(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部材を介し、相対向して配置される少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層と、
前記絶縁部材中に埋設され、前記第１の配線層と電極部を介して電気的に接続するようにして実装されたチップ部品と、
前記少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層を電気的に接続するための導電性バンプと、
前記チップ部品の電極部と前記第２の配線層とを電気的に接続するための導電性部材と、
前記第１の配線層及び前記第２の配線層とそれぞれ電気的に接続された第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子と、
を具え、
前記チップ部品の前記第１の配線層を介した前記第１の表面電極端子までの電極長さＬ１と、前記チップ部品の前記導電性部材及び前記第２の配線層を介した前記第２の表面電極端子までの電極長さＬ２とが等しいことを特徴とする、部品内蔵配線基板。
【請求項２】
前記導電性部材は、前記チップ部品の電極部の上面から直上に延在する導電性ポストであって、前記チップ部品の電極部は、前記導電性ポストを介して前記第２の配線層と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項３】
前記チップ部品はチップ受動部品であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項４】
前記チップ部品は一対のチップ受動部品であって、これら一対のチップ受動部品は、外部端子を有する面と反対側の面において互いに接着されて一体となり、前記外部端子が前記チップ部品の電極部を構成することを特徴とする、請求項３に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項５】
前記チップ部品はチップ能動部品であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項６】
前記チップ部品は一対のチップ能動部品であって、これら一対のチップ能動部品は、外部端子を有する面と反対側の面において互いに接着されて一体となり、前記外部端子が前記チップ部品の電極部を構成することを特徴とする、請求項５に記載の部品内蔵配線基板。
【請求項７】
相対向して配置される少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層の、前記第１の配線層上に、電極部を介して電気的に接続するようにしてチップ部品を実装する工程と、
前記チップ部品の電極部に、前記第２の配線層と電気的に接続するための導電性部材を形成する工程と、
前記少なくとも一対の第１の配線層及び前記第２の配線層間に絶縁部材を配設し、前記チップ部品を前記絶縁部材中に埋設するとともに、前記少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層を導電性バンプを介して電気的に接続し、前記チップ部品の電極部及び前記第２の配線層を導電性部材を介して電気的に接続する工程と、
前記第１の配線層及び前記第２の配線層とそれぞれ電気的に接続するように第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子を形成する工程と、
を具え、
前記チップ部品の前記第１の配線層を介した前記第１の表面電極端子までの電極長さＬ１と、前記チップ部品の前記導電性部材及び前記第２の配線層を介した前記第２の表面電極端子までの電極長さＬ２とが等しいことを特徴とする、部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記導電性部材は、前記チップ部品の電極部の上面から直上に延在する導電性ポストとして形成し、前記チップ部品の電極部は、前記導電性ポストを介して前記第２の配線層と電気的に接続することを特徴とする、請求項７に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機器の分野や電子機器の分野において好適に用いることのできる部品内蔵配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高性能化・小型化の流れの中、回路部品の高密度化、高機能化が一層求められている。