(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ本のセンスラインとｎ本のドライブラインとの交点に（ｍおよびｎは、いずれも３以上の整数）、複数の信号値がマトリクス状に形成されたタッチパネルにおける、上記信号値の分布を示す第１信号値マップを出力する第１信号値マップ生成部と、
上記タッチパネルへの入力を検出するタッチ認識部と、を備えたタッチパネルコントローラであって、
上記タッチパネルコントローラは、
上記第１信号値マップ内において、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる範囲よりも、さらに広い範囲である領域を設定し、
上記領域において、タッチパネルへの入力操作とは異なる外的要因に起因する信号値の変化を相殺する補正計算を行うことによって生成した第２信号値マップを、上記タッチ認識部へ与える第２信号値マップ生成部を、さらに備え、
上記領域は、矩形として表され、
上記センスラインが配置された方向を上下方向とし、かつ、上記ドライブラインが配置された方向を左右方向として、
上記第２信号値マップ生成部は、
上記領域における上記信号値の平均値Ｃｍと、
上記領域における上下方向の上記信号値の変化量を表す上下傾斜αと、
上記領域における左右方向の上記信号値の変化量を表す左右傾斜βと、を用いて補正計算を行い、
上記タッチ認識部は、上記第２信号値マップに基づき、上記タッチパネルへの入力を検出することを特徴とするタッチパネルコントローラ。
【請求項２】
上記第１信号値マップは、ｍ行ｎ列の行列Ｃによって表され、
上記第２信号値マップ生成部は、領域設定部と、平均値算出部と、傾斜算出部と、補正計算部と、を備え、
上記領域設定部は、上記行列ＣのＸ行Ｙ列目（１＜Ｘ＜ｍ、１＜Ｙ＜ｎ）の成分Ｃ［Ｘ］［Ｙ］に対応する上記第１信号値マップ上の点（Ｘ，Ｙ）に対して、４つの点（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）を頂点とする矩形によって、上記領域を設定し（Ｌ、Ｒ、Ｕ、およびＤは、いずれも１以上の整数）
、
上記平均値算出部は、上記領域における上記信号値の分布を示す（Ｌ＋Ｒ＋１）行（Ｄ＋Ｕ＋１）列の行列Ｃ１における、（ｉ）全成分の平均値Ｃｍ、（ｉｉ）最上行からＫｕ行の行方向の各成分の平均値Ｃｕ、（ｉｉｉ）最下行からＫｄ行の行方向の各成分の平均値Ｃｄ、（ｉｖ）最左列からＫｌ列の列方向の各成分の平均値Ｃｌ、（ｖ）最右列からＫｒ列の列方向の各成分の平均値Ｃｒを算出し（Ｋｕ、Ｋｄ、Ｋｌ、およびＫｒは、いずれも１以上の整数）、
上記傾斜算出部は、
α＝（Ｃｕ−Ｃｄ）／｛（Ｕ−（Ｋｕ−１））＋（Ｄ−（Ｋｄ−１））｝
β＝（Ｃｌ−Ｃｒ）／｛（Ｌ−（Ｋｌ−１））＋（Ｒ−（Ｋｒ−１））｝
によって、上下傾斜αおよび左右傾斜βを算出し、
上記補正計算部は、
Ｃ２［ｉ］［ｊ］＝Ｃ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍ＋ｊ×α＋ｉ×β
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）
によって、上記第２信号値マップを表す行列Ｃ２を算出することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルコントローラ。
【請求項３】
上記第２信号値マップ生成部は、差分計算部をさらに備え、
上記差分計算部は、上記第１信号値マップを表す上記行列Ｃに差分計算を施すことによって生成した差分行列を、上記領域設定部に与えることを特徴とする請求項２に記載のタッチパネルコントローラ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のタッチパネルコントローラと、
複数の信号値がマトリクス状に分布したタッチパネルと、を備えていることを特徴とするタッチセンサシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のタッチセンサシステムを含んでいることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルコントローラ、ならびに、タッチパネルコントローラを備えたタッチセンサシステムおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチセンサシステムは、ＰＣ（Personal Computer）、携帯電話機、およびタブレット等の様々な電子機器において、広く利用されている。タッチセンサシステムにおいては、ユーザが自身の指またはタッチペンを、タッチパネルへ接触させることにより、タッチパネルへの入力操作が行われる。
【０００３】
例えば、静電容量方式のタッチセンサシステムでは、ユーザの指またはタッチペンがタッチパネルに接触することによって生じた、タッチパネルにおける静電容量（信号値）の変化が検出される。そして、タッチパネルにおいて静電容量の変化が生じた位置が、タッチパネルに対する入力位置として認識される。
【０００４】
近年、タッチセンサシステムにおける入力位置の検出を高精度化するために、様々な技術が提案されている。特許文献１には、タッチパネルに対する入力操作が行われた時点において算出される入力位置の座標を、タッチパネルに対する入力操作が行われる以前の静電容量値の分布によって規定される各位置の座標を用いて補正するタッチセンサシステムが開示されている。
【０００５】
また、タッチパネルに撓みが生じる、または、タッチパネルが電磁波に暴露される等の外的要因（すなわち、タッチパネルに対する入力操作とは異なる要因）により、タッチパネルにおいて静電容量の変化が生じることが知られている。特許文献２には、タッチパネルの撓みによる静電容量の変化の影響を排除するために、タッチパネルが撓んでいるか否かを判定するタッチセンサシステムが開示されている。
【０００６】
ここで、図４９の（ａ）および（ｂ）を参照し、タッチパネルの撓みによる静電容量の変化について説明する。図４９の（ａ）は、タッチパネルの中央付近が押下され、タッチパネルに撓みが生じた場合の静電容量の分布の一例を示す図である。また、図４９の（ｂ）は、図４９の（ａ）に示された静電容量の分布を、タッチパネルの中央付近において拡大した図である。なお、図４９の（ａ）および（ｂ）における静電容量の値は、所定の値（例えば、静電容量の最大値）を基準値として規格化された相対値として示されている。
【０００７】
ここで、タッチパネルの中央付近では、タッチパネルの撓みが特に大きいため、図４９の（ｂ）に示されるように、静電容量の値に特に大きいオフセットが付加されている。従って、タッチパネルの撓みによって生じるオフセットの量が、タッチパネルへの入力操作によって生じる静電容量と同程度の大きさである場合、実際には入力操作が行われていない位置において、入力が行われたと誤って認識される等、入力位置の検出精度が悪化する可能性がある。
【０００８】
なお、一般的なタッチセンサシステムでは、入力操作の有無、および入力位置の座標を検出するために、キャリブレーション（校正）を施した静電容量の値を用いている。キャリブレーションとは、静的な状態（例えば、タッチパネルが筐体に組み込まれた状態）における静電容量の値を基準値として、（ｉ）タッチセンサシステムにおいて検出された静電容量と、（ｉｉ）基準値との差の値を、算出する処理を意味する。キャリブレーションが施されることにより、タッチパネルが筐体に組み込まれた状態において生じる撓み等の、静的な影響（すなわち、同一の状況下において生じ続ける影響）が補正される。
【０００９】
しかし、タッチセンサシステムでは、ユーザがタッチパネルを押下することにより、時間変化に応じて、タッチパネルの撓み量が変化する。以降、この状況を、タッチパネルが動的に撓むと呼称する。タッチパネルが動的に撓む場合、キャリブレーションが施されることによって、入力位置の検出精度が悪化する可能性がある。
【００１０】
特許文献２に開示されたタッチセンサシステムは、タッチパネルが動的に撓んでいる場合の入力操作を無視することにより、タッチパネルの撓みによる静電容量の変化の影響を排除している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００９／０６３８１７号公報（２００９年５月２２日公開）
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２０１１−７６４８４号公報（２０１１年４月１４日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に開示されたタッチセンサシステムは、タッチパネルに対する入力操作が行われる以前の静電容量値の分布に基づき、タッチパネルへの入力位置の座標を補正する。従って、特許文献１に開示されたタッチセンサシステムでは、リアルタイムでの補正を行うことができないという問題がある。また、特許文献１は、タッチパネルの撓み等の外的要因によって生じる静電容量の変化に対処する方法については、開示も示唆もしていない。
【００１３】
特許文献２に開示されたタッチセンサシステムは、タッチパネルが撓んでいるか否かを判定する機能を有している。タッチセンサシステムは、所定の閾値（たわみ閾値）以上の値の静電容量が、所定の数（例えば１０個）以上存在する場合に、タッチパネルが撓んでいると判定する。
【００１４】
そして、タッチパネルが撓んでいると判定された場合、タッチセンサシステムは、静電容量値の分布の重心位置を算出し、当該重心位置を示す座標を、タッチパネルへの入力位置の座標の候補から除外する。
【００１５】
しかし、特許文献２に開示されたタッチセンサシステムは、タッチパネルの撓みによって、比較的大きい量の静電容量の変化が生じる場合を想定している。このため、タッチパネルへの入力操作によって生じる静電容量の変化量に対して、タッチパネルの撓みによって生じる静電容量の変化量が微小である場合には、当該タッチセンサシステムを適用することが難しいという問題がある。また、当該タッチセンサシステムは、タッチパネルが撓んでいる状態において、入力位置の座標を検出することができないという問題がある。
【００１６】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、タッチパネルの撓み等の外的要因による信号値の変化の影響を、効果的に排除することが可能なタッチパネルコントローラを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係るタッチパネルコントローラは、ｍ本のセンスラインとｎ本のドライブラインとの交点に（ｍおよびｎは、いずれも３以上の整数）、複数の信号値がマトリクス状に形成されたタッチパネルにおける、上記信号値の分布を示す第１信号値マップを出力する第１信号値マップ生成部と、上記タッチパネルへの入力を検出するタッチ認識部と、を備えたタッチパネルコントローラであって、上記タッチパネルコントローラは、上記第１信号値マップ内において、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる範囲よりも、さらに広い範囲である領域を設定し、上記領域において、タッチパネルへの入力操作とは異なる外的要因に起因する信号値の変化を相殺する補正計算を行うことによって生成した第２信号値マップを、上記タッチ認識部へ与える第２信号値マップ生成部を、さらに備え、上記領域は、矩形として表され、上記センスラインが配置された方向を上下方向とし、かつ、上記ドライブラインが配置された方向を左右方向として、上記第２信号値マップ生成部は、上記領域における上記信号値の平均値Ｃｍと、上記領域における上下方向の上記信号値の変化量を表す上下傾斜αと、上記領域における左右方向の上記信号値の変化量を表す左右傾斜βと、を用いて補正計算を行い、上記タッチ認識部は、上記第２信号値マップに基づき、上記タッチパネルへの入力を検出する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一態様に係るタッチパネルコントローラによれば、外的要因による信号値の変化の影響を、効果的に排除することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施形態１に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るタッチセンサシステムにおける、第１容量分布補正部の詳細な構成を示す機能ブロック図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値を例示する図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る第１静電容量マップにおける着目点（Ｘ，Ｙ）および領域Ａを例示する図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る第１静電容量マップおよび領域Ａを例示する図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る平均値算出部および傾斜算出部の動作を例示する図である。
【図７】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図８】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量分布と、補正後の静電容量分布とを例示する図である。
【図９】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図１０】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量分布と、補正後の静電容量分布とを例示する図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図１２】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量分布と、補正後の静電容量分布とを例示する図である。
【図１３】本発明の実施形態１に係るタッチセンサシステムにおける、入力位置の座標を算出する処理の流れを示すフローチャートである。
【図１４】本発明の実施形態１に係るタッチセンサシステムにおける、各静電容量値を補正する処理の流れを示すフローチャートである。
【図１５】本発明の実施形態１に係る補正前の静電容量を示す行列と、静電容量分布とを例示する図である。
【図１６】本発明の実施形態１に係る補正計算とは異なる補正計算の結果として得られた静電容量を示す行列を例示する図である。
【図１７】本発明の実施形態１に係る補正計算とは異なる補正計算の結果として得られた静電容量を示す行列を例示する図である。
【図１８】本発明の実施形態１に係る補正計算とは異なる補正計算の結果として得られた静電容量を示す行列を例示する図である。
【図１９】本発明の実施形態１に係る補正計算の結果として得られた静電容量を示す行列を例示する図である。
【図２０】図１６〜図１９における各行列によって示される補正後の静電容量分布を例示する図である。
【図２１】本発明の実施形態１に係る補正計算の効果を例示する図である。
【図２２】本発明の実施形態１に係る補正計算の効果を例示する図である。
【図２３】本発明の実施形態２に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図２４】本発明の実施形態２に係るタッチセンサシステムにおける、第１容量分布補正部の詳細な構成を示す機能ブロック図である。
【図２５】本発明の実施形態２に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図２６】本発明の実施形態２に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図２７】本発明の実施形態２に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図２８】本発明の実施形態２に係る補正前の静電容量を示す行列と、補正後の静電容量を示す行列とを例示する図である。
【図２９】図２５〜図２８における各行列によって示される補正後の静電容量分布を例示する図である。
【図３０】本発明の実施形態２に係るタッチセンサシステムにおける、各静電容量値を補正する処理の流れを示すフローチャートである。
【図３１】本発明の実施形態３に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図３２】本発明の実施形態３に係るタッチセンサシステムにおける、第１容量分布補正部の詳細な構成を示す機能ブロック図である。
【図３３】本発明の実施形態３に係るタッチセンサシステムにおける、各静電容量値を補正する処理の流れを示すフローチャートである。
【図３４】本発明の実施形態３に係るタッチセンサシステムにおける、補正要否の判定結果を例示する図である。
【図３５】本発明の実施形態３に係るタッチセンサシステムの効果を例示する図である。
【図３６】本発明の実施形態４に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図３７】本発明の実施形態４に係るタッチセンサシステムにおける、入力位置の座標を算出する処理の流れを示すフローチャートである。
