(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
キャビティ内に包囲される第１の部分及び上記キャビティ外に配置される第２の部分を有する基板上に、接着促進剤層を堆積することと、
上記第１の部分の上に配置された領域において上記接着促進剤層を除去することと、
上記接着促進剤層及び上記基板の第１の部分の上に犠牲層を堆積することと、
上記犠牲層の上にスイッチング素子を形成することと、
上記スイッチング素子を上記キャビティ内で包囲することと、
上記犠牲層を除去することとを、この順序で逐次に実行することを含む方法。
【請求項２】
上記接着促進剤層はケイ素を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記犠牲層は誘電体材料を含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
上記誘電体材料は有機誘電体材料である請求項３記載の方法。
【請求項５】
上記接着促進剤層を除去することは、
上記接着促進剤層の上にフォトレジスト層を堆積することと、
上記基板の第１の部分に対応する、上記フォトレジスト層の選択された領域を感光させることと、
上記フォトレジスト層を現像して、上記フォトレジスト層の選択された領域を除去し、これによりマスクを形成し、上記第１の部分の上に配置された領域における上記接着促進剤層を露出させることと、
上記露出した接着促進剤層をエッチングすることとを、この順序で逐次に実行することを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
上記接着促進剤層を堆積する前に、上記基板の上に電気絶縁層を堆積することをさらに含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記接着促進剤層は、有機材料に共有結合したケイ素を含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
第１の部分及び第２の部分を有する基板の上のＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、
上記基板の第１の部分の上に接着促進剤層を選択的に形成することと、
上記接着促進剤層及び上記基板の第２の部分の上に犠牲層を形成することと、
上記犠牲層及び上記基板の第２の部分の上にスイッチング素子を形成することと、
上記基板の第２の部分を少なくとも部分的に境界として有するキャビティによって上記スイッチング素子を包囲することと、
上記犠牲層を除去することとを、この順序で逐次に実行することを含む方法。
【請求項９】
上記接着促進剤層はケイ素を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
上記犠牲層は誘電体材料を含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
上記誘電体材料は有機誘電体材料である請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
上記接着促進剤層を選択的に形成する前に、上記基板の上に電気絶縁層を堆積することをさらに含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
上記接着促進剤層を堆積する前に、上記基板の上に電気絶縁層を堆積することをさらに含む請求項８記載の方法。
【請求項１４】
上記接着促進剤層は、有機材料に共有結合したケイ素を含む請求項８記載の方法。
【請求項１５】
キャビティを少なくとも部分的に境界として有する第１の部分及び上記キャビティ外に配置される第２の部分を有する基板と、
上記基板の第２の部分の上に配置されたケイ素を含み、上記第１の部分の上には配置されない接着促進剤層と、
上記キャビティ内に配置されたスイッチング素子とを備えるＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
上記接着促進剤層は、有機材料に共有結合したケイ素を含む請求項１５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
上記ＭＥＭＳデバイスは、上記基板の上に配置された電気絶縁層をさらに備え、
上記接着促進剤層は上記電気絶縁層の上に配置される請求項１６記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
