(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光装置と、
前記露光装置による露光前または露光後に前記基板に所定の処理を行う処理部とを備え、
前記露光装置は、
予め定められたパターンを有する感光性膜が一面に形成された基板を保持する保持部と、
前記感光性膜を改質させるための光を出射する出射部と、
前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させつつ前記出射部により出射される光が前記保持部により保持された前記基板の前記一面に照射されるように構成された相対的移動部とを備え、
前記処理部は、
前記露光装置による露光前または露光後に現像液に不溶な第１の処理液を前記感光性膜が形成された前記基板の前記一面に塗布する第１の処理液塗布装置を含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記出射部は、前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方の相対的な移動方向に交差する方向に延びる帯状光を出射可能に構成された、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記出射部は、互いに離間した第１の位置と第２の位置との間に光を出射するように配置され、
前記相対的移動部は、前記基板を保持する前記保持部を前記第１の位置と前記第２の位置との間で移動させるように構成された、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記相対的移動部は、前記基板を保持する前記保持部を前記第１の位置と前記第２の位置との間で往復移動させるように構成され、
前記出射部は、前記基板を保持する前記保持部が前記第１の位置から前記第２の位置へ移動する間および前記第２の位置から前記第１の位置へ移動する間に光を出射する、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の位置または前記第２の位置で前記基板を支持する支持部と、
前記支持部により支持された前記基板に所定の処理を行う処理機構とをさらに備える、請求項３または４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理機構は、前記支持部により支持された前記基板に温度処理を行う温度処理部を含む、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記温度処理部は、前記支持部により支持された前記基板に前記温度処理として加熱処理を行う加熱処理部を含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記温度処理部は、前記支持部により支持された前記基板に前記温度処理として冷却処理を行う冷却処理部を含む、請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記冷却処理部は、前記出射部により出射される光が照射された後の前記基板に冷却処理を行うように構成される、請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１の位置に設けられ、前記保持部が接触可能な接触面を有し、前記保持部が前記接触面に接触した状態で前記保持部により保持される前記基板に第１の温度処理を行う第１の温度処理部と、
前記第２の位置で前記基板を支持可能に構成され、前記基板に第２の温度処理を行う第２の温度処理部と、
前記保持部と前記第２の温度処理部との間で前記基板の受け渡しを行うための受け渡し機構とをさらに備え、
前記相対的移動部は、前記基板を保持する前記保持部が前記第１の温度処理部の前記接触面に接触するように、前記保持部を前記第１の位置に移動させるように構成された、請求項３または４記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の温度処理部は、前記保持部により保持される前記基板に前記第１の温度処理として冷却処理を行う冷却処理部を含み、
前記第２の温度処理部は、前記第２の温度処理部により支持される前記基板に前記第２の温度処理として加熱処理を行う加熱処理部を含む、請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記保持部により保持された前記基板に温度処理を行う温度処理機構をさらに備える、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記処理部は、
前記露光装置による露光および前記第１の処理液塗布装置による前記第１の処理液の塗布後に、前記基板に現像処理を行う現像装置をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記処理部は、
前記現像装置による現像処理後の基板の前記一面上に誘導自己組織化材料を含む第２の処理液を塗布する第２の処理液塗布装置をさらに含む、請求項１３記載の基板処理装置。
【請求項１５】
基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
基板を露光する露光方法による露光前または露光後に前記基板に所定の処理を行うステップを備え、
前記露光方法は、
予め定められたパターンを有する感光性膜が一面に形成された基板を保持部により保持するステップと、
前記感光性膜を改質させるための光を出射部から出射するステップと、
前記保持部および前記出射部のうち少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させつつ前記出射部により出射される光を前記保持部により保持された前記基板の前記一面に照射させるステップとを備え、
前記所定の処理を行うステップは、
前記露光方法による露光前または露光後に現像液に不溶な第１の処理液を前記感光性膜が形成された前記基板の前記一面に塗布するステップを含む、基板処理方法。
【請求項１６】
前記所定の処理を行うステップは、
前記露光方法による露光前または露光後に前記基板に温度処理を行うステップを含む、請求項１５記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記所定の処理を行うステップは、
前記露光方法による露光および前記第１の処理液の塗布後に、前記基板に現像処理を行うステップをさらに含む、請求項１５または１６記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記所定の処理を行うステップは、
前記現像処理後の基板の前記一面上に誘導自己組織化材料を含む第２の処理液を塗布するステップをさらに含む、請求項１７記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に露光処理を行う露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェースブロックにより構成される。インターフェースブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である縮小投影型露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェースブロックを介して縮小投影型露光装置へと搬送される。縮小投影型露光装置において基板上のレジスト膜が所定のパターンに露光された後、基板はインターフェースブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることにより所定のパターンを有するレジスト膜が形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、パターンの微細化のために開発されている新たなフォトリソグラフィ技術では、所定パターンのレジスト膜が形成された基板の一面を露光する処理が検討されている。このような露光処理のために、従来の縮小投影型露光装置を利用することも考えられる。しかしながら、縮小投影型露光装置は複雑な構成を有し、高価である。
【０００７】
本発明の目的は、簡単な構成かつ低コストで基板の一面に形成された感光性膜を露光することが可能な露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板を露光する露光装置と、露光装置による露光前または露光後に基板に所定の処理を行う処理部とを備え、露光装置は、予め定められたパターンを有する感光性膜が一面に形成された基板を保持する保持部と、感光性膜を改質させるための光を出射する出射部と、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させつつ出射部により出射される光が保持部により保持された基板の一面に照射されるように構成された相対的移動部とを備え、処理部は、露光装置による露光前または露光後に現像液に不溶な第１の処理液を感光性膜が形成された基板の一面に塗布する第１の処理液塗布装置を含むものである。
【０００９】
その基板処理装置においては、露光装置による露光前または露光後の基板に処理部により所定の処理が行われる。その露光装置においては、相対的移動部により保持部および出射部のうち少なくとも一方が他方に対して相対的に移動されつつ、出射部から出射される光が保持部により保持された基板の一面に照射される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜が出射部から出射される光により改質される。
【００１０】
この場合、基板上の感光性膜に微細なパターンの露光を行うための複雑な光学機構が不要である。そのため、簡単な構成かつ低コストで基板の一面に形成された感光性膜を露光することが可能となる。したがって、基板処理装置の複雑化が防止されるとともに、基板処理装置の製造コストの増加が抑制される。
また、基板処理装置内で基板の一面上の感光性膜の露光および現像液に不溶な第１の処理液の塗布が連続的に行われる。
【００１１】
（２）出射部は、保持部および出射部のうち少なくとも一方の相対的な移動方向に交差する方向に延びる帯状光を出射可能に構成されてもよい。
【００１２】
この場合、帯状光が保持部により保持される基板の一面上で走査される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜を効率よく露光することができる。
【００１３】
（３）出射部は、互いに離間した第１の位置と第２の位置との間に光を出射するように配置され、相対的移動部は、基板を保持する保持部を第１の位置と第２の位置との間で移動させるように構成されてもよい。
【００１４】
この場合、基板を保持する保持部が第１の位置と第２の位置との間を移動することにより、出射部が移動することなく、出射部から出射される光が基板に照射される。それにより、基板の搬送中に基板の一面上の感光性膜を露光することができる。その結果、基板処理のスループットが向上する。
【００１５】
（４）相対的移動部は、基板を保持する保持部を第１の位置と第２の位置との間で往復移動させるように構成され、出射部は、基板を保持する保持部が第１の位置から第２の位置へ移動する間および第２の位置から第１の位置へ移動する間に光を出射してもよい。
【００１６】
この場合、基板を保持する保持部が第１の位置と第２の位置との間を往復移動する間に、基板の一面に十分な量の光を照射することができる。
【００１７】
（５）露光装置は、第１の位置または第２の位置で基板を支持する支持部と、支持部により支持された基板に所定の処理を行う処理機構とをさらに備えてもよい。
【００１８】
この場合、基板の一面上の感光性膜の露光および基板の処理を連続的に行うことができる。その結果、基板処理のスループットがさらに向上する。
【００１９】
（６）処理機構は、支持部により支持された基板に温度処理を行う温度処理部を含んでもよい。
【００２０】
この場合、基板の一面上の感光性膜の露光および基板の温度処理を連続的に行うことができる。その結果、基板処理のスループットがさらに向上する。
【００２１】
（７）温度処理部は、支持部により支持された基板に温度処理として加熱処理を行う加熱処理部を含んでもよい。
【００２２】
この場合、基板の一面上の感光性膜の露光および基板の加熱処理を連続的に行うことができる。基板の一面に形成された感光性膜は加熱処理により改質される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜が２種類の方法により均一にかつ短時間で改質される。
【００２３】
（８）温度処理部は、支持部により支持された基板に温度処理として冷却処理を行う冷却処理部を含んでもよい。
【００２４】
この場合、基板の一面上の感光性膜の露光および基板の冷却処理を連続的に行うことができる。その結果、基板処理のスループットがさらに向上する。
【００２５】
（９）冷却処理部は、出射部により出射される光が照射された後の基板に冷却処理を行うように構成されてもよい。
【００２６】
これにより、感光性膜が露光されることにより基板の温度が高くなる場合に、露光後の基板の温度を迅速に低下させることができる。その結果、露光後の基板に対して待機時間を設けることなく後続の処理を行うことができる。
【００２７】
（１０）露光装置は、第１の位置に設けられ、保持部が接触可能な接触面を有し、保持部が接触面に接触した状態で保持部により保持される基板に第１の温度処理を行う第１の温度処理部と、第２の位置で基板を支持可能に構成され、基板に第２の温度処理を行う第２の温度処理部と、保持部と第２の温度処理部との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し機構とをさらに備え、相対的移動部は、基板を保持する保持部が第１の温度処理部の接触面に接触するように、保持部を第１の位置に移動させるように構成されてもよい。
【００２８】
この場合、基板を保持する保持部が第１の温度処理装置の接触面に接触するように、保持部が相対的移動部により第１の位置に移動する。第１の位置では、保持部が第１の温度処理部の接触面に接触することにより、保持部により保持される基板に第１の温度処理が行われる。
【００２９】
第２の位置では、受け渡し機構により保持部と第２の温度処理部との間で基板の受け渡しが行われる。第２の温度処理部により支持される基板に第２の温度処理が行われる。
【００３０】
このように、基板を保持する保持部が第１の位置と第２の位置との間で移動することにより、基板の第１の温度処理、基板の一面上の感光性膜の露光、および基板の第２の温度処理を連続的に行うことができる。その結果、基板処理のスループットがさらに向上する。
【００３１】
また、保持部が第１の位置で第１の温度処理部の接触面に接触することにより、保持部の温度が調整される。
【００３２】
（１１）第１の温度処理部は、保持部により保持される基板に第１の温度処理として冷却処理を行う冷却処理部を含み、第２の温度処理部は、第２の温度処理部により支持される基板に第２の温度処理として加熱処理を行う加熱処理部を含んでもよい。
【００３３】
この場合、保持部により保持された基板が第１の位置から第２の位置に移動する場合には、基板の一面上の感光性膜の露光、および基板の加熱処理を連続的に行うことができる。基板の一面に形成された感光性膜は加熱処理により改質される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜が２種類の方法により均一にかつ短時間で改質される。
