(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置であって、
排気口を具備するチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記基板を装着するように装着面を具備するステージと、
前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にソースガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部と、
前記基板と対向し、前記基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部と、
前記チャンバ内で、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板及び前記プラズマ発生部を移動させるように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を駆動する駆動部と、を含み、前記駆動部は、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を同時に移動することを特徴とする気相蒸着装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生部は、プラズマを発生する反応ガスを注入する供給部、第１プラズマ電極、第２プラズマ電極及び取出口を具備することを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項３】
前記第１プラズマ電極と第２プラズマ電極との間でプラズマが発生し、前記プラズマは、前記取出口を介して、前記基板に向かって進むことを特徴とする請求項２に記載の気相蒸着装置。
【請求項４】
前記プラズマ発生部は、複数のモジュールを具備し、
前記各モジュールは、前記反応ガスを注入する供給部、第１プラズマ電極、第２プラズマ電極及び取出口を具備することを特徴とする請求項２に記載の気相蒸着装置。
【請求項５】
前記プラズマ発生部は、前記基板と平行に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生部は、前記基板に対応するように、前記基板と同サイズであるか、あるいは前記基板より大きく形成されたことを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項７】
前記基板上に所望のパターンで蒸着するための開口部を具備するマスクをさらに含み、前記マスクは、基板上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項８】
前記ステージは、複数の基板を装着するように、複数の装着面を具備することを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項９】
前記複数の装着面は、互いに平行に配置されることを特徴とする請求項８に記載の気相蒸着装置。
【請求項１０】
前記複数の装着面は、前記ステージの一面及びその反対面に形成されたことを特徴とする請求項８に記載の気相蒸着装置。
【請求項１１】
前記複数の装着面に配置される基板に対応するように、複数のプラズマ発生部が配置されることを特徴とする請求項８に記載の気相蒸着装置。
【請求項１２】
前記駆動部は、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板の薄膜が形成される平面方向と垂直方向に移動するように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を移動させることを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１３】
前記駆動部は、往復動することを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１４】
前記駆動部は、前記ステージを移動させる第１駆動部、及び前記プラズマ発生部を移動させる第２駆動部を具備することを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１５】
前記装着面は、重力が作用する方向と平行に配置されることを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１６】
前記注入部は、地面から前記ステージより遠く離れるように配置されたことを特徴とする請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１７】
基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着方法であって、
チャンバ内に配置されるステージの装着面に、基板を装着する段階と、
前記基板と対向するように配置されたプラズマ発生部と前記基板との間の空間に、注入部を介して、前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にソースガスを注入する段階と、
前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階と、
前記プラズマ発生部を介して、前記基板に向かうようにプラズマを発生する段階と、
前記チャンバ内で、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板及び前記プラズマ発生部を移動させるように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を駆動部で駆動し、前記駆動部は、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を同時に移動する段階と、
前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階と、を含む気相蒸着方法。
【請求項１８】
基板上に少なくとも第１電極、有機発光層を具備する中間層、第２電極を具備する薄膜を含む有機発光表示装置を製造する方法であって、
前記薄膜を形成する段階は、
チャンバ内に配置されるステージの装着面に、基板を装着する段階と、
前記基板と対向するように配置されたプラズマ発生部と前記基板との間の空間に、注入部を介して、前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にソースガスを注入する段階と、
前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階と、
前記プラズマ発生部を介して、前記基板に向かうようにプラズマを発生する段階と、
前記チャンバ内で、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板及び前記プラズマ発生部を移動させるように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を駆動部で駆動し、前記駆動部は、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を同時に移動する段階と、
前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法に係り、さらに詳細には、蒸着工程を効率的に進め、蒸着膜特性を容易に向上させることができる気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、表示装置及びその他の電子素子は、複数の薄膜を具備する。このような複数の薄膜を形成する方法は、多様であるが、そのうち、気相蒸着方法が１つの方法である。
【０００３】
気相蒸着方法は、薄膜を形成する原料として、一つ以上のガスを使用する。このような気相蒸着方法は、化学的気相蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）、原子層蒸着（ＡＬＤ：atomic layer deposition）などの多様な方法がある。
【０００４】
一方、表示装置において、有機発光表示装置は、視野角が広く、コントラストにすぐれるだけではなく、応答速度が速いという長所を有しており、次世代ディスプレイ装置として注目を集めている。
【０００５】
有機発光表示装置は、互いに対向した第１電極及び第２電極間に、有機発光層を具備する中間層を含み、それ以外に、一つ以上の多様な薄膜を具備する。このとき、有機発光表示装置の薄膜を形成するために、蒸着工程を利用することがある。
【０００６】
しかし、有機発光表示装置が大型化され、高解像度を要求されるにつれ、大面積の薄膜を所望の特性で蒸着するのが容易ではない。また、かような薄膜を形成する工程の効率性を向上させるが、限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、蒸着工程を効率的に進めることができ、蒸着膜特性を容易に向上させることができる気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置に係り、排気口を具備するチャンバ、前記チャンバ内に配置され、前記基板を装着するように装着面を具備するステージ、前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部、及び前記基板と対向し、前記基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部を含む気相蒸着装置を開示する。
【０００９】
本発明において、前記プラズマ発生部は、反応ガスを注入する供給部、第１プラズマ電極、第２プラズマ電極及び取出口を具備することができる。
【００１０】
本発明において、前記第１プラズマ電極と第２プラズマ電極との間でプラズマが発生し、前記プラズマは、前記取出口を介して前記基板に向かって進むことができる。
【００１１】
本発明において、前記プラズマ発生部は、複数のモジュールを具備し、前記各モジュールは、前記反応ガスを注入する供給部、第１プラズマ電極、第２プラズマ電極及び取出口を具備することができる。
【００１２】
本発明において、前記プラズマ発生部は、前記基板と平行に配置されてもよい。
【００１３】
本発明において、前記プラズマ発生部は、前記基板に対応するように、前記基板と同サイズであるか、あるいは前記基板より大きく形成することができる。
【００１４】
本発明において、前記基板上に所望のパターンで蒸着するための開口部を具備するマスクをさらに含み、前記マスクは、基板上に配置することができる。
【００１５】
本発明において、前記ステージは、複数の基板を装着するように、複数の装着面を具備することができる。
【００１６】
本発明において、前記複数の装着面は、互いに平行に配置することができる。
【００１７】
本発明において、前記複数の装着面は、前記ステージの一面及びその反対面に形成することができる。
【００１８】
本発明において、前記複数の装着面に配置される基板に対応するように、複数のプラズマ発生部が配置されてもよい。
【００１９】
本発明において、前記チャンバ内で、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板及び前記プラズマ発生部を移動させるように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を駆動する駆動部をさらに含んでもよい。
【００２０】
本発明において、前記駆動部は、前記基板が前記ステージに装着された状態で、前記基板の薄膜が形成される平面方向と垂直方向に移動するように、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を移動させることができる。
【００２１】
本発明において、前記駆動部は、往復動可能である。
【００２２】
本発明において、前記駆動部は、前記ステージ及び前記プラズマ発生部を同時に移動することができる。
【００２３】
本発明において、前記駆動部は、前記ステージを移動させる第１駆動部、及び前記プラズマ発生部を移動させる第２駆動部を具備することができる。
【００２４】
本発明において、前記装着面は、重力が作用する方向と平行に配置することができる。
【００２５】
本発明において、前記注入部は、地面から前記ステージより遠く離れるように配置することができる。
【００２６】
本発明において、前記排気口はポンプと連結されてもよい。
【００２７】
本発明において、前記注入部の注入ホールは、ソースガスを注入することができる。
【００２８】
本発明において、前記注入部のうち少なくとも１つの注入ホールは、前記プラズマ発生部に供給する反応ガスを注入することができる。
【００２９】
本発明において、前記排気口は、前記基板より地面に近く配置することができる。
【００３０】
本発明において、前記注入部は、前記基板に対して蒸着工程を複数回遂行するように、前記基板の薄膜が形成される平面と垂直方向に沿って離隔されて配列された複数の注入ホールを具備することができる。
【００３１】
本発明の他の側面によれば、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着方法に係り、チャンバ内に配置されるステージの装着面に、基板を装着する段階、前記基板と対向するように配置されたプラズマ発生部と前記基板との間の空間に、注入部を介して、前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にソースガスを注入する段階、前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階、前記プラズマ発生部を介して、前記基板に向かうようにプラズマを発生する段階、及び前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階を含む気相蒸着方法を開示する。
【００３２】
本発明において、前記プラズマ発生部は、供給部、第１プラズマ電極、第２プラズマ電極及び取出口を具備し、前記プラズマ発生部は、前記供給部を介して反応ガスを供給され、前記反応ガスは、前記第１プラズマ電極と第２プラズマ電極とによってプラズマになり、前記プラズマは、前記取出口を介して、前記基板に向かうように進むことができる。
【００３３】
本発明において、前記プラズマ発生部は、前記注入部を介して反応ガスを供給され、前記反応ガスは、前記プラズマ発生部でプラズマ状態に変わり、前記プラズマは、前記基板に向かうように進むことができる。
【００３４】
本発明において、前記注入部は、注入ホールを具備し、前記ソースガス及び前記反応ガスは、前記１つの注入ホールを介して順次に注入されてもよい。
【００３５】
本発明において、前記注入部は、複数の注入ホールを具備し、前記ソースガス及び前記反応ガスは、互いに異なる注入ホールを介して注入されてもよい。
【００３６】
本発明において、前記排気工程は、ポンプによって遂行することができる。
【００３７】
本発明において、前記基板を装着する段階は、前記基板上に所望のパターンで蒸着するための開口部を具備するマスクを、前記基板上に配置する段階をさらに含んでもよい。
【００３８】
本発明において、前記チャンバ内で前記基板は、前記ステージに装着された状態で、前記基板の薄膜が形成される平面と垂直方向に移動しつつ、前記薄膜蒸着工程が遂行される。
【００３９】
本発明において、前記ステージは、複数の装着面を具備し、前記ステージに基板を装着する段階で、前記複数の装着面にそれぞれ基板を装着することを特徴とする。
