(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と所定のパターンを有する導体層とを備えた配線回路基板の製造方法であって、
露光光が部分的に透過するように構成された部分透光領域を有するフォトマスクを用いて前記絶縁層に露光光を照射する階調露光を行う工程と、
前記部分透光領域を通して露光光が照射された前記絶縁層の部分に凹部が形成されるように前記絶縁層に現像処理を施す工程とを備え、
前記フォトマスクの前記部分透光領域は、
第１の領域と、
前記第１の領域を取り囲むように設けられた第２の領域とを含み、
前記第１の領域に、露光光が透過可能な複数の第１の光透過部が設けられ、前記第２の領域に、露光光が透過可能な複数の第２の光透過部が設けられ、
前記複数の第１の光透過部と前記複数の第２の光透過部とは相似形状を有し、
前記第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が前記第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多くなるように、前記複数の第１の光透過部の各々の大きさと前記複数の第２の光透過部の各々の大きさとの関係、および前記複数の第１の光透過部のピッチと前記複数の第２の光透過部のピッチとの関係が設定され、
前記複数の第１の光透過部の大きさは互いに等しくかつ前記複数の第１の光透過部のピッチは均一であり、前記複数の第２の光透過部の大きさは互いに等しくかつ前記複数の第２の光透過部のピッチは均一である、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層の凹部は内側面および底面を有し、前記底面を構成する前記絶縁層の部分の厚みは一定である、請求項１記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
各第２の光透過部を透過する露光光の量は各第１の光透過部を透過する露光光の量よりも多い、請求項１または２記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
各第２の光透過部を透過する露光光の量は、各第１の光透過部を透過する露光光の量の１．１倍以上１．５倍以下である、請求項３記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
各第１の光透過部および各第２の光透過部は、それぞれ円形である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】
各第１の光透過部の径は、４μｍ以上１４μｍ以下である、請求項５記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項７】
一の第１の光透過部の中心点とその第１の光透過部に最も近接する他の第１の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
一の第２の光透過部の中心点とその第２の光透過部に最も近接する他の第２の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記複数の第１および第２の光透過部は複数の列をなし、前記複数の列のうち一の列の複数の第１および第２の光透過部とそれに隣り合う他の列の複数の第１および第２の光透過部とが千鳥状に配置される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層は、導電性支持基板上に形成されるとともに露光光が照射されるべき第１の面と前記導電性支持基板に接する第２の面とを有し、
現像処理後の前記絶縁層の前記凹部の内部および前記絶縁層の第１の面上に延びるように前記導体層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記凹部に重なる前記導電性支持基板の部分にエッチングにより開口を形成する工程と、
前記絶縁層の前記凹部の内部に形成された前記導体層の部分が露出するように、前記導電性支持基板の前記開口を通して露出する前記絶縁層の部分を除去する工程とをさらに備えた、請求項１〜９のいずれか一項に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される導体層とを備え、
前記絶縁層は、請求項１〜１０のいずれかの方法により形成された凹部を有する、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる回路付きサスペンション基板とを備える。回路付きサスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
特許文献１に記載される回路付きサスペンション基板は、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子を有する。磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子は、両面が露出したフライングリードとして形成される。
【０００４】
この回路付きサスペンション基板の製造時には、支持基板上に感光性樹脂からなる被膜が形成されるとともに、その被膜に露光処理および現像処理が施されることにより所定のパターンを有するベース層が形成される。この場合、フォトマスクを用いて階調露光を行うことにより、ベース層に他の部分より厚みが小さい開口部が形成される。その後、開口部内を通って延びるようにベース層上に導体層が形成され、導体層上にカバー層が形成される。
【０００５】
