(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室を構成する中空形状の加熱容器（８）と、
前記加熱容器内に配置された台座（９）と、
前記加熱容器の外周に配置され、前記加熱容器を加熱する加熱装置（１２、１３）と、
前記台座に接続された支持軸（１１ａ）を有し、該支持軸を介して前記台座を上方に引上げる引上機構（１１）とを有し、
前記台座に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶（５）を設置し、前記加熱装置にて前記台座の周囲を加熱しつつ前記種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス（３ａ）を供給することで前記種結晶の表面に炭化珪素単結晶（２０）を結晶成長させると共に、前記引上機構によって前記台座を引上げることで前記炭化珪素単結晶を長尺化させる炭化珪素単結晶製造装置であって、
前記台座の裏面には、該台座の中央部を外縁部よりも厚みを薄くするザグリ（９ａ）が備えられており、
前記ザグリは円柱形状とされ、前記台座の厚みが中央部では同じ厚みで、該中央部よりも外側において該中央部よりも厚くされていると共に、
前記ザグリの深さが、予定する前記炭化珪素単結晶の成長量を結晶長尺量として、
（数１）
（１／ＳｉＣの熱伝導率）×結晶長尺量＜（１／台座の熱伝導率）×ザグリ深さ
を満たす深さに設定されていることを特徴とする炭化珪素単結晶製造装置。
【請求項２】
前記支持軸は、前記台座の裏面のうちの外縁部にのみ接続されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
【請求項３】
前記台座の外周面には、該台座を表面側と裏面側とに分断するスリット（９ｂ）が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の炭化珪素単結晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶で構成される種結晶に対して原料ガスを供給することでＳｉＣ単結晶の製造を行うＳｉＣ単結晶製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１において、台座に貼り付けられた種結晶に対して下方から原料ガスを供給することでＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造装置が開示されている。このＳｉＣ単結晶製造装置では、原料ガスを１９００℃以上、好ましくは２０００〜２５００℃に加熱することにより、原料ガスを加熱分解して種結晶に供給する。そして、種結晶および台座の外周を通じて、台座の裏面側に配置された排出管から未反応ガスなどの排気ガスの排出させながら、種結晶の表面にＳｉＣ単結晶を成長させるようにしている。
【０００３】
このような温度で原料ガスを加熱することで、水素またはその他のエッチングガスによるエッチングを高温度において増進させることができ、低品質な多結晶域が高品質な単結晶域よりも急速にエッチングされるようにできる。これにより、成長したＳｉＣ単結晶の品質をより高くすることが可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１２１５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、原料ガスを高温下で加熱分解するため、分解を行う反応室の温度およびガス温度が高温となり、この輻射熱により結晶表面の温度が高くなる。特に、種結晶および台座の外周を通じて台座の裏面側に排気ガスを排出していることから、ＳｉＣ単結晶の外周面側では放熱が進むが、結晶中央部では放熱が進まないため、結晶中央部での温度が高くなり、ＳｉＣ単結晶の中央部の成長速度が低下してしまう。この傾向は、ＳｉＣ単結晶の成長量が増すこと伴ってＳｉＣ単結晶の台座方向への放熱がＳｉＣ単結晶自体の熱抵抗によって低下するため、より顕著となる。このため、ＳｉＣ単結晶の成長量が増すに従ってＳｉＣ単結晶の中央部の成長速度は低下し、成長表面が中央部で凹む凹面成長となり、最終的には原料ガス温度に対してＳｉＣ単結晶の成長表面の温度を低く設定できなくなった時点で結晶成長が停止してしまう。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、ＳｉＣ単結晶の中央部で成長速度が低下することを抑制することでＳｉＣ単結晶の成長表面が中央部で凹む凹面成長となることを抑制し、高品質なＳｉＣ単結晶をより長尺に成長させることが可能なＳｉＣ単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、台座（９）に対して炭化珪素単結晶基板からなる種結晶（５）を設置し、加熱装置（１２、１３）にて台座の周囲を加熱しつつ種結晶の表面に炭化珪素の原料ガス（３ａ）を供給することで種結晶の表面に炭化珪素単結晶（２０）を結晶成長させると共に、引上機構（１１）によって台座を引上げることで炭化珪素単結晶を長尺化させる炭化珪素単結晶製造装置であって、台座の裏面には、該台座の中央部を外縁部よりも厚みを薄くするザグリ（９ａ）が備えられており、ザグリは円柱形状とされ、台座の厚みが中央部では同じ厚みで、該中央部よりも外側において該中央部よりも厚くされていると共に、ザグリの深さが、予定する炭化珪素単結晶の成長量を結晶長尺量として、
