(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  （但し、Ｍは、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌａ、ＣｅおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つである）で表され、結晶構造が六方晶であるチタン酸バリウムを主成分として含むチタン酸バリウム粉末であって、
前記Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径に対して、±２５％以内であり、
前記Ａ、前記Ｂ、前記αおよび前記βが、０．９７５≦（Ａ／Ｂ）≦１．０１５、０．００１５≦α≦０．００５、０．０７５≦β≦０．１５の関係を満足することを特徴とする六方晶系チタン酸バリウム粉末。
【請求項２】
請求項１に記載の六方晶系チタン酸バリウム粉末を製造する方法であって、
チタン酸バリウムの原料、前記元素Ｍの原料およびＧａの原料を準備する工程と、
前記チタン酸バリウムの原料、前記元素Ｍの原料および前記Ｇａの原料を１１００℃〜１２００℃で熱処理する工程と、を有する六方晶系チタン酸バリウム粉末の製造方法。
【請求項３】
一般式（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  （但し、Ｍは、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌａ、ＣｅおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つである）で表され、結晶構造が六方晶構造を有するチタン酸バリウムを主成分として含まれる六方晶系チタン酸バリウムであって、前記Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径に対して±２５％以内であり、前記Ａ、前記Ｂ、前記αおよび前記βが、０．９７５≦（Ａ／Ｂ）≦１．０１５、０．００１５≦α≦０．００５、０．０７５≦β≦０．１５の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムからなる誘電体磁器組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
【請求項５】
請求項１に記載の六方晶系チタン酸バリウム粉末を含む誘電体ペーストを用いて誘電体ペースト層を形成する工程と、
前記誘電体ペースト層を焼成する工程とを含む電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、六方晶系チタン酸バリウム粉末、その製造方法、誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気機器および電子機器の小型化かつ高性能化が急速に進み、このような機器に使用される電子部品についても、信頼性を十分に確保しつつ、諸特性（比誘電率、温度特性等）を向上させることが求められている。これは、電子部品の一例であるセラミックコンデンサについても例外ではない。
【０００３】
このようなコンデンサの誘電体材料、特に比誘電率の高い誘電体材料としては、正方晶のチタン酸バリウムを主体とし、部分的に立方晶を含む正方晶系チタン酸バリウムが使用されていた。ところで、近年容量の向上のため、誘電体層の薄層化が検討されている。誘電体層の薄層化を図るためには、誘電体粒子の粒子径が小さいほど好ましい。しかし、上記のような正方晶系チタン酸バリウム粉末を微粒化すると、比誘電率が低下してしまうという問題があった。
【０００４】
比誘電率の高い材料として、六方晶チタン酸バリウムが検討されている。六方晶チタン酸バリウムは、本来的には正方晶系のチタン酸バリウムよりは比誘電率が低いが、特許文献１には、六方晶チタン酸バリウム単結晶に酸素欠損を導入することで、比誘電率が著しく向上することが示唆されている。
【０００５】
しかし、上記特許文献１の教示に基づき本発明者らが検討を進めたところ、酸素欠損の導入により比誘電率は向上するものの、絶縁抵抗が低下することが見出された。このため、酸素欠損の導入により比誘電率が向上された六方晶チタン酸バリウムを用いた場合には、素子寿命等が損なわれるおそれがある。
また、チタン酸バリウムの結晶構造において、六方晶構造は準安定相であり、通常１４６０℃以上においてのみ存在することができる。そのため、室温において六方晶チタン酸バリウムを得るには、１４６０℃以上の高温から急冷する必要がある。
【０００６】
この場合、高温からの急冷により、得られる六方晶チタン酸バリウムの比表面積は１ｍ２  ／ｇ以下となってしまい、粗い粉末しか得られない。このような粗い粉末を用いて、薄層化された誘電体層を有する電子部品を製造すると、誘電体層の薄層化に対応できず、十分な信頼性が確保されないという問題がある。
ところで、六方晶チタン酸バリウムを製造する方法としては、たとえば、非特許文献１および２には、出発原料としてＢａＣＯ３  、ＴｉＯ２  およびＭｎ３  Ｏ４  （非特許文献１）もしくはＧａ酸化物（非特許文献２）を用いて、これを熱処理することが開示されている。
【０００７】
しかしながら、非特許文献１において得られる六方晶チタン酸バリウムの比表面積は１．６ｍ２／ｇ程度であり、この六方晶チタン酸バリウム粉末を用いても、薄層化が進む電子部品の誘電体層への適用は不十分である。非特許文献２の場合には、比表面積には触れられていないが、六方晶チタン酸バリウム合成温度が１３００℃と高温であることから、非特許文献１と同程度以下の比表面積と考えられる。また、さらに比誘電率が高い六方晶系チタン酸バリウム粉末が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第３９４１８７１号
