(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に複数のＬＥＤダイを実装したＬＥＤモジュールにおいて、
少なくとも前記ＬＥＤダイの実装領域の中央部において前記ＬＥＤダイがひし形の格子状に配列し、
前記ＬＥＤダイの実装領域及び前記実装領域を囲むダム材が略円形であり、
前記ＬＥＤダイが直列接続し一本のＬＥＤ列を形成し、
前記ＬＥＤ列が第１部分ＬＥＤ列と第２部分ＬＥＤ列からなり、
前記第１部分ＬＥＤ列と前記第２部分ＬＥＤ列の接続点にバイパス回路が接続し、
前記実装領域には前記第２部分ＬＥＤ列の一部が実装される実装部と、前記第２部分ＬＥＤ列の他の一部が実装される実装部があり、
前記第２部分ＬＥＤ列の二つの実装部で前記第１部分ＬＥＤ列の実装部を挟み込み、
前記第１部分ＬＥＤ列の前記実装部と前記第２部分ＬＥＤ列の前記実装部が共通の対称軸を有する
ことを特徴とするＬＥＤモジュール。
【請求項２】
前記バイパス回路が第１電流入力端子と第２電流入力端子を備え、前記第１部分ＬＥＤ列と前記第２部分ＬＥＤ列の接続点に前記第１電流入力端子が接続し、前記第２部分ＬＥＤ列を流れる電流が前記第２電流入力端子に入力し、前記バイパス回路が前記第２電流入力端子に入力する電流により前記第１電流入力端子に入力する電流を制限していることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
前記バイパス回路は、ディプレッション型のＦＥＴと抵抗からなり、前記第１電流入力端子には前記ＦＥＴのドレインが接続し、前記第２電流入力端子には前記ＦＥＴのソースと前記抵抗の一端が接続し、前記ＦＥＴのゲートと前記抵抗の他端の接続部から電流が流出することを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
前記バイパス回路に含まれる前記ＦＥＴがベアチップであり、前記回路基板にダイボンディングされていることを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
前記ＬＥＤ列に全波整流波形を印加することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のＬＥＤダイを回路基板に実装したＬＥＤモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハーから切り出したベアチップの半導体発光素子（以下ＬＥＤダイと呼ぶ）を回路基板上に多数実装したＬＥＤモジュールが知られている。このＬＥＤダイは回路基板上において格子状に配列されることが多く、その格子形状は長方形であったり、ひし形であったりする。
【０００３】
例えば特許文献１の図１にはＬＥＤダイがひし形の格子状に配列している発光体（ＬＥＤモジュール）が示されている。特許文献１の図１を図５に再掲示し、発光体の構造を説明する。図５は発光体１の概略平面図である。ＬＥＤベアチップ４（ＬＥＤダイ）は図の上下方向に４本の列で配列しており、各列には４個のＬＥＤベアチップ４が含まれる。また各ＬＥＤベアチップ４は図の横方向で近接しないように配置されている。このようにして各ＬＥＤベアチップ４はひし形の格子を形成する。また各ＬＥＤベアチップ４は、６角形の金属製のパッド３上にダイボンディングされている。このようにして発光体１は、金属製のパッド３により高い発光効率と良好な熱伝導性を備えながら、ひし形の格子配置にすることで高い実装密度を保持している。
【０００４】
