(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）アノードと、
（ｉｉ）カソードと、
（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され、上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え、
上記発光層は、一般式（Ｉ）
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ
で表される少なくとも１つの錯体を含み、
Ｍは、Ｐｔ（ＩＩ）、または、Ｐｄ（ＩＩ）を示し、
Ｒは、ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し、
ｎ＋ｍ＝４であり、
ｎ＝ｍ＝２であり、
上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は、上記発光層の全重量に対して１０重量％よりも多く、
気体が周囲から上記発光層の中に侵入しないように、周囲に対して遮断されている、有機発光素子（ＯＬＥＤ）であることを特徴とする、発光素子。
【請求項２】
正孔伝導層、または／および、電子伝導層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
ＣｓＦ中間層、または、ＬｉＦ中間層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
基板上に配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項５】
上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は、上記発光層の全重量に対して３０重量％よりも多いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項６】
上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は、上記発光層の全重量に対して、８０重量％よりも多いことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
Ｒは、１つまたは複数の官能基を有し得る、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、または、ＳＯ２Ｒ’基を示し、特に、フェニル基、エポキシ基、環式エーテル基、シアン酸塩、アルコール基、カルボン酸塩、アミン基、ハロゲン基、有機ホウ素酸、オルフィン基、または、ハロゲン基を示し、
Ｒ’は、ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示すことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
各Ｒは、脂肪族残基を示すことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
各Ｒは、芳香族残基を示すことを特徴とする、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
２つの残基ＣＮＲは共に、１つの残基ＣＮ−Ｒ’’−ＮＣを形成し、
Ｒ’’は、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基から選択されたものであり、
Ｒ’’は、１つまたは複数のヘテロ原子を含有し得ることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体は、ポリマーに結合されていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
上記ポリマーへの結合は、残基Ｒの重合可能な基を介して行われることを特徴とする、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
ポリマーを含有する発光層が塗布されており、上記ポリマーには、一般式（Ｉ）の錯体が結合されており、上記錯体は、金属−金属−相互作用を形成可能な濃度で存在していることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
一般式（ＩＩ）
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ１）ｍ
で表されるモノマーが塗布されて、最終的に重合されており、ここで、ｎ＝ｍ＝２であり、Ｍ＝Ｐｔ（ＩＩ）、または、Ｐｄ（ＩＩ）であり、Ｒ１は、重合可能な１つの基を有する残基であることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
発光体として、化合物
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２(ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ)２、
ジシアノビス（n−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２(ｎ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ)２、
ジシアノビス（シクロヘキシルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２、
ジシアノビス（（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（tert.−ブチルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（メチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２、ジシアノビス（エチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２、または／および、
ジシアノビス（tert.−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（t−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（３−イソシアノプロピルトリエトキシシラン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（(ＯＥｔ)３ＳｉＣ３Ｈ６ＮＣ）２、
ジシアノビス（１，３−ジイソシアノプロパン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（２，５−ジメチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（３，３−ジフルオロフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ３Ｆ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（３−イソシアノメチルピリジン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ５Ｈ４ＮＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（２，２，２−トリフルオロエチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）２
を含むことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
一般式（Ｉ）の異なる少なくとも２つの錯体を含むことを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１７】
上記発光層は、Ｍ＝Ｐｔである一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体と、Ｍ＝Ｐｄである一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体とを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の発光素子。
【請求項１８】
上記発光層内では、一般式（Ｉ）の錯体は、柱状構造で存在していることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１９】
ディスプレイまたは／および照明装置であることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項２０】
上記発光層の中に、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体を、真空昇華法によって導入することを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項２１】
上記発光層の中に、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体を、湿式化学法によって導入することを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか１項に係る発光素子の製造方法。
【請求項２２】
一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体を、コロイド懸濁液として塗布することを特徴とする、請求項１〜１９の何れか１項に係る発光素子の製造方法。
【請求項２３】
一般式（Ｉａ）
（ＮＣ）ｎＰｄ（ＣＮＲ）ｍ
で表される錯体であって、
Ｒは、ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し、
ｎ＋ｍ＝４であり、
ｎ＝ｍ＝２である、錯体。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、発光素子、および特に、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に関するものである。本発明は特に、このような素子における、発光するイソニトリル−金属錯体のオリゴマー発光体としての使用に関する。
【０００２】
ＯＬＥＤ（有機発光素子（Organic Light Emitting Devices）、または、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diodes））は、スクリーン技術および照明技術を劇的に変化させる新たな技術を提示するものである。ＯＬＥＤは、主として有機層から成り、この有機層は、柔軟性があり、コスト効率良く製造することが可能である。ＯＬＥＤ部材を、照明器具として広面積に形成することも、ディスプレイ用の画素として小型に形成することも可能である。
【０００３】
ＯＬＥＤの機能全般については、例えば、H. Yersin、Top. Curr. Chem. 2004, 241,1に記載されている。
【０００４】
ＯＬＥＤの機能は、C. Adachi et al., Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 1622、X.H. Yang et al., Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2476、J. Shinar, 「Organic Light-Emitting Devices - A Survey」, AIP-Press, Springer, New York 2004、W. Sotoyama et al., Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 153505、S. Okada et al., Dalton Trans., 2005, 1583、および、Y. -L. Tung et al., J. Mater. Chem., 2005, 15, 460-464にも記載されている。
【０００５】
