(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
基板上に複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第１の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第２の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、
を行うことを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記マスクは、
前記フィルムの一面に感光性材料を塗布するステップと、
前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターン形成領域に対応した部分に前記薄膜パターンよりも形状の大きい島パターンを形成するステップと、
前記フィルムの前記島パターンの周辺領域に磁性体膜をメッキ形成するステップと、
前記島パターンを剥離して前記磁性体膜に前記島パターンに対応する開口部を設けてマスク用部材を形成するステップと、
前記マスク用部材を保持手段の平坦面に前記磁性体膜側から吸着して保持するステップと、
磁気チャック上に吸着保持された前記基板の前記薄膜パターン形成領域が前記開口部内に位置するように前記基板と前記マスク用部材とを位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスク用部材を前記保持手段から前記基板上に移すステップと、
前記開口部内の前記薄膜パターン形成領域に対応した前記フィルムの部分に前記開口パターンを形成するステップと、
を行って作製されることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記開口パターンを形成するステップの後、前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して保持されることを特徴とする請求項３記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記フィルムの一面に感光性材料を塗布する前に、前記フィルムの一面に金属膜を被着させ、前記開口部を形成した後に、該開口部内の前記金属膜をエッチングして除去することを特徴とする請求項３又は４記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項６】
有機ＥＬ表示用のＴＦＴ基板上に３色対応有機ＥＬ層を順次形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、
可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記ＴＦＴ基板の第１の有機ＥＬ層形成領域に対応して第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第１の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、
前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に第１の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第２の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に第２の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、
前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第３の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、
前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に第３の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、
を含む工程を実行することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法に関し、特に高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の薄膜パターン形成方法は、所定の成膜パターンに対応した複数の開口が設けられた強磁性体から成るメタルマスクを基板の一面を覆うように基板に密着させると共に、基板の他面側に配置された磁石の磁力を利用して固定され、真空蒸着装置の真空槽内で上記開口を通して基板の一面に蒸着材料を付着させ、薄膜パターンを形成するようになっていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６４０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような従来の薄膜パターン形成方法において、一般に、数十μｍ〜数ｍｍの厚みの金属板に薄膜パターンに対応した開口を例えばエッチング等により形成してマスクが作られるので、金属板の厚みが厚い場合には開口を高精度に形成することが困難であり、又金属板の熱膨張による位置ずれや反り等の影響で例えば３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンの形成が困難であった。
【０００５】
また、マスク用金属板の厚みを３０μｍ程度まで薄くした場合には、３００ｄｐｉに相当する開口を形成することは可能となるものの、開口を形成した部分の金属板が極めて薄いためよじれやたわみが生じ、開口の形状及び位置を精度よく保持することが困難である。したがって、基板上の薄膜パターン形成領域にマスクの開口を精度よく位置合わせすることができず、それ故、ただ単に、マスク用金属板の厚みを薄くしただけでは、３００ｄｐｉ以上の高精細な薄膜パターンを形成することは困難である。
【０００６】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行い得るようにする薄膜パターン形成方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、第１の発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に薄膜パターンを成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。
