(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力部に入力された明度指定情報に基づき、明るさ情報を生成する表示制御回路と、
前記明るさ情報が入力され、電位制御信号を出力する駆動制御回路と、
前記駆動制御回路から電位制御信号が供給される電位制御線と、
走査線とデータ線との交差に対応して設けられた画素回路を具備する表示部と、
前記データ線の電位を保持する第１保持容量と、
データ信号を生成するデータ信号供給回路と、
一端に前記データ信号が供給可能に構成されるとともに、他端が前記データ線に接続された第２保持容量と、
前記第２保持容量の一端及び前記電位制御線の間に電気的に接続された第１トランジスターと、を有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１の値が前記入力部に前記明度指定情報として入力されたとき、駆動制御回路は第１電位を前記電位制御信号として出力し、
前記第１の値とは異なる第２の値が前記入力部に前記明度指定情報として入力されたとき、駆動制御回路は前記第１電位とは異なる第２電位を前記電位制御信号として出力する
ことを特徴とする、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記表示制御回路は、入力された画像データと前記明るさ情報に基づいて画像信号を生成して前記データ信号供給回路に供給する
ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素回路は、発光素子と、前記発光素子に電流を供給する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第３保持容量と、を有する
ことを特徴とする、請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記表示制御回路は、
前記発光素子の輝度、前記画像信号の示す電位、及び、前記明るさ情報を対応付けて記憶した記憶部を備え、
前記明るさ情報に基づいて、前記発光素子の輝度を規定する前記画像信号を生成する、
ことを特徴とする、請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素回路の動作を制御する走査線駆動回路と、
初期電位を給電する第１給電線と、
前記第２保持容量の他端及び前記第１給電線の間に電気的に接続された第２トランジスターと、
を備え、
第１期間において、
前記駆動制御回路は、前記第２トランジスターをオン状態に維持し、
前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、
前記走査線駆動回路は、前記書込トランジスターをオン状態に維持し、
前記駆動制御回路は、前記第１トランジスターをオン状態に維持するとともに、前記第２トランジスターをオフ状態に維持し、
前記第２期間が終了後に開始される第３期間において、
前記走査線駆動回路は、前記書込トランジスターをオン状態に維持し、
前記駆動制御回路は、前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターをオフ状態に維持し、
前記第２保持容量の一端には、前記データ信号が供給される、
ことを特徴とする、請求項４または請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
第４保持容量を備え、
前記第４保持容量は、
前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間のうち少なくとも一部において、一端に、前記表示制御回路が出力する前記データ信号が供給され、
前記第３期間において、一端が、前記第２保持容量の他端に電気的に接続される、
ことを特徴とする、請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素回路は、
前記駆動トランジスターのゲート及びドレインの間に電気的に接続された閾値補償トランジスターを備え、
前記走査線駆動回路は、
前記第２期間において、
前記閾値補償トランジスターをオン状態に維持し、
前記第２期間以外の期間において、
前記閾値補償トランジスターをオフ状態に維持する、
ことを特徴とする、請求項６または請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
所定のリセット電位を供給する第３給電線を備え、
前記画素回路は、
前記第３給電線と前記発光素子との間に電気的に接続された初期化トランジスターを備え、
前記走査線駆動回路は、
前記第１期間、前記第２期間、及び、前記第３期間のうち、少なくとも一部において、前記初期化トランジスターをオン状態に維持する、
ことを特徴とする、請求項６乃至８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第３給電線は、前記データ線に沿って設けられ、
前記第１保持容量は、前記データ線及び前記第３給電線によって形成される、
ことを特徴とする、請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記画素回路は、
前記駆動トランジスターと前記発光素子との間に電気的に接続された発光制御トランジスターを備え、
前記走査線駆動回路は、
少なくとも前記第１期間の開始時から前記第３期間の終了時までの期間において、前記発光制御トランジスターをオフ状態に維持する、
ことを特徴とする、請求項６乃至１０のうちいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の電気光学装置を備える
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）素子などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。この電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して、上記発光素子やトランジスターなどを含む画素回路が、表示すべき画像の画素に対応して設けられる構成が一般的である。（例えば特許文献１参照）。このような構成において、画素の階調レベルに応じた電位のデータ信号が当該トランジスターのゲートに印加されると、当該トランジスターは、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を発光素子に供給する。これにより、当該発光素子は、階調レベルに応じた輝度で発光する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１６４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、データ信号を出力する回路は、データ線を短時間で充電するために、高い駆動能力が求められる。一方、高品位の表示を行うために、データ信号の電位を細かい精度で制御し、細かい階調変化を表現することが求められる。しかし、高い駆動能力を有する回路において、細かい精度でデータ信号の電位を制御することは困難であった。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、細かい精度のデータ信号を必要としない一方で、高品位の表示が可能な電気光学装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素回路を具備する表示部と、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ前記データ線の各々の電位を保持する第１保持容量と、前記複数のデータ線に電気的に接続されるデータ線駆動回路と、前記データ線駆動回路の動作を制御する駆動制御回路と、前記駆動制御回路に対して前記表示部で表示すべき画面全体の明るさを示す明るさ情報を供給する表示制御回路と、を備え、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、発光素子に電流を供給する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートと前記データ線との間に電気的に接続された書込トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに電気的に接続され、前記駆動トランジスターのゲートおよびソース間の電圧を保持する第２保持容量と、を具備し、前記表示制御回路は、前記発光素子の輝度を規定する画像信号を、前記データ線駆動回路に対して供給し、前記データ線駆動回路は、前記駆動制御回路から電位制御信号が供給される電位制御線と、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられる複数のレベルシフト回路と、を具備し、前記複数のレベルシフト回路の各々は、一端が前記データ線に接続されるとともに、他端に前記画像信号に基づく電位が供給される第３保持容量と、前記第３保持容量の他端及び前記電位制御線の間に電気的に接続された第１トランジスターと、を有し、前記駆動制御回路は、前記明るさ情報に基づいて、前記電位制御信号の電位を制御する、ことを特徴とする。
【０００６】
この発明によれば、データ線は、第１保持容量と、第３保持容量の一端とに接続され、第３保持容量の他端には、発光素子の輝度を規定する画像信号に基づいた電位が供給される。従って、データ線の電位変動の大きさは、画像信号に基づいた電位の変動の大きさを、第１保持容量及び第３保持容量の容量比に応じて圧縮した値となる。すなわち、データ線の電位の変動範囲は、画像信号に基づいた電位の変動範囲に比べて狭められる。これにより、データ信号を細かい精度で刻まなくても、駆動トランジスターのゲートノードの電位を細かい精度で設定することが可能となり、電流を発光素子に対して精度良く供給することができ、高品位の表示が可能となる。また、データ線の電位変化幅を小さく抑えることができるため、データ線の電位変動に起因するクロストークやムラ等の発生を防止することが可能となる。
【０００７】
なお、画像信号に基づいた電位の変動幅を第１保持容量及び第３保持容量の容量比に応じて圧縮する場合、圧縮しない場合に比べて、発光素子の輝度は低下する。しかし、本実施形態によれば、明るさ情報に基づいて電位制御信号の電位を制御することで、駆動トランジスターのゲート及びソース間の電圧を大きくすることができるため、発光素子に大きな電流を供給することが可能となる。すなわち、本発明によれば、発光素子に供給する電流の大きさを精度よく制御することと、発光素子に大きな電流を供給することとを両立可能とする。これにより、本発明に係る電気光学装置は、高品位の表示が可能であるとともに、明るい画像の表示が可能となる。
【０００８】
なお、本発明に係る電気光学装置は、第３保持容量の一端より、データ線を介して、第１保持容量及び第２保持容量に電荷を供給することにより、駆動トランジスターのゲートノードの電位を決定する。具体的には、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、第１保持容量の容量値、第２保持容量の容量値、及び、第１保持容量及び第２保持容量に対して第３保持容量が供給する電荷量により定められる。仮に、電気光学装置が第１保持容量を備えない場合、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、第２保持容量の容量値と、第３保持容量が供給する電荷により定められる。よって、第２保持容量の容量値が、半導体プロセスの誤差に起因して、画素回路毎に相対的なばらつきを有する場合、駆動トランジスターのゲートノードの電位も画素回路毎にばらつく。この場合、表示ムラが発生し、表示品質が低下する。これに対して、本発明は、データ線の電位を保持する第１保持容量を備える。第１保持容量は、データ線の各々に対応して設けられるため、画素回路内に設けられる第２保持容量に比べて、大面積の電極を有するように構成することができる。従って、各列に設けられる複数の第１保持容量は、第２保持容量に比べて、半導体プロセスの誤差に起因する容量値の相対的なばらつきを小さく抑えることができる。これにより、画素回路毎に駆動トランジスターのゲートノードの電位ばらつきを防止することができ、表示ムラの発生を防止した高品位の表示が可能となる。
【０００９】
また、上述した電気光学装置において、前記表示制御回路は、前記発光素子の輝度、前記画像信号の示す電位、及び、前記明るさ情報を対応付けて記憶した記憶部を備え、前記明るさ情報に基づいて、前記発光素子の輝度を規定する前記画像信号を生成する、ことが好ましい。
明るさ情報に基づいて電位制御信号の電位を変更することにより、表示部で表示すべき画面全体の明るさを変更した場合、発光素子の輝度と、当該発光素子に供給する画像信号の示す電位との関係も変化する。この場合、電位制御信号の電位変化を考慮せずにガンマ補正を施しても、画像信号の規定する輝度とは異なる輝度で、発光素子が発光する場合がある。
これに対して、本発明にかかる電気光学装置は、発光素子の輝度及び画像信号の示す電位に加えて、明るさ情報を対応付けて記憶する記憶部を有する。従って、明るさ情報に基づいて、表示部で表示すべき画面全体の明るさを変更した場合であっても、発光素子は、画像信号が規定する正しい輝度で発光することが可能となる。