また、ベース層の開口部に対応するカバー層の部分が開口されることにより導体層の表面が露出される。さらに、ベース層の開口部に対応する支持基板の部分に開口部が形成されるとともに、ベース層の開口部が貫通されることにより、導体層の裏面が露出される。露出された導体層の両面に、金属めっき層が形成される。このようにして、磁気ヘッド側接続端子および外部側接続端子が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３５２１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の製造方法では、支持基板上の被膜の現像処理時に、開口部を形成すべき皮膜の部分が過剰に溶解し、開口部の底面を貫通するように孔が形成されることがある。その場合、後の工程で支持基板に開口部が形成される際に、開口部内に形成された導体層の一部が開口部の孔を通して除去される可能性がある。
【０００８】
本発明の目的は、階調露光時に絶縁層に孔が形成されることが防止された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）第１の発明に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層と所定のパターンを有する導体層とを備えた配線回路基板の製造方法であって、露光光が部分的に透過するように構成された部分透光領域を有するフォトマスクを用いて絶縁層に露光光を照射する階調露光を行う工程と、部分透光領域を通して露光光が照射された絶縁層の部分に凹部が形成されるように絶縁層に現像処理を施す工程とを備え、フォトマスクの部分透光領域は、第１の領域と、第１の領域を取り囲むように設けられた第２の領域とを含み、第１の領域に、露光光が透過可能な複数の第１の光透過部が設けられ、第２の領域に、露光光が透過可能な複数の第２の光透過部が設けられ、複数の第１の光透過部と複数の第２の光透過部とは相似形状を有し、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多くなるように、複数の第１の光透過部の各々の大きさと複数の第２の光透過部の各々の大きさとの関係、および複数の第１の光透過部のピッチと複数の第２の光透過部のピッチとの関係が設定され、複数の第１の光透過部の大きさは互いに等しくかつ複数の第１の光透過部のピッチは均一であり、複数の第２の光透過部の大きさは互いに等しくかつ複数の第２の光透過部のピッチは均一であるものである。
【００１０】
この製造方法においては、露光光が部分的に透過するように構成された部分透光領域を有するフォトマスクを用いて絶縁層に階調露光が行われる。その後、絶縁層に現像処理が施される。それにより、部分透光領域を通して露光光が照射された絶縁層の部分に凹部が形成される。
【００１１】
フォトマスクの部分透光領域においては、第１の領域を取り囲むように第２の領域が設けられる。この場合、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多い。
【００１２】
これにより、部分透光領域を通して露光光が照射される絶縁層の部分のうち、現像処理時に溶解されやすい周縁部の領域に、他の領域よりも多くの露光光が照射される。したがって、現像処理時に周縁部の領域が過剰に溶解されることが防止される。その結果、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止される。
【００１３】
（２）絶縁層の凹部は内側面および底面を有し、底面を構成する絶縁層の部分の厚みは一定であってもよい。
【００１４】
この場合、上記のフォトマスクを用いることにより、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることを防止しつつ、絶縁層の凹部の底面を構成する絶縁層の部分の厚みを一定にすることができる。
【００１５】
（３）各第２の光透過部を透過する露光光の量は各第１の光透過部を透過する露光光の量よりも多くてもよい。
【００１６】
この場合、簡単な構成で、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均を第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多くすることができる。
【００１７】
（４）各第２の光透過部を透過する露光光の量は、各第１の光透過部を透過する露光光の量の１．１倍以上１．５倍以下であってもよい。
【００１８】
この場合、複数の第１および第２の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。それにより、絶縁層の凹部を良好に形成することができる。
【００１９】
（５）各第１の光透過部および各第２の光透過部は、それぞれ円形であってもよい。
【００２０】
この場合、フォトマスクの製造時に、複数の第１および第２の光透過部を精度よく形成することができる。
【００２１】
（６）各第１の光透過部の径は、４μｍ以上１４μｍ以下であってもよい。
【００２２】
この場合、各第１の光透過部の径が４μｍ以上であることにより、フォトマスクの製造時に、複数の第１の光透過部の径にばらつきが生じることが防止される。また、各第１の光透過部の径が１４μｍ以下であることにより、絶縁層の階調露光時に、複数の第１の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
【００２３】
（７）一の第１の光透過部の中心点とその第１の光透過部に最も近接する他の第１の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下であってもよい。
【００２４】
この場合、複数の第１の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
【００２５】
（８）一の第２の光透過部の中心点とその第２の光透過部に最も近接する他の第２の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下であってもよい。
【００２６】
この場合、複数の第２の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
【００２７】
（９）複数の第１および第２の光透過部は複数の列をなし、複数の列のうち一の列の複数の第１および第２の光透過部とそれに隣り合う他の列の複数の第１および第２の光透過部とが千鳥状に配置されてもよい。