上記接着促進剤層は、有機材料に共有結合したケイ素を含む請求項１５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
上記ＭＥＭＳデバイスは、上記基板の上に配置された誘電体層をさらに備え、
上記接着促進剤層は上記誘電体層の上に配置される請求項１５記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
上記スイッチング素子は、誘電体材料において少なくとも部分的にカプセル化される請求項１５記載のＭＥＭＳデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳデバイスは、典型的には、複数の位置の間で移動可能な、例えば、電極に接近して接触した位置と電極から離れた位置との間で移動可能なスイッチング素子を含む。図１Ａ〜図１Ｄは、従来技術に係るＭＥＭＳデバイス１００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。ＭＥＭＳデバイス１００は基板１０２を含み、基板１０２は、そこに埋め込まれた複数の電極１０４、１０６、１０８を有する。誘電体層１１０は、基板１０２、及び電極１０４、１０６、１０８上に配置される。
【０００３】
犠牲材料として有機ポリマーを利用するＭＥＭＳでは、基礎をなす誘電体への犠牲材料の第１の層の接着力は、典型的には弱い。弱い接着力の問題を解決するために、ポリマー系にはケイ素ポリマーがしばしば追加される。しかしながら、ケイ素は、有機犠牲材料を除去したとき、その後に残留物を残す可能性があり、このことは、ＭＥＭＳデバイスの性能を損なう可能性がある。犠牲材料にケイ素を追加することの代わりとして、独立した接着促進剤材料を用いてもよい。接着促進剤は、有機犠牲材料のコーティングの前に、スピンオン又はＣＶＤ型プロセスのいずれかを用いて、基板上にコーティングされる。犠牲材料として無機材料が使用される場合、接着促進剤は利用されない。
【０００４】
その後、誘電体層１１０の上に接着促進剤層１１２が堆積される。接着促進剤層１１２は、その上に犠牲材料を接着するために用いられる。その後、接着促進剤層１１２の上に第１の犠牲材層１１６Ａが堆積される。第１の犠牲材層１１６Ａは、炭素、水素、窒素、及び酸素を含む有機犠牲材料である。その後、第１の犠牲材層１１６Ａ、接着促進剤層１１２、及び誘電体層１１０は、電極１０４を露出するようにパターン形成される。図１Ｂに示すように、その後、スイッチング素子１１８を形成するように、導電材料が堆積されてパターン形成される。その後、スイッチング素子１１８上に第２の犠牲材層１１６Ｂが堆積される。その後、第２の犠牲材層１１６Ｂ及び第１の犠牲材層１１６Ａは、標準的な半導体プロセシング技術を用いてパターン形成される。キャビティ１１４は、図１Ｃに示すように、屋根１２０、壁１２２、及び誘電体層１１０を境界として有する。
【０００５】
図１Ｄに示すように、その後、第１及び第２の犠牲材層１１６Ａ、１１６Ｂ、及び接着促進剤層１１２は、スイッチング素子１１８をキャビティ１１４内で自由にするために除去され、これにより、矢印「Ａ」で示すように、スイッチング素子１１８は、電極１０６から離れた位置から、電極１０６に接近して接触した位置（すなわち誘電体層１１０に接する位置）へ移動することができる。第１及び第２の犠牲材層１１６Ａ及び１１６Ｂは、屋根１２０に形成された排出孔（図示せず）を通って、又はキャビティの横の孔を通って導入されたＨ２／Ｏ２の化学作用を用いてエッチングすることで除去される。有機犠牲材料に含まれたいかなるケイ素もエッチングされることなく、従って、キャビティにおいて残留物１２４として残る。残留物１２４は、接着促進剤層１１２の残り又は犠牲材料中に存在する可能性があるケイ素の残りであると考えられる。具体的には、接着促進剤層１１２の中に、又は犠牲材料内にあるケイ素は、非常に帯電しやすい、ナノスケール構造を有するケイ素（すなわち１ｓ軌道に空孔を有するケイ素）をもたらす可能性がある。残留物１２４は、スイッチング素子１１８が電極１０６に接近するように移動することを機械的に妨害することで、ＭＥＭＳデバイス１００の性能を損なう可能性がある。残留物は、電荷をケイ素内に蓄積することでＭＥＭＳデバイス１００の電気的なスイッチングのふるまいを変化させる可能性もあり、その結果としてヒステリシスループは狭くなり、この場合、電極１０８に印加されてカンチレバーを引き下ろすプルイン電圧と、カンチレバーをリリースして上に戻すときの電圧との間の差は、より小さくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本技術では、残留物がデバイス性能を損なうことがないＭＥＭＳデバイス及びその製造方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、概して、接着促進剤材料に由来するケイ素残留物がキャビティ底から削減又は除去されているＭＥＭＳデバイスに関する。