(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面および第２の面が共に２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から前記第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）を測定する工程と、
第１の面または第２の面の一方が２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から前記第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を測定する工程を有し、
前記第１の半導体基板の厚さと、前記第２の半導体基板の厚さとの平均値を、Ｗとし、
前記第１の半導体基板と前記第２の半導体基板の厚さの差は、前記第１の半導体基板の厚さの１％以下であり、且つ、前記第２の半導体基板の厚さの１％以下であり、
前記一次モードライフタイムτ１（１）、前記一次モードライフタイムτ１（２）および前記Ｗを用い、下記数式により拡散係数Ｄを導出することを特徴とする、半導体基板の解析方法。
【数１】
0005925620.tif 000013
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板として、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンまたはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体基板および前記第２の半導体基板として、厚さが０．５ｍｍ以上である半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された前記第１の半導体基板と、
前記第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方に熱酸化膜が形成された前記第２の半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された前記第１の半導体基板と、
前記第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方に窒化珪素を主成分とする膜、酸化アルミニウムを主成分とする膜またはアモルファスシリコンを主成分とする膜のいずれか一以上が形成された前記第２の半導体基板を用いることを特徴とする、半導体基板の解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体基板の解析方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において「表面再結合速度」という単語が複数用いられているが、当該単語の「表面」という言葉は、半導体基板の表面側，裏面側という意味の表面ではない。このため、意味の混同を避けるため、本明細書では半導体基板の表面側を「第１の面」と記載し、裏面側を「第２の面」と記載する。したがって、半導体基板の表面側の表面再結合速度は「第１の面の表面再結合速度」、裏面側の表面再結合速度は「第２の面の表面再結合速度」と記載する。
【背景技術】
【０００３】
単層構造の半導体基板の解析方法として、μ波光伝導減衰法（以下、μ−ＰＣＤ（μ−ＰＣＤ：Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｄｅｃａｙ）法と略記する）により得られた過剰キャリア密度の時間変化（減衰曲線）から、基板のライフタイム（一次モードライフタイムτ１ともいう）を測定する手法が知られている。（特許文献１参照）。μ−ＰＣＤ法は、マイクロ波の反射率の時間変化から、測定試料の結晶状態を反映するライフタイムを非破壊で測定する方法である。
【０００４】
μ−ＰＣＤ法により求められる半導体基板のライフタイムには、半導体基板中に含まれる不純物や構造欠陥により決まるライフタイム（バルクライフタイムτｂともいう）だけでなく、半導体基板の第１の面や第２の面の状態（例えば、半導体基板の第１の面や第２の面に汚れが付着している、酸化被膜が形成されているなど。）によって決まる成分も含まれている。そこで、半導体基板のより正確なライフタイム（つまり、よりバルクライフタイムτｂに近い値）を求めるために、μ−ＰＣＤのライフタイム測定結果を元に、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτｂを分離評価することが一般的に行われている。なお、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτｂの関係は以下の数式（１）で表される。ここで、Ｗは半導体基板の厚さであり、Ｄは半導体基板中での少数キャリアの拡散定数である。
【０００５】
【数１】
0005925620.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５９−５５０１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
式（１）より、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを求めることは、μ−ＰＣＤのライフタイム測定結果を元に、半導体基板の表面再結合速度Ｓとバルクライフタイムτｂを分離評価するうえで、必要な要素であると言える。
【０００８】
したがって、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることのできる手法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
単層構造の半導体基板の解析方法として用いられるμ−ＰＣＤ法により得られる一次モードライフタイムτ１は、以下の数式（２）で半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄと関係付けて表すことができる。
【００１０】
【数２】
0005925620.tif 000003
【００１１】
上述の数式（２）において、Ｋ１は一次モードキャリアプロファイルの波数である。なお、Ｋ１は以下の数式（３）により表される。
