(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、
テープの基部をなす離型フィルムと、
前記半導体ウェハの形状に対応して前記離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、
前記接着剤層上に設けられた粘着剤層、及び前記粘着剤層上に設けられた基材フィルムとからなる粘着フィルムと、を備え、
前記粘着フィルムは、
前記接着剤層の縁部よりも外側に張り出して前記離型フィルムに接すると共に、ウェハリングに貼り付けられる貼付領域が設定された張出領域を有し、
前記貼付領域において、前記基材フィルムの表面側には、テープの長手方向に沿って前記接着剤層を挟む二箇所にマーキングが設けられており、
前記マーキングは、前記長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にて前記幅方向に延在していることを特徴とするウェハ加工用テープ。
【請求項２】
前記マーキングは、前記貼付領域におけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応して設けられていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
【請求項３】
前記マーキングは、０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下の太さの線の組み合わせからなることを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。
【請求項４】
前記マーキングは、スクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法のいずれかの方法によって設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程として、半導体ウェハを個々のチップに分離するダイシング工程、及び分離したチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング工程がある。スタックドパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている。ウェハ加工用テープには、ウェハへの貼り付け時や、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け時の作業性を考慮し、プリカット加工が施されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１５６７５３号公報
【特許文献２】特開２００５−２９１３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
以上のような形態を有するウェハ加工用テープをウェハ及びウェハリングに貼り付けるにあたっては、例えばラミネータが用いられる。しかしながら、ウェハ加工用テープは、伸び易い特性を有しているため、ラミネータで貼り付けを行う際に張力が過剰に加わると、ラミネート後に皺が発生したり、ラベル部の剥がれが発生したりするおそれがある。このため、ダイシング工程におけるダイシフト（デバイス間の配列ずれ）の発生が問題となることがあった。
【０００５】
また、ウェハ加工用テープをウェハ及びウェハリングに貼り付ける際、使用するウェハ加工用テープの特性に適した条件にてラミネートがなされているか否かを判定するため、ウェハ加工用テープにマーキングを施す場合がある。このようなテープとしては、例えば特許文献１，２に記載されたものがある。特許文献１では、ウェハ加工用テープのラベル部に製品識別用の印字が施されている。しかしながら、特許文献１，２のウェハ加工用テープのマーキングの印字位置では、ラミネート時の張力による変形具合が分かりにくく、ラミネートが最適な条件でなされているか否かの判定は困難と考えられる。
【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、ダイシフトの発生を抑制できるウェハ加工用テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす離型フィルムと、半導体ウェハの形状に対応して離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、接着剤層上に設けられた粘着剤層、及び粘着剤層上に設けられた基材フィルムとからなる粘着フィルムと、を備え、粘着フィルムは、接着剤層の縁部よりも外側に張り出して離型フィルムに接すると共に、ウェハリングに貼り付けられる貼付領域が設定された張出領域を有し、貼付領域において、基材フィルムの表面側には、テープの長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にマーキングが設けられていることを特徴としている。
【０００８】
このウェハ加工用テープでは、ラミネート時に最も張力がかかる貼付領域において、テープの長手方向に対する最大長さをＡ、テープの幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域にマーキングが設けられている。これにより、マーキングの形状の変化を目視によって容易に判別することが可能となる。したがって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、後続のダイシング工程におけるダイシフトの発生を抑制できる。
【０００９】
また、マーキングは、テープの長手方向に沿って複数設けられていることが好ましい。これにより、マーキングの形状の変化を目視で一層容易に判別できる。
【００１０】
また、マーキングは、貼付領域におけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応して設けられていることが好ましい。これにより、ウェハ加工用テープのラミネートが均一になされたか否かを容易に判別できる。
【００１１】
また、マーキングは、０．２ｍｍ以上２ｍｍ以下の太さの線の組み合わせからなることが好ましい。このような線状のマーキングを用いることにより、マーキングの形状の変化を目視で一層容易に判別できる。また、ラミネータ装置への影響も抑えられる。
【００１２】
また、マーキングは、スクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法のいずれかの方法によって設けられていることが好ましい。これにより、長尺のウェハ加工用テープに対して連続的にマーキングを形成できる。特に、インクジェット法では、所望の形状のマーキングを簡単に形成できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別でき、ダイシフトの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示したウェハ加工用テープの要部拡大図である。
【図３】図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】ウェハ加工用テープを使用した半導体チップの製造工程を示す図である。