【非特許文献１】Wang Sea−Fue、他４名、「六方晶Ｂａ（Ｔｉ １−ｘ Ｍｎ ｘ ）Ｏ ３ セラミックスの性質：焼結温度およびＭｎ量の影響（Properties of Hexagonal Ba(Ti 1-x  Mn x )O 3  Ceramics ： Effects of Sintering Temperature and Mn Content）」、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Japanese Journal of Applied Physics），2007年，Vol.46， No.5A， 2978−2983
【非特許文献２】Crystal Engineering 5 (2002), 439−448
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、極めて高い比誘電率を示すと共に、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保されたセラミックコンデンサ等の電子部品の誘電体層を製造するのに好適な六方晶系チタン酸バリウム粉末、その製造方法、誘電体磁器組成物、電子部品および電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明者らが鋭意検討したところ、誘電磁器組成物の主相を、特定の組成を有する六方晶系チタン酸バリウムにより構成することで、誘電体層の比誘電率が著しく向上し、また絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保されたセラミックコンデンサ等の電子部品が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、
一般式（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  で表され、結晶構造が六方晶であるチタン酸バリウムを主成分として含むチタン酸バリウム粉末であって、
前記Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径に対して、±２５％以内であり、
前記Ａ、Ｂ、αおよびβが、０．９７５≦（Ａ／Ｂ）≦１．０１５、０．００１５≦α≦０．００５、０．０７５≦β≦０．１５の関係を満足することを特徴とする。
【００１２】
本発明に係るチタン酸バリウム粉末においては、六方晶構造を有するチタン酸バリウム（六方晶チタン酸バリウム）粉末が主成分として含まれている。具体的には、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末１００質量％に対して、六方晶チタン酸バリウムが５０質量％以上含有されていればよい。
【００１３】
チタン酸バリウムの結晶構造において、六方晶構造は高温安定相であり、１４６０℃以上でしか存在し得ない。そのため、室温において六方晶構造を維持するには、１４６０℃以上から室温付近まで急冷する必要がある。このような広い温度範囲において急冷すると、急冷後に得られる六方晶チタン酸バリウム粉末は粗くなってしまい、その比表面積はたとえば１ｍ２  ／ｇ以下となってしまう。
粉末の比表面積と平均粒子径とは反比例の関係にあり、この比表面積を粉末の平均粒子径に換算すると、たとえば１μｍ以上となる。一方、電子部品としての信頼性を十分に確保するためには、誘電体層の層間に２つ以上の誘電体粒子が配置されていることが好ましい。したがって、比表面積が小さい粉末を用いた場合、誘電体層の薄層化が困難となる。
【００１４】
ところが、上記のように、結晶構造において、Ｔｉが占める位置（Ｂサイト）をＧａにより特定の割合で置換することで、六方晶構造への変態温度を下げることができる。すなわち、１４６０℃よりも低い温度であっても、六方晶構造が維持された状態とすることができ、その結果、比較的に比表面積値を大きくすることができる。
【００１５】
一方、Ｂａが占める位置（Ａサイト）は、元素Ｍにより特定の割合で置換されている。このような元素が含有されていることで、所望の特性を有する粉末を得ることができる。たとえば、元素Ｍとして、Ｌａ等の希土類元素が含有されている場合、非常に高い比誘電率（たとえば１００００以上）を示すことができる。
これに加え、本発明においては、結晶構造において、Ｂａが占める位置（Ａサイト）に存在する元素と、Ｔｉが占める位置（Ｂサイト）に存在する元素と、の存在比（Ａ／Ｂ）の範囲を上記のようにしている。
Ａ／Ｂを上記の範囲に制御することで、チタン酸バリウム粒子の粒成長が抑制される。その結果、得られる六方晶チタン酸バリウム粉末の比表面積をさらに大きくすることができる。具体的には、比表面積が２ｍ２  ／ｇ以上である六方晶チタン酸バリウム粉末を得ることができる。
【００１６】
一般式（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  （但し、Ｍは、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌａ、ＣｅおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つである）で表され、結晶構造が六方晶構造を有するチタン酸バリウムを主成分として含まれる六方晶系チタン酸バリウムであって、前記Ｍの１２配位時の有効イオン半径が、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径に対して±２５％以内であり、前記Ａ、前記Ｂ、前記αおよび前記βが、０．９７５≦（Ａ／Ｂ）≦１．０１５、０．００１５≦α≦０．００５、０．０７５≦β≦０．１５の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムからなる。
