(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削後の板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、
切削後の板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、
該保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、を具備し、
該超音波振動付与手段を作動して該保持テーブルに該切削後の板状物の切削溝に進入した切削屑が微粒子となって浮上する周波数を持つ超音波振動を付与し、該保持テーブルに保持された該切削後の板状物に超音波振動を付与することにより、該切削後の板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる、
ことを特徴とする乾燥装置。  
【請求項２】
該超音波振動付与手段は、周波数が２．５MHz以上の超音波振動を該保持テーブルに付与する、請求項１記載の乾燥装置。
【請求項３】
該保持テーブルを回転する回転駆動手段を備えている、請求項１又は２記載の乾燥装置。
【請求項４】
該保持テーブルに保持された板状物にエアーを供給するためのエアー供給機構を備えている、請求項１から３のいずれかに記載の乾燥装置。
【請求項５】
該保持テーブルに保持された板状物に洗浄液を供給するための洗浄液供給機構を備えている、請求項１から４のいずれかに記載の乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の板状物の表面を洗浄した後に乾燥するための乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように形成された半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体デバイスを製造している。また、サファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハ等のウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを切削送り方向に相対的に切削送りする切削送り手段と、切削手段によって切削されたウエーハを洗浄する洗浄手段を具備している。この洗浄手段としては、ウエーハを保持し回転可能なスピンナーテーブルと、該スピンナーテーブルに保持されたウエーハに洗浄液を噴射する噴射口を有する切削水噴射ノズルを備えた切削水噴射機構とを具備するスピンナー洗浄装置が用いられている。また、洗浄手段は、スピンナーテーブルに保持されたウエーハにエアーを吹き付けるエアーノズルを備え、洗浄されたウエーハを保持したスピンナーテーブルを高速回転しつつウエーハにエアーを吹き付けることにより洗浄されたウエーハを乾燥している。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２８３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、切削ブレードによって切削されたウエーハの切削溝に侵入した切削水は、スピンナーテーブルを高速回転しても十分に排出することが困難であり、乾燥が不十分となるとともに比較的長い作業時間を要するという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、切削後の板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、
切削後の板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、
該保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段と、を具備し、
該超音波振動付与手段を作動して該保持テーブルに該切削後の板状物の切削溝に進入した切削屑が微粒子となって浮上する周波数を持つ超音波振動を付与し、該保持テーブルに保持された該切削後の板状物に超音波振動を付与することにより、該切削後の板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる、
ことを特徴とする乾燥装置が提供される。
【０００８】
上記超音波振動付与手段は、周波数が２．５MHz以上の超音波振動を該保持テーブルに付与する。
上記保持テーブルを回転する回転駆動手段を備えている。
また、上記保持テーブルに保持された板状物にエアーを供給するためのエアー供給機構を備えている。