【図５】図４の後続の工程を示す図である。
【図６】図５の後続の工程を示す図である。
【図７】マーキング配置の変形例を示す図である。
【図８】マーキング配置の別の変形例を示す図である。
【図９】マーキング形状の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープの好適な実施形態について詳細に説明する。
［ウェハ加工用テープの構成］
【００１６】
図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す斜視図である。また、図２は、その要部拡大図であり、図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。ウェハ加工用テープ１は、例えば半導体チップの製造工程において、ダイシング工程での半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程での半導体チップとリードフレーム等との接着に用いられる長尺のテープである。ウェハ加工用テープ１は、図１に示すように、離型フィルム２の一面側に、プリカット加工された接着剤層３及び粘着フィルム４を備え、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
【００１７】
接着剤層３は、半導体ウェハ１１（図４参照）の形状に対して円形に形成され、ウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に沿って所定の間隔で配列されている。接着剤層３の厚さは適宜設定されるが、例えば５μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。一方、粘着フィルム４は、図３に示すように、粘着剤層５と、基材フィルム６とによって２層構造となっており、粘着剤層５側が離型フィルム２側を向くように配置されている。粘着剤層５の厚さは、例えば５μｍ〜４００μｍ程度であることが好ましく、基材フィルム６の厚さは、例えば５０μｍ〜１５０μｍ程度であることが好ましい。
【００１８】
粘着フィルム４は、接着剤層３を覆う円形のラベル部７と、ラベル部７から離間して離型フィルム２の幅方向の両端部にそれぞれ配置された縁部８，８とを有している。ラベル部７は、図２に示すように、接着剤層３よりも一回り大径の円形をなし、接着剤層３と同心になるように接着剤層３上に積層されている。ラベル部７の縁部は、接着剤層３よりも外側に張り出す張出領域となっており、接着剤層３を介さずに離型フィルム２の表面に付着した状態となっている。
【００１９】
この張出領域の外縁部分には、図２に示すように、後述のウェハリング１２に貼り付けられる貼付領域Ｐが設定されている。また、貼付領域Ｐにおいて、基材フィルム６側には、マーキング９が印字されている。マーキング９は、接着剤層３の両側において、貼付領域Ｐにおけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応するように、ウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に一致して設けられている。
【００２０】
マーキング９は、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域内で、例えばウェハ加工用テープ１の幅方向に延在している。このようなマーキング９は、例えばスクリーン印刷法、スタンプ法、及びインクジェット法などにより形成される。これにより、長尺のウェハ加工用テープ１に対し、ロールｔｏロールにて連続的にマーキングを形成できる。特に、インクジェット法では、所望の形状のマーキングを簡単に形成できる。
［ウェハ加工用テープの構成素材］
【００２１】
離型フィルム２は、例えばヤング率が２Ｇｐａ以上となるように素材及び厚さが調整されている。こうすることで、ウェハ加工用テープ１を巻く際の離型フィルム２の伸びを防ぐことができる。離型フィルム２の素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリ半芳香族エステルフィルム、全芳香族ポリエステルフィルム、液晶性芳香族ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムなどが挙げられる。
【００２２】
接着剤層３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体を必須成分として構成されている。このような組成を用いると、接着性、電極の埋め込み性、ワイヤ埋め込み性などを好適に確保できる。また、ダイボンディングの際、低温での接着や短時間での硬化が可能となる。さらに、封止剤でモールドした後の信頼性にも優れたものとなる。
【００２３】
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００２４】
また、フェノール樹脂としては、例えばフェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるものであれば、特に制限はない。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００２５】
フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００２６】
上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、Ｄｕ Ｐｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。
【００２７】
エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含む。高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）としては、−５０℃以上６０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。
【００２８】
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５〜６質量％の共重合体比である。つまり、本実施形態において、エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。
【００２９】
Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。
【００３０】
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体素子を貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３１】
また接着剤層３の成分には、更に必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加してもよい。このような硬化促進剤としては、具体的には、例えば２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３２】
