(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置であって、
複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムであって、固定部および可動部を備える投影システムと、
第１モードまたは第２モードで動作するように当該装置を制御するよう構成された制御部と、
前記ターゲットを有する基板を支持するとともに、前記投影システムが前記基板の連続的な走査領域上に投影できるように前記投影システムに対して走査方向に前記基板を移動するよう構成された基板支持部材と、
を備え、
前記第１モードにおいて前記投影システムは、第１エネルギー量を選択された位置に与え、前記第２モードにおいて前記投影システムは、前記第１エネルギー量よりも大きい第２エネルギー量を選択された位置に与え、
前記第１モードにおいて前記基板は、前記投影システムに対して第１速度で移動し、前記第２モードにおいて前記基板は、前記第１速度よりも低い第２速度で前記投影システムに対して移動し、
前記第１モードにおいて前記投影システムは、複数の放射ビームを第１レートで選択された位置に投影し、前記第２モードにおいて前記投影システムは、複数の放射ビームを前記第１レート以下の第２レートで選択された位置に投影し、
前記第２モードは、第１サブモードを備え、該第１サブモードでは、各走査領域が整数個の他の走査領域と重複するように、前記第２レートが前記第１レートと実質的に等しく、且つ前記第２速度が前記第１速度の整数分の１であることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第２モードは、第２サブモードを備え、該第２サブモードでは、前記第２レートが前記第１レートの減速係数分の１であり、且つ前記第２速度が前記第１速度の減速係数分の１であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２モードは、第３サブモードを備え、該第３サブモードでは、前記第２レートが前記第１レートの減速係数分の１であり、且つ前記第２速度が前記第１速度の減速係数と整数係数の積分の１であり、各走査領域は、整数個の他の走査領域と部分的に重複することを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記第２モードは、第４サブモードを備え、該第４サブモードでは、前記第２速度が前記第１速度の整数分の１であり、且つ該第４サブモードにおいて前記基板に投影される放射ビームの放射強度が前記第１モードよりも低いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記第２モードは、第５サブモードを備え、該第５サブモードでは、前記制御部は、各走査領域が前記投影システムにより照射される回数を制御するために、前記基板支持部材を制御して前記投影システムに対して基板移動を繰り返すよう構成され、前記基板に投影される放射ビームの放射強度は走査間で変更されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記第２モードにおいて、前記制御部は、各走査領域が前記投影システムにより照射される回数を制御するために、前記基板支持部材を制御して前記投影システムに対して基板移動を繰り返すよう構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
各重複領域において、全ての選択された位置が整数回照射されることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
各走査領域は、走査方向において少なくとも１つの他の走査領域と実質的に隣接することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
各走査領域は、走査方向において実質的に同じ長さを有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記第１モードにおいて、任意の走査領域間に重複が実質的に無いことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記可動部は、前記固定部に対して回転するよう構成されることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の装置。
【請求項１２】
固定部および可動部を備える投影システムを用いて、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影することと、
第１モードまたは第２モードで動作するように装置を制御することと、
前記ターゲットを有する基板を支持するとともに、前記投影システムが前記基板の連続的な走査領域上に投影できるように前記投影システムに対して走査方向に前記基板を移動することと、
を備え、
前記第１モードにおいて前記投影は、第１エネルギー量を選択された位置に与え、前記第２モードにおいて前記投影は、前記第１エネルギー量よりも大きい第２エネルギー量を選択された位置に与え、
前記第１モードにおいて前記移動は、前記基板を前記投影システムに対して第１速度で移動し、前記第２モードにおいて前記移動は、前記基板を前記第１速度よりも低い第２速度で前記投影システムに対して移動し、
前記第１モードにおいて前記投影は、複数の放射ビームを第１レートで選択された位置に投影し、前記第２モードにおいて前記投影は、複数の放射ビームを前記第１レート以下の第２レートで選択された位置に投影し、
前記第２モードは、第１サブモードを備え、該第１サブモードでは、各走査領域が整数個の他の走査領域と重複するように、前記第２レートが前記第１レートと実質的に等しく、且つ前記第２速度が前記第１速度の整数分の１であることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１２年１月１７日に出願された米国特許仮出願第６１／５８７，３５７号の利益を主張し、その全体が本明細書に援用される。
【０００２】
本発明は、リソグラフィまたは露光装置及びデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィまたは露光装置は、所望のパターンを基板に、または基板の部分に与える機械である。この装置は例えば、集積回路（ＩＣ）、フラットパネルディスプレイ、微細形状を備えるその他のデバイス又は構造の製造に用いられる。従来のリソグラフィまたは露光装置においては、マスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、ＩＣやフラットパネルディスプレイ、その他のデバイスの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用されることがある。このパターンは例えば、（例えばシリコンウェーハまたはガラスプレート等の）基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層への結像により、基板（の部分）へと転写される。同様の観点において、露光装置は、放射ビームを所望のパターンを基板に（または基板の部分に）形成するのに用いる機械である。
【０００４】
