(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された配向制御層と、
前記配向制御層上に形成された下地層と、
前記下地層上に形成されたＬ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、
前記下地層が、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを含み、
熱アシスト磁気記録方式またはマイクロ波アシスト磁気記録方式で記録されるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記窒化物下地層上に前記ＭｇＯ下地層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＭｇＯ下地層上に前記窒化物下地層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記配向制御層が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗのうち少なくとも一種類を含むＢＣＣ構造を有する（１００）配向のＢＣＣ下地層を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記配向制御層が、ＮｉＡｌまたはＲｕＡｌからなるＢ２構造を有するＢ２下地層を含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層が、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有して前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、
前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置（ＨＤＤ）等に用いられる熱アシスト磁気記録方式またはマイクロ波アシスト磁気記録方式の磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置に対する大容量化の要求は益々強くなっている。しかし、現行の記録方式では、ハードディスク装置の記録密度の向上が難しくなってきている。熱アシスト磁気記録方式は、次世代の記録方式として盛んに研究され、注目されている技術の１つである。熱アシスト磁気記録方式は、磁気ヘッドによって媒体に近接場光を照射し、媒体表面を局所的に加熱することにより媒体保磁力を低下させて書き込みを行う記録方式である。
【０００３】
熱アシスト磁気記録方式では、磁性層の材料として、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ（Ｋｕ〜７×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３）、ＣｏＰｔ（Ｋｕ〜５×１０７ｅｒｇ／ｃｍ３）のような高Ｋｕ材料が用いられている。磁性層の材料として高Ｋｕ材料を適用すると、ＫｕＶ／ｋＴ（Ｋｕ：磁気異方性定数、Ｖ：粒子体積、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：温度）が大きくなる。このため、熱ゆらぎを悪化させることなく、磁性粒子体積を小さくすることができる。この磁性粒子の微細化により、熱アシスト磁気記録方式では、遷移幅を狭くすることができるので、ノイズを低減でき、シグナルノイズ比（ＳＮＲ）を改善できる。
【０００４】
また、高い垂直磁気異方性を示す熱アシスト磁気記録媒体を得るには、磁性層として用いられるＬ１０型結晶構造を有する合金に、良好な（００１）配向をとらせる必要がある。磁性層の配向性は、下地層によって制御されるものであるため、下地層の材料を適切に選択する必要がある。磁気記録媒体の下地層の材料としては、従来から、ＭｇＯ、ＣｒＮ、ＴｉＮなどが知られている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、ＭｇＯを主成分とする下地層を作製し、更にＦｅＰｔ合金からなるＬ１０形規則合金層を作製する技術が記載されている。
また、特許文献２には、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＣｒＮなどの遷移金属窒化物で形成された下地層上に、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔやＣｏＰｔなどの磁性物質からなるドットと非磁性領域とを備える磁気記録層が備えられた磁気記録媒体が記載されている。
【０００６】
また、磁性層の下地層を複数用いた磁気記録媒体の例として、非特許文献１には、ＲｕＡｌ下地層及びＴｉＮ下地層を用いることにより、ＦｅＰｔ磁性層が良好な（００１）配向を示すことが記載されている。ＲｕＡｌはＢ２構造を有するので、（１００）配向を示している。ＴｉＮは、ＭｇＯ同様、ＮａＣｌ構造をとるものであり、格子定数もＭｇＯと近いため、ＭｇＯのようにＦｅＰｔ磁性層に（００１）配向をとらせることができる。
【０００７】
また、次世代の記録方式として注目されている他の技術として、マイクロ波アシスト磁気記録方式がある。マイクロ波アシスト記録方式は、磁気記録媒体の磁性層にマイクロ波を照射して磁化方向を磁化容易軸から傾けて、磁性層の磁化を局所的に反転させて磁気情報を記録する記録方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３５３６４８号公報
【特許文献２】特開２００９−１４６５５８号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．１０９，０７Ｂ７７０（２０１１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
熱アシスト磁気記録媒体において、良好な磁気記録特性を得るためには、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる磁性層に良好な（００１）配向をとらせて、保持力を高めることが必須である。しかし、従来の技術では、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる磁性層の（００１）配向性が不十分であり、熱アシスト磁気記録媒体に使用される磁性層の配向性をより一層良好なものとすることが要求されていた。
また、マイクロ波アシスト磁気記録媒体において、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる磁性層の配向を、より一層良好なものとすることが求められる。すなわち、マイクロ波アシスト磁気記録方式においても、熱アシスト磁気記録方式と同様に、磁性層の材料として、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる高Ｋｕ材料を用いることができる。また、記録密度を更に上げるためには磁性層の粒径を下げることが必須となる。そのため、マイクロ波アシスト磁気記録方式においても、磁性粒子の粒径を微細化しても熱安定性を維持できるＬ１０型結晶構造を有する合金からなる磁気記録媒体が求められている。
【００１１】
