(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する光デバイスウェーハの分割方法であって、
光デバイスウェーハの表面に粘着シートを貼着する貼着ステップと、
前記貼着ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを前記分割予定ラインに沿って照射して、光デバイスウェーハの外周領域を残し前記分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
前記改質層形成ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から研削手段により研削し所定厚さへと薄化するとともに研削動作により前記改質層を起点として光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、を備え、
前記研削ステップでは、前記外周領域の内側で研削加工中に個片化されたチップの動きが規制されることを特徴とする光デバイスウェーハの分割方法。
【請求項２】
前記貼着ステップ実施後であって前記研削ステップ実施前に、前記粘着シートから光デバイスウェーハの外周エッジの露呈する裏面にかけて樹脂を光デバイスウェーハの前記外周エッジ全周にリング状に塗布する樹脂塗布ステップを更に備える、
ことを特徴とする請求項１記載の光デバイスウェーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウェーハの分割方法に関し、特にサファイアウェーハを分割する光デバイスウェーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイウェーハとして、サファイア基板やシリコンカーバイド基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されたものが知られている。光デバイスウェーハの表面には、格子状の分割予定ラインが形成されており、この分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成されている。この光デバイスウェーハの分割方法として、レーザ加工を用いてウェーハ内部に直線状の改質層を形成し、この強度が低下した改質層を分割起点とする分割方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の分割方法では、ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザビームが照射されることにより、ウェーハ内部に分割予定ラインに沿う連続的な改質層が形成される。続いて、研削装置において裏面側から光デバイスウェーハが研削され、光デバイスウェーハが薄化される。このとき、ウェーハ内の改質層には研削ホイールからの研削負荷が加えられ、改質層を起点として厚さ方向に割れが生じて光デバイスウェーハが個々のチップに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３７６２４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した特許文献１に記載の光デバイスウェーハの分割方法では、光デバイスウェーハが薄化されながら格子状の分割予定ラインに沿って分割される。研削加工中に個片化したチップは粘着シートによって保持されているが、光デバイスウェーハの最外周に位置する三角チップは分割と同時に粘着シートから剥がれて飛散するおそれがある。この三角チップの飛散に伴い、最外周よりも内側で個片化したチップが研削加工中に動き易くなり、チップの加工品質が悪化するという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、個片化されたチップの研削加工中の動きを規制することで、チップの加工品質の悪化を低減できる光デバイスウェーハの分割方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の光デバイスウェーハの分割方法は、表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域に光デバイスが形成された光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する光デバイスウェーハの分割方法であって、光デバイスウェーハの表面に粘着シートを貼着する貼着ステップと、前記貼着ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から光デバイスウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを前記分割予定ラインに沿って照射して、光デバイスウェーハの外周領域を残し前記分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、前記改質層形成ステップを実施した後、前記粘着シート側を保持手段で保持して光デバイスウェーハの裏面から研削手段により研削し所定厚さへと薄化するとともに研削動作により前記改質層を起点として光デバイスウェーハを前記分割予定ラインに沿って分割する研削ステップと、を備え、前記研削ステップでは、前記外周領域の内側で研削加工中に個片化されたチップの動きが規制されることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、改質層が形成されない光デバイスウェーハの外周領域を残して、この外周領域の内側領域だけが分割予定ラインに沿って個々のチップに分割される。よって、外周領域の内側で個片化されたチップは、外周領域によって研削加工中の動きが規制されるため、チップの動きに起因した加工品質の悪化が低減される。
【０００９】
本発明の上記光デバイスウェーハの分割方法において、前記貼着ステップ実施後であって前記研削ステップ実施前に、前記粘着シートから光デバイスウェーハの外周エッジの露呈する裏面にかけて樹脂を光デバイスウェーハの前記外周エッジ全周にリング状に塗布する樹脂塗布ステップを更に備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光デバイスウェーハの外周領域を残して外周領域の内側だけ個々のチップに分割することで、個片化されたチップの研削加工中の動きを規制してチップの加工品質の悪化を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態に係るレーザ加工装置の一例を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る研削装置の一例を示す斜視図である。
【図３】本実施の形態に係る光デバイスウェーハ上の加工領域を示す模式図である。
【図４】本実施の形態に係るレーザ加工装置によるレーザ加工の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る研削装置による研削加工の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る光デバイスウェーハの分割状態の一例を示す図である。
【図７】変形例に係る分割方向の樹脂塗布工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの分割方法について説明する。本実施の形態に係る分割方法を用いた光デバイスウェーハの分割は、マウンタ装置による貼着工程（貼着ステップ）、レーザ加工装置による改質層形成工程（改質層形成ステップ）、研削装置による研削工程（研削ステップ）を経て実施される。貼着工程では、発光層が形成された光デバイスウェーハの表面に粘着シートが貼着される。改質層形成工程では、光デバイスウェーハの内部に分割予定ラインに沿った改質層が連続的に形成される。
【００１３】
この改質層形成工程では、複数の分割予定ラインに対して、光デバイスウェーハの外周領域を残して改質層が形成される。研削工程では、光デバイスウェーハが薄化されることで、改質層が分割起点となって個々のチップに分割される。この研削工程では、改質層が形成されていない外周領域は分割されず、外周領域の内側だけが個々のチップに分割される。これらの工程を経ることで、研削加工中に個片化されたチップの動きが外周領域によって規制されるため、研削加工中のチップの動きによって加工品質が悪化することがない。以下、本実施の形態に係る分割方法の詳細について説明する。
【００１４】
図１を参照して、光デバイスウェーハの内部に改質層を形成するレーザ加工装置について説明する。図１は、本実施の形態に係るレーザ加工装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられるレーザ加工装置は、図１に示す構成に限定されない。レーザ加工装置は、光デバイスウェーハに対して改質層を形成可能であれば、どのような構成でもよい。
【００１５】
