(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上におけるモリブデン層の結晶配向を制御する方法であって、
前記基板上にＺｎＯ層を堆積するステップと、
前記ＺｎＯ層上にモリブデン層を堆積するステップと
を有し、所望の前記結晶配向に応じてＺｎＯ層の厚さｔを、０ｎｍ＜ｔ＜５０ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、さらに、下塗層を堆積するステップを有し、また前記ＺｎＯ層を前記下塗層上に直接堆積する、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、前記下塗層は、ＺｎＳｎＯｘ又はＴｉＯ２を含むものとした、方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記下塗層は、５ｎｍ〜５０ｎｍの間における厚さを有するものとした、方法。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか一項記載の方法において、前記基板はガラスとした方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、さらに、任意な他の層を堆積する前に、前記ガラス上にナトリウムバリヤ層を堆積する、方法。
【請求項７】
請求項６記載の方法において、前記バリヤ層は、ＳｉｘＮｙ，ＳｉＯ２，ＳｎＯ２，ＳｉＣＯ及びＴｉＯ２ のうち少なくとも１つを有するものとした、方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法において、前記バリヤ層はＳｉＯ２ の層を有する、方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記厚さｔを８ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、前記厚さｔを１２ｎｍ＜ｔ＜１８ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項１１】
請求項７記載の方法において、前記バリヤ層はＳｉｘＮｙ層を有する、方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の方法において、前記厚さｔを０ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、前記厚さｔを０ｎｍ＜ｔ＜１５ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の方法において、前記厚さｔを２ｎｍ＜ｔ＜８ｎｍの値に選択する、方法。
【請求項１５】
請求項６記載の方法において、前記バリヤ層の厚さを５〜２００ｎｍの間における厚さとなるよう選択した、方法。
【請求項１６】
請求項６記載の方法において、前記バリヤ層は、化学蒸着法によって堆積する、方法。
【請求項１７】
請求項３記載の方法において、前記下塗層は、５〜３０ｎｍの間における厚さを有するＺｎＳｎＯｘ層を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のうちいずれか一項記載の方法において、前記ＺｎＯ層は、Ａｌの成分を有する、方法。
【請求項１９】
ＺｎＯ層、及び前記ＺｎＯ層上に直接堆積させたモリブデン層を支持する基板であって、前記ＺｎＯ層は０ｎｍ＜ｔ＜５０ｎｍの厚さｔを有する、基板。
【請求項２０】
請求項１９記載の基板において、さらに、下塗層を備え、前記ＺｎＯ層は前記下塗層上に直接配置した、基板。
【請求項２１】
請求項２０記載の基板において、前記下塗層は、ＺｎＳｎＯｘ又はＴｉＯ２を含むものとした、基板。
【請求項２２】
請求項２１記載の基板において、前記下塗層は、５ｎｍ〜５０ｎｍの間における厚さを有するものとした、基板。
【請求項２３】
請求項１９〜２２のうちいずれか一項記載の基板において、前記基板はガラスとした、基板。
【請求項２４】
請求項２３記載の基板において、前記基板と他の層との間に配置したナトリウムバリヤ層を有する、基板。
【請求項２５】
