(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出力するよう構成されたレーザ装置とともに用いられるチャンバ装置であって、
前記レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、
前記レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、
ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、
前記ガイド光の光路の中心軸を前記レーザ光の光路の中心軸と実質的に一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、
前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、
を備えるチャンバ装置。
【請求項２】
前記集光光学系による集光位置を移動させるための第１駆動機構と、
前記検出部で検出された前記ガイド光の前記像が所望の位置となるように、前記第１駆動機構を制御するよう構成された制御部と、
をさらに備える、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項３】
前記ターゲット物質の供給位置を移動させるための第２駆動機構をさらに備え、
前記制御部は、前記検出部で検出された前記ガイド光の前記像に含まれる前記ターゲット物質の像が前記所望の位置となるように、前記第２駆動機構を制御するよう構成された、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項４】
前記ガイド光出力装置は、前記チャンバ外に配置され、
前記チャンバは、前記ガイド光を内部に導入するための導入口をさらに備える、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項５】
前記光学系は、前記チャンバ内に配置される、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項６】
前記光学系は、
前記ガイドレーザ光が通過するためのピンホールが設けられた部材と、
前記ピンホールの像を前記プラズマ生成領域に転写するための第１転写光学系と、
前記ピンホールの像を前記検出部に転写するための第２転写光学系と、
を備え、
前記制御部は、前記検出部で検出された前記ピンホールの前記像が所望の位置となるように、前記第１駆動機構を制御するよう構成された、
請求項２記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記ターゲット物質の供給位置を移動させるための第２駆動機構をさらに備え、
前記制御部は、前記検出部で検出された前記ピンホールの前記像に含まれる前記ターゲット物質の像が所望の位置となるように、前記第２駆動機構を制御するよう構成された、
請求項６記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記検出部は、前記チャンバ外に配置されている、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記レーザ光を反射し且つ前記ガイド光を透過するダイクロイックミラーをさらに備え、
前記検出部は、前記ダイクロイックミラーを透過した前記ガイド光の光路上に配置されている、
請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
前記プラズマ生成領域を通過して前記光学系で反射された前記レーザ光の光路上に配置されたビームダンプをさらに備える、請求項１記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
第１レーザ光を出力するよう構成された第１レーザ装置および第２レーザ光を出力するよう構成された第２レーザ装置とともに用いられるチャンバ装置であって、
前記第１および第２レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、
前記第１および第２レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、
ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、
前記ガイド光の光路の中心軸を前記第１または第２レーザ光の光路の中心軸と実質的に一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記第１または第２レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、
前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、
を備えるチャンバ装置。
【請求項１２】
請求項１記載のチャンバ装置と、
レーザ光を出力するよう構成されたレーザ装置と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項１３】
レーザ光を出力するよう構成されたレーザ装置と、前記レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、前記ガイド光の光路の中心軸を前記レーザ光の光路の中心軸と一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、前記集光光学系による集光位置を移動させるための第１駆動機構と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記第１駆動機構を制御するよう構成された制御部とを備える極端紫外光生成装置の制御方法であって、
前記制御部は、前記検出部で検出された前記ガイド光の前記像が所望の位置となるように、前記第１駆動機構を制御する、極端紫外光生成装置の制御方法。
【請求項１４】
前記極端紫外光生成装置は、前記ターゲット物質の供給位置を移動させるための第２駆動機構をさらに備え、
前記制御部は、前記検出部で検出された前記ガイド光の前記像に含まれる前記ターゲット物質の像が前記所望の位置となるように、前記第２駆動機構を制御するよう構成される、
請求項１３記載の極端紫外光生成装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、チャンバ装置、極端紫外（ＥＵＶ）光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とともに用いられる露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０３２７１９２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の一態様によるチャンバ装置は、レーザ光を出力するよう構成されたレーザ装置とともに用いられるチャンバ装置であって、前記レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、前記ガイド光の光路の中心軸を前記レーザ光の光路の中心軸と実質的に一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の態様によるチャンバ装置は、第１レーザ光を出力するよう構成された第１レーザ装置および第２レーザ光を出力するよう構成された第２レーザ装置とともに用いられるチャンバ装置であって、前記第１および第２レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、前記第１および第２レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、前記ガイド光の光路の中心軸を前記第１または第２レーザ光の光路の中心軸と実質的に一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記第１または第２レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の態様による極端紫外光生成装置は、上記したチャンバ装置と、前記レーザ装置と、を備えてもよい。
【０００８】
本開示の他の態様による極端紫外光生成装置の制御方法は、レーザ光を出力するよう構成されたレーザ装置と、前記レーザ光を導入するための導入口を備えるチャンバと、前記チャンバ内のプラズマ生成領域にターゲット物質を供給するためのターゲット生成器と、前記レーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するための集光光学系と、ガイド光を出力するよう構成されたガイド光出力装置と、前記ガイド光の光路の中心軸を前記レーザ光の光路の中心軸と一致させるとともに、前記ガイド光出力装置から出力された前記ガイド光を前記レーザ光の前記プラズマ生成領域への入射側とは反対側から前記プラズマ生成領域へ入射させ、該プラズマ生成領域を経由して前記集光光学系に入射させるための光学系と、前記ガイド光の前記光路上において前記集光光学系を挟んで前記プラズマ生成領域の反対側に配置され、前記集光光学系を経由した前記ガイド光の像を検出するための検出部と、前記集光光学系による集光位置を移動させるための第１駆動機構と、前記検出部による検出結果に基づいて、前記第１駆動機構を制御するよう構成された制御部とを備える極端紫外光生成装置の制御方法であって、前記制御部は、前記検出部で検出された前記ガイド光の前記像が所望の位置となるように、前記第１駆動機構を制御するよう構成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、本開示の実施の形態１によるＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図３】図３は、実施の形態１において、レーザ照射のタイミングでガイド光の位置とドロップレットの位置とが原点に一致しない場合にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図４】図４は、実施の形態１において、レーザ光集光光学系の調整後にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図５】図５は、実施の形態１において、ターゲット供給装置の調整後にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図６】図６は、図５に示す状態でドロップレットにパルスレーザ光を照射した際にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図７】図７は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成制御システムの概略動作を示すフローチャートである。
【図８】図８は、図７に示すガイド調整サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図９】図９は、図７に示すシューティング制御サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１０】図１０は、図７に示す結果判定サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、第１例によるミラーユニットおよびその周辺部の構成を概略的に示す。
【図１２】図１２は、第２例によるミラーユニットおよびその周辺部の構成を概略的に示す。
【図１３】図１３は、第３例によるミラーユニットおよびその周辺部の構成を概略的に示す。
【図１４】図１４は、ＥＵＶ光生成システムの変形例におけるガイド光に関係する光学系の構成を概略的に示す。
【図１５】図１５は、図１４のイメージセンサに結像したガイド光によるピンホールプレートの穴の像とドロップレットの像とを示す。
【図１６】図１６は、本開示の実施の形態２によるＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図１７】図１７は、実施の形態２において、レーザ照射のタイミングでガイド光の位置とドロップレットの位置とが原点に一致しない場合にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図１８】図１８は、実施の形態２において、レーザ光集光光学系の調整後にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図１９】図１９は、実施の形態２において、ターゲット供給装置の調整後にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図２０】図２０は、図１９に示す状態でドロップレットにプリパルスレーザ光を照射した際にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図２１】図２１は、図１９に示す状態から所定時間経過後に拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射した際にイメージセンサによって検出される像の一例を示す。
【図２２】図２２は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成制御システムの概略動作を示すフローチャートである。
【図２３】図２３は、図２２に示す目標位置設定サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【図２４】図２４は、図２２に示すシューティング制御サブルーチンの一例を示すフローチャートである。
【実施の形態】
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。なお、以下の説明では、下記目次の流れに沿って説明する。
【００１１】
目次
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．ガイド光、照射ターゲット及びＥＵＶ光の位置を検出する検出器を含むＥＵＶ光生成システム（実施の形態１）
４．１  構成
４．２  動作
４．３  作用
４．４  フローチャート
５．ガイド光生成装置の具体例
５．１  第１例
５．１．１  構成
５．１．２  動作
５．１．３  作用
５．２  第２例
５．２．１  構成
５．２．２  動作
５．２．３  作用
５．３  第３例
５．３．１  構成
５．３．２  動作
５．３．３  作用
６．ガイド光学系の変形例
６．１  構成
６．２  動作
６．３  作用
７．プリパルスレーザとメインパルスレーザとを組み合わせたＥＵＶ光生成システム（実施の形態２）
７．１  構成
７．２  動作
７．３  作用
