(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の共振回路を具備する誘電体基板とを備え、
前記誘電体基板が、前記扉を閉めた状態において対向する、前記扉枠と前記扉の面のうち、少なくとも一方の面に貼付され、
前記誘電体基板に具備された前記複数の共振回路は、前記誘電体基板の表面に、前記扉枠の内周または前記扉の外周方向に沿って帯状に配置したストリップ導体と、前記誘電体基板を貫通して前記誘電体基板の表裏面を電気的に接続する短絡手段とで構成される、片端短絡型の共振回路であり、少なくとも２つ以上の異なる周波数にて共振することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項２】
前記複数の共振回路のうちの少なくとも２つ以上の共振回路が、同一の周波数にて共振することを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項３】
導電性ガスケットをさらに備え、
前記導電性ガスケットが、前記扉を閉めた状態において、前記扉枠と扉とを電気的に接触する箇所に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電磁シールド扉。
【請求項４】
電磁波吸収体をさらに備え、
前記電磁波吸収体が、前記扉枠と扉が対向する箇所において、前記扉枠または扉の一方の面に貼付された前記誘電体基板に対向する面に貼付されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電磁シールド扉。
【請求項５】
電磁波吸収体をさらに備え、
前記誘電体基板と前記電磁波吸収体とが、前記扉枠と扉が対向する箇所において、扉厚方向に分割された状態で配置され、かつ、前記扉枠または扉の少なくとも一方の同一の面に貼付されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電磁シールド扉。
【請求項６】
前記誘電体基板を貫通して前記誘電体基板の表裏面を電気的に接続する前記短絡手段が、導電性ネジであることを特徴とする請求項１記載の電磁シールド扉。
【請求項７】
前記導電性ネジが、複数の前記誘電体基板を貫通することを特徴とする請求項６記載の電磁シールド扉。
【請求項８】
前記導電性ネジが貫通する前記複数の誘電体基板の比誘電率が、互いに異なることを特徴とする請求項７記載の電磁シールド扉。
【請求項９】
導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の共振回路を具備する誘電体基板とを備え、
前記誘電体基板が、前記扉を閉めた状態において対向する、前記扉枠と前記扉の面のうち、少なくとも一方の面に貼付され、
前記誘電体基板に具備された前記複数の共振回路が、前記誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に、前記扉枠の内周または前記扉の外周方向に沿って帯状に配置した金属板と、前記誘電体基板と前記金属板とを貫通して前記金属板と前記誘電体基板の裏面とを電気的に接続する導電性ネジとで構成される、片端短絡型の共振回路であり、少なくとも２つ以上の異なる周波数にて共振することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項１０】
導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の誘電体共振器とを備え、
前記複数の誘電体共振器が、誘電体と、前記誘電体を固定する金属固定具と、導電性ネジとで構成されるとともに、前記扉を閉めた状態において対向する、前記扉枠と前記扉の面のうち、少なくとも一方の面に貼付され、
前記複数の誘電体共振器は、前記誘電体の表裏面および側面を囲み、表面側を囲む形状が前記扉枠の内周または前記扉の外周方向に沿う帯状の形状である前記金属固定具と、前記金属固定具を貫通して前記誘電体の表裏面を電気的に接続する前記導電性ネジで構成される、片端短絡型の共振回路であり、少なくとも２つ以上の異なる周波数にて共振することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項１１】
導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の誘電体共振器とを備え、
前記複数の誘電体共振器が、誘電体と、前記誘電体の表面および側面に配置したストリップ導体と、導電性接着剤とで構成されるとともに、前記扉を閉めた状態において対向する、前記扉枠と前記扉の面のうち、少なくとも一方の面に貼付され、
前記複数の誘電体共振器は、前記誘電体の表面および側面を囲み、表面側を囲む形状が前記扉枠の内周または前記扉の外周方向に沿う帯状の形状である前記ストリップ導体と、前記誘電体の表裏面を電気的に接続する前記導電性接着剤で構成される、片端短絡型の共振回路であり、少なくとも２つ以上の異なる周波数にて共振することを特徴とする電磁シールド扉。
【請求項１２】
前記導電性ネジが、皿ネジであることを特徴とする請求項６から請求項１０のうちのいずれか１項記載の電磁シールド扉。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シールドルームの出入り口等において、電磁波の漏洩と浸入を防止するために用いられる電磁シールド扉に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電磁シールド扉の構成例を図１６，図１７に示す。図１６は、従来の電磁シールド扉を示す図であり、図１７は、図１６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。図１６，図１７において、１は扉、２は扉枠、６は導電性ガスケット、７はヒンジ、８は開閉レバーを示す。扉１と扉枠２は導電性で、ヒンジ７を介して接続され、開閉レバー８の操作により開閉可能な構造を有している。導電性ガスケット６は、導電性かつ弾性の特性を有し、扉１と扉枠２との対向面において、扉１壁面に配置されている。
【０００３】
次に、従来の電磁シールド扉の動作について説明する。図１７に示すように、扉１が閉じた状態において、導電性ガスケット６が扉枠２に接触し、扉１と扉枠２とが電気的に接続される。前記接続により、扉１と扉枠２間の隙間が全て電気的に接続されるので、扉１と扉枠２の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、電磁シールド特性を得ることができる。特許文献１では、より高性能な電磁シールド特性を実現するための構成として、導電性クッション材を用いた扉と扉枠間の接続構造について示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−９４８８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来の電磁シールド扉では、導電性の扉と導電性の扉枠の少なくともどちらかに導電性ガスケットを配置することで、扉を閉めた状態において扉と扉枠が電気的に接触し、電磁シールド特性を実現していた。
