(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイ部材間に形成されるダイ流路の先端部にリップ部を有し、ダイ流路に供給される塗工液又は溶融樹脂をリップ部から吐出するダイの製造方法において、ダイ部材は、ダイ本体部とＨＩＰバーとからなり、ＨＩＰバーは、ダイ本体部と同じ又は類似した材質の支持体と、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末がＨＩＰ処理によって支持体に直接拡散接合されたＨＩＰ層とからなるもので、このＨＩＰバーの支持体側がダイ本体部に溶接により接合され、そのＨＩＰ層によって前記リップ部が形成され、前記リップ部以外のダイ流路を形成するダイ部材の内壁面に硬質クロムメッキ層又は無電解ニッケルメッキ層が被覆され、なおかつ硬質クロムメッキ層又は無電解ニッケルメッキ層の一部がＨＩＰバーのＨＩＰ層にダブらせて被覆されてなるダイの製造方法。
【請求項２】
ＨＩＰ処理される合金粉末は、ニッケル系合金又はコバルト系合金からなる請求項１に記載のダイの製造方法。
【請求項３】
ＨＩＰバーの支持体は、オーステナイト／フェライトの２相系ステンレスからなる請求項１又は２に記載のダイの製造方法。
【請求項４】
ＨＩＰバーの支持体側は、ダイ本体部に対しロウ付け又は電子ビーム溶接もしくはレーザービーム溶接によって接合してなる請求項１〜３の何れかに記載のダイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のダイ部材間に形成されるダイ流路の先端部にリップ部を有し、ダイ流路に供給される塗工液又は溶融樹脂をリップ部から吐出するようにしたダイ（塗工ダイ又はＴダイ）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来使用されている塗工ダイには、ダイ部材間に形成されたダイ流路の先端側に超硬合金製のリップ部材を取り付けたものがあり、このリップ部材の超硬合金によって、高い剛性、耐摩耗性及び耐食性が得られ、先端部形状精度の向上が図られる。しかし、そのような超硬合金製のリップ部材をダイ部材に取り付けた塗工ダイでは、焼結体の中に微細な気孔が残留していて、この焼結体を研削すると、ピンホールが多く見られることから、表面粗度の点で問題があって、高精度の塗布が要求される液晶ディスプレイパネルの製造工程などでは使用できない。また、超硬合金製のリップ部材を、ロウ付けを含む溶接手段によりダイ部材に接合すると、接合部において溶接欠陥、接合強度の低下などの影響によって接合部の摩耗や変形が大きいために、上記同様に高い精度が要求される液晶ディスプレイパネルの製造工程などでの使用ができない。
【０００３】
上記のような問題点を解決するために、本願の出願人は、以前に、超硬合金製のリップ部材に代え、ＨＩＰ（Hot Isostatic Pressing  の略称で、熱間等方圧加圧と言う）処理によってダイ部材の母材に耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末が直接拡散接合されたＨＩＰ層からなるリップ部とすることにより、リップ部の組織が緻密化され、表面粗度を高精度に仕上げることができると共に、接合部の強度低下や接合欠陥の発生がなく、しかもエッジ部が高精度のシャープエッジに仕上げられ、耐摩耗性及び耐食性が良好となるリップ部を有するダイの製造方法に係る発明を提案している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記提案の発明では、リップ部をＨＩＰ層によって形成するためには、ダイ部材を形成するダイ素材の全体を、ＨＩＰ（熱間等方圧加圧）装置の処理室に入れてＨＩＰ処理を行なう必要があり、そうすると大型のダイ素材の場合には、それに対応する大型のＨＩＰ装置が必要となって設備費の高騰を来たすと共に、ダイ素材の一部をＨＩＰ処理すればよいものを、ダイ素材全部をＨＩＰ処理しなければならないため、非常に効率が悪く、結果的にダイ製品の製作コスト高を招くことになる。