(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、前記装置は、
記録媒体への静電吸引力を有する記録ヘッドと、
前記記録ヘッドと前記記録媒体との間で前記静電吸引力を振動させるように構成された回路とを備え、振動する前記静電吸引力は、前記記録ヘッドと前記記録媒体との間に対応する振動する間隙を生じ、前記装置はさらに、
前記記録ヘッド内または近傍に熱センサを備え、前記熱センサは、前記振動する間隙により引起される振動する温度を検知し、検知された温度を表わすセンサ信号を生じ、前記装置はさらに、
検出器を備え、前記検出器は、前記熱センサに結合され、前記センサ信号および前記静電吸引力を用いてヘッド−媒体接触および間隙の少なくとも１つを検出するように構成された、装置。
【請求項２】
前記静電吸引力は、前記記録ヘッドおよび／または前記記録媒体における電位を設定することにより制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
振動する前記静電吸引力は、実質的に５０ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの範囲内の周波数を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記検出器はさらに、前記記録媒体の半径および回転の両方の関数としてヘッド−媒体接触電力を検出するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記検出器に結合されたコントローラをさらに含み、前記コントローラは、前記記録媒体の半径および回転の両方の関数として、検出されたヘッド−媒体接触電力に基づく二次元接触電力マップを生じるように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記熱センサは、熱電対、シングルエンド抵抗温度係数センサ、またはデュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ）センサを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記記録ヘッドは、熱膨張を介してヘッド−媒体間隙を変更するヒータを含み、振動する前記静電吸引力の応答時間は、前記熱膨張の応答時間より少なくとも５０倍短い、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
装置であって、前記装置は、
記録ヘッドと記録媒体との間で静電吸引力を振動させるように構成された回路を備え、振動する前記静電吸引力は、前記記録ヘッドと前記記録媒体との間に対応する振動する間隙を生じ、前記装置はさらに、
前記回路に結合されたコントローラを備え、前記コントローラは、
前記振動する間隙により引起される振動する温度を検知し、
検知された温度および前記静電吸引力を用いてヘッド−媒体接触を検出するように構成された、装置。
【請求項９】
前記回路はさらに、前記記録ヘッドおよび／または前記記録媒体における電位を設定するように構成され、前記電位は、前記静電吸引力に影響を及ぼす、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
振動する前記静電吸引力は、実質的に５０ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの範囲内の周波数を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記コントローラはさらに、前記記録媒体の半径および回転の両方の関数として、ヘッド−媒体接触電力を検出するように構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記コントローラはさらに、前記記録媒体の半径および回転の両方の関数として、検出されたヘッド−媒体接触電力に基づく二次元接触電力マップを生じるように構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記振動する温度は、デュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ）センサ、シングルエンド抵抗温度係数センサ、または熱電対温度センサを含む熱センサにより検知される、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記記録ヘッドは、熱膨張を介してヘッド−媒体間隙を変更するヒータを含み、振動する前記静電吸引力の応答時間は、前記熱膨張の応答時間より少なくとも５０倍短い、請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
