(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）スパッター表面である第１の表面と第２の表面とを有し、第１の金属又は合金から成るターゲットブランクを準備する工程と、
（ｂ）(ｉ)第２の金属又は合金を準備する工程と、（ｉｉ)当該第２の金属又は合金の中に当該ターゲットをカプセル封入し、当該ターゲットの第１と第２の表面に沿って当該第２の金属又は合金を配置する工程と、
（ｃ）(ｉ)バッキングプレートを準備する工程と、（ｉｉ）ターゲットの第２の表面に沿って配置されている当該第２の金属又は合金の近くにバッキングプレートを配置する工程と、これらの工程により、ターゲットブランクと第２の金属又は合金とバッキングプレートとが組み合わされたアセンブリとなり、
（ｄ）拡散接合アセンブリを形成するために、当該組み合わされたアセンブリをワン・ステップ工程で拡散接合する工程と、
（ｅ）ターゲットのスパッター表面に沿って第２の金属又は合金の少なくとも一部分を後に除去し、これによって、スパッター表面の少なくとも一部分を剥き出しにする工程と、
を含むターゲットとバッキングプレートとのアセンブリを製造する方法。
【請求項２】
ターゲットがＷ又はＷ合金であり、工程（ｂ）（ｉｉ）より前に、ターゲットの第１と第２の表面がＴｉ、Ｎｉ又はＣｒの薄い層によって被覆されている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ターゲットがＷ又はＷ合金であり、第２の金属又は合金が８．２ｘ１０４ＭＰａ以下の引張り弾性係数を持ち、バッキングプレートが２３．０ｘ１０−６ｍ／ｍ／Ｋ以下の熱膨張係数を持つ請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の金属又は合金がＡｌ又はＡｌ合金から成る請求項３に記載の方法。
【請求項５】
バッキングプレートがＴｉ又はＴｉ合金から成る請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第２の金属又は合金が一対のプレートから成り、一対のうちの第1のプレートはターゲットの第1の表面の近くに配置され、一対のうちの第２のプレートはターゲットの第２の表面の近くに配置され、それによって、ターゲットブランクとプレートのサンドウィッチ構造を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
バッキングプレートがＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ又はこれらの合金から成る請求項３に記載の方法。
【請求項８】
一対のプレートがＡｌ又はＡｌ合金から成る請求項６に記載の方法。
【請求項９】
一対のプレートの各々が約０．１−１ｘ（ここで、ｘはターゲットブランクの厚さである）の間の厚さを持っている請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｄ）が４００−６００℃の間の温度で、かつ、５ｋｓｉ以上の圧力で実行される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
当該ＷがＴａ、Ｔｉ又はＳｉと合金化されている請求項３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、米国仮特許出願第61/442,427号(2011年2月14日出願)の優先利点を主張するものである。
【０００２】
本出願は、ターゲットとバッキングプレートが異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を有している場合であっても、スパッターターゲットとバッキングプレートとの拡散接合（ＤＢ）を提供する方法と構造の組み合わせに関する。
【背景技術】
【０００３】
陰極スパッターは、所望の基板の上に材料の薄い層を付着させるために広く用いられている。基本的に、このプロセスにおいては、基板上に薄い膜あるいは層として付着される材料で形成される、スパッター表面を有するターゲットのガスイオン衝撃が必要である。ターゲットのイオン衝撃によって、スパッターされるターゲット材料の原子あるいは分子が生じるだけではなく、かなりの量の熱エネルギーがターゲットに与えられる。ターゲットと熱交換関係に配置されている、熱伝導性のバッキングプレートの下あるいはまわりを循環する冷却媒体を用いてこの熱は消散されている。
【０００４】
