(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、
処理液により基板を処理する第１の処理部と、
処理液により基板を処理する第２の処理部と、
前記第１の処理部における処理液の劣化度合いを検出するライフ検出部と、
前記第１の処理部の処理液を前記第２の処理部へ送る液送部と、
清浄度が高い基板を前記第１の処理部に搬送させ、清浄度が低い基板を前記第２の処理部に搬送させ、清浄度が高い基板を前記第１の処理部で処理させ、前記第１の処理部における処理液の劣化度合いが所定値に達したことを前記ライフ検出部が検出した場合には、前記第１の処理部の処理液を前記液送部により前記第２の処理部へ送らせるとともに、前記第２の処理部では前記第１の処理部から送られてきた処理液により清浄度が低い基板の処理を行わせる制御部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第１の処理部及び前記第２の処理部は、処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬させるための処理槽と、処理槽内の処理液を循環させる循環配管と、前記循環排管に設けられたフィルタと、前記循環配管で処理液を循環させた時間に応じた処理液のクリーンレベルを検出するクリーンレベル検出部とをそれぞれ備え、
前記制御部は、前記第１の処理部及び前記第２の処理部において処理液を循環させた後に、クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとに応じて処理可能な基板の清浄度を対応させた対応表を予め記憶している記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記対応表を参照して、前記第１の処理部または前記第２の処理部に基板を投入することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第２の処理部は、前記第１の処理部の下部に配置された多段構成であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に対して処理液により所定の処理を行う基板処理方法において、
清浄度が高い基板を第１の処理部に搬送し、清浄度が低い基板を第２の処理部に搬送する過程と、
第１の処理部における処理液で清浄度が高い基板を処理する過程と、
前記第１の処理部における処理液の劣化度が所定値に達した場合には、その処理液を第２の処理部に送る過程と、
前記第２の処理部において処理液で清浄度が低い基板を処理する過程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理方法において、
前記基板を処理する過程は、
前記第１の処理部及び前記第２の処理部にて処理を行う前に、フィルタを有する循環配管に処理液を循環させる過程と、
前記処理液を循環させた時間に応じた処理液のクリーンレベルを検出する過程と、
前記クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理する過程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理方法において、
前記クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理する過程は、処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとに応じて処理可能な基板の清浄度を対応させた対応表を参照する過程と、
前記対応表に基づいて前記第１の処理部及び前記第２の処理部に基板を投入する過程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板（以下、単に基板と称する）等の基板に対して、処理液により洗浄、エッチング等の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、処理槽と、供給配管と、排出管と、記憶部と、制御部とを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。処理槽は、複数枚の基板を収容可能であって、基板を処理するための処理液を貯留する。供給配管は、処理槽に対して処理液を供給する。排出管は、処理槽に貯留する処理液を処理槽から排出する。記憶部は、処理液を基板の処理のための使用可能な処理回数（ライフカウントと呼ばれる）を予め記憶している。制御部は、処理槽に対して供給管から処理液を供給して複数枚の基板を順次に処理してゆく。
【０００３】
