(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。
【化１】
0005989000.tif 000131
（前記一般式（１）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
である。
ただし、前記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ６が、下記一般式（２）で表される。）
【化２】
0005989000.tif 000132
（前記一般式（２）において、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基の二価の残基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基の二価の残基
である。
前記一般式（２）において、Ａｒ１は、下記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基である。）
【化３】
0005989000.tif 000133
（前記一般式（４）において、Ｘは、酸素原子または硫黄原子である。
前記一般式（４）において、Ｒ１１からＲ１８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
である。
前記一般式（４）において、Ｒ１１が、Ｌ１に対して結合する単結合であり、
Ｒ１２からＲ１８までのうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であり、
Ｒ１８は、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
ただし、前記一般式（４）において、Ｒ１２からＲ１８までのうち少なくとも一つが無置換のメチル基である場合、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７またはＲ１８が前記無置換のメチル基である。
前記一般式（４）において、Ｒ１２およびＲ１３、Ｒ１３およびＲ１４、Ｒ１５およびＲ１６、並びにＲ１６およびＲ１７の組合せのうち、少なくともいずれか一つの組合せで飽和または不飽和の環を形成しても良い。
前記一般式（２）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基
である。
ただし、Ａｒ２が、前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基であるときは、Ａｒ２における前記一般式（４）中、
Ｘは、酸素原子または硫黄原子であり、
Ｒ１１からＲ１８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
であり、
Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であり、
ただし、Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つが無置換のメチル基である場合、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７またはＲ１８が前記無置換のメチル基であり、
Ｒ１１からＲ１８までのうち一つは、Ｌ２に対して結合する単結合であり、
Ｒ１１およびＲ１２、Ｒ１２およびＲ１３、Ｒ１３およびＲ１４、Ｒ１５およびＲ１６、Ｒ１６およびＲ１７並びにＲ１７およびＲ１８の組合せのうち、少なくともいずれか一つの組合せで飽和または不飽和の環を形成しても良い。）
【請求項２】
請求項１に記載の芳香族アミン誘導体において、
Ａｒ２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である
ことを特徴とする芳香族アミン誘導体。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の芳香族アミン誘導体において、
前記一般式（２）におけるＬ１、Ｌ２およびＬ３がいずれも単結合である
ことを特徴とする芳香族アミン誘導体。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項５】
陰極と、有機化合物層と、陽極とをこの順に備え、
前記有機化合物層は、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機化合物層は、発光層を含む複数の有機薄膜層を備え、
前記複数の有機薄膜層のうち少なくとも一つの層は、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体を含む
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記複数の有機薄膜層のうち少なくとも一つの層は、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の芳香族アミン誘導体と、下記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体とを含む
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化４】
0005989000.tif 000134
（前記一般式（２０）において、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、または
前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基
である。
前記一般式（２０）において、Ｒ１０１からＲ１０８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、
前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、または
置換もしくは無置換のシリル基
である。）
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２の一方が、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基であり、他方が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基およびジベンゾフラニル基から選択され、Ａｒ１１が、置換もしくは無置換のフェニル基、または、置換もしくは無置換のフルオレニル基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であり、Ａｒ１１が、無置換のフェニル基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１が、無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略記する場合がある。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層および該発光層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。【０００３】
有機ＥＬ用発光材料の改良により有機ＥＬ素子の性能は徐々に改善されてきている。特に青色有機ＥＬ素子の色純度向上（発光波長の短波長化）はディスプレイの色再現性向上につながる重要な技術である。
特許文献１には、アミノ基を置換基として２つ有する縮合芳香族炭化水素基をドーパント材料として用いることが開示されている。
また、特許文献２には、ジベンゾフランを有するジアミノピレンドーパント、並びに該ドーパント材料とアントラセンホスト材料との組合せが開示されている。
さらに、特許文献３には、ジベンゾフラン及びジベンゾチオフェンの２位又は４位と窒素原子が直結した構造を有するジアミノピレンドーパントが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８４５１２号
【特許文献２】国際公開第２０１０／１２２８１０号
【特許文献３】特開２０１１―２３１１０８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、色純度が高く、高効率な青色発光を得ることが可能な有機ＥＬ素子、当該有機ＥＬ素子の有機薄膜層に用いることができる芳香族アミン誘導体、および当該芳香族アミン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、以下の芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料および有機エレクトロルミネセンス素子が提供される。【０００７】
［１］下記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体。【０００８】
【化１】
0005989000.tif 000002
【０００９】
（前記一般式（１）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
である。
ただし、前記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ６が、下記一般式（２）で表される。）【００１０】
【化２】
0005989000.tif 000003
【００１１】
（前記一般式（２）において、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基の二価の残基、または
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基の二価の残基
である。
前記一般式（２）において、Ａｒ１は、下記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基である。）【００１２】
【化３】
0005989000.tif 000004
【００１３】
（前記一般式（４）において、Ｘは、酸素原子または硫黄原子である。
前記一般式（４）において、Ｒ１１からＲ１８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
である。
前記一般式（４）において、Ｒ１１が、Ｌ１に対して結合する単結合であり、
Ｒ１２からＲ１８までのうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であり、
Ｒ１８は、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。
ただし、前記一般式（４）において、Ｒ１２からＲ１８までのうち少なくとも一つが無置換のメチル基である場合、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７またはＲ１８が前記無置換のメチル基である。
前記一般式（４）において、Ｒ１２およびＲ１３、Ｒ１３およびＲ１４、Ｒ１５およびＲ１６、並びにＲ１６およびＲ１７の組合せのうち、少なくともいずれか一つの組合せで飽和または不飽和の環を形成しても良い。
前記一般式（２）において、Ａｒ２は、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または
前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基
である。
ただし、Ａｒ２が、前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基であるときは、Ａｒ２における前記一般式（４）中、
Ｘは、酸素原子または硫黄原子であり、
Ｒ１１からＲ１８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
であり、
Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であり、
ただし、Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つが無置換のメチル基である場合、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７またはＲ１８が前記無置換のメチル基であり、
Ｒ１１からＲ１８までのうち一つは、Ｌ２に対して結合する単結合であり、
Ｒ１１およびＲ１２、Ｒ１２およびＲ１３、Ｒ１３およびＲ１４、Ｒ１５およびＲ１６、Ｒ１６およびＲ１７並びにＲ１７およびＲ１８の組合せのうち、少なくともいずれか一つの組合せで飽和または不飽和の環を形成しても良い。）
【００１６】
［４］前述した本発明のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体において、
