(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための方法であって、前記方法は、
入力クロック信号のエッジから、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成することと、
同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を前記同相局部発振器信号とミキシングすることと、
直交ベースバンド信号を生成するために前記負荷変調信号を前記直交局部発振器信号とミキシングすることと、および、
前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節することと、
を備える、
方法。
【請求項２】
複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンすることをさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記生成された送信信号に関する前記同相局部発振器信号または前記生成された送信信号に関する前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記同相ベースバンド信号の信号強度を決定することと、および、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記直交ベースバンド信号の信号強度を決定することと、
をさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することをさらに備え、ここにおいて、前記選択されたプログラム可能な遅延パラメータは、前記同相ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することをさらに備え、前記選択されたプログラム可能な遅延パラメータは、前記直交ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記入力クロック信号は、ＮＦＣ開始デバイス内で生成された高周波数クロック信号である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の信号強度または前記第２の信号強度のうちの１つの最低検出値に対応する遅延パラメータを決定することをさらに備え、前記遅延パラメータは、前記送信信号および前記同相局部発振器信号の間の第１の位相差、および前記送信信号および前記直交局部発振器信号の間の第２の位相差を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記遅延パラメータに基づいて前記位相遅延を調節することをさらに備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記位相遅延を調節することは、ＮＦＣターゲットデバイスの無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグとのデータ通信の間、位相ノイズを減らすためにＮＦＣ開始デバイスにより実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記位相遅延を調節することは、データを転送するために電磁場を使用するワイヤレスシステムとのデータ通信の間、位相ノイズを減らすために実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ハイスピード入力クロック信号を受信することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記送信信号、前記同相局部発振器信号、および前記直交局部発振器信号は、前記ハイスピード入力クロック信号のクロックエッジを選択的にサンプリングすることにより生成される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記位相遅延は、前記送信信号および前記負荷変調信号を介して通信の有効範囲を増やすため、ミキシングの後減らされた位相ノイズをもたらす前記局部発振器信号のうちの１つおよび前記送信信号の間の位相差を選択するために、調節される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記送信信号は、ＮＦＣ開始デバイスにおいてリング発振器を使用して生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記負荷変調信号は、ＮＦＣターゲットデバイスとのＮＦＣシグナリングに基づいて生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための装置であって、前記装置は、
入力クロック信号のエッジから、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成するための手段と、
同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を前記同相局部発振器信号とミキシングするための手段と、
直交ベースバンド信号を生成するために前記負荷変調信号を前記直交局部発振器信号とミキシングするための手段と、および、
前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節するための手段と、
を備える、
装置。
【請求項１７】
複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンするための手段をさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記生成された送信信号に関する前記同相局部発振器信号または前記生成された送信信号に関する前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の信号強度または前記第２の信号強度のうちの１つの最低検出値に対応する遅延パラメータを決定するための手段をさらに備える、請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記入力クロック信号は、ＮＦＣ開始デバイス内で生成された高周波数クロック信号である、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記生成するための手段は、前記入力クロック信号のクロックエッジを選択的にサンプリングするための手段を含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記負荷変調信号は、ＮＦＣターゲットデバイスとのＮＦＣシグナリングに基づいて生成される、請求項１６に記載の装置。
【請求項２２】
近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための装置であって、前記装置は、
リング発振器と、
前記リング発振器と結合されたクロック発生器と、ここにおいて、前記クロック発生器によって生成された送信信号は前記リング発振器によって生成されるクロック信号に基づく、
ＮＦＣターゲットデバイスとのＮＦＣシグナリングに基づいて生成される負荷変調信号におよび同相局部発振器信号に応答する第１のミキサと、および、
直交局部発振器信号におよび前記負荷変調信号に応答する第２のミキサと、ここにおいて、同相ベースバンド信号は、前記同相局部発振器信号および前記負荷変調信号に基づいて前記第１のミキサにおいて生成され、および、ここにおいて、直交ベースバンド信号は、前記直交局部発振器信号および前記負荷変調信号に基づいて前記第２のミキサにおいて生成される、
前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度におよび前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答する位相セレクタと、ここにおいて、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相は、前記位相セレクタを介して調節可能である、
を含むＮＦＣ開始デバイスを含む、
装置。
【請求項２３】
前記ＮＦＣターゲットデバイスは、前記ＮＦＣ開始デバイスから少なくとも４センチメートルに位置付けられる、請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記ＮＦＣ開始デバイスは、前記同相ベースバンド信号の前記第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の前記第２の信号強度を決定するための信号分析器をさらに含む、請求項２２に記載の装置。
【請求項２５】
前記位相は、前記負荷変調信号を前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号とミキシングすることから生成された位相ノイズを減らすために調節可能である、請求項２２に記載の装置。
【請求項２６】
非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶デバイスは、
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
ＮＦＣ開始デバイスにおいて生成された同相ベースバンド信号の第１の信号強度を決定させ、ここにおいて、前記同相ベースバンド信号は、負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングすることによって生成される、
前記ＮＦＣ開始デバイスにおいて生成された直交ベースバンド信号の第２の信号強度を決定させ、ここにおいて、前記直交ベースバンド信号は、前記負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングすることによって生成される、および、
前記第１の信号強度および前記第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節させる、
近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための命令を含む、
非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項２７】
前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンさせる命令をさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、請求項２６に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項２８】
