(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布液を塗布する方法であって、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成する溶剤液膜形成工程と、
基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有し、
前記溶剤の供給は、前記溶剤液膜形成工程または前記塗布液拡散工程で前記塗布液が前記溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われ、
前記溶剤液膜形成工程では、前記基板を０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に位置させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給して、前記溶剤の液膜を環状に形成し、
前記塗布液拡散工程開始前に、平面視における溶剤供給ノズルと基板中心との間の位置に乾燥ガスを吹き付けて、前記溶剤の液膜と前記塗布液との間に隙間を確保することを特徴とする、塗布処理方法。
【請求項２】
基板上に塗布液を塗布する方法であって、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成する溶剤液膜形成工程と、
基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有し、
前記溶剤の供給は、前記溶剤液膜形成工程または前記塗布液拡散工程で前記塗布液が前記溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われ、
前記溶剤液膜形成工程では、前記基板を静止又は０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に沿って移動させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給して、前記溶剤の液膜を環状に形成し、
前記塗布液拡散工程開始前に、平面視における溶剤供給ノズルと基板中心との間の位置に乾燥ガスを吹き付けて、前記溶剤の液膜と前記塗布液との間に隙間を確保することを特徴とする、塗布処理方法。
【請求項３】
前記溶剤供給ノズルは複数設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の塗布処理方法。
【請求項４】
基板上に塗布液を塗布する方法であって、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成する溶剤液膜形成工程と、
基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有し、
前記溶剤の供給は、前記溶剤液膜形成工程または前記塗布液拡散工程で前記塗布液が前記溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われ、
前記溶剤液膜形成工程では、
基板の中心部に前記溶剤を供給して当該溶剤の液溜りを形成し、
次いで、基板を回転させて前記溶剤を基板上に拡散させ、基板の全面に前記溶剤の液膜を形成し、
次いで、基板の中心部に乾燥ガスを吹き付けて、基板の中心部から前記溶剤の液膜を除去することで、前記溶剤の液膜を環状に形成することを特徴とする、塗布処理方法。
【請求項５】
基板上に塗布液を塗布する方法であって、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成する溶剤液膜形成工程と、
基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、
前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有し、
前記溶剤の供給は、前記溶剤液膜形成工程または前記塗布液拡散工程で前記塗布液が前記溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われ、
前記溶剤液膜形成工程の前に、
前記基板を０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に位置させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給し、その後前記基板の回転速度を第１の回転速度よりも加速させて前記溶剤を前記基板の外周部に拡散させるプリウェット工程を行うことを特徴とする、塗布処理方法。
【請求項６】
前記プリウェット工程において、前記溶剤を前記基板の外周部に拡散させる間は前記溶剤供給ノズルからの溶剤の供給を停止することを特徴とする、請求項５に記載の塗布処理方法。
【請求項７】
前記溶剤液膜形成工程では、基板の中心から半径方向に３０ｍｍ〜１００ｍｍ離れた位置で、前記溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することを特徴とする、請求項１、２、３、５、６のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項８】
前記溶剤の供給は、前記塗布液の外周端部と、前記環状の溶剤の液膜の内周端部との距離が、５ｍｍ〜６０ｍｍとなるまで継続して行われることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の塗布処理方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるように、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【請求項１０】
基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、
基板を保持して回転させる基板保持部と、
基板上に前記塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給する溶剤供給ノズルと、
前記塗布液供給ノズルを移動させる第１の移動機構と、
前記溶剤供給ノズルを移動させる第２の移動機構と、
基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成し、基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給し、前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させるべく、前記基板保持部、前記塗布液供給ノズル、前記溶剤供給ノズル、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御するように構成された制御部と、
