(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置（１）のためのＥＵＶ光源（２）であって、
電子ビーム供給デバイス（２ａ）の形態にある第１の電子ビームデバイスと、
前記電子ビーム供給デバイス（２ａ）によって電子ビーム（１４）が供給されるＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）と、
前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）の下流のビーム経路内の電子ビーム（１５）を廃棄する電子ビーム廃棄デバイス（２ｃ）の形態にある第２の電子ビームデバイスと、
を含み、
一方で前記電子ビームデバイス（２ａ，２ｃ）のうちの少なくとも一方と、他方で前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）とは、互いに上下に位置して建屋天井（１８）によって分離された部屋（１６，１７）に配置され、
少なくとも１つの電子ビーム通路（１９；１９ａ，１９ｂ）が、前記建屋天井（１８）に配置され、
前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）は、アンジュレータである、
ことを特徴とするＥＵＶ光源（２）。
【請求項２】
両方の電子ビームデバイス（２ａ，２ｃ）が、同じ建屋レベル（１６）上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記電子ビーム通路（１９；１９ａ，１９ｂ）は、真空通路として構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光源。
【請求項４】
前記真空通路（１９；１９ａ，１９ｂ）の領域において、該通路（１９；１９ａ，１９ｂ）を通る前記建屋天井（１８）の天井平面（２１）に対する前記電子ビーム（１４，１５）の電子ビーム角度（α）が少なくとも４５°であるような電子ビームガイドを特徴とする請求項３に記載の光源。
【請求項５】
前記電子ビーム角度（α）は、９０°であることを特徴とする請求項４に記載の光源。
【請求項６】
前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）と前記２つの電子ビームデバイス（２ａ，２ｃ）のうちの少なくとも一方との間のＳ字形電子ビームガイドを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光源。
【請求項７】
前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）と前記２つの電子ビームデバイス（２ａ，２ｃ）のうちの少なくとも一方との間のＵ字形電子ビームガイドを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光源。
【請求項８】
前記Ｕ字形電子ビームガイドを通じて前記ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）に接続された前記少なくとも一方の電子ビームデバイス（２ａ，２ｃ）は、該ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）と垂直方向に重なり合うことを特徴とする請求項７に記載の光源。
【請求項９】
ＥＵＶ投影リソグラフィのための照明系であって、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のＥＵＶ光源（２）を有し、
前記ＥＵＶ光源（２）によって発生された照明光（３）を用いて物体視野を照明するための照明光学ユニット（５）を有し、
前記照明光学ユニット（５）は、ＥＵＶ発生デバイス（２ｂ）と同じ建屋レベル上に配置される、
ことを特徴とする照明系。
【請求項１０】
ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置であって、
請求項９に記載の照明系を有し、
物体視野に物体（８）を保持するための物体ホルダ（９）を有し、
前記物体視野を像視野に結像するための投影光学ユニット（６）を有し、