７．４  フローチャート
【００１２】
１．概要
以下で例示する実施の形態は、ガイド光とターゲット物質の位置とを検出するための検出器を含むＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成システムに関する。
【００１３】
２．用語の説明
本開示において使用される用語を、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。その形状は、表面張力によって略球形であり得る。「プラズマ生成領域」とは、プラズマが生成される空間として予め設定された３次元空間である。「バースト運転」とは、所定の時間、所定繰返し周波数でパルスレーザ光またはパルスＥＵＶ光を出力させ、所定の時間外ではパルスレーザ光またはパルスＥＵＶ光を出力させない運転と定義する。レーザ光の光路において、レーザ光の生成源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。また、「所定繰返し周波数」とは、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。
【００１４】
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
以下、例示的なＬＬＰ方式のＥＵＶ光生成システムを、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
３．１  構成
図１に例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明されるように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給装置（例えばドロップレット生成器２６）を更に含んでもよい。ターゲット供給装置は、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給装置から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそれらのうちのいずれか２つ以上の組合せ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１６】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられてもよい。その貫通孔をレーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が通過してもよい。或いは、チャンバ２には、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３２が透過する少なくとも１つのウィンドウ２１が設けられてもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２４が設けられてもよい。
【００１７】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ドロップレット２７の存在、軌道、位置等を検出してもよい。
【００１８】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１９】
更に、ＥＵＶ光生成装置１は、ビームデリバリーシステム３４０、レーザ光集光光学系２２、ドロップレット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。ビームデリバリーシステム３４０は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２０】
３．２  動作
図１を参照すると、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３４０を経て、パルスレーザ光３２としてウィンドウ２１を透過して、チャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光光学系２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのドロップレット２７に照射されてもよい。
【００２１】
ドロップレット生成器２６からは、ドロップレット２７がチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力されてもよい。ドロップレット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスレーザ光が照射され得る。パルスレーザ光が照射されたドロップレット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって集光されるとともに反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点（ＩＦ）２９２を通って露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのドロップレット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。
【００２２】
ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたドロップレット２７のイメージデータ等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、ドロップレット２７を出力するタイミングやドロップレット２７の出力方向等を制御してもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、例えば、レーザ装置３のレーザ発振タイミングやパルスレーザ光３２の進行方向やパルスレーザ光３３の集光位置等を制御してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御を追加してもよい。
【００２３】
４．ガイド光、照射ターゲット及びＥＵＶ光の位置を検出する検出器を含むＥＵＶ光生成装置（実施の形態１）
つぎに、実施の形態１によるＥＵＶ光生成システムを、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、上述の構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
【００２４】
４．１  構成
図２は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成システム１１Ａの構成を概略的に示す。図２に示すように、ＥＵＶ光生成システム１１Ａは、ＥＵＶ光生成装置１Ａと、レーザ装置３とを備えてもよい。
【００２５】
ＥＵＶ光生成装置１Ａは、ビームデリバリーシステム３４０と、ビーム調節器３５０と、チャンバ２Ａとを含んでもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａを含んでもよい。
【００２６】
レーザ装置３は、図１に示すレーザ装置と同様でよい。レーザ装置３は、パルスレーザ光３１を所定繰返し周波数で出力してもよい。たとえばレーザ装置３がＣＯ２ガスを増幅媒体とするレーザ装置の場合、パルスレーザ光３１の波長は、１０．６μｍ付近であってもよい。ビームデリバリーシステム３４０は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の進行方向を規定するための光学素子として、高反射ミラー３４１を備えてもよい。高反射ミラー３４１には、パルスレーザ光３１を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ビームデリバリーシステム３４０は、高反射ミラー３４１の位置や姿勢等を調整するためのアクチュエータをさらに備えてもよい。ビームデリバリーシステム３４０は、パルスレーザ光３１を反射して、パルスレーザ光３２としてビーム調節器３５０へ出力してもよい。
【００２７】
ビーム調節器３５０は、ダイクロイックミラー３５１を備えてもよい。ダイクロイックミラー３５１においてパルスレーザ光３２が入射する面には、パルスレーザ光３２を高反射し且つ後述するガイド光４１を高透過する膜がコーティングされていてもよい。パルスレーザ光３２が入射する面とは反対側の面には、ガイド光４１を高透過する膜がコーティングされていてもよい。ダイクロイックミラー３５１の基板の材質は、たとえばダイヤモンドであってもよい。
【００２８】
チャンバ２Ａは、ウィンドウ２１と、レーザ光集光光学系２２と、ターゲット供給装置２６０と、ターゲットセンサ４と、ＥＵＶ集光ミラー２３と、接続部２９とを備えてもよい。また、チャンバ２Ａは、エッチングガス供給装置９０と、圧力計９３と、排気装置９４とをさらに備えてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成システム１１Ａは、結像光学系４０２およびイメージセンサ４１０を含む光検出ユニットを備えてもよい。
【００２９】
ビーム調節器３５０から出力されたパルスレーザ光３２は、ウィンドウ２１を介してチャンバ２Ａ内に入射してもよい。ウィンドウ２１の表面には、ウィンドウ２１に対するレーザ光の反射率を低減する膜がコーティングされていてもよい。
【００３０】
ウィンドウ２１を透過したパルスレーザ光３２は、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。レーザ光集光光学系２２は、レーザ光集光ミラー７２と、高反射ミラー７３とを備えてもよい。レーザ光集光光学系２２は、移動プレート７１と、プレート移動機構７１ａと、ミラーホルダ７２ａと、自動アオリ機構付きホルダ７３ａとをさらに備えてもよい。レーザ光集光ミラー７２は、軸外放物面ミラーであってもよい。レーザ光集光ミラー７２は、ミラーホルダ７２ａを介して移動プレート７１に固定されていてもよい。高反射ミラー７３は、自動アオリ機構付きホルダ７３ａを介して移動プレート７１に取り付けられていてもよい。プレート移動機構７１ａは、レーザ光集光ミラー７２および高反射ミラー７３を、移動プレート７１とともに移動させてもよい。
【００３１】
レーザ光集光光学系２２に入射したパルスレーザ光３２は、まず、レーザ光集光ミラー７２によって反射されてもよい。レーザ光集光ミラー７２は、パルスレーザ光３２を、集光されるパルスレーザ光３３に変換してもよい。高反射ミラー７３は、パルスレーザ光３３を、プラズマ生成領域２５へ向けて反射してもよい。
【００３２】
プレート移動機構７１ａは、移動プレート７１を移動させることで、パルスレーザ光３３の集光位置を調節してもよい。自動アオリ機能付きホルダ７３ａは、高反射ミラー７３のアオリ角を変更することで、パルスレーザ光３３の集光位置を調節してもよい。これらの調節は、後述するＥＵＶ光生成制御システム５Ａによって制御されてもよい。
【００３３】
ターゲット供給装置２６０は、ドロップレット生成器２６と、２軸移動機構２６１とを備えてもよい。ドロップレット生成器２６は、プラズマ生成領域２５へ向けてドロップレット２７を出力してもよい。２軸移動機構２６１は、ドロップレット生成器２６を移動させることで、ドロップレット２７の供給位置を調節してもよい。２軸移動機構２６１は、たとえばＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御に従って、ドロップレット生成器２６を移動させてもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット供給装置２６０から出力されたドロップレット２７の存在、軌道、位置、速度、ある位置に存在した時刻、ドロップレット２７の生成周波数等を検出してもよい。
【００３４】
プラズマ生成領域２５に到達したドロップレット２７には、パルスレーザ光３３が照射されてもよい。パルスレーザ光３３は、ＥＵＶ集光ミラー２３に設けられた貫通孔２４を介して、ドロップレット２７に照射されてもよい。パルスレーザ光３３の照射によってドロップレット２７をプラズマ化してもよい。このプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含む放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、入射した放射光２５１のうち、少なくともＥＵＶ光２５２を選択的に反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３で反射されたＥＵＶ光２５２は、接続部２９内の中間焦点（ＩＦ）２９２付近に集光されてもよい。
【００３５】
チャンバ２Ａは、ガイド光出力装置４０と、コリメータ４０１と、ミラーユニット１０１と、ビームダンプ１１２と、ダイクロイックミラー１２１と、ビームダンプ１２２とを含んでもよい。
【００３６】
ミラーユニット１０１は、ユニットホルダ１０１ａによって、支持されていてもよい。ビームダンプ１１２とガイド光出力装置４０とコリメータ４０１とは、チャンバ２Ａに連接された副チャンバ１０２内に配置されていてもよい。チャンバ２Ａと副チャンバ１０２とは、ウィンドウ１１３および１２３によって光学的に連通していてもよい。
【００３７】
プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３、放射光２５１およびＥＵＶ光２５２の一部は、ミラーユニット１０１の第１の反射面で、ウィンドウ１１３方向へ反射されてもよい。この反射光３４は、ウィンドウ１１３を介して、副チャンバ１０２内のビームダンプ１１２に入射してもよい。ビームダンプ１１２は、入射した反射光３４を吸収してもよい。
【００３８】
また、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３、放射光２５１およびＥＵＶ光２５２の一部は、ミラーユニット１０１の第２の反射面で、ウィンドウ１２３方向へ反射されてもよい。この反射光３５は、ミラーユニット１０１とウィンドウ１２３との間に配置されたダイクロイックミラー１２１によって、ビームダンプ１２２方向へ反射されてもよい。ビームダンプ１２２は、入射した反射光３５を吸収してもよい。
【００３９】
ガイド光出力装置４０は、ガイド光４１を出力してもよい。ガイド光出力装置４０は、半導体レーザであってもよい。ガイド光出力装置４０はレーザに限らず、たとえばＬＥＤ等のインコヒーレント光源であってもよい。ガイド光４１は、パルス光であってもコンティニュアス光（ＣＷ）であってもよい。ガイド光４１の波長は、パルスレーザ光３１の波長より短くてもよい。たとえば、ガイド光４１は、可視光であってもよい。その波長は、たとえば５００ｎｍ程度であってもよい。ガイド光４１は、後述するイメージセンサ４１０の受光感度特性に適した波長であるのが好ましい。コリメータ４０１は、ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１のビーム径を拡大してもよい。コリメータ４０１は、ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１を平行光に変換してもよい。
