(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示パネルと、
マトリクス状に配設された複数の光学シャッタを有するシャッタパネルと、を有し、
前記複数の画素の各々は、Ａ行Ｂ列（Ａ、Ｂは２以上の自然数）に配設されたＡ×Ｂ個の副画素を有し、
特定の１行に配設されたＢ個の前記副画素を用いて表示が行なわれ、前記特定の１行以外の（Ａ−１）行に配設された（Ａ−１）×Ｂ個の前記副画素を用いて黒表示が行なわれ、且つ、前記複数の光学シャッタの第１の部分を遮光状態とし、前記複数の光学シャッタの第２の部分を透光状態として第１の視差バリアが配設される第１の表示状態と、
特定の１列に配設されたＡ個の前記副画素を用いて表示が行なわれ、前記特定の１列以外の（Ｂ−１）列に配設されたＡ×（Ｂ−１）個の前記副画素を用いて黒表示が行なわれ、且つ、前記複数の光学シャッタの第３の部分を遮光状態とし、前記複数の光学シャッタの第４の部分を透光状態として第２の視差バリアが配設される第２の表示状態と、を有し、
前記第３の部分は、前記第１の部分とは異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記Ａ×Ｂ個の副画素の各々は、有機エレクトロルミネッセンス素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記Ａ×Ｂ個の副画素の各々は、画像信号に応じた電流を前記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給することができる機能を有する素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記複数の画素の各々は、画像信号に応じた電流を前記Ａ×Ｂ個の副画素の少なくとも２つに供給することができる機能を有する第１の素子を有し、
前記少なくとも２つの副画素の各々は、前記電流を前記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給するか否かを選択することができる機能を有する第２の素子を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の表示状態において、前記特定の１行に配設されたＢ個の前記副画素が並ぶ方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設され、
前記第２の表示状態において、前記特定の１列に配設されたＡ個の前記副画素が並ぶ方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の表示状態及び前記第２の表示状態において、市松模様状の視差バリアが配設されることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
制御部を有し、
前記制御部は、前記複数の画素を用いた表示を制御することができる機能と、前記複数の光学シャッタを用いた視差バリアの配設を制御することができる機能とを有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に、３次元表示が可能な表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
テレビ受像機などの大型表示装置から携帯電話などの小型表示装置に至るまで表示装置の普及が進んでいる。今後は、より付加価値の高い製品が求められており開発が進められている。近年では、より臨場感のある画像を再現するため、３次元表示が可能な表示装置の開発が進められている。
【０００３】
３次元表示を行う表示方式としては、左目に視認される画像と右目に視認される画像を分離するための眼鏡を用いる方式（画像分離方式ともいう）と、表示部において左目に視認される画像と右目に視認される画像を分離するための構成を追加し、裸眼での３次元表示を可能にする裸眼方式と、がある。裸眼方式による３次元表示は、眼鏡を別途準備する必要がなく、利便性に優れている。裸眼方式による３次元表示は、携帯電話及び携帯型遊技機等で普及しつつある。
【０００４】
裸眼方式による３次元表示としては、表示部に視差バリアを追加する、所謂視差バリア方式（パララックスバリア方式とも言う）が知られている。視差バリア方式における視差バリアはストライプ状の遮光部であり、３次元表示から２次元表示に切り替えた際に解像度を低下させる原因になる。そのため、視差バリア方式では、２次元表示と３次元表示を切り替える場合に、パターニングされた透明電極を有する液晶パネルを用いる構成が提案されている（特許文献１参照）。この場合、当該透明電極に印加する電圧を制御することで液晶層による透光または遮光を制御し、視差バリアの有無を切り替えることが可能である。
【０００５】
さらに、視認者に対する携帯電話等の表示部の向きが変化した場合に、視差バリアを配設する方向を変化させる携帯電話等も存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５８０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の視差バリアは、表示部に存在する複数の画素の一部を視認者の左目に視認させ、当該複数の画素の残部を当該利用者の右目に視認させるために設けられる。例えば、視差バリアが配設される基板（以下、シャッタパネルともいう）において、当該視認者の左目と右目を結ぶ直線に対して垂直方向又は略垂直方向にストライプ状に配設された光学シャッタによって表示を遮る。これにより、視認者の左目又は右目に選択的に複数の画素の表示を視認させることが可能となる。
【０００８】
ただし、当該視差バリア方式による３次元表示では、視認者と表示装置の相対的な位置関係が所望の位置関係でない場合にクロストークを生じることがある。ここで、クロストークとは、右（左）目用画素の表示の一部が左（右）目に視認されることを言うこととする。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、視認者との相対的な位置関係に応じて視差バリアの形状を変化させる表示装置において、クロストークの発生を抑制することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様の表示装置は、表示素子単位となる画素が、正方形状又は略正方形状の複数の副画素を有する。そして、当該複数の副画素の一部において表示を行い、且つその他の副画素においては表示を行わない（黒表示を行う）。なお、この場合には、ストライプ状に配設される視差バリアの長軸方向に沿って直線的に配設される副画素において表示を行う。
【００１１】
具体的には、本発明の一態様は、マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示パネルと、マトリクス状に配設された複数の光学シャッタを有するシャッタパネルと、表示パネルにおける複数の画素を用いた表示及びシャッタパネルにおける複数の光学シャッタを用いた視差バリアの配設を制御する制御部と、を有し、画素は、正方形状又は略正方形状の、第１の副画素と、第１の副画素の第１の方向に配設された少なくとも一の第２の副画素と、第１の方向と直交又は略直交する第２の方向に配設された少なくとも一の第３の副画素と、を有し、制御部が、表示パネルが有する複数の画素のそれぞれにおいて、第１の副画素及び第２の副画素を用いて表示を行い、且つ第３の副画素を用いて黒表示を行い、且つ、シャッタパネルが有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、且つ残部を透光状態とすることで視差バリアを配設する、第１の表示状態と、制御部が、表示パネルが有する複数の画素のそれぞれにおいて、第１の副画素及び第３の副画素を用いて表示を行い、且つ第２の副画素を用いて黒表示を行い、且つ、第１の表示状態において遮光状態とされた複数の光学シャッタの一部とは異なる、シャッタパネルが有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、且つ残部を透光状態とすることで視差バリアを配設する、第２の表示状態と、を有する表示装置である。
【００１２】