前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記同相ベースバンド信号の信号強度を決定させ、および、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記直交ベースバンド信号の信号強度を決定させる命令をさらに備える、請求項２７に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項２９】
前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、前記同相ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する前記複数のプログラム可能な遅延パラメータから、プログラム可能な遅延パラメータを選択させる命令をさらに備える、請求項２８に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項３０】
前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、前記直交ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する前記複数のプログラム可能な遅延パラメータから、プログラム可能な遅延パラメータを選択させる命令をさらに備える、請求項２８に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本開示は一般的に、近距離通信デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすことに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  技術の進歩は、より小型で、より強力なコンピューティングデバイスをもたらした。例えば、小型で、軽く、かつユーザによって容易に持ち運ばれる携帯用ワイヤレス電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）、およびページングデバイスなどのワイヤレスコンピューティングデバイスを含む様々な携帯用パーソナルコンピューティングデバイスが現在存在している。より詳細には、セルラー電話やインターネットプロトコル（ＩＰ）電話といった携帯無線電話は、無線ネットワークの上で音声およびデータパケットを通信することができる。さらに、多くのこのようなワイヤレス電話は、その中に組み込まれるその他のタイプのデバイスを含む。例えば、ワイヤレス電話は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、およびオーディオファイルプレーヤも含むことができる。また、このようなワイヤレス電話は、インターネットにアクセスするために使用されることができるウェブブラウザアプリケーションといった、ソフトウェアアプロケーションを含む、実行可能な命令を処理することができる。したがって、これらのワイヤレス電話は、著しい計算能力を含むことができる。
【０００３】
[0003]  ワイヤレス通信デバイスは、近距離通信（ＮＦＣ）規格を利用する他の近隣デバイスと通信するためにＮＦＣ規格を利用し得る。例として、ＮＦＣ規格を利用するモバイルフォンは、モバイルフォンおよび電子デバイスが互いに近接内にあるとき、開始モード（initiator mode）で動作し、ターゲットモードで動作している電子デバイス（例えば、ＮＦＣ規格を使用する近隣の第２のワイヤレスデバイス）からデータを読み取り得る。例えば、開始モードにおいて、モバイルフォンは無線周波数（ＲＦ）信号を電子デバイスに送信し得、電子デバイスから対応するＲＦ信号を受信し得る。対応するＲＦ信号は負荷変調を使用して電子デバイスにより提供されるデータを表す。負荷変調は、モバイルフォンの位相ノイズにより曖昧にされ（obscured）得る。低位相ノイズ位相ロックループ（ＰＬＬ）は、開始モードにおいてモバイルフォンにおいて生成された位相ノイズを減らし得る。しかしながら、低位相ノイズＰＬＬの使用は、電力消費を増加し、モバイルフォン内のダイ面積（die area）を消費する。
【発明の概要】
【０００４】
[0004]  近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための方法およびデバイスが開示されている。ＮＦＣ開始デバイス（initiator device）は、送信信号を生成し、ＮＦＣターゲットデバイスに送信信号を通信し得る。送信信号を受信した後、ＮＦＣターゲットデバイスは、電磁場の負荷変調を介してＮＦＣ開始デバイスにデータを通信し得る。ＮＦＣ開始デバイスは、電磁場の特徴に基づいてＮＦＣターゲットデバイスからデータに対応する負荷変調信号を受信する。負荷変調信号は、それぞれ、同相および直交ベースバンド信号を生成するために、ＮＦＣ開始デバイスにおいて同相局部発振器信号および直交負荷発振器信号とミキシングされ得る。同相および直交ベースバンド信号の信号強度は、ＮＦＣ開始デバイスにおいて決定され得る。同相局部発振器信号の位相および／または直交局部発振器の位相は、同相ベースバンド信号または直交ベースバンド信号のうちの少なくとも１つの、信号強度を改善し、および、位相ノイズを同時に減らすために、局部発振器および送信信号が導出される、オーバーサンプリングされたクロックの異なるエッジをサンプリングすることにより、ＮＦＣ開始デバイスにおいて周期的に調節され得る。
【０００５】
[0005]  特定の実施形態において、近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすための方法は、入力クロック信号のエッジから送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成することを含む。該方法は、同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングすることをさらに含む。該方法は、直交ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングすることをさらに含む。該方法は、同相ベースバンド信号の第１の信号強度および直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して同相局部発振器信号または直交局部発振器信号の位相遅延を調節することをさらに含む。
【０００６】
[0006]  別の特定の実施形態において、近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすための装置は、ＮＦＣ開始デバイスを含む。ＮＦＣ開始デバイスは、リング発振器およびリング発振器に結合されたクロック発生器を含む。クロック発生器からの送信信号は、リング発振器により生成されるクロック信号に基づく。ＮＦＣ開始デバイスは、ＮＦＣターゲットデバイスとのＮＦＣシグナリングに基づいて生成された負荷変調信号におよび同相局部発振器信号に応答する第１のミキサをさらに含む。ＮＦＣ開始デバイスは、直交局部発振器信号におよび負荷変調信号に応答する第２のミキサをさらに含む。同相ベースバンド信号は、同相局部発振器信号および負荷変調信号に基づいて第１のミキサにおいて生成される。直交ベースバンド信号は、直交局部発振器信号および負荷変調信号に基づいて第２のミキサにおいて生成される。同相ベースバンド信号および直交ベースバンド信号の信号強度が測定され、同相局部発振器信号の位相および直交局部発振器信号の位相が測定された信号強度に基づいて調節される。
【０００７】
[0007]  開示された実施形態のうちの少なくとも１つにより提供される１つの特定の利点は、同相および直交ベースバンド信号の信号強度をモニタリングすることにより、受信された信号に対して同相局部発振器信号および直交局部発振器信号の相対位相を選択的に調節するための能力である。この位相関係を用いて識別および動作することの結果は、ＮＦＣ開始デバイスにより生成されたダウンコンバートされた位相ノイズのコヒーレント低減であり、電力消費を減らし、ＮＦＣ開始デバイスにおけるダイ面積消費を減らしながら、減らされた位相ノイズにより、より大きな距離にわたるＮＦＣ通信を可能にする。本開示の他の態様、利点、および特徴は、以下のセクション、図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲を含む、本明細書全体を再考察した後に明らかとなるだろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】[0008]  図１は、ＮＦＣデバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすために動作可能な近距離通信（ＮＦＣ）開始システムの特定の例示的な実施形態のブロック図である。
【図２】[0009]  図２は、図１のＮＦＣ開始システムの送信信号および受信信号の間の位相遅延を示すタイミング図の特定の実施形態の図である。
【図３】[0010]  図３は、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差との関連で同相および直交ベースバンド信号の信号強度の例を示すグラフである。
【図４】[0011]  図４は、ＮＦＣデバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすための方法の特定の実施形態を示すフローチャートである。
【図５】[0012]  図５は、ＮＦＣデバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすために動作可能なＮＦＣ開始システムを含むワイヤレスデバイスのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[0013]  図１を参照すると、特定の例示的な実施形態のブロック図が、ＮＦＣデバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすために動作可能な近距離通信（ＮＦＣ）開始システム（initiator system）１００の特定の例示的な実施形態のブロック図が示されている。ＮＦＣ開始システム１００は、位相ロックループ（ＰＬＬ）１０２、調節可能な位相（例えば、エッジセレクタ）を有するクロック発生器１０４、送信増幅器（ＴＸ）１０５、位相セレクタ１０６、マッチング回路（ネットワーク、network）１０８、第１のミキサ１１０、第２のミキサ１１２、および信号分析器１１４を含む。第１および第２のミキサ１１０、１１２は無線周波数アナログ領域内にあり得る。例えば、第１および第２のミキサ１１０、１１２は無線周波数信号を処理し、無線周波数信号をベースバンド信号にダウンコンバートし得る。クロック発生器１０４および信号分析器１１４は、デジタルベースバンド領域にあり得る。例えば、クロック発生器１０４および信号分析器１１４は、ベースバンド信号を処理し得る。
