(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記ＰＲ工程は、音波を励起源として半導体に印加することによりフォトリフレクタンス法における半導体の励起を行うものであることを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項２】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記製造工程は、二次元電子ガスを発生させるヘテロ接合を成長させる工程を含み、
前記ＰＲ工程は、前記ヘテロ接合をフォトリフレクタンス法でモニタすることで評価を行い、
前記製造条件補正工程は、前記ＰＲ工程による評価結果に基づいて前記製造工程の条件を補正しながら前記へテロ接合を成長させる工程を含むことを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項３】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記ＰＲ工程は、ポンプ光の波長を変化させて半導体の深さ方向の構造の評価をする工程を含むことを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項４】
前記ＰＲ工程は、ポンプ光およびプローブ光の入射角度を変化させ、半導体の深さ方向の構造の評価を行うことを特徴とする請求項３に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項５】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記ＰＲ工程は、半導体の表面にパッシベーション膜が成膜されている半導体を、前記パッシベーション膜のバンドギャップ以下の光を用いて半導体表面を直接評価する工程を含むことを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項６】
前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、アルミナ膜、酸化インジューム錫膜、酸化マグネシューム膜、酸化チタン膜からなる群から選択した一つ以上の膜を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項７】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記製造工程は、表面に第１のバンドギャップの第１半導体層が形成され前記第１半導体層の下層に前記第１のバンドギャップよりも小さな第２のバンドギャップの第２半導体層が設けられた半導体を取り扱うものであり、
前記ＰＲ工程は、前記第１のバンドギャップよりもエネルギーの小さいフォトリフレクタンス光を用いて、前記第２半導体層を評価することを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項８】
前記製造工程は、
熱ＣＶＤ工程、ＥＣＲ工程、ＩＣＰ工程、蒸着工程、ＭＢＥ工程、スパッタリング工程、イオン注入工程、ウェハ洗浄工程、液相成長工程、めっき工程、および研磨工程からなる群から選択した一つ以上の工程であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項９】
前記ＰＲ工程は、半導体表面にプローブ光を照射し、前記プローブ光の反射光を受光し、前記半導体表面に励起のための刺激を与える工程を含み、半導体面内を走査するように半導体と前記プローブ光との相対的な位置関係を変化させることにより、半導体面内分布をフォトリフレクタンス法により評価するものであることを特徴とする請求項２〜８の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１０】
前記製造工程は、プラズマ、電子ビーム、およびイオン照射の少なくとも１つを実施する工程を含み、
フォトリフレクタンス法の励起源として、前記プラズマ、前記電子ビーム、および前記イオン照射の少なくとも１つをパルス状態として前記半導体の刺激に用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１１】
前記製造工程は、ウェットプロセスを含み、
前記ＰＲ工程は、前記ウェットプロセスにおける液相中の半導体に対してフォトリフレクタンス法による評価を実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１２】
前記ＰＲ工程中にフォトリフレクタンス法のプローブ光の波長を固定することを特徴とする請求項２〜９の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１３】
前記ＰＲ工程は、複数の波長のプローブ光を照射し、一度にフォトリフレクタンススペクトルを取得するものであることを特徴とする請求項２〜９，１２の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１４】
フォトリフレクタンススペクトルの振動周期から液温、半導体の表面温度を測定することを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１５】
前記ＰＲ工程でのフォトリフレクタンス法に用いる光を用いて、フォトルミネッセンス評価とラマン散乱評価のうち少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１６】
半導体製品の製造を行う製造手段と、
前記製造手段での製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ手段と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正手段と、
を有し、
前記ＰＲ手段は、音波を励起源として半導体に印加することによりフォトリフレクタンス法における半導体の励起を行うものであることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１７】
前記製造手段は、
ウェハ洗浄、液相成長、めっき、および研磨からなる群から選択した一つ以上の工程を実施するための手段であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品の製造方法、半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、下記の特許文献１〜１２に開示されているように、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）を半導体製造技術に利用することが知られている。フォトリフレクタンス法によれば、非破壊非接触により、測定対象物である半導体デバイス等の表面状態を精度よく観察することができる。
【０００３】
特に、特許文献２である特開平７−５０２８３号公報には、２層以上の半導体層からなり各半導体層の複素誘電率が異なる半導体のエッチングにおいて、エッチングしながら同時に複素誘電率を観測し、この変化に基づいてエッチングの制御を行う技術が開示されている。この公報においては、そのエッチング制御にフォトリフレクタンス法を用いることが開示され、具体的には、エッチング時にエッチャントを通してフォトレフレクタンス測定を行い、その測定値の変化に基づいてエッチングの制御を行う技術が開示されている。その詳細は、この特許文献２の段落００２４に記載されている。その段落００２４には、フォトリフレクタンス法により反射率を測定しながらエッチングを行ったこと、反射率スペクトルを測定するエネルギー範囲を予想される禁制帯幅近傍にしぼること、及び反射率スペクトルから禁制帯幅を求める計算プログラムを最適化することの記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−３４２７７３号公報
【特許文献２】特開平７−５０２８３号公報
【特許文献３】特開平１０−１９９９４９号公報
【特許文献４】特開２００９−２７２４４７号公報
【特許文献５】特開２００９−４７０６号公報
【特許文献６】特開２００３−１１５５１４号公報
【特許文献７】特開平２−２１２７２５号公報
【特許文献８】特開２００２−２６０９４号公報
【特許文献９】特開２００４−２４７３８０号公報
【特許文献１０】特開２００６−４９６５９号公報
【特許文献１１】特開平７−２１８３５５号公報
【特許文献１２】特開平７−６３６６７号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Photovoltaic effects on Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra: Application to determination of surface Fermi level and surface recombination velocity in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure, Hideo Takeuchi, et al, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.97,063708 (2005)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトリフレクタンス法で取得されるＰＲ信号は、横軸にプローブ光のエネルギー、縦軸に反射率の変化量をとった場合に、複数回の振動波形が観測されることが知られている（非特許文献１参照）。このような複数回の振動波形は、フランツ・ケルディッシュ振動と呼ばれるものである。
