(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式（１）で表される銅錯体。
（Ｃｕ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d          （１）
（組成式中、
Ｌ1は、下記式（Ａａ）又は（Ｂｃ）で表される分子である。
【化１】
0005883711.tif 000036
（式中、
Ｑ1Aaは、両方とも−Ｐ（Ｒ11Aa）2であるか、又は一方が−Ｐ（Ｒ11Aa）2で他方が置換基を有していてもよいベンズイミダゾールから水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Aaは置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基であり、各々のＲ11Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ2Aaは、−Ｐ（Ｒ22Aa）−である。Ｒ22Aaは置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。
２つのＱ1Aa及びＱ2Aaが含有するリン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Aaは、１，２−フェニレンジイル基である。
Ｒ11Aa、Ｒ22Aa、Ｒ2Aa及び置換基を有していてもよいベンズイミダゾール基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【化２】
0005883711.tif 000037
（式中、
Ｑ1Bcは、−Ｐ（Ｒ11Bc）2である。Ｒ11Bcは、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基であり、各々のＲ11Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ3Bcは、リン原子である。
３つのＱ1Bc及びＱ3Bcが含有するリン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Bcは、炭素原子数５０以下の２価の基であり、少なくとも１つのＲ2Bcは置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基である。各々のＲ2Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ11Bc及びＲ2Bcからなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
Ｌ2は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを有する分子である。Ｌ2が有するＣｕ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
Ｌ3は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを有する分子である。
Ｘ1は、アニオンである。
ａは、０．５を超える数である。ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０以上の数である。
複数個のＬ1が存在する場合、各々のＬ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＬ2が存在する場合、各々のＬ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＬ3が存在する場合、各々のＬ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＸ1が存在する場合、各々のＸ1は互いに同一でも異なっていてもよい。）
【請求項２】
式（Ｂｃ）中の少なくとも１つのＲ2Bcが、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される２価の基である、請求項１に記載の銅錯体。
【化３】
0005883711.tif 000038
（式中、
Ｙ1は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ50）−、−Ｓｉ（Ｒ51）2−、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、又は、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−Ｏ−で表される２価の基である。
Ｙ2は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ51）2−で表される２価の基である。
ｍｍは１〜３の整数である。
Ｒ50は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基であり、Ｒ51は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。各々のＲ51は互いに同一でも異なっていてもよい。）
【請求項３】
組成式（１）において、Ｘ1がハロゲン化物イオンである、請求項１又は２に記載の銅錯体。
【請求項４】
組成式（１）において、ａが１．０である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の銅錯体。
【請求項５】
組成式（１）において、ｂが０である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の銅錯体。
【請求項６】
組成式（１）において、ｃが０である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の銅錯体。
【請求項７】
組成式（１）において、Ｌ1が、Ｃｕ+に配位可能な中性原子として、置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物中の窒素原子を１つ以上有する分子であり、該窒素原子とＣｕ+との距離が２．４０Å以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の銅錯体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の銅錯体を含む膜。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の銅錯体を含む発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する。）等に用いる発光材料として、イリジウム錯体を代表とする白金族金属を用いた燐光発光錯体が有望視されている。しかし、イリジウム原子は白金族金属の中でも希少であり、非常に高価である。そのため、コスト面で有利である安価な金属を用いる錯体として、単座又は２座型のトリアリールホスフィン誘導体を配位子として用いた銅錯体が報告されている（特許文献１、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２９４９９号公報
【特許文献２】特開２００６−２８６７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機ＥＬ素子等に用いる発光材料として、安定に発光することが重要である。しかし、上述した銅錯体は、発光強度の持続性が十分ではなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、従来の銅錯体よりも発光強度の持続性に優れた銅錯体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は第１に、下記の銅錯体を提供する。
［１］組成式（１）で表される銅錯体。
（Ｃｕ+）（Ｌ1）a（Ｌ2）b（Ｌ3）c（Ｘ1）d          （１）
（組成式中、
Ｌ1は、同一のＣｕ+に配位可能な中性原子として、リン原子及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環中の窒素原子からなる群から選ばれる原子を３つ又は４つ（但し、窒素原子含有五員環中の同一のＣｕ+に配位可能な窒素原子の数は、窒素原子含有五員環の数とする。）有する分子であり、Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能な中性原子のうち２つ以上の原子はリン原子であり、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｌ2は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを有する分子である。Ｌ2が有するＣｕ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
Ｌ3は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを有する分子である。
Ｘ1は、アニオンである。
ａは、０．５を超える数である。ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０以上の数である。
複数個のＬ1が存在する場合、各々のＬ1は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＬ2が存在する場合、各々のＬ2は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＬ3が存在する場合、各々のＬ3は互いに同一でも異なっていてもよい。複数個のＸ1が存在する場合、各々のＸ1は互いに同一でも異なっていてもよい。）
［２］組成式（１）において、Ｌ1が、下記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）又は（Ｂｃ）で表される分子である［１］に記載の銅錯体。
【化１】
0005883711.tif 000002
（式中、
Ｑ1Aaは、−Ｐ（Ｒ11Aa）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Aaは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ2Aaは、−Ｐ（Ｒ22Aa）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Aaは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。
２つのＱ1Aa及びＱ2Aaからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Aaは、炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Aaが直接結合であるのは、結合したＱ1Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ2Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。各々のＲ2Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ11Aa、Ｒ22Aa、Ｒ2Aa及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ〜２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【化２】
0005883711.tif 000003
（式中、
Ｑ1Abは、−Ｐ（Ｒ11Ab）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Abは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Abは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Abは互いに同一でも異なっていてもよい。
３つのＱ1Abからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ3Abは、炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Ab、Ｒ3Ab及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【化３】
0005883711.tif 000004
（式中、
Ｑ1Baは、−Ｐ（Ｒ11Ba）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Baは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Baは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ2Baは、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Baは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ22Baは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ2Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
２つのＱ1Ba及び２つのＱ2Baからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Baは、炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Baが直接結合であるのは、結合したＱ1Baが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ2Baが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。各々のＲ2Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ11Ba、Ｒ22Ba、Ｒ2Ba及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【化４】
0005883711.tif 000005
（式中、
Ｑ1Bbは、−Ｐ（Ｒ11Bb）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Bbは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ2Bbは、−Ｐ（Ｒ22Bb）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Bbは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ22Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。
３つのＱ1Bb及びＱ2Bbからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Bbは、炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Bｂが直接結合であるのは、結合したＱ1Bbが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ2Bbが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。
Ｒ3Bbは、炭素原子数５０以下の３価の基である。
Ｒ11Bb、Ｒ22Bb、Ｒ2Bb、Ｒ3Bb及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【化５】
0005883711.tif 000006
（式中、
Ｑ1Bcは、−Ｐ（Ｒ11Bc）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Bcは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｑ3Bcは、リン原子又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基である。
３つのＱ1Bc及びＱ3Bcからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
Ｒ2Bcは、炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Bcが直接結合であるのは、結合したＱ1Bcが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ3Bcが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基である場合である。各々のＲ2Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ11Bc、Ｒ2Bc及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
