(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する発光装置であって、
非金属無機膜上の有機化合物膜と、
前記有機化合物膜上の無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上の第１の導電層と、
前記無機絶縁膜上の第２の導電層と、
前記第１の導電層上の第３の導電層と、
前記第２の導電層上の第４の導電層と、
前記第３の導電層上の発光層を有する積層膜と、
前記発光層を有する積層膜上の第５の導電層と、
前記第４の導電層上のＩＣと、
前記ＩＣ上の接着層と、
前記接着層上の可撓性基板と、を有し、
前記ＩＣは、異方導電性材料を介して前記第４の導電層と接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、反射性を有する金属膜であり、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ、発光素子、受動素子等を含む半導体装置の作製方法に関す
る。また、液晶表示パネルに代表される電気光学装置や発光素子を有する発光表示装置や
無線で情報の送受信が可能なＩＣタグを部品として搭載した電子機器に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、発光装置、半導体回路、ＩＣタグおよび電子機器は全て半
導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタを構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタはＩＣや電気
光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチング素子と
して開発が急がれている。
【０００４】
このような画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが
、特に携帯機器への利用が注目されている。画像表示装置にガラス基板や石英基板が多く
使用されているが、割れやすく、重いという欠点がある。また、大量生産を行う上で、ガ
ラス基板や石英基板は大型化が困難であり、不向きである。そのため、可撓性基板、代表
的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上に薄膜トランジスタを形成することが試
みられている。
【０００５】
そこで、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタを含む半導体素子を基板から剥離し
、他の基材、例えばプラスチックフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００６】
本出願人は、特許文献１や特許文献２に記載の剥離および転写技術を提案している。特
許文献１には剥離層となる酸化珪素膜をウェットエッチングで除去して剥離する技術が記
載されている。また、特許文献２には剥離層となるシリコン膜をドライエッチングで除去
して剥離する技術が記載されている。
【０００７】
また、本出願人は特許文献３に記載の剥離および転写技術を提案している。特許文献３
には、基板に金属層（Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ）を形成し、その上に酸化物層を積層形成する際、該
金属層の金属酸化物層を金属層と酸化物層との界面に形成し、この金属酸化物層を利用し
て後の工程で剥離を行う技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０７４５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、比較的低温（５００℃未満）のプロセスで作製される素子、代表的には非晶
質半導体膜、レーザ結晶化により形成された結晶性半導体膜などを用いた薄膜トランジス
タや、有機半導体膜を用いた薄膜トランジスタや、発光素子や、受動素子（センサ素子、
アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等をガラス基板から剥離し、可撓性基板（代表的に
はプラスチックフィルム）に転写する技術を開示する。
【００１０】
非晶質半導体膜などを用いた薄膜トランジスタや有機半導体膜を用いた薄膜トランジス
タは、プラスチックフィルム上に直接形成することも可能であるが、プラスチックフィル
ムは柔らかく丸まりやすいため、取り扱う製造装置も専用の製造装置とする必要がある。
【００１１】
また、非晶質半導体膜などを用いた薄膜トランジスタや有機半導体膜を用いた薄膜トラ
ンジスタをプラスチックフィルム上に直接形成する場合、薄膜トランジスタ製造プロセス
の過程で使用される溶剤やエッチングガスに曝されて、プラスチックフィルム自体が変質
する恐れがある。また、ＺｎＯを用いた薄膜トランジスタをプラスチックフィルム上に直
接形成する場合、スパッタリング法などにより発生するプラズマがプラスチックフィルム
に照射されると、プラスチックフィルム自体が変形してしまう。また、薄膜トランジスタ
製造プロセスの過程でプラスチックフィルムが水分などを取り込み、または放出すること
で素子を汚染する恐れもある。また、プラスチックフィルムはガラス基板に比べ耐熱性が
低く、熱に対する伸縮も大きいため、製造プロセス中の全ての処理温度を細かく制御する
ことが困難である。
【００１２】
また、プラスチックフィルムを用いた半導体装置の大量生産を行う場合、ロールトゥロ
ール方式で供給される製造装置となることが多い。しかしながら、ロールトゥロール方式
の場合、既存の半導体作製装置を使うことができない。また、アライメントの精度が低く
、微細な加工が困難である。よって、従来のガラス基板を用いた半導体装置と同等の特性
を得る半導体装置を歩留まり高く作製すること困難である。
【００１３】
そこで、本発明は、比較的低温、代表的には有機化合物が耐えうる温度でのプロセスで
作製される素子、代表的には非晶質半導体膜などを用いた薄膜トランジスタや、レーザ結
晶化による結晶性半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、有機半導体膜を用いた薄膜トラン
ジスタや、発光素子や受動素子（センサ素子、アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等を
有し、且つ薄型である半導体装置の作製方法を提供する。また、可撓性を有する半導体装
置の作製方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、ガラス基板上にモリブデン膜（Ｍｏ膜）及びその表面に酸化モリブデン膜を
形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜及び有機化合物膜を積層し、有機化合物膜上
に比較的低温、代表的には有機化合物膜が耐えうる温度でのプロセスで作製される素子（
代表的には、非晶質半導体膜、レーザ結晶化による結晶性半導体膜などを用いた薄膜トラ
ンジスタ、有機半導体膜を用いた薄膜トランジスタ、発光素子や受動素子（センサ素子、
アンテナ、抵抗素子、容量素子など）等）を形成した後、その素子をガラス基板から剥離
することを特徴としている。モリブデンはタングステンに比べ耐熱性に劣る欠点を有して
いる。例えば、モリブデン膜は５００℃以上の熱処理を行うと剥離してしまうため、作製
プロセス中の温度は５００℃未満とすることが好ましい。また、酸化モリブデン膜は脆い
。本発明では、この脆い特性を有する酸化モリブデン膜の近傍で剥離を行う。代表的には
、モリブデン膜、酸化モリブデン膜、及び非金属無機膜の積層構造により、脆い特性を有
する酸化モリブデン膜の近傍で剥離を行うことが可能であり、比較的大型の基板を用いて
も歩留まりよく剥離を行うことができる。
【００１５】
また、ガラス基板に設けられた酸化モリブデン膜上に形成した有機化合物を含む素子（発
光素子や有機薄膜トランジスタなど）を剥離する際、発光素子や有機薄膜トランジスタな
どに含まれる有機化合物層は密着性が弱いため、金属層近傍で剥離するのではなく有機化
合物層内もしくは有機化合物層の界面で剥離してしまい、有機化合物を含む素子を破壊す
る恐れがある。また、印刷法によって形成される材料層も密着性が弱いため、同様に材料
層内もしくは層の界面で剥離してしまう恐れがある。しかし、酸化モリブデン膜を用いた
本発明の剥離法を用いる場合、酸化モリブデン膜は脆いため、比較的弱い力で剥離を行う
ことができる。また、剥離のため基板全体の加熱処理やレーザ光の照射なども特に必要で
ないため、プロセスが簡略になる。
【００１６】
また、モリブデンは、他の金属元素に比べ、蒸気圧が小さく、ガス放出が少ない長所を有
している。従って、モリブデン膜上に形成する素子への汚染を最小限に抑えることが可能
である。
【００１７】
なお、ガラス基板上にモリブデン膜を形成するとしているが、ガラス基板に限定されず、
石英基板、セラミック基板、半導体基板なども用いることができる。
【００１８】
本発明は、既存の大型ガラス基板の製造装置を用いて薄膜トランジスタなどの素子を形成
した後、剥離することができる。従って、設備コストを大幅に低減することができる。
【００１９】
また、酸化モリブデン膜に接する非金属無機膜と半導体素子との間に、厚さ５μｍ以上
、好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さの有機化合物膜を形成することで、当該
有機化合物膜後に形成される半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。
また、有機化合物膜を作製する際の加熱処理により、後に行う酸化モリブデン膜近傍での
剥離が容易となる。
【００２０】
本明細書で開示する発明の構成は、半導体素子を可撓性基板上に形成する作製方法であ
り、基板上にモリブデン膜を形成し、モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し、
酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し、
有機化合物膜上に非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜を用いて半導体素子を形
成した後、非金属無機膜、有機化合物膜、及び半導体素子を含む積層体を基板から剥離す
る。
【００２１】
本発明は可撓性基板上に順次材料層を積層して半導体素子を形成するのではなく、ガラ
ス基板、セラミックス基板、或いは石英基板に形成した非晶質珪素膜を用いて半導体素子
を形成した後、ガラス基板、セラミックス基板、或いは石英基板から剥離するものである
。なお、半導体素子を介して基板と反対側に可撓性基板を固定した後、基板から半導体素
子を剥離してもよい。さらには、素子を２枚の可撓性基板に挟んで固定してもよい。
【００２２】
また、他の発明の構成は、有機薄膜トランジスタなどの素子を可撓性基板上に形成する
作製方法であり、基板上にモリブデン膜を形成し、モリブデン膜の表面に酸化モリブデン
膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、非金属無機膜上に有機化合物
膜を形成し、有機化合物膜上に有機化合物を有する半導体膜を形成し、有機化合物を有す
る半導体膜を用いて半導体素子を形成した後、非金属無機膜、有機化合物膜、及び半導体
素子を含む積層体を基板から剥離する。
【００２３】
また、他の発明の構成は、有機発光素子や無機発光素子などの発光素子を可撓性基板上
に形成する作製方法であり、基板上にモリブデン膜を形成し、モリブデン膜の表面に酸化
モリブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、非金属無機膜上に
有機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に第１電極を形成し、第１電極上に有機化合物ま
たは無機化合物を有する発光層を形成し、発光層上に第２電極を形成し、第２の電極上に
可撓性基板を貼り付けた後、非金属無機膜、有機化合物膜、第１電極、発光層、及び第２
電極を含む積層体を基板から剥離する。
【００２４】
また、他の発明の構成は、アンテナなどの受動素子を可撓性基板上に形成する作製方法で
あり、基板上にモリブデン膜を形成し、モリブデン膜の表面に酸化モリブデン膜を形成し
、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、非金属無機膜上に有機化合物膜を形成し
、有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷し、導電層を焼成し、導電層及び半導体部
品を貼り付けた後、非金属無機膜、有機化合物膜、及び導電層、及び半導体部品を基板か
ら剥離する。
【００２５】
また、他の発明の構成は、基板上にモリブデン膜を形成し、モリブデン膜の表面に酸化モ
リブデン膜を形成し、酸化モリブデン膜上に非金属無機膜を形成し、非金属無機膜上に有
機化合物膜を形成し、有機化合物膜上に印刷法により導電層を印刷し、導電層を焼成し、
非金属無機膜、有機化合物膜、及び導電層を含む積層体を基板から剥離した後、導電層に
半導体部品を接続する。
【００２６】
また、上記各構成において、剥離を助長するための前処理を行ってもよく、例えば、剥
離する前に部分的にレーザ光を照射することが好ましい。具体的には、固体レーザ（パル
ス励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザ）を用い、基本波の第２高調波（５３２ｎｍ）や第
３高調波（３５５ｎｍ）を用い、比較的弱いレーザ光（レーザ光源の照射エネルギーが１
ｍＪ〜２ｍＪ）を照射すればよい。また、鋭利な部材で切込をいれてもよい。
【００２７】
また、薄膜トランジスタについては、素子構造に関係なく本発明を適用することが可能
であり、例えば、トップゲート型薄膜トランジスタや、ボトムゲート型（逆スタガ型）薄
膜トランジスタや、順スタガ型薄膜トランジスタを用いることが可能である。また、シン
グルゲート構造のトランジスタに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチゲ
ート型トランジスタ、例えばダブルゲート型トランジスタとしてもよい。
【００２８】
また、本発明により、可撓性を有し、薄型で、大型の表示装置を作製することができ、
パッシブマトリクス型の液晶表示装置、パッシブマトリクス型の発光装置に限らず、アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置やアクティブマトリクス型の発光装置も作製すること
ができる。
【００２９】
なお、本明細書でモリブデン膜とはモリブデンを主成分とする膜を指しており、膜におけ
るモリブデンの組成比が５０％以上であれば特に限定されず、膜の機械強度を増加させる
ためにＣｏやＳｎなどを添加してもよい。また、モリブデン膜の脆さを低減するために膜
中に窒素を含ませてもよい。
【００３０】
また、可撓性基板とは、フィルム状のプラスチック基板、例えば、ポリエチレンテレフ
タレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ
）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ
）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などのプラスチック基板を指している。
【発明の効果】
【００３１】
本発明により、対角が１ｍを越える大面積基板を用いても剥離工程をよりスムーズに行
うことができる。また、酸化モリブデン膜及び半導体素子の間に有機化合物膜を設けるこ
とで、当該有機化合物膜を半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。こ
のため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削
減が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図および断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の構成を説明する斜視図である。
【図７】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図である。
【図８】本発明の半導体装置の構成を説明する上面図である。
【図９】本発明の半導体装置の構成を説明する断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図および斜視図である。
【図１１】本発明に適用可能なアンテナの形状を説明する上面図である。
【図１２】（Ａ）本発明の半導体装置の構成を説明する図であり、（Ｂ）は、電子機器の一例を説明する図である。
【図１３】本発明の半導体装置の用途を説明する図である。
【図１４】電子機器の一例を示す図である。
【図１５】有機薄膜トランジスタの断面構造の一例を示す図である。
【図１６】本発明の半導体装置の作製方法を説明する断面図である。
【図１７】本発明を用いて作製した薄膜トランジスタの電流電圧特性を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発明は多くの異なる
形態で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその
形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するた
めの全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰
り返しの説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態１）
ここでは液晶表示装置を作製する例を、図１を用いて説明する。
【００３５】
基板１００上にモリブデン膜１０１を形成する。基板１００としてはガラス基板を用いる
。また、モリブデン膜１０１としては、スパッタリング法により得られる３０ｎｍ〜２０
０ｎｍのモリブデン膜を用いる。なお、スパッタリング法では基板を固定することがある
ため、基板の周縁部付近のモリブデン膜の膜厚が不均一になりやすい。そのため、ドライ
エッチングによって周縁部のモリブデン膜を除去することが好ましい。
【００３６】
次に、モリブデン膜１０１上に酸化モリブデン膜１０２を形成する。酸化モリブデン膜１
０２は、蒸着法により形成することができる。また、モリブデン膜１０１の表面を酸化さ
せて酸化モリブデン膜１０２を形成する。酸化モリブデン膜１０２の形成方法は、純水や
オゾン水を用いて表面を酸化して形成してもよいし、酸素プラズマまたは一酸化二窒素プ
ラズマで酸化して形成してもよい。また、酸素を含む雰囲気で加熱を行って酸化モリブデ
ン膜１０２を形成してもよい。
【００３７】
次に、酸化モリブデン膜１０２上に非金属無機膜１０３を形成する。非金属無機膜１０３
は、無機化合物または金属単体を除く単体で形成される膜である。無機化合物としては、
金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物等がある。代表的には、窒化酸化珪素、酸化ア
ルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、シリコ
ンゲルマニウム、窒化炭素、ＩＴＯ、酸化スズ等があるが、これに限定されるものではな
い。また、金属単体を除く単体としては、代表的にはシリコン、ゲルマニウム、炭素等が
ある。代表的には、アモルファスシリコン、アモルファスゲルマニウム、ＤＬＣ（ダイヤ
モンドライクカーボン）等があるが、これに限定されるものではない。非金属無機膜１０
３は、ＣＶＤ法、スパッタリング法、蒸着法等で形成することができる。
【００３８】
なお、非金属無機膜１０３をスパッタリング法、またはＣＶＤ法で形成する場合、非金属
無機膜１０３の原料ガスの一部（例えば、一酸化二窒素または酸素）をチャンバー内に導
入してプラズマを発生させてモリブデン膜１０１の表面に酸化モリブデン膜１０２を形成
した後、他の原料ガスをチャンバー内に供給して、非金属無機膜１０３を形成してもよい
。
【００３９】
次に、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１０４を形成する。有機化合物膜１０４とし
ては、後のプロセス温度（１８０℃以上５００℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃
以下、更に好ましくは２５０℃以上３５０℃以下）に耐えうる耐熱温度を有する材料で形
成することが好ましい。さらには、曲げに強く、クラックが入りにくい弾性材料であるこ
とが好ましい。さらには、透光性を有する材料で形成することが好ましい。有機化合物膜
１０４が透光性を有することで、透過型液晶表示装置を作製することができる。有機化合
物膜１０４は、厚さ５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上１００μｍ以下の厚さで形成す
ることで、後に形成される半導体装置の支持部材として機能させることが可能である。こ
のため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上に設けなくともよい。有機化合
物膜１０４の作製方法は、組成物を非金属無機膜１０３上に塗布し、１８０℃以上５００
℃以下、好ましくは２００℃以上４００℃以下、更に好ましくは２５０℃以上３５０℃以
下で焼成する。有機化合物膜１０４の作製工程における加熱処理により、酸化モリブデン
を脆弱化することが可能であり、後に行うモリブデン膜１０１近傍での剥離が容易となる
。有機化合物膜１０４の代表例としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、シリコ
ーン等がある。ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１（Ａ）に示す。
【００４０】
次に、有機化合物膜１０４上に無機絶縁膜１０５を形成してもよい。無機絶縁膜１０５は
、下地絶縁膜として機能し、ガラス基板または有機化合物からの不純物が後に形成される
半導体膜に混入するのを抑制するためであり、必要に応じて形成する。無機絶縁膜１０５
としては、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム
、窒化酸化アルミニウム等を形成することができる。下地絶縁膜として機能する代表的な
一例は、無機絶縁膜１０５が２層構造から成り、プラズマＣＶＤ（ＰＣＶＤ）法によりＳ
ｉＨ４、ＮＨ３、及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される窒化酸化珪素膜を５０〜１００
ｎｍ、ＳｉＨ４、及びＮ２Ｏを反応ガスとして成膜される酸化窒化珪素膜を１００〜１５
０ｎｍの厚さに積層形成する構造が採用される。また、無機絶縁膜１０５として、窒化酸
化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜とを順次積層した３層構造を用いてもよい。
【００４１】
次に、無機絶縁膜１０５上に第１の導電膜を成膜し、第１の導電膜上にマスクを形成する
。第１の導電膜は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ等から選ばれた元素、また
は元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料の単層、またはこれらの積層で形成す
る。また、第１の導電膜の形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、塗
布法等を適宜用いる。次に、マスクを用いて第１の導電膜をエッチングして、ゲート電極
１０６を形成する。
【００４２】
次に、ゲート電極１０６上にゲート絶縁膜１０７を形成する。ゲート絶縁膜１０７として
は、酸化珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を用いる。また、ゲート
絶縁膜１０７として、シロキサンポリマーを含む組成物を塗布焼成して得られる膜、光硬
化性有機樹脂膜、熱硬化性有機樹脂膜などを用いてもよい。
【００４３】
次に、ゲート絶縁膜１０７上に非晶質半導体膜１０８を形成する。非晶質半導体膜１０８
は、シランやゲルマンに代表される半導体材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング
法や熱ＣＶＤ法で作製されるアモルファス半導体膜、或いは微結晶半導体膜で形成する。
本実施の形態では、半導体膜として、非晶質半導体膜を用いた例を示す。また、半導体膜
として、スパッタリング法やＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法で作製されるＺｎＯや亜鉛ガリウムインジウムの酸化物を用いてもよいが、その場合に
はゲート絶縁膜をアルミニウムやチタンを含む酸化物とすることが好ましい。
【００４４】
次に、一導電型の不純物元素を含有する半導体膜１０９として、ｎ型を付与する不純物元
素を含む半導体膜を２０〜８０ｎｍの厚さで形成する。ｎ型を付与する不純物元素を含む
半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法などの公知の方法で全面に形成する。
ここまでの工程が終了した段階での断面工程図を図１（Ｂ）に示す。
【００４５】
次に、公知のフォトリソ技術を用いて形成したマスクを用いて非晶質半導体膜１０８及び
一導電型の不純物元素を含有する半導体膜１０９をエッチングして、島状の非晶質半導体
層、及び一導電型の不純物元素を含有する半導体層を得る。なお、公知のフォトリソ技術
に代えて、液滴吐出法や印刷法（凸版、平板、凹版、スクリーンなど）を用いてマスクを
形成し、選択的にエッチングを行ってもよい。
【００４６】
次に、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タン
グステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース電極及
びドレイン電極１１２、１１３を形成する。なお、液滴吐出法に代えて、スパッタリング
法で金属膜（Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄなど）を形成し、公知のフォトリ
ソ技術を用いたマスクを用いて金属膜をエッチングして、ソース電極及びドレイン電極１
１２、１１３を形成してもよい。
【００４７】
次に、ソース電極及びドレイン電極１１２、１１３をマスクとして、一導電型を付与する
不純物を含有する半導体層をエッチングして、一導電型を付与する不純物を含有する半導
体層１１４、１１５を形成する。また、ソース電極及びドレイン電極１１２、１１３をマ
スクとして島状の非晶質半導体層の上部をエッチングして島状の非晶質半導体層１１６を
形成する。島状の非晶質半導体層１１６の露出させた部分は薄膜トランジスタのチャネル
形成領域として機能する箇所である。
【００４８】
次に、非晶質半導体層１１６のチャネル形成領域を不純物汚染から防ぐための保護膜１
１７を形成する。保護膜１１７としては、スパッタリング法、またはＰＣＶＤ法により得
られる窒化珪素、または窒化酸化珪素を主成分とする材料を用いる。保護膜を形成した後
に水素化処理を行ってもよい。こうして薄膜トランジスタ１１１が作製される。
【００４９】
次に、保護膜１１７上に層間絶縁膜１１８を形成する。また、層間絶縁膜１１８は、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、メラミン樹脂、ウレタン
樹脂等の樹脂材料を用いる。また、ベンゾシクロブテン、パリレン、透過性を有するポリ
イミドなどの有機材料等を用いることができる。また、層間絶縁膜１１８としては、酸化
珪素膜、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜などの絶縁膜を用いることもでき、これらの絶
縁膜と上記樹脂材料とを積層してもよい。
【００５０】
次に、公知のフォトリソ技術を用いて形成したマスクを用いて保護膜１１７及び層間絶縁
膜１１８を選択的に除去してソース電極またはドレイン電極１１２に達するコンタクトホ
ールを形成する。
【００５１】
次に、液滴吐出法により導電性材料（Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タング
ステン）、Ａｌ（アルミニウム）等）を含む組成物を選択的に吐出して、ソース電極また
はドレイン電極１１２と電気的に接続する第１の電極１１９を形成する。また、第１の電
極１１９と基板面に平行な方向の電場を形成する第２の電極１２０も液滴吐出法により形
成する。なお、第１の電極１１９と第２の電極１２０は等間隔で配置することが好ましく
、電極の上面形状を櫛歯形状としてもよい。なお、第１の電極１１９と第２の電極１２０
は、液晶表示装置の画素電極として機能する。
【００５２】
次に、第１の電極１１９と第２の電極１２０を覆う配向膜１２１を形成する。ここまでの
工程が終了した段階での断面工程図を図１（Ｃ）に示す。
【００５３】
次に、液晶材料、ここでは高分子分散型液晶を用いて可撓性基板１３３を基板１００に対
向するように固定させる。高分子分散型液晶は、液晶と高分子材料の分散状態によって、
２つのタイプに大別できる。１つは液晶の小滴が高分子材料に分散し、液晶が不連続であ
るタイプ（ＰＤＬＣと呼ばれる）、もう一つは液晶中に高分子材料がネットワークを形成
し、液晶が連続しているタイプ（ＰＮＬＣと呼ばれる）である。なお、本実施の形態にお
いて、いずれのタイプを用いてもよいが、ここではＰＤＬＣを用いる。本実施の形態では
、液晶１３２を含む高分子材料１３１が可撓性基板１３３を固定する。必要であれば高分
子材料１３１を囲むようにシール材を配置してもよい。また、必要であれば、高分子材料
１３１の厚さを制御する間隙材（ビーズスペーサ、カラム状スペーサ、ファイバーなど）
を用いてもよい。さらには、高分子分散型液晶の代わりに、公知の液晶材料を用いてもよ
い。
【００５４】
次に、基板１００から、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、薄膜トランジスタ１
１１、及び可撓性基板１３３を含む積層体１３４を剥離する。酸化モリブデン膜は脆いた
め、比較的弱い力で剥離を行うことができる。図１（Ｄ）では酸化モリブデン膜１０２と
非金属無機膜１０３の界面で分離する図を示したが、分離する場所は、薄膜トランジスタ
が破壊されない領域であればよく、非金属無機膜１０３から基板１００の間であれば、特