【図３８】本発明の実施形態５に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図３９】本発明の実施形態５に係るタッチセンサシステムにおける、第１容量分布補正部の詳細な構成を示す機能ブロック図である。
【図４０】本発明の実施形態５に係る平均値算出部および傾斜算出部の動作を例示する図である。
【図４１】本発明の実施形態６に係るタッチセンサシステムの構成を示す機能ブロック図である。
【図４２】本発明の実施形態６に係るタッチセンサシステムにおける、第１容量分布補正部の詳細な構成を示す機能ブロック図である。
【図４３】本発明の実施形態６に係る差分計算および積分計算を例示する図である。
【図４４】本発明の実施形態６に係る補正計算を例示する図である。
【図４５】本発明の実施形態６に係るタッチセンサシステムにおける、入力位置の座標を算出する処理の流れを示すフローチャートである。
【図４６】本発明の実施形態６に係るタッチセンサシステムの効果を例示する図である。
【図４７】本発明の実施形態６に係る静電容量を示す行列Ｃと、差分計算を施された行列Ｃｄｉｆとを例示する図である。
【図４８】本発明の実施形態７に係る携帯電話機の構成を示す機能ブロック図である。
【図４９】タッチパネルの中央付近が押下され、タッチパネルに撓みが生じた場合の静電容量分布を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１について図１〜図２２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２１】
（タッチセンサシステム１００の構成）
図１は、本実施形態のタッチセンサシステム１００の構成を示す機能ブロック図である。タッチセンサシステム１００は、タッチパネルコントローラ１およびタッチパネル１０を備えている。
【００２２】
（タッチパネル１０）
タッチパネル１０は、例えば、静電容量方式のタッチパネルである。タッチパネル１０は、水平方向（左右方向）に沿って互いに平行に配置された、ｎ（ｎは、３以上の整数）本のドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎと、垂直方向（上下方向）に沿って互いに平行に配置された、ｍ（ｍは、３以上の整数）本のセンスラインＶＬ１〜ＶＬｍとを備えている。
【００２３】
そして、タッチパネル１０において、（ｍ×ｎ）個の静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎが、ドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎとセンスラインＶＬ１〜ＶＬｍとの各交点に形成される。ここで、静電容量Ｃｍ，ｎは、センスラインＶＬｍと、ドライブラインＨＬｎとの交点に形成された静電容量の値（信号値）を表す。静電容量Ｃｍ，ｎは、タッチパネル１０においてマトリクス状に分布している。
【００２４】
（タッチパネルコントローラ１）
タッチパネルコントローラ１は、ドライバ１１、センスアンプ１２、ＡＤ（Analog-Digital）変換器１３、タイミングジェネレータ１４、第１容量分布計算部１５（第１信号値マップ生成部）、第１容量分布補正部１６（第２信号値マップ生成部）、第２容量分布記憶部１７、タッチ認識部１８、および入力位置計算部１９を備えている。
【００２５】
タッチパネルコントローラ１は、タッチパネル１０と接続されている。また、タッチパネルコントローラ１は、タッチセンサシステム１００の外部に設けられたホスト装置１１０と接続されている。
【００２６】
（ドライバ１１）
ドライバ１１は、符号系列に基づき、ドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎを駆動する。ドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎが駆動されることにより、静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎが、タッチパネル１０において、それぞれ形成される。
【００２７】
（センスアンプ１２）
センスアンプ１２は、電圧信号としての線形和信号を、センスラインＶＬ１〜ＶＬｍからアナログ信号として読み出す。線形和信号とは、ドライバ１１がドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎを駆動することによって形成された、静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎに対応する電圧の線形和として示される信号である。ここでは、（ｍ×ｎ）個の静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎに対応するｍ個の線形和信号Ｙ１〜Ｙｍが、アナログ信号として読み出される。
【００２８】
そして、センスアンプ１２は、アナログ信号としての線形和信号Ｙ１〜Ｙｍを、ＡＤ変換器１３に与える。
【００２９】
（ＡＤ変換器１３）
ＡＤ変換器１３は、センスアンプ１２から与えられた、アナログ信号としての線形和信号Ｙ１〜ＹｍにＡＤ変換を施す。そして、ＡＤ変換器１３は、デジタル化された線形和信号Ｙ１〜Ｙｍを、第１容量分布計算部１５に与える。
【００３０】
線形和信号Ｙ１〜Ｙｍが、デジタル信号として、ＡＤ変換器１３から第１容量分布計算部１５へ与えられることにより、第１容量分布計算部１５による、タッチパネル１０に形成された静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎの分布を計算するための各種演算が容易化される。
【００３１】
（タイミングジェネレータ１４）
タイミングジェネレータ１４は、ドライバ１１、センスアンプ１２、およびＡＤ変換器１３のそれぞれの動作を規定する制御信号を生成し、ドライバ１１、センスアンプ１２、およびＡＤ変換器１３にそれぞれ与える。
【００３２】
（第１容量分布計算部１５）
第１容量分布計算部１５は、ＡＤ変換器１３から与えられた、デジタル化された線形和信号Ｙ１〜Ｙｍに基づき、タッチパネル１０における静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎの分布を示す第１静電容量マップを計算する。そして、第１容量分布計算部１５は、第１静電容量マップを、第１容量分布補正部１６に与える。
【００３３】
なお、第１静電容量マップにおける各静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎの値は、ｍ行ｎ列の行列（マトリクス）Ｃの各成分として表される。すなわち、行列Ｃのｘ行ｙ列目の成分をＣ［ｘ］［ｙ］とすれば、Ｃ［ｘ］［ｙ］＝Ｃｘ，ｙである。
【００３４】
また、以降では、静電容量Ｃｘ，ｙが形成されているタッチパネル１０の位置を示す座標を、第１静電容量マップ上の座標（ｘ，ｙ）として表す。
【００３５】
（第１容量分布補正部１６）
第１容量分布補正部１６は、第１容量分布計算部１５から与えられた第１静電容量マップに対して、外的要因に起因する静電容量の分布の変化を排除するための補正計算を行う。そして、第１容量分布補正部１６は、上述の補正計算の結果として、第２静電容量マップを生成する。
【００３６】
第１容量分布補正部１６は、第２静電容量マップを、第２容量分布記憶部１７に与える。なお、第１容量分布補正部１６の詳細な構成、および第１容量分布補正部１６における補正計算の処理の詳細については、後述する。
【００３７】
（第２容量分布記憶部１７）
第２容量分布記憶部１７は、第１容量分布補正部１６から与えられた第２静電容量マップを記憶する。第２容量分布記憶部１７において記録された第２静電容量マップは、タッチ認識部１８によって読み出される。
【００３８】
（タッチ認識部１８）
タッチ認識部１８は、第２容量分布記憶部１７から、第２静電容量マップを読み出す。続いて、タッチ認識部１８は、第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたか否かを判定する。
【００３９】
そして、タッチ認識部１８は、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたと判定した場合に、第２静電容量マップを、入力位置計算部１９に与える。
【００４０】
（入力位置計算部１９）
入力位置計算部１９は、タッチ認識部１８から与えられた第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対する入力が与えられた位置を示す、入力位置の座標を計算する。そして、入力位置計算部１９は、入力位置の座標を、タッチセンサシステム１００の外部に設けられたホスト装置１１０に与える。
【００４１】
（ホスト装置１１０）
ホスト装置１１０は、タッチセンサシステム１００の外部に設けられたプロセッサであり、入力位置計算部１９から与えられた入力位置の座標に基づき、アプリケーションソフトの処理を実行する。
【００４２】
（第１容量分布補正部１６の構成）
以下、図２を参照して、第１容量分布補正部１６の構成について説明する。図２は、第１容量分布補正部１６の詳細な構成を示す機能ブロック図である。第１容量分布補正部１６は、領域設定部１６１、平均値算出部１６２、傾斜算出部１６３、および補正計算部１６４を備えている。
【００４３】
（領域設定部１６１）
領域設定部１６１は、第１容量分布計算部１５から第１静電容量マップを与えられる。そして、領域設定部１６１は、第１静電容量マップ上における１点を、着目点として特定する。以降、第１静電容量マップ上の着目点を、座標（Ｘ，Ｙ）として表す。着目点（Ｘ，Ｙ）は、例えば、第１静電容量マップにおける極大値が存在する位置（または、極大値が存在する位置の付近の点）を示す座標として特定されてよい。
【００４４】
続いて、領域設定部１６１は、第１静電容量マップに対する補正計算を行うべき領域Ａを設定するために、４つの外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒを用いる。外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒは、いずれも１以上の整数である。
【００４５】
図３は、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値を例示する表である。本実施形態では、図３に示されているように、Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３の場合を想定し、説明を行う。なお、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値は、タッチセンサシステム１００の製造時点において、あらかじめ定められた固定の値であってもよいが、ホスト装置１１０によって変更可能な値であることが好ましい。
【００４６】
領域設定部１６１は、着目点（Ｘ，Ｙ）に対して、４つの点（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）を特定する。そして、領域設定部１６１は、４つの点（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）をそれぞれ頂点とする矩形によって表される領域を、第１静電容量マップに対する補正計算が行われる領域Ａとして設定する。領域設定部１６１は、第１静電容量マップに加え、着目点（Ｘ，Ｙ）の座標、および領域Ａを示す情報を、平均値算出部１６２に与える。
【００４７】
図４は、第１静電容量マップにおける着目点（Ｘ，Ｙ）および領域Ａを例示する図である。ここでは、Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３であり、領域Ａの４つの頂点は、（Ｘ−３，Ｙ−３）、（Ｘ−３，Ｙ＋３）、（Ｘ＋３，Ｙ−３）、（Ｘ＋３，Ｙ＋３）として、それぞれ表される。
【００４８】
（平均値算出部１６２）
平均値算出部１６２は、領域設定部１６１から、第１静電容量マップに加え、着目点（Ｘ，Ｙ）の座標、および領域Ａを示す情報を取得する。
【００４９】
図５は、第１静電容量マップおよび領域Ａを例示する図である。ここで、図５に示された第１静電容量マップを、第１静電容量マップＭＡＰ１と呼称する。第１静電容量マップＭＡＰ１は、１０行８列の行列として表されている。
【００５０】
第１静電容量マップＭＡＰ１において、静電容量の極大値「１００３２」が、５行５列目に格納されている。従って、領域設定部１６１において、着目点（Ｘ，Ｙ）＝（５，５）として、第１静電容量マップＭＡＰ１における着目点の座標が特定されている。なお、ここでは、着目点（５，５）は、タッチ入力に起因する静電容量が存在する位置を想定している。
【００５１】
そして、Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３であるから、領域設定部１６１において、領域Ａは、第１静電容量マップＭＡＰ１における４つの点（２，２）、（２，８）、（８，２）、（８，８）を頂点としてそれぞれ有する矩形として設定されている。従って、領域Ａは、７行７列の行列によって表すことができる。以降、領域Ａにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃ１と呼称する。
【００５２】
なお、領域Ａにおける静電容量の分布を示す行列Ｃ１と、第１静電容量マップＭＡＰ１における静電容量の分布を示す行列Ｃとの間の関係は、以下の式
Ｃ１［ｉ］［ｊ］＝Ｃ［ｉ＋Ｘ］［ｊ＋Ｙ］
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）
によって表される。
【００５３】
すなわち、第１静電容量マップＭＡＰ１における着目点（Ｘ，Ｙ）を基準位置として、領域Ａにおける原点（０，０）が設定されている。従って、領域Ａにおいて、４つの頂点の座標は、（−３，−３）、（−３，３）、（３，−３）、（３，３）として表される。
【００５４】
図６は、領域Ａにおける平均値算出部１６２および傾斜算出部１６３の動作を例示する図である。はじめに、図６を参照し、平均値算出部１６２の動作について説明する。
【００５５】
平均値算出部１６２は、領域Ａの全体における静電容量の平均値Ｃｍを、以下の式（１）により計算する。
【００５６】
Ｃｍ＝（行列Ｃ１の全成分の和）／（行列Ｃ１の全成分数）    …（１）
図６に示された領域Ａの場合、平均値算出部１６２は、式（１）を適用することにより、Ｃｍ＝３６０９を算出する。
【００５７】
次に、平均値算出部１６２は、（ｉ）領域Ａの最上辺（最上行）における静電容量の平均値Ｃｕ、（ｉｉ）領域Ａの最下辺（最下行）における静電容量の平均値Ｃｄ、（ｉｉｉ）領域Ａの最左辺（最左行）における静電容量の平均値Ｃｌ、（ｉｖ）領域Ａの最右辺（最右行）における静電容量の平均値Ｃｒを、以下の式（２）〜（５）により、それぞれ計算する。
【００５８】
Ｃｕ＝（行列Ｃ１の最上辺の成分の和）／（行列Ｃ１の最上辺の成分数）    …（２）
Ｃｄ＝（行列Ｃ１の最下辺の成分の和）／（行列Ｃ１の最下辺の成分数）    …（３）
Ｃｌ＝（行列Ｃ１の最左辺の成分の和）／（行列Ｃ１の最左辺の成分数）    …（４）
Ｃｒ＝（行列Ｃ１の最右辺の成分の和）／（行列Ｃ１の最右辺の成分数）    …（５）
図６に示された領域Ａの場合、平均値算出部１６２は、式（２）〜（５）をそれぞれ適用することにより、Ｃｕ＝１３３３、Ｃｄ＝４２１８、Ｃｌ＝１０６４、Ｃｒ＝４５１３を算出する。
【００５９】
そして、平均値算出部１６２は、第１静電容量マップＭＡＰ１、着目点（Ｘ，Ｙ）の座標、および領域Ａを示す情報に加え、Ｃｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒの値を、傾斜算出部１６３へ与える。
【００６０】
（傾斜算出部１６３）
傾斜算出部１６３は、領域設定部１６１から取得したＣｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒの値を用いて、上下傾斜αおよび左右傾斜βを、以下の式（６）および（７）により、それぞれ計算する。
【００６１】
α＝（Ｃｕ−Ｃｄ）／（Ｕ＋Ｄ）    …（６）
β＝（Ｃｌ−Ｃｒ）／（Ｌ＋Ｒ）    …（７）
図６に示された領域Ａの場合、傾斜算出部１６３は、式（６）および（７）をそれぞれ適用することにより、α＝−４８０、β＝−５７４を算出する。上下傾斜αは、領域Ａにおける上下方向の静電容量値の変化量を表している。また、左右傾斜βは、領域Ａにおける左右方向の静電容量値の変化量を表している。
【００６２】
そして、傾斜算出部１６３は、第１静電容量マップＭＡＰ１、着目点（Ｘ，Ｙ）の座標、領域Ａを示す情報、Ｃｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒの値に加え、αおよびβの値を、補正計算部１６４へ与える。
【００６３】
（補正計算部１６４）
補正計算部１６４は、以下の式（８）により、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分を計算する。