【００１７】
また、本発明に係る電子部品は、上記に記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
本発明に係る電子部品の製造方法は、上記に記載の六方晶系チタン酸バリウム粉末を含む誘電体ペーストを用いて誘電体ペースト層を形成する工程と、
前記誘電体ペースト層を焼成する工程とを含む。
また、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末を製造する方法は、
上記のいずれかに記載の六方晶系チタン酸バリウム粉末を製造する方法であって、
チタン酸バリウムの原料、元素Ｍの原料およびＧａの原料を準備する工程と、
前記チタン酸バリウムの原料、前記Ｍの原料および前記Ｇａの原料を熱処理する工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、著しく高い比誘電率を示すと共に、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保されたセラミックコンデンサ等の電子部品の誘電体層を製造するのに好適な六方晶系チタン酸バリウム粉末および誘電体磁器組成物が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサである。
【図２】図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、本発明の実施例および比較例に係る試料のＸ線回折チャートである。
【図３】図３は、本発明の実施例に係る試料の粒度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を、以下に示す実施形態に基づき説明する。
【００２１】
＜積層セラミックコンデンサ＞
図１に示すように、電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００２２】
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００２３】
誘電体層２は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物を含有する。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、六方晶系チタン酸バリウムを主相とし、特定の副成分を含む。なお、下記において、各種酸化物の組成式が示されるが、酸素（Ｏ）量は、化学量論組成から若干偏倚してもよい。
【００２４】
まず、本実施形態に係る誘電体磁器組成物において主成分であって、主相を構成する六方晶系チタン酸バリウムについて説明する。六方晶系チタン酸バリウムからなる主相は、原料として下記の六方晶系チタン酸バリウム粉末を用い、これを副成分とともに焼成することで形成される。
【００２５】
＜六方晶系チタン酸バリウム粉末＞
本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、六方晶構造を有するチタン酸バリウム（六方晶チタン酸バリウム）粉末を主成分としている。具体的には、本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末１００質量％に対して、５０質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは８０質量％以上、六方晶チタン酸バリウムが含有されている。
【００２６】
なお、本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末には、六方晶チタン酸バリウム以外に、正方晶構造あるいは立方晶構造を有するチタン酸バリウムと、オルソチタン酸バリウム（Ｂａ２  ＴｉＯ４  ）・２ガリウム１バリウム酸化物（ＢａＧａ２  Ｏ４  ）が含まれていてもよい。
【００２７】
本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、一般式を用いて、（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  と表すことができる。
【００２８】
上記式中のαは、Ｂａに対する元素Ｍの置換割合（六方晶系チタン酸バリウム粉末中のＭの含有量）を示しており、０．００１５≦α≦０．００５、好ましくは０．００３≦α≦０．００５である。Ｍの含有量が少なすぎると、所望の特性が得られない傾向にある。逆に、Ｍの含有量が多すぎると、六方晶構造への変態温度が高くなってしまい、比表面積の大きい粉末が得られない傾向にある。
【００２９】
Ｂａは六方晶構造においてＢａ２＋としてＡサイト位置を占めているが、本実施形態では、Ｍが上記の範囲でＢａを置換し、Ａサイト位置に存在している。すなわち、元素Ｍはチタン酸バリウムに固溶している。ＭがＡサイト位置に存在することで、所望の特性を得ることができる。
【００３０】
元素Ｍは、１２配位時のＢａ２＋の有効イオン半径（１．６１ｐｍ）に対して、±２５％以内の有効イオン半径（１２配位時）を有する。Ｍがこのような有効イオン半径を有することで、Ｂａを容易に置換することができる。
【００３１】
具体的には、元素Ｍとして、Ｓｍ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌａ、ＣｅおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。元素Ｍは所望の特性に応じて選べばよい。具体的には、非常に高い比誘電率を発現させるには、Ｌａ、Ｃｅ、Ｂｉから少なくとも１つを選ぶのが好ましい。
【００３２】
