(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物と、
発光性有機金属錯体化合物とを含有する組成物。
【化１】
0005860235.tif 000134
【化２】
0005860235.tif 000135
（式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち隣接する基同士が結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ3が炭素原子数１２以上のアルキル基であるか、又は、Ｒ2及びＲ4の少なくとも一方がアルキル基、アリール基若しくはアルキル基で置換されたアリール基である。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ａｒ3は、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。
Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。
Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ6が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記Ｒ2及びＲ4が、アルキル基で置換されたアリール基である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記Ａｒ4が、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記Ａｒ1及びＡｒ2が、それぞれ独立に、下記式（３）又は（４）で表される２価の芳香族基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【化３】
0005860235.tif 000136
【化４】
0005860235.tif 000137
（式中、Ｒ’は水素原子、又はアルキル基を表す。）
【請求項５】
組成物に含有される高分子化合物を構成する全繰り返し単位中の、前記式（１）で表される繰り返し単位と前記式（２）で表される繰り返し単位の合計の割合が、３０モル％以上である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
組成物に含有される高分子化合物が、下記式（５）で表される繰り返し単位をさらに含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【化５】
0005860235.tif 000138
（式中、Ａｒ5はアリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。）
【請求項７】
前記式（５）で表される繰り返し単位が、下記式（６）で表される繰り返し単位である、請求項６に記載の組成物。
【化６】
0005860235.tif 000139
（式中、Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ7は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ7が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
【請求項８】
前記式（５）で表される繰り返し単位が、下記式（７）で表される繰り返し単位及び／又は下記式（８）で表される繰り返し単位である、請求項６に記載の組成物。
【化７】
0005860235.tif 000140
【化８】
0005860235.tif 000141
（式中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。ｂは０又は１を表す。）
【請求項９】
組成物に含有される高分子化合物を構成する全繰り返し単位中の、前記式（１）で表される繰り返し単位、前記式（２）で表される繰り返し単位及び前記式（５）で表される繰り返し単位の合計の割合が、８０モル％以上である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
組成物に含有される高分子化合物が、下記式（９）で表される繰り返し単位をさらに含有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【化９】
0005860235.tif 000142
（式中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ14は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ11、Ａｒ12及びＡｒ13は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０又は１である。但し、ｘ＋ｙの値は０又は１である。）
【請求項１１】
正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料（但し、発光性有機金属錯体化合物を除く）からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料を更に含有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物と溶媒又は分散媒とを含有する液状組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物を含有する薄膜。
【請求項１４】
陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物を含有する有機層とを有する素子。
【請求項１５】
請求項１４に記載の素子を備える面状光源。
【請求項１６】
請求項１４に記載の素子を備える表示装置。
【請求項１７】
下記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物。
【化１０】
0005860235.tif 000143
【化１１】
0005860235.tif 000144
（式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち隣接する基同士が結合して環を形成していてもよい。但し、Ｒ3が炭素原子数１２以上のアルキル基であるか、又は、Ｒ2及びＲ4の少なくとも一方がアルキル基、アリール基若しくはアルキル基で置換されたアリール基である。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ａｒ3は、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。
Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。
Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ6が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物並びに該高分子化合物を含有する組成物及びこれらを含む素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光性有機金属錯体をドーパントとしてホスト材料にドーピングしてなる組成物を発光層の材料として含む発光素子は、高効率な発光特性を示すことが知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３１２４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１には、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という。）等の発光素子の作製に用いた場合に、長寿命な素子をもたらす材料について、具体的には記載されていなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、有機ＥＬ素子等の発光素子の作製に用いた場合、長寿命な素子をもたらす材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は第一に、下記式（１）で表される繰り返し単位及び下記式（２）で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物を提供する。
【化１】
0005860235.tif 000002
【化２】
0005860235.tif 000003
（式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち少なくとも一つは水素原子以外の基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち隣接する基同士が結合して環を形成していてもよい。
Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
Ａｒ3は、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。
Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。
Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ6が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。）
【０００７】
本発明は第二に、前記式（１）で表される繰り返し単位及び前記式（２）で表される繰り返し単位に加えて、下記式（５）で表される繰り返し単位を含有する高分子化合物を提供する。
【化３】
0005860235.tif 000004
（式中、Ａｒ5はアリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。）
【０００８】
本発明は第三に、前記高分子化合物と、発光性有機金属錯体化合物とを含有する組成物を提供する。
【０００９】
本発明は第四に、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた前記高分子化合物を含有する有機層とを有する素子を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の高分子化合物及び組成物（以下、「本発明の高分子化合物等」ともいう。）は、有機ＥＬ素子等の作製に用いた場合、長寿命な素子をもたらす。好ましい実施形態では、本発明の高分子化合物等は、さらに発光効率にも優れる（即ち、量子収率が高い）素子をもたらす。したがって、本発明の高分子化合物等は、有機ＥＬ素子等の発光素子の製造に特に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
［用語の説明］
以下、本明細書において共通して用いられる用語を説明する。
【００１２】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が例示される。
【００１３】
「繰り返し単位」とは、高分子化合物中に２個以上存在する単位を意味する。
【００１４】
「Ｃm〜Ｃn」（ｍ及びｎはｍ＜ｎを満たす正の整数である）という用語は、この用語の直後に記載された有機基の炭素原子数がｍ〜ｎであることを表す。
【００１５】
基の直前に付されている「非置換の」という用語は、該基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。基の直前に付されている「置換（されている）」という用語は、該基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されていることを意味する。基の直前に付されている「置換基を有していてもよい」という用語は、該基の水素原子が置換基で置換されていない場合、及び、該基の水素原子の一部又は全部が置換基で置換されている場合の双方を意味する。
【００１６】
「置換基を有していてもよい」という用語は、「置換されていてもよい」と言い換え得る。置換基としては、特に説明がない限り、ハロゲン原子、炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜３０のヒドロカルビルオキシ基が例示され、これらの中でも、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１８のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１８のヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビルオキシ基がより好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜１２のヒドロカルビル基がさらに好ましく、ハロゲン原子及び炭素原子数１〜６のヒドロカルビル基が特に好ましい。
【００１７】
アルキル基は、非置換のアルキル基、並びに、ハロゲン原子、アミノ基及びメルカプト基等の置換基で置換されているアルキル基を意味する。アルキル基は、直鎖状アルキル基及び環状アルキル基（シクロアルキル基）の両方を含む。アルキル基は分岐を有していてもよい。アルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０である。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、４−メチルドデシル基、ペンタデシル基、２，２，４，４，６，８，８−ヘプタメチルノニル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、２，６，１０，１４−テトラメチルペンタデシル基、ノナデシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、トリフルオロプロピル基、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル基、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシル基、メルカプトプロピル基、メルカプトオクチル基及びメルカプトデシル基が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ20アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及びドデシル基が挙げられる。
【００１８】
アルコキシ基は、非置換のアルコキシ基、並びに、ハロゲン原子及びアルコキシ基等の置換基で置換されているアルコキシ基を意味する。アルコキシ基は、直鎖状アルコキシ基及び環状アルコキシ基（シクロアルコキシ基）の両方を含む。アルコキシ基は分岐を有していてもよい。アルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０である。アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基及び２−メトキシエチルオキシ基が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基及びドデシルオキシ基が挙げられる。
【００１９】
アルキルチオ基は、非置換のアルキルチオ基、並びに、ハロゲン原子等の置換基で置換されているアルキルチオ基を意味する。アルキルチオ基は、直鎖状アルキルチオ基及び環状アルキルチオ基（シクロアルキルチオ基）の両方を含む。アルキルチオ基は分岐を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１５であり、より好ましくは１〜１０である。アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ドデシルチオ基及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基及びドデシルチオ基が挙げられる。
【００２０】
アリール基は、芳香族炭化水素から芳香環を構成する炭素原子に結合した水素原子１個を除いた残りの原子団である。アリール基は、非置換のアリール基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリール基を意味する。アリール基には、縮合環をもつもの；独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上の環が単結合したもの；独立したベンゼン環及び縮合環から選ばれる２個以上の環が２価の有機基（例えば、ビニレン基等のアルケニレン基）を介して結合したもの、も含まれる。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリール基としては、例えば、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基及びペンタフルオロフェニル基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基又はＣ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。
【００２１】
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基としては、例えば、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基及びドデシルオキシフェニル基が挙げられる。
【００２２】
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基としては、例えば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基及びドデシルフェニル基が挙げられる。
【００２３】
アリールオキシ基は、非置換のアリールオキシ基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールオキシ基を意味する。アリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基及びペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基又はＣ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
【００２４】
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基としては、例えば、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基及びドデシルオキシフェノキシ基が挙げられる。
【００２５】
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基としては、例えば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基及びドデシルフェノキシ基が挙げられる。
【００２６】
アリールチオ基は、非置換のアリールチオ基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールチオ基を意味する。アリールチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。
【００２７】
アリールアルキル基は、非置換のアリールアルキル基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールアルキル基を意味する。アリールアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリールアルキル基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ20アルキル基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ20アルキル基が挙げられる。
【００２８】
アリールアルコキシ基は、非置換のアリールアルコキシ基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールアルコキシ基を意味する。アリールアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリールアルコキシ基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が挙げられる。
【００２９】
アリールアルキルチオ基は、非置換のアリールアルキルチオ基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールアルキルチオ基を意味する。アリールアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常７〜６０であり、好ましくは７〜４８であり、より好ましくは７〜３０である。アリールアルキルチオ基としては、例えば、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が挙げられる。
【００３０】
アリールアルケニル基は、非置換のアリールアルケニル基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールアルケニル基を意味する。アリールアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常８〜６０であり、好ましくは８〜４８であり、より好ましくは８〜３０である。アリールアルケニル基としては、例えば、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基及び２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基又はＣ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００３１】
Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、１−ブテニル基、２−ブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基及び１−オクテニル基が挙げられる。
【００３２】
アリールアルキニル基は、非置換のアリールアルキニル基、並びに、ハロゲン原子、アルコキシ基及びアルキル基等の置換基で置換されているアリールアルキニル基を意味する。アリールアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常８〜６０であり、好ましくは８〜４８であり、より好ましくは８〜３０である。アリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基及び２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基又はＣ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００３３】
Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基としては、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、２−ブチニル基、１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、２−ヘキシニル基及び１−オクチニル基が挙げられる。
【００３４】
ヘテロアリールオキシ基は、非置換のヘテロアリールオキシ基及び置換されているヘテロアリールオキシ基を意味する。ヘテロアリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールオキシ基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルオキシ基、チエニルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシチエニルオキシ基、ピリジルオキシ基及びイソキノリルオキシ基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルオキシ基又はＣ1〜Ｃ12アルキルピリジルオキシ基が好ましい。
【００３５】
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルオキシ基としては、例えば、メトキシピリジルオキシ基、エトキシピリジルオキシ基、プロピルオキシピリジルオキシ基、イソプロピルオキシピリジルオキシ基、ブトキシピリジルオキシ基、イソブトキシピリジルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシピリジルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシピリジルオキシ基、ペンチルオキシピリジルオキシ基、ヘキシルオキシピリジルオキシ基、シクロヘキシルオキシピリジルオキシ基、ヘプチルオキシピリジルオキシ基、オクチルオキシピリジルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシピリジルオキシ基、ノニルオキシピリジルオキシ基、デシルオキシピリジルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシピリジルオキシ基及びドデシルオキシピリジルオキシ基が挙げられる。
【００３６】
Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルオキシ基としては、例えば、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、１，３，５−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、イソプロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、イソブチルピリジルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルピリジルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基及びドデシルピリジルオキシ基が挙げられる。
【００３７】
ヘテロアリールチオ基は、非置換のヘテロアリールチオ基及び置換されているヘテロアリールチオ基を意味する。ヘテロアリールチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６〜６０であり、好ましくは７〜４８である。ヘテロアリールチオ基としては、例えば、ピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基及びイソキノリルチオ基が挙げられ、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシピリジルチオ基又はＣ1〜Ｃ12アルキルピリジルチオ基が好ましい。
【００３８】
１価の芳香族複素環基とは、芳香族性を有する複素環式化合物から、芳香環に直接結合した水素原子１個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有するものを含む。１価の芳香族複素環基は、非置換の１価の芳香族複素環基、及び、アルキル基等の置換基で置換されている１価の芳香族複素環基を意味する。複素環式化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子及びケイ素原子等のヘテロ原子を含むものをいう。芳香族性を有する複素環式化合物としては、例えば、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホ−イソキノリン、カルバゾール及びジベンゾホスホール等の、ヘテロ原子を含む複素環式化合物であって複素環自体が芳香性を示すもの；フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール及びジベンゾピラン等の、ヘテロ原子を含む複素環式化合物であって、該化合物中に含まれるヘテロ原子を含む複素環自体は芳香性を示さないが、複素環に芳香環が縮環されている構造を有するものが挙げられる。
【００３９】
１価の芳香族複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜６０であり、好ましくは４〜３０である。１価の芳香族複素環基としては、例えば、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、トリアジニル基、キノリル基及びイソキノリル基が挙げられ、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基又はＣ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００４０】
アミノ基は、非置換のアミノ基、並びに、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の芳香族複素環基から選ばれる１個又は２個の置換基で置換されているアミノ基（以下、「置換アミノ基」という。）を意味する。該置換基は更に置換基（以下、「二次置換基」という場合がある。）を有していてもよい。置換アミノ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、好ましくは２〜４８であり、より好ましくは２〜４０である。置換アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジ−イソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ドデシルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジニルアミノ基、トリアジニルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基及び２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基が挙げられる。
【００４１】
シリル基は、非置換のシリル基、並びに、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の芳香族複素環基から選ばれる１個、２個又は３個の置換基で置換されているシリル基（以下、「置換シリル基」という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、好ましくは３〜４８であり、より好ましくは３〜４０である。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルフェニルシリル基が挙げられる。
【００４２】
置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基及び１価の複素環オキシ基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の置換基で置換されているシリルオキシ基を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリルオキシ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。置換シリルオキシ基としては、例えば、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリ−イソプロピルシリルオキシ基、ジメチル−イソプロピルシリルオキシ基、ジエチル−イソプロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ドデシルジメチルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基及びジメチルフェニルシリルオキシ基が挙げられる。
【００４３】