【００１０】
また、上述した電気光学装置において、前記電気光学装置は、前記複数の画素回路の動作を制御する走査線駆動回路を備え、前記データ線駆動回路は、初期電位を給電する第１給電線を備え、前記レベルシフト回路は、前記第３保持容量の一端及び前記第１給電線の間に電気的に接続された第２トランジスターを備え、第１期間において、前記駆動制御回路は、前記第２トランジスターをオン状態に維持し、前記第１期間が終了後に開始される第２期間において、前記走査線駆動回路は、前記書込トランジスターをオン状態に維持し、前記駆動制御回路は、前記第１トランジスターをオン状態に維持するとともに、前記第２トランジスターをオフ状態に維持し、前記第２期間が終了後に開始される第３期間において、前記走査線駆動回路は、前記書込トランジスターをオン状態に維持し、前記駆動制御回路は、前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターをオフ状態に維持し、前記第３保持容量の他端には、前記画像信号に基づく電位が供給される、ことが好ましい。
この発明によれば、第１期間及び第２期間において、データ線の電位を初期化したうえで、第３期間において、第３保持容量の他端に発光素子の輝度を規定する電位の信号が供給される。このため、駆動トランジスターのゲートノードの電位は、発光素子の輝度を規定する電位の信号に応じた値に正確に設定されるため、高品位の表示が可能となる。
また、第３期間において第３保持容量の他端に供給される画像信号に基づく電位は、第３保持容量及び第１保持容量の容量比に基づいて圧縮された上で、駆動トランジスターのゲートノードに供給される。このため、本発明に係る電気光学装置は、発光素子に供給する電流の大きさを精度よく供給することができ、高品位の表示が可能となる。
【００１１】
また、上述した電気光学装置において、前記レベルシフト回路は、第４保持容量を備え、前記第４保持容量は、前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間のうち少なくとも一部において、一端に、前記表示制御回路が出力する前記画像信号の示す電位が供給され、前記第３期間において、一端が、前記第３保持容量の他端に電気的に接続される、ことが好ましい。
この発明によれば、第１期間及び第２期間において、データ信号が第４保持容量の一端に供給され、一時的に保持されたうえで、第３期間において、駆動トランジスターのゲートノードに供給される。
仮に、電気光学装置が第４保持容量を備えない場合、駆動トランジスターのゲートノードに対するデータ信号の供給する動作の全てを、第３期間において行わなければならず、第３期間の時間長を十分な長さに設定する必要がある。
これに対して本発明は、第１期間及び第２期間において、データ信号の供給動作と、データ線等の初期化動作とを並行して行うため、１水平走査期間に実行すべき動作についての時間的な制約を緩和することができる。これにより、データ信号の供給動作の低速化が可能になるとともに、データ線等の初期化を行う期間を十分に確保することが可能となる。
また、この発明によれば、画像信号に基づいた電位の変動の大きさを、第１保持容量、第２保持容量、及び、第３保持容量に加えて、第４保持容量を用いて圧縮するため、発光素子に対して電流を細かい精度で供給することが可能となる。
【００１２】
また、上述した電気光学装置において、前記データ線駆動回路は、前記第４保持容量の各々に対応して設けられる第１スイッチ及び第２スイッチの組を複数備え、前記第１スイッチの出力端は、前記第３保持容量の他端に電気的に接続され、前記第１スイッチの入力端は、前記第４保持容量の一端と前記第２スイッチの出力端とに電気的に接続され、前記第１期間の開始から前記第３期間の開始までの期間において、前記駆動制御回路は、前記第１スイッチをオフとした状態で、前記第２スイッチをオンさせ、前記表示制御回路は、前記第２スイッチの入力端に、前記画像信号の示す電位を供給し、前記第３期間において、前記駆動制御回路は、前記第２スイッチをオフとした状態で、前記第１スイッチをオンさせる態様としてもよい。
【００１３】
また、上述した電気光学装置において、前記第４保持容量は、固定電位が供給される第２給電線と前記第２スイッチの出力端との間に電気的に並列に接続された複数の第４個別回路を備え、前記複数の第４個別回路の各々は、前記前記第２給電線と前記第２スイッチの出力端との間に電気的に直列に接続された第４個別容量と第４個別スイッチとを有し、前記駆動制御回路は、前記明るさ情報に基づいて、前記複数の第４個別スイッチの一部または全部を選択的にオンさせる、ことが好ましい。
この発明によれば、明るさ情報に基づいて、第４保持容量の容量値を変化させることができる。これにより、例えば、表示部で表示すべき画面全体の明るさが明るく、データ線の電位変動に伴うムラ等が視認される可能性が低い場合には、画像信号に基づいた電位の変動幅に対する圧縮率を低くして、コントラスト比の大きい鮮明な画像を表示することが可能となる。
【００１４】
また、上述した電気光学装置において、前記複数のデータ線は、所定数毎にグループ化され、１のグループに属する所定数のデータ線に対応した所定数の前記第２スイッチの入力端は、共通接続され、前記駆動制御回路は、前記１のグループに属する所定数の第２スイッチを、前記画像信号の供給に同期して所定の順番でオンさせる、態様としてもよい。
【００１５】
また、上述した電気光学装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスターのゲート及びドレインの間に電気的に接続された閾値補償トランジスターを備え、前記走査線駆動回路は、前記第２期間において、前記閾値補償トランジスターをオン状態に維持し、前記第２期間以外の期間において、前記閾値補償トランジスターをオフ状態に維持する、ことが好ましい。
この発明によれば、駆動トランジスターのゲートの電位を、駆動トランジスターの閾値電圧に対応した電位とすることができ、駆動トランジスター毎の閾値電圧のばらつきを補償することが可能となる。
【００１６】
また、上述した電気光学装置において、前記複数のデータ線の各々に対応して設けられ、所定のリセット電位を供給する複数の第３給電線を備え、前記画素回路は、前記第３給電線と前記発光素子との間に電気的に接続された初期化トランジスターを備え、前記走査線駆動回路は、前記第１期間、前記第２期間、及び、前記第３期間のうち、少なくとも一部において、前記初期化トランジスターをオン状態に維持する、ことが好ましい。
この発明によれば、発光素子に寄生する容量の保持電圧の影響を抑えることができる。
【００１７】
また、上述した電気光学装置において、複数の前記第３給電線の各々は、複数の前記データ線の各々に沿って設けられ、前記第１保持容量は、複数の前記データ線及び複数の前記第３給電線のうち、互いに隣り合う前記データ線及び前記第３給電線によって形成される、ことが好ましい。
この発明によれば、第３保持容量を十分に大きく（すなわち、第１保持容量及び第２保持容量に比べて大きく）することが可能となるため、データ線の電位の変動範囲は、発光素子の輝度を規定する電位の信号の電位の変動範囲に比べて、十分に小さく狭めることが可能となり、データ信号を細かい精度で刻まなくても、駆動トランジスターのゲートノードの電位を細かい精度で設定することが可能となる。また、第３保持容量を十分に大きくする場合、画素回路毎に駆動トランジスターのゲートノードの電位がばらつくことを防止することが可能となり、表示ムラの発生を防止した高品位の表示が可能となる。なお、第３保持容量は、互いに隣り合うデータ線及び第２給電線を同層に設けることで形成してもよい。また、第３保持容量は、互いに隣り合うデータ線及び第２給電線を平面視したときに重なるように配置することで形成してもよい。
【００１８】
また、上述した電気光学装置において、前記第１保持容量は、複数の前記データ線及び複数の前記第３給電線のうち、互いに隣り合う前記データ線及び前記第３給電線の間に電気的に並列に接続された複数の第１個別回路を備え、前記複数の第１個別回路の各々は、互いに隣り合う前記データ線及び前記第３給電線の間に電気的に直列に接続された第１個別容量と第１個別スイッチとを有し、前記駆動制御回路は、前記明るさ情報に基づいて、前記複数の第１個別スイッチの一部または全部を選択的にオンさせる、態様としてもよい。
また、上述した電気光学装置において、前記第３保持容量は、電気的に並列に接続された複数の第３個別回路を備え、前記複数の第３個別回路の各々は、前記データ線と電気的に直列に接続された第３個別容量と第３個別スイッチとを有し、前記駆動制御回路は、前記明るさ情報に基づいて、前記複数の第３個別スイッチの一部または全部を選択的にオンさせる、態様としてもよい。
この発明によれば、例えば、表示部で表示すべき画面全体の明るさが明るく、データ線の電位変動に伴うムラ等が視認される可能性が低い場合には、画像信号に基づいた電位の変動幅に対する圧縮率を低くして、コントラスト比の大きい鮮明な画像を表示することが可能となる。
【００１９】
また、上述した電気光学装置において、前記画素回路は、前記駆動トランジスターと前記発光素子との間に電気的に接続された発光制御トランジスターを備え、前記走査線駆動回路は、少なくとも前記第１期間の開始時から前記第３期間の終了時までの期間において、前記発光制御トランジスターをオフ状態に維持する、ことが好ましい。
【００２０】
なお、本発明は、電気光学装置のほか、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器としては、典型的にはヘッドマウント・ディスプレイ（ＨＭＤ）や電子ビューファイダーのなどの表示装置が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図２】同電気光学装置の構成を示す図である。
【図３】同電気光学装置における駆動制御回路を示す図である。
【図４】同電気光学装置における画素回路を示す図である。
【図５】同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】同電気光学装置の動作説明図である。
【図７】同電気光学装置の動作説明図である。
【図８】同電気光学装置の動作説明図である。
【図９】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１０】同電気光学装置におけるゲートノードの電位変化について説明する説明図である。
【図１１】同電気光学装置におけるデータ信号の振幅圧縮を示す説明図である。
【図１２】同電気光学装置におけるトランジスターの特性を示す説明図である。
【図１３】第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示す図である。
【図１４】同電気光学装置における駆動制御回路を示す図である。
【図１５】同電気光学装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図１６】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１７】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１８】同電気光学装置の動作説明図である。
【図１９】同電気光学装置の動作説明図である。
【図２０】同電気光学装置におけるデータ信号の電位幅の圧縮について説明する説明図である。
【図２１】変形例５に係る保持容量の構成を示す図である。
【図２２】変形例６に係る保持容量の構成を示す図である。
【図２３】変形例７に係る保持容量の構成を示す図である。
【図２４】変形例４に係る画素回路を示す図である。
【図２５】実施形態等に係る電気光学装置を用いたＨＭＤを示す斜視図である。
【図２６】ＨＭＤの光学構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図である。電気光学装置１は、例えばヘッドマウント・ディスプレイにおいて画像を表示するマイクロ・ディスプレイである。
図１に示すように、電気光学装置１は、表示パネル２と、表示パネル２の動作を制御する制御部３とを備える。表示パネル２は、複数の画素回路と、当該画素回路を駆動する駆動回路とを備える。本実施形態において、表示パネル２が備える複数の画素回路及び駆動回路は、シリコン基板に形成され、画素回路には、発光素子の一例であるＯＬＥＤが用いられる。また、表示パネル２は、例えば、表示部で開口する枠状のケース８２に収納されるとともに、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）基板８４の一端が接続される。
ＦＰＣ基板８４には、半導体チップの制御部３が、ＣＯＦ（Chip On Film）技術によって実装されるとともに、複数の端子８６が設けられて、図示省略された上位回路に接続される。
【００２４】
図２は、第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示すブロック図である。上述のとおり、電気光学装置１は、表示パネル２と、制御部３とを備える。このうち、制御部３は、表示制御回路４と、駆動制御回路５とを備える。
表示制御回路４には、図示省略された上位回路よりデジタルの画像データＶideoが同期信号に同期して供給される。ここで、画像データＶideoとは、表示パネル２（厳密には、後述する表示部１００）で表示すべき画像の画素の階調レベルを例えば８ビットで規定するデータである。また、同期信号とは、垂直同期信号、水平同期信号、及び、ドットクロック信号を含む信号である。
