(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第１の凹部（３Ａ）を有するハウジング（２）と、
前記第１の凹部（３Ａ）内に配置された少なくとも一つの第１の半導体チップ（４Ａ）と、
を備えた光電部品（１）であって、
前記第１の凹部（３Ａ）は、前記第１の半導体チップ（４Ａ）の動作中に生成される放射を反射するための第１のリフレクタとして構成されており、
前記第１のリフレクタは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）の動作中に放出される放射の放射特性（６）を目的に応じて調整し得るように構成された表面と、前記第１の凹部（３Ａ）の表面上に形成された金属層とを有し、
前記ハウジング（２）は、第２のリフレクタとして構成された少なくとも１つの第２の凹部（３）を有し、
前記第２のリフレクタは、前記第２の凹部（３）の表面上に形成された金属層を有し、
該第２の凹部（３）内に第２の半導体チップ（４）が配置され、
前記第１のリフレクタは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射を拡散反射させるように構成され、
前記第２のリフレクタは、前記第２の半導体チップ（４）から放出される放射を指向性反射させるように構成され、
前記第１の凹部（３Ａ）と前記第２の凹部（３）は、同一の表面粗さを有し、
前記第１の凹部（３Ａ）の表面上に形成された金属層と前記第２の凹部（３）の表面上に形成された金属層は、異なる厚さを有する、光電部品（１）。
【請求項２】
少なくとも一つの第１の凹部（３Ａ）を有するハウジング（２）と、
前記第１の凹部（３Ａ）内に配置された少なくとも一つの第１の半導体チップ（４Ａ）と、
を備えた光電部品（１）であって、
前記第１の凹部（３Ａ）は、前記第１の半導体チップ（４Ａ）の動作中に生成される放射を反射するための第１のリフレクタとして構成されており、
前記第１のリフレクタは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）の動作中に放出される放射の放射特性（６）を目的に応じて調整し得るように構成された表面と、前記第１の凹部（３Ａ）の表面上に形成された金属層とを有し、
前記ハウジング（２）は、第２のリフレクタとして構成された少なくとも１つの第２の凹部（３）を有し、
前記第２のリフレクタは、前記第２の凹部（３）の表面上に形成された金属層を有し、
前記第２の凹部（３）内に第２の半導体チップ（４）が配置され、
前記第１の凹部（３Ａ）と前記第２の凹部（３）は、異なった表面粗さを有し、
前記第１の凹部（３Ａ）の表面上に形成された金属層と前記第２の凹部（３）の表面上に形成された金属層は、略同一の厚さを有し、
前記第１のリフレクタの表面粗さは、前記第２のリフレクタの表面粗さよりも大きい、
光電部品（１）。
【請求項３】
前記第１のリフレクタの表面粗さは、前記第２のリフレクタの表面粗さよりも大きく、
及び／又は、
前記第１のリフレクタ及び第２のリフレクタの各表面は、少なくとも部分的に金属層を有し、前記第１のリフレクタの前記金属層は、前記第２のリフレクタの前記金属層よりも薄い、
請求項１に記載の光電部品（１）。
【請求項４】
前記第１のリフレクタの前記表面は、少なくとも１つの第１の領域と少なくとも１つの第２の領域とを有し、
前記第１のリフレクタの前記表面の前記第１の領域は、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射を拡散反射させるように構成され、
前記第１のリフレクタの前記表面の前記第２の領域は、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射を、前記第１の領域よりも指向性を有するように反射させるように構成されている、請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項５】
前記第１のリフレクタの前記表面の前記第１の領域は、前記第１のリフレクタの前記表面の前記第２の領域よりも大きな表面粗さを有している、請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項６】
前記第１の領域の表面粗さは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射の波長以上であり、
前記第２の領域の表面粗さは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射の波長よりも小さい、請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項７】
前記第１のリフレクタの表面粗さは、前記第２のリフレクタの表面粗さよりも大きい、請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項８】
前記第１のリフレクタの表面粗さは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射の波長以上であり、前記第２のリフレクタの表面粗さは、前記第２の半導体チップ（４）から放出される放射の波長よりも小さい、請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項９】
前記ハウジング（２）はプラスチックから形成されている、請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項１０】
前記第１のリフレクタの表面は、少なくとも部分的に金属層を有し、
前記第２の領域における前記金属層は、前記第１の領域における前記金属層よりも厚い、請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項１１】
前記第１のリフレクタおよび前記第２のリフレクタのそれぞれの表面は、少なくとも部分的に金属層を有し、
前記第１のリフレクタの前記金属層は、前記第２のリフレクタの前記金属層よりも薄い、請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）を製造するための方法において、
表面を有する少なくとも一つの凹部（３Ａ）が形成されており、プラスチック材料からなるハウジング（２）を射出成型法により用意するステップと、
前記少なくとも１つの半導体チップ（４Ａ）を用意するステップと、
動作中に前記光電部品（１）から放出される放射の放射特性（６）を目的に応じて調整するために反射表面（５）を形成する前記凹部（３Ａ）の前記表面の１つの領域に少なくとも前記金属層を電気めっきまたは無電解めっきするステップと、