Ａｒ２が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基であることを特徴とする芳香族アミン誘導体。
［５］前述した本発明の芳香族アミン誘導体において、
前記一般式（２）におけるＬ１、Ｌ２およびＬ３がいずれも単結合であることを特徴とする芳香族アミン誘導体。【００１７】
［６］前述した本発明の芳香族アミン誘導体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
［７］陰極と、有機化合物層と、陽極とをこの順に備え、前記有機化合物層は、前述した本発明の芳香族アミン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１８】
［８］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記有機化合物層は、発光層を含む複数の有機薄膜層を備え、
前記複数の有機薄膜層のうち少なくとも一つの層は、前述した本発明のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１９】
［９］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記複数の有機薄膜層のうち少なくとも一つの層は、前述した本発明のいずれかに記載の芳香族アミン誘導体と、下記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２０】
【化４】
0005989000.tif 000005
【００２１】
（前記一般式（２０）において、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、または
前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基
である。
前記一般式（２０）において、Ｒ１０１からＲ１０８までは、それぞれ独立に、
水素原子、
ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、
置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、
前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、または
置換もしくは無置換のシリル基
である。）
【００２２】
［１０］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２３】
［１１］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２の一方が、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基であり、他方が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２４】
［１２］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基およびジベンゾフラニル基から選択され、Ａｒ１１が、置換もしくは無置換のフェニル基、または、置換もしくは無置換のフルオレニル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２５】
［１３］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であり、Ａｒ１１が、無置換のフェニル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２６】
［１４］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２７】
［１５］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２８】
［１６］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１が、無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２９】
［１７］前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子において、
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３０】
本発明によれば、色純度が高く、高効率な青色発光を得ることが可能な有機ＥＬ素子、当該有機ＥＬ素子の有機薄膜層に用いることができる芳香族アミン誘導体、および当該芳香族アミン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第一実施形態にかかる有機ＥＬ素子の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
〔芳香族アミン誘導体〕
本発明の芳香族アミン誘導体は、前記一般式（１）で表される。
前記一般式（１）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０について次に説明する。
前記一般式（１）において、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、
水素原子、ハロゲン原子、
シアノ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２〜３０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の炭素数３〜３０のアルキルシリル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアラルキル基、または
置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基
である。
【００３３】
前記一般式（１）における環形成炭素数６〜３０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ［ａ］アントリル基、ベンゾ［ｃ］フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾ［ｋ］フルオランテニル基、ベンゾ［ｇ］クリセニル基、ベンゾ［ｂ］トリフェニレニル基、ピセニル基、ペリレニル基が挙げられる。
前記一般式（１）におけるアリール基としては、環形成炭素数が６〜２０であることが好ましく、より好ましくは６〜１２であることが好ましい。上記アリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ターフェニル基、フルオレニル基が特に好ましい。１−フルオレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基および４−フルオレニル基については、９位の炭素原子に、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基が置換されていることが好ましく、９位の炭素原子に二つのメチル基が置換されていることがより好ましい。
【００３４】
前記一般式（１）における環形成原子数５〜３０の複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリニル基、ナフチリジニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、キナゾリニル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、ベンズイミダゾリル基、インダゾリル基、イミダゾピリジニル基、ベンズトリアゾリル基、カルバゾリル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イソキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ピペリジニル基、ピロリジニル基、ピペラジニル基、モルホリル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基などが挙げられる。
前記一般式（１）における複素環基の環形成原子数は、５〜２０であることが好ましく、５〜１４であることがさらに好ましい。上記複素環基の中でも１−ジベンゾフラニル基、２−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基、４−ジベンゾフラニル基、１−ジベンゾチオフェニル基、２−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基、４−ジベンゾチオフェニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基が好ましい。１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基および４−カルバゾリル基については、９位の窒素原子に、前記一般式（１）における置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基が置換されていることが好ましい。
【００３５】
前記一般式（１）における炭素数１〜３０のアルキル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよい。直鎖または分岐鎖のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ネオペンチル基、アミル基、イソアミル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−ペンチルヘキシル基、１−ブチルペンチル基、１−ヘプチルオクチル基、３−メチルペンチル基が挙げられる。
前記一般式（１）における直鎖または分岐鎖のアルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがさらに好ましい。上記直鎖または分岐鎖のアルキル基の中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、アミル基、イソアミル基、ネオペンチル基が好ましい。
前記一般式（１）におけるシクロアルキル基の環形成炭素数は、３〜１０であることが好ましく、５〜８であることがさらに好ましい。上記シクロアルキル基の中でも、シクロペンチル基やシクロヘキシル基が好ましい。
アルキル基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルキル基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。具体的には、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、フルオロエチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙げられる。
【００３６】
前記一般式（１）における炭素数２〜３０のアルケニル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、スチリル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、シクロペンタジエニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基等が挙げられる。
【００３７】
前記一般式（１）における炭素数２〜３０のアルキニル基としては、直鎖、分岐鎖又は環状のいずれであってもよく、例えば、エチニル、プロピニル、２−フェニルエチニル等が挙げられる。
【００３８】
前記一般式（１）における炭素数３〜３０のアルキルシリル基としては、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を有するトリアルキルシリル基が挙げられ、具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリ−ｎ−オクチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ジメチルエチルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジメチル−ｎ−プロピルシリル基、ジメチル−ｎ−ブチルシリル基、ジメチル−ｔ−ブチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。トリアルキルシリル基における３つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００３９】
前記一般式（１）における環形成炭素数６〜３０のアリールシリル基としては、ジアルキルアリールシリル基、アルキルジアリールシリル基、トリアリールシリル基が挙げられる。
ジアルキルアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を２つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を１つ有するジアルキルアリールシリル基が挙げられる。ジアルキルアリールシリル基の炭素数は、８〜３０であることが好ましい。２つのアルキル基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
アルキルジアリールシリル基は、例えば、上記炭素数１〜３０のアルキル基で例示したアルキル基を１つ有し、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を２つ有するアルキルジアリールシリル基が挙げられる。アルキルジアリールシリル基の炭素数は、１３〜３０であることが好ましい。２つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
トリアリールシリル基は、例えば、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基を３つ有するトリアリールシリル基が挙げられる。トリアリールシリル基の炭素数は、１８〜３０であることが好ましい。３つのアリール基は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【００４０】
前記一般式（１）における炭素数１〜２０のトリフルオロアルキル基は、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基が挙げられる。
前記一般式（１）における炭素数１〜３０のアルコキシ基は、−ＯＹ１と表される。このＹ１の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基が挙げられる。
アルコキシ基がハロゲン原子で置換されたハロゲン化アルコキシ基としては、例えば、上記炭素数１〜３０のアルコキシ基が１以上のハロゲン基で置換されたものが挙げられる。
【００４１】
前記一般式（１）における環形成炭素数６〜３０のアラルキル基は、−Ｙ２−Ｚ１と表される。このＹ２の例として、上記炭素数１〜３０のアルキル基に対応するアルキレン基が挙げられる。このＺ１の例として、上記環形成炭素数６〜３０のアリール基の例が挙げられる。このアラルキル基は、炭素数７〜３０アラルキル基（アリール部分は炭素数６〜３０、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）、アルキル部分は炭素数１〜３０（好ましくは１〜２０、より好ましくは１〜１０、さらに好ましくは１〜６）であることが好ましい。このアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、２−フェニルプロパン−２−イル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基が挙げられる。
【００４２】
前記一般式（１）における環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基は、−ＯＺ２と表される。このＺ２の例として、上記環形成炭素数６〜３０アリール基または後述する単環基および縮合環基が挙げられる。このアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基が挙げられる。
【００４３】
前記一般式（１）におけるハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
【００４４】
本発明において、「環形成炭素」とは飽和環、不飽和環、又は芳香環を構成する炭素原子を意味する。「環形成原子」とはヘテロ環（飽和環、不飽和環、および芳香環を含む）を構成する炭素原子およびヘテロ原子を意味する。
【００４５】
また、「置換もしくは無置換の」という場合における置換基としては、上述のようなアリール基、複素環基、アルキル基（直鎖または分岐鎖のアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン化アルキル基）、アルケニル基、アルキニル基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、シアノ基に加え、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシ基等が挙げられる。ここで挙げた置換基の中では、アリール基、複素環基、アルキル基、ハロゲン原子、アルキルシリル基、アリールシリル基、シアノ基が好ましく、さらには、各置換基の説明において好ましいとした具体的な置換基が好ましい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは、前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
以下に説明する化合物またはその部分構造において、「置換もしくは無置換の」という場合についても、上記と同様である。
本発明において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）、を包含する。
【００４６】
前記一般式（１）において、Ｒ１およびＲ６が、前記一般式（２）で表される。
前記一般式（２）において、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基の二価の残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基の二価の残基であり、Ｌ１、Ｌ２およびＬ３がいずれも単結合であることが好ましい。
環形成炭素数６〜３０のアリール基の二価の残基は、前記一般式（１）のＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０における環形成炭素数６〜３０アリール基から誘導される二価の基が挙げられる。
環形成原子数５〜３０の複素環基の二価の残基は、前記一般式（１）のＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０における環形成原子数５〜３０の複素環基から誘導される二価の基が挙げられる。
【００４７】
前記一般式（２）において、Ａｒ１は、前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基である。
【００４８】
前記一般式（４）において、Ｘは、酸素原子または硫黄原子であり、酸素原子であることが好ましい。
前記一般式（４）において、Ｒ１１からＲ１８までは、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０にて説明したものと同様である。
前記一般式（４）において、Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つは、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基である。ただし、前記一般式（４）において、Ｒ１１からＲ１８までのうち少なくとも一つが無置換のメチル基である場合、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１７またはＲ１８が前記無置換のメチル基である。
置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基としては、前記一般式（１）のＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０において説明したものが挙げられる。
また、Ｒ１１からＲ１８までのうち、一つは、Ｌ１に対して結合する単結合である。
このように、Ｒ１１からＲ１８までのうち、一つが単結合である場合の前記一般式（４）の構造は、例えば、次の一般式（４Ａ）から一般式（４Ｄ）までの通りである。ここで、一般式（４Ａ）は、一般式（４）におけるＲ１１の部分が、単結合であることを示すものであり、メチル基であること示すものではない。この点は、他の一般式（４Ｂ）から一般式（４Ｄ）についても同様である。これらの中で、Ｒ１１が単結合となった場合の一般式（４Ａ）が好ましい。
また、一般式（４Ａ）においてＲ１８が置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましい。さらに、好ましくは、R１２からＲ１７までは水素原子である。
【００４９】
【化５】
0005989000.tif 000006
【００５０】
前記一般式（４）において、Ｒ１１およびＲ１２、Ｒ１２およびＲ１３、Ｒ１３およびＲ１４、Ｒ１５およびＲ１６、Ｒ１６およびＲ１７並びにＲ１７およびＲ１８の組合せのうち、少なくともいずれか一つの組合せで飽和または不飽和の環を形成しても良い。前記一般式（４）において、このような環を形成しても良い場合の例として、下記一般式（４Ｅ）、（４Ｆ）および（４Ｇ）が挙げられる。下記一般式（４Ｅ）、（４Ｆ）および（４Ｇ）において、Ｒ１１からＲ２０までは、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＲ２からＲ５までおよびＲ７からＲ１０までにて説明したものと同様である。ただし、下記一般式（４Ｅ）、（４Ｆ）および（４Ｇ）において、Ｒ１１からＲ２０までうち、一つは、Ｌ１に対して結合する単結合である。
【００５１】
【化６】
0005989000.tif 000007
【００５２】
前記一般式（２）において、Ａｒ２は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の複素環基、または前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基であり、環形成炭素数６〜３０のアリール基であることが好ましい。
Ａｒ２のアリール基および複素環基は、前記一般式（１）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０にて説明したものと同様である。また、Ａｒ２が、前記一般式（４）で表される環構造から誘導される一価の残基であるときは、Ｒ１１からＲ１８までのうち、一つは、Ｌ２に対して結合する単結合である。また、Ａｒ２が、前記一般式（４Ｅ）、（４Ｆ）および（４Ｇ）のいずれかで表される場合、前記一般式（４Ｅ）、（４Ｆ）および（４Ｇ）におけるＲ１１からＲ２０までうち、一つは、Ｌ２に対して結合する単結合である。
【００５３】
本発明の芳香族アミン誘導体の具体的な構造としては、例えば、次のようなものが挙げられる。但し、本発明は、これらの構造の芳香族アミン誘導体に限定されない。
【００５４】
【化７】
0005989000.tif 000008
【００５５】
【化８】
0005989000.tif 000009
【００５６】
【化９】
0005989000.tif 000010
【００５７】
【化１０】
0005989000.tif 000011
【００５８】
【化１１】
0005989000.tif 000012
【００５９】
【化１２】
0005989000.tif 000013
【００６０】
【化１３】
0005989000.tif 000014
【００６１】
【化１４】
0005989000.tif 000015
【００６２】
【化１５】
0005989000.tif 000016
【００６３】
【化１６】
0005989000.tif 000017
【００６４】
【化１７】
0005989000.tif 000018
【００６５】
【化１８】
0005989000.tif 000019
【００６６】
【化１９】
0005989000.tif 000020
【００６７】
【化２０】
0005989000.tif 000021
【００６８】
【化２１】
0005989000.tif 000022
【００６９】
【化２２】
0005989000.tif 000023
【００７０】
【化２３】
0005989000.tif 000024
【００７１】
【化２４】
0005989000.tif 000025
【００７２】
【化２５】
0005989000.tif 000026
【００７３】
【化２６】
0005989000.tif 000027
【００７４】
【化２７】
0005989000.tif 000028
【００７５】
【化２８】
0005989000.tif 000029
【００７６】
【化２９】
0005989000.tif 000030
【００７７】
【化３０】
0005989000.tif 000031
【００７８】
【化３１】
0005989000.tif 000032
【００７９】
【化３２】
0005989000.tif 000033
