(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、及び
酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
0006013797.tif 000168
［式（Ｉ）中、
Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ13は、フッ素原子を有する２価の炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ12は、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−を表し、＊は、Ａ13との結合手を表す。
Ａ14は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。］
【請求項２】
式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、及び
酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
0006013797.tif 000169
［式（Ｉ）中、
Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ13は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ12は、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−を表し、＊は、Ａ13との結合手を表す。
Ａ14は、ハロゲン原子を有していてもよい脂環式炭化水素基を含む炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。］
【請求項３】
式（Ｉ）のＡ１が、エチレン基である請求項１又は２記載のレジスト組成物。
【請求項４】
式（Ｉ）のＡ13が、炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基である請求項１〜３のいずれか記載のレジスト組成物。
【請求項５】
式（Ｉ）のＸ12が、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は、Ａ13との結合手を表す。）である請求項１〜４のいずれか記載のレジスト組成物。
【請求項６】
式（Ｉ）のＡ14が、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基である請求項１〜５のいずれか記載のレジスト組成物。
【請求項７】
前記（Ｂ）酸発生剤が、式（ＩＩ）で表される酸発生剤である請求項１〜６のいずれか１つに記載のレジスト組成物。
0006013797.tif 000170
［式（ＩＩ）中、
Ｒ21及びＲ22は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ21は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ24は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
環Ｗ21は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の炭化水素環を表す。
Ｚ+は、有機カチオンを表す。］
【請求項８】
式（ＩＩ）のＬ21が、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ22−（Ｌ22は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、＊は−ＣＲ21Ｒ22−との結合手を表す。）である請求項７記載のレジスト組成物。
【請求項９】
式（ＩＩ）のＺ＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである請求項７又は８記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
（１）請求項１〜９のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、を含むレジストパターンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、式（ｕ−Ａ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｂ）で表される構造単位からなる樹脂と、式（ｕ−Ｃ）で表される構造単位、式（ｕ−Ｄ）で表される構造単位及び式（ｕ−Ｂ）で表される構造単位からなる樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物が記載されている。
0006013797.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１９７４１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のレジスト組成物によって形成されたレジストパターンは、ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及び解像度が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、及び
酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。
0006013797.tif 000003
［式（Ｉ）中、
Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ13は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ12は、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−を表し、＊は、Ａ13との結合手を表す。
Ａ14は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。］
［２］前記（Ｂ）酸発生剤が、式（ＩＩ）で表される酸発生剤である［１］記載のレジスト組成物。
0006013797.tif 000004
［式（ＩＩ）中、
Ｒ21及びＲ22は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ21は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ24は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
環Ｗ21は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の炭化水素環を表す。
Ｚ+は、有機カチオンを表す。］
［３］式（Ｉ）のＡ１が、エチレン基である［１］又は［２］記載のレジスト組成物。
［４］式（Ｉ）のＡ13が、炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基である［１］〜［３］のいずれか記載のレジスト組成物。
［５］式（Ｉ）のＸ12が、＊−ＣＯ−Ｏ−（＊は、Ａ13との結合手を表す。）である［１］〜［４］のいずれか記載のレジスト組成物。
［６］式（Ｉ）のＡ14が、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基又はアダマンチル基である［１］〜［５］のいずれか記載のレジスト組成物。
［７］式（ＩＩ）のＬ21が、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ22−（Ｌ22は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、＊は−ＣＲ21Ｒ22−との結合手を表す。）である［１］〜［６］のいずれか記載のレジスト組成物。
［８］式（ＩＩ）のＺ＋が、トリアリールスルホニウムカチオンである［１］〜［７］のいずれか記載のレジスト組成物。
［９］（１）上記［１］〜［８］のいずれか記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含むレジストパターンの製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のレジスト組成物によれば、優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造することができる。また、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少なくすることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書では、特に断りのない限り、化合物の構造式の説明において、炭素数を適宜選択しながら、以下の置換基の例示は、同様の置換基を有するいずれの構造式においても適用される。直鎖状、分岐状又は環状をとることができるものは、そのいずれをも含み、かつそれらが混在していてもよい。立体異性体が存在する場合は、全ての立体異性体を包含する。
また、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ2＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ3）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。
【０００８】
〈レジスト組成物〉
本発明のレジスト組成物は、
樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）及び
酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有する。
本明細書では、「酸に不安定な基」とは、後述するように、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。
本発明のレジスト組成物は、さらに、溶剤（以下「溶剤（Ｅ）」という場合がある）及び／又は塩基性化合物を含有していることが好ましい。
【０００９】
〈樹脂（Ａ）〉
本発明のレジスト組成物に含有されている樹脂（Ａ）は、
上述した式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ１）」という場合がある）及び
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）（以下「樹脂（Ａ２）」という場合がある）を含む。
また、後述するような、樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂が含まれていてもよい。
【００１０】
〈樹脂（Ａ１）〉
樹脂（Ａ１）は、式（Ｉ）で表される構造単位（以下「構造単位（Ｉ）」という場合がある）を有する。
0006013797.tif 000005
Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ13は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１８の２価の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ12は、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−を表し、＊は、Ａ13との結合手を表す。
Ａ14は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。］
【００１１】
Ａ１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
【００１２】
Ａ13のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。なかでもフッ素原子が好ましい。
Ａ13の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組み合わせられた２価の脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはアルカンジイル基及び２価の環式の脂肪族炭化水素基である。
Ａ13のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい飽和の脂肪族炭化水素基である。
ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有していてもよい２価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、ジフルオロメチレン基、エチレン基、ペルフルオロエチレン基、プロパンジイル基、ペルフルオロプロパンジイル基、ブタンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基、ペンタンジイル基、ペルフルオロペンタンジイル基、ジクロロメチレン基及びジブロモメチレン基などが挙げられる。
ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有していてもよい２価の環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキサンジイル基、ペルフルオロシクロヘキサンジイル基、ペルクロロシクロヘキサンジイル基などが挙げられる。多環式の２価の脂肪族炭化水素基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基などが挙げられる。
【００１３】
Ａ14の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組み合わせられた脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ14のハロゲン原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい飽和の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはアルキル基及び脂環式炭化水素基である。
ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有していてもよい鎖式の脂肪族炭化水素基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基及びペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基、ペルフルオロオクチル基、トリクロロメチル基及びトリブロモメチル基などが挙げられる。
ハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有していてもよい環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルクロロシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基としては、アダマンチル基、ノルボルニル基、ペルフルオロアダマンチル基などが挙げられる。
また、鎖式の脂肪族炭化水素基及び環式の脂肪族炭化水素基が組み合わせられた脂肪族炭化水素基としては、シクロプロピルメチル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基などが挙げられる。
【００１４】
式（Ｉ）においては、Ａ1としては、好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、エチレン基がより好ましい。
Ａ13の脂肪族炭化水素基は、炭素数１〜６が好ましく、２〜３がさらに好ましい。
Ａ14の脂肪族炭化水素基は、炭素数３〜１２が好ましく、３〜１０がさらに好ましい。なかでも、Ａ14は、好ましくは脂環式炭化水素基を含む炭素数３〜１２の脂肪族炭化水素基であり、より好ましくは、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。
【００１５】
構造単位（Ｉ）としては、以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000006
【００１６】
0006013797.tif 000007
【００１７】
上記の構造単位において、Ｒ１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（Ｉ）の具体例として挙げることができる。
【００１８】
構造単位（Ｉ）は、式（Ｉ’）で表される化合物（以下、「化合物（Ｉ’）」という場合がある）から誘導される。
0006013797.tif 000008
［式（Ｉ’）中、Ｒ1、Ａ13、Ｘ12及びＡ14は、上記と同じ意味を表す。］
【００１９】
式（Ｉ’）で表される化合物は、例えば、式（Ｉｓ−１）で表される化合物と、式（Ｉｓ−２）で表されるカルボン酸とを反応させることにより製造することができる。
