(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜が形成された半導体ウェーハを準備する半導体ウェーハ準備工程と、
ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液を貯留した槽の内部に、第１電極板と第２電極板とを前記懸濁液に浸漬した状態で対向して設置するとともに、前記第１電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハを前記ガラス被膜形成予定面が前記第１電極板側に向いた姿勢で配置した状態で、電気泳動法により前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成するガラス被膜形成工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記ガラス被膜形成工程においては、前記第１電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板を設置するとともに、前記リング状電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハを配置し、前記リング状電極板に前記第２電極板の電位よりも前記第１電極板の電位側に偏倚した電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記リング状電極板に前記第１電極板の電位と同じ電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リング状電極板に前記第１電極板の電位と前記第２電極板の電位との間の電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハの直径をＤ１（ｍｍ）とし、前記リング状電極板の開口の直径をＤ２（ｍｍ）としたとき、Ｄ２を、「Ｄ１（ｍｍ）−５０ｍｍ≦Ｄ２（ｍｍ）≦Ｄ１（ｍｍ）−１ｍｍ」の関係を満たす値に設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記リング状電極板は、「Ｄ１（ｍｍ）≦Ｄ３（ｍｍ）」の関係を満たす直径Ｄ３（ｍｍ）の仮想円を内包する外形形状を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェーハ準備工程は、
主面に平行なｐｎ接合を備える半導体ウェーハを準備する工程と、
前記半導体ウェーハの一方の表面から前記ｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内面に前記ｐｎ接合露出部を形成する工程と、
前記ｐｎ接合露出部を覆うように前記溝の内面に前記下地絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェーハ準備工程は、
半導体ウェーハの表面に前記ｐｎ接合露出部を形成する工程と、
前記ｐｎ接合露出部を覆うように前記半導体ウェーハの表面に前記下地絶縁膜を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記下地絶縁膜の膜厚は、５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜が形成された半導体ウェーハの表面に電気泳動法によりガラス被膜を形成するためのガラス被膜形成装置であって、
ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液を貯留するための槽と、
互いに対向した状態で前記槽の中に設置された第１電極板及び第２電極板と、
前記第１電極板と前記第２電極板との間に設置され、かつ、前記半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板と、
前記リング状電極板と前記第２電極板との間の所定位置に半導体ウェーハを配設するための半導体ウェーハ配設治具と、
前記第１電極板、前記第２電極板及び前記リング状電極板に、前記リング状電極板に印加する電位が前記第２電極板の電位よりも前記第１電極板の電位側に偏倚した電位となるような、電位を与える電源装置とを備えることを特徴とするガラス被膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気泳動法により半導体ウェーハの表面にガラス被膜を形成するガラス被膜形成工程を含む半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。従来の半導体装置の製造方法は、図１５及び図１６に示すように、「半導体ウェーハ準備工程」、「ガラス被膜形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体ウェーハ切断工程」をこの順序で含む。以下、従来の半導体装置の製造方法を工程順に説明する。【０００３】
（ａ）半導体ウェーハ準備工程
まず、ｎ−型半導体ウェーハ（ｎ−型シリコンウェーハ）９１０の一方の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ＋型拡散層９１２を形成するとともに、他方の表面からのｎ型不純物の拡散によりｎ＋型拡散層９１４を形成して、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体ウェーハを形成する。その後、熱酸化によりｐ＋型拡散層９１２及びｎ＋型拡散層９１４の表面に酸化膜９１６，９１８を形成する（図１５（ａ）参照。）。【０００４】
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜９１６の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体ウェーハのエッチングを行い、半導体ウェーハの一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝９２０を形成する（図１５（ｂ）参照。）。【０００５】
（ｂ）ガラス被膜形成工程
次に、溝９２０の表面に、電気泳動法により溝９２０の内面及びその近傍の半導体ウェーハ表面にガラス被膜９２４を形成するとともに、当該ガラス被膜９２４を焼成することにより、ガラス被膜９２４を緻密化する（図１５（ｃ）参照。）。【０００６】
なお、従来の半導体装置の製造方法においては、電気泳動法によりガラス被膜９２４を形成するにあたって、図１７に示すように、ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液１２を貯留した槽１０の内部に、マイナス端子に接続された第１電極板１４とプラス端子に接続された第２電極板１６とを懸濁液１２に浸漬した状態で対向して設置するとともに、これら第１電極板１４と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷをガラス被膜形成予定面（図１７では溝の内面）が第１電極板１４側に向いた姿勢で配置した状態で電気泳動法によりガラス被膜形成予定面にガラス被膜９２４を形成する。ガラス微粒子としては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２を主成分とする硼珪酸鉛系ガラスを用いる。【０００７】