【０００７】
このフランツ・ケルディッシュ振動波形における振動周期やプローブ光強度依存性から、表面再結合速度などの半導体表面についての多種の詳細な情報を得ることができる。本願発明者は、このような詳細な情報を活用すること、すなわちフランツ・ケルディッシュ振動波形から求めた各種情報を半導体製品の製造工程中にリアルタイムに製造条件にフィードバックするという技術を見出した。
【０００８】
特許文献２は、フォトリフレクタンス法により反射率を測定しながらエッチングを行う技術を記載しているものの、フランツ・ケルディッシュ振動波形を利用することについては記載も示唆もされていない。前提として、フランツ・ケルディッシュ振動波形から半導体表面についての多種の詳細な情報を得るという目的を達するためには、フランツ・ケルディッシュ振動波形における高エネルギー側の小さな振動波形をも解析対象に入れる必要がある。しかしながら、特許文献２では、段落００２４にあるように、反射率スペクトルを測定するエネルギー範囲を予想される禁制帯幅近傍にしぼることが記載されており、これは反射率スペクトルの一部を使用することを意味している。つまり、結果的に、特許文献２ではフランツ・ケルディッシュ振動波形のうち低エネルギー側に現れるせいぜい一つ又は二つの振動（ピーク）に対応する情報（ＰＲ信号）を評価するにすぎない。このように特許文献２にはフォトリフレクタンス法におけるフランツ・ケルディッシュ振動波形を半導体製品の製造に活用するという観点が無く、他の文献にもこれに関連する記載が無い。従来技術は、半導体製品の高品質化という点でいまだ改善の余地を残すものであった。
【０００９】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、高品質な半導体製品を製造することができる半導体製品の製造方法および半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の発明は、半導体製品の製造方法であって
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有し、
前記ＰＲ工程は、音波を励起源として半導体に印加することによりフォトリフレクタンス法における半導体の励起を行うものであることを特徴とする。
【００１１】
第２の発明は、半導体製造装置であって、
半導体製品の製造を行う製造手段と、
前記製造手段での製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ手段と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正手段と、
を有し、
前記ＰＲ手段は、音波を励起源として半導体に印加することによりフォトリフレクタンス法における半導体の励起を行うものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、製造工程中に、フォトリフレクタンス法による評価結果をリアルタイムで製造条件にフィードバックすることにより、製造工程中に製造条件を好適化することができる。その結果、高品質な製品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる熱ＣＶＤ装置１を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図３】ＧａＡｓウェハを用いて測定されたフォトリフレクタンスの一実施例である。
【図４】本発明の実施の形態２にかかるＥＣＲスパッタ装置を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図６】本発明の実施の形態３にかかるＩＣＰ−Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ装置２００を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態３にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図８】本発明の実施の形態４にかかる蒸着装置３００を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態４にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図１０】本発明の実施の形態５にかかるスパッタ装置４００を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態５にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図１２】本発明の実施の形態６にかかるイオン注入装置５００を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態６にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図１４】本発明の実施の形態７にかかるウェハ洗浄装置６００を示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態７にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図１６】本発明の実施の形態８にかかる液相成長装置７００を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態８にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図１８】本発明の実施の形態９にかかる、めっき装置８００を示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態９にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図２０】本発明の実施の形態１０にかかるＣＭＰ研磨装置９００を示す図である。
【図２１】本発明の実施の形態１０にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【図２２】本発明の実施の形態１１にかかるめっき装置１０００を示す図である。
【図２３】本発明の実施の形態１２にかかるウェハ洗浄装置１１００を示す図である。
【図２４】本発明の実施の形態１３にかかる半導体製品の製造方法について説明するための図であり、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのバンドダイアグラムを示す。
【図２５】本発明の実施の形態１４にかかる熱ＣＶＤ装置１２００を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態として好ましいものを、図面を参照しつつ説明する。各実施形態の内容は下記に列挙するとおりである。なお、同一、又は対応する構成に対しては、共通の符号を付する。
実施の形態１．熱ＣＶＤを実施する製造方法および製造装置
実施の形態２．ＥＣＲを実施する製造方法および製造装置
実施の形態３．ＩＣＰ Ｄｅｅｐ ＲＩＥを実施する製造方法および製造装置
実施の形態４．蒸着を実施する製造方法および製造装置
実施の形態５．スパッタを実施する製造方法および製造装置
実施の形態６．イオン注入工程を実施する製造方法および製造装置
実施の形態７．ウェハ洗浄工程を実施する製造方法および製造装置
実施の形態８．液相成長を実施する製造方法および製造装置
実施の形態９．めっき工程を実施する製造方法および製造装置
実施の形態１０．研磨工程を実施する製造方法および製造装置
実施の形態１１．めっき工程を実施する製造方法および製造装置（音波刺激）
実施の形態１２．ウェハ洗浄工程を実施する製造方法および製造装置（音波刺激）
実施の形態１３．量子井戸、二次元電子ガスを発生させるためのヘテロ接合をフォトリフレクタンスでモニタする製造方法
実施の形態１４．フォトリフレクタンス、ラマン散乱、およびフォトルミネッセンスを評価手段として用いた製造方法および製造装置
【００１５】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１は、熱ＣＶＤを実施する製造方法および製造装置である。
【００１６】
［実施の形態１にかかる装置］
図１は本発明の実施の形態１にかかる熱ＣＶＤ装置１を示す図である。図１において、半導体ウェハＷが、高温に過熱するための下部電極２に設置される。上部電極３は、下部電極２と平行に設置されて下部電極２との間に高温状態を作製するための電極である。下部電極２と上部電極３の間に加熱ガス４が生じ、この部分でガスが分解し基板である半導体ウェハＷに薄膜が成長される。ヒータ用電源５は、上部電極３を加熱するためのヒータ用電源である。ヒータ用電源６は、下部電極２を加熱するためのヒータ用電源である。チャンバー７は通常厚いステンレスで作製されている。ガス導入系８は、チャンバー７にガスを導入するためのガス導入系であり、バルブ８ａが設けられている。真空ポンプ９は、チャンバー内に導入されたガスを外部に放出するためのものである。
【００１７】
フォトリフレクタンスのプローブ光発生装置１０が、プローブ光１１を射出する。光検出器１２は、半導体ウェハＷで反射されたプローブ光１１を受光するための光検出器である。フォトリフレクタンスのポンプ光発生装置１３が、ポンプ光１４を半導体ウェハＷに射出し、これにより半導体が刺激される。
【００１８】