【００１０】
[0014]  ＰＬＬ１０２は、入力クロック信号１３０（すなわち、オーバーサンプリングクロック信号）を生成するように構成されたリング発振器１０３を含み得る。例えば、図２に関連して説明されたように、入力クロック信号１３０は、約４３３．９２メガヘルツ（ＭＨｚ）（例えば、１３．５６ＭＨｚのおおむね３２倍のキャリア周波数（ｆＣ））の周波数を有し得る。入力クロック信号１３０は、クロック発生器１０４の入力に提供される。
【００１１】
[0015]  クロック発生器１０４は、リング発振器１３０に結合され得る。例えば、クロック発生器１０４は、リング発振器により生成される入力クロック信号１３０を受信するように結合され得る。リング発振器から入力クロック信号１３０を受信することに応答して、クロック発生器１０４は、クロック信号を生成し、送信増幅器１０５にクロック信号を提供するように構成される。送信増幅器１０５は、キャリア周波数（ｆＣ）を有する送信信号１３２（例えば、パルス幅変調（ＰＷＭ）クロック信号）を生成するように構成される。クロック発生器１０４は、キャリア周波数（ｆＣ）を有する局部発振器信号１３６、１３８のペアを生成するようにさらに構成される。例えば、図２に関連して説明したように、クロック発生器１０４は、送信信号１３２、第１の局部発振器信号１３６、および第２の局部発振器信号１３８を生成するために、入力クロック信号１３０の特定のクロックエッジを選択し得る（例えば、キャリア周波数（ｆＣ）に等しいレートで入力クロック信号１３０をサンプリングする）。第１の局部発振器信号１３６は、同相局部発振器信号であり得、第２の局部発振器信号１３８は、直交局部発振器信号であり得る。第１の局部発振器信号１３６の位相および第２の局部発振器信号１３８の位相の間の差異は、おおよそ９０度であり得る。送信増幅器１０５は、マッチング回路１０８に送信信号１３２を提供し、第１のミキサ１１０に第１の局部発振器信号１３６を提供し、第２のミキサ１１２に第２の局部発振器信号１３８を提供するように構成され得る。以下に説明するように、クロック発生器１０４は、プログラム可能な量によって第１の局部発振器信号１３６の位相および第２の局部発振器信号１３８の位相を調節するために、制御信号１４６に応答し得る。
【００１２】
[0016]  マッチング回路１０８は、誘導コイル１０９を介してキャリア周波数（ｆＣ）を有する送信信号１３２をＮＦＣターゲットデバイスに通信するように構成される。ＮＦＣターゲットデバイスは、ＮＦＣ開始システム１００によって生成されたキャリア上で負荷変調を実行することによってＮＦＣ開始システム１００と通信し得る。負荷変調キャリアを受信すると、マッチング回路１０８は、第１のミキサ１１０および第２のミキサ１１２に負荷変調信号１３４を送り得る。負荷変調信号１３４は、マッチング回路１０８を通した位相遅延による送信信号１３２の遅延されたバージョンに対応し得る。負荷変調信号１３４は、ＮＦＣターゲットデバイスにおいて実行される負荷変調により課される少量の振幅および／または位相変調を有し得る。
【００１３】
[0017]  第１のミキサ１１０は、各々キャリア周波数（ｆＣ）を有する第１の局部発振器信号１３６および負荷変調信号１３４を受信するように構成される。第１のミキサ１１０は、第１のベースバンド信号１４０を生成するために、第１の局部発振器信号１３６および負荷変調信号１３４をミキシングするようにさらに構成される。例えば、第１のミキサ１１０は、第１のベースバンド信号１４０を生成するために、第１の局部発振器信号１３６および負荷変調信号１３４を多重化することにより、ダウンコンバージョンミキシングを実行し得る。第１のベースバンド信号１４０は、同相ベースバンド信号であり得る。第２のミキサ１１２は、各々キャリア周波数（ｆＣ）を有する第２の発振器信号１３８および負荷変調信号１３４を受信するように構成される。第２のミキサ１１２は、第２のベースバンド信号１４２を生成するために、第２の局部発振器信号１３８および負荷変調信号１３４をミキシングするようにさらに構成される。例えば、第２のミキサ１１２は、第２のベースバンド信号１４２を生成するために、第２の局部発振器信号１３８および負荷変調信号１３４を多重化することによって、ダウンコンバージョンミキシングを実行し得る。第２のベースバンド信号１４２は、直交ベースバンド信号であり得る。第１および第２のベースバンド信号１４０、１４２は、信号分析器１１４に提供され得る。
【００１４】
[0018]  信号分析器１１４は、直流（ＤＣ）較正ユニットに対応し得る。信号分析器１１４は、第１および第２のベースバンド信号１４０、１４２を受信し、各ベースバンド信号１４０、１４２上でＤＣ平均化を実行するように構成され得る。例えば、図３に関連して説明されたように、信号分析器１１４は、負荷変調信号１３４と比較して局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相に関して、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）の第１の信号強度１５２、および第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交ベースバンド信号）の第２の信号強度１５４を測定し得る。ベースバンド信号１４０、１４２の信号強度１５２、１５４は、ベースバンド信号１４０、１４２のＤＣ電圧レベルに対応し得る。信号分析器１１４は、強度インジケータ信号１４４を生成するようにさらに構成される。強度インジケータ信号１４４は、ベースバンド信号１４０、１４２の個々の電圧レベルを示し得る。強度インジケータ信号１４４は、位相セレクタ１０６に提供される。
【００１５】
[0019]  位相セレクタ１０６は、強度インジケータ信号１４４に対応する情報を評価するように構成される。該情報は、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２、第１の信号強度と関連付けられた第１の局部発振器信号１３６の第１の位相遅延、第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４、および第２の信号強度と関連付けられた第２の局部発振器信号１３８の第２の位相遅延を含み得る。第１の位相遅延および第２の位相遅延は、位相セレクタ１０６内に記憶され得、第１の信号強度１５２および第２の信号強度１５４は、強度インジケータ信号１４４を介して位相セレクタ１０６に送られ得る。ある特定の実施形態において、位相セレクタ１０６内のプロセッサは、該情報を評価し得る。第１および第２の信号強度１５２、１５４に基づいて、位相セレクタ１０６は、対応するベースバンド信号１４０、１４２の位相ノイズ電力を減らすまたは最小化し得る局部発振器信号１３６、１３８のうちの少なくとも１つのための位相を決定し得る。例えば、位相セレクタ１０６は、異なるプログラム可能な遅延パラメータを指示する１つまたはそれ以上の制御信号１４６を生成し得る。各プログラム可能な遅延パラメータは、局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相（すなわち、異なる位相遅延または位相シフト）に対応し得る。いくつかの実施形態において、位相セレクタ１０６は、同相経路に対応する位相ノイズを減らすまたは最小化するために、第１のベースバンド信号１４０の最高の決定された第１の信号強度１５２に対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。他の実施形態において、位相セレクタ１０６は、直交経路に対応する位相ノイズを減らすまたは最小化するために、第２のベースバンド信号１４２の最高の決定された第２の信号強度１５４に対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。  
[0020]  したがって、位相セレクタ１０６は、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２、および第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４に応答して、第１の局部発振器信号１３６（すなわち、同相局部発振器信号）、または第２の局部発振器信号１３８（すなわち、直交局部発振器信号）の位相遅延を調節するために、クロック発生器１０４に１つまたはそれ以上の制御信号１４６を送り得る。クロック発生器１０４は、図２に関してさらに説明されるように、キャリア周波数（ｆＣ）にしたがって、異なるクロックエッジで入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングすることによって、局部発振器信号１３６、１３８の位相遅延を調節し得る。
【００１６】
[0021]  送信信号１３２の位相がおおよそ一定であるように維持されるとき、局部発振器信号１３６、１３８の位相を調節することは、送信信号１３２、および局部発振器信号１３６、１３８の間の位相差を調節する。送信信号１３２、および局部発振器信号１３６、１３８の間の位相差が調節されるとき、負荷変調信号１３４および局部発振器信号１３６、１３８の間の位相差もまた、マッチング回路１０８と関連付けられた位相遅延により調節される。位相遅延は、データを転送するために電磁場を使用するワイヤレスシステムとのデータ通信の間、位相を減らすためにＮＦＣ開始システム１００により調節され得る。例えば、ある特定の実施形態において、位相遅延は、ＮＦＣターゲットデバイスの無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグとのデータ通信の間、位相ノイズを減らすためにＮＦＣ開始システム１００によって調節され得る。  
[0022]  負荷変調信号１３４および第１の局部発振器信号１３６の間の位相差が調節されるとき、第１のミキサ１１０は、調節されたＤＣ電圧レベル（すなわち、調節された第１の信号強度）を有する第１のベースバンド信号１４０を生成し得る。同様の方式で、負荷変調信号１３４および第２の局部発振器信号１３８の間の位相差が調節されるとき、第２のミキサ１１２は、調節されたＤＣ電圧レベルを有する第２のベースバンド信号１４２を生成し得る。第１のベースバンド信号１４０の位相ノイズは、第１のベースバンド信号１４０のＤＣ電圧レベルが増えるのにつれて減少し得、第２のベースバンド信号１４２の位相ノイズは、第２のベースバンド信号１４２のＤＣ電圧レベルが増えるのにつれて減少し得る。図３に関連して説明したように、負荷変調信号１３４と局部発振器信号１３６、１３８のペアとの間の位相差は、ベースバンド信号１４０、１４２のうちの少なくとも１つの位相ノイズを減らすように調節され得る。特定のベースバンド信号１４０、１４２に関する所望の位相ノイズ（または信号強度）を取得すると、ＮＦＣ開始システム１００は特定のベースバンド信号１４０、１４２と関連付けられた経路に同調し得る。例えば、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）のための所望の第１の信号強度１５２を取得すると、ＮＦＣ開始システム１００はＮＦＣターゲットデバイスと通信することから生じ得る位相ノイズを減らすために同相経路に同調し得る。例えば、ＮＦＣ開始システム１００は、第１のベースバンド信号１４０を選択し、第１のベースバンド信号１４０上で変調および他の信号処理を実行し得、一方で第２のベースバンド信号１４２条で信号処理を一時停止（suspend）する。