に限定されない。例えば、モリブデン膜内や酸化モリブデン膜内で分離してもよいし、基
板とモリブデン膜の界面や、モリブデン膜と酸化モリブデン膜の界面で分離してもよい。
ただし、透過型液晶表示装置を作製する場合には、基板とモリブデン膜の界面で分離して
モリブデン膜が非金属無機膜１０３上に残存した場合には、後でモリブデン膜を除去する
ことが好ましい。また、必要に応じて非金属無機膜１０３を除去してもよい。
【００５５】
なお、有機化合物膜１０４、薄膜トランジスタ１１１、及び可撓性基板１３３を含む積層
体に複数の液晶表示装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の液晶表示装置を
切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の液晶表示装置を
作製することができる。
【００５６】
以上の工程で、図１（Ｅ）に示すように、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを用
いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置１３５を作製できる。液滴吐出法で形成され
た導電膜は、密着性が弱いが、モリブデン膜を用いた本発明の剥離法を用いる場合、一部
の配線に液滴吐出法で形成された導電層を用いても、酸化モリブデン膜近傍（本実施の形
態では酸化モリブデン膜１０２と非金属無機膜１０３の界面）で剥離できる。本実施の形
態の液晶表示装置は、薄型であり可撓性を有する。また、酸化モリブデン膜及び薄膜トラ
ンジスタの間に有機化合物膜を設けることで、当該有機化合物膜を液晶表示装置の支持部
材として機能させることが可能である。このため、液晶表示装置を支持するための支持基
板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【００５７】
なお、液晶表示装置の機械強度が低い場合には、剥離した面に接着層を用いて可撓性基板
を固定してもよい。その場合は、温度変化によらず基板間隔を維持するため、可撓性基板
１３３と同じ熱膨張係数の可撓性基板を用いることが好ましい。
【００５８】
また、高分子分散型液晶に代えて電子インクを用いて電気泳動ディスプレイを作製しても
よい。その場合には、第１の電極１１９と第２の電極１２０を形成した後、印刷法により
電子インクを塗布した後焼成し、可撓性基板１３３で固定すればよい。そして基板を剥離
してもう一枚の可撓性基板を用いて封止すればよい。
【００５９】
（実施の形態２）
ここでは有機薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の発光装置を作製する
例を、図２を用いて説明する。
【００６０】
実施の形態１と同様に、基板１００上にモリブデン膜１０１を形成し、モリブデン膜１０
１上に、酸化モリブデン膜１０２を形成し、酸化モリブデン膜１０２上に非金属無機膜１
０３を形成し、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１０４を形成する。ここまでの工程
が終了した段階での断面工程図を図２（Ａ）に示す。
【００６１】
次に、有機化合物膜１０４上に無機絶縁膜１０５を形成してもよい。次に、有機化合物膜
１０４または無機絶縁膜１０５上に、ゲート電極となる導電層２１１を形成する。導電層
２１１に用いる材料は、窒化及び／または酸化することで絶縁性を有する金属であれば良
く、特にタンタル、ニオブ、アルミニウム、銅、チタンが好ましい。その他、タングステ
ン、クロム、ニッケル、コバルト、マグネシウムなどがある。導電層２１１の形成方法に
ついて特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより成膜した後、エッチングな
どの方法により所望の形状に加工すればよい。また、導電物を含む液滴を用いてインクジ
ェット法等により形成してもよい。
【００６２】
次に、導電層２１１を窒化及び／または酸化することで上記金属の窒化物、酸化物もしく
は酸化窒化物からなるゲート絶縁膜２１２を形成する。なお、導電層のうち絶縁化したゲ
ート絶縁膜２１２以外はゲート電極として機能する。
【００６３】
次に、ゲート絶縁膜２１２を覆う半導体層２１３を形成する。半導体層２１３を形成する
有機半導体材料はキャリア輸送性があり、かつ電界効果によりキャリア密度の変化が起こ
りうる有機材料であれば、低分子、高分子のいずれも用いることができ、その種類は特に
限定されるものではないが、多環芳香族化合物、共役二重結合化合物、金属フタロシアニ
ン錯体、電荷移動錯体、縮合環テトラカルボン酸ジイミド類、オリゴチオフェン類、フラ
ーレン類、カーボンナノチューブ、などが挙げられる。例えばポリピロール、ポリチオフ
ェン、ポリ（３アルキルチオフェン）、ポリフェニレンビニレン、ポリ（ｐ−フェニレン
ビニレン）、ポリアニリン、ポリジアセチレン、ポリアズレン、ポリピレン、ポリカルバ
ゾール、ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリインドール、ポ
リピリダジン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ピレン、クリセン、ペリレン、コ
ロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、トリフェノジオキ
サジン、トリフェノジチアジン  、ヘキサセン−６、１５−キノン、ポリビニルカルバゾ
ール、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリビニルピリジン、ナフ
タレンテトラカルボン酸ジイミド、アントラセンテトラカルボン酸ジイミド、Ｃ６０、Ｃ
７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４及びこれらの誘導体を用いることができる。また、これら
の具体例としては、一般的にＰ型半導体とされるテトラセン、ペンタセン、セクシチオフ
ェン（６Ｔ）、銅フタロシアニン、ビス−（１、２、５−チアジアゾロ）−ｐ−キノビス
（１、３−ジチオール）、ルブレン、ポリ（２、５−チエニレンビニレン）（ＰＴＶ）、
ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２、５−ジイル）（Ｐ３ＨＴ）、ポリ（９、９’−ジオ
クチルーフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）、一般的にＮ型半導体とされる
７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、３，４，９，１０−ペリレ
ンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、１，４，５，８，−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジオクチルー３，４，９，１０−ペリレンテ
トラカルボン酸ジイミド（ＰＴＣＤＩ−Ｃ８Ｈ）、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン
（Ｆ１６ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，
７−ジ１５フッ化ヘキシル−１、４、５、８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（Ｎ
ＴＣＤＩ−Ｃ８Ｆ）、３’，４’−ジブチル−５，５’’−ビス（ジシアノメチレン）−
５、５’’−ジヒドロ−２，２’：５’，２’’−テルチオフェン）（ＤＣＭＴ）、メタ
ノフラーレン［６，６］−フェニルＣ６１酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）等がある。な
お、有機半導体においてＰ型やＮ型の特性はその物質固有のものでは無く、キャリアを注
入する電極との関係や注入の際の電界の強度に依存し、どちらになりやすいという傾向は
あるもののＰ型半導体としてもＮ型半導体としても使用することができる。なお、本実施
の形態においては、Ｐ型半導体がより好ましい。
【００６４】
これらの有機半導体材料は、蒸着法やスピンコート法、液滴吐出法などの方法により成
膜することができる。
【００６５】
次に、半導体層２１３の上に密着性や界面の化学安定性を向上させるためバッファ層２１
４を形成する。バッファ層２１４としては導電性を有する有機材料（電子受容性を示す有
機化合物、例えば７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３，５
，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）
等）、または有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いればよい。なお、バッファ層２１
４は必要がなければなくともよい。
【００６６】
次に、バッファ層２１４上にソース電極及びドレイン電極２１５を形成する。ソース電極
及びドレイン電極２１５に使用する材料は、特に限定されるものではないが、金、白金、
アルミニウム、タングステン、チタン、銅、タンタル、ニオブ、クロム、ニッケル、コバ
ルト、マグネシウムなどの金属及びそれらを含む合金を用いることができる。また、ソー
ス電極及びドレイン電極２１５に使用する他の材料としては、ポリアニリン、ポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレンなどの導電性高分子化合物等が
挙げられる。なお、ソース電極及びドレイン電極２１５の形成方法は半導体層２１３が分
解しないようなものであれば特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより成膜
した後、エッチングするなどの方法により所望の形状に加工し作製すればよい。また、導
電物を含む液滴を用いてインクジェット法等によってソース電極及びドレイン電極２１５
を形成してもよい。以上の工程で有機トランジスタ２２７が作製できる。
【００６７】
また、半導体層２１３の下面に接して、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリビニルフェ
ニールなど有機絶縁材料を成膜しても良い。このような構成により、有機半導体材料の配
向をさらに高めるほか、ゲート絶縁膜２１２と半導体層２１３との密着性をさらに向上す
ることができる。
【００６８】
続いて、有機トランジスタ２２７を用いた発光装置の作製方法について説明する。
【００６９】
次に、有機トランジスタ２２７を覆う層間絶縁膜２２８を形成する。次に、層間絶縁膜２
２８を選択的にエッチングしてソース電極及びドレイン電極２１５の一方に達するコンタ
クトホールを形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極２１５の一方に電気的に接続
する第１の電極２１０を形成する。次に、第１の電極２１０の端部を覆う隔壁２２１を形
成する。隔壁２２１は絶縁材料を用いて形成されており、隣接して複数配置される第１の
電極２１０の間を絶縁する機能を果たしている。
【００７０】
次に、第１の電極２１０のうち、隔壁２２１と接していない領域上に発光層２２２を形成
する。発光層２２２に用いる材料として、有機化合物の単層もしくは積層、或いは無機化
合物の単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本明細書においては、有機化合物からな
る膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。発光素子中の各層については
積層法を限定するものではない。積層が可能ならば、真空蒸着法やスピンコート法、イン
クジェット法、ディップコート法など、どの様な手法を選んでも良いものとする。
【００７１】
次に、発光層２２２上に第２の電極２２３を形成する。第１の電極２１０と、第２の電極
２２３と、発光層２２２とが重なる箇所で発光素子を構成する。なお、この発光素子は、
電場を加えることで発生するルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃ
ｅ）が得られる有機化合物を含む層或いは無機化合物を含む層（以下、ＥＬ層と記す）と
、陽極と、陰極とを有している。特にＺｎＳ：Ｍｎの無機薄膜を用いた無機ＥＬと、有機
蒸着薄膜を用いた有機ＥＬは明るく、高効率のＥＬ発光を示しディスプレイへの応用に適
している。なお、発光素子の構成について特に限定はない。
【００７２】
次に、第２の電極２２３上に保護膜２２４を形成する。なお、必要でなければ、保護膜２
２４はなくともよい。
【００７３】
次に、保護膜２２４上に接着層２２６で可撓性基板２２５を固定する。封止を強化するた
めに、図示しないが接着層２２６を囲むようにシール材を配置してもよい。ここまでの工
程が終了した段階での断面工程図を図２（Ｂ）に示す。
【００７４】
次に、基板１００から、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、有機トランジスタ２
２７、発光素子、及び可撓性基板２２５を含む積層体２２９を剥離する。図２（Ｃ）では
酸化モリブデン膜１０２と非金属無機膜１０３の界面で分離する図を示している。なお、
剥離した後、必要に応じて非金属無機膜１０３を除去してもよい。
【００７５】
なお、有機化合物膜１０４、有機トランジスタ２２７、及び可撓性基板２２５を含む積層
体２２９に複数の発光装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の発光装置を切
り出してもよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の発光装置２３０を
作製することができる。
【００７６】
以上の工程で有機トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の発光装置２３０を作
製できる。例えば、蒸着法で形成された発光層は密着性が弱いが、酸化モリブデン膜近傍
を用いた本発明の剥離法を用いる場合、蒸着法で形成された発光層を用いても、酸化モリ
ブデン膜近傍（本実施の形態では酸化モリブデン膜１０２と非金属無機膜１０３の界面）
で剥離できる。本実施の形態の発光装置は、薄型であり可撓性を有する。また、酸化モリ
ブデン膜及び薄膜トランジスタの間に有機化合物膜を設けることで、当該有機化合物膜を
発光装置の支持部材として機能させることが可能である。このため、発光装置を支持する
ための支持基板を必要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【００７７】
また、図２（Ｃ）に示した有機トランジスタ２２７の構造に限定されず、図１５（Ａ）
、または図１５（Ｂ）に示す構造としてもよい。
【００７８】
図１５（Ａ）はボトムコンタクト型構造と呼ばれる構造である。なお、図２と共通の部分
には同じ符号を用いる。ボトムコンタクト型構造を用いた場合、ソース配線及びドレイン
配線の微細加工を施すためにフォトリソグラフィなどの工程を容易に用いることができる
。そのため、有機トランジスタの構造はその長所、短所に合わせて適宜選択すれば良い。
【００７９】
基板１００上には、モリブデン膜１０１、酸化モリブデン膜１０２、非金属無機膜１０３
