(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、
前記ガラス基板上に形成されており、前記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が１．０以下のガラスフリットの焼成体と、前記焼成体内に存在し、５５０ｎｍの波長に対する屈折率が２．０〜３．５であり、平均粒径が５０ｎｍ以上である散乱粒子とを含む機能性層と、
を含み、
少なくとも１つの前記散乱粒子の平均粒径は、前記機能性層の厚さに比べて大きく、これによって前記機能性層の表面には凹凸構造が形成されている、
有機電子装置用の基板。
【請求項２】
前記ガラスフリットの焼成体の５５０ｎｍの波長に対する屈折率が１．３〜１．７である、
請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記機能性層上に高屈折層をさらに含み、
前記高屈折層の５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率は、１．８〜３．５である、
請求項１または２に記載の基板。
【請求項４】
前記高屈折層と前記散乱粒子の屈折率の差の絶対値が０．３を超過する、
請求項３に記載の基板。
【請求項５】
前記機能性層上に形成された電極層をさらに含む、
請求項１に記載の基板。
【請求項６】
請求項１から４の何れか１項に記載の基板と、
前記基板上に形成された第１電極層と、
前記第１電極層上に形成された有機層と、
前記有機層上に形成された第２電極層と、
を含む、有機電子装置。
【請求項７】
前記有機層は、発光層を含む、
請求項６に記載の有機電子装置。
【請求項８】
ガラス基板上に前記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が１．０以下の焼成体を形成することができるガラスフリットと、５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が２．０〜３．５であり、平均粒径が５０ｎｍ以上である散乱粒子とを含むコーティング層を形成し、前記コーティング層を焼成することを含み、
少なくとも１つの前記散乱粒子の平均粒径は、前記コーティング層の厚さに比べて大きく、これによって前記コーティング層の表面には凹凸構造が形成されている、
有機電子装置用の基板の製造方法。
【請求項９】
前記コーティング層の焼成は、熱処理またはレーザーブレイジングで行う、
請求項８に記載の基板の製造方法。
【請求項１０】
熱処理は、前記コーティング層を３００℃〜５００℃の温度で３０分〜３時間維持して行う、
請求項９に記載の基板の製造方法。
【請求項１１】
焼成された前記コーティング層上に５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．８〜３．５の高屈折層を形成することをさらに行う、
請求項８から１０の何れか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項６または７に記載の有機電子装置を含む照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子素子用基板、有機電子装置、前記装置または基板の製造方法及び照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電子素子（ＯＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）は、電流を伝導することができる有機材料の層を１つ以上含む素子である。有機電子素子の種類には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）または有機トランジスタなどが含まれる。
【０００３】
代表的な有機電子素子である有機発光素子は、通常、基板、第１電極層、有機層及び第２電極層を順に含む。いわゆる下部発光型素子（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる構造では、第１電極層が透明電極層で形成され、第２電極層が反射電極層で形成されることができる。また、いわゆる上部発光型素子（ｔｏｐ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）と呼ばれる構造では、第１電極層が反射電極層で形成され、第２電極層が透明電極層で形成される。電極層によって注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が有機層に存在する発光層で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）され、光が生成されることができる。光は、下部発光型素子では基板側に、上部発光型素子では第２電極層側に放出されることができる。有機発光素子の構造において透明電極層として一般的に使用されるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、有機層及び通常ガラスである基板の屈折率は、それぞれ略２．０、１．８及び１．５程度である。このような屈折率の関係によって、例えば、下部発光型の素子の発光層で生成された光は、有機層と第１電極層の界面または基板内で全反射（ｔｏｔａｌ  ｉｎｔｅｒｎａｌ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）現象などによってトラップ（ｔｒａｐ）され、非常に少量の光だけが放出される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、有機電子素子用基板、有機電子装置、前記基板または装置の製造方法及び照明を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
例示的な有機電子素子用基板は、ガラス基板及び前記ガラス基板上に形成されており、ガラスフリット（ｇｌａｓｓ  ｆｒｉｔ）の焼成体とその内部に存在する散乱粒子を含む層（以下、単純に機能性層ということがある）を含むことができる。１つの例示で、前記機能性層は、必要な場合、後述する高屈折層または電極層とともに入射する光を散乱、回折または屈折させる役目をすることができる。図１は、ガラス基板１０１上に前記焼成体１０２１と散乱粒子１０２２を含む機能性層が形成されている場合を例示的に示す。
【０００６】
前記ガラス基板としては、特別な制限なしに公知の素材を使用することができる。例えば、ガラス基板としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム／ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスまたは石英などよりなる基板が例示されることができるが、これに制限されるものではない。また、必要な場合、基材層の表面などには、アルミニウムなどを使用した反射層が形成されていてもよい。
【０００７】
ガラス基板上に形成される機能性層に含まれる焼成体は、前記ガラス基板と同一であるかまたは類似な屈折率を有することができる。例えば、前記焼成体は、例えば、前記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が約１．５以下、約１以下、０．７以下、０．５以下または０．３以下であることができる。本明細書で言及される屈折率は、約５５０ｎｍの波長に対して測定された屈折率であることができる。通常、ガラス基板の屈折率は、約１．３〜１．７または約１．３〜１．６程度の水準なので、前記焼成体も、約１．３〜１．７または約１．３〜１．６程度の屈折率を有することができる。このようにガラス基板と類似な水準の屈折率を有する焼成体は、前記散乱粒子及び／または後述する高屈折層または電極層と組み合わせられて光を効率的に散乱、屈折及び／または回折させることができる。
【０００８】
