(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部が伸び縮みする構造体が電子デバイスを挟む間隙を有し、
前記構造体が、引き伸ばされることで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であり、
前記構造体内に冷媒液を流すことを特徴とする、電子デバイスの冷却器。
【請求項２】
前記構造体の一部が伝熱性ゴムであることを特徴とする、請求項１記載の電子デバイスの冷却器。
【請求項３】
一部が伸び縮みする構造体が電子デバイスを挟む間隙を有し、
前記構造体が、引き伸ばされることで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であり、
前記構造体の間隙に配管を挟み、
前記配管が電子デバイスを挟む配管の間隙を有し、
前記構造体が、引き伸ばされることで前記配管の間隙の幅を狭くして、前記配管の間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であることを特徴とする、電子デバイスの冷却器。
【請求項４】
前記構造体の一部がゴムであることを特徴とする、請求項３記載の電子デバイスの冷却器。
【請求項５】
前記配管内に冷媒液を流すことを特徴とする、請求項３乃至４の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
【請求項６】
一部が伸び縮みする構造体の間隙に電子デバイスを挟み、
前記構造体を引き伸ばすことで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却し、
前記構造体内に冷媒液を流すことを特徴とする、電子デバイスの冷却方法。
【請求項７】
前記構造体の間隙に配管を挟み、
前記配管が電子デバイスを挟む配管の間隙を有し、
前記構造体を引き伸ばすことで前記配管の間隙の幅を狭くして、前記配管の間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却することを特徴とする、請求項６記載の電子デバイスの冷却方法。
【請求項８】
前記配管内に冷媒液を流すことを特徴とする、請求項７記載の電子デバイスの冷却方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パソコンやサーバなどに使用するメモリモジュールなどの電子デバイスを冷却するための冷却器およびその冷却方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パソコンやサーバなどの情報機器のＣＰＵのクロック周波数の向上や、これに追従したメモリモジュールのクロック周波数の向上など、電子デバイスでは高速化に伴い発熱量が増大している。一方、特に、パソコンやサーバに使用されるメモリモジュールでは、機器性能を向上させるために、適宜、交換がされる必要がある。
【０００３】
特許文献１には、冷媒液により受熱する冷却装置が開示されている。本装置は冷媒液を使用するため冷却効率が高く、また、ファンなどによる強制送風の必要がないため、コンパクトで静音である。また、特許文献２には、メモリモジュールに直接装着するヒートシンクが開示されている。こちらは、ヒートシンクにより空冷の際の放熱面積を増加させることで冷却効率を高めている。また、このヒートシンクはメモリモジュールへの着脱が容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−４０８８６号公報
【特許文献２】特開２００６−３３９３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
冷媒液により受熱する冷却方式は冷却効率が高く、また、ファンなどによる強制送風の必要がないため、コンパクトで静音である。しかしながら、特許文献１に開示された冷却装置のように、冷媒液により受熱する冷却方式は、電子デバイスから受熱する部品や冷媒液を流す部品など、数々の複雑な部品を組み合わせる必要があった。そのため、特に、メモリモジュールのように着脱を要する電子デバイスの着脱に対しては、容易に対応することが難しかった。
【０００６】
一方で、特許文献２には、メモリモジュールへの着脱が容易な空冷用のヒートシンクが開示されている。しかしながら、このヒートシンクを、冷媒液を用いた冷却装置へ適用することはできなかった。
【０００７】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、冷媒液により受熱する冷却方式を用いて、特に、メモリモジュールのように着脱を要する場合にも容易に対応できる、着脱の容易な電子デバイスの冷却器およびその冷却方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一部が伸び縮みする構造体が電子デバイスを挟む間隙を有し、前記構造体が、引き伸ばされることで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であることを特徴とする、電子デバイスの冷却器である。
【０００９】
