(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側および裏面側を有する半導体基板、
前記半導体基板の前面に配置され、前記半導体基板の裏面側より光信号を受けるように構成され、前記光信号を電子信号に変換する第１感光デバイスおよび第２感光デバイス、
前記半導体基板の裏面側に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層、および
前記半導体基板の裏面側上の前記非晶質接着層上に配置され、前記非晶質接着層に接触する金属遮蔽層を含み、
前記第１感光デバイスは、前記第２感光デバイスを校正するように構成され、
前記金属遮蔽層および前記非晶質接着層は、前記第１感光デバイス上に配置されて位置合わせされ、かつ、前記第２感光デバイス上に延伸しておらず、
前記非晶質接着層は、粒子を含み、
前記非晶質接着層の実質的に全ての粒子は、約５０Åより小さいサイズを有する
イメージセンサチップ。
【請求項２】
前面および前面上に配置される裏面を含む半導体基板、
前記半導体基板の前面に位置する第１感光デバイスおよび第２感光デバイス、
前記半導体基板の裏面上に配置される誘電体層、
前記誘電体層上に配置され、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層、および
前記非晶質接着層上に形成され、前記非晶質接着層に接触し、前記第１感光デバイス上に配置されて位置合わせされた金属遮蔽層を含み、
前記金属遮蔽層および前記非晶質接着層は、前記第２感光デバイス上に延伸しておらず、
前記非晶質接着層は、粒子を含み、
前記非晶質接着層の実質的に全ての粒子は、約５０Åより小さいサイズを有する
イメージセンサチップ。
【請求項３】
前記金属遮蔽層上に配置されて位置合わせされた第１部と前記金属遮蔽層の側壁上に配置された第２部と前記第２感光デバイス上に配置されて位置合わせされた第３部とを含む保護層を更に含む請求項２に記載のイメージセンサチップ。
【請求項４】
前記第２感光デバイスは、前記半導体基板の裏面から前記半導体基板に通過する光子を受けるように構成され、前記第１感光デバイスは、前記金属遮蔽層で光子を受けることからブロックされる請求項２に記載のイメージセンサチップ。
【請求項５】
半導体基板の前面に第１感光デバイスおよび第２感光デバイスを形成するステップ、
前記半導体基板の裏面側上に、前記半導体基板の裏面側上に配置される誘電体層を形成するステップ、
前記誘電体層上に、窒素および金属の化合物を含む非晶質接着層を配置するステップ、
前記非晶質接着層上に形成され、前記非晶質接着層に接触する金属遮蔽層を形成し、前記非晶質接着層および前記金属遮蔽層が前記半導体基板の裏面側上に配置されるステップ、
前記非晶質接着層および前記金属遮蔽層をパターン化し、前記第１感光デバイス上に配置されて位置合わせされた前記非晶質接着層の第１部および前記金属遮蔽層の第１部を除去し、前記第２感光デバイス上に配置されて位置合わせされた前記非晶質接着層の第２部および前記金属遮蔽層の第２部は、前記パターン化のステップ後、前記誘電体層上に残るステップを含み、
前記非晶質接着層は、粒子を含み、
前記非晶質接着層の実質的に全ての粒子は、約５０Åより小さいサイズを有する
イメージセンサチップの製造方法。
【請求項６】
前記非晶質接着層は、タンタルおよび／またはチタンを含むターゲットを用いる物理気相成長（ＰＶＤ）プロセスを実行することにより堆積され、
前記非晶質接着層の堆積のステップは、窒素（Ｎ２）およびアルゴン（Ａｒ）をプロセスガスとして用いて行われ、前記非晶質接着層の堆積のステップ中、窒素の流量に対して窒素およびアルゴンの組み合わされた流量の流量比率は、約３５パーセント以上である請求項５に記載のイメージセンサチップの製造方法。
【請求項７】
