(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物としてＬｉ4Ｐ2Ｏ7相を含むＬｉ3ＰＯ4相からなるＬｉ含有燐酸化合物焼結体であって、焼結体内部の断面１ｍｍ2領域中に５０μｍ以上の欠陥がなく、平均結晶粒径が１５μｍ以下であり、相対密度が８５％以上であることを特徴とするＬｉ含有燐酸化合物焼結体。
【請求項２】
前記焼結体の粉末Ｘ線回折における前記Ｌｉ3ＰＯ4相の（０１１）面の回折強度（Ｐ３１４）と前記Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相の（１-１１）面の回折強度（Ｐ４２７）の強度比が、Ｐ３１４／Ｐ４２７≧１．１である請求項１に記載のＬｉ含有燐酸化合物焼結体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＬｉ含有燐酸化合物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット。
【請求項４】
請求項１または２に記載のＬｉ含有燐酸化合物焼結体を製造する方法であって、
平均粒径１０μｍ以下のＬｉ含有燐酸化合物を含む原材料を、露点−３０℃以下の雰囲気に維持しながら仮焼せずにホットプレス炉に導入した後、ホットプレス法によって焼結することを特徴とするＬｉ含有燐酸化合物焼結体の製造方法。
【請求項５】
前記ホットプレス法による焼結は、真空または不活性雰囲気下、ホットプレス温度７００〜１０００℃、圧力１０〜１００ＭＰａで行うものである請求項４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全固体型二次電池などの固体電解質物質として有用なＬｉ含有燐酸化合物薄膜を、スパッタリング法によって成膜するときに用いられるＬｉ含有燐酸化合物焼結体、およびスパッタリングターゲットに関するものである。詳細には本発明は、上記薄膜を、スパッタリング法によって安定して高い成膜速度で成膜することが可能な、Ｌｉ含有燐酸化合物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記Ｌｉ含有燐酸化合物焼結体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
全固体薄膜リチウム二次電池（以下、「Ｌｉ系薄膜二次電池」という）は、薄膜太陽電池や、薄膜熱電素子、無線充電素子などの各種デバイスに用いられ、その需要が急速に高まっている。Ｌｉ系薄膜二次電池は、代表的には、Ｌｉと遷移金属を含むＬｉ含有遷移金属酸化物薄膜からなる正極と、Ｌｉを含む燐酸化合物薄膜からなる固体電解質と、Ｌｉ金属薄膜などからなる負極と、から構成されている。
【０００３】
上記Ｌｉ含有燐酸化合物薄膜の成膜には、当該膜とほぼ同じ材料のスパッタリングターゲット（以下、ターゲットと略記する場合がある。）をスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。スパッタリング法によれば、成膜条件の調整が容易であり、半導体基板上に容易に成膜できるなどの利点がある。
【０００４】
このスパッタリングターゲットに関して、例えば特許文献１には、ＣＩＰ（冷間制静水圧加圧）とＨＩＰ（熱間静水圧加圧）を順次行うことによって、相対密度が９０％以上であって、Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相の割合を低減させたターゲットが開示されている。
【０００５】
また、特許文献２では、水分を含む微細なＬｉ3ＰＯ4粉末を仮焼することによってＬｉ3ＰＯ4粉末の水分率を低減させてから焼結する製造方法が開示されている。この製造方法によれば、気孔などの欠陥（空隙）の形成が抑制された焼結体を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／０１７３５４２Ａ１号明細書
