(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者体内に植え込まれるように構成された筐体と、
前記筐体内の第１の位置に配置され、前記第１の位置の磁場の第１の強度を測定するように構成された第１の磁場センサーと、
前記筐体内の第２の位置に配置され、前記第２の位置の前記磁場の第２の強度を測定するように構成された第２の磁場センサーと、
制御モジュールであって、
前記第１の強度および前記第２の強度のうちの少なくとも一方が閾値下限より大きく、前記第１の強度および前記第２の強度のいずれも閾値上限より大きくない場合に前記第１の測定された強度と前記第２の測定された強度との差を決定し、
前記差を空間的勾配閾値と比較し、
前記差が前記空間的勾配閾値より小さい場合に前記磁場の発生源を磁気共鳴映像（ＭＲＩ）装置の一次磁石であるとして識別し、
前記差が前記空間的勾配閾値より大きい場合に前記磁場の前記発生源を携帯型磁気装置であるとして識別する
ように構成された制御モジュールと
を備える装置。
【請求項２】
前記制御モジュールは、前記磁場の前記発生源を前記ＭＲＩ装置の前記一次磁石として識別することに応答してＭＲＩスキャン中にＭＲＩモードで動作するように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御モジュールは、
前記第１の測定された強度および前記第２の測定された強度のうちの少なくとも一方を
閾値上限と比較し、
前記測定された強度および前記第２の測定された強度のうちの少なくとも一方が前記閾値上限より大きい場合に前記磁場の前記発生源を磁気共鳴映像（ＭＲＩ）装置の一次磁石であるとして識別するように構成される請求項１および２のいずれか一項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]本開示は、磁気共鳴映像（ＭＲＩ）装置を検出するための技術に関するものであり、より詳細には、ＭＲＩ場を検出することができる植え込み型医用装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
[0002]磁気共鳴映像法（ＭＲＩ）は、患者の詳細な内部構造を視覚化するために使用される医用撮像技術である。患者は、ＭＲＩスキャン時に少なくとも一部がＭＲＩ装置内に置かれる。ＭＲＩ装置は、静磁場（これ以降「静ＭＲＩ場」と称する）、勾配磁場、および無線周波数（ＲＦ）場を含む、さまざまな磁場および電磁場を発生しうる。静ＭＲＩ場は、ＭＲＩ装置内の一次磁石によって発生し、ＭＲＩスキャンの開始前に存在している可能性がある。勾配磁場は、電磁石によって発生し、ＭＲＩスキャン時に存在しうる。ＲＦ磁場は、送信／受信コイルによって発生し、ＭＲＩスキャン時に存在しうる。ＭＲＩスキャンを受けている患者が植え込み型医用装置（ＩＭＤ）を有している場合、ＭＲＩ装置によって生成されるさまざまな場が、ＩＭＤの動作に干渉することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
[0003]ＭＲＩスキャン時に生成されるさまざまな場がＩＭＤに及ぼす影響を低減するために、いくつかのＩＭＤは、ＭＲＩスキャン時にＭＲＩ互換動作モード（本明細書ではＭＲＩ動作モードとも称する）にプログラムされうる。典型的には、医師が、スケジュールされたＭＲＩスキャンの前のある時点においてプログラミング装置を使用してこれらのＩＭＤをプログラムすることができる。患者がＭＲＩスキャンを受けた後、医師は、ＩＭＤを通常設定に再プログラムして戻すことができる。ＩＭＤを有する患者をスキャンする前、またスキャンした後に行われる再プログラミングプロセスは、患者にとっても医師にとって不便である場合がある。いくつかのシナリオでは、ＩＭＤを有する患者は、緊急ＭＲＩスキャンを必要とすることがある。このようなシナリオでは、ＭＲＩスキャンのあたりでＩＭＤの再プログラミングを行う適切な時間帯がない場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0004]本開示によるＩＭＤは、ＭＲＩスキャンの開始前にＭＲＩ装置の有無を（例えば、静ＭＲＩ場の検出によって）自動的に検出することができる。例えば、ＩＭＤは、静ＭＲＩ場の空間的勾配および／または強度に基づきＭＲＩ装置を検出することができる。さらに、ＩＭＤは、テレメトリーヘッド磁石（telemetry head magnets）または他の携帯型磁石などの携帯型磁気装置が発生する磁場などの静ＭＲＩ場を他の磁場から区別することができ、これにより、検出された場の空間的勾配および／または強度に基づき検出された磁場の発生源をＩＭＤで識別する際の特異性を改善する。
【０００５】
[0005]ＭＲＩ装置の検出に応答して、ＩＭＤは、通常動作モードからＭＲＩ動作モードに遷移し、その後、ＭＲＩスキャンを開始することができる。ＭＲＩモードで動作している間、ＩＭＤは、ＭＲＩ装置によって放射される勾配場およびＲＦ場の悪影響を受けることが比較的少なくなるように構成されうる。ＩＭＤがＭＲＩ装置を自動的に検出し、ＭＲＩモードに遷移することができるため、ＭＲＩスキャンの前にＩＭＤの手作業による再プログラミングが必要なくなるか、または作業による再プログラミングが実行されない場合にフェイルセーフ再プログラミングモードを備えることができる。
【０００６】
[0006]本開示によるいくつかの例では、装置は、筐体、第１の磁場センサー、第２の磁場センサー、および制御モジュールを備える。筐体は、患者体内に植え込まれるように構成される。第１の磁場センサーは、筐体内の第１の位置に配置され、第１の位置で磁場の第１の強度を測定するように構成される。第２の磁場センサーは、筐体内の第２の位置に配置され、第２の位置で磁場の第２の強度を測定するように構成される。制御モジュールは、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するように構成される。
【０００７】
[0007]本開示による他の例では、方法は、植え込み型装置内の第１の位置における磁場の第１の強度を測定するステップと、植え込み型装置内の第２の位置における磁場の第２の強度を測定するステップと、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するステップとを含む。
【０００８】
[0008]本開示による他の例では、システムは、筐体、植え込み型医用装置（ＩＭＤ）、第１の磁場センサー、第２の磁場センサー、および制御モジュールを備える。第１の磁場センサーは、ＩＭＤに接続され、第１の位置で磁場の第１の強度を測定するように構成される。第２の磁場センサーは、ＩＭＤに接続され、第２の位置で磁場の第２の強度を測定するように構成される。制御モジュールは、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するように構成される。
【０００９】
[0009]本開示による他の例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プログラム可能なプロセッサに、植え込み型装置内の第１の位置における磁場の第１の強度を測定するステップと、植え込み型装置内の第２の位置における磁場の第２の強度を測定するステップと、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するステップとを実行させる命令を備える。
【００１０】
[0010]１つまたは複数の例の詳細は、添付図面および以下の説明で述べられる。他の特徴、目的、および利点は、説明と図面、さらには請求項から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】[0011]植え込み可能なリードを介して患者の心臓に刺激療法を施すための植え込み型医用装置（ＩＭＤ）を備える例示的なシステムの概念図である。
【図２Ａ】[0012]ＩＭＤの略図である。
【図２Ｂ】ＩＭＤの略図である。
【図３】[0013]静ＭＲＩ場およびテレメトリーヘッド場の強度を示す図である。
【図４】[0014]磁場の発生源を識別するための例示的な方法を示す図である。
【図５】[0015]ＩＭＤの例示的な制御モジュールを示す機能ブロック図である。
【図６】[0016]例示的な場弁別モジュールを示す機能ブロック図である。
【図７】[0017]静ＭＲＩ場とテレメトリーヘッド場とを区別するための例示的な方法を示す図である。
【図８】[0018]磁場の発生源を識別するときにＩＭＤによって実装されうる節電戦略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0019]本開示によるＩＭＤは、磁場を検出し、検出された磁場の発生源を識別することができる。例えば、ＩＭＤは、ＭＲＩ装置の一次磁石もしくはテレメトリーヘッド磁石のうちの一方として磁場の発生源を識別することができる。
【００１３】
[0020]本明細書においてペースメーカーおよび／または心臓除細動器／除細動器として説明されている、ＩＭＤは、複数の磁場センサーを備える。ＩＭＤは、複数の磁場センサーから受信した信号に基づき静ＭＲＩ場の有無（例えば、一次磁石の有無）を検出することができる。いくつかの例では、ＩＭＤは、静ＭＲＩ場の強度がテレメトリーヘッド磁石によって生成可能なものより強い場合があるため、検出された磁場の強度に基づき静ＭＲＩ場の有無を検出することができる。したがって、いくつかの例では、ＩＭＤは、検出された磁場の発生源を、検出された磁場がテレメトリーヘッド磁石によって典型的に生成可能である場より強いときにＭＲＩ装置として識別することができる。
【００１４】
[0021]しかし、いくつかのシナリオでは、静ＭＲＩ場の強度は、他の磁場、例えば、プログラマーのテレメトリーヘッド磁石によって発生する場（つまり、「テレメトリーヘッド場」）に類似しているものとしてよい。例えば、テレメトリーヘッド場は、場に関してＩＭＤの位置に応じて、静ＭＲＩ場と類似の強度を有することができる。いくつかの例では、テレメトリーヘッド磁石に近接近しているテレメトリーヘッド場の強度は、ＭＲＩ装置のボアの外側の距離のところに示される強度の範囲内にあるものとしてよい。したがって、静ＭＲＩ場の強度およびテレメトリーヘッド場の強度は、いくつかの例では等しい場合があるため、静ＭＲＩ場およびテレメトリーヘッド場は、強度だけに基づいたのでは互いを区別できない。
【００１５】
