(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線ランプと、前記赤外線ランプを収容するハウジングとを有し、基板の主面に対向する処理位置で、その基板の主面を加熱するヒータと、
前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータが位置する状態で、前記ハウジングの外表面に、洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記ヒータを収容するとともに、当該ヒータから飛散する洗浄液を受け止める収容部材とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄位置が、前記ヒータが前記処理位置から退避して待機するときの待機位置である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記収容部材は、底部に排出口を有し、液を溜めることが可能な有底容器状の貯留容器を含み、
前記洗浄液供給手段は、
前記貯留容器内に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記貯留容器の前記排出口に接続されて、前記貯留容器に溜められた液を排出するための排液配管と、
前記排液配管に介装されて、前記排液配管を開閉する排液バルブとを含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記洗浄液供給手段は、前記ハウジングの外表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を有する洗浄液ノズルを備えている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ハウジングの外表面から洗浄液を除去させるために、前記ハウジングの外表面に向けて乾燥用ガスを吹き付ける乾燥用ガス吹付手段をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ヒータを昇降させるヒータ昇降手段をさらに含み、
前記乾燥用ガス吹付手段は、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガスノズルを含み、
前記基板処理装置は、前記乾燥用ガス吹付手段および前記ヒータ昇降手段を制御して、前記乾燥用ガスノズルから乾燥用ガスを吐出させるとともに、前記ヒータを昇降させることにより、前記ハウジングの外表面における乾燥用ガスの供給位置を昇降させる吹付乾燥制御手段をさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射させることにより、前記外表面に付着している洗浄液を加熱乾燥させる加熱乾燥制御手段をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
赤外線ランプと、前記赤外線ランプを収容するハウジングとを有し、基板の主面に対向する処理位置でその基板の主面を加熱するヒータを、洗浄するためのヒータ洗浄方法であって、
前記処理位置とは異なり、前記ヒータから飛散する洗浄液を受け止めるための収容部材に前記ヒータの少なくとも一部が収容されるように設定された洗浄位置に、前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、
前記洗浄位置に位置する前記ヒータの外表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを含む、ヒータ洗浄方法。
【請求項９】
前記洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液が除去される乾燥工程をさらに含む、請求項８に記載のヒータ洗浄方法。
【請求項１０】
前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記外表面に付着している洗浄液を加熱乾燥させる加熱乾燥工程をさらに含む、請求項９に記載のヒータ洗浄方法。
【請求項１１】
前記乾燥工程は、
前記ヒータを昇降させるヒータ昇降工程と、
前記ハウジングの外表面に向けて、乾燥用ガスノズルから、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガス吐出工程とを含む、請求項９または１０に記載のヒータ洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、赤外線ランプを有し、基板に加熱処理を施すためのヒータを備える基板処理装置、およびそのヒータを洗浄するためのヒータ洗浄方法に関する。加熱処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の主面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不要な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの表面に感光性樹脂からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入が不要な部分がレジストによってマスクされる。ウエハの表面上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、イオン注入後には、そのウエハの表面上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
このようなレジスト除去処理の代表的なものでは、ウエハの表面に酸素プラズマが照射されて、ウエハの表面上のレジストがアッシングされる。そして、ウエハの表面に硫酸と過酸化水素水の混合液である硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：ＳＰＭ液）などの薬液が供給されて、アッシングされたレジストが除去されることにより、ウエハの表面からのレジストの除去が達成される。
【０００４】
ところが、レジストのアッシングのための酸素プラズマの照射は、ウエハの表面のレジストで覆われていない部分（たとえば、レジストから露呈した酸化膜）にダメージを与えてしまう。
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にＳＰＭ液を供給して、このＳＰＭ液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−９３９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本件発明者は、基板の主面に供給された薬液のより一層の高温化を図るため、薬液処理時において、基板の主面に供給した薬液を加熱することを検討している。具体的には、赤外線ランプと、この赤外線ランプを収容するハウジングとを有するヒータを、基板の主面に間隔を空けて対向配置することにより、基板の主面に存在する薬液を加熱することを検討している。
【０００７】
ところが、赤外線ランプによる薬液の加熱処理の際には、薬液が急激に温められ、基板の主面の周辺に、大量に発生した薬液ミストが発生する。加熱処理の際に発生した薬液ミストは、基板の主面に対向するヒータのハウジングの下面に付着する。ハウジングの下面に薬液ミストが付着したまま放置されると、ハウジングの下面の赤外線透過率の低下により、ハウジング外に放出される赤外線の照射光量が低下するだけでなく、薬液ミストが乾燥して結晶化することにより、ハウジングの下面がパーティクル源になるおそれがある。したがって、基板を１枚処理する毎に、ヒータのハウジングの下面に付着した薬液を洗い流す必要がある。
【０００８】
ヒータのハウジングを洗浄する方策として、鉛直下方に向く複数個の吐出口が水平方向に沿って一列または複数列に配列されたバーノズルを設け、各吐出口からの処理液をヒータに対して上方から供給する方策が考えられる。しかしながら、このような方策では、ヒータのハウジングの下面全域に洗浄液を行き渡らせるのは困難である。