この反応は、通常、溶媒の存在下で行われる。溶媒としては、テトラヒドロフラン及びトルエンなどが用いられる。なお、反応の際には、公知のエステル化触媒（例えば、酸触媒、カルボジイミド触媒など）を共存させてもよい。
0006013797.tif 000009
式（Ｉｓ−１）で表される化合物としては、市場から容易に入手できる市販品を用いて  式（Ｉｓ−１）で表される化合物は、市販品であってもよいし、公知の方法で製造したものでもよい。ここで、公知の方法とは、例えば、（メタ）アクリル酸又はその誘導体（例えば、（メタ）アクリル酸クロリドなど）と、適当なジオール（ＨＯ−Ａ１−ＯＨ）とを縮合する方法が挙げられる。市販品としては、ヒドロキシエチルメタクリレートなどが挙げられる。
式（Ｉｓ−２）で表されるカルボン酸は、公知の方法により製造することができる。式（Ｉｓ−２）で表されるカルボン酸としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
0006013797.tif 000010
【００２０】
0006013797.tif 000011
【００２１】
樹脂（Ａ１）は、構造単位（Ｉ）と異なる構造単位を有していてもよい。
構造単位（Ｉ）とは異なる構造単位としては、後述する酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、後述する酸安定モノマーに由来する構造単位、式（ＩＩＩ−１）で表される構造単位（以下、構造単位（ＩＩＩ−１）という場合がある）、式（ＩＩＩ−２）で表される構造単位（以下、構造単位（ＩＩＩ−２）という場合がある）、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位、後述する式（ＩＩ）で表される構造単位等が挙げられる。好ましくは構造単位（ＩＩＩ−１）又は構造単位（ＩＩＩ−２）である。
【００２２】
0006013797.tif 000012
［式（ＩＩＩ−１）中、
Ｒ11は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ11は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ12は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］
0006013797.tif 000013
［式（ＩＩＩ−２）中、
Ｒ33は、水素原子又はメチル基を表す。
環Ｗ２は、炭素数６〜１０の炭化水素環を表す。
Ａ23は、−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＯ−（＊は環Ｗ２との結合手を表す）を表す。
Ｒ34は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
【００２３】
Ａ11のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
【００２４】
Ｒ12のフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
フッ素原子を有するアルキル基としては、以下に表す基を含む、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、パーフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、パーフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、パーフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（パーフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、パーフルオロペンチル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基及びパーフルオロヘキシル基等が挙げられる。
0006013797.tif 000014
【００２５】
脂環式炭化水素基としては、好ましくは、飽和の脂肪族炭化水素環から水素原子を一つ取り除いた基である。飽和の脂肪族炭化水素環としては、以下の環が挙げられる。
0006013797.tif 000015
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。
【００２６】
環Ｗ２の炭化水素環としては、例えば、脂肪族炭化水素環が挙げられ、好ましくは、飽和の脂肪族炭化水素環である。なかでも、アダマンタン環又はシクロヘキサン環が好ましく、アダマンタン環がより好ましい。
【００２７】
構造単位（ＩＩＩ−１）としては、以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000016
【００２８】
0006013797.tif 000017
【００２９】
上記の構造単位において、Ｒ11に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ＩＩＩ−１）の具体例として挙げることができる。
【００３０】
構造単位（ＩＩＩ−２）としては、以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000018
上記の構造単位において、Ｒ33に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ＩＩＩ−２）の具体例として挙げることができる。
【００３１】
樹脂（Ａ１）中の構造単位（Ｉ）の含有量は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、５〜１００モル％の範囲が好ましく、１０〜１００モル％の範囲がより好ましい。
樹脂（Ａ１）が構造単位（ＩＩＩ−１）及び／又は構造単位（ＩＩＩ−２）を含有する場合、これらの合計含有量は、樹脂（Ａ１）の全構造単位に対して、１〜９５モル％の範囲が好ましく、２〜８０モル％の範囲がより好ましく、５〜７０モル％の範囲がさらに好ましく、５〜５０モル％の範囲がとりわけ好ましく、５〜３０モル％の範囲が特に好ましい。
なお、構造単位（ＩＩＩ−１）：構造単位（ＩＩＩ−２）は、例えば、０：１００〜１００：０（質量比）が挙げられ、３：９７〜９７：３が好ましく、５０：５０〜９５：５がより好ましい。
このような含有量で構造単位（Ｉ）並びに必要に応じて構造単位（ＩＩＩ−１）及び／又は構造単位（ＩＩＩ−２）を有する樹脂（Ａ１）は、樹脂（Ａ１）製造時に用いる全モノマーの総モル量に対する化合物（Ｉ’）、構造単位（ＩＩＩ−１）を誘導するモノマー、構造単位（ＩＩＩ−２）を誘導するモノマーの使用モル量を調節することにより製造することができる。
【００３２】
樹脂（Ａ１）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。
樹脂（Ａ１）の重量平均分子量は、好ましくは、５，０００以上（より好ましくは７，０００以上、さらに好ましくは１０，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは５０，０００以下、さらに好ましくは３０，０００以下）である。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー分析により、標準ポリスチレン基準の換算値として求められるものであり、分析の詳細な分析条件は、本願の実施例で詳述する。
【００３３】
〈樹脂（Ａ２）〉
樹脂（Ａ２）は、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る。ここで、「酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る」とは、酸に不安定な基を有し、酸との接触前ではアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが、酸との接触後にアルカリ水溶液に可溶となることを意味する。
従って、樹脂（Ａ２）は、酸に不安定な基を有するモノマー（以下「酸不安定モノマー（ａ１）」という場合がある）の１種又は２種以上を重合することによって得ることができる。
また、樹脂（Ａ２）は、上述した性質を備え、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない限り、酸に不安定な基を有さないモノマー（以下「酸安定モノマー」という）に由来する構造単位、当該分野で公知のモノマー、構造単位（ＩＩＩ−１）及び構造単位（ＩＩＩ−２）を含んでいてもよい。
【００３４】
〈酸不安定モノマー（ａ１）〉
「酸に不安定な基」とは、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基を意味する。酸に不安定な基としては、例えば、式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。
【００３５】
0006013797.tif 000019
［式（１）中、Ｒa1〜Ｒa3は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表すか、Ｒa1及びＲa2は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。＊は結合手を表す。］
0006013797.tif 000020
［式（２）中、Ｒａ１’及びＲａ２’は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒａ２’及びＲａ３’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ―又は―Ｓ−で置き換わってもよい。
【００３６】
Ｒa1〜Ｒa3の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基で置換されていてもよい。この場合、該脂環式炭化水素基の炭素数は、アルキル基の炭素数も含めて２０以下である。
単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロへキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。
0006013797.tif 000021
【００３７】
Ｒa1及びＲa2が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒa1）（Ｒa2）（Ｒa3）としては、例えば、下記の基が挙げられる。２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。
0006013797.tif 000022
【００３８】
式（１）においては、Ｒa1〜Ｒa3の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６であり、より好ましくは炭素数４〜１６である。
式（１）で表される酸に不安定な基としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1〜Ｒa3がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1、Ｒa2及び炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒa3がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒa1及びＲa2がアルキル基であり、Ｒa3がアダマンチル基である基）等が挙げられる。
【００３９】
Ｒa1’〜Ｒa3’の炭化水素基としては、例えば、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒa2’及びＲa3’が互いに結合して形成する２価の炭化水素基としては、例えば、２価の脂肪族炭化水素基が挙げられる。
式（２）においては、Ｒａ１’及びＲａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。
式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。
0006013797.tif 000023
【００４０】
酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）は、好ましくは、酸に不安定な基と炭素−炭素二重結合とを有するモノマー、より好ましくは酸に不安定な基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。
【００４１】
酸に不安定な基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）を重合して得られる樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。
【００４２】
酸に不安定な基と脂環式炭化水素基とを有する（メタ）アクリル系モノマーとして、好ましくは式（ａ１−１）で表されるモノマー（以下、モノマー（ａ１−１）という場合がある。）又は式（ａ１−２）で表されるモノマー（以下、モノマー（ａ１−２）という場合がある。）が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００４３】
0006013797.tif 000024
［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌa1及びＬa2は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k1−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒa4及びＲa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa6及びＲa7は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜１０の脂環式炭化水素基を表す。
ｍ１は０〜１４の整数を表す。
ｎ１は０〜１０の整数を表す。
ｎ２は０〜３の整数を表す。］
【００４４】
Ｌa1及びＬa2は、好ましくは、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）ｋ1−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒa4及びＲa5は、好ましくはメチル基である。
Ｒa6及びＲa7のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。Ｒa6及びＲa7のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒa6及びＲa7の脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、上記と同様のものが挙げられる。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ２は、好ましくは０又は１である。
【００４５】
モノマー（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。
0006013797.tif 000025
【００４６】
モノマー（ａ１−２）としては、例えば、１−エチル−１−シクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチル−シクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチル−１−シクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチル−１−シクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピル−１−シクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）〜式（ａ１−２−４）又は式（ａ１−２−９）〜式（ａ１−２−１０）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。
0006013797.tif 000026
【００４７】
樹脂（Ａ２）がモノマー（ａ１−１）及び／又はモノマー（ａ１−２）に由来する構造単位を含む場合、これらの合計含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。
【００４８】
他の酸不安定モノマー（ａ１）としては、例えば、酸不安定基（２）を有する（メタ）アクリル系モノマーである式（ａ１−５）で表されるモノマー（以下「モノマー（ａ１−５）」という場合がある）を用いてもよい。
0006013797.tif 000027
式（ａ１−５）中、
Ｒ３５は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ１は、単結合又は＊−［ＣＨ2］k４−ＣＯ−Ｌ４−基を表す。ここで、ｋ４は１〜４の整数を表す。＊は、Ｌ１との結合手を表す。