[0022]テレメトリーヘッド場および静ＭＲＩ場の強度がおおよそ等しい例では、テレメトリーヘッド場および静ＭＲＩ場は、異なる空間的勾配を示しうる。本開示のＩＭＤは、空間的勾配のこの違いに基づきテレメトリーヘッド場と静ＭＲＩ場とを区別することができる。本明細書で使用されているような、磁場の空間的勾配は、磁場内の異なる位置の磁場によって示される強度の差、例えば、磁場内の２つの地点の間の強度の差を指す。テレメトリーヘッド場の空間的勾配は、２つの場の強度が同じ範囲内にある場合に静ＭＲＩ場の空間的勾配より大きいものとしてよい。空間的勾配が大きくなると、それに対応して、２つの地点の間の磁場の強度の変化は大きくなり、空間的勾配が小さくなると、それに対応して、同じ２つの地点の間の磁場の強度の変化は小さくなる。
【００１６】
[0023]ＩＭＤは、ＩＭＤに含まれる複数の磁場センサーからの測定結果に基づきＩＭＤ内の異なる位置にある磁場の強度を決定することができる。その後、ＩＭＤは、例えば、異なる位置で測定された強度を比較することによって、検出された磁場の空間的勾配を決定することができる。決定された空間的勾配に基づき、ＩＭＤは、テレメトリーヘッド場と静ＭＲＩ場とを区別することができる。例えば、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より大きい場合に、ＩＭＤは検出された磁場の発生源をテレメトリーヘッド磁石として識別することができるが、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より小さい場合に、ＩＭＤは、磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別することができる。そのようなものとして、本開示の技術を使用することで、ＩＭＤは、検出された磁場の発生源に関する改善された感度および特異性を得ることができる。
【００１７】
[0024]ＩＭＤは、ＩＭＤが磁場の発生源として識別するものに応じて「通常モード」の動作から「ＭＲＩモード」または「テレメトリーヘッドモード」の動作に遷移することができる。磁場が存在しない場合、ＩＭＤは、通常モードで動作することができる。通常モードのＩＭＤの動作は、例えば、テレメトリーヘッド、ＭＲＩ装置、または他の磁気装置を検出することなく、ＩＭＤの典型的な動作状態を記述するものとしてよい。典型的な動作状態は、ＩＭＤにおける普通の療法および／または感知モードの動作を伴いうる。例えば、ＩＭＤが植え込み型心臓除細動器−除細動器として機能する場合、通常モードは、通常感知で通常ペーシング、心臓除細動、および／または除細動療法機能をサポートすることができる。
【００１８】
[0025]ＩＭＤは、ＩＭＤが発生源をテレメトリーヘッド磁石として識別した場合にテレメトリーヘッドモードで動作することができる。テレメトリーヘッドモードのＩＭＤの動作は、テレメトリーヘッド磁石の検出に応答して、ＩＭＤの典型的な動作状態を記述するものとしてよい。例えば、ＩＭＤがテレメトリーヘッド磁石を検出した後、ＩＭＤは、テレメトリーヘッドモードに入り、テレメトリーヘッドを介して、または距離テレメトリーも介して、ワイヤレステレメトリーによりプログラマーと通信し、データをプログラマーに転送し、および／またはプログラマーから動作パラメータを受信することができる。ＩＭＤは、テレメトリーヘッドモードで頻脈検出を無効にすることもできる。
【００１９】
[0026]ＩＭＤは、ＩＭＤが磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別した場合にＭＲＩモードに遷移することができる。ＭＲＩモードにおけるＩＭＤの動作は、勾配磁場によって引き起こされうる望ましくない効果が低減され、場合によってはなくすことができるＩＭＤの動作状態を記述するものとしてよい。ＭＲＩ動作モードで動作している場合、ＩＭＤは、通常動作モードおよびテレメトリーヘッドモードに比較して異なる機能で動作するように構成される。場合によっては、ＩＭＤは、通常動作モードに比較して機能を落として動作するように構成される。例えば、ＩＭＤは、感知を行わない、療法を施さない、可能な療法の部分集合のみを施す、収集されたデータをログに記録しない、などである。
【００２０】
[0027]いくつかの例では、ＭＲＩモードで動作している間に、ＩＭＤは、設定タイミングに応じてペーシングが行われる非同期モードで動作することができ、感知された心イベントに反応しない。非同期モードでの動作は、リード上の電気的雑音を心臓活動として識別させる過剰な感知によるペーシング抑制を防ぐことができる。他の例では、ＩＭＤは、ＭＲＩモードでのペーシングをオフにすることができる。ＩＭＤが除細動機能を備える場合、ＩＭＤは、頻脈検出を無効にし、高電圧コンデンサ回路の充電を無効にし、除細動を無効にすることができる。
【００２１】
[0028]それに加えて、または代替的に、ＩＭＤは、ＭＲＩ場がＥＧＭ波形を損なう可能性があるという理由で、心電図（ＥＧＭ）波形の保存などの診断結果保存を無効にすることができる。他の場合には、ＩＭＤは、通常動作モードに比較してほぼ同じ機能で、さらには高めた機能で動作するように構成される。例えば、ＩＭＤは、異なるセンサー（例えば、圧力もしくは加速度センサー）、異なる感知回路、または異なる感知アルゴリズムを使用して、患者の心臓活動を検出することができる。いくつかの例では、ＩＭＤは、ＭＲＩ場によって誘発される信号を取り除く機能を有することができる。いくつかの例では、ＭＲＩモードで動作している間に、ＩＭＤは、ＩＭＤがＭＲＩ場を検出したこと、またＩＭＤがＭＲＩスキャン時に動作するように構成されていることを医師に通知することができる。ＩＭＤは、ＭＲＩスキャン時にＩＭＤの適切な動作を確実に行わせるために本明細書では説明されていない追加設定に従ってＭＲＩモードで動作しうる。
【００２２】
[0029]図１は、患者１０４の心臓１０２の状態を診断し、それに刺激療法を施すために使用されうる例示的なシステム１００の概念図である。システム１００は、ＩＭＤ  １０６を備える。例えば、ＩＭＤ  １０６は、電気的刺激を心臓１０２に施す植え込み型ペースメーカー、心臓除細動器、および／または除細動器とすることができる。
【００２３】
[0030]ＩＭＤ  １０６は、ＭＲＩ装置（図示せず）の静ＭＲＩ場の有無を検出する。静ＭＲＩ場の検出に応答して、ＩＭＤ  １０６は、ＭＲＩモードで動作することができる。ＭＲＩ装置は、患者１０４がＭＲＩスキャン前およびスキャン中に位置決めして載せられる患者支持台を備えることができる。ＭＲＩ装置は、静ＭＲＩ場を発生するＭＲＩ装置の一次磁石、勾配磁場を発生する勾配コイル、およびＲＦ場を発生するＲＦコイルを収納するスキャン部分を備える。ＭＲＩスキャン時に、患者１０４の一部が、ＭＲＩ装置のボア（「ＭＲＩボア」）内に位置決めされうる。ＭＲＩボア内に位置決めされている間に、スキャンされる患者１０４の部分は、一次磁石、勾配コイル、およびＲＦコイルによって囲まれるものとしてよい。ＭＲＩ装置の構造はさまざまであるけれども、静ＭＲＩ場を検出するために本発明で使用される技術は、一般的に、側面が開いているＭＲＩ装置などのさまざまな他のＭＲＩ装置構成、または他の構成にも応用可能であるものとしてよい。
【００２４】
[0031]ＩＭＤ  １０６は、リード１０８、１１０、１１２に結合される。リード１０８、１１０、１１２は、患者１０４の心臓１０２内に貫入する。ＩＭＤ  １０６は、心臓１０２の電気的活動を感知し、および／またはリード１０８、１１０、１１２上の電極を介して電気的刺激を心臓１０２に施すことができる。
【００２５】
[0032]ＩＭＤ  １０６は、筐体１１４およびコネクタブロック１１６を備える。筐体１１４およびコネクタブロック１１６は、ＩＭＤ  １０６のコンポーネントを保護するハーメチックシールを形成しうる。いくつかの例では、筐体１１４は、分離した弁を有する金属もしくは他の生体適合性エンクロージャを備えるものとしてよい。コネクタブロック１１６は、電気的フィードスルーを備えることができ、これを通して、電気的接続部が筐体１１４内に入れられているリード１０８、１１０、１１２と電子コンポーネントとの間に形成される。筐体１１４は、患者体内に植え込まれるように構成される。
【００２６】
[0033]筐体１１４は、心臓ペーシングパルスおよび心臓除細動または除細動ショックなどの、治療刺激を発生する信号発生器モジュール、さらには心臓１０２の律動を監視するための電気的感知モジュールを収納する。リード１０８、１１０、１１２は、コネクタブロック１１６を介してＩＭＤ  １０６の信号発生器モジュールおよび電気的感知モジュールに結合される。信号発生器モジュールおよび電気的感知モジュールを使用することで、ＩＭＤ  １０６は、心臓１０２内で感知される電気信号に基づきペーシングパルスを心臓１０２に送ることができる。ＩＭＤ  １０６は、除細動および／または心臓除細動療法を心臓１０２に施すこともできる。例えば、ＩＭＤ  １０６は、心室の細動などの、心臓１０２の不整脈を検出し、心臓除細動または除細動療法を電気パルスの形態で心臓１０２に施すことができる。
【００２７】
[0034]システム１００は、プログラマー１１８を備える。プログラマー１１８は、ハンドヘルドコンピューティングデバイス、デスクトップコンピューティングデバイス、ネットワーク接続コンピューティングデバイスなどとすることができる。プログラマー１１８は、プログラマー１１８のプロセッサに本開示のプログラマー１１８に属する機能を実行させる命令を有するコンピュータ可読記憶媒体を備えることができる。
【００２８】
[0035]プログラマー１１８は、テレメトリーヘッド１２０を介してＩＭＤ  １０６と通信することができる。テレメトリーヘッド１２０は、テレメトリーヘッド磁石１２２を備える。テレメトリーヘッド磁石１２２は、磁場（「テレメトリーヘッド場」）を発生する。ＩＭＤ  １０６は、テレメトリーヘッド磁石１２２（つまり、テレメトリーヘッド場）の有無を検出することができ、またテレメトリーヘッド磁石１２２の検出に応答してテレメトリーヘッドモードで動作することができる。テレメトリーヘッドモードでは、ＩＭＤ  １０６およびプログラマー１１８は、互いに通信し合い、例えば、データを転送し合うことができる。例えば、ＩＭＤ  １０６がテレメトリーヘッドモードで動作する場合、ＩＭＤ  １０６は、データをプログラマー１１８に送信することができ、プログラマー１１８は、ＩＭＤ  １０６に格納されているデータを取り出し、および／またはＩＭＤ  １０６をプログラムすることができる。
【００２９】
