(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出装置であり、その検出面に入射する光を検出する光検出装置；
入射Ｘ線を光に変換するシンチレータ層；
前記シンチレータ層内で生成された光を前記光検出装置に向けて反射する反射層；及び
前記シンチレータ層と前記反射層との間に介在する発光層であり、前記シンチレータ層をリセットする光で前記シンチレータ層を照射する発光層；
を有し、
前記シンチレータ層と前記反射層との間の距離は５０μｍより小さく、且つ
前記発光層はＯＬＥＤを有する、
Ｘ線検出器。
【請求項２】
前記ＯＬＥＤは頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜を備える、請求項１に記載のＸ線検出器。
【請求項３】
前記頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜はその頂面の表面で前記シンチレータ層に取り付けられている、請求項２に記載のＸ線検出器。
【請求項４】
前記頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜は、機械的安定化のための非金属基板と、該基板上にコーティングされた金属層とを有する、請求項２又は３に記載のＸ線検出器。
【請求項５】
前記ＯＬＥＤは底面発光型ＯＬＥＤ薄膜を備える、請求項１に記載のＸ線検出器。
【請求項６】
前記底面発光型ＯＬＥＤ薄膜は、その底面側の表面で前記シンチレータ層に取り付けられ、且つその底面側に、５０μｍ未満の厚さを有する支持層を有する、請求項５に記載のＸ線検出器。
【請求項７】
前記発光層は複数のサブタイルに分割されている、請求項１乃至６の何れか一項に記載のＸ線検出器。
【請求項８】
前記発光層は金属の分路配線を有する、請求項１乃至７の何れか一項に記載のＸ線検出器。
【請求項９】
Ｘ線検出器を製造する方法であって：
光検出装置を配設する工程であり、該光検出装置はその検出面に入射する光を検出するものである、工程；
入射Ｘ線を光に変換するシンチレータ層を配設する工程；
前記シンチレータ層内で生成された光を前記光検出装置に向けて反射する反射層を配設する工程；及び
前記シンチレータ層と前記反射層との間に介在する発光層を配設する工程であり、該発光層は、前記シンチレータ層をリセットする光で前記シンチレータ層を照射するものである、工程；
を有し、
前記シンチレータ層と前記反射層との間の距離は５０μｍより小さく、且つ
前記発光層はＯＬＥＤを有する、
方法。
【請求項１０】
前記ＯＬＥＤを形成する層が前記シンチレータ層の表面に直接的に堆積される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シンチレータ層は前記発光層の表面に直接的に成長される、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改善された空間利得均一性及び分解能を有するＸ線検出器に関する。さらに、本発明はそのようなＸ線検出器を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線検出器は典型的に、入射Ｘ線を光に変換するシンチレータ層と、例えばＣＭＯＳ光検出器などの光検出装置であって、シンチレータ層内で生成されて該光検出装置の検出面に入射する光を検出する光検出装置と、を有する。
【０００３】
観測されていることには、このようなＸ線検出器は幻像（ファントムイメージ）に悩まされ得る。そこで、特許文献１は、入射Ｘ線の波長とは異なる波長を有する補助的な放射線でシンチレータ層を照射する補助放射線源を使用することを提案している。そのような第２の放射線を照射することにより、そこで提案されるＸ線検出器は、入射Ｘ線に対するシンチレータの、より空間的に均一な応答を作り出すことが可能となり得る。補助的な放射線は、例えば、ルミネセンスシート又はＬＥＤエッジリット型導光板を用いて供給され得る。“バックリット型”構成では、補助放射線源は光検出装置の背後に置かれ得る。この場合、光検出装置は、透明なキャリア基板を有するべきである。他の例で、“フロントリット型”構成においては、補助放射線源はシンチレータ層の頂部に配置され得る。この場合、補助放射線源は、Ｘ線に対して実質的に透明且つ堅牢であるべきである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００８／１２６００９号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
