(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）で表されるＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体からなる電荷輸送性物質、ヘテロポリ酸のみからなる電荷受容性ドーパント及び有機溶媒を含み、ヘテロポリ酸の質量比が、電荷輸送性物質１に対して１．０〜１１．０であることを特徴とする電荷輸送性ワニス。
【化１】
0006048571.tif 000013
［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立して、式（２）又は（３）で表される基を表す。
【化２】
0006048571.tif 000014
（式中、Ｒ9〜Ｒ18は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基を表す。）］
【請求項２】
Ｒ1〜Ｒ18が、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基である請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
【請求項３】
Ｒ1〜Ｒ18が、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基である請求項２記載の電荷輸送性ワニス。
【請求項４】
Ｒ1〜Ｒ18が、水素原子であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子又はジフェニルアミノ基である請求項３記載の電荷輸送性ワニス。
【請求項５】
前記Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体が、式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
【化３】
0006048571.tif 000015
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
【請求項７】
請求項６記載の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス。
【請求項８】
請求項６記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項８記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１４０℃〜２５０℃で焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項６記載の電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の製造方法で得られた電荷輸送性薄膜を用いる有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電荷輸送性ワニスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。この薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。ドライプロセスとウェットプロセスとを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、有機ＥＬといった薄膜の大面積化が望まれる分野においては、ウェットプロセスによって有機薄膜が形成されることが多い。【０００３】
一方、近年、有機ＥＬの分野においては、製品の高機能化、多機能化、小型化等に対する要望がますます強まってきている。そのような状況の下、例えば軽量化や薄型化を目的としてガラス基板の代わりに有機化合物からなる基板が用いられるようになってきており、製造プロセス上採用し得る処理温度が従来よりも低くなってきている。それゆえ、昨今、有機ＥＬの分野において、より低温で焼成でき、またその場合にも良好な電荷輸送性を有する薄膜を与えるワニスへの要求がますます高まっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０５８７７７号
【特許文献２】特開平１０−０８８１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、２００℃以上の高温だけでなく２００℃を下回る低温で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性及び高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子に適用した場合に優れたＥＬ素子特性を発揮させ得る電荷輸送性薄膜を与える電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体からなる電荷輸送性物質、ヘテロポリ酸からなる電荷受容性ドーパント及び有機溶媒を含むワニスを用いることで、２００℃以上の高温下で焼成した場合だけでなく２００℃を下回る低温下で焼成した場合であっても高平坦性及び高電荷輸送性を有する薄膜が得られること、及び当該薄膜を正孔注入層に適用した場合に優れた輝度特性を実現し得る有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。なお、特許文献２には、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジンをホール輸送材料として用いた有機ＥＬ素子が開示されているが、当該化合物とヘテロポリ酸との組み合わせによって、２００℃以上の高温だけでなく２００℃を下回る低温でも焼成可能であって、かつ、高平坦性及び高電荷輸送性を有する薄膜を与え得るワニスが得られることについては一切開示されていない。【０００７】
すなわち、本発明は、下記電荷輸送性ワニスを提供する。
１．式（１）で表されるＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体からなる電荷輸送性物質、ヘテロポリ酸のみからなる電荷受容性ドーパント及び有機溶媒を含み、ヘテロポリ酸の質量比が、電荷輸送性物質１に対して１．０〜１１．０であることを特徴とする電荷輸送性ワニス。
【化１】
0006048571.tif 000002
［式中、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立して、式（２）又は（３）で表される基を表す。
【化２】
0006048571.tif 000003
（式中、Ｒ9〜Ｒ18は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基を表す。）］
２．Ｒ1〜Ｒ18が、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基である１の電荷輸送性ワニス。
３．Ｒ1〜Ｒ18が、それぞれ独立して、水素原子又はフッ素原子であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基である２の電荷輸送性ワニス。
４．Ｒ1〜Ｒ18が、水素原子であり、Ｘ1及びＸ2が、それぞれ独立して、水素原子又はジフェニルアミノ基である３の電荷輸送性ワニス。
５．前記Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体が、式（１−１）〜（１−３）のいずれかで表される１の電荷輸送性ワニス。
【化１０】
0006048571.tif 000004
６．１〜５のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
７．６の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス。
８．６の電荷輸送性薄膜を有する有機ＥＬ素子。
９．前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である８の有機ＥＬ素子。
１０．１〜５のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１４０℃〜２５０℃で焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
１１．６の電荷輸送性薄膜を用いる有機ＥＬ素子の製造方法。