ＯＬＥＤに関して初めて報告されて以来（例えばTang et al., Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913）、この素子は、特に用いられる発光材料に関して、さらに開発されている。特に、いわゆる三重項発光体、または、燐光を発する発光体に関心が持たれている。
【０００６】
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ、または、ブラウン管（ＣＲＴ）といった従来の技術と比べて、ＯＬＥＤは多くの利点を有している。これは例えば、動作電圧が低い点、構成が平坦である点、高効率な自己発光画素である点、コントラストが大きい点、解像度が良好である点、および、全色を表示することが可能である点である。さらにＯＬＥＤは、電圧を印加すると、光を調節するだけでなく光を放射する。ＯＬＥＤには既に数多くのアプリケーションが開拓され、新たなアプリケーションの領域にも可能性は開かれているが、依然として、改善されたＯＬＥＤ、および特に、改善された三重項発光材料に関する需要が存在している。従来の解決方法では、長期的安定性、熱安定性、および、水と酸素に対する化学的安定性に関する問題が生じていた。さらに、多くの発光体は、昇華し難い。また、現在のところ公知である発光材料では、重要な発光色を自由に用いることは不可能な場合が多い。多くの場合、電流密度が高い場合にも、または、輝度が高い場合にも高い効率を実現することは不可能である。従って、多くの発光材料では、製造技術における再現性に関する問題が存在している。
【０００７】
従来のＯＬＥＤ構成では、発光層内に、約５％の通常ドーピング濃度の発光分子が存在している。例えば、この発光分子では、電荷キャリアが再結合し、該発光分子を励起状態に導く。この励起状態は、後に、そのエネルギーを光の放射として放出する。原理上は、より高い濃度の発光分子を用いると、電圧密度が高い場合の効率を著しく高めることが可能であろう。しかしこれは、一般的に、例えば、三重項−三重項−消滅または自己消光プロセスにおける相互作用によって、隣接する発光分子が支配されるため、妨げられる。このため、発光層における発光分子の通常最大限に適用可能な濃度は、制限される。従って、発光層内が高濃度の場合にも自己消光プロセスが発生しない発光分子が提供可能であれば、好都合であろう。
【０００８】
さらに、金属有機物質、いわゆる三重項発光体を有するＯＬＥＤの光収率は、純有機材料の光収率と比べて著しく高くなり得ることが分かった。この特性のために、有機金属材料をさらに開発することが極めて重要になっている。三重項発光体については、例えば、WO2004/017043 A2 (Thompson)、WO2004/016711 A1 (Thompson)、WO03/095587 (Tsuboyama)、US2003/0205707 (Chi-Ming Che)、US2002/0179885 (Chi-Ming Che)、US2003/186080 A1 (J. Kamatani)、DE10350606 A1 (Stoessel)、DE10338550 (Bold)、DE10358665 A1 (Lennartz)に記載されている。
【０００９】
本発明の一課題は、従来技術の欠点を少なくとも部分的に克服し、特に高ドーピング濃度を可能にする、特にＯＬＥＤ用の新規の発光材料、および、新規の発光素子を提供することにある。
【００１０】
上記課題を、本発明に従って、（ｉ）アノードと、（ｉｉ）カソードと、（ｉｉｉ）該アノードと該カソードとの間に配置され、該アノードと該カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備える発光素子によって解決する。この発光層は、一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体を含む。
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ                                  一般式（Ｉ）
ここで、Ｍは、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）、Ｐｄ（ＩＩ）、または、Ａｕ（ＩＩＩ）、特にＰｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）を示し、
Ｒは、いずれの場合でも互いに無関係に、炭化水素基を示し、該炭化水素基は、場合によってはヘテロ原子を含有することが可能であり、
ｎ＝０〜４であり、
ｍ＝０〜４であり、
発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は、発光層の全重量に対して１０重量％よりも多い。好ましくは、ｍ＝４−ｎであり、これは、四配位錯体、特に平面錯体である。
【００１１】
予期していなかったが、本発明に従って、一般式（Ｉ）の錯体を発光層内で用いることによって、優れた特性を有する発光素子が得られることが分かった。特に、本発明に従って用いられる化合物は、高い量子効率を示す。この錯体はまた、リガンドを置き換えること、または／および、リガンドを変化させることによって、変わり得る。これによって、発光特性を変更または制御する様々な可能性がもたらされる。さらに、リガンドを好適に選択すること、特にＦを含有する置換基Ｒを用いることによって、良好な昇華性を有する化合物を得ることが可能である。
【００１２】
好ましくは、本発明は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）である。
【００１３】
本発明に係る発光素子の一実施形態の機能を、図１に概略的に示す。この発光素子は、１つのアノードと、１つのカソードと、１つの発光層とを少なくとも備えている。有利であるのは、カソードまたはアノードとして用いられる電極のうちのいずれか１つまたは両方を透明に形成して、この電極を介して光を放射させることを可能にすることである。透明な電極材料には、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）を用いることが好ましい。特に好ましいのは、透明なアノードを用いることである。別の電極も、透明な材料から形成してよいが、両電極のうちのいずれか１つの電極のみから光が放射されるならば、該別の電極を、好適な電子仕事関数を有する別の材料から形成してもよい。この第２の電極、特にカソードは、導電率の高い金属、例えば、アルミニウムまたは銀から構成されているか、または、Ｍｇ／Ａｇ合金またはＣａ／Ａｇ合金から構成されていることが好ましい。両電極間には、発光層が配置されている。該発光層は、アノードおよびカソードと直接的に接触していてもよいし、間接的に接触していてもよい。ここで、間接的な接触とは、カソードとアノードと発光層との間にさらなる層が含まれていて、発光層とアノードまたは／およびカソードとが触れてはおらず、さらなる中間層を介して電気的に互いに接触していることを意味している。電圧、例えば２〜２０Ｖの電圧、特に５〜１０Ｖの電圧を印加すると、カソードから、例えば導電性の金属層から、特に好ましくはアルミニウムカソードから、負に帯電した電子が漏出し、正のアノードの方向に移動する。このアノード側からは、正の電荷キャリア、いわゆる正孔が、カソードの方向に移動する。カソードとアノードとの間に配置された発光層内には、本発明に従って、一般式（Ｉ）の有機金属錯体のオリゴマーが、発光体として存在している。この発光体オリゴマーにおいて、または、該発光体オリゴマーの近傍では、移動している電荷キャリア、つまり負に帯電した電子と正に帯電した正孔とが再結合し、これによって発光分子を、中性であるが、強力な励起状態に導いている。発光分子の励起状態は、後に、そのエネルギーを、光の放射として放出する。
【００１４】
本発明に係る発光素子は、発光材料が昇華可能である限り、真空蒸着によって製造することが可能である。あるいは、湿式化学堆積法によって、例えば、スピンコート法、インクジェット印刷法、または、スクリーン印刷法によって形成することも可能である。発光材料を、コロイド懸濁液として塗布することも可能である。これは、本発明に係る難溶解性のオリゴマー材料に特に有効である。ＯＬＥＤ素子の構成については、例えば、US2005/0260449 A1、および、WO2005/098988 A1に詳細に記載されている。
【００１５】
本発明に係る発光素子は、真空昇華技術によって製造可能であると共に、さらなる複数の層を含むことが可能である。これら層は、特に、電子入射層、電子伝導層（例えばＡｌｑ３＝Ａｌ-８-ヒドロキシキノリン、または、Ａｌｑ＝Ａｌ−ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノラート）−４−フェニルフェノラート）、および／または、正孔注入層（例えばＣｕＰｃ）および正孔伝導層、または、正孔伝導層（例えばα−ＮＰＤ）である。しかしながら、発光層が、正孔伝導層または電子伝導層の機能を引き受けることも可能である。
【００１６】
発光層は、一重項Ｓ０−三重項Ｔ１のエネルギーギャップが十分に大きい有機マトリクス材（ＵＧＨ−マトリクス材）から、例えば、ＵＧＨ、ＰＶＫ（ポリビニルカルバゾール）、ＣＢＰ（４，４’−ビス（９−カルバゾリル）ビフェニル）、または、他のマトリクス材から構成されていることが有効である。このマトリクス材の中に、発光錯体が、高濃度で、例えば好ましくは１０〜３０重量パーセントでドープされている。
【００１７】
この錯体を１００％材料として塗布することによって、発光層を、マトリクスを用いないで形成することも可能である。この実施形態については、後に記載する。
【００１８】
特に好ましい実施形態では、本発明に係る発光素子は、カソードと、発光層または電子伝導層との間に、さらに１つのＣｓＦ中間層またはＬｉＦ中間層を有している。この中間層は、特に０．５ｎｍ〜２ｎｍ、好ましくは約１ｎｍの厚さを有している。この中間層は、主として、電子仕事関数を低減させるためのものである。
【００１９】
さらに好ましいことは、上記発光素子を、１つの基板上、例えばガラス基板上に塗布することである。
【００２０】
特に好ましい実施形態では、本発明に係る昇華可能な発光体用のＯＬＥＤ構成は、アノード、発光層、および、カソードに加えて、以下に挙げると共に図２に示した層のうちの、少なくとも１つの層、特に複数の層、および、特に好ましくは全ての層を含む。
【００２１】
全ての構成が１つの基材上に設けられていることが有効である。この場合、該基材には、特に、ガラス、または、他の透明な任意の剛体材料または可撓性材料を用いることが可能である。上記基材上には、アノード、例えばインジウムスズ酸化物アノード（ＩＴＯ）が配置される。アノードの上、且つ、発光層とアノードとの間には、正孔輸送層（ＨＴＬ、hole transport layer）、例えばαＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（１−メチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン）が配置される。この正孔輸送層の厚さは、１０〜１００ｎｍ、特に３０〜５０ｎｍであることが有効である。アノードと正孔輸送層との間には、より良好に正孔注入を行うためのさらなる層、例えば銅−フタロシアニン（ＣｕＰｃ）層を配置してもよい。この層は、５〜５０ｎｍ、特に８〜１５ｎｍの層厚を有していることが好ましい。正孔輸送層の上、且つ、正孔輸送層と発光層との間には、アノードへの電子伝達を阻止するように機能する電子ブロッキング層を堆積させることが有効である。これは、このような電流が抵抗損の原因となり得るからである。この電子ブロッキング層の厚さは、１０〜１００ｎｍ、特に２０〜４０ｎｍであることが有効である。特に、ＨＴＬ層が元々既に不良電子導体である場合には、この追加的な層は除いてもよい。
【００２２】