更に、上記保持テーブルに保持された板状物に洗浄液を供給するための洗浄液供給機構を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による乾燥装置は、切削後の板状物を保持する保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段を具備し、該超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに該切削後の板状物の切削溝に進入した切削屑が微粒子となって浮上する周波数を持つ超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された該切削後の板状物に超音波振動を付与することにより、該切削後の板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめるので、液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に従って構成された乾燥装置を装備した切削機の斜視図。
【図２】図１に示す切削機に装備された本発明に従って構成された乾燥装置の一部を破断して示す斜視図。
【図３】図２に示す乾燥装置を構成する保持テーブルおよび超音波振動付与手段の要部を破断して示す説明図。
【図４】図２に示す乾燥装置の保持テーブルを被加工物搬入・搬出位置に位置付けた状態を示す説明図。
【図５】図２に示す乾燥装置の保持テーブルを作業位置に位置付けた状態を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に従って構成された乾燥装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明に従って構成された乾燥装置を装備した切削機の斜視図が示されている。
図１に示す切削機１は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。この装置ハウジング２内には、被加工物を保持するチャックテーブル３が切削送り方向である矢印Ｘで示す方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設されている。チャックテーブル３は、吸着チャック支持台３１と、該吸着チャック支持台３１上に配設された吸着チャック３２を具備しており、該吸着チャック３２の上面である保持面上に被加工物を図示しない吸引手段を作動することによって吸引保持するようになっている。また、チャックテーブル３は、図示しない回転機構によって回転可能に構成されている。なお、チャックテーブル３には、被加工物として後述するウエーハをダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３３が配設されている。このように構成されたチャックテーブル３は、図示しない切削送り手段によって、矢印Ｘで示す切削送り方向（Ｘ軸方向）に移動せしめられるようになっている。
【００１３】
図１に示す切削機１は、切削手段としてのスピンドルユニット４を具備している。スピンドルユニット４は、切削送り方向（Ｘ軸方向）と直交する矢印Yで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に沿って配設されている。スピンドルユニット４は、図示しない割り出し送り手段によって割り出し送り方向（Y軸方向）に移動せしめられるとともに、図示しない切り込み送り手段によって図１において矢印Ｚで示す切り込み送り方向（Ｚ軸方向）に移動せしめられるようになっている。このスピンドルユニット４は、図示しない移動基台に装着され割り出し方向（Y軸方向）および切り込み方向（Ｚ軸方向）に移動調整されるスピンドルハウジング４１と、該スピンドルハウジング４１に回転自在に支持された回転スピンドル４２と、該回転スピンドル４２の前端部に装着された切削ブレード４３とを具備している。回転スピンドル４２は、図示しないサーボモータによって回転せしめられるように構成されている。
【００１４】
図示の実施形態における切削機１は、上記チャックテーブル３上に保持された被加工物の表面を撮像し、上記切削ブレード４３によって切削すべき領域を検出するための撮像手段５を具備している。この撮像手段５は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段からなっており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、切削機１は、撮像手段５によって撮像された画像を表示する表示手段６を具備している。
【００１５】