前記像視野にウェーハ（１０）を保持するためのウェーハホルダ（１１）を有する、
ことを特徴とする投影露光装置。
【請求項１１】
構造化構成要素を生成する方法であって、
レチクル（８）及びウェーハ（１０）を与える段階と、
請求項１０に記載の投影露光装置（１）を用いて前記レチクル（８）上の構造を前記ウェーハ（１０）の感光層上に投影する段階と、
前記ウェーハ（１０）上に微細構造又はナノ構造を生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法に従って生成された構造化構成要素。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ドイツ特許出願第１０  ２０１２  ２１２  ８３０．１号明細書の内容が引用によって組み込まれている。
【０００２】
本発明は、ＥＵＶ放射線を発生させるためのＥＵＶ光又は放射線源に関する。
【背景技術】
【０００３】
そのようなＥＵＶ放射線源は、ＵＳ  ７，３０１，９７２  Ｂ２から公知である。更に別の放射線源は、ＵＳ  ２００９／０２１３３５６  Ａ１、ＵＳ  ６，０３５，０１５、及びＵＳ  ５，８２５，８４７から公知である。構成要素が異なる建屋レベル上に収容される投影露光装置は、ＵＳ  ２００８／０２５９３０３  Ａ１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ドイツ特許出願第１０  ２０１２  ２１２  ８３０．１号明細書
【特許文献２】ＵＳ  ７，３０１，９７２  Ｂ２
【特許文献３】ＵＳ  ２００９／０２１３３５６  Ａ１
【特許文献４】ＵＳ  ６，０３５，０１５
【特許文献５】ＵＳ  ５，８２５，８４７
【特許文献６】ＵＳ  ２００８／０２５９３０３  Ａ１
【特許文献７】ＷＯ  ２００９／１２１４３８  Ａ１
【特許文献８】ＵＳ  ５  ８９６  ４３８  Ａ
【特許文献９】ＵＳ  ６  ４９８  ３５１  Ｂ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、管理し易い運用コストの可能性をもたらすような電子ビームベースのＥＵＶ放射線源を開発することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明により、上述の目的は、請求項１に指定されている特徴を有する光源によって達成される。
【０００７】
本発明により、光源の主要構成要素は、異なる建屋レベル、すなわち、異なる床面上に収容することができることが明らかになった。これは、無塵室規格に関してそれ程厳しくない光源構成要素を無塵室規格に関してより厳しいか又は他の理由から無塵室規格に関してより厳しい構成要素と同じ部屋の中及び／又は同じ建屋レベル上に収容しなければならない他の構成要素とは異なる建屋床面上に収容する選択肢を与える。電子ビーム供給デバイス及び電子ビーム廃棄デバイスは、ＥＵＶ発生デバイスの上方又は下方にある同じ建屋レベル又は同じ床面上に配置することができる。そうすることで、２つの電子ビームデバイスの一方だけをＥＵＶ発生デバイスとは異なる建屋レベル上に収容することができ、２つの電子ビームデバイスのうちの他方のものをＥＵＶ発生デバイスと同じ建屋レベル上に収容することができる。両方の電子ビームデバイスをＥＵＶ発生デバイスとは異なる建屋レベル上に収容することも可能である。ＥＵＶ発生デバイスは、アンジュレータとすることができる。また、ＥＵＶ波長よりも有意に長い波長を有する予備段階光源に基づくＥＵＶ発生デバイスを使用することができる。ＥＵＶ光源は、自由電子レーザ（ＦＥＬ）のように設計することができる。当業者は、ＦＥＬに関する情報を例えばＷＯ  ２００９／１２１４３８  Ａ１から入手する。それによって従来のＥＵＶ放射線源、例えば、ＬＰＰ（レーザ生成プラズマ）光源又はＧＤＰ（ガス放電生成プラズマ）光源に関する問題が回避される。ＥＵＶ光源は、発生されるＥＵＶ光が直線偏光状態で利用可能であるように配置することができる。次に、直線偏光ＥＵＶ光に対するその後のビーム偏向の配置は、可能な最も低いＥＵＶ収量損失しか伴わないビーム偏向をもたらすように選択することができる。一例として、ビーム偏向は、直線偏光ＥＵＶ光が、反射偏向の場合に入射平面に対してｓ偏光状態にあるような、すなわち、入射平面に対して直交する偏光状態にあるような幾何学的手法で配置することができる。直線偏光は、投影露光装置の物体変位方向と平行に延びることができる。これに代えて直線偏光は、物体変位方向に直交して延びることも可能である。二重極照明が存在する場合に、二重極照明は、二重極軸に直交する偏光状態にあるＥＵＶ照明光で偏光することができる。