（ｃ）酸化膜除去工程
次に、ガラス被膜９２４の表面を覆うようにフォトレジスト９２６を形成した後、当該フォトレジスト９２６をマスクとして酸化膜９１６のエッチングを行い、Ｎｉめっき電極膜を形成する部位９３０における酸化膜９１６を除去する（図１５（ｄ）及び図１６（ａ）参照。）。【０００８】
（ｄ）粗面化領域形成工程
次に、Ｎｉめっき電極膜を形成する部位９３０における半導体ウェーハ表面の粗面化処理を行い、Ｎｉめっき電極と半導体ウェーハとの密着性を高くするための粗面化領域９３２を形成する（図１６（ｂ）参照。）。【０００９】
（ｅ）電極形成工程
次に、半導体ウェーハにＮｉめっきを行い、粗面化領域９３２上にアノード電極９３４を形成するとともに、半導体ウェーハの他方の表面にカソード電極９３６を形成する（図１６（ｃ）参照。）。【００１０】
（ｆ）半導体ウェーハ切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス被膜９２４の中央部において半導体ウェーハを切断して半導体ウェーハをチップ化して、メサ型半導体装置（ｐｎダイオード）を作成する（図１６（ｄ）参照。）。【００１１】
従来の半導体装置の製造方法によれば、溝９２０の内部にガラス被膜９２４を形成した後半導体ウェーハを切断することにより、高信頼性のメサ型半導体装置を製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−８７９５５号公報
【特許文献２】国際公開第２０１３／１６８３１４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、従来の半導体装置の製造方法において、半導体装置のＢＴ耐量（高温逆バイアス耐量）などを向上させるために、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行うことが、本発明の発明者らにより提案されている（例えば、特許文献２参照。）。【００１４】
しかしながら、本発明の発明者らの研究により、上記のように、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合には、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率が低下することから、半導体ウェーハの外周部から切断分離された半導体装置の絶縁性（逆方向特性）が低下し当該半導体装置の信頼性が低下する場合がある。その結果、半導体ウェーハ全面にわたって高信頼性の半導体装置を製造することが困難となることから、高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが困難となる場合があるという問題があることがわかった。【００１５】
そこで、本発明は、上記した問題を解決するためになされたもので、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能な半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
［１］本発明の半導体装置の製造方法は、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜が形成された半導体ウェーハを準備する半導体ウェーハ準備工程と、ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液を貯留した槽の内部に、第１電極板と第２電極板とを前記懸濁液に浸漬した状態で対向して設置するとともに、前記第１電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハを前記ガラス被膜形成予定面が前記第１電極板側に向いた姿勢で配置した状態で、電気泳動法により前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成するガラス被膜形成工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記ガラス被膜形成工程においては、前記第１電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板を設置するとともに、前記リング状電極板と前記第２電極板との間に前記半導体ウェーハを配置し、前記リング状電極板に前記第２電極板の電位よりも前記第１電極板の電位側に偏倚した電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することを特徴とする。【００１７】
［２］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記リング状電極板に前記第１電極板の電位と同じ電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することが好ましい。【００１８】
［３］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記リング状電極板に前記第１電極板の電位と前記第２電極板の電位との間の電位を与えた状態で前記ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することが好ましい。【００１９】
［４］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体ウェーハの直径をＤ１（ｍｍ）とし、前記リング状電極板の開口の直径をＤ２（ｍｍ）としたとき、Ｄ２を、「Ｄ１（ｍｍ）−５０ｍｍ≦Ｄ２（ｍｍ）≦Ｄ１（ｍｍ）−１ｍｍ」の関係を満たす値に設定することが好ましい。【００２０】
［５］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記リング状電極板は、「Ｄ１（ｍｍ）≦Ｄ３（ｍｍ）」の関係を満たす直径Ｄ３（ｍｍ）の仮想円を内包する外形形状を有することが好ましい。【００２１】
［６］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体ウェーハ準備工程は、主面に平行なｐｎ接合を備える半導体ウェーハを準備する工程と、前記半導体ウェーハの一方の表面から前記ｐｎ接合を超える深さの溝を形成することにより、前記溝の内面に前記ｐｎ接合露出部を形成する工程と、前記ｐｎ接合露出部を覆うように前記溝の内面に前記下地絶縁膜を形成する工程とを含むことが好ましい。【００２２】
［７］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記半導体ウェーハ準備工程は、半導体ウェーハの表面に前記ｐｎ接合露出部を形成する工程と、前記ｐｎ接合露出部を覆うように前記半導体ウェーハの表面に前記下地絶縁膜を形成する工程とを含むことが好ましい。【００２３】