【００１７】
[0023]  オペレーションの間、位相セレクタ１０６は、強度インジケータ信号１４４の評価に基づいてプログラム可能な遅延パラメータの各々に対応するプログラム可能な遅延パラメータおよび受信されたフィードバック（例えば、各ベースバンド信号１４０、１４２に関するＤＣ電圧レベル測定）の異なる値全体をスキャンし得る。例えば、位相セレクタ１０６は、各々が局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相遅延に対応する複数のプログラム可能な遅延パラメータ全体をスキャンし得る。特定の実施形態において、位相セレクタ１０６は局部発振器信号１３６、１３８の第１の位相遅延に対応する第１のプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。信号分析器１１４は、第１のプログラム可能な遅延パラメータに対応する第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２を決定（すなわち、測定）し、第１のプログラム可能な遅延パラメータに対応する第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４を決定し得る。第１の信号強度１５２および第２の信号強度１５４は、強度インジケータ信号１４４を介して位相セレクタ１０６に送られ得る。位相セレクタ１０６は、受信された信号強度情報を記憶し、スキャンが完了するまで局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相遅延に対応する他のプログラム可能な遅延パラメータのための処理を繰り返し得る。
【００１８】
[0024]  スキャンを完了した後、位相セレクタ１０６は、記憶された信号強度情報に基づいてプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。例えば、位相セレクタ１０６は、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）の実質的に高いＤＣ電圧レベル、および第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交ベースバンド信号）の実質的に低いＤＣ電圧レベルに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。第１のベースバンド信号１４０に関する実質的な高ＤＣ電圧レベルは、低位相ノイズを有する同相経路および高位相ノイズを有する直交経路に対応し得る。第１のベースバンド信号１４０および第２のベースバンド信号１４２は実質的に九十度位相が異なるため、第２のベースバンド信号１４２の実質的に低いＤＣ電圧レベルに対応する遅延パラメータ値も、第１のベースバンド信号１４０の実質的に高いＤＣ電圧レベルに対応し得る。したがって、位相セレクタ１０６は、第２のベースバンド信号１４２の実質的に低いＤＣ電圧レベルに対応する遅延パラメータ値を選択し、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相経路）と関連付けられた経路に同調し、飽和（saturation）が第１のベースバンド信号１４０の高いＤＣ電圧レベルで信号強度を限定し得るとき、精確さを向上し得る。例えば、第２のベースバンド信号１４２の実質的に低いＤＣ電圧レベルに対応する遅延パラメータ値を選択することは、第１のベースバンド信号１４０のより高いＤＣ電圧レベルに対応する別の遅延パラメータ値の存在の機会を軽減し（mitigate the chance）得る。ＮＦＣ開始システム１００は、第２のベースバンド信号１４２上の信号処理を一時停止しながら、第１のベースバンド信号１４０を選択し、第１のベースバンド信号１４０上で復調および他の信号処理を実行することによって同相経路に同調し得る。代わりに、位相セレクタ１０６は、第２のベースバンド信号１４２の実質的に高いＤＣ電圧レベル、および第１のベースバンド信号１４０の実質的に低いＤＣ電圧レベルに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。
【００１９】
[0025]  ＮＦＣ開始システム１００は、ＮＦＣターゲットデバイスとの通信から生じ得る位相ノイズを選択的に減らし得ることが理解される。例えば、ＮＦＣ開始システム１００は、第１のベースバンド信号１４０のための高いＤＣ電圧レベルを生成するために位相遅延（すなわち、遅延パラメータ）を選択し得、同相経路に同調し得る、または第２のベースバンド信号１４２のための高いＤＣ電圧レベルを生成するために位相遅延を選択し得、直交経路に同調し得る。ＮＦＣ開始システム１００が、第１のベースバンド信号１４０のための高いＤＣ電圧レベルを生成する位相遅延を選択するとき、同相経路と関連付けられた位相ノイズは減らされることができ、ＮＦＣ開始システム１００が同相経路に同調するとき、改善された信号品質（すなわち、改善された信号対ノイズ比（ＳＮＲ））を結果としてもたらす。ＮＦＣ開始システム１００が、第２のベースバンド信号１４２のための高いＤＣ電圧レベルを生成する位相遅延を選択するとき、直交経路と関連付けられた位相ノイズは減らされることができ、ＮＦＣ開始システム１００が直交経路に同調するとき、改善された信号品質を結果としてもたらす。代わりに、ＮＦＣ開始システム１００は、第２のベースバンド信号１４２のための電圧レベルを実質的に等化する第１のベースバンド信号１４０のための電圧レベルを生成するために位相遅延を選択し得、同相経路および直交経路に同調し得る。ＮＦＣ開始システム１００およびＮＦＣターゲットデバイスの間の距離が増加すると、シグナリングの間ノイズの量も増加し得る。したがって、ＳＮＲを改善することは、ＮＦＣ開始システム１００およびＮＦＣターゲットデバイスの間の距離における増加を可能にし得る。
【００２０】
[0026]  図２を参照すると、ＮＦＣ開始システム１００の送信信号１３２および負荷変調信号１３４の間の位相遅延を示すタイミング図２００の特定の実施形態が示されている。タイミング図２００は、入力クロック信号１３０の第１のトレース、送信信号１３２の第２のトレース、負荷変調信号１３４の第３のトレース、第１の局部発振器信号１３６の第４のトレース、および第２の局部発振器信号１３８の第５のトレースを含む。
【００２１】
[0027]  入力クロック信号１３０は、高周波数入力クロック信号であり得る。例えば、入力クロック信号１３０の第１のトレースは、４３３．９２ＭＨｚの周波数を有し得る。図１のクロック発生器１０４は、送信信号１３２を生成するために入力クロック信号１３０のクロックエッジを選択的にサンプリングし得る。例えば、第２のトレースにより示されるように、クロック発生器１０４は、送信信号１３２の立ち上がりエッジを生成するために、第１のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「０」）の立ち上がりエッジ２０２において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。さらに、クロック発生器１０４は、送信信号１３２の立ち下がりエッジ（falling edge）を生成するために、１７回目のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「１６」）の立ち上がりエッジ２０６において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。したがって、入力クロック信号１３０の１６毎のクロックパルスは、送信信号１３２の半期（half-period）に対応し得る。したがって、入力クロック信号１３０は、送信信号１３２のキャリア周波数（ｆＣ）の約３２倍の周波数を有し得る。
【００２２】
[0028]  第３のトレースにより示されるように、負荷変調信号１３４は、送信信号１３２の遅延したバージョンであり得る。例えば、負荷変調信号１３４は、送信信号１３２のキャリア周波数（ｆＣ）に等しい周波数を有し得るが、位相差ΔΦは送信信号１３２および負荷変調信号１３４の間に存在し得る。
【００２３】
[0029]  第４のトレースにより示されるように、クロック発生器１０４は、第１の局部発振器信号１３６を生成するためにプログラム可能な遅延パラメータ（Ｄｎ）に基づいて入力クロック信号１３０のクロックエッジを選択的にサンプリングし得る。例えば、特定のプログラム可能な遅延パラメータ（Ｄｎ）に基づいて、クロック発生器１０４は、第１の局部発振器信号１３６の立ち上がりエッジを生成するために９回目のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「８」）の立ち上がりエッジ２０４において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。さらに、クロック発生器１０４は、第１の発振器信号１３６の立ち下がりエッジを生成するために２５回目のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「２４」）の立ち上がりエッジにおいて入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。したがって、クロック発生器１０４は、負荷変調信号１３４の位相にマッチする位相を有する第１の発振器信号１３６を生成するために入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングし得る。上述したように、位相セレクタ１０６は、各々第１の局部発振器信号１３６の異なる位相遅延に対応する複数のプログラム可能な遅延パラメータにわたってスキャンし得る。
【００２４】
[0030]  ５回目のトレースにより示されるように、クロック発生器１０４は、第２の局部発振器信号１３８を生成するために入力クロック信号１３０のクロックエッジを選択的にサンプリングし得る。例えば、特定のプログラム可能な遅延パラメータ（Ｄｎ）に基づいて、クロック発生器１０４は、第２の局部発振器信号１３８の立ち下がりエッジを生成するために第１のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「０」）の立ち上がりエッジ２０２において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。さらに、クロック発生器１０４は、第２の局部発振器信号１３８の立ち上がりエッジを生成するために１７回目のクロックパルス（すなわち、クロックパルス「１６」）の立ち上がりエッジ２０６において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。
