(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、前記チャンバの中で基板を保持可能であり、前記基板を保持する面に直交する軸を中心として回転可能な基板ホルダと、それぞれターゲットを保持するための複数のターゲットホルダとを有するスパッタリング装置であって、
前記複数のターゲットホルダによってそれぞれ保持される複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットを備え、
前記シャッターユニットは、前記軸を中心として回転可能で前記軸に沿った方向に互いに離隔して配置された第１シャッターおよび第２シャッターを含み、
前記複数のターゲットホルダは、前記軸を中心とする第１仮想円上に配置され、前記第１仮想円上における前記複数のターゲットホルダの配置間隔は、少なくとも２種類の配置間隔を含み、
前記第１シャッターは、第１開口および第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第２仮想円上に配置され、前記第２シャッターは、第３開口および第４開口を有し、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第３仮想円上に配置され、
前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心を前記第２仮想円上の弧の両端とする中心角は、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心を前記第３仮想円上の弧の両端とする中心角と等しく、且つ、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１仮想円上における互いの間隔が最も大きい第１ターゲットホルダおよび第２ターゲットホルダのそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい、
ことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記第１シャッターは、前記複数のターゲットホルダと前記第２シャッターとの間に配置され、
前記複数のターゲットホルダによってそれぞれ保持される前記複数のターゲットのうち１つのターゲットのみを使ってスパッタリングを行う場合に、前記第１シャッターは、前記第１開口および前記第２開口のうちの一方は前記１つのターゲットの正面に配置され、他方は前記複数のターゲットのいずれの正面からもずれた位置に配置されるように制御される、
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記チャンバにはゲートバルブが設けられていて、前記ゲートバルブを介して前記チャンバの内部空間と外部空間との間で前記基板が搬送され、
前記複数のターゲットホルダの個数は、３個以上であり、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１ターゲットホルダが最も前記ゲートバルブに近接するように前記複数のターゲットホルダが配置されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記チャンバにはゲートバルブが設けられていて、前記ゲートバルブを介して前記チャンバの内部空間と外部空間との間で前記基板が搬送され、
前記複数のターゲットホルダは、前記第１ターゲットホルダおよび前記第２ターゲットホルダのほか、第３ターゲットホルダおよび第４ターゲットホルダからなり、前記第１仮想円に沿って、前記第１ターゲットホルダ、前記第２ターゲットホルダ、前記第３ターゲットホルダ、前記第４ターゲットホルダの順に配置され、
前記第１仮想円上における前記第１ターゲットホルダと前記第４ターゲットホルダとの間隔は、前記第１仮想円上における前記第１ターゲットホルダと前記第２ターゲットホルダとの間隔より小さく、
前記第１ターゲットホルダおよび前記第４ターゲットホルダは、前記ゲートバルブまでの距離が前記第２ターゲットホルダおよび前記第３ターゲットホルダから前記ゲートバルブまでの距離より小さい、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記第１乃至第４ターゲットホルダは、長辺及び短辺を有し前記第１仮想円に内接する仮想長方形の頂点上に配置されている、
ことを特徴とする請求項４に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記第１ターゲットホルダおよび前記第４ターゲットホルダは、前記ゲートバルブまでの距離が互いに等しい、
ことを特徴とする請求項４又は５に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
複数の接続面を有する搬送チャンバと、
前記複数の接続面の少なくとも１つに接続されたスパッタリング装置と、を備え、
前記スパッタリング装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のスパッタリング装置であり、
前記複数の接続面のうち互いに隣接する接続面のなす角度が９０度より大きい、
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、搬送チャンバの周囲に複数のスパッタリング装置が配置された構成が記載されている。各スパッタリング装置では、成膜チャンバを構成する容器の天井部に４つのターゲットが配置されている。これらのターゲットと基板ホルダとの間には、二重回転シャッター機構が配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−４１１０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図２０および図２１には、等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置が模式的に示されている。なお、図２０および図２１は、本出願の発明者が作成したものであり、先行技術を構成するものではない。【０００５】
図２０には、等間隔に配置されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち２つのターゲットＴ１、Ｔ３を同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行う様子が模式的に示されている。二重回転シャッター機構は、第１シャッターＳ１および第２シャッターＳ２を備えている。第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２を有し、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２を有する。【０００６】
第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御され、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御される。ターゲットＴ１、Ｔ３から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１、ＯＰ１２および第２シャッターＳ２の開口ＯＰ２１、ＯＰ２２を通過して基板ＳＵＢに至り、これによって基板ＳＵＢの上に膜が形成される。【０００７】