焼成体内には、散乱粒子が含まれている。本明細書で用語「散乱粒子」は、例えば、前記焼成体または後述する高屈折層、電極層などのような周囲物質とは異なる屈折率を有しながら、光を散乱させることができる程度の適切な大きさを持って、入射光を散乱、屈折または回折させることができるすべての種類の粒子を意味することができる。散乱粒子は、例えば、前記のような屈折率及び大きさを有する粒子であることができる。散乱粒子は、前記焼成体に比べて高い屈折率を有することができる。また、例えば、散乱粒子は、後述する平坦層との屈折率の差が０．３を超過するかまたは０．３以上であることができる。例えば、散乱粒子は、２．０〜３．５または２．２〜３．０程度の屈折率を有することができる。散乱粒子は、光を散乱させるために適切な粒径を有する必要がある。例えば、前記散乱粒子の平均粒径は、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以上または１、０００ｎｍ以上程度であることができる。散乱粒子の平均粒径は、例えば、１０，０００ｎｍ以下であることができる。
【０００９】
１つの例示で、前記散乱粒子のうち少なくとも１つは、前記機能性層の厚さに比べて大きい粒径を有することができる。前記で機能性層の厚さは、前記散乱粒子を除いた機能性層、例えば、前記焼成体によって形成されている層の厚さであることができる。このように機能性層の厚さに比べて大きい粒径を有する散乱粒子を使用して機能性層の表面に凹凸構造ないし屈曲を形成することができる。このように形成された屈曲は、後述する高屈折層または電極層などとともに機能性層の機能をさらに高めることができる。
【００１０】
散乱粒子は、球形、楕円形、多面体または無定形のような形状を有することができるが、前記光を散乱、屈折及び／または回折させることができたら、その形態は、特に制限されるものではない。散乱粒子としては、例えば、ポリスチレンまたはその誘導体、アクリル樹脂またはその誘導体、シリコン樹脂またはその誘導体、またはノボラック樹脂またはその誘導体などのような有機材料、またはシリカ、アルミナ、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムのような無機材料を含む粒子などが例示されることができる。散乱粒子は、前記材料のうちいずれか１つの材料のみを含むか、または前記のうち２種以上の材料を含んで形成されることができる。例えば、散乱粒子として中空シリカ（ｈｏｌｌｏｗ  ｓｉｌｉｃａ）などのような中空粒子またはコア／セル構造の粒子を使用することができる。
【００１１】
機能性層内に散乱粒子の比率は、目的する機能が適切に発現されることができる限り、特に制限されるものではない。例えば、前記散乱粒子は、機能性層内に約５重量％〜５０重量％の比率で含まれることができる。本明細書で単位重量部は、特に別途規定しない限り、成分間の重量の比率を意味することができる。
【００１２】
必要な場合、前記機能性層の上部には、高屈折層が形成されることができる。本明細書で用語高屈折層は、５５０ｎｍの波長に対する屈折率が１．７以上、１．８〜３．５または２．２〜３．０程度である層を意味することができる。前記高屈折層は、例えば、後述する電極層など他の要素が形成されることができる平坦な表面を提供する平坦層であることができる。
【００１３】
図２は、図１で言及した機能性層上に高屈折層２０１が形成されている場合を示す例示的な図である。
【００１４】
高屈折層は、例えば、高い屈折率を有するマトリックス物質またはマトリックス物質と高屈折粒子を混合した素材を使用して形成することができる。
【００１５】
マトリックス物質としては、例えば、ポリイミド、フルオレン環を有するカルド系樹脂（ｃａｌｄｏ  ｒｅｓｉｎ）、ウレタン、エポキシド、ポリエステルまたはアクリレート系の熱または光硬化性の単量体性、オリゴマー性または高分子性有機材料や酸化ケイ素、窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、オキシ窒化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）またはポリシロキサンなどの無機材料または有機・無機複合材料などを使用することができる。
【００１６】
マトリックス物質は、ポリシロキサン、ポリアミック酸またはポリイミドを含むことができる。前記でポリシロキサンは、例えば、縮合性シラン化合物またはシロキサンオリゴマーなどを重縮合させて形成することができ、前記を通じてケイ素と酸素の結合（Ｓｉ−Ｏ）に基づくマトリックス物質を形成することができる。マトリックス物質の形成過程で縮合条件などを調節し、ポリシロキサンがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のみを基盤とするようにするか、あるいはアルキル基などのような有機基やアルコキシ基などのような縮合性官能基などが一部残存するようにすることも可能である。
【００１７】
ポリアミック酸またはポリイミドとしては、例えば、６３３ｎｍの波長の光に対する屈折率が約１．５以上、約１．６以上、約１．６５以上または約１．７以上のポリアミック酸またはポリイミドを使用することができる。このような高屈折のポリアミック酸またはポリイミドは、例えば、フッ素以外のハロゲン原子、硫黄原子またはリン原子などが導入された単量体を使用して製造することができる。例えば、カルボキシル基などのように粒子と結合することができる部位が存在し、粒子の分散安定性を向上させることができるポリアミック酸を使用することができる。ポリアミック酸としては、例えば、下記化学式１の繰り返し単位を含む化合物を使用することができる。
【００１８】
［化学式１］
【化１】
0005956673.tif 000002
【００１９】
化学式１で、ｎは、正の数である。
【００２０】
前記繰り返し単位は、任意的に１つ以上の置換基によって置換されていてもよい。置換基として、フッ素以外のハロゲン原子、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基またはチオフェニル基などのようなハロゲン原子、硫黄原子またはリン原子などを含む官能基が例示されることができる。
【００２１】
ポリアミック酸は、前記化学式１の繰り返し単位だけで形成される単独重合体であるか、または化学式１の繰り返し単位以外の他の単位を一緒に含むブロックまたはランダム共重合体であることができる。共重合体の場合に、他の繰り返し単位の種類や比率は、例えば、目的する屈折率、耐熱性や透光率などを阻害しない範囲で適切に選択されることができる。
【００２２】
化学式１の繰り返し単位の具体的な例として、下記化学式２の繰り返し単位を挙げることができる。
【００２３】
［化学式２］
【化２】
0005956673.tif 000003
【００２４】
化学式２で、ｎは、正の数である。
【００２５】
前記ポリアミック酸は、例えば、ＧＰＣ（Ｇｅｌ  Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ）で測定した標準ポリスチレン換算重量平均分子量が１０，０００〜１００，０００または約１０，０００〜５０，０００程度であることができる。化学式１の繰り返し単位を有するポリアミック酸は、また、可視光線領域での光透過率が８０％以上、８５％以上または９０％以上であり、耐熱性に優れている。
【００２６】
高屈折層は、高屈折粒子を含むことができる。本明細書で用語「高屈折粒子」は、例えば、屈折率が１．５以上、２．０以上２．５以上、２．６以上または２．７以上の粒子を意味することができる。高屈折粒子の屈折率の上限は、例えば、目的する屈折率を満足させることができる範囲で選択されることができる。高屈折粒子は、例えば、前記散乱粒子より小さい平均粒径を有することができる。高屈折粒子は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜９０ｎｍ、１０ｎｍ〜８０ｎｍ、１０ｎｍ〜７０ｎｍ、１０ｎｍ〜６０ｎｍ、１０ｎｍ〜５０ｎｍまたは１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度の平均粒径を有することができる。高屈折粒子としては、アルミナ、アルミノシリケート、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどが例示されることができる。高屈折粒子としては、例えば、屈折率が２．５以上の粒子であって、ルチル型酸化チタンを使用することができる。ルチル型の酸化チタンは、他の粒子に比べて高い屈折率を有し、したがって相対的に少ない比率でも目的する屈折率への調節が可能であることができる。