請求項２４記載の基板において、前記バリヤ層は、ＳｉｘＮｙ，ＳｉＯ２，ＳｎＯ２，ＳｉＣＯ及びＴｉＯ２ のうち少なくとも１つを有するものとした、基板。
【請求項２６】
請求項２５記載の基板において、前記バリヤ層はＳｉＯ２ の層を有する、基板。
【請求項２７】
請求項２６記載の基板において、前記厚さｔは８ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍの値とした、基板。
【請求項２８】
請求項２７記載の基板において、前記厚さｔを１２ｎｍ＜ｔ＜１８ｎｍの値とした、基板。
【請求項２９】
請求項２５記載の基板において、前記バリヤ層はＳｉｘＮｙ層を有する、基板。
【請求項３０】
請求項２９記載の基板において、前記厚さｔを０ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍの値とした、基板。
【請求項３１】
請求項３０記載の基板において、前記厚さｔを０ｎｍ＜ｔ＜１５ｎｍの値とした、基板。
【請求項３２】
請求項３１記載の基板において、前記厚さｔを２ｎｍ＜ｔ＜８ｎｍの値とした、基板。
【請求項３３】
請求項２４記載の基板において、前記バリヤ層の厚さを５〜２００ｎｍの間における厚さとした、基板。
【請求項３４】
請求項２０記載の基板において、前記下塗層は、５〜３０ｎｍの間における厚さを有するＺｎＳｎＯｘ層を有する、基板。
【請求項３５】
請求項１９〜３４のうちいずれか一項記載の基板において、前記ＺｎＯ層は、Ａｌの成分を有する、基板。
【請求項３６】
太陽電池に組み込んだ、請求項１９〜３５のうちいずれか一項記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電デバイス、とくに、このようなデバイスに使用されるモリブデン接点の品質を改善した太陽光発電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的エネルギーを生成するため太陽電池を使用することは周知である。太陽電池は、    光起電力効果を示す半導体材料を含み、また多数のセル（電池）を有する太陽電池パネルとして実現するのが一般的である。太陽光エネルギーは、クリーンＤ環境に優しい電源であり、また現在のところ世界のエネルギー消費量の僅かな割合しか占めていないが、急速に発展している産業でもある。現時点で大量生産における薄膜太陽光発電技術のうちＣｕＩｎ１-ｘＧａｘＳｅ２-ｙＳｙ(ＣＩＧＳ)及びＣｕＩｎＳ２(ＣＩＳ) が最高の効率を示している。一般的に、デバイス効率が最高レベルまで増大するとき、漸進的な改善の重要性がより大きくなることが認められている。
【０００３】
モリブデンはＣＩＧＳ／ＣＩＳセルにおけるバック接点に使用し、これはモリブデンが優れた付着性及び関連する材料に対する低い接触抵抗を有しているからである。モリブデンは、さらに、侵襲性の強いＣＩＧＳ堆積プロセス中に不活性及び安定性を示す。
【０００４】
さらに、中間層であるＭｏＳｅ２ 層をＣＩＧＳ堆積中に形成し、この中間層は吸収体とバック接点との間にオーム抵抗を生ずる。したがって、Ｍｏを堆積するとき、主な関心は材料に低いシート抵抗及び良好な付着性を与えることにあった。これら双方の特性を獲得するため、スコフィールド氏らの非特許文献１に記載されているように、Ｍｏバイ（２）レイヤが必要である。このことには、引張応力のもとに十分付着した膜を生ずるようにする高圧でのＭｏ層堆積、及びこれに続いく低シート抵抗を生ずるようにする低圧でのＭｏ層堆積を含む（この膜には圧縮応力を加える）。
【０００５】
高効率デバイスのための望ましい肌理（テクスチャ）を有するＣＩＧＳ材料の獲得は、主にＭｏ層の構造特性に依存する。（例えば、非特許文献２参照。）形態、粒度、応力状態などの特性は、ＣＩＧＳの核生成及び成長プロセスに影響しそうな変数である。非特許文献３に記載のネレル（NREL）氏による研究によれば、Ｍｏにとって望ましいのは結晶構造であり、（１１０）配向、いわゆる「魚状」形態を示すことを立証した。非特許文献４に記載のアスマン（Assmann）氏らによる研究はこのことを裏付けている。
【０００６】
