(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有する圧入型端子：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記Ｂ層の厚みが０．００１〜０．３μｍであり、
前記Ｃ層の厚みが０．０５μｍ以上である。
【請求項２】
ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有する圧入型端子：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である。
【請求項３】
前記Ａ層の合金組成がＳｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｗ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上の金属からなる請求項１又は２に記載の圧入型端子。
【請求項４】
前記Ｂ層の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上の金属からなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項５】
前記Ｃ層の合金組成がＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項６】
前記Ａ層の表面から測定した押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上である請求項１〜５のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項７】
前記Ａ層の表面から測定した押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である、高曲げ加工性を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項８】
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記Ａ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ1）、前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ2）、前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ3）が最表面からＤ1、Ｄ2、Ｄ3の順で存在する請求項１〜７のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項９】
前記Ａ層の厚みが０．０１〜０．１μｍである、挿入力が低く且つめっきの削れが少ないことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項１０】
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が７〜７５μｇ／ｃｍ2である、挿入力が低く且つめっきの削れが少ないことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項１１】
前記Ｂ層の厚みが０．００５〜０．１μｍである、挿入力が低く且つめっきの削れが少ないことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項１２】
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が４〜１２０μｇ／ｃｍ2である、挿入力が低く且つめっきの削れが少ないことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の圧入型端子。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の圧入型端子を備えた電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子及びそれを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧入型端子は圧縮弾性を有する針状の端子であって、基板に形成されたスルーホールに圧入することによって摩擦力（保持力）を確保し、基板に機械的・電気的に固定する。従来のスルーホールの内周面には、銅メッキによる電極部分が形成されており、圧入型端子ピンとの間の保持力に寄与している。基板に固着された圧入型端子にはオスコネクタ（プラグコネクタ）が取り付けられ、メスコネクタ（レセプタクルコネクタ）と嵌合して、電気的な接続が行われている。なお圧入型端子用端子の表面には、鉛フリーを考慮して接続基板のスルーホールとの接触性を高めるため、Ｓｎめっきが主になされている。
この圧入型端子は、従来行っていたはんだ付けを行うことなく、接続用端子と制御基板との接続を行うものであり、一度スルーホールに差し込んだ圧入型端子を、再度スルーホールから抜き出すことを想定したものではない。従って、当然のことながら、人が手によって、圧入型端子用端子をスルーホールに差し込むことはできない。例えば、圧入型端子用端子をスルーホールへ差し込むに際しては、１端子当り６〜７ｋｇ（６０〜７０Ｎ）の垂直力が必要であり、モールディングされたコネクタでは、５０〜１００本の端子を同時に圧入型端子するため、多大な押込力が必要である。
このため、圧入型端子用端子をスルーホールへ差し込む際に、圧入型端子の外周面がスルーホールによって大きな加圧力を受け、比較的柔らかいＳｎめっきが削れてしまい、削られた破片が周囲に飛散し、場合によっては隣り合う端子のショートを引き起こすという問題があった。【０００３】
これに対し、特許文献１には、基板の導電性スルーホールに圧入状態で挿入されるプレスフィット端子であって、上記プレスフィット端子の少なくとも基板挿入部分に、０．１〜０．８μｍ厚の錫めっきが施されているとともに、上記錫めっきが施される部分に、０．５〜１μｍ厚の銅中間層めっきと、１〜１．３μｍ厚のニッケル下地めっきとを施すことで、錫めっきの削れを抑制できると記載されている。【０００４】
また、特許文献２には、プレスフィット端子において、母材の全表面に、Ｎｉ又はＮｉ合金の下地めっき層が設けられ、前記母材の前記めす端子接続部の前記下地めっき層の表面には、Ｃｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ層が順次、又はＣｕ−Ｓｎ合金層とＳｎ合金層が順次、あるいはＡｕ合金層が設けられ、前記母材の前記基板接続部の前記下地めっき層の表面には、Ｃｕ３Ｓｎ合金層とＣｕ６Ｓｎ５合金層が順次設けられ、しかも該Ｃｕ６Ｓｎ５合金層の表面にＳｎが露出していないことにより、特許文献１よりもＳｎめっきの削れかすの発生を抑制でき、硬いＣｕ−Ｓｎ合金層に軟らかいＳｎ層又はＳｎ合金層を設けた相乗効果で、摩擦係数を改善し、プレスフィット用端子をスルーホールへ差し込む際の挿入力を弱めることができると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２２６０８９号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６２８６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、基板の導電性スルーホールとプレスフィット端子の機械的・電気的接続部においてウィスカが発生し、十分低い挿入力も得ることができず、めっきは削れてかすが発生し、近年USACAR規格で１７５℃の耐熱性が要求されている中では十分な高耐熱性を得ることができなかった。