当該ターゲットは、不活性ガス、特にアルゴンガスを含む真空室中に、陽極とともに配置された陰極アセンブリの一部を形成する。陰極と陽極に渡って高電圧電場が印加されている。陰極から放出された電子との衝突によって不活性ガスはイオン化される。正に帯電されたガスイオンは陰極に引き付けられ、そして、ターゲット表面への衝突により、ターゲット材料が叩き出される。当該叩き出されたターゲット材料は真空室を横切り、そして、通常は陽極の近くに位置する所望の基板の上に薄膜として付着される。
【０００５】
電場の利用に加えて、当該電場に重ね合わされ、ターゲット表面の上方に閉じた環形状で形成される、アーチ形状の磁場の同時利用によって、スパッター速度の増加が達成される。これらの方法はマグネトロン・スパッター法として知られている。当該アーチ形状の磁場はターゲット表面の近傍の環状領域に電子を捕捉し、それによって、ターゲット材料を叩き出すためにターゲットに衝突する、正に帯電されたガスイオンの数を増加させるように、当該領域における電子とガス原子との衝突の数を増加させる。その結果、ターゲット材料は、ターゲット・レースウェイ（target raceway）として知られる、ターゲット面の一般的に環状部分において侵食される。（すなわち、基板上への後続の付着のために消耗される。）
【０００６】
従来のターゲット陰極アセンブリにおいては、ターゲットは非磁性のバッキングプレートに貼り付けられている。ターゲットへのイオンの衝突によって生ずる熱を除去するために、バッキングプレートは通常、水冷されている。磁石は、ターゲットの剥き出しの面のまわりに延びる環状あるいはトンネル状の形状を上記の磁場が形成するような位置に、バッキングプレートの下に典型的には配置されている。
【０００７】
ターゲット材料とバッキングプレート材料との間の相違する熱膨張係数に関して、スパッター・ターゲット・アセンブリの関心が高まっている。スパッター・ターゲット・アセンブリは、ターゲットに種々の材料のバッキングプレートをはんだ付けすることによって、製造されているけれど、はんだ付けは、高電力スパッター応用に耐えることが不可能であるという欠点がある。それゆえ、拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリが好まれている。
【０００８】
接合界面にわたって種々の範囲において金属学的接合及び拡散を誘起するために、加熱の間ずっと、表面同士を接触させ圧縮することによって、拡散接合を生じさせる。種々の異なる金属の組み合わせが接合の助成として用いることができる。これらの金属は、拡散接合を促進するために１または2以上の拡散接合の界面に被覆として適用される。そして、これらの金属は、従来の電気めっき、無電解めっき、真空カドミウムめっき、物理的蒸着あるいは他の技術によって、適用されうる。いくつかの場合においては、金属箔が、拡散接合によって接合される表面の間に配置される。一般的に、接合される表面は、接合工程に影響する酸化物やそれらの化学膜を除去するために、化学的手段や他の手段によって前処理される。
【０００９】
拡散接合技術は熱間等静水圧圧縮（ＨＩＰ）や単軸熱間圧縮（ＵＨＰ）を含んでいる。単軸熱間圧縮（ＵＨＰ）においては、ターゲットとバッキングプレートは、温度、圧力及び環境条件が細かく制御されたチャンバー内に、一対の圧縮板などの間に、配置される。制御された環境は真空環境、不活性ガス環境、あるいは還元ガス環境であってもよい。ターゲットとバッキングプレートの組み合わせのより低い溶融部材の温度より低い温度まで当該アセンブリは加熱される。当該アセンブリが加熱されている間に、圧縮板を用いて、単軸方向に圧力が加えられる。強固な拡散接合が形成されるまで、当該アセンブリは制御されたチャンバー内に保持される。
【００１０】
熱間等静水圧圧縮（ＨＩＰ）工程においては、ターゲットとバッキングプレートとのアセンブリは容器の内部に配置されている。当該容器について真空に引かれ、そして、当該容器はＨＩＰチャンバーの中に配置される。アルゴンあるいはヘリウム環境がチャンバー内に充填され、温度と圧力が上昇する。当該ＨＩＰ容器はすべての方向からの圧力に曝される。ＵＨＰ工程と同様に、ターゲットとバッキングプレートとの組み合わせのより低い溶融部材の融点に温度は達する。そして、ＨＩＰ処理されたアセンブリは、強固な拡散接合を形成するために、所望の温度、圧力及び環境状態で維持される。
【００１１】
