(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
形成可能な材料を基材と挟んでその間に所望の容積を確定するためのテンプレートであって、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートを製作するための方法であって、この方法は、
ａ）それぞれが複数の凸部及び凹部を有する整列領域及び微細フィーチャ領域を有する表面をテンプレートに設けるステップ；
ｂ）前記微細フィーチャ領域上に第１の層を形成するステップ；
ｃ）前記形成可能な材料とは屈折率の異なるハイコントラストな材料を、前記整列領域及び形成した前記第１の層に蒸着するステップ；
ｄ）第２の層を、前記蒸着したハイコントラストな材料を覆うように形成するステップ；
ｅ）前記第２の層の一部を除去するステップであって、前記第２の層が前記整列領域の前記凹部にのみ残されるようにするステップ；
ｆ）前記ハイコントラストな材料の一部を除去するステップであって、前記ハイコントラストな材料が前記整列領域の前記凹部にのみ残されるようにするステップ；及び、
ｇ）前記微細フィーチャ領域から前記第１の層を除去するとともに、前記整列領域の凹部から前記残された第２の層を除去するステップ
とから構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層の形成は更に：
前駆層を前記微細フィーチャ領域及び前記整列領域の両方を覆うように形成することであって、前記前駆層は、前記微細フィーチャ領域を覆う第１の厚さと、前記整列領域を覆う第２の厚さを有し、前記第１の厚さは前記第２の厚さよりも厚くされ、
前記前駆層の一部を除去するステップであって、前記整列領域が露出し、同時に前記前駆層が微細フィーチャ領域を覆うように残るよう前記前駆層の除去を行って前記第１の層を画定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記前駆層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記前駆層の一部を除去するステップが、更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
形成される前記第２の層は平坦化される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の層は、重合可能な材料を前記テンプレート表面に分配し、前記重合可能な材料をインプリントリソグラフィテンプレートと接触させ、前記重合可能な材料を硬化させることによって形成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の層の一部を除去するステップが、更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ハイコントラストな材料の一部を除去するステップが、更に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）ステップを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の層を除去することが、更に、デスカムエッチングステップを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、参照によってその全体が本出願に援用される、２０１０年９月２４日に出願された米国特許出願第６１／３８５９９３号に対する優先権を主張するものである。
【背景技術】
【０００２】
ナノ加工は、１００ナノメートル以下のオーダーのフィーチャを有する極めて小さな構造体の製作を含む。ナノ加工が相当な効果を有する１つの応用は、集積回路の加工におけるものである。半導体加工産業においては、基材上に形成される単位面積あたりの回路数を増加させると同時に、より高い製造収率を得るための努力が続けられている。従って、ナノ加工の重要性は増大している。ナノ加工によってより良好なプロセス制御が提供され、それと同時に、形成される構造のフィーチャの最小寸法を継続的に削減することができる。ナノ加工を利用するその他の技術領域としては、生命工学、光技術、機械系等が挙げられる。
【０００３】
現在使用されているナノ加工技術の例は、一般にインプリントリソグラフィと呼ばれる。例示的なインプリントリソグラフィのプロセスは、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３等の多くの公刊物において詳細に記載されており、これら特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。
【０００４】