置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基及び１価の複素環チオ基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の置換基で置換されているシリルチオ基を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリルチオ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。置換シリルチオ基としては、例えば、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリ−イソプロピルシリルチオ基、ジメチル−イソプロピルシリルチオ基、ジエチル−イソプロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、ペンチルジメチルシリルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基、ヘプチルジメチルシリルチオ基、オクチルジメチルシリルチオ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルチオ基、ノニルジメチルシリルチオ基、デシルジメチルシリルチオ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルチオ基、ドデシルジメチルシリルチオ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルチオ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基及びジメチルフェニルシリルチオ基が挙げられる。
【００４４】
複素環チオ基は、メルカプト基の水素原子が１価の芳香族複素環基で置換されている基を意味する。複素環チオ基としては、例えば、ヘテロアリールチオ基（例えば、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジニルチオ基及びトリアジニルチオ基）が挙げられる。
【００４５】
置換シリルアミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基及び１価の複素環アミノ基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の置換基で置換されているシリルアミノ基を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換シリルアミノ基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常、１〜６０であり、好ましくは３〜４８である。置換シリルアミノ基としては、例えば、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリ−イソプロピルシリルアミノ基、ジメチル−イソプロピルシリルアミノ基、ジエチル−イソプロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリルアミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチルジメチルシリルアミノ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチルシリルアミノ基、デシルジメチルシリルアミノ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルアミノ基、ドデシルジメチルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルオキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオアミノ基及びジメチルフェニルシリルアミノ基が挙げられる。
【００４６】
アシル基は、非置換のアシル基、及び、ハロゲン原子等の置換基で置換されているアシル基を意味する。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは２〜１８であり、より好ましくは２〜１６である。アシル基としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。
【００４７】
アシルオキシ基は、非置換のアシルオキシ基、及び、ハロゲン原子等の置換基で置換されているアシルオキシ基を意味する。アシルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは２〜１８であり、より好ましくは２〜１６である。アシルオキシ基としては、例えば、ホルミルオキシ基、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基及びペンタフルオロベンゾイルオキシ基が挙げられる。
【００４８】
イミン残基は、式：Ｈ−Ｎ＝Ｃ＜及び式：−Ｎ＝ＣＨ−の少なくとも一方で表される構造を有するイミン化合物から、該構造中の水素原子１個を除いた残基を意味する。該構造としては、例えば、アルジミン；ケチミン；アルジミン中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基及びアリールアルキニル基等の置換基で置換されている化合物が挙げられる。イミン残基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８であり、より好ましくは２〜１６である。イミン残基としては、例えば、一般式：−ＣＲ'＝Ｎ−Ｒ''又は一般式：−Ｎ＝Ｃ（Ｒ''）2（式中、Ｒ'は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表し、Ｒ''は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基又はアリールアルキニル基を表す。後者の一般式において、２個のＲ''は互いに同一であっても異なっていてもよい。２個のＲ''は相互に結合して２価の基（例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等の、炭素原子数２〜１８のアルキレン基）を形成し、残りの原子団と一体となって環を形成してもよい。）で表される基が挙げられる。
【００４９】
イミン残基としては、例えば、以下の構造式で示される基が挙げられる。
【化４】
0005860235.tif 000005
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
【００５０】
アミド基は、酸アミドから、その窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基を意味する。本明細書において、酸アミドは、アンモニアの水素原子が１個又は２個のアシル基によって置換された１級又は２級アミド（但し、環式構造を有する２級アミド、即ち、酸イミドは除く。）を意味する。アミド基は、非置換のアミド基、及び、ハロゲン原子等の置換基で置換されているアミド基を意味する。アミド基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは２〜１８であり、より好ましくは２〜１６である。アミド基としては、例えば、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。
【００５１】
酸イミド基は、酸イミドから、その窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基を意味する。酸イミド基は、非置換の酸イミド基及び置換されている酸イミド基を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜２０であり、好ましくは４〜１８であり、より好ましくは４〜１６である。酸イミド基としては、例えば、以下に示す基が挙げられる。
【化５】
0005860235.tif 000006
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
【００５２】
カルボキシル基は、非置換のカルボキシル基、並びに、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の芳香族複素環基等の置換基で置換されているカルボキシル基（以下、「置換カルボキシル基」という。）を意味する。置換基は二次置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素原子数は、二次置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜６０であり、好ましくは２〜４８であり、より好ましくは２〜４５である。置換カルボキシル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基及びピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００５３】
２価の芳香族基は、芳香族炭化水素及び芳香族性を有する複素環式化合物のいずれかから水素原子２個を除いてなる原子団を意味する。２価の芳香族基は、非置換の２価の芳香族基及び置換されている２価の芳香族基を含む。２価の芳香族基としてはアリーレン基及び２価の芳香族複素環基が例示される。
【００５４】
アリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いてなる原子団を意味する。アリーレン基は、独立したベンゼン環又は縮合環を持つものを含む。アリーレン基は、非置換のアリーレン基及び置換されているアリーレン基を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８であり、より好ましくは６〜３０であり、更に好ましくは６〜１８である。該炭素原子数は置換基の炭素原子数は含まない。
【００５５】
２価の芳香族複素環基は、芳香族性を有する複素環式化合物から、芳香環に直接結合した水素原子２個を除いた残りの原子団を意味し、縮合環を有するものを含む。ここで、芳香族性を有する複素環式化合物の例は、１価の芳香族複素環基について説明したものと同様である。２価の芳香族複素環基は、非置換の２価の芳香族複素環基、及び、アルキル基等の置換基で置換されている２価の芳香族複素環基を意味する。
【００５６】
＜高分子化合物＞
本発明の高分子化合物は、該高分子化合物を発光素子の作製に用いる場合の成膜性並びに得られる発光素子の発光効率及び寿命が向上し得るので、そのポリスチレン換算の数平均分子量が、通常、２×１０3以上であり、２×１０3〜１×１０8であることが好ましく、１×１０4〜１×１０6であることが好ましい。なお、本明細書において、ポリスチレン換算の数平均分子量が２×１０3以上である化合物を高分子化合物といい、他方、ポリスチレン換算の数平均分子量が２×１０3未満である化合物を低分子化合物という。なお、ポリスチレン換算の数平均分子量が２×１０3以上である限り、デンドリマー及びオリゴマーも本発明の高分子化合物に含まれる。
【００５７】
本発明の高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位及び式（２）で表される繰り返し単位を含有する。まず、式（１）で表される繰り返し単位について説明する。
【化６】
0005860235.tif 000007
【００５８】
式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち少なくとも一つは水素原子以外の基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうち隣接する基同士が結合して環を形成していてもよい。
【００５９】
式（１）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうちの少なくとも一つは、水素原子以外の基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうちの少なくとも一つは、アルキル基を含む基であることが好ましい。アルキル基を含む基とは、アルキル基自体、及びアルキル基をその一部に含む基（例えば、アルコキシ基；アルキルチオ基；及びアルキル基で置換されている、上記Ｒ1〜Ｒ5の候補として挙げられている基）を意味する。本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の寿命の観点からは、アルキル基を含む基は、アルキル基であることが好ましい。また、本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の耐熱性の観点からは、アルキル基を含む基は、アルキル基で置換されているアリール基であることが好ましい。
【００６０】
アルキル基を含む基中の、アルキル基を構成する脂肪族炭素原子数は、本発明の高分子化合物を発光素子の作製に用いる場合の溶媒への溶解性と、得られる発光素子の寿命とを両立できるので、６以上であることが好ましく、１２以上であることがより好ましい。また、本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の寿命及び耐熱性が向上し得るので、前記脂肪族炭素原子数は１００以下であることが好ましく、６０以下であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましい。なお、脂肪族炭素原子数とは、対象の基のうち脂肪族の骨格部分に含まれる炭素原子の数を意味する。
【００６１】
中でも、式（１）中のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＲ5のうちの少なくとも一つが、炭素原子数が６以上のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数が１２以上のアルキル基であることがより好ましい。
【００６２】
さらに、Ｒ3が炭素原子数１２以上のアルキル基であることがより好ましい。Ｒ1及びＲ5の少なくとも一方は、水素原子であることが好ましい。Ｒ2及びＲ4の少なくとも一方は、アルキル基、アリール基又はアルキル基で置換されたアリール基であることが好ましく、Ｒ2及びＲ4が、アルキル基で置換されたアリール基であることがより好ましい。
【００６３】
式（１）中、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい２価の芳香族基を表す。
【００６４】
ここで、２価の芳香族基としてはアリーレン基又は２価の芳香族複素環基が例示される。
【００６５】
Ａｒ1及びＡｒ2で表されるアリーレン基としては、例えば、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基及び１，２−フェニレン基等のフェニレン基；２，７−ビフェニリレン基及び３，６−ビフェニリレン基等のビフェニリレン基；１，４−ナフタレン−ジイル基、１，５−ナフタレン−ジイル基及び２，６−ナフタレン−ジイル基等のナフタレン−ジイル基；１，４−アントラセン−ジイル基、１，５−アントラセンジイル基、２，６−アントラセン−ジイル基及び９，１０−アントラセン−ジイル基等のアントラセン−ジイル基；２，７−フェナントレン−ジイル基等のフェナントレン−ジイル基；１，７−ナフタセン−ジイル基、２，８−ナフタセン−ジイル基及び５，１２−ナフタセン−ジイル基等のナフタセンジイル基；２，７−フルオレン−ジイル基及び３，６−フルオレン−ジイル基等のフルオレン−ジイル基；１，６−ピレン−ジイル基、１，８−ピレン−ジイル基、２，７−ピレン−ジイル基及び４，９−ピレン−ジイル基等のピレンジイル基；３，９−ペリレン−ジイル基及び３，１０−ペリレン−ジイル基等のペリレン−ジイル基；ビフェニル−ジイル基；ターフェニル−ジイル基；ベンゾフルオレン−ジイル基；及びジベンゾフルオレン−ジイル基が挙げられ、好ましくは、フェニレン基又はフルオレンジイル基である。
【００６６】
Ａｒ1及びＡｒ2で表される２価の芳香族複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで通常４〜６０であり、好ましくは４〜３０であり、より好ましくは６〜１２である。前記２価の芳香族複素環基としては、例えば、２，５−ピリジン−ジイル基及び２，６−ピリジン−ジイル基等のピリジン−ジイル基；２，５−チオフェン−ジイル基等のチオフェン−ジイル基；２，５−フラン−ジイル基等のフラン−ジイル基；２，６−キノリン−ジイル基等のキノリン−ジイル基；１，４−イソキノリン−ジイル基及び１，５−イソキノリンジイル基等のイソキノリン−ジイル基；５，８−キノキサリン−ジイル基等のキノキサリン−ジイル基；４，７−ベンゾ［１，２，５］チアジアゾール−ジイル基等のベンゾ［１，２，５］チアジアゾール−ジイル基；４，７−ベンゾチアゾール−ジイル基等のベンゾチアゾール−ジイル基；２，７−カルバゾール−ジイル基及び３，６−カルバゾール−ジイル基等のカルバゾール−ジイル基；３，７−フェノキサジン−ジイル基等のフェノキサジン−ジイル基；３，７−フェノチアジン−ジイル基等のフェノチアジン−ジイル基；及び２，７−ジベンゾシロール−ジイル基等のジベンゾシロール−ジイル基が挙げられ、好ましくは、ピリジン−ジイル基、キノリン−ジイル基又はキノキサリン−ジイル基である。
【００６７】
Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、カルボキシル基、及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基であることが好ましい。
【００６８】
Ａｒ1及びＡｒ2で表されるアリーレン基としては、例えば、フェニレン基（例えば、下式１〜３）、ナフタレンジイル基（例えば、下式４〜１３）、ビフェニル−ジイル基（例えば、下式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（例えば、下式２６〜２８）、フェナントレン−ジイル基（例えば、下式２９）、縮合環を有するビフェニリレン基（例えば、下式３１及び３２）、インデン−ジイル基（例えば、式３４及び３５）、フルオレン−ジイル基（例えば、下式３６〜３８）、ベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、下式Ａ−１〜Ａ−３）及びジベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、下式Ａ−４）が挙げられる。
【００６９】
【化７】
0005860235.tif 000008
【００７０】
【化８】
0005860235.tif 000009
【００７１】
【化９】
0005860235.tif 000010
【００７２】
【化１０】
0005860235.tif 000011
【００７３】
【化１１】
0005860235.tif 000012
【００７４】
【化１２】
0005860235.tif 000013
（式中、Ｒは、水素原子又は置換基を表す。複数個のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【００７５】
上記の式１〜２９、３１〜３８及びＡ−１〜Ａ−４中、Ｒで表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の芳香族複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、ヘテロアリールオキシ基及びヘテロアリールチオ基が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性、及び得られる発光素子の素子特性が向上し得るので、複数個のＲのうち少なくとも１個が水素原子以外の基（即ち、上記の置換基）であることが好ましい。Ｒで表される置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基又は１価の芳香族複素環基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であることがより好ましい。
【００７６】
Ａｒ1及びＡｒ2で表される２価の芳香族複素環基としては、例えば、ピリジン−ジイル基（例えば、下式４５〜５０）、ジアザフェニレン基（例えば、下式５１〜５４）、キノリンジイル基（例えば、下式５５〜６９）、キノキサリンジイル基（例えば、下式７０〜７４）、ビピリジルジイル基（例えば、下式７９〜８１）、フェナントロリンジイル基（例えば、下式８２〜８４）、カルバゾール構造を有する基（例えば、下式８５〜８７）等の、ヘテロ原子である窒素原子を含む２価の芳香族複素環基；酸素原子、けい素原子、窒素原子、硫黄原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含む５員芳香族複素環基（例えば、下式８８〜９２）；並びに酸素原子、けい素原子、窒素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含む５員縮合芳香族複素環基（例えば、下式９３〜１０３）が挙げられる。
【００７７】
【化１３】
0005860235.tif 000014
【００７８】
【化１４】
0005860235.tif 000015
【００７９】
【化１５】
0005860235.tif 000016
【００８０】
【化１６】
0005860235.tif 000017
【００８１】
【化１７】
0005860235.tif 000018
【００８２】
【化１８】
0005860235.tif 000019
（式中、Ｒは、水素原子又は置換基を表す。複数個のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。）
【００８３】
上式４５〜７４及び７９〜１０３中、Ｒで表される置換基の例は、前記式１におけるＲで表される置換基の例と同様である。なお、本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性、及び得られる発光素子の素子特性が向上し得るので、複数個のＲのうち少なくとも１個が水素原子以外の基（即ち、上記の置換基）であることが好ましい。
【００８４】
Ａｒ1及びＡｒ2の少なくとも一方は、下記式（３）又は（４）で表される２価の芳香族基であることが好ましく、Ａｒ1及びＡｒ2が、それぞれ独立に、下記式（３）又は（４）で表される２価の芳香族基であることがより好ましい。下記式（３）又は（４）で表される２価の芳香族基の中でも、非置換の下記式（３）で表される２価の芳香族基がより好ましい。
【化１９】
0005860235.tif 000020
【化２０】
0005860235.tif 000021
式（３）及び（４）において、Ｒ’は水素原子又はアルキル基を示す。
【００８５】
式（３）で表される２価の芳香族基の好ましい例としては、下式３−１〜３−１５で表される２価の基が挙げられる。
【化２１】
0005860235.tif 000022
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
【００８６】
式（４）で表される２価の芳香族基の好ましい例としては、下式４−１〜４−１４で表される２価の基が挙げられる。
【化２２】
0005860235.tif 000023
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【００８７】
式（１）で表される繰り返し単位は、本発明の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
【００８８】
式（１）で表される繰り返し単位の好ましい例としては、下式１−１〜１−５２で表される繰り返し単位が挙げられる。
【００８９】
【化２３】
0005860235.tif 000024
【００９０】
【化２４】
0005860235.tif 000025
【００９１】
【化２５】
0005860235.tif 000026
【００９２】
【化２６】
0005860235.tif 000027
【００９３】
【化２７】
0005860235.tif 000028
【００９４】
【化２８】
0005860235.tif 000029
【００９５】
【化２９】
0005860235.tif 000030
【００９６】
【化３０】
0005860235.tif 000031
【００９７】
【化３１】
0005860235.tif 000032
（式中、Ａｒ1及びＡｒ2は、前記と同じ意味を表す。）
【００９８】
続いて、本発明の高分子化合物に含まれる式（２）で表される繰り返し単位について説明する。
【化３２】
0005860235.tif 000033
【００９９】
式（２）中、Ａｒ3は、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の寿命が向上し得るので、Ａｒ3はアリール基であることが好ましい。
【０１００】
式（２）中、Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがより好ましい。
【０１０１】
式（２）中、Ｒ6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ6が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【０１０２】
式（２）中、ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。
【０１０３】
式（２）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（２０）で表される繰り返し単位が好ましい。
【化３３】
0005860235.tif 000034
（式（２０）中、Ａｒ3及びＡｒ4の定義は、式（２）のＡｒ3及びＡｒ4の定義と同じである。）
【０１０４】
式（２０）中、Ａｒ4は、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがより好ましい。
【０１０５】
式（２０）中、Ａｒ3又はＡｒ4がアリール基である場合、本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性が向上し得るので、該アリール基は、炭素原子数２以上の置換基を有することが好ましい。
【０１０６】
式（２０）で表される繰り返し単位としては、下式１ｅ〜８ｅで表される繰り返し単位が例示される。
【化３４】
0005860235.tif 000035
（式中、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０１０７】
式（２）で表される繰り返し単位は、本発明の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
【０１０８】
本発明の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対する、式（１）で表される繰り返し単位の割合は、電子輸送性の観点（即ち、電子輸送性を向上させる）からは大きい方が好ましく、該高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の寿命の観点からは小さい方が好ましい。よって前記割合は、１０モル％以上３０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上２０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以上１５モル％以下であることが特に好ましい。一方で、本発明の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対する、式（２）で表される繰り返し単位の割合は、熱安定性、及び、該高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に得られる発光素子の寿命が向上し得るので、２０モル％以上であることが好ましい。なお該割合の上限は特に限定されないが、通常は７５モル％以下である。本発明の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対する、式（１）で表される繰り返し単位及び式（２）で表される繰り返し単位の合計の割合は、本発明の高分子化合物を用いて得られる発光素子の電子輸送性及び寿命が向上し得るので、３０モル％以上であることが好ましく、４０モル％以上であることがより好ましく、５０モル％以上であることが特に好ましい。
【０１０９】
本発明の高分子化合物は、下記式（５）で表される繰り返し単位をさらに含有していてもよい。
【化３５】
0005860235.tif 000036
【０１１０】
式（５）中、Ａｒ5は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ5におけるアリーレン基の例は、Ａｒ1及びＡｒ2において上述したアリーレン基と同様である。Ａｒ5における２価の芳香族複素環基の例は、Ａｒ1及びＡｒ2において上述した２価の芳香族複素環基と同様である。
【０１１１】
式（５）で表される繰り返し単位としては、下記式（６）で表される繰り返し単位が例示される。
【化３６】
0005860235.tif 000037
【０１１２】
式（６）中、Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ7は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性及び得られる発光素子の寿命が向上し得るので、Ａｒ6及びＡｒ7の少なくとも一方は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
【０１１３】
式（６）中、ａは０又は１を表す。２個存在するａは同一であっても異なっていてもよい。Ｒ7が複数個存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【０１１４】
式（５）で表される繰り返し単位としては、さらに、下記式（７）で表される繰り返し単位、及び下記式（８）で表される繰り返し単位が例示される。
【０１１５】
【化３７】
0005860235.tif 000038
【０１１６】
式（７）中、Ｒ8及びＲ9は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ8及びＲ9は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【０１１７】
式（７）中、Ｒ8及びＲ9は、本発明の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性のバランスの観点から、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルキル基又は置換アミノ基であることが好ましく、アルキル基又はアリールアルキル基であることがより好ましく、アルキル基であることが更に好ましく、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基又はドデシル基であることが特に好ましい。Ｒ8とＲ9は互いに同一であっても異なっていてもよいが、同一である方が好ましい。
【０１１８】
【化３８】
0005860235.tif 000039
【０１１９】
式（８）中、Ｒ10及びＲ11は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。Ｒ10及びＲ11は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【０１２０】
式（８）中、Ｒ10及びＲ11の少なくとも一方は、本発明の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性のバランスの観点から、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アリールアルキル基又はアミノ基であることが好ましく、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基又はアミノ基であることがより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の芳香族複素環基であることが更に好ましく、アルキル基又はアリール基であることが特に好ましい。Ｒ10及びＲ11は互いに同一であっても異なっていてもよい。
【０１２１】
式（８）中、ｂは、０又は１を表す。
【０１２２】
式（７）で表される繰り返し単位としては、下記式７−００１〜７−０１９、７−１０１〜７−１０５で表される繰り返し単位が例示される。
【０１２３】
【化３９】
0005860235.tif 000040
【０１２４】
【化４０】
0005860235.tif 000041
【０１２５】
【化４１】
0005860235.tif 000042
【０１２６】
【化４２】
0005860235.tif 000043
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０１２７】
式（８）で表される繰り返し単位としては、下記式８−００１〜８−０１７、８−１０１〜８−１１３、８−２０１〜８−２０８で表される繰り返し単位が例示される。
【０１２８】
【化４３】
0005860235.tif 000044
【０１２９】
【化４４】