【００２５】
[0031]  異なる位相を有する局部発振器信号１３６、１３８を生成するために異なるクロックエッジにおいて入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングすることは、局部発振器信号１３６、１３８が負荷変調信号１３４とミキシングされるとき、異なる信号強度を有するベースバンド信号を生成し得ることが理解される。例えば、図３に関連してさらに詳細に説明するように、特定の遅延パラメータ（Ｄｎ）は、結果として生じたベースバンド信号のうちの最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応するものが選択され得る。
【００２６】
[0032]  図３を参照すると、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差に関して同相および直交ベースバンド信号の信号強度の例を示すグラフ３００が示されている。グラフ３００の水平軸は、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相における差に対応し得る。グラフ３００の垂直軸（vertical axix）は、デシベルボルト（ｄＢＶ）における測定された信号強度値に対応し得る。点線は、図１の第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）に対応し得、実線は、図１の第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交ベースバンド信号）に対応し得る。
【００２７】
[0033]  グラフ３００で示されたように、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２および第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４は、負荷変調信号１３４および局部発振器信号の間の位相差に基づいて変化し得る。例えば、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差がゼロ度におおよそ等しいとき、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２は最大値に達し得、第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４は最小値に達し得る。示されたように、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度は、約−３ｄＢに達し得、第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度は、−１００ｄＢＶを下回り得る。図１の位相セレクタ１０６は、強度インジケータ信号１４４に基づいてこの特定のシナリオに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。この特定のシナリオにおいて、ＮＦＣ開始システム１００は、振動電磁場（oscillating electromagnetic field）１６０をわたってＮＦＣターゲットデバイスに通信するとき、ＳＮＲを改善するために同相経路に同調し得る。グラフ３００により示されるように、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差が約１８０°、３６０°、５４０°、７２０°等であるとき、同様のシナリオが生じる。
【００２８】
[0034]  負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差が９０度におおよそ等しいとき、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２は、最小値に達し得、第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４は、最大値に達し得る。例えば、特定の示された実施形態において、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度は、−１００ｄＢＶを下回り得、第２のベースバンド信号の第２の信号強度は、約−３ｄＢＶに達し得る。位相セレクタ１０６は、強度インジケータ信号１４４に基づいてこの特定のシナリオに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。この特定のシナリオにおいて、ＮＦＣ開始システム１００は、振動電磁場１６０をわたってＮＦＣターゲットデバイスと通信するとき、ＳＮＲを改善するために直交経路に同調し得る。グラフ３００により示されるように、負荷変調信号および局部発振器信号の間の位相差が約２７０°、４５０°、６３０°等であるとき、同様のシナリオが生じる。
【００２９】
[0035]  位相セレクタ１０６は、ベースバンド信号１４０、１４２の高いＤＣ電圧レベルを生成するスパイクに起因するエラーを減らすためにベースバンド信号１４０、１４２の信号強度１５２、１５４が最大値でなく最小値に達するときに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得ることが理解される。受信信号および局部発振器信号の間の位相差は、ベースバンド信号１４０、１４２のうちの少なくとも１つのための所望の位相ノイズを取得するために、図２に関連して説明されたように、クロック発生器１０４により調節され得ることが理解される。特定のベースバンド信号１４０、１４２に関する減らされた位相ノイズ（または信号強度１５２、１５４）を取得すると、ＮＦＣ開始システム１００は特定のベースバンド信号１４０、１４２と関連付けられた経路に同調し得る。例えば、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）のための所望の第１の信号強度１５２を取得すると、ＮＦＣ開始システム１００は、ＮＦＣターゲットデバイスとの通信から生じ得る位相ノイズを減らすために同相経路に同調し得る。
【００３０】
[0036]  図４を参照すると、近距離通信（ＮＦＣ：Near Field Communication）デバイスシグナリングの間、位相ノイズを減らすための方法４００の特定の実施形態のフローチャートが示されている。例示的な実施形態において、方法４００は、図１のＮＦＣ開始システム１００を使用して実行され得る。
【００３１】
[0037]  方法４００は、４０２において、入力クロック信号のエッジから、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成することを含み得る。例えば、図１において、クロック発生器１０４は、リング発振器１０３から入力クロック信号１３０を受信し得る。入力クロック信号１３０を受信することに応答して、クロック発生器１０４は、送信信号１３２、第１の局部発振器信号１３６（すなわち、同相局部発振器信号）、および第２の局部発振器信号１３８（すなわち、直交局部発振器信号）を生成するために、キャリア周波数（ｆＣ）において入力クロック信号１３０をサンプリングし得る。特定の実施形態において、送信信号１３２は、ＮＦＣ開始デバイスにおいてリング発振器を使用して生成され得る。
【００３２】
[0038]  負荷変調信号は、４０４において、同相ベースバンド信号を生成するために同相局部発振器信号とミキシングされ得る。例えば、図１において、第１のミキサ１１０は、負荷変調信号１３４を第１の局部発振器信号１３６（すなわち、同相局部発振器信号）とミキシングし得る。負荷変調信号１３４は、負荷を選択的に活性化するＮＦＣターゲットデバイスに起因する振動電磁場１６０における変化からマッチング回路１０８において生成され得る。第１のミキサ１１０は、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）を生成するために、負荷変調信号１３４を第１の局部発振器信号１３６とミキシングすることにより、信号ダウンコンバージョンを実行し得る。特定の実施形態において、負荷変調信号１３４は、送信信号１３２の遅延したバージョンに対応する。
【００３３】
[0039]  負荷変調信号は、４０６において、直交ベースバンド信号を生成するために直交負荷発振器信号とミキシングされ得る。例えば、図１において、第２のミキサ１１２は、負荷変調信号１３４を第２の局部発振器信号１３８（すなわち、直交局部発振器信号）とミキシングし得る。第２のミキサ１１２は、第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交局部発振器信号）を生成するために負荷変調信号１３４を第２の局部発振器信号１３８とミキシングすることによって、信号ダウンコンバージョンを実行し得る。
【００３４】
[0040]  同相局部発振器信号または直交局部発振器信号の位相遅延は、４０８において、同相ベースバンド信号の測定された第１の信号強度および直交ベースバンド信号の測定された第２の信号強度に応答して調節され得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、異なるプログラム可能な遅延パラメータを示す１つまたはそれ以上の制御信号１４６を生成し得る。各プログラム可能な遅延パラメータは、第１および第２の局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相（すなわち、異なる位相遅延または位相シフト）に対応し得る。位相セレクタ１０６は、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２および第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４に応答して、第１の局部発振器信号１３６（すなわち、同相局部発振器信号）または第２の局部発振器信号１３８（すなわち、直交局部発振器信号）のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節するためにクロック発生器１０４に１つまたはそれ以上の制御信号１４６を送り得る。図１−２に関連して説明したように、クロック発生器１０４は、キャリア周波数（ｆＣ）にしたがって異なるクロックエッジにおいて入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングすることによって、局部発振器信号１３６、１３８の位相遅延を調節し得る。特定の実施形態において、位相遅延は、送信信号１３２および負荷変調信号１３４を介して通信の有効範囲を増やすためにミキシングの後減らされた位相ノイズをもたらす位相遅延を選択するように調節され得る。