【０００８】
請求項２に記載の配置は、これらの電子ビームデバイスに対して共通の供給デバイスを小型方式で与えることを可能にする。２つの電子ビームデバイスは、同じ建屋レベル上にある同じ部屋の中に又は同じ建屋レベル上にある異なる部屋の中に配置することができる。
【０００９】
請求項３に記載の真空通路は、通路が干渉を引き起こすことなく互いに独立した無塵室条件を用いて建屋天井によって互いから分離された２つの部屋を運用することを可能にする。
【００１０】
請求項４に記載の電子ビーム角度は、電子ビームの小型通路を可能にする。
【００１１】
これは、特に請求項５に記載の電子ビーム角度、すなわち、建屋天井を通る電子ビームの直交通路に適用される。
【００１２】
請求項６及び請求項７に記載の電子ビームガイドは、垂直寸法及び／又は水平寸法において小型の設計を得るのに特に適することが見出されている。これは、ＥＵＶ発生に対して現実的な電子エネルギの場合に、低く、従って、管理し易い電子ビームエネルギ損失のみを導くビームガイドをもたらす。
【００１３】
請求項８に記載の重ね合わせ配置は特に小型である。これは、特に少なくとも一方の電子ビームデバイスがＥＵＶ発生デバイスと垂直方向に完全に重なり合う場合に成り立つ。特に、両方の電子ビームデバイスは、ＥＵＶ発生デバイスと垂直方向に重なり合うことができる。
【００１４】
請求項９に記載の照明系の利点は、ＥＵＶ光源に関して上述したものに対応する。照明光学ユニットがＥＵＶ発生デバイスと同じ建屋レベル上に配置される場合に、小さいＥＵＶビーム経路がもたらされ、僅かな偏向しか与えない可能性がもたらされる。これは、低いＥＵＶ収量損失をもたらす。照明光学ユニットに加えて、結像される物体を物体視野内に保持するための物体ホルダと、物体視野を像視野に結像するための投影光学ユニットと、像視野内にウェーハを保持するためのウェーハホルダとを更に含む全体スキャナ又はステッパをＥＵＶ発生デバイスと同じ建屋レベル上に配置することができる。
【００１５】
請求項１０に記載の投影露光装置の利点は、本発明による照明系に関して上記に既に解説したものに対応する。投影露光装置の投影光学ユニットは、ＥＵＶ発生デバイス又は照明光学ユニットと同じ建屋レベル上に配置することができる。
【００１６】
請求項１１に記載の生成方法の利点及び請求項１２に記載の微細構造化又はナノ構造化構成要素の利点は、投影露光装置に関して上述したものに対応する。
【００１７】
本発明の例示的実施形態を図面に基づいて以下により詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】２つの建屋レベル上に収容された光又は放射線源を有する投影リソグラフィのための投影露光装置を示す概略図である。
【図２】２つの建屋レベル上のＥＵＶ光源の構成要素の配置の変形を図１と比較してより概略的に示す図である。
【図３】２つの建屋レベル上のＥＵＶ光源の構成要素に対する２つの更に別の配置変形を示す図である。
【図４】２つの建屋レベル上のＥＵＶ光源の構成要素に対する２つの更に別の配置変形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、微細構造化又はナノ構造化構成要素、特に微細構造化又はナノ構造化集積回路の生成に使用される投影露光装置１の主要構成要素を略示している。下記でより詳細に説明する主要構成要素２ａ、２ｂ、及び２ｃを有する光又は放射線源２は、放射線ビームの形態にある照明光又は照明放射線３を発生させる。放射線源２は、特に５ｎｍと３０ｎｍの間の極紫外波長領域、例えば、７ｎｍの領域内の放射線を発生させるＥＵＶ放射線源である。簡略化として、図１は、照明放射線３の主光線を区画的にしか例示していない。
【００２０】