図１に示すように、レーザ加工装置１０１は、レーザビームを照射するレーザ加工ユニット１０５と光デバイスウェーハＷを保持したチャックテーブル（保持手段）１０６とを相対移動させて、光デバイスウェーハＷを加工するように構成されている。光デバイスウェーハＷは、略円板状に形成されており、無機材料基板の表面に発光層（デバイス層）３０５（図４参照）が積層されている。光デバイスウェーハＷは、格子状に配列された分割予定ライン３０１（図４参照）によって複数の領域に区画され、この区画された各領域に光デバイスが形成されている。
【００１６】
また、光デバイスウェーハＷは、発光層３０５が形成された上面を下向きにして、リングフレーム３０２に張られた粘着シート３０３に貼着されている。光デバイスウェーハＷに対する粘着シート３０３の貼着は、図示しない既知のマウンタ装置によって実施される。なお、光デバイスウェーハＷは、サファイア（Al2O3）基板に発光層３０５を積層したサファイアウェーハに限らず、ガリウム砒素（GaAs）基板、シリコンカーバイド（SiC）基板に発光層３０５を積層したものでもよい。
【００１７】
レーザ加工装置１０１は、直方体状の基台１０２を有している。基台１０２の上面には、チャックテーブル１０６をＸ軸方向に加工送りすると共に、Ｙ軸方向に割出送りするチャックテーブル移動機構１０７が設けられている。チャックテーブル移動機構１０７の後方には、立壁部１０３が立設されている。立壁部１０３の前面からはアーム部１０４が突出しており、アーム部１０４にはチャックテーブル１０６に対向するようにレーザ加工ユニット１０５が支持されている。
【００１８】
チャックテーブル移動機構１０７は、基台１０２の上面に配置されたＸ軸方向に平行な一対のガイドレール１１１と、一対のガイドレール１１１にスライド可能に設置されたモータ駆動のＸ軸テーブル１１２とを有している。また、チャックテーブル移動機構１０７は、Ｘ軸テーブル１１２上面に配置されたＹ軸方向に平行な一対のガイドレール１１３と、一対のガイドレール１１３にスライド可能に設置されたモータ駆動のＹ軸テーブル１１４とを有している。
【００１９】
Ｙ軸テーブル１１４の上部には、チャックテーブル１０６が設けられている。なお、Ｘ軸テーブル１１２、Ｙ軸テーブル１１４の背面側には、それぞれ図示しないナット部が形成され、これらナット部にボールネジ１１５、１１６が螺合されている。そして、ボールネジ１１５、１１６の一端部に連結された駆動モータ１１７、１１８が回転駆動されることで、チャックテーブル１０６がガイドレール１１１、１１３に沿ってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動される。
【００２０】
チャックテーブル１０６は、円板状に形成されており、θテーブル１２１を介してＹ軸テーブル１１４の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル１０６の上面には、ポーラスセラミックス材により吸着面が形成されている。チャックテーブル１０６の周囲には、一対の支持アームを介して４つのクランプ部１２２が設けられている。４つのクランプ部１２２がエアアクチュエータにより駆動されることで、光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレーム３０２が四方から挟持固定される。
【００２１】
レーザ加工ユニット１０５は、アーム部１０４の先端に設けられた加工ヘッド１３１を有している。アーム部１０４及び加工ヘッド１３１内には、レーザ加工ユニット１０５の光学系が設けられている。加工ヘッド１３１は、発振器１３２から発振されたレーザビームを集光レンズによって集光し、チャックテーブル１０６上に保持された光デバイスウェーハＷをレーザ加工する。この場合、レーザビームは、光デバイスウェーハＷに対して透過性を有しており、光学系において光デバイスウェーハＷの内部に集光するように調整される。
【００２２】
このレーザビームの照射により光デバイスウェーハＷの内部に分割起点となる改質層３０４（図４Ｃ参照）が形成される。改質層３０４は、レーザビームの照射によって光デバイスウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層３０４は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００２３】
