(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転側部材の回転にともなう磁気の変化を検出する検出体が埋設されたセンシング部と、そのセンシング部の検出体の出力信号に基づいた演算を行って磁気の変化に応じた信号を出力する信号演算部とを備え、かつ、前記センシング部と前記信号演算部とがＬ字形状をなしている磁気検出部材を使用し、前記磁気検出部材が樹脂によりモールドされている回転検出装置において、前記磁気検出部材を金型内に配置して樹脂によりインサート成形を行うことで、前記磁気検出部材をモールドするモールド樹脂部材を形成する回転検出装置の製造方法であって、
前記金型には、前記磁気検出部材のセンシング部における厚さ方向の一側面のうちの前記検出体に対応する部分を部分的に保持する保持部が設けられ、
前記金型の保持部により前記磁気検出部材のセンシング部の一側面の前記検出体に対応する部分を部分的に保持した状態で、前記インサート成形を行う
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回転検出装置の製造方法であって、
前記磁気検出部材のセンシング部は、該センシング部の信号演算部側に位置する一側面の前記検出体に対応する部分が前記金型の保持部により部分的に保持され、
前記センシング部の信号演算部側とは反対側に位置する他側面に対向する前記金型の壁部に設けられかつ前記信号演算部に対応する位置に配置された射出ゲートから樹脂を射出する
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の回転検出装置の製造方法であって、
前記磁気検出部材を２個使用し、
前記金型内に、前記両磁気検出部材を向い合わせにかつ前記センシング部を相互に重ねた状態で配置し、
前記両センシング部のうちの信号演算部側に位置する一側面の前記検出体に対応する部分が前記金型の保持部により部分的に保持され、
前記両センシング部のうちの信号演算部側とは反対側に位置する他側面に対向する前記金型の壁部に設けられかつ相互に所定間隔を隔てて前記両信号演算部に対応する位置に配置された一対の射出ゲートから樹脂を射出する
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の回転検出装置の製造方法であって、
前記磁気検出部材のリードと該リードに接続されるターミナルとの接続部を相互に平板同士で重ね合わせ、前記リードに溶接電極を当接し、ターミナルにアース電極を当接させた状態で、両電極間に通電することにより抵抗溶接を行い、
前記アース電極の先端面は、前記ターミナルに面接触する平面に形成され、
前記溶接電極の先端面は、前記リードの溶接による変形により該リードに面接触する傾斜面を有する凸状面に形成されている
ことを特徴とする回転検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転側部材の回転角度を検出する回転検出装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回転検出装置の製造方法としては、回転側部材の回転にともなう磁気の変化を検出するセンシング部と、そのセンシング部の出力信号に基づいた演算を行って磁気の変化に応じた信号を出力する信号演算部とを備え、かつ、センシング部と信号演算部とがＬ字形状をなしている磁気検出部材を使用し、磁気検出部材が樹脂によりモールドされている回転検出装置において、磁気検出部材を金型内に配置して樹脂によりインサート成形を行うことで、磁気検出部材をモールドするモールド樹脂部材を形成する方法がある（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１０２７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の回転検出装置の製造方法によると、磁気検出部材のセンシング部における検出体に対応する面を金型により保持することなく、インサート成形が行われていた。したがって、インサート成形時において、センシング部の厚さ方向の両側面に対して樹脂（溶融樹脂）の流動による圧力、摩擦力等の抗力が加わることによって、センシング部が移動し、センシング部の位置精度が低下するという問題があった。このことは、センシング部の検出体の検出性能の低下を招くことから好ましくない。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、インサート成形時の樹脂の流動による磁気検出部材のセンシング部の位置精度の低下を防止することのできる回転検出装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明は、回転側部材の回転にともなう磁気の変化を検出するセンシング部と、そのセンシング部の出力信号に基づいた演算を行って磁気の変化に応じた信号を出力する信号演算部とを備え、かつ、センシング部と信号演算部とがＬ字形状をなしている磁気検出部材を使用し、磁気検出部材が樹脂によりモールドされている回転検出装置において、磁気検出部材を金型内に配置して樹脂によりインサート成形を行うことで、磁気検出部材をモールドするモールド樹脂部材を形成する回転検出装置の製造方法であって、金型には、磁気検出部材のセンシング部における検出体に対応する厚さ方向の一側面を保持する保持部が設けられ、金型の保持部により磁気検出部材のセンシング部の一側面を部分的に保持した状態で、インサート成形を行う方法である。この構成によると、インサート成形時に、金型の保持部により磁気検出部材のセンシング部の厚さ方向の一側面が部分的に保持される。これにより、インサート成形時の樹脂の流動によるセンシング部の厚さ方向の検出体の移動が防止されるため、センシング部の位置精度の低下を防止することができる。ひいては、センシング部の検出体の検出性能の低下を防止することができる。
【０００７】
また、センシング部の一側面における保持部に対応する部分以外の部分に樹脂を充填することができる。これにより、モールド樹脂部材によりセンシング部を安定的に保持することができる。また、金型の保持部によりモールド樹脂部材に形成された空洞部に対して後工程で樹脂（溶融樹脂）が充填される場合にあっては、センシング部の一側面が部分的に空洞部に露出するだけである。このため、センシング部の一側面が全面的に露出する場合と異なり、後工程での樹脂成形時の成形圧の受圧面積（空洞部に露出する面積）が小さく、したがって、センシング部に加わる応力を低減することができる。これとともに、センシング部の一側面における保持部に対応する部分以外の部分がモールド樹脂部材により保持されている。このため、後工程での樹脂成形時において、センシング部に加わる応力による一側面の変形を防止することができる。これにより、センシング部の検出体の検出性能の低下を防止することができる。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明において、磁気検出部材のセンシング部は、センシング部の信号演算部側に位置する一側面が金型の保持部により部分的に保持され、センシング部の信号演算部側とは反対側に位置する他側面に対向する金型の壁部に設けた射出ゲートから樹脂を射出する方法である。したがって、センシング部の近傍の射出ゲートから樹脂が射出されるため、例えば磁気検出部材のセンシング部とは反対側に配置された射出ゲートから樹脂を射出する場合と比べて、樹脂の流動のばらつきや成形収縮が小さくなり、センシング部の成形歪を防止することができる。
【０００９】
第３の発明は、第１の発明において、磁気検出部材を２個使用し、金型内に、両磁気検出部材を向い合わせにかつセンシング部を相互に重ねた状態で配置し、両センシング部のうちの信号演算部側に位置するセンシング部の厚さ方向の一側面が金型の保持部により部分的に保持され、両センシング部のうちの信号演算部側とは反対側に位置するセンシング部の他側面に対向する金型の壁部に設けられかつ相互に所定間隔を隔てて配置された複数の射出ゲートから樹脂を射出する方法である。したがって、複数の射出ゲートいわゆる多点ゲートにより樹脂を射出するため、ゲート断面積を大きくし、圧力損失を小さくすることができる。これによって、成形を安定化し、センシング部の成形歪を防止することができる。また、複数の射出ゲートを、相互に所定間隔を隔てて配置することにより、両磁気検出部材に対して樹脂をバランスよく充填することができる。