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、ダイ部材の一部を成すような支持体にＨＩＰ層を形成することによってＨＩＰバーを製作し、このＨＩＰバーをダイ部材に対し溶接によって接合させるようにすることで、大型のＨＩＰ装置が不要となり、ダイ製品の製作コストの低減化を図ることのできるダイの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するための手段を、後述する実施形態の参照符号を付して説明すると、請求項１に係る発明は、複数のダイ部材５，５間に形成されるダイ流路２４の先端部にリップ部Ｌ，Ｌを有し、ダイ流路２４に供給される塗工液又は溶融樹脂をリップ部Ｌから吐出するダイの製造方法において、ダイ部材５は、ダイ本体部４とＨＩＰバー３とからなり、ＨＩＰバー３は、ダイ本体部４と同じ又は類似した材質の支持体２と、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末がＨＩＰ処理によって支持体２に直接拡散接合されたＨＩＰ層１とからなるもので、このＨＩＰバー３の支持体２側がダイ本体部４に溶接により接合され、そのＨＩＰ層１によってリップ部Ｌが形成され、前記リップ部Ｌ以外のダイ流路２４を形成するダイ部材５の内壁面に硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層が被覆され、なおかつ、硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層の一部がＨＩＰバー３のＨＩＰ層１にダブらせて被覆されることを特徴とする。
【０００７】
【０００８】
請求項２は、請求項１に記載のダイの製造方法において、ＨＩＰ処理される合金粉末は、ニッケル系合金又はコバルト系合金からなることを特徴とする。
【０００９】
請求項３は、請求項１又は２に記載のダイの製造方法において、ＨＩＰバー３の支持体２は、オーステナイト／フェライトの２相系ステンレスからなることを特徴とする。
【００１０】
【００１１】
【００１２】
請求項４は、請求項１〜３の何れかに記載のダイの製造方法において、ＨＩＰバー３の支持体２側は、ダイ本体部４に対しロウ付け又は電子ビーム溶接もしくはレーザービーム溶接によって接合してなることを特徴とする。尚、ロウ付けは、接合する金属部材（母材）よりも融点の低い合金（ロウ）を溶かして一種の接着剤として用いることにより、母材自体は溶融させずに部材どうしを接合させる方法であるが、金属を接合する手段であることから、ここでは溶接の一種とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記解決手段による発明の効果を、後述する実施形態の参照符号を付して説明すると、請求項１に係る発明のダイの製造方法によれば、ダイ部材５は、ダイ本体部４とＨＩＰバー３とからなり、ＨＩＰバー３は、ダイ本体部４と同じ又は類似した材質の支持体２と、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末がＨＩＰ処理により支持体２に直接拡散接合されたＨＩＰ層１とからなるもので、ＨＩＰバー３の支持体２がダイ本体部４に溶接により接合され、そのＨＩＰ層１によってリップ部Ｌが形成されているから、ＨＩＰ層を形成するのに、ダイ素材の全体をＨＩＰ処理する必要がなく、ダイ素材の一部となるＨＩＰバー３をあらかじめ形成しておいて、これをダイ本体部４に溶接によって接合すればよく、従ってダイ部材５の製作が簡単容易となり、ダイ製品の製作コストの著しい低減化を図ることができる。
【００１４】
又、本発明によれば、ダイ部材５，５間に形成されるダイ流路２４を全てＨＩＰ層によって形成しようとした場合は、ダイ製造コストが非常に高騰することになるが、リップ部Ｌ以外のダイ流路２３を形成するダイ部材５の内壁面には、ＨＩＰ処理よりはるかに安い硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層が被覆されるから、塗工液又は溶融樹脂との摩擦を低減することができながら、ダイの製造コストの軽減化が図られる。また硬質クロムメッキは、摩擦係数が小さく非常に滑りが良好で、他の物質が付着し難く、防錆力をもったメッキであるため、溶融樹脂や塗工液との摩擦を低減し、摩擦性の強い溶融樹脂や塗工液を使用した場合でも、ダイ流路２４の接液部に傷、摩耗を発生することがなく、永続的に使用することができる。また、無電解ニッケルメッキ層は、母材との密着性が良く、硬質クロムメッキ層２６と同等の優れた耐摩耗性を有する
なおかつ、硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層の一部をＨＩＰバー３のＨＩＰ層１にダブらせることによって、ＨＩＰ層１部分と硬質クロムメッキ層２６（表面処理部）とが面一に加工でき、またＨＩＰバー３とダイ本体部４との溶接部分が表面に出ることがなく、支持体２を含めＨＩＰ処理部と表面処理部とが一体化状態となる。