前記溶剤供給ノズルが取り付けられ、前記基板上で前記基板の中心を通る鉛直軸を回転軸として回転自在に構成された支持部と、
前記支持部を回転させる回転駆動機構と、を有し、
前記回転駆動機構により前記支持部を回転させつつ前記溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することで、前記基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成することを特徴とする、塗布処理装置。
【請求項１１】
基板上に乾燥ガスを吹き付ける乾燥ガスノズルと、
前記乾燥ガスノズルを移動させる第３の移動機構と、を有することを特徴とする、請求項１０に記載の塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布液を塗布する塗布処理方法、コンピュータ記憶媒体及び塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所定の塗布液を塗布して反射防止膜やレジスト膜といった塗布膜を形成する塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。
【０００３】
上述した塗布処理においては、回転中のウェハの中心部にノズルから塗布液を供給し、遠心力によりウェハ上で塗布液を拡散することよってウェハ上に塗布膜を形成する、いわゆるスピン塗布法が多く用いられている。このような塗布処理においては、塗布膜の面内均一性と塗布液の使用量削減のために、塗布液を供給する前にウェハ上にシンナー等の溶剤を塗布してウェハの濡れ性を改善させる、いわゆるプリウェット処理が行われる。プリウェット処理における溶剤の塗布も、ウェハの中心部に溶剤を供給してウェハを回転させ、ウェハ上に溶剤を拡散させることにより行われる。
【０００４】
しかしながら、ウェハの中心部に溶剤を供給する手法では、ウェハの中央部と外周部で濡れ性の改善の度合いが異なりやすく、その結果、塗布膜の面内均一性を所望の範囲内とすることが困難であった。そこで、プリウェット処理においてウェハを低速で回転させながら当該ウェハの中心部と外周部との間の位置に溶剤を供給して、ウェハ上に環状に溶剤を拡散させ、その後に塗布液をウェハの中心部から供給する方法が提案されている（特許文献１）。かかる方法によれば、ウェハの中心部と外周部において塗布液のウェハに対する濡れ性を均一なものとすることができ、ウェハ上に面内均一な塗布膜を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１３６０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体デバイスの製造プロセスにおいてウェハ上に塗布膜を形成する段階では、ほとんどの場合、ウェハ上には予め下地膜が形成されている。そのため、プリウェット処理に用いる溶剤の下地膜に対する濡れ性（下地膜と溶剤との接触角）は、下地膜の種類により異なったものとなる。そして、溶剤の下地膜に対する濡れ性が悪い場合（下地膜と溶剤との接触角が大きい場合）は、ウェハの中心部と外周部との間の位置に溶剤を供給しても、溶剤をウェハ上で環状に維持することが困難となる。
【０００７】
具体的には、図２０に示すように、ウェハＷの外周部に供給した溶剤Ｑが、表面張力によりウェハＷの中心部に向かって移動したり、遠心力によりウェハＷの中心部寄りの溶剤がウェハＷの外周方向に向かって移動したりして偏ってしまう。そうすると、ウェハＷ上の溶剤の偏りに応じ、特にウェハＷの外周部で塗布膜の膜厚分布が偏るという問題が生じる。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、基板上に塗布液を塗布する方法であって、基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成する溶剤液膜形成工程と、基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給する塗布液供給工程と、前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させる塗布液拡散工程と、を有し、前記溶剤の供給は、前記溶剤液膜形成工程または前記塗布液拡散工程で前記塗布液が前記溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われ、前記溶剤液膜形成工程では、前記基板を０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に位置させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給して、前記溶剤の液膜を環状に形成し、
前記塗布液拡散工程開始前に、平面視における溶剤供給ノズルと基板中心との間の位置に乾燥ガスを吹き付けて、前記溶剤の液膜と前記塗布液との間に隙間を確保することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、基板の外周部に塗布液の溶剤の液膜を環状に形成すると共に、基板を第１の回転速度で回転させながら塗布液を基板の中心部に供給し、次いで、基板を第２の回転速度で回転させて塗布液を基板上に拡散させる。そして、溶剤の供給を、塗布液が溶剤の液膜に接触する前まで継続して行う、換言すれば、塗布液が溶剤に接触する前に溶剤の供給を停止する。これにより、塗布液が溶剤に接触する直前まで、当該溶剤の液膜の形状を良好な円環状に維持しておくことができる。その結果、基板上の溶剤の偏りを抑え、基板面内に均一に塗布液を拡散させ、面内均一な塗布膜を形成することができる。
【００１２】
前記溶剤液膜形成工程では、前記基板を静止又は０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に沿って移動させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給して、前記溶剤の液膜を環状に形成してもよい。
【００１３】
前記溶剤供給ノズルは複数設けられていてもよい。
【００１４】
