(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に設けられた枠体と、
前記第１基板上の前記枠体で囲まれる領域に設けられた、直線上に設けられ且つ内部が空洞であって前記直線に沿った方向の両端が開口した空洞部、および前記空洞部の前記直線に直交する方向の両側面から櫛歯状に突出するとともに、前記空洞部の内部とつながった空間を有し且つ前記直線に沿った方向が開口した凸部を含む空洞管と、
前記枠体上に設けられた、前記空洞管を覆う第２基板とを備え、
前記空洞管は、前記第１基板上に複数個並んで設けられており、
隣接する前記空洞管同士の間では、一方の空洞管の前記凸部と他方の空洞管の前記凸部とが交互に突出しているとともに、前記空洞部の開口している一端から開口している他端までの直線と垂直方向の断面視において、前記凸部の一部が重なるように配置されていることを特徴とする冷却基板。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却基板であって、
前記第１基板は、矩形状の外形であって、対角線上に一対の貫通孔が設けられているとともに、
前記第１基板、前記枠体および前記第２基板で囲まれる領域に、前記一対の貫通孔の一方の貫通孔から他方の貫通孔にかけて冷媒が流れることを特徴とする冷却基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の冷却基板であって、
前記空洞管の上部は平坦であって、前記第２基板の下面と接続されていることを特徴とする冷却基板。
【請求項４】
請求項２に記載の冷却基板であって、
前記冷媒は、前記空洞管の内部および前記空洞管同士の間の少なくとも一方を流れることを特徴とする冷却基板。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の冷却基板と、
前記冷却基板上に設けられた、上面に素子の実装領域を有する実装基板と、
前記実装基板上に前記実装領域を取り囲むように設けられた、一部に貫通取付孔を有する封止枠体と、
前記貫通取付孔に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に接続する入出力端子とを備えたことを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項６】
請求項５に記載の素子収納用パッケージと、
前記素子収納用パッケージ内に実装された素子と、
前記素子収納用パッケージ上に設けられた、前記素子を覆う蓋体とを備えたことを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷却基板、素子収納用パッケージ、および実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、誘電体層の一主面に信号線路を形成し、誘電体層の他主面にグランド層を形成した入出力端子を有する素子収納用パッケージが知られている。そして、マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられる入出力端子においては、高周波の信号を効率良く伝送することで高温になりやすい。そこで、素子収納用パッケージまたは実装構造体を冷やすために、帯状に形成された冷却液用流路を設ける技術が提案されている（下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１００４１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、単に帯状に形成した冷却液用流路を設けた素子収納用パッケージまたは実装構造体は、冷却液が冷却液用流路内にしか流れないため、高温になりやすい虞がある。そのため、小型で特に高温になりやすい、マイクロ波やミリ波等の高周波を用いた入出力端子を実装した素子収納用パッケージまたは実装構造体では、十分に冷却機能を発揮できず、素子収納用パッケージまたは実装構造体にクラックが発生し、封止性が損なわれる虞がある。
【０００５】
本発明は、冷却機能を高めた冷却基板、その冷却基板を用いることで封止性に優れた素子収納用パッケージ、および実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る冷却基板は、第１基板と、前記第１基板上に設けられた枠体と、前記第１基板上の前記枠体で囲まれる領域に設けられた、直線上に設けられ且つ内部が空洞であって前記直線に沿った方向の両端が開口した空洞部、および前記空洞部の前記直線に直交する方向の両側面から櫛歯状に突出するとともに、前記空洞部の内部とつながった空間を有し且つ前記直線に沿った方向が開口した凸部を含む空洞管と、前記枠体上に設けられた、前記空洞管を覆う第２基板とを備え、前記空洞管は、