(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、
前記基板載置台を回転させる回転機構とを有し、前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板を処理する処理室と、
前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、
前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、
前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、
前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第２の載置部基準位置情報と、
前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、
前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、
前記第１の載置部基準位置情報と、
前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、
前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内である場合に、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差に基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を補正するよう制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内でない場合に、前記基板搬送機の搬送動作を停止するよう制御する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板有無検出器は、少なくとも２個の基板有無検出器で構成され、
前記制御部は、前記搬送室内を搬送中の基板を前記２個の基板有無検出器が検出する時間差に基づいて、前記検出位置情報を作成する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記２個の基板有無検出器のうち少なくとも１個が検出したときの基板の位置を前記基板位置基準情報として作成する請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、
前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、
前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、
を有する基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、
前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第２の載置部基準位置情報とを取得する工程と、
前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得する工程と、
前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出する基板位置検出工程と、
前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第一の基板載置部に基板を載置する第１の基板載置工程と、
前記検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する第２の基板載置工程と、
前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内である場合に、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差に基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を補正する工程を有する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内でない場合に、前記基板搬送機の搬送動作を停止する工程を有する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板有無検出器は、少なくとも２個の基板有無検出器で構成され、
前記搬送室内を搬送中の基板を前記２個の基板有無検出器が検出する時間差に基づいて前記検出位置情報を作成する工程を有する請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記２個の基板有無検出器のうち少なくとも１個が検出したときの基板の位置を前記基板位置基準情報として作成する工程を有する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、
前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、
前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、
を動作させるプログラムが記録された記録媒体であって、
前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の前記処理室における基準位置を示す第２の載置部基準位置情報とを取得させる手順と、
前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得させる手順と、
前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出させる基板位置検出手順と、
前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第一の基板載置部に基板を載置させる第１の基板載置手順と、
前記検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置させる第２の基板載置手順と、
をコンピュータにより基板処理装置に実行させるプログラム。
【請求項１２】
前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内である場合に、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差に基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を補正させる手順を有する請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内でない場合に、前記基板搬送機の搬送動作を停止させる手順を有する請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記基板有無検出器は、少なくとも２個の基板有無検出器で構成され、前記搬送室内を搬送中の基板を前記２個の基板有無検出器が検出する時間差に基づいて前記検出位置情報を作成させる手順を有する請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１５】
前記２個の基板有無検出器のうち少なくとも１個が検出したときの基板の位置を前記基板位置基準情報として作成させる手順を有する請求項１１に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置として、サセプタ上に載置された複数の基板上に同時に薄膜を形成する反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置が知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような基板処理装置においては、自動制御により基板搬送機を制御して、基板搬送機のツイーザ上に支持した基板を搬送し、サセプタ上に載置する。そのとき、ツイーザ上の基板をサセプタ上の所定の位置に正確に載置することが必要である。
しかしながら、長く使用する間にツイーザが変形するなどの原因により、ツイーザ上の所定の位置から基板がずれることがある。そうすると、基板をサセプタ上の所定の位置に載置することができず、基板上に形成する薄膜の面内均一性が悪化する、あるいは基板が破損する等の問題を生じる恐れがある。
本発明の目的は、ツイーザ上に支持した基板がずれた場合においても、サセプタ上の所定の位置に基板を載置することのできる基板処理装置、半導体装置の製造方法及び記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記課題を解決するための、本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有し、前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板を処理する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報と、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を制御する制御部と、を有する基板処理装置。【０００５】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記第一及び第二の基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、を有する基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報とを取得する工程と、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得する工程と、前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出する基板位置検出工程と、前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第一の基板載置部に基板を載置する第１の基板載置工程と、前記検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する第２の基板載置工程と、前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。【０００６】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記第一及び第二の基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、を動作させるプログラムが記録された記録媒体であって、前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報とを取得させる手順と、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得させる手順と、前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出させる基板位置検出手順と、前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第一の基板載置部に基板を載置させる第１の基板載置手順と、前記検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置させる第２の基板載置手順と、前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。
【発明の効果】
【０００７】
上記の構成によれば、ツイーザ上に支持した基板がずれた場合においても、サセプタ上の所定の位置に基板を載置することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の上面概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の縦断面概略図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る基板処理室の横断面概略図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板処理室の縦断面概略図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るコントローラ構成の概略図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るセンサの説明図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るウエハ位置ずれを示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る基板処理工程を説明するフローチャートである。
【図９】本発明の第１実施形態に係る成膜工程を説明するフローチャートである。
【図１０】本発明の第１実施形態に係るクリーニング工程を説明するフローチャートである。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る基板処理室の上面概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜第１実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
まずは、第１実施形態に係る基板処理装置１０の構成について、図１と図２を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略構成図（上面図）である。図２は、第１実施形態に係る基板処理装置１０の縦断面概略図である。
【００１０】
図１および図２を用いて、第１実施形態に係る基板処理装置１０（以下、単に装置とも称する。）の概要を説明する。
なお、本発明が適用される基板処理装置１０においては、製品としての処理基板２００やダミー基板２８０などの基板を搬送するキャリヤとして、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ 。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１に示されているＸ１の方向を右、Ｘ２方向を左、Ｙ１方向を前、Ｙ２方向を後ろとする。また、本装置は処理基板２００を搬送、処理し、更にはダミー基板２８０を搬送する装置であるが、以下の説明では処理基板２００を主として説明する。
【００１１】
図１および図２に示されているように、基板処理装置１０は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えている。第一の搬送室１０３の筐体１０１は、平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には、負圧下で二枚の基板２００を同時に搬送し移載出来る基板搬送機である第一の基板移載機１１２が設置されている。ここで、第一の基板移載機１１２は、一枚の基板２００を移載出来る物でも良い。第一の基板移載機１１２は、第一の基板移載機エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１２】
筐体１０１の五枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室と搬出用の予備室とを併用可能な予備室１２２と１２３がそれぞれゲートバルブ１２６，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造で構成されている。さらに、予備室（ロードロック室）１２２，１２３には、基板支持台１４０により２枚の基板２００を積み重ねるように置くことが可能である。