【００３４】
一方、保持部により保持された基板が第２の位置から第１の位置に移動する場合には、基板の一面上の感光性膜の露光および基板の冷却処理を連続的に行うことができる。これにより、感光性膜が露光されることにより基板の温度が高くなる場合に、露光後の基板の温度を迅速に低くすることができる。その結果、露光後の基板に対して待機時間を設けることなく後続の処理を行うことができる。
【００３５】
また、保持部が第１の位置で第１の温度処理部の接触面に接触することにより保持部が冷却される。それにより、感光性膜が露光されることにより保持部の温度が高くなる場合に、保持部に残留する熱が除去される。したがって、感光性膜が露光される前の基板に保持部から熱が伝導することが防止される。
【００３６】
これらの結果、保持部からの熱伝導により感光性膜の温度が不均一になることが防止されつつ、感光性膜が均一に改質されるとともに基板処理のスループットがさらに向上する。
【００３７】
（１２）露光装置は、保持部により保持された基板に温度処理を行う温度処理機構をさらに備えてもよい。
【００３８】
この場合、保持部により保持された基板に温度処理機構により温度処理が行われる。それにより、基板の一面上の感光性膜の露光を行いつつ基板の温度処理を行うことができる。その結果、基板処理のスループットがさらに向上する。
【００４３】
（１３）処理部は、露光装置による露光および第１の処理液塗布装置による第１の処理液の塗布後に、基板に現像処理を行う現像装置をさらに含んでもよい。
【００４４】
この場合、第１の処理液は現像液に不溶であるので、現像処理により感光性膜のみが現像液で除去される。それにより、基板の一面上の第１の処理液の膜に感光性膜のパターンと同じパターンを有する除去部分が形成される。この基板処理装置によれば、基板の一面上の感光性膜の露光、第１の処理液の塗布および現像が連続的に行われる。
【００４５】
（１４）処理部は、現像装置による現像処理後の基板の一面上に誘導自己組織化材料を含む第２の処理液を塗布する第２の処理液塗布装置をさらに含んでもよい。
【００４６】
この場合、基板の一面上に第２の処理液が塗布される。第２の処理液は誘導自己組織化材料を含む。それにより、基板の一面上の第１の処理液の膜の除去部分において、ミクロ相分離により２種類の重合体が形成される。その結果、２種類の重合体のうちの一方を除去することにより、感光性膜のパターンよりも小さい線幅を有する重合体のパターンを基板の一面上に形成することができる。また、感光性膜のパターンよりも小さい線幅を有する重合体の除去部分を基板の一面上に形成することができる。この基板処理装置によれば、基板の一面上の感光性膜の露光、第１の処理液の塗布、現像、および第２の処理液の塗布が連続的に行われる。
【００４８】
その露光方法においては、保持部および出射部のうち少なくとも一方が他方に対して相対的に移動されつつ、出射部から出射される光が保持部により保持された基板の一面に照射される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜が出射部から出射される光により改質される。
【００４９】
この場合、基板上の感光性膜に微細なパターンの露光を行うための複雑な光学機構が不要である。したがって、簡単な構成かつ低コストで基板の一面に形成された感光性膜を露光することが可能となる。
【００５０】
（１５）第２の発明に係る基板処理方法は、基板処理装置を用いた基板処理方法であって、基板を露光する露光方法による露光前または露光後に基板に所定の処理を行うステップを備え、露光方法は、予め定められたパターンを有する感光性膜が一面に形成された基板を保持部により保持するステップと、感光性膜を改質させるための光を出射部から出射するステップと、保持部および出射部のうち少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させつつ出射部により出射される光を保持部により保持された基板の一面に照射させるステップとを備え、所定の処理を行うステップは、露光方法による露光前または露光後に現像液に不溶な第１の処理液を感光性膜が形成された基板の一面に塗布するステップを含むものである。
【００５１】
その基板処理方法においては、露光方法による露光前または露光後の基板に所定の処理が行われる。その露光方法においては、保持部および出射部のうち少なくとも一方が他方に対して相対的に移動されつつ、出射部から出射される光が保持部により保持された基板の一面に照射される。それにより、基板の一面に形成された感光性膜が出射部から出射される光により改質される。
この場合、基板上の感光性膜に微細なパターンの露光を行うための複雑な光学機構が不要である。そのため、簡単な構成かつ低コストで基板の一面に形成された感光性膜を露光することが可能となる。したがって、基板処理装置の複雑化が防止されるとともに、基板処理装置の製造コストの増加が抑制される。
また、基板処理装置内で基板の一面上の感光性膜の露光および現像液に不溶な第１の処理液の塗布が連続的に行われる。
【００５２】
（１６）所定の処理を行うステップは、上記の露光方法による露光前または露光後に基板に温度処理を行うステップを含んでもよい。
【００５３】
この場合、上記の露光方法による露光前または露光後の基板に温度処理が行われる。それにより、露光方法による露光前または露光後の基板および基板の一面上の感光性膜の温度が所望の温度に調整される。
【００５６】
（１７）所定の処理を行うステップは、露光方法による露光および第１の処理液の塗布後に、基板に現像処理を行うステップをさらに含んでもよい。
【００５７】
この場合、第１の処理液は現像液に不溶であるので、現像処理により感光性膜のみが現像液で除去される。それにより、基板の一面上の第１の処理液の膜に感光性膜のパターンと同じパターンを有する除去部分が形成される。この基板処理方法によれば、基板の一面上の感光性膜の露光、第１の処理液の塗布および現像が連続的に行われる。
【００５８】
（１８）所定の処理を行うステップは、現像処理後の基板の一面上に誘導自己組織化材料を含む第２の処理液を塗布するステップをさらに含んでもよい。
【００５９】
この場合、基板の一面上に第２の処理液が塗布される。第２の処理液は誘導自己組織化材料を含む。それにより、基板の一面上の第１の処理液の膜の除去部分において、ミクロ相分離により２種類の重合体が形成される。その結果、２種類の重合体のうちの一方を除去することにより、感光性膜のパターンよりも小さい線幅を有する重合体のパターンを基板の一面上に形成することができる。また、感光性膜のパターンよりも小さい線幅を有する重合体の除去部分を基板の一面上に形成することができる。この基板処理方法によれば、基板の一面上の感光性膜の露光、第１の処理液の塗布、現像、および第２の処理液の塗布が連続的に行われる。
【発明の効果】
【００６０】
本発明によれば、簡単な構成かつ低コストで基板の一面に形成された感光性膜を露光することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の一方の概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の他方の概略側面図である。
【図４】第１の実施の形態に係る基板の処理方法を示す模式図である。
【図５】図３の全領域露光ユニットの外観斜視図である。
【図６】図３の全領域露光ユニットの模式的断面図である。
【図７】全領域露光ユニットの動作を説明するための図である。
【図８】全領域露光ユニットの動作を説明するための図である。
【図９】（ａ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＱ１線における側面図である。
【図１０】（ａ）は第３の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＱ２線における側面図である。
【図１１】（ａ）は第４の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＱ３線における側面図である。
【図１２】（ａ）は第５の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＱ４線における側面図である。
【図１３】第６の実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【図１４】主として図１３の塗布処理部および塗布現像処理部を示す基板処理システムの一方側面図である。
【図１５】主として図１３の熱処理部を示す基板処理システムの他方側面図である。
【図１６】主として図１３の塗布処理部、搬送部および熱処理部を示す側面図である。
【図１７】主として図１３の搬送部を示す側面図である。
【図１８】搬送機構を示す斜視図である。
【図１９】第７の実施の形態に係る露光温度調整ユニットの斜視図である。
【図２０】図１９の露光温度調整ユニットの平面図である。
【図２１】図１９の露光温度調整ユニットの側面図である。
【図２２】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２３】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２４】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２５】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２６】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２７】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２８】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２９】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図３０】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図３１】露光温度調整ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６２】
［１］第１の実施の形態
第１の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法について図面を用いて説明する。以下の説明においては、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００６３】
（１）基板処理装置の構成
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４および図９〜図１２には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。
【００６４】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、第１の処理ブロック１０、第２の処理ブロック１１および第３の処理ブロック１２を含む。インデクサブロック９は、メインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。メインコントローラ３０は、インデクサブロック９、第１の処理ブロック１０、第２の処理ブロック１１および第３の処理ブロック１２の動作を制御する。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００６５】
第１の処理ブロック１０は、全領域露光処理部１０Ａ、中間膜用熱処理部１０Ｂ、中間膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。中間膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで全領域露光処理部１０Ａおよび中間膜用熱処理部１０Ｂに対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００６６】
インデクサブロック９と第１の処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と第１の処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から第１の処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを第１の処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００６７】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２においては、基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ６にも同様に設けられる。
【００６８】
第２の処理ブロック１１は、現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂ、現像処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。現像処理部６０は第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂに対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００６９】
第１の処理ブロック１０と第２の処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、第１の処理ブロック１０と第２の処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを第１の処理ブロック１０から第２の処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗを第２の処理ブロック１１から第１の処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００７０】
第３の処理ブロック１２は、誘導自己組織化材料（ＤＳＡ：Directed Self Assembly）膜用熱処理部１２Ａ，１２ＢおよびＤＳＡ膜用塗布処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。ＤＳＡ膜用塗布処理部７０は第３のセンターロボットＣＲ３を挟んでＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂに対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００７１】
第２の処理ブロック１１と第３の処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、第２の処理ブロック１１と第３の処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗを第２の処理ブロック１１から第３の処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを第３の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００７２】