次の層は、本発明に係る発光材料を含むか、または、該発光材料から構成された発光層である。昇華可能な発光体を用いた実施形態では、上記発光材料を、好ましくは昇華法によって堆積させる。層厚は、１０ｎｍと２００ｎｍとの間、特に５０ｎｍと１５０ｎｍとの間であることが有効である。本発明に係る発光材料は、他の材料と一緒に、特にマトリクス材と一緒に同時蒸着させることが可能である。本発明に係る、緑色または赤色に発光する発光材料は、ＣＢＰ（４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル）といった通常のマトリクス材全てに適している。しかしながら、１００％発光材料の層を形成することも可能である。青色に発光する、本発明に係る発光材料には、特にＵＧＨ−マトリクス材料が用いられる（M. E. Thompson et al,. Chem. Mater. 2004, 16, 4743参照）。本発明に係る、異なる中心金属イオンを有する化合物を使って混合色の光を生成するために、同時蒸着を行ってもよい。例えば、Ｐｔ化合物で低濃度でドープされたＰｄ化合物を使って白色光または青色光を生成するために、同時蒸着を行うことが可能である。
【００２３】
発光層の上には、正孔ブロッキング層を堆積させることが有効である。該正孔ブロッキング層は、カソードへの正孔電流によって生じ得る抵抗損を低減させるものである。この正孔ブロッキング層は、１０〜５０ｎｍ、特に１５〜２５ｎｍの厚さを有していることが有効である。これに適した材料は、例えばＢＣＰ（４，７−ジフェニル−２，９−ジメチル−フェナントロリン。バソクプロインとも呼ばれる。）である。上記正孔ブロッキング層の上、且つ、該正孔ブロッキング層とカソードとの間には、電子伝達材料から成るＥＴＬ層（ＥＴＬ＝電子輸送層（electron transport layer））を塗布することが有効である。この層は、１０〜１００ｎｍ、特に３０〜５０ｎｍの厚さを有する、蒸着可能なＡｌｑ３から構成されていることが有効である。ＥＴＬ層とカソードとの間には、例えばＣｓＦまたはＬｉＦから成る中間層を塗布することが有効である。この中間層は、正孔注入障壁を低減させ、ＥＴＬ層を保護する。通常、この中間層は蒸着される。該中間層は極めて薄く、特に０．５〜５ｎｍ、より好ましくは０．５〜２ｎｍの厚さであることが有効である。最後に、さらなる１つの導電性カソード層を、特に５０〜５００ｎｍ、より好ましくは１００〜２５０ｎｍの厚さに蒸着させる。このカソード層は、Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇ（特に１０：１の比率）、または、他の金属から形成されていることが有効である。
【００２４】
ここに記載する、本発明に係る昇華可能な発光体用のＯＬＥＤ構成には、３Ｖと１５Ｖとの間の電圧が印加されることが有効である。
【００２５】
このＯＬＥＤ素子は、部分的には、湿式化学法によって製造することが可能であり、つまり、例えば次の構成によって製造可能である。これらは、ガラス基板、透明なＩＴＯ層（インジウムスズ酸化物）、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（例えば４０ｎｍ）、１００％本発明に係る錯体（例えば１０〜８０ｎｍ）または好適なマトリクス（例えば４０ｎｍ）内にドープされた（例えば３０％、特に１０％〜４０％）錯体、蒸着されたＡｌｑ３（例えば４０ｎｍ）、蒸着されたＬｉＦ保護層またはＣｓＦ保護層（例えば０．８ｎｍ）、蒸着された金属カソードＡｌまたはＡｇまたはＭｇ／Ａｇ（例えば２００ｎｍ）である。
【００２６】
特に好ましくは、本発明に係る可溶性発光体用のＯＬＥＤ構成は、次に記載すると共に図３に示した構造を有し、次に記載する層のうちの、少なくとも１つの層、より好ましくは少なくとも２つの層、最も好ましくは全ての層を含む。
【００２７】
上記素子を、１つの基材の上、特にガラスの上、または、他の透明な剛体材料または可撓性材料の上に塗布することが有効である。この基材の上には、アノード、例えばインジウムスズ酸化物アノードを塗布する。該アノードの層厚は、１０ｎｍ〜１００ｎｍ、特に３０〜５０ｎｍであることが有効である。アノードの上、且つ、アノードと発光層との間には、正孔導体材料、特に水溶性の正孔導体材料から成るＨＴＬ層（正孔輸送層）を塗布する。このような正孔導体材料は、例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチロールスルホン酸）である。上記ＨＴＬ層の層厚は、１０〜１００ｎｍ、特に４０〜６０ｎｍであることが有効である。次に、本発明に係る可溶性の発光体を含む発光層（ＥＭＬ）を塗布する。この材料は、溶媒、例えば、アセトン、ジクロロメタン、または、アセトニトリルに溶解可能である。これによって、その下にあるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ層の溶融が回避され得る。本発明に係る発光材料を、例えば２０重量％といった中程度の濃度で用いてよいが、これよりも高い濃度または１００％層として用いてもよい。発光材料を、好適なポリマー層（例えばＰＶＫ＝ポリビニルカルバゾール）において高濃度または中程度の濃度でドープして、塗布することも可能である。ドーピング濃度は、発光体の二量体形成、三量体形成、または、オリゴマー形成が行われることが可能な程度高い濃度に選択される。
【００２８】
本発明に係る発光材料が難溶性の場合には、この堆積は、ポリマー内にコロイドを懸濁させることによって行うことが可能である。オリゴマー鎖を、ポリマー内に導入する前に、超音波加工によって縮小させ、ナノフィルタによるフィルタリングを行った後、上記ポリマー内に導入することが可能である。この発光層は、１０〜８０ｎｍ、特に２０〜６０ｎｍの層厚を有していることが有効である。
【００２９】
発光層上には、電子伝達材料から成る、特に１０〜８０ｎｍ、より好ましくは３０〜５０ｎｍの層厚を有する層を塗布することが有効である。この電子伝達材料層に適した材料は、例えば、蒸着可能なＡｌｑ３である。次に、電子入射障壁を縮小させると共にＥＴＬ層を保護する、薄い中間層を塗布することが有効である。この層は、例えば、０．５ｎｍと２ｎｍとの間の層厚、特に０．５ｎｍと１．０ｎｍとの間の層厚を有していることが有効であり、ＣｓＦまたはＬｉＦから構成されていることが有効である。通常、この層は蒸着される。ＯＬＥＤ構造をさらに簡素化するために、場合によっては、上記ＥＴＬ層および／または上記中間層は省略してもよい。
【００３０】
最後に導電性のカソード層を塗布、特に蒸着させる。このカソード層は、金属、特にＡｌまたはＭｇ／Ａｇ（特に１０：１の比率）から成る金属から形成されていることが有効である。
【００３１】
この素子には、３Ｖ〜５Ｖの電圧を印加することが有効である。
【００３２】
本発明に係る発光素子は、周囲に対して遮断されているか、または、被包されており、特に気体が漏れない状態で遮断されていることが有効である。これによって、気体が周囲と交換されること、および、気体が周囲から発光層内に浸透するまたは侵入することが回避される。このため、層の組成が一定に保たれるので、同一の色が変化せずに発光される。特に、本発明に係る素子は、周囲と、材料が交換されること、特に溶媒蒸気が交換されることが行われないように構成されている。
【００３３】
本発明の原理は、発光素子が、一般式（Ｉ）の少なくとも１つのイソニトリル錯体材料を、発光体として含有していることである。
【００３４】
イソニトリルは、シアニドの有機同族体として、広く用いられるリガンド類である。白金イソニトリル錯体は、とりわけ、中性の錯体化合物〔ｃｉｓ−Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＲ）２〕として存在している。これらは、極性の有機溶媒中に良好に溶解され、固体では、様々な分光学的現象を示し、これらは、最終的に円柱の構造物を形成する。イソニトリル錯体およびその従来の用途については、例えば以下の文献に、記載されている。L. Ramberg, Chem. Ber. 1907, 40, 2578、K. A. Hofmann, G. Bugge, Chem. Ber. 1907, 40, 1772、L. Tschugaeff et al., Chem. Ber. 1914, 47, 568、F. Bonati et al., J. Organomet. Chem. 1970, 24, 251、H. Bois et al., J. Chem. Soc., Dalton Trans. 1998, 2833、M. L. Winzenburg et al., Organomet. Chem. 1983, 249, 414、C. E. Buss et al., J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 1031、H. Isci et al., Inorg. Chem. 1975, 14, 1175、H. Isci et al., Inorg. Chem. 1975, 14, 913、H. J. Keller et al., Inorg. Nucl. Chem. Letters 1975, 11, 765、H. J. Keller et al., N. Naturforsch. 1972, 27b, 631、H. J. Keller et al., Z. Naturforsch. 1976, 31b, 565、C. E. Busse et al., J. Am. Chem. Soc. 1998, 120, 7783、J. Guo et al., Inorg. Chem. Acta 1997, 261, 141、P. J. Martellaro et al., Inorg. Chem. 2000, 39, 1878、J. S. Miller et al., Inorg. Chem. 1972, 11, 2069、N. G. Connelly et al., J. Chem. Soc., Dalton Trans 1992, 1564、P. M. Treichel et al., J. Am. Chem. Soc. 1971, 93, 5424、L. Tschugaeff et al., Chem. Ber. 1914, 47, 2643、C. A. Daws et al., Chem. Mater. 1997, 9, 363、C. L. Exstrom et al., Chem. Mater. 1995, 7, 15、S. M. Drew et al., J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 8414、US 006137118 A。
【００３５】
予期していなかったが、本発明によれば、一般式（Ｉ）の化合物は、発光素子用、および特に、有機発光素子（ＯＬＥＤ）用の発光分子に、極めて適していることが分かった。本発明に係る化合物は、特に、ディスプレイまたは照明といった、光を生成するシステムでの使用に極めて適している。
【００３６】
ＯＬＥＤの発光層内で、または、ＯＬＥＤの発光層として、本発明に係る物質を用いることによって、従来用いられていない発光プロセスを、光の放射として用いることが可能である。光の放射を導く過程は、この化合物のクラスの場合、隣接し合う錯体間の金属−金属−相互作用に基づくものである。これは、光の放射が、遮断されたモノマー分子の発光に拠るものである従来のシステムとは、大幅に異なるものである。公知のＯＬＥＤシステムでは、発光層内の発光分子の濃度は、常に低く維持されている。なぜなら、従来の高濃度のモノマー発光体では、消光が観察されたからである。これに反して、本発明では、発光層の全重量に対して１０重量％よりも多い高濃度の発光体を、発光層内に導入する。ここで、隣接する錯体は、Ｍ−Ｍ−相互作用に基づいて光の放射を行うことが可能なように、十分に近寄り合って並んでいる。
【００３７】
発光層内の本発明に係る化合物は、ドーピングの量によって、および、残基Ｒに応じて異なる金属−金属−間隔を有している。これに伴って、発光色を、広範囲に亘って変化させることが可能である。間隔を縮小させると、放射エネルギーは赤色側に移行する。
【００３８】
