(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記インプリント材とを接触させ、前記型と前記インプリント材との接触領域を広げる工程と、
前記接触領域の広がりに応じてアライメントマークを検出する検出器の位置を変化させることにより、前記基板上の互いに異なる場所に形成された複数の前記アライメントマークを順次検出する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記アライメントマークを順次検出する工程にて検出した検出結果に基づいて、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて変化した前記検出器の位置で検出された複数のアライメントマークの検出結果を統計処理して前記基板上のショット領域の形状に対する前記型に形成されたパターンの形状の補正量を算出し、前記補正量に基づいて前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記アライメントマークの検出は、前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて前記アライメントマークを順次検出し、前記検出器の位置を変化させる際に、前に検出された前記アライメントマークの位置から最も近くに存在する前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記アライメントマークの検出は、前記型と前記インプリント材との前記接触領域の広がりに応じて前記アライメントマークを順次検出し、前記検出器の位置を変化させる際に、前記型と前記インプリント材との前記接触領域が広がる順に前記アライメントマークを検出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記型と前記インプリント材の接触が完了する前に前記検出器が検出した前記アライメントマークに基づいて、前記型と前記インプリント材の接触が完了する前に、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記複数のアライメントマークを検出するごとに、順次、前記型に形成されたパターンの形状と前記基板上のショット領域の形状とを合わせる工程、または、前記型と前記基板との位置合わせする工程の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域を、前記基板上のショット領域の全体を観察することで判断する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
前記型と前記インプリント材との前記接触領域を広げる工程での前記型と前記インプリント材との接触の開始から完了までの時間に基づいて、前記検出器を変化させる位置を、前記接触領域を広げる工程の前に予め決定する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型の複数の領域を前記基板上の前記インプリント材に順次、接触させる工程と、
前記接触させる工程にて、前記型の複数の領域のうち、先に接触する領域に形成されたアライメントマークを検出器が検出した後、前記検出器の位置を変化させ、前記型の複数の領域のうち、後に接触する領域に形成されたアライメントマークを検出する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１１】
前記先に接触する領域は前記基板上のショット領域の中心を含む領域であり、前記後に接触する領域は前記ショット領域の一番外側の領域であることを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記接触させる工程で前記型を前記インプリント材に接触させている際に、前記検出器の位置を変化させることを特徴とする請求項１０または１１に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上のアライメントマークを検出する検出器と、
前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる際、前記検出器の位置を、前記型と前記インプリント材との接触する接触領域の広がりに応じて変化させながら、複数の前記アライメントマークを検出させる制御部と、
を備えるインプリント装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の物品の製造方法であって、前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程をさらに含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法およびインプリント装置、ならびにそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板（ウエハ）上の樹脂（インプリント材）を型（モールド）で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして光硬化法がある。このインプリント装置では、まず、基板上のインプリント領域であるショットにインプリント材として紫外線硬化樹脂を塗布する。次に、このインプリント材を型により成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが基板上に形成される。
【０００３】
