間隔を隔てて配置されている。これらの吐出口５４は、筒状部材４５の全域に形成されている。したがって、小径部４７、水平部４８、および大径部４９のそれぞれが、複数の吐出口５４を有している。拡散空間Ｓ４を拡散するクリーンエアーは、小径部４７および大径部４９の複数の吐出口５４から遮断板６側に水平に吐出される。また、拡散空間Ｓ４を拡散するクリーンエアーは、水平部４８の複数の吐出口５４から下方に吐出される。そのため、クリーンエアーが遮断板退避空間Ｓ５を拡散し、遮断板退避空間Ｓ５がクリーンエアーによって満たされる。
【００４６】
図４に示すように、大径部４９は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。大径部４９の複数の吐出口５４から吐出されたクリーンエアーは、遮断板６の周囲から遮断板６側に流れる環状の気流を形成する。また、水平部４８の複数の吐出口５４から吐出されたクリーンエアーは、下方に流れる環状の気流を形成する。水平部４８は、大径部４９よりも上方の高さで、大径部４９よりも内側に配置されている。したがって、水平部４８から下方に吐出されたクリーンエアーは、大径部４９から水平に吐出されたクリーンエアーに衝突し、水平に流れる気流の方向を変更する。そのため、遮断板６側に向かって斜め下方に流れる環状の気流が形成され、筒状部材４５から吐出されたクリーンエアーが、基板Ｗと遮断板６との間に流入する。
【００４７】
図４に示すように、基板Ｗと遮断板６との間に流入したクリーンエアーは、基板Ｗと遮断板６との間を下方に流れる。そして、基板Ｗの上面近傍に達したクリーンエアーは、基板Ｗの上面に沿って外方に流れ、カップ７内に吸引される。したがって、遮断板６よりも外側だけでなく、基板Ｗと遮断板６との間にも、下降流が形成される。そのため、遮断板６が上位置に配置されているときに、基板Ｗを汚染する汚染雰囲気（薬液やパーティクルを含む雰囲気）が、基板Ｗと遮断板６との間で発生したとしても、この汚染雰囲気は、基板Ｗと遮断板６との間から排出される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。具体的には、図５の実施例１に示すように、基板Ｗと遮断板６との間でのアンモニアの濃度が、比較例よりも大幅に低下している。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００４８】
以上のように第１実施形態では、拡散板３９を通過したクリーンエアーが、基板Ｗと遮断板６との間に供給される。これにより、基板Ｗの上面と遮断板６の対向面１６との間に気流が形成される。そのため、基板Ｗを汚染させる汚染雰囲気が、基板Ｗと遮断板６との間に存在しているとしても、汚染雰囲気の置換が促進され、汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。したがって、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染が低減される。これにより、基板Ｗの清浄度を高めることができる。
【００４９】
第２実施形態
図６は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１に備えられた処理ユニット２０２の縦断面図である。図６に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。この図６において、前述の図１〜図５に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５０】
第２実施形態に係る処理ユニット２０２は、第１実施形態に係る処理ユニット２と同様の構成を備えている。すなわち、第２実施形態に係る処理ユニット２０２は、第１実施形態に係る処理ユニット２の構成に加えて、筒状部材４５から吐出されたクリーンエアーを基板Ｗの上面と遮断板６の対向面１６（下面）との間に案内するガイド２５５を含む。
ガイド２５５は、水平部４８から下方に延びている。ガイド２５５は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。ガイド２５５は、全周に亘って連続した一体の部材によって構成されていてもよいし、周方向に分割された複数の部材によって構成されていてもよい。ガイド２５５は、下端に近づくに従って幅が狭まる三角形状の縦断面（鉛直面で切断したときの断面）を有するブロック部２５６と、ブロック部２５６の下端部から下方に延びるリップ部２５７とを含む。リップ部２５７は、水平方向に関してブロック部２５６と遮断板６との間に配置されている。リップ部２５７の少なくとも一部は、退避状態の遮断板６より下方に配置されている。リップ部２５７は、遮断板６側に向かって斜め下方に傾斜している。対向面１６に対するリップ部２５７の傾斜角度θは、たとえば４５度以下である。