前記第１基板上に複数個並んで設けられており、隣接する前記空洞管同士の間では、一方の空洞管の前記凸部と他方の空洞管の前記凸部とが交互に突出しているとともに、前記空洞部の開口している一端から開口している他端までの直線と垂直方向の断面視において、前記凸部の一部が重なるように配置されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージは、前記冷却基板と、前記冷却基板上に設けられた、上面に素子の実装領域を有する実装基板と、前記実装基板上に前記実装領域を取り囲むように設けられた、一部に貫通取付孔を有する封止枠体と、前記貫通取付孔に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に接続する入出力端子とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一実施形態に係る実装構造体は、前記素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージ内に実装された素子と、前記素子収納用パッケージ上に設けられた、前記素子を覆う蓋体とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、冷却機能を高めた冷却基板、その冷却基板を用いることで封止性に優
れた素子収納用パッケージ、および実装構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る実装構造体の内部を示す概観斜視図である。
【図２】素子収納用パッケージの入出力端子の概観を示す概観斜視図である。
【図３】素子収納用パッケージの冷却基板の概観を示す概観斜視図である。
【図４】冷却基板の内部を示す概観斜視図である。
【図５】図４に示す冷却基板の内部を示す平面図である。
【図６】図４に示す冷却基板から枠体を取り外した状態を示す概観斜視図である。
【図７】図６のＡ部分を拡大した部分斜視図である。
【図８】図６のＢ部分を拡大した部分斜視図である。
【図９】図５のＸ−Ｘに沿った断面を示す断面図である。
【図１０】図５のＹ−Ｙに沿った断面を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる素子収納用パッケージの実施形態を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００１２】
＜素子収納用パッケージの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る実装構造体の内部を示す概観斜視図であって、蓋体を取り外した状態を示している。図２は、図１の素子収納用パッケージ２に用いられる入出力端子２の概観斜視図である。素子収納用パッケージ２は、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器、パワーデバイス等を収納したパワーモジュールに用いるものである。特に、マイクロ波、ミリ波等の高周波で用いられる電子機器の高周波回路やパワーモジュールに用いられる。
【００１３】
実装構造体１は、素子収納用パッケージ２と、素子収納用パッケージ２内に実装された素子３と、素子収納用パッケージ２上に設けられ、素子３を覆う蓋体４とを備えている。
【００１４】
素子収納用パッケージ２は、冷却基板５と、冷却基板５上に設けられ、上面に素子３の実装領域Ｒを有する実装基板６と、実装基板６上であって実装領域Ｒを取り囲むように設けられ、一部に貫通取付孔Ｈを有する封止枠体７と、貫通取付孔Ｈに設けられ、封止枠体７内と封止枠体７外とを電気的に接続する入出力端子８とを備えている。
【００１５】
素子収納用パッケージ２は、例えば、半導体素子、光半導体素子、パワーデバイストランジスタ、ダイオードまたはサイリスタ等の能動素子、あるいは抵抗器、コンデンサ、太陽電池、圧電素子、水晶振動子またはセラミック発振子等の受動素子からなる素子３を実装するのに用いるものである。
【００１６】
実装基板６は、平面視したとき四角形状に形成された部材である。実装基板６は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。実装基板６は、熱伝導率を良好にして、実装領域Ｒに実装した素子３から発生する熱を効率良く実装基板６に放散させる機能を備えている。なお、実装基板６の熱伝導率は、例えば１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００１７】
また、実装基板６は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。なお、実装基板６の一辺の長さは、例えば５ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定されている。また、実装基板６の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されてい
