(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理工程がなされる基板処理室、
前記基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体、
エッジが前記リブ構造体に固定して載置される誘電体、および
前記誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して前記誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナ、
を含み、
前記リブ構造体は、
中央頂点から下に向かって放射状に伸びた第１構造体、および前記第１構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第２構造体、
を含み、
前記誘電体は、前記リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成される、
基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理室と接する前記リブ構造体の最下端において、前記第１構造体間の距離はすべて同じである、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１構造体と前記第２構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、
前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
プラズマ処理工程がなされる基板処理室、
前記基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体、
エッジが前記リブ構造体に固定して載置される誘電体、および
前記誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して前記誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナ、
を含み、
前記リブ構造体は、
互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第３構造体、および
前記第３構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第４構造体、
を含み、
前記誘電体は、前記リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成される、
基板処理装置。
【請求項５】
前記第３構造体は同じ方向に曲がっており、前記第３構造体のうちで中央に位置する第３構造体である程、大きい高さで形成される、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第３構造体と前記第４構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、
前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記リブ構造体は、前記第３構造体と直交する方向に沿って曲がった中央構造体をさらに含む、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
プラズマ処理工程がなされる基板処理室、
前記基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体、
エッジが前記リブ構造体に固定して載置される誘電体、および
前記誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して前記誘電体の内側空間で誘導電磁場を形成するアンテナ、
を含み、
前記リブ構造体は、
互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第５構造体、および
直線上に配置され、前記第５構造体と交差する第６構造体、
を含み、
前記誘電体は、前記リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成される
基板処理装置。
【請求項９】
前記第５構造体は同じ方向に曲がっており、同じ長さで形成され、
前記第６構造体は、前記第５構造体の長さ方向に沿って等間隔に配置される、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第５構造体と前記第６構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、前記ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、
前記ベース支持台の外面と前記突出部の側面が前記誘電体のエッジを支持する載置部を構成する、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記誘電体のうちのいずれか１つの誘電体に、反応ガスを注入するためのガス注入口が形成される、請求項１〜１０のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
薄膜トランジスタとキャパシタを含む駆動回路部を形成する段階、および
前記駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子を製造する段階、
を含み、