改善された空間利得均一性及び分解能を有するＸ線検出器を提供することが有利となり得る。特に、高くて均一な分解能を有し且つ幻像を防止するＸ線検出器を提供することが有利となり得る。また、容易且つ安価に製造され得るＸ線検出器を提供することが有利となり得る。さらに、そのようなＸ線検出器を製造する方法を提供することが有利となり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、光検出装置と、シンチレータ層と、反射層と、発光層とを有するＸ線検出器が開示される。光検出装置は、その検出面に入射する光を検出するように適応され、例えばＣＭＯＳ又はＣＣＤを用いて実装され得る。シンチレータ層は、入射Ｘ線を光に変換するように適応される。シンチレータ層は、光検出装置の検出面の上に配置され得る。反射層は、シンチレータ層内で生成された光を、光検出装置に向かう方向に反射するように適応される。例えば、反射層は、例えば金属コーティングを用いた、ミラー層とし得る。発光層は、シンチレータ層と反射層との間に置かれる。
【０００７】
本発明の第１の態様の骨子は、シンチレータ層の頂部に発光層と反射層との組み合わせを有するＸ線検出器は、幻像の防止を可能にするのと同時に、高められた応答速度を示し得ることであり得る。Ｘ線の入射を受けてシンチレータ層内で生成される光は、反射層によって、光検出装置の検出面に向けて反射され得る。それにより、検出器の応答速度が高められ得る。また、発光層によって放射された光は、それに隣接配置されたシンチレータ層に到達し得る。例えば、そのような補助的な光は、シンチレータ層がＸ線照射されていない期間中に放射され得る。そのような補助的な光照射を用いると、幻像の形成が抑制され得る。シンチレータ層と、反射層と、中間の発光層とを有する積層体は、例えば層堆積又は層成長などの十分に確立された方法を用いて、容易且つコスト効率良く製造され得る。
【０００８】
一実施形態によれば、シンチレータ層と反射層との間の距離は、５０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満である。換言すれば、発光層が一方の表面でシンチレータ層に直接的に接触し且つ反対側の表面で反射層に直接的に接触する場合、発光層の厚さが５０μｍ未満、又は好ましくは２０μｍ未満であるべきである。
【０００９】
シンチレータ層の頂面と反射層の底面との間の距離が大きいと、検出器の変調伝達関数（modulation  transfer  function；ＭＴＦ）性能又は分解能性能の劣化がもたらされ得ることが見出されている。従って、この距離は可能な限り小さくされるべきであり、実用途で許容可能なＭＴＦ性能又は分解能性能を得るには、この距離に関して５０μｍ又は好ましくは２０μｍが上限であることが観測されている。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、発光層はＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）を有する。
【００１１】
ＯＬＥＤは低コストで容易に製造されることができる。また、ＯＬＥＤの厚さを５０μｍ未満に低減し、それにより、先述の実施形態に関して説明した要件を満たすように、従来のＯＬＥＤ構造を変更し得る。
【００１２】
ＯＬＥＤは、ルミネセント層と、電極層と、保護層と、必要に応じての支持層とを含む積層体を有する頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜又は底面発光型ＯＬＥＤ薄膜を備え得る。更に詳細に後述するように、積層体の厚さを５０μｍ未満に維持するために、積層体の構成及び製造に関して対策が為され得る。
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、発光層は複数のサブタイルに分割される。換言すれば、シンチレータ層と同じ表面積を実質的に有する１つの大面積の発光層をシンチレータ層と反射層との間に介在させる代わりに、発光層は、シンチレータ層の面積のほんの一部である面積を各サブタイルが有する複数のサブタイルに分割されてもよい。複数のサブタイルを結合したものがシンチレータ層の領域全体を覆い得る。
【００１４】
