(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源として熱電子を放出するフィラメントと、
前記フィラメントを有しプラズマを生成するプラズマ生成室と、
前記プラズマ生成室の外面に複数配置された磁石と、
前記フィラメントを前記磁石に対して近づく方向または遠ざかる方向に移動させるフィ
ラメント移動手段と、
前記プラズマ生成室に連通する処理室と、
前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、
を備え、
前記フィラメントは前記イオンビームが引き出される方向および、前記イオンビームが
引き出される方向に対して交差する方向に移動可能である
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオンミリング装置において、
前記磁石は少なくとも前記イオンビームが引き出される方向に対して直交する前記プラ
ズマ生成室の外面に配置されている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のイオンミリング装置において、
前記磁石は棒状に形成され、前記プラズマ生成室の前記外面の中央部から外周部に向か
って配置されている
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか一項に記載のイオンミリング装置において、
前記フィラメントは複数配置され、それぞれの前記フィラメントは前記フィラメント移
動手段により独立して移動可能である
ことを特徴とするイオンミリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物にイオンビームを照射して被加工物をエッチング加工するイオンミリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオンミリング加工として、基板などの被加工物にイオンビームを照射して表面をイオンミリング加工する技術が知られ、この加工にはイオンミリング装置が用いられている。
イオンミリング装置は、プラズマ生成室でプラズマを生成し、プラズマ生成室から引き出し電極を用いてイオンビームを被加工物が配置される処理室に引き出す構造を有している（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１１８２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のイオンミリング装置では、被加工物の材質、加工後の表面状態などに対応してイオンビーム強度を適正に制御して加工が行われる。一般に、イオンビーム強度の設定には引き出し電極のイオンビームを引き出す引き出し穴の開口率の調整などで行われている。
このように、イオンミリング加工ではそれぞれの被加工物の加工に適した引き出し電極を採用する必要がある。
しかしながら、引き出し電極を製作後においては、放出されるイオンビーム強度や面内均一性などの加工プロファイルの微調整が困難であり、また、製作された引き出し電極には汎用性がないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるイオンミリング装置は、イオン源として熱電子を放出するフィラメントと、前記フィラメントを有しプラズマを生成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外面に複数配置された磁石と、前記フィラメントを前記磁石に対して近づく方向または遠ざかる方向に移動させるフィラメント移動手段と、前記プラズマ生成室に連通する処理室と、前記プラズマ生成室から前記処理室へイオンビームを引き出す引き出し電極と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、プラズマ生成室の外面に複数配置された多極の磁石に対して、近づく方向または遠ざかる方向にフィラメントを移動させるフィラメント移動手段を備えている。
フィラメントから放出された熱電子などの荷電粒子は多極の磁石で形成された磁場中でローレンツ力を受けて円運動（サイクロトロン運動）を行う。フィラメント位置を変更することでサイクロトロン運動を利用し荷電粒子を任意の場所に集めることが可能となる。
このことから、プラズマ生成室で生成されるプラズマのプラズマ分布を制御することができ、同じ引き出し電極を用いてもイオンビームの強度やイオンビームによる加工プロファイルを容易に調整することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記磁石は少なくとも前記イオンビームが引き出される方向に対して直交する前記プラズマ生成室の外面に配置されていることが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、磁石はイオンビームが引き出される方向に対して直交するプラズマ生成室の外面に配置されている。
