(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容構造体に収容され、その一方側に端子電極が形成された電子部品と、
前記電子部品上に形成され、前記端子電極の少なくとも一部を露出させる開口を有する絶縁性被覆層と、
前記開口内に露出する前記端子電極を塞ぐように形成された金属保護層と、
前記金属保護層上に形成され前記金属保護層と電気的に接続された配線層と、
を備える電子部品内蔵基板であって、
前記金属保護層は、主成分としてＮｉ及びＰを含有する第１の層を有し、
前記第１の層は、Ｘ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°である電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記金属保護層は、前記第１の層上に、主成分としてＰｄを含有する第２の層を有する請求項１記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記端子電極は、主成分としてＡｌ又はＣｕを含有する請求項１又は２記載の電子部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ（Integral  Circuit）等の電子部品を内部に収容した電子部品内蔵基板では、内蔵された電子部品の接続端子の保護を目的として、接続端子上部に金属保護層（エッチングストップ層）が設けられる。例えば、特許文献１では、エッチングストップ層としてニッケル膜を用いることが示されている。また、このような金属保護層として主成分としてニッケル（Ｎｉ）を含んだＮｉ−Ｐ合金からなる金属膜を用いる構成等も検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２８８６０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、Ｎｉ−Ｐ合金は製造工程において用いられる薬液に対する耐性が十分ではなく、製造中に腐食が発生する可能性がある。
【０００５】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、金属保護層の耐薬液性の向上が図られた電子部品内蔵基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子部品内蔵基板は、収容構造体の内部に収容され、その一方側に端子電極が形成された電子部品と、前記電子部品上に形成され、前記端子電極の少なくとも一部を露出させる開口を有する絶縁性被覆層と、前記開口内に露出する前記端子電極を塞ぐように形成された金属保護層と、前記金属保護層上に形成され前記金属保護層と電気的に接続された配線層と、を備える電子部品内蔵基板であって、前記金属保護層は、主成分としてＮｉ及びＰを含有する第１の層を有し、前記第１の層は、Ｘ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°ことを特徴とする。
【０００７】
発明者らは鋭意研究の結果、金属保護層がＮｉ及びＰを主成分として含有すると共に特定の配向の結晶構造を有する場合に耐薬液性が向上することを発見した。すなわち、金属保護層の第１の層がＸ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°であることで耐薬液性が向上し、電子部品内蔵基板の製造工程における薬液等の影響を小さくすることができる。また、上記の電子部品内蔵基板では、金属保護層が主成分としてＮｉ及びＰを含有する第１の層から形成されているため、配線層を金属保護層に対して直接接続することができる。したがって、より簡易な方法によって、電子部品内蔵基板を製造することができる。
【０００８】
ここで、前記金属保護層は、前記第１の層上に、主成分としてＰｄを含有する第２の層を有する態様とすることができる。
【０００９】
金属保護層が、上記の第１の層と、主成分としてＰｄを含有する第２の層との二層から構成されている場合、耐薬液性が向上された第１の層に加えて、Ｐｄを主成分とする第２の層がエッチング等によるダメージをさらに抑制するため、端子電極を含む電子部品への腐食等の影響を抑制し、接続信頼性の高い配線を行うことができる。
【００１０】
また、前記端子電極は、主成分としてＡｌ又はＣｕを含有する態様とすることができる。
【００１１】
