(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流が流れる被測定電流路と、
前記被測定電流路と平行に配置された近隣側平行区間部を有する近隣電流路と、
被測定電流路に前記被測定電流が流れたときに発生する磁界を検出する第１磁気センサ及び第２磁気センサと、
外部磁界の影響を低減するための磁気部材と、を備えた電流センサであって、
前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサは、前記近隣側平行区間部と平行に配置された前記被測定電流路の被測定側平行区間部を挟んで配設され、
前記第１磁気センサと前記第２磁気センサとで挟まれる位置の前記被測定側平行区間部に流れる電流の方向をＸ１方向とし、
前記被測定電流路と前記近隣電流路とを横切る方向をＹ方向とし、
前記第２磁気センサから前記第１磁気センサへ向かう方向をＺ１方向とすると、
前記Ｘ１方向と前記Ｙ方向と前記Ｚ１方向とはそれぞれ直交し、
前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの近傍において、前記近隣電流路の一部が前記Ｚ１方向側に曲がっており、
前記磁気部材が、前記第１磁気センサよりもＺ１方向側のみに設けられていることを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサが受ける磁束のＹ方向成分が均等であることを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの近傍において、前記被測定電流路の一部が前記Ｚ１方向側に曲がっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流が流れたときに発生する磁界を検出して被測定電流路に流れる電流を測定する電流センサに関し、特に、近隣電流路からの磁界の影響による精度低下を抑制できる電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種機器の制御や監視のために、各種機器に取り付けて各種機器に流れる被測定電流を測定する電流センサが一般に用いられている。この種の電流センサとして、被測定電流路に流れる被測定電流から生じる磁界を感知する、磁気抵抗効果素子やホール素子等の磁電変換素子を用いた磁気センサを備えた電流センサが良く知られている。【０００３】
上述した電流センサとして、特許文献１（従来例）では、図１４に示すような電流測定装置（電流センサ）９００が提案されている。図１４は、従来例による電流測定装置９００の測定原理を示す図であって、図１４Ａは、電流測定装置９００の構成を示す説明図であり、図１４Ｂは、電流測定装置９００が１つの導体９０４ａに組み込まれた説明図である。【０００４】
図１４Ａに示す電流測定装置９００は、電流測定対象である導体９０４ａ（図１４Ｂに示す）に流れる電流によって生じる磁場を検知するホール素子９０２ａ及びホール素子９０２ｂ（以下、一対の磁気センサと総称して呼ぶ）と、この一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）の検知出力を処理する信号処理集積回路９０３とを含み、これらがプリント基板９０１に実装された構成をしている。そして、ホール素子９０２ａの感磁面９０２ｐ１及びホール素子９０２ｂの感磁面９０２ｐ２（図１４Ａに示すＺ方向に延びる面）が平板状の導体９０４ａの平面（図１４Ａに示すＸＹ方向の面）に対して略垂直になるように、プリント基板９０１に設けられた凹部９１０を導体９０４ａの一端に組み付けている。このため、導体９０４ａを流れる電流（図１４Ｂに示す矢印Ｘａ）による磁場９０５ａは、一対の磁気センサの感磁面（９０２ｐ１及び９０２ｐ２）にほぼ垂直に入り、この感磁面（９０２ｐ１及び９０２ｐ２）に垂直な法線方向（図１４Ａに示すＹ方向）である、ホール素子９０２ａの感磁方向ＪＤ１（図１４Ａに示すＹ１方向）及びホール素子９０２ｂの感磁方向ＪＤ２（図１４Ａに示すＹ２方向）と一致する。これにより、導体９０４ａに流れる電流によって生じる磁場を検知することができ、信号処理集積回路９０３が、一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）の検知出力を処理して導体９０４ａに流れる電流値を算出するようにしている。【０００５】
また、上述のような位置関係に構成されているので、図１４Ｂに示すように、導体９０４ａに隣接する導体（近隣電流路）９０４ｂを流れる電流（図１４Ｂに示す矢印Ｘｂ）による磁場９０５ｂは、感磁面（９０２ｐ１及び９０２ｐ２）に対してほぼ平行となるため、それによるホール起電力は極めて小さくなるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００６／０９０７６９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）近傍の磁場９０５ｂを詳細に見ると、必ずしも感磁面（９０２ｐ１及び９０２ｐ２）に対して近傍の磁場９０５ｂが平行となっていない。図１５は、従来例における、一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）近傍を示した模式図であって、図１５Ａは、図１４Ｂに示す一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）近傍の磁場９０５ｂを示した拡大平面図であり、図１５Ｂは、従来例の実施例８の構成で一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）近傍の磁場９０５ａ及び磁場９０５ｂを示した図であり、図１５Ｃは、従来例の実施例９の構成（導体（近隣電流路）９０４ｃが追加されている）で一対の磁気センサ（９０２ａ、９０２ｂ）近傍の磁場９０５ａ、磁場９０５ｂ及び磁場９０５ｃを示した図である。図１５Ａに示すように、一方の磁気センサ（ホール素子９０２ａ）に入る磁場９０５ｂは、感磁面９０２ｐ１に対して斜めに入っており、他方の磁気センサ（ホール素子９０２ｂ）に入る磁場９０５ｂは、感磁面９０２ｐ２に対して逆向きの斜めに入っている。【０００８】
特に、ホール素子９０２ａでは、ホール素子９０２ａの感磁方向ＪＤ１と磁場９０５ｂのＹ方向成分の向きとが一致した状態となっているとともに、ホール素子９０２ｂでは、ホール素子９０２ｂの感磁方向ＪＤ２と磁場９０５ｂのＹ方向成分の向きとが、ホール素子９０２ａと同様に一致した状態となっている。つまり、隣接の導体９０４ｂによる磁場９０５ｂの影響は、それぞれの磁気センサ（ホール素子９０２ａ及びホール素子９０２ｂ）の感磁方向（ＪＤ１、ＪＤ２）に対して、同じように与えることになる。このため、一対の磁気センサから得られる検出情報を差動処理しても、この隣接の導体（近隣電流路）９０４ｂによる磁場９０５ｂの影響を排除できなかったという課題があった。【０００９】