上記式中のβは、Ｔｉに対するＧａの置換割合（六方晶系チタン酸バリウム粉末中のＧａの含有量）を示しており、０．０７５≦β≦０．１５、好ましくは０．０７５≦β≦０．１２５、より好ましくは０．１０≦β≦０．１２５である。Ｇａの含有量が少なすぎても多すぎても、六方晶構造への変態温度が高くなってしまい、比表面積の大きい粉末が得られない傾向にある。
【００３３】
Ｔｉは六方晶構造においてＴｉ４＋としてＢサイト位置を占めているが、本実施形態では、Ｇａが上記の範囲でＴｉを置換し、Ｂサイト位置に存在している。すなわち、Ｇａはチタン酸バリウムに固溶している。ＧａがＢサイト位置に存在することで、チタン酸バリウムにおいて正方晶・立方晶構造から六方晶構造への変態温度を下げることができる。
【００３４】
上記式中のＡとＢとは、それぞれ、Ａサイトを占める元素（ＢａおよびＭ）の割合と、Ｂサイトを占める元素（ＴｉおよびＧａ）の割合とを示している。本実施形態では、０．９７５≦Ａ／Ｂ≦１．０１５、好ましくは０．９８５≦Ａ／Ｂ≦１．００８である。
【００３５】
Ａ／Ｂが小さすぎると、チタン酸バリウム生成時における反応性が高くなり、温度に対して粒成長しやすくなる。そのため、細かい粒子が得られにくく、所望の比表面積が得られない傾向にある。
本実施形態では、前記αと前記βとの比（α／β）が、（α／β）≦０．００５の関係を満足するようにしても良い。元素ＭがＡサイトを置換した量（Ａサイト置換量）と、ＧａがＢサイトを置換した量（Ｂサイト置換量）と、の比を示すα／βをこのような範囲とすることで、本発明の効果をさらに高めることができる。
【００３６】
本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、上述の構成を有し、後述する方法により製造されることで、製造直後においてＢＥＴ法により測定される比表面積は２ｍ２／ｇ以上、好ましくは３ｍ２／ｇ以上、より好ましくは５ｍ２／ｇ以上となる。
【００３７】
その結果、たとえば積層セラミック電子部品の誘電体層を薄層化した場合（たとえば層間厚み１μｍ）であっても、層間に配置されるチタン酸バリウム粒子の数を少なくとも２個以上とすることができ、十分な信頼性（高温負荷寿命）を確保することができる。
【００３８】
なお、得られる粉末を、ボールミル等を用いて粉砕することで、比表面積を大きくすることはできるが、この場合、粒度分布がブロードになってしまう。その結果、粒子径にバラツキが生じ、信頼性にもバラツキが生じるため好ましくない。また、粉砕時に粉末に加わる衝撃（エネルギー）等が悪影響を与えるため好ましくない。したがって、六方晶チタン酸バリウムが生成した状態において、その比表面積が大きいことが好ましい。
【００３９】
なお、本明細書に記載の有効イオン半径は、文献「R.D. Shannon, Acta Crystallogr.，A32,751（1976）」に基づく値である。
【００４０】
＜六方晶系チタン酸バリウム粉末の製造方法＞
次に、本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末を製造する方法について説明する。
【００４１】
まず、チタン酸バリウムの原料、元素Ｍの原料およびＧａの原料を準備する。
【００４２】
チタン酸バリウムの原料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３  ）や、チタン酸バリウムを構成する酸化物（ＢａＯ、ＴｉＯ２  ）やその混合物を用いることができる。さらに、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。具体的には、チタン酸バリウムの原料として、ＢａＴｉＯ３を用いてもよいし、ＢａＣＯ３  およびＴｉＯ２  を用いてもよい。本実施形態では、ＢａＣＯ３  およびＴｉＯ２  を用いることが好ましい。
【００４３】
なお、チタン酸バリウムの原料としてＢａＴｉＯ３  を用いる場合、正方晶構造を有するチタン酸バリウムであってもよいし、立方晶構造を有するチタン酸バリウムであってもよいし、六方晶構造を有するチタン酸バリウムであってもよい。また、これらの混合物であってもよい。
【００４４】
上記原料の比表面積は、好ましくは５〜１００ｍ２  ／ｇ、より好ましくは１０〜５０ｍ２  ／ｇである。比表面積を測定する方法としては、特に制限されないが、たとえばＢＥＴ法などが挙げられる。
【００４５】
また、元素Ｍの原料としては、元素Ｍの化合物、たとえば、酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。Ｇａの原料も、元素Ｍの原料と同様にすればよい。
【００４６】
これらの原料の比表面積は、好ましくは５〜５０ｍ２  ／ｇ、より好ましくは１０〜２０ｍ２  ／ｇである。
【００４７】
次に準備した原料を、所定の組成比となるように秤量して混合、必要に応じて粉砕し、原料混合物を得る。混合・粉砕する方法としては、たとえば、水等の溶媒とともに原料をボールミル等の公知の粉砕容器に投入し、混合・粉砕する湿式法が挙げられる。また、乾式ミキサーなどを用いて行う乾式法により、混合・粉砕してもよい。このとき、投入した原料の分散性を向上させるために、分散剤を添加するのが好ましい。分散剤としては公知のものを用いればよい。
【００４８】
次に、得られた原料混合物を、必要に応じて乾燥した後、熱処理を行う。熱処理における昇温速度は、好ましくは５０〜９００℃／時間である。また、熱処理における保持温度は、六方晶構造への変態温度よりも高くすればよい。本実施形態では、六方晶構造への変態温度は１４６０℃よりも低くなっており、しかもＡ／Ｂ、Ａサイト置換量（α）およびＢサイト置換量（β）等により変化するため、保持温度もそれに応じて変化させればよい。粉末の比表面積を大きくするために、たとえば１１００〜１１５０℃とすることが好ましい。保持時間は、好ましくは０．５〜３時間、より好ましくは１〜２時間である。
【００４９】