接着促進剤は、典型的には、基礎をなす層へ犠牲材料を接着するために用いられる。接着促進剤は、その後、犠牲材料とともに除去される。しかしながら、接着促進剤は、除去後に、キャビティ内にケイ素に基づく残留物を残す。本発明者らは、犠牲材料を堆積する前にキャビティ領域から接着促進剤を除去できることを発見した。基板の残りの部分の上に残留する接着促進剤は、ＭＥＭＳデバイスが形成される領域の外部にあるので、犠牲材料が基板から剥離するおそれなしに、電極に重なるＭＥＭＳデバイスの部分を製造するために基板へ犠牲材料を接着するのに十分である。デバイスのキャビティ領域では接着促進剤が使用されないので、犠牲材料を除去してＭＥＭＳデバイスのスイッチング素子が自由になった後では、ケイ素残留物はキャビティ内に存在しない。
【０００８】
１つの実施形態において、ＭＥＭＳデバイスを製造する方法が開示される。上記方法は、キャビティ内に包囲される第１の部分及び上記キャビティ外に配置される第２の部分を有する基板上に、接着促進剤層を堆積することと、上記第１の部分の上に配置された領域において上記接着促進剤層を除去することと、上記接着促進剤層及び上記基板の第１の部分の上に犠牲層を堆積することと、上記犠牲層の上にスイッチング素子を形成することと、上記スイッチング素子を上記キャビティ内で包囲することと、上記犠牲層を除去することとを含む。
【０００９】
別の実施形態において、第１の部分及び第２の部分を有する基板の上のＭＥＭＳデバイスを製造する方法が開示される。上記方法は、上記基板の第１の部分の上に接着促進剤層を選択的に形成することと、上記接着促進剤層及び上記基板の第２の部分の上に犠牲層を形成することと、上記犠牲層及び上記基板の第２の部分の上にスイッチング素子を形成することと、上記基板の第２の部分を少なくとも部分的に境界として有するキャビティによって上記スイッチング素子を包囲することと、上記犠牲層を除去することとを含む。
【００１０】
別の実施形態において、デバイスは、キャビティを少なくとも部分的に境界として有する第１の部分及び上記キャビティ外に配置される第２の部分を有する基板と、上記基板の第２の部分の上に配置され、上記第１の部分の上には配置されない接着促進剤層とを含む。上記装置は、上記キャビティ内に配置されたスイッチング素子をさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】従来技術に係るＭＥＭＳデバイス１００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】従来技術に係るＭＥＭＳデバイス１００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図１Ｃ】従来技術に係るＭＥＭＳデバイス１００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図１Ｄ】従来技術に係るＭＥＭＳデバイス１００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ａ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｃ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｄ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｅ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｆ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図２Ｇ】ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。
【図３Ａ】ここで議論する実施形態で利用してもよいスイッチング素子２２２の例である。