【００１５】
請求項２に係る発明によれば、ＨＩＰ処理される合金粉末がニッケル系合金又はコバルト系合金からなる場合は、耐食性がより一層良好となる。
【００１６】
請求項３に係る発明のように、ＨＩＰバー３の支持体２がオーステナイト／フェライトの２相系ステンレスからなる場合は、ＨＩＰ層１の合金粉末に使用されるニッケル系合金粉末又はコバルト系合金粉末と熱膨張率が近いことから、熱膨張差に起因する曲がり変形が少なくなる。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
請求項４に係る発明のように、ＨＩＰバー３の支持体２側を、ダイ本体部４に対しロウ付けにより接合する場合は、設備が簡単で接合作業が容易となり、コストを安くできる。また電子ビーム溶接による場合は、溶け込み幅が狭く、溶け込み深さの深い溶接ができ、溶接部の接合強度を十分に高めることができる。またレーザービーム溶接による場合は、高速で深い溶け込み深さが得られ、溶接部の接合強度を十分に高めることができる上に、熱影響が少なく、溶接変形が少ない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】(a) はＨＩＰバーを示す斜視図、(b) はダイ本体部を示す斜視図、(c) はダイ本体部にＨＩＰバーを接合したダイ部材の斜視図である。
【図２】(a) はＨＩＰバーの端面図、(b) はダイ本体部の端面図、(c) はダイ部材の端面図である。
【図３】(a) 〜(d) はＨＩＰ処理の製作方法を説明する説明図である。
【図４】(a) 〜(c) はダイ本体部にＨＩＰバーを接合した一対のダイ部材によって塗工ダイを製作する過程を示す説明図である。
【図５】一対のダイ部材からなるＴダイを示すもので、(a-1) は各一方のダイ部材を示す正面図、(a-2) は(a-1) のＸ−Ｘ線断面図、(b) はＴダイの横断面図である。
【図６】硬質クロムメッキ層を被覆する場合の実施形態を示し、ダイ本体部にＨＩＰバーを接合した一対のダイ部材によって塗工ダイを製作する行程の前半部を示す説明図である。
【図７】同塗工ダイを製作する行程の後半部を示す説明図である。
【図８】硬質クロムメッキ層を被覆する場合において、一対のダイ部材からなるＴダイを示すもので、(a-1) は各一方のダイ部材を示す正面図、(a-2) は(a-1) のＹ−Ｙ線断面図、(b) はＴダイの横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明すると、図１は本発明に係る塗工ダイやＴダイを製作するダイ部材５を示すもので、(a) はＨＩＰバー３の斜視図、(b) はダイ本体部４の斜視図、(c) はダイ本体部４にＨＩＰバー３を接合して形成されたダイ部材５の斜視図であり、図２の(a) はＨＩＰバー３の端面図、(b) はダイ本体部４の端面図であり、(c) はダイ部材５の端面図であり、図３はＨＩＰバー３の製作工程を示す説明図である。
【００２２】
図１の(a) 及び図２の(a) に示すＨＩＰバー３は、ダイ本体部４と同じ又は類似した材質の支持体２と、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末がＨＩＰ処理によって支持体２に直接拡散接合されたＨＩＰ層１とからなるもので、このＨＩＰバー３の支持体２が、ダイ本体部４の先端部側に設けられた係合段部４ａに係合されて、溶接によりダイ本体部４に接合され、そしてこのＨＩＰバー３のＨＩＰ層１によってダイ部材５のリップ部が形成されるようになっている。
【００２３】
上記ダイ部材５のダイ本体部４には、ＳＵＳ４４０（マルテンサイト系ステンレス）、ＳＣＭ４４０（機械構造用合金鋼）、ＳＵＳ３２９Ｊ１（オーステナイト／フェライトの２相系ステンレス）等が使用される。
【００２４】
上記ＨＩＰバー３の製作方法について図３を参照して説明すると、ここでは一対のＨＩＰバー３，３を同時に製作する場合を示したもので、先ず図３の(a) に示すように、両カプセル素材１２，１２の互いの合わせ面側に形成した合金粉末用凹部１３，１３に、夫々耐熱性離型材が塗布された中子型１４，１４を収容した状態で、両カプセル素材１２，１２を突き合わせ、この突き合わさった両カプセル素材１２，１２を溶接により仮止めして、カプセル１５を形成し、このカプセル１５の粉末供給口１６よりカプセル素材１２，１２の合金粉末用凹部１３，１３内に耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末１７を充填し、粉末供給口１６を塞ぎ板１８で塞いで脱気密封し、図３の(a) に示す状態とする。