【００６４】
Ｃ２［ｉ］［ｊ］＝Ｃ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍ＋ｊ×α＋ｉ×β
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）…（８）
そして、補正計算部１６４は、式（８）によりＣ２［ｉ］［ｊ］の全ての成分を計算した後に、行列Ｃ２によって表される静電容量の分布を示す、第２静電容量マップＭＡＰ２を生成する。
【００６５】
式（８）の右辺第２項および右辺第３項は、領域Ａ内の点（ｉ，ｊ）が、原点（０，０）（すなわち、第１静電容量マップＭＡＰ１における着目点（Ｘ，Ｙ））から遠ざかるにつれて、行列Ｃ［ｉ］［ｊ］に対して、より大きい量の補正が行われることを示している。
【００６６】
式（８）の右辺第３項に係るｊは、上下位置補正係数とも称される。上下位置補正係数は、原点（０，０）において０である。そして、上下位置補正係数は、点（ｉ，ｊ）の位置が、原点（０，０）から上方向（下方向）に１ずつ離れるごとに、その値が１ずつ減少（増加）する。
【００６７】
また、式（８）の右辺第４項に係るｉは、左右位置補正係数とも称される。左右位置補正係数は、原点（０，０）において０である。そして、左右位置補正係数は、点（ｉ，ｊ）の位置が、原点（０，０）から左方向（右方向）に１ずつ離れるごとに、その値が１ずつ減少（増加）する。
【００６８】
図７の（ａ）は、式（８）の右辺第１項における行列Ｃ１を示している。行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］は、領域Ａにおける、補正前の静電容量の値といえる。図７の（ｂ）は、式（８）の左辺第１項における行列Ｃ２を示している。行列Ｃ２の各成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］は、領域Ａにおける、補正後の静電容量の値といえる。従って、第２静電容量マップＭＡＰ２は、領域Ａにおける、補正後の静電容量の分布を表している。
【００６９】
図８の（ａ）は、領域Ａにおける静電容量分布を例示する三次元のグラフである。図８の（ａ）では、タッチパネル１０が撓んでいることにより、静電容量の浮き上がりが生じている場合が例示されている。
【００７０】
図８の（ｂ）は、第２静電容量マップＭＡＰ２を例示するグラフである。図８の（ｂ）では、図８の（ａ）において生じていた静電容量の浮き上がりが、有効に抑制されていることが示されている。
【００７１】
補正計算部１６４は、第２静電容量マップＭＡＰ２を、第２容量分布記憶部１７に与える。そして、上述したように、タッチパネルコントローラ１において、第２静電容量マップＭＡＰ２を用いて、入力位置の座標が算出される。
【００７２】
図９および図１０は、本実施形態の補正の有効性を示す図である。図９の（ａ）には、第１静電容量マップＭＡＰ１における着目点として、（Ｘ，Ｙ）＝（５，６）が選択された場合が例示されている。この場合、Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３であるから、第１静電容量マップＭＡＰ１における４つの点（２，３）、（２，９）、（８，３）、（８，９）を頂点としてそれぞれ有する矩形として、領域Ａｑが設定される。領域Ａｑにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃｑと呼称する。行列Ｃｑにおいて、Ｃｕ＝２２３９、Ｃｄ＝４１３０、Ｃｌ＝１２９０、Ｃｒ＝５２０７、α＝−３１５、β＝−６５３である。
【００７３】
図９の（ｂ）には、領域Ａｑにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｑが示されている。行列Ｃ２ｑによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｑと呼称する。
【００７４】
図１０の（ａ）は、領域Ａｑにおける静電容量分布を例示する三次元のグラフである。図１０の（ａ）においても、図８の（ａ）と同様に、タッチパネル１０が撓んでいることにより、静電容量の浮き上がりが生じている場合が例示されている。
【００７５】
図１０の（ｂ）は、第２静電容量マップＭＡＰ２ｑを例示するグラフである。図１０の（ｂ）においても、図８の（ｂ）と同様に、静電容量の浮き上がりが有効に抑制されていることが示されている。
【００７６】
また、図１１の（ａ）には、第１静電容量マップＭＡＰ１における着目点として、（Ｘ，Ｙ）＝（４，４）が選択された場合が例示されている。この場合、Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３であるから、第１静電容量マップＭＡＰ１における４つの点（１，１）、（１，７）、（７，１）、（７，７）を頂点としてそれぞれ有する矩形として、領域Ａｒが設定される。領域Ａｒにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃｒと呼称する。行列Ｃｒにおいて、Ｃｕ＝５７８、Ｃｄ＝３８２６、Ｃｌ＝５７２、Ｃｒ＝３４５３、α＝−５４１、β＝−４８０である。
【００７７】
図１１の（ｂ）には、領域Ａｒにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｒが示されている。行列Ｃ２ｒによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｒと呼称する。
【００７８】
図１２の（ａ）は、領域Ａｒにおける静電容量分布を例示する三次元のグラフである。図１２の（ａ）においても、図８の（ａ）と同様に、タッチパネル１０が撓んでいることにより、静電容量の浮き上がりが生じている場合が例示されている。
【００７９】
図１２の（ｂ）は、第２静電容量マップＭＡＰ２ｒを例示するグラフである。図１２の（ｂ）においても、図８の（ｂ）と同様に、静電容量の浮き上がりが有効に抑制されていることが示されている。
【００８０】
（タッチセンサシステム１００における入力位置の座標を算出する処理の流れ）
以下、図１３を参照して、タッチセンサシステム１００における入力位置の座標を算出する処理の流れについて説明する。図１３は、タッチセンサシステム１００における入力位置の座標を算出する処理の流れを例示するフローチャートである。
【００８１】
はじめに、タッチセンサシステム１００を起動させるために、タッチセンサシステム１００の電源を投入する（処理Ｓ１）。続いて、第１容量分布補正部１６は、外的要因容量補正値を初期化する（処理Ｓ２）。
【００８２】
ドライバ１１は、ドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎを駆動する（処理Ｓ３）。続いて、センスアンプ１２は、センスラインＶＬ１〜ＶＬｍから、タッチパネル１０において形成された、（ｍ×ｎ）個の静電容量Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎに対応する、ｍ個の線形和信号Ｙ１〜Ｙｍをアナログ信号として読み出し、ＡＤ変換器１３に与える。
【００８３】
ＡＤ変換器１３は、アナログ信号としての線形和信号Ｙ１〜Ｙｍに対して、ＡＤ変換を行い、デジタル化された線形和信号Ｙ１〜Ｙｍを、第１容量分布計算部１５に与える（処理Ｓ４）。
【００８４】
第１容量分布計算部１５は、デジタル化された線形和信号Ｙ１〜Ｙｍに基づき、タッチパネル１０における静電容量の分布を示す第１静電容量マップを計算する（処理Ｓ５）。続いて、第１容量分布計算部１５は、第１静電容量マップを、第１容量分布補正部１６に与える。
【００８５】
第１容量分布補正部１６は、第１静電容量マップにおいて、補正計算を行うべき領域Ａを設定する。そして、領域Ａ内の静電容量に対する補正計算に用いる各種パラメータ（上述のＣｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒ、α、β）を計算する（処理Ｓ６）。
【００８６】
続いて、第１容量分布補正部１６は、領域Ａ内の各静電容量に対して、上述の式（８）による補正計算を行う（処理Ｓ７）。なお、処理Ｓ６およびＳ７の詳細については、図１４を参照し後述する。
【００８７】
そして、第１容量分布補正部１６は、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ６およびＳ７が行われたか否かを確認する（処理Ｓ８）。第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ６およびＳ７が行われていない場合には（処理Ｓ８においてＮＯ）、処理Ｓ６に戻り、第１容量分布補正部１６における処理Ｓ６およびＳ７が繰り返される。
【００８８】
そして、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ６およびＳ７が行われることにより（処理Ｓ８においてＹＥＳ）、第１容量分布補正部１６において、第２静電容量マップが生成される（処理Ｓ９）。第２静電容量マップは、第２容量分布記憶部１７を介して、タッチ認識部１８に与えられる。
【００８９】
タッチ認識部１８は、第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたか否かを判定する。そして、タッチ認識部１８は、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたと判定した場合に、第２静電容量マップを、入力位置計算部１９に与える。
【００９０】
入力位置計算部１９は、タッチ認識部１８から与えられた第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対する入力が与えられた位置を示す、入力位置の座標を計算する（処理Ｓ１０）。そして、入力位置計算部１９は、入力位置の座標を、タッチセンサシステム１００の外部に設けられたホスト装置１１０に与える（処理Ｓ１１）。
【００９１】
上述の処理Ｓ１〜Ｓ１１によって、タッチセンサシステム１００における入力位置の座標が算出され、ホスト装置１１０に与えられる。そして、処理Ｓ１１の終了後は、処理Ｓ３に戻り、タッチセンサシステム１００の電源が投入されている期間に亘り、処理Ｓ３〜処理Ｓ１１が繰り返される。
【００９２】
（第１容量分布補正部１６における静電容量値を補正する処理の流れ）
図１４は、図１３に示された、第１容量分布補正部１６における処理Ｓ６およびＳ７（すなわち、第１静電容量マップ上の各静電容量値を補正する処理）の詳細を例示するフローチャートである。以下、第１容量分布補正部１６が備える各部の処理の流れについて、説明する。
【００９３】
領域設定部１６１は、第１静電容量マップ上における１点を、着目点（Ｘ，Ｙ）として特定する。そして、領域設定部１６１は、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値を用いて、第１静電容量マップに対する補正計算が行われる領域Ａ（図４および図５を参照）を設定する（処理Ｓ２１）。
【００９４】
続いて、平均値算出部１６２は、（ｉ）領域Ａの全体における静電容量の平均値Ｃｍを、式（１）により計算（処理Ｓ２２）し、（ｉｉ）領域Ａの最上辺における静電容量の平均値Ｃｕを、式（２）により計算し（処理Ｓ２３）、（ｉｉｉ）領域Ａの最下辺における静電容量の平均値Ｃｄを、式（３）により計算し（処理Ｓ２４）、（ｉｖ）領域Ａの最左辺における静電容量の平均値Ｃｌを、式（４）により計算し（処理Ｓ２５）、（ｖ）領域Ａの最右辺における静電容量の平均値Ｃｒを、式（５）により計算する（処理Ｓ２６）（図６を参照）。
【００９５】
なお、Ｃｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒの値をそれぞれ計算するための処理Ｓ２２〜処理Ｓ２６の順序は、これに限らず、適宜変更されてよい。例えば、処理Ｓ２６→処理Ｓ２５→処理Ｓ２４→処理Ｓ２３→処理Ｓ２２という順序であってもよい。
【００９６】
続いて、傾斜算出部１６３は、（ｉ）上下傾斜αを、式（６）により計算し（処理Ｓ２７）、（ｉｉ）左右傾斜βを、式（７）により計算する（処理Ｓ２８）（図６を参照）。なお、処理Ｓ２７および処理Ｓ２８の順序は、これに限らない。従って、処理Ｓ２８→処理Ｓ２７という順序によって、上下傾斜αおよび左右傾斜βの値を計算してもよい。
【００９７】
続いて、式（８）におけるＣ２［ｉ］［ｊ］を計算するためのループ条件が、補正計算部１６４において設定される。すなわち、ｆｏｒ（ｉ＝−Ｌ、ｉ≦Ｒ、ｉ＋＋）、かつ、ｆｏｒ（ｊ＝−Ｕ、−ｊ≦Ｄ、ｊ＋＋）として、ループ条件が設定される。そして、ループ条件が満たされているｉ、ｊの範囲において、処理Ｓ３０が行われる（処理Ｓ２９）。
【００９８】
補正計算部１６４は、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］を、式（８）により計算する（処理Ｓ３０）。ｉ、ｊに関するループ条件が満たされている場合（Ｓ２９においてＹＥＳ）、処理Ｓ３０が繰り返し実行される。
【００９９】
そして、全てのｉ、ｊに対して処理Ｓ３０が行われ、ｉ、ｊに関するループ条件が満たされなくなると（Ｓ２９においてＮＯ）、行列Ｃ２の全ての成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］が計算される。続いて、図１３の処理Ｓ８以降の処理が実行される。
【０１００】
（タッチセンサシステム１００における補正の有効性）
以下、図１５〜図２０を参照し、本実施形態のタッチセンサシステム１００における、式（８）を用いた補正の有効性について示す。
【０１０１】
図１５の（ａ）は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐを例示する図である。第１静電容量マップＭＡＰ１ｐでは、静電容量の極大値「１８５２３」が、７行７列目に格納されており、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける着目点の座標は、（Ｘ，Ｙ）＝（７，７）である。また、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける４つの点（４，４）、（４，１０）、（１０，４）、（１０，１０）を頂点としてそれぞれ有する矩形として、領域Ａｐが設定される。
【０１０２】
ここで、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃｐと呼称し、また、領域Ａｐにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃｐ１と呼称する。図１５の（ｂ）は、領域Ａｐにおける静電容量分布を例示する三次元のグラフである。以下、領域Ａｐにおける種々の補正計算について説明する。
【０１０３】
図１６は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐ内の全体の静電容量の平均値Ｃｍａを用いた補正を例示する図である。図１６に示されている補正は、全体的なオフセットを行う補正といえる。図１６の（ａ）は、図１５の（ａ）と同様の図であり、補正計算が行われる前の静電容量ＣｐおよびＣｐ１が示されている。
【０１０４】
そして、図１６の（ｂ）には、領域Ａｐにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｐａが示されている。行列Ｃ２ｐａによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐａと呼称する。
【０１０５】
図１６の（ｂ）における、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２ｐａの各成分は、以下の式（９）によって計算されている。
【０１０６】
Ｃ２ｐａ［ｉ］［ｊ］＝Ｃｐ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍａ
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）…（９）
なお、図１６において、Ｃｍａ＝１２２３２である。
【０１０７】
図１７は、領域Ａｐ内の全体の静電容量の平均値Ｃｍを用いた補正を例示する図である。図１７に示されている補正は、部分的なオフセットを行う補正といえる。図１７の（ａ）は、図１５の（ａ）と同様の図であり、補正計算が行われる前の静電容量ＣｐおよびＣｐ１が示されている。
【０１０８】
そして、図１７の（ｂ）には、領域Ａｐにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｐｂが示されている。行列Ｃ２ｐｂによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｂと呼称する。
【０１０９】
図１７の（ｂ）における、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２ｐｂの各成分は、以下の式（１０）によって計算されている。
【０１１０】
Ｃ２ｐｂ［ｉ］［ｊ］＝Ｃｐ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍ
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）…（１０）
なお、図１７において、Ｃｍ＝１３９８５である。
【０１１１】
図１８は、領域Ａｐ内の全体の静電容量の平均値Ｃｍ、および上下傾斜αを用いた補正を例示する図である。図１８に示されている補正は、部分的なオフセットに加えて、タッチパネル１０のドライブ方向に着目したオフセットを行う補正といえる。図１８の（ａ）は、図１５の（ａ）と同様の図であり、補正計算が行われる前の静電容量ＣｐおよびＣｐ１が示されている。
【０１１２】
そして、図１８の（ｂ）には、領域Ａｐにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｐｃが示されている。行列Ｃ２ｐｃによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｃと呼称する。
【０１１３】
図１８の（ｂ）における、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２ｐｃの各成分は、以下の式（１１）によって計算されている。
【０１１４】
Ｃ２ｐｃ［ｉ］［ｊ］＝Ｃｐ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍ＋ｊ×α
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）…（１１）
なお、図１８において、Ｃｍ＝１３９８５、α＝−９３２である。
【０１１５】
他方、図１９は、式（８）による補正、すなわち、領域Ａｐ内の全体の静電容量の平均値Ｃｍ、上下傾斜α、および左右傾斜βを用いた補正を例示する図である。図１９の（ａ）は、図１５の（ａ）と同様の図であり、補正計算が行われる前の静電容量ＣｐおよびＣｐ１が示されている。
【０１１６】
そして、図１９の（ｂ）には、領域Ａｐにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｐが示されている。行列Ｃ２ｐによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐと呼称する。図１９の（ｂ）における、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２ｐの各成分は、上述の式（８）によって計算されている。なお、図１９において、Ｃｍ＝１３９８５、α＝−９３２、β＝−１０７７である。
【０１１７】
図２０は、上述のそれぞれの補正の効果を対比するための図である。図２０の（ａ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐａが、図２０の（ｂ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｂが、図２０の（ｃ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｃが、図２０の（ｄ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐが、静電容量分布を表す三次元のグラフとして例示されている。
【０１１８】
図２０の（ｄ）を参照すると、図１５の（ｂ）に示された静電容量分布は、特に、式（８）による補正によって、静電容量の浮き上がりが抑制されており、ピークが区別しやすい分布となっている。従って、式（８）による補正によって、静電容量分布が最も有効に補正されているといえる。
【０１１９】
一般的に、タッチパネル１０に撓みが生じた場合の静電容量の変化の範囲は、タッチパネル１０に指またはペンによるタッチ入力が行われた場合の静電容量の変化の範囲に比べて、さらに広いと考えられる。
【０１２０】
従って、タッチパネル１０にタッチ入力が行われた場合の静電容量の変化の範囲に比べてさらに広い範囲が、補正を行うべき領域Ａとして設定されるように、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値を好適に選択することにより、式（８）による補正が、特に有効であると理解される。
【０１２１】
式（８）による補正によれば、タッチパネル１０のタッチ入力が行われたことによって生じた静電容量の変化の範囲よりもさらに広い、タッチパネル１０に撓みが生じた場合の静電容量の変化の範囲に対して、静電容量の値を補正することができる。従って、タッチパネル１０の撓みに起因する静電容量の変化を打ち消し、かつ、タッチパネル１０へのタッチ入力に起因する静電容量の変化を保持することができる。
【０１２２】
なお、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値は、比較的小さい値とすることが好ましい。これは、領域Ａをより狭い範囲とすることにより、補正計算の精度がより向上することが期待されるためである。
【０１２３】
従って、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの値は、領域Ａの広さが、タッチパネル１０にタッチ入力が行われた場合の静電容量の変化の範囲を内包する最小限の広さとなるように、選択されることが好ましい。Ｕ＝Ｄ＝Ｌ＝Ｒ＝３は、外的要因エリアパラメータＵ、Ｄ、Ｌ、Ｒの好適な値の一例である。
【０１２４】
なお、一般的に、タッチパネル１０が電磁波等のノイズに暴露された場合の静電容量の変化の範囲は、タッチパネル１０に指またはペンによるタッチ入力が行われた場合の静電容量の変化の範囲に比べて、さらに狭いと想定されている。従って、式（８）による補正は、タッチパネルの撓みに起因する静電容量の変化に対する補正計算として、特に有効であると言える。
【０１２５】
図２１は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおいて、図１９と異なる着目点を用いた場合における、補正計算の結果を例示する図である。図２１の（ａ）は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐを例示する図である。ここでは、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける着目点の座標として、（Ｘ，Ｙ）＝（４，６）が選択された場合を考える。図２１の（ａ）における着目点には、静電容量値として、「８４６２」が格納されている。
【０１２６】
図２１の（ａ）では、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける４つの点（１，３）、（１，９）、（７，３）、（７，９）を頂点としてそれぞれ有する矩形として、領域Ａｐｘが設定される。ここで、領域Ａｐｘにおける静電容量の分布を表す行列を、行列Ｃｐｘ１と呼称する。
【０１２７】
図２１の（ｂ）は、行列Ｃｐｘ１に対して、式（８）による補正計算が施された結果として生成された、補正後の行列Ｃ２ｐｘを例示している。なお、図２１において、Ｃｍ＝８８０９、α＝−１０８８、β＝−１８００である。行列Ｃ２ｐｘによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｘと呼称する。
【０１２８】
図２１の（ｃ）は、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｘを例示している。第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｘにおける静電容量分布のピークは、点（３，１）（すなわち、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける点（７，７）に対応する位置）に存在していることが示されている。従って、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｘにおける点（０，０）は、入力位置ではないとして判断される。
【０１２９】
また、図２２は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおいて、図１９と異なる着目点を用いた場合における、補正計算の結果を例示する図である。図２２の（ａ）は、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐを例示する図である。ここでは、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける着目点の座標として、（Ｘ，Ｙ）＝（１０，１０）が選択された場合を考える。図２２の（ａ）における着目点には、静電容量値として、「１８１３８」が格納されている。
【０１３０】
図２２の（ａ）では、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける４つの点（７，７）、（７，１３）、（１３，７）、（１３，１３）を頂点としてそれぞれ有する矩形として、領域Ａｐｙが設定される。ここで、領域Ａｐｙにおける静電容量の分布を表す行列を、行列Ｃｐｙ１と呼称する。
【０１３１】
図２２の（ｂ）は、行列Ｃｐｙ１に対して、式（８）による補正計算が施された結果として生成された、補正後の行列Ｃ２ｐｙを例示している。なお、図２２において、Ｃｍ＝１８５５０、α＝−５２６、β＝−５９４である。行列Ｃ２ｐｙによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｙと呼称する。
【０１３２】
図２２の（ｃ）は、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｙを例示している。第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｙにおける静電容量分布のピークは、点（−３，−３）（すなわち、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐにおける点（７，７）に対応する位置）に存在していることが示されている。従って、第２静電容量マップＭＡＰ２ｐｙにおける点（０，０）は、入力位置ではないとして判断される。
【０１３３】
それゆえ、図１９、図２１、および図２２を参照すれば、式（８）による補正計算によって、極大値「１８５２３」が存在している、第１静電容量マップＭＡＰ１ｐの点は、入力位置ではないとして判断されることが理解される。
【０１３４】
特に、図２０および図２２を参照すれば、本実施形態の補正方法を用いることにより、静電容量分布のピーク値と近い値が存在している点が、入力位置として誤って判定されることを抑制することが可能であることが理解される。
【０１３５】
（タッチセンサシステム１００の効果）
本実施形態のタッチセンサシステム１００によれば、図８の（ｂ）、図１０の（ｂ）、図１２の（ｂ）、および図２０の（ｄ）に示されるように、タッチパネル１０の撓みに起因する静電容量の浮き上がりが抑制された、第２静電容量マップ（例えば、第２静電容量マップＭＡＰ２）が得られる。
【０１３６】
そして、例えば、第２静電容量マップＭＡＰ２を用いて、入力位置の座標を算出することにより、タッチパネルが動的に撓んでいる場合であっても、入力位置を精度よく検出することができるという効果を奏する。
【０１３７】
また、タッチセンサシステム１００において、第１容量分布補正部１６は、第１静電容量マップＭＡＰ１を表す行列Ｃの各成分に対応する、（ｍ×ｎ）個の第２信号値マップをそれぞれ生成する。従って、第１容量分布補正部１６により、タッチパネル１０に分布している（ｍ×ｎ）個の信号値のそれぞれに対応する第２信号値マップが生成される。
【０１３８】
このため、タッチパネル１０における複数の位置に、それぞれ入力が与えられた場合においても、各入力位置の付近において、個別に補正計算を行うことが可能となるという効果を奏する。
【０１３９】
なお、一般的に、タッチパネル１０において、ドライブラインＨＬ１〜ＨＬｎの間隔、およびセンスラインＶＬ１〜ＶＬｍの間隔は、指またはペンのサイズに比べて十分に小さい。従って、タッチパネル１０の複数の位置における入力操作が、同一の静電容量Ｃｍ，ｎに対応付けられることはないと言える。それゆえ、本実施形態のタッチセンサシステム１００は、上述のように、各入力位置の付近において、個別に補正計算を行うことができる。
【０１４０】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図２３〜図３０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１４１】
（タッチセンサシステム２００の構成）
図２３は、本実施形態のタッチセンサシステム２００の構成を示す機能ブロック図である。本実施形態のタッチセンサシステム２００は、（ｉ）実施形態１のタッチセンサシステム１００が備えるタッチパネルコントローラ１を、タッチパネルコントローラ２によって置き換え、かつ、（ｉｉ）実施形態１のタッチパネルコントローラ１が備える第１容量分布補正部１６を、第１容量分布補正部２６（第２信号値マップ生成部）によって置き換えることにより得られる構成である。
【０１４２】
なお、本実施形態のタッチセンサシステム２００が有するその他の部材は、実施形態１のタッチセンサシステム１００が有する各部材と同様であるため、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１４３】
（第１容量分布補正部２６の構成）
図２４は、第１容量分布補正部２６の詳細な構成を示す機能ブロック図である。第１容量分布補正部２６は、領域設定部１６１、平均値算出部１６２、傾斜算出部１６３、補正計算部１６４、および倍率設定部２６５を備えている。従って、本実施形態の第１容量分布補正部２６は、実施形態１の第１容量分布補正部１６に、倍率設定部２６５を付加した構成であると言える。
【０１４４】
（倍率設定部２６５）
倍率設定部２６５は、補正倍率Ｋを用いて、Ｃｍ、α、βの値を修正する機能を有する。なお、補正倍率Ｋの値は、タッチセンサシステム２００の製造時点において、あらかじめ定められた固定の値であってもよいが、ホスト装置１１０によって変更可能な値であることが好ましい。
【０１４５】
第１容量分布補正部２６の処理の開始に先立ち、倍率設定部２６５における倍率設定を行うか否かが、あらかじめ設定される。この設定は、ホスト装置１１０を介して、ユーザが任意に行うことができる。以降、倍率設定部２６５における倍率設定が行われる場合の動作について説明する。
【０１４６】
倍率設定部２６５は、設定された補正倍率Ｋの値を用いて、以下の式（１２）〜（１４）によって、Ｃｍｆ、αｆ、βｆをそれぞれ計算する。
【０１４７】
Ｃｍｆ＝Ｋ×Ｃｍ    …（１２）
αｆ＝Ｋ×α        …（１３）
βｆ＝Ｋ×β        …（１４）
ここで、Ｃｍｆを修正平均値、αｆを修正上下傾斜、βｆを修正左右傾斜とそれぞれ呼称する。
【０１４８】
倍率設定部２６５は、修正平均値Ｃｍｆ、修正上下傾斜αｆ、修正左右傾斜βｆの値を、補正計算部１６４に与える。この場合、補正計算部１６４は、以下の式（１５）により、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分を計算する。
【０１４９】
Ｃ２［ｉ］［ｊ］＝Ｃ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍｆ＋ｊ×αｆ＋ｉ×βｆ
＝Ｃ１［ｉ］［ｊ］−Ｋ×（Ｃｍ＋ｊ×α＋ｉ×β）
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）…（１５）
式（１５）の右辺第２項〜第４項は、式（８）の右辺第２項〜右辺第４項を、Ｋ倍したものである。従って、補正倍率Ｋは、静電容量の補正量を調整するパラメータであると言える。
【０１５０】
なお、倍率設定部２６５における倍率設定が行われないように設定されている場合には、倍率設定部２６５は、Ｋ＝１として処理を行う。すなわち、倍率設定部２６５は、Ｃｍｆ＝Ｃ、αｆ＝α、βｆ＝βの値を、補正計算部１６４に与える。この場合、補正計算部１６４は、実施形態１と同様に、式（８）により、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分を計算する。
【０１５１】
図２５〜図２８は、本実施形態の補正を例示する図である。図２５は、補正倍率Ｋ＝１．２とした場合の補正を例示する図である。図２５の（ａ）は、図７の（ａ）と同様の図であり、領域Ａにおいて補正計算が行われる前の静電容量Ｃ１が示されている。そして、図２５の（ｂ）には、領域Ａにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｆａが示されている。行列Ｃ２ｆａによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆａと呼称する。
【０１５２】
図２６は、補正倍率Ｋ＝１．１とした場合の補正を例示する図である。図２６の（ａ）は、図７の（ａ）と同様の図であり、領域Ａにおいて補正計算が行われる前の静電容量Ｃ１が示されている。そして、図２６の（ｂ）には、領域Ａにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｆｂが示されている。行列Ｃ２ｆｂによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｂと呼称する。
