(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物の総重量に対し、
（ａ）Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン及びＮ−（２−ヒドロキシプロピル）モルホリンからなる群より選択されるアミン化合物０．０５〜５重量％；
（ｂ）アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む添加剤０．０１〜１０重量％；及び
（ｃ）残量の水を含むことを特徴とする、平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項２】
前記アゾール系化合物は、トリルトリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−メチルベンゾトリアゾール、２−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、ニトロベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、及び２，２’−［［［エチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル］メチル］イミノ］ビスエタノールよりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項３】
前記アルカノールアミン塩は、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、モノイソプロパノールアミン塩、ジイソプロパノールアミン塩及びトリイソプロパノールアミン塩よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項４】
前記還元剤は、エリソルビン酸、ビタミンＣ及びアルファトコフェロールよりなる群から選ばれる１種または２種以上であることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項５】
鎖型アルカノールアミン、ポリカルボン酸共重合体、量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物及び界面活性剤よりなる群から選ばれるものをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項６】
前記鎖型アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ブタノールアミン、２−プロポキシエチルアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン及びＮ−エチルエタノールアミンよりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項５に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項７】
前記ポリカルボン酸共重合体としては、下記化学式６で表示される構造単位を含むことを特徴とする、請求項５に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【化１】
0005890306.tif 000019
（前記化学式６中、
Ｒ１５〜Ｒ１７はそれぞれ独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ３の直鎖または分枝鎖アルキル基、または（ＣＨ２）ｍ２ＣＯＯＭ２であり、
Ｍ１及びＭ２はそれぞれ独立して水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルアンモニウム基またはＣ１〜Ｃ１０の置換アルキルアンモニウム基であり、
ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜２の整数である。）
【請求項８】
前記量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物は、エチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＧ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＤＧ）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（ｃａｒｂｉｔｏｌ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＤＰＭ）、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＭＦＤＧ）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＴＧ）、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（ＭＴＧ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＧ）よりなる群から選ばれることを特徴とする、請求項５に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項９】
前記平板表示装置用洗浄液組成物のｐＨは７〜１３であることを特徴とする、請求項１に記載の平板表示装置用洗浄液組成物。
【請求項１０】
請求項１の洗浄液組成物を用いた平板表示装置の洗浄方法。
【請求項１１】
前記洗浄方法は、スプレー（Ｓｐｒａｙ）方式、スピン（Ｓｐｉｎ）方式、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）方式、及び超音波を用いたディッピング方式よりなる群から選ばれる１種または２種以上で行うことを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置の洗浄方法。
【請求項１２】
前記洗浄方法は２０〜８０℃の温度で洗浄することを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置の洗浄方法。
【請求項１３】
前記洗浄方法は３０秒〜１０分間洗浄することを特徴とする、請求項１０に記載の平板表示装置の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は洗浄液組成物及びこれを用いたパネルの洗浄方法に関する。本発明は２００９年０７月２９日付で大韓民国特許庁に提出された大韓民国特許出願第１０−２００９−００６９５０５号、第１０−２００９−００６９５０６号と、２００９年０８月１１日に大韓民国特許庁に提出された大韓民国特許出願第１０−２００９−００７３６８３号の出願日の利益を主張し、その内容の全部を本明細書に含む。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に代表される平板表示装置（以下‘ＦＰＤ’という）は、半導体装置と同様に、成膜、露光、エッチングなどの工程によって製品が製造される。しかし、このような工程を遂行すれば、基板表面に各種の有機物や無機物などの１μｍ以下の大きさを持つ非常に小さなパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）が付着することができる。このようなパーティクルが付着したまま、次の工程を遂行した場合、膜のピンホール、ピット、配線の断線またはブリッジ（Ｂｒｉｄｇｅ）が発生して製品の製造収率が低下する。