【００２５】
この場合、カプセル素材１２は、最終的にＨＩＰバー３の支持体２となるもので、ダイ本体部４の材質と同じ又は類似する材料からなり、ＳＣＭ４４０、ＳＵＳ３２９Ｊ１〜４、ＳＳ４００、Ｓ４５Ｃ〜Ｓ５５Ｃ等が使用されるが、好ましくはＳＵＳ３２９Ｊ１〜４（オーステナイト／フェライトの２相系ステンレス）を使用するのがよい。それは、ＨＩＰ層１の合金粉末に使用されるニッケル系合金粉末又はコバルト系合金粉末と熱膨張率が近く、熱膨張差に起因する曲がり変形が少ないからである。
【００２６】
そして、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末１７には、ニッケル系合金粉末又はコバルト系合金粉末が使用される。ニッケル系合金粉末として好ましいものは、その構成元素比率が、ニッケル６９．７５重量％、クロム１６．５重量％、ホウ素３．３重量％、珪素４．０重量％、炭素０．６５重量％、鉄３．５重量％、モリブデン３．０重量％及び銅２．３重量％からなるものである。コバルト系合金粉末として好ましいものは、その構成元素比率が、コバルト４５．７重量％、クロム１９．０重量％、タングステン１５．０重量％、銅１．３重量％、ニッケル１３．０重量％、ホウ素３．０重量％及び珪素３．０重量％からなるものである。
【００２７】
それから、カプセル１５を、図３の(b) に示すようにＨＩＰ（熱間等方圧加圧）装置の処理室１９に入れて、例えば１３００℃、１３００Kgf/cm2 の高温高圧下でＨＩＰ処理を行うことにより、図３の(c) に示すように、カプセル素材１２，１２の夫々内壁面に合金粉末が拡散接合されたＨＩＰ層１，１を形成する。こうして形成されたＨＩＰ層１は、上記のような構成元素比率のニッケル系合金又はコバルト系合金からなる硬度ＨＲＣ５７〜６８の硬質層である。
【００２８】
上記のようにＨＩＰ処理によって両カプセル素材１２，１２の夫々内壁面にＨＩＰ層１，１を形成したカプセル１５を図３の(c) に示すように解体し、各素材１２の中子型１４を取り外した後、図中の２点鎖線で示す切断・切削線２０に沿って所要の形状となるように適宜に切断及び切削加工を施して、図３の(d) に示すように支持体２とＨＩＰ層１とからなるＨＩＰバー３を一対形成する。各ＨＩＰバー３の支持体２は、上記カプセル素材１２が所要形状に切断及び切削加工されたものである。
【００２９】
上記のようにして製作したＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接により接合することによってダイ部材５を形成する。即ち、図１及び図２に示すように、所定長さを有するダイ本体部４の先端部側内側面にＨＩＰバー３と同じ矩形断面の係合段部４ａを形成しておき、この係合段部４ａにＨＩＰバー３の支持体２側を当接係合させて図１の(c) に示すような状態とし、しかしてこの状態でＨＩＰバー３の支持体２側をダイ本体部４に対し溶接により、好ましくはロウ付け又は電子ビーム溶接もしくはレーザービーム溶接により接合して一体化し、ダイ部材５とする。尚、ロウ付けは、一般に、接合する金属部材（母材）よりも融点の低い合金（ロウ）を溶かして一種の接着剤として用いることによって、母材自体は溶融させずに部材どうしを接合させる方法であるが、金属を接合する手段であるため、ここでは溶接の一種とする。
【００３０】
ＨＩＰバー３の支持体２側をダイ本体部４をロウ付けによって接合する場合、そのロウとしては、銀、銅、亜鉛を主成分とする銀ロウを使用する。このロウ付けによる場合は、設備が簡単で接合作業が容易であるから、コストを安くできる。
【００３１】
また、電子ビーム溶接は、タングステンなどの高融点金属を加熱して、発生させた熱電子に５０〜１００ｋＶの高電圧をかけて加速し、溶接部に衝突させ、このときに発生する熱エネルギーにより行なう溶接で、真空中で行なう。この電子ビーム溶接による場合は、溶け込み幅が狭く、溶け込み深さの深い溶接ができ、溶接部の接合強度を十分に高めることができる。また、レーザービーム溶接は、レーザー光線のエネルギーを利用して行なう溶接で、レーザー光線には炭酸ガスレーザー又はＹＡＧレーザーを使用する。このレーザービーム溶接は、入熱量が少なく、高速で非常に深い溶け込み深さが得られ、溶接熱影響が非常に少なく、熱変形が少ない、等の利点がある。
【００３２】
