(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直鎖又は分岐構造を有する炭素数６〜１８の第１のカルボン酸と直鎖又は分岐構造を有する炭素数６〜１８の第１のアミンで表面が覆われた金属微粒子を生成する第１工程と、
第１工程で生成された金属微粒子を、前記第１のカルボン酸とは異なる、ネオ分岐構造を有する炭素数５〜２２の第２のカルボン酸と混合し、金属微粒子の表面を覆う第１のカルボン酸を第２のカルボン酸に置換する第２工程と、
表面が第２のカルボン酸と第１のアミンで覆われた金属微粒子を、前記第１のアミンとは異なる、直鎖又は分岐構造を有する炭素数４〜２２の１級アミンである第２のアミンと混合し、表面が第２のカルボン酸及び第２のアミンで覆われた金属微粒子を得る第３工程と、を含むことを特徴とする金属微粒子の製造方法。
【請求項２】
前記第２のカルボン酸が、ネオペンタン酸、ネオヘキサン酸、ネオへプタン酸、ネオオクタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、ネオトリデカン酸、ネオドデカン酸から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項３】
前記第１のカルボン酸が、ヘキサン酸、２メチルヘプタン酸、オクタン酸、２エチルへキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、２へキシルデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、イソステアリン酸から選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１または２記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項４】
前記第１のアミンが、へキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオレイルアミンから選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項５】
前記第２のアミンが、へキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオレイルアミンから選択された少なくとも１つであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の金属微粒子の製造方法。
【請求項６】
前記金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ及びＰｔから選択された少なくとも１種の金属又はこれらの金属の少なくとも２種からなる合金であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の金属微粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属微粒子の製造方法に関し、特に、マイクロコンタクトプリント法やインクジェット法にて金属配線や透明導電膜等の所定膜を形成するのに利用される金属微粒子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造工程において、金属配線膜や透明導電膜等の所定膜の形成に所謂インクジェット法を用いることが従来から知られている。このものでは、インクジェット式の塗布装置を用い、金属微粒子が分散した分散液を基材表面に直接塗布し、この塗布した分散液を乾燥、焼成する。分散液を焼成することで、金属微粒子の表面を覆う分散剤が脱離して金属微粒子同士が焼結し、上記所定膜が得られる。
【０００３】
上記インクジェット法では実現することが難しいサブミクロンサイズの導電パターンの形成に、マイクロコンタクトプリント法を用いることが提案されている（例えば、非特許文献１参照）。このものでは、例えばポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）からなり、導電パターンに対応する凹凸形状を有する版を用い、この版の凸部に分散液を塗布し、分散液を塗布した凸部を基材表面に密着させる。これにより、基材表面に上記凸部に対応した分散液が転写される。転写された分散液を焼成することで、分散剤が脱離して金属微粒子同士が焼結し、上記導電パターンが得られる。
【０００４】
このようなインクジェット法やマイクロコンタクトプリント法で用いられる金属微粒子を製造する方法としては、ガス中蒸発法や化学還元法を用いることが例えば特許文献１で知られている。ガス中蒸発法では、槽内に金属原料を収容し、減圧下で金属原料を蒸発させ、この蒸発させた金属蒸気を冷却捕集する際に、分散剤たる有機溶媒の蒸気を導入して金属が粒成長する段階においてその表面を有機溶媒と接触させ、得られる金属微粒子が単独でかつ均一に有機溶媒中にコロイド状に分散した金属微粒子含有液を得る。また、化学還元法では、有機金属化合物を非極性溶媒に溶解して得た液に分散剤たる還元剤を添加し、必要に応じて加熱することで、金属微粒子が分散した金属微粒子含有液を得る。