ＣＩＧＳデバイスを基板形態において成長させるとき、Ｍｏ層はデバイスの残りの部分に対する成長層として有効に作用し、したがって、高品位のＭｏ層は高効率デバイスを得る上で必須である。他の特性に悪影響を与えることなくＭｏの（１１０）配向及び結晶構造制御能力を改善することは技術の大きな進展となる。この能力によれば、Ｍｏ層特性をデバイス要求に適合させるようチューニングでき、このことは重要であり、なぜならＣＩＧＳの結晶構造における僅かな変動もデバイスの直列抵抗及び曲線因子に強く影響を与えるおそれがあるからである。（例えば、非特許文献５参照。）さらに、異なったＣＩＧＳ堆積プロセスにとっては、最適Ｍｏの肌理（テクスチャ）は異なるものになりがちであり、したがって、個別プロセスとして形態を仕立てることができるようにするのが重要である。
【０００７】
Ｍｏが発揮する１つの最終的な機能は、ナトリウムのＣＩＧＳ材料内への拡散を制御することである。最高効率のデバイスを得るためには、ナトリウムの存在はＣＩＧＳ材料を堆積するとき必要である。（例えば、非特許文献６及び非特許文献７参照。）実験室のセルにおいて、このナトリウムは、一般的にソーダ石灰ガラス基板からＭｏ層を経てＣＩＧＳ材料内に拡散させることによって供給する。したがって、Ｍｏの微細構造は、このナトリウム拡散を制御するよう仕立てることができる。しかし、工業的プロセスでは、ナトリウム含有量の厳密な制御が一貫した高性能及び高効率を得るのに必須であり、したがって、ガラスからの拡散に頼ることは困難であると考えられる。ガラス内におけるナトリウム含有量及びナトリウム移動度は、ガラスの起源、組成、経年数（エイジ）、及び保存条件によって変動し得る。ガラスからのナトリウム拡散が制御されないことを回避するため、ナトリウムバリヤ層をガラスとモリブデン被覆との間に使用する。このとき、ナトリウムは、ナトリウム化合物、例えばフッ化ナトリウムの堆積によって、制御された状態で導入することができる。（例えば、非特許文献８参照。）一般的なナトリウムバリヤ層の例としては、ＳｉＯ２ 又はＳｉＮである。バリヤ層を使用してナトリウム拡散を制限するとき望ましいのは、制御されない状態でのＮａ拡散をより確実に回避するよう、Ｍｏが密に詰まった粒状構造で、またできるだけ少ないピンホールしかない、すなわち、高品位膜となるよう成長することである。
【０００８】
Ｍｏ成長の制御は、堆積パラメータを変化させることによって得ることができるが、このことは必ず材料の他の特性を変化させることになる。したがって、他の特性に影響を与えずに材料の配向性を高める手段が望ましい。上述したように、高効率ＣＩＧＳデバイスにとって、Ｍｏは（１１０）配向になるべきである。本発明によれば、この（１１０）配向を高め、また所要に応じてチューニングできる。
【０００９】
バロウ（Barreau）氏及びボマースバック（Bommersback）氏による非特許文献９では、ＺｎＯを使用してＭｏ配向を改善することを詳述している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Scofield et al, Thin Solid Films, 260, (1995), 26.
【非特許文献２】Contreras et al, Thin Solid Films, 361-362, (2000), 167.
【非特許文献３】Dhere, NREL report, FSEC CR1416-03, (2003)
【非特許文献４】Assmann et al, Applied Surface Science, 246, (2005), 159.
【非特許文献５】Siebentritt et al, Prog Photovolt Res & Apps, 18, (2010), 390.
【非特許文献６】Hedstreum et al., Proc. of the 23rdIEEE Photovoltaic Specialists Conference, (1993), 364.
【非特許文献７】Niki et al., Prog. Photovolt: Res. Appl., 18, (2010), 453.
【非特許文献８】N.G. Dhere, Solar Energy Materials and Solar Cells, 95, (2011), 277.