前記半導体チップ（４Ａ）を前記凹部（３Ａ）内に配置するステップと、
前記ハウジング（２）の射出形成前に射出金型又は射出成形型の表面を研磨するステップと、
を含み、
前記ハウジング（２）は、第２のリフレクタとして構成された少なくとも１つの第２の凹部（３）を有し、該第２の凹部（３）内に第２の半導体チップ（４）が配置され、
前記第１のリフレクタは、前記第１の半導体チップ（４Ａ）から放出される放射を拡散反射させるように構成され、
前記第２のリフレクタは、前記第２の半導体チップ（４）から放出される放射を指向性反射させるように構成され、
前記第１の凹部（３Ａ）を形成するための射出成形過程において用いられる射出金型の表面は、前記第２の凹部（３）を形成するために用いられる射出金型の表面よりも研磨の時間が短い、及び／又は研磨の程度が軽度である、方法。
【請求項１３】
前記第１の領域における前記金属層は、前記第２の領域における前記金属層よりも薄く、及び／又は前記少なくとも１つのリフレクタ内の前記金属層は、少なくとも１つの他のリフレクタ内の前記金属層よりも薄い、請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の光電部品（１）を製造するための方法において、
表面を有する少なくとも一つの凹部（３Ａ）が形成されており、プラスチック材料からなるハウジング（２）を射出成形法により形成するステップと、
動作中に前記光電部品（１）から放出される放射の放射特性（６）を目的に応じて調整するために、前記ハウジング（２）の射出成形前に、射出金型の１つの表面の少なくとも１つの領域を研磨するステップと、
前記少なくとも１つの半導体チップ（４Ａ）を用意するステップと、
反射表面（５）を形成する前記凹部（３Ａ）の前記表面の１つの領域に少なくともスパッタリングまたは熱蒸着により前記金属層を蒸着するステップと、
前記半導体チップ（４Ａ）を前記凹部（３Ａ）内に配置するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記第２の領域における前記表面は、前記射出金型の前記表面を研磨することにより、前記第１の領域における前記表面よりも滑らかであり、
及び／又は、前記少なくとも１つのリフレクタにおける前記表面は、前記射出金型の前記表面を研磨することにより、少なくとも１つの他のリフレクタにおける表面よりも滑らかである、請求項１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
光電部品が提供される。さらに、光電部品を製造するための方法が提供される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
本出願の解決すべき課題は、特に効率的でコスト上好ましい光電部品を提供することである。さらに、本出願の解決すべき課題は、特に効率的でコスト上好ましい光電部品を製造するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
この課題は、請求項１の構成を備えた光電部品、および、請求項１１および請求項１３の構成を備えた方法によって解決される。
【０００４】
１つの観点によれば、光電部品は少なくとも１つの第１の半導体チップを有している。光電部品は第２、第３、第４または更なる半導体チップを有していてよい。第１の半導体チップとは、好ましくはＩＩＩ−Ｖ族半導体材料をベースにした半導体チップである。第１の半導体チップは電磁放射線を放射するために適している。第１の半導体チップは例えば光を放射する。しかし第１の半導体チップは紫外線（ＵＶ）または赤外線（ＩＲ）を放射してもよい。第１の半導体チップは好ましくはＬＥＤチップである。
【０００５】
第１の半導体チップは高出力半導体チップであってよい。すなわち、第１の半導体チップは少なくとも１Ｗの、特に少なくとも３Ｗの入力電力を有していてよい。第１の半導体チップは直接照明のために構成されていてよい。例えば、第１の半導体チップはカメラのフラッシュ機能のために光を放出するチップとして使用することができる。半導体チップは、光の状態が悪い場合にディスプレイを背面から照明するためにも特に好適に使用することができる。第１の半導体チップは、携帯電話のフラッシュ機能のために赤外線を放射することができ、或いは、距離センサ用のエミッターとして赤外線を放射することができる。
【０００６】
これとは択一的に、第１の半導体チップは低エネルギー半導体チップであってよい。このケースでも、半導体チップは距離センサ用の赤外線エミッターとして機能することができる。これとは択一的に、半導体チップは種々の色を放射するために構成されていてよい。例えば半導体チップは着色光、多色光、または白色光を放射することができる。
【０００７】
光電部品のすべての半導体チップは、すなわち第１、第２、第３、第４および他の各半導体チップは同一構成であってよい。これとは択一的に、光電部品が有利には異なるスペクトル範囲で放出を行うように構成された種々の半導体チップ、特に異なる半導体材料をベースにした半導体チップを含んでいてもよい。この場合、異なる半導体チップは異なる機能のために、例えば直接照明または間接照明のために設けられていてよい。
【０００８】
光電部品は、ハウジングをさらに有している。光電部品は好ましくは表面実装可能な光電部品である（ＳＭＤまたはsurface mounted device）。特に、光電部品のハウジングは表面実装可能である。ハウジングは、第１の半導体チップを受容するために構成されている。ハウジングは、半導体チップを外部の影響から保護するために構成されている。ハウジングは少なくとも１つの第１の凹部を有している。凹部はハウジングのベース体に窪み、凹部、又は中空部として形成されている。原理的には、凹部のいかなる任意の形状も考えられる。例えば、凹部の開口は、該凹部を平面図で見て円形、角形または楕円形の形状を有していてよい。凹部は好ましくは漏斗状または円錐状に形成されている。第１の半導体チップは第１の凹部内に配置されている。好ましくは、第１の半導体チップは凹部の底部に固定されている。例えば、半導体チップは底部に結合され、すなわち特に蝋付けまたは導電性接着されている。この場合、凹部の底部上には、半導体チップを電気接続可能にする接続導線または接続個所が露出していてよい。
【０００９】
第１の凹部は少なくとも部分的に、特に全体的に第１のリフレクタとして構成されている。第１の凹部または第１のリフレクタは、第１の半導体チップの動作中に生成される放射を反射させるように構成されている。第１の凹部または第１のリフレクタは１つの表面を有している。この表面は第１の半導体チップのまわりに配置されている。表面は反射性を持つように形成されている。表面は、動作中に第１の半導体チップから放射される放射の放射特性を目的に応じて調整するために形成されている。