前記溶剤液膜形成工程では、基板の中心部に前記溶剤を供給して当該溶剤の液溜りを形成し、次いで、基板を回転させて前記溶剤を基板上に拡散させ、基板の全面に前記溶剤の液膜を形成し、次いで、基板の中心部に乾燥ガスを吹き付けて、基板の中心部から前記溶剤の液膜を除去することで、前記溶剤の液膜を環状に形成してもよい。
また前記溶剤液膜形成工程の前に、前記基板を０ｒｐｍ超で第１の回転速度以下の回転速度で回転させた状態で、前記溶剤を供給する溶剤供給ノズルを基板の外周部に位置させつつ当該溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給し、その後前記基板の回転速度を第１の回転速度よりも加速させて前記溶剤を前記基板の外周部に拡散させるプリウェット工程を行ってもよい。かかる場合、前記プリウェット工程において、前記溶剤を前記基板の外周部に拡散させる間は前記溶剤供給ノズルからの溶剤の供給を停止してもよい。
【００１５】
前記溶剤液膜形成工程では、基板の中心から半径方向に３０ｍｍ〜１００ｍｍ離れた位置で、前記溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給してもよい。
【００１６】
前記溶剤の供給は、前記塗布液の外周端部と、前記環状の溶剤の液膜の内周端部との距離が、５ｍｍ〜６０ｍｍとなるまで継続して行われてもよい。
【００２０】
別な観点による本発明によれば、前記塗布処理方法を塗布処理装置によって実行させるように、当該塗布処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【００２１】
さらに、別な観点による本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布処理装置であって、基板を保持して回転させる基板保持部と、基板上に前記塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、基板上に前記塗布液の溶剤を供給する溶剤供給ノズルと、前記塗布液供給ノズルを移動させる第１の移動機構と、前記溶剤供給ノズルを移動させる第２の移動機構と、基板上に前記塗布液の溶剤を供給して、当該基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成し、基板を第１の回転速度で回転させながら、前記塗布液を基板の中心部に供給し、前記基板を前記第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて前記塗布液を基板上に拡散させるべく、前記基板保持部、前記塗布液供給ノズル、前記溶剤供給ノズル、前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構を制御するように構成された制御部と、前記溶剤供給ノズルが取り付けられ、前記基板上で前記基板の中心を通る鉛直軸を回転軸として回転自在に構成された支持部と、前記支持部を回転させる回転駆動機構と、を有し、前記回転駆動機構により前記支持部を回転させつつ前記溶剤供給ノズルから前記溶剤を供給することで、前記基板の外周部に前記溶剤の液膜を環状に形成することを有することを特徴としている。
【００２２】
基板上に乾燥ガスを吹き付ける乾燥ガスノズルと、前記乾燥ガスノズルを移動させる第３の移動機構と、を有していてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す正面図である。
【図３】本実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す背面図である。
【図４】レジスト処理装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図５】レジスト処理装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】ウェハ処理の主な工程を説明したフローチャートである。
【図７】レジスト塗布処理におけるウェハの回転速度と各機器の動作を示すタイムチャートである。
【図８】ウェハの外周部に溶剤の液膜を環状に形成した状態を示す斜視図である。
【図９】ウェハの外周部に溶剤の液膜を環状に形成した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１０】ウェハの中心部にレジスト液を供給した状態を示す斜視図である。
【図１１】ウェハ上で溶剤とレジスト液が接触した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１２】ウェハ上で溶剤とレジスト液が接触する前に、溶剤の供給を停止した状態を示す縦断面の説明図である。
【図１３】レジスト液と溶剤との間に乾燥ガスを吹き付けた状態を示す説明図である。
【図１４】他の実施の形態のレジスト塗布処理におけるウェハの回転速度と各機器の動作を示すタイムチャートである。
【図１５】他の実施の形態にかかる溶剤供給ノズルを用いてウェハ上に溶剤を供給する様子を示す斜視図である。
【図１６】ウェハの中心に溶剤を供給する様子を示す斜視図である。
【図１７】ウェハの中心に乾燥ガスを吹き付けて、円環状の溶剤の液膜を形成する様子を示す斜視図である。
【図１８】他の実施の形態のレジスト塗布処理におけるウェハの回転速度と各機器の動作を示すタイムチャートである。
【図１９】実施例にかかるレジスト塗布処理におけるウェハの回転速度と各機器の動作を示すタイムチャートである。
【図２０】ウェハに対する濡れ性の悪い溶剤をウェハの外周部に供給した場合の溶剤の形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる塗布処理方法を実施する塗布処理装置を備えた基板処理システム１の構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々基板処理システム１の内部構成の概略を模式的に示す、正面図と背面図である。なお、本実施の形態では、塗布液がレジスト液であり、塗布処理装置が基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置である場合を例にして説明する。
【００２７】
基板処理システム１は、図１に示すように複数枚のウェハＷを収容したカセットＣが搬入出されるカセットステーション１０と、ウェハＷに所定の処理を施す複数の各種処理装置を備えた処理ステーション１１と、処理ステーション１１に隣接する露光装置１２との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション１３とを一体に接続した構成を有している。
【００２８】