【図３Ｂ】ここで議論する実施形態で利用してもよいスイッチング素子２２２の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の前述の特徴が詳細に理解可能になるように、上で簡単に概要を述べた本発明について、実施形態を参照してより具体的に説明する。実施形態のうちの一部を添付の図面に示す。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示すものであり、従って、その範囲を限定するように考えるべきではなく、本発明は他の同様に有効な実施形態を包含する可能性があるということに注意する。
【００１３】
理解の簡単化のために、可能な場合には、複数の図面にわたって共通の同じ構成要素を示すために、同じ参照番号が使用されている。ある実施形態で開示した構成要素は、特に言及していなくても他の実施形態でも有益に利用可能であることを意図している。
【００１４】
本発明は、概して、接着促進剤材料に由来するケイ素残留物がキャビティ底から削減又は除去されているＭＥＭＳデバイスに関する。接着促進剤は、典型的には、その基礎をなす層へ犠牲材料を接着するために用いられる。接着促進剤は、その後、犠牲材料とともに除去される。しかしながら、接着促進剤は、除去後に、キャビティ内にケイ素に基づく残留物を残す。ここに議論するように、犠牲材料を堆積する前にキャビティ領域から接着促進剤を除去できる。基板の残りの部分の上に残留する接着促進剤は、犠牲材料の剥離のおそれなしに、基板へ犠牲材料を接着するのに十分である。デバイスのキャビティ領域では接着促進剤が使用されないので、ＭＥＭＳデバイスのスイッチング素子が自由になった後では、ケイ素残留物はキャビティ内に存在しない。
【００１５】
図２Ａ〜図２Ｇは、ＭＥＭＳデバイス２００を様々な製造段階で概略的に示す断面図である。図２Ａに示すように、ＭＥＭＳデバイス２００は、そこに埋め込まれたいくつかの構造物を有する基板２０２を含む。デバイス２００から基板２０２より下の層に電気的接続を提供する電気的接続２０４が存在する。後に形成されるスイッチング素子２２２（図２Ｆ及び図２Ｇを参照）を、ＲＦ電極２０６から第１の距離にわたって離れた位置から、ＲＦ電極２０６に近い第２の距離まで引くために用いられるプルイン電極２０８も存在する。電気的接続２０４、プルイン電極２０８、及びＲＦ電極２０６はすべて、エッチングなどのプロセスで基板２０２から材料を除去し、基板のエッチングされた領域へ導電材料をブランケット堆積し、エッチング又は化学機械研磨などのプロセスで基板の表面から超過した導電材料を除去することにより、形成されてもよい。使用可能な適切な導電材料は、銅、アルミニウム、チタン、タングステン、窒化チタン、窒化チタンアルミニウム、それらの組み合わせ、及び相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）製造プロセスのラインのバックエンド（ＢＥＯＬ）で伝統的に利用されている他の周知の導電材料を含む。導電材料が形成される基板材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ケイ素酸窒化物、及びそれらの組み合わせなどの絶縁材料を含んでもよい。代替として、電気的接続２０４、プルイン電極２０８、及びＲＦ電極２０６はすべて、まず基板２０２上に導電材料のブランケット堆積を行うことにより形成されてもよい。その後、導電材料の超過部分は、電気的接続２０４、プルイン電極２０８、及びＲＦ電極２０６の最終形状を形成するように、エッチングなどのプロセスによって除去される。
【００１６】
図２Ａに示すように、露出した基板２０２及び電気的接続２０４、プルイン電極２０８及びＲＦ電極２０６の上に、ブランケット堆積プロセスにより、絶縁層２１０が堆積され、続いて接着促進剤層２１２が堆積されてもよい。その後、超過した絶縁材料は、エッチング又はＣＭＰなどのプロセスによって除去されてもよい。絶縁層２１０は、スイッチング素子２２２及びプルイン電極２０８の間で短絡が発生することを防ぐ。
【００１７】
その後、絶縁層２１０の上に接着促進剤層２１２が堆積される。接着促進剤層２１２は、２０ｎｍ未満、例えば約４ｎｍ及び約２０ｎｍの間の厚さに、又は約６ｎｍの厚さに堆積されてもよい。接着促進剤層２１２として使用可能な適切な材料は、ダウ・ケミカルから入手可能なＡＰ３０００、ＡＰ４０００及びＡＰ６３００などの、有機官能基に共有結合されたケイ素を備える化合物を含み、これらは、概して、ＳｉＯ２及び有機犠牲材料の間で正しい結合終端を形成するように有機シランに基づくものである。接着促進剤層２１２は、向上した接着力を必要とする特定のフィルムに合わせて調整される。概して、接着促進剤層２１２は約２９原子百分率のケイ素を含み、その上限は３０原子百分率のケイ素である。接着促進剤層２１２は、デバイス２００へ犠牲層２２０を接着するために利用される。接着促進剤層２１２がない場合には、犠牲層２２０はデバイス２００から剥離するであろう。接着促進剤層２１２はスピンオンプロセスによって堆積されてもよい。