［３］式（Ａａ）中のＲ2Aa、式（Ｂａ）中のＲ2Ba、式（Ｂｂ）中のＲ2Bb及び式（Ｂｃ）中のＲ2Bcからなる群から選ばれる１つ以上の基が、それぞれ独立に、直接結合であるか、又は、置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される２価の基である、［２］に記載の銅錯体。
【化６】
0005883711.tif 000007
（式中、
Ｙ1は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ50）−、−Ｓｉ（Ｒ51）2−、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、又は、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−Ｏ−で表される２価の基である。
Ｙ2は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ51）2−で表される２価の基である。
ｍｍは１〜３の整数である。
Ｒ50は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜５０のアリール基であり、Ｒ51は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。各々のＲ51は互いに同一でも異なっていてもよい。）
［４］式（Ａａ）において、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である、［２］又は［３］に記載の銅錯体。
［５］式（Ｂｃ）において、Ｒ11Ｂｃが、置換基を有していてもよいアリール基である、［２］又は［３］に記載の銅錯体。
［６］組成式（１）において、Ｘ1がハロゲン化物イオンである、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の銅錯体。
［７］組成式（１）において、ａが１．０である、［１］〜［６］のいずれか一項に記載の銅錯体。
［８］組成式（１）において、ｂが０である、［１］〜［７］のいずれか一項に記載の銅錯体。
［９］組成式（１）において、ｃが０である、［１］〜［８］のいずれか一項に記載の銅錯体。
［１０］組成式（１）において、Ｌ1が、Ｃｕ+に配位可能な中性原子として、置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物中の窒素原子を１つ以上有する分子であり、該窒素原子とＣｕ+との距離が２．４０Å以下である、［１］〜［９］のいずれか一項に記載の銅錯体。
【０００７】
本発明は第２に、下記の膜を提供する。
〔１２〕上記〔１〕〜〔１１〕のいずれか一項に記載の銅錯体を含む膜。
【０００８】
本発明は第３に、下記の発光素子を提供する。
〔１３〕上記〔１〕〜〔１２〕のいずれか一項に記載の銅錯体を含む発光素子。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の銅錯体は、従来の銅錯体に比べて発光強度の持続性が高い。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を説明する。
【００１１】
本明細書において、「置換基を有していてもよい」とは、その直後に記載された化合物又は基を構成する水素原子が無置換の場合及び水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の双方を含む。置換基によって置換されている場合の置換基としては、特に説明のない限り、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基が挙げられ、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基が更に好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基が特に好ましい。
【００１２】
本明細書において、Ｍｅはメチル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００１３】
本明細書において、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基と記載されている場合、これらは直鎖状でも分岐構造をとっていてもよいが、好ましくは直鎖状である。
【００１４】
本発明の銅錯体は、前記組成式（１）で表される。
【００１５】
Ｃｕ+に配位可能なリン原子としては、例えば、３価のリン原子が挙げられる。
【００１６】
Ｃｕ+に配位可能な窒素原子としては、例えば、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物中の窒素原子、窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１〜３つ除いた基中の窒素原子、置換基を有していてもよいジアルキルアミノ基中の窒素原子、置換基を有していてもよいアルキルアリールアミノ基中の窒素原子、置換基を有していてもよいイミノ基中の窒素原子、及び、ニトリル基中の窒素原子が挙げられる。
【００１７】
窒素原子含有五員環中の窒素原子とは、窒素原子含有五員環を構成する窒素原子を意味する。窒素原子含有五員環とは、複素環のうち、１つ以上の窒素原子を含有する五員環を意味する。窒素原子含有五員環は、単環であってもよいし、他の環と縮合している縮合環であってもよい。
【００１８】
窒素原子含有五員環化合物とは、複素環である窒素原子含有五員環を含む窒素原子含有複素環式化合物を意味する。
【００１９】
本発明において、窒素原子含有五員環中の配位可能な窒素原子の数は、窒素原子含有五員環の数とする。一例を挙げると、窒素原子含有五員環１つ中に配位可能な窒素原子が１つ含まれる場合には、配位可能な窒素原子の数は１つと数える。他の例を挙げると、窒素原子含有五員環１つ中に配位可能な窒素原子が２つ含まれる場合にも、配位可能な窒素原子の数は１つと数える。これは、コンホメーションと配位距離の観点から、１つの窒素原子含有五員環中にある複数の窒素原子が、同一のＣｕ+には配位しないためである。
【００２０】
更に他の例を挙げると、窒素原子含有五員環を２つ含む分子１つ中に、配位可能な窒素原子が、それぞれの五員環に１つずつ含まれる場合には、配位可能な窒素原子の数は２つと数える。
【００２１】
配位可能な酸素原子としては、例えば、水素原子が結合した酸素原子、及び、第１５族元素が結合した酸素原子が挙げられる。
配位可能な硫黄原子としては、例えば、水素原子が結合した硫黄原子、アルキルメルカプト基中の硫黄原子、及び、第１５族元素が結合した硫黄原子が挙げられる。
配位可能なヒ素原子としては、例えば、３価のヒ素原子が挙げられる。
酸素アニオンとしては、例えば、Ｏ-が挙げられる。
硫黄アニオンとしては、例えば、Ｓ-が挙げられる。
【００２２】
組成式（１）中、Ｌ1は、同一のＣｕ+に配位可能な中性原子として、リン原子及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環中の窒素原子からなる群から選ばれる原子を３つ又は４つ（但し、窒素原子含有五員環中の同一のＣｕ+に配位可能な窒素原子の数は、窒素原子含有五員環の数とする。）有する分子である。Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能な中性原子のうち２つ以上の原子はリン原子であり、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。なお、Ｌ1は中性分子であることが好ましい。
【００２３】
Ｌ1が有する配位可能な中性原子は、同一のＣｕ+に配位可能である。即ち、Ｌ1１分子中にある、Ｃｕ+に配位可能な中性原子３つ又は４つは、いずれも、同一のＣｕ+に配位可能である。複数の原子が同一のＣｕ+に配位可能な条件としては、例えば、配位可能な原子同士が近接することが挙げられる。Ｌ1が有するＣｕ+に配位可能な複数の中性原子のうちから、任意に選ばれる２つの中性原子同士の距離は、いずれの中性原子を選んだ場合にも、コンホメーションによっては６Å以下、好ましくは５Å以下になり得る。中性原子同士の距離は、密度汎関数法により銅錯体の初期構造について構造最適化計算を行う手法によって求めることができる。一例を挙げると、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として銅原子及びハロゲン原子にはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子には６−３１Ｇ（ｄ）を用いる。計算プログラムとしてＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．製）を用いる。
【００２４】
Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能な中性原子として、リン原子及び窒素原子含有五員環中の窒素原子からなる群から選ばれる原子を３つ又は４つ（但し、窒素原子含有五員環中の同一のＣｕ+に配位可能な窒素原子の数は、窒素原子含有五員環の数とする。）有する分子であり、Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能な中性原子のうち２つ以上の原子はリン原子である。即ち、Ｌ1は、同一のＣｕ+に配位可能な中性原子として２つ以上のリン原子を有し、更に、リン原子及び窒素原子含有五員環中の窒素原子からなる群から選ばれる原子を１つ又は２つ有する。Ｌ1は、同一のＣｕ+に配位可能な中性原子を、合計で３つ又は４つ有する。該窒素原子含有五員環の例としては、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール及びアザジアゾールが挙げられ、好ましくは、イミダゾール、オキサゾール又はオキサジアゾールであり、より好ましくは、イミダゾールである。
【００２５】
Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能な中性原子の組み合わせとして、好ましくは、リン原子４つ、リン原子３つ、リン原子２つと窒素原子１つ、及び、リン原子２つと窒素原子２つが挙げられ、より好ましくは、リン原子４つ、リン原子３つ、リン原子２つと窒素原子１つ、及び、リン原子２つと窒素原子２つが挙げられ、更に好ましくは、リン原子４つ、リン原子３つ、及び、リン原子２つと窒素原子１つが挙げられる。
【００２６】
Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能なリン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。銅錯体の酸化に対する安定性が向上するので、好ましくは、Ｌ1が有する同一のＣｕ+に配位可能なリン原子の全てにｓｐ3炭素原子が結合していない。ｓｐ3炭素原子が結合していないリン原子は、ｓｐ2炭素原子３つが結合したリン原子であることが好ましい。
【００２７】
組成式（１）で表される銅錯体において、Ｌ1はＣｕ+に配位していることが好ましく、単座配位子としてＣｕ+に配位しても、二座配位子としてＣｕ+に配位しても、三座以上の配位子としてＣｕ+に配位してもよいが、二座以上の配位子としてＣｕ+に配位していることがより好ましく、三座以上の配位子としてＣｕ+に配位していることが更に好ましい。
【００２８】
Ｌ1の炭素原子数は、通常１２〜３００であり、好ましくは２２〜２５０であり、より好ましくは２５〜２００であり、更に好ましくは２８〜１５０であり、特に好ましくは３０〜１２５である。
【００２９】
Ｌ1の例としては、下記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子が挙げられる。これらのうち、式（Ａａ）、（Ｂａ）及び（Ｂｃ）で表される分子が好ましく、式（Ａａ）及び（Ｂｃ）で表される分子がより好ましく、式（Ａａ）で表される分子が更に好ましい。
【００３０】
【化７】
0005883711.tif 000008
【００３１】
式（Ａａ）中、Ｑ1Aaは、−Ｐ（Ｒ11Aa）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Aaは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３２】
Ｑ2Aaは、−Ｐ（Ｒ22Aa）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Aaは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。
【００３３】
式（Ａａ）で表される分子において、銅錯体の発光強度の持続性がより優れるので、Ｒ11Aa及びＲ22Aaは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。
【００３４】
２つのＱ1Aa及びＱ2Aaからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子はｓｐ3炭素原子が結合していない。
【００３５】
Ｒ2Aaは炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Aaが直接結合であるのは、結合したＱ1Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ2Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。各々のＲ2Aaは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３６】
Ｒ11Aa、Ｒ22Aa、Ｒ2Aa及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
【００３７】
式（Ａｂ）中、Ｑ1Abは、−Ｐ（Ｒ11Ab）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Abは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Abは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Abは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００３８】
３つのＱ1Abからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
【００３９】
Ｒ3Abは、炭素原子数５０以下の３価の基である。
【００４０】
Ｒ11Ab、Ｒ3Ab及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
【００４１】
式（Ｂａ）中、Ｑ1Baは、−Ｐ（Ｒ11Ba）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Baは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Baは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４２】
Ｑ2Baは、−Ｐ（Ｒ22Ba）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Baは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ22Baは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ2Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４３】
２つのＱ1Ba及び２つのＱ2Baからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
【００４４】
Ｒ2Baは炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Baが直接結合であるのは、結合したＱ1Baが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、または、結合したＱ2Baが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。各々のＲ2Baは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４５】
Ｒ11Ba、Ｒ22Ba、Ｒ2Ba及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
【００４６】
式（Ｂｂ）中、Ｑ1Bbは、−Ｐ（Ｒ11Bb）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Bbは水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４７】
Ｑ2Bbは、−Ｐ（Ｒ22Bb）−又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である。Ｒ22Bbは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ22Bbは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００４８】