【００４０】
本発明において、前記複数の基板に対応するように、複数のプラズマ発生部を配置することができる。
【００４１】
本発明のさらに他の側面によれば、基板上に少なくとも第１電極、有機発光層を具備する中間層、第２電極を具備する薄膜を含む有機発光表示装置を製造する方法に係り、前記薄膜を形成する段階は、チャンバ内に配置されるステージの装着面に、基板を装着する段階、前記基板と対向するように配置されたプラズマ発生部と前記基板との間の空間に、注入部を介して、前記基板の薄膜が形成される平面方向と平行にソースガスを注入する段階、前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階、前記プラズマ発生部を介して、前記基板に向かうようにプラズマを発生する段階、及び前記チャンバの排気口を介して、排気工程を遂行する段階を含む有機発光表示装置の製造方法を開示する。
【００４２】
本発明において、前記薄膜を形成する段階は、前記第２電極上に配置される封止層を形成することを特徴とする。
【００４３】
本発明において、前記薄膜を形成する段階は、絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００４４】
本発明において、前記薄膜を形成する段階は、導電膜を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００４５】
本発明に係わる気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法によれば、蒸着工程を効率的に進め、蒸着膜特性を容易に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【図２】図１のプラズマ発生部を概略的に図示した斜視図である。
【図３】図２のIII−III線に沿って切り取った断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図５】図４のＡ方向から見た図面である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係わる有機発光表示装置の製造方法によって製造された有機発光表示装置を概略的に図示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、添付された図面に図示された本発明に係わる実施形態を参照しつつ、本発明の構成及び作用について詳細に説明する。
【００４８】
図１は、本発明の一実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【００４９】
図１を参照すれば気相蒸着装置１００は、チャンバ１１０、ステージ１２０、注入部１３０及びプラズマ発生部１８０を含む。
【００５０】
チャンバ１１０は、下部に排気口１１１を具備する。排気口１１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【００５１】
図示されていないが、チャンバ１１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ１１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ１１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【００５２】
ステージ１２０は、チャンバ１１０内に配置される。ステージ１２０は、装着面１２１を具備する。装着面１２１は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、装着面１２１は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ１２０は、地面と垂直に配置される。
【００５３】
ステージ１２０には、基板１０１が配置される。具体的には、ステージ１２０の装着面１２１に、基板１０１が装着される。
【００５４】
装着面１２１に基板１０１を装着した後に固定されるように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【００５５】
プラズマ発生部１８０は、基板１０１と対向するように配置される。具体的には、基板１０１とプラズマ発生部１８０は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部１８０は、基板１０１と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部１８０は、基板１０１と対応するように、基板１０１と同じサイズを有するか、あるいは基板１０１より大きく形成されることが望ましい。
【００５６】
プラズマ発生部１８０は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板１０１側に進めさせる多様な形態を有することができる。
【００５７】
図１ないし図３に図示されたプラズマ発生部１８０は、具体的な例である。すなわち、図１のプラズマ発生部を概略的に図示した斜視図である図２において、III−III線に沿って切り取った断面図である図３を参照すれば、プラズマ発生部１８０は、複数のモジュール１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ，１８０ｅを具備する。モジュール１８０ａは、第１プラズマ電極１８１、第２プラズマ電極１８２、供給部１８３及び取出口１８５を具備する。他のモジュール１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ，１８０ｅも、モジュール１８０ａと同一であるので、具体的な説明は省略する。また図３には、複数のモジュール１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ，１８０ｅが分離されていると図示されているが、本発明は、これに限定されるものではなく、複数のモジュール１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ，１８０ｅが一体化した形態であってもよい。
【００５８】
供給部１８３を介して、反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極１８１と第２プラズマ電極１８２との間の空間１８４でプラズマが発生し、発生したプラズマは、取出口１８５を介して基板１０１に進む。
【００５９】
注入部１３０は、チャンバ１１０と連結されるように配置される。注入部１３０を介して一つ以上のガスが基板１０１側に注入される。具体的には、注入部１３０は、第１注入ホール１３１、第２注入ホール１３２を具備し、第１注入ホール１３１、第２注入ホール１３２は、ガスを基板１０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール１３１、第２注入ホール１３２は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【００６０】
具体的には、第１注入ホール１３１は、ソースガスＳを注入する。プラズマ発生部１８０を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール１３２は、不要ともなる。しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、プラズマ発生部１８０の供給部１８３の代わりに、第２注入ホール１３２を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール１３２を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部１８０でプラズマ状態に変わり、基板１０１に注入されてもよい。さらに他の例として、第２注入ホール１３２のない場合、第１注入ホール１３１がソースガスＳを注入した後、ソースガスＳを利用した工程後、第１注入ホール１３１から反応ガスを注入する工程も可能でもある。
【００６１】
第１注入ホール１３１及び第２注入ホール１３２は、多様な形態を有することができる。すなわち、第１注入ホール１３１及び第２注入ホール１３２は、点状でもあり、基板１０１の幅に対応する線状であってもよい。
【００６２】
本実施形態の気相蒸着装置１００の動作について簡略に説明する。
【００６３】
ステージ１２０の装着面１２１に、基板１０１を装着する。その後、注入部１３０の第１注入ホール１３１を、介してソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板１０１とプラズマ発生部１８との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。またソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部１８０が動作しないように制御する。
【００６４】
具体的な例として、ソースガスＳは、アルミニウム（Ａｌ）原子を含有するガスであってもよい。
【００６５】
ソースガスＳが基板１０１の上面に吸着される。その後、排気口１１１を介した排気工程を進めれば、基板１０１の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。すなわち、前述のアルミニウム（Ａｌ）原子の単一層、または複数層が形成される。
【００６６】
その後、プラズマ発生部１８０の供給部１８３を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極１８１と第２プラズマ電極１８２との間の空間１８４で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口１８５を介して、基板１０１に向かう。
【００６７】
具体的な例として、反応ガスは、酸素（Ｏ）原子を含有するガスであってもよい。反応ガス成分のプラズマが、基板１０１の上面に吸着される。その後、排気口１１１を介した排気工程を進めれば、基板１０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。すなわち、酸素原子の単一層、または複数層が形成される。
【００６８】
これを介して、基板１０１の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。すなわち、アルミニウム酸化膜（ＡｌｘＯｙ、ｘ及びｙは、工程条件によって制御可能）が形成される。本実施形態では、アルミニウム酸化膜を形成する工程を開示したが、これは、説明の便宜のためのものであり、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、酸化膜を含んだ多様な絶縁膜及び導電膜を形成する工程に適用されることは言うまでもない。
【００６９】
本実施形態では、基板１０１の上面と平行した方向に、注入部１３０からソースガスＳを注入する。特に、基板１０１を地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部１３０からソースガスが供給され、基板１０１にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板１０１に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部１８０で発生したプラズマも、基板１０１に吸着された余分な不要な成分が、基板１０１に残存しなくなる。
【００７０】
すなわち、基板１０１に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が、重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板１０１の下部に配置された排気口１１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部１３０の第１注入ホール１３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージ（purge）ガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部１８０を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【００７１】
特に、本発明は、基板１０１と対向するように、プラズマ発生部１８０を配置する。ソースガスＳを注入する注入部１３０と別途に、プラズマ発生部１８０を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【００７２】
また、プラズマ発生部１８０と基板１０１とを離隔させ、その間の空間に、注入部１３０を介してソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部１８０が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部１８０は、基板１０１と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。
【００７３】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【００７４】
図４は、本発明の他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図であり、図５は、図４のＡ方向から見た図面である。
【００７５】
図４及び図５を参照すれば、気相蒸着装置２００は、チャンバ２１０、ステージ２２０、注入部２３０、マスク２４０及びプラズマ発生部２８０を含む。
【００７６】
チャンバ２１０は、下部に排気口２１１を具備する。排気口２１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【００７７】
図示されていないが、チャンバ２１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ２１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ２１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【００７８】
ステージ２２０は、チャンバ２１０内に配置される。ステージ２２０は、装着面２２１を具備する。装着面２２１は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、装着面２２１は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ２２０は、地面と垂直に配置される。
【００７９】
ステージ２２０には、基板２０１が配置される。具体的には、ステージ２２０の装着面１２１に、基板２０１が装着される。
【００８０】
装着面２２１に基板２０１を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【００８１】
プラズマ発生部２８０は、基板２０１と対向するように配置される。具体的には、基板２０１とプラズマ発生部２８０は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部２８０は、基板２０１と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部２８０は、基板２０１と対応するように、基板２０１と同じサイズを有するか、あるいは基板２０１より大きく形成されることが望ましい。
