(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を移送経路に沿って相対的に搬送しながら、前記移送経路の上方と下方の内の少なくとも一方から作用する熱によって、搬送中の前記被加熱物を熱処理する加熱装置であって、
炉内の前記移送経路を炉幅方向に複数に仕切る仕切りと、
前記仕切りを炉幅方向位置変更させることができる駆動ユニットと
を設け、前記仕切りによって炉幅方向に仕切られたゾーンを前記移送経路に沿って被加熱物を、相対的に搬送して熱処理する
連続式加熱装置。
【請求項２】
前記仕切りが炉長よりも短く、炉長方向に前記仕切りが有る区間と前記仕切りが無い区間が形成されている
請求項１記載の連続式加熱装置。
【請求項３】
前記移送経路の上方と下方の内の少なくとも一方から作用する熱を発生する加熱ヒータは、炉長方向に配列された複数のヒータブロックによって構成され、
前記仕切りは、前記ヒータブロックごとに設けられている
請求項１または請求項２に記載の連続式加熱装置。
【請求項４】
前記仕切りは、板状体であり、炉幅方向に貫通した貫通孔を有している
請求項１から請求項３のいずれかに記載の連続式加熱装置。
【請求項５】
前記仕切りは、板状体であり、上部が下部よりも厚い
請求項１から請求項４のいずれかに記載の連続式加熱装置。
【請求項６】
前記仕切りは、鎖状体からなることを特徴とする
請求項１または２に記載の連続式加熱装置。
【請求項７】
前記鎖状体は、前記仕切りの上部を形成している環状体が、前記仕切りの下部を形成している環状体より大きいことを特徴とする
請求項６に記載の連続式加熱装置。
【請求項８】
前記仕切りは、少なくとも２つの異なる物質から構成されている
請求項１から請求項７のいずれかに記載の連続式加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加熱物を搬送しながら連続的に加熱する連続式加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
連続式加熱装置は、トンネル状の断熱された箱体の中に熱源が配置されている。この箱体の入口側から出口側までの内部通路は、前記熱源によって、炉長方向に所望の温度プロファイルに温度調節されている。熱処理すべき被加熱物を、前記箱体の中を通過させることで、所望の温度プロファイルにて熱処理することができる。
【０００３】
被加熱物を炉幅方向においても均一に加熱できるように、特許文献１では、図１０（ａ）に示すように熱源側Ａと被加熱物側Ｂとの間に、上部多孔板８ａと下部多孔板８ｂからなる二層多孔板８を設けている。矢印Ｚ方向は炉高方向である。この二層多孔板８は、図１０（ｂ）に示すように炉長方向（矢印Ｙ方向）に沿って複数ユニットを設けるだけでなく、炉幅方向（矢印Ｘ方向）にも複数ユニットの二層多孔板８が設けられている。
【０００４】
熱源側Ａから被加熱物側Ｂに向かう循環空気９は、図１０（ａ）に示すように上部多孔板８ａと下部多孔板８ｂの重なりの程度で通路の大きさを調節することができる。よって、炉幅方向（矢印Ｘ方向）の二層多孔板８の上部多孔板８ａと下部多孔板８ｂの重なりの程度を調節することによって、炉幅方向の加熱温度を均一に調節している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許２８９５０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の構成では、被加熱物の形状が板状の場合には、炉幅方向においても均一加熱をすることが可能になるが、厚みを持つ被加熱物、例えば円柱形の被加熱物を加熱する際には、炉高方向（矢印Ｚ方向）における均一加熱が困難である。
【０００７】