0005860235.tif 000045
【０１３０】
【化４５】
0005860235.tif 000046
【０１３１】
【化４６】
0005860235.tif 000047
【０１３２】
【化４７】
0005860235.tif 000048
【０１３３】
【化４８】
0005860235.tif 000049
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基を表し、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０１３４】
式（５）で表される繰り返し単位は、本発明の高分子化合物中に、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。本発明の高分子化合物には、式（５）で表される繰り返し単位として、式（６）で表される繰り返し単位、式（７）で表される繰り返し単位及び式（８）で表される繰り返し単位から選ばれる一種の繰り返し単位、又は二種以上の繰り返し単位の組み合わせが含まれていてもよい。また、式（５）で表される繰り返し単位として、式（６）で表される繰り返し単位、式（７）で表される繰り返し単位及び式（８）で表される繰り返し単位は、それぞれ、二種以上ずつ組み合わせて本発明の高分子化合物に含まれていてもよい。
【０１３５】
本発明の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対する、式（５）で表される繰り返し単位の割合は、通常、０モル％以上８０モル％以下であり、５モル％以上７０モル％以下であることが好ましく、１０モル％以上６０モル％以下であることがより好ましく、１０モル％以上５０モル％以下であることが特に好ましい。前記全繰り返し単位に対する、式（１）で表される繰り返し単位、式（２）で表される繰り返し単位、及び式（５）で表される繰り返し単位の合計の割合は、８０モル％以上であることが好ましく、８５モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが特に好ましい。
【０１３６】
本発明の高分子化合物はさらに、下記式（９）で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
【化４９】
0005860235.tif 000050
【０１３７】
式（９）中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ14は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を表す。
【０１３８】
式（９）中、Ａｒ11、Ａｒ12及びＡｒ13は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の芳香族複素環基を表す。
【０１３９】
式（９）中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13及びＡｒ14は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。
【０１４０】
式（９）中、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、０又は１である。但し、ｘ＋ｙの値は０又は１である。
【０１４１】
式（９）において、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12、Ａｒ13又はＡｒ14が置換基を有する場合、該置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の芳香族複素環基、カルボキシル基、ニトロ基及びシアノ基が挙げられ、好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、アシル基又はシアノ基であり、より好ましくは、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基である。
【０１４２】
式（９）中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ14で表されるアリーレン基としては、例えば、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基、９，１０−アントラセンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基、５，１２−ナフタセンジイル基及び２，７−フルオレンジイル基が挙げられる。
【０１４３】
式（９）中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ14で表される２価の芳香族複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、４〜６０であり、好ましくは４〜２０であり、より好ましくは４〜９である。前記２価の芳香族複素環基としては、例えば、２，５−チオフェンジイル基、Ｎ−メチル−２，５−ピロールジイル基、２，５−フランジイル基、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７-ジイル、３，７−フェノキサジンジイル基及び３，６−カルバゾールジイル基が挙げられる。
【０１４４】
式（９）中、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10及びＡｒ14としては、例えば、以下の式１ｂ〜３ｂで表される２価の基が挙げられる。
【化５０】
0005860235.tif 000051
【０１４５】
式（９）中、Ａｒ8及びＡｒ10は、好ましくは、アリーレン基であり、より好ましくは、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，６−ナフタレンジイル基又は前記式１ｂで表される基であり、更に好ましくは、１，４−フェニレン基又は１，４−ナフタレンジイル基であり、特に好ましくは、１，４−フェニレン基である。
【０１４６】
式（９）中、Ａｒ9は、好ましくは、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，７−ジイル基、３，７−フェノキサジンジイル基、又は前記式１ｂで表される基であり、好ましくは、１，４−フェニレン基、１，４−ナフタレンジイル基、２，７−フルオレンジイル基、又は前記式１ｂで表される基であり、更に好ましくは１，４−フェニレン基、又は前記式１ｂで表される基である。
【０１４７】
式（９）中、Ａｒ11、Ａｒ12及びＡｒ13は、それぞれ独立に、好ましくは、アルキル基、アリール基、又は１価の芳香族複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、又はアリール基であり、更に好ましくは、アリール基である。
【０１４８】
式（９）で表される繰り返し単位の好ましい例としては、以下の式１ｃ〜４ｃで表される繰り返し単位が挙げられる。なお、式１ｃ〜４ｃ中、Ｒ21は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、１価の芳香族複素環基、カルボキシル基、ニトロ基、又はシアノ基を表す。複数個存在するＲ21は、同一であっても異なっていてもよい。
【化５１】
0005860235.tif 000052
【０１４９】
式（９）で表される繰り返し単位の中で、下記式（１０）で表される繰り返し単位が好ましい。
【化５２】
0005860235.tif 000053
【０１５０】
式（１０）中、Ｒ31、Ｒ41及びＲ51は、それぞれ独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜２６のフェニルアルキル基、炭素原子数７〜２６のフェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、炭素原子数７〜２６のアルキルフェニル基、炭素原子数７〜２６のアルコキシフェニル基、炭素原子数２〜２１のアルキルカルボニル基、ホルミル基、炭素原子数２〜２１のアルコキシカルボニル基、又はカルボキシル基を表す。あるいは、Ｒ31とＲ41は、上記の基を表す代わりに、一緒になって、環を形成していてもよい。Ｒ31が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ41が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、Ｒ51が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
【０１５１】
式（１０）中、ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。ｕは１又は２である。ｖは０〜５の整数である。
【０１５２】
式（１０）中、Ｒ31とＲ41が、一緒になって環を形成する場合、その環としては、例えば、置換基を有していてもよいＣ5〜Ｃ14の複素環が挙げられる。該複素環としては、例えば、モルホリン環、チオモルホリン環、ピロール環、ピペリジン環及びピペラジン環が挙げられる。
【０１５３】
式（１０）で表される繰り返し単位としては、例えば、下記式１ｄ〜１０ｄで表される繰り返し単位が挙げられる。
【化５３】
0005860235.tif 000054
【０１５４】
本発明の高分子化合物を構成する全繰り返し単位に対する、式（５）で表される繰り返し単位の割合は、通常、０モル％以上２０モル％以下であり、０モル％以上１０モル％以下であることが好ましい。前記全繰り返し単位に対する、式（１）で表される繰り返し単位、式（２）で表される繰り返し単位、式（５）で表される繰り返し単位、及び式（９）で表される繰り返し単位の合計の割合は、９０モル％以上であることが好ましく、９５モル％以上であることがより好ましく、９９モル％以上であることが更に好ましく、１００モル％（不可避的な不純物を除く）であることが特に好ましい。
【０１５５】
以下、本発明の高分子化合物の好ましい製造方法を説明する。本発明の高分子化合物は、例えば、縮合重合により製造することができる。
【０１５６】
上記縮合重合の方法としては、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応により重合する方法（ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．  Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（共立出版、高分子機能材料シリーズ第２巻、高分子の合成と反応（２）、４３２〜４３３頁）、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応により重合する方法（プログレッシブ  ポリマー  サイエンス（Ｐｒｏｇ．  Ｐｏｌｙｍ．  Ｓｃｉ．），第１７巻，  １１５３〜１２０５頁，  １９９２年）、０価ニッケル錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられ、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、及び０価ニッケル錯体により重合する方法が、構造制御の観点から好ましい。
【０１５７】
上記高分子化合物は、例えば、式：Ｙ3−Ｗ1−Ｙ4で示される化合物と、式：Ｙ5−Ｗ2−Ｙ6で示される化合物とを縮合重合させることにより製造することができる。式中、Ｗ1及びＷ2は、それぞれ独立に、前記式（１）、前記式（２）、前記式（５）又は前記式（９）で表される繰り返し単位を表す。Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5及びＹ6は、それぞれ独立に、重合反応性基を表す。本発明の高分子化合物が上記以外の繰り返し単位を有する場合には、上記以外の繰り返し単位となる２個の重合反応性基を有する化合物を共存させて縮合重合させればよい。
【０１５８】
上記重合反応性基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）2）、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等が挙げられる。
【０１５９】
上記重合反応性基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【０１６０】
上記重合反応性基であるアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基等が挙げられる。
【０１６１】
上記重合反応性基であるアリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基等が挙げられる。
【０１６２】
上記重合反応性基であるアリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基等が挙げられる。
【０１６３】
上記重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、下記式で示される基が挙げられる。
【化５４】
0005860235.tif 000055
（式中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を表す。）
【０１６４】
上記重合反応性基であるスルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｘ0-、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｘ0-
（式中、Ｘ0はハロゲン原子を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。）
【０１６５】
上記重合反応性基であるホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｘ0-
（式中、Ｘ0はハロゲン原子を表す。）
【０１６６】
上記重合反応性基であるホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ''）2
（式中、Ｒ''はアルキル基又はアリール基を表す。）
【０１６７】
上記重合反応性基であるモノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が挙げられる。
【０１６８】
上記重合反応性基は、例えば、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基等であり、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基等である。
【０１６９】
本発明の高分子化合物の製造方法としては、高分子化合物の合成が容易であるので、重合反応性基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸残基及びホウ酸エステル残基からなる群からなる１種以上の基から選ばれ、かつ、全原料化合物が有するハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基及びアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計（Ｊ）と、ホウ酸残基及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）の比が実質的に１（通常、Ｋ／Ｊは０．７〜１．２）であり、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
【０１７０】
上記原料となる化合物の組み合わせ（即ち、式：Ｙ3−Ｗ1−Ｙ4で示される化合物と、式：Ｙ5−Ｗ2−Ｙ6で示される化合物）としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物又はビス（アリールアルキルスルホネート）化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせ等が挙げられる。
【０１７１】
シーケンスを制御した高分子化合物を製造する場合には、上記化合物としては、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物等を用いるのがよい。
【０１７２】
ここで、式：Ｙ3−Ｗ1−Ｙ4で示される化合物のうち、前記式（１）で表される繰り返し単位をもたらす化合物としては、下記式（ｉ）で表される化合物が好ましい。
【化５５】
0005860235.tif 000056
（式中、Ｒａ、Ｒｆ及びＲｇは、それぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ及びＲｅは、それぞれ独立に、アルキル基、又はアルキル基で置換されたアリール基を表す。Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ、式（１）中のＡｒ1及びＡｒ2と同じ意味を示す。Ｘは、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基、下記式（ａ−１）で表される基、下記式（ａ−２）で表される基、下記式（ａ−３）で表される基、又は下記式（ａ−４）で表される基を表す。２個存在するＸは同一であっても異なっていてもよい。）
【化５６】
0005860235.tif 000057
【化５７】
0005860235.tif 000058
【化５８】
0005860235.tif 000059
【化５９】
0005860235.tif 000060
（式中、ＲＴは、アルキル基又はアリール基を表し、置換基を有していてもよい。ＸＡは、ハロゲン原子を表す。なお、式（ａ−４）中、３個存在するＲＴは同一であっても異なっていてもよい。）
【０１７３】
上記縮合重合に用いられる有機溶媒は、副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理、脱水処理を施しておくことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１７４】
上記縮合重合に用いられる有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類等が挙げられ、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルが特に好ましい。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７５】
上記縮合重合において、反応を促進させるために、アルカリ及び／又は触媒を添加してもよい。上記アルカリ及び触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリ及び／又は触媒を混合するには、反応液をアルゴン、窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、逆に、アルカリ及び／又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加すればよい。
【０１７６】
本発明の高分子化合物を発光素子等の作製に用いる場合、その純度が発光特性等の発光素子の性能に影響を与えるため、重合前の原料となる化合物を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また、重合後、再沈澱による精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１７７】
＜組成物＞
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料とを含有する。
【０１７８】
発光材料としては、低分子蛍光発光材料、発光性有機金属錯体化合物及び高分子蛍光発光材料が例示される。
【０１７９】
一般に、発光性有機金属錯体化合物をドーパントとして前記高分子化合物にドーピングしてなる組成物を、発光素子の発光材料に用いる場合、ホスト材料としては、最低三重項励起エネルギーが高いことが好ましい。従って、本発明の組成物において、発光材料として発光ピーク波長が６００ｎｍ以上の赤色発光を示す発光性有機金属錯体化合物を用いる場合には、該組成物に含まれる本発明の高分子化合物は、前記式（５）で表される繰り返し単位として、前記式（６）で表される繰り返し単位をさらに含むことが好ましい。一方、本発明の組成物において、発光材料として発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の緑色発光を示す発光性有機金属錯体化合物を用いる場合には、該組成物に含まれる本発明の高分子化合物は、前記式（５）で表される繰り返し単位として、前記式（７）で表される繰り返し単位及び／又は前記式（８）で表される繰り返し単位をさらに含むことが好ましい。
【０１８０】
発光性金属錯体化合物の発光ピーク波長は、例えば、該化合物を、キシレン、トルエン及びクロロホルム等の有機溶媒に溶解させ、希薄溶液を調製し、該希薄溶液のＰＬスペクトルを測定することで、評価し得る。
【０１８１】
前記発光性有機金属錯体化合物としては、例えば、三重項発光錯体等の公知の化合物、従来から低分子系の有機ＥＬ素子の発光材料として利用されてきた化合物、並びにＮａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（２００３），４２，８６０９、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（２００４），４３，６５１３、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＳＩＤ  １１／１、１６１（２００３）、ＷＯ２００２／０６６５５２、ＷＯ２００４／０２０５０４、及びＷＯ２００４／０２０４４８等の文献に記載されている化合物が挙げられる。高発光効率の発光素子を得ることができるので、前記発光性有機金属錯体化合物としては、金属錯体の最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）における、中心金属の最外殻ｄ軌道の軌道係数の２乗の和の、全原子軌道係数の２乗の和に占める割合が１／３以上である化合物が好ましい。該化合物としては、中心金属が周期表の第６周期に属する遷移金属であるオルトメタル化錯体が例示される。
【０１８２】
前記発光性有機金属錯体化合物の中心金属としては、例えば、原子番号が５０以上であり、該錯体に対しスピン−軌道相互作用を発揮でき、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こし得る金属が挙げられる。該中心金属は、好ましくは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム、タングステン、ユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジム、ガドリニウム又はイッテルビウムであり、より好ましくは、金、白金、イリジウム、オスミウム、レニウム又はタングステンであり、更に好ましくは、金、白金、イリジウム、オスミウム又はレニウムであり、特に好ましくは、金、白金、イリジウム又はレニウムであり、とりわけ好ましくは、白金又はイリジウムである。
【０１８３】
前記発光性有機金属錯体化合物の配位子としては、例えば、８−キノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリノール及びその誘導体、並びに、２−フェニル−ピリジン及びその誘導体が挙げられる。
【０１８４】
前記発光性有機金属錯体化合物の配位子は、溶媒への溶解性が向上し得るので、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、及び置換基を有していてもよいヘテロアリール基からなる群から選ばれる置換基（以下、「配位子置換基」という。）を有していることがより好ましい。配位子置換基に含まれる水素原子以外の原子の総数は３個以上であることが好ましく、５個以上であることがより好ましく、７個以上であることが更に好ましく、１０個以上であることが特に好ましい。また、配位子置換基は、配位子毎に存在することが好ましく、その種類は、配位子毎に同一であっても異なっていてもよい。
【０１８５】
発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の発光色を示す発光性有機金属錯体化合物として、好ましくは、下記式（１１）で表される構造を有する有機金属錯体化合物が例示される。
【化６０】
0005860235.tif 000061
（式中、Ｒ1ｐ、Ｒ2ｐ、Ｒ3ｐ、Ｒ4ｐ、Ｒ5ｐ、Ｒ6ｐ、Ｒ7ｐ及びＲ8ｐは、それぞれ独立に、水素原子、又はアリール基を表す。
下記式
【化６１】
0005860235.tif 000062
で表される部分は、モノアニオン性の２座配位子を表す。Ｒx及びＲyは、中心金属Ｉｒに配位する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。ｍは１〜３の整数を表し、ｎは０〜２の整数を表す。）
【０１８６】
前記モノアニオン性の２座配位子としては、式（１１）におけるＲxとＲyとを結ぶ円弧の部分が水素原子以外の原子数が３〜３０の２価の基であるモノアニオン性の２座配位子が好ましく、例えば、下式で表される構造を有する配位子が挙げられる。
【化６２】
0005860235.tif 000063
（式中、＊は配位原子の位置を示す。）
【０１８７】
式（１１）中、左側に示す配位子及び右側に示す配位子は、それぞれ独立に、前記配位子置換基を有していてもよく、溶媒への溶解性が向上し得るので、前記配位子置換基を有することが好ましい。
【０１８８】
中でも、発光ピーク波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の発光色を示す発光性有機金属錯体化合物としては、以下の化合物が好ましい。
【化６３】
0005860235.tif 000064
【化６４】
0005860235.tif 000065
【化６５】
0005860235.tif 000066
（式中、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｒは水素原子又は置換基を表す。複数個存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。）
【０１８９】
発光ピーク波長が６００ｎｍ以上の赤色の発光色を示す発光性有機金属錯体化合物として、好ましくは、下記式（１２）、（１２−１）又は（１２−２）で表される構造を有する化合物が例示される。
【化６６】
0005860235.tif 000067
【化６７】
0005860235.tif 000068
【化６８】
0005860235.tif 000069
【０１９０】
式（１２）、（１２−１）及び（１２−２）中、Ｒ9p、Ｒ10p、Ｒ11p、Ｒ12p、Ｒ13p、Ｒ14p、Ｒ15p、Ｒ16p、Ｒ17p、Ｒ18p、Ｒ19p、Ｒ20p、Ｒ21p、Ｒ22p、Ｒ23p、Ｒ24p及びＲ25pは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の芳香族複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。ｍは０〜３の整数を表す。
下記式で表される部分は、式（１１）で上述したものと同じ意味を表す。
【化６９】
0005860235.tif 000070
【０１９１】
式（１２）及び（１２−１）中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4及びＺ5は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ*）＝又は窒素原子を表す。Ｒ*は、水素原子又は置換基を表す。
【０１９２】
式（１２）、（１２−１）及び（１２−２）において、Ｒ9p、Ｒ10p、Ｒ11p、Ｒ12p、Ｒ13p、Ｒ14p、Ｒ15p、Ｒ16p、Ｒ17p、Ｒ18p、Ｒ19p、Ｒ20p、Ｒ21p、Ｒ22p、Ｒ23p、Ｒ24p、Ｒ25p、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4及びＺ5は、各々、複数個存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4及びＺ5の少なくとも２個は、窒素原子である。
【０１９３】
中でも、発光ピーク波長が６００ｎｍ以上の発光色を示す発光性有機金属錯体化合物としては、以下の化合物が好ましい。
【化７０】
0005860235.tif 000071
【化７１】
0005860235.tif 000072
【化７２】
0005860235.tif 000073
【化７３】
0005860235.tif 000074
【化７４】
0005860235.tif 000075
【化７５】
0005860235.tif 000076
【化７６】
0005860235.tif 000077
【化７７】
0005860235.tif 000078
（式中、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表し、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０１９４】
前記発光性有機金属錯体化合物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１９５】
前記低分子蛍光材料は、通常、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲に蛍光発光の極大ピークを有する材料であり、その分子量は、通常、３０００未満であり、好ましくは１００〜２０００であり、より好ましくは１００〜１０００である。
【０１９６】
前記低分子蛍光材料は、有機ＥＬ素子の発光材料として公知の材料であればよい。前記低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、キナクリドン誘導体、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、及びオリゴチオフェン誘導体等の色素系材料；アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、及びユーロピウム錯体等の、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、又は希土類金属（例えば、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等）等を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、又はキノリン構造等を有する金属錯体系材料が挙げられる。
【０１９７】
前記高分子蛍光材料としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、及び上記低分子蛍光材料において例示した色素系材料を含む色素体が挙げられる。
【０１９８】
本発明の組成物において、「正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料」と前記高分子化合物との比率は、前記高分子化合物１００重量部に対し、「正孔輸送材料、電子輸送材料及び発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料」が、材料ごとに、通常、０．０１重量部〜４００重量部となるように設定され、好ましくは０．０５重量部〜１５０重量部となるように設定される。
【０１９９】
前記正孔輸送材料は、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として公知の材料であればよい。前記正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；ポリシラン及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体；ピラゾリン誘導体；アリールアミン誘導体；スチルベン誘導体；ポリアニリン及びその誘導体；ポリチオフェン及びその誘導体；ポリアリールアミン及びその誘導体；ポリピロール及びその誘導体；ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体；ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が挙げられる。前記正孔輸送材料は、アリーレン基、２価の芳香族複素環基を共重合成分（構成単位）として有していてもよい。
【０２００】