【００５１】
ＦＦＵ５１から拡散空間Ｓ４に送られたクリーンエアーは、筒状部材４５から遮断板退避空間Ｓ５内に吐出される。小径部４７から吐出されたクリーンエアーは、ベローズ２１と筒状部材４５との間を下方に流れ、ガイド２５５によって基板Ｗと遮断板６との間に斜めに案内される。さらに、大径部４９から吐出されたクリーンエアーは、ガイド２５５によって基板Ｗと遮断板６との間に斜めに案内される。そのため、遮断板６側に向かって斜め下方に流れる環状の気流が、基板Ｗと遮断板６との間に形成される。そして、基板Ｗと遮断板６との間に供給されたクリーンエアーは、排気装置からの吸引力によってカップ７内に吸引される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間に下降流が形成され、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。具体的には、図５の実施例２に示すように、基板Ｗと遮断板６との間でのアンモニアの濃度が、比較例よりも大幅に低下している。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００５２】
第３実施形態
図７は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３０１に備えられた処理ユニット３０２の縦断面図である。図７に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。この図７において、前述の図１〜図６に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
第３実施形態に係る処理ユニット３０２は、筒状部材を除き、第１実施形態に係る処理ユニット２と同様の構成を備えている。すなわち、第３実施形態に係る処理ユニット２は、第１実施形態に係る筒状部材４５に代えて、筒状部材３４５を含む。
第３実施形態に係る筒状部材３４５では、水平部４８および大径部４９が筒状部材３４５に設けられておらず、小径部４７の下端部が、環状部材４６の内周部に連結されている。遮断板６の上位置は、小径部４７の下端よりも上方の高さに設定されている。したがって、小径部４７の下部は、退避状態の遮断板６よりも下方に配置されている。そのため、小径部４７の下部から遮断板６の下方に向けてクリーンエアーが吐出され、小径部４７の下部から吐出されたクリーンエアーが、基板Ｗと遮断板６との間に直接供給される。そして、基板Ｗと遮断板６との間に供給されたクリーンエアーは、排気装置からの吸引力によってカップ７内に吸引される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間に下降流が形成され、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。具体的には、図５の実施例３に示すように、基板Ｗと遮断板６との間でのアンモニアの濃度が、比較例よりも大幅に低下している。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００５４】
第４実施形態
図８は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４０１に備えられた処理ユニット４０２の縦断面図である。図８に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。この図８において、前述の図１〜図７に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５５】
第４実施形態に係る処理ユニット４０２は、第１実施形態に係る処理ユニット２と同様の構成を備えている。すなわち、第４実施形態に係る処理ユニット４０２は、第１実施形態に係る処理ユニット２の構成に加えて、筒状部材４５から吐出されたクリーンエアーを基板Ｗの上面と遮断板６の対向面１６（下面）との間に案内するガイド４５５を含む。
ガイド４５５は、水平部４８と大径部４９とによって形成された角部から遮断板６側に向かって斜め下方に延びる環状のプレートである。ガイド４５５は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。ガイド４５５は、全周に亘って連続した一体の部材によって構成されていてもよいし、周方向に分割された複数の部材によって構成されていてもよい。ガイド４５５の内周端（下端に相当）は、遮断板６よりも外側に配置されている。さらに、ガイド４５５の内周端は、退避状態の遮断板６より下方に配置されている。遮断板６の上位置は、ガイド４５５の上端および下端の間の高さに設定されていてもよいし、ガイド４５５より上方の高さに設定されていてもよい。対向面１６に対するガイド４５５の傾斜角度θは、たとえば４５度以下である。
