(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込みアセンブリであって、
空気ベアリング面に形成される底部エッジ、および前記底部エッジから離間される頂部エッジを有するベベル磁極端を含む磁極端を有する、書き込み磁極と、
前記ベベル磁極端表面の前記頂部エッジの下側に位置する後部エッジを通して接続される上部後面および下部後面を含む前記磁極端から離間される、前部シールドと、
前記ベベル磁極端表面と前記前部シールドの前記下部後面との間に延在する近位ギャップ幅を有する前記空気ベアリング面の近傍に位置する近位書き込みギャップセグメント、および前記ベベル磁極端表面と前記前部シールドの前記上部後面との間に延在する前記近位ギャップ幅よりも大きい遠位ギャップ幅を有する遠位書き込みギャップセグメントを含む、非磁性書き込みギャップとを備え、
前記上部後面および前記下部後面は、前記上部後面を前記下部後面に接続する後部ステップを通して接続され、
前記後部ステップは、前記空気ベアリング面と前記空気ベアリング面に対して垂直な平面とに対して９０°を除く角度で前記空気ベアリング面に向かって下方に傾斜する、書き込みアセンブリ。
【請求項２】
前記下部後面は、前記ベベル磁極端表面に共形であり、前記上部後面は、前記ベベル磁極端表面に非共形である、請求項１に記載の書き込みアセンブリ。
【請求項３】
前記前部シールドの前記上部後面および前記下部後面は、前記近位ギャップ幅および前記遠位ギャップ幅を画定するために、異なる傾斜角を有する、請求項１または請求項２に記載の書き込みアセンブリ。
【請求項４】
前記上部後面及び前記下部後面は、前記ベベル磁極端表面に共形である、請求項１に記載の書き込みアセンブリ。
【請求項５】
前記近位ギャップ幅は、２５ｎｍ未満であり、前記遠位ギャップ幅は、２５ｎｍ以上である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の書き込みアセンブリ。
【請求項６】
前記遠位書き込みギャップセグメントは３層構造を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の書き込みアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
データ記憶デバイスは、回転ディスク等の磁気記憶媒体に対するデータの読み出しおよび／または書き込みのために、磁気記録ヘッドを使用する。磁気記録ヘッドは、一般的に、データを記憶媒体に記録するために、誘導書き込み素子を含む。誘導書き込み素子は、主磁極と、磁極端と、１つ以上のリターン磁極とを含む。電流は、書き込みコイルに供給され、主磁極において磁束経路を誘導して、媒体の１つ以上の磁気記憶層にデータを記録する。データは、並列および垂直記録手法を使用して記録することができる。記憶の増加に対する要求は、より多くのデータをより小さい空間に記録するためのより高いフィールド勾配に対する要求を生じさせた。本発明の実施形態は、これらのおよび他の問題に対する解決策を提供し、従来技術に勝る他の利点を提供する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
本出願は、磁気記録ヘッドのための書き込みギャップ構造に関する。開示されるように、書き込みギャップ構造は、より高密度の記録に対してフィールド勾配を高めるために、書き込み磁極と空気ベアリング面に近接する前部シールドとの間に、例えば２５ナノメートル（ｎｍ）未満の狭い書き込みギャップ幅を有する。具体的には、開示される、例示される実施形態において、空気ベアリング面で提供される狭い書き込みギャップ幅は、２０ｎｍ以下である。
【０００３】