照明放射線３は、投影露光装置１の物体平面４の物体視野を露光するように機能する。放射線源２と物体平面４の間で、照明放射線３は、照明光学ユニット５を通して案内される。図１には、照明光学ユニット５を破線でしか示していない。投影光学ユニット６は、物体視野を投影露光装置１の像平面７の像視野に結像するように機能する。
【００２１】
物体平面４内には、反射レチクル８が配置され、結像されるそのパターン面は、物体視野内に位置する。レチクル８は、図１に区画的に示すレチクルホルダ９によって保持される。像平面７内には、ウェーハ１０が配置され、露光されるその面は、像視野内に位置する。ウェーハ１０は、ウェーハホルダ１１によって保持される。図１に記載の実施形態において、レチクルホルダ９は、ウェーハホルダ１１の上方に配置される。投影光学ユニット６は、レチクルホルダ９とウェーハホルダ１１の間に配置される。
【００２２】
投影露光装置１は、ステッパ様式又はスキャナ様式に具現化することができる。以下に続く本文では、レチクルホルダ９からの照明光３のビーム経路内の投影露光装置１の構成要素は、スキャナ又はステッパ１２とも呼ぶ。レチクルホルダ９とウェーハホルダ１１は、ドライブ（例示していない）を用いて、すなわち、レチクル変位ドライブとウェーハ変位ドライブを用いて、特に互いに対して同期された方式で変位させることができる。
【００２３】
図１では、投影光学ユニット６によって案内される照明放射線ビームを１３の場所に示している。
【００２４】
光源２は、自由電子レーザの様式に構成される。光源２は、電子ビーム供給デバイスの形態にある第１の電子ビームデバイス２ａと、電子ビーム供給デバイス２ａによって電子ビーム１４が供給されるＥＵＶ発生デバイス２ｂと、電子ビーム廃棄デバイスの形態にある第２の電子ビームデバイス２ｃとを有する。電子ビーム１４の周りには、図１には区画的にしか例示していない気密エンベロープ１４ａが配置される。エンベロープ１４ａは、電子ビーム１４を真空中で案内することができることを確実にする。
【００２５】
いくつかの配置変形が可能であるので、図１には電子ビーム廃棄デバイス２ｃを破線に示している。電子ビーム１４は、１ｍＡの時間平均電流を有することができる。電子ビーム廃棄デバイス２ｃは、ＥＵＶ発生デバイス２ｂの下流のビーム経路内の同じく破線に示す電子ビーム１５を廃棄する。
【００２６】
同時に、電子ビーム廃棄デバイス２ｃは、電子ビーム１５からエネルギを回収するように機能することができる。この工程では、反対電界内での電子ビーム１５中の電子の使用電流誘導を使用することができる。
【００２７】
一方で電子ビームデバイス２ａ及び２ｃのうちの少なくとも一方と、他方でＥＵＶ発生デバイス２ｂとは、異なる建屋レベル上、すなわち、互いに上下に位置して建屋天井１８によって分離された異なる部屋１６、１７に配置される。図１に示す配置では、電子ビーム供給デバイス２ａは、下側の建屋床面上にある部屋１６に配置される。ＥＵＶ発生デバイス２ｂ及び電子ビーム廃棄デバイス２ｃは、建屋天井１８の他方の側の部屋１６の上方に位置する建屋の部屋１７に配置される。図１に示す配置変形の代替として、以下に更に説明するように、電子ビーム供給デバイス２ａと電子ビーム廃棄デバイス２ｃは、ＥＵＶ発生デバイス２ｂが配置された建屋レベル又は建屋床面の上方又は下方の同じ建屋レベル又は建屋床面上に配置することができる。
【００２８】
ＥＵＶ発生デバイス２ｂは、アンジュレータとすることができる。ＥＵＶ放射線源としての対応するアンジュレータ配置は、ＵＳ  ５  ８９６  ４３８  Ａ及びＵＳ  ６  ４９８  ３５１  Ｂ１から公知である。これに代えてＥＵＶ発生デバイス２ｂは、ＥＵＶ放射線の波長よりも長い波長を有する予備段階光ビームを発生させる予備段階光源と、電子ビーム供給デバイスによって生成された電子ビームと予備段階光ビームとの重ね合わせを重ね合わせ空間領域内にもたらす重ね合わせデバイスとを有することができる。
【００２９】
建屋天井１８内には、電子ビーム通路１９が配置される。部屋１６及び１７内の投影露光装置１の構成要素、特に電子ビーム案内構成要素及びＥＵＶビーム案内構成要素を真空中で作動させることができるように、これらの構成要素は、それぞれ気密エンベロープ（図面内には、より詳細に例示していない）に配置される。部屋１７は、部屋１６よりも厳しい無塵室規格を満たす。部屋１７内の空気は、部屋１６内の空気よりも低い粒子密度のみを含む。従って、部屋１６は、部屋１７よりも厳しくない無塵室規格しか満たさない。従って、スキャナ又はステッパ１２は、建屋天井１８の他方の側にある部屋１６に配置された電子ビームデバイスよりも高い品質の無塵室に配置される。電子ビーム通路１９は、真空通路として構成される。それは、電子ビーム通路１９を真空気密方式で密封することができるフラップ２０又はスライダーを有する。