また、マトリクス状に配設された複数の画素を有する表示パネルと、マトリクス状に配設された複数の光学シャッタを有するシャッタパネルと、表示パネルにおける複数の画素を用いた表示及びシャッタパネルにおける複数の光学シャッタを用いた視差バリアの配設を制御する制御部と、を有し、画素は、それぞれが正方形状又は略正方形状であるＡ行Ｂ列（Ａ、Ｂは２以上の自然数）に配設されたＡ×Ｂ個の副画素を有し、制御部が、表示パネルが有する複数の画素のそれぞれにおいて、特定の１行に配設されたＢ個の副画素を用いて表示を行い、且つ特定の１行以外の（Ａ−１）行に配設された（Ａ−１）×Ｂ個の副画素を用いて黒表示を行い、且つ、シャッタパネルが有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、且つ残部を透光状態とすることで視差バリアを配設する、第１の表示状態と、制御部が、表示パネルが有する複数の画素のそれぞれにおいて、特定の１列に配設されたＡ個の副画素を用いて表示を行い、且つ特定の１列以外の（Ｂ−１）列に配設されたＡ×（Ｂ−１）個の副画素を用いて黒表示を行い、且つ、第１の表示状態において遮光状態とされた複数の光学シャッタの一部とは異なる、シャッタパネルが有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、且つ残部を透光状態とすることで視差バリアを配設する、第２の表示状態と、を有する表示装置も本発明の一態様である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様の表示装置においては、各画素が有する複数の副画素の一部において表示を行い、その他の副画素において表示を行わない。すなわち、当該画素に占める表示面積を低減する。よって、クロストークの発生を抑制することが可能である。
【００１４】
また、本発明の一態様の表示装置においては、副画素が正方形状又は略正方形状を有する。よって、視認者との相対的な位置関係に応じて任意に表示を行う副画素を選択する場合であっても、画素における表示面積（表示を行う複数の副画素）の形状が大きく変化することがない。したがって、当該位置関係が変化する場合（配設される視差バリアの形状が変化する場合）であっても、当該位置関係に依存せずにクロストークの発生を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】表示装置の構成例を示す図。
【図２】表示パネルの構成例を示す断面図。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）表示パネルの構成例を示す断面図。
【図４】（Ａ）画素が有する副画素の配設例を示す図、（Ｂ）画素の等価回路例を示す図。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）画素が有する副画素の配設例を示す図。
【図６】（Ａ）画素の等価回路例を示す図、（Ｂ）各種表示状態における各種配線の電位を示す図。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）表示装置の表示状態の一例を示す図。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）表示装置の表示状態の一例を示す図。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１７】
本発明の一態様の表示装置について図１〜図８を参照して説明する。
【００１８】
＜表示装置の構成例＞
図１は、本発明の一態様に係る表示装置の構成例を示す図である。なお、図１では、視認者による視認の状況を表すため、視認者の左目３１及び右目３２を併記している。図１に示す表示装置は、複数の画素１００がマトリクス状に配設された表示パネル１０と、複数の光学シャッタ２００がマトリクス状に配設されたシャッタパネル２０と、表示パネル１０における画像又は動画の表示及びシャッタパネル２０における視差バリアの配設を制御する制御部３０とを有する。なお、複数の光学シャッタ２００は、複数の画素よりも高精細に配設されている。換言すると、シャッタパネル２０が有する光学シャッタ２００の個数は、表示パネル１０が有する画素１００の個数よりも多い。
【００１９】
表示パネル１０は、画素１００毎に所望の色の表示を行うことで、マトリクス状に配設された複数の画素１００全体において特定の画像を表示することが可能である。また、当該画像を連続的に切り替えることによって動画を表示することが可能である。例えば、表示パネル１０として、液晶によって光の偏光を制御することによって表示を行うパネル（いわゆる、液晶表示装置）、又は有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬともいう）を利用して表示を行うパネルなどを適用することが可能である。
【００２０】
シャッタパネル２０は、表示パネル１０から光が放出される方向、すなわち表示装置を視認者が視認する側に設けられている。シャッタパネル２０は、複数の光学シャッタ２００を透光状態又は遮光状態とする。そして、シャッタパネル２０において、選択的に複数の光学シャッタ２００を遮光状態とすることで、視差バリアを配設することが可能である。例えば、シャッタパネル２０として、液晶によって光の偏光を制御することによって透光状態又は遮光状態を選択するパネル（一般的な液晶表示装置から、バックライト及びカラーフィルタなどの構成要件を除去したパネル）などを適用することが可能である。
【００２１】
制御部３０は、所望の画像又は動画を表示させるための信号等を表示パネル１０に供給する。また、制御部３０は、当該表示装置において２次元表示及び３次元表示のいずれの表示を行うかを選択する機能を有する。そして、３次元表示を行う場合には、表示パネル１０に対する信号等のみならず、視差バリアを配設するための信号等をシャッタパネル２０に対して供給する。さらに、制御部３０は、視認者に対する表示装置の向きが変化したことを検知し、当該検知した向きに応じて表示パネル１０及びシャッタパネル２０に供給する信号を変更する機能を有する。具体的には、当該検知した向きに応じて表示パネル１０における表示を９０°単位で、且つシャッタパネル２０における視差バリアの長軸方向を９０°単位で変更する。例えば、制御部３０に加速度センサ、重力センサ、又は角度センサ（ジャイロセンサ等）等のセンサを設け、当該センサに検知された情報に応じて表示パネル１０及びシャッタパネル２０に出力する信号を制御する構成とすることができる。また、当該制御に画像認識機能を設け、当該機能によって検知される視認者の顔の向きなどの情報に応じて表示パネル１０及びシャッタパネル２０に出力する信号を制御する構成とすることもできる。
【００２２】
＜表示パネル１０の構成例＞
上述した表示パネル１０の構成例について、図２を参照して説明する。なお、図２は、有機エレクトロルミネッセンスを利用して白色を呈する光を発光する発光素子と、発光素子が発光する白色を呈する光に含まれる特定の波長帯域の光を透過させることで白色を呈する光から有彩色を呈する光へと変化させるカラーフィルタと、を有する３つの副画素２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃの断面図である。
【００２３】
図２に示す表示パネルは、図２に矢印で示す方向に光を発する（表示を行う）。すなわち、発光層２１８が形成された第１の基板２０１を介することなく、第２の基板２５１を介して発光する所謂上面射出構造（トップエミッション構造）の表示パネルである。なお、発光層２１８は、有機エレクトロルミネッセンスを使用して白色を呈する光を発光する。
【００２４】
図２に示すように、第１の基板２０１と、第２の基板２５１との間に、青色を呈する光を射出するか否かが選択される副画素２４０ａ、緑色を呈する光を射出するか否かが選択される副画素２４０ｂ、及び赤色を呈する光を射出するか否かが選択される副画素２４０ｃが形成されている。また、第１の基板２０１上には、発光素子の駆動を制御するトランジスタ２３０と、トランジスタ２３０に電気的に接続された反射電極層２１４と、を有している。
【００２５】
なお、副画素２４０ａには、青色の領域に発光強度を有する発光素子が形成され、副画素２４０ｂには、緑色の領域に発光強度を有する発光素子が形成され、副画素２４０ｃには、赤色の領域に発光強度を有する発光素子が形成されている。なお、これらの発光素子は、微小光共振器（マイクロキャビティ）としての機能を備えることで、所望の発光スペクトルを増強させている。
【００２６】
副画素２４０ａにおいては、青色の領域に発光強度を有する発光素子として、反射電極層２１４の上に発光層２１８が直接形成され、発光層２１８の上に半透過電極層２１９が形成されている。
【００２７】
また、副画素２４０ｂにおいては、緑色の領域に発光強度を有する発光素子として、反射電極層２１４の上に第１の透明電極層２２０ａが形成され、第１の透明電極層２２０ａの上に発光層２１８が形成され、発光層２１８の上に半透過電極層２１９が形成されている。
【００２８】
また、副画素２４０ｃにおいては、赤色の領域に発光強度を有する発光素子として、反射電極層２１４の上に第２の透明電極層２２０ｂが形成され、第２の透明電極層２２０ｂの上に発光層２１８が形成され、発光層２１８の上に半透過電極層２１９が形成されている。
【００２９】
このように、それぞれの副画素（副画素２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃ）の発光素子で反射電極層２１４と半透過電極層２１９の間の構成が異なる。
【００３０】
また、第２の基板２５１は、第２の基板２５１の上に、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜２５２と、カラーフィルタ２５４と、オーバーコート２５６を有している。カラーフィルタ２５４は、有色層であり、各発光素子からの発光の色（青、緑、赤）に対応する光を透過し、その他の光を吸収する。すなわち、発光層２１８が発する光の一部がカラーフィルタ２５４及び第２の基板２５１を介して射出され、当該光の残部がカラーフィルタ２５４によって吸収される。