図２１には、等間隔に配置されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１のターゲットＴ１を使ってスパッタリングを行う様子が模式的に示されている。第１シャッターＳ１は、２つの開口ＯＰ１１、ＯＰ１２がそれぞれターゲットＴ１、Ｔ３に対向するように回転角が制御され、第２シャッターＳ２は、２つの開口ＯＰ２１、ＯＰ２２がそれぞれターゲットＴ２、Ｔ１に対向するように回転角が制御される。ターゲットＴ１から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１および第２シャッターＳ２の開口ＯＰ２２を通過して基板ＳＵＢに至り、これによって基板ＳＵＢの上に膜が形成される。この際に、矢印２１として模式的に示されているように、ターゲットＴ１から放射された材料は、第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１１を通過した後に、第１シャッターＳ１と第２シャッターＳ２との間を移動し、更に第１シャッターＳ１の開口ＯＰ１２を通過してターゲットＴ３に至り、ターゲットＴ３の表面に付着しうる。これにより、ターゲットＴ３が汚染されうる。
【０００８】
以上のように、複数のターゲットが等間隔に配置された構成において、同時スパッタリングを可能にするために第１シャッターに複数の開口を設けると、１つのターゲットを用いてスパッタリングを行う際に他のターゲットが汚染される可能性がある。【０００９】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、ターゲットの汚染の低減に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面は、チャンバと、前記チャンバの中で基板を保持可能であり、前記基板を保持する面に直交する軸を中心として回転可能な基板ホルダと、それぞれターゲットを保持するための複数のターゲットホルダとを有するスパッタリング装置に係り、前記スパッタリング装置は、前記複数のターゲットホルダによってそれぞれ保持される複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットを備え、前記シャッターユニットは、前記軸を中心として回転可能で前記軸に沿った方向に互いに離隔して配置された第１シャッターおよび第２シャッターを含み、前記複数のターゲットホルダは、前記軸を中心とする第１仮想円上に配置され、前記第１仮想円上における前記複数のターゲットホルダの配置間隔は、少なくとも２種類の配置間隔を含み、
前記第１シャッターは、第１開口および第２開口を有し、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第２仮想円上に配置され、前記第２シャッターは、第３開口および第４開口を有し、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心は、前記軸を中心とする第３仮想円上に配置され、前記第１開口および前記第２開口のそれぞれの中心を前記第２仮想円上の弧の両端とする中心角は、前記第３開口および前記第４開口のそれぞれの中心を前記第３仮想円上の弧の両端とする中心角と等しく、且つ、前記複数のターゲットホルダのうち前記第１仮想円上における互いの間隔が最も大きい第１ターゲットホルダおよび第２ターゲットホルダのそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。【００１１】
本発明の第２の側面は、基板処理装置に係り、前記基板処理装置は、複数の接続面を有する搬送チャンバと、前記複数の接続面の少なくとも１つに接続されたスパッタリング装置と、を備え、前記スパッタリング装置は、前記第１の側面に係るスパッタリング装置であり、前記複数の接続面のうち互いに隣接する接続面のなす角度が９０度より大きい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ターゲットの汚染の低減に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の第１実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。
【図１Ｂ】本発明の第１実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。
【図２Ａ】第１シャッターの構成例を示す図。
【図２Ｂ】第２シャッターの構成例を示す図。
【図３Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図３Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図４Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図４Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図５Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図５Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図６Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図６Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図６Ｃ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図７Ａ】本発明の第２実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。
【図７Ｂ】本発明の第２実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。
【図８Ａ】第１シャッターの構成例を示す図。
【図８Ｂ】第２シャッターの構成例を示す図。
【図９Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図９Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１０Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１０Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１１Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１１Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１２Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１２Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１２Ｃ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１３Ａ】本発明の第３実施形態のスパッタリング装置の模式的な平面図。