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。
【００４９】
式（ａ１−５）においては、Ｒ３５は、水素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｌ１は、酸素原子が好ましい。
Ｌ２及びＬ３は、一方が酸素原子、他方が硫黄原子が好ましい。
ｓ１は、１が好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数が好ましい。
Ｚ１は、単結合又は＊−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−が好ましい。
【００５０】
モノマー（ａ１−５）としては、例えば、以下のモノマーが挙げられる。
0006013797.tif 000028
【００５１】
0006013797.tif 000029
【００５２】
0006013797.tif 000030
【００５３】
0006013797.tif 000031
【００５４】
0006013797.tif 000032
【００５５】
0006013797.tif 000033
【００５６】
樹脂（Ａ２）が、モノマー（ａ１−５）に由来する構造単位を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、１〜５０モル％が好ましく、３〜４５モル％がより好ましく、５〜４０モル％がさらに好ましい。
【００５７】
〈酸安定モノマー〉
酸安定モノマーとしては、好ましくは、ヒドロキシ基又はラクトン環を有するモノマーが挙げられる。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（以下「ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）」という場合がある）又はラクトン環を含有する酸安定モノマー（以下「ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）」という場合がある）に由来する構造単位を有する樹脂を使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板への密着性を向上させることができる。
【００５８】
〈ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）〉
レジスト組成物をＫｒＦエキシマレーザ露光（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）などの高エネルギー線露光に用いる場合、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、ヒドロキシスチレン類であるフェノール性ヒドロキシ基を有する酸安定モノマーを使用する。短波長のＡｒＦエキシマレーザ露光（１９３ｎｍ）などを用いる場合は、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）として、好ましくは、式（ａ２−１）で表されるヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーを使用する。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５９】
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマーとして、式（ａ２−１）で表されるモノマーが挙げられる。
0006013797.tif 000034
式（ａ２−１）中、
Ｌa3は、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k2−ＣＯ−Ｏ−を表し、
ｋ２は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒa14は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa15及びＲa16は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基又はヒドロキシ基を表す。
ｏ１は、０〜１０の整数を表す。
【００６０】
式（ａ２−１）では、Ｌa3は、好ましくは、−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ2）f1−ＣＯ−Ｏ−であり（前記ｆ１は、１〜４の整数である）、より好ましくは−Ｏ−である。
Ｒa14は、好ましくはメチル基である。
Ｒa15は、好ましくは水素原子である。
Ｒa16は、好ましくは水素原子又はヒドロキシ基である。
ｏ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
【００６１】
ヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−６）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。
0006013797.tif 000035
【００６２】
樹脂（Ａ２）が式（ａ２−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常３〜４５モル％であり、好ましくは５〜４０モル％であり、より好ましくは５〜３５モル％であり、さらに好ましくは３〜２０モル％である。
【００６３】
〈ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）〉
酸安定モノマー（ａ３）が有するラクトン環は、例えば、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。これらラクトン環の中で、好ましくは、γ−ブチロラクトン環、又は、γ−ブチロラクトン環と他の環との縮合環が挙げられる。
【００６４】
ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、好ましくは、式（ａ３−１）、式（ａ３−２）又は式（ａ３−３）で表される。これらの１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６５】
0006013797.tif 000036
式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）中、
Ｌa4〜Ｌa6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k3−ＣＯ−Ｏ−を表す。
ｋ３は１〜７の整数を表す。＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒa18〜Ｒa20は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒa21は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｐ１は０〜５の整数を表す。
Ｒa22及びＲa23は、それぞれ独立に、カルボキシ基、シアノ基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｑ１及びｒ１は、それぞれ独立に０〜３の整数を表す。ｐ１、ｑ１又はｒ１が２以上のとき、それぞれ、複数のＲa21、Ｒa22又はＲa23は、同一又は相異なる。
【００６６】
式（ａ３−１）〜式（ａ３−３）では、Ｌa4〜Ｌa6は、それぞれ独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ2）k3−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましく、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ３は、好ましくは１〜４の整数であり、より好ましくは１である。
Ｒa18〜Ｒa21は、好ましくはメチル基である。
Ｒa22及びＲa23は、それぞれ独立に、好ましくはカルボキシ基、シアノ基又はメチル基である。
ｐ１〜ｒ１は、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。
【００６７】
ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）としては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−４）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）及び式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−２）及び式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましく、式（ａ３−１−１）又は式（ａ３−２−３）で表されるモノマーがさらに好ましい。
【００６８】
0006013797.tif 000037
【００６９】
0006013797.tif 000038
【００７０】
樹脂（Ａ２）がラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）に由来する構造単位の含む場合、その合計含有量は、樹脂（Ａ２）の全構造単位に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１５〜６０モル％である。
【００７１】
樹脂（Ａ２）が、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）と酸安定モノマーとの共重合体である場合、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位は、全構造単位１００モル％に対して、好ましくは１０〜８０モル％、より好ましくは２０〜６０モル％である。
樹脂（Ａ２）は、アダマンチル基を有するモノマー（特に酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１−１））に由来する構造単位を、酸に不安定な基を有するモノマー（ａ１）に対して１５モル％以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有するモノマーの比率が増えると、レジストのドライエッチング耐性が向上する。
【００７２】
樹脂（Ａ２）は、好ましくは、酸不安定モノマー（ａ１）と、酸安定モノマーとの共重合体である。この共重合体において、酸不安定モノマー（ａ１）は、より好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１）及びシクロへキシル基を有するモノマー（ａ１−２）の少なくとも１種（さらに好ましくはアダマンチル基を有するモノマー（ａ１−１））である。また、酸安定モノマーは、好ましくは、ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）及び／又はラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）である。ヒドロキシ基を有する酸安定モノマー（ａ２）は、好ましくはヒドロキシアダマンチル基を有する酸安定モノマー（ａ２−１）であり、ラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３）は、より好ましくはγ−ブチロラクトン環を有する酸安定モノマー（ａ３−１）及びγ−ブチロラクトン環とノルボルナン環との縮合環を有する酸安定モノマー（ａ３−２）の少なくとも１種である。
【００７３】
樹脂（Ａ２）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組み合わせて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。
樹脂（Ａ２）の重量平均分子量は、好ましくは、２，５００以上（より好ましくは３，０００以上）、３０，０００以下（より好ましくは１０，０００以下）である。
【００７４】
樹脂（Ａ１）及び樹脂（Ａ２）は、樹脂（Ａ）において、例えば、０．０１：１０〜５：１０、好ましくは０．０５：１０〜３：１０、より好ましくは０．１：１０〜２：１０、さらに好ましくは０．２：１０〜１：１０（質量比）で含有されている。
【００７５】
〈樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂〉
本発明のレジスト組成物には、上述した樹脂（Ａ１）及び（Ａ２）以外の樹脂、例えば、上述した酸不安定モノマー（ａ１）に由来する構造単位、酸安定モノマーに由来する構造単位、当該分野で用いられる公知のモノマーに由来する構造単位から選択される少なくとも１種を有する樹脂が含有されていてもよい。
【００７６】
本発明のレジスト組成物においては、樹脂（Ａ）の含有量は、好ましくは、レジスト組成物の固形分中８０質量％以上、９９重量％以下である。本明細書において「組成物中の固形分」とは、後述する溶剤（Ｅ）を除いたレジスト組成物成分の合計を意味する。組成物中の固形分及びこれに対する樹脂（Ａ）の含有量は、例えば、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィーなどの公知の分析手段で測定することができる。
【００７７】
〈酸発生剤〉
酸発生剤は、酸に不安定な基を有する。ここで「酸に不安定な基」とは、上述したように、脱離基を有し、酸と接触すると脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を形成する基である。このような基としては、例えば、上述した式（１）で表される基、式（２）で表される基などが挙げられる。
酸発生剤としては、例えば、特開２００９−１４５４０８号公報、特開２００９−２２９６０３号公報及び特開２０１０−１１１６６０号公報に記載されている酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される塩（以下「酸発生剤（ＩＩ）」という場合がある。）等が挙げられる。
【００７８】
0006013797.tif 000039
［式（ＩＩ）中、
Ｒ21及びＲ22は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ21は、単結合又は置換基を有してもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ24は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。
環Ｗ21は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の炭化水素環を表す。
Ｚ+は、有機カチオンを表す。］
式（ＩＩ）において、正電荷を有するＺ＋で示される有機カチオンを除去してなる負電荷を有するものを「スルホン酸アニオン」ということがある。
【００７９】
Ｒ21及びＲ22のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｒ21及びＲ22は、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
【００８０】
Ｌ21における置換基を有してもよい２価の炭化水素基としては、アルカンジイル基又は式（ＩＩ−Ｌ21）で表される２価の基が挙げられる。
0006013797.tif 000040
［式（ＩＩ−Ｌ21）中、
Ｌ25及びＬ26は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ22は、炭素数３〜１２の飽和炭化水素環を表し、該飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ２−は−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
ｖは、０〜２の整数を表す。
Ｒ36は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。
ｗは、０〜２の整数を表す。ｗが２である場合、複数のＲ36は同じであっても異なっていてもよい。
ただし、Ｌ25及びＬ26のアルカンジイル基に含まれる炭素原子の数と、環Ｗ22の飽和炭化水素環に含まれる炭素原子の数と、Ｒ36のアルキル基に含まれる炭素原子の総数との合計は、２０以下である。］
【００８１】
Ｌ21、Ｌ25及びＬ26のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
【００８２】
アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基は、好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）のいずれか、より好ましくは式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−４）のいずれか、さらに好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−２）で表される。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）は、その左右を式（ＩＩ）に合わせて記載しており、左側でＣ（Ｒ21）（Ｒ22）−と結合し、右側で−ＣＯ−と結合する。以下の式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−６）の具体例も同様である。