上述の各特許文献に記載されているインプリントリソグラフィ技術は、形成可能（重合可能）層でのレリーフパターンの形成と、このレリーフパターンに対応するパターンの、その下にある基材への転写とを含む。基材は、パターン形成プロセスを容易にするような所望の位置を得るために、移動ステージに連結してよい。パターン形成プロセスでは、基材から離間したテンプレート、及びテンプレートと基材の間に塗布される形成可能な液体を用いる。形成可能な液体は硬化して、形成可能な液体と接触するテンプレートの表面の形状と一致するパターンを有する、剛性の層を形成する。硬化の後、テンプレートを剛性の層と分離し、テンプレートと基材を離間させる。続いて基材及び硬化した層を、硬化した層のパターンに対応するレリーフイメージを基材に転写する更なるプロセスに供する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国公開特許第２００４／００６５９７６号
【特許文献２】米国公開特許第２００４／００６５２５２号
【特許文献３】米国特許第６９３６１９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インプリントリソグラフィ用テンプレートの微細にパターン形成されたフィーチャを保護することができる方法を提供する。これらの方法は、蒸着されるハイコントラストな材料（例えば金属）層が、テンプレートにエッチングされる微細なフィーチャに接触するのを防ぐことによって、凹部を有するハイコントラストな整列マークを、このようなテンプレート上に製作するにあたって、特に便利であり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ある態様では、本方法は、ハイコントラストな整列マークを製作するために提供され、この方法は、それぞれが複数の凸部及び凹部を有してよい整列領域及び微細フィーチャ領域の両方を有する表面をテンプレートに設けることと、それに続いて微細フィーチャ領域を覆って第１の層を形成し、それと同時に整列部分を露出させることとを含む。次に、金属であってよいハイコントラストな材料を、整列領域及び第１の層の両方を覆うように蒸着し、第１の層は微細フィーチャ領域を、ハイコントラストな材料と直接接触しないよう保護する。次に第２の層を、蒸着したハイコントラストな材料を覆うように形成する。続いて、第２の層の残りの部分が整列領域の凹部に残るように、第２の層の一部を除去する。次に、ハイコントラストな材料の一部のみが整列領域の凹部に残るように、ハイコントラストな材料を除去する。最後に、第１の材料を微細フィーチャ領域から、整列領域の凹部から第２の層の残留部分を除去するのと共に除去し、これによって微細フィーチャ領域と、整列領域の凹部のハイコントラストな材料とを露出させる。
【０００８】
別の態様では、形成される第１の層は、まず前駆層を微細フィーチャ領域及び整列領域の両方を覆うように形成することにより設けることができる。前駆層は、微細フィーチャ領域を覆う厚さが整列領域を覆う厚さよりも厚くなるよう、異なる厚さを有することができる。このような構成により、整列領域が露出し、同時に前駆領域の一部が第１の層として微細フィーチャ領域を覆うように残るように、前駆領域の部分を除去する、又はエッチングによって取り除くことができる。
【０００９】
第１の、第２の及び／又は前駆層を、形成可能な（重合可能な）材料で作製することができ、また、インプリントリソグラフィ技術を含む様々な技術によって形成することができる。更に、第２の層を平坦化することができる。形成した層の除去は、例えばデスカムエッチングによって実施することができる。ハイコントラストな材料の除去は、例えばＲＩＥエッチングによって実施することができる。
【００１０】
本発明の特徴及び利点を詳細に理解できるよう、添付の図面に示す実施形態を参照して、本発明の実施形態のより具体的な説明を利用することができる。しかし、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示すものであり、従って、本発明に他の同等に効果的な実施形態が認められるよう、本発明の範囲を制限するものと見なされるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、リソグラフィシステムの簡略化した側面図である。
【図２】図２は、その上にパターン形成された層を有する図１に示す基材の、簡略化した側面図である。
【図３】図３は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法のあるステップを示すものである。
