(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと，
前記チャンバの内部に固定設置されて上部に前記基板が置かれるヒーティングプレートと，
前記ヒーティングプレートの下部に離隔設置されて前記ヒーティングプレートを加熱するヒータと，
前記ヒータを昇降する昇降モジュールと，
前記ヒーティングプレートの周縁に沿って設置される排出プレートを含み，
前記排出プレートは前記チャンバに形成された前記基板の出入通路の下部に位置すると共に，前記チャンバの内壁に固定設置されて前記ヒーティングプレートを支持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は，前記排出プレートの下部に設置されて前記排出プレートを支持する複数の支持バーを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板処理装置は，前記排出プレートの下部に離隔設置されて前記チャンバの内壁に固定設置される補助排出プレートを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理装置は， 前記ヒータの下部に連結されて前記ヒータを支持する支持軸と，
前記支持軸の下部に固定設置される下部固定リングと，
前記下部固定リングを昇降する駆動部とを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板処理装置は，
前記チャンバの下部壁に固定される上部固定リングと，
前記上部固定リングと前記下部固定リングに連結されて前記チャンバの内部空間を真空状態に維持するベローズとを更に含む請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板処理装置は，
前記ヒータの下部に連結されて前記ヒータを支持する支持軸と，
前記支持軸を昇降する駆動部と，
前記ヒータに入力された加熱温度に応じて前記駆動部を制御して前記ヒーティングプレートと前記ヒータとの離隔距離を調節する制御器とを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板処理装置は，
前記ヒーティングプレートの上部面に固定設置されて上部に置かれた前記基板を支持する複数のリフトピンを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は，
上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，
前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，
前記チャンバ本体の側壁に形成される排気ポートとを更に含む請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理装置は，
上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，
前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，
前記チャンバ本体の開放された下部に連結された下部ポートと，
前記下部ポートに形成される排気ポートとを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理装置は，  
上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，
前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，
前記チャンバ蓋の上部に形成されて第１ガスを供給するガス供給口と，
前記チャンバ蓋の外側を囲むように設置されて前記チャンバ蓋の内部に磁場を形成して前記第１ガスからプラズマを生成するアンテナと，
前記チャンバ本体と前記チャンバ蓋との間に固定設置されて第２ガスを供給する噴射リングとを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記噴射リングの上部に設置されて複数の第１噴射孔を有する第１シャワーヘッドと，
前記噴射リングの下部に位置されて複数の第２噴射孔を有する第２シャワーヘッドとを更に含む請求項１０記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関するものであり，より詳しくは，ヒータを昇降して基板の温度を制御する基板処理装置に関するものである。  
