(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、
前記圧電基板上に形成され、前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含む金属層と、
前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、
前記第１金属層の上面の前記接続部を囲む領域および前記第２金属層の上面の前記接続部を囲む領域において前記金属層と接する絶縁層と、
を具備し、
前記第１金属層および前記第２金属層は、前記絶縁層との密着性が前記圧電基板と前記金属層との密着性より高く、前記第１金属層の上面の前記接続部を囲む領域および前記第２金属層の上面の前記接続部を囲む領域において前記絶縁層と接する金属膜を有することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項２】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、
前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含む金属層と、
前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、
前記第１金属層の上面および前記第２金属層の下面の前記接続部の直下の領域において前記金属層と接する絶縁層と、
を具備し、
前記第１金属層および前記第２金属層は、前記絶縁層との密着性が前記圧電基板と前記金属層との密着性より高く、前記第１金属層の上面および前記第２金属層の下面の前記接続部の直下の領域において前記絶縁層と接する金属膜を有することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項３】
前記第１金属層は、前記電極と同じ材料から形成されることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
【請求項４】
前記金属層は前記第２金属層上に形成された第３金属層を含み、
前記絶縁層は、前記第３金属層の上面において前記金属層と接することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項５】
前記第１金属層および前記第２金属層は、前記電極と前記接続部を電気的に接続する配線層を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記電極を覆う絶縁層であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
前記接続部はバンプであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記圧電基板は、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板であり、
前記絶縁層は酸化シリコン膜であり、
前記金属膜はＴｉ膜またはＣｒ膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイスに関し、例えば電極を外部と電気的に接続する接続部を備える弾性波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
移動体通信機器等には、例えばフィルタやデュプレクサとして弾性波デバイスが用いられている。弾性波デバイスとして、圧電基板上にＩＤＴ（Inter Digital Transducer）等の電極を形成した弾性表面波デバイスがある。ＩＤＴ等の電極は圧電基板の表面の弾性波を励振する。弾性表面波デバイスとしては、例えば狭義の弾性表面波デバイス、ラブ波デバイスおよび弾性境界波デバイスがある。
【０００３】
狭義の弾性表面波デバイスは、ＩＤＴの電極指上を薄い絶縁性の保護膜で覆った構成である。狭義の弾性表面波デバイスにおいては、圧電基板の表面を弾性波が伝搬する。ラブ波デバイスは、ＩＤＴの電極指上を比較的厚い酸化シリコン等の絶縁膜で覆った構成である。ラブ波デバイスにおいては、圧電基板の表面、絶縁膜および絶縁膜の表面を弾性波が伝搬する。弾性境界波デバイスは、酸化シリコン等の絶縁膜上に、酸化シリコンより音速の早い酸化アルミニウム等の絶縁膜を設けた構成である。弾性境界波デバイスにおいては、電極指上の絶縁膜に弾性波が閉じ込められ、圧電基板と絶縁膜の境界付近を弾性波が伝搬する。特許文献１には、ラブ波デバイスが記載されている。特許文献２には、電極上に保護膜として絶縁膜を設けた弾性波デバイスが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１２７４８号公報
【特許文献２】特開２００７−２０１７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
圧電基板上に弾性波を励振する電極を設けた弾性波デバイスにおいては、圧電基板上に、パッドとして機能する金属層を設けることになる。金属層の上には、外部と電気的に接続するための接続部が設けられる。しかしながら、圧電基板と金属層とは、密着が悪い。このため、金属層が圧電基板から剥がれてしまう。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、前記圧電基板上に形成され、前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含む金属層と、前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、前記第１金属層の上面の前記接続部を囲む領域および前記第２金属層の上面の前記接続部を囲む領域において前記金属層と接する絶縁層と、を具備し、前記第１金属層および前記第２金属層は、前記絶縁層との密着性が前記圧電基板と前記金属層との密着性より高く、前記第１金属層の上面の前記接続部を囲む領域および前記第２金属層の上面の前記接続部を囲む領域において前記絶縁層と接する金属膜を有することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。
【０００９】