本発明は、このような背景の下になされたものであり、ヒータを良好に洗浄することができる基板処理装置およびヒータ洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、赤外線ランプ（３８）と、前記赤外線ランプを収容するハウジング（４０）とを有し、基板（Ｗ）の主面に対向する処理位置で、その基板の主面を加熱するヒータ（３５）と、前記処理位置とは異なる洗浄位置に前記ヒータが位置する状態で、前記ハウジングの外表面に、洗浄液を供給する洗浄液供給手段（８４，８５，８６，８７，８８；１０１；２０１）と、前記ヒータを収容するとともに、当該ヒータから飛散する洗浄液を受け止める収容部材（８０；１８０；２８０）とを含む、基板処理装置（１；１Ａ；１Ｂ）である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。
この構成によれば、加熱処理時の処理位置とは異なる洗浄位置にヒータが配置された状態で、ヒータのハウジングの外表面に洗浄液が供給される。これにより、ハウジングの外表面に付着している異物を、洗浄液を用いて洗い流すことができる。ゆえに、ハウジングの外表面を良好に洗浄することができる。
【００１１】
ハウジングは、赤外線ランプによる基板に対する加熱処理時に、基板の表面に対向する対向面（５２Ｂ）を有していてもよい。また、基板の主面に薬液が存在している状態で、基板に対して加熱処理が施されていてもよい。
この場合、加熱処理の際に、赤外線ランプにより薬液が急激に温められて基板の主面の周囲に大量の薬液ミストが発生し、この薬液ミストがハウジングの対向面に付着していることがある。
【００１２】
しかしながら、このようなヒータの洗浄においてハウジングの対向面に付着している薬液が洗浄液により洗い流される。これにより、ハウジングの対向面を良好に洗浄することができる。ゆえに、ハウジング外に放出される赤外線の照射光量の低下を及ぼすことや、ハウジングがパーティクル源になって基板の処理に悪影響を及ぼすのを防止することができる。
【００１３】
請求項２に記載のように、前記洗浄位置が、前記ヒータが前記処理位置から退避して待機するときの待機位置であってもよい。
この構成によれば、待機位置に待機するヒータに対し洗浄処理を施すので、ヒータが待機位置に位置していれば、基板処理装置の処理進行状況に拘わりなく、ヒータを洗浄することができる。
【００１４】
また、請求項３に記載のように、前記収容部材は、底部（８２）に排出口（８３）を有し、液を溜めることが可能な有底容器状の貯留容器（８０）を含み、前記洗浄液供給手段は、前記貯留容器内に洗浄液を供給する洗浄液ノズル（８６）と、前記貯留容器の前記排出口に接続されて、前記貯留容器に溜められた液を排出するための排液配管（８４）と、前記排液配管に介装されて、前記排液配管を開閉する排液バルブ（８５）とを含んでいてもよい。
【００１５】
この構成によれば、排液バルブが閉じられることにより有底容器からの洗浄液の排出が阻止される。この状態で、洗浄液ノズルから洗浄液が供給されることにより、貯留容器に洗浄液が溜められる。貯留容器に溜められた洗浄液中に、ヒータのハウジングの外表面を浸漬させることにより、ハウジングの外表面を洗浄することができる。
請求項４に記載のように、前記洗浄液供給手段は、前記ハウジングの外表面に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口（１００；２００）を有する洗浄液ノズル（１０１；２０１）を備えていてもよい。
【００１６】
請求項５記載の発明は、前記ハウジングの外表面から洗浄液を除去させるために、前記ハウジングの外表面に向けて乾燥用ガスを吹き付ける乾燥用ガス吹付手段（８９，９０，９１）をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、乾燥用ガスノズルからの乾燥用ガスがヒータのハウジングに吹き付けられる。乾燥用ガスによって、ハウジングの外表面に付着している洗浄液が吹き飛ばされる。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。
【００１７】
請求項６記載の発明は、前記ヒータを昇降させるヒータ昇降手段（３７）をさらに含み、前記乾燥用ガス吹付手段は、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガスノズル（８９）を含み、前記基板処理装置は、前記乾燥用ガス吹付手段および前記ヒータ昇降手段を制御して、前記乾燥用ガスノズルから乾燥用ガスを吐出させるとともに、前記ヒータを昇降させることにより、前記ハウジングの外表面における乾燥用ガスの供給位置を昇降させる吹付乾燥制御手段（５５）をさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、乾燥用ガスノズルからの乾燥用ガスが横向きに吐出されつつ、その吐出口に対向する領域をヒータが昇降する。このため、ハウジングの外表面の全域に乾燥用ガスが吹き付けられるので、ハウジングの外表面の全域から洗浄液を除去することができる。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。
請求項７に記載の発明は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射させることにより、前記外表面に付着している洗浄液を加熱乾燥させる加熱乾燥制御手段（５５）をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、赤外線ランプからの赤外線の照射によりハウジングが加熱されて、ハウジングの外表面に付着している洗浄液が除去される。これにより、ハウジングの外表面を良好に乾燥させることができる。
前記の目的を達成するための請求項８に記載の発明は、赤外線ランプ（３８）と、前記赤外線ランプを収容するハウジング（４０）とを有し、基板（Ｗ）の主面に対向する処理位置でその基板の主面を加熱するヒータ（３５）を、洗浄するためのヒータ洗浄方法であって、前記処理位置とは異なり、前記ヒータから飛散する洗浄液を受け止めるための収容部材（８０；１８０；２８０）に前記ヒータの少なくとも一部が収容されるように設定された洗浄位置に、前記ヒータを配置するヒータ配置工程と、前記洗浄位置に位置する前記ヒータの外表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程（Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ２３）とを含む、ヒータ洗浄方法である。
【００２０】
この発明の方法によれば、請求項１に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項９に記載の発明は、前記洗浄液供給工程の終了後、前記ハウジングの外表面に付着している洗浄液が除去される乾燥工程（Ｓ２６，Ｓ２７，Ｓ２８）をさらに含む、請求項８に記載のヒータ洗浄方法である。
【００２１】
この発明の方法によれば、ヒータの洗浄処理後に、ハウジングの外表面に残留する洗浄液が除去される。そのため、ハウジングの外表面から洗浄液が除去される。これにより、洗浄液がハウジングの外表面に残留して、基板の処理に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
請求項１０に記載の発明は、前記乾燥工程は、前記赤外線ランプから赤外線を前記ハウジングに照射して、前記外表面に付着している洗浄液を加熱乾燥させる加熱乾燥工程（Ｓ２８）をさらに含む、請求項９に記載のヒータ洗浄方法である。
【００２２】
この発明の方法によれば、請求項７に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
請求項１１記載の発明は、前記乾燥工程は、前記ヒータを昇降させるヒータ昇降工程（Ｓ２７）と、前記ハウジングの外表面に向けて、乾燥用ガスノズル（８９）から、前記ヒータの昇降方向と交差する方向に乾燥用ガスを吐出する乾燥用ガス吐出工程（Ｓ２６）とを含む、請求項９または１０に記載のヒータ洗浄方法である。
【００２３】
この発明の方法によれば、請求項７に関連して説明した作用効果と同等の作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。
【図２】図１に示すヒータヘッドの図解的な断面図である。
【図３】図２に示す赤外線ランプの斜視図である。
