(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板を部分的に覆うように配置された第２の基板にＲＦ部品が集積されたＲＦ集積フロントエンド・モジュールと、
を備えるＲＦフロントエンド・ブロックであって、
アンテナが、
前記第１の基板の、前記第２の基板により覆われていない部分のみにより支持される第１の放射部と、
前記第２の基板上で支持される第２の放射部と、
前記第１の放射部と、前記第２の基板により支持される前記第２の放射部と、を接続する接合部と、
により構成され、
前記ＲＦ部品は、前記第２の基板の上側に実装され、第３の基板によって、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの前記ＲＦ部品を覆う保護カバーを構成し、
前記第２の放射部は、前記第３の基板の前記上側に少なくとも部分的に対応し、
第４の基板によって、前記第１の基板を覆い、前記第４の基板は、前記第１の基板よりも高い誘電率を有し、前記第１の放射部は、前記第４の基板の上側部分を少なくとも部分的に覆い、
前記第１の基板は、ＦＲ４型であり、前記第２の基板、前記第３の基板、及び前記第４の基板は、ＬＴＣＣ型である、前記ＲＦフロントエンド・ブロック。
【請求項２】
前記第１の放射部は、前記第１の基板の上側部分を少なくとも部分的に覆う、請求項１に記載のＲＦフロントエンド・ブロック。
【請求項３】
前記第１の放射部と前記第２の放射部との接合部は、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの少なくとも１つの側面上に実装された垂直メタライゼーションである、請求項１に記載のＲＦフロントエンド・ブロック。
【請求項４】
前記垂直メタライゼーションは、少なくとも１つのビアにより、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの少なくとも１つの側面に実装されている、請求項３に記載のＲＦフロントエンド・ブロック。
【請求項５】
前記垂直メタライゼーションは、伝送線路により実装されている、請求項３に記載のＲＦフロントエンド・ブロック。
【請求項６】
前記第１の放射部と前記第２の放射部との接合部は、電磁結合により実装されている、請求項１に記載のＲＦフロントエンド・ブロック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積されたフロントエンド・ブロックに関し、より詳細には、ＲＦ集積フロントエンド・モジュールへのアンテナの集積に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、ギガビットワイヤレステクノロジー（Ｇｉｇａｂｉｔ  Ｗｉｒｅｌｅｓｓ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）プロジェクトの範囲に属する。当該プロジェクトの目的の１つは、ＷＬＡＮ規格、特に８０２．１１ｂｇ及び８０２．１１ａを実装するアプリケーションのためのＲＦ集積フロントエンド・モジュール及びそれに関連するアンテナに対するソリューションを提案することである。
【０００３】
「システム・イン・パッケージ」（ＳＩＰ）技術の使用によって、そのようなモジュールの製造コストを低減させることができる。それゆえ、モジュール内に、バラン、フィルタ、電力増幅器、低雑音増幅器、並びにスイッチ型機能部及びこれらの機能部のいくつかと関連するアダプテーションネットワークが集積される。特定の製造方法において使用されるＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）と呼ばれるセラミック等の高誘電率を有する材料が使用される。このような材料は、接続部の長さの低減を可能にする。それゆえ、関連するアンテナが、これらのモジュールに可能な限り近接して集積される。
【０００４】
非特許文献１は、ＲＦフロントエンド・モジュール回路を支持するのと同じ半導体基板上に、「パッチアンテナ」として知られる小型アンテナを集積する概念を説明する。