開示される実施形態において、書き込みギャップ構造は、ベベル磁極端表面の頂部エッジと底部エッジとの間で、ベベル磁極端面に沿って、複数の書き込みギャップセグメントを含む。複数の書き込みギャップセグメントは、空気ベアリング面の近傍に位置する近位書き込みギャップセグメントと、空気ベアリング面から奥まったところにある遠位ギャップセグメントとを含む。例示される実施形態において、近位書き込みギャップセグメントは、空気ベアリング面に近接する狭いギャップ幅を提供するために、ベベル磁極端表面と前部シールドの下部後面との間に延在する。遠位ギャップセグメントは、より狭いギャップ幅よりも大きいギャップ幅を有し、ベベル面と前部シールドの上部後面との間に延在する。
【０００４】
例示される実施形態において、前部シールドの上部後面は、遠位書き込みギャップセグメントのより大きい書き込みギャップ幅を提供するために、ベベル磁極端表面から離れる方向で、下部後面から前方へ離間される。上部後面は、ステップを介して下部後面に接続される。別の実施形態において、上部後面は、遠位書き込みギャップセグメントのより大きい書き込みギャップ幅を提供するために、下部後面とは異なる傾斜角を有する。例えば、例示される１つの実施形態において、より大きい書き込みギャップ幅を提供するために、下部後面は、ベベル磁極端表面の傾斜角に共形の角度で傾斜され、上部後面は、磁極端のベベル磁極端表面に対して非共形の角度で傾斜される。
【０００５】
本出願は、説明されるように、複数の書き込みギャップセグメントおよび前部シールドの上部後面および下部後面を形成するための、複数の層の蒸着および選択的エッチングを含む、プロセスステップを開示する。本発明の実施形態を特徴付ける他の特徴および利点は、以下の詳細な説明を読み、関連する図面を検討すれば明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本出願の実施形態を使用することができる、データ記憶デバイスの実施形態を示す図である。
【図２】図２は、磁気記録媒体の上側にある１つ以上の変換素子を含む、ヘッドの概略図である。
【図３Ａ】図３Ａは、書き込みアセンブリのベベル磁極端表面と前部シールドとの間に書き込みギャップを含む、書き込みアセンブリを示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、書き込みアセンブリのベベル磁極端表面と前部シールドとの間に書き込みギャップを含む、書き込みアセンブリを示す図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、書き込みアセンブリのベベル磁極端表面と前部シールドとの間に書き込みギャップを含む、書き込みアセンブリを示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、書き込み磁極端の前部ベベル面の頂部エッジと底部エッジとの間に複数の書き込みギャップセグメントを有する、書き込みアセンブリの実施形態を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、書き込み磁極端の前部ベベル面の頂部エッジと底部エッジとの間に複数の書き込みギャップセグメントを有する、書き込みアセンブリの実施形態を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、書き込み磁極端の前部ベベル面の頂部エッジと底部エッジとの間に複数の書き込みギャップセグメントを有する、書き込みアセンブリの実施形態を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、複数の書き込みギャップセグメントを含む書き込みアセンブリを製作するためのプロセスステップの実施形態を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、複数の書き込みギャップセグメントを含む書き込みアセンブリを製作するためのプロセスステップの実施形態を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、複数の書き込みギャップセグメントを含む書き込みアセンブリを製作するためのプロセスステップの実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本出願は、図１で示されるタイプのデータ記憶デバイス１００の磁気記録ヘッドのための書き込みアセンブリに関する。