【０１５３】
図２７は、補正倍率Ｋ＝０．９とした場合の補正を例示する図である。図２７の（ａ）は、図７の（ａ）と同様の図であり、領域Ａにおいて補正計算が行われる前の静電容量Ｃ１が示されている。そして、図２７の（ｂ）には、領域Ａにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｆｃが示されている。行列Ｃ２ｆｃによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｃと呼称する。
【０１５４】
図２８は、補正倍率Ｋ＝０．８とした場合の補正を例示する図である。図２８の（ａ）は、図７の（ａ）と同様の図であり、領域Ａにおいて補正計算が行われる前の静電容量Ｃ１が示されている。そして、図２８の（ｂ）には、領域Ａにおける補正計算の結果として得られた、補正後の静電容量Ｃ２ｆｄが示されている。行列Ｃ２ｆｄによって示される静電容量の分布を示す静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｄと呼称する。
【０１５５】
図２９は、上述のそれぞれの補正の効果を示す図である。図２９の（ａ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆａが、図２９の（ｂ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｂが、図２９の（ｃ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｃが、図２９の（ｄ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｆｄが、静電容量分布を表す三次元のグラフとして例示されている。
【０１５６】
（第１容量分布補正部２６における静電容量値を補正する処理の流れ）
本実施形態のタッチセンサシステム２００の処理の全体的な流れは、実施形態１のタッチセンサシステム１００の場合と同様に、図１３によって表される。
【０１５７】
ここでは、図３０を用いて、第１容量分布補正部２６における処理Ｓ６およびＳ７（すなわち、第１静電容量マップ上の各静電容量値を補正する処理）の流れについて説明する。図３０は、第１容量分布補正部２６が備える各部の処理の流れを例示するフローチャートである。図３０には、処理Ｓ４１〜Ｓ５３が示されている。
【０１５８】
なお、図３０の処理Ｓ４１〜Ｓ４８は、図１４の処理Ｓ２１〜Ｓ２８と同様である。また、図３０の処理Ｓ５２は、図１４の処理Ｓ２９と同様である。従って、処理Ｓ４９〜Ｓ５１、および処理Ｓ５３についてのみ説明する。
【０１５９】
倍率設定部２６５は、倍率設定を行うか否かを確認する（処理Ｓ４９）。倍率設定が行われる場合（Ｓ４９においてＹＥＳ）、倍率設定部２６５は、設定された補正倍率Ｋの値（例えば、Ｋ＝１．２）を用いて、修正平均値Ｃｍｆ、修正上下傾斜αｆ、修正左右傾斜βｆを計算する。そして、倍率設定部２６５は、修正平均値Ｃｍｆ＝Ｋ×Ｃｍ、修正上下傾斜αｆ＝Ｋ×α、修正左右傾斜βｆ＝Ｋ×βの値を、補正計算部１６４に与える（処理Ｓ５０）。
【０１６０】
他方、倍率設定が行われない場合（Ｓ４９においてＮＯ）、倍率設定部２６５は、補正倍率Ｋの値として、Ｋ＝１を適用する。そして、倍率設定部２６５は、修正平均値Ｃｍｆ＝Ｃｍ、修正上下傾斜αｆ＝α、修正左右傾斜βｆ＝βの値を、補正計算部１６４に与える（処理Ｓ５１）。
【０１６１】
そして、補正計算部１６４は、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］を、式（１５）により計算する（処理Ｓ５３）。ｉ、ｊに関するループ条件が満たされている場合（Ｓ５２においてＹＥＳ）、処理Ｓ５３が繰り返し実行される。
【０１６２】
全てのｉ、ｊに対して処理Ｓ５３が行われ、ｉ、ｊに関するループ条件が満たされなくなると（Ｓ５２においてＮＯ）、行列Ｃ２の全ての成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］が計算される。続いて、図１３の処理Ｓ９以降の処理が実行される。
【０１６３】
（タッチセンサシステム２００の効果）
本実施形態のタッチセンサシステム２００によれば、図２９に示されているように、補正倍率Ｋの値に応じて、静電容量の補正量を調整することができるという効果を奏する。
【０１６４】
〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、図３１〜図３５に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１６５】
（タッチセンサシステム３００の構成）
図３１は、本実施形態のタッチセンサシステム３００の構成を示す機能ブロック図である。本実施形態のタッチセンサシステム３００は、（ｉ）実施形態１のタッチセンサシステム１００が備えるタッチパネルコントローラ１を、タッチパネルコントローラ３によって置き換え、かつ、（ｉｉ）実施形態１のタッチパネルコントローラ１が備える第１容量分布補正部１６を、第１容量分布補正部３６（第２信号値マップ生成部）によって置き換えることにより得られる構成である。
【０１６６】
なお、本実施形態のタッチセンサシステム３００が有するその他の部材は、実施形態１のタッチセンサシステム１００が有する各部材と同様であるため、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１６７】
（第１容量分布補正部３６の構成）
図３２は、第１容量分布補正部３６の詳細な構成を示す機能ブロック図である。第１容量分布補正部３６は、領域設定部１６１、平均値算出部１６２、傾斜算出部１６３、補正計算部１６４、および補正要否判定部３６５を備えている。従って、本実施形態の第１容量分布補正部３６は、実施形態１の第１容量分布補正部１６に、補正要否判定部３６５を付加した構成であると言える。
【０１６８】
（補正要否判定部３６５）
補正要否判定部３６５は、領域Ａにおける静電容量の分布を示す行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］の値と、判定値Ｖとの大小を比較する。なお、判定値Ｖは、タッチセンサシステム３００の製造時点において、あらかじめ定められた固定の値であってもよいが、ホスト装置１１０によって変更可能な値であることが好ましい。
【０１６９】
補正要否判定部３６５は、行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、以下の補正候補条件
Ｃ１［ｉ］［ｊ］＞Ｖ    …（補正候補条件）
を満たしているか否かを判定する。
【０１７０】
そして、補正要否判定部３６５は、行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、補正候補条件を満たしているか否かを示す補正要否情報を生成し、補正計算部１６４へ与える。
【０１７１】
補正計算部１６４は、補正要否情報を参照し、補正候補条件を満たすＣ１［ｉ］［ｊ］についてのみ、式（８）により、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の各成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］を計算する。
【０１７２】
（第１容量分布補正部３６における静電容量値を補正する処理の流れ）
本実施形態のタッチセンサシステム３００の処理の全体的な流れは、実施形態１のタッチセンサシステム１００の場合と同様に、図１３によって表される。
【０１７３】
ここでは、図３３を用いて、第１容量分布補正部３６における処理Ｓ６およびＳ７（すなわち、第１静電容量マップ上の各静電容量値を補正する処理）の流れについて説明する。図３３は、第１容量分布補正部３６が備える各部の処理の流れを例示するフローチャートである。図３３には、処理Ｓ６１〜Ｓ７１が示されている。
【０１７４】
なお、図３３の処理Ｓ６１〜Ｓ６９は、図１４の処理Ｓ２１〜Ｓ２９と同様である。従って、処理Ｓ７０およびＳ７１についてのみ説明する。
【０１７５】
補正要否判定部３６５は、行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、補正候補条件を満たすか否かを判定する。そして、補正要否判定部３６５は、行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、補正候補条件を満たしているか否かを示す補正要否情報を、補正計算部１６４へ与える（処理Ｓ７０）。
【０１７６】
なお、図３２では、補正要否判定部３６５が、補正計算部１６４の直前に設けられる構成が例示されているが、補正要否判定部３６５は、領域設定部１６１の直前に設けられる構成であってもよい。
【０１７７】
補正要否判定部３６５を、領域設定部１６１の直前に設ける構成とした場合、処理Ｓ７０を処理Ｓ６１の直前に行うことができる。従って、行列Ｃ１の成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］に対する補正計算を行う必要が無い場合に、静電容量値の各平均値を算出する処理（Ｓ６２〜Ｓ６６）、ならびに、上下傾斜および左右傾斜を算出する処理（Ｓ６７〜Ｓ６８）を省略することができる。
【０１７８】
行列Ｃ１の成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、補正候補条件を満たしている場合（Ｓ７０においてＹＥＳ）、補正計算部１６４は、式（８）により、補正後の静電容量の分布を示す行列Ｃ２の成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］を計算する（処理Ｓ７１）。
【０１７９】
処理Ｓ６９〜Ｓ７１によれば、行列Ｃ１の成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］の値が判定値Ｖ以下の場合に、補正計算が行われない。このため、良好な補正計算の効果が得られないケース、または、判定値Ｖに近い行列Ｃ１の成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］の値に対して、いびつな補正計算が行われるケースが想定される。この問題は、処理Ｓ７０の位置を変更することによって、解消することができる。
【０１８０】
すなわち、本実施形態におけるメモリ削減のための方法としては、Ｃ１［ｉ］［ｊ］＞Ｖを満たす場合（つまり、補正候補条件を満たす場合）にのみ、領域Ａの全ての点に対して補正計算を行い、行列Ｃ２を作成するとよい。
【０１８１】
従って、Ｃ１［ｉ］［ｊ］＞Ｖを満たさない場合（つまり、補正候補条件を満たさない場合）には、領域Ａの全ての点に対して補正計算が行われず、Ｃ２＝Ｃ１となる。それゆえ、行列Ｃ２を保存するためのメモリ領域を準備する必要がなく、メモリ容量を削減することができる。
【０１８２】
なお、Ｃ１［ｉ］［ｊ］＞Ｖを満たさない場合には、行列Ｃ１によって表される第１静電容量マップを用いて、タッチ認識部１８以降の処理が行われる。
【０１８３】
他方、行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］が、補正候補条件を満たしていない場合（Ｓ７０においてＮＯ）、処理Ｓ６９に戻る。従って、補正計算部１６４における計算は行われない。そして、処理Ｓ６９においてｉ、ｊの値が更新された後に、処理Ｓ７０における補正候補条件の判定が行われる。
【０１８４】
そして、ｉ、ｊに関するループ条件が満たされている場合（Ｓ６９においてＹＥＳ）、処理Ｓ７０が繰り返し実行される。
【０１８５】
全てのｉ、ｊに対して処理Ｓ７０が行われ、ｉ、ｊに関するループ条件が満たされなくなると（Ｓ６９においてＮＯ）、補正候補条件を満たす行列Ｃ１の全ての成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］に対応する、補正後の行列Ｃ２の成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］が計算される。続いて、図１３の処理Ｓ９以降の処理が実行される。
【０１８６】
（タッチセンサシステム３００の効果）
以下、図３４および図３５を用いて、本実施形態のタッチセンサシステム３００の効果について説明する。
【０１８７】
図３４の（ａ）は、領域Ａｓを例示する図である。ここで、領域Ａｓにおける静電容量の分布を示す行列を、行列Ｃｓ１と呼称する。行列Ｃｓ１は、１３行１３列の行列であり、１６９（＝１３×１３）個の成分を有している。
【０１８８】
また、図３４の（ｂ）は、領域Ａｓにおける静電容量分布を例示する三次元のグラフである。図３４の（ｂ）は、座標（０，０）において、タッチパネル１０に対する入力操作が行われた場合を例示している。
【０１８９】
タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力操作が行われた場合、指またはペンのタッチによって生じたと判断される、所定の閾値程度の静電容量の変化量に比べて、比較的小さい静電容量の変化量は、指またはペンのタッチに起因するものである可能性が低い。このため、タッチパネル１０に対する入力を検出するためには、比較的大きい静電容量の値にのみ注目すればよいと言える。
【０１９０】
例えば、タッチセンサシステム３００において、判定値Ｖ＝４０００と設定されている場合を考える。この場合、図３４の（ａ）に示されるように、行列Ｃｓ１において、Ｃｓ１［ｉ］［ｊ］＞４０００（補正候補条件）を満たす成分の個数は、６個である。
【０１９１】
従って、タッチセンサシステム３００においては、行列Ｃｓ１の１６９個の成分のうち、補正候補条件を満たす６個の成分についてのみ、補正計算が行われる。従って、本実施形態のタッチセンサシステム３００によれば、行列Ｃｓ１の全ての成分に対して補正計算を行っていた、実施形態１および２のタッチセンサシステム１００および２００に比べて、必要なメモリ容量を削減することができるという効果を奏する。
【０１９２】
図３５は、補正計算に必要なメモリ容量を例示する図である。いま、１０行１０列の行列として表される第１静電容量マップＭＡＰ１Ａを考える。第１静電容量マップＭＡＰ１Ａは、１０×１０＝１００個の成分（成分「Ａ１」〜成分「Ｊ１０」）を有している。
【０１９３】
ここで、第１静電容量マップＭＡＰ１Ａから生成され得る第２静電容量マップの数は、第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの成分の個数と等しい数となる。
【０１９４】
例えば、図３５の場合、
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１行１列目の成分「Ａ１」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１、
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１行２列目の成分「Ｂ１」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ２、
…（中略）…
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１行８列目の成分「Ｈ１」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ８、
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１行９列目の成分「Ｉ１」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ９、
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１行１０列目の成分「Ｊ１」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１０、
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの２行１列目の成分「Ａ２」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１１、
…（中略）…
第１静電容量マップＭＡＰ１Ａの１０行１０列目の成分「Ｊ１０」を着目点として生成される第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１００、
の、１００個の第２静電容量マップが、第１静電容量マップＭＡＰ１Ａから生成され得る。なお、第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１〜ＭＡＰ２Ａ１００のそれぞれは、７行７列の行列として表される。また、図３５に示されているように、第２静電容量ＭＡＰ２Ａ１〜ＭＡＰ２Ａ１００のマップのそれぞれは、部分的に重なっている。
【０１９５】