３つのＱ1Bb及びＱ2Bbからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上のリン原子はｓｐ3炭素原子が結合していない。
【００４９】
Ｒ2Bbは炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Bbが直接結合であるのは、結合したＱ1Bbが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ2Bbが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基である場合である。
【００５０】
Ｒ3Bbは、炭素原子数５０以下の３価の基である。
【００５１】
Ｒ11Bb、Ｒ22Bb、Ｒ2Bb、Ｒ3Bb及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は２つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
【００５２】
式（Ｂｃ）中、Ｑ1Bcは、−Ｐ（Ｒ11Bc）2又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基である。Ｒ11Bcは、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、各々のＲ11Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＱ1Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５３】
式（Ｂｃ）で表される分子において、銅錯体の発光強度の持続性がより優れるので、Ｒ11Bcは、置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。
【００５４】
Ｑ3Bcは、リン原子又は置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基である。
【００５５】
３つのＱ1Bc、及び、Ｑ3Bcからなる群から選ばれる２つ以上の基の各々はリン原子を含有し、該リン原子からなる群から選ばれる１つ以上の基にはｓｐ3炭素原子が結合していない。
【００５６】
Ｒ2Bcは、炭素原子数５０以下の２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Bcが直接結合であるのは、結合したＱ1Bcが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であるか、又は、結合したＱ3Bcが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基である場合である。各々のＲ2Bcは互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５７】
Ｒ11Bc、Ｒ2Bc及び置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ又は３つ除いた基からなる群から選ばれる２つ以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。
【００５８】
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子は、同一のＣｕ+に配位可能な２つ以上のリン原子を有する。該リン原子のうち１つ以上のリン原子はｓｐ3炭素原子が結合していない。銅錯体の酸化に対する安定性がより向上するので、好ましくは、Ｌ1が有するリン原子の全てにｓｐ3炭素原子が結合していない。ｓｐ3炭素原子が結合していないリン原子は、ｓｐ2炭素原子３つが結合したリン原子であることが好ましい。
【００５９】
上記式（Ａａ）及び（Ａｂ）で表される分子において、配位可能な原子の組み合わせは、好ましくは、リン原子３つ、又は、リン原子２つと窒素原子１つであり、より好ましくは、リン原子３つである。
【００６０】
上記式（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子において、配位可能な原子の組み合わせは、好ましくは、リン原子４つ、又は、リン原子２つと窒素原子２つであり、より好ましくは、リン原子４つである。
【００６１】
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基の例は、窒素原子含有五員環化合物のうち水素原子を１つ以上もつ化合物の構造から（好ましくは、環を構成する炭素原子から）１つの水素原子を除いた基が挙げられる。窒素原子含有五員環化合物の例としては、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、及び、アザジアゾールが挙げられ、好ましくは、イミダゾール、オキサゾール又はオキサジアゾールであり、より好ましくは、イミダゾールである。
【００６２】
上記の置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基が有し得る置換基としては、例えば、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されている炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基、及び、炭素原子数１２〜２４のジアリールアミノ基が挙げられる。
これらのうち、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ドコシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ジナフチルアミノ基が好ましく、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、エテニル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、及び、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基がより好ましく、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、エテニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、及び、フェノキシ基が更に好ましく、
フッ素原子、塩素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、ブトキシ基、及び、フェノキシ基が特に好ましい。
【００６３】
置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物が有し得る該置換基の数は、０〜４個であることが好ましく、０〜３個であることがより好ましく、０〜２個であることが更に好ましく、特に好ましくは１〜２個である。
【００６４】
置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物が有し得る該置換基同士が縮合して環構造を形成してもよい。例えば、イミダゾールの４，５−位にエテニル基が結合し、該エテニル基同士が縮合して環（好ましくは、ベンゼン環）を形成してもよい。
【００６５】
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例を以下に示す。
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜５０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜５０の環状飽和ヒドロカルビル基；
エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基、２−ドデセニル基等の炭素原子数２〜５０のアルケニル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜５０のアリール基；
フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基、６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数７〜５０のアラルキル基。
【００６６】
個々の事例について特に記載が無い場合、上記ヒドロカルビル基は、好ましくは、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、ドデシル基、シクロへキシル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、又は、フェニルメチル基であり、
より好ましくは、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロへキシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、又は、４−シクロヘキシルフェニル基であり、
更に好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、又は、４−ヘキシルフェニル基であり、
特に好ましくは、フェニル基、又は、２−メチルフェニル基である。
【００６７】
上記の置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されている炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基、及び、炭素原子数１２〜２４のジアリールアミノ基が挙げられる。
好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ドコシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、フェニルチオ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、又は、ジナフチルアミノ基である。
より好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、フェニルチオ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、又は、ジナフチルアミノ基であり、
更に好ましくは、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、又は、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基であり、
特に好ましくは、フッ素原子、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、又は、ジフェニルアミノ基である。
【００６８】
上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）、及び、（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいアルキル基の、アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜３０の直鎖状ヒドロカルビル基が挙げられるが、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、及び、２−エチルヘキシル基等の分岐構造を有するアルキル基でもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、及び、アダマンチル基等の環状構造を有するアルキル基でもよい。
好ましくは、メチル基、エチル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、又は、シクロへキシル基であり、より好ましくは、メチル基、ブチル基、ヘキシル基、又は、オクチル基であり、更に好ましくは、メチル基である。
【００６９】
前記置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基の、窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基の例は、前記窒素原子含有五員環化合物の例のうち水素原子を２つ以上もつ化合物の構造から（好ましくは、環を構成する炭素原子から）２つの水素原子を除いた基と同様の例が挙げられる。
前記置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基の、窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基の例は、前記窒素原子含有五員環化合物の例のうち水素原子を３つ以上もつ化合物の構造から（好ましくは、環を構成する炭素原子から）３つの水素原子を除いた基と同様の例が挙げられる。
前記置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基及び前記置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を３つ除いた基が有していてもよい置換基の例は、前記置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基が有し得る置換基の例と同様の例が挙げられる。
【００７０】
前記Ｒ2Aa、Ｒ2Ba、Ｒ2Bb及びＲ2Bcで表される２価の基（以下、Ｒ2Xxで表される２価の基と記す）の例としては、以下の基が挙げられる。
【００７１】
置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルカンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０のアルケンジイル基；置換基を有していてもよい主鎖炭素原子数２〜３０のアルキンジイル基；置換基を有していてもよい炭素原子数４〜３０のシクロアルカンジイル基；置換基を有していてもよいヒドロカルビレン基と、−Ｏ−及び／又は−Ｓ−と、を組み合わせてできる２価の基；置換基を有していてもよい下記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される２価の基（より具体的には下記式ｒ１'〜ｒ１２'のいずれかで表される２価の基）。
【００７２】
【化８】
0005883711.tif 000009
（式中、
Ｙ1は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ50）−、−Ｓｉ（Ｒ51）2−、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、又は、−Ｏ（Ｃ（Ｒ51）2）mm−Ｏ−で表される基である。
Ｙ2は、−（Ｃ（Ｒ51）2）mm−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ51）2−で表される基である。
ｍｍは１〜３の整数である。
Ｒ50は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基であり、Ｒ51は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。複数のＲ51は同じでも異なっていてもよい。）
【００７３】
上記Ｒ50で表される置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基の、炭素原子数６〜３０のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、及び、９−フルオレニル基が挙げられる。
好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、又は、４−ヘキシルフェニル基であり、
より好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、又は、４−ヘキシルフェニル基であり、
更に好ましくは、フェニル基である。
【００７４】
上記Ｒ51で表される置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例は、前記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例と同じである。
【００７５】
ヒドロカルビル基は、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基、ドコシル基等の炭素原子数１〜３０のアルキル基；
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の炭素原子数３〜３０の環状飽和ヒドロカルビル基；
フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基である。
より好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基等の炭素原子数１〜１８のアルキル基；
フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基等の炭素原子数６〜２４のアリール基であり、
更に好ましくは、炭素原子数１〜８のアルキル基、又は、フェニル基であり、