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に形成され、弾性波を励振する電極と、前記圧電基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された第２金属層とを含む金属層と、前記金属層上に形成され、前記電極を外部と電気的に接続するための接続部と、前記第１金属層の上面および前記第２金属層の下面の前記接続部の直下の領域において前記金属層と接する絶縁層と、を具備し、前記第１金属層および前記第２金属層は、前記絶縁層との密着性が前記圧電基板と前記金属層との密着性より高く、前記第１金属層の上面および前記第２金属層の下面の前記接続部の直下の領域において前記絶縁層と接する金属膜を有することを特徴とする弾性波デバイスである。
【００１０】
上記構成において、前記第１金属層は、前記電極と同じ材料から形成される構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記金属層は前記第２金属層上に形成された第３金属層を含み、前記絶縁層は、前記第３金属層の上面において前記金属層と接する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１金属層および前記第２金属層は、前記電極と前記接続部を電気的に接続する配線層を含む構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記絶縁層は、前記電極を覆う絶縁層である構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記接続部はバンプである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属層の圧電基板からの剥がれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。
【図２】図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのパッド領域Ｃの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３】図３（ａ）は、比較例に係る弾性波デバイスのパッド領域の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４】図４（ａ）から図４（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その４）である。
【図８】図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｅ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｅ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図１４】図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１５】図１５（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１６】図１６（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図１７】図１７（ａ）から図１７（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図１８】図１８（ａ）から図１８（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図１９】図１９（ａ）から図１９（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。
【図２０】図２０（ａ）は、実施例７に係る弾性波デバイスの平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１８】
実施例１は、弾性波デバイスとしてラブ波デバイスの例である。図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図である。図２（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスのパッド領域Ｃの平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図、図２（ｃ）は、図２（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。なお、図２（ｃ）においては、ＩＤＴ１３の電極指を拡大して図示している。図１および図２（ａ）において、第１金属層１２、第２金属層１４は絶縁層２０を透視して図示している。以下の実施例においても同様である。
【００１９】
図１から図２（ｃ）を参照し、圧電基板１０上に弾性波を励振する電極であるＩＤＴ１３が形成されている。ＩＤＴ１３は複数の電極指を含む。図２（ｃ）は複数の電極指を図示している。圧電基板１０としては、例えばタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムを用いることができる。圧電基板１０上にＩＤＴ１３に電気的に接続する第１金属層１２が形成されている。第１金属層１２は、例えばＩＤＴ１３と同じ材料から形成することができる。第１金属層１２としてはＣｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。第１金属層１２をＩＤＴ１３と同じ材料から形成する場合、第１金属層１２の膜厚および材料は、主にＩＤＴ１３としての性能重視で設計される。
【００２０】
第１金属層１２上に第２金属層１４が形成されている。第２金属層１４は、抵抗率が低い材料が好ましく、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。第２金属層１４上に第３金属層１６が形成されている。第３金属層１６は、抵抗率が低く、バンプ１８との密着性がよい材料が好ましい。第３金属層１６としては、例えばＣｕ、ＡｕまたはＡｌを主に含む金属を用いることができる。例えば、バンプがＡｕを主に含む場合、第３金属層１６は主にＡｕを含むことが好ましい。金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含む。
【００２１】
金属層１５上には、バンプ１８が形成されている。バンプ１８は、ＩＤＴ１３を外部と電気的に接続する接続部として機能する。バンプ１８としては、Ａｕスタッドバンプ、ハンダボール等を用いることができる。接続部として、バンプ１８以外にボンデイングワイヤ等を用いることもできる。第１金属層１２および第２金属層１４の上面は絶縁層２０に覆われている。ＩＤＴ１３においても電極指は絶縁層２０に覆われている。絶縁層２０は、ＩＤＴ１３の電極指を覆う絶縁層を兼ねてもよい。絶縁層２０が電極指を覆う絶縁層を兼ねる場合、絶縁層２０は酸化シリコンを主に含むことが好ましい。