また、感磁面（９０２ｐ１及び９０２ｐ２）に対して近傍の磁場９０５ｂ（磁場９０５ｃ）が平行となっていないこの問題を解決するために、図１５Ｂ及び１５Ｃに示すような手段がとられている。しかしながら、自身の磁場９０５ａと近傍の磁場９０５ｂ（磁場９０５ｃ）とに対応して、一対の磁気センサ（ホール素子９０２ａ及びホール素子９０２ｂ）の角度をそれぞれ変更する手段では、手間を要し、実質的に持続可能なことではなかった。【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するもので、近隣電流路からの磁界の影響による測定精度の低下を抑制できる電流センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題を解決するために、本発明の電流センサは、被測定電流が流れる被測定電流路と、前記被測定電流路と平行に配置された近隣側平行区間部を有する近隣電流路と、被測定電流路に前記被測定電流が流れたときに発生する磁界を検出する第１磁気センサ及び第２磁気センサと、外部磁界の影響を低減するための磁気部材と、を備えた電流センサであって、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサが、前記近隣側平行区間部と平行に配置された前記被測定電流路の被測定側平行区間部を挟んで配設され、前記第１磁気センサと前記第２磁気センサとで挟まれる位置の前記被測定側平行区間部に流れる電流の方向をＸ１方向とし、前記被測定電流路と前記近隣電流路とを横切る方向をＹ方向とし、前記第２磁気センサから前記第１磁気センサへ向かう方向をＺ１方向とすると、前記Ｘ１方向と前記Ｙ方向と前記Ｚ１方向とはそれぞれ直交し、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの近傍において、前記近隣電流路の一部が前記Ｚ１方向側に曲がっており、前記磁気部材が、前記第１磁気センサよりもＺ１方向側のみに設けられていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、本発明の電流センサは、近隣電流路の近隣側平行区間部と被測定電流路の被測定側平行区間部とがＸ１方向に平行に配置され、近隣電流路の一部をＺ１方向側に折り曲げたので、被測定側平行区間部における第１磁気センサ及び第２磁気センサの位置において、近隣電流路を流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサの位置及び第２磁気センサの位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサの感度軸方向がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ及び第２磁気センサが受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。このことにより、第１磁気センサ及び第２磁気センサによる差動処理を行い易くすることができる。しかも、磁気部材を第１磁気センサよりもＺ１方向側に設けているので、曲げられた部分の近隣電流路の磁界の影響を強く受ける第１磁気センサに対して、この影響を低減することができる。このため、第１磁気センサ及び第２磁気センサが受ける磁界の強さを同じようにすることができる。これらのことにより、同じ向きで同じ強さの近隣電流路からの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、近隣電流路からの磁界の影響による測定精度の低下を抑制することができる。【００１３】
また、本発明の電流センサは、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサが受ける磁束のＹ方向成分が均等であることを特徴としてい。
【００１５】
また、本発明の電流センサは、前記第１磁気センサ及び前記第２磁気センサの近傍において、前記被測定電流路の一部が前記Ｚ１方向側に曲がっていることを特徴としている。【００１６】
これによれば、被測定電流路の一部をＺ１方向側に折り曲げたので、被測定側平行区間部における第１磁気センサ及び第２磁気センサの位置において、被測定電流路の折り曲げた部分に流れる電流が作る磁束のＹ方向成分の向きがＹ方向になる。このため、第１磁気センサの位置及び第２磁気センサの位置で磁束の向きを同じ方向にすることができ、第１磁気センサ及び第２磁気センサの感度軸方向であるＹ方向の磁束のＹ方向成分を同等にすることができる。このことにより、磁束のＹ方向成分を均等にでき、第１磁気センサ及び第２磁気センサの位置において、差動処理をより行い易くすることができる。以上により、同じ向きで同じ強さの被測定電流路の折り曲げた部分からの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、測定精度の低下をより抑制することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の電流センサは、被測定側平行区間部における第１磁気センサ及び第２磁気センサの位置において、近隣電流路を流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサの位置及び第２磁気センサの位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサの感度軸方向がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ及び第２磁気センサが受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。このことにより、第１磁気センサ及び第２磁気センサによる差動処理を行い易くすることができる。しかも、曲げられた部分の近隣電流路の磁界の影響を強く受ける第１磁気センサに対して、磁気部材により、この影響を低減することができる。このため、第１磁気センサ及び第２磁気センサが受ける磁界の強さを同じようにすることができる。これらのことにより、同じ向きで同じ強さの近隣電流路からの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、近隣電流路からの磁界の影響による測定精度の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態の電流センサを説明する斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図１に示すＺ１側から見た正面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図１に示すＸ１側から見た側面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の電流センサを説明する図であって、シミュレーションに用いたモデル図である。
【図５】本発明の第１実施形態の電流センサを説明する模式図であって、図５Ａは、第１実施形態のモデルのシミュレーション結果を示した図であり、図５Ｂは、比較例のモデルのシミュレーション結果を示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態の電流センサを説明する斜視図である。