（数１）
（１／ＳｉＣの熱伝導率）×結晶長尺量＜（１／台座の熱伝導率）×ザグリ深さ
を満たす深さに設定されていることを特徴としている。
【０００８】
このように、台座の裏面において台座を凹ませたザグリを設けることで台座の厚みを径方向において変化させており、外縁部の方が中央部よりも厚みが厚くなるようにしている。このため、ザグリを設けることで台座の外縁部よりも中央部の方が熱抵抗が小さくなり、より放熱量が多くなって、ＳｉＣ単結晶の外周面側よりも中央部側の方がより低温になる。これにより、ＳｉＣ単結晶の成長表面が凹形状になることを抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶の成長表面がフラット、好ましくは成長表面の中央部が外周面側よりも突き出た凸面形状となるようにできる。したがって、より高品質な結晶を連続して長尺に成長させることが可能となる。また、ザグリの深さを上記のように設定していることから、ＳｉＣ単結晶の成長に伴って中央部と外周面側との熱抵抗が変化したとしても、ＳｉＣ単結晶の成長終了まで、台座の中央部の方が外周面側よりも熱抵抗が小さくなるようにできる。このため、よりＳｉＣ単結晶の中央部の方が外周面側よりも放熱量が多くなって、更にＳｉＣ単結晶の外周面側よりも中央部側の方が低温になるようにできる。
【０００９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。
【図２】ＳｉＣ単結晶２０の成長の様子を示したＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。
【図３】ＳｉＣ単結晶２０の成長中のＳｉＣ単結晶製造装置１の温度分布を示した図である。
【図４】ＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられた台座９を従来構造とした場合の温度分布を示した図である。
【図５】本発明の第２実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。
【図７】他の実施形態で説明するＳｉＣ単結晶製造装置１の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
図１に示すＳｉＣ単結晶製造装置１は、ＳｉＣ単結晶２０を長尺に成長させることでＳｉＣ単結晶２０のインゴットを製造するのに用いられる。具体的には、ＳｉＣ単結晶製造装置１は、底部に備えられた流入口２を通じて原料ガス供給源３からの原料ガス３ａを供給すると共に、上部の流出口４を通じて未反応ガスを排出することで、ＳｉＣ単結晶基板からなる種結晶５上にＳｉＣ単結晶２０を成長させる。
【００１３】
ＳｉＣ単結晶製造装置１には、原料ガス供給源３、真空容器６、第１断熱材７、加熱容器８、台座９、第２断熱材１０、回転引上機構１１および第１、第２加熱装置１２、１３が備えられている。
【００１４】
原料ガス供給源３は、キャリアガスと共にＳｉおよびＣを含有するＳｉＣの原料ガス３ａ（例えば、シラン等のシラン系ガスとプロパン等の炭化水素系ガスの混合ガス）を流入口２より供給する。
【００１５】
真空容器６は、石英ガラスなどで構成され、中空円筒状を為しており、キャリアガスや原料ガス３ａの導入導出が行え、かつ、ＳｉＣ単結晶製造装置１の他の構成要素を収容すると共に、その収容している内部空間の圧力を真空引きすることにより減圧できる構造とされている。この真空容器６の底部に原料ガス３ａの流入口２が設けられ、上部（具体的には側壁の上方位置）に原料ガス３ａのうちの未反応ガスなどの排気ガスの流出口４が設けられている。
【００１６】
第１断熱材７は、円筒形状を為しており、真空容器６に対して同軸的に配置され、中空部により原料ガス導入管７ａを構成している。第１断熱材７は、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）やＮｂＣ（炭化ニオブ）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されることで、熱エッチングが抑制できるようにしている。
【００１７】
加熱容器８は、中空形状で構成され、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶２０を成長させる反応室を構成している。具体的には、加熱容器８は、中空円筒状部材を有した構造とされ、本実施形態の場合は底部の中央を開口させた有底円筒状部材で構成されている。加熱容器８は、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）やＮｂＣ（炭化ニオブ）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されることで、熱エッチングが抑制できるようにしてある。この加熱容器８は、台座９を囲むように配置されており、加熱容器８の内周面と種結晶５および台座９の外周面との間を通じて原料ガス３ａのうちの未反応ガスなどの排気ガスが流出口４側に導かれるようになっている。この加熱容器８により、流入口２から供給された原料ガス３ａを種結晶５に導くまでに、原料ガス３ａを分解している。