一般式（Ｉ）のイソニトリル金属錯体を発光材料として、ＯＬＥＤ内で用いることによって、多数の利点がもたらされる。例えば発光体の割合が１００％までの高濃度の発光層は、昇華法または沈殿法によって、溶剤から製造可能である。１００％までの発光層の場合には、素子の製造時に濃度変動は生じない。さらに、発光体を、結晶層または準結晶層に供給すること、あるいは、オリゴマー層に供給することが可能である。このシステムにおいて、特に結晶層においては、電荷キャリア移動度は、アモルファス状の層の場合よりも著しく高く、従って、動作電圧の低減を実現するため、および、電荷キャリアのバランスが平衡の取れた状態を実現するためには、特に好都合である。さらに、本発明に係る発光分子は、電流密度が高い場合に、高い輝度を実現することが可能である。さらに、電流密度が高い場合にも、比較的高い効率（量子効率）を実現することが可能である。
【００３９】
本発明では、発光体−オリゴマー−アセンブリとして、一般式（Ｉ）の（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍの錯体を用いる。この錯体から成るオリゴマーは、特に光を発する系である。この錯体は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、または、Ａｕから選択された、特にＰｔ、または、Ｐｄから選択された中心原子を有している。この中心原子は、Ｐｔ（ＩＩ）、Ｐｄ（ＩＩ）、Ｒｈ（Ｉ）、Ｉｒ（Ｉ）、または、Ａｕ（ＩＩＩ）として存在しており、つまり、一重、または、二重、または、三重に、正に荷電されたイオンとして存在していることが好ましい。この中心原子が、Ｐｔ（ＩＩ）またはＰｄ（ＩＩ）であることが特に好ましい。本発明では、この中心原子は四配位されている。
【００４０】
さらに、本発明に従って用いられる錯体基は、ＣＮまたはＣＮＲを含む。すなわちｍ＋ｎ≠０、および、特にｍ＋ｎ≧１、より好ましくはｍ＋ｎ≧２、さらにより好ましくはｍ＋ｎ≧３、および、特にｍ＋ｎ≦８、好ましくはｍ＋ｎ≦６である。ここで、ｍおよびｎは整数であることが好ましい。さらに好ましくは、ｍは、少なくとも１である。特に好ましくは、ｎ＋ｍ＝４である。最も好ましくは、特にＰｔ（ＩＩ）およびＰｄ（ＩＩ）の場合には、ｎ＝ｍ＝２である。
【００４１】
残基Ｒは、場合によってはヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示すものである。このヘテロ原子は、特に、Ｏ、Ｓ、Ｎ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、および／または、Ｉから選択される。残基Ｒは、０〜５０個のヘテロ原子を有することが有効であり、特に０〜１０個のヘテロ原子、および、さらにより好ましくは０〜５個のヘテロ原子を有する。このヘテロ原子は、骨格内に存在しているか、または、置換基の一部として存在している。一実施形態では、残基Ｒは、１つまたは複数の官能基を有する炭化水素基である。好適な官能基は、例えば、ハロゲン、特に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、または、Ｉ、アルキル、特にＣ１〜Ｃ２０、さらにより好ましくはＣ１〜Ｃ６のアリール、Ｏ−アルキル、Ｏ−アリール、Ｓ−アリール、Ｓ−アルキル、Ｐ−アルキル２、Ｐ−アリール２、Ｎ−アルキル２、または、Ｎ−アリール２である。多くの場合、残基Ｒは、錯体の水分を回復するために、少なくとも１つのフッ素を含有していることが好ましい。特に炭化水素基Ｒは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基である。好ましいさらなる一実施形態では、基Ｒ＝ＳＯ２Ｒ’であり、ここでは、Ｒ’もまた、１つまたは複数のヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示す。好ましくは、Ｒ’は、場合によっては上述の１つまたは複数の官能基を有し得る、アルキル、アリール、ヘテロアリールである。本発明に係る錯体、および、特にＭ＝Ｐｔである錯体が好ましく、これらは、いずれの場合にもＲが脂肪族残基を示している。ここでＲは、特に１〜３０個のＣ原子、好ましくは２〜２０個のＣ原子を有する、特に飽和した炭化水素基残基であり、該炭化水素基残基は、場合によっては、ヘテロ原子を含有することも可能である。様々な大きさの置換基Ｒによって金属−金属−間隔を変動させて、例えば青緑色から橙色までの様々な発光色を得ることが可能である。この残基は、上記変動を増大させるために、置換基を含むことが可能である。好ましい置換基は、Ｆ、ＣＨ３、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、および、Ｎ（ＣＨ３）２である。
【００４２】
さらに好ましくは、各残基Ｒが芳香族基を有している、特にＭ＝Ｐｔである錯体である。このような化合物によって、例えば、赤色の範囲の発光体を有効に得ることが可能である。
【００４３】
本発明に係る錯体では、２つの置換基であるＣＮＲが共に、架橋リガンドＣＮ−Ｒ’’−ＮＣを形成することも可能である。ここでＲ’’は、上述のＲに関して記載した意味と同様に、架橋基を示すものである。Ｒ’’は、場合によってはヘテロ原子を含有し得る、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基、または、ヘテロアリーレン基であることが好ましい。
【００４４】
他に記載がなければ、本明細書に用いたようなアルキル−またはアルキ（アルケ）−という表現はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ２０の炭化水素基、特にＣ１〜Ｃ６の炭化水素基を示すものである。Ａｒｙｌ−という表現は、５から例えば２０個のＣ原子、特に６〜１０個のＣ原子を有する芳香族系を示すものであり、場合によっては、Ｃ原子は、ヘテロ原子（例えばＮ、Ｓ、Ｏ）に置き換えられ得る（このためヘテロアリールとも呼ばれる）。
【００４５】
本発明に係る、一般式（Ｉ）の化合物は、中性錯体であることが好ましい。
【００４６】
好ましいさらなる一実施形態では、本発明に係る、発光層内に含有される一般式（Ｉ）（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍの錯体は、一般式（ＩＩ）の錯体を生成する。
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ１）ｍ                                          一般式（ＩＩ）
ここでＲ１は、重合可能な１つの基を有する１つの残基を示すものである。この残基Ｒ１は、特に、例えばＣ＝Ｃ−二重結合基といった（追加的に）重合可能な１つの基を含有する残基である。
【００４７】
ここで、一般式（Ｉ）の錯体は、重合可能な基でリガンドＲ１を官能基化することによって、１つのポリマーに固定され得る。これによって、この錯体は非可動化され、その結果、発光層内の発光体の結晶化が回避される。この結晶化は、多くの場合、ＯＬＥＤの寿命を制限する原因となり、他のアプリケーション形態では望まれるものではない。本実施形態では、発光層内の一般式（Ｉ）の錯体は、重合可能なリガンドを介してポリマーに結合される。このポリマーへの結合によって、発光層内の発光体を均一に分配することが可能となると共に、さらに、錯体含有量の制御を、高い信頼性で行うことが可能となる。
【００４８】
本発明に係る発光素子を提供するために、最初に、（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ１）ｍ基を結合した状態で含むポリマーを製造し、その後これを、例えばスピンコート法またはインクジェット印刷法によって、溶液として塗布する。モノマーを塗布して、その場で重合してもよい。好適な残基Ｒ１は、例えば、重合可能な１つの残基（例えばＣ＝Ｃ残基）を追加的に含有する上述の残基Ｒを含む。特に好ましくは、残基Ｒ１−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２、または、−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ＝ＣＨ２である。Ｍ−Ｍ−相互作用を可能にするには、上記錯体は十分に高い濃度で存在していることが重要である。
【００４９】
このような、基Ｒ１を含有する重合可能な官能基の例は、例えば、オレフィン基であり、特にビニル基、重合反応性のエポキシドまたは環式エーテル、重付加反応性のシアン酸塩またはアルコール、重縮合反応性のカルボン酸塩およびアミンまたはアルコール、および、カップリング反応性のアリールハロゲン化物および有機ホウ素酸またはハロゲン化物およびオルフィンである。
【００５０】
本発明において、層を一般式（Ｉ）の錯体で高濃度でドープすることによって、良好な発光層を得ることが可能であることが分かった。
【００５１】
この発光層は、一般式（Ｉ）の錯体を、発光層の全重量に対して１０重量％よりも高い濃度、特に２０重量％よりも高い濃度、好ましくは３０重量％よりも高い濃度、より好ましくは５０重量％よりも高い濃度、特に８０重量％よりも高い濃度、および、最も好ましくは９０重量％よりも高い濃度で有する。しかしながら、一般式（Ｉ）の錯体をほぼ完全に含有する発光層、および、一般式（Ｉ）の錯体を特に９５重量％よりも高い濃度、より好ましくは９９重量％よりも高い濃度で含有する発光層を提供することも可能である。さらなる一実施形態では、発光層は、完全に、つまり１００％一般式（Ｉ）の錯体から形成されている。本発明に係る錯体を、発光層内において高濃度で用いる場合、結晶層または錯体の積層、および、特に金属−金属−間隔が比較的短い柱状構造が形成される。このような積層は、特に平面錯体の場合に形成され、特に有効であるのは、平面白金錯体または平面パラジウム錯体の場合である。この積層では、強力な電子的相互作用が生じ、この作用は、特徴的な発光挙動を引き起こす。ここで発光波長は、主として、金属−金属−間隔によって決定されると共に、置換基Ｒによって容易に決定される。高濃度の発光層を用いること、および、特に結晶層または準結晶層を用いることによって、大きな利点が提供される。これは特に、製造時に濃度変動が起こらない点、つまり、高濃度のシステムにおいて、該濃度変動が影響を与えることは極わずかである点である。さらに、結晶層の形成時には、電荷キャリア移動度、つまり電子または正孔の移動度が、アモルファス状の層の場合よりも著しく高い。さらに、このような濃度の発光層によって、高電流密度の場合に、高い輝度を実現し、高効率、つまり高い量子効率を実現することが可能である。本発明に従って用いられる発光錯体は、主として、個々の錯体の中心原子間における金属−金属−相互作用によって（特に平面金属錯体間の金属−金属−相互作用によって）、高い発光量子効率を有する極めて強烈な発光を有する。つまりこの発光は、主として高濃度の錯体同士の相互作用によって生じるものである。このため、従来技術の材料の場合とは異なり、発光分子の割合が高い発光層、および、結晶状または準結晶状に配置された発光層を、画一的な構成部材から形成することが可能となる。これまで、従来技術の発光分子を高濃度で用いて、効率の高い発光層を実現することは不可能であった。なぜなら、特に、隣接し合う発光分子の電子的相互作用が、自己消光効果を引き起こしたからである。これは結果的に、発光分子の割合を上昇させると、特に１０重量％よりも高い濃度に上昇させると、発光量子効率が大幅に低減することになる。これに応じて、現在の技術水準にあるＯＬＥＤは、約２〜８重量％の発光分子濃度のみで製造されている。しかしながら、この従来技術で発生する問題は、本発明に従って用いられる化合物で観察される積層形成によって、少なくとも部分的に解決される。
【００５２】
けれども、発光層において高濃度の発光分子を用いること、および特に、結晶状または準結晶状に配置された発光層を提供することは、多数の利点を提供するものである。
−画一的な材料から成る発光層構成によって、加工技術的条件が明確に定義され、容易に再生産可能である。
−用いる分子をわずかに変更させることによって、様々な金属−金属−間隔を設定することが可能となり、これによって、強度が異なる相互作用を錯体間に生じさせることが出来る。これによって、発光色を、青色から赤色およびほぼＩＲまで調節することが可能である。特に、発光分子のわずかな化学的変異によって、所望のほぼ全色を設定可能である点が重要である。
−発光層は、真空昇華法（および、場合によってはその後に軽くテンパリングすること）によって、容易に製造可能である。