前記パターン化のステップ後、前記第１感光デバイスは、前記非晶質接着層の第１部および前記金属遮蔽層の第１部によってカバーされず、前記非晶質接着層の第２部および前記金属遮蔽層の第２部は、前記第２感光デバイスをカバーする請求項５に記載のイメージセンサチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１１年１１月３０日に出願された米国特許仮出願番号第６１／５６５,１９１号「Metal shielding layer in Backside Illumination Image Sensor Chips and Methods for Forming the Same」および２０１２年３月１４日に出願された米国特許出願番号第１３／４２０，２７９号「Metal Shielding Layer in Backside Illumination Image Sensor Chips and Methods for Forming the Same」の利益を主張するものであり、これらの全ては引用によって本願に援用される。
【背景技術】
【０００２】
裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップは、それらの高い光子捕獲の効率により表面照射型センサチップに取って代わる。ＢＳＩイメージセンサチップの形成では、イメージセンサおよび論理回路は、ウエハのシリコン基板上に形成され、続いてシリコンチップの前側に相互接続構造を形成する。
【０００３】
ＢＳＩイメージセンサチップのイメージセンサは、光子の刺激を受けて電気信号を発生する。電気信号（例えば電流）の大きさは、各々のイメージセンサで受けた入射光の強さによって決まる。しかしながら、イメージセンサは、漏れ信号、熱的に発生された信号、暗電流などの非光学的に発生される信号の問題を有する。よって、イメージセンサで発生された電気信号は、校正される必要があり、望ましくない信号がイメージセンサの出力信号から取り除かれる。非光学的に発生された信号を取り除くのに、黒基準のイメージセンサ（ｂｌａｃｋ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｉｍａｇｅ  ｓｅｎｓｏｒ）が形成され、非光学的に発生された信号を発生するのに用いられる。よって、黒基準のイメージセンサは、光信号を受けることから防止する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許明細書２００９／０２０１３９３  Ａ１
【特許文献２】米国特許明細書２０１１／０１９９５１８  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
裏面照射型イメージセンサチップの金属遮蔽層およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に従って、装置は、前面側および裏面側を有する半導体基板を含む。感光デバイスは、半導体基板の表面に配置され、感光デバイスは、半導体基板の裏面側より光信号を受けるように構成され、光信号を電子信号に変換する。非晶質接着層は、半導体基板の裏面側に配置される。非晶質接着層は、窒素および金属の化合物を含む。金属遮蔽層は、半導体基板の裏面側上に配置され、非晶質接着層に接触する。
【０００７】
実施形態に従って、半導体基板は、前面および裏面を含み、裏面は前面上に配置される。第１感光デバイスおよび第２感光デバイスは、半導体基板の前面に位置する。誘電体層は、半導体基板の裏面上に配置される。非晶質接着層は、誘電体層上に配置され、非晶質接着層は、窒素および金属の化合物を含む。金属遮蔽層は、非晶質接着層上に形成され、非晶質接着層に接触する。金属遮蔽層は、第１感光デバイス上に配置されて位置合わせされ、第２感光デバイス上に延伸しない。
【０００８】
他の実施形態に従って、半導体基板の前面に第１感光デバイスおよび第２感光デバイスを形成するステップ、および半導体基板の裏面上に誘電体層を形成するステップを含む。誘電体層は、半導体基板の裏面側上に配置される。非晶質接着層は、誘電体層上に配置され、非晶質接着層は、窒素および金属の化合物を含む。金属遮蔽層は、非晶質接着層上に形成され、非晶質接着層に接触する。非晶質接着層および金属遮蔽層は、半導体基板の裏面側上に配置される。非晶質接着層および金属遮蔽層は、パターン化され、非晶質接着層の第１部および金属遮蔽層の第１部を除去する。非晶質接着層の第２部および金属遮蔽層の第２部は、パターン化のステップ後、誘電体層上に残る。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明は、添付の図面と併せて後に続く詳細な説明と実施例を解釈することによって、より完全に理解されることができる。