前記駆動回路部と前記有機発光素子のうちの少なくとも１つを製造する段階において、
請求項１〜１１のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも１つの工程を実行する、有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマを利用した基板処理装置に関し、より詳細には、誘導結合型プラズマを利用した大面積基板処理装置、およびこれを利用した有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマとは、イオン、電子、ラジカルなどからなるイオン化されたガス状態を意味し、高温や強い電界、または高周波電子系（ＲＦ  ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄｓ）によって生成される。基板処理装置はこのようなプラズマを利用して、エッチング、蒸着、またはアッシングなどの処理を行う装置である。
【０００３】
基板処理装置は、プラズマ生成エネルギー源に応じて、蓄電容量性プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）処理装置、誘導結合型プラズマ（ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）処理装置、およびマイクロ波プラズマ（ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｐｌａｓｍａ）処理装置などに分類される。
【０００４】
このうち、誘導結合型プラズマ処理装置は、誘電体と、誘電体を支持する支持体と、誘電体上に配置されたアンテナと、アンテナに連結した高周波電源などを含む。誘導結合型プラズマ処理装置は、構成が単純であり、数ミリトール（ｍＴｏｒｒ）の低い圧力で比較的に高密度のプラズマを生成することができるため、幅広く用いられている。
【０００５】
最近、ディスプレイ用基板の大面積化に伴い、基板処理装置の大型化も進んでいる。この場合、誘電体の荷重および真空状態における応力集中によって誘電体が破損することがあるため、支持体のサイズを拡大させ、誘電体を安定的に支持しなければならない。しかし、支持体はアルミニウムまたはステンレス鋼のような金属で製造されるため、アンテナから誘導される電磁場を遮蔽させ、電力損失を誘発するという限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、大面積基板処理装置において、誘電体の破損を防ぎ、支持体サイズの拡大による電磁場の遮蔽を抑制し、電力損失を最小化することができる、プラズマを利用した基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、基板処理装置を利用した有機発光表示装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る基板処理装置は、プラズマ処理工程が行われる基板処理室と、基板処理室の上部に設置され、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成されるリブ構造体と、エッジがリブ構造体に固定して載置する誘電体と、誘電体それぞれの上部に位置し、高周波電源と連結して誘電体の内側空間に誘導電磁場を形成するアンテナとを含む。
【０００９】
リブ構造体は、中央頂点から下に向かって放射状に伸びた第１構造体と、第１構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第２構造体とを含んでもよい。
【００１０】
基板処理室と接するリブ構造体の最下端において、第１構造体間の距離はすべて同じであってもよい。第２構造体は、第１構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、第２構造体の両端が第１構造体に結合してもよい。
【００１１】
第１構造体と第２構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。
【００１２】
他の一側において、リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第３構造体と、第３構造体と交差するように円周方向に沿って位置する第４構造体とを含んでもよい。
【００１３】
第３構造体は同じ方向に曲がっており、第３構造体のうちで中央に位置する第３構造体である程、大きい高さで形成されてもよい。第４構造体は、第３構造体間の間隔および曲率に合わせて個別に製作され、第４構造体の両端が第３構造体に結合してもよい。
【００１４】
第３構造体と第４構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。
【００１５】
リブ構造体は、第３構造体と直交する方向に沿って曲がった中央構造体をさらに含んでもよい。
【００１６】
他の一側において、リブ構造体は、互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった第５構造体と、直線上に配置され、第５構造体と交差する第６構造体とを含んでもよい。
【００１７】
第５構造体は同じ方向に曲がっており、同じ長さで形成され、第６構造体は第５構造体の長さ方向に沿って等間隔に配置されてもよい。第６構造体は、第５構造体間の間隔に対応する長さで個別に製作され、第６構造体の両端が第５構造体に結合してもよい。
【００１８】
