(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成セラミックス基板と、
前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、
前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層とを有し、
前記厚膜導体層が、０．３μｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）であることを特徴とする素子搭載用基板。
【請求項２】
前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差が２μｍ以下である請求項１に記載の素子搭載用基板。
【請求項３】
前記メッキ層は、ニッケル層とその上の金メッキ層とからなる請求項１または２に記載の素子搭載用基板。
【請求項４】
前記メッキ層が、５〜４０μｍの厚みのニッケルメッキ層と、０．１〜１．０μｍの厚みの金メッキ層を有する請求項１〜３のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項５】
前記厚膜導体層が、低温焼成セラミックス基板の素子の搭載面に形成された請求項１〜４のいずれかに記載の素子搭載用基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の素子搭載用基板を製造する素子搭載用基板の製造方法であって、
ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、
前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、
前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱・焼成する工程と、
前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程と
を有することを特徴とする素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記ガラスセラミックス組成物が、ガラス粉末を３０〜５０質量％、セラミックスフィラーを５０〜７０質量％含む請求項６に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
前記銀を主体とする金属が、銀、銀とパラジウム、または銀と白金である請求項６または７に記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項９】
前記加熱・焼成する工程が、５００〜６００℃の温度に加熱し、次いで、８００〜１０００℃の温度に加熱して焼成を行う請求項６〜８のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記メッキ層を形成する工程が、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、その上に電解メッキにより金メッキ層を形成する請求項６〜９のいずれかに記載の素子搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子搭載用基板とその製造方法とに係り、特に、耐硫化性に優れた素子搭載用基板と、その素子搭載用基板を製造するための製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化や処理速度の高速化に伴い、素子搭載用基板として、低誘電率で低配線抵抗という優れた特徴を有する低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）が使用されている。また、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子を搭載するための基板として、耐候性、光取り出し効率、放熱性等の各特性を満足させることが可能なＬＴＣＣ基板の使用が検討されている。【０００３】
ＬＴＣＣ基板は、通常のセラミックスの焼成温度より低い８００〜１０００℃程度の温度で焼成されるものであり、ガラスとセラミックスフィラー（例えば、アルミナフィラーやジルコニアフィラー）とからなるグリーンシートを所定の枚数重ね合わせ、熱圧着により一体化した後、焼成することにより製造されている。【０００４】
このようなＬＴＣＣ基板の表面には、接続端子（電極）として、銀や銅のような導体金属を主体とするペーストを焼成してなる厚膜導体層が形成されている。厚膜導体層の表面には、ワイヤボンディング性、密着強度、耐候性等を良好にするために、例えばニッケルメッキ膜と金メッキ膜とを積層したメッキ層（ニッケル／金メッキ層）が形成されている。このようなメッキ層を形成することで、特に耐硫化性を向上させることができ、空気中等の硫黄分との反応による厚膜導体層の変色を抑制できる（例えば、特許文献１、２参照）。【０００５】