【００１０】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明において、磁気検出部材のリードと該リードに接続されるターミナルとの接続部を相互に平板同士で重ね合わせ、リードに溶接電極を当接し、ターミナルにアース電極を当接させた状態で、両電極間に通電することにより抵抗溶接を行い、アース電極の先端面は、ターミナルに面接触する平面に形成され、溶接電極の先端面は、リードの溶接による変形により該リードに面接触する傾斜面を有する凸状面に形成されている。したがって、磁気検出部材のリードとターミナルとの接続部を相互に平板同士で重ね合わせて抵抗溶接を行うため、溶接界面が平面となる。このため、プロジェクション溶接と異なり、溶接による磁気検出部材の傾きを防止するとともに、溶け込みによる磁気検出部材の沈み込みを防止し、ターミナルに磁気検出部材を所定の姿勢で所定の位置に精度良く接続することができる。また、プロジェクション溶接の場合に、ターミナルに形成されるプロジェクションを廃止することができるため、プロジェクションの形成に係る加工工程（例えばプレス加工）を省略し、コストを低減することができる。また、アース電極の先端面は、ターミナルに面する平面とされ、溶接電極の先端面は、リードの溶接による変形によりリードに面接触する傾斜面を有する凸状面に形成されている。したがって、磁気検出部材のリードとターミナルを、抵抗溶接でありながら確実に溶接することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１に係るスロットル制御装置を示す断面図である。
【図２】スロットル制御装置のカバーを示す斜視図である。
【図３】回転角センサの周辺部を示す断面図である。
【図４】回転角センサを示す斜視図である。
【図５】回転角センサのセンサ本体を示す正面図である。
【図６】回転角センサのセンサ本体を示す平面図である。
【図７】回転角センサのセンサ本体を示す下面図である。
【図８】回転角センサのセンサ本体を示す左側面図である。
【図９】回転角センサのセンサ本体を示す正断面図である。
【図１０】回転角センサのセンサ本体の磁電変換ＩＣのセンシング部の周辺部を示す正断面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線矢視断面図である。
【図１２】図１０のXII−XII線矢視断面図である。
【図１３】磁電変換ＩＣ組立品を示す斜視図である。
【図１４】磁電変換ＩＣ組立品を分解して示す斜視図である。
【図１５】磁電変換ＩＣを示す正面図である。
【図１６】金型を型締め状態で示す正断面図である。
【図１７】金型を型開き状態で示す正断面図である。
【図１８】下型の第１保持型を示す正面図である。
【図１９】下型の第１保持型を示す左側面図である。
【図２０】下型の第１保持型を示す平面図である。
【図２１】図２０のXXI−XXI線矢視断面図である。
【図２２】図２０のXXII−XXII線矢視断面図である。
【図２３】磁電変換ＩＣ組立品を下型にセットした状態を示す正断面図である。
【図２４】磁電変換ＩＣ組立品を下型にセットした状態を示す左側面図である。
【図２５】磁電変換ＩＣ組立品を下型にセットした状態を示す平面図である。
【図２６】磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接状態を示す正断面図である。
【図２７】溶接にかかる治具とセンシング部との関係を示す平面図である。
【図２８】磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接部を示す断面図である。
【図２９】溶接電極の先端部を示す斜視図である。
【図３０】プロジェクション溶接にかかる磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接状態を示す正断面図である。
【図３１】プロジェクション溶接にかかる磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接部を示す断面図である。
【図３２】溶接後の磁電変換ＩＣを示す正面図である。
【図３３】実施形態２に係る下型の第１保持型を示す正面図である。
【図３４】下型の第１保持型を示す左側面図である。
【図３５】下型の第１保持型を示す平面図である。
【図３６】図３５のXXXVI−XXXVI線矢視断面図である。
【図３７】図３５のXXXVII−XXXVII線矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。
【００１３】
［実施形態１］
実施形態１を説明する。本実施形態は、自動車等の車両に搭載される電子制御式のスロットル制御装置におけるスロットルバルブの回転角度すなわち開度を検出する非接触式のスロットルポジションセンサとして用いられる回転角センサの製造方法について例示する。説明の都合上、スロットル制御装置、回転角センサ、回転角センサの製造方法の順に説明する。
【００１４】
スロットル制御装置について説明する。図１はスロットル制御装置を示す断面図である。なお、スロットル制御装置については図１における上下左右を基準として説明を行う。
図１に示すように、スロットル制御装置１０はスロットルボデー１２を備えている。スロットルボデー１２は、例えばアルミ製でボア壁部１４を有している。ボア壁部１４は、前後方向（図１において紙面表裏方向）に延びる中空円筒状に形成されている。ボア壁部１４内に、吸気通路としてのボア１３が形成されている。また、ボア壁部１４には、ボア１３を径方向すなわち左右方向に横切る金属製のスロットルシャフト１６が配置されている。スロットルシャフト１６は、ボア壁部１４の左右両側部に形成された軸受部１５に対してそれぞれ軸受（符号省略）を介して回転可能に保持されている。また、スロットルシャフト１６には、円板状をなすバタフライバルブ式のスロットルバルブ１８がスクリュ１８ｓにより締着されている。スロットルバルブ１８は、スロットルシャフト１６と一体で回転することによりボア１３を開閉する。なお図示しないが、ボア壁部１４の上流側にはエアクリーナが接続されるとともに、ボア壁部１４の下流側にはインテークマニホールドが接続される。
【００１５】
前記スロットルシャフト１６の右端部は、前記スロットルボデー１２の右側の軸受部１５を貫通している。その軸受部１５から突出されたスロットルシャフト１６の右端部には、スロットルギヤ２２が回り止め状態で取付けられている。このため、スロットルギヤ２２は、スロットルシャフト１６及びスロットルバルブ１８と一体で回転する。また、スロットルギヤ２２は、例えば樹脂製で、二重円筒状をなす内筒部２２ｅ及び外筒部２２ｆを有している。内筒部２２ｅは、スロットルシャフト１６と同心状をなしている。また、外筒部２２ｆの外周部には、扇形のギヤ部２２ｗが形成されている。また、スロットルギヤ２２とスロットルボデー１２との対向面の間には、コイルスプリングからなるバックスプリング２６が介装されている。バックスプリング２６は、スロットルギヤ２２を常に閉じる方向へ付勢している。
【００１６】
前記スロットルボデー１２の下側部には、前記スロットルシャフト１６に対して平行状をなすモータハウジング部１７が一体形成されている。モータハウジング部１７は、右端面を開口する有底円筒状に形成されている。モータハウジング部１７内には、例えばＤＣモータ等からなる駆動モータ２８が配置されている。また、駆動モータ２８は、自動車等のアクセルペダルの踏み込み量等に基づいて、エンジンコントロールユニットいわゆるＥＣＵ（図示省略）から出力される信号により駆動制御される。駆動モータ２８から右方へ突出されている出力回転軸（図示省略）には、ピニオンギヤ２９が回り止め状態で取付けられている。
【００１７】
前記スロットルボデー１２の右側面には、前記スロットルシャフト１６と平行をなすカウンタシャフト２３が設けられている。カウンタシャフト２３には、カウンタギヤ２４が回転可能に保持されている。カウンタギヤ２４は、ギヤ径の異なる大小二つのギヤ部２４ａ，２４ｂを有している。大径側のギヤ部２４ａは、前記ピニオンギヤ２９と噛合されている。また、小径側のギヤ部２４ｂは、前記スロットルギヤ２２（詳しくはギヤ部２２ｗ）と噛合されている。したがって、駆動モータ２８の回転駆動力は、ピニオンギヤ２９、カウンタギヤ２４、スロットルギヤ２２を介してスロットルシャフト１６に伝達される。スロットルシャフト１６の回転にともない、スロットルバルブ１８が回転すなわち開閉されることにより、ボア１３を流れる吸入空気量が調節される。なお、ピニオンギヤ２９、カウンタギヤ２４及びスロットルギヤ２２により、減速ギヤ機構２１が構成されている。