表示制御回路４は、同期信号に基づいて、制御信号Ｃtrを生成し、これを表示パネル２及び駆動制御回路５に対して供給する。なお、制御信号Ｃtrとは、パルス信号や、クロック信号、イネーブル信号などを含む信号である。
また、表示制御回路４は、電気光学装置１の利用者が図示省略された入力部より入力した明度指定情報に基づいて明るさ情報Ｂｒを生成し、これを駆動制御回路５に対して供給する。ここで、明度指定情報とは、表示パネル２（厳密には、後述する表示部１００）が画像を表示する際の画面全体の明るさを規定するデータである。また、明るさ情報Ｂｒは、表示部１００が画像を表示する際の画面全体の明るさを規定するデータであり、Ｒｂｒ個の互いに異なる値をとり得る。ここで、Ｒｂｒは１以上の自然数である。なお、明るさ情報Ｂｒは、明度指定情報と等しい値に設定されるものであってもよい。
なお、本実施形態では、表示制御回路４は、利用者が入力した明度指定情報に基づいて、明るさ情報Ｂｒを生成するが、画像データＶideoに基づいて明るさ情報Ｂｒを生成してもよい。例えば、画像データＶideoによって規定される発光素子の輝度の平均値に基づいて算出してもよい。
次に、表示制御回路４は、明るさ情報Ｂｒと画像データＶideoとに基づいて、アナログの画像信号Ｖidを、以下のように生成する。すなわち、表示制御回路４は、画像信号Ｖidの示す電位、表示パネル２が備える発光素子（後述するＯＬＥＤ１３０）の輝度、及び、明るさ情報Ｂｒを対応付けて記憶した記憶部６を備える。記憶部６には、明るさ情報Ｂｒの取り得る値の各々に対応して、Ｒｂｒ個のルックアップテーブルＬＵＴが設けられる。そして、各ルックアップテーブルＬＵＴには、表示部１００の表示すべき画面が、明るさ情報Ｂｒの示す値に対応する明るさとなる場合の、画像信号Ｖidの示す電位と、発光素子の輝度とが対応付けて記憶される。表示制御回路４は、明るさ情報Ｂｒに対応するルックアップテーブルＬＵＴを参照することで、画像データＶideoに規定される輝度に対応した、電位を出力し、画像信号Ｖidを生成する。そして、表示制御回路４は、生成した画像信号Ｖidを、表示パネル２に対して供給する。
【００２５】
駆動制御回路５は、表示制御回路４から供給される制御信号Ｃtr及び明るさ情報Ｂｒに基づいて、各種制御信号と各種電位とを生成し、これらを表示パネル２に供給する。
具体的には、駆動制御回路５は、表示パネル２に対して、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)と、これらの信号に対して論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)と、負論理の制御信号／Ｇiniと、正論理の制御信号Ｇrefと、所定のリセット電位である電位Ｖorstと、電位制御信号とを供給する。ここで、電位制御信号の電位Ｖrefは、明るさ情報Ｂｒに基づいて定められる。なお、以下では、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を、制御信号Ｓelと総称し、制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)を、制御信号／Ｓelと総称する場合がある。
【００２６】
図２に示すように、表示パネル２は、表示部１００と、これを駆動する駆動回路（データ線駆動回路１０及び走査線駆動回路２０）とを備える。
表示部１００には、表示すべき画像の画素に対応した画素回路１１０がマトリクス状に配列されている。詳細には、表示部１００において、ｍ行の走査線１２が図において横方向（Ｘ方向）に延在して設けられ、また、３列毎にグループ化された（３ｎ）列のデータ線１４が図において縦方向（Ｙ方向）に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。そして、ｍ行の走査線１２と（３ｎ）列のデータ線１４との交差部に対応して画素回路１１０が設けられている。このため、本実施形態において画素回路１１０は、縦ｍ行×横（３ｎ）列でマトリクス状に配列されている。
【００２７】
ここで、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。走査線１２および画素回路１１０のマトリクスのうち、行（ロウ）を区別するために、図において上から順に１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行と呼ぶ場合がある。同様にデータ線１４および画素回路１１０のマトリクスの列（カラム）を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ−１）、（３ｎ）列と呼ぶ場合がある。また、データ線１４のグループを一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、左から数えてｊ番目のグループには、（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１４が属している、ということになる。
なお、同一行の走査線１２と同一グループに属する３列のデータ線１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素に対応して、これらの３画素が表示すべきカラー画像の１ドットを表現する。すなわち、本実施形態では、ＲＧＢに対応したＯＬＥＤの発光によって１ドットのカラーを加法混色で表現する構成となっている。
【００２８】
また、図２に示すように、表示部１００において、（３ｎ）列の給電線１６（第３給電線）が、縦方向に延在し、かつ、各走査線１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられる。各給電線１６には、電位Ｖorstが共通に給電されている。ここで、給電線１６の列を区別するために、図において左から順に１、２、３、…、（３ｎ）、（３ｎ＋１）列目の給電線１６と呼ぶ場合がある。１列目〜（３ｎ）列目の給電線１６の各々は、１列目〜（３ｎ）列目のデータ線１４の各々に沿って設けられる。すなわち、１以上（３ｎ）以下の整数をｐとしたとき、ｐ列目の給電線１６およびｐ列目のデータ線１４は、互いに隣り合うように設けられる。
また、表示パネル２には、１列目〜（３ｎ）列目のデータ線１４の各々に対応して、（３ｎ）個の保持容量５０が設けられる。保持容量５０の一端はデータ線１４に接続され、他端が給電線１６に接続される。すなわち、保持容量５０は、データ線１４の電位を保持する第１保持容量として機能する。保持容量５０は、互いに隣り合う給電線１６及びデータ線１４が絶縁体（誘電体）を挟持することで形成されることが好ましい。この場合、互いに隣り合う給電線１６とデータ線１４との間の距離は、必要とされる大きさの容量が得られるように定められる。なお、以下では、保持容量５０の容量値をＣdtと表記する。
図２において、保持容量５０は、表示部１００の外側に設けられているが、これはあくまでも等価回路であり、表示部１００の内側に設けてもよい。また、保持容量５０は、表示部１００の内側から外側にわたって設けられてもよい。
【００２９】
走査線駆動回路２０は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に順番に走査するための走査信号Gwrを、制御信号Ｃtrにしたがって生成するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１２に供給される走査信号Gwrを、それぞれＧwr(1)、Ｇwr(2)、Ｇwr(3)、…、Ｇwr(m-1)、Ｇwr(m)と表記している。
なお、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)のほかにも、当該走査信号Gwrに同期した各種の制御信号を行毎に生成して表示部１００に供給するが、図２においては図示を省略している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、その１周期分の８．３ミリ秒の期間である。
【００３０】
データ線駆動回路１０は、（３ｎ）列のデータ線１４の各々と１対１に対応して設けられる（３ｎ）個のレベルシフト回路ＬＳ、各グループを構成する３列のデータ線１４毎に設けられるｎ個のデマルチプレクサＤＭ、及び、データ信号供給回路７０を備える。
データ信号供給回路７０は、制御部３より供給される画像信号Ｖidと制御信号Ｃtrとに基づいて、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)を生成する。具体的には、データ信号供給回路７０は、例えば、シフトレジスタを含んで構成され、制御信号Ｃtrに基づいて画像信号Ｖidを時分割したデータ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)を生成する。そして、データ信号供給回路７０は、データ信号Ｖd(1)、Ｖd(2)、…、Ｖd(n)を、１、２、…、ｎ番目のグループに対応するデマルチプレクサＤＭに対して、それぞれ供給する。なお、データ信号Ｖd(1)〜Ｖd(n)が取り得る電位の最高値をＶmaxとし、最低値をＶminとする。
【００３１】
図３は、デマルチプレクサＤＭとレベルシフト回路ＬＳとの構成を説明するための回路図である。なお、図３は、ｊ番目のグループに属するデマルチプレクサＤＭと、当該デマルチプレクサＤＭに接続された３個のレベルシフト回路ＬＳとを、代表的に表している。なお、以下では、ｊ番目のグループに属するデマルチプレクサＤＭを、ＤＭ(j)と表記する場合がある。
【００３２】
以下では、図２に加えて図３を参照しながら、デマルチプレクサＤＭ及びレベルシフト回路ＬＳの構成について説明する。
図３に示すように、デマルチプレクサＤＭは、列毎に設けられたトランスミッションゲート３４（第２スイッチ）の集合体であり、各グループを構成する３列に、データ信号を順番に供給するものである。ここで、ｊ番目のグループに属する（３ｊ−２）、（３ｊ−１）、（３ｊ）列に対応したトランスミッションゲート３４の入力端は互いに共通接続されて、その共通端子にそれぞれデータ信号Ｖd(j)が供給される。ｊ番目のグループにおいて左端列である（３ｊ−２）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(1)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(1)がＬレベルであるとき）にオン（導通）する。同様に、ｊ番目のグループにおいて中央列である（３ｊ−１）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(2)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(2)がＬレベルであるとき）にオンし、ｊ番目のグループにおいて右端列である（３ｊ）列に設けられたトランスミッションゲート３４は、制御信号Ｓel(3)がＨレベルであるとき（制御信号／Ｓel(3)がＬレベルであるとき）にオンする。
【００３３】
レベルシフト回路ＬＳは、保持容量４４とＮチャネルＭＯＳ型のトランジスター４３（第１トランジスター）とＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター４５（第２トランジスター）との組を列毎に有し、各列のトランスミッションゲート３４の出力端から出力されるデータ信号の電位をシフトするものである。ここで、保持容量４４の一端は、対応する列のデータ線１４とトランジスター４５のドレインノードとに接続される一方、保持容量４４の他端は、トランスミッションゲート３４の出力端とトランジスター４３のドレインノードとに接続される。すなわち、保持容量４４は、一端がデータ線１４に接続された第３保持容量として機能する。図３では省略しているが、保持容量４４の容量値をＣrf1とする。
【００３４】
各列のトランジスター４５のソースノードは、給電線６１（第１給電線）に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、駆動制御回路５から制御信号／Ｇiniが各列にわたって共通に供給される。このため、トランジスター４５は、保持容量４４の一端であるノードｈ2（及びデータ線１４）と、給電線６１とを、制御信号／ＧiniがＬレベルのときに電気的に接続し、制御信号／ＧiniがＨレベルのときに電気的に非接続とする。なお、給電線６１には、駆動制御回路５から電位Ｖini（初期電位）が供給される。
また、各列のトランジスター４３のソースノードは、給電線６２（電位制御線）に各列にわたって共通に接続され、ゲートノードには、駆動制御回路５から制御信号Ｇrefが各列にわたって共通に供給される。このため、トランジスター４３は、保持容量４４の他端であるノードｈ1と給電線６２とを、制御信号ＧrefがＨレベルのときに電気的に接続し、制御信号ＧrefがＬレベルのときに電気的に非接続とする。なお、給電線６２には、駆動制御回路５から電位Ｖref（電位制御信号）が供給される。
【００３５】