一部が伸び縮みする構造体の間隙に電子デバイスを挟み、前記構造体を引き伸ばすことで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する、電子デバイスの冷却方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、冷媒液により受熱する冷却方式を用いて、メモリモジュールのように着脱を要する場合にも容易に対応できる、着脱の容易な電子デバイスの冷却器およびその冷却方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第一の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図２】本発明の第一の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図３】本発明の第一の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図４】本発明の第一の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図５】本発明の第一の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図７】本発明の第二の実施の形態の冷却器の部品を示す図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態の冷却器の部品を示す図である。
【図９】本発明の第二の実施の形態の冷却器の部品を示す図である。
【図１０】本発明の第二の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第二の実施の形態の冷却器の構成を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図を参照しながら、本発明の最良の実施の形態を詳細に説明する。但し、以下に述べる実施の形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい限定がされているが、発明の範囲を以下に限定するものではない。
（第一の実施の形態）
図１は、本発明の第一の実施の形態の電子デバイスの冷却器の構成を示す図である。冷却器１は、二股に分かれた間隙を有するゴムチューブ２と冷媒液の流入配管３と流出配管４とが一体化した構造である。ゴムチューブ２の内部は空洞であり、冷媒液を流すことができる。
【００１３】
図２は、本発明の第一の実施の形態の電子デバイスの冷却器に、メモリモジュールを挿入する構成を示す図である。メモリモジュール５は、二股に分かれたゴムチューブ２の間隙の部分に挿入されようとしている。
【００１４】
図３は、本発明の第一の実施の形態の電子デバイスの冷却器に、メモリモジュールを挿入した構成を示す図である。メモリモジュール５は、二股に分かれたゴムチューブ２の間隙の部分に挿入されている。
【００１５】
図４は、本発明の第一の実施の形態の電子デバイスの冷却器の間隙にメモリモジュールを挿入した後、冷却器１を引張力２０で引き伸ばすことで、ゴムチューブ２の収縮により接触圧力２１を生じ、ゴムチューブ２とメモリモジュール５の十分な熱接触を確保した構成を示す図である。これにより、メモリモジュール５で発生した熱は、冷却器１に効率良く伝達される。
【００１６】
図５は、図４の冷却器１を引張力２０で引き伸ばした状態を、固定具６で固定した構造を示す図である。固定具6は、メモリモジュール５の固定された基板7上に設けられ、冷却器１の冷媒液の流入配管３と流出配管４とを固定し、冷却器１を引張力２０で引き伸ばした状態を固定する。
【００１７】
この状態で冷媒液を流し、メモリモジュール５を冷却する。冷媒液としては、水やアルコールや油を用いることができるが、これに限定されることなく、冷却機能を有する液体であれば使用することができる。
【００１８】
二股に分かれたゴムチューブ２は伝熱性を有する。伝熱性ゴムチューブの材質としては、高熱伝導率のフィラーを配合したゴムを使うことができる。ここで、高熱伝導率のフィラーとしては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムなどを使用することができる。
【００１９】
ゴムとしてはニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムなどを使用することができる。
【００２０】
以上、本発明の第一の実施の形態により、冷却効率の高い冷媒液により受熱する冷却方式を用いて、メモリモジュールの様に着脱を求められる電子デバイスに対しても容易に対応できる、着脱の容易な電子デバイスの冷却器およびその冷却方法を提供することが可能となる。
【００２１】
なお、電子デバイスは、本発明の第一の実施の形態で示したメモリモジュールに限定されない。また、本発明の第一の実施の形態の二股に分かれた間隙を有するゴムチューブ２は、間隙が上側から下側まで貫通した構造を示したが、上側あるいは下側のどちらか一方が塞がれた構造であっても良い。
（第二の実施の形態）
図６は、本発明の第二の実施の形態の電子デバイスの冷却器の構成を示す図である。冷却器１０は、二股に分かれ間隙を有する平板配管１２を、間隙を有するゴムチューブ１１で覆い、固定具１３で平板配管１２とゴムチューブ１１を固定した構造である。冷却器１０を構成する各部品は、図７、図８、図９に示されるとおりである。すなわち、図７は間隙を有するゴムチューブ１１を、図８は間隙を有する平板配管１２を、図９は固定具１３を示す。平板配管１２はある程度の柔軟性を有する。
【００２２】
図１０は、本発明の第二の実施の形態の電子デバイスの冷却器にメモリモジュールを挿入した構成を示す図である。メモリモジュール５は平板配管１２の二股に分かれた間隙の部分に挿入される。
【００２３】
図１１は、本発明の第二の実施の形態のメモリモジュールの冷却器に、メモリモジュールを挿入した後、冷却器１０のゴムチューブ１１を引張力２０で引き伸ばすことで、ゴムチューブ１１の収縮により接触圧力２１を生じ、平板配管１２とメモリモジュール５の十分な熱接触を確保し、さらに、このゴムチューブ１１を引張力２０で引き伸ばした状態を固定具１３で固定した構造を示す図である。平板配管１２は柔軟性を有するため、ゴムチューブ１１の収縮によりメモリモジュール５との接触圧力２１を生じる。これにより、メモリモジュール５で発生した熱は、冷却器１０に効率良く伝達される。
【００２４】