【００１８】
前記スロットルギヤ２２の内筒部２２ｅの内周部には、円筒状のヨーク３３、及び、ヨーク３３の内側に配置された一対の永久磁石３５が一体的に設けられている（図３参照）。図３は回転角センサの周辺部を示す断面図である。ヨーク３３は、磁性材料からなる。また、一対の永久磁石３５は、例えばフェライト磁石からなり、相互間すなわち内筒部２２ｅ内の中空円筒状の空間部すなわち磁場空間に略平行な磁界が発生するように平行着磁されている。なお、永久磁石３５は本明細書でいう「界磁部材」に相当する。
【００１９】
図１に示すように、前記スロットルボデー１２の右側面には、前記減速ギヤ機構２１を覆うカバー３０が取付けられている。カバー３０は、例えば樹脂製で、スロットルギヤ２２の回転角度すなわちスロットルバルブ１８の開度を検出するための回転角センサ４０がインサート成形により一体化されてなる。なお、スロットルギヤ２２は本明細書でいう「回転側部材」に相当する。また、回転角センサ４０は本明細書でいう「回転検出装置」に相当する。また、カバー３０は本明細書でいう「固定側部材」、「回転角センサ付き部品」、「回転検出装置付き部品」に相当する。また、カバー３０については後で説明する。
【００２０】
次に、回転角センサ４０について説明する。図４は回転角センサを示す斜視図、図５は回転角センサのセンサ本体を示す正面図、図６は同じく平面図、図７は同じく下面図、図８は同じく左側面図、図９は同じく正断面図である。なお、説明の都合上、回転角センサ４０については図５における上下左右を基準として説明を行う。
図９に示すように、回転角センサ４０は、２個の磁電変換ＩＣ４１と、金属製板材からなる複数本（例えば４本）のセンサターミナル４２と、両磁電変換ＩＣ４１をモールドすなわち埋設した樹脂製のモールド樹脂部材４６とを備えている。なお、４本のセンサターミナル４２を総称して「センサターミナル４２群」という。また、両磁電変換ＩＣ４１とセンサターミナル４２群とモールド樹脂部材４６とにより、センサ本体５０が構成されている。以下、順に説明する。
【００２１】
前記磁電変換ＩＣ４１を説明する。図１５は磁電変換ＩＣを示す正面図である。図１５は曲げ加工が施される前の磁電変換ＩＣ４１を示している。なお、磁電変換ＩＣ４１については図１５における上下左右を基準として説明を行う。
図１５に示すように、磁電変換ＩＣ４１は、例えば強磁性磁気抵抗素子（ＭＲＥ）を用いたセンサＩＣからなる。磁電変換ＩＣ４１は、横長四角形板状のセンシング部５２と、縦長四角形板状の信号演算部５４と、センシング部５２と信号演算部５４とを上下に電気的に接続する複数（例えば６本）の帯板状の連結端子５６と、信号演算部５４の連結端子５６とは反対側（すなわち下側）から電気的に引き出された複数（例えば３本）の帯板状のリード５８とを有している。
【００２２】
前記センシング部５２は、強磁性磁気抵抗素子からなる四角形板状のブリッジチャンネル部５２ａが、金属製の帯板状の保持板５２ｂの長手方向の中央部上に重ねて配置した状態で、樹脂製の四角形板状の外殻部材５２ｃ内の中央部にモールドすなわち埋設されてなる。保持板５２ｂは、センシング部５２と信号演算部５４の並び方向（上下方向）に直交する方向（左右方向）に延びており、その両端部が外殻部材５２ｃの両側面から突出されている。なお、ブリッジチャンネル部５２ａは本明細書でいう「検出体」に相当する。また、センシング部５２の板厚方向（図１５において紙面表裏方向）は本明細書でいう「厚さ方向」に相当する。
【００２３】
前記信号演算部５４は、半導体集積回路（図示省略）が樹脂製の四角形板状の外殻部材５４ａ内の中央部にモールドすなわち埋設されてなる。センシング部５２と信号演算部５４の外殻部材５２ｃ，５４ａは、その並び方向（上下方向）に同一外形で形成されている。また、信号演算部５４の外殻部材５４ａは、センシング部５２の外殻部材５２ｃに比べて、センシング部５２と信号演算部５４の並び方向（上下方向）に長く形成されている。
【００２４】
前記６本の連結端子５６は、センシング部５２及び信号演算部５４の厚さ方向（前後方向）の中央部に位置する一平面上においてセンシング部５２と信号演算部５４の並び方向に直交する方向（左右方向）に相互に所定間隔を隔てて平行状に配置されている。また、前記３本のリード５８は、前記一平面上においてセンシング部５２と信号演算部５４の並び方向に直交する方向（左右方向）に相互に所定間隔を隔てて平行状に配置されている。各連結端子５６及びリード５８の板厚方向は、センシング部５２及び信号演算部５４の厚さ方向と同方向すなわち前後方向（図１５において紙面表裏方向）に向けられている。なお、６本の連結端子５６を総称して「連結端子５６群」という。なお、３本のリード５８を総称して「リード５８群」という。
【００２５】
前記曲げ加工前の磁電変換ＩＣ４１（図１５参照）における連結端子５６群に対して、Ｌ字形状に曲げる曲げ加工が施されている。なお、曲げ加工が施された磁電変換ＩＣ４１が図１４に示されている。図１４は磁電変換ＩＣ組立品を分解して示す斜視図である。
図１４に示すように、磁電変換ＩＣ４１は、連結端子５６群の曲げ加工により、前記センシング部５２と前記信号演算部５４とが直角状すなわちＬ字形状をなしている。また、リード５８群には、連結端子５６群の曲げ方向と反対方向へＬ字形状に曲げる曲げ加工が施されている。このように曲げ加工が施された磁電変換ＩＣ４１が本明細書でいう「磁気検出部材」に相当する。
【００２６】
図１４に示すように、前記両磁電変換ＩＣ４１は２個用意される。２個の磁電変換ＩＣ４１は、左右に向い合わせにかつセンシング部５２を相互すなわち上下に重ねた状態で配置されている。本実施形態では、左側の磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２上に右側の磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２が重ねられる（図９参照）。なお、本実施形態では、フェイルセーフを考慮して２個の磁電変換ＩＣ４１を用いており、仮にどちらかの磁電変換ＩＣ４１が故障した場合でも残りの磁電変換ＩＣ４１で検出機能を確保できるように構成されている。また、両磁電変換ＩＣ４１は、後述するように、両磁電変換ＩＣ４１がセンサターミナル４２群に接続された状態で樹脂（モールド樹脂部材４６）によりモールドされることによって所定位置に保持される（図９参照）。
【００２７】
次に、前記センサターミナル４２群を説明する。図１４に示すように、センサターミナル４２群は、水平状の一平面上に配置されている。センサターミナル４２群の板厚方向（厚さ方向）は、上下方向に向けられている。センサターミナル４２群において、センサターミナル４２（符号、（ａ）を付す）は電源用ターミナル、センサターミナル４２（符号、（ｂ）を付す）は接地用ターミナル、センサターミナル４２（符号、（ｃ）を付す）及びセンサターミナル４２（符号、（ｄ）を付す）は信号出力用ターミナルとしてそれぞれ設定されている。なお、各センサターミナル４２は本明細書でいう「ターミナル」に相当する。
【００２８】
前記センサターミナル４２群のコネクタ側の端子部４２ａは、右側後部において左右方向に相互に所定の間隔を隔てて平行状に配置されている。なお、センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部を端子部４２ｂという。
【００２９】
図７に示すように、前記電源用センサターミナル４２（ａ）は、二又状に分岐されたＩＣ接続側の端子部４２ｂを有し、その両端子部４２ｂが左右方向に対向状をなすように形成されている。また、前記接地用センサターミナル４２（ｂ）は、二又状に分岐されたＩＣ接続側の端子部４２ｂを有し、その先端部が左右方向に相反状をなすように形成されている。接地用センサターミナル４２（ｂ）の両端子部４２ｂは、電源用センサターミナル４２（ａ）の両端子部４２ｂの前側（図７において上側）において所定間隔を隔てて平行状に配置されている。また、前記両信号出力用センサターミナル４２（ｃ），４２（ｄ）は、それぞれＩＣ接続側の端子部４２ｂを有し、その両端子部４２ｂが左右方向に対向状をなすように形成されている。両信号出力用センサターミナル４２（ｃ），４２（ｄ）の両端子部４２ｂは、接地用センサターミナル４２（ｂ）の両端子部４２ｂの前側（図７において上側）において所定間隔を隔てて並列状に配置されている。