【００８２】
基板２０１上にマスク２４０が配置される。図５に、マスク２４０を参照すれば、マスク２４０は、所定の形態に形成された開口部２４０ａを具備する。開口部２４０ａは、基板２０１に形成される薄膜のパターンに対応する形態を有する。
【００８３】
図５には、６個の開口部２４０ａが図示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、基板２０１に蒸着しようとするパターンの個数通り、開口部２４０ａの個数及び形状を定める。例えば、マスク２４０は、１つの開口部２４０ａを有するオープンマスク形態であってもよい。
【００８４】
プラズマ発生部２８０は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板２０１側に進めさせる多様な形態を有することができ、具体的な例として、図３のプラズマ発生部１８０と同一の構成を有することができる。
【００８５】
注入部２３０は、チャンバ２１０と連結されるように配置される。注入部２３０を介して、一つ以上のガスが基板２０１側に注入される。具体的には、注入部２３０は、第１注入ホール２３１、第２注入ホール２３２を具備し、第１注入ホール２３１、第２注入ホール２３２は、ガスを基板２０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール２３１、第２注入ホール２３２は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【００８６】
具体的には、第１注入ホール２３１は、ソースガスＳを注入する。プラズマ発生部２８０を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール２３２は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部２８０の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール２３２を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール２３２を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部２８０でプラズマ状態に変わり、基板２０１に注入されてもよい。
【００８７】
第１注入ホール２３１及び第２注入ホール２３２は、多様な形態を有することができる。すなわち、第１注入ホール２３１及び第２注入ホール２３２は、点状でもあり、基板２０１の幅に対応する線状であってもよい。
【００８８】
本実施形態の気相蒸着装置２００の動作について簡略に説明する。
【００８９】
ステージ２２０の装着面２２１に、基板２０１を装着する。基板２０１上に蒸着しようとする薄膜のパターンに対応する開口部２４０ａを有するマスク２４０を、基板２０１上に配置する。
【００９０】
その後、注入部２３０の第１注入ホール２３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板２０１とプラズマ発生部２８０との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部２８０は、動作しないように制御する。
【００９１】
ソースガスＳが基板２０１の上面に吸着される。特に、基板２０１の上面の領域のうち、開口部２４０ａに対応する領域に吸着される。その後、排気口２１１を介した排気工程を進めれば、基板２０１の上面において、開口部２４０ａに対応する領域に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【００９２】
その後、プラズマ発生部２８０の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板２０１に向かう。
【００９３】
反応ガス成分のプラズマが、基板２０１の上面の領域のうち、開口部２４０ａに対応する領域に吸着される。その後、排気口２１１を介した排気工程を進めれば、基板２０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【００９４】
これを介して、基板２０１の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【００９５】
本実施形態では、基板２０１の上面と平行した方向に、注入部２３０からソースガスＳを注入する。特に、基板２０１を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部２３０からソースガスが供給され、基板２０１にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板２０１に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部２８０で発生したプラズマも、基板２０１に吸着された余分な不要な成分が、基板２０１に残存しない。
【００９６】
すなわち、基板２０１に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板２０１の下部に配置された排気口２１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部２３０の第１注入ホール２３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部２８０を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【００９７】
特に、本発明は、基板２０１と対向するように、プラズマ発生部２８０を配置する。ソースガスＳを注入する注入部２３０と別途に、プラズマ発生部２８０を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【００９８】
また、プラズマ発生部２８０と基板２０１とを離隔させ、その間の空間に、注入部２３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部２８０が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部２８０は、基板２０１と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。
【００９９】
また、本実施形態では、基板２０１上にマスク２４０を配置し、所望の蒸着パターンを容易に形成することができる。
【０１００】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０１０１】
図６は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【０１０２】
図６を参照すれば、気相蒸着装置３００は、チャンバ３１０、ステージ３２０、注入部３３０及びプラズマ発生部３８１，３８２を含む。
【０１０３】
チャンバ３１０は、下部に排気口３１１を具備する。排気口３１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０１０４】
図示されていないが、チャンバ３１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ３１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ３１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０１０５】
ステージ３２０は、第１装着面３２１及び第２装着面３２２を具備する。第１装着面３２１及び第２装着面３２２は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、第１装着面３２１及び第２装着面３２２は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ３２０は、地面と垂直に配置される。
【０１０６】
ステージ３２０には、基板３０１，３０２が配置される。具体的には、ステージ３２０の第１装着面３２１に、第１基板３０１が装着され、ステージ３２０の第２装着面３２２に、第２基板３０２が装着される。
【０１０７】
第１装着面３２１と第２装着面３２２は、互いに平行に配置される。
【０１０８】
第１装着面３２１及び第２装着面３２２に、基板３０１，３０２を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０１０９】
プラズマ発生部３８１，３８２は、基板３０１，３０２と対向するように配置される。具体的には、第１プラズマ発生部３８１は、第１基板３０１と対向し、第２プラズマ発生部３８２は、第２基板３０２と対向する。
【０１１０】
基板３０１，３０２とプラズマ発生部３８１，３８２は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部３８１，３８２は、基板３０１，３０２と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部３８１，３８２は、基板３０１，３０２と対応するように、基板３０１，３０２と同じサイズを有するか、あるいは基板３０１，３０２より大きく形成されることが望ましい。
【０１１１】
プラズマ発生部３８１，３８２は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板３０１，３０２側に進めさせる多様な形態を有することができ、具体的な内容は、前述の実施形態と同一であるので、省略する。
【０１１２】
注入部３３０は、チャンバ３１０と連結されるように配置される。注入部３３０を介して、一つ以上のガスが基板３０１側に注入される。具体的には、注入部３３０は、第１注入ホール３３１、第２注入ホール３３２を具備し、第１注入ホール３３１、第２注入ホール３３２は、ガスを基板３０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール３３１、第２注入ホール３３２は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０１１３】
具体的には、第１注入ホール３３１は、ソースガスＳを注入する。プラズマ発生部３８１，３８２を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール３３２は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部３８１，３８２の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール３３２を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。
【０１１４】
第１注入ホール３３１及び第２注入ホール３３２は、多様な形態を有することができる。すなわち、第１注入ホール３３１及び第２注入ホール３３２は、点状でもあり、基板３０１の幅に対応する線状であってもよい。
【０１１５】
本実施形態の気相蒸着装置３００の動作について簡略に説明する。
【０１１６】
ステージ３２０の第１装着面３２１及び第２装着面３２２に、それぞれ第１基板３０１及び第２基板３０２を装着する。その後、注入部３３０の第１注入ホール３３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、第１基板３０１と第１プラズマ発生部３８１との間の空間、及び第２基板３０２と第２プラズマ発生部３８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部３８１，３８２は、動作しないように制御する。
【０１１７】
ソースガスＳが、第１基板３０１及び第２基板３０２の上面に吸着される。その後、排気口３１１を介した排気工程を進めれば、第１基板３０１及び第２基板３０２の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１１８】
その後、第１プラズマ発生部３８１及び第２プラズマ発生部３８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入される。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板３０１，３０２に向かう。
【０１１９】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板３０１，３０２の上面に吸着される。その後、排気口３１１を介した排気工程を進めれば、基板３０１，３０２の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１２０】
これを介して、基板３０１，３０２の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１２１】
本実施形態では、基板３０１，３０２の上面と平行した方向に、注入部３３０からソースガスＳを注入する。特に、基板３０１，３０２を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部３３０からソースガスが供給され、基板３０１，３０２にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板３０１，３０２に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部３８１，３８２で発生したプラズマも、基板３０１，３０２に吸着された余分な不要な成分が、基板３０１，３０２に残存しなくなる。
【０１２２】
すなわち、基板３０１，３０２に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板３０１，３０２の下部に配置された排気口３１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部３３０の第１注入ホール３３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部３８１，３８２を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０１２３】
特に、本発明は、基板３０１，３０２と対向するように、プラズマ発生部３８１，３８２を配置する。ソースガスＳを注入する注入部３３０と別途に、プラズマ発生部３８１，３８２を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０１２４】
また、プラズマ発生部３８１，３８２と基板３０１，３０２とを離隔させ、その間の空間に、注入部３３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部３８１，３８２が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部３８１，３８２は、基板３０１，３０２と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。
【０１２５】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０１２６】