【０００８】
このような構成により、可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに基板の薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、フィルムを透過して観察される基板に予め形成された基板側アライメントマークとの位置を調整して、開口パターンを磁気チャック上に載置された基板の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、磁気チャックにより上記磁性体膜を吸着してマスクを保持手段から基板上に移し、マスクの開口パターンを介して基板上の薄膜パターン形成領域に成膜し、薄膜パターンを形成する。
【０００９】
また、第２の発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に複数種の薄膜パターンを順次成膜形成する薄膜パターン形成方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第１の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記開口パターンを磁気チャック上に載置された前記基板の前記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記基板上の前記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成するステップと、前記マスクの磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記基板に予め形成された第２の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成するステップと、を行うものである。
【００１０】
このような構成により、可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに基板の一の薄膜パターン形成領域に対応して一の薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、フィルムを透過して観察される基板に予め形成された第１の基板側アライメントマークとの位置を調整して、開口パターンを磁気チャック上に載置された基板の上記一の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、磁気チャックにより磁性体膜を吸着してマスクを保持手段から基板上に移し、マスクの開口パターンを介して基板上の上記一の薄膜パターン形成領域に成膜し、一の薄膜パターンを形成し、マスクの磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して、マスクを基板上から保持手段に移し、上記マスク側アライメントマークと、フィルムを透過して観察される基板に予め形成された第２の基板側アライメントマークとの位置を調整して、マスクの開口パターンを基板の他の薄膜パターン形成領域に位置合わせした後、磁気チャックにより磁性体膜を吸着してマスクを保持手段から基板上に移し、マスクの開口パターンを介して上記他の薄膜パターン形成領域に成膜し、他の薄膜パターンを形成する。
【００１１】
好ましくは、前記マスクは、前記フィルムの一面に感光性材料を塗布するステップと、前記感光性材料を露光現像して前記薄膜パターン形成領域に対応した部分に前記薄膜パターンよりも形状の大きい島パターンを形成するステップと、前記フィルムの前記島パターンの周辺領域に磁性体膜をメッキ形成するステップと、前記島パターンを剥離して前記磁性体膜に前記島パターンに対応する開口部を設けてマスク用部材を形成するステップと、前記マスク用部材を保持手段の平坦面に前記磁性体膜側から吸着して保持するステップと、磁気チャック上に吸着保持された前記基板の前記薄膜パターン形成領域が前記開口部内に位置するように前記基板と前記マスク用部材とを位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスク用部材を前記保持手段から前記基板上に移すステップと、前記開口部内の前記薄膜パターン形成領域に対応した前記フィルムの部分に前記開口パターンを形成するステップと、を行って作製されるのが望ましい。
【００１２】
この場合、前記マスクは、前記開口パターンを形成するステップの後、前記磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して保持されるとよい。
さらに好ましくは、前記フィルムの一面に感光性材料を塗布する前に、前記フィルムの一面に金属膜を被着させ、前記開口部を形成した後に、該開口部内の前記金属膜をエッチングして除去するのが望ましい。
【００１３】
また、本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ表示用のＴＦＴ基板上に３色対応有機ＥＬ層を順次形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法であって、可視光を透過し一面に磁性体膜を被着したフィルムに前記ＴＦＴ基板の第１の有機ＥＬ層形成領域に対応して第１の有機ＥＬ層と同形状の貫通する開口パターンを形成すると共に、前記磁性体膜側を保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクに予め形成されたマスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第１の基板側アライメントマークとの位置を調整して、開口パターンを磁気チャック上に載置された前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせするステップと、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記ＴＦＴ基板の前記第１の有機ＥＬ層形成領域に第１の