【００３０】
図１４に示すように、前記センサターミナル４２群のＩＣ接続側の各端子部４２ｂは、その基端部を段付状いわゆるＺ字状に折り曲げることにより、センサターミナル４２群のコネクタ側の端子部４２ａを含む本体部（符号、４２ｃを付す）に比べて高い位置に配置されている（図９参照）。センサターミナル４２群のＩＣ接続側の各端子部４２ｂの基端部のＺ字状の折り曲げによって上下方向に延びる部分を立上り部（符号、４２ｄを付す）という。また、右側において前後方向（図９において紙面表裏方向）に並ぶ３つの端子部４２ｂは、左側において前後方向に並ぶ３つの端子部４２ｂに比べて高い位置に配置されている。すなわち、右側の各端子部４２ｂの立上り部４２ｄは、左側の各端子部４２ｂの立上り部４２ｄの高さに比べて高い高さを有する。
【００３１】
なお、前記両磁電変換ＩＣ４１の接続前においては、相互に隣り合う各センサターミナル４２の相互間はそれぞれタイバー４５（図１４参照）を介して連結されている。そして、両磁電変換ＩＣ４１の接続後のモールド樹脂部材４６の成形後において、各タイバー４５は不要部として除去されることによって、各センサターミナル４２が分離されて、それぞれ電気的に独立したターミナルとされる（図４及び図７参照）。
【００３２】
前記センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂ上には、前記両磁電変換ＩＣ４１の各リード５８がそれぞれ配置されかつ溶接によって固定的に接続されている（図１３参照）。図１３は磁電変換ＩＣ組立品を示す斜視図である。また、両磁電変換ＩＣ４１とセンサターミナル４２群との組立品を磁電変換ＩＣ組立品５９という。なお、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂとの溶接方法については後で説明する。
【００３３】
次に、前記モールド樹脂部材４６を説明する。図９に示すように、モールド樹脂部材４６は、前記磁電変換ＩＣ組立品５９（図１３参照）の両磁電変換ＩＣ４１をモールドすなわち埋設する樹脂である。モールド樹脂部材４６のモールドによって両磁電変換ＩＣ４１が所定位置に保持されている。図１０は回転角センサのセンサ本体の磁電変換ＩＣのセンシング部の周辺部を示す正断面図、図１１は図１０のXI−XI線矢視断面図、図１２は図１０のXII−XII線矢視断面図である。
【００３４】
図１０に示すように、前記両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａが同心状に配置されている（図１０中、軸線Ｌ参照）。また、両センシング部５２の保持板５２ｂが上下に平行状に配置されている。また、両信号演算部５４が左右に所定間隔を隔てて平行状に配置されている。また、本実施形態では、両センシング部５２のうち、下側のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａが保持板５２ｂの上側に配置されているとともに、上側のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａが保持板５２ｂの下側に配置されている。なお、下側のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａを保持板５２ｂの下側に配置してもよいし、また、上側のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａを保持板５２ｂの上側に配置してもよい。
【００３５】
図９に示すように、前記モールド樹脂部材４６は、両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａと同心をなす円柱状に形成されている（図９中、軸線Ｌ参照）。また、モールド樹脂部材４６の上端部には、上端側（先端側）を小径とする円錐台状の先端凸部６０が形成されている（図５及び図８参照）。先端凸部６０の円錐状斜面における上下方向の中央部には、軸線Ｌに直交する平面からなる左右一対の台座６１が左右対称状に形成されている。台座６１は、先端凸部６０の径方向（左右方向）に延びる長円形状に形成されている（図６参照）。また、台座６１は、先端凸部６０の円錐状斜面を径方向に横切って形成されている。
【００３６】
前記モールド樹脂部材４６の下面の中央部には、中空状の第１空洞部６３が形成されている。第１空洞部６３には、両磁電変換ＩＣ４１の信号演算部５４（詳しくは外殻部材５４ａ）の対向する側面が露出されている。また、第１空洞部６３には、両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２のうちの下側に位置するセンシング部５２の下面の一部が部分的に露出されている。詳しくは、図１０〜図１２に示すように、第１空洞部６３の上端部には、センシング部５２の下面の中央部を露出する中空円筒状の第１中空孔部６３ａと、センシング部５２の下面の前後両端部を露出する中空半円筒状の第２中空孔部６３ｂと、センシング部５２の前後両側部を露出する中空幅広角筒状の第３中空孔部６３ｃが前後対称状に形成されている。これらの中空孔部６３ａ，６３ｂ，６３ｃの周囲は、モールド樹脂部材４６により埋設されている（図１０〜図１２におけるハッチング参照）。
【００３７】
図９に示すように、前記モールド樹脂部材４６の下面の左側部には、中空状の第２空洞部６５が形成されている。第２空洞部６５には、前記センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの左側に並ぶ３つの端子部４２ｂの下面、及び、その下面に連続する立上り部４２ｄの側面が露出されている（図７及び図９参照）。また、モールド樹脂部材４６の下面の左側部には、中空状の第３空洞部６７が形成されている。第３空洞部６７には、前記センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの右側に並ぶ３つの端子部４２ｂの下面、及び、その下面に連続する立上り部４２ｄの側面が露出されている（図７及び図９参照）。なお、モールド樹脂部材４６の成形方法については後で説明する。
【００３８】
次に、前記カバー３０を説明する。図２はスロットル制御装置のカバーを示す斜視図である。図２に示すように、カバー３０の樹脂部であるカバー本体３１には、前記回転角センサ４０（図４参照）がインサート成形により一体化されている。カバー本体３１の内側の上部には、センサ本体５０のモールド樹脂部材４６の先端部（図４において上端部）が突出状に露出されている。カバー本体３１の右下部（図２において右上部）に形成された筒状のコネクタ部３１ａ内に、センサターミナル４２群のコネクタ側の端子部４２ａが露出されている。また、カバー本体３１には、回転角センサ４０の残りの部分が埋設されている。
【００３９】
前記カバー本体３１には、前記回転角センサ４０とともに２本のモータターミナル４４（図４参照）がインサート成形により一体化されている。なお、２本のモータターミナル４４を総称して「モータターミナル４４群」という。また、コネクタ部３１ａ内には、２本のモータターミナル４４のコネクタ側の端子部４４ａが露出されている。端子部４４ａは、センサターミナル４２群のコネクタ側の端子部４２ａと列状をなすようにかつ相互に所定の間隔を隔てて平行状に配置されている。また、カバー本体３１の内側の下端部には、モータターミナル４４群のモータ側の端子部４４ｂが前後に並ぶ状態で露出されている（図２参照）。また、カバー本体３１には、モータターミナル４４群の残りの部分が埋設されている。なお、モータターミナル４４は、回転角センサ４０を構成するものでないため、図４に二点鎖線４４で表されている。
【００４０】