なお発光体１は各列ごとに４個づつワイヤ１２，１３で直列接続している。このとき端部のＬＥＤベアチップ４は配線パターン７と接続している。またＬＥＤベアチップ４は矩形の被覆板１６の収納部１４に実装されており、被覆板１６の切り欠き部１６には電源端子１７が形成されている。なお基板２（回路基板）はアルミ板上に絶縁層４を備えたものであり、各ＬＥＤベアチップ４は透明樹脂５で被覆されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３８９７２号公報  （図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図５に示したＬＥＤモジュール（発光体１）のようにＬＥＤダイ（各ＬＥＤベアチップ４）の実装領域が略正方形であると、例えば図５の縦及び横方向が明るく、図の斜め方向が暗くなることが確認されている。すなわち図５に示したようなＬＥＤモジュール（発光体１）には配光ムラがある。
【０００７】
そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、複数のＬＥＤダイを回路基板に実装する際、発光効率を高くしても配光ムラが小さいＬＥＤモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＬＥＤモジュールは、回路基板上に複数のＬＥＤダイを実装したＬＥＤモジュールにおいて、少なくとも前記ＬＥＤダイの実装領域の中央部において前記ＬＥＤダイがひし形の格子状に配列し、前記ＬＥＤダイの実装領域及び前記実装領域を囲むダム材が略円形であり、前記ＬＥＤダイが直列接続し一本のＬＥＤ列を形成し、前記ＬＥＤ列が第１部分ＬＥＤ列と第２部分ＬＥＤ列からなり、前記第１部分ＬＥＤ列と前記第２部分ＬＥＤ列の接続点にバイパス回路が接続し、前記実装領域には前記第２部分ＬＥＤ列の一部が実装される実装部と、前記第２部分ＬＥＤ列の他の一部が実装される実装部があり、前記第２部分ＬＥＤ列の二つの実装部で前記第１部分ＬＥＤ列の実装部を挟み込み、前記第１部分ＬＥＤ列の前記実装部と前記第２部分ＬＥＤ列の前記実装部が共通の対称軸を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のＬＥＤモジュールは、少なくともＬＥＤダイを実装した領域の中央部においてＬＥＤダイがひし形の格子状に配列している。つまり実装領域の中央部でＬＥＤダイの配列がひし形の格子を形成していれば、実装領域全体にわたりＬＥＤダイの配列が概ねひし形の格子状になる。このようにＬＥＤダイを配置すると、ＬＥＤダイの側面から回路基板表面に沿うようにして出射する光線が、隣接するＬＥＤダイの側面にあたりにくくなるため、回路基板面で効率よく反射し、ＬＥＤモジュールの発光効率が向上する。
【００１０】
このときＬＥＤダイの実装領域を円形とすると配光ムラが軽減することを確認した。さらに本発明のＬＥＤモジューではＬＥＤダイを直列接続しＬＥＤ列を形成させている。このためＬＥＤ列を折り曲げるようにして配置及び接続させることが可能になり、配置に関わる自由度が増すことにより略円形の実装領域であっても実装可能となる。
【００１２】
ＬＥＤ列全体に高い電圧を印加する場合、第１部分ＬＥＤ列と第２部分ＬＥＤ列がともに点灯する。これに対しＬＥＤ列に低い電圧を印加した場合は、第１部分ＬＥＤ列からバイパス回路に電流が流れ、第１部分ＬＥＤ列のみが点灯する。このとき第２第１部分ＬＥＤ列の実装部が分割されているため、第１部分ＬＥＤ列の実装部をＬＥＤ列全体の実装領域の中央部に配置できる。すなわちＬＥＤ列に印加する電圧が低いときであっても発光分布の偏りを少なくできる。
【００１３】
前記バイパス回路が第１電流入力端子と第２電流入力端子を備え、前記第１部分ＬＥＤ列と第２部分ＬＥＤ列の接続点に前記第１電流入力端子が接続し、前記第２部分ＬＥＤ列を流れる電流が前記第２電流入力端子に入力し、前記バイパス回路が前記第２電流入力端子に入力する電流により前記第１電流入力端子に入力する電流を制限しても良い。
【００１４】
前記バイパス回路は、ディプレッション型のＦＥＴと抵抗からなり、前記第１電流入力端子には前記ＦＥＴのドレインが接続し、前記第２電流入力端子には前記ＦＥＴのソースと前記抵抗の一端が接続し、前記ＦＥＴのゲートと前記抵抗の他端の接続部から電流が流出するようにしても良い。
【００１５】