パターニングデバイスを使用して、回路パターンではなく例えばカラーフィルタのパターンやドットのマトリックス状配列などの他のパターンを生成する場合もある。従来のマスクに代えて、パターニングデバイスは、回路パターンまたはその他の適用可能なパターンを生成する個別に制御可能な素子の配列を備えるパターニングアレイを備えてもよい。このような「マスクレス」方式では従来のマスクを使用する方式に比べて迅速かつ低コストにパターンを準備したり変更したりできるという利点がある。
【０００５】
故に、マスクレスシステムはプログラマブルパターニングデバイス（例えば、空間光変調器、コントラストデバイスなど）を含む。プログラマブルパターニングデバイスは、個別制御可能素子のアレイを使用して所望のパターンが与えられたビームを形成するよう（例えば電子的に、または光学的に）プログラムされている。プログラマブルパターニングデバイスの種類には、マイクロミラーアレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）アレイ、グレーティングライトバルブアレイ、自己放射可能なコントラストデバイスなどがある。プログラマブルパターニングデバイスは、例えば基板上に投影された放射のスポットを移動するよう、または放射ビームを基板から、例えば放射ビーム吸収体に間欠的に導くよう構成された電気光学偏向器から形成されてもよい。どちらのこのような構成においても、放射ビームは連続的であってよい。
【発明の概要】
【０００６】
マスクレスリソグラフィ装置は、例えば、基板のターゲット部分上にパターンを形成するために光学コラムが設けられてよい。光学コラムは、ビームを放射するよう構成された自己放射コントラストデバイスと、ビームの少なくとも一部をターゲット部分に投影するよう構成された投影システムとが設けられてよい。この装置は、光学コラムまたはその一部を基板に対して移動するためのアクチュエータが設けられてもよい。それによって、ビームと基板との間の相対運動が存在してもよい。移動の間に自己放射コントラストデバイスの「オン」または「オフ」を切り替えることにより、基板上にパターンが形成されてよい。
【０００７】
本発明のある実施形態によれば、リソグラフィ装置が提供される。この装置は、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影するよう構成された投影システムであって、固定部および可動部を備える投影システムと、第１モードまたは第２モードで動作するようにリソグラフィ装置を制御するよう構成された制御部と、を備える。第１モードにおいて前記投影システムは、第１エネルギー量を選択された位置に与え、第２モードにおいて投影システムは、第１エネルギー量よりも大きい第２エネルギー量を選択された位置に与える。
【０００８】
本発明のある実施形態によれば、デバイス製造方法が提供される。この方法は、固定部および可動部を備える投影システムを用いて、複数の放射ビームをパターンに基づいて選択されたターゲット上の位置に投影することと、第１モードまたは第２モードで動作するようにリソグラフィ装置を制御することと、を備える。第１モードにおいて投影は、第１エネルギー量を選択された位置に与え、第２モードにおいて投影は、第１エネルギー量よりも大きい第２エネルギー量を選択された位置に与える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明のいくつかの実施の形態が付属の概略的な図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。対応する参照符号は各図面において対応する部分を指し示す。
【００１０】
【図１】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィの一部分を示す図である。
【００１１】
【図２】本発明のある実施の形態に係る図１のリソグラフィ装置の一部分の上面図である。
【００１２】
【図３】本発明のある実施の形態に係るリソグラフィ装置の一部分を高度に概略的に示す斜視図である。
【００１３】
【図４】本発明のある実施の形態に係り、基板上への図３に係るリソグラフィ装置による投影を示す概略上面図である。
【００１４】
【図５】本発明のある実施の形態の一部分を示す断面図である。
【００１５】
【図６】本発明のある実施の形態に係り、リソグラフィ装置による基板の一部への投影の概略上面図である。
【００１６】
【図７】本発明のある実施の形態に係り、リソグラフィ装置による基板の一部への投影の概略上面図である。
【００１７】
【図８】本発明のある実施の形態に係り、リソグラフィ装置による基板の一部への投影の概略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明のある実施の形態は、リソグラフィ装置に関連し、これはプログラマブルパターニングデバイスを含んでもよく、当該デバイスは例えば自己放射コントラストデバイスのアレイからなることがある。こうしたリソグラフィ装置に関する更なる情報は国際公開第２０１０／０３２２２４号及び米国特許出願公開第２０１１−０１８８０１６号、米国特許出願第６１／４７３６３６号及び米国特許出願第６１／５２４１９０号を参照してもよく、これらの全体が本明細書に援用される。本発明の実施形態は、しかしながら、例えば上述の文献に含まれる任意の形態のプログラマブルパターニングデバイスとともに用いられてもよい。
【００１９】
図１は、リソグラフィまたは露光装置の部分の概略側断面図を概略的に示す。この実施形態においては、装置は、後述するようにＸＹ面で実質的に静止した個別制御可能素子を有するが、そうである必要はない。装置１は、基板を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決め装置３と、を備える。基板は、レジストで被覆された基板であってもよい。ある実施の形態においては、基板はウェーハである。ある実施の形態においては、基板は多角形（例えば矩形）の基板である。ある実施の形態においては、基板はガラスプレートである。ある実施の形態においては、基板はプラスチック基板である。ある実施の形態においては、基板は箔である。ある実施の形態においては、装置は、ロールトゥロール製造に適する。
【００２０】
装置１は、複数のビームを発するよう構成されている複数の個別に制御可能な自己放射可能なコントラストデバイス４をさらに備える。ある実施の形態においては、自己放射コントラストデバイス４は、放射発光ダイオード（例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＬＥＤ（ＯＬＥＤ）、高分子ＬＥＤ（ＰＬＥＤ））、または、レーザダイオード（例えば、固体レーザダイオード）である。ある実施の形態においては、個別制御可能素子４の各々は青紫レーザダイオード（例えば、三洋の型式番号DL-3146-151）である。こうしたダイオードは、三洋、日亜、オスラム、ナイトライド等の企業により供給される。ある実施の形態においては、ダイオードは、例えば約３６５ｎｍまたは約４０５ｎｍの波長を有するＵＶ放射を発する。ある実施の形態においては、ダイオードは、０．５ｍＷないし２００ｍＷの範囲から選択される出力パワーを提供することができる。ある実施の形態においては、レーザダイオードの（むき出しのダイの）サイズは、１００μｍないし８００μｍの範囲から選択される。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、０．５μｍ２ないし５μｍ２の範囲から選択される発光領域を有する。ある実施の形態においては、レーザダイオードは、５度ないし４４度の範囲から選択される発散角を有する。ある実施の形態においては、それらのダイオードは、合計の明るさを約６．４×１０８Ｗ／（ｍ２・ｓｒ）以上にするための構成（例えば、発光領域、発散角、出力パワーなど）を有する。
