(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基材層が積層される積層体に、互いに電磁界結合する１次側コイル素子および２次側コイル素子で構成される第１トランスと、互いに電磁界結合する１次側コイル素子および２次側コイル素子で構成される第２トランスと、を備えたインピーダンス変換回路のインピーダンス変換比の設定方法であって、
前記第１トランスの前記１次側コイル素子、前記第１トランスの前記２次側コイル素子、前記第２トランスの前記１次側コイル素子および前記第２トランスの前記２次側コイル素子は、それぞれのコイル開口が、積層方向からの平面視で重なり、
前記第１トランスの前記１次側コイル素子と前記第２トランスの前記１次側コイル素子とを並列接続し、前記第１トランスの前記２次側コイル素子と前記第２トランスの前記２次側コイル素子とを並列接続し、
前記積層体内での、前記第１トランスの前記１次側コイル素子と、前記第１トランスの前記２次側コイル素子との積層順、および前記第２トランスの前記１次側コイル素子と、前記第２トランスの前記２次側コイル素子との積層順によって、前記第１トランスおよび前記第２トランスによるインピーダンス変換の比を定める、インピーダンス変換比設定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナ装置等に適用するインピーダンス変換回路のインピーダンス変換比設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話端末などの無線通信機器の小型化に伴って、アンテナは小型化され、そのインピーダンスは低くなる傾向にある。そのため、給電回路と、この給電回路に比べてインピーダンスが非常に低いアンテナとを、リアクタンス素子で整合させようとすると、狭帯域化してしまう。【０００３】
一方、１つのアンテナで複数の通信システムに対応させる場合が多い。ローバンド（例えば800MHz帯）とハイバンド（例えば2GHz帯）の通信システムに対応させる場合、１つの放射素子の基本共振モードと高次共振モードとが利用される。しかし放射素子のインピーダンスは周波数によって異なるため、一方の周波数帯に整合する整合回路を設けると他方周波数で整合できないといった問題も生じる。【０００４】
上記問題を解決するため、特許文献１に示されるように、整合回路にトランス回路を用いたインピーダンス変換回路が提案される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４７６１００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
アンテナおよびインピーダンス変換回路の小型化の要請に伴い、インピーダンス変換回路のトランスを構成する１次コイルおよび２次コイルのインダクタンスは数nHと非常に小さい。そのため、十分なコイルの巻き数が確保できず、磁束が集中しないという問題や、トランスの入出力部に生じるインダクタンスの全体のインダクタンスに対する割合が大きくなり、結合係数の実効値が小さくなる、といった問題がある。【０００７】
小さなコイルでありながらも所定の（大きな）結合係数を得るためには、１次コイルと２次コイルの形状を同一形状（合同に近い形状）にして互いに重なるように配置することが有効である。【０００８】
しかし、１次コイルと２次コイルを同一形状にすると、１次コイルおよび２次コイルそれぞれについてインダクタンスを定めるための自由度は殆ど無い。インピーダンス変換比はトランスの１次コイルと２次コイルのインダクタンスに応じて定まるので、上記の理由から、所定のインピーダンス比を得るのは非常に困難である。【０００９】
そこで、本発明の目的は、上述の課題を解決して、小型でありながら高い結合係数を維持しつつ、所定のインピーダンス変換比を定められるようにしたインピーダンス変換比設定方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明のインピーダンス変換比設定方法は、
複数の基材層が積層される積層体に、互いに電磁界結合する１次側コイル素子および２次側コイル素子で構成される第１トランスと、互いに電磁界結合する１次側コイル素子および２次側コイル素子で構成される第２トランスと、を備えたインピーダンス変換回路のインピーダンス変換比の設定方法であって、
前記第１トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ１）、前記第１トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ２）、前記第２トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ３）および前記第２トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ４）は、それぞれのコイル開口が、積層方向からの平面視で重なり、