方法であって、前記方法は、
記録ヘッドと記録媒体との間で静電吸引力に振動を引起すステップと、
振動する前記静電吸引力により、前記記録ヘッド内または近傍の熱センサにより生じる信号に振動を引起すステップと、
前記熱センサおよび前記静電吸引力から前記信号を用いてヘッド−媒体接触を検出するステップとを含む、方法。
【請求項１６】
前記記録ヘッドおよび／または前記記録媒体における電位を振動させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
振動する前記静電吸引力は、実質的に５０ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの範囲内の周波数を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記記録媒体の半径および回転の両方の関数としてヘッド−媒体接触電力を検出するステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記熱センサは、デュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ）センサ、シングルエンド抵抗温度係数センサ、または熱電対温度センサを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記記録ヘッドを加熱して、熱膨張を介してヘッド−媒体間隙に変化を引起すステップをさらに含み、前記静電吸引力の応答時間は、前記熱膨張の応答時間より少なくとも５０倍短い、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００１】
【特許文献１】米国特許第７０１６１３９号公報
【特許文献２】米国特許第７０４６４７３号公報
【特許文献３】米国特許第７３２１４７６号公報
【特許文献４】米国特許第７６７９８５７号公報
【特許文献５】米国特許第７７１９７８６号公報
【特許文献６】米国特許第７８３０６３４号公報
【特許文献７】米国特許第８０４９９８４号公報
【特許文献８】米国特許第８０８５４９０号公報
【特許文献９】米国特許第８５２３３１２号公報
【特許文献１０】米国特許第８６３００５７号公報
【特許文献１１】米国特許第８６３８３４９号公報
【特許文献１２】米国特許出願公開第２０１１／０１５７７３６号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
発明の詳細な説明
概要
本開示の装置は、全体的に、記録ヘッド、回路、熱センサ、および検出器を含む。記録ヘッドは、記録媒体への静電吸引力を有する。回路は、記録ヘッドと記録媒体との間で静電吸引力を振動させるように構成される。振動する静電吸引力は、記録ヘッドと記録媒体との間に対応する振動する間隙を生じる。記録ヘッド内または近傍に配置された熱センサは、振動する間隙により引起される振動する温度を検知し、検知された温度を表わすセンサ信号を生じる。検出器は、熱センサに結合され、センサ信号および静電吸引力を用いて、ヘッド−媒体接触および間隙の少なくとも１つを検出するように構成される。
【０００３】
本開示の別の装置は、全体的に、回路およびコントローラを含む。回路は、記録ヘッドと記録媒体との間で静電吸引力を振動させるように構成される。振動する静電吸引力は、記録ヘッドと記録媒体との間に対応する振動する間隙を生じる。コントローラは、回路に結合され、振動する間隙により引起される振動する温度を検知するように構成され、かつ、検知された温度および静電吸引力を用いてヘッド−媒体接触を検出するように構成される。
【０００４】