【０００６】
しかしながら、扉の開閉回数が多くなると、導電性ガスケットの摩耗や金属疲労により電磁シールド特性が劣化するため、定期メンテナンスが必要となるという課題があった。また、従来の電磁シールド扉の構造では、ＧＨｚ帯以上の高周波帯域において十分な電磁シールド特性の実現が困難であった。さらに、特定の周波数において特に有効な電磁シールド特性の実現が困難であった。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、扉と扉枠が非接触な構造で、主にＧＨｚ帯以上の高周波帯において、電磁シールド特性を有する電磁シールド扉の実現を目的とする。また、広帯域、或いは特定の周波数に特化した電磁シールド特性を有する電磁シールド扉の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、この発明に係る電磁シールド扉は、導電性の扉枠と、導電性の扉と、電磁シールド特性が要求される帯域内の周波数にて共振する複数の共振回路を具備する誘電体基板とを備え、前記誘電体基板が、前記扉を閉めた状態において対向する、前記扉枠と前記扉の面のうち、少なくとも一方の面に貼付され、前記誘電体基板に具備された前記複数の共振回路は、前記誘電体基板の表面に、前記扉枠の内周または前記扉の外周方向に沿って帯状に配置したストリップ導体と、前記誘電体基板を貫通して前記誘電体基板の表裏面を電気的に接続する短絡手段とで構成される、片端短絡型の共振回路であり、少なくとも２つ以上の異なる周波数にて共振することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉１と扉枠２とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図３】図２における誘電体基板３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図５】実施の形態１において扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数を示す図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図７】図６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図８】図７における誘電体基板３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図９】図８のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図１０】実施の形態２において扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数を示す図である。
【図１１】この発明の実施の形態３に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図１２】図１１のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図１３】この発明の実施の形態４に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図１４】図１３のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図１５】図１３のＡ−Ａ‘を通るＸＹ断面の他の例を示す拡大図である。
【図１６】従来の電磁シールド扉を示す図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図１８】この発明の実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図１９】図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図２０】図１９における誘電体基板３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図２１】図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図２２】この発明の実施の形態６に係る電磁シールド扉において、図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図２３】この発明の実施の形態７に係る電磁シールド扉において、図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図２４】この発明の実施の形態８に係る電磁シールド扉において、図１９における誘電体基板３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図２５】図２４のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図２６】この発明の実施の形態９に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図２７】図２６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図２８】図２７における誘電体１３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図２９】図２８のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図３０】この発明の実施の形態１０に係る電磁シールド扉を示す図である。
【図３１】図３０のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図３２】図３１における側面メッキ誘電体１５を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図３３】図３２のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【図３４】この発明の実施の形態１１に係る電磁シールド扉において、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面を示す拡大図である。
【図３５】図３４における誘電体基板３を扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である。
【図３６】図３５のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。
実施の形態１．
図１，図２を用いて本発明の実施の形態１による電磁シールド扉について説明する。図１は、実施の形態１に係る電磁シールド扉を示す図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。図１，図２において、１は扉、２は扉枠、３は共振器装荷誘電体基板、７はヒンジ、８は開閉レバーを示す。扉１と扉枠２は導電性で、ヒンジ７を介して接続され、開閉レバー８の操作により開閉可能な構造を有している。共振器装荷誘電体基板３は、共振構造を有し、扉１と扉枠２との対向面において扉１の壁面に配置されている。
