(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板と第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に設けられ、画素ごとに分離形成された画素電極、前記画素電極に対向配置された共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配された有機発光層と、
前記第１基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部を備え、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部は金属物質により形成され、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つにおいて、前記電極部又は前記配線部を構成する金属物質の表面における光学特性を変化させた光特性変化層が形成される、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部より低い反射率を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部より高い光吸収率を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部と、透過率、屈折率、回折及び色のうち少なくとも一つ以上の光学特性が異なる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
対向配置された第１基板と第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に設けられ、画素ごとに分離形成された画素電極、前記画素電極に対向配置された共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配された有機発光層と、
前記第１基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部を備え、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部は金属物質により形成され、
前記薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つにおいて、前記電極部又は前記配線部を構成する金属物質の表面における光学特性を変化させた光特性変化層が形成され、
前記光特性変化層は、前記電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つの表面にフェムト秒持続レーザービームパルスを少なくとも１回以上照射する方法で形成される、
有機発光表示装置を製造する方法。
【請求項６】
前記光特性変化層の、前記フェムト秒持続レーザービームパルスの照射による方法で変形された領域は、ナノスケールまたはマイクロスケールのサイズである、請求項５に記載の有機発光表示装置を製造する方法。
【請求項７】
前記電極部は、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極とドレイン電極、及び前記キャパシタの電極を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記配線部は、ゲート配線、データ配線、及び電源配線を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記有機発光層から放出された光は、前記第２基板側に放出され、
前記電極部及び前記配線部の前記有機発光層に近い表面に前記光特性変化層が形成され、
前記画素電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性を変化させた第２光特性変化層がさらに形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第２光特性変化層は、前記画素電極より低い反射率を有する、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記第２光特性変化層は、前記画素電極より高い光吸収率を有する、請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記有機発光層から放出された光は、前記第１基板側に放出され、
前記電極部及び前記配線部の前記有機発光層から遠い表面に前記光特性変化層が形成され、
前記共通電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性を変化させた第２光特性変化層がさらに形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記第２光特性変化層は、前記共通電極より低い反射率を有する、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記第２光特性変化層は、前記共通電極より高い光吸収率を有する、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記第２光特性変化層は、前記画素電極に対応する領域のみに形成される、請求項１２に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１基板と第２基板のうち少なくとも一つは透明基板であり、