本開示の方法は、記録ヘッドと記録媒体との間に静電吸引力の振動を引起すステップを含む。方法はさらに、振動する静電吸引力により、記録ヘッド内または近傍の熱センサにより生成される信号に振動を引起すステップと、熱センサからの信号および静電吸引力の両方を用いてヘッド−媒体接触を検出するステップとを含む。
【０００５】
上記の概要は、各実施形態またはすべての実施例を記載することを意図するものではない。より完全な理解が、以下の詳細な説明および請求項を添付の図面とともに参照することにより明らかになり、認識されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】さまざまな実施形態に従った抵抗温度係数（ＴＣＲ）センサを内蔵するヒータ作動式ヘッドトランスデューサ構造の簡略化された側面図である。
【図２】図１に示されるヒータ作動式ヘッドトランスデューサ構造の正面図である。
【図３】作動前の構成および作動された構成における図１および図２のヒータ作動式ヘッドトランスデューサ構造を示す図である。
【図４】さまざまな実施形態に従った静電力を用いたヘッド−媒体接触検出を実施するための書込動作に用いられる部品の一例を図示するブロック図である。
【図５】さまざまな実施形態に従ったスピンドルモータに加えられる電圧バイアスを図示する簡略化されたブロック図である。
【図６】さまざまな実施形態に従った基板バイアシング方式を示す回路概略図である。
【図７】さまざまな実施形態に従った静電力を用いたヘッド−媒体接触検出中の電圧および静電力のばらつきの例を図示するグラフである。
【図８】増加されたヒータ電力に応じたヘッドディスクインターフェイスにわたる静電力の第１の高調波における熱センサ振幅の一例を図示するグラフである。
【図９】さまざまな実施形態に従った振動する磁気力に応じた浮上高変化の一例を図示するグラフである。
【図１０】さまざまな実施形態に従った静電力を用いたヘッド媒体接触検出についてのプロセスを図示するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
詳細な説明
図面は必ずしも縮尺通りではない。図で用いる同じ番号は同じ構成要素を指す。しかしながら、所与の図である番号を用いて構成要素を参照することにより、同じ番号で示す別の図中の構成要素を限定することを意図するものではないことが理解されるであろう。
【０００８】
さまざまな実施形態によれば、図１〜図３を参照して、スライダ１００は、回転する磁気記憶媒体１０６に近接したサスペンション１０１により支持されるように示される。スライダ１００は、記録ヘッドトランスデューサ１０３と、ヘッドトランスデューサ１０３に熱的に結合されたヒータ１０２とを支持する。抵抗温度係数（ＴＣＲ）センサ１０５は、磁気記録媒体１０６への接近点においてヘッドトランスデューサ１０３上に位置するように示される。接近点は、一般的に、ヘッドトランスデューサ１０３と磁気記録媒体１０６との間の最も接近した接触点として理解される。ＴＣＲセンサ１０５は、デュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ）センサを含んでもよい。ＴＣＲ型センサは、センサにわたる抵抗の変化、または抵抗の変化率を測定することにより温度変化を測定し、これにより、ヘッド−媒体間隔のばらつきを検知することができ、一部の実施形態では、媒体１０６のアスペリティを検知することができる。
【０００９】
図３に図示されるように、ヘッド−媒体接触の前に、熱いヘッド面と比較的冷たいディスク１０６との間に画定される空隙１０７が存在する。ヒータ１０２およびＴＣＲセンサ１０５を用いて、スライダ１００と磁気媒体１０６との間のこの空隙１０７、または間隔を制御することができる。たとえば、ヒータ１０２に通電することにより、ヘッドトランスデューサ１０３に局所的な突起を引起し、この突起は、ヒータ１０２に加えられる電流を変更することにより制御されることができる。スライダ１００が媒体１０６に接近するおよび／または接触する際に、ＴＣＲセンサ１０５は、既知の熱記号を測定することにより、磁気媒体１０６との間隔および接触を検出することができる。
【００１０】