【図４】図１に示す洗浄ポッドの構成を示す図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】本発明に係るレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。
【図７Ａ】ＳＰＭ液膜形成工程を説明するための図解的な図である。
【図７Ｂ】ＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な図である。
【図８】ＳＰＭ液膜加熱工程におけるヒータヘッドの移動範囲を示す平面図である。
【図９】ヒータヘッド洗浄乾燥工程の流れを示すフローチャートである。
【図１０Ａ】ヒータヘッド洗浄乾燥工程中の一工程を説明するための図解的な図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの次の工程を示す図解的な図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂの次の工程を示す図解的な図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の洗浄ポッドの図である。
【図１２】図１１の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の洗浄ポッドの図である。
【図１４】図１３の切断面線Ｂ−Ｂから見た断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す図である。
基板処理装置１は、隔壁２Ａにより区画された処理室２を備えている。処理室２の天井壁には、処理室２内に清浄空気（基板処理装置１が設置されるクリーンルーム内の空気を浄化して生成される空気）を送り込むためのファンフィルタユニット（図示しない）が設けられている。
【００２６】
基板処理装置１は、処理室２内に、ウエハＷを保持して回転させるウエハ回転機構（基板保持手段）３と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面（上面）に対して、薬液としてのレジスト剥離液の一例としてのＳＰＭ液を供給するための剥離液ノズル（薬液供給手段）４と、ウエハ回転機構３に保持されているウエハＷの表面に対向して配置され、ウエハＷの表面上のＳＰＭ液を加熱するヒータヘッド（ヒータ）３５とを備えている。
【００２７】
ウエハ回転機構３は、モータ６と、このモータ６の駆動軸と一体化されたスピン軸７と、スピン軸７の上端にほぼ水平に取り付けられた円板状のスピンベース８と、スピンベース８の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられた複数個の挟持部材９とを備えている。そして、複数個の挟持部材９は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持する。この状態で、モータ６が駆動されると、その駆動力によってスピンベース８が所定の回転軸線（鉛直軸線）Ｃまわりに回転され、そのスピンベース８とともに、ウエハＷがほぼ水平な姿勢を保った状態で鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転される。
【００２８】
なお、ウエハ回転機構３としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で回転軸線Ｃまわりに回転することにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷを回転させる真空吸着式のものが採用されてもよい。
剥離液ノズル４は、たとえば、連続流の状態でＳＰＭ液を吐出するストレートノズルである。剥離液ノズル４は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第１液アーム１１の先端に取り付けられている。第１液アーム１１は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第１液アーム１１には、第１液アーム１１を所定角度範囲内で揺動させるための第１液アーム揺動機構１２が結合されている。第１液アーム１１の揺動により、剥離液ノズル４は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。このホームポジションは、ヒータヘッド３５がウエハＷの上方から退避して待機するときの待機位置である。
【００２９】
剥離液ノズル４には、ＳＰＭ供給源からのＳＰＭ液が供給される剥離液供給管１５が接続されている。剥離液供給管１５の途中部には、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給／供給停止を切り換えるための剥離液バルブ２３が介装されている。
また、基板処理装置１は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面にリンス液としてのＤＩＷ（脱イオン化された水）を供給するためのＤＩＷノズル２４と、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に対して洗浄用の薬液としてのＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）を供給するためのＳＣ１ノズル２５と、ウエハ回転機構３の周囲を取り囲み、ウエハＷから流下または飛散するＳＰＭ液やＳＣ１、ＤＩＷを受け止めるためのカップ５とを備えている。
【００３０】
ＤＩＷノズル２４は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、ウエハ回転機構３の上方で、その吐出口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。ＤＩＷノズル２４には、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管２６が接続されている。ＤＩＷ供給管２６の途中部には、ＤＩＷノズル２４からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ２７が介装されている。
【００３１】
ＳＣ１ノズル２５は、たとえば、連続流の状態でＳＣ１を吐出するストレートノズルである。ＳＣ１ノズル２５は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第２液アーム２８の先端に取り付けられている。第２液アーム２８は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第２液アーム２８には、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させるための第２液アーム揺動機構２９が結合されている。第２液アーム２８の揺動により、ＳＣ１ノズル２５は、ウエハＷの回転軸線Ｃ上の位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
【００３２】
ＳＣ１ノズル２５には、ＳＣ１供給源からのＳＣ１が供給されるＳＣ１供給管３０が接続されている。ＳＣ１供給管３０の途中部には、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１の供給／供給停止を切り換えるためのＳＣ１バルブ３１が介装されている。
ウエハ回転機構３の側方には、鉛直方向に延びる支持軸３３が配置されている。支持軸３３の上端部には、水平方向に延びるヒータアーム３４が結合されており、ヒータアーム３４の先端に、赤外線ランプ３８を収容保持するヒータヘッド３５が取り付けられている。また、支持軸３３には、支持軸３３を中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構３６と、支持軸３３を中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構（ヒータ昇降手段）３７とが結合されている。
【００３３】