この状態で平板配管１２内に冷媒液を流し、メモリモジュール５を冷却する。冷媒液としては、水やアルコールや油を用いることができるが、これに限定されることなく、冷却機能を有する液体であれば使用することができる。
【００２５】
平板配管１２はある程度の柔軟性を有する。平板配管１２の材質としては、銅や銀やアルミニウムなどの比較的柔らかい金属、あるいは、高熱伝導率のフィラーを配合した樹脂やプラスチックを使うことができる。ここで、フィラーとしては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムなどを使用することができる。
【００２６】
樹脂やプラスチックとしては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂）、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートなどを使用することができる。
【００２７】
二股に分かれ間隙を有するゴムチューブ２は特に伝熱性を必要としない。メモリモジュール５には平板配管１２が接するため、メモリモジュール５で発生した熱は、平板配管１２に伝達され、冷媒液によって冷却される。ゴムチューブ１１の材質としては、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムなどを使用することができる。
【００２８】
以上、本発明の第二の実施の形態により、冷却効率の高い冷媒液により受熱する冷却方式を用いて、メモリモジュールの様に着脱を求められる電子デバイスに対しても容易に対応できる、着脱の容易な電子デバイスの冷却器およびその冷却方法を提供することが可能となる。
【００２９】
なお、電子デバイスは、本発明の第二の実施の形態で示したメモリモジュールに限定されない。また、本発明の第二の実施の形態の二股に分かれた間隙を有するゴムチューブ２は、間隙が上側から下側まで貫通した構造を示したが、上側あるいは下側のどちらか一方が塞がれた構造であっても良い。
【００３０】
また、上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載されうるが、以下には限られない。
（付記）
（付記１）
一部が伸び縮みする構造体が電子デバイスを挟む間隙を有し、
前記構造体が、引き伸ばされることで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であることを特徴とする、電子デバイスの冷却器。
（付記２）
前記構造体内に冷媒液を流すことを特徴とする、付記１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記３）
前記構造体の一部が伝熱性ゴムであることを特徴とする、付記１乃至２の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記４）
前記伝熱性ゴムが、高熱伝導率のフィラーを配合したゴムからなることを特徴とする、付記３記載の電子デバイスの冷却器。
（付記５）
前記高熱伝導率のフィラーが、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記４記載の電子デバイスの冷却器。
（付記６）
前記ゴムが、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記４乃至５の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記７）
前記構造体の間隙に配管を挟み、
前記配管が電子デバイスを挟む配管の間隙を有し、
前記構造体が、引き伸ばされることで前記配管の間隙の幅を狭くして、前記配管の間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する構造体であることを特徴とする、付記１記載の電子デバイスの冷却器。
（付記８）
前記構造体の一部がゴムであることを特徴とする、付記７記載の電子デバイスの冷却器。
（付記９）
前記ゴムが、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記８記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１０）
前記配管内に冷媒液を流すことを特徴とする、付記７乃至９の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１１）
前記配管が柔軟性を有することを特徴とする、付記７乃至１０の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１２）
前記配管が、銅や銀やアルミニウムなどの金属、あるいは、高熱伝導率のフィラーを配合した樹脂やプラスチックからなることを特徴とする、付記７乃至１１の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１３）
前記高熱伝導率のフィラーが、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記１２記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１４）
前記樹脂やプラスチックが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂）、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記１２乃至１３の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１５）
前記冷媒液が、水あるいはアルコールあるいは油であることを特徴とする、付記２あるいは１０記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１６）