、有機化合物膜１０４、及び無機絶縁膜１０５を積層する。無機絶縁膜１０５にゲート電
極２５１を形成する。ゲート電極２５１に用いる材料は、特に限定は無く、たとえば、金
、白金、アルミニウム、タングステン、チタン、銅、モリブデン、タンタル、ニオブ、ク
ロム、ニッケル、コバルト、マグネシウムなどの金属及びそれらを含む合金、ポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、不純物をドー
プしたポリシリコンなどの導電性高分子化合物等が挙げられる。ゲート電極２５１の形成
方法は特に限定は無く、スパッタリング法や蒸着法などにより成膜した後、エッチングす
るなどの方法により所望の形状に加工し作製すればよい。また、導電物を含む液滴を用い
てインクジェット法等により形成してもよい。
【００８０】
次に、ゲート電極２５１を覆うゲート絶縁膜２５２を形成する。ゲート絶縁膜２５２は
、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁材料を用いる。なお、これらのゲート
絶縁膜２５２はディップ法、スピンコート法、液滴吐出法などの塗布法や、ＣＶＤ法、ス
パッタリング法などの方法によって成膜することができる。このゲート絶縁膜２５２に対
し、高密度プラズマを用いて窒化及び／または酸化処理を行ってもよい。高密度プラズマ
窒化を行うことで、より高い濃度の窒素を含有する窒化珪素膜を得ることも可能である。
高密度プラズマは、高い周波数のマイクロ波、たとえば２．４５ＧＨｚを使うことによっ
て生成される。このような高密度プラズマを用い、酸素（もしくは酸素を含むガス）や窒
素（もしくは窒素を含むガス）などをプラズマ励起によって活性化し、これらを絶縁膜と
反応させる。低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低い
ため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない膜を形成するこ
とができる。また、高密度プラズマを用いると、ゲート絶縁膜２５２の表面の粗さが小さ
くできるため、キャリア移動度を大きくすることができる。さらに、ゲート絶縁膜２５２
上に形成される半導体層を構成する有機半導体材料の配向がそろいやすくなる。
【００８１】
次に、ゲート絶縁膜２５２上にソース電極及びドレイン電極２１５を形成する。次に、
ソース電極及びドレイン電極２１５の間に半導体層２１３を形成する。半導体層２１３は
、上述した図２（Ｂ）に示した半導体層２１３と同じ材料を用いることができる。
【００８２】
また、図１５（Ｂ）の構造について説明する。図１５（Ｂ）はトップゲート型構造と呼ば
れる構造である。
【００８３】
基板１００上には、モリブデン膜１０１、酸化モリブデン膜１０２、非金属無機膜１０３
、有機化合物膜１０４、及び無機絶縁膜１０５を積層する。無機絶縁膜１０５上にソース
電極及びドレイン電極４１４、４１５を形成する。次に、ソース電極及びドレイン電極４
１４、４１５の間に半導体層４１３を形成する。次に、半導体層４１３とソース電極及び
ドレイン電極４１４、４１５とを覆うゲート絶縁膜４４２を形成する。次に、ゲート絶縁
膜４４２上にゲート電極４４１を形成する。ゲート電極４４１は、ゲート絶縁膜４４２を
介して半導体層４１３と重なる。
【００８４】
このように様々な有機トランジスタの構造としても、本発明により、剥離を行うことが
できる。例えば、塗布法で形成された半導体層は、密着性が弱いが、酸化モリブデン膜近
傍を用いた本発明の剥離法を用いる場合、塗布法で形成された半導体層を用いても、モリ
ブデン膜近傍（本実施の形態では酸化モリブデン膜１０２と非金属無機膜１０３の界面）
で剥離できる。
【００８５】
また、有機トランジスタに代えて、スパッタリング法やＰＬＤ法で作製されるＺｎＯや亜
鉛ガリウムインジウムの酸化物を半導体層に用いたトランジスタを用いることもできる。
その場合、図１５（Ａ）や図１５（Ｂ）の構造を適用することができる。また、ＺｎＯや
亜鉛ガリウムインジウムの酸化物を半導体層に用いる場合にはゲート絶縁膜をアルミニウ
ムやチタンを含む酸化物とすることが好ましい。このようにプラズマが基板に照射される
プロセスを有するトランジスタを形成する際にも本発明は有用であり、プラズマに耐えう
る基板上にトランジスタを形成した後、プラズマへの耐久性の低い可撓性基板を貼り付け
、剥離することで発光装置を作製することができる。
【００８６】
なお、発光装置の機械強度が低い場合には、剥離した面に接着層用いて可撓性基板を固定
してもよい。その場合は、温度変化によらず基板間隔を維持するため、可撓性基板２２５
と同じ熱膨張係数の可撓性基板を用いることが好ましい。
【００８７】
また、本実施の形態は実施の形態１と自由に組み合わせることができる。例えば、実施
の形態１に示したアモルファス薄膜トランジスタに代えて実施の形態２に示した有機トラ
ンジスタを用いて液晶表示装置を作製することができる。また、実施の形態２に示した有
機トランジスタに代えて実施の形態１に示したアモルファス薄膜トランジスタを用いて発
光装置を作製することもできる。
【００８８】
（実施の形態３）
ここでは可撓性基板にパッシブマトリクス型の発光装置を作製する例を図５乃至図９を
用いて説明する。
【００８９】
パッシブマトリクス型（単純マトリクス型）発光装置は、ストライプ状（帯状）に並列さ
れた複数の陽極と、ストライプ状に並列された複数の陰極とが互いに直交するように設け
られており、その交差部に発光層或いは蛍光層が挟まれた構造となっている。従って、選
択された（電圧が印加された）陽極と選択された陰極との交点にあたる画素が点灯するこ
とになる。
【００９０】
図５（Ａ）は、発光素子の第２の電極５１６に可撓性基板を貼り付ける前における画素
部の上面図を示す図であり、図５（Ａ）中の鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図５（Ｂ）
であり、鎖線Ｂ−Ｂ’で切断した断面図が図５（Ｃ）である。
【００９１】
基板１００上には、実施の形態２と同様に、モリブデン膜１０１、酸化モリブデン膜１
０２、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、及び無機絶縁膜１０５を積層する。無
機絶縁膜１０５上には、ストライプ状に複数の第１の電極５１３が等間隔で配置されてい
る。また、第１の電極５１３上には、各画素に対応する開口部を有する隔壁５１４が設け
られ、開口部を有する隔壁５１４は絶縁材料（感光性または非感光性の有機材料（ポリイ
ミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）
、またはＳＯＧ膜（例えば、アルキル基を含むＳｉＯｘ膜））で構成されている。なお、
各画素に対応する開口部が発光領域５２１となる。
【００９２】
開口部を有する隔壁５１４上に、第１の電極５１３と交差する互いに平行な複数の逆テー
パ状の隔壁５２２が設けられる。逆テーパ状の隔壁５２２はフォトリソグラフィ法に従い
、未露光部分がパターンとしてポジ型感光性樹脂を用い、パターンの下部がより多くエッ
チングされるように露光量または現像時間を調節することによって形成する。
【００９３】
また、平行な複数の逆テーパ状の隔壁５２２を形成した直後における斜視図を図６に示
す。
【００９４】
逆テーパ状の隔壁５２２の高さは、発光層を含む積層膜及び導電膜の膜厚より大きく設
定する。図６に示す構成を有する基板に対して発光層を含む積層膜と、導電膜とを積層形
成すると、図５に示すように電気的に独立した複数の領域に分離され、発光層を含む積層
膜５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂと、第２の電極５１６とが形成される。第２の電極５１
６は、第１の電極５１３と交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極であ
る。なお、逆テーパ状の隔壁５２２上にも発光層を含む積層膜及び導電膜が形成されるが
、発光層を含む積層膜５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂ、及び第２の電極５１６とは分断さ
れている。
【００９５】
ここでは、発光層を含む積層膜５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂを選択的に形成し、３種
類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られるフルカラー表示可能な発光装置を形成する例を示して
いる。発光層を含む積層膜５１５Ｒ、５１５Ｇ、５１５Ｂはそれぞれ互いに平行なストラ
イプパターンで形成されている。
【００９６】
また、全面に同じ発光色を発光する発光層を含む積層膜を形成し、単色の発光素子を設
けてもよく、モノクロ表示可能な発光装置、或いはエリアカラー表示可能な発光装置とし
てもよい。また、白色発光が得られる発光装置と、カラーフィルタと組み合わせることに
よってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【００９７】
次に、ＦＰＣなどを実装した発光モジュールの上面図を図７に示す。
【００９８】
なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇ
ｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けら
れたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩ
Ｃ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【００９９】
図７に示すように画像表示を構成する画素部は、走査線群とデータ線群が互いに直交する
ように交差している。
【０１００】
図５における第１の電極５１３が図７の走査線６０２に相当し、第２の電極５１６がデ
ータ線６０３に相当し、逆テーパ状の隔壁５２２が隔壁６０４に相当する。データ線６０
３と走査線６０２の間には発光層が挟まれており、領域６０５で示される交差部が画素１
つ分となる。
【０１０１】
なお、データ線６０３は配線端で、導電層８２９、８３０で形成される接続配線６０８
と電気的に接続され、接続配線６０８が入力端子６０７を介してＦＰＣ６０９ｂに接続さ
れる。また、走査線６０２は入力端子６０６を介してＦＰＣ６０９ａに接続される。
【０１０２】
次に、接着層を用いて可撓性基板を固定する。
【０１０３】
次に、基板１００から発光素子を剥離する。なお、剥離した後、必要に応じて非金属無
機膜１０３を除去してもよい。
【０１０４】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板（楕円偏光板を含む）
、位相差板（λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けても
よい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けて映りこみを低減することができる
。また、表面の凹凸により反射光を拡散し、ぎらつきを低減できるアンチグレア処理を施
すことができる。
【０１０５】
以上の工程でフレキシブルなパッシブマトリクス型の発光装置を作製できる。ＦＰＣを
実装する際には熱圧着を行うため、硬い基板上で行うことが好ましい。本発明により、Ｆ
ＰＣを実装した後に剥離を行うことで、可撓性を有し、薄型の発光装置を作製することが
できる。
【０１０６】
また、図７では、駆動回路を基板上に設けていない例を示したが、以下に駆動回路を有す
るＩＣチップを実装させた発光モジュールの作製方法の一例を、図８を用いて説明する。
【０１０７】
まず、基板１００上に、実施の形態１と同様に、モリブデン膜、酸化モリブデン膜、絶
縁膜を積層する。この絶縁膜上に、下層は反射性を有する金属膜、上層は透明な酸化物導
電膜とした積層構造を有する走査線６０２（陽極としても機能する）を形成する。同時に
接続配線６０８、７０９ａ、７０９ｂ、および入力端子も形成する。
【０１０８】
次に、各画素に対応する開口部を有する隔壁を設ける。次に、開口部を有する隔壁（図
示しない。）上に、走査線６０２と交差する互いに平行な複数の逆テーパ状の隔壁６０４
を設ける。以上に示す工程を終えた段階での上面図を図８（Ａ）に示す。
【０１０９】
次に、発光層を含む積層膜と、透明導電膜とを積層形成すると、図８（Ｂ）に示すよう
に電気的に独立した複数の領域に分離され、発光層を含む積層膜と、透明導電膜からなる
データ線６０３とが形成される。透明導電膜からなるデータ線６０３は、走査線６０２と
交差する方向に伸長する互いに平行なストライプ状の電極である。
【０１１０】
次に、画素部の周辺（外側）の領域に、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成され
た走査線側ＩＣ７０６、データ線側ＩＣ７０７をＣＯＧ方式によりそれぞれ実装する。Ｃ
ＯＧ方式以外の実装技術としてＴＣＰやワイヤボンディング方式を用いて実装してもよい
。ＴＣＰはＴＡＢテープにＩＣを実装したものであり、ＴＡＢテープを素子形成基板上の
配線に接続してＩＣを実装する。走査線側ＩＣ７０６、およびデータ線側ＩＣ７０７は、
シリコン基板を用いたものであってもよいし、ガラス基板、石英基板もしくはプラスチッ
ク基板上に薄膜トランジスタで駆動回路を形成したものであってもよい。また、片側に一
つのＩＣを設けた例を示しているが、片側に複数個に分割して設けても構わない。
【０１１１】
なお、データ線６０３は配線端で接続配線６０８と電気的に接続され、接続配線６０８
がデータ線側ＩＣ７０７と接続される。これはデータ線側ＩＣ７０７を逆テーパ状の隔壁
６０４上に設けることが困難だからである。
【０１１２】
以上のような構成で設けられた走査線側ＩＣ７０６は接続配線７０９ａを介してＦＰＣ
７１１ａに接続される。また、データ線側ＩＣ７０７は接続配線７０９ｂを介してＦＰＣ
７１１ｂに接続される。
【０１１３】
さらに、ＩＣチップ７１２（メモリチップ、ＣＰＵチップ、電源回路チップなど）を実
装して集積化を図っている。
【０１１４】
次に、ＩＣチップ７１２を覆うように、接着層を用いて可撓性基板を固定する。
【０１１５】
次に、基板１００から発光素子を剥離する。なお、剥離した後、必要に応じて非金属無
機膜１０３を除去してもよい。このときの図８（Ｂ）の鎖線Ｃ−Ｄで切断した断面構造の
一例を図９に示す。
【０１１６】
走査線６０２は２層の積層構造であり、下層８１２は反射性を有する金属膜であり、上層
８１３は透明な酸化物導電膜である。上層８１３は仕事関数の高い導電膜を用いることが
好ましく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の他、例えば、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸
化物や酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ
Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用
いることができる。また、下層８１２は、Ａｇ膜、Ａｌ膜、またはＡｌ合金膜を用いる。
【０１１７】
隣り合う走査線同士を絶縁化するための隔壁５１４は樹脂で形成されており、隔壁で囲
まれた領域が発光領域と対応して同一面積になっている。
【０１１８】