【０００３】
したがって、パーティクルを除去するための洗浄が各工程の間に遂行されている。洗浄のための洗浄液に対しても多くの提案が出ている。例えば、日本特開２００５−１５４５５８号公報には、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ、アンモニア、及び／またはアミンを含有する洗浄液が提案されている。しかし、この特許の洗浄液は半導体デバイス用で、最も代表的なＦＰＤ基板であるガラス基板と最も代表的な配線材料であるＡｌを激しく食刻（Ｅｔｃｈｉｎｇ）するＨＦを含んでいるため、ＦＰＤ用基板の洗浄には使うことができない。また、日本特開２０００−２３２０６３号公報にはリン酸とリン酸アンモニウムを腐食防止剤として用いることが提案された。しかし、この特許はレジスト残渣除去用であり、組成物のｐＨも酸性範囲である。よって、洗浄初期の段階の基本的特性である有機物や無機物などの１μｍ以下の大きさを持つ非常に小さなパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）に対する除去性とアルミニウム配線に対する腐食防止性を同時に満足させにくい。また、大韓民国登録特許１０−０５７４６０７号公報には酸性のｐＨ環境下で脱イオン水、有機化合物及びアンモニウム化合物を含む洗浄液を提案した。しかし、この特許の洗浄液は酸性範囲の溶液なので、洗浄初期の段階の基本的特性である有機物や無機物などの１μｍ以下の大きさを持つ非常に小さなパーティクル（Ｐａｒｔｉｃｌｅ）に対する除去能力に優れていない。また、大韓民国登録特許１０−０５９９８４９号公報において、尿素及び／またはエチレン尿素、第４級アンモニウム水酸化物、アンモニアなどのアルカリ成分、クエン酸（ＣＩＴＲＩＣ ＡＣＩＤ）、リンゴ酸（ＭＡＬＩＣ ＡＣＩＤ）、酒石酸（ＴＡＲＴＡＲＩＣ ＡＣＩＤ）などの有機酸及び／またはその塩、そして残量が脱イオン蒸溜水を含む洗浄液を提案した。しかし、この特許の洗浄液は、長期間使用の際、尿素またはエチレン尿素の析出問題が発生することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は平板表示装置に用いられる基板上に存在する有機物または無機物などのパーティクルを除去するのに適した洗浄液組成物を提供することである。
【０００５】
また、本発明の目的は平板表示装置に用いられる銅を含む配線、アルミニウムを含む配線を腐食させない洗浄液組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、組成物の総重量に対し、（ａ）下記化学式１〜５のいずれか一つで表示されるアミン化合物０．０５〜５重量％；（ｂ）アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む添加剤０．０１〜１０重量％；及び（ｃ）残量の水を含むことを特徴とする平板表示装置用洗浄液組成物を提供する。
【０００７】
【化１】
0005890306.tif 000002
【０００８】
【化２】
0005890306.tif 000003
【０００９】
【化３】
0005890306.tif 000004
【００１０】
【化４】
0005890306.tif 000005
【００１１】
【化５】
0005890306.tif 000006
【００１２】
前記化学式１〜５において、
Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキレン基であり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基であり、
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルベンゼン基またはアミノ基であり、
Ｒ９及びＲ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルアミノ基またはアミノ基であり、
Ｒ１２はＣ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖チオールアルキル基であり、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ５の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基またはＣ１〜Ｃ４のアルコキシアルキル基であり、Ｒ１３及びＲ１４は結合してヘテロ環を形成することができ、
ｎ１及びｎ３はそれぞれ独立して０または１の整数であり、
ｎ２及びｎ４はそれぞれ独立して０〜４の整数であり、
ｎ５は１または２の整数であり、
ｎ６は１〜４の整数である、
ｎ７は０〜４の整数であり、
Ｘ１はＳ、ＯまたはＮであり、
Ｘ２はＮ、
Ｘ３はＣＨまたはＮであり、
Ｙはヒドロキシ基またはアミノ基である。
【００１３】
さらに、本発明は、前記洗浄液組成物を用いた平板表示装置の洗浄方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の洗浄液組成物は平板表示装置に用いられる基板の表面に存在する有機物または無機物などのパーティクルに対する除去力に優れる。また、本発明の洗浄液組成物は、基板上に位置する銅を含む配線とアルミニウムを含む配線に対する腐食防止効果に優れる。また、本発明の洗浄液組成物は多量の水を含んでいるので、取扱いが容易で環境に優しい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図２】実施例１６による洗浄液組成物を用いて図１に示した有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。
【図３】有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図４】実施例１６による洗浄液組成物を用いて図３に示したヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【図５】有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図６】実施例３２による洗浄液組成物を用いて図５に示した有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。
【図７】有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図８】実施例３２による洗浄液組成物を用いて図６に示したヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【図９】有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図１０】実施例５１による洗浄液組成物を用いて図９に示した有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。