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第２の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第２の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第２の有機ＥＬ層形成領域に第２の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、前記マスクの磁性体膜側を前記保持手段の平坦面に吸着して、前記マスクを前記ＴＦＴ基板上から前記保持手段に移すステップと、前記マスク側アライメントマークと、前記フィルムを透過して観察される前記ＴＦＴ基板に予め形成された第３の基板側アライメントマークとの位置を調整して、前記マスクの開口パターンを前記ＴＦＴ基板の第３の有機ＥＬ層形成領域に位置合わせした後、前記磁気チャックにより前記磁性体膜を吸着して前記マスクを前記保持手段から前記ＴＦＴ基板上に移すステップと、前記マスクの開口パターンを介して前記第３の有機ＥＬ層形成領域に第３の有機ＥＬ層を真空蒸着するステップと、を含む工程を実行するものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板上の薄膜パターン形成領域に対応して開口パターンを形成したフィルムの一面に磁性体膜を設けて構成されたマスクの磁性体膜側を平坦面を有する保持手段に吸着して保持しているので、厚みが３０μｍ程度の薄いフィルムに高精細な開口パターンが形成されていても、マスクによじれやたわみが生じることがなく、開口パターンの形状及び位置を精度よく保持することができる。
【００１６】
また、薄膜パターン形成時には、保持手段に保持されたマスクを磁気チャック上に載置された基板に対して位置合わせした後、磁気チャックによりマスクの磁性体膜を吸着してマスクを保持手段から基板上に移すようにしているので、マスクの開口パターンの形状及び位置をそのまま維持することができる。したがって、マスクの開口パターンを基板の薄膜パターン形成領域上に位置精度よく合致させることができ、高精細な薄膜パターンの形成を容易に行なうことができる。これにより、３００ｄｐｉ以上の高精細な有機ＥＬ表示装置の製造も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示す工程図である。
【図２】本発明による薄膜パターン形成方法に使用するマスクの一構成例を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ−Ｏ線断面矢視図である。
【図３】上記マスクの作製工程の前半工程を示す断面図である。
【図４】上記マスクの作製工程の途中工程を示す断面図である。
【図５】上記マスクの作製工程の後半工程を示す断面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、赤色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図７】赤色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、緑色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図９】緑色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【図１０】本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、青色有機ＥＬ層の形成工程の前半工程を示す断面図である。
【図１１】青色有機ＥＬ層の形成工程の後半工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による薄膜パターン形成方法の実施形態を示す工程図である。この薄膜パターン形成方法は、基板上に一定形状の薄膜パターンを成膜形成するものであり、保持手段の平坦面に吸着して保持されたマスクを基板に対して位置合わせする第１ステップと、マスクを保持手段から基板上に移す第２ステップと、薄膜パターンを形成する第３ステップとを含んで構成されている。
【００１９】
先ず、第１ステップにおいては、図１（ａ）に示すように、可視光を透過し一面に磁性体膜１を被着した例えばポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂製のフィルム２に基板９の薄膜パターン形成領域１１に対応して該薄膜パターンと同形状の貫通する開口パターン３を形成し、上記磁性体膜１側を保持手段としての例えば電磁石５を備えて構成された第１の磁気チャック６の平坦に形成された吸着面６ａに、電磁石５により磁性体膜１を吸着して保持されたマスク４（図２参照）の開口パターン３を、同図（ｂ）に示すように、第２の磁気チャック１０上に載置された基板９の薄膜パターン形成領域１１に位置合わせする。この場合、マスク４の開口パターン３と基板９の薄膜パターン形成領域１１との位置合わせは、マスク４に予め形成したマスク側アライメントマーク８と、フィルム２を透過して観察される基板９に予め形成した図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して行われる。なお、第１の磁気チャック６の吸着面６ａは、ガラスや緻密なセラミック等の硬質材料により平坦に形成されるとよい。これにより、吸着面６ａを滑らかに形成することができ、マスク４を吸着面６ａ全面で均一に吸着して保持することができる。この場合、上記硬質材料（例えばガラス２２）の厚みは、基板９上に載置されたマスク４の磁性体膜１に作用する第１及び第２の磁気チャック６，１０の磁力の大きさが略等しくなるように決められるのが望ましい。
【００２０】
ここで、保持手段は、一定電圧を印加可能に構成され、フィルム２を静電吸着する静電チャックでもよいが、以下の説明においては、保持手段が磁気チャックの場合について述べる。なお、図２において、符号７は磁性体膜１に設けられた開口部７を示す。また、以下の説明において、磁気チャックの図中黒く塗りつぶした電磁石５は「オン状態」を示し、白抜きの電磁石５は「オフ状態」を示す。
【００２１】