前記透明基板の外光が入射する方向側の一面に透明干渉層がさらに備えられる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記透明干渉層は、前記外光の１／４波長に同等な厚さを有する、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記透明干渉層は、前記透明基板の屈折率より小さな屈折率を有する、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記透明干渉層は、フッ化マグネシウム、シリカ、高屈折透明材料及びこれらの組み合わせから選択された一つの物質を含む、請求項１８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記透明干渉層は複数層設けられ、複数の透明干渉層は透明基板に近いほど高い屈折率を有する、請求項１６に記載の有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記透明干渉層の各層は、前記外光の１／４波長に同等な厚さを有する、請求項２０に記載の有機発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置に関し、さらに詳細には、外光反射によるコントラスト低下を防止できる有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、自発光型表示装置であって、視野角が広くて応答速度が速いという長所を有する。しかし、有機発光表示装置は、外光のある環境では、画像を表示するとき表示装置内部の電極及び配線を構成する金属材料による外光の反射によってコントラストが低下するという問題がある。
【０００３】
コントラスト低下を防止するために、一般的には高価な偏光板が使われる。また、コントラスト低下を防止するために、ブラックマトリックスを電極または配線に形成することも行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】大韓民国特許公開第２００５−００１２９５８号
【特許文献２】国際公開第２００８／０９７３７４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、偏光板の使用はコスト高、発光層から放出される光の遮断による透過率の低下、及び輝度の低減など他の問題を引き起こす。また、ブラックマトリックスを使用すると、ブラックマトリックスを形成するための別途のマスク工程が必要となり、製造工程を複雑にする。
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、配線部及び電極部表面の光学特性を変形してコントラストが改善された有機発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、対向配置された第１基板と第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられ、画素ごとに分離形成された画素電極、前記画素電極に対向配置された共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配された有機発光層と、第１基板と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部を備え、薄膜トランジスタ及び前記キャパシタを構成する電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つの表面には、前記電極部及び前記配線部の光学特性が変形された光特性変形層が形成される、有機発光表示装置が提供される。
【０００８】
前記光特性変形層は、前記電極部及び前記配線部より低い反射率を有するようにしてもよい。
【０００９】
前記光特性変形層は、前記電極部及び前記配線部より高い光吸収率を有するようにしてもよい。
【００１０】
また、記光特性変形層は、前記電極部及び前記配線部と、透過率、屈折率、回折及び色のうち少なくとも一つ以上の光学特性が異なるようにしてもよい。
【００１１】
さらに、光特性変形層は、前記電極部及び前記配線部のうち少なくとも一つの表面にフェムト秒持続レーザービームパルスを少なくとも１回以上照射させることで形成してもよい。
【００１２】
前記光特性変形層の前記レーザービームにより変形された領域は、ナノスケールまたはマイクロスケールのサイズとしてもよい。
【００１３】
前記電極部は、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極とドレイン電極、及び前記キャパシタの電極を含んでもよい。
【００１４】
前記配線部は、ゲート配線、データ配線、及び電源配線を含んでもよい。
【００１５】