【００１０】
第１のリフレクタの表面の目的に応じた構成、および特に表面の特性の目的に応じた選択により、光電部品はその特定された使用にあたり、まさに必要な条件通りに適合され得る。
【００１１】
例えば、表面は、少なくとも部分的に、特に全体的に、光電部品から放出された放射が指向性反射または鏡反射されるように構成されていてよい。特に、表面は、半導体チップから放出される放射を合焦させるように構成されていてよい。これに関連して、合焦または指向性反射とは、入射する放射が面法線に対し＋／−１５゜だけまたはこれ以下で散乱するということを意味している。これは、光電部品が赤外線を放射するために設けられている場合に特に有利であると指摘できる。赤外線は利用者によって、例えば携帯電話所有者によって知覚されず、その結果赤外線を放出する光電部品、例えば携帯電話の赤外線フラッシュ機能用の光電部品は、赤外線カメラとともに使用され、惑わされるものとして、眩しいものとして、または不快なものとして知覚されない。
【００１２】
これとは択一的に、表面は少なくとも部分的に、特に全体的に、光電部品から放出される放射が拡散するように、すなわち複数の方向に散乱及び／又は反射するように構成されていてよい。これに関連して、拡散する散乱及び／又は反射とは、入射する放射が面法線に対し＋／−６０゜だけ散乱することを意味している。これは、例えば、強すぎる合焦放射によって利用者を眩しくさせたり、惑わせたりしないようにするため、光電部品が可視放射を生成するために設けられている場合に特に有利である。
【００１３】
これとは択一的に、表面は、光電部品から放出される放射を指向性反射または合焦放射させるとともに、拡散反射をもさせることができるように構成されていてよい。すなわち表面の異なる個所または異なる領域で表面は異なる態様で構成されていてよい。
【００１４】
従って、表面を目的に応じて構成することにより、光電部品の放射特性を光学的要件に依存して光電部品に目的に応じて調整することができる。このようにして特に効率的な光電部品が提供される。放射特性を調整するために表面のみが対応的に構成されずに過ぎず、更なるコンポーネント、例えばレンズを必要としないので、光電部品は特にコスト上好ましい。
【００１５】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、表面は少なくとも１つの第１の領域と少なくとも１つの第２の領域とを有している。第１の領域は、第２の領域の拡がりに対応する拡がりを有していてよい。これとは択一的に、第１の領域は第２の領域よりも大きくてもよく、或いはその逆であってもよい。表面の第１の領域は、例えば凹部の、半導体チップ付近に配置されている部分、すなわち凹部の底部付近に配置されている部分に配置されていてよい。第２の領域は、凹部の、半導体チップからより離れている部分、すなわち例えば光電部品のデカップリング面の領域に配置されていてよい。原理的には、凹部内での第１および第２の領域のいかなる空間的配置も可能である。
【００１６】
表面の第１の領域は、第１の半導体チップから放出される放射を拡散反射及び／又は拡散散乱させるように構成されている。この場合、第１の領域は放射を特に光学的に拡張させることができる。表面の第２の領域は、第１の半導体チップから放出される放射を、第１の領域よりも指向性反射させるように構成されている。特に、表面の第２の領域は、半導体チップから放出される放射を合焦させるように構成されている。換言すれば、表面の、放射が入射する領域に依存して、拡散反射させるか、或いは、指向性反射させる。第１の領域に入射する放射は例えばすべての方向において（拡散）散乱されて、少なくとも部分的には第２の領域にも確実に入射し、該第２の領域により放射はさらに指向性反射される。これにより、光電部品に対する光学的要求と一致するように光電部品の放射特性を目的に応じて調整することができる。
【００１７】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、表面の第１の領域は表面の第２の領域よりも大きな表面粗さを有している。表面粗さと、特に第１の領域の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、好ましくは第１の半導体チップから放出される放射の波長以上となる。表面粗さが大きければ大きいほど、衝突する放射が第１の領域によって拡散反射する程度が大きい。
【００１８】
好ましくは、表面粗さと、特に第１の領域の粗さ測定の絶対値の相加平均、すなわち平均粗値Ｒａとは、第１の半導体チップから放出される放射の波長の１．０ないし２．０倍の大きさである。好ましくは、可視範囲（λ＝０．４μｍないし０．８μｍ）において放射される放射の半導体チップに対する第１の領域の平均粗値Ｒａは、１μｍと２μｍの間、例えば１．５μｍ程度である。好ましくは、赤外線範囲（λ＝約１μｍ）において放射される放射の半導体チップに対する第１の領域の平均粗値Ｒａは、２μｍよりも大きいかこれに等しく、例えば２．５μｍ程度である。この平均粗値の場合、半導体チップから放射される放射は第１の領域によって拡散反射する。
【００１９】
表面粗さと、特に第２の領域の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、好ましくは第１の半導体チップから放出される放射の波長よりも小さい。第２の領域の表面粗さが小さければ小さいほど、第２の領域に入射する放射は、より指向性をもって反射する。好ましくは、表面粗さと、特に第２の領域の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、第１の半導体チップから放出される放射の波長の０．１ないし０．９倍の大きさである。半導体チップから放射される放射を第２の領域によって鏡反射させるため、赤外線を放射する半導体チップ（λ＝約１μｍ）に対し、第２の領域の平均粗値Ｒａは好ましくは０．１μｍよりも小さいかこれに等しく、例えば０．０９μｍである。半導体チップから放射される放射を第２の領域によって鏡反射させるため、可視放射を放射する半導体チップ（λ＝０．４μｍないし０．８μｍ）に対し、第２の領域の平均粗値Ｒａは好ましくは０．０８μｍ以下であって、例えば０．０４μｍ又は０．０１μｍである。