本実施の形態において、基板処理装置５００には、所定パターンのレジスト膜ｆ１ａ（後述する図４（ａ）参照）が形成された基板Ｗが搬入される。以下の説明においては、基板Ｗの主面とは、所定パターンのレジスト膜ｆ１ａ（図４（ａ））が形成された基板Ｗの一面をいい、基板Ｗの裏面とは、主面の反対側の基板Ｗの他面をいう。本実施の形態に係る基板処理装置５００の内部では、基板Ｗの主面が上方に向けられた状態で、基板Ｗに各種の処理が行われる。
【００７３】
図２は図１の基板処理装置５００の一方の概略側面図であり、図３は図１の基板処理装置５００の他方の概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の一側方に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の他側方に設けられるものを主に示している。
【００７４】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の構成について説明する。図２に示すように、第１の処理ブロック１０の中間膜用塗布処理部５０（図１）には、３個の塗布ユニット５０Ｕが上下に積層配置されている。各塗布ユニット５０Ｕは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに中間膜の塗布液（以下、中間液と呼ぶ。）を供給する供給ノズル５２を備える。本実施の形態においては、中間液は現像液に不溶な処理液である。
【００７５】
第２の処理ブロック１１の現像処理部６０（図１）には、５個の現像液供給ユニット６０Ｕが上下に積層配置されている。各現像液供給ユニット６０Ｕは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００７６】
第３の処理ブロック１２のＤＳＡ膜用塗布処理部７０（図１）には、３個の塗布ユニット７０Ｕが上下に積層配置されている。各塗布ユニット７０Ｕは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板ＷにＤＳＡ膜の塗布液（以下、ＤＳＡ液と呼ぶ。）を供給する供給ノズル７２を備える。
【００７７】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の構成について説明する。図３に示すように、第１の処理ブロック１０の全領域露光処理部１０Ａには、８個の全領域露光ユニット１００が積層配置されている。各全領域露光ユニット１００は、予め基板Ｗの主面上に形成されたレジスト膜ｆ１ａ（後述する図４（ａ）参照）を改質させる光ＲＬ（後述する図４（ｂ）参照）を出射する光出射器１７０（図１）を備える。また、各全領域露光ユニット１００は、基板Ｗを保持するローカル搬送ハンドＲＨＲ（図１）を備える。さらに、全領域露光ユニット１００は、光出射器１７０に対してローカル搬送ハンドＲＨＲを相対的に移動させるローカル搬送機構１４０（後述する図５）を備える。全領域露光ユニット１００の詳細は後述する。
【００７８】
第１の処理ブロック１０の中間膜用熱処理部１０Ｂには、４個の加熱ユニットＨＰおよび４個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、全領域露光処理部１０Ａには、最上部に全領域露光ユニット１００の動作を制御するローカルコントローラＬＣが配置される。中間膜用熱処理部１０Ｂには、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが配置される。
【００７９】
第２の処理ブロック１１の現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂには、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂには、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８０】
第３の処理ブロック１２のＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂには、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、ＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂには、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００８１】
（２）基板処理装置の動作および基板の処理方法
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作および基板Ｗの処理方法について図１〜図４を参照しながら説明する。図４は、第１の実施の形態に係る基板Ｗの処理方法を示す模式図である。図４では、処理が行われるごとに変化する基板Ｗの状態が断面図で示される。
【００８２】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上にはキャリアＣが搬入される。基板処理装置５００に搬入されるキャリアＣ内には、複数枚の基板Ｗが多段に収納される。基板処理装置５００への搬入時において、各基板Ｗの主面には、図４（ａ）に示すように、所定パターンのレジスト膜ｆ１ａが形成されている。本実施の形態において、図４（ａ）に示される基板Ｗの状態を初期状態と呼ぶ。レジスト膜ｆ１ａは、予め他の基板処理装置によりフォトリソグラフィ技術を用いて形成される。
【００８３】
インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された初期状態の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲはＸ方向に移動しつつＺ方向に平行な軸の周りで回転移動し、初期状態の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００８４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された初期状態の基板Ｗは、第１の処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを全領域露光処理部１０Ａに搬入する。図４（ｂ）に示すように、全領域露光処理部１０Ａでは、全領域露光ユニット１００により基板Ｗの主面上の全領域にレジスト膜ｆ１ａを改質させる光ＲＬが照射される（全領域露光処理）。本実施の形態では、レジスト膜ｆ１ａを改質させる光ＲＬとして紫外線が用いられる。図４（ｂ）および後述する図４（ｃ）では、改質されたレジスト膜を符号ｆ１ｂで表す。
【００８５】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、全領域露光処理部１０Ａから全領域露光処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを中間膜用熱処理部１０Ｂに搬入する。続いて、第１のセンターロボットＣＲ１は、中間膜用熱処理部１０Ｂから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを中間膜用塗布処理部５０に搬入する。中間膜用塗布処理部５０では、塗布ユニット５０Ｕにより基板Ｗの主面に現像液に不溶な中間液が塗布される（中間液塗布処理）。それにより、基板Ｗの主面のレジスト膜ｆ１ｂが形成されていない領域上に現像液に不溶な中間液が供給される。
【００８６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、中間膜用塗布処理部５０から中間液塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを中間膜用熱処理部１０Ｂに搬入する。中間膜用熱処理部１０Ｂにより熱処理が行われることにより、図４（ｃ）に示すように、中間液が硬化して中間膜ｆ２が形成される。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、中間膜用熱処理部１０Ｂから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、第２の処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを現像処理部６０に搬入する。現像処理部６０においては、全領域露光処理後かつ中間膜ｆ２の形成後の基板Ｗに対して現像処理が行われる。この場合、中間膜ｆ２は現像液に不溶であるので、改質されたレジスト膜ｆ１ｂのみが現像液で除去される。それにより、図４（ｄ）に示すように、現像処理後の基板Ｗの主面上には、中間膜ｆ２にレジスト膜ｆ１ｂと同じパターンを有する除去部分が形成される。
【００８８】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、現像処理部６０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂに搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、現像用熱処理部１１Ａ，１１Ｂから熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、第３の処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板ＷをＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂに搬入する。続いて、第３のセンターロボットＣＲ３は、ＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板ＷをＤＳＡ膜用塗布処理部７０に搬入する。ＤＳＡ膜用塗布処理部７０では、塗布ユニット７０Ｕにより基板Ｗの主面にＤＳＡ液が塗布される（ＤＳＡ液塗布処理）。それにより、図４（ｅ）に示すように、基板Ｗの主面の中間膜ｆ２が形成されていない領域上にＤＳＡ液ｆ３が供給される。ＤＳＡ液ｆ３は異なる特性を有する２種類の高分子成分（親水性高分子および疎水性高分子）を含む。そのため、ＤＳＡ液塗布処理後、基板Ｗの主面の中間膜ｆ２が形成されていない領域上では、ＤＳＡ液ｆ３にミクロ相分離が生じる。ミクロ相分離により、第１の重合体および第２の重合体が生成される。
【００９０】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、ＤＳＡ膜用塗布処理部７０からＤＳＡ液塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板ＷをＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂに搬入する。ＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂにより熱処理が行われることにより、図４（ｆ）に示すように、基板Ｗの主面の中間膜ｆ２が形成されていない領域上に第１の重合体ｆ３ａおよび第２の重合体ｆ３ｂが形成される。
【００９１】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、ＤＳＡ膜用熱処理部１２Ａ，１２Ｂから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、第２の処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、第１の処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９５】
基板処理装置５００による処理済みの基板Ｗを収納するキャリアＣは、基板Ｗに後工程の処理を行うさらに他の基板処理装置に搬送される。さらに他の基板処理装置においては、図４（ｇ）に示すように、エッチング装置により第１の重合体ｆ３ａおよび第２の重合体ｆ３ｂのうちの一方の重合体（図４（ｇ）では、第２の重合体ｆ３ｂ）のみが除去される。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａのパターンよりも小さい線幅を有する第１の重合体ｆ３ａのパターンを基板Ｗの主面上に形成することができる。また、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａのパターンよりも小さい線幅を有する第２の重合体ｆ３ｂの除去部分を基板Ｗの主面上に形成することができる。このようにして、露光パターンの微細化が実現される。基板Ｗの主面における第２の重合体ｆ３ｂの除去部分には、例えばイオン注入が行われる。
【００９６】
（３）全領域露光ユニット
次に、全領域露光ユニット１００について図面を用いて詳細に説明する。図５は図３の全領域露光ユニット１００の外観斜視図であり、図６は図３の全領域露光ユニット１００の模式的断面図である。
【００９７】
図６に示すように、全領域露光ユニット１００は筐体１９０を含む。筐体１９０は直方体形状を有し、一側壁１９０Ｗに開口部１９１が形成されている。一側壁１９０Ｗには、開口部１９１を開閉するシャッタ１９２とシャッタ１９２を駆動するシャッタ駆動部１９３が設けられている。図５では筐体１９０の図示を省略する。
【００９８】
図５および図６に示すように、筐体１９０の内部には、主として載置部１１０、ローカル搬送機構１４０および光出射器１７０が設けられる。
【００９９】
全領域露光ユニット１００においては、筐体１９０内の開口部１９１の近傍に載置部１１０が配置される。載置部１１０は、冷却プレート１２０、複数（本例では３つ）の固定支持ピン１２１および水冷配管ＷＰを含む。
【０１００】
冷却プレート１２０の上面が水平になるように、冷却プレート１２０が筐体１９０に一体的に固定されている。複数の固定支持ピン１２１は冷却プレート１２０の上面から上方へ突出するように設けられる。水冷配管ＷＰは冷却プレート１２０の内部に設けられている。水冷配管ＷＰに冷却媒体を循環させることにより冷却プレート１２０の温度を調整することができる。それにより、例えば複数の固定支持ピン１２１上で支持される基板Ｗの温度を調整することができる。なお、本実施の形態において、水冷配管ＷＰは設けられなくてもよい。
【０１０１】
冷却プレート１２０上にはさらに基板検出センサ（図示せず）が設けられている。基板検出センサによる検出結果に基づいて、冷却プレート１２０上に基板Ｗが存在するか否か（載置部１１０に基板Ｗが載置されているか否か）が判定される。
【０１０２】
載置部１１０を挟んで筐体１９０内の開口部１９１に対向する位置にローカル搬送機構１４０が配置される。ローカル搬送機構１４０は、第１の搬送筐体１５０、第１の送り軸１５１、プーリ１５２、ベルト１５３、第２の搬送筐体１６０、第２の送り軸１６１、スライドレール１６２、および送り軸駆動モータＭ２０，Ｍ３０を含む。ローカル搬送機構１４０には、基板Ｗを保持するローカル搬送ハンドＲＨＲが設けられている。
【０１０３】