【図７】本発明の第２実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図６に示すＺ１側から見た正面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図６に示すＸ１側から見た側面図である。
【図９】本発明の第３実施形態の電流センサを説明する斜視図である。
【図１０】本発明の第３実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図１０Ａは、図９に示すＺ１側から見た正面図であり、図１０Ｂは、図９に示すＺ２側から見た背面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態の電流センサを説明する構成図であって、図９に示すＸ１側から見た側面図である。
【図１２】本発明の電流センサの変形例を説明する構成図であって、図１２Ａは、第１実施形態の電流センサを変えた変形例１の正面図であり、図１２Ｂは、第１実施形態の電流センサを変えた変形例２の側面図である。
【図１３】本発明の電流センサの変形例を説明する構成図であって、図１３Ａは、第２実施形態を変えた変形例３の斜視図であり、図１３Ｂは、第２実施形態を変えた変形例４の斜視図である。
【図１４】従来例による電流測定装置の測定原理を示す図であって、図１４Ａは、電流測定装置の構成を示す説明図であり、図１４Ｂは、電流測定装置が１つの導体に組み込まれた説明図である。
【図１５】従来例における、一対の磁気センサ近傍を示した模式図であって、図１５Ａは、図１４Ｂに示す一対の磁気センサ近傍の磁場を示した拡大平面図であり、図１５Ｂは、従来例の実施例８の構成図であり、図１５Ｃは、従来例の実施例９の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２０】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態の電流センサ１０１を説明する斜視図である。図２は、本発明の第１実施形態の電流センサ１０１を説明する構成図であって、図１に示すＺ１側から見た正面図である。図３は、本発明の第１実施形態の電流センサ１０１を説明する構成図であって、図１に示すＸ１側から見た側面図である。なお、図１ないし図３に示す被測定電流路ＣＢ１及び近隣電流路ＮＢは、その一部をだけを示している。
【００２１】
本発明の第１実施形態の電流センサ１０１は、図１ないし図３に示すように、被測定電流が流れる被測定電流路ＣＢ１と、被測定電流路ＣＢ１と平行に配置された近隣電流路ＮＢと、磁界を検出する第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２と、外部磁界の影響を低減するための磁気部材１５と、を備えて構成される。他に、電流センサ１０１には、第１磁気センサ１１を搭載する第１基板１９Ａと、第２磁気センサ１２を搭載する第２基板１９Ｂと、が設けられている。なお、図示はしていないが、被測定電流路ＣＢ１、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２、磁気部材１５、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを収容する筐体は、必要に応じて用いられる。
【００２２】
被測定電流路ＣＢ１は、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図１及び図３に示すように、被測定電流路ＣＢ１の一部がＬ字状に曲げられて形成されている。また、被測定電流路ＣＢ１には、第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とで挟まれる位置に、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐを有している。
【００２３】
ここで、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐに流れる電流の方向をＸ１方向とすると、図１に示すように、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐはＸ方向に延設されており、Ｘ方向と直交するＺ方向には、第１磁気センサ１１と第２磁気センサ１２とが配設され、Ｘ方向及びＺ方向とそれぞれ直交するＹ方向には、近隣電流路ＮＢが配設されている。なお、第２磁気センサ１２から第１磁気センサ１１へ向かう方向をＺ１方向としている。これにより、被測定電流路ＣＢ１の曲げられた方向は、Ｚ１方向側になり、本発明の第１実施形態では、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐに対して、直角に曲げられている。
【００２４】
近隣電流路ＮＢは、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図１及び図２に示すように、被測定電流路ＣＢ１と平行に配置され、更に、近隣電流路ＮＢの一部もＺ１方向側に向けてＬ字状に曲げられて形成されている。
【００２５】
また、近隣電流路ＮＢには、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐと平行に配置された近隣側平行区間部ＮＢｐを有しており、近隣側平行区間部ＮＢｐに流れる電流の方向もＸ１方向である。また、被測定電流路ＣＢ１と近隣電流路ＮＢとを横切る方向がＹ方向となっている。また、本発明の第１実施形態では、被測定電流路ＣＢ１と同様に、近隣側平行区間部ＮＢｐに対して、直角に曲げられている。なお、図１及び図２の構成図では、被測定電流路ＣＢ１のＹ２側に近隣電流路ＮＢが平行に配設されているが、Ｙ２側に限らず、Ｙ１側でも良いし、Ｙ１側及びＹ２側の両方に近隣電流路ＮＢが平行に配設されていても良い。また、被測定電流路ＣＢ１及び近隣電流路ＮＢの材質に銅（Ｃｕ）を用いたが、これに限定されるものではなく、導電性の良い材質であれば良く、例えばアルミニウム（Ａｌ）等でも良い。
【００２６】
第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、被測定電流路ＣＢ１に被測定電流が流れたときに発生する磁界を検出するセンサであって、例えば、巨大磁気抵抗効果を用いた磁気検出素子（ＧＭＲ(Giant  Magneto  Resistive)素子という）がパッケージングされている。また、前述したが、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、図１及び図３に示すように、近隣側平行区間部ＮＢｐと平行に配置された被測定電流路ＣＢ１の被測定側平行区間部ＣＢ１ｐを挟んで配設されている。更に、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の近傍において、近隣電流路ＮＢの一部がＺ１方向側に曲がる位置になるように、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２を配設している。
【００２７】