【背景技術】
【０００２】
通常の選択的エピタキシープロセス（selective epitaxy process)は蒸着反応及びエッチング反応を伴う。蒸着及びエッチング反応は多結晶層及びエピタキシャル層に対して比較的相異なる反応速度で発生する。蒸着プロセスの中に，少なくとも一つの第２層の上に従来の多結晶層及び／又は非結晶層が蒸着される間，エピタキシャル層は単結晶表面の上に形成される。しかし，蒸着された多結晶層は一般にエピタキシャル層より速い速度でエッチングされる。よって，腐食ガスの濃度を変化させることでネット選択的プロセス(net selective process)がエピタキシー材料の蒸着及び制限された又は制限されていない多結晶材料の蒸着をもたらす。例えば，選択的エピタキシープロセスは蒸着物がスペイサの上に残らずに単結晶シリコーンの表面上にシリコーン含有材料のエピ層(epilayer)の形成をもたらす。  
【０００３】
選択的エピタキシープロセスは一般にいくつかの短所を有する。このようなエピタキシープロセスの中に選択性を維持するために，前駆体の化学的濃度及び反応温度が蒸着プロセスにわたって調節及び調整されるべきである。不十分なシリコーン前駆体が供給されるとエッチング反応が活性化されて全体のプロセスが遅くなる。また，基板ピッチャのエッチングに対して害が生じる恐れがある。不十分な腐食液前駆体が供給されると，蒸着反応は基板の表面にわたって単結晶及び多結晶材料を形成する選択性(selectivity)が減少する恐れがある。また，通常の選択的エピタキシープロセスは約８００℃，約１，０００℃又はそれより高い温度のような高い反応温度を一般に要求する。このような高い温度は基板の表面に対するなるべく統制されていない窒化反応及び熱予算(thermal budget)の理由で製造プロセスの途中には好ましくない。  
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的はヒータを昇降して基板の温度を制御することにある。  
本発明の他の目的は，以下の発明を実施する形態と添付図面からより明確になるはずである。  
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施例によると，基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと，前記チャンバの内部に固定設置されて上部に前記基板が置かれるヒーティングプレートと，前記ヒーティングプレートの下部に離隔設置されて前記ヒーティングプレートを加熱するヒータと，前記ヒータを昇降する昇降モジュールと，前記ヒーティングプレートの周縁に沿って設置される排出プレートを含み，前記排出プレートは前記チャンバに形成された前記基板の出入通路の下部に位置すると共に，前記チャンバの内壁に固定設置されて前記ヒーティングプレートを支持することを特徴とする。
【０００７】
前記基板処理装置は前記排出プレートの下部に設置されて前記排出プレートを支持する複数の支持バーを更に含む。  
【０００９】
前記基板処理装置は前記排出プレートの下部に離隔設置されて前記チャンバの内壁に固定設置される補助排出プレートを更に含む。  
【００１０】
前記ヒータの下部に連結されて前記ヒータを支持する支持軸と，前記支持軸の下部に固定設置される下部固定リングと，前記下部固定リングを昇降する駆動部と，を更に含む。
【００１１】
前記基板処理装置は前記チャンバの下部壁に固定される上部固定リングと，前記上部固定リングと前記下部固定リングに連結され，前記チャンバの内部空間を真空状態に維持するベローズを更に含む。  
【００１２】
前記基板処理装置は，前記ヒータの下部に連結されて前記ヒータを支持する支持軸と，前記支持軸を昇降する駆動部と，前記ヒータに入力された加熱温度に応じて前記駆動部を制御して前記ヒーティングプレートと前記ヒータとの離隔距離を調節する制御器と，を更に含む。  
【００１３】
前記基板処理装置は前記ヒーティングプレートの上部面に固定設置されて上部に置かれた前記基板を支持する複数のリフトピンを更に含む。  
【００１４】
前記基板処理装置は，上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，前記チャンバ本体の側壁に形成される排気ポートと，を更に含む。  
【００１５】
前記基板処理装置は，上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，前記チャンバ本体の開放された下部に連結された下部ポートと，前記下部ポートに形成される排気ポートと，を更に含む。  