【００２０】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、ハウジングは少なくとも１つの第２の凹部を有している。第２の凹部は特に第２のリフレクタとして構成されている。ハウジングは第３、第４またはそれ以上の、リフレクタとして構成される凹部を有していてもよい。第２または他の各凹部は、第１の凹部と同一構成されていてよい。特に、第２及び／又は他の各凹部は、底面とは逆の側の開口部の同一径及び／又は第１の凹部と同一の深さを有していてよい。第２及び／又は他の各凹部は、第１の凹部と同一の形状を有していてよい。これとは択一的に、第２及び／又は他の各凹部は第１の凹部と異なるサイズを有することができる。例えば、第２及び／又は他の各凹部は第１の凹部よりも小さなサイズまたは小さな径を有していてよい。同様に、第２及び／又は他の各凹部は第１の凹部よりも浅く形成されていてよい。第２及び／又は他の各凹部は、第１の凹部とは異なる形状を有していてよい。好ましくは、第２及び／又は他の各凹部は楕円形または円形に成形されている。
【００２１】
第２の半導体チップは第２の凹部内に配置されている。好ましくは、第２の半導体チップは第２の凹部の底部上に結合され、すなわち特に蝋付けまたは導電性接着されている。第１のリフレクタは、特に第１のリフレクタの表面は、第１の半導体チップから放出される放射を少なくとも大部分拡散反射させるように構成されている。第２のリフレクタ、特に第２のリフレクタの表面は、第２の半導体チップから放出される放射を大部分指向性反射させるように構成されている。特に第２のリフレクタは、第２の半導体チップから放出される放射を、第１の半導体チップから放出される放射を反射させる第１のリフレクタよりもより指向性をもって反射させるように構成されている。
【００２２】
この構成は、例えば赤外線を放出する半導体チップと、可視放射線を放出する半導体チップとを、１つの光電部品内で組み合わせるために特に有利である。赤外線を放出する半導体チップから放射される放射は、好ましくは指向性反射させることができる（第２の半導体チップ）。他の（第１の）半導体チップの可視放射線は、有利には拡散散乱及び／又は拡散反射せしめられる。このように、異なるスペクトル範囲で放射する多数の半導体チップの組み合わせが１つの光電部品内で可能である。
【００２３】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、第１のリフレクタの表面粗さは第２のリフレクタの表面粗さよりも大きい。第１のリフレクタの表面粗さ、特に表面の粗さ測定の絶対値の相加平均は、好ましくは第１の半導体チップから放出される放射の波長よりも大きいかこれに等しい。この場合、表面粗さが大きければ大きいほど、それだけ拡散され、衝突する放射は第１のリフレクタまたは第１のリフレクタの表面によって反射及び／又は散乱せしめられる。好ましくは、第１のリフレクタの表面粗さ、特に表面の粗さ測定の絶対値の相加平均は、第１の半導体チップから放出される放射の波長の１．０倍ないし２．０倍の大きさである。
【００２４】
第２のリフレクタの表面粗さ、特に表面の粗さ測定の絶対値の相加平均は、好ましくは第２の半導体チップから放出される放射の波長よりも小さい。第２のリフレクタの表面粗さが小さければ小さいほど、第２のリフレクタに入射する放射はそれだけ指向性をもって反射する。好ましくは、第２のリフレクタの表面粗さ、特に表面の粗さ測定の絶対値の相加平均は、第２の半導体チップから放出される放射の波長の０．１倍ないし０．９倍の大きさである。
【００２５】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、ハウジングはプラスチックから形成されている。光電部品は例えばいわゆるMolded Interconnect Device (MID)技術を用いて形成されていてよい。この場合、ハウジングは射出成形法で製造される。これとは択一的に光電部品は、金属めっきフレーム実装(Metal Plated Frame Implementation) 技術を用いて形成されていてよい。この場合もハウジングは好ましくは射出成形法で製造される。金属めっきフレーム実装方法は文献ＷＯ２０１１／１５７５１５Ａ１に詳細に記載されており、その開示内容をここでは援用する。
【００２６】
光電部品の少なくとも１つの実施態様によれば、第１のリフレクタの表面は少なくとも部分的に金属層を有している。これは特に、ＭＩＤ技術を用いて形成されている光電部品に対するケースである。好ましくは、第１のリフレクタの表面全体が金属層を有している。金属層は、半導体チップの高い歩留まりを可能にする。金属層は、表面に入射する放射を反射させるために用いる。同時に金属層は光電部品の電気接続導体としても機能することができる。金属層は例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及び／又は金（Ａｕ）を有していてよい。
【００２７】
第１のリフレクタまたは第１の凹部の第２の領域にある金属層は、好ましくは第１のリフレクタまたは第１の凹部の第１の領域にある金属層よりも厚い。好ましくは、第１の領域の金属層は、第２の領域の金属層の厚さの１０％ないし９０％に相当する厚さを有している。金属層の下にあるプラスチック表面の粗さに依存して、第１の領域の金属層は１μｍ以下の厚さ、例えば０．０５μｍの厚さを有している。第２の領域の金属層は、好ましくは１０μｍ以上の厚さ、例えば１５μｍの厚さを有している。
【００２８】
第２の領域の金属層をより厚く構成することにより、第１のリフレクタの第２の領域は、第１のリフレクタの第１の領域よりも小さな表面粗さを有している。特に、第２の領域の表面は該第２の領域のより厚い金属層によって滑らかに形成されている。これにより、第２の領域に入射する放射は、第１の領域に入射する放射よりもより指向性をもって反射せしめられる。
【００２９】
従って、金属層を目的に応じて蒸着することにより、光電部品の放射特性を目的に応じて調整し、特に効率的な光電部品を提供することができる。
【００３０】
第２のリフレクタの表面も好ましくは少なくとも部分的に金属層を有している。好ましくは、第２のリフレクタの表面全体が金属層を有している。第１のリフレクタの金属層は、好ましくは第２のリフレクタの金属層よりも薄い。好ましくは、第１のリフレクタの金属層は、第２のリフレクタの金属層の厚さの１０％ないし９０％に相当する厚さを有している。
【００３１】
第２のリフレクタの金属層のより厚い構成により、第２のリフレクタは第１のリフレクタよりも小さな表面粗さを有している。従って、第２の半導体チップから放出されて第２のリフレクタに入射する放射は、第１の半導体チップから放出されてその後第１のリフレクタに入射する放射よりもより指向性をもって反射する。
【００３２】
従って、金属層を目的に応じて被着させ構成することにより、光電部品の放射特性を目的に応じて調整し、特に効率的な光電部品を提供することができる。