端子電極が主成分としてＡｌ又はＣｕを含有する場合に、端子電極の上面に上記の金属保護層を形成することによって、エッチング等による薬液による端子電極への影響を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、金属保護層の耐薬液性の向上が図られた電子部品内蔵基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板を説明する断面図である。
【図２】第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を説明する断面図である。
【図３】第１実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を説明する断面図である。
【図４】変形例に係る電子部品内蔵基板を説明する断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板を説明する断面図である。
【図６】第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法を説明する断面図である。
【図７】第２実施形態に係る製造方法を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
＜第１実施形態＞
（電子部品内蔵基板）
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品内蔵基板を説明する断面図である。図１に係る電子部品内蔵基板１は、例えば、複数の電子部品が内蔵された多層プリント基板として実現されるが、以下の実施形態では、その一部分のみについて説明する。
【００１６】
図１に示すように、電子部品内蔵基板１は、基板１０と、基板１０上に接着層１２を介して配置され、一方側（上面）に２つの端子電極２２を備える電子部品２０と、端子電極２２上に設けられた開口部２３を除いて端子電極２２の上面を被覆するパッシベーション層２４（絶縁性被覆層）と、端子電極上の開口部２３を充填するように形成された金属保護層３０と、金属保護層３０上に設けられた開口部３３を除いて基板１０及び電子部品２０上を被覆する第１層間絶縁層３２と、第１層間絶縁層３２上に設けられると共に金属保護層３０上の開口部３１を充填するように形成された配線層３４と、配線層３４上に設けられた開口部３５を除いて第１層間絶縁層３２及び配線層３４上を被覆する第２層間絶縁層３６と、配線層３４上の開口部３５を充填するように形成されたバンプ３８と、を含んで構成される。また、金属保護層３０は、第１保護層（第１の層）２６と、第１保護層２６上に積層された第２保護層２８（第２の層）と、を含んで構成される。このうち、電子部品２０が配置される基板１０及び接着層１２と、電子部品２０の周囲に設けられる第１層間絶縁層３２と、が電子部品２０を収容する収容構造体として機能する。
【００１７】
基板１０としては、絶縁性の材料を適宜用いることができる。基板１０として好適に用いられる材料としては、絶縁性を有し且つシート状又はフィルム状に成形可能なものであれば特に限定されず、例えばシリコン基板、有機基板等公知の材料を用いることができる。基板１０の厚みは特に限定されないが、例えば１μｍ〜１ｍｍ程度とされる。また、基板１０は、例えば、ＲＣＣ（Resin  Coated  Cupper）構造を有していてもよい。なお、基板１０として、例えば銅箔等から構成された導体層を用いることもできる。
【００１８】
基板１０と電子部品２０との間には、接着層１２が設けられる。接着層１２としては、基板１０に対して電子部品２０を支持することが可能な構成であれば特に限定されないが、例えば、熱硬化前の樹脂（プリプレグ、フィラー含有複合材等）、粘着剤（接着剤付シート、金属粉入りペースト等）、半田等が挙げられる。
【００１９】
基板１０上に接着層１２を介して設けられる電子部品２０としては、例えば、ベアチップ状態の半導体ＩＣ等が挙げられる。電子部品２０は、上面に１以上（本実施形態では２つ）の端子電極２２を有している。なお、電子部品２０の厚みは通常の半導体ＩＣよりも薄く、具体的には、その厚みが例えば２００μｍ以下であり、好ましくは３０〜１００μｍ程度とされる。端子電極２２は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金等からなるものが好ましい態様として挙げられる。端子電極２２の厚み及びピッチ（配置間隔）等は特に限定されないが、層形成の実施容易性及び端子電極２２同士の短絡防止等の観点から、それぞれ０．１〜３０μｍ及び１０〜１５０μｍとすることが好ましい。
【００２０】