【００１２】
次に、図３，図４を用いて共振器装荷誘電体基板３に配置されている共振構造について説明する。図３は、図２における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図４は、図３のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図３と図４において、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈはストリップ導体であり、共振器装荷誘電体基板３の扉１への貼付面と反対側表面に、Ｙ方向寸法が一定で扉１の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法は、それぞれＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈである。また、各ストリップ導体のＹ方向寸法は、それぞれ周波数ｆａ，ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となっている（ｆｂ＝１．５ｆａ，ｆｃ＝２ｆａ，ｆｄ＝２．５ｆａ，ｆｅ＝３．５ｆａ，ｆｆ＝４ｆａ，ｆｇ＝５ｆａ，ｆｈ＝６．５ｆａ）。５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは貫通スルーホール列であり、共振器装荷誘電体基板３の内部に、扉１の周方向であるＺ軸方向に沿って列状に配置された金属導体である。貫通スルーホール列５ａはストリップ導体４ａと４ｂを、貫通スルーホール列５ｂはストリップ導体４ｃと４ｄを、貫通スルーホール列５ｃはストリップ導体４ｅと４ｆを、貫通スルーホール列５ｄはストリップ導体４ｇと４ｈを、それぞれ扉１と電気的に接続している。
【００１３】
ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈと貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、Ｙ軸方向に、ストリップ導体４ａ、貫通スルーホール列５ａ、ストリップ導体４ｂ、ストリップ導体４ｃ、貫通スルーホール列５ｂ、ストリップ導体４ｄ、ストリップ導体４ｅ、貫通スルーホール列５ｃ、ストリップ導体４ｆ、ストリップ導体４ｇ、貫通スルーホール列５ｄ、ストリップ導体４ｈの順に配置されており、ストリップ導体４ｂとストリップ導体４ｃのＹ方向間隔はＳａ、ストリップ導体４ｄとストリップ導体４ｅのＹ方向間隔はＳｂ、ストリップ導体４ｆとストリップ導体４ｇのＹ方向間隔はＳｃとなっている。
【００１４】
次に、実施の形態１による電磁シールド扉の動作について説明する。ストリップ導体４ａのＹ方向寸法は、周波数ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となっており、Ｙ方向の片端は開放端、Ｙ方向のもう片端は貫通スルーホール列５ａに接続されているので、ストリップ導体４ａは、周波数ｆａと、その高調波であるｆａの奇数倍の周波数（３ｆａ，５ｆａ，・・・，（２ｎ＋１）ｆａ、（ｎは自然数））において共振する片端短絡の共振回路として動作する。同様に、ストリップ導体４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈは、それぞれ、周波数ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと各々の奇数倍の周波数において共振する片端短絡の共振回路として動作する。
【００１５】
周波数ｆａの電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合を考えると、ストリップ導体４ａが共振して電磁波と電磁界結合し，扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数ｆａの奇数倍の周波数、及び、周波数ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと各々の奇数倍の周波数の電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのいずれかが共振して電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数において、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波も減衰する。その結果、周波数ｆａ，ｆｂ，ｆｃ，ｆｄ，ｆｅ，ｆｆ，ｆｇ，ｆｈと、各々の奇数倍の周波数において、扉１と扉枠２の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。
【００１６】
ここで、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈは、それぞれ周波数ｆａ，１．５ｆａ（＝ｆｂ），２ｆａ（＝ｆｃ），２．５ｆａ（＝ｆｄ），３．５ｆａ（＝ｆｅ），４ｆａ（＝ｆｆ），５ｆａ（＝ｆｇ），６．５ｆａ（＝ｆｈ）において共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となっているので、周波数ｆａ，１．５ｆａ，２ｆａ，２．５ｆａ，３ｆａ，３．５ｆａ，４ｆａ，４．５ｆａ，５ｆａ，５．５ｆａ，６ｆａ，６．５ｆａ，７ｆａ，７．５ｆａにおいて、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのいずれかが共振する。よって、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数は、図５に示すように、周波数ｆａ，１．５ｆａ，２ｆａ，２．５ｆａ，３ｆａ，３．５ｆａ，４ｆａ，４．５ｆａ，５ｆａ，５．５ｆａ，６ｆａ，６．５ｆａ，７ｆａ，７．５ｆａに極を有する広帯域な減衰特性となり、その結果、広帯域な電磁シールド特性が得られる。
【００１７】
すなわち、実施の形態１により、扉と扉枠が非接触であるため、扉の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド性能が劣化せず、また、定期メンテナンスも不要で、かつ、広帯域な電磁シールド性能を有する電磁シールド扉を得ることができる。
【００１８】
特に、実施の形態１により電磁シールド特性が得られる周波数帯域は、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造が共振する周波数により決まるため、誘電体基板を用いた共振構造の製作が比較的容易である、ＧＨｚ帯やミリ波帯等の高周波帯域において、有効な電磁シールド特性を実現できる。
【００１９】