【０００５】
特許文献１の「無線周波数アンテナを有するパッケージングされた集積回路（ＰＩＣ）」は、モジュール内に含まれるＲＦ部品と、それに関連するＲＦアンテナとを備えるブロックについて説明する。
【０００６】
特許文献２の「微小アンテナを有する集積回路パッケージ」は、図１に示されるような、ＲＦ部品のモジュールに並置され、そのモジュール自体と同一基板上に集積されたアンテナを提案する。特許文献２で提示される一組のソリューションは、基板のグランドプレーンを空洞化し、ＲＦフロントエンド・モジュールに集積されたアンテナの放射パターンにとって有利な形でＲＦフロントエンド・モジュールをその空洞上に移送することを要する。
【０００７】
これらのソリューションの主な欠点は、アンテナの機能とＲＦモジュールの機能とを並置させることは大きさの観点から最適ではないということである。
【０００８】
そのような集積モジュールの使用は、関連するアンテナをこれらのモジュールに可能なかぎり近接して集積可能な場合に限り有益である。
【０００９】
しかし、ＲＦフロントエンド・モジュールへのアンテナの集積は一般に、モジュールのサイズ又は厚さの増大を必要とし、しばしば大きさの問題を引き起こす。
【００１０】
事実、ＷＬＡＮアプリケーション向けのこれらのＲＦフロントエンド・モジュールのサイズは、一辺１ｃｍの正方形より小さい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１１２６５２２号明細書
【特許文献２】国際公開第２００４／０４２８６８号
【非特許文献１】S. T. R. Song et. al., “Novel RF Front end antenna package,” IEEE 2003, vol. 150, No. 4, August 2003
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、共振アンテナを２．４５ＧＨｚ又は５．２５ＧＨｚにある基本モードで集積するためには、使用されるセラミックの誘電体誘電率において、四分の一波長が既に３ｃｍ又は１．４ｃｍより大きく、集積ＲＦフロントエンド・モジュールのサイズよりもかなり大きいことが考慮されなければならない。
【００１３】
加えて、ＷＬＡＮ８０２．１１ｂｇ規格及び８０２．１１ａ規格の使用は、２次のダイバーシティを有するシステムにつながる。それゆえ、空間ダイバーシティ又はダイヤグラムダイバーシティのために少なくとも２本のアンテナを集積可能であること、あるいは、１本のアンテナではあるが２つの直交する偏波を与えるアンテナが必要である。
【００１４】
したがって、本発明は、上記問題の解決を可能とする、ＲＦフロントエンド・モジュールにアンテナを集積する新たなシステムを提案する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、第１の基板Ｓ１と、アンテナの放射部Ｐ２を支持する第２の基板Ｓ２の上に集積されたＲＦ集積モジュールとを備えるＲＦ受信フロントエンド・ブロックにある。
【００１６】
前記アンテナは、加えて、前記第１の基板Ｓ１により支持される第１の放射部Ｐ１と、前記第１の放射部Ｐ１と前記第２の基板Ｓ２により支持される前記放射部Ｐ２とを接続する第３の放射部Ｐ３により構成された接合部とによって構成されている。
【００１７】
本発明は、ＳＩＰ技術によるＲＦモジュールと、アンテナとの間の相互接続ロスの最小化と、ＲＦモジュールとアンテナを合わせた大きさの最小化という利点を有する。
【００１８】
好ましくは、前記第１の放射部Ｐ１は、前記第１の基板Ｓ１の上側に少なくとも部分的に及ぶ。
【００１９】
本発明の一変形形態によれば、第４の基板Ｓ４によって、前記第１の基板Ｓ１を覆い、前記第４の基板Ｓ４は、前記第１の基板Ｓ１よりも高い誘電率を有し、前記第１の放射部Ｐ１は、前記第４の基板Ｓ４の上側に少なくとも部分的に及ぶ。
【００２０】
好ましくは、ＲＦ部品は、前記第２の基板Ｓ２の上側に実装され、第３の基板Ｓ３は、前記ＲＦモジュールの前記ＲＦ部品のための保護カバーを構成し、前記第２の放射部Ｐ２は、前記第３の基板Ｓ３の上側に少なくとも部分的に及ぶ。