図１に示すように、前記カバー３０は、前記スロットルボデー１２に対して減速ギヤ機構２１を覆うようにして取付けられている。これにより、前記回転角センサ４０のセンサ本体５０のモールド樹脂部材４６（詳しくは先端部）が、前記スロットルギヤ２２の内筒部２２ｅの空間部（磁場空間）に対して遊嵌状にかつ同心状に配置されている（図３参照）。このため、モールド樹脂部材４６は、スロットルギヤ２２の内筒部２２ｅ（永久磁石３５及びヨーク３３を含む）に対して非接触の関係をなしている。これとともに、両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａが、スロットルギヤ２２の内筒部２２ｅ（永久磁石３５及びヨーク３３を含む）に対して同心状をなしている（図３中、軸線Ｌ参照）。また、前記駆動モータ２８の両端子６８に対して、カバー３０におけるモータターミナル４４群のモータ側の端子部４４ｂが電気的に接続されている（図１参照）。
【００４１】
前記したスロットル制御装置１０（図１参照）において、カバー３０のコネクタ部３１ａ（図２参照）には、図示しないエンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）につながる外部コネクタが接続される。また、駆動モータ２８の駆動により前記スロットルギヤ２２が回転すると、スロットルギヤ２２（詳しくは内筒部２２ｅ）の空間部（磁場空間）に発生する一対の永久磁石３５の間の磁気の変化すなわち磁束の方向が変化し、その変化した磁束の方向が回転角センサ４０（図３参照）のセンサ本体５０の両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２（詳しくはブリッジチャンネル部５２ａ）で検出され、その検出信号が両信号演算部５４（詳しくは半導体集積回路）に入力される。両信号演算部５４（詳しくは半導体集積回路）は、両センシング部５２から入力された磁束の方向に応じた検出信号を処理して回転角度に応じたリニアな回転角度信号（電圧信号）をエンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）に出力する。エンジンコントロールユニット（ＥＣＵ）は、回転角度信号に基づいて、スロットルギヤ２２の回転角度すなわちスロットルバルブ１８の開度を演算する。
【００４２】
次に、前記回転角センサ４０の製造方法すなわちセンサ本体５０のモールド樹脂部材４６の成形方法について説明する。まず、両磁電変換ＩＣ４１をモールド樹脂部材４６となる樹脂（溶融樹脂）によりインサート成形する際に用いる成形型いわゆる金型について説明する。図１６は金型を型締め状態で示す正断面図、図１７は同じく型開き状態で示す正断面図である。なお、説明の都合上、金型については、図１６における上下左右を基準として説明を行う。また、金型の各方位は、磁電変換ＩＣ組立品５９の各方位と対応する。
【００４３】
図１７に示すように、金型７０は、上型７２と下型７６とから構成されている。本実施形態では、上型７２が固定型とされ、また、下型７６が可動型とされている。上型７２は、前記モールド樹脂部材４６（図５〜図９参照）の下面を除いた残りの外表面を成形する有天筒状の成形凹部７３を備えている。また、上型７２の上壁部７２ａには、左右一対の射出ゲート７４が相互に所定間隔を隔てて設けられている。詳しくは、両射出ゲート７４は、両磁電変換ＩＣ４１の向い合わせ方向すなわち左右方向に所定間隔を隔てて設けられている。また、両射出ゲート７４は、モールド樹脂部材４６（図９参照）の上端部における両台座６１（詳しくは中央部）に対応している。また、両射出ゲート７４は、両台座６１に対して直交するように、上下方向に延びる直線状に形成されている。なお、上型７２の上壁部７２ａは、上側のセンシング部５２の上面に対向する壁部に相当する。
【００４４】
前記下型７６は、上下方向に進退移動可能である。すなわち、下型７６は、上型７２に対する上動によって型締めされ、下動によって型開きされる。下型７６の上面（型合わせ面）７６ａ上には、第１保持型７８が突出状に設けられている。図１８は下型の第１保持型を示す正面図、図１９は同じく左側面図、図２０は同じく平面図、図２１は図２０のXXI−XXI線矢視断面図、図２２は図２０のXXII−XXII線矢視断面図である。
【００４５】
図２１及び図２２に示すように、前記第１保持型７８は、前記磁電変換ＩＣ組立品５９の両磁電変換ＩＣ４１を保持するもので、前後方向を長くする断面長四角形状の角柱状に形成されている。第１保持型７８の先端部（上端部）には、左右方向に開口するＵ字溝状の凹溝８０が形成されている（図１９及び図２０参照）。凹溝８０の溝底面８０ａは、第１保持型７８の軸線（中心線）７８Ｌに直交する平面で形成されている。溝底面８０ａの中央部上には、円柱状の第１保持凸部８４が突出されている。第１保持凸部８４は、第１保持型７８の軸線７８Ｌに対して同心状に形成されている。また、凹溝８０の溝底面８０ａと両溝壁８１とのなす隅角部には、半円柱状の第２保持凸部８５が平面側を溝壁８１側として前後対称状に形成されている。第１保持凸部８４と両第２保持凸部８５とは相互に所定の間隔を隔てて形成されている。また、第１保持凸部８４及び両第２保持凸部８５の上面は、第１保持型７８の軸線７８Ｌに直交する平面で形成されている。また、両溝壁８１の対向壁面には、上下方向に延びる位置決め溝８２が形成されている（図２０及び図２２参照）。両位置決め溝８２の上端面は開放されており、その下端面は両第２保持凸部８５の上面により閉鎖されている（図１９参照）。
【００４６】
図１７に示すように、前記下型７６の型合わせ面７６ａ上には、前記第１保持型７８の左側に位置する第２保持型８７が突出状に設けられている。第２保持型８７は、前記磁電変換ＩＣ組立品５９のセンサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの左側に並ぶ３つの端子部４２ｂを保持するもので、前後方向（図１７において紙面表裏方向）に延びる直方体状に形成されている。また、下型７６の型合わせ面７６ａ上には、第１保持型７８の右側に位置する第３保持型８９が突出状に設けられている。第３保持型８９は、磁電変換ＩＣ組立品５９のセンサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの右側に並ぶ３つの端子部４２ｂを保持するもので、前後方向（図１７において紙面表裏方向）に延びる直方体状に形成されている。なお、第３保持型８９は、第２保持型８７の高さよりも高い高さで形成されている。
【００４７】
続いて、前記金型７０を使用してモールド樹脂部材４６を成形する成形方法について説明する。金型７０の型開き状態（図１７参照）において、下型７６の型合わせ面７６ａ上に磁電変換ＩＣ組立品５９をセットする。図２３は磁電変換ＩＣ組立品を下型にセットした状態を示す正断面図、図２４は同じく左側面図、図２５は同じく平面図である。
すなわち、図２３に示すように、両磁電変換ＩＣ４１の信号演算部５４の間に第１保持型７８を相対的に挿入させ、第１保持型７８の凹溝８０内に両センシング部５２が嵌合される（図２４及び図２５参照）。これにより、下側のセンシング部５２の下面が、第１保持型７８の第１保持凸部８４及び両第２保持凸部８５の上面に対して面接触状に保持される（図２３参照）。また、第１保持凸部８４により、下側のセンシング部５２（詳しくは外殻部材５２ｃ）の下面におけるブリッジチャンネル部５２ａに対応部分が部分的に保持される（図２１参照）。なお、第１保持凸部８４は本明細書でいう「保持部」に相当する。また、下側のセンシング部５２の外殻部材５２ｃの下面は、センシング部５２の厚さ方向の一側面に相当する。
【００４８】
また、図２５に示すように、第１保持型７８の両溝壁８１の位置決め溝８２に対して、その上方から両センシング部５２の保持板５２ｂの前後両端部がそれぞれ係合される。これにより、両センシング部５２の保持板５２ｂが前後方向及び左右方向に位置決めされる。また、両センシング部５２のブリッジチャンネル部５２ａ（図２１参照）が同心状に位置決めされる（図２３中、軸線Ｌ（７８Ｌ）参照）。また、両信号演算部５４（詳しくは外殻部材５４ａ）が第１保持型７８の両側面に面接触状に当接される（図２３参照）。
【００４９】