【００１６】
前記基板処理装置は，上部が開放されて一側に前記基板が出入する通路が形成されるチャンバ本体と，前記チャンバ本体の開放された上部を閉鎖するチャンバ蓋と，前記チャンバ蓋の上部に形成されて第１ガスを供給するガス供給口と，前記チャンバ蓋の外側を囲むように設置され，前記チャンバ蓋の内部に磁場を形成して前記第１ガスからプラズマを生成するアンテナと，前記チャンバ本体と前記チャンバ蓋との間に固定設置されて第２ガスを供給する噴射リングと，を更に含む。  
【００１７】
前記噴射リングの上部に設置されて複数の第１噴射孔を有する第１シャワーヘッドと，前記噴射リングの下部に位置して複数の第２噴射孔を有する第２シャワーヘッドと，を更に含む。  
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施例によると，ヒータを昇降して基板の温度を制御することができる。  
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。
【図２】図１に示すヒータが下降した状態を概略的に示す図である。
【図３】本発明の他の実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。
【００２０】
発明を実施するための最善の形態  
以下，本発明の好ましい実施例を添付した図１及び図２を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形態に変形されてもよく，本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定されると解釈されてはならない。本実施例は当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張され得る。  
【００２１】
一方，以下では酸化膜除去工程（洗浄工程）を例に挙げて説明しているが，本発明は蒸着工程を含む多様な基板処理工程に応用される。また，実施例で説明するプラズマ生成工程はＩＣＰ（inductively coupled plasma)方式の工程を例に挙げて説明しているが多用なプラズマ工程によって応用されてもよく，実施例で説明する基板Ｗ以外に多様な被処理体にも応用可能である。  
【００２２】
図１は，本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。図１に示すように，基板処理装置１００はチャンバ本体１とチャンバ蓋２を含み，基板Ｗに対する工程が内部で行われる。  
【００２３】
チャンバ本体１は上部が開放された形状であり，一側に形成された通路８を有する。  
【００２４】
基板Ｗはチャンバ本体１の一側に形成された通路８を介してチャンバの内部に出入する。ゲートバルブ５は通路８の外部に設置され，通路８はゲートバルブ５によって開放されるか閉鎖される。また，チャンバ本体１は底面に形成された貫通孔３１を介して下部に開放された構造を有する。  
【００２５】
基板Ｗは通路８を介して基板処理装置１００の内部に移送し基板Ｗを支持するリフトピン１５の上に置かれる。リフトピン１５はヒーティングプレート１０の上端部に一体的に設置されるが，基板Ｗを安定的に支持するために複数個のリフトピン１５を含むことが好ましい。また，リフトピン１５は基板Ｗとヒーティングプレート１０との間の間隔を一定高さに維持し，リフトピン１５の高さに応じて基板Ｗとヒーティングプレート１０との間の間隔が変化する。  
【００２６】
ヒーティングプレート１０は，リフトピン１５の下端部に連結され，リフトピン１５は，上部に置かれた基板Ｗを安定的に支持する。また，ヒーティングプレート１０は下部に離隔されて位置するヒータ２０から供給された熱を基板Ｗに伝達する。ヒーティングプレート１０は，ヒータ２０から供給された熱を基板Ｗに均一に伝達するために，ヒータ２０の面積より広い基板Ｗの形状に対応する円形のディスク状であってもよい。また，ヒーティングプレート１０は，熱伝導率が高い材料であって，高温での変形が少ない材料が適切である。好ましくは，ヒーティングプレート１０は，石英又は石英をコーティングした材質で成る。  
【００２７】
ヒータ２０は，ヒーティングプレート１０の下部に離隔されて位置し，ヒーティングプレート１０を介して基板Ｗを加熱する。ヒータ２０は外部電源（図示せず）から電流を供給されて発熱する。ヒータ２０の下部には昇降モジュールが設置される。昇降モジュールはヒータ２０を昇降する。基板Ｗの加熱温度はヒータ２０の昇降に応じて調節される。  