【００１３】
予備室１２２，１２３には、基板の間に隔壁板（中間プレート）１４１が設置される。複数枚の処理済基板が予備室１２２または１２３に入る場合、先に入った処理済の冷却途中の基板が、次に入った処理済基板の熱影響で温度の下がり具合が遅くなるような熱干渉を、隔壁板１４１があることで防止できる。
【００１４】
ここで、一般的な冷却効率を上げるための手法を説明する。予備室１２２および１２３、隔壁板１４１には冷却水やチラーなどを流し、壁面温度を低く抑え、どのスロットに入った処理済基板であっても冷却効率を上げることができる。負圧においては、基板と隔壁板１４１の距離が離れすぎていると熱交換による冷却効率が低下するため、冷却効率を向上させる手法として、基板支持台１４０（ピン）に置いたあと、基板支持台１４０を上下させ、予備室壁面に近づけるための駆動機構を設ける場合もある。
【００１５】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には基板２００を移載する第二の基板移載機１２４が設置されている。第二の基板移載機１２４は、第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機エレベータ１３１によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１６】
図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６を設置させることも出来る。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００１７】
図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（ＩＯステージ）１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６とを備えており、ロードポート１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＯＨＴなど）によって、ロードポート１０５に対して、供給および排出されるようになっている。
【００１８】
図１に示されているように、第一の搬送室筐体１０１の五枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する四枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第一の処理室２０２ａと、第二の処理室２０２ｂと、第三の処理室２０２ｃと、第四の処理室２０２ｄとがゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３を介してそれぞれ隣接して連結されている。つまり、第一の搬送室１０３は、処理室２０２ａ〜２０２ｄに隣接して設けられている。
【００１９】
第一の搬送筐体１０１の天井と底部であってゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３の近傍には、基板２００の通過状況を検出するセンサ１１７がそれぞれ設けられている。センサ１１７は、後述する制御部３００に信号接続されている。センサ１１７は、基板の有無を検出する基板有無検出器であり、制御部３００とともに、第一の搬送室１０３内において搬送中の基板２００の位置を検出する基板位置検出部を構成する。センサ１１７は、例えば２組の光透過型センサ１１７ａ、１１７ｂから成る（図３参照）。透過型センサ１１７ａ、１１７ｂは、それぞれ、例えば上下方向に発光部と受光部とを有する（図２参照）。基板２００の端部が透過型センサ１１７の発光部と受光部との間に移動すると、発光部から射出された光が基板２００で反射され、受光部が発光部からの射出光を受光できなくなる。こうして、基板２００の端部の存在を、検出することができる。なお、センサ１１７の１組とは、センサとして機能する単位を示し、上述のように例えば発光部と受光部とを有する構成を示す。
【００２０】
２組の透過型センサ１１７は、図６に示すように、例えば次の位置関係で配置される。図６は、第１実施形態に係るセンサの説明図である。透過型センサ１１７ａ、１１７ｂ間の距離は、基板２００の直径よりも短い距離とする。透過型センサ１１７ａ、１１７ｂを結んだ線が、ゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３と平行となるよう配置する。透過型センサ１１７ａ、１１７ｂの水平面（ＸＹ面）内における位置は、第一の搬送室１０３内であって処理室２０２の近傍である。例えば図２に示すように、第一の基板移載機エレベータ１１５の中心軸や第一の搬送室１０３の中心よりも、処理室２０２との境界であるゲートバルブ１５１に近い位置に配置される。また、図６に示すように、２つの透過型センサ１１７ａ、１１７ｂは、基板２００の移動経路１１７ｃを挟むように、移動経路１１７ｃの両側に、移動経路１１７ｃを対称軸として線対称となるように配置されるのが好ましい。移動経路１１７ｃについては後述する。
【００２１】
（２）処理室の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理室としての処理室２０２の構成について、主に図３と図４を用いて説明する。図３は、本実施形態に係る処理室の横断面概略図である。図４は、本実施形態に係る処理室の縦断面概略図であり、図３に示す処理室のＡ−Ａ’線断面図である。
【００２２】
（反応容器）
図３〜図４に示すように、処理室２０２は、円筒状の気密容器である反応容器２０３を備えている。反応容器２０３内には、基板２００の処理空間２０７が形成されている。反応容器２０３内の処理空間２０７の上側には、中心部から放射状に延びる４枚の仕切板２０５が設けられている。４枚の仕切板２０５は、処理空間２０７を、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂに仕切るように構成されている。なお、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂは、後述するサセプタ（基板載置台）２１７の回転方向（図３の矢印Ｂの方向）に沿って、この順番に配列するように構成されている。
【００２３】
後述するように、サセプタ２１７を回転させることで、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動することとなる。また、後述するように、第一の処理領域２０１ａ内には第一のガスとしての第一の処理ガスが供給され、第二の処理領域２０１ｂ内には第二のガスとしての第二の処理ガスが供給され、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内には、不活性ガスが供給されるように構成されている。そのため、サセプタ２１７を回転させることで、基板２００上には、第一の処理ガス、不活性ガス、第二の処理ガス、不活性ガスが、この順に供給されることとなる。サセプタ２１７及びガス供給系の構成については後述する。
【００２４】
仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との間には、所定の幅の隙間が設けられており、この隙間をガスが通過できるように構成されている。この隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにすることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができ、処理ガスの反応を防止することができるように構成されている。
【００２５】
なお、本実施形態では、各仕切板２０５の間の角度をそれぞれ９０度としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基板２００への各種ガスの供給時間等を考慮して、例えば第二の処理領域２０１ｂを形成する２枚の仕切板２０５の間の角度を大きくしたりする等、適宜変更してもよい。
【００２６】
また、各処理領域を仕切板２０５で仕切ったが、それに限るものではなく、処理領域２０１ａと２０１ｂそれぞれに供給されるガスを混合させないようにできる構成であればよい。
【００２７】
（サセプタ）
図３〜図４に示すように、仕切板２０５の下側、すなわち反応容器２０３内の底側中央には、反応容器２０３の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板載置台としてのサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、基板２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。なお、サセプタ２１７は、反応容器２０３とは電気的に絶縁されている。
【００２８】
サセプタ２１７は、反応容器２０３内にて、複数枚（本実施形態では例えば５枚）の基板２００を同一面上に、かつ同一円周上に並べて支持するように構成されている。ここで、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタ２１７を上面から見たときに、図３及び図４に示すように、複数枚の基板２００が互いに重ならないように並べられていればよい。
【００２９】
なお、サセプタ２１７表面における基板２００の支持位置には、基板載置部２１７ｂ（基板載置部２１７ｂ（１）、基板載置部２１７ｂ（２）、…、基板載置部２１７ｂ（ｎ））が、処理する基板２００の枚数ｎに対応して同一円周上に設けられている。ｎは２以上の自然数である。本実施例においては、５枚の基板を処理することを想定するため、５つの基板載置部２１７ｂを設けている。基板載置部２１７ｂは、例えば上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状としてもよい。この場合、基板載置部２１７ｂの直径は基板２００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。この基板載置部２１７ｂ内に基板２００を載置することにより、基板２００の位置決めを容易に行うことができ、また、サセプタ２１７の回転に伴う遠心力により基板２００がサセプタ２１７から飛び出してしまう場合等で発生する位置ズレを防止できるようになる。
【００３０】
図４に示すように、サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが複数設けられている。上述の反応容器２０３の底面には、反応容器２０３内への基板２００の搬入・搬出時に、基板２００を突き上げて、基板２００の裏面を支持する基板突き上げピン２６６が複数設けられている。貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６は、基板突き上げピン２６６が上昇させられた時、又は昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降させられた時に、基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００３１】
昇降機構２６８には、サセプタ２１７を水平回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の図示しない回転軸は、サセプタ２１７に接続されており、回転機構２６７を作動させることでサセプタ２１７を回転させることができるように構成されている。回転機構２６７には、後述する制御部３００が、カップリング部２６７ａを介して接続されている。カップリング部２６７ａは、回転側と固定側との間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。これにより、サセプタ２１７の回転が妨げられないようになっている。制御部３００は、サセプタ２１７を所定の速度で所定時間回転させるように、回転機構２６７への通電具合を制御するように構成されている。上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂをこの順番に移動することとなる。
【００３２】
（加熱部）
サセプタ２１７の内部には、加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれており、基板２００を加熱できるように構成されている。ヒータ２１８に電力が供給されると、基板２００表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、ヒータ２１８は、サセプタ２１７に載置されたそれぞれの基板２００を個別に加熱するように、同一面上に複数（例えば５つ）設けてもよい。
【００３３】
サセプタ２１７には温度センサ２７４が設けられている。ヒータ２１８及び温度センサ２７４には、電力供給線２２２を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒータ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいて、ヒータ２１８への通電具合が制御されるように構成されている。
【００３４】
（ガス供給部）
反応容器２０３の上側には、第一の処理ガス導入部２５１と、第二の処理ガス導入部２５２と、不活性ガス導入部２５３、クリーニングガス導入部２５８と、を備えるガス供給部２５０が設けられている。ガス供給部２５０は、反応容器２０３の上側に開設された開口に気密に設けられている。第一の処理ガス導入部２５１の側壁には、第一のガス噴出口２５４が設けられている。第二の処理ガス導入部２５２の側壁には、第二のガス噴出口２５５が設けられている。不活性ガス導入部２５３の側壁には、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７がそれぞれ対向するように設けられている。ガス供給部２５０の底には、クリーニングガス導入部２５８の端部であるクリーニングガス供給孔２５９が設けられている。即ち、クリーニングガス供給孔２５９は、第一のガス噴出口２５４、第二のガス噴出口２５５、不活性ガス噴出口２５６、２５７より低い位置に設けられている。
【００３５】
ガス供給部２５０は、第一の処理ガス導入部２５１から第一の処理領域２０１ａ内に第一の処理ガスを供給し、第二の処理ガス導入部２５２から第二の処理領域２０１ｂ内に第二の処理ガスを供給し、不活性ガス導入部２５３から第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスを供給するように構成されている。ガス供給部２５０は、各処理ガス及び不活性ガスを混合させずに個別に各領域に供給することができ、また、各処理ガス及び不活性ガスを併行して各領域に供給することができるように構成されている。
【００３６】
（処理ガス供給系）
第一の処理ガス導入部２５１の上流側には、第一のガス供給管２３２ａが接続されている。第一のガス供給管２３２ａの上流側には、上流方向から順に、原料ガス供給源２３２ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３２ｄが設けられている。
【００３７】
第一のガス供給管２３２ａからは、第一のガス（第一の処理ガス）として、例えば、シリコン含有ガスが、マスフローコントローラ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、第一のガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばプリカーサーとして、トリシリルアミン（（ＳｉＨ３）３Ｎ、略称：ＴＳＡ）ガスを用いることができる。なお、第一の処理ガスは、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良いが、ここでは気体として説明する。第一の処理ガスが常温常圧で液体の場合は、原料ガス供給源２３２ｂとマスフローコントローラ２３２ｃとの間に、図示しない気化器を設ければよい。