【００３１】
このように、それぞれの副画素（副画素２４０ａ、２４０ｂ、２４０ｃ）の発光素子で反射電極層２１４と半透過電極層２１９の光学的距離が異なっていると言える。この光学的距離は、各画素の発光素子が必要なスペクトルが共振効果により増幅される光学的距離とすればよい。また、副画素２４０ａに配置された青色の領域に発光強度を有する発光素子のみ、反射電極層２１４の上に発光層２１８が直接形成され、発光層２１８の上に半透過電極層２１９が形成されている。すなわち、透明電極層（第１の透明電極層２２０ａ、及び第２の透明電極層２２０ｂ）が形成されない。
【００３２】
このような構造とすることにより、副画素２４０ａに形成する透明電極層が不要となるため、工程数の削減、及びコストの削減が実現できる。
【００３３】
なお、第１の基板２０１と第２の基板２５１の間にある空間２６０は、特に限定はなく、透光性を有していれば良い。ただし、空間２６０は、屈折率が空気よりも大きい透光性を有した材料で充填した方が好ましい。屈折率が小さい場合、発光層２１８から射出された斜め方向の光が、空間２６０によりさらに屈折し、場合によっては隣接の画素から光が射出してしまう。従って、空間２６０としては、例えば、第１の基板２０１と第２の基板２５１とが、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤を用いることができる。また、窒素やアルゴンなどの不活性な気体なども用いることができる。
【００３４】
続けて、図２に示した表示パネルの詳細な説明、及び作製方法の説明を行う。
【００３５】
まず、発光素子の駆動を制御するトランジスタ２３０、及び発光層２１８等が形成された第１の基板２０１の作製方法を以下に示す。
【００３６】
絶縁表面を有する基板である第１の基板２０１上に、導電層を形成した後、第１のフォトリソグラフィ工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を除去してゲート電極層２０２を形成する。図２のように、ゲート電極層２０２の端部にテーパー形状が形成されるようにエッチングすると、積層する膜の被覆性が向上するため好ましい。
【００３７】
第１の基板２０１に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。第１の基板２０１にはガラス基板を用いることができる。
【００３８】
ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。
【００３９】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いても良い。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。当該表示パネルは、第２の基板２５１を介して発光を取り出すトップエミッション構造であるので、第１の基板２０１としては、非透光性の金属基板等の基板を用いることもできる。
【００４０】
下地膜となる絶縁膜を第１の基板２０１とゲート電極層２０２との間に設けてもよい。下地膜は、第１の基板２０１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化珪素膜、酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。
【００４１】
ゲート電極層２０２は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
【００４２】
次に、ゲート電極層２０２上にゲート絶縁層２０４を形成する。ゲート絶縁層２０４は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化珪素層、窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層、又は酸化アルミニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、成膜ガスとして、ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏを用いてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化珪素膜を形成すればよい。
【００４３】
次に、半導体層を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程により島状の半導体層２０６を形成する。
【００４４】
半導体層２０６は、シリコン半導体又は酸化物半導体を用いて形成することができる。シリコン半導体としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、又はアモルファスシリコンなどを用いることができる。また、酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系酸化物半導体、一元系金属酸化物であるＩｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体、Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体などを用いることができる。なお、本明細書においては、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とは、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）を有する金属酸化物、という意味であり、その化学量論的組成比は特に問わない。また、上記酸化物半導体は、シリコンを含んでいてもよい。ただし、半導体層２０６としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物である酸化物半導体を用いて、オフ電流の低い半導体層とすることで、オフ時のリーク電流が抑制できるため、好ましい。
【００４５】
次に、ゲート絶縁層２０４、及び半導体層２０６上に導電膜を形成し、第３のフォトリソグラフィ工程によりソース電極層及びドレイン電極層２０８を形成する。
【００４６】
ソース電極層及びドレイン電極層２０８に用いる導電膜としては、例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。また、Ａｌ、Ｃｕなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜（窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層及びドレイン電極層２０８に用いる導電膜としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００４７】
次に、半導体層２０６、及びソース電極層及びドレイン電極層２０８上に、絶縁層２１０を形成する。絶縁層２１０としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【００４８】
次に、絶縁層２１０上に第２の絶縁層２１２を形成する。
【００４９】
第２の絶縁層２１２としては、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、第２の絶縁層２１２を形成してもよい。
【００５０】
次に、第４のフォトリソグラフィ工程により、第２の絶縁層２１２、及び絶縁層２１０にソース電極層及びドレイン電極層２０８に達する開口を形成する。開口方法は、ドライエッチング、ウェットエッチングなど適宜選択すれば良い。
【００５１】
次に、絶縁層２１２、ソース電極層及びドレイン電極層２０８上に導電膜を形成し、第５のフォトリソグラフィ工程により、反射電極層２１４を形成する。
【００５２】
反射電極層２１４としては、発光層２１８（後に形成される）が発する光を効率よく反射する材料が好ましい。なぜなら光の取り出し効率を向上できるためである。なお、反射電極層２１４を積層構造としてもよい。例えば、発光層２１８に接する側に金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を用いることができる。このような構成とすることで、発光層２１８と反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適である。
【００５３】
次に、反射電極層２１４上に透明導電膜を成膜し、第６のフォトリソグラフィ工程により、第１の透明電極層２２０ａを形成する。
【００５４】
次に、反射電極層２１４、及び第１の透明電極層２２０ａ上に透明導電膜を成膜し、第７のフォトリソグラフィ工程により第２の透明電極層２２０ｂを形成する。なお、副画素２４０ａのみ第１の透明電極層、及び第２の透明電極層は形成されない。
【００５５】
第１の透明電極層２２０ａ、及び第２の透明電極層２２０ｂに使用できる材料としては、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【００５６】