熱ＣＶＤ装置１は制御部２０を備えている。制御部２０は、ヒータ用電源５、６、バルブ８ａ、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、ポンプ光発生装置１３などに接続している。
【００１９】
［実施の形態１の製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図２は、本発明の実施の形態１にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【００２０】
一般に、半導体製品は、半導体ウェハを作製し、場合によりエピ成長を行い、レジスト塗付、露光、現像工程でパターンを形成し、エッチングや膜形成を行うことを繰り返し、最終的に完成するものである。ただし、本明細書においては、「半導体製品」という言葉は、最終的な完成品を指す場合のみならず、その途中の半製品を指す場合でも用いる。
【００２１】
まず、チャンバー７内の下部電極２上に半導体ウェハＷを置き、ウェハセットがなされる（ステップＳ５１）。
【００２２】
次に、ガス導入が実施される（ステップＳ５２）。ここでは、ガス導入系８のバルブ８ａを閉じ、真空排気系９から内部のガス（空気）を排出しチャンバー７の内部を真空状態にする。下部電極２を加熱し約３００℃程度に設定する。ガス導入系８から所望のガスを導入し、真空排気系９の図示しないバルブを制御してガス排気量とのバランスを取って一定の圧力に設定する。通常は数torrの低真空状態に保持する。半導体をエッチングする場合はＣＨＦ３，ＣＦ４，Ｏ２，Ａｒなどのエッチングガスを導入し、膜を成膜する場合はＳｉＨ４，Ｈ２，ＮＨ３などの成膜ガスを導入する。
【００２３】
一定の圧力に達した時点で加熱（ステップＳ５３）が行われ、ヒータ用電源５をオンとしチャンバー７内部に高温状態４００℃〜１２００℃を形成する。
【００２４】
これにより成膜が行われる（ステップＳ５５）。導入したガスが熱で分解する。半導体ウェハＷがこの分解した元素に曝されることにより、半導体のエッチングやシリコン窒化膜の成膜が行われる。
【００２５】
次に、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ５５）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ５６）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【００２６】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ５２にループする（ステップＳ５７）。
【００２７】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（基本技術）
本実施の形態では、この半導体製造工程において、新たにフォトリフレクタンスのモニタを追加することを特徴としている。プローブ光発生装置１０からプローブ光１１を発生させ、半導体ウェハＷに照射する。照射したプローブ光１１は半導体ウェハＷで反射し、光検出器１２で検出される。光強度は数μＷ／ｃｍ２から数十μＷ／ｃｍ２程度が一般的である。この時、ポンプ光発生装置１３から、ポンプ光１４を丁度プローブ光１１が半導体ウェハＷに照射される場所に重ねて照射する。ポンプ光１４は一般的に５３２nm程度の波長で数十ｍＷ／ｃｍ２の照射強度を用いる。このポンプ光１４は短時間にパルス状に点滅させる。周波数は通常２００Ｈｚから２ＫＨｚを用いる。ポンプ光１４をパルス状に点滅させることで半導体の光学的性質が変化しプローブ光１１の反射率が変化する。この変化を光検出器１２で検出する。変化率は小さいため、ロックインアンプがよく用いられる。次にプローブ光発生装置１０内部で分光器を用いて単色化し照射波長を変化させる。
【００２８】
図３はＧａＡｓウェハを用いて測定されたフォトリフレクタンスの一実施例である。横軸はプローブ光のエネルギー、縦軸は反射率の変化量である。複数回の振動波形がみられる。これはフランツ・ケルディッシュ振動と呼ばれるものである。このフランツ・ケルディッシュ振動波形における振動周期やプローブ光強度依存性から、半導体表面の電界強度、表面再結合速度、フェルミレベル、ダングリングボンド密度が求まる。非常に詳細な情報を精度良く得ることができるという特徴がある。これらの原理はPhotovoltaic effects on Franz-Keldysh oscillations in photoreflectance spectra: Application to determination of surface Fermi level and surface recombination velocity in undoped GaAs/n-type GaAs epitaxial layer structure, Hideo Takeuchi, et al, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS Vol.97,063708 (2005)に詳しく紹介されており、既に公知技術となっているため詳細な説明を省略する。
【００２９】
なお、特許文献２では、結果的に、フランツ・ケルディッシュ振動波形のうち低エネルギー側に現れる一つ又は二つの振動（ピーク）を評価することになる。つまり、特許文献２では、結果的に、図３においては１．４２ｅＶ付近のピークや、その次の１．４６ｅＶ付近のピークに現れる情報を利用するものに過ぎない。これでは、前述したような電界強度などの詳細な情報を取得することはできない。１．５ｅＶ以降に現れる微小な振動波形を含む解析を行ってはじめて、上記の電界強度等の情報を得ることができるのである。
【００３０】
本実施の形態を用いると、例えば熱ＣＶＤを例にとると、成膜中に、フォトリフレクタンス信号を測定し、半導体の状態をチェックし、表面状態に荒れが生じた場合、表面再結合速度の上昇、電界強度の増加がモニタできるため、温度やガス圧を変化させるなどのフィードバックを迅速に行うことができ、良好な成膜が可能になる。
【００３１】
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、成長している薄膜の結晶性である。この結晶性には、結晶欠陥、不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度などが含まれる。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、表面再結合速度が上昇した場合は、結晶欠陥の発生、不純物の混入が考えられる。電界強度が増加した場合は、結晶歪の増加、易動度の減少が考えられる。ＰＲスペクトル強度が低下した場合や波形の半値幅が広がってブロードな波形になってしまう場合は、表面荒れが増大している。
【００３２】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、次のとおりである。
（i）電界強度はＰＲスペクトルの周期から求められる。周期が長くなるほど電界が強くなる。
（ii）表面再結合速度は、同様にＰＲスペクトルの周期から電界強度を求めるが、さらに、プローブ光の強度依存性を測定する。プローブ光強度を増加させるとスペクトルの周期が長くなり電界強度が低下する。この変動傾向を解析することにより表面再結合速度を測定する。表面再結合速度が大きいほどＰＲスペクトル周期が長くなり電界強度が増加し電界強度と再結合速度の区別がつき難くなるが、表面再結合速度はプローブ光の依存性からシミュレーションで正確に求めるのが異なる。
（iii）表面荒れが生じると、ＰＲ信号の減少が起きたり信号がブロードになる。
（iv）結晶欠陥や不純物、歪が多いと、電界強度や表面再結合速度が大きくなる。
（v）多元系の場合組成比がずれると、ＰＲスペクトルの波長が全体的にシフトする。
（vi）成長中の温度が高くなると、ＰＲスペクトル全体が低エネルギー側（波長側）にシフトする。これより温度を求めることができる。
（vii）ＰＲのプローブ光の波長を変化させることで深さ方向の情報が得られる。長波長のプローブ光を用いると深いところまで測定することができる。
（viii）一般的に結晶性が良いほど、電界強度は低下し、表面再結合速度は低下する。
【００３３】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次に述べる動作を制御部が実施する。制御部２０は、上記の評価基準に基づいて結晶性が低下したと認められた場合、下記の制御の少なくとも１つを実施する。
（i）炉内を高温にするように、ヒータ用電源５、６の発熱量（通電量）を制御する。
（ii）成長速度を下げるため供給ガス量を制限するように、バルブ８ａを制御する。
（iii）ガスと共に導入する水素や窒素などの不活性キャリアガスの流量を増加させて、正確に結晶位置に原子を成長させるようにする。これは、不活性キャリアガスの流量を別途調節するためのバルブ（図示せず）を制御することになる。
【００３４】
（４）本実施の形態の効果としては、成長条件を調整したので良質な結晶を得ることができる。
【００３５】
［実施の形態１の効果］
従来の半導体製造工程では、半導体ウェハを作製し、場合によりエピ成長を行い、レジスト塗付、露光、現像工程でパターンを形成し、エッチングや膜形成を行うことを繰り返し、最終的に半導体製品を形成する。この時、レジスト塗付、露光、現像工程以外の、半導体製造工程で使用される装置は一般的に真空装置や液相装置が用いられている。
【００３６】