パッシベーション層２４は、電子部品２０の上面を水分による腐食等から保護する目的で設けられる。パッシベーション層２４の厚みは、電子部品２０の上面の保護が達成される程度の厚みとされる。また、その材料は絶縁性を有していれば特に限定されず、例えば、ポリイミド、ＳｉＮ等からなるものが挙げられる。パッシベーション層２４の厚みは、特に限定されないが、層形成の実施容易性等の観点から０．１〜５０μｍ程度とすることが好ましい。また、パッシベーション層２４は、端子電極２２の表面に開口部２３を有する。開口部２３の平面形状（上側から開口部２３を見たときの形状）は特に限定されない。また、開口部２３の径は、電気的絶縁性の観点から端子電極２２の径よりも小さくされることが好ましいが、金属保護層３０を介した配線層３４との電気的接続性の観点から、３μｍ以上とすることが好ましい。
【００２１】
金属保護層３０のうち、第１保護層２６は、開口部２３内を充填すると共に、開口部２３の周辺のパッシベーション層２４の上側を覆うように形成される。また、第１保護層２６の上側に形成される第２保護層２８は、第１保護層２６の表面を覆うように形成される。
なお、第１保護層２６は、図１に示すように開口部２３内に充填される必要はなく、少なくとも開口部２３内に露出された端子電極２２を塞ぐように形成されていればよい。この場合、第２保護層２８は、開口部２３内の第１保護層２６の表面を覆うように形成される。また、第１保護層２６の上側は、パッシベーション層２４よりも低くてもよい。この場合には、図１に示すようにパッシベーション層２４の上側に第１保護層２６が設けられていなくてもよい。このようにパッシベーション層２４に対して第１保護層２６の表面が凹んでいる場合には、第２保護層２８又は第１層間絶縁層３２によって第１保護層２６の上部が塞がれることが好ましい。
【００２２】
第１保護層２６は、Ｎｉ（ニッケル）及びＰ（リン）を主成分として含有するＮｉ−Ｐ（ニッケル−リン）合金から構成される。また第１保護層２６は、Ｘ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°である。このような構成を有することで、耐薬液性が向上する。
【００２３】
また、第２保護層２８は、主成分がＰｄであることが好ましい。主成分がＰｄである第２保護層２８を第１保護層２６の上側に設けることで、第１保護層２６及びその下方の端子電極２２に対して製造工程におけるエッチングによるダメージが及ぶことを防ぐことができる。具体的には、第２保護層２８を第１保護層２６の上に設けることで、後述の第１層間絶縁層３２の開口部３３において露出していない部分の第１層間絶縁層３２と密着する界面へのエッチング液が侵攻することを抑制することができると共に、第１層間絶縁層３２と第１保護層２６との間の密着力が向上する。
【００２４】
第１層間絶縁層３２は、金属保護層３０上に設けられた開口部３３を除き、基板１０及び電子部品２０上を被覆する。第１層間絶縁層３２を構成する材料は、絶縁性を有していれば特に限定されない。
【００２５】
配線層３４は、導電材料によって、第１層間絶縁層３２上に設けられると共に金属保護層３０上の開口部３１を充填するように形成される。配線層３４は、金属保護層３０上の開口部３１を充填することでビア３４ａを形成する。これにより、配線層３４はビア３４ａを介して金属保護層３０と電気的に接続される。配線層３４の材料は特に限定されない。
【００２６】
第２層間絶縁層３６は、配線層３４と、配線層３４上に設けられた開口部３５を除いて第１層間絶縁層３２及び配線層３４上を被覆する。第２層間絶縁層３６を構成する材料は、絶縁性を有していれば特に限定されない。
【００２７】
バンプ３８は、導電材料によって形成され、配線層３４上の開口部３５を充填するように形成され、外部の端子等との接続に用いられる。
【００２８】
（電子部品内蔵基板の製造方法）
次に、図２及び図３を参照しながら、第１実施形態に係る電子部品内蔵基板１の製造方法について説明する。図２（ａ）、（ｂ）及び図３（ａ）、（ｂ）は電子部品内蔵基板１の製造方法を模式的に示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板１０上に、接着層１２を設ける。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、端子電極２２等が積層された電子部品２０を取り付ける。電子部品２０は、基板１０に取り付ける前に金属保護層３０の取付けまでが行われる。具体的には、複数の電子部品２０を含んで構成されるウエハーの表面を加工することによって、電子部品２０の表面に金属保護層３０が形成された部品が得られる。