本発明は、上記の事情に鑑みて提案されたものであり、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる磁性層を備え、磁性層が良好な（００１）配向を有していることにより、高保磁力で高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）が得られる熱アシスト磁気記録媒体、及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、Ｌ１０型結晶構造を有する合金からなる磁性層を備え、磁性層が良好な配向を有するマイクロ波アシスト磁気記録媒体、およびこれを備えた磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、上記課題を解決するため、Ｌ１０型結晶構造の磁性層を得るための下地層に着目して鋭意検討を重ねた。その結果、下地層を配向制御層上に形成し、下地層として、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを含むものを形成することで、良好な（００１）配向を有しているＬ１０型結晶構造の磁性層が得られることを見出し、本発明を想到した。
【００１３】
本発明は、以下の特徴を有する磁気記録媒体を提供する。
（１）基板上に形成された配向制御層と、前記配向制御層上に形成された下地層と、前記下地層上に形成されたＬ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、前記下地層が、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを含み、熱アシスト磁気記録方式またはマイクロ波アシスト磁気記録方式で記録されるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【００１４】
（２）前記窒化物下地層上に前記ＭｇＯ下地層が形成されていることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
【００１５】
（３）前記ＭｇＯ下地層上に前記窒化物下地層が形成されていることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（４）前記配向制御層が、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗのうち少なくとも一種類を含むＢＣＣ構造を有する（１００）配向のＢＣＣ下地層を含むことを特徴とする（１）乃至（３）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（５）前記配向制御層が、ＮｉＡｌまたはＲｕＡｌからなるＢ２構造を有するＢ２下地層を含むことを特徴とする（１）乃至（４）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
（６）前記磁性層が、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有していることを特徴とする（１）乃至（５）の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【００１６】
（７）（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路と前記先端部に設けられた近接場発生素子とを有して前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【００１７】
（８）（１）乃至（６）のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、前記磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の磁気記録媒体は、基板上に形成された配向制御層と、前記配向制御層上に形成された下地層と、前記下地層上に形成されたＬ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層とを有し、前記下地層が、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを含むものあるので、磁性層が良好な（００１）配向を有しているものとなる。このため、本発明の磁気記録媒体は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを示すものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体の一例を示した断面図である。
【図２】図２は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体の他の例を示した断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図である。
【図４】図４は、図３に示す磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す例のみに限定されるものではない。特に制限のない限り、数量、構成、位置、材料などを変更してもよい。
［熱アシスト磁気記録媒体］
図１は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体の一例を示した断面図である。
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体は、基板１０１上に、密着層１０２とヒートシンク層１０３とシード層１０４とＢＣＣ下地層１０５（配向制御層）と下地層１０と磁性層１０８と保護膜１０９と潤滑剤層１１０とがこの順で積層されたものである。磁性層１０８は、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を主成分とするものである。
【００２１】
「基板」
本発明の熱アシスト磁気記録媒体に使用される基板１０１としては、例えば、円形の非磁性基板を用いることができる。非磁性基板としては、例えば、ガラス、アルミ、セラミックスなどを用いることができる。ガラス基板としては、結晶化ガラスや非晶質ガラス、強化ガラスなどを使用できる。
熱アシスト磁気記録媒体に使用される基板１０１としては、ガラス転移点の高い耐熱性に優れたものを用いることが望ましく、基板１０１上に形成される各層の成膜条件や、熱アシスト磁気記録媒体の使用条件などに応じて、表面粗さや熱容量、結晶化状態などを適宜選択して決定できる。
【００２２】
「密着層」
密着層１０２は、ヒートシンク層１０３と基板１０１との密着性を向上させるためのものであり、必要に応じて備えられるものである。密着層１０２の材料としては、ＣｒＴｉやＮｉＴａなどが挙げられる。
【００２３】
「ヒートシンク層」
ヒートシンク層１０３は、記録後に磁性層１０８に溜まった熱を速やかに散逸させるためのものであり、必要に応じて備えられるものである。ヒートシンク層１０３の材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏもしくはこれらを主成分とする熱伝導率の高い合金などが挙げられる。基板１０１と磁性層１０８との間にヒートシンク層１０３が設けられている場合、下地層１０による磁性層１０８の配向制御効果を確保できる範囲で、下地層１０の厚みをできるだけ薄くすることが望ましい。下地層１０の膜厚を薄くすることで、ヒートシンク層１０３と磁性層１０８との距離が短くなり、ヒートシンク層１０３の散熱効果を大きくでき、遷移幅を急峻にできる。
【００２４】
「シード層」