【００２７】
高屈折層は、ジルコニウム、チタンまたはセリウムなどの金属のアルコキシドまたはアシレート（ａｃｙｌａｔｅ）などの化合物をカルボキシル基またはヒドロキシ基などの極性基を有するバインダーと配合した素材を使用して形成することができる。前記アルコキシドまたはアシレートなどの化合物は、バインダーにある極性基と縮合反応し、バインダーの骨格内に前記金属を含ませて高屈折率を具現することができる。前記アルコキシドまたはアシレート化合物の例としては、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタンまたはテトラエトキシチタンなどのチタンアルコキシド、チタンステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）などのチタンアシレート、チタンキレート類、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｎ−プロポキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウムまたはテトラエトキシジルコニウムなどのジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムトリブトキシステアレートなどのジルコニウムアシレート、ジルコニウムキレート類などが例示されることができる。平坦層は、また、チタンアルコキシドまたはジルコニウムアルコキシドなどの金属アルコキシド及びアルコールまたは水などの溶媒を配合してコーティング液を製造し、これを塗布した後に、適正な温度で焼成するゾルゲルコーティング方式で形成することができる。
【００２８】
有機電子素子用基板は、前記機能性層または機能性層と高屈折層の上部に形成される電極層をさらに含むことができる。
【００２９】
図３及び図４は、基材層１０１上に前記焼成体と散乱粒子を含む機能性層３０１と電極層３０２が順に形成されている構造を含む例示的な基板を示す。図面のように、機能性層３０１は、前記基材層１０１に比べて小さい投映面積を有し、電極層３０２は、前記機能性層３０１に比べて広い投映面積を有することができる。本明細書で用語「投映面積」は、基板を前記基板表面の法線方向の上部で観察したときに認知される対象物の投映の面積、例えば、前記基材層、機能性層または電極層などの面積を意味する。したがって、例えば、機能性層の表面が凹凸形状に形成されているなどの理由で、実質的な表面積は、電極層に比べて広い場合にも、機能性層を上部で観察した場合に認知される面積が前記電極層を上部で観察した場合に認知される面積に比べて小さければ、機能性層は、電極層に比べて小さい投映面積を有するものと解釈される。
【００３０】
機能性層は、基材層に比べて投映面積が小さく、また電極層に比べて投映面積が小さくなったら、多様な形態で存在することができる。例えば、 機能性層３０１は、図３のように、基材層１０１の周縁を除いた部分にのみ形成されているか、または図４のように基材層１０１の周縁に機能性層３０１が一部残存してもよい。
【００３１】
図５は、図３の基板を上部で観察した場合を例示的に示す図である。図５に示されたように、基板を上部で観察するときに認知される電極層３０２の面積Ａ、すなわち電極層３０２の投映面積Ａは、その下部にある 機能性層３０１の投映面積Ｂに比べて広い。電極層の投映面積Ａ及び前記機能性層の投映面積Ｂの比率Ａ／Ｂは、例えば、１．０４以上、１．０６以上、１．０８以上、１．１以上または１．１５以上であることができる。機能性層の投映面積が電極層の投映面積に比べて小さければ、後述する機能性層が外部に露出しない構造の具現が可能であるから、前記投映面積の比率Ａ／Ｂの上限は、特に制限されない。一般的な製作環境を考慮すれば、前記の比率Ａ／Ｂの上限は、例えば、約２．０、約１．５、約１．４、約１．３または約１．２５であることができる。基板で電極層は、機能性層が形成されていない前記基材層の上部にも形成されていてもよい。前記電極層は、前記基材層と当接して形成されているか、あるいは追加的な要素を含んで形成されていてもよい。このような構造によって有機電気素子の具現時に機能性層が外部に露出しない構造を具現することができる。
【００３２】
例えば、図５のように、電極層３０２は、上部で観察したとき、機能性層３０１のすべての周辺部を脱した領域を含む領域まで形成されていてもよい。この場合、例えば、図４のように、基材層上に複数の機能性層が存在する場合には、前記機能性層のうち少なくとも１つの機能性層、例えば、後述するように少なくともその上部に有機層が形成される機能性層のすべての周辺部を脱した領域を含む領域まで電極層が形成されることができる。例えば、例えば、図４の構造で右側と左側の周縁に存在する機能性層の上部にも有機層が形成されたら、図４の構造は、左側と右側に延長し、前記右側と左側の周縁に存在する機能性層のすべての周辺部を脱した領域まで電極層が形成されるように構造が変更されることができる。前記のような構造で下部に機能性層が形成されていない電極層に後述する封止構造を付着すれば、機能性層が外部に露出しない構造を形成することができる。
【００３３】
電極層は、有機電子素子の製作に使用される通常的な正孔注入性または電子注入性電極層であることができる。
【００３４】
正孔注入性である電極層は、例えば、相対的に高い仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を有する材料を使用して形成することができ、必要な場合に透明材料を使用して形成することができる。例えば、正孔注入性電極層は、仕事関数が約４．０ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物または前記のうち２種以上の混合物を含むことができる。このような材料としては、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（Ｚｉｎｃ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムまたはインジウムがドーピングされた亜鉛オキサイド、マグネシウムインジウムオキサイド、ニッケルタングステンオキサイド、ＺｎＯ、ＳｎＯ２またはＩｎ２Ｏ３などの酸化物材料や、ガリウムニトライドのような金属ニトライド、亜鉛セレナイドなどのような金属セレナイド、亜鉛スルフィドのような金属スルフィドなどが例示されることができる。透明な正孔注入性電極層は、また、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属薄膜とＺｎＳ、ＴｉＯ２またはＩＴＯなどのような高屈折の透明物質の積層体などを使用しても形成することができる。
【００３５】
正孔注入性電極層は、蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の手段で形成されることができる。また、必要に応じて形成された電極層は、公知されたフォトリソグラフィやシャドーマスクなどを使用した工程を通じてパターン化されることができる。
【００３６】
電子注入性透明電極層は、例えば、相対的に小さい仕事関数を有する透明材料を使用して形成することができ、例えば、前記正孔注入性電極層の形成のために使用される素材のうち適切な素材を使用して形成することができるが、これに制限されるものではない。また、電子注入性電極層は、例えば、蒸着法またはスパッタリング法などを使用して形成することができ、必要な場合に適切にパターニングされることができる。電極層の厚さは、特に制限されるものではないが、前記言及した電極層間の抵抗などを考慮して、例えば、約９０ｎｍ〜２００ｎｍ、９０ｎｍ〜１８０ｎｍまたは約９０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さを有するように形成されることができる。