ところで、厚膜導体層は通常５〜１５μｍ程度の厚さを有しており、この上に形成されるメッキ層、特にニッケルメッキ膜の厚みは５〜１５μｍ程度とされている。しかしながら、ニッケルメッキ膜の厚さを正確に制御することは難しく、想定外に厚く形成される場合がある。ニッケルメッキ膜の厚さが通常より厚くなり、例えば２０μｍに近くなると、厚膜導体層に過度な引張応力が加えられ、厚膜導体層の端部がＬＴＣＣ基板から剥がれることがある。そのような剥がれが生じると、ＬＴＣＣ基板と厚膜導体層との隙間に水分が侵入し、厚膜導体層中の銀が端部を伝うようにしてメッキ層の表面、特に最表面の金メッキ膜上に拡散する。【０００６】
そして、このような状態で硫化性環境に置かれた場合には、最表面の金メッキ膜上に拡散した銀が硫化され、ワイヤボンディング性等が低下するおそれがあった。また、金メッキ膜の表面が黒色化することで反射率の低下が生じるため、発光素子等の搭載用基板として好ましくなかった。【０００７】
なお、ワイヤボンディング性を損なわずに、焼成の際の寸法精度を向上させるために、最外層にＡｇ系導体ペーストの印刷層（未焼成の厚膜導体層）を有する未焼成の低温焼成セラミック基板の両面に、焼成温度（８００〜１０００℃）では焼結しないアルミナグリーンシート（拘束焼成用グリーンシート）を圧着し、この状態で基板および厚膜導体層を同時焼成した後アルミナグリーンシートの残存物を研磨して取り除き、こうして形成された厚膜導体層の荒れた表面にメッキ皮膜を形成したＬＴＣＣ配線基板が提案されている（例えば、特許文献３、４参照）。【０００８】
しかしながら、特許文献３、４に記載されたＬＴＣＣ配線基板では、拘束焼成用のアルミナグリーンシートで両面を挟んで加圧しているため、未焼成の厚膜導体層を厚さ全体に亘って未焼成の低温焼成セラミック基板に押し込むことが難しい。そのため、特許文献３、４のＬＴＣＣ配線基板では、厚膜導体層が完全には低温焼成セラミック基板内に埋め込まれておらず、メッキ膜の応力に起因する厚膜導体層端部の剥がれを十分に防止することができず、耐硫化性が不十分であった。また、厚膜導体層の表面は、拘束焼成用グリーンシート残存物の除去によって荒れた状態となっているため、メッキ処理後のワイヤボンディング性に劣るという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】実公平２−３６２７８号公報
【特許文献２】特開２００２−３１４２３０号公報
【特許文献３】特許第４１２３２７８号公報
【特許文献４】特開２００８−２３５９１１号公報参照
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、厚膜導体層端部の剥がれが防止され、耐硫化性に優れた素子搭載用基板の提供を目的とする。また、本発明は、このような耐硫化性に優れた素子搭載用基板を得るための製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の素子搭載用基板は、低温焼成セラミックス基板と、前記低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された銀を主体とする金属からなる厚膜導体層であり、平滑な表面を有し、かつ該表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込まれた厚膜導体層と、前記厚膜導体層の上に形成された導電性金属のメッキ層とを有し、前記厚膜導体層が、０．３μｍ以下の表面粗さ（Ｒａ）であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の素子搭載用基板において、前記厚膜導体層の表面と前記低温焼成セラミックス基板の前記主面との高さの差は２μｍ以下であることが好ましい。また、前記メッキ層は、ニッケル−金メッキ層であることが好ましい。【００１３】
本発明の素子搭載用基板の製造方法は、前記記載の本発明の素子搭載用基板を製造する方法であって、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板の少なくとも一方の主面に、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層を形成する工程と、前記未焼成厚膜導体層の上に平滑な押圧面を有する加圧板を配置し、この加圧板を介して前記未焼成厚膜導体層を厚さ方向に押圧して、該未焼成厚膜導体層の表面が前記未焼成基板の前記主面と略同じ高さになるまで前記未焼成基板に押し込む工程と、前記未焼成厚膜導体層が押し込まれた前記未焼成基板を、前記未焼成厚膜導体層とともに加熱・焼成する工程と、前記焼成された厚膜導体層の表面に導電性金属からなるメッキ層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、低温焼成セラミックス基板の少なくとも一方の主面に形成された厚膜導体層を、該層の表面が前記低温焼成セラミックス基板の前記主面と略同じ高さになるように埋め込み形成することで、低温焼成セラミックス基板からの厚膜導体層の剥がれを防止し、耐硫化性に優れた素子搭載用基板とできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の素子搭載用基板の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す素子搭載用基板のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図４】本発明の素子搭載用基板の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