【００３３】
他の観点にしたがって、光電部品の、好ましくは上述した光電部品の製造方法を説明する。好ましくは、以下の方法によって、ＭＩＤ技術をベースにした光電部品が製造される。特に、この場合に製造される光電部品は好ましくはここで述べている光電部品に対応している。従って、光電部品に対し開示されている構成要件はすべて、この方法に対しても開示されており、その逆でもある。この方法は以下のステップを有している。
【００３４】
第１のステップでハウジングを用意する。ハウジングは好ましくは射出成形ステップによって準備される。ハウジングは好ましくはプラスチックから形成されている。
【００３５】
ハウジングは、少なくとも、上述した第１の凹部を有している。好ましくは、ハウジングは複数の、例えば２つ、３つまたは４つの凹部を有している。これらの凹部は空間的に互いに切り離されている。それぞれの凹部は１つの表面を有しており、その表面は方法によって生じ且つ材料によって生じる表面粗さを有している。例えば、表面の粗さは約１０μｍである。
【００３６】
更なるステップで、少なくとも１つの半導体チップ、特に上述した第１の半導体チップを用意する。好ましくは複数の、例えば２つ、３つまたは４つの半導体チップを用意する。この場合、半導体チップの数量はハウジング内に形成されている凹部の数量に対応している。
【００３７】
更なるステップでは、金属層を少なくとも凹部の表面の領域に、好ましくは凹部の表面全体に形成させる。この場合、金属層の形成は、少なくとも凹部の表面の領域で金属層を電気めっきまたは無電解めっき（英語でelectroless platingまたはchemical platingともいう）することによって行なう。凹部またはリフレクタの表面上に金属層を形成することにより、反射表面が形成される。さらに、凹部またはリフレクタの表面上に金属層を形成することは、動作中に光電部品から放出される放射の放射特性を目的に応じて調整するために用いる。例えば、金属層は、上述した第２の領域でよりも上述した第１の領域でより薄いように、及び／又は、少なくとも１つの他のリフレクタでよりも少なくとも１つのリフレクタでより薄いように、形成される。
【００３８】
次のステップで、半導体チップを凹部中に配置する。好ましくは、半導体チップを凹部の底部上に結合させ、すなわち特に蝋付けまたは導電性接着で結合させる。
【００３９】
上述したように、射出成形ステップによって得られるハウジング、特に凹部は、製造プロセスと使用する材料とによって設定される表面粗さを有している。金属被覆部を目的に応じて形成することにより、表面粗さを目的に応じて調整することができる。特に、より大きな表面粗さを備えた領域／リフレクタは、衝突する放射を拡散散乱及び／又は拡散反射させることのできるより薄い金属層を蒸着することによって形成させることができる。さらに、より小さな表面粗さを備えた領域／リフレクタは、衝突する放射を指向性反射させることのできるより厚い金属層、または、より大きな表面粗さを備えた領域／リフレクタよりもより指向性をもって反射させることのできるより厚い金属層を蒸着することによって形成させることができる。このように、それぞれの領域／リフレクタの反射特性または散乱特性を、よって光電部品の放射特性を、目的に応じて調整することができる。これによって、特に効率的な光電部品が提供される。本来必要な製造ステップおよび製造パラメータを簡単に変更することによって放射特性を得ることができることにより、および追加のコンポーネントが不要になることにより、光電部品またはその製造は特にコスト上好ましくなる。
【００４０】
他の観点にしたがって、光電部品の、好ましくは上述した光電部品の製造方法を説明する。好ましくは、以下の方法により、金属めっきフレーム実装(Metal Plated Frame Implementation) 技術をベースにした光電部品が製造される。特に、その際に製造される光電部品は好ましくはここで説明している光電部品に対応している。従って、光電部品に対し開示されている構成要件はすべて、この方法に対しても開示されており、その逆でもある。この方法は以下のステップを有している。
【００４１】
第１のステップで、射出成形法を用いて光電部品のハウジングを製造するための射出金型または射出成形金型を用意する。次のステップで、動作中に光電部品から放射される放射の放射特性を目的に応じて調整するために、射出金型の表面の少なくとも１つの領域の研磨をおこなう。射出金型の表面粗さは、以後の工程で製造されるハウジングの表面の粗さ、特に凹部の表面粗さを決定する。その結果、射出金型の研磨の長さ及び／又は強さ及び／又は選定領域により、ハウジングのそれぞれのプラスチック表面の表面粗さを修正または調整することができる。射出金型の表面または表面領域が厚ければ厚いほど、または、長ければ長いほど、ハウジングの、次のステップで射出成形法の経過中に射出金型の該当領域によって形成されるこの該当領域の表面粗さは小さくなる。
【００４２】
この場合、第１の凹部を成形するために設けられる射出金型の表面領域は、例えば他の凹部を成形するために設けられる射出金型の表面領域よりも、短く及び／又は弱く研磨される。このようにして、他の凹部の表面の表面粗さは、第１の凹部の表面の表面粗さよりも著しく減少しており、または、減少が小さい。好ましくは、射出金型の表面の、上述の第２の領域及び／又は第２のリフレクタの形成のために設けられている領域は、射出金型の表面の、上述の第１の領域及び／又は第１のリフレクタの形成のために設けられている領域よりも、滑らかに研磨されている。射出金型の表面の、上述の第１の領域及び／又は第１のリフレクタの形成のために設けられている領域は、例えば研磨しないままでもよい。
【００４３】
次のステップで、上述のハウジングを射出成形ステップによって用意する。ハウジングは、少なくとも、上述の第１の凹部を有している。好ましくは、ハウジングは多数の、例えば２つ、３つまたは４つの凹部を有している。これらの凹部は互いに空間的に分離されている。
【００４４】
それぞれの凹部は１つの表面を有している。この表面は、射出金型の表面を目的に応じて研磨することによって目的に応じて調整されている表面粗さを有している。
【００４５】
更なるステップで、少なくとも１つの半導体チップ、特に上述の第１の半導体チップを用意する。好ましくは、多数の、例えば２つ、３つまたは４つの半導体チップを用意する。この場合、半導体チップの数量は、ハウジングに形成されている凹部の数量に対応している。
【００４６】