前記第１トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ１）と前記第２トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ３）とを並列接続し、前記第１トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ２）と前記第２トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ４）とを並列接続し、
前記積層体内での、前記第１トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ１）と、前記第１トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ２）との積層順、および前記第２トランスの前記１次側コイル素子（Ｌ３）と、前記第２トランスの前記２次側コイル素子（Ｌ４）との積層順によって、前記第１トランスおよび前記第２トランスによるインピーダンス変換の比を定める、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のインピーダンス変換比設定方法によれば、小型でありながら高い結合係数を維持しつつ、所定のインピーダンス変換比に定められる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は第１の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。
【図２】図２はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。
【図３】図３は、図１、図２に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図である。
【図４】図４（Ａ）はインピーダンス変換回路１０１の簡易回路図である。図４（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の更なる簡易回路図である。図４（Ｃ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。
【図５】図５は、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）との積層順、および第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）との積層順が異なる４つのインピーダンス変換回路の例を示す図である。
【図６】図６はコイル素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の積層順による、１次コイルと２次コイルのインダクタンスの違いについて示す図である。
【図７】図７は第２の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付す。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもない。
【００１９】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るインピーダンス変換回路１０１の内部透視斜視図である。但し、導体パターンが形成される誘電体の基材層は除いて描いている。また、積層構造の分かりやすさを考慮して、積層方向の寸法を誇張して表している。実際の寸法は、例えば実装面は１．６×０．８mm、高さは０．６mmである。
【００２０】
図１に表れるように、８つのコイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８が積層体１０内に形成される。各コイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８は所定位置でビアＶ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３等により層間接続される。
【００２１】
積層体１０の外面には、外部端子である、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。具体的には、積層体１０の第１側面に給電端子Ｐ１、第１側面に対向する第２側面にアンテナ端子Ｐ２、がそれぞれ形成される。第３側面にはグランド端子Ｐ３、第３側面に対向する第４側面には空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。積層体１０の下面および上面には、側面の外部端子に繋がる、給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３および空き端子ＮＣがそれぞれ形成される。
【００２２】
図２はインピーダンス変換回路１０１の各基材層に形成される導体パターンと電流経路を示す図である。基材層１５に第１コイル導体ＬＰ１、基材層１４に第２コイル導体ＬＰ２、基材層１３に第３コイル導体ＬＰ３、基材層１２に第４コイル導体ＬＰ４、がそれぞれ形成される。また、基材層１６に第５コイル導体ＬＰ５、基材層１７に第６コイル導体ＬＰ６、基材層１８に第７コイル導体ＬＰ７、基材層１９に第８コイル導体ＬＰ８、がそれぞれ形成される。
【００２３】
