(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基面に設けられた第１固定電極部、および表裏を貫く複数の第１貫通孔を備えている第１基板と、
第２基面に設けられた第２固定電極部、および表裏を貫く複数の第２貫通孔を備え、前記第１基面と前記第２基面とが対向して配置されている第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に間隙を介して配置され、前記第１固定電極部および前記第２固定電極部と対向する可動電極部を備えた可動体と、を含み、
前記可動体の平面に沿う第１軸と、前記平面に沿い前記第２軸と直交する第２軸と、前記第１軸および前記第２軸と直交する第３軸と仮定したとき、
前記可動体は、前記第１基体および前記第２基体の少なくとも一方に固定されている固定部と、
前記第１軸に沿うように延出し、前記固定部と前記可動体とを接続し、前記第３軸方向の加速度に応じて前記可動体を第３軸方向に揺動させることを可能とする梁部と、
前記可動体は、前記梁部に対して前記第２軸の一方の側に有する第１可動電極部と、前記梁部に対して前記第２軸の他方の側に有する第２可動電極部と、を有し、
前記可動体は、前記梁部に対して、前記一方の側は前記他方の側のよりも前記第２軸方向の長さが長く、
前記第１固定電極部は、前記第１可動電極部と対向している第１検出電極と、前記第２可動電極部と対向している第２検出電極部と、
前記第２固定電極部は、前記第２可動電極部と対向している第３検出電極と、前記第２可動電極部と対向している第４検出電極部と、を有し、
前記複数の第１貫通孔には、前記第１固定電極部と電気的に接続されている第１貫通電極が設けられ、前記複数の第２貫通孔には、前記第２固定電極部と電気的に接続されている第２貫通電極が設けられている、物理量センサー。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１固定電極部から前記第１貫通電極までの配線の電気特性と、前記第２固定電極部から前記第２貫通電極までの配線の電気特性は、同一である、物理量センサー。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１貫通孔は、平面視で前記第１固定電極部の少なくとも一部と重なるように配置され、
前記第２貫通孔は、平面視で前記第２固定電極部の少なくとも一部と重なるように配置されている、物理量センサー。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記第１基板は、前記第１基面と表裏関係にある第１外面を有し、
前記第２基板は、前記第２基面と表裏関係にある第２外面を有し、
前記第１外面には、前記第１貫通電極に接続されている第１配線が設けられ、
前記第２外面には、前記第２貫通電極に接続されている第２配線が設けられ、
前記第１配線は、前記第２配線と同一の電気特性を有する、物理量センサー。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１配線は、前記第１基板の前記第１外面上から前記第１基板の側面上に至るまで延出し、
前記第２配線は、前記第２基板の前記第２外面上から前記第２基板の側面上に至るまで延出している、物理量センサー。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記第１基板の前記第１基面には、第１突出部が設けられ、
前記第２基板の前記第２基面には、第２突出部が設けられ、
前記可動体は、前記第１突出部と前記第２突出部とで挟持されている、物理量センサー。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１検出電極と前記第１貫通電極とを電気的に接続している第１配線を含み、
前記可動体の平面視にて、前記第１配線の少なくとも一部と前記第１検出電極は前記可動体の内側に有し、
前記第１軸方向において、前記可動体の幅は前記第１検出電極の幅よりも広く、前記第１検出電極の幅は前記第１配線の幅よりも広い、物理量センサー。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサーおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて物理量を検出する慣性センサーなどの物理量センサーが開
発されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、上方支持基板と下方支持基板の間に可動のセンサー部が配置
され、上方支持基板および下方支持基板において、センサー部と対向配置された電極が形
成され、センサー部の上下に容量素子が形成されている、加速度を検出する静電容量型の
物理量センサーが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５４４２４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の物理量センサーでは、センサー部の上下に形成されている
容量素子と電気的に接続されている配線用端子（外部接続用端子）が、下方支持基板側の
みに設けられている。このため、上方の容量素子における固定電極から外部端子までの配
線経路の長さと、下方容量素子における固定電極から外部端子までの配線経路の長さにお
いて差が発生する。したがって、上下の容量素子の固定電極からの引出配線間で異なる寄
生容量が発生し、それぞれの配線容量が等価とならない、という課題がある。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様
によれば、センサー部である可動体の上下に容量素子が形成された物理量センサーであっ
て、上下の固定電極から、それぞれの外部端子までの配線において、それぞれの配線経路
の長さの差を小さくすることができる物理量センサーを提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態
様または適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、
第１基面に設けられた第１固定電極部、および表裏を貫く第１貫通孔を備えている第１
基板と、
第２基面に設けられた第２固定電極部、および表裏を貫く第２貫通孔を備え、前記第１
基面と前記第２基面とが対向して配置されている第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に間隙を介して配置され、前記第１固定電極部およ
び前記第２固定電極部と対向する可動電極部を備えた可動体と、を含み、