前記電子輸送材料は、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として公知の材料であればよい。前記電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、トリアリールトリアジン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。前記電子輸送材料は、アリーレン基又は２価の芳香族複素環基を共重合成分（構成単位）として有していてもよい。
【０２０１】
なお、本発明の組成物において、各成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２０２】
＜液状組成物＞
本発明の液状組成物は、本発明の高分子化合物と、溶媒又は分散媒とを含有してなるものである。
【０２０３】
本発明の液状組成物に用いられる溶媒、分散媒としては、薄膜の成分を均一に溶解又は分散することができ安定なものを公知の溶媒から選択し得る。このような溶媒としては、下記が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒：トルエン、キシレン（各異性体又はそれらの混合物）、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、２−フェニルブタン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ネオペンチルベンゼン、イソアミルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、３−プロピルトルエン、４−プロピルトルエン、１−メチル−４−プロピルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，４−ジプロピルベンゼン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、インダン、及びテトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）等。
脂肪族炭化水素系溶媒：ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、及びデカリン等。
芳香族エーテル系溶媒：アニソール、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブチロキシベンゼン、ペンチルオキシベンゼン、シクロペンチルオキシベンゼン、ヘキシルオキシベンゼン、シクロヘキシルオキシベンゼン、ヘプチルオキシベンゼン、オクチルオキシベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、４−エチルアニソール、４−プロピルアニソール、４−ブチルアニソール、４−ペンチルアニソール、４−ヘキシルアニソール、ジフェニルエーテル、４−メチルフェノキシベンゼン、４−エチルフェノキシベンゼン、４−プロピルフェノキシベンゼン、４−ブチルフェノキシベンゼン、４−ペンチルフェノキシベンゼン、４−ヘキシルフェノキシベンゼン、４−フェノキシトルエン、３−フェノキシトルエン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，６−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、及び３，５−ジメチルアニソール等。
脂肪族エーテル系溶媒：テトラヒドロフラン、ジオキサン、及びジオキソラン等。
ケトン系溶媒：アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、及びアセトフェノン等。
エステル系溶媒：酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、及びエチルセルソルブアセテート等。
塩素系溶媒：塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、及びｏ−ジクロロベンゼン等。
アルコール系溶媒：メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、及びフェノール等。
多価アルコール及びその誘導体：エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、及び１，２−ヘキサンジオール等。
非プロトン性極性溶媒：ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等。
これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を混合溶媒として使用してもよい。
混合溶媒を用いる場合、上記の溶媒群から二種又は三種以上を組み合わせることが好ましく、その場合、同じ系の溶媒群から複数を選択して組み合わせても、異なる系の溶媒群から１種以上ずつを選択して組み合わせてもよい。混合溶媒の組成比は、各溶媒の物性、及び高分子化合物等の溶解性を考慮して決定することができる。
【０２０４】
同じ系の溶媒群から複数を選択し組み合わせてなる混合溶媒の好ましい例としては、芳香族炭化水素系溶媒から複数を選択し組み合わせてなる混合溶媒、及び芳香族エーテル系溶媒から複数を選択し組み合わせてなる混合溶媒が挙げられる。異なる系の溶媒群から１種以上ずつを選択し組み合わせてなる混合溶媒の好ましい例としては、以下の組み合わせが挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族炭化水素系溶媒の組み合わせ、芳香族炭化水素系溶媒と芳香族エーテル系溶媒の組み合わせ、芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族エーテル系溶媒の組み合わせ、芳香族炭化水素系溶媒と非プロトン性極性溶媒の組み合わせ、及び芳香族エーテル系溶媒と非プロトン性極性溶媒の組み合わせ等。
また、上記の単独溶媒又は混合溶媒に水を添加してもよい。
粘度及び成膜性の観点から、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が０℃以下であり、且つ沸点が１００℃以上である有機溶媒を含む単独溶媒又は混合溶媒が好ましく、中でも、芳香族炭化水素系溶媒若しくは芳香族エーテル系溶媒を含む単独溶媒又は混合溶媒が好ましい。
【０２０５】
溶媒は、単独溶媒でも混合溶媒でもよいが、成膜性の観点から、混合溶媒を用いることが好ましい。溶媒は、洗浄、蒸留、及び吸着剤への接触等の精製方法により精製したものを用いてもよい。
【０２０６】
本発明の液状組成物によれば、前記高分子化合物を含有する有機薄膜を容易に製造することができる。例えば、本発明の液状組成物を基板上に塗布して、加熱、送風、又は減圧によって溶媒を留去することにより、前記高分子化合物を含有する有機薄膜が得られる。溶媒の留去の条件は、使用される有機溶媒に応じて変更することができる。該条件としては、例えば、５０〜１５０℃程度の雰囲気温度（加熱雰囲気）、及び１０−３Ｐａ程度の減圧雰囲気が挙げられる。
【０２０７】
本発明の液状組成物の好適な粘度は、印刷法によっても異なるが、２５℃において、好ましくは０．５〜１０００ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜５００ｍＰａ・ｓである。また、インクジェットプリント法のように上記液状組成物が吐出装置を経由する場合、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために、液状組成物の２５℃における粘度は、好ましくは０．５〜５０ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜２０ｍＰａ・ｓである。液状組成物中の本発明の高分子化合物の含有量は、特に限定されないが、０．０１〜１０重量％であることが好ましく、０．１〜５重量％であることがより好ましい。
【０２０８】
＜薄膜＞
本発明の薄膜は、本発明の高分子化合物を含有するものであり、発光性薄膜又は導電性薄膜である。
【０２０９】
本発明の薄膜は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、キャピラリーコート法、及びノズルコート法等の方法で作製し得る。
【０２１０】
本発明の液状組成物を用いて薄膜を作製する場合、該液状組成物に含まれる高分子化合物のガラス転移温度にもよるが、通常、１００℃以上の温度（例えば、１３０℃、１６０℃）でベークして作製してもよい。
【０２１１】
本発明の薄膜の発光量子収率は、素子の輝度及び発光電圧の観点から、３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
【０２１２】
本発明の薄膜の表面抵抗は、１ＫΩ／□以下であることが好ましく、１００Ω／□以下であることがより好ましく、１０Ω／□以下であることが更に好ましい。薄膜に、ルイス酸又はイオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高め得る。
【０２１３】
＜発光素子＞
本発明の素子は、本発明の高分子化合物を含むものであり、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられた本発明の高分子化合物を含有する有機層とを有する素子である。以下、その代表的なものとして、本発明の素子が、有機ＥＬ素子等の発光素子である場合について説明する。
【０２１４】
本発明の発光素子が単層型の発光素子（陽極／発光層／陰極）である場合には、発光層が前記薄膜からなり、この発光層が本発明の高分子化合物を含有する。また、本発明の発光素子が、陽極と陰極との間に二以上の層を有する多層型である場合には、それらの少なくとも一層が前記薄膜からなる。多層型の発光素子の層構成としては、例えば、以下の（ａ）〜（ｃ）が挙げられる。
（ａ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／陰極
（ｂ）陽極／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層（正孔輸送層）／発光層／電子注入層（電子輸送層）／陰極
（ここで、「／」は各層が隣接して積層されていることを示す。）
【０２１５】
本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層等に正孔を供給する機能を有する。前記陽極は、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用い得る。陽極の材料として、具体的には、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、及び酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、及びニッケル等の金属；前記導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物；ヨウ化銅及び硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン類、ポリチオフェン類（ＰＥＤＯＴ等）、及びポリピロール等の有機導電性材料；上記材料から選ばれる１又は２以上の材料とＩＴＯとの積層物が例示される。
【０２１６】
本発明の発光素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、及び発光層等に電子を供給する機能を有する。陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用い得る。陰極の材料としては、例えば、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物；アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物；金、銀、鉛、アルミニウム等の金属類；合金及び混合金属類（ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等）；及び希土類金属（イッテルビウム等）、インジウムが挙げられる。
【０２１７】
本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有する。これらの層の材料には、公知の材料を選択して使用し得る。係る材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらを含む重合体；アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー及びポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。前記材料は一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。また、正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ独立に、前記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２１８】
本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、及び、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有する。これらの層の材料には、公知の材料を選択して使用し得る。係る材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン及びペリレン等の芳香環のテトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、金属錯体（例えば、８−キノリノール誘導体の金属錯体、メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールを配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体）、及び有機シラン誘導体が挙げられる。電子注入層及び電子輸送層は、それぞれ独立に、前記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０２１９】
また、本発明の発光素子において、電子注入層及び電子輸送層の材料として、絶縁体及び半導体等の無機化合物も使用してよい。電子注入層及び電子輸送層が絶縁体又は半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させ得る。前記絶縁体としては、例えば、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選ばれる少なくとも一つの金属化合物が挙げられる。アルカリ金属カルコゲニドの好ましい例としては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、電子注入層及び電子輸送層を構成する半導体としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒化物は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０２２０】
本発明の発光素子において、陰極と陰極に接する薄膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一つの化合物が好ましい。
【０２２１】
本発明の発光素子の発光層は、電圧印加時に、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層より正孔を注入することができ、陰極、電子注入層又は電子輸送層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、及び電子と正孔の再結合の場を提供し発光につなげる機能のいずれかを有する。本発明の発光素子の発光層は、少なくとも本発明の高分子化合物を含有することが好ましい。発光層中の高分子化合物は、発光層全体の重量に対して、通常、１０重量％〜１００重量％であり、５０重量％〜１００重量％であることが好ましく、８０重量％〜１００重量％であることがより好ましい。本発明の発光素子は、発光層が、本発明の高分子化合物を発光材料として含有することが好ましい。
【０２２２】
本発明の発光素子において、前記各層の形成方法は特に限定されず、公知の方法を使用してよい。係る方法として、例えば、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法（キャスティング法、スピンコート法、バーコート方、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等）等が挙げられる。中でも、製造プロセスを簡略化できるので、塗布法で成膜することが好ましい。前記塗布法では、本発明の高分子化合物等を溶媒に溶解して塗布液を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に、塗布・乾燥することによって形成し得る。該塗布液中には、バインダーとして樹脂を含有させてもよく、該樹脂は溶媒に溶解させても、分散させてもよい。前記樹脂としては、非共役系高分子（例えば、ポリビニルカルバゾール）、共役系高分子（例えば、ポリオレフィン系高分子）を使用し得る。より具体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、及びシリコン樹脂が挙げられ、目的に応じて選択し得る。塗布液は目的に応じて、酸化防止剤及び粘度調整剤等の任意成分を含有してもよい。
【０２２３】
本発明の発光素子の各層の好ましい厚さは、材料の種類や層構成によって異なるが、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、数ｎｍ〜１μｍが好ましい。
【０２２４】
本発明の発光素子の用途としては、面状光源、照明用光源（あるいは、光源）、サイン用光源、バックライト用光源、表示装置（ディスプレイ装置）及びプリンターヘッドが例示される。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグメント型、ドットマトリクス型等の構成を選択し得る。
【実施例】
【０２２５】
実施例を用いて、本発明を具体的に説明する。
【０２２６】
（数平均分子量及び重量平均分子量）
数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）により、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量として求めた。ＳＥＣのうち移動相が有機溶媒である場合をゲル浸透クロマトグラフィー（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー、ＧＰＣ）と言う。なお、該ＧＰＣの分析条件として、下記の分析条件１又は分析条件２に示す方法を用いた。
【０２２７】
［分析条件１］
測定試料は、約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）に３０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０２２８】
［分析条件２］
測定試料は、約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）に１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
【０２２９】
（ＮＭＲ測定）
実施例において、ＮＭＲ測定は、以下の条件で行った。
装置          ：  核磁気共鳴装置、ＩＮＯＶＡ３００（商品名）、バリアン社製
測定溶媒      ：  重水素化クロロホルム
サンプル濃度  ：  約１重量％
測定温度      ：  ２５℃
【０２３０】
（高速液体クロマトグラフィー）
実施例において、高速液体クロマトグラフィー（以下、「ＨＰＬＣ」という。）は、以下の条件で行った。
装置    ：  ＬＣ−２０Ａ（商品名）、島津製作所製
カラム  ：  Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ  ＬＣ  ＯＤＳ−ＡＭ  ４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１００ｍｍ、東京化成製
移動相  ：  ０．１重量％酢酸含有水／０．１重量％酢酸含有アセトニトリル
検出器  ：  ＵＶ検出器、検出波長２５４ｎｍ
【０２３１】
（ガスクロマトグラフィー）
実施例において、ガスクロマトグラフィー（以下、「ＧＣ」という。）は、以下の条件で行った。
装置  ：Ａｇｉｌｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社  ６８９０Ｎ  ネットワーク  ＧＣ
カラム：ＢＰＸ５  ０．２５ｍｍＩ．Ｄ．×３０ｍ、ＳＧＥ  Ａｎａｌｙｔｉｃａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅ製
移動相：ヘリウム
検出器：水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）
【０２３２】
（発光スペクトルピークの評価）
実施例において、発光性有機金属錯体化合物の発光スペクトルピークの評価は、特に記載がない限り、以下の方法で行った。燐光性発光化合物をキシレン（関東化学社製：電子工業用（ＥＬグレード））に溶解させた。このとき、固形分の濃度が０．０００８重量％となるように溶液を調製した。この溶液を、蛍光分光光度計（日本分光社製、ＦＰ−６５００）を用いて、３５０ｎｍの波長で励起し、該溶液のＰＬスペクトルを測定することで、発光スペクトルピークを評価した。
【０２３３】
（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定）
実施例において、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定は、以下の測定条件１で行った。
［測定条件１］
α−シアノ−４−ヒドロキシ桂皮酸をメタノールに溶解させて飽和溶液を調製し、これをマトリックス溶液とした。測定する高分子化合物約４ｍｇに２００μＬのクロロホルムを加えて溶解させ、得られた溶液２０μＬを２００μＬのクロロホルムで希釈し、これを試料溶液とした。マトリックス溶液２０μＬと試料溶液２０μＬを混合し、これをＭＡＬＤＩプレートに塗布して、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定を行った。測定は、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ装置：  Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ  ＳＴＲ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製）を用いて、測定モード：  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、加速電圧：  ２０ｋＶ、レーザー:  Ｎ2（３３７ｎｍ）で行った。
【０２３４】
＜合成例１＞
（化合物Ｍ−１の合成）
【化７８】
0005860235.tif 000079
【０２３５】
アルゴンガス雰囲気下、フラスコ中、１，４−ジヘキシル−２，５−ジブロモベンゼン（化合物ＣＭ−１、８．０８ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１２．１９ｇ、４８．０ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）（０．９８ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１１．７８ｇ、１２０．０ｍｍｏｌ）、及び脱水１，４−ジオキサン（１００ｍｌ）を混合し、加熱還流下で６時間攪拌した。トルエン及びイオン交換水を加え、分液し、イオン交換水で洗浄した。無水硫酸ナトリウム及び活性炭を加え、セライトをプレコートした漏斗でろ過した。ろ液を濃縮し、粗生成物（１１．９４ｇ）を得た。ヘキサンで再結晶し、メタノールで結晶を洗浄した。得られた結晶を減圧乾燥させることにより、目的物である１，４−ジヘキシル−２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼン（４．２３ｇ、収率４２％、化合物Ｍ−１）を白色針状結晶として得た。
【０２３６】
化合物Ｍ−１の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果及びＬＣ／ＭＳの結果を、それぞれ以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝０．９５（ｔ、６Ｈ）、１．３９〜１．４２（ｂｄ、３６Ｈ）、１．６２（ｍ、４Ｈ）、２．８８（ｔ、４Ｈ）、７．５９（ｂｄ、２Ｈ）
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ  ｐｏｓｉ  ＫＣｌ添加）:［Ｍ＋Ｋ］+５７３
【０２３７】
＜合成例２＞
（化合物Ｍ−２の合成）
【化７９】
0005860235.tif 000080
【０２３８】
アルゴンガス雰囲気下、フラスコ中、マグネシウム小片（１９．４５ｇ、８００ｍｍｏｌ）に少量の脱水テトラヒドロフランと１，２−ジブロモエタン（１．５０ｇ、８ｍｍｏｌ）を順次加えた。発熱と発泡により、マグネシウムが活性化されたことを確認した後に、２，６−ジブロモトルエン（４９．９９ｇ、２００ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（２００ｍｌ）に溶解した溶液を約２時間かけて滴下した。滴下終了後、８０℃のオイルバスにより加熱し、還流下で１時間攪拌した。オイルバスを外し、脱水テトラヒドロフラン（４００ｍｌ）で希釈し、更に氷浴にて冷却してから、２−イソプロピルオキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（１４８．８５ｇ、８００ｍｍｏｌ）を加えた。氷浴をはずし、８０℃のオイルバスで加熱することにより、還流下で１時間半攪拌した。オイルバスを外し、更に氷浴にて冷却してから、飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）を加え、３０分間攪拌した。氷浴を外し、ヘキサン（１５００ｍｌ）を加え、３０分間激しく攪拌した。攪拌を停止し、そのまま１５分間静置した後に、シリカゲルを敷き詰めたグラスフィルターによりろ過し、ヘキサン（１０００ｍｌ）でシリカゲルを洗浄し、合一したろ液を減圧濃縮することにより粗生成物（７２．０ｇ）を得た。同様の操作を再度行い、粗生成物（７５．４ｇ）を得た。
【０２３９】
次に、粗生成物の合計にメタノール（７４０ｍｌ）を加え、８５℃のオイルバスを用いて１時間加熱還流下で攪拌した。オイルバスを外し、攪拌しながら室温まで冷却した後に、固体をろ取、メタノールで洗浄、減圧乾燥させることにより、白色結晶を得た（５９．７ｇ）。乾燥させた結晶をイソプロパノールに加熱溶解させた後、静置した状態でゆっくりと室温まで冷却することにより結晶を析出させ、ろ取、メタノールで洗浄、５０℃で一晩の間減圧乾燥させることにより、目的物である化合物Ｍ−２（５０．８ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率（紫外線波長２５４ｎｍ）で９９．８％、収率３７％）を白色結晶として得た。
【０２４０】
化合物Ｍ−２の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝１．３４（ｓ、２４Ｈ）、２．７４（ｓ、３Ｈ）、７．１４（ｔ、１Ｈ）、７．７９（ｄ、２Ｈ）
【０２４１】
＜合成例３＞
（化合物Ｍ−３の合成）
・化合物ＣＭ−３の合成
４口フラスコの内部の気体を窒素ガスで置換し、２，７−ジブロモフルオレノン（１当量）を入れ、 ジフェニルエーテル（２７当量）に懸濁させた。得られた懸濁液を１２０℃まで加熱し、２,７−ジブロモフルオレノンを溶解させた後、そこに、水酸化カリウム（５．７当量）を加え、１６０℃まで昇温し、２.５時間攪拌した。室温まで放冷後、ヘキサン（２３当量）を加え、ろ過した後、ヘキサンで洗浄することにより粗生成物を得た。４口フラスコの内部の気体を窒素ガスで置換し、得られた粗生成物を入れ、脱水ＤＭＦ（４０当量）に溶解させた。得られた溶液を９０℃に昇温後、ヨウ化メチル（７．７当量）を徐々に加えた。その後、１０時間反応させた。得られた反応液を、室温まで放冷後、０℃に冷却した水（３４０当量）中に滴下し、ヘキサン（４６当量）で２回抽出した。得られた抽出液を、シリカゲルを敷いたグラスフィルターでろ過した後、得られた有機層を濃縮した。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記式：
【化８０】
0005860235.tif 000081
で表される化合物ＣＭ−３を得た（収率７４％）。
【０２４２】
化合物ＣＭ−３の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果及び13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ（ｐｐｍ）＝３．６８（ｓ，３Ｈ）、７．１５（ｄ，２Ｈ）、７．２０（ｄ，１Ｈ）、７．５２（ｄ，２Ｈ）、７．６５（ｄ，１Ｈ）、８．００（ｂｒｓ，１Ｈ）
【０２４３】
13Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ（ｐｐｍ）＝５２．６、１２１．８、１２２．２、１３０．１、１３１．６、１３２．３、１３２．４、１３３．２、１３４．７、１３９．４、１４０．６、１６７．８
【０２４４】
・化合物ＣＭ−４の合成
３口丸底フラスコに、１−ブロモ−４−ｎ−ヘキシルベンゼン（１当量）及び無水テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦとも記す）（３４当量）を仕込み、−７８℃に冷却した。そこに、ゆっくりとｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）（１．６Ｍヘキサン溶液）（１当量）を仕込み、−７８℃で２時間攪拌して、反応液を得た。化合物ＣＭ−３（０．４３当量）を無水ＴＨＦ  （５．６当量）に溶かした溶液を滴下ロートに仕込み、反応液の温度が−７０℃以下をこえないような滴下速度で滴下した。滴下終了後、２時間同温で攪拌し、ゆっくり室温まで昇温した。その後、そこに、塩化アンモニウム飽和水溶液を加えた無水ＴＨＦの約半分の体積量加えて攪拌し、分液ロートに移して水層を除去した。得られた有機層を水で２回洗浄し、得られた有機層に無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた。グラスフィルターにシリカゲルの層を敷き、ＴＨＦ溶液を通じてろ過した後、ＴＨＦで洗浄した。得られた溶液を濃縮し乾燥させた。ヘキサンでリパルプ洗浄し、下記式：
【化８１】
0005860235.tif 000082
で表される化合物ＣＭ−４を得た（収率２７％）。
【０２４５】
・化合物Ｍ−３の合成
３口フラスコに化合物ＣＭ−４（１当量）及びジクロロメタン（３８当量）を仕込み、氷浴を用いて０℃に冷却した。三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（２２当量）を滴下ロートに仕込み、そこに、滴下した。反応液を２時間０℃で攪拌した後、水と氷を仕込んだビーカーに注加して反応を停止させた。反応液を分液ロートへ移して分液し、ジクロロメタンで抽出した後、有機層を合わせて水で２回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。グラスフィルターにシリカゲルの層を敷き、ＴＨＦ溶液を通じて硫酸ナトリウムをろ過し、濃縮した。得られた油状物にトルエンを加え、加熱して還流させた。次いで、７０℃まで冷却した後、イソプロピルアルコールを加えて攪拌し、室温まで放置したところ、結晶が生じた。この結晶をろ過し、乾燥させた後、ナスフラスコに仕込み、ヘキサン、活性炭を加えて加熱し、還流を２時間行って混合物を得た。グラスフィルターにラジオライトを敷き、その上にセライトを敷き、オーブンで７０℃に加熱しておき、これを用いて前記混合物をろ過した。得られた溶液を半量濃縮し、濃縮物を加熱し還流させた後、室温で１時間攪拌した。さらに氷浴を用いて冷やしながら２時間攪拌し、生じた結晶をろ過して集めたところ、下記式：
【化８２】
0005860235.tif 000083
で表される化合物Ｍ−３を得た（収率９２％）。
【０２４６】