カセットステーション１０には、カセット載置台２０が設けられている。カセット載置台２０には、基板処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置するカセット載置板２１が複数設けられている。
【００２９】
カセットステーション１０には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２２上を移動自在なウェハ搬送装置２３が設けられている。ウェハ搬送装置２３は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板２１上のカセットＣと、後述する処理ステーション１１の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。
【００３０】
処理ステーション１１には、各種装置を備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。例えば処理ステーション１１の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション１１の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション１１のカセットステーション１０側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション１１のインターフェイスステーション１３側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。
【００３１】
例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理装置、例えばウェハＷを現像処理する現像処理装置３０、ウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成装置３１、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置３２、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成装置３３が下からこの順に配置されている。
【００３２】
例えば現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３は、それぞれ水平方向に３つ並べて配置されている。なお、これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３の数や配置は、任意に選択できる。
【００３３】
これら現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、レジスト塗布装置３２、上部反射防止膜形成装置３３では、例えばウェハＷ上に所定の塗布液を塗布するスピンコーティングが行われる。スピンコーティングでは、例えば塗布ノズルからウェハＷ上に塗布液を吐出すると共に、ウェハＷを回転させて、塗布液をウェハＷの表面に拡散させる。なお、レジスト塗布装置３２の構成については後述する。
【００３４】
例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの加熱や冷却といった熱処理を行う熱処理装置４０や、レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光装置４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。これら熱処理装置４０、アドヒージョン装置４１、周辺露光装置４２の数や配置についても、任意に選択できる。
【００３５】
例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡し装置５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡し装置６０、６１、６２が下から順に設けられている。
【００３６】
図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばＹ方向、Ｘ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有する、ウェハ搬送装置７０が複数配置されている。ウェハ搬送装置７０は、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定の装置にウェハＷを搬送できる。
【００３７】
また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。
【００３８】
シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡し装置５２と第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２との間でウェハＷを搬送できる。
【００３９】
図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側の隣には、ウェハ搬送装置１００が設けられている。ウェハ搬送装置１００は、例えばＸ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１００は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡し装置にウェハＷを搬送できる。
【００４０】
インターフェイスステーション１３には、ウェハ搬送装置１１０と受け渡し装置１１１が設けられている。ウェハ搬送装置１１０は、例えばＹ方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アームを有している。ウェハ搬送装置１１０は、例えば搬送アームにウェハＷを支持して、第４のブロックＧ４内の各受け渡し装置、受け渡し装置１１１及び露光装置１２との間でウェハＷを搬送できる。
【００４１】
次に、上述したレジスト塗布装置３２の構成について説明する。レジスト塗布装置３２は、図４に示すように内部を密閉可能な処理容器１３０を有している。処理容器１３０の側面には、ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。
【００４２】
処理容器１３０内には、ウェハＷを保持して回転させる基板保持部としてのスピンチャック１４０が設けられている。スピンチャック１４０は、例えばモータなどのチャック駆動部１４１により所定の速度に回転できる。また、チャック駆動部１４１には、例えばシリンダなどの昇降駆動機構が設けられており、スピンチャック１４０は昇降自在になっている。