【特許文献２】特許第４８４３５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、スパッタリングによる成膜の際、異常放電（アーキング）や、アーク放電による放電痕が発生するなどし、安定した放電ができず、スパッタリング中にターゲットの割れが生じたり、ノジュールが発生するなどの問題がある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、Ｌｉ系薄膜二次電池などの固体電解質として有用なＬｉ含有燐酸化合物薄膜を、異常放電が発生することなく安定して、高い成膜速度で成膜することができるＬｉ燐酸化合物焼結体（更に該焼結体を用いたターゲット）、およびその製造方法を提供することである。詳細には、高い相対密度と、微細な結晶粒径とを兼備すると共に、気孔などの欠陥（空隙）が抑制されたＬｉ含有燐酸化合物焼結体、およびＬｉ含有燐酸化合物ターゲット、並びにその製造方法を提供することにある。更に好ましくは不純物相（Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相）を低減させた上記焼結体、およびターゲット、並びにその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決した本発明のＬｉ含有燐酸化合物焼結体は、焼結体内部の断面１ｍｍ2領域中に５０μｍ以上の欠陥がなく、平均結晶粒径が１５μｍ以下であり、相対密度が８５％以上であることに要旨を有する。
【００１０】
また前記焼結体の粉末Ｘ線回折におけるＬｉ3ＰＯ4相の（０１１）面の回折強度（Ｐ３１４）とＬｉ4Ｐ2Ｏ7相の（１-１１）面の回折強度（Ｐ４２７）の強度比が、Ｐ３１４／Ｐ４２７≧１．１であることも望ましい実施態様である。
【００１１】
本発明には上記Ｌｉ含有燐酸化合物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットも含まれる。
【００１２】
また本発明は上記Ｌｉ含有燐酸化合物焼結体を製造する方法であって、平均粒径１０μｍ以下のＬｉ含有燐酸化合物を含む原材料を、露点−３０℃以下の雰囲気に維持しながら仮焼せずにホットプレス炉に導入した後、ホットプレス法によって焼結することに要旨を有する。
【００１３】
上記ホットプレス法による焼結は、真空または不活性雰囲気下、ホットプレス温度７００〜１０００℃、圧力１０〜１００ＭＰａで行うものであることも望ましい実施態様である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高い相対密度と、微細な結晶粒径とを兼備すると共に、欠陥が抑制され、更には不純物相（Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相）の割合が低減されたＬｉ含有燐酸化合物焼結体、およびＬｉ含有燐酸化合物ターゲットを提供できたため、固体電解質として有用なＬｉ含有燐酸化合物薄膜を、異常放電などを発生することなく安定して、高い成膜速度で成膜することができた。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明者らは、高い相対密度と、微細な結晶粒径とを兼備すると共に、欠陥が抑制され、更には不純物相（Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相）割合が低減されたＬｉ含有燐酸化合物焼結体およびＬｉ燐酸化合物焼結体ターゲット（以下、単にターゲットと呼ぶ場合がある。）を提供するため、検討を重ねてきた。
【００１６】
その結果、平均粒径１０μｍ以下のＬｉ含有燐酸化合物を含む原材料を、露点−３０℃以下の雰囲気下に維持しながら仮焼せずにホットプレス炉に導入した後、ホットプレス法によって焼結（例えば、真空または不活性雰囲気下、温度７００〜１０００℃、圧力１０〜１００ＭＰａにて焼結する）することによって、所期の目的が達成されることを見出し、本発明を完成した。
【００１７】
以下、本発明の製造方法について説明する。
【００１８】
本発明の製造方法は、（ア）微細な原材料粉末を使用すること、（イ）原材料粉末に水分が吸着しない雰囲気とすること、（ウ）仮焼せずにホットプレス法によって焼結することに特徴を有しており、好ましくは、（エ）焼結時のホットプレス温度を適切に制御することにある。
【００１９】
上記、本発明の製造方法に到達した経緯について説明すると以下の通りである。
【００２０】