第１の搬送筐体１５０内に、第１の送り軸１５１、プーリ１５２およびベルト１５３が収納されている。第１の搬送筐体１５０の下端部には、送り軸駆動モータＭ２０が取り付けられている。第１の送り軸１５１は上下方向に延びるように配置されている。ローカル搬送ハンドＲＨＲが第１の送り軸１５１に接続されている。第１の送り軸１５１の下端部にプーリ１５２が取り付けられている。プーリ１５２にはベルト１５３が接続されている。送り軸駆動モータＭ２０が動作することにより、発生される回転力がベルト１５３およびプーリ１５２を介して第１の送り軸１５１に伝達される。それにより、第１の送り軸１５１が回転し、ローカル搬送ハンドＲＨＲが上下方向（図５および図６の矢印Ｍ１の方向）に移動する。
【０１０４】
第２の搬送筐体１６０内に、第２の送り軸１６１、スライドレール１６２および送り軸駆動モータＭ３０が収納されている。第２の送り軸１６１は水平方向に延びるように配置されている。同様に、スライドレール１６２も水平方向に延びるように配置されている。第１の搬送筐体１５０が第２の送り軸１６１およびスライドレール１６２に接続されている。第２の送り軸１６１の一端部に送り軸駆動モータＭ３０が接続されている。送り軸駆動モータＭ３０が動作することにより、第２の送り軸１６１が回転し、ローカル搬送ハンドＲＨＲが第１の搬送筐体１５０とともに水平方向（図５および図６の矢印Ｍ２の方向）に移動する。
【０１０５】
ローカル搬送ハンドＲＨＲは、主として水平方向の移動により後述する第１の位置Ｐ１（図７（ｃ））と第２の位置Ｐ２（図７（ｃ））との間を移動する。ローカル搬送ハンドＲＨＲには、固定支持ピン１２１と干渉しないように複数（本例では２つ）の切り込み（スリット）が設けられている。
【０１０６】
第２の搬送筐体１６０の上部に光出射器１７０が取り付けられている。光出射器１７０は例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）からなる長尺状の出射面１７１を有する。出射面１７１は処理対象となる基板Ｗの外径（例えば３００ｍｍ）よりも大きい長さを有する。光出射器１７０の出射面１７１から帯状の光ＲＬが出射される。
【０１０７】
光出射器１７０は、後述する第１の位置Ｐ１（図７（ｃ））と第２の位置Ｐ２（図７（ｃ））との間に光ＲＬを出射するようにかつ帯状の光ＲＬがローカル搬送ハンドＲＨＲにより保持される基板Ｗの水平方向の移動経路を横切るように配置される。
【０１０８】
全領域露光ユニット１００の動作について説明する。図７および図８は、全領域露光ユニット１００の動作を説明するための図である。以下に説明する全領域露光ユニット１００の各構成要素の動作は、例えば図３の全領域露光処理部１０Ａに設けられたローカルコントローラＬＣにより制御される。なお、全領域露光ユニット１００の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ３０により制御されてもよい。
【０１０９】
本実施の形態においては、基板処理装置５００の電源がオン状態である間、光出射器１７０から帯状の光ＲＬが出射される。なお、筐体１９０内に基板Ｗが搬入され、筐体１９０内から基板Ｗが搬出されるまでの間のみ出射面１７１（図５）から帯状の光ＲＬが出射されてもよい。
【０１１０】
まず、図７（ａ）に示すように、初期状態の基板Ｗ（図４（ａ））が第１のセンターロボットＣＲ１（図１）により開口部１９１（図６）を通して全領域露光ユニット１００内に搬入され、搬入された基板Ｗが載置部１１０の固定支持ピン１２１上に載置される。
【０１１１】
この状態で、ローカル搬送機構１４０の送り軸駆動モータＭ２０，Ｍ３０（図６）が動作することにより、図７（ｂ）に示すように、ローカル搬送ハンドＲＨＲの先端部が冷却プレート１２０と固定支持ピン１２１上で支持される基板Ｗとの間の空間に挿入される。
【０１１２】
続いて、ローカル搬送機構１４０の送り軸駆動モータＭ２０（図６）が動作することにより、図７（ｃ）に示すように、ローカル搬送ハンドＲＨＲが固定支持ピン１２１の上端部よりも高い位置まで上昇する。それにより、ローカル搬送ハンドＲＨＲにより基板Ｗが受け取られる。
【０１１３】
全領域露光ユニット１００においては、予め第１の位置Ｐ１および第２の位置Ｐ２が設定されている。本例では、図７（ｃ）に一点鎖線で示すように、第１の位置Ｐ１は、載置部１１０の固定支持ピン１２１の上端部よりもやや上方の位置に設定される。第２の位置Ｐ２は、第１の位置Ｐ１と同じ高さでかつ載置部１１０の側方の位置に設定される。
【０１１４】
次に、ローカル搬送機構１４０の送り軸駆動モータＭ３０（図６）が動作することにより、図８（ａ）に示すように、基板Ｗを保持するローカル搬送ハンドＲＨＲが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２まで水平方向に移動する。
【０１１５】
上記のように、光出射器１７０から出射される帯状の光ＲＬは基板Ｗの移動経路を横切る。この場合、ローカル搬送ハンドＲＨＲが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの一側部から他側部に向かって帯状の光ＲＬが走査される。これにより、主面上の全ての領域に対して光ＲＬが照射され、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される（全領域露光処理）。
【０１１６】
その後、さらにローカル搬送機構１４０の送り軸駆動モータＭ３０（図６）が動作することにより、図８（ｂ）に示すように、基板Ｗを保持するローカル搬送ハンドＲＨＲが第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１まで水平方向に移動する。この場合においても、ローカル搬送ハンドＲＨＲが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの他側部から一側部に向かって帯状の光ＲＬが走査される。これにより、主面上の全ての領域に対して再び光ＲＬが照射され、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される（全領域露光処理）。
【０１１７】
続いて、ローカル搬送ハンドＲＨＲが固定支持ピン１２１の上端部よりも低い位置まで下降する。それにより、図７（ｂ）に示されるように、基板Ｗが固定支持ピン１２１上に載置される。この状態で、ローカル搬送ハンドＲＨＲの先端部が冷却プレート１２０と固定支持ピン１２１上で支持される基板Ｗとの間の空間から引き抜かれる。最後に、第１のセンターロボットＣＲ１（図１）により、全領域露光処理後の基板Ｗ（図４（ｂ））が開口部１９１（図６）を通して搬出される。
【０１１８】
上記の全領域露光ユニット１００においては、光出射器１７０から照射される帯状の光ＲＬは均一な強度分布を有することが好ましく、基板Ｗの主面に光ＲＬが照射される間のローカル搬送ハンドＲＨＲの移動速度は一定であることが好ましい。この場合、基板Ｗの主面における光ＲＬの受光量分布を均一にすることができる。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａを均一に改質させることができる。
【０１１９】
上記の全領域露光ユニット１００においては、基板Ｗが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２まで移動することにより十分な量の光ＲＬが基板Ｗに照射されるのであれば、基板Ｗが第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１まで移動する間光出射器１７０の出射面１７１を遮光部材で覆ってもよい。
【０１２０】
上記の載置部１１０においては、冷却プレート１２０の上面から上方へ突出するように複数の固定支持ピン１２１が設けられる。これに代えて、載置部１１０は以下の構成を有してもよい。例えば、冷却プレート１２０には複数の貫通孔が形成されてもよい。さらに、載置部１１０においては、それらの複数の貫通孔を通して上下動可能に構成された複数の可動支持ピンが設けられてもよい。
【０１２１】
この場合、複数の可動支持ピンが冷却プレート１２０の上方に突出する状態で、載置部１１０と図１の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２との間の基板Ｗの受け渡し、および載置部１１０とローカル搬送ハンドＲＨＲとの間の基板Ｗの受け渡しを行うことができる。また、複数の可動支持ピン上に基板Ｗが載置された状態で、複数の可動支持ピンの上端部を冷却プレート１２０の上面とほぼ同じ高さまで下降させる。これにより、基板Ｗを冷却プレート１２０の上面に近接させることができる。さらにこの状態で、冷却プレート１２０の温度を調整することにより、基板Ｗの温度を効率よく調整することができる。
【０１２２】
また、載置部１１０においては、冷却プレート１２０に代えて基板Ｗを加熱することが可能に構成された加熱プレートが設けられてもよい。この場合、載置部１１０において基板Ｗを加熱することが可能となる。
【０１２３】
さらに、全領域露光ユニット１００においては、例えば載置部１１０の下方の位置に基板Ｗを加熱する加熱プレートがさらに設けられてもよい。この場合、ローカル搬送機構１４０が載置部１１０と加熱プレートとの間で基板Ｗを搬送することにより、全領域露光ユニット１００内で全面露光処理および基板Ｗの加熱処理を連続的に行うことができる。
【０１２４】
（４）第１の実施の形態の効果
（４−１）本実施の形態に係る全領域露光ユニット１００においては、ローカル搬送機構１４０により基板Ｗを保持するローカル搬送ハンドＲＨＲが光出射器１７０に対して相対的に移動されつつ、光出射器１７０から出射される光ＲＬが基板Ｗの主面に照射される。それにより、基板Ｗの主面に形成されたレジスト膜ｆ１ａが改質される。この場合、基板Ｗ上のレジスト膜ｆ１ａに微細なパターンの露光を行うための複雑な光学機構が不要である。したがって、簡単な構成かつ低コストで基板Ｗの主面に形成されたレジスト膜ｆ１ａを露光することが可能となる。
【０１２５】
（４−２）本実施の形態では、全領域露光処理時に基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査される。それにより、基板Ｗの主面に形成されたレジスト膜ｆ１ａが効率よく露光される。
【０１２６】
（４−３）本実施の形態では、基板Ｗの搬送中にレジスト膜ｆ１ａが露光されるので、基板処理のスループットが向上する。
【０１２７】
（４−４）本実施の形態では、ローカル搬送ハンドＲＨＲが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動する間および第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１に移動する間でそれぞれレジスト膜ｆ１ａが露光される。それにより、基板Ｗの主面に十分な量の光ＲＬを照射することができる。
【０１２８】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法について、第１の実施の形態と異なる点を説明する。図９（ａ）は第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＱ１線における側面図である。
【０１２９】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、第１の処理ブロック１０に図１の全領域露光処理部１０Ａに代えて熱処理部１０Ｈが設けられる。熱処理部１０Ｈにおいては、複数の温度調整ユニット２００が積層配置される。
【０１３０】
図９（ｂ）に示すように、各温度調整ユニット２００は、主として筐体１９０内に光出射器１７０および載置部２２０が設けられた構成を有する。図６の全領域露光ユニット１００と同様に、筐体１９０の一側壁には、基板Ｗを搬入するためおよび基板Ｗを搬出するための開口部１９１が形成されている。また、載置部２２０は、図５および図６の載置部１１０と同じ構成を有する。
【０１３１】
温度調整ユニット２００においては、筐体１９０の開口部と載置部２２０との間に光ＲＬが出射されるように光出射器１７０が配置される。本実施の形態では、温度調整ユニット２００、第１のセンターロボットＣＲ１およびハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２により全領域露光ユニット１００が構成される。本例では、筐体１９０の外部に第１の位置Ｐ１が設定され、筐体１９０内の載置部２２０上に第２の位置Ｐ２が設定される。
【０１３２】
光出射器１７０から光ＲＬが出射された状態で、第１のセンターロボットＣＲ１により基板Ｗを保持するハンドＣＲＨ１（またはハンドＣＲＨ２）が第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動される。また、第１のセンターロボットＣＲ１により基板Ｗを保持するハンドＣＲＨ１（またはハンドＣＲＨ２）が第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１に移動される。このように、基板Ｗを保持するハンドＣＲＨ１（またはハンドＣＲＨ２）が光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査される。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される。
【０１３３】
本実施の形態では、第１のセンターロボットＣＲ１により搬送される基板Ｗに全領域露光処理が行われる。そのため、第１のセンターロボットＣＲ１と別体で基板Ｗを搬送するための機構（例えば、図５および図６のローカル搬送機構１４０）を設ける必要がない。したがって、より簡単な構成かつ低コストで基板Ｗに全領域露光処理を行うことが可能となる。その結果、基板処理装置５００の複雑化および大型化がさらに抑制されるとともに、基板処理装置５００の製造コストの増加がさらに抑制される。
【０１３４】
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法について、第１の実施の形態と異なる点を説明する。図１０（ａ）は第３の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＱ２線における側面図である。
【０１３５】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、インデクサブロック９内に光出射器１７０が設けられる。また、第１の処理ブロック１０に図１の全領域露光処理部１０Ａに代えて中間膜用熱処理部１０Ｃが設けられる。中間膜用熱処理部１０Ｃは図１の中間膜用熱処理部１０Ｂと同じ構成を有する。
【０１３６】
図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示すように、インデクサブロック９においては、Ｙ方向におけるインデクサロボットＩＲと基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２との間に上方から光ＲＬが出射されるように光出射器１７０が配置される。本実施の形態では、光出射器１７０、インデクサロボットＩＲおよびハンドＩＲＨにより全領域露光ユニット１００が構成される。本例では、Ｙ方向におけるインデクサブロック９の略中央部に第１の位置Ｐ１が設定され、基板載置部ＰＡＳＳ１に第２の位置Ｐ２が設定される。
【０１３７】
光出射器１７０から光ＲＬが出射された状態で、インデクサロボットＩＲにより基板Ｗを保持するハンドＩＲＨが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動される。このように、基板Ｗが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査される。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される。