さらに、接着剤層３の成分には、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。具体的には水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３３】
粘着フィルム４のラベル部７及び縁部８は、例えば同一材料によって形成されている。こうすることで、プリカット加工において、粘接着フィルムを張り合わせる工程を簡略化できる。基材フィルム６には、ダイボンディング工程におけるエキスパンド時にフィルムの破断などが生じず、かつ均等に伸長する素材であり、ラミネート時の熱によって、収縮しない素材であれば特に制限なく用いることができる。
【００３４】
このような素材としては、例えば結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤を混合した混合物、また、電子線照射により架橋を施した硬化物などが挙げられる。
【００３５】
また、粘着剤層５としては、公知の材料が用いられ、感光性材料及び非感光性材料の両方とも使用可能である。また用途に応じて、感光性粘着剤層に予め紫外線を照射することで、粘着剤層の一部又は全部を硬化したものも使用することができる。このような粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、天然ゴム系粘着剤、ブタジエン系粘着剤、ブタジエン共重合体系粘着剤、シリコーン系粘着剤、オレフィン系粘着剤などが挙げられる。
【００３６】
以上の構成を有するウェハ加工用テープ１を用いて半導体ウェハをダイシングする場合、ロール状のウェハ加工用テープ１を順次引き出しながら、離型フィルム２から接着剤層３及び粘着フィルム４のラベル部７のみを積層状態のまま剥がし、接着剤層３上に半導体ウェハ１１の裏面側を貼り付ける。
【００３７】
次に、所定のラミネート装置を用いることにより、図４に示すように、ラベル部７の貼付領域Ｐにウェハリング１２を粘着固定する。このとき、ラミネート時にラベル部７にかかる張力によってマーキング９が湾曲形状に変形する。したがって、マーキング９の湾曲状態を確認することで、ラベル部７にかかる張力を目視で判別することが可能となる。
【００３８】
本実施形態では、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域で、マーキング９がウェハ加工用テープ１の幅方向に延在している。Ａ及びＢが上記範囲よりも小さい場合、マーキング９の変形量が十分得られず、目視による判別が難しくなる。また、Ａ及びＢが上記範囲を超えると、マーキング９が貼付領域Ｐからはみ出し易くなり、やはり目視による判別が難しくなる。したがって、上記範囲にマーキング９を配置することで、マーキング９の湾曲状態の変化を目視によって容易に判別できる。
【００３９】
また、マーキング９は、貼付領域Ｐにおけるラミネートの始点部分及び終点部分に対応するように、ウェハ加工用テープ１の長手方向に沿って接着剤層３を挟んで２箇所に設けられている。これにより、ウェハリング１２に対するラミネートが均一になされたか否かを容易に判別できる。
【００４０】
半導体ウェハ１１及びウェハリング１２の固定を行った後、図５に示すように、ブレード１３によって半導体ウェハ１１を所定の形状にダイシングし、半導体チップ１４を得る。そして、図６に示すように、ラベル部７の裏面を突上ピン１５で押圧しながら、コレット１６によって半導体チップ１４をピックアップする。このとき、接着剤層３が粘着剤層５から剥離し、ピックアップされた半導体チップ１４に付着した状態となる。この接着剤層３は、半導体チップ１４をリードフレーム等に接着する際のダイボンディングフィルムとして機能する。
【００４１】
本実施形態では、上記工程中でウェハリング１２へのラミネート時の張力をマーキング９によって目視で容易に判別することができる結果、ラミネート後にラベル部７に皺が発生することやラベル部７の剥がれが発生することを防止できる。これにより、後続のダイシング工程におけるダイシフト（デバイス間の配列ずれ）の発生を抑えることが可能となる。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば接着剤層３を挟んで配置されるマーキング９は、必ずしもウェハ加工用テープ１の長手方向の中心線に沿って配置されていなくてもよく、図７に示すように、中心線を挟んで幅方向に互い違いにマーキング９を配置してもよい。また、図８に示すように、ウェハ加工用テープ１の長手方向に沿う２本の線に沿って、接着剤層３を挟むように計４箇所にマーキング９を配置してもよい。このような構成によっても、上記実施形態と同様の作用効果が得られる。
【００４３】
また、マーキング９は、ウェハ加工用テープ１の長手方向に対する最大長さをＡ、幅方向に対する最大長さをＢとしたときに、Ａが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下、かつＢが２ｍｍ以上２０ｍｍ以下となる領域内で、種々の形状を採り得る。例えば図９（ａ）に示すように、幅がＡで長さがＢの略長方形状のマーキング９Ａを配置してもよく、図９（ｂ）に示すように、長さがＢの線状（Ａよりも十分小さい線幅）のマーキング９Ｂを所定の間隔で複数本配置してもよい。
【００４４】
図９（ａ）の場合では、ラミネート時の張力によるマーキング９Ａの湾曲度合いを目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。また、図９（ｂ）の場合では、ラミネート時の張力による線間距離の変化を目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。
【００４５】
また、例えば図９（ｃ）に示すように、幅が０．５Ａで長さが０．５Ｂの略長方形状のマーキング９Ｃを２×２のマトリクス状に配列してもよく、図９（ｄ）に示すように、直径がＡ（＝Ｂ）の円形状のマーキング９Ｄを配置してもよい。
【００４６】
図９（ｃ）の場合では、ラミネート時の張力による４つのマーキング９Ｃの湾曲度合いを目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。図９（ｄ）の場合では、ラミネート時の張力によるマーキング９Ｄの楕円形状への変化を目視で確認することによって、特性に適した条件でラミネートがなされているか否かを容易に判別できる。
【符号の説明】
【００４７】
１…ウェハ加工用テープ、２…離型フィルム、３…接着剤層、４…粘着フィルム、５…粘着剤層、６…基材フィルム、９（９Ａ〜９Ｄ）…マーキング、Ｐ…貼付領域。
【図１】
0006007572.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0006007572.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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