静電容量の補正計算においては、複数の第２静電容量マップが生成される場合が想定されるので、第２静電容量マップを保存するために必要なメモリ容量は、第１静電容量マップを保存するために必要なメモリ容量に比べて、十分大きいといえる。
【０１９６】
例えば、図３５の場合、第１静電容量マップＭＡＰ１Ａを保存するためには、１００個の成分を保存するためのメモリ容量を確保すればよいが、第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１〜ＭＡＰ２Ａ１００を保存するためには、７×７×１００＝４９００個の成分を保存するためのメモリ容量を確保する必要がある。従って、例えば実施形態１のタッチセンサシステム１００において、第２静電容量マップを保存するためには、第１静電容量マップを保存するためのメモリ容量に比べて、４９倍のメモリ容量を確保する必要がある。
【０１９７】
それゆえ、本実施形態のタッチセンサシステム３００は、第２静電容量マップを保存するために必要なメモリ容量を削減することができるという点において、有用である。
【０１９８】
例えば、第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１〜ＭＡＰ２Ａ１００のそれぞれにおいて、補正候補条件を満たす成分の数が、全成分数の１／１０であると仮定すると、本実施形態のタッチセンサシステム３００において、第２静電容量マップＭＡＰ２Ａ１〜ＭＡＰ２Ａ１００を保存するためには、７×７×１００×（１／１０）＝４９０個の成分を保存するためのメモリ容量が確保されていればよい。すなわち、第２静電容量マップを保存するために必要なメモリ容量を、実施形態１のタッチセンサシステム１００の場合の１／１０に削減することができる。
【０１９９】
〔実施形態４〕
本発明の他の実施形態について、図３６〜図３７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２００】
（タッチセンサシステム４００の構成）
図３６は、本実施形態のタッチセンサシステム４００の構成を示す機能ブロック図である。本実施形態のタッチセンサシステム４００は、（ｉ）実施形態１のタッチセンサシステム１００が備えるタッチパネルコントローラ１を、タッチパネルコントローラ４によって置き換えることにより得られる構成である。
【０２０１】
また、本実施形態のタッチセンサシステム４００が有する各部材は、実施形態１のタッチセンサシステム１００が有する各部材と同様であるため、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２０２】
なお、本実施形態のタッチパネルコントローラ４は、実施形態１のタッチパネルコントローラ１と同様の構成であり、一部の処理の順序のみが異なる。従って、タッチセンサシステム４００における処理の流れについて、以下に説明する。
【０２０３】
（タッチセンサシステム４００における入力位置の座標を算出する処理の流れ）
本実施形態のタッチセンサシステム４００の処理の全体的な流れは、図３７によって表される。図３７は、タッチセンサシステム４００における入力位置の座標を算出する処理の流れを例示するフローチャートである。図３７には、処理Ｓ８１〜Ｓ９１が示されている。
【０２０４】
なお、図３７の処理Ｓ８１〜Ｓ８７は、図１３の処理Ｓ１〜Ｓ７と同様であり、その順序もまた同様である。従って、処理Ｓ８８〜Ｓ９１についてのみ説明する。
【０２０５】
領域Ａ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ８６およびＳ８７が行われることにより、第２静電容量マップが生成される（処理Ｓ８８）。第２静電容量マップは、第２容量分布記憶部１７を介して、タッチ認識部１８に与えられる。
【０２０６】
続いて、タッチ認識部１８は、第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたか否かを判定する。そして、タッチ認識部１８は、タッチパネル１０に対して、指またはペンのタッチによる入力が与えられたと判定した場合に、第２静電容量マップを、入力位置計算部１９に与える。
【０２０７】
入力位置計算部１９は、タッチ認識部１８から与えられた第２静電容量マップに基づき、タッチパネル１０に対する入力が与えられた位置を示す、入力位置の座標を計算する（処理Ｓ８９）。
【０２０８】
そして、第１容量分布補正部１６は、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ８６〜Ｓ８９が行われたか否かを確認する（処理Ｓ９０）。第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ８６〜Ｓ８９が行われていない場合には（処理Ｓ９０においてＮＯ）、処理Ｓ８６に戻り、第１容量分布補正部１６における処理Ｓ８６〜Ｓ８９が繰り返される。
【０２０９】
そして、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ８６〜Ｓ８９が行われた場合（処理Ｓ９０においてＹＥＳ）、入力位置計算部１９は、入力位置の座標を、タッチセンサシステム４００の外部に設けられたホスト装置１１０に与える（処理Ｓ９１）。
【０２１０】
処理Ｓ８１〜Ｓ９１によって、タッチセンサシステム４００における入力位置の座標が算出され、ホスト装置１１０に与えられる。そして、処理Ｓ９１の終了後は、処理Ｓ８３に戻り、タッチセンサシステム４００の電源が投入されている期間に亘り、処理Ｓ８３〜処理Ｓ９１が繰り返される。
【０２１１】
（タッチセンサシステム４００の効果）
実施形態１のタッチセンサシステム１００は、処理Ｓ８のループ外において、第２静電容量マップに基づき、入力位置の座標を計算していた（図１３の処理Ｓ１０を参照）。他方、本実施形態のタッチセンサシステム４００は、処理Ｓ９０のループ内において、第２静電容量マップに基づき、入力位置の座標を計算している（図３７の処理Ｓ８９を参照）。
【０２１２】
タッチセンサシステム４００における処理の流れによれば、処理Ｓ８９において第２静電容量マップが生成された直後に、入力位置の座標を計算することができる。従って、処理Ｓ９０のループごとに、メモリに保存された第２静電容量マップを上書きすることが許容される。
【０２１３】
従って、本実施形態のタッチセンサシステム４００によれば、第２静電容量マップを上書きすることが許容されない、実施形態１〜３のタッチセンサシステム１００〜３００に比べて、必要なメモリ容量を削減することができるという効果を奏する。
【０２１４】
〔実施形態５〕
本発明の他の実施形態について、図３８〜図４０に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２１５】
（タッチセンサシステム５００の構成）
図３８は、本実施形態のタッチセンサシステム５００の構成を示す機能ブロック図である。本実施形態のタッチセンサシステム５００は、（ｉ）実施形態１のタッチセンサシステム１００が備えるタッチパネルコントローラ１を、タッチパネルコントローラ５によって置き換え、かつ、（ｉｉ）実施形態１のタッチパネルコントローラ１が備える第１容量分布補正部１６を、第１容量分布補正部５６（第２信号値マップ生成部）によって置き換えることにより得られる構成である。
【０２１６】
なお、本実施形態のタッチセンサシステム５００が有するその他の部材は、実施形態１のタッチセンサシステム１００が有する各部材と同様であるため、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２１７】
（第１容量分布補正部５６の構成）
図３９は、第１容量分布補正部５６の詳細な構成を示す機能ブロック図である。第１容量分布補正部５６は、領域設定部１６１、平均値算出部５６２、傾斜算出部５６３、および補正計算部１６４を備えている。従って、本実施形態の第１容量分布補正部５６は、実施形態１の第１容量分布補正部１６が備える平均値算出部１６２および傾斜算出部１６３を、平均値算出部５６２および傾斜算出部５６３によって、それぞれ置き換えることにより得られる構成である。
【０２１８】
（平均値算出部５６２）
平均値算出部５６２は、領域Ａの全体における静電容量の平均値Ｃｍを、式（１）により計算する。この処理は、実施形態１の平均値算出部１６２と同様である。
【０２１９】
平均値算出部５６２は、４つのパラメータＫｕ、Ｋｄ、Ｋｌ、Ｋｒを用いて、以下の計算を行う。なお、Ｋｕ、Ｋｄ、Ｋｌ、Ｋｒの値は、タッチセンサシステム５００の製造時点において、あらかじめ定められた固定の値であってもよいが、ホスト装置１１０によって変更可能な値であることが好ましい。
【０２２０】
すなわち、平均値算出部５６２は、（ｉ）領域Ａの最上辺（最上行）からＫｕ行における静電容量の平均値Ｃｕ、（ｉｉ）領域Ａの最下辺（最下行）からＫｄ行における静電容量の平均値Ｃｄ、（ｉｉｉ）領域Ａの最左辺（最左列）からＫｌ列における静電容量の平均値Ｃｌ、（ｉｖ）領域Ａの最右辺（最右列）からＫｒ列における静電容量の平均値Ｃｒを、以下の式（１６）〜（１９）により、それぞれ計算する。
【０２２１】
Ｃｕ＝（行列Ｃ１の最上辺からＫｕ行の成分の和）／（行列Ｃ１の最上辺からＫｕ行の成分数）    …（１６）
Ｃｄ＝（行列Ｃ１の最下辺からＫｄ行の成分の和）／（行列Ｃ１の最下辺からＫｄ行の成分数）    …（１７）
Ｃｌ＝（行列Ｃ１の最左辺からＫｌ列の成分の和）／（行列Ｃ１の最左辺からＫｌ列の成分数）    …（１８）
Ｃｒ＝（行列Ｃ１の最右辺からＫｒ列の成分の和）／（行列Ｃ１の最右辺からＫｒ列の成分数）    …（１９）
なお、実施形態１の式（２）〜（５）は、式（１６）〜（１９）において、Ｋｕ＝１、Ｋｄ＝１、Ｋｌ＝１、Ｋｒ＝１と設定されている場合に相当する。
【０２２２】
図４０は、平均値算出部５６２および傾斜算出部５６３の処理を例示する図である。図４０には、図６と同様の領域Ａが示されている。
【０２２３】
図４０では、Ｋｕ＝２、Ｋｄ＝２、Ｋｌ＝１、Ｋｒ＝１の場合が示されている。この場合、平均値算出部５６２は、式（１６）〜（１９）をそれぞれ適用することにより、Ｃｕ＝１７８６、Ｃｄ＝４３６８、Ｃｌ＝１０６４、Ｃｒ＝４５１３を算出する。
【０２２４】
（傾斜算出部５６３）
傾斜算出部５６３は、Ｃｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、Ｃｒの値に加えて、４つのパラメータＫｕ、Ｋｄ、Ｋｌ、Ｋｒを用いて、上下傾斜αおよび左右傾斜βを、以下の式（２０）および（２１）により、それぞれ計算する。
【０２２５】
α＝（Ｃｕ−Ｃｄ）／｛（Ｕ−（Ｋｕ−１））＋（Ｄ−（Ｋｄ−１））｝    …（２０）
β＝（Ｃｌ−Ｃｒ）／｛（Ｌ−（Ｋｌ−１））＋（Ｒ−（Ｋｒ−１））｝    …（２１）
なお、実施形態１の式（６）および（７）は、式（２０）〜（２１）において、Ｋｕ＝１、Ｋｄ＝１、Ｋｌ＝１、Ｋｒ＝１と設定されている場合に相当する。
【０２２６】
図４０の場合、Ｋｕ＝２、Ｋｄ＝２、Ｋｌ＝１、Ｋｒ＝１であるから、傾斜算出部５６３は、式（２０）および（２１）をそれぞれ適用することにより、α＝−６４５、β＝−５７４を算出する。
【０２２７】
（タッチセンサシステム５００の効果）
本実施形態のタッチセンサシステム５００は、領域Ａの静電容量分布を示す行列Ｃ１の最外周の成分のみならず、最外周を含んだ複数周の成分を用いて、上下傾斜αおよび左右傾斜βを算出する。
【０２２８】
従って、第１静電容量マップにおける静電容量値のＳＮ比が低い場合等の、行列Ｃ１の最外周の成分の値の信頼性が低い場合にも、補正計算の精度の低下を抑制することができるという効果を奏する。
【０２２９】
〔実施形態６〕
本発明の他の実施形態について、図４１〜図４７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２３０】
（タッチセンサシステム６００の構成）
図４１は、本実施形態のタッチセンサシステム６００の構成を示す機能ブロック図である。本実施形態のタッチセンサシステム６００は、（ｉ）実施形態１のタッチセンサシステム１００が備えるタッチパネルコントローラ１を、タッチパネルコントローラ６によって置き換え、かつ、（ｉｉ）実施形態１のタッチパネルコントローラ１が備える第１容量分布補正部１６を、第１容量分布補正部６６（第２信号値マップ生成部）によって置き換えることにより得られる構成である。
【０２３１】
なお、本実施形態のタッチセンサシステム６００が有するその他の部材は、実施形態１のタッチセンサシステム１００が有する各部材と同様であるため、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０２３２】
（第１容量分布補正部６６の構成）
図４２は、第１容量分布補正部６６の詳細な構成を示す機能ブロック図である。第１容量分布補正部６６は、領域設定部１６１、平均値算出部１６２、傾斜算出部１６３、補正計算部１６４に加えて、差分計算部６６５および積分計算部６６６を備えている。従って、本実施形態の第１容量分布補正部６６は、実施形態１の第１容量分布補正部１６に、差分計算部６６５および積分計算部６６６を付加することにより得られる構成である。
【０２３３】
（差分計算および積分計算について）
差分計算部６６５は、静電容量分布を示す行列に対して、差分計算を行う。他方、積分計算部６６６は、静電容量分布を示す行列に対して、積分計算を行う。はじめに、差分計算部６６５および積分計算部６６６の動作の説明に先立ち、差分計算および積分計算について、図４３を参照して説明する。
【０２３４】
図４３は、差分計算および積分計算を例示する図である。図４３の（ａ）には、図５と同様の第１静電容量マップＭＡＰ１の静電容量分布を表す行列Ｃが示されている。
【０２３５】
図４３の（ｂ）には、行列Ｃに対して差分計算を行うことによって生成された行列Ｃｄｉｆが示されている。以降、行列Ｃｄｉｆを、差分行列と呼称する。ここで、行列Ｃから差分行列Ｃｄｉｆを生成するための差分計算は、以下の式（２２）によって行われる。
【０２３６】
Ｃｄｉｆ［ｉ］［ｊ］＝Ｃ［ｉ］［ｊ］−Ｃ［ｉ−１］［ｊ］    …（２２）
なお、式（２２）の差分計算は、微分計算と称されてもよい。
【０２３７】
図４３の（ｃ）には、行列Ｃｄｉｆに対して積分計算を行うことによって生成された行列Ｃｉｎｔが示されている。以降、行列Ｃｉｎｔを、積分行列と呼称する。ここで、行列Ｃｄｉｆから積分行列Ｃｉｎｔを生成するための積分計算は、以下の式（２３）によって行われる。
【０２３８】
Ｃｉｎｔ［ｉ］［ｊ］＝Ｃｉｎｔ［ｉ−１］［ｊ］＋Ｃｄｉｆ［ｉ］［ｊ］    …（２３）
図４３の（ａ）および（ｃ）により、積分行列Ｃｉｎｔは、行列Ｃと同一の行列であることが示されている。従って、式（２２）の差分計算と、式（２３）の積分計算とは、互いに逆演算の関係にあると言える。それゆえ、式（２３）の積分計算は、式（２２）による差分計算の結果として得られた差分行列Ｃｄｉｆを、元の行列Ｃに復元するための処理であると考えてもよい。
【０２３９】
（差分計算部６６５）
差分計算部６６５は、第１容量分布計算部１５から、第１静電容量マップＭＡＰ１を取得する。そして、差分計算部６６５は、第１静電容量マップにおける静電容量の分布を表す行列Ｃ１の各成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］に対して、差分計算を施す。すなわち、差分計算部６６５は、式（２２）によって、行列Ｃ１から、差分行列Ｃ１ｄｉｆを生成する。
【０２４０】
差分計算部６６５は、差分行列Ｃ１ｄｉｆを領域設定部１６１に与える。以降、領域設定部１６１から補正計算部１６４までを通じて、差分行列Ｃ１ｄｉｆに対する補正計算が行われる。以降、差分行列Ｃ１ｄｉｆに対して、式（８）による補正計算によって生成される行列を、行列Ｃ２ｄｉｆと呼称する。そして、行列Ｃ２ｄｉｆに対応する静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２ｄｉｆと呼称する。
【０２４１】
図４４には、図５の領域Ａにおける静電容量の分布を表す行列Ｃ１に対して、第１容量分布補正部６６による処理が行われる場合が例示されている。
【０２４２】
図４４の（ａ）には、領域Ａにおける差分行列Ｃ１ｄｉｆが、図４４の（ｂ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２ｄｉｆにおける行列Ｃ２ｄｉｆが、それぞれ例示されている。なお、図４４の（ａ）に示された差分行列Ｃ１ｄｉｆにおいて、Ｃｕ＝５４２、Ｃｄ＝−３００、Ｃｌ＝２７９、Ｃｒ＝７１６、Ｃｍ＝４８９、α＝１４０、β＝−７２である。
【０２４３】
（積分計算部６６６）
積分計算部６６６は、差分計算部６６５において差分計算が施された静電容量の分布を、復元するために設けられている。
【０２４４】
積分計算部６６６は、補正計算部１６４から、行列Ｃ２ｄｉｆおよび第２静電容量マップＭＡＰ２ｄｉｆを与えられる。そして、積分計算部６６６は、式（２３）によって、行列Ｃ２ｄｉｆから、積分行列Ｃ２Ｉを生成する。ここで、積分行列Ｃ２Ｉに対応する静電容量マップを、第２静電容量マップＭＡＰ２Ｉと呼称する。
【０２４５】
