(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の化合物：
【化１】
0005897565.tif 000029
式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍ１、Ｍ２は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ又はＯsからなる群から選択される金属であり、
Ｘ、Ｙ、Ｚは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ又はＮであり、
Ｌ１、Ｌ２は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ−、−ＣＮ−、−ＮＮ−、−ＮＯ−、−ＮＳ−、−ＣＣ及び−Ｃ＝ＣＲから選択され、
Ｌ３は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子Ｍ１又はM２の一方に配位する単座配位子又は二座配位子であり、
Ｌ４は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子Ｍ１及びM２の双方に同時に配位する二座配位子であり、
Ｒは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ(Ｒ１)２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ(Ｒ１)３、Ｂ(ＯＲ１)２、Ｃ(＝Ｏ)Ｒ１、Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ１)２、Ｓ(＝Ｏ)Ｒ１、Ｓ(＝Ｏ)２Ｒ１、ＯＳＯ２Ｒ１、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜４０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基（各々は１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよく、１つのＣＨ２基又は２以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ(Ｒ１)２、Ｇｅ(Ｒ１)２、Ｓｎ(Ｒ１)２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ１、Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ１)、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ１により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ又はＮＯ２により置き換えられていてもよい。）、または、５〜６０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基（各々は１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基（各々は１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよい。）、または、１０〜４０個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基（各々は１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよい。）であり、ここで、２つの隣接するラジカルＲもしくは１つのラジカルＲとラジカルＲ１は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および/またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく、
Ｒ１は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ (Ｒ２)２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ(Ｒ２)３、Ｂ(ＯＲ２)２、Ｃ(＝Ｏ)Ｒ２、Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ２)２、Ｓ(＝Ｏ)Ｒ２、Ｓ(＝Ｏ)２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、２〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜２０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基（各々は１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよく、１つのＣＨ２基又は２以上の非隣接ＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ(Ｒ２)２、Ｇｅ(Ｒ２)２、Ｓｎ(Ｒ２)２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｐ(＝Ｏ)(Ｒ２)、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ２により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ又はＮＯ２により置き換えられていてもよい。）、または、５〜６０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基（各々は１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい。）、または、１０〜４０個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基（各々は１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい。）であり、ここで、２以上の隣接するラジカルＲ１もしくは１つのラジカルＲ１とラジカルＲは、単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、
Ｒ２は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、または、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素ラジカルであり、これらは更に１以上のＨ原子がＦにより置き換えられていてもよく、２以上の置換基Ｒ２は単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、
ｍ、ｎは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、０、１、２又は３であり、
ｐは、１、２、３又は４であり、
ここで、添え字ｍ、ｎ及びｐは、金属Ｍ１及びＭ２の各々の配位数が２、４又は５となるように選択される。
【請求項２】
配位数が２の場合に、ｐ、ｎ、ｍ、Ｌ３及びＬ４に以下：
ｐ＝１、ｎ＝０およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝０およびｍ＝０
が適用され、
配位数が４の場合に、ｐ、ｎ、ｍ、Ｌ３及びＬ４に以下：
ｐ＝１、ｎ＝０およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝０、およびｍ＝２；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝０、およびｍ＝１；または
ｐ＝４、ｎ＝０、およびｍ＝０；
が適用され、
配位数が５の場合に、ｐ、ｎ、ｍ、Ｌ３及びＬ４に以下：
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子、およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子、およびｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝４且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝二座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝２；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝１；または
ｐ＝３、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝０、およびｍ＝２；または
ｐ＝４、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子、およびｍ＝０；または
ｐ＝４、ｎ＝０およびｍ＝１
が適用されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
化合物が帯電していないことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
金属Ｍ１及びＭ２が、下記組み合わせ：
Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｐ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）及びＡｕ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）
から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項５】
Ｍ１及びＭ２は、同一となるように選択されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
Ｍ1及びＭ2はＰｔ（ＩＩ）に等しく、または、Ｍ1及びＭ2はＰｄ（ＩＩ）に等しく、または、Ｍ1及びＭ2はＡｕ（Ｉ）に等しいことを特徴とする請求項５に記載の化合物。
【請求項７】
基Ｘ、Ｙ及びＺのうち最大で１つはＮを表し、他の２つの基はＣＲを表すことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
基Ｘ及びＺは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲを表し、基ＹはＣＨを表すことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項９】
Ｌ１及びＬ２は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＮＮ及び−ＣＣからなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、式（２）〜（１２）の構造：
【化２】
0005897565.tif 000030
（式中、Ｒは請求項１に規定される同じ意味を有する。）
から選択されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１１】