前記バイパス回路に含まれる前記ＦＥＴがベアチップであり、前記回路基板にダイボンディングされていても良い。
【００１６】
前記ＬＥＤ列に全波整流波形を印加しても良い。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように本発明のＬＥＤモジュールは、複数のＬＥＤダイを略ひし形の格子状に配列することにより発光効率を向上させている。このときＬＥＤダイを直列接続し、これで形成したＬＥＤ列を折り曲げるようにして各ＬＥＤダイを配置及び接続することにより、円形の実装領域にＬＥＤダイを適切に配列し配光ムラを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明のＬＥＤモジュールの外形図。
【図２】図１に示すＬＥＤモジュールから蛍光樹脂を除いた状態の平面図。
【図３】図１に示すＬＥＤモジュールの実体的な回路図。
【図４】図１に示すＬＥＤモジュールの回路図。
【図５】従来例として示したＬＥＤモジュールの概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図１〜４を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。さらに特許請求の範囲に記載した発明特定事項との関係をカッコ内に記載している。
【００２０】
先ず図１によりＬＥＤモジュール１００の外観を説明する。図１はＬＥＤモジュール１００の外形図であり、（ａ）が平面図、（ｂ）が正面図である。回路基板１１１上には円形のダム材１１２と一辺が欠けた矩形状のダム材１１４がある。ダム材１１２の内側の領域には蛍光樹脂１１３が充填され、ダム材１１２とダム材１１４で囲まれた領域には蛍光樹脂１１５が充填されている。なおダム材１１２とダム材１１４で囲まれた領域は図の上下２箇所にある。また回路基板１１１上の配線パターンは図示していない。
【００２１】
次に図２によりＬＥＤモジュール１００の電子部品の配置を説明する。図２は図１に示したＬＥＤモジュール１００から蛍光樹脂１１３，１１５をとり除いた状態の平面図であり、ダム材１１２，１１４の内側の領域を示している。なお回路基板１１１及び回路基板１１１上の配線パターンは図示していない。
【００２２】
図２において、回路基板１１１上には８３個のＬＥＤダイ２１（以下、個別のＬＥＤダイについては必要に応じてサフィックスをつけて区別する）と、２個のＦＥＴ３２４，３４４（ベアチップ状態のディプレッション型のＦＥＴ）と、２個の抵抗３２５，３４５が搭載されている。ＬＥＤダイ２１の実装領域は略円形であり、円形のダム材１１２により周囲を囲まれている。またＦＥＴ３２４，３４４と抵抗３２５，３４５を実装した領域はダム材１１２の円弧とダム材１１４により囲まれている。なお回路基板１１１の配線パターン（図示せず）は上面（表面）だけに形成されており、回路基板１１１にスルーホールはない。
【００２３】
ＬＥＤダイ２１は５００μｍ×２９０μｍ、ＦＥＴ３２４，３４４は１．５ｍｍ×１．５ｍｍ、抵抗３２５，３４５は５００μｍ×５００μｍである。回路基板１１１は熱伝導性と反射率を考慮してアルミナを使用した。図示していない配線パターンはＡｇ上にＮｉ，Ｐｄ，Ａｕを積層している。ダム材１１２，１１４はシリコーン樹脂からなり、太さが０．７〜１．０ｍｍであり、高さが０．５〜０．７ｍｍである。図１に示した蛍光樹脂１１３，１１５は蛍光体を含有したシリコーン樹脂であり、厚さが４００〜８００μｍ程度である。なお蛍光樹脂１１３の厚さはその変動が色度ずれを引き起こすので厳密に管理しなければならないが、これに比べ蛍光樹脂１１５の厚さは精度を緩くして良い。なおＦＥＴ３２４，３４４の被覆材を蛍光樹脂１１５としても光による誤動作はなかった。
【００２４】