また、図２３に示すように、第２保持型８７に、センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの左側に並ぶ３つの端子部４２ｂが保持される。それらの端子部４２ｂのうちの前後の端子部４２ｂの立上り部４２ｄが第２保持型８７の左側面に面接触状に当接されるとともに、中央の端子部４２ｂの立上り部４２ｄが第２保持型８７の右側面に面接触状に当接される（図２５参照）。また、第３保持型８９に、センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの右側に並ぶ３つの端子部４２ｂが保持される。それらの端子部４２ｂのうちの前後の端子部４２ｂの立上り部４２ｄが第３保持型８９の右側面に面接触状に当接されるとともに、中央の端子部４２ｂの立上り部４２ｄが第３保持型８９の左側面に面接触状に当接される（図２５参照）。また、下型７６の型合わせ面７６ａ上に、センサターミナル４２群の本体部４２ｃが面接触状に当接される（図２３及び図２４参照）。
【００５０】
上記したように、下型７６上に磁電変換ＩＣ組立品５９をセットした後、金型７０が型締めすなわち上型７２に下型７６が型閉じされる（図１６参照）。これにより、上型７２と下型７６との間に、モールド樹脂部材４６に対応するキャビティ９１が形成される。また、上型７２と下型７６との間には、センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂの周辺部が挟持される。この状態で、上型７２の両射出ゲート７４からキャビティ９１内に樹脂（溶融樹脂）が射出されて充填されることにより、モールド樹脂部材４６が成形される。
【００５１】
このとき、両射出ゲート７４から射出された樹脂の流動圧（図１６中、矢印Ｙ１参照）が、両センシング部５２を下方へ押付ける方向に加わることにより、両センシング部５２が下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４及び両第２保持凸部８５上に押付けられる。これにより、両センシング部５２の位置ずれを防止することができる。また、両射出ゲート７４から射出された樹脂の流動圧（図１６中、矢印Ｙ２参照）が、両信号演算部５４を対向方向へ押付ける方向に加わることにより、両信号演算部５４が下型７６の第１保持型７８の両側面に押付けられる。これにより、両信号演算部５４の位置ずれを防止することができる。
【００５２】
また、第１保持型７８の第１保持凸部８４により、下側のセンシング部５２内のブリッジチャンネル部５２ａに対応してセンシング部５２の下面の中央部が部分的に保持される（図２１参照）。また、第１保持型７８の両第２保持凸部８５により、下側のセンシング部５２の下面の前後両端部が部分的に保持される（図２２参照）。これにより、モールド樹脂部材４６により両センシング部５２を安定的に保持することができるとともに、下側のセンシング部５２の下面において第１保持凸部８４及び両第２保持凸部８５に対応する部分以外の部分に樹脂を充填することができる。
【００５３】
また、モールド樹脂部材４６の成形後の冷却により樹脂が固化した後、金型７０が型開きされ、金型７０から成形品すなわち回転角センサ４０（図４〜図９参照）が取出される。これにともない、図９に示すように、モールド樹脂部材４６の下面には、下型７６（図１７参照）の第１保持型７８によって第１空洞部６３が形成され、同じく第２保持型８７によって第２空洞部６５が形成され、同じく第３保持型８９によって第３空洞部６７が形成されている。さらに、図１０〜図１２に示すように、第１空洞部６３の上端部には、第１保持凸部８４（図１９及び図２０参照）の第１保持凸部８４によって第１中空孔部６３ａが形成され、同じく前後の両第２保持凸部８５によって両第２中空孔部６３ｂが形成され、同じく前後の両溝壁８１によって両第３中空孔部６３ｃが形成されている。
【００５４】
また、モールド樹脂部材４６から両射出ゲート７４のゲート跡突起が除去される。このとき、モールド樹脂部材４６の両台座６１に対して両ゲート跡突起が直交状をなすため、台座６１に対してゲート跡突起が傾斜状をなす場合に比べて、モールド樹脂部材４６の身食いの発生を防止することができる、なお、「身食い」とは、ゲート跡突起の除去とともにモールド樹脂部材４６の周辺部も余分に除去される現象をいう。
【００５５】
また、モールド樹脂部材４６の成形後において、各ターミナル４２を連結しているタイバー４５（図１３参照）が除去されることによって、それぞれ電気的に独立したターミナル４２とされている。このようにして、回転角センサ４０が完成する。
【００５６】
次に、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２のＩＣ接続側の端子部４２ｂとの溶接方法について説明する。図２６は磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接状態を示す正断面図、図２７は溶接にかかる治具とセンシング部との関係を示す平面図である。
図２６に示すように、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２の端子部４２ｂとの溶接には治具９３が用いられる。治具９３は、基台部９５と、基台部９５上に立設された支柱部９７とを有するＬ字形状に形成されている。支柱部９７の上端部には、左右方向に開口するＵ字溝状の凹溝部１００が形成されている。図２７に示すように、凹溝部１００の前後の両溝壁部１０１には、上下方向（図２７において紙面表裏方向）に延びる前後の両位置決め溝部１０２が形成されている。
【００５７】
前記治具９３の基台部９５上には、センサターミナル４２が載置される（図２６参照）。図２６では、センサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂのうちの左側において、紙面表方向に並ぶ３つの端子部４２ｂのうちの１つが示されている。また、治具９３の支柱部９７の凹溝部１００内に磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２が嵌合される。また、凹溝部１００の溝壁部１０１の位置決め溝部１０２に対して、その上方からセンシング部５２の保持板５２ｂの両端部がそれぞれ係合される（図２７参照）。これにより、センシング部５２の保持板５２ｂが前後方向及び左右方向に位置決めされる。また、信号演算部５４の外殻部材５４ａが支柱部９７の左側面に対面状に近接又は当接される（図２６参照）。
【００５８】
図２６に示すように、磁電変換ＩＣ４１のリード５８がセンサターミナル４２の端子部４２ｂ上に面接触状に当接される。すなわち、リード５８とセンサターミナル４２の端子部４２ｂとが相互に平板同士で重ね合わせられる。なお、リード５８とセンサターミナル４２の端子部４２ｂとの重ね合わせ部分が本明細書でいう「接続部」に相当する。
【００５９】
また、センサターミナル４２の端子部４２ｂの下面には、基台部９５を上下方向に貫通する丸棒状のアース電極１０４の先端面（上端面）が当接される。また、アース電極１０４の先端面は、軸線１０４Ｌに直交する平面とされている。また、アース電極１０４に対して、その上方に対向状に配置された丸棒状の溶接電極１０６は、同心状にかつ上下方向に移動可能に設けられており、溶接に際してリード５８の上面に当接される。図２８は磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接部を示す断面図、図２９は溶接電極の先端部を示す斜視図である。
【００６０】
図２８に示すように、前記溶接電極１０６の先端面（下端面）は、リード５８に面しかつ逆山形状の凸状面１０７に形成されている。詳しくは、溶接電極１０６の下端面には、軸線１０６Ｌに対して傾斜する傾斜面１０８が形成され、その傾斜面１０８の先端側寄りに前後方向に延びる稜線１０９（図２９参照）が形成されるように、先端部が面取り状に丸められている。また、傾斜面１０８の残りの外周部も面取り状に丸められている。
【００６１】
そして、図２６に示すように、両電極１０４，１０６間に通電することにより、端子部４２ｂとリード５８が抵抗溶接される。すなわち、図２８に示すように、抵抗溶接による端子部４２ｂ及びリード５８の面接触状の溶接界面Ｆの溶け込みにより、両者４２ｂ、５８が接合される。これにともない、リード５８の上面には、溶接電極１０６の先端面（下端面）の傾斜面１０８を含む凸状面１０７に対応する凹所１１０が形成される。なお、上記と同様にして、残りの磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂとの溶接が行われる。
【００６２】