有機発光層から放出された光は、前記第２基板側に放出され、電極部及び前記配線部の前記有機発光層に近い表面に第１光特性変形層が形成され、画素電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性が変形された第２光特性変形層がさらに形成されるようにしてもよい。
【００１６】
前記第２光特性変形層は、前記画素電極より低い反射率を有するようにしてもよい。
【００１７】
前記第２光特性変形層は、前記画素電極より高い光吸収率を有するようにしてもよい。
【００１８】
また、有機発光層から放出された光は、前記第１基板側に放出され、電極部及び前記配線部の前記有機発光層から遠い表面に第１光特性変形層が形成され、共通電極の前記有機発光層に近い表面に前記画素電極の光学特性が変形された第２光特性変形層がさらに形成されてもよい。
【００１９】
前記第２光特性変形層は、前記共通電極より低い反射率を有するようにしてもよい。
【００２０】
前記第２光特性変形層は、前記共通電極より高い光吸収率を有するようにしてもよい。
【００２１】
前記第２光特性変形層は、前記画素電極に対応する領域のみに形成されるようにしてもよい。
【００２２】
さらに、第１基板と第２基板のうち少なくとも一つは透明基板であり、透明基板の外光が入射する方向側の一面に透明干渉層がさらに備えられてもよい。
【００２３】
前記透明干渉層は、前記外光の１／４波長に同等な厚さを有するようにしてもよい。
【００２４】
前記透明干渉層は、前記透明基板の屈折率より小さな屈折率を有するようにしてもよい。
【００２５】
前記透明干渉層は、フッ化マグネシウム、シリカ、高屈折透明材料及びこれらの組み合わせから選択された一つの物質を含んでもよい。
【００２６】
前記透明干渉層は複数層設けられ、前記複数の透明干渉層は透明基板に近いほど高い屈折率を有するようにしてもよい。
【００２７】
前記透明干渉層の各層は、前記外光の１／４波長に同等な厚さを有するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によれば、以下のような効果を提供することができる。第１に、電極及び配線部の表面に光特性変形層を形成することで、外光反射を低減させてコントラストを改善できる。第２に、反射電極の一表面に光特性変形層を形成することで、外光反射を低減させてコントラスト低下を防止できる。第３に、表示装置の透明基板に透明干渉層を形成することで、基板による外光反射を低減させてコントラスト低下を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】従来の一般的な有機発光表示装置のピクセルを概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ切断線における断面図である。
【図３】図１の等価回路図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ切断線における断面図である。
【図６】フェムト秒持続レーザービームパルスをアルミニウムに適用した時、得られたアルミニウムの波長による反射率を示すグラフである。
【図７】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線における断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図１０】単層の透明干渉層を概略的に示す断面図である。
【図１１】複数層の透明干渉層を概略的に示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３１】
図１は、従来の一般的な有機発光表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ切断線における断面図である。図３は、図１の等価回路図である。
【００３２】
図１〜図３を参照すれば、従来の一般的な有機発光表示装置１は、第１基板１１０上にゲート配線部２６、データ配線部２７及び電源配線部２５を備え、さらに第１薄膜トランジスタ２１、第２薄膜トランジスタ２３、キャパシタ２２を備える。第２薄膜トランジスタ２３と有機発光素子２４とが連結され、有機発光素子２４は、画素電極２４１、共通電極２４３、及び画素電極２４１と共通電極２４３との間に介在された有機発光層２４２を含む。
【００３３】
第１基板１１０上には、基板の平滑性及び不純元素の浸透遮断のために、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで構成されたバッファ層１１１が備えられる。バッファ層１１１上には、第１薄膜トランジスタ２１の第１活性層２１１及び第２薄膜トランジスタ２３の第２活性層２３１が形成され、第１及び第２活性層２１１、２３１上にはゲート絶縁膜１１２が形成される。ゲート絶縁膜１１２の上部には、第１薄膜トランジスタ２１の第１ゲート電極２１２、及び第２薄膜トランジスタ２３の第２ゲート電極２３２が形成される。第１ゲート電極２１２はゲート配線部２６に連結され、第２ゲート電極２３２はキャパシタ２２の第１電極２２１に連結される。
【００３４】
第１ゲート電極２１２、第２ゲート電極２３２及びキャパシタ２２の第１電極２２１上に層間絶縁膜１１３が形成される。コンタクトホールを通じて第１ソース電極２１３及び第１ドレイン電極２１４は、それぞれ第１活性層２１１のソース領域（図示せず。）及びドレイン領域（図示せず。）に連結され、第２ソース電極２３３及び第２ドレイン電極２３４は、それぞれ第２活性層２２１のソース領域（図示せず。）及びドレイン領域（図示せず。）に連結される。