【００１７】
図１は、本発明の素子搭載用基板１の一例を示す平面図である。また、図２は、図１に示す素子搭載用基板１のＸ−Ｘ線断面図であり、図３は、図２の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００１８】
本発明の素子搭載用基板１は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物の焼結体からなる低温焼成セラミックス基板（ＬＴＣＣ基板）２を有している。ＬＴＣＣ基板２の一方の主面は、半導体素子、例えばＬＥＤ素子のような発光素子が搭載される搭載面２ａとなっている。なお、ＬＴＣＣ基板２の形状、厚さ、大きさ等は必ずしも制限されるものではない。また、ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａ側には、中央部を囲み内側が例えば円形状となる側壁（図示を省略。）が設けられていてもよい。
【００１９】
搭載面２ａには、銀を主体とする金属から構成され、半導体素子との接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されている。この厚膜導体層３は凹凸がない平滑（平坦）な表面を有し、かつその表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａと略同じ高さになるようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている。なお、本明細書において、略同じ高さとは、高さの差が好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下であることをいう。厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａとは、どちらが高くてもよいが、両者は全く同じ高さ、すなわち面一であることが好ましい。なかでも、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａより上にあり、かつ高さの差（段差）（ｈ）が好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下であれば、厚膜導体層３の剥がれを防止する効果を十分に挙げることができる。高さの差が２μｍを超えると、メッキ膜４に引張応力が加わるために厚膜導体層３の剥がれを起こしやすくなる。また、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａより下にあると、メッキ膜４の表面に段差が発生してしまい、ワイヤボンディング不良などを生じるおそれがある。
【００２０】
厚膜導体層３は、後述するように、金属のペーストをスクリーン印刷等で印刷し、加圧して基板内に押し込みながら焼成することで形成されている。厚膜導体層３の表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａは、０．３μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以下とすることがより好ましい。Ｒａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：１９８２により求められる。Ｒａが０．３μｍを超えると、メッキ処理を施した後部分的に薄膜の箇所が発生してしまい、メッキによる皮膜効果が小さくなり、耐候性試験で厚膜導体層３が劣化してしまうおそれがある。
【００２１】
このようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた厚膜導体層３の表面に、導電性金属からなるメッキ層４が形成されている。メッキ層４は、図示しないが、例えば厚膜導体層３の表面を覆うニッケルメッキ膜と、このニッケルメッキ膜の表面を覆う金メッキ膜とから構成されており、厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面を隙間なく覆っている。
【００２２】
一方、ＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａと反対側の非搭載面２ｂには、外部接続用の接続端子（電極）となる厚膜導体層３が形成されている。この厚膜導体層３も、前記した搭載面２ａ側の厚膜導体層３と同様に、平滑な表面を有し、かつその表面がＬＴＣＣ基板２の非搭載面２ｂと略同じ高さになるようにＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている。また、この厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面にも、導電性金属からなるメッキ層４が形成されている。非搭載面２ｂ側の厚膜導体層３およびメッキ層４は、それぞれ搭載面２ａ側の厚膜導体層３およびメッキ層４と同様の材料からなるものとできる。
【００２３】