【００３０】
図１に記載の実施形態において、電子ビーム通路１９は、ＥＵＶ発生デバイス２ｂを含むスキャナ又はステッパ１２を担持する建屋天井１８内に設けられる。
【００３１】
電子ビーム供給デバイス２ａとＥＵＶ発生デバイス２ｂの間の電子ビーム１４は、通路１９の領域内の建屋天井１８の天井平面２１に対して図１に示す例示的実施形態では約７５°である角度αを取る。角度αは、電子ビーム角度とも呼ぶ。少なくとも４５°、特に６０°よりも大きい他の角度αも可能である。７０°よりも大きい角度αが好ましい。８０°よりも大きくてα＝９０°に至るまで、すなわち、建屋天井１８を通る電子ビーム１４の垂直で直交する通路に達するまでの角度αが特に有利である。
【００３２】
図２は、ＥＵＶ発生デバイス２ｂがスキャナ又はステッパ１２と共に１つの床面上にある部屋１７に配置され、２つの電子ビームデバイス、すなわち、電子ビーム供給デバイス２ａ及び電子ビーム廃棄デバイス２ｃが下側の床面上にある部屋１６に配置された投影露光装置１の実施形態を示している。これに代えて、電子ビームデバイス２ａ、２ｃは、スキャナ又はステッパ１２とＥＵＶ発生デバイス２ｂとが配置された床面の上方に位置する床面上に配置することができる。図１を参照して上述したものに対応する図２の構成要素は、同じ参照記号で表記し、これらに対しては再度詳細には解説しない。
【００３３】
図２は、一方で電子ビーム供給デバイス２ａとＥＵＶ発生デバイス２ｂの間の電子ビーム１４、１５の経路上、かつ他方でＥＵＶ発生デバイス２ｂと電子ビーム廃棄デバイス２ｃの間の電子ビーム１４、１５の経路上でのこれらの電子ビーム１４、１５の偏向を確実にする偏向磁石２２、２３、２４、２５を略示している。次に、電子ビーム経路に配置された第１の磁石２２は、下側の部屋１６に配置され、最初に電子ビーム供給デバイス２ａから始まって第１の電子ビーム通路１９ａを通る垂直進路に至るまで水平に延びる電子ビーム１４の９０°偏向を確実にする。従って、通路１９ａの領域内の角度αは、図２に記載の実施形態では約９０°である。ＥＵＶ発生デバイス２ｂに向う電子ビーム１４の更に別の進路に配置されて上側の部屋１７の中に収容された磁石２３は、通路１９ａを通る最初に垂直な進路とＥＵＶ発生デバイス２ｂ内への水平入射との間で電子ビーム１４を９０°だけ再度偏向する。図２に記載の実施形態において、ＥＵＶ発生デバイス２ｂは、アンジュレータとして具現化される。ＥＵＶ発生デバイス２ｂからの電子ビーム１５の水平射出の後に、同じく上側の部屋１７の中に収容された更に別の磁石２４は、部屋１６と１７の間の建屋天井１８内の更に別の電子ビーム通路１９ｂを通る電子ビーム１５の垂直進路への９０°偏向を確実にする。電子ビーム角度αは、更に別の通路１９ｂの領域内でも９０°の領域内にある。更に、図２は、磁石２４によって引き起こされる電子ビーム１５の偏向円形経路区画の半径Ｒを示している。４つ全ての磁石２２から２５は、相応に大きい偏向半径Ｒを発生する。第２の通路１９ｂと電子ビーム廃棄デバイス２ｃの間の電子ビーム１５の経路に配置された電子ビーム経路内で最後の磁石２５は、第２の通路１９ｂを通る実質的に垂直な通路と電子ビーム廃棄デバイス２ｃ内への水平入射との間で同じく９０°だけ電子ビーム１５を偏向する。
【００３４】
すなわち、電子ビーム１４及び１５は、それぞれ、一方で電子ビーム供給デバイス２ａとＥＵＶ発生デバイス２ｂの間、かつ他方でＥＵＶ発生デバイス２ｂと電子ビーム廃棄デバイス２ｃの間でＳ字形進路を辿る。
【００３５】
Ｒに対する典型的な値は、０．５ｍと１０ｍの間の範囲にあり、例えば、１ｍ、２ｍ、又は５ｍである。磁石２２から２５の９０°偏向によって引き起こされる電子ビーム１４、１５のエネルギ損失は、利用される電子エネルギに依存して１０００分の１と１０％の間の範囲にある。電子ビーム１４中の電子のエネルギは、０．２ＭｅＶと２ＭｅＶの間の範囲にある。