熱処理時の雰囲気は、還元性雰囲気が好ましい。還元性雰囲気時のガスとしては、特に限定されないが、窒素、アルゴン、水素、一酸化炭素、水蒸気、ヘリウムなどが例示され、好ましくは、水素と窒素との混合ガスであり、さらに好ましくは１〜５体積％の水素ガスが含まれる窒素ガスが好ましい。還元性雰囲気時の雰囲気圧力は、１０５  〜１０Ｐａが好ましい。
【００５０】
ＢサイトのＴｉをＧａで置換する六方晶構造のチタン酸バリウム粉末は、大気中での熱処理においても製造が可能であるが、還元性雰囲気で製造することで、さらに比誘電率を向上させることができる。また、このようなチタン酸バリウム粉末を用いることで、ニッケルなどの卑金属を含む内部電極を有する積層セラミックコンデンサを還元性雰囲気で焼成する際の安定性が向上する。
【００５１】
このような熱処理を行うことで、ＧａがＢａＴｉＯ３  に固溶し、Ｂサイトに位置するＴｉをＧａで置換することができる。その結果、六方晶構造への変態温度を熱処理時の保持温度よりも低くできるため、六方晶系チタン酸バリウムが容易に生成する。また、元素ＭはＢａＴｉＯ３  に固溶し、Ａサイト位置のＢａを置換することで、所望の特性を発現させる。
【００５２】
なお、保持温度が低すぎると、反応しきれない原料（たとえばＢａＣＯ３  など）が異相として生成する傾向にある。
【００５３】
そして、熱処理での保持時間を経過した後、六方晶構造を維持するために、熱処理時の保持温度から室温まで冷却する。具体的には、冷却速度を好ましくは２００℃／時間以上とする。
【００５４】
このようにすることで、室温においても六方晶構造が維持された六方晶チタン酸バリウムを主成分として含む六方晶系チタン酸バリウム粉末が得られる。得られる粉末が、六方晶系チタン酸バリウム粉末であるか否かを判断する方法は特に制限されないが、本実施形態では、Ｘ線回折測定により判断する。
【００５５】
まず、Ｘ線回折測定により得られるＸ線回折チャートより、チタン酸バリウム（六方晶、立方晶、正方晶、オルソチタン酸バリウム、２ガリウム１バリウム酸化物）に由来するピーク以外のピークが存在するか否かを判断する。このようなピークが存在していると、得られる粉末において未反応物（ＢａＣＯ３  等）が生じていることとなり、好ましくない。
【００５６】
未反応物が生じていない場合、六方晶チタン酸バリウムが生成した比率を算出して判断する。具体的には、六方晶チタン酸バリウム、正方晶チタン酸バリウムおよび立方晶チタン酸バリウム・オルソチタン酸バリウム、２ガリウム１バリウム酸化物の最大ピーク強度の合計を１００％として、六方晶チタン酸バリウムの最大ピーク強度が占める比率を、六方晶チタン酸バリウムの生成比率（存在比率）とする。この比率が５０％以上の場合に、六方晶チタン酸バリウムを主成分として含む六方晶系チタン酸バリウム粉末が得られることになる。
【００５７】
この六方晶系チタン酸バリウム粉末は、通常六方晶チタン酸バリウムが安定に存在する温度（１４６０℃以上）よりも低い温度から急冷されて得られるため、細かい粒子として得られる。しかも、六方晶系チタン酸バリウム粉末の組成やＡ／Ｂ比などを上記の範囲に制御しているため、より細かい粒子が得られる。具体的には、本実施形態に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末の比表面積は、好ましくは２ｍ２／ｇ以上、より好ましくは３ｍ２  ／ｇ以上、さらに好ましくは５ｍ２  ／ｇ以上である。
【００５８】
なお、上記の比表面積は、得られる六方晶系チタン酸バリウム粉末が生成した状態での値であり、しかも極めて粒度分布がシャープで単一のピークを有している。
【００５９】
このようにして得られる六方晶系チタン酸バリウム粉末と、必要に応じて副成分とを用いて、誘電体ペーストを作製し、誘電体ペーストと内部電極用ペーストとで積層体グリーンチップを形成し、そのグリーンチップを焼成することで、誘電体層および電極層を有する電子部品を製造する。
【００６０】
＜積層セラミックコンデンサ＞
図１に示した、電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサ１における誘電体層２の厚さは、特に限定されないが、一層あたり５μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３μｍ以下である。厚さの下限は、特に限定されないが、たとえば１μｍ程度である。本実施形態に係る誘電体磁器組成物によれば、層厚１μｍ以上で比誘電率が５０以上を示す。誘電体層２の積層数は、特に限定されないが、２００以上であることが好ましい
【００６１】
誘電体層２に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層２の厚さなどに応じて、例えば０．１〜１．０μｍの範囲から適宜決定すればよく、好ましくは０．１〜０．５μｍである。なお、誘電体層中に含まれる誘電体粒子の平均結晶粒径は、次のように測定される。まず、得られたコンデンサ試料を内部電極に垂直な面で切断し、その切断面を研磨する。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察を行い、コード法により誘電体粒子の形状を球と仮定して算出する。
【００６２】
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５質量％以上であることが好ましい。
【００６３】
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００６４】
本実施形態の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００６５】
まず、誘電体層用ペーストに含まれる誘電体磁器組成物粉末を準備する。具体的には、主成分の原料と副成分の原料とを、ボールミル等により混合し、誘電体磁器組成物粉末を得る。
【００６６】