【非特許文献９】Proceeding of EUPVSEC, Valencia, (2010), 3BV2.23
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、彼らは１００ｎｍより大きい厚い層にすることによって成長を改善している。この非特許文献７によれば、ＺｎＯの厚さを０〜５０ｎｍに増大することが、（１１０）配向性を示す信号強度（以下「配向度」と称する）を１．５倍上昇させる。さらに１５０ｎｍまで増大させると（１１０）配向度が３倍に上昇し、それ以降は効果は横ばいとなる。ＺｎＯ層全体は（１１０）配向度を４．５倍上昇させる。０〜５０ｎｍの範囲内における厚さを有するＺｎＯ層に関してはデータは存在しない。その範囲を超える他の厚さに関して得られたデータは推定するしかない。
【課題を解決する手段】
【００１２】
本発明によれば、基板上のモリブデン層の結晶配向を制御する方法は、特許請求の範囲における請求項１に記載のステップを有する。
【００１３】
本発明に関する以下の説明にわたり、ＺｎＯに対する言及は、材料組成の大部分がＺｎＯで構成されている材料への言及も含んでいる。例えば、ＺｎＯに対する言及は、ＺｎＯ：Ａｌと一般的に記載され、大部分がＺｎＯであり、Ａｌも若干含んでいる材料も含むものとする。このような材料の層は、市販により入手可能なターゲット（目標）材料を使用するスパッタコーティングによって堆積することができる。
【００１４】
本発明は、付加的な下塗層を設け、この下塗層上にＺｎＯ層を堆積する。この下塗層はＺｎＯ層の成長を促進する。下塗層は、例えば、ＺｎＳｎＯＸ 又はＴｉＯ２ を含む。好適には、下塗層は５〜５０ｎｍの範囲における厚さを有する。
【００１５】
種々の実施形態において、基板はガラス、ステンレス鋼のような金属、又はポリマーで形成することができる。
【００１６】
基板の好適な材料はガラスであり、この場合、ナトリウムバリヤ層をガラスと任意な他の層との間に設ける。好適には、バリヤ層は、ＳｉｘＮｙ，ＳｉＯ２，ＳｎＯ２，ＳｉＣＯ及びＴｉＯ２ のうち少なくとも１つを有するものとする。
【００１７】
バリヤ層をＳｉＯ２ とする場合、好適には、厚さｔを８ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍ、より好適には、１２ｎｍ＜ｔ＜１８ｎｍの値とする。
【００１８】
バリヤ層がＳｉｘＮｙ層を有する場合、好適には厚さｔを０ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍ、より好適には０ｎｍ＜ｔ＜１５ｎｍ、最も好適には２ｎｍ＜ｔ＜８ｎｍの値とする。
【００１９】
バリヤ層は、５〜２００ｎｍの間の厚さを有し、また化学蒸着法によって堆積することができる。
【００２０】
下塗層は、５〜３０ｎｍの間における厚さを有するＺｎＳｎＯｘ層とすることができる。
【００２１】
本発明の第２の態様によれば、基板は、特許請求の範囲における請求項１９に記載の特徴を有する。
【００２２】
基板は、さらに、付加的な下塗層を備え、ＺｎＯ層は下塗層上に直接配置する。下塗層は、例えばＺｎＳｎＯｘ又はＴｉＯ２を含むものとすることができる。下塗層は、好適には、５ｎｍ〜５０ｎｍの間における厚さを有するものとする。
【００２３】
基板はガラスとし、この場合、ナトリウムバリヤ層を基板と他の層との間に配置することができる。
【００２４】
好適には、バリヤ層は、ＳｉｘＮｙ，ＳｉＯ２，ＳｎＯ２，ＳｉＣＯ及びＴｉＯ２ のうち少なくとも１つを有するものとする。バリヤ層がＳｉＯ２ の層を有する場合、好適には８ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍ、より好適には１２ｎｍ＜ｔ＜１８ｎｍとする。
【００２５】
バリヤ層がＳｉｘＮｙ層を有する場合、好適には０ｎｍ＜ｔ＜３０ｎｍ、より好適には０ｎｍ＜ｔ＜１５ｎｍ、最も好適には２ｎｍ＜ｔ＜８ｎｍとする。