従来の半導体製造工程で使用する半導体製造装置は以上のように構成されているので、内部の状態がモニタし難く、製造している半導体ウェハがどのように加工、形成されているのか不明のまま製造することが多い。超高真空製造装置では電子線回折装置などが組み込めるため、表面の原子状態を観察しながら製造できるが、低真空製造装置では覗き窓から内部の色や形状を観察する程度で、半導体の出来栄えはプロセスが完了後、取り出して特性を評価することになる。ウェットプロセスでは、光学的な観察は難しく、電極を挿入して電気抵抗の変化を評価できる程度である。
【００３７】
このように、従来の半導体製造装置は製造中に半導体を直接評価できないため良質の半導体の作製が難しいという問題点があった。つまり、フォトリフレクタンスのモニタ設備が設置されていないため、成膜中の状況を把握することが出来ず、良質の半導体を製造することが難しい。この点、本実施の形態では、半導体を形成中に半導体の性質をモニタできることにより、その情報をリアルタイムで形成条件にフィードバックし良質の半導体を製造することができる。
【００３８】
［実施の形態１の変形例］
実施の形態１のプローブ光は照射場所が固定されているが、プローブ光を走査またはウェハを走査することで半導体ウェハ全面の面内分布を測定してもよい。つまり、半導体面内を走査するように半導体とプローブ光との相対的な位置関係を変化させることにより、半導体面内分布をフォトリフレクタンス法により評価してもよい。通常は光源、光検出器、半導体基板の幾何学的形状を固定するが、光源をテレビのブラウン管の電子ビームのように操作して、半導体基板を満遍なく観察しようということである。この場合、検出器を複数設けるか、反射した光を検出器にうまく導入するための反射板を設けることが好ましい。光源と検出器は固定して、ステージ（下部電極）を可動とするなどして、半導体をＸ−Ｙ軸上で動かす。そうすれば半導体をまんべんなく評価することができる。
【００３９】
実施の形態１のポンプ光を用いる代わりに、プラズマ装置の場合は印加する高周波をパルス状に印加し、ポンプ光源を用いない簡略化した装置を構成してもよい。また、プラズマ装置以外の装置ではポンプ光の代わりに、電子ビーム、イオンビームを用いることも可能である。この場合も、ビームをパルス状に印加する。
【００４０】
ウェットプロセスでは、音波を励起光の代わりに使用してもよい。ポンプ光は検出感度を上げるために用いているもので周波数が決まっていればよい。光ではなくても、周期的に半導体を刺激すればフォトリフレクタンス信号が得られる。
フォトリフレクタンススペクトルの振動周期から液温、半導体の表面温度を測定してもよい。温度が上昇すると半導体のバンドギャップが縮小する。そのためフォトリフレクタンスが現れるエネルギーが低く（波長は長く）なるからである。
【００４１】
実施の形態１ではプローブ光の波長を走査し振動波形を観察していたが、波長を走査するとある程度時間が必要になる。そこで量産工程ではプローブ波長を固定して光反射の変動強度だけをモニタしてもよく、これにより均一な半導体を製造できる。波長を固定するため迅速に製造工程にフィードバックすることができ、高額な分光器を省略することができる。
【００４２】
実施の形態１ではプローブ光の波長を走査していたが、複数の波長のプローブ光源を設置し、一度にフォトリフレクタンススペクトルを取得してもよい。これにより瞬時に一括してフォトリフレクタンススペクトルを測定することができる。複数の波長のプローブ光源は、光源を複数設置して実現すればよい。
虹色に分光した光を照射し、帯状に形成した複数のＣＣＤ受光器で同時に観察する範囲のすべての波長の光を取り込み、瞬時にスペクトルを取得してもよい。なお、複数の波長の単色プローブ光を用いるよりも特徴的な振動強度を示す波長を選べば、プローブ光源の設置数を削減することもできる。
評価対象が様々な半導体の場合、波長を操作してスペクトルの全体像を見て判断することが必要である。量産になった場合、得られるスペクトルは決まっているので、どこか一番感度のいい場所だけ注目しておけば、正常に製造できているかどうか判断できる。通常は、その波長の信号が低下すれば何か結晶性が低下していることになるので、これを製造方法にフォードバックする。
【００４３】
実施の形態１ではプローブ光の入射角度を固定していたが、角度を変化させる構造、または異なる角度のプローブ光を設置することにより、半導体の深さ方向の情報を得てもよい。なお、プローブ光の角度を変更してもよく、プローブ光の波長を変化してもよい。半導体は通常数ミクロン単位でエピ成長したりイオン注入されたりするため、そのエピ膜厚が正確かなどの情報が必要になる。深さ方向とは表面から数ミクロンにわたってどのような状況になっているか評価することをいう。
【００４４】
これまで説明してきた半導体ウェハは半導体が露出した領域に光を照射することを想定していたが、絶縁膜が成膜されたウェハでも、照射光を絶縁膜のバンドギャップよりも小さい光を用いることで、半導体表面を評価することができる。加熱やプラズマ照射により絶縁膜が半導体に形成されていても半導体表面がプロセスの影響を受け変化するため、製造工程において半導体表面をモニタすることは重要である。
【００４５】
「絶縁膜のバンドギャップ以下の光」「表面の半導体層のバンドギャップよりもエネルギーの小さいフォトリフレクタンス光」について、そのような光の具体的な説明（波長或いは周波数などのパラメータ）を、絶縁膜や表面の半導体層ごとに記載すると、下記のとおりである。Ｓｉ３Ｎ４（バンドギャップ：５．１ｅＶ）とＧａＡｓ基板（１．４２ｅＶ）では当該関係が成立する。また、ＳｉＯ２（バンドギャップ：８．９ｅＶ）とＧａＡｓ基板（１．４２ｅＶ）でも当該関係が成立する。また、Ａｌ０．３１ＧａＡｓ（バンドギャップ：１．８５ｅＶ）とＧａＡｓ基板（１．４２ｅＶ）とでも当該関係が成立する。
【００４６】
絶縁層や表面半導体層と、下層側に有る測定対称の半導体層の間は、光やバンドギャップ等については、表面にある膜のバンドギャップの方が下層になるものより大きくなければならない。逆の関係だと、表面で光が吸収されてしまい下に届かなくなるからである。
【００４７】
すなわち、実施の形態１の製造フローにおいて、半導体の表面にパッシベーション膜が成膜されている半導体を、パッシベーション膜のバンドギャップ以下の光を用いて半導体表面を直接評価する工程を含んでもよい。パッシベーション膜は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、アルミナ膜、酸化インジューム錫膜、酸化マグネシューム膜、酸化チタン膜からなる群から選択した一つ以上の膜を含んでもよい。表面に第１のバンドギャップの第１半導体層が形成され半導体層の下層に第１のバンドギャップよりも小さな第２のバンドギャップの第２半導体層が設けられた半導体を取り扱っても良い。この場合、第１のバンドギャップよりもエネルギーの小さいフォトリフレクタンス光を用いて、第２半導体を評価してもよい。
【００４８】
なお、上記実施の形態では熱ＣＶＤ装置にフォトリフレクタンス装置を設けたものを示したが、半導体製造工程で良く用いられる、熱ＣＶＤ装置、ＭＢＥ装置、ＭＯＣＶＤ装置、ドライエッチング装置、ＥＣＲ装置、ＩＣＰ装置、ＭＢＥ装置、蒸着装置、スパッタ装置、イオン注入装置、アニール装置などに同様に適用することができる。すなわち、半導体製造工程としての、熱ＣＶＤ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ドライエッチング、ＥＣＲ、ＩＣＰ、ＭＢＥ、蒸着、スパッタ、イオン注入、アニールなどに同様に適用することができる。また、上記ドライプロセスだけでなく、ウエットエッチング装置、ウェハ洗浄装置、液相成長装置、メッキ装置、研磨装置などのウェットプロセスにも組み込むことができる。この点については、後述する実施の形態２以降において説明する。
【００４９】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２は、ＥＣＲを実施する製造方法および製造装置である。
【００５０】
［実施の形態２にかかる装置］
図４は、本発明の実施の形態２にかかるＥＣＲスパッタ装置を示す図である。図４において、符号と構成の対応関係は下記のとおりである。１００は、ＥＣＲスパッタ装置である。１０２は、プラズマ生成室である。１０２ａは、プラズマ引き出し開口である。１０３は、反応室である。１０４は、マイクロ波導入孔である。１０５は、磁場コイルである。１０６は、排気口である。１０７は、ガス導入口である。１０８は、高周波電源である。１０９は、発信器及びＥＨチューナーである。１１０は、導波管である。１１１は、基板支持部である。１１２は、半導体基板である。１１３は、ターゲット電極である。バイアス電源ＤＣが設けられている。１１５は、高周波電源である。１２０は、シールドである。Ｂ１、Ｂ２は、バルブであり、Ｌ１，Ｌ２は、ガスラインであり、Ｍ１，Ｍ２は、マスフローコントローラである。
【００５１】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【００５２】
制御部１４０は、高周波電源１０８、バルブＢ１、Ｂ２、バイアス電源ＤＣ、高周波電源１１５とそれぞれ接続している。また、実施の形態１と同様に、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【００５３】
［実施の形態２にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図５は、本発明の実施の形態２にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【００５４】
まず、基板支持部１１１に半導体基板１１２を置き、ウェハセットがなされる（ステップＳ１５１）。
【００５５】
次に、ガス導入が実施される（ステップＳ１５２）。ここでは、バルブＢ１およびＢ２を制御してガスを導入する。
【００５６】
