(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、
該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、
該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、
被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、
該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する先端に下方向に傾斜した傾斜面を有するピンと、
該ピンに連結され、該ピンを該液柱の流れを遮らない待避位置と、該ピンの該傾斜面を該液柱の流れを阻害する作用位置とに所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、
をさらに具備したことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、
該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、
該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、
被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、
該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する穴及び該穴に連通する流出路とを有するピンと、
該ピンに連結され、該液柱が該ピンに形成された該穴中に流入する作用位置と、該ピンが該液柱の流れを遮らない待避位置とに該ピンを所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、をさらに具備し、
該作用位置に位置付けられた該ピンの該穴中に流入した該液柱は該流出路を介して該ピンから流れ落ちることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項３】
被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、
該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、
該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、
被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、
該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する穴と該穴に連通した流出路とを有する緩衝部材と、
該緩衝部材に連結されたピストンロッドを有し、該穴中に該液柱が流入して該液柱の流れを阻害する作用位置と、該液柱の流れを遮らない待避位置とに該緩衝部材を所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、を更に具備し、
該作用位置に位置付けられた該緩衝部材の該穴中に流入した該液柱は該流出路を介して流れ落ちることを特徴とするレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物に高圧の液体を噴射して液柱を形成するとともに、この液柱内を透過（導光）するレーザビームを被加工物に照射してレーザ加工を施すレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿ってダイシングすることにより、個々の半導体デバイスを製造している。
【０００３】
近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザビームを照射することにより被加工物にレーザ加工溝を形成し、このレーザ加工溝に沿って機械的ブレーキング装置によって被加工物を割断する方法が提案されている（例えば、特開平１０−３０５４２１号公報参照）。
【０００４】
レーザ加工装置を用いて半導体ウエーハのストリートに沿ってパルスレーザビームを照射することによりウエーハにレーザ加工溝を形成すると、ウエーハへのレーザビームの照射によりデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという問題がある。
【０００５】
従って、半導体ウエーハのストリートに沿ってレーザ加工溝を形成する際には、予め半導体ウエーハの表面に水溶性の保護被膜を被覆し、この保護被膜を通してレーザビームを照射するようにしているが、半導体ウエーハの表面に保護被膜を被覆する工程を追加しなければならず、生産性が悪い。また、半導体ウエーハにレーザビームを照射するとデバイスが加熱されるため、デバイスの品質を低下させるという問題もある。
【０００６】
そこで、レーザビームを照射することにより発生するデブリの影響を解消するとともに、被加工物の加熱を防ぐレーザ加工方法として、被加工物に高圧の水を噴射して水柱（液柱）を形成するとともに、この水柱内を透過（導光）させたレーザビームを被加工物に照射して、所望の加工を施すレーザ加工装置が提案されている（例えば、特公平２−１６２１号公報、特開２００１―３２１９７７号公報、特開２００６−２５５７６９号公報参照）。