【００３７】
本発明は、また、有機電子装置に関する。本発明の例示的な有機電子装置は、前述した有機電子素子用基板と；前記基板上、例えば、前記機能性層、高屈折層または電極層上に形成されている有機層と；前記有機層上に形成されている電極層と；を含むことができる。以下では、区別のために、基板上に形成される電極層を第１電極層と称し、前記有機層上に形成されている電極層を第２電極層と称することができる。前記有機電子装置において第１電極層の投映面積は、前記基板の機能性層の投映面積より広く、前記電極層は、前記機能性層が形成されていない前記基材層の面上にも形成されていてもよい。
【００３８】
有機層は、少なくとも発光層を含むことができる。例えば、第１電極層を透明に具現し、第２電極層を反射性電極層とすれば、有機層の発光層で発生した光が機能性層を経て基材層側に放射される下部発光型素子を具現することができる。
【００３９】
有機電子装置において機能性層は、例えば、発光層の発光領域に対応するか、または発光領域より大きい投映面積を有することができる。例えば、機能性層の形成領域の長さＢと発光層の発光領域の長さＣの差Ｂ−Ｃは、約１０μｍ〜約２ｍｍ程度であることができる。前記で機能性層の形成領域の長さＢは、機能性層を上部で観察するときに認知される領域で任意の方向での長さであり、この場合、発光領域の長さＣは、やはり発光領域を上部で観察するときに認知される領域を基準として前記機能性層の形成領域の長さＢを測定するときに同一の方向で測定した長さを意味することができる。機能性層は、また、前記発光領域に対応する位置に形成されることができる。発光領域に対応する位置に機能性層が形成されていることは、例えば、有機電子装置を上部または下部で観察する場合に発光領域と機能性層が実質的に互いに重なる場合を意味することができる。
【００４０】
１つの例示で、有機電子素子は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）であることができる。有機発光素子の場合、前記有機電子素子は、例えば、発光層を少なくとも含む有機層が正孔注入電極層と電子注入電極層との間に介在された構造を有することができる。例えば、基板に含まれる電極層が正孔注入電極層であると、第２電極層は電子注入電極層であり、反対に基板に含まれる電極層が電子注入電極層であると、第２電極層は正孔注入性電極層であることができる。
【００４１】
電子と正孔注入性電極層との間に存在する有機層は、少なくとも１層以上の発光層を含むことができる。有機層は、２層以上の複数の発光層を含むことができる。２層以上の発光層を含む場合には、発光層は、電荷発生特性を有する中間電極層や電荷発生層（ＣＧＬ；Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）などによって分割されている構造を有することができる。
【００４２】
発光層は、例えば、この分野に公知された多様な蛍光または燐光有機材料を使用して形成することができる。発光層に使用され得る材料としては、トリス（４−メチル−８−キノリノラート ）アルミニウム（III）（ｔｒｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（III））（Ａｌｇ３）、４−ＭＡｌｑ３またはＧａｑ３などのＡｌｑ系の材料、Ｃ−５４５Ｔ（Ｃ２６Ｈ２６Ｎ２Ｏ２Ｓ）、ＤＳＡ−アミン、ＴＢＳＡ、ＢＴＰ、ＰＡＰ−ＮＰＡ、スピロ−ＦＰＡ、Ｐｈ３Ｓｉ（ＰｈＴＤＡＯＸＤ）、ＰＰＣＰ（１、２、３、４、５−ｐｅｎｔａｐｈｅｎｙｌ−１，３−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）などのようなシクロペナジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎａｄｉｅｎｅ）誘導体、ＤＰＶＢｉ（４，４'−ｂｉｓ（２、２'−ｄｉｐｈｅｎｙｌｙｉｎｙｌ）−１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ジスチリルベンゼンまたはその誘導体またはＤＣＪＴＢ（４−（Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−６−（１，１、７、７、−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｊｕｌｏｌｉｄｙｌ−９−ｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）、ＤＤＰ、ＡＡＡＰ、ＮＰＡＭＬＩ；またはＦｉｒｐｉｃ、ｍ−Ｆｉｒｐｉｃ、Ｎ−Ｆｉｒｐｉｃ、ｂｏｎ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、（Ｃ６）２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｄｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｚｑ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｏ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ２Ｉｒ（ｂｐｙ）、Ｆ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｏｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｔｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｐｙ（ｆａｃ−ｔｒｉｓ［２−（４、５'−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ−Ｃ'２、Ｎ］ｉｒｉｄｉｕｍ（III））またはＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（２−（２'−ｂｅｎｚｏ［４、５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ３'−）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｔｏｎａｔｅ））などのような燐光材料などが例示されることができるが、これに制限されるものではない。発光層は、前記材料をホスト（ｈｏｓｔ）として含み、また、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ジスチリルビフェニル（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＰＴ、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ＢＴＸ、ＡＢＴＸまたはＤＣＪＴＢなどをドーパントとして含むホスト−ドーパントシステム（Ｈｏｓｔ−Ｄｏｐａｎｔ  ｓｙｓｔｅｍ）を有することができる。
【００４３】
発光層は、また、後述する電子受容性有機化合物または電子供与性有機化合物のうち発光特性を示す種類を適切に採用して形成することができる。
【００４４】
有機層は、発光層を含む限り、この分野に公知された他の多様な機能性層をさらに含む多様な構造で形成されることができる。有機層に含まれる層として、電子注入層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層などが例示されることができる。
【００４５】