【図４】図４は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図５】図５は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図６】図６は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図７】図７は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図８】図８は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図９】図９は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【図１０】図１０は、ハイコントラストな整列マークを有するテンプレートの形成のための例示的方法の別のステップを示すものである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図面、特に図１を参照すると、基材１２上にレリーフパターンを形成するために使用されるリソグラフィシステムが図示されている。基材１２は基材チャック１４に連結されていてよい。図示したように、基材チャック１４は真空チャックである。しかし、基材チャック１４は、真空、ピンタイプ、溝タイプ、静電、及び／又は電磁等を含むがこれらに限定されないいずれのチャックであってよい。チャックの例は米国特許第６８７３０８７号に記載されており、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。
【００１３】
基材１２及び基材チャック１４を更に、ステージ１６で支持してよい。ステージ１６は、ｘ、ｙ及びｚ軸に沿った並進運動及び／又は回転運動を行ってよい。ステージ１６、基材１２及び基材チャック１４を、ベース（図示せず）上に配置してもよい。
【００１４】
基材１２と離間して、テンプレート１８が存在する。テンプレート１８は、第１の側面及び第２の側面を有する本体を含んでよく、側面の１つは、そこから基材１２へと延伸する台部２０を有する。台部２０は、パターン形成表面２２をその上に有する。更に、台部２０は、鋳型２０と呼んでもよい。代替として、テンプレート１８を台部２０無しで形成してよい。
【００１５】
テンプレート１８及び／又は鋳型２０は、融解シリカ、水晶、ケイ素、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ化炭素ポリマー、金属、及び／又は硬化サファイア等を含むがこれらに限定されない材料から形成してよい。図示したように、パターン形成表面２２は、複数の離間した凹部２４及び／又は凸部２６によって画定されるフィーチャを備えるが、本発明の実施形態はこのような構成に限定されない（例えば、平坦な表面）。パターン形成表面２２は、基材１２上に形成されるパターンの基礎を形成するいずれの原パターンを画定することができる。
【００１６】
テンプレート１８はチャック２８に連結してよい。チャック２８は、真空、真空、ピンタイプ、溝タイプ、静電気、及び／又は電磁等を含むがこれらに限定されないいずれのチャックとして構成してよい。チャックの例は米国特許第６８７３０８７号に記載されており、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。更に、チャック２８はインプリントヘッド３０に連結してよく、これにより、チャック２８及び／又はインプリントヘッド３０はテンプレート１８の移動を促進するよう構成することができる。
【００１７】
システム１０は更に、流体分配システム３２を備えてよい。流体分配システム３２は、形成可能な材料３４（例えば重合可能な材料）を基材１２上に蒸着するために使用することができる。形成可能な材料３４は、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、及び／又は厚膜蒸着等の技術を用いて基材１２上に配置してよい。形成可能な材料３４は、設計要件に応じて鋳型２０と基材１２の間に所望の容積を画定する前及び／又は画定した後に、蒸着してよい。形成可能な材料３４は、バイオ領域、太陽電池分野、電池分野、及び／又は機能性ナノ粒子を必要とするその他の分野で使用される機能性ナノ粒子であってよい。例えば、形成可能な材料３４は、米国特許第７１５７０３６号及び米国特許公報第２００５／０１８７３３９号に記載されているモノマー混合物を含んでよく、両特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。代替として、形成可能な材料３４は、生体材料（例えばＰＥＧ）及び／又は太陽電池材料（例えばＮ型、Ｐ型材料）等を含んでよいがこれらに限定されない。
【００１８】
図１及び２を参照すると、システム１０は更に、経路４２に沿ってエネルギ４０を配向するために連結されるエネルギ源３８を備えてよい。インプリントヘッド３０及びステージ１６を、テンプレート１８及び基材１２を経路４２と重なるよう配置するように構成してよい。システム１０は、ステージ１６、インプリントヘッド３０、流体分配システム３２、及び／又はエネルギ源３８と連絡するプロセッサ５４によって統制してよく、また、メモリ５６に格納されたコンピュータ可読プログラムに従って動作してよい。
【００１９】