[0036]いくつかの例では、テレメトリーヘッド磁石１２２は、永久磁石を含むものとしてよい。永久磁石は、テレメトリーヘッド１２０がＩＭＤ  １０６の上に置かれたときに永久磁石がＩＭＤ  １０６を覆うようにＩＭＤ  １０６の面積にほぼ等しい面積を有することができる。いくつかの例では、テレメトリーヘッド磁石１２２は、テレメトリーヘッド場を発生する電磁石などの永久磁石以外の携帯型磁気装置を含むものとしてよい。
【００３０】
[0037]テレメトリーヘッド磁石１２２の検出が本明細書で説明されているけれども、テレメトリーヘッド場の比較的大きな空間的勾配（例えば、静ＭＲＩ空間的勾配に相対的に）は、携帯型磁気装置によって発生する他の磁場によって示されうる。例えば、テレメトリーヘッドに備えられていない患者磁石（例えば、携帯型永久磁石）は、テレメトリーヘッド磁石１２２によって発生する勾配に似た空間的勾配を発生しうる。それに加えて、テレメトリーヘッド磁石１２２に類似する磁場を発生する他の装置が、ＩＭＤ  １０６に近接していてもよい。このような装置としては、限定はしないが、患者磁石以外の永久磁石が挙げられる。したがって、テレメトリーヘッド磁石１２２は、一般的に、磁気装置（例えば、携帯型磁気装置）またはテレメトリーヘッド磁石１２２に似た磁場を発生する他の磁場発生源を代表するものとしてよく、ＩＭＤ  １０６は、磁場の強度および空間的勾配に関してテレメトリーヘッド場に類似する磁場を生成する磁石に応答してテレメトリーヘッドモードで動作しうる。一般的に、大半の「環境的」磁場発生源は、テレメトリーヘッド磁石１２２に似た磁場を示すが、少数の磁場発生源は、ＭＲＩ装置の永久磁石と規模が同じくらいの磁場を示しうる。
【００３１】
[0038]プログラマー１１８を使用してＩＭＤ  １０６から取り出されたデータは、心臓１０２の電気的活動を指示するＩＭＤ  １０６に保存される心臓ＥＧＭを含みうる。データは、感知の発生およびタイミング、診断、およびＩＭＤ  １０６に関連付けられている治療イベントを指示するマーカーチャネルデータも含むことができる。それに加えて、データは、ＩＭＤ  １０６、またはＩＭＤ  １０６のリード１０８、１１０、１１２または電源などの、診断システム１００の他のコンポーネントの性能もしくは完全性に関する情報を含むことができる。
【００３２】
[0039]プログラマー１１８を使用してＩＭＤ  １０６に転送されるデータは、例えば、動作パラメータに対する値、除細動パルスを出すために使用される電極選択、除細動パルスに使用される波形選択、および／または検出アルゴリズムに対する構成パラメータを含みうる。プログラマー１１８は、図３に関して本明細書で説明されている下限値、上限値、および空間的勾配閾値も転送することができる。これらの上限値、下限値、および空間的勾配閾値は、患者毎に、例えば、ＩＭＤのタイプ、または患者体内のＩＭＤの位置／配向に基づき、較正されうるプログラム可能な値とすることができる。他の例では、これらの値は、ＭＲＩ装置が異なれば磁場特性も異なることがあるため、市販されているさまざまなＭＲＩ装置との互換性を確保するためにプログラム可能であるものとしてよい。
【００３３】
[0040]ＩＭＤ  １０６およびプログラマー１１８は、当技術分野で知られている技術を使用するワイヤレス通信を介して通信することができる。通信技術の例としては、例えば、低周波もしくはＲＦテレメトリーが挙げられるが、他の技術も企図される。
【００３４】
[0041]図１に例示されていないけれども、システム１００は、患者モニターを備えることができる。患者モニターは、プログラマー１１８と似た機能を備える、ハンドヘルドコンピューティングデバイス、デスクトップコンピューティングデバイス、ネットワーク接続コンピューティングデバイスなどとすることができる。例えば、患者モニターは、例えば自動的にまたは患者もしくは他のユーザーからのコマンドに応答してＩＭＤ  １０６からデータを読み取り、データをサーバーにアップロードする装置とすることができる。プログラマー１１８および患者モニターは同じ場所に配置することができるが、それが典型的なことであるわけではない。例えば、プログラマー１１８は、ＩＭＤ  １０６と通信するために臨床設定で医師によって使用されうるが、患者モニターは、自動的に、または使用者のコマンドに応答して、患者自宅内のＩＭＤ  １０６と通信することができる。
【００３５】
[0042]ＩＭＤ  １０６は、植え込み型心臓刺激装置（例えば、ペースメーカー／心臓除細動器−除細動器）として図示されているけれども、他の例では、本開示により静ＭＲＩ場を検出し、ＭＲＩモードで動作する植え込み型装置は、植え込み型薬剤ポンプまたは脳深部電気刺激法、迷走神経刺激法、胃刺激法、骨盤底刺激法、脊髄電気刺激法、または他の刺激法のうちの少なくとも１つを実施する植え込み型神経刺激装置を備えることができる。他の例では、静ＭＲＩ場を検出し、ＭＲＩモードで動作する植え込み型装置は、治療を患者に施すために使用される電子装置類を備える他の能動的植え込み型医用装置を備えることができる。他の例では、静ＭＲＩ場を検出し、ＭＲＩモードで動作する装置は、外部装置も含みうる。
【００３６】
[0043]図２Ａ〜２Ｂは、ＩＭＤ  １０６の略図である。ＩＭＤ  １０６の概略図は、筐体１１４内のＩＭＤ  １０６のコンポーネントを例示している。固体１１４は、ＩＭＤ  １０６のコンポーネントが収納される空洞１２４を画成する。図２Ｂは、図２Ａに例示されているようにＩＭＤ  １０６の底側からの筐体１１４内のコンポーネントの配置構成を示す。
【００３７】
[0044]ＩＭＤ  １０６は、空洞１２４内に収納された電源１２６を備える。電源１２６は、電池、例えば、再充電可能もしくは再充電不可能な電池を備えることができる。ＩＭＤ  １０６は、ＩＭＤ  １０６の電子コンポーネントを備えるプリント基板（ＰＣＢ）１２８を備える。電子コンポーネントとしては、限定はしないが、制御モジュール１３０、第１の磁場センサー１３２−１、第２の磁場センサー１３２−２、第３の磁場センサー１３２−３（「磁場センサー１３２」と総称する）、および追加のセンサー１３４（例えば、磁場センサー以外のセンサー）が挙げられる。
【００３８】
[0045]ＰＣＢ  １２８は、典型的なＰＣＢ構造に限定されえないが、その代わりに、制御モジュール１３０、磁場センサー１３２、電源１２６、および筐体１１４内の他の電子コンポーネントを機械的に支持し、電気的に接続するために使用されるはＩＭＤ  １０６内の任意の構造を表すものとしてよい。いくつかの例では、ＰＣＢ  １２８は、制御モジュール１３０と磁場センサー１３２との間を電気的に接続する導電トレースおよび導電ビアの１つまたは複数の層を備えることができる。
【００３９】
[0046]ＰＣＢ  １２８は、電源１２６が制御モジュール１３０および磁場センサー１３２に電力を供給するように電源１２６、制御モジュール１３０、および磁場センサー１３２の間を電気的に接続することができる。リード１０８、１１０、１１２は、接続線１３６を通じてＰＣＢ  １２８上の制御モジュール１３０に接続されうる。例えば、接続線１３６は、一端でリード１０８、１１０、１１２に接続され、他端でＰＣＢ  １２８上のＰＣＢ接続点１３８に接続されうる。
【００４０】
[0047]ＩＭＤ  １０６の電子コンポーネントは、単一のＰＣＢ上に備えられているように例示されているけれども、本明細書で説明されている電子コンポーネントは、ＩＭＤ  １０６内の別の場所、例えば、追加のＰＣＢ（図示せず）などの、ＩＭＤ  １０６内の他の支持構造物上に備えられうる。他の例では、ＩＭＤ  １０６内の電子コンポーネントは、空洞１２４内の筐体１１４の内側に装着されるか、または筐体１１４の外側に装着され、筐体１１４内のフィードスルー（図示せず）を通して筐体１１４の内側のコンポーネントに接続されうる。さらに他の例では、電子コンポーネントは、コネクタブロック１１６上に、またはコネクタブロック１１６内に装着されるか、またはリード１０８、１１０、１１２のうちの１つまたは複数に接続することができる。
【００４１】
[0048]制御モジュール１３０、および制御モジュール１３０内に備えられているモジュールは、本開示のＩＭＤ  １０６内に収められうる機能を持つ。本開示のモジュールは、本発明のモジュールに属す機能を発揮することができるアナログおよび／またはデジタル回路を実装する離散および／または集積化電子回路コンポーネントを備えることができる。例えば、これらのモジュールは、アナログ回路、例えば、増幅回路、フィルタ回路、および／または他の信号処理回路を備えることができる。これらのモジュールは、デジタル回路、例えば、組み合わせまたは順序論理回路、メモリデバイスなども備えることができる。メモリとしては、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、不揮発性ＲＡＭ（ＮＶＲＡＭ）、電気的消去可能プログラム可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュメモリ、または他のメモリデバイスなどの揮発性、不揮発性、磁気的、または電気的媒体が挙げられる。さらに、メモリには、１つまたは複数の処理回路によって実行されたときに、モジュールに、本発明のモジュールに属すさまざまな機能を実行させる命令を格納することができる。
【００４２】
[0049]本発明のモジュールに属す機能は、１つまたは複数のプロセッサ、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの組み合わせとして実装することができる。異なる特徴をモジュールとして示している場合、これは、異なる機能的態様を強調して示すことを意図しており、そのようなモジュールが個別のハードウェアもしくはソフトウェアコンポーネントによって実現されなければならないことを必ずしも意味しない。むしろ、１つまたは複数のモジュールに関連付けられている機能は、個別のハードウェアもしくはソフトウェアコンポーネントによって実行されるか、または共通もしくは個別のハードウェアもしくはソフトウェアコンポーネント内に集積化されうる。
【００４３】
[0050]磁場センサー１３２のそれぞれは、磁場の強度および方向を測定し、磁場の強度および方向を指示する信号を発生することができる。第１の磁場センサー１３２−１は、第１の磁場センサー１３２−１を透過する（つまり、通過する）磁場の強度および方向を指示する信号を発生することができる。言い換えると、第１の磁場センサー１３２−１は、第１の磁場センサー１３２−１の位置における磁場の強度および方向を指示する信号を発生することができるということである。同様に、第２の磁場センサー１３２−２および第３の磁場センサー１３２−３も、それぞれ、第２の磁場センサー１３２−１および第３の磁場センサー１３２−３の位置における磁場の強度および方向を指示する信号を発生することができる。