【００８３】
0006013797.tif 000041
［式中、Ｌb2〜Ｌb13は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表す。］
【００８４】
式（ｂ１−１）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000042
【００８５】
式（ｂ１−２）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000043
【００８６】
式（ｂ１−３）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000044
【００８７】
式（ｂ１−４）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000045
【００８８】
式（ｂ１−５）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000046
【００８９】
式（ｂ１−６）で表される２価の基としては、例えば以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000047
Ｌ21としては、なかでも、単結合又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ24−（Ｌ24は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表し、＊は−ＣＲ21Ｒ22−との結合手を表す）が好ましい。
【００９０】
環Ｗ22の飽和炭化水素環とは、不飽和結合を含まない、炭素及び水素のみからなる環をいう。環Ｗ22の飽和炭化水素環としては、例えば、シクロヘキサン環、アダマンタン環等が挙げられ、アダマンタン環が好ましい。
【００９１】
Ｒ36の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基イソプロピル基、ブチル墓、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられ、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２のアルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
【００９２】
式（ＩＩ−Ｌ21−Ａ）で表される２価の基としては、例えば、以下で表される２価の基などが挙げられる。
0006013797.tif 000048
［式（ＩＩ−Ｌ21−Ａ）中、Ｗ22、Ｒ36、ｖ及びｗは、上記と同じ意味を表す。
＊は、結合手を表す。］
【００９３】
0006013797.tif 000049
【００９４】
Ｒ24の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組み合わせを含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。Ｒ24としては、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。
【００９５】
環Ｗ21の炭化水素環としては、炭素数３〜１２の炭化水素環が好ましい。なかでも、以下に示すような飽和の炭化水素環がより好ましく、シクロヘキサン環及びアダマンタン環がさらに好ましい。
0006013797.tif 000050
【００９６】
以下の式（ＩＩ−Ａ）で表される基としては、下記の基がより好ましい。＊は−Ｏ−との結合手を表す。
0006013797.tif 000051
【００９７】
0006013797.tif 000052
【００９８】
環Ｗ21における炭化水素環が有する置換基としては、Ｒ24以外に、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、以下の式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基等が挙げられる。なかでも、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基が好ましく、さらに、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ヒドロキシ基、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−４）で表される基がより好ましい。＊は環Ｗ21との結合手を表す。
特に、環Ｗ21における炭化水素環の置換基においては、アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基がさらに好ましい。
【００９９】
0006013797.tif 000053
［式（ＩＩ−１）中、Ａ22は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ25は、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
0006013797.tif 000054
［式（ＩＩ−２）中、Ｒ26、Ｒ27及びＲ28は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
0006013797.tif 000055
［式（ＩＩ−３）中、Ｒ29、Ｒ30及びＲ31は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。］
0006013797.tif 000056
［式（ＩＩ−４）中、
Ｌ23は、炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
環Ｗ23は、炭素数３〜１８の飽和炭化水素環を表し、この飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ32は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基又は炭素数１〜６のヒドロキシアルコキシ基を表す。
ｔは、０〜３の整数を表す。ｔが２又は３である場合、複数のＲ32は同一又は相異なる。］
【０１００】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基などが挙げられる。
ハロゲン原子置換アルキル基及びハロゲン原子置換アルコキシ基としては、フッ化アルキル基及びフッ化アルコキシ基が好ましい。
フッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２，３，３−ペプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等などが挙げられる。
フッ化アルコキシ基としては、トリフルオロメトキシ基、１，１，１−トリフルオロエトキシ基、ペルフルオロエトキシ基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロポキシ基、ペルフルオロプロポキシ基、１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロブトキシ基、ペルフルオロブトキシ基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペントキシ基、ペルフルオロペントキシ基、ペルフルオロヘキトキシ基等などが挙げられる。
ヒドロキシアルキル基としては、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基等が挙げられる。
ヒドロキシアルコキシ基としては、ヒドロキシメトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、ヒドロキシプロポキシ基等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。
飽和炭化水素環としては、上述したものと同様のものが挙げられる。
【０１０１】
環Ｗ21における炭化水素環の置換基においては、アルキル基としては、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基が特に好ましい。
【０１０２】
Ｌ23は、＊−Ｏ−Ｌ７−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−Ｌ８−ＣＯ−Ｏ−Ｌ９−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ１０−ＣＯ−Ｏ−、＊−Ｏ−ＣＯ−Ｌ１１−Ｏ−又は＊−Ｏ−Ｌ１２−Ｏ−であることが好ましく、＊−Ｏ−Ｌ７−ＣＯ−Ｏ−又は＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ１０−ＣＯ−Ｏ−がより好ましく、＊−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−又は＊−Ｏ−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−Ｃ２Ｈ４−Ｏ−がさらに好ましい。ここで、Ｌ７〜Ｌ１２は、それぞれ独立に、炭素数１〜８のアルカンジイル基を表し、＊は環Ｗ21との結合手を表す。
【０１０３】
式（ＩＩ−１）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
0006013797.tif 000057
【０１０４】
式（ＩＩ−２）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
0006013797.tif 000058
【０１０５】
式（ＩＩ−３）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
0006013797.tif 000059
【０１０６】
式（ＩＩ−４）で表される基としては、以下の基が挙げられる。
0006013797.tif 000060
式（ＩＩ−４）で表される基のなかでも、式（ＩＩ−４−１）及び式（ＩＩ−４−２）で表される基が好ましい。
【０１０７】
酸発生剤（ＩＩ）としては、例えば、以下の塩が挙げられる。
0006013797.tif 000061
【０１０８】
0006013797.tif 000062
【０１０９】
0006013797.tif 000063
【０１１０】
0006013797.tif 000064
【０１１１】
0006013797.tif 000065
【０１１２】
0006013797.tif 000066
【０１１３】
0006013797.tif 000067
【０１１４】
0006013797.tif 000068
【０１１５】
0006013797.tif 000069
【０１１６】
0006013797.tif 000070
【０１１７】
酸発生剤（ＩＩ）としては、なかでも、以下の式（ＩＩ−４ａ）で表される塩が好ましい。
0006013797.tif 000071
［式（ＩＩ−４ａ）中、Ｒ21、Ｒ22、Ｌ21、Ｒ24、環Ｗ21、Ｌ23、環Ｗ23、Ｒ32、ｔ及びＺ+は上記と同義である。］
【０１１８】
Ｚ+で示される有機カチオンとしては、例えば、有機スルホニウムカチオン、有機ヨードニウムカチオン、有機アンモニウムカチオン、ベンゾチアゾリウムカチオン及び有機ホスホニウムカチオン等の有機オニウムカチオンが挙げられる。これらの中でも、有機スルホニウムカチオン及び有機ヨードニウムカチオンが好ましく、アリールスルホニウムカチオンがより好ましい。
【０１１９】
さらに好ましくは、例えば、式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）等が挙げられる。
0006013797.tif 000072
【０１２０】
式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）中
Ｐａ〜Ｐｃは、それぞれ独立に、炭素数１〜３０の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基を表すか、ＰａとＰｂは、一緒になってイオウ原子を含む環を形成している。該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜４のアシル基又はグリシジルオキシ基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換されていてもよい。
【０１２１】
Ｐ４及びＰ５は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｐ６及びＰ７は、それぞれ独立に、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表すか、Ｐ６及びＰ７は、それらが結合する硫黄原子とともに互いに結合して３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成している。環に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｐ８は、水素原子、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｐ９は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表し、該脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基で置換されていてもよく、前記芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はアルキルカルボニルオキシ基で置換されていてもよい。
Ｐ８及びＰ９は、それらが結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに３員環〜１２員環（好ましくは３員環〜７員環）を形成していてもよい。環に含まれる−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
【０１２２】
Ｐ１０〜Ｐ１５は、それぞれ独立に、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
Ｅは、−Ｓ−又は−Ｏ−を表す。
ｉ、ｊ、ｐ、ｒ、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。
ｑは０又は１を表す。
ｖ及びｗは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
ｉが２以上であるとき、複数のＰ４は互いに同一又は相異なり、ｊが２以上のとき、複数のＰ５は互いに同一又は相異なり、ｐが２以上のとき、複数のＰ１０は互いに同一又は相異なり、ｒが２以上のとき、複数のＰ１１は互いに同一又は相異なり、ｖが２以上のとき、複数のＰ１２は互いに同一又は相異なり、ｗが２以上のとき、複数のＰ１３は互いに同一又は相異なり、ｘが２以上のとき、複数のＰ１４は互いに同一又は相異なり、ｙが２以上のとき、複数のＰ１５は互いに同一又は相異なる。
【０１２３】
脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。特に、Ｐ６〜Ｐ８の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２である。
水素原子が脂環式炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基としては、例えば、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基等が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基などのシクロアルキル基が挙げられる。多環式の飽和炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記のような基等が挙げられる。
0006013797.tif 000073
特に、Ｐ６〜Ｐ８の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜３６であり、より好ましくは炭素数３〜１８、さらに好ましくは炭素数４〜１２である。
【０１２４】
水素原子がアルキル基で置換された脂環式炭化水素基としては、例えば、メチルシクロへキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−シクロへキシルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基に、脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基が含まれる場合は、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基及び炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基が好ましい。
