(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１搭載部材と、
空間を挟んで前記第１搭載部材と離れて配置された第２搭載部材と、
前記第1搭載部材と前記第２搭載部材との間を前記空間上で橋渡しして配置された誘電体基体と、
前記誘電体基体の上面に形成された信号線路と、
前記誘電体基体の下面に形成され、基準電位を有する第１導電体層と、
前記第１導電体層と電気的に接続され、前記誘電体基体の側面に形成された第２導電体層と、
前記第１導電体層と電気的に接続されるパッドと、
を具備し、
前記パッドの一辺は、前記第２導電体層と接することを特徴とする信号伝送路。
【請求項２】
前記信号線路と前記第２導電体層は、前記誘電体基体の上面において平行して配置されてなり、前記誘電体基体の上面における前記信号線路と前記第２導電体層との間の距離は、前記信号線路の幅より大きいことを特徴とする請求項１記載の信号伝送路。
【請求項３】
前記誘電体基体の幅は、前記誘電体基体内における伝送信号波長の１／６以下であることを特徴とする請求項１または２記載の信号伝送路。
【請求項４】
前記誘電体基体を上下に貫通し、前記パッドと前記第１導電体層とを電気的に接続するビア配線を具備することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の信号伝送路。
【請求項５】
前記パッドは前記誘電体基体の上面の前記側面側の端部に設けられ、
前記パッドの一辺と前記第２導電体層とは直に接触する請求項１に記載の信号伝送路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号伝送路に関し、例えば、信号伝送路における不要スプリアスを抑制する信号伝送路に関する。
【背景技術】
【０００２】
高速光通信用の光モジュール等には、信号光を変調する光変調器が用いられる。光変調器は、電気入力信号に応じ出力する光信号を強度変調する。例えば、特許文献１には、ＥＡ（Electro-Absorption）光変調器を用いた光部品が記載されている。光変調器は入力された変調信号に基づいて、連続光を強度変調する。この変調信号は１０〜４０ＧＨｚあるいはそれ以上に達する。このため、変調信号の伝送には高周波伝送を考慮した設計を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２５２２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、上記光部品において、変調信号は、伝送線路を介し光変調器に入力する。しかしながら、伝送線路において、不要スプリアスが発生した場合、不要スプリアスが伝送線路を介し光変調器に入力する。このため、光変調器によって変調された光信号波形が劣化する。このように、信号伝送路において、不要スプリアスを抑制することが求められる。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、信号伝送路における不要スプリアスを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、第１搭載部材と、空間を挟んで前記第１搭載部材と離れて配置された第２搭載部材と、前記第1搭載部材と前記第２搭載部材との間を前記空間上で橋渡しして配置された誘電体基体と、前記誘電体基体の上面に形成された信号線路と、前記誘電体基体の下面に形成され、基準電位を有する第１導電体層と、前記第１導電体層と電気的に接続され、前記誘電体基体の側面に形成された第２導電体層と、前記第１導電体層と電気的に接続されるパッドと、を具備することを特徴とする信号伝送路である。本発明によれば、信号伝送路における不要スプリアスを抑制することができる。
【０００７】