更なるステップでは、上述した金属層を少なくとも凹部の表面の領域において被着させる。好ましくは、金属層を表面全体に被着させる。その際被着はスパッタリングまたは熱蒸着によって行う。このようにして反射表面を形成させる。その際金属層は好ましくは次のような薄さであり、すなわち射出金型の表面を研磨することによって調整される、１つのリフレクタの複数の領域または複数のリフレクタの複数の領域の表面粗さが、金属層によって補償されないような薄さである。特に、金属層は表面の粗さに作用しない。金属層はその下にある表面と例えば一致した投影像を有している。好ましくは、金属層は約１００ｎｍの厚さを有している。
【００４７】
最後のステップで、半導体チップを凹部内に配置する。好ましくは、半導体チップを凹部の底部上に結合させる。
【００４８】
射出成形ステップによって得られるハウジング、特に凹部は、上述したように、製造プロセスと射出金型の研磨と材料とによって設定される表面粗さを有している。特に射出金型の複数の領域を目的に応じて処理することにより、或いは、目的に応じて研磨することにより、ハウジングの個々の領域の表面粗さを目的に応じて調整することができる。特に、より大きな表面粗さを備えた領域／リフレクタを、射出金型の付属の領域をより短く及び／又はより弱く研磨することによって形成することができる。これらの領域／リフレクタは、衝突する放射を散乱及び／又は拡散反射させる。さらに、より小さな表面粗さを備えた領域／リフレクタを、射出金型の付属の領域をより長く及び／又はより強く研磨することによって形成することができる。これらの領域／リフレクタは、衝突する放射を指向性反射させ、或いは、より高い表面粗さを備えた領域よりもより指向性をもって反射させる。このように、それぞれのリフレクタの反射特性または散乱特性を、よって光電部品の放射特性を目的に応じて調整することができる。これにより、生成された放射が使用必要条件に関し最適に活用されるような、特に効率的な光電部品が提供される。
【００４９】
本来必要な製造ステップおよび製造パラメータを簡単に変更することによって放射特性を得ることができることにより、且つ付加的な要素が必要ないことにより、光電部品またはその製造は特にコスト上好ましい。
【００５０】
次に、光電部品とその製造方法とを、いくつかの実施形態とその図面とを用いて詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】少なくとも１つの実施形態に係る光電部品の斜視図である。
【図２】図１の光電部品の平面図である。
【図３Ａ】図１の光電部品の少なくとも一部分の横断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの光電部品の放射特性を示す図である。
【図４Ａ】図１の光電部品の少なくとも一部分の横断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの光電部品の放射特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５２】
図面では、同一の要素、同種の要素、又は同じ作用をする要素には同一の参照符号が付してある。図と、図に示した要素相互のサイズ比率とは縮尺どおりのものではない。むしろ、個々の要素は、明確に図示できるようにするため、及び／又は、分かり易くするため、過度に大きく図示されている場合がある。
【００５３】
図１は光電部品１を示している。光電部品１はハウジング２を有している。ハウジング２は、好ましくは射出成形法を用いて、プラスチックから製造されている。光電部品１は好ましくは表面実装可能な光電部品である。特に、光電部品１のハウジング２は表面実装可能に形成されている。
【００５４】
ハウジング２は４つの凹部３，３Ａを有している。特に、ハウジングは、１つの第１の凹部３Ａと、３つの他の凹部３とを有している。ハウジング２は４つよりも少ない凹部３，３Ａを有していてもよく、例えば１つまたは２つまたは３つの凹部３，３Ａ（明確に図示せず）を有していてもよい。ハウジング２は４つよりも多い凹部３，３Ａを有していてもよく、例えば５つまたは６つまたは７つの凹部（明確に図示せず）を有していてもよい。
【００５５】
凹部３，３Ａは、ハウジング２のベース体２Ａの中に形成されている。凹部３，３Ａは、ベース体２Ａに設けた凹部である。凹部３，３Ａの構成は異なっている。第１の凹部３Ａは、他の３つの凹部３よりも大きな拡がりを有している。第１の凹部３Ａは、他の３つの凹部３よりも大きな径を有している。第１の凹部３Ａは、他の３つの凹部３よりも深く形成されていてもよい。しかし、択一的な実施例（明確に図示せず）では、凹部３，３Ａは同一のサイズを有していてもよい。
【００５６】
凹部３，３Ａは異なる形状を有している。第１の凹部３Ａは漏斗状に形成されている。しかし、第１の凹部３Ａに対し他のいかなる形状も想定可能である。例えば、第１の凹部３Ａは角形、円形、または楕円形に形成されていてもよい。他の凹部３は、第１の凹部３Ａよりも丸い形状を有している。しかし、択一的実施例（明確に図示せず）では、第１の凹部３Ａと他の各凹部３とは同一の形状を有していてもよい。
【００５７】
それぞれの凹部３，３Ａ内には１つの半導体チップ４，４Ａが配置されている。好ましくは、半導体チップ４，４Ａは凹部３，３Ａの底部に結合されている。
【００５８】
第１の凹部３Ａ内には第１の半導体チップ４Ａが配置されている。第１の半導体チップ４Ａは、好ましくは高出力半導体チップである。第１の半導体チップ４Ａは照明用に構成されている。第１の半導体チップ４Ａは電磁放射線を放出し、好ましくは光または赤外線を放出する。例えば、第１の半導体チップ４Ａはカメラのフラッシュ機能用に光を放出するチップとして使用することができる。第１の半導体チップ４Ａは、赤外線カメラを備えた携帯電話のフラッシュ機能用に赤外線を放射してもよく、或いは、距離センサ用のエミッターとして赤外線を放射してもよい。
【００５９】
他の３つの凹部３内にはそれぞれ１つの他の半導体チップ４が配置されている。これらの半導体チップ４は好ましくは低エネルギー半導体チップである。他の半導体チップ４も照明用に構成されている。半導体チップ４は電磁放射線、好ましくは光または赤外線を放出する。
【００６０】
択一的な実施例では、光電部品１のすべての半導体チップ４，４Ａはすべて同一の構成であってよい。それぞれの凹部３，３Ａはリフレクタとして構成されている。特に、それぞれの凹部３，３Ａは、それぞれの半導体チップ４，４Ａから放出される放射を指向性反射または合焦性反射させるため、或いは、拡散反射または散乱反射させるために用いられる。その際、それぞれの放射特性は、以下でさらに詳細に説明するようにそれぞれのリフレクタの特性に依存している。
【００６１】