ここで図４を参照して、ブロック図は、書込動作中のハードディスクドライブにより用いられる部品の一部の一例を示す。部品は、ホスト１１０と、コントローラ特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）１１２と、プリアンプ１１４と、書込ヘッド１１６とを含む。ホスト１１０は、論理演算のシーケンスを行なうことの可能なコンピュータまたは他の同様の装置を含んでもよく、ＳＡＴＡ、ＳａＳ、ＳＣＳＩ、ＰＣＩなどのホストプロトコルを介してＡＳＩＣ１１２に結合されてもよい。コントローラＡＳＩＣ１１２は全体的に、ファームウェア１２０の制御下で動作するコントローラマイクロプロセッサ１１８と、フォーマッタロジックを利用するフォーマッタ１２２と、書込チャネル１２４とを含む。プリアンプ１１４は、書込ドライバ１２６を含み、書込ヘッド１１６は、書込コイル１２８を含む。
【００１１】
動作中、ホスト１１０は、コントローラＡＳＩＣ１１２、具体的にはコントローラマイクロプロセッサ１１８に通信される書込動作を開始する。コントローラマイクロプロセッサ１１８は、ファームウェア１２０を介して、ホスト指令により動作し、フォーマッタ１２２への書込リクエストを生成するとともに、磁気記録媒体１０６上の所望のトラック／位置を探すようにプログラミングされている（図１および図３を参照）。フォーマッタ１２２は、書込チャネル１２４へのＷｒＧａｔｅ信号をアサートし、これにより、プリアンプ１１４の書込ドライバ１２６がイネーブルとなる。この例では、書込チャネル１２４は、書込データを書込ドライバ１２６へと送る。書込ドライバ１２６からの電流は、書込コイル１２８をアクティブにし、これにより、書込ヘッド１１６が書込動作を完了することができる。
【００１２】
正確な書込動作が起きるためには、記録ヘッドとその関連付けられる媒体との間に比較的短い距離または間隔を有することが望ましい。この距離または間隔は、「浮上高さ」または「ヘッド−媒体間隔」として知られる。浮上高さを減少させることにより、記録ヘッドは、典型的には、媒体に対するデータの書込および読出の両方をよりよく行うことができる。浮上高さを減少させることにより、記録媒体面のアスペリティおよび他の特徴を検出するためなど、記録媒体トポグラフィの調査も可能となる。ヘッド−媒体接触検出および／またはヘッド−媒体間隔検知技術は、磁気記憶システムの性能および信頼性に貢献する。より高い接触検出反復性は、より低いアクティブな間隙を可能にし、ひいてはより高い記録密度を可能にする。より高い接触検出感度は、摩耗を減少させ、信頼性を改善する。
【００１３】
接触検出は、ヘッド−ディスクシステムが任意のタイプの記録を開始する前に行われ得る。接触検出は、ヘッド毎に行なわれ得、ヘッドとディスクとの間に大きな相互作用時間が必要となる。今日、多くのシステムが、スライダ（ヘッド）の受動的な浮上状態から断続的なヘッド−ディスク接触への熱膨張を引起すのに必要なヒータ電力を決定することを含む、接触検出方式を実施している。この断続的な接触は、スライダの浮上高の大きな変調を引起し得る。そして、スライダの浮上高の変調により、ヘッドとディスクとの間の熱伝達の変調が生じる。たとえば、デュアルエンド抵抗温度係数（ＤＥＴＣＲ）センサなどの熱近接センサは、これらのヘッド−ディスク熱伝達の比較的大きな変動を容易にピックアップすることができる。ヒータ電力とともに熱近接センサからの測定値を用いて、接触検出を確立することができる。
【００１４】
しかしながら、新たに開発された低間隙技術（ＬＣＴ）ヘッド−ディスクシステムは、断続的なヘッド−ディスク接触により、浮上高変調が減少または排除されている。浮上高変調の減少／排除は、接触検出および意図しないヘッド−ディスク相互作用中のヘッドの摩耗の減少が得られる点では有利である。しかし、残念ながら、浮上高変調に依存するセンサ、および／または技術による接触検出強度の減少も引起してしまう。このため、ＬＣＴヘッド−ディスクシステムの接触検出の課題に対応して、低周波数ＡＣヒータ（ＬＦＡＣＨ）接触検知方式が開発された。ＬＦＡＣＨにおいては、ヒータ電圧／電力の振幅は、正弦波振動に従っており、正弦波振動は、浮上高を同じ振動に従わせる。ヘッド内の熱近接センサは、振動を検出し、振動センサ信号を生じ、振動するセンサ信号は、ヒータ電力と組合されると、接触検出を決定するために用いられることができる。
【００１５】