【００１２】
【数３】
0005925620.tif 000004
【００１３】
上述の数式（３）において、Ｓは半導体基板の第１の面の表面再結合速度であり、Ｓ’は半導体基板の第２の面の表面再結合速度である。
【００１４】
上述の数式（２）および数式（３）より、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するためには、一次モードライフタイム測定により得ることのできるτ１および、測定により簡単に得ることのできる半導体基板の厚さＷ以外に、バルクライフタイムτｂ、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’が必要となることが分かる。
【００１５】
そこで、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を、人為的に非常に大きな値や非常に小さな値にすることで、数式（３）を近似的な変形式に変換して用いる発想に至った。例えば、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’の値が非常に大きく、（２πＤ／Ｗ）＜＜Ｓを満たしている半導体基板（以下、第１の半導体基板と略記する。）を用いることで、上述の数式（３）を展開して、数式（３）と近似的に等しい以下の数式（４）が得られる。
【００１６】
【数４】
0005925620.tif 000005
【００１７】
そして、上述の数式（４）を数式（２）に代入することにより、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）を以下の数式（５）により表すことができる。
【００１８】
【数５】
0005925620.tif 000006
【００１９】
しかし、上述の数式（５）を用いて半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するためには、バルクライフタイムτｂが必要であることが分かる。そこで、更に、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓを非常に大きな値、他方の表面再結合速度Ｓ’を非常に小さな値とした半導体基板（以下、第２の半導体基板と略記する。）を用いることで、上述の数式（３）を展開して、数式（３）と近似的に等しい以下の数式（６）を得て、上述の数式（２）に数式（６）を代入して、以下の数式（７）により第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を表した。
【００２０】
【数６】
0005925620.tif 000007
【００２１】
【数７】
0005925620.tif 000008
【００２２】
そして、上述の数式（５）および数式（７）を用いることにより、以下の数式（８）に示すように、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）および半導体基板の厚さＷのみから、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出が可能な式に至った。
【００２３】
【数８】
0005925620.tif 000009
【００２４】
すなわち、本発明の一態様は、第１の面および第２の面が共に２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板に対して、マイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）を測定する工程と、第１の面または第２の面の一方が２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板に対して、マイクロ波を照射し、前記マイクロ波の反射率の時間変化から第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を測定する工程を有し、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）および半導体基板の厚さＷを用い、下記数式（８）より半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出することを特徴とする半導体基板の解析方法である。
【００２５】
【数９】
0005925620.tif 000010
【００２６】
上記解析方法を用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることができる。
【００２７】
なお、上述の半導体基板の解析方法は、第１の半導体基板および第２の半導体基板として、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコンまたはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いた場合において、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に正確に導出することができる。
【００２８】
また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の半導体基板および第２の半導体基板として、厚さが０．３ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である半導体基板を用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄをより正確に導出することができる。
【００２９】
また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の半導体基板と第２の半導体基板の厚さの差が、第１の半導体基板の厚さの１％以下であり、且つ、第２の半導体基板の厚さの１％以下にすることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄをより正確に導出することができる。
【００３０】