る。
【００１８】
また、実装基板６の表面は、酸化腐食の防止、あるいはは実装領域Ｒに素子３をろう付けしやすくするために、電気めっき法または無電解めっき法を用いて、ニッケルまたは金等の鍍金層が形成されている。実装基板６の実装領域Ｒは、実装基板６の上面に封止枠体７を接続したときに、封止枠体７と接続されない領域である。なお、本実施形態では、実装基板６の形状を四角形状としているが、素子３を実装することが可能であれば、四角形状に限られず、多角形状または楕円形状等であってもよい。
【００１９】
封止枠体７は、実装基板６の実装領域Ｒの外周に沿って接続され、実装領域Ｒに実装する素子３を外部から保護するための部材である。また、封止枠体７は、側面の一部に入出力端子８を設ける貫通取付孔Ｈが形成されている。封止枠体７は、ろう材を介して実装基板６にろう付けされる。なお、ろう材は、例えば、銀、銅、金、アルミ二ウムまたはマグネシウム等からなり、ニッケル、カドミウムまたは燐等の添加物を含有させてもよい。
【００２０】
また、封止枠体７は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。封止枠体７は、実装領域Ｒに素子３が実装されている状態で、素子３から発生する熱を封止枠体７の外部に発散させる機能を備えている。なお、封止枠体７の熱伝導率は、例えば１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００２１】
入出力端子８は、封止枠体７の貫通取付孔Ｈに設けられる。入出力端子８は、封止枠体８の内外に延在される第１誘電体層９と、第１誘電体層９の上面に形成され、枠体の内外を電気的に接続する信号線路１０と、第１誘電体層９の下面に形成される接地導体１１と、信号線路１０上に形成される第２誘電体層１２とを有している。
【００２２】
信号線路１０は、所定の電気信号を伝達する機能を備えている。信号線路１０は、例えば、マイクロストリップ線路またはコプレーナ線路として用いる。信号線路１０は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、マンガンまたはクロム等の金属材料からなる。信号線路１０の線路幅は、信号線路１０に伝わる信号の波長の４分の１以下であって、例えば０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００２３】
信号線路１０には、リード端子１３が形成される。リード端子１３は、外部の電子機器等と素子３とを電気的に接続するための部材である。リード端子１３は、ろう材を介して、信号線路１０上に接続される。そして、信号線路１０とリード端子１３とが電気的に接続される。
【００２４】
また、入出力端子８は、第１誘電体層９の下面と側面および第２誘電体層１２の側面と上面を取り囲む接地導体１１を有している。接地導体１１は、共通の電位、例えばアース電位にする機能を備えている。また、接地導体１１は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、マンガンまたはクロム等の金属材料からなる。接地導体１１は、平面視して信号線路１０と重なる領域に形成されている。封止枠体７は、金属材料からなり、接地導体１１と封止枠体７とは電気的に接続されている。
【００２５】
第１誘電体層９および第２誘電体層１２は、絶縁性の基板であって、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたは窒化珪素等の無機材料、あるいはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはエチレン樹脂等の有機材料、あるいはアルミナまたはムライト等のセラミック材料、あるいはガラスセラミック材料等から成る。または、これらの材料のうち複数の材料を混合した複合系材料から成る。なお、第１誘電体層９および第２誘電体層１２の厚みは、信号線路１０に伝わる信号の波長の２分の１以下であって、例えば０．３ｍｍ
以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００２６】
また、入出力端子８は、第１誘電体層９および第２誘電体層１２を取り囲む接地導体１１を有しており、接地導体１１が貫通取付孔Ｈの内壁面と接続されるとともに接地電極に電気的に接続される。そして、信号線路１０と第２誘電体層１２とが重なる領域、および信号線路１０と接地導体１１とが重なる領域において信号線路１０に伝達される高周波信号の挿入損失と反射損失が増加するのを抑制することができる。
【００２７】