特に好ましくは、炭素原子数１〜６のアルキル基である。
【００７６】
上記の置換基を有していてもよい式ｒ１〜ｒ１２で表される基の例である、置換基を有していてもよいｒ１’〜ｒ１２’で表される基を以下に示す。
【００７７】
【化９】
0005883711.tif 000010
（式中、
Ｙ3は、−（Ｃ（Ｒ53）2）n−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ52）−、又は、−Ｓｉ（Ｒ53）2−で表される基である。
ｎは１又は２である。
Ｒ52は置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１８のアリール基であり、Ｒ53は水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基である。複数のＲ53は同じでも異なっていてもよい。）
【００７８】
上記Ｒ52で表される置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１８のアリール基の、炭素原子数６〜１８のアリール基の例と好ましい構造は、前記Ｒ50で表される置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０のアリール基の、炭素原子数６〜３０のアリール基の例及び好ましい構造のうち、炭素原子数が１〜１８の例及び好ましい構造と同様である。
【００７９】
上記Ｒ53で表される置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基の、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基の例と好ましい構造は、前記Ｒ51で表される置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基の、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基の例及び好ましい構造のうち、炭素原子数が１〜１８の例及び好ましい構造と同様である。
【００８０】
前記Ｒ2Xxで表される２価の基としては、置換基を有していてもよい前記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基が好ましく、
置換基を有していてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ５、ｒ６、ｒ８及びｒ９のいずれかで表される基、前記式ｒ１０で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−又は−Ｎ（Ｒ50）−である基、前記式ｒ１１で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−又は−Ｓ−である基、前記式ｒ１２で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−であり、Ｙ2が−Ｃ（Ｒ51）2−である基、及び、前記式ｒ１２で表される基であって式中のＹ1が−Ｏ−であり、Ｙ2が−Ｓｉ（Ｒ51）2−である基がより好ましく、
置換基を有していてもよい前記式ｒ１'、ｒ５'、ｒ６'及びｒ１０'のいずれかで表される基、前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が−Ｃ（ＣＨ3）2−である基、及び、前記式ｒ１２'で表される基であって、式中のＹ3が−Ｓｉ（ＣＨ3）2−である基が更に好ましい。
【００８１】
前記Ｌ1がＲ2Xxで表される２価の基を１つ以上有する場合、Ｌ1が有するＲ2Xxのうちの１つ以上のＲ2Xxは前記式ｒ１’で表される基であることが好ましく、Ｌ1が有する全てのＲ2Xxが前記式ｒ１’で表される基であることがより好ましい。
【００８２】
前記Ｒ2Xxで表される２価の基が有し得る置換基の例としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されている炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基、及び、炭素原子数１２〜２４のジアリールアミノ基が挙げられる。
好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロへキシル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、２−フェニルフェニル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、フェニルチオ基、又は、ジフェニルアミノ基であり、
より好ましくは、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロへキシル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、メトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、又は、ジフェニルアミノ基であり、
更に好ましくは、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、又は、メトキシ基であり、
特に好ましくは、フッ素原子、又は、メチル基である。
【００８３】
前記Ｒ2Xxで表される２価の基が有し得る置換基の数は、０〜４個であることが好ましく、０〜３個であることがより好ましく、０〜２個であることが更に好ましく、特に好ましくは０個である。Ｒ2Xxで表される２価の基が前記ｒ１’〜ｒ１２’で表される基であり、置換基を有する場合、前記置換基は以下に示す位置が望ましい。
ｒ１’：好ましくは、２’及び３’から選ばれる少なくとも１箇所；
ｒ２’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び５’の２箇所、又は、３’及び４’の２箇所；
ｒ３’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び８’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、４’のみの１箇所、２’及び６’の２箇所、３’及び５’の２箇所、２’、４’及び６’の３箇所、又は、３’、４’及び５’の３箇所；
ｒ４’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、３’及び６’の２箇所、又は、４’及び５’の２箇所；
ｒ５’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ６’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、８’、９’、１０’及び１１’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び１１’の２箇所、３’及び１０’の２箇所、又は、４’及び９’の２箇所；
ｒ７’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ８’：好ましくは、２’、３’、５’、６’、７’、８’、９’及び１０’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び６’の２箇所、又は、３’及び５’の２箇所；
ｒ９’：好ましくは、２’及び５’から選ばれる少なくとも１箇所；
ｒ１０’：好ましくは、２’、３’、４’、５’、６’及び７’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び７’の２箇所、又は、３’及び６’の２箇所、更に好ましくは、２’及び７’の２箇所；
ｒ１１’：好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’及び５’の２箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−である場合：２’、３’、４’、５’及び７’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも１箇所の合計少なくとも３箇所、より好ましくは、７’における２箇所と、２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも２箇所の合計少なくとも４箇所、更に好ましくは、７’における２箇所と、２’及び５’の２箇所との合計４箇所；
ｒ１２’でＹ3が−ＣＨ2−以外である場合：２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも１箇所、より好ましくは、２’、３’、４’及び５’から選ばれる少なくとも２箇所、より好ましくは、２’及び５’の２箇所。
【００８４】
前記Ｒ3Ab、及びＲ3Bbで表される３価の基の例としては、下記式ｒ３１及びｒ３２のいずれかで表される基が挙げられる。
【００８５】
【化１０】
0005883711.tif 000011
（式ｒ３１及びｒ３２中、
Ｙ4は、Ｃ、Ｓｉ、又は、Ｂ−である。
Ｙ5、Ｙ6及びＹ7は、それぞれ独立に、直接結合、又は、置換基を有していてもよい−（ＣＨ2）n−であり、該ＣＨ2は隣同士でない限り任意の数だけＯに置き換わってもよく、ｎは１〜８の整数である。各々のＹ5は互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＹ6は互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＹ7は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ31は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基である。
Ｒ32は直接結合又は置換基を有していてもよい上記ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である。
Ｒ33は上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である。
各々のＲ32は互いに同一でも異なっていてもよい。ｒ３２中の各々のＲ33は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33からなる群から選ばれる２つ以上の基が任意に結合して環を形成してもよい。）
【００８６】
上記Ｒ31における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同じである。該Ｒ31における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００８７】
上記Ｒ32及びＲ33は、好ましくは、置換基を有していてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ４、ｒ５、ｒ８又はｒ１０で表される基であり、
より好ましくは、置換基を有していてもよい前記式ｒ１、ｒ２、ｒ５又はｒ１０で表される基である。
上記Ｒ32及びＲ33が有し得る置換基の例及び好ましい例は、前記Ｒ2Xxで表される２価の基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【００８８】
前記式（Ａａ）におけるＱ1AaとＱ2Aaの好ましい組み合わせは、１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、もう１つのＱ1Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である組み合わせ；２つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、Ｑ2Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を２つ除いた基であり、Ｒ11Aaが置換基を有していてもよいアリール基である組み合わせ；２つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である組み合わせ；であり、
より好ましくは、１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、もう１つのＱ1Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である組み合わせ；２つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基である組み合わせ；であり、
更に好ましくは、１つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、もう１つのＱ1Aaが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa、Ｒ22Aaが置換基を有していてもよいフェニル基である組み合わせ；２つのＱ1Aaが−Ｐ（Ｒ11Aa）2であり、Ｑ2Aaが−Ｐ（Ｒ22Aa）−であり、Ｒ11Aa及びＲ22Aaが置換基を有していてもよいフェニル基である組み合わせ；である。
【００８９】
前記式（Ａａ）におけるＱ1AaとＱ2Aaのそれぞれの組み合わせに対する好ましいＲ2Aaの構造は、Ｒ2Xxで表される２価の基について説明した通りである。
【００９０】
前記式（Ａｂ）におけるＱ1Ab及びＲ3Abの好ましい組み合わせは、２つのＱ1Abが、−Ｐ（Ｒ11Ab）2であり、もう１つのＱ1Abが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｒ11Abが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ3Abが上記置換基を有していてもよい式ｒ３１とｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ；３つのＱ1Abが、−Ｐ（Ｒ11Ab）2であり、Ｒ11Abが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ3Abが上記置換基を有していてもよい式ｒ３１とｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせ；であり、
より好ましくは、２つのＱ1Abが、−Ｐ（Ｒ11Ab）2であり、もう１つのＱ1Abが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｒ11Abが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ3Abが上記置換基を有していてもよい式ｒ３１とｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせである。
【００９１】
前記式（Ｂａ）におけるＱ1Ba、Ｑ2Ba及びＲ2Baの組み合わせとして、好ましくは、２つのＱ1Baが−Ｐ（Ｒ11Ba）2であり、２つのＱ2Baが−Ｐ（Ｒ22Ba）−であり、Ｒ11Ba及びＲ22Baが置換基を有していてもよいアリール基であり、２つのＲ2Baが置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ；２つのＱ1Baが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、２つのＱ2Baが−Ｐ（Ｒ22Ba）−であり、Ｒ22Baが置換基を有していてもよいアリール基であり、２つのＲ２Ｂａが直接結合か若しくは置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ；であり、
より好ましくは、２つのＱ1Baが−Ｐ（Ｒ11Ba）2であり、２つのＱ2Baが−Ｐ（Ｒ22Ba）−であり、Ｒ11Ba及びＲ22Baが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ2Baが置換基を有していてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせである。
【００９２】
前記式（Ｂｂ）におけるＱ1Bb、Ｑ2Bb、Ｒ2Bb、Ｒ3Bbの組み合わせとして、好ましくは、３つのＱ1Bbが−Ｐ（Ｒ11Bb）2であり、Ｑ2Bbが、Ｐ（Ｒ22Bb）−であり、Ｒ11Bb及びＲ22Bbが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ2Bbが置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基であり、Ｒ3Bbが置換基を有していてもよい上記式ｒ３１とｒ３２のいずれかで表される基である組み合わせが挙げられる。
【００９３】
前記式（Ｂｃ）におけるＱ1BcとＱ3Bcの組み合わせとして、好ましくは、３つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ2Bcが置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ；３つのＱ1Bcのうち２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、１つが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ2Bcが直接結合か若しくは置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ；３つのＱ1Bcのうち１つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、２つが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいアリール基であり、Ｒ2Bcが直接結合か若しくは置換基を有していてもよい上記式ｒ１〜ｒ１２のいずれかで表される基である組み合わせ；であり、