【００２８】
この場合、複数の第１の光透過部を通して絶縁層に均一に露光光を照射することができるとともに、複数の第２の光透過部を通して絶縁層に均一に露光光を照射することができる。それにより、絶縁層の凹部を適正に形成することができる。
【００２９】
（１０）絶縁層は、導電性支持基板上に形成されるとともに露光光が照射されるべき第１の面と導電性支持基板に接する第２の面とを有し、製造方法は、現像処理後の絶縁層の凹部の内部および絶縁層の第１の面上に延びるように導体層を形成する工程と、絶縁層の凹部に重なる導電性支持基板の部分にエッチングにより開口を形成する工程と、絶縁層の凹部の内部に形成された導体層の部分が露出するように、導電性支持基板の開口を通して露出する絶縁層の部分を除去する工程とをさらに備えてもよい。
【００３０】
この場合、導電性支持基板の開口を通して導体層の部分が露出されるので、導電性支持基板の開口を通して導体層に外部回路の端子を接続することが可能となる。本発明によれば、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止されるので、導電性支持基板に開口を形成する工程において、導電性支持基板の部分とともに導体層の部分がエッチングにより除去されることが防止される。それにより、導体層による信号伝送性が確保される。
【００３１】
（１１）第２の発明に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成される導体層とを備え、絶縁層は、第１の発明に係る方法により形成された凹部を有するものである。
【００３２】
その配線回路基板においては、上記第１の発明に係る方法により絶縁層に凹部が形成されるので、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止される。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、階調露光時に絶縁層に孔が形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のサスペンション基板のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】フォトマスクの一部の平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図８】フォトマスクの比較例の平面図である。
【図９】図８のフォトマスクを用いて絶縁層の階調露光を行った場合に生じる問題について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板および配線回路基板の製造方法について図面を参照しながら説明する。以下の実施の形態に係る配線回路基板は、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）である。
【００３６】
（１）サスペンション基板の構成
図１は、本実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。図２は、図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。図１および図２に示すように、サスペンション基板１は、例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状の支持基板１０を備える。支持基板１０の先端部には、Ｕ字状の開口部４０を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）５０が設けられている。タング部５０は、支持基板１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。
【００３７】
支持基板１０上に例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１が形成される。ベース絶縁層１１上に例えば４本の導体パターン１２が形成される。４本の導体パターン１２のうち、２本の導体パターン１２は、支持基板１０の一方の側辺に沿うように形成され、他の２本の導体パターン１２は、支持基板１０の他方の側辺に沿うように形成される。図２に示すように、導体パターン１２は、ベース絶縁層１１上に形成される信号伝送部２１、および信号伝送部２１の表面を被覆するように形成される金属皮膜２２を含む。信号伝送部２１は、例えば銅からなり、金属被膜２２は、例えばニッケルからなる。導体パターン１２を覆うように例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１３が形成される。
【００３８】
タング部５０上に４つの電極パッド２０が形成される。また、支持基板１０の他端部上に４つの電極パッド２５が形成される。４つの電極パッド２０と４つの電極パッド２５とが４本の導体パターン１２によりそれぞれ電気的に接続される。
【００３９】
（２）電極パッド
電極パッド２０，２５およびその周辺部分の詳細な構成について説明する。図３は、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図であり、一の電極パッド２５およびその周辺部分を示す。他の電極パッド２５およびその周辺部分の構成、ならびに各電極パッド２０およびその周辺部分の構成は、図３に示す構成と同様である。
【００４０】
図３に示すように、支持基板１０に開口１０ａが形成される。また、開口１０ａに重なるベース絶縁層１１の部分に開口１１ａが形成される。開口１１ａは、ベース絶縁層１１の上面から一定深さまで形成された上面孔１１１、およびベース絶縁層１１の下面から上面孔１１１に連通するように形成された下面孔１１２からなる。
【００４１】
上面孔１１１の横断面の面積は、ベース絶縁層１１の上面から下面に向かって漸次小さくなる。本実施の形態では、階調露光により上面孔１１１が形成される。この場合、露光光が部分的に透過可能な部分透光領域３０ｐ（図４）を有するフォトマスク３０（図４）が用いられる。フォトマスク３０の詳細については後述する。