【００３８】
なお、シリコン含有ガスとしては、ＴＳＡの他に、例えば有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラザン（Ｃ６Ｈ１９ＮＳｉ２、略称：ＨＭＤＳ）等を用いることができる。
第一のガスは、後述する第二のガスより粘着度の高い材料が用いられる。
【００３９】
第二の処理ガス導入部２５２の上流側には、第二のガス供給管２３３ａが接続されている。第二のガス供給管２３３ａの上流側には、上流方向から順に、原料ガス供給源２３３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３３ｄが設けられている。
【００４０】
第二のガス供給管２３３ａからは、第二のガス（第二の処理ガス、反応ガス）として、例えば酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスが、マスフローコントローラ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、第二のガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に供給される。第二の処理ガスである酸素ガスは、プラズマ生成部２０６によりプラズマ状態とされ、基板２００上に晒される。なお、第二の処理ガスである酸素ガスは、ヒータ２１８の温度及び反応容器２０３内の圧力を所定の範囲に調整し、熱で活性化させてもよい。なお、酸素含有ガスとしては、オゾン（Ｏ３）ガスや水蒸気（Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
これら第二のガスは、第一のガスより粘着度の低い材料が用いられる。
【００４１】
主に、第一のガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２３２ｃ及びバルブ２３２ｄにより、第一の処理ガス供給系（シリコン含有ガス供給系ともいう）２３２が構成される。なお、原料ガス供給源２３２ｂ、第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を、第一の処理ガス供給系に含めて考えてもよい。また、主に、第二のガス供給管２３３ａ、マスフローコントローラ２３３ｃ及びバルブ２３３ｄにより、第二の処理ガス供給系（酸素含有ガス供給系ともいう）２３３が構成される。なお、原料ガス供給源２３３ｂ、第二のガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を、第二の処理ガス供給系に含めて考えてもよい。そして、主に、第一のガス供給系及び第二のガス供給系により、処理ガス供給系が構成される。
【００４２】
（不活性ガス供給系）
不活性ガス導入部２５３の上流側には、第一の不活性ガス供給管２３４ａが接続されている。第一の不活性ガス供給管２３４ａの上流側には、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３４ｄが設けられている。
【００４３】
第一の不活性ガス供給管２３４ａからは、例えば窒素（Ｎ２）ガスで構成される不活性ガスが、マスフローコントローラ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内にそれぞれ供給される。第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に供給される不活性ガスは、後述する成膜工程（Ｓ１０６）ではパージガスとして作用する。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。
【００４４】
第一のガス供給管２３２ａのバルブ２３２ｄよりも下流側には、第二の不活性ガス供給管２３５ａの下流端が接続されている。上流方向から順に、不活性ガス供給源２３５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３５ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｄが設けられている。
【００４５】
第二の不活性ガス供給管２３５ａからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マスフローコントローラ２３５ｃ、バルブ２３５ｄ、第一のガス供給管２３２ａ、第一のガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に供給される。第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスは、成膜工程（Ｓ１０６）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００４６】
また、第二のガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、第三の不活性ガス供給管２３６ａの下流端が接続されている。上流方向から順に、不活性ガス供給源２３６ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３６ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３６ｄが設けられている。
【００４７】
第三の不活性ガス供給管２３６ａからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マスフローコントローラ２３６ｃ、バルブ２３６ｄ、第二のガス供給管２３３ａ、第二のガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に供給される。第二の処理領域２０１ｂ内に供給される不活性ガスは、第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスと同様に、成膜工程（Ｓ１０６）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００４８】
主に、第一の不活性ガス供給管２３４ａ、マスフローコントローラ２３４ｃ及びバルブ２３４ｄにより第一の不活性ガス供給系２３４が構成される。なお、不活性ガス供給源２３４ｂ、不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を、第一の不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。
【００４９】
また、主に、第二の不活性ガス供給管２３５ａ、マスフローコントローラ２３５ｃ及びバルブ２３５ｄにより第二の不活性ガス供給系２３５が構成される。なお、不活性ガス供給源２３５ｂ、第一のガス供給管２３２ａ、第一のガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を、第二の不活性ガスに含めて考えてもよい。
【００５０】
また、主に、第三の不活性ガス供給管２３６ａ、マスフローコントローラ２３６ｃ及びバルブ２３６ｄにより第三の不活性ガス供給系２３６が構成される。なお、不活性ガス供給源２３６ｂ、第二のガス供給管２３３ａ、第二のガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を、第三の不活性ガス供給系に含めて考えてもよい。そして、主に、第一〜第三の不活性ガス供給系により、不活性ガス供給系が構成される。
【００５１】
（クリーニングガス供給系）
クリーニングガス導入部２５８の上流側には、クリーニングガス供給管２３７ａが接続されている。クリーニングガス２３７ａの上流側には、上流方向から順に、クリーニングガス供給源２３７ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３７ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３７ｄ、プラズマ生成部としてのリモートプラズマ生成ユニット２３７ｅが設けられている。
【００５２】
第一のガス供給管２３２ａからは、クリーニングガスとして、例えば三フッ化窒素（ＮＦ３）ガスが供給される。クリーニングガスは、マスフローコントローラ２３７ｃ、バルブ２３７ｄ、リモートプラズマ生成ユニット２３７ｅ、クリーニングガス導入部２５８、クリーニングガス供給孔２５９を介して反応容器２０３に供給される。クリーニングガスは、リモートプラズマ生成ユニット２３７ｅによってプラズマ状態とされる。
【００５３】
クリーニングガス導入部２５８は、図３に記載のように、不活性ガス導入部２５３の中央であって、第一の処理ガス導入部２５１と第二の処理ガス導入部２５２との間に配置される。
【００５４】
（カバー）
サセプタ中央であって、クリーニングガス供給孔２５９と対向する位置に、耐プラズマ性材質であるカバー（不図示）が設けられる。
【００５５】
本装置で基板２００を処理する際、サセプタ２１７や処理室壁の内ガスが接触する部分に、ガスが液化や固体化したことによる固着物や、ガスの反応によって生成される副生成物などが付着してしまう。
【００５６】
本実施例における装置においては、第一の処理ガスは、第一のガス噴出口２５４から基板２００上へ供給される。従って、第一の処理領域の中の処理室壁やサセプタ２１７にクリーニングの対象となる物質が付着する。
【００５７】
また、第二の処理ガスは、第二のガス噴出口２５５から噴出され、プラズマ生成部２０６によってプラズマ状態とされた後、基板２００上へ供給される。  その際、例えばサセプタ上に付着した第一のガスと反応した第二のガスにより、基板２００以外の場所に膜が形成され、更には副生成物が生成される。
【００５８】
これらのクリーニング対象物を除去するために、所定の回数基板処理工程を行った後、クリーニング処理をする。クリーニング処理は、クリーニングガス供給孔２５９から供給されるクリーニングガスによって行われる。クリーニングガスは、プラズマ生成ユニット２３７ｅによって予めプラズマ状態とされる。
【００５９】
クリーニングガスは、もっとも付着量が多い箇所、例えば第一の処理領域２０１ａに合わせて流量やエネルギーを調整している。
従って、クリーニング対象物が付着していない部分にクリーニングガスが接すると、クリーニングガスによってエッチングされてしまい、それがパーティクルの原因となることが考えられる。
【００６０】
クリーニングガス供給孔２５９と対向する位置は、図４に記載のように、第一のガスや第二のガスが供給されない位置にあるため、クリーニング対象物はそれほど付着しない。
そこで、クリーニングガス供給孔２５９と対向する位置に耐プラズマ性材質であるカバーを設ける。このような構成とすることで、クリーニングガス供給孔２５９と対向する位置でも、過度のエッチングを防ぐことが可能となる。
【００６１】
カバーは、サセプタ２１７中央に設けたザグリに嵌合することで固定される。このようにすることで、サセプタ２１７の回転によるずれを防ぐと共に、カバーの交換を容易とする。
【００６２】
カバーはクリーニングガス供給孔２５９から見て円形で構成されることが望ましい。その端部は、第一及び第二のガスが接しない箇所であって、第一のガス噴出口２５４と第二のガス噴出口２５５よりサセプタ２１７の径方向中心方向に設定される。このような構成とすることで、クリーニング対象物が付着しない箇所を耐プラズマ性材質とすることができる。
【００６３】
（排気系）
図４に示すように、反応容器２０３には、処理領域２０１ａ，２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂ内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、ガス流量を制御する流量制御器（流量制御部）としての流量制御バルブ２４５、及び圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気や真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３及び流量制御バルブ２４５により排気系が構成される。なお、排気系には、真空ポンプ２４６を含めても良い。
【００６４】
（制御部）
図５に示すように、制御部（コントローラ、制御手段）３００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）３０２、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）３０３、記憶装置３０１、Ｉ／Ｏポート３０４を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ３０３、記憶装置３０１、Ｉ／Ｏポート３０４は、内部バス３０５を介して、ＣＰＵ３０２とデータ交換可能なように構成されている。コントローラ３００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置３０６が接続されている。
【００６５】
記憶装置３００ｃは、例えば、フラッシュメモリ、ＨＤＤ(Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ)等で構成されている。記憶装置３００ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプログラムレシピ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ３００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書において、プログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ３０３は、ＣＰＵ３０２によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００６６】
Ｉ／Ｏポート３０４は上述の第１の基板移載機１１２、第２の基板移載機１２４、第１の基板移載機エレベータ１１５、第２の基板移載機エレベータ１３１、ゲートバルブ１２６，１２７，１２８，１２９，１５０，１５１，１５２，１５３、リニアアクチュエータ１３２、クリーンユニット１１８、ポッドオープナ１０８、センサ１１７（透過型センサ１１７ａ，透過型センサ１１７ｂ）、昇降機構２６８、回転機構２６７、温度センサ２７４、温度調整器２２３、電力調整器２２４、ヒータ電源２２５、ＭＦＣ２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃ，２３６ｃ，２３７ｃ、バルブ２３２ｄ，２３３ｄ，２３４ｄ，２３５ｄ，２３６ｄ，２３７ｄ、リモートプラズマ生成ユニット２３７ｅ、ＡＰＣバルブ２４３、流量制御バルブ２４５等に接続されている。
【００６７】
ＣＰＵ３０２は、記憶装置３００ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置３０６からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置３０１からプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ３０２は、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２３２ｃ，２３３ｃ，２３４ｃ，２３５ｃ，２３６ｃ，２３７ｃによるガスの流量調整動作、バルブ２３２ｄ，２３３ｄ，２３４ｄ，２３５ｄ，２３６ｄ，２３７ｄの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４３の開閉調整動作、及び温度センサ２７４に基づく温度調整器２２３の動作、第１の基板移載機１１２、第２の基板移載機１２４、第１の基板移載機エレベータ１１５、第２の基板移載機エレベータ１３１、ゲートバルブ１２６，１２７，１２８，１２９，１５０，１５１，１５２，１５３、基板支持台１４０、リニアアクチュエータ１３２、センサ１１７（透過型センサ１１７ａ，透過型センサ１１７ｂ）による基板搬送動作等を制御するように構成されている。