２以上の隣接するラジカルＲが互いに芳香環を形成している、あるいは、ＲとＲ１とが芳香環を形成していることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｍ１、Ｍ２は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）及びＡｕ（Ｉ）からなる群から選択され；
Ｌ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、アニオン性リガンドであり；
Ｘ、Ｙ、Ｚは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ又はＮであり、ここで、最大で基Ｘ、Ｙ及びＺのうちの１つがＮを表し；
Ｌ1、Ｌ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＮＮ及び−ＣＣからなる群から選択され；
Ｒは、ＸまたはＺ＝ＣＲに関して、ＲがＸまたはＺそれぞれに結合している場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｓｉ（Ｒ1）3、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または、２〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜２０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル又はアルキニル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1またはＣ≡ＣまたはＯにより置き換えられていてもよく、ここで１以上のＨ原子は、Ｄ又はＦにより置き換えられていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）からなる群から選択され；ここで、２つの隣接するラジカルＲまたは１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく；
ｐは、２、３または４であり；
他の記号および添え字は、請求項１に規定される意味を有する；
ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｌ3は、一酸化炭素、一酸化窒素、イソニトリル、アミン、ホスフィン、ホスフィット、アルシン、スチビン、エーテル、脂肪族又は芳香族硫化物、脂肪族又は芳香族セレニド、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ、アジド、アルキルアセチリド、アリール−又はヘテロアリールアセチリド、アルキル、アリール、水酸化物、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族又は芳香族アルコレート、脂肪族又は芳香族チオアルコレート、アミド、カルボキシレート、窒素含有複素環、脂肪族及び芳香族ホスフィドＰＲ2-または脂肪族又は芳香族セレニドＳｅＲ-、Ｒ−Ｎ＝Ｍの形態の配位を生じる、Ｏ2-、Ｓ2-、ナイトレン、Ｎ３-、ジアミン、イミン、ジイミン、ジホスフィン、１，３−ジケトンに由来する１，３−ジケトネート、３−ケトエステルに由来する３−ケトネート、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、ジアルコールに由来するジアルコレート、ジチオールに由来するジチオレート、及び、金属と共に、少なくとも１つの金属−炭素結合を有するシクロメタル化５または６員環、特にシクロメタル化５員環を有する二座モノアニオン性リガンドから選択され、Ｌ4は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＯ、Ｃ≡Ｎ、ＮＯ、アルキル基、Ｃ（＝ＣＲ2）、−ＣＲ＝ＣＲ−、オルト−フェニレン、ビスホスフィド、ビススルフィド、ビスホスフィン、ビスアミン、ビスアミド、カーボネート、チオカーボネート、イソニトリル、アセチリド、チオカルボニル、及び、式（４４）〜（５１）のリガンド：
【化３】
0005897565.tif 000031
（式中、記号および添え字は、請求項１に規定される意味を有する。）
からなる群から選択されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１４】
電子デバイスにおける請求項１〜１３のいずれか１項に記載の化合物の使用。
【請求項１５】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から特に選択され、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含む電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の化合物が発光層において発光化合物として存在し、特に１以上のマトリックス材料と組み合わされて存在することを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
本願は、ルミネッセンス金属錯体及びこれらの金属錯体を含む電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【０００２】
機能的材料として有機半導体が使用されている有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１及びＷＯ９８／２７１３６に記載されている。ここで使用されている発光材料は、しばしば、蛍光の代わりに燐光を示す有機金属錯体である（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。燐光発光体として有機金属化合物を使用すると、量子力学的理由により、最大で４倍のエネルギー及び電力効率が可能となる。先行技術によると、燐光ＯＬＥＤにおいて使用される三重項発光体は、通常、単核のイリジウムまたは白金錯体である。これらの化合物において、長寿命のエレクトロルミネッセンスデバイス、例えばテレビまたはコンピューターモニターにそれらを使用することを可能にするために、特に錯体の寿命、効率、動作電圧及び安定性に関して、なおも改善が必要である。全ての発光色で発光する燐光金属錯体において、なおも改善が必要である。
【０００３】
したがって、本発明の目的は、新規の金属錯体及びこれらの金属錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの提供である。ここで、金属錯体は、特に、発光層における発光体として使用される。
【０００４】
驚くべきことに、特定の二量体金属錯体及びこれらの二量体金属錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスがこの目的を達成することが見出された。これらの金属錯体は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光層における発光体としての使用に非常に適しており、それらは、特に寿命及び効率に関して有意な改善をもたらす。このことは、全ての発光色で発光する燐光エレクトロルミネッセンスデバイスに当てはまる。したがって、本発明は、これらの金属錯体及びこれらの錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【０００５】
先行技術は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて使用するための二量体金属錯体を開示している。ＷＯ２０１０／００６６６６は、金属原子がＰ−Ｃ−Ｐリガンド、すなわち、ジホスフィンリガンドにより架橋された有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて使用するための二量体金属錯体、特に白金錯体を開示している。
【０００６】
さらに、ＷＯ２００８／００３４６４は、金属錯体、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて使用するためのイソニトリルリガンドを含有する白金及びパラジウム錯体を開示している。
【０００７】
本発明は、以下の式（１）の化合物に関する
【化１】
0005897565.tif 000002
【０００８】
式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍ1、Ｍ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、ＲｕまたはＯｓからなる群から選択される金属であり、
Ｘ、Ｙ、Ｚは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ又はＮであり、
Ｌ1、Ｌ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＣＮ、−ＮＮ、−ＮＯ、−ＮＳ、−ＣＣ及び−Ｃ＝ＣＲからなる群から選択され、
Ｌ3は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子Ｍ1またはＭ2のうちの一方に配位する単座配位子または二座配位子であり、
Ｌ4は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、金属原子Ｍ1及びＭ2の双方に同時に配位する二座配位子であり、
Ｒは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ1）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ1）3、Ｂ（ＯＲ1）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ1、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ1）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ1、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ1、ＯＳＯ2Ｒ1、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜４０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ1）2、Ｇｅ（Ｒ1）2、Ｓｎ（Ｒ1）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ1、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ1）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ1、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ1により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2により置き換えられていてもよい。）、または、５〜６０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、１０〜４０個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）であり；ここで、２つの隣接するラジカルＲまたは１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく、