このように磁石を配置することで、イオンビームが引き出される方向に磁場を形成することができ、荷電粒子を任意の場所に集めることが容易になる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記磁石は棒状に形成され、前記プラズマ生成室の前記外面の中央部から外周部に向かって配置されていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、複数の磁石は棒状に形成され、プラズマ生成室の外面の中央部から外周部に向かって配置されている。
このように磁石を配置することで、プラズマ生成室のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面において、中央部方向または外周部方向に荷電粒子を集めることが可能である。
【００１２】
［適用例４］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記フィラメントは前記イオンビームが引き出される方向および、前記イオンビームが引き出される方向に対して交差する方向に移動可能であることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、フィラメントはイオンビームが引き出される方向、つまりプラズマ生成室のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面に対して、近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。さらに、フィラメントはイオンビームが引き出される方向に対して交差する方向、つまりプラズマ生成室の外周面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。
このことから、フィラメントが磁石により形成される磁場の中を任意に移動できる。このことから、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例にかかるイオンミリング装置において、前記フィラメントは複数配置され、それぞれの前記フィラメントは前記フィラメント移動手段により独立して移動可能であることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、フィラメントは複数配置され、それぞれのフィラメントはフィラメント移動手段により独立して移動可能である。
このことから、複数のフィラメントを任意の位置にそれぞれ配置でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１実施形態のイオンミリング装置の構成を示す模式図。
【図２】第１実施形態におけるプラズマ生成室の磁石配置状態を示す模式平面図。
【図３】第１実施形態におけるプラズマ生成室の磁石配置状態を示す模式断面図。
【図４】磁場のもとで荷電粒子の動作を説明する模式図。
【図５】プラズマ生成室内のプラズマ分布をシミュレーションしたプラズマ分布図。
【図６】プラズマ生成室内のプラズマ分布をシミュレーションしたプラズマ分布図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（第１実施形態）
【００１８】
＜イオンミリング装置の構成＞
図１はイオンミリング装置の構成を示す模式図である。
なお、以下の説明では直交座標を用い、装置の平面の一方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸に直交する平面方向をＺ軸方向、Ｘ軸およびＺ軸に直交する装置の高さ方向をＹ軸方向と呼び、位置関係を説明する。
【００１９】
イオンミリング装置１は、プラズマを生成するプラズマ生成室１０と、プラズマ生成室１０からイオンビームを引き出す引き出し電極３０と、引き出されたイオンビームが導入される処理室４０と、プラズマ生成室１０を覆いフィラメント移動機構２５を配置する機構配置室２４と、を備えている。
プラズマ生成室１０は、円筒状に形成され、円筒胴部１２がＸ軸方向に延設されるように配置されている。プラズマ生成室１０のＸ軸方向と直交する一方の面は開放されて処理室４０と連通している。そして、プラズマ生成室１０のＸ軸方向と直交する他方の面には円筒平面部１１が形成されている。
また、プラズマ生成室１０は、外部よりアルゴン（Ａｒ）などの放電ガスが供給されるガス導入口１６を備えている。
【００２０】