−発光体−モノマー−材料は、多くの溶媒において良好な可溶性を有している。このため、結晶状または準結晶状の発光層は、スピンコート法またはインクジェット印刷法によって製造可能である。
−発光量子効率が極めて高い。
−モノマーは、ポリマーとの良好な化学的結合性を有している。隣接し合うモノマーでは、所望の極めて良好な発光特性を有する、金属−金属−相互作用を再び生じさせることが可能である。
−この成分は、化学的安定性が極めて高く、このため、ＯＬＥＤの長期安定性も高い。
−目的に合わせて用意した、様々な材料の混合物（例えば、Ｐｄ（ＣＮ）２（ＣＮＲ）２とＰｔ（ＣＮ）２（ＣＮＲ）２との混合物）が、特性をさらに独自に変更させることが可能であり、これら混合物のうちの少なくとも１つの成分は、一般式（Ｉ）によって表されるものである。
【００５３】
特に好ましくは、本発明に係る発光体を柱状構造で用いる。この構造は、特に発光層内の錯体が高濃度である場合に形成されるものである。なぜなら、上述のように、本発明に係る錯体自体は平面構造を有しているからである。このため、柱状構造を重ねて配置および形成することが可能である。
【００５４】
さらなる一変形例は、柱状構造を一般式（Ｉ）の様々な錯体から形成することによって実現され得る。ここでは、全てのリガンドおよび中心原子を、互いに無関係に変化させることが可能である。従って、発光層には、例えば、第１の中心原子Ｍを有する一般式（Ｉ）の第１の錯体と、第１の中心原子とは異なる第２の中心原子を有する一般式（Ｉ）の第２の錯体とが、存在している。
【００５５】
様々な錯体を含有する層によって、発光波長をさらに調節することが実現可能である。好ましくは、発光層は、Ｍ＝Ｐｔである一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体と、Ｍ＝Ｐｄである一般式（Ｉ）の少なくとも１つの錯体とを含む。ここで、これら両錯体の重量比率は、１：９９〜９９：１であることが好ましい。第１の錯体が大多数を占め、第２の錯体が適した量だけ（例えば重量比率１：９９〜５：９５）存在している発光層を提供することが有効である。
【００５６】
本発明に従って発光体として用いられる錯体、すなわち錯体のオリゴマーは、容易に（適したマトリクス材を選択することによって）、且つ、特に電子求引性または電子供与性の置換基を選択することによって、波長領域を調節することが可能である。
【００５７】
好ましくは、−５０℃よりも高く、好ましくは０℃よりも高く、特に１０℃よりも高く、および、さらにより好ましくは２０℃よりも高い温度、且つ、１００℃以上よりも低い温度で発光を示す化合物を用いる。
【００５８】
特に好ましくは、本発明に従って、化合物
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２(ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ)２、
ジシアノビス（n−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２(ｎ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ)２、
ジシアノビス（シクロヘキシルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２、
ジシアノビス（（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（tert.−ブチルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、および／または、ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
および、
ジシアノビス（メチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２、
ジシアノビス（エチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２、
ジシアノビス（tert.−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（t−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（３−イソシアノプロピルトリエトキシシラン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（(ＯＥｔ)３ＳｉＣ３Ｈ６ＮＣ）２、
ジシアノビス（１，３−ジイソシアノプロパン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（２，５−ジメチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（３，３−ジフルオロフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ３Ｆ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（３−イソシアノメチルピリジン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ５Ｈ４ＮＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（２，２，２−トリフルオロエチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＦ３ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）２を用いる。
【００５９】
本発明は、さらに、本明細書に定義する一般式（Ｉ）の化合物を、発光素子の発光体として、特に有機発光素子において用いることに関する。
【００６０】
本発明のさらなる対象は、一般式（Ｉａ）である（ＮＣ）ｎＰｄ（ＣＮＲ）ｍのイソニトリルパラジウム錯体であり、ここでｎ、ｍ、および、Ｒは、ここに記載のように定義されるものである。
【００６１】
本発明では、本明細書に記載する一般式（Ｉ）の錯体の、オリゴマー層、あるいは、結晶層または準結晶層は、電荷キャリア移動度が高い。この特性は、多くのアプリケーションに利用可能であり、特に、電荷キャリア移動度が高いことが有利となるか、または、望ましいものであるアプリケーションにおいて、利用可能である。
【００６２】
これまでに本明細書内に記載した材料、および特に、そのオリゴマーが結晶層または準結晶層を含有する一般式（Ｉ）の錯体は、太陽電池にも使用可能である。このためには、一般式（Ｉ）の強力吸収材料を用いることが好ましい。太陽電池は、ＯＬＥＤ原理の逆の原理で機能する。
【００６３】
本発明はさらに、特に、本明細書に記載したように用いられ得るＬＥＤアプリケーション用の新たな化合物に関する。この新たな錯体は、次の通りである。
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（n−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（n−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（シクロヘキシルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２、
ジシアノビス（(Ｓ)−(−)−α−メチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（tert.−ブチルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（i−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（i−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（メチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２、
および、
ジシアノビス（２，５−ジメチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（１，３−ジイソシアノプロパン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）、
ジシアノビス（３，４−ジフルオロフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ３Ｆ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（３−イソシアノメチルピリジン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ５Ｈ４ＮＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（２，２，２−トリフルオロエチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＦ３ＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（メトキシメチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＯＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−フルオロフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ４ＦＮＣ）２、
ジシアノビス（４−メトキシフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＯＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−イソシアノアセトフェノン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＣＯＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（２−ナフチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ１０Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−クロロフェノルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ４ＣＩＮＣ）２、
ジシアノビス（４−ブロムフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ４ＣＩＮＣ）２、
ジシアノビス（４−ニトロフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｏ２ＮＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（メチル−３−イソシアノ−４−メチル安息香酸）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ９Ｈ９Ｏ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−イソシアノベンゾトリフッ化物）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＦ３Ｃ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−(メチルチオ)フェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＳＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−メチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−tert.−ブチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（（ＣＨ３）３ＣＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（３，４，５−トリメトキシフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ９Ｈ１１Ｏ３ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−ホルミルアミノフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ７Ｈ６ＮＯＮＣ）２、