【００３０】
以下、電子部品２０上に金属保護層３０を取り付けるまでの工程を説明する。まず、電子部品２０に対して端子電極２２を形成すると共に、端子電極２２上に、開口部２３が形成されたパッシベーション層２４を形成する。開口部２３内に露出された端子電極２２の表面に対して公知の前処理を行った後に、無電解ニッケルめっきによって開口部２３を充填し且つパッシベーション層２４の一部を覆うＮｉ−Ｐ合金を主成分とする第１保護層２６を形成する。なお、前述の前処理としては、例えば、端子電極２２がＣｕ又はＣｕ合金の場合、脱脂、酸洗及び活性化処理等が挙げられる。また、例えば端子電極２２がＡｌ又はＡｌ合金の場合、脱脂、酸洗及びジンケート処理等が挙げられる。
【００３１】
無電解ニッケルめっきでは、ニッケル塩、錯化剤、還元剤等を含むめっき液を用いて処理が行われる。ここで、Ｘ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°となるような第１保護層２６を形成するためには、めっき液成分が以下のように調製される。
【００３２】
無電解ニッケルめっきに用いられるめっき液には、Ｎｉ元素として例えばＮｉの塩化物または硫酸塩が含まれる。また、還元剤として、例えば次亜リン酸ナトリウムが用いられる。また、めっき液の安定性を保つためには、錯化剤が加えられる。さらに、添加剤成分として、硫黄化合物、酢酸等を添加してもよい。特に、本実施形態に係るめっき液では、ＳＯ４イオンの濃度が０．１４〜０．２４ｍｏｌ／ｇ、硫黄成分が０．２〜０．４５ｍｇ／ｌ、及び酢酸成分が４．０〜９．０ｍｇ／ｌとされる。また、錯化剤として、コハク酸及び乳酸が含有される。これにより、Ｘ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値及び配向（２００）のピーク値が上記の範囲となる耐薬液性の向上した第１保護層２６を形成することができる。その他の成分に関しては適宜調整をすることができる。
【００３３】
また、無電解ニッケルめっきのめっき条件は特に限定されるものではないが、温度条件は、４０℃〜９０℃であることが好ましく、５０℃〜８０℃であることがより好ましい。また、めっき時間は、３０秒〜５時間であることが好ましく、１分〜２時間であることがより好ましい。
【００３４】
次に、無電解パラジウムめっきにより、第１保護層２６上にＰｄを主成分とする第２保護層２８を形成する。無電解パラジウムめっきは、化合物、有機錯化剤、有機イオウ化合物、酸化防止剤、及び還元剤を含むめっき液を用いることが好ましい。これら構成成分の種類、濃度を好適に選択することで、Ｎｉ−Ｐ合金の第１保護層２６上に安定的にＰｄを析出することが可能である。
【００３５】
無電解パラジウムめっきに用いられるめっき液には、Ｐｄ元素として例えばＰｄの塩化物または硫酸塩が含まれる。また、還元剤として、例えば次亜リン酸ナトリウムを用いる。また、めっき液の安定性を保つために、錯化剤として、カルボン酸、アミノカルボン酸、エチレンジアミン等加えられていてもよい。さらに、添加剤成分として、硫黄化合物、酢酸、塩化物等を添加してもよい。無電解パラジウムめっきのめっき条件は特に限定されるものではなく、公知の条件を利用することができる。
【００３６】
このように無電解めっきによって、第１保護層２６及び第２保護層２８により構成される金属保護層３０が形成される。以上の工程を経た後に、ウエハーを個別にカットすることで、上部に金属保護層３０が形成された電子部品２０が得られる。を基板１０の接着層１２上に取り付けることで、図２（ｂ）に示す積層体が得られる。
【００３７】
次に、金属保護層３０が上部に設けられた電子部品２０及び基板１０の上面に対して、ラミネート、プレス等の公知の方法を用いて第１層間絶縁層３２を形成する。その後、レーザー加工、ブラスト加工，樹脂エッチング等の公知の方法を用いて、図３（ａ）に示すように、金属保護層３０上の第１層間絶縁層３２に対して開口部３３を形成する。
【００３８】
そして、図３（ｂ）に示すように、第１層間絶縁層に形成された開口部３３を充填するように、第１層間絶縁層３２上に導電性の配線層３４を形成する。このとき、開口部３３に充填される配線層３４がビア３４ａとなって、金属保護層３０と配線層３４とが電気的に接続される。
【００３９】
その後、第１層間絶縁層３２及び配線層３４の上面に第２層間絶縁層３６を形成した後に、パターニング等によって第２層間絶縁層３６に開口部３５を形成し、開口部３５を充填するようにバンプ３８を形成することで、電子部品内蔵基板１が得られる。
【００４０】