【図１１】有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。
【図１２】実施例５１による洗浄液組成物を用いて図１１に示したヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を具体的に説明する。
【００１７】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物は、（ａ）アミン化合物、（ｂ）添加剤及び（ｃ）水を含む。
【００１８】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物に含まれる（ａ）アミン化合物は下記化学式１〜５のいずれか一つで表示される。
【００１９】
【化６】
0005890306.tif 000007
【００２０】
【化７】
0005890306.tif 000008
【００２１】
【化８】
0005890306.tif 000009
【００２２】
【化９】
0005890306.tif 000010
【００２３】
【化１０】
0005890306.tif 000011
【００２４】
前記化学式１〜５において、
Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキレン基であり、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ６はそれぞれ独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基であり、
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ１０はそれぞれ独立して水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルアミノ基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルベンゼン基またはアミノ基であり、
Ｒ９及びＲ１１は水素、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基、Ｃ１〜Ｃ１０の直鎖または分枝鎖アルキルアミノ基またはアミノ基であり、
Ｒ１２はＣ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、またはＣ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖チオールアルキル基であり、
Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立してＣ１〜Ｃ５の直鎖または分枝鎖アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４の直鎖または分枝鎖ヒドロキシアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１０のアリール基またはＣ１〜Ｃ４のアルコキシアルキル基であり、Ｒ１３及びＲ１４は結合してヘテロ環を形成することができ、
ｎ１及びｎ３はそれぞれ独立して０または１の整数、ｎ２及びｎ４はそれぞれ独立して０〜４の整数、ｎ５は１または２の整数、ｎ６は１〜４の整数、ｎ７は０〜４の整数、Ｘ１はＳ、ＯまたはＮ、Ｘ２はＮ、Ｘ３はＣＨまたはＮ、Ｙはヒドロキシ基またはアミノ基である。
【００２５】
前記（ａ）アミン化合物は組成物の総重量に対し、０．０５〜５重量％含まれ、０．１〜３重量％で含まれることが好ましい。前述した範囲未満で含まれれば、十分な洗浄効果を具現することができない。前述した範囲を超えて含まれれば、洗浄液内の活動度を低下させてパーティクル除去効果を減少させるかあるいは銅を含む配線またはアルミニウムを含む配線に対する腐食が増加する。
【００２６】
前記化学式１で表示されるアミン化合物は、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシブチル）ピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−４−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシブチル）−４−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−エチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−プロピルピペラジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−ブチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−４−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−４−エチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−４−プロピルピペラジン、１−（２−ヒドロキシプロピル）−４−ブチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシブチル）−４−メチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシブチル）−４−エチルピペラジン、１−（２−ヒドロキシブチル）−４−プロピルピペラジン、１−（２−ヒドロキシブチル）−４−ブチルピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）モルホリン、Ｎ−アミノプロピルモルホリン、ヒドロキシエチルピペラジン、ヒドロキシプロピルピペラジン及び１−（Ｎ−メチルピペラジン）エタノールよりなる群から選ばれることが好ましい。
【００２７】
前記化学式２で表示される化合物は、１，４−ピペラジンジエタノール（１，４−Ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅｄｉｅｔｈａｎｏｌ）と１，４−ピペラジンジメタノール（１，４−Ｐｉｐｅｒａｚｉｎｅｄｉｍｅｔｈａｎｏｌ）よりなる群から選ばれることが好ましい。
【００２８】
前記化学式３で表示される化合物は、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−エチレンウレア、Ｎ−（３−ヒドロキシプロピル）−２−ピロリドン、ヒドロキシメチルピロリドン及び１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドンよりなる群から選ばれることが好ましい。
【００２９】
前記化学式４で表示される化合物は、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）ピペリジン及びＮ−（２−ヒドロキシブチル）ピペリジンよりなる群から選ばれることが好ましい。
【００３０】