【００２６】
バリヤ層は５〜２００ｎｍの間の厚さを有するものとすることができる。
【００２７】
下塗層は、５〜３０ｎｍの間における厚さを有するＺｎＳｎＯｘ層を含むものとすることができる。
【００２８】
本発明による基板は、好適には、太陽電池に組み込む。
【発明の効果】
【００２９】
本発明者らは、従来技術が教えることとは異なり、モリブデン結晶性及び（１１０）配向性の存在は、薄いＺｎＯ層を使用することによって、高めることができることを示した。Ｘ線回折（ＸＲＤ）観察によれば、（１１０）配向による反射強度が、薄いＺｎＯ層を使用するとき、６０倍までも上昇することを示した。さらに、ＺｎＯ層の厚さを使用してＭｏを必要な配向性となるようにチューニングすることができる。
【００３０】
以下に本発明を、非限定的な実施形態として、添付図面につき説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による太陽光発電デバイスの線図的説明図である。
【図２】ガラス基板上に成長させたＭｏ層のサンプルであって、それぞれ５００ｎｍ及び１００ｎｍの厚さにした実施例から得られたＸ線回析（ＸＲＤ）パターンを示す。
【図３】ナトリウムバリヤ層を有してガラス基板上に成長させたＭｏサンプルであって、本発明によるＺｎＯ成長層の種々の実現とともに同一バリヤ層を有する実施例から得られたＸＲＤデータの比較を示す。
【図４】比較のため従来技術により作製したＭｏ層から得られた肌理（テクスチャ）測定データを示す。
【図５】従来技術により作製したＭｏ層との比較のための本発明によるＺｎＯ成長層上に作製したＭｏ層から得られた肌理測定データを示す。
【図６】ＳｉＯ２ バリヤ層上に本発明によるＭｏを成長させた種々のサンプルにおけるＺｎＯの厚さによる（１１０）配向度ピークの変化を示す。
【図７】図６におけるデータをうるのに使用したサンプルを選択するためのＸＲＤパターンを示す。
【図８】ＳｉｘＮｙバリヤ層上に本発明によるＭｏを成長させた種々のサンプルにおけるＺｎＯの厚さによる（１１０）配向度ピークの変化を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
図１につき説明すると、本発明によれば、基板１はＺｎＯ層２及びＭｏ層３を堆積する処理を行う。以下に示すように、Ｍｏ層３上の形態及び結晶構造は、ＺｎＯ層２の厚さに大きく依存し、またこの厚さは、Ｍｏ層３の望ましい特性に従って選択する。
【００３３】
基板とＭｏ層３との間にＺｎＯ層２のみを有するスタックは、本発明における最もシンプルな実施形態である。しかし、ＺｎＯ層２の品位（及びＭｏ層３の特性に影響を及ぼす程度）は、基板１とＺｎＯ層２との間に配置した、例えば、ＺｎＳｎＯｘによる下塗層４を設けることによって高まる。
【００３４】
さらに、本発明は、様々な材料の基板に適用可能であるが、好適な基板材料はガラスである。ガラス基板を使用する場合、ナトリウムバリヤ層５も設けることができる。
【００３５】
好適には、このように処理した基板を太陽電池に組込み、この組込みは、さらにＣｕＩｎ１-ｘＧａｘＳｅ２-ｙＳｙ又はＣｕＩｎＳ２を含む光反応性領域６を設けることによって行い、この光反応性領域６はＡｌをドープしたＺｎＯ層とヘテロ接合を形成し、このＡｌをドープしたＺｎＯ層７は、一般的には、ＣｄＳの薄層８及び内在するＺｎＯの層９によって緩衝する。上述したように、ＭｏＳｅ２層１０をＭｏ層３と光反応性領域６との間に設け、オーム抵抗を改善する。
【００３６】
図１に示す厚さは、縮尺通りではない。
【００３７】
実施例
以下の実施例において、モリブデン成長は、アルゴンガスにおけるモリブデンターゲットをスパッタリングすることによって行い、また堆積膜の厚さは、他に明記しない限り、５００ｎｍとした。５００ｎｍにおいて、シート抵抗は〜０．３Ω／□であり、膜はスコッチテープ検査に耐える耐久性があった。上述したように、膜の応力は堆積圧力を使用することによって制御できる。