【００４２】
下面孔１１２の横断面の面積は、上下方向において一定であり、支持基板１０の開口１０ａの横断面の面積と等しい。下面孔１１２の内周面は、支持基板１０の開口１０ａの内周面と連続する。
【００４３】
ベース絶縁層１１の上面および上面孔１１１の内周面を通って延びるように導体パターン１２の信号伝送部２１が形成される。この場合、下面孔１１２および支持基板１０の開口１０ａを通して信号伝送部２１の下面の部分が露出する。露出する信号伝送部２１の下面の部分を被覆するように例えばニッケルおよび金からなるめっき層１６が形成される。
【００４４】
開口１１ａに重なるカバー絶縁層１３の部分に開口１３ａが形成される。また、開口１３ａに重なる金属被膜２２の部分が除去される。それにより、開口１３ａを通して信号伝送部２１の上面の部分が露出する。露出する信号伝送部２１の上面の部分に例えばニッケルおよび金からなるめっき層１５が形成される。
【００４５】
このように、サスペンション基板１の表面（上面）および裏面（下面）のいずれからでも外部回路を導体パターン１２に電気的に接続することができるように、電極パッド２０，２５がフライングリードとして形成される。
【００４６】
（３）フォトマスク
図４は、フォトマスク３０の一部の平面図である。図４において、互いに直交する２方向をＸ方向およびＹ方向と定義する。
【００４７】
図４に示すように、フォトマスク３０は、露光光が部分的に透過可能な部分透光領域３０ｐ、露光光の略全てが透過可能な全透光領域３０ｑおよび露光光が透過しない遮光領域（図示せず）を有する。図４の例では、部分透光領域３０ｐは矩形状を有する。全透光領域３０ｑは、部分透光領域３０ｐの４辺を取り囲むように設けられる。部分透光領域３０ｐの単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均は、全透光領域３０ｑの単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも少ない。
【００４８】
フォトマスク３０の部分透光領域３０ｐには、複数の孔部３０ｘ，３０ｙが、Ｘ方向に沿った複数の列をなすように形成される。以下、Ｘ方向に沿った複数の孔部３０ｘ，３０ｙからなる列を孔部列Ｆと呼ぶ。複数の孔部列Ｆは、Ｙ方向において等間隔で配置される。
【００４９】
孔部３０ｘの径は、孔部３０ｙの径より大きい。複数の孔部３０ｘは、複数の孔部３０ｙを取り囲むように配置される。具体的には、フォトマスク３０の外周部に沿った一定幅Ｄの環状の領域Ｒ１に孔部３０ｘが配置され、領域Ｒ１の内側の領域Ｒ２に孔部３０ｙが配置される。ここで、領域Ｒ１に孔部３０ｘが配置されるとは、領域Ｒ１内に孔部３０ｘの中心点ＣＰが位置することをいう。同様に、領域Ｒ２に孔部３０ｙが配置されるとは、領域Ｒ２内に孔部３０ｙの中心点ＣＰが位置することをいう。図４では、領域Ｒ１にハッチングが付される。
【００５０】
領域Ｒ１の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均は、領域Ｒ２の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多い。本例では、複数の孔部列ＦのうちＹ方向において両端に位置する孔部列Ｆが複数の孔部３０ｘのみからなる。他の孔部列Ｆの各々において、Ｘ方向において両端に孔部３０ｘが位置し、その間に複数の孔部３０ｙが位置する。
【００５１】
孔部３０ｘを透過する露光光の量は、孔部３０ｙを透過する露光光の量の１．１倍以上１．５倍以下であることが好ましい。孔部３０ｙの径は、例えば４μｍ以上１４μｍ以下であり、６μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。孔部３０ｘの径は、孔部３０ｙの径の例えば１．０５倍以上１．４０倍以下であり、１．０５倍以上１．３０倍以下であることが好ましい。孔部３０ｘの径が孔部３０ｙの径の１．０５倍以上であることにより、後述のように、ベース絶縁層１１に貫通孔が形成されることが防止される。また、孔部３０ｘの径が孔部３０ｙの径の１．４０倍以下であることにより、ベース絶縁層１１に確実に階調露光を行うことができる。
【００５２】
以下、孔部３０ｘ，３０ｙを総称して孔部３０ａと呼ぶ。各孔部列Ｆにおいて、複数の孔部３０ａのピッチＰ１は均一に設定される。ここで、ピッチＰ１とは、隣り合う２つの孔部３０ａの一方の孔部３０ａの中心点ＣＰと他方の孔部３０ａの中心点ＣＰとの間の距離をいう。
【００５３】
また、一の孔部列Ｆの複数の孔部３０ａとそれに隣り合う他の孔部列Ｆの複数の孔部３０ａとが千鳥状に配置される。具体的には、一の孔部列Ｆの各孔部３０ａの中心点ＣＰの位置に対して、それに隣り合う他の孔部列Ｆの各孔部３０の中心点ＣＰの位置が、上記のピッチＰ１の２分の１だけＸ方向にずれるように設定される。
【００５４】
また、隣り合う各２つの孔部列Ｆにおいて、一方の孔部列Ｆの各孔部３０ａと、その孔部３０ａと最も近い他方の孔部列Ｆの孔部３０ａとの間のピッチＰ２は、上記のピッチＰ１と等しく設定される。
【００５５】
ピッチＰ１，Ｐ２は、例えば６μｍ以上２８μｍ以下であり、７μｍ以上２８μｍ以下であることが好ましい。ピッチＰ１，Ｐ２が６μｍ以上であることにより、各孔部３０ａの寸法精度が確保される。それにより、後述のように、ベース絶縁層１１に貫通孔が形成されることが防止される。また、ピッチＰ１，Ｐ２が２８μｍ以下であることにより、ベース絶縁層１１に確実に階調露光を行うことができる。
【００５６】
（４）製造方法
図５〜図７は、サスペンション基板１の製造方法について説明するための工程断面図である。図５〜図７には、図３の一の電極パッド２５およびその周辺部分の製造工程が示される。他の電極パッド２５およびその周辺部分の製造工程、ならびに各電極パッド２０およびその周辺部分の製造工程は、図５〜図７に示す製造工程と同様である。
【００５７】