図４を参照して画素回路１１０について説明する。各画素回路１１０については電気的にみれば互いに同一構成なので、ここでは、ｉ行目であって、ｊ番目のグループのうち左端列の（３ｊ−２）列目に位置するｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０を例にとって説明する。なお、ｉは、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、１以上ｍ以下の整数である。
【００３６】
図４に示されるように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１〜１２５と、ＯＬＥＤ１３０と、保持容量１３２とを含む。この画素回路１１０には、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)が供給される。ここで、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、それぞれｉ行目に対応して走査線駆動回路２０によって供給されるものである。このため、走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)は、ｉ行目であれば、着目している（３ｊ−２）列以外の他の列の画素回路にも共通に供給される。
【００３７】
トランジスター１２２は、ゲートノードがｉ行目の走査線１２に接続され、ドレインまたはソースノードの一方が（３ｊ−２）列目のデータ線１４に接続され、他方がトランジスター１２１におけるゲートノードｇと、保持容量１３２の一端と、トランジスター１２３のソースノードまたはドレインノードの一方とにそれぞれ接続されている。すなわち、トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートノードｇとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートノードｇと、データ線１４との間の電気的な接続を制御する、書込トランジスターとして機能する。ここで、トランジスター１２１のゲートノードについては、他のノードと区別するためにｇと表記する。
トランジスター１２１は、ソースノードが給電線１１６に接続され、ドレインノードがトランジスター１２３のソースノードまたはドレインノードの他方と、トランジスター１２４のソースノードとにそれぞれ接続されている。ここで、給電線１１６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖelが給電される。
トランジスター１２１、１２２において、ドレインノード又はソースノードが他の構成要素と電気的に接続されると説明したが、電位関係が変わる場合に、ドレインノードとして説明したノードがソースノードとなり、ソースノードとして説明したノードがドレインノードとなることもあり得る。以下で説明するトランジスター１２３〜１２５についても同様である。いずれにしても、例えば、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか一方は、給電線１１６に電気的に接続される。そして、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか他方は、トランジスター１２４を介してＯＬＥＤ１３０に電気的に接続されている。また、図４では、トランジスター１２１のソースノード及びドレインノードのいずれか他方は、トランジスター１２３を介してＯＬＥＤ１３０のアノードに電気的に接続されている。トランジスター１２１が飽和領域で動作する場合には、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧に応じた導通状態が制御され、この導通状態に応じた電流をＯＬＥＤ１３０に供給する。すなわち、トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。
トランジスター１２３のゲートノードには制御信号Ｇcmp(i)が供給される。このトランジスター１２３は、トランジスター１２１のソースノードおよびゲートノードｇの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。
トランジスター１２４のゲートノードには制御信号Ｇel(i)が供給され、ドレインノードがトランジスター１２５のソースノードとＯＬＥＤ１３０のアノードとにそれぞれ接続されている。すなわち、トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインノードと、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。
トランジスター１２５のゲートノードにはｉ行目に対応した制御信号Ｇorst(i)が供給され、ドレインノードは（３ｊ−１）列目の給電線１６に接続されて電位Ｖorstに保たれている。このトランジスター１２５は、給電線１６と、ＯＬＥＤ１３０のアノードとの間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。
本実施形態において表示パネル２はシリコン基板に形成されるので、トランジスター１２１〜１２５の基板電位については電位Ｖelとしている。
【００３８】
保持容量１３２は、一端がトランジスター１２１のゲートノードｇに接続され、他端が給電線１１６に接続される。このため、保持容量１３２は、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する第２保持容量として機能する。なお、保持容量１３２の容量値をＣpixと表記する。このとき、保持容量５０の容量値Ｃdtと、保持容量４４の容量値Ｃrf1と、保持容量１３２の容量値Ｃpixとは、
Ｃdt＞Ｃrf1＞＞Ｃpix
となるように設定される。すなわち、ＣdtはＣrf1よりも大きく、ＣpixはＣdtおよびＣrf1よりも十分に小さくなるように設定される。なお、保持容量１３２としては、トランジスター１２１のゲートノードｇに寄生する容量を用いても良いし、シリコン基板において互いに異なる導電層で絶縁層を挟持することによって形成される容量を用いても良い。
【００３９】
ＯＬＥＤ１３０のアノードは、画素回路１１０毎に個別に設けられる画素電極である。これに対して、ＯＬＥＤ１３０のカソードは、画素回路１１０のすべてにわたって共通の共通電極１１８であり、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖctに保たれている。ＯＬＥＤ１３０は、上記シリコン基板において、アノードと光透過性を有するカソードとで白色有機ＥＬ層を挟持した素子である。そして、ＯＬＥＤ１３０の出射側（カソード側）にはＲＧＢのいずれかに対応したカラーフィルターが重ねられる。
このようなＯＬＥＤ１３０において、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層で再結合して励起子が生成され、白色光が発生する。このときに発生した白色光は、シリコン基板（アノード）とは反対側のカソードを透過し、カラーフィルターによる着色を経て、観察者側に視認される構成となっている。
【００４０】
＜第１実施形態の動作＞
図５を参照して電気光学装置１の動作について説明する。図５は、電気光学装置１における各部の動作を説明するためのタイミングチャートである。この図に示されるように、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)を順次Ｌレベルに切り替えて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、ｉ行目が水平走査される走査期間において、特にｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０について着目して動作を説明する。
【００４１】
本実施形態ではｉ行目の走査期間は、大別すると、図５において（ｂ）で示される初期化期間と（ｃ）で示される補償期間と（ｄ）で示される書込期間とに分けられる。そして、（ｄ）の書込期間の後、（ａ）で示される発光期間となり、１フレームの期間経過後に再びｉ行目の走査期間に至る。このため、時間の順でいえば、（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。なお、図５において、ｉ行目に対し１行前の（ｉ−１）行目に対応する走査信号Ｇwr(i-1)、制御信号Ｇel(i-1)、Ｇcmp(i-1)、Ｇorst(i-1)の各々については、ｉ行目に対応する走査信号Ｇwr(i)、制御信号Ｇel(i)、Ｇcmp(i)、Ｇorst(i)よりも、それぞれ時間的に１水平走査期間（Ｈ）だけ時間的に先行した波形となる。
【００４２】
＜発光期間＞
説明の便宜上、初期化期間の前提となる発光期間から説明する。図５に示されるように、ｉ行目の発光期間において、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＨレベルに、それぞれ設定する。このため、図６に示されるようにｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフする。したがって、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給する。後述するように、本実施形態において発光期間での電圧Ｖgsは、トランジスター１２１の閾値電圧から、データ信号の電位に応じてレベルシフトした値である。このため、ＯＬＥＤ１３０には、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
【００４３】
なお、ｉ行目の発光期間は、ｉ行目以外が水平走査される期間であるから、データ線１４の電位は適宜変動する。ただし、ｉ行目の画素回路１１０において、トランジスター１２２がオフしているので、ここでは、データ線１４の電位変動を考慮していない。また、図６においては、動作説明で重要となる経路を太線で示している（以下の図７〜図９、図１５〜図１８においても同様である）。
【００４４】
＜初期化期間＞
次にｉ行目の走査期間に至ると、まず、第１期間として（ｂ）の初期化期間が開始する。初期化期間において、走査線駆動回路２０は、図５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。
このため、図７に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０において、トランジスター１２４がオフし、トランジスター１２５がオンする。これによってＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、ＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされる。ＯＬＥＤ１３０は、上述したようにアノードとカソードとで有機ＥＬ層を挟持した構成であるので、アノード・カソードの間には、図において破線で示されるように容量Ｃoledが並列に寄生する。発光期間においてＯＬＥＤ１３０に電流が流れていたときに、当該ＯＬＥＤ１３０のアノード・カソード間の両端電圧が当該容量Ｃoledによって保持されるが、この保持電圧は、トランジスター１２５のオンによってリセットされる。このため、本実施形態では、後の発光期間においてＯＬＥＤ１３０に再び電流が流れるときに、当該容量Ｃoledで保持されている電圧の影響を受けにくくなる。
【００４５】
詳細には、例えば高輝度の表示状態から低輝度の表示状態に転じるときに、リセットしない構成であると、輝度が高い（大電流が流れた）ときの高電圧が保持されてしまうので、次に、小電流を流そうとしても、過剰な電流が流れてしまって、低輝度の表示状態にさせることができなくなる。これに対して、本実施形態では、トランジスター１２５のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードの電位がリセットされるので、低輝度側の再現性が高められることになる。なお、本実施形態において、電位Ｖorstについては、当該電位Ｖorstと共通電極１１８の電位Ｖctとの差がＯＬＥＤ１３０の発光閾値電圧を下回るように設定される。このため、初期化期間（次に説明する補償期間および書込期間）において、ＯＬＥＤ１３０はオフ（非発光）状態である。
【００４６】
一方、初期化期間において、駆動制御回路５は、図５に示されるように、制御信号／ＧiniをＬレベルに、制御信号ＧrefをＨレベルに、それぞれ設定する。このため、図７に示されるように、レベルシフト回路ＬＳでは、トランジスター４３及びトランジスター４５がオンした状態となる。これにより、保持容量４４の一端と給電線６１とが電気的に接続され、保持容量４４の一端と電気的に接続されるノードｈ2及びデータ線１４は電位Ｖiniに初期化される一方、保持容量４４の他端と給電線６２とが電気的に接続され、保持容量４４の他端と電気的に接続されるノードｈ1は電位Ｖrefに初期化される。
本実施形態において電位Ｖiniは、（Ｖel−Ｖini）がトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜よりも大きくなるように設定される。なお、トランジスター１２１はＰチャネル型であるので、ソースノードの電位を基準とした閾値電圧Ｖthは負である。そこで、高低関係の説明で混乱が生じるのを防ぐために、閾値電圧については、絶対値の｜Ｖth｜で表し、大小関係で規定することにする。