【００６８】
なお、コントローラ３００は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）３０７を用意し、係る外部記憶装置３０７を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ３００を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置３０７を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置３０７を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置３０１や外部記憶装置３０７は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置３０１単体のみを含む場合、外部記憶装置３０７単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。
【００６９】
次に、図３を用いてサセプタ２１７の周辺構造、及びサセプタ２１７の動作を説明する。
【００７０】
反応容器２０３には、第一の搬送室筐体１０１がゲートバルブ１５０〜１５４のいずれかを介して隣接するように設けられている。例えば、ゲートバルブ１５１が開かれることで、反応容器２０３内と第一の搬送室筐体１０１とが連通するようになっている。第一の基板移載機１１２は、ポッド１００から第二の基板移載機１２４を介して、サセプタ２１７の基板載置部２１７ｂとの間で、基板２００を搬送する。
【００７１】
ここで、サセプタ２１７には、基板２００を載置する基板載置部２１７ｂが複数、形成されている。本実施形態においては、基板載置部２１７ｂはそれぞれが順時計方向に対して等間隔（例えば７２度の間隔）となるように、五つ設けられ、サセプタ２１７が回転することで、五つの基板載置部２１７ｂ（１）〜２１７ｂ（５）が一括して回転される。
【００７２】
（３）ティーチング工程
続いて、基板処理装置１０の初期設定の一つであるティーチング工程について、図６を用いて説明する。
ティーチングとは、例えば第一の基板移載機１１２の動作ポジションを登録するものである。詳しくは、例えば、第一の基板移載機１１２のツイーザ１１３が基板載置部２１７ｂに基板２００を載置するときのツイーザ１１３の適切な位置情報を取得し、記憶部３０１に登録するものである。この位置情報は、例えば、ツイーザ１１３の進退方向を含む面（水平面＝図１のＸＹ面）におけるＸ方向とＹ方向の位置情報と、ＸＹ面に垂直な方向（垂直方向＝Ｚ方向）における位置情報とを含む。Ｚ方向は、第一の基板移載機エレベータ１１５が昇降する方向である。また、この位置情報は、後述するように、第一の基板移載機１１２のアーム１１４のモータのエンコーダ値として与えられる。
【００７３】
基板処理装置１０の初期設定においては、このティーチングを、少なくとも第一の基板移載機１１２について行う。好ましくは、第二の基板移載機１２４についても行う。第一の基板移載機１１２については、各処理室（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ、２０２ｄ）における動作ポジションと、各予備室（１２２、１２３）における動作ポジションとを登録する。第二の基板移載機１２４については、各ポッド１００における動作ポジションと、各予備室（１２２、１２３）における動作ポジションとを登録する。
【００７４】
ここでは、第一の基板移載機１１２が第二の処理室２０２ｂに基板であるウエハを移動させる際のティーチング工程を説明する。尚、第一の基板移載機１１２が第一の処理室２０２ａ、第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄにウエハを移動させる際のティーチング工程は、処理室２０２ｂと同様であるので、説明を省略する。
【００７５】
ティーチング工程は、ペンダントと呼ばれる手動コントローラによって、操作員により制御される。手動コントローラは、制御部３００に接続及び取り外し可能となっている。制御部３００の記憶部３０１には、手動コントローラによる制御を行うための手動プログラムが格納されている。ＣＰＵ３０２は、手動コントローラからの操作入力を受け付けて、手動プログラムに基づき、基板処理装置１０の各構成部を制御する。
【００７６】
（第１ティーチング工程）
装置の据付やメンテナンスの終了後であって、第一の搬送室１０３と処理室２０２ｂを真空状態とする前に、大気状態において第１ティーチングを行う。この状態では、第一の搬送室１０３や処理室２０２ｂの上蓋を開けた状態とすることができるので、目視によるウエハの位置確認が容易である。
まず、手動コントローラを用いて、基板載置部２１７ｂ（１）がゲートバルブ１５１と隣り合うよう、回転機構２６７によりサセプタ２１７を回転させた後、停止させる。反応容器２０３の、基板載置部２１７ｂ（１）〜２１７ｂ（５）がゲートバルブ１５１と隣り合う位置には、サセプタ２１７の停止位置を決定するサセプタ停止機構が、それぞれ設けられている。サセプタ停止機構は、サセプタ２１７の回転位置を検出する位置検出センサや停止位置を規制する停止板等のストッパーを含む。サセプタ停止機構により、基板載置部２１７ｂ（１）〜２１７ｂ（５）は、それぞれ、同じ位置で停止する。
【００７７】
次に、手動コントローラにより、第一の基板移載機１１２のツィーザ１１３を、基板載置部２１７ｂ（１）に向かって移動させる。このとき、ツィーザ１１３上には、例えば操作員により手動で、所定の正しい位置にウエハが載せられている。そして、図６に示すように、ツィーザ１１３上に載置されたウエハの中心２００ａが、直線１１７ｃに沿って、二つのセンサ１１７ａ、センサ１１７ｂの間の中心を通過するよう経路を調整する。つまり、直線１１７ｃは、ウエハの中心２００ａの移動経路である。
【００７８】
この直線１１７ｃは、第一の基板移載機１１２のツィーザ１１３が最も縮退した位置（図１参照）と、基板載置部２１７ｂ（１）とを結ぶ直線である。詳しくは、ツィーザ１１３上の正しい位置にウエハが載置されている場合に、ツィーザ１１３が最も縮退した位置にあるときのウエハの中心と、ツィーザ１１３上のウエハが基板載置部２１７ｂ（１）上の正しい位置に載置されるときのウエハの中心とを結ぶ直線である。なお、ツィーザ１１３が最も縮退した位置とは、図１におけるツィーザ１１３の位置、つまり、直線１１７ｃ上においてツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）から最も遠い位置である。
【００７９】
ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）上に移動し、ツィーザ１１３上のウエハが正しい位置に到達、つまり、ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）においてウエハを載置すべき正しい位置に到達したら、その位置におけるツィーザ１１３の位置情報を、手動コントローラにより記憶部３０１に記憶させる。ツィーザ１１３の位置情報とは、例えばアーム１１４の軸（アーム１１４のＸＹ面における水平回転動作を可能とするＺ方向軸）上の所定の位置を基準位置として、その基準位置からどの程度アームが動いたのかを座標として捉えた情報である。詳しくは、例えば、アーム１１４を動かすモータのエンコーダ値が、ツィーザ１１３が最も縮退した状態（第一の基板移載機エレベータ１１５上にある状態、図１参照）における値を基準値とし、ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）においてウエハを載置すべき正しい位置に到達したときのエンコーダ値を、基板載置部２１７ｂ（１）におけるツィーザ１１３の位置情報とする。
【００８０】
こうして、基板載置部２１７ｂ（１）におけるツィーザ１１３の位置情報を記憶部３０１に記憶させた後、基板載置部２１７ｂ（２）がゲートバルブ１５１と隣り合うよう、手動コントローラにより、回転機構２６７によりサセプタ２１７を回転させた後、停止させる。
即ち、基板載置部２１７ｂ（２）は、それまで基板載置部２１７ｂ（１）が存在した位置に移動する。このとき、機構的制限や移動精度の問題から、基板載置部２１７ｂ（１）が存在した位置と基板載置部２１７ｂ（２）の移動後の位置が正確に同一の位置になるとは限らないため、基板載置部２１７ｂ（２）においてもティーチングを行う。
【００８１】
基板載置部２１７ｂ（１）のティーチングと同様に、手動コントローラによって、第一の基板移載機１１２のツィーザ１１３を基板載置部２１７ｂ（２）に向かって移動させる。
ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（２）においてウエハを載置すべき位置に到達したら、その位置におけるツィーザ１１３の位置情報を、手動コントローラにより記憶部３０１に記憶させる。
【００８２】
基板載置部２１７ｂ（３）〜基板載置部２１７ｂ（５）についても同様に、基板載置部２１７ｂにおけるツィーザ１１３の位置情報を、手動コントローラにより記憶部３０１に記憶させる。このようにして、第一の基板移載機１１２の移動経路を設定する。
以下、基板載置部２１７ｂにおいてツィーザ１１３がウエハを載置すべき位置におけるツィーザ１１３の位置情報を、ティーチングデータと呼ぶ。
【００８３】
（第２ティーチング工程）
次に、基板処理装置１０を、基板処理時に近い状態とする。具体的には、第一の搬送室１０３を真空状態とし、第二の処理室２０２ｂを真空状態とし、更にヒータ２１８に電力を供給して基板を加熱した状態とする。
基板処理時の基板処理装置１０の状態は、温度や圧力等が第１ティーチング工程における状態と異なるので、基板処理時におけるツィーザ１１３の位置は、第１ティーチング工程におけるそれと異なる。そのため、第１ティーチング工程におけるツィーザ１１３の位置情報（第１ティーチングデータ）を、基板処理時に近い状態で行われる第２ティーチング工程において修正する。第２ティーチング工程の状態では、第一の搬送室１０３や処理室２０２ｂの上蓋が閉じられるので、目視によるウエハの位置確認が難しくなるが、第１ティーチングデータを用いるので、目視によるウエハの位置確認範囲を小さくすることができる。第１、第２ティーチングを併用することにより、結果として、基板処理時の状態におけるティーチングを効率的に進めることができる。
【００８４】
次に、ほぼ基板処理時の条件下で、手動コントローラによって、第一の基板移載機１１２のツィーザ１１３を基板載置部２１７ｂ（１）に向かって移動させる。このとき、ツィーザ１１３上には、例えば操作員により手動で、所定の正しい位置にウエハが載せられており、第１ティーチングデータに基づき、ツィーザ１１３を移動させる。ツィーザ１１３を第１ティーチングデータに基づき移動させた後、手動コントローラを用いて、目視によりウエハ位置を確認しつつ、ツィーザ１１３の位置を調整し、基板載置部２１７ｂ（１）においてウエハを載置すべき位置に到達させる。ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）上に移動し、ツィーザ１１３上のウエハが正しい位置に到達、つまり、ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（１）においてウエハを載置すべき正しい位置（載置部基準位置）に到達した後、その位置におけるツィーザ１１３の位置情報（基板移載機１１２のモータのエンコーダ値）を、基板載置部２１７ｂ（１）に対する第２ティーチングデータＴ１（第１の載置部基準位置情報ｓ１）として、手動コントローラにより記憶部３０１に記憶させる。
このように、載置部基準位置は、基板載置部２１７ｂにおける基板移載機１１２（つまりツィーザ１１３）の基準位置であり、載置部基準位置情報ｓ１は、載置部基準位置を示す情報である。
【００８５】
こうして、基板載置部２１７ｂ（１）におけるツィーザ１１３の位置情報（第２ティーチングデータ）を記憶部３０１に記憶させた後、基板載置部２１７ｂ（２）がゲートバルブ１５１と隣り合うよう、手動コントローラを用いて、回転機構２６７によりサセプタ２１７を回転させる。このとき、機構的制限や移動精度の問題から、基板載置部２１７ｂ（１）が存在した位置と基板載置部２１７ｂ（２）の移動後の位置とが同一の位置になるとは限らないため、第１ティーチングと同様、基板載置部２１７ｂ（２）においても第２ティーチングを行う。
【００８６】
基板載置部２１７ｂ（１）の第２ティーチングと同様、手動コントローラによって、第一の基板移載機１１２のツィーザ１１３を基板載置部２１７ｂ（２）に向かって移動させる。その後、手動コントローラを用いてツィーザ１１３の位置を目視調整し、ツィーザ１１３が基板載置部２１７ｂ（２）においてウエハを載置すべき位置に到達したら、その位置におけるツィーザ１１３の位置情報を、基板載置部２１７ｂ（２）に対する第２ティーチングデータＴ２（第２の載置部基準位置情報ｓ１）として、手動コントローラにより記憶部３０１に記憶させる。
【００８７】
基板載置部２１７ｂ（３）〜基板載置部２１７ｂ（５）も同様に、ツィーザ１１３の位置情報（第２ティーチングデータＴ３〜Ｔ５）である第３〜第５の載置部基準位置情報ｓ１を記憶させる。こうして、基板載置部２１７ｂ（ｎ）に対する第２ティーチングデータＴｎ（第ｎの載置部基準位置情報ｓ１）を記憶させる。このようにして、第１ティーチングで設定された移動経路と比べて、より基板処理時の環境に適した移動経路が設定される。
【００８８】
基板載置部２１７ｂ（１）〜２１７ｂ（ｎ）においてウエハを載置すべき位置（載置部基準位置）におけるツィーザ１１３の位置情報である載置部基準位置情報ｓ１の例えばＸＹ座標値が、それぞれ、第２ティーチングデータＴ１〜Ｔｎ（ｎは基板載置部２１７ｂ（ｎ）のｎに相当。エンコーダ値）の情報を元に計算され、記憶部３０１に記憶される。載置部基準位置情報ｓ１は、複数の基板載置部２１７ｂのそれぞれにおいてウエハを載置するための第一の基板移載機１１２の基準位置を示すものである。こうして、載置部基準位置情報ｓ１は、基板載置部２１７ｂ（１）〜２１７ｂ（ｎ）に対し、第１の載置部基準位置情報ｓ１〜第ｎの載置部基準位置情報ｓ１として設定される（ｎは基板載置部２１７ｂ（ｎ）のｎに相当。）。
【００８９】
次に、基板載置部２１７ｂ（２）〜２１７ｂ（ｎ）における各載置部基準位置情報ｓ１の、基板載置部２１７ｂ（１）における第１の載置部基準位置情報ｓ１との差である差分情報の求め方を説明する。この差分情報は、後述する基板位置基準情報ｓｋや基板載置位置情報ｓ３を求める際等に用いる。
基板載置部２１７ｂ（１）における第１の載置部基準位置情報ｓ１と基板載置部２１７ｂ（２）における第２の載置部基準位置情報ｓ１との差分情報は、第２ティーチングデータＴ１とＴ２との差（エンコーダ値）である。同様に、第１の載置部基準位置情報ｓ１と基板載置部２１７ｂ（ｎ）における第ｎの載置部基準位置情報ｓ１との差分情報は、第２ティーチングデータＴ１とＴｎとの差（エンコーダ値）である。
なお、この差分情報は、必ずしもティーチング工程で算出する必要はなく、後述する基板位置基準情報ｓｋ取得工程や基板載置位置情報ｓ３取得工程において算出するようにしてもよい。
この差分情報を用いることで、後述する基板位置基準情報ｓｋ取得工程や基板載置位置補正工程において、回転する基板載置部２１７ｂに合わせて、より効率が良く、さらには正確な位置補正が可能となる。
【００９０】
（４）ウエハ移動経路における基板位置基準情報ｓｋの取得工程
続いて、ティーチング工程の後に行う装置の初期設定の一つである、ウエハ移動経路における基板の基準位置情報である基板位置基準情報ｓｋの取得工程について説明する。