ここで、ショット上に塗布された樹脂を型で成形する際、ショットの位置と型の位置とを精度良く重ね合わせる必要がある。特許文献１は、型に形成されているアライメントマークと基板上に形成されているアライメントマークとをそれぞれ別の検出手段で検出し、その相対的な位置情報に基づいて位置を合わせるインプリント方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８１０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、ショットの形状（具体的には、そのショット上にインプリント装置へ搬送される前の工程にて予め形成されている基板側パターンの形状）が変形している場合があり、その変形とのずれを型の成形前に補正しておくことが望ましい。すなわち、特許文献１に示すインプリント装置でも、ショットの変形成分、特に高次成分の補正を適切に行うためには、さらに複数の検出手段を用いてショット上の複数の位置（アライメントマーク）でアライメント計測を行い、統計処理を行う必要がある。しかしながら、特許文献１に示すインプリント装置では、スペースなどの制限により、ショット成分の補正に必要な数の検出手段（例えばアライメントスコープ）を配置することが難しい。そのため、補正が可能なショットの変形成分は、シフト成分、回転成分、または倍率成分など線形成分のみであり、弓形、樽形、または糸巻き形などに代表される高次成分の補正が困難であった。
【０００６】
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、型とインプリント材とを接触させ、型とインプリント材との接触領域を広げる工程と、接触領域の広がりに応じてアライメントマークを検出する検出器の位置を変化させることにより、基板上の互いに異なる場所に形成された複数のアライメントマークを順次検出する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】アライメントスコープの配置を示す図である。
【図３】ウエハ上の周辺ショットのアライメントを説明する図である。
【図４】インプリント処理時の動作シーケンスを示すフローチャートである。
【図５】ウエハ上のショットの配置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
まず、本発明の一実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の樹脂（インプリント材）にモールド（型）を用いてパターンを形成する装置である。ここでは、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用したインプリント装置とする。インプリント装置１は、インプリントサイクルを繰り返すことによりウエハ上に存在する複数のショット（パターン形成領域）に順次パターンを形成する。ここで、インプリントサイクルとは、モールドとウエハ上の樹脂とを押し付けた状態（接触させた状態）で該樹脂を硬化させることによって、ウエハ上の１つのショットにパターンを形成するサイクルである。また、以下の図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、光照射部２と、モールド保持機構３と、ウエハステージ４と、塗布部５と、アライメント検出系６と、制御部７とを備える。
【００１２】
光照射部２は、モールドＭを介して樹脂Ｒに紫外線１０を照射して樹脂Ｒを硬化させる。樹脂Ｒは、本実施形態では紫外線硬化樹脂とする。光照射部２は、光源部８と、光学系９とを含む。光源部８は、不図示であるが、紫外線１０（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生するハロゲンランプなどの光源と、この光源から発生された光を集光する楕円鏡とを含む。光学系９は、紫外線１０をショット上の樹脂Ｒに照射するためのレンズやアパーチャ、およびハーフミラー１１を含む。アパーチャは、画角制御や外周遮光制御のために使用される。画角制御によれば、目標とするショットのみを照明することができ、外周遮光制御によれば、紫外線１０がウエハＷの外形を超えて照射しないように紫外線１０を制限することができる。なお、光学系９は、モールドＭを均一に照明するためにオプティカルインテグレータを含む構成としてもよい。アパーチャによって範囲が規定された紫外線１０は、モールドＭを介してウエハＷ上の樹脂Ｒに入射する。さらに、本実施形態では、インプリント装置１は、ハーフミラー１１を介してショット全体を観察する観察スコープ１２を含む。この観察スコープ１２は、インプリントの処理状態（押し付け動作や充填の進み具合）の確認に使用される。
【００１３】
モールドＭは、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、ウエハＷに対する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン部を含む。このモールドＭは、樹脂Ｒを硬化するための紫外線１０を透過するために、紫外線１０の波長において透明な材料、例えば石英で形成される。
【００１４】