かかる観点より、回路部品を搭載したモジュールにおいても、高密度化、高機能化への対応が要求されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、樹脂基板の上面に加熱した回路部品としての半導体部品やチップ部品を当接し、これら部品を樹脂基板中に埋め込み、次いで、樹脂基板から露出した部品の電極部に液滴を塗布して突出させることにより導電ポストを形成し、さらに樹脂基板上に導電ポストの先端部が露出するようにして絶縁層を形成し、次いで、この絶縁層上に導電ポストの先端部と電気的に接続するようにして配線パターンを形成することにより、上述した部品が樹脂基板及び絶縁層に内蔵され、これらの電極端子が上面に露出してなる構成の部品内蔵配線基板が開示されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の部品内蔵配線基板では、配線基板内に内蔵された部品の端子が一方の主面にのみしか露出していないので、配線基板内に内蔵された部品と電気的に接続できる電子部品等は、当該一方の主面にしか搭載することができず、いわゆる片面実装の部品内蔵配線基板しか得ることができない。
【０００５】
また、特許文献２には、回路部品としての半導体部品やコンデンサ、インダクタなどのチップ部品の少なくとも１つが熱硬化性樹脂中に内蔵されるとともに、当該熱硬化性樹脂中に配線パターンが半導体部品等と電気的に接続するように形成され、さらに配線パターンと電気的に接続し、上記熱硬化性樹脂を厚さ方向に貫通するようにして形成されたインナービアを介して、外部電極に接続されてなる構成の部品内蔵配線基板が開示されている。
【０００６】
特許文献２に記載の部品内蔵配線基板では、インナービアによって内蔵した半導体部品等がその両主面に形成された外部電極と電気的に接続できるようになるので、配線基板に内蔵された半導体部品等と電気的に接続できるチップ部品等は、部品内蔵配線基板の両主面上に搭載することができ、いわゆる両面実装の部品内蔵配線基板を得ることができる。したがって、特許文献１に記載の技術と比較して、部品内蔵配線基板の実装密度を向上させることができ、上述したモジュールの高密度化の要請にも合致することになる。
【０００７】
しかしながら、特許文献２に記載の方法では、インナービアを用いていることから、スルーホール形成やメッキ処理などの工程が必要になり、部品内蔵配線基板の製造工程が煩雑化してしまうという問題がある。また、メッキ処理を行うために、メッキ液の処理などの環境上の問題も考慮しなければならないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−３３２０９４号
【特許文献２】特許第４０６５１２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、簡易な方法及び構成で、両面実装可能な部品内蔵配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明は、
絶縁部材を介し、相対向して配置される少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層と、
前記絶縁部材中に埋設され、前記第１の配線層と電極部を介して電気的に接続するようにして実装されたチップ部品と、
前記少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層を電気的に接続するための導電性バンプと、
前記チップ部品の電極部と前記第２の配線層とを電気的に接続するための導電性部材と、
前記第１の配線層及び前記第２の配線層とそれぞれ電気的に接続された第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子と、
を具え、
前記チップ部品の前記第１の配線層を介した前記第１の表面電極端子までの電極長さＬ１と、前記チップ部品の前記導電性部材及び前記第２の配線層を介した前記第２の表面電極端子までの電極長さＬ２とが等しいことを特徴とする、部品内蔵配線基板に関する。
【００１１】
また、本発明は、
相対向して配置される少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層の、前記第１の配線層上に、電極部を介して電気的に接続するようにしてチップ部品を実装する工程と、
前記チップ部品の電極部に、前記第２の配線層と電気的に接続するための導電性部材を形成する工程と、
前記少なくとも一対の第１の配線層及び前記第２の配線層間に絶縁部材を配設し、前記チップ部品を前記絶縁部材中に埋設するとともに、前記少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層を導電性バンプを介して電気的に接続し、前記チップ部品の電極部及び前記第２の配線層を導電性部材を介して電気的に接続する工程と、
前記第１の配線層及び前記第２の配線層とそれぞれ電気的に接続するように第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子を形成する工程と、
を具え、
前記チップ部品の前記第１の配線層を介した前記第１の表面電極端子までの電極長さＬ１と、前記チップ部品の前記導電性部材及び前記第２の配線層を介した前記第２の表面電極端子までの電極長さＬ２とが等しいことを特徴とする、部品内蔵配線基板の製造方法に関する。