【００４３】
スピンチャック１４０の周囲には、ウェハＷから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ１４２が設けられている。カップ１４２の下面には、回収した液体を排出する排出管１４３と、カップ１４２内の雰囲気を排気する排気管１４４が接続されている。
【００４４】
図５に示すようにカップ１４２のＸ方向負方向（図５の下方向）側には、Ｙ方向（図５の左右方向）に沿って延伸するレール１５０が形成されている。レール１５０は、例えばカップ１４２のＹ方向負方向（図５の左方向）側の外方からＹ方向正方向（図５の右方向）側の外方まで形成されている。レール１５０には、３本のアーム１５１、１５２、１５３が取り付けられている。
【００４５】
第１のアーム１５１には、塗布液としてレジスト液を供給する、塗布液供給ノズルとしてのレジスト液供給ノズル１５４が支持されている。第１のアーム１５１は、第１の移動機構としてのノズル駆動部１５５により、レール１５０上を移動自在である。これにより、レジスト液供給ノズル１５４は、カップ１４２のＹ方向正方向側の外方に設置された待機部１５６からカップ１４２内のウェハＷの中心部上方を通って、カップ１４２のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部１５７まで移動できる。また、ノズル駆動部１５５によって、第１のアーム１５１は昇降自在であり、レジスト液供給ノズル１５４の高さを調節できる。なお、本実施の形態におけるレジスト液としては、例えばＭＵＶレジストＫｒＦレジストなどが用いられる。
【００４６】
第２のアーム１５２には、レジスト液の溶剤を供給する溶剤供給ノズル１５８が支持されている。第２のアーム１５２は、第２の移動機構としてのノズル駆動部１５９によってレール１５０上を移動自在となっている。これにより、溶剤供給ノズル１５８は、カップ１４２のＹ方向正方向側の外側に設けられた待機部１６０から、カップ１４２内のウェハＷの中心部上方まで移動できる。待機部１６０は、待機部１５６のＹ方向正方向側に設けられている。また、ノズル駆動部１５９によって、第２のアーム１５２は昇降自在であり、溶剤供給ノズル１５８の高さを調節できる。なお、本実施の形態におけるレジスト液の溶剤としては、例えばシクロヘキサノンなどが用いられる。
【００４７】
第３のアーム１５３には、ウェハＷに対して乾燥ガスを吹き付ける乾燥ガスノズル１６１が支持されている。第３のアーム１５３は、第３の移動機構としてのノズル駆動部１６２によってレール１５０上を移動自在となっている。これにより、乾燥ガスノズル１６１は、カップ１４２のＹ方向負方向側の外側に設けられた待機部１６３から、カップ１４２内のウェハＷの上方まで移動できる。待機部１６３は、待機部１５７のＹ方向負方向側に設けられている。また、ノズル駆動部１６２によって、第３のアーム１５３は昇降自在であり、乾燥ガスノズル１６１の高さを調節できる。なお、乾燥ガスとしては、例えば窒素ガスや、脱湿装置（図示せず）脱湿した空気などを使用できる。
【００４８】
他の液処理装置である現像処理装置３０、下部反射防止膜形成装置３１、上部反射防止膜形成装置３３の構成は、ノズルの形状、本数や、ノズルから供給される液が異なる点以外は、上述したレジスト塗布装置３２の構成と同様であるので説明を省略する。
【００４９】
以上の基板処理システム１には、図１に示すように制御部２００が設けられている。制御部２００は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、基板処理システム１における後述の基板処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体から制御部２００にインストールされたものであってもよい。
【００５０】
次に、以上のように構成された基板処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。図６は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフローチャートである。また、図７は、レジスト塗布装置３２で行われるレジスト塗布におけるウェハＷの回転速度や各機器の動作を示すタイムチャートである。
【００５１】
先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、基板処理システム１のカセットステーション１０に搬入され、ウェハ搬送装置２３によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次処理ステーション１１の受け渡し装置５３に搬送される。
【００５２】
次にウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され温度調節処理される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成装置３１に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図６の工程Ｓ１）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理され、温度調節される。
【００５３】
次にウェハＷはアドヒージョン装置４１に搬送され、アドヒージョン処理される。その後ウェハＷは、第１のブロックＧ１のレジスト塗布装置３２に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される（図６の工程Ｓ２）。
【００５４】
ここで、レジスト塗布装置３２におけるレジスト塗布処理について詳述する。レジストの塗布処理にあたっては、先ずスピンチャック１４０の上面でウェハＷを吸着保持する。次いで、図８に示すように、溶剤供給ノズル１５８をウェハＷの外周部の上方に移動させる。なお、ウェハＷの外周部とは、例えばウェハＷの直径が３００ｍｍである場合、中心Ｏから概ね３０ｍｍ〜１００ｍｍ半径方向に離れた位置である。
【００５５】