接合が生じた後に、アセンブリは冷却される。冷却されたターゲットは、通常、一方向に撓み反る。この撓みは、通常、互いに異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）に起因するターゲットとバッキングプレートとの不均等な収縮あるいは膨張によって、生ずる。ターゲットとバッキングプレートの間の接合のひび割れ、あるいは、層間剥離も冷却中に生じる。加えて、熱膨張係数（ＣＴＥ）が異なる材料によって、アセンブリは、スパッター中に生じる高温度の間に、他の応力、劣化、ねじれの影響を受けやすい。当該撓みを除去し平坦なアセンブリ・ターゲット表面を製造するために、ターゲットは典型的には機械的に平坦化される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この拡散接合工程及び後続する平坦化工程は、チタンやタンタルのような靭性のターゲットに適している。しかしながら、タングステンのような脆性のターゲットについては、これら工程にわたって層間剥離の可能性がより大きい。このようなターゲットアセンブリの層間の接合強度は、典型的には、４５ＭＰａ未満である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の1つの態様によれば、ターゲット・バッキングプレート・アセンブリを製造する方法が提示されている。第1の金属又は合金のターゲットブランクは、スパッター運転の間におけるスパッター表面である第1の表面と対向する第2の表面とを有するブランクである。第2の金属又は合金は、ターゲットの第1及び第2の表面に沿って配置されている。バッキングプレートは、ターゲットの第2の表面に沿って位置する第2の金属又は合金の近くに配置されている。このようにして、ターゲット、第2の金属及びバッキングプレートは組み合わされたアセンブリを形成する。
【００１４】
１つの好ましい実施態様によれば、ターゲットと第2の金属とバッキングプレートの組み合わされたアセンブリは、拡散結合アセンブリを形成するために、ワン・ステップ工程で拡散結合される。そして、ターゲットのスパッター表面に沿った第2の金属の少なくとも一部分は、スパッター表面の少なくとも一部分を剥き出しにするために、後に除去される。
【００１５】
本発明のいくつかの実施態様においては、ターゲットはＷ又はＷ合金であり、ターゲットの第1及び第2の表面は、ターゲットの第1及び第2の表面に沿って第2の金属又は合金を配置する工程より前に、Ｔｉ、Ｎｉ又はＣｒの任意的な薄い層によって被覆されていても良い。
【００１６】
他の実施態様においては、第2の金属又は合金は８．２ x １０4 ＭＰａ以下の引張り弾性係数を持つ金属から成り、バッキングプレートは２３．０ x １０−6 ｍ／ｍ／Ｋ 以下の熱膨張係数を持っていても良い。場合によっては、第2の金属又は合金はＡｌ６０６１又はＡｌ１１００のようなＡｌ又はＡｌ合金 から成る。
【００１７】
１つの実施態様においては、バッキングプレートはＴｉ又はＴｉ合金から成っても良い。他の実施態様においては、バッキングプレートはＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ又はこれらの合金から成っても良い。
【００１８】
1つの例示的な実施態様においては、第2の金属又は合金は一対のプレートから成っている。一対のうちの第1のプレートはターゲットの第1の表面（スパッター表面）の近くに配置され、一対のうちの第２のプレートはターゲットの第２の表面の近くに配置され、それによって、ターゲットブランクとプレートのサンドウィッチ構造を形成している。第2の金属又は合金から成るプレートはAl又はAl合金であっても良い。
【００１９】
さらに他の実施態様においては、第2の金属又は合金から成る各々のプレートの厚さは、約０．１−１．０ x  （ここで、xはターゲットブランクの厚さである）の厚さを持っている。
【００２０】
ターゲット、当該ターゲットをカプセル化している第2の金属及びバッキングプレートのアセンブリは、４００−６００℃の間の温度で、かつ、約５ｋｓｉ以上の圧力で、拡散接合されても良い。この拡散接合工程は１つのステップの工程で実行されても、あるいは、２つのステップの工程で実行されても良い。２つのステップの工程においては、第１のステップが、組み合わせを形成するために、ターゲットブランクと第２の金属又は合金の拡散接合を含み、第２のステップが、組み合わされたターゲットと第２の金属の組み合わせとバッキングプレートとの拡散接合を含んでいる。場合によっては、第２のステップは、第１のステップで用いられる温度と異なる温度で実行されても良い。
【００２１】
他の実施態様においては、ターゲットはＷとＴａ、Ｔｉ又はＳｉとの合金であっても良い。
【００２２】