【００１２】
本発明によれば、相対向して配置される少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層間に配設された絶縁部材中に埋設されたチップ部品を、その電極部を介して第１の配線層に電気的に接続するようにして実装するとともに、電極部に導電性部材を形成し、この導電性部材を介して第２の配線層と電気的に接続するようにしている。また、少なくとも一対の第１の配線層及び第２の配線層を導電性バンプで電気的に接続するとともに、第１の配線層及び第２の配線層に対してそれぞれ第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子を形成している。
【００１３】
したがって、チップ部品と第１の配線層及び第２の配線層との電気的接続、並びに第１の配線層と第２の配線層との電気的接続を、導電性バンプと導電性部材とを介して行い、スルーホール形成やメッキ処理などの工程を必要とするインナービア等を用いないので、製造工程を煩雑化させることなく、両面実装可能な部品内蔵配線基板を簡易に製造することができる。また、メッキ処理に伴う環境上の問題も考慮する必要がない。
【００１４】
本発明では、チップ部品の第１の配線層を介した第１の表面電極端子までの電極長さＬ１と、チップ部品の導電性部材及び第２の配線層を介した第２の表面電極端子までの電極長さＬ２とを等しくする。
【００１５】
この場合、第１の表面実装電極端子及び第２の表面実装電極端子を介してそれぞれ電子部品を実装すると、これら電子部品からチップ部品までの電気的経路が互いに等しい長さとなるので、電子部品からチップ部品に供給される信号や電流のタイミング、あるいはチップ部品から電子部品に供給される信号や電流のタイミングを合わせることができる。したがって、チップ部品及び電子部品の動作に関する時間的なずれを抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の一例において、導電性部材は、チップ部品の電極部の上面から直上に延在する導電性ポストとし、チップ部品の電極部は、導電性ポストを介して第２の配線層と電気的に接続することができる。
【００１７】
この場合、部品内蔵配線基板の製造方法として公知の方法（例えば、ビー・スクエア・イット：Ｂ２ｉｔあるいはＡＬＩＶＨ（いずれも登録商標））で部品内蔵配線基板を製造した場合において、上述したチップ部品の導電性部材及び第２の配線層を介した第２の表面電極端子までの電極長さＬ２を最短とすることができる。したがって、導電性部材及び第２の配線層で構成される配線部の容量、インダクタ及び抵抗等の寄生パラメータを減少させることができる。このため、電子部品からチップ部品に供給される信号や電流の変動、あるいはチップ部品から電子部品に供給される信号や電流の変動を抑制することができ、チップ部品及び電子部品の動作の変動を抑制することができるようになる。
【発明の効果】
【００１８】
以上、本発明によれば、簡易な方法及び構成で、両面実装可能な部品内蔵配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態の部品内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態の部品内蔵配線基板における概略構成を示す断面図である。
【図３】第２の実施形態の部品内蔵配線基板における概略構成を示す断面図である。
【図４】第３の実施形態の部品内蔵配線基板における概略構成を示す断面図である。
【図５】実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す断面図である。
【図６】実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す断面図である。
【図７】実施形態の部品内蔵配線基板の製造方法における工程図を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のその他の特徴及び利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態の部品内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態の部品内蔵配線基板１０は、第１の配線層１１及び第２の配線層１２を有し、これらの間に第１の絶縁層２１が配設されている。第１の絶縁層２１内には、バイパスコンデンサ、インダクタ、フィルタ、ダンピング抵抗などの受動型のチップ部品４１が埋設されており、その電極部４１１がはんだ４２を介して第１の配線層１１に実装され、電気的に接続されている。
【００２２】
なお、第１の配線層１１及び第２の配線層１２は、特許請求の範囲における第１の配線層及び第２の配線層に相当し、第１の絶縁層２１は、特許請求の範囲における絶縁部材に相当する。チップ部品４１は、特許請求の範囲におけるチップ部品に相当する。