【００８０】
【化３３】
0005989000.tif 000034
【００８１】
【化３４】
0005989000.tif 000035
【００８２】
【化３５】
0005989000.tif 000036
【００８３】
【化３６】
0005989000.tif 000037
【００８４】
【化３７】
0005989000.tif 000038
【００８５】
【化３８】
0005989000.tif 000039
【００８６】
【化３９】
0005989000.tif 000040
【００８７】
【化４０】
0005989000.tif 000041
【００８８】
【化４１】
0005989000.tif 000042
【００８９】
【化４２】
0005989000.tif 000043
【００９０】
【化４３】
0005989000.tif 000044
【００９１】
【化４４】
0005989000.tif 000045
【００９２】
【化４５】
0005989000.tif 000046
【００９３】
【化４６】
0005989000.tif 000047
【００９４】
【化４７】
0005989000.tif 000048
【００９５】
【化４８】
0005989000.tif 000049
【００９６】
【化４９】
0005989000.tif 000050
【００９７】
【化５０】
0005989000.tif 000051
【００９８】
【化５１】
0005989000.tif 000052
【００９９】
【化５２】
0005989000.tif 000053
【０１００】
【化５３】
0005989000.tif 000054
【０１０１】
【化５４】
0005989000.tif 000055
【０１０２】
【化５５】
0005989000.tif 000056
【０１０３】
【化５６】
0005989000.tif 000057
【０１０４】
【化５７】
0005989000.tif 000058
【０１０５】
【化５８】
0005989000.tif 000059
【０１０６】
【化５９】
0005989000.tif 000060
【０１０７】
【化６０】
0005989000.tif 000061
【０１０８】
【化６１】
0005989000.tif 000062
【０１０９】
【化６２】
0005989000.tif 000063
【０１１０】
【化６３】
0005989000.tif 000064
【０１１１】
【化６４】
0005989000.tif 000065
【０１１２】
【化６５】
0005989000.tif 000066
【０１１３】
【化６６】
0005989000.tif 000067
【０１１４】
【化６７】
0005989000.tif 000068
【０１１５】
【化６８】
0005989000.tif 000069
【０１１６】
【化６９】
0005989000.tif 000070
【０１１７】
【化７０】
0005989000.tif 000071
【０１１８】
上記芳香族アミン誘導体の具体例においては、Ｒ１およびＲ６について、前記一般式（２）で表される部分が互いに同じ構造の化合物を例示したが、これに限定されず、当該部分が互いに異なる構造の化合物であっても良い。
【０１１９】
〔有機ＥＬ素子用材料〕
本発明の芳香族アミン誘導体は、有機ＥＬ素子用材料として用いることができる。有機ＥＬ素子用材料は、本発明の芳香族アミン誘導体を単独で含んでいても良いし、他の化合物を含んでいても良い。本発明の芳香族アミン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料は、例えば、ドーパント材料として使用できる。
本発明の芳香族アミン誘導体と他の化合物を含む場合として、例えば、前記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料が挙げられる。
また、このアントラセン誘導体の代わりに下記一般式（３０）で表されるピレン誘導体を本発明の芳香族アミン誘導体と共に含む有機ＥＬ素子用材料が挙げられる。
さらに、本発明の芳香族アミン誘導体と、前記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体と、下記一般式（３０）で表されるピレン誘導体とを含む有機ＥＬ素子用材料が挙げられる。
【０１２０】
〔有機ＥＬ素子〕
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に有機化合物層を備える。
本発明の芳香族アミン誘導体は、この有機化合物層に含まれる。また、有機化合物層は、本発明の芳香族アミン誘導体を含む有機ＥＬ素子用材料を用いて形成される。
有機化合物層は、有機化合物で構成される少なくとも一つ以上の有機薄膜層を有する。有機薄膜層の少なくとも一層が、本発明の芳香族アミン誘導体を単独または混合物の成分として含んでいる。なお、有機薄膜層は、無機化合物を含んでいてもよい。
有機薄膜層のうち少なくとも１層は、発光層である。そのため、有機化合物層は、例えば、一層の発光層で構成されていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔障壁層、電子障壁層等の公知の有機ＥＬ素子で採用される層を有していてもよい。有機薄膜層が複数であれば、少なくともいずれかの層に本発明の芳香族アミン誘導体が単独または混合物の成分として含まれている。
好ましくは、発光層が、本発明の芳香族アミン誘導体を含有する。この場合、発光層は、芳香族アミン誘導体のみから構成することも、芳香族アミン誘導体をホスト材料またはドーパント材料として含んで構成することもできる。
【０１２１】
有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入・輸送層／発光層／障壁層／電子注入・輸送層／陰極
などの構造を挙げることができる。
上記の中で（ｅ）の構成が好ましく用いられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
なお、上記「発光層」とは、発光機能を有する有機層であって、ドーピングシステムを採用する場合、ホスト材料とドーパント材料を含んでいる。このとき、ホスト材料は、主に電子と正孔の再結合を促し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有し、ドーパント材料は、再結合で得られた励起子を効率的に発光させる機能を有する。
【０１２２】
上記「正孔注入・輸送層」は「正孔注入層および正孔輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味し、「電子注入・輸送層」は「電子注入層および電子輸送層のうちの少なくともいずれか１つ」を意味する。ここで、正孔注入層および正孔輸送層を有する場合には、陽極側に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、電子注入層および電子輸送層を有する場合には、陰極側に電子注入層が設けられていることが好ましい。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成により形成されてもよい。その際には、正孔注入層の場合、電極から正孔を注入する層を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極から電子を注入する層を電子注入層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼ぶ。
【０１２３】
上記「障壁層」は、発光層に隣接する。障壁層は、発光層で生成する三重項励起子が電子輸送帯域へ拡散することを防止し、三重項励起子を発光層内に閉じ込めることによって三重項励起子の密度を高め、２つの三重項励起子の衝突融合により一重項励起子が生成する現象、すなわちＴＴＦ（Ｔｒｉｐｌｅｔ−Ｔｒｉｐｌｅｔ  Ｆｕｓｉｏｎ）現象を効率よく引き起こす機能を有する。
また、障壁層は、発光層へ効率よく電子を注入する役割も担っている。発光層への電子注入性が下がる場合、発光層における電子−正孔の再結合が減ることで、三重項励起子の密度が小さくなる。三重項励起子の密度が小さくなると、三重項励起子の衝突頻度が減り、効率よくＴＴＦ現象が起きない。
【０１２４】
有機ＥＬ素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ドーピング材料により、発光輝度や発光効率が向上する場合がある。
これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密着性等の各要因により選択されて使用される。
【０１２５】
図１に、本発明の実施形態における有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。
有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、陽極３と、陰極４と、陽極３と陰極４との間に配置された有機化合物層１０と、を有する。
有機化合物層１０は、陽極３側から順に、正孔注入層５、正孔輸送層６、発光層７、障壁層８、電子注入層９を備える。
【０１２６】
＜発光層＞
有機ＥＬ素子の発光層は電子と正孔との再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。
本発明の有機ＥＬ素子において、有機薄膜層の少なくとも一層に、本発明の芳香族アミン誘導体が含まれ、さらに前記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体および下記一般式（３０）で表されるピレン誘導体のうち少なくとも１種が含まれていることが好ましい。特に、発光層に、本発明の芳香族アミン誘導体がドーパント材料として含まれ、上記式（２０）で表されるアントラセン誘導体がホスト材料として含まれていることが好ましい。
【０１２７】
(アントラセン誘導体)
発光層にてホスト材料として含まれ得るアントラセン誘導体は、前記一般式（２０）で表される。
前記一般式（２０）において、Ａｒ１１およびＡｒ１２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、または前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基である。
【０１２８】
前記一般式（２０）における、単環基とは、縮合構造を持たない環構造のみで構成される基である。
前記単環基の環形成原子数は、５〜３０であり、好ましくは５〜２０である。前記単環基として、例えば、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が好ましい。
【０１２９】
前記一般式（２０）における、縮合環基とは、２環以上の環構造が縮環した基である。
前記縮合環基の環形成原子数は、１０〜３０であり、好ましくは１０〜２０である。前記縮合環基として、例えば、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が挙げられる。これらの中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。
【０１３０】
前記一般式（２０）における、前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基としては、例えば、アントラセン環側から順にフェニル基、ナフチル基、フェニル基が結合して組み合わされた基が挙げられる（下記化合物ＥＭ５０等参照）。
【０１３１】
前記一般式（２０）におけるＲ１０１からＲ１０８までのアルキル基、シリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、ハロゲン原子の具体例は、前記一般式（１）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０にて説明したものと同様であり、シクロアルキル基は、上記例示と同様である。さらにこれらの置換基における「置換もしくは無置換の」の場合についても、上記説明と同様である。
以下に、一般式（２０）における好ましい具体例を挙げる。
【０１３２】
前記一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２、並びにＲ１０１からＲ１０８までの「置換若しくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子（特にフッ素）が挙げられる。特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上述の一般式（２０）の各基および上述の一般式（１）における各基と同様である。
【０１３３】