また、特許文献２に記載の技術でも、耐ウィスカ性に優れ、挿入力も低く、プレスフィット端子を基板に挿入するときにめっきが削れにくく、高耐熱性を有する圧入型端子には至らなかった。
このように、従来のＳｎめっきを施した圧入型端子には耐ウィスカ性、挿入力、レスフィット端子を基板に挿入するときにめっきの削れ及び耐熱性に問題があった。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、耐ウィスカ性に優れ、挿入力も低く、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れにくく、高耐熱性を有する圧入型端子及びそれを用いた電子部品を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、所定の金属及び所定の厚みで形成したＡ層、Ｂ層、Ｃ層を最表層から順に形成した金属材料を用いて形成することで、耐ウィスカ性に優れ、挿入力も低く、圧入型端子を提供することができ、これにより、基板に挿入するときにめっきが削れにくく、且つ、高耐熱性を有する圧入型端子を作製することができることを見出した。【０００８】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、耐ウィスカ性に優れることを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記Ｂ層の厚みが０．００１〜０．３μｍであり、
前記Ｃ層の厚みが０．０５μｍ以上である。【０００９】
本発明は別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、挿入力が低いことを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記Ｂ層の厚みが０．００１〜０．３μｍであり、
前記Ｃ層の厚みが０．０５μｍ以上である。【００１０】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、圧入型端子挿入時のめっきが削れにくいことを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記Ｂ層の厚みが０．００１〜０．３μｍであり、
前記Ｃ層の厚みが０．０５μｍ以上である。【００１１】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、耐熱性に優れることを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層の厚みが０．００２〜０．２μｍであり、
前記Ｂ層の厚みが０．００１〜０．３μｍであり、
前記Ｃ層の厚みが０．０５μｍ以上である。【００１２】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、耐ウィスカ性に優れることを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である。【００１３】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、挿入力が低いことを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である。【００１４】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、圧入型端子挿入時のめっきが削れにくいことを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である。【００１５】
本発明は更に別の一側面において、ハウジングに取り付ける装着部の一方側にめす端子接続部が、他方側に基板接続部がそれぞれ設けられ、該基板接続部を基板に形成されたスルーホールに圧入して該基板に取り付ける圧入型端子において、少なくとも該基板接続部が以下の表面構造を有し、耐熱性に優れることを特徴とする圧入型端子である：
最表層はＳｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金で形成されたＡ層、
Ａ層の下層に形成され、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＢ層、及び、
Ｂ層の下層に形成され、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層を備え、
前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が１〜１５０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が１〜３３０μｇ／ｃｍ2であり、
前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である。【００１６】
本発明の圧入型端子は一実施形態において、前記Ａ層の合金組成がＳｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｗ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上の金属からなる。【００１７】
本発明の圧入型端子は別の一実施形態において、前記Ｂ層の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ．Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上の金属からなる。【００１８】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｃ層の合金組成がＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ及びＺｎからなる群から選択された１種又は２種以上を含む。【００１９】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の表面から測定したビッカース硬さがＨｖ１００以上である。【００２０】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、超微小硬さ試験により、前記Ａ層の表面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である、前記Ａ層の表面の押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上である。【００２１】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の表面から測定したビッカース硬さがＨｖ１０００以下である、高曲げ加工性を有する。【００２２】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、超微小硬さ試験により、前記Ａ層の表面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である、前記Ａ層の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である、高曲げ加工性を有する。【００２３】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下である。【００２４】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の表面の最大高さ（Ｒｚ）が１μｍ以下である。