また、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、ＧＭＲ素子をシリコン基板上に作製した後、ＧＭＲ素子を切り出してチップを作り、切り出されたＧＭＲ素子のチップと信号の取り出しのためのリード端子（１１ｒ、１２ｒ）とを電気的に接続して、熱硬化性の合成樹脂でパッケージングしている。なお、このＧＭＲ素子が、磁界の変化に応じてＧＭＲ素子における抵抗値が変化する性質を有しているので、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、この抵抗値の変化から被測定電流路ＣＢ１に流れる電流を算出することにより、被測定電流路ＣＢ１に流れる電流を測定することができる。
【００２８】
また、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、リード端子（１１ｒ、１２ｒ）と回路パターン（図示していない）とがはんだ付けされ、図３に示すように、被測定電流路ＣＢ１の被測定側平行区間部ＣＢ１ｐを挟んで対向配設された第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂに搭載されている。そして、被測定電流路ＣＢ１に第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂが配設された際に、第１磁気センサ１１の感度軸方向ＫＤ１は、図２に示すように、被測定電流路ＣＢ１の幅方向と平行な方向（図２では、Ｙ２方向）を向いて配設されているとともに、第２磁気センサ１２の感度軸方向ＫＤ２も、図１に示すように、被測定電流路ＣＢ１の幅方向と平行な方向（図１では、Ｙ２方向）を向いて配設されている。
【００２９】
第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂは、一般に広く知られている片面のプリント配線板を用いており、ガラス入りのエポキシ樹脂のベース基板に、ベース基板上に設けられた銅（Ｃｕ）等の金属箔をパターニングして、回路を構成するための回路パターンを形成している。なお、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂにガラス入りのエポキシ樹脂からなるプリント配線板を用いたが、これに限定されるものではなく、例えばセラミック配線板、フレキシブル配線板でも良い。
【００３０】
磁気部材１５は、透磁率の高い珪素鋼を用い、図１ないし図３に示すように、第１磁気センサ１１よりもＺ１方向側に設けられている。そして、Ｚ１側からの外部磁界の影響を低減している。なお、磁気部材１５の材料として珪素鋼を用いたが、磁気シールド効果を有する材質であれば、これに限るものではない。
【００３１】
ここで、近隣電流路ＮＢに流れる電流から発生する磁界の影響についてシミュレーションを行った。図４は、本発明の第１実施形態の電流センサ１０１を説明する図であって、シミュレーションに用いたモデルＭＤ１の図である。
【００３２】
このシミュレーションに用いたモデルＭＤ１の数値は、図４に示すように、被測定電流路ＣＢ１及び近隣電流路ＮＢ（図示していない）の全体の長さを６０（ｍｍ）、全体の幅Ｗ１を２０（ｍｍ）、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐ及び近隣側平行区間部ＮＢｐの厚みＴ１を２（ｍｍ）とし、長さ３０（ｍｍ）のところで直角に曲げられているようにした。また、被測定電流路ＣＢ１と近隣電流路ＮＢとの間の距離を１０（ｍｍ）とした。また、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２は、被測定電流路ＣＢ１の直角に曲げられた部分から１３（ｍｍ）離れて幅Ｗ１の中央に対向する位置に配設し、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の中心と被測定電流路ＣＢ１との距離Ｄ１をそれぞれ２（ｍｍ）とし、第１磁気センサ１１の中心と磁気部材１５との距離Ｄ２を５（ｍｍ）とした。また、磁気部材１５のサイズは、被測定電流路ＣＢ１の幅Ｗ１と同じ幅の２０（ｍｍ）とし、長さを１０（ｍｍ）、厚みＴ２を０．３（ｍｍ）とした。そして、第１磁気センサ１１が磁気部材１５の中央になるように、磁気部材１５を配設した。なお、図１ないし図３に示す電流センサ１０１は、このモデルＭＤ１を具現化したものであるが、シミュレーションを行うにあたり、近隣電流路ＮＢをＹ１側に配置した。また、図４に示すモデルＭＤ１の図は、図２に示すＸ１側から見た図となっており、説明を容易にするため、紙面の奥側の被測定電流路ＣＢ１は図示していない。
【００３３】
また、比較例についてもシミュレーションを行っており、比較例のモデルは、被測定電流路ＣＢ１及び近隣電流路ＮＢのサイズや第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の配置距離等を同じとし、磁気部材１５を配設していない。更に、被測定電流路ＣＢ１及び近隣電流路ＮＢは、Ｚ１方向側に曲げられておらず、紙面を貫く方向に延設されている。
【００３４】
図５は、本発明の第１実施形態の電流センサを説明する模式図であって、図５Ａは、第１実施形態のモデルＭＤ１のシミュレーション結果ＡＡを示した図であり、図５Ｂは、比較例のモデルのシミュレーション結果ＣＣを示した図である。図５は、近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束の流れを示している。
【００３５】
図５Ａのシミュレーション結果に示すように、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ１１の位置及び第２磁気センサ１２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。
【００３６】
一方、図５Ｂのシミュレーション結果に示すように、被測定側平行区間部ＣＢ１Ｃにおける近隣電流路ＮＢＣを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きが、第１磁気センサ１１Ｃの位置及び第２磁気センサ１２Ｃの位置で同じ方向を向いていない。このため、第１磁気センサ１１Ｃ及び第２磁気センサ１２Ｃの感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）であるＹ方向がＺ方向と直交するので、第１磁気センサ１１Ｃ及び第２磁気センサ１２Ｃが受ける磁束のＹ方向成分が大きくなり、しかも磁束のＹ方向成分が第１磁気センサ１１Ｃと第２磁気センサ１２Ｃとで、異なった値となっている。これにより、第１磁気センサ１１Ｃ及び第２磁気センサ１２Ｃによる差動処理において、大きな誤差の要因となってしまう。
【００３７】
また、図示していない曲げられた部分（紙面の奥側）の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ１１に対して、磁気部材１５により、この影響を低減することができる。
【００３８】