前記第１貫通孔には、前記第１固定電極部と電気的に接続されている第１貫通電極が設
けられ、前記第２貫通孔には、前記第２固定電極部と電気的に接続されている第２貫通電
極が設けられている。
また、本適用例に係る物理量センサーは、
第１基面に設けられた第１固定電極部、および表裏を貫く複数の第１貫通孔を備えている第１基板と、
第２基面に設けられた第２固定電極部、および表裏を貫く複数の第２貫通孔を備え、前記第１基面と前記第２基面とが対向して配置されている第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に間隙を介して配置され、前記第１固定電極部および前記第２固定電極部と対向する可動電極部を備えた可動体と、を含み、
前記可動体の平面に沿う第１軸と、前記平面に沿い前記第２軸と直交する第２軸と、前記第１軸および前記第２軸と直交する第３軸と仮定したとき、
前記可動体は、前記第１基体および前記第２基体の少なくとも一方に固定されている固定部と、
前記第１軸に沿うように延出し、前記固定部と前記可動体とを接続し、前記第３軸方向の加速度に応じて前記可動体を第３軸方向に揺動させることを可能とする梁部と、
前記可動体は、前記梁部に対して前記第２軸の一方の側に有する第１可動電極部と、前記梁部に対して前記第２軸の他方の側に有する第２可動電極部と、を有し、
前記可動体は、前記梁部に対して、前記一方の側は前記他方の側のよりも前記第２軸方向の長さが長く、
前記第１固定電極部は、前記第１可動電極部と対向している第１検出電極と、前記第２可動電極部と対向している第２検出電極部と、
前記第２固定電極部は、前記第２可動電極部と対向している第３検出電極と、前記第２可動電極部と対向している第４検出電極部と、を有し、
前記複数の第１貫通孔には、前記第１固定電極部と電気的に接続されている第１貫通電極が設けられ、前記複数の第２貫通孔には、前記第２固定電極部と電気的に接続されている第２貫通電極が設けられている。
【０００９】
このような物理量センサーによれば、可動電極部が第１固定電極部と第２固定電極部に
間隙を介して挟まれる構造を備えるため、可動体の上下に容量素子が形成された物理量セ
ンサーを提供することができる。また、このような物理量センサーにおいて、第１基板の
第１貫通孔には、第１貫通電極が設けられ、第２基板の第２貫通孔には、第２貫通電極が
設けられている。したがって、可動体の上下に容量素子が設けられた物理量センサーであ
って、それぞれの固定電極から外部端子までの配線経路の長さの差を小さくすることがで
きる物理量センサーを提供することができる。
【００１０】
［適用例２］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
第１固定電極部から第１貫通電極までの配線の電気特性と、第２固定電極部から第２貫
通電極までの配線の電気特性は、同一である。
【００１１】
このような物理量センサーによれば、それぞれの固定電極から外部端子までの配線経路
の長さの差をより小さくすることができる物理量センサーを提供することができる。
【００１２】
［適用例３］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１貫通孔は、平面視で前記第１固定電極部の少なくとも一部と重なるように配置
され、
前記第２貫通孔は、平面視で前記第２固定電極部の少なくとも一部と重なるように配置
されていてもよい。
【００１３】
このような物理量センサーによれば、それぞれの固定電極から外部端子までの配線経路
の長さが、より短い配線経路となるように設計することができる。したがって、固定電極
から外部端子までの配線における寄生容量の影響がより低減された物理量センサーを提供
することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１基板は、前記第１基面と表裏関係にある第１外面を有し、
前記第２基板は、前記第２基面と表裏関係にある第２外面を有し、
前記第１外面には、前記第１貫通電極に接続されている第１配線が設けられ、
前記第２外面には、前記第２貫通電極に接続されている第２配線が設けられ、
前記第１配線は、前記第２配線と同一の電気特性を有していてもよい。
【００１５】
［適用例５］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１配線は、前記第１基板の前記第１外面上から前記第１基板の側面上に至るまで
延出し、
前記第２配線は、前記第２基板の前記第２外面上から前記第２基板の側面上に至るまで
延出していてもよい。
【００１６】
［適用例６］
本適用例に係る物理量センサーにおいて、
前記第１基板の前記第１基面には、第１突出部が設けられ、
前記第２基板の前記第２基面には、第２突出部が設けられ、
前記可動体は、前記第１突出部と前記第２突出部とで挟持されていてもよい。
また、前記第１検出電極と前記第１貫通電極とを電気的に接続している第１配線を含み、
前記可動体の平面視にて、前記第１配線の少なくとも一部と前記第１検出電極は前記可動体の内側に有し、
前記第１軸方向において、前記可動体の幅は前記第１検出電極の幅よりも広く、前記第１検出電極の幅は前記第１配線の幅よりも広くてもよい。
【００１７】
［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る物理量センサーを含む。
【００１８】
このような電子機器によれば、本適用例に係る物理量センサーを含むため、可動体の上
下に容量素子が設けられた物理量センサーであって、それぞれの固定電極から外部端子ま
での配線経路の長さの差を小さくすることができる物理量センサーを有することができる
。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図２】本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図３】本実施形態に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図４】本実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す平面図。
【図５】本実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】本実施形態に係る物理量センサーの製造工程を模式的に示す断面図。
【図１０】本実施形態の変形例に係る物理量センサーを模式的に示す断面図。
【図１１】本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１２】本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１３】本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に