上記構成において、前記信号線路と前記第２導電体層は、前記誘電体基体の上面において平行して配置されてなり、前記誘電体基体の上面における前記信号線路と前記第２導電体層との間の距離は、前記信号線路の幅より大きい構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記誘電体基体の幅は、前記誘電体基体内における伝送信号波長の１／６以下である構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記誘電体基体を上下に貫通し、前記パッドと前記第１導電体層とを電気的に接続するビア配線を具備する構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記パッドの一辺は、前記第２導電体層と接する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、信号伝送路における不要スプリアスを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例１に係る光部品の回路図である。
【図２】図２（ａ）は、マイクロストリップ線路の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３（ａ）は比較例に用いられるマイクロストリップ線路の斜視図、図３（ｂ）は断面図、図３（ｃ）は平面図である。
【図４】図４は、周波数に対するスペクトルの強度を示す模式図である。
【図５】図５は、周波数に対するλｇ／２を計算した結果を示す図である。
【図６】図６は、ｗ１／Ｗに対する伝送損失の測定結果を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、実施例２に用いるマイクロストリップ線路の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施例３に用いるマイクロストリップ線路の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】図９（ａ）は、キャップを外した実施例３に係る光モジュールの上面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、実施例１に係る光部品の回路図である。図１に示すように、入力端子１４は、マイクロストリップ線路２０およびインダクタＬ１を介しノードＮ１に電気的に接続されている。光変調器１０のアノードはノードＮ１に電気的に接続し、光変調器１０のカソードは接地される。ノードＮ１は、インダクタＬ２、キャパシタＣおよび抵抗Ｒを直列に介し接地される。インダクタＬ２、キャパシタＣおよび抵抗Ｒは、インピーダンス整合回路１６を形成する。インピーダンス整合回路１６は、光変調器１０の終端インピーダンスを、例えば５０Ωに整合させる。この場合、例えば抵抗Ｒの抵抗値を終端インピーダンスと同じ５０Ωとする。
【００１７】
インダクタＬ１およびＬ２は、例えばボンディングワイヤである。キャパシタＣは例えばチップコンデンサ、抵抗Ｒは例えばチップ抵抗である。光変調器１０は、例えばＥＡ光変調器である。入力端子１４には、例えば変調駆動ＩＣ（Integrated Circuit）が出力する高周波信号が入力される。
【００１８】
図２（ａ）は、マイクロストリップ線路の平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。マイクロストリップ線路２０は、光変調器１０に入力する高周波信号を伝送する。マイクロストリップ線路２０は、誘電体基体２８、信号線路２２、第１導電体層２４および第２導電体層２６を備えている。誘電体基体２８は、例えば酸化アルミニウム等の誘電体から形成される。信号線路２２は、誘電体基体２８の上面に形成されている。例えば、信号線路２２は、誘電体基体２８の延伸方向に誘電体基体２８の端部から端部に延伸している。第１導電体層２４は、誘電体基体２８の下面全体に形成されている。第２導電体層２６は、誘電体基体２８の側面全体に形成されている。このように、第１導電体層２４および第２導電体層２６が誘電体基体２８の下面および側面を覆っている。
【００１９】
第１導電体層２４および第２導電体層２６は、同じ定電位である。すなわち、第１導電体層２４と第２導電体層２６とは、電気的に接続されており、第１導電体層２４は基準電位を有している。実施例１においては、接地されている。信号線路２２、第１導電体層２４および第２導電体層２６は、例えばＡｕまたはＣｕ等の金属により形成される。誘電体基体２８の幅をＷ、誘電体基体２８の高さをＨ、信号線路２２の幅をｗ１、信号線路２２と第２導電体層２６との距離をｗ２とする。マイクロストリップ線路２０の特性インピーダンスは、主に信号線路２２と第１導電体層２４とにより規定される。