化合物Ｍ−３の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果及び13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ（ｐｐｍ）＝０．８７（ｔ，６Ｈ）、１．２８〜１．３７（ｍ，１２Ｈ）、１．５０〜１．６２（ｍ，４Ｈ）、２．５４（ｔ，４Ｈ）、７．０４（ｓ，８Ｈ）、７．４５（ｄ，２Ｈ）、７．４９（ｓ，２Ｈ）、７．５５（ｄ，２Ｈ）
【０２４７】
13Ｃ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ（ｐｐｍ）＝１４．４、２２．９、２９．４、３１．６、３２．０、３５．８、６５．４、１２１．８、１２２．１、１２８．１、１２８．７、１２９．７、１３１．１、１３８．３、１４１．９、１４２．１、１５３．７
【０２４８】
＜合成例４＞
（化合物Ｍ−４の合成）
【化８３】
0005860235.tif 000084
【０２４９】
窒素雰囲気下、１，４−ジブロモベンゼン（２７．１ｇ）の脱水ジエチルエーテル（２１７ｍｌ）溶液をドライアイス／メタノール混合浴を用いて冷却した。得られた懸濁液に２．７７Ｍのｎ−ブチルリチウム（ｎ−ＢｕＬｉ）のヘキサン溶液（３７．２ｍｌ）をゆっくりと滴下した後、１時間攪拌し、リチウム試薬を調製した。
【０２５０】
窒素雰囲気下、塩化シアヌル（１０．０ｇ）の脱水ジエチルエーテル（６８ｍｌ）懸濁液をドライアイス／メタノール混合浴を用いて冷却し、前記リチウム試薬をゆっくり加えた後に室温まで昇温し、室温で反応させた。得られた生成物をろ過し、減圧乾燥させた。得られた固体（１６．５ｇ）を精製し、１３．２ｇの針状結晶（化合物ＣＭ−１１）を得た。
【０２５１】
【化８４】
0005860235.tif 000085
【０２５２】
窒素雰囲気下、マグネシウム（１．３７ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（６５ｍｌ）を加えた懸濁液に、４−ドデシルブロモベンゼン（１４．２ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１５ｍｌ）溶液を少量ずつ加え、加熱して、還流下で攪拌した。放冷後、反応液にマグネシウム（０．３９ｇ）を追加し、再び加熱して、還流下で反応させ、グリニャール試薬を調製した。
【０２５３】
窒素雰囲気下、前記針状結晶（１２．０ｇ、化合物ＣＭ−１１）の脱水テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）懸濁液に前記グリニャール試薬を撹拌しながら加え、加熱還流させた。放冷後、反応液を、希塩酸水溶液で洗浄した。有機層と水層を分け、水層をジエチルエーテルで抽出した。得られた有機層を合わせて、再び水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水させた後、ろ過し、濃縮した。得られた白色固体をシリカゲルカラムで精製し、更に再結晶することによって、白色固体として化合物Ｍ−４を６．５ｇ得た。
【０２５４】
＜合成例５＞
（化合物Ｍ−５の合成）
合成例４と同様にして、１３．２ｇの針状結晶（化合物ＣＭ−１１）を得た。
【０２５５】
【化８５】
0005860235.tif 000086
【０２５６】
窒素雰囲気下、マグネシウム（１．３７ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（６５ｍｌ）を加えた懸濁液に、４−ヘキシルブロモベンゼン（１４．２ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１５ｍｌ）溶液を少量ずつ加え、加熱して、還流下で攪拌した。放冷後、反応液にマグネシウム（０．３９ｇ）を追加し、再び加熱して、還流下で反応させ、グリニャール試薬を調製した。
【０２５７】
窒素雰囲気下、前記針状結晶（１２．０ｇ）の脱水テトラヒドロフラン（１００ｍｌ）懸濁液に前記グリニャヤール試薬を撹拌しながら加え、加熱還流させた。放冷後、反応液を、希塩酸水溶液で洗浄した。有機層と水層を分け、水層をジエチルエーテルで抽出した。得られた有機層を合わせて、再び水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで脱水させた後、ろ過し、濃縮した。得られた白色固体をシリカゲルカラムで精製し、更に再結晶することによって、白色固体として化合物Ｍ−５（６．５ｇ）を得た。
【０２５８】
化合物Ｍ−５の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝０．９０（ｔ、Ｊ＝６．２Ｈｚ、３Ｈ）、１．２５−１．４２（ｍ、６Ｈ）、１．６３−１．７３（ｍ、２Ｈ）、２．７１（ｔ、Ｊ＝７．６Ｈｚ、２Ｈ）、７．３４（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、２Ｈ）、７．６５（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、４Ｈ）、８．５３−８．５８（ｍ、６Ｈ）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）： ｍ／ｚ+＝５６６  ［Ｍ＋Ｈ］+
【０２５９】
＜合成例６＞
（化合物Ｍ−６の合成）
【化８６】
0005860235.tif 000087
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
【０２６０】
内部の気体を窒素ガスで置換した反応容器に、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．９０ｇ）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン（２．４３５ｇ）及びトルエン（１２５ｍＬ）を入れ、室温で１５分間撹拌した。そこに、２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン（２７．４ｇ）、（４−メチルフェニル）フェニルアミン（２２．９１ｇ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（ｔｅｒｔ−ＢｕＯＮａ、１９．７５ｇ）を加え、一晩加熱還流させた後、室温まで冷却し、水を加えて洗浄した。有機層を取り出し溶媒を減圧留去した。その残留物をトルエンに溶解させ、得られた溶液をアルミナカラムに通した。その溶出液を減圧して濃縮し、そこへメタノールを加え、沈殿を生成させた。その沈殿を濾取し、ｐ−キシレンで再結晶させた。この結晶をトルエン中に再溶解させ、得られた溶液をアルミナカラムに通した。その溶液を濃縮した後、撹拌されているメタノール中に注いだところ、沈殿が生じた。その沈殿を集め、室温で減圧して１８時間乾燥させたところ、白色の２，７−ビス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノ−９，９−ジオクチルフルオレン（２５．０ｇ）が得られた。
【０２６１】
内部の気体を窒素ガスで置換した反応容器に、２，７−ビス［Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノ−９，９−ジオクチルフルオレン１２．５ｇとジクロロメタン９５ｍＬを加え、撹拌しながら、反応液を−１０℃に冷却した。そこへ、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）２０ｍＬに溶解させたＮ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）５．９１ｇの溶液をゆっくりと滴下した。３．５時間撹拌した後、冷メタノールと混合させ、生じた沈殿を濾取し、ｐ−キシレンにより再結晶した。得られた結晶をトルエンとメタノールを用いて、再び再結晶し、化合物Ｍ−６を白色固体として１２．１ｇ得た。
【０２６２】
化合物Ｍ−６の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝０．６１−０．７１（ｍ、４Ｈ）、０．８６（ｔ、Ｊ＝６．８Ｈｚ、６Ｈ）、０．９８−１．３２（ｍ、２０Ｈ）、１．７２−１．７７（ｍ、４Ｈ）、２．３２（ｂｒ、６Ｈ）、６．９８−７．０８（ｍ、１６Ｈ）、７．２９（ｄ、Ｊ＝８．３Ｈｚ、４Ｈ）、７．４４（ｂｒ、２Ｈ）
【０２６３】
＜合成例７＞
（化合物Ｍ−７の合成）
・化合物ＣＭ−５の合成
３つ口フラスコの内部の気体を窒素ガスで置換し、１−ブロモ−３−ｎ−ヘキシルベンゼン（１当量）を計り取り、脱水テトラヒドロフラン（３３当量）に溶解させた。得られた溶液を−７５℃以下に冷却し、２．５Ｍ  ｎ−ブチルリチウム／ｎ−ヘキサン溶液（０．９５当量）を滴下し、−７５℃以下に保ちながら５時間攪拌した。得られた溶液に２−メトキシカルボニル−４，４’−ジブロモビフェニル（０．４３当量）を脱水テトラヒドロフラン（５．３当量）に溶解させた溶液を−７０℃以下に保ちながら滴下した。得られた溶液を室温までゆっくりと昇温後、終夜攪拌した。反応液を０℃で攪拌しながら、そこに、水を滴下した。溶媒を留去した後、残渣に水を加えヘキサン１回とヘキサン２回で抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄し、水層をヘキサンで再抽出した後、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を留去したところ、下記式：
【化８７】
0005860235.tif 000088
で表される化合物ＣＭ−５の粗生成物を得た（４２％）。精製は行わず、次の工程に用いた。
【０２６４】
なお、２−メトキシカルボニル−４，４’−ジブロモビフェニルは、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ（１９５６），７８，３１９６−３１９８．に記載の方法で合成した。
【０２６５】
・化合物ＣＭ−６の合成
３つ口フラスコに化合物ＣＭ−５（１当量）を秤り取り、ジクロロメタン（３５当量）に溶解させ、該フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。得られた溶液を０℃以下に冷却し、５℃以下に保ちながら三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体（４．８当量）を滴下した。室温までゆっくり昇温後、終夜攪拌した。反応液を氷水中に攪拌しながら注ぎ、３０分攪拌した。得られた溶液を分液し、水層をジクロロメタンで抽出した。有機層を合わせ、１０重量％リン酸カリウム水溶液を加えて分液し、有機層を水２回で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去して得られたオイルをトルエンに溶解させ、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通し、ろ過した。溶媒を留去した後、メタノールを加えて激しく攪拌した。得られた結晶をろ過し、メタノールで洗浄した。ヘキサン／酢酸ブチル混合溶媒で再結晶を行うことにより、下記式：
【化８８】
0005860235.tif 000089
で表される化合物ＣＭ−６を得た（収率４７％）。
【０２６６】
化合物ＣＭ−６の1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；δ（ｐｐｍ）＝０．８６（６Ｈ，ｔ）、１．２６（１２Ｈ，ｍ）、１．５２（４Ｈ，ｍ）、２．５１（４Ｈ，ｔ）、６．８７（２Ｈ，ｄ）、７．００（２Ｈ，ｓ）、７．０４（２Ｈ，ｄ）、７．１２（２Ｈ，ｔ）、７．４６（２Ｈ，ｄｄ）、７．４８（２Ｈ，ｄ）、７．５５（２Ｈ，ｄ）
【０２６７】
・化合物Ｍ−７の合成
３つ口フラスコにＣＭ−６（１当量）を秤り取り、該フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。そこに、脱水テトラヒドロフラン（８０当量）を加え、−７０℃以下に冷却した。得られた溶液を−７０℃以下に保ちながら２．５Ｍ  ｎ−ブチルリチウム／ｎ−ヘキサン溶液（２．２当量）を滴下した。滴下後、温度を保ちながら４時間攪拌した。２−イソプロピルオキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（３．９当量）を加えた後、室温までゆっくり昇温し終夜攪拌した。反応液を−３０℃に冷却した。そこに、２Ｍ塩酸／ジエチルエーテル溶液（２当量）を滴下した後、室温まで昇温した。溶媒を留去した後、トルエンを加えて溶解し、シリカゲルを敷いたグラスフィルターを通してろ過し、得られた溶液の溶媒を留去したところ粗生成物が得られた。窒素雰囲気下でトルエン／アセトニトリル溶媒から再結晶することにより、下記式：
【化８９】
0005860235.tif 000090
で表されるＭ−７を得た（収率６０％）。
【０２６８】
化合物Ｍ−７の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）；δ（ｐｐｍ）＝０．８６（６Ｈ，ｔ）、１．２６−１．２９（１２Ｈ，ｍ）、１．３１（２４Ｈ，ｓ）、１．５２−１．５３（４Ｈ，ｍ）、２．５０（４Ｈ，ｔ）、６．９２（２Ｈ，ｄ）、７．００（２Ｈ，ｄ）、７．０８（２Ｈ，ｔ）、７．１３（２Ｈ，ｓ）、７．７７（２Ｈ，ｄ）、７．８１−７．８２（４Ｈ，ｍ）
【０２６９】
＜合成例８＞
（化合物Ｍ−８の合成）
【０２７０】
・ＣＭ−８の合成
【化９０】
0005860235.tif 000091
【０２７１】
アルゴン気流下、反応容器に１−ブロモ−３，５−ジ−ｎ−ヘキシルベンゼン（１当量）とテトラヒドロフラン（３６当量）を仕込み、均一溶液を調製し、該溶液を−６９℃まで冷却した。該溶液に２．７６Ｍのｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１当量）を−６８℃で１．５時間かけて滴下し、さらに−７０℃で１．５時間撹拌した。次いで、化合物ＣＭ−３（０．４当量）とテトラヒドロフラン（３．６当量）からなる溶液を−７０℃で１時間かけて滴下し、−７０℃で２時間撹拌した。次いで、−７０℃にてメタノール（２．４当量）、蒸留水（５．５当量）を加え撹拌した後、室温まで昇温し、室温にて一晩撹拌した。次いで、反応混合物をろ過し、ろ液を濃縮し、ヘプタン及び水を加え撹拌し、静置して分液した有機層から水層を除去した。該有機層に飽和食塩水を加え撹拌し、静置して分液した有機層から水層を除去した。有機層に硫酸マグネシウム加え撹拌し、ろ過して得られたろ液を濃縮し、目的とする化合物ＣＭ−８を得た（収率４６％）。
【０２７２】
・化合物ＣＭ−９の合成
【化９１】
0005860235.tif 000092
【０２７３】
アルゴン気流下、反応容器に化合物ＣＭ−８（１当量）及びジクロロメタン（２９当量）を仕込み、均一溶液を調製し、−３０℃に冷却した。該溶液にボロントリフルオライドジエチルエーテル錯体（ＢＦ3・ＯＥｔ2、１当量）を３０分間かけて滴下した。その後、室温にて一晩撹拌した。次いで、該反応混合物を−２０℃に冷却し、蒸留水（１１２当量）を加え、１時間撹拌した後、静置して分液した水屑を有機層から除去した。次いで、水（５７当量）を加え攪拌し、静置して分液した水層を有機層から除去した。得られた有機層に１０重量％炭酸水素ナトリウム水溶液（２２当量）を加え撹拌し、静置して分液した水層を有機層から除去した。該有機層を濃縮し溶媒を除去した。次いで、トルエン及びヘプタンを展開溶媒としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、酢酸ブチルとメタノールを用い再結晶することにより、目的とする化合物ＣＭ−９を得た（収率５７％）。
【０２７４】
・化合物Ｍ−８の合成
【化９２】
0005860235.tif 000093
【０２７５】
アルゴン気流下、４つ口フラスコに化合物ＣＭ−９（１当量）、化合物ＣＭ−１０（２．２当量）、１，４−ジオキサン（８７当量）、酢酸カリウム（６．１当量）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ、１．５ｍｏｌ％）、及び、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム（ＩＩ）塩化メチレン錯体（ＰｄＣｌ2ｄｐｐｆ・ＣＨ2Ｃｌ2、１．５ｍｏｌ％）を仕込み、１００〜１０２℃で５時間撹拌した。次いで、得られた反応混合物を室温まで冷却した後、セライト及びシリカゲルを敷き詰めたろ過器で濾過し、得られたろ液を濃縮して溶媒を除去した。次いで、ヘキサンを加えて調製した溶液に、活性炭を加え、ヘキサンが還流する温度にて１時間撹拌した。室温まで冷却後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過し、濃縮して溶媒を除去した。次いで、トルエン及びアセトニトリルで再結晶を行うことにより、目的とする化合物Ｍ−８を得た（９５％）。
【０２７６】
＜合成例９＞
（化合物Ｍ−９の合成）
【化９３】
0005860235.tif 000094
内部の気体をアルゴンガスで置換したセパラブルフラスコに、化合物Ｌ−５（４．０ｇ、８．５ｍｍｏｌ）、化合物ＣＭ−１１（１６ｇ、３７．６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、４９４ｍｇ、０．４３ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、トルエン（７８０ｍＬ）、及びエタノール（２６０ｍＬ）を加え、撹拌しながら３５℃に加熱した。次いで、イオン交換水（２６０ｍＬ）に炭酸カリウム（３．５４ｇ、２６ｍｍｏｌ）を溶解させた水溶液を滴下し、６４時間撹拌した。反応液を分液ロートに移し、イオン交換水及び１０重量％食塩水で洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムにて脱水した後、シリカゲルを敷き詰めたロートに通液し、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を、中圧分取カラムクロマトグラフィー（シリカゲルカラム、展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝４／６（体積比））にて精製した後、トルエンにて再結晶し、得られた固体を真空乾燥機で十分に乾燥させることにより、目的とする化合物Ｍ−９を白色粉末として得た（１．５ｇ、収率２４％）。
なお、化合物Ｌ−５は、ＷＯ０２／６６５５２に記載の方法に準じて合成した。
【０２７７】
＜合成例１０＞
（化合物Ｍ−１０の合成）
【化９４】
0005860235.tif 000095
内部の気体をアルゴンガスで置換したセパラブルフラスコに、化合物ＣＭ−１３（４．０ｇ、４．５ｍｍｏｌ）、化合物ＣＭ−１１（８．４ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、２６１ｍｇ、０．２３ｍｍｏｌ、５ｍｏｌ％）、トルエン（７８０ｍＬ）及びエタノール（２６０ｍＬ）を加え撹拌しながら３５℃に加熱した。次いで、イオン交換水（２６０ｍＬ）に炭酸カリウム（１．８７ｇ、１４ｍｍｏｌ、３当量）を溶解させた水溶液を滴下し、２３時間撹拌した。反応液を分液ロートに移し、イオン交換水及び１０重量％食塩水で洗浄し、有機層を硫酸ナトリウムにて脱水した後、シリカゲルを敷き詰めたロートに通液し、溶媒を減圧留去した。
上記の作業を２回行い、得られた残渣をまとめて秤量したところ、残渣の合計は２２ｇであった。得られた残渣を、中圧分取カラムクロマトグラフィー（シリカゲルカラム、展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝４／６（体積比））にて精製した後、ヘキサンにてリパルブ洗浄及び熱時濾過を行い、得られた粉末を真空乾燥機で十分に乾燥させることにより、目的とする化合物Ｍ−１０を白色粉末として得た（５ｇ、収率５０％）。
【０２７８】
＜合成例１１＞
（発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の合成）
国際公開２００２／０６６５５２号パンフレットに記載の合成法に従って燐光発光性化合物Ａを合成した。具体的には、窒素雰囲気下、２−ブロモピリジンと、１．２当量の３−ブロモフェニルホウ酸との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、下記式：
【化９５】
0005860235.tif 000096
で表される２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンを得た。
【０２７９】
次に、窒素雰囲気下、トリブロモベンゼンと、２．２当量の４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホウ酸との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により下記式：
【化９６】
0005860235.tif 000097
で表されるブロモ化合物を得た。
【０２８０】
窒素雰囲気下、前記ブロモ化合物を、無水ＴＨＦに溶解後、−７８℃に冷却し、小過剰のｔｅｒｔ−ブチルリチウムを滴下した。冷却下、更に、Ｂ（ＯＣ4Ｈ9）3を滴下し、室温にて反応させた。得られた反応液を３Ｍ塩酸水で後処理したところ、下記式：
【化９７】
0005860235.tif 000098
で表されるホウ酸化合物を得た。
【０２８１】
２−（３'−ブロモフェニル）ピリジンと、１．２当量の前記ホウ酸化合物との鈴木カップリング（触媒：テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、塩基：２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液、溶媒：エタノール、トルエン）により、下記式：
【化９８】
0005860235.tif 000099
で表される配位子（即ち、配位子となる化合物）を得た。
【０２８２】
アルゴン雰囲気下、ＩｒＣｌ3・３Ｈ2Ｏと、２．２当量の前記配位子、２−エトキシエタノール、及び、イオン交換水を仕込み、還流させた。析出した固体を吸引ろ過した。得られた固体をエタノール、イオン交換水の順番で洗浄後、乾燥させ、下記式：
【化９９】
0005860235.tif 000100
で表される化合物を黄色粉体として得た。
【０２８３】
アルゴン雰囲気下、前記黄色粉体に、２当量の前記配位子と、２当量のトリフルオロメタンスルホン酸銀とを加え、ジエチレングリコールジメチルエーテル中で加熱することにより、下記式：
【化１００】
0005860235.tif 000101
で表される発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１を得た。
【０２８４】
発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果及びＬＣ−ＭＳの結果を、それぞれ以下に示す。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）：δ（ｐｐｍ）＝１．３８（ｓ、５４Ｈ）、６．９３（ｄｄ、Ｊ＝６．３Ｈｚ  ａｎｄ  ６．６Ｈｚ、３Ｈ）、７．０４（ｂｒ、３Ｈ）、７．３０（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、３Ｈ）、７．４８（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１２Ｈ）、７．６１−７．７０（ｍ、２１Ｈ）、７．８２（ｓ、６Ｈ）、８．０１（ｓ、３Ｈ）、８．０３（ｄ、Ｊ＝７．９Ｈｚ、３Ｈ）
【０２８５】
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ+＝１６７７［Ｍ＋Ｈ］+
【０２８６】
発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の発光スペクトルピークは、５１３ｎｍであった。
【０２８７】
＜合成例１２＞
（発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の合成）
【０２８８】
【化１０１】
0005860235.tif 000102
（式中、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０２８９】
まず、５−ブロモ−２−フェニルピリジン及び４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジンを、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
【０２９０】
窒素気流下、反応容器に５−ブロモ−２−フェニルピリジン（１０３．０ｇ、４４０ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル１３２０ｍＬとを量り取り、−６７℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．５９Ｍ、３１８．２ｍＬ、５０６ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、得られた溶液を−６７℃で１．５時間撹拌し、次いで、ホウ酸トリ−イソプロピル（Ｂ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）3、９５．２ｇ、５０６ｍｍｏｌ）を加え、−６７℃で４時間攪拌してから徐々に室温まで昇温させ、終夜攪拌した。反応液に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液４４０ｍＬと蒸留水５００ｍＬとを加えて室温で３０分間攪拌した。反応液から分液操作で水層を回収し、これに３Ｎ塩酸約４００ｍＬを加えてｐＨ５に調整したところ、アメ状の沈殿が生じた。反応液から上澄みをデカンテーションして除き、この沈澱を蒸留水で２回洗浄した後、メタノールに溶解させて、メタノール溶液を得た。上澄みは酢酸エチルで２回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、このメタノール溶液と合わせて減圧濃縮した。得られた残渣に酢酸エチルを加え、水分を共沸除去することにより、薄灰色粉末として化合物Ｌ−１（８２．９ｇ）を得た。
【０２９１】
反応容器に、４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジン（１３７．１ｇ、３６１ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−１（８２．６ｇ、４１５ｍｍｏｌ）、トルエン（２８９０ｍＬ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4、８．３４ｇ、７．２２ｍｍｏｌ）を量り取り、窒素気流下、５０℃で撹拌しながら固形分を溶解させた。得られた溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７２２ｍＬ）を加えて、１７時間還流させた。反応液から有機層を回収し、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液及び１０重量％食塩水で洗浄した。洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解させ、エタノールを加えて結晶化させた。結晶をろ別回収した後、該結晶をエタノールで洗浄し、乾燥させることにより、化合物Ｌ−２（１６９．２ｇ）を得た。
【０２９２】
化合物Ｌ−２のＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：４９９（［Ｍ＋Ｈ］+）
【０２９３】
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）
δ（ｐｐｍ）＝１．４２（ｓ，１８Ｈ），７．５２（ｍ，３Ｈ），７．６２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），８．６９（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），９．０４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），１０．０２（ｓ，１Ｈ）
【０２９４】
【化１０２】
0005860235.tif 000103
【０２９５】
反応容器に、化合物Ｌ−２（２２．１７ｇ、４４ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物（６．９５ｇ、２０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（９６ｍＬ）、及び水（３２ｍＬ）を量り取り、アルゴン気流下、１４０℃で１５時間加熱した。空冷後、得られた混合物をろ別し、残渣をメタノール、水、メタノールの順で洗浄することにより、赤色固体を得た。この赤色固体をクロロホルムに溶解させ、エタノールを加えて２時間還流させた。空冷後、析出した固体をろ別回収し、エタノールで洗浄した。この操作を３回繰り返した後、得られた固体を集め、減圧乾燥させることにより、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  １（２０．０３ｇ）を得た。
【０２９６】
反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  １（７５９ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、国際公開第２００６／０６２２２６号パンフレットに記載の方法に従って合成した化合物Ｌ−３（３３０ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）、及びジグライム（９ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（ＡｇＯＴｆ、１５７ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下１００℃で１０時間撹拌した。空冷後、反応混合物に純水（５０ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ別した。この沈澱にトルエン／ヘキサン（１／２（体積基準））混合溶媒（４０ｍＬ）を加え、ろ過した。ろ液を硫酸ナトリウムで乾燥させた。この溶液をろ過し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝１／１．５（体積基準））で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノールで洗浄し、減圧乾燥させることにより、発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２（２５２ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を得た。
【０２９７】
発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２のＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ,  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：１７３３（［Ｍ＋Ｈ］+）
【０２９８】
1Ｈ−ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ８）
δ（ｐｐｍ）＝１．２２（ｓ，１８Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），６．８１（ｍ，１Ｈ），６．８２（ｍ，１Ｈ），６．８６（ｍ，１Ｈ），６．９０（ｍ，１Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．４１（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２４（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．６６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．７１（ｍ，２Ｈ），７．７４（ｓ，１Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），８．０３（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），８．０６（ｍ，１Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．３８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．４１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．４３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），８．６７（ｓ，１Ｈ），８．９９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２１（ｍ，１Ｈ），９．２３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２８（ｓ，１Ｈ），９．４４（ｓ，１Ｈ）