【００２３】
また、チップ部品４１の外方には、第１の配線層１１及び第２の配線層１２間において、第１の絶縁層２１の一部で電気的に絶縁されるようにして、下方から順次に第３の配線層１３、第４の配線層１４、第５の配線層１５及び第６の配線層１６が設けられている。さらに、第１の配線層１１の下方には、第２の絶縁層２２を介して第７の配線層１７が配設されているとともに、第２の配線層１２の上方には、第３の絶縁層２３を介して第８の配線層１８が配設されている。
【００２４】
なお、各配線層の厚さは互いに同一であって、金、銀、銅などの電気的良導体から形成する。
【００２５】
第７の配線層１７の上面及び第８の配線層１８の上面には、それぞれレジスト層４３及び４４が形成されている。レジスト層４３の開口部４３Ａから露出した第７の配線層１７上には、はんだボール４７を介して第１の半導体部品４５が搭載されている。また、レジスト層４４の開口部４４Ａから露出した第８の配線層１８上には、はんだボール４８を介して第２の半導体部品４６が搭載されている。
【００２６】
はんだボール４７及び４８の大きさ及び形状は互いに同一であって、それぞれ特許請求の範囲における第１の表面電極端子及び第２の表面電極端子に相当する。
【００２７】
第１の配線層１１及び第３の配線層１３は第１の導電性バンプ３１によって電気的に接続されており、第３の配線層１３及び第４の配線層１４は第２の導電性バンプ３２によって電気的に接続されており、第４の配線層１４及び第５の配線層１５は第３の導電性バンプ３３によって電気的に接続されている。また、第５の配線層１５及び第６の配線層１６は第４の導電性バンプ３４によって電気的に接続されており、第６の配線層１６及び第２の配線層１２は第５の導電性バンプ３５によって電気的に接続されている。
【００２８】
さらに、第１の配線層１１及び第７の配線層１７は第６の導電性バンプ３６によって電気的に接続されており、第２の配線層１２及び第８の配線層１８は第７の導電性バンプ３７によって電気的に接続されている。したがって、本実施形態の部品内蔵配線基板１０は、いわゆる多層配線基板を構成する。
【００２９】
第１の導電性バンプ３１から第５の導電性バンプ３５の大きさ及び形状は互いに同一であって、第６の導電性バンプ３６及び第７の導電性バンプ３７の大きさ及び形状も互いに同一である。また、これら導電性バンプは、金、銀、銅などの電気的良導体から構成できる他、これら金属の粒子が樹脂中に分散したような形態として構成することもできる。
【００３０】
第１の配線層１１から第８の配線層１８は、必要に応じて所定のパターニングが施されることによる配線パターンとして構成されてもよいし、ベタのパターンとして構成されていてもよい。
【００３１】
本実施形態においては、チップ部品４１の電極部４１１の上面において導電性の材料からなる円錐形状の電極ポスト５１が形成されており、当該ポスト５１は第５の導電性バンプ３５を介して第２の配線層１２と電気的に接続されている。これにより、内蔵されたチップ部品４１は、第１の配線層１１、第６の導電性バンプ３６、第７の配線層１７及びはんだボール４７を介して第１の半導体部品４５と電気的に接続されている。また、電極ポスト５１、第５の導電性バンプ３５、第２の配線層１２、第７の導電性バンプ３７及びはんだボール４８を介して第２の半導体部品４６と電気的に接続されている。
【００３２】
なお、上述した電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５は、特許請求の範囲における導電性ポストに相当する。但し、第５の導電性バンプ３５を用いることなく、電極ポスト５１のみから導電性ポストを構成することもできる。
【００３３】
また、電極ポスト５１の形状は以下に説明する製造方法に起因するものであって、上述のように、チップ部品４１の電極部４１１と第２の配線層１２とを電気的に接続するものであれば、特に限定されるものではない。
【００３４】
本実施形態の部品内蔵配線基板１０は、第１の配線層１１及び第２の配線層１２間に配設された第１の絶縁層２１中に埋設されたチップ部品４１を、その電極部４１１を介して第１の配線層１１に電気的に接続するようにして実装するとともに、電極部４１１に電極ポスト５１を形成し、この電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５（導電性ポスト）を介して第２の配線層１２と電気的に接続するようにしている。
【００３５】
また、第１の配線層１１及び第２の配線層１２を、それらの間に位置する第３の配線層１３から第６の配線層１６を介して第１の導電性バンプ３１から第５の導電性バンプ３５で電気的に接続している。さらに、第１の配線層１１及び第２の配線層１２の外方において、それぞれ第６の導電性バンプ３６及び第７の導電性バンプ３７を介して第７の配線層１７及び第８の配線層１８を配設している。