水素原子が芳香族炭化水素基で置換された脂肪族炭化水素基、つまり、アラルキル基としては、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基などが挙げられる。
【０１２５】
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、ヘプトキシ基、オクトキシ基、２−エチルヘキトキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等が挙げられる。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【０１２６】
ＰａとＰｂとが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性、飽和及び不飽和のいずれの環であってもよく、イオウ原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上のイオウ原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。この環は、好ましくは炭素数３〜１８、より好ましくは炭素数４〜１２を有する。
【０１２７】
Ｐ６及びＰ７が結合する硫黄原子とともに形成する環としては、例えば、チオラン−１−イウム環（テトラヒドロチオフェニウム環）、チアン−１−イウム環及び１，４−オキサチアン−４−イウム環などが挙げられる。
Ｐ８及びＰ９が結合する−ＣＨ−ＣＯ−とともに形成する環としては、例えば、オキソシクロヘプタン環、オキソシクロヘキサン環、オキソノルボルナン環及びオキソアダマンタン環などが挙げられる。
【０１２８】
式（Ｚ１）〜式（Ｚ４）で表されるカチオンの中でも、式（Ｚ１）が好ましく、式（Ｚ５）で表されるカチオンがより好ましく、トリフェニルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝ｚ３＝０）、ジフェニルトリルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝０、ｚ３＝１であり、Ｐ３がメチル基である。）又はトリトリルスルホニウムカチオン（式（Ｚ５）中、ｚ１＝ｚ２＝ｚ３＝１であり、Ｐ１、Ｐ２及びＰ３がいずれもメチル基である。）がさらに好ましい。
【０１２９】
0006013797.tif 000074
式（Ｚ５）中
Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜３６の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、Ｐ１〜Ｐ３から選ばれる２つが一緒になってイオウ原子を含む環を形成している。
ｚ１、ｚ２及びｚ３は、それぞれ独立に、０〜５の整数を表す。ｚ１が２以上のとき、複数のＰ１は、同一又は相異なり、ｚ２が２以上のとき、複数のＰ２は、同一又は相異なり、ｚ３が２以上のとき、複数のＰ３は、同一又は相異なる。
【０１３０】
Ｐ１〜Ｐ３から選ばれる２つが一緒になって形成する環としては、単環式、多環式、芳香族性、非芳香族性のいずれの環であってもよく、イオウ原子を１以上含むものであれば、さらに、１以上のイオウ原子及び／又は１以上の酸素原子を含んでいてもよい。
Ｐ１〜Ｐ３の脂肪族炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１２であり、脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数４〜３６である。
なかでも、Ｐ１〜Ｐ３は、それぞれ独立に、ハロゲン原子（より好ましくはフッ素原子）、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表すか、Ｐ１〜Ｐ３から選ばれる２つが一緒になって、酸素原子とイオウ原子とを含む環を形成することが好ましい。ｚ１、ｚ２及びｚ３は、それぞれ独立に、好ましくは０又は１である。
【０１３１】
式（Ｚ５）で表されるカチオンとしては、以下のカチオンが挙げられる。
0006013797.tif 000075
【０１３２】
0006013797.tif 000076
【０１３３】
0006013797.tif 000077
【０１３４】
0006013797.tif 000078
【０１３５】
式（Ｚ１）で表されるカチオンとしては、以下のカチオンが挙げられる。
0006013797.tif 000079
【０１３６】
式（Ｚ２）で表されるカチオンとしては、以下のカチオンが挙げられる。
0006013797.tif 000080
式（Ｚ３）で表されるカチオンとしては、以下のカチオンが挙げられる。
0006013797.tif 000081
【０１３７】
また、カチオンとして、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたカチオンであってもよい。
【０１３８】
酸発生剤（ＩＩ）は、スルホン酸アニオン及び有機カチオンの組合せである。スルホン酸アニオンと有機カチオンとは任意に組み合わせることができる。このようなスルホン酸アニオン及び有機カチオンの組み合わせを表１に示す。なお、表１において、式（ｂ１−ｓ−１）で表されるスルホン酸アニオンなどを、その式番号に応じて、「（ｂ１−ｓ−１）」などと表し、式（ｂ２−ｃ−１）で表される有機カチオンなどを、その式番号に応じて、「（ｂ２−ｃ−１）」などと表す。
【０１３９】
【表１−１】
0006013797.tif 000082
【０１４０】
【表１−２】
0006013797.tif 000083
【０１４１】
【表１−３】
0006013797.tif 000084
【０１４２】
【表１−４】
0006013797.tif 000085
【０１４３】
【表１−５】
0006013797.tif 000086
【０１４４】
【表１−６】
0006013797.tif 000087
【０１４５】
さらに好ましい酸発生剤（ＩＩ）としては、以下のものが挙げられる。
0006013797.tif 000088
【０１４６】
0006013797.tif 000089
【０１４７】
0006013797.tif 000090
【０１４８】
0006013797.tif 000091
【０１４９】
0006013797.tif 000092
【０１５０】
0006013797.tif 000093
【０１５１】
0006013797.tif 000094
【０１５２】
0006013797.tif 000095
【０１５３】
0006013797.tif 000096
【０１５４】
0006013797.tif 000097
【０１５５】
0006013797.tif 000098
【０１５６】
0006013797.tif 000099
【０１５７】
酸発生剤（ＩＩ）は、例えば、以下の方法（ａ）〜（ｆ）及びそれに準じた方法によって製造することができる。なお、以下の式における置換基の定義は、上記と同義である。
（ａ）酸発生剤（ＩＩ）のうち、Ｌ21が単結合である式（ＩＩ−１Ａ）で表される塩は、式（ＩＩ−１−ａ）で表される化合物と、式（ＩＩ−１−ｂ）で表される化合物とを塩基触媒下で反応させることにより製造することができる。
溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。塩基触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
0006013797.tif 000100
式（ＩＩ−１−ｂ）で表される化合物は、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。
【０１５８】
（ｂ）酸発生剤（ＩＩ）のうち、Ｌ21が−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−である式（ＩＩ−２Ａ）で表される塩は以下の方法で製造することができる。
まず、式（ＩＩ−１−ａ）で表される化合物と、式（ＩＩ−２−ｃ）で表される化合物とを、塩基性触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−２−ｄ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
次いで、式（ＩＩ−１−ｂ）で表される塩と式（ＩＩ−２−ｄ）で表される化合物とを塩基触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−２）で表される塩を得ることができる。  溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。塩基触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
【０１５９】
0006013797.tif 000101
［式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。］
ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。
【０１６０】
（ｃ）酸発生剤（ＩＩ）のうち、Ｌ21が単結合であり、かつ環Ｗ21の置換基が式（ＩＩ−４）であり、Ｌ23が＊−Ｏ−Ｌ７−ＣＯ−Ｏ−（＊は環Ｗ21との結合手）である化合物（ＩＩ−３Ａ）は、以下の方法で製造することができる。
0006013797.tif 000102
【０１６１】
式（ｂ１−ａ）で表される化合物と式（ｂ１−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
0006013797.tif 000103
［Ｘ１は、上記と同義である。］
【０１６２】
式（ｂ１−ｃ）で表される化合物と式（ｂ１−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ｂ１−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
0006013797.tif 000104
【０１６３】
式（ｂ１−ｆ）で表される塩は、特開２００８−１２７３６７号公報に記載された方法で合成することができる。
式（ｂ１−ｅ）で表される化合物と式（ｂ１−ｆ）で表される塩とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−３Ａ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、モノクロロベンゼン等が挙げられる。触媒としては、硫酸等が挙げられる。
0006013797.tif 000105
【０１６４】
（ｄ）式（ＩＩ−０Ａ）で表される塩は、以下の方法により製造することができる。
0006013797.tif 000106
式（ＩＩ−０Ａ−ａ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ｂ１−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ピリジン等が挙げられる。
0006013797.tif 000107
［Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子を表す。］
ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。
【０１６５】
次いで、式（ＩＩ−０Ａ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
0006013797.tif 000108
【０１６６】
さらに、式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩と式（ＩＩ−０Ａ−ｇ）で表される化合物とを反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ−ｈ）で表される塩を得ることができる。
式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩は、例えば、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。
0006013797.tif 000109
【０１６７】
続いて、式（ＩＩ−０Ａ−ｅ）で表される化合物と式（ＩＩ−０A−ｈ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ａ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。
0006013797.tif 000110
【０１６８】
（ｅ）式（ＩＩ−０Ｂ）で表される塩は、以下の方法で得ることができる。
0006013797.tif 000111
【０１６９】
まず、式（ＩＩ−０Ａ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｂ−ｄ）で表される化合物とを触媒下で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ−ｅ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。触媒としては、炭酸カリウム、ヨウ化カリウム等が挙げられる。
0006013797.tif 000112
【０１７０】
次いで、式（ＩＩ−０Ｂ−ｆ）で表される塩と式（ＩＩ−０Ｂ−ｇ）で表される化合物とを反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ−ｈ）で表される塩を得ることができる。
式（ＩＩ−０Ｂ−ｆ）で表される塩は、例えば、特開２００８−１３５５１号公報に記載された方法で合成することができる。
0006013797.tif 000113
【０１７１】
さらに、式（ＩＩ−０Ｂ−ｅ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｂ−ｈ）で表される塩とを、溶剤中で反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｂ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、アセトニトリル等が挙げられる。
0006013797.tif 000114
【０１７２】
（ｆ）式（ＩＩ−０Ｃ）で表される塩は、以下の製造方法で得ることができる。
0006013797.tif 000115
【０１７３】
まず、式（ＩＩ−０Ｃ−ａ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ｃ−ｂ）で表される化合物を塩基性触媒下で、反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ−ｃ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、テトラヒドロフラン等が挙げられる。塩基触媒としては、ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。
0006013797.tif 000116
【０１７４】
次いで、式（ＩＩ−０Ｃ−ｃ）で表される化合物を触媒下、分子内反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ−ｄ）で表される化合物を得ることができる。溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、ｍ−クロロ過安息香酸等が挙げられる。
0006013797.tif 000117
【０１７５】
さらに、式（ＩＩ−０Ｃ−ｄ）で表される化合物と式（ＩＩ−０Ａ−ｆ）で表される塩とを触媒下反応させることにより、式（ＩＩ−０Ｃ）で表される塩を得ることができる。溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。触媒としては、リチウムアミド等が挙げられる。
0006013797.tif 000118
【０１７６】
酸発生剤中に含まれる式（ＩＩａ）で表される基は、酸の作用により分解し、カルボン酸を発生することが好ましい。
式（ＩＩａ）で表される基を有する酸発生剤は、以下の方法で、酸の作用により分解し、アルカリ可溶基に変換したかどうか確認できる。
例えば、式（ＩＩａ）で表される基を有する酸発生剤を、溶剤に溶解し、酸添加後、加熱することにより、式（ＩＩａ）で表される基がカルボキシル基及びビニル化合物に変換する。
溶剤としては、ジメチルホルムアミドが好ましい。
酸としては、塩酸が好ましい。
0006013797.tif 000119
（Ｒ24は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ24’は、水素原子又は炭素数１〜１１の炭化水素基を表す。）
【０１７７】
酸発生剤（ＩＩ）は、単独でも複数種の酸発生剤を用いてもよい。
【０１７８】