図１で示されるように、データ記憶デバイス１００は、磁気データ記憶媒体またはディスク１０２と、ヘッド１０４とを含む。１つ以上の変換素子（図１では示さず）を含むヘッド１０４は、データ記憶媒体１０２からデータを読み出し、および／またはデータをそこに書き込むために、データ記憶媒体１０２の上側に位置付けられる。示される実施形態において、データ記憶媒体１０２は、１つまたは複数の磁気記憶層を含む、回転ディスクまたは他の磁気記憶媒体である。読み出しおよび書き込み動作について、スピンドルモータ１０６（概略的に図示する）は、矢印１０７で示されるように媒体１０２を回転させ、アクチュエータ機構１１０は、回転媒体１０２上のデータトラックに対してヘッド１０４を位置付ける。スピンドルモータ１０６およびアクチュエータ機構１１０はどちらも、駆動回路１１２（概略的に示す）に接続され、それを通して動作する。ヘッド１０４は、サスペンションアセンブリを通してアクチュエータ機構１１０に連結され、該サスペンションアセンブリは、例えばスエージ接続を通して、機構１１０のアクチュエータアーム１２２に接続される、ロードビーム１２０を含む。
【０００８】
ヘッド１０４の１つ以上の変換素子は、データを符合化および／または復号化するために、可撓性回路１３４を通してヘッド回路１３２に連結される。図１は、アクチュエータ機構１１０に連結された単一のロードビームを示すが、ディスクスタックの複数のディスクからデータを読み出す、またはそこにデータを書き込むために、追加的なロードビーム１２０およびヘッド１０４をアクチュエータ機構１１０に連結することができる。アクチュエータ機構１１０は、軸１２６の周りに回転させるために、ベアリング１２４を通してフレームまたはデッキ（図示せず）に回転可能に連結される。アクチュエータ機構１１０の回転は、矢印１３０で示されるように、クロストラック方向にヘッド１０４を移動させる。
【０００９】
図２は、媒体１０２の上側のヘッド１０４の詳細図である。ヘッド１０４上の１つ以上の変換素子は、ヘッド１０４の変換器部分１４２を形成するために、スライダ１４０上に製作される。示される変換器部分１４２は、ヘッドの書き込みアセンブリ１４４を形成するために、Ａｌ２Ｏ３アルミナ構造にカプセル化される書き込み素子を含む。示されるように、ヘッド１０４は、媒体１０２に対面するヘッドまたはスライダの底面１５０に沿って、空気ベアリング面１４６を含む。ヘッド１０４は、媒体１０２から離れて対面するヘッドまたはスライダ１４０の上面１５２に連結されるジンバルばね１５１を通して、ロードビーム１２０に連結される。媒体１０２は、１つ以上の磁気記録層を含むビットパターン化した媒体または他の磁気記憶媒体とすることができる。
【００１０】
動作中に、媒体またはディスク１０４の回転は、リーディングエッジ１５４からスライダ１４０またはヘッドのトレーリングエッジ１５６まで、スライダ１４０の空気ベアリング面１４６に沿って、図１で示される方向１０７に気流を生じさせる。空気ベアリング面１４６に沿った気流は、読み出しおよび／または書き込み動作に対して媒体１０２の上側でヘッド１０４およびスライダ１４０を支持する、圧力プロファイルを生じさせる。示されるように、変換器部分１４２は、スライダ１４０のトレーリングエッジ１５６に沿って形成される。
【００１１】