【００２１】
自己放射コントラストデバイス４は、フレーム５に配設されており、Ｙ方向に沿って及び／またはＸ方向に沿って延在してもよい。１つのフレーム５が図示されているが、装置は、図２に示すように複数のフレーム５を有してもよい。フレーム５には更に、レンズ１２が配設されている。フレーム５、従って、自己放射コントラストデバイス４及びレンズ１２はＸＹ面内で実質的に静止している。フレーム５、自己放射コントラストデバイス４、及びレンズ１２は、アクチュエータ７によってＺ方向に移動されてもよい。それに代えて又はそれとともに、レンズ１２はこの特定のレンズに関係づけられたアクチュエータによってＺ方向に移動されてもよい。任意選択として、各レンズ１２にアクチュエータが設けられていてもよい。
【００２２】
自己放射コントラストデバイス４はビームを発するよう構成されていてもよく、投影系１２、１４、１８はそのビームを基板の目標部分に投影するよう構成されていてもよい。自己放射コントラストデバイス４及び投影系が光学コラムを形成する。装置１は、光学コラム又はその一部を基板に対して移動させるためのアクチュエータ（例えばモータ）１１を備えてもよい。フレーム８には視野レンズ１４及び結像レンズ１８が配設されており、そのアクチュエータを用いてフレーム８は回転可能であってもよい。視野レンズ１４と結像レンズ１８との結合が可動光学素子９を形成する。使用時においては、フレーム８は自身の軸１０まわりを、例えば図２に矢印で示す方向に、回転する。フレーム８は、アクチュエータ（例えばモータ）１１を使用して軸１０まわりに回転させられる。また、フレーム８はモータ７によってＺ方向に移動されてもよく、それによって可動光学素子９が基板テーブル２に対し変位させられてもよい。
【００２３】
内側にアパーチャを有するアパーチャ構造１３がレンズ１２の上方でレンズ１２と自己放射コントラストデバイス４との間に配置されてもよい。アパーチャ構造１３は、レンズ１２、それに関連する自己放射コントラストデバイス４、及び／または、隣接するレンズ１２／自己放射コントラストデバイス４の回折効果を限定することができる。
【００２４】
図示される装置は、フレーム８を回転させると同時に光学コラム下方の基板テーブル２上の基板を移動させることによって、使用されてもよい。自己放射コントラストデバイス４は、レンズ１２、１４、１８が互いに実質的に整列されたときこれらのレンズを通じてビームを放つことができる。レンズ１４、１８を移動させることによって、基板上でのビームの像が基板の一部分を走査する。同時に光学コラム下方の基板テーブル２上の基板を移動させることによって、自己放射コントラストデバイス４の像にさらされる基板の当該部分も移動する。光学コラム又はその一部の回転を制御し、自己放射コントラストデバイス４の強度を制御し、且つ基板速度を制御するコントローラにより自己放射コントラストデバイス４の「オン」と「オフ」とを高速に切り換える制御をすることによって（例えば、「オフ」であるとき出力がないか、しきい値を下回る出力を有し、「オン」であるときしきい値を上回る出力を有する）、所望のパターンを基板上のレジスト層に結像することができる。
【００２５】
図１に示す制御部５００は、リソグラフィまたは露光装置の全体的な動作を制御し、特に、さらに以下で説明されるプロセスを実行する。制御部５００は、中央演算処理装置並びに揮発性および不揮発性格納手段を備えた、適切にプログラムされた汎用コンピュータとして具体化することができる。制御部は、随意に、キーボードおよびスクリーンなどの１つ以上の入出力装置と、１つ以上のネットワーク接続と、装置の各種部分に対する１つ以上のインタフェースとを含む。制御コンピュータとリソグラフィまたは露光装置間の一対一の関係は必須ではない。ある実施形態では、１つのコンピュータが複数のリソグラフィまたは露光装置を制御することができる。ある実施形態では、１つのリソグラフィまたは露光装置を制御するために複数のネットワーク・コンピュータを用いることができる。制御部５００は、リソグラフィまたは露光装置が一部を形成するリソセルまたはクラスターにおける、１つ以上の関連する処理装置および基板ハンドリング装置を制御するよう構成されてもよい。制御部５００は、リソセルまたはクラスターの監視制御システムおよび／または製造工場の統括制御システムに従属するよう構成できる。
【００２６】
図２は、自己放射コントラストデバイス４を有する図１の装置の概略上面図である。図１に示す装置１と同様に、リソグラフィ装置１は、基板１７を保持する基板テーブル２と、基板テーブル２を最大６自由度で移動させる位置決め装置３と、自己放射コントラストデバイス４と基板１７とのアライメントを決定し、自己放射コントラストデバイス４の投影に対して基板１７が水平か否かを決定するためのアライメント／レベルセンサ１９と、を備える。図示されるように基板１７は矩形形状を有するが、追加的に又は代替的に円形の基板が処理されてもよい。
【００２７】
自己放射コントラストデバイス４はフレーム１５に配設されている。自己放射コントラストデバイス４は、放射発光ダイオード、例えばレーザダイオード、例えば青紫レーザダイオードであってもよい。図２に示されるように、自己放射コントラストデバイス４はＸＹ面内に延在するアレイ２１に配列されていてもよい。
【００２８】
アレイ２１は細長い線であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ２１は、自己放射コントラストデバイス４の一次元配列であってもよい。ある実施の形態においては、アレイ２１は、自己放射コントラストデバイス４の二次元配列であってもよい。
【００２９】
回転フレーム８が設けられていてもよく、これは、矢印で図示される方向に回転してもよい。回転フレームには、各自己放射コントラストデバイス４の像を与えるためのレンズ１４、１８（図１参照）が設けられていてもよい。本装置には、フレーム８及びレンズ１４、１８を備える光学コラムを基板に対して回転させるためのアクチュエータが設けられていてもよい。
【００３０】
図３は、周辺部にレンズ１４、１８が設けられている回転フレーム８を高度に概略的に示す斜視図である。複数のビーム、本実施例では１０本のビームが、それらレンズの一方へと入射し、基板テーブル２により保持された基板１７のある目標部分に投影されている。ある実施の形態においては、複数のビームは直線に配列されている。回転可能フレームは、アクチュエータ（図示せず）によって軸１０まわりに回転可能である。回転可能フレーム８の回転の結果として、それらビームは、一連のレンズ１４、１８（視野レンズ１４及び結像レンズ１８）に入射する。一連のレンズの各々に入射してビームは偏向され、それによりビームは基板１７の表面の一部分に沿って動く。詳しくは図４を参照して後述する。ある実施の形態においては、各ビームが対応する源によって、すなわち自己放射コントラストデバイス、例えばレーザダイオードによって、生成される（図３には図示せず）。図３に示される構成においては、ビーム同士の距離を小さくするために、それらビームはともに、あるセグメントミラー３０によって偏向されかつ運ばれる。それによって、後述するように、より多数のビームを同一のレンズを通じて投影し、要求解像度を実現することができる。