さらに、ＬＴＣＣ基板２の内部には、搭載面２ａの素子接続用の接続端子と非搭載面２ｂの外部接続用の接続端子とを電気的に接続する貫通導体５が設けられている。貫通導体５は、搭載面２ａや非搭載面２ｂに形成される厚膜導体層３と同様の材料からなるものとできる。
【００２４】
このような素子搭載用基板１によれば、厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれているので、メッキ層４特にニッケルメッキ膜が想定外に厚く形成され、その結果厚膜導体層３に過度な引張応力が加えられる場合であっても、厚膜導体層３端部のＬＴＣＣ基板２からの剥がれを防止できる。これにより、厚膜導体層３を構成する銀がメッキ層４表面へ銀イオンの状態で拡散することを抑制し、硫化性環境下での硫化を防止できる。したがって、ワイヤボンディング性等が良好であり、また発光素子を搭載する場合に必要とされる反射率についても良好な素子搭載用基板１を得ることができる。
【００２５】
本発明の素子搭載用基板１は、ＬＴＣＣ基板２の少なくとも搭載面２ａに形成された厚膜導体層３が、ＬＴＣＣ基板２に埋め込まれていることを特徴としている。非搭載面２ｂ側の厚膜導体層３については、必ずしもＬＴＣＣ基板２に埋め込まれている必要はなく、非搭載面２ｂ上に形成されていてもよいが、ＬＴＣＣ基板２の両面側で厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた構造とすることで、より耐硫化性を良好とできる。
【００２６】
次に、本発明の素子搭載用基板１の製造方法について説明する。図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の製造における加圧・焼成工程を説明するための素子搭載用基板１の断面図である。図４および以下の記載では、素子搭載用基板１の製造に用いる部材について、この部材が最終的に構成する素子搭載用基板１の部材と同一の符号を付して説明する。
【００２７】
本発明の素子搭載用基板１の製造方法は、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板２を製造し、その搭載面２ａおよび非搭載面２ｂにそれぞれ銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層３を形成する工程（未焼成基板製造工程）と、これらの未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面に、平滑（平坦）な押圧面を有する１対の加圧板６を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層３の表面に当接するように配置し、これらの加圧板６を介して未焼成厚膜導体層３を厚さ方向に押圧して未焼成基板２に押し込み、その状態で加熱・焼成する工程（加圧・焼成工程）と、基板に埋め込まれた厚膜導体層３の露出面に導電性金属からなるメッキ層４を形成する工程（メッキ工程）とを有する。
【００２８】
未焼成基板製造工程では、まず未焼成基板２となるグリーンシートを形成する。グリーンシートは、ガラス粉末とセラミックスフィラーとを含むガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加してスラリーを調製し、これをドクターブレード法等によりシート状に成形し、乾燥させることで製造できる。
【００２９】
ガラス粉末は、必ずしも限定されるものではないが、ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０〜７００℃のものが好ましく、６００〜６８０℃のものがより好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が５５０℃未満の場合には、後述する脱脂が困難となるおそれがあり、７００℃を超える場合には、収縮開始温度が高くなり、寸法精度が低下するおそれがある。
【００３０】
ガラス粉末としては、例えばＳｉＯ２を５７〜６５ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３を１３〜１８ｍｏｌ％、ＣａＯを９〜２３ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３を３〜８ｍｏｌ％、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏから選ばれる少なくとも一方を合計で０．５〜６ｍｏｌ％含有するガラスの粉末が用いられる。ガラス粉末の５０％粒径（Ｄ５０）は０．５〜２μｍが好ましく、１．０〜１．８μｍがより好ましい。ガラス粉末のＤ５０が０．５μｍ未満の場合、ガラス粉末が凝集しやすく、取り扱いが困難となるばかりでなく、均一に分散させることが困難となる。一方、Ｄ５０が２μｍを超える場合には、ガラス軟化温度の上昇や焼結不足が発生するおそれがある。なお、本件記載の粒径は、レーザ回折・散乱法により測定したものである。
【００３１】
セラミックスフィラーとしては、従来からＬＴＣＣ基板の製造に用いられるものを用いることができ、例えばアルミナ粉末、ジルコニア粉末、アルミナ粉末とジルコニア粉末との混合粉末等を好適に用いることができる。セラミックスフィラーのＤ５０は、０．５〜４μｍであることが好ましい。