【００１８】
上で議論したように、接着促進剤層２１２は、キャビティ２２６内の残留物の源になる可能性がある。したがって、接着促進剤層２１２は、犠牲層２２０を堆積する前に、キャビティ２２６から除去される。接着促進剤層２１２は、基板２０２上で、キャビティ２２６の外側の領域において残る。一部の残留した接着促進剤層２１２が除去プロセスの後なってもキャビティ２２６内に残っている可能性があるということが理解されるべきである。残留物が生じた場合に残留物がＭＥＭＳデバイスの接点の接触特性を変化させることがないように、残留した接着促進剤層２１２は、ＭＥＭＳ領域の下に、又は、特にスイッチング素子２２２のＭＥＭＳ接触領域の下に存在するべきではない。接着促進剤層２１２を除去するために、フォトレジスト層２１４が、図２Ｂに示すように接着促進剤層２１２の上に堆積され、次いで、図２Ｃに示すようにマスク２１６を形成するようにパターン形成される。マスク２１６の開口は、犠牲材料を堆積する前に除去される接着促進剤層２１２の部分に対応する。露出した接着促進剤層２１２は、図２Ｄに示すように、電極２０４、２０６、及び２１０の領域の外部の領域において接着促進剤層２１８の基板上にパターンを残し、電極２０４、２０６、及び２１０の領域内には接着促進剤層２１２が存在しなくなるように、エッチングされる。パターン形成された残りの接着促進剤層２１８は、スイッチング素子の形成前に犠牲層２２０を剥離させることなく、基板２０２へ犠牲層２２０を接着するのに十分である（図２Ｆを参照）。接着促進剤層２１２が電極２０６、２０８上に残ると、接着促進剤材料はチャージトラップとして動作し、その結果として、デバイスの信頼性及び寿命を低下させることになるであろう。
【００１９】
パターン形成された接着促進剤層２１８がない場合には、犠牲層２２０がウェットプロセスにより処理されるときに、犠牲層２２０は基板２０２の広い面積にわたって剥離するであろう。パターン形成されていない接着促進剤層２１８の領域は、キャビティ２２６と比較して十分に大きく、残留する接着促進剤層２１８がウェハの残りの部分上に犠牲層２２０を保持する。
【００２０】
いったんパターン形成された接着促進剤層２１８が形成されると、マスク２１６は、アッシング又はウェットエッチングなどの周知のプロセスによって除去され、図２Ｅに示すように犠牲層２２０が堆積される。犠牲層２２０として使用可能な適切な材料は、炭素骨格を有する長鎖分子を含む、有機物に基づく誘電体を含む。犠牲層２２０として使用可能な特定の材料は、ダウ・ケミカルから入手可能なＳＩＬＫ（登録商標）又はＪＳＲから入手可能なＬＫＤ  ７２００シリーズなどの、ポリアリーレン又はポリフェニレンに基づくポリマーを含む。パターン形成された接着促進剤層２１８の有機官能基は、犠牲層２２０のために必要な結合官能基を提供する。犠牲層２２０はスピンオンプロセスによって堆積され、次いでキュアされてもよい。パターン形成された接着促進剤層２１８は、スピンオン犠牲層２２０用の適切な接着をもたらし、ＭＥＭＳデバイス２００プロセスステップの残りを行う間に犠牲層２２０が残存することを可能にする。いったん犠牲層２２０が堆積されると、それはパターン形成され、デバイス２００の残りが形成される。
【００２１】
犠牲層２２０の上にスイッチング素子２２２が形成され、スイッチング素子２２２上に別の犠牲層２２４が形成されて、スイッチング素子２２２は犠牲材料内に埋め込まれる。第２の犠牲層の大部分は第１の犠牲層の上にあるので、この段階では余分な接着層は必要ではないが、接着層が必要とされる場合には、キャビティ領域に残らないようにそのような接着層をパターン形成することができる。スイッチング素子２２２は、導電材料のブランケット堆積を行い、その上にマスクを形成し、導電材料をエッチングしてスイッチング素子２２２を形成し、次いで、アッシング又はエッチングなどの周知のプロセスでマスクを除去することによって、形成される。スイッチング素子２２２は、電気的接続２０４に電気的に接続される。
【００２２】