次に図１，２を参照してＬＥＤモジュール１００の製造方法を説明する。まず回路基板１１１上にＬＥＤダイ２１、ＦＥＴ３２４，３４４及び抵抗３２５，３４５をダイボンディングし、その後ワイヤボンディングする。次にディスペンサで硬化前のダム材１１２，１１４を配置し、ダム材１１２，１１４を約１５０℃で硬化させる。ＬＥＤダイ２１の実装領域では蛍光樹脂１１３の厚さを精度良く管理しなければならないためダム材１１２の外形も高精度に形成する必要がある。これに比べダム材１１４の精度は緩くて良い。最後にディスペンサでＬＥＤダイ２１の実装領域並びにＦＥＴ３２４，３４４及び抵抗３２５
，３４５の実装領域に蛍光樹脂１１３，１１５を塗布する。蛍光樹脂１１３，１１５の焼結温度は約１５０℃であり、焼結後の蛍光樹脂１１３の厚さばらつきは１００μｍ以内が好ましい。
【００２５】
ＬＥＤダイ２１を実装した領域の中央部では、近接しあう４個のＬＥＤダイ２１は、それぞれを頂点とし、図の縦方向に潰れたひし形をなすよう配列している。このひし形をセルとする格子配列は、実装領域の周辺部ではＬＥＤダイ２１がなくなるため当然周期性はなくなるが、これとは別に寸法調整のため周期性を失うこともある。なお全体的にＬＥＤダイ２１の配列がひし形格子を形成していれば、ＬＥＤダイ２１の側面から回路１１１の表面に沿うようにして出射する光線が、図の横方向で隣接するＬＥＤダイ２１にあたりにくくなっているため、回路基板１１１（図示せず）の表面で効率よく反射し、ＬＥＤモジュール１００の発光効率が向上する。このときＬＥＤダイ２１の実装領域を円形とすることにより配光ムラが軽減することを確認した。
【００２６】
ＬＥＤダイ２１は回路基板１１１（図示せず）にダイボンディングされ、ワイヤ２２により接続している。なおＬＥＤダイ２１ａ〜ｇは一方のワイヤ２２が配線パターン（図示せず）に接続している。ＬＥＤダイ２１は全体で一本の直列接続したＬＥＤ列を構成しており、このＬＥＤ列のアノードはＬＥＤダイ２１ｃの一方のワイヤ２２が相当し、カソードはＬＥＤダイ２１ｄの一方のワイヤ２２が相当する。このときＬＥＤダイ２１ｆとＬＥＤダイ２１ｇは図示していない配線パターンで接続している。同様にＬＥＤダイ２１ａとＬＥＤダイ２１ｂも図示していない配線パターンで接続している。
【００２７】
ＦＥＴ３２４は底面がドレインであり、導電性ペーストで配線パターン（図示せず）にダイボンディングされている。この配線パターンによりＦＥＴ３２４のドレインはＬＥＤダイ２１ａ，２１ｂと接続している。ＦＥＴ３２４のゲートとソースはワイヤ２２で図示していない別の配線パターンと接続する。抵抗３２５も回路基板１１１にダイボンディングされ、ワイヤ２２で図示していない配線パターンと接続する。ＦＥＴ３４４も底面がドレインであり、導電性ペーストで配線パターン（図示せず）にダイボンディングされている。この配線パターンによりＦＥＴ３４４のドレインはＬＥＤダイ２１ｄと接続している。ＦＥＴ３４４のゲートとソースはワイヤ２２で図示していない別の配線パターンと接続する。抵抗３４５も回路基板１１１にダイボンディングされ、ワイヤ２２で図示していない配線パターンと接続する。なおＬＥＤダイ２１及び抵抗３２５，３４５の底面は絶縁されている。
【００２８】
この接続状態を図３により説明する。図３は図１に示すＬＥＤモジュール１００の実体的な回路図であり、図２で示した電子部品と図３で示した電子部品は相対的な位置関係が一致している。あわせてＬＥＤダイ２１の向きも明示している。ＬＥＤダイ２１は直列接続しており、ＬＥＤ列は、ＬＥＤダイ２１ｃから始まり、途中ＬＥＤダイ２１ａ，２１ｂ，２１ｄ，２１ｇを通り、ＬＥＤダイ２１ｄで終わっている。ＬＥＤダイ２１ｃからＬＥＤダイ２１ａに至る部分（第１部分ＬＥＤ列、図４で示す部分ＬＥＤ列３１０）の実装部は実装領域全体の中央部にあり、ＬＥＤ２１ｂからＬＥＤ２１ｄに至る部分ＬＥＤ列３３０ａ（第２部分ＬＥＤ列の一部、図４で示す部分ＬＥＤ列３３０の一部分）の実装部とＬＥＤ２１ｇからＬＥＤ２１ｄに至る部分ＬＥＤ列３３０ｂ（第２部分ＬＥＤ列の他の一部、図４で示す部分ＬＥＤ列３３０の一部分）の実装部に挟まれている。ＦＥＴ３２４と抵抗３２５が図４で後述するバイパス回路３２０となり、ＦＥＴ３４４と抵抗３４５が図４で後述する電流制限回路３４０となる。端子Ａ，Ｂはそれぞれ電流が流入及び流出する端子である。また図３において配線が交差していないため、図２の説明のなかで述べたように回路基板１１１（図１参照）にスルーホールを設けなくても良くなる。