＜酸発生剤（ＩＩ）以外の酸発生剤＞
本レジスト組成物は、単独種又は複数種の酸発生剤（ＩＩ）を含有するが、酸発生剤（ＩＩ）以外の公知の酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」ということがある）をさらに含有していてもよい。酸発生剤（Ｂ）としては、イオン性酸発生剤でも、非イオン性発生剤でもよいが、イオン性酸発生剤が好ましい。イオン性酸発生剤は、それを構成するカチオン及びアニオンがともに、酸発生剤（ＩＩ）とは異なるもの、酸発生剤（ＩＩ）を構成する有機カチオンと同じカチオンと、酸発生剤（ＩＩ）を構成するスルホン酸アニオン以外の公知のアニオンとの組み合わせからなるもの、酸発生剤（ＩＩ）を構成するスルホン酸アニオンと同じアニオンと、酸発生剤（ＩＩ）を構成する有機カチオン以外の公知のカチオンとの組み合わせからなるもののいずれであってもよい。
【０１７９】
酸発生剤（Ｂ）としては、例えば、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２０）で表されるものが挙げられる。中でもトリフェニルスルホニウムカチオン、トリトリルスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）及び式（Ｂ１−１４）でそれぞれ表される塩がさらに好ましい。
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【０１８０】
0006013797.tif 000121
【０１８１】
0006013797.tif 000122
【０１８２】
0006013797.tif 000123
【０１８３】
酸発生剤（ＩＩ）の含有量は、樹脂（Ａ２）に対して、好ましくは１質量％以上（より好ましくは３質量％以上）、好ましくは４０質量％以下（より好ましくは３５質量％以下）である。
また、その他の酸発生剤を含有する場合、酸発生剤（ＩＩ）と酸発生剤（Ｂ）との合計含有量は、樹脂（Ａ２）に対して、好ましくは１質量％以上（より好ましくは３質量％以上）、好ましくは４０質量％以下（より好ましくは３５質量％以下）である。
レジスト組成物が酸発生剤（ＩＩ）及び酸発生剤（Ｂ）を含有する場合、酸発生剤（ＩＩ）と酸発生剤（Ｂ）との含有量の比（質量）は、例えば、５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは１５：８５〜８５：１５である。
【０１８４】
〈溶剤（Ｅ）〉
本発明のレジスト組成物に溶剤（Ｅ）が含まれる場合、その含有量は、例えばレジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、例えば９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有量は、例えば液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。
【０１８５】
溶剤（Ｅ）としては、例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルのようなグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類；γ−ブチロラクトンのような環状エステル類；等を挙げることができる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【０１８６】
〈塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）〉
塩基性化合物（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物であり、例えばアミン及びアンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。塩基性化合物（Ｃ）として、好ましくは、式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）のいずれかで表される化合物が挙げられ、より好ましくは式（Ｃ１−１）で表される化合物が挙げられる。
【０１８７】
0006013797.tif 000124
［式（Ｃ１）中、Ｒc1、Ｒc2及びＲc3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよく、該芳香族炭化水素基に含まれる水素原子は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］
【０１８８】
0006013797.tif 000125
［式（Ｃ１−１）中、Ｒc2及びＲc3は、上記と同じ意味を表す。
Ｒc4は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数５〜１０の脂環式炭化水素又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基を表す。
ｍ３は０〜３の整数を表し、ｍ３が２以上のとき、複数のＲc4は同一又は相異なる。］
【０１８９】
0006013797.tif 000126
［式（Ｃ２）、式（Ｃ３）及び式（Ｃ４）中、Ｒc5、Ｒc6、Ｒc7及びＲc8は、それぞれ独立に、Ｒc1と同じ意味を表す。
Ｒc9は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜６の脂環式炭化水素基又は炭素数２〜６のアルカノイル基を表す。
ｎ３は０〜８の整数を表し、ｎ３が２以上のとき、複数のＲc9は同一又は相異なる。］
【０１９０】
0006013797.tif 000127
［式（Ｃ５）及び式（Ｃ６）中、Ｒc10、Ｒc11、Ｒc12、Ｒc13及びＲc16は、それぞれ独立に、Ｒc1と同じ意味を表す。
Ｒc14、Ｒc15及びＲc17は、それぞれ独立に、Ｒc4と同じ意味を表す。
ｏ３及びｐ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｏ３又はｐ３が２以上であるとき、それぞれ、複数のＲc14及びＲc15は同一又は相異なる。
Ｌc1は、炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］
【０１９１】
0006013797.tif 000128
［式（Ｃ７）及び式（Ｃ８）中、Ｒc18、Ｒc19及びＲc20は、それぞれ独立に、Ｒc4と同じ意味を表す。
ｑ３、ｒ３及びｓ３は、それぞれ独立に０〜３の整数を表し、ｑ３が２以上であるとき、複数のＲc18は同一又は相異なり、ｒ３が２以上であるとき、複数のＲc1９は同一又は相異なり、及びｓ３が２以上であるとき、複数のＲc20は同一又は相異なる。
Ｌc2は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基、−ＣＯ−、−Ｃ（＝ＮＨ）−、−Ｓ−又はこれらを組合せた２価の基を表す。］
【０１９２】
式（Ｃ１）〜式（Ｃ８）及び式（Ｃ１−１）においては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、アルコキシ基、アルカンジイル基は、上述したものと同様のものが挙げられる。
アルカノイル基としては、アセチル基、２−メチルアセチル基、２，２−ジメチルアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロピオニル基等が挙げられる。
【０１９３】
式（Ｃ１）で表される化合物としては、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン等が挙げられ、好ましくはジイソプロピルアニリンが挙げられ、特に好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。
【０１９４】
式（Ｃ２）で表される化合物としては、ピペラジン等が挙げられる。
式（Ｃ３）で表される化合物としては、モルホリン等が挙げられる。
式（Ｃ４）で表される化合物としては、ピペリジン及び特開平１１−５２５７５号公報に記載されているピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物等が挙げられる。
式（Ｃ５）で表される化合物としては、２，２’−メチレンビスアニリン等が挙げられる。
式（Ｃ６）で表される化合物としては、イミダゾール、４−メチルイミダゾール等が挙げられる。
式（Ｃ７）で表される化合物としては、ピリジン、４−メチルピリジン等が挙げられる。
式（Ｃ８）で表される化合物としては、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。
【０１９５】
アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。
【０１９６】
本発明のレジスト組成物が塩基性化合物（Ｃ）を含有する場合、その含有量は、レジスト組成物の固形分量を基準に、好ましくは、０．０１〜５質量％程度であり、より好ましく０．０１〜３質量％程度であり、特に好ましく０．０１〜１質量％程度である。
【０１９７】
〈その他の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある）〉
本発明のレジスト組成物は、必要に応じて、その他の成分（Ｆ）を含有していてもよい。成分（Ｆ）に特に限定はなく、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。
【０１９８】
＜レジスト組成物の調製＞
本レジスト組成物は、樹脂（Ａ１）、樹脂（Ａ２）、酸発生剤（ＩＩ）ならびに、任意に、溶剤（Ｅ）、塩基性化合物（Ｃ）、酸発生剤（Ｂ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃の範囲から、樹脂などの種類や樹脂等の溶剤（Ｅ）に対する溶解度等に応じて適切な温度範囲を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合などを用いることができる。
【０１９９】
このように、樹脂（Ａ）及び酸発生剤（Ｂ）ならびに必要に応じて用いられる溶剤（Ｅ）、塩基性化合物（Ｃ）及び成分（Ｆ）の各々を好ましい含有量で混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過等することにより、レジスト組成物は調製できる。
【０２００】
〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層を露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。
【０２０１】
レジスト組成物の基体上への塗布は、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。
【０２０２】
乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて（いわゆるプリベーク）行なうか、あるいは減圧装置を用いて行う。これによって、レジスト組成物から溶剤が蒸発して除去され、組成物層が形成される。この場合の温度は、例えば、５０〜２００℃程度が例示される。また、圧力は、１〜１．０×１０５Ｐａ程度が例示される。
【０２０３】
得られた組成物層に対して、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。この際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの等、種々のものを用いることができる。また、露光機は、電子線、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するものであってもよい。
【０２０４】
露光後の組成物層を、脱保護基反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）する。加熱温度としては、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。
加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、アルカリ現像液を利用して現像する。
ここで用いられるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。
現像後、超純水でリンスし、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。
【０２０５】
〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光機用のレジスト組成物として好適である。
【実施例】
【０２０６】
実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
化合物の構造は、ＭＡＳＳ（ＬＣ：Ａｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳ：Ａｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤ  ＴＯＦ型）で確認した。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより、下記の条件で求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel  Multipore  HXL-M  x  3+guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：1.0mL／min
検出器：RI検出器
カラム温度：40℃
注入量：100μl
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）
【０２０７】
合成例１：〔式（Ａ）で表される化合物の合成〕
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式（Ａ−２）で表される化合物９．６０部、テトラヒドロフラン３８．４０部及びピリジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式（Ａ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて添加し、さらに、１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（Ａ−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ａ−４）で表される化合物（１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式（Ａ−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応溶液に、酢酸エチル２７１．９５部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液６３．６４部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水６７．９９部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮して、得られた濃縮物に、酢酸エチル１０７．７１部を添加し完全に溶解するまで攪拌し、ｎ−ヘプタン６４６．２６部を滴下した。滴下終了後、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ａ）で表される化合物１５．１１部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４８６．２（分子イオンピーク）
【０２０８】
合成例２：〔式（Ｂ）で表される化合物の合成〕
0006013797.tif 000130
式（Ｂ−２）で表される化合物６．３２部、テトラヒドロフラン３０．００部及びピリジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｂ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて添加し、さらに、１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（Ｂ−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｂ−４）で表される化合物（１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式（Ｂ−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応溶液に、酢酸エチル２７０部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液６５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水６５部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取（カラム分取条件  固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ  展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル）することにより、式（Ｂ）で表される化合物９．９０部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４３４．１（分子イオンピーク）