コイル導体ＬＰ１，ＬＰ２は第１コイル素子Ｌ１の一部を構成する。コイル導体ＬＰ３，ＬＰ４は第２コイル素子Ｌ２の一部を構成する。そして、この第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２とで第１トランスＴ１が構成され、第３コイル素子Ｌ３と第４コイル素子Ｌ４とで第２トランスＴ２が構成される。
【００２４】
第１トランスＴ１と第２トランスＴ２は、各コイル導体の積層順が積層方向で逆であり、上下対称形である。そこで、第１トランスＴ１について主に説明する。
【００２５】
第１コイル導体ＬＰ１は導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ１で構成される。導体パターンＬ１Ａの端部は給電端子Ｐ１に導通する。第２コイル導体ＬＰ２は導体パターンＬ１Ｃ，Ｌ１Ｂ２で構成される。第３コイル導体ＬＰ３は導体パターンＬ２Ｂ２，Ｌ２Ｃで構成される。導体パターンＬ２Ｃの端部はアンテナ端子Ｐ２に導通する。第４コイル導体ＬＰ４は導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ１で構成される。導体パターンＬ２Ａの端部はグランド端子Ｐ３に導通する。
【００２６】
第１コイル導体ＬＰ１の一部である導体パターンＬ１Ｂ１および第２コイル導体ＬＰ２の一部である導体パターンＬ１Ｂ２は、ビアＶ１１，Ｖ１２を介して並列接続される。導体パターンＬ１Ｃの端部はビアＶ２１を介して導体パターンＬ２Ｃに直列接続される。第３コイル導体ＬＰ３の一部である導体パターンＬ２Ｂ２および第４コイル導体ＬＰ４の一部である導体パターンＬ２Ｂ１は、ビアＶ２２，Ｖ２３を介して並列接続される。
【００２７】
図１、図２に示すように、本実施形態のインピーダンス変換回路１０１のコイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８それぞれは実質的に１ターンのコイルを構成する。
【００２８】
第１コイル導体ＬＰ１が形成するコイル開口と第２コイル導体ＬＰ２が形成するコイル開口とは、積層体の積層方向からの平面視で重なる。また、第３コイル導体ＬＰ３が形成するコイル開口と第４コイル導体ＬＰ４が形成するコイル開口とは、積層体の積層方向からの平面視で重なる。さらに、各コイル導体ＬＰ１〜ＬＰ４が形成するコイル導体のコイル開口は積層体の積層方向からの平面視で重なる。
【００２９】
コイル導体ＬＰ５〜ＬＰ８についても同様に、それらが形成するコイル開口は、積層体の積層方向からの平面視で重なる。また、コイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８全体についても、それらが形成するコイル開口は、積層体の積層方向からの平面視で重なる。
【００３０】
図２において、第１コイル導体ＬＰ１および第２コイル導体ＬＰ２には、給電端子Ｐ１→導体パターンＬ１Ａ→導体パターン（Ｌ１Ｂ１＋Ｌ１Ｂ２）→導体パターンＬ１Ｃ→アンテナ端子Ｐ２の経路で電流が流れる。また、第３コイル導体ＬＰ３および第４コイル導体ＬＰ４には、アンテナ端子Ｐ２→導体パターンＬ２Ｃ→導体パターン（Ｌ２Ｂ２＋Ｌ２Ｂ１）→導体パターンＬ２Ａ→グランド端子Ｐ３の経路で電流が流れる。
【００３１】
上述のとおり、第２トランスＴ２の構造は、コイル導体の積層順が異なること以外は第１トランスＴ１と同じである。したがって、インピーダンス変換回路１０１は、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）が並列接続され、且つ第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）が並列接続された回路である。
【００３２】
基材層１１〜２０は誘電体（絶縁体）または磁性体の層である。例えば、誘電体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体１０を構成してもよいし、樹脂シートを圧着して積層体１０を構成してもよい。また、磁性体セラミックスのグリーンシートを使用し、それらを積層圧着して焼成することにより積層体１０を構成してもよいし、磁性体フィラーを分散させた樹脂シートを圧着して積層体１０を構成してもよい。さらには、磁芯となるべき層のみを磁性体とし、その他の層を誘電体としてもよい。例えば複数の基材層のうち、基材層１３〜１９を、磁性体を有する層とし、その他の基材層を非磁性体の層とする。
【００３３】
このように、磁性体を有する積層体に、コイル素子Ｌ１〜Ｌ４を設けることにより、第１コイル素子Ｌ１と第２コイル素子Ｌ２との結合度が高まり、第３コイル素子Ｌ３と第４コイル素子Ｌ４との結合度が高まる。そのため、それらの相互インダクタンスが大きくなる。また、所定のインダクタンスを得るに要する、コイル素子Ｌ１〜Ｌ４のコイル導体長が短くなるので、インピーダンス変換回路１０１はより小型になる。
【００３４】