このように構成されたレーザ加工装置１０１では、Ｙ軸テーブル１１４の移動によって加工ヘッド１３１の射出口が光デバイスウェーハＷの分割予定ライン３０１に位置合わせされる。この加工ヘッド１３１の位置合わせは、レーザ加工ユニット１０５の図示しない赤外線カメラによって、光デバイスウェーハＷを透過して裏面側から表面に形成されたパターン面が撮像されることで行われる。そして、加工ヘッド１３１からレーザビームを照射した状態でＸ軸テーブル１１２が移動されることで、光デバイスウェーハＷの内部に分割予定ライン３０１に沿った改質層３０４が形成される。なお、詳細は後述するが、光デバイスウェーハＷには、外縁に沿った外周領域３０７（図３参照）を除いて改質層３０４が形成される。
【００２４】
図２を参照して、光デバイスウェーハを研削する研削装置について説明する。図２は、本実施の形態に係る研削装置の斜視図である。なお、本実施の形態に係る分割方法に用いられる研削装置は、図２に示す構成に限定されない。研削装置は、光デバイスウェーハを研削することで、改質層を起点として光デバイスウェーハを分割可能であれば、どのような構成でもよい。
【００２５】
図２に示すように、研削装置２０１は、光デバイスウェーハＷが保持されたチャックテーブル（保持手段）２０６と研削ユニット２０５の研削ホイール２２４とを相対回転させることで、光デバイスウェーハＷを研削するように構成されている。研削装置２０１は、略直方体状の基台２０２を有している。基台２０２の上面には、一対のチャックテーブル２０６（１つのみ図示）が配置されたターンテーブル２０４が設けられている。ターンテーブル２０４の後方には、研削ユニット２０５を支持する立壁部２０３が立設されている。
【００２６】
ターンテーブル２０４は、大径の円板状に形成されており、上面には回転軸を中心とした点対称位置に一対のチャックテーブル２０６が配置されている。また、ターンテーブル２０４は、図示しない回転駆動機構によって矢印Ｄ１方向に１８０度間隔で間欠回転される。このため、一対のチャックテーブル２０６は、光デバイスウェーハＷが搬入搬出される載せ換え位置と研削ユニット２０５に対峙する研削位置との間で移動される。
【００２７】
チャックテーブル２０６は、小径の円板状に形成されており、ターンテーブル２０４の上面に回転可能に設けられている。チャックテーブル２０６の上面には、ポーラスセラミック材により吸着面が形成されている。チャックテーブル２０６の周囲には、環状のマグネット２１１が設けられている。光デバイスウェーハＷの周囲のリングフレーム３０２は、磁性体で形成されているため、環状のマグネット２１１によって吸着固定される。
【００２８】
基台２０２の上面において、ターンテーブル２０４の研削位置の近傍にはハイトゲージ２１２が設けられている。ハイトゲージ２１２は、光デバイスウェーハＷの上面に接触して、厚さ測定する１本の接触子２１３を有している。ハイトゲージ２１２では、接触子２１３によってチャックテーブル２０６の表面位置が事前に測定され、表面位置を基準に光デバイスウェーハＷの厚みが測定される。ハイトゲージ２１２による測定値は、伝送路を介して図示しない制御部に入力される。
【００２９】
立壁部２０３には、研削ユニット２０５を上下動させる研削ユニット移動機構２０７が設けられている。研削ユニット移動機構２０７は、立壁部２０３の前面に配置されたＺ軸方向に平行な一対のガイドレール２１５と、一対のガイドレール２１５にスライド可能に設置されたモータ駆動のＺ軸テーブル２１６とを有している。Ｚ軸テーブル２１６の前面には、研削ユニット２０５が支持されている。Ｚ軸テーブル２１６の背面には、立壁部２０３の開口２１７を介して後方に突出したナット部が設けられている。
【００３０】
Ｚ軸テーブル２１６のナット部には、立壁部２０３の裏面に設けられたボールネジが螺合されている。そして、ボールネジの一端部に連結された駆動モータ２１８が回転駆動されることで、研削ユニット２０５がガイドレール２１５に沿ってＺ軸方向に移動される。
【００３１】
研削ユニット２０５は、円筒状のスピンドル２２１の下端にマウント２２２が設けられている。マウント２２２には、複数の研削砥石２２３が固定された研削ホイール２２４が装着されている。研削砥石２２３は、例えば、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めたダイヤモンド砥石で構成されている。研削砥石２２３は、スピンドル２２１の駆動に伴ってＺ軸回りに高速回転される。そして、研削ホイール２２４と光デバイスウェーハＷとが平行状態で回転接触させることで、光デバイスウェーハＷが研削される。
【００３２】