この基板位置基準情報ｓｋの取得は、次の目的で行う。すなわち、予め、ウエハ移動経路におけるツイーザ１１３の基準位置（経路部基準位置）において、ツイーザ１１３上の正しい位置に支持されている、つまり、適切な位置にあるウエハの位置情報（基板位置基準情報ｓｋ）を取得しておく。
そして、基板処理する際の基板搬送時において、上記経路部基準位置でウエハの位置情報ｐを取得し、該取得したウエハ位置情報ｐと基板位置基準情報ｓｋとを比較する。こうして、基板処理する際の基板搬送時におけるウエハ位置の、基板位置基準情報ｓｋからの位置ずれ量ｄを検出する。そして、ウエハの位置ずれ量ｄに基づき、基板載置部２１７ｂの適切な位置にウエハを載置する。
ウエハの位置ずれは、通常、水平面（ＸＹ面）内で発生し、Ｚ軸方向には発生しないので、ここでは、水平面（ＸＹ面）内における基板位置基準情報ｓｋの取得工程について説明する。
このように、経路部基準位置は、ウエハ移動経路における基板移載機１１２（つまりツィーザ１１３）の基準位置であり、基板位置基準情報ｓｋは、第一の搬送室１０３内において搬送中のウエハの基準位置を示す情報である。
【００９１】
ティーチング工程では手動コントローラによって第一の基板移載機１１２の動作を制御していたが、基板位置基準情報ｓｋの取得工程では、第２ティーチングデータに基づいて、制御部３００が第一の基板移載機１１２の動作を制御する。
【００９２】
基板位置基準情報ｓｋの取得は、基板処理装置１０が基板処理時に近い状態で行われる。具体的には、第一の搬送室１０３を真空状態とし、処理室２０２ｂを真空状態とし、更にヒータ２１８に電力を供給し、基板を加熱した状態とする。更には、センサ１１７を稼働させる。
【００９３】
以下に、基板位置基準情報ｓｋを取得する具体的な方法を説明する。まず、基板載置部２１７ｂ（１）に対する基板位置基準情報ｓｋの取得方法を説明する。
【００９４】
制御部３００の操作部からの操作員の指示に基づき、基板載置部２１７ｂ（１）がゲートバルブ１５１と隣り合うよう、回転機構２６７がサセプタ２１７を回転させ、停止させる。
【００９５】
次に、制御部３００が、ウエハを正しい位置に支持した状態のツィーザ１１３を基板載置部２１７ｂ（１）に向かって移動させる。前述のティーチング作業によって取得したツィーザ１１３の第１の載置部基準位置情報ｓ１（第２ティーチングデータＴ１）に基づき、該第１の載置部基準位置情報ｓ１により設定された経路に沿って、図６に示すように、ウエハの中心２００ａが二つのセンサ１１７ａ、センサ１１７ｂの間を通過する。
【００９６】
センサ１１７ａ、センサ１１７ｂそれぞれがウエハの端部であるウエハエッジを検知すると、制御部３００は、センサ１１７ａが検知した時刻ｔ１とセンサ１１７ｂが検知した時刻ｔ２との時間差ｔに基づき、センサ１１７ａが検知した時刻ｔ１におけるウエハの中心位置Ａの位置情報（例えばＸＹ座標値）を、基板載置部２１７ｂ（１）へのウエハ移動経路における基板位置基準情報ｓｋ（第１の基板位置基準情報ｓｋ）として、記憶部３０１に記録する。このとき、センサ１１７ａが検知した時刻ｔ１におけるツィーザ１１３の位置情報（経路部基準位置情報ｓ２＝エンコーダ値ｅｋ）を、基板位置基準情報ｓｋと対応付けて、記憶部３０１に記録する。エンコーダ値ｅｋは、ＸＹ面内におけるＸ方向とＹ方向のエンコーダ値を含む。なお、センサ１１７ｂが検知した時刻ｔ２におけるツィーザ１１３の位置を経路部基準位置としてもよい。
【００９７】
詳しくは、制御部３００は、時刻ｔ１においてセンサ１１７ａでウエハエッジＣを検知し、時刻ｔ２においてセンサ１１７ｂでウエハエッジＤを検知する。ツイーザ１１３の移動速度は、移動開始時と移動終了時において遅くなるが、第一の搬送室１０３と処理室２０２との境界付近では、常に一定値ｖとなる。また、ウエハの移動方向は、移動経路１１７ｃと平行な方向である。センサ１１７ａとセンサ１１７ｂの位置、円形のウエハの大きさ（半径）は既知である。時刻ｔ１におけるウエハエッジＣの位置は、センサ１１７ａと重なり始める位置である。
【００９８】
したがって、ツイーザ１１３の移動速度ｖと、時刻ｔ１と時刻ｔ２の時間差とに基づき、時刻ｔ１におけるウエハエッジＤの位置が解る。そして、時刻ｔ１におけるウエハエッジＣ、Ｄの位置と、円形のウエハの大きさとに基づき、時刻ｔ１におけるウエハ中心Ａの位置が解る。
すなわち、時刻ｔ１と時刻ｔ２との時間差に基づき、Ａの位置情報（基板位置基準情報ｓｋ）を取得することができる。Ａの位置情報は、例えば、図６に示すＸＹ座標の座標値（ｘｋ、ｙｋ）として表すことができる。
【００９９】
こうして、処理室２０２ｂの基板載置部２１７ｂ（１）に対する経路部基準位置における基板位置基準情報ｓｋ（第１の基板位置基準情報ｓｋ）が取得され、経路部基準位置におけるツィーザ１１３の位置情報（経路部基準位置情報ｓ２＝エンコーダ値ｅｋ）と対応付けられて、記憶部３０１に記憶される。
【０１００】
次に、基板載置部２１７ｂ（ｎ）に対する基板位置基準情報ｓｋ（第ｎの基板位置基準情報ｓｋ）の取得方法を説明する。基板載置部２１７ｂ（１）に対しては、前述のように、第１の載置部基準位置情報ｓ１を用い、ツィーザ１１３を動かすことで第１の基板位置基準情報ｓｋを取得していた。
基板載置部２１７ｂ（ｎ）に対する第ｎの基板位置基準情報ｓｋの取得においては、第１の載置部基準位置情報ｓ１と第ｎの載置部基準位置情報ｓ１とを用い、ツィーザ１１３を動かすことなく、第ｎの基板位置基準情報ｓｋを取得する。すなわち、第１の載置部基準位置情報ｓ１と第ｎの載置部基準位置情報ｓ１との差分情報と、第１の載置部基準位置情報ｓ１とに基づき、第ｎの基板位置基準情報ｓｋを算出する。例えば、第ｎの基板位置基準情報ｓｋは、第１の載置部基準位置情報ｓ１と第ｎの載置部基準位置情報ｓ１との差分情報(エンコーダ値）をＸＹ座標値に変換し、これと第１の載置部基準位置情報ｓ１のＸＹ座標値とを加算することにより算出される。
このようにして、基板載置部２１７ｂ（２）〜基板載置部２１７ｂ（５）に対する基板位置基準情報ｓｋ（第２の基板位置基準情報ｓｋ〜第５の基板位置基準情報ｓｋ）を算出することで、基板載置部２１７ｂ（２）〜基板載置部２１７ｂ（５）の基板位置基準情報ｓｋ取得に際してツィーザ１１３を実際に動かしてデータを取得する必要が無くなるので、基板位置基準情報ｓｋの収集時間を短縮することが可能となる。
【０１０１】
他の処理室２０２ａ、２０２ｃ、２０２ｄについても、処理室２０２ｂと同様に、経路部基準位置（エンコーダ値ｅｋ）における基板位置基準情報ｓｋが取得され、経路部基準位置におけるツィーザ１１３の位置情報である経路部基準位置情報ｓ２（エンコーダ値ｅｋ）と対応付けられて、記憶部３０１に記憶される。
【０１０２】
そして、後述する基板処理する際の基板搬送時においてツィーザ１１３上のウエハ位置が正しい位置からずれた場合に、当該基板搬送時に経路部基準位置（エンコーダ値ｅｋ）で検出したツィーザ１１３上のウエハ位置情報ｐ（例えばＸＹ座標値（ｘ、ｙ））と、基板位置基準情報ｓｋ（ｘｋ、ｙｋ）とに基づき、ツィーザ１１３上のウエハ位置ずれ情報を取得する。更に、該ウエハ位置ずれ情報と載置部基準位置情報ｓ１とに基づき、ウエハを載置すべき正しいツィーザ１１３の位置情報（基板載置位置情報ｓ３）を取得する。そして、基板載置位置情報ｓ３に基づき、基板載置部２１７ｂ（１）においてウエハを載置すべき正しい位置に、ツィーザ１１３を移動させる。
【０１０３】
ここで、基板処理する際の基板搬送時において検出したウエハ位置情報ｐとウエハ位置ずれ情報と基板位置基準情報ｓｋは、例えばＸＹ座標値で表すことができる。また、載置部基準位置情報ｓ１と経路部基準位置情報ｓ２と基板載置位置情報ｓ３は、第一の基板移載機１１２のモータのエンコーダ値で示される。そこで、ＸＹ座標値とエンコーダ値との対応を示す換算表を予め記憶部３０１に記憶しておく。制御部３００は、基板処理時において取得したウエハ位置ずれ情報をエンコーダ値に換算して、基板載置位置情報ｓ３を取得する。
【０１０４】
（５）基板処理工程
以下、前記構成を有する基板処理装置１０を使用した処理工程を説明する。以下の工程は、図１および図２に示されているように、コントローラ３００によって制御される。コントローラ３００は、前記構成において、装置全体を制御している。
【０１０５】
（基板搬送工程）
基板２００（基板２００（１）、基板２００（２）、…、基板２００（２５））は、最大２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置１０へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はロードポート１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【０１０６】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放されると、第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機１２４は、ポッド１００から１枚目の基板２００（１）をピックアップして予備室１２２に搬入し、基板２００（１）を基板支持台１４０に移載する。この移載作業中には、予備室１２２の第一の搬送室１０３側のゲートバルブ１２６は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納されていた基板２００（１）を基板支持台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【０１０７】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１２６が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一の基板移載機１１２は基板支持台１４０から基板２００を第一の搬送室１０３に搬入する。
【０１０８】
ゲートバルブ１２６が閉じられた後、ゲートバルブ１５１が開かれ、第一の搬送室１０３と第二の処理室２０２ｂとが連通される。このとき、基板載置部２１７ｂ（１）とゲートバルブ１５１が隣り合い対向する位置となるよう、回転機構２６７がサセプタ２１７の回転位置を調整する。
【０１０９】
第一の基板移載機１１２は、後述の基板載置位置補正工程により得られた基板載置位置情報ｓ３（１）に基づいて、第一の基板２００（１）を移動させ、基板載置部２１７ｂ（１）に基板を載置する。
【０１１０】
ゲートバルブ１５１が閉じられた後、基板２００（１）と同様に、ｎ番目の基板２００（ｎ）を、予備室１２２を介して第一の基板移載機１１２に載置する。  これと併行して、基板載置部２１７ｂ（ｎ）とゲートバルブ１５１が隣り合う位置となるよう回転機構２６７がサセプタ２１７の回転位置を調整する。
【０１１１】
第一の基板移載機１１２は、後述の基板載置位置補正工程により得られた基板載置位置情報ｓ３（ｎ）に基づいて、第一の基板２００（ｎ）を移動させ、基板載置部２１７ｂ（ｎ）に基板を載置する。
【０１１２】
各基板載置部２１７ｂに基板２００が載置された後、第二の処理室２０２内に処理ガスが供給され、各基板２００に対して、加熱処理などの所望の処理が施される。
【０１１３】
第二の処理室２０２ｂで基板２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１５１が開かれ、基板２００は第一の基板移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１５１は閉じられる。
【０１１４】
続いて、ゲートバルブ１２６が開かれ、第一の基板移載機１１２は第二の処理室２０２ｂから搬出した基板２００を予備室１２３の基板支持台１４０へ搬送し、処理済みの基板２００は冷却される。
【０１１５】
予備室１２３に処理済み基板２００を搬送し、予め設定された冷却時間が経過すると、予備室１２３が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ロードポート１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【０１１６】
続いて、第二の搬送室１２１の第二の基板移載機１２４は基板支持台１４０から基板２００を第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。
【０１１７】
ここで、ポッド１００のキャップ１００aは、最大２５枚の基板が戻されるまでずっと開け続けていても良く、空きのポッド１００に収納せずに基板を搬出してきたポッドに戻しても良い。
【０１１８】
以上の動作が繰り返されることによって２５枚の処理済み基板２００がポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はロードポート１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【０１１９】
以上の動作は第二の処理室２０２ｂおよび予備室１２２、１２３が使用される場合を例にして説明したが、第一の処理室２０２ａおよび第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。
【０１２０】
また、ここでは４つの処理室で説明したが、それに限らず、対応する基板や形成する膜の種類によって、処理室数を決定しても良い。
【０１２１】
また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としても良いし、予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用として併用しても良い。
【０１２２】
また、予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用の専用とすることによって、クロスコンタミネーションを低減することができ、併用することによって基板の搬送効率を向上させることができる。
【０１２３】
また、全ての処理室で同じ処理を行っても良いし、各処理室で別の処理を行っても良い。例えば、第一の処理室２０２ａと第二の処理室２０２ｂで別の処理を行う場合、第一の処理室２０２ａで基板２００にある処理を行った後、続けて第二の処理室２０２ｂで別の処理を行わせてもよい。第一の処理室２０２ａで基板２００にある処理を行った後、第二の処理室２０２ｂで別の処理を行わせる場合、予備室１２２または予備室１２３を経由するようにしてもよい。
【０１２４】
また、処理室は少なくとも、処理室２０２ａ〜２０２ｂのいずれか１箇所の連結が成されていれば良く、処理室２０２ｃと２０２ｄの2箇所など、処理室２０２ａから２０２ｄの最大4箇所の範囲において可能な組合せであればいくつ連結しても良い。
【０１２５】
また、装置で処理する基板の枚数は、一枚でも良く、複数枚でも良い。同様に予備室１２２または１２３において、クーリングする基板についても一枚でも良く、複数枚でも良い。処理済基板を併行してクーリング出来る枚数は、予備室１２２および１２３のスロットに投入可能な最大４枚の範囲内であれば、どのような組合せでも良い。
【０１２６】
また、予備室１２２内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２２のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。同様に、予備室１２３内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２３のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。
【０１２７】