【００２５】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の表面の反射濃度が０.３以上である。【００２６】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記Ａ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ1）、前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ2）、前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ3）が最表面からＤ1、Ｄ2、Ｄ3の順で存在する。【００２７】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記Ａ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％以上であって、前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５％以上である深さが５０ｎｍ以上である。【００２８】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層の厚みが０．０１〜０．１μｍである。【００２９】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ａ層のＳｎ，Ｉｎの付着量が７〜７５μｇ／ｃｍ2である。【００３０】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｂ層の厚みが０．００５〜０．１μｍである。【００３１】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの付着量が４〜１２０μｇ／ｃｍ2である。【００３２】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｃ層の断面のビッカース硬さがＨｖ３００以上である。【００３３】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｃ層の断面のビッカース硬さと厚みとが下記式：
ビッカース硬さ（Ｈｖ）  ≧  −３７６．２２Ｌｎ（厚みμｍ）＋８６．４１１
を満たす。【００３４】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、超微小硬さ試験により、前記下層（Ｃ層）の断面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層（Ｃ層）の断面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上である。【００３５】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、超微小硬さ試験により、前記下層（Ｃ層）の断面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層（Ｃ層）の断面の押し込み硬さと厚みとが下記式：
押し込み硬さ（ＭＰａ）  ≧  −３９９８．４Ｌｎ（厚みμｍ）＋１１７８．９
を満たす。【００３６】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記Ｃ層の断面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下である。【００３７】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、超微小硬さ試験により、前記下層（Ｃ層）の断面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である、前記下層（Ｃ層）の断面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下である。【００３８】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、前記Ａ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ1）と前記Ｃ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕまたはＺｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ3）との間に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒについて４０ａｔ％以上の領域が１ｎｍ以上の厚さで存在する。【００３９】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記Ａ層の表面の元素分析を行ったとき、Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％以上である。【００４０】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記Ａ層の表面の元素分析を行ったとき、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％未満である。【００４１】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定で前記Ａ層の表面の元素分析を行ったとき、Ｏが５０ａｔ％未満である。【００４２】
本発明の圧入型端子は更に別の一実施形態において、前記基板接続部に表面処理により、前記Ｃ層、前記Ｂ層、前記Ａ層の順で表面処理層を形成し、その後、温度５０〜５００℃で時間１２時間以内の加熱処理を施して作製されている。【００４３】
本発明は更に別の一側面において、本発明の圧入型端子を備えた電子部品である。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、耐ウィスカ性に優れ、挿入力も低く、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れにくく、高耐熱性を有する圧入型端子及びそれを用いた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の実施形態に係る圧入型端子の模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る圧入型端子に用いる金属材料の構成を示す模式図である。
【図３】実施例３に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＤｅｐｔｈ測定結果である。
【図４】実施例３に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００４６】
以下、本発明の実施形態に係る圧入型端子について説明する。図１は実施形態に係る圧入型端子の模式図である。また、図２に示すように、圧入型端子の材料となる金属材料１０は、基材１１の表面にＣ層１２が形成され、Ｃ層１２の表面にＢ層１３が形成され、Ｂ層１３の表面にＡ層１４が形成されている。
【００４７】
＜圧入型端子の構成＞
（基材）
基材１１としては、特に限定されないが、例えば、銅及び銅合金、Ｆｅ系材、ステンレス、チタン及びチタン合金、アルミニウム及びアルミニウム合金などの金属基材を用いることができる。なお圧入型端子の構造及び形状等は特に限定されない。一般的な圧入型端子は、複数の端子（多ピン）が並列に並び、基板で固定されるものである。