積層体１０は直方体形状であり、平面視での２つの短辺の中央に給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２がそれぞれ配置され、２つの長辺の中央にグランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣがそれぞれ配置されている。そのため、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路の途中に、インピーダンス変換回路１０１を容易に配置できる。特に、給電回路とアンテナとの間の信号伝送経路がコプレーナラインである場合に、給電端子Ｐ１とアンテナ端子Ｐ２を中心導体に接続し、グランド端子Ｐ３と空き端子ＮＣを回路基板のグランド導体に容易に接続できる。すなわち、各端子を接続するための引き回しパターンや特別なランドパターンを設ける必要がなく、回路基板へのインピーダンス変換回路１０１の実装が容易である。
【００３５】
図３は、図１、図２に示したインピーダンス変換回路１０１の回路図である。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１に給電回路３０が接続され、アンテナ端子Ｐ２にアンテナ４０が接続される。グランド端子Ｐ３はグランドに接続される。
【００３６】
図１、図２に示したインピーダンス変換回路１０１の第１コイル素子Ｌ１、第２コイル素子Ｌ２、第３コイル素子Ｌ３、第４コイル素子Ｌ４はそれぞれ４つのインダクタで構成される。それぞれのコイル素子Ｌ１〜Ｌ４のうち、途中の並列接続部（Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２）（Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２）（Ｌ３Ｂ１，Ｌ３Ｂ２）（Ｌ４Ｂ１，Ｌ４Ｂ２）の長さはビアＶ１１，Ｖ１２，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ４２，Ｖ４３の位置によって定められる。
【００３７】
ここで、第１コイル導体ＬＰ１の導体パターンＬ１Ａと第２コイル導体ＬＰ２の導体パターンＬ１ＣのインダクタンスをL1A，L1Cで表し、第１コイル導体ＬＰ１の導体パターンＬ１Ｂ１と第２コイル導体ＬＰ２の導体パターンＬ１Ｂ２のインダクタンスをL1B1，L1B2で表すと、第１コイル素子Ｌ１のインダクタンスL1は次式で表される。
【００３８】
L1 = L1A + L1C + L1B1・L1B2 / (L1B1 + L1B2)
したがって、前記１ターンのコイルの大きさだけでなく、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によっても、並列接続部のインダクタンス L1B1・L1B2 / (L1B1 + L1B2) および直列接続部のインダクタンス L1A + L1C が定まるので、コイル開口を変えることなく、層間接続導体Ｖ１１，Ｖ１２の位置によって、第１コイル素子Ｌ１の合成インダクタンスを所定値に定めることができる。
【００３９】
同様に、第２コイル素子Ｌ２のインダクタンスL2は次式で表される。
【００４０】
L2 = L2A + L2C + L2B1・L2B2 / (L2B1 + L2B2)
したがって、前記１ターンのコイルの大きさだけでなく、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３の位置によっても、並列接続部のインダクタンス L2B1・L2B2 / (L2B1 + L2B2) および直列接続部のインダクタンス L2A + L2C が定まるので、コイル開口を変えることなく、層間接続導体Ｖ２２，Ｖ２３の位置によって、第２コイル素子Ｌ２の合成インダクタンスを所定値に定めることができる。
【００４１】
同様に、層間接続導体Ｖ３１，Ｖ３２の位置によって、第３コイル素子Ｌ３の合成インダクタンスを所定値に定めることができ、層間接続導体Ｖ４２，Ｖ４３の位置によって、第４コイル素子Ｌ４の合成インダクタンスを所定値に定めることができる。
【００４２】
図４（Ａ）はインピーダンス変換回路１０１の簡易回路図である。図４（Ｂ）はインピーダンス変換回路１０１の更なる簡易回路図である。図４（Ｃ）はインピーダンス変換回路１０１の等価回路図である。
【００４３】
図４（Ａ）に示すように、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）が並列接続され、第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）が並列接続される。
【００４４】
図４（Ｂ）は並列接続されたインダクタを１つのインダクタで表した回路図である。１次側コイルＬＡと２次側コイルＬＢとでオートトランス型回路が構成される。
【００４５】
このオートトランス型回路は、図４（Ｃ）に示すように、三つのインダクタンス素子Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３によるＴ型回路に等価変換できる。すなわち、このＴ型回路は、給電回路３０に接続される給電端子Ｐ１、アンテナ端子Ｐ２、グランド端子Ｐ３、給電端子Ｐ１と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ１、アンテナ端子Ｐ２と分岐点Ａとの間に接続されたインダクタンス素子Ｚ２、およびグランド端子Ｐ３と分岐点Ａとの間に接続された第３インダクタンス素子Ｚ３で構成される。インピーダンス変換回路１０１の変圧比は、１次側コイルＬＡのインダクタンスをＬＡ、２次側コイルＬＢのインダクタンスをＬＢで表すと、
｛（ＬＡ＋Ｍ）＋（ＬＢ＋Ｍ）｝：｛（−Ｍ）＋（ＬＢ＋Ｍ）｝