前記化学式５で表示される化合物は、アミノエトキシエタノール、アミノプロポキシエタノール、アミノブトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシチオール、ジエチルアミノエトキシチオール、ジプロピルアミノエトキシチオール、ジブチルアミノエトキシチオール、ジメチルアミノエトキシエタノール、ジエチルアミノエトキシエタノール、ジプロピルアミノエトキシエタノール、ジブチルアミノエトキシエタノール、ジメチルアミノエトキシエタンチオール、ジエチルアミノエトキシプロパンチオール、ジプロピルアミノエトキシブタンチオール、ジブチルアミノエトキシエタノール、Ｎ−（メトキシメチル）モルホリン、Ｎ−（エトキシメチル）モルホリン、Ｎ−（２−メトキシエタノール）モルホリン、Ｎ−（２−エトキシエタノール）モルホリン及びＮ−（２−ブトキシエタノール）モルホリンよりなる群から選ばれることが好ましい。
【００３１】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物に含まれる（ｂ）添加剤は、アゾール系化合物、アルカノールアミン塩及び還元剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上を含む。
【００３２】
前記（ｂ）添加剤は銅を含む配線とアルミニウムを含む配線の腐食を最小化する。
【００３３】
前記添加剤は、組成物の総重量に対し、０．０１〜１０重量％含まれ、０．１〜３重量％含まれることが好ましい。前述した範囲を満足すれば、アルミニウム、銅、またはアルミニウム合金、銅合金などの金属膜の損傷を最小化でき、経済的である。
【００３４】
前記アゾール系化合物はトリアゾール環を含むことが好ましい。前記トリアゾール環に存在する窒素原子の非共有電子対が銅と電子的に結合して金属腐食を抑制する。前記アゾール系化合物は、トリルトリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、４−アミノ−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−メチルベンゾトリアゾール、２−メチルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸、ニトロベンゾトリアゾール及び２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、及び２，２’−［［［エチル−１H−ベンゾトリアゾール−１−イル］メチル］イミノ］ビスエタノールよりなる群から選ばれる１種または２種以上であることが好ましい。
【００３５】
前記アルカノールアミン塩は、金属パターン及び酸化膜が存在する基板の洗浄工程の際、金属の腐食及び酸化膜の過食刻を防止し、洗浄液のｐＨ変化を抑制するｐＨ緩衝効果を持つ。前記アルカノールアミン塩の製造の際、塩生成反応の温度は９０℃以下に維持されることが好ましい。
【００３６】
前記アルカノールアミン塩は、アルキル部分が通常低級アルキル、つまりＣ１〜Ｃ５のアルキルであるアルカノールアミンから選択されることが好ましい。また、１種以上のヒドロキシ基が残っていたら、他の置換体がアミン基中に存在することができるので、ジメチルメタノールアミン塩のような他の低級アルカノールアミン塩を使うことも好ましい。前記アルカノールアミン塩の具体的な例としては、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩、モノイソプロパノールアミン塩、ジイソプロパノールアミン塩及びトリイソプロパノールアミン塩などをあげることができる。前記アルカノールアミン塩として、市販の製品を使っても構わない。市販の製品の例としては、ＡＢ ＲＵＳＴ ＣＭ（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＡＢ ＲＵＳＴ Ａ４（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−ＮＡ（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−ＮＢ（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−ＮＣＡＬ（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−１０２（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−１０３（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）、ＥＭＡＤＯＸ−Ｄ５２０（ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）及びＡＢ Ｒｕｓｔ ａｔ（ＬＡＢＥＭＡＣｏ．社製）などをあげることができる。
【００３７】
前記還元剤は金属配線の腐食進行段階と言える酸化膜形成を抑制することで、金属配線の腐食を防止する役目をする。前記還元剤はエリソルビン酸、ビタミンＣ及びアルファトコフェロールよりなる群から選ばれる１種または２種以上であることが好ましい。
【００３８】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物に含まれる（ｃ）水は脱イオン水であることが好ましく、脱イオン蒸留水であることがより好ましい。前記（ｃ）水が含まれれば、経済的で環境に優しい洗浄液組成物を提供することができる。前記（ｃ）水は本発明の洗浄液組成物の含量が１００重量％となるように残量として含まれる。
【００３９】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物は、ポリカルボン酸共重合体、量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物及び界面活性剤よりなる群から選ばれるものをさらに含むことが好ましい。
【００４０】
前記ポリカルボン酸共重合体は、金属の表面に保護膜層を形成してアルカリイオンとの過度な反応を抑制して金属の腐食を防止することができ、ｐＨ調節剤の役目をする。前記ポリカルボン酸共重合体は下記化学式６で表示される構造単位を含むことが好ましい。
【００４１】
【化１１】
0005890306.tif 000012
【００４２】
前記化学式６中、
Ｒ１５〜Ｒ１７はそれぞれ独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ３の直鎖または分枝鎖アルキル基、または（ＣＨ２）ｍ２ＣＯＯＭ２であり、
Ｍ１及びＭ２はそれぞれ独立して水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム基、Ｃ１〜Ｃ１０のアルキルアンモニウム基またはＣ１〜Ｃ１０の置換アルキルアンモニウム基であり、
ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立して０〜２の整数である。
【００４３】
前記ポリカルボン酸共重合体は、前記化学式６で表示される構造単位を持つ単量体を含むことが好ましい。前記化学式６で表示される構造単位を持つ単量体はアクリル酸、メチル（メタ）アクリル酸、エチル（メタ）アクリル酸、トリメチルアクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、シトラコン酸、ビニル酢酸、４−ペンテン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれることが好ましい。このうち、金属を高速で研磨するという観点でアクリル酸、メチル（メタ）アクリル酸及びマレイン酸がより好ましい。