【０００５】
そして、このように得られた金属微粒子含有液に、金属微粒子の分散安定性を改善するためにアルキルアミン、カルボン酸アミド、アミノカルボン酸塩の中から選ばれた少なくとも１種を添加、混合する。次に、低分子量の極性溶媒を加えて該金属微粒子を沈降させ、その上澄み液をデカンテーションなどにより流出させる工程を複数回繰り返して有機溶媒を除去する。これにより、粒径１００ｎｍ以下の金属微粒子が回収される。
【０００６】
ところで、近年では、基材として、ガラス基板以外に樹脂や紙製等の耐熱性の低いものが利用されている。上記非特許文献１には、基材として樹脂フィルムを用い、この樹脂フィルム上に電子ペーパーやフレキシブルディスプレイを駆動する有機ＴＦＴをマイクロコンタクトプリント法により形成することが記載されている。耐熱性の低い基材を用いる場合、分散液の焼成温度を１５０℃以下にする所謂低温焼成化が求められる。
【０００７】
低温焼成化を達成するために、表面が脂肪酸で覆われた金属微粒子を生成し、この脂肪酸の一部を炭素数１〜７のアミンで置換し、このアミンを炭素数８〜２０のアミンで更に置換する方法が例えば特許文献２で知られている。脂肪酸の分解温度よりも炭素数８〜２０のアミンの分解温度の方が低いため、焼成温度を低くすることができるものの、このように脂肪酸の一部を炭素数８〜２０のアミンに置換するだけでは、充分な低温焼成化を達成できない場合がある。
【０００８】
ここで、分散液の焼成温度は、金属微粒子の表面を覆う脂肪酸（例えばカルボン酸）やアミンのような分散剤の分子量に依存する。このため、一層の低温焼成化を達成するには、金属微粒子の表面を分子量の小さい分散剤で覆うことが考えられる。
【０００９】
然し、例えばガス中蒸発法により金属微粒子を生成する場合に分子量の小さいカルボン酸を分散剤として用いると、このようなカルボン酸は蒸気圧が高いことから、蒸発中に槽内の圧力が上昇して金属微粒子が蒸発しなくなり、金属微粒子を安定に生成できないという問題があった。他方、例えば化学還元法により金属微粒子を生成する場合に分子量の小さい分散剤を用いると、金属微粒子の分散が不均一になり（金属微粒子の分散安定性が低下し）、金属微粒子を安定に生成できないという問題があった。このような金属微粒子の分散が不均一な分散液を、例えばインクジェット法で塗布するインクとして用いる場合、インクジェットヘッドの微細なノズルから安定に吐出させることが困難となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−１２１６０６号公報
【特許文献２】特開２００８−１５０７０１号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】八瀬  清志、他１名、“フレキシブル基板へ有機薄膜トランジスタアレイを印刷”、２００８年６月９日、独立行政法人産業技術総合研究所、インターネット（ＵＲＬ：http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20080609/pr20080609.html）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、以上の点に鑑み、金属微粒子を安定に生成でき、金属微粒子の分散液を焼成するときに１５０℃以下の焼成温度で焼成可能な金属微粒子の製造方法を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の金属微粒子の製造方法は、直鎖又は分岐構造を有する炭素数６〜１８の第１のカルボン酸と直鎖又は分岐構造を有する炭素数６〜１８の第１のアミンで表面が覆われた金属微粒子を生成する第１工程と、第１工程で生成された金属微粒子を、前記第１のカルボン酸とは異なる、ネオ分岐構造を有する炭素数５〜２２の第２のカルボン酸と混合し、金属微粒子の表面を覆う第１のカルボン酸を第２のカルボン酸に置換する第２工程と、表面が第２のカルボン酸及び第１のアミンで覆われた金属微粒子を、前記第１のアミンとは異なる、直鎖又は分岐構造を有する炭素数４〜２２の１級アミンである第２のアミンと混合し、表面が第２のカルボン酸及び第２のアミンで覆われた金属微粒子を得る第３工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、第１工程において金属微粒子の生成に適した第１のカルボン酸及び第１のアミンを分散剤として用いるため、金属微粒子を安定に生成することができる。