また、上述の半導体基板の解析方法において、第１の面および前記第２の面に自然酸化膜が形成された第１の半導体基板と、第１の面または前記第２の面の一方に自然酸化膜が形成され、かつ、他方にケミカルパッシベーション膜が形成された第２の半導体基板を用いることにより、より正確な半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出することができる。
【発明の効果】
【００３１】
第１の面および第２の面が共に２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有する第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）、ならびに、第１の面または第２の面の一方が２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上の表面再結合速度を有し、且つ他方が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下の表面再結合速度を有する第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を測定し、τ１（１）、τ１（２）および半導体基板の厚さＷを用いることにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを簡便に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】半導体基板の解析方法を説明するフローチャート。
【図２】半導体基板の解析方法を説明するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体基板の解析方法の一例について、図１のフローチャートを用いて説明する。
【００３５】
＜ステップ１：半導体基板の準備（図１の１０１に対応）＞
解析に用いる半導体基板を２枚準備する。半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウム砒素のいずれかの単結晶半導体基板を用いればよい。なお、後の工程にて、２枚の半導体基板の一次モードライフタイム値および厚さの値を用いて半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを導出するため、２枚の半導体基板の厚さは該等しいことが望ましく、好ましくは２枚の半導体基板の厚さの差が、２枚の半導体基板のそれぞれの厚さの１％以下であることが望ましい。このように、２枚の半導体基板の厚さを該等しくすることにより、後の工程にて行う、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの値をより正確に導出することができる。また、勿論のことではあるが、２枚の半導体基板は、極力同一の特性を有する半導体基板を用いる必要がある。例えば購入したシリコンウエハを用いる場合、同一パッケージのシリコンウエハを用い、極力同一条件の環境で保存されたものを用いるようにする。また、インゴットから切り出したシリコンウエハを用いる場合、同一のインゴットから切り出したシリコンウエハを用い、また、極力近い場所から切り出したものを用いるようにする。
【００３６】
本実施の形態に用いる半導体基板の厚さは、薄すぎると基板処理時や測定時のハンドリングが困難となるため、０．５ｍｍ以上であることが望ましい。
【００３７】
＜ステップ２：半導体基板の厚さ測定（図１の１０２に対応）＞
２枚の半導体基板の厚さを測定し、両者の平均値を半導体基板の厚さＷの数値として用いる。厚さを測定する方法に特段の限定はないが、第１の面および第２の面にキズやゴミが極力付かない方法を用いることが望ましい。なお、厚さを測定した際に、２枚の半導体基板の厚さの差が、２枚の半導体基板のそれぞれの厚さの１％より大きい場合は、用いる半導体基板を変更する。
【００３８】
＜ステップ３：表面再結合速度の調整（図１の１０３に対応）＞
準備した２枚の半導体基板のうちの一枚について、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を共に２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、第１の半導体基板とする。表面再結合速度を２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整する方法としては、例えば、第１の面および第２の面に自然酸化膜を形成すればよい。自然酸化膜は一般的に数万程度の非常に高い表面再結合速度を有している。
【００３９】
第１の半導体基板の第１の面および第２の面に形成する自然酸化膜は、半導体基板を準備した段階で形成されている自然酸化膜を用いてもよいし、当該自然酸化膜をフッ化水素酸などにより除去して純水により洗浄した後に、再度自然酸化膜を形成してもよい。なお、形成する自然酸化膜の厚さに特段の限定は無い。
【００４０】
＜ステップ４：第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）測定（図１の１０４に対応）＞
第１の半導体基板に対してマイクロ波を照射し、マイクロ波の反射率の時間変化から第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）を測定する。一次モードライフタイムτ１（１）の測定箇所は基板の１点のみでもよいが、好ましくは基板の複数箇所を測定することが望ましい。なお、複数箇所において一次モードライフタイムτ１（１）を測定した場合は、複数箇所のうちの１点の値、または複数箇所の平均値のどちらを一次モードライフタイムτ１（１）として用いてもよい。また、上述μ−ＰＣＤ法を用いた測定では、第１の面または第２の面のどちら側を照射面としても得られるτ１（１）は同程度である。
【００４１】
＜ステップ５：表面再結合速度の調整（図１の１０５に対応）＞