より好ましくは、３つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ2Bcが置換基を有していてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせ；３つのＱ1Bcのうち２つが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、１つが置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物から水素原子を１つ除いた基であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ2Bcが直接結合か若しくは置換基を有していてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせ；であり、
更に好ましくは、３つのＱ1Bcが−Ｐ（Ｒ11Bc）2であり、Ｑ3BcがＰであり、Ｒ11Bcが置換基を有していてもよいフェニル基であり、Ｒ2Bcが置換基を有していてもよい上記式ｒ１’〜ｒ１２’のいずれかで表される基である組み合わせ；である。
【００９４】
Ｌ1の構造例としては、置換基を有していてもよい下記式Ａａ１〜３１、Ａｂ１〜４、Ｂａ１〜８、Ｂｂ１、及び、Ｂｃ１〜１１で表される分子が挙げられる。
【００９５】
【化１１】
0005883711.tif 000012
【００９６】
【化１２】
0005883711.tif 000013
【００９７】
【化１３】
0005883711.tif 000014
【００９８】
【化１４】
0005883711.tif 000015
【００９９】
【化１５】
0005883711.tif 000016
【０１００】
【化１６】
0005883711.tif 000017
【０１０１】
式中、
Ｒ71は、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基である。
Ｒ72は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、メトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェニルオキシ基、又は、ジフェニルアミノ基である。
Ｒ74は、−Ｃ（Ｒ73）2−である。Ｒ73は水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基である。
ｍは１〜１２の数である。ｍが２以上である場合、Ｃ（Ｒ73）2は隣同士でない限り任意の数だけＯに置き換わってもよい。
複数個のＲ71が存在する場合、各々のＲ71は互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ72は互いに同一でも異なっていてもよい。各々のＲ73は互いに同一でも異なっていてもよい。式中に複数個のＲ74が存在する場合、各々のＲ74は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０２】
Ａｒ1は、置換基を有していてもよいフェニル基である。各々のＡｒ1は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａｒ2は、置換基を有していてもよいフェニレン基である。
【０１０３】
Ｙ10は、−（Ｃ（Ｒ75）2）−、−Ｏ−、又は、−Ｓ−で表される基である。
Ｙ11は、−（Ｃ（Ｒ75）2）−、−Ｏ−、−Ｓ−、又は、−Ｓｉ（Ｒ75）2−で表される基である。
Ｒ75は水素原子又は置換基されていてもよい炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基である。
複数個のＹ10が存在する場合、各々のＹ10は互いに同一でも異なっていてもよい。式中に複数個のＹ11が存在する場合、各々のＹ11は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１０４】
上記Ｒ71は、好ましくは、水素原子、フェニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、又は、ドデシル基であり、より好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、又は、ドデシル基であり、更に好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、又は、ブチル基であり、特に好ましくは、メチル基である。
【０１０５】
上記Ｒ72は、好ましくは、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、メトキシ基、又は、ジフェニルアミノ基であり、より好ましくは、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、オクチル基、又は、メトキシ基であり、更に好ましくは、水素原子又はフッ素原子である。
【０１０６】
上記Ｒ74は、−Ｃ（Ｒ73）2−であり、Ｒ73は、好ましくは、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜６のアルキル基であり、より好ましくは、水素原子である。
【０１０７】
ｍは、好ましくは１〜１０の整数であり、より好ましくは３〜１０の整数であり、更に好ましくは４〜９の整数である。
【０１０８】
Ａｒ1は、好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−ジフェニルアミノフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、３−ビス（２−メチルフェニル）アミノフェニル基、３−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、２，６−ジメトキシ基、３，４，５−トリメトキシ基、３，５−ジメトキシ基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル基、又は、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、
より好ましくは、フェニル基、２−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、３−ジフェニルアミノフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、３−ビス（２−メチルフェニル）アミノフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、２，６−ジメトキシ基、３，５−ジメトキシ基、又は、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、
更に好ましくは、フェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−フルオロフェニル基、４−ジフェニルアミノフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェノキシフェニル基、又は、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシ基であり、
特に好ましくは、無置換のフェニル基である。
【０１０９】
Ａｒ2は、好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、３−メチル−１，２−フェニレン基、４−メチル−１，２−フェニレン基、５−メチル−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，２−フェニレン基、６−ブチル−１，２−フェニレン基、６−メトキシ−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基、６−メチル−１，４−フェニレン基、６−メトキシ−１，３−フェニレン基、又は、６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、
より好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、６−メチル−１，２−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基、６−メチル−１，４−フェニレン基、６−メトキシ−１，３−フェニレン基、又は、６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、
更に好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、６−メチル−１，３−フェニレン基、又は、６−フルオロ−１，３−フェニレン基であり、
特に好ましくは、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、又は、１，４−フェニレン基である。
【０１１０】
Ｙ10は、好ましくは−ＣＨ2−又は−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｙ11は、好ましくは、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｏ−、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−、−Ｓｉ（ｎ−Ｃ6Ｈ13）2−、又は、−Ｓｉ（Ｐｈ）2−であり、更に好ましくは、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−、又は、−Ｓｉ（Ｐｈ）2−であり、特に好ましくは、−Ｓｉ（ＣＨ3）2−である。
【０１１１】
上記Ｌ1の構造例のうち、好ましくは、式Ａａ１〜Ａａ３１、Ｂａ１〜Ｂａ８、又は、Ｂｃ１〜Ｂｃ１１で表される分子であり、より好ましくは、式Ａａ１〜Ａａ３１、及び、Ｂｃ１〜Ｂｃ１１のいずれかで表される分子であり、更に好ましくは、式Ａａ１〜Ａａ３１のいずれかで表される分子であり、特に好ましくは、式Ａａ１、Ａａ２、Ａａ７、Ａａ１０、Ａａ１１、Ａａ１６、Ａａ１９、Ａａ２０、Ａａ２５、Ａａ２６、Ａａ２７、Ａａ２８、Ａａ２９、Ａａ３０又はＡａ３１で表される分子である。
【０１１２】
Ｌ1のより具体的な構造例としては、下記式Ａａ２’、Ａａ４’、Ａａ１３’、Ａａ２０’、Ａａ２５’、Ｂａ１’、Ｂａ３’、Ｂａ５’、Ｂａ６’、Ｂａ７’、Ｂｃ１’、Ｂｃ４’、Ｂｃ９’及びＢｃ１１’で表される分子が挙げられる。
【０１１３】
【化１７】
0005883711.tif 000018
【０１１４】
【化１８】
0005883711.tif 000019
【０１１５】
Ｌ1は、上記の構造例のうち、好ましくは、式Ａａ２’、Ａａ４’、Ａａ１３’、Ａａ２０’、Ａａ２５’、Ｂｃ１’、Ｂｃ４’、Ｂｃ９’又はＢｃ１１’で表される分子であり、より好ましくは、Ａａ２’、Ａａ４’、Ａａ１３’、Ａａ２０’、Ａａ２５’又は、Ｂｃ１’で表される分子であり、更に好ましくは、Ａａ２’、Ａａ２０’、Ａａ２５’又はＢｃ１’で表される分子である。
【０１１６】
組成式（１）におけるＬ2は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを有する分子である。Ｌ2が有するＣｕ+に配位可能な原子及びイオンの総数は２つである。
【０１１７】
組成式（１）で表される銅錯体において、Ｌ2はＣｕ+に配位していることが好ましく、単座配位子としてＣｕ+に配位しても、二座配位子としてＣｕ+に配位してもよいが、二座配位子としてＣｕ+に配位していることがより好ましい。
【０１１８】
Ｌ2の炭素原子数は、通常２〜２５０であり、好ましくは３〜２００であり、より好ましくは４〜１５０であり、更に好ましくは６〜１００であり、特に好ましくは１０〜８０である。
【０１１９】
Ｌ2としては、下記式（Ｅ）で表される分子が好ましい。
Ｑ1E−Ｒ2E−Ｑ1E      （Ｅ）
（式（Ｅ）中、
Ｑ1Eは、−Ｐ（Ｒ11E）2、−（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ12E）2、−（Ｐ＝Ｓ）（Ｒ13E）2、−Ａｓ（Ｒ14E）2、水酸基、−Ｏ-、カルボキシル基、−ＣＯ2-、メルカプト基、−Ｓ-、−ＳＲ15E、スルホ基、−ＳＯ3-、−Ｎ（Ｒ16E）2、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基であり、２つのＱ1Eは同じでも異なっていてもよく、２つのＱ1Eが結合して環を形成してもよい。Ｒ11E〜Ｒ14Eは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基であり、Ｒ15E及びＲ16Eは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基であり、２つのＲ11E、２つのＲ12E、２つのＲ13E、２つのＲ14E、及び、２つのＲ16Eは同じでも異なっていてもよい。
Ｒ2Eは２価の基であるか、又は、直接結合である。但し、Ｒ2Eが直接結合であるのは、２つのＱ1Eのいずれか一方が置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基の場合である。Ｒ11E、Ｒ12E、Ｒ13E、Ｒ14E、Ｒ15E、Ｒ16E、Ｒ2E、及び、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環から水素原子を１つ除いた基からなる群から選ばれる２以上の基は、任意に結合して環を形成してもよい。）
【０１２０】
Ｒ11E〜Ｒ14Eにおける置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ11E〜Ｒ14Eにおける置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２１】
Ｒ15E及びＲ16Eにおける置換基を有していてもよいアルキル基の、アルキル基の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいアルキル基の、アルキル基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ15E及びＲ16Eにおける置換基を有していてもよいアルキル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいアルキル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２２】
Ｑ1Eにおける置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物の、窒素原子含有複素環式化合物の例としては、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、アザジアゾール、及び、アクリジンが挙げられ、好ましくは、ピリジン、イミダゾール、キノリン、及び、イソキノリンであり、より好ましくは、ピリジン、イミダゾール、及び、キノリンであり、更に好ましくは、ピリジンである。
【０１２３】
該窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基、炭素原子数１〜２４のヒドロカルビルオキシ基、及び、炭素原子数１２〜２４のジアリールアミノ基が挙げられ、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、ドコシル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基、エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、及び、ジナフチルアミノ基が好ましく、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、オクタデシル基、シクロへキシル基、アダマンチル基、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フェニルフェニル基、９−フルオレニル基、フェニルメチル基、１−フェニルエチル基、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、ジフェニルアミノ基、ビス（２−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、及び、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基がより好ましく、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基、フェニルメチル基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、フェノキシ基、及び、ジフェニルアミノ基が更に好ましく、