ここで、十分な冷却時間を経ずに略大気側のゲートバルブを開くと、基板２００の輻射熱によって予備室１２２または１２３または予備室の周りに接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。そのため、高温な基板をクーリングする場合は、予備室１２２内に処理済みの大きな輻射熱を持つ基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備室１２３のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うことが出来る。同様に、予備室１２３内に処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備室１２２のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うことも出来る。
【０１２８】
（基板載置位置補正工程）
多くのウエハ（基板２００）を処理すると、経時的にツイーザ１１３やアーム１１４等の部品が変形することがある。そのような場合、例えば図７に示すように、水平面（ＸＹ面）内においてツイーザ１１３上の本来の位置からウエハがずれることにより、本来のウエハ移動経路１１７ｃからウエハがずれてしまうことが考えられる。図７は、第１実施形態に係るウエハ位置ずれを示す図である。ツイーザ１１３上のウエハがセンサ１１７ａ、センサ１１７ｂの間の移動経路１１７ｃからずれてしまった場合、そのままでは、ウエハを基板載置部２１７ｂの適切な位置に載置することができない。
【０１２９】
そこで、ツイーザ１１３上のウエハが本来の位置からずれてしまった場合、サセプタ２１７へのウエハ搬送中に、次のような基板載置位置補正工程を実施する。
図７において、Ｂは、基板処理時におけるウエハ搬送中において、ツイーザ１１３が前述した経路部基準位置にあるとき（このとき時刻ｔｋとする）、つまり、第一の基板移載機１１２のモータのエンコーダ値がｅｋを示すときのウエハの中心位置を示す。Ａは、図５に示したＡの位置であって、前述した基板位置基準情報ｓｋ取得時においてツイーザ１１３が経路部基準位置（エンコーダ値ｅｋ）にあるときのウエハの中心位置を示す。図７の場合、経路部基準位置において、ウエハの中心２００ａは、本来の正しい位置であるＡからＢへ位置ずれしたことになる。ここで、図６の状態はツイーザ１１３やアーム１１４等の部品が変形してない場合であり、図７はツイーザ１１３やアーム１１４等の部品が変形した場合である。そのため、それぞれで経路部基準位置情報ｓ２を用いてツィーザ１１３やアーム１１４を移動させたとしても、ウエハ位置がずれてしまう。
【０１３０】
制御部３００は、センサ１１７ａとセンサ１１７ｂでウエハの有無を検出、つまりウエハエッジを検出することができる。ここで、制御部３００は、時刻ｔ１１においてセンサ１１７ｂでウエハエッジＤを検知し、時刻ｔ１２においてセンサ１１７ａでウエハエッジＣを検知するものとする。前述した時刻ｔｋは、時刻ｔ１１やｔ１２と異なっていてもよい。前述したように、ツイーザ１１３の移動速度は、第一の搬送室１０３と処理室２０２との境界付近では、常に一定値ｖとなる。また、ウエハの移動方向は、移動経路１１７ｃの方向である。Ｃは、センサ１１７ａが検知したときのウエハエッジであり、Ｄは、センサ１１７ｂが検知したときのウエハエッジである。センサ１１７ａとセンサ１１７ｂの位置、円形のウエハの大きさ（半径）は既知である。時刻ｔ１１におけるウエハエッジＤの位置は、センサ１１７ｂと重なり始める位置である。
【０１３１】
したがって、ツイーザ１１３の移動速度ｖと、時刻ｔ１１と時刻ｔ１２の時間差とに基づき、時刻ｔ１１におけるウエハエッジＣの位置が解る。そして、時刻ｔ１１におけるウエハエッジＣ、Ｄの位置と、円形のウエハの大きさとに基づき、時刻ｔ１１におけるＢの位置が解る。そして、ツイーザ１１３が経路部基準位置に到達したときの時刻ｔｋと時刻ｔ１１の時間差と、ツイーザ１１３の移動速度ｖとに基づき、ツイーザ１１３が経路部基準位置にあるときのＢの位置が解る。
すなわち、時刻ｔ１１と時刻ｔ１２の時間差と、時刻ｔ１１と時刻ｔｋの時間差とに基づき、経路部基準位置におけるウエハの中心位置Ｂの位置情報を取得することができる。Ｂの位置情報は、センサ１１７と制御部３００とを含んで構成される基板位置検出部で検出したウエハ位置を示す検出位置情報であり、ＸＹ座標（ｘ、ｙ）で表すことができる。
【０１３２】
こうして、制御部３００は、経路部基準位置におけるＡの位置情報（ｘｋ、ｙｋ）とＢの位置情報（ｘ、ｙ）との差であるウエハ位置ずれ量ｄ（ｄｘ、ｄｙ）を取得する。そして、ウエハ位置ずれ量ｄが所定の範囲内である場合、例えばウエハ位置ずれ量ｄが２ｍｍ以内である場合は、ウエハ位置ずれ量ｄと、載置部基準位置情報ｓ１とに基づき、基板処理時において基板載置部２１７ｂにウエハを載置すべきツィーザ１１３の位置情報である基板載置位置情報ｓ３を取得する。このとき、ウエハ位置ずれ量ｄは、エンコーダ値ｅｄに換算される。
例えば、載置部基準位置情報ｓ１のエンコーダ値がｅｔであり、経路部基準位置におけるウエハ位置ずれ量ｄのエンコーダ値への換算値がｅｄである場合は、基板処理時においてウエハを載置すべき基板載置位置情報ｓ３は、（ｅｔ＋ｅｄ）となる。
【０１３３】
なお、位置ずれ量ｄの（ｄｘ、ｄｙ）は、例えば図７において、ＢがＸ１方向やＹ２方向にずれた場合を正（プラス）、ＢがＸ２方向やＹ１方向にずれた場合を負（マイナス）とする。例えば、ＢがＸ１方向に０．５ｍｍ、Ｙ１方向に０．１ｍｍずれた場合は、位置ずれ量ｄ（ｄｘ、ｄｙ）は、（＋０．５ｍｍ、−０．１ｍｍ）となる。
【０１３４】
前述したように、記憶部３０１には、ウエハ位置ずれ量ｄ等のＸＹ座標値を第一の基板移載機１１２のモータのエンコーダ値に換算する換算表が記憶されている。制御部３００は、この換算表を用いて、ウエハ位置ずれ量ｄのエンコーダ値を求める。そして、エンコーダ値に換算したウエハ位置ずれ量ｅｄと、載置部基準位置情報ｓ１（エンコーダ値ｅｔ）とに基づき、基板載置位置情報ｓ３を取得し、基板載置位置情報ｓ３に基づき、基板載置部２１７ｂ上のウエハを載置すべき正しい位置に、ツィーザ１１３を移動させる。
【０１３５】
本実施形態では、円形の基板載置部２１７ｂの直径は、円形のウエハの直径よりも所定の範囲、具体的には４ｍｍ大きく設定、つまり、基板載置部２１７ｂとウエハの直径の差は、４ｍｍに設定されている。したがって、ウエハ位置ずれ量ｄが２ｍｍ以内である場合は、ウエハが基板載置部２１７ｂからはみ出すことがないので、適切な基板処理を行うことができる。
また、制御部３００は、ウエハ位置ずれ量ｄが所定の範囲でない場合は、基板搬送動作を停止し、制御部３００の表示部に、異常発生を示す表示を行う。
【０１３６】
以上説明したように、制御部３００は、基板処理時にセンサ１１７で検出したウエハ有無情報に基づき、第一の搬送室１０３内において搬送中のウエハ位置を示す検出位置情報を作成する。そして、制御部３００は、該検出位置情報と、載置部基準位置情報ｓ１と、基板位置基準情報ｓｋとに基づき、第一の基板移載機１１２が複数の基板載置部２１７ｂに基板を載置する位置を制御する。そして、制御部３００は、検出位置情報と基板位置基準情報ｓｋとの差が所定の範囲内である場合に、検出位置情報と基板位置基準情報ｓｋとの差に基づき、第一の基板移載機１１２が複数の基板載置部２１７ｂにウエハを載置する位置を補正するよう制御する。また、制御部３００は、検出位置情報と基板位置基準情報ｓｋとの差が所定の範囲内でない場合に、第一の基板移載機１１２の搬送動作を停止するよう制御する。
【０１３７】
（処理室における基板処理工程）
続いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器２０３を備える処理室２０２ａを用いて実施される基板処理工程について、図８〜図１０を用いて説明する。図８は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図であり、図９は、本実施形態に係る基板処理工程における成膜工程での基板への処理を示すフロー図であり、図９は、本実施形態に係る基板処理工程におけるクリーニング工程での処理を示すフロー図である。なお、以下の説明において、基板処理装置１０の処理室２０２の構成各部の動作は、制御部３００により制御される。
【０１３８】
ここでは、第一のガスとして、シリコン含有ガスであるトリシリルアミン（ＴＳＡ）を用い、第二の処理ガスとして、酸素含有ガスである酸素ガスを用い、基板２００上に絶縁膜としてシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を形成する例について説明する。  予め、ティーチング工程により、基板載置部２１７ｂにおけるツィーザ１１３の位置情報である載置部基準位置情報ｓ１（第２ティーチングデータ）を取得しておく。また、ウエハ移動経路における基板位置基準情報ｓｋを取得しておく。
【０１３９】
（基板搬入・載置工程（Ｓ１０２））
まず、基板２００の搬送位置まで基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａに基板突き上げピン２６６を貫通させる。その結果、基板突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて、反応容器２０３内に所定枚数（例えば５枚）の基板２００（処理基板）を搬入する。そして、サセプタ２１７の図示しない回転軸を中心として、各基板２００が重ならないように、サセプタ２１７の同一面上に載置する。これにより、基板２００は、サセプタ２１７の表面から突出した基板突き上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。このとき、前述した基板載置位置補正工程により、第一の搬送室１０３内において搬送中のウエハ位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、載置部基準位置情報ｓ１と、基板位置基準情報ｓｋとに基づき、第一の基板移載機１１２が複数の基板載置部２１７ｂに基板を載置する位置を制御する。
【０１４０】
反応容器２０３内に基板２００を搬入したら、第一の基板移載機１１２を反応容器２０３外へ退避させ、ゲートバルブ１５１を閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、基板突き上げピン２６６を下降させて、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの各底面のサセプタ２１７に設けられた基板載置部２１７ｂ上に基板２００を載置する。
【０１４１】
なお、基板２００を反応容器２０３内に搬入する際には、排気部により反応容器２０３内を排気しつつ、不活性ガス供給系から反応容器２０３内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、ＡＰＣバルブ２４３を開けることにより、反応容器２０３内を排気しつつ、少なくとも第一の不活性ガス供給系のバルブ２３４ｄを開けることにより、反応容器２０３内にＮ２ガスを供給することが好ましい。これにより、処理領域２０１内へのパーティクルの侵入や、基板２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。ここで、さらに第二の不活性ガス供給系及び第三の不活性ガス供給系から不活性ガスを供給してもよい。なお、真空ポンプ２４６は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）から後述する基板搬出工程（Ｓ１０８）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とする。
【０１４２】
（昇温・圧力調整工程（Ｓ１０４））
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、基板２００の表面が所定の温度（例えば２００℃以上であって４００℃以下）となるように加熱する。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいてヒータ２１８への通電具合を制御することによって調整される。
【０１４３】
なお、シリコンで構成される基板２００の加熱処理では、表面温度を７５０℃以上にまで加熱すると、基板２００の表面に形成されたソース領域やドレイン領域等に不純物の拡散が生じ、回路特性が劣化し、半導体デバイスの性能が低下してしまう場合がある。基板２００の温度を上述のように制限することにより、基板２００の表面に形成されたソース領域やドレイン領域における不純物の拡散、回路特性の劣化、半導体デバイスの性能の低下を抑制できる。
【０１４４】
また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａ、好ましくは２０Ｐａ〜４０Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。
【０１４５】
また、基板２００を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタ２１７の回転を開始させる。この際、サセプタ２１７の回転速度は制御部３００によって制御される。サセプタ２１７の回転速度は例えば１回転／秒である。サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域を基板２００が通過する。
【０１４６】
（成膜工程（Ｓ１０６））
次に、第一の処理領域２０１ａ内に第一の処理ガスとしてのＴＳＡガスを供給し、第二の処理領域２０１ｂ内に第二の処理ガスとしての酸素ガスを供給して基板２００上にＳｉＯ膜を成膜する工程を例に成膜工程を説明する。なお、以下の説明では、ＴＳＡガスの供給、酸素ガスの供給、不活性ガスを併行してそれぞれの領域に供給する。
【０１４７】
基板２００を加熱して所望とする温度に達し、サセプタ２１７が所望とする回転速度に到達したら、少なくともバルブ２３２ｄ，２３３ｄ及び２３４ｄを開け、処理ガス及び不活性ガスの処理領域２０１及びパージ領域２０４への供給を開始する。すなわち、バルブ２３２ｄを開けて第一の処理領域２０１ａ内にＴＳＡガスを供給開始し、バルブ２３３ｄを開けて第二の処理領域２０１ｂ内に酸素ガスを供給し、さらにバルブ２３４ｄを開けて第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスであるＮ２ガスを供給する。このとき、ＡＰＣバルブ２４３を適正に調整して反応容器２０３内の圧力を、例えば１０Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。このときヒータ２１８の温度は、基板２００の温度が、例えば２００℃〜４００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。
【０１４８】
すなわち、バルブ２３２ｄを開け、第一のガス供給管２３２ａから第一のガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して第一の処理領域２０１ａにＴＳＡガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、ＴＳＡガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３２ｃを調整する。なお、マスフローコントローラ２３２ｃで制御するＴＳＡガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
【０１４９】
ＴＳＡガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給する際には、バルブ２３５ｄを開け、第二の不活性ガス供給管２３５ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給することが好ましい。これにより、第一の処理領域２０１ａ内へのＴＳＡガスの供給を促進させることができる。
【０１５０】