１２．１０の製造方法で得られた電荷輸送性薄膜を用いる有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の電荷輸送性ワニスは、Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体とヘテロポリ酸とを含むため、２００℃以上の高温だけでなく、２００℃未満の温度、特に１４０〜２００℃程度という低温でも焼成可能である。そのような焼成条件下で作製した薄膜は高平坦性及び高電荷輸送性を有し、当該薄膜を正孔注入層に適用した場合には優れた輝度特性を実現し得る有機ＥＬ素子が得られる。そのため、本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、製造条件の温和化等による素子製造の高効率化や高歩留化、あるいは素子の軽量化、コンパクト化等を図り得る。【０００９】
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。【００１０】
更に、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜や有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［電荷輸送性物質］
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体からなる電荷輸送性物質を含む。なお、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、ワニスを使用して得られる固体膜に電荷輸送性があるものでもよい。
【００１２】
【化３】
0006048571.tif 000005
【００１３】
式（１）において、Ｒ1〜Ｒ8は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
【００１４】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基は直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよく、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖状又は分岐状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基が挙げられる。
【００１５】
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。
【００１６】
炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。
【００１７】
これらの中でも、Ｒ1〜Ｒ8は、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はフッ素原子であることがより好ましいが、全て水素原子であることが最適である。
【００１８】
式（１）において、Ａｒ1及びＡｒ2は、それぞれ独立して、式（２）又は（３）で表される基を表す。
【００１９】
【化４】
0006048571.tif 000006
【００２０】
式（２）及び（３）において、Ｒ9〜Ｒ18は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。これらの中でも、Ｒ9〜Ｒ18は、水素原子、フッ素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子又はフッ素原子であることがより好ましいが、全て水素原子であることが最適である。
【００２１】
Ｘ1及びＸ2は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基を表す。これらの中でも、Ｘ1及びＸ2は、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基であることが好ましく、水素原子、ジフェニルアミノ基、１−ナフチルフェニルアミノ基、２−ナフチルフェニルアミノ基、ジ（１−ナフチル）アミノ基、ジ（２−ナフチル）アミノ基又は１−ナフチル−２−ナフチルアミノ基であることがより好ましく、水素原子又はジフェニルアミノ基であることがより一層好ましい。
【００２２】
なお、Ｒ9〜Ｒ18、Ｘ1及びＸ2で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基としては、Ｒ1〜Ｒ8として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００２３】
本発明で用いるＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体の分子量は、通常２００〜５，０００であるが、溶解性を高める観点から、好ましくは３，０００以下、より好ましくは２，０００以下である。
【００２４】
本発明においては、Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体は、市販品を用いてよく、公知の方法（例えば、Thin Solid Films, 520 (24), pp. 7157-7163, (2012)に記載の方法）や後述の方法で合成したものを用いてもよいが、いずれの場合も電荷輸送性ワニスを調製する前に、再結晶や蒸着法等によって精製したものを用いることが好ましい。精製したものを用いることで、当該ワニスから得られた薄膜を備えた有機ＥＬ素子の特性をより高めることができる。再結晶にて精製する場合、溶媒としては、例えば、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン等を用いることができる。
【００２５】
式（１）で表されるＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体は、例えば、式（４）で表されるビフェニル化合物と式（５）で表される芳香族アミン化合物とを反応させることで得ることができる。
【００２６】
【化５】
0006048571.tif 000007
（式中、Ｒ1〜Ｒ8は上記と同じ。Ａｒ3は上記Ａｒ1及びＡｒ2と同じ。Ｙは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を表す。）
【００２７】
式（４）で表されるビフェニル化合物としては、４，４'−ジクロロビフェニル、４，４'−ジブロモビフェニル、４，４'−ジヨードビフェニル、４−クロロ−４'−ブロモビフェニル、４−クロロ−４'−ヨードビフェニル、４−ブロモ−４'−ヨードビフェニル等が挙げられる。
【００２８】
式（５）で表される芳香族アミン化合物としては、アニリン、１−ナフチルアミン、４−（ジフェニルアミノ）アニリン、４−ジフェニルアミノ−１−ナフチルアミン等が挙げられる。
【００２９】
式（４）で表されるビフェニル化合物と式（５）で表される芳香族アミン化合物との仕込み比は、ビフェニル化合物１ｍｏｌに対し芳香族アミン化合物１．８〜４．０ｍｏｌ程度とすることができるが、２．０〜３．０ｍｏｌ程度が好適である。
【００３０】
上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒、Ｐｄ(ＰＰｈ3)4（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）、Ｐｄ(ＰＰｈ3)2Ｃｌ2（ビス（トリフェニルホスフィン）ジクロロパラジウム）、Ｐｄ(ｄｂａ)2（ビス（ベンジリデンアセトン）パラジウム）、Ｐｄ2(ｄｂａ)3（トリス（ベンジリデンアセトン）ジパラジウム）、Ｐｄ(Ｐ−ｔ−Ｂｕ3)2（ビス（トリ（ｔ−ブチルホスフィン）パラジウム））等のパラジウム触媒等が挙げられる。これらの触媒は１種単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は適切な配位子とともに使用してもよい。
【００３１】
触媒の使用量は、ビフェニル化合物１ｍｏｌに対して０．００１〜０．５ｍｏｌ程度とすることができるが、０．０１〜０．２ｍｏｌ程度が好適である。
【００３２】
上記反応は溶媒中で行ってもよい。溶媒を使用する場合、反応に悪影響を及ぼさないものであれば、いかなる溶媒を用いてもよい。溶媒の具体例としては、脂肪族炭化水素類（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素類（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素類（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素類（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタン等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド類（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタム及びラクトン類（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素類（Ｎ，Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド類（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル類（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