【００２０】
次に、実施例１と比較する比較例について説明する。図３（ａ）は比較例に用いられるマイクロストリップ線路の斜視図、図３（ｂ）は断面図、図３（ｃ）は平面図である。その他の構成は実施例１と同じであり、説明を省略する。図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、比較例のマイクロストリップ線路２０ａの側面には、第２導電体層が設けられていない。マイクロストリップ線路２０ａは、誘電体基体２８と、誘電体基体２８の上面に形成された信号線路２２と、誘電体基体２８の下面に形成された第１導電体層２４と、を備えている。
【００２１】
図３（ａ）に示すように、マイクロストリップ線路２０ａの一端から矢印のように、例えば矩形波３８である変調信号３４が入力する。図３（ｂ）に示すように、変調信号３４が信号線路２２を伝搬するとき、誘電体基体２８内には、電界３０および磁界３２が生成される。図３（ｃ）に示すように、変調信号３４は、主にマイクロストリップ線路２０ａの延伸方向に伝送する。しかし、マイクロストリップ線路２０ａの延伸方向と交差する方向に伝送する不要モード３６が存在する。この不要モード３６に起因し不要スプリアスが生じる。これにより、光変調器１０が強度変調する光信号の光波形が劣化する。
【００２２】
図４は、伝送信号の周波数に対するスペクトルの強度を示す模式図である。図４に示すように、一般的に伝送線路を伝送する伝送信号は、基本波ｆ０の奇数倍の周波数に現れる。
【００２３】
図２（ａ）から図２（ｃ）の実施例１のマイクロストリップ線路においては、誘電体基体２８の側面に第２導電体層２６が形成されている。このため、誘電体基体２８内の波長λｇが誘電体基体２８の幅Ｗの２倍（すなわち２×Ｗ）より長い信号の不要モードは遮断される。
【００２４】
図４を参照し、例えば、不要モードを遮断する周波数をｆｃとすると、周波数ｆｃより低い周波数の不要モードは遮断されマイクロストリップ線路２０を伝送しない。図４の例では、７次の周波数内に発生する不要モードが遮断される。
【００２５】
図５は、周波数に対するλｇ／２を計算した結果を示す図である。図５においては、誘電体基体２８を酸化アルミニウムとした場合の高周波信号の周波数に対する誘電体基体２８内の高周波信号の波長λｇ／２の計算結果を示している。例えば、マイクロストリップ線路２０に入力される信号のビットレートが２５Ｇｂ／ｓの場合、基本波の周波数は１２．５ＧＨｚである。この場合、７次モードの周波数は８７．５ＧＨｚである。よって、幅Ｗを０．５５ｍｍ程度とすれば、周波数ｆｃは９０ＧＨｚとなり、７次の周波数内に発生する不要モードが遮断できる。
【００２６】
実施例１のマイクロストリップ線路２０の高さＨを０．１５ｍｍ、長さＬを２．６０ｍｍ、信号線路２２の幅ｗ１を０．１４ｍｍ、誘電体基体２８を酸化アルミニウム、第１導電体層２４および第２導電体層２６を金とし、マイクロストリップ線路２０を作製した。第２導電体層２６を設けずに他は上記実施例１と同じ構成により比較例のマイクロストリップ線路２０ａも作製した。実施例１および比較例のマイクロストリップ線路２０および２０ａの４０ＧＨｚにおける特性インピーダンスを５０Ωとした。
【００２７】
例えば、マイクロストリップ線路２０が伝送する高周波信号の３次モード内までの不要モードを遮断するためには、誘電体基体２８の幅Ｗは、誘電体基体２８内における伝送信号波長λｇとし、λｇ／（２×３）＝λｇ／６以下であればよい。また、５次モード内までの不要モードを遮断するためには、幅Ｗは、λｇ／（２×５）＝λｇ／１０以下であればよい。さらに、７次モード内までの不要モードを遮断するためには、幅Ｗは、λｇ／（２×７）＝λｇ／１４以下であればよい。なお、マイクロストリップ線路２０が伝送する高周波信号がビットレートがＦＧｂ／ｓのデジタル信号の場合、高周波信号の周波数は、Ｆ／２ＧＨｚとすればよい。
【００２８】