【００２１】
本発明の一変形形態によれば、前記ＲＦフロントエンド・モジュールの前記ＲＦ部品を、前記第２の基板Ｓ２の下側に実装し、前記第２の放射部Ｐ２は、前記第２の基板Ｓ２の上側に少なくとも部分的に及ぶ。
【００２２】
好ましくは、第１の基板Ｓ１はＦＲ４型であり、第２の基板Ｓ２、第３の基板Ｓ３及び第４の基板Ｓ４はＬＴＣＣ型である。
【００２３】
好ましくは、放射部Ｐ１と放射部Ｐ２との間の接合部Ｐ３は、前記ＲＦモジュールの側面の少なくとも１つに実装された垂直メタライゼーションである。
【００２４】
本発明の一変形形態によれば、前記垂直メタライゼーションは少なくとも１つのビア（ｖｉａ）により実装されている。
【００２５】
本発明の一変形形態によれば、前記垂直メタライゼーションは伝送線路により実装されている。
【００２６】
本発明の一変形形態によれば、放射部Ｐ１と放射部Ｐ２との間の接合部Ｐ３は電磁結合により実装されている。
【００２７】
この解決策は、例えばＰＩＦＡアンテナ等、放射素子の下方にグランドプレーンを必要とする任意の種類のアンテナに適用することができる。
【００２８】
このようにすることで、関連付けられたフロントエンド・モジュールとアンテナを取り付けるのに単一の動作のみが必要とされるので、回路の寸法が制限され、実装コストが低減される。
【００２９】
前述の発明の特徴および利点は、添付図面を参照して行われる以下の説明を読むことでより明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】従来技術による集積化を示す図である。
【図２】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックの実施形態の２つの異なる考え方を示す図である。
【図３】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックの三次元図である。
【図４】特定の場合における、アンテナの３つの放射部を示す図である。
【図５】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックを示す図である。
【図６】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックによるシミュレーション結果に対応する図である。
【図７】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックの一実施形態を示す図である。
【図８】図７に従って集積されたフロントエンド・ブロックによるシミュレーション結果を示す図である。
【図９】本発明により集積されたフロントエンド・ブロックの一実施形態であって、二重偏波のための二重アクセスを有するものを示す図である。
【図１０】デュアルバンド及び多様な周波数におけるパッチアンテナ受信のための本発明により集積されたフロントエンド・ブロックの一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
説明の簡単のため、後述の図面において、同一の参照符号を使用して、同じ機能を実現する素子を示す。
【００３２】
本発明の主眼点は、アンテナ機能の支持部を３つの放射部に分割することである。それらは、その位置が、第２の基板Ｓ２ではなく、集積ＲＦフロントエンド・モジュールが置かれた第１の基板Ｓ１に対応する第１の放射部Ｐ１と、集積ＲＦフロントエンド・モジュールの第２の基板Ｓ２の位置に対応する第２の放射部Ｐ２と、第１の放射部Ｐ１と第２の放射部Ｐ２との間の接合部の位置に対応する第３の放射部Ｐ３である。それゆえ、当該アンテナには、追加の給電線を必要とすることなく、ＲＦ集積フロントエンド・モジュールへの直接アクセスにより、電力を直接供給することができる。
【００３３】
図２（ａ）及び（ｂ）に、一次共鳴での機能を可能にする寸法がＲＦ集積フロントエンド・モジュールの寸法よりも大きい「パッチ」アンテナを有する実施形態の考え方の例を示す。
【００３４】
図２（ａ）は、本発明に従って集積されたフロントエンド・ブロックの側面図である。