プラズマ生成室１０の内部には、イオン源として複数のフィラメント２０が設けられている。フィラメント２０は、例えばタングステン（Ｗ）などからなり、フィラメント２０に電圧を印加することで、プラズマ生成室１０内に熱電子（荷電粒子）を放出する。
フィラメント２０は、フィラメント２０をプラズマ生成室１０内で移動可能とするフィラメント移動機構２５に接続されている。
【００２１】
フィラメント移動機構２５は、プラズマ生成室１０を覆って形成された機構配置室２４に配置され、第１リニアステッピングモーター２６と第２リニアステッピングモーター２８とを備えている。
第１リニアステッピングモーター２６のモーター軸２６ａはＹ軸方向に往復運動可能であり、その先端には第２リニアステッピングモーター２８が固定されている。このため、第１リニアステッピングモーター２６の作動により第２リニアステッピングモーター２８はＹ軸方向に移動可能である。
第２リニアステッピングモーター２８のモーター軸２８ａはＸ軸方向に往復運動可能であり、その先端にはフィラメント取り付け板２１に固定されたフィラメント２０が配置されている。このため、第２リニアステッピングモーター２８の作動によりフィラメント２０はＸ軸方向に移動可能である。
なお、第２リニアステッピングモーター２８のモーター軸２８ａは、機構配置室２４からプラズマ生成室１０の円筒平面部１１の溝部１５を介してプラズマ生成室１０内にモーター軸２８ａの先端が配置されるように構成されている。
【００２２】
このようなフィラメント移動機構２５を用いることで、第１リニアステッピングモーター２６を作動させてフィラメント２０をプラズマ生成室１０内でＹ軸方向に移動でき、また、第２リニアステッピングモーター２８を作動させてフィラメント２０をプラズマ生成室１０内でＸ軸方向に移動できる。
そして、各フィラメント２０は各フィラメント移動機構２５により、独立して任意の位置に移動させることが可能である。
【００２３】
また、プラズマ生成室１０の円筒平面部１１および円筒胴部１２の外周には、多極の磁石１３，１４が配置されている。
図２はプラズマ生成室の磁石配置状態を示す模式平面図であり、図１のＰ矢視方向（Ｘ軸方向）から見た図である。図３は図２のＡ−Ａ断線に沿う模式断面図である。
なお、図中の磁石に示した矢印は磁石内で磁力の向かう方向を示している。
【００２４】
図２に示すように、プラズマ生成室１０の円筒平面部１１には多数の磁石１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄが配置されている。
磁石１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは棒状に形成され、４種類の長さのものが用意されている。以下、各磁石の説明は長さの長い磁石の順に行う。
磁石１３ａは、円筒平面部１１の中央部から外周部に向かうように配置されている。そして、磁石１３ａは４つ備えられ、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に円筒平面部１１の中心から９０度間隔で配置されている。また、この磁石１３ａの表面に現れた極性はＳ極となるように構成されている。
【００２５】
磁石１３ｂは、一つの磁石１３ａに対して両側からほぼ平行に挟み、円筒平面部１１の中央部から外周部に向かうように配置されている。
そして、この８つの磁石１３ｂの表面に現れた極性は、隣の磁石１３ａとは反対の極性となるＮ極となるように構成されている。
【００２６】
磁石１３ｃは、一つの磁石１３ａに対して両側から挟んだ磁石１３ｂのさらに外側からほぼ平行に挟んで配置されている。
そして、この８つの磁石１３ｃの表面に現れた極性は、隣の磁石１３ｂとは反対の極性となるＳ極となるように構成されている。
【００２７】
磁石１３ｄは、一つの磁石１３ａに対して両側から挟んだ２つの磁石１３ｂ、および２つの磁石１３ｃをさらに外側からほぼ平行に挟んで配置されている。
そして、この８つの磁石１３ｄの表面に現れた極性は、隣の磁石１３ｃとは反対の極性となるＮ極となるように構成されている。
このように、隣り合う磁石１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは反対の極となるように配置されている。また、磁石１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄは円筒平面部１１の中心に対して点対称となる配置である。
【００２８】
また、プラズマ生成室１０の円筒胴部１２の外周には多数の磁石１４が配置されている。
磁石１４は棒状に形成され、Ｘ軸方向に表面に同じ極が現れるように配置され（図３参照）、円周方向において隣の磁石は極性が反対となるように配置される。
【００２９】