また、本実施形態では、ステージ３２０の両面に、装着面３２１，３２２を形成し、２枚の基板３０１，３０２を１つのステージ３２０に同時に装着する。これを介して、工程の効率性を上昇させる。また、このとき、２枚の基板３０１，３０２は、１つのステージ３２０に互いに平行に配置されるので、２枚の基板３０１，３０２の薄膜が形成されるそれぞれの面は、互いに対面しないので、互いの薄膜蒸着工程に影響を受けない。これを介して、それぞれの基板３０１，３０２に、同一であって均一に、優秀な薄膜を形成することが可能である。
【０１２７】
図７は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【０１２８】
図７を参照すれば、気相蒸着装置４００は、チャンバ４１０、ステージ４２０、注入部４３０、マスク４４１，４４２及びプラズマ発生部４８１，４８２を含む。
【０１２９】
チャンバ４１０は、下部に排気口４１１を具備する。排気口４１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０１３０】
図示されていないが、チャンバ４１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ４１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ４１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０１３１】
ステージ４２０は、第１装着面４２１及び第２装着面４２２を具備する。第１装着面４２１及び第２装着面４２２は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、第１装着面４２１及び第２装着面４２２は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ４２０は、地面と垂直に配置される。
【０１３２】
ステージ４２０には、基板４０１，４０２が配置される。具体的には、ステージ４２０の第１装着面４２１に、第１基板４０１が装着され、ステージ４２０の第２装着面４２２に、第２基板４０２が装着される。
【０１３３】
第１装着面４２１と第２装着面４２２は、互いに平行に配置される。
【０１３４】
第１装着面４２１及び第２装着面４２２に基板４０１，４０２を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０１３５】
基板４０１，４０２上にマスク４４１，４４２が配置される。具体的には、第１基板４０１上に、第１マスク４４１、第２基板４０２上に、第２マスク４４２が配置される。
【０１３６】
第１マスク４４１及び第２マスク４４２は、図示されていないが、前述の実施形態と同様に、開口部（図示せず）を具備する。開口部（図示せず）は、基板４０１，４０２に形成される薄膜のパターンに対応する形態を有する。
【０１３７】
プラズマ発生部４８１，４８２は、基板４０１，４０２と対向するように配置される。具体的には、第１プラズマ発生部４８１は、第１基板４０１と対向し、第２プラズマ発生部４８２は、第２基板４０２と対向する。
【０１３８】
基板４０１，４０２とプラズマ発生部４８１，４８２は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部４８１，４８２は、基板４０１，４０２と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部４８１，４８２は、基板４０１，４０２と対応するように、基板４０１，４０２と同じサイズを有するか、あるいは基板４０１，４０２より大きく形成されることが望ましい。
【０１３９】
プラズマ発生部４８１，４８２は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板４０１，４０２側に進めさせる多様な形態を有することができ、具体的な内容は、前述の実施形態と同一であるので、省略する。
【０１４０】
注入部４３０は、チャンバ４１０と連結されるように配置される。注入部４３０を介して、一つ以上のガスが基板４０１側に注入される。具体的には、注入部４３０は、第１注入ホール４３１、第２注入ホール４３２を具備し、第１注入ホール４３１、第２注入ホール４３２は、ガスを基板４０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール４３１、第２注入ホール４３２は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０１４１】
具体的には、第１注入ホール４３１は、ソースガスＳを注入する。プラズマ発生部４８１，４８２を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール４３２は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部４８１，４８２の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール４３２を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。
【０１４２】
第１注入ホール４３１及び第２注入ホール４３２は、多様な形態を有することができる。すなわち、第１注入ホール４３１及び第２注入ホール４３２は、点状でもあり、基板４０１の幅に対応する線状であってもよい。
【０１４３】
本実施形態の気相蒸着装置４００の動作について簡略に説明する。
【０１４４】
ステージ４２０の第１装着面４２１及び第２装着面４２２に、それぞれ第１基板４０１及び第２基板４０２を装着する。基板４０１，４０２上に、蒸着しようとする薄膜のパターンに対応する開口部（図示せず）を有するマスク４４１，４４２を配置する。
【０１４５】
その後、注入部４３０の第１注入ホール４３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、第１基板４０１と第１プラズマ発生部４８１との間の空間、及び第２基板４０２と第２プラズマ発生部４８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部４８１，４８２は、動作しないように制御する。
【０１４６】
ソースガスＳが、第１基板４０１及び第２基板４０２の上面に吸着される。特に、基板４０１，４０２の上面の領域のうち、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口４１１を介した排気工程を進めれば、第１基板４０１及び第２基板４０２の上面において、開口部（図示せず）に対応する領域に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１４７】
その後、第１プラズマ発生部４８１及び第２プラズマ発生部４８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入される。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板４０１，４０２に向かう。
【０１４８】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板４０１，４０２の領域のうち、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口４１１を介した排気工程を進めれば、基板４０１，４０２の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１４９】
これを介して、基板４０１，４０２の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１５０】
本実施形態では、基板４０１，４０２の上面と平行した方向に、注入部４３０からソースガスＳを注入する。特に、基板４０１，４０２を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部４３０からソースガスが供給され、基板４０１，４０２にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板４０１，４０２に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部４８１，４８２で発生したプラズマも、基板４０１，４０２に吸着された余分な不要な成分が、基板４０１，４０２に残存しなくなる。
【０１５１】
すなわち、基板４０１，４０２に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板４０１，４０２の下部に配置された排気口４１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部４３０の第１注入ホール４３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部４８１，４８２を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０１５２】
特に、本発明は、基板４０１，４０２と対向するように、プラズマ発生部４８１，４８２を配置する。ソースガスＳを注入する注入部４３０と別途に、プラズマ発生部４８１，４８２を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０１５３】
また、プラズマ発生部４８１，４８２と基板４０１，４０２とを離隔させ、その間の空間に、注入部４３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部４８１，４８２が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部４８１，４８２は、基板４０１，４０２と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。
【０１５４】
また、本実施形態では、基板４０１，４０２上にマスク４４１，４４２を配置し、所望の蒸着パターンを容易に形成することができる。
【０１５５】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガスの使用に伴ってパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０１５６】
また、本実施形態では、ステージ４２０の両面に、装着面４２１，４２２を形成し、２枚の基板４０１，４０２を１つのステージ４２０に同時に装着する。これを介して、工程の効率性を上昇させる。また、このとき、２枚の基板４０１，４０２は、１つのステージ４２０に互いに平行に配置されるので、２枚の基板４０１，４０２の薄膜が形成されるそれぞれの面は、互いに対面しないので、互いの薄膜蒸着工程に影響を受けない。これを介して、それぞれの基板４０１，４０２に、同一であって均一に、優秀な薄膜を形成することが可能である。
【０１５７】
図８は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【０１５８】
図８を参照すれば、気相蒸着装置５００は、チャンバ５１０、ステージ５２０、注入部５３０、駆動部５５１，５５２及びプラズマ発生部５８０を含む。
【０１５９】
チャンバ５１０は、下部に排気口５１１を具備する。排気口５１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０１６０】
図示されていないが、チャンバ５１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ５１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ５１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０１６１】
ステージ５２０は、チャンバ５１０内に配置される。ステージ５２０は、装着面５２１を具備する。装着面５２１は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、装着面５２１は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ５２０は、地面と垂直に配置される。
【０１６２】
ステージ５２０には、基板５０１が配置される。具体的には、ステージ５２０の装着面５２１に、基板５０１が装着される。
【０１６３】
装着面５２１に基板５０１を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０１６４】
プラズマ発生部５８０は、基板５０１と対向するように配置される。具体的には、基板５０１とプラズマ発生部５８０は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部５８０は、基板５０１と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部５８０は、基板５０１と対応するように、基板５０１と同じサイズを有するか、あるいは基板５０１より大きく形成されることが望ましい。
【０１６５】
プラズマ発生部５８０は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板５０１側に進めさせる多様な形態を有することができる。プラズマ発生部５８０の構成は、前述の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１６６】
駆動部５５１，５５２は、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０に連結される。具体的には、第１駆動部５５１は、ステージ５２０に連結され、第２駆動部５５２は、プラズマ発生部５８０に連結される。図８には、第１駆動部５５１及び第２駆動部５５２を別途に図示したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０を同時に移動する１つの駆動部を利用することができることは言うまでもない。
【０１６７】
第１駆動部５５１は、ステージ５２０を、図８に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第１駆動部５５１は、ステージ５２０を、図８のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板５０１の薄膜が形成される平面と垂直方向に、基板５０１を移動させることができる。
【０１６８】
また、第２駆動部５５２は、プラズマ発生部５８０を、図８に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第２駆動部５５２は、プラズマ発生部５８０を、図８のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板５０１の薄膜が形成される平面と垂直方向に、プラズマ発生部５８０を移動させることができる。
【０１６９】
このとき、基板５０１とプラズマ発生部５８０との間隔を維持するように、第１駆動部５５１及び第２駆動部５５２を制御する。
【０１７０】
注入部５３０は、チャンバ５１０と連結されるように配置される。注入部５３０を介して、一つ以上のガスが基板５０１側に注入される。具体的には、注入部５３０は、第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６を具備する。
【０１７１】