【００３１】
回転可能フレームが回転すると、ビームが連続する複数のレンズへと入射する。このときあるレンズがビームに照射されるたびに、レンズ表面上でビームが入射する場所が移動する。レンズ上のビーム入射場所に依存してビームが異なって（例えば、異なる偏向をもって）基板に投影されるので、（基板に到達する）ビームは後続のレンズが通過するたびに走査移動をすることになる。この原理について図４を参照して更に説明する。図４は、回転可能フレーム８の一部を高度に概略的に示す上面図である。第１ビームセットをＢ１と表記し、第２ビームセットをＢ２と表記し、第３ビームセットをＢ３と表記する。ビームセットのそれぞれが、回転可能フレーム８の対応するレンズセット１４、１８を通じて投影される。回転可能フレーム８が回転すると、複数ビームＢ１が基板１７に投影され、走査移動によって領域Ａ１４を走査する。同様に、ビームＢ２は領域Ａ２４を走査し、ビームＢ３は領域Ａ３４を走査する。対応するアクチュエータによる回転可能フレーム８の回転と同時に、基板１７及び基板テーブルが（図２に示すＸ軸に沿う方向であってもよい）方向Ｄに移動され、そうして領域Ａ１４、Ａ２４、Ａ３４におけるビームの走査方向に実質的に垂直に移動される。方向Ｄの第２のアクチュエータによる移動（例えば、対応する基板テーブルモータによる基板テーブルの移動）の結果、回転可能フレーム８の一連のレンズによって投影されるとき連続する複数回のビーム走査が互いに実質的に隣接するよう投影されて、実質的に隣接する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４がビームＢ１の走査のたびに生じ（図４に示すように、領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３は以前に走査され、領域Ａ１４は今回走査されている）、領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４がビームＢ２に対して生じ（図４に示すように、領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３は以前に走査され、領域Ａ２４は今回走査されている）、実質的に隣接した領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４がビームＢ３に対して生じる（図４に示すように、領域Ａ３１、Ａ３２、Ａ３３は以前に走査され、領域Ａ３４は今回走査されている）。このようにして、基板表面の領域Ａ１、Ａ２、Ａ３が、回転可能フレーム８を回転させる間に基板を方向Ｄに移動させることにより、覆われてもよい。多数のビームを同一のレンズを通じて投影することにより、（回転可能フレーム８をある同一の回転速度とすると）より短い時間で基板全体を処理することができる。レンズ通過のたびに各レンズにより基板を複数のビームが走査するので、連続する複数回の走査に際して方向Ｄの変位量を大きくすることができるからである。見方を変えると、多数のビームを同一のレンズを通じて基板に投影するとき、ある所与の処理時間における回転可能フレームの回転速度を小さくしてもよいということである。こうして、回転可能フレームの変形、摩耗、振動、乱流などといった高回転速度による影響を軽減してもよい。ある実施の形態においては、図４に示すように、複数のビームは、レンズ１４、１８の回転の接線に対してある角度をなして配列されている。ある実施の形態においては、複数のビームは、各ビームが重なるか、又は各ビームが隣接ビームの走査経路に隣接するように配列されている。
【００３２】
多数のビームを一度に同一レンズにより投影する態様の更なる効果は、公差の緩和に見ることができる。レンズの公差（位置決め、光学投影など）があるために、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４（及び／または領域Ａ２１、Ａ２２、Ａ２３、Ａ２４及び／またはＡ３１、Ａ３２、Ａ３３、Ａ３４）の位置には、互いの位置決めにいくらかの不正確さが現れ得る。したがって、連続する領域Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１４間にいくらかの重なりが必要とされるかもしれない。１本のビームの例えば１０％を重なりとする場合、同一レンズに一度にビームが一つであると、同様に１０％の係数で処理速度が遅くなるであろう。一方、同一レンズを通じて一度に５本又はそれより多数のビームが投影される状況においては、（上記同様１本のビームについて）同じ１０％の重なりが５本又はそれより多数の投影線ごとにあるとすると、重なりの総計は概ね５（又はそれより多数）分の１である２％（又はそれ未満）へと小さくなるであろう。これは、全体的な処理速度を顕著に小さくする効果をもつ。同様に、少なくとも１０本のビームを投影することにより、重なりの総計をおよそ１０分の１に小さくしうる。したがって、多数のビームを同時に同一レンズにより投影するという特徴によって、基板の処理時間に生じる公差の影響を小さくしうる。それに加えて又はそれに代えて、より大きな重なり（従って、より大きな公差幅）が許容されてもよい。一度に同一レンズにより多数のビームを投影するのであれば、重なりが処理に与える影響が小さいからである。
【００３３】
多数のビームを同一レンズを通じて同時に投影することに代えて又はそれとともに、インタレース技術を使用することができるかもしれない。しかしながらそのためには、より厳格にレンズ同士を整合させることが必要になるかもしれない。従って、それらレンズのうちある同一レンズを通じて一度に基板に投影される少なくとも２つのビームは相互間隔を有し、装置は、その間隔の中に後続のビーム投影がなされるように光学コラムに対して基板を移動させるよう第２アクチュエータを動作させるよう構成されていてもよい。
【００３４】
１つのグループにおいて連続するビーム同士の方向Ｄにおける距離を小さくするために（それによって、例えば方向Ｄに解像度を高くするために）、それらビームは方向Ｄに対して、互いに斜めに配列されていてもよい。そうした間隔は、各セグメントが複数ビームのうち対応する１つのビームを反射するセグメントミラー３０を光路に設けることによって更に縮小されてもよい。それらセグメントは、それらミラーに入射するビーム同士の間隔よりもミラーで反射されたビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。そうした効果は、複数の光ファイバによっても実現しうる。この場合、ビームのそれぞれが複数ファイバのうち対応する１つのファイバに入射し、それらファイバが、光路に沿って光ファイバ上流側でのビーム同士の間隔よりも光ファイバ下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう配設されている。
【００３５】
また、そうした効果は、複数ビームのうち対応する１つのビームを各々が受光する複数の入力を有する集積光学導波路回路を使用して実現されてもよい。この集積光学導波路回路は、光路に沿って集積光学導波路回路の上流側でのビーム同士の間隔よりも集積光学導波路回路の下流側でのビーム同士の間隔を狭くするよう構成されている。
【００３６】
基板に投影される像の焦点を制御するためのシステムが提供されてもよい。上述のある構成において、ある光学コラムの部分又は全体により投影される像の焦点を調整するための構成が提供されてもよい。
【００３７】
