(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域と、当該複数の素子形成領域を区分する領域とを有し、前記複数の素子形成領域を区分する領域がダイシングブレードによるダイシング領域となる半導体ウェーハであって、
前記ダイシング領域における前記ダイシングブレードの進行方向左側に、結晶構造が破壊された構造を有する帯状の第１改質層が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って形成されているとともに、前記ダイシング領域における前記ダイシングブレードの進行方向右側に、結晶構造が破壊された構造を有する帯状の第２改質層が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って形成されており、
前記複数の素子形成領域が存在する側の面を前記半導体ウェーハの第１主面とし、当該第１主面とは反対側の面を前記半導体ウェーハの第２主面としたとき、
前記第１改質層及び第２改質層は、
前記第１改質層及び第２改質層における前記第１主面側に位置する各端辺及び前記第２主面側に位置する各端辺のうち、前記第２主面側に位置する各端辺が、前記半導体ウェーハの第２主面に露出するように形成されており、前記第１主面側に位置する各端辺が、前記半導体ウェーハの厚み方向において前記第１主面と前記第２主面との中途部に位置するように形成されており、
前記第１改質層及び第２改質層に加えて、前記ダイシングブレードの進行方向に沿うように帯状の第３改質層が形成されており、
前記第１改質層及び第２改質層は、当該第１改質層及び第２改質層の各対向面が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って所定間隔を隔てて平行となるように形成され、
前記第３改質層は、前記第１改質層及び第２改質層の前記第２主面側に位置する各端辺を連結するように形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェーハにおいて、
前記半導体ウェーハは、炭化珪素（ＳｉＣ）ウェーハであることを特徴とする半導体ウェーハ。
【請求項３】
複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域に、前記複数の半導体装置に対応する各素子が形成されている半導体ウェーハをダイシングブレードによりダイシングすることにより前記複数の半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体ウェーハは、請求項１又は２に記載の半導体ウェーハであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハ及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、半導体ウェーハを当該半導体ウェーハに存在する複数の半導体装置（半導体チップ）に対応する素子形成領域ごとに分割するダイシング工程が存在する。このダイシング工程としては、ダイシングブレードにより、各素子形成領域を区分する領域（ダイシング領域）に沿ってダイシングすることが従来から一般的に行われている。
【０００３】
図１２は、従来から一般的に行われているダイシング工程について説明するために示す図である。従来から一般的に行われているダイシング工程は、図１２（ａ）に示すように、時計方向に回転しながら図示の左から右方向（矢印Ｘ方向）に進行するダイシングブレード９１０によって、半導体ウェーハ９２０をダイシングするものである。このとき、ダイシングブレード９１０は、その刃９１１が半導体ウェーハ９２０の第１主面（表面９２０ａともいう）の側から入り込んで、第２主面（裏面９２０ｂともいう）に抜け出るような動作を行うため、半導体ウェーハ９２０には表面９２０ａから裏面９２０ｂに向かう垂直方向の力Ｐが加わる。
【０００４】
このようなダイシングを行う際、ダイシングブレード９１０の刃９１１が半導体ウェーハ９２０の裏面９２０ｂから抜け出るときに、裏面９２０ｂに近い部分で、「欠け（チッピング）」Ｃが生じ易く、図１２（ｂ）に示すように、「欠け」Ｃが横方向にも伝搬して広範囲に渡って拡散する。なお、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の破線枠Ａで囲まれた部分を拡大して示す側断面図である。
【０００５】
このため、半導体ウェーハ９２０の裏面９２０ｂには、広範囲に渡って、「欠け」Ｃが生じてしまうおそれがある。特に、炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）などを材料とする半導体ウェーハにおいては、高硬度で脆いため、そのような傾向は顕著である。
【０００６】
ダイシングブレード９１０の刃９１１が半導体ウェーハ９２０の裏面９２０ｂから抜け出るときに、裏面９２０ｂに近い部分で、欠けＣの発生を防止するようにした技術は従来から種々知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００７】
図１３は、特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法(第１従来技術という。)は、図１３に示すように、ダイシングブレード（図示せず。）によって半導体ウェーハ９２０をダイシングする際に、まずは、半導体ウェーハ９２０の表面９２０ａ側から切削溝９３０を形成するように切削を行うことによって、裏面９２０ｂに近い部分に所定の「切りしろ」９４０を残し、その後、切削溝９３０にレーザー光線を照射することによって「切りしろ」９４０を切断するというものである。このようにすることによって、半導体ウェーハ９２０の裏面９２０ｂに、図１２に示すような「欠け」の発生を防止することができるとしている。
【０００８】
また、特許文献２に開示されている半導体装置の製造方法（第２従来技術という。）は、図示は省略するが、半導体ウェーハを複数の半導体装置に分割する際に、分割領域にレーザー照射を行うことによって改質層を形成し、半導体ウェーハを引き伸ばすことによって、当該改質層において各半導体装置を切り離して個片化するというものである。
【０００９】
このように第２従来技術は、ダイシングブレードによるダイシングではなく、改質層を形成して、当該改質層において各半導体装置に対応した素子形成領域を引き離して個片化するというものである。これによって、図１２に示すような「欠け」の発生を防止することができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１０１１８２号公報
【特許文献２】特開２００７−１６５３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、第１従来技術及び第２従来技術は、下記に示すような課題がある。
第１従来技術は、最終的にはレーザー照射によりダイシングを行うものであるが、レーザー照射によりダイシングを行ったときにデブリが生じて、半導体装置の品質を低下させることとなる。また、ＳｉＣウェーハなどの高硬度な半導体ウェーハをダイシングするには、高いエネルギーを有するレーザーを照射させる必要であるため、高熱により半導体装置に悪影響を及ぼすおそれがある。また、レーザー照射によるダイシングは、ダイシング面がザラザラとなりがちであり、ダイシングブレードによってダイシングしたときのような鏡面とならないといった課題もあり、第１従来技術は、高品質な半導体装置とするには課題が残る。