一部の場合では、ＬＦＡＣＨは、低いヒータ周波数、たとえば、１ｋＨｚ以下のものなどに限定され得るという点で、それ自体の限界がある。浮上高は、より高い周波数では、ヒータで放散される電力の変動に対応しない。ヒータにより引起される浮上変調の限界の１つは、熱突起を形成するスライダの部分を加熱するための熱時定数である。これは、スライダが、突起および減少した間隙により、安定した「熱い」温度に達し、その後、減少した突起および増加した間隙により、定常状態の「冷たい」温度に冷めることを必要とする。ヒータ電圧が過度に迅速に振動されると、スライダ温度、ならびに結果として生じる突起および間隙は、振動するヒータ信号に応答する時間を有さず、ＬＦＡＣＨによる接触検出が失敗してしまう。なお、ヒータにより引起される膨張／収縮についての熱時制限は、〜４００から５００μｓであり得、この場合、ヒータにより引起される浮上変調は、〜１ｋＨｚに限定され得る。
【００１６】
以下の実施形態は、振動する静電吸引力を利用した接触検出／ヘッド−媒体間隔方式を提示することにより、上記のＬＦＡＣＨの課題に対処する。図４の図は、振動する静電吸引力の使用により接触検出を可能にする追加の要素を含む。たとえば、図４は、コントローラマイクロプロセッサ１１８からプリアンプ１１４への接触検出信号を含み、プリアンプ１１４には、ＤＣおよび／または振動する電圧信号を生成する能力が存在する。発生器１３０を参照。図４はさらに、書込ヘッド１１６内にバイアス電圧回路１３２を含み、これは、ディスク、すなわち記録媒体の電圧電位に対するヘッド１１６の基準バイアス電圧電位を設定する。基準バイアス電圧電位は、典型的には接地である。図５は、バイアス電圧回路１３２がスピンドルモータ１３４およびスピンしているディスク１０６にバイアス電圧を加える構成を図示する。スピンドルモータ１３４は、接地電位にあるベースデッキ１３５から電気的に絶縁されてもよい。振動するバイアス電圧をスピンしているディスク１０６に加えると、スライダ１００とディスク１０６との間の静電吸引力の振動が可能になる。
【００１７】
バイアス電圧回路は、任意の既知の態様で実施されてもよい。１つの例としては、図６のような基板バイアシング方式を用いることである。図６において、高抵抗ブリードレジスタ１８０は、ＴＡＤ（熱アスペリティ検出器）とＧ（接地）回路との間で平衡を保たれており、ＨｗおよびＨｒはヒータであり、ここで、Ｈｗは、書込器の近傍のスライダの領域を加熱する専用のヒータであり、Ｈｒは、リーダ近傍のスライダの領域を加熱する専用のヒータである。基板１８２は、ＡｌＴｉＣ（アルミニウム−チタン−炭素）を含んでもよいが、他の物質が適宜用いられてもよい。同相モード電圧がＴＡＤ＋およびＴＡＤ−の両方に加えられ、Ｇの接地電位を超えるように基板電位を上昇させる。
【００１８】
動作中、接触検出がホスト１４０により開始され、コントローラマイクロプロセッサ１４８が、プリアンプ１４４内の振動電圧生成器１６０に動作を開始するように知らせるよう促す。振動する電圧は、書込ヘッド１４６に加えられ、ヘッドにおいて振動する電位が生成され、これにより、ヘッドとディスクとの間に振動する静電吸引力、または静電力が生成される。ヘッドとディスクとの間の電位は、単一周波数、ωで振動される。ヘッドとディスクとの間の静電力は、電圧の２乗（Ｆ〜Ｖ２）に関連するため、静電力は、入力電圧信号の第１および第２高調波（またはωおよび２ω）の成分を有する。電圧信号および結果生じる静電力のグラフの一例を図７に示す。下側に図示される線は、測定された振動するディスク電位電圧を図示し、上側に図示される線は、ヘッドとディスクとの間の対応する計算された静電力を図示する。なお、静電力は、周波数ωおよび２ωを有する正弦波の合計である。ヘッドとディスクとの間の間隙は、振動する静電力に応じて振動する。間隙に何らかの変化があると、ヘッドディスクインターフェイスにわたる熱伝導も対応して変化する。これらの熱伝導の変化は、たとえば、熱電対、シングルエンドＴＣＲ、デュアルエンドＴＣＲセンサなどのＴＣＲ型熱近接センサにより測定され、たとえば、図１〜図３のセンサ１０５が振動を検出し、対応する振動するセンサ信号を生じる。静電力の第１の高調波における熱センサ信号の振幅は、ソフトウェア周波数ロックイン測定技術、または専用の周波数ロックイン回路を用いて測定される。代替的には、静電力の第２の高調波における熱センサ信号の振幅が用いられてもよい。