一実施形態では、投影システムは、少なくとも１つの放射ビームを基板上に投影する。基板は、物質（例えば金属）の液滴の局所堆積をレーザ誘起物質移動（laser induced material transfer）により生じさせるために、デバイスが形成されるべき基板１７の上に物質層から形成される。
【００３８】
図５を参照すると、レーザ誘起物質移動の物理的機構が表されている。一実施形態では、放射ビーム２００は、実質的に透明な物質２０２（例えばガラス）を通って物質２０２のプラズマブレークダウンより下の強度で集束される。表面熱吸収が、物質２０２を覆うドナー物質層２０４（例えば金属膜）から形成された基板上で起こる。熱吸収は、ドナー物質層２０４を溶融させる。さらに熱は、ドナー物質層２０４からの、従ってドナー構造（例えばプレート）２０８からのドナー物質の液滴２０６の順方向加速をもたらす順方向の誘起圧力勾配を生じさせる。ビーム２００をドナープレート２０８上の適切な位置に向けることにより、ドナー物質パターンを基板１７上に堆積することができる。一実施形態では、ビームはドナー物質層２０４上に集束される。
【００３９】
一実施形態では、１つまたは複数の短パルスがドナー物質の移動を生じさせるために用いられる。一実施形態では、パルスは、擬似的な一次元の順方向の熱および溶融物質の物質移動を得るために、数ピコ秒またはフェムト秒の長さであってよい。このような短パルスは、物質層２０４中において側方の熱流動をほとんど又は全く促進せず、従ってドナー構造２０８への熱付加はほとんど又は全くない。短パルスは、急速な溶融と、物質の順方向の加速を可能とする（例えば、金属などの蒸発物質は、その順方向性を失って飛び散った堆積をもたらすであろう）。短パルスにより、物質の加熱を加熱温度の僅かに上であるが蒸発温度より下とすることができる。例えば、アルミニウムに関しては、摂氏約９００から１０００度が望ましい。
【００４０】
一実施形態では、レーザパルスの使用によって、ドナー構造２０８から基板１７に１００〜１０００ｎｍの液滴の形で物質量（例えば金属）が移動する。一実施形態では、ドナー物質は、基本的に金属を含むまたは金属から成る。一実施形態では、物質はアルミニウムである。一実施形態では、物質層２０４は膜状である。一実施形態では、膜は別の物体又は層に付着している。上述したように、物体又は層はガラスであってよい。
【００４１】
リソグラフィまたは露光装置は、特にパターンが形成される特定のタイプのフォトレジスト、またはパターンが形成される特定のタイプのドナー材料とともに使用するために設計されてもよい。この場合、異なるタイプのフォトレジストまたはドナー材料がその装置とともに使用される場合、装置は正しく動作しない可能性がある。例えば、パターンがフォトレジスト層上に形成されるとき、パターンに基づいて選択されたフォトレジストの位置に与えられるエネルギーの量は、フォトレジストの１つ以上の化学的特性を適切に変化させるのに不十分な可能性がある。同様に、ドナー材料層が用いられる場合、ドナー材料に与えられるエネルギーの量は、ドナー材料を溶かしてデバイスを製造するのに不十分な可能性がある。
【００４２】
それ故、用途の広いリソグラフィまたは露光装置およびデバイス製造方法を提供することが望ましい。特に、異なるタイプのフォトレジストまたはドナー材料とともに使用できる装置およびデバイス製造方法を有することが望ましい。さらに具体的には、パターンを形成するために異なる量のエネルギーを含む異なるタイプのフォトレジストまたはドナー材料とともに使用できる装置およびデバイス製造方法を有することが望ましい。
【００４３】
図１は、本発明の実施形態を示す。装置１は、固定部および可動部を含む投影システム５０を備える。投影システムは、例えば図１に示すように、レンズ１２，１４および１８を備えてよい。投影システム５０は、複数の放射ビームをターゲット上（例えば基板１７上）の位置に投影するよう構成される。この位置は、パターンに基づいて選択される。パターンは、基板１７上に形成されるべきものである。ある実施形態では、パターンはフォトレジスト材料層に形成される。ある実施形態では、パターンはドナー材料層に形成され、これはその後、デバイスの層に対応するパターンを形成する。
【００４４】
装置１は、制御部５００を備える。制御部５００は、第１モードまた第２モードで動作するように装置１を制御するよう構成される。第１モードでは、投影システム５０は、第１エネルギー量をターゲット上（例えば基板１７上）の選択された位置に与える。第２モードでは、投影システム５０は、第２エネルギー量をターゲット上（例えば基板１７上）の選択された位置に与える。第２エネルギー量は、第１エネルギー量よりも大きい。
【００４５】
装置１は、複数の異なる線量レベルで基板１７にパターンを形成できるという点で多用途である。ここで、「線量（dose）」という用語は、ターゲット（例えば基板１７）上の選択された位置に与えられるエネルギーの総量に言及するために使用される。装置１は、従って、一連の線量レベルをサポートする。
【００４６】
ある実施形態では、装置１は、第１モードで第１基板上にパターンを形成するために用いられてよい。同じ装置１は、第２モードを用いて異なる線量要件を有する異なる基板上にパターンを形成するために用いることができる。例えば、第２基板は、フォトレジストに形成されるパターンのためにより大きなエネルギー量を必要とするフォトレジスト層を備えてよい。例えば異なるタイプのレジストがより安価な場合には、その異なるタイプのフォトレジストを用いることが望ましい。より安価なフォトレジストと装置１を第２モードで用いることにより、デバイスを制御するための製造コストが低減される可能性がある。
【００４７】
ドナー材料層が用いられる場合、デバイスに対応するパターンを形成するよう溶かすためにより多量のエネルギーを必要とするドナー材料は、第２モードで装置１を動作することにより用いることができる。異なるタイプのドナー材料を用いるための動機は、例えばコスト削減、有用性または安全性向上であってよい。
【００４８】
第１モードと第２モードの間で装置１の動作を切り替えることにより、パターンを形成するための線量レベルを変化させることができる。ある実施形態では、ターゲット上の選択された位置に与えられるエネルギー量を連続的な範囲内で変化させることができる。ある実施形態では、制御部５００は、ターゲット上の選択された位置に与えられるエネルギー量を、第１モードで与えられるエネルギー量から第１モードで与えられるエネルギー量の約１０倍までの範囲内の任意のレベルに制御することができる。選択された位置に与えることができるエネルギー量は、特に制限されない。
【００４９】
ある実施形態では、制御部５００は、選択された位置に、離散値の範囲から選択されたエネルギー量を与えるように装置１を制御するよう構成される。ある実施形態では、第２モードにおいて投影システム５０は、第１モードにおいて与えられる第１エネルギー量の整数倍である第２エネルギー量を与える。第２エネルギー量に対する可能値の範囲が連続的であるか離散的であるかは、以下において明らかになるように、本発明の実施形態がどのように実施されるかに依存する。ある実施形態では、制御部５００は、第２エネルギー量が第１エネルギー量よりも２倍まで、４倍まで、または８倍まで大きくなるように装置１を制御するよう構成される。
【００５０】
装置１の第２モードの動作を実施するいくつかの異なる限定されない方法が存在する。これらは以下で説明される。これらの方法のいくつかは、互いの組み合わせで用いることができる。