【０２０９】
合成例３：〔式（Ｃ）で表される化合物の合成〕
0006013797.tif 000131
式（Ｃ−２）で表される化合物７．０８部、テトラヒドロフラン３０．００部及びピリジン５．９９部を、２３℃で３０分間攪拌混合し、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｃ−１）で表される化合物１４．００部を、１時間かけて添加し、さらに、１０℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた式（Ｃ−３）で表される化合物を含む反応混合物に、式（Ｃ−４）で表される化合物（１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１４．５１部及び式（Ｃ−５）で表される化合物８．２０部を添加し、２３℃で３時間攪拌した。得られた反応溶液に、酢酸エチル２７０部及び５％塩酸水溶液１６．５７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液６５部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水６５部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮した。得られた濃縮物を、カラム分取（カラム分取条件  固定相：メルク社製シリカゲル６０−２００メッシュ  展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル）することにより、式（Ｃ）で表される化合物１０．２４部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４４６．１（分子イオンピーク）
【０２１０】
合成例４：〔式（Ｅ）で表される化合物の合成〕
0006013797.tif 000132
式（Ｅ−１）で表される化合物２５部及びテトラヒドロフラン２５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌混合した後、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｅ−２）で表される化合物１０．２部、ピリジン１１．２部及びテトラヒドロフラン３０部の混合溶液を、１時間かけて添加し、更に、２５℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル２００部及びイオン交換水５０部を添加攪拌後、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物に、ｎ−ヘプタン５００部を添加攪拌後、ろ過することにより、式（Ｅ−３）で表される化合物４０．１８部を得た。得られた式（Ｅ−３）で表される化合物３５．２１部、テトラヒドロフラン１６０部、式（Ｅ−５）で表される化合物２２．８部及びピリジン８．３部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌混合した後、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に式（Ｅ−４）で表される化合物（１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）３３．６部及びクロロホルム１４０部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応溶液に、ｎ−ヘプタン８５０部及び５％塩酸水溶液７７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液６１部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水２３０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮することにより、式（Ｅ）で表される化合物３１．５部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４２０．１（分子イオンピーク）
【０２１１】
合成例５〔式（Ｆ）で表される化合物の合成〕
0006013797.tif 000133
式（Ｆ−１）で表される化合物２５部及びテトラヒドロフラン２５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌混合した後、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に、式（Ｆ−２）で表される化合物８．５部、ピリジン１１．２部及びテトラヒドロフラン２５部の混合溶液を、１時間かけて添加し、更に、２５℃程度まで温度を上げ、同温度で１時間攪拌した。得られた反応物に、酢酸エチル１９０部及びイオン交換水５０部を添加攪拌後、分液して有機層を回収した。回収された有機層を濃縮した後、得られた濃縮物に、ｎ−ヘプタン１５０部を添加攪拌後、上澄み液を除去した後、濃縮することにより、式（Ｆ−３）で表される化合物２８．７部を得た。得られた式（Ｆ−３）で表される化合物１９．８部、テトラヒドロフラン９０部、式（Ｆ−５）で表される化合物１０．３部及びピリジン５．０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌混合した後、０℃まで冷却した。同温度を保持したまま、得られた混合物に式（Ｆ−４）で表される化合物（１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩）１５．２部を添加し、２３℃で１８時間攪拌した。得られた反応溶液に、ｎ−ヘプタン４５０部及び５％塩酸水溶液４７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。静置、分液することにより回収された有機層に、１０％炭酸カリウム水溶液３７部を加え、２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を洗浄した。このような洗浄操作を２回繰り返した。洗浄後の有機層に、イオン交換水１２０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、静置、分液することにより有機層を水洗した。このような水洗操作を５回繰り返した。水洗後の有機層を濃縮することにより、式（Ｆ）で表される化合物２０．１部を得た。
ＭＳ（質量分析）：４０６．１（分子イオンピーク）
【０２１２】
合成例６：式（ＩＩ−４９）で表される塩の合成
0006013797.tif 000134
式（ＩＩ−４９−ａ）で表される化合物（商品名：ＨＡＤＭ、出光製）２６．４４部、ジオキサン８０．００部を仕込み、２３℃で攪拌下、水酸化ナトリウム４．４０部をイオン交換水８０．００部に溶解した水溶液を３０分かけて滴下し、９０℃で３６時間攪拌した。反応マスを冷却し、イオン交換水４００．００部、酢酸エチル５００．０部及び塩化ナトリウム２００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層に３Ｎ塩酸塩化ナトリウム４００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層にイオン交換水４００．００部を添加し、攪拌し、分液を行った。この水洗を３回行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−４９−ｂ）で表される化合物７．８９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比）
【０２１３】
0006013797.tif 000135
【０２１４】
式（ＩＩ−４９−ｃ）で表される化合物（商品名：ＣＡＮＬ  クラレ製）４．６１部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（ＩＩ−４９−ｂ）で表される化合物３．９３部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−４９−ｄ）で表される化合物２．２４部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：酢酸エチル
【０２１５】
0006013797.tif 000136
【０２１６】
式（ＩＩ−４９−ｅ）で表される塩を特開２００８−１２７３６７号公報の実施例１に記載された方法で合成した。式（ＩＩ−４９−ｅ）で表される塩１．７５部、モノクロロベンゼン４０．００部及び式（ＩＩ−４９−ｄ）で表される化合物１．８７部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。これに、硫酸０．１６部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ  ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を添加し、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮し、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を添加し、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−４９）で表される塩０．４４部を得た。
【０２１７】
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ５４７．２
【０２１８】
合成例７：式（ＩＩ−４１）で表される塩の合成
0006013797.tif 000137
【０２１９】
１，３−アダマンタンジオール２５０部及びテトラヒドロフラン２０００部を仕込み、室温で攪拌し、ピリジン１４２部を仕込み、４０℃に昇温した。さらに、クロロアセチルクロリド２５４部及びテトラヒドロフラン５００部の混合溶液を８０分かけて滴下した。その後、４０℃で８時間攪拌し、５℃に温度を下げた。５℃に冷却したイオン交換水１０００部を添加、攪拌し、分液により水層を回収した。回収された水層に酢酸エチル６００部を添加し、分液して有機層を回収した。回収された有機層に、５℃の１０％炭酸カリウム水溶液６００部を添加して洗浄し、分液して有機層を回収した。回収された有機層にさらに、イオン交換水６００部を添加して水洗し、分液を行って有機層を回収した。この水洗操作を３回繰り返して行った。回収された有機層を濃縮後、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−４１−ａ）で表される化合物７５部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比）
【０２２０】
0006013797.tif 000138
式（ＩＩ−４１−ｂ）で表される化合物（商品名：ＨＡＤＭ、出光製）２６．４４部、ジオキサン８０．００部を仕込み、２３℃で攪拌下、水酸化ナトリウム４．４０部をイオン交換水８０．００部に溶解した水溶液を３０分かけて滴下し、９０℃で３６時間攪拌した。反応マスを冷却し、イオン交換水４００．００部、酢酸エチル５００．０部及び塩化ナトリウム２００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層に３Ｎ塩酸塩化ナトリウム４００．０部を添加し、攪拌し、分液を行った。得られた有機層にイオン交換水４００．００部を添加し、攪拌し、分液を行った。この水洗を３回行った。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−４１−ｃ）で表される化合物７．８９部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：ｎ−ヘプタン／酢酸エチル＝１／１（容量比）
【０２２１】
0006013797.tif 000139
式（ＩＩ−４１−ａ）で表される化合物４．８８部及びＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合物に、炭酸カリウム１．６６部及びヨウ化カリウム０．８４部を仕込み、５０℃で１時間攪拌した。得られた混合物を、４０℃まで冷却し、式（ＩＩ−４１−ｃ）で表される化合物３．９３部をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド２５．００部に溶解した溶液を１時間かけて滴下し、７５℃で５時間攪拌した。得られた混合物を、２３℃まで冷却し、クロロホルム６０．００部及び１Ｎ塩酸６０．００部を加えて攪拌し、分離した。回収された有機層をイオン交換水６０．００部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。回収された有機層を濃縮し、以下の条件でカラム分取することにより、式（ＩＩ−４１−ｄ）で表される化合物２．５４部を得た。
展開媒体；シリカゲル６０−２００メッシュ；メルク社製
展開溶媒：酢酸エチル
【０２２２】
0006013797.tif 000140
【０２２３】
式（ＩＩ−４１−ｅ）で表される塩を特開２００８−１２７３６７号公報の実施例１に記載された方法で合成した。式（ＩＩ−４１−ｅ）で表される塩２．１９部、モノクロロベンゼン５０．００部及び式（ＩＩ−４１−ｄ）で表される化合物２．４３部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。これに、硫酸０．２０部及びモレキュラーシーブ（商品名：モレキュラーシーブ  ４Ａ、和光純薬製）１０．００部を添加し、１３０℃で３時間還流脱水した。得られた反応物を濃縮し、これに、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を添加し、攪拌、分液を行った。水洗を３回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮した。得られた濃縮物に、アセトニトリル２０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮してオイル状物として、式（ＩＩ−４１）で表される塩０．６２部を得た。
【０２２４】
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ５６１．２
【０２２５】
合成例８：式（ＩＩ−１）で表される塩の合成
0006013797.tif 000141
式（ＩＩ１−ａ）で表される塩４．９８部及びアセトニトリル２５．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（ＩＩ１−ｂ）で表される化合物２．１７部を添加し、７０℃で２時間攪拌し、式（ＩＩ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液を得た。得られた式（ＩＩ１−ｃ）で表される化合物を含む溶液に、５０℃で、式（ＩＩ１−ｄ）で表される化合物１．８６部、クロロホルム１４．９１部及びアセトニトリル２．７９部の混合溶液を１時間かけて滴下し、さらに、５０℃で１２時間攪拌した。得られた反応物を濃縮した。得られた濃縮物に、クロロホルム４０部及び２％シュウ酸水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。得られた有機層に、イオン交換水２０部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液して有機層を得た。この水洗の操作をさらに５回行った。得られた有機層に活性炭０．８０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した。得られた上澄液を除去し、濃縮した。得られた濃縮物をアセトニトリルに溶解し、濃縮することにより、式（ＩＩ−１）で表される塩５．２４部を得た。
【０２２６】
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３３７．１
【０２２７】
樹脂（Ａ）の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物を下記に示す。
0006013797.tif 000142
以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−２）」などという。
【０２２８】
合成例９：〔樹脂Ａ１−１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ４−１−７）及びモノマー（Ａ）を用い、そのモル比（モノマー（ａ４−１−７）：モノマー（Ａ））が９０：１０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量１．７×１０４の樹脂Ａ１−１（共重合体）を収率８２％で得た。この樹脂Ａ１−１は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000143