【００３５】
当該ブロックは、基板Ｓ１を備える。
【００３６】
「パッチ」型のアンテナが集積されている実施例においては、基板Ｓ１の下側表面を金属導電層で覆い、グランドプレーンをその上にエッチングする。
【００３７】
他のアンテナにおいては、機能を確保するために、グランドプレーンを部分的にエッチングすることができる。
【００３８】
基板Ｓ１の上側表面を、以下「ＲＦモジュール」と称されるＲＦ集積フロントエンド・モジュールを支持する導電層により覆う。
【００３９】
ＲＦモジュール自体は、例えばＬＴＣＣ技術によって、ＲＦ機能のために必要な部品により覆われた基板Ｓ２により実現され、少なくとも１つのアクセスアンテナを有する。あるいは、これらの部品を基板内に集積することができる。
【００４０】
ＲＦモジュールに応じた、本発明の種々の変形形態を説明する。
【００４１】
第１の変形形態によれば、ＲＦモジュールの部品は、第２の基板Ｓ２の外部にあり、これらの部品は、第２の基板Ｓ２の上側部分に配置される。これらの部品は、基板Ｓ１と対向しない。図２（ａ）に、第２の基板Ｓ２の外部にある部品の保護を可能にする保護カバーの役割を果たす基板Ｓ３を示す。保護カバーを構成するこの基板Ｓ３は、アンテナ機能のために使用される。基板Ｓ３又は基板Ｓ２は、放射部Ｐ３−２及び放射部Ｐ３−３を用いて空洞を形成して、基板Ｓ３を、ＲＦモジュールの外部にある部品の高さに対して、基板Ｓ２から所要の高さで維持するように実装することができる。
【００４２】
基板Ｓ２により覆われていない基板Ｓ１の上側には、アンテナの第１の放射部Ｐ１をエッチングする。
【００４３】
基板Ｓ１は、全体的に又は部分的に、例えばＬＴＣＣ基板よりも高誘電率の基板Ｓ４を支持することもできる。基板Ｓ４の上または中には、アンテナの第１の放射部をエッチングする。
【００４４】
基板Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３及びＳ４は多層基板とすることができるため、多層基板を構成する基板層間の金属層をエッチングすることが可能である。
【００４５】
ＲＦモジュールの基板Ｓ２の大きさは、ＲＦ機能に特有の放射部の大きさよりも大きい可能性がある。ＲＦモジュールの機能に特有の部分により使用されていない基板Ｓ２の部分を、同様にアンテナ機能に使用することができる。言い換えると、基板Ｓ２の使用されていない部分を直接的にエッチングすることもできるし、または、アンテナの一部がその上に又は中にエッチングされる、例えばＬＴＣＣ基板より高誘電率の基板Ｓ４を支持することもできる。
【００４６】
アンテナ機能は、例えばフロントエンド・モジュール自体と同一の材料で実装される。これにより、アンテナ機能の少なくとも一部を有するＲＦフロントエンド・ブロックを、単一の製造手順により実装することができる。波長の短縮と関連する所望の集積度合いに応じて、基板Ｓ４は任意選択である。
【００４７】
このアンテナの第３の放射部Ｐ３は、垂直位置において、アンテナの第１の放射部Ｐ１と第２の放射部Ｐ２との間の接合部の一部である。第３の放射部Ｐ３は、基板Ｓ２のＲＦ機能により使用されていない基板Ｓ２の上／中および領域Ｐ３−１の上／中の両方に位置づけられる。この例では、垂直放射部Ｐ３は、アンテナの放射部Ｐ１と放射部Ｐ２が直接接触により電気的に接続することを可能にする。放射部Ｐ１と放射部Ｐ２との間の接合部Ｐ３−１は、基板Ｓ２又はＳ４の一方である。同様に、放射部Ｐ３−２は、基板Ｓ３の一部である。放射部Ｐ３−３は、２つの放射部Ｐ３−１及びＰ３−２の間の垂直接合部の純粋な放射部である。この垂直接合部は、例えば１つ又は複数のビアを使用したメタライゼーションにより実装することもできる。
【００４８】
他の方法としては、２本の結合線路間の電磁結合を使用して放射部Ｐ１と放射部Ｐ２を電磁的に結合することや、電磁結合を可能にする他の任意のシステムが挙げられる。
【００４９】
他の方法としては、２つの放射部の接合に、例えばコプレナー線路、マイクロストリップ線路、又は導電線を使用することが挙げられる。これらの線は、可撓接続層を形成する。