上記装置ハウジング２におけるカセット載置領域１１aには、被加工物を収容するカセットを載置するカセット載置テーブル１１１が配設されている。このカセット載置テーブル１１１は、図示しない昇降手段によって上下方向に移動可能に構成されている。カセット載置テーブル１１１上には、被加工物としての半導体ウエーハ１０を収容するカセット１１が載置される。カセット１１に収容される半導体ウエーハ１０は、表面に格子状のストリートが形成されており、この格子状のストリートによって区画された複数の矩形領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成されている。このように形成された半導体ウエーハ１０は、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に裏面が貼着された状態でカセット１１に収容される。
【００１６】
また、図示の実施形態における切削機１は、上記カセット載置テーブル１１１上に載置されたカセット１１に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）を仮置きテーブル１２に搬出するウエーハ搬出・搬入手段１３と、仮置きテーブル１２に搬出された半導体ウエーハ１０を上記チャックテーブル３上に搬送する第１のウエーハ搬送手段１４と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄および乾燥する洗浄・乾燥装置７と、チャックテーブル３上で切削加工された半導体ウエーハ１０を洗浄・乾燥装置７へ搬送する第２のウエーハ搬送手段１５を具備している。
【００１７】
次に、上記洗浄・乾燥装置７について、図２乃至図５を参照して説明する。
図示の実施形態における洗浄・乾燥装置７は、図２に示すように保持テーブル機構７０を具備している。保持テーブル機構７０は、保持テーブル７１と、該保持テーブル７１を回転駆動する回転駆動手段としての電動モータ７２と、該電動モータ７２を上下方向に移動可能に支持する支持手段７３を具備している。保持テーブル７１は、図３に示すように円形状のテーブル本体７１１と、該テーブル本体７１１の下面に連続して形成された軸部７１２とからなっており、ステンレス鋼等の金属材によって一体的に形成されている。テーブル本体７１１の上面には円形の嵌合凹部７１１aが設けられている。この嵌合凹部７１１aには、底面の外周部に環状の載置棚７１１bが設けられている。また、テーブル本体７１１および軸部７１２には嵌合凹部３３１aに開口する吸引通路７１１cが設けられており、この吸引通路７１１cは図示しない吸引手段に連通されている。テーブル本体７１１に設けられた嵌合凹部７１１aに無数の吸引孔を備えたポーラスなセラミックス等からなる多孔性部材によって形成された吸着チャック７１３が嵌合され、環状の載置棚７１１b上に載置される。このように構成された保持テーブル７１は、吸着チャック７１３の上面である保持面にウエーハ等板状物を載置し、図示しない吸引手段を作動することにより、吸着チャック７１３上にウエーハを吸引保持する。
【００１８】
図３を参照して説明を続けると、図示の実施形態における洗浄・乾燥装置７は、上記保持テーブル７１に超音波振動を付与する超音波振動付与手段８を具備している。この超音波振動付与手段８は、保持テーブル７１に配設された超音波振動子８１aおよび８１bと、該超音波振動子８１aおよび８１bに交流電力を印加する電力供給手段８２とからなっている。超音波振動子８１aおよび８１bは、テーブル本体７１１の外周部に形成された環状の溝７１１d内に配設される。この超音波振動子８１aおよび８１bは、それぞれ圧電体８１１と、該圧電体８１１の両側分極面にそれぞれ装着された2枚の電極板８１２、８１３とからなっており、それぞれ半環状形に形成されている。圧電体８１１は、チタン酸バリウム(BaTiO3)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O3)、リチウムナイオベート(LiNbO3)、リチウムタンタレート(LiTaO3)等の圧電セラミックスによって形成されている。このように構成された超音波振動子８１aおよび８１bは、それぞれ電極板８１２、８１３が絶縁体ボンドによってテーブル本体７１１に装着されている。このようにしてテーブル本体７１１に装着された超音波振動子８１aおよび８１bは、それぞれ電極板８１２、８１３が導線８１４、８１５を介して軸部７１２の外周面に絶縁体ボンドを介して配設された環状の電極端子８１６、８１７に接続されている。なお、環状の電極端子８１６、８１７の外周にはスリップリング８１８、８１９が装着され、このスリップリング８１８、８１９が電力供給手段８２に接続される。
【００１９】
上述した超音波振動子８１aおよび８１bに所定周波数の交流電力を印加する交流電力供給手段８２は、交流電源８２１と、電力調整手段としての電圧調整手段８２２と、交流電力の周波数を調整する周波数調整手段８２３と、上記電圧調整手段８２２および周波数調整手段８２３を制御する制御手段８２４を具備している。