【０００７】
これらのレーザ加工装置では、集光されたレーザビームを糸状の水柱を介して被加工物まで導くので、集光レンズの焦点位置に関係なくレーザ加工をすることができる。更に、レーザ加工時に発生する熱が水で冷却されるため、熱による被加工物の品質低下を防止できるというメリットがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２１号公報
【特許文献２】特公平２−１６２１号公報
【特許文献３】特開２００１―３２１９７７号公報
【特許文献４】特開２００６−２５５７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
レーザビームを導光して被加工物に照射するためには、液柱は安定した状態に形成されている必要があるため、液柱を形成する液体は例えば数十ＭＰａ程度の高圧で噴出される。液柱を形成する液体が噴出された後、液柱が安定した状態になるまでにはしばらく時間がかかるため、被加工物の加工中は常時液体を噴出して安定した液柱を形成しておくことが望ましい。
【００１０】
ところが、レーザ加工時に被加工物の一端から他端までレーザビームを照射するには、被加工物から僅か外側にレーザ加工ヘッドがはみ出すようにレーザ加工ヘッドとチャックテーブルとを相対移動させる必要があり、高圧で噴出された液柱によって、被加工物が貼着された粘着シートに溝が形成されたり、粘着シートが分断されて破れてしまう恐れがあるという問題があった。
【００１１】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高圧で噴射された液柱によって、粘着シートに溝が形成されたり粘着シートが分断されてしまう恐れのないレーザ加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１記載の発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する先端に下方向に傾斜した傾斜面を有するピンと、該ピンに連結され、該ピンを該液柱の流れを遮らない待避位置と、該ピンの該傾斜面を該液柱の流れを阻害する作用位置とに所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、をさらに具備したことを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
請求項２記載の発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する穴及び該穴に連通する流出路とを有するピンと、該ピンに連結され、該液柱が該ピンに形成された該穴中に流入する作用位置と、該ピンが該液柱の流れを遮らない待避位置とに該ピンを所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、をさらに具備し、該作用位置に位置付けられた該ピンの該穴中に流入した該液柱は該流出路を介して該ピンから流れ落ちることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
請求項３記載の発明によると、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段で保持された被加工物にレーザビームを照射するレーザビーム照射手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザビーム発生手段と、加工ヘッドとを含み、該加工ヘッドは、該レーザビーム発生手段から発生されたレーザビームを集光する集光レンズと、被加工物に液体を噴射して、該集光レンズで集光されたレーザビームが導光される液柱を形成する液体噴射手段とを有し、該レーザ加工装置は、該加工ヘッドと被加工物との間で該液柱の流れを阻害して該液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する穴と該穴に連通した流出路とを有する緩衝部材と、該緩衝部材に連結されたピストンロッドを有し、該穴中に該液柱が流入して該液柱の流れを阻害する作用位置と、該液柱の流れを遮らない待避位置とに該緩衝部材を所定のタイミングで位置付ける位置付け手段と、を更に具備し、該作用位置に位置付けられた該緩衝部材の該穴中に流入した該液柱は該流出路を介して流れ落ちることを特徴とするレーザ加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のレーザ加工装置は、加工ヘッドと被加工物の間で液柱の流れを阻害して液柱が被加工物に衝突する衝撃を緩衝する緩衝部材と、緩衝部材を液柱を阻害する作用位置と退避位置に位置付ける位置付け手段を備えているので、所定のタイミングで緩衝部材により液柱の流れを阻害することができるため、液柱によって粘着シートに溝が形成されたり粘着シートが分断されてしまうことを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明第１実施形態に係るレーザ加工装置の斜視図である。
【図２】レーザビーム発生ユニットのブロック図である。
【図３】本発明第１実施形態に係るレーザ加工装置の要部を示す一部断面側面図である。