また、大きさが単一の被加熱物を熱処理する連続式加熱装置の場合には、被加熱物の大きさに合わせた寸法形状の炉を作成することによって、均一加熱処理をすることが可能であるが、複数の大きさの被加熱物を加熱処理する必要がある場合、現実の設備としては、最も大きな被加熱物に合わせた寸法形状の炉を作成することになるため、小さな被加熱物を加熱する際に、均一加熱するためには加熱条件を変更する必要があって、加熱条件の変更後、炉内部の温度が安定するまで長時間待つ必要があるという課題を有している。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、大きな被加熱物に合わせた寸法形状の炉を有する連続式加熱装置であっても小さな被加熱物の加熱処理に切り替える場合に、比較的短時間の待ち時間だけで小さな被加熱物を均一に加熱処理できる連続式加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の連続式加熱装置は、被加熱物を移送経路に沿って相対的に搬送しながら、前記移送経路の上方と下方の内の少なくとも一方から作用する熱によって、搬送中の前記被加熱物を熱処理する加熱装置であって、炉内の前記移送経路を炉幅方向に複数に仕切る仕切りと、前記仕切りを炉幅方向に位置変更させることができる駆動ユニットを設け、前記仕切りによって炉幅方向に仕切られたゾーンを前記移送経路に沿って被加熱物を、相対的に搬送して熱処理することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の連続式加熱装置によれば、炉内の前記移送経路を炉幅方向に複数に仕切る仕切りを、駆動ユニットによって炉幅方向の適切な位置に設定変更して運転することによって、複数の大きさの物体を切り替え時に連続式加熱装置内の温度安定のために長時間待つことなく、被加熱物を均一に加熱処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１における連続式加熱装置の一部切り欠き斜視図
【図２】同実施の形態における搬送方向に沿った断面図
【図３】同実施の形態における炉入口側の側面図
【図４】同実施の形態における（ａ）仕切りの斜視図と（ｂ）仕切りの側面図
【図５】同実施の形態における温度プロファイル
【図６】同実施の形態の連続式加熱装置によって大きな被加熱物を処理する場合の炉入口側の側面図
【図７】本発明の実施の形態２における連続式加熱装置の（ａ）仕切りの斜視図と（ｂ）仕切りの側面図
【図８】本発明の実施の形態３における連続式加熱装置の（ａ）仕切りの斜視図と（ｂ）仕切りを構成する環状体の縦断面図
【図９】本発明の実施の形態４における連続式加熱装置の仕切りの斜視図
【図１０】（ａ）従来例の二層多孔板の断面外略図と（ｂ）従来例の二層多孔板の平面配置概略図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図９に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１〜図６は本発明の実施の形態１の連続式加熱装置を示す。
【００１３】
図１は本発明の実施の形態１における連続式加熱装置の一部切り欠き斜視図、図２はその搬送方向に沿った断面図を示す。
この連続式加熱装置の箱体１は、ムライト（Mullite）や発泡アルミナ等の材料で断熱が施されている。この箱体１の内部には、入口側ＩＮから出口側ＯＵＴに向かって炉長方向（矢印Ｙ方向）に搬送装置２が設けられている。搬送装置２を間に挟んで、前記箱体の天井部には、上部ヒータ３ａ１，３ａ２，・・・，３ａ９が、入口側ＩＮから出口側ＯＵＴに向かって隙間無く並べられている。箱体１の底部には、下部ヒータ３ｂ１，３ｂ２，・・・，３ｂ９が、入口側ＩＮから出口側ＯＵＴに向かって隙間無く並べられている。
【００１４】
搬送装置２と上部ヒータ３ａ１の間には、炉幅方向（矢印Ｘ方向）に炉内を仕切る複数の仕切り４が設けられている。この複数の仕切り４は、駆動ユニットとしての駆動軸５によって格別に支持されており、隣接する仕切り４との間隔等を格別に設定変更することができる。