【００１９】
周波数ω（第１の高調波）での熱センサ振幅の測定は、印加ヒータ電力を連続的に増加させるために行なわれる。ヘッドディスクインターフェイスにわたる静電力の第１の高調波における熱センサ応答のグラフの一例を図８に示す。ＴＣＲ型回路の抵抗Ｒは、次の式により表わされる。
【００２０】
【数１】
0005981579.tif 000002
【００２１】
式中、Ｒ0は、基準抵抗であり、αは、抵抗温度係数であり、ｑは、ヘッド内で放散さ
れる熱であり、ｈは、ヘッドとディスクとの間の熱伝達係数である。ヘッドディスクインターフェイスにわたって加えられる振動する電圧に応じて熱センサ信号のロックイン振幅を測定することは、印加電圧についてのＴＣＲ型回路抵抗の導関数であるｄＲ／ｄＶを正確に測定する方法の１つである。周波数ロックイン信号は、次の式に従うと考えられる。
【００２２】
【数２】
0005981579.tif 000003
【００２３】
したがって、測定されるロックイン信号は、ｑ／ｈ2に比例する。この関係は、図８の
曲線を表わし（図８中、ｘ−軸は、ヒータ電力（ｍＷ）であり、ｙ−軸は、ｄＲ／ｄＶ（または第１の高調波における熱センサ振幅）である）、（ｉ）接触前のヒータ電力の関数としての浮上高の予測、および（ii）接触が起きるヒータ電力、の２つのタイプの測定につながる。図８は、低ヒータ電力についてのｄＲ／ｄＶの線形増加を示す。この制度では、ヒータ電力とともにｑが線形に増加することにより、ｄＲ／ｄＶ信号の増加が生じる。ヘッドおよび熱センサが、増加したヒータ電力からの増加した熱膨張によりディスクに接近し続けるにつれて、ｄＲ／ｄＶ信号は、熱伝達係数ｈの迅速な増加により減少する。一旦ヘッドがディスクに接触すると、ヘッドとディスクとの間の摩擦から熱が生成される。図８は、１３０ｍＷのヒータ電力でのヘッドディスク接触の開始を示す。
【００２４】
先に説明した図７を図９とともにここで繰返し参照する。図９は、上記の概念および実施形態を試験するための実験の結果を示す。実験のセットアップにおいて、ヘッドが接地されたままの状態で、関数発生器を用いて、予め−２００ｍＶにバイアスを掛けられたスピンドルおよびスピンしているディスクに振動する電圧電位を加えた。代替的には、同様の結果を得るために、ディスクおよびスピンドルを接地した状態で電圧をヘッドに加えてもよい。図７について、下側に図示される線は、測定された振動するディスク電位電圧を示し、上側に図示される線は、ヘッドとディスクとの間の対応する計算された静電力を示す。図９は、ディスクへの振動する電圧電位の印加中に測定されたレーザドップラー振動計（ＬＤＶ）変位信号を示す。ＬＤＶ変位信号は、振動する静電力に応じた浮上高変化を示す。
【００２５】
図１０を参照して、さまざまな実施形態に従ったヘッド−媒体接触を検出するための方法２００が示される。記録ヘッドと記録媒体（ディスク）２０２との間に静電吸引力の振動が引起される２０２。振動する静電吸引力に応じて、ヘッドにおける熱近接センサ（ＤＥＴＣＲ）は、結果として生じる温度変化を測定し２０４、対応する振動するセンサ信号を生じる。振動する静電吸引力に応じてセンサ信号を用いて、ヘッド−媒体接触が検出される２０６。以下にさらに詳しく述べる二次元接触電力マップの作成２０８が、随意的に行なわれてもよい。
【００２６】
本開示の実施形態は、ヘッドとディスクとの間の静電吸引力を振動させることを可能にし、これにより、一致する振動が浮上高に引起される。なお、これにより、たとえば１ｋＨｚ未満などのＬＦＡＣＨにより可能となるものよりもずっと高い、たとえば、５０ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの共振周波数でヘッドを変調することが可能になる。接触検出中に静電吸引力を用いて浮上高変化を引起すことにより、ＬＦＡＣＨ接触検出時間と比較して接触検出時間を２００倍まで減少させることができる。これは、一部には、静電吸引力を利用した浮上高変調の応答時間が、ＬＦＡＣＨディスクドライブシステムにおいて浮上高変調を生じさせるヒータにより引起される熱膨張の応答時間より少なくとも５０倍短い（たとえば、約５０〜４００倍短い）ことによる。
【００２７】