まず、本発明では、（ア）微細な原材料粉末を用いることが重要である。これは、主に不純物相であるＬｉ4Ｐ2Ｏ7相の低減と高密度化（相対密度）を考慮したためである。すなわち、原材料粉末の粒子径が粗いと、不純物相が生成する高温で焼結しないと緻密な焼結体が得られない。そこで、本発明では平均粒径１０μｍ以下の原材料粉末を用いることにした。また平均粒径１０μｍ以下の原材料粉末であれば、本発明の製造方法によって平均結晶粒径が１５μｍ以下の焼結体を得ることができる。
【００２１】
次に、本発明では（イ）原材料粉末に水分が吸着しない雰囲気とする。具体的には原材料粉末を微細化した後、ホットプレス炉に導入するまでの雰囲気を露点−３０℃以下とすることが重要である。原材料として使用するＬｉ3ＰＯ4粉末は吸湿性を有しており、Ｌｉ3ＰＯ4粉末を微細化すると吸湿性が更に高くなる傾向がある。したがって微細なＬｉ3ＰＯ4粉末を用いても、焼結するまでに大気中の水分などを吸着して水分量が高くなると、得られる焼結体には気孔あるいは微細なひび割れなどの欠陥（空隙）が生じてしまう。そこで本発明では、微細な原料粉末を用いても、水分を吸着しない雰囲気とした。露点−３０℃以下の雰囲気下であれば、原材料粉末が水分を吸着することがないため、焼結体中の水分に起因して形成される欠陥（空隙）の発生も抑制できる。また焼結して得られる焼結体の結晶粒も微細化（平均結晶粒径１５μｍ以下）することができる。
【００２２】
更に、本発明では（ウ）仮焼せずにホットプレス法によって焼結する。本発明の原材料粉末は、上記したように水分を吸着していないため、焼結前に仮焼をおこなって原材料粉末から水分を除去する処理を行う必要がない。したがって微細な原材料粉末のまま焼結できるため、仮焼結による結晶粒の粗大化を防ぐことができる。また本発明では高い相対密度を有する焼結体とするために、ホットプレス法を採用する。ホットプレス法による焼結条件は、例えば不活性雰囲気下（例えば、窒素、アルゴン）、温度７００〜１０００℃、圧力１０〜１００ＭＰａにて行うことが推奨される。
【００２３】
また、本発明では（エ）焼結時のホットプレス温度を適切に制御する。Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相は高温で焼結すると生成するため、その生成を抑制するためには、１０００℃以下の温度で焼結することが好ましい。
【００２４】
以下、上記製造方法について、工程順に詳述する。
【００２５】
（原材料）
原材料は、焼結体中の不純物相（Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相）の低減、焼結体の高密度化、および焼結体を構成する結晶粒の微細化を図る観点からは平均粒径１０μｍ以下、好ましくは８μｍ以下、更に好ましくは６μｍ以下の微細な原材料粉末を用いることが望ましい。一方、原材料粉末の平均粒径の下限は特に限定されないが、製造容易性の観点から、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは３μｍ以上である。
【００２６】
原材料の調製方法は、所望とする粒径（平均粒径：１０μｍ以下）が得られるよう、公知の調製方法を適用することができる。例えば、炭酸リチウムと燐を混合し、所定の温度まで昇温することで、Ｌｉ含有燐酸化合物（Ｌｉ3ＰＯ4）を得てもよく、またはＬｉとＰが溶解した水溶液中から得られる沈殿物を所定の温度に昇温してＬｉ含有燐酸化合物（Ｌｉ3ＰＯ4）を得てもいい。
【００２７】
このようにして得られたＬｉ含有燐酸化合物をボールミル等の粉砕装置で微細に粉砕して平均粒径１０μｍ以下の原材料粉末とする。微細な粉末を得るためには、一定時間の粉砕が必要であるが、粉砕に用いるボールからのコンタミネーションが発生する。コンタミネーションの抑制の観点からは、粉砕前の粉末の粒子径が小さいほうが望ましく、水溶液から得られた沈殿物を昇温して得られる粉末のほうが、コンタミネーションが少なく微細な原材料粉末を得ることができる。
【００２８】
（雰囲気）
更に本発明では上記原材料（Ｌｉ3ＰＯ4粉末）をホットプレス炉に導入するまでの雰囲気を露点−３０℃以下とする。詳細には、１０μｍ以下の原材料粉末を製造した直後から雰囲気を露点−３０℃以下とし、この雰囲気下で所定の黒鉛型に充填した後、ホットプレス炉に導入する。後記するようにホットプレス炉内は真空または不活性雰囲気であるため、炉内導入後は基本的に露点の制御が不要である。