本発明の他の態様においては、本発明は拡散接合されたＷターゲットとバッキングプレートとのアセンブリに向けられている。当該アセンブリは、さらに、Ｗターゲットとバッキングプレートとの間に中間に位置する中間層も含んでいる。当該バッキングプレートはＴｉ又はＴｉ合金から成り、そして、当該中間層はＡｌ又はＡｌ合金から成る。このアセンブリは５０  ＭＰａを超える接合強度を持つ。他の態様においては、接合強度が６８．９４  ＭＰａ（１０ｋｓｉ）を超える。
【００２３】
さらに他の態様においては、ターゲットは、９９．７％を超える密度を持ち、１００μｍ未満の結晶粒度を持ち、１００ｐｐｍ未満の酸素含有量を持ち、３０ｐｐｍ未満の炭素含有量を持ち、Ｗ純度が９９．９９９％以上であっても良い。
【００２４】
他の態様においては、ターゲットアセンブリは剥き出しのＷターゲット表面を含んでいる。これによって、適切なスパッター表面とするために上記の工程の実行後にスパッターターゲットは剥き出しにされることを意味する。さらに、アセンブリは、剥き出しのＡｌ又はＡｌ合金の表面及び剥き出しのＴｉ又はＴｉ合金の表面を有する側壁部分を含んでいても良い。スパッター材料による被覆がプラズマコーティングのような従来技術を用いて当該側壁に沿って施される。この被覆は、例えば、約０．００１−０．０２０インチ（約０．００２５４−０．０５０８ｃｍ）の厚さを持っていても良い。中間層は、例えば、Ａｌ６０６１又はＡｌ１１００であっても良く、拡散接合されたアセンブリ全体の接合強度は６０  ＭＰａを超えても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】拡散接合前のターゲットアセンブリの個々の要素を用いて本発明の1つの実施態様の方法を示す模式図である。
【図２】拡散接合後のターゲットアセンブリの要素を用いた図1で示す実施態様の模式図である。
【図３】仕上げ処理後の最終アセンブリの要素を用いた図１及び図2で示す実施態様の模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
拡散接合工程の間に脆性ターゲットが第2の材料でカプセル化されることによって拡散接合されたスパッター・ターゲット・アセンブリが４５ＭＰa以上の層間接合強度を有するようになることを驚きをもって発見した。
【００２７】
図1においては、組み立て前の状態における拡散接合されたターゲットとバックプレートとのアセンブリ１００が示されている。当該アセンブリは、Ｗのような第1の金属あるいは合金からなるターゲットブランク１０２を含んでいる。当該アセンブリの完成後にスパッター表面として機能を果たす第1のあるいは上部の表面１０４を当該ターゲットは含んでいる。当該ターゲットブランクは対向する下部の表面１０６も含んでいる。もし望むなら、両方の表面に薄い被覆層１１２が形成されていても良い。この被覆層はＴｉ、ＮｉあるいはＣｒからなっていても良く、従来技術によって当該ターゲットブランク表面に付着されることもできる。
【００２８】
図1に示すように、第２の金属あるいは合金は、それらの間に配置されたターゲットブランク１０２をサンドウィッチ状に挟み込む一対の向かい合ったプレート１０８、１１０の形態である。第1のプレート１０８が当該ターゲットブランクのスパッター表面１０４に隣接して配置され、プレート１１０が当該ターゲットの下部の表面１０６及びその選択的な薄い被覆層１１２に沿って配置されるように、当該プレート１０８、１１０は当該ターゲットの対向する表面にそれぞれ沿って配置されている。
【００２９】
図示のように、当該プレート１０８、１１０は、それぞれ、垂直に突出するフランジ３４０，３０４を有しており、１つの典型的な実施態様においては、当該フランジ３４０，３０４は、一対のプレートの他の１つからのフランジと結合している。しかしながら、当該プレートは、簡便には、プレートに従属するフランジがなく、平坦であっても良い。
【００３０】
図１にさらに示されているように、バッキングプレート１２０もアセンブリ要素の1つであり、このバッキングプレートは、第2の金属あるいは合金から成るプレート１１０の下部の表面と界面で結合するように適合された上部の表面１２２を有している。図示されているように、バッキングプレート１２０の下部あるいは底部の表面１２４は剥き出しにされ、そして、陰極スパッター運転時にターゲットを冷却支援するために典型的に用いられる、水のような冷媒との熱交換接触のために適合されている。
【００３１】