【０２９９】
発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の発光スペクトルピークは、６１１ｎｍであった。
【０３００】
＜合成例１３＞
（発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の合成）
・５−ブロモ−２−フェニルピリジンの合成
【化１０３】
0005860235.tif 000104
反応容器に、２，５−ジブロモピリジン（７．１１ｇ、３０ｍｍｏｌ）、トルエン（１３０ｍＬ）、フェニルホウ酸（４．５７ｇ、３７．５ｍｍｏｌ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１．７３ｇ、１．５ｍｍｏｌ）を量り取り、窒素気流下、５０℃で撹拌し、反応物を溶解させた。次いで、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（３０ｍＬ）を加えて、８０℃で６時間撹拌した。得られた反応液の有機層を回収し、炭酸ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過した後に溶媒を留去した。この残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン）で精製し、溶媒を留去して、５−ブロモ−２−フェニルピリジン（６．２１ｇ、２６．５ｍｍｏｌ）を得た。
【０３０１】
・金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ２の合成
【化１０４】
0005860235.tif 000105
反応容器に、５−ブロモ−２−フェニルピリジン（７．３９ｇ、３０ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物（４．７６ｇ、１３．５ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（５８ｍＬ）、及び水（１９ｍＬ）を量り取り、窒素気流下、１４０℃で１６時間加熱した。空冷後、得られた反応混合物を濾別し、水、メタノール、及びヘキサンの順で洗浄することにより、黄色固体として、上式で表される金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  １（９．１０ｇ、６．５８ｍｍｏｌ）を得た。
次いで、反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  １（６．９４ｇ、５．０ｍｍｏｌ）、５−ブロモ−２−フェニルピリジン（７．３２ｇ、３０．０ｍｍｏｌ）及びジグライム（４３ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（２．５７ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で１４時間撹拌した。得られた反応生成物を濾別し、固体を塩化メチレンに溶解させた。この溶液を濾過し、濾液を濃縮した。析出した固体を濾別回収し、ヘキサンで洗浄することにより、上式で表される金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ２（６．３５ｇ、７．１ｍｍｏｌ）を得た。
【０３０２】
金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ２のＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）  ｍ／ｚ:８９０ （［Ｍ＋Ｈ］＋）
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ６）
δ（ｐｐｍ）＝６．５１ （ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，３Ｈ）, ６．７２（ｍ，３Ｈ）, ６．８４ （ｍ，３Ｈ）, ７．６６（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，３Ｈ）, ７．８０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，３Ｈ），８．０５（ｄｄ，Ｊ＝２．０，８．８Ｈｚ，３Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，３Ｈ）
【０３０３】
・金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ３の合成
【化１０５】
0005860235.tif 000106
窒素気流下、反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ２（３．２７ｇ、３．７ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．２７ｇ、３３．３ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（３．３８ｇ、１３．３ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（２４５ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（II）（３６１ｍｇ、０．４４ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（４００ｍＬ）を量り取り、３０時間還流した。得られた反応液を濃縮し、塩化メチレンを加えて溶解させた後に、ろ過した。濾液をシリカゲルクロマトグラフィー（塩化メチレン）で精製し、溶媒を留去して残渣をジエチルエーテルで洗浄することにより、上式で表される金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ３（２．５５ｇ、２．４７ｍｍｏｌ）を得た。
【０３０４】
金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ３のＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）  ｍ／ｚ: １０７２（［Ｍ＋Ｋ］＋）
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）
δ（ｐｐｍ）＝１．２１（ｓ，３６Ｈ）, ６．８７（ｍ，９Ｈ）, ７．６９（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，３Ｈ）, ７．８２（ｓ，３Ｈ）， ７．８６（ｍ，６Ｈ）
【０３０５】
・２，４−ジ（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジンの合成
【化１０６】
0005860235.tif 000107
（式中、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０３０６】
アルゴン気流下、反応容器に、１−ブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（１２５ g、５８７ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（４７０ｍＬ）を仕込み、−７０℃に冷却した。次いで、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．６Ｍ、３６７ｍＬ、５８７ｍｍｏｌ）を−７０℃で９０分かけて滴下した。滴下終了後、−７０℃で２時間攪拌して４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／テトラヒドロフラン溶液を得た。
アルゴン気流下、別の反応容器に塩化シアヌル（５０．８ｇ、２７６ｍｍｏｌ）及びテトラヒドロフラン（４６３ｍＬ）を仕込み、−７０℃に冷却した。得られた混合物に、先に調製した４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルリチウム／テトラヒドロフラン溶液を、反応温度が−６０℃以下となるように冷却しながらゆっくりと滴下した。滴下終了後、反応液を−４０℃で４時間、及び室温で４時間攪拌した。反応混合物に水を加えて反応を終了させ、テトラヒドロフランを留去した。得られた残渣に水とクロロホルムを加えて有機層を抽出し、さらに水で有機層を洗浄した後に溶媒を留去した。残渣をアセトニトリルに溶解させ、熱時濾過により不溶固体を取り除いた。得られた濾液を濃縮し、−７０℃に冷却させて析出した固体を濾別回収した。回収した固体をクロロホルム／ヘキサン混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒:クロロホルム／ヘキサン）で精製した。溶媒を留去し、この残渣をアセトニトリルで再結晶することにより、２，４−ジ（４’−ｔｅｒｔ-ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン（４１．３ｇ、１０９ｍｍｏｌ）を得た。
【０３０７】
２，４−ジ（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジンのＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）  ｍ／ｚ：３８０（［Ｍ＋Ｈ］＋）
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）
δ（ｐｐｍ）＝１．３９（ｓ，１８Ｈ），７．５６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．５４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）
【０３０８】
・発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の合成
【化１０７】
0005860235.tif 000108
（式中、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０３０９】
窒素気流下、反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ３（５４６ｍｇ、０．５３ｍｍｏｌ）、２，４−ジ（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−６−クロロ−１，３，５−トリアジン（７０２ｍｇ、１．８５ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（１．７３ｇ、５．３１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１９６ｍｇ、０．１７ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（５３ｍＬ）を量り取り、９時間還流した。反応液を濃縮し、これにトルエンを加えて溶解させた。この溶液を濾過し、濾液をシリカゲルクロマトグラフィーで２回精製した（１回目の展開溶媒：トルエン、２回目の展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝１／１（体積比））。溶媒を留去し、残渣をメタノールで洗浄することにより、上式で表される発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３（２５７ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を得た。
【０３１０】
発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３のＬＣ−ＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）  ｍ／ｚ：１６８６（［Ｍ＋Ｈ］＋）
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）
δ（ｐｐｍ）＝１．１４（ｓ，５４Ｈ），６．９６（ｍ，９Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１２Ｈ），７．８３（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，３Ｈ），８．１８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，３Ｈ），８．３６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１２Ｈ），９．１４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，３Ｈ），９．３３（ｓ，３Ｈ）
【０３１１】
＜合成例１４＞
（発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４の合成）
下記式：
【化１０８】
0005860235.tif 000109
で表される発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４を、国際公開第２００２／４４１８９号に記載の方法に従って合成した。
【０３１２】
＜合成例１５＞
（発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の合成）
・金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ  ４の合成
【化１０９】
0005860235.tif 000110
アルゴン気流下、反応容器に、発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１（４．２５ｇ、２．５ ｍｍｏｌ）とクロロホルム（４００ｍＬ）を量り取り、発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１を溶解させた。次いで、Ｎ−ブロモスクシンイミド （８７２ｍｇ、４．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で２４時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣にクロロホルム／ヘキサン混合溶媒（１００ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）で精製した。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去した後、残渣をメタノールで洗浄することにより、上式で表される金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ４（３．７６ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を得た。
【０３１３】
金属錯体Ｃｏｍｐｌｅｘ４のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法１］）   ｍ/ｚ : １８９０ （[Ｍ]）
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）
δ（ｐｐｍ）＝１．２７（ｓ，１８Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．４１（ｓ，１８Ｈ），６．９５（ｍ，４Ｈ），７．２４（ｍ，２Ｈ），７．４８（ｍ，１２Ｈ），７．６９（ｍ，５Ｈ），７．７４（ｍ，３Ｈ），７．８３（ｓ，２Ｈ），７．９９（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ），８．４０（ｍ，９Ｈ），８．５４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），８．６８（ｓ，１Ｈ），９．０５（ｍ，１Ｈ），９．２２（ｍ，２Ｈ），９．２８（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），９．４６（ｓ，１Ｈ）
【０３１４】
・発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の合成
【化１１０】
0005860235.tif 000111
アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ４（２．８４ｇ、１．５ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−５（１．５６ｇ、３．３ｍｍｏｌ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５．４２ｇ、７．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（９０ｍＬ）を量り取り、１４時間還流した。反応液にトルエンと水を加えて洗浄し、有機層を回収した。この有機層を、飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液をろ過し濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去した後、残渣に、クロロホルム／ヘキサン混合溶媒を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製し、溶媒を留去した。残渣をトルエンに溶解させ、得られた溶液にアセトニトリルを加え、結晶化することにより精製した。得られた固体を濾別して回収し、上式で表される発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５（２．８５ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を得た。
なお、化合物Ｌ−５は、ＷＯ０２／６６５５２に記載の方法に準じて合成した。
【０３１５】
金属錯体ＭＣ−５のＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの結果及び１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を、それぞれ以下に示す。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法１］）   ｍ/ｚ : ２４１３ （[Ｍ]）
１Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）
δ（ｐｐｍ）＝１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），１．４０（ｓ，１８Ｈ），１．４２（ｓ，１８Ｈ），７．２６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），７．５１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），７．５２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．７４（ｍ，４Ｈ），７．７５（ｓ，１Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．８８（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｓ，２Ｈ），８．１０（ｍ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ），８．３９（ｍ，５Ｈ），８．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），８．５６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．６９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．７３（ｓ，１Ｈ），９．０３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２６（ｍ，１Ｈ），９．２７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．３８（ｓ，１Ｈ），９．５１（ｓ，１Ｈ）
【０３１６】
＜正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−１＞
正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−１は、以下の手順で調製した。
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−８（１７．３ｇ）、化合物Ｍ−６（１０．４ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン（２．６２ｇ）、９，９−ビス（ベンゾシクロブテン−４−イル）−２，７−ジブロモフルオレン（１．５１ｇ）、及びトルエン（５８０ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。そこに、酢酸パラジウム（４．３０ｍｇ）及びトリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２７．０ｍｇ）を加え、１００℃に加熱した後、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６８．５ｇ）を滴下し、７時間加熱還流させた。
次にフェニルホウ酸（０．２３０ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（１３．４ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６８．５ｇ）を加え、終夜加熱還流させた。
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１０．８ｇ）及びイオン交換水（１２０ｍＬ）を加え、４０℃で３時間攪拌した。
反応液において、有機層と水層を分離した後、有機層をイオン交換水で１回、１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で２回、順次洗浄した。
得られた有機層を、予めトルエンを通液したシリカゲル及びアルミナを充填したカラムに通液し、通過した溶液をメタノールに滴下し沈殿物を析出させた。沈殿物を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物ＨＰ−１」と言う。）を１９．５ｇ得た。高分子化合物ＨＰ−１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれＭｎ＝７．５×１０４、Ｍｗ＝３．６×１０５であった。
高分子化合物ＨＰ−１は、原料単量体の仕込み比から、以下の構成単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【化１１１】
0005860235.tif 000112
【０３１７】
＜正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−２＞
正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−２は、以下の手順で調製した。
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−８（０．９３３９ｇ）、Ｎ，Ｎ'−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（２，６−ジメチル−４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（１．９２２３ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン（０．５９４７ｇ）、９，９−ビス（ベンゾシクロブテン−４−イル）−２，７−ジブロモフルオレン（０．３４３７ｇ）、及び、トルエン（１１８ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。反応液に、酢酸パラジウム（１．０ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）を加え、１００℃に加熱した後、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．３ｇ）を滴下し、１１時間加熱しながら還流させた。
次に、反応液に、フェニルホウ酸（０．０５３ｇ）、酢酸パラジウム（１．０ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（６．１ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．３ｇ）を加え、終夜加熱しながら還流させた。
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．４１ｇ）、及び、イオン交換水（４８ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。
反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
得られた有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し、正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−２を３．７１ｇ得た。分析条件１で測定したポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝５．６×１０４、Ｍｗ＝１．５×１０５であった。
正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−２は、単量体の仕込み比から以下の構成単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【化１１２】
0005860235.tif 000113
（式中、Ｍｅはメチル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表す。）
【０３１８】
［実施例１］
＜高分子化合物Ａの合成＞
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，４−ジヘキシルベンゼン）（１．４５１ｇ）、化合物Ｍ−２（２，６−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−トルエン）（０．４２４ｇ）、化合物Ｍ−３（９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）（２．１２０ｇ）、化合物Ｍ−４（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（０．５２３ｇ））、及び、トルエン（５９ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。酢酸パラジウム（１．４ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（８．７ｍｇ）を加え、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．７ｇ）を滴下し、１７時間加熱還流させた。
【０３１９】
次にフェニルホウ酸（０．０５１ｇ）、酢酸パラジウム（１．４ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（８．７ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．７ｇ）を加え、１７時間加熱還流させた。
【０３２０】
水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．２８ｇ）、及び、イオン交換水（４６ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３２１】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ａ」と言う。）を２．４３ｇ得た。高分子化合物Ａの、分析条件２に基づき測定されたポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝８．６×１０4、Ｍｗ＝２．８×１０5であった。
【０３２２】
高分子化合物Ａは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３２３】
【化１１３】
0005860235.tif 000114
【０３２４】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
スパッタリング法により４５ｎｍの厚さでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェンスルホン酸のエチレングリコールモノブチルエーテル／水（３／２（体積比））溶液（シグマアルドリッチ社、商品名：Ｐｌｅｘｃｏｒｅ  ＯＣ  １２００）をスピンコートして、６５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃で１５分間乾燥した。
【０３２５】
次に、正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−１を０．７重量％のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約２０ｎｍの厚さに成膜した。その後、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱した。
【０３２６】
続いて、キシレン溶媒中に１．８重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ａの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物１を調製した。該組成物１をスピンコートにより１８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜の厚さは約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥した後、陰極としてフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０３２７】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するエレクトロルミネッセンス発光（以下、ＥＬ発光という。）が得られた。該素子は３．０Ｖから発光が開始し、６．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は６０．８８ｃｄ／Ａであった。
【０３２８】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は７２．１時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、２３５時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３２９】
［実施例２］
＜高分子化合物Ｂの合成＞
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，４−ジヘキシルベンゼン）（８．１８２ｇ）、化合物Ｍ−３（９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）（８．５０８ｇ）、化合物Ｍ−４（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，３，５−トリアジン）（２．０９７ｇ）、及び、トルエン（２５０ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２３．２ｍｇ）を加え、１００℃に加熱した。得られた溶液に、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６１．３ｇ）を滴下し、８時間加熱還流させた。