主成分の原料としては、上記の六方晶系チタン酸バリウム粉末を用いる。副成分の原料としては、酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。
【００６７】
得られる誘電体磁器組成物粉末中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００６８】
上記の主成分および副成分には、さらに仮焼成などを行っても良い。なお、仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは８００〜１１００℃、仮焼き時間を、好ましくは１〜４時間とすれば良い。
【００６９】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末を塗料化して、誘電体層用ペーストを調整する。誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物粉末と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００７０】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００７１】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００７２】
内部電極層用ペーストは、各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００７３】
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００７４】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５質量％程度、溶剤は１０〜５０質量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０質量％以下とすることが好ましい。
【００７５】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００７６】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００７７】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、内部電極層ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、脱バインダ雰囲気中の酸素分圧を１０−４５〜１０５Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、脱バインダ効果が低下する。また酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００７８】
また、それ以外の脱バインダ条件としては、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３５０℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは２〜２０時間とする。また、焼成雰囲気は、空気もしくは還元性雰囲気とすることが好ましく、還元性雰囲気における雰囲気ガスとしては、たとえばＮ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００７９】
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−９〜１０−４Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００８０】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは９００〜１２００℃、より好ましくは１０００〜１１００℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層を構成する材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００８１】
これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしてはたとえば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００８２】
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
【００８３】
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−３Ｐａ以上、特に１０−２〜１０Ｐａとすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００８４】
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜９００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。
【００８５】
これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは２〜１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、たとえば、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
【００８６】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。  
【００８７】
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