次に、ウェハＷを、例えば０ｒｐｍ超で且つ後述する第１の回転速度以下の回転速度、本実施の形態では第１の回転速度と同一の６０ｒｐｍで回転させながら、溶剤供給ノズル１５８からウェハＷ上に溶剤を供給する（図７の時間ｔ０）。これにより、図８に示すように、ウェハＷの外周部に、溶剤Ｑの液膜が円環状に形成される（溶剤液膜形成工程。図６の工程Ｔ１）。なおこの際、溶剤供給ノズル１５８からの溶剤の供給は、溶剤供給ノズル１５８の先端とウェハＷとの間の高さを１．０ｍｍ〜５．０ｍｍ、本実施の形態では例えば１ｍｍ程度に維持した状態で行われる。レジスト液の溶剤Ｑであるシクロヘキサノンは、アドヒージョン処理後のウェハＷに対する接触角が大きい。そのため、溶剤供給ノズル１５８をウェハＷ上面から離して溶剤Ｑを供給すると、液撥ね等により溶剤Ｑの液膜の形状が乱れる場合がある。そこで、例えば図９に示すように、溶剤供給ノズル１５８をウェハＷ上面から１ｍｍ程度に近接させて溶剤Ｑを供給することにより、溶剤Ｑの表面張力により液撥ねを防止することができる。その結果、溶剤Ｑの液膜の形状を精密に調整することができる。なお、本実施の形態における溶剤供給ノズル１５８の先端部分は、図９に示すように、ウェハＷの中心部側からウェハＷの外周端部側に向かって上方に傾斜する傾斜面１５８ａを有している。これにより、溶剤供給ノズル１５８から供給された溶剤ＱにウェハＷの外周部へ向かう流れ付与して、溶剤Ｑをより精密な円環状とすることができる。
【００５６】
次に、溶剤供給ノズル１５８からの溶剤Ｑの供給を継続したまま、図１０に示すように、ウェハＷの中心部上方にレジスト液供給ノズル１５４を移動させ、当該レジスト液供給ノズル１５４からウェハＷ上にレジスト液Ｒを供給する（塗布液供給工程。図７の時間ｔ１）。これにより、ウェハＷの中央にレジスト液Ｒの液溜りを形成する（図６の工程Ｔ２）。この際、ウェハＷの回転速度は第１の回転速度であり、本実施の形態では、上述の通り６０ｒｐｍである。
【００５７】
そして、レジスト液供給ノズル１５４からのレジスト液Ｒの供給及び溶剤供給ノズル１５８からの溶剤Ｑの供給を継続し、レジスト液Ｒの供給量が例えば２ｃｃに達した時点で、ウェハＷの回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に加速させる（図７の時間ｔ２）。第２の回転速度としては、１５００ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍが好ましく、本実施の形態では例えば３３００ｒｐｍである。また、この際のウェハＷの加速度は、約４０００ｒｐｍ／秒である。第２の回転速度に到達したウェハＷの回転速度は、所定の時間、本実施の形態では例えば約３秒、第２の回転速度に維持される（図７の時間ｔ４〜ｔ５）。このように、ウェハＷを第２の回転速度に加速させることで、ウェハＷの中心部に供給されたレジスト液ＲをウェハＷの外周部に向けて拡散させる（塗布液拡散工程。図６の工程Ｔ３）。
【００５８】
なお、レジスト液Ｒが拡散する際に溶剤供給ノズル１５８から溶剤Ｑの供給を継続していると、図１１に示すように、ウェハＷの外周方向へ向けて拡散するレジスト液Ｒと溶剤Ｑが混合してレジスト液Ｒが希釈されてしまう。そうすると、希釈された希釈レジスト液Ｍの大部分は、ウェハＷ上に定着することなくウェハＷの外周部から振り切られてしまうため、レジスト液Ｒが無駄になってしまう。
【００５９】
そこで、本実施の形態では、レジスト液Ｒが溶剤Ｑの液膜と接触する前に、溶剤供給ノズル１５８からの溶剤Ｑの供給を停止する。つまり、図１２に示すように、レジスト液Ｒの外周端部ＲＥと、環状の溶剤Ｑの内周端部ＱＥとが接触する前に、溶剤供給ノズル１５８からの溶剤Ｑの供給を停止させる。より具体的には、レジスト液Ｒの外周端部ＲＥと、環状の溶剤Ｑの内周端部ＱＥとの間の距離Ｌが、概ね５〜６０ｍｍの範囲内となるまで、溶剤供給ノズル１５８からの溶剤Ｑの供給を継続させる。このように、レジスト液Ｒが溶剤Ｑに接触する直前まで溶剤Ｑの供給を継続することで、溶剤Ｑの液膜の形状を乱れの少ない環状に維持することができる。そのため、ウェハＷを第２の回転速度で回転させたときに、ウェハＷの面内に均一にレジスト液Ｒを拡散させて、面内均一なレジスト膜を形成することができる。
【００６０】
つまり、レジスト液Ｒなどの液体は、流れやすい箇所に積極的に流れていくため、例えば溶剤Ｑの液膜の形状が、図２０に示すように乱れた環状の状態になっていると、ウェハＷの中心部からレジスト液ＲをウェハＷの外周方向へ拡散させたときに、溶剤Ｑの多い箇所にはレジスト液Ｒが積極的に流れ、溶剤Ｑの少ない箇所にはレジスト液Ｒが流れにくくなる。また、溶剤Ｑが図２０のような状態にあると、溶剤Ｑの内周端部ＱＥとレジスト液Ｒの外周端部ＲＥとの距離Ｌにばらつきが生じるため、レジスト液Ｒが溶剤Ｑに接触するまでの時間が、部位により異なったものとなる。そうすると、例えばレジスト液Ｒが溶剤Ｑの液膜に接触した箇所に優先的にレジスト液Ｒが流れ込んでしまう。その結果、形成されたレジスト膜の膜厚に偏りが生じてしまう。
【００６１】
これに対して本実施の形態では、レジスト液Ｒが溶剤Ｑに接触する直前まで溶剤Ｑの供給を継続して、溶剤Ｑの液膜の形状を乱れの少ない環状に維持することで、ウェハＷ面内で溶剤Ｑの液膜とレジスト液Ｒを均一に接触させることができる。その結果、ウェハＷの面内に均一にレジスト液Ｒを拡散させて、面内均一なレジスト膜を形成することができる。なお、図７では、ウェハＷを第２の回転速度に向けて加速させた直後の時間ｔ３において溶剤Ｑの供給を停止しているが、レジスト液Ｒが溶剤Ｑの液膜と接触するタイミングは、ウェハＷの回転速度、レジスト液Ｒの供給量や粘度といった種々の要因により変化するものであり、本実施の形態の内容に限定されるものではない。例えばレジスト液Ｒの粘度が低くレジスト液Ｒの流動性が高い場合などは、ウェハＷを第１の回転速度で回転させている状態であってもレジスト液Ｒが溶剤Ｑに接触することも考えられるので、そのような場合は、第２の回転速度に加速させる前に溶剤Ｑの供給を停止させることとなる。
【００６２】
なお、溶剤Ｑの内周端部ＱＥとレジスト液Ｒの外周端部ＲＥとの距離ＬをウェハＷの面内で一定に保つために、図１３に示すように、溶剤供給ノズル１５８よりもウェハＷの中心よりの位置、換言すれば、平面視における溶剤供給ノズル１５８とウェハＷの中心との間の位置に乾燥ガスノズル１６１を移動させ、当該乾燥ガスノズル１６１から乾燥ガスＮをウェハＷの上面に吹き付けてもよい。この乾燥ガスＮにより、溶剤Ｑの液膜とレジスト液Ｒとの間の隙間の距離ＬをウェハＷの面内で均一に維持することができるので、溶剤Ｑとレジスト液Ｒをより確実に均一に接触させることができる。乾燥ガスノズル１６１からの乾燥ガスＮの供給開始のタイミングとしては、レジスト液Ｒが溶剤Ｑと接触する前であれば任意に決定できるが、例えば溶剤供給ノズル１５８から溶剤Ｑの供給を開始した後であって、レジスト液供給ノズル１５４からレジスト液Ｒの供給を開始する前が好ましい。
【００６３】