【００４４】
[0051]制御モジュール１３０は、磁場センサー１３２から信号を受信し、磁場センサー１３２のそれぞれによって測定された磁場の強度および方向を決定することができる。例えば、制御モジュール１３０は、それぞれ第１の磁場センサー１３２−１、第２の磁場センサー１３２−２、および第３の磁場センサー１３２−３から受信した信号に基づき第１の磁場センサー１３２−１、第２の磁場センサー１３２−２、および第３の磁場センサー１３２−３の位置における磁場の強度および方向を決定することができる。
【００４５】
[0052]本開示の磁場センサー１３２は、磁場の強度、およびいくつかの例では方向を測定し、磁場の強度を指示する信号を発生することができる任意のタイプの磁場センサーを代表するものとすることができる。例えば、磁場センサー１３２は、限定はしないが、ホール効果センサー、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）ベースのセンサー、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）ベースのセンサー、トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）ベースのセンサー、または他のタイプの好適な磁場センサーを含みうる、１つまたは複数のタイプの磁場センサーを代表するものとしてよい。
【００４６】
[0053]磁場センサー１３２のそれぞれは、１つまたは複数の感度軸を備えることができる。例えば、磁場センサー１３２は、１本の感度軸、２本の感度軸、または３本の感度軸を備えることができ、したがって、磁場センサー１３２は、１本の感度軸、２本の感度軸、または３本の感度軸にそった磁場の強度および方向を指示することができる。いくつかの例において、磁場センサー１３２のそれぞれは、単一軸センサーとすることができる。他の例では、磁場センサー１３２のそれぞれは、多軸センサーであってよく、例えば、磁場センサー１３２のそれぞれは、２本またはそれ以上の感度軸で磁場に対して高い感度を有するものとしてよい。さらに他の例では、磁場センサー１３２のいくつかは、多軸センサーであってよいが、磁場センサー１３２の残りは、単一感度軸センサーとすることができる。
【００４７】
[0054]磁場センサーのさまざまな構成および個数は、ＩＭＤ  １０６内に実装されうることは企図されている。３つの磁場センサー１３２が図示されているけれども、ＩＭＤ  １０６は、３つより多い、または少ないセンサーを備えることもできる。いくつかの例では、ＩＭＤ  １０６は、２つの磁場センサーしか備えないが、他の例では、ＩＭＤ  １０６は、４つまたはそれ以上の磁場センサーを備えることができる。
【００４８】
[0055]磁場センサーの構成、例えば、磁場センサーの位置、磁場センサーの個数、およびセンサー１個あたりの軸の本数は、さまざまな基準に基づき選択されうる。一般に、磁場センサー１個あたりの感度軸の本数が多ければ多いほど、結果として、磁場の検出の信頼度が高まるが、それは、どの向きにある磁場であっても検出することができるからであるが、単一軸センサーだと、磁場の単一軸成分についてしか測定できない。
【００４９】
[0056]単一軸センサーが使用される例では、向きが単一磁気センサーによって感知されない磁場は、単一磁気センサーの位置では測定されえない。したがって、いくつかの例では、複数の３軸センサーを磁場センサーとして使用することで、方向に関係なく、存在する磁場を感知する最も完全な解決策が得られることになる。しかし、多軸センサーは、単一軸センサーに比べてコストが高く、単一磁気センサーに比べて引き込む電力が多く、また制御モジュール１３０は、多軸センサーをポーリングするときと、多軸センサーからの信号に基づき磁場の方向を判定するときに、より多くの処理能力を必要とする場合がある。したがって、いくつかの例では、多軸センサーおよび単一軸センサーは、コストと消費電力を抑えつつ静ＭＲＩ場の確実な検出を行えるような方法でＩＭＤ  １０６内に配置構成されるものとしてよい。
【００５０】
[0057]磁場センサー１３２−１、１３２−２は、ＰＣＢ  １２８の同じ面に実装されているように図示され、磁場センサー１３２−３は、ＰＣＢ  １２８の反対側の面に実装されているように図示されているけれども、ＩＭＤ  １０６内の磁場センサー１３２の他の配置構成も企図される。例えば、２つの磁場センサーを備えるＩＭＤでは、２つの磁場センサーが、ＰＣＢの同じ面に、またはＰＣＢの異なる側の面に備えられうる。いくつかの例では、磁場センサーは、同じ集積回路基板上に備えられ、したがって、同じ集積回路パッケージ内にパッケージされるものとしてよい。いくつかの例では、磁場センサーは、他の電子コンポーネントとともに集積回路パッケージ内に、例えば、他の集積回路上に備えられるか、またはマルチチップパッケージ内の他の集積回路とともにパッケージされうる。
【００５１】
[0058]ＩＭＤ  １０６は、さまざまな強度を有する磁場のさまざまな発生源に曝されうる。例えば、ＩＭＤ  １０６は、テレメトリーヘッド場または静ＭＲＩ場に曝されうる。制御モジュール１３０は、磁場センサー１３２の１つまたは複数から受信した信号に基づき検出された磁場の発生源を識別することができる。例えば、磁場センサー１３２から受信した信号に基づき、制御モジュール１３０は、検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置またはテレメトリーヘッド磁石１２２として識別することができる。次いで、制御モジュール１３０のプロセッサは、発生源がＭＲＩ装置として識別されたときにはＭＲＩモードで動作し、発生源がテレメトリーヘッド磁石１２２として識別されたときにはテレメトリーヘッドモードで動作することができる。
【００５２】
[0059]いくつかの例では、制御モジュール１３０は、検出された磁場の強度のみに基づき検出された磁場の発生源を識別することができる。いくつかの例では、制御モジュール１３０は、検出された磁場の強度および検出された磁場の空間的勾配の両方に基づき検出された磁場の発生源を識別することができる。
【００５３】
[0060]次に、静ＭＲＩ場およびエレメンタリヘッド場の強度および空間的勾配について、図３を参照しつつ説明する。テレメトリーヘッド場（図３の陰影付きのボックス）および静ＭＲＩ場（図３の斜め線のボックス）が、検出された磁場の発生源を決定するために制御モジュール１３０によって使用されるユーザープログラム可能な閾値（例えば、閾値下限／上限）とともに図３に示されている。
【００５４】
[0061]テレメトリーヘッド場の強度は、テレメトリーヘッド磁石１２２に最も近い地点で最大となりうる。テレメトリーヘッド場の強度は、テレメトリーヘッド磁石１２２から距離が遠くなるにつれ（例えば、指数関数的に）減少しうる。図３では、テレメトリーヘッド場の強度は、０Ｔから境界となっている「最大テレメトリーヘッド場」までの範囲内にあるものとして図示されている。「最大テレメトリーヘッド場」は、例えば、テレメトリーヘッド磁石１２２に最も近い地点で、テレメトリーヘッド場の最大強度をとりうる。
【００５５】
[0062]テレメトリーヘッド磁石１２２から短い距離（例えば、１０ｃｍ前後（数インチの範囲内））のところで、テレメトリーヘッド場は０〜１ｍＴの強度に低下しうる。例えば、１０ｃｍ前後（数インチの範囲内）（例えば、２５．４ｃｍ（１０インチ）未満）では、テレメトリーヘッド場は、．５ｍＴ未満に低下しうる。０Ｔでの実線の陰影付き領域の左側エッジは、テレメトリーヘッド場が磁場センサー１３２によって検出可能でないシナリオを示している。言い換えると、０Ｔにおける実線の陰影付きの領域の一番左側のエッジは、テレメトリーヘッド磁石１２２によって発生するテレメトリーヘッド場が磁場センサー１３２によって検出可能でないようにテレメトリーヘッド磁石１２２に相対的に位置決めされるシナリオを示している。テレメトリーヘッド磁石１２２とＩＭＤ  １０６との間の距離が減少するにつれ、磁場センサー１３２によって検出可能なテレメトリーヘッド場の強度は、最大テレメトリーヘッド場まで上昇する可能性がある。
【００５６】
[0063]いくつかの例では、磁場センサー１３２のうちの１つによって検出可能な最大テレメトリーヘッド場の強度は、例えば、ＩＭＤ  １０６がテレメトリーヘッド磁石１２２に近接近している場合に、約１００ｍＴとすることができる。最大テレメトリーヘッド場は、約１００ｍＴであってよいけれども、他の例では、最大テレメトリーヘッド場は、１００ｍＴより大きくても、小さくてもよい。
【００５７】
[0064]静ＭＲＩ場の強度は、ＭＲＩ装置のＭＲＩボア内の（例えば、一次磁石に近い位置にある）最大値（例えば、１．５〜３Ｔ）に達し、ＭＲＩボアの外部の領域内で０Ｔの値に向かって次第に下がってゆくものとしてよい。一般的に、静ＭＲＩ場は、ＭＲＩボアからの距離が遠くなるほど強度が減少しうる。０Ｔでの斜め線の領域の左側エッジは、静ＭＲＩ場が磁場センサー１３２によって検出可能でないシナリオを示している。言い換えると、０Ｔにおける斜め線の領域の一番左側のエッジは、ＭＲＩ装置によって発生する静ＭＲＩ場が磁場センサー１３２によって検出可能でないようにＭＲＩボアに相対的に位置決めされるシナリオを示している。ＭＲＩボアとＩＭＤ  １０６との間の距離が減少するにつれ、磁場センサー１３２によって検出可能な静ＭＲＩ場の強度は、静ＭＲＩ場の最大強度まで上昇する可能性がある。図３の斜め線の領域の一番右の部分は、ＩＭＤ  １０６がＭＲＩボアの近くに、またはＭＲＩボア内に位置決めされたときに磁場センサー１３２によって検出可能な磁場を示している。図３には示されていないけれども、静ＭＲＩ場の最大強度は、１．５〜３Ｔの範囲内にあるものとしてよい。
【００５８】
[0065]図３において「閾値下限」および「閾値上限」とラベル付けされた値は、検出された磁場の発生源を識別するために制御モジュール１３０によって使用されうる制御モジュール１３０内に格納されるプログラム可能な値であってよい。閾値下限は、制御モジュール１３０がテレメトリーヘッド磁石１２２またはＭＲＩ装置として識別することができる最小磁場強度を示す値とすることができる。検出された磁場が閾値下限より弱い場合、制御モジュール１３０は、通常モードで動作することができる。閾値下限は、テレメトリーヘッド磁石１２２がＩＭＤ  １０６に近いこと、またはＭＲＩ装置がＩＭＤ  １０６に近いことを確実に示す値に設定されうる。言い換えると、閾値下限は、制御モジュール１３０が、テレメトリーヘッド磁石１２２またはＭＲＩ装置であることを示しうる値より弱い磁場を無視するように設定することができる。したがって、閾値下限は、テレメトリーヘッド磁石１２２またはＭＲＩ装置以外の発生源によって生成される「雑音」または他の磁場を除去することができる。いくつかの例では、閾値下限は、約１〜２ｍＴに設定されうる。