このように生成した金属微粒子を第２のカルボン酸と混合することで、金属微粒子の表面を覆う第１のカルボン酸が第２のカルボン酸に置換される（第２工程）。さらに、第２のカルボン酸に置換された金属微粒子を、金属微粒子の分散に適した第２のアミンと混合することで、金属微粒子の表面が更に１級アミンによっても覆われるため、金属微粒子の高い分散安定性が得られる。このようにして得られた金属微粒子の表面は第２のカルボン酸で被覆されているため、金属微粒子に分散用の溶媒を加えて得た金属微粒子分散液を基材に塗布して焼成するときに１５０℃以下の低温で焼成しても、導電性に優れた導電膜及び導電配線パターンを形成することが可能となる。なお、本発明において、金属微粒子とは、平均粒径が１００ｎｍ以下（代表的な粒径が１ｎｍ〜１０ｎｍ）であるものをいう。また、本発明において、金属微粒子分散液とは、金属微粒子インクや金属微粒子ペーストを含むものとする。
【００１５】
本発明において、第２のカルボン酸として、ネオペンタン酸（ピバリン酸）、ネオヘキサン酸、ネオへプタン酸、ネオオクタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、ネオトリデカン酸、ネオドデカン酸から選択された少なくとも１つを用いることが好ましい。また、第１のカルボン酸として、ヘキサン酸、2メチルヘプタン酸、オクタン酸、2エチルへキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、２へキシルデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、イソステアリン酸から選択された少なくとも１つを用いることが好ましい。
【００１６】
本発明において、第２のアミンとして、へキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオレイルアミンから選択された少なくとも１つの１級アミンを用いることが好ましい。また、第１のアミンとして、へキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオレイルアミンから選択された少なくとも１つを用いることが好ましい。
【００１７】
本発明において用いられる金属は、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｎ，Ｓｎ，Ｃｕ及びＰｔから選択された少なくとも１種の金属又はこれらの金属の少なくとも２種からなる合金であり、目的・用途に応じて適宜選択することができる。本発明は、導電性の高いＡｇ微粒子を形成する場合に適している。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態の金属微粒子の製造方法について、導電性に優れたＡｇ微粒子を製造する場合を例に説明する。尚、金属としては、Ａｇのほかに、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ及びＰｔから選択された少なくとも１種の金属又はこれらの金属の少なくとも２種からなる合金を用いることができる。
【００１９】
先ず、第１工程にて、１０Ｐａ以下の圧力下で高周波誘導加熱を用いる蒸発法により金属微粒子を生成する。この第１工程では、槽内で、Ａｇを蒸発させることにより生成過程のＡｇ微粒子に第１のカルボン酸と第１のアミンとを接触させた後、冷却捕集する。これにより、表面が第１のカルボン酸及び第１のアミンで覆われたＡｇ微粒子の生成液が得られる。Ａｇ微粒子の生成液にアセトンのような低分子量の極性溶媒を加えて撹拌し、静置して、Ａｇ微粒子を沈降させた後、上澄み液を除去する。このような極性溶媒を用いたＡｇ微粒子の洗浄を繰り返し、第１のカルボン酸及び第１のアミンで表面が覆われたＡｇ微粒子を得る。
【００２０】
ここで、第１のカルボン酸及び第１のアミンとしては、Ａｇ微粒子を安定して生成するのに適した、直鎖又は分岐構造を有する炭素数６〜１８のものを用いることができる。第１のカルボン酸としては、例えば、ヘキサン酸、２メチルヘプタン酸、オクタン酸、２エチルへキサン酸、ノナン酸、デカン酸、ウンデカン酸、ドデカン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、２へキシルデカン酸、ステアリン酸、オレイン酸、イソステアリン酸から選択された少なくとも１つを用いることができる。第１のアミンとしては、例えば、へキシルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン及びオレイルアミンから選択された少なくとも１つを用いることができる。
【００２１】