揺動駆動機構３６から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を所定の角度範囲内で回動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの上方で、ヒータアーム３４を、支持軸３３を支点として揺動させる。ヒータアーム３４の揺動により、ヒータヘッド３５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上を含む位置（ウエハＷの回転中心に対向する位置）と、ウエハ回転機構３の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。また、昇降駆動機構３７から支持軸３３に駆動力を入力して、支持軸３３を上下動させることにより、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に近接する近接位置（後述する第１の近接位置および第２の近接位置の双方を含む。図１に二点鎖線で示す位置）と、そのウエハＷの上方に退避する退避位置（図１に実線で示す位置）との間で、ヒータヘッド３５を昇降させる。この実施形態では、近接位置は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面とヒータヘッド３５の下面５２Ｂとの間隔がたとえば３ｍｍになる位置に設定されている。
【００３４】
ヒータヘッド３５のホームポジションには、ヒータヘッド３５を収容するための洗浄ポッド（貯留容器）８０が配設されている。洗浄ポッド８０は、有底円筒状の容器であり、ヒータヘッド３５は、洗浄ポッド８０に収容された状態で待機させられる。
図２は、ヒータヘッド３５の図解的な断面図である。
ヒータヘッド３５は、赤外線ランプ３８と、上部に開口部３９を有し、赤外線ランプ３８を収容する有底容器状のランプハウジング（ハウジング）４０と、ランプハウジング４０の内部で赤外線ランプ３８を吊り下げて支持する支持部材４２と、ランプハウジング４０の開口部３９を閉塞するための蓋４１とを備えている。この実施形態では、蓋４１がヒータアーム３４の先端に固定されている。
【００３５】
図３は、赤外線ランプ３８の斜視図である。図２および図３に示すように、赤外線ランプ３８は、円環状の（円弧状の）円環部４３と、円環部４３の両端から、円環部４３の中心軸線に沿うように延びる一対の直線部４４，４５とを有する１本の赤外線ランプヒータであり、主として円環部４３が発光部として機能する。この実施形態では、円環部４３の直径（外径）は、たとえば約６０ｍｍに設定されている。赤外線ランプ３８が支持部材４２に支持された状態で、円環部４３は水平姿勢をなしている。換言すると、円環部４３の中心軸線は、ウエハ回転機構３に保持されたウエハＷの表面に垂直な軸線である。
【００３６】
赤外線ランプ３８は、フィラメントを石英配管内に配設して構成されている。赤外線ランプ３８には、電圧供給のためのアンプ５４が接続されている。赤外線ランプ３８として、ハロゲンランプやカーボンヒータに代表される短・中・長波長の赤外線ヒータを採用することができる。
図２に示すように、蓋４１は円板状をなし、ヒータアーム３４に対して水平姿勢に固定されている。蓋４１は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋４１はヒータアーム３４と一体に形成されている。しかしながら、蓋４１をヒータアーム３４と別に形成するようにしてもよい。また、蓋４１の材料として、ＰＴＦＥ等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用することもできる。
【００３７】
蓋４１の下面４９には、（略円筒状の）溝部５１が形成されている。溝部５１は水平平坦面からなる上底面５０を有し、上底面５０に支持部材４２の上面４２Ａが接触固定されている。蓋４１には、上底面５０および下面４２Ｂを、上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔５８，５９が形成されている。各挿通孔５８，５９は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５の各上端部が挿通するためのものである。
【００３８】
ランプハウジング４０は有底円筒容器状をなしている。ランプハウジング４０は石英を用いて形成されている。
ランプハウジング４０は、その開口部３９を上方に向けた状態で、蓋４１の下面４９（この実施形態では、溝部５１を除く下面）に固定されている。ランプハウジング４０の開口側の周端縁からは、円環状のフランジ４０Ａが径方向外方に向けて（水平方向に）突出している。フランジ４０Ａがボルト等の固定手段（図示しない）を用いて蓋４１の下面４９に固定されることにより、ランプハウジング４０が蓋４１に支持されている。
【００３９】
この状態で、ランプハウジング４０の底板部５２は、水平姿勢の円板状をなしている。底板部５２の上面５２Ａおよび下面（対向面）５２Ｂは、それぞれ水平平坦面をなしている。ランプハウジング４０内において、赤外線ランプ３８は、その円環部４３の下部が底板部５２の上面５２Ａに近接して対向配置されている。また、円環部４３と底板部５２とは互いに平行に設けられている。また、見方を変えると、円環部４３の下方は、ランプハウジング４０の底板部５２によって覆われている。なお、この実施形態では、ランプハウジング４０の外径は、たとえば約８５ｍｍに設定されている。また、赤外線ランプ３８（円環部４３の下部）と上面５２Ａとの間の上下方向の間隔はたとえば約２ｍｍに設定されている。
【００４０】
支持部材４２は厚肉の板状（略円板状）をなしており、ボルト５６等によって、蓋４１にその下方から、水平姿勢で取付け固定されている。支持部材４２は、耐熱性を有する材料（たとえばセラミックスや石英）を用いて形成されている。支持部材４２は、その上面４２Ａおよび下面４２Ｂを、上下方向（鉛直方向）に貫通する挿通孔４６，４７を２つ有している。各挿通孔４６，４７は、赤外線ランプ３８の直線部４４，４５が挿通するためのものである。
【００４１】
各直線部４４，４５の途中部には、Ｏリング４８が外嵌固定されている。直線部４４，４５を挿通孔４６，４７に挿通させた状態では、各Ｏリング４８の外周が挿通孔４６，４７の内壁に圧接し、これにより、直線部４４，４５の各挿通孔４６，４７に対する抜止めが達成され、赤外線ランプ３８が支持部材４２によって吊り下げ支持される。
アンプ５４から赤外線ランプ３８に電圧が供給されると、赤外線ランプ３８が赤外線を放射し、ランプハウジング４０を介して、ヒータヘッド３５の下方に向けて出射される。
ランプハウジング４０の底板部５２を介して出射された赤外線が、ＳＰＭ液を加熱する。
【００４２】
また、蓋４１内には、ランプハウジング４０の内部にエアを供給するための給気経路６０と、ランプハウジング４０の内部の雰囲気を排気するための排気経路６１とが形成されている。給気経路６０および排気経路６１は、蓋４１の下面に開口する給気ポート６２および排気ポート６３を有している。給気経路６０には、給気配管６４の一端が接続されている。給気配管６４の他端は、エアの給気源に接続されている。排気経路６１には、排気配管６５の一端が接続されている。排気配管６５の他端は、排気源に接続されている。
【００４３】
図４は、洗浄ポッド８０の構成を示す図である。洗浄ポッド８０は、有底円筒状の容器である。洗浄ポッド８０の上面は開放されていて、ヒータヘッド３５を受け入れる入口が形成されている。ヒータヘッド３５は、この入口から洗浄ポッド８０内に収容される。洗浄ポッド８０は、円筒状の周壁８１と、この周壁８１の下端に結合された底部８２とを含む。
【００４４】
底部８２の略中央部には、排液口８３が形成されている。底部８２の下面には、排液配管（洗浄液供給手段）８４の一端が排液口８３に接続されている。排液配管８４の他端は、排液を処理するための排液設備へと接続されている。排液配管８４には、排液配管８４を開閉するための排液バルブ（洗浄液供給手段）８５が介装されている。なお、排液バルブ８５は、通常、開成されている。
【００４５】
周壁８１には、ヒータヘッド３５の外表面に洗浄液の一例としてのＤＩＷを供給するための洗浄液ノズル（洗浄液供給手段）８６が配設されている。各洗浄液ノズル８６には、洗浄液供給管（洗浄液供給手段）８７を通じて洗浄液が供給される。各洗浄液供給管８７には洗浄液バルブ（洗浄液供給手段）８８が介装されている。洗浄液バルブ８８が開かれることにより、対応する洗浄液ノズル８６に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル８６の吐出口から洗浄液が吐出される。