【００３５】
第１ソース電極２１３は、データ配線部２７に連結されて第１活性層２１１にデータ信号を供給し、前記第１ドレイン電極２１４は、キャパシタ２２の第１電極２２１に連結されてキャパシタ２２にデータ信号を保存する。第２ソース電極２３３はキャパシタ２２の第２電極２２２に連結され、第２ドレイン電極２３４は有機発光素子２４の画素電極２４１に連結される。第１及び第２ソース電極２１３、２３３、第１及び第２ドレイン電極２１４、２３４、及びキャパシタ２２の第２電極２２２上にパッシベーション層１１４が形成される。パッシベーション層１１４上には、ビアホールを通じて画素電極２４１が第２ドレイン電極２３４に連結される。
【００３６】
有機発光素子２４は、画素ごとに分離形成された画素電極２４１と、画素電極２４１に対向配置された共通電極２４３と、及び画素電極２４１と共通電極２４３との間に配された有機発光層２４２とを含む。
【００３７】
前面発光型の場合、画素電極２４１は反射電極として備えられ、共通電極２４３は透明電極として備えられる。これに対し、背面発光型の場合、画素電極２４１は透明電極として備えられ、共通電極２４３は反射電極として備えられる。
【００３８】
一般的に、薄膜トランジスタ２１、２３とキャパシタ２２とを構成する電極と、前記素子に連結された配線とは、反射率の高い金属で形成される。したがって、外部から有機発光表示装置１に入射した外光は、第１基板１１０上に備えられた電極及び配線により反射され、反射された光は、有機発光層２４２から放出された光と共に放出される。反射された外光は、有機発光表示装置１のコントラストを低下させる要因になっている。
【００３９】
＜第１の実施形態＞
以下、図４及び５を参照して、本発明の第１の実施形態による有機発光表示装置２を説明する。以下、前述した従来の一般的な有機発光表示装置１との差異点を中心として、本実施形態による有機発光表示装置２を説明するが、図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００４０】
図４は、本発明の一実施形態に係る前面発光型有機発光表示装置２を概略的に示す平面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線の断面図である。
【００４１】
図４及び図５を参照すれば、本実施形態に係る有機発光表示装置２は、第１基板１１０上に電源配線部２５、ゲート配線部２６、及びデータ配線部２７を備え、さらに第１薄膜トランジスタ２１、キャパシタ２２、第２薄膜トランジスタ２３及び有機発光素子２４を備える。
【００４２】
前述した各配線部２５、２６、２７と第１及び第２薄膜トランジスタ２１、２３の第１及び第２ゲート電極２１２、２３２、第１及び第２ソース電極２１３、２３３、第１及び第２ドレイン電極２１４、２３４の上部表面には、これらの表面の光学特性が変形された光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７がそれぞれ備えられる。
【００４３】
詳細に説明すれば、電源配線部２５、ゲート配線部２６、及びデータ配線部２７の各上部表面に光特性変形層３５、３６、３７が形成される。第１薄膜トランジスタ２１の第１ゲート電極２１２、第１ソース電極２１３及び第１ドレイン電極２１４の上部表面に、それぞれ光特性変形層３１２、３１３、３１４が形成される。第２薄膜トランジスタ２３の第２ゲート電極２３２、第２ソース電極２３３及び第２ドレイン電極２３４の上部表面に、それぞれ光特性変形層３３２、３３３、３３４が形成される。キャパシタ２２の第１電極２２１及び第２電極２２２の上部表面に、光特性変形層３２１、３２２が形成される。
【００４４】
配線部２５、２６、２７と薄膜トランジスタ２１、２３及びキャパシタ２２を構成する電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２の上部表面に形成された光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７は、これら配線部２５、２６、２７と電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２との光学特性が変形されたものである。例えば、光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７は、配線部２５、２６、２７と電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２とを構成する金属材料の反射率、光吸収率、透過率、屈折率、回折及び色のうち少なくとも一つ以上の光学特性が変形されたものとすることができる。本実施形態で光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７は、配線部２５、２６、２７と電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２とを構成する本来の金属材料より反射率が低く、光吸収率が高い。