【００１５】
具体的には、図３は炉入口側の側面図を示す。複数の仕切り４の設定位置は、被加熱物６の大きさが比較的小さい場合を示している。９枚の仕切り４は、両側の被加熱物６の外側と、隣接する被加熱物６の間に介在して、炉幅方向を８個のゾーンＺ１〜Ｚ８に仕切っている。
【００１６】
被加熱物６の大きさが比較的小さい場合とは、具体的には、被加熱物の高さ（炉高方向の矢印Ｚ方向）が仕切り４の１／２以下の場合である。
上記では、上部ヒータ３ａ１に対応して上部ヒータ３ａ１の下方に配置された９枚の仕切り４について説明したが、上部ヒータ３ａ１に隣接した上部ヒータ３ａ２についても、同様に、上部ヒータ３ａ２の下方に９枚の仕切り４が配置されている。上部ヒータ３ａ２に隣接した上部ヒータ３ａ３についても、同様に、上部ヒータ３ａ３の下方に９枚の仕切り４が配置されている。上部ヒータ３ａ２，３ａ３の下方にそれぞれ設けられた９枚の仕切り４も、それぞれの駆動ユニットとしての駆動軸５，５によって、炉幅方向に隣接する仕切り４との間隔等を格別に設定変更することができる。
【００１７】
以上の説明は入口側ＩＮの仕切り４の具体例であったが、出口側ＯＵＴの上部ヒータ３ａ７，３ａ８，３ａ９に対応しても、それぞれ炉幅方向に９枚の仕切り４が配置されている。これらの仕切り４もそれぞれの駆動ユニットとしての駆動軸５，５によって、炉幅方向（矢印Ｘ方向）に隣接する仕切り４との間隔等を格別に設定変更することができる。
【００１８】
この実施の形態では、上部ヒータ３ａ４，３ａ５，３ａ６の下方には仕切り４は設けられていない。全ての仕切り４の先端は、搬送装置２の搬送面には接触していない。
図４（ａ）は仕切りの斜視図、図４（ｂ）は仕切りの側面図を示す。
【００１９】
仕切り４は、内層材料４ａと表層材料４ｂで構成されている。内層材料４ａはステンレス、表面材料４ｂはアルミナを用いている。仕切り４は上部が下部に比べ厚く構成されている。仕切り４の厚さは、上部２０ｍｍ、下部１０ｍｍである。仕切り４の上部を下部より厚くするのは、小さな被加熱物の上部への輻射熱を与える効果を大きくするためである。
【００２０】
このように炉の入口側に炉長方向（矢印Ｙ方向）に９枚の仕切り４からなる３組のユニットを設け、炉の出口側に炉長方向（矢印Ｙ方向）に９枚の仕切り４からなる３組のユニットを設け、炉の炉長方向（矢印Ｙ方向）の中央部には９枚の仕切り４が設けられていないため、上部ヒータ３ａ１〜３ａ３と下部ヒータ３ｂ１〜３ｂ３のグループと、上部ヒータ３ａ４〜３ａ６と下部ヒータ３ｂ４〜３ｂ６のグループと、上部ヒータ３ａ７〜３ａ９と下部ヒータ３ｂ７〜３ｂ９のグループとに分けて通電を制御することによって、図５に示すように、入口側から中央部かけて次第に温度が上昇する昇温区間Ｓａと、温度キープ区間Ｓｂと、中央部から炉の出口側にかけて次第に温度が低下する降温区間Ｓｃの温度プロファイルを実現できる。
【００２１】
したがって、図３に示すように搬送装置２の搬送面に炉幅方向（矢印Ｘ方向）に一定間隔で被加熱物６を載置して、搬送装置２によって、炉長方向（矢印Ｙ方向）に移送することによって、被加熱物６を図５に示した温度プロファイルで熱処理できる。
【００２２】
被加熱物の高さ（矢印Ｚ方向）が仕切り４の１／２より大きい被加熱物６ｂを処理するに際しては、炉幅方向（矢印Ｘ方向）に隣接している仕切り４の間隔を設定変更して、昇温区間Ｓａと降温区間Ｓｃにおいて被加熱物が格別に通過するゾーンの幅を変更する。
【００２３】