ジシアノビス（４−ブトキシフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ４Ｈ９ＯＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−(トリフルオロメトキシ)フェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＦ３ＯＣ６Ｈ４ＮＣ）２、
ジシアノビス（４−ビニルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（１−シクロヘキセニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ９ＮＣ）２、
ジシアノビス（２−（チエン−２−イル）エチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ７ＳＮＣ）２、
ジシアノビス（５−メチルフルフリルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ７ＯＮＣ）２、
ジシアノビス（Ｎ−（２−イソシアノエチル）イミダゾール）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ５Ｈ７Ｎ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（６−イソシアノキノリン）イミダゾール）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ９Ｈ６ＮＮＣ）２、
ジシアノビス（４−イソシアノメチルピリジン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ５Ｈ４ＮＣＨ２ＮＣ）２、
ジシアノビス（アリルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ３Ｈ５ＮＣ）２、
ジシアノビス（２−イソシアノエチルトシレート）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ９Ｈ１１Ｏ３ＳＮＣ）２、
ジシアノビス（プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２、
ジシアノビス（２−（モルホリノ）−シアノエタン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ４Ｈ８ＮＯ）２、
ジシアノビス（２−（チアゾリジノ）−シアノエタン)白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ３Ｈ６Ｓ）２、
ジシアノビス（２−（メチルピペラジノ）−シアノエタン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ５Ｈ１１Ｎ２）２、
ジシアノビス（２−（エチレンジオキシピペラジノ）−シアノエタン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ１２Ｎ２Ｏ２）２、
ジシアノビス（１−イソシアノインダン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ９Ｈ９）２、
ジシアノビス（４−メトキシベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ４ＯＣＨ３）２、
ジシアノビス（１−イソシアノ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタリン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ１０Ｈ１１）２、
ジシアノビス（５−イソシアノメチルベンゾ［４，５］−１，３−ジオキソラン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ７Ｈ５Ｏ２）２、
ジシアノビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ１０Ｈ１３）２、
ジシアノビス（３，５−ジメチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ８Ｈ９）２、
ジシアノビス（３−メトキシベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ７Ｈ７Ｏ）２、
ジシアノビス（１−（４−フルオロフェニル）メチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ４Ｆ）２、
ジシアノビス（４−（トリフルオロメトキシ）−ベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ７Ｈ４Ｆ３Ｏ）２、
ジシアノビス（２，６−（ジフルオロベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ３Ｆ２）２、
ジシアノビス（２−（トリフルオロメチル）−ベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ７Ｈ４Ｆ３）２、
ジシアノビス（４−（トリフルオロメチル）−ベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ７Ｈ４Ｆ３）２、
ジシアノビス（３，４，５−トリメトキシベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ９Ｈ１１Ｏ３）３、
ジシアノビス（トリフェニルイソシアノメタン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ１９Ｈ１５）２、
ジシアノビス（２，６−ジクロロベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ３Ｃｌ３）２、
ジシアノビス（２，３−ジメチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ８Ｈ９）２、
ジシアノビス（４−トリフルオロメチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ４ＣＦ３）２、
ジシアノビス（シクロヘプチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ７Ｈ１４）２、
ジシアノビス（イソシアノオクタン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ８Ｈ１７）２、
ジシアノビス（１−イソシアノ−３−イソプロポキシプロパン）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ６Ｈ１３Ｏ）２、
ジシアノビス（３，３−ジメチルブタ−１−イルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣ６Ｈ１３Ｏ）２。
【００６４】
本発明に係る好ましいさらなる化合物は、同様のＰｄ錯体である。
【００６５】
添付の図面および以下の実施例によって、本発明をさらに説明する。
【００６６】
図１は、真空昇華法によって製造されたＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。ＵＧＨマトリクス材を使わず、本発明に係る錯体を１００％用いた層でも、良好な効率が得られる。
【００６７】
図２は、本発明に係る昇華可能な発光層を有する、別の高性能ＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。
【００６８】
図３は、湿式化学法で堆積させた、本発明に係る発光層を有するＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。層厚の数値は数値例として見なされるものである。
【００６９】
図４は、Ｐｔ（ＣＮ）２（ＲＮＣ）２化合物の、Ｒ−３に対する常温での発光最大値を示す図である。Ｒは、錯体積層内のＰｔ−Ｐｔ−間隔である。連鎖する２つのＰｔ−Ｐｔ−間隔が異なる化合物の場合には、Ｒ−平均値をグラフに記載した。
【００７０】
図５は、Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５４０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．２μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７１】
図６は、ジシアノビス（tert-ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ＝３．３４２Åである。
【００７２】
図７は、Ｐｔ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３−Ｈ７−ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５９０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．６μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７３】
図８は、ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ＝３．２７０Åである。
【００７４】
図９は、Ｐｔ（ＣＮ）２（ｎ−Ｃ４Ｈ９−ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５０５ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．２μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７５】
図１０は、ジシアノビス（ｎ−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ１＝３．３８７Å、Ｒ２＝３．４１４Åである。
【００７６】
図１１は、Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５７５ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．５μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７７】
図１２は、Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５２０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．３μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７８】
図１３は、Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝４８０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．５μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００７９】
図１４は、ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｄ−Ｐｄ−間隔Ｒ１＝３．４７３Å、Ｒ２＝３．８５７Åである。