シンチレータ層の全面積と比較して縮小された単一のサブタイルの面積は、活性化時の発光層の迅速な応答を可能にし得る。何故なら、そのようなＯＬＥＤサブタイルのキャパシタンスＣ、ひいては、ＲＣ時間が小さく保たれるからである。従って、このようなサブタイル状にされたＯＬＥＤ発光層は、例えばＸ線検出器上にＸ線が入射しない時間間隔中にのみ発光層が活性化されるときなど、パルス動作に適したものとなり得る。より低い動作電流の恩恵を受け、ひいては、抵抗損を低減させるように、様々なサブタイルを直列に接続することができる。他の例では、サブタイルを個別にアドレス指定してもよい。
【００１５】
更なる一実施形態によれば、発光層は金属シャントラインを有する。シャントラインは、抵抗損を低減し、ＯＬＥＤ発光層からの放射の均一性を向上させ得る。そのようなシャントラインは、例えば長方形又は六角形の幾何学形状を有する格子状の金属配線として実現され得る。金属配線は、１μｍ未満の厚さを有することができ、故に、Ｘ線検出性能への測定可能な悪影響を有しないようにし得る。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、Ｘ線検出器を製造する方法が提案される。当該方法は、光検出装置を配設することと、シンチレータ層を配設することと、反射層を配設することと、シンチレータ層と反射層との間に介在する発光層を配設することとを有する。Ｘ線検出器の構成要素は、本発明の第１の態様に関して上述したような特徴を有し得る。光検出装置は、例えばＣＭＯＳ光検出器又はＣＣＤ光検出器などの２次元分解能を有する半導体光検出器として設けられることができ、従来の半導体技術を用いて製造され得る。シンチレータ層と、反射層と、中間の発光層とを含む積層体は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、エピタキシなどの技術を含む例えば層堆積又は層成長などの様々な層生成方法を用いて製造され得る。更に詳細に後述するように、レイヤ群の配置、レイヤ群の準備、及びレイヤ群の相互間あるいは光検出装置への取り付けは、Ｘ線検出器の有利な特性を達成するように明確に適応され得る。具体的には、介在する発光層、及び隣接するシンチレータ層及び反射層への発光層の取り付けを明確に適応させることによって、シンチレータ層と反射層との間の距離を小さく保ち得る。
【００１７】
発光層、反射層及びシンチレータ層は、先ず別々に作り出され、その後に互いに取り付けられてもよいが、これらの層の組み合わせを一体化することが有利となり得る。例えば、発光層は、その中に一体化された反射層を有し得る。
【００１８】
一実施形態によれば、発光層はＯＬＥＤを備え、該ＯＬＥＤを形成する層がシンチレータ層の表面に直接的に堆積される。このような技術は、ＯＬＥＤ処理の全体がシンチレータの典型的な処理温度より低い温度で行われ得るという事実を有利に活用し得る。従って、ＯＬＥＤスタックは、シンチレータの頂部に直接的に堆積されることができ、例えばプロセスの単純化、製造工程及びハンドリング工程の削減、並びにＯＬＥＤ発光層の厚さの低減などの利点を得ることができる。
【００１９】
本発明の他の一実施形態によれば、シンチレータ層が発光層の表面に直接的に成長される。この場合も、発光層及びシンチレータ層の双方と、好ましくは反射層とを含む積層体が、有利なハンドリング特性及び厚さ特性で容易に製造され得る。
【００２０】
なお、ここでは、異なる複数の主題を参照して本発明の実施形態を説明している。具体的には、一部の実施形態は装置タイプの請求項を参照して説明され、他の一部の実施形態は方法タイプの請求項を参照して説明される。しかしながら、以上及び以下の説明から当業者が察することには、特に断らない限り、１つのタイプの主題に属する複数の特徴の組み合わせに加えて、異なる主題に関する複数の特徴間の組み合わせ、特に、Ｘ線検出器の特徴とＸ線検出器の製造方法の特徴との組み合わせも、本出願で開示されていると見なされる。
【００２１】
以下にて説明する典型的な実施形態から、本発明の上述の態様及び実施形態並びに更なる態様が明らかになるが、本発明はそれらの限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態に従ったＸ線検出器を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に従ったＸ線検出器のサブタイルのアレイを示す正面図である。
【図３】本発明の他の一実施形態に従ったＸ線検出器のサブタイルのアレイを示す正面図である。
【図４】本発明の一実施形態に従ったＸ線検出器のサブタイルの詳細を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に従ったＸ線検出器用の典型的な頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に従ったＸ線検出器用の典型的な底面発光型ＯＬＥＤ薄膜を示す断面図である。