凹部３，３Ａまたはリフレクタは反射表面５を有している（特に図３Ａと図４Ａを参照）。表面５はそれぞれの半導体チップ４，４Ａ側にある。反射表面５は金属層で被覆されている。金属層は、例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ及び／又はＡｕを有していてよい。
【００６２】
第１の凹部３Ａによって形成されている第１のリフレクタは、大きな表面粗さを備えた反射表面５を有している（図４Ａを参照）。特に、第１のリフレクタの反射表面５の表面粗さは、他の凹部３によって形成されている他のリフレクタのそれぞれの反射表面５の表面粗さよりも大きい（加えて図３Ａを参照）。この場合、反射表面５の表面粗さは種々のファクタによって制御することができる。一実施例では、表面粗さは、反射表面５を形成するために被着される金属層の厚さによって制御される。他の実施例では、それぞれの凹部３，３Ａの表面粗さは、さらに以下で詳細に説明するように、それぞれの凹部３，３Ａを形成するための製造プロセスで設けられている射出金型の表面の領域を目的に応じて研磨することによって制御することができる。
【００６３】
表面粗さと、特に第１のリフレクタの反射表面５の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、第１の半導体チップ４Ａから放出された放射の波長よりも大きいか、これに等しい。好ましくは表面粗さと、特に第１のリフレクタの反射表面５の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、第１の半導体チップ４Ａから放出された放射の波長の１．０ないし２．０倍の大きさである。
【００６４】
表面粗さと、特に他の凹部３によって形成される他のリフレクタの反射表面５の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、それぞれ他の半導体チップ４から放出された放射の波長よりも小さい。好ましくは、表面粗さと、特に他のリフレクタの反射表面５の粗さ測定の絶対値の相加平均とは、それぞれ他の半導体チップ４から放出された放射の波長の０．１ないし０．９倍である。
【００６５】
第１の凹部３Ａによって形成される第１のリフレクタは、第１の半導体チップ４Ａから放出された放射を反射させ、及び／又は、散乱、拡散させる。この場合、第１のリフレクタの反射表面５の表面粗さが大きければ大きいほど、衝突する放射は反射表面５によって反射及び／又は散乱する。すなわちリフレクタの表面を目的に応じて構成することにより、第１の半導体チップ４Ａの放射特性６を目的に応じて調整することができる。なお、拡散反射とは、入射する放射がすべての空間方向へ反射することである。これに関連して、拡散散乱及び／又は反射とは、入射する放射が面法線に対して＋／−６０゜までだけ散乱することを意味している（図４Ｂの放射特性６を参照）。これは、例えば、光電部品１の利用者を惑わせないように、さらには不快感を与えないようにするために、第１の半導体チップ４Ａが可視放射を生成するために設けられている場合に、特に有利である。
【００６６】
他の凹部３によって形成される他のリフレクタは、放射を指向性反射または合焦反射する。特に、他の半導体チップ４の放射は、第１の半導体チップ４Ａの放射よりもより指向性をもって反射される。この場合、他のリフレクタの反射表面５の表面粗さが小さければ小さいほど、衝突する放射はそれぞれの反射表面５によってより指向性をもって反射される。これに関連して、合焦または指向性反射は、入射する放射が面法線に対し＋／−１５゜でまたはこれ以下で散乱することを意味している（図３Ｂの放射特性６を参照）。これは、それぞれの半導体チップ４が赤外線を放射するために設けられている場合に特に有利であることを証明し得る。赤外線は利用者、例えば携帯電話の所有者によって知覚されず、その結果赤外線を放出する光電部品、例えば携帯電話のフラッシュ機能のために使用される光電部品は、惑わせたり不快感を与えたりしないものとして認識される。
【００６７】
他の１実施例（明確に図示せず）では、第１の（第１の凹部３Ａによって形成される）リフレクタも、他のリフレクタよりも小さな表面粗さを有していてよく、その結果第１の半導体チップ４Ａによって放出される放射は、他の半導体チップ４から放出される放射よりもより指向性をもって反射する。
【００６８】
他の１実施例（明確に図示せず）では、第１のリフレクタまたは第１のリフレクタの反射表面５は、種々の領域を有していてよい。この場合、第１の領域は第２の領域よりも大きな表面粗さを有していてよい。このようにして、第１の半導体チップ４Ａから放出されて第１の領域に入射する放射は、反射表面５の第２の領域に入射する放射よりもより拡散性をもって反射する。このように、第１の半導体チップ４Ａの放射特性を完全に目的に応じて調整することができる。
【００６９】
他の１実施例（明確に図示せず）では、他の（他の凹部３によって形成されている）リフレクタまたはそれぞれの反射表面５は、それぞれ上述の第１および第２の領域を有していてよい。
【００７０】
他の１実施例（明確に図示せず）では、第１のリフレクタと他のリフレクタのうちの少なくとも１つの反射表面５は、上述の第１および第２の領域を有していてよい。
【００７１】
上述の光電部品１は、第１実施例によれば、以下のようにして製造される（加えて図２を参照）。なお、この製造方法は、特にMolded Interconnect Device (MID)技術に対応している。
【００７２】
第１のステップで、ハウジング２を用意する。ハウジング２の準備は、射出成形法によって行う。この製造技術を用いると、任意に構成されたハウジング２と、任意に構成されたリフレクタまたは凹部３，３Ａとを簡単に製造することができる。その結果得られるハウジング２はプラスチックから形成されている。それぞれの凹部３，３Ａは特にプラスチックから成る表面を有している。射出成形法と使用する材料とにより、それぞれの凹部３，３Ａの表面はある程度の表面粗さを有している。この表面粗さは当初はすべての凹部３，３Ａで同一である。
【００７３】
更なるステップで、上述の半導体チップ４，４Ａを製造する。
【００７４】
次のステップで、それぞれの凹部の反射表面５を形成させる。これは、それぞれのリフレクタの表面上に金属層を電気めっきまたは無電解めっきさせることによって行う。この場合、金属層の析出は、第１のリフレクタの反射表面５の金属層が他のリフレクタの、すなわち他の凹部３によって形成されるリフレクタの反射表面の金属層よりも薄くなるように行う。
【００７５】