また、第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６は、基板５０１の移動方向に沿って配列される。すなわち、第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６は、図８のＸ軸方向に沿って離隔されて配列される。
【０１７２】
また、第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６は、多様な形態を有するが、点状でもあり、基板５０１の幅に対応する線状であってもよい。
【０１７３】
第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６は、ガスを基板５０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール５３１、第２注入ホール５３２、第３注入ホール５３３、第４注入ホール５３４、第５注入ホール５３５及び第６注入ホール５３６は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０１７４】
具体的には、第１注入ホール５３１、第３注入ホール５３３及び第５注入ホール５３５は、順次にまたは同時にソースガスＳを注入する。プラズマ発生部５８０を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール５３２、第４注入ホール５３４及び第６注入ホール５３６は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部５８０の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール５３２、第４注入ホール５３４及び第６注入ホール５３６を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール５３２、第４注入ホール５３４及び第６注入ホール５３６を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部５８０でプラズマ状態に変わり、基板５０１に注入されてもよい。
【０１７５】
本実施形態の気相蒸着装置５００の動作について簡略に説明する。
【０１７６】
ステージ５２０の装着面５２１に、基板５０１を装着する。その後、注入部５３０の第１注入ホール５３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板５０１とプラズマ発生部５８０との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部５８０は、動作しないように制御する。
【０１７７】
ソースガスＳが基板５０１の上面に吸着される。その後、排気口５１１を介した排気工程を進めれば、基板５０１の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１７８】
その後、プラズマ発生部５８０の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板５０１に向かう。
【０１７９】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板５０１の上面に吸着される。その後、排気口５１１を介した排気工程を進めれば、基板５０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１８０】
これを介して、基板５０１の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１８１】
その後、駆動部５５１，５５２を利用し、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０を、図８のＸ軸方向に、すなわち、矢印Ｍ方向に移動する。これを介して、移動後にも、基板５０１とプラズマ発生部５８０との間の空間が維持される。
【０１８２】
その後、注入部５３０の第３注入ホール５３３を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板５０１とプラズマ発生部５８０との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部５８０は、動作しないように制御する。
【０１８３】
ソースガスＳが基板５０１の上面に吸着される。その後、排気口５１１を介した排気工程を進めれば、基板５０１の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１８４】
その後、プラズマ発生部５８０の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板５０１に向かう。
【０１８５】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板５０１の上面に吸着される。その後、排気口５１１を介した排気工程を進めれば、基板５０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１８６】
これを介して、基板５０１の上面に、駆動部５５１，５５２の駆動前、第１注入ホール５３１及びプラズマ発生部５８０を利用して形成した薄膜上に、さらにソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０１８７】
その後、駆動部５５１，５５２を利用し、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０を、図８のＸ軸方向、矢印Ｍ方向に移動する。
【０１８８】
第５注入ホール５３５及びプラズマ発生部５８０を利用し、第１注入ホール５３１及びプラズマ発生部５８０を利用したのと同様に、基板１０１にさらに薄膜を形成する。
【０１８９】
これを介して、１個のチャンバ５１０で、基板５０１に所望厚の薄膜形成を容易に進めることができる。すなわち、所望の薄膜厚によって、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０の移動を制御することができる。
【０１９０】
本実施形態では、基板５０１の上面と平行した方向に、注入部５３０からソースガスＳを注入する。特に、基板５０１を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部５３０からソースガスが供給され、基板５０１にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板５０１に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部５８０で発生したプラズマも、基板５０１に吸着された余分な不要な成分が、基板５０１に残存しなくなる。
【０１９１】
すなわち、基板５０１に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板５０１の下部に配置された排気口５１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部５３０の第１注入ホール５３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部５８０を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０１９２】
特に、本発明は、基板５０１と対向するように、プラズマ発生部５８０を配置する。ソースガスＳを注入する注入部５３０と別途に、プラズマ発生部５８０を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０１９３】
また、プラズマ発生部５８０と基板５０１とを離隔させ、その間の空間に、注入部５３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部５８０が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部５８０は、基板５０１と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。例えば、第３注入ホール５３３を介して、ソースガスＳを注入するとき、前段階で、第１注入ホール５３１を介して注入されたソースガスＳのうち、基板５０１と反応して吸着された後、残存する余分な不純ガスが完全に排気口５１１を介して排気されない。その場合、第３注入ホール５３３を介して注入されたソースガスＳを利用した工程が、かような不純ガスによって影響され、基板５０１に形成される薄膜の特性を顕著に低下させる。しかし、本実施形態では、基板５０１とプラズマ発生部５８０との間の空間に向かうように、第３注入ホール５３３を介してソースガスＳを注入し、不純物の流入をプラズマ発生部５８０が実質的に遮断することができる。
【０１９４】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０１９５】
また、本実施形態では、駆動部５５１，５５２を利用し、ステージ５２０及びプラズマ発生部５８０を移動しつつ蒸着工程を進める。第１注入ホール５３１、第３注入ホール５３３、第５注入ホール５３５及びプラズマ発生部５８０を介して順次に蒸着工程を進め、所望厚の薄膜を形成する時間を顕著に短縮させて工程の便宜性を高める。
【０１９６】
図９は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【０１９７】
図９を参照すれば、気相蒸着装置６００は、チャンバ６１０、ステージ６２０、注入部６３０、駆動部６５１、６５２、マスク６４０及びプラズマ発生部６８０を含む。
【０１９８】
チャンバ６１０は、下部に排気口６１１を具備する。排気口６１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０１９９】
図示されていないが、チャンバ６１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ６１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ６１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０２００】
ステージ６２０は、チャンバ６１０内に配置される。ステージ６２０は、装着面６２１を具備する。装着面６２１は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、装着面６２１は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ６２０は、地面と垂直に配置される。
【０２０１】
ステージ６２０には、基板６０１が配置される。具体的には、ステージ６２０の装着面６２１に、基板６０１が装着される。
【０２０２】
装着面６２１に基板６０１を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０２０３】
基板６０１上にマスク６４０が配置される。マスク６４０は、所定の形態に形成された開口部（図示せず）を具備する。開口部（図示せず）は、基板６０１に形成される薄膜のパターンに対応する形態を有する。
【０２０４】
プラズマ発生部６８０は、基板６０１と対向するように配置される。具体的には、基板６０１とプラズマ発生部６８０は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部６８０は、基板６０１と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部６８０は、基板６０１と対応するように、基板６０１と同じサイズを有するか、あるいは基板６０１より大きく形成されることが望ましい。
【０２０５】
プラズマ発生部６８０は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板６０１側に進めさせる多様な形態を有することができる。プラズマ発生部６８０の構成は、前述の実施形態と同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０２０６】
駆動部６５１，６５２は、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０に連結される。具体的には、第１駆動部６５１は、ステージ６２０に連結され、第２駆動部６５２は、プラズマ発生部６８０に連結される。図９には、第１駆動部６５１及び第２駆動部６５２を別途に図示したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０を同時に移動する１つの駆動部を利用することができることは言うまでもない。
【０２０７】
第１駆動部６５１は、ステージ６２０を、図９に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第１駆動部６５１は、ステージ６２０を、図９のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板６０１の薄膜が形成される平面と垂直方向に、基板６０１を移動させることができる。
【０２０８】
また、第２駆動部６５２は、プラズマ発生部６８０を、図９に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第２駆動部６５２は、プラズマ発生部６８０を、図９のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板６０１の薄膜が形成される平面と垂直方向に、プラズマ発生部６８０を移動させることができる。
【０２０９】
このとき、基板６０１とプラズマ発生部６８０との間隔を維持するように、第１駆動部６５１及び第２駆動部６５２を制御する。
【０２１０】
注入部６３０は、チャンバ６１０と連結されるように配置される。注入部６３０を介して、一つ以上のガスが基板６０１側に注入される。具体的には、注入部６３０は、第１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６を具備する。
【０２１１】
また、第１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６は、基板６０１の移動方向に沿って配列される。すなわち１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６は、図９のＸ軸方向に沿って離隔されて配列される。
【０２１２】
また、第１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６は、多様な形態を有するが、点状でもあり、基板６０１の幅に対応する線状であってもよい。
【０２１３】
第１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６は、ガスを基板６０１の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール６３１、第２注入ホール６３２、第３注入ホール６３３、第４注入ホール６３４、第５注入ホール６３５及び第６注入ホール６３６は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０２１４】