シード層１０４は、ヒートシンク層１０３の配向を打ち消して、その上のＢＣＣ下地層１０５に良好な（１００）配向を取らせるために設けられた下地層である。シード層１０４は、シード層１０４の直下の層が（１００）配向を示し、その上のＢＣＣ下地層１０５が良好な（１００）配向を示す場合には設けなくてもよいが、図１に示す熱アシスト磁気記録媒体の場合、ヒートシンク層１０３が（１１１）配向を示すので、この（１１１）配向を打ち消すためにＣｒＴｉからなるシード層１０４が形成されている。シード層１０４の材料としては、ＣｒＴｉやＮｉＴａ、ＡｌＴｉのような軟磁性層が挙げられる。
【００２５】
「ＢＣＣ下地層」
ＢＣＣ下地層１０５は、磁性層１０８の配向を制御する配向制御層として形成されたものである。
ＢＣＣ下地層１０５は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、もしくはＣｒを主成分とし、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗのうち少なくとも一種類を含むＢＣＣ構造を有する（１００）配向のものである。また、ＢＣＣ下地層１０５は、（１００）配向した窒化物下地層１０６を形成するための下地層として機能するものである。なお、ＢＣＣ下地層１０５は、（１００）配向したＭｇＯ下地層１０７を形成するための下地層として形成されていてもよい。
【００２６】
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体においては、（１００）配向のＢＣＣ下地層１０５が形成されていることにより、ＢＣＣ下地層１０５上に形成された窒化物下地層１０６が（１００）配向したものとなっている。ＢＣＣ下地層１０５は、良好に（１００）配向した窒化物下地層１０６が容易に形成されるようにして、窒化物下地層１０６による磁性層１０８の配向を制御する機能を向上させるために、設けられる。
【００２７】
また、本発明の熱アシスト磁気記録媒体においては、配向制御層としてＢＣＣ下地層１０５に代えて、ＲｕＡｌやＮｉＡｌのようなＢ２構造を有するＢ２下地層を配置してもよい。Ｂ２下地層は、Ｂ２構造を有するので、（１００）配向を示している。このため、Ｂ２下地層は、ＢＣＣ下地層１０５と同様に、（１００）配向した窒化物下地層１０６を形成するための下地層として機能する。Ｂ２下地層は、（１００）配向したＭｇＯ下地層１０７を形成するための下地層として形成されていてもよい。
【００２８】
また、本発明の熱アシスト磁気記録媒体においては、必要に応じて、配向制御層としてＢＣＣ下地層および／またはＢ２下地層が複数層設けられていてもよい。
なお、ＢＣＣ下地層１０５およびＢ２下地層は、ＤＣ放電成膜法を用いて形成することができる。このことにより、ＢＣＣ下地層１０５およびＢ２下地層は、窒化物下地層１０６やＭｇＯ下地層１０７と比較して容易に膜厚の厚いものとすることができる。このため、ＢＣＣ下地層１０５およびＢ２下地層は、配向を制御する層のうち最も基板１０１側に配置される層として好ましい。
【００２９】
「下地層」
下地層１０は、主に磁性層１０８の結晶粒径や結晶配向、平坦性などを制御して、磁性層１０８の性能を向上させるものである。
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体における下地層１０は、ＢＣＣ下地層１０５上に形成されたものであり、窒化物下地層１０６とＭｇＯ下地層１０７とがこの順で積層されたものとされている。
【００３０】
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体においては、ＢＣＣ下地層１０５と磁性層１０８との間に、下地層１０が形成されているので、ＢＣＣ下地層１０５がＣｒもしくはＣｒを主成分とするものである場合に、ＢＣＣ下地層１０５から磁性層１０８にＣｒが拡散して、磁性層１０８の配向に支障を来たしたり、熱アシスト磁気記録媒体のノイズの原因となったりすることを防止でき、好ましい。
【００３１】
（窒化物下地層）
窒化物下地層１０６は、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含むものである。ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮは、（１００）配向のＮａＣｌ構造を有するものであり、（１００）配向したＭｇＯ下地層１０７を形成するための下地層として機能するものである。図１に示す下地層１０においては、（１００）配向した窒化物下地層１０６が形成されていることにより、窒化物下地層１０６上に形成されたＭｇＯ下地層１０７が（１００）配向したものとされている。
【００３２】
（１００）配向のＮａＣｌ構造を有するＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮは、磁性層１０８に使用されるＬ１０型結晶構造を有する合金との格子不整合が２０％以内と小さいものである。このため、窒化物下地層１０６上に、磁性層１０８を形成することにより、磁性層１０８に良好な（００１）配向をとらせることができる。なお、窒化物下地層１０６と磁性層１０８との間に、ＭｇＯ下地層１０７などの窒化物下地層１０６による配向制御効果を磁性層１０８に引継ぐ層が配置されている場合には、窒化物下地層１０６による配向制御効果が得られる。図１に示す下地層１０においては、（１００）配向した窒化物下地層１０６上にＭｇＯ下地層１０７が形成されているので、ＭｇＯ下地層１０７は（１００）配向したものとなっている。
【００３３】
窒化物下地層１０６は、ＭｇＯ下地層１０７の配向を効果的に制御できるものとするため、ＮａＣｌ構造を有するＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮにおける金属と窒素とが１：１で含有されているものであることが望ましいが、金属と窒素とが１：１ではない窒化物が若干量混在していても良い。
また、窒化物下地層１０６の厚みは、均一で良好な配向性を示す磁性層１０８を得るために、０．５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。窒化物下地層１０６の厚みが上記範囲未満である場合、ＭｇＯ下地層１０７の配向およびＭｇＯ下地層１０７上に配置される磁性層１０８の配向を制御する機能が十分に得られず、良好な磁性層１０８の（００１）配向が得られにくくなる。また、窒化物下地層１０６の厚みが上記範囲を超えると、窒化物下地層１０６の厚みが不均一になりやすく、窒化物下地層１０６上に形成されるＭｇＯ下地層１０７および磁性層１０８の平坦性が不十分となりやすくなる。
【００３４】
（ＭｇＯ下地層）
ＭｇＯ下地層１０７は、ＭｇＯを含むものであり、（１００）配向のＮａＣｌ構造を有するものである。ＭｇＯの格子定数は、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層１０８のａ軸長と近似している。具体的には、ＮａＣｌ構造のＭｇＯの格子定数は、０．４２１ｎｍであり、磁性層１０８の主成分として使用されるＬ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔのａ軸長は０．３８５ｎｍであり、Ｌ１０型結晶構造を有するＣｏＰｔのａ軸長は０．３８１ｎｍである。このため、ＭｇＯ下地層１０７上に、ＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とする磁性層１０８を形成することにより、磁性層１０８に良好な（００１）配向をとらせることができる。また、ＭｇＯ下地層１０７は、磁性層１０８に使用されるＬ１０型結晶構造を有する合金との格子不整合が、窒化物下地層１０６よりも小さいものである。
【００３５】