データ線６０３（陰極）は、走査線６０２（陽極）と交差するように形成されている。デ
ータ線６０３（陰極）は、ＩＴＯや、Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物や、酸化インジ
ウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯなどの透明導電膜を用いる。本実施の形態で
は、発光が可撓性基板８２０を通過する上方射出型の発光装置の例であるのでデータ線６
０３は透明であることが重要である。
【０１１９】
また、発光層を有する積層膜８１５を挟んで走査線とデータ線の交点に位置する発光素子
を複数配置した画素部、端子部、及び周辺部には、接着層８１７で可撓性基板８２０が貼
り付けられる。接着層８１７としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルク
ロライド）、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）またはＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）
を用いることが可能である。
【０１２０】
端子部には接続配線７０９ｂが形成され、この部分で外部回路と接続するＦＰＣ７１１
ｂ（フレキシブルプリント配線板）を貼り合わせる。接続配線７０９ｂは、反射性を有す
る金属膜８２７と、透明な酸化物導電膜８２６と、第２の電極から延在した酸化導電膜と
の積層で構成しているが、特に限定されない。
【０１２１】
ＦＰＣ７１１ｂを実装する方法は異方導電性材料もしくはメタルバンプを用いた接続方法
またはワイヤボンディング方式を採用することができる。図９では異方性導電接着材８３
１を用いて接続を行っている。
【０１２２】
また、画素部の周辺には、画素部へ各信号を伝送する駆動回路が形成されたデータ線側
ＩＣ７０７を異方導電性材料８２４、８２５により電気的に接続している。また、カラー
表示に対応した画素部を形成するためには、ＸＧＡクラスでデータ線の本数が３０７２本
であり走査線側が７６８本必要となる。このような数で形成されたデータ線及び走査線は
画素部の端部で数ブロック毎に区分して引出線を形成し、ＩＣの出力端子のピッチに合わ
せて集める。
【０１２３】
以上の工程で外側に非金属無機膜１０３が形成された有機化合物膜１０４と可撓性基板
８２０で封止され、ＩＣチップが実装された発光モジュールを作製できる。ＩＣチップを
実装する際には熱圧着を行うため、硬い基板上で行うことが好ましく、本発明により、Ｉ
Ｃチップを実装した後に剥離を行って、発光装置を作製することができる。
【０１２４】
（実施の形態４）
本実施の形態では、無線チップとして機能する半導体装置を作製する形態を示す。本実施
の形態で示す半導体装置は、非接触でデータの読み出しと書き込みが可能であることを特
徴としており、データの伝送形式は、一対のコイルを対向に配置して相互誘導によって交
信する電磁結合方式、誘導電磁界によって交信する電磁誘導方式、電波を利用して交信す
る電波方式の３つに大別されるが、いずれの方式を用いてもよい。
【０１２５】
また、データの伝送に用いるアンテナは２通りの設け方があり、１つは複数の素子および
記憶素子が設けられた半導体部品（以下、素子基板と示す。）に端子部を設け、別の基板
に設けられたアンテナを当該端子部に接続して設ける場合、もう１つは、複数の半導体素
子、受動素子等が設けられた素子基板上にアンテナを作りこむ場合がある。
【０１２６】
別の基板に設けられたアンテナを素子基板の端子部に接続して、アンテナを設ける場合の
作製方法を以下に示す。
【０１２７】
まず、実施の形態１と同様に、図１０（Ａ）に示すように、基板１００上にモリブデン膜
１０１を形成し、モリブデン膜１０１上に酸化モリブデン膜１０２を形成し、酸化モリブ
デン膜１０２上に非金属無機膜１０３を形成し、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１
０４を形成する。なお、必要であれば、実施の形態１に示すように、有機化合物膜１０４
上に無機絶縁膜１０５を形成してもよい。
【０１２８】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、有機化合物膜１０４上にアンテナとして機能する導電
層９０４を形成する。アンテナとして機能する導電層９０４は、金、銀、銅等の導電体を
有する液滴やペーストを液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法など）により吐
出し、乾燥焼成して形成する。液滴吐出法によりアンテナとして機能する導電層９０４を
形成することで、工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。また
、スクリーン印刷法を用いて導電層９０４を形成してもよい。スクリーン印刷法を用いる
場合、アンテナとして機能する導電層９０４の材料としては、粒径が数ｎｍから数十μｍ
の導電体粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性のペーストを選択的に印刷する。
導電体粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（
Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔ
ｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を
用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダ
ー、溶媒、分散剤および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用
いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられ
る。また、導電層９０４の形成にあたり、導電性のペーストを押し出した後に焼成するこ
とが好ましい。また、はんだや鉛フリーのはんだを主成分とする微粒子を用いてもよく、
この場合は粒径２０μｍ以下の微粒子を用いることが好ましい。はんだや鉛フリーはんだ
は、低コストであるといった利点を有している。また、上述した材料以外にも、セラミッ
クやフェライト等をアンテナに適用してもよい。
【０１２９】
スクリーン印刷法や液滴吐出法を用いてアンテナを作製する場合、所望の形状に形成した
後、焼成を行う。この焼成温度は、２００℃〜３００℃である。２００℃未満でも焼成は
可能であるが、２００℃未満の場合、アンテナの導電性が確保できないばかりかアンテナ
の通信距離までも短くなってしまう恐れがある。これらの点を考慮するとアンテナは、別
の基板、即ち耐熱性を有する基板上に形成した後、剥離して素子基板と接続することが好
ましい。
【０１３０】
また、アンテナは、スクリーン印刷法の他にもグラビア印刷等を用いてもよいし、メッ
キ法等を用いて、導電性材料により形成することができる。
【０１３１】
次に、図１０（Ｃ）に示すように剥離を行って、基板１００から、非金属無機膜１０３を
分離する。本発明の酸化モリブデン膜を用いた剥離方法は比較的弱い力を加えるだけで剥
離を行うことができるため、歩留まりが向上する。また、本発明の酸化モリブデン膜近傍
を用いた剥離方法は、５００℃以上の熱処理を必要とせず、比較的弱い力を加えるだけな
ので、剥離の際に有機化合物膜１０４の変形が抑えられ、導電層９０４へのダメージも少
なくすることができる。なお、剥離工程の後、必要に応じて非金属無機膜１０３を除去し
てもよい。
【０１３２】
次に、図１０（Ｄ）に示すように有機化合物膜１０４において導電層９０４が設けられて
いる面に素子基板９０７を配置する。異方性導電材料を用いて圧着することで素子基板の
端子部と導電層９０４との電気的な導通をとる。
【０１３３】
なお、図１０においては、基板１００から導電層９０４を含む積層体を剥離した後、導
電層９０４と素子基板９０７とを接続したが、その代わりに、導電層９０４を焼成し、導
電層９０４に素子基板９０７を接続した後、基板１００から導電層９０４を含む積層体を
剥離しても良い。
【０１３４】
また、導電層９０４を含む積層体に複数のアンテナとして機能する導電層が形成される
場合、当該積層体を分断し、アンテナとして機能する導電層９０４を有する複数の積層体
を形成した後、当該導電層９０４に素子基板を接続してもよい。
【０１３５】
また、図１０（Ｄ）では有機化合物膜１０４に比較して小さい面積の素子基板９０７を
設けた例を示したが、特に限定されず、有機化合物膜１０４とほぼ同じ面積の素子基板を
設けてもよいし、有機化合物膜１０４よりも大きな面積の素子基板を設けてもよい。
【０１３６】
以上の工程により、ＩＣタグとして機能する半導体装置が完成する。上記半導体装置は、
薄型であり可撓性を有する。また、酸化モリブデン膜及びアンテナとして機能する導電層
の間に有機化合物膜を設けることで、当該有機化合物膜を半導体装置の支持部材として機
能させることが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必要以上
に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【０１３７】
なお、最後に、保護のため、素子基板９０７を覆うように、有機化合物膜１０４と、も
う一枚の可撓性基板を貼り付けてもよい。
【０１３８】
次に、素子および記憶素子が設けられた素子基板上にアンテナを形成して、無線チップ
として機能する半導体装置を作製する方法について、図３を用いて説明する。
【０１３９】
実施の形態１と同様に、図３（Ａ）に示すように、基板１００上にモリブデン膜１０１
を形成し、モリブデン膜１０１上に、酸化モリブデン膜１０２を形成し、酸化モリブデン
膜１０２上に非金属無機膜１０３を形成し、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１０４
を形成し、有機化合物膜１０４上に無機絶縁膜１０５を形成する。
【０１４０】
次に、無機絶縁膜１０５上に非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜は実施の形態
１に示す非晶質半導体膜１０８と同様に形成する。ここでは、プラズマＣＶＤ法により、
厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の非晶質珪素膜
を形成する。
【０１４１】
次に、非晶質半導体膜にレーザビーム３０２を走査して、結晶性半導体膜を形成する。
図３（Ａ）においては、非晶質半導体膜３０１にレーザビームを走査するレーザーアニー
ル法により結晶性半導体膜３０３を形成する例を示している。
【０１４２】
結晶化をレーザーアニール法にて行う場合には、パルス発振型または連続発光型のレーザ
を用いることができる。また、レーザ波長は、半導体膜に効率よくレーザビームが吸収さ
れるように可視〜紫外領域（８００ｎｍ以下）、好ましくは紫外領域（４００ｎｍ以下）
とする。レーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザ
発振器、Ｎ２、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡ
Ｇ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、ＳｃＯ３、Ｌｕ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３など
の結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｙｂ、又はＴｍをドープした結晶
を使った固体レーザ発振器、ヘリウムカドミウム発振器等の金属蒸気レーザ発振器等を用
いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波の第３高調波〜第５高調
波を適用するのが好ましい。レーザ光は光学系により集光して利用するが、例えば線状に
加工してレーザーアニールを行う。レーザーアニール条件は実施者が適宜選択するもので
あるが、その一例としてレーザーパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギー密
度を１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２（代表的には３００〜４００ｍＪ／ｃｍ２）とする。そ
して線状ビームを基板全面に渡って照射し、この時の線状ビームの重ね合わせ率（オーバ
ーラップ率）を８０〜９８％として行う。このようにして結晶性半導体膜を形成すること
ができる。
【０１４３】
ここでは、エキシマレーザビームを非晶質珪素膜に照射して結晶性珪素膜を形成する。
【０１４４】
なお、非晶質半導体膜から水素が噴出するのを防ぐため、非晶質珪素膜にレーザビーム
を照射する前に、結晶化するためのレーザビームより弱いエネルギーのレーザビームを照
射して、非晶質珪素膜中の水素を除去することが好ましい。
【０１４５】
次に、結晶性半導体膜３０３を選択的にエッチングして半導体層３２１、３２２を形成
する。ここでは、結晶性半導体膜のエッチング方法としては、ドライエッチング、ウェッ
トエッチング等を用いることができる。ここでは、結晶性半導体膜上にレジストを塗布し
た後、露光及び現像を行ってレジストマスクを形成する。次に、レジストマスクを用いて
ＳＦ６：Ｏ２の流量比を４：１５としたドライエッチング法により、結晶性半導体膜を選
択的にエッチングする。この後、レジストマスクを除去する。
【０１４６】
次に、半導体層３２１、３２２上にゲート絶縁膜３２３を形成する。ゲート絶縁膜３２
３は、窒化珪素、酸素を含む窒化珪素、酸化珪素、窒素を含む酸化珪素等の単層又は積層
構造で形成する。ここでは、厚さ１１５ｎｍの窒素を含む酸化珪素をプラズマＣＶＤ法に
より形成する。
【０１４７】
次にゲート電極３２４、３２５を形成する。ゲート電極３２４、３２５は、金属又は一
導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、
タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いる
ことができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１の層と当該金属から成る第２の層と
を積層させた構造としても良い。また、液滴吐出法を用いて微粒子を含むペーストをゲー
ト絶縁膜上に吐出し、乾燥・焼成して形成することができる。また、ゲート絶縁膜上に、
微粒子を含むペーストを印刷法により印刷し、乾燥・焼成して形成することができる。微
粒子の代表例としては、金、銅、金と銀の合金、金と銅の合金、銀と銅の合金、金と銀と
銅の合金のいずれかを主成分とする微粒子でもよい。ここでは、ゲート絶縁膜３２３上に
、膜厚３０ｎｍｍの窒化タンタル膜及び、膜厚３７０ｎｍのタングステン膜をスパッタリ
ング法により形成した後、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用い
て窒化タンタル膜、及びタングステン膜を選択的にエッチングして、窒化タンタル膜の端
部がタングステン膜の端部より外側に突き出した形状のゲート電極３２４、３２５を形成
する。
【０１４８】
次に、ゲート電極３２４、３２５をマスクとして、半導体層３２１、３２２にそれぞれ
ｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を添加して、ソース領域及びド
レイン領域３２６〜３２９を形成する。また、ゲート電極３２４、３２５の一部に重複す
る低濃度不純物領域３３１〜３３４を形成する。ここでは、ソース領域及びドレイン領域
３２６〜３２９、及び低濃度不純物領域３３１〜３３４に、ｎ型を付与する不純物元素で
あるリンをドーピングする。
【０１４９】
この後、半導体膜に添加した不純物元素を活性化してもよい。ここでは、レーザビーム
を照射して不純物の活性化をしてもよい。以上の工程により、薄膜トランジスタ３２０ａ
、３２０ｂを形成する。なお、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂとしてはｎチャネル
型の薄膜トランジスタを形成する。また、図示しないが、ｐチャネル型の薄膜トランジス
タ及びｎチャネル型の薄膜トランジスタにより駆動回路を構成する。
【０１５０】
次に、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂのゲート電極及び配線を絶縁化する層間絶
縁膜を形成する。ここでは、層間絶縁膜として酸化珪素膜３３５ａ、窒化珪素膜３３５ｂ
、及び酸化珪素膜３３５ｃを積層して形成する。また、層間絶縁膜の一部である酸化珪素
膜３３５ｃ上に薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂのソース領域及びドレイン領域３２
６〜３２９に接続する配線３３６〜３３９を形成する。ここでは、スパッタリング法によ
り、Ｔｉ膜１００ｎｍ、Ａｌ膜３３３ｎｍ、Ｔｉ膜１００ｎｍを連続した後、フォトリソ
グラフィ工程によって形成したレジストマスクを用いて選択的にエッチングして、配線３
３６〜３３９を形成する。その後、レジストマスクを除去する。
【０１５１】
次に、薄膜トランジスタ３２０ｂに接続する配線３３９上にアンテナとして機能する導
電層３１３を形成する。アンテナとして機能する導電層３１３は、図１０に示すアンテナ
として機能する導電層９０４と同様に形成することができる。また、スパッタリング法に
より導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程により形成したマスクで選択的に導電
層をエッチングして、アンテナとして機能する導電層３１３を形成することができる。
【０１５２】
この後、アンテナとして機能する導電層３１３及び層間絶縁膜上にパッシベーション膜３
１４を形成してもよい。パッシベーション膜３１４を形成することで、アンテナとして機
能する導電層３１３や薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂが外部の水分や酸素、不純物
により汚染されるのを回避することができる。パッシベーション膜３１４としては、窒化
珪素、酸化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）
、炭化窒素等で形成する。
【０１５３】
次に、図３（Ｃ）に示すように、パッシベーション膜３１４上に接着層３４１を用いて
可撓性基板３４２を固定する。
【０１５４】
次に、基板１００から、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、薄膜トランジスタ３
２０ａ、３２０ｂ、アンテナとして機能する導電層３１３、及び可撓性基板３４２を含む
積層体３４３を剥離する。酸化モリブデン膜は脆いため、比較的弱い力で積層体を基板か
ら剥離することができる。なお、剥離した後、必要に応じて非金属無機膜１０３を除去し
てもよい。
【０１５５】
なお、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、薄膜トランジスタ３２０ａ、３２０ｂ
、アンテナとして機能する導電層３１３、及び可撓性基板３４２を含む積層体３４３に複
数の半導体装置が含まれる場合、当該積層体を分断して、複数の半導体装置を切り出して
もよい。このような工程により、一度の剥離工程により複数の半導体装置を作製すること
ができる。
【０１５６】
以上の工程により、ＩＣタグとして機能する半導体装置３４４が完成する。本実施の形
態の半導体装置は、薄型であり可撓性を有する。また、酸化モリブデン膜及び薄膜トラン
ジスタの間に有機化合物膜を設けることで、当該有機化合物膜を半導体装置の支持部材と
して機能させることが可能である。このため、半導体装置を支持するための支持基板を必
要以上に設けなくともよく、コスト削減が可能である。
【０１５７】
ここでは、半導体装置における信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式
（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する。磁界密度の変化による電磁誘導を利用するた
め、図１０（Ｄ）では、アンテナとして機能する導電層の上面形状を輪状（例えば、ルー
プアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成しているが特に形状は限
定されない。
【０１５８】
また、半導体装置における信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（
８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用することもできる。その場合に
は、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナとして機能する導電層の長さ等
の形状を適宜設定すればよい。有機化合物膜１０４上に形成された、アンテナとして機能
する導電層９１２、集積回路を有するチップ状の半導体装置９１３の例を図１１（Ａ）〜
（Ｄ）に一例を示す。例えば、アンテナとして機能する導電層の上面形状を線状（例えば
、ダイポールアンテナ（図１１（Ａ）参照））、平坦な形状（例えば、パッチアンテナ（
図１１（Ｂ）参照））またはリボン型の形状（図１１（Ｃ）、（Ｄ）参照）等に形成する
ことができる。また、アンテナとして機能する導電層の形状は線状に限られず、電磁波の
波長を考慮して曲線状や蛇行形状またはこれらを組み合わせた形状で設けてもよい。
【０１５９】
また、以上の工程により得られた半導体装置の構成について、図１２（Ａ）を参照して
説明する。図１２（Ａ）に示すように、本発明で得られる半導体装置１１２０は、非接触
でデータを交信する機能を有し、電源回路１１１１、クロック発生回路１１１２、データ
復調又は変調回路１１１３、他の回路を制御する制御回路１１１４、インターフェイス回
路１１１５、記憶回路１１１６、データバス１１１７、アンテナ１１１８、センサ１１２
１、センサ回路１１２２を有する。
【０１６０】
電源回路１１１１は、アンテナ１１１８から入力された交流信号を基に、半導体装置１１
２０の内部の各回路に供給する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路１１１
２は、アンテナ１１１８から入力された交流信号を基に、半導体装置１１２０の内部の各
回路に供給する各種クロック信号を生成する回路である。データ復調又は変調回路１１１
３は、通信機１１１９と交信するデータを復調又は変調する機能を有する。制御回路１１
１４は、記憶回路１１１６を制御する機能を有する。アンテナ１１１８は、電波の送受信
を行う機能を有する。通信機１１１９は、半導体装置との交信、制御及びそのデータに関
する処理を制御する。なお、半導体装置は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリ
ミッタ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の要素を追加した構成であってもよい
。
【０１６１】
記憶回路１１１６は、一対の導電層間に有機化合物層又は相変化層が挟まれた記憶素子を
有することを特徴とする。なお、記憶回路１１１６は、一対の導電層間に有機化合物層又
は相変化層が挟まれた記憶素子のみを有していてもよいし、他の構成の記憶回路を有して
いてもよい。他の構成の記憶回路とは、例えば、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＦｅＲＡＭ、マス
クＲＯＭ、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリから選択される１
つ又は複数に相当する。
【０１６２】
センサ１１２１は抵抗素子、容量結合素子、誘導結合素子、光起電力素子、光電変換素子
、熱起電力素子、トランジスタ、サーミスタ、ダイオードなどの半導体素子で形成される
。センサ回路１１２２はインピーダンス、リアクタンス、インダクタンス、電圧又は電流
の変化を検出し、アナログ／デジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して制御回路１１１４に信号を
出力する。
【０１６３】
本実施の形態は、実施の形態１や実施の形態２と自由に組み合わせることができる。例
えば、実施の形態１や実施の形態２で得られる薄膜トランジスタを用いて集積回路を形成
し、剥離を行った素子基板と、本実施の形態で得られるアンテナが設けられた可撓性基板
とを貼り合わせて電気的な導通を行うことができる。
【０１６４】
本発明によりプロセッサ回路を有するＩＣタグ（以下、ＩＣチップ、プロセッサチップ
、無線チップ、無線プロセッサ、無線メモリ、無線タグともよぶ）として機能する半導体
装置を形成することができる。本発明で得られる半導体装置の用途は広範にわたるが、例
えば、紙幣、硬貨、有価証券類、証書類、無記名債券類、包装用容器類、書籍類、記録媒
体、身の回り品、乗物類、食品類、衣類、保健用品類、生活用品類、薬品類及び電子機器
等に設けて使用することができる。
【０１６５】
紙幣、硬貨とは、市場に流通する金銭であり、特定の地域で貨幣と同じように通用する
もの（金券）、記念コイン等を含む。有価証券類とは、小切手、証券、約束手形等を指し
、プロセッサ回路を有するＩＣタグ９０を設けることができる（図１３（Ａ）参照）。証
書類とは、運転免許証、住民票等を指し、ＩＣタグ９１を設けることができる（図１３（
Ｂ）参照）。乗物類とは、自転車等の車両、船舶等を指し、ＩＣタグ９６を設けることが
できる（図１３（Ｃ）参照）。無記名債券類とは、切手、おこめ券、各種ギフト券等を指
す。包装用容器類とは、お弁当等の包装紙、ペットボトル等を指し、ＩＣタグ９３を設け
ることができる（図１３（Ｄ）参照）。書籍類とは、書物を指し、ＩＣタグ９４を設ける
ことができる（図１３（Ｅ）参照）。記録媒体とは、ＤＶＤソフト、ビデオテープ等を指
し、ＩＣタグ９５を設けることができる（図１３（Ｆ）参照）。身の回り品とは、鞄、眼
鏡等を指し、プロセッサ回路を有するチップ９７を設けることができる（図１３（Ｇ）参
照）。食品類とは、食料品、飲料等を指す。衣類とは、衣服、履物等を指す。保健用品類
とは、医療器具、健康器具等を指す。生活用品類とは、家具、照明器具等を指す。薬品類
とは、医薬品、農薬等を指す。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョ
ン装置（テレビ受像機、薄型テレビ受像機）、携帯電話等を指す。
【０１６６】
本発明で得られる半導体装置は、プリント基板への実装、表面への貼着、埋め込み等によ
り、物品に固定される。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージ
なら当該有機樹脂に埋め込んだりして、各物品に固定される。本発明の半導体装置は、小
型、薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後も、その物品自体のデザイン性を損な
うことがない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に本発明で得ら
れる半導体装置を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用
すれば、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食
品類、衣類、生活用品類、電子機器等に本発明で得られる半導体装置を設けることにより
、検品システム等のシステムの効率化を図ることができる。
【０１６７】
次に、本発明で得られる半導体装置を実装した電子機器の一態様について図面を参照して
説明する。ここで例示する電子機器は携帯電話機であり、筐体２７００、２７０６、パネ
ル２７０１、ハウジング２７０２、プリント配線基板２７０３、操作ボタン２７０４、バ
ッテリー２７０５を有する（図１２（Ｂ）参照）。パネル２７０１はハウジング２７０２
に脱着自在に組み込まれ、ハウジング２７０２はプリント配線基板２７０３に嵌着される
。ハウジング２７０２はパネル２７０１が組み込まれる電子機器に合わせて、形状や寸法
が適宜変更される。プリント配線基板２７０３には、パッケージングされた複数の半導体
装置が実装されており、このうちの１つとして、本発明で得られる半導体装置を用いるこ
とができる。プリント配線基板２７０３に実装される複数の半導体装置は、コントローラ
、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）、メ
モリ、電源回路、音声処理回路、送受信回路等のいずれかの機能を有する。
【０１６８】
パネル２７０１は、接続フィルム２７０８を介して、プリント配線基板２７０３と接続さ
れる。上記のパネル２７０１、ハウジング２７０２、プリント配線基板２７０３は、操作
ボタン２７０４やバッテリー２７０５と共に、筐体２７００、２７０６の内部に収納され
る。パネル２７０１が含む画素領域２７０９は、筐体２７００に設けられた開口窓から視
認できるように配置されている。
【０１６９】
上記の通り、本発明で得られる半導体装置は、可撓性基板を用いるため、薄型、軽量であ
ることを特徴としており、上記特徴により、電子機器の筐体２７００、２７０６内部の限
られた空間を有効に利用することができる。
【０１７０】
なお、筐体２７００、２７０６は、携帯電話機の外観形状を一例として示したものであり
、本実施の形態に係る電子機器は、その機能や用途に応じて様々な態様に変容しうる。
【０１７１】
（実施の形態５）
ここでは非晶質半導体膜を用いた半導体素子を有する半導体装置を作製する例を、図４を
用いて説明する。非晶質半導体膜を用いた半導体素子としては、薄膜トランジスタ、ダイ
オード、抵抗素子等がある。ここでは、非晶質半導体膜を用いた半導体素子としてダイオ
ードを用いた光電変換素子の例を用いて示す。
【０１７２】
実施の形態１と同様に、基板１００上にモリブデン膜１０１を形成し、モリブデン膜１０
１上に、酸化モリブデン膜１０２を形成し、酸化モリブデン膜１０２上に非金属無機膜１
０３を形成し、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１０４を形成する。ここまでの工程
が終了した段階での断面工程図を図４（Ａ）に示す。
【０１７３】
次に、有機化合物膜１０４上に無機絶縁膜１０５を形成し、無機絶縁膜１０５上に第一の
導電層２４２ａ〜２４２ｃを形成する。次に、第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃの一部を
露出させるように光電変換層２４３ａ〜２４３ｃを形成する。次に、光電変換層２４３ａ