その処理の際、制御部は、処理を終えるごとに処理回数がライフカウントに達したか否かを判断する。その結果、処理回数がライフカウントに達している場合には、排出管から処理槽内の処理液の一部を廃棄し、供給配管から新たな処理液をその分だけ補充する。そして、このようにして処理液の一部を新たなものに交換する部分液交換を行った後に、次の複数枚の基板を処理する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２６０２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置は、基板の清浄度に係わらず、部分液交換を行いながら、ほぼ同じ状態の処理液で処理を行っている。しかし、現実的には、基板の清浄度によっては、廃棄した処理液であっても処理に使用することができる。つまり、従来装置では、処理液の使用効率が非常に低いという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理対象の基板の清浄度に応じて劣化度合いが異なる処理液を使用することにより、処理液の利用効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に対して処理液により所定の処理を行う基板処理装置において、処理液により基板を処理する第１の処理部と、処理液により基板を処理する第２の処理部と、前記第１の処理部における処理液の劣化度合いを検出するライフ検出部と、前記第１の処理部の処理液を前記第２の処理部へ送る液送部と、清浄度が高い基板を前記第１の処理部に搬送させ、清浄度が低い基板を前記第２の処理部に搬送させ、清浄度が高い基板を前記第１の処理部で処理させ、前記第１の処理部における処理液の劣化度合いが所定値に達したことを前記ライフ検出部が検出した場合には、前記第１の処理部の処理液を前記液送部により前記第２の処理部へ送らせるとともに、前記第２の処理部では前記第１の処理部から送られてきた処理液により清浄度が低い基板の処理を行わせる制御部と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００８】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、清浄度が異なる複数枚の基板を処理するにあたり、制御部は、清浄度が高い基板を第１の処理部に搬送させ、清浄度が低い基板を第２の処理部に搬送させる。そして、清浄度が高い基板を第１の処理部で処理させ、第１の処理部における処理液の劣化度合いが所定値に達したことをライフ検出部で検出した場合には、第１の処理部の処理液を液送部で第２の処理部に送る。そして、第２の処理部では、その処理液で清浄度が低い基板の処理を行わせる。このように処理液が劣化してもすぐには廃棄せず、その処理液の劣化度合いでも処理できる清浄度の低い基板の処理に用いるので、処理液の利用効率を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明において、前記第１の処理部及び前記第２の処理部は、処理液を貯留し、基板を処理液に浸漬させるための処理槽と、処理槽内の処理液を循環させる循環配管と、前記循環排管に設けられたフィルタと、前記循環配管で処理液を循環させた時間に応じた処理液のクリーンレベルを検出するクリーンレベル検出部とをそれぞれ備え、前記制御部は、前記第１の処理部及び前記第２の処理部において処理液を循環させた後に、クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理させることが好ましい（請求項２）。
【００１０】
処理槽に貯留している処理液には、基板を処理した際にパーティクルやフォトレジスト膜の破片等が混入している。しかし、循環配管を通して処理液を循環させると、処理液がフィルタを通ってパーティクル等が除去されるので、処理液を循環させた時間が長いほど処理液のクリーンレベルが高くなる。したがって、クリーンレベル検出部が検出したクリーンレベルに応じた清浄度の基板をその処理液で処理することにより、劣化度合いが同じ処理液であっても清浄度が高めの基板にも用いることができる。
【００１１】
また、本発明において、処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとに応じて処理可能な基板の清浄度を対応させた対応表を予め記憶している記憶部をさらに備え、前記制御部は、前記対応表を参照して、前記第１の処理部または前記第２の処理部に基板を投入することが好ましい（請求項３）。
【００１２】
制御部が対応表を参照することにより、基板の清浄度に応じた処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとが分かるので、基板の清浄度に応じた適切な状態の処理液で基板を処理することができる。
【００１３】
また、本発明において、前記第２の処理部は、前記第１の処理部の下部に配置された多段構成であることが好ましい（請求項４）。
【００１４】