【００５１】
第２モードは、例えば、基板１７が投影システム５０に対して走査する速度を減らすことにより実施されてよい。図１に示すように、装置１は、例えば基板テーブル２などの基板支持部材を備える。基板テーブル２は、基板１７を支持するよう構成される。基板テーブル２は、基板を投影システム５０に対して走査方向に移動するよう構成される。例えば図２では、基板テーブル２は、投影システム５０の左側から右側に移動してよい。この場合、走査方向は＋Ｘ方向である。基板１７が走査方向に沿って走査すると、図４に示すように、投影システム５０は連続的な走査領域Ａ１１−Ａ１４上に投影することができる。
【００５２】
第１モードでは、基板１７は、投影システム５０に対して第１速度で移動する。第２モードでは、基板１７は、投影システム５０に対して第２速度で移動する。ある実施形態では、第２速度は第１速度よりも低い。
【００５３】
ある実施形態では、第２モードの低い走査速度は、第１モードのときよりも小さい走査領域Ａ１１−Ａ１４間のグリッドピッチをもたらす。図６は、第１モードにおける領域Ａ１１−Ａ１４に対して減少したグリッドピッチを有する第２モードにおける走査領域Ａ１１−Ａ１８を示す。図６から図８では、第１モードが左手側に図示され、第２モードが右手側に図示されている。
【００５４】
図６の実施例では、第２速度は第１速度の２分の１である。その結果として、第２モードの走査領域の数は、第１モードの走査領域の数の２倍である。第２モードでは、投影システム５０により各走査領域Ａ１１−Ａ１４上に投影される放射ビームは、第１モードよりも効果的に集中する。これは、基板１７上の選択された位置に与えられるエネルギー量を増大させる効果がある。
【００５５】
異なる放射の線量レベルを必要とする基板をこの装置１で使用することができる。基板１７の走査速度を減少することにより、線量レベルの連続的な範囲を同じ装置１で実施することが可能となる。
【００５６】
制御部５００は、投影システム５０が放射ビームを基板１７上の正しい選択位置に投影するように装置１を制御する。これは、自己放射コントラストデバイス４が点滅するときの計算を含む。これは、基板１７の走査速度および投影システム５０の可動部の移動速度によって決まる。
【００５７】
図６に示す第２モードにおける減少したグリッドピッチは、パターンが放射ビームにより基板１７上に正確に形成されるようにすることを助けるために、より多数のデータポイントが制御部５００により計算されることをもたらす。放射ビームにより形成できるスポット位置間の平均距離は、第１モードに比べて第２モードで減少する。
【００５８】
制御部５００により実行される計算を実質的に増加することなく、可変線量レベルをサポートする装置１およびデバイス製造方法を提供することが望ましい。
【００５９】
第１モードでは、投影システム５０は、複数の放射ビームを第１レートで選択された位置に投影する。第２モードでは、投影システム５０は、複数の放射ビームを第２レートで選択された位置に投影する。ある実施形態では、第２レートは第１レート以下である。
【００６０】
ある実施形態では、第２モードは、第１サブモードを備える。第１サブモードでは、第２レートは第１レートと実質的に等しい。これは、所与のパターンに関し、投影システム５０による投影のレートは、第１モードと第２モードに対して同じであることを意味する。ある実施形態では、投影システム５０による投影のレートは、投影システム５０の可動部が移動する速度に一致する。可動部が回転可能な場合、回転速度は投影のレートに一致してもよい。もちろん、可動部の速度が変化するとき、自己放射コントラストデバイス４が点滅するタイミングは、ターゲット上の正しい選択位置が照射されるようそれに応じて変化しなければならない。
【００６１】
第１サブモードでは、第２速度（すなわち第２モードでの走査速度）は、第１速度の整数分の１であり、各走査領域Ａ１１−Ａ１４は、整数個の他の走査領域と部分的に重複している。ターゲット（例えば基板１７）に与えられるエネルギー量は、投影レート（例えば投影システム５０の可動部の速度）を第１モードと第２モードの間に等しくなるよう維持するとともに、ターゲット（例えば基板１７）の走査速度を正確な整数比で変化させることにより完全な整数係数(integer factor)で変化させることができる。この結果、多数のインターレース画を生じさせる。画像は、互いに部分的に重複する。各画像は、走査領域Ａ１１−Ａ１４に対応してよい。
【００６２】
図７は、第２モードにおいて第２速度が第１速度の２分の１である実施形態を示す。第２速度は、第１速度の２分の１である。この結果、各走査領域Ａ１１−Ａ１４が他の走査領域と重複する。パターンが付与されるターゲットの各領域は、２つの異なる走査領域に対応する。この重なりは、パターンに対し放射の線量を効果的に２倍にする。
【００６３】
ターゲット（例えば基板１７）の走査速度を正確な整数比で減少させることにより線量を増大することの利点は、制御部５００による計算が実質的に増加しないことである。全部の新しい一連のデータポイントを計算するよりむしろ、データポイントの計算論理（calculation logistics）を変更すればよい。これは、放射ビームにより形成される相対的スポット位置は第２モードと第１モードで同じであるからである。これは、相対的スポット位置が第２モードと第１モードで異なる図６に示す方法との違いである。
【００６４】
第２モードでの計算が第１モードと実質的に同じであるという特徴は、図７から図式的に理解することができる。走査領域Ａ１１’に対応する画像は、走査領域Ａ１２の画像の半分と走査領域Ａ１１の画像の半分を有する。同様に、走査領域Ａ１２’に対応する画像は、走査領域Ａ１２の画像の半分と走査領域Ａ１３の画像の半分を有する。走査領域Ａ１３’に対応する画像は、走査領域Ａ１３の画像の半分と走査領域Ａ１４の画像の半分を有する。従って、走査領域Ａ１１’，Ａ１２’，Ａ１３’，Ａ１４’等の画像に対する新たな一連のデータポイントを計算し直す必要はない。その代わりとして、データポイントの計算論理を調整すればよい。
【００６５】
図８は、第２速度が第１速度の３分の１である実施例を示す。この場合、パターンが形成される基板の各領域は、３つの異なる走査領域に対応する。これにより、計算を実質的に増加させることなく、パターンの実効線量を３倍に増加させることができる。
【００６６】
走査領域Ａ１１’に対応する画像は、走査領域Ａ１１の画像の３分の２と走査領域Ａ１２の画像の３分の１を有する。走査領域Ａ１１”に対応する画像は、走査領域Ａ１２の画像の３分の２と走査領域Ａ１１の画像の３分の１を有する。走査領域Ａ１２’に対応する画像は、走査領域Ａ１２の画像の３分の２と走査領域Ａ１３の画像の３分の１を有する。走査領域Ａ１２”に対応する画像は、走査領域Ａ１３の画像の３分の２と走査領域Ａ１２の画像の３分の１を有する。走査領域Ａ１３’に対応する画像は、走査領域Ａ１３の画像の３分の２と走査領域Ａ１４の画像の３分の１を有する。走査領域Ａ１３”に対応する画像は、走査領域Ａ１４の画像の３分の２と走査領域Ａ１３の画像の３分の１を有する。
【００６７】
ある実施形態では、第２モードは第２サブモードを備える。第２サブモードでは、第２レートは第１レートの減速係数（slow-down factor）分の１である。第２サブモードでは、第２速度は、第１速度の同じ減速係数分の１である。第２サブモードでは、装置１の全ての機械的な動きは、減速係数分の１に効果的に減速される。基板に与えられる単位時間当たりの放射は、第１モードおよび第２サブモードに対して実質的に等しいままである。これは、自己放射コントラストデバイス４により放射された放射強度は、第１モードと第２モードで実質的に同じだからである。