なお、第１の透明電極層２２０ａ、及び第２の透明電極層２２０ｂの形成方法はこれに限定されない。例えば、第２の透明電極層２２０ｂに必要な膜厚の透明導電膜を成膜し、第１の透明電極層２２０ａとなる部分のみドライエッチング、またはウェットエッチング等を行い、第１の透明電極層２２０ａに必要な膜厚まで、透明導電膜を除去する方法なども用いることもできる。また、第２の透明電極層２２０ｂは、第１の透明電極層２２０ａに使用した透明導電膜との積層構造としてもよい。
【００５７】
このように、副画素２４０ａのみ透明電極層を形成しない構成とすることで、マスク枚数の削減や、不要な工程の削減によりコストの低減が実現できる。
【００５８】
次に、反射電極層２１４、第１の透明電極層２２０ａ、及び第２の透明電極層２２０ｂの上に隔壁２１６を形成する。
【００５９】
隔壁２１６としては、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、副画素２４０ａでは、反射電極層２１４上に開口部を形成し、副画素２４０ｂでは、第１の透明電極層２２０ａ上に開口部を形成し、副画素２４０ｃでは、第２の透明電極層２２０ｂ上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【００６０】
次に、反射電極層２１４、第１の透明電極層２２０ａ、第２の透明電極層２２０ｂ、及び隔壁２１６上に発光層２１８を形成する。発光層２１８は、単層の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良く、発光層２１８が発する光は、スペクトルが赤、緑、青のそれぞれの波長領域にピークを有する光であることが好ましい。
【００６１】
次に、発光層２１８上に半透過電極層２１９を形成する。
【００６２】
なお、反射電極層２１４、または半透過電極層２１９は、いずれか一方が発光層２１８の陽極として機能し、他方は発光層２１８の陰極として機能する。陽極として機能する電極には、仕事関数の大きな物質が好ましく、陰極として機能する電極には仕事関数の小さな物質が好ましい。
【００６３】
以上の工程により、発光素子の駆動を制御するトランジスタ２３０、及び発光層２１８が設けられた第１の基板２０１が形成される。
【００６４】
次に、遮光膜２５２、カラーフィルタ２５４、及びオーバーコート２５６が形成された第２の基板２５１の作製方法を以下に示す。
【００６５】
まず、第２の基板２５１上に導電膜を形成し、第８のフォトリソグラフィ工程を行い、遮光膜２５２を形成する。遮光膜２５２により、それぞれの副画素間での混色を防止することができる。ただし、遮光膜２５２は設けなくてもよい。
【００６６】
遮光膜２５２としては、チタン、クロムなどの反射率の低い金属膜、または、黒色顔料や黒色染料が含浸された有機樹脂膜などを用いることができる。
【００６７】
次に、第２の基板２５１、及び遮光膜２５２の上に、カラーフィルタ２５４を形成する。
【００６８】
カラーフィルタ２５４については、特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各カラーフィルタは、公知の材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ技術を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【００６９】
なお、ここでは、ＲＧＢの３色を用いた方法について説明したが、これに限定されず、ＲＧＢＹ（黄色）の４色を用いた構成、または、５色以上の構成としてもよい。
【００７０】
次に、遮光膜２５２、及びカラーフィルタ２５４の上にオーバーコート２５６を形成する。オーバーコート２５６は、アクリル、ポリイミド等の有機樹脂膜により形成することができる。オーバーコート２５６により、カラーフィルタ２５４に含有された不純物成分等を発光層２１８側への拡散を防止することができる。また、オーバーコート２５６は、有機樹脂膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。無機絶縁膜としては、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。なお、オーバーコート２５６は、形成しない構成としてもよい。
【００７１】
以上の工程により、遮光膜２５２、カラーフィルタ２５４、及びオーバーコート２５６が設けられた第２の基板２５１が形成される。
【００７２】
また、第１の基板２０１と、第２の基板２５１と、をアライメントして張り合わせを行い表示パネルとする。第１の基板２０１と第２の基板２５１の張り合わせは、特に限定はなく、接着可能な屈折率が大きい透光性の接着剤などを用いて行うことができる。
【００７３】
以上のように、当該表示パネルは、青色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された副画素と、緑色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された副画素と、赤色の領域に発光強度を有する発光素子が形成された副画素と、発光素子の光学的距離を変更している。各発光素子でマイクロキャビティにより所望のスペクトルを増強させることで、色純度の高い表示パネルを実現できる。また、青色の波長を射出する発光素子が形成された副画素のみ透明電極層を用いていないため、工程数の削減、及びコストの削減を実現できる。
【００７４】
なお、ここでは、白色発光する発光素子及びカラーフィルタを組み合わせたトップエミッション構造（以下、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造と省略する）の表示パネルについて説明したが、当該表示パネルとして、塗り分け方式により形成した発光素子のトップエミッション構造（以下、塗り分け＋ＴＥ構造）の表示パネルを適用することも可能である。なお、塗りわけ方式とは、各画素にＲＧＢの材料を蒸着法などにより塗り分ける方式である。
【００７５】
ここで、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の表示パネルと、塗り分け＋ＴＥ構造の表示パネルとについて、以下比較を行う。
【００７６】
まず、カラー化に対しては、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の場合、カラーフィルタを用いてカラー化を行う。そのため、カラーフィルタが必要になる。一方、塗り分け＋ＴＥ構造の場合、各画素を蒸着等により塗り分けてカラー化を行うため、カラーフィルタは不要である。したがって、塗り分け＋ＴＥ構造の場合、高輝度発光又は低電力駆動が可能となる。
【００７７】
ただし、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造では、カラーフィルタが必要であるが、塗り分け＋ＴＥ構造では、塗り分けを行うためにメタルマスク等が必要となる。また、メタルマスクを用いずにインクジェット等を利用して塗り分けを行うことも可能であるが、技術的な課題が多く困難である。なお、メタルマスクを使用した場合、蒸着材料がメタルマスクにも蒸着されてしまうため、材料使用効率が悪く、コストが高いといった課題もある。また、メタルマスクと発光素子とが接触し、発光素子の破壊、または接触によるキズ、パーティクル等が発生するため歩留まりが低下してしまう。したがって、製造コスト又は生産性という観点においては、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の方が有利である。
【００７８】
また、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の場合、偏光板を不要とすることが可能である。一方、塗り分け＋ＴＥ構造においては、偏光板が必要となる。また、マイクロキャビティを利用した色純度の向上は、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造、及び塗りわけＴＥ構造ともに利用することは可能である。
【００７９】
次に、画素サイズに対しては、塗りわけ＋ＴＥ構造では、各画素の色を塗り分ける必要があり、画素間に塗り分けに必要な領域を設ける必要がある。そのため、１画素のサイズを大きくすることが出来ない。これによって、開口率が大幅に低減してしまう。一方、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の場合、画素間に塗り分けに必要な領域を設ける必要がないため、１画素のサイズを大きくすることができ、これに伴い開口率を向上させることができる。
【００８０】
表示パネルを大型化する場合、表示パネルの製造技術が必要不可欠な要素となる。塗り分け＋ＴＥ構造の場合、塗り分けのためにメタルマスクが必要となり、大型対応のメタルマスクの技術、及び生産設備が確立しておらず困難である。また、仮に大型対応のメタルマスクの技術、及び生産設備が確立したとしても、蒸着材料がメタルマスクにも蒸着されるといった材料使用効率の課題は解決しない。一方、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の場合、メタルマスクが不要となるため、従来までの生産設備を用いて製造が可能であり好適である。