図３Ａは、磁気記録ヘッド１０４のための書き込みアセンブリ１４４の実施形態の詳細な断面図である。示されるように、アセンブリ１４４は、頂部バイアス１６６を通して主磁極１６０に接続される磁極端１６２およびリターン磁極１６４を有する、主磁極１６０を含む。矢印１７０で示される磁束経路は、電流をコイル１７２に供給することによって、主磁極１６０を通して磁極端１６２に誘導される。磁束経路の方向は、コイル１７２に供給される電流の方向を介して制御される。コイル１７２は、主磁極１６０とリターン磁極１６４との間の非磁性層または絶縁部分１７４に組み込まれる。誘導された磁気経路は、磁気記憶媒体１０２の１つ以上の磁気記録層１８０に磁界または極性を誘導するために、媒体１０４に近接する磁界を提供する。図示される実施形態において、媒体は、主磁極１６０とリターン磁極１６４との間に閉磁束経路を形成して、データビットが上方向／下方向で媒体に記録される垂直記録パターンを実現するために、１つ以上の軟磁性下地層（ＳＵＬ）１８２を含む。磁気記録層１８０（複数可）およびＳＵＬ（複数可）１８２は、基材１８４上に形成される。１つ以上の保護層または被覆層（図示せず）を、当技術分野で知られているように、記録層（複数可）１８０または他の層の上に蒸着することができる。
【００１２】
図３Ｂ〜３Ｃは、主磁極１６０および磁極端１６２の詳細図である。図３Ｂで示されるように、磁極１６０の幅は、磁極端１６２に向かってクロストラック方向に狭くなる。磁極端は、媒体に対面する空気ベアリング面１８６と、媒体１０２の記録トラックに沿ってテーパー付き磁極端寸法を提供するためにある角度で前部表面１８９と交差する、ベベル前面１８８とを含む。図３Ａおよび３Ｃで示されるように、書き込みアセンブリ１４４はまた、主磁極１６０から前方へ磁性材料で形成され、リターン磁極１６４に磁気的に連結される、前部シールド１９０も含む。前部シールド１９０は、図３Ａおよび３Ｃで示されるように書き込みギャップ１９２を形成するために、磁極端１６２から離間される。示されるように、書き込みギャップ１９２は、磁極端のベベル面１８８と磁極端１６２から離間される前部シールド１９０の後面１９４との間に延在する。
【００１３】
図３Ｃで図示されるように、磁極端１６２の空気ベアリング面（ＡＢＳ）１８６は、磁極端のリーディングエッジ１９６から磁極端のトレーリングエッジ１９８まで延在する。ＡＢＳ１８６のリーディングエッジ１９６は、クロストラック方向に、磁極端のＡＢＳ１８６のトレーリングエッジ１９８の幅よりも狭い幅を有する。リーディングエッジ１９６での狭い幅は、略台形の空気ベアリング磁極端表面１８６を形成する。台形状は、媒体１０２上のトラックに対する磁極端のスキュー角により、隣接トラック干渉を低減させる。示されるように、前部シールド１９０は、図３Ａで示されるように書き込みギャップ１９２を形成するために、ＡＢＳ１８６のトレーリングエッジ１９８から離間される。書き込みギャップ１９２は、前部シールド１９０から磁極端１６２を分離する、磁気絶縁材料で形成される。磁極端１６２と前部シールド１９０との間のより小さい書き込みギャップ１９２は、より高いデータ記憶密度を提供するために、所与のフィールド強度に対してより高いフィールド勾配を生み出す傾向がある。しかしながら、フィールド勾配を増加させるために書き込みギャップ１９２の幅を低減させる取り組みは、書き込みフィールドの損失のため、性能を損なう可能性がある。
【００１４】
図４Ａ〜４Ｃは、磁極端１６２のベベル面１８８に沿って複数の書き込みギャップセグメントを提供する、書き込みギャップ構造を開示する。例示される実施形態において、複数の書き込みギャップセグメントは、フィールド勾配を高めるために、より小さい書き込みギャップ幅または空気ベアリング面１８６に近接する書き込みギャップ幅を提供し、また、漏れ磁束を制限するために、より大きい書き込みギャップ幅または空気ベアリング面１８６の背後の書き込みギャップ幅を提供する。図４Ａで示される実施形態において、複数のギャップセグメントは、ベベル磁極端表面１８８の底部ベベルエッジ２００と頂部ベベルエッジ２０２との間に形成される。複数の書き込みギャップセグメントは、ベベル磁極端表面１８８と前部シールド１９０の下部後面２０５との間に形成される、近位書き込みギャップセグメント２０４と、ベベル磁極端表面１８８と前部シールド１９０の上部後面２０９との間に形成される、遠位書き込みギャップセグメント２０６とを含む。示される実施形態において、下部後面２０５および上部後面２０９は、ステップ面２１０を通して接続される。