［８］本発明の半導体装置の製造方法においては、前記下地絶縁膜の膜厚は、５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内にあることが好ましい。【００２４】
［９］本発明のガラス被膜形成装置は、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜が形成された半導体ウェーハの表面に電気泳動法によりガラス被膜を形成するためのガラス被膜形成装置であって、ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液を貯留するための槽と、互いに対向した状態で前記槽の中に設置された第１電極板及び第２電極板と、前記第１電極板と前記第２電極板との間に設置され、かつ、前記半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板と、前記リング状電極板と前記第２電極板との間の所定位置に半導体ウェーハを配設するための半導体ウェーハ配設治具と、前記第１電極板、前記第２電極板及び前記リング状電極板に、前記リング状電極板に印加する電位が前記第２電極板の電位よりも前記第１電極板の電位側に偏倚した電位となるような、電位を与える電源装置とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１電極板と第２電極板との間に、半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板を設置するとともに、リング状電極板と第２電極板との間に半導体ウェーハを配置し、リング状電極板に、第２電極板の電位よりも第１電極板の電位側に偏倚した電位を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することとしたことから（後述する図３及び図６参照。）、半導体ウェーハの外周部においては、半導体ウェーハの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れを半導体ウェーハのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正することが可能となる（後述する図５及び図９中符号Ｃが示す部分参照。）。その結果、本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。【００２６】
また、本発明のガラス被膜形成装置によれば、第１電極板と第２電極板との間に、半導体ウェーハの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板を設置するとともに、リング状電極板と第２電極板との間に半導体ウェーハを配置し、リング状電極板に、第２電極板の電位よりも第１電極板の電位側に偏倚した電位を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することが可能となることから（後述する図３及び図６参照。）、半導体ウェーハの外周部においては、半導体ウェーハの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れを半導体ウェーハのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正することが可能となる（後述する図５及び図９中符号Ｃが示す部分参照。）。その結果、本発明のガラス被膜形成装置によれば、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１（ａ）〜図１（ｄ）は実施形態１に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図２】実施形態１に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図２（ａ）〜図２（ｄ）は実施形態１に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図３】実施形態１に係る半導体装置の製造方法におけるガラス被膜形成工程を説明するために示す図である。図３（ａ）はガラス被膜形成装置１を横方向から見た断面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線から見たガラス被膜形成装置１の断面図である。
【図４】リング状電極板１８の構造を説明するために示す図である。図４（ａ）は半導体ウェーハＷの直径Ｄ１を示す図であり、図４（ｂ）はリング状電極体１８の開口の直径Ｄ２及びリング状電極体１８の外径Ｄ３を示す図であり、図４（ｃ）は第２電極板１６の直径Ｄ４を示す図である。
【図５】比較例１及び２並びに実施形態１におけるガラス微粒子の流れを説明するために示す図である。図５（ａ）は比較例１におけるガラス微粒子の流れを示す図であり、図５（ｂ）は比較例２におけるガラス微粒子の流れを示す図であり、図５（ｃ）は実施形態１におけるガラス微粒子の流れを示す図である。
【図６】実施形態２に係る半導体装置の製造方法におけるガラス被膜形成工程を説明するために示す図である。図６（ａ）はガラス被膜形成装置２を横方向から見た断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ線から見たガラス被膜形成装置２の断面図である。
【図７】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図７（ａ）〜図７（ｄ）は実施形態３に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図８】実施形態３に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図８（ａ）〜図８（ｄ）は実施形態３に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図９】比較例３及び４並びに実施形態３におけるガラス微粒子の流れを説明するために示す図である。図９（ａ）は比較例３におけるガラス微粒子の流れを示す図であり、図９（ｂ）は比較例４におけるガラス微粒子の流れを示す図であり、図９（ｃ）は実施形態３におけるガラス微粒子の流れを示す図である。
【図１０】試験例の結果を示すである。図１０（ａ）は試料１（実施例）の結果を示す図であり、図１０（ｂ）は試料２（比較例）の結果を示す図である。
【図１１】試験例の結果を示すである。図１１（ａ）は試料３（実施例）の結果を示す図であり、図１１（ｂ）は試料４（比較例）の結果を示す図である。
【図１２】リング状電極板の変形例を説明するために示す図である。図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は各変形例（変形例１及び２）を示す図である。
【図１３】リング状電極板に与える電位Ｖ３の範囲を説明するために示す図である。図１３（ａ）は第１電極板の電位Ｖ１をマイナス電位とし第２電極板の電位Ｖ２をプラス電位としたときにおける電位Ｖ３の範囲を示す図であり、図１３（ｂ）は第１電極板の電位Ｖ１をプラス電位とし第２電極板の電位Ｖ２をマイナス電位としたときにおける電位Ｖ３の範囲を示す図である。