【０３３０】
次にフェニルホウ酸（０．２０ｇ）、酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２３．３ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５８．３ｇ）を加え、１５時間加熱還流させた。
【０３３１】
水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（９．３１ｇ）、及び、イオン交換水（６０ｍＬ）を加え４０℃で３時間攪拌した。
【０３３２】
有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で１回、１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３３３】
有機層を、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル及びアルミナを充填したカラムに溶液を通液し、通過した溶液をメタノールに滴下し沈殿物を析出させた。沈殿物を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｂ」と言う。）を９．８０ｇ得た。高分子化合物Ｂの、分析条件１に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．２×１０４、Ｍｗ＝２．３×１０5であった。
【０３３４】
高分子化合物Ｂは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３３５】
【化１１４】
0005860235.tif 000115
【０３３６】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、１．９重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｂの溶液と、１．９重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物２を調製した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３３７】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．９Ｖから発光が開始し、５．８Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は５５．４ｃｄ／Ａであった。
【０３３８】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０１．６時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、２６２．５時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３３９】
［実施例３］
＜高分子化合物Ｃの合成＞
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，４−ジヘキシルベンゼン）（１．６８８ｇ）、化合物Ｍ−２（２，６−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−トルエン）（０．４９７ｇ）、化合物Ｍ−３（９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）（２．４８４ｇ）、化合物Ｍ−５（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（０．５３１ｇ））、及び、トルエン（６６ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。酢酸パラジウム（１．７ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．２ｍｇ）を加え、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．２ｇ）を滴下し、７時間加熱還流させた。
【０３４０】
次にフェニルホウ酸（０．０５９ｇ）、酢酸パラジウム（１．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１０．３ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１７．１ｇ）を加え、１５時間加熱還流させた。
【０３４１】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．６８ｇ）、イオン交換水（５４ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３４２】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｃ」と言う。）を２．８１ｇ得た。高分子化合物Ｃの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝８．１×１０4、Ｍｗ＝２．８×１０5であった。
【０３４３】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、１．９重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｃの溶液と、１．９重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物３を調製した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３４４】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．９Ｖから発光が開始し、６．１Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は６１．８ｃｄ／Ａであった。
【０３４５】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は４４．４時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、１６３．５時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３４６】
高分子化合物Ｃは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【化１１５】
0005860235.tif 000116
【０３４７】
［実施例４］
＜高分子化合物Ｄの合成＞
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，４−ジヘキシルベンゼン（２．８０７ｇ））、化合物Ｍ−３（９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン）（２．９０３ｇ）、化合物Ｍ−５（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン）（０．６２１ｇ）、及び、トルエン（８５ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。酢酸パラジウム（１．９ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１１．９ｍｇ）を加え、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１９．９ｇ）を滴下し、５時間加熱還流させた。
【０３４８】
次に、フェニルホウ酸（０．０６９ｇ）、酢酸パラジウム（１．９ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１１．９ｍｇ）を加え、１５．５時間加熱還流させた。
【０３４９】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．１３ｇ）、及び、イオン交換水（６３ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３５０】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｄ」と言う。）を３．５２ｇ得た。高分子化合物Ｄの、分析条件１に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．５×１０5、Ｍｗ＝４．７×１０5であった。
【０３５１】
高分子化合物Ｄは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３５２】
【化１１６】
0005860235.tif 000117
【０３５３】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、１．５重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｄの溶液と、１．５重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物４を調製した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３５４】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．９Ｖから発光が開始し、６．０Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は５６．４８ｃｄ／Ａであった。
【０３５５】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１９．６時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、７５．４時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３５６】
［比較例１］
＜高分子化合物Ｅの合成＞
不活性ガス雰囲気下、化合物Ｍ−１（２，５−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１，４−ジヘキシルベンゼン）（３．１２４ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン（２．７７０ｇ）、化合物Ｍ−５（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（０．６９６ｇ））、及び、トルエン（８２ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。酢酸パラジウム（２．１ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．４ｍｇ）を加え、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．３ｇ）を滴下し、５時間加熱還流させた。
【０３５７】
次に、フェニルホウ酸（０．０７８ｇ）、酢酸パラジウム（２．１ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（１３．３ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２２．３ｇ）を加え、１７．５時間加熱還流させた。
【０３５８】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．５１ｇ）、及び、イオン交換水（７０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で３回、３重量％酢酸水溶液で３回、イオン交換水で３回の順番で洗浄した。
【０３５９】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｅ」と言う。）を３．４３ｇ得た。高分子化合物Ｅの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．６×１０5、Ｍｗ＝５．２×１０5であった。
【０３６０】
高分子化合物Ｅは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３６１】
【化１１７】
0005860235.tif 000118
【０３６２】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｅの溶液と、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物５を調製した以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３６３】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は３．０Ｖから発光が開始し、６．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は４７．５４ｃｄ／Ａであった。
【０３６４】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１１．３時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、２８．９時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３６５】
［実施例５］
＜高分子化合物Ｆの合成＞
不活性ガス雰囲気下、９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（２．８７５ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（０．９４２ｇ）、９，９−ビス（３−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（２．１９４ｇ）、化合物Ｍ−４（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，３，５−トリアジン）（０．６６６ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．５８０ｇ）、及び、トルエン（１１４ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（３．７ｍｇ）を加え１００℃に加熱し、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１８．５ｇ）を滴下し、８時間加熱還流させた。
【０３６６】
次にフェニルホウ酸（０．０６５ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（３．７ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１８．５ｇ）を加え、終夜加熱還流させた。
【０３６７】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．９１ｇ）、及び、イオン交換水（５８ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３６８】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｆ」と言う。）を４．２８ｇ得た。高分子化合物Ｆの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．０×１０4、Ｍｗ＝２．４×１０5であった。
【０３６９】
高分子化合物Ｆは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３７０】
【化１１８】
0005860235.tif 000119
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０３７１】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、正孔輸送性高分子化合物ＨＰ−２を０．７重量％のキシレン溶液の状態でスピンコートして、約２０ｎｍの厚さに成膜した点、組成物１に代えて、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｆの溶液と、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物６を調製した点、並びに該組成物６をスピンコートにより１５５０ｒｐｍの回転速度で膜の厚さが約８０ｎｍとなるように成膜した点以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３７２】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．３Ｖから発光が開始し、４．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２１．１５ｃｄ／Ａであった。
【０３７３】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５２５時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、１２４４．４時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３７４】
［実施例６］
＜高分子化合物Ｇの合成＞
不活性ガス雰囲気下、９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（２．０２１ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（０．６９１ｇ）、９，９−ビス（３−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（１．６０８ｇ）、化合物Ｍ−５（２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン）（０．４２３ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．４２５ｇ）、及び、トルエン（８２ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（２．７ｍｇ）を加え、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１３．７ｇ）を滴下し、７時間加熱還流させた。
【０３７５】
次に、フェニルホウ酸（０．０４７ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（１．４ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１３．６ｇ）を加え、１６．５時間加熱還流させた。
【０３７６】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．８１ｇ）、及び、イオン交換水（３６ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３７７】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｇ」と言う。）を３．０４ｇ得た。高分子化合物Ｇの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝９．１×１０４、Ｍｗ＝２．５×１０5であった。
【０３７８】
高分子化合物Ｇは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３７９】
【化１１９】
0005860235.tif 000120
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０３８０】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．５重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｆの溶液と、１．５重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物７を調製した以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３８１】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．５Ｖから発光が開始し、５．０Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１６．９３ｃｄ／Ａであった。
【０３８２】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０５時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、４０８時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３８３】
［比較例２］
＜高分子化合物Ｈの合成＞
不活性ガス雰囲気下、９，９−ジオクチル−２，７−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（２．６５２ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン（１．９２０ｇ）、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（０．５３１ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．３６９ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）（０．６５ｇ）、及び、トルエン（５０ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（３．５ｍｇ）を加え、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１３．５ｍＬ）を滴下し、３時間加熱還流させた。
【０３８４】
次に、フェニルホウ酸（０．６１０ｇ）、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（３．５ｍｇ）、及び、トルエン（５０ｍＬ）を加え、１６時間加熱還流させた。
【０３８５】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（３．０４ｇ）、及び、イオン交換水（３０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。
【０３８６】
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムにトルエン溶液を通液させた。通液後の溶出液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｈ」と言う。）を３．４８ｇ得た。高分子化合物Ｈの、分析条件１に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．４×１０5、Ｍｗ＝３．７×１０5であった。
【０３８７】
高分子化合物Ｈは、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【０３８８】
【化１２０】
0005860235.tif 000121
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０３８９】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｈの溶液と、１．６重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物８を調製した以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３９０】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．５Ｖから発光が開始し、５．５Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１８．２０ｃｄ／Ａであった。
【０３９１】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は６３時間後に初期輝度の８０％まで減衰し、１４８．２時間後に初期輝度の７０％まで減衰した。
【０３９２】
［実施例７］
＜高分子化合物Ｉの合成＞
内部の気体を窒素ガスで置換した反応容器に、１，４−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，５−ジヘキシルベンゼン（１．１１ｇ、２．２３ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２−メチルベンゼン（０．１９ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１．４４ｇ、２．２４ｍｍｏｌ）、化合物Ｍ−９（０．４３ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．６ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン３．９ｍｇ、及びトルエン４３ｍＬを量り取り、１００℃で加熱しながら混合した。反応液に２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１０ｍｌを滴下し、５時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸６９ｍｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．６ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン３．９ｍｇ、トルエン７ｍＬ、及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１０ｍｌを加え、更に１５時間還流させた。次いで、０．２Ｍのジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液１６ｍｌを加え、８５℃で２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、トルエンで希釈した後、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で４回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じた。この沈殿を濾過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、得られた溶液をアルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。溶出液をメタノールに滴下したところ、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｉ」と言う。）を１．５６ｇ得た。高分子化合物Ｉの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量は５．０×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．１×１０５であった。
【０３９３】
高分子化合物Ｉは、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化１２１】
0005860235.tif 000122
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２２】
0005860235.tif 000123
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２３】
0005860235.tif 000124
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２４】
0005860235.tif 000125
（式中、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で表される繰り返し単位とが、４０：１０：４０：１０のモル比で含まれる共重合体である。
【０３９４】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｉの溶液と、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物９を調製した点、並びに該組成物９をスピンコートにより１６００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０３９５】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．６４Ｖから発光が開始し、５．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は６２．８０ｃｄ／Ａであった。
【０３９６】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は８２時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０３９７】
［実施例８］
＜高分子化合物Ｊの合成＞
内部の気体を窒素ガスで置換した反応容器に、１，４−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２，５−ジヘキシルベンゼン（１．００ｇ、２．００ｍｍｏｌ）、１，３−ビス（１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−２−メチルベンゼン（０．１７ｇ、０．５０ｍｍｏｌ）、２，７−ジブロモ−９，９−ビス（４−ヘキシルフェニル）フルオレン（１．２９ｇ、２．００ｍｍｏｌ）、化合物Ｍ−１０（０．５８ｇ、０．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．６ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン３．５ｍｇ、及びトルエン４４ｍＬを量り取り、１００℃で加熱しながら混合した。反応液に２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液９ｍｌを滴下し、１１時間還流させた。反応後、フェニルホウ酸６２ｍｇ、酢酸パラジウム（ＩＩ）０．６ｍｇ、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン３．５ｍｇ、トルエン７ｍＬ、及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液９ｍＬを加え、更に１５時間還流させた。次いで、０．２Ｍのジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液１４ｍＬを加え、８５℃で２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、トルエンで希釈した後、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で６回、順次洗浄した。有機層をメタノールに滴下したところ沈殿が生じた。この沈殿を濾過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、得られた溶液アルミナカラム及びシリカゲルカラムを通すことにより精製した。溶出液をメタノールに滴下したところ、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｊ」と言う。）を１．４６ｇ得た。高分子化合物Ｊの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量は４．９×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．１×１０５であった。
【０３９８】
高分子化合物Ｊは、仕込み原料から求めた理論値では、下記式：
【化１２５】