また、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈを、それぞれ周波数ｆａ，１．５ｆａ，２ｆａ，２．５ｆａ，３．５ｆａ，４ｆａ，５ｆａ，６．５ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となるように分散化することで、周波数ｆａから７．５ｆａまでの広帯域な電磁シールド特性を実現できる。
【００２０】
以上のように、この発明の実施の形態１における電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉１と扉枠２とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。また、複数の共振回路が複数の異なる周波数において共振するよう、複数の共振回路の構造を選択することで、広帯域な電磁シールド特性を実現することができる。
【００２１】
なお、実施の形態１では、共振器装荷誘電体基板３を、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板３を配置する壁面は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面、あるいは扉１と扉枠２の両壁面でも構わない。
また、実施の形態１では、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板３に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はなく、例えば、両端開放、両端短絡、リング型等の共振器を適用してもよい。なお、両端開放の共振器の場合、開放端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振し、両端短絡の共振器の場合、短絡端間の最短距離が半波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。また、リング型の共振器の場合、リングの周長が１波長となる周波数をｆとすると、周波数ｆ，２ｆ，３ｆ，・・・，ｎ×ｆで共振する。
【００２２】
また、実施の形態１では、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈを，それぞれ周波数ｆａ，１．５ｆａ，２ｆａ，２．５ｆａ，３．５ｆａ，４ｆａ，５ｆａ，６．５ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となるように分散化しているが、広帯域な電磁シールド特性が得られるのであれば、分散化する周波数を前記の周波数に限定する必要はない。
【００２３】
また、実施の形態１では、８つのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈと４つの貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを適用しているが、同様の構造であれば、それぞれの個数を上記の個数に限定する必要はない。
また、実施の形態１では、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈの短絡手段として貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを適用しているが、短絡手段を貫通スルーホール列に限定する必要はなく、例えば、導電性ネジや金属板等により短絡するようにしてもよい。
【００２４】
実施の形態２．
図６，図７を用いて本発明の実施の形態２による電磁シールド扉について説明する。図６は、実施の形態２に係る電磁シールド扉を示す図であり、図７は、図６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。図６，図７において、各部位の符号と説明は実施の形態１と同じなので説明は省略する。
【００２５】
次に、図８，図９を用いて共振器装荷誘電体基板３に配置されている共振構造について説明する。図８は、図７における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図９は、図８のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図８と図９において、４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈはストリップ導体であり、共振器装荷誘電体基板３の扉１への貼付面と反対側表面に、Ｙ方向寸法が一定で扉１の周方向に沿って配置された帯状の金属導体である。ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法は、それぞれＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈで、全て、周波数ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となっている。５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは貫通スルーホール列であり、共振器装荷誘電体基板３の内部に、扉１の周方向であるＺ軸方向に沿って列状に配置された金属導体である。貫通スルーホール列５ａはストリップ導体４ａと４ｂを、貫通スルーホール列５ｂはストリップ導体４ｃと４ｄを、貫通スルーホール列５ｃはストリップ導体４ｅと４ｆを、貫通スルーホール列５ｄはストリップ導体４ｇと４ｈを、それぞれ扉１と電気的に接続している。
【００２６】
ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈと貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄは、Ｙ軸方向に、ストリップ導体４ａ、貫通スルーホール列５ａ、ストリップ導体４ｂ、ストリップ導体４ｃ、貫通スルーホール列５ｂ、ストリップ導体４ｄ、ストリップ導体４ｅ、貫通スルーホール列５ｃ、ストリップ導体４ｆ、ストリップ導体４ｇ、貫通スルーホール列５ｄ、ストリップ導体４ｈの順に配置されており、ストリップ導体４ｂとストリップ導体４ｃのＹ方向間隔はＳａ、ストリップ導体４ｄとストリップ導体４ｅのＹ方向間隔はＳｂ、ストリップ導体４ｆとストリップ導体４ｇのＹ方向間隔はＳｃとなっている。
【００２７】
次に、実施の形態２による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、全てのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法は、周波数ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長となっており、それぞれのＹ方向の片端は開放端、Ｙ方向のもう片端は貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄのいずれかに接続されているので、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈは、周波数ｆａと、その高調波であるｆａの奇数倍の周波数（３ｆａ，５ｆａ，・・・，（２ｎ＋１）ｆａ，（ｎは自然数））において共振する片端短絡の共振回路として動作する。