【００１８】
台座９は、加熱容器８の中心軸と同軸的に配置された円柱形状部材で構成されている。例えば、台座９は、黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）やＮｂＣ（炭化ニオブ）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成され、熱エッチングが抑制できるようにしてある。この台座９に、種結晶５を貼り付け、種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶２０を成長させる。台座９のうち種結晶５が貼り付けられる面は、成長させたい種結晶５の形状と対応する形状、例えば円形状で構成され、種結晶５が配置される面と反対側の面において回転引上機構１１と連結される。
【００１９】
また、台座９の厚みは、径方向において変化させられており、外縁部の方が中央部よりも厚みが厚くなるようにしてある。本実施形態では、台座９の裏面において台座９を凹ませたザグリ９ａを設けることで台座９の厚みを変化させている。具体的には、ザグリ９ａを円錐形状とし、ザグリ９ａの深さが台座９の中央部から徐々に浅くなるようにしている。このような構造とすることで、台座９の中心軸を中心として、台座９の厚みが径方向外側に向かうに連れて徐々に厚くなるようにしてある。
【００２０】
第２断熱材１０は、加熱容器８や台座９の外周を囲みつつ、加熱容器８とその径方向外側との断熱を行う外周断熱材を構成する。本実施形態では、第２断熱材１０は、円筒形状で構成されており、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）やＮｂＣ（炭化ニオブ）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されることで、熱エッチングが抑制できるようにしてある。第２断熱材１０の内径は第１断熱材７や加熱容器８の外径よりも大きくされている。
【００２１】
回転引上機構１１は、パイプ材などで構成される支持軸１１ａを介して台座９の回転および引上げを行う。支持軸１１ａは、一端が台座９のうちの種結晶５の貼付面と反対側の面に接続されており、他端が回転引上機構１１の本体に接続されている。この支持軸１１ａも、例えば黒鉛や表面をＴａＣ（炭化タンタル）などの高融点金属炭化物にてコーティングした黒鉛などで構成されることで、熱エッチングが抑制できるようにしてある。このような構成により、支持軸１１ａと共に台座９、種結晶５およびＳｉＣ単結晶２０の回転および引き上げが行え、ＳｉＣ単結晶２０の成長面が所望の温度分布となるようにしつつ、ＳｉＣ単結晶２０の成長に伴って、その成長表面の温度を常に成長に適した温度に調整できる。
【００２２】
第１、第２加熱装置１２、１３は、例えば加熱コイル（誘導加熱用コイルや直接加熱用コイル）によって構成され、真空容器６の周囲を囲むように配置されている。本実施形態の場合、第１、第２加熱装置１２、１３を誘導加熱用コイルによって構成している。これら第１、第２加熱装置１２、１３は、対象場所をそれぞれ独立して温度制御できるように構成されており、第１加熱装置１２は、加熱容器８の下方と対応した位置に配置され、第２加熱装置１３は、台座９と対応した位置に配置されている。したがって、第１加熱装置１２によって加熱容器８の下方部分の温度を制御することができ、第２加熱装置１３によって台座９や種結晶５およびＳｉＣ単結晶２０の周囲の温度を制御することができる。
【００２３】
このようにして、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１が構成されている。続いて、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１を用いたＳｉＣ単結晶２０の製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。
【００２４】
まず、台座９に種結晶５を取り付け、加熱容器８内に設置する。そして、第１、第２加熱装置１２、１３を制御し、所望の温度分布を付ける。すなわち、種結晶５の表面において原料ガス３ａが再結晶化されることでＳｉＣ単結晶２０が成長しつつ、加熱容器８内において再結晶化レートよりも昇華レートの方が高くなる温度となるようにする。このようにすることで、ＳｉＣ単結晶２０を成長させるべき種結晶５の表面側が加熱される。また、第２加熱装置１３の配置位置が台座９と対応した位置となっているため、台座９の裏面側はあまり加熱されないようにできる。例えば、加熱容器８の底部の温度を２４００℃、種結晶５の表面の温度を２２００℃、台座９の裏面側の温度を２１００℃程度にすることができる。
【００２５】