【００４０】
ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、チャンバ２Ａに設けられたウィンドウ１２３を介してチャンバ２Ａ内に進入してもよい。チャンバ２Ａ内に進入したガイド光４１は、ダイクロイックミラー１２１を透過して、ミラーユニット１０１に入射してもよい。ミラーユニット１０１は、ガイド光４１を、プラズマ生成領域２５に集光するように反射してもよい。プラズマ生成領域２５を通過したガイド光４１は、レーザ光集光光学系２２、ビーム調節器３５０、および結像光学系４０２を介して、イメージセンサ４１０に入射してもよい。結像光学系４０２は、ガイド光４１をイメージセンサ４１０の受光面に集光してもよい。結像光学系４０２は、たとえば１つ以上の結像レンズを含んでもよい。イメージセンサ４１０は、結像光学系４０２の結像面付近に配置されてもよい。イメージセンサ４１０は、ＣＣＤやＰＳＤ等の２次元センサであってもよい。
【００４１】
このように、ビームデリバリーシステム３４０、ビーム調節器３５０、レーザ光集光光学系２２、プラズマ生成領域２５、およびミラーユニット１０１は、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１の進行方向に対し、この順序で配置されてもよい。一方、ガイド光出力装置４０、コリメータ４０１、ミラーユニット１０１、プラズマ生成領域２５、レーザ光集光光学系２２、ビーム調節器３５０、結像光学系４０２、およびイメージセンサ４１０は、ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１の進行方向に対し、この順序で配置されてもよい。ここで、ミラーユニット１０１で反射されたガイド光４１の光路の中心軸と、プラズマ生成領域２５を通過するパルスレーザ光３１の光路の中心軸とは、実質的に一致するように調整されていてもよい。
【００４２】
エッチングガス供給装置９０は、チャンバ２Ａ内にエッチングガスを供給してもよい。エッチングガスは、光学素子等に付着したターゲット物質をエッチングしてもよい。このエッチングガスは、たとえば水素ガスや水素ラジカルを含有するガスなどであってもよい。エッチングガス供給装置９０は、導入管９１および９２を備えてもよい。導入管９１は、チャンバ２Ａ内のＥＵＶ集光ミラー２３の反射面に向けてエッチングガスを導入してもよい。導入管９２は、ミラーユニット１０１の内部へエッチングガスを導入してもよい。エッチングガス供給装置９０は、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御に基づいて、チャンバ２Ａ内にエッチングガスを供給してもよい。
【００４３】
圧力計９３は、チャンバ２Ａ内の圧力を計測してもよい。圧力計９３は、計測した圧力値をＥＵＶ光生成制御システム５Ａへ送信してもよい。排気装置９４は、チャンバ２Ａ内のガスを排気してもよい。排気装置９４は、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御に基づいてチャンバ２Ａ内のガスを排気してもよい。
【００４４】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１と、基準クロック生成器５２と、ターゲットコントローラ５３と、ターゲット供給ドライバ５４と、レーザ光集光位置制御ドライバ５５と、ガスコントローラ５６とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、基準クロック生成器５２、レーザ光集光位置制御ドライバ５５、ガスコントローラ５６、ターゲットコントローラ５３、レーザ装置３、露光装置コントローラ６１、ガイド光出力装置４０、およびイメージセンサ４１０と接続されていてもよい。ターゲットコントローラ５３は、ターゲット供給ドライバ５４、およびターゲットセンサ４と接続されてもよい。ターゲット供給ドライバ５４は、ターゲット供給装置２６０に接続されてもよい。レーザ光集光位置制御ドライバ５５は、レーザ光集光光学系２２に接続されていてもよい。ガスコントローラ５６は、エッチングガス供給装置９０、圧力計９３、および排気装置９４に接続されてもよい。
【００４５】
チャンバ２Ａ内部は、間仕切り８１によって、上流側と下流側との２つの空間に仕切られていてもよい。プラズマ生成領域２５は、下流側の空間２ｂに設定されていてもよい。間仕切り８１は、プラズマ生成領域２５を下流側の空間２ｂで発生したターゲット物質のデブリが上流側の空間２ａに進入することを低減し得る。間仕切り８１には、パルスレーザ光３３およびガイド光４１を通過させる連通穴８２が形成されていてもよい。連通穴８２は、ＥＵＶ集光ミラー２３に形成された貫通孔２４と位置合わせされているとよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、保持部２３ａによって間仕切り８１に固定されていてもよい。
【００４６】
４．２  動作
つづいて、図２に示すＥＵＶ光生成システム１１Ａの動作を説明する。ＥＵＶ光生成システム１１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａの制御に従って動作してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、露光装置コントローラ６１からＥＵＶ光２５２の生成位置またはプラズマ生成領域２５の位置に関する要求もしくは命令を受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、この要求または命令が示す位置（ＥＵＶ光生成要求位置）でＥＵＶ光２５２が生成されるように各部を制御してもよい。あるいは、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、この要求または命令が示す位置（ＥＵＶ光生成要求位置）がプラズマ生成領域２５の位置となるよう各部を制御してもよい。
【００４７】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ガイド光出力装置４０を発振させてもよい。ガイド光出力装置４０は、パルスまたはＣＷのガイド光４１を出力してもよい。ガイド光４１は、コリメータ４０１によってビーム径が拡大されてもよい。ビーム径が拡大されたガイド光４１は、ウィンドウ１２３を介してチャンバ２Ａ内に進入してもよい。チャンバ２Ａ内に進入したガイド光４１は、ミラーユニット１０１によって、プラズマ生成領域２５方向へ反射されてもよい。ミラーユニット１０１は、ガイド光４１をプラズマ生成領域２５で集光する光に変換してもよい。プラズマ生成領域２５方向へ反射されたガイド光４１の光路の中心軸は、レーザ光集光光学系２２を介してプラズマ生成領域２５に集光されるパルスレーザ光３３の光路の中心軸と、実質的に一致するように調整されていてもよい。
【００４８】
その後、ガイド光４１は、パルスレーザ光３２と同じ光路を逆に進行してもよい。すなわち、ガイド光４１は、レーザ光集光光学系２２によってビーム径が拡大された後、ビーム調節器３５０に入射してもよい。ビーム調節器３５０に入射したガイド光４１は、ダイクロイックミラー３５１を透過した後、結像光学系４０２によって、イメージセンサ４１０の受光面に集光されてもよい。イメージセンサ４１０の受光面には、ガイド光４１の像が結像されてもよい。この像には、ドロップレット２７の像が含まれてもよい。イメージセンサ４１０は、検出したガイド光４１の像のデータをＥＵＶ光生成位置コントローラ５１に送信してもよい。
【００４９】
イメージセンサ４１０において検出される像には、放射光２５１の像が含まれてもよい。すなわち、プラズマ生成領域２５で発生した放射光２５１の一部は、ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４、レーザ光集光光学系２２、ウィンドウ２１、ビーム調節器３５０、および結像光学系４０２を介して、イメージセンサ４１０に入射してもよい。イメージセンサ４１０は、検出された放射光２５１の像のデータをＥＵＶ光生成位置コントローラ５１に送信してもよい。
【００５０】
ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、イメージセンサ４１０からガイド光４１の像を受信してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、ガイド光４１の像の中心位置を計算してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、算出したガイド光４１の像の中心位置が所定の目標位置に一致するように、レーザ光集光位置制御ドライバ５５を介してレーザ光集光光学系２２を制御してもよい。目標位置は、露光装置コントローラ６１などの外部装置から入力されてもよい。
【００５１】
ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、レーザ光集光位置制御ドライバ５５を介してレーザ光集光光学系２２を制御してもよい。レーザ光集光位置制御ドライバ５５は、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１からの制御に基づいて、自動アオリ機能付きホルダ７３ａとプレート移動機構７１ａとに駆動信号を送信してもよい。自動アオリ機能付きホルダ７３ａは、レーザ光集光位置制御ドライバ５５から受信した駆動信号にしたがって、高反射ミラー７３のθｘ方向およびθｙ方向のアオリ角を制御してもよい。プレート移動機構７１ａは、レーザ光集光位置制御ドライバ５５からの駆動信号にしたがって、Ｚ方向に移動プレート７１を移動させてもよい。
【００５２】
また、ガイド光４１の像にドロップレット２７の像が含まれている場合、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、ドロップレット２７の像の中心位置を計算してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、算出したドロップレット２７の像の中心位置が所定の目標位置に一致するように、ターゲットコントローラ５３およびターゲット供給ドライバ５４を介して、ターゲット供給装置２６０を制御してもよい。ターゲット供給ドライバ５４は、ターゲットコントローラ５３からの制御に基づいて、２軸移動機構２６１に駆動信号を送信してもよい。２軸移動機構２６１は、ターゲット供給ドライバ５４からの駆動信号にしたがって、Ｙ方向およびＺ方向にドロップレット生成器２６を移動させてもよい。また、ターゲット供給ドライバ５４はターゲットコントローラ５３からのタイミング制御に基づいてドロップレット生成器２６へのドロップレット２７の出力信号の送信タイミングを補正してもよい。
【００５３】
また、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、イメージセンサ４１０から放射光２５１の像を受信してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、放射光２５１の像の中心位置を計算してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、算出した放射光２５１の像の中心位置と、所定の目標位置とを比較してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、この比較結果に基づいて、ＥＵＶ光生成システム１１Ａを制御してもよい。
【００５４】
ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、露光装置コントローラ６１からＥＵＶ光２５２の生成を要求するＥＵＶ光生成要求信号を受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ＥＵＶ光生成要求信号を受信すると、ターゲットコントローラ５３に、ＥＵＶ光生成要求信号を入力してもよい。ターゲットコントローラ５３は、ターゲット供給ドライバ５４を介してターゲット供給装置２６０を制御してもよい。ターゲットコントローラ５３は、ＥＵＶ光生成要求信号を受信すると、ターゲット供給ドライバ５４を介してターゲット供給装置２６０のドロップレット生成器２６に、ドロップレット２７の出力信号を送信してもよい。
【００５５】
ターゲットセンサ４は、ドロップレット２７のプラズマ生成領域２５の通過位置および通過タイミングを検出してもよい。この検出値は、ターゲットコントローラ５３に入力されてもよい。ターゲットコントローラ５３は、入力された検出値に応じて、ターゲット供給ドライバ５４を介して、ターゲット供給装置２６０を制御してもよい。また、ターゲットコントローラ５３は、入力された検出値をＥＵＶ光生成位置コントローラ５１に入力してもよい。ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、入力された検出値に応じて、ドロップレット２７がＥＵＶ光生成要求位置に到達したときにパルスレーザ光３３がドロップレット２７に照射されるように、レーザ装置３にトリガ信号を送信してもよい。レーザ装置３は、このトリガ信号から所定時間遅れたタイミングでパルスレーザ光３１を出力してもよい。
【００５６】
パルスレーザ光３１は、高反射ミラー３４１を含むビームデリバリーシステム３４０、およびビーム調節器３５０を経由し、チャンバ２Ａのウィンドウ２１を透過して、チャンバ２Ａ内に入射してもよい。このパルスレーザ光３２は、レーザ光集光ミラー７２と高反射ミラー７３とを含むレーザ光集光光学系２２によって、プラズマ生成領域２５のドロップレット２７上に集光されてもよい。
【００５７】
ドロップレット２７へのパルスレーザ光３３の照射によって、ドロップレット２７がプラズマ化され得る。このプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含む放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、入射した放射光２５１のうち、ＥＵＶ光２５２を選択的に反射してもよい。この反射されたＥＵＶ光２５２は、中間焦点（ＩＦ）２９２付近に集光され、露光装置６に入射してもよい。
【００５８】
ミラーユニット１０１は、２つの反射面を備えていてもよい。第１の反射面は、第２の反射面の上流側に配置されてもよい。第１の反射面には、ガイド光４１が通過する貫通孔が形成されていてもよい。第１の反射面で反射される反射光３４には、パルスレーザ光３３、放射光２５１、およびＥＵＶ光２５２が含まれ得る。この反射光３４は、ウィンドウ１１３を透過後、ビームダンプ１１２によって吸収されてもよい。