また、本発明の第１実施形態の電流センサ１０１では、被測定電流路ＣＢ１の一部をＺ１方向側に折り曲げているので、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐにおける第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の位置において、被測定電流路ＣＢ１の折り曲げた部分に流れる電流が作る磁束の向きがＹ方向になる。このため、第１磁気センサ１１の位置及び第２磁気センサ１２の位置で磁束の向きを同じ方向にすることができ、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）であるＹ方向の磁束のＹ方向成分を同等にすることができる。
【００３９】
以上のように構成された本発明の第１実施形態の電流センサ１０１における、効果について、以下に説明する。
【００４０】
本発明の電流センサ１０１は、近隣電流路ＮＢの近隣側平行区間部ＮＢｐと被測定電流路ＣＢ１の被測定側平行区間部ＣＢ１ｐとがＸ１方向に平行に配置され、近隣電流路ＮＢの一部をＺ１方向側に折り曲げたので、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ１１の位置及び第２磁気センサ１２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。このことにより、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２による差動処理を行い易くすることができる。しかも、磁気部材１５を第１磁気センサ１１よりもＺ１方向側に設けているので、曲げられた部分の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ１１に対して、この影響を低減することができる。このため、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２が受ける磁界の強さを同じようにすることができる。これらのことにより、同じ向きで同じ強さの近隣電流路ＮＢからの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、近隣電流路ＮＢからの磁界の影響による測定精度の低下を抑制することができる。
【００４１】
また、被測定電流路ＣＢ１の一部をＺ１方向側に折り曲げたので、被測定側平行区間部ＣＢ１ｐにおける第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の位置において、被測定電流路ＣＢ１の折り曲げた部分に流れる電流が作る磁束のＹ方向成分の向きがＹ方向になる。このため、第１磁気センサ１１の位置及び第２磁気センサ１２の位置で磁束の向きを同じ方向にすることができ、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）であるＹ方向の磁束のＹ方向成分を同等にすることができる。このことにより、磁束のＹ方向成分を均等にでき、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２の位置において、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２による差動処理をより行い易くすることができる。以上により、同じ向きで同じ強さの被測定電流路ＣＢ１の折り曲げた部分からの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、測定精度の低下をより抑制することができる。
【００４２】
［第２実施形態］
図６は、本発明の第２実施形態の電流センサ１０２を説明する斜視図である。図７は、本発明の第２実施形態の電流センサ１０２を説明する構成図であって、図６に示すＺ１側から見た正面図である。図８は、本発明の第２実施形態の電流センサ１０２を説明する構成図であって、図６に示すＸ１側から見た側面図である。また、第２実施形態の電流センサ１０２は、第１実施形態に対し、被測定電流路ＣＢ２の形状が異なる。なお、第１実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、図６ないし図８に示す被測定電流路ＣＢ２及び近隣電流路ＮＢは、その一部をだけを示している。
【００４３】
本発明の第２実施形態の電流センサ１０２は、図６ないし図８に示すように、被測定電流が流れる被測定電流路ＣＢ２と、被測定電流路ＣＢ２と平行に配置された近隣電流路ＮＢと、磁界を検出する第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２と、外部磁界の影響を低減するための磁気部材２５と、を備えて構成される。他に、電流センサ１０２には、第１磁気センサ１１を搭載する第１基板１９Ａと、第２磁気センサ１２を搭載する第２基板１９Ｂと、が設けられている。なお、図示はしていないが、被測定電流路ＣＢ２、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２、磁気部材２５、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを収容する筐体は、必要に応じて用いられる。
【００４４】
被測定電流路ＣＢ２は、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図６ないし図８に示すように、Ｘ方向に延設して形成されている。また、被測定電流路ＣＢ２には、第１磁気センサ２１と第２磁気センサ２２とで挟まれる位置に、被測定側平行区間部ＣＢ２ｐを有している。そして、被測定側平行区間部ＣＢ２ｐに流れる電流の向きは、Ｘ２側からＸ１方向に向けた向きになっている。
【００４５】
近隣電流路ＮＢは、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図６ないし図８に示すように、被測定電流路ＣＢ２と平行に配置され、更に、近隣電流路ＮＢの一部は、Ｚ１方向側に向けてＬ字状に曲げられて形成されている。
【００４６】
また、近隣電流路ＮＢには、被測定側平行区間部ＣＢ２ｐと平行に配置された近隣側平行区間部ＮＢｐを有しており、近隣側平行区間部ＮＢｐに流れる電流の方向もＸ１方向である。また、被測定電流路ＣＢ２と近隣電流路ＮＢとを横切る方向がＹ方向となっている。また、本発明の第２実施形態では、近隣側平行区間部ＮＢｐに対して、直角に曲げられている。なお、図６及び図７の構成図では、被測定電流路ＣＢ２のＹ２側に近隣電流路ＮＢが平行に配設されているが、Ｙ２側に限らず、Ｙ１側でも良いし、Ｙ１側及びＹ２側の両方に近隣電流路ＮＢが平行に配設されていても良い。また、被測定電流路ＣＢ２及び近隣電流路ＮＢの材質に銅（Ｃｕ）を用いたが、これに限定されるものではなく、導電性の良い材質であれば良く、例えばアルミニウム（Ａｌ）等でも良い。
【００４７】
第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２は、被測定電流路ＣＢ２に被測定電流が流れたときに発生する磁界を検出するセンサであって、例えば、磁気抵抗効果を用いた磁気検出素子（ＭＲ(Magneto Resistive)素子という）がパッケージングされている。
【００４８】