次にＥＣＲパワーが印加される（ステップＳ１５３）。これにより成膜が行われる（ステップＳ１５４）。
【００５７】
次に、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ１５５）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ１５６）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【００５８】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ１５２にループする（ステップＳ１５７）。
【００５９】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、次のとおりである。まず、ＥＣＲ装置は、薄膜を成膜する場合とエッチングを行う場合とがある。薄膜を成長させる場合は、熱ＣＶＤと同様、結晶性を評価する。ここでいう結晶性には、結晶欠陥、不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度などが含まれる。エッチングを行う場合は、エッチングダメージを評価する。エッチングダメージには、ダメージの深さ、ダメージの種類、薄膜の残り厚などが含まれる。
ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００６０】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００６１】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次に述べる動作を制御部が実施する。
ＥＣＲで膜成長を行う場合、結晶性が低下したと認められた場合は、制御部１４０は、ＥＣＲの高周波電力を抑制する制御、基板温度を上げる制御、成膜ガス濃度を下げる制御のうち少なくとも１つの制御を実施する。
ＥＣＲでエッチング中に結晶性が悪化したと認められた場合は、制御部１４０は、高周波電力を低下させる制御、内部のガス圧を上げてエッチングダメージを抑制する制御、基板温度を上げる制御のうち少なくとも１つの制御を実施する。
【００６２】
（４）本実施の形態の効果
成長条件を調整したので、良質な成膜ができる。
エッチング条件を調整したので、ダメージの少ないエッチングが可能になる。
【００６３】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３は、ＩＣＰ−Ｄｅｅｐ−ＲＩＥを実施する製造方法および製造装置である。
【００６４】
［実施の形態３にかかる装置］
図６は、本発明の実施の形態３にかかるＩＣＰ−Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ装置２００（以下、単に、装置２００とも称す）を示す図である。符号Ｗは半導体ウェハである。ＩＣＰ−Ｄｅｅｐ−ＲＩＥ装置２００は、Ｓｍ−Ｃｏ永久磁石２０２と、マッチングユニット２０４と、ＲＦジェネレータ２０６と、水冷ＲＦコイル２０８ａ、２０８ｂと、耐熱ガラスカバー２１０と、ＳＦ６ガス入口２１２ａ、２１２ｂと、ステージ２１４と、メインバルブ２１６と、インダクタ２２０と、キャパシタ２２２と、電源２２４と、マッチングユニット２２６と、ＲＦジェネレータ２２８と、冷媒経路２３０と、循環冷却システム２３２と、を備えている。
【００６５】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【００６６】
制御部２４０は、上記の装置２００におけるガス導入にかかる構成およびＩＣＰパワー印加にかかる構成と接続している。
【００６７】
［実施の形態３にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図７は、本発明の実施の形態３にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【００６８】
まず、ステージ２１４に半導体ウェハＷを置き、ウェハセットがなされる（ステップＳ２５０）。
【００６９】
次に、ガス導入が実施される（ステップＳ２５１）。ここでは、ＳＦ６ガス入口２１２ａ、２１２ｂの開閉のためバルブ（不図示）を制御してガスを導入する。
【００７０】
次にＩＣＰパワーが印加される（ステップＳ２５２）。これにより成膜が行われる（ステップＳ２５３）。
【００７１】
次に、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ２５４）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ２５５）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【００７２】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ２５１にループする（ステップＳ２５６）。
【００７３】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、次のとおりである。ＩＣＰ装置もＥＣＲ装置と作用はほとんど同じであるためＰＲ法の用途は同様である。ＩＣＰ装置では薄膜を成膜する場合とエッチングする場合がある。成長する場合は熱ＣＶＤと同様、結晶性（結晶欠陥、不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度など）を評価する。エッチングする場合は、エッチングダメージ（ダメージの深さ、ダメージの種類、薄膜の残り厚など）を評価する。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００７４】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００７５】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、実施の形態２におけるＥＣＲ装置の場合と同様である。
【００７６】
（４）本実施の形態の効果は、実施の形態２におけるＥＣＲ装置の場合と同様である。
【００７７】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４は、蒸着を実施する製造方法および製造装置である。
【００７８】
［実施の形態４にかかる装置］
図８は、本発明の実施の形態４にかかる蒸着装置３００を示す図である。真空ベッセル３０２の内部には、ヒータ付基板ホルダ３０４と、シャッタ３０８と、蒸発源制御部３０９および蒸着源３１０と、バッフル３１２とが設けられている。半導体基板Ｗ４がヒータ付基板ホルダ３０４にセットされている。油回転ポンプ３１４および油拡散ポンプ３１６によって、真空ベッセル３０２内のガスを引き抜くことができる。
【００７９】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【００８０】
制御部３４０は、蒸発源制御部３０９、油回転ポンプ３１４、油拡散ポンプ３１６と接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【００８１】
［実施の形態４にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図９は、本発明の実施の形態４にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【００８２】
まず、ヒータ付基板ホルダ３０４に半導体基板Ｗ４をセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ３５０）。
【００８３】
次に、真空ポンプ（油回転ポンプ３１４、油拡散ポンプ３１６）の作動が実施される（ステップＳ３５１）。これにより真空ベッセル３０２内の圧力が所定値まで低下し、維持される。
【００８４】
次に蒸発源３１０の加熱がなされる（ステップＳ３５２）。これにより成膜が行われる（ステップＳ３５３）。
【００８５】
次に、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ３５４）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ３５５）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【００８６】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ３５１にループする（ステップＳ３５６）。
【００８７】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１） ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、次のとおりである。蒸着装置では、蒸着で形成する薄膜の密度、不純物、歪、組成比、多元系材料の場合はその組成比、伝導度、表面の荒れ、成長中の温度などを評価する。蒸着では結晶性というより多結晶や非晶質膜を成膜するのが特徴である。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００８８】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【００８９】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次に述べる動作を制御部が実施する。
（i）蒸着装置で不純物が増えた場合は、真空度を上げる。