【０１３８】
本実施の形態では、インデクサロボットＩＲにより搬送される基板Ｗに全領域露光処理が行われる。そのため、インデクサロボットＩＲと別体で基板Ｗを搬送するための機構（例えば、図５および図６のローカル搬送機構１４０）を設ける必要がない。したがって、より簡単な構成かつ低コストで基板Ｗに全領域露光処理を行うことが可能となる。その結果、基板処理装置５００の複雑化および大型化がさらに抑制されるとともに、基板処理装置５００の製造コストの増加がさらに抑制される。
【０１３９】
本実施の形態においては、光出射器１７０は、基板Ｗが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に搬送される場合にのみ光ＲＬを出射するように構成されることが好ましい。
【０１４０】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法について、第３の実施の形態と異なる点を説明する。図１１（ａ）は第４の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＱ３線における側面図である。
【０１４１】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、インデクサブロック９においては、Ｙ方向における複数のキャリア載置台４０とインデクサロボットＩＲとの間に上方から光ＲＬが出射されるように光出射器１７０が配置される。本実施の形態においては、光出射器１７０、インデクサロボットＩＲおよびハンドＩＲＨにより全領域露光ユニット１００が構成される。本例では、各キャリア載置台４０に載置されるキャリアＣ内に第１の位置Ｐ１が設定され、Ｙ方向におけるインデクサブロック９の略中央部に第２の位置Ｐ２が設定される。
【０１４２】
光出射器１７０から光ＲＬが出射された状態で、インデクサロボットＩＲにより基板Ｗを保持するハンドＩＲＨが第１の位置Ｐ１から第２の位置に移動され、初期状態の基板ＷがキャリアＣ内から取り出される。このように、基板Ｗが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査される。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される。
【０１４３】
本実施の形態においても、インデクサロボットＩＲにより搬送される基板Ｗに全領域露光処理が行われる。そのため、インデクサロボットＩＲと別体で基板Ｗを搬送するための機構（例えば、図５および図６のローカル搬送機構１４０）を設ける必要がない。したがって、より簡単な構成かつ低コストで基板Ｗに全領域露光処理を行うことが可能となる。その結果、基板処理装置５００の複雑化および大型化がさらに抑制されるとともに、基板処理装置５００の製造コストの増加がさらに抑制される。
【０１４４】
本実施の形態においても、光出射器１７０は、基板Ｗが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に搬送される場合にのみ光ＲＬを出射するように構成されることが好ましい。
【０１４５】
［５］第５の実施の形態
第５の実施の形態に係る露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法について、第３の実施の形態と異なる点を説明する。図１２（ａ）は第５の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＱ４線における側面図である。
【０１４６】
本実施の形態においては、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、インデクサブロック９内に基板Ｗの方向等を調整するためのアライメント装置３００が設けられる。アライメント装置３００内には、基板Ｗを支持する支持部（図示せず）と、支持部により支持された基板Ｗの方向等を調整する調整機構（図示せず）が設けられる。インデクサブロック９においては、Ｘ方向におけるアライメント装置３００とインデクサロボットＩＲとの間に上方から光ＲＬが出射されるように光出射器１７０が配置される。本実施の形態においては、光出射器１７０、インデクサロボットＩＲおよびハンドＩＲＨにより全領域露光ユニット１００が構成される。本例では、Ｘ方向におけるアライメント装置３００の側方の位置に第１の位置Ｐ１が設定され、アライメント装置３００内に第２の位置Ｐ２が設定される。
【０１４７】
光出射器１７０から光ＲＬが出射された状態で、インデクサロボットＩＲにより基板Ｗを保持するハンドＩＲＨが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動され、基板Ｗがアライメント装置３００内に搬入される。また、インデクサロボットＩＲにより基板Ｗを保持するハンドＩＲＨが第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１に移動され、基板Ｗがアライメント装置３００内から搬出される。このように、基板Ｗを保持するハンドＩＲＨが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査される。それにより、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される。
【０１４８】
また、本実施の形態においても、インデクサロボットＩＲにより搬送される基板Ｗに全領域露光処理が行われる。そのため、インデクサロボットＩＲと別体で基板Ｗを搬送するための機構（例えば、図５および図６のローカル搬送機構１４０）を設ける必要がない。したがって、より簡単な構成かつ低コストで基板Ｗに全領域露光処理を行うことが可能となる。その結果、基板処理装置５００の複雑化および大型化がさらに抑制されるとともに、基板処理装置５００の製造コストの増加がさらに抑制される。
【０１４９】
なお、光出射器１７０はアライメント装置３００内に設けられてもよい。この場合、アライメント装置３００、インデクサロボットＩＲおよびハンドＩＲＨにより全領域露光ユニット１００が構成される。
【０１５０】
［６］第６の実施の形態
第６の実施の形態に係る露光装置および基板処理装置について説明する。以下に説明する基板処理装置においては、第１の実施の形態と同様の方法で基板Ｗに複数の処理（全領域露光処理、中間液塗布処理、現像処理およびＤＳＡ液塗布処理）が行われる。
【０１５１】
（１）基板処理システムの構成
図１３は、第６の実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。図１３および後述する図１４〜図１７には、図１と同様に位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。
【０１５２】
図１３に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置６００およびホストコンピュータ８００を備える。
【０１５３】
基板処理装置６００は、インデクサブロック１４、第１の処理ブロック１５および第２の処理ブロック１６を備える。図１３に示すように、インデクサブロック１４は、複数のキャリア載置台４０および搬送部１１２を含む。各キャリア載置台４０には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが載置される。
【０１５４】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置６００の種々の構成要素を制御する。また、制御部１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。制御部１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。
【０１５５】
搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図１７に示すように、搬送部１１２には、キャリアＣと搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。
【０１５６】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。使用者は、基板処理装置６００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。メインパネルＰＮの近傍には、図示しない操作部が設けられている。使用者は、操作部を操作することにより、基板処理装置６００の動作設定等を行うことができる。
【０１５７】
第１の処理ブロック１５は、塗布処理部６２１、搬送部６２２および熱処理部６２３を含む。塗布処理部６２１および熱処理部６２３は、搬送部６２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部６２２とインデクサブロック１４との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ１２〜ＰＡＳＳ１４（図１７参照）が設けられる。搬送部６２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構６２７および後述する搬送機構６２８（図１７参照）が設けられる。
【０１５８】
第２の処理ブロック１６は、塗布現像処理部６３１、搬送部６３２および熱処理部６３３を含む。塗布現像処理部６３１および熱処理部６３３は、搬送部６３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部６３２と搬送部６２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ１６〜ＰＡＳＳ１８（図１７参照）が設けられる。搬送部６３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構６３７および後述する搬送機構６３８（図１７参照）が設けられる。
【０１５９】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図１４は、主として図１３の塗布処理部６２１および塗布現像処理部６３１を示す基板処理システム１０００の一方側面図である。
【０１６０】
図１４に示すように、塗布処理部６２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布ユニット６２９が設けられる。塗布現像処理部６３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像液供給ユニット６３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布ユニット６２９が設けられる。
【０１６１】
各塗布ユニット６２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布ユニット６２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【０１６２】
また、図１３に示すように、各塗布ユニット６２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【０１６３】
塗布ユニット６２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【０１６４】
塗布処理室２１〜２４の塗布ユニット６２９においては、中間膜の塗布液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布ユニット６２９においては、ＤＳＡ膜の塗布液がノズル２８から基板Ｗに供給される。
【０１６５】
図１４に示すように、現像液供給ユニット６３９は、塗布ユニット６２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１３に示すように、現像液供給ユニット６３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそれらのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【０１６６】
現像液供給ユニット６３９においては、各スリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【０１６７】
図１４の例では、塗布ユニット６２９が２つのスピンチャック２５および２つのカップ２７を有し、現像液供給ユニット６３９が３つのスピンチャック３５および３つのカップ３７を有するが、スピンチャック２５，３５およびカップ２７，３７の数はこれに限らず、任意に変更してもよい。
【０１６８】
図１３および図１４に示すように、塗布処理部６２１内には流体ボックス部６５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部６３１内にも流体ボックス部６６０が設けられる。流体ボックス部６５０および流体ボックス部６６０内には、塗布ユニット６２９および現像液供給ユニット６３９への処理液の供給ならびに塗布ユニット６２９および現像液供給ユニット６３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【０１６９】
（３）熱処理部の構成
図１５は、主として図１３の熱処理部６２３，６３３を示す基板処理システム１０００の他方側面図である。
【０１７０】
図１５に示すように、熱処理部６２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の温度調整ユニット２００および複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。各熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。
【０１７１】
各温度調整ユニット２００は、第２の実施の形態に係る図９の温度調整ユニット２００と同じ構成を有する。それにより、載置部２２０（図９）上で基板Ｗの温度が調整される。また、各温度調整ユニット２００では、搬送機構６２７および後述する搬送機構６２８（図１６参照）により後述するハンドＨ１，Ｈ２（図１６参照）に保持された基板Ｗが搬入および搬出される。温度調整ユニット２００に対する基板Ｗの搬入および搬出時に、光出射器１７０（図９）により全領域露光処理が行われる。
【０１７２】
本実施の形態では、温度調整ユニット２００、搬送機構６２７およびハンドＨ１，Ｈ２により全領域露光ユニット１００が構成される（図１６参照）。また、温度調整ユニット２００、搬送機構６２８およびハンドＨ１，Ｈ２により全領域露光ユニット１００が構成される（図１６参照）。さらに、本実施の形態では、温度調整ユニット２００の外部（後述する図１６の上段搬送室７２５内および下段搬送室７２６内）に第１の位置が設定され、温度調整ユニット２００の内部に第２の位置が設定される。
【０１７３】
熱処理部６３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【０１７４】