なお、ＭｇＯ下地層１０７と磁性層１０８との間に、窒化物下地層１０６などのＭｇＯ下地層１０７による配向制御効果を磁性層１０８に引継ぐ層が配置されている場合には、ＭｇＯ下地層１０７による配向制御効果が得られる。
【００３６】
また、ＭｇＯ下地層１０７の厚みは、均一で良好な配向性を示す磁性層１０８を得るために、０．５ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましい。ＭｇＯ下地層１０７の厚みが上記範囲未満である場合、磁性層１０８の配向を制御する機能が十分に得られず、良好な磁性層１０８の（００１）配向が得られにくくなる。また、ＭｇＯ下地層１０７の厚みが上記範囲を超えると、ＭｇＯ下地層１０７の厚みが不均一になりやすく、ＭｇＯ下地層１０７上に形成される磁性層１０８の平坦性が不十分となりやすくなる。
【００３７】
（下地層の製造方法）
次に、下地層の製造方法の一例として、図１に示す下地層１０の製造方法を例に挙げて説明する。
図１に示す下地層１０を形成するには、まず、窒化物下地層１０６となる窒化物膜を（１００）配向させるために、基板１０１上に、窒化物下地層１０６の下地層として機能する（１００）配向したＢＣＣ下地層１０５（配向制御層）を設ける。
（１００）配向したＢＣＣ下地層１０５は、具体的には例えば、２５０℃程度に加熱した基板１０１にＣｒ膜を成膜する方法などにより形成できる。
【００３８】
次いで、ＢＣＣ下地層１０５上に、窒化物下地層１０６をエピタキシャル成長させて形成することにより、（１００）配向した窒化物下地層１０６が得られる。窒化物下地層１０６は、例えば、窒化物ターゲットを用いたＲＦ放電成膜法や、それぞれの金属ターゲットとＮ２を含むガスとを用いたＤＣ放電成膜法を用いて形成できる。このようにして得られた窒化物下地層１０６は、窒化物下地層１０６上に形成される磁性層１０８との格子不整合が２０％以内であるものとなる。したがって、窒化物下地層１０６上に磁性層１０８を形成することよって磁性層１０８の結晶を効果的に制御できる。
【００３９】
次いで、窒化物下地層１０６上にＭｇＯ膜をエピタキシャル成長させて、ＭｇＯ下地層１０７を形成することにより、図１に示す下地層１０の形成が完成する。得られたＭｇＯ下地層１０７は、窒化物下地層１０６の配向制御効果によって、（１００）配向したものとなる。
【００４０】
このようにして配向制御層上に形成された下地層１０上には、例えば、以下に示す方法などにより、磁性層１０８が形成される。
すなわち、下地層１０の形成された基板１０１を４５０〜７００℃に加熱して、磁性層１０８となるＦｅＰｔ膜をエピタキシャル成長させる。本実施形態においては、下地層１０の配向制御効果によって、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔからなり、良好な（００１）配向を示す磁性層１０８が形成される。
なお、下地層１０の磁性層１０８に対する配向制御効果は、下地層１０として形成されている窒化物下地層１０６とＭｇＯ下地層１０７との格子定数が異なっていることにより、効果的に機能すると推定される。したがって、下地層１０として窒化物下地層１０６とＭｇＯ下地層１０７とが設けられている場合、格子定数が同じ複数層からなる下地層が設けられている場合と比較して、良好な（００１）配向を示す磁性層１０８が形成される。
【００４１】
（他の例）
なお、本発明の熱アシスト磁気記録媒体は、配向制御層と、配向制御層上に形成された下地層１０と、下地層１０上に形成された磁性層１０８とを有するものであればよく、下地層１０を構成する各層の積層順序や積層数は設計に応じて任意に選択でき、図１に示す例に限定されるものではない。
具体的には例えば、下地層１０は、図１に示すように、ＢＣＣ下地層１０５上に窒化物下地層１０６とＭｇＯ下地層１０７とがこの順で積層されたものであってもよいし、ＭｇＯ下地層１０７および／または窒化物下地層１０６が２層以上積層されているものであってもよい。
【００４２】
なお、図１に示すように、窒化物下地層１０６上にＭｇＯ下地層１０７が形成されている場合、ＭｇＯ下地層１０７と磁性層１０８との距離が近いものとなるので、ＭｇＯ下地層１０７による磁性層１０８に対する配向制御効果がより効果的に機能する。また、ＭｇＯ下地層１０７は、窒化物下地層１０６と比較して磁性層１０８との格子不整合が小さいものであるため、窒化物下地層１０６、ＭｇＯ下地層１０７、磁性層１０８の順に積層されることにより、窒化物下地層１０６の下層に形成されている配向制御層（図１においてはＢＣＣ下地層１０５）と磁性層１０８との格子不整合が段階的に解消されることになる。その結果、窒化物下地層１０６とＭｇＯ下地層１０７とによる配向制御機能の相乗効果がより効果的に得られ、磁性層１０８の配向をより良好なものとすることができる。したがって、高保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）を示す熱アシスト磁気記録媒体を得るためには、窒化物下地層１０６上にＭｇＯ下地層１０７が形成されていることが好ましい。
【００４３】
また、ＭｇＯ下地層１０７上に窒化物下地層１０６が形成されている場合、窒化物下地層１０６と磁性層１０８との距離が近いものとなるので、窒化物下地層１０６による磁性層１０８に対する配向制御効果がより効果的に機能する。窒化物下地層１０６は、ＭｇＯ下地層１０７と比較して磁性層１０８との格子不整合は大きいものであるが、良好な（１００）配向が維持されているものであるため、磁性層１０８の配向を良好なものとすることができ、高い保磁力と十分なＳＮＲが得られる。
また、ＭｇＯ下地層１０７は水に溶けるため、高温高湿条件によるコロージョンが起こりやすい。ＭｇＯ下地層１０７上に窒化物下地層１０６が形成されている場合、窒化物下地層１０６によってＭｇＯ下地層１０７が保護されるため、高温高湿条件によるコロージョンの発生が防止され、コロージョン特性が良好なものとなる。
【００４４】
また、本発明においては、熱アシスト磁気記録媒体の書き込み特性を向上させるために、図１に示す基板１０１と配向制御層１０５との間に、軟磁性下地層を形成してもよい。基板１０１と配向制御層１０５の間に軟磁性下地層を形成した場合、磁性層１０８に印加される磁界勾配を高めることができ、磁気記録再生装置に備えられた場合に磁気ヘッドからの磁界を効率よく磁性層１０８に印加できる。
【００４５】
この軟磁性下地層は、非晶質合金でもよいし、微結晶や多結晶合金であってもよい。さらに、軟磁性下地層は、Ｒｕを介して反強磁性結合した積層軟磁性下地層であってもよいし、単層であってもよい。軟磁性下地層の材料として、具体例には、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅＴａ、ＣｏＦｅＴａＺｒ、ＣｏＦｅＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＴａ、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＮｉＺｒ、ＦｅＡｌＳｉなどが挙げられる。
【００４６】
「磁性層」
磁性層１０８は、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を主成分とするものである。高記録密度を達成するためには、磁性層１０８は、粒界偏析材料で分離された数ｎｍの磁性粒子で形成されていることが好ましいが、磁性粒子の体積が小さくなり熱的に不安定になる。そのため、本実施形態においては、磁性層１０８の主成分として、磁気異方性エネルギーの高いＬ１０型結晶構造を有する合金が用いられる。