【００４４】
また、前記ポリカルボン酸系共重合体は、前記化学式６で表示される構造単位を持つ単量体と共重合可能な他の単量体を１種または２種以上使っても良い。これらの具体的な例としては、ポリアクリル酸重合体（ＰＡＡ）、ポリメチル（メタ）アクリル酸共重合体（ＰＭＡＡ）、ポリアクリル酸マレイン酸共重合体（ＰＡＭＡ）、ポリアクリル酸メチル（メタ）アクリル酸共重合体（ＰＡＭＡＡ）、ポリマレイン酸共重合体（ＰＭＡ）、ポリメチル（メタ）アクリル酸マレイン酸共重合体（ＰＭＡＭＡ）及びこれらの塩などをあげることができる。
【００４５】
前記ポリカルボン酸共重合体は、組成物の総重量に対し、０．０１重量％〜１０重量％含まれることが好ましく、０．０５重量％〜５重量％含まれることがより好ましく、０．１重量％〜１重量％含まれることが最も好ましい。
【００４６】
前記量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物は有機汚染物を溶解させる溶媒の役目をする。また、前記量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物は溶媒としての機能の外にも洗浄液の表面張力を低下させてガラス基板に対する湿潤性を増加させるので洗浄力を向上させる。
【００４７】
前記量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物は、エチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＧ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＭＤＧ）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（ｃａｒｂｉｔｏｌ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＤＧ）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＤＰＭ）、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（ＭＦＤＧ）、トリエチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＴＧ）、トリエチレングリコールモノエチルエーテル（ＭＴＧ）及びプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＭＦＧ）よりなる群から選ばれることが好ましい。
【００４８】
前記量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物は、組成物の総重量に対し、０．０５〜２０重量％含まれることが好ましく、０．５〜１０重量％含まれることがより好ましい。前述した範囲未満で含まれれば、量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル化合物の追加による洗浄液組成物の有機汚染物に対する溶解力増加を期待することができない。前述した範囲を超えて含まれれば、湿潤性増加に対するそれ以上の効果を期待することができない。
【００４９】
前記界面活性剤は、基板に対する湿潤性を増加させて均一な洗浄がなされるようにし、金属パターン及び酸化膜が存在する基板の洗浄工程の際、金属の腐食及び酸化膜の過食刻を防止する効果を持つ。前記界面活性剤は、陰性界面活性剤、陽性界面活性剤及び非イオン性の界面活性剤よりなる群から選ばれる１種または２種以上であることが好ましい。特に、これらの中で、湿潤性に優れ、気泡発生がより少ない非イオン性界面活性剤を用いることが好ましい。
【００５０】
前記非イオン性界面活性剤は、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレングリコール型、ポリオキシエチレンアルキルエーテル型、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル型、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンアルキルエーテル型、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンアルキルエーテル型、ポリオキシエチレンアルキルアミノエーテル型、ポリオキシエチレンアルキルアミドエーテル型、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル型、ソルビタン脂肪酸エステル型、脂肪酸エステル型、グリセリン脂肪酸エステル型、ポリグリセロール脂肪酸エステル型、グリセリンエステル型、アルキロールアミド型、脂肪酸アミド型及びオキシエチレン添加脂肪酸アミド型よりなる群から選ばれる１種または２種以上であることが好ましい。この中でも、界面活性剤分子の構造中に親水基としてオキシエチレン基（ＥＯ基）を持ち、疎水基としてはオキシプロピレン基（ＰＯ基）またはオキシブチレン基（ＢＯ基）を持つ、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンアルキルエーテル型共重合体であることが好ましい。ここで、ＥＯ基は−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−で表示され、オキシプロピレン基は−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｏ−または−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｏ−で表示され、オキシブチレン基は−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−、−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−Ｏ−、または−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）２−Ｏ−で表示される。ＥＯ基とＰＯ基、ＢＯ基の共重合部分は、ブロック共重合体であっても、ランダムな共重合体であっても、ブロック（ｂｌｏｃｋ）性を有するランダム（ｒａｎｄｏｍ）多重合体であっても良い。また、その共重合分子は、ＥＯ基とＰＯ基による共重合体、ＥＯ基とＢＯ基による共重合体、あるいはＥＯ基とＰＯ基、ＢＯ基による共重合体であっても良い。親水基のＥＯ基と、疎水基のＰＯ基またはＢＯ基の、界面活性剤分子中の存在の割合としては、ＥＯ基の総モル数をＸ、ＰＯ基またはＢＯ基の総モル数をＹとする場合、Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）が０．０５〜０．７の範囲であることが好ましい。
【００５１】