モールド保持機構３は、モールドＭを保持するモールドチャック１３と、モールドチャック１３（モールドＭ）を移動させるモールド駆動機構１４とを含む。なお、モールド駆動機構１４は、ブリッジ定盤１５に支持される。モールド駆動機構１４は、モールドＭの位置を６軸に関して制御する位置決め機構と、モールドＭとウエハＷ上の樹脂Ｒとを押し付けたり、モールドＭと硬化した樹脂Ｒとを分離したりする機構とを含む。ここで、６軸とは、モールドチャック１３の支持面（ウエハＷを支持する面）をＸＹ平面、それに直交する方向をＺ軸とするＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸およびそれらの各軸回りの回転である。さらに、モールド保持機構３は、モールドチャック１３に設置される倍率補正機構（形状補正機構）１６を含む。この倍率補正機構１６は、例えば、空気や油などの流体で作動するシリンダを用いてモールドＭを外周方向から加圧することによってモールドＭの形状を補正する。または、倍率補正機構１６は、モールドＭの温度を制御する温度制御部によってモールドＭの温度を制御し、モールドＭの形状を補正する。ウエハＷは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（一般的には、膨張または収縮）する。そこで、倍率補正機構１６は、このようなウエハＷの変形に応じて、オーバーレイ誤差が許容範囲に収まるようにモールドＭの形状を補正する。
【００１５】
ウエハＷは、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、またはガラス基板である。このウエハＷ上の複数のショットには、パターン部により樹脂Ｒのパターン（パターンを含む層）が成形される。複数のショットには、インプリント装置１に搬入される前に、前工程にて既にパターン（以下「基板側パターン」という）が形成されている。
【００１６】
ウエハステージ（基板保持部）４は、ウエハＷを真空吸着などにより引き付けて保持するウエハチャック１７と、ウエハチャック１７（ウエハＷ）を移動させるステージ駆動機構１８とを含む。ステージ駆動機構１８は、ウエハチャック１７の位置をモールド駆動機構１４と同様に、６軸を制御することによりウエハＷの位置を制御する位置決め機構を含む。
【００１７】
塗布部５（ディスペンサ）は、ウエハＷ上のショットに対して樹脂Ｒを塗布する。この塗布部５は、不図示であるが、樹脂Ｒを収容するタンクと、このタンクから供給路を通して供給される樹脂ＲをウエハＷに対して吐出するノズルと、供給路に設けられたバルブと、供給量制御部とを含む。供給量制御部は、１つのショットに樹脂Ｒが塗布されるようにバルブを制御し、ウエハＷへの樹脂Ｒの供給量を調整する。
【００１８】
アライメント検出系６は、複数（この場合、４つ）のアライメントスコープ（検出器）１９と、アライメントステージ機構２０とを含む。アライメントスコープ１９は、モールドＭとウエハＷとの位置合わせを行うために、モールドＭ上に形成されているアライメントマークＡＭＭとモールドＭを介してウエハＷに形成されているアライメントマークＡＭＷとを検出する。アライメントステージ機構２０は、ブリッジ定盤１５上に搭載され、複数のアライメントスコープ１９を個別に可動とし、アライメントスコープ１９による検出位置を変化させることができる。
【００１９】
図２は、アライメントスコープ１９の配置、およびモールドＭとウエハＷとにそれぞれ形成されているモールドＭ側アライメントマークＡＭＭとウエハＷ側アライメントマークＡＭＷとを示す図である。特に、図２（ａ）は、アライメントスコープ１９、モールドＭ、樹脂Ｒ、およびウエハＷの配置を示す概略断面図である。また、図２（ｂ）は、アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷをそれぞれ紫外線入射側から見たときの拡大図である。アライメントマークＡＭＭとアライメントマークＡＭＷとは、図２（ａ）に示す状態でモールドＭへの紫外線入射側から見たときに、互いに重ならないように配置される。さらに、図２（ｃ）は、紫外線入射側からモールドＭを見たときの複数のアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの配置を示す概略平面図である。特に、モールドＭの四隅にある領域１９ａ〜１９ｄは、アライメントスコープ１９の（特定の）検出対象の位置（検出位置）となる領域である。一方、図３は、ウエハＷ上のショットの配置を示す平面図である。ウエハＷは、その表面上に複数のショットＳを含み、各ショットＳ内に複数のアライメントマークＡＭＷが形成されている。
【００２０】
制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばコンピュータなどで構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくとも、アライメント検出系６、およびウエハステージ４の動作を制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２１】
さらに、インプリント装置１は、ウエハステージ４を載置し基準平面を形成する不図示の定盤と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤１５と、定盤から延設され、床面からの振動を除去する除振器を介してブリッジ定盤１５を支持する支柱とを備える。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、モールドＭを装置外部とモールド保持機構３との間で搬入出させるモールド搬送機構や、ウエハＷを装置外部とウエハステージ４との間で搬入出させる基板搬送機構などを含み得る。
【００２２】
次に、インプリント装置１によるインプリント方法について説明する。図４は、インプリント装置１による一連のインプリント処理の動作シーケンスを示すフローチャートである。まず、制御部７は、モールド搬送機構によりモールドＭをモールドチャック１３に搬送させ、位置決め後、モールドチャック１３にモールドＭを保持させる（ステップＳ１００）。ここで、制御部７は、モールドＭの設置後、アライメントステージ機構２０によりアライメントスコープ１９を移動させる。特に本実施形態では、制御部７は、アライメントスコープ１９による検出位置が、図２（ｃ）に示すようなショットの四隅にある領域１９ａ〜１９ｄに位置するように動作させる。