【００１２】
また、第２従来技術は、半導体ウェーハを引き伸ばすことによって改質層において各半導体装置を切り離すというものであるため、レーザー照射によって直接的にダイシングするものではないが、第１従来技術と同様に、切り離し面がダイシングブレードによってダイシングしたときのような鏡面とならないといった課題もあり、第２来技術においても、高品質な半導体装置とするには課題が残る。
【００１３】
そこで本発明は、半導体装置をダイシングする際に「欠け」の発生を防止するとともに、高品質な半導体装置の製造を可能とする半導体ウェーハ及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
［１］本発明の半導体ウェーハは、複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域と、当該複数の素子形成領域を区分する領域とを有し、前記複数の素子形成領域を区分する領域がダイシングブレードによるダイシング領域となる半導体ウェーハであって、前記ダイシングブレードの進行方向に沿って当該ダイシングブレードの進行方向左側に、結晶構造が破壊された構造を有する帯状の第１改質層が形成されているともに、前記ダイシングブレードの進行方向に沿って当該ダイシングブレードの進行方向右側に、結晶構造が破壊された構造を有する帯状の第２改質層が形成されており、前記複数の素子形成領域が存在する側の面を前記半導体ウェーハの第１主面とし、当該第１主面とは反対側の面を前記半導体ウェーハの第２主面としたとき、前記第１改質層及び第２改質層は、前記第１改質層及び第２改質層の前記第１主面側に位置する各端辺及び前記第２主面側に位置する各端辺のうち、前記第２主面側に位置する各端辺が、前記半導体ウェーハの第２主面に露出するように形成されていることを特徴とする。
【００１５】
［２］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層は、前記第１主面側に位置する各端辺が、前記半導体ウェーハの厚み方向において前記第１主面と前記第２主面との中途部に位置するように形成されていることが好ましい。
【００１６】
［３］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層は、当該第１改質層及び第２改質層の各対向面が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って所定間隔を隔てて平行となるように形成されていることが好ましい。
【００１７】
［４］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層に加えて、前記ダイシングブレードの進行方向に沿うように帯状の第３改質層が形成されており、前記第１改質層及び第２改質層は、当該第１改質層及び第２改質層の各対向面が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って所定間隔を隔てて平行となるように形成され、前記第３改質層は、前記第１改質層及び第２改質層の前記第２主面側に位置する各端辺を連結するように形成されていることが好ましい。
【００１８】
［５］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層に加えて、前記ダイシングブレードの進行方向に沿うように帯状の第３改質層が形成されており、前記第１改質層及び第２改質層は、当該第１改質層及び第２改質層の各対向面が前記ダイシングブレードの進行方向に沿って所定間隔を隔てて平行となるように形成され、前記第３改質層は、前記第１改質層及び第２改質層の前記第１主面側に位置する各端辺を連結するように形成されていることが好ましい。
【００１９】
［６］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層は、当該第１改質層と第２改質層を前記ダイシングブレードの進行方向に沿って見たときの前記第１改質層と第２改質層とのなす形状が、ほぼＶ字形状をなし、前記第１改質層と第２改質層との接続部が前記半導体ウェーハの第２主面に露出することが好ましい。
【００２０】
［７］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第１改質層及び第２改質層は、前記半導体ウェーハの前記第１主面側又は前記第２主面側からレーザー光を照射することによって形成されていることが好ましい。
【００２１】
［８］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記第３改質層は、前記半導体ウェーハの前記第１主面側又は前記第２主面側からレーザー光を照射することによって形成されていることが好ましい。
【００２２】
［９］本発明の半導体ウェーハにおいては、前記半導体ウェーハは、炭化珪素（ＳｉＣ）ウェーハであることが好ましい。
【００２３】
［１０］本発明の半導体装置の製造方法は、複数の半導体装置に対応する複数の素子形成領域に、前記複数の半導体装置に対応する各素子が形成されている半導体ウェーハをダイシングブレードによりダイシングすることにより前記複数の半導体装置を個片化する半導体装置の製造方法であって、前記半導体ウェーハは、前記［１］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウェーハであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の半導体ウェーハは、ダイシングブレードの進行方向に沿って当該ダイシングブレードの進行方向左側に第１改質層が形成されているともに、ダイシングブレードの進行方向に沿って当該ダイシングブレードの進行方向右側に第２改質層が形成されている。このため、本発明の半導体ウェーハをダイシングブレードによりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハの第２主面（裏面）に広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。このため、ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置とすることができる。
【００２５】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハとしては前記［１］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウェーハを用いているため、ダイシングブレードによりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハの第２主面（裏面）に広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。このため、ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置とすることができる。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、ダイシングブレードによってダイシングを行うことにより複数の半導体装置を個片化するものであるため、個片化された半導体装置のダイシング面を鏡面とすることができ、外観的にも高品質な半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａの外観を模式的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体ウェーハ１００Ａにおける要部を拡大して示す図である。