【００８１】
また、表示パネルの生産性については、表示パネルの製造装置が重要な要素となる。例えば、発光素子を複数段の積層構造とする場合、表示パネルを製造する装置をインラインまたは、マルチチャンバーとして複数の蒸着源を一度に、または連続して基板に形成することが好ましい。塗りわけ＋ＴＥ構造の場合、各画素の色を塗り分ける必要があるため、所望の位置に形成するためにメタルマスクを交換して形成する必要がある。メタルマスクを交換するために、製造装置をインラインまたは、マルチチャンバーとすることが困難である。一方、白色＋ＣＦ＋ＴＥ構造の場合、メタルマスクを用いる必要がないため、インライン化、またはマルチチャンバー化の製造装置の構成とするのが容易である。
【００８２】
＜表示パネル１０の変形例＞
図２に示した表示パネル１０と異なる表示パネル１０の構成例について、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。なお、図３（Ａ）、（Ｂ）は、有機エレクトロルミネッセンスを利用して白色を呈する光を発光する発光素子と、発光素子が発光する白色を呈する光に含まれる特定の波長帯域の光を透過させることで白色を呈する光から有彩色を呈する光へと変化させるカラーフィルタと、を有する副画素の断面図である。
【００８３】
図２に示した表示パネル１０においては、トランジスタ及び発光素子が形成された基板とは、逆側の面から光を取り出すトップエミッション構造（上面射出構造）について例示したが、以下においては、ボトムエミッション構造（下面射出構造）の表示パネルについて例示する。
【００８４】
ボトムエミッション構造の表示パネル１０について、図３（Ａ）を参照して説明する。
【００８５】
図３（Ａ）は、第１の基板３００と、第２の基板３５０と、第１の基板３００及び第２の基板３５０に挟持されたトランジスタ３３０及び発光素子３２０と、第１の基板３００の表示面（発光素子３２０が発光する光が放出される面）側に設けられたカラーフィルタ３５４とにより構成されている。
【００８６】
第１の基板３００に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。第１の基板３００にはガラス基板を用いることができる。
【００８７】
ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いると良い。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている。なお、酸化ホウ素と比較して酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。
【００８８】
トランジスタ３３０としては、図２に示したトランジスタ２３０と同様に形成することができる。
【００８９】
また、発光素子３２０としては、トランジスタ３３０上に形成された絶縁層３１０、及び、隔壁３１２上に形成されており、トランジスタ３３０と電気的に接続された第１の電極３１４上に、発光層３１６、第２の電極３１８が順に積層されている。
【００９０】
また、絶縁層３１０としては、トランジスタ３３０の存在に起因する凹凸を平坦化できる材料が好ましい。また、発光素子３２０からの光を透過できる材料が好ましい。例えば、絶縁層３１０として透光性の高いアクリル樹脂を適用することが可能である。また、隔壁３１２としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機樹脂膜、無機絶縁膜または有機ポリシロキサンを適用することが可能である。
【００９１】
第１の電極３１４としては、可視光を透過する導電膜を用いる。可視光を透過する導電膜としては、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、酸化インジウム酸化亜鉛（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、１ｎｍ〜３０ｎｍ程度）の金属薄膜を用いることもできる。
【００９２】
発光層３１６としては、図２に示した発光層２１８と同様な手法により形成することができる。
【００９３】
第２の電極３１８としては、発光層３１６が発する光を効率よく反射する材料が好ましい。なぜなら光の取り出し効率を向上できるためである。なお、第２の電極３１８を積層構造としてもよい。例えば、第２の電極３１８としては、発光物質を含む発光層３１６に接する側に金属酸化物による導電膜、またはチタン等を薄く形成し、他方に反射率の高い金属膜（アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を用いることができる。このような構成とすることで、発光層３１６と反射率の高い金属膜との間に形成される絶縁膜の生成を抑制することができるので好適である。
【００９４】
第２の基板３５０としては、発光素子３２０、及びトランジスタ３３０を封止できる材料であればよい。また、図３（Ａ）に示す発光装置は、ボトムエミッション構造のため、透光性を有していない基板でも良い。例えば、第２の基板３５０として使用できる基板としては、ガラス基板、金属基板など適宜用いることができる。
【００９５】
また、空間３２２としては、空間２６０と同様の材料、及び手法により形成することができる。また、空間３２２に発光素子３２０に進入する水分等を取り除くことができる乾燥剤などを封入してもよい。
【００９６】
また、光が放射される側の第１の基板３００の面には、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜３５２と、カラーフィルタ３５４と、オーバーコート３５６が設けられている。カラーフィルタ３５４は、有色層であり、各発光素子が発光する白色を呈する光を有彩色（例えば、青、緑、赤）を呈する光へと変化させる。
【００９７】
また、本発明の一態様に係る表示パネル１０において、カラーフィルタ３５４及びオーバーコート３５６が第１の基板３００及び第２の基板３５０によって挟持される構成とすることも可能である（図３（Ｂ）参照）。
【００９８】
＜画素１００の構成例＞
上述した表示パネル１０が有する画素１００の構成例について、図４（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。なお、図４（Ａ）は、画素１００が有する副画素の配設例を示す図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示す画素の等価回路例を示す図である。
【００９９】
図４（Ａ）に示す画素１００は、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｂとを有する。そして、画素１００においては、副画素１００Ｇを中心として、行方向（図４（Ａ）中、下向き矢印の方向）及び列方向（図４（Ａ）中、右向き矢印の方向）に副画素１００Ｒ、１００Ｂが配設されている。
【０１００】
図４（Ａ）に示す副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、共通の回路構成を有する（図４（Ｂ）参照）。具体的には、副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれは、トランジスタ１０１及びトランジスタ１０３と、キャパシタ１０２と、有機ＥＬ素子１０４とを有する。なお、トランジスタ１０１は、副画素に対する画像信号の入力を制御する素子である。また、トランジスタ１０３は、当該画像信号に応じた電流を有機ＥＬ素子１０４に供給する素子である。また、キャパシタ１０２は、当該画像信号を保持する機能を有する素子である。また、有機ＥＬ素子１０４は、トランジスタ１０３を介して入力される電流値に応じて輝度が変化する発光素子である。
【０１０１】
以下、詳細にこれらの素子の接続関係について述べる。
【０１０２】
トランジスタ１０１のゲートは走査線１０５に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線１０６に電気的に接続されている。
【０１０３】
また、キャパシタ１０２の一方の電極はトランジスタ１０１のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が電源線１０７に電気的に接続されている。
【０１０４】
また、トランジスタ１０３のゲートはトランジスタ１０１のソース及びドレインの他方並びにキャパシタ１０２の一方の電極に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は電源線１０７に電気的に接続されている。
【０１０５】
また、有機ＥＬ素子１０４のアノードはトランジスタ１０３のソース及びドレインの他方に電気的に接続され、カソードは共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
【０１０６】