【００４５】
本実施形態のように、第１基板１１０の反対側に画像が具現される前面発光型有機発光表示装置２の場合、表示装置の内部に入射した外光が電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２と配線部２５、２６、２７との表面で反射されることで、有機発光層２４２から放出される光のコントラストは低下する。一方で、本実施形態のように、電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２と配線部２５、２６、２７の表面のうち、有機発光層２４２に近い上部表面に光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７を形成することで、外光反射を低減させてコントラストを改善できる。
【００４６】
ここで、特許文献２は、物質の光学特性を変形する方法を開示している。この方法によれば、金属にフェムト秒持続レーザービームパルスを少なくとも１回以上照射させることで、レーザービームにより変形された領域がナノスケールまたはマイクロスケールのサイズを持つように表面構造が変形されて、金属表面の光学特性が変わるということが分かる。
【００４７】
図６は、中心波長８００ｎｍ、約１．１ｍＪ／ｐｕｌｓｅの６５フェムト秒パルスを生成するＴｉ：ｓａｐｐｈｉｒｅレーザーシステムをアルミニウムに適用したときに得られたアルミニウムの波長による反射率を図示している。図６を参照すれば、２５０ｎｍ〜２５００ｎｍの波長範囲で、表面処理されていないアルミニウム（ｐｏｌｉｓｈｅｄ
Ａｌ）に比べて表面処理されたアルミニウム（Ｃｏｌｄｅｎ Ａｌ、Ｇｒａｙ Ａｌ、Ｂｌａｃｋ Ａｌ）の反射率が低下することが分かる。もちろん、アルミニウムの表面色も変わることが分かる。
【００４８】
したがって、アルミニウムを、本実施形態による有機発光表示装置２の配線部２５、２６、２７及び電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２に適用する場合、配線部２５、２６、２７及び電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２の上部表面に、上述したフェムト秒レーザービーム技術を利用して表面処理すれば、上部表面の光学特性が変化する。したがって、配線部２５、２６、２７及び電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２の上部表面は、表面処理されていない本来のアルミニウムより反射率の低い、または光吸収率の高い表面処理されたアルミニウムが光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７をそれぞれ形成するので、外光の反射を低減させることができる。
【００４９】
したがって、本実施形態によれば、高コストの偏光板を使用せずに別途のマスク工程を追加してブラックマトリックスを形成する必要なく、既存に形成されている配線部２５、２６、２７及び電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２の光学特性を簡易な方法で変化させることで、コントラストを改善できる。
【００５０】
なお、図４及び図５には、２個の薄膜トランジスタ２１、２３及び一つのキャパシタ２２が一つのピクセルを構成する例を示しているが、本発明はこれらに限定されるものではない。したがって、薄膜トランジスタとキャパシタとの多様な組み合わせが可能である。また、図４及び図５には、一つの画素に電源配線部２５、ゲート配線部２６及びデータ配線部２７がそれぞれ互いに直交する方向に配列されているが、本発明はこれに限定されず、デザインルールによって多様な変形ができるということはいうまでもない。
【００５１】
＜第２の実施形態＞
次に、図７及び図８を参照して、本発明の第２の実施形態に係る前面発光型有機発光表示装置３を説明する。以下、上述した第１の実施形態に係る有機発光表示装置２との差異点を中心に本実施形態による有機発光表示装置３を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００５２】
図７は、本発明の第２の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す平面図であり、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ切断線における断面図である。
【００５３】
図７及び図８を参照すれば、本実施形態に係る有機発光表示装置３は、第１基板１１０上に電源配線部２５、ゲート配線部２６、及びデータ配線部２７を備え、さらに第１薄膜トランジスタ２１、キャパシタ２２、第２薄膜トランジスタ２３及び有機発光素子２４を備える。
【００５４】
上述した各配線部２５、２６、２７と第１及び第２薄膜トランジスタ２１、２３の第１及び第２ゲート電極２１２、２３２、第１及び第２ソース電極２１３、２３３と、第１及び第２ドレイン電極２１４、２３４との上部表面には、これらの表面の光学特性が変形された光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７がそれぞれ備えられる。