これらの磁石１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ，１４は、磁力線によりプラズマをプラズマ生成室１０内に閉じ込めるとともに、放電領域に磁界をかけてイオンの飛程距離を長くしてイオン化率を増大させる機能を有する。
【００３０】
そして、上記の図２に示す平面視において、磁石１３ａと磁石１３ｂの間にフィラメント２０が配置される。なお、フィラメント２０はプラズマ生成室１０の円筒平面部１１に形成した溝部を介してプラズマ生成室１０内に配置されるが、図２では溝部は省略して示している。
フィラメント２０は、図３に示すように、Ｘ軸方向に移動可能であり、プラズマ生成室１０の円筒平面部１１の内面からの高さ寸法ｈを変更でき、円筒平面部１１の内面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。
また、フィラメント２０はＹ軸方向にも移動可能であり、プラズマ生成室１０の円筒胴部１２に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。
【００３１】
フィラメント２０はフィラメント電源（図示せず）に接続され、このフィラメント電源から所定の電圧が印加される。またプラズマ生成室１０にはアーク電源（図示せず）の正極側が接続され、負極側はフィラメント電源の正極側に接続されて、アーク電圧が印加される。
そして、フィラメント２０のマイナス端子とプラズマ生成室１０のアノードとなる内壁との間の放電によって、供給されたＡｒなどの放電ガスがイオン化されるように構成されている。
【００３２】
図１に戻り、プラズマ生成室１０と処理室４０との間には引き出し電極３０が配置されている。
引き出し電極３０は、加速電極３０ａ、減速電極３０ｂ、接地電極３０ｃの３枚の電極から構成されている。プラズマ生成室１０に近い方から加速電極３０ａ、減速電極３０ｂ、接地電極３０ｃの順に配置され、電極取り付け板３１に固定されている。各電極は円板状に形成され、モリブデンなどの高融点材料が用いられている。そして、各電極の円板内にイオンビームが通過する多数の引き出し穴３２ａ，３２ｂ，３２ｃが設けられている。
【００３３】
加速電極３０ａには加速電源（図示せず）の正極が接続されて正電圧が印加される。また、加速電源の正極側は抵抗を介してアーク電源の正極側に接続されており、負極側は接地されている。
減速電極３０ｂには減速電源（図示せず）の負極が接続されて負電圧が印加され、減速電源の正極側は接地されている。
接地電極３０ｃは接地、または接地に対して−１００Ｖ未満の電圧が印加されている。
これらの加速電極３０ａおよび減速電極３０ｂに印加する電圧を調整することによって、引き出し電極３０から照射されるイオンビームのエネルギーを調整することができる。
【００３４】
そして、処理室４０にはマイクロ波プラズマニュートライザー５０が配置されている。
マイクロ波プラズマニュートライザー５０は、引き出し電極３０の下流にマイクロ波放電によるプラズマを生成する。この、マイクロ波放電によるプラズマは、基板などの被加工物の表面にイオンビームが照射されて帯電するのを防止するための電子供給源として用いられる。
【００３５】
処理室４０には、排気装置（図示せず）が接続され、処理室４０およびそれに連結されるプラズマ生成室１０、機構配置室２４を減圧状態に保つことが可能である。
そして、処理室４０には被加工物の基板などの被加工物を保持する基板ホルダー４１が設置されている。基板ホルダー４１は円板状に形成され、基板ホルダー４１の中心部に軸が設けられて軸を中心に回転可能に形成されている。また、基板ホルダー４１は、被処理物の加工速度に合わせ、照射されるイオンビームに対して傾いて配置されている。
【００３６】
さらに、引き出し電極３０と基板ホルダー４１との間に、シャッター５２を設けても良い。
シャッター５２はシャッター駆動装置５３により開閉し、基板ホルダー４１に保持された被加工物に対してイオンビームを照射するときにはシャッター５２を開き、イオンビームを照射しないときにはシャッター５２を閉じてイオンビームの照射を制御することができる。
なお、処理室４０はイオンビームの導入の安定性を確保するために電気的に接地された状態となっている。
【００３７】
＜イオンミリング装置の動作＞
次に、上記のイオンミリング装置１の動作について説明する。
排気装置により、処理室４０、プラズマ生成室１０、機構配置室２４が排気され、その後、一定流量の放電ガスがプラズマ生成室１０に供給される。
フィラメント２０のマイナス端子とプラズマ生成室１０のアノードとなる内壁との間の放電によって、プラズマ生成室１０内にプラズマが発生する。生成されたプラズマのイオンは、引き出し電極３０により、プラズマ生成室１０から処理室４０に引き出される。