なお、走査線１０５は、トランジスタ１０１のスイッチングを制御するための信号を供給する配線である。また、信号線１０６は、副画素に対する画像信号を供給する配線である。また、電源線１０７は、当該共通電位と異なる電位が供給される配線である。ここでは、電源線１０７には、当該共通電位よりも高電位が供給されることとする。ただし、図４（Ｂ）においては、トランジスタ１０３としてＰチャネル型トランジスタを適用し、且つ電源線１０７に供給される電位が共通電位よりも高電位となる構成について例示したが、トランジスタ１０３としてＮチャネル型トランジスタを適用し、且つ電源線１０７に供給される電位を当該共通電位よりも低くする構成とすることも可能である。また、図４（Ｂ）においては、トランジスタ１０１としてＮチャネル型トランジスタを適用する構成について例示したが、トランジスタ１０１としてＰチャネル型トランジスタを適用する構成とすることも可能である。さらに、電源線１０７に供給される電位を適宜変化させる構成（可変電位）とすることも可能である。また、当該共通電位を適宜変化させる構成とすることも可能である。
【０１０７】
図４（Ｂ）に示す副画素においては、走査線１０５の電位がハイレベルの電位となる場合における信号線１０６の電位が画像信号として入力される。走査線１０５の電位がハイレベルの電位となることによってトランジスタ１０１が導通状態となるためである。そして、走査線１０５の電位がロウレベルの電位となることで、当該画像信号がキャパシタ１０２によって保持される。走査線１０５の電位がロウレベルの電位となることによってトランジスタ１０１が非導通状態となるためである。ここで、当該画像信号は、トランジスタ１０３のゲートに与えられるため、当該画像信号（特定の電位）に応じてトランジスタ１０３の電流駆動能力が決められることになる。よって、当該画像信号に応じて有機ＥＬ素子１０４に生じる電流値が決定されることになる。その結果、有機ＥＬ素子１０４は、当該電流値によって決められる輝度による発光を行う。すなわち、副画素に入力される画像信号を制御することで、有機ＥＬ素子１０４の発光輝度を制御することが可能である。
【０１０８】
図４（Ｂ）に示す画素においては、５つの副画素のそれぞれに入力される画像信号を制御することで、赤色（Ｒ）を呈する光、緑色（Ｇ）を呈する光、及び青色（Ｂ）を呈する光の混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。
【０１０９】
＜画素１００の変形例＞
図４に示した画素１００と異なる画素１００の構成例について、図５（Ａ）乃至（Ｆ）を参照して説明する。なお、図５（Ａ）乃至（Ｆ）は、画素１００が有する副画素の配設例を示す図である。
【０１１０】
図５（Ａ）に示す画素１００は、白色（Ｗ）を呈する光を射出するか否かが選択される３つの副画素１００Ｗを有する。なお、図５（Ａ）に示す画素１００においては、副画素１００Ｗの一を中心として、行方向及び列方向に２つの副画素１００Ｗが配設されている。図５（Ａ）に示す画素１００を有する表示装置は、モノクロ表示を行う表示装置である。
【０１１１】
図５（Ｂ）に示す画素１００は、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される副画素１００Ｂとを有する。なお、図５（Ｂ）に示す画素１００においては、角に配設された副画素１００Ｂに対して、行方向及び列方向に副画素１００Ｒ、１００Ｇが配設されている。図５（Ｂ）に示す画素１００においては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素１００と同様に混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。
【０１１２】
図５（Ｃ）に示す画素１００は、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される副画素１００Ｂと、白色（Ｗ）を呈する光を射出するか否かが選択される副画素１００Ｗとを有する。なお、図５（Ｃ）に示す画素１００においては、角に配設された副画素１００Ｂに対して、行方向及び列方向に副画素１００Ｒ、１００Ｇが配設され、且つ中心に副画素１００Ｗが配設されている。図５（Ｃ）に示す画素においては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素１００と同様に混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。さらに、図５（Ｃ）に示す画素１００においては、副画素１００Ｗの発光輝度を制御することで、コントラスト比の高い表示を行うことが可能である。
【０１１３】
図５（Ｄ）に示す画素１００は、３行３列に配設された、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される３つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される３つの副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される３つの副画素１００Ｂとを有する。なお、図５（Ｄ）に示す画素１００においては、３種の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂのそれぞれが、各行及び各列に一つずつ配設されている。図５（Ｄ）に示す画素においては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素１００と同様に混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。さらに、図５（Ｄ）に示す画素１００においては、２次元表示を行う際の開口率を向上させること、及び各行又は各列に配設された３つの副画素を表示素子単位とすることで高精細な表示を行うことが可能である。
【０１１４】
図５（Ｅ）に示す画素１００は、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される副画素１００Ｂと、黄色（Ｙ）を呈する光を射出するか否かが選択される２つの副画素１００Ｙとを有する。なお、図５（Ｅ）に示す画素１００においては、右下部に配設された副画素１００Ｂに対して、行方向及び列方向に副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｙが配設されている。図５（Ｅ）に示す画素においては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素１００と同様に混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。さらに、図５（Ｅ）に示す画素１００においては、形成される光の色域を拡大することが可能である。
【０１１５】
図５（Ｆ）に示す画素１００は、４行４列に配設された、赤色（Ｒ）を呈する光を射出するか否かが選択される４つの副画素１００Ｒと、緑色（Ｇ）を呈する光を射出するか否かが選択される４つの副画素１００Ｇと、青色（Ｂ）を呈する光を射出するか否かが選択される４つの副画素１００Ｂと、黄色（Ｙ）を呈する光を射出するか否かが選択される４つの副画素１００Ｙとを有する。なお、図５（Ｆ）に示す画素１００においては、４種の副画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｙのそれぞれが、各行及び各列に一つずつ配設されている。図５（Ｆ）に示す画素においては、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す画素１００と同様に混色によって所望の色を呈する光を形成することが可能である。さらに、図５（Ｆ）に示す画素１００においては、２次元表示を行う際の開口率を向上させること、及び各行又は各列に配設された４つの副画素を表示素子単位とすることで高精細な表示を行うこと、並びに形成される光の色域を拡大することが可能である。
【０１１６】
なお、画素１００が有する副画素が配設される構成は、図４（Ａ）、図５（Ａ）乃至（Ｆ）の構成に限定されない。例えば、５種以上の副画素のそれぞれが各行及び各列に一つずつ配設されている構成とすること、又は複数の副画素がｎ行ｍ列（ｎ、ｍは２以上の自然数（ｎ≠ｍ））に配設されている構成とすることも可能である。
【０１１７】
また、画素１００が有する副画素の形状は、正方形状又は略正方形状に限定されない。当該副画素の形状は、複数の副画素を行方向に配設する場合と、当該複数の副画素の一を含む同数の副画素を列方向に配設する場合とにおいて、画素における表示面積（表示を行う複数の副画素）の形状が大きく変化することがなければどのような形状であってもよい。例えば、当該副画素の形状を円状若しくは略円状又は正六角形状若しくは略正六角形状とすることも可能である。ただし、開口率等の観点から、当該副画素の形状は、正方形状又は略正方形状であることが好ましい。
【０１１８】
また、図５（Ａ）乃至（Ｆ）に示す画素１００が有する副画素の回路構成として、図４（Ｂ）に示す回路を適用することが可能である。