説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するもので
はない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない
。
【００２１】
１．第１実施形態に係る物理量センサー
まず、第１実施形態に係る物理量センサー１００について、図面を参照しながら説明す
る。本実施形態に係る物理量センサー１００は、例えば、慣性センサーとして使用するこ
とができ、具体的には、例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を測定するための加速度
センサー（静電容量型加速度センサー、静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー）として利用
可能である。
【００２２】
ただし、本実施形態に係る物理量センサー１００に適用される可動体２０の構造は、以
下の構造に限定されるものではない。可動体２０の構造は、可動体２０の上下に容量素子
を形成することができ、加速度を検出する静電容量型の物理量センサーに適用することが
できる限り、特に限定されない。以下の説明においては、可動体２０の一形態が適用され
た物理量センサー１００を説明する。
【００２３】
図１は、本実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す平面図である。図２お
よび図３は、本実施形態に係る物理量センサー１００を模式的に示す断面図である。なお
、図２および図３は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図に対応している。また、図１では、便宜
上、第１基板１０および第２基板３０の図示を省略している。図１〜図３では、互いに直
交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００２４】
物理量センサー１００は、図１〜図３に示すように、第１固定電極部１８、及び第１貫
通孔１４を第１基面１１に備えている第１基板１０と、第２固定電極部３８、及び第２貫
通孔３４を第２基面３１に備え、第１基面１１と第２基面３１が対向するように配置され
ている第２基板３０と、第１基板１０と第２基板３０との間に間隙を介して配置され、第
１固定電極部１８および第２固定電極部３８と対向する可動電極部２１を備えた可動体２
０と、を含むように構成される。
【００２５】
以下においては、まず、可動体２０の形態の一例を説明する。
【００２６】
可動体２０は、図２に示すように、第１基板１０の上方に設けられている。可動体２０
は、第１可動電極２１ａと、第１可動電極２１ａと質量が異なる第２可動電極２１ｂと、
を備える可動電極部２１と、第１可動電極２１ａと第２可動電極２１ｂとの間に設けられ
、可動体２０の回転軸となる部分が形成される軸部２２と、を備える。図示の例では、第
１可動電極２１ａの質量は、第２可動電極２１ｂの質量よりも大きいが、逆であってもよ
い（図示せず）。可動体２０の平面形状（Ｚ軸方向からみたときの形状）は、例えば、長
方形である。
【００２７】
可動体２０は、軸部２２を介して可動体２０を支持する固定部２６を有する。固定部２６は、図２に示すように、後述される第１突出部１６と第２突出部３６にそれぞれ接合され、挟持されることで第１基板１０および第２基板３０に固定される部分である。固定部２６は、可動体２０の軸部２２に設けられた開口部２４の内部に配置されている。固定部２６は、平面視において仮想線Ｑ上に１つ設けられている。そのため、可動体２０は、１箇所で支持されている。具体的には、開口部２４の内部においては、固定部２６と軸部２２とを連結する梁部２７が設けられる。これにより、固定部２６は軸部２２を介して可動体２０（第１可動電極２１ａ、第２可動電極２１ｂ）を支持することができる。
【００２８】
可動体２０は、例えば鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が生じると、仮想線Ｑを回転軸と
して、シーソー揺動（シーソー動作）することができる。つまりは、仮想線Ｑは、可動体
２０の回転軸であることができる。仮想線Ｑは、軸部２２の機械的構造や設計により適宜
決定することができる。ここで、仮想線Ｑは、例えば、軸部２２と固定部２６を連結する
梁部２７が延出する方向に沿った直線であることができる。
【００２９】
可動体２０は、第１シーソー片２０ａと、第２シーソー片２０ｂと、を有する。第１シ
ーソー片２０ａは、平面視において、回転軸である仮想線Ｑによって区画される可動体２
０の２つの部分のうちの一方（図１では右側に位置する部分）である。第２シーソー片２
０ｂは、平面視において、回転軸である仮想線Ｑによって区画される可動体２０の２つの
部分のうちの他方（図１では左側に位置する部分）である。
【００３０】
例えば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度（例えば重力加速度）が可動体２０に加わった
場合、第１シーソー片２０ａと第２シーソー片２０ｂの各々に回転モーメント（力のモー
メント）が生じる。ここで、第１シーソー片２０ａの回転モーメント（例えば時計回りの
回転モーメント）と第２シーソー片２０ｂの回転モーメント（例えば反時計回りの回転モ
ーメント）が均衡した場合には、可動体２０の傾きに変化が生じず、加速度の変化を検出
することができない。したがって、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わったときに、第
１シーソー片２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとが均
衡せず、可動体２０に所定の傾きが生じるように、可動体２０が設計される。
【００３１】
物理量センサー１００では、仮想線Ｑを、可動体２０の中心（重心）から外れた位置に
配置することによって（仮想線Ｑから各シーソー片２０ａ、２０ｂの先端までの距離を異
ならせることによって）、シーソー片２０ａ、２０ｂが互いに異なる質量を有している。
すなわち、可動体２０は、仮想線Ｑを境にして、一方の領域（第１シーソー片２０ａ）と
他方の領域（第２シーソー片２０ｂ）とで質量が異なる。図示の例では、仮想線Ｑから第
１シーソー片２０ａの端面２４までの距離は、仮想線Ｑから第２シーソー片２０ｂの端面
２５までの距離よりも大きい。また、第１シーソー片２０ａの厚みと、第２シーソー片２