このように構成された研削装置２０１では、ハイトゲージ２１２によって光デバイスウェーハＷの厚さがリアルタイムに測定される。ハイトゲージ２１２の測定結果が、目標厚さである光デバイスウェーハＷの最終的な仕上げ厚さに近付くように研削ユニット２０５の送り量が制御される。そして、光デバイスウェーハＷの内部に形成された改質層３０４に対して、研削ホイール２２４から研削負荷が加えられ、改質層３０４を起点として光デバイスウェーハＷが分割予定ライン３０１に沿って個々のチップに分割される。
【００３３】
このように、内部に改質層３０４が形成された光デバイスウェーハＷが研削されることで、光デバイスウェーハＷが個々のチップに分割されると共に、所望の仕上げ厚さに形成される。なお、詳細は後述するが、光デバイスウェーハＷは、改質層が形成されない外周領域３０７を残して、分割予定ライン３０１に沿って個々のチップに分割される。これにより、環状の外周領域の内側で、研削加工中に個片化されたチップの動きが規制される。
【００３４】
ここで、図３及び図４を参照して、レーザ加工装置によるレーザ加工動作について説明する。図３は、本実施の形態に係る光デバイスウェーハ上の加工範囲を示す模式図である。図４は、本実施の形態に係るレーザ加工装置によるレーザ加工の一例を示す図である。なお、以下の説明では、光デバイスウェーハをサファイアウェーハとし、レーザ波長１０４５［ｎｍ］、周波数１００［ｋＨｚ］、出力０．３［ｗ］、加工送り速度４００［ｍｍ／ｓ］に設定されている。しかしながら、加工形成条件は、これに限定されるものではなく、適宜変更可能である。
【００３５】
図３に示すように、光デバイスウェーハＷには、外縁に沿った所定幅の外周領域３０７が設定されている。レーザ加工装置１０１には、外周領域３０７の内周縁３０８と各分割予定ライン３０１との交点にレーザ加工の加工開始位置と加工終了位置が設定されている。すなわち、各分割予定ライン３０１上の加工開始位置から加工終了位置までレーザ加工されることで、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７を除いた内側領域に改質層３０４が形成される。このように、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７で囲まれた内側領域は、分割予定ライン３０１に沿って改質層３０４が形成される改質層形成領域３０９になっている。
【００３６】
図４Ａに示すように、チャックテーブル１０６に光デバイスウェーハＷが載置されると、チャックテーブル１０６が加工ヘッド１３１に臨む加工位置に移動される。そして、加工ヘッド１３１の射出口が、光デバイスウェーハＷの分割予定ライン３０１上の加工開始位置に位置付けられる。また、レーザビームの集光点が、光デバイスウェーハＷの内部において、発光層３０５よりも僅かに高い位置に調整される。次に、加工ヘッド１３１からレーザビームが照射されることで、光デバイスウェーハＷの内部に改質部３０６ａが形成される。
【００３７】
この場合、チャックテーブル１０６が光デバイスウェーハＷを保持した状態で分割予定ライン３０１上の加工開始位置から加工終了位置までＸ軸方向に加工送りされ、分割予定ライン３０１に沿って光デバイスウェーハＷの内部に最下段の改質部３０６ａの１列目が形成される。続いて、加工ヘッド１３１の射出口が、隣接する分割予定ライン３０１における加工開始位置に位置付けられ、隣接する分割予定ライン３０１に沿って最下段の改質部３０６ｂの２列目が形成される。この動作が繰り返されて、Ｘ軸方向の全ての分割予定ライン３０１に沿って最下段の改質部３０６が形成される。
【００３８】
続いて、チャックテーブル１０６がθテーブル１２１によって９０度回転され、Ｘ軸方向の分割予定ライン３０１と同様に、Ｙ軸方向の全ての分割予定ライン３０１に沿って最下段の改質部３０６が形成される。この場合も、チャックテーブル１０６が分割予定ライン３０１における加工開始位置から加工終了位置まで加工送りされることで、各分割予定ライン３０１に沿って改質部３０６が形成される。このようにして、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７で囲まれた改質層形成領域３０９に最下段の改質部３０６が格子状に形成される。
【００３９】
図４Ｂに示すように、光デバイスウェーハＷの内部に最下段の全ての改質部３０６が形成されると、レーザビームの集光点が上動される。そして、最下段の改質部３０６と同様にして、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の分割予定ライン３０１のそれぞれに沿う２段目の改質部３０６が改質層形成領域３０９に形成される。この集光点の上動と改質部３０６の形成が繰り返されて光デバイスウェーハＷの内部に２段目以降の改質部３０６が形成される。