ウェハＷを第２の回転速度で所定の時間回転させた後は、レジスト液供給ノズル１５４からのレジスト液Ｒの供給を停止させ、レジスト液Ｒの供給停止と同時にウェハＷの回転速度を、第２の回転速度よりも遅く、第１の回転速度よりも速い第３の回転速度まで減速させる（図７の時間ｔ５）。第３の回転数としては、概ね１００ｒｐｍ〜８００ｒｐｍとすることが好ましく、本実施の形態では例えば１００ｒｐｍである。なお、レジスト液Ｒの供給停止と同時とは、レジスト液Ｒの供給を停止した時（時間ｔ５）には、ウェハＷの回転速度が既に減速を開始し、第３の回転速度に到達する時点の前後を含む。また、第２の回転速度から第３の回転速度に減速させる際の加速度は、３００００ｒｐｍである。
【００６４】
その後、ウェハＷを第３の回転速度で所定の時間、例えば０．５秒程度回転させた後、ウェハＷを第３の回転速度より速く第２の回転速度よりも遅い第４の回転速度までウェハＷを加速させる（図７の時間ｔ６）。第４の回転速度としては、概ね１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍとすることが好ましく、本実施の形態では例えば１０００ｒｐｍである。次いで、第４の回転速度で所定の時間、例えば約５５秒間回転させてレジスト膜を乾燥させる（図６の工程Ｔ４）。
【００６５】
その後、図示しないリンスノズルからウェハＷの裏面に対してリンス液として溶剤が吐出され、ウェハＷの裏面が洗浄される（図６の工程Ｔ５）。これにより、レジスト塗布装置３２における一連の塗布処理が終了する。
【００６６】
ウェハＷにレジスト膜が形成されると、次にウェハＷは、第１のブロックＧ１の上部反射防止膜形成装置３３に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図７の工程Ｓ３）。その後、ウェハＷは第２のブロックＧ２の熱処理装置４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後、ウェハＷは、周辺露光装置４２に搬送され、周辺露光処理される（図７の工程Ｓ４）。
【００６７】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置１００によって受け渡し装置５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡し装置６２に搬送される。その後、ウェハＷは、インターフェイスステーション１３のウェハ搬送装置１１０によって露光装置６に搬送され、所定のパターンで露光処理される（図７の工程Ｓ５）。
【００６８】
次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理装置４０に搬送され、露光後ベーク処理される。これにより、レジスト膜の露光部において発生した酸により脱保護反応させる。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理装置３０に搬送され、現像処理が行われる（図７の工程Ｓ６）。
【００６９】
現象処理の終了後、ウェハＷは熱処理装置４０に搬送され、ポストベーク処理される（図７の工程Ｓ７）。次いで、ウェハＷは、熱処理装置４０により温度調整される。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０、ウェハ搬送装置２３を介して所定のカセット載置板２１のカセットＣに搬送され、一連のフォトリソグラフィー工程が完了する。
【００７０】
以上の実施の形態によれば、ウェハＷの外周部にレジスト液Ｒの溶剤Ｑの液膜を環状に形成すると共に、ウェハＷを第１の回転速度で回転させながらレジスト液ＲウェハＷ板の中心部に供給し、次いで、ウェハＷを第２の回転速度で回転させてレジスト液ＲをウェハＷ上に拡散させる。そして、溶剤Ｑの供給を、レジスト液Ｒが溶剤Ｑの液膜に接触する前まで継続して行う。これにより、レジスト液Ｒが溶剤Ｑに接触する直前まで、溶剤の液膜の形状を良好な円環状に維持し、ウェハＷ面内で溶剤Ｑの液膜とレジスト液Ｒを均一に接触させることができる。その結果、ウェハＷと溶剤Ｑとの接触角が大きい場合であっても、ウェハＷ上の溶剤Ｑでの偏りを抑え、ウェハＷの面内に均一にレジスト液Ｒを拡散させることで、面内均一なレジスト膜を形成することができる。
【００７１】
以上の実施の形態では、ウェハＷを第１の回転速度から第２の回転速度に加速する途中で溶剤Ｑの供給を停止したが、溶剤Ｑの供給を停止させるタイミングについては本実施の形態の内容に限定されるものではなく、ウェハＷの回転速度、レジスト液Ｒの供給を開始するタイミング、レジスト液Ｒの供給量や粘度といった種々の要因により変化するものであり、本実施の形態の内容に限定されるものではない。なお、溶剤ＱをウェハＷの外周部に供給した状態、換言すれば、溶剤ＱをウェハＷの偏心した位置に供給した状態でウェハＷを高速回転させると、ウェハＷ上から振り切られた溶剤Ｑがカップ１４２にあたって液撥ねを生じる場合がある。したがって、溶剤Ｑの供給の停止が、好ましくは第２の回転速度に到達する前、より好ましくは、第２の回転速度に加速を開始する前に行われるように、レジスト液Ｐの供給のタイミングや供給量を設定することが好ましい。
【００７２】
また、以上の実施の形態では、溶剤Ｑの供給を開始した後にレジスト液Ｒの供給を開始したが、レジスト液Ｒを供給するタイミングについても任意に設定が可能であり、例えば図１４に示すように、溶剤Ｑを供給する前にレジスト液Ｒの供給を行うようにしてもよい。具体的には、例えば時間ｔ０においてウェハＷを第１の回転速度で回転させた状態でレジスト液Ｒの供給を開始し、その後、時間ｔ１においてレジスト液Ｒの溶剤Ｑを供給するようにしてもよい。かかる場合も、レジスト液Ｒが溶剤Ｑの液膜に接触する前に溶剤Ｑの供給を停止する（図１４の時間ｔ３）ことで、溶剤Ｑの形状を円環状に維持し、レジスト液ＲをウェハＷ面内に均一に拡散させることができる。
【００７３】
なお、以上の実施の形態では、ウェハＷ上に溶剤Ｑを供給する際のウェハＷの回転速度は同一の速度に保たれていたが、溶剤供給中にウェハＷの回転速度を加減速させてもよい。かかる場合、例えば、先ず第１の回転速度と同一の６０ｒｐｍでウェハＷを回転させながら、図８に示す場合と同様に、ウェハＷ外周部への溶剤Ｑの供給を開始する。その後、ウェハＷの回転速度を加速させ、例えば第２の回転速度と同一の３３００ｒｐｍで回転させて、溶剤ＱをウェハＷの外周部に拡散させる。これにより、ウェハＷの外周部が溶剤Ｑによりプリウェットされる（プリウェット工程）。その後、ウェハＷの回転速度を、例えば第１の回転速度まで減速して、上述の工程Ｔ１以降の工程を引き続き行う。こうすることで、工程Ｔ１において、特にウェハＷの外周縁部における溶剤Ｑの被覆性を向上させ、その後の工程Ｔ３において、より均一にレジスト液Ｒを拡散させることができる。なお、既述のように、ウェハＷの回転速度の加速を開始する時間ｔ２と、溶剤Ｑの供給を停止する時間ｔ３は、レジスト塗布の諸条件により変動するため、溶剤供給中にウェハＷの回転速度が加速することがあるが、このような場合は、上述の「溶剤供給中にウェハＷの回転速度を加減速させる」には含まれない。換言すれば、「溶剤供給中にウェハＷの回転速度を加減速させる」とは、工程Ｔ１以前に行われるもののみを意味している。また、ウェハＷを第２の回転速度で回転させて溶剤Ｑを拡散させる間は、ウェハＷの外周部から振り切られる溶剤Ｑの量を減らすため、溶剤Ｑの供給を停止してもよい。