第５構造体と第６構造体それぞれは、基本骨格をなすベース支持台と、ベース支持台の外面中央に形成された突出部とを含み、ベース支持台の外面と突出部の側面が誘電体のエッジを支持する載置部を構成してもよい。
【００１９】
誘電体は、リブ構造体によって区画された空間のサイズおよび曲率に対応するように形成されてもよい。誘電体のうちのいずれか１つの誘電体に、反応ガスを注入するためのガス注入口が形成されてもよい。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタとキャパシタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子を製造する段階とを含む。駆動回路部と有機発光素子のうちの少なくとも１つを製造する段階において、上述した基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも１つの工程が行われる。
【発明の効果】
【００２１】
大面積基板を処理するための基板処理装置において、リブ構造体を少なくとも一方向に曲がった３次元構造物で形成することにより、形状的な安全性を高めて誘電体を安定的に支持し、リブ構造体の幅を減らしてアンテナから誘導される電磁場の遮蔽を抑制することができる。したがって、リブ構造体による電力損失を最小化し、基板の処理効率を向上させることができる。さらに、上述した基板処理装置を利用して、大面積有機発光表示装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示す基板処理装置を示す断面図である。
【図３】図１に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。
【図４】図３のＩ−Ｉ線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置のうち、リブ構造体と誘電体を示す斜視図である。
【図６】図５のＩＩ−ＩＩ線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。
【図７】図１に示すアンテナの連結状態を示す概略図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図９】図８に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す配置図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿って切開した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様に相違した形態に実現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
【００２４】
図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図であり、図２は図１に示す基板処理装置を示す断面図である。
【００２５】
図１と図２を参照すれば、第１実施形態の基板処理装置１００は、基板処理室１０、リブ構造体２０、複数の誘電体３０、および複数のアンテナ４０を含む。第１実施形態の基板処理装置１００は、アンテナ４０を利用して基板処理室１０に誘導電磁場を形成し、誘導電磁場によって生成されたプラズマを利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングなどの基板処理を行う。
【００２６】
基板処理室１０は、プラズマを利用した基板処理工程が行われる空間を提供する。基板処理室１０は大体的に直六面体形状であってもよく、基板処理室１０の側壁には基板の搬出入を可能にする開口部１０１が形成される。開口部１０１は、ドア部材（図示せず）によって選択的に開放または閉鎖する。
【００２７】
基板処理室１０の内部には、基板５０を支持する基板支持部１０２が設置される。基板支持部１０２としては、静電力によって基板を吸着支持する静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｃｈｕｃｋ）、または真空圧によって基板を吸着支持する真空チャック（ｖａｃｕｕｍ  ｃｈｕｃｋ）を用いてもよい。また、基板支持部１０２は、機械的クランピング方式を利用して基板を支持してもよい。
【００２８】
基板支持部１０２は、駆動部材１０７によって上下方向に移動が可能なように設置される。これにより、基板５０は、より均一なプラズマ密度分布を示す領域に配置される。基板支持部１０２には、基板５０を工程温度に加熱させる加熱部材１０３が設置されてもよい。加熱部材１０３としては、コイルのような抵抗発熱体などが用いられてもよい。
【００２９】
基板支持部１０２は高周波電源１０４と連結し、基板支持部１０２と高周波電源１０４の間に整合器（図示せず）が配置されてもよい。高周波電源１０４は基板支持部１０２にバイアス電圧を提供し、後述するリブ構造体２０と誘電体３０の内部空間に生成されたプラズマのイオンとラジカルなどが、基板５０の表面に十分に高いエネルギーを有して衝突するようにする。
【００３０】
基板処理室１０は、排気口１０５を介して真空ポンプ１０６と連結する。真空ポンプ１０６は、基板処理室１０の内部を排気させて真空状態に維持させる。排気口１０５と真空ポンプ１０６を連結する排気ライン上に、圧力調節バルブ（図示せず）が設置されてもよい。
【００３１】
上述した基板処理室１０は、ディスプレイ用大面積基板処理のために、基板５０のサイズに比例する内部空間を形成する。また、誘導結合型プラズマ生成のための構造物、すなわち、誘電体３０とアンテナ４０支持のためのリブ構造体２０も、基板５０のサイズに比例して大型に形成される。このとき、リブ構造体２０と誘電体３０は、少なくとも一方向に沿って曲がった３次元構造物で形成される。