このようにして得られる電子部品内蔵基板１は、半導体素子等に好適に適用することができる。上記の電子部品内蔵基板１では、金属保護層３０がＮｉ−Ｐ合金から形成されているため、配線層３４を金属保護層３０に対して直接接続することができる。したがって、より簡易な方法によって、電子部品内蔵基板１を製造することができる。また、金属保護層３０の第１保護層２６を構成するＮｉ−Ｐ合金がＸ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°であり、耐薬液性に優れているため、開口部３３を形成する際に第２保護層２８が除去され、第１保護層２６が露出した状態においても、従来の電子部品内蔵基板と比較して、製造工程における金属保護層３０への薬液等の影響を小さくすることができる。このため、従来の電子部品内蔵基板と比較して、金属保護層３０を薄くしても内部の電子部品の保護ができるため、電子部品内蔵基板１としての小型化等も実現することができる。特に、金属保護層の薄化が可能なことにより、例えば、端子電極のピッチが非常に狭い構造（例えば、ＩＣパッド）を有する電子部品を内蔵する基板を製造する場合でも、隣接する端子電極間が導通することなく、高い信頼性を有する電子部品内蔵基板を製造することができる。
【００４１】
さらに、金属保護層３０が第１保護層２６と第２保護層２８との二層から構成されている場合、耐薬液性が向上されたＮｉ−Ｐ合金の第１保護層２６に加えて、Ｐｄを主成分とする第２保護層２８がエッチング等によるダメージをさらに抑制するため、端子電極２２を含む電子部品２０への腐食等の影響を抑制し、接続信頼性の高い配線を行うことができる。
【００４２】
また、端子電極２２が主成分としてＡｌ又はＣｕを含有する場合に、端子電極２２の上面に上記の金属保護層３０を形成することによって、エッチング等による薬液による端子電極２２への影響を抑制することができる。
【００４３】
（変形例）
図４は、変形例に係る電子部品内蔵基板２の断面を示す図である。電子部品内蔵基板２は、電子部品内蔵基板１と比較して、金属保護層３０が第１保護層２６のみから構成されている点が相違する。
【００４４】
上記実施形態では、金属保護層３０が第１保護層２６及び第２保護層２８の２層から構成されている場合について説明したが、図４の電子部品内蔵基板２のように、Ｎｉ−Ｐ合金からなる第１の層のみによって構成されてもよい。この場合、第１保護層２６を構成するＮｉ−Ｐ合金がＸ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°であることで第１保護層２６の耐薬液性が向上し、下方の電子部品２０及び端子電極２２への薬液等によるダメージを抑制することができ、接続信頼性の高い配線を行うことができる。
【００４５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電子部品内蔵基板について説明する。第２実施形態に係る電子部品内蔵基板が、第１実施形態に係る電子部品内蔵基板１と相違する点は、以下の点である。すなわち、電子部品内蔵基板１は、端子電極２２が上方となるように電子部品２０を基板１０上に載置して製造する所謂フェースアップ搭載により電子部品内蔵基板１を製造したのに対して、電子部品内蔵基板３では、端子電極２２が導体からなる基板１０Ａと対向するように電子部品を載置して製造した所謂フェースダウン搭載により製造されたものである点である。したがって、樹脂層等の構造が電子部品内蔵基板１とは大きく相違する。以下、まず、第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の製造方法について説明した後に、第２実施形態に係る電子部品内蔵基板の構成について説明する。
【００４６】
（電子部品内蔵基板及びその製造方法）
図５及び図６を参照しながら、第２実施形態に係る電子部品内蔵基板３の製造方法について説明する。図５（ａ）、（ｂ）及び図６（ａ）、（ｂ）は電子部品内蔵基板３の製造方法を模式的に示す断面図である。
【００４７】
まず、図５（ａ）に示すように、基板１０Ａ上に、接着層１２を設けた後に、パッシベーション層２４及び第１保護層２６が設けられた電子部品２０を搭載する。ここで用いられる基板１０Ａは、導体基板であって、例えば銅箔等によって構成される。また、接着層１２としては、絶縁性材料が用いられる。第２実施形態に係る電子部品内蔵基板３においては、上方の配線部分と下方の電子部品２０との間の絶縁層として機能するからである。
【００４８】