前記した回転角センサ４０の製造方法によると、インサート成形時に、金型７０の下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４により、両磁電変換ＩＣ４１の下側のセンシング部５２（詳しくは外殻部材５２ｃ）の下面（厚さ方向の一側面）の中央部が部分的に保持される（図２１〜図２３参照）。これにより、インサート成形時の樹脂の流動による両センシング部５２の厚さ方向のブリッジチャンネル部５２ａの移動（特に下方への移動）が防止されるため、両センシング部５２の位置精度の低下を防止することができる。ひいては、両センシング部のブリッジチャンネル部５２ａの検出性能の低下を防止することができる。
【００６３】
また、インサート成形時に、金型７０の下型７６の第１保持型７８の第２保持凸部８５により、両磁電変換ＩＣ４１の下側のセンシング部５２（詳しくは外殻部材５２ｃ）の下面（厚さ方向の一側面）の前後両端部が部分的に保持される（図２２参照）。これにより、インサート成形時の樹脂の流動による両センシング部５２の厚さ方向の保持板５２ｂの移動（特に下方への移動）が防止される。このことは、インサート成形時の樹脂の流動による両センシング部５２の厚さ方向のブリッジチャンネル部５２ａの移動（特に下方への移動）の防止に有効である。なお、第２保持凸部８５は、必要に応じて設ければよく省略してもよい。
【００６４】
また、下側のセンシング部５２の下面におけるブリッジチャンネル部５２ａに対応する部分、及び、前後両端部の中央部分以外の部分に樹脂を充填することができる（図１０〜図１２参照）。これにより、モールド樹脂部材４６により下側のセンシング部５２の下面が部分的に覆われるため、モールド樹脂部材４６によりセンシング部５２を安定的に保持することができる。例えば、下側のセンシング部５２の下面を金型７０の下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４によって全面的に保持する場合には、下側のセンシング部５２の下面を覆う樹脂部が形成されないため、モールド樹脂部材４６により下側のセンシング部５２を安定的に保持することが困難であるが、前に述べたように、下側のセンシング部５２の下面におけるブリッジチャンネル部５２ａに対応する部分、及び、前後両端部の中央部分以外の部分に樹脂を充填することによって、モールド樹脂部材４６によりセンシング部５２を安定的に保持することができる。
【００６５】
また、金型７０の下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４によりモールド樹脂部材４６に形成された第１空洞部６３に対して後工程でカバー３０（図２参照）のカバー本体３１の樹脂（溶融樹脂）が充填される場合にあっては、下側のセンシング部５２の下面が第１中空孔部６３ａ、第２中空孔部６３ｂ及び第３中空孔部６３ｃを介して部分的に空洞部に露出するだけである（図１２参照）。このため、下側のセンシング部５２の下面が全面的に露出する場合と異なり、カバー本体３１の樹脂成形時の成形圧の受圧面積（空洞部に露出する面積）が小さく、したがって、下側のセンシング部５２に加わる応力を低減することができる。これとともに、下側のセンシング部５２の下面におけるブリッジチャンネル部５２ａに対応する部分以外の部分がモールド樹脂部材４６により保持されている。このため、カバー本体３１の樹脂成形時において、下側のセンシング部５２に加わる応力による下面の変形を防止することができる。これにより、センシング部のブリッジチャンネル部５２ａの検出性能の低下を防止することができる。
【００６６】
また、両磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２は、下側のセンシング部５２の信号演算部５４側に位置する一側面すなわち下面が金型７０の下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４により部分的に保持され、センシング部５２の信号演算部５４側とは反対側に位置する他側面すなわち上面に対向する金型７０の上型７２の上壁部７２ａに設けた射出ゲート７４から樹脂を射出する方法である（図１６参照）。したがって、上側のセンシング部５２の近傍の射出ゲート７４から樹脂が射出されるため、例えば磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２とは反対側に配置された射出ゲート（例えば下型７６に設けた射出ゲート）から樹脂を射出する場合と比べて、樹脂の流動のばらつきや成形収縮が小さくなり、両センシング部５２の成形歪を防止することができる。
【００６７】
また、磁電変換ＩＣ４１を２個使用し、金型７０内に、両磁電変換ＩＣ４１を向い合わせにかつセンシング部５２を相互に重ねた状態で配置し、下側に位置するセンシング部の厚さ方向の一側面すなわち下面が金型７０の下型７６の第１保持型７８の第１保持凸部８４により部分的に保持され、上側のセンシング部５２の他側面すなわち上面に対向する金型７０の上型７２の上壁部７２ａに設けられかつ相互に所定間隔を隔てて配置された左右一対の射出ゲート７４から樹脂を射出する方法である（図１６参照）。したがって、複数の射出ゲート７４いわゆる多点ゲートにより樹脂を射出するため、ゲート断面積を大きくし、圧力損失を小さくすることができる。これによって、成形を安定化し、両センシング部５２の成形歪を防止することができる。また、左右一対の射出ゲート７４を、相互に所定間隔を隔てて配置することにより、両磁電変換ＩＣ４１に対して樹脂をバランスよく充填することができる。
【００６８】
また、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２群のＩＣ接続側の端子部４２ｂとの接続部を相互に平板同士で重ね合わせ、リード５８に溶接電極１０６を当接し、センサターミナル４２の端子部４２ｂにアース電極１０４を当接させた状態で、両電極１０４，１０６間に通電することにより抵抗溶接を行う（図２６参照）。そして、アース電極１０４の先端面は、センサターミナル４２の端子部４２ｂに面接触する平面に形成され、溶接電極１０６の先端面は、リード５８の溶接による変形によりリード５８に面接触する傾斜面１０８を有する凸状面１０７に形成されている（図２８参照）。したがって、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２の端子部４２ｂとの接続部を相互に平板同士で重ね合わせて抵抗溶接を行うため、溶接界面Ｆ（図２８参照）が平面となる。このため、プロジェクション溶接と異なり、溶接による磁電変換ＩＣ４１の傾きを防止するとともに、溶け込みによる磁電変換ＩＣ４１の沈み込みを防止し、センサターミナル４２に磁電変換ＩＣ４１を所定の姿勢で所定の位置に精度良く接続することができる。
【００６９】
この点について補足する。磁電変換ＩＣ４１のリード５８にセンサターミナル４２の端子部４２ｂを接続する場合は、一般的にプロジェクション溶接により行われる。図３０はプロジェクション溶接にかかる磁電変換ＩＣのリードとセンサターミナルとの溶接状態を示す正断面図、図３１は同じく溶接部を示す断面図である。
図３０に示すように、プロジェクション溶接の場合、センサターミナル４２の端子部４２ｂに、半球状の突起いわゆるプロジェクション１１１（図３１参照）がプレス成形によって形成される。センサターミナル４２及び磁電変換ＩＣ４１は、治具９３上に前記と同様にセットされる。また、センサターミナル４２の端子部４２ｂのプロジェクション１１１上に磁電変換ＩＣ４１のリード５８が当接される。また、アース電極１０４の先端面（上端面）は、前記と同様、軸線１０４Ｌに直交する平面とされ、端子部４２ｂの下面に当接される。また、溶接電極１０６の先端面（下端面）は、軸線１０６Ｌに直交する平面とされ、リード５８の上面に当接される。そして、両電極１０４，１０６間に通電することにより、センサターミナル４２の端子部４２ｂと磁電変換ＩＣ４１のリード５８が抵抗溶接される。すなわち、図３１に示すように、抵抗溶接による端子部４２ｂ及びリード５８の点接触状の溶接界面Ｆａの溶け込みにより両者４２ｂ、５８が接合される。
【００７０】