一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体は、下記アントラセン誘導体（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のいずれかであることが好ましく、適用する有機ＥＬ素子の構成や求める特性により選択される。
【０１３４】
・アントラセン誘導体（Ａ）
アントラセン誘導体（Ａ）は、一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。アントラセン誘導体（Ａ）としては、Ａｒ１１およびＡｒ１２が同一の置換若しくは無置換の縮合環基である場合と、Ａｒ１１およびＡｒ１２が異なる置換若しくは無置換の縮合環基である場合とに分けることができる。Ａｒ１１およびＡｒ１２が異なる場合には、置換位置が異なる場合も含まれる。
【０１３５】
アントラセン誘導体（Ａ）としては、一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が異なる置換若しくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましい。
アントラセン誘導体（Ａ）の場合、一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２における縮合環基の好ましい具体例は、上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基が好ましい。
アントラセン誘導体（Ａ）の好ましい形態としては、Ａｒ１２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、およびジベンゾフラニル基から選択され、Ａｒ１１が、置換もしくは無置換のフルオレニル基である場合が挙げられる。
【０１３６】
・アントラセン誘導体（Ｂ）
アントラセン誘導体（Ｂ）は、一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２の一方が、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基であり、他方が、置換若しくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
アントラセン誘導体（Ｂ）の好ましい形態としては、Ａｒ１２が、ナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基およびジベンゾフラニル基から選択され、Ａｒ１１が、無置換のフェニル基または前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかが置換されたフェニル基である場合が挙げられる。
アントラセン誘導体（Ｂ）の場合、好ましい単環基および縮合環基の具体的な基は上述した通りである。
【０１３７】
アントラセン誘導体（Ｂ）別の好ましい形態としては、Ａｒ１２が、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基であり、Ａｒ１１が、無置換のフェニル基である場合が挙げられる。この場合、縮合環基として、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。
【０１３８】
・アントラセン誘導体（Ｃ）
アントラセン誘導体（Ｃ）は、一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換若しくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基となっている。
アントラセン誘導体（Ｃ）の好ましい形態として、Ａｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニル基である場合が挙げられる。
アントラセン誘導体（Ｃ）のさらに好ましい形態として、Ａｒ１１が、無置換のフェニル基であり、Ａｒ１２が、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である場合と、Ａｒ１１およびＡｒ１２が、それぞれ独立に、前記単環基および前記縮合環基の少なくともいずれかを置換基として有するフェニル基である場合とが挙げられる。
【０１３９】
一般式（２０）におけるＡｒ１１およびＡｒ１２が有する前記置換基としての好ましい単環基および縮合環基の具体例は、上述した通りである。置換基としての単環基は、フェニル基、ビフェニル基がさらに好ましく、置換基としての縮合環基は、ナフチル基、フェナントリル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基がさらに好ましい。
【０１４０】
一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体の具体的な構造としては、例えば、次のようなものが挙げられる。但し、本発明においては、これらの構造のアントラセン誘導体に限定されない。
【０１４１】
【化７１】
0005989000.tif 000072
【０１４２】
上記一般式（２０Ａ）において、Ｒ１０１およびＲ１０５は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基、単環基と縮合環基との組合せから構成される基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜３０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜３０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜３０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基、または置換もしくは無置換のシリル基である。
【０１４３】
上記一般式（２０Ａ）において、Ａｒ５１およびＡｒ５４は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ａ）において、Ａｒ５２およびＡｒ５５は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ａ）において、Ａｒ５３およびＡｒ５６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
【０１４４】
【化７２】
0005989000.tif 000073
【０１４５】
上記一般式（２０Ｂ）において、Ａｒ５１は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｂ）において、Ａｒ５２およびＡｒ５５は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｂ）において、Ａｒ５３およびＡｒ５６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
【０１４６】
【化７３】
0005989000.tif 000074
【０１４７】
上記一般式（２０Ｃ）において、Ａｒ５２は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｃ）において、Ａｒ５５は、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｃ）において、Ａｒ５３およびＡｒ５６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
【０１４８】
【化７４】
0005989000.tif 000075
【０１４９】
上記一般式（２０Ｄ）において、Ａｒ５２は、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｄ）において、Ａｒ５５は、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｄ）において、Ａｒ５３およびＡｒ５６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
【０１５０】
【化７５】
0005989000.tif 000076
【０１５１】
上記一般式（２０Ｅ）において、Ａｒ５２およびＡｒ５５は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環二価残基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環二価残基である。
上記一般式（２０Ｅ）において、Ａｒ５３およびＡｒ５６は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜３０の単環基、または置換もしくは無置換の環形成原子数１０〜３０の縮合環基である。
【０１５２】
更に具体的には、次のようなものが挙げられる。但し、本発明においては、これらの構造のアントラセン誘導体に限定されない。
なお、下記アントラセン誘導体の具体的な構造のうち、化合物ＥＭ３６、ＥＭ４４、ＥＭ７７、ＥＭ８５、ＥＭ８６等において、フルオレン環の９位から伸びる線は、メチル基を表しており、つまり当該フルオレン環は、９，９−ジメチルフルオレン環であることを表している。
また、下記アントラセン誘導体の具体的な構造のうち、化合物ＥＭ１５１、ＥＭ１５４、ＥＭ１５７、ＥＭ１６１、ＥＭ１６３、ＥＭ１６６、ＥＭ１６９、ＥＭ１７３等において、環構造から外側に向かって十字状に伸びる線は、ターシャリーブチル基を表している。
さらに、下記アントラセン誘導体の具体的な構造のうち、化合物ＥＭ１５２、ＥＭ１５５、ＥＭ１５８、ＥＭ１６４、ＥＭ１６７、ＥＭ１７０、ＥＭ１７１、ＥＭ１８０、ＥＭ１８１、ＥＭ１８２、ＥＭ１８３、ＥＭ１８４、ＥＭ１８５等において、ケイ素原子（Ｓｉ）から伸びる線は、メチル基を表しており、つまり当該ケイ素原子を有する置換基は、トリメチルシリル基であることを表している。
【０１５３】
【化７６】
0005989000.tif 000077
【０１５４】
【化７７】
0005989000.tif 000078
【０１５５】
【化７８】
0005989000.tif 000079
【０１５６】
【化７９】
0005989000.tif 000080
【０１５７】
【化８０】
0005989000.tif 000081
【０１５８】
【化８１】
0005989000.tif 000082
【０１５９】
【化８２】
0005989000.tif 000083
【０１６０】
【化８３】
0005989000.tif 000084
【０１６１】
【化８４】
0005989000.tif 000085
【０１６２】
【化８５】
0005989000.tif 000086
【０１６３】
【化８６】
0005989000.tif 000087
【０１６４】
【化８７】
0005989000.tif 000088
【０１６５】
【化８８】
0005989000.tif 000089
【０１６６】
【化８９】
0005989000.tif 000090
【０１６７】
【化９０】
0005989000.tif 000091
【０１６８】
【化９１】
0005989000.tif 000092
【０１６９】
【化９２】
0005989000.tif 000093
【０１７０】
【化９３】
0005989000.tif 000094
【０１７１】
【化９４】
0005989000.tif 000095
【０１７２】
【化９５】
0005989000.tif 000096
【０１７３】
【化９６】
0005989000.tif 000097
【０１７４】
【化９７】
0005989000.tif 000098
【０１７５】
【化９８】
0005989000.tif 000099
【０１７６】
【化９９】
0005989000.tif 000100
【０１７７】
【化１００】
0005989000.tif 000101
【０１７８】
【化１０１】
0005989000.tif 000102
【０１７９】
【化１０２】
0005989000.tif 000103
【０１８０】
【化１０３】
0005989000.tif 000104
【０１８１】
【化１０４】
0005989000.tif 000105
【０１８２】
【化１０５】
0005989000.tif 000106
【０１８３】
【化１０６】
0005989000.tif 000107
【０１８４】
【化１０７】
0005989000.tif 000108
【０１８５】
(ピレン誘導体)
本発明の有機ＥＬ素子の他の形態として、前記有機薄膜層の少なくとも一層が、前記一般式（１）で表わされる芳香族アミン誘導体と、下記一般式（３０）で表されるピレン誘導体とを含有する形態が挙げられる。発光層が、芳香族アミン誘導体をドーパント材料として、ピレン誘導体をホスト材料として含有することが好ましい。