【００２８】
周波数ｆａの電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合を考えると、全てのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈが共振して電磁波と電磁界結合し、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波は減衰する。同様に、周波数ｆａの奇数倍の周波数の電磁波が扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する場合、全てのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈが共振して電磁波と電磁界結合するので、それらの周波数において、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波も減衰する。その結果、周波数ｆａとその奇数倍の周波数において、扉１と扉枠２の隙間における電磁波の漏洩と浸入を防ぎ、それらの周波数における電磁シールド特性を得ることができる。
【００２９】
実施の形態２では、周波数ｆａと、その奇数倍の周波数において、全てのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈが共振するので、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波の透過係数は、図１０に示すように、周波数ｆａとその奇数倍の周波数に極を有し、各周波数における減衰量は、実施の形態１による電磁シールド扉よりも高くなり、その結果、特定の周波数において特に有効な電磁シールド特性が得られる。
【００３０】
すなわち、実施の形態２により、扉と扉枠が非接触であるため、扉の開閉回数が多くなった場合にも電磁シールド性能が劣化せず、また、定期メンテナンスも不要で、かつ、特定の周波数において特に有効な電磁シールド性能を有する電磁シールド扉を実現できる。
【００３１】
特に、実施の形態２により電磁シールド特性が得られる周波数帯域は、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造が共振する周波数により決まるため、誘電体基板を用いた共振構造の製作が比較的容易である、ＧＨｚ帯やミリ波帯等の高周波帯域において、有効な電磁シールド特性を実現できる。
【００３２】
また、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈの全てを、周波数ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長とすることで、周波数ｆａとその奇数倍の周波数において特に有効な電磁シールド特性を実現できる。
【００３３】
以上のように、この発明の実施の形態２における電磁シールド扉によれば、扉を閉めた状態において、扉１と扉枠２とが接触することなく、共振回路が共振する周波数において電磁シールド特性を得ることができる。また、複数の共振回路の少なくとも２つが同一の周波数において共振するよう、複数の共振回路の構造を選択することで、特定の周波数で特に有効な電磁シールド特性を実現することができる。
【００３４】
なお、実施の形態２では、共振器装荷誘電体基板３を、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板３を配置する壁面は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面、あるいは扉１と扉枠２の両壁面でも構わない。
また、実施の形態２では、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板３に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。
【００３５】
また、実施の形態２では、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈのＹ方向寸法Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｄ，Ｌｅ，Ｌｆ，Ｌｇ，Ｌｈの全てを、周波数ｆａにおいて、共振器装荷誘電体基板３上で４分の１波長としているが、２つ以上のストリップ導体のＹ方向寸法が同じであれば同様の効果が得られるため、全てのストリップ導体のＹ方向寸法が同一である必要はない。
【００３６】
また、実施の形態２では、８つのストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈと４つの貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを適用しているが、同様の構造であれば、それぞれの個数を上記の個数に限定する必要はない。
また、実施の形態２では、ストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈの短絡手段として貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを適用しているが、短絡手段を貫通スルーホール列に限定する必要はない。
【００３７】
実施の形態３．
図１１，図１２を用いて本発明の実施の形態３による電磁シールド扉について説明する。図１１は、実施の形態３に係る電磁シールド扉を示す図であり、図１２は、図１１のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。図１１，図１２において、６は導電性ガスケットで、導電性かつ弾性の特性を有しており、扉１と扉枠２との対向面において、扉１の壁面に配置されており、扉１を閉じた状態において、扉枠２と接触して扉１と扉枠２が電気的に接続される構造を有している。その他の部位の符号と説明は実施の形態１または実施の形態２と同じなので説明は省略する。また、共振器装荷誘電体基板３には、実施の形態１で説明したストリップ導体４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ，４ｆ，４ｇ，４ｈ，及び貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄと同形状のストリップ導体、及び貫通スルーホール列が配置されている。
【００３８】
すなわち、実施の形態３による電磁シールド扉は、実施の形態１または実施の形態２による電磁シールド扉に、従来の電磁シールド扉で用いられる導電性ガスケットを追加した構造を有している。
【００３９】
次に、実施の形態３による電磁シールド扉の動作について説明する。まず、導電性ガスケット６により、扉１と扉枠２が電気的に接続されているので、扉１と扉枠２の隙間には、電磁波がほぼ侵入しない。そして、導電性ガスケット６を通過し、扉１と扉枠２の隙間をＹ方向に伝搬する電磁波は、実施の形態１で説明した動作により、周波数ｆａから７．５ｆａまでの広帯域な帯域において減衰する。