【００５０】
好ましい例において、アンテナは、基板Ｓ１及び基板Ｓ２並びにこれら２つの基板の間の接合部を全体的または部分的に覆う基板Ｓ３及び基板Ｓ４で構成された基板と同一基板上に均一にエッチングすることができる。波長の短縮と関連する所望の集積度に応じて、基板Ｓ４は設けてもよいし、設けなくともよい。
【００５１】
図２（ｂ）に示された本発明の第２の変形形態によれば、ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの部品は、第２の基板Ｓ２の外部にあり、基板Ｓ１と対向する。これらの部品を、第２の基板Ｓ２の下側部分に配置する。基板Ｓ２は、基板Ｓ２を基板Ｓ１から所要の距離に位置づけることを可能にする空洞を形成するように実現される。
【００５２】
基板Ｓ２の上側部分は、アンテナの第２の放射部Ｐ２がエッチングされるグランドプレーンを支持することができる。
【００５３】
垂直位置にある第３の導電性放射部Ｐ３は、前述したように実装することができる。
【００５４】
アンテナ機能は、フロントエンド・モジュール自体と同じ材料、例えばＬＴＣＣ型の材料で実装することが好ましい。これにより、単一の製造プロセスで、必要に応じてアンテナ機能の少なくとも１つの放射部を有する集積フロントエンド・ブロックを作製することができる。
【００５５】
ＲＦフロントエンド・モジュールとアンテナとの間でＲＦ信号を伝送するために、いくつかの手段を実装することができる。例えば、
１−１つ又は複数のビアによるもの、
２−マイクロストリップ、ストリップライン、コプラナー型または接地コプラナー型伝送線路を介するもの、
３−電磁結合、例えばスロット型の電磁結合を介するもの等
が挙げられる。
【００５６】
ＲＦフロントエンド・モジュールに関連するアンテナの集積を促進するために、例えば「パッチ」アンテナ、「ＰＩＦＡ（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｉｎｖｅｒｔｅｄ  Ｆ  ａｎｔｅｎｎａ）」アンテナ、スロット等の平面アンテナを使用するのが好ましい。
【００５７】
図３に、集積フロントエンド・ブロックのＸ、Ｙ及びＺ軸に従った三次元図を示す。
【００５８】
図３は、一次共鳴における動作を可能にする寸法が、ＲＦフロントエンド・モジュールの寸法よりも大きい「パッチ」アンテナの例を描写している。パッチアンテナのメタライゼーションの第１の部分を、基板Ｓ１自体の上に配置する。パッチアンテナの第２の導電性部分を、ＲＦモジュールを覆う基板Ｓ３の上に配置する。第３の導電性部分を、垂直位置において、基板Ｓ３の上／中と、基板Ｓ２のＲＦ機能によって使用されていない領域の上／中の両方に配置する。この実施例において、この垂直放射部が、「パッチ」アンテナの放射部Ｐ１及び放射部Ｐ２を直接接触により電気的に接続することを可能にする。この垂直メタライゼーションは、例えば、１つ又は複数のビアを使用することにより作製することができる。
【００５９】
アンテナ給電点（ｓｕｐｐｌｙ  ｐｏｉｎｔ）のその位置が、共鳴周波数での動作を可能にする。
【００６０】
ＲＦモジュール（基板Ｓ２）に対するアンテナの位置は、
−アンテナの励起点（ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ  ｐｏｉｎｔ）としても知られる給電点、
−ＲＦフロントエンド・モジュールの出力端におけるアクセスアンテナに対する位置、
−ＲＦフロントエンド・モジュールの出力数
に従う。好ましくは、そして１つ又は複数のＲＦモジュールを集積するカードのルーティングを促すために、アンテナは、使用されるアクセスを有するモジュールの側面に及ばない。図４に、アンテナの２つの放射部Ｐ１及びＰ２の間で、２つの側面のみが接続される「パッチ」アンテナの例を示す。
【００６１】