０ｂの厚みとは、等しい。したがって、第１シーソー片２０ａの質量は、第２シーソー片
２０ｂの質量よりも大きい。このように、シーソー片２０ａ、２０ｂが互いに異なる質量
を有することにより、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わったときに、第１シーソー片
２０ａの回転モーメントと、第２シーソー片２０ｂの回転モーメントとを均衡させないこ
とができる。したがって、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が加わったときに、可動体２０
に所定の傾きを生じさせることができる。
【００３２】
なお、図示はしないが、仮想線Ｑを可動体２０の中心に配置し、かつ、シーソー片２０
ａ、２０ｂの厚みを互いに異ならせることによって、シーソー片２０ａ、２０ｂが互いに
異なる質量を有するようにしてもよい。このような場合にも、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加
速度が加わったときに、可動体２０に所定の傾きを生じさせることができる。
【００３３】
可動体２０は、第１基板１０と離間して設けられている。図２に示すように、可動体２
０と第１基板１０との間には、間隙２が設けられている。また、図２に示すように、可動
体２０と第２基板３０との間には、間隙３が設けられている。また、図１および図２に示
すように、可動体２０と、可動体２０の周囲に設けられた枠体２９との間には、間隙４が
設けられている。可動体２０の周囲に間隙２、３、４が存在することによって、可動体２
０は、シーソー揺動することができる。
【００３４】
可動体２０は、可動電極部２１を備えている。可動電極部２１は、第１および第２可動
電極２１ａ、２１ｂを有している。なお、可動電極部２１は、第１および第２可動電極２
１ａ、２１ｂのいずれか一方で構成されていてもよい。可動体２０が導電性材料で構成さ
れることによって、可動電極が形成されてもよく、また、可動体２０の表面に金属等の導
体層からなる可動電極を形成することもできる。図示の例では、可動体２０が導電性材料
（不純物がドープされたシリコン）で構成されることによって、第１および第２可動電極
２１ａ、２１ｂが形成されている。すなわち、第１シーソー片２０ａが第１可動電極２１
ａとして機能し、第２シーソー片２０ｂが第２可動電極２１ｂとして機能している。
【００３５】
固定部２６、梁部２７を含む可動体２０は、一体的に形成されている。可動体２０は、
１つの基板（シリコン基板）をパターニングすることによって一体的に設けられる。また
、枠体２９も同一基板から一体的に形成される。例えば第１基板１０をガラス等の絶縁材
料、可動体２０をシリコン等の半導体材料にすることにより、可動体２０と第１基板１０
とを貼り合わせることで容易に両者を電気的に絶縁することができ、センサー構造を簡素
化することができる。
【００３６】
第１基板１０は、可動体２０が上方に配置される第１基面１１と、第１基面１１とは反
対側の第１裏面１２と、側面１３（第１基面１１と第１裏面１２を連続する面）を有する
。図示するように、第１基板１０には、第１基面１１を含む第１凹部１７が設けられる。
ここで、第１基面１１は、第１凹部１７の底面を規定する。これにより、可動体２０シー
ソー揺動するための間隙２を形成することができる。第１基板１０の材質は、特に限定さ
れないが、例えば、ガラスである。
【００３７】
第１基板１０には、可動体２０の可動電極部２１ａ、２１ｂと対向して設けられている第１固定電極部１８（１８ａ、１８ｂ）が設けられている。図示の例では、第１固定電極部１８は、第１検出電極１８ａと、第２検出電極１８ｂと、を有している。第１検出電極１８ａの平面形状と、第２検出電極１８ｂの平面形状は、例えば、仮想線Ｑを軸として、線対称である。
【００３８】
第１基板１０の、可動電極２１ａに対向する位置には、第１検出電極１８ａが設けられ
ている。この可動電極２１ａと第１検出電極１８ａとによって、可変容量Ｃ１が構成され
ている。第１基板１０の、可動電極２１ｂに対向する位置には、第２検出電極１８ｂが設
けられている。この可動電極２１ｂと第２検出電極１８ｂとによって、可変容量Ｃ２が構
成されている。可変容量Ｃ１および可変容量Ｃ２は、例えば、図２に示す可動体２０が水
平である状態において、同じ容量となるように構成される。可動電極２１ａおよび可動電
極２１ｂは、可動体２０のシーソー揺動に応じて位置が変化する。これにより、可変容量
Ｃ１、Ｃ２の容量値が変化する。図示の例では、可動体２０自体が可動電極２１ａ、２１
ｂを構成しているため、可動電極２１ａ、２１ｂは、同じ電位を有する電極である。可動
体２０には、第１および第２突出部１６、３６を介して、所定の電位が与えられる。
【００３９】
第１および第２検出電極１８ａ、１８ｂの材質は、例えば、アルミニウム、金、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等である。第１および第２検出電極１８ａ、１８
ｂの材質は、ＩＴＯ等の透明電極材料であることが望ましい。第１および第２検出電極１
８ａ、１８ｂとして、透明電極材料を用いることにより、第１基板１０が透明基板（ガラ
ス基板）である場合、第１および第２検出電極１８ａ、１８ｂ上に存在する異物等を容易
に視認することができるためである。
【００４０】
第１基板１０には、第１基面１１から突出している第１突出部１６が設けられている。
第１突出部１６は、準備された基板に第１凹部１７を形成する際、一体的に形成された突
出部である。したがって、第１突出部１６の上面と、第１凹部１７周辺の上面は同一平面
であることができる。第１突出部１６には、可動体２０の固定部２６に所定の電位を供給
するための配線（図示せず）が設けられていてもよい。
【００４１】
第１基板１０には、第１貫通孔１４が設けられている。第１貫通孔１４は、図示される
ように、第１固定電極部１８と離間して形成されていてもよい。第１貫通孔１４は、第１
検出電極１８ａおよび第２検出電極１８ｂのそれぞれに対応して形成される。したがって
、第１検出電極１８ａに対応する第１貫通孔１４と、第２検出電極１８ｂに対応する第１
貫通孔１４がそれぞれ形成される。第１貫通孔１４の形状は特に限定されないが、例えば
、テーパー状の内壁面を有していてもよい。図示されるように、第１貫通孔１４は、＋Ｚ
軸方向に向かって開口面が徐々に広くなるような形状を有していてもよい。また、図示は
されないが、第１貫通孔１４は、−Ｚ軸方向に向かって開口面が徐々に広くなるような形
状を有していてもよい。
【００４２】
図２に示すように、第１貫通孔１４には、第１固定電極部１８と電気的に接続している