【００２８】
１次加熱温度より高い２次加熱温度で基板Ｗを加熱する場合，ヒータ２０の出力を上げることで加熱温度を高く設定することができる。しかし，１次加熱温度より低い２次加熱温度で基板Ｗを加熱する場合，ヒータ２０の出力を下げてもヒータ２０に残存する熱によってヒータ２０の加熱温度を容易に低くすることができない。そのため，ヒータ２０を冷却するための待機時間が必要とされ，それによって工程時間が遅延する問題点がある。  
【００２９】
また，前述した方法は一つのチャンバ内で１次加熱温度及び２次加熱温度を満足する場合に当たるが，別途のチャンバを介して１次加熱及び２次加熱が行われる場合には基板Ｗの移動による基板Ｗの汚染可能性及び移動時間を必要とする問題点が発生する。  
【００３０】
よって，駆動部４０を介してヒータ２０を昇降し，ヒーティングプレート１０（又は基板Ｗ）とヒータ２０との間隔距離を調節して基板Ｗの加熱温度を容易にかつ速く調節することができるが，これはヒータ２０からヒーティングプレート１０（又は基板Ｗ）に伝達される熱伝達量が離隔距離に反比例する原理を介して説明される。本実施例ではヒータ２０を昇降すると説明しているが，これとは異なってヒーティングプレート１０又はリフトピン１５を昇降して離隔距離を調節してもよく，それらの昇降機構を介して基板Ｗの加熱温度を容易に調節することができる。  
【００３１】
昇降モジュールはヒータ２０の下部に位置し，ヒータ２０を昇降するために支持軸３０と下部固定リング３７及び駆動部４０を含む。支持軸３０はヒータ２０の下端部に位置してヒータ２０を安定的に支持する。支持軸３０は円筒状であってもよく，ヒータ２０と共に上下に移動する。支持軸３０の下端部には下部固定リング３７が設置され，支持軸３０の下端部を囲むリング（ring）状であってもいい。下部固定リング３７は駆動部４０によって昇降し，下部固定リング３７の昇降によって支持軸３０及びヒータ２０も共に昇降する。駆動部４０は動力を伝達するモータであってもよく，下部固定リング３７はモータの回転によって昇降する。一方，駆動部が下部固定リング３７を昇降する方法としてはモータだけでなくレール又はエレベータシャフト及び下部固定リング３７を昇降するための多様な方法を使用してもよい。また，駆動部４０は制御器１５０と連結され，制御器１５０はヒータ２０に入力された加熱温度に応じて駆動部４０を制御してヒータ２０を昇降する。  
【００３２】
ヒータ２０を昇降することで基板Ｗの加熱温度を調節する過程を図１及び図２を参照して説明する。図２は，図１に示すヒータが下降した状態を概略的に示す図である。  
【００３３】
図１に示すように，ヒータ２０はヒーティングプレート１０の下部に離隔されて位置し，ヒータ２０とヒーティングプレート１０が離隔された距離はｄ１であり，ヒータ２０の温度はＴである。この際，ヒーティングプレート１０に伝達される熱伝達量はＱ１であり，基板Ｗは一定な加熱温度で加熱された状態で１次工程が行われる。  
【００３４】
次に，１次工程より低い加熱温度で２次工程を行う場合，図２に示すようにヒータ２０は駆動部４０を介して下降し，ヒータ２０とヒーティングプレート１０との距離をｄ２（＜ｄ１）に離隔させることで予め設定されたヒータ２０の発熱温度がＴと同じく維持された状態でヒータ２０の下降によってヒーティングプレート１０に伝達される熱エネルギーはＱ２（＜Ｑ１）になり得る。この際，基板Ｗは１次工程より低い加熱温度で２次工程が行われる。この場合，ヒータ２０の下降を介して加熱温度を容易にかつ速く下げることができる。  
【００３５】
逆に，１次工程より高い加熱温度で２次工程を行う場合，ヒータ２０は駆動部４０を介して上昇し，ヒータ２０とヒーティングプレート１０との距離をｄ２（＞ｄ１）に離隔させることで，予め設定されたヒータ２０の発熱温度が，Ｔと同じく維持された状態でヒータ２０の上昇によって，ヒーティングプレート１０に伝達される熱エネルギーはＱ２（＞Ｑ１）になり得る。この際，基板Ｗは１次工程より高い加熱温度で２次工程が行われる。一方，前述したようにヒータ２０の出力を上げることでヒータ２０の温度Ｔを増加させることができ，２次加熱温度が１次加熱温度より相当大きい場合にはヒータ２０の出力を上げる方法が効果的であるが，２次加熱温度が１次加熱温度よりあまり大きくない場合にはヒータ２０の昇降を介して加熱温度を調節する方法が温度を調節するのに必要とされる時間の側面や加熱温度の均一性の側面で有利になり得る。  
【００３６】