具体的には、図６は連続式加熱装置によって大きな被加熱物を処理する場合の炉入口側の側面図を示す。図３に図示した被加熱物６に比べて大きな被加熱物６ｂを図５の温度プロファイルで熱処理するに際しては、昇温区間Ｓａと降温区間Ｓｃの各駆動軸５を運転して、仕切り４の間隔を変更する。被加熱物が大きくなった場合には、搬送装置２の搬送面に炉幅方向（矢印Ｘ方向）に一度に載置できる被加熱物の数が、図３に示した場合に比べて少なくなる。図６の場合には、適当数の被加熱物６ｂを搬送装置２の搬送面に載置できるように、全ての仕切り４を炉幅方向（矢印Ｘ方向）に移動させる。使用しない仕切り４については、ここでは炉幅方向（矢印Ｘ方向）の外側に移動させられている。
【００２４】
図３に示したように、被加熱物６の大きさが比較的小さい場合、被加熱物６と上部ヒータ３ａとの距離が離れており、被加熱物６の上部への上部ヒータ３ａからの輻射熱が十分ではないため、仕切り４の上部から被加熱物６への輻射熱により熱を与えることで加熱量を補っている。搬送装置２上に配置された被加熱物６を１個ずつ仕切り４にて仕切っている。ここでは被加熱物６を仕切り４にて１個ずつ仕切っているが、被加熱物６が仕切り４に対し更に小さい、例えば、仕切り４の高さの１／３以下の場合、もしくは、被加熱物６のＹ方向での配置間隔が非常に広い、例えば被加熱物６に対する被加熱物６の配置間隔が２倍以上の場合、仕切り４からの輻射熱が被加熱物６の側面（図３におけるＹ−Ｚ面）に与えられるため、２個以上で仕切っても良い。
【００２５】
被加熱物６よりも大きな被加熱物６ｂを処理している図６の場合でも、被加熱物６ｂを１個ずつ仕切り４にて仕切っているが、２個以上で仕切っても良い。
図３と図６の場合には、仕切り４としては同一のものを用いており、仕切り４の位置と数が異なっているが、これは仕切り４が可動式であり、被加熱物６ｂの大きさにより配置を変更させていることによる。使用しない仕切り４は箱体１内で、水平方向へ移動させることで被加熱物６もしくは被加熱物６ｂが搬送される範囲にかからない位置へ移動させる。また、仕切り４の高さは、大きな被加熱物６ｂよりも高くなっており、箱体１で加熱処理される被加熱物６，６ｂの全てより高くなっている。
【００２６】
上部加熱ヒータ３ａおよび、下部加熱ヒータ３ｂの温度制御設定値については、最も大きな被加熱物に合わせて設定し、被加熱物の大きさ変更の際に、仕切り４を移動させる。
かかる構成によれば、仕切り４が上部加熱ヒータ３ａ、下部加熱ヒータ３ｂから得られる輻射熱により加熱されることにより高温となり、被加熱物６，６ｂに対し側面から輻射熱を与えることができる。これにより、上部加熱ヒータ３ａおよび、下部加熱ヒータ３ｂからの上下面からの輻射熱で加熱しにくい、被加熱物の側面部を加熱することができ、それにより被加熱物６，６ｂの温度バラツキを抑制できる。
【００２７】
被加熱物６ｂのような大きな被加熱物では側面部の加熱による効果が得られるが、被加熱物６のような小さな被加熱物では、仕切り４が存在しない場合、上部ヒータ３ａとの距離が遠くなるため、温度制御設定値が所望の温度プロファイルに対し低くなってしまうが、仕切り４を配置することにより、輻射熱を与える熱源が近くなると共に、側面を加熱することが可能となるため、大きな被加熱物と同じ温度制御設定値にて加熱が可能となる。また、仕切り４の上部が下部に比較して厚いことで、被加熱物６に対し上部から輻射熱を与える効果が大きくなっている。
【００２８】
通常、被加熱物６，６ｂの大きさにより、上部加熱ヒータ３ａおよび、下部加熱ヒータ３ｂの温度制御設定値を変更し、箱体１内の温度安定まで長時間の待機時間が必要であるが、本構成により仕切り４は、使用していないものについても連続式加熱装置内の同じヒータ区間内に存在するため、常に温度制御設定値に近い温度になっている。これにより、仕切り４の移動を含めても被加熱物の大きさ変更における温度安定時間が大幅に短縮できる。
【００２９】
また、温度キープ区間Ｓｂにおいて仕切り４が配置されていないが、これは温度キープ区間Ｓｂにおいて、被加熱物６，６ｂは、昇温区間Ｓａにおいて所望の温度まで昇温され、温度も均一化されているため、仕切り４による輻射熱による効果が現れないためである。そのため、昇温区間Ｓａおよび、降温区間Ｓｃが短くなれば、仕切り４が配置される区間は短くなり、また、温度キープ区間が存在しない場合は、箱体１内の全ての区間に仕切り４が配置されることになる。