清浄度が高い基板を処理する第１の処理部を第２の処理部の上部に配置しているので、清浄度が低い基板から生じたパーティクル等が第１の処理部に移動し難い。したがって、清浄度が高い基板と清浄度が低い基板との間における相互汚染を防止できる。また、液送のために重力を利用できるので、コストを低減することができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明は、基板に対して処理液により所定の処理を行う基板処理方法において、清浄度が高い基板を第１の処理部に搬送し、清浄度が低い基板を第２の処理部に搬送する過程と、第１の処理部における処理液で清浄度が高い基板を処理する過程と、前記第１の処理部における処理液の劣化度が所定値に達した場合には、その処理液を第２の処理部に送る過程と、前記第２の処理部において処理液で清浄度が低い基板を処理する過程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１６】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、清浄度が高い基板を第１の処理部に搬送し、清浄度が低い基板を第２の処理部に搬送した後、第１の処理部で清浄度が高い基板を処理し、第１の処理部における処理液の劣化度合いが所定値に達した場合には、第１の処理部の処理液を液送部で第２の処理部に送る。そして、その処理液で、第２の処理部にて清浄度が低い基板の処理を行わせる。このように処理液が劣化してもすぐには廃棄せず、その処理液の劣化度合いでも処理できる清浄度の低い基板の処理に用いるので、処理液の利用効率を向上させることができる。
【００１７】
また、本発明において、前記基板を処理する過程は、前記第１の処理部及び前記第２の処理部にて処理を行う前に、フィルタを有する循環配管に処理液を循環させる過程と、前記処理液を循環させた時間に応じた処理液のクリーンレベルを検出する過程と、前記クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理する過程と、を備えていることが好ましい（請求項６）。
【００１８】
処理液には、基板を処理した際にパーティクルやフォトレジスト膜の破片等が混入している。しかし、循環配管を通して処理液を循環させると、処理液がフィルタを通ってパーティクル等が除去されるので、処理液を循環させた時間が長いほど処理液のクリーンレベルが高くなる。したがって、検出したクリーンレベルに応じた清浄度の基板をその処理液で処理することにより、劣化度合いが同じ処理液であっても清浄度が高めの基板にも用いることができる。
【００１９】
また、本発明において、前記クリーンレベルに応じた清浄度の基板を処理する過程は、処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとに応じて処理可能な基板の清浄度を対応させた対応表を参照する過程と、前記対応表に基づいて前記第１の処理部及び前記第２の処理部に基板を投入する過程と、を備えていることが好ましい（請求項７）。
【００２０】
対応表を参照することにより、基板の清浄度に応じた処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルが分かるので、基板の清浄度に応じた適切な状態の処理液で基板を処理することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る基板処理装置によれば、清浄度が異なる複数枚の基板を処理するにあたり、制御部は、清浄度が高い基板を第１の処理部に搬送させ、清浄度が低い基板を第２の処理部に搬送させる。そして、清浄度が高い基板を第１の処理部で処理させ、第１の処理部における処理液の劣化度合いが所定値に達したことをライフ検出部で検出した場合には、第１の処理部の処理液を液送部で第２の処理部に送る。そして、第２の処理部では、その処理液で清浄度が低い基板の処理を行わせる。このように処理液が劣化してもすぐには廃棄せず、その処理液の劣化度合いでも処理できる清浄度の低い基板の処理に用いるので、処理液の利用効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。
【図２】制御系の概略構成を示すブロック図である。
【図３】記憶部に記憶されている対応表の模式図である。
【図４】循環時間とクリーンレベルの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の一実施例について説明する。
図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。
【００２４】
本実施例に係る基板処理装置は、載置台３と、収納部５と、姿勢変換部７と、基板処理部９とを備えている。載置台３は、ＦＯＵＰ１１を載置するための台である。ＦＯＵＰ１１は、複数枚の基板Ｗを積層して収納可能な密閉型の容器であり、図示しない開口に着脱自在の蓋を備えている。ＦＯＵＰ１１は、作業者や、図示しない搬送装置により載置台３に載置されたり、載置台３から搬送されたりする。収納部５は、ＦＯＵＰ１１の中から複数枚の基板Ｗを取り出して、複数枚の基板Ｗだけを図示しない棚に載置する。
【００２５】