【００５９】
ミラーユニット１０１の第２の反射面で反射される反射光３５には、ブラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３、放射光２５１、およびＥＵＶ光２５２が含まれ得る。この反射光３５の光路上に配置されたダイクロイックミラー１２１は、この反射光３５の一部を反射してもよい。反射された反射光３５は、ビームダンプ１２２によって吸収されてもよい。
【００６０】
ここで、ドロップレット２７に使用するターゲット物質が金属を含む場合、プラズマ生成時にターゲット物質のデブリが生成され得る。このデブリは、ＥＵＶ集光ミラー２３やミラーユニット１０１に付着し得る。エッチングガス供給装置９０は、この付着したデブリをエッチングするためのエッチングガスを、ＥＵＶ集光ミラー２３の反射面やミラーユニット１０１中に、導入管９１および９２を介して供給してもよい。ターゲット物質にＳｎが用いられた場合、水素ガスや水素ラジカルを含有するガスなどがエッチングガスとして用いられてもよい。
【００６１】
チャンバ２Ａ内のガスは、排気装置９４によって排気されてもよい。ガスコントローラ５６は、チャンバ２Ａ内のガス圧を所定の圧力に維持しつつ、チャンバ２Ａ内に十分な量のエッチングガスが導入されるように、エッチングガス供給装置９０および排気装置９４を制御してもよい。ガスコントローラ５６は、圧力計９３から入力された圧力値に基づいて、エッチングガス供給装置９０および排気装置９４を制御してもよい。
【００６２】
４．３  作用
以上の構成および動作によれば、ターゲット物質をプラズマ化するためのパルスレーザ光３３の光路の中心軸と、ガイド光４１の光路の中心軸とを、所望の位置に、実質的に一致させ得る。また、ガイド光４１の像がイメージセンサ４１０によって検出され得る。このガイド光４１の像には、ドロップレット２７の像が含まれ得る。そのため、ガイド光４１の像から、パルスレーザ光３３の集光位置と、パルスレーザ光３３が照射されるときのドロップレット２７の位置とを、特定することができる。それにより、検知結果に基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置とドロップレット２７の供給位置および供給タイミングとを制御し得る。その結果、ＥＵＶ光の生成が、高精度に制御され得る。
【００６３】
また、ガイド光出力装置４０は、レーザ装置３の休止中にもガイド光４１を出力し得る。そのため、レーザ装置３を稼働させずとも、パルスレーザ光３３の集光位置を制御することができる。
【００６４】
ガイド光４１の集光ビーム径は、パルスレーザ光３３の集光ビーム径に対して小さくてもよい。たとえば、パルスレーザ光３３の波長を１０．６μｍとし、ガイド光４１の波長を５００ｎｍとし、かつ、パルスレーザ光３３がガイド光４１の約４倍のビーム径で結像光学系４０２に入射した場合、ガイド光４１はパルスレーザ光３３に対して約１／５のビーム径で集光し得る。ただし、ガイド光４１の集光ビーム径は、ドロップレット２７の像がガイド光４１の像と重なって、かつガイド光４１の像の内側に検出できる程度の径に調整されることが好ましい。この際、ガイド光４１の集光ビーム径がパルスレーザ光３３の集光ビーム径と同等か、またはそれ以上であってもよい。
【００６５】
ここで、イメージセンサ４１０に結像したガイド光４１の像と、放射光２５１の像とについて説明する。なお、以下の説明において、ガイド光４１の光路の中心軸と、パルスレーザ光３３の光路の中心軸とは、予め一致するように調整されているものとする。また、ドロップレット２７にパルスレーザ光３３を照射する目標位置は、各図におけるＸ軸およびＹ軸のクロス点（たとえば原点ｏ）であるとする。
【００６６】
図３は、レーザ照射のタイミングでガイド光４１の位置とドロップレット２７の位置とが原点ｏに一致しない場合に、イメージセンサ４１０によって検出される像の一例を示す。図３に示す例では、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇは、目標位置である原点ｏに一致していない。同様に、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄは、原点ｏに一致していない。像Ｇ４１の中心Ｇの位置（中心位置）および像Ｄ２７の中心Ｄの位置（中心位置）は、たとえばイメージセンサ４１０で取得された像の光強度分布から算出する方法など、種々の方法で求めることができる。また、中心位置の代わりに、重心位置などを用いてもよい。
【００６７】
図４は、レーザ光集光光学系２２の調整後にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図４に示すように、レーザ光集光光学系２２の調整後は、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇが、原点ｏに実質的に一致し得る。
【００６８】
図５は、ターゲット供給装置２６０の調整後にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図５に示すように、ターゲット供給装置２６０の調整後は、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄが、原点ｏに実質的に一致し得る。
【００６９】
図６は、図５に示す状態でドロップレット２７にパルスレーザ光３３を照射した際にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図６に示すように、レーザ光集光光学系２２およびターゲット供給装置２６０の調整後では、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇと、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄとが、共に原点ｏに実質的に一致し得る。そのため、この状態でドロップレット２７にパルスレーザ光３３を照射した際に得られる放射光２５１の像Ｅ２５１の中心Ｅは、目標位置である原点ｏまたは原点ｏ周辺の位置となり得る。このように、放射光２５１の像を確認することができるので、レーザ光集光光学系２２およびターゲット供給装置２６０の調整を繰り返すことによりＥＵＶ光２５２を目標位置またはその周辺の許容範囲内で生成することが可能となると推測される。
【００７０】
実施の形態１によれば、ドロップレット２７にパルスレーザ光３３が照射される所望の位置で、ガイド光４１を集光させ得る。また、この所望の位置でのガイド光４１の像が、レーザ光集光光学系２２と結像光学系４０２とを介して検出されてもよい。その結果、パルスレーザ光３３が集光する位置、ドロップレット２７の位置、および所望の位置を同時に検出することが可能となると推測される。そして、この検出結果に基づいてレーザ光集光光学系２２の焦点位置とドロップレット２７の位置とを制御することによって、レーザ光集光光学系２２の焦点位置とドロップレット２７の位置とを高精度に所望の位置に合わせることが可能となると推測される。それにより、パルスレーザ光３３を安定してドロップレット２７に照射することが可能となり、その結果、ＥＵＶ光２５２を所望の位置で高精度に生成することが可能となると推測される。
【００７１】
４．４  フローチャート
つづいて、実施の形態１によるＥＵＶ光生成制御システム５Ａの動作を、図面を用いて詳細に説明する。図７は、実施の形態１によるＥＵＶ光生成制御システム５Ａの概略動作を示すフローチャートである。図８は、図７に示すガイド調整サブルーチンＳ１０１の一例を示すフローチャートである。図９は、図７に示すシューティング制御サブルーチンＳ１０２の一例を示すフローチャートである。図１０は、図７に示す結果判定サブルーチンＳ１０３の一例を示すフローチャートである。
【００７２】
図７に示す動作は、たとえばＥＵＶ光生成制御システム５Ａが露光装置コントローラ６１などの外部装置からバースト運転の指示を受信した際や、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａを起動した際に実行されてもよい。
【００７３】
図７に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、まず、ガイド光４１を用いたガイド調整サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、放射光２５１を生成するシューティング制御サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１０２のシューティング制御サブルーチンによる放射光２５１の生成結果が許容範囲内であるか否かを判定する結果判定サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０３）。ステップＳ１０３の結果、放射光２５１の生成結果が許容範囲内ではない場合（ステップＳ１０４；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１０１へリターンして、以降の動作を実行してもよい。ステップＳ１０３の結果、放射光２５１の生成結果が許容範囲内である場合（ステップＳ１０４；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、放射光２５１を伴うシューティング制御を中止するか否かを判定してもよい（ステップＳ１０５）。シューティング制御を中止する場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図７に示す動作を終了してもよい。シューティング制御を中止しない場合（ステップＳ１０５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１０２へリターンして、以降の動作を実行してもよい。
【００７４】
また、図７のステップＳ１０１に示すガイド調整サブルーチンでは、図８に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、まず、ガイド光出力装置４０を点灯してもよい（ステップＳ１１１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、イメージセンサ４１０を動作させてガイド光４１の像Ｇ４１を検出してもよい（ステップＳ１１２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、イメージセンサ４１０から入力された像を解析することで、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇと原点ｏとの距離Ｌ１を算出してもよい（ステップＳ１１３）。
【００７５】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、距離Ｌ１が許容範囲ΔＬ１内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１１４）。許容範囲ΔＬ１は、予め設定されていてもよいし、露光装置コントローラ６１などの外部装置から入力されてもよい。距離Ｌ１が許容範囲ΔＬ１内ではない場合（ステップＳ１１４；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇが原点ｏに一致するように、レーザ光集光光学系２２を駆動してもよい（ステップＳ１１５）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１１１へリターンしてもよい。
【００７６】
一方、距離Ｌ１が許容範囲ΔＬ１内である場合（ステップＳ１１４；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、つぎに、ターゲット供給装置２６０を駆動して、ドロップレット２７を出力させてもよい（ステップＳ１１６）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、パルスレーザ光３３の予定照射タイミングに同期させて、ガイド光出力装置４０を点滅させてもよい（ステップＳ１１７）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、イメージセンサ４１０を動作させることで入力されたガイド光４１の像Ｇ４１から、ドロップレット２７の像Ｄ２７を検出してもよい（ステップＳ１１８）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、検出したドロップレット２７の像Ｄ２７を解析することで、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄと原点ｏとの距離Ｌ２を算出してもよい（ステップＳ１１９）。
【００７７】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、距離Ｌ２が許容範囲ΔＬ２内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１２０）。許容範囲ΔＬ２は、予め設定されていてもよいし、露光装置コントローラ６１などの外部装置から入力されてもよい。距離Ｌ２が許容範囲ΔＬ２内ではない場合（ステップＳ１２０；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄが原点ｏに一致するように、ターゲット供給装置２６０の２軸移動機構２６１を駆動してもよい。このとき、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ドロップレット生成器２６によるドロップレット２７の出力タイミングを補正してもよい（ステップＳ１２１）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１１６へリターンしてもよい。一方、距離Ｌ２が許容範囲ΔＬ２内である場合（ステップＳ１２０；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図７に示す動作へリターンしてもよい。
【００７８】
図８に示すガイド調整サブルーチンを実行することで、レーザ光集光光学系２２の集光位置と、ドロップレット２７の位置とを、所望の位置（原点ｏ）に調整し得る。
【００７９】