素子収納用パッケージ２に、素子３を半田等のバンプを介してフリップチップ実装することで、実装構造体１を構成することができる。ＩＣまたはＬＳＩ、あるいはパワーデバイス等の半導体素子を実装する場合、半導体素子としては、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウムまたは炭化珪素等を用いることができる。
【００２８】
図３は、冷却基板５の概観斜視図であって、第１基板１４、枠体１５および第２基板１７が積層されている状態を示している。また、図４は、冷却基板５の内部を示す概観斜視図であって、第２基板１７を取り外した状態を示している。また、図５は、冷却基板５の内部を示す平面図であって、第２基板１７を取り外した状態を示している。また、図６は、冷却基板５の概観斜視図であって、枠体１５および第２基板１７を取り外した状態を示している。また、図７は、図６のＡ部分であって、空洞管１６の一部を拡大した概観斜視図である。また、図８は、図６のＢ部分であって、空洞管１６同士の間を拡大した概観斜視図である。また、図９は、図５のＸ−Ｘに沿った断面図であって、第１基板１４に設けられた貫通孔Ｔを示している。図１０は、図５のＹ−Ｙに沿った断面図であって、空洞管１６の内部の空洞を示している。
【００２９】
冷却基板５は、第１基板１４と、第１基板１４上に設けられた枠体１５と、第１基板１４上であって枠体１５で囲まれる領域に設けられ、直線Ｌ上に設けられた内部が空洞の空洞部１６ａと、空洞部１６ａの直線Ｌに直交する方向の両側面から櫛歯状に突出するとともに、空洞部１６ａの内部とつながった空間を有する凸部１６ｂと、を含む空洞管１６と、枠体１５上に設けられ、空洞管１６を覆う第２基板１７と、を備えている。なお、凸部１６ｂは、空洞部１６ａが配列された直線Ｌに沿った方向の側面が開口している。
【００３０】
第１基板１４は、平面視したとき四角形状に形成された矩形状の外形の部材である。第１基板１４は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。第１基板１４は、熱伝導率を良好にして、実装領域Ｒに実装した素子３から発生する熱を第１基板１４を介して空洞部１６に充填される冷媒に伝達し、外部に効率良くに放散させる機能を備えている。なお、第１基板１４の熱伝導率は、例えば１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。
【００３１】
また、第１基板１４は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。なお、第１基板１４の一辺の長さは、例えば１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下に設定されている。また、第１基板１４の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００３２】
第１基板１４には、平面視して第１基板１４の対角線上に一対の貫通孔Ｔが設けられている。貫通孔Ｔは、冷却基板５の内部に冷媒を流すものである。また、貫通孔Ｔは、円柱状の形状であって、直径が例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であって、上下方向の長さが例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である。なお、冷媒とは、水、食塩水、アンモニア水ま
たはフッ素系不活性液体等の液体、フロン、アンモニアまたは二酸化炭素等の気体である。
【００３３】
枠体１５は、第１基板１４上に設けられ、第１基板１４の主面を取り囲むように設けられている。枠体１５は、第１基板１４上に例えばろう材を介して接続されている。なお、ろう材は、例えば、銀、銅、金、アルミ二ウムまたはマグネシウム等からなり、ニッケル、カドミウムまたは燐等の添加物を含有させてもよい。
【００３４】
また、空洞管１６は、直線Ｌ上に配列された内部が空洞の空洞部１６ａと、空洞部１６ａの直線Ｌに沿った方向の両側面から櫛歯状に突出した凸部１６ｂとを有している。空洞部１６ａは、直線Ｌに沿った方向の両端が開口している。また、凸部１６ｂは、内部が空間であって、凸部１６ｂの内部が空洞部１６ａの内部とつながっている。なお、空洞管１６は、複数のコの字型（Ｕ−ｓｈａｐｅ）の部材が、空間が連続するように互い違いに接続された形状である。
【００３５】
空洞部１６ａは、開口している一端から開口している他端までの直線Ｌの長さが、例えば６ｍｍ以上９６ｍｍ以下であって、凸部１６ｂが無いと仮定したときの、直線Ｌと直交する方向の長さが、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。また、空洞部１６ａの下端から上端までの長さは、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００３６】