【００６８】
第２サブモードでは、第１モードよりも多くの放射がターゲット上の選択された位置に与えられる。パターンを形成するためのスポット位置は、第１モードと第２モードの第２サブモードとで同じである。これは、第２サブモードに対する計算は、第１モードに対する計算と全く同じことを意味する。第１モードと比較して、第２サブモードで実行される計算の増加はない。
【００６９】
ある実施形態では、第２サブモードにおける投影システム５０の可動部の速度は、第１モードの減速係数分の１である。ある実施形態では、第２サブモードにおける自己放射コントラストデバイス４に対する発火率（firing rate）は、第１モードの減速係数分の１であり、自己放射コントラストデバイス４のデューティ比を維持する。これは、第１レートの減速係数分の１である第２レートを有する一つの方法である。
【００７０】
ある実施形態では、第２モードは第３サブモードを備える。第３サブモードでは、第２レートは第１レートの減速係数分の１である。第３サブモードに対する投影レートは、例えばより低い投影システム５０の可動部の速度と、より低い自己放射コントラストデバイス４の発火率とを有することにより、第２サブモードに対する投影レートと同じように実施されてよい。
【００７１】
第３サブモードでは、第２速度は、第１速度の減速係数と整数係数の積（product）分の１であり、これにより、各走査領域は整数個の他の走査領域Ａ１１−Ａ１４と部分的に重複する。
【００７２】
第３サブモードは、上述した第１サブモードと第２サブモードのハイブリッド結合と見なしてよい。第１サブモード、第２サブモードおよび第３サブモードがどのように使用されるかの実施例について、以下に概略を説明する。
【００７３】
第２モードの線量レベルが第１モードの線量レベルの整数倍であることが望まれる場合、これは第１サブモードにより実施されてよい。例えば、第２モードが第１モードにより与えられる線量レベルのｎ倍である線量を与える場合、第２モードのターゲット（例えば基板）走査速度は、第１モードのｎ分の１となる。ここで、ｎは正のゼロでない整数である。
【００７４】
第２サブモードは、第１モードの線量レベルの任意の係数倍である第２モードの線量レベルを生じさせるために用いることができる。第２サブモードを用いるとき、第２モードの線量レベルと第１モードの線量レベル間の比率は、必ずしも整数ではない。例えば、第２モードの線量レベルが第１モードの１．２５倍である場合、制御部５００は、第２レートが第１レートの減速係数１．２５分の１となるよう装置１を制御することができるとともに、第２速度が第１速度の減速係数１．２５分の１となるよう装置１を制御することができる。
【００７５】
第２モードの第２サブモードを用いるとき、減速係数は、１より大きい任意の値を取ることができる。ある実施形態では、減速係数は、範囲の下端で１を有する範囲内の任意の値を取ってよい。範囲の上端を実施するために、装置１は、可能な投影レートのうちそれに応じて大きな比率をサポートできなければならない。可能な投影レートのうち非常に高い比率をサポートするのは機械的に難しい可能性がある。ある実施形態では、減速係数は、１から２の範囲内で任意の値を取る。この場合、第２モードの線量が第１モードで与えられる線量レベルの２倍である場合、第３サブモードが用いられてよい。
【００７６】
例えば、第２モードが第１モードで与えられる線量レベルの２．５倍である線量レベルを与える場合、第２レートは、第１レートの減速係数１．２５分の１であり、且つ第２速度は第１速度の２．５（これは、減速係数１．２５と整数２の積である）分の１であってよい。
【００７７】
第１モードと第２モード間のいくらかの線量レベル差に対し、その係数を実施するための２つ以上の方法があってよい。例えば、第２モードは、第１モードで与えられる線量レベルの３．６倍である線量レベルを与えてもよい。この場合、第２サブモードが原則として用いられてよい。装置１は、そのとき、少なくとも３．６の投影レート比率をサポートしなくてはならない。
【００７８】
３．６の係数は、第３サブモードを用いて実施されてもよい。第３サブモード内には、３．６の係数を実施する２つ以上の方法がある。例えば、第２レートは第１レートの減速係数１．８分の１であってよく、第２速度は第１速度の３．６（これは減速係数１．２と整数３の積である）分の１であってよい。
【００７９】
線量レベルは、ターゲット上に投影される放射ビームの強度を変えることにより変えられてよい。例えば、自己放射コントラストデバイス４のデューティ比が変えられてよい。自己放射コントラストデバイス４は、その最大出力強度で動作させることが多くの場合望ましい。この利点は、装置のスループットを改善することである。ある実施形態では、装置が第２モードで第１モードよりも高い線量レベルを提供するよう動作しているとき、自己放射コントラストデバイス４は、最大出力強度よりも低い強度出力で用いられてもよい。
【００８０】
ある実施形態では、第２モードは第４サブモードを備える。第４サブモードでは、第２速度は第１速度の整数分の１であり、第２放射強度は第１放射強度よりも低い。第１放射強度は、第１モードにおいてターゲット上に投影される放射ビームの強度である。第２放射強度は、第２モードの第４サブモードにおいてターゲット上に投影される放射ビームの強度である。
【００８１】
第２モードの第４サブモードの実施例をこれから示す。この実施例では、第２モードの線量レベルは第１モードの線量レベルの１．４倍であることが望ましい。この場合、第２速度は、第１速度の２分の１であってよい。言い換えると、第２速度は第１速度の半分である。第２放射強度は、第１放射強度の０．７倍であってよい。この結果、第２モードの線量レベルは第１モードの線量レベルの１．４倍となる。ターゲット上のパターンは、２つのインターレース画像で形成される。各画像は、０．７倍の強度を有し、結合強度は１．４倍である。
【００８２】
第４サブモードでは、投影のレートは第１モードのそれと等しくてよい。従って、装置が投影レートの変更をサポートできることは必須でなくてよい。
【００８３】
ある実施形態では、第２モードは第５サブモードを備える。第５サブモードでは、制御部５００は、例えば、各走査領域Ａ１１−Ａ１４が投影システム５０により照射される回数を制御するために、基板支持部材を制御して投影システム５０に対して基板の移動を繰り返すよう構成される。第２モードの第５サブモードでは、投影された放射ビームの放射強度は走査間で変更される。
【００８４】
例えば第５サブモードを用いることにより、第２モードの線量レベルが第１サブモードの線量レベルの１．４倍になるよう提供できる。第１走査、すなわち投影システム５０に対するターゲットの最初の移動において、投影される放射ビームの放射強度は、その最大レベルであってよい。投影システム５０に対するターゲットの反復移動において、投影される放射ビームの放射強度は最大レベルの４０％であってよい。言い換えると、１．０と０．４の線量が装置によりターゲットに与えられる。個の結果、１．４の結合されたパターン強度がターゲットに与えられる。
【００８５】
ある実施形態では、制御部５００は、基板支持部材２を制御して投影システム５０に対して基板移動を繰り返すよう構成される。これは、各走査領域Ａ１１−Ａ１４が投影システム５０により照射される回数を制御するためである。