また、図７のステップＳ１０２に示すシューティング制御サブルーチンでは、図９に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、まず、ドロップレット２７を出力させてもよい（ステップＳ１３１）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、パルスレーザ光３３の予定照射タイミングに同期させて、ガイド光出力装置４０を点滅させてもよい（ステップＳ１３２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、イメージセンサ４１０を動作させることで入力された像から、ガイド光４１の像Ｇ４１とドロップレット２７の像Ｄ２７とを検出してもよい（ステップＳ１３３）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、検出したガイド光４１の像Ｇ４１およびドロップレット２７の像Ｄ２７を解析してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇと原点ｏとの距離Ｌ１、およびドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄと原点ｏとの距離Ｌ２を算出してもよい（ステップＳ１３４）。
【００８０】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、算出した距離Ｌ１およびＬ２が、それぞれ許容範囲ΔＬ１およびΔＬ２内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１３５）。距離Ｌ１およびＬ２がそれぞれ許容範囲ΔＬ１およびΔＬ２内ではない場合（ステップＳ１３５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ガイド光４１の像Ｇ４１の中心Ｇが原点ｏに一致するように、レーザ光集光光学系２２を駆動してもよい（ステップＳ１３６）。また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄが原点ｏに一致するように、ターゲット供給装置２６０の２軸移動機構２６１を駆動してもよい。このとき、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ドロップレット生成器２６によるドロップレット２７の出力タイミングを補正してもよい（ステップＳ１３７）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、ステップＳ１３１へリターンしてもよい。なお、ステップＳ１３６およびＳ１３７は、必要に応じてどちらか一方のみが実行されてもよい。
【００８１】
一方、距離Ｌ１およびＬ２がそれぞれ許容範囲ΔＬ１およびΔＬ２内である場合（ステップＳ１３５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、レーザ装置３を駆動して、ドロップレット２７にパルスレーザ光３３を照射させてもよい（ステップＳ１３８）。これにより、所望の位置で、放射光２５１が生成され得る。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、図７に示す動作へリターンしてもよい。
【００８２】
図７のステップＳ１０３に示す結果判定サブルーチンでは、図１０に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、まず、イメージセンサ４１０を動作させてもよい。これにより、シューティング制御サブルーチンで生成された放射光２５１の像Ｅ２５１が検出されてもよい（ステップＳ１４１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、検出した放射光２５１の像Ｅ２５１を解析することで、放射光２５１の像Ｅ２５１の中心Ｅと原点ｏとの距離Ｌ３を算出してもよい（ステップＳ１４２）。
【００８３】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、距離Ｌ３が許容範囲ΔＬ３内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１４３）。許容範囲ΔＬ３は、予め設定されていてもよいし、露光装置コントローラ６１などの外部装置から入力されてもよい。距離Ｌ３が許容範囲ΔＬ３内である場合（ステップＳ１４３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、許容範囲内と判定し（ステップＳ１４４）、図７に示す動作へリターンしてもよい。一方、距離Ｌ３が許容範囲ΔＬ３内ではない場合（ステップＳ１４３；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ａは、許容範囲外と判定し（ステップＳ１４５）、図７に示す動作へリターンしてもよい。
【００８４】
以上のように動作させることで、放射光２５１の生成位置を所望の位置から許容範囲内に納めつつ、放射光２５１を生成することが可能となる。
【００８５】
５．ガイド光生成装置の具体例
つぎに、ミラーユニット１０１およびその周辺部の具体的な構成を、以下に例を挙げて説明する。
【００８６】
５．１  第１例
まず、第１例によるミラーユニット１０１Ａおよびその周辺部を、図面を参照に詳細に説明する。
【００８７】
５．１．１  構成
図１１は、第１例によるミラーユニット１０１Ａおよびその周辺部の構成を概略的に示す。図１１に示すように、第１例によるミラーユニット１０１Ａは、ミラーブロック１１０および１２０と、レンズブロック１１８と、集光レンズ１２８と、バッフル１２９とを含んでもよい。ミラーブロック１１０は、ミラーブロック１２０に対して上流側、すなわちプラズマ生成領域２５側に位置していてもよい。
【００８８】
レンズブロック１１８は、ミラーブロック１１０とミラーブロック１２０との間に配置されてもよい。このレンズブロック１１８には、集光レンズ１２８とバッフル１２９とが固定されてもよい。レンズブロック１１８は、ガイド光４１の光路を遮らないように、中空形状に加工されていてもよい。レンズブロック１１８は、図示しない冷却媒体配管を有していてもよい。この冷却媒体配管には、レーザ光およびレーザ光の散乱光の照射による温度上昇を低減するために、冷却媒体が図示しない冷却装置と圧送ポンプとを介して環流されてもよい。
【００８９】
ミラーブロック１１０および１２０の母材は、熱伝導の良好な材料であってよく、たとえば銅（Ｃｕ）であってもよい。また、ミラーブロック１１０および１２０の表面は、ターゲット物質と反応性の低い材料、たとえばＭｏ金属等でコーティングされていてもよい。ミラーブロック１１０および１２０は、図示しない冷却媒体配管を有していてもよい。この冷却媒体配管には、レーザ照射による温度上昇を低減するために、冷却媒体が図示しない冷却装置と圧送ポンプとを介して環流されてもよい。
【００９０】
ミラーブロック１１０の１つの面は、反射面（第１の反射面）として構成されていてもよく、軸外放物面ミラー１１０ａであってもよい。軸外放物面ミラー１１０ａの中央部には、ガイド光４１のビーム軸方向に沿って貫通孔１１０ｂが形成されていてもよい。貫通孔１１０ｂに連通して、レンズブロック１１８とミラーブロック１２０とによって囲まれた空間１１５が形成されていてもよい。軸外放物面ミラー１１０ａの焦点位置は、プラズマ生成領域２５と略一致していてもよい。
【００９１】
ミラーブロック１１０で反射された反射光３４の光路に沿って、バッフル１１４、連通穴１１６、ウィンドウ１１３およびウィンドウホルダ１１３ａ、ならびにビームダンプ１１２が、反射光３４の進行方向に対してこの順番に配置されていてもよい。
【００９２】
ミラーブロック１１０で反射された反射光３４は、チャンバ２Ａに形成された連通穴１１６を介して副チャンバ１０２内に進入してもよい。連通穴１１６には、ウィンドウ１１３が設けられてもよい。ウィンドウ１１３は、ダイヤモンドで構成さていてもよく、また、その両面にパルスレーザ光３３の波長に対応した反射防止膜がコーティングされていてもよい。ウィンドウ１１３は、チャンバ２Ａの外壁に取り付けられたウィンドウホルダ１１３ａに保持されていてもよい。また、ウインドウ１１３は入射する反射光３４に対して、その入射角が０度とならないように保持されているのが好ましい。チャンバ２Ａの内壁には、ウィンドウ１１３を囲むように、筒状のバッフル１１４が設けられてもよい。これにより、ウィンドウ１１３へのデブリの付着を低減し得る。バッフル１１４には、エッチングガス供給装置９０に接続されたエッチングガス用の導入管が設けられてもよい。バッフル１１４の内径は、ミラーブロック１１０の軸外放物面ミラー１１０ａによって反射された反射光３４のビーム径よりも大きいのが好ましい。ウィンドウ１１３を介して副チャンバ１０２内に進入した反射光３４は、ビームダンプ１１２に吸収されてもよい。ビームダンプ１１２には、入射したレーザ光のエネルギーを検出するエネルギーセンサが用いられてもよい。ビームダンプ１１２には、図示しない冷却水が流されてもよい。ビームダンプ１１２は、市販のレーザーパワーメータヘッドで代用され得る。
【００９３】
一方、ミラーブロック１２０の１つの面は反射面（第２の反射面）１２０ａとして構成されていてもよく、ガイド光４１が４５度の反射角で反射されるように鏡面加工されていてもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１の光路に沿って、コリメータ４０１、ウィンドウ１２３およびウィンドウホルダ１２３ａ、連通穴１１７、ダイクロイックミラー１２１、ならびに集光レンズ１２８が、この順番に配置されていてもよい。バッフル１２７は、ウィンドウ１２３およびダイクロイックミラー１２１を囲むように配置されているのが好ましい。
【００９４】
集光レンズ１２８を透過し、反射面１２０ａで反射される光の集光位置は、ブラズマ生成領域２５と一致していてもよい。ブラズマ生成領域２５を通過した、パルスレーザ光３３、放射光２５１、およびＥＵＶ光２５２の一部は、ミラーユニット１０１の第２の反射面１２０ａで反射され、反射光３５となる。集光レンズ１２８は、反射光３５を平行光に変換してもよい。集光レンズ１２８の材料は、ダイヤモンドであってもよい。レンズブロック１１８の外壁には、筒状のバッフル１２９が、集光レンズ１２８を囲むように配置されていてもよい。これにより、集光レンズ１２８へのデブリの付着を低減し得る。バッフル１２８には、エッチングガス供給装置９０に接続されたエッチングガス用の導入管が設けられてもよい。
【００９５】
集光レンズ１２８を透過した反射光３５は、ダイクロイックミラー１２１に入射してもよい。ダイクロイックミラー１２１は、ガイド光４１を透過させ、反射光３５を反射してもよい。ダイクロイックミラー１２１の表面には、ガイド光４１を高透過させ、反射光３５を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ダイククロイックミラー１２１の材料は、ダイヤモンドであってもよい。ダイクロイックミラー１２１で反射された反射光３５は、バッフル１２７に設けられた貫通孔１２２ａを介して、ビームダンプ１２２に入射し、吸収されてもよい。ビームダンプ１２２には、図示しない冷却水が流されてもよい。
【００９６】
ガイド光出力装置４０およびコリメータ４０１は、副チャンバ１０２内に配置されてもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、コリメータ４０１によって平行光に変換されてもよい。コリメータ４０１を透過したガイド光４１は、チャンバ２Ａに形成された連通穴１１７を介してチャンバ２Ａに進入してもよい。連通穴１１７には、ウィンドウ１２３が設けられてもよい。ウィンドウ１２３は、ダイヤモンドで形成されていてもよく、その両面にイメージセンサ４１０で感度のある波長に対応した反射防止膜がコーティングされているとよい。ウィンドウ１２３は、チャンバ２Ａの外壁に取り付けられたウィンドウホルダ１２３ａに保持されていてもよい。チャンバ２Ａの内壁には、筒状のバッフル１２７が、ウィンドウ１２３を囲むように設けられてもよい。これにより、ウィンドウ１２３へのデブリの付着を低減し得る。バッフル１２７には、エッチングガス供給装置９０に接続されたエッチングガス用の導入管が設けられてもよい。
【００９７】
ダイクロイックミラー１２１を透過したガイド光４１は、バッフル１２９および集光レンズ１２８を介して、ミラーブロック１２０の反射面１２０ａに入射してもよい。集光レンズ１２８は、ガイド光４１を、反射面１２０ａを介してプラズマ生成領域２５で集光する光に変換してもよい。
【００９８】
ミラーユニット１０１Ａ内部の空間１１５には、エッチングガス供給装置９０に接続された導入管９２のガス吹出口が配置されてもよい。空間１１５にエッチングガスを導入することで、ミラーブロック１２０の反射面と集光レンズ１２８の表面とに付着したデブリを除去し得る。あるいは、ミラーユニット１０１Ａ内部の空間１１５には、光学素子への埃等の付着を防止するために、図示しない不活性ガス供給装置から不活性ガスが導入されてもよい。いずれの場合でも、副チャンバ１０２には導入されたガスを排気するための図示しない排気ポートを設けてもよい。空間１１５にエッチングガスを導入する場合は、排気ポートに適当な除外装置が接続されるのが望ましい。
【００９９】
５．１．２  動作
つぎに、図１１に示す構成の概略動作を説明する。ガイド光４１の光路の中心軸は、パルスレーザ光３３の光路の中心軸と一致してもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、コリメータ４０１で平行光に変換されてもよい。その後、ガイド光４１は、ダイクロイックミラー１２１および集光レンズ１２８を透過し、ミラーブロック１２０の反射面１２０ａに入射してもよい。反射面１２０ａで反射されたガイド光４１は、空間１１５を通過し、プラズマ生成領域２５で一旦集光され、その後、広がりながら、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。
【０１００】
レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行するガイド光４１は、レーザ光集光光学系２２で平行光に変換されてもよい。その後、ガイド光４１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、ガイド光４１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０の受光面に転写してもよい。
【０１０１】
一方、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における中央部は、ミラーブロック１１０の空間１１５を通過し、ミラーブロック１２０の反射面１２０ａで反射されてもよい。反射されたパルスレーザ光３３は、集光レンズ１２８を介してダイクロイックミラー１２１まで到達し、ダイクロイックミラー１２１で高反射されてビームダンプ１２２に入射してもよい。