まず、図５（ａ）に示すように、支持基板１０を用意し、その支持基板１０上にベース絶縁層１１の前駆体として絶縁層１１ｃを形成する。支持基板１０の材料として、例えばステンレス鋼またはアルミニウム等の金属材料が用いられる。支持基板１０の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。
【００５８】
絶縁層１１ｃの材料として、ネガ型の感光性樹脂が用いられる。例えば感光性ポリイミド樹脂または感光性エポキシ樹脂が用いられる。絶縁層１１ｃは、例えば、支持基板１０上に感光性樹脂の溶液を塗布し、その溶液を加熱することにより形成される。加熱温度は、例えば、６０℃以上１５０℃以下であり、８０℃以上１２０℃以下であることが好ましい。
【００５９】
次に、図５（ｂ）に示すように、図４のフォトマスク３０を用いて絶縁層１１ｃに露光処理を施す。この場合、上面孔１１１を形成すべき絶縁層１１ｃの部分に対向するように部分透光領域３０ｐが配置され、一定の厚みを維持すべき絶縁層１１ｃの部分に対向するように全透光領域３０ｑが配置され、除去すべき絶縁層１１ｃの部分に対向するように遮光領域（図示せず）が配置される。部分透光領域３０ｐに対向する絶縁層１１ｃの部分には、露光光が部分透光領域３０ｐを透過して入射し、全透光領域３０ｑに対向する絶縁層１１ｃの部分には、露光光が全透光領域３０ｑを透過して入射し、遮光領域に対向する絶縁層１１ｃの部分には、露光光が入射しない。これにより、絶縁層１１ｃの階調露光が行われる。
【００６０】
露光処理後、例えば１５０℃以上１８０℃以下に絶縁層１１ｃを加熱する。これにより、露光光が入射した絶縁層１１ｃの部分が、後の現像処理時に不溶となる。
【００６１】
露光光の波長は、例えば３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であり、３５０ｎｍ以上４２０ｎｍ以下であることが好ましい。また、露光光の積算光量は、例えば１００ｍｊ／ｃｍ２以上１５００ｍｊ／ｃｍ２以下であり、１００ｍｊ／ｃｍ２以上５００ｍｊ／ｃｍ２以下であることが好ましい。露光光の積算光量が１００ｍｊ／ｃｍ２以上であることにより、ベース絶縁層１１の必要な厚みを確保することができる。一方、露光光の積算光量が１５００ｍｊ／ｃｍ２以下であることにより、ベース絶縁層１１の厚みが必要以上に大きくなることが防止される。
【００６２】
次に、露光処理後の絶縁層１１ｃに現像処理を施し、現像処理後の絶縁層１１ｃを例えば２５０℃に加熱することによって硬化（イミド化）させる。これにより、所定のパターンを有するベース絶縁層１１が形成される。また、図５（ｃ）に示すように、電極パッド２５が形成されるべきベース絶縁層１１の部分には、上面孔１１１が形成される。ベース絶縁層１１の厚みＴ１は、例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。また、上面孔１１１の深さＴ２は、例えばベース絶縁層１１の厚みＴ１の２０％以上であり、具体的には、例えば２μｍ以上であり、５μｍ以上であることが好ましい。
【００６３】
次に、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１１上に所定のパターンを有する信号伝送部２１を形成する。この場合、サブトラクティブ法、アディティブ法またはセミアディティブ法等のうち任意の方法を用いることができる。電極パッド２５が形成されるべき部分では、上面孔１１１の内周面および底面を通るように信号伝送部２１が形成される。
【００６４】
信号伝送部２１の材料として、例えば、銅、金（Ａｕ）もしくはアルミニウム等の金属、または銅合金もしくはアルミニウム合金等の合金が用いられる。信号伝送部２１の厚みＴ３は、例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。
【００６５】
次に、図６（ａ）に示すように、信号伝送部２１の表面を被覆するように、例えば無電解ニッケルめっきにより金属被膜２２を形成する。これにより、信号伝送部２１および金属被膜２２からなる導体パターン１２が形成される。金属被膜２２の厚みは、例えば０．０５μｍ以上０．１μｍ以下である。
【００６６】
次に、図６（ｂ）に示すように、導体パターン１２を覆うように、カバー絶縁層１３の前駆体として絶縁層１３ｃを形成する。絶縁層１３ｃの材料として、例えば、絶縁層１１ｃと同様のネガ型の感光性樹脂が用いられる。
【００６７】
次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層１１ｃと同様に、絶縁層１３ｃに露光処理および現像処理を施し、現像処理後の絶縁層１３ｃを加熱硬化させることにより、所定のパターンを有するカバー絶縁層１３を形成する。電極パッド２５が形成されるべきカバー絶縁層１３の部分には、開口１３ａが形成される。これにより、開口１３ａを通して金属被膜２２の部分が露出する。カバー絶縁層１３の厚みＴ３は、例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【００６８】
次に、図６（ｄ）に示すように、例えば化学エッチングにより、支持基板１０に開口１０ａを形成する。これにより、開口１０ａを通してベース絶縁層１１の下面孔１１２が形成されるべき部分が露出する。このとき、図１の開口４０等も同時に形成される。
【００６９】
次に、図７（ａ）に示すように、カバー絶縁層１３の開口１３ａを通して露出する金属薄膜２２の部分を例えば剥離により除去する。これにより、開口１３ａを通して信号伝送部２１の上面の部分が露出する。次に、図７（ｂ）に示すように、支持基板１０の開口１０ａを通して露出するベース絶縁層１１の部分に例えばプラズマエッチングにより下面孔１１２を形成する。これにより、下面孔１１２を通して信号伝送部２１の下面の部分が露出する。
【００７０】