【００３２】
このようなガラス粉末とセラミックスフィラーとを、例えばガラス粉末が３０〜５０質量％、より好ましくは３５〜４０質量％であり、セラミックスフィラーが５０〜７０質量％、より好ましくは６０〜６５質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を得ることができる。また、このガラスセラミックス組成物に、バインダー、必要に応じて可塑剤、溶剤等を添加することによりスラリーを得ることができる。
【００３３】
バインダーとしては、例えばポリビニルブチラール、アクリル樹脂等を好適に用いることができる。可塑剤としては、例えばフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等を用いることができる。また、溶剤としては、トルエン、キシレン、ブタノール等の芳香族系またはアルコール系の有機溶剤を用いることができる。さらに、分散剤やレベリング剤を併用できる。
【００３４】
このようにして製造したグリーンシートを、打抜き型あるいはパンチングマシーンを使用して、所定の寸法角に切断するとともに層間接続用のビアホールを打抜き形成して、未焼成基板２とする。この未焼成基板２の両面（搭載面２ａおよび非搭載面２ｂ）に、銀を主体とする金属のペーストをスクリーン印刷等の方法で印刷することにより、未焼成厚膜導体層３を形成する。また、層間接続用のビアホール内にも、銀を主体とする金属のペーストを充填することにより、未焼成貫通導体５を形成する。
【００３５】
金属のペーストとしては、銀を主体とする金属粉末、具体的には銀を５０質量％以上含有する金属粉末に、エチルセルロース等のビヒクル、必要に応じて溶剤等を添加してペースト状としたものを用いることができる。金属粉末としては、銀粉末、銀とパラジウムとの混合粉末、銀と白金との混合粉末等が好適に用いられる。銀とパラジウムとの混合粉末の場合、好ましくは銀は９０質量％以上、パラジウムは１０質量％以下含有するものである。また、銀と白金との混合粉末の場合、好ましくは銀は９７質量％以上、白金は３質量％以下含有するものである。なお、本発明においては、ＬＴＣＣ基板２に含まれるガラス成分により金属と基板との接着力を十分に確保することができ、また金属の電気抵抗値を上げないためにも、金属のペーストにはガラスフリットを配合しないことが好ましい。
【００３６】
加圧・焼成工程では、まず図４（ａ）に示すように、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面（搭載面２ａおよび非搭載面２ｂ）に、平滑な押圧面を有する１対の金属板６を、それぞれの押圧面が対応する未焼成厚膜導体層３の表面に当接するように配置する。なお、非搭載面２ｂ側に配置される金属板６を、平滑な押圧面を有する基台あるいは基盤とできる。
【００３７】
そして、これらの金属板６を介して、搭載面２ａ側および非搭載面２ｂ側の未焼成厚膜導体層３をそれぞれ厚さ方向に押圧し、未焼成基板２に押し込む。このとき、金属板６の押圧面が未焼成基板２の対応する搭載面２ａあるいは非搭載面２ｂに接するまで、未焼成厚膜導体層３を未焼成基板２内に押し込む。このような状態で加熱し、未焼成厚膜導体層３および未焼成基板２を同時に焼成する。
【００３８】
金属板６としては、未焼成厚膜導体層３が未焼成基板２に押し込まれるに十分な加圧力である、例えば５〜３０ＭＰａを加えることができるように、十分な剛性を有し、かつ押圧面が鏡面加工等により平滑に形成されたステンレス板を使用することが好ましい。
【００３９】
焼成工程では、このように押し込まれた未焼成厚膜導体層３を有する未焼成基板２を、例えば５００〜６００℃、より好ましくは５３０〜５７０℃の温度に加熱し、樹脂等のバインダーを分解し除去する脱脂を行った後、８００〜１０００℃、より好ましくは８４０〜９３０℃温度に加熱することで、ガラスセラミックス組成物からなる未焼成基板２を焼成するとともに、銀を主体とする金属のペーストからなる未焼成厚膜導体層３や未焼成貫通導体５を焼成して、厚膜導体層３や貫通導体５とする。こうして、図４（ｂ）に示すように、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の搭載面２ａおよび非搭載面２ｂと略同じ高さになるように埋め込まれた焼成基板が得られる。
【００４０】
メッキ工程では、このようにしてＬＴＣＣ基板２に埋め込まれた厚膜導体層３の露出した表面に、メッキ層４を形成する。メッキ層４は、例えばニッケルメッキを行った後、金メッキを行うことにより形成できる。ニッケルメッキは、例えばスルファミン酸ニッケル浴を使用した電解メッキによって５〜４０μｍ、より好ましくは５〜２０μｍの厚さに形成する。また、金メッキは、例えばシアン化金カリウム浴を使用した電解メッキによって０．１〜１．０μｍ、より好ましくは０．２〜０．６μｍの厚さに形成する。
【００４１】
こうして、厚膜導体層３がＬＴＣＣ基板２に埋め込まれるとともに、厚膜導体層３のＬＴＣＣ基板２から露出した表面がメッキ層４により被覆されており、耐硫化性に優れた素子搭載用基板１を製造できる。
【実施例】
【００４２】
以下に、本発明の実施例について記載する。【００４３】
（実施例）