【００３６】
したがって、チップ部品４１と第１の配線層１１及び第２の配線層１２との電気的接続、並びに第１の配線層１１から第８の配線層１８の電気的接続を、電極ポスト５１及び第１の導電性バンプ３１から第７の導電性バンプ３７を介して行い、スルーホール形成やメッキ処理などの工程を必要とするインナービア等を用いないので、製造工程を煩雑化させることなく、両面実装可能な部品内蔵配線基板１０を簡易に製造することができる。また、メッキ処理に伴う環境上の問題も考慮する必要がない。
【００３７】
本実施形態の部品内蔵配線基板１０においては、チップ部品４１の第１の配線層１１（及び第６の導電性バンプ３６）を介したはんだボール４７までの電極長さＬ１と、チップ部品４１の電極ポスト５１、第５の導電性バンプ３５及び第２の配線層１２（並びに第７の導電性バンプ３７）を介したはんだボール４８までの電極長さＬ２とを等しくすることができる。
【００３８】
この場合、第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６からチップ部品４１までの電気的経路が互いに等しい長さとなるので、特にチップ部品４１から第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６に供給される電流のタイミングを合わせることができる。したがって、第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６の動作に関する時間的なずれを抑制することができる。
【００３９】
なお、図１から明らかなように、電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５の分だけ、電極長さＬ２が電極長さＬ１よりも長くなるので、上述のように電極長さＬ１及び電極長さＬ２を互いに等しくするには、例えば第６の導電性バンプ３６の形成位置を第７の導電性バンプ３７の形成位置よりも外方に設定し、これによって電極長さＬ１を増長する。
【００４０】
また、本実施形態の部品内蔵配線基板１０においては、チップ部品４１の電極部４１１の上面から直上に電極ポスト５１が形成されており、チップ部品４１の電極部４１１は、電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５からなる導電性ポストを介して第２の配線層１２と電気的に接続されている。
【００４１】
この場合、部品内蔵配線基板の製造方法として公知の方法（例えば、ビー・スクエア・イット：Ｂ２ｉｔあるいはＡＬＩＶＨ（いずれも登録商標）で部品内蔵配線基板１０を製造した場合において、チップ部品４１の導電性ポスト及び第２の配線層１２（並びに第７の導電性バンプ３７）を介したはんだボール４８までの電極長さＬ２を最短とすることができる。したがって、チップ部品４１とはんだボール４８とを電気的に接続する配線部の容量、インダクタ及び抵抗等の寄生パラメータを減少させることができる。このため、特にチップ部品４１から第２の半導体部品４６に供給される電流の変動を抑制することができ、第２の半導体部品４６の動作変動を抑制することができるようになる。
【００４２】
図２は、図１に示す部品内蔵配線基板１０の変形例である。図１に示す部品内蔵配線基板１０では、はんだボール４７及び４８に対して、それぞれ単一の半導体部品（第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６）が実装されていたが、本変形例の部品内蔵配線基板１０’では、はんだボール４７及び４８に対して、第１の半導体部品４５−１及び４５−２並びに第２の半導体部品４６−１及び４６−２が実装されている。この場合、例えば符号“４５−１”及び“４６−１”で示される第１の半導体部品及び第２の半導体部品がロジックＩＣを構成し、符号“４５−２”及び“４６−２”で示される第１の半導体部品及び第２の半導体部品がメモリＩＣを構成する。
【００４３】
また、チップ部品４１は、電極部４１１を有さず、その下面に設けられた電極端子にはんだ４２が形成され、このはんだ４２を介して第１の配線層１１に実装されている。
【００４４】
図２に示す部品内蔵配線基板１０’は、上述した点を除き、図１に示す部品内蔵配線基板１０と同一の構成を採るので、部品内蔵配線基板１０と同様の作用効果を奏することができる。
【００４５】
すなわち、チップ部品４１と第１の配線層１１及び第２の配線層１２との電気的接続、並びに第１の配線層１１から第８の配線層１８の電気的接続を、電極ポスト５１及び第１の導電性バンプ３１から第７の導電性バンプ３７を介して行い、スルーホール形成やメッキ処理などの工程を必要とするインナービア等を用いないので、製造工程を煩雑化させることなく、両面実装可能な部品内蔵配線基板１０を簡易に製造することができる。また、メッキ処理に伴う環境上の問題も考慮する必要がない。
【００４６】