【図１４】変形例３に係る半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は変形例３に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図１５】従来の半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１５（ａ）〜図１５（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図１６】従来の半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の各工程を示す図である。
【図１７】従来の半導体装置の製造方法におけるにガラス被膜形成工程を説明するために示す図である。図１７（ａ）はガラス被膜形成装置９を横方向から見た断面図であり、図１７（ｂ）は図１７（ａ）のＡ−Ａ線から見たガラス被膜形成装置９の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００２９】
［実施形態１］
実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、図１及び図２に示すように、「半導体ウェーハ準備工程」、「ガラス被膜形成工程」、「酸化膜除去工程」、「粗面化領域形成工程」、「電極形成工程」及び「半導体ウェーハ切断工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態１に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
【００３０】
（ａ）半導体ウェーハ準備工程
まず、ｎ−型半導体ウェーハ（例えば直径４インチのｎ−型シリコンウェーハ）１１０の一方の表面からのｐ型不純物の拡散によりｐ＋型拡散層１１２を形成するとともに、他方の表面からのｎ型不純物の拡散によりｎ＋型拡散層１１４を形成して、主面に平行なｐｎ接合が形成された半導体ウェーハを準備する。その後、熱酸化によりｐ＋型拡散層１１２及びｎ＋型拡散層１１４の表面に酸化膜１１６，１１８を形成する（図１（ａ）参照。）。
【００３１】
次に、フォトエッチング法によって、酸化膜１１６の所定部位に所定の開口部を形成する。酸化膜のエッチング後、引き続いて半導体ウェーハのエッチングを行い、半導体ウェーハの一方の表面からｐｎ接合を超える深さの溝１２０を形成する（図１（ｂ）参照。）。このとき、溝の内面にｐｎ接合露出部Ａが形成される。
【００３２】
次に、ドライ酸素（ＤｒｙＯ２）を用いた熱酸化法によって、溝１２０の内面にシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜１２１を形成する（図１（ｃ）参照。）。下地絶縁膜１２１の厚さは、５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内（例えば２０ｎｍ）とする。下地絶縁膜１２１の形成は、半導体ウェーハを拡散炉に入れた後、酸素ガスを流しながら９００℃の温度で１０分処理することにより行う。下地絶縁膜１２１の厚さが５ｎｍ未満であるとＢＴ耐量低減の効果が得られなくなる場合がある。一方、下地絶縁膜１２１の厚さが６０ｎｍを超えると次のガラス被膜形成工程で電気泳動法によりガラス被膜を形成することができなくなる場合がある。
【００３３】
（ｂ）ガラス被膜形成工程
次に、電気泳動法により溝１２０の内面及びその近傍の半導体ウェーハ表面にガラス被膜１２４を形成するとともに、当該ガラス被膜１２４を焼成することにより、当該ガラス被膜１２４を緻密化する（図１（ｄ）参照。）。
【００３４】
なお、実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、電気泳動法によりガラス被膜１２４を形成するにあたって、基本的には、従来の半導体装置の製造方法の場合と同様にして、電気泳動法によりガラス被膜形成予定面にガラス被膜１２４を形成する。すなわち、図３に示すように、ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液１２を貯留した槽１０の内部に、マイナス端子に接続された第１電極板１４とプラス端子に接続された第２電極板１６とを懸濁液１２に浸漬した状態で対向して設置するとともに、これら第１電極板１４と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷをガラス被膜形成予定面（図３では溝の内面）が第１電極板１４側に向いた姿勢で配置した状態で、電気泳動法によりガラス被膜形成予定面にガラス被膜１２４を形成する。
【００３５】
但し、実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、従来の半導体装置の製造方法の場合とは異なり、第１電極板１４と第２電極板１６との間に、半導体ウェーハＷの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板１８を設置するとともに、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも低い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成する。
【００３６】
ガラス微粒子としては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２を主成分とする硼珪酸鉛系ガラスを用いる。溶媒としては、例えば、アセトンに硝酸を添加したものを用いる。第１電極板１４と第２電極板１６との間に印加する電圧としては、１０Ｖ〜８００Ｖ（例えば４００Ｖ）の電圧を与える。
【００３７】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、図３に示すように、リング状電極板１８に第１電極板１４の電位Ｖ１と同じ電位を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成する。
【００３８】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、リング状電極板１８の開口は、半導体ウェーハＷの直径をＤ１（ｍｍ）とし（図４（ａ）参照。）、リング状電極板１８の開口の直径をＤ２（ｍｍ）としたとき（図４（ｂ）参照。）、Ｄ２を、「Ｄ１（ｍｍ）−５０ｍｍ≦Ｄ２（ｍｍ）≦Ｄ１（ｍｍ）−１ｍｍ」の関係を満たす値に設定する。
【００３９】
また、リング状電極板の径方向の幅（リング状電極板１８の外径Ｄ３−リング状電極板１８の開口の直径Ｄ２）は、５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲内に設定する。そして、リング状電極板１８の外径Ｄ３は、第２電極板１６の直径Ｄ４（図４（ｃ）参照。）よりも小さく設定する。
【００４０】