（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図１６は、主として図１３の塗布処理部６２１、搬送部６２２および熱処理部６２３を示す側面図である。図１７は、主として図１３の搬送部６２２，６３２を示す側面図である。
【０１７５】
図１６および図１７に示すように、搬送部６２２は、上段搬送室７２５および下段搬送室７２６を有する。搬送部６３２は、上段搬送室７３５および下段搬送室７３６を有する。
【０１７６】
上段搬送室７２５には搬送機構６２７が設けられ、下段搬送室７２６には搬送機構６２８が設けられる。また、上段搬送室７３５には搬送機構６３７が設けられ、下段搬送室７３６には搬送機構６３８が設けられる。
【０１７７】
図１６に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室７２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室７２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図１４）と上段熱処理部３０３（図１５）とは上段搬送室７３５（図１７）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図１４）と下段熱処理部３０４（図１５）とは下段搬送室７３６（図１７）を挟んで対向するように設けられる。
【０１７８】
図１７に示すように、搬送部１１２と上段搬送室７２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室７２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４が設けられる。上段搬送室７２５と上段搬送室７３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６が設けられ、下段搬送室７２６と下段搬送室７３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１７，ＰＡＳＳ１８が設けられる。
【０１７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１および基板載置部ＰＡＳＳ１３には、インデクサブロック１４から第１の処理ブロック１５へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ１２および基板載置部ＰＡＳＳ１４には、第１の処理ブロック１５からインデクサブロック１４へ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１８０】
基板載置部ＰＡＳＳ１５および基板載置部ＰＡＳＳ１７には、第１の処理ブロック１５から第２の処理ブロック１６へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ１６および基板載置部ＰＡＳＳ１８には、第２の処理ブロック１６から第１の処理ブロック１５へ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１８１】
（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構６２７について説明する。図１８は、搬送機構６２７を示す斜視図である。
【０１８２】
図１７および図１８に示すように、搬送機構６２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図１７に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室７２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室７２５内において上下方向に延びるように上段搬送室７３５側に固定される。
【０１８３】
図１７および図１８に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
【０１８４】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に搬送機構６２７に設けられる。
【０１８５】
上記のような構成により、搬送機構６２７に設けられたハンドＨ１，Ｈ２は、上段搬送室７２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。それにより、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図１４）、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２，ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６（図１７）および上段熱処理部３０１（図１５）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【０１８６】
なお、図１７に示すように、搬送機構６２８，６３７，６３８は搬送機構６２７と同様の構成を有する。
【０１８７】
（５）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置６００の各構成要素の動作について説明する。
【０１８８】
（５−１）インデクサブロック１４の動作
以下、図１３および図１７を主に用いてインデクサブロック１４の動作を説明する。
【０１８９】
本実施の形態に係る基板処理装置６００においては、まず、インデクサブロック１４のキャリア載置台４０に、初期状態の基板Ｗ（図４（ａ）参照）が収容されたキャリアＣが載置される。搬送機構１１５は、そのキャリアＣから１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリアＣから他の１枚の初期状態の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３（図１７）に搬送する。
【０１９０】
基板載置部ＰＡＳＳ１２（図１７）に処理済みの基板Ｗ（図４（ｆ）参照）が載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に初期状態の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ１２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ１４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に初期状態の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ１４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板ＷをキャリアＣへ搬送するとともにキャリアＣに収容する。
【０１９１】
（５−２）第１の処理ブロック１５の動作
以下、図１３〜図１５および図１７を主に用いて第１の処理ブロック１５の動作について説明する。なお、簡便のため、搬送機構６２７，６２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１９２】
搬送機構１１５（図１７）により基板載置部ＰＡＳＳ１１（図１７）に載置された基板Ｗは、搬送機構６２７（図１７）に設けられたハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構６２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置される基板Ｗは、ＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗである。
【０１９３】
次に、搬送機構６２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の温度調整ユニット２００から基板Ｗを取り出す。基板Ｗの取り出し時には、基板Ｗの主面に光ＲＬ（図９（ｂ）参照）が照射される。また、搬送機構６２７は、ハンドＨ１に保持されている初期状態の基板Ｗをその温度調整ユニット２００に搬入する。基板Ｗの搬入時および搬出時には、基板Ｗの主面に光ＲＬ（図９（ｂ）参照）が照射される。このようにして、基板Ｗに全領域露光処理が行われる。上記のように、温度調整ユニット２００の載置部２２０（図９）は、基板Ｗの温度を調整する機構を有する。それにより、本例の温度調整ユニット２００においては、基板Ｗが中間液塗布処理に適した温度に調整される。
【０１９４】
次に、搬送機構６２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２２（図１４）のスピンチャック２５（図１４）上から中間膜形成後の基板Ｗ（図４（ｃ）参照）を取り出す。また、搬送機構６２７は、ハンドＨ２に保持されている全領域露光処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布ユニット６２９（図１４）により、基板Ｗ上に中間膜が形成される。
【０１９５】
次に、搬送機構６２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図１５）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６２７は、ハンドＨ１に保持されている中間膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。
【０１９６】
次に、搬送機構６２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１５（図１７）に載置する。また、搬送機構６２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ１６（図１７）からＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構６２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１６から取り出したＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２（図１７）に搬送する。
【０１９７】
搬送機構６２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１５内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１９８】
搬送機構６２８は、搬送機構６２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４，ＰＡＳＳ１７，ＰＡＳＳ１８（図１７）、塗布処理室２３，２４（図１４）および下段熱処理部３０２（図１５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１９９】
このように、本実施の形態においては、搬送機構６２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構６２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構６２７,６２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１５のスループットを向上させることができる。また、搬送機構６２７,６２８が上下に設けられているので、基板処理装置６００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０２００】
（５−３）第２の処理ブロック１６の動作
以下、図１３〜図１５および図１７を主に用いて第２の処理ブロック１６の動作について説明する。なお、簡便のため、搬送機構６３７，６３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０２０１】
搬送機構６２７により基板載置部ＰＡＳＳ１５（図１７）に載置された基板Ｗは、搬送機構６３７（図１７）に設けられたハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置される基板Ｗは、ＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗである。
【０２０２】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図１５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ１に保持されている中間膜形成後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０２０３】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ１により現像処理室３１（図１４）のスピンチャック３５（図１４）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像液供給ユニット６３９により現像処理が行われる。
【０２０４】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図１５）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ１に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０２０５】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図１５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図１５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後かつ熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、ＤＳＡ液塗布処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０２０６】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図１４）のスピンチャック２５（図１４）からＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布ユニット６２９（図１４）により、基板ＷにＤＳＡ液塗布処理が行われる。
【０２０７】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図１５）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ２に保持されているＤＳＡ液塗布処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０２０８】