第１貫通電極４０が設けられる。第１貫通孔１４が第１固定電極部１８と離間して設けら
れている場合、第１基面１１には、第１固定電極部１８と第１貫通電極４０とを電気的に
接続する配線１９が形成される。配線１９は、第１および第２検出電極１８ａ、１８ｂと
同じ材料から一体的に形成されていてもよい。
【００４３】
第１貫通電極４０は、第１貫通孔１４を充填するように形成される。これにより、第１
裏面１２側の第１貫通孔１４において第１貫通電極４０の露出部分が形成される。したが
って、第１貫通電極４０は、第１基板１０の外部端子であることができる。第１貫通電極
４０の材質には、ＭＥＭＳデバイス製造プロセスで一般的に使用される公知の導電材料を
用いることができ、例えば、銅、アルミニウム、金、チタン、タングステン等を用いるこ
とができる。
【００４４】
第１裏面１２には、第１貫通電極４０と接続している第１配線４１が設けられていてもよい。また、図３に示すように、第１配線４１は、第２基板３０の第２裏面３２上から第２基板３０の側面１３上に至るまで延出していてもよい。第１配線４１は、第１貫通電極４０からの引出し配線であって所定のパターニング形状を有する。第１配線４１の材質には、ＭＥＭＳデバイス製造プロセスで一般的に使用される公知の導電材料を用いることができ、例えば、銅、アルミニウム、金、チタン、タングステン、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等を用いることができる。
【００４５】
第２基板３０は、可動体２０が上方に配置される第２基面３１と、第２基面３１とは反対側の第２裏面３２と、側面３３（第２基面３１と第２裏面３２を連続する面）を有する。図示するように、第２基板３０には、第２基面３１を含む第２凹部３７が設けられる。ここで、第３基面３１は、第２凹部３７の底面を規定する。これにより、可動体２０シーソー揺動するための間隙３を形成することができる。第２基板３０の材質は、特に限定されないが、例えば、ガラスである。なお、本実施形態において、第２基板３０には、第１貫通孔１４や第１突出部１６等が形成された第１基板１０と同じパターン形状を有する基板を用いることができる。
【００４６】
第２基板３０には、可動体２０の可動電極部２０ａ、２０ｂと対向して設けられている
第２固定電極部３８（３８ａ、３８ｂ）が設けられている。第２固定電極部３８は、可動
電極２１ａに対向する位置に設けられている第３検出電極３８ａと、可動電極２１ｂに対
向する位置に設けられている第４検出電極３８ｂを有する。ここで、第２固定電極部３８
は、第１固定電極部１８と同じパターン形状を有する。具体的には、第３検出電極３８ａ
は、第１検出電極１８ａと同じパターン形状を有し、第４検出電極３８ｂは、第２検出電
極１８ｂと同じパターン形状を有する。
【００４７】
第２基板３０の、可動電極２１ａに対向する位置には、第３検出電極３８ａが設けられ
ている。この可動電極２１ａと第３検出電極３８ａとによって、可変容量Ｃ３が構成され
ている。第２基板３０の、可動電極２１ｂに対向する位置には、第４検出電極３８ｂが設
けられている。この可動電極２１ｂと第４検出電極３８ｂとによって、可変容量Ｃ４が構
成されている。
【００４８】
可変容量Ｃ３および可変容量Ｃ４は、例えば、図２に示す可動体２０が水平である状態
において、同じ容量となるように構成される。可動電極２１ａおよび可動電極２１ｂは、
可動体２０のシーソー揺動に応じて位置が変化する。これにより、可変容量Ｃ３、Ｃ４の
容量値が変化する。なお、第３および第４検出電極３８ａ、３８ｂの材質には、第１およ
び第２検出電極１８ａ、１８ｂと同じ材質が選択される。
【００４９】
第２基板３０には、第２基面３１から突出している第２突出部３６が設けられている。
第２突出部３６は、準備された基板に第２凹部３７を形成する際、一体的に形成された突
出部である。したがって、第２突出部３６の上面と、第２凹部３７周辺の上面は同一平面
であることができる。第２突出部３６には、可動体２０の固定部２６に所定の電位を供給
するための配線（図示せず）が設けられていてもよい。
【００５０】
本実施形態に係る物理量センサーによれば、可動体は、固定部２６が第１突出部１６と
第２突出部３６とによって挟まれることで支持されている。このような物理量センサーに
よれば、可動体２０が、１つの突出部上に接合されている形態と比べて、可動体２０の接
合信頼性を向上させることができる。
【００５１】
また、固定部２６の上面と下面が挟持される形態を備えることで、第１および第２基板
１０、３０（ガラス）と、可動体２０（シリコン）の材質の熱膨張係数の差に起因した応
力をオフセット（相殺）することができる。したがって、可動体２０の接合信頼性を向上
させることができる。
【００５２】
第２基板３０には、第２貫通孔３４が設けられている。第２貫通孔３４は、図示される
ように、第２固定電極部３８と離間して形成されていてもよい。第２貫通孔３４は、第３
検出電極３８ａおよび第４検出電極３８ｂのそれぞれに対応して形成される。したがって
、第３検出電極３８ａに対応する第２貫通孔３４と、第４検出電極３８ｂに対応する第２
貫通孔３４がそれぞれ形成される。第２貫通孔３４は、第１貫通孔１４と同じ形状を有す
る。また、第２貫通孔３４は、平面視において、第１貫通孔１４と同じ位置となる。
【００５３】
図２に示すように、第２貫通孔３４には、第２固定電極部３８と電気的に接続している
第２貫通電極５０が設けられる。第２貫通孔３４が第２固定電極部３８と離間して設けら
れている場合、第２基面３１には、第２固定電極部３８と第２貫通電極５０とを電気的に
接続する配線３９が形成される。配線３９は、第３および第４検出電極３８ａ、３８ｂと
同じ材料から一体的に形成されていてもよい。
【００５４】
ここで、第３および第４検出電極３８ａ、３８ｂおよび配線３９の導電層は、第１基板
１０に形成された第１および第２検出電極１８ａ、１８ｂおよび配線１９の導電層と同じ
パターン形状と、配線経路の長さを有するように設けられる。
【００５５】
第２貫通電極５０は、第２貫通孔３４を充填するように形成される。これにより、第２裏面３２側の第２貫通孔３４において第２貫通電極５０の露出部分が形成される。したがって、第２貫通電極５０は、第２基板３０の外部端子であることができる。第２貫通電極５０の材質には、第１貫通電極４０と同じ材質が用いられる。
【００５６】
第２裏面３２には、第２貫通電極５０と接続している第２配線５１が設けられていても
よい。また、図３に示すように、第２配線５１は、第２基板３０の第２裏面３２上から第
２基板３０の側面３３上に至るまで延出していてもよい。第２配線５１は、第２貫通電極
５０からの引出し配線であって第１配線４１と同様のパターニング形状および配線の長さ
