(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを有する有機トランジスタであって、
前記ソース電極の長手方向、又は前記ドレイン電極の長手方向であって、なおかつ前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に形成されるチャネル領域の外側領域に、ダミー膜を配置し、
前記有機半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との上、及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、
かつ、前記有機半導体層の端部が、前記ダミー膜の端部と重なるように、該ダミー膜の上にも前記有機半導体層が配置されていることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２】
前記ダミー膜は、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材質であることを特徴とする請求項１の有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機トランジスタに係わり、より詳しくは、特性ばらつきの少ない有機トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体をチャネル層に利用した有機電界効果トランジスタ（または有機トランジスタ。以下、有機トランジスタと称す。）が大変な注目を集めている。有機トランジスタは、シリコンなど無機半導体をチャネルとした従来型の電界効果トランジスタと比べると、低コストプロセスで、大面積で、機械的にフレキシブルであるという特徴を有する。
【０００３】
また、有機トランジスタに用いられる有機半導体膜の形成方法としては、蒸着による方法や、有機半導体物質を溶媒に溶かした有機半導体溶液を基板上に塗布し、且つ乾燥させることによって薄膜を得る方法等が知られている。有機半導体溶液を塗布して形成する方法は、蒸着による方法と比較して容易に製造できるという利点がある。このような有機半導体はスピンコーティング、露光、現像などの工程を経ず、簡単なインクジェット法で形成されることができる。また、有機半導体層の厚さを数十ｎｍ 〜 数百ｎｍとすることができる。しかしながら、インクジェット法により射出された有機半導体溶液は、塗布位置によって硬化時に蒸発速度が異なるため、膜厚が厚いところと薄いところが形成されてしまうという問題を生じる。
【０００４】
図５から図７を参照して、より詳細に有機半導体溶液乾燥時の問題点を説明する。
図５（ａ）は一般的な有機トランジスタを示した平面図である。なお、理解を容易にするため、本来破線で示すべき電極などを実線で示している部分がある。この点は、ほかの図においても同様である。
図５（ｂ）は図５（ａ）のＥ−Ｅ‘における概略断面図である。ここでは一例として、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタを示す。図５に図示したように、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタ１は、基板２上に、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、ソース電極５及びドレイン電極６、有機半導体層７を有するものである。ソース電極５及びドレイン電極６のゲート電極３上の部分をハッチングで示し、その間に形成されるチャネル領域９を編みがけで示した。有機半導体層７は、ソース電極５及びドレイン電極６上に有機半導体溶液を塗布し、乾燥させ溶媒を除去することによって形成される。
【０００５】
図６は、ソース電極５及びドレイン電極６上に有機半導体溶液を塗布した状態を図示している。ソース電極５及びドレイン電極６上に有機半導体溶液を滴下した場合、有機半導体溶液はソース電極５及びドレイン電極６の形状に沿って濡れ広がる。これは、ソース電極５またはドレイン電極６と、ゲート絶縁層表面の濡れ性が異なるためであり、有機半導体層は図６（ａ）または（ｂ）のような形状に形成される。図６（ａ）は、有機半導体層を必要最小限の位置に塗布した場合を示しており、図６（ｂ）は、有機半導体層を広域に塗布した場合を示している。また、インクジェット法によって形成された有機半導体層７は、図６（ａ）及び（ｂ）に示したように、縁部７１と、縁部７１に囲まれ縁部７１より高さが低い中心部７２とを含む。
【０００６】