また、チップ部品４１の第１の配線層１１（及びはんだ４２、第６の導電性バンプ３６）を介したはんだボール４７までの電極長さＬ１と、チップ部品４１の電極ポスト５１、第５の導電性バンプ３５及び第２の配線層１２（並びに第７の導電性バンプ３７）を介したはんだボール４８までの電極長さＬ２とを等しくすることができる。
【００４７】
この場合、ロジックＩＣである第１の半導体部品４５−１及び第２の半導体部品４６−１からチップ部品４１に供給される信号、及びチップ部品４１からメモリＩＣである第１の半導体部品４５−２及び第２の半導体部品４６−２に供給される信号のタイミングを合わせることができる。また、メモリＩＣである第１の半導体部品４５−２及び第２の半導体部品４６−２からチップ部品４１に供給される信号、及びチップ部品４１からロジックＩＣである第１の半導体部品４５−１及び第２の半導体部品４６−１に供給される信号のタイミングを合わせることができる。
【００４８】
したがって、第１の半導体部品４５−１，４５−２及び第２の半導体部品４６−１，４６−２の動作に関する時間的なずれを抑制することができる。
【００４９】
さらに、電極長さＬ２を最短とすることができるので、チップ部品４１とはんだボール４８とを電気的に接続する配線部の容量、インダクタ及び抵抗等の寄生パラメータを減少させることができる。このため、ロジックＩＣである第２の半導体部品４６−１からチップ部品４１に供給される信号、及びチップ部品４１からメモリＩＣである第２の半導体部品４６−２に供給される信号の変動、並びにメモリＩＣである第２の半導体部品４６−２からチップ部品４１に供給される信号、及びチップ部品４１からロジックＩＣである第２の半導体部品４６−１に供給される信号の変動を抑制することができる。
【００５０】
なお、本変形例の部品内蔵配線基板１０’はメモリＩＣ（第１の半導体部品４５−２及び第２の半導体部品４６−２）を有しているので、反射信号を低下させるべくチップ部品４１をダンピング抵抗とすることができる。この場合、例えば、上述した電極長さＬ１及びＬ２を同一とすることにより、部品内蔵配線基板１０’の両表面に設けられた第１の半導体部品４５−１及び４５−２を含む回路構成と、第２の半導体部品４６−１及び４６−２を含む回路構成とをほぼ同一にすることができるので、回路設計を含めた部品内蔵配線基板１０’の設計及び製造を簡易化することができる。
【００５１】
なお、ロジックＩＣである第１の半導体部品４５−１及び第２の半導体部品４６−１のいずれか一方は省略することができる。
【００５２】
（第２の実施形態）
図３は、本実施形態の部品内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図１に示す第１の実施形態に関する部品内蔵配線基板１０と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同一の符号を用いている。
【００５３】
本実施形態の部品内蔵配線基板６０では、第１のチップ部品４１−１及び第２のチップ部品４１−２が電極端子面と反対側の面を互いに接着剤６２で接着して固定されており、第１のチップ部品４１−１の電極端子がはんだ４２を介して第１の配線層１１に実装され、第２のチップ部品４１−２の電極端子が電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５を介して第２の配線層１２に電気的に接続されている。なお、その他の構成は、図１に示す第１の実施形態の部品内蔵配線基板１０と同様である。
【００５４】
図３に示すように、本実施形態の部品内蔵配線基板６０は、上述した点を除き、図１に示す部品内蔵配線基板１０と同一の構成を採るので、部品内蔵配線基板１０と同様の作用効果を奏することができる。
【００５５】
すなわち、第１のチップ部品４１−１及び第２のチップ部品４１−２と第１の配線層１１及び第２の配線層１２との電気的接続、並びに第１の配線層１１から第８の配線層１８の電気的接続を、電極ポスト５１及び第１の導電性バンプ３１から第７の導電性バンプ３７を介して行い、スルーホール形成やメッキ処理などの工程を必要とするインナービア等を用いないので、製造工程を煩雑化させることなく、両面実装可能な部品内蔵配線基板１０を簡易に製造することができる。また、メッキ処理に伴う環境上の問題も考慮する必要がない。
【００５６】
また、第１のチップ部品４１−１の第１の配線層１１（及びはんだ４２、第６の導電性バンプ３６）を介したはんだボール４７までの電極長さＬ１と、第２のチップ部品４１−２の電極ポスト５１、第５の導電性バンプ３５及び第２の配線層１２（並びに第７の導電性バンプ３７）を介したはんだボール４８までの電極長さＬ２とを等しくすることにより、特に第１のチップ部品４１−１から第１の半導体部品４５及び第２のチップ部品４１−２から第２の半導体部品４６に供給される電流のタイミングを合わせることができる。したがって、第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６の動作に関する時間的なずれを抑制することができる。