【００４７】
＜補償期間＞
ｉ行目の走査期間では、次に第２期間として（ｃ）の補償期間となる。補償期間において、駆動制御回路５は、図５に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに、制御信号ＧrefをＨレベルに、それぞれ設定する。このため、図８に示されるように、レベルシフト回路ＬＳにおいて、トランジスター４３はオンした状態となる一方、トランジスター４５はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の他端と給電線６２とが電気的に接続され、ノードｈ1が電位Ｖrefに設定される。
【００４８】
また、補償期間において、走査線駆動回路２０は、図５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。このため、図８に示されるように、トランジスター１２３がオンするので、トランジスター１２１はダイオード接続となる。これにより、トランジスター１２１にはドレイン電流が流れて、ゲートノードｇおよびデータ線１４を充電する。詳細には、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れる。従って、トランジスター１２１のオンによって互いに接続状態にあるデータ線１４およびゲートノードｇは、電位Ｖiniから上昇する。ただし、上記経路に流れる電流は、ゲートノードｇが電位（Ｖel−｜Ｖth｜）に近づくにつれて流れにくくなるので、補償期間の終了に至るまでに、データ線１４およびゲートノードｇは電位（Ｖel−｜Ｖth｜）で飽和する。したがって、保持容量１３２は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を保持することになる。なお、以下では、補償期間終了時のゲートノードｇの電位（Ｖel−｜Ｖth｜）を、電位Ｖpと表記する場合がある。
【００４９】
＜書込期間＞
初期化期間の後、第３期間として（ｄ）の書込期間に至る。書込期間において、走査線駆動回路２０は、図５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。これにより、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。また、駆動制御回路５は、図５に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに、制御信号ＧrefをＬレベルに、それぞれ設定する。これにより、トランジスター４５はオフした状態を維持するとともに、トランジスター４３もオフした状態となる。このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１４からｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０におけるゲートノードｇに至るまでの経路はフローティング状態になるものの、当該経路における電位は、保持容量５０、１３２によって（Ｖel−｜Ｖth｜）、すなわち、電位Ｖｐに維持される。
【００５０】
ｉ行目の書込期間においてデータ信号供給回路７０は、ｊ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd(j)を順番に、ｉ行（３ｊ−２）列、ｉ行（３ｊ−１）列、ｉ行（３ｊ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える。一方、駆動制御回路５は、データ信号の電位の切り替えに同期して制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。駆動制御回路５は、図５では省略しているが、制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)とは論理反転の関係にある制御信号／Ｓel(1)、／Ｓel(2)、／Ｓel(3)についても出力している。これによって、デマルチプレクサＤＭでは、各グループにおいてトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
【００５１】
ここで、左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)、／Ｓel(1)によってオンしたとき、図９に示されるように、保持容量４４の他端であるノードｈ1は、補償期間において設定された電位Ｖrefから、データ信号Ｖd(j)の電位に、すなわちｉ行（３ｊ−２）列の画素の階調レベルに応じた電位に変化する。
このときのゲートノードｇの電位変化について、図１０を参照しつつ詳説する。図１０は、補償期間及び書込期間における、ゲートノードｇ及びノードｈ1の各々の電位変化について説明するための説明図である。図１０（Ａ）は、補償期間終了時（厳密には、補償期間終了時から、保持容量４４の他端にデータ信号Ｖd(j)が供給されるまでの期間）におけるゲートノードｇ及びノードｈ1の電位について表し、図１０（Ｂ）は、書込期間終了時（厳密には、書込期間のうち、保持容量４４の他端にデータ信号Ｖd(j)が供給された後の期間）におけるゲートノードｇ及びノードｈ1の電位について表している。なお、以下において、変化後のゲートノードｇの電位をＶgateと表す。
図８及び図９に示したように、補償期間及び書込期間において、保持容量５０及び保持容量１３２は電気的に並列に接続される。従って、保持容量５０及び保持容量１３２の合成容量の容量値Ｃ0は、以下の式（１）で表される。
Ｃ0＝Ｃpix＋Ｃdt    ……（１）
従って、補償期間終了時に保持容量５０及び保持容量１３２の合成容量に蓄積された電荷をＱ0aとし（図１０（Ａ））、書込期間終了時に当該合成容量に蓄積されている電荷をＱ0bとすると（図１０（Ｂ））、書込期間において、保持容量５０及び保持容量１３２の合成容量から流出する電荷（Ｑ0a−Ｑ0b）は、以下の式（２）で表される。
Ｑ0a−Ｑ0b  ＝  Ｃ0*（Ｖp−Ｖgate）    ……（２）
同様に、補償期間終了時における、保持容量４４に蓄積された電荷をＱ1aとし（図１０（Ａ））、書込期間終了時に保持容量４４に蓄積されている電荷をＱ1bとすると（図１０（Ｂ））、書込期間において、保持容量４４に流入する電荷（Ｑ1b−Ｑ1a）は、以下の式（３）で表される。
Ｑ1b−Ｑ1a  ＝  Ｃrf1*｛（Ｖgate−Ｖd(j)）−（Ｖp−Ｖref）｝    ……（３）
書込期間において、保持容量５０及び保持容量１３２の合成容量から流出する電荷と、保持容量４４に流入する電荷とは等しいため、以下の式（４）が成立する。
Ｑ0a−Ｑ0b  ＝  Ｑ1b−Ｑ1a    ……（４）
従って、式（１）〜式（３）より、書込期間におけるゲートノードｇの電位Ｖgateを算出することができる。具体的には、電位Ｖgateは以下の式（５）で表される。
Ｖgate  ＝  ｛Ｃrf1／（Ｃrf1＋Ｃ0）｝*｛Ｖd(j)−Ｖref｝＋Ｖp    ……（５）
ここで、以下の式（６）に示す容量比ｋ1を導入すると、電位Ｖgateは、以下の式（７）で表すこともできる。
ｋ1  ＝  Ｃrf1／（Ｃrf1＋Ｃdt＋Ｃpix）    ……（６）
Ｖgate  ＝  ｋ1*｛Ｖd(j)−Ｖref｝＋Ｖp    ……（７）
このときのノードｈ1の電位変化量｛Ｖd(j)−Ｖref｝をΔＶで表し、ゲートノードｇの電位変化量（Ｖgate−Ｖp）をΔＶgで表すと、以下の式（８）が成立する。
ΔＶg  ＝  ｋ1*ΔＶ    ……（８）
このように、ゲートノードｇは、補償期間における電位Ｖｐ＝（Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈ1の電位変化量ΔＶに容量比ｋ1を乗じた値（ｋ1*ΔＶ）だけ、上昇方向にシフトした値Ｖgate＝Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶとなる。
このとき、トランジスター１２１の電圧Ｖgsの絶対値｜Ｖgs｜は、閾値電圧｜Ｖth｜からゲートノードｇの電位上昇したシフト分だけ減じた値となる。すなわち、以下の式（９）が成立する。
｜Ｖgs｜  ＝  ｜Ｖth｜−ｋ1*ΔＶ    ……（９）
【００５２】
図１１は、書込期間におけるデータ信号の電位とゲートノードｇの電位との関係を示す図である。駆動制御回路５から供給されるデータ信号は、上述したように画素の階調レベルに応じて最小値Ｖminから最大値Ｖmaxまでの電位範囲を取り得る。本実施形態では、当該データ信号が直接ゲートノードｇに書き込まれるのではなく、図に示されるようにレベルシフトされて、ゲートノート゛ｇに書き込まれる。
このとき、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateは、以下の式（１０）に示すように、データ信号の電位範囲ΔＶdata（＝Ｖmax−Ｖmin）に容量比ｋ1を乗じた値に圧縮される。
ΔＶgate  ＝  ｋ1*ΔＶdata    ……（１０）
上述のとおり、容量値Ｃpixは、容量値Ｃrf1及び容量値Ｃdtに比べて十分に小さいので、例えば、Ｃrf1：Ｃdt＝１：９となるように保持容量４４、５０の容量を設定したとき、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateをデータ信号の電位範囲ΔＶdataの１／１０に圧縮することができる。
また、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateを、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対してどの方向にどれだけシフトさせるかについては、電位Ｖp（＝Ｖel−｜Ｖth｜）、電位Ｖrefで定めることができる。これは、データ信号の電位範囲ΔＶdataが、電位Ｖrefを基準にして容量比ｋ1で圧縮されるとともに、その圧縮範囲が電位Ｖpを基準にシフトされたものが、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateとなるためである。
【００５３】
このようにｉ行目の書込期間において、ｉ行目の画素回路１１０のゲートノードｇには、補償期間における電位Ｖp（＝Ｖel−｜Ｖth｜）から、ノードｈの電位変化量ΔＶに容量比ｋ1を応じた分だけシフトした電位（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶ）が書き込まれる。
【００５４】
＜発光期間＞
ｉ行目の書込期間の終了した後、発光期間が開始される。本実施形態では、ｉ行目の書込期間の終了した後、１水平走査期間の間をおいて発光期間が開始される。発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに設定するため、トランジスター１２２がオフする。これによって、ゲートノードｇの電位は、シフトした電位（Ｖel−｜Ｖth｜＋ｋ1・ΔＶ）に維持される。また、発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定するので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０において、トランジスター１２４がオンする。ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、（｜Ｖth｜−ｋ1・ΔＶ）であるから、ＯＬＥＤ１３０には、先の図６に示したように、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
このような動作は、ｉ行目の走査期間において、（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の他の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなｉ行目の動作は、実際には、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
【００５５】
本実施形態によれば、ゲートノードｇにおける電位範囲ΔＶgateは、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対し狭められるので、データ信号を細かい精度で刻まなくても、階調レベルを反映した電圧を、トランジスター１２１のゲート・ソース間に印加することができる。このため、画素回路１１０においてトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsの変化に対しＯＬＥＤ１３０に流れる微小電流が相対的に大きく変化する場合であっても、ＯＬＥＤ１３０に供給する電流を精度良く制御することが可能になる。
【００５６】
なお、トランジスター１２１は、式（８）で示したゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流Ｉdsを、ＯＬＥＤ１３０に供給する。そして、ＯＬＥＤ１３０は、電流Ｉdsの大きさに応じた輝度で発光する。
従って、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateをデータ信号の電位範囲ΔＶdataに対して圧縮する場合には、圧縮しない場合に比べて、ＯＬＥＤ１３０を高輝度で発光させることが困難になる。この場合、表示部１００の表示する画面は、全体的に暗くなる。