【００２９】
次に図４によりＬＥＤモジュール１００の動作について説明する。図４はＬＥＤモジュ
ール１００と周辺回路の回路図である。なお図３の回路図と図４に示したＬＥＤモジュール１００の回路図は等価であり、各電子部品は共通の符号を用いている。また図４の回路には、ＬＥＤモジュール１００とともにブリッジ整流回路３０５と商用交流電源３０６が書き加えられている。ブリッジ整流回路３０５は４個のダイオード３０１，３０２，３０３，３０４からなり、端子Ａが全波整流波形の出力端子であり、端子Ｂが基準電圧を与える端子となる。商用交流電源３０６はブリッジ整流回路３０５の入力端子に接続している。
【００３０】
ＬＥＤモジュール１００は、部分ＬＥＤ列３１０（第１部分ＬＥＤ列）、部分ＬＥＤ列３３０（第２部分ＬＥＤ列）、バイパス回路３２０、電流制限回路３４０からなる。部分ＬＥＤ列３１０と部分ＬＥＤ列３３０とが直列接続しＬＥＤモジュール１００全体のＬＥＤ列を構成する。部分ＬＥＤ列３１０内ではＬＥＤダイ２１ｃ，２１ａを含む多数のＬＥＤダイ２１（図２参照）が直列接続しており、同様に部分ＬＥＤ列３３０内でもＬＥＤダイ２１ｂ、２１ｄを含む多数のＬＥＤダイ２１が直列接続している。部分ＬＥＤ列３１０のアノードはブリッジ整流回路３０５のＡ端子に接続している。部分ＬＥＤ列３１０，３３０の接続部はバイパス回路３２０の電流入力端子３２１（第１電流入力端子）と接続している。部分ＬＥＤ列３３０のカソードは電流制限回路３４０の電流入力端子３４１に接続している。
【００３１】
バイパス回路３２０は、電流入力端子３２１（第１電流入力端子）、電流入力端子３２２（第２電流入力端子）、電流出力端子３２３を備えている。電流入力端子３２２は電流制限回路３４０の電流出力端子３４３と接続している。電流出力端子３２３はブリッジ整流回路３０５のＢ端子に接続している。バイパス回路３２０は、ディプレッション型のＦＥＴ３２４及び抵抗３２５からなり、電流入力端子３２１にＦＥＴ３２４のドレインが接続し、電流入力端子３２２にＦＥＴ３２４のソースと抵抗３２５の一端が接続し、電流出力端子３２３にＦＥＴ３２４のゲートと抵抗３２５の他端が接続している。またバイパス回路３２０は、電流入力端子３２２から流入する電流により電流入力端子３２１から流入する電流を制限する。
【００３２】
電流制限回路３４０は、バイパス回路３２０と略同じ回路構成であり、相違点はバイパス回路３２０の電流入力端子３２２に相当するものがないことだけである。ＦＥＴ３４４、抵抗３４５の結線もバイパス回路３２０と等しい。なおＬＥＤダイ２１の順方向電圧降下量が３Ｖ程度なので、部分ＬＥＤ列３１０の閾値は約１５０Ｖ、部分ＬＥＤ列３３０の閾値は約９０Ｖとなり、ＬＥＤモジュール１００は実効値が２４０Ｖとなる商用交流電源３０６に対応している。また抵抗３４５は、抵抗３２５よりも値が小さく、抵抗３４５と抵抗３２５の抵抗値の比を１：２にしている。
【００３３】
次に図４によりＬＥＤモジュール１００の点灯状況を説明する。全波整流波形の電圧が上昇し、部分ＬＥＤ列３１０の閾値を越えると、部分ＬＥＤ列３１０とバイパス回路３２０に電流が流れ部分ＬＥＤ列３１０が点灯する。このとき抵抗３２５からＦＥＴ３２４のソースにフィードバックが掛かり、バイパス回路３２０は定電流動作する。さらに全波整流波形の電圧が上昇し、部分ＬＥＤ列３１０の閾値と部分ＬＥＤ列３３０の閾値の和よりも大きくなると、部分ＬＥＤ列３３０及び電流制限回路３４０にも電流が流れ始める。電流入力端子３２２に電流が入力するようになると、ＦＥＴ３２４はソース電圧が上昇し、ソース−ゲート間の電圧が広がるためカットオフする。このとき抵抗３４５からＦＥＴ３４４にフィードバックがかかり、電流制限回路３４０は定電流動作する。このようにして部分ＬＥＤ列３１０と部分ＬＥＤ列３３０が点灯する。なお全波整流波形の電圧が下降する期間では、全波整流波形の電圧が上昇する期間の逆の過程を辿る。