【図７】本発明の他の一実施形態に従ったＸ線検出器用の典型的な底面発光型ＯＬＥＤ薄膜を示す断面図である。  全ての図は単に模式的なものであり、縮尺通りではない。図面全体を通して、同様の要素には似通った参照符号を付する。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は、一実施形態に係るＸ線検出器１の断面図を示している。Ｘ線検出器１は、光検出装置３、シンチレータ層５、反射層９、及び発光層７を有している。
【００２４】
光検出装置３は、その検出面１２に感光素子１３のアレイを有するシリコンウェハベースのＣＭＯＳ光検出器である。感光素子１３は、その上への光の入射を検出し、且つ該検出を受けて電気信号を生成するように適応される。ここで、“光”は、Ｘ線より実質的に長い波長を有する電磁放射線を意味し得る。特に、“光”は、可視波長域と、紫外及び／又は赤外の波長域の一部とを含み得る。例えば、３５０ｎｍから１０５０ｎｍまでの範囲内での感光性が提供され得る。
【００２５】
検出面１２の頂部に、それに隣接して、シンチレータ層５が設けられている。シンチレータ層は、例えばタリウムでドープされたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）など、ドープされた結晶を有し得る。例えば、シンチレータ層５は２００μｍから７００μｍの厚さを有し得る。
【００２６】
シンチレータ層５の頂部に、検出面１２とは反対側の表面に、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）薄膜（フォイル）８が設けられている。ＯＬＥＤ薄膜８は、それへの電圧印加を受けて光（例えば、３００−５００ｎｍの波長域内）を放出するように適応された発光層７を有している。ＯＬＥＤ薄膜８は、発光層７とシンチレータ層５との間に、薄い封止層１４を有している。封止層１４は１μｍから５０μｍの厚さを有し得る。発光層７の反対側の表面には、反射層９として作用する薄い金属層が設けられている。この金属層は光に対してミラーとして作用する平滑なアルミニウム層とし得る。この金属層は、入射Ｘ線（図１において矢印Ｘで指し示す）が該金属層を実質的に透過し得るように、非常に薄くすることができ、例えば、１０μｍ未満、好ましくは１μｍ未満、好ましくは５０−５００ｎｍの範囲内とし得る。ＯＬＥＤ薄膜８の外表面に、支持基板層１１が設けられている。支持基板層１１は、例えば０．０５−３ｍｍの厚さを有し、ハンドリング中にＯＬＥＤ薄膜を機械的に安定化させ得る。支持基板層１１は、Ｘ線に対して実質的に透過性であるべきであり、例えばガラス又はプラスチックからなり得る。
【００２７】
図１に矢印Ｘで指し示したように、Ｘ線は、Ｘ線検出器１上に照射されてＯＬＥＤ薄膜８を透過し得る。これは、ＯＬＥＤ薄膜８が、Ｘ線に対して実質的に非吸収性の材料からなる例えば発光層７、支持基板層１１又は封止層１４などの層と、Ｘ線吸収材料からなるが非常に小さい厚さを有する例えば金属反射層９などの層とを有することによる。シンチレータ層５内で、Ｘ線は吸収されて光に変換される。光の一部は、矢印Ｂで指し示すように、検出面１２から離れてＯＬＥＤ薄膜８に向かう方向に放射され得る。この光は、矢印Ｒで指し示すように、ミラーとなる反射層９で反射され、ひいては検出面１２に到達し得る。従って、Ｘ線検出器１の感度が高められ得る。
【００２８】
ＯＬＥＤ薄膜８は、発光層７、及び反射層９とシンチレータ層５との間に介在する例えば封止層１４などのその他の層が、非常に小さい厚さ（例えば５０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満）の積層体で実現され得るように準備・配設されるべきである。それにより、反射層９の下面とシンチレータ層５の上面との間の距離が小さく、例えば５０μｍ未満に維持され得る。この小さい距離により、介在する発光層７は、検出器のＭＴＦ性能又は分解能に有意な悪影響を有しないものとなる。
【００２９】
Ｘ線照射は、シンチレータ層５内でＸ線を光に変換した後に光検出装置３で光を検出することによってＸ線検出器で効率的に検出され得るが、シンチレータに基づく同様の従来のＸ線検出器では、後続Ｘ線照射パルスでの照射時に、いわゆる幻像の問題が観測されている。換言すれば、先行するＸ線照射パルス画像の遺物が、後続のＸ線照射パルス画像内で視認され得る。この効果は先出の特許文献１でも説明されている。そのような幻像を防止するために、シンチレータ層５は、後続のＸ線照射パルス同士の間の期間に、発光層７によって放射される光で照射され得る。矢印Ｖで指し示すように、発光層７は、Ｘ線照射パルス群の間の発光パルス群として、３００−５００ｎｍの波長域内の光を放射し得る。これらの発光パルスはシンチレータ層５を“リセット”し、それによって幻像を防止し得る。