【０２２９】
合成例１０：〔樹脂Ａ１−２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｂ）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量２．０×１０４の樹脂Ａ１−２を収率８５％で得た。この樹脂Ａ１−２は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000144
【０２３０】
合成例１１：〔樹脂Ａ１−３の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｃ）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量１．９×１０４の樹脂Ａ１−３を収率８３％で得た。この樹脂Ａ１−３は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000145
【０２３１】
合成例１２：〔樹脂Ａ１−４の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｅ）を用い、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して４．５ｍｏｌ％添加し、これらを６０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量２．６×１０４の樹脂Ａ１−４を収率８９％で得た。この樹脂Ａ１−４は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000146
【０２３２】
合成例１３：〔樹脂Ａ１−５の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｆ）を用い、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して４．５ｍｏｌ％添加し、これらを６０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のｎ−ヘプタンに注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量３．９×１０４の樹脂Ａ１−５を収率９０％で得た。この樹脂Ａ１−５は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000147
【０２３３】
合成例１４：〔樹脂Ａ２−１の合成〕
モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（ａ３−２−３）を、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）〕が、３０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加した。これを７３℃で約５時間加熱することにより重合した。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が８．１×１０３である共重合体を収率６５％で得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−１とする。
0006013797.tif 000148
【０２３４】
合成例１５：〔樹脂Ａ２−２の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（ａ３−２−３）を、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）〕が、３０：１４：６：２０：３０の割合となるように混合し、さらに、このモノマー混合物に、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１．００ｍｏｌ％と３．００ｍｏｌ％となるように添加した。これを７３℃で約５時間加熱することにより重合した。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を２回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が７．８×１０３である共重合体を収率６８％で得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−２とする。
0006013797.tif 000149
【０２３５】
合成例１６：〔樹脂Ａ２−３の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−１−１）を、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）〕が、５０：２５：２５となるように混合し、さらに、全モノマーの合計質量に対して、１．５質量倍のジオキサンを混合した。得られた混合物に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルとアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）とを全モノマーの合計モル数に対して、それぞれ、１ｍｏｌ％と３ｍｏｌ％との割合で添加し、これを８０℃で約８時間加熱することで重合を行った。その後、重合反応液を、大量のメタノールと水との混合溶媒（質量比メタノール：水＝４：１）に注いで、樹脂を沈殿させた。この樹脂をろ過・回収した。再度、得られた樹脂を、ジオキサンに溶解させ、大量のメタノールと水との混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、沈殿した樹脂をろ過・回収するという操作を３回行うことにより再沈殿精製し、重量平均分子量が約９．２×１０３である共重合体を収率６０％で得た。この共重合体は、モノマー（１−１−２）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−１−１）に各々由来する、以下の各モノマーから導かれる構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−３とする。
0006013797.tif 000150
【０２３６】
合成例１７〔樹脂Ａ２−４の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）及びモノマー（ａ３−１−１）を、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ１−２−３）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．２×１０３の共重合体を収率７８％で得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−２−３）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）及びモノマー（ａ３−１−１）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−４とする。
0006013797.tif 000151
【０２３７】
合成例１８〔樹脂Ａ２−５の合成〕
モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−５−１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）及びモノマー（ａ３−１−１）を、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−２）：モノマー（ａ１−５−１）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−２−３）：モノマー（ａ３−１−１）〕が、３０：１４：６：２０：３０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．２×１０３の共重合体を収率７８％で得た。この共重合体は、モノマー（ａ１−１−２）、モノマー（ａ１−５−１）、モノマー（ａ２−１−１）、モノマー（ａ３−２−３）及びモノマー（ａ３−１−１）に各々由来する、以下の構造単位を有するものであり、これを樹脂Ａ２−５とする。
0006013797.tif 000152
【０２３８】
合成例１９：〔樹脂Ｘ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−１）、モノマー（ａ３−１−１）及びモノマー（ａ２−１−１）を用い、そのモル比（モノマー（ａ１−１−１）：モノマー（ａ３−１−１）：モノマー（ａ２−１−１））が３５：４５：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１．０ｍｏｌ％及び３．０ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量７．０×１０３の樹脂Ｘ１を収率７５％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000153
【０２３９】
合成例２０：〔樹脂Ｘ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（Ｆ）及びモノマー（ａ１−１−１）を用い、そのモル比（モノマー（Ｆ）：モノマー（ａ１−１−１））が８０：２０となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．５ｍｏｌ％及び１．５ｍｏｌ％添加し、これらを７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量２．８×１０４の樹脂Ｘ２（共重合体）を収率７０％で得た。この樹脂Ｘ２は、以下の構造単位を有するものである。
0006013797.tif 000154
【０２４０】
＜レジスト組成物の調製＞
合成例９〜合成例２０で得られた樹脂Ａ１−１〜Ａ１−５、Ａ２−１〜Ａ２−５、Ｘ１〜Ｘ２；
合成例６〜合成例８で得られた酸発生剤ＩＩ−４９、ＩＩ−４１、ＩＩ−１
以下に示す酸発生剤ＩＩ−３３、Ｂ１〜Ｂ３；
以下に示す塩基性化合物Ｃ１；
の各々を表２に示す質量部で、以下に示す溶剤に溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して、レジスト組成物を調製した。
【０２４１】
【表２】
0006013797.tif 000155
【０２４２】
＜酸発生剤＞
ＩＩ−３３（特開２００８−６９１４６号公報の実施例参照）：
0006013797.tif 000156
酸発生剤ＩＩ−３３の５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９３５ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１６ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−３３の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成しており、以下の化合物であることを確認した。
0006013797.tif 000157
【０２４３】
ＩＩ−４９：
0006013797.tif 000158
酸発生剤ＩＩ−４９の５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９４８ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１２ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−４９の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
0006013797.tif 000159
【０２４４】
ＩＩ−４１：
0006013797.tif 000160
酸発生剤ＩＩ−４１の５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９５８ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２１６ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−４１の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
0006013797.tif 000161
【０２４５】
ＩＩ−１：
0006013797.tif 000162
酸発生剤ＩＩ−１  ５０ｍｇをジメチルスルホキサイド０．７９２１ｇに溶解し、２０％塩酸０．０２０８ｇを添加し、８０℃で１時間攪拌した後、酸発生剤ＩＩ−１の分解物を確認したところ、カルボン酸が生成し、以下の化合物であることを確認した。
0006013797.tif 000163
【０２４６】
Ｂ１：特開２０１０−１５２３４１号公報の実施例に従って合成
0006013797.tif 000164
Ｂ２：ＷＯ２００８／９９８６９号の実施例及び、特開２０１０−２６４７８の実施例に従って合成
0006013797.tif 000165
Ｂ３：特開２００５−２２１７２１の実施例に従って合成
0006013797.tif 000166
【０２４７】
＜塩基性化合物：クエンチャー＞
Ｃ１：２，６−ジイソプロピルアニリン（東京化成工業（株）製）
【０２４８】
＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート      ２６５．０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル                  ２０．０部
２−ヘプタノン                                          ２０．０部
γ−ブチロラクトン                                        ３．５部
【０２４９】
＜レジストパターンの製造＞
１２インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物層を形成したウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ  Ｘ−Ｙ偏光］を用いて、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表２の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
【０２５０】
各レジスト膜において、５０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量となる露光量を実効感度とした。
【０２５１】
＜解像度評価＞
実効感度において、レジストパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、
４３ｎｍを解像しているものを◎、
４７ｎｍを解像しているものを○、
４７ｎｍを解像していないか、解像しているがトップが丸いか、裾引きがあるか、パターン倒れが観察されるものは×とした。
その結果を表３に示す。カッコ内の数値は、解像度を示す。
【０２５２】
＜ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）＞
リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジストパターンの側壁の凹凸の触れ幅が、
４ｎｍ以下であるものを◎
４ｎｍを超え、４．５ｎｍ以下であるものを○、
４．５ｎｍを超えるものを×とした。
その結果を、表３に示す。カッコ内の数値は、触れ幅（ｎｍ）を示す。
【０２５３】
＜欠陥評価＞
１２インチのシリコン製ウェハ（基板）に、レジスト組成物を、乾燥後の膜厚が０．１５μｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表２のＰＢ欄に示す温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）し、ウェハ上に組成物層を形成した。
このようにして組成物層を形成したウェハに、現像機［ＡＣＴ−１２；東京エレクトロン（株）製］を用いて、６０秒間、水リンスを行った。
その後、欠陥検査装置［ＫＬＡ−２３６０；ＫＬＡテンコール製］を用いて、ウェハ上の欠陥数を測定した。
これらの結果を表３に示す。
【０２５４】
【表３】
0006013797.tif 000167
【産業上の利用可能性】
【０２５５】
本発明のレジスト組成物によれば、優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造することができるとともに、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ない。