＝（ＬＡ＋ＬＢ＋２Ｍ）：ＬＢ
である。
【００４６】
図１に示した積層体１０内での、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）との積層順、および第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）との積層順は、図１、図２に示した順以外に数通りある。図５は、その積層順の例を示す図である。図５においてインピーダンス変換回路１０１Ａは、図４（Ａ）に示したインピーダンス変換回路１０１の例と同じである。上記コイル素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の積層順によって、第１トランスＴ１および第２トランスＴ２の１次側コイルのインダクタンスならびに２次側コイルのインダクタンスは変化する。
【００４７】
図６は上記コイル素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４の積層順による、１次コイルと２次コイルのインダクタンスの違いについて示す図である。ここで(I)は単に１層の１次コイルと１層の２次コイルを積層して単一のトランスを構成したときの、１次コイルと２次コイルのインダクタンスである。この場合を基準とする。(II)は図５のインピーダンス変換回路１０１Ｂ，１０１Ｃの１次側コイルＬＡと２次側コイルＬＢのインダクタンスである。(III)は図５のインピーダンス変換回路１０１Ｄの１次側コイルＬＡと２次側コイルＬＢのインダクタンスである。(IV)は図５のインピーダンス変換回路１０１Ａの１次側コイルＬＡと２次側コイルＬＢのインダクタンスである。
【００４８】
図５に示すインピーダンス変換回路１０１Ａのように、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）とが積層方向に隣接し、この２つのコイル素子を第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）とで挟み込むように配置されると、挟み込まれたコイル素子Ｌ１，Ｌ３は接近するので、コイル素子Ｌ１，Ｌ３による１次側コイルＬＡのインダクタンスは、挟み込んだコイル素子Ｌ２，Ｌ４による２次側コイルＬＢのインダクタンスより大きい。
【００４９】
逆に、インピーダンス変換回路１０１Ｄのように、第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）とが積層方向に隣接し、この２つのコイル素子を第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）とで挟み込むように配置されると、挟み込まれたコイル素子Ｌ２，Ｌ４は接近するので、コイル素子Ｌ２，Ｌ４による２次側コイルＬＢのインダクタンスは、挟み込んだコイル素子Ｌ１，Ｌ３による１次側コイルＬＡのインダクタンスより大きい。
【００５０】
また、インピーダンス変換回路１０１Ｂのように、第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）とが積層方向に隣接し、この２つのコイル素子を第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）とで挟み込むように配置されると、１次側コイルＬＡのインダクタンスと２次側コイルＬＢのインダクタンスとは共に小さく且つほぼ等しい。
【００５１】
同様に、インピーダンス変換回路１０１Ｃのように、第１トランスＴ１の１次側コイル（第１コイル素子Ｌ１）と第２トランスＴ２の２次側コイル（第４コイル素子Ｌ４）とが積層方向に隣接し、この２つのコイル素子を第１トランスＴ１の２次側コイル（第２コイル素子Ｌ２）と第２トランスＴ２の１次側コイル（第３コイル素子Ｌ３）とで挟み込むように配置されると、１次側コイルＬＡのインダクタンスと２次側コイルＬＢのインダクタンスとは共に小さく且つほぼ等しい。
【００５２】
このように、積層体内での、第１トランスＴ１の１次側コイル素子Ｌ１と第１トランスＴ１の２次側コイル素子Ｌ２との積層順に対する、第２トランスＴ２の１次側コイル素子Ｌ３と第２トランスＴ２の２次側コイル素子Ｌ４との積層順が、等しいか異なるか、によって、１次側コイルＬＡのインダクタンスと２次側コイルＬＢのインダクタンスの大小関係を定めることができる。
【００５３】
したがって、積層体１０内での、第１トランスＴ１の１次側コイルＬ１と第２トランスＴ２の１次側コイルＬ３との積層順、および第１トランスＴ１の２次側コイルＬ２と第２トランスＴ２の２次側コイルＬ４との積層順によって、第１トランスＴ１および第２トランスＴ２によるインピーダンス変換の比を定めることができる。
【００５４】
図４（Ｂ）（Ｃ）に示したように、インピーダンス変換回路１０１の変圧比は（ＬＡ＋ＬＢ＋２Ｍ）：ＬＢであるので、ＬＡ＞ＬＢの関係にあるインピーダンス変換回路１０１Ａを用いれば、インピーダンス変換比をより大きくできる。逆に、ＬＡ＜ＬＢの関係にあるインピーダンス変換回路１０１Ｄを用いれば、インピーダンス変換比を小さくできる。ＬＡ≒ＬＢの関係にあるインピーダンス変換回路１０１Ｂ，１０１Ｃを用いれば、インピーダンス変換比をその中間に設定できる。