【図１３Ｂ】本発明の第３実施形態のスパッタリング装置の模式的な断面図。
【図１４Ａ】第１シャッターおよび第２シャッターの構成例を示す図。
【図１４Ｂ】第１シャッターおよび第２シャッターの構成例を示す図。
【図１５Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１５Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１６Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１６Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１７Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１７Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１８Ａ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１８Ｂ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１８Ｃ】ターゲット、第１シャッターの開口および第２シャッターの開口の位置関係の制御を例示する図。
【図１９】本発明の一つの実施形態の基板処理装置の断面図。
【図２０】等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置を例示する図。
【図２１】等間隔に配置された複数のターゲットと、該複数のターゲットのうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択する二重回転シャッター機構とを有するスパッタリング装置を例示する図。
【図２２】本発明の一つの実施形態の基板処理装置に備えられたコントローラを説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。
【００１５】
図１Ａは、本発明の第１実施形態のスパッタリング装置１００の模式的な平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＸ−Ｘ'線におけるスパッタリング装置１００の模式的な断面図である。スパッタリング装置１００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３とを有する。
【００１６】
基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３の順に配置されている。
【００１７】
第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は、少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ３１とする。図１Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ３１＞Ｄ２３であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３およびＤ３１が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３の配置間隔は３種類である。
【００１８】
スパッタリング装置１００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
【００１９】
スパッタリング装置１００はまた、第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
【００２０】
図２Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図２Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３と第２シャッター１１２との間に配置されている。
【００２１】
第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ３１＞Ｄ２３である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第３ターゲットホルダ９３および第１ターゲットホルダ９１も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
【００２２】
ターゲット９１、９２、９３の各々の裏面側には、マグネットユニット８０が配置されている。各マグネットユニット８０は、マグネトロン放電（例えば、ＤＣマグネトロン放電）を発生させるためのマグネット８２と、マグネット８２を駆動（例えば、回転駆動）するための駆動部８３とを含みうる。各マグネットユニット８０はまた、マグネット８２とターゲットホルダ（ターゲット）との距離を調整するための距離調整部８４を含みうる。
【００２３】
ターゲットホルダ９１、９２、９３のそれぞれは、基板ホルダ１０８によって保持される基板１０９の表面に対してターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３の表面が傾斜した姿勢でターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持するように構成されうる。ここで、ターゲットホルダ９１、９２、９３のそれぞれは、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３の表面の法線が基板１０９の中央方向に向くようにターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３を保持しうる。この場合において、マグネットユニット８０は、その上部が軸８から遠ざかるように傾けて配置されうる。
【００２４】
図１９に例示されるように搬送チャンバ４００の周囲に多くのスパッタリング装置１００を配置するためには、搬送チャンバ４００とスパッタリング装置１００との間での基板１０９の搬送方向に直交する方向（以下、「幅方向」という）におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくするべきである。前述のように、マグネットユニット８０の上部が軸８から遠ざかるようにマグネットユニット８０が傾けて配置された場合、マグネットユニット８０の上部によってスパッタリング装置１００の占有面積が決定されうる。これを考慮すると、第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３を有する構成において、第１ターゲットホルダ９１が最もゲートバルブ６に近接するように第１乃至第３ターゲットホルダ９１、９２、９３を配置することが好ましい。
【００２５】