ガラス被膜形成工程を実施するにあたっては、以下の構成を備えるガラス被膜形成装置、すなわち、ガラス微粒子を溶媒に懸濁させた懸濁液１２を貯留するための槽１０と、互いに対向した状態で槽１０の中に設置された第１電極板１４及び第２電極板１６と、第１電極板１４と第２電極板１６との間に設置され、かつ、半導体ウェーハＷの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板１８と、リング状電極板１８と第２電極板１６との間の所定位置に半導体ウェーハＷを配設するための半導体ウェーハ配設治具（図示せず。）と、第１電極板１４、第２電極板１６及びリング状電極板１８に、リング状電極板１８に印加する電位が第２電極板の電位よりも第１電極板の電位側に偏倚した電位となるような、電位を与える電源装置２０とを備えるガラス被膜形成装置（実施形態１に係るガラス被膜形成装置１）を用いる（図３参照。）。
【００４１】
（ｃ）酸化膜除去工程
次に、ガラス被膜１２４の表面を覆うようにフォトレジスト１２６を形成した後、当該フォトレジスト１２６をマスクとして酸化膜１１６のエッチングを行い、Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における酸化膜１１６を除去する（図２（ａ）参照。）。
【００４２】
（ｄ）粗面化領域形成工程
次に、Ｎｉめっき電極膜を形成する部位１３０における半導体ウェーハ表面の粗面化処理を行い、Ｎｉめっき電極と半導体ウェーハとの密着性を高くするための粗面化領域１３２を形成する（図２（ｂ）参照。）。
【００４３】
（ｅ）電極形成工程
次に、半導体ウェーハにＮｉめっきを行い、粗面化領域１３２上にアノード電極１３４を形成するとともに、半導体ウェーハの他方の表面にカソード電極１３６を形成する（図２（ｃ）参照。）。
【００４４】
（ｆ）半導体ウェーハ切断工程
次に、ダイシング等により、ガラス被膜１２４の中央部において半導体ウェーハを切断して半導体ウェーハをチップ化して、半導体装置（メサ型のｐｎダイオード）１００を製造する（図２（ｄ）参照。）。
【００４５】
以上のようにして、半導体装置（メサ型のｐｎダイオード）１００を製造することができる。
【００４６】
以下、図５を用いて、実施形態１に係る半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置の効果を説明する。なお、図５中、矢印はガラス微粒子の流れを示す。
【００４７】
比較例１に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハの溝の内面に下地絶縁膜を形成することなく半導体ウェーハの溝の内面にガラス被膜を形成する（図５（ａ）参照。）。また、比較例２に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハの溝の内面に下地絶縁膜を形成した後、当該下地絶縁膜上にガラス被膜を形成する。但し、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なり、リング状電極板を設置することなくガラス被膜を形成する（図５（ｂ）参照。）。これに対して、実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、リング状電極板を設置した状態でガラス被膜を形成する（図５（ｃ）参照。）。
【００４８】
実施形態１に係る半導体装置の製造方法においては、リング状電極板の働きにより、半導体ウェーハＷの外周部において、半導体ウェーハＷの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れが半導体ウェーハＷのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正される（図５（ｂ）及び図５（ｃ）中符号Ｃが示す部分参照。）。
【００４９】
以上説明したように、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、第１電極板１４と第２電極板１６との間に、半導体ウェーハＷの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板１８を設置するとともに、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも低い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することから（図３参照。）、半導体ウェーハＷの外周部においては、半導体ウェーハＷの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れを半導体ウェーハＷのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正することが可能となる（図５（ｂ）及び図５（ｃ）中符号Ｃが示す部分参照。）。その結果、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【００５０】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、リング状電極板１８に第１電極板１４の電位と同じ電位を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成するため、簡易な電源装置を用いてガラス被膜を形成することが可能となる。
【００５１】
また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法によれば、リング状電極板１８の開口の直径Ｄ２を「Ｄ１（ｍｍ）−５０ｍｍ≦Ｄ２（ｍｍ）≦Ｄ１（ｍｍ）−１ｍｍ」の関係を満たす大きさに設定することから、半導体ウェーハＷの外周部におけるガラス微粒子の流れを効果的に矯正することが可能となる。
【００５２】
実施形態１に係るガラス被膜形成装置１によれば、第１電極板１４と第２電極板１６との間に、半導体ウェーハＷの直径よりも小さな直径の開口を有するリング状電極板１８を設置するとともに、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも低い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することが可能となることから（図３参照。）、半導体ウェーハＷの外周部においては、半導体ウェーハＷの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れを半導体ウェーハＷのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正することが可能となる（図５（ｂ）及び図５（ｃ）中符号Ｃが示す部分参照。）。その結果、実施形態１に係るガラス被膜形成装置１によれば、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【００５３】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、ガラス被膜形成工程の内容が、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、図６に示すように、ガラス被膜形成工程において、リング状電極板１８に、第１電極板１４の電位Ｖ１（マイナス電位）と第２電極板１６の電位Ｖ２（プラス電位）との間の電位Ｖ３（例えば、Ｖ１よりも若干高いマイナス電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することとしている。