具体的には、第１注入ホール６３１、第３注入ホール６３３及び第５注入ホール６３５は、順次にまたは同時にソースガスＳを注入する。プラズマ発生部６８０を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール６３２、第４注入ホール６３４及び第６注入ホール６３６は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部６８０の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール６３２、第４注入ホール６３４及び第６注入ホール６３６を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール６３２、第４注入ホール６３４及び第６注入ホール６３６を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部６８０でプラズマ状態に変わり、基板６０１に注入されてもよい。
【０２１５】
本実施形態の気相蒸着装置６００の動作について簡略に説明する。
【０２１６】
ステージ６２０の装着面６２１に、基板６０１を装着する。基板６０１上に、蒸着しようとする薄膜のパターンに対応する開口部（図示せず）を有するマスク６４０を、基板６０１上に配置する。
【０２１７】
その後、注入部６３０の第１注入ホール６３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板６０１とプラズマ発生部６８０との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部６８０は、動作しないように制御する。
【０２１８】
ソースガスＳが基板６０１の上面に吸着される。特に、基板６０１の上面の領域のうち、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口６１１を介した排気工程を進めれば、基板６０１の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２１９】
その後、プラズマ発生部６８０の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板６０１に向かう。
【０２２０】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板６０１の領域のうち、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口６１１を介した排気工程を進めれば、基板６０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２２１】
これを介して、基板６０１の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２２２】
その後、駆動部６５１、５５２を利用し、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０を、図９のＸ軸方向に、すなわち、矢印Ｍ方向に移動する。これを介して、移動後にも、基板６０１とプラズマ発生部６８０との間の空間が維持される。
【０２２３】
その後、注入部６３０の第３注入ホール６３３を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板６０１とプラズマ発生部６８０との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部６８０は、動作しないように制御する。
【０２２４】
ソースガスＳが基板６０１の上面に吸着される。その後、排気口６１１を介した排気工程を進めれば、基板６０１の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２２５】
その後、プラズマ発生部６８０の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板６０１に向かう。
【０２２６】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板６０１の上面に吸着される。その後、排気口６１１を介した排気工程を進めれば、基板６０１の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２２７】
これを介して、基板６０１の上面に、駆動部６５１，６５２の駆動前、第１注入ホール６３１及びプラズマ発生部６８０を利用して形成した薄膜上に、さらにソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２２８】
その後、駆動部６５１，６５２を利用し、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０を、図９のＸ軸方向、矢印Ｍ方向に移動する。
【０２２９】
第５注入ホール６３５及びプラズマ発生部６８０を利用し、第１注入ホール６３１及びプラズマ発生部６８０を利用したのと同様に、基板１０１にさらに薄膜を形成する。
【０２３０】
これを介して、１個のチャンバ６１０で、基板６０１に所望厚の薄膜形成を容易に進めることができる。すなわち、所望の薄膜厚によって、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０の移動を制御することができる。
【０２３１】
本実施形態では、基板６０１の上面と平行した方向に、注入部６３０からソースガスＳを注入する。特に、基板６０１を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部６３０からソースガスが供給され、基板６０１にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板６０１に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部６８０で発生したプラズマも、基板６０１に吸着された余分な不要な成分が、基板６０１に残存しなくなる。
【０２３２】
すなわち、基板６０１に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板６０１の下部に配置された排気口６１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部６３０の第１注入ホール６３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部６８０を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０２３３】
特に、本発明は、基板６０１と対向するように、プラズマ発生部６８０を配置する。ソースガスＳを注入する注入部６３０と別途に、プラズマ発生部６８０を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０２３４】
また、プラズマ発生部６８０と基板６０１とを離隔させ、その間の空間に、注入部６３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部６８０が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部６８０は、基板６０１と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。例えば、第３注入ホール６３３を介して、ソースガスＳを注入するとき、前段階で、第１注入ホール６３１を介して注入されたソースガスＳのうち、基板６０１と反応して吸着された後、残存する余分な不純ガスが完全に排気口６１１を介して排気されない。その場合、第３注入ホール６３３を介して注入されたソースガスＳを利用した工程が、かような不純ガスによって影響され、基板６０１に形成される薄膜の特性を顕著に低下させる。しかし、本実施形態では、基板６０１とプラズマ発生部６８０との間の空間に向かうように、第３注入ホール６３３を介してソースガスＳを注入し、不純物の流入をプラズマ発生部６８０が実質的に遮断することができる。
【０２３５】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０２３６】
また、本実施形態では、駆動部６５１，６５２を利用し、ステージ６２０及びプラズマ発生部６８０を移動しつつ蒸着工程を進める。第１注入ホール６３１、第３注入ホール６３３、第５注入ホール６３５及びプラズマ発生部６８０を介して順次に蒸着工程を進め、所望厚の薄膜を形成する時間を顕著に短縮させて工程の便宜性を高める。
【０２３７】
また、本実施形態では、基板６０１上にマスク６４０を配置し、所望の蒸着パターンを容易に形成することができる。
【０２３８】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した正面図である。
【０２３９】
図１０を参照すれば、気相蒸着装置７００は、チャンバ７１０、ステージ７２０、注入部７３０、駆動部７５１、７５２、７５３及びプラズマ発生部７８１，７８２を含む。
【０２４０】
チャンバ７１０は、下部に排気口７１１を具備する。排気口７１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０２４１】
図示されていないが、チャンバ７１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ７１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ７１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０２４２】
ステージ７２０は、第１装着面７２１及び第２装着面７２２を具備する。第１装着面７２１及び第２装着面７２２は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、第１装着面７２１及び第２装着面７２２は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ７２０は、地面と垂直に配置される。
【０２４３】
ステージ７２０には、基板７０１，７０２が配置される。具体的には、ステージ７２０の第１装着面７２１に、第１基板７０１が装着され、ステージ７２０の第２装着面７２２に、第２基板７０２が装着される。
【０２４４】
第１装着面７２１と第２装着面７２２は、互いに平行に配置される。
【０２４５】
第１装着面７２１及び第２装着面７２２に基板７０１，７０２を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０２４６】
基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部７８１，７８２は、基板７０１，７０２と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部７８１，７８２は、基板７０１，７０２と対応するように、基板７０１，７０２と同じサイズを有するか、あるいは基板７０１，７０２より大きく形成されることが望ましい。
【０２４７】
プラズマ発生部７８１，７８２は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板７０１，７０２側に進めさせる多様な形態を有することができ、具体的な内容は、前述の実施形態と同一であるので、省略する。
【０２４８】
駆動部７５１，７５２，７５３は、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２に連結される。具体的には、第１駆動部７５１は、ステージ７２０に連結され、第２駆動部７５２は、第１プラズマ発生部７８１に連結され、第３駆動部７５３は、第２プラズマ発生部７８２に連結される。
【０２４９】
図１０には、第１駆動部７５１、第２駆動部７５２及び第３駆動部７５３を別途に図示したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２を同時に移動する１つの駆動部を利用することができることは言うまでもない。
【０２５０】
第１駆動部７５１は、ステージ７２０を、図１０に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第１駆動部７５１は、ステージ７２０を、図１０のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板７０１，７０２の薄膜が形成される平面と垂直方向に、基板７０１，７０２を移動させることができる。
【０２５１】
また、第２駆動部７５２及び第３駆動部７５３は、プラズマ発生部７８１，７８２を図１０に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第２駆動部７５２及び第３駆動部７５３は、プラズマ発生部７８１，７８２を図１０のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板７０１，７０２の薄膜が形成される平面と垂直方向に、プラズマ発生部７８１，７８２を移動させることができる。
【０２５２】
このとき、基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２との間隔をそれぞれ維持するように、第１駆動部７５１、第２駆動部７５２及び第３駆動部７５３を制御する。
【０２５３】
注入部７３０は、チャンバ７１０と連結されるように配置される。注入部７３０を介して、一つ以上のガスが基板７０１，７０２側に注入される。具体的には、注入部７３０は、第１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６を具備する。
【０２５４】
また、第１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６は、基板７０１，７０２の移動方向に沿って配列される。すなわち１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６は、図１０のＸ軸方向に沿って離隔されて配列される。
【０２５５】
また、第１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６は、多様な形態を有するが、点状でもあり、基板７０１，７０２の幅に対応する線状であってもよい。
【０２５６】
第１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６は、ガスを基板７０１，７０２の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール７３１、第２注入ホール７３２、第３注入ホール７３３、第４注入ホール７３４、第５注入ホール７３５及び第６注入ホール７３６は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０２５７】
具体的には、第１注入ホール７３１、第３注入ホール７３３及び第５注入ホール７３５は、順次にまたは同時にソースガスＳを注入する。プラズマ発生部７８１，７８２を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール７３２、第４注入ホール７３４及び第６注入ホール７３６は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部７８１，７８２の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール７３２、第４注入ホール７３４及び第６注入ホール７３６を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール７３２、第４注入ホール７３４及び第６注入ホール７３６を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部７８１，７８２でプラズマ状態に変わり、基板７０１，７０２に注入されてもよい。