【０１８６】
【化１０８】
0005989000.tif 000109
【０１８７】
前記一般式（３０）中、Ａｒ１１１およびＡｒ２２２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０のアリール基である。
前記一般式（３０）中、Ｌ１およびＬ２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜３０の２価のアリール基または複素環基を示す。
前記一般式（３０）中、ｍは、０〜１の整数、ｎは、１〜４の整数、ｓは、０〜１の整数、ｔは、０〜３の整数である。
また、前記一般式（３０）中、Ｌ１またはＡｒ１１１は、ピレンの１〜５位のいずれかに結合し、Ｌ２またはＡｒ２２２は、ピレンの６〜１０位のいずれかに結合する。
また、前記一般式（３０）におけるＡｒ１１１およびＡｒ２２２、並びにＬ１およびＬ２の置換基における「置換もしくは無置換の」の場合についても、上記説明と同様である。
【０１８８】
前記一般式（３０）におけるＬ１およびＬ２は、好ましくは、
置換もしくは無置換のフェニレン基、
置換もしくは無置換のビフェニレン基、
置換もしくは無置換のナフチレン基、
置換もしくは無置換のターフェニレン基、および
置換もしくは無置換のフルオレニレン基、並びに
これらの基の組合せからなる２価のアリール基
から選択される。
【０１８９】
前記一般式（３０）におけるｍは、好ましくは０〜１の整数である。
前記一般式（３０）におけるｎは、好ましくは１〜２の整数である。
前記一般式（３０）におけるｓは、好ましくは０〜１の整数である。
前記一般式（３０）におけるｔは、好ましくは０〜２の整数である。
前記一般式（３０）におけるＡｒ１１１およびＡｒ２２２のアリール基は、前記一般式（１）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９およびＲ１０にて説明したものと同様である。好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜２０のアリール基であり、より好ましくは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１６のアリール基である。アリール基の好ましい具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ビフェニル基、アントリル基、ピレニル基である。
【０１９０】
(化合物の他の用途)
本発明の芳香族アミン誘導体、上記一般式（２０）で表されるアントラセン誘導体および上記一般式（３０）で表されるピレン誘導体は、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層に用いることもできる。
【０１９１】
(発光層に使用できるその他の材料)
本発明の芳香族アミン誘導体と共に発光層に使用できる上記一般式（２０）および上記一般式（３０）以外の材料としては、例えば、ナフタレン、フェナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、フルオレン、スピロフルオレン等の縮合多環芳香族化合物およびそれらの誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールアミン誘導体、スチリルアミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、アクリドン誘導体、キナクリドン誘導体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１９２】
(含有量)
有機薄膜層が本発明の芳香族アミン誘導体をドーパント材料として含むとき、芳香族アミン誘導体の含有量は、０．１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。
【０１９３】
＜基板＞
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。基板は、さらに機械的、熱的強度を有することが好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。
ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を原料として用いてなるものが挙げられる。
またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を原料として用いてなるものを挙げることができる。なお、ポリマーフィルムを基板として用いることもできる。
【０１９４】
＜陽極および陰極＞
本発明の有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料としては、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。陽極は、これらの導電性材料を蒸着法やスパッタリング法などの方法で薄膜を形成させることにより作製される。
発光層からの発光を陽極側から取り出す場合、陽極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は、材料にもよるが、通常１０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選択される。
【０１９５】
本発明の有機ＥＬ素子の陰極に使用される導電性物質としては、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化リチウム等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が代表例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陰極も、陽極と同様に、蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。また、陰極側から、発光を取り出す態様を採用することもできる。
また、発光層からの発光を陰極側から取り出す場合、陰極の可視領域の光の透過率を１０％より大きくすることが好ましい。陰極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陰極の層厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ以上１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で選択される。
【０１９６】
陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【０１９７】
本発明の有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。
【０１９８】
＜正孔注入・輸送層＞
正孔注入・輸送層には、次のような正孔注入材料や正孔輸送材料が用いられる。
正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極からの正孔注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ベンジジン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１９９】
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な正孔注入材料は、フタロシアニン誘導体である。
【０２００】
フタロシアニン（Ｐｃ）誘導体としては、例えば、Ｈ２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＣｏＰｃ、ＮｉＰｃ、ＺｎＰｃ、ＰｄＰｃ、ＦｅＰｃ、ＭｎＰｃ、ＣｌＡｌＰｃ、ＣｌＧａＰｃ、ＣｌＩｎＰｃ、ＣｌＳｎＰｃ、Ｃｌ２ＳｉＰｃ、（ＨＯ）ＡｌＰｃ、（ＨＯ）ＧａＰｃ、ＶＯＰｃ、ＴｉＯＰｃ、ＭｏＯＰｃ、ＧａＰｃ−Ｏ−ＧａＰｃ等のフタロシアニン誘導体およびナフタロシアニン誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
また、正孔注入材料にＴＣＮＱ誘導体等の電子受容物質を添加することによりキャリアを増感させることもできる。
【０２０１】
本発明の有機ＥＬ素子において使用できる好ましい正孔輸送材料は、芳香族三級アミン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリゴマー若しくはポリマーであるが、これらに限定されるものではない。
【０２０２】
＜電子注入・輸送層＞
電子注入・輸送層には、次のような電子注入材料等が用いられる。
電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ましい。
【０２０３】
本発明の有機ＥＬ素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合物および含窒素複素環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２０４】
前記含窒素複素環誘導体としては、例えば、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール、トリアゾール、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、フェナントロリン、ベンズイミダゾール、イミダゾピリジン等が好ましく、中でもベンズイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾピリジン誘導体が好ましい。
【０２０５】
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態として、これらの電子注入材料にさらに電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかが含まれている形態が挙げられる。より好ましくは、陰極からの電子の受け取りを容易にするため、有機薄膜層と陰極との界面近傍に電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体の少なくともいずれかをドープする。
このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属および希土類金属化合物などから選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、および希土類金属を含む有機金属錯体などから選ばれた少なくとも一種類が挙げられる。
【０２０６】
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）（仕事関数：２．９３ｅＶ）、ナトリウム（Ｎａ）（仕事関数：２．３６ｅＶ）、カリウム（Ｋ）（仕事関数：２．２８ｅＶ）、ルビジウム（Ｒｂ）（仕事関数：２．１６ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ）（仕事関数：１．９５ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂまたはＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）（仕事関数：２．９ｅＶ）、ストロンチウム（Ｓｒ）（仕事関数：２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下）、バリウム（Ｂａ）（仕事関数：２．５２ｅＶ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などが挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
【０２０７】
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）などのアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）などのアルカリハロゲン化物などが挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）およびこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａxＳｒ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａxＣａ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）などが挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ３）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ３）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ３）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化セリウム（Ｃｅ２Ｏ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ３）などが挙げられ、ＹｂＦ３、ＳｃＦ３、ＴｂＦ３が好ましい。