【図４】粘着シート（ダイシングテープ）を介して環状フレームに支持された半導体ウエーハの斜視図である。
【図５】加工開始時の本発明第１実施形態の一部断面側面図である。
【図６】加工中の第１実施形態の一部断面側面図である。
【図７】加工終了時の第１実施形態の一部断面側面図である。
【図８】図８（Ａ）は第１参考例の緩衝部材の作用を示す斜視図、図８（Ｂ）は第１実施形態の緩衝部材の作用を示す側面図である。
【図９】図９（Ａ）は第２実施形態の緩衝部材の作用を示す斜視図、図９（Ｂ）は第１変形例の緩衝部材の作用を示す斜視図、図９（Ｃ）は第２変形例の緩衝部材の作用を示す斜視図である。
【図１０】加工中の第２参考例の一部断面側面図である。
【図１１】加工終了時の第２参考例の一部断面側面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は第２参考例の緩衝部材の作用を示す斜視図、図１２（Ｂ）は第３実施形態の緩衝部材の作用を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明第１実施形態のレーザ加工装置の外観斜視図が示されている。レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。
【００１６】
第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、即ちＸ軸方向に移動される。
【００１７】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００１８】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ３０が設けられている。
【００１９】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にレーザビーム照射ユニット３４が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、ケーシング３３中に収容された図４に示すレーザビーム発生ユニット３５と、ケーシング３３の先端に取り付けられた加工ヘッド３６とを含んでいる。
【００２０】
レーザビーム発生ユニット３５は、図２に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。特に図示しないが、レーザ発振器６２はブリュースター窓を有しており、レーザ発振器６２から出射するレーザビームは直線偏光のレーザビームである。
【００２１】
ケーシング３３の先端部には、加工ヘッド３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像ユニット３８が配設されている。撮像ユニット３８は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００２２】
撮像ユニット３８は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００２３】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２４】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２５】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００２６】
撮像ユニット３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００２７】
ケーシング３３の先端には、加工ヘッド３６からの液柱の流れを阻害する緩衝部材７２が取り付けられた位置付け手段としてのエアシリンダ７０が取り付けられている。エアシリンダ７０は、加工ヘッド３６からの液柱の流れを阻害する作用位置と退避位置との間に緩衝部材７２を所定のタイミングで位置付ける。
【００２８】
レーザ加工装置２のレーザビーム照射ユニット３４は、レーザビーム発生ユニット３５と、加工ヘッド３６とから構成される。図３に示されるように、レーザビーム発生ユニット３５のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビーム６９は、加工ヘッド３６のハウジング８２に形成されたビーム導入口８５から加工ヘッド３６内に導入される。
【００２９】
ハウジング８２内には、レーザビームを反射するミラー８４と、レーザビームを集光する集光レンズ８６が配設されている。ハウジング８２と一体的に液体噴射手段８８の液体室９２を画成する液体室ハウジング９４が形成されている。液体室ハウジング９４は、円筒状側壁９６と、該側壁９６の上面及び下面をそれぞれ閉塞する上壁９８及び下壁１００とから構成されている。
【００３０】
液体室ハウジング９６を構成する上壁９８には透明窓１０４が配設されている。液体室ハウジング９４を構成する下壁１００の中心部には、噴射ノズル１０６が形成されている。尚、噴射ノズル１０６の下端である噴射口１０６ａに、集光レンズ８６によって集光されるレーザビーム６９の集光点が位置づけられる。
【００３１】