図３２は溶接後の磁電変換ＩＣを示す正面図である。図３２中、実線４１は抵抗溶接による磁電変換ＩＣを示し、また、二点鎖線４１はプロジェクション溶接による磁電変換ＩＣを示している。また、図３２中、符号Ｈは、センシング部５２の高さ、すなわちセンサターミナル４２の本体部４２ｃの下面を基準とする磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２の下面の高さを示している。また、θは、磁電変換ＩＣの傾き角度、すなわち本体部４２ｃの下面に直交しかつ磁電変換ＩＣ４１の信号演算部５４の厚さ方向の一側面を基準とする信号演算部５４の傾き角度を示している。また、溶接後の磁電変換ＩＣ４１においては、センシング部５２の高さＨがばらつくことなく、傾き角度θが０（ゼロ）°又は略０（ゼロ）°であることが望ましい。また、センシング部５２の下面は、センサターミナル４２の本体部４２ｃの下面に対して平行又は略平行であることが望ましい。
【００７１】
ところで、センサターミナル４２の端子部４２ｂにプロジェクション溶接された磁電変換ＩＣ４１（図３２中、二点鎖線４１参照）によると、センサターミナル４２の端子部４２ｂに抵抗溶接された磁電変換ＩＣ４１（図３２中、実線４１参照）と比べて、傾き角度θが大きく、また、センシング部５２の高さＨがばらついてしまう。これは、プロジェクション溶接（図３１参照）によると、点接触状の溶接界面Ｆａの溶け込みの影響により、リード５８が傾いたり、沈み込んだりすることが原因である。
【００７２】
しかしながら、センサターミナル４２の端子部４２ｂに抵抗溶接された磁電変換ＩＣ４１（図３２中、実線４１参照）によると、端子部４２ｂとリード５８とを平面同士で抵抗溶接することにより、溶接界面Ｆ（図２８参照）が平面となるため、リード５８の傾きや沈み込みを防止することができる。このため、センシング部５２の高さＨのばらつきを防止し、傾き角度θを０（ゼロ）°又は略０（ゼロ）°にすることができる。したがって、センサターミナル４２に磁電変換ＩＣ４１を所定の姿勢で所定の位置に精度良く接続することができる。
【００７３】
また、プロジェクション溶接の場合に、センサターミナル４２の端子部４２ｂに形成されるプロジェクション１１１（図３１参照）を廃止することができる。このため、プロジェクション１１１の形成に係る加工工程（例えばプレス加工）を省略し、コストを低減することができる。
【００７４】
また、アース電極１０４の先端面は、センサターミナル４２の端子部４２ｂに面する平面とされ、溶接電極１０６の先端面は、リード５８の溶接による変形によりリード５８に面接触する傾斜面１０８を有する凸状面１０７に形成されている。したがって、磁電変換ＩＣ４１のリード５８とセンサターミナル４２の端子部４２ｂを、抵抗溶接でありながら確実に溶接することができる。
【００７５】
［実施形態２］
実施形態２を説明する。本実施形態は、前記実施形態１の金型７０の下型７６における第１保持型７８に変更を加えたものであるから、その変更部分について説明し、重複する説明は省略する。図３３は下型の第１保持型を示す正面図、図３４は同じく左側面図、図３５は同じく平面図、図３６は図３５のXXXVI−XXXVI線矢視断面図、図３７は図３５のXXXVII−XXXVII線矢視断面図である。
図３３〜図３７に示すように、本実施形態は、前記実施形態１における第１保持型７８（図１８〜図２２参照）の第１保持凸部８４及び両第２保持凸部８５を、保持凸部１１２に変更したものである。保持凸部１１２は、凹溝８０の溝底面８０ａ上に平面視で十字状形成されている（図３５参照）。保持凸部１１２の上面は、第１保持型７８の軸線（中心線）に直交する平面で形成されている。また、図３５に示すように、保持凸部１１２は、前後方向に延びかつ両端部が凹溝８０の両溝壁８１につながる第１凸条部１１３と、左右方向に延びかつ第１凸条部１１３の中央部で交差する第２凸条部１１４とを有する。両凸条部１１３，１１４の交差部（符号、１１５を付す）は、磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２内のブリッジチャンネル部５２ａに対応することにより、センシング部５２（詳しくは外殻部材５２ｃ）の下面を部分的に保持する（図３６及び図３７参照）。また、第１凸条部１１３は、磁電変換ＩＣ４１のセンシング部５２内の保持板５２ｂに対応することにより、センシング部５２（詳しくは外殻部材５２ｃ）の下面を部分的に保持する。なお、保持凸部１１２は本明細書でいう「保持部」に相当する。
【００７６】
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲における変更が可能である。例えば、前記実施形態では２個の磁電変換ＩＣ４１を使用したが、磁電変換ＩＣ４１を１個にしてもよい。また、下型７６の第１保持型７８の保持部（第１保持凸部８４、保持凸部１１２）の形状は、前記実施形態に限定されるものではなく、適宜変更することができる。また、本実施形態では、左右各１個ずつの射出ゲート７４を設けたが、左右各複数個ずつの射出ゲート７４を設けてもよい。また、射出ゲート７４は、必要に応じて複数にすればよく、１個にしてもよい。なお、１個の射出ゲートの場合も、樹脂の流動圧が、磁電変換１Ｃ４１のセンシング部５２及び信号演算部５４を下型７６の第１保持型７８にそれぞれ押付ける方向に作用するように配置するとよい。また、アース電極１０４の凸状面１０７の形状は、前記実施形態に限定されるものではなく、適宜変更することができる。
【符号の説明】
【００７７】
１０…スロットル制御装置
２２…スロットルギヤ（回転側部材）
３０…カバー（固定側部材、回転角センサ付き部品、回転検出装置付き部品）
４０…回転角センサ（回転検出装置）
４１…磁電変換ＩＣ（磁気検出部材）
４２…センサターミナル（ターミナル）
４６…モールド樹脂部材
５２…センシング部
５２ａ…ブリッジチャンネル部（検出体）
５４…信号演算部
５８…リード
５９…磁電変換ＩＣ組立品
７０…金型
７２…上型
７２ａ…上壁部（壁部）
７４…射出ゲート
７６…下型
７８…第１保持型
８４…第１保持凸部（保持部）
１０４…アース電極
１０６…溶接電極
１０８…傾斜面
１０７…凸状面
１１２…保持凸部（保持部）
【図１】
0005897387.tif 000002
【図２】
0005897387.tif 000003
【図３】
0005897387.tif 000004
【図４】
0005897387.tif 000005
【図５】
0005897387.tif 000006
【図６】
0005897387.tif 000007
【図７】
0005897387.tif 000008
【図８】
0005897387.tif 000009
【図９】
0005897387.tif 000010
【図１０】
0005897387.tif 000011
【図１１】
0005897387.tif 000012
【図１２】
0005897387.tif 000013
【図１３】
0005897387.tif 000014
【図１４】
0005897387.tif 000015
【図１５】
0005897387.tif 000016
【図１６】
0005897387.tif 000017
【図１７】
0005897387.tif 000018
【図１８】
0005897387.tif 000019
【図１９】
0005897387.tif 000020
【図２０】
0005897387.tif 000021
【図２１】
0005897387.tif 000022
【図２２】
0005897387.tif 000023
【図２３】
0005897387.tif 000024
【図２４】
0005897387.tif 000025
【図２５】
0005897387.tif 000026
【図２６】
0005897387.tif 000027
【図２７】
0005897387.tif 000028
【図２８】
0005897387.tif 000029
【図２９】
0005897387.tif 000030
【図３０】
0005897387.tif 000031
【図３１】
0005897387.tif 000032
【図３２】
0005897387.tif 000033
【図３３】
0005897387.tif 000034
【図３４】
0005897387.tif 000035
【図３５】
0005897387.tif 000036
【図３６】
0005897387.tif 000037
【図３７】
0005897387.tif 000038