0005860235.tif 000126
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２６】
0005860235.tif 000127
（式中、Ｍｅはメチル基を表す。）
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２７】
0005860235.tif 000128
で表される繰り返し単位と、下記式：
【化１２８】
0005860235.tif 000129
（式中、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
で表される繰り返し単位とが、４０：１０：４０：１０のモル比で含まれる共重合体である。
【０３９９】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例１において、組成物１に代えて、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｊの溶液と、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物１０を調製した点、並びに該組成物１０をスピンコートにより１６９０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４００】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−１に由来する５２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．６９Ｖから発光が開始し、５．４Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は５８．５０ｃｄ／Ａであった。
【０４０１】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１００時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４０２】
［実施例９］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例７において、組成物９に代えて、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｉの溶液と、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物１１を調製した点、並びに該組成物１１をスピンコートにより１５８０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例７と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４０３】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．７４Ｖから発光が開始し、７．６Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２７．８０ｃｄ／Ａであった。
【０４０４】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は４１．９時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４０５】
［実施例１０］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例８において、組成物１０に代えて、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｊの溶液と、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物１２を調製した点、並びに該組成物１２をスピンコートにより１６２０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例８と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４０６】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．８２Ｖから発光が開始し、７．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２４．６０ｃｄ／Ａであった。
【０４０７】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５０．６時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４０８】
［比較例３］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
比較例１において、組成物５に代えて、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｅの溶液と、２．２重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、７０：３０となるように混合して、組成物１３を調製した点、並びに該組成物１３をスピンコートにより２４００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は比較例１と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４０９】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６０５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．９６Ｖから発光が開始し、８．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２３．００ｃｄ／Ａであった。
【０４１０】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５．３時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４１１】
［実施例１１］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｆの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１４を調製した点、並びに該組成物１４をスピンコートにより２５４０ｒｐｍの回転速度で成膜した以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４１２】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４に由来する６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．４１Ｖから発光が開始し、４．５Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１１．７０ｃｄ／Ａであった。
【０４１３】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０７．２時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例４に対して、６．７倍の長寿命化を示した。
【０４１４】
［実施例１２］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｆの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１５を調製した点、並びに該組成物１５をスピンコートにより２５７０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４１５】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．２９Ｖから発光が開始し、４．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は３１．２０ｃｄ／Ａであった。
【０４１６】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５９３．８時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例５に対して、５．７６倍の長寿命化を示した。
【０４１７】
［実施例１３］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｆの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１６を調製した点、並びに該組成物１６をスピンコートにより２７４０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４１８】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．３９Ｖから発光が開始し、５．０Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２０．４０ｃｄ／Ａであった。
【０４１９】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は４９３．６時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例６に対して、８．９倍の長寿命化を示した。
【０４２０】
［実施例１４］
＜高分子化合物Ｋの合成＞
不活性ガス雰囲気下、９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（２．７９ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（０．９４３ｇ）、９，９−ビス（３−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（１．８６ｇ）、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ドデシルフェニル）−１，３，５−トリアジン（０．９９９ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．５８１ｇ）及びトルエン（１１４ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。混合物にビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（３．７０ｍｇ）を加え１００℃に加熱し、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１８．５ｇ）を滴下し、加熱還流させた。
次に、フェニルホウ酸（０．０６５０ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（３．７０ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１８．５ｇ）を加え、終夜加熱還流させた。
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２．９１ｇ）及びイオン交換水（５８ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層と水層を分離した後、有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、イオン交換水で３回、順次洗浄した。
有機層をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後、乾燥し、固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、得られた溶液を、予めトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに通液させた。通過した溶液をメタノールに滴下し沈殿物を析出させた。沈殿物を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｋ」と言う。）を４．２５ｇ得た。高分子化合物Ｋの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれＭｎ＝１．４×１０５、Ｍｗ＝４．３×１０５であった。
【０４２１】
高分子化合物Ｋは、単量体の仕込み比から以下の構成単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【化１２９】
0005860235.tif 000130
（式中、Ｍｅはメチル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表す。）
【０４２２】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｋの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１７を調製した点、並びに該組成物１７をスピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４２３】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４に由来する６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．３４Ｖから発光が開始し、４．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１１．４０ｃｄ／Ａであった。
【０４２４】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は７１．１時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例４に対して、４．４４倍の長寿命化を示した。
【０４２５】
［実施例１５］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｋの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１８を調製した点、並びに該組成物１８をスピンコートにより２１２０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４２６】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．２６Ｖから発光が開始し、３．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は３０．９０ｃｄ／Ａであった。
【０４２７】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３６０．２時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例５に対して、３．４９倍の長寿命化を示した。
【０４２８】
［実施例１６］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｋの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物１９を調製した点、並びに該組成物１９をスピンコートにより２０９０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４２９】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．２７Ｖから発光が開始し、４．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１９．６０ｃｄ／Ａであった。
【０４３０】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２９７．１時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例６に対して、５．３５倍の長寿命化を示した。
【０４３１】
［実施例１７］
＜高分子化合物Ｌの合成＞
不活性ガス雰囲気下、９，９−ビス（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（０．７５４ｇ）、９，９−ジオクチル−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−フルオレン（０．２５９ｇ）、９，９−ビス（３−ｎ−ヘキシルフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（０．６０２ｇ）、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニル）−１，３，５−トリアジン（０．２１０ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．１５９ｇ）及びトルエン（３５ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。混合物にビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（１．０ｍｇ）を加え１００℃に加熱し、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６４ｇ）を滴下し、５時間加熱還流させた。
【０４３２】
次にフェニルホウ酸（０．０３５ｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（１．０ｍｇ）及び２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（７．６４ｇ）を加え、終夜加熱還流させた。
【０４３３】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．４０ｇ）及びイオン交換水（８ｍＬ）を加え、８５℃で２時間攪拌した。反応液において、有機層と水層を分離した後、有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。
【０４３４】
有機層をメタノールに滴下して沈殿物を析出させた。沈殿物を濾取した後乾燥し固体を得た。この固体をトルエンに溶解させ、得られた溶液を、予めトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに通液させた。通過した溶液をメタノールに滴下して生じた沈殿を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｌ」と言う。）を１．２１ｇ得た。高分子化合物Ｌの、分析条件２に基づき測定された、ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれＭｎ＝７．３×１０４、Ｍｗ＝２．１×１０５であった。
【０４３５】
高分子化合物Ｌは、単量体の仕込み比から、以下の構成単位及びモル比率を有し、（ＰＡ）の構成単位と（ＰＢ）から選ばれる構成単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
【化１３０】
0005860235.tif 000131
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０４３６】
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、２．０重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｌの溶液と、２．０重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２０を調製した点、並びに該組成物２０をスピンコートにより３５００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４３７】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−２に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．２８Ｖから発光が開始し、４．４Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１８．２０ｃｄ／Ａであった。
【０４３８】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は２３８．２時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例２に対して、３．７８倍の長寿命化を示した。
【０４３９】
［実施例１８］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、２．０重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｌの溶液と、２．０重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２１を調製した点、並びに該組成物２１をスピンコートにより３０００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４４０】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．２４Ｖから発光が開始し、４．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２９．８０ｃｄ／Ａであった。
【０４４１】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５１７．３時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例５に対して、５．０２倍の長寿命化を示した。
【０４４２】
［実施例１９］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｇの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２２を調製した点、並びに該組成物２２をスピンコートにより２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４４３】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４に由来する６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．４１Ｖから発光が開始し、４．６Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１１．４０ｃｄ／Ａであった。
【０４４４】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は８６.１時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例４に対して、５．３８倍の長寿命化を示した。
【０４４５】
［実施例２０］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｇの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２３を調製した点、並びに該組成物２３をスピンコートにより２３７０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４４６】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．３１Ｖから発光が開始し、４．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は３１．８０ｃｄ／Ａであった。
【０４４７】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３０８．１時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例５に対して、２．９９倍の長寿命化を示した。
【０４４８】
［実施例２１］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｇの溶液と、１．８重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２４を調製した点、並びに該組成物２４をスピンコートにより２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４４９】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．３９Ｖから発光が開始し、５．０Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２０．４０ｃｄ／Ａであった。
【０４５０】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は４４３．４時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。これは比較例６に対して、７．９９倍の長寿命化を示した。
【０４５１】
［比較例４］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．４重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｈの溶液と、１．４重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２５を調製した点、並びに該組成物２５をスピンコートにより２０００ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４５２】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−４に由来する６２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．５９Ｖから発光が開始し、５．１Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１０．８０ｃｄ／Ａであった。
【０４５３】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１６．０時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４５４】
［比較例５］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．５重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｈの溶液と、１．５重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２６を調製した点、並びに該組成物２６をスピンコートにより２９５０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４５５】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−３に由来する６００ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．４６Ｖから発光が開始し、４．５Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は２９．１０ｃｄ／Ａであった。
【０４５６】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０３．１時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４５７】
［比較例６］
＜有機ＥＬ素子の作製及び評価＞
実施例５において、組成物６に代えて、１．４重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた高分子化合物Ｈの溶液と、１．４重量％の濃度でキシレン溶媒中に溶解させた発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５の溶液とを、重量比で、９２．５：７．５となるように混合して、組成物２７を調製した点、並びに該組成物２７をスピンコートにより２１１０ｒｐｍの回転速度で成膜した点以外は実施例５と同様にして、有機ＥＬ素子を作製した。
【０４５８】
得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、この素子から発光性有機金属錯体化合物ＭＣ−５に由来する６１５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。該素子は２．５６Ｖから発光が開始し、５．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ2の発光を示し、最大発光効率は１８．６０ｃｄ／Ａであった。
【０４５９】
上記で得られた有機ＥＬ素子を初期輝度が８０００ｃｄ／ｍ2となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は５５．５時間後に初期輝度の８０％まで減衰した。
【０４６０】
［実施例２２］
＜化合物Ｍ−１１の合成＞
・ＣＭ−１６の合成
【化１３１】
0005860235.tif 000132
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０４６１】
内部の気体をアルゴンガスで置換したセパラブルフラスコに、３，５−ジブロモ−４−メチル安息香酸（化合物ＣＭ−１４、６０ｇ、２０５ｍｍｏｌ）、化合物ＣＭ−１５（２００ｇ、４３０ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド（８．６ｇ、１２ｍｍｏｌ、６ｍｏｌ％）、及びトルエン（１３００ｍＬ）を加え、撹拌しながら９０℃に加熱する。次いで、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６００ｍＬ）を滴下する。滴下終了後、２４時間加熱還流させる。反応液を分液ロートに移し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸、及び、１０重量％食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにて脱水した後、シリカゲルを敷き詰めたロートに通液し、溶媒を減圧溜去する。得られた残渣をクロロホルム−メタノール系にて再結晶することにより、白色の化合物ＣＭ−１６が得られる。
【０４６２】
【化１３２】
0005860235.tif 000133
（式中、Ｍｅはメチル基を表し、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。）
【０４６３】
内部の気体をアルゴンガスで置換したセパラブルフラスコに、化合物ＣＭ−１６（４１ｇ、５０ｍｍｏｌ）、モノクロロベンゼン（１００ｍＬ）及びＤＭＦ（０．１ｍＬ）を加え、６０℃で加熱撹拌する。次に、塩化チオニル（１２．５ｇ、１０５ｍｍｏｌ、２．１当量）をゆっくりと滴下する。１０時間以上加熱撹拌した後、溶媒を減圧溜去する。得られた残渣に、モノクロロベンゼン（２００ｍＬ）及び４−ブロモベンゾニトリル（１８ｇ、１００ｍｍｏｌ）を加え、反応器を氷冷し撹拌する。続いて、五塩化アンチモン（１５ｇ、５０ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後に室温まで昇温させ、４８時間以上撹拌する。得られた反応混合物を、２５重量％アンモニア水溶液に撹拌しながら滴下する。有機層に沈殿が生じる場合やエマルジョンを形成する場合は、クロロホルムで希釈する。反応液から水層を除去し、有機層をイオン交換水で２回以上洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水する。溶媒を減圧留去し、得られた残渣をクロロホルムに溶解させ、シリカゲルを敷き詰めたロートに通液し、溶媒を減圧溜去する。得られた残渣をクロロホルム−メタノール系にて再結晶することにより、白色の化合物Ｍ−１１が得られる。