【００２０】
図３に示す超音波振動付与手段８は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
超音波振動付与手段８を構成する電力供給手段８２は、制御手段８２４によって電圧調整手段８２２および周波数変換手段８２３を制御し、交流電力の電圧を所定の電圧（例えば、７５V）に制御するとともに、交流電力の周波数を２．５MHz以上の周波数に変換する。このようにして所定の電圧で所定周波数に制御された交流電力は、スリップリング８１８、８１９、環状の電極端子８１６、８１７、導線８１４、８１５を介して超音波振動子８１aおよび８１bのそれぞれの電極板８１２、８１３に印加される。この結果、超音波振動子８１aおよび８１bは径方向および軸方向に繰り返し変位して超音波振動する。この超音波振動は、保持テーブル７１の円形状のテーブル本体７１１に伝達され、テーブル本体７１１が径方向および軸方向に超音波振動する。
【００２１】
なお、上述したように構成された保持テーブル７１は、軸部７１２が図２に示す電動モータ７２の駆動軸７２１に伝動連結される。従って、電動モータ７２を駆動することにより、保持テーブル７１は所定の方向に回転せしめられる。
【００２２】
上記支持手段７３は、複数本（図示の実施形態においては３本）の支持脚７３１と、該支持脚７３１をそれぞれ連結し電動モータ７２に取り付けられた複数本（図示の実施形態においては３本）のエアシリンダ７３２とからなっている。このように構成された支持手段７３は、エアシリンダ７３２を作動することにより、電動モータ７２および保持テーブル７１を図４に示す上方位置である被加工物搬入・搬出位置と、図５に示す下方位置である作業位置に位置付ける。
【００２３】
図２を参照して説明を続けると、図示の実施形態における洗浄・乾燥装置７は、上記スピンナーテーブル機構７０を包囲して配設された水受け手段７４を具備している。この水受け手段７４は、洗浄液受け容器７４１と、該洗浄液受け容器７４１を支持する３本（図２には２本が示されている）の支持脚７４２と、上記保持テーブル７１の軸部７１２に装着されたカバー部材７４３とを具備している。洗浄液受け容器７４１は、図４および図５に示すように円筒状の外側壁７４１ａと底壁７４１ｂと内側壁７４１ｃとからなっている。底壁７４１ｂの中央部には上記電動モータ７２の駆動軸７２１が挿通する穴７４１ｄが設けられおり、この穴７４１ｄの周縁から上方に突出する内側壁７４１ｃが形成されている。また、図２に示すように底壁７４１ｂには排液口７４１eが設けられており、この排液口７４１ｅにドレンホース７４４が接続されている。上記カバー部材７４３は、円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部７４３ａを備えている。このように構成されたカバー部材７４３は、電動モータ７２および保持テーブル７１が図５に示す作業位置に位置付けられると、カバー部７４３ａが上記洗浄液受け容器７４１を構成する内側壁７４１ｃの外側に隙間をもって重合するように位置付けられる。
【００２４】
図示の実施形態における洗浄・乾燥装置７は、上記保持テーブル７１に保持された加工後の被加工物である半導体ウエーハ１０に洗浄液を供給するための洗浄液供給機構７５を具備している。洗浄液供給機構７５は、保持テーブル７１に保持されたウエーハに向けて洗浄液を供給する洗浄液噴射ノズル７５１と、該洗浄液噴射ノズル７５１を揺動せしめる正転・逆転可能な電動モータ７５２を備えている。洗浄液噴射ノズル７５１は、水平に延び先端部が下方に屈曲され先端に噴射口７５１aを備えたノズル部７５１bと、該ノズル部７５１bの基端から下方に延びる支持部７５１cとからなっており、支持部７５１cが上記収容容器７４１を構成する底壁７４１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設されている。上記洗浄液噴射ノズル７５１の支持部７５１cが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７５１cとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。
【００２５】