【図１】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図２】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図３】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図４】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図５】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図６】いくつかの例示的な実施形態に基づく、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図である。
【図７】ＢＳＩイメージシステムの略ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施形態の製造および使用が以下に詳細に論じられる。しかしながら、本実施形態は、さまざまな特定の文脈において具現化され得る多くの適用可能な発明の概念を提供する。論じられる特定の実施形態は、単にパッケージ構造を製造および使用する特定の態様を例示するのみであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【００１１】
各種の模範的な実施形態に基づき、裏面照射型（ＢＳＩ）イメージセンサチップの金属遮蔽構造およびその形成方法が提供される。金属遮蔽構造を形成する中間段階が示される。実施形態の変化例が論じられる。次いで実施形態の変化例が論じられる。さまざまな図及び例示的な実施形態を通じて、同様の参照番号は同様の要素を指定するのに用いられる。
【００１２】
図１〜図６は、いくつかの例示的な実施形態に基づく、金属遮蔽構造の製造の中間段階の断面図を示している。図１は、未切断のウエハ２２の一部であり得るイメージセンサチップ２０を示している。イメージセンサチップ２０は、半導体基板２６を含む。半導体基板２６は、結晶シリコン基板または他の半導体基板材料で形成された半導体基板であることができる。説明を通して、面２６Ａは半導体基板２６の前面を指し、面２６Ｂは半導体基板２６の裏面を指している。イメージセンサ２４（２４Ａおよび２４Ｂ）は、半導体基板２６の面２６Ａに形成される。画像センサ２４は、光信号（光子）を電気信号に変換するように構成され、且つ感光性ＭＯＳトランジスタまたは感光性ダイオードであることができる。よって、対応のウエハ２２は、イメージセンサウエハであることができる。いくつかの例示的な実施形態では、イメージセンサ２４は、前面２６Ａから半導体基板２６に延伸する。イメージセンサ２４Ａおよび２４Ｂの構造は、互いに同一であり得る。
【００１３】
前面側相互接続構造２８は、半導体基板２６上に形成され、イメージセンサチップ２０のデバイスに電気的に相互接続されるように用いられる。前面相互接続構造２８は、誘電体層３０、および金属線３２、および誘電体層３０の中のビア３４を含む。説明を通して、同じ誘電体層３０の金属線３２は、金属層と総称される。前面相互接続構造２８は、Ｍ１、Ｍ２...およびＭｔｏｐを含む金属層を含み、金属層Ｍ１は、相互接続構造２８の底部金属層であり、金属層Ｍｔｏｐは、相互接続構造２８の上部金属層である。いくつかの例示的な実施形態では、誘電体層３０の下層は、例えば約３.０より低い、低ｋ値を有する低ｋ誘電体材料で形成される。誘電体層３０の上層は、例えば約３.９より大きい、または約４.５より大きい、ｋ値を有する低ｋ誘電体材料または非低ｋ誘電体材料で形成されることができる。保護層３８は、金属層Ｍｔｏｐ上に形成される。保護層３８は、３.９より大きいｋ値を有する非低ｋ誘電体材料で形成されることができる。いくつかの実施形態では、保護層３８は、酸化ケイ素層および酸化ケイ素層上の窒化ケイ素層を含む。
【００１４】