【００２９】
なお、原材料を黒鉛型に充填するまでに保管・運搬する場合は、露点−３０℃以下の雰囲気で包装することにより、原材料への水分の吸着を防止することができる。
【００３０】
（ホットプレス法による焼結）
上記原材料を焼結するにあたっては、まず、上記露点雰囲気下で上記原材料粉末を黒鉛型に充填する。黒鉛型への充填に当たっては、上記原材料粉末を、予備成形することなく直接、充填しても良いし、或いは、別の金型に一旦充填し、金型プレスで予備成形した後、黒鉛型に充填しても良い。後者の予備成形は、ホットプレス工程で所定の型にセットする際のハンドリング性を向上させる目的で行なわれるものであり、例えば、約０．５〜１．０ｔｏｎｆ／ｃｍ2程度の加圧力を加えて予備成形体とすることが好ましい。
【００３１】
ホットプレスによる焼結条件は、真空または不活性雰囲気、温度７００〜１０００℃、圧力１０〜１００ＭＰａに制御することが好ましい。焼結温度が７００℃未満の場合、焼結体の相対密度が８５％未満と低くなり、スパッタリング時に割れなどが生じやすくなる。一方、焼結温度が１０００℃を超えると、焼結体の平均結晶粒径が大きくなると共に、不純物相（Ｌｉ3ＰＯ4相）を低く保つことができなくなり、強度比（Ｐ３１４／Ｐ４２７）が１．１を下回るようになる。不純物相を低減させる観点からは、焼結温度は、好ましくは９００℃以上、９５０℃以下である。
【００３２】
同様に、焼結時の圧力が１０ＭＰａ未満の場合、焼結体の相対密度が低くなり、所望とする高い相対密度が得られない。一方、焼結時の圧力が１００ＭＰａを超えると、黒鉛型の型が破損するなどし、ホットプレスの実施が困難になる。より好ましい圧力は、２０〜５０ＭＰａである。
【００３３】
真空または不活性雰囲気下で焼結することとしたのは、炉内に導入された原材料粉末に水分が吸着するのを防止すると共に、本発明で用いられる黒鉛型の黒鉛の酸化や消失を抑制するためである。不活性雰囲気に用いられるガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｎ2などの不活性ガスが挙げられる。雰囲気制御方法は特に限定されず、例えば炉内にＡｒガスやＮ2ガスを導入することによって雰囲気を調整すればよい。
【００３４】
また、焼結の際、最高温度域に達したときに所定の温度に保持しても良い。このときの保持時間は、焼結時の温度や圧力などによっても相違するが、おおむね、１００時間以下であることが好ましい。上記保持時間が１００時間を超えると、焼結による重量減少が顕著になり、良好な焼結体（特に高い相対密度を有する焼結体）が得られない。上記保持時間は０時間（保持なし）も含むものであり、例えば、原材料などとの関係で焼結温度が最適な範囲に設定されている場合は、保持時間はゼロとすることが可能である。
【００３５】
上記のようにして得られる酸化物焼結体は、高い相対密度と、微細な平均結晶粒径を有すると共に、欠陥（空隙）がない。また焼結時の温度を適切に制御することで、不純物相の低い焼結体が得られる。
【００３６】
更に、上記の酸化物焼結体を、常法により、加工→ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットも高い相対密度と、微細な結晶粒径を有すると共に、欠陥がなく、また好ましくは低い不純物相であり、焼結体と同様に非常に良好なものである。
【００３７】
（本発明のＬｉ含有燐酸化合物焼結体）
本発明のＬｉ含有燐酸化合物焼結体は、（１）平均結晶粒径が１５μｍ以下であること、（２）焼結体内部の断面に５０μｍ以上の欠陥（空隙）がないこと、（３）相対密度が８５％以上であること、また好ましくは（４）の粉末Ｘ線回折におけるＬｉ3ＰＯ4相とＬｉ4Ｐ2Ｏ7相の強度比（Ｌｉ3ＰＯ4相／Ｌｉ4Ｐ2Ｏ7相）が１．１以上である。
【００３８】