【０２５８】
本実施形態の気相蒸着装置７００の動作について簡略に説明する。
【０２５９】
ステージ７２０の装着面７２１，７２２に、基板７０１，７０２を装着する。その後、注入部７３０の第１注入ホール７３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部７８１，７８２は、動作しないように制御する。
【０２６０】
ソースガスＳが基板７０１，７０２の上面に吸着される。その後、排気口７１１を介した排気工程を進めれば、基板７０１，７０２の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２６１】
その後、プラズマ発生部７８１，７８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板７０１，７０２に向かう。
【０２６２】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板７０１，７０２の上面に吸着される。その後、排気口７１１を介した排気工程を進めれば、基板７０１，７０２の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２６３】
これを介して、基板７０１，７０２の上面に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２６４】
その後、駆動部７５１，７５２を利用し、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２を図１０のＸ軸方向に、すなわち、矢印Ｍ方向に移動する。これを介して、移動後にも、基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２との間の空間が維持される。
【０２６５】
その後、注入部７３０の第３注入ホール７３３を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部７８１，７８２は、動作しないように制御する。
【０２６６】
ソースガスＳが基板７０１，７０２の上面に吸着される。その後、排気口７１１を介した排気工程を進めれば、基板７０１，７０２の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２６７】
その後、プラズマ発生部７８１，７８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板７０１，７０２に向かう。
【０２６８】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板７０１，７０２の上面に吸着される。その後、排気口７１１を介した排気工程を進めれば、基板７０１，７０２の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２６９】
これを介して、基板７０１，７０２の上面に、駆動部７５１，７５２の駆動前、第１注入ホール７３１及びプラズマ発生部７８１，７８２を利用して形成した薄膜上に、さらにソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０２７０】
その後、駆動部７５１，７５２を利用し、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２を図１０のＸ軸方向、矢印Ｍ方向に移動する。
【０２７１】
第５注入ホール７３５及びプラズマ発生部７８１，７８２を利用し、第１注入ホール７３１及びプラズマ発生部７８１，７８２を利用したのと同様に、基板７０１，７０２にさらに薄膜を形成する。
【０２７２】
これを介して、１個のチャンバ７１０で、基板７０１，７０２に所望厚の薄膜形成を容易に進めることができる。すなわち、所望の薄膜厚によって、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２の移動を制御することができる。
【０２７３】
本実施形態では、基板７０１，７０２の上面と平行した方向に、注入部７３０からソースガスＳを注入する。特に、基板７０１，７０２を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部７３０からソースガスが供給され、基板７０１，７０２にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板７０１，７０２に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部７８１，７８２で発生したプラズマも、基板７０１，７０２に吸着された余分な不要な成分が、基板７０１，７０２に残存しなくなる。
【０２７４】
すなわち、基板７０１，７０２に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板７０１，７０２の下部に配置された排気口７１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部７３０の第１注入ホール７３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部７８１，７８２を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０２７５】
特に、本発明は、基板７０１，７０２と対向するように、プラズマ発生部７８１，７８２を配置する。ソースガスＳを注入する注入部７３０と別途に、プラズマ発生部７８１，７８２を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０２７６】
また、プラズマ発生部７８１，７８２と基板７０１，７０２とを離隔させ、その間の空間に、注入部７３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部７８１，７８２が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部７８１，７８２は、基板７０１，７０２と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。例えば、第３注入ホール７３３を介して、ソースガスＳを注入するとき、前段階で、第１注入ホール７３１を介して注入されたソースガスＳのうち、基板７０１，７０２と反応して吸着された後、残存する余分な不純ガスが完全に排気口７１１を介して排気されない。その場合、第３注入ホール７３３を介して注入されたソースガスＳを利用した工程が、かような不純ガスによって影響され、基板７０１，７０２に形成される薄膜の特性を顕著に低下させる。しかし、本実施形態では、基板７０１，７０２とプラズマ発生部７８１，７８２との間の空間に向かうように、第３注入ホール７３３を介してソースガスＳを注入し、不純物の流入をプラズマ発生部７８１，７８２が実質的に遮断することができる。
【０２７７】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０２７８】
また、本実施形態では、駆動部７５１，７５２，７５３を利用し、ステージ７２０及びプラズマ発生部７８１，７８２を移動しつつ蒸着工程を進める。第１注入ホール７３１、第３注入ホール７３３、第５注入ホール７３５及びプラズマ発生部７８１，７８２を介して順次に蒸着工程を進め、所望厚の薄膜を形成する時間を顕著に短縮させて工程の便宜性を高める。
【０２７９】
また、本実施形態では、ステージ７２０の両面に、装着面７２１，７２２を形成し、２枚の基板７０１，７０２を１つのステージ７２０に同時に装着する。これを介して、工程の効率性を上昇させる。また、このとき、２枚の基板７０１，７０２は、１つのステージ７２０に互いに平行に配置されるので、２枚の基板７０１，７０２の薄膜が形成されるそれぞれの面は、互いに対面しないので、互いの薄膜蒸着工程に影響を受けない。これを介して、それぞれの基板７０１，７０２に、同一であって均一に、優秀な薄膜を形成することが可能である。
【０２８０】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態に係わる気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【０２８１】
図１１を参照すれば、気相蒸着装置８００は、チャンバ８１０、ステージ８２０、注入部８３０、駆動部８５１、８５２、８５３、マスク８４１、８４２及びプラズマ発生部８８１、８８２を含む。
【０２８２】
チャンバ８１０は、下部に排気口８１１を具備する。排気口８１１は、ガスを排気する出口であり、排気を容易にするように、ポンプに連結されることが望ましい。
【０２８３】
図示されていないが、チャンバ８１０は、所定の圧力を維持するように、ポンプによって圧力が制御される。そして、チャンバ８１０の内部を加熱する加熱手段（図示せず）が、チャンバ８１０の内部または外部に配置され、薄膜蒸着工程の効率性を向上させもする。
【０２８４】
ステージ８２０は、第１装着面８２１及び第２装着面８２２を具備する。第１装着面８２１及び第２装着面８２２は、重力が作用する方向と平行に配置される。すなわち、第１装着面８２１及び第２装着面８２２は、地面と垂直に配置される。このために、ステージ８２０は、地面と垂直に配置される。
【０２８５】
ステージ８２０には、基板８０１，８０２が配置される。具体的には、ステージ８２０の第１装着面８２１に、第１基板８０１が装着され、ステージ８２０の第２装着面８２２に、第２基板８０２が装着される。
【０２８６】
第１装着面８２１と第２装着面８２２は、互いに平行に配置される。
【０２８７】
第１装着面８２１及び第２装着面８２２に基板８０１，８０２を装着した後で固定するように、固定手段（図示せず）が配置されてもよい。固定手段（図示せず）は、クランプ、圧力手段、接着物質など、多種であってもよい。
【０２８８】
基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２は、離隔されて所定の空間を形成する。プラズマ発生部８８１、３８２は、基板８０１，８０２と平行に配置することが望ましい。また、プラズマ発生部８８１，８８２は、基板８０１，８０２と対応するように、基板８０１，８０２と同じサイズを有するか、あるいは基板８０１，８０２より大きく形成されることが望ましい。
【０２８９】
基板８０１，８０２上にマスク８４１，８４２が配置される。具体的には、第１基板８０１上に、第１マスク８４１、第２基板８０２上に、第２マスク８４２が配置される。
【０２９０】
第１マスク８４１及び第２マスク８４２は、図示されていないが、前述の実施形態と同様に、開口部（図示せず）を具備する。開口部（図示せず）は、基板８０１，８０２に形成される薄膜のパターンに対応する形態を有する。
【０２９１】
プラズマ発生部８８１，８８２は、多様な形態を有することができる。すなわち、反応ガスを注入された後、プラズマとして発生させ、基板８０１，８０２側に進めさせる多様な形態を有することができ、具体的な内容は、前述の実施形態と同一であるので、省略する。
【０２９２】
駆動部８５１，８５２，８５３は、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２に連結される。具体的には、第１駆動部８５１は、ステージ８２０に連結され、第２駆動部８５２は、第１プラズマ発生部８８１に連結され、第３駆動部８５３は、第２プラズマ発生部８８２に連結される。
【０２９３】
図１１には、第１駆動部８５１、第２駆動部８５２及び第３駆動部８５３を別途に図示したが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２を同時に移動する１つの駆動部を利用することができることは言うまでもない。
【０２９４】
第１駆動部８５１は、ステージ８２０を、図１１に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第１駆動部８５１は、ステージ８２０を、図１１のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板８０１，８０２の薄膜が形成される平面と垂直方向に、基板８０１，８０２を移動させることができる。
【０２９５】
また、第２駆動部８５２及び第３駆動部８５３は、プラズマ発生部８８１，８８２を図１１に図示された矢印Ｍ方向、または矢印Ｍ方向の反対方向に移動する。すなわち、第２駆動部８５２及び第３駆動部８５３は、プラズマ発生部８８１，８８２を図１１のＸ軸方向に移動する。これを介して、基板８０１，８０２の薄膜が形成される平面と垂直方向に、プラズマ発生部８８１，８８２を移動させることができる。
【０２９６】
このとき、基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２との間隔をそれぞれ維持するように、第１駆動部８５１、第２駆動部８５２及び第３駆動部８５３を制御する。
【０２９７】
注入部８３０は、チャンバ８１０と連結されるように配置される。注入部８３０を介して、一つ以上のガスが基板８０１，８０２側に注入される。具体的には、注入部８３０は、第１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６を具備する。
【０２９８】
また、第１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６は、基板８０１，８０２の移動方向に沿って配列される。すなわち１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６は、図１１のＸ軸方向に沿って離隔されて配列される。
【０２９９】
また、第１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６は、多様な形態を有するが、点状でもあり、基板８０１，８０２の幅に対応する線状であってもよい。
【０３００】
第１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６は、ガスを基板８０１，８０２の平面方向と平行に注入する。すなわち、第１注入ホール８３１、第２注入ホール８３２、第３注入ホール８３３、第４注入ホール８３４、第５注入ホール８３５及び第６注入ホール８３６は、重力が作用する方向と平行にガスを注入する。
【０３０１】
具体的には、第１注入ホール８３１、第３注入ホール８３３及び第５注入ホール８３５は、順次にまたは同時にソースガスＳを注入する。プラズマ発生部８８１，８８２を介して、プラズマ状態である反応ガス成分が注入されるので、第２注入ホール８３２、第４注入ホール８３４及び第６注入ホール８３６は、不要ともなる。しかし、本発明は、これに限定されるものではなく、プラズマ発生部８８１，８８２の供給部（図示せず）の代わりに、第２注入ホール８３２、第４注入ホール８３４及び第６注入ホール８３６を介して、反応ガスを注入することも可能でもある。すなわち、第２注入ホール８３２、第４注入ホール８３４及び第６注入ホール８３６を介して注入された反応ガスが、プラズマ発生部８８１，８８２でプラズマ状態に変わり、基板８０１，８０２に注入されてもよい。