また、前述したが、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２は、図６及び図８に示すように、近隣側平行区間部ＮＢｐと平行に配置された被測定電流路ＣＢ２の被測定側平行区間部ＣＢ２ｐを挟んで配設されている。更に、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の近傍において、近隣電流路ＮＢの一部がＺ１方向側に曲がる位置になるように、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２を配設している。第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の配設は、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２のそれぞれを第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂに搭載して、この第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを被測定電流路ＣＢ２の被測定側平行区間部ＣＢ２ｐに当接させて配置することにより、容易に達成できる。
【００４９】
磁気部材２５は、ＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）等の合成樹脂に扁平状の磁性粉末を分散させて、射出成形等により成形した板状のものを用い、図６ないし図８に示すように、第１磁気センサ２１よりもＺ１方向側に設けられている。そして、Ｚ１側からの外部磁界の影響を低減している。なお、磁気部材２５の材料として合成樹脂に扁平状の磁性粉末を分散させたものを用いたが、磁気シールド効果を有する材質であれば、これに限るものではない。
【００５０】
以上のように構成された電流センサ１０２は、第１実施形態の電流センサ１０１の図５Ａに示すシミュレーション結果ＡＡと同様に、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ２ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ２１の位置及び第２磁気センサ２２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。
【００５１】
また、図示していない曲げられた部分（紙面の奥側）の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ２１に対して、磁気部材２５により、この影響を低減することができる。
【００５２】
以上のように構成された本発明の第２実施形態の電流センサ１０２における、効果について、以下に説明する。
【００５３】
本発明の電流センサ１０２は、近隣電流路ＮＢの近隣側平行区間部ＮＢｐと被測定電流路ＣＢ２の被測定側平行区間部ＣＢ２ｐとがＸ１方向に平行に配置され、近隣電流路ＮＢの一部をＺ１方向側に折り曲げたので、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ２ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ２１の位置及び第２磁気センサ２２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。このことにより、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２による差動処理を行い易くすることができる。しかも、磁気部材２５を第１磁気センサ２１よりもＺ１方向側に設けているので、曲げられた部分の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ２１に対して、この影響を低減することができる。このため、第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２が受ける磁界の強さを同じようにすることができる。これらのことにより、同じ向きで同じ強さの近隣電流路ＮＢからの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、近隣電流路ＮＢからの磁界の影響による測定精度の低下を抑制することができる。
【００５４】
［第３実施形態］
図９は、本発明の第３実施形態の電流センサ１０３を説明する斜視図である。図１０は、本発明の第３実施形態の電流センサ１０３を説明する構成図であって、図１０Ａは、図９に示すＺ１側から見た正面図であり、図１０Ｂは、図９に示すＺ２側から見た背面図である。図１１は、本発明の第３実施形態の電流センサ１０３を説明する構成図であって、図９に示すＸ１側から見た側面図である。また、第３実施形態の電流センサ１０３は、第１実施形態に対し、被測定電流路ＣＢ３の形状が異なることと、磁気部材３５の構成が異なる。なお、第１実施形態と同一構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。また、図９ないし図１１に示す被測定電流路ＣＢ３及び近隣電流路ＮＢは、その一部をだけを示している。
【００５５】
本発明の第３実施形態の電流センサ１０３は、図９ないし図１１に示すように、被測定電流が流れる被測定電流路ＣＢ３と、被測定電流路ＣＢ３と平行に配置された近隣電流路ＮＢと、磁界を検出する第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２と、外部磁界の影響を低減するための磁気部材３５と、を備えて構成される。他に、電流センサ１０３には、第１磁気センサ３１を搭載する第１基板１９Ａと、第２磁気センサ３２を搭載する第２基板１９Ｂと、が設けられている。なお、図示はしていないが、被測定電流路ＣＢ３、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２、磁気部材３５、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを収容する筐体は、必要に応じて用いられる。
【００５６】
被測定電流路ＣＢ３は、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図９ないし図１１に示すように、Ｘ方向に延設して形成されている。また、被測定電流路ＣＢ３には、第１磁気センサ３１と第２磁気センサ３２とで挟まれる位置に、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐを有している。
【００５７】
ここで、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐに流れる電流の方向をＸ１方向とすると、図９に示すように、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐはＸ方向に延設されており、Ｘ方向と直交するＺ方向に第１磁気センサ３１と第２磁気センサ３２とが配設されるようになる。また、Ｘ方向及びＺ方向とそれぞれ直交するＹ方向には、近隣電流路ＮＢが配設されるようになる。なお、第２磁気センサ３２から第１磁気センサ３１へ向かう方向をＺ１方向としている。