【００３６】
図３は、他は図２に記載の設計に対応する投影露光装置１の設計における電子ビーム１４、１５のガイドの変形を示している。図３に記載の実施形態において、磁石２２から２５は、図２に記載の実施形態におけるものとほぼ同じ位置に配置されるが、図２に記載の実施形態とは対照的に、これらの磁石は、図３に記載の実施形態では、それぞれ、４５°偏向をもたらし、従って、電子ビーム１４、１５は、建屋レベル１９に対してそれぞれ約４５°の電子ビーム通路角で通路１９ａ及び１９ｂを通して案内される。
【００３７】
図４は、他は図２及び図３に記載の配置のものに対応する実施形態におけるＥＵＶ光源２の構成要素の配置の更に別の変形を示している。
【００３８】
図４に記載の投影露光装置１では、電子ビーム供給デバイス２ａは、ＥＵＶ発生デバイス２ｂの下方の下側の部屋１６に配置される。ここでは、配置は、電子ビーム供給デバイス２ａが、垂直方向に、すなわち、垂直投影で見た時にＥＵＶ発生デバイス２ｂと重なり合うようなものである。この重複は、部分的なもの又は図４に記載の配置の場合のような完全なものとすることができる。
【００３９】
下側の部屋１６に配置された磁石２２及び上側の部屋１７に配置された磁石２３は、電子ビーム供給デバイス２ａとＥＵＶ発生デバイス２ｂの間の電子ビーム１４の１８０°偏向、すなわち、これらの間のＵ字形電子ビームガイドを確実にする。
【００４０】
電子ビーム廃棄デバイス２ｃは、下側の部屋１６の中にこの部屋から建屋天井１８によって分離されたＥＵＶ発生デバイス２ｂと電子ビーム供給デバイス２ａの間に配置される。電子ビーム廃棄デバイス２ｃも、それがＥＵＶ発生デバイス２ｂと垂直方向に重なり合うように配置される。この重複も、図４に記載の配置では完全なものであるが、別の配置では部分的なものとすることができる。
【００４１】
ＥＵＶ発生デバイス２ｂと電子ビーム廃棄デバイス２ｃの間の電子ビーム１５も、上側の部屋１７に配置された磁石２４と下側の部屋１６に配置された磁石２５とによって１８０°だけ偏向され、従って、この場合にもＥＵＶ発生デバイス２ｂと電子ビーム廃棄デバイス２ｃの間にＵ字形電子ビームガイドが存在する。電子ビーム１４のガイドの半径は、電子ビーム１５のガイドの半径よりも大きい。別の実施形態（例示していない）では、２つの電子ビームデバイス２ａ、２ｃはその位置を交換することができ、その場合に、電子ビーム１４のＵ字形電子ビームガイドの半径は、電子ビーム１５の対応するガイドの半径よりも小さい。
【００４２】
光源２の構成要素２ａから２ｃの配置は、上述したように、必要に応じて互いに組み合わせることができる。全ての配置に共通なことは、一方で２つの電子ビームデバイス２ａ、２ｃのうちの少なくとも一方と、他方でＥＵＶ発生デバイス２ｂとが、互いに上下に位置して建屋天井１８によって分離された部屋に配置されることである。更に、ＥＵＶ発生デバイス２ｂが、スキャナ又はステッパ１２と同じ建屋レベル上に配置されることも実施形態に共通である。
【００４３】
電子ビーム１４、１５を案内するときに、Ｓ字形電子ビームガイドをＵ字形電子ガイドと組み合わせることができる。
【００４４】
光源２に加えて、投影露光装置１の照明系は、物体平面４上の物体視野を照明するための照明光学ユニット５を含む。照明光学ユニット５は、ＥＵＶ発生デバイス２ｂと同じ建屋レベル上に配置される。
【００４５】
投影露光装置１を用いた微細構造化又はナノ構造化構成要素の生成中に、最初にレチクル８及びウェーハ１０が与えられる。次いで、投影露光装置１を用いてレチクル８上の構造がウェーハ１０の感光層上に投影される。感光層を現像することにより、ウェーハ１０上に微細構造又はナノ構造が生成され、従って、微細構造化又はナノ構造化構成要素、例えば、記憶チップの形態にある半導体構成要素が生成される。
【符号の説明】
【００４６】
２ａ  電子ビーム供給デバイス
２ｃ  電子ビーム廃棄デバイス
１４、１５  電子ビーム
１６  下側の部屋
２２、２３、２４、２５  偏向磁石
【図１】
0006052750.tif 000002
【図２】
0006052750.tif 000003
【図３】
0006052750.tif 000004
【図４】
0006052750.tif 000005