また、前記非イオン性界面活性剤の末端は、ただ水素、水酸基、アルキル基及びアルケニル基よりなる群から選ばれる１種または２種以上でも構わない。また、エチレンジアミンやグリセリンを付け加えた構造であっても構わない。このような非イオン性界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレン縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンウンデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンドデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンテトラデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンウンデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンドデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンテトラデカニルエーテル縮合物、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン２−エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンステアリルエーテル、グリセリン付加型ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン縮合物、グリセリン付加型ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレン縮合物エチレンジアミン付加型ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン縮合物、エチレンジアミン付加型ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレン縮合物ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレン２−エチルヘキシルエーテル、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレン／ポリオキシブチレンステアリルエーテルなどをあげることができる。
【００５２】
好ましくは、ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン縮合物、ポリオキシエチレンポリオキシブチレン縮合物、グリセリン付加型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物及びエチレンジアミン付加型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物であり、より好ましくは、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物またはエチレンジアミン付加型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン縮合物である。
【００５３】
前記界面活性剤は、組成物の総重量に対し、０．００１〜１．０重量％含まれることが好ましく、０．０１〜０．５重量％含まれることがより好ましい。前述した範囲未満で含まれれば、ガラス基板の洗浄均一度増加効果が低く、前述した範囲を超えて含まれれば、洗浄均一度は均一であるがその以上増加しなくて一定範囲内で収斂する。
【００５４】
本発明の平板表示装置用洗浄液組成物を用いた洗浄方法は当該分野に通常に知られた方法によって遂行することができる。前記洗浄方法は、スプレー（ｓｐｒａｙ）方式、スピン（ｓｐｉｎ）方式、ディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）方式及び超音波を用いたディッピング方式よりなる群から選ばれる１種または２種以上が行われることが好ましい。本発明の洗浄方法が最上の優秀な洗浄効果を現すことができる温度は２０〜８０℃、好ましくは２０〜５０℃である。また、本発明の洗浄方法は３０秒〜１０分間行われることが好ましい。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明を実施例に基づいてより具体的に説明する。しかし、下記実施例によって本発明の範囲が制限されるものではない。
【００５６】
（実施例１〜実施例１９及び比較例１〜比較例３）：洗浄液組成物の製造
表１に記載した構成成分及び組成で混合して撹拌して洗浄液組成物を製造した。
【００５７】
【表１】
0005890306.tif 000013
【００５８】
注）ＮＨＥＰ１：Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン
ＨＥＭＰ：１−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルピペラジン
ＮＨＥＭ：Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
ＮＨ４ＯＨ：アンモニウムヒドロキシド
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
＊１）：２，２’−［［［エチル−１H−ベンゾトリアゾール−１−イル］メチル］イミノ］ビスエタノール
＊２）：ＥＭＡＤＯＸ−ＮＡ（商品名、ＬＡＢＥＭＡ  Ｃｏ．社製）
＊３）：アスコルビン酸
＊ＧＥ：量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル
＊４）：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
＊５）：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
＊６）：トリエチレングリコールモノエチルエーテル
＊７）：ポリアクリル酸重合体（ＰＡＡ）
＊８）：ポリメチルアクリル酸共重合体（ＰＭＡＡ）
＊９）：ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレングリコール
＊１０）：エチレンジアミン付加型ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレン縮合物
【００５９】
（試験例１）：洗浄液組成物の特性評価
１）銅エッチング速度評価
まず、銅が２５００Å厚さで形成されたガラス基板を実施例１〜実施例１２及び比較例１〜比較例３の洗浄液組成物に３０分間ディッピングさせる。この際、洗浄液の温度は４０℃であり、銅膜の厚さをディッピング以前及び以後に測定し、銅溶解速度を銅膜の厚さ変化から計算して測定する。その結果を表２に記載した。
【００６０】
２）有機汚染物除去力評価−１
有機汚染物の除去力評価のために、５ｃｍ×５ｃｍの大きさに形成されたガラス基板上にヒトの指紋跡または有機成分サインペンで汚染させ、汚染された基板をスプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例４、実施例８、実施例１２〜実施例１９の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。
【００６１】