【００３５】
[0041]  図４の方法４００は、ＮＦＣターゲットデバイスとの通信から生じ得る位相ノイズを選択的に減らし得ることが理解される。例えば、方法４００は、第１のベースバンド信号１４０のための高いＤＣ電圧レベルを生成するために、または第２のベースバンド信号１４２の高いＤＣ電圧レベルを生成するために、位相遅延（すなわち、遅延パラメータ）を調節し得る。結果として、図１のＮＦＣ開始システム１００といったＮＦＣ開始デバイスは、高いＤＣ電圧レベルを有するベースバンド信号１４０、１４２に対応する経路（すなわち、同相または直交経路）に選択的に同調し得る。第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）が高いＤＣ電圧レベルを有するとき、同相経路と関連付けられた位相ノイズは減らされることができ、ＮＦＣ開始システム１００が同相経路に同調するとき、改善された信号品質（すなわち、改善された信号対ノイズ比（ＳＮＲ））を結果としてもたらす。第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交ベースバンド信号）が高いＤＣ電圧レベルを有するとき、直交経路と関連付けられた位相ノイズは減らされることができ、ＮＦＣ開始システム１００が同相直交に同調するとき、改善された信号品質を結果としてもたらす。
【００３６】
[0042]  特定の実施形態において、方法４００は複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンすることを含み得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、プログラム可能な遅延パラメータの異なる値にわたってスキャンし得、強度インジケータ信号１４４を介して各プログラム可能な遅延パラメータに対応するフィードバック（すなわち、各ベースバンド信号１４０、１４２のためのＤＣ電圧レベル測定）を受信し得る。例えば、位相セレクタ１０６は、同相局部発振器信号（すなわち、第１の局部発振器信号１３６）または直交局部発振器信号（すなわち、第２の局部発振器信号１３８）の異なる位相遅延に各々対応する複数のプログラム可能な遅延パラメータにわたってスキャンし得る。
【００３７】
[0043]  特定の実施形態において、方法４００は、各プログラム可能な遅延パラメータのための同相ベースバンド信号の信号強度を決定すること、および各プログラム可能な遅延パラメータのための直交ベースバンド信号の信号強度を決定することを含み得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、局部発振器信号１３６、１３８の第１の位相遅延に対応する第１のプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。信号分析器１１４は、第１のプログラム可能な遅延パラメータのための第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２を決定（すなわち、測定）し得、第１のプログラム可能な遅延パラメータのための第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４を決定（すなわち、測定）し得る。第１の信号強度１５２および第２の信号強度１５４は、強度インジケータ信号１４４を介して位相セレクタ１０６に送られ得る。位相セレクタ１０６は、スキャンが完了するまで、情報を記憶し、局部発振器信号１３６、１３８の異なる位相遅延に対応する他のプログラム可能な遅延パラメータのための処理を繰り返し得る。  
[0044]  特定の実施形態において、方法４００は、同相ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することを含み得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、第１のベースバンド信号１４０（すなわち、同相ベースバンド信号）の高いＤＣ電圧レベル、または第１のベースバンド信号１４０の低いＤＣ電圧レベルに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。第１のベースバンド信号１４０のための高いＤＣ電圧レベルは、低位相ノイズを有する同相経路に対応し得、第１のベースバンド信号１４０のための低いＤＣ電圧レベルは、低位相ノイズを有する直交経路に対応し得る。
【００３８】
[0045]  特定の実施形態において、方法４００は、直交ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することを含み得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、第２のベースバンド信号１４２（すなわち、直交ベースバンド信号）の高いＤＣ電圧レベル、または第２のベースバンド信号１４２の低いＤＣ電圧レベルに対応するプログラム可能な遅延パラメータを選択し得る。第３のベースバンド信号１４２のための高いＤＣ電圧レベルは、低位相ノイズを有する直交経路に対応し得、第２のベースバンド信号１４２のための低いＤＣ電圧レベルは、低位相ノイズを有する同相経路に対応し得る。
【００３９】
[0046]  特定の実施形態において、方法４００は、第１の信号強度または第２の信号強度の最低の検出値に対応する遅延パラメータを決定することを含み得る。例えば、図１において、位相セレクタ１０６は、強度インジケータ１４４を介して、各プログラム可能な遅延パラメータのための第１のベースバンド信号１４０のＤＣ測定値（すなわち、第１の信号強度値）を受信し、各プログラム可能な遅延パラメータのための第２のベースバンド信号１４２のＤＣ測定値（すなわち、第２の信号強度値）を受信し得る。位相セレクタ１０６は、どの遅延パラメータが第１のベースバンド信号１４０のためのおよび第２のベースバンド信号１４２のための最低の検出値（すなわち、ＤＣ測定値）に対応するかを決定し得る。方法４００も、遅延パラメータに基づいて位相遅延を調節することを含み得る。例えば、図１において、クロック発生器１０４は、キャリア周波数（ｆＣ）にしたがって異なるクロックエッジにおいて入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングすることによって、局部発振器信号１３６、１３８の位相遅延を調節し得る。示すために、クロック発生器１０４は、高速入力クロック信号としてリング発振器から入力クロック信号１３０を受信し得る（例えば、入力クロック信号１３０の周波数は、約４３３．９２ＭＨｚ（例えば、キャリア周波数（ｆＣ）の約３２倍であり得る）。制御信号１４６は、位相セレクタ１０６により選択された遅延パラメータに対応し得、特定のクロックエッジを選択するためにクロック発生器１０４をトリガし得、各クロックエッジは異なる位相遅延に対応する。送信信号１３２、第１の局部発振器信号１３６（すなわち、同相局部発振器信号）、および第２の局部発振器信号１３８（すなわち、直交局部発振器信号）は、クロック発生器１０６が入力クロック信号１３０のクロックエッジを選択的にサンプリングすることによって生成され得る。
【００４０】
[0047]  図４の方法４００は、ＮＦＣターゲットデバイスとの通信から生じ得る位相ノイズを選択的に減らし得ることが理解される。例えば、方法４００は、第１のベースバンド信号１４０のための高いＤＣ電圧レベルを生成するために、または第２のベースバンド信号１４２の高いＤＣ電圧レベルを生成するために、位相遅延（すなわち、遅延パラメータ）を調節し得る。結果として、図１のＮＦＣ開始システム１００といったＮＦＣ開始デバイスは、高いＤＣ電圧レベルを有するベースバンド信号１４０、１４２に対応する経路（すなわち、同相または直交経路）に選択的に同調し得る。
【００４１】
[0048]  図５を参照すると、ワイヤレス通信デバイスの特定の例示的な実施形態のブロック図が図示され、一般的に５００と指定されている。デバイス５００は、メモリ５３２に結合された、デジタル信号プロセッサのようなプロセッサ５１０を含む。  
[0049]  図５はまた、ワイヤレスコントローラ５４０および誘導コイル１０９の間に配置された無線周波数（ＲＦ）インターフェース５６０を示し、ＲＦインターフェース５６０は図１のＮＦＣ開始システム１００を含む。例えば、ＲＦインターフェース５６０は、ＰＬＬ１０２、リング発振器１０３、クロック発生器１０４、送信増幅器１０５、位相セレクタ１０６、第１のおよび第２のミキサ１１０、１１２、信号分析器１１４、およびマッチング回路１０８を含む。
【００４２】
[0050]  クロック発生器１０４は、リング発振器１０３に結合され得る。クロック発生器１０４からクロック信号を受信すると、送信増幅器１０５は、送信信号１３２を生成し得る。第１のミキサ１１０は、ワイヤレス通信デバイス５００といった、ＮＦＣ開始デバイスから少なくとも４センチメートルに位置付けられたＮＦＣターゲットデバイスからの負荷変調信号１３４および同相局部発振器信号（すなわち、第１の局部発振器信号１３６）に応答する。第２のミキサ１１２は、直交局部発振器信号（すなわち、第２の局部発振器信号１３８）、および負荷変調信号に応答する。同相ベースバンド信号（すなわち、第１のベースバンド信号１４０）は、同相局部発振器信号および負荷変調信号に基づいて第１のミキサ１１０において生成され得る。直交ベースバンド信号（すなわち、第２のベースバンド信号１４２）は、直交局部発振器信号および負荷変調信号に基づいて第２のミキサ１１２において生成され得る。  
[0051]  位相セレクタ１０６は、同相ベースバンド信号（すなわち、第１のベースバンド信号１４０）の第１の信号強度１５２、および直交ベースバンド信号（すなわち、第２のベースバンド信号）の第２の信号強度１５４に応答し得る。同相局部発振器信号（すなわち、第１の局部発振器信号１３６）または直交局部発振器信号（すなわち、第２の局部発振器信号１３８）の位相は、位相セレクタ１０６を介して調節可能である。位相は、負荷変調信号１３４を同相局部発振器信号または直交局部発振器信号とミキシングすることから生成された位相ノイズを減らすためまたは実質的に最小化するために調節可能であり得る。信号分析器１１４は、第１の信号強度１５２および第２の信号強度１５４を決定し得る。
【００４３】