電子部品２０に対する端子電極２２の取り付け、開口部２３の形成及びパッシベーション層２４の形成、さらに第１保護層２６の形成は、第１実施形態と同様の方法で行われる。なお、第２実施形態では、第１保護層２６の表面とパッシベーション層２４の表面とが同一面となるように、第１保護層２６が形成されていて、第２保護層２８は省略されている。そして、第１保護層２６の形成まで行われた電子部品２０が、パッシベーション層２４及び第１保護層２６の表面が接着層１２と対向するようにして、図５（ａ）に示すように基板１０Ａに対して接着層１２を介して取り付けられる。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、ラミネート、プレス等の公知の方法を用いて基板１０Ａ及び電子部品２０の側面及び上方を覆うように第１層間絶縁層３２を形成する。これにより、電子部品２０が覆われる。この第１層間絶縁層３２は、製造後の電子部品内蔵基板において、電子部品２０を収容する収容構造体として機能する。
【００５０】
次に、図６（ａ）に示すように、基板１０Ａ側からレーザー加工、ブラスト加工，樹脂エッチング等の公知の方法を用いて、開口部４３を形成する。このとき、基板１０Ａ及び接着層１２が除去されるため、下方から見たときに第１保護層２５が露出するような開口部４３が形成される。
【００５１】
そして、図６（ｂ）に示すように、基板１０Ａ及び接着層１２に形成された開口部４３を充填するように、基板１０Ａ上に導電性の配線層３４を形成する。このとき、開口部４３に充填される配線層３４がビア３４ａとなって、金属保護層３０と配線層３４とが電気的に接続される。なお、配線層３４を形成する際には、基板１０Ａも配線層３４の配置に沿って除去される。
【００５２】
その後、上下を反転し、パッシベーション層２４、第１層間絶縁層３２及び配線層３４の上面に第２層間絶縁層３６を形成した後に、パターニング等によって第２層間絶縁層３６に開口部３５を形成し、開口部３５を充填するようにバンプ３８を形成することで、電子部品内蔵基板３が得られる。上述のように基板１０Ａの一部も除去されるため、絶縁性の接着層１２と第２層間絶縁層３６とが接する領域によって、近隣の配線層３４同士がそれぞれ区切られる。
【００５３】
上記の製造方法で得られた電子部品内蔵基板３を図７に示す。図７に示すように、電子部品内蔵基板３では、第１層間絶縁層３２が電子部品２０を収容する収容構造体として機能する。
【００５４】
そして、第１実施形態に係る電子部品内蔵基板１と同様に、上記の電子部品内蔵基板３では、金属保護層３０として機能する第１保護層２６がＮｉ−Ｐ合金から形成されているため、配線層３４を金属保護層に対して直接接続することができる。したがって、より簡易な方法によって、電子部品内蔵基板３を製造することができる。また、金属保護層３０の第１保護層２６を構成するＮｉ−Ｐ合金がＸ線回折パターンにおける配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°であり、耐薬液性に優れている。したがって、電子部品内蔵基板１と同様に、開口部３３を形成する際に第２保護層２８が除去され、第１保護層２６が露出した状態においても、従来の電子部品内蔵基板と比較して、製造工程における金属保護層３０への薬液等の影響を小さくすることができる。このため、従来の電子部品内蔵基板と比較して、金属保護層３０を薄くしても内部の電子部品の保護ができるため、電子部品内蔵基板３としての小型化等も実現することができる。
【００５５】
このように、電子部品内蔵基板の製造方法は特に限定されず、所謂フェースダウン搭載により製造された電子部品内蔵基板に対しても、本発明の特徴となる金属保護層適用することができる。
【００５６】
なお、第２実施形態の電子部品内蔵基板３は、金属保護層３０が第１保護層２６のみによって構成されている場合について説明したが、第１保護層２６に加えて第２保護層２８が設けられた構成とすることもできる。また、第１保護層２６の形状（厚さ）は適宜変更できる。
【実施例１】
【００５７】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
＜実施例１〜１０、比較例１〜８の準備＞
【００５８】
シリコン基板上に図２（ａ）の端子電極２２に相当するＡｌパッドを設けた試料を準備し、それぞれについて所定の前処理（脱脂、酸洗、ジンケート処理）を行った後、以下の表１及び表２に示す組成のめっき液を用いて、無電解ニッケルめっきを行い、Ａｌパッドの上に第１保護層２６を形成した（図２（ｂ））。表１は、無電解ニッケルめっき液に含まれるＮｉ主剤、添加剤成分及び鎖化剤の添加量である。また、表２は、無電解ニッケルめっきに用いられるめっき液中の成分濃度を示したものである。