この際、下記の表２において、有機汚染物の除去有無は、除去されたときは○、除去されなかったときは×で表示した。また、実施例１６による有機汚染物除去の結果を図１〜図４に示した。ここで、図１は有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。図２は本発明の実施例１６による洗浄液組成物を用いて図１に示した有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。図３は有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。図４は本発明の実施例１６による洗浄液組成物を用いて図３に示したヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【００６２】
３）有機汚染物除去力評価−２
また、ガラス基板を大気中に２４時間放置して、大気中の各種有機物、無機物、パーティクルなどで汚染させた後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例４、実施例８、実施例１２〜実施例１９の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。前記ガラス基板上に０．５μｌの超純水滴を落として洗浄後の接触角を測定した。その結果を表２に示した。
【００６３】
４）有機汚染物除去力評価−３
実施例４、実施例８、実施例１２、実施例１３、実施例１６及び実施例１８の洗浄液組成物を持って、有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施した。すなわち、ガラス平均粒度が０．８μｍである有機パーティクルソリューションで汚染させ、１分間３０００ｒｐｍでスピン（ｓｐｉｎ）ドライした後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃でそれぞれの洗浄液で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。洗浄前後のパーティクル数は表面粒子測定器（Ｔｏｐｃｏｎ ＷＭ−１５００）で０．１μｍ以上のパーティクル数を測定し、表２に示した。
【００６４】
【表２】
0005890306.tif 000014
【００６５】
表２を参照すれば、実施例１〜１２の洗浄液組成物は銅に対する腐食防止効果があった。しかし、環状アミン化合物ではないアルカリ性化合物が含まれている比較例１〜３の場合には、銅腐食現象が観察された。
【００６６】
また、実施例４、実施例８、実施例１２、実施例１３、実施例１６〜実施例１９の洗浄液組成物はいずれも有機汚染物の除去力があることを示し、接触角が２０°〜４０°を持つことから有機汚染物の除去能力を示した。
【００６７】
実施例４、実施例８、実施例１２、実施例１３、実施例１６及び実施例１８の洗浄液組成物で、有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施したとき、７７〜８６％に近いパーティクル除去力を示した。
【００６８】
（実施例２０〜実施例３８）：洗浄液組成物の製造
表３に記載した構成成分及び組成で混合して撹拌して洗浄液組成物を製造した。
【００６９】
【表３】
0005890306.tif 000015
【００７０】
注）ＮＨＥＰ２：Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペリジン
ＮＨＰＰ：Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）ピペリジン
ＨＥＰ：１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリドン
＊１）：２，２’−［［［エチル−１H−ベンゾトリアゾール−１−イル］メチル］イミノ］ビスエタノール
＊２）：ＥＭＡＤＯＸ−ＮＡ（商品名、ＬＡＢＥＭＡ Ｃｏ．社製）
＊３）：アスコルビン酸
＊ＧＥ：量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル
＊４）：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
＊５）：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
＊６）：トリエチレングリコールモノエチルエーテル
＊７）：ポリアクリル酸重合体（ＰＡＡ）
＊８）：ポリメチルアクリル酸共重合体（ＰＭＡＡ）
＊９）：ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレングリコール
＊１０）：ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンエチレンジアミン縮合物
【００７１】
（試験例２）：洗浄液組成物の特性評価
１）銅エッチング速度評価
まず、銅が２５００Å厚さで形成されたガラス基板を実施例２０〜実施例３１及び比較例１〜比較例３の洗浄液組成物に３０分間ディッピングさせる。この際、洗浄液の温度は４０℃であり、銅膜の厚さをディッピング以前及び以後に測定し、銅膜の溶解速度を銅膜の厚さ変化から計算して測定する。その結果を表４に記載した。
【００７２】
２）有機汚染物除去力評価−１
有機汚染物の除去力評価のために、５ｃｍ×５ｃｍの大きさに形成されたガラス基板上にヒトの指紋跡または有機成分サインペンで汚染させ、汚染された基板をスプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例２３、実施例２７、実施例３１〜実施例３８の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。
【００７３】
この際、下記の表４において、有機汚染物の除去有無は、除去されたときは○、除去されなかったときは×で表示した。また、実施例３５による有機汚染物除去の結果を図５〜図８に示した。ここで、図５は有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。図６は本発明の実施例３２による洗浄液組成物を用いて図５に示した有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。図７は有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。図８は本発明の実施例３２による洗浄液組成物を用いて図７に示したヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【００７４】
３）有機汚染物除去力評価−２
また、ガラス基板を大気中に２４時間放置して大気中の各種有機物、無機物、パーティクルなどで汚染させた後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例２３、実施例２７、実施例３１〜実施例３８の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。前記ガラス基板上に０．５μｌの超純水滴を落として洗浄後の接触角を測定した。その結果を表４に示した。
【００７５】
４）有機汚染物除去力評価−３