本発明の特徴は、上記したように耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末をＨＩＰ処理により支持体２に対し直接拡散接合することによりＨＩＰバー３を形成し、このＨＩＰバー３の支持体２側をダイ本体部４に対しロウ付けを含む溶接によって接合することにより、ダイ部材５を形成することにあって、リップ部Ｌを形成するためのＨＩＰ層１を形成するのに、従来のようにダイ素材の全体をＨＩＰ処理する必要がなく、ダイ素材の一部となるＨＩＰバー３をあらかじめ製作しておいて、このＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接によって接合すればよいから、比較的小さなＨＩＰ装置で済ませることができると共に、ダイ部材５の製作が簡単容易となって、ダイ製品の製作コストの著しい低減化を図ることができる。
【００３３】
図４の(a) 〜(c) は、ＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接により接合して形成した一対のダイ部材５，５によって塗工ダイＡを製造する場合を図示したものであり、同図の(a) に示すように、両ダイ部材５，５を２点鎖線で示す切断切削加工線２０に沿って所要形状に切断切削し、また(b) に示すように片方のダイ部材５には塗工液供給路２２及びマニホールド２３を形成し、しかして(c) に示すように両ダイ部材５，５を所定の間隔で突き合わせ配置して、両ダイ部材５，５間にダイ流路２４を形成すると共に、ダイ流路２４の先端部にＨＩＰ層１，１によってリップ部Ｌ，Ｌを形成し、かくして塗工ダイＡを簡単容易に製造することができる。なお、両ダイ部材５，５を所定の間隔で突き合わせ配置する際、両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面、或いは、リップ部Ｌ，Ｌの両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面のみを鏡面研削加工しても良い。これにより、リップ部Ｌ，Ｌのエッジ部を、高精度のシャープエッジ（例えば、１μｍ単位）に仕上げることが可能となり、僅かな衝撃で生じる「カケ」の発生を低減させることができる。
【００３４】
図５は、ＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接により接合して形成した一対のダイ部材５，５によってＴダイＢを製造する場合を示したもので、(a-1) は各一方のダイ部材５を示す正面図、(a-2) は(a-1) のＸ−Ｘ線断面図であって、各ダイ部材５には内面側に、マニホールド部２３ａ、ダイ流路部２４ａ及び流入口部２５ａを形成していて、同図の(b) に示すように一対のダイ部材５，５を所定の間隔で突き合わせ配置することにより、両ダイ部材５，５間にダイ流路２４を形成すると共に、ダイ流路２４の入口部に溶融樹脂流入口２５を、またその中間部にマニホールド２３を形成し、そしてダイ流路２４の先端部にＨＩＰ層１，１によってリップ部Ｌ，Ｌを形成し、かくしてＴダイＢを簡単容易に製造することができる。なお、上記ＴダイＡの製造同様、両ダイ部材５，５を所定の間隔で突き合わせ配置する際、両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面、或いは、リップ部Ｌ，Ｌの両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面のみを鏡面研削加工しても良い。
【００３５】
図６及び図７は、リップ部Ｌ以外のダイ流路２４を形成するダイ部材５の内壁面に硬質クロムメッキ層２６を被覆する場合の実施形態を示すもので、上記のようにＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接して接合することにより形成した一対のダイ部材５，５によって本発明に係る塗工ダイＡを製造する場合を示し、図６の(a-1) ，(a-2) 〜(c-1) ，(c-2) 及び図５の(a-1) ，(a-2) は、両ダイ部材５，５の片方のみの製造過程を示し、そして図７の(b) には両ダイ部材５，５からなる完成状態の塗工ダイＡを示している。
【００３６】