次に、図７（ｃ）に示すように、カバー絶縁層１３の開口１３ａを通して露出する信号伝送部２１の上面の部分にめっき層１５を形成するとともに、支持基板１０の開口１０ａおよびベース絶縁層１１の下面孔１１２を通して露出する信号伝送部２１の下面の部分にめっき層１６を形成する。めっき層１５，１６の各々は、例えば、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきを順次行うことにより形成される。めっき層１５，１６の各々の厚みは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。めっき層１５，１６の材料として、ニッケルおよび金のいずれか一方のみ用いてもよく、または錫等の他の金属材料を用いてもよい。このようにして、電極パッド２０，２５を有するサスペンション基板１が作製される。
【００７１】
（５）比較例
図８は、フォトマスク３０の比較例の平面図である。図８のフォトマスク３０について図４のフォトマスク３０と異なる点を説明する。図８のフォトマスク３０は、部分透光領域３０ｐの代わりに部分透光領域３０ｒを有する。部分透光領域３０ｒにおいては、複数の孔部３０ｘ，３０ｙの代わりに、複数の孔部３０ｃが形成される。複数の孔部３０ｃの径は互いに等しく、それぞれ４μｍ未満に設定される。また、複数の孔部３０ｃのピッチＰ１，Ｐ２は、６μｍ未満に設定される。
【００７２】
図８のフォトマスク３０の代わりに図８のフォトマスク３０を用いた場合、以下のような問題が生じる。図９は、図８のフォトマスク３０を用いてベース絶縁層１１（絶縁層１１ｃ）の階調露光を行った場合に生じる問題について説明するための図である。
【００７３】
図４のフォトマスク３０では、部分透光領域３０ｒの孔部３０ｃの径が４μｍ未満に設定されているので、フォトマスク３０の作製時に、複数の孔部３０ｃの径にばらつきが生じやすい。その場合、部分透光領域３０ｒの一部の領域を透過する露光光の量が他の領域を透過する露光光の量よりも少なくなることがある。そのため、上面孔１１１を形成すべき絶縁層１１ｃの領域の一部で、露光光の入射量が必要量よりも少なくなる可能性がある。それにより、図９（ａ）に示すように、現像処理時に（図５（ｃ）の工程）、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成される可能性がある。特に、上面孔１１１の底面の周縁部においては、現像処理時に用いられる現像促進剤の影響によって孔Ｈが形成されやすい。
【００７４】
ベース絶縁層１１に孔Ｈが形成されると、信号伝送部２１が形成される際に（図５（ｄ）の工程）、図９（ｂ）に示すように、孔Ｈを埋めるように信号伝送部２１が形成される。この場合、支持基板１０と信号伝送部２１とが孔Ｈを介して導通する。これにより、エッチングによって支持基板１０に開口１０ａが形成される際（図６（ｄ）の工程）に、図９（ｃ）に示すように、支持基板１０の一部とともに、孔Ｈ内および孔Ｈの周囲における信号伝送部２１の部分が除去される。その結果、外観不良が発生する。また、後の工程で形成されるめっき層１６の表面が平坦でなくなるので、外部回路の端子がめっき層１６に接続される際に、接続不良が生じる可能性がある。
【００７５】
（６）本実施の形態の効果
本実施の形態では、部分透光領域３０ｐを有するフォトマスク３０を用いて絶縁層１１ｃの階調露光が行われる。部分透光領域３０ｐにおいては、環状の領域Ｒ１に複数の孔部３０ｘが配置されるとともに、領域Ｒ１の内側の領域Ｒ２に孔部３０ｘよりも径小の複数の孔部３０ｙが配置される。
【００７６】
この場合、領域Ｒ１の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が、領域Ｒ２の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多い。それにより、上面孔１１１が形成されるべき絶縁層１１ｃの部分のうち、現像処理時に溶解されやすい周縁部の領域に他の領域よりも多くの露光光が照射される。したがって、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成されることが防止される。
【００７７】
また、孔部３０ｘを透過する露光光の量が孔部３０ｙを透過する露光光の量の１．１倍以上１．５倍以下であることにより、複数の孔部３０ｘ，３０ｙを通して上面孔１１１が形成されるべき絶縁層１１ｃの部分に必要量の露光光が適正に照射される。それにより、上面孔１１１を良好に形成することができる。
【００７８】
また、各孔部３０ｙの径が４μｍ以上であることにより、フォトマスク３０の製造時に、複数の孔部３０ｙの径にばらつきが生じることが防止される。それにより、複数の孔部３０ｙを通して必要量の露光光を絶縁層１１ｃに照射することができる。したがって、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成されることをより確実に防止することができる。また、各孔部３０ｙの径が１４μｍ以下であることにより、複数の孔部３０ｙを通して絶縁層１１ｃに過剰に露光光が照射されることが防止される。
【００７９】
また、複数の孔部３０ｘ，３０ｙのピッチＰ１,Ｐ２が６μｍ以上２８μｍ以下であることにより、各孔部３０ｘ，３０ｙの寸法精度を確保しつつ上面孔１１１が形成されるべき絶縁層１１ｃの部分に必要量の露光光が適正に照射される。
【００８０】
また、一の孔部列Ｆの複数の孔部３０ｘ，３０ｙとそれに隣り合う他の孔部列Ｆの複数の孔部３０ｘ，３０ｙとが千鳥状に配置されるので、複数の孔部３０ｘを通して絶縁層１１ｃに均一に露光光を照射することができるとともに、複数の孔部３０ｙを通して絶縁層１１ｃに均一に露光光を照射することができる。それにより、上面孔１１１を良好に形成することができる。
【００８１】
（７）実施例および比較例
（７−１）実施例１〜３
実施例１〜３として、図４のフォトマスク３０を用いて絶縁層１１ｃの露光処理を行った。実施例１では、孔部３０ｙの径を８μｍとし、孔部３０ｘの径を孔部３０ｙの径の１．２倍とし、ピッチＰ１，Ｐ２を１４．５μｍとした。実施例２では、孔部３０ｙの径を４μｍとし、孔部３０ｘの径を孔部３０ｙの径の１．０８倍とし、ピッチＰ１，Ｐ２を８．５μｍとした。実施例３では、孔部３０ｙの径を１２μｍとし、孔部３０ｘの径を孔部３０ｙの径の１．３８倍とし、ピッチＰ１，Ｐ２を２５μｍとした。