準備した２枚の半導体基板のうちの他の一枚について、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度を２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、他方の表面再結合速度を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整し、第２の半導体基板とする。表面再結合速度を２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整する方法としては、上述と同様に自然酸化膜を形成すればよい。また、表面再結合速度を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整する方法としては、例えば、熱酸化膜を形成する、ケミカルパッシベーション膜を形成するといった方法がある。
【００４２】
ケミカルパッシベーション膜は特に表面再結合速度を低く抑えることが可能である（具体的には、表面再結合速度を１［ｃｍ／ｓｅｃ］以上１０［ｃｍ／ｓｅｃ］に抑えることが可能）。ケミカルパッシベーション膜としては、化学気相蒸着法（ＣＶＤ法ともいう。）を用いて形成した、窒化珪素を主成分とする膜、酸化アルミニウムを主成分とする膜またはアモルファスシリコンを主成分とする膜などを用いることができる。例えば、アモルファスシリコンを主成分とする膜であれば、ＳｉＨ４とＨ２を用いたＲＦプラズマＣＶＤにより２００℃程度の温度で作製することができる。
【００４３】
＜ステップ６：第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）測定（図１の１０６に対応）＞
上述の＜ステップ３：一次モードライフタイムτ１（１）測定＞と同様の方法にて、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を測定する。
【００４４】
なお、本実施の形態では、第１の半導体基板に対して表面再結合速度の調整（ステップ３）、一次モードライフタイム測定（ステップ４）を行った後に、第２の半導体基板に対して表面再結合速度の調整（ステップ５）、一次モードライフタイム測定（ステップ６）を行う記載を行ったが、先に第２の半導体基板から処理を行ってもよいし、第１の半導体基板と第２の半導体基板の表面再結合速度の調整を並行して行ってもよい。
【００４５】
＜ステップ７：半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出（図１の１０７に対応）＞
上述の工程にて測定された、半導体基板の厚さＷ、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）および第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を、下記の数式（８）に代入する。
【００４６】
【数１０】
0005925620.tif 000011
【００４７】
以上の工程を行うことにより、μ−ＰＣＤ法のデータおよび半導体基板の厚さ測定データのみにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に簡便に導出することができる。
【００４８】
なお、上述の解析手法を用いて導出される半導体基板中の拡散係数Ｄが、どの程度の一致を示すかについて計算を行った。計算に用いた半導体基板は、半導体基板中の拡散係数Ｄを３０［ｃｍ２／ｓｅｃ］、バルクライフタイムτｂを５［ｍｓｅｃ］、厚さＷを０．５［ｍｍ］と設定した。そして、２枚の半導体基板の第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’を変化させた場合における、半導体基板中の拡散係数Ｄの値を計算し、計算結果より得られる、設定値である拡散係数Ｄの値３０［ｃｍ２／ｓｅｃ］との差を確認した。計算結果の一部を表１に示す。
【００４９】
【表１】
0005925620.tif 000012
【００５０】
上記表１の結果から分かるように、第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓが２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上となるように調整した第１の半導体基板、および、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓが２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、かつ、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下となるように調整した第２の基板に対して、本明細書に記載の手法を採用することより、設定値と計算値の誤差を１０％以内の範囲とすることができる。
【００５１】
なお、表１では半導体基板の厚さＷを０．５［ｍｍ］として計算を行ったが、半導体基板の厚さＷが０．５［ｍｍ］以上の場合においても、第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓが２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上となるように調整した第１の半導体基板、および、第１の面または第２の面の一方の表面再結合速度Ｓが２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、かつ、他方の表面再結合速度が１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下となるように調整した第２の基板に対して、本明細書に記載の手法を採用することより、設定値と計算値の誤差を１０％以内の範囲とできることは、上述の式（８）より理解できる。
【００５２】
以上のことより、半導体基板の厚さＷが０．５［ｍｍ］以上の場合では、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）、第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）および半導体基板の厚さＷ（ここでは、第１の半導体基板の厚さと第２の半導体基板の厚さの平均値）の測定結果および本明細書に記載の手法を用いる事により、比較的正確に拡散定数Ｄの値を導出することができるといえる。
【００５３】
また、本実施の形態では、半導体基板に対して表面再結合速度の調整を行う前に半導体基板の厚さを測定したが、必ずしも当該タイミングで厚さ測定を行う必要はなく、半導体基板準備後であれば、どのタイミングで厚さ測定を行ってもよい。