塗工ダイＡの製造にあたって、先ず、図６の(a-1) ，(a-2) に示すように、ダイ部材５には、リップ部ＬとなるＨＩＰ層１以外のダイ部材５内面側と先端面側に表面処理である硬質クロムメッキ処理を行なうためのアンダーカットを研削加工によって行なう。図６の(a-2) にはアンダーカット部を２１で示し、そのアンダーカット量をｗで示す。アンダーカット量ｗは、この後に行なう硬質クロムメッキ層２６の厚みを考慮して適宜に設定されるが、例えば１００μとされる。尚、このアンダーカット処理は、図示のように、ダイ本体部４からＨＩＰバー３の支持体２及びＨＩＰ層１の一部に亘って行う。
【００３７】
図６の(b-1)， (b-2) は、アンダーカット研削加工を行なった後の状態を示すと共に、このアンダーカット部２１に被覆される硬質クロムメッキ層２６の膜厚を、その後の研削加工を考慮して、最終膜厚（アンダーカット量ｗ）より十分に厚いＷで示している。そして、図６の(c-1) ，(c-2) には、アンダーカット部２１に膜厚Ｗにて被覆された硬質クロムメッキ層２６を示す。尚、強固な硬質クロムメッキ層２６を形成するためには、無電解ニッケルメッキ処理を行なってから、硬質クロムメッキ処理を行なうようにすればよく、そうすることによってダイ部材５に対する硬質クロムメッキ層２６の密着力が非常に良好となる。
【００３８】
図７の(a-1) ，(a-2) は、図６の(c-1) ，(c-2) に示されるような厚い膜厚Ｗで被覆されたダイ部材５の硬質クロムメッキ層２６を、リップ部ＬとなるＨＩＰバー３のＨＩＰ層１と面一となるように研削加工した状態を示している。この実施形態に示すように、硬質クロムメッキ層２６の一部をＨＩＰバー３のＨＩＰ層１にダブらせることによって、ＨＩＰ層１部分と硬質クロムメッキ層２６（表面処理部）とが面一に加工でき、またＨＩＰバー３とダイ本体部４との溶接部分が表面に出ることがなく、支持体２を含めＨＩＰ処理部と表面処理部とが一体化状態となる。
【００３９】
上記のように硬質クロムメッキ層２６をＨＩＰ層１と面一に研削加工すると共に必要に応じて所要形状に適宜切削し更に鏡面加工（バフを含む）することによって、塗工ダイ用の一対のダイ部材５，５を形成し、また片方のダイ部材５に塗工液供給路２２及びマニホールド２３を形成し、しかして図７の(b) に示すように、両ダイ部材５，５を所定間隔で対称状に突き合わせ接合して、両ダイ部材５，５間にダイ流路２４を形成し、このダイ流路２４の先端部側のリップ部Ｌ，Ｌを、両ダイ部材５，５におけるＨＩＰバー３，３のＨＩＰ層１，１により形成することによって、塗工ダイＡを製造する。なお、両ダイ部材５，５を所定間隔で対称状に突き合わせ接合する際、両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面、或いは、リップ部Ｌ，Ｌの両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面のみを鏡面研削加工しても良い。これにより、リップ部Ｌ，Ｌのエッジ部を、高精度のシャープエッジ（例えば、１μｍ単位）に仕上げることが可能となり、僅かな衝撃で生じる「カケ」の発生を低減させることができる。
【００４０】
図８は、前述のようにＨＩＰバー３をダイ本体部４に溶接によって接合することにより形成した一対のダイ部材５，５からなるＴダイＢを示したもので、(a-1) は各一方のダイ部材５を示す正面図、(a-2) は(a-1) のＹ−Ｙ線断面図である。各ダイ部材５の内面側には、ダイ流路部２４ａ、マニホールド部２３ａ、流入口部２７ａを夫々形成すると共に、ダイ流路部２４ａの先端部にＨＩＰ層１によってリップ部Ｌを形成し、更にリップ部Ｌ以外のダイ流路２４ａ（マニホールド部２３ａを含む）を形成するダイ部材５の内壁面に硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層を被覆形成し、しかして図８の(b) に示すように一対のダイ部材５，５を突き合わせ配置することによって、両ダイ部材５，５間にダイ流路２４を形成すると共に、ダイ流路２４の入口部に溶融樹脂流入口２７を、またその中間部にマニホールド２３を形成し、またダイ流路２４の先端部にＨＩＰ層１，１によってリップ部Ｌ，Ｌを形成し、かくして簡単容易にＴダイＢを製造することができることになる。なお、上記ＴダイＡの製造同様、一対のダイ部材５，５を突き合わせ配置する際、両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面、或いは、リップ部Ｌ，Ｌの両ダイ部材５，５の夫々の合わせ面のみを鏡面研削加工しても良い。
【００４１】