【０１０２】
プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における周辺部は、ミラーブロック１１０の軸外放物面ミラー１１０ａによって反射され、ウィンドウ１１３を介して、副チャンバ１０２内のビームダンプ１１２に入射してもよい。
【０１０３】
プラズマ生成領域２５で生成されたプラズマから放射された放射光２５１の一部は、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行する放射光２５１は、レーザ光集光光学系２２で平行光に変換されてもよい。その後、放射光２５１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、放射光２５１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０の受光面に転写してもよい。
【０１０４】
エッチングガス供給装置９０から導入管９２を経て空間１１５に供給されたエッチングガスは、ミラーユニット１０１Ａ内の光路上に配置された光学素子の表面を介して、空間１１５の外へ流れてもよい。光学素子の表面は、たとえばミラーブロック１２０の反射面１２０ａおよび集光レンズ１２８の表面であってもよい。このエッチングガスによって、光学素子の表面に付着したデブリがエッチングされ得る。
【０１０５】
バッフル１１４、１２９および１２７は、ウィンドウ１１３、集光レンズ１２８、ダイクロイックミラー１２１およびウィンドウ１２３の表面へのデブリの堆積を低減し得る。エッチングガス供給装置９０は、これら光学素子の表面に、図示しない配管を介してエッチングガスを流してもよい。これにより、光学素子の表面に付着したデブリをエッチングし得る。
【０１０６】
５．１．３  作用
第１例によれば、ガイド光４１とパルスレーザ光３３光路を略一致させることができる。さらに、ガイド光４１とプラズマから放射された放射光２５１とを１つのイメージセンサ４１０によって検出し得る。
【０１０７】
また、ミラーユニット１０１Ａにおける光学素子の表面に付着したデブリをエッチングし得る。それにより、ガイド光４１およびプラズマから放射された放射光２５１の計測を長期間安定して行うことができる。
【０１０８】
ターゲット物質に錫（Ｓｎ）を用いた場合、エッチングガスとしては、水素ガスや水素ラジカルガスを使用してもよい。水素ガスや水素ラジカルガスは、下記の化学反応にしたがい、付着したＳｎをエッチングし得る。
Ｓｎ（固体）＋２Ｈ２（気体）→ＳｎＨ４（気体）
【０１０９】
ただし、温度が１００度以上になると逆反応が生じ、Ｓｎが析出する場合がある。そこで、エッチング反応速度が析出反応速度よりも速くなる３０℃〜８０℃の温度範囲で、各光学素子（たとえばミラーユニット１０１Ａ）を温度制御するのが好ましい。ミラーユニット１０１Ａの温度は、たとえば、ミラーユニット１０１Ａに取り付けた温度センサ（不図示）の検出値に基づいて、ミラーユニット１０１Ａに流す冷却媒体の温度および流量の少なくともいずれかを制御することで制御され得る。
【０１１０】
５．２  第２例
つぎに、第２例によるミラーユニット１０１Ｂおよびその周辺部を、図面を参照に詳細に説明する。以下の説明において、上述の構成と同様の構成には、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
【０１１１】
５．２．１  構成
図１２は、第２例によるミラーユニット１０１Ｂおよびその周辺部の構成を概略的に示す。図１２に示すように、第２例によるミラーユニット１０１Ｂは、ミラーブロック１１０と、レンズブロック１１８と、ダイクロイックミラーブロック１３８と、ビームダンプブロック１３３とを備えてもよい。
【０１１２】
ミラーブロック１１０およびレンズブロック１１８は、図１１と同様に構成されてもよい。ダイクロイックミラーブロック１３８にはダイクロイックミラー１３２が固定されていてもよい。ミラーユニット１０１Ｂ内には、空間１１５が設けられてもよい。ダイクロイックミラー１３２には、パルスレーザ光３３および放射光２５１の一部を高透過し、ガイド光４１を高反射する膜をコートしてもよい。ダイクロイックミラー１３２の母材はダイヤモンドが好ましい。
【０１１３】
ここで、レンズブロック１１８に固定されている集光レンズ１２８は、ガイド光４１を透過させる材料でよい。ビームダンプブロック１３３の内面には、パルスレーザ光３３および放射光２５１の一部が効果的に吸収されるように、内部中央に円錐状の突起が設けられてもよい。ビームダンプブロック１３３にはレーザ光のエネルギーによる温度上昇を抑えるため図示しない冷却用の媒体が流れる配管が設けられてもよい。ミラーユニット１０１Ｂには、ダイクロイックミラー１３２と集光レンズ１２８の表面にエッチングガスが流れるようにエッチングガス供給装置９０からの導入管９２が接続されていてもよい。
【０１１４】
５．２．２  動作
つぎに、図１２に示す構成の動作を説明する。ガイド光４１の光路の中心軸は、パルスレーザ光３３の光路の中心軸と一致してもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、コリメータ４０１で平行光に変換されてもよい。その後、ガイド光４１は、集光レンズ１２８を透過し、ダイクロイックミラーブロック１３８のダイクロイックミラー１３２に入射してもよい。ダイクロイックミラー１３２で反射されたガイド光４１は、ミラーブロック１１０の空間１１５を通過し、プラズマ生成領域２５で一旦集光され、その後、広がりながら、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。
【０１１５】
レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行するガイド光４１は、平行光に変換され得る。その後、ガイド光４１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、ガイド光４１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０に転写してもよい。
【０１１６】
プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における中央部は、ミラーブロック１１０の空間１１５を通過し、ダイクロイックミラー１３２を透過して、ビームダンプブロック１３３の円錐面１３３ａに入射してもよい。
【０１１７】
一方、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における周辺部は、ミラーブロック１１０の軸外放物面ミラー１１０ａによって反射され、ウィンドウ１１３を介して、副チャンバ１０２内のビームダンプ１１２に入射してもよい。
【０１１８】
プラズマ生成領域２５で生成されたプラズマから放射された放射光２５１の一部は、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行する放射光２５１は、平行光に変換されてもよい。その後、放射光２５１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、放射光２５１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０に転写してもよい。
【０１１９】
エッチングガス供給装置９０から導入管９２を経て空間１１５に供給されたエッチングガスは、ミラーユニット１０１Ｂ内の光路上に配置された光学素子の表面を介して、空間１１５の外へ流れてもよい。光学素子の表面は、たとえばダイクロイックミラー１３２の表面および集光レンズ１２８の表面であってもよい。このエッチングガスによって、光学素子の表面に付着したデブリがエッチングされ得る。
【０１２０】
バッフル１１４、１２９および１２７は、それぞれウィンドウ１１３、集光レンズ１２８およびウィンドウ１２３の表面へのデブリの堆積を低減し得る。エッチングガス供給装置９０は、これら光学素子の表面に、図示しない配管を介してエッチングガスを流してもよい。これにより、光学素子の表面に付着したデブリがエッチングされ得る。
【０１２１】
５．２．３  作用
第２例によれば、ミラーユニット１０１Ｂにダイクロイックミラー１３２とビームダンプブロック１３３とが配置されてもよい。そのため、パルスレーザ光３３および放射光２５１の集光レンズ１２８への入射を低減し得る。その結果、集光レンズ１２８は高出力のパルスレーザ光３３に対する耐久性を備える必要がなく、その材料に比較的高価であるダイヤモンドを用いる必要がないと考えられ得る。
【０１２２】
５．３  第３例
つぎに、第３例によるミラーユニット１０１Ｃおよびその周辺部を、図面を参照に詳細に説明する。なお、以下の説明において、上述の構成と同様の構成には、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
【０１２３】
５．３．１  構成
図１３は、第３例によるミラーユニット１０１Ｃおよびその周辺部の構成を概略的に示す。図１３に示すように、第３例によるミラーユニット１０１Ｃは、ミラーブロック１１０と、レンズブロック１１８と、ダイクロイックミラーブロック１３８と、ガイド光出力装置収容部１４３とを備えてもよい。
【０１２４】
ミラーブロック１１０およびレンズブロック１１８は、図１１に示す構成と同様であってもよい。ダイクロイックミラーブロック１３８にはダイクロイックミラー１３２が固定されていてもよい。ミラーユニット１０１Ｂ内には、空間１１５が設けられてもよい。ダイクロイックミラー１３２には、パルスレーザ光３３および放射光２５１一部の波長の光を高反射し、ガイド光４１を高透過する膜をコートしてもよい。このダイクロイックミラー１３２の母材はダイヤモンドが好ましい。
【０１２５】
ガイド光出力装置収容部１４３内には、ガイド光出力装置４０とコリメータ４０１ａと集光レンズ４０１ｂとが収容されてもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、コリメータ４０１ａに入射してもよい。コリメータ４０１ａは、ガイド光４１を、平行光に変換し得る。その後、ガイド光４１は、集光レンズ４０１ｂに入射してもよい。集光レンズ４０１ｂは、ガイド光４１をプラズマ生成領域２５で集光される光に変換してもよい。コリメータ４０１ａおよび集光レンズ４０１ｂを透過したガイド光４１は、ダイクロイックミラー１３２を透過して、プラズマ生成領域２５で集光され、その後、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。
【０１２６】
ここで、集光レンズ１２８が固定されるレンズブロック１１８には、集光レンズ１２８を透過するレーザ光のエネルギーによる温度上昇を抑えるために、図示しない冷却用の媒体が流れる配管を設けてもよい。ミラーユニット１０１Ｃには、ダイクロイックミラー１３２と集光レンズ１２８の表面にエッチングガスが流れるようにエッチングガス供給装置９０からの導入管９２が接続されていてもよい。
【０１２７】
副チャンバ１０２内には、ガイド光出力装置４０およびコリメータ４０１に代えて、ビームダンプ１４２が配置されてもよい。ミラーユニット１０１Ｃのダイクロイックミラー１３２で反射されたパルスレーザ光３３および放射光２５１（反射光３５）は、バッフル１２７およびウィンドウ１２３を介して、ビームダンプ１４２に入射してもよい。
【０１２８】
５．３．２  動作
つぎに、図１３に示す構成の動作を説明する。ガイド光４１の光路の中心軸は、パルスレーザ光３３の光路の中心軸と一致してもよい。ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、コリメータ４０１ａおよび集光レンズ４０１ｂによって、プラズマ生成領域２５で集光される光に変換されてもよい。その後、ガイド光４１は、ダイクロイックミラー１３２を透過し、ミラーブロック１１０の空間１１５を通過して、プラズマ生成領域２５で一旦集光され、その後、広がりながら、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。
【０１２９】
レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行するガイド光４１は、平行光に変換されてもよい。その後、ガイド光４１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、ガイド光４１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０に転写してもよい。
【０１３０】
プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における中央部は、ミラーブロック１１０の空間１１５を通過し、ダイクロイックミラー１３２で反射されてもよい。反射されたパルスレーザ光３３は、バッフル１２７およびウィンドウ１２３を透過し、副チャンバ１０２内のビームダンプ１４２に入射してもよい。
【０１３１】
一方、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３のビーム断面における周辺部は、ミラーブロック１１０の軸外放物面ミラー１１０ａによって反射され、ウィンドウ１１３を介して、副チャンバ１０２内のビームダンプ１１２に入射してもよい。
【０１３２】
プラズマ生成領域２５で生成されたプラズマから放射された放射光２５１の一部は、レーザ光集光光学系２２に入射してもよい。レーザ光集光光学系２２をパルスレーザ光３３に対して逆に進行する放射光２５１は、平行光に変換されてもよい。その後、放射光２５１は、結像光学系４０２を透過してもよい。結像光学系４０２は、放射光２５１の集光点の断面像をイメージセンサ４１０に転写してもよい。
【０１３３】
エッチングガス供給装置９０から導入管９２を経て空間１１５に供給されたエッチングガスは、ミラーユニット１０１Ｃ内の光路上に配置された光学素子の表面を介して、空間１１５の外へ流れてもよい。光学素子の表面は、たとえばダイクロイックミラー１３２の表面および集光レンズ１２８の表面であってもよい。このエッチングガスによって、光学素子の表面に付着したデブリがエッチングされ得る。
【０１３４】
バッフル１１４、１２９および１２７は、それぞれウィンドウ１１３、集光レンズ１２８およびウィンドウ１２３の表面へのデブリの堆積を低減し得る。エッチングガス供給装置９０は、これら光学素子の表面に、図示しない配管を介してエッチングガスを流してもよい。これにより、光学素子の表面に付着したデブリがエッチングされ得る。
【０１３５】
５．３．３  作用