【００５８】
近隣電流路ＮＢは、銅（Ｃｕ）等の導電性の良い材質を用い、図９ないし図１１に示すように、被測定電流路ＣＢ３と平行に配置され、更に、近隣電流路ＮＢの一部は、Ｚ１方向側に向けてＬ字状に曲げられて形成されている。
【００５９】
また、近隣電流路ＮＢには、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐと平行に配置された近隣側平行区間部ＮＢｐを有しており、近隣側平行区間部ＮＢｐに流れる電流の方向もＸ１方向である。また、被測定電流路ＣＢ３と近隣電流路ＮＢとを横切る方向がＹ方向となっている。また、本発明の第３実施形態では、近隣側平行区間部ＮＢｐに対して、直角に曲げられている。なお、図９及び図１０の構成図では、被測定電流路ＣＢ３のＹ２側に近隣電流路ＮＢが平行に配設されているが、Ｙ２側に限らず、Ｙ１側でも良いし、Ｙ１側及びＹ２側の両方に近隣電流路ＮＢが平行に配設されていても良い。また、被測定電流路ＣＢ３及び近隣電流路ＮＢの材質に銅（Ｃｕ）を用いたが、これに限定されるものではなく、導電性の良い材質であれば良く、例えばアルミニウム（Ａｌ）等でも良い。
【００６０】
第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２は、被測定電流路ＣＢ３に被測定電流が流れたときに発生する磁界を検出するセンサであって、例えば、磁気抵抗効果を用いた磁気検出素子（ＡＭＲ(Anisotropic  Magneto  Resistive)素子という）がパッケージングされている。
【００６１】
また、前述したが、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２は、図９ないし図１１に示すように、近隣側平行区間部ＮＢｐと平行に配置された被測定電流路ＣＢ３の被測定側平行区間部ＣＢ３ｐを挟んで配設されている。更に、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の近傍において、近隣電流路ＮＢの一部がＺ１方向側に曲がる位置になるように、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２を配設している。第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の配設は、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２のそれぞれを第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂに搭載して、この第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを被測定電流路ＣＢ３の被測定側平行区間部ＣＢ３ｐに当接させて配置することにより、容易に達成できる。
【００６２】
磁気部材３５は、図９ないし図１１に示すように、第１磁気部材３５Ａと第２磁気部材３５Ｂとを有して構成され、第１磁気部材３５Ａは、第１磁気センサ３１よりもＺ１方向側に設けられ、第２磁気部材３５Ｂは、第２磁気センサ３２よりもＺ１方向側と反対のＺ２方向側に設けられている。そして、第１磁気部材３５ＡはＺ１側からの外部磁界の影響を低減しており、第２磁気部材３５ＢはＺ２側からの外部磁界の影響を低減している。
【００６３】
また、第２磁気部材３５Ｂの方が、第１磁気部材３５Ａよりも小さく構成されている。これにより、Ｚ１側からの外部磁界の影響をより低減させる構成としている。
【００６４】
磁気部材３５の作製は、扁平状の磁性粉末を分散させたインクを絶縁基材３５ｋの片面に塗布し、乾燥、硬化させることにより、磁気シールド層３５ｒを形成させて行っている。なお、磁気部材３５の材料として磁気シールド層３５ｒを用いたが、磁気シールド効果を有する材質であれば、これに限るものではない。
【００６５】
以上のように構成された電流センサ１０３は、第１実施形態の電流センサ１０１の図５Ａに示すシミュレーション結果ＡＡと同様に、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ３１の位置及び第２磁気センサ３２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。
【００６６】
また、図示していない曲げられた部分（紙面の奥側）の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ３１に対して、第１磁気部材３５Ａにより、この影響を低減することができる。
【００６７】
以上のように構成された本発明の第３実施形態の電流センサ１０３における、効果について、以下に説明する。
【００６８】
本発明の電流センサ１０３は、近隣電流路ＮＢの近隣側平行区間部ＮＢｐと被測定電流路ＣＢ３の被測定側平行区間部ＣＢ３ｐとがＸ１方向に平行に配置され、近隣電流路ＮＢの一部をＺ１方向側に折り曲げたので、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の位置において、被測定側平行区間部ＣＢ３ｐにおける近隣電流路ＮＢを流れる電流が作る磁束のＺ方向成分の向きを、第１磁気センサ３１の位置及び第２磁気センサ３２の位置で同じ方向にすることができる。このため、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２の感度軸方向（ＫＤ１、ＫＤ２）がＺ方向と直交するＹ方向なので、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２が受ける磁束のＹ方向成分を限りなく小さくでき、しかも磁束のＹ方向成分を均等にできる。このことにより、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２による差動処理を行い易くすることができる。しかも、第１磁気部材３５Ａを第１磁気センサ３１よりもＺ１方向側に設け、第２磁気センサ３２のＺ２方向側に設けた第２磁気部材３５Ｂが第１磁気部材３５Ａよりも小さいので、曲げられた部分の近隣電流路ＮＢの磁界の影響を強く受ける第１磁気センサ３１に対して、この影響を低減することができるとともに、第１磁気センサ３１に受けるＺ１側からの外部磁界の影響と第２磁気センサ３２に受けるＺ２側からの外部磁界の影響とをバランス良く低減することができる。このため、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２が受ける磁界の強さを同じようにすることができる。これらのことにより、同じ向きで同じ強さの近隣電流路ＮＢからの磁界は、差動処理で容易に相殺されるため、近隣電流路ＮＢからの磁界の影響による測定精度の低下を抑制することができる。更に、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２に対して、第１磁気部材３５Ａ及び第２磁気部材３５Ｂをそれぞれ配設したので、第１磁気センサ３１及び第２磁気センサ３２を磁気シールドすることができ、近隣電流路ＮＢ以外からの外部磁界からの影響も小さくすることができる。