【００５７】
さらに、電極長さＬ２を最短とすることができるので、第１のチップ部品４１−１とはんだボール４８とを電気的に接続する配線部の容量、インダクタ及び抵抗等の寄生パラメータを減少させることができる。このため、第２のチップ部品４１−２から第２の半導体部品４６に供給される電流の変動を抑制することができ、第２の半導体部品４６の動作変動を抑制することができるようになる。
【００５８】
なお、本実施形態の部品内蔵配線基板６０では、第１の絶縁層２１中に第１のチップ部品４１−１及び第２のチップ部品４１−２を埋設しているので、第１の実施形態の部品内蔵配線基板１０と比較して、チップ部品をより高密度に実装することができる。
【００５９】
（第３の実施形態）
図４は、本実施形態の部品内蔵配線基板の概略構成を示す断面図である。なお、図１に示す第１の実施形態に関する部品内蔵配線基板１０と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同一の符号を用いている。
【００６０】
本実施形態の部品内蔵配線基板７０では、メモリＩＣとしての第１の半導体チップ部品７１−１及び第２の半導体チップ部品７１−２が電極端子面と反対側の面を互いに接着剤７２で接着して固定されており、第１の半導体チップ部品７１−１の電極端子がはんだ４２を介して第１の配線層１１に実装され、第２の半導体チップ部品４１−２の電極端子が電極ポスト５１及び第５の導電性バンプ３５を介して第２の配線層１２に電気的に接続されている。なお、その他の構成は、図１に示す第１の実施形態の部品内蔵配線基板１０と同様であるが、本実施形態の場合、第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６はそれぞれロジックＩＣを構成する。
【００６１】
図４に示すように、本実施形態の部品内蔵配線基板７０は、上述した点を除き、図１に示す部品内蔵配線基板１０と同一の構成を採るので、部品内蔵配線基板１０と同様の作用効果を奏することができる。
【００６２】
すなわち、第１の半導体チップ部品７１−１及び第２の半導体チップ部品７１−２と第１の配線層１１及び第２の配線層１２との電気的接続、並びに第１の配線層１１から第８の配線層１８の電気的接続を、電極ポスト５１及び第１の導電性バンプ３１から第７の導電性バンプ３７を介して行い、スルーホール形成やメッキ処理などの工程を必要とするインナービア等を用いないので、製造工程を煩雑化させることなく、両面実装可能な部品内蔵配線基板７０を簡易に製造することができる。また、メッキ処理に伴う環境上の問題も考慮する必要がない。
【００６３】
また、第１の半導体チップ部品７１−１の第１の配線層１１（及びはんだ４２、第６の導電性バンプ３６）を介したはんだボール４７までの電極長さＬ１と、第２の半導体チップ部品７１−２の電極ポスト５１、第５の導電性バンプ３５及び第２の配線層１２（並びに第７の導電性バンプ３７）を介したはんだボール４８までの電極長さＬ２とを等しくすることにより、ロジックＩＣである第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６からメモリＩＣである第１の半導体チップ部品７１−１及び第２の半導体チップ部品７１−２に供給される信号、並びに第１の半導体チップ部品７１−１及び第２の半導体チップ部品７１−２から第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６に供給される信号のタイミングを合わせることができる。
【００６４】
したがって、第１の半導体部品４５、第２の半導体部品４６及び第１の半導体チップ部品７１−１、第２の半導体チップ部品７１−２の動作に関する時間的なずれを抑制することができる。
【００６５】
さらに、電極長さＬ２を最短とすることができるので、第２の半導体チップ部品７１−２とはんだボール４８とを電気的に接続する配線部の容量、インダクタ及び抵抗等の寄生パラメータを減少させることができる。このため、ロジックＩＣである第２の半導体部品４６からメモリＩＣである第２の半導体チップ部品７１−２に供給される信号、及び第２の半導体チップ部品７１−２から第２の半導体部品４６に供給される信号の変動を抑制することができる。
【００６６】
（第４の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態の部品内蔵配線基板１０の製造方法について説明する。図５〜図７は、本実施形態の製造方法を概略的に説明する工程図である。
【００６７】