【００４６】
排液バルブ８５が閉じられた状態で、洗浄液ノズル８６から洗浄液が吐出されると、洗浄液は底部８２へと導かれ、底部８２に溜められる。また、洗浄ポッド８０内に溜まった洗浄液は、排液バルブ８５が開かれることにより排液口８３から排液され、排液配管８４を通して排液される。
周壁８１の上端縁よりやや下方位置には、ヒータヘッド３５の外表面に乾燥用ガスの一例としての窒素ガスを供給するための複数（たとえば一対）の乾燥用ガスノズル（乾燥用ガス吹付手段）８９が配設されている。一対の乾燥用ガスノズル８９は、たとえば、その吐出口が洗浄ポッド８０の中心軸線を挟んで対向するように同じ高さで周壁８１に配設されている。
【００４７】
各乾燥用ガスノズル８９には、乾燥用ガス供給管（乾燥用ガス吹付手段）９０を通じて乾燥用ガスが供給される。各乾燥用ガス供給管９０には乾燥用ガスバルブ（乾燥用ガス吹付手段）９１が介装されている。乾燥用ガスバルブ９１が開かれることにより、対応する乾燥用ガスノズル８９に洗浄液が供給される。各乾燥用ガスノズル８９からは、洗浄ポッド８０の内側に向けて略水平に乾燥用ガスが吐出される。
【００４８】
図５は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置１は、さらに、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置５５を備えている。制御装置５５には、モータ６、アンプ５４、揺動駆動機構３６、昇降駆動機構３７、第１液アーム揺動機構１２、第２液アーム揺動機構２９、剥離液バルブ２３、ＤＩＷバルブ２７、ＳＣ１バルブ３１、排液バルブ８５、洗浄液バルブ８８、乾燥用ガスバルブ９１等が制御対象として接続されている。
【００４９】
図６は、本発明に係るレジスト除去処理の処理例を示す工程図である。図７Ａは、後述するＳＰＭ液膜形成工程を説明するための図解的な図である。図７Ｂは、後述するＳＰＭ液膜加熱工程を説明するための図解的な図である。図８は、後述するＳＰＭ液膜加熱工程におけるヒータヘッド３５の移動範囲を示す平面図である。
以下、図１〜図８を参照しつつ、レジスト除去処理の処理例について説明する。
【００５０】
レジスト除去処理に際しては、搬送ロボット（図示しない）が制御されて、処理室２（図１参照）内にイオン注入処理後のウエハＷが搬入される（ステップＳ１：ウエハ搬入）。ウエハＷは、その表面を上方に向けた状態でウエハ回転機構３に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、ヒータヘッド３５、剥離液ノズル４およびＳＣ１ノズル２５は、それぞれホームポジションに配置されている。
【００５１】
ウエハ回転機構３にウエハＷが保持されると、制御装置５５はモータ６を制御して、ウエハＷを回転開始させる（ステップＳ２）。ウエハＷの回転速度は、ウエハＷをＳＰＭ液でカバレッジできる液盛り速度（３０〜３００ｒｐｍの範囲で、たとえば６０ｒｐｍ）まで上げられ、その後、その液盛り速度に維持される。また、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの上方位置に移動させる。
【００５２】
ウエハＷの回転速度が液盛り速度に達した後、図７Ａに示すように、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を開いて、剥離液ノズル４からＳＰＭ液をウエハＷの表面に供給する。ウエハＷの表面に供給されるＳＰＭ液は、ウエハＷの表面上に溜められていき、ウエハＷの表面上に、その表面の全域を覆うＳＰＭ液の液膜７０が形成される（ステップＳ３：ＳＰＭ液膜形成工程）。
【００５３】
図７Ａに示すように、ＳＰＭ液膜形成工程の開始時には、制御装置５５は、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をウエハＷの回転中心上に配置させ、剥離液ノズル４からＳＰＭ液を吐出する。これにより、ウエハＷの表面にＳＰＭ液の液膜７０を形成するとともに、ＳＰＭ液をウエハＷの表面の全域に行き渡らせることができる。これにより、ＳＰＭ液の液膜７０でウエハＷの表面の全域を覆うことができる。
【００５４】
剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の吐出開始から予め定める液膜形成期間が経過すると、制御装置５５は、モータ６を制御して、ウエハＷの回転速度を液盛り速度よりも小さい所定の加熱処理速度に下げる。これにより、ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程（加熱処理）が実行される。
加熱処理速度は、ウエハＷへのＳＰＭ液の供給がなくても、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０を保持可能な速度（１〜２０ｒｐｍの範囲で、たとえば１５ｒｐｍ）である。また、モータ６によるウエハＷの減速と同期して、図７Ｂに示すように、制御装置５５は、剥離液バルブ２３を閉じて、剥離液ノズル４からのＳＰＭ液の供給を停止するとともに、第１液アーム揺動機構１２を制御して、剥離液ノズル４をホームポジションに戻す。ウエハＷへのＳＰＭ液の供給が停止されるが、ウエハＷの回転速度が加熱処理速度に下げられることにより、ウエハＷの表面上にＳＰＭ液の液膜７０が継続して保持される。
【００５５】
また、図７Ｂおよび図８に示すように、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させるとともに、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を、ヒータヘッド３５を、ウエハＷの回転中心と対向する第１の近接位置（図８に実線で示す位置）と、ウエハＷの周縁部と対向する第２の近接位置（図８に二点鎖線で示す位置）との間で往復移動させる。赤外線ランプ３８による赤外線の照射により、赤外線ランプ３８直下のウエハＷおよびＳＰＭ液が急激に温められ、ウエハＷとの境界付近のＳＰＭ液が温められる。そして、ウエハＷの表面における底板部５２の下面５２Ｂに対向する領域（赤外線ランプ３８に対向する領域）が、ウエハＷの回転中心を含む領域からウエハＷの周縁を含む領域に至る範囲内を円弧帯状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域を加熱することができる。
【００５６】
なお、赤外線ランプ３８からの赤外線の照射により、赤外線ランプ３８直下のＳＰＭ液が急激に温められる。そのため、ウエハＷの表面の周囲に、大量のＳＰＭ液ミストが生じる。
なお、第２の近接位置は、ヒータヘッド３５をその上方から見たときに、底板部５２の下面５２Ｂの一部、より好ましくは赤外線ランプ３８の円環部４３が、ウエハＷの外周よりも径方向に張り出している位置である。
【００５７】
ステップＳ４のＳＰＭ液膜加熱工程では、ＳＰＭ液の液膜７０がウエハＷの表面との境界付近で温められる。この間に、ウエハＷの表面上のレジストとＳＰＭ液との反応が進み、ウエハＷの表面からのレジストの剥離が進行する。
その後、ウエハＷの回転速度が下げられてから予め定める液膜加熱処理時間が経過すると、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる。また、制御装置５５は、揺動駆動機構３６および昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５をホームポジションに戻す。このとき、ヒータヘッド３５のランプハウジング４０の下面５２Ｂには、大量のＳＰＭ液ミストが付着している。
【００５８】
そして、制御装置５５は、モータ６を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の液処理回転速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲で、たとえば１０００ｒｐｍ）に上げるとともに、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ５：中間リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＰＭ液がＤＩＷによって洗い流される。