【００１５】
ベベル磁極端表面１８８と上部後面２０９との間により大きいギャップ幅を提供するために、下部後面２０５は、後部エッジ２１１でステップ面２１０に交差し、上部後面２０９は、ベベル磁極端表面１８８から離れる方向で、後部エッジ２１１から前方にステップ面２１０と交差する。示されるように、下部後面２０５は、ベベル磁極端表面１８８と下部後面２０５との間に一定のまたは共形のギャップ幅を提供するために、傾斜が付けられる。図示される実施形態において、上部後面２０９はまた、ベベル面１８８の角度とも共形であるが、説明されるように、遠位書き込みギャップセグメント２０６のより大きい書き込みギャップ幅を提供するために、下部後面２０５から前方に離間される。
【００１６】
近位書き込みギャップセグメント２０４に沿った狭い共形のギャップ幅は、高密度記録のための書き込みフィールド勾配を高めるために、ＡＢＳで狭い書き込みギャップを提供する一方で、遠位書き込みギャップセグメント２０６に沿ったより大きい書き込みギャップ幅は、漏れ磁束を低減させて書き込みフィールド強度の低減を制限するために、ベベル磁極端１８８とシールド１９０との間の間隔を増加させる。示されるように、ステップ２１０は、近位書き込みギャップセグメント２０４と遠位書き込みギャップセグメント２０６との間の遷移を画定するために、ベベル磁極端表面１８８の底部エッジ２００と頂部エッジ２０２との間に位置する。図示される実施形態において、ステップ２１０は、頂部ベベルエッジ２０２のより近くに位置し、よって、より幅の広い遠位ギャップセグメント２０６は、ベベル磁極端表面１８８の頂部エッジ２０２に近接するシールドへの漏れ磁束を制限しながら、高い書き込みフィールド勾配を維持するために、空気ベアリング面から十分に離間される。示される、図示される実施形態において、垂直後面２１２は、シールド１９０の底面または空気ベアリング面から離間されるシールド１９０の頂面２１４に、上部後面２０９を接続する。複数の書き込みギャップセグメントの適用は、垂直面部分２１２を含む後面、または示される特定の構造に限定されないことを理解されたい。
【００１７】
図４Ｂで示される別の実施形態において、書き込みギャップ１９２は、上で説明されるように、空気ベアリング面に近接する近位書き込みギャップセグメント２０４と、空気ベアリング面から離間される遠位ギャップセグメント２０６とを含む。示されるように、シールド１９０の後面は、前部ベベル磁極端表面１８８の底部エッジ２００と頂部エッジ２０２との間に、下部後面２０５と、上部後面２０９とを含む。図４Ａで示される実施形態に類似して、近位書き込みギャップセグメント２０４は、ベベル磁極端表面と前部シールド１９０の下部後面２０５との間に形成され、遠位書き込みギャップセグメント２０６は、ベベル磁極端表面１８８と前部シールド１９０の上部後面２０９との間に形成される。
【００１８】
示されるように、後面ステップ２１０は、上で説明されるように、遠位書き込みギャップセグメント２０６に沿った書き込みギャップ幅よりも小さい、近位書き込みギャップセグメント２０４に沿った狭いギャップを提供するために、下部後面２０５を上部後面２０９に接続する。示されるように、下部後面２０５は、ベベル磁極端表面１８８と前部シールド１９０の下部後面２０５との間に一定または共形のギャップ幅を提供するために、傾斜が付けられる。上部後面２０９は、遠位書き込みギャップセグメント２０６に沿ってより大きいギャップ幅を提供するために、ステップ２１０を介して下部後面２０５から離間され、非共形の角度でベベル面１８８から離れて傾斜が付けられる。示される、例示される実施形態において、垂直後面２１２は、シールド１９０の上部後面２０９および頂面２１４を接続する。したがって、説明されるように、上部後面２０５および下部後面２０９は、異なる角度で傾斜して、空気ベアリング面に狭い共形の書き込みギャップを形成し、また、空気ベアリング面の背後に拡大した書き込みギャップを形成する。