収納部５の側壁には、設定部１３が設けられている。設定部１３は、載置台３に載置されたＦＯＵＰ１１に関連付けられたロット情報（処理手順を規定したレシピの番号や、基板の清浄度）等を入力するためのものである。設定部１３は、情報を表示する表示部や、ロット情報を入力するためのキーボードなどを備えている。
【００２６】
姿勢変換部７は、収納部５から取り込んだ複数枚の基板Ｗについて、その姿勢を水平から垂直に変換し、基板処理部９から取り込んだ処理済の複数枚の基板Ｗについて、その姿勢を垂直から水平に変換する。収納部５から取り込まれた複数枚の基板Ｗは、姿勢変換部７から基板処理部９に搬送され、基板処理部９から取り込まれた複数枚の基板Ｗは、姿勢変換部７から収納部５に搬送される。
【００２７】
基板処理部９は、例えば、３個の処理部１５〜１７で構成されている。各処理部１５〜１７は、高さ方向に積層して設けられている。本実施例では、例えば、３層構造となっている。各処理部１５〜１７は、ほぼ同じ構成であるので、ここでは主として最上層の処理部１５を例に採って説明し、その下層にあたる処理部１６，１７については、処理部１５との相違点のみについて説明する。
【００２８】
処理部１５は、複数個の処理ユニット１９，２１，……を並設されている。例えば、処理ユニット１９は、複数枚の基板Ｗに対して処理液による処理を行い、処理ユニット２１は、複数枚の基板に対して純水による洗浄処理を行う。他の後続する処理ユニットは、例えば、複数枚の基板Ｗに対して乾燥処理を行う。処理部１５は、各処理ユニット１９，２１，……にわたって移動可能であって、各処理ユニット１９，２１，……との間で複数枚の基板Ｗを受け渡すための水平移動搬送部ＷＴＲを備えている。
【００２９】
ここでは、処理ユニット１９についてのみ説明する。処理ユニット１９は、処理槽２３と、循環系２５と、液送部２７と、秤量部２９と、リフタ３１とを備えている。処理槽２３は、内槽３３と、外槽３５とを備えている。内槽３３は、複数枚の基板Ｗを収容可能であって、処理液を貯留する。内槽３３から溢れた処理液は、外槽３５で回収される。循環系２５は、循環配管３７と、ポンプ３９と、フィルタ４１と、制御弁４３と、三方弁４５とを備えている。
【００３０】
循環配管３７は、内槽３３と外槽３５とを連通接続している。ポンプ３９は、外槽３５に貯留している処理液を、循環排管３７を通して内槽３３に送る。フィルタ４１は、循環配管３７を流通する処理液に含まれているパーティクルやフォトレジスト膜の破片などの異物を除去する。制御弁４３は、循環配管３７における処理液の流通を制御する。三方弁４５は、循環配管３７への処理液の流通と、液送配管４７への処理液の流通とを選択的に制御する。
【００３１】
液送部２７は、上述した三方弁４５と、液送配管４７とを備えている。液送配管４７は、三方弁４５に一端側が連通接続され、他端側が下層の処理部１６の液受け部４９に連通接続されている。秤量部２９は、薬液や純水等を秤量し、所定濃度の処理液を精製して、内槽３３にその処理液を供給する。リフタ３１は、複数枚の基板Ｗを起立姿勢で保持し、内槽３３内の処理位置と、水平移動搬送部ＷＴＲとの間で複数枚の基板Ｗを受け渡す受け渡し位置との間にわたって昇降可能に構成されている。また、水平移動搬送部ＷＴＲは、上述した姿勢変換部７との間で複数枚の基板Ｗを受け渡す。
【００３２】
処理部１６は、秤量部２９に代えて液受け部４９を備え、処理部１７も同様に液受け部４９を備えている。また、処理部１７は、液送配管４７に代えて、三方弁４５に廃液排管５１の一端側が連通接続されている。廃液排管５１の他端側は、図示しない廃液ユニットに連通接続されている。
【００３３】
なお、上述した処理部１５の処理ユニット１９が本発明における「第１の処理部」に相当し、処理部１６の処理ユニット１９が本発明における「第２の処理部」に相当する。また、処理部１６の処理ユニット１９が本発明における「第１の処理部」に相当し、処理部１７の処理ユニット１９が本発明における「第２の処理部」に相当する。
【００３４】
次に、図２を参照して、上述した基板処理装置の制御系について説明する。なお、図２は、制御系の概略構成を示すブロック図である。
【００３５】
制御系は、制御部５３を中心に構成されている。制御部５３は、図示しないＣＰＵ等で構成されている。制御部５３は、上述した載置台３と、収納部５と、姿勢変換部７と、基板処理部９と、設定部１３とを統括的に制御する。制御部５３には、記憶部５５と、ライフ計数部５７と、クリーンレベル計数部５９とが接続されている。
【００３６】
記憶部５５は、複数枚の基板Ｗを処理する手順を規定した各種のレシピや、後述する対応表を予め記憶している。ライフ計数部５７は、処理液のライフを計数する。ライフとは、処理液の劣化度合いを表すものであり、例えば、処理液の使用時間で規定されたライフタイムや、処理液の使用回数で規定されたライフカウントとが挙げられる。ここでは、ライフとしてライフカウントを例に採って説明する。例えば、ライフカウントが「３」に設定されている場合には、同じ処理液では３回までしか処理を行うことができないので、ライフカウントが３となった時点でその処理液による処理は行われないのが一般的である。ライフ計数部５７は、制御部５３がレシピにしたがって処理部１５で複数枚の基板Ｗを処理した回数を計数する。制御部５３は、そのカウントを逐次参照して、所定の回数に達した場合には、今現在行っている処理が完了した時点で、液送部２７を用いて処理部１５の処理液を下層の処理部１６へと送る。また、制御部５３は、同様にして液送部２７を用いて処理部１６の処理液を下層の処理部１７へと送る。