【００５４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に記載した解析方法とは異なる一例について、図２のフローチャートを用いて説明する。なお、実施の形態１と同様の方法を行う工程については、その旨を記載し、本実施の形態では詳細な説明を省略する。
【００５５】
＜ステップ１：半導体基板の準備（図２の２０１に対応）＞
解析に用いる半導体基板を準備する。本実施の形態では、実施の形態１とは異なり半導体基板中の拡散係数Ｄを導出するために用いる半導体基板は１枚のみである。そのため、実施の形態１のように、２枚の半導体基板の厚さに注意を払う必要がない。なお、準備する半導体基板の材質や厚さについては、実施の形態１のステップ１に記載する内容と同様の条件とすればよい。
【００５６】
＜ステップ２：半導体基板の厚さ測定（図２の２０２に対応）＞
半導体基板の厚さを測定し、半導体基板の厚さＷの数値として用いる。厚さを測定する方法に特段の限定はないが、第１の面および第２の面にキズやゴミが極力付かない方法を用いることが望ましい。
【００５７】
＜ステップ３：表面再結合速度の調整（図２の２０３に対応）＞
準備した半導体基板について、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓを２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整し、第１の半導体基板とする。なお、第１の面の表面再結合速度Ｓおよび第２の面の表面再結合速度Ｓ’の調整方法等ついては、実施の形態１を参酌すればよい。
【００５８】
＜ステップ４：一次モードライフタイムτ１（１）の測定（図２の２０４に対応）＞
第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）を測定する。なお、一次モードライフタイムτ１（１）の測定方法等については実施の形態１を参酌すればよい。
【００５９】
＜ステップ５：表面再結合速度の調整（図２の２０５に対応）＞
まず、第１の半導体基板の第１の面および第２の面に形成された自然酸化膜のうちの一方を除去する。自然酸化膜は、例えば、フッ化水素酸などにより除去すればよい。また、フッ化水素酸を用いて自然酸化膜を除去した面を純水により洗浄することが望ましい。そして、自然酸化膜が除去された面の表面再結合速度Ｓ’を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下に調整し、第２の半導体基板とする。なお、表面再結合速度の調整方法等については、実施の形態１を参酌すればよい。
【００６０】
＜ステップ６：一次モードライフタイムτ１（２）の測定（図２の２０６に対応）＞
第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を測定する。なお、一次モードライフタイムτ１（１）の測定方法等については実施の形態１を参酌すればよい。
【００６１】
＜ステップ７：半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出（図２の２０７に対応）＞
上述の工程にて測定された、半導体基板の厚さＷ、第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）および第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）を用いて、半導体基板中での少数キャリアの拡散係数Ｄを導出する。導出方法については、実施の形態１を参酌すればよい。
【００６２】
以上の工程を行うことにより、μ−ＰＣＤ法のデータおよび半導体基板の厚さＷの測定データのみにより、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄを非常に簡便に導出することができる。なお、本実施の形態では、実施の形態１とは異なり半導体基板を１枚のみしか使用していないため、半導体基板の厚さＷをより正確に測定することができる。このため、半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの値を、より正確に導出することが可能となる。
【００６３】
なお、本実施の形態では、（１）半導体基板の第１の面および第２の面の表面再結合速度Ｓを２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上に調整して一次モードライフタイムτ１（１）を測定、（２）半導体基板の第１の面および第２の面の一方の表面再結合速度Ｓを２．８×１０４［ｃｍ／ｓｅｃ］以上、且つ、他方の表面再結合速度Ｓ’を１０［ｃｍ／ｓｅｃ］以下として一次モードライフタイムτ１（２）を測定、という順序で説明を行ったが、先に上述の（２）を行い、その後に上述の（１）を行ってもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１０１        半導体基板の準備
１０２        半導体基板の厚さ測定
１０３        表面再結合速度の調整
１０４        第１の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（１）測定
１０５        表面再結合速度の調整
１０６        第２の半導体基板の一次モードライフタイムτ１（２）測定
１０７        半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出
２０１        半導体基板の準備
２０２        半導体基板の厚さ測定
２０３        表面再結合速度の調整
２０４        一次モードライフタイムτ１（１）の測定
２０５        表面再結合速度の調整
２０６        一次モードライフタイムτ１（２）の測定
２０７        半導体基板中での少数キャリアの拡散定数Ｄの導出
【図１】
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【図２】
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