【００３０】
ここで、本実施の形態１では、仕切り４が駆動軸５にて上部加熱ヒータ３ａと被加熱物６，６ｂとの間で把持されているが、駆動軸が上部加熱ヒータ３ａもしくは箱体１の断熱材の上部に配置され、仕切り４を吊り下げる構成としてもよい。
【００３１】
本実施の形態１では内層材料４ａが上部から下部まで貫通した構成としているが、下部を表面材料４ｂで覆う構成としても良い。また、内層材料４ａはステンレスを用いているが、アルミニウムやインコネル等、伝熱の良い金属を使用温度に合わせて使用してもよい。表面材料４ｂはアルミナを用いているが、ジルコニア等、他のセラミックスを使用してもよい。また、内層材料４ａと表面材料４ｂで異なる材料を用いているが、同じ材料を用いてもよい。また、本実施の形態１では仕切り４の箱体１の搬送方向と垂直かつ水平方向の面を平面としているが、凹状の曲面としても良い。これにより、被加熱物６，６ｂの上部への輻射熱を与える効果が大きくなる。
【００３２】
このように、実施の形態１の連続式加熱装置は、複数の大きさの物体を加熱する際に加熱条件を変更する待ち時間が少なく均一加熱することができる構成を有し、加熱温度が比較的低温である乾燥やエージングだけでなく、加熱温度が高温となる焼成の用途にも適用できる。
【００３３】
（実施の形態２）
図７（ａ）（ｂ）は本発明の連続式加熱装置における仕切り４の別の例を示す。
実施の形態１の仕切り４に比べてこの実施の形態２の仕切り４には、直径１０ｍｍ程度の貫通孔４ｃが穿設されている。具体的には、仕切り４のＹ−Ｚ面での外周部３０ｍｍより内側で、３０ｍｍ間隔で鉛直方向、水平方向に等間隔で配置されている。これにより、貫通孔４ｃが仕切り４のＹ−Ｚ面に占める割合は約１０％となっている。その他は実施の形態１と同じである。
【００３４】
仕切り４に貫通孔４ｃが配置されることにより、仕切り間での箱体１内の気体の移動が可能となり、Ｘ方向の温度バラツキを抑制することができる。
箱体１内で、被加熱物６，６ｂの温度を上昇させる昇温区間Ｓａにおいて前述の効果が得られるが、同様に被加熱物６，６ｂの温度を低下させる降温区間Ｓｃにおいても、被加熱物６，６ｂは上部加熱ヒータ３ａおよび、下部加熱ヒータ３ｂによる輻射熱を受けており同様の効果が得られる。
【００３５】
実施の形態１では、仕切り４が全て同じものとしているが、箱体１の箱体に近い仕切りについては、貫通孔４ｃの配置を少なくするもしくは、貫通孔４ｃの大きさを小さくすることにより、仕切り４の開口比率を小さくする構成とするのが好ましい。これにより、箱体１の箱体側面からの放熱を抑制し、箱体１内のＸ方向の温度バラツキを低減できる。仕切り４の厚さを上部で２０ｍｍ、下部で１０ｍｍとしているが、箱体１の内部の大きさ、被加熱物６，６ｂの大きさにより変更してもよい。また、仕切り４のＹ方向の分割を上部ヒータ３ａ、下部ヒータ３ｂの分割に合わせているが、これは上部ヒータ３ａ、下部ヒータ３ｂの温度制御区間を跨いで配置されることによる箱体１内のＹ方向の温度制御安定性低下を考慮しているからであるため、上部ヒータ３ａ、下部ヒータ３ｂの分割区間を跨がない状態でこれより小さな区間で分割してもよい。
【００３６】
また、貫通孔４ｃを仕切り４に穿設する場合に、その配置について、仕切り４のＹ−Ｚ面での外周部３０ｍｍより内側で、３０ｍｍ間隔で鉛直方向、水平方向に等間隔で配置しているが、仕切り４の強度に問題ない範囲で、Ｙ−Ｚ面での外周部３０ｍｍより外側に配置してもよく、間隔も近くしてもよい。
【００３７】