【００２３】
次に、制御部７は、基板搬送機構によりウエハＷをウエハチャック１７に搬送し、ウエハチャック１７によりウエハＷを保持させる（ステップＳ１０１）。ここで、ウエハＷには少なくとも１層のパターンがアライメントマークＡＭＷとともに予め形成されていることとする。制御部７は、アライメントスコープ１９により、モールドＭのアライメントマークＡＭＭを透過して、このアライメントマークＡＭＭとウエハＷのアライメントマークＡＭＷとの相対位置を計測させることとなる。
【００２４】
次に、制御部７は、アライメントステージ機構２０により、アライメントスコープ１９の移動を開始させる（ステップＳ１０２）。次に、制御部７は、アライメントスコープ１９の移動と同時に、今回の処理対象となるショットが塗布部５の塗布位置に位置するようにウエハステージ４を駆動させ、塗布部５により樹脂Ｒを塗布させる（ステップＳ１０３：塗布工程）。さらに、制御部７は、ショットがモールドＭとの押し付け位置に位置するようにウエハステージ４を駆動させる。
【００２５】
次に、制御部７は、ダイバイダイアライメント方式によりアライメント計測を実施させる（ステップＳ１０４）。このとき、制御部７は、アライメントスコープ１９によりモールドＭとウエハＷとの各アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷを撮像し、不図示の画像処理装置により各アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの相対位置を計測する。そして、制御部７は、各領域１９ａ〜１９ｄに対応した４つの位置における検出結果に基づいてモールドＭとウエハＷとのショット形状の差（座標、回転、倍率、台形成分など）を計測する。
【００２６】
次に、制御部７は、位置合わせと同時に、必要に応じて、モールドＭに形成されているパターン部の形状とウエハＷのショット形状（基板側パターンの形状）とを合わせるために、倍率補正機構１６によりモールドＭの形状を補正する（ステップＳ１０５）。次に、制御部７は、倍率補正機構１６の駆動誤差などにより誤差が生じる可能性があるため、形状差のトレランス判定を行う（ステップＳ１０６）。ここで、制御部７は、形状差がトレランス以上と判定した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１０４の戻り、アライメントの再計測を実施させ、形状差が予め定められたトレランス以下になるまでモールドＭの形状補正を実施させる。一方、制御部７は、ステップＳ１０６にて形状差がトレランス以下であると判定した場合には（ＹＥＳ）、次に、押し付け動作を開始させる（ステップＳ１０７：押型工程）。
【００２７】
次に、制御部７は、さらに精密な形状補正のため、押し付け動作中、すなわちモールドＭへの樹脂Ｒの充填中も順次アライメント計測を行う（ステップＳ１０８）。図５は、押し付け時の樹脂Ｒの充填状態、およびこの充填状態に伴うアライメント計測の検出位置を時系列に示す平面図である。このとき、アライメント計測の検出位置は、変更可能であり、図５における検出位置は、一例である。まず、制御部７は、以下に示すように、計測した値を統計処理し、ショットの変形分の補正値を算出し、位置合わせを行う。図５に示すように、充填される樹脂Ｒの接触領域は、接触が始まった中心から放射状に外側へ広がっていくことが分かる。このとき、樹脂Ｒの充填が完了した部分と完了していない部分では、例えば、色が異なっていたり、樹脂Ｒの屈折率などにより、計測条件が一定でない。そのため、樹脂Ｒの充填が完了した部分と完了していない部分との境界上のアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの計測データを補正に利用することはできない。したがって、制御部７は、樹脂Ｒの充填が完了したショット中心付近の領域１９ｅから放射状に外側に向かって順番に、樹脂Ｒの充填に合わせてアライメントスコープ１９を移動させ（ステップＳ１０９）、領域１９ｆ〜１９ｑの計測をさせる（ステップＳ１１０）。その際、制御部７は、樹脂Ｒの充填が完了した位置を判定するために、ショット全体を観察する観察スコープ１２を用いる。
【００２８】
まず、図５（ａ）に示す樹脂Ｒの充填の状態で、アライメントスコープ１９は、充填が完了したショット中心の領域１９ｅでアライメント計測する。次に、図５（ｂ）および（ｃ）に示す樹脂Ｒの充填の状態で、アライメントスコープ１９は、樹脂Ｒの充填が完了した状態に合わせて順番に領域１９ｆ〜１９ｍでアライメント計測する。最終的に充填が完了した図５（ｄ）に示す樹脂Ｒの充填が完了した状態で、アライメントスコープ１９は、ショットの一番外側の領域１９ｎ〜１９ｑでアライメント計測する。このように、インプリント装置１は、複数（４つ以上）の位置で（本実施形態では、領域１９ｅ〜１９ｑで）アライメント計測を行うので、より精密な補正量を取得できる。また、制御部７は、観察スコープ１２によって最初のショットであらかじめ樹脂Ｒの広がりの時間を計測することにより、次ショット以降の計測するアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの位置を決定することができる。したがって、観察スコープ１２による樹脂Ｒの充填完了の確認動作を省略することが可能である。また、樹脂Ｒの充填中の補正に関しては、アライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの計測ごとに行ってもよく、すべてのアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの計測が完了した後に行ってもよい。そして、制御部７は、必要に応じてモールドＭに形成されているパターン部の形状とウエハＷのショット形状とを合わせるため、倍率補正機構１６によりモールドＭの形状を補正する（ステップＳ１１１）。