Ｒ1は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ2）3、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ2、ＯＳＯ2Ｒ2、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシ又はチオアルコキシ基、または、２〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜２０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ又はチオアルコキシ基（各々は１以上のラジカルＲ2により置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ又はＣＯＮＲ2により置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2により置き換えられていてもよい。）、または、５〜６０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ2により置換されていてもよい。）、または、５〜４０個の芳香環原子を有するアリールオキシ又はヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ2により置換されていてもよい。）、または、１０〜４０個の芳香環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基又はアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ2により置換されていてもよい。）であり；ここで、２以上の隣接するラジカルＲ1または１つのラジカルＲ1とラジカルＲは、単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、
Ｒ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、または、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／または複素環式芳香族炭化水素ラジカルであり、これらは更に、１以上のＨ原子がＦにより置き換えられていてもよく、ここで、２以上の置換基Ｒ2は、単環又は多環の、脂肪族環又は芳香環系を互いに形成していてもよく、
ｍ、ｎは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、０、１、２又は３であり、
ｐは、１、２、３または４であり；
ここで、添え字ｍ、ｎ及びｐは、金属Ｍ1及びＭ2の各々の配位数が２、４又は５となるように選択される。
【０００９】
式（１）の化合物は、単独または複数で正または負に荷電していてもよい。
【００１０】
金属の配位数は、金属原子に配位する基の数に起因し、金属−金属結合または金属−金属相互作用は、配位数に寄与しない。
【００１１】
上記定義において、基Ｌ1、Ｌ2、Ｘ、Ｙ及びＺは、中性基として示されている。しかし、それらは、荷電基であることも可能である。リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2において、単結合は、各々の場合、Ｌ1とＸの間、ＸとＹの間、ＹとＺの間及びＺとＬ2の間に引かれる。しかし、このことは、単に、これらの基の間に結合が存在していることを例示することを意図したものである。しかし、それは単結合ではなく、その代わり、その結合次数が単結合の結合次数と二重結合の結合次数の中間の結合である。このことは、Ｌ1及びＬ2が各々−ＮＣ、すなわち、イソニトリル基を表し、Ｘ、Ｙ及びＺが各々ＣＲを表すリガンドの例を参照しながら例示することができる：
【化２】
0005897565.tif 000003
【００１２】
ここで、これらが、メソメリーの極限構造であることが分かり、結合は、局所的な単結合としても局所的な二重結合としても示すことができず、その代わり、単結合の結合次数と二重結合の結合次数の中間である。ここで、リガンドは、それ自体が中性である必要はなく、その代わり、リガンドが単独で負に荷電しているリガンドである上述の例と同様に荷電していてもよい。
【００１３】
有機金属化学の分野の当業者は、どの金属が通常どの配位数を有するのか知っている。配位数は、金属に配位する原子の数を意味するものとされる。これらは、一方では、基Ｌ1及びＬ2の配位原子であり、他方では、リガンドＬ3及びＬ4の配位原子である。Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）及びＲｈ（Ｉ）の周囲の通常の配位数は４であるが、５であってもよい。さらに、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）及びＡｕ（Ｉ）の周囲の通常の配位数は２である。さらに、Ｍｏ（０）、Ｗ（０）、Ｒｅ（Ｉ）、Ｒｕ（ＩＩ）及びＯｓ（ＩＩ）の通常の配位数は５である。さらに、Ａｕ（ＩＩＩ）の通常の配位数は、４又は５である。したがって、本発明の好ましい態様において、ｍ、ｎ及びｐは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ及びＲｈの周囲の配位数が４であり、Ｃｕ、Ａｇ及びＡｕ（Ｉ）の周囲の配位数が２であり、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ及びＯｓの周囲の配位数が５であり、Ａｕ（ＩＩＩ）の周囲の配位数が４又は５となるように選択される。
【００１４】
ここで、リガンドＬ4は、常に、１個の原子を介して金属原子Ｍ1に、および１個の原子を介して金属原子Ｍ2に配位しており、リガンドＬ4の配位原子は、Ｍ1及びＭ2に同時に配位する同一の原子、または、異なる原子とすることができる。リガンドＬ3が単座配位子である場合、１個の原子を介して金属Ｍ1またはＭ2に配位する。リガンドＬ3が二座配位子である場合、２個の原子を介して金属Ｍ1またはＭ2のうちの一方に配位する。
【００１５】
配位数２を達成するためのリガンドＬ3およびＬ4の適切な組合せは、例えば：
ｐ＝１、ｎ＝０およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝０およびｍ＝０
である。
【００１６】
配位数４を達成するためのリガンドＬ3およびＬ4の適切な組合せは、例えば：
ｐ＝１、ｎ＝０およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝１、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子ならびにｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝０およびｍ＝２；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝０およびｍ＝１；または
ｐ＝４、ｎ＝０およびｍ＝０
である。
【００１７】
配位数５を達成するためのリガンドＬ3およびＬ4の適切な組合せは、例えば：
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝３；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子ならびにｍ＝２；または
ｐ＝１、ｎ＝４且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝１、ｎ＝２且つＬ3＝二座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝２；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝１且つＬ3＝二座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝２、ｎ＝３且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝２、ｎ＝２且つＬ3＝１つの単座および１つの二座配位子ならびにｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝１；または
ｐ＝３、ｎ＝２且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝３、ｎ＝０およびｍ＝２；または
ｐ＝４、ｎ＝１且つＬ3＝単座配位子およびｍ＝０；または
ｐ＝４、ｎ＝０およびｍ＝１
である。
【００１８】
添え字ｐ＝２であり、四または五配位金属が関係している場合、錯体におけるリガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、四配位金属との錯体（各々は、さらなる単座配位子Ｌ3も含有する）に関して以下で図式的に示される通り、ｃｉｓ−位置またはｔｒａｎｓ−位置に配置することができ、リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、各々の場合、Ｌ1∩Ｌ2により示される：
【化３】
0005897565.tif 000004
【００１９】
リガンドＬ3またはリガンドＬ3のうちの少なくとも１つが二座配位子を表す場合、四配位金属との錯体におけるリガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、ｃｉｓ−位置に配置されなければならない。リガンドＬ3が単座配位子である場合、錯体は、好ましくは、リガンドをｔｒａｎｓ−位置に有する。
【００２０】
本願において以下の定義が使用される：
本発明の意味におけるアリール基は、６〜４０個のＣ原子を含有し；本発明の意味におけるヘテロアリール基は、２〜３９個のＣ原子及び少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ここで、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５で最大で４０である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単純芳香環、すなわち、ベンゼン、または、単純芳香族複素環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または、縮合されたアリール又はヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかを意味するものとされる。本発明の意味における環式カルベンは、中性のＣ原子を介して金属に結合する環状基である。ここで、環状基は、飽和又は不飽和であってもよい。ここで、Ａｒｄｕｅｎｇｏカルベン、すなわち、２個の窒素原子がカルベンＣ原子に結合するカルベンが優先される。５員Ａｒｄｕｅｎｇｏカルベン環又は別の不飽和５員カルベン環は、同様に本発明の意味におけるアリール基と見なされる。本発明の意味におけるアラルキル基は、アルキル基、特に、以下で言及されるアリール又はヘテロアリール基、特に以下で言及されるアリール又はヘテロアリール基のうちの１つにより置換されているアルキル基を意味するものとされる。
【００２１】