また、真空容器６を所望圧力にしつつ、必要に応じてＡｒやＨｅなどの不活性ガスによるキャリアガスやＨ2やＨＣｌなどのエッチングガスを導入しながら原料ガス導入管７ａを通じて原料ガス３ａを導入する。これにより、原料ガス３ａが図２（ａ）中の矢印で示したように流動して種結晶５に供給され、この原料ガス供給に基づいて、図２（ｂ）に示すように種結晶５の表面にＳｉＣ単結晶２０が成長させられる。そして、回転引上機構１１によって支持軸１１ａを介して台座９や種結晶５およびＳｉＣ単結晶２０を回転させつつ、ＳｉＣ単結晶２０の成長レートに合せて引上げる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面の高さがほぼ一定に保たれ、成長表面温度の温度分布を制御性良く制御することが可能となる。また、高温な加熱容器８に投入してＳｉＣ単結晶２０を成長させているため、種結晶５の表面以外での結晶の付着を防止することができ、流出口４の詰まりを防止して、連続してＳｉＣ単結晶２０を成長させることが可能となる。
【００２６】
このとき、図２（ａ）、（ｂ）の矢印で示されるように、原料ガス３ａのうちの未反応ガスやエッチングガスなどが台座９や種結晶５およびＳｉＣ単結晶２０の外周面と第２断熱材１０の内壁面との間を経路として流動させられる。このため、ＳｉＣ単結晶２０の外周面側での放熱が進むことになる。
【００２７】
しかしながら、本実施形態の場合、台座９の裏面にザグリ９ａを設けるようにしているため、ザグリ９ａを設けることで台座９の外縁部よりも中央部の方が熱抵抗が小さくなり、より放熱量を多くすることが可能となる。このため、ＳｉＣ単結晶２０の外周面側よりも中央部側の方がより低温になる。つまり、図３に示すように、等温線がＳｉＣ単結晶２０の中央部側において外周面側よりも、より下方に位置するような温度分布となる。
【００２８】
このような温度分布となることにより、ＳｉＣ単結晶２０の中央部での過飽和が高くなり、ＳｉＣ単結晶２０の成長面での成長レートが外周面側と比較して中央部において速くなるようにできる。このため、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面が凹形状になることを抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面がフラット、好ましくは成長表面の中央部が外周面側よりも突き出た凸面形状となるようにできる。これにより、原料ガス３ａの供給がＳｉＣ単結晶２０の中央部からのステップ供給となるようにでき、より高品質な結晶を連続して長尺に成長させることが可能となる。
【００２９】
そして、本実施形態では、ザグリ９ａの深さが台座９の中央部から徐々に浅くなるようにしていることから、急激な温度勾配なく、ＳｉＣ単結晶２０の中央部の高温化を防止することができる。このため、さらに高品質な結晶を連続して長尺に成長させることが可能となる。
【００３０】
参考として、従来のＳｉＣ単結晶製造装置１のように、台座９に対してザグリ９ａを設けていない場合についてもＳｉＣ単結晶２０の成長時の温度分布を調べた。その結果、図４に示すように、ＳｉＣ単結晶２０の中心軸から径方向外側に向かうに連れて徐々に温度が高くなるような温度分布となる。つまり、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面の中央部の方が外周面側よりも温度が高くなる。このため、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面が中央部で凹む凹面成長となり、最終的には原料ガス温度に対してＳｉＣ単結晶２０の成長表面の温度を低く設定できなくなった時点で結晶成長が停止してしまうという不具合が発生する。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、台座９の裏面において台座９を凹ませたザグリ９ａを設けることで台座９の厚みを径方向において変化させており、外縁部の方が中央部よりも厚みが厚くなるようにしている。このため、ザグリ９ａを設けることで台座９の外縁部よりも中央部の方が熱抵抗が小さくなり、より放熱量が多くなって、ＳｉＣ単結晶２０の外周面側よりも中央部側の方がより低温になる。これにより、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面が凹形状になることを抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶２０の成長表面がフラット、好ましくは成長表面の中央部が外周面側よりも突き出た凸面形状となるようにできる。したがって、より高品質な結晶を連続して長尺に成長させることが可能となる。
【００３２】
また、本実施形態では、ザグリ９ａを円錐形状とし、ザグリ９ａの深さが台座９を中央から徐々に浅くなるようにしている。したがって、急激な温度勾配なく、ＳｉＣ単結晶２０の中央部の高温化を防止することができるため、さらに高品質な結晶を連続して長尺に成長させることが可能となる。
【００３３】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してザグリ９ａの形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３４】