【００３３】
反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０〜２００℃程度が好ましく、２０〜１５０℃がより好ましい。
反応終了後は、常法に従って後処理をし、目的とするＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体を得ることができる。
【００３４】
本発明において、特に好適なＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体としては、以下のものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００３５】
【化６】
0006048571.tif 000008
【００３６】
［電荷受容性ドーパント］
本発明の電荷輸送性ワニスは、ヘテロポリ酸からなる電荷受容性ドーパントを含む。ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ａ）で表されるＫｅｇｇｉｎ型又は式（Ｂ）で表されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等のオキソ酸であるイソポリ酸と異種元素のオキソ酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素のオキソ酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）のオキソ酸が挙げられる。
【００３７】
【化７】
0006048571.tif 000009
【００３８】
ヘテロポリ酸は市販品として入手可能である。また、ヘテロポリ酸は公知の方法により合成してもよい。
【００３９】
ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸等が挙げられる。ヘテロポリ酸は１種単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。
【００４０】
とりわけ、電荷受容性ドーパントが１種類のヘテロポリ酸単独からなる場合、その１種類のヘテロポリ酸は、リンタングステン酸又はリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。
【００４１】
また、電荷受容性ドーパントが、２種類以上のヘテロポリ酸からなる場合も、その２種類以上のヘテロポリ酸のうち少なくとも１種は、リンタングステン酸又はリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。
【００４２】
本発明においては、ヘテロポリ酸、好ましくはリンタングステン酸を、質量比で、電荷輸送性物質１に対して１．０〜１１．０程度、好ましくは２．５〜９．０程度、より好ましくは３．０〜７．０程度とすることで、有機ＥＬ素子に用いた場合に高輝度を与える電荷輸送性薄膜を再現性よく得ることができる。すなわち、本発明の電荷輸送性ワニスは、Ｎ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体の質量（ＷH）に対するヘテロポリ酸の質量（ＷD）の比が、１．０≦ＷD／ＷH≦１１．０、好ましくは２．５≦ＷD／ＷH≦９．０、より好ましくは３．０≦ＷD／ＷH≦７．０を満たす。
【００４３】
なお、本発明の電荷輸送性ワニスには、上述したＮ，Ｎ'−ジアリールベンジジン誘導体やヘテロポリ酸のほかに、公知のその他の電荷輸送性物質や電荷受容性ドーパントを用いることもできる。
【００４４】
［有機溶媒］
本発明の電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質及び電荷受容性ドーパントを良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。なお、電荷輸送性物質及び電荷受容性ドーパントは、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましい。
【００４５】
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種含有してもよい。これによって、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
【００４６】
高粘度有機溶媒としては、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの溶媒は１種単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
【００４７】
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％が好ましい。
【００４８】
更に、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒をワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
【００４９】
その他の溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されない。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いることができる。
【００５０】
本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
【００５１】
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度及び表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１〜１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。
【００５２】
［電荷輸送性薄膜］
本発明の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
【００５３】
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度及び表面張力を調節することが好ましい。
【００５４】
また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面及び高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることが可能である。
【００５５】
焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、概ね１００〜２６０℃の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１４５〜２４０℃程度がより好ましい。なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。加熱は、例えばホットプレートやオーブン等適当な機器を用いて行えばよい。
【００５６】
電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。
【００５７】
［有機ＥＬ素子］
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されない。
【００５８】
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくてもよい。
【００５９】
本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
【００６０】
上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。発光領域をコントロールするために任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
【００６１】
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