また，図１に示すようにヒーティングプレート１０の下端部の側面には排出プレート１３が設置される。排出プレート１３は石英材質であってもよく，ヒーティングプレート１０を周縁に沿って設置される。また，排出プレート１３はチャンバ本体１の内壁に固定設置されて通路８の下部に位置し，排出プレート１３は円形のリング状である。後述する未反応ガス又は反応生成物は，洗浄工程を終えてから排出プレート１３の内周面に形成された排出孔１４に沿って排出ポート５５の方向に移動される。また，排出プレート１３の下部に離隔されて設置され，円形のリング状の補助排出プレート１７を更に含む。また，支持バー１８は排出プレート１３の下部に設置され，排出プレート１３と補助排出プレート１７を支持する。支持バー１８は複数個であってもよく，石英材質であってもよい。それだけでなく，ヒータ２０が昇降しながら本体の底面に近接することでチャンバ本体を保護するための断熱板（図示せず）がヒータの昇降部の周辺に設置される。  
【００３７】
基板処理装置１００の内部は基板Ｗを処理するに当たって，内部の雰囲気を真空状態に維持し基板処理装置１００の外部の雰囲気を遮断するためにベローズ１２０を更に含む。ベローズ１２０は下部固定リング３７の上部一側とチャンバ本体１の底面に形成された貫通孔３１の下部に設置された上部固定リング３４の下部一側と連結される。ベローズ１２０は環状に形成されることが好ましく，圧縮及び伸張可能な部材であって，支持軸３０を囲む状態で上部固定リング３４と下部固定リング３７との間に位置する。  
【００３８】
図１に示すように，基板処理装置１００の上部にはチャンバ蓋２が設置される。チャンバ蓋２は，上部が開放された本体２を閉鎖して基板Ｗに対する工程を行うための内部空間を画定する。チャンバ蓋２の外面に沿ってハウジング４を更に含んでもよい。チャンバ蓋２の内部にはソースガス（Ｈ２又はＮ２）をラジカル状態にするためのプラズマ発生装置が含まれる。プラズマ発生装置は，好ましくはＩＣＰアンテナ７０を利用してもいい。  
【００３９】
ＩＣＰアンテナ７０は入力ライン（図示せず）を介して高周波電源（RF generator)に連結され，ＩＣＰアンテナ７０と高周波電源との間には整合器（図示せず）が配置される。高周波電源を介して高周波電流を供給すると，供給された高周波電流はＩＣＰアンテナ７０に供給される。ＩＣＰアンテナ７０は高周波電源を磁場に変換し，基板処理装置の内部に供給されたソースガスからプラズマを生成する。  
【００４０】
ソースガスはチャンバ蓋２の上部に形成されるガス供給口６３から基板処理装置１００の内部空間に流入される。第１ガス貯蔵タンク６０から供給されたソースガス（水素又は窒素）は１次的にブロックプレート(block plate)８０を介して流入される。ブロックプレート８０はチャンバ蓋２の天井面に固定され，ソースガスはチャンバ蓋２とブロックプレート８０との間に形成された空間に詰められてからブロックプレート８０の下面に形成されたガス噴射孔８１を介して拡散される。  
【００４１】
例えば，基板Ｗに対する洗浄工程はプラズマ工程を経たラジカル状態の水素（Ｈ＊）とＮＦ３ガスを使用する乾式エッチング工程であってもよく，それを介して基板Ｗの表面に形成されたシリコーン酸化膜に対するエッチング工程を行う。前述したように，１次的に拡散された水素（Ｈ２）はＩＣＰアンテナ７０を介してラジカル状態の水素（Ｈ＊）に変化されて第１シャワーヘッド８３を通過する。第１シャワーヘッド８３は複数個の噴射孔８４を介してラジカル状態の水素（Ｈ＊）を再拡散させ，水素（Ｈ＊）は下部方向に均一に拡散しながら移動する。  
【００４２】
噴射リング６６はチャンバ蓋２とチャンバ本体１との間に設置される。噴射リング６６はアルミニウム材質であってもよく，チャンバ蓋２の下端部に固定設置される。また，噴射リング６６は噴射口６８を含み，噴射口６８を介して第２ガス貯蔵タンク６５から第２ガスを供給されて基板処理装置１００の内部に第２ガスが流入される。流入されたガスはフッ化窒素（ＮＦ３）であってもよい。噴射口６８を介して流入されたフッ化窒素（ＮＦ３）は第１シャワーヘッド８３と第２シャワーヘッド８７との間でラジカル状態の水素（Ｈ＊）に当たり，それを介して下記反応式１のようにフッ化窒素が還元されてＮＨｘＦｙ（ｘ，ｙは任意の整数）のような中間生成物が生成される。  
0005996084.tif 000002
【００４３】
中間生成物は噴射リング６６の下部に位置した第２シャワーヘッド８７を通過して基板Ｗの上に移動する。第２シャワーヘッド８７は，第１シャワーヘッド８３のように複数個の噴射孔８８を有し，第１シャワーヘッド８３を通過したラジカル状態の水素（Ｈ＊）と，噴射リング６６を介して流入されたフッ化窒素（ＮＦ３）を再拡散させて中間生成物を基板Ｗの上に移動させる。  