【００３２】
図３は図１に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図であり、図４は図３のＩ−Ｉ線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。
【００３３】
図３と図４を参照すれば、リブ構造体２０は、全体的な骨格がドーム形状となるように形成される。このために、リブ構造体２０は、最上端に位置する中央頂点から下に向かって放射状に伸びた複数の第１構造体２０１と、複数の第１構造体２０１と交差するように円周方向に沿って位置する複数の第２構造体２０２とを含む。
【００３４】
リブ構造体２０は、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属で製造される。基板処理室１０と接するリブ構造体２０の最下端において、第１構造体２０１間の距離はすべて同じであってもよい。また、第１構造体２０１の長さ方向に沿って測定される第２構造体２０２間の距離は、互いに同じであってもよく異なってもよい。
【００３５】
第２構造体２０２は、第１構造体２０１間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第２構造体２０２は、隣接する２つの第１構造体２０１の間に配置され、両端が溶接またはボルト−ナット結合のような機械的な結合方法によって第１構造体２０１に固定されてもよい。図３では、便宜上、第１構造体２０１と第２構造体２０２が一体に連結したものとして示した。
【００３６】
リブ構造体２０は誘電体３０を支持するための支持体であるため、誘電体３０のエッジを固定させるための載置部２１を備える。このために、第１構造体２０１と第２構造体２０２それぞれは、Ｔ字型の断面を有するように形成される。
【００３７】
具体的に、第１構造体２０１と第２構造体２０２それぞれは、基本骨格をなすベース支持台２２と、ベース支持台２２の外面中央に形成された突出部２３とを含む。ベース支持台２２の幅（ｗ１）（図４を参照）が突出部２３の幅（ｗ２）（図４を参照）よりも大きいため、ベース支持台２２の外面と突出部２３の側面が誘電体３０のエッジを載置させるための載置部２１として機能する。
【００３８】
図５は図１に示す基板処理装置のうち、リブ構造体と誘電体を示す斜視図であり、図６は図５のＩＩ−ＩＩ線を基準として切開したリブ構造体を示す断面図である。
【００３９】
図５と図６を参照すれば、第１構造体２０１と第２構造体２０２によって区画された空間ごとに、１つの誘電体３０が独立的に配置される。それぞれの誘電体３０は、第１構造体２０１と第２構造体２０２によって区画された空間のサイズおよび曲率に合わせて個別に製作された後、リブ構造体２０の載置部２１に固定される。誘電体３０は一定の厚さで形成され、クォーツまたはセラミックなどで製造されてもよい。
【００４０】
複数の誘電体３０は、リブ構造体２０と共にドーム形状の構造物を形成する。ドーム形状のリブ構造体２０は、形状的な安定性が極めて優れているため、第１構造体２０１と第２構造体２０２の幅を小さく維持しながらも、誘電体３０を安定的に支持することができる。第１構造体２０１と第２構造体２０２の幅が小さいということは、ドーム形状構造物の大部分を誘電体３０として配置できるということを意味する。
【００４１】
再び図１と図２を参照すれば、複数の誘電体３０のうちのいずれか１つの誘電体３０に、プラズマ生成のための反応ガスを注入するガス注入口３０１が形成される。ガス注入口３０１はガス供給ライン３０２と連結し、ガス供給ライン３０２上に反応ガス供給源３０３が位置する。
【００４２】
複数の誘電体３０それぞれの上部にアンテナ４０が設置される。アンテナ４０は螺旋形構造の誘導結合型プラズマアンテナであって、ドーム形状の構造物内に注入された反応ガスからプラズマを生成するために、ＲＦ（ＲＦ：ｒａｄｉｏ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）パワーを送信する機能を行う。ＲＦパワーは誘電体３０を透過し、ドーム形状の構造物の内部空間に提供される。
【００４３】
図７は図１に示すアンテナの連結状態を示す概略図である。
【００４４】
図１と図７を参照すれば、アンテナ４０は誘電体３０それぞれの上部に螺旋形で配置され、複数のアンテナ４０はＲＦパワーを供給するための高周波電源４１と連結する。
【００４５】
例えば、アンテナ４０それぞれは、螺旋の中央と連結する第１端部４３と、螺旋のエッジと連結する第２端部４４とを含んでもよい。第１端部４３が互いに連結して高周波電源４１と連結する。また、アンテナ４０と高周波電源４１の間に整合器４２が設置されてもよい。アンテナ４０の連結状態は、図に示す例に限定されるものではなく、多様な変形が可能である。
【００４６】
高周波電源４１が作動すれば、高周波電源４１のＲＦパワーはアンテナ４０に分散供給される。アンテナ４０に分散供給されたＲＦパワーは、ドーム形状構造物の内部空間に磁場を形成する。
【００４７】
この磁場の時間による変化によって誘導電場が形成され、ガス注入口３０１を介してドーム形状構造物の内部空間に供給された反応ガスは、誘導電場からイオン化に必要な十分なエネルギーを得てプラズマを生成する。生成されたプラズマは、基板処理室１０に配置された基板５０の表面と衝突して基板５０を処理する。
【００４８】