【００５９】
[0066]閾値上限は、制御モジュール１３０が、テレメトリーヘッド磁石１２２によって発生する磁場として認識することができる最大磁場強度を示す。制御モジュール１３０は、検出された磁場が閾値上限より高い場合にＩＭＤ  １０６は静ＭＲＩ場の存在下にあると判定することができる。例えば、閾値上限は、閾値上限がテレメトリーヘッド磁石１２２によって生成可能である磁場より高くなるように設定することができる。したがって、閾値上限より高い磁場を検出した場合、これは、検出された磁場がテレメトリーヘッド磁石１２２ではなくＭＲＩ装置によって発生することを高い確率で示しうる。したがって、制御モジュール１３０が閾値上限より高い強度を有する磁場を検出する例では、制御モジュール１３０は、検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置として確実に識別することができる。次いで、制御モジュール１３０は、ＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を動作させることができる。いくつかの例では、閾値上限は、約２００〜５００ｍＴ、例えば、テレメトリーヘッド磁石１２２によって生成可能でない磁場の強度の範囲、またはＩＭＤ  １０６が植え込まれている位置にあるテレメトリーヘッド磁石１２２によって少なくとも典型的には生成可能でない磁場の強度の範囲に設定されうる。
【００６０】
[0067]いくつかの例では、閾値上限は、最大テレメトリーヘッド場に、または最大テレメトリーヘッド場よりわずかに大きい値（例えば、１〜２ｍＴ超）に設定することができるが、それは、最大テレメトリーヘッド場より大きい制御モジュール１３０によって検出される場が、静ＭＲＩ場であると想定されうるからである。しかし、テレメトリーヘッド場の強度は、テレメトリーヘッド磁石の間で変化し、したがって、いくつかの例では、閾値上限を最大テレメトリーヘッド場より少ししか大きくない（例えば、１〜２ｍＴだけ大きい）値に設定したのでは、テレメトリーヘッド場を確実に無視するには十分でないことがある。したがって、テレメトリーヘッド磁石によって生成可能である場より実質的に（例えば、２倍）大きい閾値上限の選択を行うことで、結果として、単一の位置にある検出された磁場の大きさだけに基づき静ＭＲＩ場のより確実な検出が可能になる。
【００６１】
[0068]上で説明されているように、磁場発生源に関するＩＭＤ  １０６の位置に応じて、静ＭＲＩ場の強度は、テレメトリーヘッド場の強度に類似しているものとしてよい。例えば、ＩＭＤ  １０６が、永久磁石の強度に応じて、ＭＲＩボアから一定距離離れた位置、例えば、３０．４８〜６０．９６ｃｍ（１〜２フィート）程度離れた位置に配置される場合、静ＭＲＩ場は、テレメトリーヘッド磁石１２２によって生成される場と類似する強度を有することができる（例えば、１００ｍＴ以下）。制御モジュール１３０が、静ＭＲＩ場およびテレメトリーヘッド場が等しくなる範囲内の大きさ（例えば、０〜１００ｍＴ）を有する磁場を検出する例では、制御モジュール１３０は、単一の位置における検出された磁場の強度に基づき静ＭＲＩ場をテレメトリーヘッド場から確実に区別することはできない。テレメトリーヘッド場または静ＭＲＩ場のいずれかを示しうる磁場の強度を含む閾値上限と閾値下限との間の値の範囲は、図３に示されているように、「オーバーラップ領域」と称されうる。
【００６２】
[0069]静ＭＲＩ場およびテレメトリーヘッド場は、オーバーラップ領域内で類似の強度を有する場合があるけれども、静ＭＲＩ場およびテレメトリーヘッド場の空間的勾配は、オーバーラップ領域内では互いに異なることがある。例えば、テレメトリーヘッド磁石１２２に近い位置（例えば、テレメトリーヘッド磁石１２２と同一の平面上にある）のところで、テレメトリーヘッド場の強度は、最大値（例えば、１００ｍＴ）をとりうる。テレメトリーヘッド場の強度は、テレメトリーヘッド磁石１２２から距離が遠くなるにつれ最大値から０Ｔまで（例えば、指数関数的に）減少しうる。テレメトリーヘッド場内の２つの位置の間のテレメトリーヘッド場の強度の差は、テレメトリーヘッド場の空間的勾配と称されうる。別の例として、ＭＲＩボアに近い位置（例えば、ＭＲＩボア内の）のところで、静ＭＲＩ場の強度は、最大値をとりうる。静ＭＲＩ場の強度は、ＭＲＩボアからの距離が遠くなるにつれ０Ｔまで減少しうる。ＭＲＩボアの外側の与えられた距離では、静ＭＲＩ場の強度は、上で説明されているように、テレメトリーヘッド磁石１２２によって可能な場に類似しているものとしてよい。しかし、ＭＲＩボアの外側の与えられた距離のところでは、ＭＲＩ場の空間的勾配は、テレメトリーヘッド場の空間的勾配と異なることがある。
【００６３】
[0070]静ＭＲＩ場の空間的勾配は、静ＭＲＩ場の強度がオーバーラップ領域内にある場合にテレメトリーヘッド場の空間的勾配より小さいものとしてよい。例えば、オーバーラップ領域では、２つの地点の間の静ＭＲＩ場の強度の差は、同じ２つの地点の間のテレメトリーヘッド場によって示される強度の差より比較的小さい場合がある。追加の例として、２つの磁場センサーの間の分離距離のオーダーの距離だけ隔てられている、２つの与えられた地点に対して、静ＭＲＩ場では、オーバーラップ領域内のテレメトリーヘッド場に比べて磁場の強度の変化が小さくなることがある。制御モジュール１３０は、２つの場の空間的勾配のこの違いに基づきオーバーラップ領域内の静ＭＲＩ場とテレメトリーヘッド場とを区別することができる。したがって、制御モジュール１３０は、オーバーラップ領域内の測定された空間的勾配に基づき検出された磁場の発生源を識別することができる。
【００６４】
[0071]制御モジュール１３０は、磁場センサー１３２によって測定された磁場の強度に基づきＩＭＤ  １０６が配置されている磁場の空間的勾配を判定することができる。例えば、制御モジュール１３０は、異なる位置にある２つの磁場センサー１３２によって測定されるような磁場の強度の差に基づき空間的勾配を決定することができる。
【００６５】
[0072]一般に、テレメトリーヘッド場を示す空間的勾配値の範囲は、静ＭＲＩ場を示す空間的勾配値の範囲より広い。制御モジュール１３０は、静ＭＲＩ場を示す空間的勾配値の範囲およびテレメトリーヘッド場を示す空間的勾配値の範囲を確実に画定する空間的勾配閾値を含むことができる。例えば、空間的勾配閾値は、空間的勾配閾値より小さい測定された空間的勾配値が静ＭＲＩ場を示すように選択されうるが、空間的勾配閾値より大きい空間的勾配値は、テレメトリーヘッド場を示す。制御モジュール１３０は、空間的勾配閾値を使用してオーバーラップ領域内の静ＭＲＩ場とテレメトリーヘッド場とを区別することができる。空間的勾配閾値は、プログラマー１１８を使用していくつかの例においてユーザーによって設定される。
【００６６】
[0073]制御モジュール１３０がオーバーラップ領域内で強度を有する磁場を検出した場合、制御モジュール１３０は、感知された磁場の空間的勾配を決定することができる。その後、制御モジュール１３０は、決定された空間的勾配を空間的勾配閾値と比較することができる。次いで、制御モジュール１３０は、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より大きい場合に検出された磁場の発生源をテレメトリーヘッド磁石１２２として識別することができる。次いで、制御モジュール１３０は、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より小さい場合に検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別することができる。
【００６７】
[0074]図４は、本開示による磁場の発生源を識別するための例示的な方法を示す。最初に、制御モジュール１３０は、ＩＭＤ  １０６が配置されている磁場の強度を決定することができる（２００）。例えば、制御モジュール１３０は、磁場センサー１３２の１つまたは複数から受信した信号に基づき磁場の強度を決定することができる。一例では、制御モジュール１３０は、磁場センサー１３２の１つから受信した信号に基づき単一の位置における磁場の強度を決定することができる。別の例では、制御モジュール１３０は、複数の磁場センサー１３２から受信した信号に基づきＩＭＤ  １０６が配置されている磁場の強度を決定することができる。例えば、制御モジュール１３０は、検出された強度の平均を求めることができる。
【００６８】
[0075]次いで、制御モジュール１３０は、ブロック（２００）で決定された磁場の強度が閾値下限より大きいかどうかを判定することができる（２０２）。ブロック（２００）で決定された磁場の強度が、閾値下限より小さい場合、制御モジュール１３０は、ブロック（２００）で検出された磁場の強度が閾値下限より大きくなるまでＩＭＤ  １０６がブロック（２００）内に配置される磁場の強度を測定し続けることができる。ブロック（２００）で決定された磁場の強度が閾値下限より大きい場合、制御モジュール１３０は、磁場の強度が閾値上限より大きいかどうかを判定することができる（２０４）。
【００６９】
[0076]磁場の強度が、閾値上限より大きい場合、制御モジュール１３０は、磁場を静ＭＲＩ場と識別し（２０６）、制御モジュール１３０は、ＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からＭＲＩモードでの動作に遷移させてＭＲＩスキャンを行うようＩＭＤ  １０６を準備することができる（２０８）。磁場の強度が閾値上限より小さい、したがって閾値下限と閾値上限との間（つまり、オーバーラップ領域内）にある場合、制御モジュール１３０は、検出された磁場の空間的勾配を決定することができる（２１０）。制御モジュール１３０は、２つの磁場センサー１３２から受信した信号に基づきＩＭＤ  １０６が配置されている磁場の空間的勾配を決定することができる。一例では、ブロック（２００）で感知された磁場の強度は、ブロック（２１０）の空間的勾配の計算で使用される磁場の強度の１つとして使用されうる。この例では、制御モジュール１３０は、ブロック（２００）の場合と異なる位置で別の磁場の強度を決定し、その後、２つの磁場の強度に基づき空間的勾配を決定することができる（２１０）。