【０２０８】
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも一つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、およびそれらの誘導体などが好ましいが、これらに限定されるものではない。
電子供与性ドーパントおよび有機金属錯体は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【０２０９】
（有機ＥＬ素子の各層の形成方法）
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。
【０２１０】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであってもよい。
このような湿式成膜法に適した溶液として、有機ＥＬ素子用材料として本発明の芳香族アミン誘導体と溶媒とを含有する有機ＥＬ材料含有溶液を用いることができる。
【０２１１】
いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
【０２１２】
（有機ＥＬ素子の各層の膜厚）
膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍ以上１０μｍ以下の範囲が適しているが、１０ｎｍ以上０．２μｍ以下の範囲がさらに好ましい。
【０２１３】
（有機ＥＬ素子の用途）
本発明の有機ＥＬ素子は、フラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、照明装置、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の化合物は、有機ＥＬ素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
【０２１４】
〔実施形態の変形〕
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変更、改良などは、本発明に含まれるものである。
【０２１５】
例えば、本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層中に、前記一般式（１）で表される芳香族アミン誘導体から選ばれる少なくとも一種の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料、正孔輸送材料および電子注入材料の少なくとも一種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護したりすることも可能である。
【０２１６】
また、有機ＥＬ素子の構成は、図１に示した有機ＥＬ素子１の構成例に限定されない。例えば、障壁層の陰極側に電子輸送層を、発光層の陽極側に電子障壁層を、それぞれ設けてもよい。
【０２１７】
また、発光層は、１層に限られず、複数の発光層が積層されていてもよい。有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、少なくとも１つの発光層が本発明の芳香族アミン誘導体を含んでいることが好ましい。この場合、他の発光層は、蛍光発光材料を含んで蛍光発光する蛍光発光層であっても良いし、燐光発光材料を含んで燐光発光する燐光発光層であっても良い。
また、有機ＥＬ素子が複数の発光層を有する場合、これらの発光層が互いに隣接して設けられていてもよいし、その他の層（例えば、電荷発生層）を介して積層されていてもよい。
【実施例】
【０２１８】
次に、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容に何ら制限されるものではない。【０２１９】
＜化合物の合成＞
・合成例１（化合物１の合成）
化合物１の合成スキームを次に示す。【０２２０】
【化１０９】
0005989000.tif 000110
【０２２１】
（１−１）２−ブロモフェニル  ２−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル  エーテルの合成
アルゴン気流下、フラスコに
２−ブロモフルオロベンゼン  １．４０ｇ、
２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール  ６００ｍｇ、
炭酸セシウム  ２．６１ｇ、および、
乾燥Ｎ−メチルピロリドン（NMP）  ２０ｍｌ
を入れ、１８０℃にて５時間半反応させた。
放冷後、トルエンを加え、有機層を水洗した後に濃縮し、有機溶媒を溜去した。得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製し、２−ブロモフェニル  ２−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル  エーテル（０．９３ｇ）を得た。【０２２２】
（１−２）４−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフランの合成
アルゴン気流下、フラスコに
２−ブロモフェニル  ２−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル  エーテル  ０．４０ｇ、
Ｐｄ（ＯＡｃ）３  １５ｍｇ、
ＰＰｈ３  ３４ｍｇ、
炭酸セシウム  ４２７ｍｇ、および、
乾燥Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）  ８ｍｌ
を入れ、１８０℃で５時間半攪拌した。
放冷後、水を加え、酢酸エチルで有機物を抽出、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を溜去し、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製し、０．２４ｇの４−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフランを得た。【０２２３】
（１−３）４−ブロモ−６−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフランの合成  アルゴン気流下、
４−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフラン  ３．８５ｇ
を乾燥ＴＨＦ  ３６ｍｌに溶かし、−６８℃に冷却した。
１．６Ｍ  ｎ−ＢｕＬｉのヘキサン溶液  １１．５７ｍｌを滴下後、１０℃で１時間攪拌した。−６０℃に冷却し、１，２−ジブロモエタン  ２．２２ｍｌを滴下し、その後室温で１６４時間４０分攪拌した。
トルエン  １００ｍｌを加え、１Ｎ  ＨＣｌ、ＮａＨＣＯ３水溶液（aq  ＮａＨＣＯ３）で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去後シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）で精製し、４−ブロモ−６−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフラン（４．７３ｇ）を得た。【０２２４】
（１−４）アミン１の合成
アルゴン気流下、フラスコに、
４−ブロモ−６−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフラン  ５．１８ｇ、
Ｐｄ２（ｄｂａ）３  ２３６ｍｇ、
ＢＩＮＡＰ（２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル）  ３２０ｍｇ、
アニリン  ３．１９ｇ、
ｔｅｒｔ−ＢｕＯＮａ  ３．３ｇ、および、
脱水トルエン溶液  ８６ｍｌ
を入れ、９０℃にて７時間攪拌した。
放冷後、セライトを加え、セライトをろ過後、溶媒を溜去し、シリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：トルエン＝３：１）で精製し、３．９４ｇのアミン１を得た。【０２２５】
（１−５）化合物１の合成
アルゴン気流下、フラスコに、
１，６−ジブロモピレン  １．８７ｇ、
アミン１  ３．９４ｇ、
Ｐｄ２（ｄｂａ）３  １４３ｍｇ、
ｔｅｒｔ−Ｂｕ３Ｐ（２．７４６Ｍ  トルエン溶液）  １８９μｌ、
ｔｅｒｔ−ＢｕＯＮａ  １．５ｇ、および、
脱水トルエン溶液  ２６ｍｌ
を入れ、１２０℃で５時間半攪拌した。
放冷後、生成した沈殿をろ取し、トルエン、メタノール、水、アセトン、酢酸エチルで沈殿を洗浄し粗生成物を得た。粗生成物はシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）、再沈殿（トルエン−メタノール）で精製を行い、３．６５ｇの化合物１を得た。ＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマススペクトル；Field Desorption Mass Spectrometry）の分析により、化合物１と同定した。
ＦＤＭＳ，ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ  Ｃ60Ｈ48Ｎ2Ｏ2＝８２８，ｆｏｕｎｄ  ｍ／ｚ＝８２８（Ｍ＋）【０２２６】
・合成例２（化合物２の合成）
化合物２の合成スキームを次に示す。【０２２７】
【化１１０】
0005989000.tif 000111
【０２２８】
（４−１）４−メチルジベンゾフランの合成
アルゴン気流下、フラスコに
４−ブロモジベンゾフラン  １３２ｇ
Ｐｄ２（ｄｂａ）３  ４．９０ｇ
Ｘ−Ｐｈｏｓ  ５．１０ｇ，および、
乾燥ＴＨＦ  １３００ｍｌ
を入れ、５０℃に昇温したのち、メチルマグネシウムブロミド（ＭｅＭｇＢｒ）のＴＨＦ溶液（１Ｍ）  １６００ｍｌを滴下して加え、５０℃にて８時間攪拌を行った。反応を室温まで放冷後、３Ｍ塩酸１２００ｍｌを滴下して加え、トルエンで抽出を行い、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、溶媒を留去し、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、９２．６ｇの４−メチルジベンゾフランを得た。【０２２９】
（４−２）４−ブロモ−６−メチルジベンゾフランの合成
合成例１の（１−３）において、４−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフランの代わりに（４−１）にて合成した４−メチルジベンゾフランを用いる他は、合成例１の（１−３）と同様にして、４−ブロモ−６−メチルジベンゾフランを得た。【０２３０】
（４−３）Ｎ−（６−メチルジベンゾフラン−４−イル）アニリンの合成
合成例１の（１−４）において、４−ブロモ−６−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾフランの代わりに（４−２）で合成して４−ブロモ−６−メチルジベンゾフランを用いる他は、合成例１の（１−４）と同様にして、Ｎ−（６−メチルジベンゾフラン−４−イル）アニリンを得た。【０２３１】
（４−４）化合物２の合成
合成例１の（１−５）において、アミン１の代わりに（４−３）で合成したＮ−（６−メチルジベンゾフラン−４−イル）アニリンを用いる他は、合成例１の（１−５）と同様にして、化合物２を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物２と同定した。【０２３２】
・合成例３（化合物３の合成）
合成例４の（４−１）において、メチルマグネシウムブロミド溶液の代わりに、シクロペンチルマグネシウムブロミド溶液を用いる他は、合成例４と同様にして、化合物３を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物３と同定した。【０２３３】
【化１１１】
0005989000.tif 000112
【０２３４】
・合成例４（化合物４の合成）
合成例１の（１−４）においてアニリンの代わりに、４−イソプロピルアニリンを用いる他は、合成例１と同様にして化合物４を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物４と同定した。分子量９１２．４６に対しｍ／ｚ＝９１２が得られた。【０２３５】