側壁９６には液体室９２に開口する液体導入口１０２が形成されており、液体導入口１０２は高圧液供給源９０に接続されている。高圧液供給源９０から高圧液体が液体室９２内に供給されると、この高圧液体は噴射ノズル１０６の噴射口１０６ａから噴射されて液柱１０８を形成する。
【００３２】
液体室ハウジング９４の下端部には、エア導入ハウジング１１０が形成されている。エア導入ハウジング１１０は、液体室ハウジング９４の底壁１００に装着された円筒壁１１２と、円筒壁１１２の下端部に一体的に形成された環状底壁１１４と、環状底壁１１４の上端部に一体的に形成された内壁１１６とを含んでいる。内壁１１６の中心部に貫通穴１１８が形成されており、この貫通穴１１８中にパイプ１２０が圧入されている。
【００３３】
図４を参照すると、粘着シート（ダイシングテープ）Ｔを介して環状フレームＦに支持された半導体ウエーハＷの斜視図が示されている。ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された各領域にデバイスＤが形成されている。
【００３４】
ウエーハＷは粘着シートであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示すチャックテーブル２８でダイシングテープＴを介してウエーハＷを吸引保持し、クランプ３０により環状フレームＦをクランプすることにより、チャックテーブル２８上に支持固定される。
【００３５】
半導体ウエーハＷをレーザ加工するに当たり、チャックテーブル２８に保持されたウエーハＷを撮像ユニット３８の直下に位置づけ、撮像ユニット３８でウエーハＷの加工領域を撮像して、よく知られたパターンマッチング等の方法によりターゲットパターンを検出し、加工すべき第１のストリートＳ１を加工ヘッド３６とＸ軸方向に整列させるアライメントを実施する。
【００３６】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、第１のストリートＳ１に直交する第２のストリートＳ２についても同様なアライメントを実施する。アライメントデータはコントローラ４０のＲＡＭ４６に格納する。
【００３７】
このアライメント実施時に、ウエーハＷの外周縁３点の座標を検出し、この３点の座標位置からウエーハＷの中心を検出する。これにより、ウエーハＷの外周と第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２との交点を求め、これらの交点の座標位置をコントローラ４０のＲＡＭ４６に格納する。
【００３８】
第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２のレーザ加工時には、ＲＡＭ４６に格納されたウエーハＷの外周縁の座標に基づいて、エアシリンダ７０を作動して緩衝部材としてのピン７２を液柱１０８の流れを阻害する作用位置と、液柱１０８の流れを阻害しない退避位置とに位置付ける。
【００３９】
以下、このように構成された第１実施形態のレーザ加工装置２の作用について図５乃至図９を参照して説明する。まず、図５に示す加工開始時には、レーザビーム発生ユニット３５からのレーザビーム６９をＯＦＦ、液柱１０８をＯＮ、緩衝部材としてのピン７２を作用位置に位置付けるように制御する。
【００４０】
即ち、レーザビーム発生ユニット３５のレーザ発振器６２をＯＦＦ制御し、高圧液供給源９０から純水等の高圧液体を、液体噴射手段８８の液体室ハウジング９４に形成された液体導入口１０２から液体室９２内に導入し、液体室ハウジング９４の下壁１００に形成された噴射ノズル１０６から高圧液体を噴射して液柱１０８を形成する。この液柱１０８は、エア導入ハウジング１１０の内壁１１６の貫通穴１１８内に圧入されたパイプ１２０内を通過して噴射される。
【００４１】
このとき、エアシリンダ７０を作動して緩衝部材としてのピン７２を作用位置に位置づけ、ピン７２で液柱１０８の流れを阻害して液柱１０８がダイシングテープＴに衝突する衝撃を緩衝する。
【００４２】
図８（Ａ）に示す第１参考例のように、ピン７２に衝突した液柱１０８はピン７２表面を主に矢印Ａ方向に流れてダイシングテープＴ上に流れ落ちる。その結果、ダイシングテープＴに液柱１０８により溝が形成されたり、液柱１０８によりダイシングテープＴが分断されたりすることがない。
【００４３】
チャックテーブル２８が矢印Ａ方向に加工送りされて、ウエーハＷの外周が液柱１０８の直下に位置付けられると、レーザビーム発生ユニット３５のレーザ発振器６２がＯＮとなり、パワー調整手段６８で所定パワーに調整されたレーザビーム６９が加工ヘッド３６のビーム導入口８５から加工ヘッド３６内に導入され、ミラー８４で反射されて集光レンズ８６で液体噴射手段８８の液体室ハウジング９４に形成された噴射ノズル１０６の噴射口１０６ａに集光される。
【００４４】
これと同時に、エアシリンダ７０が作動されて緩衝部材としてのピン７２が液柱１０８の流れを阻害しない退避位置に位置付けられる。よって、図６に示すように、集光レンズ８６で集光されたレーザビーム６９はパイプ１２０内を通過する液柱１０８に導光（案内）されて、そのビーム径が広がらずに加工点に照射されて第１のストリートＳ１に沿ってレーザ加工溝を形成する。即ち、レーザ加工中には、レーザビーム６９をＯＮ、液柱１０８をＯＮ、緩衝部材としてのピン７２は液柱１０８の流れを阻害しない退避位置となるように制御する。
【００４５】