【００４８】
（Ａ層）
Ａ層は、Ｓｎ，Ｉｎ，またはそれらの合金である必要がある。Ｓｎ及びＩｎは、酸化性を有する金属ではあるが、金属の中では比較的柔らかいという特徴がある。よって、Ｓｎ及びＩｎ表面に酸化膜が形成されていても、圧入型端子を基板に挿入するときに、容易に酸化膜が削られ、接点が金属同士となるため、低接触抵抗が得られる。
また、Ｓｎ及びＩｎは塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガスに対する耐ガス腐食性に優れ、例えば、Ｂ層１３に耐ガス腐食性に劣るＡｇ、Ｃ層１２に耐ガス腐食性に劣るＮｉ、基材１１に耐ガス腐食性に劣る銅及び銅合金を用いた場合には、圧入型端子の耐ガス腐食性を向上させる働きがある。なおＳｎ及びＩｎでは、厚生労働省の健康障害防止に関する技術指針に基づき、Ｉｎは規制が厳しいため、Ｓｎが好ましい。
【００４９】
Ａ層１４の組成は、Ｓｎ，Ｉｎ，またはＳｎとＩｎとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｓ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｓｎ，Ｗ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属で構成されていても良い。Ａ層１４の組成が合金になること（例えばＳｎ−Ａｇ合金めっきを施す）で、耐ウィスカ性が更に向上し、挿入力も更に低くなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくく、耐熱性が向上する場合がある。
【００５０】
Ａ層１４の厚みは０．００２〜０．２μｍである必要がある。Ａ層１４の厚みは０．０１〜０．１μｍであるのが好ましい。Ａ層１４の厚みが０．００２μｍ未満であると、充分な耐ガス腐食性が得られず、圧入型端子を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加する。より充分な耐ガス腐食性が得られるためには、０．０１μｍ以上の厚みが好ましい。また、厚みが大きくなると、ＳｎやＩｎの凝着磨耗が大きくなり、挿入力が大きくなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れやすくなる。より充分に挿入力を低くし、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくくするためには０．２μｍ以下とする。より好ましくは０．１５μｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下である。
【００５１】
Ａ層１４のＳｎ，Ｉｎの付着量は、１〜１５０μｇ／ｃｍ2である必要がある。Ａ層１４の付着量は、７〜７５μｇ／ｃｍ2であるのが好ましい。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、Ａ層１４の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、Ａ層とその下のＢ層との間に形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。Ａ層１４のＳｎ，Ｉｎの付着量が１μｇ／ｃｍ2未満であると、充分な耐ガス腐食性が得られず、圧入型端子を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加する。より充分な耐ガス腐食性が得られるためには、７μｇ／ｃｍ2以上の付着量が好ましい。また付着量が多くなると、ＳｎやＩｎの凝着磨耗が大きくなり、挿入力が大きくなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れやすくなる。より充分に挿入力を低くし、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくくするためには、１５０μｇ／ｃｍ2以下とする。より好ましくは１１０μｇ／ｃｍ2以下、更に好ましくは７５μｇ／ｃｍ2以下である。
【００５２】
（Ｂ層）
Ｂ層１３は、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ及びＩｒからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されている必要がある。Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒは、金属の中では比較的耐熱性を有するという特徴がある。よって基材１１やＣ層１２の組成がＡ層１４側に拡散するのを抑制して耐熱性を向上させる。また、これら金属は、Ａ層１４のＳｎやＩｎと化合物を形成してＳｎやＩｎの酸化膜形成を抑制する。なお、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒの中では、導電率の観点でＡｇがより望ましい。Ａｇは導電率が高い。例えば高周波の信号用途にＡｇ用いた場合、表皮効果により、インピーダンス抵抗が低くなる。
Ｂ層１３の合金組成がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはＡｇとＡｕとＰｔとＰｄとＲｕとＲｈとＯｓとＩｒとの合計で５０質量％以上であり、残合金成分がＡｇ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ．Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｅ，Ｓｎ，Ｗ，Ｔｌ，Ｚｎからなる群より選択される１種、もしくは２種以上の金属で構成されていても良い。Ｂ層１３の組成が合金になること（例えばＡｇ―Ｓｎ合金めっきを施す）このような耐ウィスカ性が更に向上し、挿入力も更に低くなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくく、耐熱性が向上する場合がある。
【００５３】
Ｂ層１３の厚みは０．００１〜０．３μｍである必要がある。Ｂ層１３の厚みは０．００５〜０．１μｍであるのが好ましい。厚みが０．００１μｍ未満であると、基材１１やＣ層１２とＡ層が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗が悪い。より充分な耐熱性が得られるためには、０．００５μｍ以上の厚みが好ましい。また厚みが大きくなると、挿入力が大きくなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れやすくなる。より充分に挿入力を低くし、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくくするためには、０．３μｍ以下、より好ましくは０．１５μｍ以下、更に好ましくは０．１０μｍ以下である。
【００５４】