【００３０】
発光層７のこのようなパルス動作を可能にするために、発光層は短い応答時間を有するべきである。例えば２０×３０ｃｍ２といった大きい検出器面積の場合、そのような大面積を有する発光層７は大きいキャパシタンスＣを有し得る。そのような大きいキャパシタンスＣは、検出器領域の均一な照射のための発光層７のＲＣ時間を増大させてしまい得る。
【００３１】
故に、図２及び３に示すように、発光層７を複数のサブタイル（タイル状の部分領域）１５に分割することが有利となり得る。各サブタイル１５は、例えば４×４ｃｍ２といった小さい面積を有し、故に、より速いＲＣ時間をもたらす低減されたキャパシタンスを有し得る。各サブタイル１５は、発光領域２１を包囲する正電極１９及び負電極１７を有し得る。より低い動作電流の恩恵を受け、ひいては抵抗損を低減するために、様々なサブタイル１５を直列に接続することができる。他の例では、サブタイル１５を個別にアドレス指定することができる。
【００３２】
図３に示すように、サブタイル１５’は、全てのサブタイル１５’に対して共通の正電極１９’を設け得るように構成され得る。
【００３３】
図４は、サブタイル１５”の細部を示している。抵抗損を更に低減し、且つサブタイル１５”の発光領域２１”の放射均一性を向上させるため、追加の金属シャントライン（分路配線）２３が使用され得る。シャントライン２３は、例えば１μｍ未満の厚さを有し、例えばアルミニウムからなり得る。シャントライン２３は長方形又は六角形の格子を形成し得る。それらの小さい厚さにより、シャントラインは、特に局所的なオフセット及び利得の校正の後に、Ｘ線検出性能に測定可能な悪影響を有しない。
【００３４】
図５及び６は、本発明の実施形態に係るＸ線検出器に使用され得るようなＯＬＥＤ薄膜８’、８”を示している。ＯＬＥＤ発光層の発光面上に非常に薄い透明保護層を有する専用のＯＬＥＤ薄膜が製造され得る。この保護層は、優れた防湿特性を有するべきであり、且つ５０μｍ未満、好ましくは２０μｍ未満又は更に薄い厚さであるべきである。組立における次の工程は、例えばＣＭＯＳ検出アレイなどの光検出装置３にシンチレータ層５を例えば接着によって取り付ける前又は後の何れかに、シンチレータ層５の頂部に薄膜８をラミネートあるいは接着することであり得る。異なる複数のタイプのＯＬＥＤ薄膜が区別されてもよい。
【００３５】
図５は、頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜８’を示している。名前が指し示すように、光は、矢印Ｖで指し示されるように、透明なカソードを通って薄膜８’の頂部から放射される。ＯＬＥＤ薄膜８’の頂部発光面が、ラミネーション又は接着によって、シンチレータ層５の頂面に、すなわち、裏返して、取り付けられ得る。
【００３６】
以下、ＯＬＥＤ薄膜８’の積層体（レイヤスタック）について、底部から頂部の順に、すなわち、レイヤ群の可能な堆積順序にて説明する。
【００３７】
−  従来のＯＬＥＤスタックにおいては、薄膜を機械的に安定化させる基板として作用することと、隣り合うレイヤ群を電気的に接続する電極として作用することとの２つの目的を満足するために、一般的に金属箔が使用されている。しかしながら、そのような金属箔は典型的に、１０μｍより大きい厚さ、しばしば５０μｍより大きい厚さを有する。Ｘ線検出器の検出面の前に配置されると、そのような金属箔は、入射Ｘ線を実質的に吸収し、それにより、下に位置するシンチレータ層５に入射Ｘ線が到達することを妨げることになる。従って、基板４５として作用し且つＯＬＥＤ薄膜８’を機械的に安定化させるよう、例えば５０−１５０μｍの厚さを有するプラスチック薄膜などの非金属基板４５を使用することを提案する。非金属基板４５の頂部に、数μｍの厚さを有するバリア層４７と、例えば１００ｎｍから数μｍの厚さを有し且つ例えばアルミニウムを用いてなる金属層４３とが堆積され得る。他の例では、０．１−３ｍｍの厚さを有する薄いガラス基板が、機械的安定化の役割を果たすとともに、マイクロメートルの厚さ域の金属層でコーティングされ得る。
【００３８】
−  金属層４３の表面の一部が、絶縁体層４１とその頂部上の導電体層３９とでコーティングされ得る。層４１、３９は何れもおよそ１００ｎｍの厚さを有し得る。