【００３７】
なお、上述したライフ計数部５７が本発明における「ライフ検出部」に相当する。
【００３８】
クリーンレベル計数部５９は、処理液のクリーンレベルを計数する。具体的には、基板Ｗを実際に処理する前に、制御部５３がポンプ３９を作動させて、処理液を循環させた時間に応じた処理液のクリーンレベルを計数する。
【００３９】
なお、上述したクリーンレベル計数部５９が本発明における「クリーンレベル検出部」に相当する。
【００４０】
制御部５３は、記憶部５５の対応表を参照し、ライフ計数部５７のライフカウントを参照し、クリーンレベル計数部５９のクリーンレベルを参照する。なお、ライフ計数部５７と、クリーンレベル計数部５９とは、各処理部１５〜１７に備えられており、制御部５３は、各処理部１５〜１７におけるライフカウントとクリーンレベルとを独立して参照可能になっている。
【００４１】
ここで図３及び図４を参照する。なお、図３は、記憶部に記憶されている対応表の模式図であり、図４は、循環時間とクリーンレベルの関係を示すグラフである。
【００４２】
図３の対応表は、ライフカウントとクリーンレベルとのマトリックスで構成され、それらの各組合せの位置に基板Ｗの清浄度が配置されてなる一例を示している。この表中においては、清浄度＝４０が最も清浄度が高いことを表し、清浄度＝１が最も清浄度が低いことを表している。また、クリーンレベル＝４が最もクリーンレベルが高く、クリーンレベル＝１が最もクリーンレベルが低いことを表している。ライフカウントは、０〜３と、４〜７と、８〜１０の３つの範囲に分けられている。最上層の処理部１５にはライフカウント＝０〜３の処理液が割り当てられ、中間層の処理部１６にはライフカウント＝４〜７の処理液が割り当てられ、最下層の処理部１７にはライフカウント＝８〜１０の処理液が割り当てられている。したがって、制御部５３は、この対応表を参照し、処理部１５のライフ計数部５７がライフカウント＝３となった場合には、その処理を終えた時点で、その処理液を処理部１６に送る。そして、処理部１６のライフ計数部５７がライフカウント＝７となった場合には、その処理を終えた時点で、その処理液を処理部１７に送る。処理部１７のライフ計数部５７がライフカウント＝１０となった場合には、その処理を終えた時点で、その処理液を廃液する。制御部５３は、設定部１３で設定された清浄度と、対応表とに基づいて、投入された複数枚の基板Ｗをどの処理部１５〜１７に搬送するかを決定することができる。
【００４３】
また、図４に示すように、処理液をポンプ３９で循環配管３７に循環させる時間が長くなると、フィルタ４１によるパーティクルの除去が長く行われるので、循環時間に応じて液中におけるパーティクル数が少なくなってゆく。したがって、ここでは、ライフカウントが同じ処理液であっても、処理液の循環によりクリーンレベルは上がってゆく。例えば、最初は、クリーンレベルが１であるが、循環を行う時間が長くなるにつれてクリーンレベルが上がり、２０分程度の循環を行うとクリーンレベルが４になる。制御部５３は、投入された複数枚の基板Ｗを処理するために、その清浄度と対応表とから、どの程度の処理液の循環が必要であるかを決定することができる。
【００４４】
次に、上述した基板処理装置による処理について説明する。
【００４５】
例えば、作業者は、処理対象の複数枚の基板Ｗが収納されたＦＯＵＰ１１を載置台３に載置する。次に、設定部１３からその複数枚の基板Ｗに適用するレシピを設定するとともに、複薄枚の基板Ｗの清浄度を設定する。清浄度は、例えば、基板Ｗの主面に付着しているパーティクルの個数を、粒子径ごとにカウントするパーティクルカウンタによる計測結果に基づいて決定すればよい。
【００４６】
次に、作業者は、設定部１３から処理開始を指示する。すると、制御部５３は、記憶部５５の対応表を参照し、対応表と、投入された複数枚の基板Ｗの清浄度とに基づいて、どの処理部１５〜１７に搬送すればよいかを判断する。例えば、複数枚の基板Ｗの清浄度が４０であった場合には、処理部１５に搬送する。そして、清浄度が４０の場合には、処理液のクリーンレベル４の処理液での処理となるので、ポンプ３９を作動させて、処理液を循環配管３７に比較的長時間の循環を行わせてフィルタ４１によるパーティクルの除去を行わせる。そして、クリーンレベル計数部５９における処理液のクリーンレベルが４に達した時点で、リフタ３１を処理位置に下降させて、複数枚の基板Ｗを処理液で処理させる。
【００４７】
なお、上記が本発明における「清浄度が高い基板を処理する過程」、「処理液を循環させる過程」、「クリーンレベルを検出する過程」、「基板を処理する過程」に相当する。
【００４８】