図４４の（ｃ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２Ｉにおける積分行列Ｃ２Ｉが、図４４の（ｄ）には、第２静電容量マップＭＡＰ２Ｉにおける静電容量分布を表す三次元のグラフが、それぞれ例示されている。図４４の（ｄ）によれば、上述の実施形態１〜５と同様に、静電容量が有効に補正されていることが示されている。
【０２４６】
（タッチセンサシステム６００における入力位置の座標を算出する処理の流れ）
本実施形態のタッチセンサシステム６００の処理の全体的な流れは、図４５によって表される。図４５は、タッチセンサシステム６００における入力位置の座標を算出する処理の流れを例示するフローチャートである。図４５には、処理Ｓ１０１〜Ｓ１１３が示されている。
【０２４７】
なお、図４５の処理Ｓ１０１〜Ｓ１０５、処理Ｓ１０７〜Ｓ１０８、および、処理Ｓ１１０〜Ｓ１１３は、図１３の処理Ｓ１〜Ｓ５、処理Ｓ６〜Ｓ７、および処理Ｓ８〜Ｓ１１とそれぞれ同様である。従って、図４５の処理は、図１３の処理に、処理Ｓ１０６およびＳ１０９を付加した処理であると言える。以下、処理Ｓ１０６およびＳ１０９、ならびに、その周辺の処理についてのみ説明する。
【０２４８】
差分計算部６６５は、式（２２）によって、第１静電容量マップにおける静電容量の分布を表す行列Ｃ１から、差分行列Ｃ１ｄｉｆを生成する（処理Ｓ１０６）。
【０２４９】
続いて、処理Ｓ１０７およびＳ１０８を通じて、式（８）による、差分行列Ｃ１ｄｉｆに対する補正計算が行われ、行列Ｃ２ｄｉｆが生成される。
【０２５０】
積分計算部６６６は、式（２３）によって、行列Ｃ２ｄｉｆから、積分行列Ｃ２Ｉを生成する（処理Ｓ１０９）。
【０２５１】
そして、第１容量分布補正部６６は、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ１０６〜Ｓ１０９が行われたか否かを確認する（処理Ｓ１１０）。第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ１０６〜Ｓ１０９が行われていない場合には（処理Ｓ１１０においてＮＯ）、処理Ｓ１０６に戻り、第１容量分布補正部６６における処理Ｓ１０６〜Ｓ１０９が繰り返される。
【０２５２】
そして、第１静電容量マップ内の全ての静電容量に対して、処理Ｓ１０６〜Ｓ１０９が行われた場合（処理Ｓ１１０においてＹＥＳ）、第１容量分布補正部６６において、第２静電容量マップが生成される（処理Ｓ１１１）。
【０２５３】
以降、処理Ｓ１１１〜Ｓ１１３が、図１３の処理Ｓ９〜Ｓ１１と同様に行われ、タッチセンサシステム６００における入力位置の座標が算出され、ホスト装置１１０に与えられる。そして、処理Ｓ１１３の終了後は、処理Ｓ１０３に戻り、タッチセンサシステム６００の電源が投入されている期間に亘り、処理Ｓ１０３〜処理Ｓ１１３が繰り返される。
【０２５４】
（タッチセンサシステム６００の効果）
以下、図４６および図４７を用いて、本実施形態のタッチセンサシステム６００の効果について説明する。
【０２５５】
図４６は、領域Ａにおける補正前の静電容量の分布（すなわち、行列Ｃ１を表す分布）、実施形態１の補正計算によって得られた補正後の静電容量の分布（すなわち、行列Ｃ２を表す分布）、および、本実施形態の補正計算によって得られた補正後の静電容量の分布（すなわち、行列Ｃ２Ｉを表す分布）が、一次元のグラフとして例示されている。図４４には、本実施形態の補正計算によって、実施形態１の補正計算よりも、さらに静電容量分布のばらつきが有効に抑制されていることが示されている。
【０２５６】
図４７は、本実施形態の補正計算である、差分行列を用いた補正計算の有効性を説明するための図である。図４７の（ａ）には、静電容量の分布を示す行列としての行列Ｃが例示されている。また、図４７の（ｂ）には、行列Ｃから生成された差分行列Ｃｄｉｆが例示されている。
【０２５７】
図４７によれば、差分行列Ｃｄｉｆは、行列Ｃに比べて、静電容量分布における静電容量値の変化の度合いを、さらに詳細に表していることが理解される。従って、差分行列Ｃｄｉｆによれば、行列Ｃに比べて、（ｉ）負の値が存在する領域、（ｉｉ）０付近の値が存在する領域、および、（ｉｉｉ）正の値が存在する領域を、より明確に区分することができる。
【０２５８】
それゆえ、差分行列Ｃｄｉｆによれば、（ｉ）負の値が存在する領域、（ｉｉ）０付近の値が存在する領域、および、（ｉｉｉ）正の値が存在する領域において、それぞれ個別に補正計算を施すことができるため、行列Ｃに対して補正計算を施す場合よりも、さらに高精度な補正計算が行われる。
【０２５９】
また、差分行列Ｃｄｉｆの各成分の大きさ（絶対値）は、行列Ｃの各成分の大きさ（絶対値）に比べて、より小さいことが一般的である。従って、差分行列Ｃｄｉｆに対する補正計算を行うことにより、行列Ｃに対する補正計算を行う場合に比べて、補正計算において生じる誤差が、より小さくなることが期待される。
【０２６０】
それゆえ、本実施形態の補正計算が、実施形態１の補正計算に比べて、さらに有効な補正計算であることは、一般的な傾向であるとして考えることができる。
【０２６１】
また、本実施形態のタッチセンサシステム６００によれば、キャリブレーション（校正）が施された静電容量値についても、補正計算を行うことができる。ここで、キャリブレーションとは、静的な状態（例えば、タッチパネルが筐体に組み込まれた状態）における静電容量の値を基準値として、（ｉ）タッチセンサシステムにおいて検出された静電容量と、（ｉｉ）基準値との差の値を、算出する処理を意味する。
【０２６２】
〔変形例〕
なお、実施形態１〜６では、静電容量方式のタッチパネルとしてのタッチパネル１０を想定して説明を行っているが、本発明は、静電容量方式のタッチパネルに限定されない。本発明は、タッチパネルに設けられたセンサ（例えば、センスラインＶＬ１〜ＶＬｍ）からの信号値をマトリクス状に読み取ることが可能な他の方式のタッチパネル（例えば、マトリクス状に分布した複数の電気抵抗値を読み取ることが可能な抵抗膜式のタッチパネル）に適用してもよい。
【０２６３】
なお、実施形態６において、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムは、キャリブレーションが施された静電容量値に対する補正計算を行うことが可能であることが示されている。本発明の一態様に係るタッチセンサシステムは、キャリブレーションに限らず、その他の信号処理（例えば、静電容量値に一定のオフセット値を加算する処理）が施された静電容量値に対する補正計算を行うことも可能である。
【０２６４】
〔実施形態７〕
本発明の他の実施形態について、図４８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。図４８は、実施形態１に記載のタッチセンサシステム１００を備えた電子機器の一例としての携帯電話機３０００（電子機器）の構成を示す機能ブロック図である。
【０２６５】
携帯電話機３０００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１０、カメラ３１３、マイクロフォン３１４、スピーカ３１５、操作部３１６、表示パネル３１８、表示制御回路３０９、ＲＯＭ（Read Only Memory）３１１、ＲＡＭ（Random Access Memory）３１２、およびタッチセンサシステム１００を備えている。
【０２６６】
携帯電話機３０００が備える各構成要素は、相互にデータバスによって接続されている。なお、図４８には示されていないが、携帯電話機３０００が、他の電子機器に有線により接続するためのインターフェースを備える構成としてもよい。
【０２６７】
ＣＰＵ３１０は、携帯電話機３０００の動作を制御する。ＣＰＵ３１０は、たとえばＲＯＭ３１１に格納されたプログラムを実行する。操作部３１６は、携帯電話機３０００のユーザによる指示の入力を受け付ける入力デバイスであり、例えば各種の操作キーまたはボタンである。
【０２６８】
ＲＯＭ３１１は、ＥＰＲＯＭ（Erasable Programmable ROM）またはフラッシュメモリ等の書込みおよび消去が可能なＲＯＭであり、データを不揮発的に格納する。ＲＡＭ３１２は、ＣＰＵ３１０によるプログラムの実行により生成されたデータ、または操作部３１６を介して入力されたデータを揮発的に格納する。
【０２６９】
カメラ３１３は、ユーザによる操作部３１６の操作に応じて、被写体を撮影する。なお、撮影された被写体の画像データは、ＲＡＭ３１２または外部メモリ（例えば、メモリカード）に格納される。
【０２７０】
マイクロフォン３１４は、ユーザの音声の入力を受付ける。携帯電話機３０００は、当該入力されたアナログデータとしての音声信号をデジタル化する。そして、携帯電話機３０００は、通信対象（例えば、他の携帯電話機）に、デジタル化信号としての音声信号を送る。スピーカ３１５は、例えば、ＲＡＭ３１２に記憶された音楽データ等に基づき、アナログ信号としての音声信号を出力する。
【０２７１】
表示パネル３１８は、表示制御回路３０９により、ＲＯＭ３１１、ＲＡＭ３１２に格納されている画像を表示する。表示パネル３１８は、タッチパネル１０に重ねられていてもよいし、または、タッチパネル１０を内蔵していてもよい。なお、タッチパネルコントローラ１において生成されたタッチパネル１０上のタッチ位置を示すタッチ認識信号に、操作部３１６が操作されたことを示す信号と同じ役割を持たせることもできる。
【０２７２】
タッチセンサシステム１００は、タッチパネルコントローラ１およびタッチパネル１０を有している。タッチセンサシステム１００の動作は、ＣＰＵ３１０によって制御されている。
【０２７３】
実施形態１のホスト装置１１０は、ＣＰＵ３１０によって実現されてもよい。また、デジタル化された線形和信号に基づき、タッチパネル１０に対する入力操作が行われた位置を検出する処理は、タッチパネルコントローラ１の外部に設けられたＣＰＵ３１０によって実行されてもよい。
【０２７４】
すなわち、実施形態１においてタッチパネルコントローラ１が備えていた、第１容量分布計算部１５、第１容量分布補正部１６、第２容量分布記憶部１７、タッチ認識部１８、および入力位置計算部１９は、ＣＰＵ３１０に設けられてもよい。
【０２７５】
この場合、タッチパネルコントローラ１は、デジタル化された線形和信号を、ＡＤ変換器１３から、ＣＰＵ３１０に設けられた第１容量分布計算部１５に与える。
【０２７６】
そして、ＣＰＵ３１０は、第１容量分布計算部１５、第１容量分布補正部１６、第２容量分布記憶部１７、タッチ認識部１８、および入力位置計算部１９のそれぞれにおいて、実施形態１と同様の処理を行う。
【０２７７】
なお、実施形態１のタッチセンサシステム１００に替えて、実施形態２〜６のタッチセンサシステム２００〜６００のいずれか１つを、携帯電話機３０００に備えてもよい。
【０２７８】
本実施形態において、タッチセンサシステム１００を備えた電子機器の一例としての携帯電話機３０００は、カメラ付き携帯電話機またはスマートフォン等であるが、タッチセンサシステム１００を備えた電子機器はこれらに限定されない。例えば、タブレット等の携帯端末装置、または、ＰＣモニタ、サイネージ、電子黒板、インフォメーションディスプレイ等の情報処理装置もまた、タッチセンサシステム１００を備えた電子機器に含まれる。
【０２７９】
〔実施形態８〕
携帯電話機３０００の制御ブロック（特にＣＰＵ３１０）は、集積回路（ＩＣチップ）等に形成された論理回路（ハードウェア）によって実現してもよいし、ＣＰＵを用いてソフトウェアによって実現してもよい。
【０２８０】
後者の場合、携帯電話機３０００は、各機能を実現するソフトウェアであるプログラムの命令を実行するＣＰＵ、上記プログラムおよび各種データがコンピュータ（またはＣＰＵ）で読み取り可能に記録されたＲＯＭまたは記憶装置（これらを「記録媒体」と称する）、上記プログラムを展開するＲＡＭ等を備えている。そして、コンピュータ（またはＣＰＵ）が上記プログラムを上記記録媒体から読み取って実行することにより、本発明の目的が達成される。上記記録媒体としては、「一時的でない有形の媒体」、例えば、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブルな論理回路等を用いることができる。また、上記プログラムは、該プログラムを伝送可能な任意の伝送媒体（通信ネットワークまたは放送波等）を介して上記コンピュータに供給されてもよい。なお、本発明は、上記プログラムが電子的な伝送によって具現化された、搬送波に埋め込まれたデータ信号の形態でも実現され得る。
【０２８１】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係るタッチパネルコントローラ（１）は、ｍ本のセンスライン（ＶＬ１〜ＶＬｍ）とｎ本のドライブライン（ＨＬ１〜ＨＬｎ）との交点に（ｍおよびｎは、いずれも３以上の整数）、複数の信号値がマトリクス状に形成されたタッチパネル（１０）における、上記信号値の分布を示す第１信号値マップ（例えば、第１静電容量マップＭＡＰ１）を出力する第１信号値マップ生成部（第１容量分布計算部１５）と、上記信号値に基づき、上記タッチパネルへの入力を検出するタッチ認識部（１８）と、を備えたタッチパネルコントローラであって、上記タッチパネルコントローラは、上記第１信号値マップ内において、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる範囲よりも、さらに広い範囲である領域（Ａ）を設定し、上記領域において、タッチパネルへの入力操作とは異なる外的要因に起因する信号値の変化を相殺する補正計算を行うことによって生成した第２信号値マップ（例えば、第２静電容量マップＭＡＰ２）を、上記タッチ認識部へ与える第２信号値マップ生成部（第１容量分布補正部）を、さらに備えている。
【０２８２】
上記の構成によれば、タッチパネルコントローラにおいて、第２信号値マップ生成部は、第１静電容量マップにおいて生成された第１信号値マップに対する補正計算を行う。
【０２８３】
すなわち、第２信号値マップ生成部は、第１信号値マップ内における補正計算を行うべき領域Ａとして、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる範囲よりも、さらに広い範囲を設定する。そして、領域Ａにおいて、タッチパネルへの入力操作とは異なる外的要因に起因する信号値の変化を相殺する補正計算を行うことによって、第２信号値マップを生成する。
【０２８４】
そして、タッチ認識部には、第２信号値マップ生成部から、第２信号値マップが与えられる。従って、タッチ認識部は、信号値の分布を示す第２信号値マップを用いて、タッチパネルへの入力を検出することができる。
【０２８５】
従って、タッチパネルの撓み等による外的要因により、第１信号値マップが影響を受けている場合であっても、補正計算が施された第２信号値マップを用いることによって、外的要因の影響を排除し、タッチパネルへの入力を検出することが可能となる。
【０２８６】
また、本発明の態様２に係るタッチパネルコントローラは、上記態様１において、上記領域は、矩形として表され、上記センスラインが配置された方向を上下方向とし、かつ、上記ドライブラインが配置された方向を左右方向として、上記第２信号値マップ生成部は、上記領域における上記信号値の平均値Ｃｍと、上記領域における上下方向の上記信号値の変化量を表す上下傾斜αと、上記領域における左右方向の上記信号値の変化量を表す左右傾斜βと、を用いて補正計算を行ってもよい。
【０２８７】
上記の構成によれば、第２信号値マップ生成部における補正計算は、矩形の領域Ａにおける信号値の平均値Ｃｍに加え、上下傾斜αと、左右傾斜βとを用いて行われる。
【０２８８】
従って、図２０の（ｄ）に示されるように、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる位置の近傍では、信号値が大きい値として保持される一方で、タッチパネルへの入力操作に起因する信号値の変化が生じる位置から離れた位置では、信号値が小さい値となるように、補正計算が行われる。それゆえ、外的要因の影響を有効に排除する補正計算が可能となる。
【０２８９】
また、本発明の態様３に係るタッチパネルコントローラは、上記態様１または２において、上記第１信号値マップは、ｍ行ｎ列の行列Ｃによって表され、上記第２信号値マップ生成部は、領域設定部（１６１）と、平均値算出部（１６２）と、傾斜算出部（１６３）と、補正計算部（１６４）と、を備え、上記領域設定部は、上記行列ＣのＸ行Ｙ列目（１＜Ｘ＜ｍ、１＜Ｙ＜ｎ）の成分Ｃ［Ｘ］［Ｙ］に対応する上記第１信号値マップ上の点（Ｘ，Ｙ）に対して、４つの点（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）を頂点とする矩形によって、上記領域を設定し（Ｌ、Ｒ、Ｕ、およびＤは、いずれも１以上の整数）、上記平均値算出部は、上記領域における上記信号値の分布を示す（Ｌ＋Ｒ＋１）行（Ｄ＋Ｕ＋１）列の行列Ｃ１における、（ｉ）全成分の平均値Ｃｍ、（ｉｉ）最上行からＫｕ行の行方向の各成分の平均値Ｃｕ、（ｉｉｉ）最下列からＫｄ列の行方向の各成分の平均値Ｃｄ、（ｉｖ）最左列からＫｌ列の列方向の各成分の平均値Ｃｌ、（ｖ）最右列からＫｒ列の列方向の各成分の平均値Ｃｒを算出し（Ｋｕ、Ｋｄ、Ｋｌ、およびＫｒは、いずれも１以上の整数）、上記傾斜算出部は、
α＝（Ｃｕ−Ｃｄ）／｛（Ｕ−（Ｋｕ−１））＋（Ｄ−（Ｋｄ−１））｝