次に、搬送機構６３７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０３（図１５）の所定の冷却ユニット（図１５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構６３７は、ハンドＨ１に保持されているＤＳＡ液塗布処理後かつ熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗが冷却される。その後、搬送機構６３７は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６（図１７）に載置する。
【０２０９】
搬送機構６３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１６内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０２１０】
搬送機構６３８は、搬送機構６３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ１７，ＰＡＳＳ１８、現像処理室３３（図１４）、塗布処理室３４（図１４）および下段熱処理部３０４（図１５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０２１１】
このように、本実施の形態においては、搬送機構６３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構６３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構６３７,６３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１６のスループットを向上させることができる。また、搬送機構６３７,６３８が上下に設けられているので、基板処理装置６００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０２１２】
［７］第７の実施の形態
第７の実施の形態に係る基板処理装置について、第６の実施の形態に係る基板処理装置と異なる点を説明する。第７の実施の形態に係る基板処理装置においては、第６の実施の形態に係る図１５の熱処理部６２３の各温度調整ユニット２００に代えて、以下に説明する露光温度調整ユニットが本発明における露光装置として設けられる。
【０２１３】
（１）露光温度調整ユニットの構成
図１９は、第７の実施の形態に係る露光温度調整ユニットの斜視図である。図２０は図１９の露光温度調整ユニット４００の平面図であり、図２１は図１９の露光温度調整ユニット４００の側面図である。
【０２１４】
図１９〜図２１に示すように、露光温度調整ユニット４００は、光出射器１７０、冷却部４００Ｃ、加熱部４００Ｈ、筐体４１０、搬送機構４２０およびシャッタ装置４７４を含む。光出射器１７０、冷却部４００Ｃ、加熱部４００Ｈ、搬送機構４２０およびシャッタ装置４７４は、それぞれ筐体４１０内に収容される。図２０および図２１では筐体４１０の図示を省略する。
【０２１５】
筐体４１０は直方体形状を有する。筐体４１０の一側壁４１０ａ（図１９）には、筐体４１０の内部空間と搬送室（本例では、図１７の上段搬送室７２５または下段搬送室７２６）の内部空間とを連通する開口部４１１が形成されている。開口部４１１を通して露光温度調整ユニット４００に対する基板Ｗの搬入および基板Ｗの搬出が行われる。
【０２１６】
筐体４１０の内部では、筐体４１０の一側壁４１０ａ（図１９）からその一側壁４１０ａに対向する他側壁４１０ｂ（図１９）に向かって冷却部４００Ｃおよび加熱部４００Ｈがこの順で配置されている。冷却部４００Ｃと加熱部４００Ｈとの間にシャッタ装置４７４が設けられている。さらに、冷却部４００Ｃとシャッタ装置４７４との間でかつ筐体４１０内の上部に光出射器１７０が設けられている。
【０２１７】
図２１に示すように、冷却部４００Ｃは、基板載置プレート４７０、昇降装置４６０、連結部材４６１および複数（本例では３つ）の支持ピン４６２を含む。
【０２１８】
基板載置プレート４７０は、円形状の上面４７０Ｕを有する。基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕは、基板Ｗの直径よりも大きい直径を有し、後述する搬送アーム４３０が接触可能に構成される。基板載置プレート４７０には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔が形成されている。基板載置プレート４７０内には、図示しない冷却水の循環流路が形成されている。この場合、循環経路に冷却水を供給することにより、基板載置プレート４７０の温度を所定温度に調整することができる。それにより、後述する搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕに接触する状態で、搬送アーム４３０により保持される基板Ｗを搬送アーム４３０とともに冷却することができる。
【０２１９】
昇降装置４６０には、連結部材４６１が上下方向に移動可能に取り付けられる。昇降装置４６０に取り付けられた連結部材４６１が、基板載置プレート４７０の下方に配置される。
【０２２０】
連結部材４６１に複数（本例では３つ）の支持ピン４６２がそれぞれ上下方向に延びるように取り付けられている。各支持ピン４６２は円形状の断面を有する棒状部材である。複数の支持ピン４６２は、上下方向に移動することにより基板載置プレート４７０の複数の支持ピン挿入孔にそれぞれ挿入可能に配置される。
【０２２１】
昇降装置４６０が動作することにより連結部材４６１が上下方向に移動する。それにより、複数の支持ピン４６２の上端部が、それぞれ基板載置プレート４７０の複数の支持ピン挿入孔を通して基板載置プレート４７０の上方の位置と基板載置プレート４７０の上面よりも下方の位置との間で移動する。
【０２２２】
加熱部４００Ｈは、基板載置プレート２１０、昇降装置２６０、連結部材２６１および複数（本例では３つ）の支持ピン２６２を含む。
【０２２３】
基板載置プレート２１０は、基板Ｗを載置可能な上面を有する。基板載置プレート２１０の上面は、基板Ｗの直径よりも大きい直径を有する。基板載置プレート２１０の上面には、図示しない複数のプロキシミティボールが設けられている。基板載置プレート２１０には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔が形成されている。基板載置プレート２１０内には、マイカヒータ等の発熱体が設けられている。発熱体は、図示しない温度調整部に接続される。温度調整部が図１３の制御部１１４により制御されることにより、発熱体の温度が調整される。それにより、基板載置プレート２１０の温度が所定温度に調整され、基板載置プレート２１０上に載置される基板Ｗが加熱される。
【０２２４】
昇降装置２６０、連結部材２６１および複数の支持ピン２６２は、それぞれ上記の昇降装置４６０、連結部材４６１および複数の支持ピン４６２と同じ構成を有する。
【０２２５】
搬送機構４２０は、上下方向に延びるように設けられた２本の長尺状のガイドレール４２１，４２２を備える。図１９に示すように、筐体４１０内において、一方のガイドレール４２１は筐体４１０の一側壁４１０ａ側に固定され、他方のガイドレール４２２は筐体４１０の他側壁４１０ｂ側に固定される。ガイドレール４２１とガイドレール４２２との間には、長尺状のガイドレール４２３が設けられる。ガイドレール４２３は、上下動可能にガイドレール４２１，４２２に取り付けられる。ガイドレール４２３に搬送アーム４３０が取り付けられる。搬送アーム４３０は、ガイドレール４２３の長手方向に移動可能に設けられる。
【０２２６】
図２１に示すように、搬送アーム４３０は、平板状部材４３０ｂおよび熱伝導シート４３０ｓを含む。平板状部材４３０ｂは、主としてアルミニウム等の金属材料からなり、基板Ｗの外形よりも大きい外形を有する平板状部材により構成される。搬送アーム４３０の平板状部材４３０ｂは、基板Ｗを載置可能な上面を有する。平板状部材４３０ｂの上面には、図示しない複数のプロキシミティボールが設けられている。平板状部材４３０ｂの下面に熱伝導シート４３０ｓが貼り付けられている。熱伝導シート４３０ｓは、例えば金属が添加されたシート状の樹脂材料により構成される。搬送アーム４３０には、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２および加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２と干渉しないように切り込み（スリット）４３１が設けられている。
【０２２７】
シャッタ装置４７４は、シャッタ４７５およびシャッタ駆動部４７６を含む。本例では、シャッタ駆動部４７６は、基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕおよび基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置（以下、閉位置と呼ぶ。）と基板載置プレート４７０の上面および基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置（以下、開位置と呼ぶ。）との間でシャッタ４７５を移動させる。
【０２２８】
シャッタ４７５が閉位置にある場合、筐体４１０の一側壁４１０ａ（図１９）からシャッタ４７５までの空間（冷却部４００Ｃおよび光出射器１７０を取り囲む空間）とシャッタ４７５から筐体４１０の他側壁４１０ｂ（図１９）までの空間（加熱部４００Ｈを取り囲む空間）とが、シャッタ４７５により遮断される。
【０２２９】
一方、シャッタ４７５が開位置にある場合、筐体４１０の一側壁４１０ａからシャッタ４７５までの空間とシャッタ４７５から筐体４１０の他側壁４１０ｂまでの空間とが連通する。
【０２３０】
本例の光出射器１７０は、図５の光出射器１７０と同じ構成を有する。光出射器１７０は、冷却部４００Ｃと加熱部４００Ｈとの間に帯状の光ＲＬを出射するようにかつ帯状の光ＲＬが搬送アーム４３０により保持される基板Ｗの水平方向の移動経路を横切るように配置される。
【０２３１】
本実施の形態では、水平面内における冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０上に第１の位置Ｐ１が設定され、水平面内における加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０上に第２の位置Ｐ２が設定される。
【０２３２】
（２）熱処理ユニットの動作
図１９〜図２１の露光温度調整ユニット４００の動作について説明する。図２２〜図３１は、露光温度調整ユニット４００の動作を示す模式的側面図である。図２２〜図３１においては、露光温度調整ユニット４００の複数の構成要素のうち一部の構成要素が示される。本例においては、基板処理装置６００の電源がオン状態である間、光出射器１７０から帯状の光ＲＬが出射される。
【０２３３】
図２２に示すように、初期状態で、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート４７０の上方に位置し、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上に接触する。この状態で、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０により冷却される。また、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート２１０の上面よりも下方に位置する。さらに、シャッタ４７５が閉位置にある。この状態で、筐体４１０の開口部４１１（図１９）を通して露光温度調整ユニット４００に搬入された基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２上に載置される。
【０２３４】
次に、図２３に示すように、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで上昇するとともに、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２が基板載置プレート４７０の上面よりも下方の位置まで下降する。それにより、基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２から搬送アーム４３０に渡され、基板Ｗが搬送アーム４３０により保持される。また、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置まで上昇する。さらに、シャッタ４７５が閉位置から開位置に移動する。
【０２３５】
次に、図２４に示すように、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置（第１の位置Ｐ１）から加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置（第２の位置Ｐ２）まで移動する。このとき、搬送アーム４３０により保持された基板Ｗの一側部から他側部に向かって光出射器１７０から出射された帯状の光ＲＬが走査される。これにより、主面上の全ての領域に対して光ＲＬが照射され、図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａが改質される（全領域露光処理）。
【０２３６】
続いて、搬送アーム４３０が複数の支持ピン２６２の上端部よりも下方の位置まで下降する。それにより、図２５に示すように、基板Ｗが加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２上に載置される。その後、搬送アーム４３０が加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置（第２の位置Ｐ２）から冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置（第１の位置Ｐ１）まで移動する。
【０２３７】
次に、図２６に示すように、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２が基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置まで下降する。それにより、基板Ｗが基板載置プレート２１０の上面上に載置される。この状態で、基板Ｗが基板載置プレート２１０により加熱される。また、搬送アーム４３０が下降することにより、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕ（図２１）に接触する。それにより、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０により冷却される。さらに、シャッタ４７５が開位置から閉位置に移動する。
【０２３８】
次に、図２７に示すように、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部が基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２により支持される。また、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで上昇する。さらに、シャッタ４７５が閉位置から開位置に移動する。
【０２３９】