【００５４】
このように、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、ガラス被膜形成工程の内容が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも低い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することから、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【００５５】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法によれば、リング状電極板１８に第１電極板１４の電位Ｖ１と第２電極板１６の電位Ｖ２との間の電位Ｖ３を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することとしていることから、リング状電極板１８に与える電位Ｖ３を適宜の電圧に制御することにより、半導体ウェーハの外周部において被着効率の低下をより一層抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置をより一層高い生産性で製造することが可能となる。
【００５６】
ガラス被膜形成工程を実施するにあたっては、実施形態１で用いたガラス被膜形成装置１の電源装置２０を、リング状電極板１８に、第１電極板１４の電位Ｖ１と第２電極板１６の電位Ｖ２との間の任意の電位Ｖ３を与える電源装置２２に代えたガラス被膜形成装置２（実施形態２に係るガラス被膜形成装置２）を用いる。
【００５７】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なり、半導体装置としてプレーナ型のｐｎダイオードを製造する。また、これに対応して、図７及び図８に示すように、半導体ウェーハ準備工程が、半導体ウェーハＷの表面にｐｎ接合露出部を形成する工程と、当該ｐｎ接合露出部を覆うように半導体ウェーハＷの表面に下地絶縁膜２１８を形成する工程とを含む。
【００５８】
実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、図７及び図８に示すように、「半導体ウェーハ準備工程」、「ガラス被膜形成工程」、「エッチング工程」、「電極形成工程」及び「半導体ウェーハ切断工程」をこの順序で実施する。以下、実施形態３に係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。
【００５９】
（ａ）半導体ウェーハ準備工程
まず、ｎ＋型半導体ウェーハ２１０上にｎ−型エピタキシャル層２１２が積層された半導体ウェーハを準備する（図７（ａ）参照。）。
【００６０】
次に、マスクＭ１を形成した後、当該マスクＭ１を介してｎ−型エピタキシャル層２１２の表面における所定領域にイオン注入法によりｐ型不純物（例えばボロンイオン）を導入する。その後、熱拡散することにより、ｐ＋型拡散層２１４を形成する（図７（ｂ）参照。）。このとき、半導体ウェーハＷの表面にｐｎ接合露出部Ａが形成される。
【００６１】
次に、マスクＭ１を除去するとともにマスクＭ２を形成した後、当該マスクＭ２を介してｎ−型エピタキシャル層２１２の表面における所定領域にイオン注入法によりｎ型不純物（例えばヒ素イオン）を導入する。その後、熱拡散することにより、ｎ＋型拡散層２１６を形成する（図７（ｃ）参照。）。
【００６２】
次に、マスクＭ２を除去した後、ドライ酸素（ＤｒｙＯ２）を用いた熱酸化法によって、ｎ−型エピタキシャル層２１２の表面（及びｎ＋型シリコン基板２１０の裏面）にシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜２１８を形成する（図７（ｄ）参照。）。
【００６３】
下地絶縁膜２１８の厚さは、５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内（例えば２０ｎｍ）とする。下地絶縁膜２１８の形成は、半導体ウェーハＷを拡散炉に入れた後、酸素ガスを流しながら９００℃の温度で１０分処理することにより行う。下地絶縁膜２１８の厚さが５ｎｍ未満であるとＢＴ耐量低減の効果が得られなくなる場合がある。一方、下地絶縁膜２１８の厚さが６０ｎｍを超えると次のガラス層形成工程で電気泳動法によりガラス被膜を形成することができなくなる場合がある。
【００６４】
（ｂ）ガラス被膜形成工程
次に、下地絶縁膜２１８の表面に、電気泳動法により、実施形態１の場合と同様にガラス被膜２２０を形成し、その後、当該ガラス被膜２２０を焼成することにより、ガラス被膜２２０を緻密化する（図８（ａ）参照。）。
【００６５】
（ｃ）エッチング工程
次に、ガラス被膜２２０の表面にマスクＭ３を形成した後、ガラス被膜２２０のエッチングを行い（図８（ｂ）参照。）、引き続き、下地絶縁膜２１８のエッチングを行う（図８（ｃ）参照。）。これにより、ｎ−型エピタキシャル層２１２の表面における所定領域に下地絶縁膜２１８及びガラス被膜２２０が形成されることとなる。
【００６６】
（ｄ）電極形成工程
次に、マスクＭ３を除去した後、半導体ウェーハの表面におけるガラス被膜２２０で囲まれた領域にアノード電極２２２を形成するとともに、半導体ウェーハの裏面にカソード電極２２４を形成する。
【００６７】
（ｅ）半導体ウェーハ切断工程
次に、ダイシング等により、半導体ウェーハを切断して半導体ウェーハをチップ化して、半導体装置（プレーナ型のｐｎダイオード）２００を製造する（図８（ｄ）参照。）。
【００６８】
以上のようにして、半導体装置（プレーナ型のｐｎダイオード）２００を製造することができる。
【００６９】
以下、図９を用いて、実施形態３に係る半導体装置の製造方法の効果を説明する。なお、図９において、矢印はガラス微粒子の流れを示す。
【００７０】
比較例３に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハの表面に下地絶縁膜を形成することなく半導体ウェーハの溝の内面にガラス被膜を形成する（図９（ａ）参照。）。また、比較例２に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハの表面に下地絶縁膜を形成した後、当該下地絶縁膜上にガラス被膜を形成する。但し、実施形態３に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なり、リング状電極板を設置することなくガラス被膜を形成する（図９（ｂ）参照。）。これに対して、実施形態３に係る半導体装置の製造方法においては、リング状電極板を設置した状態でガラス被膜を形成する（図９（ｃ）参照。）。