インプリントヘッド３０、ステージ１６、又はその両方は、鋳型２０と基材１２の間の距離を変化させ、形成可能な材料３４によって充填されるこれらの間の所望の容積を画定する。例えば、インプリントヘッド３０は、鋳型２０を形成可能な材料３４に接触させるように、テンプレート１８に力を印加してよい。所望の容積が形成可能な材料３４で充填された後、エネルギ源３８は、例えば紫外線照射であるエネルギ４０を生成し、これにより、形成可能な材料３４は硬化及び／又は架橋して、基材１２の表面４４及びパターン形成表面２２の形状に一致し、基材１２上のパターン形成された層４６を画定する。パターン形成された層４６は、残留層４８と、凸部５０及び凹部５２として図示した複数のフィーチャとを備えてよく、凸部５０は厚さｔ1を有し、残留層４８は厚さｔ2を有する。
【００２０】
上述のシステム及びプロセスは更に、米国特許第６９３２９３４号、米国特許第７０７７９９２号、米国特許第７１７９３９６号、及び米国特許第７３９６４７５号に記載のインプリントリソグラフィプロセス及びシステムで用いてよく、これら全ての特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。
【００２１】
整列マークは、基材１２の正確な位置にパターンを転写するのを容易にするために、形成可能な材料３４をインプリントするに先立ってテンプレート１８及び基材１２を整列させるのを助けることができる。パターン転写を容易にするのを助けることができる整列システム及びプロセスの例は、米国特許出願第１２／１７５２５８号、米国特許出願第１１／６９５８５０号、米国特許出願第１１／３４７１９８号、米国特許出願第１１／３７３５３３号、米国特許出願第１０／６７０９８０号、米国特許出願第１０／２１０８９４号、及び米国特許出願第１０／２１０７８０号に更に記載されており、これら全ての特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。一般的に、このような整列マークは、形成可能な材料３４と実質的に同じ屈折率を有する媒体である融解シリカにエッチングしてよい。よって、整列マークは、典型的な可視照明方法によって視認可能となるよう、形成可能な材料３４から分離したままである傾向がある。例えば、米国特許第７３０９２２５号に更に記載されているように、トレンチを用いて整列マークを形成可能な材料３４から分離してよく、この特許文献は参照によってその全体が本出願に援用される。しかし、トレンチが必要とする空間の最小量は一般に、典型的な半導体スクライブ領域よりも大きい。例えば、トレンチの幅と、流体−マーク間干渉を取り除くために必要な、整列マークと縁部の間の最小の距離との合計は、典型的なスクライブ領域より多くの空間を必要とする。
【００２２】
その上、このようなトレンチを備えることで、均一性及び一貫したフィーチャ密度が重要な特質となり得る化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）及び／又はエッチングプロセス等のいくつかのプロセスにとって有害であり得る、基材１２上の大きな開空間が生まれることがあり得る。このようなトレンチ領域はまた、欠陥状態が発生する主要な場所である。
【００２３】
このようなトレンチ又は大きな開空間の必要を緩和するために、整列マークをハイコントラストな材料で形成してよい。整列マークを形成するために使用するハイコントラストな材料（ＨＣＭ）は、形成可能な材料３４とは異なる屈折率を有してよい。よって、これらの整列マークは、整列プロセスにおいて、形成可能な材料３４が存在しても視認することができる。
【００２４】
ハイコントラストな整列マークを、テンプレート１８のフィーチャを最初にパターン形成したのと同様のステップでパターン形成してよい。同様のステップでパターン形成することにより、パターン配置における誤差を最小化することができる。これらの整列マークは一般に、基材１２に最初に形成されたフィーチャと実質的に同じ深さにエッチングされる。
【００２５】
参照によって本出願に援用される米国特許公報第２０１０／００９２５９９号に記載されているように、ハイコントラストなマークのいくつかの製作方法は、主パターンのパターン形成と実質的に同じステップの間にパターン形成しなければならない単一又は複数の層を利用する。主パターンは、５〜３２ｎｍの範囲のフィーチャを含んでよく、これらのフィーチャは、ハイコントラストな整列マークの為に必要なフィルムにパターン転写するのが極めて困難である。更に、ハイコントラストな整列マークを形成するために最適なハードマスクの構成及び厚さは、最初のフィーチャを形成するために必要なハードマスクの構成及び厚さとは異なり得る。
【００２６】
参照によって本出願に援用される米国特許公報第２０１１／０１９２３０２号に記載されているように、その他の製作方法は、整列マークを最初のフィーチャと一緒にパターン形成し、それに続いて、ハイコントラストな材料を別個の層として塗布する、単一のステップを含むことができる。
【００２７】