【００５６】
ＦＦＵ５１から拡散空間Ｓ４に送られたクリーンエアーは、筒状部材４５から遮断板退避空間Ｓ５内に吐出される。小径部４７および水平部４８から吐出されたクリーンエアーは、ガイド４５５によって基板Ｗと遮断板６との間に斜めに案内される。さらに、大径部４９から吐出されたクリーンエアーは、ガイド４５５によって基板Ｗと遮断板６との間に斜めに案内される。そのため、遮断板６側に向かって斜め下方に流れる環状の気流が、基板Ｗと遮断板６との間に形成される。そして、基板Ｗと遮断板６との間に供給されたクリーンエアーは、排気装置からの吸引力によってカップ７内に吸引される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間に下降流が形成され、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００５７】
第５実施形態
図９は、本発明の第５実施形態に係る基板処理装置５０１に備えられた処理ユニット５０２の縦断面図である。図９に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。この図９において、前述の図１〜図８に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５８】
第５実施形態に係る処理ユニット５０２は、第３実施形態に係る処理ユニット３０２と同様の構成を備えている。すなわち、第５実施形態に係る処理ユニット５０２は、第３実施形態に係る処理ユニット３０２の構成に加えて、筒状部材３４５から吐出されたクリーンエアーを基板Ｗの上面と遮断板６の対向面１６（下面）との間に案内するガイド５５５を含む。さらに、第５実施形態に係る処理ユニット５０２では、遮断板６の上位置が、筒状部材３４５の下端部と同じ高さに設定されている。
【００５９】
ガイド５５５は、拡散板３９から下方に延びている。ガイド５５５の下端部の少なくとも一部は、ガイド５５５の上端部より遮断板６側に配置されている。ガイド５５５は、断面Ｌ字状の部材であってもよいし、遮断板６側に向かって斜め下方に斜めに延びるプレート状の部材であってもよい。ガイド５５５は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。ガイド５５５は、全周に亘って連続した一体の部材によって構成されていてもよいし、周方向に分割された複数の部材によって構成されていてもよい。ガイド５５５の下端部の内周端は、遮断板６よりも外側に配置されている。ガイド５５５の下端部は、退避状態の遮断板６より下方に配置されている。
【００６０】
ＦＦＵ５１から拡散空間Ｓ４に送られたクリーンエアーは、筒状部材３４５（小径部４７）から遮断板退避空間Ｓ５内に水平に吐出される。筒状部材３４５から吐出されたクリーンエアーは、ベローズ２１と筒状部材３４５との間を下方に流れ、遮断板６の外周部と筒状部材３４５との間の隙間を通って、遮断板６よりも下方に移動する。そして、遮断板６よりも下方に移動したクリーンエアーは、ガイド５５５によって基板Ｗと遮断板６との間に案内される。基板Ｗと遮断板６との間に供給されたクリーンエアーは、排気装置からの吸引力によってカップ７内に吸引される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間に下降流が形成され、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００６１】
第６実施形態
図１０は、本発明の第６実施形態に係る基板処理装置６０１に備えられた処理ユニット６０２の縦断面図である。図１０に示す太線の矢印は、気流の方向を示している。この図１０において、前述の図１〜図９に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６２】
第６実施形態に係る処理ユニット６０２は、筒状部材を除き、第１実施形態に係る処理ユニット２と同様の構成を備えている。すなわち、第６実施形態に係る処理ユニット６０２は、第１実施形態に係る筒状部材４５に代えて、筒状部材６４５を含む。