【００２２】
比較のための比較例について説明する。図３（ａ）は、比較例に係る弾性波デバイスのパッド領域の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）を参照し、比較例においては、絶縁層２０が金属層１５を覆っていない。密着膜として一般的に用いられるＴｉ膜またはＣｒ膜等を用いても、圧電基板１０と金属層１５との密着性は悪く、弾性波デバイスの製造工程途中、または弾性波デバイス完成後に、金属層１５が圧電基板１０から剥がれる場合がある。
【００２３】
一方、実施例１においては、絶縁層２０は、金属層１５と上または下の少なくとも一方から異なる２つ以上の面で接する。例えば、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０と、第２金属層１４の上面３２と、の異なる２つの面において、金属層１５と接する。絶縁層２０と金属層１５とは、密着性をよくすることが容易である。例えば、金属層１５の絶縁層２０と接する面に密着性のよい金属膜を設けることにより、絶縁層２０と金属層１５との密着性を向上できる。また、一般的に、絶縁層２０と圧電基板１０との密着性は、金属層１５と圧電基板１０とに比べ良好である。例えば、酸化シリコン膜とタンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板との密着は良好である。これにより、絶縁層２０が、金属層１５を上から高さの異なる２つの面以上で押さえ込むことにより、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制できる。
【００２４】
第１金属層１２が、電極（例えばＩＤＴ１３）と同じ材料から形成される場合、第１金属層１２の材料は、弾性波デバイスの性能が向上するＩＤＴ１３の材料を選択する。このため、圧電基板１０と金属層１５との密着性の観点から第１金属層１２を選択できない。よって、実施例１のように、絶縁層２０を用い、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制することが好ましい。
【００２５】
さらに、第１金属層１２および第２金属層１４を、ＩＤＴ１３とバンプ１８とを電気的に接続する配線層を含む構成とする。これにより、製造工程を簡略化することができる。さらに、絶縁層２０は、ＩＤＴ１３を覆う絶縁層であることが好ましい。これにより、製造工程を簡略化することができる。
【００２６】
接続部として、スタッドバンプを用いる場合、スタッドバンプ形成時に金属層１５に力がかかり、金属層１５が圧電基板１０から剥がれ易い。よって、スタッドバンプを用いる場合、実施例１のように、絶縁層２０を用い、金属層１５が圧電基板１０から剥がれることを抑制することが好ましい。
【００２７】
次に、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図４（ａ）から図７（ｄ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。各図の左側はＩＤＴ１３の電極指を示す図、右側はパッドを示す図である。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板等の圧電基板１０を準備する。図４（ｂ）に示すように、圧電基板１０上に、絶縁層２０ａとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層２０ａは、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用い形成する。絶縁層２０ａの膜厚は、例えば１２０ｎｍである。図４（ｃ）に示すように、絶縁層２０ａ上に露光現像法を用い、開口５２を有するフォトレジスト５０を形成する。絶縁層２０ａをフォトレジスト５０をマスクにエッチングする。絶縁層２０ａのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図４（ｄ）に示すように、開口５２内およびフォトレジスト５０上に第１金属層１２を形成する。第１金属層１２は、例えば真空蒸着法を用い形成する。第１金属層１２としては、例えば、圧電基板１０側から、膜厚が１０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が１００ｎｍのＣｕ膜および膜厚が１０ｎｍのＣｒ膜とすることができる。
【００２９】
図５（ａ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト５０を除去する。図５（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に開口５６を有するフォトレジスト５４を形成する。図５（ｃ）に示すように、開口５６内およびフォトレジスト５４上に第２金属層１４を形成する。第２金属層１４の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第２金属層１４としては、例えば、第１金属層１２側から、膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜、膜厚が５００ｎｍのＣｕ膜および膜厚が５０ｎｍのＴｉ膜とすることができる。図５（ｄ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト５４を除去する。
【００３０】
図６（ａ）に示すように、第１金属層１２および第２金属層１４を覆うように絶縁層２０ｂとして例えば酸化シリコン膜を形成する。絶縁層２０ｂは、例えばＣＶＤ法を用い形成する。絶縁層２０ｂの膜厚は、例えば５９０ｎｍである。図６（ｂ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口６０を有するフォトレジスト５８を形成する。図６（ｃ）に示すように、フォトレジスト５８をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。絶縁層２０ｂのエッチングは、例えばドライエッチング法を用いる。図６（ｄ）に示すように、フォトレジスト５８を除去する。絶縁層２０ａと絶縁層２０ｂとにより、絶縁層２０が形成される。
【００３１】