図５に示すように、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、台座９に形成したザグリ９ａを円錐形状ではなく、円柱形状としている。つまり、台座９の厚みについて、中央部は同じ厚み、それよりも外側の外縁部は中央部よりも厚くなるようにしている。ザグリ９ａの深さについては任意であるが、ＳｉＣ単結晶２０を成長させたときにＳｉＣ単結晶２０の成長表面が凹形状とならないように、予定するＳｉＣ単結晶２０の成長量（結晶長尺量）とＳｉＣや台座９の熱伝導率に基づいて、次式が成り立つ深さに設定してある。
【００３５】
（数１）
（１／ＳｉＣの熱伝導率）×結晶長尺量＜（１／台座の熱伝導率）×ザグリ深さ
この数式が成り立つようにザグリ９ａの深さを設定すれば、ＳｉＣ単結晶２０の成長に伴って中央部と外周面側との熱抵抗が変化したとしても、ＳｉＣ単結晶２０の成長終了まで、台座９の中央部の方が外周面側よりも熱抵抗が小さくなるようにできる。したがって、ＳｉＣ単結晶２０の中央部の方が外周面側よりも放熱量が多くなって、ＳｉＣ単結晶２０の外周面側よりも中央部側の方がより低温になる。これにより、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して回転引上機構１１の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
【００３７】
図６に示すように、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、台座９の裏面にける外縁部に支持軸１１ａを接続し、台座９の中央部には支持軸１１ａが接続されていない構造としている。支持軸１１ａを台座９の裏面のうちの中央部に接続すると、その分、熱抵抗が大きくなって放熱量が低下し得る。このため、本実施形態のように、台座９の裏面における外縁部に支持軸１１ａを接続することで、台座９の中央部の熱抵抗をより低下させることが可能となる。これにより、よりＳｉＣ単結晶２０の中央部の方が外周面側よりも放熱量が多くなって、更にＳｉＣ単結晶２０の外周面側よりも中央部側の方が低温になる。これにより、第１実施形態と同様の効果を更に得ることができる。
【００３８】
（他の実施形態）
上記第３実施形態では、第１実施形態の構造の台座９に対して、回転引上機構１１の支持軸１１ａが台座９の外縁部にのみ接続される形態としたが、第２実施形態の構造の台座９に対しても適用することができる。
【００３９】
また、上記各実施形態において、台座９の外縁部の熱抵抗が中央部よりも更に高くなるような構造とすることもできる。具体的には、図７に示すように、台座９の外周面において、台座９を厚み方向において表面側（種結晶５側）と裏面側とに分断するスリット９ｂを形成する。このスリット９ｂにより、台座９の外縁部において表面側から裏面側への熱伝導が妨げられるため、より台座９の外縁部の熱抵抗を高くすることができる。
【００４０】
また、台座９の回転と引き上げの双方が行える回転引上機構１１を例に挙げたが、少なくとも引上げが行える引上機構であれば良い。
【００４１】
上記各実施形態では、ＳｉＣ単結晶製造装置１として、原料ガス３ａがＳｉＣ単結晶２０の成長表面に供給されてからＳｉＣ単結晶２０の外周表面や台座９の横を通過して更に上方に排出させられる方式（アップフロー方式）のものを例に挙げて説明した。しかしながら、それに限らず、原料ガス３ａがＳｉＣ単結晶２０の成長表面に供給されてから、再度その供給方向と同方向に戻される方式（リターンフロー方式）や、原料ガス３ａがＳｉＣ単結晶２０の成長表面に供給されてから、加熱容器８の外周方向に排出させられる方式（サイドフロー方式）にも適用できる。
【００４２】
また、本発明は原料ガス３ａを供給するガス供給法成長とは異なる成長法に適用することもできる。すなわち、真空容器内に配置された坩堝に予めＳｉＣ原料粉末を配置しておき、加熱装置による加熱によってＳｉＣ原料粉末からＳｉＣ原料を昇華させた原料ガスを発生させ、種結晶表面にＳｉＣ単結晶を成長させる昇華法成長に対しても本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００４３】
１              単結晶製造装置
３ａ            原料ガス
５              種結晶
８              加熱容器
９              台座
９ａ            ザグリ
１１            回転引上機構
１１ａ          支持軸
１２、１３      第１、第２加熱装置
２０            ＳｉＣ単結晶
【図１】
0005842725.tif 000002
【図２】
0005842725.tif 000003
【図３】
0005842725.tif 000004
【図４】
0005842725.tif 000005
【図５】
0005842725.tif 000006
【図６】
0005842725.tif 000007
【図７】
0005842725.tif 000008