図７は、図６（ａ）及び（ｂ）に示した縁部７１ができる理由を示した断面図である。図７（ａ）は基板２０上に有機半導体溶液７０をドロッピングした状態を示したものであり、図７（ｂ）は有機半導体溶液７０を乾燥させ溶媒除去によって有機半導体層を形成し
た状態を示す。図７（ａ）に図示するように、ドロッピング直後の有機半導体溶液７０は表面張力によって中心部が厚く縁部が薄い形態を有し、溶媒の蒸気密度は中心部７２が縁部７１に比べて高くなる。溶媒の乾燥速度は有機半導体溶液７０を囲んでいる蒸気密度に反比例するため、中心部７２より縁部７１で溶媒の乾燥が活発に起こる。有機半導体溶液７０中の有機半導体材料は、溶媒の乾燥が活発に起こる縁部に移動するようになり、これによって形成される有機半導体層は、図７（ｂ）に図示するように、縁部７１が中心部７２より高い状態となる。このような現象をコーヒーステイン現象という。
【０００７】
ところが、一般にはソース−ドレイン間の有機半導体層は均一に存在していることが好ましいとされる。これは、ソース−ドレイン電極間で有機半導体層の厚さ偏差が発生すると、厚さ偏差によって有機トランジスタの電気的特性が不均一になるためである。特にチャネル領域と呼ばれる領域で有機半導体層の厚さ偏差が発生すると、有機トランジスタの電気的特性が均一に示されないという問題点が生じる。
【０００８】
図６（ａ）及び（ｂ）に示したように、チャネル領域９とはソース電極５およびドレイン電極６の間に存在する有機半導体層であって、ゲート電圧によってキャリア密度が高められた領域である。図５（ａ）の場合、コーヒーステインの端部７１がチャネル領域９と重なっており有機トランジスタの電気的特性が均一に示されないという問題点が生じる。また、図６（ｂ）の場合は、コーヒーステインの端部７１がチャネル領域９と重なっていないが、有機半導体溶液を大量に必要とする点や、有機トランジスタをアレイまたはマトリクス状に並べた際に隣り合う有機トランジスタと有機半導体層が分離されず、有機トランジスタの電気的特性が劣化する点が問題となる。
【０００９】
このような問題点を引き起こすコーヒーステイン現象の発生を抑えるために、インクジェット法で滴下位置の間隔を検討する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、コーヒーステイン現象の膜厚が厚い部分がソース電極とドレイン電極との間の凹部に配置されるように、隔壁を設ける技術などが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−１０２９６号公報（第７頁、図５）
【特許文献２】特開２００７−８８４７１号公報（第１１−１２頁、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の技術では、滴下位置を精度良く制御する必要があったり、隔壁を設けるなど新たな工程が必要であったりと、必ずしも効率よく制御されているとはいえなかった。そこで、本発明は、有機トランジスタにおける有機半導体層の形成方法にインクジェット方法が適用された場合に、電気的特性が均一な有機トランジスタを容易に、かつ効率よく製造する方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
すなわち、本発明は、基板上にソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを有する有機トランジスタであって、ソース電極の長手方向、又はドレイン電極の長手方向であって、なおかつソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャネル領域の外側領域に、ダミー膜を配置し、その有機半導体層は、ソース電極とドレイン電極との上、及びソース電極とドレイン電極との間に配置され、かつ、有機半導体層の端部が、ダミー膜の端部
と重なるように、ダミー膜の上にも有機半導体層が配置されていることを特徴とする。
【００１３】
さらに前記ダミー膜はソース電極あるいはドレイン電極と同じ材質であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ダミー膜によって、コーヒーステインの端部が有機トランジスタのチャネル領域を覆うことなく、均一な有機半導体膜を得ることができる。このためオンオフ比が改善され、閾値電圧が低い、有機トランジスタを提供することができる。また、有機トランジスタをアレイまたはマトリクス状に並べた際に、個々の有機トランジスタの特性ばらつきが少ない、有機トランジスタアレイまたは有機トランジスタマトリクスを提供することができる。