【００１９】
図４Ｃは、以前に図４Ａ〜４Ｂで示される複数の近位ギャップセグメント２０４および遠位ギャップセグメント２０６を含む、書き込みアセンブリ１４４の別の実施形態を示す。図４Ｃで示される実施形態において、前部シールド１９０の下部後面２０５および上部後面２０９は、後部エッジ２１１で直接接続される。下部後面２０５および上部後面２０９は、近位書き込みギャップ幅および近位書き込みギャップ幅よりも大きい寸法を有する遠位書き込みギャップ幅を形成するために、異なる傾斜角で傾斜される。下部後面２０５および上部後面２０９を接続する後部エッジ２１１は、底部ベベルエッジ２００よりも上側に、かつ磁極端１６２の頂部ベベルエッジ２０２よりも下側に位置する。示されるように、下部後面２０５は、ベベル磁極端表面１８８と前部シールド１９０の下部後面２０５との間で空気ベアリング面１８６に近接する共形の書き込みギャップを提供するために、ベベル前部磁極端表面１８８に対して共形の角度で延在する。上部後面２０９は、後部エッジ２１１より上側で空気ベアリング面から離れる方向に増加する遠位書き込みギャップ幅を提供して、ベベル磁極端表面１８８の頂部エッジに近接する空気ベアリング面の背後により大きい書き込みギャップを提供するために、非共形の角度で延在する。
【００２０】
図５Ａは、図４Ａで開示される書き込みギャップの実施形態を製作するためのプロセスステップを示す。ステップ３００で示されるように、絶縁構造は、書き込み磁極１６２の前面およびベベル面１８８に形成される。絶縁構造は、第１の非磁性層３０２を蒸着することによって形成される。示される実施形態において、非磁性層３０２は、ベベル磁極端表面１８８に沿って共形の幅を形成するように、ベベル面１８８に沿ってエッチングされる。ステップ３０４で、第２の非磁性層３０６が第１の非磁性層３０２上に蒸着される。第１の非磁性層３０２および第２の非磁性層３０６は、同じ材料または異なる材料とすることができる。層３０２、３０６のための実例となる第１および第２の非磁性材料としては、Ａｌ２Ｏ３アルミナ、Ｒｕ、ＮｉＣｒ、ＮｉＲｕ、Ｃｒ、ＳｉＯ２、またはアモルファス炭素Ａ−Ｃが挙げられる。第１の非磁性層３０２および第２の非磁性層３０６は、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）、原子層堆積（ＡＬＤ）電子ビーム蒸着、イオンビースパッタリング、および当技術分野で知られている他の蒸着方法を使用して蒸着することができる。例示される１つの実施形態において、第１の非磁性層３０２は、Ａｌ２Ｏ３であり、第２の非磁性層３０６は、アモルファス炭素ａ−Ｃである。
【００２１】
ステップ３１０で、マスク３１２が頂部ベベルエッジ２０２に近接する第２の非磁性層３０６の頂部分に塗布される。ステップ３１４で示されるように、非マスク領域において第１の非磁性層３０２から第２の非磁性層３０６を除去するために、第２の非磁性層３０６が非マスク領域においてエッチングまたはミリングされる。ステップ３１６で示されるように、シード層３２０は、前部シールド１９０にメッキするために、エッチングまたはミリングした部分の第２の非磁性層３０６および第１の非磁性層３０２に塗布される。ステップ３２２で示されるように、前部シールドは、下部後面２０５および上部後面２０９、ならびに前部シールド１９０の頂面２１４を形成するために、シード層３２０上にメッキされる。示されるように、シールドの頂面２１４は、第２の非磁性層３０６の頂部と整列する。したがって、示されるように、第１の非磁性層は、近位ギャップセグメント２０４のギャップ幅を形成し、第１の非磁性層３０２および第２非磁性層３０６は、遠位書き込みギャップセグメント２０６のギャップ幅を形成する。
【００２２】