【０３０２】
本実施形態の気相蒸着装置８００の動作について簡略に説明する。
【０３０３】
ステージ８２０の装着面８２１に、基板８０１，８０２を装着する。基板８０１，８０２上に、蒸着しようとする薄膜のパターンに対応する開口部（図示せず）を有するマスク８４１，８４２を配置する。
【０３０４】
その後、注入部８３０の第１注入ホール８３１を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部８８１，８８２は、動作しないように制御する。
【０３０５】
ソースガスＳが基板８０１，８０２の上面に吸着される。特に、基板８０１，８０２の上面の領域のうち、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口８１１を介した排気工程を進めれば、基板８０１，８０２の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３０６】
その後、プラズマ発生部８８１，８８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板８０１，８０２に向かう。
【０３０７】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板８０１，８０２において、開口部（図示せず）に対応する領域に吸着される。その後、排気口８１１を介した排気工程を進めれば、基板８０１，８０２の上面において、開口部（図示せず）に対応する領域に反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３０８】
これを介して、基板８０１，８０２の上面において、開口部（図示せず）に対応する領域に、ソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３０９】
その後、駆動部８５１，７５２を利用し、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２を図１１のＸ軸方向に、すなわち、矢印Ｍ方向に移動する。これを介して、移動後にも、基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２との間の空間が維持される。
【０３１０】
その後、注入部８３０の第３注入ホール８３３を介して、ソースガスＳを注入する。このとき、ソースガスＳは、基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２との間の空間に向かうように注入されることが望ましい。また、ソースガスＳの注入時には、プラズマ発生部８８１，８８２は、動作しないように制御する。
【０３１１】
ソースガスＳが基板８０１，８０２の上面に吸着される。その後、排気口８１１を介した排気工程を進めれば、基板８０１，８０２の上面に、ソースガスＳの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３１２】
その後、プラズマ発生部８８１，８８２の供給部（図示せず）を介して、反応ガスを注入する。反応ガスが注入されれば、第１プラズマ電極（図示せず）と第２プラズマ電極（図示せず）との間の空間で、プラズマが発生する。かようなプラズマは、取出口（図示せず）を介して、基板８０１，８０２に向かう。
【０３１３】
これを介して、反応ガス成分のプラズマが、基板８０１，８０２の上面に吸着される。その後、排気口８１１を介した排気工程を進めれば、基板８０１，８０２の上面に、反応ガスの単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３１４】
これを介して、基板８０１，８０２の上面に、駆動部８５１，８５２の駆動前、第１注入ホール８３１及びプラズマ発生部８８１，８８２を利用して形成した薄膜上に、さらにソースガスＳの成分及び反応ガスの成分によって構成された単一層の原子層、または複数層の原子層が形成される。
【０３１５】
その後、駆動部８５１，８５２を利用し、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２を図１１のＸ軸方向、矢印Ｍ方向に移動する。
【０３１６】
第５注入ホール８３５及びプラズマ発生部８８１，８８２を利用し、第１注入ホール８３１及びプラズマ発生部８８１，８８２を利用したのと同様に、基板８０１，８０２にさらに薄膜を形成する。
【０３１７】
これを介して、１個のチャンバ８１０で、基板８０１，８０２に所望厚の薄膜形成を容易に進めることができる。すなわち、所望の薄膜厚によって、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２の移動を制御することができる。
【０３１８】
本実施形態では、基板８０１，８０２の上面と平行した方向に、注入部８３０からソースガスＳを注入する。特に、基板８０１，８０２を、地面と垂直な方向、すなわち、重力が作用する方向に配置する。これを介して、注入部８３０からソースガスが供給され、基板８０１，８０２にソースガス成分が吸着されるとき、不要に基板８０１，８０２に吸着される量が減少する。同様に、プラズマ発生部８８１，８８２で発生したプラズマも、基板８０１，８０２に吸着された余分な不要な成分が、基板８０１，８０２に残存しなくなる。
【０３１９】
すなわち、基板８０１，８０２に不要に吸着された成分、及びその他不均一に塊になったガス成分が重力によって下部に落ち、その量が減少する。また、かような不要なガス成分は、基板８０１，８０２の下部に配置された排気口８１１を介した排気工程を介して容易に除去される。従って、注入部８３０の第１注入ホール８３１を介して、ソースガスＳを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程だけ進め、その後、プラズマ発生部８８１，８８２を介して、反応ガスを注入した後、別途のパージガスを利用したパージング工程を行わずに排気工程を遂行し、蒸着工程を完了する。
【０３２０】
特に、本発明は、基板８０１，８０２と対向するように、プラズマ発生部８８１，８８２を配置する。ソースガスＳを注入する注入部８３０と別途に、プラズマ発生部８８１，８８２を配置し、ソースガスを介した工程と、反応ガスを介した工程とを独立して遂行し、不純物が入り込まない優秀な特性の薄膜を容易に形成することができる。
【０３２１】
また、プラズマ発生部８８１，８８２と基板８０１，８０２とを離隔させ、その間の空間に、注入部８３０を介して、ソースガスＳを注入するので、プラズマ発生部８８１，８８２が一種のガイド部材の役割を行い、所望しない不純物の流入を実質的に遮断する。このために、プラズマ発生部８８１，８８２は、基板８０１，８０２と同一であるか、あるいはそれよりも大きく形成することが望ましい。例えば、第３注入ホール８３３を介して、ソースガスＳを注入するとき、前段階で、第１注入ホール８３１を介して注入されたソースガスＳのうち、基板８０１，８０２と反応して吸着された後、残存する余分な不純ガスが完全に排気口８１１を介して排気されない。その場合、第３注入ホール８３３を介して注入されたソースガスＳを利用した工程が、かような不純ガスによって影響され、基板８０１，８０２に形成される薄膜の特性を顕著に低下させる。しかし、本実施形態では、基板８０１，８０２とプラズマ発生部８８１，８８２との間の空間に向かうように、第３注入ホール８３３を介してソースガスＳを注入し、不純物の流入をプラズマ発生部８８１，８８２が実質的に遮断することができる。
【０３２２】
結果として、所望する薄膜を形成するための蒸着工程の効率性が顕著に上昇する。また、不要なガス成分の吸着を容易に防止し、パージング工程が不要であるので、パージガス使用によるパージガス不純物が共に蒸着されることを実質的に防止して均一な特性を有し、また、物理的、化学的に優秀な特性を有する薄膜を容易に形成することができる。
【０３２３】
また、本実施形態では、駆動部８５１，８５２，８５３を利用し、ステージ８２０及びプラズマ発生部８８１，８８２を移動しつつ蒸着工程を進める。第１注入ホール８３１、第３注入ホール８３３、第５注入ホール８３５及びプラズマ発生部８８１，８８２を介して順次に蒸着工程を進め、所望厚の薄膜を形成する時間を顕著に短縮させて工程の便宜性を高める。
【０３２４】
また、本実施形態では、ステージ８２０の両面に、装着面８２１，８２２を形成し、２枚の基板８０１，８０２を１つのステージ８２０に同時に装着する。これを介して、工程の効率性を上昇させる。また、このとき、２枚の基板８０１，８０２は、１つのステージ８２０に互いに平行に配置されるので、２枚の基板８０１，８０２の薄膜が形成されるそれぞれの面は、互いに対面しないので、互いの薄膜蒸着工程に影響を受けない。これを介して、それぞれの基板８０１，８０２に、同一であって均一に、優秀な薄膜を形成することが可能である。
【０３２５】
また、本実施形態では、基板８０１，８０２上にマスク８４１，８４２を配置し、所望の蒸着パターンを容易に形成することができる。
【０３２６】
図１２は、本発明の一実施形態に係わる有機発光表示装置の製造方法によって製造された有機発光表示装置を概略的に図示した断面図である。具体的には、図１２は、前述の本発明の気相蒸着装置１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００を利用して製造された有機発光表示装置を図示している。
【０３２７】
図１２を参照すれば、有機発光表示装置１０は、基板３０上に形成される。基板３０は、ガラス材、プラスチック材、または金属材から形成される。基板３０上には、基板３０上部に平坦面を提供し、基板３０に水分及び異物の浸透を防止するように、絶縁物を含有するバッファ層３１が形成されている。
【０３２８】
バッファ層３１上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：thin film transistor）４０と、キャパシタ５０と、有機発光素子６０とが形成される。薄膜トランジスタ４０は、大きく見て、活性層４１、ゲート電極４２、ソース／ドレイン電極４３を含む。有機発光素子６０は、第１電極６１、第２電極６２及び中間層６３を含む。なお、符号番号５１，５２は、それぞれキャパシタ５０の下部電極、上部電極を示す。
【０３２９】
具体的には、バッファ層３１の上面には、所定パターンで配列された活性層４１が形成されている。活性層４１は、ｐ型またはｎ型の半導体でもって備わってもよい。活性層４１の上部には、ゲート絶縁膜３２が形成される。ゲート絶縁膜３２の上部には、活性層４１と対応するところに、ゲート電極４２が形成される。ゲート電極４２を覆うように層間絶縁膜３３が形成され、層間絶縁膜３３上に、ソース／ドレイン電極４３が形成されるが、活性層４１の所定の領域と接触するように形成される。ソース／ドレイン電極４３を覆うように、パッシベーション層３４が形成され、パッシベーション層３４の上部には、パッシベーション層３４の平坦化のために、別途の絶縁膜をさらに形成してもよい。
【０３３０】
パッシベーション層３４上に、第１電極６１を形成する。第１電極６１は、ドレイン電極４３と電気的に連結されるように形成する。そして、第１電極６１を覆うように、画素定義膜３５が形成される。この画素定義膜３５に、所定の開口６４を形成した後、この開口６４によって限定された領域内に、有機発光層を具備する中間層６３を形成する。中間層６３上に、第２電極６２を形成する。
【０３３１】
第２電極６２上に、封止層７０を形成する。封止層７０は、有機物または無機物を含有することができ、有機物と無機物とを交互に積層した構造であってもよい。
【０３３２】
封止層７０は、本発明の気相蒸着装置１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００，８００を利用して形成することができる。すなわち、第２電極６２が形成された基板３０をチャンバに移動して気相蒸着工程を進め、封止層７０を形成することができる。
【０３３３】
しかし、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、有機発光表示装置１０のバッファ層３１、ゲート絶縁膜３２、層間絶縁膜３３、パッシベーション層３４及び画素定義膜３５など、その他絶縁膜を、本発明の気相蒸着装置で形成することもできる。
【０３３４】
また、活性層４１、ゲート電極４２、ソース電極及びドレイン電極４３、第１電極６１、中間層６３及び第２電極６２など、その他多様な導電性薄膜を、本発明の気相蒸着装置で形成することも可能であることは言うまでもない。
【０３３５】
本発明は、図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【０３３６】
本発明の気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法は、例えば薄膜製造関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【符号の説明】
【０３３７】
１０：有機発光表示装置
30, 101, 201, 401, 402, 401, 402, 601, 601, 801, 802, 801, 802    基板
３１    バッファ層
３２    ゲート絶縁膜
３３    層間絶縁膜
３４    パッシベーション膜
３５    画素定義膜
４０    薄膜トランジスタ
４１    活性層
４２    ゲート電極
４３    ソース／ドレイン電極
５０    キャパシタ
５１    下部電極
５２    上部電極
６０    有機発光素子
６１    第１電極
６２    第２電極
６３    中間層
６４    開口
７０    封止層
100, 200, 400, 400, 600, 600, 800, 800    気相蒸着装置
110, 210, 410, 410, 610, 610, 810, 810    チャンバ
111, 211, 411, 411, 611, 611, 811, 811    排気口
120, 220, 420, 420, 620, 620, 820, 820    ステージ
１２１    蒸着面
130, 230, 430, 430, 630, 630, 830, 830    注入部
１３１    第１注入ホール
１３２    第２注入ホール
180, 280, 481, 482, 481, 482, 680, 680, 881, 882, 881, 882    プラズマ発生部
１８０ａ，１８０ｂ，１８０ｃ，１８０ｄ，１８０ｅ    モジュール
１８１    第１プラズマ電極
１８２    第２プラズマ電極
１８３    供給口
１８４    空間
１８５    取出口
【図１】
0006022242.tif 000002
【図２】
0006022242.tif 000003
【図３】
0006022242.tif 000004
【図４】
0006022242.tif 000005
【図５】
0006022242.tif 000006
【図６】
0006022242.tif 000007
【図７】
0006022242.tif 000008
【図８】
0006022242.tif 000009
【図９】
0006022242.tif 000010
【図１０】
0006022242.tif 000011
【図１１】
0006022242.tif 000012
【図１２】
0006022242.tif 000013