【００１５】
本発明の有機トランジスタの構造は、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造およびトップゲート構造の何れにおいても有効である。
【００１６】
更には、前記ダミー膜は製造の工程を簡略化できることより、ソース電極あるいはドレイン電極と同じ成分の部材とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）本発明第１の実施形態の有機トランジスタの平面図である。            （ｂ）本発明第１の実施形態の有機トランジスタのＡ−Ａ‘における断面図である。
【図２】本発明第２の実施形態の有機トランジスタの平面図である。
【図３】本発明第３の実施形態の有機トランジスタの平面図である。
【図４】（ａ）本発明第４の実施形態の有機トランジスタの平面図である。            （ｂ）本発明第４の実施形態の有機トランジスタのＤ−Ｄ‘における断面図である。
【図５】（ａ）一般的な有機トランジスタの平面図である。            （ｂ）一般的な有機トランジスタの断面図である。
【図６】従来の方法による有機半導体溶液を塗布した直後の有機トランジスタの平面図である。
【図７】（ａ）有機半導体溶液の乾燥時の問題を説明するための図である。            （ｂ）有機半導体溶液の乾燥時の問題を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。最初にボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタの製造方法について、再度図５を用いて説明する。図５（ｂ）に示すように、一般的な有機トランジスタは基板２とゲート電極３とゲート絶縁層４とソース電極５とドレイン電極６、及び有機半導体層７の積層構造となっている。
【００１９】
最初に、基板２にゲート電極３を形成する。基板２は、ガラス、シリコン、などの無機材料、あるいはポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの耐熱性高分子材料から構成することができる。
【００２０】
ゲート電極３は、金属及び導電性有機材料の少なくとも一種を用いて形成すればよい。金属膜を形成する場合には、蒸着やスパッタリング等の既存の真空成膜法を用いればよく、マスク成膜法やフォトリソグラフ法等により電極形状の形成を行うことができる。このとき用いる電極形成用の材料としては、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、
インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属、これら金属を用いた合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の無機材料が挙げられる。また、これらの材料は２種以上を併用してもよい。
【００２１】
また、導電性有機材料を用いて電極を形成する場合には、ポリアニリン、ポリチオフェン等の導電性インキを塗布して電極とすることができる。この場合の電極の形成は、有機材料を基材上に塗布、乾燥させることで行うことができるため、安価で簡便に行うことができる。塗布する方法としては、スピンコート法、キャスト法、引き上げ法、転写法、インクジェット法等が挙げられる。
【００２２】
次いで、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４を形成する。ゲート絶縁層４は、ポリメチルシルセスキオキサン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレートなどの溶液をスピンコートまたはフレキソ印刷法などで塗布した後、電子オーブンなど加熱硬化して形成する。また、ポリパラキシリレンなど、化学蒸着法によりゲート絶縁層を形成しても良い。
【００２３】
次に、ゲート絶縁層４の上にソース電極５及びドレイン電極６を形成する。ソース電極５及びドレイン電極６は公知の電極であれば特に限定されずに用いることができるが、ほとんどの有機半導体が、電荷を輸送するキャリアがホールであるｐ型半導体であることから、半導体層とオーミック接触をとるために、仕事関数の大きい金属で形成されることが好ましい。具体的には、例えば、金、白金が挙げられる。ここでいう仕事関数とは、固体中の電子を外部に取り出すのに必要な電位差であり、真空準位とフェルミ準位のエネルギー差を電荷量で割った値として定義される。また、半導体層表面にドーパントを高密度にドープした場合は、金属／半導体間をキャリアがトンネルすることが可能となり、金属の材質によらなくなるため、ゲート電極で挙げた金属材料又は導電性有機材料も用いることができる。ソース電極５およびドレイン電極６の形状について、図５（ａ）では櫛型電極を示したが、櫛型電極に限定されるものではない。