チャックテーブル２８がＡ方向に加工送りされて、ウエーハＷの反対側の外周縁が液柱１０８を通過すると、図７に示すように、エアシリンダ７０が作動されてピン７２が液柱１０８の流れを阻害する作用位置に位置付けられる。
【００４６】
これと同時に、レーザビーム発生ユニット３５からのレーザビーム６９もＯＦＦとなる。即ち、レーザビーム発生ユニット３５のレーザ発振器６２の作動がＯＦＦとなる。液柱１０８の噴出は続行されるが、この液柱１０８の流れはピン７２により阻害されるため、液柱１０８によりダイシングテープＴが悪影響を受けることはない。
【００４７】
この第１参考例では、レーザビーム６９、液柱１０８、ピン７２を上述したように制御して、ストリートピッチずつ割り出し送りしながら全ての第１のストリートＳ１に沿ってレーザー加工溝を形成する。
【００４８】
次いで、チャックテーブル２８を９０度回転してから、レーザビーム６９、液柱１０８、ピン７２を同様に制御しながら、全ての第２のストリートＳ２に沿ってレーザ加工溝を形成する。
【００４９】
上述した第１参考例では、図８（Ａ）に示したように、加工開始時及び加工終了時にピン７２を対応位置に位置付けて液柱１０８の流れをピン７２で阻害するようにしている。図８（Ｂ）に示す本発明の第１実施形態では、ピン７２の先端部に傾斜面７３を形成し、この傾斜面７３に液柱１０８が衝突することで、液柱１０８を形成する液体が真上に飛散することを防止し、加工ヘッド３６に付着することを防止する。
【００５０】
図９（Ａ）は第２実施形態のピン７２の構成を示しており、ピン７２に穴７４及び穴７４に連通する流出路７６が形成されている。ピン７２を作用位置に位置付けた状態で液柱１０８はピン７２の穴７４中に入り、流出路７６を介してピン７２の側面から流れ落ちる。このように構成することにより、液柱１０８の衝突する衝撃をより緩衝することができるとともに液柱を形成した液体の飛散を防止できる。
【００５１】
図９（Ｂ）は第１変形例のピン７２の構成を示しており、この変形例では、流出路７８の流出口７８ａをピン７２の端面に形成している。図９（Ｃ）は第２変形例のピン７２の構成を示しており、この変形例では、流出路７８の端面の流出口７８ａに加えて、ピン７２の下面にも流出口７８ｂを形成している。図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示す第１及び第２変形例でも、図９（Ａ）に示す第２実施形態と同様に、液柱１０８が衝突する衝撃をより緩衝することができる。
【００５２】
図１０を参照すると、レーザ加工中における第２参考例のレーザ加工装置の要部を示す一部断面側面図が示されている。本参考例では、エアシリンダ７０のピストンロッド７０ａに図１２（Ａ）に示すような穴８２を有するプレート８０を連結し、レーザ加工中には液柱１０８が穴８２を通過するようにエアシリンダ７０を作動する。本参考例では、液柱１０８がプレート８０の穴８２を通過する位置を退避位置と称することにする。
【００５３】
図１１を参照すると、加工終了時の第２参考例の要部を示す一部断面側面図が示されている。即ち、チャックテーブル２８がＡ方向に加工送りされて、ウエーハＷの外周縁が液柱１０８を通過すると、図１１に示すように、エアシリンダ７０が駆動されてピストンロッド７０ａを縮め、プレート８０で液柱１０８の流れを遮るように制御する。本参考例では、プレート８０のこの位置を緩衝部材としてのプレート８０の作用位置と称する。
【００５４】
これと同時に、レーザビーム発生ユニット３５からのレーザビーム６９もＯＦＦとなる。即ち、レーザビーム発生ユニット３５のレーザ発振器６２の作動がＯＦＦとなる。液柱１０８の噴出は続行されるが、この液柱はプレート８０により遮られるため、液柱１０８によりダイシングテープＴが悪影響を受けることはない。
【００５５】
特に図示しないが、加工開始時にも、図１１に示す加工終了時と同様にプレート８０を作用位置に位置付けて、液柱１０８の流れをプレート８０により遮るように制御し、液柱１０８によりダイシングテープＴが悪影響を受けることを防止する。
【００５６】
図１２（Ｂ）を参照すると、第３実施形態の緩衝部材８４の斜視図が示されている。緩衝部材８４は穴８５と流出路８６を有しており、ピストンロッド７０ａの先端に連結されている。
【００５７】
図１２（Ｂ）に示した状態は緩衝部材８４を作用位置に位置付けた状態であり、加工開始時及び加工終了時には緩衝部材８４を作用位置に位置付けて、液柱１０８の流れを緩衝部材８４で緩衝する。レーザ加工中には、第１実施形態のピン７２と同様に、緩衝部材８４を液柱１０８を遮らない退避位置に位置付ける。
【符号の説明】
【００５８】
Ｗ    半導体ウエーハ
Ｔ    ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
２８    チャックテーブル
３５    レーザビーム発生ユニット
３６    加工ヘッド
３８    撮像ユニット
６９    レーザビーム
７０    エアシリンダ（位置付け手段）
７２    ピン(緩衝部材)
８０    プレート（緩衝部材）
８２    穴
８４    緩衝部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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