〜２４３ｃ上であり、且つ第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃの露出部の一部に第２の導電
層２４４ａ〜２４４ｃを形成する。ここでは、第１の導電層２４２ａ、光電変換層２４３
ａ、及び第２の導電層２４４ａにより光電変換素子２４１ａを構成する。また、第１の導
電層２４２ｂ、光電変換層２４３ｂ、及び第２の導電層２４４ｂにより光電変換素子２４
１ｂを構成する。また、第１の導電層２４２ｃ、光電変換層２４３ｃ、及び第２の導電層
２４４ｃにより光電変換素子２４１ｃを構成する。なお、光電変換素子２４１ａ〜２４１
ｃが直列接続となるように、光電変換素子２４１ａの第２の導電層２４４ａは、第２の光
電変換素子２４１ｂの第１の導電層２４２ｂと接するように形成する。また、光電変換素
子２４１ｂの第２の導電層２４４ｂは、第３の光電変換素子２４１ｃの第１の導電層２４
２ｃと接するように形成する。光電変換素子２４１ｃの第２の導電層２４４ｃは、第４の
光電変換素子の第１の導電層と接するように形成する。
【０１７４】
有機化合物膜１０４側から光が入射する場合は、第１の導電層２４２ａ〜２４２ｃを、非
晶質半導体膜で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能であり、且
つ透光性を有する導電膜を用いる。代表的には、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）
、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化珪素
を含む酸化インジウムスズ等を用いることができる。また、第２の導電層２４４ａ〜２４
４ｃとしては、非晶質半導体膜で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触
が可能な金属膜で形成する。この代表例としては、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ
）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、パラジウム（Ｐｄ）、タ
ンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）から選ばれた一元素、
又は該元素を５０％以上含む合金材料で形成されている。
【０１７５】
一方、第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃ側から光が入射する場合、第１の導電層２４２ａ
〜２４２ｃに、非晶質半導体膜で形成される光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触
が可能な金属膜を用い、第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃに非晶質半導体膜で形成される
光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとオーム接触が可能であり、且つ透光性を有する電極を用
いる。
【０１７６】
光電変換層２４３ａ〜２４３ｃとしては、非晶質半導体膜を有する半導体層で形成するこ
とができる。この代表例としては、非晶質珪素層、非晶質シリコンゲルマニウム層、炭化
シリコン層、又はこれらのＰＮ接合層、ＰＩＮ接合層が挙げられる。本実施形態では、Ｐ
ＩＮ接合のアモルファスシリコンで光電変換層２４３ａ〜２４３ｃを形成する。
【０１７７】
第２の導電層２４４ａ〜２４４ｃ上に接着材２４６を用いて可撓性基板２４５を貼り付け
ても良い。
【０１７８】
次に、基板１００から、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、光電変換素子２４１
ａ〜２４１ｃ、及び可撓性基板２４５を含む積層体２４７を剥離する。酸化モリブデン膜
は脆いため、比較的弱い力で剥離を行うことができる。なお、剥離した後、必要に応じて
非金属無機膜１０３を除去してもよい。
【０１７９】
なお、非金属無機膜１０３、有機化合物膜１０４、光電変換素子２４１ａ〜２４１ｃ、及
び可撓性基板２４５を含む積層体２４７に複数の半導体装置が含まれる場合、当該積層体
を分断して、複数の半導体装置を切り出してもよい。このような工程により、一度の剥離
工程により複数の半導体装置２４８を作製することができる。
【０１８０】
以上の工程で可撓性を有し、薄型な半導体装置を作製することができる。
【０１８１】
また、本実施の形態により作製される半導体装置を組み込むことによって、様々な電子
機器を作製することができる。電子機器としては、携帯電話、ノート型パーソナルコンピ
ュータ、ゲーム機、カーナビゲーション、携帯オーディオ機器、ハンディＡＶ機器、デジ
タルカメラやフィルムカメラやインスタントカメラ等のカメラ、室内用エアコン、カーエ
アコン、換気・空調設備、電気ポット、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶ、照明機器、照明
設備などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を以下に示す。
【０１８２】
本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、ディスプレ
イ輝度、バックライト照度の最適調整及びバッテリーセーブ用のセンサとして、携帯電話
、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、ゲーム機、カーナビゲーション、
携帯オーディオ機器などに用いることができる。また、本実施の形態の光電変換素子を太
陽電池として機能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けること
ができる。これらの半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子
機器の小型化を図ることが可能である。
【０１８３】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、バッ
クライト用ＬＥＤや冷陰極管のＯＮ／ＯＦＦ制御、バッテリーセーブ用のセンサとして、
携帯電話キースイッチ、ハンディＡＶ機器に搭載することができる。光センサを搭載する
ことにより、明るい環境ではスイッチをＯＦＦにして、長時間ボタン操作によるバッテリ
ー消耗を軽減することが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積するこ
とが可能であるため、電子機器の小型化、及び省消費電力化を図ることが可能である。
【０１８４】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、フラ
ッシュ調光、絞り制御用センサとしてデジタルカメラやフィルムカメラやインスタントカ
メラ等のカメラに搭載することが可能である。また、本実施の形態の光電変換素子を太陽
電池として機能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けることが
できる。これらの半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため、電子機
器の小型化を図ることが可能である。
【０１８５】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、風量
、温度制御用のセンサとして、室内用エアコン、カーエアコン、換気・空調設備に搭載す
ることが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積することが可能である
ため、電子機器の小型化を図ることが可能である。省電力化を図ることが可能である。
【０１８６】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、保温
温度制御用のセンサとして電気ポットに搭載することが可能である。本実施の形態の光セ
ンサにより、室内消灯後は、保温温度を低く設定することが可能である。また、小型かつ
薄型であるため、任意の場所に搭載することが可能であり、この結果省電力化をはかるこ
とが可能である。
【０１８７】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、走査
線位置調整用（ＲＧＢ走査線の位置あわせ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｕｔｏ  Ｃｏｎｖｅｒｇ
ｅｎｃｅ））センサとして、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶのディスプレイに搭載するこ
とが可能である。本発明の半導体装置は、小型であり、高集積することが可能であるため
、電子機器の小型化を図ることが可能であり、かつ任意の領域にセンサを搭載することが
可能である。また、ＣＲＴ式プロジェクションＴＶの高速自動制御が可能となる。
【０１８８】
また、本実施の形態の光電変換素子を光センサとして機能させ、当該光センサを、各種
照明機器、照明設備のＯＮ／ＯＦＦ制御用センサとして、家庭用各種照明器具、屋外灯、
街路灯、無人公共設備、競技場、自動車、電卓等に用いることができる。本発明のセンサ
により、省電力化が可能である。また、本実施の形態の光電変換素子を太陽電池として機
能させ、当該太陽電池をバッテリーとしてこれらの電子機器に設けることで、バッテリー
の大きさを薄型化することが可能となり、電子機器の小型化を図ることが可能である。
（実施の形態６）
【０１８９】
本発明により得られる液晶表示装置や発光装置によって、様々なモジュール（アクティブ
マトリクス型液晶モジュール、アクティブマトリクス型ＥＬモジュール）に用いることが
できる。即ち、それらを表示部に組み込んだ電子機器全てに本発明を実施できる。
【０１９０】
その様な電子機器としては、ビデオカメラやデジタルカメラ等のカメラ、ヘッドマウン
トディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、カーナビゲーション、プロジェクタ、カー
ステレオ、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話ま
たは電子書籍等）などが挙げられる。それらの一例を図１４に示す。
【０１９１】
図１４（Ａ）、（Ｂ）はテレビジョン装置である。表示パネルには、画素部のみが形成
されて走査線側駆動回路と信号線側駆動回路とが、ＴＡＢ方式により実装される場合と、
ＣＯＧ方式により実装される場合と、薄膜トランジスタを形成し、画素部と走査線側駆動
回路を基板上に一体形成し信号線側駆動回路を別途ドライバＩＣとして実装する場合、ま
た画素部と信号線側駆動回路と走査線側駆動回路を基板上に一体形成する場合などがある
が、どのような形態としても良い。
【０１９２】
その他の外部回路の構成として、映像信号の入力側では、チューナで受信した信号のう
ち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路と、そこから出力される信号を赤、緑、青の各
色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路と、その映像信号をドライバＩＣの入力
仕様に変換するためのコントロール回路などからなっている。コントロール回路は、走査
線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合には、信号線側に信号
分割回路を設け、入力デジタル信号を複数に分割して供給する構成としても良い。
【０１９３】
チューナで受信した信号のうち、音声信号は、音声信号増幅回路に送られ、その出力は
音声信号処理回路を経てスピーカーに供給される。制御回路は受信局（受信周波数）や音
量の制御情報を入力部から受け、チューナや音声信号処理回路に信号を送出する。
【０１９４】
表示モジュールを、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、筐体に組みこんで、テレビジ
ョン装置を完成させることができる。ＦＰＣまで取り付けられた表示パネルのことを表示
モジュールとも呼ぶ。表示モジュールにより主画面２００３が形成され、その他付属設備
としてスピーカー部２００９、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビ
ジョン装置を完成させることができる。
【０１９５】
図１４（Ａ）に示すように、筐体２００１に表示素子を利用した表示用パネル２００２
が組みこまれ、受信機２００５により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム２００４
を介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより一方向（送信者から
受信者）又は双方向（送信者と受信者間、又は受信者間同士）の情報通信をすることもで
きる。テレビジョン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ又は別体のリモコン操作
機２００６により行うことが可能であり、このリモコン装置にも出力する情報を表示する
表示部２００７が設けられていても良い。
【０１９６】
また、テレビジョン装置にも、主画面２００３の他にサブ画面２００８を第２の表示用
パネルで形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加されていても良い。この構成
において、主画面２００３を視野角の優れたＥＬ表示用パネルで形成し、サブ画面を低消
費電力で表示可能な液晶表示用パネルで形成しても良い。また、低消費電力化を優先させ
るためには、主画面２００３を液晶表示用パネルで形成し、サブ画面をＥＬ表示用パネル
で形成し、サブ画面は点滅可能とする構成としても良い。
【０１９７】
図１４（Ｂ）は例えば２０〜８０インチの大型の表示部を有するテレビジョン装置であ
り、筐体２０１０、操作部であるキーボード部２０１２、表示部２０１１、スピーカー部
２０１３等を含む。本発明は、表示部２０１１の作製に適用される。図１４（Ｂ）の表示
部は、わん曲可能な可撓性基板を用いているので、表示部がわん曲したテレビジョン装置
となっている。このように表示部の形状を自由に設計することができるので、所望な形状
のテレビジョン装置を作製することができる。
【０１９８】
本発明により、簡略な工程で表示装置を形成できるため、コストダウンも達成できる。
よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで形
成できる。
【０１９９】
勿論、本発明はテレビジョン装置に限定されず、パーソナルコンピュータのモニタをは
じめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告表示盤など大面積の
表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
【０２００】
また、図１４（Ｃ）は携帯情報端末（電子書籍）であり、本体３００１、表示部３００
２、３００３、記憶媒体３００４、操作スイッチ３００５、アンテナ３００６等を含む。
本発明の剥離方法は表示部３００２、３００３に適用することができる。可撓性基板を用