【００４７】
磁性層１０８は、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金もしくはＣｏＰｔ合金を主成分とし、かつ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を含有するものであることが好ましい。
【００４８】
本実施形態においては、磁性粒子の大きさや粒子間の交換結合を制御するため、ＦｅＰｔもしくはＣｏＰｔなどのＬ１０型結晶構造を有する合金に、偏析材料として添加物を含有させている。添加物としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃから選択される少なくとも一種類の酸化物、もしくは元素を用いる。このような添加物を含有させることにより、グラニュラー構造の磁性層１０８となり、粒子間の交換結合を低減できると共に、磁性粒子を微細化することができ、熱アシスト磁気記録媒体のＳＮＲをより一層改善できる。
【００４９】
本発明においては、熱アシスト磁気記録媒体の書き込み特性をさらに改善するために、磁性層１０８の上にキャップ層を形成してもよい。キャップ層としては、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉを主成分とする合金を用いることができる。キャップ層は、室温において強磁性を失わない範囲でその他の添加元素を含むものであってもよい。キャップ層は、結晶質合金でもよいし、非晶質合金を使ってもよい。
【００５０】
「保護膜」
保護膜１０９としては、耐熱性に優れる材料からなるものであること望ましく、単層または複数層のカーボン膜などを用いることができる。カーボン膜としては、水素や窒素、金属を添加したものを用いてもよい。カーボン膜は、ＣＶＤ法やイオンビーム法によって形成できる。
「潤滑剤層」
潤滑剤層１１０としては、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層などを用いることができる。
【００５１】
図１に示す熱アシスト磁気記録媒体は、基板１０１上に形成された配向制御層（図１においてはＢＣＣ下地層１０５）と、配向制御層上に形成された下地層１０と、下地層１０上に形成されたＬ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層１０８とを有し、下地層１０が、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層１０７と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層１０６とを含むものであるため、磁性層１０８が、良好な（００１）配向を有しているものとなる。
【００５２】
より詳細には、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体においては、ＢＣＣ下地層１０５による磁性層１０８の配向制御効果と、磁性層１０８との格子不整合の小さい窒化物下地層１０６による磁性層１０８の配向制御効果と、格子定数が磁性層１０８のａ軸長と近似しているＭｇＯ下地層１０７による磁性層１０８の配向制御効果との相乗効果によって、磁性層１０８の配向が高精度で制御されているので、良好な（００１）配向を有する磁性層１０８が得られる。その結果、本発明の熱アシスト磁気記録媒体は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを示すものとなる。
【００５３】
また、本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体では、窒化物下地層１０６が配向制御層であるＢＣＣ下地層１０５上に形成されているので、容易に良好な配向を有する窒化物下地層１０６が得られる。このため、窒化物下地層１０６上に良好な（００１）配向を有する磁性層１０８が形成されたものとなる。
また、ＭｇＯ下地層１０７がＢＣＣ下地層１０５上に形成されている場合には、容易に良好な配向を有するＭｇＯ下地層１０７が得られるため、ＭｇＯ下地層１０７上に良好な（００１）配向を有する磁性層１０８が形成された熱アシスト磁気記録媒体となる。
【００５４】
本実施形態の熱アシスト磁気記録媒体において、配向制御層としてＢ２下地層が形成されており、Ｂ２下地層上に窒化物下地層１０６およびＭｇＯ下地層１０７が形成されている場合にも、容易に良好な配向を有する窒化物下地層１０６およびＭｇＯ下地層１０７が得られ、良好な（００１）配向を有する磁性層１０８が得られる。
【００５５】
［マイクロ波アシスト磁気記録媒体］
本発明の磁気記録媒体は、マイクロ波アシスト磁気記録媒体にも適用可能である。
本実施形態のマイクロ波アシスト磁気記録媒体としては、例えば、基板上に、ＢＣＣ下地層（配向制御層）と下地層と磁性層とがこの順で積層されたものが挙げられる。ＢＣＣ下地層（配向制御層）と下地層と磁性層としては、上述した図１に示す熱アシスト磁気記録媒体と同様のものを用いることができる。
マイクロ波アシスト磁気記録媒体においては、媒体表面を加熱しないためヒートシンク層は必要としない。図１に示す磁気記録媒体の場合、ヒートシンク層１０３を除くこともできるし、密着層１０２上に直接ＢＣＣ下地層１０５を形成することもできる。
【００５６】
このようなマイクロ波アシスト磁気記録媒体では、上述した図１に示す熱アシスト磁気記録媒体と同様に、Ｌ１０型結晶構造を有する合金を主成分とする磁性層が良好な（００１）配向を有しているものとなる。このため、本実施形態のマイクロ波アシスト磁気記録媒体は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを示すものとなる。
【００５７】
［磁気記録再生装置］
次に、本発明の磁気記録再生装置について説明する。図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例を示した斜視図であり、図４は、図３に示す磁気記録再生装置に備えられた磁気ヘッドの構成を模式的に示した断面図である。
図３に示す磁気記録再生装置は、本発明の熱アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体３０１と、磁気記録媒体３０１を回転させ、記録方向に駆動する媒体駆動部３０２と、磁気記録媒体３０１に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド３０３と、磁気ヘッド３０３を磁気記録媒体３０１に対して相対移動させるヘッド駆動部３０４と、磁気ヘッド３０３への信号入力と磁気ヘッド３０３からの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系３０５とから概略構成されている。
【００５８】
図３に示す磁気記録再生装置に備えられている磁気ヘッド３０３は、図４に示すように、記録ヘッド４０８と再生ヘッド４１１とから概略構成されている。記録ヘッド４０８は、主磁極４０１と、補助磁極４０２と、磁界を発生させるためのコイル４０３と、レーザーダイオード（ＬＤ）４０４と、ＬＤ４０４から発生したレーザー光４０５を先端部に設けられた近接場発生素子４０６へと導く導波路４０７とを備えている。再生ヘッド４１１は、一対のシールド４０９で挟み込まれたＴＭＲ素子等の再生素子４１０を備えている。
【００５９】
そして、図３に示す磁気記録再生装置では、磁気ヘッド３０３の近接場発生素子４０６から発生した近接場光を磁気記録媒体３０１に照射し、その表面を局所的に加熱して上記磁性層の保磁力を一時的にヘッド磁界以下まで低下させて書き込みを行う。