また、貫通孔４ｃは四角形状で一辺を１０ｍｍ程度としているが、箱体１内部のＸ方向における温度ばらつきと、仕切り４による被加熱物６，６ｂへの輻射熱を与える効果により、１０ｍｍを基準として変更してもよい。例えば、箱体１内部のＸ方向における温度ばらつきがほとんど無い場合は貫通孔４ｃの一辺を５ｍｍなど小さくしてもよく、また、貫通孔４ｃは四角形状でなく、円形状等に変更してもよい。これにより、貫通孔４ｃが仕切り４のＹ−Ｚ面に占める割合を変更することになる。この割合に制限はないが、箱体１内部のＸ方向における温度ばらつきを抑制しつつ、仕切り４による輻射熱による効果を十分に得るためには、貫通孔４ｃが仕切り４のＹ−Ｚ面に占める割合を５〜３０％とすることが好ましい。
【００３８】
例えば、セラミックスを所望の温度１０００℃として上部加熱ヒータ３ａと下部加熱ヒータ３ｂの制御温度を一定として焼成を行った際、昇温時にセラミックス被焼成体の中心と表面で最大約５０℃であった温度ばらつきを、昇温が遅い、小さな被加熱物６では上部、大きな被加熱物６ｂでは側面部を早く昇温することができることで、中心部の昇温も早くなり、結果として、所定の温度プロファイルの熱処理を施すに要する時間を約１／２とすることができた。
【００３９】
（実施の形態３）
図８（ａ）と図８（ｂ）は、実施の形態３の連続式加熱装置に使用する仕切りを示している。実施の形態１の仕切り４は板状体であったが、この実施の形態２では仕切り４が複数本の鎖状体７で構成されている点が異なっている。その他は実施の形態１と同じである。
【００４０】
この実施の形態３の仕切り４は、環状体７ｂを連結して１本の鎖状体７を構成し、これを炉長方向（矢印Ｙ方向）に複数本だけ並べて構成されている。前記鎖状体は、上端から下端まで環状体７ｂの大きさはおなじもので構成されている。
【００４１】
環状体７ｂは図８（ｂ）に示すように、内層材料７ｃおよび表層材料７ｄで構成されている。内層材料７ｃはステンレス、表面材料７ｄはアルミナを用いている。
このように鎖状体で構成した仕切り４を使用した場合には、仕切り間での箱体１内の気体の移動が可能となり、炉幅方向（矢印Ｘ方向）の温度バラツキを抑制できる。
【００４２】
内層材料７ｃとしては、ステンレス、アルミニウム、インコネル等、伝熱の良い金属を使用温度に合わせて使用する。表面材料７ｄはアルミナ、ジルコニア等、他のセラミックスを使用してもよい。内層材料７ｃと表面材料７ｄとして異なる材料を用いても、同じ材料を用いてもよい。
【００４３】
なお、環状体７ｂを連結した複数本の鎖状体を並べて構成される仕切り４は、箱体１の箱体側面に近い仕切りと箱体１の箱体の炉幅方向（矢印Ｘ方向）の中央付近とで同じものを使用しても良いが、箱体１の箱体側面に近い仕切りについては、環状体７ｂの輪の大きさを小さくするもしくは、輪の太さを大きくすることにより、仕切り４の開口比率を小さくする構成とするのが好ましい。これにより、箱体１の箱体側面からの放熱を抑制し、箱体１内の炉幅方向（矢印Ｘ方向）の温度バラツキを低減できる。
【００４４】
（実施の形態４）
図９は、実施の形態４の連続式加熱装置に使用する仕切りを示している。
実施の形態３の仕切り４は各鎖状体が上端から下端まで環状体７ｂの大きさはおなじもので構成されていたが、この実施の形態４では、図９に示すように上部の環状体７ｂの大きさを下部の環状体７ｂよりも大きくしている。
【００４５】
上部の環状体７ｂの大きさを下部の環状体７ｂよりも大きくするとは、具体的には、仕切り４の高さが４００ｍｍの場合に、環状体７ｂの太さは１０ｍｍ、環の長さは上部で１５０ｍｍ、下部で１００ｍｍとしている。その他は実施の形態３と同じである。
【００４６】
このように上部と下部の環状体７ｂの大きさ変更した仕切り４の場合には、被加熱物６，６ｂの上部と仕切り４との距離が、被加熱物６，６ｂの下部と仕切り４との距離よりも小さくなることにより、被加熱物６，６ｂの上部への輻射熱を与える効果が大きくなる。
【００４７】