これに対して、本実施形態では、駆動制御回路５が、明るさ情報Ｂｒに基づいて電位Ｖrefを制御する。具体的には、表示部１００で表示すべき画面全体の明るさが明るい場合には、駆動制御回路５が、電位Ｖrefを高電位に設定する。これにより、電圧Ｖgsを大きくすることができ、明るい画像の表示と、電流Ｉdsの制御精度向上との両立が可能となる。
【００５７】
また、図４において破線で示されるようにデータ線１４と画素回路１１０におけるゲートノードｇとの間には容量Ｃprsが寄生する場合がある。この場合、データ線１４の電位変化幅が大きいと、当該容量Ｃprsを介してゲートノードｇに伝播し、いわゆるクロストークやムラなどが発生して表示品位を低下させてしまう。当該容量Ｃprsの影響は、画素回路１１０が微細化されたときに顕著に現れる。
これに対して、本実施形態においては、データ線１４の電位変化範囲についても、データ信号の電位範囲ΔＶdataに対し狭められるので、容量Ｃprsを介した影響を抑えることができる。
【００５８】
また、本実施形態によれば、トランジスター１２１によってＯＬＥＤ１３０に供給される電流Ｉdsは、閾値電圧の影響が相殺される。このため、本実施形態によれば、トランジスター１２１の閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、そのばらつきが補償されて、階調レベルに応じた電流がＯＬＥＤ１３０に供給されるので、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００５９】
この相殺について図１２を参照して説明する。この図に示されるように、トランジスター１２１は、ＯＬＥＤ１３０に供給する微小電流を制御するために、弱反転領域（サブスレッショルド領域）で動作する。
図において、Ａは閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターを、Ｂは閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターを、それぞれ示している。なお、図１２において、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsは、実線で示される特性と電位Ｖelとの差である。また、図１０において、縦スケールの電流は、ソースからドレインに向かう方向を負（下）とした対数で示されている。
補償期間においてゲートノードｇは、電位Ｖref_Ｈから電位（Ｖel−｜Ｖth｜）となる。このため、閾値電圧｜Ｖth｜が大きいトランジスターＡは、動作点がＳからＡａに移動する一方、閾値電圧｜Ｖth｜が小さいトランジスターＢは、動作点がＳからＢａに移動する。
次に、２つのトランジスターが属する画素回路１１０へのデータ信号の電位が同じ場合、つまり同じ階調レベルが指定された場合に、書込期間においては、動作点Ａａ、Ｂａからの電位シフト量は、ともに同じｋ1・ΔＶである。このため、トランジスターＡについては動作点がＡａからＡｂに移動し、トランジスターＢについては動作点がＢａからＢｂに移動するが、電位シフト後の動作点における電流は、トランジスターＡ、Ｂともに、ほぼ同じＩdsで揃うことになる。
【００６０】
＜第２実施形態＞
第１実施形態においては、各列の保持容量４４の他端、すなわちノードｈに、デマルチプレクサＤＭによってデータ信号を直接供給する構成とした。このため、各行の走査期間においては、駆動制御回路５からデータ信号が供給される期間イコール書込期間となるので、時間的な制約が大きい。
そこで次に、このような時間的な制約を緩和することができる第２実施形態について説明する。なお、以下においては説明の重複を避けるために、第１実施形態との相違する部分を中心に説明することにする。
【００６１】
図１３及び図１４、第２実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す図である。この図に示した第２実施形態が図２及び図３に示した第１実施形態と相違する点は、主として、各レベルシフト回路ＬＳにおいて、保持容量４１（第４保持容量）およびトランスミッションゲート４２（第１スイッチ）が設けられている点にある。
【００６２】
詳細には、図１４に示すように、トランスミッションゲート４２は、トランスミッションゲート３４の出力端と保持容量４４の他端との間に、電気的に介挿されている。すなわち、トランスミッションゲート４２の入力端がトランスミッションゲート３４の出力端に接続され、トランスミッションゲート４２の出力端が保持容量４４の他端に接続されている。
また、図１３及び図１４に示すように、駆動制御回路５は各列のトランスミッションゲート４２に対して、制御信号Ｇcpl及び制御信号／Ｇcplを共通に供給する。各列のトランスミッションゲート４２は、制御信号ＧcplがＨレベルであるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルであるとき）に一斉にオンする。
【００６３】
また、各列において保持容量４１の一端であるノードｈ3、トランスミッションゲート３４の出力端（及び、トランスミッションゲート４２の入力端）に接続され、保持容量４１の他端であるノードｈ4は、固定電位、例えば電位Ｖssが供給される給電線６３（第２給電線）共通に接地されている。図１４では省略しているが、保持容量４１の容量値をＣrf2とする。なお、電位Ｖssは、論理信号である走査信号や制御信号のＬレベルに相当する。
【００６４】
＜第２実施形態の動作＞
図１５を参照して第２実施形態に係る電気光学装置１の動作について説明する。図１５は、第２実施形態における動作を説明するためのタイミングチャートである。
この図に示されるように、走査信号Ｇwr(1)〜Ｇwr(m)が順次Ｌレベルに切り替えられて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１２が１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査される点については、第１実施形態と同様である。また、第２実施形態ではｉ行目の走査期間が、（ｂ）で示される初期化期間と（ｃ）で示される補償期間と（ｄ）で示される書込期間との順となっている点についても、第１実施形態と同様である。なお、第２実施形態において（ｄ）の書込期間は、制御信号ＧcplがＬからＨレベルになるとき（制御信号／ＧcplがＬレベルになったとき）から走査信号GwrがＬからＨレベルになるときまでの期間である。
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、時間の順でいえば（発光期間）→初期化期間→補償期間→書込期間→（発光期間）というサイクルの繰り返しとなる。ただし、第２実施形態では、第１実施形態と比較して、データ信号の供給期間イコール書込期間ではなく、データ信号の供給が書込期間よりも先行している点において相違している。詳細には、第２実施形態では、（ａ）の初期化期間と（ｂ）の補償期間とにわたって、データ信号が供給され得る点において第１実施形態と相違している。
【００６５】
＜発光期間＞
図１５に示されるように、ｉ行目の発光期間において、走査線駆動回路２０は、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに、制御信号Ｇel(i)をＬレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＨレベルに、それぞれ設定する。このため、図１６に示されるようにｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする一方、トランジスター１２２、１２３、１２５がオフするので、当該画素回路１１０における動作は基本的に第１実施形態と同様となる。すなわち、トランジスター１２１は、ゲート・ソース間の電圧Ｖgsに応じた電流ＩdsをＯＬＥＤ１３０に供給することになる。
【００６６】
＜初期化期間＞
ｉ行目の走査期間に至って、まず（ｂ）の初期化期間（第1期間）が開始する。初期化期間において、走査線駆動回路２０は、図１５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＨレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。このため、図１７に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においてはトランジスター１２４がオフし、トランジスター１２５がオンする。これによってＯＬＥＤ１３０に供給される電流の経路が遮断されるとともに、トランジスター１２４のオンによってＯＬＥＤ１３０のアノードが電位Ｖorstにリセットされるので、当該画素回路１１０における動作は基本的に第１実施形態と同様となる。
【００６７】
一方、初期化期間において、駆動制御回路５は、図１５に示されるように、制御信号／ＧiniをＬレベルに、制御信号ＧrefをＨレベルに、制御信号ＧcplをＬレベルに、それぞれ設定する。このため、図１７に示されるように、トランジスター４３及びトランジスター４５がオンした状態となる。これにより、保持容量４４の一端及びデータ線１４は電位Ｖiniに初期化されるとともに、保持容量４４の他端は電位Ｖrefに初期化される。
【００６８】
上述したように、第２実施形態においてデータ信号供給回路７０は、初期化期間および補償期間にわたってデータ信号を供給する。すなわち、データ信号供給回路７０は、ｊ番目のグループでいえば、データ信号Ｖd(j)を順番に、ｉ行（３ｊ−２）列、ｉ行（３ｊ−１）列、ｉ行（３ｊ）列の画素の階調レベルに応じた電位に切り替える。一方、駆動制御回路５は、データ信号の電位の切り替えに合わせて制御信号Ｓel(1)、Ｓel(2)、Ｓel(3)を順番に排他的にＨレベルとする。これによって、各デマルチプレクサＤＭに設けられる３つのトランスミッションゲート３４がそれぞれ左端列、中央列、右端列の順番でオンする。
ここで、初期化期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンする場合、図１７に示されるように、データ信号Ｖd(j)が保持容量４１の一端に供給されるので、当該データ信号は、保持容量４１によって保持される。
【００６９】
＜補償期間＞
ｉ行目の走査期間においては、次に（ｃ）の補償期間となる。補償期間において、走査線駆動回路２０は、図１５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。このため、図１８に示されるように、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０では、トランジスター１２２がオンして、ゲートノードｇがデータ線１４に電気的に接続される一方、トランジスター１２３のオンによって、トランジスター１２１がダイオード接続となる。したがって、電流が、給電線１１６→トランジスター１２１→トランジスター１２３→トランジスター１２２→（３ｊ−２）列目のデータ線１４という経路で流れるので、ゲートノードｇは、電位Ｖiniから上昇し、やがて（Ｖel−｜Ｖth｜）に飽和する。したがって、第２実施形態においても、保持容量１３２は、補償期間の終了に至るまでにトランジスター１２１の閾値電圧｜Ｖth｜を保持することになる。
【００７０】
また、補償期間において、駆動制御回路５は、図１５に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに、制御信号ＧrefをＨレベルに、制御信号ＧcplをＬレベルに、それぞれ設定する。このため、図１８に示されるように、レベルシフト回路ＬＳでは、トランジスター４３はオンした状態となる一方、トランジスター４５はオフした状態となる。これにより、保持容量４４の他端と給電線６２とが電気的に接続され、ノードｈ1が電位Ｖrefに設定される。
【００７１】
また、補償期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンする場合、図１８に示されるように、データ信号Ｖd(j)が保持容量４１によって保持される。
なお、すでに初期化期間において、ｊ番目のグループに属する左端列のトランスミッションゲート３４が制御信号Ｓel(1)によってオンした場合には、補償期間において、当該トランスミッションゲート３４はオンすることはないが、保持容量４１にデータ信号Ｖd(j)が保持されている点において変わりはない。
【００７２】
走査線駆動回路２０は、補償期間が終了すると、制御信号Ｇcmp(i)をＬレベルからＨレベルに変更するので、トランジスター１２１のダイオード接続が解除される。
また、駆動制御回路５は、補償期間が終了すると、制御信号ＧrefをＨレベルからＬレベルに変更するので、トランジスター４３がオフする。このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１４からｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０におけるゲートノードｇに至るまでの経路は、フローティング状態になるものの、当該経路の電位は、保持容量５０、１３２によって（Ｖel−｜Ｖth｜）に維持される。
【００７３】
＜書込期間＞