（ii）歪が増加した場合は、電子ビームの電流を絞って成膜速度を下げる。
（iii）組成比が変化した場合は、電子ビームを当てる割合を変えて不測元素が多く蒸着されるようにする。
（iv）伝導度が低下した場合は蒸着速度を下げて基板温度を上げる。
（v）表面荒れが生じた場合は蒸着速度を下げ、基板温度を上げ、真空度を上げる。
【００９０】
（４）本実施の形態の効果は、蒸着条件を調整したため、組成比の整った良質で表面荒れが少ない膜が得られる。
【００９１】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５は、スパッタを実施する製造方法および製造装置である。
【００９２】
［実施の形態５にかかる装置］
図１０は、本発明の実施の形態５にかかるスパッタ装置４００を示す図である。チャンバー４０２の内部には、基板電極４０４とターゲット４１２が対向して配置されている。ターゲット４１２は高圧電源４１４と接続している。チャンバー４０２は、排気管４０６を介して図示しない真空ポンプに接続している。ガス導入管４１０には途中にバルブ４０８が配置されている。
【００９３】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【００９４】
制御部４４０は、バルブ４０８、高圧電源４１４、図示しない真空ポンプなどに接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【００９５】
［実施の形態５にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図１１は、本発明の実施の形態５にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【００９６】
まず、基板電極４０２側に半導体基板をセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ４５０）。
【００９７】
次に、ガス導入が実施される（ステップＳ４５１）。つまり、図示しない真空ポンプの作動とともに、バルブ４０８が制御されて、チャンバー４０２内に所定圧力で所定ガスが充填される。
【００９８】
次に、高圧電源４１４が制御されて高圧電源の印加がなされる（ステップＳ４５２）。これによりスパッタリングによる成膜が行われる（ステップＳ４５３）。
【００９９】
次に、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ４５４）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ４５５）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１００】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ４５１にループする（ステップＳ４５６）。
【０１０１】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、スパッタ装置は蒸着とほぼ同じである。スパッタ装置では、蒸着で形成する薄膜の密度、不純物、歪、組成比、多元系材料の場合はその組成比、伝導度、表面の荒れ、成長中の温度などを評価する。スパッタ装置では結晶性というより多結晶や非晶質膜を成膜するのが特徴である。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１０２】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１０３】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、実施の形態４で説明した蒸着装置の場合と同様である。
【０１０４】
（４）本実施の形態の効果は、実施の形態４で説明した蒸着装置の場合と同様である。
【０１０５】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６は、イオン注入工程を実施する製造方法および製造装置である。
【０１０６】
［実施の形態６にかかる装置］
図１２は、本発明の実施の形態６にかかるイオン注入装置５００を示す図である。６０ｋＶの高電圧電源５０２と、ガス系統ソース電源５０４と、拡散ポンプ５０６と、イオンソース５０８と、アナライザマグネット５１２と、１００ｋｅＶ電源５１４と、ステージ５１６とを備えている。５１０はイオンビームである。ステージ５１６上に半導体基板Ｗ６が配置される。高電圧電源５０２、ガス系統ソース電源５０４、イオンソース５０８は、主にイオン量の調節にかかる構成である。アナライザマグネット５１４、１００ｋｅＶ電源５１４が、主にイオン注入にかかる構成である。
【０１０７】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【０１０８】
制御部５４０は、上述したイオン量の調節にかかる構成およびイオン注入気かかる構成に接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【０１０９】
［実施の形態６にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図１３は、本発明の実施の形態６にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【０１１０】
まず、ステージ５１６に半導体基板Ｗ６をセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ５５０）。
【０１１１】
次に、制御部５４０が上記のイオン発生にかかる構成を制御して、イオン発生が実施される（ステップＳ５５１）。
【０１１２】
次に、制御部５４０が上記のイオン注入にかかる構成を制御して、イオン注入が実施される（ステップＳ５５２）。
【０１１３】
次に、半導体基板Ｗ６に対して、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ５５３）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ５５４）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１１４】
成膜が完了したら今回の製造プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ５５１にループする（ステップＳ５５５）。
【０１１５】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、イオン注入装置では注入される結晶の結晶性を評価する。この結晶性とは、結晶欠陥、注入される不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度などを含む。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１１６】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１１７】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、イオン注入で不純物が増加した場合、真空度を良くする。その他、蒸着と同じである。
【０１１８】
（４）本実施の形態の効果は、真空度を調整したため、不純物の少なく良質な結晶のイオン注入が可能になる。
【０１１９】
実施の形態７．
本発明の実施の形態７は、ウェハ洗浄工程を実施する製造方法および製造装置である。
【０１２０】
［実施の形態７にかかる装置］
図１４は、本発明の実施の形態７にかかるウェハ洗浄装置６００を示す図である。本装置は、ウェハＷを洗浄するものである。６２１は、洗浄槽である。６２１ａは、外壁である。６２３は、洗浄槽底部である。６２５は、排液口である。６２９は、排液案内部である。６３１は、上面である。６３３は、中央排液口である。６３５は、外側排液口である。６３７、６４３は、循環配管である。６３９は、その回転数を制御することで洗浄液の攪拌速度を調節する役割を果たす循環ポンプである。６４１は、フィルタである。６４５は、外槽である。６４７は、外周壁である。６５３は、混合洗浄液である。６３４は、洗浄液温度を調節する役割を果たすヒータである。図中矢印のごとく洗浄液が循環する。
【０１２１】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【０１２２】
制御部６４０は、ヒータ６３４および循環ポンプ６３９に接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【０１２３】
［実施の形態７にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図１５は、本発明の実施の形態７にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【０１２４】
まず、洗浄槽６２１内に半導体ウェハＷをセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ６５０）。
【０１２５】
次に、ヒータ６３４および循環ポンプ６３９の制御が行われることにより、所定の温度および攪拌速度によって、洗浄が実施される（ステップＳ６５１）。
【０１２６】
次に、半導体ウェハＷに対して、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ６５２）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ６５３）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１２７】