筒状部材６４５は、回転軸線Ａ１を取り囲む円筒状の小径部４７と、小径部４７の下端部から遮断板６とは反対側に斜め下方に延びる筒状の傾斜部６５８とを含む。環状部材４６は、傾斜部６５８の下端部から外方に延びている。小径部４７および傾斜部６５８は、同軸的に配置されている。傾斜部６５８は、退避状態の遮断板６を取り囲んでいる。遮断板６の上位置は、傾斜部６５８の上端および下端の間の高さに設定されていてもよいし、傾斜部６５８より上方または下方の高さに設定されていてもよい。傾斜部６５８の下端部の内径は、スピンチャック５の外径よりも大きく、カップ７の外径よりも小さい。傾斜部６５８は、傾斜部６５８の全域に形成された複数の吐出口５４を有している。傾斜部６５８に形成された複数の吐出口５４は、周方向および上下方向に間隔を空けて配置されている。
【００６３】
ＦＦＵ５１から拡散空間Ｓ４に送られたクリーンエアーは、傾斜部６５８の複数の吐出口５４から遮断板６側に斜め下方に吐出される。そのため、遮断板６側に向かって斜め下方に流れる環状の気流が、基板Ｗと遮断板６との間に形成される。そして、基板Ｗと遮断板６との間に供給されたクリーンエアーは、排気装置からの吸引力によってカップ７内に吸引される。これにより、基板Ｗと遮断板６との間に下降流が形成され、基板Ｗと遮断板６との間での汚染雰囲気の滞留が抑制または防止される。そのため、汚染雰囲気との接触による基板Ｗの汚染を低減できる。
【００６４】
他の実施形態
本発明の第１〜第６実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の第１〜第６実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の第１〜第６実施形態では、共通の送風機（ＦＦＵ）から送られたクリーンエアーが、筒状部材および環状部材から吐出される場合について説明したが、別々の送風機から送られたクリーンエアーが、筒状部材および環状部材から吐出されてもよい。また、筒状部材および環状部材に送られる気体は、クリーンエアーに限らず、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよい。当然、クリーンエアーおよび不活性ガス以外の気体が、筒状部材および環状部材に送られてもよい。
【００６５】
また、前述の第１〜第６実施形態では、筒状部材に形成された複数の吐出口が、周方向に間隔を空けて配置されている場合について説明したが、遮断板を取り囲むように全周に亘って連続した環状の吐出口が、筒状部材に形成されていてもよい。環状部材に形成された吐出口についても同様である。
また、前述の第１〜第６実施形態では、遮断板を支持する支持アームが、チャンバーの外に配置されてる場合について説明したが、支持アームは、チャンバーの中に配置されていてもよい。
【００６６】
また、前述の第２、第４、および第５実施形態では、ガイドは、筒状部材から吐出されたクリーンエアーを基板と遮断板との間に案内する場合について説明したが、ガイドは、環状部材から吐出されたクリーンエアーを基板と遮断板との間に案内してもよい。
また、前述の第６実施形態では、ガイドが、処理ユニットに備えられていない場合について説明したが、筒状部材から吐出されたクリーンエアーを基板と遮断板との間に案内するガイドが、第６実施形態に係る処理ユニットに備えられていてもよい。
【００６７】
また、前述の第１〜第６実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１        ：基板処理装置
４        ：チャンバー
５        ：スピンチャック（基板保持手段）
６        ：遮断板（対向部材）
１６      ：対向面
１９      ：支持アーム（支持部材）
４５      ：筒状部材（気流形成部材、吐出部材）
４６      ：環状部材（下降流形成部材）
４７      ：小径部（内向き吐出部）
４８      ：水平部（下向き吐出部）
４９      ：大径部（内向き吐出部）
５１      ：ファンフィルタユニット（送風手段）
２０１    ：基板処理装置
２５５    ：ガイド（気流形成部材）
３０１    ：基板処理装置
３４５    ：筒状部材（気流形成部材、吐出部材）
４０１    ：基板処理装置
４５５    ：ガイド（気流形成部材）
５０１    ：基板処理装置
５５５    ：ガイド（気流形成部材）
６０１    ：基板処理装置
６４５    ：筒状部材（気流形成部材）
６５８    ：傾斜部（斜め下向き吐出部）
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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