【００８６】
走査運動を繰り返すことにより、ターゲット上のパターンの実効線量レベルを、走査が繰り返される回数に等しい整数倍に増加させることができる。これは、第１モードより大きい第２モードの線量レベルを提供する別の方法である。第１モードで与えられる線量レベルの整数倍である線量レベルを提供する第２モードをもたらすために、走査の繰り返しは、上述のサブモードとは独立に用いることができる。ある実施形態では、第２モードの線量レベルを提供するために、走査の繰り返しは、第１サブモード、第２サブモードおよび／または第３サブモードのいずれかと組み合わせて用いられる。
【００８７】
走査を繰り返すことの利点は、装置１がターゲットの走査速度の広範囲をサポートしなくてもよいことである。例えば、第１速度の３．６分の１である第２速度を有する代わりに、第２モードの第２速度は、第１速度のわずか１．２分の１とすることができ、線量レベルを達成するために走査を３倍実行することができる。
【００８８】
ある実施形態では、走査が繰り返されるとき、放射ビームは、後方への走査運動の間に、または前方への走査運動の間に、（前に投影されたビームを覆うために）ターゲット上に投影されてよい。
【００８９】
ある実施形態では、走査領域Ａ１１−Ａ１４間の各重複領域において、選択された位置が整数回照射される。これは、パターンの全域で線量レベルの一致をもたらす。
【００９０】
ある実施形態では、各走査領域Ａ１１−Ａ１４は、走査方向において少なくとも１つの他の走査領域Ａ１１−Ａ１４と実質的に隣接する。これにより、形成されるパターンにギャップが無いようにすることができる。
【００９１】
ある実施形態では、各走査領域Ａ１１−Ａ１４は、走査方向において実質的に同じ長さを有する。
【００９２】
ある実施形態では、第１モードにおいて任意の走査領域間に重複が実質的に無い。非常に小さな、すなわち無視してよい重複領域があってもよい。例えば、上述したように、１つの放射ビームの幅の約１０％の重複があってもよい。しかしながら、第１モードにおける重複領域は、１つの放射ビームの幅未満であるため、それは無視してよい。
【００９３】
ある実施形態では、制御部５００は、例えば、実質的に全ての走査領域Ａ１１−Ａ１４の照射の間に、基板が投影システム５０に対して実質的に一定速度で移動するように基板支持部材を制御するよう構成される。基板走査速度は、一つの走査の間中、実質的に一定である。これは、確実に放射ビームのそれぞれが正しい位置でターゲットに入射してパターンを形成するのを助けるために、制御部５００によりなされる計算を簡素化する。
【００９４】
ある実施形態では、制御部５００は、投影システム５０が複数の放射ビームのそれぞれを、各走査領域Ａ１１−Ａ１４における前に照射された選択位置上に投影するように装置１を制御するよう構成される。２つの走査領域Ａ１１−Ａ１４間の各重複領域では、投影システム５０は、放射ビームを既に照射されている重複領域の部分にのみ放射ビームを投影する。これは、確実に線量レベルが全パターンにわたって一定となるようにするのを助ける。全走査が繰り返されている場合、投影システム５０は、投影ビームを巣での照射された選択位置に投影する。
【００９５】
前に照射された位置上に再書き込みする利点は、パターンの一部として形成されるラインの幅の減少である。これは、形成されるラインの実際の位置がターゲット位置に比べて異なる可能性があるからである。ラインが二度書き込まれ、両方の書込に対する位置誤差が互いに無関係である場合、ラインの外側部分に与えられるエネルギーの減少がおこる。これは、ラインの外側部分がパターを形成するのに要求される閾値未満のレベルに照射される場合には、幅が効果的に減少したラインをもたらす。
【００９６】
ある実施形態では、制御部５００は、インラインで第１モードと第２モード間で切り替えることができる。ある実施形態では、制御部５００は、インラインで第２モードのサブモード間で切り替えることができる。これは、モード間で切り替える際に計算負荷（computational overhead）が実質的に増加しないという特徴により容易になされる。
【００９７】
ある実施形態では、制御部５００がモード間で切り替える際に、キャリブレーションデータが制御部５００によって取得および考慮されてもよい。これは、確実に放射ビームがターゲットの正しい選択位置に投影されるようにするのを助ける。
【００９８】
ある実施形態では、装置１は、複数の放射ビームを提供するよう構成されたプログラマブル・パターニングデバイスを備える。ある実施形態では、プログラマブル・パターニングデバイスは、放射ビームを選択的に提供する制御可能素子を備える。ある実施形態では、プログラマブル・パターニングデバイスは、複数の自己放射コントラストデバイス４を備える。
【００９９】
ある実施形態では、投影システム５０の可動部は、固定部に対して回転するよう構成される。可動部は、例えば回転可能なホイールの形をとってもよい。しかしながら、例えば可動部の直線運動などの他の構成も可能である。
【０１００】
デバイス製造方法に従って、ディスプレイ、集積回路または任意の他の品目が、パターンが投影される基板から製造されてよい。
【０１０１】
本書ではＩＣの製造におけるリソグラフィまたは露光装置の使用を例として説明しているが、本明細書に説明したリソグラフィまたは露光装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。本書に言及された基板は露光前または露光後において、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味し得る。
【０１０２】
「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学部品、回折光学部品、反射光学部品、磁気的光学部品、電磁気的光学部品、静電的光学部品、またはこれらの組み合わせを含む各種の光学部品のいずれかを指し示してもよい。
【０１０３】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そうしたコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）の形式をとってもよい。また、機械で読み取り可能な命令は、２以上のコンピュータプログラムにより具現化されていてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは、１つ又は複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。
【０１０４】
上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、以下に述べる請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、当業者には明らかなことである。
【図１】
0005905126.tif 000002
【図２】
0005905126.tif 000003
【図３】
0005905126.tif 000004
【図４】
0005905126.tif 000005
【図５】
0005905126.tif 000006
【図６】
0005905126.tif 000007
【図７】
0005905126.tif 000008
【図８】
0005905126.tif 000009