【００７０】
[0077]次いで、制御モジュール１３０は、空間的勾配に基づき磁場の発生源を識別することができる（２１２）。制御モジュール１３０は、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より小さい値を有する場合に磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別することができる。制御モジュール１３０は、決定された空間的勾配が空間的勾配閾値より大きい場合に磁場の発生源をテレメトリーヘッド磁石１２２として識別することができる。
【００７１】
[0078]ブロック（２１２）で磁場の発生源を識別した後、制御モジュール１３０は、識別（２１４）に基づき適切な制御アクションを実行することができる。例えば、制御モジュール１３０は、制御モジュール１３０が磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別したときにＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からＭＲＩモードの動作に遷移させることができ、制御モジュール１３０は、制御モジュール１３０が磁場の発生源をエントリーヘッド磁石１２２として識別したときにＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からテレメトリーヘッドモードの動作に遷移させてテレメトリーヘッド１２０との通信を行う準備をすることができる。
【００７２】
[0079]図５および６は、ＩＭＤ  １０６の例示的な制御モジュールを示すブロック図である。制御モジュール１３０は、処理モジュール１４０、メモリ１４２、信号発生器モジュール１４４、電気的感知モジュール１４６、通信モジュール１４８、および場弁別モジュール１５０を備える。
【００７３】
[0080]処理モジュール１４０は、メモリ１４２と通信することができる。メモリ１４２には、処理モジュール１４０によって実行されたときに、処理モジュール１４０に、本発明の処理モジュール１４０に属すさまざまな機能を実行させるコンピュータ可読命令を格納することができる。メモリ１４２としては、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＮＶＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、または他のデジタル媒体などの、揮発性、不揮発性、磁気的、または電気的媒体が挙げられる。
【００７４】
[0081]処理モジュール１４０は、信号発生器モジュール１４４および電気的感知モジュール１４６と通信することができる。信号発生器モジュール１４４および電気的感知モジュール１４６は、リード１０８、１１０、１１２の電極に電気的に結合される。電気的感知モジュール１４６は、心臓１０２の脱分極および再分極などの、心臓１０２の電気的活動を監視するためにリード１０８、１１０、１１２の電極からの信号を監視するように構成される。処理モジュール１４０は、電気的感知モジュール１４０から受け取った信号に基づき心臓活動を検出することができる。いくつかの例では、処理モジュール１４０は、例えば、好適な頻脈性不整脈検出アルゴリズムを使用して、電気的感知モジュール１４６から受け取った信号に基づき頻脈性不整脈を検出することができる。
【００７５】
[0082]処理モジュール１４０は、検出された心臓活動に基づきＥＧＭ波形を発生することができる。処理モジュール１４０は、検出された心臓活動に基づきマーカーチャネルデータを生成することもできる。例えば、マーカーチャネルデータは、感知の発生およびタイミング、診断、およびＩＭＤ  １０６に関連付けられている治療イベントを指示するデータを含みうる。それに加えて、マーカーチャネルデータは、ＩＭＤ  １０６、またはリード１０８、１１０、１１２または電源１２６などの、診断システム１００の他のコンポーネントの性能もしくは完全性に関する情報を含むことができる。処理モジュール１４０は、ＥＧＭ波形およびマーカーチャネルデータをメモリ１４２に格納することができる。処理モジュール１４０は、後で、例えば、通信モジュール１４８を介してプログラマー１１８から要求を受けた後、メモリ１４２から格納されているＥＧＭを取り出すことができる。
【００７６】
[0083]信号発生器モジュール１４４は、電気的刺激を発生し、電気刺激療法を心臓１０２に施すように構成される。処理モジュール１４０は、メモリ１４２に格納されうる、１つまたは複数の治療プログラムに従って、電気刺激療法を心臓１０２に施すように信号発生器モジュール１４４を制御することができる。例えば、処理モジュール１４０は、１つまたは複数の治療プログラムおよび電気的感知モジュール１４６から受信した信号に基づきペーシングパルスを心臓１０２に施すように信号発生器モジュール１４４を制御することができる。
【００７７】
[0084]信号発生器モジュール１４４は、電気的除細動および除細動ショックを発生して、心臓１０２に施すように構成されうる。処理モジュール１４０は、心臓除細動および除細動パルスを心臓１０２に印加するように信号発生器モジュール１４４を制御することができる。例えば、処理モジュール１４０が、心房または心室頻脈を検出した場合、処理モジュール１４０は、メモリ１４２から抗頻脈性不整脈ペーシング治療法をロードし、抗頻脈性不整脈ペーシング治療法を実装するように信号発生器モジュール１４４を制御することができる。信号発生器モジュール１４４は、信号発生器モジュール１４４が除細動パルスを発生して心臓１０２に施すように構成されている場合に、高電圧充電回路および高電圧出力回路を備えることができる。
【００７８】
[0085]通信モジュール１４８は、例えば、ワイヤレステレメトリーによって、プログラマー１１８および／または患者モニターなどの、別のデバイスと通信するために好適なハードウェア、ファームウェア、またはそれらの組み合わせを備える。処理モジュール１４０の制御下で、通信モジュール１４８は、ＩＭＤ  １０６のアンテナ（図示せず）の助けを借りて、プログラマー１１８および／または患者モニターからダウンリンクテレメトリーを受信し、プログラマー１１８および／または患者モニターにアップリンクテレメトリーを送信することができる。処理モジュール１４０は、プログラマー１１８にアップリンクされるデータおよび通信モジュール１４８内のテレメトリー回路用の制御信号を、例えば、アドレス／データバスを介して、供給することができる。
【００７９】
[0086]いくつかの例では、ＩＭＤ  １０６は、磁場センサー１３２以外のセンサー（例えば、追加のセンサー１３４）を備えることができ、これと処理モジュール１４０とが通信することができる。例えば、追加のセンサー１３４は、モーションセンサー（例えば、加速度計もしくは圧電素子）、心音センサー、または心臓内もしくは心臓血管内圧力を感知する圧力センサー（例えば、容量センサー）を備えることができる。図２ＡにはＰＣＢ  １２８に接続されているように示されているけれども、追加のセンサー１３４は、診断システム１００内のさまざまな位置に位置決めすることができる。例えば、追加のセンサー１３４は、筐体１１４内に配置されるか、筐体１１４の外部に配置されるか、リード１０８、１１０、１１２の１つまたは複数に取り付けられるか、または通信モジュール１４８を介して制御モジュール１３０にワイヤレス方式で結合されうる。
【００８０】
[0087]場弁別モジュール１５０は、磁場センサー１３２および処理モジュール１４０と通信する。場弁別モジュール１５０は、磁場センサー１３２とインターフェースする回路を備えることができる。例えば、場弁別モジュール１５０は、電力を磁場センサー１３２に供給する回路を備え、また増幅回路、フィルタ回路、および／または磁場センサー１３２から受信した信号を処理する他の信号処理回路も備えるものとしてよい。いくつかの例において、場弁別モジュール１５０は、処理された信号を２値化し、２値化された信号を処理モジュール１４０に伝達する回路も備えることができる。
【００８１】
[0088]場弁別モジュール１５０は、磁場センサー１３２から信号を受信し、磁場センサー１３２の位置の磁場の強度および方向を決定する。場弁別モジュール１５０は、磁場センサー１３２から受信した信号に基づき、検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置またはテレメトリーヘッド磁石１２２のいずれかとして識別することができる。その後、場弁別モジュール１５０は、検出された磁場の発生源を処理モジュール１４０に指示することができる。磁場センサー１３２によって感知される磁場がない例では、場弁別モジュール１５０は、処理モジュール１４０に対して、感知される磁場がないことを指示することができる。
【００８２】
[0089]処理モジュール１４０は、場弁別モジュール１５０によって指示される磁場の発生源に応じて、ＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からテレメトリーヘッドモードまたはＭＲＩモードのうちの一方のモードの動作に遷移させることができる。処理モジュール１４０は、検出される磁場がない間、通常モードで動作しうる。通常モードで動作している間に、処理モジュール１４０は、テレメトリーヘッド１２０との通信の準備またはＭＲＩスキャナーに入るためのＩＭＤ  １０６の準備なしで、典型的な感知、ペーシング、および除細動機能を実行することができる。しかし、処理モジュール１４０の動作は、ＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からテレメトリーヘッドモードまたはＭＲＩモードのいずれかの動作に遷移させたときに変化しうる。
【００８３】
[0090]処理モジュール１４０は、磁場の発生源がエントリーヘッド磁石１２２であるという場弁別モジュール１５０からの指示に応答してＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からテレメトリーヘッドモードの動作に遷移させることができる。テレメトリーヘッドモードに入っている間に、処理モジュール１４０は、テレメトリーヘッドと通信して、例えば、テレメトリーヘッド１２０からデータをダウンロードし、テレメトリーヘッド１２０にデータをアップロードするように通信モジュール１４８を制御することができる。
【００８４】