【００８０】
図１５は、わずかな割合のＰｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２がドープされた、Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝４２０ｎｍ、Ｔ＝３００Ｋである。
【００８１】
図１６は、Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２（ジシアノビス（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ）の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。Ｘ線構造内のＰｔ−Ｐｔ−間隔は、Ｒ１＝３．３２５Å、Ｒ２＝３．４５８Åである。
【００８２】
図１７は、Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２（ジシアノビス（２，５−ジメチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。
【００８３】
〔実施例〕
〔実施例１〕
本発明に係る錯体は、複合錯塩（Ｇｌ．１）を加熱すること、つまりＣＨＣｌ３内の塩を溶解させることによって、または、錯体アニオン［Ｐｔ（ＣＮ）４］２−（Ｇｌ．２）をアルキル化することによって、製造可能である。
【００８４】
【化１】
0006013698.tif 000002
【００８５】
特別な合成は、Ｒ＝ｔＢｕの場合に可能である（Ｇｌ．３）（H. Isci, W. R. Mason, Inorg. Chem. 1975, 14, 913）。
【００８６】
【化２】
0006013698.tif 000003
【００８７】
（ビスホスファン）Ｐｔ（ＣＮ）２−錯体の合成（V. Pawlowski, H. Kunkely, C. Lennartz, K, Boehn, A. Vogler, Eur. J. Inorg. Chem. 2004, 4242）と同様に、難溶性のＰｔ（ＣＮ）２と対応するイソニトリルとに基づいて、新たな合成方法を選択した（Ｇｌ．４）。
【００８８】
【化３】
0006013698.tif 000004
【００８９】
Ｒ＝アルキル、アリール、ヘテロアリール、−ＳＯ２Ｒ’、および、官能基化された誘導体、および、多座配位の誘導体（例えば、ＣＮＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＣ）である。
【００９０】
イソニトリルは、一置換のホルムアミドから、脱水法によって得ることが可能である（I. Ugi, U. Fetzer, U. Eholzer, H. Knupfer, K. Offermann, Angew. Chem. 1965, 77, 492）。
【００９１】
中性のパラジウム錯体［Ｐｄ（ＣＮ）２（ＣＮＲ）２］は、Ｐｔ錯体と同様、Ｐｄ（ＣＮ）２と対応するイソニトリルＲＮＣとから製造される。
【００９２】
〔実施例２〕
２．１．ジシアノビス（tert-ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（０．２００ｇ、０．８１ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（４０ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）懸濁液に、tert.-ブチルイソシアニド（０．１８４ｍＬ、０．１３５ｇ、１．６２ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（８ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）を加える。この懸濁液を常温で３日間攪拌する。結果として生じる黄緑色の溶液を濾過して、用いられなかったＰｔ（ＣＮ）２を取り除き、この溶剤混合物を真空で除去する。後に残った緑色の固形物を少量のアセトニトリルに吸収させ、エーテルと共に生成物を沈殿させる。沈殿した緑色の固形物を濾過により取り出し、デシケータの中で乾燥させる。Ｘ線構造解析に適した結晶が、アセトニトリル／エーテルから得られる。この調合物は、例えば波長３６５ｎｍの紫外線光を照射すると、強烈な緑色の光を発する。
実験式：Ｃ１２Ｈ１８Ｎ４Ｐｔ（４１３．３８ｇ／ｍｏｌ）
収量：０．２６６ｇ（７９％）
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝４１４．１  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
（これに関しては、図５および図６を参照のこと）
【００９３】
２．２  ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（０．５１２ｇ、２．０７ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（４０ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）懸濁液に、ｉｓｏ−プロピルイソシアニド（０．３９ｍＬ、０．２８６ｇ、４．１４ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（８ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）を加える。この懸濁液を常温で７日間攪拌する。結果として生じる、濁った黄色の溶液を濾過して、用いられなかったＰｔ（ＣＮ）２を取り除き、この溶剤混合物を真空で除去する。後に残った黄橙色の固形物を少量のアセトニトリルに吸収させる。この溶液を濾過して、後に残った溶解していない不純物を取り除き、エーテルと共に生成物を沈殿させる。沈殿した橙色の固形物を濾過より取り出し、デシケータの中で乾燥させる。Ｘ線構造解析に適した結晶が、アセトニトリル／エーテルから得られる。この調合物は、例えば波長３６５ｎｍの紫外線光を照射すると、強烈な黄橙色の光を発する。
実験式：Ｃ１０Ｈ１４Ｎ４Ｐｔ（３８５．３２ｇ／ｍｏｌ）
収量：０．５２３ｇ（６６％）
元素分析：Ｃ１０Ｈ１４Ｎ４Ｐｔ（３８５．３２ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ３１．１７、Ｈ３．６６、Ｎ１４．５４
found：Ｃ３０．５８、Ｈ４．４０、Ｎ１４．５０
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝３８６．１  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
（これに関しては、図７および図８を参照のこと）
【００９４】
２．３  ジシアノビス（ｎ-ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ｎ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（０．４２０ｇ、１．７ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（４０ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）懸濁液に、ｎ−ブチルイソシアニド（０．３６ｍＬ、０．２８３ｇ、３．４０ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（８ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）を加える。この懸濁液を常温で７日間攪拌する。結果として生じる、濁った明るい緑色の溶液を濾過して、用いられなかったＰｔ（ＣＮ）２を取り除き、この溶剤混合物を真空で除去する。後に残った緑黄色の固形物を少量のアセトニトリルに吸収させる。この溶液を濾過して、後に残った溶解していない不純物を取り除き、エーテルと共に生成物を沈殿させる。沈殿した緑黄色の固形物を濾過より取り出し、デシケータの中で乾燥させる。Ｘ線構造解析に適した結晶が、アセトニトリル／エーテルから得られる。この調合物は、例えば波長３６５ｎｍの紫外線光を照射すると、強烈な青緑色の光を発する。
実験式：Ｃ１２Ｈ１８Ｎ４Ｐｔ（４１３．３８ｇ／ｍｏｌ）
元素分析：Ｃ１２Ｈ１８Ｎ４Ｐｔ（４１３．３８ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ３４．８７、Ｈ４．３９、Ｎ１３．５５
found：Ｃ３４．３０、Ｈ４．２１、Ｎ１３．７５
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝４１４．１  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
（これに関しては、図９および図１０を参照のこと）
【００９５】
２．４  ジシアノビス（シクロヘキシルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（０．４０２ｇ、１．６３ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（４０ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）の懸濁液に、シクロヘキシルイソシアニド（０．４０ｍＬ、０．３５６ｇ、３．２６ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（８ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）を加える。この懸濁液を常温で７日間攪拌する。結果として生じる、濁った淡黄色の溶液を濾過して、用いられなかったＰｔ（ＣＮ）２を取り除き、この溶剤混合物を真空で除去する。後に残った黄色の固形物を少量のアセトニトリルに吸収させる。この溶液を濾過して、後に残った溶解していない不純物を取り除き、エーテルと共に生成物を沈殿させる。沈殿した黄色の固形物を濾過より取り出し、デシケータの中で乾燥させる。この調合物は、例えば波長３６５ｎｍの紫外線光を照射すると、強烈な黄色の光を発する。
実験式：Ｃ１６Ｈ２２Ｎ４Ｐｔ（４６５．４５ｇ／ｍｏｌ）
元素分析：Ｃ１６Ｈ２２Ｎ４Ｐｔ（４６５．４５ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ４１．２９、Ｈ４．７６、Ｎ１２．０４
found：Ｃ４０．８３、Ｈ５．０１、Ｎ１２．１６
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝４６６．２  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
（これに関しては、図１１を参照のこと）
【００９６】
２．５  ジシアノビス（エチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２を、H. IsciおよびW. R. Mason（H. Isci, W. R. Mason, Inorg. Chem. 1975,14, 913）の説明に従って、（ｎ−Ｂｕ４Ｎ）２［Ｐｔ（ＣＮ）４］（１．１８０ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を（Ｃ２Ｈ５）３ＯＢＦ４（０．５７０ｇ、３．００ｍｍｏｌ）にを置き換えることによって形成する。このために必要な初期化合物は、（ｎ−Ｂｕ４Ｎ）２［Ｐｔ（ＣＮ）４］については、W. R. Mason IIIおよびH. B. Gray（W. R. Mason III, H. B. Gray, J. Am Chem. Soc. 1968, 90, 5721）の説明に従って形成する。
実験式：Ｃ８Ｈ１０Ｎ４Ｐｔ・Ｈ２Ｏ（３７５．２９ｇ／ｍｏｌ）
元素分析：Ｃ８Ｈ１０Ｎ４Ｐｔ・Ｈ２Ｏ（３７５．２９ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ２５．６０、Ｈ３．２２、Ｎ１４．９３