イメージセンサチップ２０は、アクティブイメージセンサピクセル領域１００および黒基準ピクセル領域２００を含む。アクティブイメージセンサピクセル領域１００は、その中に形成されたアクティブイメージセンサ２４Ａを含み、感知された光から電気信号を発生させるのに用いられる。１つのイメージセンサ２４Ａが示されているが、アクティブイメージセンサピクセルアレイ４０（図１に表示されておらず、図７を参照）を形成する、複数のイメージセンサ２４Ａを有することもできる。アクティブイメージセンサピクセルアレイ４０の全てはアクティブイメージセンサピクセル１００に配置される。黒基準ピクセル領域２００は、その中に形成された黒基準のイメージセンサ２４Ｂを含み、基準黒レベル信号を発生するのに用いられる。同様に、１つのイメージセンサ２４Ｂが示されているが、黒レベル基準ピクセルアレイ４２（図１に表示されておらず、図７を参照）を形成する、複数のイメージセンサ２４Ｂを有することもできる。黒レベル基準ピクセルアレイ４２の全ては、黒基準ピクセル領域２００に配置される。
【００１５】
次いで、図２を参照に、ウエハ２２は、反転され、ウエハ２２の下方にあるキャリア（図示されていない）に接合される。よって、図１の各々の特徴の上面は底面になり、逆も同様である。反転後、半導体基板２６の裏面２６Ｂは、上に向く。次いで、裏面研削が行われ、例えば、ウエハ２２の厚さが約３０μｍより小さくなるまで、または約５μｍより小さくなるまで半導体基板２６を薄化する。得られた半導体基板２６の裏面２６Ｂは、マークされる。小さい厚さを有する半導体基板２６によって光は裏面２６Ｂから半導体基板２６に通過し、イメージセンサ２４Ａに届く。
【００１６】
薄化のステップ後、緩衝層４６は、半導体基板２６の表面上に形成される。いくつかの実施形態では、緩衝層４６は、酸化ケイ素層、酸化ケイ素層上の底部反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層、およびＢＡＲＣ層上のもう１つの酸化物層を含む。注意するのは、緩衝層４６は、異なる構造を有することができ、示されている以外の異なる層の数を有することができることである。
【００１７】
いくつかの実施形態では、緩衝層４８は、緩衝層４６上に形成される。緩衝層４８は、酸化ケイ素で構成されることができる。接着層５０は、緩衝層４８上に形成される。接着層５０は、次いで形成された金属遮蔽層５２（図２に表示されておらず、図３を参照）と緩衝層４８などの下位層との間の接着性を向上させるのに用いられる。また、接着層５０は、上位層と下位層との間の相互拡散を防止するバリアとして用いられることができる。いくつかの実施形態では、接着層５０は、窒素およびタンタル、チタン、またはその組み合わせでもよい金属を含む。いくつかの例示的な実施形態に基づき、接着層５０は、タンタルでできた下位部５０Ａ、および窒化タンタルでできた上位部５０Ｂを含む。他の実施形態では、接着層５０の全ては、窒素および金属の化合物、例えば窒化タンタルであることができる。
【００１８】
接着層５０の形成方法は、物理気相成長（ＰＶＤ）を含み、タンタルおよび／またはチタンなどの所望の金属は、各々のＰＶＤチャンバのターゲットに含まれる。接着層５０の形成に用いられるプロセスガスは、窒素（Ｎ２）およびアルゴン（Ａｒ）を含むことができる。接着層５０の形成中、全てのプロセスガスにある窒素の体積百分率と流量比率は、高い。例えば、接着層５０の形成中、流量比率ＦＮ／（ＦＮ＋ＦＡｒ）は、約３５パーセント以上であり、且つ約３５パーセントと約８０パーセントとの間にあることができる。ＦＮは、窒素の流量であり、ＦＡｒは、アルゴンの流量である。また、接着層５０を堆積するプロセスチャンバでは、分圧比ＰＮ／（ＰＮ＋ＰＡｒ）は、約３５パーセント以上であり、且つ約３５パーセントと約８０パーセントとの間にあることができる。ＰＮは、プロセスチャンバにある窒素の分圧比であり、ＰＡｒは、プロセスチャンバにあるアルゴンの分圧比である。接着層５０の形成中、ウエハ２２の温度は、約−２０℃と約１５０℃の間にあることができる。接着層５０の厚さは、例えば約２０Åと約２０００Åとの間にあることができる。
【００１９】