【００７１】
実施形態３に係る半導体装置の製造方法においては、リング状電極板の働きにより、半導体ウェーハＷの外周部において、半導体ウェーハＷの径方向外側に向かって急な角度で流れるガラス微粒子の流れが、半導体ウェーハＷのガラス被膜形成予定面に向かって流れるガラス微粒子の流れに矯正される（図９（ｂ）及び図９（ｃ）中符号Ｃが示す部分参照。）。
【００７２】
以上説明したように、実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置としてプレーナ型のｐｎダイオードを製造する点で実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも低い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することから、半導体ウェーハＷの外周部においては、半導体ウェーハＷの径方向外側に向かうガラス微粒子の流れを半導体ウェーハＷのガラス被膜形成予定面に向かうガラス微粒子の流れに矯正することが可能となる（図９（ｂ）及び図９（ｃ）中符号Ｃが示す部分参照。）。その結果、実施形態３に係る半導体装置の製造方法によれば、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【００７３】
［実施形態４］
実施形態４に係る半導体装置の製造方法は、基本的には実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同様の工程を含むが、ガラス被膜形成工程で用いるガラス微粒子の組成が、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と異なる。すなわち、実施形態４に係る半導体装置の製造方法においては、ガラス被膜形成工程で用いるガラス微粒子として、硼珪酸鉛系ガラスからなるガラス微粒子の代わりに鉛フリーガラスからなるガラス微粒子を用いる。また、これに応じて、第１電極板１４にプラスの電位を与え、第２電極板１６にマイナスの電位を与えるとともに、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも高い電位）を与えた状態で、ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成する。
【００７４】
このように、実施形態４に係る半導体装置の製造方法は、ガラス被膜形成工程で用いるガラス微粒子の組成が実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合とは異なるが、リング状電極板１８と第２電極板１６との間に半導体ウェーハＷを配置し、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも高い電位）を与えた状態でガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成することから、実施形態１に係る半導体装置の製造方法の場合と同様に、半導体ウェーハとして、ガラス被膜形成予定面に下地絶縁膜を形成した半導体ウェーハを用いてガラス被膜形成工程を行う場合であっても、半導体ウェーハの外周部においてガラス微粒子の被着効率の低下を抑制することが可能となり、もって高信頼性の半導体装置を高い生産性で製造することが可能となる。
【００７５】
また、実施形態４に係る半導体装置の製造方法によれば、ガラス被膜形成工程で用いるガラス微粒子として、硼珪酸鉛系ガラスの代わりに鉛フリーガラスを用いることから、ガラス被膜を焼成してガラス被膜を緻密化する過程で半導体ウェーハとガラス被膜との境界面からの泡の発生を抑制するとともに、逆方向リーク電流の低い半導体装置を安定して製造することが可能となるという効果も得られる。
【００７６】
なお、実施形態４に係る半導体装置の製造方法においては、鉛フリーガラスからなるガラス微粒子として、例えば、次のようなガラス微粒子、すなわち、少なくともＳｉＯ２と、Ａｌ２Ｏ３と、Ｂ２Ｏ３と、ＺｎＯと、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯのうち少なくとも２つのアルカリ土類金属の酸化物とを含有し、かつ、Ｐｂと、Ａｓと、Ｓｂと、Ｌｉと、Ｎａと、Ｋとを実質的に含有しない原料を溶融させて得られる融液から作製されたガラス微粒子を用いる。
【００７７】
そのようなガラス微粒子としては、ＳｉＯ２の含有量が４１．１ｍｏｌ％〜６１．１ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ａｌ２Ｏ３の含有量が７．４ｍｏｌ％〜１７．４ｍｏｌ％の範囲内にあり、Ｂ２Ｏ３の含有量が５．８ｍｏｌ％〜１５．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＺｎＯの含有量が３．０ｍｏｌ％〜２４．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、アルカリ土類金属の酸化物の含有量が５．５ｍｏｌ％〜１５．５ｍｏｌ％の範囲内にあり、ニッケル酸化物の含有量が０．０１ｍｏｌ％〜２．０ｍｏｌ％の範囲内にあるものを好適に用いることができる。また、アルカリ土類金属の酸化物として、ＣａＯ含有量が２．８ｍｏｌ％〜７．８ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＭｇＯ含有量が１．１ｍｏｌ％〜３．１ｍｏｌ％の範囲内にあり、ＢａＯ含有量が１．７ｍｏｌ％〜４．７ｍｏｌ％の範囲内にあるものを好適に用いることができる。
【００７８】
溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコールと酢酸エチルの混合溶媒に硝酸を添加したものを用いる。
【００７９】
実施形態４に係る半導体装置の製造方法においては、ガラス被膜形成工程を実施するにあたって、ガラス被膜形成装置として実施形態１で用いたガラス被膜形成装置１を用いる。但し、ガラス被膜形成工程で用いるガラス微粒子として、硼珪酸鉛系ガラスからなるガラス微粒子の代わりに鉛フリーガラスからなるガラス微粒子を用いることから、上記したように、第１電極板１４にプラスの電位を与え、第２電極板１６にマイナスの電位を与えるとともに、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した電位（第２電極板１６の電位Ｖ２よりも高い電位）を与えた状態で、ガラス被膜形成予定面にガラス被膜を形成する。
【００８０】
［試験例］
以下、試験例により本発明をさらに具体的に説明する。
本試験例は、リング状電極板の効果を示す実施例である。
【００８１】
１．試料の調製
（１）試料１
まず、４インチのシリコンウェーハの表面を熱酸化することにより、表面に膜厚２７ｎｍの下地絶縁膜が形成されたシリコンウェーハを作製した。次に、基本的には実施形態１に記載したガラス被膜形成工程と同じガラス被膜形成工程によって、上記シリコンウェーハの下地絶縁膜上にガラス被膜を形成し、これを試料１（実施例）とした。
【００８２】
（２）試料２