【００６２】
正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、４，４'，４''−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４'，４''−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類、５，５''−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２'：５'，２''−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等が挙げられる。
【００６３】
発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛(II)（Ｚｎｑ2）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム(III)（ＢＡｌｑ）及び４，４'−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、電子輸送材料又は正孔輸送材料と発光性ドーパントとを共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。
【００６４】
電子輸送材料としては、Ａｌｑ3、ＢＡｌｑ、ＤＰＶＢｉ、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、バソクプロイン（ＢＣＰ）、シロール誘導体等が挙げられる。
【００６５】
発光性ドーパントとしては、キナクリドン、ルブレン、クマリン５４０、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム(III)（Ｉｒ(ｐｐｙ)3）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオナート）ユーロピウム(III)（Ｅｕ(ＴＴＡ)3ｐｈｅｎ）等が挙げられる。
【００６６】
キャリアブロック層を形成する材料としては、ＰＢＤ、ＴＡＺ、ＢＣＰ等が挙げられる。
【００６７】
電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ2）、Ｌｉｑ、Ｌｉ(ａｃａｃ)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
【００６８】
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
【００６９】
本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
【００７０】
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、更に陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。
【００７１】
使用する陰極及び陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
【００７２】
正孔輸送性高分子層及び発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料若しくは発光性高分子材料、又はこれらにドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層又は正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。
【００７３】
正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ'−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ'−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，１'−ビフェニレン−４，４−ジアミン）］、ポリ［（９，９−ビス｛１'−ペンテン−５'−イル｝フルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（Ｎ，Ｎ'−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ'−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス（フェニル）−ベンジジン］−エンドキャップド ウィズ ポリシルセスキオキサン、ポリ［（９，９−ジジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（４，４'−（Ｎ−（ｐ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。
【００７４】
発光性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２'−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【００７５】
溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解又は均一分散法としては攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
【００７６】
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
【００７７】
焼成する方法としては、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。
【実施例】
【００７８】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下の通りである。 
（１）1Ｈ−ＮＭＲ測定：バリアン製  高分解能核磁気共鳴装置
（２）基板洗浄：長州産業（株）製  基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製  スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製  微細形状測定機サーフコーダＥＴ−４０００
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製  多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（６）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製  Ｉ−Ｖ−Ｌ測定システム【００７９】
［１］化合物の合成
［合成例１］４−（ジフェニルアミノ）アニリンの合成
【化８】
0006048571.tif 000010
【００８０】
ｐ−ブロモトリフェニルアミン（１０．０ｇ、３０．８ｍｍｏｌ）とＰｄ(ｄｂａ)2（０．８８７ｇ、１．５４ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（７７ｍＬ）にＬｉＮ(ＳｉＭｅ3)2（３３．９ｍＬ、１ｍｏｌ／Ｌトルエン溶液）を滴下した。次に、ｔ−Ｂｕ3Ｐ（０．３１２ｇ、１．５４ｍｍｏｌ）を反応混合液に加えた後、２０時間室温で攪拌した。
攪拌終了後、１ｍｏｌ／Ｌ塩酸を加え、酸性化して反応を停止させた。そこへトルエンを加え分液抽出し、トルエン層を２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した後、洗浄後のトルエン層から溶媒を留去して粗物を得た。
最後に、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶を行い、４−（ジフェニルアミノ）アニリンを得た（収量：６．１６ｇ、収率：７７％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
1H-NMR(CDCl3)： δ 7.22-7.16(m,4H), 7.06-7.01 (m, 4H), 6.96 (d, J=8.8Hz, 2H), 6.91-6.88 (m, 2H), 6.65 (d, J=8.8Hz, 2H), 3.60 (bs, 2H, NH2)【００８１】
［合成例２］Ｎ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジンの合成
【化９】
0006048571.tif 000011
【００８２】