【００５５】
また、画素電極２４１の上部表面に光特性変形層３４が備えられる。
【００５６】
本実施形態のような前面発光型有機発光表示装置３は、画素電極２４１が反射電極として備えられる。したがって、有機発光表示装置３に入射した外光は画素電極２４１の上部表面で反射された後、有機発光層２４２から放出された光と共に放出される。このときに反射された外光は表示装置のコントラストを低下させる。
【００５７】
しかし、本実施形態による有機発光表示装置３は、反射電極の画素電極２４１の上部表面には画素電極２４１より反射率が低いか、または吸収率が高い光特性変形層３４が形成されているので、外光の反射を低減させる。
【００５８】
もちろん、上述した第１の実施形態と同様に、配線部２５、２６、２７と電極２１２、２１３、２１４、２３２、２３３、２３４、２２１、２２２の上部表面にも、反射率の低いまたは光吸収率の高い光特性変形層３１、３２、３３、３５、３６、３７をそれぞれ形成するので、外光の反射を低減させる。
【００５９】
＜第３の実施形態＞
次に、図９〜図１１を参照して、本発明の第３の実施形態に係る前面発光型有機発光表示装置４を説明する。以下、上述した第２の実施形態に係る有機発光表示装置３との差異点を中心に本実施形態に係る有機発光表示装置４を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００６０】
図９は、本発明の第３の実施形態に係る有機発光表示装置４を概略的に示す平面図である。図１０は、単層の透明干渉層を概略的に示す断面図である。図１１は、複数層の透明干渉層を概略的に示す断面図である。
【００６１】
図９を参照すれば、本実施形態による有機発光表示装置４は、第１基板１１０上に電源配線部２５、ゲート配線部２６、及びデータ配線部２７を備え、さらに第１薄膜トランジスタ２１、キャパシタ２２、第２薄膜トランジスタ２３及び有機発光素子２４を備える。
【００６２】
配線部２５、２６、２７と、第１及び第２薄膜トランジスタ２１、２３の第１及び第２ゲート電極２１２、２３２と、第１及び第２ソース電極２１３、２３３と、第１及び第２ドレイン電極２１４、２３４と、画素電極２４１との上部表面には、これらの表面の光学特性が変形された光特性変形層３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７がそれぞれ備えられる。
【００６３】
また、第２基板５０の一面に透明干渉層６０が備えられる。
【００６４】
透明干渉層６０は、透明基板である第２基板５０の外光が入射する方向側の一面に配される。外光は、第２基板５０を通過して表示装置内部に入射することもあるが、外光の一部は第２基板５０の表面で直接反射される。したがって、第２基板５０の表面で反射された外光は、有機発光層２４２から放出される光と共に観測者の視野に入ってコントラストを低下させる恐れがある。
【００６５】
しかし、本実施形態に係る有機発光表示装置４は、第２基板５０の一面に外光波長の１／４に該当する厚さを持つ透明干渉層６０を配置して、第２基板５０の表面で反射する外光の反射を低減させる。
【００６６】
図１０を参照すれば、外光Ｌｉは、大気中で透明干渉層６０を通過して第２基板５０に一部入射し（Ｌｔ）、一部は、透明干渉層６０の表面で反射される（この反射光をＬｒ０とする）。一方、入射光の一部（Ｌｔ）は、第２基板５０と透明干渉層６０との境界で反射される（この反射光をＬｒ０’とする）。このとき、透明干渉層６０の厚さｄが入射する外光Ｌｉの波長λの１／４に相応する（すなわち、同等の）厚さを持つ場合、透明干渉層６０における反射光Ｌｒ０と、第２基板５０における反射光Ｌｒ０’とが干渉により相殺されるので、第２基板５０の表面における外光の反射を低減させる。
【００６７】
このとき、透明干渉層６０の厚さｄは、最大強度を持つ外光の波長を基準として、または可視光帯域の波長の算術平均、または外光帯域の算術平均で定められるなど、多様な条件で定められる。
【００６８】
一方、透明干渉層６０は、大気中の屈折率（ｎ０＝１）と第２基板５０の屈折率（ｎ２）との間の屈折率（ｎ１）を持つことが望ましい。第２基板５０として屈折率（ｎ１）約１．５の一般的なガラスを使用する場合、透明干渉層６０の屈折率（ｎ１）は約１．２３が適当である。
【００６９】
本実施形態では、透明干渉層６０として、屈折率が約１．３８のフッ化マグネシウムを使用している。フッ化マグネシウムは耐久性に優れ、ＰＶＤで容易に蒸着できる。また、透明干渉層６０として、シリカ、または多様な高屈折透明材料を使用することができる。
【００７０】
図１１は、第２基板５０の一面に複数の透明干渉層６１、６２、６３が備えられている場合を示す。
【００７１】
図１１を参照すれば、外光Ｌｉのうち一部は、大気中で複数の透明干渉層６１、６２、６３を通過して第２基板２０に一部入射する（Ｌｔ）。各透明干渉層６１、６２、６３は、第２基板５０に近いほど高い屈折率を持つ（ｎ１１＜ｎ１２＜ｎ１３）。
【００７２】
外光Ｌｉの一部は第１透明干渉層６１で反射され（この反射光をＬｒ１とする）、入射光（Ｌｔ）の一部は、第２透明干渉層６２と第１透明干渉層６１との境界で反射される（この反射光をＬｒ１’とする）。このとき、第１透明干渉層６１の厚さｄ１が、入射する外光Ｌｉの波長λの１／４に相応する（すなわち、同等の）厚さを持つ場合、第１透明干渉層６１における反射光（Ｌｒ１）と、第２透明干渉層６２と第１透明干渉層６１との境界における反射光（Ｌｒ１’）とが、干渉により相殺される。