β＝（Ｃｌ−Ｃｒ）／｛（Ｌ−（Ｋｌ−１））＋（Ｒ−（Ｋｒ−１））｝
によって、上下傾斜αおよび左右傾斜βを算出し、
上記補正計算部は、
Ｃ２［ｉ］［ｊ］＝Ｃ１［ｉ］［ｊ］−Ｃｍ＋ｊ×α＋ｉ×β
（但し、−Ｌ≦ｉ≦Ｒ、−Ｕ≦ｊ≦Ｄ）
によって、上記第２信号値マップを表す行列Ｃ２を算出してもよい。
【０２９０】
上記の構成によれば、タッチパネルコントローラにおいて、領域設定部は、第１信号値マップＭＡＰ１を表す行列ＣのＸ行Ｙ列目（１＜Ｘ＜ｍ、１＜Ｙ＜ｎ）の成分Ｃ［Ｘ］［Ｙ］に対応する上記第１信号値マップＭＡＰ１上の点（Ｘ，Ｙ）に対して、原点（０，０）とは異なる４つの点（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｄ）、（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）を頂点とする矩形によって、領域Ａを設定する。
【０２９１】
ここで、Ｌ、Ｒ、Ｕ、およびＤは、外的要因エリアパラメータと呼称され、いずれも１以上の整数である。これらの外的要因エリアパラメータは、領域Ａが、タッチパネルに対する入力操作によって信号値の変化が生じる範囲よりも、さらに広い範囲となるように、適宜設定されることが好ましい。
【０２９２】
平均値算出部は、領域Ａにおける上記信号値の分布を示す（Ｌ＋Ｒ＋１）行（Ｄ＋Ｕ＋１）列の行列Ｃ１において、上述の式（１）によって、平均値Ｃｍを算出する。そして、平均値算出部は、上述の式（１６）〜（１９）によって、平均値Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、およびＣｒを算出する。なお、特にＫｕ＝Ｋｄ＝Ｋｌ＝Ｋｒ＝１の場合には、上述の式（２）〜（５）によって、平均値Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、およびＣｒが算出される。
【０２９３】
傾斜算出部は、上述の式（２０）および式（２１）によって、Ｃｍ、Ｃｕ、Ｃｄ、Ｃｌ、およびＣｒの値を用いて、上下傾斜αおよび左右傾斜βを算出する。なお、特にＫｕ＝Ｋｄ＝Ｋｌ＝Ｋｒ＝１の場合には、上述の式（６）および（７）によって、上下傾斜αおよび左右傾斜βが算出される。
【０２９４】
補正計算部は、上述の式（８）によって、第２信号値マップＭＡＰ２を表す行列Ｃ２を算出する。すなわち、補正計算部によって行列Ｃ１が補正された結果として、行列Ｃ２が得られる。
【０２９５】
従って、タッチパネルの撓み等による外的要因により、第１信号値マップが影響を受けている場合であっても、補正計算が施された第２信号値マップを用いることによって、外的要因の影響を排除し、タッチパネルへの入力を検出することが可能となる。
【０２９６】
また、本発明の態様４に係るタッチパネルコントローラは、上記態様３において、上記領域設定部は、上記第１信号値マップにおける極大値が存在する点の付近に、上記第１信号値マップ上の点（Ｘ，Ｙ）を設定してもよい。
【０２９７】
一般的に、タッチパネルへの入力が行われた位置の付近に、タッチパネルに分布している信号値の極大値が生じることが期待される。従って、上記の構成によれば、タッチパネルへの入力が行われた位置の付近における補正計算を行うことが可能となる。
【０２９８】
また、本発明の態様５に係るタッチパネルコントローラは、上記態様４において、上記第２信号値マップ生成部は、上記行列Ｃの各成分に対応する、（ｍ×ｎ）個の上記第２信号値マップをそれぞれ生成してもよい。
【０２９９】
上記の構成によれば、第２信号値マップ生成部により、タッチパネルに分布している（ｍ×ｎ）個の信号値のそれぞれに対応する第２信号値マップが生成される。従って、タッチパネルにおける複数の位置に、それぞれ入力が与えられた場合においても、各入力位置の付近において、個別に補正計算を行うことが可能となる。
【０３００】
また、本発明の態様６に係るタッチパネルコントローラは、上記態様３から５のいずれか１つにおいて、上記第２信号値マップ生成部は、倍率設定部（２６５）をさらに備え、上記倍率設定部は、上記平均値Ｃｍ、上記上下傾斜α、および上記左右傾斜βのそれぞれを、所定の補正倍率（Ｋ）を乗算した値に更新してもよい。
【０３０１】
上記の構成によれば、補正計算部は、上述の式（１５）によって、第２信号値マップＭＡＰ２を表す行列Ｃ２を算出する。従って、倍率設定部を設けることによって、補正倍率Ｋを用いて、信号値の補正量を調整することが可能となる。
【０３０２】
また、本発明の態様７に係るタッチパネルコントローラは、上記態様３から６のいずれか１つにおいて、上記第２信号値マップ生成部は、補正要否判定部（３６５）をさらに備え、上記補正要否判定部は、上記行列Ｃ１において、所定の判定値（Ｖ）よりも大きい信号値を有する成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］を特定し、上記補正計算部は、上記補正要否判定部において特定された成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］に対して、上記行列Ｃ２の成分Ｃ２［ｉ］［ｊ］を算出してもよい。
【０３０３】
上記の構成によれば、補正計算部は、判定値Ｖよりも大きい信号値を有する成分Ｃ１［ｉ］［ｊ］に対してのみ、上述の式（８）または式（１５）による補正計算を行うことができる。
【０３０４】
従って、タッチパネルへの入力が行われた場合に生じる信号値の大きさに比べて、十分小さい量を除外できる程度の値として、判定値Ｖを設定することにより、補正計算部における処理に必要とされるメモリ容量を低減することができる。
【０３０５】
また、本発明の態様８に係るタッチパネルコントローラは、上記態様３から７のいずれか１つにおいて、上記第２信号値マップ生成部は、差分計算部（６６５）をさらに備え、上記差分計算部は、上記第１信号値マップを表す上記行列Ｃに差分計算を施すことによって生成した差分行列（Ｃｄｉｆ）を、上記領域設定部に与えてもよい。
【０３０６】
上記の構成によれば、第２信号値マップ生成部は、第１信号値マップＭＡＰ１を表す行列Ｃから生成された差分行列Ｃｄｉｆに対する、補正計算を行うことができる。なお、差分計算部は、上述の式（２２）に示された差分計算によって、行列Ｃから差分行列Ｃｄｉｆを生成する。
【０３０７】
一般的に、差分行列Ｃｄｉｆは、行列Ｃに比べて、静電容量分布における静電容量値の変化の度合いを、さらに詳細に表していると理解される。従って、差分行列Ｃｄｉｆに対する補正計算を行うことによって、行列Ｃに対する補正計算に比べて、さらに高精度な補正計算を行うことが可能となる。
【０３０８】
また、本発明の態様９に係るタッチパネルコントローラは、上記態様８において、上記第２信号値マップ生成部は、積分計算部（６６６）をさらに備え、上記積分計算部は、上記差分行列を上記行列Ｃに復元するための積分計算を行ってもよい。
【０３０９】
上記の構成によれば、積分計算部は、上記差分行列Ｃｄｉｆを上記行列Ｃに復元するための積分計算、すなわち、上述の式（２３）に示された積分計算を行う。
【０３１０】
従って、積分計算部を設けることによって、差分行列Ｃｄｉｆに対する補正計算の結果として得られた行列を、差分計算が施されていない行列Ｃと同様の補正後の行列として、復元することが可能となる。
【０３１１】
また、本発明の態様１０に係るタッチパネルコントローラは、上記態様１から９のいずれか１つにおいて、上記信号値が、静電容量値であってもよい。
【０３１２】
上記の構成によれば、本発明を静電容量方式のタッチパネルに適用することが可能となる。
【０３１３】
また、本発明の態様１１に係るタッチセンサシステムは、上記態様１から１０のいずれか１つに係るタッチパネルコントローラと、複数の信号値がマトリクス状に分布したタッチパネルと、を備えていてもよい。
【０３１４】
また、本発明の態様１２に係る電子機器は、上記態様１１に係るタッチセンサシステムを含んでいてもよい。
【０３１５】
また、上記態様１２に係る電子機器は、コンピュータによって実現してもよく、この場合には、コンピュータを上記電子機器が備える各部として動作させることにより上記電子機器をコンピュータにて実現させる電子機器の制御プログラム、およびそれを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体も、本発明の範疇に入る。
【０３１６】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【０３１７】
なお、本発明は、以下のようにも表現できる。
【０３１８】
すなわち、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムは、マトリクス状に配置された複数のセンサからなるタッチパネルと、上記タッチパネルで検出した信号により、第１の容量分布を作成する容量分布計算部と、第１の容量分布から、上記タッチパネルに接触する物体の応力により発生する容量変化を補正して、第２の容量分布を作成する、容量分布補正部と、第２の容量分布を使用して、タッチ認識を行う、タッチ認識部と、を備えている。
【０３１９】
また、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムは、マトリクス状に配置された複数のセンサからなるタッチパネルと、上記タッチパネルで検出した信号により、（ｍ×ｎ）の第１の容量分布を作成する容量分布計算部（ｍ、ｎは、３以上の整数）と、第１の容量分布から着目点座標（Ｘ，Ｙ）を選択し（Ｘ、Ｙは、１＜Ｘ＜ｍ、かつ、１＜Ｙ＜ｎの整数）、座標ＬＤ（Ｘ−Ｌ，Ｙ−Ｄ）、ＬＵ（Ｘ−Ｌ，Ｙ＋Ｕ）、ＲＵ（Ｘ＋Ｒ，Ｙ＋Ｕ）、ＲＤ（Ｘ＋Ｒ，Ｙ−Ｕ）により、外的要因エリアを選択し（Ｕ，Ｄ，Ｌ，Ｒは、１以上の整数）、上記外的要因エリアに含まれる全センサが計測する容量値の平均である領域平均値を算出し、上記外的要因エリアの最上行から上辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最下行から下辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最左列から左辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最右列から右辺平均値を算出し、
（上辺平均−下辺平均）／（Ｕ＋Ｄ）により上下傾斜を算出し、
（左辺平均−右辺平均）／（Ｌ＋Ｒ）により左右傾斜を算出し、
上記着目点を０とし、着目点からｙ方向に１つ離れると＋１され、−ｙ方向に１つ離れると−１される上下位置補正係数を設定し、上記着目点を０とし、着目点からｘ方向に１つ離れると＋１され、−ｘ方向に１つ離れると−１される左右位置補正係数を設定し、上記外的要因エリアの各座標点のセンサで測定された元の容量値に対して、
元の容量値＋（上下傾斜×上下位置補正係数）＋（左右傾斜×左右位置補正係数）−（領域全体の平均値）
により補正後の容量値を算出し、上記着目点に対する第２の容量分布を作成する、容量分布補正部と、第２の容量分布を使用して、タッチ認識を行う、タッチ認識部と、を備えている。
【０３２０】
また、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムにおいて、上記容量分布補正部は、上記左右位置補正係数および上下位置補正係数に一定係数を乗算して、補正後の容量値を算出する。
【０３２１】
また、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムにおいて、上記容量分布補正部は、上記外的要因エリアの最上行からＫ行にて上辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最下行からＫ行にて下辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最左列からＫ列にて左辺平均値を算出し、上記外的要因エリアの最右列からＫ列にて右辺平均値を算出し（Ｋは１以上の整数）、
（上辺平均−下辺平均）／｛（Ｕ−（Ｋ−１））＋（Ｄ−（Ｋ−１））｝により上下傾斜を算出し、
（左辺平均-右辺平均）／｛（Ｌ−（Ｋ−１））＋（Ｒ−（Ｋ−１））｝により左右傾斜を算出する。
【０３２２】
また、本発明の一態様に係るタッチセンサシステムにおいて、第１の容量分布の値は、センサからの信号を加工した値である。
【産業上の利用可能性】
【０３２３】
本発明は、タッチパネルコントローラ、ならびに、タッチパネルコントローラを備えたタッチセンサシステムおよび電子機器に利用することができる。
【符号の説明】
【０３２４】
１，２，３，４，５，６  タッチパネルコントローラ
１５  第１容量分布計算部（第１信号値マップ生成部）
１６，２６，３６，５６，６６  第１容量分布補正部（第２信号値マップ生成部）
１８  タッチ認識部
１００，２００，３００，４００，５００，６００  タッチセンサシステム
１６１  領域設定部
１６２，５６２  平均値算出部
１６３，５６３  傾斜算出部
１６４  補正計算部
２６５  倍率設定部
３６５  補正要否判定部
６６５  差分計算部
６６６  積分計算部
３０００  携帯電話機（電子機器）
Ｃ１，１〜Ｃｍ，ｎ  静電容量（信号値）
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２  行列（静電容量分布を表す行列）
ＶＬ１〜ＶＬｍ  センスライン
ｎ  整数（センスラインの本数を示す整数）
ＨＬ１〜ＨＬｎ  ドライブライン
ｍ  整数（ドライブラインの本数を示す整数）
Ａ  領域（補正計算を行うべき領域）
ＭＡＰ１  第１静電容量マップ（第１信号値マップ）
ＭＡＰ２  第２静電容量マップ（第２信号値マップ）
Ｋ  補正倍率
Ｖ  判定値
Ｌ，Ｒ，Ｕ，Ｄ  外的要因エリアパラメータ
α  上下傾斜
β  左右傾斜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0005969135.tif 000006
【図６】
0005969135.tif 000007
【図７】
0005969135.tif 000008
【図９】
0005969135.tif 000009
【図１１】
0005969135.tif 000010
【図１３】
0005969135.tif 000011
【図１４】
0005969135.tif 000012
【図１６】
0005969135.tif 000013
【図１７】
0005969135.tif 000014
【図１８】
0005969135.tif 000015
【図１９】
0005969135.tif 000016
【図２３】
0005969135.tif 000017
【図２４】
0005969135.tif 000018
【図２５】
0005969135.tif 000019
【図２６】
0005969135.tif 000020
【図２７】
0005969135.tif 000021
【図２８】
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【図３０】
0005969135.tif 000023
【図３１】
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【図３２】
0005969135.tif 000025
【図３３】
0005969135.tif 000026
【図３５】
0005969135.tif 000027
【図３６】
0005969135.tif 000028
【図３７】
0005969135.tif 000029
【図３８】
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【図３９】
0005969135.tif 000031
【図４０】
0005969135.tif 000032
【図４１】
0005969135.tif 000033
【図４２】
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【図４３】
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【図４５】
0005969135.tif 000036
【図４６】
0005969135.tif 000037
【図４８】
0005969135.tif 000038
【図８】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１５】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２９】
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【図３４】
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【図４４】
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【図４７】
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【図４９】
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