４，４'−ジブロモビフェニル（２．００ｇ、６．４１ｍｍｏｌ）及び４−（ジフェニルアミノ）アニリン（３．５０ｇ、１３．５ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（５２ｍＬ）に、ｔ−ＢｕＯＮａ（１．８５ｇ、１９．２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ(ｄｂａ)2（０．０７３７ｇ、０．１２８ｍｍｏｌ）及びｔ−Ｂｕ3Ｐ（０．０２０７、０．１０３ｍｍｏｌ）をこの順で加え、７０℃に昇温した後、２０時間攪拌した。
攪拌終了後、反応混合液に水を加えて反応を停止させ、そこへ酢酸エチルとヘキサンを加え、析出した固体をろ取した。得られた固体をテトラヒドロフランに溶解させて不溶物をろ過で除去し、ろ液から溶媒を留去して粗物を得た。
最後に、得られた粗物をテトラヒドロフランとメタノールの混合溶媒中でスラリー状態で洗浄し、ろ過をすることで、Ｎ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジンを得た（収量：３．８８ｇ、収率：９０％）。1Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
1H-NMR (CDCl3)： δ 7.45 (d, J=8.8Hz, 4H), 7.23 (dd, J=7.6, 8.8Hz, 8H), 7.13-7.08 (m, 20H), 6.96 (t, J=7.6Hz ,4H), 5.67 (s, 2H, NH)【００８３】
［２］電荷輸送性ワニスの調製
［実施例１−１］
Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（東京化成工業（株）製）０．１４８ｇ及びリンタングステン酸（関東化学（株）製）０．５９４ｇを、窒素雰囲気下で１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン８．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール１２．０ｇ及びプロピレングリコール４．０ｇを加えて攪拌して電荷輸送性ワニスを調製した。なお、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジンは、１，４−ジオキサンを用いて再結晶し、その後、減圧下でよく乾燥してから用いた。【００８４】
［実施例１−２〜１−３］
Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン及びリンタングステン酸の使用量を、それぞれ０．１２４ｇ及び０．６１９ｇ（実施例１−２）、０．１０６ｇ及び０．６３６ｇ（実施例１−３）とした以外は、実施例１−１と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【００８５】
［実施例１−４］
合成例２で製造したＮ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジン０．０８２ｇ及びリンタングステン酸０．４０８ｇを、窒素雰囲気下で１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン８．０ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール１２．０ｇ及びプロピレングリコール４．０ｇを加えて攪拌して電荷輸送性ワニスを調製した。なお、Ｎ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジンは、１，４−ジオキサンを用いて再結晶し、その後、減圧下でよく乾燥してから用いた。【００８６】
［実施例１−５］
Ｎ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジン及びリンタングステン酸の使用量を０．０７０ｇ及び０．４２０ｇとした以外は、実施例１−４と同様の方法で電荷輸送性ワニスを調製した。【００８７】
［比較例１］
Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン０．７４２ｇ、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン８．０ｇ、シクロヘキサノール１２．０ｇ及びプロピレングリコール４．０ｇを用いてワニスの調製を試みたが、ワニスは懸濁し、有機ＥＬ素子用の電荷輸送性薄膜の形成に用い得る均一なワニスを得ることができなかった。【００８８】
［比較例２］
Ｎ，Ｎ'−ビス（ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル）ベンジジン０．４９０ｇ、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン８．０ｇ、シクロヘキサノール１２．０ｇ及びプロピレングリコール４．０ｇを用いてワニスの調製を試みたが、ワニスは懸濁し、有機ＥＬ素子用の電荷輸送性薄膜の形成に用い得る均一なワニスを得ることができなかった。【００８９】
［３］有機ＥＬ素子の作製及び特性評価
［実施例２−１］
実施例１−１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、更に大気雰囲気下２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ2プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０-5Ｐａ）を用いてＮ，Ｎ'−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム(III)（Ａｌｑ3）、フッ化リチウム、及びアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ3及びアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０．５ｎｍ及び１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製ＸＮＲ５５１６Ｚ−Ｂ１）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製ＨＤ−０７１０１０Ｗ−４０）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６，０００ｍＪ／ｃｍ2）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。【００９０】
［実施例２−２〜２−３］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ実施例１−２〜１−３で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。【００９１】
［実施例２−４］
焼成温度を１８０℃とした以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。【００９２】
［実施例２−５〜２−６］
焼成温度を１６０℃とした以外は、それぞれ実施例２−１〜２−２と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。【００９３】
［実施例２−７〜２−８］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ実施例１−４〜１−５で得られたワニスを用い、焼成温度を１５０℃とした以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した【００９４】
［比較例３］
ワニスを用いて薄膜を形成する代わりに、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジンを蒸着源とする蒸着法（蒸着レート０．２ｎｍ／秒）で、ＩＴＯ基板上にＮ，Ｎ'−ジフェニルベンジジンのみからなる３０ｎｍの均一な薄膜を形成した以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。【００９５】
作製した有機ＥＬ素子の駆動電圧５Ｖにおける電流密度及び輝度を測定した。結果を表１に示す。【００９６】
【表１】
0006048571.tif 000012
【００９７】
表１に示したとおり、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる電荷輸送性薄膜を正孔注入層として用いた場合、Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジンからなる蒸着膜を用いた場合と比較して、良好な輝度特性を示す有機ＥＬ素子を得ることができた。