いて携帯情報端末の薄型化及び軽量化を図ることができる。
【０２０１】
本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０２０２】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態６に記載の表示部として電気泳動表示装置を用いる例を示
す。代表的には図１４（Ｃ）に示す携帯情報端末（電子書籍）の表示部３００２、または
表示部３００３に適用する。
【０２０３】
電気泳動表示装置（電気泳動ディスプレイ）は、電子ペーパーとも呼ばれており、紙と
同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能とい
う利点を有している。
【０２０４】
電気泳動ディスプレイは、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第１の
粒子と、マイナスの電荷を有する第２の粒子と、溶媒とを含むマイクロカプセルを複数有
するものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中
の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものであ
る。なお、第１の粒子または第２の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しな
いものである。また、第１の粒子の色と第２の粒子の色は異なるもの（無色を含む）とす
る。
【０２０５】
このように、電気泳動ディスプレイは、誘電定数の高い第１の粒子または第２の粒子が
高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気
泳動ディスプレイは、液晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には
必要なく、厚さや重さが半減する。
【０２０６】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、
この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。ま
た、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０２０７】
また、基板上に適宜、二つの電極の間に挟まれるように上記マイクロカプセルを複数配
置すれば表示装置が完成し、マイクロカプセルに電界を印加すれば表示を行うことができ
る。例えば、実施の形態１または２で得られるアクティブマトリクス基板を用いることが
できる。プラスチック基板に電子インクを直接印刷することも可能であるが、アクティブ
マトリクス型とした場合、熱や有機溶剤に弱いプラスチック基板上に素子を形成するより
も、ガラス基板上に素子及び電子インクを形成した後、ガラス基板を実施の形態１または
実施の形態２に従って剥離することが好ましい。
【０２０８】
なお、マイクロカプセル中の第１の粒子および第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
【０２０９】
本実施の形態は、実施の形態１、２、または６のいずれか一と自由に組み合わせること
ができる。
【実施例１】
【０２１０】
本実施例では、本発明の剥離工程前後における、半導体素子の一例である薄膜トランジ
スタの電流電圧特性の変化を示す。
【０２１１】
図１６を用いて本実施例の薄膜トランジスタの作製工程を示す。
【０２１２】
図１６（Ａ）に示すように、基板１００上にモリブデン膜１０１を形成し、モリブデン
膜１０１上に酸化モリブデン膜１０２を形成し、酸化モリブデン膜１０２上に非金属無機
膜１０３を形成し、非金属無機膜１０３上に有機化合物膜１０４を形成し、有機化合物膜
１０４上に無機絶縁膜１０５を形成し、無機絶縁膜１０５上に第１の導電膜１５１を形成
する。
【０２１３】
ここでは、基板１００としては、コーニング社製のガラス基板を用いた。
【０２１４】
また、モリブデン膜１０１としては、スパッタリング法により厚さ５０ｎｍのモリブデン
膜を形成した。ここでは、モリブデンターゲットを用い、スパッタリングガスとしては、
流量３０ｓｃｃｍのアルゴンガスを用い、チャンパー内の圧力を０．４Ｐａとし、電源パ
ワーを１．５ｋＷとした。
【０２１５】
また、酸化モリブデン膜１０２は、プラズマＣＶＤ装置のチャンバー内にＮ２Ｏガスを
充填し、プラズマを発生させてモリブデン膜１０１表面を酸化して形成した。
【０２１６】
また、非金属無機膜１０３は、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１００ｎｍの酸窒化珪素
膜を形成した。ここでは、原料ガスとして、流量１００ｓｃｃｍのＳｉＨ４及び流量１０
００ｓｃｃｍのＮ２Ｏを用い、チャンバー内の圧力を８０Ｐａとし、電源パワーを３００
ｋｗとし、成膜温度を２８０℃とした。なお、電源周波数は１３．５６ＭＨｚ、電極間距
離２４．５ｍｍ、電極サイズは６０．３ｃｍ×４９．３ｃｍ＝２９７２．８ｃｍ２である
。
【０２１７】
また、有機化合物膜１０４としては、スピンコーティング法により組成物を塗布し、８
０℃で５分加熱したのち、３００℃で３０分加熱して、厚さ１５μｍのポリイミドを形成
した。
【０２１８】
また、無機絶縁膜１０５としては、プラズマＣＶＤ法により、厚さ５０ｎｍの窒化酸化
珪素膜を形成した後、厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を形成した。ここでは、原料ガス
として、流量１５ｓｃｃｍのＳｉＨ４、流量１２００ｓｃｃｍのＨ２、流量１５０ｓｃｃ
ｍのＮＨ３及び流量２０ｓｃｃｍのＮ２Ｏを用い、チャンバー内の圧力を４０Ｐａとし、
電源パワーを２５０ｋｗとし、成膜温度を２８０℃とした。なお、電源周波数は１３．５
６ＭＨｚ、電極間距離２４．５ｍｍ、電極サイズは６０．３ｃｍ×４９．３ｃｍ＝２９７
２．８ｃｍ２である。
【０２１９】
第１の導電膜１５１としては、モリブデン膜１０１と同様の条件により、厚さ１００ｎ
ｍのモリブデン膜を形成した。
【０２２０】
次に、第１の導電膜１５１の表面改質処理を行った後、撥液膜（図示しない。）を形成
し撥液膜にＵＶ光を照射した後、第１のマスク１５２を形成した。
【０２２１】
ここでは、第１の導電膜１５１の表面には撥液膜が形成されないため、第１の導電膜の
表面を過酸化水素で短時間処理して、第１の導電膜１５１の表面改質処理を行った。また
、撥液膜は、第１のマスク１５２の形状を制御するために形成した。撥液膜の表面の表面
張力が高いと、その上に吐出される組成物の塗れ性が低く、第１のマスクが分断され、所
望の形状とならない恐れがあるため、撥液膜にＵＶ光を照射して撥液膜の表面張力を制御
した。ここでは、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを１７０℃で１０分蒸着
し、第１の導電膜表面にヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを吸着させて撥液
膜を形成した。
【０２２２】
第１のマスク１５２はインクジェット法により組成物を吐出し、１２０℃で３分加熱して
、ノボラック樹脂で形成した。
【０２２３】
次に、第１のマスク１５２に覆われていない第１の導電膜１５１をエッチングして、図
１６（Ｂ）に示すゲート電極１６１を形成した。この後、第１のマスク１５２を除去した
。
【０２２４】
ここでは、流量５０ｓｃｃｍのＣＦ４及び流量４５ｓｃｃｍのＯ２をエッチングガスと
して用い、チャンバー内の圧力を１３．３３Ｐａとし、電源パワー５００Ｗで、第１の導
電膜１５１をドライエッチングした。
【０２２５】
次に、無機絶縁膜１０５、ゲート電極１６１上にゲート絶縁膜１６２を形成し、ゲート
絶縁膜１６２上に非晶質半導体膜１６３を形成し、非晶質半導体膜１６３上にｎ型半導体
膜１６４を形成した。
【０２２６】
ゲート絶縁膜１６２としては、プラズマＣＶＤ法により厚さ３００ｎｍの窒化珪素膜を形
成し、非晶質半導体膜１６３としては、プラズマＣＶＤ法により厚さ１５０ｎｍの非晶質
珪素膜を形成し、ｎ型半導体膜１６４としては、プラズマＣＶＤ法により厚さ５０ｎｍの
ｎ型非晶質珪素膜を形成した。
【０２２７】
ここでは、ゲート絶縁膜１６２として形成した窒化珪素膜の成膜条件は、原料ガスとして
、流量４０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、流量５００ｓｃｃｍのＨ２、流量５５０ｓｃｃｍのＮＨ
３及び流量１４０ｓｃｃｍのＮ２Ｏを用い、チャンバー内の圧力を１００Ｐａとし、電源
パワーを３７０ｋｗとした。また、非晶質半導体膜１６３として形成した非晶質珪素膜の
成膜条件は、原料ガスとして、流量２８０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、及び流量３００ｓｃｃｍ
のＨ２を用い、チャンパー内の圧力を１７０Ｐａとし、電源パワーを６０ｋｗとした。ま
た、ｎ型半導体膜１６４として形成したｎ型非晶質珪素膜の成膜条件は、原料ガスとして
、流量１００ｓｃｃｍのＳｉＨ４、及び流量１７０ｓｃｃｍの０．５％ＰＨ３（水素希釈
）を用い、チャンパー内の圧力を１７０Ｐａとし、電源パワーを６０ｋｗとした。なお、
これらの成膜において、成膜温度を２８０℃とし、電源周波数は１３．５６ＭＨｚ、電極
間距離２４．５ｍｍ、電極サイズは６０．３ｃｍ×４９．３ｃｍ＝２９７２．８ｃｍ２で
ある。
【０２２８】
次に、ｎ型半導体膜１６４表面に撥液膜（図示しない。）を形成した後、第２のマスク
１６５を形成した。なお、ｎ型半導体膜１６４の表面改質処理、撥液膜の形成、及び撥液
膜のＵＶ光の照射は、第１の導電膜１５１上における第１のマスク１５２の形成前処理と
同様である。
【０２２９】
第２のマスク１６５としては、インクジェット法により組成物を吐出し、１２０℃で３
分加熱して、ノボラック樹脂で形成した。
【０２３０】
次に、第２のマスク１６５を用いてｎ型半導体膜１６４をエッチングして、図１６（Ｃ
）に示すｎ型半導体層１７２を形成し、第２のマスク１６５を用いて非晶質半導体膜１６
３をエッチングして非晶質半導体層１７１を形成した。
【０２３１】
ここでは、流量６０ｓｃｃｍのＣｌ２、流量１０ｓｃｃｍのＣＦ４をエッチングガスと
して用い、チャンバー内の圧力を１３．３Ｐａとし、電源パワー７５０Ｗの条件で非晶質
半導体膜１６３及びｎ型半導体膜１６４をドライエッチングした。この後、第２のマスク
１６５を除去した。
【０２３２】
次に、図示しないが第３のマスクをゲート絶縁膜１６２上に形成し、ゲート絶縁膜１６
２の一部をエッチングして、ゲート電極１６１の一部を露出するコンタクトホールを形成
した。この後、第３のマスクを除去した。
【０２３３】
ここでは、流量３５ｓｃｃｍのＣＨＦ３をエッチングガスとして用い、チャンバー内の
圧力を３．３３Ｐａとし、電源パワー１０００Ｗでゲート絶縁膜１６２をドライエッチン
グした。
【０２３４】
次に、ゲート電極１６１、ゲート絶縁膜１６２、非晶質半導体層１７１、ｎ型半導体層
１７２の露出部に第２の導電膜１７３を形成した。次に、図示しないが、第２の導電膜１
７３の表面改質処理を行った後、撥液膜を形成し、撥液膜の表面にＵＶ光を照射した後、
第４のマスク１７４、１７５を形成した。なお、第２の導電膜１７３の表面改質処理、撥
液膜の形成、及び撥液膜のＵＶ光の照射は、第１の導電膜１５１上における第１のマスク
１５２の形成前処理と同様である。
【０２３５】
ここでは、第２の導電膜１７３として、第１の導電膜１５１と同様の条件により、厚さ
２００ｎｍのモリブデン膜を形成した。また、第４のマスク１７４、１７５としては、第
１のマスク１５２と同様の条件により、ノボラック樹脂で形成した。
【０２３６】
次に、第４のマスク１７４、１７５を用いて第２の導電膜１７３をエッチングして、図
１６（Ｄ）に示すソース電極及びドレイン電極１８１、１８２を形成した。また、図示し
ないが、ゲート電極１６１に接続する接続配線も形成した。
【０２３７】
ここでは、燐酸、酢酸、及び硝酸の混合溶液を用いたウェットエッチングで第２の導電膜
１７３をエッチングした。この後、第４のマスク１７４、１７５を除去した。
【０２３８】
次に、ソース電極及びドレイン電極１８１、１８２をマスクとしてｎ型半導体層１７２
をエッチングしてソース領域及びドレイン領域１８３、１８４を形成した。このとき、非
晶質半導体層１７１も若干エッチングされた。このときの非晶質半導体層を非晶質半導体
層１８５と示す。
【０２３９】
次に、ゲート絶縁膜１６２、ソース電極及びドレイン電極１８１、１８２、非晶質半導
体層１８５の露出部に第３の絶縁膜１８６を形成した。第３の絶縁膜１８６はパッシベー
ション膜として機能する。
【０２４０】
ここでは、第３の絶縁膜１８６として、ゲート絶縁膜１６２と同じ成膜条件で厚さ２０
０ｎｍの窒化珪素膜を形成した。
【０２４１】
次に、第３の絶縁膜１８６上に第５のマスク１８７〜１８９を形成した後、第３の絶縁
膜１８６をエッチングして、絶縁膜１９１を形成すると共に、ソース電極及びドレイン電
極１８１、１８２、並びにゲート電極接続する接続配線のそれぞれ一部を露出した。当該
工程により、作製された薄膜トランジスタの電流電圧特性を測定することができる。この
後、第５のマスク１８７〜１８９を除去した。
【０２４２】
ここでは、ゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成したときと同様の条件により、ドラ
イエッチングで第３の絶縁膜１８６をエッチングした。
【０２４３】
次に、薄膜トランジスタの電流電圧特性を向上させるため、加熱処理を行った。ここで
は、２５０℃１２分の加熱を行った。当該加熱によりオフ電流（Ｉｏｆｆ）を低減させる
ことが可能である。以上により薄膜トランジスタ１９２を作製した。
【０２４４】
ここで、薄膜トランジスタ１９２の電流電圧特性を測定した。この測定結果を図１７（
Ａ）に示す。
【０２４５】
次に、基板の端部に補強用テープを貼り付け、当該テープ側から基板１００にかけて切り
込みを入れた後、図１６（Ｆ）に示すように、基板１００から非金属無機膜１０３を分離
した。ここでは、酸化モリブデン膜１０２で分離が生じ、基板１００から非金属無機膜１
０３が分離した図を示す。
【０２４６】
次に、基板１００から剥離した薄膜トランジスタ１９２の電流電圧特性を測定した結果を
図１７（Ｂ）に示す。また、図１７（Ａ）及び（Ｂ）の測定結果を表１に示す。なお、測
定した薄膜トランジスタのチャネル長は５０μｍであり、チャネル幅は１７０μｍであっ
た。
【０２４７】
【表１】
0006014195.tif 000002
図１７から、剥離の前後において、薄膜トランジスタの電流電圧特性及び移動度がほぼ変
化していないことがわかる。
【０２４８】
以上のことから、基板上に形成した薄膜トランジスタの特性の低下を回避しつつ、可撓性
を有する半導体装置を作製することができることがわかる。
【図１】
0006014195.tif 000003
【図２】
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【図３】
0006014195.tif 000005
【図４】
0006014195.tif 000006
【図５】
0006014195.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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