【００５９】
ＤＩＷの供給が所定の中間リンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
ウエハＷの回転速度を液処理回転速度に維持しつつ、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を開いて、ＳＣ１ノズル２５からＳＣ１をウエハＷの表面に供給する（ステップＳ６）。また、制御装置５５は、第２液アーム揺動機構２９を制御して、第２液アーム２８を所定角度範囲内で揺動させて、ＳＣ１ノズル２５を、ウエハＷの回転中心上と周縁部上との間で往復移動させる。これによって、ＳＣ１ノズル２５からのＳＣ１が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。これにより、ウエハＷの表面の全域に、ＳＣ１がむらなく供給され、ＳＣ１の化学的能力により、ウエハＷの表面に付着しているレジスト残渣およびパーティクルなどの異物を除去することができる。
【００６０】
ＳＣ１の供給が所定のＳＣ１供給時間にわたって続けられると、制御装置５５は、ＳＣ１バルブ３１を閉じるとともに、第２液アーム揺動機構２９を制御して、ＳＣ１ノズル２５をホームポジションに戻す。また、ウエハＷの回転速度が液処理回転速度に維持された状態で、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を開いて、ＤＩＷノズル２４の吐出口からウエハＷの回転中心付近に向けてＤＩＷを供給する（ステップＳ７：リンス処理工程）。ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面上をウエハＷの周縁に向けて流れる。これにより、ウエハＷの表面に付着しているＳＣ１がＤＩＷによって洗い流される。
【００６１】
ＤＩＷの供給が所定のリンス時間にわたって続けられると、ＤＩＷバルブ２７が閉じられて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給が停止される。
リンス処理の開始から所定時間が経過すると、制御装置５５は、ＤＩＷバルブ２７を閉じて、ウエハＷの表面へのＤＩＷの供給を停止する。その後、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば１５００〜２５００ｒｐｍ）に上げて、ウエハＷに付着しているＤＩＷを振り切って乾燥されるスピンドライ処理が行われる（ステップＳ８）。
【００６２】
スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、制御装置５５は、モータ６を駆動して、ウエハ回転機構３の回転を停止させる。これにより、１枚のウエハＷに対するレジスト除去処理が終了し、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室２から搬出される（ステップＳ９）。
ウエハＷの搬出後、ヒータヘッド３５が洗浄されるとともに、その洗浄後のヒータヘッド３５が乾燥されるヒータヘッド洗浄乾燥工程が実行される（ステップＳ１０）。ヒータヘッド洗浄乾燥工程では、ヒータヘッド３５を洗浄するための洗浄処理が施され、その洗浄処理後のヒータヘッド３５に対して乾燥処理が施される。
【００６３】
ヒータヘッド３５がホームポジションにあるときには、ヒータヘッド３５は、洗浄ポッド８０内に収容されている。すなわち、制御装置５５により揺動駆動機構３６が駆動されて、ヒータヘッド３５が洗浄ポッド８０の上面の鉛直上方に配置されるようにヒータアーム３４が移動される。さらに、制御装置５５により昇降駆動機構３７が制御されて、ヒータヘッド３５が、その全てが洗浄ポッド８０内に収容されるような（少なくともランプハウジング４０の全てが収容されるような）ホームポジションに達するまで、ヒータアーム３４およびヒータヘッド３５が鉛直下方に降下される。ヒータヘッド３５がホームポジションに達すると、その位置で待機させられる。
【００６４】
図９は、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の流れを示すフローチャートである。図１０Ａは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の洗浄処理を説明するための図解的な図であり、図１０Ｂおよび図１０Ｃは、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の乾燥処理を説明するための図解的な図である。
所定の洗浄タイミングになると、制御装置５５は、排液バルブ８５を閉じるとともに、洗浄液バルブ８８を開く（ステップＳ２１）。排液バルブ８５が閉じられた状態で、洗浄液ノズル８６から洗浄液が吐出されると、図１０Ａに示すように、洗浄液は洗浄ポッド８０内を底部８２へと導かれ、底部８２に溜められる。洗浄液ノズル８６からの洗浄液の吐出は、洗浄ポッド８０内に溜められている処理液の液面高さが、予め定める洗浄高さに達するまで続行される。この洗浄高さは、ホームポジションにあるヒータヘッド３５の下面５２Ｂよりも上方位置に設定されている。したがって、洗浄ポッド８０に溜められた洗浄液の液面が洗浄高さに達している場合には、ランプハウジング４０の下部分の外表面（下面５２Ｂおよびランプハウジング４０の周壁の下部分の外周面）は洗浄液に浸漬されている状態にある。
【００６５】
洗浄ポッド８０に溜められている洗浄液の液面高さが洗浄高さに達すると（ステップＳ２２でＹＥＳ）、制御装置５５は洗浄液バルブ８８を閉じる（ステップＳ２３）。これにより、洗浄液ノズル８６からの洗浄液の供給が停止される。なお、液面センサ（図示しない）によって洗浄液の液面高さを検出し、この液面センサからの検出出力に基づき、制御装置５５が洗浄高さに達したことを判断するようにしてもよいし、底部８２に洗浄液が全く溜められていない状態から、洗浄ポッド８０内の液面高さが洗浄高さに達するような液溜め時間が予め設定されており、洗浄液バルブ８８の開成からそのような液溜め時間が経過したタイミングで、洗浄液バルブ８８が閉じられるようになっていてもよい。
【００６６】
ランプハウジング４０の下面５２Ｂの洗浄液への浸漬により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。その後、底部８２に溜められている洗浄液の量が維持されつつ、ランプハウジング４０の下部分の外表面の洗浄液への浸漬は維持される。
洗浄液バルブ８８が閉じられてから予め定める洗浄処理時間（浸漬時間）が経過すると（ステップＳ２４でＹＥＳ）、制御装置５５は排液バルブ８５を開く（ステップＳ２５）。洗浄ポッド８０内に溜められた洗浄液は、排液バルブ８５が開かれることにより、排液口８３から排液配管８４を通して排液される。これにより、ランプハウジング４０の下部分の外表面の洗浄液への浸漬が終了する。
【００６７】
次いで、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示す乾燥処理が実行される。
洗浄ポッド８０内から洗浄液が抜かれた後、制御装置５５は、各乾燥用ガスバルブ９１を開く（ステップＳ２６）。これにより、各乾燥用ガスノズル８９の吐出口から、洗浄ポッド８０の内側に向けて、略水平に乾燥用ガスが吐出される。
また、制御装置５５は昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を上昇させる。
【００６８】
そして、ランプハウジング４０の周壁外周面における乾燥用ガスノズル８９の吐出口と対向する部分に、乾燥用ガスが吹き付けられる。
その後、制御装置５５は昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を、予め定める上位置と、上位置とホームポジションとの間に設定された予め定める中間位置（図１０Ｂに二点鎖線で示す位置。また、図１０Ｃ参照）との間を昇降させる（ステップＳ２７）。ヒータヘッド３５の上位置とは、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂが乾燥用ガスノズル８９の吐出口の側方に位置するような位置である。ヒータヘッド３５の中間位置とは、ヒータヘッド３５の外周面（ランプハウジング４０の外周面）のうち、前記の洗浄処理において洗浄液に浸漬される部分が、乾燥用ガスノズル８９の吐出口の側方の下方に位置するような位置である。