図６は、ｗ１／Ｗに対する伝送損失Ｓ２１の測定結果を示す図である。図６において、黒丸は実施例１のマイクロストリップ線路２０、白丸は比較例のマイクロストリップ線路２０ａを示す。直線は黒丸および白丸を結ぶ線である。伝送損失は、４０ＧＨｚにおけるマイクロストリップ線路２０または２０ａの入力端をポート１、出力端をポート２とし、Ｓ２１で定義される。ｗ１／Ｗは、特性インピーダンス５０Ωとして、例えば、ｗ１を０．１４ｍｍ、Ｈを０．１５ｍｍに固定し、Ｗを変化させた。図６に示すように、実施例１においては、伝送損失は−０．４ｄＢ以下であり良好である。一方、比較例においては、伝送損失が大きい。さらに、ｗ１／Ｗが大きくなると、比較例の伝送損失が大きくなる。これは、第２導電体層２６が設けられていない状態で幅Ｗが小さくなると、誘電体基体２８内の電界が誘電体基体２８外に漏洩するためと考えられる。図６から、ｗ１／Ｗは、０．３１以上が好ましく、０．２４以上がより好ましい。
【００２９】
実施例１によれば、マイクロストリップ線路２０が誘電体基体２８の側面に第２導電体層２６を有する。これにより、不要モードの伝送を遮断することができる。よって、光変調器１０が強度変調する光信号の光波形が劣化することを抑制できる。
【００３０】
また、信号線路２２と第２導電体層２６とは、誘電体基体２８の上面において平行して配置されており、誘電体基体２８の上面における信号線路２２と第２導電体層２６との間の距離ｗ２は、信号線路２２の幅ｗ１より大きい。これにより、ｗ１／Ｗを大きくでき、図６のように、伝送損失を抑制できる。
【実施例２】
【００３１】
実施例２は、マイクロストリップ線路がパッドを有する例である。図７（ａ）は、実施例２に用いるマイクロストリップ線路の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図７（ａ）においてビア配線４２を破線で示している。図７（ａ）のＡ−Ａ断面図は図２（ｂ）と同じである。実施例２に係る光部品の回路図は図１と同じであり説明を省略する。
【００３２】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、マイクロストリップ線路２０ｂの端部の誘電体基体２８の上面にパッド４０が形成されている。パッド４０は、信号線路２２の両側に形成されている。パッド４０と第１導電体層２４とは、誘電体基体２８を上下に貫通するビア配線４２により電気的に接続されている。パッド４０およびビア配線４２は、例えばＡｕまたはＣｕ等の金属により形成される。
【００３３】
図７（ａ）に示すように、マイクロストリップ線路２０ｂの端部横には、基板５０が設けられている。基板５０は、誘電体基体５６、信号線路５２および導電体層５４を含む。信号線路５２は、誘電体基体５６の上面に形成されている。導電体層５４は誘電体基体５６の上面に形成され、信号線路５２の両側に形成されている。誘電体基体５６は例えば酸化アルミニウムであり、信号線路５２および導電体層５４は例えばＡｕまたはＣｕ等の金属層である。信号線路５２、導電体層５４および誘電体基体５６はコプレーナ線路を形成する。コプレーナ線路の特性インピーダンスは、主に、信号線路５２と導電体層５４とにより規定される。基板５０に形成されたコプレーナ線路は、例えば、図１においてマイクロストリップ線路２０とノードＮ１との間のインダクタＬ１の少なくとも一部である。
【００３４】
パッド４０の上面と導電体層５４とはボンディングワイヤ５８により電気的に接続される。これにより、導電体層５４は、第１導電体層２４と同電位となる。信号線路２２と５２とは、ボンディングワイヤ５８により電気的に接続される。これにより、マイクロストリップ線路２０ｂを伝送された高周波信号はコプレーナ線路に入力される。基板５０に形成される伝送線路はマイクロストリップ線路でもよい。
【実施例３】
【００３５】
実施例３は、マイクロストリップ線路がパッドを有する別の例である。図８（ａ）は、実施例３に用いるマイクロストリップ線路の平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図８（ａ）のＡ−Ａ断面図は図２（ｂ）と同じである。実施例３に係る光部品の回路図は図１と同じであり説明を省略する。