被加熱物６ｂの様な大きな被加熱物では側面部の加熱による効果が得られるが、被加熱物６の様な小さな被加熱物では、仕切り４が存在しない場合、加熱ヒータ３ａとの距離が遠くなるため、温度制御設定値が所望の温度プロファイルに対し低くなってしまうが、仕切り４を配置することにより、輻射熱を与える熱源が近くなると共に、側面を加熱することが可能となるため、大きな被加熱物と同じ温度制御設定値にて加熱が可能となる。
【００４８】
環状体７ｂの鎖の太さは１０ｍｍ、環の長さは上部で１５０ｍｍ、下部で１００ｍｍとしているが、鎖の太さ及び、環の長さはこれに限らず、箱体１内部のＸ方向における温度ばらつきと、仕切り４による被加熱物６，６ｂへの輻射熱を与える程度に応じて変更してもよい。
【００４９】
本実施の形態４により、例えばセラミックスを所望の温度１０００℃として上部加熱ヒータ３ａと下部加熱ヒータ３ｂの制御温度を一定として焼成を行った際、昇温時にセラミックス被焼成体の中心と表面で最大約５０℃であった温度ばらつきを、昇温が遅い、小さな被加熱物６では上部、大きな被加熱物６ｂでは側面部を早く昇温することができることで、中心部の昇温も早くなり、結果として、所定の温度プロファイルの熱処理を施すに要する時間を約１／２とすることができた。
【００５０】
なお、実施の形態３，４において、環状体７ｂを連結した複数本の鎖状体を並べて構成される仕切り４は、箱体１の箱体側面に近い仕切りと箱体１の箱体の炉幅方向（矢印Ｘ方向）の中央付近とで同じものを使用しても良いが、箱体１の箱体側面に近い仕切りについては、環状体７ｂの輪の大きさを小さくするもしくは、輪の太さを大きくすることにより、仕切り４の開口比率を小さくする構成とするのが好ましい。これにより、箱体１の箱体側面からの放熱を抑制し、箱体１内のＸ方向の温度バラツキを低減できる。
【００５１】
上記の各実施の形態では、炉内を被加熱物の搬送方向と平行かつ鉛直方向に仕切る複数の可動式の仕切り４を配置し、複数の大きさの被加熱物を切り替え時に連続式加熱装置内の温度安定のために長時間待つことなく均一に加熱処理したが、炉内を被加熱物の搬送方向と平行かつ鉛直方向に仕切る仕切り４の数は、一度に搬送する被加熱物の炉幅方向の数に応じて、少なくとも１つであれば実施できる。
【００５２】
上記の各実施の形態では搬送装置２の搬送路の上方から上部加熱ヒータ３ａ１〜３ａ９によって被加熱物６，６ｂを加熱し、搬送装置２の搬送路の下方から下部加熱ヒータ３ｂ１〜３ｂ９によって加熱したが、搬送装置２の搬送路の上方または下方から被加熱物６，６ｂを加熱する場合にも適用できる。
【００５３】
なお、上記では、被加熱物を搬送することで、仕切りによって炉幅方向に仕切られたゾーンを、通過させる例を示したが、仕切りによって炉幅方向に仕切られたゾーンに対して、被加熱物が相対的に移動されればよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、加熱温度が比較的低温である乾燥やエージングだけでなく、加熱温度が高温となる焼成などの用途にも適用できる。
【符号の説明】
【００５５】
１    箱体
２    搬送装置
Ｘ    炉幅方向
Ｙ    炉長方向
Ｚ    炉高方向
３ａ１〜３ａ９    上部ヒータ
３ｂ１〜３ｂ９    下部ヒータ
４    仕切り
５    駆動軸
Ｓａ    昇温区間
Ｓｂ    温度キープ区間
Ｓｃ    降温区間
６    小さな被加熱物
６ｂ    大きな被加熱物
４ａ    内層材料
４ｂ    表面材料
４ｃ    貫通孔
７ｃ    内層材料
７ｄ    表面材料
７ｂ    環状体
【図１】
0005938710.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005938710.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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