電子注入層または電子輸送層は、例えば、電子受容性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ａｃｃｅｐｔｉｎｇ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を使用して形成することができる。前記で電子受容性有機化合物として、特別な制限なしに公知された任意の化合物が使用されることができる。このような有機化合物として、ｐ−テルフェニル（ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）またはクアテルフェニル（ｑｕａｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）などのような多環化合物またはその誘導体、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）、コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ジフェニルアントラセン（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ナフタセン（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）またはフェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）などのような多環炭化水素化合物またはその誘導体、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、バソフェナントロリン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、フェナントリジン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｅ）、アクリジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）、キノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、キノキサリン（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ）またはフェナジン（ｐｈｅｎａｚｉｎｅ）などの複素環化合物またはその誘導体などが例示されることができる。また、フルオロセイン（ｆｌｕｏｒｏｃｅｉｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、フタロペリレン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ナフタロペリレン（ｎａｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリノン（ｐｅｒｙｎｏｎｅ）、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、アルダジン（ａｌｄａｚｉｎｅ）、ビスベンゾオキサゾリン（ｂｉｓｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｉｎｅ）、ビススチリル（ｂｉｓｓｔｙｒｙｌ）、ピラジン（ｐｙｒａｚｉｎｅ）、シクロペンタジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）、オキシン（ｏｘｉｎｅ）、アミノキノリン（ａｍｉｎｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、イミン（ｉｍｉｎｅ）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール（ｄｉａｍｉｎｏｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ピラン（ｐｙｒａｎｅ）、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎｅ）、ポリメチン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｉｎｅ）、メロシアニン（ｍｅｒｏｃｙａｎｉｎｅ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）またはルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）などやその誘導体、日本国特開１９８８−２９５６９５号、日本国特開１９９６−２２５５７号、日本国特開１９９６−８１４７２号、日本国特開１９９３−００９４７０号または日本国特開１９９３−０１７７６４号などの公報で開示する金属キレート錯体化合物、例えば、金属キレート化オキサノイド化合物であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（ｆ）−８−キノリノラト］亜鉛｛ｂｉｓ［ｂｅｎｚｏ（ｆ）−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ］ｚｉｎｃ｝、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（８−キノリノラト）インジウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｉｎｄｉｕｍ］、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウムなどの８−キノリノラトまたはその誘導体を配位子として１つ以上有する金属錯体、日本国特開１９９３−２０２０１１号、日本国特開１９９５−１７９３９４号、日本国特開１９９５−２７８１２４号または日本国特開１９９５−２２８５７９号などの公報に開示されたオキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）化合物、日本国特開１９９５−１５７４７３号公報などに開示されたトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）化合物、日本国特開１９９４−２０３９６３号公報などに開示されたスチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎｅ）誘導体や、ジスチリルアリレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本国特開１９９４−１３２０８０号または日本国特開１９９４−８８０７２号公報などに開示されたスチリル誘導体、日本国特開１９９４−１００８５７号や日本国特開１９９４−２０７１７０号公報などに開示されたジオレフィン誘導体；ベンゾオキサゾール（ｂｅｎｚｏｏｘａｚｏｌｅ）化合物、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）化合物またはベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）化合物などの蛍光増白剤；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンジル、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼンまたは１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼンなどのようなジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）化合物；２，５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２，５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジンまたは２，５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジンなどのジスチリルピラジン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｐｙｒａｚｉｎｅ）化合物、１，４−フェニレンジメチリジン、４，４'−フェニレンジメチリジン、２，５−キシレンジメチリジン、２，６−ナフチレンジメチリジン、１，４−ビフェニレンジメチリジン、１，４−パラ−テレフェニレンジメチリジン、９、１０−アントラセンジイルジメチリジン（９、１０−ａｎｔｈｒａｃｅｎｅｄｉｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）または４，４'−（２、２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４，４' −（２、２−ジフェニルビニル）ビフェニルなどのようなジメチリジン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）化合物またはその誘導体、日本国特開１９９４−４９０７９号または日本国特開１９９４−２９３７７８号公報などに開示されたシラナミン（ｓｉｌａｎａｍｉｎｅ）誘導体、日本国特開１９９４−��７９３２２号または日本国特開１９９４−２７９３２３号公報などに開示された多官能スチリル化合物、日本国特開１９９４−１０７６４８号または日本国特開１９９４−０９２９４７号公報などに開示されているオキサジアゾール誘導体、日本国特開１９９４−２０６８６５号公報などに開示されたアントラセン化合物、日本国特開１９９４−１４５１４６号公報などに開示されたオキシネート（ｏｘｙｎａｔｅ）誘導体、日本国特開１９９２−９６９９０号公報などに開示されたテトラフェニルブタジエン化合物、日本国特開１９９１−２９６５９５号公報などに開示された有機三官能化合物、日本国特開１９９０−１９１６９４号公報などに開示されたクマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）誘導体、日本国特開１９９０−１９６８８５号公報などに開示されたペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、日本国特開１９９０−２５５７８９号公報などに開示されたナフタレン誘導体、日本国特開１９９０−２８９６７６号や日本国特開１９９０−８８６８９号公報などに開示されたフタロペリノン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｎｏｎｅ）誘導体または日本国特開１９９０−２５０２９２号公報などに開示されたスチリルアミン誘導体などが、低屈折層に含まれる電子受容性有機化合物として使用されることができる。また、前記で電子注入層は、例えば、ＬｉＦまたはＣｓＦなどのような材料を使用して形成することができる。
【００４６】
正孔阻止層は、注入された正孔が発光層を経て電子注入性電極層に進入することを防止し、素子の寿命と効率を向上させることができる層であり、必要な場合に、公知の材料を使用して発光層と電子注入性電極層との間に適切な部分に形成されることができる。
【００４７】
正孔注入層または正孔輸送層は、例えば、電子供与性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｄｏｎａｔｉｎｇ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。電子供与性有機化合物として、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−４，４'−ジアミノビフェニル、２、２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラ−ｐ−トリル−４，４'−ジアミノビフェニル、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ'−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４'−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル［４，４'−ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｑｕａｄｒｉｐｈｅｎｙｌ］、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４'−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４'−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラフェニル−４，４'−ジアミノビフェニルＮ−フェニルカルバゾール、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ｐ−テルフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン、４，４'−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルフェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−テルフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（４，４'−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｃｏｒｏｎｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２，６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、２，６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、２，６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、４，４'−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］テルフェニル、４，４'−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、４，４'−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル、２，６−ビ��［Ｎ，Ｎ−ジ−（２−ナフチル）アミノ］フルオレンまたは４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）テルフェニル、及びビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミンなどのようなアリールアミン化合物が代表的に例示されることができるが、これに制限されるものではない。
【００４８】
正孔注入層や正孔輸送層は、前記有機化合物を高分子中に分散させるか、または前記有機化合物から由来した高分子を使用して形成することができる。また、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体などのようにいわゆるπ−共役高分子（π−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）などの正孔輸送性非共役高分子またはポリシランのσ共役高分子などが使用されることができる。
【００４９】
正孔注入層は、銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンや非金属フタロシアニン、カーボン膜及びポリアニリンなどの電気的に伝導性である高分子を使用して形成するか、または前記アリールアミン化合物を酸化剤としてルイス酸（Ｌｅｗｉｓ  ａｃｉｄ）と反応させて形成することができる。
【００５０】