素子搭載用基板１として、図１、図２に示すものを図４に示す加圧・焼成工程を経て製造した。まず、ＬＴＣＣ基板２となる基板用グリーンシートを作製した。基板用グリーンシートは、ＳｉＯ２が６０．４ｍｏｌ％、Ｂ２Ｏ３が１５．６ｍｏｌ％、Ａｌ２Ｏ３が６ｍｏｌ％、ＣａＯが１５ｍｏｌ％、Ｋ２Ｏが１ｍｏｌ％、Ｎａ２Ｏが２ｍｏｌ％となるように原料を配合、混合し、この原料混合物を白金ルツボに入れて１６００℃で６０分間溶融させた後、この溶融状態のガラスを流し出し冷却した。このガラスをアルミナ製ボールミルにより４０時間粉砕してガラス粉末（Ｄ５０＝１．８μｍ）を製造した。なお、粉砕時の溶媒にはエチルアルコールを用いた。【００４４】
このガラス粉末が３５質量％、アルミナフィラー（昭和電工社製、商品名：ＡＬ−４５Ｈ）が４０質量％、ジルコニアフィラー（第一稀元素化学工業社製、商品名：ＨＳＹ−３Ｆ−Ｊ）が２５質量％となるように配合し、混合することによりガラスセラミックス組成物を製造した。このガラスセラミックス組成物５０ｇに、有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、バインダーとしてのポリビニルブチラール（デンカ社製、商品名：ＰＶＫ＃３０００Ｋ）５ｇ、さらに分散剤（ビックケミー社製、商品名：ＢＹＫ１８０）０．５ｇを配合し、混合してスラリーを調製した。【００４５】
このスラリーをポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にドクターブレード法により塗布し、乾燥させ、焼成後の厚さが０．１５ｍｍとなる基板用グリーンシートを製造した。【００４６】
一方、銀を主体とする金属粉末（大研化学工業社製、商品名：Ｓ４００−２）と、ビヒクルとしてのエチルセルロースとを、質量比９０：１０の割合で配合し、固形分が８７質量％となるように溶剤としてのαテレピネオールに分散した後、磁器乳鉢中で１時間混練を行い、さらに三本ロールにて３回分散を行って金属ペーストを製造した。【００４７】
基板用グリーンシートの貫通導体５を形成する部分に、孔空け機を用いて直径０．３ｍｍの貫通孔を形成し、この貫通孔中にスクリーン印刷法により金属ペーストを充填して未焼成貫通導体５を形成するとともに、両面にスクリーン印刷法により金属ペーストを塗布して未焼成厚膜導体層３を形成して未焼成基板２を製造した。【００４８】
次いで、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２の両面に、表面が鏡面加工された厚さ１ｍｍのステンレス板を押し当て、厚さ方向に１０ＭＰａの圧力を加えて、未焼成厚膜導体層３を未焼成基板２内に押し込んだ。そして、圧力を解放した後、５５０℃で５時間保持する脱脂を行い、さらに８７０℃で３０分間保持する焼成を行った。こうして、厚膜導体層３の表面がＬＴＣＣ基板２の表面と同じ高さになるように埋め込まれた基板を製造した。【００４９】
その後、ＬＴＣＣ基板２から露出した厚膜導体層３の部分に、スルファミン酸ニッケル浴を用いた電解メッキによって７μｍのニッケルメッキ膜を形成した。その表面にシアン化金カリウム浴を用いた電解メッキによって０．３μｍの厚みの金メッキ膜を形成してメッキ層４を形成した。こうして素子搭載用基板１を製造した。【００５０】
（比較例）
実施例の素子搭載用基板の製造において、未焼成厚膜導体層３が形成された未焼成基板２を、ステンレス板により押圧することなく脱脂、焼成を行った。そして、焼成後の基板の厚膜導体層３の表面全体にメッキを行って、素子搭載用基板１を製造した。【００５１】
次に、実施例および比較例で製造された素子搭載用基板１に対して、ＪＩＳ−Ｃ−６００６８−２−４３に準拠する硫化試験にて１００時間暴露させ、金メッキ膜の表面の硫化（黒色化）を２０倍の顕微鏡により観察した。また厚膜導体層３の剥がれについては電子顕微鏡により断面を２０００倍で観察した。【００５２】
耐硫化性試験の結果、実施例の素子搭載用基板１では厚膜導体層３端部の剥がれがなく、また、メッキ層４表面への銀イオンの拡散、および硫化が有効に抑制されていることが認められた。一方、厚膜導体層３の埋め込みを行わなかった比較例の素子搭載用基板１については、厚膜導体層３の端部のＬＴＣＣ基板２からの剥がれが見られた。そして、メッキ層４の表面に銀イオンが拡散し、硫化されることが認められた。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明により提供される、基板からの厚膜導体層の剥がれが防止され、耐硫化性に優れた素子搭載用基板は、耐候性、光取り出し効率、放熱性等の特性にすぐれるため、発光ダイオード（ＬＥＤ）のような発光素子の搭載基板として、広範な分野に使用される。
なお、２０１０年５月７日に出願された日本特許出願２０１０−１０７０５３号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００５４】
１…素子搭載用基板
２…ＬＴＣＣ基板
３…厚膜導体層
４…メッキ層
５…貫通導体
６…金属板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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