以下、図３Ａ〜図６Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。本実施形態に係るスパッタリング装置は基板に向けて各ターゲットが傾けて配置されたものであるが、説明を容易とするため図３Ａ〜図６Ｃでは、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を相互に平行に記載している。図６Ａ−図６Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図３Ａ〜図６Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
【００２６】
図３Ａ〜図６Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
【００２７】
図３Ａ、図３Ｂおよび図６Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１つのターゲットＴ３がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１がターゲットＴ２の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ３から放射された材料が第２開口Ｈ２を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第１開口Ｈ１を通過してターゲットＴ２に至り、ターゲットＴ２を汚染する問題が生じうる。
【００２８】
しかしながら、第１実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ３のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ２の正面からずれた位置（ターゲットＴ３から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ２の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
【００２９】
図４Ａ、図４Ｂおよび図６Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうち１つのターゲットＴ２がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ２のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ２の正面に配置され、第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１の正面からずれた位置（ターゲットＴ２から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ１の汚染が低減される。
【００３０】
図５Ａ、図５Ｂおよび図６Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
【００３１】
図１９には、１又は複数のスパッタリング装置１００が搬送チャンバ４００の周囲に配置されて構成された基板処理装置が例示されている。搬送チャンバ４００は、複数の接続面４０１を有する。複数の接続面４０１の少なくとも１つには、スパッタリング装置１００が接続されている。搬送チャンバ４００とスパッタリング装置１００とは、ゲートバルブ６を介して接続されている。複数の接続面４０１のうち互いに隣接する接続面４０１のなす角度Ａは９０度より大きいことが好ましく、これにより、より多くのスパッタリング装置１００を搬送チャンバ４００の周囲に配置することができる。
【００３２】
以下、本発明の第２実施形態を説明する。なお、第２実施形態として言及しない事項は、矛盾しない限り、第１実施形態に従いうる。図７Ａは、本発明の２実施形態のスパッタリング装置２００の模式的な平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＸ−Ｘ'線におけるスパッタリング装置２００の模式的な断面図である。スパッタリング装置２００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５とを有する。
【００３３】
基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３、第４ターゲットホルダ９４、第５ターゲットホルダ９５の順に配置されている。
【００３４】
第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第４ターゲットホルダ９４との配置間隔をＤ３４、第１仮想円ＶＣ１上における第４ターゲットホルダ９４と第５ターゲットホルダ９５との配置間隔をＤ４５、第１仮想円ＶＣ１上における第５ターゲットホルダ９５と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ５１とする。
【００３５】
図７Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ５１＞Ｄ２３＝Ｄ３４＝Ｄ４５であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３、Ｄ３４、Ｄ４５、Ｄ５１が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５の配置間隔は５種類である。
【００３６】
スパッタリング装置２００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
【００３７】
スパッタリング装置２００はまた、第１乃至第５ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
【００３８】
図８Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図８Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５と第２シャッター１１２との間に配置されている。
【００３９】
第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ５１＞Ｄ２３＝Ｄ３４＝Ｄ４５である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第５ターゲットホルダ９５および第１ターゲットホルダ９１も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
【００４０】
以下、図９Ａ〜図１２Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。図１２Ａ−図１２Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図９Ａ〜図１２Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
【００４１】
図９Ａ〜図１２Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
【００４２】