例示的に有機発光素子は、順次に形成された（１）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（２）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（３）正孔注入電極層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（４）正孔注入電極層／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（５）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（６）正孔注入電極層／有機半導体層／電磁場壁層／有機発光層／電子注入電極層の形態；（７）正孔注入電極層／有機半導体層／有機発光層／付着改善層／電子注入電極層の形態；（８）正孔注入電極層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態；（９）正孔注入電極層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１０）正孔注入電極層／無機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１１）正孔注入電極層／有機半導体層／絶縁層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態；（１２）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／絶縁層／電子注入電極層の形態または（１３）正孔注入電極層／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／電子注入電極層の形態を有することができ、場合によっては、正孔注入電極層と電子注入電極層との間に少なくとも２個の発光層が電荷発生特性を有する中間電極層または電荷発生層（ＣＧＬ：Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）によって分割されている構造の有機層を含む形態を有することができるが、これに制限されるものではない。
【００５１】
この分野では、正孔または電子注入電極層と有機層、例えば、発光層、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層を形成するための多様な素材及びその形成方法が公知されており、前記有機電子装置の製造には、前記のような方式がすべて適用されることができる。
【００５２】
有機電子装置は、封止構造をさらに含むことができる。前記封止構造は、有機電子装置の有機層に水分や酸素などのような外来物質が流入されないようにする保護構造であることができる。封止構造は、例えば、ガラスカンまたは金属カンなどのようなカンであるか、または前記有機層の全面を覆っているフィルムであることができる。
【００５３】
図６は、順次形成された基材層１０１、機能性層３０１及び第１電極層３０２を含む基板上に形成された有機層７０１及び第２電極層７０２がガラスカンまたは金属カンなどのようなカン構造の封止構造７０３によって保護されている形態を例示的に示す。図６の封止構造７０３は、例えば、接着剤によって基板に付着していてもよい。封止構造７０３は、例えば、基板において下部に機能性層が存在しない電極層に接着されていてもよい。例えば、図６のように、封止構造７０３は、基板の端部に接着剤によって付着していてもよい。このような方式で封止構造を用いた保護効果を極大化することができる。
【００５４】
封止構造は、例えば、有機層と第２電極層の全面を被覆しているフィルムであることができる。図７は、有機層７０１と第２電極層７０２の全面を覆っているフィルム形態の封止構造７０３を例示的に示している。例えば、フィルム形態の封止構造７０３は、図７のように、有機層７０１と第２電極層７０２の全面を被覆しながら、前記基材層１０１、機能性層３０１及び電極層３０２を含む基板と上部の第２基板８０１を互いに接着させている構造を有することができる。第２基板８０１として、例えば、ガラス基板、金属基板、高分子フィルムまたはバリア層などが例示されることができる。フィルム形態の封止構造は、例えば、エポキシ樹脂などのように熱または紫外線（ＵＶ）の照射などによって硬化する液状の材料を塗布し、硬化させて形成し、あるいは前記エポキシ樹脂などを使用してあらかじめフィルム形態で製造された接着シートなどを使用して基板と上部基板をラミネートする方式で形成することができる。
【００５５】
封止構造は、必要な場合、酸化カルシウム、酸化ベリリウムなどの金属酸化物、塩化カルシウムなどのような金属ハロゲン化物または五酸化リンなどのような水分吸着剤またはゲッター材などを含むことができる。水分吸着剤またはゲッター材は、例えば、フィルム形態の封止構造の内部に含まれているか、あるいはカン構造の封止構造の所定位置に存在することができる。封止構造は、また、バリアフィルムや伝導性フィルムなどをさらに含むことができる。
【００５６】
前記封止構造は、例えば、図６または図７に示されたように、下部に機能性層３０１が形成されていない第１電極層３０２の上部に付着していてもよい。これにより、前記機能性層が外部に露出しない密封構造を具現することができる。前記密封構造は、例えば、機能性層の全面が前記基材層、電極層及び／または封止構造によって取り囲まれるか、または前記基材層、電極層及び／または封止構造を含んで形成される密封構造によって取り囲まれ、外部に露出しない状態を意味することができる。密封構造は、基材層、電極層及び／または封止構造だけで形成されるか、または機能性層が外部に露出しないように形成される限り、前記基材層、電極層及び封止構造を含み、また、他の要素などを含んで形成されることができる。例えば、図６または図７で基材層１０１と電極層３０２が当接する部分または第１電極層３０２と封止構造７０３が当接する部分またはその他の位置に他の要素が存在することができる。前記他の要素として、低透湿性の有機物質、無機物質または有機・無機複合物質や、絶縁層または補助電極などが例示されることができる。
【００５７】
本発明は、また、有機電子素子用基板または有機電子素子の製造方法に関する。例示的な前記方法は、基材層上に前記機能性層を形成することを含むことができる。例えば、機能性層は、ガラス基板上に前記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が１．０以下の焼成体を形成することができるガラスフリット及び５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が２．０〜３．５であり、平均粒径が５０ｎｍ以上の前記散乱物質を含むコーティング層を形成し、前記コーティング層を焼成することを含むことができる。
【００５８】
前記でコーティング層は、例えば、前記ガラスフリットと前記散乱粒子を混合したコーティング材料を適切な方式でガラス基板上に塗布して形成することができる。この過程で使用され得るガラスフリットの種類は、特に制限されない。関連業界では、多様な範囲の屈折率を具現することができる多様な種類のガラスフリットが知られており、このようなガラスフリットのうち適切な種類が選択されて使用されることができる。
【００５９】
前記コーティング層を焼成し、前述した機能性層を形成することができる。コーティング層を焼成する方法は、特に制限されず、例えば、前記コーティング層を熱処理するか、あるいはレーザーブレイジング処理して行うことができる。
【００６０】
前記で熱処理及びレーザーブレイジング処理の条件は、適当な焼成層が形成されることができたら、特に制限されない。例えば、前記熱処理は、前記コーティング層を約３００℃〜約５００℃の温度で約３０分〜約３時間維持して行うことができる。また、前記レーザーブレイジングを行う方式は、特に制限されず、例えば、高出力レーザーダイオードなどの公知の機器を使用して、中心波長が約３００ｎｍ〜５００ｎｍであるか、あるいは８００ｎｍ以上のレーザーを使用して行うことができる。
【００６１】
焼成後に、焼成されたコーティング層上に前記言及した高屈折層を形成することができる。この過程で高屈折層を形成する方式は、特に制限されず、例えば、前記言及した形成方式を使用するか、またはその他、当業界で公知された多様な方式が適用されることができる。
【００６２】
前記製造方法は、機能性層または高屈折層の形成後に電極層を形成することをさらに含むことができる。電極層を形成する方式は、特に制限されず、公知の蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的方式などの任意の方式で形成することができる。