【００４０】
以上のように、この発明の実施の形態３における電磁シールド扉によれば、実施の形態１または２における効果に加え、扉１と扉枠２との隙間が全て電気的に接続されるので、扉１と扉枠２の隙間における電磁波の漏洩と浸入をより確実に防ぎ、有効な電磁シールド特性を得ることができる。
【００４１】
なお、実施の形態３では、共振器装荷誘電体基板３を、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板３を配置する壁面は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面、あるいは扉１と扉枠２の両壁面でも構わない。
また、実施の形態３では、導電性ガスケット６を、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面に配置しているが、導電性ガスケット６を配置する壁面は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面、あるいは扉１と扉枠２の両壁面でも構わない。また、その配置箇所と個数も本実施の形態と同一である必要はない。
【００４２】
さらに、実施の形態３では、導電性ガスケット６は導電性かつ弾性の特性を有し、図１２に示す構造を有しているが、扉を閉じた状態で扉１と扉枠２とを電気的に接続できるのであれば、導電性ガスケット６が有する特性と構造は本実施の形態と同一である必要はない。
【００４３】
また、実施の形態３では、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板３に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。
また、実施の形態３では、実施の形態１で説明した共振器装荷誘電体基板３を用いているが、共振構造を有する誘電体基板であれば、その構造を限定する必要はない。
【００４４】
実施の形態４．
図１３〜図１５を用いて本発明の実施の形態４による電磁シールド扉について説明する。図１３は、実施の形態４に係る電磁シールド扉を示す図であり、図１４，図１５は、図１３のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。図１３〜図１５において、９は電磁波吸収体で、使用される材料により決まる特定の周波数帯域において、電気的損失、誘電損失、あるいは磁気損失により電磁波を吸収する特性を有しており、図１４においては、扉１と扉枠２との対向面において、扉枠２の壁面に配置されている。また、図１５においては、共振器装荷誘電体基板３と電磁波吸収体９とが、扉１と扉枠２との対向面における扉１と扉枠２の両壁面に、それぞれ扉厚方向に分割された状態で配置されており、かつ、扉１と扉枠２が対向する箇所において、共振器装荷誘電体基板３と電磁波吸収体９とが対向するように貼付されている。
【００４５】
すなわち、実施の形態４による電磁シールド扉は、実施の形態１または実施の形態２による電磁シールド扉に、電磁波吸収体９を追加した構造を有している。
【００４６】
次に、実施の形態４による電磁シールド扉の動作について説明する。扉１と扉枠２の隙間を伝搬する電磁波は、実施の形態１で説明した動作により、周波数ｆａから７．５ｆａまでの広帯域な帯域において減衰する。また、扉１と扉枠２の隙間において扉枠２の壁面には電磁波吸収体９が配置されているので、電磁波吸収体９の材料により決まる特定の周波数帯域において、電磁波は電磁波吸収体９に吸収され、その結果、その特定の周波数帯域における電磁波は減衰する。
【００４７】
以上のように、この発明の実施の形態４における電磁シールド扉によれば、実施の形態１または２における効果に加え、電磁波吸収体９が有する電磁シールド性能を併せ持った電磁シールド扉を実現できる。
【００４８】
なお、実施の形態４の図１４の場合には、共振器装荷誘電体基板３を、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面に配置しているが、共振器装荷誘電体基板３を配置する壁面は、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面、あるいは扉１と扉枠２の両壁面でも構わない。
また、実施の形態４の図１４の場合には、電磁波吸収体９を、扉１と扉枠２との対向面における扉枠２の壁面に配置しているが、電磁波吸収体９を配置する壁面は、共振器装荷誘電体基板３に対向する面であれば、扉１と扉枠２との対向面における扉１の壁面、あるいは扉１または扉枠２に共振器装荷誘電体基板３が貼付された面上でも構わない。また、その配置箇所と個数も本実施の形態と同一である必要はない。
【００４９】
さらに、実施の形態４の図１５の場合には、扉厚方向に分割された共振器装荷誘電体基板３と電磁波吸収体９とを、扉１と扉枠２との対向面における扉１と扉枠２の両壁面に配置しているが、扉厚方向に分割された共振器装荷誘電体基板３と電磁波吸収体９とを配置する壁面は、扉１と扉枠２の対向面における扉１または扉枠２のいずれか一方の壁面でも構わない。
【００５０】
また、実施の形態４では、共振器装荷誘電体基板３に配置する共振構造として、片端短絡の共振回路を適用しているが、共振器装荷誘電体基板３に配置される共振器であれば、その構成を片端短絡の共振回路に限定する必要はない。
また、実施の形態４では、実施の形態１で説明した共振器装荷誘電体基板３を用いているが、共振構造を有する誘電体基板であれば、その構造を限定する必要はない。
【００５１】
実施の形態５．
図１８〜図２１を用いて本発明の実施の形態５による電磁シールド扉について説明する。図１８は、実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図であり、図１９は、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。また、図２０は、図１９における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図２１は、図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図２０，図２１において、１０は導電性ネジを示し、その他の符号と説明は実施の形態１と同じなので説明は省略する。
【００５２】
すなわち、実施の形態５による電磁シールド扉は、実施の形態１による電磁シールド扉の共振器装荷誘電体基板３において、貫通スルーホール列５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを構成する貫通スルーホールを、導電性ネジ１０で置き換えた構造を有している。また、実施の形態５による電磁シールド扉の動作については、実施の形態１と同じなので説明は省略する。
【００５３】