図９Ａ、図９Ｂおよび図１２Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ２がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２がターゲットＴ３の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ２から放射された材料が第１開口Ｈ１を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第２開口Ｈ２を通過してターゲットＴ３に至り、ターゲットＴ３を汚染する問題が生じうる。
【００４３】
しかしながら、第２実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４、９５のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ２のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ３の正面からずれた位置（ターゲットＴ２から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ３の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
【００４４】
図１０Ａ、図１Ｂおよび図１２Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ５がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ５のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ５の正面に配置され、第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面からずれた位置（ターゲットＴ５から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ４の汚染が低減される。
【００４５】
一方で、第４開口Ｈ４はターゲットＴ１の正面に位置しているものの、シャッター１１１が存在するため、ターゲットＴ１が第４開口Ｈ４を通して汚染される可能性は低い。即ち、ターゲットＴ５をスパッタリングのために使用する際に、ターゲット側に設けられたシャッター１１１においてターゲットＴ５と対向していない第１開口Ｈ１を他のターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のいずれの正面からもずれた位置に配置するようにシャッター１１１を制御し、第１開口Ｈ１とシャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４とが対向しないようにシャッター１１２を制御することで、スパッタリングに使用していないターゲットの汚染を低減することができる。
【００４６】
図１１Ａ、図１１Ｂおよび図１２Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
【００４７】
第２実施形態のスパッタリング装置２００もまた、図１９に例示される基板処理装置に適用されうる。
【００４８】
以下、本発明の第３実施形態を説明する。なお、第３実施形態として言及しない事項は、矛盾しない限り、第１又は第２実施形態に従いうる。図１３Ａ、図１３Ｂは、本発明の３実施形態のスパッタリング装置３００の模式的な平面図、断面図である。スパッタリング装置３００は、チャンバ７と、基板ホルダ１０８と、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４とを有する。第１乃至第３実施形態を通して、ターゲットホルダの個数が３以上である例が説明されている。
【００４９】
基板ホルダ１０８は、チャンバ７の中で基板１０９を保持可能であり、かつ、基板１０９の面に直交する軸８を中心として回転可能である。第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、それぞれターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を保持する。ここで、複数のターゲットホルダとしての第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、軸８を中心とする第１仮想円ＶＣ１に沿って、時計回りに、第１ターゲットホルダ９１、第２ターゲットホルダ９２、第３ターゲットホルダ９３、第４ターゲットホルダ９４の順に配置されている。
【００５０】
第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は、少なくとも２種類である。ここで、第１仮想円ＶＣ１上における第１ターゲットホルダ９１と第２ターゲットホルダ９２との配置間隔をＤ１２、第１仮想円ＶＣ１上における第２ターゲットホルダ９２と第３ターゲットホルダ９３との配置間隔をＤ２３、第１仮想円ＶＣ１上における第３ターゲットホルダ９３と第４ターゲットホルダ９４との配置間隔をＤ３４、第１仮想円ＶＣ１上における第４ターゲットホルダ９４と第１ターゲットホルダ９１との配置間隔をＤ４１とする。
【００５１】
図１３Ａに示す例では、Ｄ１２＝Ｄ３４＞Ｄ２３＝Ｄ４１であり、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は２種類である。Ｄ１２、Ｄ２３、Ｄ３４、Ｄ４５が全て異なる場合は、第１仮想円ＶＣ１上における第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４の配置間隔は４種類である。
【００５２】
スパッタリング装置３００には、ゲートバルブ６が設けられていて、ゲートバルブ６を介してチャンバ７の内部空間と外部空間との間で基板１０９が搬送される。
【００５３】
スパッタリング装置３００はまた、第１乃至第４ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４によってそれぞれ保持されたターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちスパッタリングのために使用するターゲットを選択するためのシャッターユニットＳＵを備えている。シャッターユニットＳＵは、軸８を中心として回転可能な第１シャッター１１１および第２シャッター１１２と、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を個別に回転させる駆動部１１０とを含みうる。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、それぞれ２つの開口を有し、２つのターゲットを同時に使ってスパッタリング（同時スパッタリング（Co-sputtering））を行うことができる。
【００５４】