実施例２３、実施例２７、実施例３１、実施例３２、実施例３５及び実施例３７の洗浄液組成物を持って、有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施した。すなわち、ガラス平均粒度が０．８μｍである有機パーティクルソリューションで汚染させ、１分間３０００ｒｐｍでスピン（ｓｐｉｎ）ドライした後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃でそれぞれの洗浄液で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。洗浄前後のパーティクル数は表面粒子測定器（Ｔｏｐｃｏｎ ＷＭ−１５００）で０．１μｍ以上のパーティクル数を測定して表４に示した。
【００７６】
【表４】
0005890306.tif 000016
【００７７】
表４を参照すれば、実施例２０〜３１の洗浄液組成物は銅に対する腐食防止効果があった。また、実施例２７、実施例３１、実施例３２、実施例３５〜実施例３８の洗浄液組成物はいずれも有機汚染物の除去力があることを示し、接触角が２０°〜４０°を持つようになって有機汚染物の除去能力を示した。また、実施例２３、実施例２７、実施例３１、実施例３２、実施例３５及び実施例３７の洗浄液組成物で有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施したとき、７７〜８６％に近いパーティクル除去力を示した。
【００７８】
（実施例３９〜実施例６０及び比較例１〜比較例３）：洗浄液組成物の製造
表５に記載した構成成分を表５に記載した組成で残量の水とともに混合して撹拌して洗浄液組成物を製造した。
【００７９】
【表５】
0005890306.tif 000017
【００８０】
注）ＡＥＥ：アミノエトキシエタノール
ＤＡＥＥ：ジメチルアミノエトキシエタノール
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＭＩＰＡ：モノイソプロパノールアミン
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
ＮＨ４ＯＨ：アンモニウムヒドロキシド
＊１）：２，２’−［［［エチル−１H−ベンゾトリアゾール−１−イル］メチル］イミノ］ビスエタノール
＊２）：ＥＭＡＤＯＸ−ＮＡ
＊３）：アスコルビン酸
＊ＧＥ：量子性アルキレングリコールモノアルキルエーテル
＊４）：ジエチレングリコールモノメチルエーテル
＊５）：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
＊６）：トリエチレングリコールモノエチルエーテル
＊７）：ポリアクリル酸重合体（ＰＡＡ）
＊８）：ポリメチル（メタ）アクリル酸共重合体（ＰＭＡＡ）
＊９）：ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレングリコール
＊１０）：ポリオキシエチレン／ポリオキシプロピレンエチレンジアミン縮合物
【００８１】
（試験例３）：洗浄液組成物の特性評価
１）銅エッチング速度評価
まず、銅が２５００Å厚さで形成されたガラス基板を実施例３８〜実施例５０及び比較例１〜比較例３の洗浄液組成物に３０分間ディッピングさせる。この際、洗浄液の温度は４０℃であり、銅膜の厚さをディッピング以前及び以後に測定し、銅膜の溶解速度を銅膜の厚さ変化から計算して測定する。その結果を表６に記載した。
【００８２】
２）有機汚染物除去力評価−１
有機汚染物の除去力評価のために、５ｃｍ×５ｃｍの大きさに形成されたガラス基板上にヒトの指紋跡または有機成分サインペンで汚染させて、汚染された基板をスプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例４２、実施例４６、実施例４７、実施例４９、実施例５１〜実施例６０の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。
【００８３】
この際、下記の表６で有機汚染物の除去有無は、除去されたときは○、除去されなかったときは×で表示した。また、実施例５１による有機汚染物除去結果を図９〜図１２に示した。ここで、図９は有機汚染物の中で有機サインペンの跡で汚染されたガラス基板を示す写真である。図１０は本発明の実施例５１による洗浄液組成物を用いて有機汚染物の中で有機サインペンの跡が除去される結果を示す写真である。図１１は有機汚染物の中でヒトの指紋で汚染されたガラス基板を示す写真である。図１２は本発明の実施例５１による洗浄液組成物を用いて有機汚染物の中でヒトの指紋成分が除去される結果を示す写真である。
【００８４】
３）有機汚染物除去力評価−２
また、ガラス基板を大気中に２４時間放置して大気中の各種有機物、無機物、パーティクルなどで汚染させた後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃で実施例４２、実施例４６、実施例４７、実施例４９、実施例５１〜実施例６０の洗浄液組成物で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。前記ガラス基板上に０．５μｌの超純水滴を落として洗浄後の接触角を測定した。その結果を表６に示した。
【００８５】
４）有機汚染物除去力評価−３
実施例４２、実施例４６、実施例５５、実施例５７及び実施例５９の洗浄液組成物を持って、有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施した。すなわち、ガラス平均粒度が０．８μｍである有機パーティクルソリューションで汚染させ、１分間３０００ｒｐｍでスピン（ｓｐｉｎ）ドライした後、スプレー式ガラス基板洗浄装置を用いて２分間４０℃でそれぞれの洗浄液で洗浄した。洗浄の後、超純水で３０秒間洗浄した後、窒素で乾燥させた。洗浄前後のパーティクル数は表面粒子測定器（Ｔｏｐｃｏｎ ＷＭ−１５００）で０．１μｍ以上のパーティクル数を測定して表６に示した。
【００８６】
【表６】
0005890306.tif 000018
【００８７】
表６を参照すれば、実施例３９〜５０の洗浄液組成物は銅に対する腐食防止効果があった。また、実施例４２、実施例４６、実施例４７、実施例４９、実施例５１〜実施例６０の洗浄液組成物はいずれも有機汚染物の除去力があることを示し、接触角が２０°〜４０°を持つようになって有機汚染物の除去能力を示した。また、実施例４２、実施例４６、実施例５５、実施例５７及び実施例５９の洗浄液組成物で有機パーティクルソリューションで汚染させたガラス基板に対する洗浄を実施したとき、８０％以上のパーティクル除去力を示した。
【図１】
0005890306.tif 000020
【図２】
0005890306.tif 000021
【図３】
0005890306.tif 000022
【図４】
0005890306.tif 000023
【図５】
0005890306.tif 000024
【図６】
0005890306.tif 000025
【図７】
0005890306.tif 000026
【図８】
0005890306.tif 000027
【図９】
0005890306.tif 000028
【図１０】
0005890306.tif 000029
【図１１】
0005890306.tif 000030
【図１２】
0005890306.tif 000031