第３例によれば、パルスレーザ光３３を吸収することにより大きな熱負荷の掛かるビームダンプ１１２およびビームダンプ１４２が副チャンバ１０２内に配置されてもよい。これにより、輻射熱を発生する可能性のあるビームダンプ１１２およびビームダンプ１４２からミラーユニット１０１Ｃを遠ざけることができる。結果として、ミラーユニット１０１Ｃが熱的変形を起こしにくく、ガイド光４１の光路が安定化され得る。
【０１３６】
６．ガイド光学系の変形例
つぎに、ガイド光４１に関わる光学系の変形例を、図面を参照して詳細に説明する。
【０１３７】
６．１  構成
図１４は、ＥＵＶ光生成システム１１Ａの変形例におけるガイド光４１に関係する光学系の構成を概略的に示す。図１４では、主要な光学系のみを抜粋して示す。省略された構成は、上述した構成と同様であってもよい。
【０１３８】
図１４に示すように、変形例では、図２におけるコリメータ４０１の代わりに、ピンホールプレート４１１およびコリメータ４１２が設けられてもよい。ピンホールプレート４１１は、コリメータ４１２の焦点の位置に配置されてもよい。ピンホールプレート４１１は、そのピンホールの径がガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１のビーム径より小さくなるように構成されていてもよい。あるいは、ピンホールの径は、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３の集光径程度に設定されていてもよい。
【０１３９】
６．２  動作
図１４において、ガイド光出力装置４０から出力されたガイド光４１は、ピンホールプレート４１１に入射してもよい。ピンホールプレート４１１を通過したガイド光４１は、広がりつつ、コリメータ４１２に入射してもよい。コリメータ４１２は、ガイド光４１を平行光に変換してもよい。
【０１４０】
平行光に変換されたガイド光４１は、ウィンドウ１２３およびダイクロイックミラー１２１を透過し、ミラーユニット１０１に入射してもよい。ミラーユニット１０１は、ガイド光４１をプラズマ生成領域２５の方向へ反射してもよい。これにより、パルスレーザ光３２の光路の中心軸とガイド光４１の光路の中心軸とが実質的に一致してもよい。
【０１４１】
また、ミラーユニット１０１は、ガイド光４１をプラズマ生成領域２５で集光される光に変換してもよい。このとき、プラズマ生成領域２５にあるレーザ光集光光学系２２の焦点位置に、ピンホールプレート４１１のピンホールにおけるガイド光４１の像がガイド光４１による影として結像されるように構成されてもよい。たとえば、ガイド光４１の波長におけるコリメータ４１２の焦点距離を集光レンズ１２８の焦点距離に合わせることにより、ピンホールプレート４１１のピンホールにおけるガイド光４１の像をプラズマ生成領域２５に等倍転写することができる。
【０１４２】
プラズマ生成領域２５を通過したガイド光４１は、広がりつつ、ビーム調節器３５０、および結像光学系４０２を介して、結像光学系４０２の焦点の位置に配置されたイメージセンサ４１０に入射してもよい。イメージセンサ４１０の受光面には、ガイド光４１の影としてピンホールプレート４１１のピンホールにおけるガイド光４１の像が結像されてもよい。イメージセンサ４１０によって検出されたガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像のデータは、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１に送信されてもよい。
【０１４３】
図１５に、図１４のイメージセンサ４１０に結像されたガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１とドロップレット２７の像Ｄ２７とを示す。なお、図１５では、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３の集光点の断面像Ｂ３３も示す。
【０１４４】
図１５に示すように、変形例では、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１が、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３の集光点の断面像Ｂ３３と略等しくてもよい。ここで、ガイド光４１は、パルスレーザ光３３と光路の中心軸が略一致する光路に沿って、ほぼ同じビーム径で、ミラーユニット１０１からダイクロイックミラー３５１に至るまでの光路を進行し得る。そのため、ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１は、パルスレーザ光３３の集光位置およびビーム径を反映し得る。また、実施の形態１と同様に、イメージセンサ４１０は放射光２５１の像を検出してもよく、放射光２５１の像Ｅ２５１の中心Ｅを算出することができる。従って、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１は、図１５のように算出されたピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐと放射光２５１の像Ｅ２５１の中心Ｅとが一致するように、パルスレーザ光３３の集光位置とドロップレット２７の供給位置とを制御してもよい。このとき、各像の中心が理想的な位置（たとえば、原点ｏ）になるように、パルスレーザ光３３の集光位置とドロップレット２７の供給位置とを制御してもよい。なお、各像の中心の代わりに、各像の重心を求めてもよい。
【０１４５】
６．３  作用
変形例によれば、ガイド光４１の光路とパルスレーザ光３３の光路とを実質的に一致させ得る。また、ピンホールプレート４１１のピンホールにおけるガイド光４１の像をプラズマ生成領域２５に結像させ得る。そのため、実際にパルスレーザ光３３を出力しなくともガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の検出結果に基づき、パルスレーザ光３３の中心位置とビーム径とが検出され得る。
【０１４６】
７．プリパルスレーザとメインパルスレーザとを組み合わせたＥＵＶ光生成装置（実施の形態２）
つぎに、実施の形態２によるＥＵＶ光生成システムを、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明において、上記の構成と同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。
【０１４７】
７．１  構成
図１６は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成システム１１Ｂの構成を概略的に示す。図１６に示すように、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂは、図２に示すＥＵＶ光生成システム１１Ａと同様の構成に加え、プリパルスレーザ装置１５０と、高反射ミラー３６０とを備えてもよい。また、ビームデリバリーシステム３４０中の高反射ミラー３４１が、ダイクロイックミラー３４２に置き換えられてもよい。なお、説明の都合上、以下では、レーザ装置３をメインパルスレーザ装置３と称し、パルスレーザ光３１〜３３をメインパルスレーザ光３１〜３３と称する。
【０１４８】
プリパルスレーザ装置１５０は、たとえばＹＡＧレーザ等であってもよい。プリパルスレーザ装置１５０から出力されたプリパルスレーザ光１５１は、高反射ミラー３６０で反射されてもよい。反射されたプリパルスレーザ光１５１は、ビームデリバリーシステム３４０のダイクロイックミラー３４２に入射してもよい。ダイクロイックミラー３４２には、プリパルスレーザ光１５１を高透過させ、メインパルスレーザ光３１を高反射する膜がコーティングされていてもよい。ダイクロイックミラー３４２に入射したプリパルスレーザ光１５１は、これを透過してもよい。これにより、プリパルスレーザ光１５１の光路の中心軸と、メインパルスレーザ光３２の光路の中心軸とが実質的に一致するように構成されてもよい。あるいは、プリパルスレーザ光１５１の光路の中心軸と、メインパルスレーザ光３２の光路の中心軸とは予め所定の位置関係になるように構成されていてもよい。
【０１４９】
また、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂでは、副チャンバ１０２内のガイド光出力装置４０に、３軸移動機構４２０が設けられてもよい。３軸移動機構４２０は、ＥＵＶ光生成位置コントローラ５１からの制御の下で、ガイド光出力装置４０を移動させてもよい。このとき、３軸移動機構４２０はガイド光出力装置４０とともにピンホールプレート４１１を移動させてもよい。
【０１５０】
７．２  動作
つづいて、図１６に示すＥＵＶ光生成システム１１Ｂの動作を説明する。以下では、イメージセンサ４１０の受光面に結像されるガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１と、ドロップレット２７の像Ｄ２７または拡散ターゲットの像Ｆ２７と、予測されるメインパルスレーザ光３３の集光点の断面像Ｂ３３と、ＥＵＶ光２５２を含む放射光２５１の像Ｅ２５１とを用いて、ＥＵＶ光生成システム１１Ｂの動作を説明する。
【０１５１】
以下の説明において、プリパルスレーザ光１５３の集光位置と、メインパルスレーザ光３３の集光位置とは、略一致するように構成されていてもよいし、予め所定の位置関係になるように構成されていてもよい。さらに、ピンホールプレート４１１のピンホールの径は、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の径とメインパルスレーザ光３３の集光ビーム径とが略等しくなるように構成されていてもよい。
【０１５２】
図１７は、プリパルスレーザ光１５３と、メインパルスレーザ光３３が出力されない状態において、イメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図１７では、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐの位置とドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄの位置とが原点ｏに一致しない例を示す。図１７に示す例では、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐは、目標位置である原点ｏに一致しない。同様に、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄは、原点ｏに一致しない。なお、像Ｐ４１１の中心Ｐの位置および像Ｄ２７の中心Ｄの位置は、たとえばイメージセンサ４１０で取得された像の光強度分布から算出する方法など、種々の方法で求めることができる。また、中心位置の代わりに、重心位置などを用いてもよい。
【０１５３】
図１８は、図１７の状態からレーザ光集光光学系２２の調整を行った後にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図１８に示すように、レーザ光集光光学系２２の調整後は、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐが、原点ｏに実質的に一致し得る。
【０１５４】
図１９は、図１８の状態からターゲット供給装置２６０の調整を行った後にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図１９に示すように、ターゲット供給装置２６０の調整後は、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄが、原点ｏに実質的に一致し得る。
【０１５５】
図２０は、図１９に示す状態でドロップレット２７にプリパルスレーザ光１５３が照射された際にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図１９を参照に説明したように、レーザ光集光光学系２２およびターゲット供給装置２６０を調整後では、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐと、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄとが、共に原点ｏに実質的に一致し得る。プリパルスレーザ光１５３の集光位置と、メインパルスレーザ光３３の集光位置とは、略一致するように構成されているため、この状態でドロップレット２７にプリパルスレーザ光１５３が照射されることで生成され得る拡散ターゲットの像Ｆ２７はイメージセンサ４１０の検出視野に入り得る。さらに拡散ターゲットの像Ｆ２７の中心Ｆは、目標位置である原点ｏに近い位置となり得る。
【０１５６】
図２１は、図１９に示す状態から所定時間経過後に拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３３が照射された際にイメージセンサ４１０によって検出され得る像の一例を示す。図２１に示すように、放射光２５１の像Ｅ２５１の中心Ｅは、原点ｏに近い位置にあり得る。すなわち、原点ｏ付近で生成された拡散ターゲットは、所定時間経過する際に微小距離移動するものの、イメージセンサ４１０の検出視野内においてメインパルスレーザ光３３に照射され得る。その結果、放射光２５１を目標位置近くで生成することが可能となる。
【０１５７】
７．３  作用
実施の形態２によれば、ドロップレット２７にプリパルスレーザ光１５３が照射される位置で、ガイド光４１が集光され得る。また、この位置でのガイド光４１の像が、レーザ光集光光学系２２と結像光学系４０２とを介して検出され得る。その結果、プリパルスレーザ光１５３が集光される位置、ドロップレット２７の位置、放射光２５１が生成される位置を同時に検出することが可能となる。そして、この検出値に基づいてレーザ光集光光学系２２の集光位置とドロップレット２７の位置とを制御することによって、レーザ光集光光学系２２の集光位置とドロップレット２７の位置とを高精度に所望の位置に一致させることが可能となる。それにより、プリパルスレーザ光１５３を安定してドロップレット２７に照射することが可能となる。その結果、拡散ターゲットを所望の位置あるいはその付近で高精度に生成することが可能となる。
【０１５８】
また、拡散ターゲットの生成位置を、ガイド光４１を用いて検出することができる。これによれば、拡散ターゲットとメインパルスレーザ光３３との位置関係を、メインパルスレーザ光照射前に予測することが可能となる。そして、イメージセンサ４１０の検出視野内において拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３３を照射することができる。
【０１５９】
７．４  フローチャート