また、バルブ２３２ｄを開けるのと並行してバルブ２３３ｄを開け、第二のガス供給管２３３ａから第二のガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して第二の処理領域２０１ｂに酸素ガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、酸素ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３３ｃを調整する。なお、マスフローコントローラ２３３ｃで制御する酸素ガスの供給流量は、例えば１０００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
【０１５１】
酸素ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給する際には、バルブ２３６ｄを開け、第三の不活性ガス供給管２３６ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給することが好ましい。これにより、第二の処理領域２０１ｂ内への酸素ガスの供給を促進することができる。
【０１５２】
また、バルブ２３２ｄ及びバルブ２３３ｄを開けるのと並行して、さらにバルブ２３４ｄを開け、パージガスとしての不活性ガスであるＮ２ガスを、第一の不活性ガス供給管２３４ｃから不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂにそれぞれ供給しつつ排気する。このとき、Ｎ２ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ｃを調整する。なお、仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができる。
【０１５３】
ガスの供給開始と共に、第二の処理領域２０１ｂの上方に設けられたプラズマ生成部２０６に図示しない高周波電源から高周波電力を供給する。第二の処理領域２０１ｂ内に供給され、プラズマ生成部２０６の下方を通過した酸素ガスは、第二の処理領域２０１ｂ内でプラズマ状態となり、これに含まれる活性種が基板２００に供給される。
【０１５４】
酸素ガスは反応温度が高く、上述のような基板２００の処理温度、反応容器２０３内の圧力では反応しづらいが、本実施形態のように酸素ガスをプラズマ状態とし、これに含まれる活性種を供給するようにすると、例えば４００℃以下の温度帯でも成膜処理を行うことができる。なお、第一の処理ガスと第二の処理ガスとで要求する処理温度が異なる場合、処理温度が低い方の処理ガスの温度に合わせてヒータ２１８を制御し、処理温度を高くする必要のある他方の処理ガスを、プラズマ状態として供給するとよい。このようにプラズマを利用することにより基板２００を低温で処理することができ、例えばアルミニウム等の熱に弱い配線等を有する基板２００に対する熱ダメージを抑制することが可能となる。また、処理ガスの不完全反応による生成物等の異物の発生を抑制することができ、基板２００上に形成する薄膜の均質性や耐電圧特性等を向上させることができる。また、プラズマ状態とした酸素ガスの高い酸化力によって、酸化処理時間を短縮することができる等、基板処理の生産性を向上させることができる。
【０１５５】
上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を繰り返す。そのため、図９に示すように、基板２００には、ＴＳＡガスの供給（Ｓ２０２）、Ｎ２ガスの供給（パージ）（Ｓ２０４）、プラズマ状態とされた酸素ガスの供給（Ｓ２０６）、Ｎ２ガスの供給（パージ）（Ｓ２０８）が交互に所定回数実施されることになる。ここで、成膜処理シーケンスの詳細について、図９を用いて説明する。
【０１５６】
（第一の処理ガス領域通過（Ｓ２０２））
まず、第一の処理領域２０１ａを通過する基板２００表面及びサセプタ２１７の基板が載置されていない部分にＴＳＡガスが供給され、基板２００上にシリコン含有層が形成される。
【０１５７】
（第一のパージ領域通過（Ｓ２０４））
次に、シリコン含有層が形成された基板２００が第一のパージ領域２０４ａを通過する。このとき、第一のパージ領域に不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１５８】
（第二の処理ガス領域通過（Ｓ２０６））
次に、第二の処理領域２０１ｂを通過する基板２００及びサセプタ２１７の基板が載置されていない部分に酸素ガスが供給される。基板２００上にはシリコン酸化層（ＳｉＯ層）が形成される。すなわち、酸素ガスは、第一の処理領域２０１ａで基板２００上に形成されたシリコン含有層の一部と反応する。これにより、シリコン含有層は酸化されて、シリコン及び酸素を含むＳｉＯ層へと改質される。
【０１５９】
（第二のパージ領域通過（Ｓ２０８））
そして、第二の処理領域２０１ｂでＳｉＯ層が形成された基板２００が第二のパージ領域２０４ｂを通過する。このとき、第二のパージ領域２０４ｂに不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１６０】
（サイクル数の確認（Ｓ２１０））
このように、サセプタ２１７の１回転を１サイクルとし、すなわち第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂの基板２００の通過を１サイクルとし、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、基板２００上に所定膜厚のＳｉＯ膜を成膜することができる。
ここでは、前述のサイクルを所定回数実施したか否かを確認する。
サイクルを所定の回数実施した場合、所望の膜厚に到達できたと判断し、成膜処理を終了する。サイクルを所定の回数実施しなかった場合、所望の膜圧に到達できなかったと判断し、Ｓ２０２に戻りサイクル処理を継続する。
【０１６１】
Ｓ２１０にて、前述のサイクルを所定回数実施し、基板２００上に所望の膜厚のＳｉＯ膜が形成されたと判断した後、少なくともバルブ２３２ｄ及びバルブ２３３ｄを閉じ、ＴＳＡガス及び酸素ガスの第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂへの供給を停止する。このとき、プラズマ生成部２０６への電力供給も停止する。さらに、ヒータ２１８の通電量を制御して温度を低くするか、あるいはヒータ２１８への通電を停止する。更に、サセプタ２１７の回転を停止する。
【０１６２】
（基板搬出工程（Ｓ１０８））
成膜工程１０６が終了したら、次のように基板を搬出する。
まず、基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の表面から突出させた基板突き上げピン２６６上に基板２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて基板２００を反応容器２０３の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。なお、上記において、基板２００の温度、反応容器２０３内の圧力、各ガスの流量、プラズマ生成部２０６に印加する電力、処理時間等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【０１６３】
（処理回数の確認（Ｓ１１０））
Ｓ１１０では、基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）から基板搬出工程（Ｓ１０８）のサイクルを所定回数実施したか否かを確認する。ここで、所定の回数とは、成膜処理を継続した結果、クリーニングが必要な状態になる回数を言う。
この回数は、予めシミュレーション等でクリーニングが必要な処理回数を導き出し、設定する。
【０１６４】
（クリーニング工程（Ｓ１１２））
基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）から基板搬出工程（Ｓ１０８）のサイクルを所定回数実施した後、つまりサセプタ２１７に処理基板２００が載置されていない状態で、処理室２０２のクリーニングを行う。
具体的には図１０に示す処理を行う。
【０１６５】
（ダミー基板搬入・載置工程（Ｓ３０２））
サセプタ２１７の基板載置部２１７ｂに、処理基板を載置する際と同様の手順でダミー基板２８０を載置する。
【０１６６】
（昇温・圧力調整工程（Ｓ３０４））
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、ダミー基板２８０の表面が所定の温度となるように加熱する。
【０１６７】
また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａ、好ましくは２０Ｐａ〜４０Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。
【０１６８】
また、ダミー基板２８０を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタ２１７の回転を開始させる。この際、サセプタ２１７の回転速度は制御部３００によって制御される。サセプタ２１７の回転速度は例えば１回転／秒である。サセプタ２１７を回転させることにより、ダミー基板２８０は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域をダミー基板２８０が通過することになる。
【０１６９】
（ガス供給工程（Ｓ３０６））
次に、反応容器２０３内に、クリーニングガス導入部２５８からクリーニングガスを供給する。それと併行して、各処理領域にパージガスを供給する。
【０１７０】
以上のように、反応容器２０３内をクリーニングする。
【０１７１】
（基板搬出工程（Ｓ３０８））
所定の時間クリーニング処理をした後、ダミー基板搬入工程とは逆の方法でダミー基板を搬出する。
【０１７２】
（４）第１実施形態に係る効果  第１実施形態によれば、少なくとも以下に示す効果を奏する。
（ａ）基板移動経路において基板搬送中に基板ずれ量を検出し、該基板ずれ量に基づき、処理室内の基板載置部に基板を載置する位置を基板搬送中に補正するようにしたので、処理室内で基板ずれ量を検出して基板を載置する位置を補正する場合に比べ、基板載置部への基板載置位置を早く補正できる。
（ｂ）予め、基板移動経路における基板搬送機の経路部基準位置で基板位置基準情報ｓｋを取得しておき、基板処理時において基板搬送中に経路部基準位置で基板位置を検出して検出位置情報を取得するようにしたので、容易に基板ずれ量を検出できる。
（ｃ）処理室に隣接した搬送室内に、基板移動経路における基板ずれ量を検出するための基板有無検出センサを設けたので、処理室内にセンサを設ける場合に比べ、センサ表面が成膜されることを抑制でき、センサの交換周期やメンテナンス周期を長くすることができる。また、処理室内の複数の基板載置部にそれぞれセンサを設ける場合に比べ、センサの数を少なくすることができる。
（ｄ）基板有無検出センサを２組の基板有無検出センサで構成し、搬送室内を搬送中の基板を２組の基板有無検出センサが検出する時間差に基づいて、搬送中の基板の位置を検出するようにしたので、搬送中の基板の検出位置情報を取得することが簡単にできる。
（ｅ）搬送室内を搬送中の基板に対し、２組の基板有無検出センサのうち少なくとも１組が基板を検出したときの基板搬送機の位置を、経路部基準位置としたので、基板位置基準情報ｓｋを取得することが簡単にできる。
（ｆ）基板移動経路における基板ずれ量が所定の範囲内である場合は、該基板ずれ量に基づき基板載置部への載置位置を補正して基板を載置し、基板ずれ量が所定の範囲内でない場合は、基板搬送機の搬送動作を停止するようにしたので、基板ずれ量が大きいときにウエハ破損等の問題を回避できる。また、所定の範囲を適切に設定することにより、ウエハが基板載置部からはみ出すことを防止することができる。 
（ｇ）基板有無検出センサを、基板移動経路における搬送室内の処理室近傍に設けたので、処理室近傍以外に設ける場合に比べ、より正確に基板ずれ量を検出することができる。
（ｈ）複数の基板載置部２１７ｂに対する載置部基準位置情報ｓ１の差分情報を取得し用いることで、基板位置基準情報ｓｋ取得工程において、より効率良く、基板位置基準情報ｓｋを取得できる。
【０１７３】
＜第２実施形態＞
続いて、図１１を用いて本発明の第２実施形態を説明する。図１１は、第２実施形態に係る基板処理室の上面概略図である。（装置構成）
第２実施形態は、第１実施形態の装置とガス供給部が異なるが、その他の同番号の構成については同様の構成である。
以下に相違する構成を説明する。
３１１は第一ガス供給ノズルである。第一ガス供給ノズル３１１は、第一の処理ガス導入部２５１に接続され、サセプタ２１７の径方向に向かって延伸されている。
３１２は第二ガス供給ノズルである。第二ガス供給ノズル３１２は、第二の処理ガス導入部２５２に接続され、サセプタ２１７の径方向に向かって延伸されている。
３１３は第一パージガス供給ノズル、３１４は第二パージガス供給ノズルである。それぞれパージガス供給部２５３に接続され、サセプタ２１７の径方向に向かって延伸されている。
【０１７４】
各ノズルは、サセプタ２１７の径方向において複数のガス噴出口が設けられている。そして、各ノズルは、基板載置部２１７ｂに載置されている基板の直径より大きくなるよう構成、つまり、基板載置部２１７ｂに載置されている基板の全域に対してガスを供給できるように構成されている。このような構成とすることで、基板２００上に均一にガスを供給することが可能となる。
図１１では、仕切板２０５は図示を省略されている。なお、第２実施形態においては、仕切板２０５はあってもよいし、ない構成とすることも可能である。
【０１７５】
（基板処理工程）
基板処理工程は第１実施形態とほぼ同様であるが、成膜工程やクリーニング工程において、第一のガス噴出口２５４の代わりにガス供給ノズル３１１から、第二のガス噴出口２５５の代わりにガス供給ノズル３１２から処理ガスやパージガスを供給する。
更には、第一の不活性ガス噴出口２５６、第二の不活性ガス噴出口２５７の代わりに、パージガス供給ノズル３１３、パージガス供給ノズル３１４からパージガスを供給する。
【０１７６】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１７７】
例えば、上述の実施形態では、処理ガスとしてシリコン含有ガス及び酸素含有ガスを用い、基板２００上にＳｉＯ膜を形成しているが、これに限られるものではない。すなわち、処理ガスとして、例えばハフニウム（Ｈｆ）含有ガス及び酸素含有ガス、ジルコニウム（Ｚｒ）含有ガス及び酸素含有ガス、チタン（Ｔｉ）含有ガス及び酸素含有ガスを用いて、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ膜）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ膜）、酸化チタン膜（ＴｉＯ膜）等のＨｉｇｈ−ｋ膜等を基板２００上に形成してもよい。また、プラズマ化する処理ガスとして、酸素含有ガスのほかに、窒素（Ｎ）含有ガスであるアンモニア（ＮＨ３）ガス等を用いてもよい。
【０１７８】
また、上述の実施形態では、酸素ガスを処理室に供給し、プラズマ生成部２０６でプラズマを生成していたが、それに限るものではなく、処理室の外でプラズマを生成するリモートプラズマ方法や、エネルギーレベルの高いオゾンを用いても良い。
【０１７９】
また、上述の実施形態では、ガス供給機構２５０の不活性ガス導入機構２５３を、第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂとで共通としたが、不活性ガス導入機構は個別に設けてもよい。
【０１８０】
また、上述の実施形態では、基板突き上げピン２６６が昇降することで基板２００を処理位置や搬送位置に移動させたが、昇降機構２６８を用い、サセプタ２１７を昇降させることで、基板２００を処理位置や搬送位置に移動させてもよい。
【０１８１】
また、上述の実施形態では、基板２００を円形のウエハとしたが、矩形の基板であってもよい。
【０１８２】
また、上述の実施形態では、１つのサセプタ２１７に基板載置部２１７ｂを複数設けたが、１つのサセプタ２１７に基板載置部２１７ｂを１つ設ける構成としてもよい。また、基板載置部２１７ｂを設けず、サセプタ２１７に直接ウエハを載置する構成としてもよい。