【００４０】
そして、図４Ｃに示すように、１段毎にＸ軸方向及びＹ軸方向の全ての分割予定ライン３０１に沿って改質部３０６が形成され、これが最下段から積み重なることで改質層３０４が形成される。この改質部３０６の形成は改質層３０４が光デバイスウェーハＷの最終的な仕上げ厚さＬ（表面Ｗ１からの高さ）を超えるまで繰り返される。このようにして、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７を避けて、分割予定ライン３０１に沿った改質層３０４が改質層形成領域３０９に形成される。改質層３０４が形成された光デバイスウェーハＷは、チャックテーブル１０６から取り外されて研削装置２０１に搬入される。
【００４１】
なお、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７を残して改質層３０４を形成可能であれば、改質層３０４の形成順序は特に限定されない。例えば、Ｘ軸方向の全ての分割予定ライン３０１に沿って改質層３０４を形成した後、Ｙ軸方向の全ての分割予定ライン３０１に沿って改質層３０４を形成してもよい。
【００４２】
図５及び図６を参照して、本実施の形態に係る研削装置による研削加工について説明する。図５は、本実施の形態に係る研削装置による研削加工の一例を示す図である。図６は、本実施の形態に係る光デバイスウェーハの分割状態の一例を示す図である。なお、図６においては、説明の便宜上、光デバイスウェーハと研削ユニットのみを図示している。
【００４３】
図５Ａに示すように、チャックテーブル２０６に光デバイスウェーハＷが載置されると、チャックテーブル２０６が研削ホイール２２４に臨む研削位置に移動される。研削位置では、ハイトゲージ２１２の接触子２１３が光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２に接触され、光デバイスウェーハＷの厚さ測定が開始される。そして、研削ホイール２２４が回転しながらチャックテーブル２０６に近付けられ、研削ホイール２２４の研削面２２５が光デバイスウェーハＷの裏面Ｗ２に押し当てられて研削加工がおこなわれる。このとき、ハイトゲージ２１２によって光デバイスウェーハＷの厚さがリアルタイムに測定される。
【００４４】
図５Ｂに示すように、研削ホイール２２４の研削によって光デバイスウェーハＷが仕上げ厚さＬに近付くと、各改質層３０４に対して研削ホイール２２４からの研削負荷が加えられる。光デバイスウェーハＷには改質層３０４を起点として分割予定ライン３０１に沿って割れが生じ、光デバイスウェーハＷが分割予定ライン３０１に沿って分割される。この結果、図６Ａに示すように、改質層３０４が形成されない光デバイスウェーハＷの外周領域３０７を残して、外周領域３０７の内側だけが分割予定ライン３０１に沿って個々のチップＣ１に分割される。そして、仕上げ厚さＬまで光デバイスウェーハＷが研削されると、研削ユニット２０５による研削加工が停止される。
【００４５】
このようにして、光デバイスウェーハＷが所望の仕上げ厚さＬまで薄化されながら、個々のチップＣ１に分割される。このとき、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７が個片化されないため、図６Ｂの比較例に示す光デバイスウェーハＷの全体が個片化された場合のように最外周の三角チップＣ２が研削加工中に飛散することがない。本実施の形態に係る光デバイスウェーハＷは、個片化されていない外周領域３０７と外周領域３０７の内側で個片化された個々のチップＣ１とが相互に研削加工中の動きを規制している。具体的には、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７は、内側に位置する個々のチップＣ１によって研削加工中の動きが内側から規制される。一方で、外周領域３０７の内側の個々のチップＣ１は、周囲に位置する外周領域３０７によって研削加工中の動きが外側から規制される。
【００４６】
このように、外周領域３０７を残して個片化されることで、個片化された個々のチップＣ１が外周領域３０７によって一体化された状態で研削される。よって、分割前の光デバイスウェーハＷと同様な状態を維持しつつ個々のチップＣ１が研削されるため、チップＣ１の動きに起因した加工品質の悪化が低減される。これに対し、図６Ｂの比較例に示す光デバイスウェーハＷは、全体が個片化されているため個々のチップＣ１の動きが規制されない。このため、最外周に位置する三角チップＣ２が研削加工中に粘着シート３０３から剥がれて飛散する場合がある。この場合、三角チップＣ２よりも内側に位置するチップＣ１は研削加工中に動き易くなり、加工品質が悪化する。