【００７４】
以上の実施の形態では、ウェハＷ上に円環状の溶剤Ｑの液膜を形成するにあたり、ウェハＷを例えば第１の回転速度で回転させながらウェハＷの外周部に溶剤Ｑを供給したが、溶剤Ｑの液膜を環状に形成する方法は本実施の形態の内容に限定されない。例えば、図１５に示すように、回転駆動機構２１０により溶剤供給ノズル１５８をウェハＷの中心Ｏを通る鉛直軸を回転軸として回転させることができる支持部としての支持アーム２１１により溶剤供給ノズル１５８を支持し、ウェハＷを静止させた状態で、溶剤供給ノズル１５８をウェハＷの外周部に沿って移動させるようにしてもよい。このように、ウェハＷを停止させた状態で溶剤Ｑを供給することで、溶剤Ｑには遠心力が作用しなくなるため、溶剤Ｑの形状を良好な円環状に保つことができる。このように、ウェハＷを停止させた状態で溶剤Ｑの環状の液膜を形成する手法は、特に、４５０ｍｍウェハのように、ウェハＷの直径が大きくなり、ウェハＷの外周部で周速が速くなる場合に有効である。
【００７５】
なお、図１５では、支持アーム２１１に溶剤供給ノズル１５８を２本設置した状態を描図しているが、このように溶剤供給ノズル１５８を複数設けることで、溶剤Ｑの液膜を環状に形成する際に、支持アーム２１１の回転角を小さくすることができ、ウェハＷ処理のスループットを向上させることができる。即ち、溶剤供給ノズル１５８を対向して２本設置した場合は、支持アーム２１１を１８０度させればウェハＷの全周に溶剤Ｑを供給でき、またｎ本（ｎは３以上の整数）の溶剤供給ノズル１５８を設けた場合は、溶剤供給ノズル１５８の設置数に応じて、（３６０／ｎ）度だけ支持アーム２１１を回転させれば足りる。
【００７６】
また、支持アーム２１１により溶剤供給ノズル１５８を回転させる場合において、ウェハＷを支持アーム２１１の回転方向と逆方向に回転させてもよい。こうすることで、ウェハＷに対する溶剤供給ノズル１５８の相対的な回転速度が上昇するため、より迅速に溶剤Ｑの液膜を形成することができる。
【００７７】
また、円環状の溶剤Ｑの液膜を形成する際に溶剤Ｑを供給する位置は、ウェハＷの外周部に限定されない。例えば図１６に示すように、先ずウェハＷの中心部にレジスト液Ｒを供給し、次いで図１７に示すように、ウェハＷの中心部に乾燥ガスノズル１６１から溶剤Ｑ上に乾燥ガスを吹き付けることで溶剤Ｑを吹き飛ばし、円環状の液膜を形成するようにしてもよい。
【００７８】
以上の実施の形態では、例えば時間ｔ２〜ｔ４においてウェハＷの回転速度を第１の回転速度から第２の回転速度に加速させるにあたり、ウェハＷの加速度を一定に保っていたが、この際の加速度は必ずしも一定に保つ必要はなく、例えば図１８に示すように、ウェハＷの回転速度を、６００ｒｐｍ程度で一旦維持し、その後第２の回転速度まで上昇させるようにしてもよい。
【実施例】
【００７９】
実施例として、レジスト液Ｒに粘度１９０ｃｐのＭＵＶレジストを、レジスト液Ｒの溶剤Ｑとしてシクロヘキサノンを用いて本実施の形態にかかる塗布処理方法によりウェハＷ上にレジスト液を塗布する試験を行った。この際、レジスト液Ｒの供給量は、３ｍＬ〜８ｍＬの間で、１ｍＬ刻みで変化させた。
【００８０】
また、比較例として、ウェハＷの外周部に溶剤Ｑを供給した後にウェハを例えば第２の回転速度で高速回転させて溶剤Ｑの液膜を円環状に形成した後、溶剤Ｑの供給を停止すると共にウェハＷの回転速度を第１の回転速度に低下させ、次いでウェハＷの中心部にレジスト液Ｒを供給した場合についても同様に試験を行った。比較例におけるウェハＷの回転速度や、レジスト液Ｒ、溶剤Ｑの吐出のタイミング等は図１９に示す通りである。なお、比較例においても、レジスト液Ｒ及び溶剤Ｑは同じものを使用した。
【００８１】
試験の結果、比較例においては、レジスト液Ｒの供給量が４ｍＬ〜８ｍＬの範囲では、ウェハＷ面内におけるレジスト膜の膜厚均一性は所望の値となったが、ウェハＷの外周部に、溶剤Ｑの形状悪化に起因すると思われる塗布斑が確認された。
【００８２】
その一方、本実施の形態にかかる塗布処理方法を用いた場合、レジスト液Ｒの供給量を４ｍＬ〜８ｍＬとした場合のいずれにおいても、ウェハＷの面内における膜厚均一性を確保すると共に、比較例の際にみられたような、ウェハＷの外周部における塗布斑も確認されなかった。したがってこの結果から、本実施の形態にかかる塗布処理方法により、ウェハＷに面内均一な塗布膜を形成できることが確認された。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、基板上に塗布液を塗布する際に有用である。
【符号の説明】
【００８５】
１    基板処理システム
３０  現像処理装置
３１  下部反射防止膜形成装置
３２  レジスト塗布装置
３３  上部反射防止膜形成装置
４０  熱処理装置
４１  アドヒージョン装置
４２  周辺露光装置
１４０  スピンチャック
１５４  レジスト液供給ノズル
１５８  溶剤供給ノズル
１６１  乾燥ガスノズル
２００  制御部
Ｑ    溶剤
Ｒ    レジスト膜
Ｗ    ウェハ
【要約】
【課題】基板上に塗布液を塗布する際に、塗布液の供給量を少量に抑えつつ、基板面内で均一に塗布液を塗布する。
【解決手段】ウェハ上に塗布液を塗布する方法であって、ウェハ上に塗布液の溶剤を供給して、当該ウェハの外周部に溶剤の液膜を環状に形成し、ウェハを第１の回転速度で回転させながら塗布液をウェハの中心部に供給し（時間ｔ１〜ｔ２）、ウェハを第１の回転速度よりも速い第２の回転速度で回転させて塗布液を基板上に拡散させる（時間ｔ４〜ｔ５）。溶剤の供給は、塗布液が溶剤の液膜に接触する前まで継続して行われる（時間ｔ０〜ｔ３）
【選択図】図８【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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