[0091]処理モジュール１４０は、磁場の発生源がＭＲＩ装置であるという場弁別モジュール１５０からの指示に応答してＩＭＤ  １０６を通常モードの動作からＭＲＩモードの動作に遷移させることができる。ＭＲＩモードに入っている間に、処理モジュール１４０は、ＭＲＩスキャンに曝すためにＩＭＤ  １０６を準備するコマンドを実行することができる。例えば、処理モジュール１４０は、通信モジュール１４８を介して、ＭＲＩ場が検出されたこと、およびＭＲＩスキャン中にＩＭＤ  １０６が動作するように構成されていることをオペレータに通知することができる。いくつかの例では、処理モジュール１４０は、ペーシングが設定されたタイミング、つまり、固定された所定のタイミングに応じて行われる非同期モードで動作するように信号発生器モジュール１４４を制御することができ、また感知された心臓ＰまたはＲ波などの電気的感知モジュール１４６によって感知されたイベントに反応しないものとしてよい。信号発生器モジュール１４４が、除細動器機能を備えていない場合、処理モジュール１４０は、リード１０８、１１０、１１２内に誘発される電気的雑音が頻脈イベントとして誤って解釈されないようにＭＲＩモードでの頻脈検出および除細動を無効化することができる。処理モジュール１４０は、ＥＧＭ波形をメモリ１４２内に格納する動作を中断することができ、また勾配およびＲＦ場がＥＧＭ波形を壊すことがあるため診断機能を無効化することもできる。いくつかの例では、処理モジュール１４０は、センサー１３４（例えば、圧力もしくは加速度センサー）、異なる感知回路、または異なる感知アルゴリズムを使用して、患者の心臓活動を検出することができる。他の例では、処理モジュール１４０は、ＭＲＩ場によって誘発される信号を取り除く命令を電気的間感知モジュール１４６に送ることができる。処理モジュール１４０は、ＭＲＩスキャン時にＩＭＤ  １０６の適切な動作を確実に行わせるために本明細書では説明されていない追加設定に従って電気的感知モジュール１４６および信号発生器モジュール１４４を制御することができる。
【００８５】
[0092]場弁別モジュール１５０は、検出された磁場を識別するために使用されるプログラム可能な設定を備えることができる。上で説明されているように、設定は、閾値下限、閾値上限、および空間勾配閾値を含むものとしてよい。いくつかの例において、ユーザーは、閾値下限、閾値上限、および空間勾配閾値をプログラムすることができる。これらの例では、ユーザーは、閾値下限、閾値上限、および空間的勾配閾値をプログラマー１１８に入力することができ、次いでプログラマー１１８は、通信モジュール１４８を介して、閾値下限、閾値上限、および空間的勾配閾値を処理モジュール１４０に転送することはできる。その後、処理モジュール１４０は、閾値下限、閾値上限、および空間的勾配閾値を場弁別モジュール１５０に転送し、場弁別モジュール１５０は検出された磁場を識別する際にこれらの値を使用することができる。それに加えて、いくつかの例において、ユーザーは、プログラマー１１８を使用して現在の閾値下限、閾値上限、および空間勾配閾値を問い合わせることができる。場弁別モジュール１５０のさらに詳しい説明は、図６の機能ブロック図および図７の方法を参照しつつ提示される。
【００８６】
[0093]いくつかの例では、場弁別モジュール１５０は、ＭＲＩ場検出機能を有効化および無効化するための設定を備えることができる。例えば、有効化された場合、場弁別モジュール１５０は、検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置またはテレメトリーヘッド磁石１２０として識別することができる。ＭＲＩ場検出機能が無効化されている場合、場弁別モジュール１５０は、検出された磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別せず、その代わりに、検出された磁場をテレメトリーヘッド磁石１２２から発せられたものとして解釈することができる。ＭＲＩ場検出機能を有効化および無効化するための設定は、プログラマー１１８を使用して場弁別モジュール１５０にプログラムされうる。ＭＲＩ場検出機能を有効化および無効化するための設定は、例えば、プログラマー１１８を使用して、ユーザーが問い合わせることもできる。
【００８７】
[0094]いくつかの例において、処理モジュール１４０は、通信モジュール１４８を介して、外部コンピューティングデバイスに対して、静ＭＲＩ場が検出されたときにそのことを指示するように構成されうる。例えば、外部コンピューティングデバイスは、プログラマー１１８、またはＭＲＩ装置が配置される撮像室内の他のコンピューティングデバイスを含みうる。静ＭＲＩ場を検出した後、処理モジュール１４０は、通信モジュール１４８を介して、外部コンピューティングデバイスに対して、患者が静ＭＲＩ場を検出することができるＩＭＤを有すること、および／または静ＭＲＩ場が検出されることを指示することができる。次いで、外部コンピューティングデバイスは、ＩＭＤ  １０６がＭＲＩ装置を検出して、ＭＲＩスキャンを行う準備ができていることを示すインジケータを、例えばディスプレイ上に表示して医師に知らせることができる。
【００８８】
[0095]さらなる例として、静ＭＲＩ場を検出した後、処理モジュール１４０は、通信モジュール１４８を介して、外部コンピューティングデバイスに対して、静ＭＲＩ場が検出されたことを指示することができる。次いで、外部コンピューティングデバイスは、通信モジュール１４８受信した指示に応答してＩＭＤ  １０６に肯定応答を送信することができる。肯定応答の受信に応答して、プロセッサ１４０は、ＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を動作させることができる。
【００８９】
[0096]図６は、例示的な場弁別モジュール１５０を示す機能ブロック図を示している。場弁別モジュール１５０は、磁場センサー１３２から信号を受信する場測定モジュール１５２を備える。場測定モジュール１５２は、第１の磁場センサー１３２−１から信号を受信し、第１の磁場センサー１３２−１の位置の磁場の強度および方向を決定する。場測定モジュール１５２は、第２の磁場センサー１３２−２から信号を受信し、第２の磁場センサー１３２−２の位置の磁場の強度および方向を決定する。場測定モジュール１５２は、第３の磁場センサー１３２−３から信号を受信し、第３の磁場センサー１３２−３の位置の磁場の強度および方向を決定する。
【００９０】
[0097]強度比較モジュール１５４は、第１の磁場センサー１３２−１の位置における磁場の強度を閾値下限および上限と比較する。場測定モジュール１５２によって測定される磁場がない場合、または閾値下限より低い強度を有する磁場が測定される場合、強度比較モジュール１５４は、処理モジュール１４０に対して、検出される磁場がないことを指示する。次いで、処理モジュール１４０は、この指示に応答して通常モードでＩＭＤ  １０６を制御することができる。
【００９１】
[0098]場測定モジュール１５２が閾値上限より高い強度を有する磁場を測定する場合、強度比較モジュール１５４は、処理モジュール１４０に対して、静ＭＲＩ場が検出されることを指示する。次いで、処理モジュール１４０は、ＩＭＤ  １０６をＭＲＩモードの動作に遷移させることができる。場測定モジュール１５２が閾値下限と閾値上限との間の強度を有する磁場を測定する場合、強度比較モジュール１５４は、検出された磁場はオーバーラップ領域内にあると判定する。強度比較モジュール１５４は、空間的勾配モジュール１５６に対して、検出された磁場がオーバーラップ領域内に収まる強度を有するときにそのことを指示する。
【００９２】
[0099]強度比較モジュール１５４は、単一のセンサー（例えば、第１の磁場センサー１３２−１）からの測定結果に基づき検出された磁場の強度を判定するように上では説明されているけれども、他の例では、強度比較モジュール１５４は、複数のセンサーからの測定結果、例えば、多数の磁場センサー１３２から受信した信号に基づき決定された平均磁場測定結果に基づき検出された磁場の強度を決定することができる。
【００９３】
[0100]空間的勾配モジュール１５６は、場測定モジュール１５２によって測定された磁場の強度がオーバーラップ領域内にあるときに場測定モジュール１５２によって測定された磁場の発生源を決定する。空間的勾配モジュール１５６は、測定モジュール１５２によって行われた測定の結果に基づき第１の磁場センサー１３２−１の位置にある検出された磁場の強度を決定することができる。空間的勾配モジュール１５６は、異なる位置で磁場センサー１３２の場測定モジュール１５２によって行われた測定の結果に基づき第１の磁場センサー１３２−１の位置と異なる位置にある検出された磁場の強度を決定することができる。例えば、空間的勾配モジュール１５６は、第２の磁場センサー１３２−２によって感知されるような磁場の強度に基づき空間的勾配を決定することができる。一般に、空間的勾配モジュール１５６は、２つの位置、例えば、第１の磁場センサー１３２−１の位置（つまり、第１の位置）と磁場センサー１３２の別の１つのセンサーの位置（つまり、第２の位置）の検出された磁場の測定結果に基づき検出された磁場の空間的勾配を決定することができる。
【００９４】
[0101]空間的勾配１５６は、空間的勾配閾値を含みうる。空間的勾配モジュール１５６は、決定された空間的勾配を空間的勾配閾値と比較することができる。決定された空間的勾配が、空間的勾配閾値より大きい場合に、空間的勾配モジュール１５６は、処理モジュール１４０に対して、テレメトリーヘッド装置が検出されたことを指示し、それに応答して、処理モジュール１４０は、テレメトリーヘッドモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる。決定された空間的勾配が、空間的勾配閾値より小さい場合に、空間的勾配モジュール１５６は、ＭＲＩ装置が検出されたことを指示し、それに応答して、処理モジュール１４０は、ＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる。他の場合には、処理モジュール１４０は、通常モードでＩＭＤ  １０６を制御することができる。
【００９５】