以上のように、この発明の実施の形態５における電磁シールド扉によれば、実施の形態１と同じ効果を有する電磁シールド扉を、貫通スルーホールを用いない、より簡易な構造により実現することができる。また、導電性ネジ１０により、共振器装荷誘電体基板３を扉１に容易に固定することができる。
【００５４】
なお、実施の形態５では、実施の形態１における全ての貫通スルーホールを導電性ネジ１０で置き換えているが、全ての貫通スルーホールを導電性ネジに置き換える必要はなく、例えば全ての貫通スルーホールのうちのいくつかを導電性ネジ１０に置き換えるようにしてもよい。
【００５５】
実施の形態６．
図２２を用いて本発明の実施の形態６による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態６に係る電磁シールド扉を示す図は、実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図１８と同じであるため、図示および説明を省略する。また、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である図１９、図１９における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である図２０についても、実施の形態５と同じであるため、図示および説明を省略する。
【００５６】
そして、図２２は、実施の形態６による電磁シールド扉において、図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図２２において、３ａと３ｂは共振器装荷誘電体基板を示し、実施の形態５における図２０の共振器装荷誘電体基板３と同じ比誘電率を有する。その他の符号と説明は実施の形態５と同じなので説明は省略する。
すなわち、実施の形態６による電磁シールド扉は、実施の形態５による電磁シールド扉において、複数の共振器装荷誘電体基板３を基板厚方向に積み重ねた構造をしている。
【００５７】
次に、実施の形態６による電磁シールド扉の動作について説明する。実施の形態６による電磁シールド扉は、実施の形態５における共振器装荷誘電体基板３の代わりに、共振器装荷誘電体基板３ａと３ｂを基板厚方向に積み重ねて構成しているので、実施の形態５において共振器装荷誘電体言板３の基板厚を厚くした場合と等価となる。一般に、共振構造の寸法を大きくすると共振周波数は低くなるので、図２２におけるストリップ導体４は、図２１におけるストリップ導体よりも短い周波数で共振し、その周波数における電磁シールド特性が得られる。
【００５８】
以上のように、この発明の実施の形態６における電磁シールド扉によれば、実施の形態５と同じ効果を有する上に、実施の形態５よりも低い周波数において、電磁シールド性能を実現することができる。
【００５９】
なお、実施の形態６では、２つの共振器装荷誘電体基板３ａと３ｂを用いているが、実施の形態５において共振器装荷誘電体基板３の基板厚を厚くした場合と等価な構造が得られるのであれば、用いる共振器装荷誘電体基板の個数を２つに限定する必要はなく、例えば３つ以上としてもよい。
【００６０】
実施の形態７．
図２３を用いて本発明の実施の形態７による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態７においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図１８と同じであり、また、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である図１９、図１９における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図である図２０についても、実施の形態５と同じであるため、図示および説明を省略する。
【００６１】
そして、図２３は、実施の形態７による電磁シールド扉において、図２０のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図２３において、３ｃは共振器装荷誘電体基板を示し、共振器装荷誘電体基板３ａとは異なる比誘電率を有する。その他の符号と説明は実施の形態５，６と同じなので説明は省略する。
すなわち、実施の形態７による電磁シールド扉は、実施の形態６による電磁シールド扉において、共振器装荷誘電体基板３ｂを、比誘電率の異なる共振器装荷誘電体基板３ｃに置き換えた構造を有している。
【００６２】
次に、実施の形態７による電磁シールド扉の動作について説明する。実施の形態７による電磁シールド扉は、実施の形態６における共振器装荷誘電体基板３ｂを共振器装荷誘電体基板３ｃに置き換えて構成しているので、ストリップ導体４に対する実効比誘電率が変化し、それに伴ってストリップ導体４が共振する周波数も変化する。よって、共振器装荷誘電体基板３ｃの比誘電率を選択することで、図２３におけるストリップ導体４の寸法を変更することなく、ストリップ導体４が共振する周波数、すなわち電磁シールド特性が得られる周波数を調整できる。
【００６３】
以上のように、この発明の実施の形態７における電磁シールド扉によれば、実施の形態６と同じ効果を有する上に、ストリップ導体４の寸法を変更することなく、実施の形態６において電磁シールド性能が得られる周波数を調整することができる。
【００６４】
なお、実施の形態７では、２つの共振器装荷誘電体基板３ａと３ｃを用いているが、比誘電率が異なるのであれば、用いる共振器装荷誘電体基板の個数を２つに限定する必要はなく、例えば３つ以上としてもよい。
【００６５】
実施の形態８．
図２４，図２５を用いて本発明の実施の形態８による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態８においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図１８と同じであり、また、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である図１９についても、実施の形態５と同じであるため、図示および説明を省略する。
【００６６】
図２４は、実施の形態８による電磁シールド扉において、図１９における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図２５は、図２４のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図２４，図２５において、１２は導体板（金属板）を示し、実施の形態５における図２０で示したストリップ導体４と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。その他の符号と説明は実施の形態５と同じなので説明は省略する。
【００６７】
すなわち、実施の形態８による電磁シールド扉は、実施の形態５による電磁シールド扉の共振器装荷誘電体基板３において、ストリップ導体４を導体板１２で置き換えた構造を有している。また、実施の形態８による電磁シールド扉の動作については、実施の形態５と同じなので説明は省略する。
【００６８】
以上のように、この発明の実施の形態８における電磁シールド扉によれば、実施の形態５と同じ効果を有する電磁シールド扉を、導体パターンを用いない、より簡易な構造により実現することができる。