図２、図４および図５を参照して説明を続けると、図示の実施形態における洗浄・乾燥装置７は、上記保持テーブル７１に保持された加工後の被加工物である半導体ウエーハ１０にエアーを供給するためのエアー供給機構７６を具備している。エアー供給機構７６は、スピンナーテーブル７１１に保持された洗浄後の被加工物である半導体ウエーハ１０に向けてエアーを噴出するエアーノズル７６１と、該エアーノズル７６１を揺動せしめるための正転・逆転可能な電動モータ７６２を備えており、該エアーノズル７６１が図示しないエアー供給手段に接続されている。エアーノズル７６１は、水平に延び先端部が下方に屈曲され先端に噴射口７６１aを備えたノズル部７６１bと、該ノズル部７６１bの基端から下方に延びる支持部７６１cとからなっており、支持部７６１cが上記洗浄液受け容器７４１を構成する底壁７４１ｂに設けられた図示しない挿通穴を挿通して配設されている。なお、エアーノズル７６１の支持部７６１cが挿通する図示しない挿通穴の周縁には、支持部７６１cとの間をシールするシール部材（図示せず）が装着されている。
【００２６】
次に、上述したように構成された洗浄・乾燥装置７を装備した切削機１の作用について説明する。
カセット載置テーブル１１１上に載置されたカセット１１の所定位置に収容されている半導体ウエーハ１０（環状のフレームFにダイシングテープTを介して支持されている状態）は、図示しない昇降手段によってカセット載置テーブル１１１が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、ウエーハ搬出・搬入手段１３が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１０を仮置きテーブル１２上に搬出する。仮置きテーブル１２に搬出された半導体ウエーハ１０は、第１のウエーハ搬送手段１４の旋回動作によって上記チャックテーブル３上に搬送される。
【００２７】
チャックテーブル３上に半導体ウエーハ１０が載置されたならば、図示しない吸引手段が作動して半導体ウエーハ１０をチャックテーブル３上に吸引保持する。また、半導体ウエーハ１０をダイシングテープTを介して支持する環状のフレームFは、上記クランプ３３によって固定される。このようにして半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３は、撮像手段５の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル３が撮像手段５の直下に位置付けられると、撮像手段５によって半導体ウエーハ１０に形成されているストリートを検出するとともに、スピンドルユニット４を割り出し方向である矢印Ｙ方向に移動調整してストリートと切削ブレード４３との精密位置合わせ作業を実施する（アライメント工程）。
【００２８】
上述したようにアライメント工程が実施されたならば、切削ブレード４３を矢印Ｚで示す方向に所定量切り込み送りし、所定の方向に回転させつつ半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３を切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に所定の切削送り速度で切削送りする。この結果、チャックテーブル３上に保持された半導体ウエーハ１０は切削ブレード４３により所定のストリートに沿って切断される（切削工程）。このようにして、半導体ウエーハ１０を所定のストリートに沿って切断したら、スピンドルユニット４を矢印Ｙで示す方向にストリートの間隔だけ割り出し送りし、上記切削工程を実施する。そして、半導体ウエーハ１０の所定方向に延在するストリートの全てに沿って切削工程を実施したならば、チャックテーブル３を９０度回転させて、半導体ウエーハ１０の所定方向と直交する方向に延在するストリートに沿って上記切削工程を実行する。この結果、半導体ウエーハ１０は、表面に格子状に形成された全てのストリートに沿って切断され、個々のデバイスに分割される。なお、分割された個々のデバイスは、ダイシングテープTの作用によってバラバラにはならず、環状のフレームＦに支持されたウエーハの状態が維持されている。
【００２９】
上述したように半導体ウエーハ１０のストリートに沿って切削工程が終了したら、半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３は最初に半導体ウエーハ１０を吸引保持した位置に戻される。そして、半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。このように吸引保持が解除されたチャックテーブル３上の半導体ウエーハ１０は、第２のウエーハ搬送手段１５によって洗浄・乾燥装置７の保持テーブル７１上に搬送される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１０を保持テーブル７１上に吸引保持する。このとき洗浄液噴射ノズル７５１は、図２および図４に示すように保持テーブル７１の上方から離隔した待機位置に位置付けられている。
【００３０】