【００３９】
−  絶縁体層４１に横方向で隣接する領域において、金属層４３の頂部に、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透明導電体を有するＰＥＤＯＴ層３７（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）、しばしばＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）と混合される）が堆積され得る。ＰＥＤＯＴ層３７は３０−６０ｎｍの厚さを有し得る。
【００４０】
−  ＰＥＤＯＴ層３７の頂部に、発光ポリマー（light  emitting  polymer；ＬＥＰ）層３５又はオリゴマーの多層スタックが堆積され得る。ＬＥＰ層３５はおよそ８０ｎｍの厚さを有し得る。導電体層３９及び金属層４３はＬＥＰ層３５への電極として作用し得る。
【００４１】
−  ＬＥＰ層３５の頂部に、導電体層３９に電気的に接触されて透明なカソード３３が堆積される。透明カソード３３は、５ｎｍ厚のバリウム層と１５ｎｍ厚の銀層と３０ｎｍ厚の硫化亜鉛層とを含む積層体（５ｎｍＢａ／１５ｎｍＡｇ／３０ｎｍＺｎＳ）を有し得る。
【００４２】
−  薄い高性能膜封止３１が、下に位置するレイヤ群３３、３５、３９、４１、３７を包囲する。封止層３１は、例えば（ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ）５−８／ＳｉＮｘからなることができ、例えば２０μｍ未満である数μｍの総厚を有し得る。
【００４３】
−  必要に応じて、更なる保護コーティング（図５には図示せず）が、例えば３−３０μｍの厚さで設けられ得る。上記の封止は、約２０ｍｍの半径への制御された曲げに対して劣化なく堅牢であり得るものの、機械的なハンドリングの影響を受けやすく、シンチレータ層５上への薄膜８’のラミネーションの前及び最中に何らかの保護を必要とすることがあり得る。この機能はまた、ラミネーションのための接着剤によっても（部分的に）提供され得る。
【００４４】
なお、図５は、明瞭化のために、カソード又はアノードのシャントライン又はブスバーを示していない。
【００４５】
図５に示した頂面発光型ＯＬＥＤ薄膜８’の一代替例として、図６に示すような底面発光型ＯＬＥＤ薄膜８”が使用されてもよい。そのレイヤ構造は、電極及び封止に関する限り、ガラス基板上に製造されることが可能なものと基本的に同じとし得るので、より標準的なレイアウトである。従来のＯＬＥＤ構造と比較してこのＯＬＥＤ構造が決定的に異なるのは、シンチレータ層５に取り付けられ、且つ矢印Ｖで示されるようにそれを介して光が放射される、薄膜８の底面にある非常に薄い支持層である。
【００４６】
図６に示すＯＬＥＤ層８”の積層体は、頂部から底部の順に：
−  例えば２５−１００μｍの厚さを有するＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）又はＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のカバー薄膜又はコーティング（図示せず）；
−  （ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ）５−８／ＳｉＮｘを有し且つ数μｍの総厚を有するＴＦＥ（薄膜封止）層５１；
−  およそ１００ｎｍの厚さを有するアルミニウムのカソード５３；
−  およそ８０ｎｍの厚さを有するＬＥＰ層又は小分子スタック５５；
−  およそ８０−１００ｎｍの厚さを有するＩＴＯ層及び／又はＰＥＤＯＴ層５７；
−  およそ１００ｎｍの厚さを有するシャントライン及び／又はブスバー（図示せず）；
−  数μｍの総厚を有する（ＳｉＮｘ／ＳｉＯｘ）５−８／ＳｉＮｘを有するバリア層５９；
−  好ましくは透明であり、且つおよそ１０μｍの厚さを有するポリイミド膜６１；
−  積層体の総厚を低減するために、積層体の製造中に一時的に、後に積層体の完成後に除去され得るガラスキャリア基板が設けられてもよい；
を有し得る。
【００４７】
上述の薄膜スタックを準備するため、例えばガラス基板などの標準的なキャリア基板が用いられてもよい。これは、やはり、薄膜８”の製造後に例えばＵＶレーザによるリリースによって除去される。この基板の頂部に、リリース層及びＯＬＥＤ薄膜の支持層の双方として作用し得る薄いポリイミド層が堆積されてもよい。ポリイミドは、湿気に対してハーメチックシールされないので、図５に示した例における封止層３１と同様の薄いバリア層が必要とされることがある。製造プロセスの残りの部分は標準的なものとし得る。封止後、更なる保護カバー薄膜又はコーティング５１が設けられてもよく、そのとき、この封止層に厚さ要件は適用されない。