図１４Ａに例示されるように、第１シャッター１１１は、軸８を中心とする第２仮想円ＶＣ２上に中心が配置された第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２を有する。図１４Ｂに例示されるように、第２シャッター１１２は、軸８を中心とする第３仮想円ＶＣ３上に中心が配置された第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４を有する。駆動部１１０は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちスパッタリングのために使用するターゲットが、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口を通して基板１０９に対して露出するように第１シャッター１１１および第２シャッター１１２を駆動する。第１シャッター１１１および第２シャッター１１２は、軸８に沿った方向に互いに離隔して配置されうる。第１シャッター１１１は、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４と第２シャッター１１２との間に配置されている。
【００５５】
第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、第２シャッター１１２の第３開口Ｈ３および第４開口Ｈ４のそれぞれの中心を第３仮想円ＶＣ３上の弧の両端とする中心角αＨ３４と等しく、且つ、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。なお、Ｄ１２＝Ｄ３４＞Ｄ２３＝Ｄ４１である場合、第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２の他、第３ターゲットホルダ９３および第４ターゲットホルダ９４も、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである。
【００５６】
以下、図１５Ａ〜図１８Ｃを参照しながら、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２および第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４の位置関係の制御を例示的に説明する。図１８Ａ−図１８Ｃは、第１仮想円ＶＣ１に沿ってターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、第１シャッター１１１の開口Ｈ１、Ｈ２、第２シャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４を描いた断面図である。図１５Ａ〜図１８Ｃに例示される位置関係の制御は、図２２に示すコントローラによってなされうる。
【００５７】
図１５Ａ〜図１８Ｃにおいて、網掛けで示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されているターゲットであり、白抜きの実線又は白抜きの点線で示されたターゲットは、スパッタリングのために使用されていないターゲットである。また、白抜きの実線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口又は第２シャッター１１２の開口と同じ位置にあるターゲットである。また、白抜きの点線で示されたターゲットは、第１シャッター１１１の開口および第２シャッター１１２の開口のいずれとも異なる位置にあるターゲットである。
【００５８】
図１５Ａ、図１５Ｂおよび図１８Ａには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５のうち１つのターゲットＴ１がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ここで、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１がターゲットＴ４の正面に配置される構成においては、図２１を参照して説明したような汚染の問題、具体的には、ターゲットＴ２から放射された材料が第２開口Ｈ２を通過し、その後、第１シャッター１１１と第２シャッター１１２との間を移動し、更に第１開口Ｈ１を通過してターゲットＴ４に至り、ターゲットＴ４を汚染する問題が生じうる。
【００５９】
しかしながら、第３実施形態では、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１および第２開口Ｈ２のそれぞれの中心を第２仮想円ＶＣ２上の弧の両端とする中心角αＨ１２は、複数のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４のうち第１仮想円ＶＣ１上における互いの間隔が最も大きい２つのターゲットである第１ターゲットホルダ９１および第２ターゲットホルダ９２のそれぞれの中心を弧の両端とする中心角と等しい。したがって、ターゲットＴ１のみを使ってスパッタリングを行う場合に、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面からずれた位置（ターゲットＴ１から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ３の汚染が低減される。また、この場合において、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のいずれの正面からもずれた位置に配置される。
【００６０】
図１６Ａ、図１６Ｂおよび図１８Ｂには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうち１つのターゲットＴ４がスパッタリングのために使用されている状態が例示されている。ターゲットＴ４のみを使ってスパッタリングを行う際は、第１シャッター１１１の第１開口Ｈ１は、ターゲットＴ４の正面に配置され、第２開口Ｈ２は、ターゲットＴ１の正面からずれた位置（ターゲットＴ４から遠ざかる方向にずれた位置）に配置され、これによってターゲットＴ１の汚染が低減される。一方で、第３開口Ｈ３はターゲットＴ３の正面に位置しているものの、シャッター１１１が存在するため、ターゲットＴ３が第３開口Ｈ３を通して汚染される可能性は低い。即ち、ターゲットＴ４をスパッタリングのために使用する際に、ターゲット側に設けられたシャッター１１１においてターゲットＴ４と対向していない第２開口Ｈ２を他のターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３のいずれの正面からもずれた位置に配置するようにシャッター１１１を制御し、第２開口Ｈ２とシャッター１１２の開口Ｈ３、Ｈ４が対向しないようにシャッター１１２を制御することで、スパッタリングに使用していないターゲットの汚染を低減することができる。
【００６１】
図１７Ａ、図１７Ｂおよび図１８Ｃには、ターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４のうちターゲットＴ１、Ｔ２がスパッタリングのために同時に使用されている状態（即ち、同時スパッタリングがなされている状態）が例示されている。
【００６２】