【００３８】
これら実施例は、フロートガラス基板上に層を堆積するステップを含むが、この特徴は、これに限定するとみるべきではない。本発明は、モリブデンをいかなる基板（他のタイプのガラス、及び他の材料、例えば金属又はポリマー）上にも設けることができ、またモリブデン層の結晶配向／形態が重要である用途に適用可能である。
【００３９】
実施例１及び２
５００ｎｍ及び１０００ｎｍ（それぞれ実施例１及び２における）の厚さを有する２つのＭｏ膜を、ソーダ石灰−二酸化ケイ素ガラスの基板（以下「フロート」と称する）上に成長させた。双方の膜は同一堆積条件の下で堆積するため、膜の結晶配向は類似し、また厚さに倍の差があるため、ＸＲＤ度には、予想に沿って約２倍の上昇がある。
【００４０】
実施例１及び２のＸ線回折パターンを図２において、それぞれ実線及び破線で示す。グラフの大かたの部分に関して、２つのラインはＸＲＤ度が類似しているため、区別しにくい。しかし、図から分かるように、膜の（１１０）配向が優勢であり（これら膜はＣＩＧＳデバイスへの使用に適していることを示す）、またグラフのこの領域におけるＸＲＤ度は５００ｎｍサンプルの方が、１０００ｎｍサンプルよりも約２倍になる。
【００４１】
実施例３〜７
種々のバリヤ層上にＭｏを成長させたものを調べた。５００ｎｍＭｏ層を、以下の表１に掲げた各実施例上に成長させた。カッコ内の数字は直前層の厚さをｎｍ単位で示す。サンプルには、Ｍｏ層に関するＸＲＤ分析を行い、その結果を列記した。歪みのＣは圧縮応力、Ｔは引張応力を示す。
【００４２】
【表１】
0005956471.tif 000002
【００４３】
表１に示すデータは、これらすべての基板上でのＭｏ成長が全く類似していることを表している。
【００４４】
実施例８及び９
薄いＺｎＯ成長層を有する他のサンプルを準備した。実施例８は、ＳｉＯ２バリヤ層上にＺｎＯ層を有する。実施例９は実施例８に類似するが、さらに、バリヤ層上にＺｎＳｎＯｘ下塗層を有して、ＺｎＯ層成長を促進する。
【００４５】
表２は、これらサンプル（比較のため、表１に示すフロート／ＳｉＯ２サンプルも含める）の構造を列記し、またＸＲＤ分析結果を示す。
【００４６】
【表２】
0005956471.tif 000003
【００４７】
図３は、さらに、ＺｎＯ成長層を有するサンプルが示す（１１０）配向のそれぞれの配向度を示す。
【００４８】
表２及び図３から明らかなように、サンプルの結晶は、好ましい（１１０）配向であることの信号は、約６５倍も上昇して相当改善された。Ｍｏ膜のシート抵抗は〜０．３Ω／□であり、すべてのサンプルはスコッチテープ検査をパスし、耐久性が相殺されていないことが確認された。さらに、この効果は、種々の圧力で堆積したＭｏに関して観測された。
【００４９】
表２は、ＺｎＯ上に成長させたＭｏ特性の著しい改善及びＺｎＯを下塗層上に成長させたときの著しい改善を示す。
【００５０】
肌理（テクスチャ）測定は、サンプルにおける円柱状配向の強度の尺度を与える技術である。この手順によって、選択したｈｋｌ平面の角度分布を測定する。
【００５１】
肌理（テクスチャ）測定は、フロートガラス上及びバリヤ／ＺｎＳｎＯｘ／ＺｎＯ（８）成長層上に成長させたＭｏ層について行った。０゜傾斜及び５゜傾斜における正味のＭｏ（１１０）配向度を合計し、合計したトータル値を極点図におけるトータル正味配向度のパーセンテージとして表した。これらサンプルの極点図及び配向度を図４及び５にそれぞれ示す。ＺｎＯ成長層上のサンプルは、フロート上のサンプルよりも相当大きな円柱状配向となることを示した。
【００５２】
実施例１０