【００８２】
（７−２）比較例
比較例として、図８のフォトマスク３０を用いて絶縁層１１ｃの露光処理を行った。比較例では、孔部３０ｃの径を３μｍとし、ピッチＰ１，Ｐ２を５μｍとした。
【００８３】
（７−３）評価
実施例１〜３では、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成されることはなかった。一方、比較例では、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成された。これにより、図４のフォトマスク３０を用いることにより、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成されることが防止されることがわかった。
【００８４】
（８）他の実施の形態
（８−１）
上記実施の形態では、フォトマスク３０の領域Ｒ１に配置される複数の孔部３０ｘのピッチと領域Ｒ２に配置される複数の孔部３０ｙのピッチとが互いに等しく、かつ各孔部３０ｘの径が各孔部３０ｙの径よりも大きいことにより、領域Ｒ１の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が領域Ｒ２の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多いが、露光光の透過量の調整方法はこれに限らない。例えば、各孔部３０ｘの径と各孔部３０ｙの径とが互いに等しく、かつ複数の孔部３０ｘのピッチが複数の孔部３０ｙのピッチよりも小さいことにより、領域Ｒ１の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が領域Ｒ２の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多くてもよい。
【００８５】
（８−２）
上記実施の形態では、各孔部３０ｘの径が各孔部３０ｙの径よりも大きいことにより、各孔部３０ｘを透過する露光光の量が各孔部３０ｙを透過する露光光の量よりも多いが、露光光の透過量の調整方法はこれに限らない。例えば、孔部３０ｘ，３０ｙの代わりに透光性材料からなる光透過部が部分透光領域３０ｐの領域Ｒ１，Ｒ２に設けられ、領域Ｒ１の光透過部が領域Ｒ２の光透過部よりも透光性が高い材料から形成されてもよい。
【００８６】
（８−３）
上記実施の形態では、フォトマスク３０の複数の孔部３０ｘ，３０ｙがそれぞれ円形を有するが、これに限らず、三角形または四角形等の他の形状を有してもよい。
【００８７】
（８−４）
上記実施の形態では、フォトマスク３０の複数の孔部３０ｘ，３０ｙが、千鳥状に配置されるが、これに限らず、複数の孔部３０ｘ，３０ｙが、マトリクス状等の他の配置であってもよい。また、上面孔１１１の底面を貫通するように孔Ｈが形成されることを防止可能であれば、複数の孔部３０ｘ，３０ｙのピッチＰ１，Ｐ２が一定でなくてもよい。
【００８８】
（８−５）
上記実施の形態では、ベース絶縁層１１の形成時に図４のフォトマスク３０を用いて階調露光が行われるが、これに限らず、カバー絶縁層１３等の他の絶縁層の形成時に図４のフォトマスク３０を用いて階調露光が行われてもよい。
【００８９】
（８−６）
上記実施の形態は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするためのサスペンション基板１の製造に本発明を適用した例であるが、フレキシブル基板等の他の配線回路基板の製造に本発明を適用してもよい。
【００９０】
（９）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００９１】
上記実施の形態では、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、ベース絶縁層１１（絶縁層１１ｃ）が絶縁層の例であり、信号伝送部２１が導体層の例であり、フォトマスク３０がフォトマスクの例であり、部分透光領域３０Ｐが部分透光領域の例であり、上面孔１１１が凹部の例であり、領域Ｒ２が第１の領域の例であり、領域Ｒ１が第２の領域の例であり、孔部３０ｙが第１の光透過部の例であり、孔部３０ｘが第２の光透過部の例であり、上面が第１の面の例であり、下面が第２の面の例であり、支持基板１０が導電性支持基板の例であり、開口１０ａが開口の例である。
【００９２】
請求項の各構成要素として、上記実施の形態に記載された構成要素の他、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の構成要素を用いることもできる。
（１０）参考形態
第１の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層と所定のパターンを有する導体層とを備えた配線回路基板の製造方法であって、露光光が部分的に透過するように構成された部分透光領域を有するフォトマスクを用いて絶縁層に露光光を照射する階調露光を行う工程と、部分透光領域を通して露光光が照射された絶縁層の部分に凹部が形成されるように絶縁層に現像処理を施す工程とを備え、フォトマスクの部分透光領域は、第１の領域と、第１の領域を取り囲むように設けられた第２の領域とを含み、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均は、第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多いものである。
この製造方法においては、露光光が部分的に透過するように構成された部分透光領域を有するフォトマスクを用いて絶縁層に階調露光が行われる。その後、絶縁層に現像処理が施される。それにより、部分透光領域を通して露光光が照射された絶縁層の部分に凹部が形成される。
フォトマスクの部分透光領域においては、第１の領域を取り囲むように第２の領域が設けられる。この場合、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均が第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多い。