Ｂ層１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｏｓ，Ｉｒ，またはそれら合金の付着量は１〜３３０μｇ／ｃｍ2である必要がある。Ｂ層１３の付着量は４〜１２０μｇ／ｃｍ2であるのが好ましい。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、Ｂ層１３の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、Ａ層１４とその下のＢ層１３との間に形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。付着量が１μｇ／ｃｍ2未満であると、基材１１やＣ層１２とＡ層が合金を形成し、耐熱性試験後の接触抵抗が悪い。より充分な耐熱性が得られるためには、４μｇ／ｃｍ2以上の付着量が好ましい。また付着量が多いと、挿入力が大きくなり、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れやすくなる。より充分に挿入力を低くし、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくくするためには、３３０μｇ／ｃｍ2以下、より好ましくは１８０μｇ／ｃｍ2以下、更に好ましくは１２０μｇ／ｃｍ2以下である。
【００５５】
（Ｃ層）
基材１１とＢ層１３との間には、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＣｕからなる群から選択された１種又は２種以上で構成されたＣ層１２が形成されている必要がある。Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群から選択された１種、もしくは２種以上の金属を用いてＣ層１２を形成することで、硬いＣ層形成により薄膜潤滑効果が向上することにより充分に挿入力を低くでき、Ｃ層１２は基材１１の構成金属がＢ層に拡散するのを防止し、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加を抑制するなど、耐久性が向上する。
【００５６】
Ｃ層１２の合金組成が、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの合計で５０質量％以上であり、さらにＢ，Ｐ，Ｓｎ，Ｚｎからなる群から選択された１種、もしくは２種以上を含んでも良い。Ｃ層１２の合金組成がこのような構成となることで、Ｃ層がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して挿入力が低下し、Ｃ層１２の合金化は基材１１の構成金属がＢ層に拡散するのを更に防止し、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加を抑制するなど、耐久性が向上する。
【００５７】
Ｃ層１２の厚みは０．０５μｍ以上である必要がある。Ｃ層１２の厚みが０．０５μｍ未満であると、硬いＣ層による薄膜潤滑効果が低下して挿入力が大きくなり、基材１１の構成金属はＢ層に拡散しやすくなり、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加など、耐久性が悪くなる。
【００５８】
Ｃ層１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕの付着量が、０．０３ｍｇ／ｃｍ2以上である必要がある。ここで、付着量で定義する理由を説明する。例えば、Ｃ層１２の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計で測定する場合、Ａ層１４、Ｂ層１３、及び基材１１等と形成した合金層により、測定される厚みの値に誤差が生じる場合がある。一方、付着量で制御する場合、合金層の形成状況に左右されず、より正確な品質管理をすることができる。付着量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2未満であると、硬いＣ層による薄膜潤滑効果が低下して挿入力が大きくなり、基材１１の構成金属はＢ層に拡散しやすくなり、耐熱性試験や耐ガス腐食性試験後の接触抵抗増加など、耐久性が悪くなる。
【００５９】
（熱処理）
Ａ層１４を形成させた後に、耐ウィスカ性を更に向上させ、挿入力は更に低く、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくく、また耐熱性を向上させる目的で熱処理を施しても良い。熱処理によってＡ層１４とＢ層１３が合金層を形成しやすくなり、耐ウィスカ性を向上させ、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくくなり、また耐熱性を向上させ、Ｓｎの凝着力を一層小さくすることにより挿入力を低くさせる。なおこの熱処理については限定されないが、熱処理の温度と時間は、温度：５０〜５００℃、時間：１２時間以内の範囲で行うことが好ましい。温度が５０℃未満であると、温度が低いためにＡ層１４とＢ層１３とが合金層を形成し難い。また、温度が５００℃を超えると、基材１１やＣ層１２がＢ層１３及びＡ層１４に拡散して、接触抵抗が高くなる場合がある。熱処理時間が１２時間を超えると、基材１１やＣ層１２がＢ層１３及びＡ層１４に拡散して、接触抵抗が高くなる場合がある。
【００６０】
（後処理）
Ａ層１４上、またはＡ層１４上に熱処理を施した後に、挿入力を更に低く、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきがより削れにくく、また耐熱性を向上させる目的で後処理を施しても良い。後処理によって潤滑性が向上して更に挿入力が低下し、めっきが削れにくくなり、またＡ層とＢ層の酸化が抑制されて耐熱性、耐ガス腐食性等の耐久性が向上する。具体的な後処理としてはインヒビターを用いた、リン酸塩処理、潤滑処理、シランカップリング処理等がある。なおこの後処理については限定されない。
【００６１】
＜金属材料の特性＞
Ａ層１４の表面から測定したビッカース硬さはＨｖ１００以上であるのが好ましい。Ａ層１４の表面から測定したビッカース硬さがＨｖ１００以上であると、硬いＡ層によって薄膜潤滑効果が向上し、挿入力が低下する。また一方で、Ａ層１４の表面から測定したビッカース硬さはＨｖ１０００以下あるのが好ましい。Ａ層１４の表面から測定したビッカース硬さがＨｖ１０００以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の圧入型端子をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性低下を抑制する。
Ａ層１４の表面から測定した押し込み硬さは１０００ＭＰａ以上あるのが好ましい。ここで、Ａ層１４の表面から測定した押し込み硬さとは、超微小硬さ試験により、Ａ層の表面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である。Ａ層１４の表面の押し込み硬さが１０００ＭＰａ以上であると、硬いＡ層によって薄膜潤滑効果が向上し、挿入力が低下する。また一方でＡ層１４の表面から測定したビッカースの押し込み硬さは１００００ＭＰａ以下あるのが好ましい。Ａ層１４の表面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の圧入型端子プレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性低下を抑制する。
【００６２】
Ａ層１４の表面の算術平均高さ（Ｒａ）は０．１μｍ以下であるのが好ましい。Ａ層１４の表面の算術平均高さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
Ａ層１４の表面の最大高さ（Ｒｚ）は１μｍ以下であるのが好ましい。Ａ層１４の表面の最大高さ（Ｒｚ）が１μｍ以下であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
Ａ層１４の表面の反射濃度が０．３以上であるのが好ましい。Ａ層１４の表面の反射濃度が０．３以上であると比較的腐食しやすい凸部が少なくなり平滑となるため、耐ガス腐食性が向上する。