第２工程（酸処理工程）では、上記第１工程で得られたＡｇ微粒子を、ネオ分岐構造を有する炭素数５〜２２の第２のカルボン酸と混合し、攪拌する。これにより、Ａｇ微粒子の表面を覆う第１のカルボン酸が第２のカルボン酸に置換され、表面が第２のカルボン酸と第１のアミンで被覆されたＡｇ微粒子を含有するＡｇ微粒子含有液が得られる。ここで、第２のカルボン酸の添加量は、Ａｇ微粒子１００重量部に対して１０〜１００重量部の範囲とすることが好ましい。第２のカルボン酸としては、例えば、ネオペンタン酸（ピバリン酸）、ネオヘキサン酸、ネオへプタン酸、ネオオクタン酸、ネオノナン酸、ネオデカン酸、ネオトリデカン酸、ネオドデカン酸から選択された少なくとも１つを用いることができる。
【００２２】
第２工程における撹拌を効率良く行うためには、超音波振動（例えば４５ｋＨｚ）を加えることが好ましい。第２のカルボン酸への置換率を高めるためには、第２工程を数回繰り返すことが好ましい。
【００２３】
ところで、第２工程中、Ａｇ微粒子と第２のカルボン酸とが反応すると、第１のカルボン酸から第２のカルボン酸への置換効率が低下するという不具合が生じる。Ａｇ微粒子と第２のカルボン酸との反応を抑制するために、第２工程の処理時間を２時間以下にすることが好ましく、また、処理温度を５０℃以下にすることが好ましく、室温以下にすることがより好ましい。第２工程にて第２のカルボン酸と共にアミンを添加することによっても、Ａｇ微粒子と第２のカルボン酸との反応を抑制できる。この場合、第２のカルボン酸とアミンとを反応させて得た反応物を添加してもよい。
【００２４】
上記第２工程で第２のカルボン酸に置換されたＡｇ微粒子を、上記方法を用いて洗浄する。この場合、アセトンの添加量は、Ａｇ微粒子含有液１容量に対して１０容量とする。そして、第３工程（アミン処理工程）では、洗浄後のＡｇ微粒子を、さらに、炭素数４〜２２の第２のアミンと混合し、攪拌する。これにより、Ａｇ微粒子の表面を覆う第１のアミンが第２のアミンに置換され、この第２のアミンと第２のカルボン酸とで表面が覆われたＡｇ微粒子が得られる。ここで、第２のアミンとしては、Ａｇ微粒子を分散させるのに適した炭素数６のへキシルアミン、炭素数８のオクチルアミン、炭素数９のノニルアミン、炭素数１０のデシルアミン、炭素数１２のドデシルアミン、炭素数１４のテトラデシルアミン及び炭素数１８のオレイルアミンから選択された少なくとも１つを用いることが好ましい。
【００２５】
第３工程における攪拌を効率的に行うために、攪拌時に超音波振動を加えることが好ましい。第２のアミンへの置換率を高めるためには、第３工程を数回繰り返すことが好ましい。
【００２６】
以上説明した実施形態によれば、真空蒸着法により、表面がＡｇ微粒子の生成に適した第１のカルボン酸及び第１のアミンで覆われたＡｇ微粒子を生成する。これにより、Ａｇ微粒子の生成時に高い分散安定性が得られ、Ａｇ微粒子を安定に生成することができる。このように生成したＡｇ微粒子を、Ａｇ微粒子分散液の調整に適した（即ち、低温焼成化に適した）ネオ分岐構造を有する第２のカルボン酸と混合して、Ａｇ微粒子表面を覆う第１のカルボン酸を第２のカルボン酸に置換する。さらに、この第２のカルボン酸に置換されたＡｇ微粒子を、Ａｇ微粒子分散液の調整に適した第２のアミンと混合して、Ａｇ微粒子表面を覆う第１のアミンを第２のアミンに置換する。このようにして得られたＡｇ微粒子の表面は、Ａｇ微粒子分散液の調整に適したネオ分岐構造を有する第２のカルボン酸と第２のアミンとで覆われることとなる。これにより、Ａｇ微粒子をトルエン等の低極性溶媒に高い分散安定性で分散させることができるため、インクジェット法やマイクロコンタクトプリント法を用いて塗布或いは転写したＡｇ微粒子分散液を、１５０℃以下の低温にて焼成することができる。また、インクジェット法を用いる場合、インクジェットヘッドの微細なノズルから安定に吐出させることができる。
【００２７】
Ａｇ微粒子を孤立状態で分散させて分散液を得るための低極性溶媒としては、主鎖の炭素数が６〜１８である有機溶媒を用いることが好ましく、上記のトルエン以外に、例えば、ヘキサン、へプタン、オクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、トリメチルデカンのような長鎖アルカンや、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロドデセンのような環状アルカン、ベンゼン、キシレン、トリメチルベンゼン、ドデシルベンゼンのような芳香族炭化水素、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、シクロヘキサノール、テルピネオールのようなアルコール、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、テトラヒドロフラン、シクロペンチルメチルエーテルのようなエーテルを単独で又は混合して用いることができる。
【００２８】
以下、本発明の実施例について、ネオ分岐構造を有するカルボン酸で被覆されたＡｇ微粒子を得て、このＡｇ微粒子を含有するＡｇ微粒子分散液をインクジェット法を用いてガラス基板上に塗布し、１５０℃以下の温度で焼成してＡｇ薄膜を作製する場合を例に説明する。