次に、第２ステップにおいては、図１（ｃ）に示すように第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０により磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６から基板９上に移す。
【００２２】
次いで、第３ステップにおいては、図１（ｄ）に示すように、基板９をマスク４と一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、蒸着材料をマスク４の開口パターン３を介して基板９に被着させ、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に薄膜パターン１２を形成する。
【００２３】
ここで、上記マスク４は次のようにして作製することができる。以下、図３〜図５を参照してマスク４の作製方法を説明する。
先ず、図３（ａ）に示すように、平坦面を有する図示省略のステージ上に例えば静電吸着して保持された可視光を透過する厚みが１０μｍ〜３０μｍ程度の、例えばポリイミドのフィルム２の一面２ａに、同図（ｂ）に示すようにスパッタリング等の公知の成膜技術により５０ｎｍ程度の厚みの例えばニッケル（Ｎｉ）等からなる磁性体膜の下地層１３を被着する。この場合、下地層１３は、磁性体膜に限られず、良電導体の非磁性金属膜であってもよい。
【００２４】
次に、図３（ｃ）に示すように、下地層１３上に３０μｍ程度の厚みのレジスト１４（感光性材料）を例えばスピンコートする。
【００２５】
次いで、図３（ｄ）に示すように、フォトマスク１５を使用して露光し、同図（ｅ）に示すように現像して、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分に薄膜パターン１２よりも形状の大きいレジスト１４の島パターン１６を形成する。この場合、レジスト１４がネガ型であるときには、使用するフォトマスク１５は、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分に開口を形成したものであり、レジスト１４がポジ型であるときには、フォトマスク１５は、基板９上の薄膜パターン形成領域１１に対応した部分を遮光するものである。
【００２６】
続いて、図３（ｆ）に示すように、フィルム２の上記島パターン１６の周辺領域にニッケル（Ｎｉ）等の磁性体膜１を３０μｍ程度の厚みにメッキ形成する。
【００２７】
さらに、図３（ｇ）に示すように、上記島パターン１６を剥離して磁性体膜１に島パターン１６に対応する開口部７を形成した後、同図（ｈ）に示すように、開口部７内の下地層１３をエッチングして除去し、マスク用部材１７を形成する。なお、マスク用部材１７の予め定められた位置には、磁性体膜１により基板９との位置合わせをするためのマスク側アライメントマーク８が形成される。
【００２８】
このように形成されたマスク用部材１７は、図４（ａ）に示すように吸着面６ａが平坦面に形成された第１の磁気チャック６によって磁性体膜１側を吸着して保持される。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、吸着面１０ａが平坦面に形成された第２の磁気チャック１０上に載置された基板９（例えば有機ＥＬ表示用ＴＦＴ基板）の上方にマスク用部材１７を位置付け、基板９に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークとマスク用部材１７に予め形成されたマスク側アライメントマーク８とを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整して、同図（ｃ）に示すように薄膜パターン形成領域１１（例えばアノード電極上の領域）が上記開口部７内に位置するように基板９とマスク用部材１７とを位置合わせした後、基板９上にフィルム２を密着させる。その後、同図（ｄ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０により磁性体膜１を吸着してマスク用部材１７を第１の磁気チャック６から基板９上に移す。
【００３０】
続いて、波長が４００ｎｍ以下の、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザを使用して、図５（ａ）に示すように、マスク用部材１７の開口部７内の薄膜パターン形成領域に対応したフィルム２の部分にエネルギー密度が０．１Ｊ／ｃｍ２〜２０Ｊ／ｃｍ２のレーザ光Ｌを照射し、底に薄い層を残して一定深さの凹部２０を形成する。次いで、同図（ｂ）に示すように、公知のプラズマ処理装置内でプラズマ処理し、上記凹部２０の底の薄い層を除去して貫通する開口パターン３を形成する。これにより、マスク４が作製される。
【００３１】
次に、上記マスク４上に第１の磁気チャック６が置かれる。そして、図５（ｃ）に示すように、第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、第１の磁気チャック６により磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６に移す。以後、マスク４は第１の磁気チャック６に保持された状態で保管される。
【００３２】
なお、続けて、基板９上に薄膜パターン１２（例えば有機ＥＬ層）を成膜形成する場合には、図５（ｂ）においてマスク４が形成されると、基板９をマスク４と一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で例えば真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介して蒸着材料を真空蒸着し、薄膜パターン１２を形成してもよい。
【００３３】
次に、上記マスク４を使用して、ＴＦＴ基板１８上に一定形状の複数種の薄膜パターン１２としてのＲ（赤色）有機ＥＬ層、Ｇ（緑色）有機ＥＬ層及びＢ（青色）有機ＥＬ層を形成して有機ＥＬ表示装置を製造する方法について説明する。
最初に、図６及び図７を参照してＴＦＴ基板１８上に正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ発光層、電子輸送層等の積層構造となるように順次成膜してＲ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図６（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＲ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上に位置付けられることになる。