を有する。また、第２配線５１の材質には、第１配線４１と同じ材質が用いられる。これ
により、第１配線４１は、第２配線５１と同一の電気特性を有することができる。
【００５７】
可動体２０は、図２に示すように、第１基板１０と第２基板３０との間に間隙を介して
配置される。図示するように、第１基板１０は、第１突出部１６の上面で可動体２０の固
定部２６と接合し、第１凹部１７周辺の上面は、枠体２９と接合していてもよい。また、
第２基板３０は、第２突出部３６の上面で可動体２０の固定部２６と接合し、第２凹部３
７周辺の上面は、枠体２９と接合していてもよい。以上により、図２に示すように、物理
量センサー１００内に可動体２０を収容してもよい。
【００５８】
上述のように、物理量センサー１００では、加速度が加わったときに、可動体２０は、
例えば鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度が生じると、仮想線Ｑを回転軸として、シーソー揺
動（シーソー動作）することができる。これにより、可変容量Ｃ１〜Ｃ４の容量における
静電容量値を変化させることができる。以上から、物理量センサー１００を、加速度セン
サーやジャイロセンサー等の慣性センサーとして使用することができ、具体的には、例え
ば、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使
用することができる。
【００５９】
本実施形態に係る物理量センサー１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００６０】
物理量センサー１００では、第１固定電極部から第１貫通電極までの配線の電気特性と
、第２固定電極部から第２貫通電極までの配線の電気特性は、同一である。具体的には、
第１基板１０に形成された、第１固定電極部１８から第１貫通電極４０までの配線パター
ンおよび配線経路の長さは、第２基板３０に形成された、第２固定電極部３８から第２貫
通電極５０までの配線パターンおよび配線経路の長さと、実質的に同等となるように形成
されている。したがって、可変容量Ｃ１および可変容量Ｃ２の外部端子までの引出配線の
配線経路の長さと、可変容量Ｃ３および可変容量Ｃ４の外部端子までの引出配線の配線経
路の長さの差を小さくすることができる。以上から、固定電極から外部端子までの配線経
路の長さの差を小さくすることができる物理量センサー１００を提供することができる。
【００６１】
［変形例］
次に、本実施形態に係る物理量センサー１０の変形例を、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施形態の変形例に係る物理量センサー１０１を模式的に示す平面図であり、図５は、本実施形態の変形例に係る物理量センサー１０１を模式的に示す断面図であり、図４のＶ−Ｖ線に対応している。変形例に係る物理量センサー１０１は、第１貫通孔１４および第２貫通孔３４の構成においてのみ、本実施形態に係る物理量センサー１００と異なる。以下の説明では、本実施形態に係る物理量センサー１００と異なる点についてのみ説明する。既に説明した構成については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６２】
変形例に係る物理量センサー１０１においては、図４および図５に示すように、第１貫
通孔１１４は、平面視で第１固定電極部１８の少なくとも一部と重なるように配置され、
第１貫通電極４０は、第１固定電極部１８と接続しており、第２貫通孔１３４は、平面視
で第２固定電極部３８の少なくとも一部と重なるように配置され、第２貫通電極５０は、
第２固定電極部３８と接続している。
【００６３】
また、物理量センサー１０１においては、第１貫通孔１１４は、−Ｚ軸方向において、徐々に開口面積が大きくなるようなテーパー面を有し、第２貫通孔１３４は、＋Ｚ軸方法において、徐々に開口面積が大きくなるようなテーパー面を有していてもよい。これによれば、外部端子となる露出面がより広面積となるように設計することができる。また、貫通孔と固定電極部とを重複させる際、貫通孔の第１および第２基面１１、３１における開口面積を小面積とすることができるため、設計における寸法上の制約を小さくすることができる。
【００６４】
また、図示はされないが、本変形例に係る物理量センサー１０１において、第１配線４
１および第２配線５１を形成してもよい。
【００６５】
本変形例に係る物理量センサー１０１によれば、第１貫通電極４０と第１固定電極部１８との間、および第２貫通電極５０と第２固定電極部３８との間において、配線を形成する必要がない。したがって、それぞれの固定電極部１８、３８から外部端子４０、５０までの配線経路の長さが、より短い配線経路となるように設計することができる。したがって、固定電極から外部端子までの配線における寄生容量の影響がより低減された物理量センサー１０１を提供することができる。
【００６６】
２．物理量センサーの製造方法
次に、本実施形態に係る物理量センサーの製造方法について、図面を参照しながら説明
する。図６〜図９は、本実施形態に係る物理量センサー１００の製造工程を模式的に示す
断面図である。
【００６７】
図６に示すように、例えば、ガラス基板１０１上にマスクＭを形成する。マスクＭは、
例えば、スパッタ法や塗布法等でガラス基板１０１上に絶縁層を成膜した後、当該絶縁層
を所定の形状にパターニングすることによって形成される。
【００６８】
図７に示すように、マスクＭをマスクとして、ガラス基板１０１をウェットエッチング
して、第１凹部１７を形成する。また、工程で、図示しないレジスト等を形成して、所定
の位置に第１貫通孔１４を形成する。これにより、第１基板１０を形成することができる
。次に、マスクＭを除去する。次に、第１凹部１７（第２凹部３７）の底部を規定する第
１基面１１に、第１検出電極１８ａ、および第２検出電極１８ｂを形成する。検出電極１
８ａ、１８ｂは、スパッタ法等により第１基板１０の第１基面１１上に導電層を成膜した
後、当該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニング
することにより形成される。ここで、第１配線１９を一体的に形成することができる。
【００６９】
また、第１貫通孔１４内に第１貫通電極４０を無電解めっき等の公知の成膜技術を用い
て形成する。なお、検出電極１８ａ、１８ｂを形成する工程の前に、第１貫通電極４０を
形成してもよい。
【００７０】
以上の工程で、第１固定電極部１８等の導電部材が形成された第１基板１０を形成する
ことができる。この第１基板１０を複数形成することで、実質的に同じ電気特性を有する
導電部材が形成された第２基板２０も準備することができる。