【００８８】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。
【００８９】
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００９０】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は、上述した実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々に改変することができる。
【００９１】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。また、上述した実施形態では、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末をいわゆる固相法により製造したが、シュウ酸塩法、ゾル−ゲル法などにより製造してもよい。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００９３】
＜実験例１＞
＜六方晶系チタン酸バリウム粉末の調製＞
まず、チタン酸バリウムの原料として、ＢａＣＯ３  （比表面積：２５ｍ２  ／ｇ）およびＴｉＯ２  （比表面積：５０ｍ２／ｇ）を準備した。また、元素Ｍの原料として、Ｌａ（ＯＨ）３  （比表面積：１０ｍ２  ／ｇ）、Ｇａの原料として、Ｇａ２  Ｏ３  （比表面積：１５ｍ２  ／ｇ）を準備した。
【００９４】
これらの原料を、一般式（Ｂａ１−α  Ｍα  ）Ａ  （Ｔｉ１−β  Ｇａβ  ）Ｂ  Ｏ３  におけるα、β、Ａ／Ｂが、それぞれ表１に示す値となるように秤量して、水および分散剤とともにボールミルにて混合した。得られた混合粉を、以下の熱処理条件で処理し、六方晶系チタン酸バリウム粉末を作製した。
【００９５】
熱処理条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：表１に示す温度、温度保持時間：２時間、冷却速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：窒素＋水素（３体積％）の還元性雰囲気とした。
【００９６】
得られた六方晶系チタン酸バリウム粉末に対して、下記に示すＸ線回折を行った。また、ＢＥＴ法による比表面積を測定した。比表面積の結果を表３に示す。
【００９７】
＜Ｘ線回折＞
Ｘ線回折は、Ｘ線源としてＣｕ−Ｋα線を用い、その測定条件は、電圧４５ｋＶ、電流４０ｍＡで、２θ＝２０°〜９０°の範囲を、走査速度０．０２ｄｅｇ／ｍｉｎ、積算時間３０ｓｅｃであった。
【００９８】
測定により得られたＸ線回折チャートから、２θ＝４５°付近において、各ピークを同定し、チタン酸バリウム（六方晶、正方晶、立方晶）や異相が存在しているかどうかを評価した。結果を表１に示す。試料番号５および試料番号１２についてのＸ線回折チャートを図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示す。
また、試料番号５（実施例）の試料について、粒度分布を調べた結果を図３に示す。図３に示すように、実施例の試料では、シャープな粒度分布が得られていることが確認できた。
【００９９】
次いで、チタン酸バリウムのピークのみが観察された試料については、さらに六方晶チタン酸バリウム（ｈ−ＢａＴｉＯ３  ）、正方晶チタン酸バリウム（ｔ−ＢａＴｉＯ３  ）および立方晶チタン酸バリウム（ｃ−ＢａＴｉＯ３  ）、オルソチタン酸バリウム・１バリウム２ガリウム酸化物の最大ピーク強度を算出した。そして、ｈ−ＢａＴｉＯ３  、ｔ−ＢａＴｉＯ３  およびｃ−ＢａＴｉＯ３  、オルソチタン酸バリウム・１バリウム２ガリウム酸化物の最大ピーク強度の合計に対するｈ−ＢａＴｉＯ３の最大ピーク強度が占める比率を算出し、六方晶チタン酸バリウム（ｈ−ＢａＴｉＯ３  ）の比率を求めた。得られた比率の結果を表２に示す。
【０１００】
（表１）
0005978553.tif 000002
【０１０１】
【表２】
0005978553.tif 000003
【０１０２】
【表３】
0005978553.tif 000004
【０１０３】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）より、試料番号５（実施例）では、ｈ−ＢａＴｉＯ３  とｔ−ＢａＴｉＯ３  、ｃ−ＢａＴｉＯ３  、オルソチタン酸バリウムおよび１バリウム２ガリウム化合物とが確認された。なお、ｔ−ＢａＴｉＯ３  およびｃ−ＢａＴｉＯ３  はピークが近いため、区別していない。
これに対し、試料番号１２（比較例）では、２θ＝２６°近傍のピーク強度から、ｈ−ＢａＴｉＯ３  が５０％以下の生成率であることが確認された。
【０１０４】
表１より、Ａサイト置換量が多すぎる場合、図２（Ｂ）に示すように、ｈ−ＢａＴｉＯ３  の比率が低下し、好ましくない傾向にあることが確認できた。
また、Ａ／Ｂが小さすぎる場合、熱処理温度が低い場合、およびＢサイト置換量が少なすぎる場合には、熱処理温度を上げても、ｈ−ＢａＴｉＯ３  の比率が低く、好ましくない傾向にあることが確認できた。
【０１０５】
表２においては、ｈ−ＢａＴｉＯ３  生成率を測定しなかった試料は「−」で示した。表２より、Ａサイト置換量が多いほど、あるいはＢサイト置換量が少なすぎるほど、ｈ−ＢａＴｉＯ３  生成率が低くなり、好ましくない傾向にあることが確認できた。
【０１０６】
表２および表３より、Ａサイト置換量およびＢサイト置換量を本発明の範囲内とし、熱処理温度を適切に制御することで、ｈ−ＢａＴｉＯ３  生成率が高く、比表面積が２ｍ２  ／ｇ以上の六方晶系チタン酸バリウム粉末が得られることが確認できた。
【０１０７】