いくつかの実施形態では、接着層５０の窒素の原子百分率は、約１５パーセント以上であるか、または約１５パーセントと約６０パーセントとの間である。よって、接着層５０は、いくつかの実施形態に従う窒素富化層である。接着層５０を形成する時の窒素の流量および／または窒素の分圧が増加された時、接着層５０の粒径は、ますます小さくなることができる。接着層５０にある場合、粒子の粒径は、いくつかの例示的な実施形態では、約５０Åより小さい。窒素の流量比率または分圧比が特定のしきい値より、例えば約３５パーセント大きい時、対応する接着層５０は、実質的な非晶質層である非晶質層（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ  ｌａｙｅｒ）であるか、または約５０Åより小さい粒径を有する非常に小さい粒子を含む。よって、いくつかの実施形態では、接着層５０は、実質的に約５０Åより大きい粒径の粒子を有しない。また、非晶質接着層５０は、非常に少量の比較的大きい粒子を含むこともできるが、概して非晶質状態（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ａｐｐｅａｒａｎｃｅ）を有したままである。
【００２０】
図３を参照に、金属遮蔽層５２は、接着層５０上に形成され、接触する。いくつかの実施形態では、金属遮蔽層５２は、アルミニウム銅を含むが、例えば、銅、アルミニウム、銀、ニッケルなどの他の金属も用いられることができる。金属遮蔽層５２の厚さは、約２ｋÅと約６ｋÅとの間であることができるが、その厚さは、より大きく、またはより小さくてもよい。例示的な形成方法は、ＰＶＤおよび例えば、いくつかの化学蒸着（ＣＶＤ）法などの他の好適な方法を含む。
【００２１】
図４を参照に、緩衝層５４が形成される。いくつかの実施形態では、緩衝層５４は、単一層を含むことができる。また、緩衝層５４は、複数の誘電体層を含む複合層である。いくつかの例示的な実施形態では、緩衝層５４は、例えばプラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を用いて形成されることができる。
【００２２】
図５に示されるように、緩衝層５４、金属遮蔽層５２、および接着層５０がパターン化される。緩衝層４８もパターン化されることができる。層４８、５０、および５２のパターン化は、同じエッチングマスク（図示されていない）を用いて行われることができるため、層４８、５０、および５２の各々のエッジが位置合わせされる。パターン化の後、アクティブイメージセンサピクセル領域１００の接着層５０および金属遮蔽層５２の一部は、除去される。一方、黒基準ピクセル領域２００では、接着層５０および金属遮蔽層５２の一部は、除去されないままである。黒基準ピクセル領域２００の接着層５０および金属遮蔽層５２の一部は、イメージセンサ２４Ｂおよび各々の黒レベル基準ピクセルアレイ４２に垂直に位置合わせされる（図７）。
【００２３】
図６を参照に、保護層６０は、ウエハ２２の裏面側機構の表面をカバーするように形成される。保護層６０は、ＰＥＣＶＤを用いて形成された酸化ケイ素層を含むことができる。また、保護層６０は、入射光６２の反射を減少するように構成される複数の層を含む。金属遮蔽層５２は、光６２をブロックし、反射させる機能を有する。アクティブイメージセンサ２４Ａは、金属遮蔽層５２によってカバーされないため、入射光６２に照射される。黒基準のイメージセンサ２４Ｂは、金属遮蔽層５２によってカバーされ、入射光６２に照射されない。よって、アクティブイメージセンサ２４Ａは、黒基準のイメージセンサ２４Ｂを用いて校正されることができる。いくつかの実施形態では、校正は、アクティブイメージセンサ２４Ａで発生された電気信号から黒基準のイメージセンサ２４Ｂで発生された電気信号を差し引くことを含む。
【００２４】
図７は、ＢＳＩイメージシステム７０の例示的な機能ブロック図を概略的に示しており、アクティブイメージセンサピクセルアレイ４０、黒レベル基準ピクセルアレイ４２、および黒レベル校正回路７２を含む。アクティブイメージセンサピクセルアレイ４０は、複数のアクティブイメージセンサ２４Ａを含む。黒レベル基準ピクセルアレイ４２は、複数の黒基準のイメージセンサ２４Ｂを含む。ＢＳＩイメージシステム７０がイメージを生成するのに用いられる時、アクティブイメージセンサ２４Ａは、光に照射される。各アクティブイメージセンサ２４Ａは、対応の光強度（光子数）に応じて電気信号を発生する。黒レベル校正回路７２は、黒レベル基準ピクセルアレイ４２で発生された電気信号を用いてアクティブイメージセンサ２４Ａの電気信号を校正し、アクティブイメージセンサ２４Ａの校正された電気信号を出力する。例えば漏れ信号、熱的に発生された信号、暗電流などの非光学的に発生される信号を含む可能性がある、この電気信号の不要な部分は、よって、アクティブイメージセンサ２４Ａの電気信号から取り除かれる。