【００２９】
次に、制御部７は、樹脂Ｒの充填している範囲にある検出対象となるアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの計測がすべて完了したかどうかの判定を行う（ステップＳ１１２）。ここで、制御部７は、検出対象となるアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷの計測がすべて完了したと判定した場合（ＹＥＳ）、充填中のアライメントを終了し、ステップＳ１１４へ移行する。一方、制御部７は、検出対象となるアライメント計測がすべて完了していないと判定した場合（ＮＯ）、ステップＳ１０９へ戻り、検出対象となるアライメント計測がすべて完了するまで、繰り返しアライメント計測を行う。
【００３０】
次に、制御部７は、押し付け動作が完了したか（モールドＭへの樹脂Ｒの充填が完了したか）を判定する（ステップＳ１１３）。ここで、制御部７は、充填が完了してない間、すなわち充填が完了していないと判定した場合には（ＮＯ）、充填が完了するまで、繰り返し判定を行う。一方、制御部７は、充填が完了したと判定した場合には（ＹＥＳ）、光照射部２によりモールドＭを介してウエハＷ上の樹脂Ｒに紫外線１０を照射させ、樹脂Ｒを硬化させる（ステップＳ１１４：硬化工程）。樹脂Ｒの硬化後、制御部７は、モールド駆動機構１４によりモールドＭを上昇させ、モールドＭと硬化した樹脂Ｒとを引き離す（ステップ１１５：離型工程）。
【００３１】
次に、制御部７は、ウエハＷ上の全てのショットに対するインプリント処理（パターン形成工程）が終了したかどうかを判断する（ステップＳ１１６）。ここで、制御部７は、インプリント処理がなされていないショットがあると判定した場合には（ＮＯ）、ステップＳ１０２に戻り次のショットに対する処理を繰り返す。一方、制御部７は、ステップＳ１１６にて全てのショットに対するインプリント処理が完了していると判定した場合には（ＹＥＳ）、基板搬送機構によりウエハＷをウエハチャック１７から回収し（ステップＳ１１７）、全ての処理を終了する。
【００３２】
このように、制御部７は、押し付け動作をしている間（モールドＭへ樹脂Ｒを充填している間）に、樹脂Ｒの充填状態に合わせてアライメントスコープ１９を駆動させ、４つ以上の複数の検出位置でアライメント計測を行う。ここで、モールドＭのパターン部（凹凸パターン）に樹脂Ｒを充填している間、樹脂Ｒの充填が完了している部分と完了していない部分とでは、計測条件が異なり、計測値を補正に使用することができない。これに対して、本実施形態では、より多くの位置でアライメント計測を行うことにより、線形成分だけでなく高次成分の補正を行うことができるので、重ね合わせの精度をより向上させることができる。また、本実施形態では、制御部７は、観察スコープ１２を用いて、樹脂Ｒの充填が完了したことを確認しながら、モールドＭの中心から外側へ放射状に、樹脂Ｒの充填が完了した位置からアライメント計測を行う。したがって、観察スコープ１２による樹脂Ｒの充填完了の確認動作を省略することができる。さらに、アライメント計測および補正のための時間が、押し付け時間（樹脂Ｒの充填時間）と重なる、すなわち隠れるため、インプリント処理全体の処理時間が増えることはない。したがって、インプリント処理全体の処理時間が変わることなく、重ね合わせの精度を向上させることができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態によれば、インプリント処理時の重ね合わせ精度の向上に有利なインプリント方法を提供することができる。
【００３４】
なお、上記実施形態では、制御部７は、検出対象となるアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷのすべての計測後、樹脂Ｒの充填完了を待って硬化を行うとしたが、充填完了を待っている間にアライメント計測を継続し、位置合わせと形状補正とを続けてもよい。制御部７は、樹脂Ｒの充填の進行に合わせてアライメントスコープ１９を移動させていたが、ショットの形状やモールドＭの形状が安定している場合は、ショット中心付近のアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷのみを計測し補正を行ってもよい。
【００３５】
さらに、上記実施形態では、制御部７は、充填中にアライメントマークＡＭＭ、ＡＭＷを計測する際、アライメントスコープ１９の移動を、移動距離が最短となるような順番で計測すると、全体のインプリント処理時間をより短縮することが可能となる。また、樹脂Ｒの充填中のアライメント計測の際、アライメントスコープ１９の代わりに観察スコープ１２を使用することで、アライメントスコープ１９の移動時間を必要としないため、さらに時間短縮が可能となる。
【００３６】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
Ｍ      モールド
Ｗ      ウエハ
Ｒ      樹脂
ＡＭＭ  アライメントマーク
ＡＭＷ  アライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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