次に、図２について説明する。上述のような拡散接合処理を受けた後のアセンブリが図示されている。2つのプレート１０８，１１０から成る第２の金属あるいは合金のマトリックスの中に当該ターゲットが囲まれ、あるいは、カプセル化されているのがわかる。次に、第2の金属あるいは合金は、下方に配置されているバッキングプレートと、界面境界１２６に沿って拡散接合される。ターゲットブランクのスパッター表面に隣接した第2の金属あるいは合金１０８（及び選択的な被覆１１２）の部分を除去する機械装置に挿入するのを容易にするように、アセンブリ１００の全体には、わずかな傾斜１１６が付けられている。当該ターゲットブランクの少なくともスパッター表面１０４の一部分が剥き出しになるように当該金属あるいは合金１０８が機械加工によって除去されるのが現在のところ望ましい。
【００３２】
図３は、剥き出されたスパッター表面１０４を有する、仕上げ加工されたアセンブリを示している。側壁部分１２８は、ターゲットと第2の金属１１０との境界の周辺のまわりに示されている。被覆処理中に第2の金属及び/又はバッキングプレートの意図しないスパッタリングを防ぐ助けとなるように、所望であれば、ターゲット材料の薄い被覆３３０がこの側壁に剥き出しの金属を覆って設けられていても良い。当該被覆処理は、プラズマコーティングのような従来方法で行うことができ、厚さ０．００１−０．０２０インチ（０．００２５４−０．０５０８ｃｍ）程度である。
【００３３】
本方法の１つの実施態様においては、第2の金属あるいは合金のプレートは、引張り弾性係数が約８．２ｘ１０４ＭＰａ以下の材料で形成されている。さらに、バッキングプレートは、熱膨張係数が２３．０ｘ１０−６ｍ／ｍ／Ｋ以下の材料で形成されても良い。
【００３４】
１つの典型的な実施態様においては、ターゲットブランクがプレート１０８とプレート１１０の間に配置されている。当該要素は拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリを形成するように拡散接合され、その後、ターゲットのスパッター表面を剥き出しにするように、機械的あるいは化学的に仕上げ処理が行われる。
【００３５】
ターゲットブランクは、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ及びこれらの合金からなる群から選択された１または２以上の材料から成っても良い。
【００３６】
他の１つの実施態様においては、１または２以上のプレート１０８、１１０は、ＡｌまたはＡｌ合金からなる群から選択される１または２以上の材料から成っても良い。他の１つの方法においては、各プレート１０８、１１０はターゲットインゴットの厚さの約０．１から約１倍の厚さを持っている。
【００３７】
他の１つの実施態様においては、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ及びこれらの合金からなる群から選択される１または２以上の材料から構成される薄膜被覆１１２でプレートの表面を被覆することによって、接合を助けるために、ターゲットブランクは前処理されている。当該前処理はターゲットインゴットをプレートの間にカプセル化する前に行われる。
【００３８】
他の１つの実施態様においては、バッキングプレートは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ及びこれらの合金からなる群から選択される１または２以上の材料から構成されている。
【００３９】
さらに他の１つの実施態様においては、仕上げ処理されたアセンブリの１または2以上の側壁はスパッター材料で被覆されている。他の１つの実施態様においては、この被覆１１２は約０．００１から約０．０２０インチ（約０．００２５４−０．０５０８ｃｍ）の厚さである。当該被覆はプラズマスプレー法を用いて形成されても良い。
【００４０】
他の１つの実施態様においては、拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）は剥き出したターゲットのスパッター表面とバッキングプレートを含んでいる。そして、剥き出したターゲットインゴットとバッキングプレートは互いに別々であるが、中間層において拡散接合されている。
【００４１】
他の１つの実施態様においては、ターゲットブランクがＷ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｓｉ及びこれらの合金からなる群から選択された１または２以上の材料から成る、拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）が開示されている。他の１つの実施態様においては、バッキングプレートはＴｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ及びこれらの合金からなる群から選択される１または2以上の材料から構成されている。さらに他の１つの実施態様においては、中間層はアルミニウム及びアルミニウム合金からなる群から選択された１または2以上の材料から構成されている。当該中間層はターゲットブランクの厚さの約０．１から約１倍の厚さを有していても良い。