つづいて、実施の形態２によるＥＵＶ光生成制御システム５Ｂの動作を、図面を参照に詳細に説明する。図２２は、実施の形態２によるＥＵＶ光生成制御システム５Ｂの概略動作を示すフローチャートである。図２３は、図２２に示す目標位置設定サブルーチンＳ２０１の一例を示すフローチャートである。図２４は、図２２に示すシューティング制御サブルーチンＳ２０２の一例を示すフローチャートである。
【０１６０】
図２２に示す動作は、たとえばＥＵＶ光生成制御システム５Ｂが露光装置コントローラ６１などの外部装置からバースト運転の指示を受信した際や、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂを起動した際に実行されてもよい。
【０１６１】
図２２に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、まず、たとえば露光装置コントローラ６１から放射光２５１の生成位置の指定を受信し、これをプラズマ生成位置の目標位置とする目標位置設定サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２０１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ガイド光４１を用いたガイド調整サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０１）。ガイド調整サブルーチンは、図８に示す動作と同様でよい。
【０１６２】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、実際に放射光２５１を生成するシューティング制御サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ２０２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ２０２のシューティング制御サブルーチンによる放射光２５１の生成結果が許容範囲内であるか否かを判定する結果判定サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０３）。結果判定サブルーチンは、図１０に示す動作と同様でよい。
【０１６３】
ステップＳ１０３の結果、放射光２５１の生成結果が許容範囲内ではない場合（ステップＳ１０４；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ１０１へリターンして、以降の動作を実行してもよい。ステップＳ１０３の結果、放射光２５１の生成結果が許容範囲内である場合（ステップＳ１０４；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、シューティング制御を中止するか否かを判定してもよい（ステップＳ１０５）。シューティング制御を中止する場合（ステップＳ１０５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、図２２に示す動作を終了してもよい。シューティング制御を中止しない場合（ステップＳ１０５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ２０２へリターンして、以降の動作を実行してもよい。
【０１６４】
また、図２２のステップＳ２０１に示す目標位置設定サブルーチンでは、図２３に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、まず、たとえば露光装置コントローラ６１から、放射光２５１を生成する目標の位置の現在位置（または初期状態）からの相対変化量を受信してもよい（ステップＳ２１１）。
【０１６５】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ガイド光４１のピンホールプレート４１１ピンホールにおける像Ｅ４１１の中心Ｐが相対変化量分変化するように、３軸移動機構４２０を駆動してガイド光出力装置４０の位置を制御してもよい。このとき同時にピンホールプレート４１１の位置をガイド光出力装置４０の位置とともに制御してもよい（ステップＳ２１２）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、図２２に示す動作へリターンしてもよい。
【０１６６】
また、図２２のステップＳ２０２に示すシューティング制御サブルーチンでは、図２４に示すように、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、まず、ドロップレット２７を出力してもよい（ステップＳ２２１）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、プリパルスレーザ光１５３の予定照射タイミングに同期させて、ガイド光出力装置４０を点滅させてもよい（ステップ２２２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、イメージセンサ４１０を動作させることで取得された像から、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１とドロップレット２７の像Ｄ２７とを検出してもよい（ステップＳ２２３）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、検出されたピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１およびドロップレット２７の像Ｄ２７を解析してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐと原点ｏとの距離Ｌ４、およびドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄと原点ｏとの距離Ｌ２を算出してもよい（ステップＳ２２４）。
【０１６７】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、算出された距離Ｌ４およびＬ２が、それぞれ許容範囲ΔＬ４およびΔＬ２内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ２２５）。許容範囲ΔＬ４は、許容範囲ΔＬ２と同様に、予め設定されていてもよいし、露光装置コントローラ６１などの外部装置から入力されてもよい。距離Ｌ４およびＬ２がそれぞれ許容範囲ΔＬ４およびΔＬ２内ではない場合（ステップＳ２２５；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１の中心Ｐが原点ｏに一致するように、レーザ光集光光学系２２を駆動してもよい（ステップＳ２２６）。また、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ドロップレット２７の像Ｄ２７の中心Ｄが原点ｏに一致するように、ターゲット供給装置２６０の２軸移動機構２６１を駆動してもよい。このとき、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ドロップレット生成器２６によるドロップレット２７の出力タイミングを補正してもよい（ステップＳ２２７）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ２２１へリターンしてもよい。なお、ステップＳ２２６およびＳ２２７は、必要に応じてどちらか一方のみが実行されてもよい。
【０１６８】
一方、距離Ｌ４およびＬ２がそれぞれ許容範囲ΔＬ４およびΔＬ２内である場合（ステップＳ２２５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、プリパルスレーザ装置１５０を駆動して、ドロップレット２７にプリパルスレーザ光１５３を照射してもよい（ステップＳ２２８）。これにより、所望の位置で、ドロップレット２７が拡散ターゲットとなり得る。
【０１６９】
つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、メインパルスレーザ光３３の予定照射タイミングに同期させて、ガイド光出力装置４０を点滅させてもよい（ステップ２２９）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、イメージセンサ４１０を動作させることで取得された像から、ガイド光４１のピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１と拡散ターゲットの像Ｆ２７とを検出してもよい（ステップＳ２３０）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、検出されたピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１および拡散ターゲットの像Ｆ２７を解析してもよい。これにより、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１に拡散ターゲットの像Ｆ２７が含まれているか否かを判定してもよい（ステップＳ２３１）。ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１に拡散ターゲットの像Ｆ２７が含まれている状態とは、たとえば図２０を参照に説明したように、像Ｐ４１１の内側に像Ｆ２７が検出される状態を意味する。
【０１７０】
ステップＳ２３１の判定の結果、ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１に拡散ターゲットの像Ｆ２７が含まれていない場合（ステップＳ２３１；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、ステップＳ２２１へリターンし、以降の動作を実行してもよい。一方、ピンホールプレート４１１のピンホールにおける像Ｐ４１１に拡散ターゲットの像Ｆ２７が含まれている場合（ステップＳ２３１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、メインパルスレーザ装置３を駆動して、拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３３を照射してもよい（ステップＳ２３２）。これにより、放射光２５１が生成され得る。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５Ｂは、図２２に示す動作へリターンしてもよい。
【０１７１】
以上のように動作させることで、放射光２５１の生成位置を所望の位置から許容範囲内に納めつつ、放射光２５１を生成することが可能となる。
【０１７２】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１７３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１７４】
１  ＥＵＶ光生成装置
１１、１１Ａ、１１Ｂ  ＥＵＶ光生成システム
２２  レーザ光集光光学系
２２ａ  ミラーホルダ
２３  ＥＵＶ集光ミラー
２３ａ  保持部
２４  貫通孔
２５  プラズマ生成領域
２５１  放射光
２５２  ＥＵＶ光
２６  ドロップレット生成器
２６０  ターゲット供給装置
２６１  ２軸移動機構
２７  ドロップレット
２８  ターゲット回収器
２９  接続部
２９１  壁
２９２  中間焦点（ＩＦ）
３  レーザ装置（メインパルスレーザ装置）
３１〜３３  パルスレーザ光（メインパルスレーザ光）
３４、３５  反射光
３４０  ビームデリバリーシステム
３４１  高反射ミラー
３４２  ダイクロイックミラー
３５０  ビーム調節器
３５１  ダイクロイックミラー
４  ターゲットセンサ
４０  ガイド光出力装置
４１  ガイド光
４０１  コリメータ
４０２  結像光学系
４１０  イメージセンサ
４１１  ピンホールプレート
４１２  コリメータ
５、５Ａ  、５Ｂ  ＥＵＶ光生成制御システム
５１  ＥＵＶ光生成位置コントローラ
５２  基準クロック生成器
５３  ターゲットコントローラ
５４  ターゲット供給ドライバ
５５  レーザ光集光位置制御ドライバ
５６  ガスコントローラ
６  露光装置
６１  露光装置コントローラ
７１  移動プレート
７１ａ  プレート移動機構
７２  レーザ光集光ミラー
７２ａ  ミラーホルダ
７３  高反射ミラー
７３ａ  自動アオリ機構付きホルダ
８１  間仕切り
８２  連通穴
９０  エッチングガス供給装置
９１、９２  導入管
９３  圧力計
９４  排気装置
１０１、１０１Ａ、１０１Ｂ  ミラーユニット
１０２  副チャンバ
１１０、１２０  ミラーブロック
１１０ａ、１２０ａ  反射面
１１０ｂ  貫通孔
１１２、１２２、１４２  ビームダンプ
１１３、１２３  ウィンドウ
１１３ａ、１２３ａ  ウィンドウホルダ
１１４、１２７、１２９  バッフル
１１５  空間
１１６、１１７  連通穴
１１８  レンズブロック
１２１、１３２  ダイクロイックミラー
１２２ａ  貫通孔
１３３  ビームダンプブロック
１３３ａ  円錐面
１３８  ダイクロイックミラーブロック
１４３  ガイド光出力装置収容部
１５０  プリパルスレーザ装置
１５１〜１５３  プリパルスレーザ光
３６０  高反射ミラー
【図１】
0005846572.tif 000002
【図２】
0005846572.tif 000003
【図３】
0005846572.tif 000004
【図４】
0005846572.tif 000005
【図５】
0005846572.tif 000006
【図６】
0005846572.tif 000007
【図７】
0005846572.tif 000008
【図８】
0005846572.tif 000009
【図９】
0005846572.tif 000010
【図１０】
0005846572.tif 000011
【図１１】
0005846572.tif 000012
【図１２】
0005846572.tif 000013
【図１３】
0005846572.tif 000014
【図１４】
0005846572.tif 000015
【図１５】
0005846572.tif 000016
【図１６】
0005846572.tif 000017
【図１７】
0005846572.tif 000018
【図１８】
0005846572.tif 000019
【図１９】
0005846572.tif 000020
【図２０】
0005846572.tif 000021
【図２１】
0005846572.tif 000022
【図２２】
0005846572.tif 000023
【図２３】
0005846572.tif 000024
【図２４】
0005846572.tif 000025