【００２９】
（実施例１）
第１工程にて、蒸発法により、表面が２エチルヘキサン酸及び２エチルヘキシルアミンで覆われた平均粒径４ｎｍのＡｇ微粒子（アルバック製の商品名「Ａｇナノメタル分散インク」）を得た。本発明者の実験では、このＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液は、１５０℃で焼成しても導通が得られないことを確認した。上記Ａｇ微粒子をトルエンに分散させてＡｇ分散液を２０ｇ得た。この分散液中のＡｇ含有量は６ｇであり、Ａｇ濃度を３０ｗｔ％とした。このＡｇ分散液２０ｇにネオペンタン酸を１．２ｇ（Ａｇ固形分に対して、２０ｗｔ％）添加し、混合し、氷浴状態で３０分の超音波処理を行ってＡｇ微粒子含有液を得た（第２工程）。このＡｇ微粒子含有液１容量に対し、アセトンを１０容量添加して上記洗浄工程を複数回繰り返し、遠心分離処理により溶媒を除去することで、Ａｇ微粒子の表面を覆う２エチルヘキサン酸がネオペンタン酸に置換された。このようにネオペンタン酸に置換されたＡｇ微粒子を、トルエン１４ｇ及びドデシルアミン１．２ｇと混合し、室温で1時間攪拌してＡｇ微粒子含有液を得た（第３工程）。このＡｇ微粒子含有液１容量に対してアセトンを１０容量添加して行う上記洗浄工程を複数回繰り返し、遠心分離処理により溶媒を除去することで、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子が得られた。
【００３０】
このように得られたＡｇ微粒子をトルエンに分散させて、Ａｇ濃度が３０ｗｔ％のＡｇ微粒子分散液（Ａｇ微粒子インク）を調整した。調整した分散液をインクジェット法により、ガラス基板上に塗布し、１５０℃の温度で３０分焼成することにより膜厚が０．３μｍのＡｇ薄膜を作製した。このＡｇ薄膜の表面抵抗（比抵抗値）を測定した。測定結果を以下の表１に示す。表１には、焼成時間のみを５分、６０分、１２０分、１８０分に変化させて作製したＡｇ薄膜の比抵抗値を併せて示す。本実施例よれば、焼成時間を３０分以上とすることで、比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００３１】
【表１】
0005875437.tif 000002
【００３２】
（実施例２）
本実施例２では、第２工程での超音波処理時間を１時間にすることを除き、実施例１と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を作製した。作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表２に示す。本実施例２によれば、焼成時間が３０分以上の場合に、上記実施例１と同等の比抵抗値を有する低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００３３】
【表２】
0005875437.tif 000003
【００３４】
（実施例３）
本実施例３では、第２工程での超音波処理時間を２時間にすることを除き、実施例１と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を作製した。作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表３に示す。本実施例３によれば、焼成時間が３０分以上の場合に、上記実施例１と同等の比抵抗値を有する低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００３５】
【表３】
0005875437.tif 000004
【００３６】
（実施例４）
本実施例４では、第２工程を２回繰り返して行う点以外は実施例１と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を作製した。作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表４に示す。本実施例４によれば、焼成時間が１０分でも、比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。これは、ネオペンタン酸への置換率が上記実施例１〜３よりも高いためであると考えられる。
【００３７】
（実施例５）
本実施例５では、第２工程を３回繰り返して行う点以外は上記実施例１と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を作製した。作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表４に示す。本実施例５によれば、上記実施例４よりも一層低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００３８】