【００６３】
有機電子素子の製造方法は、前記のように電極層を形成した後、発光層を含む有機層と第２電極層を形成し、さらに封止構造を形成することを含むことができる。この場合、有機層、第２電極層及び封止構造は、公知された方式で形成することができる。
【００６４】
本発明は、また、前述した有機電子装置、例えば、有機発光装置の用途に関する。前記有機発光装置は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機などの光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用されることができる。１つの例示で、本発明は、前記有機発光素子を含む照明装置に関する。前記照明装置またはその他の用途に前記有機発光素子が適用される場合に、前記装置などを構成する他の部品やその装置の構成方法は、特に制限されず、前記有機発光素子が使用される限り、当該分野に公知されている任意の材料や方式がすべて採用されることができる。
【発明の効果】
【００６５】
本発明では、有機発光素子などのような有機電子装置の光抽出効率などの機能を改善することができると共に、基板と優れた密着力を示し、素子の安定性を改善することができる機能性層が形成された有機電子素子用基板が提供されることができる。本発明では、また、前記基板を含む有機電子装置及びその用途が提供されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】例示的な有機電子素子用基板を示す図である。
【図２】例示的な有機電子素子用基板を示す図である。
【図３】機能性層と電極層間の投映面積の関係を示す図である。
【図４】機能性層と電極層間の投映面積の関係を示す図である。
【図５】機能性層と電極層間の投映面積の関係を示す図である。
【図６】例示的な有機電子装置を示す図である。
【図７】例示的な有機電子装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６７】
以下、実施例及び比較例を通じて前記有機電子素子用基板などを具体的に説明するが、前記基板などの範囲が下記提示された実施例によって制限されるものではない。
［項目１］
ガラス基板と、上記ガラス基板上に形成されており、上記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が１．０以下のガラスフリットの焼成体と、上記焼成体内に存在し、５５０ｎｍの波長に対する屈折率が２．０〜３．５であり、平均粒径が５０ｎｍ以上である散乱粒子とを含む機能性層と、を含む基板。
［項目２］
上記ガラスフリットの焼成体の５５０ｎｍの波長に対する屈折率が１．３〜１．７である、項目１に記載の基板。
［項目３］
少なくとも１つの材料における上記散乱粒子の平均粒径は、上記機能性層の厚さに比べて大きく、これによって上記機能性層の表面には凹凸構造が形成されている、項目１ｓに記載の基板。
［項目４］
上記機能性層上に高屈折層をさらに含む、項目１から３の何れか１項に記載の基板。
［項目５］
上記高屈折層の５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率は、１．８〜３．５である、項目４に記載の基板。
［項目６］
上記高屈折層と上記散乱粒子の屈折率の差の絶対値が０．３を超過する、項目４または５に記載の基板。
［項目７］
上記機能性層上に形成された電極層をさらに含む、項目１に記載の基板。
［項目８］
項目１から７の何れか１項に記載の基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、を含む有機電子装置。
［項目９］
上記有機層は、発光層を含む、項目８に記載の有機電子装置。
［項目１０］
ガラス基板上に上記ガラス基板との屈折率の差の絶対値が１．０以下の焼成体を形成することができるガラスフリットと、５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が２．０〜３．５であり、平均粒径が５０ｎｍ以上である散乱粒子とを含むコーティング層を形成し、上記コーティング層を焼成することを含む基板の製造方法。
［項目１１］
上記コーティング層の焼成は、熱処理またはレーザーブレイジングで行う、項目１０に記載の基板の製造方法。
［項目１２］
熱処理は、上記コーティング層を３００℃〜５００℃の温度で３０分〜３時間維持して行う、項目１１に記載の基板の製造方法。
［項目１３］
焼成された上記コーティング層上に５５０ｎｍ波長の光に対する屈折率が１．８〜３．５の高屈折層を形成することをさらに行う、項目１０から１２の何れか１項に記載の基板の製造方法。
［項目１４］
項目８または９に記載の有機電子装置を含む照明。
【００６８】
実施例１
［有機電子素子用基板の製造］
約１．６程度の屈折率の焼成体を形成することができるガラスフリット１０ｇに屈折率が約２．７程度であり、平均粒径が約２００ｎｍ程度である散乱粒子（ＴｉＯ２）１ｇを配合し、コーティング材料を製造した。次に、製造されたコーティング材料をガラス基板に前記散乱粒子による凹凸構造が表面に形成され得る厚さにコーティングし、次いで約４００℃〜程度の温度で約１時間程度処理し、焼成した。次に、縮合性シランとしてテトラメトキシシランに平均粒径が約１０ｎｍであり屈折率が約２．５程度である高屈折酸化チタン粒子を配合したコーティング材料を前記焼成されたコーティング層上にコーティングした後、ゾルゲル反応を進行し、屈折率が約１．８程度の高屈折層を形成した。その後、公知のスパッタリング方式でＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を含む正孔注入性電極層を前記ガラス基板の全面に形成し、基板を製造した。
【００６９】
［有機発光素子の製造］
製造された基板の電極層上に蒸着方式を通じてアルファ−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−Ｄｉ−［（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｄｉｐｈｅｎｙｌ］−１，１'−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４'−ｄｉａｍｉｎｅ）を含む正孔注入層及び発光層（４，４'、４"−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ（ＴＣＴＡ）：Ｆｉｒｐｉｃ、ＴＣＴＡ：Ｆｉｒ６）を順次形成した。次に、前記発光層の上部に電子輸送性化合物であるＴＣＴＡ（４，４'、４"−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）を蒸着し、電子輸送層を約７０ｎｍの厚さで形成した。次に、電子注入性反射電極としてアルミニウム（Ａｌ）電極を真空蒸着方式で前記電子輸送層の上部に形成し、素子を製造した。次に、Ａｒガス雰囲気のグローブボックスで前記素子に封止構造を付着し、装置を製造した。
【００７０】
比較例１
機能性層と高屈折層を形成しないことを除いて、実施例１と同様に有機発光素子を製造した。
【００７１】
前記実施例及び比較例に対する性能評価の結果は、下記表１の通りである。下記表１で絶対量子効率の評価は、公知の方式で行った。
【００７２】
【表１】
0005956673.tif 000004
【符号の説明】
【００７３】
１０１  基材層
１０２１  焼成体
１０２２  散乱粒子
２０１  高屈折層
３０１  機能性層
３０２  電極層、第１電極層
７０１  有機層
７０２  第２電極層
７０３  封止構造
８０１  第２基板
【図１】
0005956673.tif 000005
【図２】
0005956673.tif 000006
【図３】
0005956673.tif 000007
【図４】
0005956673.tif 000008
【図５】
0005956673.tif 000009
【図６】
0005956673.tif 000010
【図７】
0005956673.tif 000011