[0102]図７は、制御モジュール１３０によって実装されうる静ＭＲＩ場とテレメトリーヘッド場とを区別するための例示的な方法を示す。最初に、場測定モジュール１５２は、磁場センサー１３２のうちの第１のセンサーから受信した信号に基づき第１の位置における磁場の強度を決定することができる（３００）。次いで、強度比較モジュール１５４は、ブロック（３００）で決定されたような、測定された磁場の強度を閾値下限と比較することができる（３０２）。測定された磁場の強度が閾値下限より小さい場合、場測定モジュール１５２は、ブロック（３００）で磁場センサーのうちの第１のセンサーをポーリングし続け、強度比較モジュール１５４は、処理モジュール１４０に対して、検出される磁場がないことを指示することができる。測定された磁場の強度が閾値下限以上である場合、強度比較モジュール１５４は、測定された磁場を閾値上限と比較することができる（３０４）。測定された磁場の強度が閾値上限以上である場合、強度比較モジュール１５４は、静ＭＲＩ場を検出し（３０６）（つまり、磁場の発生源をＭＲＩ装置として識別し）、処理モジュール１４０に対して、静ＭＲＩ場が検出されたことを指示することができる。次いで、処理モジュール１４０は、ＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる（３０８）。
【００９６】
[0103]測定された磁場の強度が閾値上限より小さい場合、強度比較モジュール１５４は、空間的勾配モジュール１５６に対して、測定された磁場の強度がオーバーラップ領域内にあることを指示することができる。次いで、空間的勾配モジュール１５６は、磁場センサー１３２のうちの第２のセンサーからの場測定モジュール１５２によってなされた測定の結果に基づき第２の位置における磁場の強度を決定することができる（３１０）。次いで、空間的勾配モジュール１５６は、第１の位置および第２の位置における検出された磁場の強度に基づき検出された磁場の空間的勾配を決定することができる（３１２）。
【００９７】
[0104]空間的勾配モジュール１５６は、空間的勾配が空間的勾配閾値より低いかどうかを判定する（３１４）。空間的勾配モジュール１５６が、空間的勾配が空間的勾配閾値より小さいと判定した場合、空間的勾配モジュール１５６は、検出された磁場が静ＭＲＩ場であると判定し（３０６）、処理モジュール１４０に対して、静ＭＲＩ場が検出されたことを指示することができる（３０６）。空間的勾配モジュール１５６が、空間的勾配が空間的勾配閾値以上であると判定した場合、空間的勾配モジュール１５６は、検出された磁場がテレメトリーヘッド場であると判定し、処理モジュール１４０に対して、テレメトリーヘッド場が検出されたことを指示することができる（３１６）。次いで、処理モジュール１４０は、テレメトリーヘッドモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる（３１８）。
【００９８】
[0105]本開示のＩＭＤ  １０６に含まれる複数の磁場センサー１３２は、テレメトリーヘッド磁石１２２を検出するために典型的に使用される単一のセンサーより多くの電力を消費しうる。例えば、複数のホール効果センサーは、単一のホール効果センサーに比べて、動作時により多くのバイアス電流を消費しうる。それに加えて、制御モジュール１３０は、複数の磁場の強度を決定する際に数学的計算が大量に行われるので処理電力を多く消費しうる。したがって、制御モジュール１３０は、複数の磁場センサー１３２からの信号を処理するときに節電戦略をとることができる。節電戦略は、閾値下限より強い磁場が検出されるまで複数の磁場センサー１３２のうちの単一のセンサーに給電するというものであってよい。次いで、磁場の最初の検出後に、制御モジュール１３０は、残りの磁場センサーに給電し、残りの磁場センサーからの信号を処理し、空間的勾配を決定し、その空間的勾配に基づき磁場の発生源を識別することができる。
【００９９】
[0106]図８は、本開示の節電戦略を示す流れ図である。図８の方法において、場測定モジュール１５２は、磁場センサー１３２のうちの単一のセンサーに電力を供給し、単一のセンサーから信号を受信することができる。例えば、場測定モジュール１５２は、電力を第１の磁場センサー１３２−１に定期的に、または連続的に供給し、第１の磁場センサー１３２−１から信号を受信し、第１の磁場センサー１３２−１の位置で磁場の強度を測定することができる（４００）。磁場を最初に測定するために定期的に、または連続的に使用されるこのセンサーは、「一次センサー１３２−１」と称することができる。したがって、場測定モジュール１５２は、電力を一次センサー１３２−１に定期的に、または連続的に供給し、一次センサー１３２−１の位置の磁場の強度を決定することができる。
【０１００】
[0107]次いで、強度比較モジュール１５４は、測定された磁場の強度を閾値下限と比較することができる（４０２）。測定された磁場の強度が閾値下限より小さい場合、場測定モジュール１５２は、一次センサー１３２−１からの読み取りを続け、強度比較モジュール１５４は、処理モジュール１５４に対して、検出される磁場がないことを指示することができる。測定された磁場の強度が閾値下限より大きい場合、強度比較モジュール１５４は、測定された磁場を閾値上限と比較することができる（４０４）。測定された磁場の強度が閾値上限以上である場合、強度比較モジュール１５４は、静ＭＲＩ場を検出し（４０６）、処理モジュールに対して、静ＭＲＩ場が検出されたことを指示することができ、これにより処理モジュール１４０はＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる（４０８）。
【０１０１】
[0108]検出された磁場の強度が閾値上限より小さい場合、強度比較モジュール１５４は、空間的勾配モジュール１５６に対して、測定された磁場の強度がオーバーラップ領域内にあることを指示することができる。それに加えて、場測定モジュール１５４は、１つまたは複数の追加のセンサーを有効化することができる（４１０）。特に、場測定モジュール１５４は、電力を追加の磁場センサー（例えば、一次センサー１３２−１とは別のセンサー）に供給し、追加の磁場センサーから信号を受信し、追加の磁場センサーの位置で磁場の強度を決定することができる（４１２）。
【０１０２】
[0109]次いで、空間的勾配モジュール１５６は、一次センサー１３２−１の位置（一次位置）および追加の磁場センサーの位置（つまり、追加の位置）における磁場の強度に基づき感知された磁場の空間的勾配を決定することができる（４１４）。次いで、空間的勾配モジュール１５６は、図７のブロック（３１４）と同様にして、ブロック（４１６）で検出された磁場の発生源を識別する。ブロック（４１６）の結果に応じて、モジュール１４０は、ブロック（４１８）〜（４２０）ではテレメトリーヘッドモードで、またはブロック（４０６）〜（３０８）ではＭＲＩモードでＩＭＤ  １０６を制御することができる。特に、ブロック（４２０）では、処理モジュール１４０は、テレメトリーヘッド１２２と通信して、例えば、テレメトリーヘッド１２２からデータをダウンロードし、テレメトリーヘッド１２２にデータをアップロードするように通信モジュール１４８を制御することができる。ブロック（４０８）において、処理モジュール１４０は、ＭＲＩスキャンに曝すためにＩＭＤ  １０６を準備するコマンドを実行することができる。
【０１０３】
[0110]いくつかの例では、システムは、ＩＭＤ、第１の磁場センサー、第２の磁場センサー、および制御モジュールを備える。第１の磁場センサーは、ＩＭＤに接続され、第１の位置で磁場の第１の強度を測定するように構成される。第２の磁場センサーは、ＩＭＤに接続され、第２の位置で磁場の第２の強度を測定するように構成される。制御モジュールは、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するように構成される。
【０１０４】
[0111]いくつかの例では、制御モジュールは、磁場の識別された発生源に基づきＩＭＤの動作モードを制御する。動作モードは、テレメトリーヘッドモードおよび磁気共鳴映像モードのうちの一方を含む。
【０１０５】
[0112]いくつかの例では、ＩＭＤは筐体を備え、制御モジュールはこの筐体に入れられ、第１の磁場センサーおよび第２の磁場センサーのうちの少なくとも一方は、筐体内に配置される。
【０１０６】
[0113]いくつかの例では、ＩＭＤは、筐体を備え、制御モジュールはこの筐体に入れられ、第１の磁場センサーおよび第２の磁場センサーのうちの少なくとも一方は、筐体の外部に配置される。
【０１０７】
[0114]いくつかの例では、ＩＭＤは、リードを備え、第１の磁場センサーおよび第２の磁場センサーのうちの少なくとも一方は、リードに接続される。
[0115]いくつかの例では、システムは、外部コンピューティングデバイスをさらに備え、制御モジュールは、外部コンピューティングデバイスとワイヤレス方式で通信するように構成され、制御モジュールは、外部コンピューティングデバイスに磁場の発生源を指示するように構成される。
【０１０８】
[0116]いくつかの例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プログラム可能なプロセッサに植え込み型装置内の第１の位置における磁場の第１の強度を測定するステップと、植え込み型装置内の第２の位置における磁場の第２の強度を測定するステップと、第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を識別するステップとを実行させる命令を格納する。
【０１０９】
[0117]いくつかの例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プログラム可能なプロセッサに第１の強度と第２の強度との差を決定するステップと、この差を空間的勾配閾値と比較するステップと、差が空間的勾配閾値より小さい場合に磁場の発生源を磁気共鳴映像装置の一次磁石であるとして識別するステップと、差が空間的勾配閾値より大きい場合に磁場の発生源を携帯型磁気装置であるとして識別するステップとを実行させる命令をさらに格納する。
【０１１０】
[0118]いくつかの例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プログラム可能なプロセッサに第１の強度および第２の強度に基づき磁場の発生源を、ＭＲＩ装置の一次磁石および携帯型磁気装置のうちの一方として識別するステップを実行させる命令をさらに格納する。
【０１１１】
[0119]いくつかの例では、コンピュータ可読記憶媒体は、プログラム可能なプロセッサに磁場の発生源をＭＲＩ装置の一次磁石として識別することに応答してＭＲＩスキャン中にＭＲＩ動作モードで動作するステップを実行させる命令をさらに格納する。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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