しかしながら、アンテナ及びＲＦモジュールの位置と特にアンテナ励起の位置との間で妥協が必要な構成も存在する可能性がある。事実、アンテナのトポロジーによっては、（集積（ＲＦ）フロントエンド・モジュールの最大寸法の）アンテナの第２の放射部Ｐ２と、基板Ｓ１上のアンテナの第１の放射部Ｐ１との間で、ＲＦフロントエンド・モジュールのいくつかの側面上で接続を必要とする場合がある。それゆえ、アンテナとＲＦモジュールとの間の相互接続と、ＲＦモジュールと基板Ｓ１との間の相互接続とがＲＦモジュールの同一側面上に配置されると、ＲＦモジュールと基板Ｓ１との間の相互接続をビア又は金属化された穴を用いて別の層を経由させなければならない。
【００６２】
図５及び７に対応する特定の実施形態を次に説明する。
【００６３】
図５は、集積ＲＦフロントエンド・モジュールを表すユニットを集積する「パッチ」アンテナを示す。本発明の説明によると、パッチアンテナの放射部Ｐ１を、ＦＲ４型（誘電率＝４．４、損失正接＝０．０２２、基板厚さ＝１．４ｍｍ）の基板Ｓ１上に配置する。アンテナの第２の放射部Ｐ２を、ＬＴＣＣ型（誘電率＝９．４、損失正接＝０．００１４、基板厚さ＝０．６５ｍｍ）の基板Ｓ３上に移送する。正方形「パッチ」アンテナの２３．５ｍｍの辺を、一辺７５ｍｍのグランドプレーンの正方形上に配置する。ビアを通した給電を、端から６．６ｍｍの中央の軸（ｍｅｄｉａｎ  ａｘｉｓ）上に配置する。シミュレーション結果を図６（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す。図６（ａ）において、曲線は、アンテナの周波数２．４ＧＨｚへの適合（ａｄａｐｔａｔｉｏｎ）を示す。図６（ｂ）では、曲線は、アンテナの約２．４ＧＨｚへの共鳴（Ｉｍ（Ｚ）＝０）を示す。図６（ｃ）は、アンテナ利得の周波数応答を示し、この図は２．４ＧＨｚに関連する。同じ共鳴周波数に対して、ＦＲ４よりも誘電率が高いＬＴＣＣ型材料の使用により、アンテナの寸法が２５％低減される。
【００６４】
放射結果は、ＲＦモジュールなしの応答と±０．５ｄＢの範囲で等価である。
【００６５】
図７は、ＲＦモジュール上に部分的に構成されたアンテナを示し、「パッチ」アンテナの給電点を集積ＲＦモジュールに集積する。シミュレーションパラメーターは、先のシミュレーションのものと同じである。図８は、ＲＦフロントエンド・モジュールがパッチの下に実質的に挿入されている場合よりもパッチの実効誘電率が低いため、２．６ＧＨｚにおいて共鳴周波数のシフトを示す。
【００６６】
本発明の種々の変形形態が検討された。
【００６７】
事実、ＰＩＦＡ、デュアルバンド、又はマルチバンドパッチアンテナのプロフィールを、この集積解決策に適用することができる。この変形形態では、種々の周波数へのアンテナアクセスと基板Ｓ２のＲＦ回路との間の複数の接続を実現することができる。
【００６８】
また、アンテナダイバーシティを実施ことも可能である。したがって、いくつかのアンテナを、基板Ｓ１若しくは基板Ｓ２の自由な部分の上に、又は基板Ｓ３の上にエッチングする。
【００６９】
また、「パッチ」アンテナの場合において、第２の偏波を挿入することにより、偏波のダイバーシティを生み出すことも可能である。ダブルアクセスアンテナは、２つの直交する励起を与えることを可能にする。図９に、「パッチ」アンテナを有するダイバーシティソリューションの模式的平面図を示す。アンテナをエッチングするのに適したグランドプレーンを有する基板Ｓ１と基板Ｓ３の上において、アンテナの第１の放射部Ｐ１と第２の放射部Ｐ２を区別する。第３の相互接続放射部は、例示的に接続線で示してある。ＲＦモジュールの寸法は、アンテナの第２の放射部の寸法よりも大きく示してある。
【００７０】
図１０は、パッチアンテナによる、デュアルバンドダイバーシティ及び偏波ダイバーシティを有するソリューションの模式的平面図である。アンテナの放射部Ｐ２によって、最高周波数（例えば５ＧＨｚ）におけるアンテナの放射部を形成する。放射部Ｐ１−１によって、最高周波数におけるアンテナのもう１つの放射部を形成する一方で、放射部Ｐ１−２によって、最低周波数におけるアンテナの放射部を形成する。
本発明の好ましい実施形態を、以下に示す。
付記１．第１の基板（Ｓ１）と、
アンテナの第２の放射部（Ｐ２）を支持する第２の基板（Ｓ２）の上に集積されたＲＦ集積フロントエンド・モジュールと
を備えるＲＦ受信フロントエンド・ブロックであって、