【図３】レーザー照射により改質層を形成する場合を模式的に示す図である。
【図４】実施形態１に係る半導体装置の製造方法について説明するために示すフローチャートである。
【図５】実施形態１に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。
【図６】実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂに形成されている改質層１３０Ｂを説明するために示す図である。
【図７】実施形態２に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。
【図８】実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃにおいて形成されている改質層１３０Ｃを説明するために示す図である。
【図９】実施形態３に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。
【図１０】実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄに形成されている改質層１３０Ｄを説明するために示す図である。
【図１１】実施形態４に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。
【図１２】従来から一般的に行われているダイシング工程について説明するために示す図である。
【図１３】特許文献１に開示されている半導体装置の製造方法を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２９】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａの外観を模式的に示す斜視図である。実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａは、高硬度な半導体ウェーハであって、本発明の各実施形態においては、ＳｉＣ（炭化珪素）を材料とするＳｉＣウェーハであるとする。
【００３０】
実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａは、図１に示すように、第１主面１００ａ（表面１００ａともいう。）には、各半導体装置に対応する素子（図示せず。）を形成するための素子形成領域１０１，１０１，・・・がｘ軸及びｙ軸に沿ってマトリクス状に存在するとともに、これら各素子形成領域１０１，１０１，・・・を区分する領域１１０，１１０，・・・（以下、ダイシング領域１１０，１１０，・・・という。）がｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って格子状に存在する。また、半導体ウェーハ１００Ａの第２主面１００ｂ（裏面１００ｂともいう。）には、ダイシングテープ２００が貼着されている。なお、本明細書中、「素子」とは、半導体ウェーハ１００Ａの表面側に形成する層、領域又は構造を示す。
【００３１】
図２は、図１に示す半導体ウェーハ１００Ａにおける破線枠Ｒで囲まれた部分を拡大して示す図である。図２においては、ｘ軸及びｙ軸に沿って存在する各ダイシング領域１１０，１１０，・・・のうちのｘ軸方向に沿って存在するある１つのダイシング領域に注目して説明する。なお、当該注目するダイシング領域に「１１０Ａ」の符号を付し、ダイシング領域１１０Ａとして説明する。
【００３２】
図２（ａ）は図１に示す半導体ウェーハ１００Ａにおける破線枠Ｒで囲まれた部分のｙ−ｙ線矢視断面図であり、図２（ｂ）は図１に示す半導体ウェーハ１００Ａにおける破線枠Ｒで囲まれ部分のｘ−ｘ線矢視断面図である。なお、図２（ａ）においては、ダイシング領域１１０Ａとダイシングブレード３００との位置関係を示すために、ダイシングブレード３００を破線で示している。ダイシングブレード３００は、図２（ａ）においては、紙面の表面から裏面に向かって進行するものとし、図２（ｂ）においては、図示の左から右に向かう方向に進行するものとする。
【００３３】
実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａには、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、結晶構造が破壊された構造を有する帯状の改質層１３０Ａが形成されている。改質層１３０Ａは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の２本の帯状の改質層によって構成されている。第１改質層１３１は、ダイシングブレード３００の進行方向に沿って、当該ダイシングブレード３００の進行方向左側に形成されている。また、第２改質層１３２は、ダイシングブレード３００の進行方向に沿って、当該ダイシングブレード３００の進行方向右側に形成されている。
【００３４】
なお、図２においては、ダイシング領域１１０Ａに形成されている改質層１３０Ａのみについて示されているが、実際には、ｘ軸及びｙ軸に沿って存在するすべてのダイシング領域１１０，１１０，・・・において、第１改質層１３１及び第２改質層１３２が図２と同様に形成されている。
【００３５】
第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、例えば、半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａ側からレーザー照射を行うことにより形成することができる（図３参照。）。なお、第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂから表面１００ａ方向において所定の高さＨまでの間に形成されている。
【００３６】
また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各々の厚みＴ（図２（ａ）参照。）は、ダイシング領域１１０Ａの幅などに応じて適宜設定することができるが、本発明の各実施形態においては１０μｍとしている。また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の高さＨは、特に限定されるものではないが、実施形態１においては、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の高さＨを半導体ウェーハ１００Ａの厚みの１／２程度の高さとしている。
【００３７】
また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、当該第１改質層１３１及び第２改質層１３２における半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂ側に位置する端辺１３１ｂ，１３２ｂ（図２（ａ）参照。）が、半導体ウェーハ１００Ａの裏面（第２主面）１００ｂに露出するように形成されている。
【００３８】