次にシャッター駆動装置５３が作動してシャッター５２が開き、処理室４０に導入されたイオンビームは、回転する基板ホルダー４１に保持された被加工物に照射してイオンミリング加工が行われる。
【００３８】
ここで、本実施形態で特徴的なプラズマ生成室の中でフィラメント２０の位置を変更することの作用、効果について説明する。
図４は、磁場のもとで荷電粒子の動作を説明する模式図である。
【００３９】
図４（ａ）に示すように、磁場Ｂが一様で、かつ荷電粒子ｅ-が磁場Ｂからの力以外の外力を受けていない場合、荷電粒子ｅ-は磁場Ｂからローレンツ力を受けて磁場Ｂと垂直な面内で、半径ｒの円運動を行う。このような磁場のなかでの荷電粒子の円運動をサイクロトロン運動という。このようにして、プラズマを構成している個々の荷電粒子は磁場中でサイクロトロン運動を行う。
しかし、荷電粒子ｅ-に磁場Ｂ以外の外力が加わる場合や、磁場Ｂが一様でない場合には、円運動の中心が磁場Ｂと垂直な方向にも動くようになり、荷電粒子がらせん運動を行う。この現象をドリフトという。
【００４０】
また、異極となる磁石を互いに間隔をあけて配置した場合、図４（ｂ）に示すような磁場Ｂが形成される。
このとき、磁石から遠い部分の領域Ｆでは磁場Ｂの密度は粗であり、サイクロトロン運動の半径ｒは大きくなる。これに対して磁石に近い部分の領域Ｇでは磁場Ｂの密度は密であり、サイクロトロン運動の半径ｒは小さくなる。
【００４１】
このような、磁場と荷電粒子の間の現象（ドリフト）を利用して、荷電粒子を制御することが可能である。
例えば、図４（ｃ）に示すように、３本の磁石１３ａ，１３ｂ1，１３ｂ2を互いに平行に平板上に並べた場合について考察する。
磁石１３ｂ1と磁石１３ｂ2は上面がＮ極となるように配置され、磁石１３ｂ1と磁石１３ｂ2に挟まれる磁石１３ａは上面がＳ極となるように配置されている。
このような磁石の配置において、磁場ＢはＮ極からＳ極に向かって形成される。磁場Ｂは図４（ｂ）で示したように磁石に近い場所から、磁力の届く範囲まで磁場Ｂが形成される。
【００４２】
ここで、磁石１３ｂ1と磁石１３ａから比較的近い磁場Ｂに荷電粒子ｅ-が飛び込んできたとき、荷電粒子ｅ-は磁場Ｂからの力と外力を受けて図面の手前側（矢印１７の方向）にらせん運動して移動する。
また、磁石１３ａと磁石１３ｂ2から比較的近い磁場Ｂに荷電粒子ｅ-が飛び込んできたとき、荷電粒子ｅ-は磁場Ｂからの力と外力を受けて図面の奥側（矢印１８の方向）にらせん運動して移動する。
このように、荷電粒子ｅ-がドリフトすることで任意の場所に荷電粒子ｅ-を集めることが可能である。このような荷電粒子ｅ-の挙動を促すために、フィラメント２０の位置を変更して、磁場Ｂと荷電粒子の位置関係を変更させればよい。
【００４３】
次に、プラズマ生成室内におけるフィラメント位置によるプラズマ分布のシミュレーション結果の一例を示す。このシミュレーションには電子軌道シミュレーション装置を用いて行った。本シミュレーションではプラズマ生成室の円筒平面部の内面からフィラメントまでの高さ寸法ｈのみを変更している。
図５はプラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法ｈを１００ｍｍとしたときのプラズマ分布を示す。図６はプラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法ｈを４０ｍｍとしたときのプラズマ分布を示す。
【００４４】
図５、図６で、（ａ）はプラズマ生成室の断面を見た図であり図３に相当し、（ｂ）はプラズマ生成室を処理室側から見た図である。
そして、図中で白く見えるところがプラズマ（荷電粒子）の密な部分である。
【００４５】
図５に示すように、プラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法ｈを１００ｍｍとしたときには、プラズマはほぼ全体に均等に分布しているのが分かる。つまり、フィラメントから放出された熱電子や放電ガスから電離した荷電粒子がプラズマ生成室の高さ寸法ｈ方向および平面方向にほぼ均等に分布している。
【００４６】
これに対して、図６に示すように、プラズマ生成室の円筒平面部の内面からの高さ寸法ｈを４０ｍｍとしたときには、プラズマは移動して局所に閉じ込められるのが分かる。つまり、高さ寸法ｈ方向ではプラズマ生成室の円筒平面部に近い部分に分布し、平面方向では図４（ｃ）で示したように磁石の配列に沿って円筒平面部の中央部側および外周部側にプラズマが分布している。
なお、上記の高さ寸法ｈの変更だけでなく、フィラメントをプラズマ生成室の中央部または外周部へ移動させてもプラズマ分布を変えることが可能である。
このように、磁石の配置およびフィラメントの位置を適宜選択することで、プラズマ分布を制御できる。