【化１１２】
0005989000.tif 000113
【０２３６】
・合成例５（化合物５の合成）
合成例１の（１−４）においてアニリンの代わりに、３−アミノビフェニルを用いる他は、合成例１と同様にして化合物５を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物５と同定した。分子量９８０．４３に対しｍ／ｚ＝９８０が得られた。【０２３７】
【化１１３】
0005989000.tif 000114
【０２３８】
・合成例６（化合物６の合成）
合成例４の（４−１）において、メチルマグネシウムブロミド溶液の代わりに、シクロヘキシルマグネシウムクロリド溶液を用いる他は、合成例４と同様にして、化合物６を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物６と同定した。分子量８８０．４０に対しｍ／ｚ＝８８０が得られた。【０２３９】
【化１１４】
0005989000.tif 000115
【０２４０】
・合成例７（化合物７の合成）
合成例１の（１−４）において、アニリンの代わりに、２−メチルアニリンを用いる以外は、合成例１と同様にして、化合物７を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物７と同定した。分子量８５６．４０に対しｍ／ｚ＝８５６が得られた。【０２４１】
【化１１５】
0005989000.tif 000116
【０２４２】
・合成例８（化合物８の合成）
合成例４の（４−１）において、メチルマグネシウムブロミド溶液の代わりに、シクロヘキシルマグネシウムクロリド溶液を用い、（４−３）においてアニリンの代わりに、３−アミノビフェニルを用いる他は、合成例４と同様にして、化合物８を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物８と同定した。分子量１０３２．４６に対しｍ／ｚ＝１０３２が得られた。【０２４３】
【化１１６】
0005989000.tif 000117
【０２４４】
・合成例９（化合物９の合成）
合成例４の（４−３）において、アニリンの代わりに、４−アミノジベンゾフランを用いるほかは、合成例４と同様にして、化合物９を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物９と同定した。分子量９２４．３０に対しｍ／ｚ＝９２４が得られた。【０２４５】
【化１１７】
0005989000.tif 000118
【０２４６】
・合成例１０（化合物１０の合成）
合成例１の（１−５）において、１，６−ジブロモピレンの代わりに、３，８−ジイソプロピル−１，６−ジブロモピレンを用いる以外は、合成例１と同様にして、化合物１０を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１０と同定した。分子量９１２．４７に対しｍ／ｚ＝９１２が得られた。【０２４７】
【化１１８】
0005989000.tif 000119
【０２４８】
・合成例１１（化合物１１の合成）
合成例１の（１−４）において、アニリンの代わりに、２−メチルアニリンを用い、（１−５）において、１，６−ジブロモピレンの代わりに、３，８−ジイソプロピル−１，６−ジブロモピレンを用いる以外は、合成例１と同様にして、化合物１１を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１１と同定した。分子量９４０．５０に対しｍ／ｚ＝９４０が得られた。【０２４９】
【化１１９】
0005989000.tif 000120
【０２５０】
・合成例１２（化合物１２の合成）
合成例１の（１−１）において、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを用いる以外は、合成例１と同様にして、化合物１２を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１２と同定した。分子量８５６．４０に対しｍ／ｚ＝８５６が得られた。
【０２５１】
【化１２０】
0005989000.tif 000121
【０２５２】
・合成例１３（化合物１３の合成）
合成例１の（１−１）において、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールの代わりに、２−ｔｅｒｔ−アミルフェノールを用いる以外は、合成例１と同様にして、化合物１３を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、化合物１３と同定した。分子量８５６．４０に対しｍ／ｚ＝８５６が得られた。【０２５３】
【化１２１】
0005989000.tif 000122
【０２５４】
＜有機ＥＬ素子の作製＞
・実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＴ−１を蒸着し、膜厚５ｎｍの化合物ＨＴ−１膜を形成した。このＨＴ−１膜は、正孔注入層として機能する。
このＨＴ−１膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−２を蒸着し、ＨＴ−１膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜した。このＨＴ−２膜は、第一の正孔輸送層として機能する。
さらにＨＴ−２膜の成膜に続けて、化合物ＨＴ−３を蒸着し、ＨＴ−２膜上に膜厚１５ｎｍのＨＴ−膜を成膜した。このＨＴ−３膜は、第二の正孔輸送層として機能する。
このＨＴ−２膜上に化合物ＢＨ−１（ホスト材料）および化合物１（ドーパント材料）を２５：５の質量比で共蒸着し、膜厚３０ｎｍの発光層を成膜した。
この発光層上にＴＢ−１を蒸着し、膜厚２０ｎｍの障壁層を形成した。
この障壁層上に電子輸送材料であるＥＴ−１を蒸着して、膜厚５ｎｍの電子注入層を形成した。
この電子注入層上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。
このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成した。
このようにして、実施例１の有機ＥＬ素子を作製した。【０２５５】
・実施例２
実施例１において、化合物１を化合物２に変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。
・実施例３
実施例１において、化合物１を化合物３に変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。
・比較例１
実施例１において、化合物１を比較例化合物に変更した以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。【０２５６】
【化１２２】
0005989000.tif 000123
【０２５７】
【化１２３】
0005989000.tif 000124
【０２５８】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
実施例１〜３および比較例１で作製した有機ＥＬ素子について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。
・初期性能
電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、そのときのＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計（ＣＳ−１０００：コニカミノルタ社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、色純度ＣＩＥｘ，ＣＩＥｙ、および外部量子効率ＥＱＥ（％）を算出した。【０２５９】
【表１】
0005989000.tif 000125
【０２６０】
表１から、ドーパント材料として、化合物１〜３を用いた実施例１〜３は、比較例化合物を用いた比較例１と比べて、色純度が高く、外部量子効率が優れていることが分かる。
表１から、ジベンゾフラン環にメチル基が置換している化合物２よりも、ジベンゾフラン環にターシャリーブチル基が置換している化合物１を用いた有機ＥＬ素子の方が、色純度（ｙ値）が高いことがわかる。さらに、前記化合物２よりも、ジベンゾフラン環にシクロペンチル基が置換している化合物３を用いた有機ＥＬ素子の方が、より色純度（ｙ値）が高いことが分かる。
一方、前記化合物１を用いた有機ＥＬ素子の方が、前記化合物２または前記化合物３を用いた有機ＥＬ素子と比較して高効率であることがわかる。【０２６１】
・実施例４
実施例１において、ＴＢ−１の代わりに、ＴＢ−２を用いた以外は実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製し、初期性能の測定を行った。結果を表２に示す。【０２６２】
・実施例５〜６および比較例２
実施例４において、化合物１の代わりに、表２中に記載の化合物を用いた以外は、実施例４と同様に有機ＥＬ素子を作製し、初期性能の測定を行った。結果を表２に示す。【０２６３】
【表２】
0005989000.tif 000126
【０２６４】
表２から、障壁層の材料を変更した場合も、ドーパント材料として化合物１〜３を用いた実施例４〜６は、比較例化合物を用いた比較例２と比べて、色純度が高く、外部量子効率が優れていることが分かる。
表１、表２からわかるように、ジベンゾフラン環上にアルキル基を有する化合物１〜３は、ジベンゾフラン環上にアリール基を有する比較例化合物と比べ、有機ＥＬ素子を作製した際に、より外部量子効率が高くなり、高効率の発光を得られていることがわかる。【０２６５】
・実施例７
実施例１において、化合物ＨＴ−２の代わりに、下記化合物ＨＴ−４を用いた以外は、実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製し、初期性能の測定を行った。結果を表３に示す。【０２６６】
・実施例８〜１３および比較例３
実施例７において、化合物１の代わりに、表３中に記載の化合物を用いた以外は、実施例７と同様に有機ＥＬ素子を作製し、初期性能の測定を行った。結果を表３に示す。【０２６７】
【化１２４】
0005989000.tif 000127
【０２６８】
【表３】
0005989000.tif 000128
【０２６９】
表３からわかるように、ジベンゾフラン環部分以外の部位に種々の誘導化を施した化合物をドーパント材料として用いた場合に関しても、一様に高効率が得られている。このことから、本発明の芳香族アミン誘導体であって、アルキル置換ジベンゾフラン基を有する化合物は、この部位を持つことに、高効率化に寄与する本質があるといえ、本発明の芳香族アミン誘導体は、種々の誘導化を施された化合物において有効であると考えられる。
また、表１〜３からわかるように、メチル基、分岐アルキル基または環状アルキル基がジベンゾフラン環に導入された化合物をドーパント材料として用いた有機ＥＬ素子は、それぞれ高効率で発光した。よって、芳香族アミン誘導体において、ジベンゾフラン環上に導入するアルキル基については、多岐にわたる構造により効果を得ることができるといえる。【０２７０】
・実施例１４
実施例７において、化合物ＨＴ−３の代わりに、下記化合物ＨＴ−５を用いた以外は、実施例７と同様に有機ＥＬ素子を作製し、初期性能の測定を行った。結果を表４に示す。【０２７１】
・実施例１５〜１８および比較例４
実施例１４において、化合物１の代わりに表４中に記載の化合物を用いた以外は、実施例１４と同様に有機ＥＬ素子を作成し、初期性能の測定を行った。結果を表４に示す。【０２７２】
【化１２５】
0005989000.tif 000129
【０２７３】
【表４】
0005989000.tif 000130
【０２７４】
表４からわかるように、ピレン環上に置換基を導入した化合物１０や化合物１１をドーパント材料として用いた実施例１５〜１６の有機ＥＬ素子も、高効率で発光した。ゆえに、本発明の芳香族アミン誘導体において、ピレン環上に置換基を導入した場合についても、高い色純度かつ高効率で発光する有機ＥＬ素子を得ることができるといえる。
また、ジベンゾフラン環上に２つのアルキル基を有する化合物１２を用いた実施例１７においても他と同様に高効率化が確認され、ジベンゾフラン環上のアルキル基がアミル基となった化合物１３を用いた実施例１８においても高い効率を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【０２７５】
本発明の有機ＥＬ素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。
【符号の説明】
【０２７６】
１…有機ＥＬ素子、３…陽極、４…陰極、７…発光層、１０…有機化合物層
【図１】
0005989000.tif 000135