しかし、ハイコントラストな材料の蒸着及びそれに続く、最初の又は微細なフィーチャ領域からのハイコントラストな材料の除去に関連して、問題が起こり得る。例えば、いくつかの状態において、金属のハイコントラストな材料は、フィーチャ領域に非可逆的に結合又は接着することがあり、これにより、蒸着された金属全てを最初の又は微細なフィーチャ領域から除去するにあたって、除去ステップが無効又は不完全なものとなる。これは、最終的に得られるテンプレートの欠陥につながり得る。よって、ここで、テンプレート１８の微細なパターン形成されたフィーチャ２４及び２６を保護することができる、２段階インプリント技術について説明する。特に、このような技術を、凹状のハイコントラストな整列マークの製作中に、蒸着される金属層が、後にテンプレート１８にエッチングされる微細なフィーチャ２４及び２６に直接接触するのを防ぐために用いることができる。その上、これらの技術は、従来技術に見られる剥離アプローチと比較して、より少ないステップしか有さないものとすることができ、よって、周囲への粒子の露出を少なくすることができる。
【００２８】
図３〜８は、ハイコントラストな整列マーク６０ａを有するテンプレート１１８を形成するための例示的な方法を示す。一般的に、この方法は２段階インプリント技術であり、（１）ＨＣＭ蒸着に先立つ、フィーチャ密着インプリントステップ；それに続く（２）ＨＣＭ蒸着の後での、副次的平坦化インプリントステップ、を含む。これら２つの別個のインプリントステップ（例えば、レジスト蒸着ステップ）により、ハイコントラストな整列マーク６０ａの製作中のフィーチャ１２４及び１２６の保護がもたらされる。
【００２９】
図１〜３を参照すると、インプリントリソグラフィシステム１０で使用するための例示的なパターン形成されるテンプレート１１８が示されている。テンプレート１１８は、その概念及び設計に関してテンプレート１８と実質的に同一であってよい。テンプレート１１８は、微細フィーチャ領域６２及び整列領域６４を含む。微細フィーチャ領域６２は、約５０ｎｍ未満の厳密な寸法を有するフィーチャを含んでよい。例えば、フィーチャ領域６２は凹部１２４及び凸部１２６を含んでよい。整列領域６４は、約５０ｎｍ超の厳密な寸法を有するフィーチャを含んでよい。このようなフィーチャは、インプリントリソグラフィプロセス中にテンプレート１１８を基材１２と整列させる間に使用することができる。例えば、整列領域６４は整列マーク６０を含んでよい。テンプレート１１８自体はリソグラフィプロセスによって形成することができ、電子ビームインプリント、光学リソグラフィ、レーザリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ等を含むがこれらに限定されないいずれのパターン形成方法を利用してよい。
【００３０】
図４は、テンプレート１１８の整列マーク６０中のハイコントラストな材料を提供するための、２段階インプリント技術の第１の２段階の１つを示す。具体的には、図４はフィーチャ密着インプリントステップを示す。一般的に、フィーチャ密着インプリントステップは、更なる加工ステップ（例えば図５〜１０）の間の微細フィーチャ領域６２の保護をもたらす。ある実施形態では、フィーチャ密着インプリントステップは、テンプレート１１８全体に形成可能な材料（例えば重合可能な材料）の層を蒸着することを含み、この形成可能な材料は、形成可能な材料３４と同一又は同様のものとすることができる。例えば、この形成可能な材料３４は、米国特許第７１５７０３６号及び米国特許公報第２００５／０１８７３３９号に記載されているモノマー混合物を含むがこれに限定されない材料からなってよく、両特許文献は参照によって本出願に援用され、また、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、及び／又は厚膜蒸着等を含むがこれらに限定されない技術を用いて蒸着してよい。
【００３１】
このような実施形態では、初期又は前駆層６６ａを、例えばインプリントリソグラフィによって、第１の厚さｔ3及び第２の厚さｔ4を有するように形成してよい。第１の厚さｔ3は整列領域６４内の厚さであってよく、第２の厚さｔ4は微細フィーチャ領域６２内の厚さであってよい。微細フィーチャ領域６２内の厚さｔ4は、整列領域６４の厚さｔ4より実質的に大きくてよい。よって、微細フィーチャ領域６２内の大きな厚さｔ4により、後続の加工ステップ中にフィーチャ１２４及び１２６を保護することができる。図５に示すように、層６６ａは、それを整列領域６４内で除去し、結果としてできる層６６ｂが微細フィーチャ領域６２内にのみ残るように、エッチング（例えばデスカムエッチング）してよい。整列領域６４における初期又は前駆層６６ａのエッチングにより、微細フィーチャ領域６２内の層６６ａの厚さｔ4が減少することに留意されたい。この目的のために、図５に示すように、微細フィーチャ領域６２内の凸部１２６の上側に、結果としてできる層６６ｂが少なくとも厚さｔ5だけ残るように、層６６ａの厚さ及び所望のエッチング率を設定してよい。
【００３２】
別の実施形態では、層６６ｂを微細フィーチャ領域６２内のみに蒸着してよい。微細フィーチャ領域６２内のみに層６６ｂを蒸着することにより、整列領域６４内の層６６ａの除去のために必要なエッチングステップを削除することができる。