一方、第１改質層及１３１及び第２改質層１３２における半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａ側に位置する端辺１３１ａ，１３２ａは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の高さＨを半導体ウェーハ１００Ａの厚みの１／２程度の高さとしているため、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂと表面１００ａとの間の中途部に位置する。
【００３９】
なお、以下では、上記「第１改質層１３１及び第２改質層１３２における半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂ側に位置する各端辺１３１ｂ，１３２ｂ」を「裏面側端辺１３１ｂ，１３２ｂ」というように略記し、「第１改質層及１３１及び第２改質層１３２における半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａ側に位置する端辺１３１ａ，１３２ａ」を「表面側端辺１３１ａ，１３２ａ」というように略記する場合もある。
【００４０】
このように、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各裏面側端辺１３１ｂ，１３２ｂが半導体ウェーハ１００Ａの裏面（第２主面）１００ｂに露出するように形成されているのは、ダイシング時においてダイシングブレード３００が半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂから抜け出る際に生じる「欠け」が半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂに広範囲に渡って伝搬することを防ぐためである。
【００４１】
一方、第１改質層及１３１及び第２改質層１３２の各表面側端辺１３１ａ，１３２ａが半導体ウェーハ１００Ａの厚み方向において当該表面１００ａと裏面１００ｂとの中途部に位置するように形成されているのは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各表面側端辺１３１ａ，１３２ａが半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａに露出するまでレーザー照射を行うと、レーザー照射によるデブリが半導体ウェーハ１００Ａの表面に生じてしまう場合があり、デブリが半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａに生じてしまうと、製造された半導体装置の品質に悪影響を及ぼすおそれがあるからである。
【００４２】
また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の長さ（例えば、図１におけるｘ軸に沿った方向の長さ）は、半導体ウェーハ１００Ａのダイシング開始側端部Ｄｓ（図１参照。）からダイシング終了側端部Ｄｅ（図１参照。）までとしている。また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各内側面（対向面）の間隔Ｗ１（図２（ａ）参照。）は、ダイシングブレード３００の厚みを仮に５０μｍとすれば、当該間隔Ｗ１は、例えば約４０μｍ〜約６０μｍとなるようにすることが好ましい。
【００４３】
また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各外側面（第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各対向面とは反対側の面）の間隔Ｗ２は、ダイシングブレード３００の厚みよりも大きな値となるように設定する。これは、ダイシングブレード３００が第１改質層１３１及び第２改質層１３２から外側にはみ出ないようにするためである。
【００４４】
なお、第１改質層１３１及び第２改質層１３２を形成する範囲は可能な限り少なくすることが好ましいため、第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、各寸法（厚みＴ及び高さＨ）を可能な限り小さく設定することが好ましい。
【００４５】
図３は、レーザー照射により第１改質層１３１及び第２改質層１３２を形成する場合を模式的に示す図である。なお、図３は、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の形成が終了した状態を示すものである。図３に示すように、半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａ側からレーザー光を照射することによって第１改質層１３１及び第２改質層１３２を形成する。具体的には、レーザー光発生部（図示せず。）から発生したレーザー光を集光レンズ４１０によって半導体ウェーハ１００Ａの微小スポットに集光させることによって、結晶構造を破壊して改質層１３０Ａを形成する。
【００４６】
図３に示すようなレーザー照射によって、第１改質層１３１及び第２改質層１３２を形成する場合、各ダイシング領域１１０，１１０，・・・の長さ方向（ｘ軸又はｙ軸に沿う方向）における第１改質層１３１及び第２改質層１３２の形成は、レーザー光を各ダイシング領域１１０，１１０，・・・の長さ方向に沿ってスキャンを行い、当該長さ方向に沿ったスキャンを必要に応じて、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の各厚みＴに対応する分だけ繰り返し行う。また、半導体ウェーハ１００Ａの高さＨ方向における第１改質層１３１及び第２改質層１３２の形成は、集光レンズ４１０による集光位置を変えることによって行うことができる。
【００４７】
ここで、照射するレーザー光は、波長が２６６ｎｍ〜３５５ｎｍの紫外線レーザーである。レーザー光のスキャン速度は、例えば１０ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒である。また、レーザー光の加工出力は、３Ｗ以下（例えば、２．０Ｗ〜２．５Ｗ）であり、各実施形態においては２．２Ｗとしている。照射ピッチは１００μｍ〜２００μｍである。
なお、図３に示すようなレーザー照射による改質層の形成は、各実施形態においても同様に実施することができる。
【００４８】
図４は、実施形態１に係る半導体装置の製造方法について説明するために示すフローチャートである。実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、図４に示すように、半導体ウェーハ１００Ａを準備する半導体ウェーハ準備工程（ステップＳ１）と、準備した半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａに存在する素子形成領域１０１，１０１，・・・に、複数の半導体装置に対応する各素子を形成する素子形成工程（ステップＳ２）と、各半導体装置に対応する各素子形成領域を区分する領域１１０（ダイシング領域１１０）に改質層（第１改質層１３１及び第２改質層１３２）を形成する改質層形成工程（ステップＳ３）と、第１改質層１３１及び第２改質層１３２が形成された半導体ウェーハ１００Ａをダイシングするダイシング工程（ステップＳ４）とを行うことによって、個片化された半導体装置を製造する。
【００４９】
なお、上記ステップＳ１〜ステップＳ４の各工程は、図４に示す順序に限られるものではなく、素子形成工程（ステップＳ２）と改質層形成工程（ステップＳ３）とは順序を入れ替えてもよい。すなわち、改質層形成工程を行った後に、素子形成工程を行うようにしてもよい。また、半導体ウェーハ準備工程（ステップＳ１）においては、図２に示すような改質層１３０Ａが形成されている半導体ウェーハ１００Ａを準備しておくようにしてもよい。その場合は、改質層形成工程（ステップＳ３）は省略することができる。