フッ素原子、塩素原子、メチル基、ブチル基、メトキシ基、及び、ブトキシ基が特に好ましい。
【０１２４】
該窒素原子含有複素環式化合物が有し得る該置換基の数は、０〜４個であることが好ましく、０〜３個であることがより好ましく、０〜２個であることが更に好ましく、特に好ましくは１〜２個である。
【０１２５】
Ｒ2Eにおける２価の基の例及び好ましい例は、前記Ｒ2Xxで表される２価の基の例及び好ましい例と同様である。
【０１２６】
上記式（Ｅ）で表される分子において、２つのＱ1Eの組み合わせは、好ましくは、−Ｐ（Ｒ11E）2２つ、−Ａｓ（Ｒ14E）2２つ、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基２つ、−Ｏ-と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつ、−ＣＯ2-と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつ、又は、−Ｓ-と−Ｐ（Ｒ11E）2が１つずつであり、より好ましくは、−Ｐ（Ｒ11E）2２つ、又は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物から水素原子を１つ除いた基２つであり、更に好ましくは、−Ｐ（Ｒ11E）2２つである。
【０１２７】
前記Ｌ2の構造例としては、置換基を有していてもよい下記式ａ１〜ａ３７、ｂ１〜ｂ１１、ｃ１〜ｃ３９、及びｄ１〜ｄ３０で表される分子が挙げられる。
【０１２８】
【化１９】
0005883711.tif 000020
【０１２９】
【化２０】
0005883711.tif 000021
【０１３０】
【化２１】
0005883711.tif 000022
【０１３１】
上記式ａ１〜ａ３７、ｂ１〜ｂ１１、ｃ１〜ｃ３９、ｄ１〜ｄ３０で表される分子のうち、Ｌ2は、好ましくは、式ａ１〜ａ１６、ａ２５〜ａ３７、ｃ１〜ｃ６、ｃ１２〜ｃ３９、ｄ２２〜ｄ２４、又は、ｄ２６で表される分子であり、
より好ましくは、式ａ１〜ａ２、ａ４〜ａ８、ａ１０〜ａ１２、ａ１５〜ａ１６、ａ２５〜ａ３２、ｃ１〜ｃ４、ｃ１４〜ｃ３９、ｄ２２、ｄ２３、又は、ｄ２６で表される分子であり、
更に好ましくは、式ａ２、ａ４〜ａ７、ａ１０、ａ１５、ａ２５〜ａ２６、ａ３０〜ａ３２、ｃ３、ｃ１５、ｃ１７〜ｃ２５、ｃ２８〜ｃ３９、ｄ２２、ｄ２３、又は、ｄ２６で表される分子であり、
特に好ましくは、式ａ６、ａ７、ａ２５、ａ２６、ａ３１、ｃ３、ｃ１５、ｃ２２、又は、ｃ２３で表される分子である。
【０１３２】
組成式（１）において、Ｌ3は、Ｃｕ+に配位可能な原子又はイオンとして、リン原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ヒ素原子、酸素アニオン及び硫黄アニオンからなる群から選ばれる原子又はイオンを１つ有する分子である。
【０１３３】
Ｌ3の炭素原子数は、通常２〜１５０であり、好ましくは３〜１００であり、より好ましくは４〜７５であり、更に好ましくは５〜６０であり、特に好ましくは６〜５０である。
【０１３４】
Ｌ3は、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物で表される分子、Ｐ（Ｒ11F）3で表される分子、（Ｐ＝Ｏ）（Ｒ12F）3で表される分子、（Ｐ＝Ｓ）（Ｒ13F）3で表される分子、Ａｓ（Ｒ14F）3で表される分子、Ｒ15F−ＯＨで表される分子、Ｒ16F−Ｏ-で表されるイオン、Ｒ17F−ＣＯ2Ｈで表される分子、Ｒ18F−ＣＯ2-で表されるイオン、Ｒ19F−ＳＨで表される分子、Ｒ20F−Ｓ−で表されるイオン、Ｒ21F−ＳＯ3Ｈで表される分子、Ｒ22F−ＳＯ3-で表されるイオン、Ｎ−（Ｒ23F）2で表されるイオン、又は、Ｎ（Ｒ24F）3で表される分子であることが好ましい。
【０１３５】
ここで、Ｒ11F〜Ｒ23Fは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもいてよい炭素原子数１〜５０のヒドロカルビル基である。Ｒ24Fは置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のアルキル基である。３つのＲ11F、３つのＲ12F、３つのＲ13F、３つのＲ14F、２つのＲ23F、及び、３つのＲ24Fは同じでも異なっていてもよい。
【０１３６】
３つのＲ11Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ12Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ13Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、３つのＲ14Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよく、２つのＲ23Fは結合して環を形成してもよく、３つのＲ24Fのうち任意の２つ以上は結合して環を形成してもよい。
【０１３７】
Ｌ3としての、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物の、窒素原子含有複素環式化合物の例並びに好ましい例は、上記Ｌ2中おける置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物の例及び好ましい例と同様である。Ｌ3としての、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基の例及び好ましい例も、上記Ｌ2中おける置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１３８】
Ｒ11F〜Ｒ23Fにおける置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基の、ヒドロカルビル基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ11F〜Ｒ23Fにおける置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、それぞれ、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１３９】
Ｒ24Fにおける置換基を有していてもよいアルキル基の、アルキル基の例及び好ましい例は、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいアルキル基の例及び好ましい例と同様である。Ｒ24Fにおける置換基を有していてもよいアルキル基が有し得る置換基の例及び好ましい例も、上記式（Ａａ）、（Ａｂ）、（Ｂａ）、（Ｂｂ）及び（Ｂｃ）で表される分子中における置換基を有していてもよいアルキル基が有し得る置換基の例及び好ましい例と同様である。
【０１４０】
Ｌ3は、好ましくは、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物で表される分子、Ｐ（Ｒ11F）3で表される分子、Ｒ16F−Ｏ-で表されるイオン、Ｒ18F−ＣＯ2-で表されるイオン、Ｒ20F−Ｓ-で表されるイオン、Ｒ22F−ＳＯ3-で表されるイオン、及び、Ｎ-（Ｒ23F）2で表されるイオンであり、より好ましくは、置換基を有していてもよい窒素原子含有複素環式化合物で表される分子、Ｐ（Ｒ11F）3で表される分子、及び、Ｒ20F−Ｓ-で表されるイオンであり、更に好ましくは、窒素原子含有複素環式化合物で表される分子及びＰ（Ｒ11F）3で表される分子であり、特に好ましくは、Ｐ（Ｒ11F）3で表される分子である。
【０１４１】
前記Ｌ3の構造例としては、置換基を有していてもよい下記式ｅ１〜ｅ３２で表される分子が挙げられる。
【０１４２】
【化２２】
0005883711.tif 000023
【０１４３】
上記式ｅ１〜ｅ３２で表される分子のうち、Ｌ3は、好ましくは、式ｅ１〜ｅ１３、ｅ１６〜ｅ２０、ｅ２５、ｅ２６、ｅ２８又はｅ３２で表される分子又はイオンであり、より好ましくは、ｅ１〜ｅ１３及びｅ１６〜ｅ２０のいずれかで表される分子であり、更に好ましくは、ｅ１〜ｅ１３のいずれかで表される分子である。
【０１４４】
組成式（１）で表される銅錯体において、Ｘ1はアニオンである。具体的には、例えば、ハロゲン化物イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン）、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモナートイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、メタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、及び、これらのイオンを有する繰り返し単位を含む高分子化合物が挙げられる。好ましくは、ハロゲン化物イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、又は、トリフルオロメタンスルホン酸イオンであり、より好ましくは、ハロゲン化物イオンであり、更に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、又は、ヨウ化物イオンである。
【０１４５】
組成式（１）において、ａは０．５を超える数であり、好ましくは０．５より大きく２．０以下の数であり、より好ましくは０．５より大きく１．５以下の数であり、更に好ましくは０．９より大きく１．５以下の数であり、特に好ましくは１．０である。
【０１４６】
組成式（１）において、ｂは０以上の数であり、好ましくは０〜１．５の数であり、より好ましくは０〜１．０の数であり、更に好ましくは０〜０．３の数又は１．０であり、特に好ましくは０である。
【０１４７】
組成式（１）において、ｃは０以上の数であり、好ましくは０〜１．５の数であり、より好ましくは０〜１．０の数であり、更に好ましくは０〜０．３の数又は１．０であり、特に好ましくは０である。
【０１４８】
組成式（１）において、ｄは０以上の数であり、好ましくは０．５〜１．５の数又は０であり、より好ましくは０．６〜１．０の数又は０であり、更に好ましくは０．７〜１．３の数であり、特に好ましくは１．０である。
【０１４９】
本発明の銅錯体は、単核錯体、２核錯体、及び、３核錯体以上の錯体のいずれであってもよく、これらの混合物であってもよいが、好ましくは単核錯体又は２核錯体であり、より好ましくは単核錯体である。
【０１５０】
本発明の銅錯体の具体例を、表１−１及び表１−２に示す。なお、各化合物番号の化合物の前記組成式（１）におけるａ、ｂ、ｃ及びｄの数は、表１−１及び表１−２において省略されているが、各化合物のＬ1、Ｌ2、Ｌ3及びＸ1のそれぞれに応じて、前記ａ、ｂ、ｃ及びｄに関する記載に基づき適切な数をとることができる。
【０１５１】
表１−１及び表１−２中、「―」は含まれない旨を示す。
【０１５２】
【表１−１】
0005883711.tif 000024
【０１５３】
【表１−２】
0005883711.tif 000025
【０１５４】
表１−１及び表１−２に示される組み合わせのうち、化合物番号１〜４３、及び、６９〜８９で示される組み合わせが好ましく、化合物番号１〜４３で示される組み合わせがより好ましく、化合物番号１〜９及び２５〜３８で示される組み合わせが更に好ましく、化合物番号２〜５、２６〜２９、及び、３１〜３４で示される組み合わせが特に好ましい。
【０１５５】
本発明の銅錯体の代表例を以下に示す。式４’、３１’、５８’、７８’及び８４’で表される錯体はそれぞれ、前記化合物番号４、３１、５８、７８及び８４で示される組み合わせを有する代表的な錯体である。
【０１５６】
【化２３】
0005883711.tif 000026
【０１５７】
本発明の銅錯体において、Ｌ1が、Ｃｕ+に配位可能な窒素原子として、置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物中の窒素原子を１つ以上有する場合に、Ｌ1中のＣｕ+に配位可能な全ての窒素原子とＣｕ+との距離は、２．４０Å以下であることが好ましい。窒素原子とＣｕ+との距離は、短い方が結合エネルギーが強くなり発光強度の持続性がより優れるので、Ｌ1中のＣｕ+に配位可能な全ての窒素原子とＣｕ+との距離は、より好ましくは２．３０Å以下であり、更に好ましくは２．２０Å以下であり、特に好ましくは２．１８Å以下である。
本発明の銅錯体において、Ｌ1が、Ｃｕ+に配位可能な窒素原子として、置換基を有していてもよい窒素原子含有五員環化合物中の窒素原子を１つ以上有する場合に、Ｌ1中のＣｕ+に配位可能な全ての窒素原子とＣｕ+との距離は、通常１．８５Å以上である。
【０１５８】
Ｃｕ+に配位可能な窒素原子とＣｕ+との距離は、密度汎関数法により銅錯体の初期構造について構造最適化計算を行う手法によって求めることができる。一例としては、汎関数としてＢ３ＬＹＰ、基底関数として銅原子及びハロゲン原子にはＬＡＮＬ２ＤＺ、その他の原子には６−３１Ｇ（ｄ）を用い、計算プログラムはＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．製）を用いる。なお、前記組成式（１）におけるＬ2及びＬ3のいずれもがＣｕ+に配位可能なアニオンを有さず、かつ、Ｘ１がフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオンのいずれでもない場合は、総電荷を＋１とする。Ｌ2及びＬ3のいずれか１つ以上がＣｕ+に配位可能なアニオンを有するか又はＸ１がフッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン及びヨウ化物イオンのいずれかの場合は、総電荷を０とする。
【０１５９】
本発明の銅錯体は、例えば、溶媒中で銅塩と前記Ｌ1、Ｌ2及びＬ3に相当する分子とを混合する方法によって製造できる。
【０１６０】
本発明の銅錯体の製造方法の例について、前記式３１’で表される錯体を例に挙げて説明すると、１ｍｍｏｌの塩化銅（Ｉ）と、１ｍｍｏｌのＡａ２５’で表される分子と、溶媒（例えば、アセトニトリル、ジクロロメタン）５０ｍＬとを混合し、３０分程度加熱し還流させる。反応液をろ過し、ろ液の溶媒をゆっくりと留去して再結晶することにより、前記式３１’で表される錯体を製造することができる。
【０１６１】
本発明は、前記銅錯体を含む膜を提供する。
【０１６２】
本発明が提供する膜の厚さは、下限値は通常、１ｎｍ以上であり、好ましくは３ｎｍ以上であり、より好ましくは５ｎｍ以上であり、更に好ましくは１０ｎｍ以上であり、特に好ましくは２０ｎｍ以上である。上限値は通常、１００μｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下であり、更に好ましくは２．５μｍ以下である。膜はピンホール又は凹凸の形状を含んでいてもよいが、ピンホール及び凹凸の形状は含まないことが好ましい。
【０１６３】
本発明の膜は、例えば、銅錯体と他の成分とを任意の割合で基板上に蒸着する工程を含む方法、又は、銅錯体と他の成分とを任意の割合で基板上に塗布する工程を含む方法によって製造することができる。好ましくは、銅錯体と他の成分とを任意の割合で溶媒中に懸濁又は溶解させ塗布する工程を含む方法によって製造される。
【０１６４】
前記塗布する工程に使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、アセトン、メチルエチルケトン、アセトニトリル、酢酸エチル、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ヘキサン、シクロヘキサン、及び、これらの混合物が挙げられる。
【０１６５】
溶媒を乾燥させる方法の例としては、風乾、加熱乾燥、減圧乾燥、加熱減圧乾燥、及び、窒素ガスを吹き付けて行う乾燥が挙げられ、風乾又は加熱乾燥が好ましく、加熱乾燥がより好ましい。
【０１６６】
塗布方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、及び、オフセット印刷法が挙げられ、スピンコート法、キャスティング法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、及び、オフセット印刷法が好ましい。
【０１６７】
本発明の膜は、その他の成分を含んでいてもよい。該成分には、低分子有機材料、高分子有機材料、有機無機複合材料、無機材料及びそれらの混合物が使用でき、用途に応じて任意に選択できる。該成分としては、例えば、フルオレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリジミン誘導体、トリアジン誘導体、ポリアセン誘導体、アリールシラン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、希土類金属錯体、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有してもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）、及びこれらの混合物が挙げられ、