洗浄が完了したら今回の洗浄プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ６５１にループする（ステップＳ６５４）。
【０１２８】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、ウェハ洗浄装置では、表面の残留不純物、エッチング量、表面荒れを評価する。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１２９】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１３０】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次のとおりである。残留不純物がある場合、ＰＲスペクトルの強度が低下する。そこで、ＰＲスペクトルの強度低下が認められた場合は、制御部６４０が、洗浄水量や水の噴出強度を増加させるようにヒータ６３４および循環ポンプ６３９を制御する。
【０１３１】
（４）本実施の形態の効果としては、洗浄水量や強度を調整したため、良好なウェハ洗浄ができる。
【０１３２】
実施の形態８．
本発明の実施の形態８は、液相成長を実施する製造方法および製造装置である。
【０１３３】
［実施の形態８にかかる装置］
図１６は、本発明の実施の形態８にかかる液相成長装置７００を示す図である。液相成長装置７００は、ケース７０２と、ヒータ７０４ａ、７０４ｂ、７０６ａ、７０６ｂと、ソース結晶７１６が内部に注がれたソース容器７０８と、配管７１０と、内部に不純物としてのＰまたはＴｅが注がれた不純物容器７１２と、バルブ７１１と、サブヒータ７１４と、カーボンポート７１８とを備えている。半導体基板Ｗ８に、ソース結晶７１６により薄膜の液相成長が実施される。
【０１３４】
配管７１０は、ソース結晶供給部７２０に接続している。ソース結晶供給部７２０は、ソース結晶として、本実施の形態ではＧａＡｓを供給することができるものとする。特に、本実施の形態では、ソース結晶供給部７２０内に、Ｇａ供給部とＡｓ供給部とが個別に設けられており、それぞれの供給量を可変とすることで、ソース結晶として供給するＧａＡｓの濃度比を調節可能な構成とする。そして、制御部７４０と接続することでＧａＡｓの濃度比を所望濃度比に調節可能であるものとする。
【０１３５】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【０１３６】
制御部７４０は、ヒータ７０４ａ、７０４ｂ、７０６ａ、７０６ｂと、バルブ７１１と、サブヒータ７１４と、ソース結晶供給部７２０に接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【０１３７】
［実施の形態８にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図１７は、本発明の実施の形態８にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【０１３８】
まず、半導体基板Ｗ８をセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ７５０）。
【０１３９】
次に、バルブ７１１の制御等により成長液の導入が実施される。（ステップＳ７５１）。なお、制御部７４０の制御により、ソース結晶の供給量を調節したり、ＧａＡｓの濃度比を調節したり、不純物容器７１２からの不純物添加量の調節などが実施される。
【０１４０】
次に、制御部７４０はヒータ７０４ａ、７０４ｂ、７０６ａ、７０６ｂおよびサブヒータ７１４を制御して、加熱が行われる（ステップＳ７５２）。これにより、液相成長による成膜が実施される（ステップＳ７５３）。
【０１４１】
次に、半導体基板Ｗ８に対して、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ７５４）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ７５５）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１４２】
洗浄が完了したら今回の洗浄プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ７５１にループする（ステップＳ７５６）。
【０１４３】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、液相成長装置では、成長している薄膜の結晶性を評価する。この結晶性には、結晶欠陥、不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度などが含まれる。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１４４】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１４５】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次のとおりである。結晶性が低下したと認められた場合、制御部７４０は、液温度を上げる制御と液流量を下げる制御のうち少なくとも一方を実施する。
【０１４６】
（４）本実施の形態の効果としては、上記条件を調整したため、良好な結晶が得られる。
【０１４７】
実施の形態９．
本発明の実施の形態９は、めっき工程を実施する製造方法および製造装置である。
【０１４８】
［実施の形態９にかかる装置］
図１８は、本発明の実施の形態９にかかる、めっき装置８００を示す図である。めっき装置８００は、電解めっきを行う装置である。８０１は、めっき処理槽である。８０２は、半導体ウェハである。８０３は、ウェハ支持部である。８０４は、シールパッキン（カソード電極に電気的に接続）である。８０５は、環状支持台である。８０６は、トップリングである。８０７は、ウェハ押さえである。８０８は、めっき液流出口である。８０９は、不溶性アノード電極である。８１０は、めっき液排出路である。８１１は、めっき液供給配管である。８１２は、めっき液噴射ノズル土台配管である。８１３は、めっき液噴射ノズルである。８３０は、めっき液供給部であり、めっき液の供給源とその流出量を制御するポンプ等からなる。８３２は、電解めっきの印加電界を生成および調節するための電界制御部である。
【０１４９】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。
【０１５０】
制御部８４０は、めっき液供給部８３０および電界制御部８３２と接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【０１５１】
［実施の形態９にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図１９は、本発明の実施の形態９にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【０１５２】
まず、半導体ウェハ８０２をセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ８５１）。
【０１５３】
次に、制御部８４０がめっき液供給部８３０を制御することで、めっき液の導入が実施される。（ステップＳ８５２）。
【０１５４】
次に、制御部８４０が電界制御部８３２を制御することで、電気分解が行われる（ステップＳ８５３）。これにより、半導体ウェハ８０２表面にめっきの成膜が実施される（ステップＳ８５４）。
【０１５５】
次に、半導体ウェハ８０２に対して、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ８５５）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ８５６）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１５６】
めっきが完了したら今回のめっきプロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ８５２にループする（ステップＳ８５７）。
【０１５７】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、液相成長装置では、主に金属を成長させるが、その成長している薄膜の結晶性を評価する。結晶性には、結晶欠陥、不純物、歪、多元系材料の場合はその組成比、易動度、表面の荒れ、成長中の温度などが含まれる。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１５８】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１５９】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、実施の形態８における液相成長装置の場合と同様である。
【０１６０】
（４）本実施の形態の効果は、実施の形態８における液相成長装置の場合と同様である。
【０１６１】
なお、実施の形態１０の変形例として、無電解めっき装置に対してＰＲ法にかかる構成を取り付けて、上記の製造方法および制御を実施しても良い。
【０１６２】
実施の形態１０．
本発明の実施の形態１０は、研磨工程を実施する製造方法および製造装置である。
【０１６３】