【００５０】
上記した各工程のうち、半導体ウェーハ準備工程（ステップＳ１）は、半導体ウェーハ１００Ａの表面１００ａに各半導体装置に対応する素子が形成される前の状態の半導体ウェーハを準備する工程である。また、素子形成工程（ステップＳ２）は、ステップＳ１において準備された半導体ウェーハＡの表面１００ａに存在する各素子形成領域１０１，１０１，・・・に、各半導体装置に対応する素子を形成する工程である。なお、素子形成領域１０１，１０１，・・・はマトリクス状に配置されており、各素子形成領域を区分する領域はダイシング領域１１０，１１０，・・・として用いられる。
【００５１】
改質層形成工程（ステップＳ３）は、格子状に形成されている各ダイシング領域１１０，１１０，・・・に沿って、図３に示すようなレーザー照射を行うことにより、図２に示すような改質層１３０Ａ（第１改質層１３１及び第２改質層１３２）を形成する工程である。なお、改質層形成工程（ステップＳ３）は、半導体ウェーハ１００Ａにおけるｘ軸及びｙ軸に沿ったすべてのダイシング領域１１０，１１０，・・・について行う。
【００５２】
ダイシング工程（ステップＳ４）は、改質層形成工程によって第１改質層１３１及び第２改質層１３２が形成されている半導体ウェーハ１００Ａを、ダイシングブレード３００によって各ダイシング領域に沿ってダイシングすることにより、個片化された半導体装置を製造する工程である。
【００５３】
図５は、実施形態１に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａにおいては、図２に示すような改質層１３０Ａ（第１改質層１３１及び第２改質層１３２）が形成されているため、ダイシングを行う際に生じる垂直方向の力Ｐによる「欠け」Ｃが生じても、当該「欠け」Ｃは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２で吸収され、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の外側にまで拡散することを防ぐことができる。
【００５４】
すなわち、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａにおいては、「欠け」Ｃは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２で囲まれた範囲における下方向（半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂ方向）に集中的に発生する。これにより、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が拡散してしまうことを防止できる。
【００５５】
以上説明したように、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａは、ダイシングブレード３００の進行方向左側に第１改質層１３１がダイシングブレード３００の進行方向に沿って形成されているともに、ダイシングブレード３００の進行方向右側に第２改質層１３２がダイシングブレード３００の進行方向に沿って形成されている。
【００５６】
このため、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａは、ダイシングブレード３００によりダイシングしたときに、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハ１００Ａの第２主面（裏面）１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。これにより、ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置とすることができる。
【００５７】
また、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａは、改質層１３０Ａの形成範囲を可能な限り少なくしているため、改質層を形成することによる半導体ウェーハの品質劣化を最小限に留めることができる。また、実施形態１に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハとして、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａを用いているため、ダイシングブレード３００によりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。これにより、「欠け」の無い高品質な半導体装置を製造することができる。
【００５８】
［実施形態２］
実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂは、外観的には実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａと同じであるが、改質層の構成が実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａとは異なる。なお、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂを説明するに当たって、図１を用いる必要がある場合には、図１に示す半導体ウェーハ１００Ａを実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂとして説明する。
【００５９】
図６は、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂに形成されている改質層１３０Ｂを説明するために示す図である。なお、図６は図２（ａ）に対応する図であり、図１における破線枠Ｒで囲まれた部分のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図６において、図２と同一部分には同一符号が付されている。
【００６０】
実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂに形成されている改質層１３０Ｂは、図６に示すように、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａに形成されている改質層１３０Ａと同様の第１改質層１３１及び第２改質層１３２に加えて、帯状の第３改質層１３３を有している。
【００６１】
第３改質層１３３は、第１改質層１３１の裏面側端辺１３１ｂと第２改質層１３２の裏面側端辺１３２ｂとを連結するように形成され、かつ、半導体ウェーハ１００Ｂのダイシング開始側端部Ｄｓ（図１参照。）から半導体ウェーハ１００Ｂのダイシング終了側端部Ｄｅ（図１参照。）までの間に形成されている。このため、改質層１３０Ｂの断面形状（図１におけるｙ−ｙ線矢視断面形状）は、「コ」の字を時計方向に９０度回転させた形状をなしている。また、第３改質層１３３は、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面に露出するように形成される。
【００６２】