【０１１９】
また、図５（Ａ）乃至（Ｆ）に示す画素１００においては、図６（Ａ）に示す回路構成とすることも可能である。なお、図６（Ａ）においては、図５（Ｄ）に対応する回路構成を示すこととする。
【０１２０】
図６（Ａ）に示す画素においては、１行目に配設された３つの副画素のそれぞれが、トランジスタ１１１＿ａ、トランジスタ１１３＿ａ、及びトランジスタ１１４＿１ａと、キャパシタ１１２＿ａと、有機ＥＬ素子１１５＿１ａとを有する（ａは１乃至３のいずれか一の自然数）。また、２行１列及び２行３列に配設された副画素のそれぞれが、トランジスタ１１４＿２ｂと、有機ＥＬ素子１１５＿２ｂとを有する（ｂは１又は３）。また、３行目に配設された３つの副画素のそれぞれが、トランジスタ１１４＿３ａと、有機ＥＬ素子１１５＿３ａとを有する。また、２行２列に配設された副画素が、有機ＥＬ素子１１５＿２２を有する。
【０１２１】
図６（Ａ）に示す画素において、トランジスタ１１１＿ａは、副画素に対する画像信号の入力を制御する素子である。また、トランジスタ１１３＿ａは、当該画像信号に応じた電流を供給する素子である。また、トランジスタ１１４＿１ａ、１１４＿２ｂ、１１４＿３ａは、トランジスタ１１３＿ａを介して供給される電流を有機ＥＬ素子に対して供給するか否かを選択する素子である。また、キャパシタ１１２＿ａは、当該画像信号を保持する機能を有する素子である。また、有機ＥＬ素子１１５＿１ａ、１１５＿２ｂ、１１５＿３ａ、１１５＿２２は、供給される電流の値に応じて輝度が変化する発光素子である。
【０１２２】
以下、詳細にこれらの素子の接続関係について述べる。
【０１２３】
トランジスタ１１１＿ａのゲートは走査線１１６に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は信号線１１７＿ａに電気的に接続されている。
【０１２４】
キャパシタ１１２＿ａの一方の電極はトランジスタ１１１＿ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続され、他方の電極が電源線１１８＿ａに電気的に接続されている。
【０１２５】
トランジスタ１１３＿ａのゲートはトランジスタ１１１＿ａのソース及びドレインの他方並びにキャパシタ１１２＿ａの一方の電極に電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は電源線１１８＿ａに電気的に接続されている。
【０１２６】
トランジスタ１１４＿１１、１１４＿１３、１１４＿３１、１１４＿３３のゲートは表示変換制御信号線１２１に電気的に接続されている。また、トランジスタ１１４＿１２、１１４＿３２のゲートは行方向表示制御信号線１１９に電気的に接続されている。また、トランジスタ１１４＿２１、１１４＿２３のゲートは列方向表示制御信号線１２０に電気的に接続されている。
【０１２７】
トランジスタ１１４＿１１、１１４＿２３、１１４＿３２のソース及びドレインの一方はトランジスタ１１３＿１のソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。また、トランジスタ１１４＿１２、１１４＿２１、１１４＿３３のソース及びドレインの一方はトランジスタ１１３＿２のソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。また、トランジスタ１１４＿１３、１１４＿３１のソース及びドレインの一方はトランジスタ１１３＿３のソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。
【０１２８】
有機ＥＬ素子１１５＿１ａのアノードはトランジスタ１１４＿１ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子１１５＿２ｂのアノードはトランジスタ１１４＿２ｂのソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子１１５＿３ａのアノードはトランジスタ１１４＿３ａのソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。また、有機ＥＬ素子１１５＿２２のアノードはトランジスタ１１３＿３のソース及びドレインの他方に電気的に接続されている。
【０１２９】
有機ＥＬ素子１１５＿ａａのカソードは共通電位を供給する配線に電気的に接続されている。
【０１３０】
図６（Ａ）に示す画素を図４（Ｂ）に示す画素と比較すると、トランジスタ１１１＿ａ及びトランジスタ１１３＿ａと、キャパシタ１１２＿ａとが同色を呈する光を射出するか否かが選択される３つの副画素において共有され、且つｂ行目に配設された副画素及び２行ｂ列に配設された副画素のそれぞれにトランジスタ１１４＿１ａ、１１４＿２ｂ、１１４＿３ａのいずれか一が付加されていることになる。
【０１３１】
走査線１１６、信号線１１７＿ａ、電源線１１８＿ａは、図４（Ｂ）に示した走査線１０５、信号線１０６、電源線１０７と同様の機能を有する配線であるため、ここでは、上述の説明を援用することとする。
【０１３２】
行方向表示制御信号線１１９は、ｂ行２列に配設された副画素において表示を行うか否かを選択する信号を供給する配線である。具体的には、ａ行２列に配設された副画素を用いて表示を行い、且つａ行ｂ列に配設された副画素において黒表示を行うことで３次元表示を行う場合（シャッタパネル２０において行方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設される場合）及び２次元表示を行う場合に、トランジスタ１１４＿ｂ２のゲートにロウレベルの電位（Ｌ）を供給し、その以外の場合にハイレベルの電位（Ｈ）を供給する配線である（図６（Ｂ）参照）。
【０１３３】
列方向表示制御信号線１２０は、２行ｂ列に配設された副画素において表示を行うか否かを選択する信号を供給する配線である。具体的には、２行ａ列に配設された副画素を用いて表示を行い、且つｂ行ａ列に配設された副画素において黒表示を行うことで３次元表示を行う場合（シャッタパネル２０において列方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設される場合）及び２次元表示を行う場合に、トランジスタ１１４＿２ｂのゲートにロウレベルの電位（Ｌ）を供給し、その以外の場合にハイレベルの電位（Ｈ）を供給する配線である（図６（Ｂ）参照）。
【０１３４】
表示変換制御信号線１２１は、ｂ行ｂ列に配設された副画素において表示を行うか否かを選択する信号を供給する配線である。具体的には、２次元表示を行う場合に、トランジスタ１１４＿ｂｂのゲートにロウレベルの電位（Ｌ）を供給し、その以外の場合にハイレベルの電位（Ｈ）を供給する配線である（図６（Ｂ）参照）。
【０１３５】
図６（Ａ）に示す画素においては、トランジスタ１１１＿ａを介して入力される画像信号、並びに行方向表示制御信号線１１９の電位、列方向表示制御信号線１２０の電位、及び表示変換制御信号線１２１の電位によって各副画素が有する有機ＥＬ素子の発光輝度が制御される。ここで、図６（Ａ）に示す画素においては、図４（Ｂ）に示す画素と比較して副画素が有する有機ＥＬ素子に供給される電流値のバラツキを低減することが可能である。なぜなら、図６（Ａ）に示す画素においては、有機ＥＬ素子に供給される電流の値は３つの副画素において共有されるトランジスタ１１３＿ａによって決められるが、図４（Ｂ）に示す画素においては、有機ＥＬ素子に供給される電流の値は各副画素が有するトランジスタ１０３によって決められるからである。すなわち、前者の有機ＥＬ素子へ供給される電流の値を決める素子の数（母集団の数）が後者のそれよりも少ない。したがって、前者における統計的なバラツキを後者における統計的なバラツキよりも抑制することが可能となるからである。
【０１３６】
＜表示状態の一例＞
図７（Ａ）、（Ｂ）は、上述した表示装置の表示状態の一例を示す図である。具体的には、図７（Ａ）は、ある状態において視認者が３次元表示を見る場合の一例を示す図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す状態から表示装置を左（反時計回り）に９０°回転させた状態において視認者が３次元表示を見る場合の一例を示す図である。なお、図７（Ａ）、（Ｂ）においては、各画素が３行３列に配設された副画素を有する構成（図５（Ｄ）参照）について例示している。また、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す表示パネル１０においては、「Ｒ」が付された画素は右目用表示を行う画素を表し、「Ｌ」が付された画素は左目用表示を行う画素を表している。また、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すシャッタパネル２０においては、黒塗された領域に存在する光学シャッタは遮光状態にある光学シャッタを表し、その他の光学シャッタは透光状態にある光学シャッタを表している。
【０１３７】