本発明の驚くべき態様は、サンプルの結晶性及び（１１０）配向度ピークは、ＺｎＯ厚さに極めて大きく依存し、またＺｎＯ厚さが最適ポイントを超えて増大するとき配向度は実際的に低下する。このことは、フロート／ＳｉＯ２（３０）／ＺｎＳｎＯＸ（５）／ＺｎＯ／Ｍｏ（５００）構造を有する一連のサンプルを準備することによって立証し、サンプル準備にあたり、ＺｎＯ層の厚さは一連のサンプルにわたり変化させた。分析結果を図６及び図７に示す。
【００５３】
図６は、０ｎｍ又は６０ｎｍ及びそれ以上のコーティング厚さにおける（１１０）の配向度ピークの僅かな改善を示す。しかし、大きな改善は、これら２つの極限値間における任意の値に関して見られ、また改善の度合いはこの範囲内における実際の値に強く依存する個とは明らかである。
【００５４】
とくに、厚さがゼロから増加するときのグラフ急峻領域は、ゼロより大きい任意のコーティング厚さに関して大きな改善を示す。改善は、約８ｎｍ〜３０ｎｍの範囲における値間でとくに著しい。最適厚さは１２〜１８ｎｍの範囲内である。
【００５５】
これらサンプルの選択したＸＲＤ分析データを図７に示す（簡明にするため、０ｎｍ、１５ｎｍ及び１２０ｎｍのＺｎＯ厚さのデータのみ示す）。
【００５６】
シート抵抗及び耐久性は、上述したように一定に留まり、したがって、ＺｎＯ層は、関連のＣＩＧＳ堆積プレートのためのＭｏにおける最適形態を得る上でのチューニング層として使用することができる。
【００５７】
実施例１１
本発明による利点はＳｉＯ２バリヤ層を有する系には限定されないことを立証するため、フロート／ＳｉｘＮｙ（２０）／ＺｎＳｎＯｘ（５）／ＺｎＯ／Ｍｏ（５００）を含む一連のサンプルを準備した。ＺｎＯ厚さによる（１１０）配向度ピークの変動を図８に示す。
【００５８】
（１１０）配向度ピークの大きな改善が０ｎｍと６０ｎｍとの間の厚さに関して見られ、改善度は厚さの実際値に強く依存する。図６及び８の比較により、さらに、ＺｎＯ層の最適厚さはバリヤ層のタイプに依存することが明らかになる。図８において、改善は、とくに０ｎｍと３０ｎｍとの間の厚さに関して顕著であり、０ｎｍと１５ｎｍとの値間でより一層著しい。最適厚さは２〜８ｎｍの範囲内である。
【００５９】
したがって、ＺｎＯ層の最適厚さは使用したバリヤ層に基づいて変動するとともに、１５０ｎｍよりも薄い、又は従来技術で提案されているよりも薄いＺｎＯ層を使用すると、Ｍｏ層特性に改善を生ずることが明らかである。さらに、これら特性は、ＺｎＯ層の厳密な厚さを選択することによって、微調整することができる。
【００６０】
実施例１２〜１４
上記のように、ガラス基板から拡散するナトリウムの拡散度を所定のものにするのが望ましい場合がある。実施例１２〜１４において、種々の厚さにしたＺｎＳｎＯｘ層をガラス基板上に直接堆積し、ついでＺｎＯ層を堆積した。
【００６１】
上述のサンプルと同様に、５００ｎｍＭｏ層をこれらサンプルのそれぞれの上に堆積し、分析結果を以下の表３に示す。
【００６２】
【表３】
0005956471.tif 000004
【００６３】
表３は、Ｍｏ結晶における（１１０）配向度が（とりわけ）高いことを示し、このことは、ナトリウムバリヤ層を含まないサンプルでも本発明が十分機能することを立証している。
【００６４】
サンプル１２は、５ｎｍのＺｎＳｎＯｘ層における増加した（１１０）配向の存在を示し、この増加は１０ｎｍのＺｎＳｎＯｘ層を有するサンプル１３でより一層顕著である。サンプル１４（２０ｎｍのＺｎＳｎＯｘ）では、（１１０）配向度は依然として高いが、サンプル１３よりも低下している。
【００６５】
したがって、表３に示すデータは、バリヤ層が存在しないときでも（１１０）配向のＭｏ堆積は依然として高められることを示している。さらに、ＺｎＳｎＯｘ層（Ｍｏが（１１０）配向で堆積している上での）の最適厚さは、５ｎｍと２０ｎｍとの間におけるいずれかの値にある。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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