[0052]  メモリ５３２は、ＮＦＣデバイスシグナリングにおいて位相を減らすための実行可能な命令５５６を含む有形の非一時的なプロセッサ読取可能な記憶媒体であり得る。命令５５６は、ＮＦＣ開始デバイスにより生成された同相ベースバンド信号の第１の信号強度１５２を決定するために、プロセッサ５１０または信号分析器１１４内のプロセッサといったプロセッサにより実行され得る。例えば、命令５５６は、プロセッサに第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２を決定させ得る。同相ベースバンド信号は、負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングすることによって、生成され得る。命令５５６はまた、ＮＦＣ開始デバイスで生成された直交ベースバンド信号の第２の信号強度１５４を決定するために実行可能であり得る。例えば、命令５５６は、プロセッサに第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４を決定させ得る。直交ベースバンド信号は、負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングすることにより生成され得る。命令５５６はまた、第１の信号強度１５２および第２の信号強度１５４に応答して、同相局部発振器信号または直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節するために実行可能であり得る。例えば、命令５５６は、異なるプログラム可能な遅延パラメータを示す１つまたはそれ以上の制御信号１４６を生成することを、プロセッサ５１０または位相セレクタ１０６内のプロセッサといったプロセッサにさせ得る。クロック発生器１０４は、第１のベースバンド信号１４０の第１の信号強度１５２および第２のベースバンド信号１４２の第２の信号強度１５４に応答して、制御信号１４６を受信し、第１の局部発振器信号１３６または第２の局部発振器信号１３８のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節し得る。クロック発生器１０４は、異なるクロックエッジにおいて入力クロック信号１３０を選択的にサンプリングすることによって局部発振器信号１３６、１３８の位相遅延を調節し得る。
【００４４】
[0053]  図５はまた、プロセッサ５１０およびディスプレイ５２８に結合されたディスプレイコントローラ５２６を示す。符号器／復号器（ＣＯＤＥＣ）５３４はまた、プロセッサ５１０に結合されることができる。スピーカー５３６およびマイクロフォン５３８が、ＣＯＤＥＣ５３４に結合され得る。図５はまた、ワイヤレスコントローラ５４０が、デジタルシグナルプロセッサ５１０に結合されることができることを示す。
【００４５】
[0054]  特定の実施形態において、プロセッサ５１０、ディスプレイコントローラ５２６、メモリ５３２、コーデック５３４、およびワイヤレスコントローラ５４０は、システムインパッケージ、またはシステムオンチップデバイス５２２に含まれる。特定の実施形態では、入力デバイス５３０および電源５４４が、システムオンチップデバイス５２２に結合される。さらに、特定の実施形態では、図５に示されているように、ディスプレイ５２８、入力デバイス５３０、スピーカー５３６、マイクロフォン５３８、誘導コイル１０９、電源５４４、およびＲＦインターフェース５６０がシステムオンチップデバイス５２２の外部にある。しかしながら、ディスプレイ５２８、入力装置５３０、スピーカー５３６、マイクロフォン５３８、誘導コイル１０９、電源５４４、およびＲＦインターフェース５６０の各々は、インターフェースまたはコントローラといったシステムオンチップデバイス５２２のコンポーネントと結合されることができる。
【００４６】
[0055]  説明された実施形態と関連して、入力クロック信号のエッジから送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成する手段を含む、ＮＦＣデバイスシグナリングにおける位相ノイズを減らすための装置が開示されている。例えば、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成するための手段は、図１および５のＰＬＬ１０２、図１および５のリング発振器１０３、図１および５のクロック発生器１０４、図５の命令５５６を実行するように構成された図５のプロセッサ５１０、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成するための、１つまたはそれ以上の他のデバイス、回路、モジュール、処理デバイス、またはこれらの組み合わせを含み得る。
【００４７】
[0056]  装置はまた、同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングするための手段を含み得る。例えば、負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングするための手段は、図１および図５の第１のミキサ１１０、図５の命令５５６を実行するように構成された図５のプロセッサ５１０、負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングするための、１つまたはそれ以上の他のデバイス、回路、モジュール、または処理デバイス、またはこれらの組み合わせを含み得る。
【００４８】
[0057]  装置はまた、直交ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングするための手段を含み得る。例えば、負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングするための手段は、 図１および５の第２のミキサ１１２、図５の命令５５６を実行するように構成された図５のプロセッサ５１０、負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングするための１つまたはそれ以上の他のデバイス、回路、モジュール、または処理デバイス、またはこれらの組み合わせを含み得る。
【００４９】
[0058]  装置はまた、同相ベースバンド信号の第１の信号強度および直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して、同相局部発振器信号または直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節するための手段を含み得る。例えば、位相遅延を調節するための手段は、図１および５の信号分析器１１４、図１および５の位相セレクタ１０６、図１および５のクロック発生器１０４、図５の命令５５６を実行するように構成された図５のプロセッサ５１０、位相遅延を調節するための１つまたはそれ以上の他のデバイス、回路、モジュール、または処理デバイス、またはこれらの組み合わせを含み得る。  
[0059]  当業者であれば、ここに開示された実施形態に関連して説明された様々な例示的な論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、または両方の組み合わせとして実現され得ることをさらに理解するであろう。様々な例示的なコンポーネント、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップは、それらの機能の観点から一般的に上で記述されてきた。このような機能が、ハードウェアとして実現されるか、あるいはプロセッサ実行可能な命令として実現されるかは、特定のアプリケーションおよびシステム全体に課せられる設計制約に依存する。当業者は、説明された機能を、特定の用途ごとに異なる手法で実現することができるが、そのような実現の決定は、本開示の範囲からの逸脱を生じるものとして解釈されるべきではない。
【００５０】
[0060]  ここで開示された実施形態に関連して説明されたアルゴリズムまたは方法のステップは、直接ハードウェアにおいて、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこれら２つの組み合わせにおいて、具現化（embodied）され得る。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読み出し専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ（登録商標））、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、あるいは当技術において周知であるその他任意の形状の非一時的な記憶媒体といったメモリ５３２に存在し得る。プロセッサが記憶媒体から情報を読み取ったり、記憶媒体に情報を書き込んだりできるように、例示的な記憶媒体はプロセッサに結合されている。あるいは、記憶媒体は、プロセッサに組み込まれ得る。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在することができる。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に存在し得る。代わりとしてプロセッサおよび記憶媒体は、計算デバイスまたはユーザ端末において離散コンポーネントとして存在し得る。
【００５１】
[0061]  開示された実施形態の先の説明は、開示された実施形態を製造または使用することを当業者に可能にするために提供される。これらの実施形態への様々な変更は、当業者にとって容易に明らかであり、ここに定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく他の実施形態に応用され得る。したがって、本開示は、ここに示された実施形態に限定されるようには意図されず、以下の特許請求の範囲によって定義されるような原理および新規な特徴と一致する、可能な最も広い範囲を与えられることとなる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］  近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための方法であって、前記方法は、
入力クロック信号のエッジから、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成することと、
同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を前記同相局部発振器信号とミキシングすることと、
直交ベースバンド信号を生成するために前記負荷変調信号を前記直交局部発振器信号とミキシングすることと、および、
前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節することと、
を備える、
方法。