凸部１６ｂは、空洞部１６ａと接続されている一端から突出している他端までの長さが、例えば０．５ｍｍ以上４．５ｍｍ以下であって、凸部１６ｂの直線Ｌに沿った方向の長さが、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。また、凸部１６ｂの下端から上端までの長さは、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００３７】
空洞管１６は、一対の貫通孔Ｔの間に配置される。また、空洞管１６は、第１基板１４上に、第１基板１４の一辺に沿って配置されるとともに、空洞管１６の下面が第１基板１４の上面にろう材等によって接合される。その結果、貫通孔Ｔから第１基板１４上に流入した冷媒が、全ての空洞管１６の内部を流入することができ、全ての空洞管１６を冷却することができるとともに、素子３から第１基板１４に伝えられる熱は効率よく空洞管１６に伝達され、空洞管１６から冷媒を介して放熱される。また、冷媒は、一対の貫通孔Ｔの一方から他方までの経路で流れ、空洞管１６の内部に流入するものと、空洞管１６の内部を通らずに空洞管１６の側面を通るものがある。空洞管１６の内部に流入する冷媒は、空洞管１６を内部から冷やすことができ、空洞管１６の側面を通る冷媒は、空洞管１６の側面を冷やすことができる。
【００３８】
また、空洞管１６の内部は、凸部１６ｂが設けられている個所は、空洞部１６ａとつながっている個所、および直線Ｌに沿った方向の側面が開口している。そのため、空洞管１６の内部に流入した冷媒は、凸部１６ｂの他端に位置する壁によって遮られて、開口した個所から漏れ広がるように流れる。その結果、空洞管１６に流入した冷媒は、空洞管１６によって遮られずに直線Ｌの方向に沿って流れるとともに、さらに、凸部１６ｂの他端に位置する壁によって複数の経路に分岐され、複雑に冷媒が空洞管１６を直線Ｌの方向に沿って流れることで、冷媒が空洞管１６内で滞留せず、さらにはすぐにすぐに冷却基板５の外部に排出されないようにすることができる。その結果、十分に熱を吸収していない冷媒が無駄に冷却基板５の外部に流れ出るのを低減することができる。熱を吸収する前に冷媒が冷却基板５の外部に流れ出るのを抑えることで、冷却基板５の冷却機能を高めることができる。
【００３９】
空洞管１６は、枠体１５で囲まれた第１基板１４上に、空洞管１６の下面の全てが例えばろう材を介して接続されている。なお、ろう材は、例えば、銀、銅、金、アルミ二ウム
またはマグネシウム等からなり、ニッケル、カドミウムまたは燐等の添加物を含有させてもよい。
【００４０】
空洞管１６は、第１基板１４上に複数個並んで設けられている。また、凸部１６ｂは、規則的に空洞部１６ａの側面から突出するようにして配列されている。さらに、凸部１６ｂ同士の間の距離が同じ長さになるように設定されている。そして、隣接する空洞管１６同士の間では、一方の空洞管１６から突出した凸部１６ｂと他方の空洞管１６から突出した凸部１６ｂとが交互に突出している。その結果、空洞管１６の間には、空洞管１６と同形状の隙間が複雑に形成され、空洞管１６の間を流れる冷媒が、空洞管１６同士の間のそれぞれの位置で同様の方向にムラなく流れることで、素子３からの熱が第１基板１４と空洞管１６を介してムラなく冷媒に伝達されやすい状態にすることができる。
【００４１】
また、隣接する空洞管１６の間で、一方の空洞管１６から突出した凸部１６ｂと他方の空洞管１６から突出した凸部１６ｂとが、直線Ｌと垂直方向の断面視において、それぞれの凸部１６ｂの一部が重なるように配置されてもよい。結果、第１基板１４の上面に配置される空洞管１６を増加させることができるとともに、空洞管１６と冷媒との接触面積を増加させることができることにより、空洞管１６から冷媒に伝達させる熱を増加させることができる。
【００４２】
空洞管１６の上部は平坦であって、第２基板１７の下面とろう材等によって接合される。そして、空洞管１６の上面を第２基板１７の下面と接続することで、素子３の熱を第２基板１７から空洞管１６を介して冷媒に効果的に伝達させることができ、第２基板１７を介して実装基板６の熱を冷媒に伝達させることができる。
【００４３】
本実施形態に係る冷却基板は、冷媒が流入する内部に、冷媒が複雑に流れるとともに滞留することなく、冷媒が空洞管１６の表面とムラなく接する複数の個所を意図的に設けることで、十分に熱を吸収していない冷媒が無駄に外部に流れ出るのを抑制することができるとともに、素子３の熱が伝達された冷媒が空洞管１６や枠体１５の内部に滞留して冷却基板５の外部に排出されずに溜まることを抑制することができる。また、冷媒は、空洞管１６および枠体１５の内部にムラなく流れることで、素子３から実装基板６、第１基板１４および第２基板１７を介して空洞管１６に伝達される熱を十分に吸収することができ、冷却機能を高めた冷却基板を実現することができる。