図７（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口６０を有するフォトレジスト６２を形成する。フォトレジスト６２の開口が絶縁層２０ｂの開口と略一致するように形成する。図７（ｂ）に示すように、開口６０内およびフォトレジスト６２上に第３金属層１６を形成する。第３金属層１６の形成は、例えば真空蒸着法を用いる。第３金属層１６としては、例えば、第２金属層１４側から、膜厚が２００ｎｍのＴｉ膜および膜厚が４００ｎｍのＡｕ膜とすることができる。図７（ｃ）に示すように、リフトオフすることにより、フォトレジスト６２を除去する。以上により、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含む金属層１５が形成される。図７（ｄ）に示すように、第３金属層１６上にバンプ１８を形成する。バンプ１８としては、例えばＡｕスタッドバンプを用いることができる。
【００３２】
図４（ｃ）のように、絶縁層２０ａをエッチングした後、図４（ｄ）のように、第１金属層１２を形成する。このため、圧電基板１０と第１金属層１２との密着性がより低くなる。さらに、第１金属層１２を真空蒸着法を用い形成すると、圧電基板１０と第１金属層１２との密着性がより低くなる。よって、絶縁層２０ｂと金属層１５とを密着させることが好ましい。
【００３３】
図６（ｃ）のように、絶縁層２０ｂをエッチングする際に、第１金属層１２と圧電基板１０との界面はエッチング雰囲気にさらされない。これにより、絶縁層２０ｂをエッチングする際に、第１金属層１２と圧電基板１０との界面がエッチングされ金属層１５と圧電基板１０との密着性を低下させることを抑制できる。
【００３４】
さらに、第１金属層１２および第２金属層１４の最上面を絶縁層２０ｂと密着性のよいＴｉ膜としている。これにより、絶縁層２０と金属層１５との密着性を向上させることができる。
【実施例２】
【００３５】
図８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、絶縁層２０が、第３金属層１６の上面上の一部に形成されている。すなわち、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０、第２金属層１４の上面３２および第３金属層１６の上面３４において、金属層１５と接する。このように、絶縁層２０は、高さの異なる３つの面において金属層１５と接する。これにより、実施例１より、さらに、金属層１５の剥がれを抑制することができる。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。
【００３６】
次に、実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図９（ａ）から図１０（ｄ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図９（ａ）に示すように、まず実施例１の図５（ｄ）までの工程を行なう。その後、第１金属層１２、第２金属層１４および絶縁層２０ａ上に開口６６を有するフォトレジスト６４を形成する。図９（ｂ）に示すように、開口６６内およびフォトレジスト６４上に第３金属層１６を形成する。図９（ｃ）に示すように、フォトレジスト６４を除去する。これにより、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６から金属層１５が形成される。図９（ｄ）に示すように、金属層１５および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。図９（ｅ）に示すように、絶縁層２０ｂ上にフォトレジスト６８を形成する。
【００３７】
図１０（ａ）に示すように、フォトレジスト６８に開口７０を形成する。図１０（ｂ）に示すように、フォトレジスト６８をマスクに、絶縁層２０ｂをエッチングする。図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト６８を除去する。図１０（ｄ）に示すように、金属層１５上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例２に係る弾性波デバイスを製造する。
【実施例３】
【００３８】
図１１（ａ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、第１金属層１２は、第２金属層１４下の一部に形成されている。このため、絶縁層２０が、第１金属層１２の上面の一部と、第２金属層１４の下面３６の一部に形成されている。すなわち、絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０および第２金属層１４の下面３６において、金属層１５と接する。すなわち、絶縁層２０は、上方向と下方向との異なる２つの方向から金属層１５に接する。これにより、金属層１５の剥がれを抑制することができる。金属層１５は、第３金属層１６を含んでおらず、バンプ１８は第２金属層１４上に形成される。絶縁層２０は、第２金属層１４の上面には形成されていないが、第２金属層１４の上面の一部に形成することもできる。その他の構成は、実施例１と同じであり、説明を省略する。
【００３９】
次に、実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１２（ａ）から図１３（ｄ）は、実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図１２（ａ）に示すように、まず実施例１の図５（ａ）までの工程を行なう。第１金属層１２の幅は実施例１の図５（ａ）に比べて狭い。図１２（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。図１２（ｃ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口７４を有するフォトレジスト７２を形成する。図１２（ｄ）に示すように、フォトレジスト７２をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。これにより、絶縁層２０ａおよび２０ｂを含む絶縁層２０が形成される。図１２（ｅ）に示すように、フォトレジストを除去する。
【００４０】