他の凹部３のプラスチック表面上のより厚い金属層により、これらの他の凹部３のプラスチック表面の表面粗さが補償される。従って、他のリフレクタの反射表面５は、第１のリフレクタの反射表面５よりも小さな表面粗さを有している。第１のリフレクタの反射表面５は、その下にあるプラスチック表面の表面粗さに略対応している表面粗さを有する。第１のリフレクタの反射表面５の金属層は、その厚さが薄いためにプラスチック表面の粗さを補償できず、或いは、少なくとも完全には補償できない。その結果、光電部品１の作製が完了すると、他の半導体チップ４の放射は第１の半導体チップ４Ａよりもより指向性をもって反射する。
【００７６】
従って、それぞれ反射表面５の金属層の厚さを目的に応じて選定することにより、それぞれの半導体チップ４，４Ａの放射特性６を目的に応じて調整することができる（図３Ｂ、図４Ｂを参照）。
【００７７】
金属層は図２で示すように光電部品１の電気的接触部８として作用する。
【００７８】
４つのリフレクタのうちの少なくとも１つのリフレクタの反射表面５が上述の第１および第２の領域を有している。前記実施例に関連して、第１の領域に、第２の領域よりもより薄い金属層を被着させる。このようにして、第１の領域は第２の領域よりも高い表面粗さを有する。最後のステップで、それぞれの半導体チップ４，４Ａをそれぞれの凹部３，３Ａ内に配置する。特に、第１の半導体チップ４Ａを第１の凹部３Ａ内に配置し、好ましくは第１の凹部３Ａの底部に結合させて配置する。他の半導体チップ４はそれぞれ他の凹部３内に配置し、好ましくはそれぞれの他の凹部３の底部に結合させて配置する。
【００７９】
最後に、それぞれのリフレクタを、それぞれの半導体チップ４，４Ａを完全に取り囲む透明なグラウチング材で充填してよい（明確に図示せず）。
【００８０】
上述した光電部品１は、第２実施例によれば、以下のようにして製造される（加えて図２をも参照）。なお、この製造方法は、特に金属めっきフレーム実装(Metal Plated Frame Implementation) 技術に対応している。
【００８１】
第１のステップでは、上述のハウジング２が用意される。ハウジング２の用意は、ここでも射出成形法によって行う。射出成形法によって得られるハウジング２はプラスチックから形成され、上述の凹部３，３Ａを有している。それぞれの凹部３，３Ａはそれぞれプラスチックから形成される表面を有している。
【００８２】
この方法では、ハウジング２を射出成形する前に、射出金型または射出成形金型の表面の研磨を行なう（明確に図示せず）。射出金型の表面粗さは、ハウジング２の射出成形後にハウジング２の、特に凹部３，３Ａの粗さを限定する。射出金型の表面を研磨する長さ及び／又は強さにより、結果的にハウジング２のそれぞれのプラスチック表面の表面粗さを修正または調整することができる。
【００８３】
この場合、射出成形ステップで第１の凹部３Ａを成形するために設けられている射出金型の表面は、他の凹部３を成形するために設けられている射出金型の表面よりも研磨をより短く及び／又はより弱く行う。このようにして、ハウジング２の形成後の他の凹部３の表面の表面粗さは、第１の凹部３の表面の表面粗さよりも小さい。換言すれば、射出金型の研磨工程およびこれに続く射出成形後には、第１の凹部３Ａの表面は他の凹部３のそれぞれの表面よりもより大きな表面粗さを有している。
【００８４】
結果的に、射出成形法と、射出金型の研磨と、使用する材料とにより、それぞれの凹部３，３Ａの表面は特定のまたは調整された表面粗さを有している。
【００８５】
更なるステップで、上述した半導体チップ４，４Ａを用意する。
【００８６】
更なるステップで、それぞれの凹部３，３Ａの反射表面５を形成させる。つまり、それぞれのプラスチック表面上に金属層をスパッタリングまたは熱蒸着することによって行う。その際マスクを用いると、金属層の所望の構造を得ることができる。この場合に生成される金属層は、ＭＩＤ技術をベースとした上述の方法で生成される金属層よりも薄い。ＭＩＤ技術をベースとした方法は米国特許出願公開第２００７／０２６９９２７号明細書に記載されており、その開示内容はここで援用される。好ましくは、ここで生成される金属層は約１００ｎｍの厚さを有している。
【００８７】
この実施例での金属層は厚さがわずかであるため、それぞれの凹部３，３Ａのプラスチック表面の表面粗さを補償することができない。それ故この製造方法では、プラスチック表面の表面粗さの補償は、射出金型または射出金型の個々の領域を上述のように研磨することによって行う。このとき、４つの凹部３，３Ａの反射表面５の金属層の厚さは略同一である。他の凹部３のプラスチック表面は第１の凹部３Ａのプラスチック表面よりも滑らかであるので、第１の凹部の反射表面５は、他の凹部３の反射表面５よりもより大きな表面粗さを有している。その結果、光電部品１の作製が完成すると、他の半導体チップ４の放射は第１の半導体チップ４Ａの放射よりも指向性をもって反射する。
【００８８】
４つのリフレクタのうちの少なくとも１つのリフレクタの反射表面５が上述の第１および第２の領域を有している前記実施例に関連して、第１の領域は、射出金型を目的に応じて研磨することにより、第２の領域よりも滑らかさが少ないように形成されている。このようにして、第１の領域は第２の領域よりも大きな表面粗さを有する。
【００８９】
最後のステップで、それぞれの半導体チップ４，４Ａをそれぞれの凹部３，３Ａに配置する。特に、第１の半導体チップ４Ａを第１の凹部３Ａの中に配置し、好ましくは第１の凹部３Ａの底部に結合させて配置する。他の半導体チップ４をそれぞれ他の凹部３のなかに配置し、好ましくはそれぞれの他の凹部３の底部に結合させて配置する。
【００９０】
最後に、それぞれのリフレクタを、それぞれの半導体チップ４，４Ａを完全に取り囲む透明なグラウチング材で充填してよい（明確に図示せず）。
【００９１】
本発明は、いくつかの実施形態を用いた説明によってこれら実施例に限定されるものではない。むしろ、本発明は新たないかなる構成要件およびこれら構成要件の組み合わせをも含むものであり、特に構成要件の各組み合わせは、仮にこの構成要件またはその組み合わせ自体が特許請求の範囲または実施例に明確に記載されていなくとも、特許請求の範囲に包含されている。
【００９２】
本特許出願は独国特許出願第１０２０１２１０７８２９．７号の優先権を主張し、その開示内容はここで援用される。
【符号の説明】
【００９３】
１  光電部品
２  ハウジンク
３，３A  凹部
４，４Ａ  半導体チップ
５  反射表面
６  放射特性
【図１】
0005969706.tif 000002
【図２】
0005969706.tif 000003
【図３Ａ】
0005969706.tif 000004
【図３Ｂ】
0005969706.tif 000005
【図４Ａ】
0005969706.tif 000006
【図４Ｂ】
0005969706.tif 000007