［Ｃ２］  複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンすることをさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記生成された送信信号に関する前記同相局部発振器信号または前記生成された送信信号に関する前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ３］  各プログラム可能な遅延パラメータのための前記同相ベースバンド信号の信号強度を決定することと、および、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記直交ベースバンド信号の信号強度を決定することと、
をさらに備える、Ｃ２に記載の方法。
［Ｃ４］  前記複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することをさらに備え、ここにおいて、前記選択されたプログラム可能な遅延パラメータは、前記同相ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する、Ｃ３に記載の方法。
［Ｃ５］  前記複数のプログラム可能な遅延パラメータからプログラム可能な遅延パラメータを選択することをさらに備え、前記選択されたプログラム可能な遅延パラメータは、前記直交ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する、Ｃ３に記載の方法。
［Ｃ６］  前記入力クロック信号は、ＮＦＣ開始デバイス内で生成された高解像度クロック信号である、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ７］  前記第１の信号強度または前記第２の信号強度のうちの１つの最低検出値に対応する遅延パラメータを決定することをさらに備え、前記遅延パラメータは、前記送信信号および前記同相局部発振器信号の間の第１の位相差、および前記送信信号および前記直交局部発振器信号の間の第２の位相差を表す、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ８］  前記遅延パラメータに基づいて前記位相遅延を調節することをさらに備える、Ｃ７に記載の方法。
［Ｃ９］  前記位相遅延を調節することは、ＮＦＣターゲットデバイスの無線周波数識別（ＲＦＩＤ）タグとのデータ通信の間、位相ノイズを減らすためにＮＦＣ開始デバイスにより実行される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１０］  前記位相遅延を調節することは、データを転送するために電磁場を使用するワイヤレスシステムとのデータ通信の間、位相ノイズを減らすために実行される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１１］  ハイスピード入力クロック信号を受信することをさらに備える、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１２］  前記送信信号、前記同相局部発振器信号、および前記直交局部発振器信号は、前記ハイスピード入力クロック信号のクロックエッジを選択的にサンプリングすることにより生成される、Ｃ１１に記載の方法。
［Ｃ１３］  前記位相遅延は、前記送信信号および前記負荷変調信号を介して通信の有効範囲を増やすため、ミキシングの後減らされた位相ノイズをもたらす前記局部発振器信号のうちの１つおよび前記送信信号の間の位相差を選択するために、調節される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１４］  前記送信信号は、ＮＦＣ開始デバイスにおいてリング発振器を使用して生成される、Ｃ１に記載の方法。
［Ｃ１５］  近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための装置であって、前記装置は、
入力クロック信号のエッジから、送信信号、同相局部発振器信号、および直交局部発振器信号を生成するための手段と、
同相ベースバンド信号を生成するために負荷変調信号を前記同相局部発振器信号とミキシングするための手段と、
直交ベースバンド信号を生成するために前記負荷変調信号を前記直交局部発振器信号とミキシングするための手段と、および、
前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節するための手段と、
を備える、
装置。
［Ｃ１６］  複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンするための手段をさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記生成された送信信号に関する前記同相局部発振器信号または前記生成された送信信号に関する前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ１７］  前記第１の信号強度または前記第２の信号強度のうちの１つの最低検出値に対応する遅延パラメータを決定するための手段をさらに備える、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ１８］  前記入力クロック信号は、ＮＦＣ開始デバイス内で生成された高解像度クロック信号である、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ１９］  前記生成するための手段は、前記入力クロック信号のクロックエッジを選択的にサンプリングするための手段を含む、Ｃ１５に記載の装置。
［Ｃ２０］  近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための装置であって、前記装置は、
リング発振器と、
前記リング発振器と結合されたクロック発生器と、ここにおいて、前記クロック発生器によって生成された送信信号は前記リング発振器によって生成されるクロック信号に基づく、
ＮＦＣターゲットデバイスとのＮＦＣシグナリングに基づいて生成される負荷変調信号におよび同相局部発振器信号に応答する第１のミキサと、および、
直交局部発振器信号におよび前記負荷変調信号に応答する第２のミキサと、
を含むＮＦＣ開始デバイス、を含み、
ここにおいて、同相ベースバンド信号は、前記同相局部発振器信号および前記負荷変調信号に基づいて前記第１のミキサにおいて生成され、および、
ここにおいて、直交ベースバンド信号は、前記直交局部発振器信号および前記負荷変調信号に基づいて前記第２のミキサにおいて生成される、
装置。
［Ｃ２１］  前記ＮＦＣターゲットデバイスは、前記ＮＦＣ開始デバイスから少なくとも４センチメートルに位置付けられる、Ｃ２０に記載の装置。
［Ｃ２２］  前記ＮＦＣ開始デバイスは、前記同相ベースバンド信号の第１の信号強度におよび前記直交ベースバンド信号の第２の信号強度に応答する位相セレクタをさらに含む、Ｃ２０に記載の装置。
［Ｃ２３］  前記ＮＦＣ開始デバイスは、前記同相ベースバンド信号の前記第１の信号強度および前記直交ベースバンド信号の前記第２の信号強度を決定するための信号分析器をさらに含む、Ｃ２２に記載の装置。
［Ｃ２４］  前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相は、前記位相セレクタを介して調節可能である、Ｃ２２に記載の装置。
［Ｃ２５］  前記位相は、前記負荷変調信号を前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号とミキシングすることから生成された位相ノイズを減らすために調節可能である、Ｃ２４に記載の装置。
［Ｃ２６］  非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶デバイスは、
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
ＮＦＣ開始デバイスにおいて生成された同相ベースバンド信号の第１の信号強度を決定させ、ここにおいて、前記同相ベースバンド信号は、負荷変調信号を同相局部発振器信号とミキシングすることによって生成される、
前記ＮＦＣ開始デバイスにおいて生成された直交ベースバンド信号の第２の信号強度を決定させ、ここにおいて、前記直交ベースバンド信号は、前記負荷変調信号を直交局部発振器信号とミキシングすることによって生成される、および、
前記第１の信号強度および前記第２の信号強度に応答して、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの位相遅延を調節させる、
近距離通信（ＮＦＣ）デバイスシグナリングにおいて位相ノイズを減らすための命令を含む、
非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
［Ｃ２７］  前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、複数のプログラム可能な遅延パラメータをスキャンさせる命令をさらに備え、ここにおいて、各プログラム可能な遅延パラメータは、前記同相局部発振器信号または前記直交局部発振器信号のうちの少なくとも１つの異なる位相遅延に対応する、Ｃ２６に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
［Ｃ２８］  前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記同相ベースバンド信号の信号強度を決定させ、および、
各プログラム可能な遅延パラメータのための前記直交ベースバンド信号の信号強度を決定させる命令をさらに備える、Ｃ２７に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
［Ｃ２９］  前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、前記同相ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する前記複数のプログラム可能な遅延パラメータから、プログラム可能な遅延パラメータを選択させる命令をさらに備える、Ｃ２８に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
［Ｃ３０］  前記プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、前記直交ベースバンド信号の最高の決定された信号強度または最低の決定された信号強度に対応する前記複数のプログラム可能な遅延パラメータから、プログラム可能な遅延パラメータを選択させる命令をさらに備える、Ｃ２８に記載の非一時的なコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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