まず、４インチのシリコンウェーハの表面を熱酸化することにより、表面に膜厚２７ｎｍの下地絶縁膜が形成されたシリコンウェーハを作製した。次に、リング状電極板を設置しないこと以外は、試料１の場合と同様のガラス被膜形成工程によって、上記シリコンウェーハの下地絶縁膜上にガラス被膜を形成し、これを試料２（比較例）とした。
【００８３】
（３）試料３
形成する下地絶縁膜の膜厚が４５ｎｍであること以外は試料１の場合と同様にして試料を作製し、これを試料３（実施例）とした。
【００８４】
（２）試料４
形成する下地絶縁膜の膜厚が４５ｎｍであること以外は試料２の場合と同様にして試料を作製し、これを試料４（比較例）とした。
【００８５】
２．評価方法
各試料（試料１〜４）の表面を顕微鏡で観察することによって、シリコンウェーハの外周部においてガラス被膜が形成されていない領域の幅（ガラス被膜非形成領域幅）を測定することにより、リング状電極板の効果を評価した。
【００８６】
３．評価結果
図１０は、試料１及び２についての評価結果を示す図である。図１１は、試料３及び４についての評価結果を示す図である。なお、これらの図中、符号Ｂはガラス被膜非形成領域幅を示す。
【００８７】
図１０及び図１１からも明らかなように、リング状電極板を設置した状態でガラス被膜を形成した試料（試料１及び３）は、リング状電極板を設置することなくガラス被膜を形成した試料（試料２及び４）に比べて、シリコンウェーハの外周部のガラス被膜非形成領域幅Ｂが狭く、シリコンウェーハの最外周近傍までガラス被膜が形成されていることが確認できた。
【００８８】
以上、本発明の半導体装置の製造方法及びガラス被膜形成装置を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【００８９】
（１）上記の各実施形態においては、リング状電極板１８として、第２電極板１６よりも小さな円形状の外形形状を有するリング状電極板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図１２（ａ）に示すように、第２電極板１６よりも大きな円形状の外形形状を有するリング状電極板（変形例１）を用いてもよい。また、図１２（ｂ）に示すように、第２電極板１６よりも大きな長方形状の外形形状を有するリング状電極板(変形例２）を用いてもよい。
【００９０】
（２）上記実施形態１においては、第１電極板１４及び第２電極板１６としてそれぞれマイナス電極板及びプラス電極板を用い、上記実施形態４においては、第１電極板１４及び第２電極板１６としてそれぞれプラス電極板及びマイナス電極板を用いたが、本発明の第１電極板及び第２電極板のどちらをマイナス電極板又はプラス電極板にするかは、ガラス微粒子、溶媒、添加電解質の種類や組み合わせによって適宜決定することができる。
【００９１】
（３）上記実施形態１においては、リング状電極板１８に第１電極板１４の電位Ｖ１と同じ電位を与えた状態でガラス被膜を形成し、上記実施形態２においては、リング状電極板１８に第１電極板１４の電位Ｖ１と第２電極板１６の電位Ｖ２との間の電位Ｖ３（Ｖ１よりも若干高いマイナス電位）を与えた状態でガラス被膜を形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。リング状電極板１８に与える電位の範囲は上記の実施形態１及び実施形態２に記載された範囲に限定されるものではない。
【００９２】
第１電極板１４及び第２電極板１６としてそれぞれマイナス電極板及びプラス電極板を用いた場合には、図１３（ａ）に示すように、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した所定の電位（例えば、第１電極板１４の電位Ｖ１よりも低い所定の電位、第１電極板１４の電位Ｖ１と同じ電位、第１電極板１４の電位Ｖ１と第２電極板１６の電位Ｖ２との間の所定の電位（但し、第２電極板１６の電位Ｖ２と同じ電位を除く）など。）を与えた状態でガラス被膜を形成してもよい。
【００９３】
一方、第１電極板１４及び第２電極板１６としてそれぞれプラス電極板及びマイナス電極板を用いた場合には、図１３（ｂ）に示すように、リング状電極板１８に、第２電極板１６の電位Ｖ２よりも第１電極板１４の電位Ｖ１側に偏倚した所定の電位（例えば、第１電極板１４の電位Ｖ１よりも高い所定の電位、第１電極板１４の電位Ｖ１と同じ電位、第１電極板１４の電位Ｖ１と第２電極板１６の電位Ｖ２との間の所定の電位（但し、第２電極板１６の電位Ｖ２と同じ電位を除く）など。）を与えた状態でガラス被膜を形成してもよい。
【００９４】
（４）上記の実施形態３においては、半導体ウェーハの表面に形成した下地絶縁膜の全面にガラス被膜を形成した後、ガラス被膜形成領域以外の領域についてガラス被膜をエッチングにより除去しているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、実施形態３の場合と同様に半導体ウェーハの表面に下地絶縁膜２１８を形成し（図７（ａ）〜図７（ｄ）参照。）、さらには、当該下地絶縁膜２１８の表面におけるガラス被膜形成領域以外の領域にマスクＭ４を形成した後、当該マスクＭ４を介して下地絶縁膜２１８の表面にガラス被膜２２０を形成してもよい（変形例３、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）参照。）。
【００９５】
（５）上記の各実施形態においては、半導体ウェーハとしてシリコンからなる半導体ウェーハ板を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＧａＯなどからなる半導体ウェーハを用いることもできる。
【符号の説明】
【００９６】
１，２，９…ガラス被膜形成装置、１０…槽、１２…懸濁液、１４…第１電極板、１６…第２電極板、１８…リング状電極板、２０，２２…電源装置、１００，２００，２０２，９００…半導体装置、１１０，９１０…ｎ−型半導体基板、１１２，９１２…ｐ＋型拡散層、１１４，９１４…ｎ−型拡散層、１１６，１１８，９１６，９１８…酸化膜、１２０，９２０…溝、１２１，２１８…下地絶縁膜、１２４，２２０，９２４…ガラス被膜、１２６，９２６…フォトレジスト、１３０，９３０…Ｎｉめっき電極膜を形成する部位、１３２，９３２…粗面化領域、１３４，９３４…アノード電極、１３６，９３６…カソード電極、２１０…ｎ＋型半導体基板、２１２…ｎ−型エピタキシャル層、２１４…ｐ＋型拡散層、２１６…ｎ＋型拡散層、２２２…アノード電極層、２２４…カソード電極層、Ｂ…ガラス被膜非形成領域幅、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４…マスク、Ｖ１…第１電極板の電位、Ｖ２…第２電極板の電位、Ｖ３…リング状電極板に与える電位
【図１】
0006029771.tif 000002
【図２】
0006029771.tif 000003
【図３】
0006029771.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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