本発明の意味における芳香環系は、該環系に６〜６０個のＣ原子を含有する。本発明の意味における芳香族複素環系は、該環系に２〜５９個のＣ原子及び少なくとも１個のヘテロ原子を含有し、ここで、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は、少なくとも５で、最大で６０である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の意味における芳香環または芳香族複素環系は、必ずしもアリール又はヘテロアリール基のみを含有するとは限らず、その代わり、ここで更に、複数のアリール又はヘテロアリール基が非芳香族単位、例えば、Ｃ、Ｓｉ、ＮまたはＯ原子などにより連結されていてもよい系を意味することが意図される。したがって、例えば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系、および２個以上のアリール基が、例えば、線状又は環式のアルキル基、または、シリル基により中断されている同様の系も本発明の意味における芳香環系を意味することが意図される。
【００２２】
本発明の目的のために、Ｃ1−〜Ｃ40−アルキル基またはＣ1−〜Ｃ20−アルキル基（これらは更に、個々のＨ原子又はＣＨ2基は、上述の基により置換されていてもよい。）は、例えば、ラジカルメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔ−ペンチル、２−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル又は２，２，２−トリフルオロエチルを意味するものとされる。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル又はシクロオクテニルを意味するものとされる。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル又はオクチニルを意味するものとされる。Ｃ1−〜Ｃ40−アルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ又は２−メチルブトキシを意味するものとされる。５〜６０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は上述のラジカルＲにより置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族又は複素環式芳香族基に連結していてもよい。）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ベンズアントラセン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフチイミダゾール（naphthimidazole）、フェナントリイミダゾール（phenanthrimidazole）、ピリジミイミダゾール（pyridimidazole）、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン（fluorubin）、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン及びベンゾチアジアゾールに由来する基を意味するものとされる。
【００２３】
式（１）の化合物は、既に上述された通り、荷電又は非荷電とすることができる。式（１）の化合物が荷電している場合、電荷は、好ましくは＋１、＋２、＋３、＋４、−１、−２、−３又は−４、特に好ましくは＋１又は＋２である。本発明の好ましい態様において、式（１）の化合物は、非荷電、すなわち、電気的に中性である。このことは、リガンドＬ1、Ｌ2、Ｌ3及びＬ4が金属原子Ｍ1及びＭ2の電荷を補うように選択されることにより単純な様式で達成される。
【００２４】
式（１）の化合物が荷電している場合、それらは、１以上の対イオンも含有する。正に荷電している対イオンの例は、式（１）の化合物が負に荷電している場合、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、テトラアルキルアンモニウムイオン又はテトラアルキルホスホニウムイオンであり、アルキル基は、各々の場合、好ましくは１〜４個のＣ原子を含有する。負に荷電している対イオンの例は、式（１）の化合物が正に荷電している場合、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、シアン化物、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、テトラフェニルボレート、スルフェート、ホスフェート又はオキサレートである。
【００２５】
式（１）の荷電している化合物のさらなる態様において、正に荷電しているイオンと、更には負に荷電している対イオンの双方が式（１）の化合物である。
【００２６】
式（１）の化合物における金属Ｍ1及びＭ2は、好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）、Ａｕ（Ｉ）及びＡｕ（ＩＩＩ）からなる群から選択され、括弧内の符号は、各々の場合、金属の酸化状態に関する。Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）及びＡｕ（Ｉ）が特に優先される。
【００２７】
金属Ｍ1及びＭ2の適切な組合せは、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｐｔ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｐｄ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｎｉ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｎｉ（ＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｉｒ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ｒｈ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｕ（ＩＩＩ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ａｕ（ＩＩＩ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ｃｕ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）＋Ａｇ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）及びＡｕ（Ｉ）＋Ａｕ（Ｉ）である。
【００２８】
本発明の特に好ましい態様において、Ｍ1及びＭ2は、同一となるように選択される。特に好ましくは、Ｍ1及びＭ2はＰｔ（ＩＩ）に等しく、または、Ｍ1及びＭ2はＰｄ（ＩＩ）に等しく、または、Ｍ1及びＭ2はＡｕ（Ｉ）に等しい。
【００２９】
リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2の好ましい態様は、以下に記載される：
リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、基Ｌ1及びＬ2ならびにＸ、Ｙ及びＺの選択に応じて、カチオン性、中性またはアニオン性とすることができる。本発明の好ましい態様において、リガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、アニオン性、特に好ましくはモノアニオン性である。非常に特に好ましくは、式（１）の化合物におけるリガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2の各々は、モノアニオン性である。アニオン性リガンドがＭ1及びＭ2の正電荷を補うことができるという事実により、モノアニオン性が優先される。
【００３０】
本発明の好ましい態様において、基Ｘ、Ｙ及びＺのうちの最大で１つはＮを表し、他の２つの基はＣＲを表す。ここで、Ｒは、好ましくは、以下で詳細に記載される基を表す。基Ｘ、Ｙ又はＺのうちの１つがＮを表す場合、それは、好ましくは基Ｘ又は基Ｚである。本発明の好ましい態様において、基Ｙは、ＣＲ、特に好ましくはＣＨを表す。
【００３１】
本発明のさらなる好ましい態様において、基Ｘ及びＺはＣＲを表す。特に好ましくは、基Ｘ及びＺはＣＲを表し、基ＹはＣＨを表す。
【００３２】
既に上で定義された通り、配位基Ｌ1及びＬ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＣＮ、−ＮＮ、−ＮＯ、−ＮＳ、−ＣＣ及び−Ｃ＝ＣＲからなる群から選択される。
【００３３】
本発明の好ましい態様において、配位基Ｌ1及びＬ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＮＮ、及び−ＣＣ、特に好ましくは−ＮＣ及び−ＣＣからなる群から選択される。非常に特に好ましくは、基Ｌ1及びＬ2の双方が−ＮＣを表す。
【００３４】
これらの基は、電荷も有していてもよい。基−ＮＣ及び−ＣＮは、中性基である。基−ＮＮ、−ＣＣ及び−Ｃ＝ＣＲは、モノアニオン性基である。
【００３５】
本発明の好ましい態様において、配位基Ｌ1及びＬ2は、各々が同一の基である。
【００３６】
一般に、Ｌ1、Ｌ2、Ｘ、Ｙ及びＺの上述の態様の全ては、互いに組み合わせることができる。可能な適切な態様は、以下で表１に示される。
【表１−１】
0005897565.tif 000005
【表１−２】
0005897565.tif 000006
【表１−３】
0005897565.tif 000007
【表１−４】
0005897565.tif 000008
【表１−５】
0005897565.tif 000009
【００３７】
好ましいリガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、以下の式（２）〜（１２）の構造である
【化４】
0005897565.tif 000010
【００３８】
（式中、Ｒは、上で定義されたものと同一の意味を有する）。式（２）及び（３）のリガンドはカチオン性リガンドであり、式（４）及び（５）のリガンドは中性リガンドであり、式（６）〜（１２）のリガンドはアニオン性リガンドである。
【００３９】
特に好ましいリガンドＬ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、以下の式（２ａ）〜（１２ａ）の構造である
【化５】
0005897565.tif 000011
【化６】
0005897565.tif 000012
【００４０】
（式中、Ｒは、上で定義されたものと同一の意味を有する）。
【００４１】
特に好ましいリガンドは、上述の式（６）及び（９）または（６ａ）及び（９ａ）のリガンドである。
【００４２】