これにより、部分透光領域を通して露光光が照射される絶縁層の部分のうち、現像処理時に溶解されやすい周縁部の領域に、他の領域よりも多くの露光光が照射される。したがって、現像処理時に周縁部の領域が過剰に溶解されることが防止される。その結果、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止される。
絶縁層の凹部は内側面および底面を有し、底面を構成する絶縁層の部分の厚みは一定であってもよい。
この場合、上記のフォトマスクを用いることにより、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることを防止しつつ、絶縁層の凹部の底面を構成する絶縁層の部分の厚みを一定にすることができる。
フォトマスクの部分透光領域は、第１の領域に配置され、露光光が透過可能な複数の第１の光透過部と、第２の領域に配置され、露光光が透過可能な複数の第２の光透過部とを有し、各第２の光透過部を透過する露光光の量は各第１の光透過部を透過する露光光の量よりも多くてもよい。
この場合、簡単な構成で、第２の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均を第１の領域の単位面積当たりにおける露光光の透過量の平均よりも多くすることができる。
各第２の光透過部を透過する露光光の量は、各第１の光透過部を透過する露光光の量の１．１倍以上１．５倍以下であってもよい。
この場合、複数の第１および第２の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。それにより、絶縁層の凹部を良好に形成することができる。
各第１の光透過部および各第２の光透過部は、それぞれ円形であってもよい。
この場合、フォトマスクの製造時に、複数の第１および第２の光透過部を精度よく形成することができる。
各第１の光透過部の径は、４μｍ以上１４μｍ以下であってもよい。
この場合、各第１の光透過部の径が４μｍ以上であることにより、フォトマスクの製造時に、複数の第１の光透過部の径にばらつきが生じることが防止される。また、各第１の光透過部の径が１４μｍ以下であることにより、絶縁層の階調露光時に、複数の第１の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
一の第１の光透過部の中心点とその第１の光透過部に最も近接する他の第１の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下であってもよい。
この場合、複数の第１の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
一の第２の光透過部の中心点とその第２の光透過部に最も近接する他の第２の光透過部の中心点との間の距離は、６μｍ以上２８μｍ以下であってもよい。
この場合、複数の第２の光透過部を通して必要量の露光光を絶縁層に適正に照射することができる。
複数の第１および第２の光透過部は複数の列をなし、複数の列のうち一の列の複数の第１および第２の光透過部とそれに隣り合う他の列の複数の第１および第２の光透過部とが千鳥状に配置されてもよい。
この場合、複数の第１の光透過部を通して絶縁層に均一に露光光を照射することができるとともに、複数の第２の光透過部を通して絶縁層に均一に露光光を照射することができる。それにより、絶縁層の凹部を適正に形成することができる。
絶縁層は、導電性支持基板上に形成されるとともに露光光が照射されるべき第１の面と導電性支持基板に接する第２の面とを有し、製造方法は、現像処理後の絶縁層の凹部の内部および絶縁層の第１の面上に延びるように導体層を形成する工程と、絶縁層の凹部に重なる導電性支持基板の部分にエッチングにより開口を形成する工程と、絶縁層の凹部の内部に形成された導体層の部分が露出するように、導電性支持基板の開口を通して露出する絶縁層の部分を除去する工程とをさらに備えてもよい。
この場合、導電性支持基板の開口を通して導体層の部分が露出されるので、導電性支持基板の開口を通して導体層に外部回路の端子を接続することが可能となる。本参考形態によれば、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止されるので、導電性支持基板に開口を形成する工程において、導電性支持基板の部分とともに導体層の部分がエッチングにより除去されることが防止される。それにより、導体層による信号伝送性が確保される。
第２の参考形態に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層上に形成される導体層とを備え、絶縁層は、第１の参考形態に係る方法により形成された凹部を有するものである。
その配線回路基板においては、上記第１の参考形態に係る方法により絶縁層に凹部が形成されるので、絶縁層の凹部の底面を貫通するように孔が形成されることが防止される。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、種々の配線回路基板の製造に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１  サスペンション基板
１０  支持基板
１０ａ  開口
１１  ベース絶縁層
１１ａ  開口
１２  導体パターン
１３  カバー絶縁層
１５  めっき層
１６  めっき層
２０，２５  電極パッド
２１  信号伝送部
２２  金属被膜
３０  フォトマスク
３０ｐ，３０ｑ  部分透光領域
３０ｑ  全透光領域
３０ｘ，３０ｙ，３０ａ，３０ｃ  孔部
１１１  上面孔
１１２  下面孔
Ｆ  孔部列
Ｐ１,Ｐ２  ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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