図７（Ａ）に示す表示状態においては、表示パネル１０が有する複数の画素のそれぞれが、行方向に配設された３つの副画素において光を射出することで表示を行い、且つその他の副画素において光を射出しないことで黒表示（Ｋ）を行っている。さらに、シャッタパネル２０が有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、残部を透光状態とすることで、行方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設されている。
【０１３８】
上述した表示装置においては、各画素が有する９つの副画素のうち３つの副画素において表示を行い、その他の６つの副画素において表示を行わないことが可能である。すなわち、当該画素に占める表示面積を低減することが可能である。よって、クロストークの発生を抑制することが可能である。
【０１３９】
また、当該表示装置においては、ストライプ状に配設される視差バリアの長軸方向に沿って直線的に配設される３つの副画素において表示を行うことが可能である。よって、クロストークが生じたとしても、当該３つの副画素のいずれか一のみが視認される蓋然性よりも複数の副画素が同時に視認される蓋然性を高くすることができる。一般的に、右目用表示を行う画素であるか左目用表示を行う画素であるかに関わらず近接する画素においては色相の近い表示を行う場合が多い。したがって、当該表示装置においては、クロストークが生じたとしても視認される画像の色相の変化を緩和することが可能である。
【０１４０】
図７（Ｂ）に示す表示状態においては、表示パネル１０が有する複数の画素のそれぞれが、列方向に配設された３つの副画素において光を射出することで表示を行い、且つその他の副画素において光を射出しないことで黒表示（Ｋ）を行っている。さらに、シャッタパネル２０が有する複数の光学シャッタの一部を遮光状態とし、残部を透光状態とすることで、列方向に長軸を有するストライプ状の視差バリアが配設されている。
【０１４１】
上述した表示装置においては、副画素が正方形状又は略正方形状を有する。よって、ストライプ状に配設される視差バリアの長軸方向に沿って配設された複数の副画素を、表示を行う副画素として選択する場合であっても、画素における表示面積（表示を行う複数の副画素）の形状が大きく変化することがない。したがって、視認者が見る表示部の向きが変化する場合（配設される視差バリアが変化する場合）であっても、当該向きに依存せずにクロストークの発生を抑制すること及びクロストークが発生した場合における色相の変化を緩和することが可能である。
【０１４２】
＜表示状態の変形例＞
図７（Ａ）、（Ｂ）に示した表示状態と異なる表示状態の一例について、図８（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。具体的には、図８（Ａ）、（Ｂ）においては、シャッタパネル２０において市松模様（チェック）状に視差バリアが配設される状態を示している。図８（Ａ）、（Ｂ）では、当該視差バリアの形状に応じて、表示パネル１０が有する複数の画素のうち右目用表示を行う画素（図８（Ａ）、（Ｂ）中、「Ｒ」を付した画素）及び左目用表示を行う画素（図８（Ａ）、（Ｂ）中、「Ｌ」を付した画素）のそれぞれも市松模様（チェック）状に配設されることになる。その他の点については、図７（Ａ）、（Ｂ）に示す表示状態と同様であるため、ここでは上述の説明を援用することとする。
【０１４３】
＜本明細書で開示される表示装置を備えた電子機器＞
本発明の一態様に係る表示装置は、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどが挙げられる。以下では、これら電子機器の具体例について図９を参照して説明する。
【０１４４】
図９（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体５００１、筐体５００２、表示部５００３、表示部５００４、マイクロホン５００５、スピーカー５００６、操作キー５００７、スタイラス５００８等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部５００３または表示部５００４に用いることができる。表示部５００３または表示部５００４に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、利便性に優れた３次元画像の表示を行うことができる携帯型ゲーム機を提供することができる。なお、図９（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部５００３と表示部５００４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、これに限定されない。
【０１４５】
図９（Ｂ）は携帯情報端末であり、筐体５４０１、表示部５４０２、操作キー５４０３等を有する。本発明の一態様に係る表示装置は、表示部５４０２に用いることができる。表示部５４０２に本発明の一態様に係る表示装置を用いることで、利便性に優れた３次元画像の表示を行うことができる携帯情報端末を提供することができる。
【符号の説明】
【０１４６】
１０          表示パネル
２０          シャッタパネル
３０          制御部
３１          左目
３２          右目
１００        画素
１００Ｒ      副画素
１００Ｇ      副画素
１００Ｂ      副画素
１００Ｗ      副画素
１００Ｙ      副画素
１０１        トランジスタ
１０２        キャパシタ
１０３        トランジスタ
１０４        有機ＥＬ素子
１０５        走査線
１０６        信号線
１０７        電源線
１１１＿１    トランジスタ
１１１＿２    トランジスタ
１１１＿３    トランジスタ
１１２＿１    キャパシタ
１１２＿２    キャパシタ
１１２＿３    キャパシタ
１１３＿１    トランジスタ
１１３＿２    トランジスタ
１１３＿３    トランジスタ
１１４＿１１  トランジスタ
１１４＿１２  トランジスタ
１１４＿１３  トランジスタ
１１４＿２１  トランジスタ
１１４＿２２  トランジスタ
１１４＿２３  トランジスタ
１１４＿３１  トランジスタ
１１４＿３２  トランジスタ
１１４＿３３  トランジスタ
１１５＿１１  有機ＥＬ素子
１１５＿１２  有機ＥＬ素子
１１５＿１３  有機ＥＬ素子
１１５＿２１  有機ＥＬ素子
１１５＿２２  有機ＥＬ素子
１１５＿２３  有機ＥＬ素子
１１５＿３１  有機ＥＬ素子
１１５＿３２  有機ＥＬ素子
１１５＿３３  有機ＥＬ素子
１１６        走査線
１１７＿１    信号線
１１７＿２    信号線
１１７＿３    信号線
１１８＿１    電源線
１１８＿２    電源線
１１８＿３    電源線
１１９        行方向表示制御信号線
１２０        列方向表示制御信号線
１２１        表示変換制御信号線
２００        光学シャッタ
２０１        基板
２０２        ゲート電極層
２０４        ゲート絶縁層
２０６        半導体層
２０８        ドレイン電極層
２１０        絶縁層
２１２        絶縁層
２１４        反射電極層
２１６        隔壁
２１８        発光層
２１９        半透過電極層
２２０ａ      透明電極層
２２０ｂ      透明電極層
２３０        トランジスタ
２４０ａ      副画素
２４０ｂ      副画素
２４０ｃ      副画素
２５１        基板
２５２        遮光膜
２５４        カラーフィルタ
２５６        オーバーコート
２６０        空間
３００        基板
３１０        絶縁層
３１２        隔壁
３１４        電極
３１６        発光層
３１８        電極
３２０        発光素子
３２２        空間
３３０        トランジスタ
３５０        基板
３５２        遮光膜
３５４        カラーフィルタ
３５６        オーバーコート
５００１      筐体
５００２      筐体
５００３      表示部
５００４      表示部
５００５      マイクロホン
５００６      スピーカー
５００７      操作キー
５００８      スタイラス
５４０１      筐体
５４０２      表示部
５４０３      操作キー
【図１】
0006014340.tif 000002
【図２】
0006014340.tif 000003
【図３】
0006014340.tif 000004
【図４】
0006014340.tif 000005
【図５】
0006014340.tif 000006
【図６】
0006014340.tif 000007
【図７】
0006014340.tif 000008
【図８】
0006014340.tif 000009
【図９】
0006014340.tif 000010