［実施の形態１０にかかる装置］
図２０は、本発明の実施の形態１０にかかるＣＭＰ研磨装置９００を示す図である。９１２は、プラテンである。９１４は、研磨パッドである。９１６は、ウェハホルダーである。９１８は、スラリー供給ノズルである。９２０は、半導体ウェハである。
【０１６４】
実施の形態１と同様に、ＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３が備えられている。本実施の形態では、ウェハホルダー９１６および半導体ウェハ９２０が、ワイドギャップ半導体であり、プローブ光およびポンプ光に対して透明である。これにより、図２０の位置関係によってもＰＲ法を実施することができる。
【０１６５】
制御部９４０は、プラテン９１２を回転制御するモータ、ウェハホルダー９１６の回転制御モータおよび位置制御用の機構、およびスラリー供給ノズル９１８と接続しているとともに、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３とも接続している。
【０１６６】
［実施の形態１０にかかる製造方法］
次に半導体製造工程を説明する。図２１は、本発明の実施の形態１０にかかる半導体製品の製造方法を示す製造フローである。
【０１６７】
まず、半導体ウェハ９２０をウェハホルダー９１６にセットし、ウェハセットがなされる（ステップＳ９５０）。
【０１６８】
次に、制御部９４０の制御により、ウェハホルダー９１６およびプラテン９１２の回転等や、スラリー供給ノズル９１８を介したスラリー供給が実施され、研磨が実施される（ステップＳ９５１）。
【０１６９】
次に、半導体ウェハ９２０に対して、フォトリフレクタンス法（ＰＲ法）によるフォトリフレクタンス評価が実施され（ステップＳ９５２）、評価結果に基づいて製造条件が調整される（ステップＳ９５４）。なお、この部分の詳細な説明は後述する。
【０１７０】
研磨が完了したら今回の研磨プロセスが終了し、未完了であればプロセスがステップＳ９５１にループする（ステップＳ９５４）。
【０１７１】
［フォトリフレクタンス法の利用］
（本実施の形態の具体的構成）
（１）ＰＲ法の用途
本実施の形態においてＰＲ法で評価したい半導体の状態としては、研磨装置では、研磨面の荒れ、機械的に発生する結晶欠陥、研磨液による化学反応などを評価する。
また、ＰＲ法でモニタされる物理量としては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１７２】
（２）本実施の形態の評価手段
本実施の形態においてＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのかについては、実施の形態１における熱ＣＶＤの場合と同様である。
【０１７３】
（３）本実施の形態のフィードバック手段
本実施の形態においてＰＲ法による評価結果をどの製造条件にどのようにフィードバックするかについては、次のとおりである。制御部９４０は、表面荒れが生じたと認められる場合には、研磨の回転速度を下げる制御と砥石の量を増減させて最適化する制御のうち少なくとも一方を実行する。
【０１７４】
（４）本実施の形態の効果としては、研磨の速度や砥石の量を調整したため、ダメージの少ない平坦な面が得られる。
【０１７５】
実施の形態１１．
本発明の実施の形態１１は、めっき工程を実施する製造方法および製造装置である。ポンプ光ではなく、音波を用いて半導体を刺激するという点が特徴である。
【０１７６】
図２２は、本発明の実施の形態１１にかかるめっき装置１０００を示す図である。音波発生源１０１３を有する点を除き、実施の形態９にかかるめっき装置８００と同じ構成を備えている。制御部８４０は、この音波発生源１０１３に接続している。
【０１７７】
次に半導体製造工程を説明する。製造フローおよびフォトリフレクタンス法の使用方法は、図１９に示した実施の形態９の製造フローと同じである。ただし、ポンプ光の代わりに音波発生源１０１３による音波で半導体を刺激する点が、実施の形態９と異なっている。
【０１７８】
実施の形態１２．
本発明の実施の形態１２は、ウェハ洗浄工程を実施する製造方法および製造装置である。ポンプ光ではなく、音波を用いて半導体を刺激するという点が特徴である。
【０１７９】
図２３は、本発明の実施の形態１２にかかるウェハ洗浄装置１１００を示す図である。音波発生源１１１３を有する点を除き、実施の形態７にかかるウェハ洗浄装置６００と同じ構成を備えている。制御部６４０は、この音波発生源１１１３に接続している。
【０１８０】
次に半導体製造工程を説明する。製造フローおよびフォトリフレクタンス法の使用方法は、図１５に示した実施の形態７の製造フローと同じである。ただし、ポンプ光の代わりに音波発生源１１１３による音波で半導体を刺激する点が、実施の形態７と異なっている。
【０１８１】
実施の形態１３．
本発明の実施の形態１３は、量子井戸、二次元電子ガスを発生させるためのヘテロ接合をフォトリフレクタンス法でモニタする製造方法である。
【０１８２】
図２４は、本発明の実施の形態１３にかかる半導体製品の製造方法について説明するための図であり、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ ＨＥＭＴのバンドダイアグラムを示す。ＡｌＧａＮ／ＧａＮ界面に自発分極とピエゾ効果により二次元電子ガス（２ＤＥＧ）が発生する。この二次元電子ガスは大きいほうがよく、成長条件で界面荒れが生じるなどで減少する場合がある。液相成長などの成長時に荒れを極力減少させるようにフィードバックして、良好な半導体を作製する。
【０１８３】
実施の形態１３にかかる装置は図示しないが、ＭＢＥ（分視線エピタキシー）、ＭＯＣＶＤ装置、液相成長装置の公知の構成に対して、実施の形態１と同様に、半導体ウェハや半導体基板の表面にＰＲ法を実施するための構成として、プローブ光発生装置１０、光検出器１２、およびポンプ光発生装置１３を設ければよい。
【０１８４】
本実施の形態の製造工程は、二次元電子ガスを発生させるヘテロ接合を成長させる工程を含む。ＰＲ法での評価工程は、ヘテロ接合をフォトリフレクタンス法でモニタすることで評価を行う。製造条件補正は、ＰＲ法による評価結果に基づいて製造工程の条件を補正しながらへテロ接合を成長させる工程を含む。
【０１８５】
ＰＲ法でモニタされる物理量、ＰＲ信号をどのように用いて評価を実施するのか、フィードバック手段、効果については、まず、ＭＢＥであれば実施の形態４の蒸着装置の場合と同様とすればよい。また、ＭＯＣＶＤであれば実施の形態１の熱ＤＶＤ装置の場合と類似に成長時の温度、真空度、成長速度およびガス濃度比を制御するものとすればよい。また、液相成長であれば実施の形態８の液相成長装置の場合と同様とすればよい。
【０１８６】
実施の形態１４．
本発明の実施の形態１４は、フォトリフレクタンス、ラマン散乱、およびフォトルミネッセンスを評価手段として用いた製造方法および製造装置である。
【０１８７】
［実施の形態１４にかかる装置］
図２５は、本発明の実施の形態１４にかかる熱ＣＶＤ装置１２００を示す図である。基本的な構成は図１の熱ＣＶＤ装置１と同じであるが、検出器１０１５を備える点が異なる。検出器１０１５は、ラマン散乱光の検出器である。ラマン散乱光の検出器に代えて、フォトルミネッセンスの検出器を用いてもよい。ポンプ光１４が半導体ウェハＷに照射された時、ポンプ光の波長と異なった波長の光が放出される。この光を検出し、ラマン散乱分光やフォトルミネッセンスの測定が可能になる。この時、本実施の形態では一つのポンプ光を用いて三種類の評価が可能になる。従来技術では、各種の測定を行う場合、各々に対応したポンプ光源が必要になっていたが、本実施の形態ではポンプ光源の小数化が可能である。
【符号の説明】
【０１８８】
１  熱ＣＶＤ装置
２  下部電極
３  上部電極
４  加熱ガス
５  ヒータ用電源
６  ヒータ用電源
７  チャンバー
８  ガス導入系
８ａ  バルブ
９  真空排気系
９  形態
１０  プローブ光発生装置
１１  プローブ光
１１  丁度プローブ光
１１  プローブ光
１２  光検出器
１３  ポンプ光発生装置
１４  ポンプ光
２０  制御部
【図１】
0005928146.tif 000002
【図２】
0005928146.tif 000003
【図３】
0005928146.tif 000004
【図４】
0005928146.tif 000005
【図５】
0005928146.tif 000006
【図６】
0005928146.tif 000007
【図７】
0005928146.tif 000008
【図８】
0005928146.tif 000009
【図９】
0005928146.tif 000010
【図１０】
0005928146.tif 000011
【図１１】
0005928146.tif 000012
【図１２】
0005928146.tif 000013
【図１３】
0005928146.tif 000014
【図１４】
0005928146.tif 000015
【図１５】
0005928146.tif 000016
【図１６】
0005928146.tif 000017
【図１７】
0005928146.tif 000018
【図１８】
0005928146.tif 000019
【図１９】
0005928146.tif 000020
【図２０】
0005928146.tif 000021
【図２１】
0005928146.tif 000022
【図２２】
0005928146.tif 000023
【図２３】
0005928146.tif 000024
【図２４】
0005928146.tif 000025
【図２５】
0005928146.tif 000026