【００３６】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、マイクロストリップ線路２０ｃの端部の誘電体基体２８の上面にパッド４０が形成されている。パッド４０は、信号線路２２の両側に形成されている。パッド４０の一辺が第２導電体層２６と接することにより、第１導電体層２４と電気的に接続されている。
【００３７】
実施例２の図７（ａ）と同様に、パッド４０の上面と導電体層５４とはボンディングワイヤ５８により電気的に接続される。信号線路２２と５２とは、ボンディングワイヤ５８により電気的に接続される。
【００３８】
実施例２の図７（ａ）および実施例３の図８（ａ）のように、マイクロストリップ線路２０ｂまたは２０ｃの端部の誘電体基体２８の上面に第１導電体層２４と電気的に接続するパッド４０が設けられている。これにより、例えば隣接する導電体層５４と第１導電体層２４とを電気的に接続することができる。
【００３９】
パッド４０を信号線路２２と第２導電体層２６との間に設けることにより、マイクロストリップ線路の小型化が可能となる。
【００４０】
実施例１から実施例３において、光変調器１０の例としてＥＡ光変調器を用い説明したが、光変調器１０として、例えばマッハツェンダ型光変調器、またはＬＮ（ニオブ酸リチウム）光変調器を用いてもよい。
【実施例４】
【００４１】
実施例４は、実施例１から実施例３に係る光部品を含む光モジュールの例である。図９（ａ）は、キャップを外した実施例４に係る光モジュールの上面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、レセクタプル９８については断面でなく側面を図示している。図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、光モジュール１０６において、筐体８４内に、光変調器１０、半導体レーザ１２、変調駆動ＩＣ７４（駆動ドライバ）等が収納されている。ここでは、光変調器１０と半導体レーザ１２とは１チップに集積化されている。また、半導体レーザ１２に接続される配線・ワイヤなどは省略している。
【００４２】
筐体８４は、例えば金属等からなる。筐体８４の底面にはＴＥＣ（Thermoelectric Cooler）６８が配置されている。ＴＥＣ６８上に、例えば酸化アルミニウムまたはセラミック等の絶縁性からなり、かつ熱伝導率の高いキャリア７０が配置されている。キャリア７０上にサブキャリア７１とレンズホルダ７８とが配置されている。
【００４３】
サブキャリア７１上に、誘電体基板５０、光変調器１０および半導体レーザ１２が一体となったチップ、およびフォトディテクタ７９が配置されている。レンズホルダ７８にはレンズ８０が保持されている。誘電体基板５０の上面には信号線路５２が形成されている。誘電体基板５０は、例えば図７（ａ）および図８（ａ）の基板５０に対応する。
【００４４】
さらに、筐体８４の底面には銅タングステン（ＣｕＷ）または銅モリブデン（ＣｕＭｏ）等の金属からなるヒートシンク６６が配置されている。ヒートシンク６６上には、変調駆動ＩＣ７４、伝送線路７３を有する基板７２が配置されている。ヒートシンク６６の上面とサブキャリア７１の上面とはほぼ同じ高さである。ヒートシンク６６の上面とサブキャリア７１の上面との間に橋渡しされたブリッジ７６が実施例１から実施例３に用いられるマイクロストリップ線路２０、２０ｂまたは２０ｃに対応する。
【００４５】
筐体８４の前側壁にはレンズ８２が保持されている。さらに、筐体８４の前面にレセプタクル９８が固定されている。筐体８４の後側壁には、主に絶縁体からなるフィードスルー６０が埋め込まれている。フィードスルー６０内には、筐体８４内の端子６４と筐体８４外の端子６２とを電気的に接続する配線が設けられている。
【００４６】
端子６４と基板７２の伝送線路７３とはボンディングワイヤ９０により電気的に接続されている。伝送線路７３と変調駆動ＩＣ７４とは、ボンディングワイヤ９２により電気的に接続されている。変調駆動ＩＣ７４とブリッジ７６内の信号線路２２とは、ボンディングワイヤ９４により電気的に接続されている。ブリッジ７６内の信号線路２２と基板５０上の信号線路５２とは、ボンディングワイヤ９６により電気的に接続されている。
【００４７】