ｉ行目の走査期間においては、次に（ｄ）の書込期間となる。書込期間において、駆動制御回路５は、図１５に示されるように、制御信号／ＧiniをＨレベルに、制御信号ＧrefをＬレベルに、制御信号ＧcplをＨレベルに、それぞれ設定する。このため、図１９に示されるように、レベルシフト回路ＬＳにおいてトランスミッションゲート４２がオンするので、保持容量４１に保持されたデータ信号が保持容量４４の他端であるノードｈ1に供給される。これにより、ノードｈ1は、補償期間における電位Ｖrefからシフトする。すなわち、ノードｈ1は電位（Ｖref＋ΔＶh）に変化する。なお、電位（Ｖref＋ΔＶh）を電位Ｖhと表す場合がある。
図２０は、書込期間開始前後における、ノードｈ1の電位変化量ΔＶhについて説明するための説明図である。図２０（Ａ）は、書込期間開始前におけるノードｈ1の電位について表しており、図２０（Ｂ）は、書込期間開始後（すなわち、トランスミッションゲート４２がオンした後の期間）におけるノードｈ1の電位について表している。
図１８及び図１９に示したように、補償期間及び書込期間において、保持容量５０及び保持容量１３２は電気的に並列に接続され、これらと保持容量４４とは電気的に直列に接続される。従って、保持容量４４、保持容量５０、及び、保持容量１３２の合成容量の容量値Ｃ1は、式（１）で示した容量値Ｃ0を用いて、以下の式（１１）で表される。
Ｃ1  ＝  （Ｃ0*Ｃrf1）／（Ｃ0＋Ｃrf1）    ……（１１）
従って、書込期間開始前に、保持容量４４、保持容量５０、及び保持容量１３２の合成容量に蓄積された電荷をＱ1cとし（図２０（Ａ））、書込期間開始後に当該合成容量に蓄積されている電荷をＱ1dとすると（図２０（Ｂ））、書込期間において、当該合成容量から流出する電荷（Ｑ1c−Ｑ1d）は、以下の式（１２）で表される。
Ｑ1c−Ｑ1d  ＝  Ｃ1*（Ｖref−Ｖh）    ……（１２）
同様に、書込期間開始前に、保持容量４１に蓄積された電荷をＱ2cとし（図２０（Ａ））、書込期間開始後に保持容量４１に蓄積されている電荷をＱ2dとすると（図２０（Ｂ））、書込期間において、保持容量４１に流入する電荷（Ｑ2d−Ｑ2c）は、以下の式（１３）で表される。
Ｑ2d−Ｑ2c  ＝  Ｃrf2*（Ｖh−Ｖd(j)）    ……（１３）
書込期間において、保持容量４４、保持容量５０、及び保持容量１３２の合成容量から流出する電荷と、保持容量４１に流入する電荷とは等しいため、以下の式（１４）が成立する。
Ｑ1c−Ｑ1d  ＝  Ｑ2d−Ｑ2c    ……（１４）
従って、式（１２）〜式（１４）より、書込期間におけるノードｈ1の電位Ｖhを算出することができる。具体的には、電位Ｖhは以下の式（１５）で表される。
Ｖh  ＝  ｛Ｃ1／（Ｃ1＋Ｃrf2）｝*（Ｖref）
＋  ｛Ｃrf2／（Ｃ1＋Ｃrf2）｝*（Ｖd(j)）    ……（１５）
よって、ノードｈ1における電位変化量ΔＶhは、以下の式（１６）で表される。
ΔＶh  ＝  Ｖh−Ｖref
＝  ｛Ｃrf2／（Ｃ1＋Ｃrf2）｝*｛Ｖd(j)−Ｖref｝    ……（１６）
ここで、以下の式（１７）に示す容量比ｋ2を導入すると、電位変化量ΔＶhは、以下の式（１８）で表すこともできる。
ｋ2  ＝  Ｃrf2／（Ｃ1＋Ｃrf2）    ……（１７）
ΔＶh  ＝  ｋ2*｛Ｖd(j)−Ｖref｝    ……（１８）
【００７４】
また、書込期間において、走査線駆動回路２０は、図１５に示されるように、走査信号Ｇwr(i)をＬレベルに、制御信号Ｇel(i)をＨレベルに、制御信号Ｇcmp(i)をＨレベルに、制御信号Ｇorst(i)をＬレベルに、それぞれ設定する。
このとき、ゲートノードｇは、保持容量４４の一端にデータ線１４を介して接続されているので、補償期間における電位Ｖp＝（Ｖel−｜Ｖth｜）から、変化する。なお、この場合のゲートノードｇの電位変化は、上述した式（１）〜（１０）、及び、図１０、図１１で説明したとおりである。
すなわち、上述した第１実施形態では、ノードｈ1の電位は、書込期間開始前後で電位Ｖrefからデータ信号Ｖd(j)の示す電位に変化するのに対して、第２実施形態では、電位Ｖrefから電位Ｖhへと変化する。従って、書込期間におけるゲートノードｇの電位Ｖgateは、式（７）のＶd(j)に対して、式（１５）のＶhを代入して算出することができる。具体的には、電位Ｖgateは、以下の式（１９）に示される。
Ｖgate  ＝  ｋ1*ΔＶh＋（Ｖel−｜Ｖth｜）  
＝  ｋ1*ｋ2*｛Ｖd(j)−Ｖref｝＋（Ｖel−｜Ｖth｜）    ……（１９）
また、書込期間開始前後におけるゲートノードｇの電位変化量ΔＶgは、式（８）のΔＶに対して、式（１８）のΔＶhを代入して算出することができる。具体的には、電位変化量ΔＶgは、以下の式（２０）に示される。
ΔＶg  ＝  ｋ1*ΔＶh  
＝  ｋ1*ｋ2*｛Ｖd(j)−Ｖref｝    ……（２０）
このように、ノードｈ1の電位は、データ信号Ｖd(j)の示す電位を電位Ｖrefによりシフトさせ、これを、容量比ｋ2により圧縮した値だけ変化する。これにより、ゲートノードｇの電位Ｖgateは、ノードｈ1の電位変化量ΔＶhをさらに容量比ｋ1で圧縮した値だけ変化する。
すなわち、ゲートノードｇの電位Ｖgateは、式（１９）に示したように、データ信号Ｖd(j)を電位Ｖrefによりシフトさせ、且つ、当該シフトした電位に対して、容量値Ｃdt、Ｃrf1、Ｃrf2、Ｃpixに基づいて定められる容量比（容量比ｋ1、容量比ｋ2）を乗じることで圧縮した電位が供給される。
【００７５】
＜発光期間＞
第２実施形態では、ｉ行目の書込期間の終了した後、発光期間が開始される。発光期間において、走査線駆動回路２０は、上述したように制御信号Ｇel(i)をＬレベルに設定するので、ｉ行（３ｊ−２）列の画素回路１１０においては、トランジスター１２４がオンする。このため、ＯＬＥＤ１３０には、図１６に示したように、階調レベルに応じた電流がトランジスター１２１の閾値電圧を補償した状態で供給されることになる。
このような動作は、ｉ行目の走査期間において、（３ｊ−２）列目の画素回路１１０以外のｉ行目の他の画素回路１１０においても時間的に並列して実行される。さらに、このようなｉ行目の動作は、実際には、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
【００７６】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、画素回路１１０においてトランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧Ｖgsに対しＯＬＥＤ１３０に流れる微小電流が相対的に大きく変化する場合であっても、ＯＬＥＤ１３０に供給する電流を精度良く制御することが可能になる。
また、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、データ信号Ｖd(j)の電位を高電位に設定しなくても、電位Ｖrefを高電位にすることにより、ＯＬＥＤ１３０を高輝度で発光させることを可能とし、電気光学装置１が明るい画像を表示することを可能とする。
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、発光期間においてＯＬＥＤ１３０の寄生容量に保持された電圧を十分に初期化することができるほか、トランジスター１２１の閾値電圧が画素回路１１０毎にばらついても、表示画面の一様性を損なうような表示ムラの発生を抑えられる結果、高品位の表示が可能になる。
【００７７】
第２実施形態によれば、駆動制御回路５からデマルチプレクサＤＭを介して供給されるデータ信号を、保持容量４１に保持させる動作が、初期化期間から補償期間までにわたって実行される。このため、１水平走査期間に実行すべき動作について時間的な制約を緩和することができる。
例えば、補償期間においてゲート・ソース間電圧Ｖgsが閾値電圧に近づくにつれ、トランジスター１２１に流れる電流が低下するので、ゲートノードｇを電位（Ｖel−｜Ｖth｜）に収束するまで時間を要するが、第２実施形態では、第１実施形態と比較して図１５に示されるように補償期間を長く確保することができる。このため、第２実施形態によれば、第１実施形態と比較して、トランジスター１２１の閾値電圧のばらつきを、精度良く補償することができる。また、データ信号の供給動作についても低速化することができる。
【００７８】
＜応用・変形例＞
本発明は、上述した実施形態や応用例などの実施形態等に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。
【００７９】
＜変形例＞
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば次に述べるような各種の変形が可能である。また、次に述べる変形の態様は、任意に選択された一または複数を適宜に組み合わせることもできる。
【００８０】
＜変形例１＞
上述した実施形態において、制御部３と表示パネル２とは別体としたが、制御部３についても、表示部１００、データ線駆動回路１０、走査線駆動回路２０とともに、シリコン基板に集積化しても良い。
【００８１】
＜変形例２＞
上述した実施形態及び変形例では、電気光学装置１をシリコン基板に集積した構成としたが、他の半導体基板に集積した構成しても良い。例えば、ＳＯＩ基板であってもよい。また、ポリシリコンプロセスを適用してガラス基板等に形成しても良い。いずれにしても、画素回路１１０が微細化されて、トランジスター１２１において、ゲート電圧Ｖgsの変化に対しドレイン電流が指数関数的に大きく変化する構成に有効である。
また、画素回路の微細化を必要としない場合に、本発明を適用してもよい。
【００８２】
＜変形例３＞
上述した実施形態及び変形例では、データ線１４を３列毎にグループ化するとともに、各グループにおいてデータ線１４を順番に選択して、データ信号を供給する構成としたが、グループを構成するデータ線数は、「２」以上「３ｎ」以下の所定数であればよい。例えば、グループを構成するデータ線数は、「２」であっても良いし、「４」以上であっても良い。
また、グループ化せずに、すなわちデマルチプレクサＤＭを用いないで各列のデータ線１４にデータ信号を一斉に線順次で供給する構成でも良い。
【００８３】
＜変形例４＞
上述した実施形態及び変形例では、画素回路１１０におけるトランジスター１２１〜１２５をＰチャネル型で統一したが、Ｎチャネル型で統一しても良い。また、Ｐチャネル型およびＮチャネル型を適宜組み合わせても良い。
図２４は、変形例４に係る画素回路１１０の回路図である。変形例４に係る画素回路１１０は、図２４に示すように、トランジスター１２１〜１２５をＮチャネル型で統一するものである。図２４に示すように、トランジスター１２１〜１２５をＮチャネル型で統一する場合、上述した実施形態及び変形例における、データ信号Ｖd(j)とは、正負が逆転した電位を、各画素回路１１０に供給すればよい。
また、上述した実施形態等では、トランジスター４５をＰチャネル型とし、トランジスター４３をＮチャネル型としたが、Ｐチャネル型またはＮチャネル型で統一してもよい。また、トランジスター４５をＮチャネル型とし、トランジスター４３をＰチャネル型としてもよい。
【００８４】
＜変形例５＞
上述した実施形態及び変形例では、各保持容量５０は、互いに隣り合う給電線１６及びデータ線１４が絶縁体（誘電体）を挟持することで形成される単一の保持容量であったが、各保持容量５０を、複数の容量素子により形成されてもよい。この場合、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、複数の容量素子のうち一部または全部を選択し、選択した容量素子を給電線１６及びデータ線１４に電気的に接続させる制御を行うものであることが好ましい。
図２１は、変形例５に係る保持容量５０の構成を示す回路図である。変形例５に係る保持容量５０は、互いに隣り合うデータ線１４及び給電線１６の間に電気的に並列に接続された所定数Ｒcdの個別回路Ｕd（第１個別回路）を備える。ここで所定数Ｒcdは、２以上の自然数である。
各個別回路Ｕdは、データ線１４及び給電線１６の間に電気的に直列に接続された保持容量５０１（第１個別容量）、トランジスター５０２、及び、トランジスター５０３を含んで構成される。具体的には、各個別回路Ｕdは、保持容量５０１、保持容量５０１の一端と給電線１６との間に電気的に接続されたトランジスター５０２、及び、保持容量５０１の他端とデータ線１４との間に電気的に接続されたトランジスター５０３を備える。
ここで、所定数Ｒcdの保持容量５０１の各々の有する容量値は、全て同一の値であってもよいし、それぞれが異なる値を有するものであってもよい。例えば、所定数Ｒcd＝「３」の場合、保持容量５０の有する３つの保持容量５０１の容量値の比は、「１：１：１」であってもよいし、「１：２：４」としてもよい。
また、変形例５に係る表示パネル２には、所定数Ｒcdの個別回路Ｕdの各々に１対１に対応するように、所定数Ｒcdの制御線５０４と、所定数Ｒcdの制御線５０５とが設けられる。ある個別回路Ｕdに備えられたトランジスター５０２のゲートは、当該個別回路Ｕdに対応する制御線５０４に電気的に接続され、当該個別回路Ｕdに備えられたトランジスター５０３のゲートは、当該個別回路Ｕdに対応する制御線５０５に電気的に接続される。