【００２５】
実施形態では、非晶質層５０（図６）を形成することによって、上方の金属遮蔽層５２は、それに応じて平滑な上面を有する。これにより黒基準のイメージセンサ２４Ｂの機能のパフォーマンスが向上することになる。従来のプロセスが用いられ、流量比率ＦＮ／（ＦＮ＋ＦＡｒ）が約２６パーセントである時、実験の結果は、対応のＴａＮ接着層５０が多結晶（ｐｏｌｙ−ｇｒａｉｎ）層であることを示している。（ウエハエッジ（ｗａｆｅｒ−ｅｄｇｅ）グレーレベル−ウエハ中央（ｗａｆｅｒ−ｃｅｎｔｅｒ）グレーレベル）／ウエハ中央グレーレベルとして測定される対応のグレーレベルの均一性は、通常７パーセント以上であり、且つグレーレベルの均一性の変動（ｖａｒｉａｔｉｏｎ）が高い。「７パーセント」のグレーレベルの均一性は、サンプルが失敗（ｆａｉｌ）するかどうかを判定する分点（ｄｉｖｉｄｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ）であるため、得たサンプル装置は、失敗の高い可能性がある。比較として、実施形態が用いられ、流量比率ＦＮ／（ＦＮ＋ＦＡｒ）が約５０パーセントに増加された時、対応のＴａＮ接着層５０は非晶質層である。対応のグレーレベルの均一性は、実質的に確実に７パーセント以下に改善される。よって、サンプル装置の失敗率は非常に低い。これは、接着層５０の構造がチップ２０の品質に大きく影響し、且つ非晶質層５０がグレーレベルの均一性に有益であることを示している。
【００２６】
本実施形態及びそれらの利点が詳細に説明されてきたが、本開示の精神及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者は、添付の請求の範囲によって定義されるように、本開示の精神および範囲を逸脱せずに、ここで種々の変更、代替、および改変をするだろう。また、本願の範囲は、本明細書中に述べられたプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、及びステップの特定の実施形態を限定することを意図するものではない。当業者は、ここで述べられた実施形態に応じて、実質的に同様の機能を実行するか、または実質的に同様の結果を達成する、現存の、または後に開発される、開示、プロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、及びステップから、より容易に理解されることを認識するであろう。よって、添付の請求の範囲は、上述のプロセス、機械、製造、物質の組成、装置、方法、またはステップを含む。また、各請求の範囲は、個別の実施形態を構成し、各請求の範囲及び実施形態の組み合わせは、本発明の保護範囲である。
【符号の説明】
【００２７】
１００  アクティブイメージセンサピクセル領域
２００  黒基準ピクセル領域
２０  イメージセンサチップ
２２  ウエハ
２４  イメージセンサ
２４Ａ  アクティブイメージセンサ
２４Ｂ  黒基準のイメージセンサ
２６  半導体基板
２６Ａ  半導体基板の前面
２６Ｂ  半導体基板の裏面
２８  相互接続構造
３０  誘電体層
３２  金属線
３４  ビア
３８、６０  保護層
４０  アクティブイメージセンサピクセルアレイ
４２  黒レベル基準ピクセルアレイ
４６、４８、５４  緩衝層
５０  接着層
５０Ａ  接着層の下位部
５０Ｂ  接着層の上位部
５２  金属遮蔽層
６２  入射光
７０  ＢＳＩイメージシステム
Ｍ１〜Ｍｔｏｐ  金属層
【図１】
0005976504.tif 000002
【図２】
0005976504.tif 000003
【図３】
0005976504.tif 000004
【図４】
0005976504.tif 000005
【図５】
0005976504.tif 000006
【図６】
0005976504.tif 000007
【図７】
0005976504.tif 000008