図１９に例示されるように搬送チャンバ４００の周囲に多くのスパッタリング装置３００を配置するためには、幅方向におけるスパッタリング装置３００の寸法を小さくするべきである。前述のように、マグネットユニット８０の上部が軸８から遠ざかるようにマグネットユニット８０が傾けて配置された場合、マグネットユニット８０の上部によってスパッタリング装置１００の占有面積が決定されうる。これを考慮すると、幅方向におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくするためには、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４は、幅方向に圧縮されて配置されるべきである。
【００６３】
そこで、第３実施形態では、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４（の中心）は、軸８を中心とする１つの仮想円ＶＣ上、かつ、長辺ＬＳ及び短辺ＳＳを有し仮想円ＶＣに内接する仮想長方形ＶＲの頂点上に配置され、第１ターゲットホルダ９１および第４ターゲットホルダ９４（の中心）は、仮想長方形ＶＲの１つの短辺ＳＳを定める２つの頂点にそれぞれ配置され、かつ、ゲートバルブ６までの距離が第２ターゲットホルダ９２および第３ターゲットホルダ９３からゲートバルブ６までの距離より小さい。ここで、第１ターゲットホルダ９１および第４ターゲットホルダ９４は、ゲートバルブ６までの距離が互いに等しいことが好ましい。
【００６４】
上記の配置によれば、ターゲットホルダ９１、９２、９３、９４が幅方向に圧縮されて配置され、これによって幅方向におけるスパッタリング装置１００の寸法を小さくすることができる。これは、搬送チャンバの周囲により多くのスパッタリング装置１００を配置することを可能にする。また、上記の配置によれば、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４によってそれぞれ保持されるターゲットＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４の表面に形成される磁場は、相互に等しくなる。例えば、ターゲットホルダ９１によって保持されたターゲットＴ１の表面に形成される磁場がターゲットホルダ９２、９３、９４によって保持されたターゲットＴ２、Ｔ３、Ｔ４の裏面側に配置されたマグネット８２から受ける影響と、ターゲットホルダ９２によって保持されたターゲットＴ２の表面に形成される磁場がターゲットホルダ９１、９３、９４によって保持されたターゲットＴ１、Ｔ３、Ｔ４の裏面側に配置されたマグネット８２から受ける影響とは等価である。即ち、第１乃至第４のターゲットホルダ９１、９２、９３、９４（の中心）を仮想長方形ＶＲの頂点に配置することによって、ターゲットＴ１、Ｔ３、Ｔ４の表面にそれぞれ形成される磁場を相互に等しくすることができる。これにより、使用するターゲットの位置によって生じうるスパッタリング特性の差を低減することができる。
【００６５】
第３実施形態のスパッタリング装置３００もまた、図１９に例示される基板処理装置に適用されうる。
【００６６】
上述した第１乃至第３の実施形態のスパッタリング装置１００、２００、３００に適用可能なコントローラ５００の構成について図２２を用いて説明する。コントローラ５００は、入力部５００ｂ、プログラム及びデータを有する記憶部５００ｃ、プロセッサ５００ｄ及び出力部５００ｅを備えており、スパッタリング装置１００、２００、３００を制御しうる。コントローラ５００は、プロセッサ５００ｄが、記憶部５００ｃに格納された制御プログラムを読み出して実行することで、スパッタリング装置１００、２００、３００の動作を制御しうる。すなわち、コントローラ５００による制御によって、駆動部１１０を動作させ、第１シャッター１１１および第２シャッター１１２の動作を行いうる。なお、コントローラ５００はスパッタリング装置１００、２００、３００と別個に設けても良いし、スパッタリング装置１００、２００、３００に内蔵しても良い。さらに、コントローラ４００はスパッタリング装置１００、２００、３００に備えられた各ターゲットに印加される電力（即ち各ターゲットホルダに印加される電力）を制御する電源に接続され、各々のターゲットへの電力供給に併せて駆動部１１０を制御しうる。
【００６７】
本願は、２０１２年１１月３０日提出の日本国特許出願特願２０１２−２６３６４９を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。
【図１Ａ】
0005922795.tif 000002
【図１Ｂ】
0005922795.tif 000003
【図２Ａ】
0005922795.tif 000004
【図２Ｂ】
0005922795.tif 000005
【図３Ａ】
0005922795.tif 000006
【図３Ｂ】
0005922795.tif 000007
【図４Ａ】
0005922795.tif 000008
【図４Ｂ】
0005922795.tif 000009
【図５Ａ】
0005922795.tif 000010
【図５Ｂ】
0005922795.tif 000011
【図６Ａ】
0005922795.tif 000012
【図６Ｂ】
0005922795.tif 000013
【図６Ｃ】
0005922795.tif 000014
【図７Ａ】
0005922795.tif 000015
【図７Ｂ】
0005922795.tif 000016
【図８Ａ】
0005922795.tif 000017
【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
0005922795.tif 000019
【図９Ｂ】
0005922795.tif 000020
【図１０Ａ】
0005922795.tif 000021
【図１０Ｂ】
0005922795.tif 000022
【図１１Ａ】
0005922795.tif 000023
【図１１Ｂ】
0005922795.tif 000024
【図１２Ａ】
0005922795.tif 000025
【図１２Ｂ】
0005922795.tif 000026
【図１２Ｃ】
0005922795.tif 000027
【図１３Ａ】
0005922795.tif 000028
【図１３Ｂ】
0005922795.tif 000029
【図１４Ａ】
0005922795.tif 000030
【図１４Ｂ】
0005922795.tif 000031
【図１５Ａ】
0005922795.tif 000032
【図１５Ｂ】
0005922795.tif 000033
【図１６Ａ】
0005922795.tif 000034
【図１６Ｂ】
0005922795.tif 000035
【図１７Ａ】
0005922795.tif 000036
【図１７Ｂ】
0005922795.tif 000037
【図１８Ａ】
0005922795.tif 000038
【図１８Ｂ】
0005922795.tif 000039
【図１８Ｃ】
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【図１９】
0005922795.tif 000041
【図２０】
0005922795.tif 000042
【図２１】
0005922795.tif 000043
【図２２】
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