このような構成の改質層１３０Ｂ（第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３）は、改質層１３０Ａと同様、半導体ウェーハ１００Ｂにおけるｘ軸及びｙ軸に沿って存在するすべてのダイシング領域１１０，１１０，・・・において形成されている。
【００６３】
図７は、実施形態２に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂには、図６に示すような改質層１３０Ｂ（第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３）が形成されているため、ダイシングを行う際に生じる垂直方向の力Ｐによる「欠け」Ｃが生じても、当該「欠け」Ｃは、第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３で吸収される。このため、「欠け」Ｃが第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３の外側に拡散しないようにすることができる。
【００６４】
すなわち、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂにおいては、「欠け」Ｃは、第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３で囲まれた範囲に集中的に発生する。このため、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂにまで「欠け］Ｃが拡散することがなくなる。特に、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂにおいては、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂのダイシングブレード３００が抜け出る箇所に第３改質層１３３が形成されていることから、「欠け」が裏面１００ｂに拡散しにくくなるとともに、ダイシングブレード３００が抜け出やすくなり、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂに「欠け」Ｃが生じにくくなる。
【００６５】
以上説明したように、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂは、改質層１３０Ｂとして図６に示すような第１改質層１３１及び第２改質層１３２の他に、第１改質層１３１の裏面側端辺１３１ｂと第２改質層１３２の裏面側端辺１３２ｂとを連結する第３改質層１３３が形成されている。
【００６６】
このため、実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｂにおいては、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａで得られる効果に加えて、第３改質層１３３が形成されていることによる効果が得られる。すなわち、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂにおいてダイシングブレード３００が抜け出る箇所に第３改質層１３３が形成されていることから、「欠け」が裏面１００ｂに拡散しにくくなるとともに、ダイシングブレード３００が抜け出やすくなり、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂに「欠け」が生じにくくなる。これにより、ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置とすることができる。
【００６７】
また、実施形態２に係る半導体装置の製造方法は、改質層形成工程における改質層の形成の仕方が異なるだけで、全体的な工程としては、実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同じ工程（図４参照。）によって半導体装置を製造することができる。なお、実施形態２に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハとしては、半導体ウェーハ１００Ｂを用いているため、ダイシングブレード３００によりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハ１００Ｂの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。これにより、「欠け」の無い高品質な半導体装置を製造することができる。
【００６８】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃは外観的には実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａと同じであるが、改質層の構成が実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａとは異なる。なお、実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃを説明するに当たって、図１を用いる必要がある場合には、図１に示す半導体ウェーハ１００Ａを実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃとして説明する。
【００６９】
図８は、実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃに形成されている改質層１３０Ｃを説明するために示す図である。なお、図８は図２（ａ）に対応する図であり、図１における破線枠Ｒで囲まれた部分のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図８において、図２と同一部分には同一符号が付されている。
【００７０】
実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃに形成されている改質層１３０Ｃは、図８に示すように、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａに形成されている改質層１３０Ａと同様の第１改質層１３１及び第２改質層１３２に加えて、第３改質層１３３を有している。
【００７１】
第３改質層１３３は、第１改質層１３１の表面側端辺１３１ａと第２改質層１３２の表面側端辺１３２ａとを連結するように形成され、かつ、半導体ウェーハ１００Ｃのダイシング開始側端部Ｄｓ（図１参照。）から半導体ウェーハ１００Ｃのダイシング終了側端部Ｄｅ（図１参照。）までの間に形成されている。このため、改質層１３０Ｃの断面形状（図１におけるｙ−ｙ線矢視断面形状）は、「コ」の字を反時計方向に９０度回転させた形状をなしている。また、第３改質層１３３は、半導体ウェーハ１００Ｃの厚み方向の中途部（半導体ウェーハ１００Ｃの表面１００ａと裏面１００ｂとの間の中途部）に位置するように形成される。
【００７２】
このような構成の改質層１３０Ｃ（第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３）は、半導体ウェーハ１００Ｃにおけるｘ軸及びｙ軸に沿って存在するすべてのダイシング領域１１０，１１０，・・・において形成されている。
【００７３】