【００６９】
ヒータヘッド３５の昇降に伴って、ランプハウジング４０の周壁外周面の下部分における乾燥用ガスの吹付け位置（供給位置）も上下動（昇降）する。そのため、ランプハウジング４０の周壁外周面の広範囲に乾燥用ガスを吹き付けることができる。これにより、ランプハウジング４０の周壁外周面の下部分に付着している洗浄液が吹き飛ばされて除去される。
【００７０】
また、図１０Ｂに示すように、ヒータヘッド３５が上位置にあるときには、乾燥用ガスノズル８９から吐出された乾燥用ガスは、ランプハウジング４０の下面５２Ｂのやや下方を、下面５２Ｂに沿って流れる。このように流れる乾燥用ガスにより、下面５２Ｂに付着している洗浄液が吹き飛ばされて除去される。ヒータヘッド３５から飛散した洗浄液は、周壁８１に受け止められる。そのため、洗浄液の液滴が洗浄ポッド８０外に飛散するのを抑制または防止することができる。
【００７１】
なお、ヒータヘッド３５の昇降動作に関し、制御装置５５は、ヒータヘッド３５を上位置まで上昇させた後降下を開始する前に、昇降動作を一旦停止させて、ヒータヘッド３５を上位置のまま所定時間維持させるように制御してもよい。この場合、ランプハウジング４０の下面５２Ｂから、洗浄液をより効果的に除去することができる。
さらに、制御装置５５は、ステップＳ２６の乾燥用ガスノズル８９からの乾燥用ガスの吐出に並行して、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８から赤外線を放射させる（ステップＳ２８。加熱乾燥工程）。これにより、ランプハウジング４０が温められて、ランプハウジング４０の下部分に付着している洗浄液が蒸発除去される。
【００７２】
乾燥用ガスノズル８９からの乾燥用ガスの吐出、ならびに赤外線ランプ３８からの赤外線の放射は、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射開始から、予め定める乾燥処理時間が経過するまで続行される。
乾燥処理時間が経過すると（ステップＳ２９でＹＥＳ）、制御装置５５は、各乾燥用ガスバルブ９１を閉じて（ステップＳ３０）、乾燥用ガスノズル８９からの乾燥用ガスの吐出を停止する。また、制御装置５５は、アンプ５４を制御して、赤外線ランプ３８からの赤外線の放射を停止させる（ステップＳ３０）。
【００７３】
また、制御装置５５は、昇降駆動機構３７を制御して、ヒータヘッド３５を降下させて、ホームポジションに戻す（ステップＳ３１）。
ステップＳ１０のヒータヘッド洗浄乾燥工程の終了により、一連のレジスト除去処理は終了する。
以上によりこの実施形態によれば、各レジスト除去処理において、ヒータヘッド３５を洗浄するための洗浄処理が実行される。この洗浄処理の実行時には、ホームポジションにヒータヘッド３５が配置される。また、排液バルブ８５が閉じられるとともに洗浄液ノズル８６から洗浄液が供給されることにより、洗浄ポッド８０に洗浄液が溜められる。洗浄ポッド８０中に溜められた洗浄液中に、ランプハウジング４０の下部の外表面が浸漬されることにより、下面５２Ｂを含むランプハウジング４０の下部分の外表面を洗浄することができる。ＳＰＭ液膜加熱工程（図６に示すステップＳ４）において発生した大量のＳＰＭ液ミストはランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着していることがある。
【００７４】
ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストを洗い流すことができるから、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを清浄な状態に保つことができる。ゆえに、ランプハウジング４０外に放出される赤外線の照射光量の低下を防止することができるとともに、ランプハウジング４０の下面５２Ｂがパーティクル源になるのを防止することができる。
【００７５】
また、ヒータヘッド３５の洗浄処理後に、下面５２Ｂを含むランプハウジング４０の下部分の外表面が乾燥される。これにより、洗浄液がランプハウジング４０の下部分の外表面に残留して、ウエハＷの処理に悪影響を及ぼすことを防止することができる。
図１１は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１Ａの洗浄ポッド（収容部材）１８０の図である。図１２は、図１１の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。基板処理装置１Ａでは、図１等に示す洗浄ポッド８０に代えて、洗浄ポッド１８０が搭載されている。
【００７６】
図１１等に示す洗浄ポッド１８０において、第１実施形態の洗浄ポッド８０の各部に対応する部分には、図１等と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。第２実施形態の洗浄ポッド１８０が第１実施形態の洗浄ポッド８０と相違する点は、洗浄ポッド１８０の円板状の底部１８２に複数（たとえば４つ）の洗浄液ノズル１０１が配設されている点、および各洗浄液ノズル１０１が、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに向けて洗浄液を吐出するための洗浄液吐出口１００を有している点である。
【００７７】
図１１および図１２に示すように、各洗浄液吐出口１００は、底部１８２の周縁部において、周方向に等間隔に配設されている。各洗浄液吐出口１００の吐出方向は、鉛直方向に所定角度（たとえば３０°〜６０°）傾斜し、かつ円筒状の洗浄ポッド１８０の中心軸線方向に向く方向である。各洗浄液ノズル１０１には、洗浄液供給管１０２を通じて洗浄液が供給される。各洗浄液供給管１０２には洗浄液バルブ１０３が介装されている。洗浄液バルブ１０３が開かれることにより、対応する洗浄液ノズル１０１に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル１０１の洗浄液吐出口１００から洗浄液が吐出される。
【００７８】
第２実施形態の洗浄ポッド１８０では、第１実施形態の洗浄ポッド８０における乾燥処理は異なる洗浄処理が実行される。一方、第２実施形態の洗浄ポッド１８０では、第１実施形態の洗浄ポッド８０における乾燥処理と同等の乾燥処理が実行される。第２実施形態の洗浄ポッド１８０では、ヒータヘッド３５はホームポジションよりもやや上方の洗浄位置（図１１に示す位置）で洗浄処理を受ける。
【００７９】
所定の洗浄タイミングになると、制御装置５５により昇降駆動機構３７が制御されて、ヒータヘッド３５が上昇されて、ホームポジションよりもやや上方で、かつ中間位置（図１０Ｃ等に示す位置）よりも下方に設定された洗浄位置に配置される。
また、各洗浄液バルブ１０３が開かれて、各洗浄液吐出口１００から洗浄液が吐出される。各洗浄液吐出口１００から吐出された洗浄液は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに着液する。この実施形態では、各洗浄液吐出口１００から吐出された洗浄液は、たとえば、円形の下面５２Ｂにおける、平面視で見たときの洗浄液吐出口１００と下面５２Ｂの中心とを結ぶ中間位置に着液する。下面５２Ｂに着液した洗浄液は、下面５２Ｂを伝ってその周囲に広がる。その後、洗浄液ノズル１０１からの洗浄液の吐出開始から、予め定める洗浄処理期間が経過すると、洗浄液バルブ１０３が閉じられる。なお、洗浄処理の全期間を通じて、排液バルブ８５は開成状態にある。そのため、底部１８２に導かれた洗浄液は、底部８２に溜められずに、排液配管８４を通して機外に排出される。
【００８０】
この第２実施形態によれば、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。
その後、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示すのと同等の乾燥処理が実行される。
【００８１】
図１３は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置１Ｂの洗浄ポッド（収容部材）２８０の図である。図１４は、図１３の切断面線Ｂ−Ｂから見た断面図である。基板処理装置１Ｂでは、図１等に示す洗浄ポッド８０に代えて、洗浄ポッド２８０が搭載されている。