なお、表１〜３には、比較例として、Ｇａの代わりに、Ｍｎをβ＝０．１４で置換すると共に、α＝０または０．００３とした以外は、試料番号６と同様にして粉末を作製しようとした結果を、試料番号１９および２０として示す。Ｍｎ置換では、Ｇａ置換と異なり、１２００°Ｃ以下の還元性雰囲気では、比表面積が２ｍ２  ／ｇ以上の六方晶系チタン酸バリウム粉末が得られないことが確認できた。
【０１０８】
＜実験例２＞
元素Ｍの原料としてＬａ（ＯＨ）３  の代わりに表４に示す元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物を用いた以外は、実験例１と同様にして、粉末を作製し、比表面積およびＸ線回折測定を行った。結果を表４〜６に示す。
【０１０９】
（表４）
0005978553.tif 000005
【０１１０】
【表５】
0005978553.tif 000006
【０１１１】
【表６】
0005978553.tif 000007
【０１１２】
以上より、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、六方晶チタン酸バリウムを主成分として含んでおり、その比表面積が２ｍ２  ／ｇ以上であり、その粒度分布が狭いことが確認できた。
【０１１３】
＜実験例３＞
実験例１および表４で作製された本願発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末のうち、１１００℃で熱処理した誘電体粉末（試料１，２，５，８〜１１,１４，１５，１７，１８，２５〜３４）を準備した。これらの誘電体粉末試料：１００質量％に対して、ポリビニルアルコール水溶液：１０質量％を添加し、次いで造粒して、メッシュパスを通した。その後、得られた造粒粉を３０Ｐａの圧力で成形することにより、直径１２ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状のグリーン成形体を得た。
【０１１４】
次いで、得られたグリーン成形体を、窒素＋水素（３体積％）雰囲気中で、１３００℃、２時間の条件で焼成することにより、円板状の焼結体を得た。そして、得られた焼結体の主表面にインジウムガリウム電極を塗布し、焼付け処理を行うことによって、円板状のセラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサ試料の誘電体層１０の厚みは約０．６ｍｍであった。そして、得られた各コンデンサ試料（試料１ａ，２ａ，５ａ，８ａ〜１１ａ,１４ａ，１５ａ，１７ａ，１８ａ，２５ａ〜３４ａ）について、以下の方法により、「比誘電率ε」、「絶縁抵抗」および「誘電損失tanδ」は以下のように測定した。
【０１１５】
＜比誘電率ε、絶縁抵抗および誘電損失tanδ＞
コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（横河電機（株）製  ＹＨＰ４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）０．５Ｖｒｍｓ／μｍの条件下で、静電容量Ｃを測定した。そして、得られた静電容量、積層セラミックコンデンサの誘電体厚みおよび内部電極同士の重なり面積から、比誘電率（単位なし）を算出した。
【０１１６】
その後、絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２５℃においてＤＣ５０Ｖを、コンデンサ試料に６０秒間印加した後の絶縁抵抗ＩＲを測定した。
【０１１７】
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、２５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）０．５Ｖｒｍｓの条件下で測定した。
【０１１８】
【表７】
0005978553.tif 000008
【０１１９】
表７より、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲内である場合（試料番号５ａ，９ａ，１０ａ，１５ａ，１７ａ，２ａ，７ａ，２５ａ〜３４ａ）には、誘電率εが５０，０００以上となり、ｔａｎδが１０％以下となり、絶縁抵抗が１０７Ω以上と成り、信頼性が向上することが確認できた。
【０１２０】
これに対し、誘電体磁器組成物の組成が、本発明の範囲外である場合（試料番号８ａ，１１ａ，１４ａ，１８ａ，１ａ）には、比誘電率、誘電損失（１ｋＨｚ、１００ｋＨｚ）、絶縁抵抗、ｈ−ＢＴ精製比率、比表面積の少なくとも１つが、悪化していることが確認できる。
【０１２１】
なお、表７における試料番号３５ａは、還元性雰囲気ではなく、大気中において（粉体合成の）熱処理を行った以外は、試料番号５ａと同様にして、コンデンサ試料を作製して、同様な評価を行った結果を示す。表７に示すように、大気中において熱処理を行った場合においても、実施例（試料番号３５ａ）においては、比較例に係る試料番号８ａ，１１ａ，１４ａ，１８ａ，１ａのコンデンサ試料よりも特性がよいことが確認された。ただし、還元性雰囲気で熱処理された試料番号５ａ，９ａ，１０ａ，１５ａ，１７ａ，２ａ，７ａ，２５ａ〜３４ａの実施例と比較することで、大気中で熱処理するよりも、還元性雰囲気で熱処理することが好ましいことも確認できた。
【０１２２】
以上より、本発明に係る六方晶系チタン酸バリウムを主相とする誘電体磁器組成物によれば、高い比誘電率を示すと共に、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保されたセラミックコンデンサ等の電子部品を得ることができる。
【符号の説明】
【０１２３】
１…積層セラミックコンデンサ
２…誘電体層
３…内部電極層
４…外部電極
１０…コンデンサ素子本体
【図１】
0005978553.tif 000009
【図２】
0005978553.tif 000010
【図３】
0005978553.tif 000011