【表４】
0005875437.tif 000005
【００３９】
（実施例６）
本実施例６では、Ａｇ微粒子を分散させる低極性溶媒としてトルエンの代わりにシクロペンチルメチルエーテルを用いる点以外は上記実施例２と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ分散液（濃度３０ｗｔ％のＡｇ微粒子インク）を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を塗布し、１２０℃又は１５０℃の温度で、焼成温度を変化させて作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表５に示す。本実施例６によれば、焼成温度が１２０℃の場合、焼成時間を６０分以上とすることで比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られ、また、焼成時間が１５０℃の場合、焼成時間を３０分以上とすることで比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００４０】
【表５】
0005875437.tif 000006
【００４１】
（実施例７）
本実施例７では、第２工程にてネオペンタン酸１．2ｇと共にドデシルアミン２．４ｇを添加する点以外は実施例２と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を塗布し、焼成温度を１００℃又は１２０℃とし、焼成時間を変化させて作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表６に示す。本実施例７によれば、焼成温度が１００℃の場合には焼成時間を１８０分以上とすることで、また、焼成時間が１２０℃又は１５０℃の場合には焼成時間を３０分以上とすることで、比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【００４２】
【表６】
0005875437.tif 000007
【００４３】
（実施例８）
本実施例８では、第２工程にてネオペンタン酸１．2ｇの代わりにネオペンタン酸１．２ｇとドデシルアミン２．４ｇとを反応させて得た反応物を添加する点以外は実施例２と同様の方法で、表面がネオペンタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を塗布し、焼成温度を１００℃、１２０℃又は１５０℃とし、焼成時間を変化させて作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表７に示す。本実施例８によれば、焼成温度が１００℃の場合には焼成時間を１８０分以上とすることで、また、焼成時間が１２０℃又は１５０℃の場合には焼成時間を３０分以上とすることで、比抵抗値が３０μΩ・ｃｍ以下の低抵抗のＡｇ薄膜が得られることが判った。
【表７】
0005875437.tif 000008
【００４４】
以下、上記実施例に対する比較例を説明する。
（比較例１）
本比較例１では、ネオペンタン酸の代わりにオクタン酸を用いる点以外は実施例２と同様の方法で、表面がオクタン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ微粒子分散液を塗布し、１５０℃の温度で焼成時間を変化させてＡｇ薄膜を作製した。作製したＡｇ薄膜の比抵抗値の測定結果を以下の表８に示す。本比較例１によれば、焼成時間が６０分、１２０分の場合、導通せず（比抵抗値を測定出来ず）、容易に低温焼成化を実現できないことが判った。
【００４５】
【表８】
0005875437.tif 000009
【００４６】
（比較例２）
本比較例２では、ネオペンタン酸の代わりにオレイン酸を用いる点以外は実施例２と同様の方法で、表面がオレイン酸とドデシルアミンで覆われたＡｇ微粒子を含むＡｇ微粒子分散液を得て、インクジェット法を用いてＡｇ薄膜を塗布し、１５０℃の温度で焼成して作製した。焼成時間を３時間としても、得られたＡｇ薄膜は導通せず、比抵抗値を測定できなかった。
【００４７】
なお、本発明は上記実施形態及び実施例に限定されない。例えば、上記実施形態及び実施例では、第１工程にてガス中蒸発法によりＡｇ微粒子を生成しているが、Ａｇ微粒子の生成方法はこれに限定されず、化学還元法によりＡｇ微粒子を生成してもよい。
【００４８】
上記実施例では、Ａｇ微粒子分散液をインクジェット法により塗布しているが、マイクロコンタクトプリント法やスクリーン印刷法等を用いることができる。また、上記実施例では、ガラス基板上にＡｇ微粒子分散液を塗布しているが、基材としては、ガラス基板に限られず、樹脂や紙製等の耐熱性の低いものを用いることができる。