【００２４】
次に有機半導体層７を形成する方法について説明する。有機半導体層７は、公知の有機半導体材料を用いて形成された層であればよく、この有機半導体材料としては、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物、電荷移動錯体等の材料からなるのが好ましい。具体的な材料としては、ペンタセン、中心ベンゼン環の間にビシクロ環を導入したペンタセン誘導体、テトラセン、アントラセン、チオフェンオリゴマー誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられるが、これらの材料に限定されるものではない。
【実施例】
【００２５】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１を用いて詳細に説明する。
図１（ａ）は本発明の第１の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。また、図１（ｂ）は図１（ａ）Ａ−Ａ‘における断面図を示している。図１（ｂ）に示すような、基板２、ゲート電極３、ゲート絶縁層４、およびソース電極５及びドレイン電極６の形成までの積層構造は、一般的な有機トランジスタの製造方法を採用することが出来る。なお、理解を容易にするため、本来破線で示すべき電極などを実線で示している部分がある。この点は、ほかの図においても同様である。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、ソース電極５の長手方向（図示横方向）、又はドレイン電極６の長手方向（図示横方向）であって、なおかつ、ソース電極５とドレイン電極６との間に形成されるチャネル領域の外側領域に、ソース電極５やドレイン電極６と同じ濡れ性の
特性を備えたダミー膜８を形成する。本実施形態では、ソース電極５の長手方向とドレイン電極６の長手方向の両方の位置にダミー膜８を形成した。ダミー膜８の材質は特に限定されず、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、ニッケル等の金属、これら金属を用いた合金、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の無機材料、さらにはポリメチルシルセスキオキサン、ポリイミド、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレートなどの有機材料を用いることができる。
【００２７】
ダミー膜８の形成方法についても特に限定はされないが、電解重合法、キャスティング法、スピンコート法、浸漬コート法、スクリーン印刷法、マイクロモールド法、マイクロコンタクト法、ロール塗布法、インクジェット法、ＬＢ法等で形成することができる。また、用いる材料により真空蒸着法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸着法、スパッタ法等も有効な形成方法である。また、これらはフォトリソグラフおよびエッチング処理により所望の形状にパターニングすることができる。その他、ソフトリソグラフ、インクジェット法も有効なパターニング方法である。
【００２８】
以上のようにダミー膜８の材質および形成方法は特に限定されないが、製造の工程を簡略化するためには、ソース電極５及びドレイン電極６と同じ材質とし、ソース電極５及びドレイン電極６と同工程で形成することが好ましい。
【００２９】
ソース電極５及びドレイン電極６、ダミー膜８を形成した上に、有機半導体溶液をインクジェット法により塗布する。ソース電極５及びドレイン電極６と、ゲート絶縁層表面の濡れ性が異なるため、有機半導体溶液は、ソース電極５及びドレイン電極６の形状に沿って濡れ広がる。また、ダミー膜８の濡れ性が、ソース電極５及びドレイン電極６と同等であるので、塗布された有機半導体溶液は、ダミー膜８の端部まで広がって、そこで留まる。その後、乾燥して溶媒を除去し、有機半導体層７を形成する。このように有機半導体層７は、図１（ａ）に示すようにソース電極５とドレイン電極６との上、及びソース電極５とドレイン電極６との間に配置され、なおかつ有機半導体層７の端部が、ダミー膜８の端部と重なるように、ダミー膜８の上にも有機半導体層７が配置されている状態となる。