前記電子デバイスが、メモリモジュールであることを特徴とする、付記１乃至１５の何れか１項記載の電子デバイスの冷却器。
（付記１７）
一部が伸び縮みする構造体の間隙に電子デバイスを挟み、
前記構造体を引き伸ばすことで前記間隙の幅を狭くして、前記間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却する、電子デバイスの冷却方法。
（付記１８）
前記構造体内に冷媒液を流すことを特徴とする、付記１７項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記１９）
前記構造体の一部が伝熱性ゴムであることを特徴とする、付記１７乃至１８の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２０）
前記伝熱性ゴムが、高熱伝導率のフィラーを配合したゴムからなることを特徴とする、付記１９記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２１）
前記高熱伝導率のフィラーが、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記２０記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２２）
前記ゴムが、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記２０乃至２１の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２３）
前記構造体の間隙に配管を挟み、
前記配管が電子デバイスを挟む配管の間隙を有し、
前記構造体を引き伸ばすことで前記配管の間隙の幅を狭くして、前記配管の間隙に挟まれた前記電子デバイスとの接触圧力を確保することで前記電子デバイスを冷却することを特徴とする、付記１７記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２４）
前記構造体の一部がゴムであることを特徴とする、付記２３記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２５）
前記ゴムが、ニトリルゴム、水素化ニトリルゴム、フッ素ゴム、アクリルゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、エチレンプロピレンゴム、クロロプレンゴム、クロロスルフォン化ポリエチレン、エピクロルヒドリンゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、ブタジエンゴム、多硫化ゴム、ノルボルネンゴムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記２４記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２６）
前記配管内に冷媒液を流すことを特徴とする、付記２３乃至２５の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２７）
前記配管が柔軟性を有することを特徴とする、付記２３乃至２６の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２８）
前記配管が、銅や銀やアルミニウムなどの金属、あるいは、高熱伝導率のフィラーを配合した樹脂やプラスチックからなることを特徴とする、付記２３乃至２７の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記２９）
前記高熱伝導率のフィラーが、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ＳｉＯ2、窒化ホウ素、炭素、銅、銀、アルミニウムから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記２８記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記３０）
前記樹脂やプラスチックが、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ＡＢＳ樹脂（アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂）、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレートから選択されるひとつ以上であることを特徴とする、付記２８乃至２９の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記３１）
前記冷媒液が、水あるいはアルコールあるいは油であることを特徴とする、付記１８あるいは２６記載の電子デバイスの冷却方法。
（付記３２）
前記電子デバイスが、メモリモジュールであることを特徴とする、付記１７至３１の何れか１項記載の電子デバイスの冷却方法。
【符号の説明】
【００３１】
１    冷却器
２    ゴムチューブ
３    流入配管
４    流出配管
５    メモリモジュール
６    固定具
７    基板
１０    冷却器
１１    ゴムチューブ
１２    平板配管
１３    固定具
２０    引張力
２１    接触圧力
【図１】
0005970896.tif 000002
【図２】
0005970896.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0005970896.tif 000008
【図８】
0005970896.tif 000009
【図９】
0005970896.tif 000010
【図１０】
0005970896.tif 000011
【図１１】
0005970896.tif 000012