【００６９】
実施の形態９．
図２６〜図２９を用いて本発明の実施の形態９による電磁シールド扉について説明する。図２６は、実施の形態９に係る電磁シールド扉を示す図であり、図２７は、図２６のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。この実施の形態９による電磁シールド扉は、実施の形態５における図１８で示した共振器装荷誘電体基板３を、誘電体１３に置き換えた構造を有している。
【００７０】
図２８は、図２７における誘電体１３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図２９は、図２８のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図２８，図２９において、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅは誘電体、１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１６ｇ，１６ｈは誘電体固定冶具（金属固定具）を示し、その他の符号と説明は実施の形態５と同じなので説明は省略する。誘電体１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅ）の表裏面と側面は、誘電体固定冶具１６（１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，１６ｅ，１６ｆ，１６ｇ，１６ｈ）によって囲まれており、図２８に示す誘電体１３の表面部分の誘電体固定冶具１６の寸法は、実施の形態５における図２０で示したストリップ導体４と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。また、誘電体固定冶具１６は、導電性ネジ１０によって扉１に固定されている。
【００７１】
すなわち、実施の形態９による電磁シールド扉は、実施の形態５による電磁シールド扉におけるストリップ導体４と導電性ネジ１０を、誘電体固定冶具１６と導電性ネジ１０で置き換えた構造を有している。また、実施の形態９による電磁シールド扉の動作については、実施の形態５と同じなので説明は省略する。
【００７２】
以上のように、この発明の実施の形態９における電磁シールド扉によれば、実施の形態５と同じ効果を有する電磁シールド扉を、ストリップ導体を用いない、より簡易な構造により実現することができる。
【００７３】
実施の形態１０．
図３０〜図３３を用いて本発明の実施の形態１０による電磁シールド扉について説明する。図３０は、実施の形態１０に係る電磁シールド扉を示す図であり、図３１は、図３０のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。この実施の形態１０による電磁シールド扉は、実施の形態５における図１８で示した共振器装荷誘電体基板３を、側面メッキ誘電体１５に置き換えた構造を有している。
【００７４】
図３２は、図３１における側面メッキ誘電体１５を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図３３は、図３２のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図３２，図３３において、１１は導電性接着剤、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅは側面メッキ誘電体を示し、その他の符号と説明は実施の形態５と同じなので説明は省略する。導電性接着剤１１は、導電性の接着剤である。また、側面メッキ誘電体１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅ）は、表裏面に加えて側面にもストリップ導体４を配置した誘電体であり、表面に配置されたストリップ導体４の寸法は、実施の形態５における図２０で示したストリップ導体４と同じ寸法を有し、かつ、同じ箇所に配置されている。
【００７５】
すなわち、実施の形態１０による電磁シールド扉は、実施の形態５による電磁シールド扉におけるストリップ導体４と導電性ネジ１０を、側面メッキ誘電体１５の側面に配置したストリップ導体４と導電性接着剤１１とで置き換えた構造を有している。また、実施の形態１０による電磁シールド扉の動作については、実施の形態５と同じなので説明は省略する。
【００７６】
以上のように、この発明の実施の形態１０における電磁シールド扉によれば、実施の形態５と同じ効果を有する電磁シールド扉を、導電性ネジとネジ穴を用いない、より簡易な構造により実現することができる。
【００７７】
実施の形態１１．
図３４〜図３６を用いて本発明の実施の形態１１による電磁シールド扉について説明する。この実施の形態１１においても、電磁シールド扉を示す図は、実施の形態５に係る電磁シールド扉を示す図１８と同じである。そして、図３４は、実施の形態１１による電磁シールド扉において、図１８のＡ−Ａ’を通るＸＹ断面の拡大図である。また、図３５は、図３４における共振器装荷誘電体基板３を、扉１への貼付面と反対側から見たＹＺ平面図で、図３６は、図３４のＢ−Ｂ’を通るＸＹ断面図である。図３５，図３６において、１７は導電性皿ネジを示し、取り付け時にネジ頭部分が突起とならず取り付け箇所が平坦となる構造を有している。その他の符号と説明は実施の形態５と同じなので説明は省略する。
【００７８】
すなわち、実施の形態１１による電磁シールド扉は、実施の形態５による電磁シールド扉における導電性ネジ１０を、導電性皿ネジ１７に置き換えた構造を有している。また、実施の形態１１による電磁シールド扉の動作については、実施の形態５と同じなので説明は省略する。
なお、実施の形態６〜９についても、導電性ネジ１０を導電性皿ネジ１７に置き換えることにより、取り付け箇所がより平坦な構造の電磁シールド扉を実現することができる。
【００７９】
以上のように、この発明の実施の形態１１における電磁シールド扉によれば、実施の形態５〜９と同じ効果を有する電磁シールと扉を、ネジ頭のない導電性皿ネジを用いることにより、より平坦な構造で実現することができる。
【００８０】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００８１】
１  扉、２  扉枠、３，３ａ〜３ｃ  共振器装荷誘電体基板、４ａ〜４ｈ  ストリップ導体、５ａ〜５ｄ  貫通スルーホール列、６  導電性ガスケット、７  ヒンジ、８  開閉レバー、９  電磁波吸収体、１０  導電性ネジ、１１  導電性接着剤、１２  導体板（金属板）、１３，１３ａ〜１３ｅ  誘電体、１５，１５ａ〜１５ｅ  側面メッキ誘電体、１６，１６ａ〜１６ｈ  誘電体固定冶具（金属固定具）、１７  導電性皿ネジ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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