【００３０】
有機半導体溶液をインクジェット法により塗布した際、有機半導体溶液は、ダミー膜８の端部まで広がるため、有機半導体７における端部７１と中心部７２は図１（ａ）に示した配置となる。この構成により、インクジェット法を用いて塗布された有機半導体層７の端部７１は、ダミー膜８、ソース電極５及びドレイン電極６の、チャネル領域９と対向する側のそれぞれの電極端部に配置される。これにより、厚膜となっている有機半導体層７の端部７１が、有機トランジスタのチャネル領域９には含まれず、均一の膜厚に形成され、得られた有機トランジスタ１は、電気的特性が均一で良好となった。また、有機半導体溶液を要所にのみ塗布すればよいので、有機半導体溶液を大量に使う必要がなく、さらに、有機トランジスタをアレイまたはマトリクス状に並べた際に隣り合う有機トランジスタと有機半導体層が融合してしまい、有機トランジスタの電気的特性が劣化する等の問題は生じなかった。
【００３１】
なお、図１ではソース電極５及びドレイン電極６の櫛の数を、それぞれ３本ずつとしているが、実際の形態では、櫛の数は限定されず、何本でも構わない。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の別の実施形態について図２を用いて説明する。図２は本発明の第２の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、ソース電極５、ドレイン電極６、及
びダミー膜８パターン形状の違いである。即ち、ソース電極５及びドレイン電極６が櫛型でなく、一対の対向電極となっている。この構成により、ダミー膜８の個数について、第１の実施形態では櫛の数（ソース電極が３本、ドレイン電極が３本の計６本）だけダミー膜８を形成したが、第２の実施形態ではソース電極１本、ドレイン電極１本の計２本の電極数に対応して、ダミー膜の数を２つとした。
【００３３】
その後、先の実施形態と同じように有機半導体層７を形成する。本形態においても、形成された有機半導体層７の縁部７１が、チャネル領域９よりも外側に配置されるように、ダミー膜８を、ソース電極５、又はドレイン電極６の長手方向であり、なおかつソース電極５とドレイン電極６との間に形成されるチャネル領域の外側領域に形成した。本実施形態でも、ソース電極５の長手方向とドレイン電極６の長手方向の両方の位置にダミー膜８を形成した。有機半導体溶液をインクジェット法により塗布した際、有機半導体溶液は、ダミー膜８の端部まで広がるため、有機半導体７における端部７１と中心部７２は図２に示した配置となる。
【００３４】
有機半導体層は、ソース電極５とドレイン電極６との上、及びソース電極５とドレイン電極６との間に配置され、なおかつ有機半導体層７の端部が、ダミー膜８の端部と重なるように、ダミー膜８の上にも配置されている。よって、得られた有機半導体層７の縁部７１は、チャネル領域９の外側に配置され、チャネル領域９には均一の膜厚に形成された有機半導体層７が得られ、作成された有機トランジスタ１は、電気的特性が均一で良好であることが確認された。
【００３５】
（第３の実施形態）
次に、本発明の別の実施形態について図３を用いて説明する。図３は本発明の第３の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、ソース電極５、ドレイン電極６、及びダミー膜８パターン形状の違いである。即ち、先の第１の実施形態ではソース電極５及びドレイン電極６の櫛の数が同数であったが、本実施形態では、ソース電極５とドレイン電極６の櫛の数が同数ではない例を示している。図３に図示するように、本実施形態では、ソース電極５が２本、ドレイン電極６が１本の計３本であり、この電極の櫛の数に対応し、ダミー膜８はソース電極５における長手方向の位置のそれぞれに２個、ドレイン電極６における長手方向の位置に１個の計３個を形成した。
【００３６】
その後、先の実施形態と同じように有機半導体層７を形成する。本形態においても、形成された有機半導体層７の縁部７１が、チャネル領域９よりも外側に配置されるように、ダミー膜８を、ソース電極５、又はドレイン電極６の長手方向であり、なおかつソース電極とドレイン電極との間に形成されるチャネル領域の外側領域に形成した。有機半導体溶液をインクジェット法により塗布した際、有機半導体溶液は、ダミー膜８の端部まで広がるため、有機半導体７における端部７１と中心部７２は図３に示した配置となる。
【００３７】