次に、図２８に示すように、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置（第１の位置Ｐ１）から加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置（第２の位置Ｐ２）まで移動する。続いて、搬送アーム４３０が加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが搬送アーム４３０により受け取られる。
【０２４０】
その後、図２９に示すように、搬送アーム４３０が加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置（第２の位置Ｐ２）から冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置（第１の位置Ｐ１）まで移動する。このとき、搬送アーム４３０により保持された基板Ｗの他側部から一側部に向かって光出射器１７０から出射された帯状の光ＲＬが走査される。これにより、基板Ｗに再び全領域露光処理が行われる。
【０２４１】
次に、図３０に示すように、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕ（図２１）に接触するまで下降し、シャッタ４７５が開位置から閉位置に移動し、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２が基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置まで下降する。この場合、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕ（図２１）に接触することにより、基板Ｗが搬送アーム４３０とともに基板載置プレート４７０により冷却される。
【０２４２】
最後に、図３１に示すように、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２の上端部が基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕ（図２１）よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２により支持される。この状態で、複数の支持ピン４６２上の基板Ｗが図示しない搬送機構により受け取られ、図１９の開口部４１１から搬出される。
【０２４３】
（３）第７の実施の形態の効果
上記のように、本実施の形態に係る露光温度調整ユニット４００においては、基板Ｗが第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動することにより、光出射器１７０による基板Ｗの全領域露光処理、および基板Ｗの加熱処理が連続的に行われる。
【０２４４】
基板Ｗの主面に形成された図４（ａ）のレジスト膜ｆ１ａは、加熱処理により改質される。この場合、全領域露光処理では基板Ｗの上方からレジスト膜ｆ１ａが改質され、加熱処理では基板Ｗの下方で加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０が発熱することによりレジスト膜ｆ１ａが改質される。それにより、基板Ｗの主面に形成されたレジスト膜ｆ１ａが２種類の方法により主面側および裏面側から均一にかつ短時間で改質される。
【０２４５】
また、基板Ｗが第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１に移動することにより、光出射器１７０による基板Ｗの全領域露光処理、および基板Ｗの冷却処理が連続的に行われる。これにより、再度全領域露光処理が行われることにより基板Ｗの主面上のレジスト膜ｆ１ａが十分に改質される。また、全領域露光処理により基板Ｗの温度が高くなる場合に、冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０により全領域露光処理後の基板Ｗの温度を迅速に低下させることができる。その結果、全領域露光処理後の基板Ｗに対して待機時間を設けることなく後続の処理を行うことができる。
【０２４６】
さらに、露光温度調整ユニット４００においては、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕ（図２１）に接触することにより、搬送アーム４３０が冷却される。それにより、全領域露光処理により搬送アーム４３０の温度が高くなる場合に、搬送アーム４３０に残留する熱が除去される。したがって、露光温度調整ユニット４００に搬入された全領域露光処理前の基板Ｗに搬送アーム４３０から熱が伝導することが防止される。
【０２４７】
これらの結果、搬送アーム４３０からの熱伝導により感光性膜の温度が不均一になることが防止されつつ、レジスト膜ｆ１ａが均一かつ十分に改質されるとともに基板処理のスループットが向上する。
【０２４８】
［８］他の実施の形態
（１）上記の実施の形態においては、中間液塗布処理前の基板Ｗに全領域露光処理が行われる。これに限らず、中間液塗布処理前の基板Ｗに全領域露光処理を行う代わりに、中間液塗布処理後の基板Ｗに全領域露光処理を行ってもよい。
【０２４９】
（２）上記の実施の形態においては、基板Ｗを保持する保持部（ローカル搬送ハンドＲＨＲ、ハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２，ＩＲＨおよび搬送アーム４３０）のみが光出射器１７０に対して相対的に移動することにより、基板Ｗに全領域露光処理が行われる。
【０２５０】
これに限らず、基板Ｗを保持する保持部のみが光出射器１７０に対して相対的に移動する代わりに、光出射器１７０のみが基板Ｗを保持する保持部に対して相対的に移動してもよい。この場合、帯状の光ＲＬを出射する光出射器１７０が保持部により保持された基板Ｗの主面上を移動することにより、基板Ｗの主面上で帯状の光ＲＬが走査され、全領域露光処理が行われる。
【０２５１】
さらに、上記の例に限らず、基板Ｗを保持する保持部および光出射器１７０の両方が互いに相対的に移動することにより全領域露光処理が行われてもよい。
【０２５２】
（３）上記の実施の形態では、全領域露光ユニット１００を基板処理装置５００，６００に設ける場合について説明したが、これに限らず、全領域露光ユニット１００を他の基板処理装置に設けてもよく、または全領域露光ユニット１００を単独で用いてもよい。
【０２５３】
（４）第６の実施の形態においては、光出射器１７０が全領域露光ユニット２００内に設けられる。これに限らず、第６の実施の形態に係る基板処理装置６００において、第２〜第５の実施の形態と同様に、光出射器１７０がインデクサブロック１４の搬送部１１２内に設けられてもよい。この場合、インデクサブロック１４の搬送機構１１５、ハンド１１６および光出射器１７０により全領域露光ユニット１００が構成される。
【０２５４】
（５）第７の実施の形態に係る露光温度調整ユニット４００においては、第２の位置Ｐ２に、加熱部４００Ｈに代えて、高い精度で基板Ｗの温度を調整可能な冷却部を設けてもよい。このような冷却部としては、例えばペルチェ素子を含む基板載置プレートを用いることができる。
【０２５５】
それにより、例えば基板Ｗを第１の位置Ｐ１から第２の位置Ｐ２に移動させつつ全領域露光処理を行うことにより基板Ｗの温度が高くなる場合に、第２の位置Ｐ２で全領域露光処理後の基板Ｗの温度を所望の温度に迅速かつ正確に低下させることができる。したがって、全領域露光処理後の基板Ｗに対して待機時間を設けることなく後続の処理を行うことができる。
【０２５６】
この場合、全領域露光処理後で冷却部により温度が低下された基板Ｗに再度光出射器１７０から出射される光ＲＬが照射されることを防止するために、基板Ｗが第２の位置Ｐ２から第１の位置Ｐ１に戻る間、光出射器１７０の出射面１７１を遮光部材で覆うまたは光出射器１７０から基板Ｗの移動経路への光ＲＬの出射を停止させる必要がある。
【０２５７】
（６）第７の実施の形態に係る露光温度調整ユニット４００においては、第１の位置Ｐ１に、冷却部４００Ｃに代えて加熱部を設けてもよい。それにより、例えば図４（ａ）の初期状態から図４（ｂ）の全領域露光処理が行われるまでに基板Ｗの加熱処理を行う必要がある場合に、基板Ｗの加熱処理および全領域露光処理を露光温度調整ユニット４００内で連続的に行うことができる。その結果、基板処理のスループットが向上する。
【０２５８】
例えば、冷却部４００Ｃの冷却処理用の基板載置プレート４７０を加熱部４００Ｈの加熱処理用の基板載置プレート２１０に変更した場合には、搬送アーム４３０が第１の位置Ｐ１で基板載置プレート２１０の上面に接触することにより加熱される。それにより、搬送アーム４３０により基板Ｗが保持されることにより、搬送アーム４３０から基板Ｗに熱が伝導する。この場合、基板載置プレート２１０が本発明における温度処理機構として機能する。その結果、搬送アーム４３０による基板Ｗの移動時に基板Ｗの加熱処理を行うことが可能となり、基板処理のスループットがさらに向上する。
【０２５９】
（７）第７の実施の形態に係る露光温度調整ユニット４００においては、光出射器１７０が図１９の筐体４１０の一側壁４１０ａからシャッタ４７５までの空間（冷却部４００Ｃおよび光出射器１７０を取り囲む空間）内に設けられる。これに限らず、光出射器１７０が図１９の筐体４１０の一側壁４１０ａからシャッタ４７５までの空間に設けられる代わりに、光出射器１７０がシャッタ４７５から図１９の筐体４１０の他側壁４１０ｂまでの空間（加熱部４００Ｈを取り囲む空間）内に設けられてもよい。
【０２６０】
また、シャッタ４７５から図１９の筐体４１０の他側壁４１０ｂまでの空間（加熱部４００Ｈを取り囲む空間）内で、光出射器１７０が基板載置プレート２１０に対して相対的に移動可能に構成されてもよい。この場合、基板載置プレート２１０は本発明の保持部として機能する。それにより、基板載置プレート２１０により基板Ｗに加熱処理が行われた状態で、基板Ｗの上方から基板Ｗの主面上のレジスト膜ｆ１ａに光ＲＬを照射することができる。その結果、基板Ｗを移動させることなくレジスト膜ｆ１ａが均一かつ迅速に改質される。
【０２６１】
（８）上記の第１〜第７の実施の形態においては、基板Ｗに全領域露光処理を行うための光源としてＬＥＤを備える光出射器１７０が用いられる。これに限らず、全領域露光処理を行うための光源としてＬＥＤ以外の光源を備える光出射器１７０を用いてもよい。ＬＥＤ以外の光源としては、例えばハロゲンランプ、キセノンランプおよび水銀ランプ等がある。
【０２６２】
光源から発生される光ＲＬの強さを安定化させるために、基板処理装置６００の電源がオン状態である間、光源は常にオン状態であることが好ましい。そのため、全領域露光処理を行うことなく基板Ｗを第１の位置Ｐ１と第２の位置Ｐ２との間で移動させる場合には、光出射器１７０から基板Ｗの移動経路への光ＲＬの出射を阻止するために光出射器１７０の出射面１７１を遮光部材で覆うことが好ましい。
【０２６３】
［９］請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２６４】
上記実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、全領域露光ユニット１００および露光温度調整ユニット４００が露光装置の例であり、レジスト膜ｆ１ａ，ｆ１ｂが感光性膜の例であり、光出射器１７０が出射部の例である。
【０２６５】
また、ローカル搬送ハンドＲＨＲ、ハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２，ＩＲＨ、および搬送機構６２７，６２８に設けられるハンドＨ１，Ｈ２ならびに搬送アーム４３０が保持部の例であり、ローカル搬送機構１４０、第１のセンターロボットＣＲ１、インデクサロボットＩＲ、搬送機構６２７，６２８および搬送機構４２０が相対的移動部の例である。
【０２６６】
さらに、光出射器１７０から出射される光ＲＬが光および帯状光の例であり、第１の位置Ｐ１が第１の位置の例であり、第２の位置Ｐ２が第２の位置の例であり、複数の固定支持ピン１２１、アライメント装置３００内の支持部および基板載置プレート２１０が支持部の例であり、載置部１１０，２２０の冷却プレート１２０、アライメント装置３００内の調整機構、基板載置プレート２１０および基板載置プレート４７０が処理機構の例である。
【０２６７】
また、載置部１１０，２２０の冷却プレート１２０、基板載置プレート２１０および基板載置プレート４７０が温度処理部の例であり、基板載置プレート２１０が加熱処理部の例であり、基板載置プレート４７０が冷却処理部の例である。
【０２６８】
さらに、基板載置プレート４７０の上面４７０Ｕが接触面の例であり、基板載置プレート４７０が第１の温度処理部の例であり、昇降装置２６０、連結部材２６１および複数の支持ピン２６２が受け渡し機構の例であり、基板載置プレート２１０が第２の温度処理部の例であり、基板載置プレート４７０および基板載置プレート２１０が温度処理機構の例である。
【０２６９】
また、基板処理装置５００，６００が基板処理装置の例であり、塗布ユニット５０Ｕ、現像液供給ユニット６０Ｕ、塗布ユニット７０Ｕ、塗布ユニット６２９、現像液供給ユニット６３９、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰが処理部の例である。
【０２７０】
さらに、中間液が第１の処理液の例であり、塗布ユニット５０Ｕおよび第１の処理ブロック１５内の塗布ユニット６２９が第１の処理液塗布装置の例であり、現像液供給ユニット６０Ｕおよび第２の処理ブロック１６内の現像液供給ユニット６３９が現像装置の例であり、ＤＳＡ液が第２の処理液の例であり、塗布ユニット７０Ｕおよび第２の処理ブロック１６内の塗布ユニット６２９が第２の処理液塗布装置の例である。
【０２７１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２７２】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２７３】
９  インデクサブロック
１０，１５  第１の処理ブロック
１１，１６  第２の処理ブロック
１２  第３の処理ブロック
５０Ｕ  塗布ユニット
６０Ｕ  現像液供給ユニット
７０Ｕ  塗布ユニット
１００  全領域露光ユニット
１１０，２２０  載置部
１２０  冷却プレート
１２１  固定支持ピン
１４０  ローカル搬送機構
１７０  光出射器
１７１  出射面
２００  温度調整ユニット
２１０  基板載置プレート
２６０  昇降装置
２６１  連結部材
２６２  支持ピン
３００  アライメント装置
４２０，６２７，６２８，６３７，６３８  搬送機構
４００  露光温度調整ユニット
４３０  搬送アーム
４７０  基板載置プレート
４７０Ｕ  上面
６２９  塗布ユニット
６３９  現像液供給ユニット
ｆ１ａ，ｆ１ｂ  レジスト膜
ＣＰ  冷却ユニット
ＣＲＨ１，ＣＲＨ２，Ｈ１，Ｈ２，ＩＲＨ  ハンド
ＣＲ１  第１のセンターロボット
ｆ１ａ，ｆ１ｂ  レジスト膜
ｆ２  中間膜
ｆ３  ＤＳＡ液
ｆ３ａ  第１の重合体
ｆ３ｂ  第２の重合体
ＨＰ  加熱ユニット
ＩＲ  インデクサロボット
Ｐ１  第１の位置
Ｐ２  第２の位置
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＲＨＲ  ローカル搬送ハンド
ＲＬ  光
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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