図９は、実施形態３に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃには、図８に示すような改質層１３０Ｃ（第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３）が形成されているため、ダイシングを行う際に生じる垂直方向の力Ｐによる「欠け」Ｃが生じても、当該「欠け」Ｃは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２で吸収され、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の外側にまで拡散することを防ぐことができる。
【００７４】
すなわち、実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃにおいては、「欠け」Ｃは、第１改質層１３１及び第２改質層１３２で囲まれた範囲における下方向（半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１００ｂ方向）に集中的に発生する。これにより、半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。また、実施形態３に半導体ウェーハ１００Ｃにおいては、半導体ウェーハ１００Ｃの厚み方向の中途部の位置に改質層（第３改質層１３３）が存在するため、ダイシングブレード３００の刃が食い込みやすくなり、ダイシングがし易いものとなる。
【００７５】
以上説明したように、実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃは、改質層１３０Ｂとして図８に示すような第１改質層１３１及び第２改質層１３２の他に、第１改質層１３１の表面側端辺１３１ａと第２改質層１３２の表面側端辺１３２ａとを連結する第３改質層１３３が、半導体ウェーハ１００Ｃの厚み方向の中途部の位置に形成されている。
【００７６】
このため、実施形態３に係る半導体ウェーハ１００Ｃにおいては、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａで得られる効果に加えて、第３改質層１３３が形成されていることによる効果が得られる。すなわち、実施形態３に半導体ウェーハ１００Ｃにおいては、半導体ウェーハ１００Ｃの厚み方向の中途部の位置に改質層（第３改質層１３３）が存在するため、ダイシングブレード３００の刃が食い込みやすくなり、ダイシングがし易いものとなる。
【００７７】
また、実施形態３に係る半導体装置の製造方法は、改質層形成工程における改質層の形成の仕方が異なるだけで、全体的な工程としては、実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同じ工程（図４参照。）によって半導体装置を製造することができる。なお、実施形態３に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハとしては、半導体ウェーハ１００Ｃを用いているため、ダイシングブレード３００によりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。これにより、「欠け」の無い高品質な半導体装置を製造することができる。ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置を製造することができる。
【００７８】
［実施形態４］
実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄは外観的には実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａと同じであるが、改質層の構成が実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａとは異なる。なお、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄを説明するに当たって、図１を用いる必要がある場合には、図１に示す半導体ウェーハ１００Ａを実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄとして説明する。
【００７９】
図１０は、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄに形成されている改質層１３０Ｄを説明するために示す図である。なお、図１０は図２（ａ）に対応する図であり、図２（ａ）と同様に、図１における破線枠Ｒで囲まれた部分のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図１０において、図２と同一部分には同一符号が付されている。
【００８０】
実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄに形成されている改質層１３０Ｄは、実施形態１と同様、第１改質層１３１及び第２改質層１３２を有するが、図１０に示すように、当該第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、第１改質層１３１及び第２改質層１３２の断面形状（図１におけるｙ−ｙ線における矢視断面形状）がほぼＶ字形状をなすように形成されている。なお、第１改質層１３３の裏面側端辺１３１ｂと第２改質層１３２の裏面側端辺１３２ｂは接続されていて共通の端辺となっている、この共通の端辺を共通端辺１３４とする。共通端辺１３４は、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂに露出した状態となっている。
【００８１】
このような構成の改質層１３０Ｄにおいて、第１改質層１３３及び第２改質層１３２の共通端辺１３４の幅Ｗ３は、少なくとも、ダイシングブレード３００の厚みよりも大きくする。例えば、ダイシングブレードの厚みが５０μｍであるとすると、共通端辺１３４の幅Ｗ３は５０μｍよりも大きくする。
【００８２】
また、第１改質層１３１及び第２改質層１３２のそれぞれの高さＨ（半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂからの高さＨ）は、実施形態１に係る第１改質層１３１及び第２改質層１３２の高さＨとほぼ同様であり、また、これら第１改質層１３１及び第２改質層１３２は、半導体ウェーハ１００Ｄのダイシング開始側端部Ｄｓ（図１参照。）から半導体ウェーハ１００Ｄのダイシング終了側端部Ｄｅ（図１参照。）までの間に形成される。
このような構成の改質層１３０Ｄは、半導体ウェーハ１００Ｄにおけるｘ軸及びｙ軸に沿って存在するすべてのダイシング領域１１０，１１０，・・・において形成されている。
【００８３】
図１１は、実施形態４に係る半導体装置の製造方法におけるダイシング工程を説明するために示す図である。実施形態２に係る半導体ウェーハ１００Ｄには、図１０に示すようなＨＯＢＯＶ字形状をなす改質層１３０Ｄ（第１改質層１３１及び第２改質層１３２）が形成されているため、ダイシングを行う際に生じる垂直方向の力Ｐによる「欠け」Ｃが生じても、当該「欠け」Ｃは、第１改質層１３１、第２改質層１３２で吸収される。このため、「欠け」Ｃが第１改質層１３１、第２改質層１３２の外側に拡散しないようにすることができる。
【００８４】