【００５５】
以上に述べた効果以外に次のような効果を奏する。
【００５６】
（ａ）複数のコイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８は、それぞれのコイル開口が積層方向からの平面視で重なるので、第１トランスＴ１および第２トランスＴ２の、１次側コイルと２次側コイルとの間の高い電磁界結合が得られる。
【００５７】
（ｂ）導体パターンを部分的に並列接続する２つのビアは導体パターンの形成位置上にあるので、ビア形成のための領域が不要であり、コイル導体の形成領域外に配線を形成する必要がない。そのため、限られた領域にループ状コイル導体を形成でき、小型化できる。
【００５８】
なお、複数のコイル導体ＬＰ１〜ＬＰ８それぞれが形成するコイル開口は、積層体の積層方向からの平面視で、すべてが重なることが好ましいが、重ならない部分があってもよい。
【００５９】
図１，図２では、第１トランスＴ１と第２トランスＴ２の各コイル導体の積層順が逆で、上下対称形である例を示したが、第１トランスＴ１と第２トランスＴ２の各コイル導体は上下非対称であってもよい。例えば、積層された４つのコイル素子のうち、第１層のコイル素子と第４層のコイル素子（図１、図２に示した例ではコイル素子Ｌ２とコイル素子Ｌ４）のインダクタンスが異なっていてもよい。また、第２層のコイル素子と第３層のコイル素子（図１、図２に示した例ではコイル素子Ｌ１とコイル素子Ｌ３）のインダクタンスが異なっていてもよい。これらの場合でも、積層体１０内での、第１トランスＴ１の１次側コイルＬ１と第２トランスＴ２の１次側コイルＬ３との積層順、および第１トランスＴ１の２次側コイルＬ２と第２トランスＴ２の２次側コイルＬ４との積層順によって、第１トランスＴ１および第２トランスＴ２によるインピーダンス変換の比を定めることができる。
【００６０】
《第２の実施形態》
図７は第２の実施形態に係る携帯電話端末等の通信端末装置の構成を示す図である。この図７では、通信端末装置の筐体内の主要部について表す。筐体内にアンテナ４０および回路基板が設けられ、回路基板にはグランド導体５０、インピーダンス変換回路１０１および給電回路３０が設けられる。アンテナ４０はＴ分岐型アンテナである。グランド導体５０はアンテナ４０のイメージ形成用導体として作用、またはアンテナ４０とともに放射素子として作用する。
【００６１】
インピーダンス変換回路１０１の構成は第１の実施形態で示したとおりである。インピーダンス変換回路１０１の給電端子Ｐ１は給電回路３０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のアンテナ端子Ｐ２はアンテナ４０に接続され、インピーダンス変換回路１０１のグランド端子Ｐ３は回路基板のグランド導体５０に接続される。
【００６２】
インピーダンス変換回路１０１は、小型でありながら大きな所定のインピーダンス変換比をもつことができるので、小型の（より低インピーダンスの）アンテナ４０を備えることができ、全体に小型で低損失の通信端末装置が構成される。
【００６３】
《他の実施形態》
第１の実施形態では、各コイル導体がほぼ矩形のループ状である例を示したが、コイル導体のループ形状はこれに限らない。例えば円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形、角をカットした四角形などであってもよい。矩形であれば、限られたスペースでコイル開口を大きくすることができる。円形、楕円形、角に丸みをもつ四角形であれば、角部における損失を低減できる。
【００６４】
第１の実施形態では、隣接する基材層に形成された２つのコイル導体を２つの層間接続導体で接続することにより、１つの並列接続部を構成した例を示したが、本発明はこの構成に限られない。第１コイル導体と第２コイル導体とが３個所以上で層間接続導体を介して接続されることで、第１コイル導体と第２コイル導体との並列接続部が２個所以上構成されてもよい。
【符号の説明】
【００６５】
Ｌ１…第１コイル素子
Ｌ２…第２コイル素子
Ｌ３…第３コイル素子
Ｌ４…第４コイル素子
Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ１，Ｌ１Ｂ２，Ｌ１Ｃ…導体パターン
Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ１，Ｌ２Ｂ２，Ｌ２Ｃ…導体パターン
Ｌ３Ａ，Ｌ３Ｂ１，Ｌ３Ｂ２，Ｌ３Ｃ…導体パターン
Ｌ４Ａ，Ｌ４Ｂ１，Ｌ４Ｂ２，Ｌ４Ｃ…導体パターン
ＬＡ…１次側コイル
ＬＢ…２次側コイル
ＬＰ１〜ＬＰ８…コイル導体
Ｐ１…給電端子
Ｐ２…アンテナ端子
Ｐ３…グランド端子
Ｔ１…第１トランス
Ｔ２…第２トランス
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ３１，Ｖ３２，Ｖ４１，Ｖ４２，Ｖ４３…ビア
１０…積層体
１１〜２０…基材層
３０…給電回路
４０…アンテナ
５０…グランド導体
１０１，１０１Ａ〜１０１Ｄ…インピーダンス変換回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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