最初に、図５に示すように、いわゆるビー・スクエア・イット（Ｂ２ｉｔ）によって、第２の絶縁層２２の両面に第１の配線層１１及び第７の配線層１７が形成された両面配線基板を形成し、次いで、第１の配線層１１上にはんだ４２を介してチップ部品４１の電極部４１１を電気的に接続して、チップ部品４１を第１の配線層１１に実装する。次いで、チップ部品４１の電極部４１１の上面に、インクジェットノズル又はジェットディスペンサノズル８１から導電性部材を吐出し、例えば円錐形状の電極ポスト５１を形成し、上述した両面配線基板に実装され、電極ポスト５１が配設されたチップ部品４１を含む第１の配線基板積層体８６を形成する。
【００６８】
次いで、図５と同様にして、第３の絶縁層２３の両面に第８の配線層１８及び第２の配線層１２が形成された両面配線基板を形成し、次いで、この両面配線基板の第２の配線層１２上に後に第１の絶縁層２１となるプリプレグ２１Ｐを形成するとともに、プリプレグ２１Ｐを貫通するようにして第５の導電性バンプ３５を形成して、第２の配線基板積層体８７を形成する。
【００６９】
また、図５と同様にして、後に第１の絶縁層２１となる絶縁性部材２１Ｘの表面に第６の配線層１６が形成され、同じく後に第１の絶縁層２１となる絶縁性部材２１Ｙの両主面に第５の配線層１５及び第３の配線層１３が形成され、内部に第４の配線層１４が形成されるとともに、第３の配線層１３上に後に第１の絶縁層２１となるプリプレグ２１Ｐを形成し、さらにプリプレグ２１Ｐを貫通するようにして第１の導電性バンプ３１を形成して、第３の配線基板積層体８８を形成する。
【００７０】
次いで、図６に示すように、第３の配線基板積層体８８の上方に第１の配線基板積層体８７を配置し、第３の配線基板積層体８８の下方に、実装したチップ部品４１が第３の配線基板積層体８８の開口部８８Ｏに位置するようにして第３の配線基板積層体８６を配置する。次いで、第１の配線基板積層体８６、第２の配線基板積層体８７及び第３の配線基板積層体８８を上下方向から加熱下圧接し、第２の配線基板積層体８７のプリプレグ２１Ｐ及び第３の配線基板積層体８８のプリプレグ２１Ｐを溶融して流動させ、開口部８８Ｏとチップ部品４１との空隙を埋設させるとともに、第１の配線基板積層体８６、第２の配線基板積層体８７及び第３の配線基板積層体８８を互いに密着固定させる。
【００７１】
この際、上述したように、絶縁性部材２１Ｘ、絶縁性部材２１Ｙ及びプリプレグ２１Ｐは一体となり、第１の絶縁層２１を構成する。
【００７２】
次いで、最も外側に位置する第７の配線層１７及び第８の配線層１８の表面に、それぞれ開口部４３Ａが形成されたレジスト層４３及び開口部４４Ａが形成されたレジスト層４４を形成し、図７に示すような積層構造体１０Ｘを得る。
【００７３】
なお、積層構造体１０Ｘははんだボールを介して半導体部品が搭載されていない点を除き、図１に示す部品内蔵配線基板１０と同様の構成を有する。
【００７４】
その後、第７の配線層１７及び第８の配線層１８上に、それぞれ開口部４３Ａ及び４４Ａを介してはんだボール４７及び４８を形成し、第１の半導体部品４５及び第２の半導体部品４６を搭載することにより、図１に示すような部品内蔵配線基板１０を得る。
【００７５】
本実施形態では、第１の実施形態における部品内蔵配線基板１０の製造方法について説明したが、その他の部品内蔵配線基板においても、チップ部品４１の種類や半導体部品の数が異なるのみであるので、本実施形態の製造方法に従って製造することができる。
【００７６】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【００７７】
例えば、上記実施形態では、配線層の数が８個の多層配線基板として部品内蔵配線基板を構成しているが、配線層の数は必要に応じて任意の数とすることができる。
【００７８】
また、部品内蔵配線基板は必ずしも多層配線基板の構成で作製する必要はなく、第１の配線層１１及び第２の配線層１２と、これら配線層間に配設された第１の絶縁層とからなる単層の配線基板とすることもできる。
【符号の説明】
【００７９】
１０、１０’、６０、７０  部品内蔵配線基板
１１  第１の配線層
１２  第２の配線層
１３  第３の配線層
１４  第４の配線層
１５  第５の配線層
１６  第６の配線層
１７  第７の配線層
１８  第８の配線層
２１  第１の絶縁層
２２  第２の絶縁層
２３  第３の絶縁層
３１  第１の導電性バンプ
３２  第２の導電性バンプ
３３  第３の導電性バンプ
３４  第４の導電性バンプ
３５  第５の導電性バンプ
３６  第６の導電性バンプ
３７  第７の導電性バンプ
４１  チップ部品
４１−１  第１のチップ部品
４１−２  第２のチップ部品
４１１  チップ部品の電極部
４２  はんだ
４５、４５−１、４５−２  第１の半導体部品
４６、４６−１、４６−２  第２の半導体部品
４７、４８  はんだボール
５１  電極ポスト
７１−１  第１の半導体チップ部品
７１−２  第２の半導体チップ部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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