【００６０】
図３に示す磁気記録再生装置は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを有する本発明の熱アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体３０１を備えているので、エラーレートの低いものとなる。
【００６１】
［磁気記録再生装置（他の例）］
次に、本発明の磁気記録再生装置の他の例について説明する。
本発明の磁気記録再生装置は、マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備えるものであってもよい。このような磁気記録再生装置としては、例えば、マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、磁気記録媒体にマイクロ波を照射する素子と、磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備えるものが挙げられる。
【００６２】
マイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備える磁気記録再生装置では、マイクロ波を照射する素子から磁気記録媒体にマイクロ波を照射することにより、磁気記録媒体の磁性層にマイクロ波帯の交流磁場を印加して磁化方向を磁化容易軸から傾け、磁性層の磁化を局所的に反転させて磁気ヘッドにより磁気情報の書き込みを行う。
このような磁気記録再生装置は、高い保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを有する本発明のマイクロ波アシスト磁気記録媒体からなる磁気記録媒体を備えているので、エラーレートが低く、優れた記録再生特性が得られるものとなる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例により本発明の効果をより詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は、本発明の磁気記録媒体を説明するための代表例であり、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
（実施例１−１〜１−５）
以下に示す方法により、図１に示す熱アシスト磁気記録媒体を製造した。
【００６４】
まず、２．５インチガラス基板１０１上に、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み４０ｎｍの密着層１０２を成膜し、続けてＡｇからなる厚み３０ｎｍのヒートシンク層１０３、続けてＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み３０ｎｍのシード層１０４を成膜した。
その後、基板１０１を２５０℃まで加熱して、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｖからなる厚み３０ｎｍのＢＣＣ下地層１０５（配向制御層）（第一下地層）と、ＴａＮからなる厚み５ｎｍの窒化物下地層１０６（第二下地層）と、ＭｇＯからなる厚み５ｎｍのＭｇＯ下地層１０７（第三下地層）とを順次形成した。
【００６５】
次に、基板を６８０℃まで加熱して（Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ）−１４ｍｏｌ％ＳｉＯ２からなる厚み８ｎｍの磁性層１０８を形成し、磁性層１０８上にダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ））からなる厚み３．５ｎｍの保護膜１０９を形成し、パーフルオロポリエーテルからなる厚み１．５ｎｍの液体潤滑剤層１１０を塗布した。
以上の工程により、実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
【００６６】
このようにして得られた実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体について、Ｘ線回折で測定を行った。その結果、磁性層において、Ｌ１０−ＦｅＰｔ（００１）およびＬ１０−ＦｅＰｔ（００２）のピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ（２００）の混合ピークが確認された。また、Ｃｒ−２０ａｔ％ＶからなるＢＣＣ下地層１０５は（１００）配向を示しており、その上に形成されたＴａＮからなる窒化物下地層１０６と、ＭｇＯからなるＭｇＯ下地層１０７も（１００）配向をしていることがわかった。このことから、ＦｅＰｔ合金からなる磁性層１０８はエピタキシャル成長していることが確認された。
【００６７】
続いて、実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体におけるＢＣＣ下地層１０５（配向制御層）（第一下地層）の材料を、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｗ（実施例１−２）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｍｏ（実施例１−３）、Ｒｕ−５０ａｔ％Ａｌ（Ｂ２下地層）（実施例１−４）、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ（Ｂ２下地層）（実施例１−５）に置き換え、他の層は全て実施例１と同様にして実施例１−２〜１−５の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
実施例１−１〜１−５の配向制御層（第一下地層）、窒化物下地層（第二下地層）、ＭｇＯ下地層（第三下地層）の材料を表１に示す。
【００６８】
【表１】
0006014385.tif 000002
【００６９】
（比較例１−１〜１−１１）
実施例１−１、１−２および１−４の熱アシスト磁気記録媒体におけるＭｇＯ下地層（第三下地層）を除き、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−１〜１−３の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
また、実施例１−１、１−２および１−４の熱アシスト磁気記録媒体における窒化物下地層（第二下地層）を除き、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−４〜１−６の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
さらに、実施例１−１、１−２および１−４の熱アシスト磁気記録媒体におけるＭｇＯ下地層および窒化物下地層を除き、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−７〜１−９の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
また、実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体におけるＢＣＣ下地層（第一下地層）とＭｇＯ下地層を除き、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−１０の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