好ましくは、フルオレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリジミン誘導体、トリアジン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ポリアセン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、チオフェンオリゴマー、ジフェニルキノン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及び、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）であり、
より好ましくは、フルオレン誘導体、ピリジミン誘導体、トリアジン誘導体、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ポルフィリン誘導体、及び、フタロシアニン誘導体であり、
更に好ましくは、フルオレン誘導体、トリアジン誘導体、カルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、及び、アリールアミン誘導体である。
【０１６８】
本発明の膜中の銅錯体の含量は、膜全体の重量に対して、通常、０．０１〜１００重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
【０１６９】
本発明の膜が、他の成分として高分子有機材料を含む場合、高分子有機材料のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、１×１０3〜１×１０8であり、好ましくは１×１０3〜１×１０7であり、より好ましくは２×１０3〜１×１０6であり、更に好ましくは３×１０3〜５×１０5であり、特に好ましくは５×１０3〜１×１０5である。
【０１７０】
本発明の膜が、他の成分として高分子有機材料を含有する場合、膜における銅錯体の含有量は、膜全体の重量に対して、通常、０．０１〜９９．９９重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
【０１７１】
本発明はまた、本発明の銅錯体を含む発光素子を提供する。本発明の発光素子は、通常は、本発明の膜を含有する。該発光素子は、通常、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に設けられた発光層を有する１層又は複数層からなる薄膜層とが挟持されている発光素子であり、該薄膜層から選ばれる１層以上の層が、本発明の銅錯体を含有する発光素子である。
【０１７２】
本発明の発光素子において、本発明の銅錯体を含む膜中の該銅錯体の含有量は、該層全体の重量に対し、通常０．０１〜１００重量％であり、好ましくは０．１〜９９重量％であり、より好ましくは１〜９０重量％であり、更に好ましくは５〜８０重量％であり、特に好ましくは１０〜５０重量％である。
【０１７３】
本発明の発光素子としては、単層型の発光素子（陽極／発光層／陰極）、及び、多層型の発光素子が挙げられる。多層型の発光素子の層構成としては、例えば、以下の層構成が挙げられる。
（ａ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／電子注入層／（電子輸送層）／陰極（ｄ）陽極／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／（正孔輸送層）／発光層／（電子輸送層）／電子注入層／陰極
【０１７４】
前記（ａ）〜（ｅ）において、（正孔輸送層）及び（電子輸送層）は、その位置にこれらの層がそれぞれ存在していてもしなくてもよい任意の層であることを表す。
【０１７５】
本発明の発光素子において、該発光素子を構成するいずれかの層が本発明の銅錯体を含有していればよく、その層は限定されないが、発光層であることが好ましい。
【０１７６】
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等の層に正孔を供給する。陽極は、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。陽極の材料には、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物及びこれらの組み合わせを用いることができ、具体的には、例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル等の金属；前記導電性金属酸化物と前記金属との混合物及び積層物；ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類〔ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン等〕、ポリピロール等の有機導電性材料、及び、これらとＩＴＯとの組み合わせ、を用いることができる。
【０１７７】
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給する。陰極の材料には、例えば、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、及び、これらの組み合わせを用いることができ、具体的には、例えば、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物並びに酸化物；金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類〔ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等〕；希土類金属〔インジウム、イッテルビウム等〕を用いることができる。
【０１７８】
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は陰極から注入された電子を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料の例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリジン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及び、これらの残基を含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１７９】
電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する。これらの層に用いられる材料の例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、芳香環（例えば、ナフタレン、ペリレン等）のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニンを配位子とする金属錯体、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、ベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、及び、有機シラン誘導体が挙げられる。電子注入層及び電子輸送層は、これらの１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１８０】
電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体、半導体等の無機化合物も使用できる。電子注入層及び電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる１種以上の金属化合物が挙げられ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ又はＣａＳｅが好ましい。半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる１種の元素の、酸化物、窒化物、及び、酸化窒化物が挙げられる。
【０１８１】
本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。前記還元性ドーパントとしては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体が挙げられる。
【０１８２】
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入することができる機能、注入した電荷を電界の力で移動させる機能、及び、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能のいずれかを有する。ゲスト材料として本発明の銅錯体を発光層に含有させてもよいし、ゲスト材料である本発明の銅錯体に加えてさらにホスト材料を発光層に含有させてもよい。
ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料のＴ１エネルギーは、ゲスト材料のＴ１エネルギーより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。ホスト材料は低分子有機化合物であっても、高分子有機化合物であってもよい。ホスト材料は更に電解質を含有してもよく、該電解質としては、例えば、支持塩（トリフルオロメタンスルホン酸リチウム、過塩素酸リチウム、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム等）を含有してもよい溶媒（プロピレンカーボネート、アセトニトリル、２−メチルテトラヒドロフラン、１，３−ジオキソフラン、ニトロベンゼン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、グリセリン、プロピルアルコール、水等）及び該溶媒で膨潤したゲル状の高分子（ポリエチレンオキシド、ポリアクリルニトリル、及びフッ化ビニリデンと六フッ化プロピレンの共重合体等）が挙げられる。
【０１８３】
本発明の発光素子において、各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法〔抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等〕、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、及び、塗布法〔キャスティング法、スピンコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等〕が挙げられるが、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。前記塗布法では、例えば、各層の材料である、前記銅錯体、前記高分子有機化合物、又は、それらの組成物等を、溶媒と混合して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥させることによって、各層を形成することができる。塗布液中にはホスト材料及び／又はバインダーとしての樹脂を含有させてもよい。この樹脂を塗布液に含有させる場合には、溶媒に溶解状態とすることも、分散状態とすることもできる。
【０１８４】
樹脂としては、ポリビニルカルバゾール等の非共役系高分子、ポリオレフィン系高分子等の共役系高分子を使用することができるが、具体的には、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＭＭＡ、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、及び、シリコン樹脂が挙げられる。樹脂の溶液は、更に、酸化防止剤、粘度調整剤等を含有してもよい。前記溶液に用いられる溶媒としては、薄膜の成分を均一に溶解する溶媒又は安定な分散液を与える溶媒が好ましく、例えば、アルコール類〔メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等〕、ケトン類〔アセトン、メチルエチルケトン等〕、塩素化炭化水素類〔クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等〕、芳香族炭化水素類〔ベンゼン、トルエン、キシレン等〕、脂肪族炭化水素類〔ノルマルヘキサン、シクロヘキサン等〕、アミド類〔ジメチルホルムアミド等〕、スルホキシド類〔ジメチルスルホキシド等〕、及び、それらの混合物が挙げられる。
【０１８５】
インクジェット印刷法において、例えば、ノズルからの溶媒の蒸発を押さえるために高沸点の溶媒〔アニソール、ジエチレングリコール、ビシクロヘキシルベンゼン等〕を用いることができる。溶液の粘度は、２５℃において、１〜１００ｍＰａ・ｓが好ましい。
【０１８６】
本発明の発光素子の各層の厚さは、０．３ｎｍ〜１００μｍが好ましく、０．５ｎｍ〜１μｍがより好ましく、１ｎｍ〜２００ｎｍが更に好ましい。
【０１８７】
本発明の発光素子は、例えば、照明用光源、サイン用光源、バックライト用光源、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等に用いることができる。ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグメント型、ドットマトリクス型等の構成とした装置が挙げられる。
【実施例】
【０１８８】
次に、実施例を示して本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【０１８９】
ＮＭＲ測定にはＶａｒｉａｎ社製３００ＭＨｚＮＭＲスペクトロメータ−を、ＤＡＲＴ−ＭＳ測定には日本電子社製のＴｈｅ  ＡｃｃｕＴＯＦ  ＴＬＣ（ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ）を用いた。ＣＨＮ元素分析にはエレメンタール社製ｖｏｒｉｏ  ＥＬによる自動分析法を、Ｃｌの元素分析にはメトローム社製７１６ＤＭＳ  Ｔｉｔｔｉｎｏによるフラスコ燃焼−電位差滴定法を用いた。分取用ＧＰＣには、展開溶媒をクロロホルムとして、日本分析工業社製ＬＣ９０８−Ｃ６０、同社製カラムＪＡＩＧＥＬ−１Ｈ−４０及びＪＡＩＧＥＬ−２Ｈ−４０を用いた。
【０１９０】
＜実施例１＞（表１−１における化合物番号３１の化合物の合成）
ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（表１−１の化合物番号３１に示されるＡａ２５’である。）を、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３９３０−３９３６（１９６３）に記載の方法で合成した。
【０１９１】
反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、塩化銅（Ｉ）（７．１１ｍｇ，０．０７１８ｍｍｏｌ）のジクロロメタン３ｍＬ懸濁液に、ビス−（ｏ−ジフェニルホスフィノフェニル）フェニルホスフィン（４５．３ｍｇ，０．０７１８ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分撹拌した。得られた反応液をろ過し、ろ液を濃縮し、クロロホルムに溶解させ、ジエチルエーテルを徐々に拡散させて再結晶を行い、結晶を乾燥させて、黄色結晶の錯体（表１−１における化合物番号３１の化合物）を２６．３ｍｇ得た。
【０１９２】
【化２４】
0005883711.tif 000027
【０１９３】
得られた錯体のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝７．９７（ｂｒ，４Ｈ），７．６１（ｂｒ，２Ｈ），７．４１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），７．３３−７．１５（ｍ，１７Ｈ），７．０１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，４Ｈ），６．５６（ｂｒ，４Ｈ）；31Ｐ  ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝−５．１（ｂｒ，Ｗ1/2＝５００Ｈｚ），−１３．８（ｂｒ，Ｗ1/2＝３９０Ｈｚ）．
【０１９４】
得られた錯体の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ42Ｈ33ＣｌＰ3Ｃｕ・０．５Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，６８．２９；Ｈ，４．６４；Ｎ，０．００；Ｃｌ，４．８０．ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６８．１３；Ｈ，４．４４；Ｎ，＜０．３；Ｃｌ，４．５４．
【０１９５】
得られた錯体の組成比は、収量、1Ｈ  ＮＭＲ、31Ｐ  ＮＭＲ、及び、元素分析値から決定した。
【０１９６】
＜実施例２＞（表１−１における化合物番号２の化合物の合成）
・式Ａａ２’で表される分子の合成
【０１９７】
【化２５】
0005883711.tif 000028
【０１９８】
Ｎ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾールを、Ｏｒｇ．Ｂｉｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．３２９７−３３０２（２００６）に記載の方法で合成した。
【０１９９】