本発明の好ましい態様において、Ｘ及びＺに結合するラジカルＲは、ＸまたはＺがＣＲを表す場合、リガンドを立体的に遮蔽するラジカルである。したがって、Ｘ及びＺに結合する好ましいラジカルＲは、ＸまたはＺがＣＲを表す場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｓｉ（Ｒ1）3、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または、２〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜２０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル又はアルキニル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1またはＣ≡ＣまたはＯにより置き換えられていてもよく、１以上のＨ原子は、ＤまたはＦにより置き換えられていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）からなる群から選択され；ここで、２つの隣接するラジカルＲ又は１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよい。本発明の特に好ましい態様において、Ｘ及びＺに結合するラジカルＲは、ＸまたはＺがＣＲを表す場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または、３〜１０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ又はＦにより置き換えられていてもよい。）、または、５〜２４個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）からなる群から選択され；ここで、２つの隣接するラジカルＲまたは１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよい。ここで、Ｘ及びＺに結合するラジカルＲは、立体的に嵩高いラジカルを表すことが特に好ましい。立体的に嵩高いラジカルは、例えば、３〜１０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル基、例えば、上記のイソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ネオペンチル、アダマンチル又はシクロヘキシル、または、芳香環又は芳香族複素環系などである。
【００４３】
上記の通り、２以上の隣接するラジカルＲは、互いに環を形成していてもよい。次いで、この環は、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合していてもよい。２以上の隣接するラジカルＲが互いに環を形成する場合、それは、１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい芳香環、特にベンゼン環であることが好ましい。このタイプの環形成は、一例として以下の式（１３）において示される。これは、式（６）の態様である。式（６）のさらなる態様は、以下で示される式（１４）及び（１５）であり、２つの隣接するラジカルＲの環形成に加えて、１つのラジカルＲも、ラジカルＲ1とさらなる環を形成する：
【化７】
0005897565.tif 000013
【００４４】
ここで使用された記号は、上記の意味を有し、Ａは、Ｃ（Ｒ2）2、Ｏ、Ｓ又はＮＲ2を表す。
【００４５】
本発明のさらなる好ましい態様において、本発明の錯体は、Ｍ1及びＭ2がＣｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）またはＡｕ（Ｉ）を表さない場合、式Ｌ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2の少なくとも２つのリガンド、特に好ましくはこのタイプの４つのリガンドを含有する。したがって、添え字ｐは、好ましくは２、３又は４、特に好ましくは４を表す。
【００４６】
上記の本発明の好ましい態様及び以下で示される好ましい態様は、所望により互いに組み合わせることができる。
【００４７】
本発明の特に好ましい態様において、本発明の錯体に関して優先されると上で示されたものが同時に優先される。したがって、式（１）の特に好ましい錯体に関して、以下が適用される：
Ｍ1、Ｍ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｎｉ（ＩＩ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｃｕ（Ｉ）、Ａｇ（Ｉ）及びＡｕ（Ｉ）からなる群から選択され；
Ｌ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、アニオン性リガンドであり；
Ｘ、Ｙ、Ｚは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ又はＮであり、ここで、最大で基Ｘ、Ｙ及びＺのうちの１つがＮを表し；
Ｌ1、Ｌ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ、−ＮＮ及び−ＣＣからなる群から選択され；
Ｒは、ＸまたはＺ＝ＣＲに関して、ＲがＸまたはＺそれぞれに結合している場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｓｉ（Ｒ1）3、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または、２〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルケニル又はアルキニル基、または、３〜２０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル、アルケニル又はアルキニル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1またはＣ≡ＣまたはＯにより置き換えられていてもよく、ここで１以上のＨ原子は、Ｄ又はＦにより置き換えられていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）、または、５〜３０個の芳香環原子を有するアラルキル又はヘテロアラルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）からなる群から選択され；ここで、２つの隣接するラジカルＲまたは１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく；
ｐは、２、３または４である。
【００４８】
他の記号および添え字は、上述の意味を有する。
【００４９】
したがって、式（１）の非常に特に好ましい錯体に関して、以下が適用される：
Ｍ1、Ｍ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、好ましくは同一であり、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）及びＡｕ（Ｉ）からなる群から選択され；
Ｌ1−Ｘ−Ｙ−Ｚ−Ｌ2は、モノアニオン性リガンドであり；
Ｘ、Ｚは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲ又はＮであり、ここで、最大で１つの基ＸまたはＺがＮを表し、好ましくは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、ＣＲであり；
Ｙは、ＣＲ、好ましくはＣＨであり；
Ｌ1、Ｌ2は、出現するごとに同一であるかまたは異なり、−ＮＣ及び−ＣＣ、好ましくは−ＮＣからなる群から選択され；
Ｒは、Ｘ又はＺ＝ＣＲに関して、ＲがＸまたはＺそれぞれに結合している場合、出現するごとに同一であるかまたは異なり、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または、３〜１０個のＣ原子を有する分岐又は環状アルキル基（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよく、１以上のＨ原子は、ＤまたはＦにより置き換えられていてもよい。）、または、５〜２４個の芳香環原子を有する芳香環又は芳香族複素環系（各々は１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。）からなる群から選択され；ここで、２つの隣接するラジカルＲまたは１つのラジカルＲとラジカルＲ1は、単環又は多環の、脂肪族環、芳香環および／またはベンゾ縮合環系を互いに形成していてもよく；
ｐは、Ｍ1および／またはＭ2がＡｕ（Ｉ）である場合２であり、全ての他のＭ1及びＭ2に関しては４である。
【００５０】
他の記号および添え字は、上述の意味を有する。
【００５１】
リガンドＬ3及びＬ4は、好ましくは、中性、モノアニオン性、ジアニオン性又はトリアニオン性リガンド、特に好ましくは中性又はモノアニオン性リガンドであるか、または、リガンドＬ4に関しては、また、ジアニオン性リガンドである。リガンドＬ3は、単座又は二座であり、すなわち、１つ又は２つの配位部位を有し、リガンドＬ4は、二座であり、すなわち、Ｍ1及びＭ2に同時に配位する２つの配位部位を有する。リガンドＬ3が二座である場合、それは、同一の金属Ｍ1またはＭ2に双方の配位部位を用いて配位する。
【００５２】
適切な中性の単座配位子Ｌ3は、一酸化炭素、一酸化窒素、イソニトリル、例えば、ｔｅｒｔ−ブチルイソニトリル、シクロヘキシルイソニトリル、アダマンチルイソニトリル、フェニルイソニトリル、メシチルイソニトリル、２，６−ジメチルフェニルイソニトリル、２，６−ジイソプロピルフェニルイソニトリル、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイソニトリルなど、アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリンなど、ホスフィン、例えば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィンなど、ホスフィット、例えば、トリメチルホスフィット、トリエチルホスフィットなど、アルシン、例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシニン（triphenylarsinine）、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシンなど、スチビン、例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビンなど、窒素含有複素環、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンなど、エーテル、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルなど、脂肪族又は芳香族硫化物、例えば、硫化ジメチル、ジエチル硫化物など、または、脂肪族又は芳香族セレニド、例えば、ジメチルセレニド、ジエチルセレニドなどから選択される。
【００５３】