【００７１】
図８に示すように、第１基板１０に、シリコン基板２０１（センサー基板）を接合させ
る。第１基板１０とシリコン基板２０１との接合は、例えば、陽極接合や直接接合、また
は接着剤を用いて行われる。
【００７２】
図９に示すように、シリコン基板２０１を、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして、固定部２６などを含む可動体２０、および枠体２９を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板２０１をパターニング（エッチング）することにより、可動体２０、および枠体２９が一体的に形成される。
【００７３】
図１〜図３に示すように、可動体２０の上方に、第１基板１０の製造工程と同様の工程
で準備された第２基板３０を搭載し、接合して、可動体２０が収容された物理量センサー
１００を製造する。第２基板３０と可動体２０や枠体２９との接合は、例えば、陽極接合
や接着剤等を用いて行われる。
【００７４】
以上の工程により、物理量センサー１００を製造することができる。
【００７５】
３．第２実施形態に係る物理量センサー
次に、第２実施形態に係る物理量センサー２００を、図面を参照しながら説明する。図１０は、本実施形態に係る物理量センサー２００を模式的に示す断面図である。第１実施形態において述べたように、適用される可動体２０の構造は、上記の構造に限定されるものではない。したがって、本実施形態に係る物理量センサー２００は、主に、可動体の構成において、第１実施形態に係る物理量センサー１００と異なる。以下の説明では、本実施形態に係る物理量センサー１００と異なる点についてのみ説明する。既に説明した構成については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。物理量センサー２００は、上述した物理量センサー１００と同様に、例えば、鉛直方向（Ｚ方向）の加速度を測定するための静電容量型加速度センサーとして使用することができる。
【００７６】
第２実施形態に係る物理量センサー２００において、図１０に示すように、第１基板１
１０および第２基板１３０は、第１凹部１７および第２凹部３７は形成されず、プレート
状の基板である。したがって、第１基面１１１は、第１基板１１０の表面を規定する面で
あり、第２基面１３１は、第２基板１３０の表面を規定する面である。
【００７７】
可動体１２０は、第１基板１１０と第２基板１３０との間に、間隙を介して設けられて
いる。可動体１２０は、第１梁部１２７ａおよび第２梁部１２７ｂによって、支持されて
いる。可動体１２０は、加速度検出に必要な質量を持っている。例えば鉛直方向（Ｚ方向
）の加速度が加わると、可動体１２０には、作用した加速度に応じた力が加わり、可動体
１２０はＺ方向に変位する。この変位を固定電極部１８、３８で検出することにより、作
用した加速度を求めることができる。可動体１２０は、可動電極１２１ａ、１２１ｂを含
む可動電極部を備えている。
【００７８】
第１梁部１２７ａおよび第２梁部１２７ｂは、第１基板１１０と第２基板１３０との間
に、間隙を介して設けられている。第１梁部１２７ａおよび第２梁部１２７ｂは、枠体１
２９から可動体１２０まで延出している。第１梁部１２７ａおよび第２梁部１２７ｂは、
可動体１２０を支持している。第１梁部１２７ａおよび第２梁部１２７ｂは、可動体１２
０に加速度が加わると、撓むことができる。
【００７９】
枠体１２９は、可動体１２０の周囲に設けられている。枠体１２９は、第１基板１１０
および第２基板１３０に固定されている。枠体１２９と可動体１２０とは、第１梁部１２
７ａおよび第２梁部１２７ｂを介して接続されている。可動体１２０、第１梁部１２７ａ
および第２梁部１２７ｂ、および枠体１２９は、一体に設けられている。
【００８０】
次に、可動体１２０の動作と、その動作に伴う可変容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の容量
値の変化について説明する。
【００８１】
可動体１２０に、例えば、鉛直下向き（−Ｚ方向）の加速度が加わると、可動体１２０
は−Ｚ方向に変位する。この可動体１２０の変位によって、可変容量Ｃ１、Ｃ２の容量値
が増大し、可変容量Ｃ３、Ｃ４の容量値は減少する。また、可動体１２０に、例えば、鉛
直上向き（＋Ｚ方向）の加速度が加わると、可動体１２０は、＋Ｚ方向に変位する。この
可動体１２０の変位によって、可変容量Ｃ１、Ｃ２の容量値は減少し、可変容量Ｃ３、Ｃ
４の容量値は増大する。物理量センサー２００では、この可変容量Ｃ１〜Ｃ４の容量値の
変化を示す４つの検出信号（差動信号）によって、加速度の大きさと方向を検出すること
ができる。
【００８２】
物理量センサー２００においても、物理量センサー１００と同様に、第１固定電極部１
８から第１貫通電極４０までの配線の電気特性と、第２固定電極部３８から第２貫通電極
５０までの配線の電気特性は、同一とすることができる。第２実施形態に係る物理量セン
サー２００も、第１実施形態に係る物理量センサー１００と同様の特徴を有することがで
きる。
【００８３】
４．電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態
に係る電子機器は、本発明に係る物理量センサーを含む。以下では、本発明に係る物理量
センサーとして、物理量センサー１００を含む電子機器について、説明する。
【００８４】
図１１は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型（またはノート型）のパーソ
ナルコンピューター１１００を模式的に示す斜視図である。
【００８５】
図１１に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備
えた本体部１１０４と、表示部１１０８を有する表示ユニット１１０６と、により構成さ
れ、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支
持されている。
【００８６】
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１００が内蔵され
ている。
【００８７】
図１２は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を
模式的に示す斜視図である。
【００８８】
図１２に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２
０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表