【００６３】
Ｃ層１２の断面のビッカース硬さはＨｖ３００以上であるのが好ましい。Ｃ層１２の断面のビッカース硬さがＨｖ３００以上であると、Ｃ層がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して挿入力が低下する。また一方で、Ｃ層１２の断面のビッカース硬さＨｖ１０００以下あるのが好ましい。Ｃ層１２の断面のビッカース硬さがＨｖ１０００以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の圧入型端子をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性低下を抑制する。
【００６４】
Ｃ層１２の断面のビッカース硬さとＣ層１２の厚みとが下記式：
ビッカース硬さ（Ｈｖ）  ≧  −３７６．２２Ｌｎ（厚みμｍ）＋８６．４１１
を満たすことが好ましい。Ｃ層１２の断面のビッカース硬さとＣ層１２の厚みとが上記式を満たすと、Ｃ層がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して、挿入力が低下する。
なお、本発明において、「Ｌｎ（厚みμｍ）」とは、厚み（μｍ）の自然対数の数値を意味する。
【００６５】
Ｃ層１２の断面の押し込み硬さは２５００ＭＰａ以上であるのが好ましい。ここで、Ｃ層１２の断面の押し込み硬さとは、超微小硬さ試験により、Ｃ層１２の断面に荷重０．１ｍＮで打根を打って測定して得られた硬度である。Ｃ層１２の断面の押し込み硬さが２５００ＭＰａ以上であると、Ｃ層がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して挿入力が低下する。また一方で、Ｃ層１２の断面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であるのが好ましい。Ｃ層１２の断面の押し込み硬さが１００００ＭＰａ以下であると、曲げ加工性が向上し、本発明の電圧入型端子をプレス成形した場合に、成形した部分にクラックが入り難くなり、耐ガス腐食性低下を抑制する。
【００６６】
Ｃ層１２の断面の押し込み硬さとＣ層１２の厚みとが下記式：
押し込み硬さ（ＭＰａ）  ≧  −３９９８．４Ｌｎ（厚みμｍ）＋１１７８．９
を満たすことが好ましい。Ｃ層１２の断面の押し込み硬さとＣ層１２の厚みとが上記式を満たすと、Ｃ層がより硬化することで更に薄膜潤滑効果が向上して、挿入力が低下する。
【００６７】
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ａ層１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ1）、Ｂ層１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ2）、Ｃ層１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ3）が最表面からＤ1、Ｄ2、Ｄ3の順で存在することが好ましい。最表面からＤ1、Ｄ2、Ｄ3の順で存在しない場合、充分な耐ガス腐食性が得られず、圧入型端子を塩素ガス、亜硫酸ガス、硫化水素ガス等のガス腐食試験を行うと腐食して、ガス腐食試験前と比較して大きく接触抵抗が増加するとなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ａ層１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、Ｂ層１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％以上であって、Ｃ層１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５ａｔ％以上である深さが５０ｎｍ以上であることが好ましい。Ａ層１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値、及び、Ｂ層１３のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値がそれぞれ１０ａｔ％未満であって、Ｃ層１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５ａｔ％以上である深さが５０ｎｍ未満である場合、挿入力は高く、耐熱性や耐ガス腐食性は、基材成分がＡ層１４またはＢ層１３に拡散して悪くなるおそれがある。  
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でＤｅｐｔｈ分析を行ったとき、Ａ層１４のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ1）とＣ層１２のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，ＣｕまたはＺｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値示す位置（Ｄ3）との間に、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒについて４０ａｔ％以上の領域が１ｎｍ以上の厚さで存在することが好ましい。１ｎｍ未満の厚さで存在すると、例えばＡｇの場合、耐熱性が悪くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定でＡ層の表面の元素分析を行ったとき、Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％以上であることが好ましい。Ｓｎ，Ｉｎが２ａｔ％未満であると、例えばＡｇの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばＰｄの場合、Ｐｄが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定でＡ層の表面の元素分析を行ったとき、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％未満であることが好ましい。Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒが７ａｔ％以上であると、例えばＡｇの場合、耐硫化性が劣り、接触抵抗が大きく増加するおそれがある。また、例えばＰｄの場合、Ｐｄが酸化して接触抵抗が高くなるおそれがある。
ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定でＡ層の表面の元素分析を行ったとき、Ｏが５０ａｔ％未満であることが好ましい。Ｏが５０ａｔ％以上であると、接触抵抗が高くなるおそれがある。
【００６８】
＜圧入型端子の製造方法＞
本発明の圧入型端子の製造方法については限定されない。予めプレス成形等により圧入型端子形状にした基材に、湿式（電気、無電解）めっき、乾式（スパッタ、イオンプレーティング等）めっき等により製造できる。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。【００７０】
実施例及び比較例として、基材、Ｃ層、Ｂ層、Ａ層をこの順に設けて、場合により熱処理を行うことで形成した試料を、以下の表１〜７に示す条件でそれぞれ作製した。
表１に圧入型端子及びスルーホール仕様を、表２にＣ層の作製条件を、表３にＢ層の作製条件を、表４にＡ層の作製条件を、表５に熱処理条件をそれぞれ示す。また、表６に各実施例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件を、表７に各比較例で使用した各層の作製条件及び熱処理の条件それぞれ示す。【００７１】