【００４８】
本発明の実施形態に係るＸ線検出器を製造するため、図５に示したような頂面発光型薄膜８’、又は図６に示したような底面発光型薄膜８”が、シンチレータ層５の頂面にラミネートされ得る。
【００４９】
他の一製造方法として、完全なるＯＬＥＤスタックがシンチレータ層５（又はそのバリアコーティング）の頂部に直接的に堆積されてもよい。この方法は、シンチレータ層５、及び光検出装置３をして使用される例えばＣＭＯＳアレイ、の処理温度より有意に低い例えば１５０℃未満の温度でＯＬＥＤ処理の全体が行われ得るという事実を用い得る。これは幾つかの利点をもたらし得る。例えば、製造プロセスを単純且つ互換性あるものに維持することができる。別個の薄膜のハンドリング及びラミネーションが必要とされない。ＯＬＥＤに一体化された反射体９とシンチレータ層５との間の層間距離が短縮され、ＭＴＦ性能が向上され得る。ＯＬＥＤスタックの堆積は、光検出装置３へのシンチレータ層５の取り付けの前又は後の何れに行われてもよい。
【００５０】
ＯＬＥＤレイヤスタックは、頂部から底部の順に：
−  バリア及びカバーの薄膜。更なる保護及び／又はシンチレータに対する緩和されたバリア仕様のため、シンチレータを含めてＯＬＥＤスタック全体を封止することが魅力的である場合がある；
−  コンタクトと、必要に応じてのシャントラインとを有するＯＬＥＤ層；
−  バリア層；
−  必要に応じてのシンチレータバリアコーティング；
を有していてもよい。
【００５１】
これらの層の全てが、ＣＭＯＳ光検出装置に取り付けられ得るシンチレータ層上に直接的に堆積され得る。
【００５２】
このような手法においてはＯＬＥＤスタックがシンチレータ層上に直接的に堆積されるので、シンチレータ層若しくはそのコーティングとＯＬＥＤスタックとの間に接着剤又は接着材を設けなくてもよい。従って、ＯＬＥＤスタック全体の厚さが、典型的に１０−２５μｍを有するそのような接着剤層の厚さだけ低減され得る。故に、シンチレータ層５の上面とＯＬＥＤの頂部の反射層９との間の距離が有意に短縮され得る。同じことが、ＯＬＥＤは例えばガラス、プラスチック又は金属箔からなる基板を必ず有するわけではなく、また更に、例えばポリイミドからなる支持層を必ず有するわけではないときにも言える。
【００５３】
更なる他の一製造方法として、例えばＯＬＥＤスタックなどの発光層７の表面に直接的にシンチレータ層５を成長させてもよい。この手法は、ＯＬＥＤに許容される温度安定性に依存し、それはおよそ２００℃で２時間とすべきである。利点は、シンチレータ層上へのＯＬＥＤ堆積を用いる上述の製造手法で得られる利点と同様であり得る。やはり、シンチレータ層（又はそのコーティング）とＯＬＥＤ層との間に接着剤又は接着材を必要としないようにし得る。
【００５４】
このようなＯＬＥＤ層上へのシンチレータ層の成長の結果として、従来の製造手法と比較してシンチレータ構造が異なるものとなり得る。典型的に、シンチレータ層の成長は、薄い固体層から始まり、密に詰められた縦方向のピラーの形態で成長し続ける。従って、この製造手法を用いると、従来のＸ線検出器において典型的にそうであるように、開始時の基部となる層は、ピラー端部の代わりにＯＬＥＤの面する。
【００５５】
なお、用語“有する”はその他の要素又は工程を排除するものではなく、用語“ａ”又は“ａｎ”は要素が複数であることを排除するものではない。また、請求項中の参照符号は、請求項の範囲を限定するものとして解されるべきでない。
【符号の説明】
【００５６】
１    Ｘ線検出器
３    光検出装置
５    シンチレータ層
７    発光層
８    ＯＬＥＤ薄膜
９    反射層
１１  支持基板層
１２  検出面
１３  感光素子
１４  封止層
１５  サブタイル
１７  負電極
１９  正電極
２１  発光領域
２３  シャントライン（分路配線）
３１  封止層
３３  透明カソード
３５  ＬＥＰ層
３７  ＰＥＤＯＴ層
３９  導電体層
４１  絶縁体層
４３  金属層
４５  非金属基板
４７  バリア層
５１  バリア層
５３  カソード
５５  ＬＥＰ層
５７  ＰＥＤＯＴ層
５９  バリア層
６１  ポリイミド膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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