【００３３】
図６を参照すると、ハイコントラストな材料（ＨＣＭ）をテンプレート１１８上に蒸着してよい。使用可能なハイコントラストな材料は、タンタル、タングステン、炭化ケイ素、非晶質ケイ素、クロム、窒化クロム、モリブデン、ケイ化モリブデン、チタン、窒化チタン等を含むがこれらに限定されず、これらは公知の方法によってテンプレート１１８上に蒸着することができる。例えば、ある実施形態では、ハイコントラストな材料はスパッタコーティングによって蒸着されるクロムを含んでよい。別の実施形態では、ハイコントラストな材料はＣＶＤによって蒸着される非晶質ケイ素を含んでよい。別の実施形態では、ハイコントラストな材料はＰＶＤによって蒸着されるダイアモンド様炭素（ＤＬＣ）を含んでよい。テンプレート１１８上へのハイコントラストな材料の蒸着により、整列領域６４及び微細フィーチャ領域６２にわたって広がる共形層６８を形成することができる。ある実施形態では、共形層６８の厚さは、図５に示すように約５ｎｍから、１００ｎｍ以上までの間であってよい。
【００３４】
図７は、２段階インプリント技術の第２段階を示す。具体的には、図７は副次的平坦化インプリントステップを示す。形成可能な材料（例えば重合可能な材料）の第２の層７０を、ハイコントラストな共形層６８上に蒸着してよい。第２の層７０は、第１の層６６と同一又は実質的に同様の材料からなってよい。第２の層７０は、微細フィーチャ領域６２と整列領域６４の両方にわたって広がっていてよい。更に第２の層７０を、層７０が実質的に平坦な表面７１を有したままとなり、かつ約５０〜２００ｎｍの厚さｔ6を有するように、平坦化してよい。平坦化は、滴下蒸着、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜蒸着、及び／又は厚膜蒸着等を含むがこれらに限定されない材料蒸着技術と共に平坦なテンプレートを使用する、ナノインプリントプロセスによるものであってよい。
【００３５】
図８を参照すると、第２の層７０を、第２のレジスト材料層７０の一部７２が整列マーク６０の凹部内に残るようにエッチング（例えばデスカムエッチング）してよい。整列マーク６０の凹部内に残る部分７２は、厚さｔ7を有してよい。厚さｔ7は少なくとも１０ｎｍであってよく、更なる保護をもたらすために、より厚くすることができる。第２の層７０の一部７２は、後続のエッチングステップ中において、整列マーク６０の凹部内のハイコントラストな材料の保護をもたらす。
【００３６】
図９を参照すると、ハイコントラストな共形層６８を、整列マーク６０の凹部を除く全ての領域から除去してよい。ハイコントラストな共形層６８を除去するために、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、及びその他の選択的エッチングプロセスを用いてよい。例えば、ＸｅＦ2ガスは一般に、融解シリカのパターンを事実上変化させることなく、融解シリカテンプレート表面からＳｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＭｏＳｉ、及びＷを除去するのに効果的であるため、これを使用してよい。また、Ｃｌ2又はＯ2ベースのドライエッチングプロセスは、融解シリカテンプレート表面からＣｒ、ＣｒＮ及びＣｒＯを除去する際に良好な選択性を呈したため、これを使用してもよい。更に、融解シリカからＨＣＭを選択的に除去するために、Ｃｒ７ｓクロムストリッパ等のウェットエッチングプロセスを使用することができる。第２の層７０の一部７２は、このような除去又はエッチング中において、整列マーク６０の凹部内のハイコントラストな材料の保護をもたらす。更に、第１の層６６６は、このようなエッチング中において、微細フィーチャ領域６２の保護をもたらす。図１０に示すように、第２の層７０の一部７２、及び微細フィーチャ領域６２を保護する第１の層６６６はその後除去（例えばデスカムエッチング）され、整列マーク６０の凹部内のハイコントラストな材料６８及び微細フィーチャ領域６２を露出させる。凹部内のハイコントラストな材料６８を露出させることにより、ハイコントラストな整列マーク６０ａが形成される。
【００３７】
本明細書に鑑みて、当業者には様々な態様の更なる修正及び代替実施形態が明らかであろう。従って本明細書は、単なる説明に過ぎないものと解釈されたい。ここに図示し記載した形態は、実施形態の例として解釈されるべきものであることを理解されたい。ここに説明し記載した要素及び材料は置換し得るものであり、部分及びプロセスは転換し得るものであり、特定の特徴は独立して利用し得るものであり、以上のことは全て、本明細書からの便益を得た後では当業者には明らかであろう。ここに記載した要素に関して、以下の特許請求の範囲に記載した精神及び範囲から逸脱しない限りにおいて変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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