【００４７】
以上、本実施形態のイオンミリング装置１は、プラズマ生成室１０の外面に複数配置された多極の磁石１３ａ〜１３ｄに対して、近づく方向または遠ざかる方向にフィラメント２０を移動させるフィラメント移動機構２５を備えている。
フィラメント２０の位置を変更することで荷電粒子のドリフトを利用し荷電粒子を任意の場所に集めることが可能となる。
このことから、プラズマ生成室１０で生成されるプラズマの分布を制御することができ、イオンビームの強度やイオンビームによる加工プロファイルを調整することが可能となる。
例えば、イオンビームを引き出す引き出し電極３０を交換することなくフィラメント２０の位置を変更することで、被加工物にあったイオンビーム強度の調整や加工プロファイルを得ることが可能である。
【００４８】
また、磁石１３ａ〜１３ｄはイオンビームが引き出される方向に対して直交するプラズマ生成室１０の円筒平面部１１に配置されている。さらに、複数の磁石１３ａ〜１３ｄは棒状に形成され、プラズマ生成室１０の円筒平面部１１の中央部から外周部に向かって配置されている。
このように磁石１３ａ〜１３ｄを配置することで、イオンビームが引き出される方向に磁場を形成することができ、荷電粒子を任意の場所に集めることが容易になる。また、プラズマ生成室１０のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面において、中央部または外周部に荷電粒子を集めることが可能である。
【００４９】
また、フィラメント２０はイオンビームが引き出される方向、つまりプラズマ生成室１０のイオンビームが引き出される方向に対して直交する面に対して、近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。さらに、フィラメント２０はイオンビームが引き出される方向に対して交差する方向、つまりプラズマ生成室１０の外周面に近づく方向および遠ざかる方向に移動できる。
このことから、フィラメント２０が磁石により形成される磁場の中を任意に移動でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。
【００５０】
さらに、フィラメント２０は複数配置され、それぞれのフィラメント２０はフィラメント移動機構２５により独立して移動可能である。
このことから、複数のフィラメント２０を任意の位置に配置でき、荷電粒子の移動を精度よく制御することができる。
【００５１】
なお、本実施形態のイオンミリング装置では、加工条件などは被加工物を加工して合わせこむ方法をとるが、基板ホルダーに設けた荷電粒子を検出するファラデーカップで電流密度を計測してフィードバックする方法をとっても良い。
イオンビームの電流密度を計測するファラデーカップは、基板ホルダーに狭いピッチで複数配置することで、加工精度、信頼性を向上させることができる。
フィードバック制御では、イオンビーム電流密度とイオンミリングレートの関係、フィラメント電流と磁場の関係などをあらかじめ計測したデータにより関連つけて制御システムを構築すればよい。
【００５２】
また、第１実施形態ではイオンミリング加工を行う実施形態を説明したが、このイオンミリング装置１を用いて基板表面の親水処理や撥水処理などの表面処理を行うことも可能である。
このように、第１実施形態で説明したイオンミリング装置１は、具体的には基板をイオンミリング加工して基板を平坦化する装置、表面処理装置、圧電素子の周波数調整装置などとして利用することができる。
【００５３】
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１…イオンミリング装置、１０…プラズマ生成室、１１…円筒平面部、１２…円筒胴部、１３…磁石、１４…磁石、１５…溝部、１６…ガス導入口、２０…フィラメント、２１…フィラメント取り付け板、２４…機構配置室、２５…フィラメント移動手段としてのフィラメント移動機構、２６…第１リニアステッピングモーター、２６ａ…モーター軸、２８…第２リニアステッピングモーター、２８ａ…モーター軸、３０…引き出し電極、３０ａ…加速電極、３０ｂ…減速電極、３０ｃ…接地電極、３１…電極取り付け板、３２ａ，３２ｂ，３２ｃ…引き出し穴、４０…処理室、４１…基板ホルダー、５０…マイクロ波プラズマニュートライザー、５２…シャッター、５３…シャッター駆動装置。
【図１】
0005903864.tif 000002
【図２】
0005903864.tif 000003
【図３】
0005903864.tif 000004
【図４】
0005903864.tif 000005
【図５】
0005903864.tif 000006
【図６】
0005903864.tif 000007