found：Ｃ２５．７８、Ｈ３．１４、Ｎ１４．９９
Ｘ線構造は、文献（P. J. Martellaro, S. K. Hurst, R. Larson, E. H. Abbott, E. S. Peterson, Inorg. Chem. Acta. 2005, 358, 3377）から引用したものである。
（これに関しては、図１２を参照のこと）
【００９７】
２．６  ジシアノビス（メチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２の生成
Ｐｔ（ＣＮ）２（０．５０６ｇ、２．０５ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（４０ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）の懸濁液に、メチルイソシアニド（０．１６８ｇ、４．１ｍｍｏｌ）のエタノール／水の混合水（８ｍＬ、エタノール：水の容積比率は３：１）を加える。この懸濁液を常温で４日間攪拌する。結果として生じる、濁った淡黄色の溶液を濾過して、用いられなかったＰｔ（ＣＮ）２を取り除き、この溶剤混合物を真空で除去する。後に残る黄緑色の固形物をデシケータの中で乾燥させる。この調合物は、例えば波長３６５ｎｍの紫外線光を照射すると、強烈な空色の光を発する。
実験式：Ｃ６Ｈ６Ｎ４Ｐｔ（３２９．２２ｇ／ｍｏｌ）
元素分析：Ｃ６Ｈ６Ｎ４Ｐｔ（３２９．２２ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ２１．８９、Ｈ１．８４、Ｎ１７．０２
found：Ｃ２１．４９、Ｈ２．４４、Ｎ１７．４８
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝３３０  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
Ｘ線構造は、文献（P. J. Martellaro, S. K. Hurst, R. Larson, E. H. Abbott, E. S. Peterson, Inorg. Chem. Acta. 2005, 358, 3377）から引用したものである。
（これに関しては、図１３を参照のこと）
【００９８】
２．７  ジシアノビス（ｔｅｒｔ−ブチルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の生成
Ｐｄ（ＣＮ）２（０．３２０ｇ、２．０ｍｍｏｌ）の２５ｍｌのＤＭＦ懸濁液に、ｔｅｒｔ．−ブチルイソシアニド（０．３４ｇ、４．０ｍｍｏｌ）を滴下し、この混合物を常温で２４時間攪拌する。結果として生じる、白い固形物を含む透明な溶液に、１００ｍｌのジエチルエーテルを加え、これを−３０℃まで冷却する。沈殿した固形物を吸い上げ、ジエチルエーテルで洗浄して、シリカゲルの上で乾燥させる。
実験式：Ｃ１２Ｈ１８Ｎ４Ｐｄ（３２４．７２ｇ／ｍｏｌ）
収量：０．３５０ｇ（５４％）
元素分析：Ｃ１２Ｈ１８Ｎ４Ｐｄ（３２４．７２ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ４４．３９、Ｈ５．５９、Ｎ１７．２５
found：Ｃ４４．２３、Ｈ５．６４、Ｎ１７．４９
質量分析：ＥＳ−ＭＳ、ｍ／ｚ＝３２５  Ｍ＋Ｈ＋、１００％
【００９９】
２．８  ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ）２の生成
この反応は、アルゴンの下で行う。
【０１００】
Ｐｄ（ＣＮ）２（０．４８０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）の２５ｍｌのＤＭＦの懸濁液に、イソプロピルイソシアニド（０．４４０ｇ、６．３ｍｍｏｌ）を滴下し、この混合物を常温で２０時間攪拌する。この時、Ｐｄ（ＣＮ）２は完全に溶解し、透明な明るい黄色の溶液が得られる。この溶液を氷浴で冷却させ、２００ｍｌのジエチルエーテルと混ぜる。沈殿した白い固形物を濾過より取り出し、ジエチルエーテルで洗浄して、シリカゲルの上で乾燥させる。
実験式：Ｃ１０Ｈ１４Ｎ４Ｐｄ（２９６．６７ｇ／ｍｏｌ）
収量：０．５６０ｇ（６３％）
元素分析：Ｃ１０Ｈ１４Ｎ４Ｐｄ（２９６．６７ｇ／ｍｏｌ）
calculated：Ｃ４０．４９、Ｈ４．７６、Ｎ１８．８９
found：Ｃ４０．３９、Ｈ４．７４、Ｎ１９．６０
（これに関しては、図１４を参照のこと）
【０１０１】
２．９  青色または白色に発光する層
Ｐｄ（ＣＮ）２（ＣＮＲ’）２において、Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＲ）２−錯体を低濃度でドープすることによって（ここでＲ＝Ｒ’またはＲ≠Ｒ’）、ＯＬＥＤの発光領域を広い領域に移行させることが可能である。従って、青色発光だけでなく、白色発光を生成することが可能である。
【０１０２】
２．９．１  一実施例の説明
ジシアノビス（ｔｅｒｔ−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２による、ジシアノビス（ｔｅｒｔ−ブチルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ），Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２のドープ。
【０１０３】
Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の溶液と、Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の溶液とをそれぞれ、ジクロロメタン内に入れる。これら両溶液を混ぜ合わせ、溶媒が急速に揮発した後に、Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２で低濃度ドープされた、結晶状のＰｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２層を得る。
（これに関しては、図１５を参照のこと）
ドーピングの濃度を上昇させることによって、λｍａｘ＝４１９ｎｍおよびλｍａｘ＝５１５ｎｍにおける発光バンドを、相互に相対的に変化させ、青色発光、または、広帯域の白色発光を設定することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】真空昇華法によって製造されたＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。ＵＧＨマトリクス材を使わず、本発明に係る錯体を１００％用いた層でも、良好な効率が得られる。
【図２】本発明に係る昇華可能な発光層を有する、別の高性能ＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。
【図３】湿式化学法で堆積させた、本発明に係る発光層を有するＯＬＥＤ素子の一実施例を示す図である。層厚の数値は数値例として見なされるものである。
【図４】Ｐｔ（ＣＮ）２（ＲＮＣ）２化合物の、Ｒ−３に対する常温発光最大値を示す図である。Ｒは、錯体積層内のＰｔ−Ｐｔ−間隔である。連鎖する２つのＰｔ−Ｐｔ−間隔が異なる化合物の場合には、Ｒ−平均値をグラフに記載した。
【図５】Ｐｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５４０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．２μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図６】ジシアノビス（tert-ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ＝３．３４２Åである。
【図７】Ｐｔ（ＣＮ）２（ｉ−Ｃ３−Ｈ７−ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５９０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．６μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図８】ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ＝３．２７０Åである。
【図９】Ｐｔ（ＣＮ）２（ｎ−Ｃ４Ｈ９−ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５０５ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．２μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図１０】ジシアノビス（ｎ−ブチルイソシアニド）白金（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｔ−Ｐｔ−間隔Ｒ１＝３．３８７Å、Ｒ２＝３．４１４Åである。
【図１１】Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ１１ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５７５ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．５μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図１２】Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ２Ｈ５ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝５２０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．３μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図１３】Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＨ３ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝４８０ｎｍ、減衰時間Ｔ＝１．５μｓ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図１４】ジシアノビス（ｉｓｏ−プロピルイソシアニド）パラジウム（ＩＩ）のＸ線構造を示す図である。Ｐｄ−Ｐｄ−間隔Ｒ１＝３．４７３Å、Ｒ２＝３．８５７Åである。
【図１５】わずかな割合のＰｔ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２がドープされた、Ｐｄ（ＣＮ）２（ｔ−Ｃ４Ｈ９ＮＣ）２の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。λｅｘｃ＝３６０ｎｍ、λｄｅｔ＝４２０ｎｍ、Ｔ＝３００Ｋである。
【図１６】Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２（ジシアノビス（Ｓ）−（−）−α−メチルベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ）の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。Ｘ線構造内のＰｔ−Ｐｔ−間隔は、Ｒ１＝３．３２５Å、Ｒ２＝３．４５８Åである。
【図１７】Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ８Ｈ９ＮＣ）２（ジシアノビス（２，５−ジメチルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）の発光スペクトルおよび励起スペクトルを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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