【００３４】
その後、図６（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００３５】
次に、図７（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で図示省略の真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９上のＲ有機ＥＬ層形成領域にＲ有機ＥＬ層２１Ｒを真空蒸着する。
【００３６】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図７（ｂ）に示すように、マスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＲ対応アノード電極１９Ｒ上にＲ有機ＥＬ層２１Ｒが形成される。
【００３７】
次に、図８及び図９を参照してＴＦＴ基板１８上にＧ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図８（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＧ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上に位置付けられることになる。
【００３８】
その後、図８（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００３９】
次に、図９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上のＧ有機ＥＬ層形成領域にＧ有機ＥＬ層２１Ｇを真空蒸着する。
【００４０】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図９（ｂ）に示すようにマスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８側から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＧ対応アノード電極１９Ｇ上にＧ有機ＥＬ層２１Ｇが形成される。
【００４１】
次に、図１０及び図１１を参照してＴＦＴ基板１８上にＢ有機ＥＬ層を形成する場合について説明する。この場合、先ず、図１０（ａ）に示すように、第１の磁気チャック６に吸着して保持されたマスク４を第２の磁気チャック１０上に載置されたＴＦＴ基板１８の上方に位置付け、同図（ｂ）に示すように、マスク側アライメントマーク８とＢ用基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが一定の位置関係となるように調整してマスク４とＴＦＴ基板１８とを位置合わせした後、ＴＦＴ基板１８上にフィルム２を密着させる。これにより、マスク４の開口パターン３がＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上に位置付けられることになる。
【００４２】
その後、図１０（ｃ）に示すように、第２の磁気チャック１０の電磁石５をオンすると共に第１の磁気チャック６の電磁石５をオフし、第２の磁気チャック１０によりマスク４の磁性体膜１を吸着してマスク４を第１の磁気チャック６からＴＦＴ基板１８上に移す。
【００４３】
次に、図１１（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１８とマスク４とを一体的に第２の磁気チャック１０に保持した状態で真空蒸着装置の真空槽内に設置し、マスク４の開口パターン３を介してＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上のＢ有機ＥＬ層形成領域にＢ有機ＥＬ層２１Ｂを真空蒸着する。
【００４４】
次いで、真空槽内から第２の磁気チャック１０を取り出し、図１１（ｂ）に示すように、マスク４上に第１の磁気チャック６を置き、同図（ｃ）に示すように第１の磁気チャック６の電磁石５をオンすると共に第２の磁気チャック１０の電磁石５をオフし、マスク４の磁性体膜１を第１の磁気チャック６により吸着してマスク４をＴＦＴ基板１８上から第１の磁気チャック６側に移す。これにより、ＴＦＴ基板１８のＢ対応アノード電極１９Ｂ上にＢ有機ＥＬ層２１Ｂが形成される。
【００４５】
その後、ＴＦＴ基板１８の各有機ＥＬ層２１上には、公知の技術を使用してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の透明導電膜が形成され、さらにその上に透明な保護基板９が接着されて有機ＥＬ表示装置が製造される。
【００４６】
一方、マスク４は、上述と同様にして第１の磁気チャック６側から第２の磁気チャック１０側に移され、プラズマ処理装置内でプラズマ処理してマスク４上に付着した有機ＥＬ蒸着材料が除去される。そして、このようにして洗浄されたマスク４は、再び第１の磁気チャック６に移されて第１の磁気チャック６に保持された状態で、又は第２の磁気チャック１０に保持されたままで保管される。したがって、マスク４がよじれたり撓んだりして開口パターン３の形状が崩れたり位置がずれたりするおそれがない。
【００４７】
なお、上記Ｒ有機ＥＬ層２１Ｒ、Ｇ有機ＥＬ層２１Ｇ及びＢ有機ＥＬ層２１Ｂの形成工程は、同一のマスク４を使用して一連の工程として実行することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…磁性体膜
２…フィルム
３…開口パターン
４…マスク
６…第１の磁気チャック（保持手段）
６ａ…第１の磁気チャックの吸着面
７…開口部
８…マスク側アライメントマーク
９…基板
１０…第２の磁気チャック（磁気チャック）
１０ａ…第２の磁気チャックの吸着面
１１…薄膜パターン形成領域
１２…薄膜パターン
１３…下地膜（金属膜）
１４…レジスト（感光性材料）
１６…島パターン
１８…ＴＦＴ基板
２１Ｒ…Ｒ有機ＥＬ層
２１Ｇ…Ｇ有機ＥＬ層
２１Ｂ…Ｂ有機ＥＬ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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