【００７１】
実施例１−１の熱アシスト磁気記録媒体におけるＢＣＣ下地層と窒化物下地層を除き、他の層は全て実施例１−１と同様にして比較例１−１１の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
比較例１−１〜１−１１の配向制御層（第一下地層）、窒化物下地層（第二下地層）、ＭｇＯ下地層（第三下地層）の材料を表２に示す。
【００７２】
【表２】
0006014385.tif 000003
【００７３】
実施例１−１〜１−５、比較例１−１〜１−１１の熱アシスト磁気記録媒体について、以下に示す方法により、保磁力と電磁変換特性のシグナルノイズ比（ＳＮＲ）とを測定した。その結果を表１および表２に示す。
保磁力は、物理特性測定装置（ＰＰＭＳ）により室温で７Ｔの磁界を印加して測定した。また、電磁変換特性のＳＮＲは、レーザースポット加熱機構を搭載したヘッドを用い、スピンスタンドテスターにて測定を行った。
【００７４】
表１および表２に示すように、実施例１−１〜１−５の熱アシスト磁気記録媒体では、配向制御層が（ＢＣＣ下地層）Ｃｒ合金、（Ｂ２下地層）Ｒｕ−５０ａｔ％Ａｌ、（Ｂ２下地層）Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌのどれであっても３３ｋＯｅ以上の高い保磁力を示した。実施例１−１〜１−５の保磁力の値は、ＭｇＯ下地層と窒化物下地層のいずれか一方または両方のない比較例１−１〜１−１１に示す磁気記録媒体に比べて１０ｋＯｅ以上大きい。このことから、配向制御層と窒化物下地層とＭｇＯ下地層とを併せ持ち、ＭｇＯ下地層が窒化物下地層上に形成されている実施例１−１〜１−５では、保磁力を大きく改善できることがわかる。
【００７５】
また、実施例１−１〜１−５における熱アシスト磁気記録媒体では、ＳＮＲが１３ｄＢ以上を示しており、ＳＮＲが８．０ｄＢ〜１０．７ｄＢしか示さない比較例１−１〜１−１１の磁気記録媒体よりも高い。これは、配向制御層と窒化物下地層とＭｇＯ下地層とによって、磁性層１０８の（００１）配向が良くなったことに起因すると考えられる。
【００７６】
（実施例２−１〜２−９）
実施例１−１、１−２及び１−４の磁気記録媒体における磁性層１０８を膜厚９ｎｍの（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ−５ａｔ％Ａｇ）−３５ｍｏｌ％Ｃに置き換え、他の層は全て実施例１−１と同様にして実施例２−１〜２−３の磁気記録媒体を作製した。
次に、実施例２−１〜２−３の磁気記録媒体における窒化物下地層（第二下地層）をＮｂＮ層に置き換え、他の層は全て実施例２−１〜２−３のぞれぞれと同様にして実施例２−４〜２−６の磁気記録媒体とし、また、窒化物下地層をＨｆＮ層に置き換え、他の層は全て実施例２−１〜２−３のぞれぞれと同様にして実施例２−７〜２−９の磁気記録媒体を作製した。
【００７７】
実施例２−１〜２−９の配向制御層（第一下地層）、窒化物下地層（第二下地層）、ＭｇＯ下地層（第三下地層）の材料を表３に示す。
また、実施例２−１〜２−９の熱アシスト磁気記録媒体について、実施例１−１と同様にして保持力およびＳＮＲを測定した。その結果を表３に示す。
【００７８】
【表３】
0006014385.tif 000004
【００７９】
また、実施例２−１〜２−９の熱アシスト磁気記録媒体について、以下に示す方法により、表面粗さ（Ｒａ）とパーティクル数を測定した。その結果を表３に示す。
磁気記録媒体の表面粗さ（Ｒａ）は、Ｖｅｅｃｏ社製ＡＦＭのタッピングモードを用いて、１０μｍ視野で測定した。磁気記録媒体のパーティクル数の計測には、ＣＡＮＤＥＬＡ社製ＯＳＡ−６１００を用い、磁気記録媒体一面のパーティクル数として記した。
【００８０】
表３に示すように、窒化物下地層は、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮのどれであっても、保磁力とＳＮＲは高い値を示した。また、窒化物下地層がＴａＮである実施例２−１〜２−３の媒体は、同一の第一下地層で比べた場合、窒化物下地層がＮｂＮまたはＨｆＮである実施例２−４〜２−９の媒体よりもＳＮＲが高いことがわかる。一方、窒化物下地層がＮｂＮである実施例２−４〜２−６の媒体では、Ｒａが特に低く、窒化物下地層がＨｆＮである実施例２−７〜２−９の媒体は、パーティクル数が特に少ない。このことから、磁気記録媒体に求められる要求特性に合わせて、窒化物下地層である窒化物の種類を選択できる。
【００８１】
また、配向制御層（第一下地層）において、ＢＣＣ構造であるＣｒ合金とＢ２構造を持つＲｕＡｌを比較すると、保磁力やＳＮＲは同等であり、ＲａはＢＣＣ構造を示すＣｒ合金の方が低いことがわかる。このことから、第一下地層も磁気記録媒体に求められる要求特性に合わせて種類を選択できる。
【００８２】
（比較例２−１〜２−４）
実施例２−１、２−３の磁気記録媒体における第二下地層をＭｇＯ層に置き換え、他の層は全て実施例２−１、２−３と同様にして比較例２−１、２−２の磁気記録媒体とし、さらに、実施例２−１、２−３の磁気記録媒体における第三下地層をＴａＮ層に置き換え、他の層は全て実施例２−１、２−３と同様にして比較例２−３、２−４の磁気記録媒体とした。
このようにして作製した比較例２−１〜２−４の熱アシスト磁気記録媒体について、実施例１と同様にして保持力およびＳＮＲを測定した。その結果を表４に示す。
【００８３】
【表４】
0006014385.tif 000005
【００８４】
表４に示すように、下地層として、ＭｇＯ層を２層形成した比較例２−１、２−２およびＴａＮ層を２層形成した比較例２−３、２−４は、表３に示すＴａＮ層とＭｇＯ層とを有する実施例２−１、２−３と比較して、保磁力およびＳＮＲが低いことが分かる。
これは、下地層として、格子定数の異なるＴａＮ層とＭｇＯ層とを配置することにより、良好な配向を有する磁性層が得られたためと考えられる。
【００８５】
（実施例３−１〜３−７）
以下に示す方法により、図２の断面模式図に示す熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
２．５インチガラス基板２０１上に、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み４０ｎｍの密着層２０２を成膜し、続けてＣｕからなる厚み３０ｎｍのヒートシンク層２０３、続けてＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなる厚み３０ｎｍのシード層２０４を成膜した。
その後、基板２０１を２８０℃まで加熱して、Ｃｒ−２０ａｔ％Ｍｏからなる厚み３０ｎｍのＢＣＣ下地層２０５（配向制御層）（第一下地層）と、ＭｇＯからなる厚み５ｎｍのＭｇＯ下地層２０６（第二下地層）と、ＴａＮからなる厚み５ｎｍの窒化物下地層２０７（第三下地層）とを順次形成した。
【００８６】
次に、基板を６８０℃まで加熱して（Ｆｅ−５５ａｔ％Ｐｔ）−２０ｍｏｌ％ＴｉＯ２からなる厚み８ｎｍの磁性層２０８と、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｔａ−５ａｔ％Ｂからなる厚み  ２ｎｍのキャップ層２０９とを形成し、この上にダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ））からなる厚み３．５ｎｍの保護膜２１０を形成し、パーフルオロポリエーテルからなる厚み１．５ｎｍの液体潤滑剤層２１１を塗布した。
以上の工程により、実施例３−１の熱アシスト磁気記録媒体を得た。
【００８７】