いったんキャビティ２２６の内部形状を定義するためにすべての犠牲材料が堆積されてパターン形成されると、キャビティ２２６は、図２Ｆに示すように屋根２２８及び壁２３０が存在するように、カプセル化されてもよい。開口部は、犠牲層２２０、２２４を除去するエッチング液を導入して、スイッチング素子２２２がキャビティ２２６内で自由に移動できるようにするために、屋根２２８及び壁２３０の１つ以上を通って形成されてもよい。犠牲層２２０、２２４は、異方性のプラズマエッチングプロセスによって除去される。図２Ｇから分かるように、犠牲層２２０を堆積する前に接着促進剤層２１２がキャビティ２２６から除去されたので、キャビティ２２６内に残留物は存在せず、スイッチング素子は、絶縁層２１０の残留物又は反発的な電荷によって妨害されることはない。
【００２３】
スイッチング素子２２２は、自由端と、電気的接続２０４に接続された固定端とを有するカンチレバー構造として示されているが、本発明がそのようなスイッチング素子に制限されないことは理解されるべきである。本発明は、他のスイッチング素子に等しく適用可能であり、例えば、対向する端部に固定されたスイッチング素子であって、これらの端部における電気的接続と、ＲＦ電極から離れた位置及びＲＦ電極へ接近した位置の間で移動可能な固定端間の可撓性のブリッジとを備えたスイッチング素子に適用可能である。スイッチング素子２２２として使用可能な適切な材料は、窒化チタン、チタンアルミニウム、タングステン、銅、窒化チタンアルミニウム、アルミニウム、及びそれらの組み合わせを含み、また、窒化チタン−アルミニウム−窒化チタン、又は、酸化物−窒化チタンアルミニウム−酸化物の積み重ねなどの、多層構造物を含む。スイッチング素子２２２は、物理蒸着法（ＰＶＤ）などの方法で導電材料を堆積し、次に、エッチングなどのプロセスで導電材料をパターン形成することによって形成されてもよい。望むならば、絶縁材料は、スイッチング素子２２２の上面及び下面の１つ以上の上に形成されてもよい。
【００２４】
図３Ａ及び図３Ｂは、ここで議論する実施形態で利用してもよいスイッチング素子２２２の例である。図３Ａにおいて、スイッチング素子２２２は、スイッチング素子２２２の導電部分３０２を少なくとも部分的にカプセル化する、複数の誘電体層３０４を含む。誘電体層３０４は導電部分３０２より薄い。誘電体層３０４がなければ、露出した導電材料と犠牲材料が相互作用してキャビティ２２６に残る不揮発性の残留物を生じさせるので、誘電体層３０４は有益である。導電部分３０２をキャビティ２２６から少なくとも部分的に分離することが、それらを誘電体層３０４（例えば二酸化ケイ素などの酸化物材料）でカプセル化することで行われる場合、リリース後の残留物の量は、著しく減少するか、又はすべて除去される。
【００２５】
図３Ｂは別の実施形態に係るスイッチング素子２２２を示す。スイッチング素子２２２は、１つ以上の導電性ポスト３３０によって下部３１０が上部３２０に接続される、ワッフルのような構造を有する。下部３１０は導電部分３１２を含み、導電部分３１２は、少なくとも部分的に導電部分３１２をカプセル化する複数の誘電体層３１４によって包囲される。同様に、上部３２０は導電部分３２２を含み、導電部分３２２は、少なくとも部分的に導電部分３２２をカプセル化する複数の誘電体層３２４によって包囲される。
【００２６】
ＭＥＭＳデバイスにおいてデバイスキャビティの外部の領域で接着促進剤層を用いることにより、犠牲層は、別のＭＥＭＳプロセス中に剥離するおそれなしに、堆積されて接着されてもよい。キャビティ内のケイ素に基づく接着層なしで、ケイ素残留物は削減又は除去される。したがって、ＭＥＭＳデバイスは、犠牲材料が剥離するおそれなしに、又は接着材料の残留物がＭＥＭＳデバイスの機械的又は電気的動作を損なうおそれなしに、必要な犠牲材料を用いて製造されてもよい。
【００２７】
同様に他の方法によっても、接着促進剤層が除去されてもよく、及び／又はキャビティ領域内に存在しなくなってもよいということが理解されるべきである。例えば、誘電体層の上にマスクが形成されてもよいことが意図される。マスクは、キャビティの下の所望形状を有する。そのとき、接着促進剤は基板上に堆積されたブランケットである。その後、所望の領域上に接着促進剤が存在しないように、マスクは、その上の接着促進剤材料とともに除去される。
【００２８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の基本的な範囲から離れることなく、本発明の他の実施形態及び別の実施形態を実施することもできる。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって決まる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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