本発明のＬｉ含有燐酸化合物焼結体は、（１）平均結晶粒径は１５μｍ以下である。平均結晶粒径が１５μｍを超えると、該焼結体を用いて得られるターゲットのスパッタリング中に異常放電やノジュールの発生が多くなる。好ましい平均結晶粒径は、１２μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下である。焼結体の平均結晶粒径は微細なほど、安定したスパッタリングを行うことができるため、下限は限定されないが、製造容易性の観点から、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上である。
【００３９】
また（２）焼結体内部の断面に５０μｍ以上の欠陥がないことである。焼結体に５０μｍ以上の欠陥（空隙）が生じていると、スパッタリング中に異常放電が発生することがある。欠陥と評価される空隙は、焼結体の縦断面ＳＥＭ写真によって測定することができる。具体的には焼結体縦断面の任意の領域をＳＥＭ観察し、ＳＥＭ写真から欠陥（空隙）を特定し、その長さ（最大径）を測定する。本発明の焼結体は１ｍｍ２領域中に５０μｍ以上の欠陥が存在しないものである。
【００４０】
更に（３）焼結体の相対密度は８５％以上である。相対密度を高めることによってスパッタリング時の成膜電力を増加できるため、成膜速度も向上し、生産性が高められるようになる。一方、相対密度が８５％未満だと、スパッタリング中にターゲットに割れが生じることがある。好ましい相対密度は９０％以上、より好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９８％以上である。
【００４１】
本発明の焼結体は上記（１）〜（３）の条件を満たしていれば、上記所期の目的を達成できるが、好ましくは（４）粉末Ｘ線回折におけるＬｉ３ＰＯ４相とＬｉ４Ｐ２Ｏ７相の強度比（Ｐ３１４／Ｐ４２７）が１．１以上であることが望ましい。Ｌｉ３ＰＯ４相とＬｉ４Ｐ２Ｏ７相の強度比が１．１以上であれば、均一な焼結体が得られるため、成膜安定性が向上すると共に、成膜したＬｉ含有燐酸化合物膜の固体電解質膜としての特性も向上する。
【００４２】
Ｌｉ３ＰＯ４相とＬｉ４Ｐ２Ｏ７相の強度比は、Ｌｉ３ＰＯ４相の（０１１）面の粉末Ｘ線回折強度（Ｐ３１４）とＬｉ４Ｐ２Ｏ７相の（１−１１）面の粉末Ｘ線回折強度（Ｐ４２７）をＸＲＤチャートに表し、該チャートに基づいてＰ３１４／Ｐ４２７の強度比を算出すればよい。Ｐ３１４／Ｐ４２７の強度比は好ましくは１．５以上、より好ましくは２．０以上である。
【００４３】
（スパッタリングターゲット）
本発明には、上記焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲット（Ｌｉ含有燐酸化物焼結体ターゲット）も、本発明の範囲内に包含される。スパッタリングターゲットの製造方法は特に限定されず、通常用いられる方法を用いることができる。このようにして得られるスパッタリングターゲットも、上記Ｌｉ含有燐酸化物焼結体と同様の特性（高い相対密度、空隙がない、微細な平均粒径、更に好ましくは低い不純物相）が得られる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００４５】
実験１
（Ｌｉ含有燐酸化合物焼結体の作製）
原材料粉末としてＬｉ3ＰＯ4粉末（純度：９９．９％以上、平均粒径：表１記載の「粒径」）を用いた。
上記の原材料粉末を、直接、黒鉛型にセットし、表１に示す条件で、ホットプレスによる焼結を行ない、焼結体を得た。なお、表１のＮｏ．１〜６、８は原料粉末を黒鉛型にセットし、ホットプレス炉に導入するまでは露点−３０℃以下の雰囲気とした。またＮｏ．１〜７は仮焼を行わずに焼結を行った。なお、Ｎｏ．７は露点を管理せず、露点−３０℃超の雰囲気で黒鉛型にセットし、ホットスタンプ炉に導入した。Ｎｏ．８は原料粉末を黒鉛型にセットする前に大気中で７５０℃、３時間仮焼した。
【００４６】
（焼結体の相対密度の測定）
上記各焼結体の相対密度を、アルキメデス法によって測定した。
【００４７】
（焼結体の粉末Ｘ線回折による強度比の測定）
上記各焼結体のＬｉ3ＰＯ4相の（０１１）面のＸ線回折強度（Ｐ３１４）とＬｉ4Ｐ2Ｏ7相の（１−１１）面のＸ線回折強度（Ｐ４２７）を、ＣｕＫα線を用いた粉末Ｘ線回折により測定し、そのＸ線回折チャートから強度比（Ｐ３１４／Ｐ４２７）を求めた。
【００４８】
（焼結体の平均結晶粒径の測定）