【表１】
0006012638.tif 000002
【００７２】
【表２】
0006012638.tif 000003
【００７３】
【表３】
0006012638.tif 000004
【００７４】
【表４】
0006012638.tif 000005
【００７５】
【表５】
0006012638.tif 000006
【００７６】
【表６−１】
0006012638.tif 000007
【００７７】
【表６−２】
0006012638.tif 000008
【００７８】
【表６−３】
0006012638.tif 000009
【００７９】
【表７】
0006012638.tif 000010
【００８０】
（厚みの測定）
Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の厚みは、基材にそれぞれ表面処理を施し、それぞれ蛍光Ｘ線膜厚計（Ｓｅｉｋｏ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製  ＳＥＡ５１００、コリメータ０．１ｍｍΦ）で実際の厚みを測定した。【００８１】
（付着量の測定）
各試料を硫酸や硝酸等で酸分解し、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）発光分光分析により各金属の付着量を測定した。なお具体的に用いる酸は、それぞれのサンプルを有する組成によって異なる。【００８２】
（組成の決定）
測定した付着量に基づき、各金属の組成を算出した。【００８３】
（層構造の決定）
得られた試料の層構造は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析による深さ（Ｄｅｐｔｈ）プロファイルで決定した。分析した元素は、Ａ層、Ｂ層、Ｃ層の組成と、Ｃ及びＯである。これら元素を指定元素とする。また、指定元素の合計を１００％として、各元素の濃度(ａｔ％)を分析した。ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析での厚みは、分析によるチャートの横軸の距離（ＳｉＯ2換算での距離）に対応する。
また、得られた試料の表面は、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）分析によるＳｕｒｖｅｙ測定にて定性分析も行った。定性分析の濃度の分解能は０．１ａｔ％とした。
ＸＰＳ装置としては、アルバック・ファイ株式会社製５６００ＭＣを用い、到達真空度：５．７×１０-9Ｔｏｒｒ、励起源：単色化ＡｌＫα、出力：２１０Ｗ、検出面積：８００μｍΦ、入射角：４５度、取り出し角：４５度、中和銃なしとし、以下のスパッタ条件で測定した。
イオン種：Ａｒ+
加速電圧：３ｋＶ
掃引領域：３ｍｍ×３ｍｍ
レート：２．８ｎｍ／ｍｉｎ．（ＳｉＯ2換算）【００８４】
（評価）
各試料について以下の評価を行った。
Ａ．挿入力
挿入力は、圧入型端子を基板に差し込む時の挿入力を測定することによって評価した。試験に用いた測定装置は、アイコーエンジニアリング製１３１１ＮＲであり、基板を固定し、圧入型端子を摺動させて試験した。サンプル数は５個とし、挿入力は、各サンプルの最大挿入力の値を平均した値を採用した。挿入力のブランク材としては、比較例１のサンプルを採用した。
挿入力の目標は、比較例１の最大挿入力と比較して８５％未満とした。これは比較例１として挿入力が９０％である比較例４は実際の製品として存在しているため、この比較例４よりも５％以上挿入力が低い、比較例１の最大挿入力と比較して８５％未満を挿入力の目標とした。【００８５】
Ｂ．ウィスカ
ウィスカは、圧入型端子を基板のスルーホールにハンドプレスで挿入させ、熱衝撃サイクル試験（ＪＥＩＴＡ  ＥＴ−７４１０）を行い、試験を終えたサンプルをＳＥＭ（ＪＥＯＬ社製、型式ＪＳＭ−５４１０）にて１００〜１００００倍の倍率で観察して、ウィスカの発生状況を観察した。
＜熱衝撃サイクル試験＞
低温−４０℃×３０分  ⇔高温８５℃×３０分／サイクル×１０００サイクル
目標とする特性は、長さ２０μｍ以上のウィスカが発生しないことであるが、最大の目標としては、ウィスカが１本も発生しないこととした。【００８６】
Ｃ．接触抵抗
接触抵抗は、山崎精機製接点シミュレーターＣＲＳ−１１３−Ａｕ型を使用し、接点荷重５０ｇの条件で４端子法にて測定した。サンプル数は５個とし、各サンプルの最小値から最大値の範囲を採用した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下である。接触抵抗は、１〜３ｍΩ、３〜５ｍΩ及び５ｍΩ＜で区分した。【００８７】
Ｄ．耐熱性
耐熱性は、大気加熱（１７５℃×５００ｈ）試験後のサンプルの接触抵抗を測定し、評価した。目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐熱性試験前後で変化がない（同等である）こととした。耐熱性は、接触抵抗が１〜４ｍΩ、２〜４ｍΩ、２〜５ｍΩ、３〜６ｍΩ、３〜７ｍΩ、６〜９ｍΩ、１０ｍΩ＜で区分した。【００８８】
Ｅ．耐ガス腐食性
耐ガス腐食性は、下記の（１）〜（３）に示す３つの試験環境で評価した。耐ガス腐食性の評価は、（１）〜（３）の環境試験を終えた試験後のサンプルの接触抵抗で測定した。なお目標とする特性は、接触抵抗１０ｍΩ以下であるが、最大の目標としては、接触抵抗が、耐ガス腐食性試験前後で変化がない（同等である）こととした。耐ガス腐食性は、接触抵抗が１〜３ｍΩ、１〜４ｍΩ、２〜４ｍΩ、２〜６ｍΩ、３〜５ｍΩ、３〜７ｍΩ、４〜７ｍΩ、５〜８ｍΩ、６〜９ｍΩ、１０ｍΩ＜で区分した。
（１）塩水噴霧試験
塩水濃度：５％
温度：３５℃
噴霧圧力：９８±１０ｋＰａ
曝露時間：９６ｈ
（２）亜硫酸ガス腐食試験
亜硫酸濃度：２５ｐｐｍ
温度：４０℃
湿度：８０％ＲＨ
曝露時間：９６ｈ
（３）硫化水素ガス腐食試験
亜硫酸濃度：１０ｐｐｍ
温度：４０℃
湿度：８０％ＲＨ
曝露時間：９６ｈ【００８９】
Ｇ．曲げ加工性
曲げ加工性は、Ｗ字型の金型を用いて試料の板厚と曲げ半径の比が１となる条件で９０°曲げで評価した。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合の実用上問題ないと判断した場合には○とし、クラックが認められた場合を×とした。【００９０】
Ｈ．ビッカース硬さ
ビッカース硬さは、Ａ層表面やＣ層断面より荷重９８０．７ｍＮ（Ｈｖ０．１）、荷重保持時間１５秒で打根を打って測定した。【００９１】
Ｉ．押し込み硬さ
押し込み硬さは、超微小硬さ試験（エリオニクス製ＥＮＴ−２１００）により、Ａ層表面やＣ層断面より荷重０．１ｍＮで打根を打って測定した。【００９２】
Ｊ．表面粗さ
表面粗さ（算術平均高さ（Ｒａ）及び最大高さ（Ｒｚ））の測定は、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠し、非接触式三次元測定装置（三鷹光器社製、形式ＮＨ−３）を用いて行った。カットオフは０．２５ｍｍ、測定長さは１．５０ｍｍで、１試料当たり５回測定した。【００９３】
Ｋ．反射濃度
反射濃度は、デンシトメーター（ＮＤ−１，日本電色工業社製）を使用して測定した。【００９４】
Ｌ．粉の発生
粉の発生は、スルーホールに挿入した圧入型端子をスルーホールから抜き出し、圧入型端子断面をＳＥＭ（ＪＥＯＬ社製、型式ＪＳＭ−５４１０）にて１００〜１００００倍の倍率で観察して、粉の発生状況を確認した。粉の直径が５μｍ未満であるものを○とし、５〜１０μｍ未満であるものを△とし、１０μｍ以上のものを×とした。