図１３等に示す洗浄ポッド２８０において、第１実施形態の洗浄ポッド８０の各部に対応する部分には、図１等と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。第３実施形態の洗浄ポッド２８０が第１実施形態の洗浄ポッド８０と相違する点は、洗浄ポッド１８０の円板状の底部２８２に複数（たとえば５つ。図１３では３つのみ図示）の洗浄液ノズル２０１が配設されている点、および各洗浄液ノズル２０１が、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに向けて洗浄液を吐出するための洗浄液吐出口２００を有している点である。また、洗浄液吐出口２００が底部８２の中央部にも配設されるために、底部８２の周縁部に排液口２８３を配置した点も、第１実施形態と相違している。
【００８２】
複数の洗浄液吐出口２００は、ホームポジションに位置するヒータヘッド３５の下面５２Ｂの中心の下方に対向する１つの中央吐出口２００Ａと、その下面５２Ｂの周縁部の下方に対向する複数（たとえば４つ）の周縁吐出口２００Ｂとを備えている。各周縁吐出口２００Ｂは、底部２８２の周縁部において、周方向に等間隔に配設されている。各洗浄液吐出口２００Ａ，２００Ｂの吐出方向は、鉛直上方である。各洗浄液ノズル２０１には、洗浄液供給管２０２を通じて洗浄液が供給される。洗浄液供給管２０２には洗浄液バルブ２０３が介装されている。洗浄液バルブ２０３が開かれることにより、洗浄液ノズル２０１に洗浄液が供給され、洗浄液ノズル２０１の洗浄液吐出口２００（２００Ａ，２００Ｂ）から洗浄液が吐出される。
【００８３】
第３実施形態の洗浄ポッド２８０では、第１実施形態の洗浄ポッド８０における乾燥処理は異なる洗浄処理が実行される。一方、第３実施形態の洗浄ポッド２８０では、第１実施形態の洗浄ポッド８０における乾燥処理と同等の乾燥処理が実行される。第３実施形態の洗浄ポッド２８０では、ヒータヘッド３５は、第２実施形態の場合と同様、洗浄位置（図１３に示す位置）で洗浄処理を受ける。
【００８４】
ヒータヘッド３５が洗浄位置に配置された後、各洗浄液バルブ１０３が開かれて、各洗浄液吐出口２００（２００Ａ，２００Ｂ）から洗浄液が吐出される。各洗浄液吐出口２００から吐出された洗浄液は、ヒータヘッド３５の下面５２Ｂに着液し、下面５２Ｂを伝ってその周囲に広がる。その後、洗浄液ノズル２０１からの洗浄液の吐出開始から、予め定める洗浄処理期間が経過すると、洗浄液バルブ２０３が閉じられる。なお、洗浄処理の全期間を通じて、排液バルブ８５は開成状態にある。そのため、底部２８２に導かれた洗浄液は、底部８２に溜められずに、排液配管８４を通して機外に排出される。
【００８５】
この実施形態によれば、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに供給される洗浄液により、ランプハウジング４０の下面５２Ｂに付着しているＳＰＭ液ミストなどの異物が洗い流される。これにより、ランプハウジング４０の下面５２Ｂを良好に洗浄することができる。
その後、図１０Ｂおよび図１０Ｃに示すのと同等の乾燥処理が実行される。
【００８６】
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。
たとえば、前述の各実施形態では、ヒータヘッド洗浄乾燥工程（図６に示すステップＳ１０）を、処理室２からのウエハＷの搬出後に行うものとしたが、ホームポジションで待機するヒータヘッド３５に対して洗浄処理等を施すために、レジスト除去処理の進行状況に拘わりなく、ヒータヘッド３５を洗浄することができる。具体的には、たとえばＳＰＭ液膜加熱工程（図６に示すステップＳ４）の終了後において、ホームポジションに戻されたヒータヘッド３５に対して洗浄処理や乾燥処理を施すようにしてもよい（図６に二点鎖線で示すステップＳ２０：ヒータヘッド洗浄乾燥工程）。また、ＳＰＭ液膜加熱工程後であれば、その他のタイミングでヒータヘッド洗浄乾燥工程を実行させてもよい。
【００８７】
また、第２および第３実施形態では、洗浄ポッド１８０，２８０に洗浄液を溜める必要はなく、そのため、洗浄ポッド１８０，２８０から排液バルブ８５を取り除いた構成を採用してもよい。
また、乾燥用ガスノズル８９の個数を２つとしたが、乾燥用ガスノズル８９は３個以上の個数が設けられていてもよい。この場合に、複数の乾燥用ガスノズル８９は同じ高さに配置されていることが望ましく、また、周方向に等間隔に配設されていることが望ましい。
【００８８】
また、各乾燥用ガスノズル８９の吐出方向は水平でなく、斜め下向きであってもよいし斜め上方であってもよい。
また、一対の乾燥用ガスノズル８９が、洗浄ポッド８０の周壁８１に設けられる構成には限られず、洗浄ポッド８０，１８０，２８０の上面よりも上方（すなわち洗浄ポッド外）に配置されていてもよい。
【００８９】
また、ヒータヘッド３５の乾燥処理において、乾燥用ガスノズル８９からの乾燥用ガスを吹き付けて飛ばす吹き飛ばし乾燥と、赤外線ランプ３８によりランプハウジング４０を温める加熱乾燥との双方により、ランプハウジング４０の外表面を乾燥させる場合を例に挙げて説明したが、乾燥用ガスによる吹き飛ばし乾燥は行わずに、赤外線ランプ３８による加熱乾燥のみにより、ランプハウジング４０の外表面を乾燥させるようにしてもよい。
【００９０】
また、ヒータヘッド洗浄乾燥工程を処理室２からのウエハＷの搬出後に行う場合には、ヒータヘッド洗浄乾燥工程の実行と併せて、ヒータアーム３４の洗浄が行われてもよい。ヒータアーム３４の洗浄は、たとえば処理室２内に別途配設されたバーノズル（図示しない）を用いて、ヒータアーム３４を洗浄することができる。バーノズルは、鉛直下方に向く多数の吐出口が水平方向に沿って一列または複数列に配列されており、処理室２内の上部領域に配設されている。ヒータアーム３４が、バーノズルの下方に対向配置された状態で、バーノズルの各吐出口から洗浄液が吐出され、この洗浄液がヒータアーム３４の外表面に降り掛かり、ヒータアーム３４の外表面が洗浄される。
【００９１】
さらに、ヒータヘッド洗浄乾燥工程を処理室２からのウエハＷの搬出後に行う場合には、ステップＳ１０のヒータヘッド洗浄乾燥工程の実行と併せて処理室２内の洗浄（チャンバ洗浄）が行われてもよい。
また、洗浄処理に用いる洗浄液としてＤＩＷを用いる場合を例に挙げて説明した。しかしながら、洗浄液は、ＤＩＷに限らず、希フッ酸水溶液、炭酸水、電解イオン水、オゾン水などを洗浄液として採用することもできる。さらに洗浄液として、希フッ酸水溶液等の薬液を用いる場合には、洗浄液をヒータヘッド３５に供給した後に、ＤＩＷや炭酸水などを用いてヒータヘッド３５から洗浄液を洗い流すためのリンス処理が施されてもよい。
【００９２】
また、乾燥用ガスの一例として窒素ガスを挙げたが、清浄空気やその他の不活性ガスを乾燥用ガスとして用いることができる。
また、本発明を、燐酸などの高温のエッチング液を用いて基板の主面の窒化膜を選択的にエッチングする基板処理装置に備えられるヒータの洗浄方法に適用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１，１Ａ，１Ｂ  基板処理装置
３５  ヒータヘッド（ヒータ）
３７  昇降駆動機構（ヒータ昇降手段）
３８  赤外線ランプ
４０  ランプハウジング（ハウジング）
５２Ｂ  下面（対向面）
８０  洗浄液ポッド（貯留容器）
８２  底部
８３  排出口
８４  排液配管（洗浄液供給手段）
８５  排液バルブ（洗浄液供給手段）
８６  洗浄液ノズル（洗浄液供給手段）
８７  洗浄液供給管（洗浄液供給手段）
８８  洗浄液ノズル（洗浄液供給手段）
８９  乾燥用ガスノズル
９０  乾燥用ガス供給管（乾燥用ガス吹付手段）
９１  乾燥用ガスバルブ（乾燥用ガス吹付手段）
１００  洗浄液吐出口
１０１  洗浄液ノズル
１８０  洗浄液ポッド（収容部材）
２００  洗浄液吐出口
２０１  洗浄液ノズル
２８０  洗浄液ポッド（収容部材）
Ｗ  ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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