上記各焼結体の縦断面における任意の位置を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、破面写真（ＳＥＭ写真）より、切断法にて求めた。
【００４９】
（焼結体の欠陥個数の測定）
上記各焼結体の縦断面のＳＥＭ写真の任意の１ｍｍ2領域において、欠陥の最大径をスケールから求め、目視にて最大径が５０μｍ以上の欠陥の個数を測定した。
【００５０】
これらの結果を表２に示す。
【００５１】
【表１】
0005969799.tif 000002
【００５２】
【表２】
0005969799.tif 000003
【００５３】
表１および表２より、以下のように考察することができる。
【００５４】
まず、表１のＮｏ．２〜４は、本発明で規定する製造方法によって製造したＬｉ含有燐酸化物焼結体であり、本発明で規定する５０μｍ以上の欠陥（空隙）が無く、また平均結晶粒径が１５μｍ以下、且つ、８５％以上の高い相対密度を有していた。また強度比（Ｐ３１４／Ｐ４２７）は、Ｎｏ．２は１．２、Ｎｏ．３は１．５、Ｎｏ．４は２．９であり、いずれも本発明の規定を満足していた。
【００５５】
これに対し、表１のＮｏ．１は焼結温度が低いため、相対密度が低下した。Ｎｏ．５は焼結温度を高くしたため、高い相対密度が得られたが、粉末原料の平均粒径が大きいため、本発明で規定する結晶粒径を満たさなかった。Ｎｏ．６は粉末原料の平均粒径が大きいため、本発明で規定する平均結晶粒径を満たさなかった。Ｎｏ．７は露点制御を行わなかったため、５０μｍ以上の欠陥が発生した。Ｎｏ．８は仮焼したため、本発明で規定する平均結晶粒径を満たさなかった。
【００５６】
実験２
（スパッタリングターゲットの作製）
次に、上記Ｎｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．５、Ｎｏ．７、Ｎｏ．８の焼結体を用いてスパッタリングターゲットを製造した。スパッタリングターゲットは、上記の各焼結体を機械加工して４インチφ×５ｍｍｔ（ｔ＝厚み）に仕上げ、Ｃｕ製バッキングプレートにインジウムを用いてボンディングすることによって得た。Ｎｏ．１、Ｎｏ．３、Ｎｏ．５、Ｎｏ．７、Ｎｏ．８の上記焼結体を用いて得られたスパッタリングターゲットを、それぞれターゲットＡ〜Ｅと呼ぶ。
【００５７】
次に、上記のターゲットＡ〜Ｅを用い、以下の成膜実験を行った。
【００５８】
成膜装置：ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用
成膜条件：基板温度室温、ＲＦ放電パワー６００Ｗ、スパッタガス圧３ｍＴｏｒｒ、スパッタガスとしてＡｒと窒素の混合ガスを使用、成膜膜厚５００ｎｍ
成膜手順：
各ターゲットを上記のスパッタ装置に装着し、ターゲットに対向する基板ステージ上にガラス基板を装着した。チャンバー内を真空ポンプで５×１０-4Ｐａ以下の真空に引き、基板ステージを加熱して基板温度を５００℃に調整した。次に、マスフローを用いて上記のスパッタガスをチャンバー内に供給した。スパッタガス圧を３ｍＴｏｒｒに調整した後、ＲＦ（交流）電源を用いてターゲットに高電圧を印加し、プラズマ放電させた。このときの放電パワーは６００Ｗで行い、５００ｎｍの膜厚になるよう成膜を実施した。
【００５９】
その結果、相対密度の低いターゲットＡ（相対密度：７６．６％）では、成膜途中にターゲットが割れた。平均結晶粒径が大きいターゲットＣ（平均結晶粒径：３５μｍ）、欠陥があるターゲットＤ（欠陥：２個）、平均結晶粒径が大きいターゲットＥ（平均結晶粒径：２５μｍ）では、成膜途中に異常放電が発生し安定した放電を維持することができなかった。
【００６０】
これに対し、本発明の規定を全て満足するターゲットＢでは、成膜途中にターゲットは割れず、安定した放電を維持することができた。
【００６１】
上記の結果より、本発明の要件を満足するＬｉ含有燐酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを用いれば、Ｌｉ系二次電池などの電解質薄膜に有用なＬｉ含有燐酸化物薄膜を、スパッタリング法により、ターゲットの割れや異常放電などの発生もなく、安定して高い成膜速度で成膜することができることが確認された。よって、上記スパッタリングターゲットを用いれば、高い成膜レートで上記薄膜を提供できる点で、極めて有用である。