５０ｍＬシュレンク管に、１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（２．９３ｇ，８．５９ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１５ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下した。赤色に変化した反応液を、−３５℃まで昇温して１時間撹拌することで反応液を得た。
５０ｍＬナス形フラスコに、フェニルジクロロホスフィン（１．５７ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ８ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、上記で得られた反応液をトランスファーチューブにより送液（「カヌラ送液」と呼ばれることがある。）して混合した。得られた反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら、１２時間撹拌したところ、白濁化した反応液が得られた。
２００ｍＬ４つ口ナス形フラスコに、Ｎ−メチル−２−（２−ブロモフェニル）ベンズイミダゾール（２．５２ｇ，８．７７ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１３０ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、−４０℃まで昇温して２時間撹拌した。赤色に変色した反応液を−６０℃に再冷却し、上記で得られた白濁化した反応液をトランスファーチューブにより送液して混合した。得られた反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温しながら終夜撹拌後、５０℃で１時間撹拌した。得られた反応液に塩化アンモニウム水溶液、及び、クロロホルムを加えた後、クロロホルムで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過し、濃縮した後、分取用ＧＰＣにより、無色固体のダイホスフィン２酸化物を６７５ｍｇ（収率１２．９％）得た。
【０２００】
得られたダイホスフィン２酸化物のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝７．５７−６．９８（ｍ，２７Ｈ），３．４３（ｓ，３Ｈ）；31Ｐ  ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）＝３２．８（ｄｄ，Ｊ＝９０，７Ｈｚ）．
【０２０１】
得られたダイホスフィン２酸化物のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；６０９．２４．ｃａｌｃｄ；６０９．１８（Ｍ＋Ｈ）+．
【０２０２】
【化２６】
0005883711.tif 000029
【０２０３】
１００ｍＬ４つ口フラスコ内をアルゴン雰囲気とした後、ダイホスフィン２酸化物（５００ｍｇ，０．８２２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３．９４ｇ、及び、脱水キシレン１０ｍＬを加え、０℃に冷却して、トリクロロシラン（５．００ｇ，３７．０ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。自然昇温により室温（２３℃）に戻した後、１３０℃で１２時間撹拌した。得られた反応液を室温（２３℃）に戻し、３０重量％水酸化ナトリウム水溶液５ｍＬを滴下した後、キシレンを加えて抽出し、有機層を濃縮乾固した。残渣を展開溶媒クロロホルムのシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、白色固体（式Ａａ２’で表される分子）を２０２ｍｇ（収率４７．３％）得た。
【０２０４】
式Ａａ２’で表される分子のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝７．６２−６．８０（ｍ，２７Ｈ），３．６７（ｓ，３Ｈ）；31Ｐ  ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）  δ（ｐｐｍ）＝−１２．７（ｄ，Ｊ＝１５６Ｈｚ），−１５．１（ｄ，Ｊ＝１５６Ｈｚ）．
【０２０５】
式Ａａ２’で表される分子のＤＡＲＴ−ＭＳ測定の結果を下記に示す。
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；５７７．１７．ｃａｌｃｄ；５７７．１９（Ｍ＋Ｈ）＋．
【０２０６】
【化２７】
0005883711.tif 000030
【０２０７】
反応容器内において、塩化銅（Ｉ）（１．３８ｍｇ，０．０１３９ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に式Ａａ２’で表される分子（８．０４ｍｇ，０．０１３９ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン２ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。得られた反応液を濃縮し、乾燥させて黄色固体の錯体（表１−１における化合物番号２の化合物）を９．４２ｍｇ得た。
【０２０８】
＜実施例３＞（表１−１における化合物番号４の化合物の合成）
【０２０９】
【化２８】
0005883711.tif 000031
【０２１０】
反応容器内において、ヨウ化銅（Ｉ）（２．７０ｍｇ，０．０１４２ｍｍｏｌ）のアセトニトリル０．５ｍＬ懸濁液に、式Ａａ２’で表される分子（８．１７ｍｇ，０．０１４２ｍｍｏｌ）を加え３分間撹拌後、ジクロロメタン２ｍＬを加えて４０℃で５分間撹拌した。得られた反応液を濃縮し、乾燥させて黄色固体の錯体（表１−１における化合物番号４の化合物）を１０．９ｍｇ得た。
【０２１１】
＜実施例４＞（表１−１における化合物番号５の化合物の合成）
【０２１２】
【化２９】
0005883711.tif 000032
【０２１３】
反応容器内において、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロホウ酸塩（４．３０ｍｇ，０．０１３７ｍｍｏｌ）のジクロロメタン１ｍＬ懸濁液に、式Ａａ２’で表される分子（７．８８ｍｇ，０．０１３７ｍｍｏｌ）を加えて、４０℃で５分間撹拌した。得られた反応液を濃縮し、乾燥させて淡黄色固体の錯体（表１−１における化合物番号５の化合物）を１２．２ｍｇ得た。
【０２１４】
＜実施例５＞（表１−１における化合物番号７３の化合物の合成）
トリス［２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］ホスフィン（表１−１の化合物番号７３に示されるＢｃ１’である。）を、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３９３０−３９３６（１９６３）に記載の方法で合成した。
【０２１５】
反応容器内をアルゴン雰囲気とした後、テトラフルオロホウ酸テトラキス(アセトニトリル)銅（Ｉ）（１９２ｍｇ，０．６１０ｍｍｏｌ）に、ジクロロメタン５ｍＬ、トリス［２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］ホスフィン（４９７ｍｇ，０．６１０ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で１０分間撹拌した。得られた反応液をろ過し、ろ液へジエチルエーテルを拡散させて再結晶を行い、結晶を乾燥させて、無色固体の錯体を６２２ｍｇ得た。
【０２１６】
【化３０】
0005883711.tif 000033
【０２１７】
得られた錯体のＮＭＲデータを下記に示す。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝８．９６（ｂｒ，３Ｈ），７．９１（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ），７．５２（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，３Ｈ），７．２５−７．１８（ｍ，９Ｈ），６．９８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，１２Ｈ），６．８７−６．８１（ｍ，１２Ｈ）．
【０２１８】
得られた錯体の元素分析測定の結果を下記に示す。
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ54Ｈ42ＣｕＰ4ＢＦ4・０．６７ＣＨ2Ｃｌ2（％）：Ｃ，６４．２６；Ｈ，４．２７；Ｎ，０．００；Ｃｕ，６．２２．ｆｏｕｎｄ：Ｃ，６４．４７；Ｈ，４．４０；Ｎ，＜０．３；Ｃｕ，６．６．
【０２１９】
得られた錯体の組成比は、1Ｈ  ＮＭＲ、及び、元素分析値から決定した。
【０２２０】
＜合成例１＞
下記の錯体を、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９２−２００１（２００７）に記載の方法で合成した。
【０２２１】
【化３１】
0005883711.tif 000034
【０２２２】
＜合成例２＞
８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリンを、以下の方法で合成した。
【０２２３】
５０ｍＬシュレンク管に、１−ブロモ−２−ジフェニルホスフィノベンゼン（３．１２ｇ，９．１４ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ１５ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６ｍｏｌ／Ｌ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下した。赤色に変色した反応液を、−３０℃まで昇温して２時間撹拌することで反応液を得た。
５０ｍＬ４つ口ナス形フラスコに、フェニルジクロロホスフィン（１．５８ｇ，８．８３ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ８ｍＬを入れ、−５０℃に冷却し、上記で得られた反応液をトランスファーチューブにより送液して混合した。得られた反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温し、１２時間撹拌したところ、白濁化した反応液が得られた。
２００ｍＬ４つ口ナス形フラスコに、８−ブロモキノリン（１．８５ｇ，８．８９ｍｍｏｌ）、及び、脱水ＴＨＦ９０ｍＬを入れ、−６５℃に冷却し、撹拌しながらｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（１．６Ｍ，５．５ｍＬ，ｎ−ブチルリチウムとして８．８ｍｍｏｌ）を５分かけて滴下し、−４０℃まで昇温して２時間撹拌した。赤色に変色した反応液を−６０℃に再冷却し、上記で得られた反応液をトランスファーチューブにより送液して混合した。得られた反応液を徐々に室温（２３℃）まで昇温し、１８時間撹拌した。得られた反応液に、塩化アンモニウム水溶液４０ｍＬ、及び、クロロホルム２５０ｍＬを加え、クロロホルムで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ろ過し、濃縮した後、展開溶媒としてクロロホルムを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を２回行い、乾燥させて黄色固体の８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリンを３３５ｍｇ（収率７．６４％）得た。
【０２２４】
【化３２】
0005883711.tif 000035
【０２２５】
８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリンのＮＭＲ、ＤＡＲＴ−ＭＳ、元素分析測定データを下記にそれぞれ示す。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝８．７７（ｂｒ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）７．３６−７．０９（ｍ，２１Ｈ），６．９０（ｂｒ，１Ｈ）；
31Ｐ  ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ（ｐｐｍ）＝−１２．５（ｄ，Ｊ＝１６７Ｈｚ），−２０．１（ｄ，Ｊ＝１６７Ｈｚ）；
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ；４９８．１５．ｃａｌｃｄ；４９８．１５（Ｍ＋Ｈ）+  Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ33Ｈ25ＮＰ2・０．５Ｈ2Ｏ（％）：Ｃ，７８．２５；Ｈ，５．１７；Ｎ，２．７７．ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７８．１２；Ｈ，５．１４；Ｎ，２．８３．
【０２２６】
＜合成例３＞
実施例２〜４で用いた式Ａａ２’で表される分子を８−［［ｏ−（ジフェニルホスフィノ）フェニル］フェニルホスフィノ］−キノリンとした以外は同様にして錯体を合成したが、紫外線で励起したところ、発光が非常に弱い錯体であった。
【０２２７】
［膜の調製］
＜実施例６〜１０及び比較例１＞
実施例１の錯体をそれぞれ１重量％、ＰＭＭＡ６．２重量％のクロロホルム溶液をそれぞれ調製し、口径０．２μｍのフィルターでろ過した約１５０ｍｇを１ｃｍ×２ｃｍ角の石英基板上に載せた。これを、スピンコーター（有限会社押鐘製、ＳＣ−１５０）を用いて１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして膜を得た（実施例６）。
実施例１の錯体の代わりに、実施例２の錯体（実施例７）、実施例３の錯体（実施例８）、実施例４の錯体（実施例９）、実施例５の錯体（実施例１０）、及び、合成例１の錯体（比較例１）を用いたほかは、同様にして膜を得た。
実施例１〜４の各錯体及び合成例１の錯体を用いた膜の厚さは、いずれも１．６μｍであった。実施例５の錯体を用いて得られた膜の厚さは２．１μｍであった。
【０２２８】
［発光強度の持続性］
発光量子効率の測定には、量子効率測定装置（住友重機械メカトロニクス社製）を用いた。機器構成は以下の通りである。光源はＫｉｍｍｏｎ社製クラス３ＢのＨｅ−Ｃｄ式ＣＷレーザーを用いた。出射部にＯＦＲ社製のＮＤフィルターＦＤＵ０．５を挿入し、光ファイバーで積分球へ導いた。住友重機械メカトロニクス社製のオプテル部の積分球、ポリクロメーター、及び、ＣＣＤマルチチャンネル検出器を介し、ＫＥＹＴＨＬＥＹ社製の型式２４００ソースメーターを連結して、パソコンでデータを取り込んだ。
【０２２９】
発光量子効率の測定は以下の通りで行った。室温窒素雰囲気下、積分球内に前記条件で調製した石英基板上のサンプルを配置し、レーザー励起光を３２５ｎｍとし、ＣＷ光で、積分時間を３００ｍｓ、励起光積分範囲を３１５〜３３５ｎｍ、ＰＬ波長積分範囲を３９０〜８００ｎｍとした。そして、住友重機械メカトロニクス社製の測定・解析ソフトの手順に従って、発光量子効率を算出した。
【０２３０】
発光強度の持続性は、実施例６〜１０及び比較例１のそれぞれで調製したサンプルの、レーザー光照射１８０秒時点での発光量子効率を、レーザー光照射直後の発光量子効率で除して、減少率として求めた。
その結果、実施例１〜５の錯体のそれぞれから調製した膜（実施例６〜１０）の減少率はそれぞれ、３４％、３４％、３３％、６％、５０％であった。合成例１の錯体から調製した膜（比較例１）の減少率は６６％であった。
【０２３１】
これらの結果から、本発明の銅錯体は持続性に優れた発光強度を発現できることが分かる。
【０２３２】
［銅と窒素原子間の距離］
＜計算例１＞
実施例３の錯体のモデルとして、銅原子を１原子、式Ａａ２’で表される分子を１分子、ヨウ素原子を１原子用いた。初期配置として、式Ａａ２’で表される分子中に含まれる銅原子に配位可能なリン原子２つ及び窒素原子１つ、さらに、ヨウ素原子１つを全て銅原子から３．０Å以内の距離に設置し、Ｇａｕｓｓｉａｎ０３プログラム（リビジョン  Ｄ．０２）の密度汎関数法を用い、構造最適化計算を行った。計算の結果、銅原子と窒素原子との距離は２．１６Åであった。
【０２３３】
［発光素子の作製］
＜実施例１１＞
ＩＴＯ膜が付着したガラス基板上に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、商品名：Ｂｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ４０８３）の懸濁液をスピンコートにより７０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥させた。この上に、クロロホルム：１，２−ジクロロエタン＝２：１（重量比）の溶媒を用いて実施例１の錯体を１．１重量％の濃度に調製した溶液をスピンコートにより１０００ｒｐｍで１５秒間、１５００ｒｐｍで６０秒間スピンコートして成膜し、１００℃で２０分間乾燥させた。続いて、陰極として、フッ化リチウムを１ｎｍ、最後にアルミニウムを８０ｎｍ蒸着して、発光素子を作製した。得られた発光素子に電圧をかけることにより、１８Ｖ印加時に輝度８３０ｃｄ／ｍ2、１２Ｖ印加時に発光効率１．５ｃｄ／Ａの黄色発光を確認した。