示部１２０８が配置されている。
【００８９】
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１００が内蔵されている。
【００９０】
図１３は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的
に示す斜視図である。なお、図１３には、外部機器との接続についても簡易的に示してい
る。
【００９１】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、
デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅ
ｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する
。
【００９２】
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示
部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、
表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【００９３】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣ
Ｄなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９４】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を
押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納され
る。
【００９５】
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデ
オ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そ
して、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入
出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接
続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレ
ビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になってい
る。
【００９６】
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１００が内蔵されてい
る。
【００９７】
以上のような電子機器１１００、１２００、１３００は、物理量センサー１００を含む
。
【００９８】
なお、上記物理量センサー１００を備えた電子機器は、図１１に示すパーソナルコンピ
ューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２に示す携帯電話機、図１３に
示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインク
ジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメ
ラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機
能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば
電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探
知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュ
レーターなどに適用することができる。
【００９９】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び
結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施
の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実
施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することが
できる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【符号の説明】
【０１００】
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４…可変容量、Ｍ…マスク、Ｑ…仮想線、２、３、４…間隙、１０
…第１基板、１１…第１基面、１２…第１裏面、１３…側面、１４、１１４…第１貫通孔
、１６…第１突出部、１８…第１固定電極部、１８ａ…第１検出電極、１８ｂ…第２検出
電極、１９…配線、２０…可動体、２１…可動電極部、２１ａ、１２１ａ…第１可動電極
、２１ｂ、１２１ｂ…第２可動電極、２２…軸部、２４…開口部、２６…固定部、２７、
１２７ａ、１２７ｂ…梁部、２９、１２９…枠体、３０…第２基板、３１…第２基面、３
２…第２裏面、３３…側面、３４、１３４…第２貫通孔、３６…第２突出部、３８…第２
固定電極部、３８ａ…第３検出電極、３８ｂ…第４検出電極、３９…配線、４０…第１貫
通電極、４１…第１配線、５０…第２貫通電極、５１…第２配線、１００、１０１、２０
０…物理量センサー、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１
１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、
１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３
００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…
シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力
端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピ
ューター。
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１】
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【図４】
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