また、変形例５に係る駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、制御信号Ｇcd(1)、Ｇcd(2)、…、Ｇcd(Ｒcd)を生成し、これら所定数Ｒcdの制御信号Ｇcdの各々を、所定数Ｒcdの制御線５０４の各々に供給するとともに、所定数Ｒcdの制御線５０５の各々に供給する。これにより、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、所定数Ｒcdの保持容量５０１の中から一部または全部の保持容量５０１を選択的にデータ線１４及び給電線１６に電気的に接続させることができる。すなわち、変形例５に係る電気光学装置１は、明るさ情報Ｂｒに基づいて保持容量５０の容量値Ｃdtを制御することができる。
例えば、駆動制御回路５が、電位Ｖrefを、明るさ情報Ｂｒに基づいて高電位に設定する場合、表示部１００で表示すべき画面全体の明るさは、例えば明るくなる。表示部１００で表示すべき画面全体の明るさが明るくなる場合、データ線１４の電位変動に伴うクロストークやムラ等が発生しても、これが電気光学装置１の利用者に視認される可能性は低い。従って、この場合には、容量値Ｃdtを小さくして、容量比ｋ1及び容量比ｋ2を大きな値とする（すなわち、圧縮率を小さくする）ことで、表示部１００が明るい画像を表示することができるとともに、コントラスト比の大きい鮮明な画像を表示することができる。
図２１に示す例では、トランジスター５０２及びトランジスター５０３は、データ線１４と給電線１６との間に、保持容量５０１と電気的に直列に接続される第１個別スイッチとして機能する。
なお、図２１に示した例では、各個別回路Ｕdに２個のトランジスター５０２、５０３が備えられるが、個別回路Ｕdは、これらのうち一方のみを備えるものであってもよい。この場合、トランジスター５０２またはトランジスター５０３のうち一方が、第１個別スイッチに該当する。
【００８５】
＜変形例６＞
上述した実施形態及び変形例では、保持容量４４は、単一の容量素子より形成されるものであったが、保持容量４４は、（変形例５に係る保持容量５０と同様に）複数の容量素子により形成してもよい。この場合、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、複数の容量素子のうち一部または全部を選択し、選択した容量素子をノードｈ1及びノードｈ2に電気的に接続させる制御を行うものであることが好ましい。
図２２は、変形例６に係る保持容量４４の構成を示す回路図である。変形例６に係る保持容量４４は、ノードｈ1及びノードｈ2の間に電気的に並列に接続された所定数Ｒc1の個別回路Ｕ1（第３個別回路）を備える。ここで所定数Ｒc1は、２以上の自然数である。
各個別回路Ｕ1は、ノードｈ1及びノードｈ2の間に電気的に直列に接続された保持容量４４１（第３個別容量）、トランジスター４４２、及び、トランジスター４４３を含んで構成される。具体的には、各個別回路Ｕ1は、保持容量４４１、保持容量４４１の一端とノードｈ2との間に電気的に接続されたトランジスター４４２、及び、保持容量４４１の他端とノードｈ1との間に電気的に接続されたトランジスター４４３を備える。
ここで、所定数Ｒc1の保持容量４４１の各々の有する容量値は、全て同一の値であってもよいし、それぞれが異なる値を有するものであってもよい。
また、変形例６に係る表示パネル２には、所定数Ｒc1の個別回路Ｕ1の各々に１対１に対応するように、所定数Ｒc1の制御線４４４と、所定数Ｒc1の制御線４４５とが設けられる。トランジスター４４２のゲートは、対応する制御線４４４に電気的に接続され、トランジスター４４３のゲートは、対応する制御線４４５に電気的に接続される。
また、変形例６に係る駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、制御信号Ｇc1(1)、Ｇc1(2)、…、Ｇc1(Ｒc1)を生成し、これら所定数Ｒc1の制御信号Ｇc1の各々を、所定数Ｒc1の制御線４４４の各々と、所定数Ｒc1の制御線４４５の各々に供給する。これにより、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、所定数Ｒc1の保持容量４４１の中から一部または全部の保持容量４４１を選択的にノードｈ1及びノードｈ2に電気的に接続させることができる。すなわち、変形例６に係る電気光学装置１は、明るさ情報Ｂｒに基づいて保持容量４４の容量値Ｃrf1を制御することができる。これにより、容量比ｋ1及び容量比ｋ2を制御することが可能となり、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateの圧縮率や、表示部１００の表示すべき画像の明るさ及びコントラスト比等を制御することが可能となる。
なお、トランジスター４４２及びトランジスター４４３は、保持容量４４１と直列に接続される第３個別スイッチとして機能する。また、個別回路Ｕ1は、２個のトランジスター４４２、４４３のうち一方のみを備えるものであってもよい。この場合、トランジスター４４２またはトランジスター４４３のうち一方が、第３個別スイッチに該当する。
【００８６】
＜変形例７＞
上述した実施形態及び変形例では、保持容量４１は、単一の容量素子より形成されるものであったが、保持容量４１は、（変形例５に係る保持容量５０と同様に）複数の容量素子により形成してもよい。この場合、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、複数の容量素子のうち一部または全部を選択し、選択した容量素子をノードｈ3及びノードｈ4に電気的に接続させる制御を行うものであることが好ましい。
図２３は、変形例７に係る保持容量４１の構成を示す回路図である。変形例７に係る保持容量４１は、ノードｈ3及びノードｈ4の間に電気的に並列に接続された所定数Ｒc2の個別回路Ｕ2（第４個別回路）を備える。ここで所定数Ｒc2は、２以上の自然数である。
各個別回路Ｕ2は、ノードｈ3及びノードｈ4の間に電気的に直列に接続された保持容量４１１（第４個別容量）とトランジスター４１２とを含んで構成される。具体的には、各個別回路Ｕ2は、保持容量４１１と、保持容量４１１の一端及びノードｈ3（または、ノードｈ4）との間に電気的に接続されたトランジスター４１２とを備える。ここで、所定数Ｒc2の保持容量４１１の各々の有する容量値は、全て同一の値であってもよいし、それぞれが異なる値を有するものであってもよい。また、変形例６に係る表示パネル２には、所定数Ｒc2の個別回路Ｕ2の各々に１対１に対応するように、所定数Ｒc2の制御線４１３が設けられる。トランジスター４１２のゲートは、対応する制御線４１３に電気的に接続される。
また、変形例７に係る駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、制御信号Ｇc2(1)、Ｇc2(2)、…、Ｇc2(Ｒc2)を生成し、これら所定数Ｒc2の制御信号Ｇc2の各々を、所定数Ｒc2の制御線４１３の各々に供給する。これにより、駆動制御回路５は、明るさ情報Ｂｒに基づいて、所定数Ｒc2の保持容量４１１の中から一部または全部の保持容量４１１を選択的にノードｈ3及びノードｈ4に電気的に接続させることができる。すなわち、変形例７に係る電気光学装置１は、明るさ情報Ｂｒに基づいて保持容量４１の容量値Ｃrf2を制御することができる。これにより、容量比ｋ2を制御することが可能となり、ゲートノードｇの電位範囲ΔＶgateの圧縮率や、表示部１００の表示すべき画像の明るさ及びコントラスト比等を制御することが可能となる。
なお、トランジスター４１２は、保持容量４１１と直列に接続される第４個別スイッチとして機能する。また、トランジスター４１２は、保持容量４１１とノードｈ4との間に設けられるものであってもよい。さらには、個別回路Ｕ2は、２個のトランジスターを備えるものであってもよい。この場合、当該２個のトランジスターが、第４個別スイッチに該当する。
【００８７】
＜変形例８＞
上述した実施形態及び変形例では、表示制御回路４は、画像データＶideo及び明るさ情報Ｂｒに基づいて画像信号Ｖidを生成したが、画像データＶideoのみに基づいて画像信号Ｖidを生成してもよい。この場合、記憶部６は、画像信号Ｖidの示す電位と、発光素子の輝度とが対応付けて記憶するルックアップテーブルＬＵＴを１つ備えればよい。
【００８８】
＜変形例９＞
上述した実施形態及び変形例では、電気光学素子として発光素子であるＯＬＥＤを例示したが、例えば無機発光ダイオードやＬＥＤ（Light Emitting Diode）など、電流に応じた輝度で発光するものであれば良い。
【００８９】
＜応用例＞
次に、実施形態等や応用例に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。電気光学装置１は、画素が小サイズで高精細な表示な用途に向いている。そこで、電子機器として、ヘッドマウント・ディスプレイを例に挙げて説明する。
【００９０】
図２５は、ヘッドマウント・ディスプレイの外観を示す図であり、図２６は、その光学的な構成を示す図である。
まず、図２５に示されるように、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、外観的には、一般的な眼鏡と同様にテンプル３１０や、ブリッジ３２０、レンズ３０１Ｌ、３０１Ｒを有する。また、ヘッドマウント・ディスプレイ３００は、図２６に示されるように、ブリッジ３２０近傍であってレンズ３０１Ｌ、３０１Ｒの奥側（図において下側）には、左眼用の電気光学装置１Ｌと右眼用の電気光学装置１Ｒとが設けられる。
電気光学装置１Ｌの画像表示面は、図２６において左側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｌによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｌを介して図において９時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｌは、電気光学装置１Ｌによる表示画像を６時の方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
電気光学装置１Ｒの画像表示面は、電気光学装置１Ｌとは反対の右側となるように配置している。これによって電気光学装置１Ｒによる表示画像は、光学レンズ３０２Ｒを介して図において３時の方向に出射する。ハーフミラー３０３Ｒは、電気光学装置１Ｒによる表示画像を６時方向に反射させる一方で、１２時の方向から入射した光を透過させる。
【００９１】
この構成において、ヘッドマウント・ディスプレイ３００の装着者は、電気光学装置１Ｌ、１Ｒによる表示画像を、外の様子と重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
また、このヘッドマウント・ディスプレイ３００において、視差を伴う両眼画像のうち、左眼用画像を電気光学装置１Ｌに表示させ、右眼用画像を電気光学装置１Ｒに表示させると、装着者に対し、表示された画像があたかも奥行きや立体感を持つかのように知覚させることができる（３Ｄ表示）。
【００９２】
なお、電気光学装置１については、ヘッドマウント・ディスプレイ３００のほかにも、ビデオカメラやレンズ交換式のデジタルカメラなどにおける電子式ビューファインダーにも適用可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１…電気光学装置、２…表示パネル、３…制御部、４…表示制御回路、５…駆動制御回路、６…記憶部、１０…データ線駆動回路、１２…走査線、１４…データ線、１６…給電線、２０…走査線駆動回路、４３、４５…トランジスター、４４、５０…保持容量、１００…表示部、１１０…画素回路、１２１〜１２５…トランジスター、１３０…ＯＬＥＤ、１３２…保持容量、ＬＳ…レベルシフト回路、ＤＭ…デマルチプレクサ、６２…給電線、Ｂｒ…明るさ情報、Ｖd…データ信号。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006052365.tif 000008
【図８】
0006052365.tif 000009
【図９】
0006052365.tif 000010
【図１０】
0006052365.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0006052365.tif 000013
【図１３】
0006052365.tif 000014
【図１４】
0006052365.tif 000015
【図１５】
0006052365.tif 000016
【図１６】
0006052365.tif 000017
【図１７】
0006052365.tif 000018
【図１８】
0006052365.tif 000019
【図１９】
0006052365.tif 000020
【図２０】
0006052365.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0006052365.tif 000023
【図２３】
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【図２４】
0006052365.tif 000025
【図２５】
0006052365.tif 000026
【図２６】
0006052365.tif 000027