前記アンテナは、
前記第１の基板（Ｓ１）により支持される第１の放射部（Ｐ１）と、
前記第１の放射部（Ｐ１）と前記第２の基板（Ｓ２）により支持される前記第２の放射部（Ｐ２）とを接続する第３の放射部（Ｐ３）により構成される接合部と
により構成されていることを特徴とするＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記２．前記第１の放射部（Ｐ１）は、前記第１の基板（Ｓ１）の上側部分に少なくとも部分的に及ぶことを特徴とする付記１記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記３．第４の基板（Ｓ４）によって、前記第１の基板（Ｓ１）を覆い、前記第４の基板（Ｓ４）は、前記第１の基板（Ｓ１）よりも高い誘電率を有し、前記第１の放射部（Ｐ１）は、前記第４の基板（Ｓ４）の上側部分に少なくとも部分的に及ぶことを特徴とする付記１記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記４．ＲＦ部品は、前記第２の基板（Ｓ２）の上側の上に実装され、第３の基板（Ｓ３）によって、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの前記ＲＦ部品を覆う保護カバーを構成し、前記第２の放射部（Ｐ２）は、前記第３の基板（Ｓ３）の前記上側に少なくとも部分的に対応することを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記５．前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールのＲＦ部品を、前記第１の基板（Ｓ１）に対向する前記第２の基板（Ｓ２）の下側の上に実装し、前記第２の放射部（Ｐ２）は、前記第２の基板（Ｓ２）の上側に少なくとも部分的に及ぶことを特徴とする付記１から３のいずれかに記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記６．前記第１の基板（Ｓ１）は、ＦＲ４型であり、前記第２の基板（Ｓ２）、前記第３の基板（Ｓ３）、及び前記第４の基板（Ｓ４）は、ＬＴＣＣ型であることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記７．前記第１の放射部（Ｐ１）と前記第２の放射部（Ｐ２）との接合部（Ｐ３）は、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの少なくとも１つの側面上に実装された垂直メタライゼーションであることを特徴とする付記１記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記８．前記垂直メタライゼーションは、少なくとも１つのビアにより、前記ＲＦ集積フロントエンド・モジュールの少なくとも１つの側面に実装されていることを特徴とする付記７に記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記９．前記垂直メタライゼーションは、伝送線路により実装されていることを特徴とする付記７に記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
付記１０．前記第１の放射部（Ｐ１）と前記第２の放射部（Ｐ２）との接合部（Ｐ３）は、電磁結合により実装されていることを特徴とする付記１記載のＲＦ受信フロントエンド・ブロック。
【図１】
0005970186.tif 000002
【図２】
0005970186.tif 000003
【図３】
0005970186.tif 000004
【図４】
0005970186.tif 000005
【図５】
0005970186.tif 000006
【図６】
0005970186.tif 000007
【図７】
0005970186.tif 000008
【図８】
0005970186.tif 000009
【図９】
0005970186.tif 000010
【図１０】
0005970186.tif 000011