【００４７】
なお、研削ユニット２０５は、研削負荷によって光デバイスウェーハＷを個々のチップＣ１に分割するため、砥粒径が粗い粗研削用の砥石を用いて光デバイスウェーハＷを研削する構成が好ましい。しかしながら、改質層３０４に対して十分な研削負荷を加えることができれば、どのような砥石を用いてもよい。例えば、砥粒径が細かい仕上げ研削用の砥石や発泡材や繊維質等で形成された研磨用の砥石を用いてもよい。
【００４８】
また、本実施の形態では、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７が粘着シート３０３の粘着力によって保持されたが、図７に示すように光デバイスウェーハＷの外周エッジ３１１全周に沿って樹脂３１２を塗布してもよい。この場合、樹脂塗布工程（樹脂塗布ステップ）は、貼着工程の実施後であって研削工程の実施前に実施される。樹脂塗布工程では、粘着シート３０３から光デバイスウェーハＷの外周エッジ３１１の露呈する裏面Ｗ２（図示上面）にかけて樹脂３１２をリング状に塗布することで、光デバイスウェーハＷの外周領域３０７の研削加工中の動きを更に規制できる。
【００４９】
光デバイスウェーハＷの外周領域３０７の動きが樹脂３１２によって抑えられることで、外周領域３０７の内側に位置する個々のチップＣ１の動きも更に規制される。よって、チップＣ１の動きに起因した加工品質の悪化がより低減される。なお、樹脂塗布工程で塗布される樹脂３１２は、後段の研削工程において研削可能であればよく、例えば、ＵＶ硬化型接着剤や熱硬化型接着剤でもよい。
【００５０】
以上のように、本実施の形態に係る分割方法によれば、改質層３０４が形成されない光デバイスウェーハＷの外周領域３０７を残して、この外周領域３０７の内側領域だけが分割予定ライン３０１に沿って個々のチップＣ１に分割される。よって、外周領域３０７の内側で個片化された個々のチップＣ１は、外周領域３０７によって研削加工中の動きが規制されるため、チップＣ１の動きに起因した加工品質の悪化が低減される。
【００５１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００５２】
例えば、本実施の形態においては、レーザビームの集光点を上動させて複数段の改質部３０６を積み重ねることで改質層３０４を形成したが、この構成に限定されない。改質層３０４は、レーザ加工の加工条件を調整することにより、一度のレーザビームの照射によって形成することも可能である。
【００５３】
また、本実施の形態においては、改質層３０４が分割予定ライン３０１に沿って連続的に形成される構成としたが、この構成に限定されない。光デバイスウェーハＷが分割予定ライン３０１に沿って分割可能であれば、改質層３０４は分割予定ライン３０１に沿って断続的に形成されてもよい。
【００５４】
また、本実施の形態においては、改質層３０４が、仕上げ厚さＬを超える高さまで形成されたが、この構成に限定されない。改質層３０４は、研削負荷によって分割可能であれば、仕上げ厚さを超えない程度の高さまで形成されればよい。
【００５５】
また、本実施の形態においては、貼着工程がマウンタ装置、改質層形成工程がレーザ加工装置、研削工程が研削装置で行われるが、一部の工程又は全ての工程が１つの装置で行われてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上説明したように、本発明は、個片化されたチップの研削加工中の動きを規制してチップの加工品質の悪化を低減できるという効果を有し、特に、サファイアウェーハを分割する光デバイスウェーハの分割方法に有用である。
【符号の説明】
【００５７】
１０１  レーザ加工装置
１０５  レーザ加工ユニット
１０６  チャックテーブル（保持手段）
１３１  加工ヘッド
２０１  研削装置
２０５  研削ユニット
２０６  チャックテーブル（保持手段）
２２４  研削ホイール
３０１  分割予定ライン
３０３  粘着シート
３０４  改質層
３０６  改質部
３０７  外周領域
３０８  内周縁
３０９  改質層形成領域
３１１  外周エッジ
３１２  樹脂
Ｗ  光デバイスウェーハ
Ｗ１  表面
Ｗ２  裏面
Ｃ１  チップ
Ｃ２  三角チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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