高周波信号である入力信号は、端子６２からフィードスルー６０内の配線、端子６４、ボンディングワイヤ９０、伝送線路７３およびボンディングワイヤ９２を介し、変調駆動ＩＣ７４に入力する。変調駆動ＩＣ７４は入力信号を増幅し変調電気信号として出力する。出力された変調信号は、変調駆動ＩＣ７４の出力端子を介し、ボンディングワイヤ９４、ブリッジ７６内の信号線路２２およびボンディングワイヤ９６を介し信号線路５２に入力する。信号線路５２は光変調器１０の電極とボンディングワイヤを介し電気的に接続されている。これにより、変調信号は、光変調器１０の電極に入力する。光変調器１０は、半導体レーザ１２の出力光を強度変調し出射する。このように、変調駆動ＩＣ７４の出力端子と光変調器の電極とはブリッジ７６により電気的に接続しており、変調駆動ＩＣ７４は光変調器を変調する。光変調器１０とレセプタクル９８中に挿入されるファイバ（図示せず）とは、レンズ８０および８２により光結合されている。これにより、光変調器１０から出射された光はファイバ内の導入される。フォトディテクタ７９は、半導体レーザ１２の裏面から出射された光の強度を検出する。図示していない制御回路が、フォトディテクタ７９の出力に応じ、半導体レーザ１２に印加する電流をフィードバック制御する。ＴＥＣ６８は、半導体レーザ１２および光変調器１０の温度を一定に保持する。これにより、光変調器１０から出射される光の波長をロックすることができる。半導体レーザ１２を安定に動作させることができる。
【００４８】
実施例４のように、第１搭載部材としてサブキャリア７１が光変調器１０を搭載する。第２搭載部材としてヒートシンク６６が変調駆動ＩＣ７４を搭載する。変調駆動ＩＣ７４は、マイクロストリップ線路２０、２０ｂまたは２０ｃに高周波信号を出力するアンプとして機能する。マイクロストリップ線路２０、２０ｂまたは２０ｃは、サブキャリア７１の上面にある接続部（第１の接続部）とヒートシンク６６の上面にある接続部（第２の接続部）とで機械的に接続しており、サブキャリア７１とヒートシンク６６とを橋渡すように設けられている。このため、マイクロストリップ線路２０、２０ｂまたは２０ｃの下面には、空間が存在している。このように、第１搭載部材（サブキャリア７１）と第２搭載部材（ヒートシンク６６）とが空間を挟んで離れて配置されており、ブリッジ７６の誘電体基体が第１搭載部材（サブキャリア７１）と第２搭載部材（ヒートシンク６６）との間を空間上で橋渡しして配置されている。光変調器１０と変調駆動ＩＣ７４とが離間した搭載部材（サブキャリア７１とヒートシンク６６）にそれぞれ搭載された場合、変調駆動ＩＣ７４と光変調器１０との距離が長くなる。このため、搭載部材を橋渡しする伝送線路を介して不要モードが発生しやすい。そこで、この伝送線路にマイクロストリップ線路２０、２０ｂまたは２０ｃを用いることにより、不要スプリアスを抑制できる。よって、光変調器が強度変調する光信号の光波形の劣化を抑制できる。
【００４９】
実施例４においては、第１搭載部材と、第２搭載部材と、実施例１から実施例３の伝送線路を含むブリッジ７６と、を備える信号伝送路を、光モジュール１０６に用いる例を説明した。実施例４の信号伝送路は、光変調装置以外の装置に用いてもよい。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１０        光変調器
２０        マイクロストリップ線路
２２        信号線路
２４        第１導電体層
２６        第２導電体層
２８        誘電体基体
４０        パッド
４２        ビア配線
６６        ヒートシンク
７１        サブキャリア
【図１】
0005967518.tif 000002
【図２】
0005967518.tif 000003
【図３】
0005967518.tif 000004
【図４】
0005967518.tif 000005
【図５】
0005967518.tif 000006
【図６】
0005967518.tif 000007
【図７】
0005967518.tif 000008
【図８】
0005967518.tif 000009
【図９】
0005967518.tif 000010