図５Ｂは、図４Ｂで示される書き込みギャップ構造の別の実施形態を製作するためのプロセスステップを示し、以前の実施形態における同じステップを識別するために同じ参照番号が使用される。図５Ｂで示されるように、ステップ３００で、第１の非磁性層３０２が書き込み磁極の前面およびベベル面上に形成され、ステップ３０４で、第２の非磁性層３０６が第１の非磁性層３０２上に蒸着される。ステップ３１０で、マスク３１２が第２の非磁性層３０６上の一部分に塗布され、そしてステップ３１４で示されるように、第１の非磁性層３０２から第２の非磁性層３０６を除去するために、第２の非磁性層３０６が非マスク領域においてエッチングまたはミリングされる。その後に、ベベル面の傾斜角とは異なる傾斜角を形成して、空気ベアリング面１８６の背後の遠位書き込みギャップセグメント２０６に沿って増加するギャップ幅を提供するために、第２の非磁性層３０６の一部分がエッチングまたはミリングされる。ステップ３１４、３１６で示されるように、前部シールド１９０は、上で説明され、図４Ｂで示されるように、シード層３２０上に製作またはメッキされて、下部後面２０５および上部後面２０９、ならびに共形および非共形の近位書き込みギャップセグメント２０４および遠位書き込みギャップセグメント２０６を形成する。
【００２３】
図５Ｃは、図４Ｃで図示される書き込みギャップ構造の別の実施形態を製作するためのプロセスステップを示し、以前の図５Ａ〜５Ｂにおける同じステップを識別するために同じ参照番号が使用される。絶縁構造は、ステップ３００、３０４で示されるように、第１の非磁性層３０２および第２の非磁性層３０６を蒸着することによって形成される。ステップ３１０、３１４で、上で説明されるように、第２の非磁性層３０６の底部分が除去されて、近位ギャップセグメント２０４を形成する。ステップ３３２で、ベベル面１８８に対して異なる傾斜角または非共形の傾斜角を有する傾斜面を形成して、遠位書き込みギャップセグメント２０６のより大きい書き込みギャップを提供するために、第２の非磁性層３０６がエッチングまたはミリングされる。その後に、ステップ３１６、３２２で、上で説明されるように、前部シールドの下部後面２０５および上部後面２０９を形成するために、前部シールド１９０がシード層３２０ならびに第１の非磁性層３０２および第２の非磁性層３０６上にメッキされる。
【００２４】
図５Ａ〜５Ｃは、本出願で説明される複数のセグメント書き込みギャップを製作するためのプロセスステップを示すが、本出願は、説明される特定のプロセスステップまたは順序に限定されない。本発明の種々の実施形態の多数の特徴および利点を、本発明の種々の実施形態の構造および機能の詳細とともに、上の説明に記載したが、この開示は、例示的なものに過ぎず、本発明の原理の範囲内で、添付の特許請求の範囲を表す用語の広義の一般的な意味によって示される最大限の範囲まで、詳細において、特に、部品の構造および配設について、変更が行われ得ることを理解されたい。例えば、特定の要素は、特定の応用に応じて変動し得る一方で、本発明の範囲および趣旨を実質的に逸脱することなく、同じ機能を維持し得る。加えて、本明細書で説明される実施形態は、単一のリターン磁極を含む特定の書き込みアセンブリのための書き込みギャップ構造を対象とするが、本出願は、示される特定の実施形態または書き込みアセンブリに限定されない。
【図１】
0006012668.tif 000002
【図２】
0006012668.tif 000003
【図３Ａ】
0006012668.tif 000004
【図３Ｂ】
0006012668.tif 000005
【図３Ｃ】
0006012668.tif 000006
【図４Ａ】
0006012668.tif 000007
【図４Ｂ】
0006012668.tif 000008
【図４Ｃ】
0006012668.tif 000009
【図５Ａ】
0006012668.tif 000010
【図５Ｂ】
0006012668.tif 000011
【図５Ｃ】
0006012668.tif 000012