有機半導体層は、ソース電極５とドレイン電極６との上、及びソース電極５とドレイン電極６との間に配置され、なおかつ有機半導体層７の端部が、ダミー膜８の端部と重なるように、ダミー膜８の上にも配置されている。よって、得られた有機半導体層７の縁部７１は、チャネル領域９の外側に配置され、チャネル領域９には均一の膜厚に形成された有機半導体層７が得られ、作成された有機トランジスタ１は、電気的特性が均一で良好であることが確認された。
【００３８】
なお、図３ではソース電極５の櫛の数を２本、及びドレイン電極６の櫛の数を１本としているが、実際の形態では、櫛の数は限定されず、何本でも構わない。また、ソース電極５の櫛の数を常に少なく配置する必要もなく、ドレイン電極６の櫛の数が少なくても構わ
ない。
【００３９】
（第４の実施形態）
次に、本発明の別の実施形態について図４を用いて説明する。図４（ａ）は本発明の第１の実施形態の有機トランジスタの平面図を示す。また、図４（ｂ）は図４（ａ）Ｄ−Ｄ‘における断面図を示している。先の形態と同じ構成のものには同じ符号を用いている。本実施形態が先の実施形態と異なるのは、有機半導体溶液の塗布位置、つまり塗布パターンである。先の実施形態では、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタの例を示したが、本実施形態では、トップゲート構造の有機トランジスタの実施例を示す。
【００４０】
図４（ｂ）に示すように、トップゲート構造の有機トランジスタでは各層の形成順序が図１、図２、及び図３に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト構造の有機トランジスタと異なる。即ち、基板２上にソース電極５及びとレイン電極６を形成し、その上に有機半導体層７、ゲート絶縁層４、ゲート電極３を積層する。基板２上に、ソース電極５及びドレイン電極６を形成すると同時に、ダミー膜８も形成する。ソース電極５やドレイン電極６と同じ材料を用いるときは、同時に形成することが可能である。ダミー膜８は、先の実施形態と同様、ソース電極５、又はドレイン電極６の長手方向であり、なお且つソース電極５、及びドレイン電極６が対向していない領域に形成した。
【００４１】
その後、先の実施形態と同じように有機半導体溶液を塗布する。ソース電極５及びドレイン電極６と、基板２の表面の濡れ性が異なるため、先の実施形態と同様に、有機半導体溶液は、ソース電極５及びドレイン電極６の形状に沿って、ダミー膜８の端部まで広がって、そこで留まる。有機半導体溶液をインクジェット法により塗布した際、有機半導体溶液は、ダミー膜８の端部まで広がるため、有機半導体７における端部７１と中心部７２は図４（ａ）に示した配置となる。その後、乾燥して溶媒を除去し、有機半導体層７を形成する。得られた有機半導体層７の縁部７１は、チャネル領域９の外側に配置され、チャネル領域９には均一の膜厚に形成された有機半導体層７が得られ、得られた有機トランジスタ１は、電気的特性が均一で良好であることが確認された。
【００４２】
つぎに、この有機半導体層７上にゲート電極３を形成する。ゲート電極３は、先に記述したような材料及び工程を用いて製造することができる。また、次いで、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４を形成する。ゲート絶縁層４も、前述したような材料及び工程を用いて製造することができる。
【００４３】
以上の実施形態では、ソース電極５の長手方向とドレイン電極６の長手方向の両方にダミー膜８を形成したが、ソース電極やドレイン電極の形状によっては、どちらか一方の長手方向にダミー膜を配置するだけでも、効果を得ることが可能である。
【００４４】
以上、各実施形態で示したように、本発明によって製造された有機トランジスタは液晶表示装置、電子ペーパーなどのメモリー性表示装置、または有機電気発光装置等の表示装置等に使用されることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  有機トランジスタ
２  基板
３  ゲート電極
４  ゲート絶縁層
５  ソース電極
６  ドレイン電極
７  有機半導体層
８  ダミー膜
９  チャネル領域
２０  基板
７０  有機半導体溶液
７１  縁部
７２  中心部
【図１】
0005875880.tif 000002
【図２】
0005875880.tif 000003
【図３】
0005875880.tif 000004
【図４】
0005875880.tif 000005
【図５】
0005875880.tif 000006
【図６】
0005875880.tif 000007
【図７】
0005875880.tif 000008