以上説明した本発明に係るＴダイＡや塗工ダイＢによれば、ダイ部材５はダイ本体部４とＨＩＰバー３とからなり、ＨＩＰバー３は、ダイ本体部４と同じ又は類似した材質の支持体２と、耐食性及び耐摩耗性の良好な合金粉末がＨＩＰ処理により支持体２に直接拡散接合されたＨＩＰ層１とからなるもので、ＨＩＰバー３の支持体２がダイ本体部４に溶接によって接合され、そのＨＩＰ層１によってリップ部Ｌが形成されているから、ＨＩＰ層を形成するのに、ダイ素材の全体をＨＩＰ処理する必要がなく、ダイ素材の一部となるＨＩＰバー３をあらかじめ形成しておいて、これをダイ本体部４に溶接によって接合すればよく、従ってダイ部材５の製作が容易となり、ダイ製品の製作コストの低減化を図ることができる。
【００４２】
また、ダイ部材５，５間に形成されるダイ流路２４を全てＨＩＰ層によって形成しようとした場合は、ダイ製造コストが非常に高騰することになるが、リップ部Ｌ以外のダイ流路２４を形成するダイ部材５の内壁面には、ＨＩＰ処理よりはるかに安い硬質クロムメッキ層２６又は無電解ニッケルメッキ層が被覆されるから、塗工液又は溶融樹脂との摩擦を低減することができながら、ダイの製造コストの軽減化が図られる。また硬質クロムメッキは、摩擦係数が小さく非常に滑りが良好で、他の物質が付着し難く、防錆力をもったメッキであるため、溶融樹脂や塗工液との摩擦を低減し、摩擦性の強い溶融樹脂や塗工液を使用した場合でも、ダイ流路２４の接液部に傷、摩耗を発生することがなく、永続的に使用することができる。また、無電解ニッケルメッキ層は、母材との密着性が良く、硬質クロムメッキ層２６と同等の優れた耐摩耗性を有する。
【００４３】
また、ダイ部材５のリップ部Ｌは、合金粉末がＨＩＰ処理によって支持体２に直接拡散接合したＨＩＰ層１により形成されたものであるから、超硬合金製のものを取り付けて構成されるリップ部に比べて、母材との接合強度が格段に大きくなる。またリップ部Ｌを形成するＨＩＰ層１は、少なくとも数ミリから数十ミリの厚さを有するものであるため、補修研削加工によって繰り返し使用可能で、ＨＩＰ層１がなくなるまで何度でも加工できる。硬質クロムメッキ層２６は、安価で復元することができる。
【００４４】
以上の実施形態では、リップ部Ｌ以外のダイ流路２４を形成するダイ部材５の内壁面に硬質クロムメッキ層２６を被覆するようにしているが、この硬質クロムメッキ層２６に代え、無電解ニッケルメッキ処理によって、リップ部Ｌ以外のダイ流路２４を形成するダイ部材５内壁面にニッケルメッキ層を被覆形成してもよい。無電解ニッケルメッキ処理は、電気を使用しないでメッキする処理のことで、メッキの膜厚が均一につくため、メッキ液が浸漬していれば、複雑な形状、寸法精度を有するものに適している。この無電解ニッケルメッキ処理により形成されるメッキ層は、母材との密着性が良く、メッキ膜厚が均一となり、また硬質クロムメッキ層２６と同等の優れた耐摩耗性を有し、そしてまた耐食性も優れている。
【００４５】
また、本発明に係るダイ（塗工ダイＡやＴダイＢ）は、通常は製作過程において新しいダイ本体部４にＨＩＰバー取付用の係合段部４ａを形成しておき、この係合段部４ａにＨＩＰバー３を一体接合して形成されるが、既存のダイの所要部にＨＩＰバー３を取り付けることにより、ＨＩＰバー３付きのダイに変身（再生）させることができる。その場合、既存のダイの所要部にＨＩＰバー取付用の係合段部を機械加工などでアンダーカットすることによって形成し、その係合段部にＨＩＰバーを係合して好ましくはロウ付け又は電子ビーム溶接もしくはレーザービーム溶接によって接合する。このようにＨＩＰバー３付きのダイに変身（再生）することにより、万一の傷や摩耗に対する保守においても、ミリ単位のＨＩＰ層１は、高硬度の維持ができる。
【符号の説明】
【００４６】
１            ＨＩＰ層
２            支持体
３            ＨＩＰバー
４            ダイ本体部
５            ダイ部材
Ｌ            リップ部
１２          カプセル素材
１３          合金粉末用凹部
１４          中子型
１５          カプセル
１６          粉末供給口
１７          合金粉末
１９          ＨＩＰ装置の処理室
２４          ダイ流路
２６          硬質クロムメッキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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