【００４４】
また、本実施形態に係る素子収納用パッケージまたは実装構造体は、上述した冷却基板を用いることで、マイクロ波またはミリ波等の高周波を用いた小型のパッケージやパワーモジュールに使用されるパッケージであっても、高温になるのを抑えることで、素子収納用パッケージや入出力端子にクラックが発生するのを抑制することができるとともに、素子を正常に作動させることができることから、素子収納用パッケージは長期にわたって封止性を維持することができるとともに、実装構造体を正常に作動させることができる。その結果、封止性に優れるとともに長期間にわたって正常に作動することができる素子収納用パッケージおよび実装構造体を実現することができる。
【００４５】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４６】
＜実装構造体の製造方法＞
ここで、図１に示す素子収納用パッケージ２の製造方法を説明する。まず、実装基板６、封止枠体７のそれぞれを準備する。実装基板６、封止枠体７のそれぞれは、溶融した金属材料を型枠に鋳込んだ固化させたインゴットに対して、金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。
【００４７】
次に、入出力端子８を準備する。ここでは、第１誘電体層９および第２誘電体層１２の材料が、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体またはムライト質焼結体等の場合の、入出力端子８の作製方法について説明する。
【００４８】
具体的には、第１誘電体層９および第２誘電体層１２の材料が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して泥漿状にしたものを準備する。
【００４９】
そして、第１誘電体層９および第２誘電体層１２の型枠を準備し、枠体内に、泥漿状の酸化アルミ二ウム質の材料を充填し、焼結前の第１誘電体層９、第２誘電体層１２を取り出す。なお、第２誘電体層１２は、第２誘電体層１２が焼結される前には、少なくとも二つの層に分解されている。二つの層は、信号線路１０上に積層する板状の第１層と、第１層上に積層する板状の第２層とから成り、これらの層を積層して形成されている。
【００５０】
また、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、取り出した前駆体の第１誘電体層９の上面に対して、例えばスクリーン印刷法を用いて、金属ペーストを塗って信号線路１０を形成する。また、第１誘電体層９および第２誘電体層１２を組み合わせたときに、両者を取り囲む箇所に、例えばスクリーン印刷法を用いて接地導体１１を形成する。
【００５１】
次に、前駆体の第１誘電体層９上に前駆体の第２誘電体層１２を載せて加圧させることで、両者密着させる。そして、金属ペーストを印刷塗布した積層体を約１６００℃の温度で焼成することにより、下地部材が形成されたセラミックからなる入出力端子８を作製することができる。そして、準備した封止枠体７の貫通取付孔Ｈに、入出力端子８をろう材を介して嵌めて接続する。
【００５２】
次に、冷却基板５を準備する。第１基板１４、枠体１５、空洞管１６および第２基板１７については、それぞれの形状に合わせた型枠を準備して、それぞれの型枠に溶融した金属材料を鋳込んで固化させたインゴットに対し、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作することができる。
【００５３】
さらに、準備した第１基板１４、枠体１５、空洞管１６および第２基板１７をそれぞれろう材を介して接続することで、冷却基板５を作製することができる。そして、冷却基板５上に実装基板６を設けることで、素子収納用パッケージ２を作製することができる。さらに、素子収納用パッケージ２内の実装領域Ｒに素子３を実装し、さらに、蓋体４をろう材を介して封止枠体７上に接続することで、実装構造体１を作製することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１  実装構造体
２  素子収納用パッケージ
３  素子
４  蓋体
５  冷却基板
６  実装基板
７  封止枠体
８  入出力端子
９  第１誘電体層
１０  信号線路
１１  接地導体
１２  第２誘電体層
１３  リード端子
１４  第１基板
１５  枠体
１６  空洞管
１６ａ  空洞部
１６ｂ  凸部
１７  第２基板
Ｒ  実装領域
Ｈ  貫通取付孔
Ｔ  貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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