適切なモノアニオン性の単座配位子Ｌ3は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩ、アジド、アルキルアセチリド、例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ-、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ-など、アリール−又はヘテロアリールアセチリド、例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ-など、アルキル、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチルなど、アリール、例えば、フェニル、ナフチルなど、ヘテロアリール、例えば、ピリジル、水酸化物、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネートなど、脂肪族又は芳香族アルコレート、例えば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソ−プロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレートなど、脂肪族又は芳香族チオアルコレート、例えば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソ−プロパンチオレート、ｔｅｒｔ−チオブチレート、チオフェノレートなど、アミド、例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジ−イソ−プロピルアミド、モルホリドなど、カルボキシレート、例えば、アセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエートなど、アニオン性の窒素含有複素環、例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドなど、脂肪族又は芳香族ホスフィドＰＲ2-または脂肪族又は芳香族セレニドＳｅＲ-から選択される。これらの基におけるアルキル基は、好ましくはＣ1〜Ｃ20−アルキル基、特に好ましくはＣ1〜Ｃ10−アルキル基、非常に特に好ましくはＣ1〜Ｃ4−アルキル基である。アリール基は、ヘテロアリール基も意味するものとされる。これらの基は、上で定義されている。
【００５４】
適切なジ−またはトリアニオン性リガンドＬ3は、Ｒ−Ｎ＝Ｍ（式中、Ｒは、一般に、置換基又はＮ3-を表す）の形態の配位を生じる、Ｏ2-、Ｓ2-、ナイトレンである。
【００５５】
適切な中性またはモノ−又はジアニオン性二座配位子Ｌ3は、ジアミン、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサンなど、イミン、例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソ−プロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジンなど、ジイミン、例えば、１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソ−プロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソ−プロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−イソ−プロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタンなど、２個の窒素原子を含有する複素環、例えば、２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリンなど、ジホスフィン、例えば、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジメチルホスフィノ）ブタン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）ブタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ブタンなど、１，３−ジケトンに由来する１，３−ジケトネート、例えば、アセチルアセトン、ｔｅｒｔ−ブチルアセチルアセトン（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタンなど、３−ケトエステルに由来する３−ケトネート、例えば、エチルアセトアセテートなど、アミノカルボン酸に由来するカルボキシレート、例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチル��リシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニンなど、サリチルイミンに由来するサリチルイミネート、例えば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミンなど、ジアルコールに由来するジアルコレート、例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコールなど、及びジチオールに由来するジチオレート、例えば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールなどから選択される。
【００５６】
金属と共に、少なくとも１つの金属−炭素結合を有するシクロメタル化５または６員環、特にシクロメタル化５員環を形成する二座モノアニオン性リガンドＬ3がさらに優先される。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス用の燐光金属錯体の分野において一般に使用されるリガンド、すなわち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン等のタイプのリガンドであり、これらの各々は、１以上のラジカルＲ1により置換されていてもよい。非常に多数のそのようなリガンドは、燐光エレクトロルミネッセンスデバイスの分野の当業者に知られており、当業者は、進歩性なしに、このタイプのさらなるリガンドを式（１）の化合物のリガンドＬ3として選択することができる。以下の式（１６）〜（４３）により示される２つの基の組合せは、一般に、この目的に特に適している。中性窒素原子又はカルベン原子を介して、及び負に荷電している炭素原子又は負に荷電している窒素原子を介して結合する組合せ、更に、例えば、２個の中性窒素原子又は２個の負に荷電している窒素原子又は２個の負に荷電している炭素原子が金属に結合する組合せが、一般にこの目的に適している。次いで、二座配位子Ｌ3は、式（５）〜（３２）の基から、これらの基を、各々の場合、＃により示される位置で互いに結合させることにより形成することができる。基が金属に配位する位置は、＊により示される。
【化８】
0005897565.tif 000014
【化９】
0005897565.tif 000015
【００５７】
使用された記号は、上記と同一の意味を有し、ここで、各基において最大で３つの記号Ｘは、Ｎを表し、Ｑは、出現するごとに同一であるかまたは異なり、Ｏ又はＳを表す。好ましくは、各基において最大で２つの記号ＸがＮを表し、特に好ましくは各基において最大で１つの記号ＸがＮを表し、非常に特に好ましくは全ての記号ＸがＣＲを表す。
【００５８】
式（１６）〜（４３）の基も単座配位子Ｌ3として好適である。この場合、＊により示される位置は、金属に配位している。次いで、＃により示される位置の炭素原子は、基Ｘ、すなわち、基ＣＲ又はＮにより置きかえられる。
【００５９】
好ましいリガンドＬ3は、強い配位子場を有するリガンド、特にＣＮ、ＣＯ、ＮＯ、ホスフィン、アセチリド、イソニトリル及びカルベンである。
【００６０】
好ましい二座配位子Ｌ4は、Ｈ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＣＯ、Ｃ≡Ｎ、ＮＯ、特に１〜１０個のＣ原子を有するアルキル基、Ｃ（＝ＣＲ2）、−ＣＲ＝ＣＲ−、オルト−フェニレン、ビスホスフィド、ビススルフィド、ビスホスフィン、ビスアミン、ビスアミド、カーボネート、チオカーボネート、イソニトリル、アセチリドまたはチオカルボニルからなる群から選択される。ここで、適切なジホスフィン及びジアミンは、Ｌ3の場合に上で述べられた対応するリガンドである。
【００６１】
さらに適切なのは、以下の式（４４）〜（５１）のリガンドＬ4である：
【化１０】
0005897565.tif 000016
【００６２】
（式中、使用された記号および添え字は、上述の意味を有する）。
【００６３】
好ましいリガンドＬ4は、イソニトリル、アセチリド、ビススルフィド及びＣＯである。
【００６４】
本発明の式（１）の錯体は、対応するリガンドまたはリガンド前駆体と適切な金属前駆体との反応により合成される。適切なリガンド前駆体は、例えば、まだ脱プロトン化されていない対応するリガンドである。
【００６５】
したがって、本発明は、さらに、遊離リガンドまたは対応するリガンド前駆体と適切な金属化合物との反応による式（１）の化合物の合成方法に関する。
【００６６】
本発明の錯体は、デンドリマーのコアとしての機能を果たすこともできる。さらに、これらの錯体は、ポリマー中に結合することができる。ポリマーへの連結は、錯体上の反応性基を介して、例えばアルケニル基、アリル基またはシロキサン基を介して行うことができる。
【００６７】
好ましい式（１）の化合物の例は、以下で示される化合物（１）〜（３８）である。これらの錯体は、とりわけ、上で説明された合成方法を使用して調製することができる。
【化１１】
0005897565.tif 000017
【化１２】
0005897565.tif 000018
【化１３】
0005897565.tif 000019
【００６８】
上記の式（１）の錯体または上述の好ましい態様は、電子デバイスにおける能動素子として使用することができる。電子デバイスは、陽極、陰極及び少なくとも１つの層を含むデバイスを意味するものとされ、この層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明の電子デバイスは、陽極、陰極及び少なくとも１種の上述の式（１）の化合物を含む少なくとも１つの層を含む。ここで、好ましい電子デバイスは、少なくとも１つの層に少なくとも１種の上述の式（１）の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択される。有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に優先される。能動素子は、一般に、陽極と陰極の間に導入される有機または無機材料、例えば電荷注入、電荷輸送または電荷ブロッキング材料であるが、特に発光材料及びマトリックス材料である。本発明の化合物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光材料として特に良好な性質を示す。したがって、本発明の好ましい態様は、発光層に少なくとも１種の式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。
【００６９】