【００３４】
ＬＥＤモジュール１００は、ＬＥＤダイ２１が長いＬＥＤ列を形成しているため、この
長いＬＥＤ列を折り曲げるようにしてＬＥＤダイ２１を配置できるので、実装領域が円形であってもＬＥＤダイを過不足なく配置できる。このようにして実装部を円形にしたことで配光ムラを改善していたが、さらにＬＥＤモジュール１００は部分ＬＥＤ列３１０と部分ＬＥＤ列３３０の実装部の割り振り方で配光分布を改善している。前述のように部分ＬＥＤ列３３０（図４参照）の実装部が二つに分かれており（図３において部分ＬＥＤ列３３０ａと部分ＬＥＤ列３３０ｂとして示していることに対応する）、部分ＬＥＤ列３１０（図４参照）の実装部が部分ＬＥＤ列３３０の二つの実装部に挟まれている。そして部分ＬＥＤ列３１０と部分ＬＥＤ列３３０の接続点にバイパス回路２２０が接続していた。このため全波整流波形の電圧が低いうちはＬＥＤ列３１０が点灯し、実装領域全体の中央部が発光する。その後全波整流波形の電圧が上昇すると部分ＬＥＤ列３３０が点灯し実装領域全体が発光する。すなわち全波整流波形の低電圧位相でも高電圧位相でも配光分布が共通の対称軸をもっているため、ＬＥＤモジュール１００が長いＬＥＤ列を折り曲げるようにしてＬＥＤダイ２１を配置しても配光分布を劣化させていない。
【００３５】
またＬＥＤモジュール１００ではバイパス回路３２０がディプレッション型のＦＥＴ３２４と抵抗３２５からなるだけであった（図４参照）。このため図３の説明のなかで述べたように配線を交差させないで回路図が描けるようになったため、回路基板１１１（図１参照）表面上の配線パターンとワイヤ２２（図１参照）だけで各電子部品を接続でき、さらに電力供給用の端子Ａ，Ｂ（図３参照）も確保できた。さらにバイパス回路３２０はＬＥＤ列３３０（図４参照）を流れる電流がバイパス回路３２０の第２の電流入力端子３２２（図４参照）に入力し、第１の電流入力端子３２１（図４参照）から流れ込む電流を制限していたため、バイパス回路３２０には制御配線が存在しない。このことも回路基板１１１上の配線パターンを単純化するのに役立っている。
【００３６】
またＬＥＤモジュール１００ではＦＥＴ３２４，３４４と抵抗３２５，３４５をダイボンディング及びワイアボンディングで実装していた。ＦＥＴや抵抗は表面実装用のチップ部品でも良いが、ＬＥＤモジュール１００のような実装方式とすることにより、小型化を図ると共にＬＥＤダイ２１の実装方法と共通化させることができる。なおＬＥＤダイをフリップチップ実装しても良い。この場合は接続用のワイヤが不要になるため、ワイヤの影がなくなりＬＥＤモジュールの発光効率が向上する。
【符号の説明】
【００３７】
１００…ＬＥＤモジュール、
１１１…回路基板、
１１２，１１４…ダム材、
１１３，１１５…蛍光樹脂、
２１，２１ａ〜ｇ…ＬＥＤダイ、
２２…ワイヤ、
３０１，３０２，３０３，３０４…ダイオード、
３０５…ブリッジ整流回路、
３０６…商用交流電源、
３１０…部分ＬＥＤ列（第１部分ＬＥＤ列）、
３２０…バイパス回路、
３２１…電流入力端子（第１電流入力端子）、
３２２…電流入力端子（第２電流入力端子）、
３２３，３４３…電流出力端子、
３２４，３４４…ＦＥＴ、
３２５，３４５…抵抗、
３３０…部分ＬＥＤ列（第２部分ＬＥＤ列）、
３３０ａ，３３０ｂ…部分ＬＥＤ列（第２部分ＬＥＤ列の一部）、
３４０…電流制限回路、
３４１…電流入力端子。
【図１】
0005858852.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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