上述した基板５０の処理過程において、基板５０が大型化する程、プラズマ生成のための誘電体３０およびリブ構造体２０も大型化しなければならない。第１実施形態の基板処理装置１００は、ドーム形状のリブ構造体２０を提供することにより、リブ構造体２０の幅を減らしながらも、形状的な安全性を高めることができる。したがって、リブ構造体２０は、誘電体３０を安定的に支持することができる。
【００４９】
また、リブ構造体２０の幅縮小により、基板５０の処理過程において、リブ構造体２０がアンテナ４０から誘導される電磁場とカップリングを引き起こし、電磁場を遮蔽させることを最小化することができる。したがって、リブ構造体２０による電力損失を抑制し、基板５０の処理効率を向上させることができる。
【００５０】
図８は本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の斜視図であり、図９は図８に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。
【００５１】
図８と図９を参照すれば、第２実施形態の基板処理装置２００は、リブ構造体２１０が互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった複数の第３構造体２０３と、複数の第３構造体２０３と交差するように円周方向に沿って位置する複数の第４構造体２０４とで構成されることを除いては、上述した第１実施形態の基板処理装置と同じ構造からなる。
【００５２】
第１実施形態と同じ部材については同じ図面符号を用い、以下では第１実施形態とは異なる部分について主に説明する。
【００５３】
第３構造体２０３は同じ方向に曲がっており、互いに距離をおいて並んで配置される。第３構造体２０３が奇数、例えば３つが備えられる場合、中央に位置する第３構造体２０３が最も大きい高さで形成され、残りの２つの第３構造体２０３は同じ高さで形成される。第４構造体２０４は円周方向に沿って配置され、第３構造体２０３と交差する。
【００５４】
第４構造体２０４は、第３構造体２０３間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第４構造体２０４は、隣接する２つの第３構造体２０３の間に配置され、両端が溶接またはボルト−ナット結合のような機械的な結合方法によって第３構造体２０３に固定されてもよい。図８と図９では、便宜上、第３構造体２０３と第４構造体２０４が一体に連結したものとして示した。
【００５５】
リブ構造体２１０は、第３構造体２０３と直交する方向に沿って曲がった中央構造体２０７を含んでもよい。中央構造体２０７は、リブ構造体２１０の最上端を横切るように配置されてもよい。このような中央構造体２０７は、第４構造体２０４とも直交する。中央構造体２０７は、リブ構造体２１０のうちで、第３構造体２０３の強度があまり及ばない領域でリブ構造体２１０の強度を補完する機能を行う。
【００５６】
第３構造体２０３と第４構造体２０４、および中央構造体２０７それぞれは、上述した第１実施形態と同様に、基本骨格をなすベース支持台２２と、ベース支持台２２の外面中央に形成された突出部２３とを含む。ベース支持台２２の外面と突出部２３の側面が誘電体３０のエッジを固定させるための載置部２１として機能する。
【００５７】
図１０は本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の斜視図であり、図１１は図１０に示す基板処理装置のうち、リブ構造体を示す斜視図である。
【００５８】
図１０と図１１を参照すれば、第３実施形態の基板処理装置３００は、リブ構造体２２０が互いに距離をおいて並んで配置され、一方向に沿って曲がった複数の第５構造体２０５と、直線上に配置され、複数の第５構造体２０５と交差する複数の第６構造体２０６とで構成されることを除いては、上述した第１実施形態の基板処理装置と同じ構造からなる。
【００５９】
第１実施形態と同じ部材については同じ図面符号を用い、以下では第１実施形態とは異なる部分について主に説明する。
【００６０】
第５構造体２０５は同じ方向に曲がっており、すべて同じ長さに形成される。第５構造体２０５は、一方向に沿って等間隔に配置される。第６構造体２０６は直線型構造体であって、第５構造体２０５と交差するように配置される。第６構造体２０６は、第５構造体２０５が曲がった長さ方向に沿って等間隔に配置される。第３実施形態の基板処理装置において、リブ構造体２２０は、ビニールハウス形状で形成される。
【００６１】
第６構造体２０６は、第５構造体２０５間の間隔に対応する長さで個別に製作されてもよい。この場合、第６構造体２０６は、隣接する２つの第５構造体２０５の間に配置され、両端が溶接またはボルト−ナット結合のような機械的な結合方法によって第５構造体２０５に固定されてもよい。図１０と図１１では、便宜上、第５構造体２０５と第６構造体２０６が一体に連結したものとして示した。
【００６２】
第５構造体２０５と第６構造体２０６それぞれは、上述した第１実施形態と同様に、基本骨格をなすベース支持台２２と、ベース支持台２２の外面中央に形成された突出部２３とを含む。ベース支持台２２の外面と突出部２３の側面が誘電体３０のエッジを固定させるための載置部２１として機能する。第３実施形態の基板処理装置３００は、処理しようとする基板５０の縦横比が大きい場合に適した構造であると言える。
【００６３】
次に、上述した基板処理装置を利用した有機発光表示装置の製造方法について説明する。図１２は有機発光表示装置の配置図であり、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿って切開した断面図である。次に説明する画素構造は例示に過ぎず、本実施形態の有機発光表示装置が後述する構造に限定されるものではない。