【００４２】
他の１つの実施態様においては、ターゲットと中間層との間の接合強度及び中間層とバッキングプレートとの間の接合強度が４５ＭＰａ以上である拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）が開示されている。さらに他の１つの実施態様においては、拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）の間の接合強度は６０ＭＰａ以上である。
【００４３】
実施例１
拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）は、Ｗブランクの上側がＡｌ１１００金属プレートと接触し、Ｗブランクの下側がＡｌ１１００金属プレートと接触し、２つのＡｌ１１００プレートによってサンドウィッチ状に挟まれたＷプレートを形成することによって、Ｗブランクをカプセル化する工程を含む方法によって製造された。当該サンドウィッチ状物体はＴｉバッキングプレートの上に置かれていた。Ｗターゲットブランク、Ａｌ１１００プレート、及びＴｉバッキングプレートは、スパッター・ターゲット・アセンブリ中間物を形成するため、４００から６００℃の範囲の温度で、かつ、３４ＭＰａ以上の圧力で拡散接合された。そして、当該アセンブリは、ターゲットのスパッター表面を覆っているＡｌ層を除去するために機械加工される。
【００４４】
実施例１の拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）はスッパター装置において試験された。当該ターゲットは、１７ｋＷｈの最大スパッター電力にも耐えたが、１００ｋＷｈにも耐えた。スパッター後に、ターゲットの反り及び接合強度を測定した。ターゲットアセンブリの裏側の反りはおよそ０．００５インチ（０．０１２７ｃｍ）であった。Ｗ−Ａｌ１１００の接合強度は４６から５５ＭＰａの間と測定された。
【００４５】
実施例２
拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）は実施例１におけると同様に製造され、そして、仕上げ処理後にターゲットの側壁はプラズマスプレーによってＷで被覆された。
【００４６】
実施例３
拡散接合スパッター・ターゲット・アセンブリ（ＤＢＳＴＡ）は実施例１におけると同様に製造され、しかし、Ａｌ１１００に代えてＡｌ６０６１を用いた。Ｗ−Ａｌ６０６１の接合強度は６０ＭＰａ以上であると測定された。
【００４７】
本記載は、本発明を開示する実施例を、ベストモードとともに、用い、また、いわゆる当業者が本発明を実施可能であるように、装置及びシステムを製造・使用可能であるように、そして、関連する方法を実施可能であるようにしている。本発明の特許可能な範囲は特許請求の範囲に特定され、当業者が気付く他の実施例も含まれる。例えば、当該実施態様においては、ターケット、第２の金属プレート、及びバッキングプレートがすべて１つの工程で拡散接合されていることが開示されているが、当該拡散処理は複数の工程を含んでも良い。もし特許請求の範囲における表現と異ならない構成要素を有するならば、あるいは、もし特許請求の範囲における表現と非実質的な相違を持った等価な構成要素を含んでいるならば、そのような他の実施例は特許請求の範囲の範囲内にあると認識している。
【符号の説明】
【００４８】
１００  ターゲットとバックプレートとのアセンブリ
１０２  ターゲットブランク
１０４  １０２の第1のあるいは上部の表面、スパッター表面
１０６  １０２の下部の表面
１０８  プレート、第2の金属あるいは合金
１１０  プレート、第2の金属あるいは合金
１１２  薄い被覆層、被覆
１１６  傾斜
１２０  バッキングプレート
１２２  １２０の上部の表面
１２４  １２０の下部あるいは底部の表面
１２６  界面境界
１２８  側壁部分
３０４  １１０のフランジ
３３０  薄い被覆
３４０  １０８のフランジ
【図１】
0006051492.tif 000002
【図２】
0006051492.tif 000003
【図３】
0006051492.tif 000004