ここで、順次に複数枚の基板Ｗを処理部１５で処理させた結果、処理部１５におけるライフ計数部５７のライフカウントが３に達したとする。すると、制御部５３は、現在その処理液で処理している複数枚の基板Ｗを搬出した時点で、三方弁４５を液送配管４７側に切り換える。すると、処理部１５の処理液が処理部１６の液受け部４９に送られる。
【００４９】
なお、上記が本発明における「処理液を第２の処理部に送る過程」に相当する。
【００５０】
処理部１６は、この液受け部４９に貯留しているライフカウント＝３の処理液を用いて、清浄度が５〜２０の範囲の基板Ｗを処理することになる。この処理によりライフカウント＝４となる。また、その際には、クリーンレベルも考慮することは上述した処理と同様である。
【００５１】
なお、上記が本発明における「清浄度が低い基板を処理する過程」に相当する。
【００５２】
また、処理部１６において、ライフカウントが７に達した場合には、処理部１６の三方弁４５を液送配管４７側へ切り換え、処理部１６の処理液を処理部１７の液受け部４９に送る。そして、処理部１７において、ライフカウント＝７の処理液を用いて、清浄度が１〜４の範囲の基板Ｗを処理することになる。この処理により、ライフカウント＝８となる。
【００５３】
上述したように、本実施例によると、清浄度が異なる複数枚の基板Ｗを処理するにあたり、制御部５３は、清浄度が高い基板Ｗを処理部１５で処理させる。そして、処理部１５における処理液の劣化度合いが所定値に達したことをライフ計数部５７で検出した場合には、処理部１５の処理液を液送部２７で処理部１６に送る。そして、処理部１６では、その処理液で清浄度が低い基板Ｗの処理を行わせる。このように処理液が劣化してもすぐには廃棄せず、その処理液の劣化度合いでも処理できる清浄度の低い基板Ｗの処理に用いるので、処理液の利用効率を向上させることができる。
【００５４】
また、クリーンレベル計数部５９が検出したクリーンレベルに応じた清浄度の基板Ｗをその処理液で処理することにより、劣化度合いが同じ処理液であっても清浄度が高めの基板Ｗにも用いることができる。
【００５５】
さらに、制御部５３が対応表を参照することにより、基板Ｗの清浄度に応じた処理液の劣化度合いと処理液のクリーンレベルとが分かるので、基板Ｗの清浄度に応じた適切な状態の処理液で基板Ｗを処理することができる。
【００５６】
また、処理部１６が処理部１５の下部に配置され、処理部１７が処理部１６の下部に配置されているので、清浄度が低い基板Ｗから生じたパーティクル等が、清浄度が高い基板Ｗを処理している処理部１５へ移動し難い。したがって、清浄度が高い基板Ｗと清浄度が低い基板Ｗとの間における相互汚染を防止できる。また、液送を重力によって行うことができるので、装置コストを低減できる。
【００５７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００５８】
（１）上述した実施例では、ライフ検出部を、処理液の使用回数をカウントするライフ計数部５７で構成したが、本発明は、処理液の劣化度合いに関連する物理定数を検出できればこれに限定されない。例えば、処理液の使用時間を計測する構成でもよいし、処理に応じて処理液中に析出する物質を検出するセンサで構成してもよい。
【００５９】
（２）上述した実施例では、クリーンレベル検出部を、処理液の循環時間を計数するクリーンレベル計数部５９で構成したが、本発明は、処理液のクリーンレベルに関連する物理定数を検出できればこれに限定されない。例えば、紫外線照射により処理液中の有機物の破片を分解できる場合には、紫外線照射時間を計数または照射回数を計数する構成としてもよい。
【００６０】
（３）上述した実施例では、清浄度と、ライフカウントと、クリーンレベルとで対応表を構成した。しかし、クリーンレベルを考慮せずに、清浄度とライフカウントだけで対応表を構成するようにしてもよい。
【００６１】
（４）上述した実施例では、処理部１５〜１７を三層建ての多段構成としたが、２階層てとしてもよいし、４階層以上で構成してもよい。また、本願発明は、多段構成に限定されるものではなく、横方向に複数個の処理部１５〜１７を配置する構成を採用してもよい。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ  …  基板
３  …  載置台
５  …  収納部
７  …  姿勢変換部
９  …  基板処理部
１１  …  ＦＯＵＰ
１３  …  設定部
１５〜１７  …  処理部
ＷＴＲ  …  水平移動搬送部
２３  …  処理槽
２５  …  循環系
３９  …  ポンプ
４１  …  フィルタ
４５  …  三方弁
４７  …  液送配管
４９  …  液受け部
５３  …  制御部
５５  …  記憶部
５７  …  ライフ計数部
５９  …  クリーンレベル計数部
【図１】
0005925502.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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