【０１８３】
また、上述の実施形態では、基板有無検出器としての透過型センサを２組用いて基板移動経路における基板ずれ量を検出したが、透過型センサを３組以上用いる構成としてもよい。また、透過型センサでなく、反射型センサ等を用いる構成としてもよい。また、光センサでなく超音波センサ等を用いる構成としてもよい。また、画像カメラを用い基板移動経路における基板ずれ量を検出するように構成してもよい。
【０１８４】
以下に、付記として本発明の態様を記す。
＜付記１＞
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有し、前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板を処理する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報と、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を制御する制御部と、  を有する基板処理装置。
【０１８５】
＜付記２＞
前記制御部は、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内である場合に、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差に基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を補正するよう制御する付記１記載の基板処理装置
【０１８６】
＜付記３＞
前記制御部は、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内でない場合に、前記基板搬送機の搬送動作を停止するよう制御する付記２記載の基板処理装置。
【０１８７】
＜付記４＞
前記基板有無検出器は、少なくとも２組の基板有無検出器で構成され、  前記制御部は、前記搬送室内を搬送中の基板を前記２組の基板有無検出器が検出する時間差に基づいて、前記検出位置情報を作成する付記１〜３記載の基板処理装置。
【０１８８】
＜付記５＞
前記制御部は、前記２組の基板有無検出器のうち少なくとも１組が検出したときの基板の位置を前記基板位置基準情報として作成する付記４記載の基板処理装置。
【０１８９】
＜付記６＞
基板を載置する第一及び第二の基板載置部を同一円周上に有する基板載置台と、前記第一及び第二の基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  を有する基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、  前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報とを取得する工程と、  前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得する工程と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出する基板位置検出工程と、  前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第一の基板載置部に基板を載置する第１の基板載置工程と、  前記検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する第２の基板載置工程と、  前記第一及び第二の基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成する工程と、  を有する半導体装置の製造方法。
【０１９０】
＜付記７＞
基板を載置する基板載置部において基板を載置するための基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報を取得する工程と、  前記基板載置部に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得する工程と、  前記基板載置部に基板を搬送中に、該搬送中の基板の位置を検出する基板位置検出工程と、  前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板載置部に基板を載置する基板載置工程と、  前記基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成する工程と、  有する半導体装置の製造方法。
【０１９１】
＜付記８＞
基板を載置する第一及び第二の基板載置台を有し、前記第一及び第二の基板載置台に載置された基板を処理する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記第一及び第二の基板載置台に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  前記第一の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第１の載置部基準位置情報と、前記第二の基板載置部に基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す第２の載置部基準位置情報と、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と、前記第１の載置部基準位置情報と前記第２の載置部基準位置情報との差分情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記第二の基板載置部に基板を載置する位置を制御する制御部と、  を有する基板処理装置。
【０１９２】
＜付記９＞
同一円周上に設けられた基板載置部１〜ｎ（ｎは２以上の自然数）を有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有し、前記基板載置台に載置された基板を処理する処理室と、  前記処理室に隣接し、前記基板載置部１〜ｎに基板を搬送する基板搬送機を有する搬送室と、  前記基板載置部１〜ｎのそれぞれにおいて基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報を記憶する記憶部と、  前記載置部基準位置情報に基づき、前記基板搬送機を制御する制御部と、  を有する基板処理装置。
【０１９３】
＜付記１０＞
前記搬送室は、基板の有無を検出する基板有無検出器を有し、  前記記憶部は、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を記憶し、  前記制御部は、前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲内である場合に、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差に基づき、前記基板搬送機が前記基板載置部１〜ｎに基板を載置する位置を補正するよう制御する付記９に記載の基板処理装置。
【０１９４】
＜付記１１＞
前記制御部は、前記検出位置情報と前記基板位置基準情報との差が所定の範囲を超えている場合に、前記基板搬送機の搬送動作を停止するよう制御する付記１０に記載の基板処理装置。
【０１９５】
＜付記１２＞
基板を載置する基板載置部を同一円周上に複数有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有し、前記基板載置部に載置された基板を処理する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  前記複数の基板載置部のそれぞれにおいて基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報と、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記複数の基板載置部に基板を載置する位置を制御する制御部と、  を有する基板処理装置。
【０１９６】
＜付記１３＞
基板を載置する基板載置台を有し、前記基板載置台に載置された基板を処理する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記基板載置台に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  前記基板載置台において基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報と、前記搬送室内において搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報とを記憶する記憶部と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において搬送中の基板位置を示す検出位置情報を作成し、該検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記基板載置台に基板を載置する位置を制御する制御部と、  を有する基板処理装置。
【０１９７】
＜付記１４＞
基板を載置する基板載置部を同一円周上に複数有する基板載置台と、前記基板載置台を回転させる回転機構とを有する処理室と、  前記処理室に隣接して設けられ、前記基板載置部に基板を搬送して載置する基板搬送機を有する搬送室と、  前記搬送室内において基板の有無を検出する基板有無検出器と、  を有する基板処理装置を用いる半導体装置の製造方法であって、  前記複数の基板載置部のそれぞれにおいて基板を載置するための前記基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報を取得する工程と、  前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得する工程と、  前記基板有無検出器で検出した基板有無情報に基づき、前記搬送室内において前記処理室に搬送中の基板の位置を検出する基板位置検出工程と、  前記基板位置検出工程で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板搬送機が前記複数の基板載置部に基板を載置する基板載置工程と、  前記複数の基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成する工程と、  を有する半導体装置の製造方法。
【０１９８】
＜付記１５＞
更に他の態様によれば、
基板を載置する基板載置部において基板を載置するための基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報を取得させる手順と、
前記基板載置部に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得させる手順と、
前記基板載置部に基板を搬送中に、該搬送中の基板の位置を検出させる基板位置検出手順と、
前記基板位置検出手順で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板載置部に基板を載置させる基板載置手順と、
前記基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。
【０１９９】
＜付記１６＞
基板を載置する基板載置部において基板を載置するための基板搬送機の基準位置を示す載置部基準位置情報を取得させる手順と、
前記基板載置部に搬送中の基板の基準位置を示す基板位置基準情報を取得させる手順と、
前記基板載置部に基板を搬送中に、該搬送中の基板の位置を検出させる基板位置検出手順と、
前記基板位置検出手順で検出した基板位置を示す検出位置情報と、前記載置部基準位置情報と、前記基板位置基準情報とに基づき、前記基板載置部に基板を載置させる基板載置手順と、
前記基板載置部に載置された基板に半導体装置を形成させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。
【産業上の利用可能性】
【０２００】
ツイーザ上に支持した基板がずれた場合においても、サセプタ上の所定の位置に基板を載置することができる。
【符号の説明】
【０２０１】
１０・・基板処理装置、１００・・ポッド、１００ａ・・キャップ、１０１・・第一の搬送室筐体、１０３・・第一の搬送室、１０５・・ロードポート（Ｉ／Ｏステージ）、１０６・・ノッチ合わせ装置、１０８・・ポッドオープナ、１１２・・第一の基板移載機（基板搬送機）、１１３・・ツイーザ、１１４・・アーム、１１５・・第一の基板移載機エレベータ、１１７・・センサ（基板有無検出器）、１１８・・クリーンユニット、１２１・・第二の搬送室、１２２，１２３・・予備室、１２４・・第二の基板移載機、１２５・・第二の搬送室筐体、１２６，１２７・・ゲートバルブ、１２８，１２９・・ゲートバルブ、１３１・・第二の基板移載機エレベータ、１３２・・リニアアクチュエータ、１３４・・基板搬入搬出口、１３６・・駆動機構、１４０・・基板支持台、１４１・・隔壁板、１４２・・クロージャ、１５０，１５１，１５２，１５３・・ゲートバルブ、２００・・基板、２０１ａ・・第一の処理領域、２０１ｂ・・第二の処理領域、２０２ａ・・第一の処理炉、２０２ｂ・・第二の処理炉、２０２ｃ・・第三の処理炉、２０２ｄ・・第四の処理炉、２０３・・反応容器、２０３ａ・・反応容器天井、２０４ａ・・第一のパージ領域、２０４ｂ・・第二のパージ領域、２０５・・仕切板、２０６・・プラズマ生成部、２０７・・処理空間、２１７・・サセプタ（基板載置台）、２１７ａ・・貫通孔、２１７ｂ・・基板載置部、２１８・・ヒータ、２２２・・電力供給線、２２３・・温度調整器、２２４・・電力調整器、２２５・・ヒータ電源、２３１・・排気管、２３２・・第一の処理ガス供給系、２３２ａ・・第一のガス供給管、２３２ｂ・・原料ガス供給源、２３２ｃ・・ＭＦＣ、２３２ｄ・・バルブ、２３３・・第二の処理ガス供給系、２３３ａ・・第二のガス供給管、２３３ｂ・・原料ガス供給源、２３３ｃ・・ＭＦＣ、２３３ｄ・・バルブ、２３４・・第一の不活性ガス供給系、２３４ａ・・第一の不活性ガス供給管、２３４ｂ・・不活性ガス供給源、２３４ｃ・・ＭＦＣ、２３４ｄ・・バルブ、２３５・・第二の不活性ガス供給系、２３５ａ・・第二の不活性ガス供給管、２３５ｂ・・不活性ガス供給源、２３５ｃ・・ＭＦＣ、２３５ｄ・・バルブ、２３６・・第三の不活性ガス供給系、２３６ａ・・第三の不活性ガス供給管、２３６ｂ・・不活性ガス供給源、２３６ｃ・・ＭＦＣ、２３６ｄ・・バルブ、２３７ａ・・クリーニングガス供給管、２３７ｂ・・クリーニングガス供給源、２３７ｃ・・ＭＦＣ、２３７ｄ・・バルブ、２３７ｅ・・プラズマ生成ユニット、２４３・・ＡＰＣバルブ、２４５・・流量制御バルブ、２４６・・真空ポンプ、２５０・・ガス供給部、２５１・・第一の処理ガス導入部、２５２・・第二の処理ガス導入部、２５３・・不活性ガス導入部、２５４・・第一のガス噴出口、２５５・・第二のガス噴出口、２５６・・第一の不活性ガス噴出口、２５７・・第二の不活性ガス噴出口、２５８・・クリーニングガス導入部、２５９・・クリーニングガス供給孔、２６６・・基板突き上げピン、２６７・・回転機構、２６７ａ・・カップリング部、２６８・・昇降機構、２７４・・温度センサ、２８０・・ダミー基板、３００・・制御部（コントローラ）、３０１・・記憶部、３０２・・ＣＰＵ、３１１・・第一ガス供給ノズル、３１２・・第二ガス供給ノズル、３１３・・第一パージガス供給ノズル、３１４・・第二パージガス供給ノズル。 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0006029250.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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