【００６９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
【００７０】
図１２は、本発明の電流センサの変形例を説明する構成図であって、図１２Ａは、第１実施形態の電流センサ１０１を変えた変形例１の電流センサＣ１１１の正面図であり、図１２Ｂは、第１実施形態の電流センサ１０１を変えた変形例２の電流センサＣ１２１の側面図である。なお、説明を容易にするため、図１２Ｂに示す磁気部材Ｃ１５と第１基板１９Ｃは、破線で示している。図１３は、本発明の電流センサの変形例を説明する構成図であって、図１３Ａは、第２実施形態の電流センサ１０２を変えた変形例３の電流センサＣ１３２の斜視図であり、図１３Ｂは、第２実施形態の電流センサ１０２を変えた変形例４の電流センサＣ１４２の斜視図である。
【００７１】
＜変形例１＞
上記第１実施形態では、近隣電流路ＮＢには、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２が配設されておらず、被測定電流路ＣＢ１の方のみに、第１磁気センサ１１及び第２磁気センサ１２を配設した構成にした。しかしながら、図１２Ａに示すように、隣り合う電流路（Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４、Ｂ１５）にそれぞれ磁気センサ（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５）を配設する構成にしても良い。なお、図示はしていないが、磁気センサ（Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ１３、Ｍ１４、Ｍ１５）と電流路（Ｂ１１、Ｂ１２、Ｂ１３、Ｂ１４、Ｂ１５）を挟んで対向する位置にも磁気センサ（Ｍ２１、Ｍ２２、Ｍ２３、Ｍ２４、Ｍ２５）が配設されている。
【００７２】
これにより、電流路Ｂ１１を被測定電流路、磁気センサＭ１１を第１磁気センサ、磁気センサＭ２１を第２磁気センサとし、電流路Ｂ１２を近隣電流路と見なすようにする。また、電流路Ｂ１２を被測定電流路、磁気センサＭ１２を第１磁気センサ、磁気センサＭ２２を第２磁気センサとし、電流路Ｂ１１及び電流路Ｂ１３を近隣電流路と見なすようにする。また、電流路Ｂ１３を被測定電流路、磁気センサＭ１３を第１磁気センサ、磁気センサＭ２３を第２磁気センサとし、電流路Ｂ１２及び電流路Ｂ１４を近隣電流路と見なすようにする。以下、電流路Ｂ１４、電流路Ｂ１５についても同様にして見なすようにする。
【００７３】
＜変形例２＞
上記第１実施形態の電流センサ１０１の構成に、第２磁気センサ１２のＺ２側に第２磁気シールドＣ１５Ｂを更に設けた電流センサＣ１２１であっても良い。
【００７４】
＜変形例３＞
上記第２実施形態では、１組の被測定電流路ＣＢ２及び近隣電流路ＮＢで構成したが、これに限らず、図１３Ａに示すように、複数の被測定電流路（ＣＢ２１、ＣＢ２１）と複数の近隣電流路（ＮＢ１、ＮＢ２、ＮＢ３）とを組み合わせた構成でも良い。
【００７５】
＜変形例４＞
上記第２実施形態では、１組の被測定電流路ＣＢ２ａ及び近隣電流路ＮＢａに１組の第１磁気センサ２１及び第２磁気センサ２２を配設した構成としたが、これに限らず、図１３Ｂに示すように、被測定電流路ＣＢ２ａの一方を曲げて、その近傍の近隣電流路ＮＢａに第１磁気センサ（図示していない）及び第２磁気センサ２２ａを配設した構成にしても良い。その際には、その部分の被測定電流路ＣＢ２ａを近隣電流路と見なすようにし、その部分の近隣電流路ＮＢａを被測定電流路と見なすようにする。
【００７６】
また、この組合せは１組に限らず、図１３Ｂに示すように、複数の被測定電流路（ＣＢ２ａ、ＣＢ２ｂ）、複数の近隣電流路（ＮＢａ、ＮＢｂ、ＮＢｃ）、複数の第１磁気センサ（図示していない）及び第２磁気センサ（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を組み合わせた構成でも良い。
【００７７】
＜変形例５＞
上記実施形態では、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂを被測定電流路（ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３）に当接させて配置したが、離して配置させても良い。また、第１磁気センサ（１１、２１、３１）及び第２磁気センサ（１２、２２、３２）が被測定電流路（ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３）に対向するように配置しても良い。
【００７８】
＜変形例６＞
上記実施形態では、第１磁気センサ（１１、２１、３１）及び第２磁気センサ（１２、２２、３２）を熱硬化性の合成樹脂でパッケージングして磁気センサパッケージ（１４、２４、３４）とし、第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂに実装したが、ＧＭＲ素子、ＭＲ素子及びＡＭＲ素子をそのまま第１基板１９Ａ及び第２基板１９Ｂに実装、所謂ベアチップ実装しても良い。
【００７９】
＜変形例７＞
上記実施形態では、近隣電流路ＮＢ或いは被測定電流路ＣＢ１が直角に曲げて構成されていたが、直角に限るものではない。
【００８０】
本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００８１】
１１、２１、３１  第１磁気センサ
１２、２２、３２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ  第２磁気センサ
１５、２５、３５、Ｃ１５  磁気部材
３５Ａ  第１磁気部材
３５Ｂ、Ｃ１５Ｂ  第２磁気部材
ＣＢ１、ＣＢ２、ＣＢ３、ＣＢ２１、ＣＢ２１、ＣＢ２ａ、ＣＢ２ｂ  被測定電流路
ＣＢ１ｐ、ＣＢ２ｐ、ＣＢ３ｐ  被測定側平行区間部
ＮＢ、ＮＢ１、ＮＢ２、ＮＢ３、ＮＢａ、ＮＢｂ、ＮＢｃ  近隣電流路
ＮＢｐ  近隣側平行区間部
１０１、１０２、１０３、Ｃ１１１、Ｃ１２１、Ｃ１３２、Ｃ１４２  電流センサ
【図１】
0006051459.tif 000002
【図２】
0006051459.tif 000003
【図３】
0006051459.tif 000004
【図４】
0006051459.tif 000005
【図５】
0006051459.tif 000006
【図６】
0006051459.tif 000007
【図７】
0006051459.tif 000008
【図８】
0006051459.tif 000009
【図９】
0006051459.tif 000010
【図１０】
0006051459.tif 000011
【図１１】
0006051459.tif 000012
【図１２】
0006051459.tif 000013
【図１３】
0006051459.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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