本発明の意味における有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、陽極、陰極及び少なくとも１つの発光層を含み、陽極と陰極の間に配置される少なくとも１つの層が少なくとも１種の有機又は有機金属化合物または少なくとも１種の金属配位化合物を含むエレクトロルミネッセンスデバイスを意味するものとされる。本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、したがって、陽極、陰極及び少なくとも１つの発光層を含み、少なくとも１つの層は、少なくとも１種の上記の式（１）の化合物を含む。これらの層とは別に、それは、さらなる層、例えば、各々の場合、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、励起ブロッキング層、電荷発生層および／または有機又は無機ｐ／ｎ接合も含んでいてもよい。例えば、励起ブロッキング機能を有する中間層を２つの発光層の間に導入することが同様に可能である。しかし、これらの層の各々は、必ず存在していなければならないとは限らないことを指摘すべきである。ここで、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１つの発光層または複数の発光層を含んでいてもよく、少なくとも１つの発光層は、少なくとも１種の式（１）の化合物を含む。複数の発光層が存在している場合、それらは、好ましくは、全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光最大値を有し、その結果、全体的に白色の発光が生じ、すなわち、蛍光または燐光を発することができる様々な発光化合物が発光層において使用される。３つの層が青、緑及びオレンジ又は赤色の発光を示す３層系が特に優先される（基本構造に関しては、例えば、ＷＯ０５／０１１０１３を参照されたい）。同様に、白色の発光の発生に関しては、１つの発光層のみが存在していること、及び２以上の異なる発光色で発光する異なる発光体がこの発光層に存在していることが可能であり、少なくとも１種の式（１）の化合物が発光層に存在している。
【００７０】
式（１）の化合物が発光層における発光化合物として使用される場合、それは、好ましくは、１以上のマトリックス材料と組み合わせて使用される。式（１）の化合物及びマトリックス材料の混合物は、発光体及びマトリックス材料の混合物全体に対して、０．１〜９９体積％、好ましくは１〜９０体積％、特に好ましくは３〜４０体積％、特に５〜１５体積％の式（１）の化合物を含む。それに対応して、混合物は、発光体及びマトリックス材料の混合物全体に対して、９９．９〜１体積％、好ましくは９９〜１０体積％、特に好ましくは９７〜６０体積％、特に９５〜８５体積％のマトリックス材料を含む。
【００７１】
式（１）の化合物は、一般に、高いガラス転移温度を有するので、それらは、さらに、また、マトリックス材料を使用していない純粋な層としての使用に適している。
【００７２】
使用されるマトリックス材料は、一般に、先行技術においてこの目的に関して知られている全ての材料とすることができる。マトリックス材料の三重項レベルは、好ましくは、発光体の三重項レベルより高い。
【００７３】
本発明の化合物用の適切なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド及びスルホン、例えばＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７又はＷＯ２０１０／００６６８０によるもの、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、ｍ−ＣＢＰまたはＷＯ２００５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７、ＷＯ２００８／０８６８５１又はＵＳ２００９／０１３４７８４に開示されているカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、例えばＷＯ０７／０６３７５４又はＷＯ０８／０５６７４６によるもの、インデノカルバゾール誘導体、例えば未公開出願ＤＥ１０２００９０２３１５５．２及びＤＥ１０２００９０３１０２１．５によるもの、アザカルバゾール、例えばＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるもの、双極性マトリックス材料、例えばＷＯ２００７／１３７７２５によるもの、シラン、例えばＷＯ２００５／１１１１７２によるもの、アザボロール又はボロン酸エステル、例えばＷＯ２００６／１１７０５２によるもの、ジアザシロール誘導体、例えばＷＯ２０１０／０５４７２９によるもの、ジアザホスホール誘導体、例えばＷＯ２０１０／０５４７３０によるもの、トリアジン誘導体、例えばＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ２００７／０６３７５４又はＷＯ２００８／０５６７４６によるもの、または、亜鉛錯体、例えばＥＰ６５２２７３又はＷＯ２００９／０６２５７８によるもの、ジベンゾフラン誘導体、例えばＷＯ２００９／１４８０１５によるもの、または、架橋されたカルバゾール誘導体、例えばＵＳ２００９／０１３６７７９、ＷＯ２０１０／０５０７７８又は未公開出願ＤＥ１０２００９０４８７９１．３及びＤＥ１０２０１０００５６９７．９によるものである。
【００７４】
混合物として複数の異なるマトリックス材料、特に少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料及び少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を使用することも好ましくてもよい。好ましい組合せは、例えば、本発明の金属錯体としての芳香族ケトンまたはトリアジン誘導体とトリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体との混合マトリックスの使用である。同様に、例えば、未公開出願ＤＥ１０２００９０１４５１３．３に記載されている、電荷輸送マトリックス材料及び電荷輸送に関与していないかまたはほとんど関与していない電気的に不活性なマトリックス材料の混合物の使用が優先される。
【００７５】
本発明のさらなる好ましい態様において、式（１）の化合物は、より長波長を発光するさらなる燐光化合物用の共同ホストとして使用される。より長波長で発光する燐光化合物は、一般に、先行技術から知られている任意の燐光材料とすることができる。したがって、青色領域において発光する式（１）の化合物は、緑色燐光化合物用の共同ホストとして使用することができ、緑色領域において発光する化合物は、赤色燐光化合物用の共同ホストとして使用することができる。本発明の目的のために、全ての発光イリジウム、白金及び銅錯体が、燐光化合物と見なされる。特に好ましくは、電子伝導マトリックス材料がさらなる共同ホストとして使用される。このタイプのデバイス構造は、一般に、例えば、未公開出願ＤＥ１０２００８０６３４７０．０に開示されている。
【００７６】
本発明の化合物は、電子デバイスにおける他の機能において、例えば正孔注入または輸送層における正孔輸送材料として、電荷発生材料または電子ブロッキング材料として使用することもできる。
【００７７】
陰極として、低い仕事関数を有する金属、様々な金属、例えば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属又はランタノイド（例えばＣａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）などを含む金属合金または多層構造体が優先される。やはり適切なのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属及び銀の合金、例えば、マグネシウム及び銀の合金である。多層構造体の場合、前記金属に加えて、相対的に高い仕事関数を有するさらなる金属、例えば、Ａｇなども使用することができ、この場合、金属の組合せ、例えば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどが一般に使用される。金属製陰極と有機半導体の間に高い比誘電率を有する材料の薄い中間層を導入することも好ましくてもよい。この目的に適しているのは、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物であるが、対応する酸化物またはカーボネート（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3等）も適している。有機アルカリ金属錯体、例えばＬｉｑ（リチウムキノリナート（lithium quinolinate））も同様にこの目的に適している。この層の厚さは、好ましくは０．５〜５ｎｍである。
【００７８】
陽極として、高い仕事関数を有する材料が優先される。陽極は、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶより大きい仕事関数を有する。この目的に適しているのは、一方では、高い酸化還元電位を有する金属、例えば、Ａｇ、Ｐｔ又はＡｕなどである。他方で、金属／金属酸化物電極（例えばＡｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）も好ましくてもよい。一部の用途に関しては、電極のうちの少なくとも一方は、有機材料の照射（Ｏ−ＳＣ）または光のアウトカップリング（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）のいずれかを促進するために透明または部分的に透明でなければならない。ここで、好ましい陽極材料は、導電性の混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）が特に優先される。さらに、導電性のドープされた有機材料、特に、導電性のドープされたポリマー、例えば、ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体が優先される。
【００７９】
各層に関して先行技術により使用されている全ての材料を、一般に、さらなる層において使用することができ、当業者は、進歩性なしに、電子デバイスにおいてこれらの材料の各々を本発明の材料と組み合わせることができよう。
【００８０】
該デバイスは、対応して（用途に応じて）構造化され、接点を設けられ、そのようなデバイスの寿命は水および／または空気の存在下で大幅に短縮されるので、最終的に気密封止される。
【００８１】
さらに、１以上の層が昇華プロセスにより適用される（ここで、材料は、真空昇華装置において、１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6ｍｂａｒ未満の初期圧力で蒸着される）ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。初期圧力は、更に低く、例えば１０-7ｍｂａｒ未満とすることもできる。
【００８２】
同様に、１以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）プロセスにより、または、キャリアガス昇華を用いて適用される（ここで、材料は、１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で適用される）ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）プロセスであり、ここで、材料は、ノズルを通して直接適用され、したがって構造化される（例えばＭ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【００８３】