ドライブが販売可能となる前に必要な工場内での工程である、接触検出のための時間を短縮することにより、１時間当たりに製造することのできるドライブの数を改善し、ヘッドの摩耗を減少させ、これにより、経時的な改善された摩耗性能およびヘッド信頼性が得られる。
【００２８】
本開示の実施形態はさらに、接触検出をディスクの異なる領域上で行なうことを可能にする。従来のＬＦＡＣＨ技術では、接触検出データの収集は、ディスクの回転時間によって与えられるよりも多い時間を必要としていた。実際、データは、ディスクの多数回の回転数について収集され、まとめて平均化される。異なる接触検出ヒータ電力がディスク半径の関数として可能であったが、ディスク面にわたるヒータ電力の二次元マップを作成することが困難になっていた。本実施形態は、ディスク回転速度よりも大幅に速い接触検出の増加した速度を与えることにより、本実施形態には、記録媒体の半径および回転の両方の関数として二次元接触電力マップを生成する能力が付与される。さらに、本実施形態のヒータ応答時間が１ｍｓ（１ｋＨｚ）であり、回転時間が８．３ｍｓ（７２００ｒｐｍ）である場合、ディスクの１回の回転中に８つの異なるヒータ電力を用いることが可能であり、所望の接触電力マップを生じることができる。この改善された間隙設定の解決は、面密度（低間隙）と信頼性（高間隙）とのより適切なトレードオフを可能にする。
【００２９】
ここに開示されるシステム、装置または方法は、ここに記載される特徴、構造、方法、またはこれらの組合せの１つ以上を含み得る。たとえば、上記の特徴および／またはプロセスの１つ以上を含むために、ある装置または方法が実施されてもよい。このような装置または方法は、ここに記載される特徴および／またはプロセスのすべてを含む必要はなく、むしろ、有用な構造および／または機能性を設ける選択された特徴および／またはプロセスを含むように実施されてもよいことが意図される。
【００３０】
上記のさまざまな実施形態は、特定の結果を与えるように相互作用する回路および／またはソフトウェアモジュールを用いて実施されてもよい。コンピューティング技術の当業者であれば、当該技術分野で一般的に知られる知識を用いて、このように記載される機能性を、モジュールレベルまたは全体として容易に実施することが可能である。たとえば、ここに図示されるフローチャートを用いて、プロセッサにより実行されるためのコンピュータ読取可能な指令／コードを生じてもよい。このような指令は、当該技術分野で知られるように、非一時的なコンピュータ読取可能媒体に格納され、プロセッサに転送されて実行されてもよい。
【００３１】
特に指定のない限り、明細書および請求項で用いられる特徴の寸法、量、および物性を表わす数字のすべては、如何なる場合においても、「約」という用語により変更されることが理解されるべきである。したがって、反対の指定がない限り、上記明細書および添付の請求項に記載される数値パラメータは、ここに開示される教示を利用して当業者が得ようとする所望の特性に依存して変わり得る概数である。端点による数値範囲の記載は、その範囲内のすべての数（たとえば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、および５を含む）およびその範囲内の任意の範囲を含む。
【００３２】
上記の開示された実施形態にさまざまな改良および追加を行うことが可能である。したがって、本開示の範囲は、上記の特定の実施形態により限定されるべきでなく、以下に記載される請求項およびそれらの均等物によってのみ規定されるべきである。
【符号の説明】
【００３３】
１００  スライダ、１０１  サスペンション、１０２  ヒータ、１０３  ヘッドトランスデューサ、１０５  抵抗温度係数（ＴＣＲ）センサ、１０６  磁気記録媒体、１０７  空隙。
【図１】
0005981579.tif 000004
【図２】
0005981579.tif 000005
【図３】
0005981579.tif 000006
【図４】
0005981579.tif 000007
【図５】
0005981579.tif 000008
【図６】
0005981579.tif 000009
【図７】
0005981579.tif 000010
【図８】
0005981579.tif 000011
【図９】
0005981579.tif 000012
【図１０】
0005981579.tif 000013