加工後の半導体ウエーハ１０が洗浄・乾燥装置７の保持テーブル７１上に保持されたならば、加工後の半導体ウエーハ１０を洗浄する洗浄工程を実行する。即ち、保持テーブル７１を図５に示す作業位置に位置付けるとともに、洗浄液供給機構７５の電動モータ７５２を作動して洗浄液噴射ノズル７５１のノズル部７５１ａを保持テーブル７１上に保持された半導体ウエーハ１０の回転中心上方に位置付ける。そして、保持テーブル７１を例えば３００〜１０００ｒｐｍの回転速度で回転しつつ図示しない洗浄液供給手段を作動して０．２Mpaの洗浄液を洗浄液噴射ノズル７５１に供給する。なお、洗浄液噴射ノズル７５１を構成するノズル部７５１bの噴射口７５１aから噴射される洗浄液の噴射量は、図示の実施形態においては２リットル／分に設定されている。そして、洗浄液供給機構７５の電動モータ７５２を作動して洗浄液噴射ノズル７５１を揺動し、ノズル部７５１ａを半導体ウエーハ１０の回転中心から外周に向けて移動せしめる（洗浄工程）。この結果、半導体ウエーハ１０の表面は、洗浄液噴射ノズル７５１を構成するノズル部７５１bの噴射口７５１aから噴射される洗浄液によってスピンナー洗浄される。なお、洗浄工程が終了したならば、洗浄液噴射ノズル７５１を待機位置に位置付ける。
【００３１】
なお、上述した洗浄工程において、超音波振動付与手段８を構成する電力供給手段８２によって例えば電圧が７５Vで周波数が２．５MHzの高周波電力を超音波振動子８１aおよび８１bのそれぞれの電極板８１２、８１３に印加することにより、上述したように保持テーブル７１のテーブル本体７１１を径方向および軸方向に超音波振動せしめることが望ましい。このように保持テーブル７１のテーブル本体７１１が超音波振動することにより、保持テーブル７１上に保持された切削後の半導体ウエーハ１０が超音波振動するため、半導体ウエーハ１０に形成された切削溝に侵入した切削屑が微粒子となって浮上するので、洗浄が促進される。
【００３２】
上述した洗浄工程を実施したならば、洗浄後の半導体ウエーハ１０を乾燥する乾燥工程を実行する。
即ち、超音波振動付与手段８を構成する電力供給手段８２によって例えば電圧が７５Vで周波数が２．５MHzの高周波電力を超音波振動子８１aおよび８１bのそれぞれの電極板８１２、８１３に印加することにより、上述したように保持テーブル７１のテーブル本体７１１を径方向および軸方向に超音波振動せしめる。この結果、保持テーブル７１上に保持された洗浄後の半導体ウエーハ１０が超音波振動するため、半導体ウエーハ１０に付着している洗浄液が微粒子となって飛散するので、半導体ウエーハ１０を短時間で乾燥することができる。このとき、保持テーブル７１を例えば３０００ｒｐｍの回転速度で例えば１５秒程度回転しつつ、エアー供給機構７６の電動モータ７６２を作動してエアーノズル７６１のノズル部７６１bをスピンナーテーブル７１１に保持された洗浄後の半導体ウエーハ１０の中央部上方に位置付け、図示しないエアー供給手段を作動して半導体ウエーハ１０の表面にエアーノズル７６１を構成するノズル部７６１ｂの噴射口７６１ａから例えば２００ミリリットル／秒のエアーを供給しつつエアーノズル７６１のノズル部７６１bを所要角度範囲で揺動せしめることが望ましい。この結果、保持テーブル７１上に保持された洗浄後の半導体ウエーハ１０を短時間で確実に乾燥することができる。
【００３３】
以上のようにして、洗浄された半導体ウエーハ１０に対して上述した乾燥工程を実施したならば、保持テーブル７１の回転を停止するとともに、エアー供給機構７６のエアーノズル７６１を待機位置に位置付ける。そして、保持テーブル７１を図４に示す被加工物搬入・搬出位置に位置付けるとともに、保持テーブル７１に保持されている半導体ウエーハ１０の吸引保持を解除する。次に、保持テーブル７１上において吸引保持が解除された加工後の半導体ウエーハ１０は、第１のウエーハ搬送手段１４によって仮置きテーブル１２に搬送される。仮置きテーブル１２に搬送された加工後の半導体ウエーハ１０は、ウエーハ搬出・搬入手段１３によってカセット１１の所定位置に収納される。
【符号の説明】
【００３４】
１：切削機
２：装置ハウジング
３：チャックテーブル
４：スピンドルユニット
４２：回転スピンドル
４３：切削ブレード
５：撮像手段
６：表示手段
７：洗浄・乾燥装置
７０：保持テーブル機構
７１：保持テーブル
７２：電動モータ
７４：水受け手段
７５：洗浄液供給機構
７５１：洗浄液噴射ノズル
７６：エアー供給機構
７６１：エアーノズル
８：超音波振動付与手段
８１a、８１b：超音波振動子
８２：交流電力供給手段
１０：半導体ウエーハ
１１：カセット
１２：仮置きテーブル
１３：ウエーハ搬出・搬入手段
１４：第１のウエーハ搬送手段
１５：第２のウエーハ搬送手段
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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