【００６４】
図１２と図１３を参照すれば、有機発光表示装置４００は複数の画素を含み、それぞれの画素は有機発光素子４１０と駆動回路部を含む。駆動回路部は、少なくとも２つの薄膜トランジスタ４２０、４３０と、少なくとも１つのキャパシタ４４０とを含む。薄膜トランジスタ４２０、４３０は、基本的にスイッチングトランジスタ４２０と駆動トランジスタ４３０とを含む。
【００６５】
有機発光素子４１０は、画素電極４１１と有機発光層４１２、および共通電極４１３を含む。画素電極４１１は正孔注入電極であってもよく、共通電極４１３は電子注入電極であってもよい。画素電極４１１と共通電極４１３から有機発光層４１２に正孔と電子が注入され、注入された正孔と電子が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちるときに発光がなされる。
【００６６】
キャパシタ４４０は、層間絶縁膜５１を間において配置された第１蓄電板４４１と第２蓄電板４４２とを含む。スイッチングトランジスタ４２０は、スイッチング半導体層４２１、スイッチングゲート電極４２２、スイッチングソース電極４２３、およびスイッチングドレイン電極４２４を含む。駆動トランジスタ４３０は、駆動半導体層４３１、駆動ゲート電極４３２、駆動ソース電極４３３、および駆動ドレイン電極４３４を含む。
【００６７】
スイッチングトランジスタ４２０は、画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極４２２はゲートライン６１に連結し、スイッチングソース電極４２３はデータライン６２に連結する。スイッチングドレイン電極４２４は第１蓄電板４４１に連結する。
【００６８】
駆動トランジスタ４３０は、選択された画素の有機発光層４１２を発光させるための駆動電圧を画素電極４１１に印加する。駆動ゲート電極４３２は第１蓄電板４４１に連結し、駆動ソース電極４３３と第２蓄電板４４２は電源ライン６３に連結する。駆動ドレイン電極４３４は、コンタクトホールを介して有機発光素子４１０の画素電極４１１に連結する。
【００６９】
スイッチングトランジスタ４２０は、ゲートライン６１に印加されたスキャン電圧によって作動し、データライン６２に印加されたデータ電圧を駆動トランジスタ４３０に伝達する。電源ライン６３から駆動トランジスタ４３０に印加される共通電圧とスイッチングトランジスタ４２０から伝達されたデータ電圧との差に該当する電圧がキャパシタ４４０に貯蔵され、キャパシタ４４０に貯蔵された電圧に対応する電流が駆動トランジスタ４３０を介して有機発光素子４１０に流れて有機発光層４１２が発光する。
【００７０】
図１３において、図面符号５２は基板を示し、図面符号５３は有機発光素子４１０を保護する封止基板を示す。
【００７１】
上述した有機発光表示装置４００は、基板５２から駆動回路部と有機発光素子４１０を構成する多様な膜を順に積層する過程を経て製造される。本実施形態に係る有機発光表示装置４００の製造方法は、薄膜トランジスタ４２０、４３０とキャパシタ４４０を含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部と電気的に連結した有機発光素子４１０を形成する段階とを含む。駆動回路部と有機発光素子４１０のうちの少なくとも１つを製造するとき、上述した基板処理装置を利用して、蒸着、エッチング、およびアッシングのうちの少なくとも１つの工程が行われる。
【００７２】
金属で製造される膜、例えば、薄膜トランジスタ４２０、４３０のゲート電極４２２、４３２、ソース電極４２３、４３３、ドレイン電極４２４、４３４、キャパシタ４４０の第１蓄電板４４１と第２蓄電板４４２、有機発光素子４１０の画素電極４１１と共通電極４１３などは、金属膜を蒸着した後、これをパターニングする過程を経て形成される。有機発光素子４１０の有機発光層４１２は、スピンコーティング後、これをパターニングする過程を経て形成される。
【００７３】
上述した基板処理装置は、金属蒸発源（図示せず）を備え、金属膜を蒸着する蒸着設備として用いられてもよい。また、基板処理装置は、エッチングガスの供給を受け、金属膜の一部またはスピンコーティングされた有機発光層の一部を除去するエッチング設備として用いられてもよい。さらに、基板処理装置は、パターニング過程においてマスク層として用いられたフォトレジスト膜を除去するアッシング設備として用いられてもよい。上述した基板処理装置を利用して、大面積有機発光表示装置４００を容易に製造することができる。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明、および添付の図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属することは当然である。
【符号の説明】
【００７５】
１０：基板処理室
２０、２１０、２２０：リブ構造体
２１：載置部
２２：ベース支持台
２３：突出部
３０：誘電体
４０：アンテナ
４１：高周波電源部
５１：基板
５３：封止基板
１００、２００、３００：基板処理装置
２０１〜２０６：第１〜第６構造体
４００：有機発光表示装置
４１０：有機発光素子
４２０：スイッチングトランジスタ
４３０：駆動トランジスタ
４４０：キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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