【００７３】
また、外光Ｌｉの一部は、第２透明干渉層６２で反射され（この反射光をＬｒ２とする）、入射光（Ｌｔ）の一部は、第３透明干渉層６３と第２透明干渉層６２との境界で反射される（この反射光をＬｒ２’とする）。このとき、第２透明干渉層６２の厚さｄ２が入射する外光Ｌｉの波長λの１／４に相応する（すなわち、同等の）厚さを持つ場合、第２透明干渉層６２における反射光（Ｌｒ２）と、第３透明干渉層６３と第２透明干渉層６２との境界における反射光（Ｌｒ２’）とが、干渉により相殺される。
【００７４】
さらに、外光Ｌｉの一部は、第３透明干渉層６３で反射され（この反射光をＬｒ３とする）、入射光（Ｌｔ）の一部は、第２基板５０と第３透明干渉層６３との境界で反射される（この反射光をＬｒ３’とする）。このとき、第３透明干渉層６３の厚さｄ３が、入射する外光Ｌｉの波長λの１／４に相応する（すなわち、同等の）厚さを持つ場合、第３透明干渉層６３における反射光（Ｌｒ３）と、第２基板５０と第３透明干渉層６３との境界における反射光（Ｌｒ３’）と、が干渉により相殺される。したがって、全体的に外光の反射を低減させてコントラストが向上する。
【００７５】
＜第４の実施形態＞
以下、図１２を参照して本発明の第４の実施形態を説明する。以下、上述した第３の実施形態に係る有機発光表示装置４との差異点を中心に本実施形態に係る有機発光表示装置５を説明する。図面に図示された同じ参照番号は同じ構成要素を表す。
【００７６】
図１２は、本発明の第４の実施形態に係る能動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置５を概略的に示す断面図である。
【００７７】
図１２を参照すれば、本実施形態に係る有機発光表示装置５は、第１基板１１０上に電源配線部２５、ゲート配線部２６、及びデータ配線部２７を備え、さらに第１薄膜トランジスタ２１、キャパシタ２２、第２薄膜トランジスタ２３及び有機発光素子２４を備える。
【００７８】
本実施形態の有機発光表示装置５は、有機発光層２４２から放出された光Ｉ第１基板１１０側に放出される背面発光型であるため、第１基板１１０は透明基板により構成されている。共通電極２４３は反射電極として備え、画素電極２４１は透明電極として備えられる。
【００７９】
第１基板１１０を通じて有機発光表示装置５の内部に入射した外光は、反射率の高い電極及び配線部に反射された後、有機発光層２４２から放出された光と共に放出されて表示装置のコントラストを低下させる。
【００８０】
したがって、本実施形態の有機発光表示装置５は、配線部２５、２６、２７と、第１及び第２薄膜トランジスタ２１、２３の第１及び第２ゲート電極２１２、２３２と、第１及び第２ソース電極２１３、２３３と、第１及び第２ドレイン電極２１４、２３４との下部表面に、これらの表面の光学特性が変形された光特性変形層４１、４２、４３、４５、４６、４７をそれぞれ備えることで、外光反射を低減させる。
【００８１】
また、反射電極である共通電極２４３の有機発光層２４２に向かう表面に、共通電極２４３の光学特性が変形された光特性変形層４４が形成される。したがって、光特性変形層４４は、共通電極２４３より低い反射率または高い光吸収率を持つことで、反射電極である共通電極２１３による外光反射を低減させる。光特性変形層４４は共通電極２４３の全体領域にも形成されるが、図１２に示されたように、有機発光層２４２が形成された領域に対応する一部領域Ａのみに形成されてもよい。
【００８２】
また、透明基板である第１基板５０の外光が入射する方向側の一面に透明干渉層６０が備えられる。透明干渉層６０は、第１基板１１０の表面で直接反射する外光を低減させてコントラストを改善させる。
【００８３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８４】
１〜５    有機発光表示装置
１１０    第１基板
１１１    バッファ層
１１２    ゲート絶縁膜
１１３    層間絶縁膜
１１４    パッシベーション層
２１      第１薄膜トランジスタ
２１１    第１活性層
２１２    第１ゲート電極
２１３    第１ソース電極
２１４    第１データ電極
２２      キャパシタ
２２１    キャパシタ第１電極
２２２    キャパシタ第２電極
２３      第２薄膜トランジスタ
２３１    第２活性層
２３２    第２ゲート電極
２３３    第２ソース電極
２３４    第２ドレイン電極
２４      有機発光素子
２４１    画素電極
２４２    有機発光層
２４３    共通電極
２５      電源配線部
２６      ゲート配線部
２７      データ配線部
３１、３２、３３、３４    光特性変形層
５０      第２基板
６０      透明干渉層
【図１】
0006013723.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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