【００４４】
中間生成物はシリコーン酸化膜（ＳｉＯ２）との反応性が高いため，中間生成物がシリコーン基板の表面に到達するとシリコーン酸化膜と選択的に反応して下記反応式２のように反応生成物（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が生成される。  
0005996084.tif 000003
【００４５】
次に，基板Ｗを１００℃以上に加熱すると下記反応式３のように反応生成物が熱分解して熱分解ガスとなって蒸発されるため，結果的に基板の表面からシリコーン酸化膜が除去される。下記反応式３のように，熱分解ガスはＨＦガスやＳｉＦ４ガスのようにフッ素を含むガスが含まれる。  
0005996084.tif 000004
【００４６】
前述のように，洗浄工程は，反応生成物を生成する反応工程及び反応生成物を熱分解するヒーティング工程を含み，反応工程及びヒーティング工程はチャンバ内で行うことができる。  
【００４７】
また，基板処理装置１００の内部空間は，工程が行われる空間であって，工程が行われる間に大気圧より低い状態の真空雰囲気を維持する。また，前述した洗浄工程が進行された後，反応副産物及び未反応ガスを排気するためにチャンバ本体１の一側面部には排気ポート９０が形成される。排気ポート９０に連結された排気ポンプ５０によって反応生成物が排出される。  
【００４８】
前述したように，排出プレートと補助排出プレートはヒーティングプレートの周縁にそれぞれ設置され，支持バー１８は排出プレートと補助排出プレートを支持する。排出プレートと補助排出プレートはそれぞれ貫通孔を有し，反応副産物及び未反応ガスは貫通孔を介して排気ポートに移動する。反応副産物及び未反応ガスは，前述したように反応領域内部のラジカルと反応性ガス，未反応ラジカル生成ガス，プラズマ化する際の副生成物，キャリアガスなどであり，排気ポンプ５０によって吸入されて排気ライン（図示せず）を介して排出される。  
【００４９】
本発明を好ましい実施例について詳細に説明したが，これとは異なる他の多くの形態にも適応可能である。よって，以下に記載した請求項の技術的思想と範囲は，好ましい実施例に限られない。  
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下，本発明の実施例を添付した図３を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形態に変形されてもよく，本発明の範囲が以下で説明する実施例に限定されると解釈されてはならない。本実施例は当該発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって，図に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張され得る。以下では前述した実施例とは区別される内容に対してのみ説明し，以下で省略された説明は前述した内容に代替可能である。  
【００５１】
一方，以下では酸化膜除去工程（洗浄工程）を例に挙げて説明しているが，本発明は蒸着工程を含む多様な基板処理工程に応用される。また，実施例で説明するプラズマ生成工程はＩＣＰ方式の工程を例に挙げて説明しているが多用なプラズマ工程によって応用されてもよく，実施例で説明する基板Ｗ以外に多様な被処理体にも応用可能である。  
【００５２】
図３は，本発明の他の実施例による基板処理装置を概略的に示す図である。図１に示すように排気ポート９０はチャンバ本体１一側面に位置してもよく，図３に示すようにチャンバ本体１の中央部に位置してもよい。下部ポート１１０はチャンバ本体１の開放された下部に連結される。下部ポート９０の一側面には排気ポート９０が形成され，前述したように排気ポート９０に連結された排気ポンプ５０を介して未反応ガス及び反応生成物を強制に排気させる。  
【００５３】
本発明を，実施例を介して詳細に説明したが，これとは異なる形態の実施例も可能である。よって，以下に記載した請求項の技術的思想と範囲は実施例に限られない。  
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用される。
【図１】
0005996084.tif 000005
【図２】
0005996084.tif 000006
【図３】
0005996084.tif 000007