さらに、１以上の層が、溶液から、例えば、スピンコーティングなどにより、または、任意の所望の印刷プロセス、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像法、熱転写印刷）、インクジェット印刷又はノズル印刷などにより製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが優先される。式（１）の化合物は、一般に、一般的な有機溶媒において良好な溶解度を有するので、それらは、溶液からの加工に非常に適している。
【００８４】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１以上の層を溶液から適用すること、及び１以上の他の層を蒸着により適用することによりハイブリッド系として製造することもできる。したがって、例えば、式（１）の化合物及びマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用すること、ならびに正孔ブロッキング層および／または電子輸送層を真空蒸着によりそこに適用することが可能である。
【００８５】
これらのプロセスは、一般に当業者に知られており、式（１）の化合物または上述の好ましい態様を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに問題なく当業者が適用することができる。
【００８６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、先行技術に勝る以下の驚くべき利点により区別される：
１．式（１）の化合物は、高い熱安定性を有し、したがって気相からの加工に非常に適しており、更に広範囲の有機溶媒において高い溶解度も有し、したがって溶液からの加工にも非常に適している。
【００８７】
２．発光材料として式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、非常に良好な寿命を有する。
【００８８】
３．リガンドの構造及び錯体における金属−金属距離に応じて、全ての発光色で発光する式（１）の化合物が入手可能である。
【００８９】
４．有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける使用時に藍色の発光色及び長い寿命を有する青色燐光錯体が入手可能である。今日まで、色座標及び特に寿命に関して青色燐光デバイスにおいてなおも改善が必要であるので、このことは、先行技術に勝る進歩である。特に、振動構造を有していないかまたは事実上有していない式（１）の化合物の明確な発光帯域により、非常に良好で純粋な色座標が生じる。
【００９０】
５．本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、高い効率及び急勾配の電流−電圧曲線を示す。
【００９１】
これらの上記の利点は、他の電子的特性の低下を伴うものではない。
【００９２】
本発明は、以下の例によってより詳細に説明されるが、それにより本発明を限定することを望むものではない。当業者は、進歩性なしに、開示された範囲全体にわたって本発明を実施すること、したがって、本発明のさらなる錯体を調製すること、または、本発明のさらなる有機エレクトロルミネッセンスデバイスを製造することができよう。
【００９３】
［実施例］
以下の合成は、特に指示がなければ、乾燥させた溶媒において保護ガス雰囲気下で行う。金属錯体は、更に、遮光しながら扱う。溶媒及び試薬は、例えば、Ｓｉｇｍａ−ＡＬＤＲＩＣＨまたはＡＢＣＲから購入することができる。試薬の場合、角括弧内の符号または数値表示は、ＣＡＳ番号に関する。
【００９４】
例１
１−イソシアノ−２−（イソシアノメチル）ベンゼン
【化１４】
0005897565.tif 000020
【００９５】
Ｗ．Ｐ．Ｗｅｂｅｒら、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ、Ｉｎｔ．Ｅｄ．、１９７２、１１、６、５３０と類似の手順。１７．６ｍｌ（２２０ｍｍｏｌ）のクロロホルム、５００ｍｇのベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、次いで６０ｍｌの５０重量％ＮａＯＨを、１２．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）の２−（アミノメチル）アニリン［４４０３−６９−４］の１００ｍｌのジクロロメタン溶液に添加し、混合物を激しく撹拌する。短い誘導期の後、混合物は沸騰し始める。発熱反応が静まると、混合物を更に２ｈ撹拌し、３００ｍｌの水及び２００ｍｌのジクロロメタンで希釈し、有機相を分離して取り除き、３００ｍｌの水で１回洗浄し、２００ｍｌの飽和塩化ナトリウム溶液で１回洗浄し、次いで炭酸カリウムで脱水する。真空中での蒸発後、油状残渣をバルブチューブにおいて２回蒸留する。収率：４．７ｇ（３２ｍｍｏｌ）、３２％、純度：約９７％（ＮＭＲ）。
【００９６】
例２
【化１５】
0005897565.tif 000021
【００９７】
２．９２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の１−イソシアノ−２−（イソシアノメチル）ベンゼンを、５．３２ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラキス（イソシアノメタン）白金（ＩＩ）ビステトラフルオロボレート［３３９８９−８９−８］の１００ｍｌのアセトニトリル溶液に添加し、混合物を５０℃で２０ｈ撹拌する。室温への冷却後、６４１ｍｇ（２０ｍｍｏｌ）のナトリウムメトキシドの５０ｍｌのメタノール溶液を添加し、混合物を室温で更に２ｈ撹拌する。溶媒を真空中で除去し、残渣を１００ｍｌのジクロロメタンに溶解し、短いセライト層を通して懸濁液を濾過し、濾液を５ｍｌまで蒸発させ、次いで３０ｍｌのヘキサンで覆う。４０ｈの放置後、結晶を吸引濾過し、毎回２０ｍｌのヘキサンで３回洗浄し、減圧中で乾燥させ、次いで高真空中で分別昇華を２回施す（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ約３００℃）。収率：２．１３ｇ（２．２ｍｍｏｌ）、２２％、純度：＞９９．５％（ＮＭＲ）。
【００９８】
例３
（Ｚ）−３，５−ジイソシアノ−２，２，６，６−テトラメチルヘプタ−３−エン
【化１６】
0005897565.tif 000022
【００９９】
１８．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）の（Ｚ）−１−ｔｅｒｔ−ブチル−３−イミノ−４，４−ジメチル−ペンタ−１エニルアミン［１４６１３８−０３−６］、２４２ｍｌ（３ｍｏｌ）のギ酸エチル及び５００ｍｇの酢酸ナトリウムの混合物を４８ｈ加熱還流する。次いで、過剰なギ酸エチル及び形成されたエタノールを蒸留して取り除き、結果として得られた油を真空中（０．１ｍｂａｒ／Ｔ＝２５℃）で５ｈ撹拌することにより後者を完全に除去する。油を２００ｍｌの１，２−ジクロロエタンに溶解し、９．８ｍｌ（１００ｍｍｏｌ）の四塩化炭素、１５．３ｍｌ（１１０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン及び５５．２ｇ（２１０ｍｍｏｌ）のトリフェニルホスフィンを添加し、混合物を６５℃で４ｈ撹拌し、次いで１２ｈ加熱還流する。冷却後、形成されたトリエチルアンモニウム塩酸塩を吸引濾過し、少量の１，２ジクロロエタンですすぎ、１，２−ジクロロエタンを真空中で除去し、残渣を３００ｍｌのシクロヘキサンに溶解し、トリフェニルホスフィン酸化物を濾過して取り除き、シクロヘキサンを真空中で除去し、残渣をシリカゲル（シクロヘキサン：酢酸エチル、９：１）でクロマトグラフする。収率：６．３ｇ（３１ｍｍｏｌ）、３１％、純度：約９５％（ＮＭＲ）。
【０１００】
以下のリガンドが同様にして調製される。
【化１７】
0005897565.tif 000023
【０１０１】
例８
【化１８】
0005897565.tif 000024
【０１０２】
４．１７ｇ（２０ｍｍｏｌ）の（Ｚ）−３，５−ジイソシアノ−２，２，６，６−テトラメチルヘプタ−３−エン及び６４１ｍｇ（２０ｍｍｏｌ）のナトリウムメトキシドを、５．３２ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラキス（イソシアノメタン）白金（ＩＩ）ビステトラフルオロボレート［３３９８９−８９−８］の１００ｍｌのアセトニトリル溶液に添加し、混合物を５０℃で２０ｈ撹拌する。溶媒を真空中で除去し、残渣を１００ｍｌのジクロロメタンに溶解し、短いセライト層を通して懸濁液を濾過し、濾液を５ｍｌの体積まで蒸発させ、次いで３０ｍｌのヘプタンで覆う。４８ｈの放置後、結晶を吸引濾過し、毎回２０ｍｌのヘキサンで３回洗浄し、減圧中で乾燥させ、次いで高真空中で分別昇華を２回施す（ｐ約１０-6ｍｂａｒ、Ｔ約３２０℃）。収率：３．２ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、２７％、純度：＞９９．５％（ＮＭＲ）。
【０１０３】
以下の錯体は、金属の出発材料とリガンドとの反応により同様に調製し、使用される金属の出発材料は、以下の化合物である：
−  テトラキス（イソシアノメタン）白金（ＩＩ）ビステトラフルオロボレート［３３９８９−８９−８］
−  テトラキス（イソシアノメタン）パラジウム（ＩＩ）ビステトラフルオロボレート［２１７９７−１３−７］
−  テトラキス（イソシアノメタン）銅（Ｉ）ペルクロレート［１４０５７−９１−１］
−  ビス（イソシアノメタン）金（Ｉ）テトラフルオロボレート［１００３３３−９３−５］
−  シクロオクタジエニル−ビス（イソシアノメタン）イリジウム（Ｉ）テトラフルオロボレート［３２６７９−０３−１］
−  ジクロロ−（２，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）アセトニトリル）白金（ＩＩ）［９３７０２５−３６−０］
【化１９】
0005897565.tif 000025
【化２０】
0005897565.tif 000026
【０１０４】
気相からの有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造及び特性評価
本発明のエレクトロルミネッセンスデバイスは、例えば、ＷＯ２００５／００３２５３に記載されている通りに製造することができる。
【０１０５】
ここで、以下のデバイス構造が使用される：
正孔注入層（ＨＩＬ）  ２０ｎｍの２，２’，７，７’−テトラキス（ジ−パラ−トリルアミノ）スピロ−９，９’−ビフルオレン
正孔輸送層（ＨＴＬ）  ５ｎｍのＮＰＢ（Ｎ−ナフチル−Ｎ−フェニル−４，４‘−ジアミノビフェニル）
電子ブロッキング層（ＥＢＬ）  ＥＢＬ１、１５ｎｍまたはＥＢＬ２、１５ｎｍ
発光層（ＥＭＬ）  マトリックスＭ１又はＭ２またはそれらの組合せ、４０ｎｍ
発光体：１０体積％ドーピング
電子伝導体（ＥＴＬ）  ２０ｎｍのＢＡｌｑ
陰極                  １ｎｍのＬｉＦ、最上部に１００ｎｍのＡｌ。
【０１０６】
ＥＢＬ及びＭの構造は、明確にするために以下で示される：
【化２１】
0005897565.tif 000027
【０１０７】
これらのまだ最適化されていないＯＬＥＤは、標準的方法により特性評価され；この目的のために、電流／電圧／輝度特性線（ＩＵＬ特性線）からのエレクトロルミネッセンススペクトル、輝度の関数としての外部量子効率（％で測定）及び電圧（Ｖで測定）を求める。
【表２】
0005897565.tif 000028