図１３（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口７８を有するフォトレジスト７６を形成する。絶縁層２０ｂの開口とフォトレジスト７６の開口７８とは略一致するように形成する。図１３（ｂ）に示すように、開口７８内およびフォトレジスト７６上に第２金属層１４を形成する。第２金属層１４は、例えば第１金属層１２側から膜厚が２００ｎｍのＴｉ膜および膜厚が４００ｎｍのＡｕ膜である。図１３（ｃ）に示すように、フォトレジスト７６を除去する。図１３（ｄ）に示すように、第２金属層１４上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例３に係る弾性波デバイスを製造する。
【実施例４】
【００４１】
図１４（ａ）は、実施例４に係る弾性波デバイスの平面図、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、第２金属層１４が、ＩＤＴ１３近くまで設けられている。これにより、ＩＤＴ１３とバンプ１８間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例４と同じであり説明を省略する。
【実施例５】
【００４２】
図１５（ａ）は、実施例５に係る弾性波デバイスの平面図、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。絶縁層２０は、第１金属層１２の上面３０、第２金属層１４の上面３２、第３金属層１６の上面３４および第２金属層１４の下面３６において、金属層１５と接する。これにより、金属層１５の剥がれを抑制することができる。第２金属層１４および第３金属層１６が、ＩＤＴ１３近くまで設けられている。これにより、ＩＤＴ１３とバンプ１８間の抵抗を低くできる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。
【実施例６】
【００４３】
図１６（ａ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの平面図、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。第２金属層１４および第３金属層１６は、実施例５と比べ、ＩＤＴ１３近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例５と同じであり説明を省略する。
【００４４】
次に、実施例６に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１７（ａ）から図１９（ｄ）は、実施例６に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。ＩＤＴ１３の電極指を示す図は省略している。図１７（ａ）に示すように、図１２（ａ）と同様に、圧電基板１０上に第１金属層１２と絶縁層２０ａを形成する。図１７（ｂ）に示すように、第１金属層１２および絶縁層２０ａ上に開口８２を有するフォトレジスト８０を形成する。図１７（ｃ）に示すように、開口８２内およびフォトレジスト８０上に第２金属層１４を形成する。図１７（ｄ）に示すように、フォトレジスト８０を除去する。
【００４５】
図１８（ａ）に示すように、第１金属層１２、第２金属層１４および絶縁層２０ａ上に開口８６を有するフォトレジスト８０を形成する。図１８（ｂ）のように、開口８６内およびフォトレジスト８４上に第３金属層１６を形成する。これにより、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６から金属層１５が形成される。図１８（ｃ）に示すように、フォトレジスト８４を除去する。図１８（ｄ）のように、金属層１５および絶縁層２０ａ上に絶縁層２０ｂを形成する。
【００４６】
図１９（ａ）に示すように、絶縁層２０ｂ上に開口９０を有するフォトレジスト８８を形成する。図１９（ｂ）に示すように、フォトレジスト９２をマスクに絶縁層２０ｂをエッチングする。これにより、絶縁層２０ａと２０ｂとから絶縁層２０が形成される。図１９（ｃ）に示すように、フォトレジスト９２を除去する。図１９（ｄ）のように、第３金属層１６上にバンプ１８を形成する。以上のように、実施例６に係る弾性波デバイスを製造する。
【実施例７】
【００４７】
図２０（ａ）は、実施例７に係る弾性波デバイスの平面図、図２０（ｂ）は、図２０（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ＩＤＴの断面は図２（ｃ）と同じであり説明を省略する。図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、金属層１５は、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を含んでいる。第３金属層１６は、実施例５と比べ、ＩＤＴ１３近くまでは設けられていない。その他の構成は実施例５と同じであり説明を省略する。
【００４８】
実施例１から実施例７において、第１金属層１２、第２金属層１４および第３金属層１６を蒸着法およびリフトオフ法を用い形成する例を説明したが、これらの金属層は、スパッタリング法およびエッチング法を用い形成してもよい。絶縁層２０を絶縁層２０ａと２０ｂとに分けて形成する方法を説明したが、絶縁層２０を一度に形成してもよい。絶縁層２０ａおよび２０ｂのエッチング方法としてドライエッチング法を例に説明したがウエットエッチング法を用いてもよい。絶縁層２０ａおよび２０ｂとして酸化シリコン膜の例を説明したが、他の絶縁膜でもよい。ラブ波デバイスとして機能するためには、絶縁層２０ａと２０ｂとは同じ材料であることが好ましい。金属層１５の絶縁層２０とを密着させる膜としてＴｉ膜の例を説明したがＣｒ膜等、絶縁層２０との密着を図れる膜であればよい。上面３０から３４および下面３６の幅（断面図における横方向の幅）は、数μｍ以上であることが好ましい。これらの幅は、例えば、１μｍ以上が好ましく、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。
【００４９】
弾性波デバイスの例として、ラブ波デバイスの例を説明したが、狭義の弾性表面波デバイスまたは弾性境界波デバイスでもよい。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５１】
１０      圧電基板
１２      第１金属層
１３      ＩＤＴ
１４      第２金属層
１５      金属層
１６      第３金属層
１８      バンプ
２０      絶縁層
３０、３２、３４  上面
３６      下面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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