また、実施例３−１の熱アシスト磁気記録媒体におけるＢＣＣ下地層２０５（配向制御層）材料を、Ｃｒ−５ａｔ％Ｍｏ（実施例３−２）、Ｃｒ−４５ａｔ％Ｍｏ（実施例３−３）、Ｃｒ−１５ａｔ％Ｔｉ（実施例３−４）、Ｃｒ−３５ａｔ％Ｖ（実施例３−５）、Ｒｕ−５０ａｔ％Ａｌ（Ｂ２下地層）（実施例３−６）、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ（Ｂ２下地層）（実施例３−７）に置き換え、他の層は、全て実施例３−１と同様にして実施例３−２〜３−７の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
実施例３−１〜３−７の配向制御層（第一下地層）、ＭｇＯ下地層（第二下地層）、窒化物下地層（第三下地層）の材料を表５に示す。
【００８８】
【表５】
0006014385.tif 000006
【００８９】
（比較例３−１〜３−４）
実施例３−１、３−６の熱アシスト磁気記録媒体における窒化物下地層（第三下地層）を除き、他の層は全て実施例３−１、３−６と同様にして、比較例３−１、３−２の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
また、実施例３−１、３−６の熱アシスト磁気記録媒体におけるＭｇＯ下地層（第二下地層）を除き、他の層は全て実施例３−１、３−６と同様にして比較例３−３、３−４の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
【００９０】
比較例３−１〜３−４の配向制御層（第一下地層）、ＭｇＯ下地層（第二下地層）、窒化物下地層（第三下地層）の材料を表６に示す。
実施例３−１〜３−７および比較例３−１〜３−４の熱アシスト磁気記録媒体について、実施例１−１と同様にして保持力およびＳＮＲを測定した。その結果を表５および表６に示す。
【００９１】
【表６】
0006014385.tif 000007
【００９２】
表５に示すように、実施例３−１〜３−７の磁気記録媒体における保磁力は、配向制御層（第一下地層）が表５に示すどの材料であっても３０ｋＯｅ以上と高く、ＳＮＲも１３ｄＢ以上であり、表６に示す比較例３−１〜３−４の磁気記録媒体の保磁力およびＳＮＲと比較して高かった。このことから、配向制御層と窒化物下地層とＭｇＯ下地層とを併せ持ち、窒化物下地層がＭｇＯ下地層上に形成されている実施例３−１〜３−７では、保磁力およびＳＮＲを改善できることがわかる。
また、表５に示すように、Ｃｒ−ＭｏからなるＢＣＣ下地層（配向制御層）を有する実施例３−１〜３−３の磁気記録媒体において比較すると、ＢＣＣ下地層に含まれるＭｏの含有量が少ないほど保磁力およびＳＮＲが高い傾向が見られた。
【００９３】
（実施例４−１〜４−６）
実施例３−１の熱アシスト磁気記録媒体における磁性層２０８を（Ｆｅ−４５ａｔ％Ｐｔ）−１８ｍｏｌ％ＳｉＯ２に置き換えて、実施例４−１の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。また、実施例４−１の熱アシスト磁気記録媒体における配向制御層（第一下地層）をＲｕ−５０ａｔ％Ａｌ（Ｂ２下地層）に置き換えて実施例４−２の磁気記録媒体を作製した。
【００９４】
また、実施例４−１、４−２の熱アシスト磁気記録媒体におけるＴａＮからなる窒化物下地層をＮｂＮに置き換えた実施例４−３、４−４と、ＨｆＮに置き換えた実施例４−５、４−６の熱アシスト磁気記録媒体を作製した。
実施例４−１〜４−６の熱アシスト磁気記録媒体の配向制御層（第一下地層）、ＭｇＯ下地層（第二下地層）、窒化物下地層（第三下地層）の材料を表７に示す。
【００９５】
【表７】
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【００９６】
また、実施例４−１〜４−６の熱アシスト磁気記録媒体について、実施例１−１と同様にして保持力およびＳＮＲを測定した。さらに、実施例４−１〜４−６の熱アシスト磁気記録媒体について、実施例２と同様にして表面粗さ（Ｒａ）とパーティクル数とを測定した。その結果を表７に示す。
【００９７】
表７に示すように、窒化物下地層は、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮのどれであっても、保磁力とＳＮＲは高い値を示した。また、窒化物下地層がＴａＮである実施例４−１〜４−２の媒体は、窒化物下地層がＮｂＮ、ＨｆＮである実施例４−３〜４−６の媒体よりもＳＮＲが高いことがわかる。また、窒化物下地層がＮｂＮである実施例４−３〜４−４の媒体では、Ｒａが特に低く、窒化物下地層がＨｆＮである実施例４−５〜４−６の媒体は、パーティクル数が特に少ない。このことから、磁気記録媒体に求められる要求特性に合わせて、窒化物下地層である窒化物の種類を選択できる。
【００９８】
（実施例５）
実施例１−１〜１−５、２−１〜２−９、４−１〜４−６、比較例１−１〜１−１１、２−１〜２−４の熱アシスト磁気記録媒体を図３に示す磁気記録再生装置の磁気記録媒体として用い、エラーレートを測定した。
エラーレートは、線記録密度１６００ｋＦＣＩ、トラック密度５００ｋＦＣＩ（面記録密度８００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２）の条件で記録して測定した。
その結果、実施例１−１〜１−５、２−１〜２−９、及び実施例４−１〜４−６の熱アシスト磁気記録媒体を組み込んだ磁気記憶装置は、１×１０−７以下の低いエラーレートを示した。また、比較例１−１〜１−１１、２−１〜２−４の熱アシスト磁気記録媒体を組み込んだ磁気記憶発生装置のエラーレートは１×１０−４程度であった。
【００９９】
以上より、基板上に、配向制御層と、ＭｇＯを含む（１００）配向を有するＭｇＯ下地層と、ＴａＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮから選ばれた少なくとも一つの窒化物を含む（１００）配向を有する窒化物下地層とを併せ持つ本発明の実施例である熱アシスト記録媒体を用いることにより、エラーレートの低い磁気記憶再生装置が得られることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明によれば、高保磁力と高いシグナルノイズ比（ＳＮＲ）を示す熱アシスト磁気記録媒体及びこれを備えた磁気記録再生装置を提供できる。
【符号の説明】
【０１０１】
１０１…基板、１０２…密着層、１０３…ヒートシンク層、１０４…シード層、１０５…ＢＣＣ下地層（配向制御層）、１０６…窒化物下地層（下地層）、１０７…ＭｇＯ下地層（下地層）、１０８…磁性層、１０９…保護膜、１１０…潤滑剤層、２０１…基板、２０２…密着層、２０３…ヒートシンク層、２０４…シード層、２０５…ＢＣＣ下地層（配向制御層）、２０６…ＭｇＯ下地層（下地層）、２０７…窒化物下地層（下地層）、２０８…磁性層、２０９…キャップ層、２１０…保護膜、２１１…潤滑剤層、３０１…磁気記録媒体、３０２…媒体駆動部、３０３…磁気ヘッド、３０４…ヘッド駆動部、３０５…記録再生信号処理系、４０１…主磁極、４０２…補助磁極、４０３…コイル、４０４…レーザーダイオード、４０５…レーザー光、４０６…近接場発生素子、４０７…導波路、４０８…記録ヘッド、４０９…シールド、４１０…再生素子、４１１…再生ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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