各条件及び評価結果を表８〜２２に示す。【００９５】
【表８】
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【００９６】
【表９】
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【００９７】
【表１０】
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【００９８】
【表１１】
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【００９９】
【表１２】
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【０１００】
【表１３】
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【０１０１】
【表１４】
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【０１０２】
【表１５】
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【０１０３】
【表１６】
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【０１０４】
【表１７】
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【０１０５】
【表１８】
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【０１０６】
【表１９】
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【０１０７】
【表２０】
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【０１０８】
【表２１】
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【０１０９】
【表２２】
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【０１１０】
実施例１〜１０１は、耐ウィスカ性に優れ、挿入力も低く、圧入型端子を基板に挿入するときにめっきが削れにくく、高耐熱性を有する圧入型端子であった。
比較例１はブランク材である。
比較例２は、比較例１のブランク材のＳｎめっきを薄くして作製したものであるが、ウィスカが発生して耐ウィスカ性が悪かった。
比較例３は、比較例２と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、ウィスカが発生して耐ウィスカ性が悪く、挿入力が目標よりも高かった。
比較例４は、比較例２と比較してＣ層にＣｕめっきを施して作製したものであるが、挿入力は比較例１と比較して９０％であり目標よりも高く、耐熱性も悪かった。
比較例５は、比較例４と比較してＳｎめっきを薄くして作製したものであるが、ウィスカが発生して耐ウィスカ性が悪かった。
比較例６は、比較例５と比較して熱処理を施さないで作製したものであるが、ウィスカが発生して耐ウィスカ性が悪く、挿入力が目標よりも高かった。
比較例７は、比較例１のブランク材と比較してＣ層にＣｕめっきを施して作製したものであるが、比較例１と特性は変わらなかった。
比較例８は、比較例１のブランク材と比較してＣ層のＮｉめっきを厚く施して作製したものであるが、比較例１と特性は変わらなかった。
比較例９は、実施例１と比較して最表層のＳｎめっきを厚くして施して作製したものであるが、ウィスカは目標とする２０μｍ以上の長さものはなかったが、２０μｍ未満のウィスカは１本以上確実に発生していた。
比較例１０は、比較例９と比較してＢ層のＡｇめっきを薄く施して作製したものであるが、ウィスカは目標とする２０μｍ以上の長さものはなかったが、２０μｍ未満のウィスカは１本以上確実に発生していた。
比較例１１は、実施例１と比較してＢ層のＡｇめっきを厚くして施して作製したものであるが、粉の発生量が多かった。
比較例１２は、比較例１１と比較してＢ層のＡｇめっきをせずに作製したものであるが、耐熱性が悪かった。
比較例１３は、実施例４と比較してＢ層のＡｇめっきを厚くして施して作製したものであるが、粉の発生量が多かった。
比較例１４は、比較例１３と比較してＢ層のＡｇめっきをせずに作製したものであるが、耐熱性が悪かった。
比較例１５は、実施例４と比較してＡ層のＳｎめっきを薄くして施して作製したものであるが、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１６は、実施例５と比較してＡ層のＳｎめっきを薄くして施して作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定でＡ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値が１０ａｔ％以下であり、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１７は、実施例３と比較して、ＳｎとＡｇのめっき順序を逆にして作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定でＡ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ1）、Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ2）がＤ2、Ｄ1の順で存在するため、耐ガス腐食性が悪く、硫化水素ガス腐食試験後の接触抵抗が目標を上回った。
比較例１８は、実施例３と比較して、Ｎｉめっきを薄く作製したものであるが、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）でのＤｅｐｔｈ測定でＣ層のＮｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，ＣｏまたはＣｕの原子濃度（ａｔ％）が２５ａｔ％以上である深さが５０ｎｍ未満であるため挿入力が高く、耐熱性も悪かった。
比較例１９は、Ａ層のＳｎが薄く、Ｂ層を施さなかったため耐熱性が悪かった。【０１１１】
また、図２に実施例３に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＤｅｐｔｈ測定結果を示す。図２より、Ａ層のＳｎまたはＩｎの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ1）、前記Ｂ層のＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，Ｒｈ，ＯｓまたはＩｒの原子濃度（ａｔ％）の最高値を示す位置（Ｄ2）がＤ1、Ｄ2の順で存在し、Ｄ1が３５ａｔ％、Ｄ2が８７％であることが分かる。
また、図３に実施例３に係るＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定結果を示す。図３より、Ｏが２４．１ａｔ％であり、Ａｇが２．６ａｔ％で、Ｓｎが７．３ａｔ％であることが分かる。
【符号の説明】
【０１１２】
１０  圧入型端子用金属材料
１１  基材
１２  Ｃ層
１３  Ｂ層
１４  Ａ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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