すなわち、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄにおいては、「欠け」Ｃは、第１改質層１３１、第２改質層１３２で囲まれた範囲に集中的に発生する。このため、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂにまで「欠け］Ｃが拡散することがなくなる。特に、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄにおいては、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂにおいてダイシングブレード３００が抜け出る箇所に、共通端辺１３４が存在するため、ダイシングブレード３００が抜け出やすくなり、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂに「欠け」Ｃが生じにくくなる。
【００８５】
以上説明したように、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄは、改質層１３０Ｄとして、図１０に示すようなほぼＶ字形状をなす改質層１３０Ｄ（第１改質層１３１及び第２改質層１３２）が形成されている。このため、実施形態４に係る半導体ウェーハ１００Ｄにおいては、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａで得られる効果に加えて、第１改質層１３１及び第２改質層１３２がほぼＶ字形状をなしていることによる効果が得られる。
【００８６】
すなわち、第１改質層１３１及び第２改質層１３２がほぼＶ字形状をなしていることにより、Ｖ字形状の幅の狭まった部分においては、ダイシングブレード３００は主に第１改質層１３１及び第２改質層１３２をダイシングすることとなるため、「欠け」が生じにくいものとなる。特に、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂにおいてダイシングブレード３００が抜け出る箇所には共通端辺１３４が存在しているため、ダイシングブレード３００が抜け出やすくなり、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂに欠けが生じにくいものとすることができる。これにより、ダイシングによって個片化された各半導体装置は、「欠け」の無い高品質な半導体装置とすることができる。
【００８７】
また、実施形態４に係る半導体装置の製造方法は、改質層形成工程における改質層の形成の仕方が異なるだけで、全体的な工程としては、実施形態１に係る半導体装置の製造方法と同じ工程（図４参照。）によって半導体装置を製造することができる。なお、実施形態４に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハとしては、半導体ウェーハ１００Ｄを用いているため、ダイシングブレード３００によりダイシングを行ったとき、「欠け」が横方向に拡散しにくくなり、半導体ウェーハ１００Ｄの裏面１００ｂに広範囲に渡って、「欠け」が生じてしまうことを防止できる。これにより、「欠け」の無い高品質な半導体装置を製造することができる。
【００８８】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００８９】
（１）上記各実施形態においては、半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄの表面１００ａ側からレーザー光を照射することによって改質層１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄを形成するようにしたが、これに限られるものではなく、半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄの裏面１００ｂ側からレーザー光を照射することによって改質層１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄを形成するようにしてもよい。
【００９０】
（２）第１改質層１３１、第２改質層１３２及び第３改質層１３３の寸法（厚みＴ及び高さＨ、さらには、第１改質層１３１と第２改質層１３２との間隔Ｗ１，Ｗ２など）は上記各実施形態に示した寸法に限られるものではなく、適宜最適な値を設定することができる。また、改質層１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄの断面形状も上記各実施形態で示した形状に限られるものではなく、他にも種々変形実施可能である。
【００９１】
（３）上記各実施形態においては、紫外線レーザーを用いて各改質層１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄを形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、可視光レーザー（例えば、グリーンレーザー）を用いてもよい。
【００９２】
（４）上記各実施形態においては、レーザー照射により各改質層を形成するようにしたが、改質層の形成はレーザー照射に限られるものではなく、半導体ウェーハの第２主面（裏面）から不純物をイオン注入することによって改質層を形成するようにしてもよい。なお、不純物としては、ニッケル、アルゴン、窒素等を用いることができる。また、加速電圧を適切に調整することで所望の深さに改質層を形成することが可能となる。
【００９３】
（５）上記各実施形態においては、半導体ウェーハとして、ＳｉＣウェーハを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、高硬度の半導体ウェーハであればよく、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）などを用いた半導体ウェーハであってもよい。
【符号の説明】
【００９４】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ・・・半導体ウェーハ、１００ａ・・・半導体ウェーハの表面（第１主面）、１００ｂ・・・半導体ウェーハの裏面（第２主面）、１０１・・・素子形成領域、１１０，１１０Ａ・・・ダイシング領域、１２０・・・ダイシングテープ、１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ，１３０Ｄ・・・改質層、１３１・・・第１改質層、１３２・・・第２改質層、１３３・・・第３改質層、１３４・・・共通端辺、１３１ａ・・・第１改質層の表面側端辺、１３１ｂ・・・第１改質層の裏面側端辺、１３２ａ・・・第２改質層の表面側端辺、１３２ｂ・・・第２改質層の裏面側端辺、Ｃ・・・欠け（チッピング）、Ｄｓ・・・ダイシング開始側端部、Ｄｅ・・・ダイシング終了側端部
【図１】
0006021434.tif 000002
【図２】
0006021434.tif 000003
【図３】
0006021434.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0006021434.tif 000007
【図７】
0006021434.tif 000008
【図８】
0006021434.tif 000009
【図９】
0006021434.tif 000010
【図１０】
0006021434.tif 000011
【図１１】
0006021434.tif 000012
【図１２】
0006021434.tif 000013
【図１３】
0006021434.tif 000014