【００５９】
なお、無電解ニッケルめっきのめっき条件は、温度を８２℃とし、時間は、所定のニッケルめっき層厚みが得られるように調製した。これにより、実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る金属保護層を有する試料がそれぞれ形成された。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
【表２】
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【００６２】
＜評価１：表面観察＞
上記の実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る金属保護層を有する試料に関して、まず表面観察を行い、第１保護層２６の表面にＰｄが析出しているかについて確認を行い、その結果を〇（析出）、×（析出せず）として評価を行った。表面にＰｄが析出している場合には、上面にＰｄを主成分とする第２保護層２８を形成した場合に、第１の層（第１保護層２６）と第２の層（第２保護層２８）との密着性が向上することが考えられる。
【００６３】
＜評価２：酸処理後の腐食評価＞
上記の実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る金属保護層を有する試料に関して、以下の方法により耐薬液性の評価を行った。まず、酸処理工程として、第１酸洗浄工程、エッチング工程、及び第２酸洗浄工程に用いる薬液を５００ｍｌずつ準備した。そして、実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る試料をそれぞれ７ｍｍ角にカットした後に、各試料をピンセットで挟んで固定して酸処理工程を実施した。各工程においてはそれぞれ試料を薬液中で静止させて処理を実施し、各工程間はそれぞれ水洗した。また、水切りはエアブローにて行った。各工程において用いた薬液、濃度、処理温度及び処理時間について、表３に示す。
【００６４】
【表３】
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【００６５】
上記のエッチング処理後の各試料について、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡：Ｓ−３４００Ｎ、日立ハイテクノロジース社製）を用いて、印加電圧３．０ｋＶにて、試料表面の金属保護層の二次電子像を撮像して表面を観察した。
【００６６】
観察の結果、表面にエッチング液等による浸食による溝が形成されていない場合には〇（良）、エッチング液による浸食の結果表面から深さ方向に溝が形成された場合には大小問わず×（不良）と評価した。
【００６７】
＜評価３：Ｘ線回折パターンの評価＞
上記の実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る金属保護層を有する試料に関して、Ａｌパッド上に形成された第１の層のＸ線回折パターンを測定した。測定には、微小部Ｘ線回折装置（μＸＲＤ測定機：ブルカー社製  Ｄ８  Ｄｉｓｃｏｖｅｒ  ｗｉｔｈ  ＧＡＤＤＳ）を使用し、電圧４５ｋＶ、電流１１０ｍＡの条件で、Ｘ線波長としてＣｕＫα線（１．５４１８Å）を用いて、照射径を１００μｍとして、Ｘ線を第１の層に対して照射し、回折パターンから配向（１１１）のピーク値及び配向（２００）のピーク値を求めた。
【００６８】
上記の評価１〜評価３の結果を表４に示す。表４では、実施例１〜１０及び比較例１〜８に係る試料を構成する金属保護層（第１の層）が、「配向（１１１）のピーク値が４４．９０°〜４５．３０°であると共に、配向（２００）のピーク値が４９．３０°〜５０．６０°である」という条件を満たす（〇）か否か（×）についても併せて示す。
【００６９】
【表４】
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【符号の説明】
【００７０】
１，２，３…電子部品内蔵基板、１０…基板、２０…電子部品、２２…端子電極、２４…パッシベーション層、２６…第１の層、２８…第２の層、３０…金属保護層、３２…第１層間絶縁層、３４…配線層、３６…第２層間絶縁層、３８…バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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