(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部で発生したプラズマを該反応室内に吹き出させる吹出口と、該反応室の壁部を貫通して該反応室内に突入せしめられ、その先端開口部から成膜用ガスを該反応室内に供給し、更に該成膜用ガスを前記吹出口から吹き出されるプラズマに向かって吹き込む導入パイプとを備え、該導入パイプを通じて、該反応室内に供給された成膜用ガスを、前記吹出口を通じて、前記プラズマ発生部から該反応室内に吹き出されたプラズマに接触させて、前記基板の表面に該成膜用ガスのプラズマＣＶＤ層を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
前記吹出口から前記反応室内に延びるように配置されて、該吹出口から該反応室内に吹き出されるプラズマの流れを案内する案内部材が、傾動可能に設けられていると共に、該案内部材を傾動させるための傾動手段が設けられており、且つかかる案内部材が、一対の案内板にて構成されてなると共に、該一対の案内板が、前記吹出口を間に挟んだ位置に、互いに間隔を隔てて対向して、前記吹出口から前記反応室内に延びるように配置された状態で、傾動可能に立設され、そして、該一対の案内板が、前記傾動手段によって、互いの対向方向に傾動させられるようになっており、更に、前記吹出口を有して、該吹出口の中心軸回りに回転可能に配置された回転体が設けられて、前記一対の案内板が、該回転体に対して傾動可能に立設されていると共に、該回転体を回転させるための回転手段が設けられて、該回転手段による該回転体の所望角度の回転と該一対の案内板の傾動とによって、該一対の案内板が前記吹出口の中心軸回りの全方向に傾動させられ得るようになっていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置に係り、特に、基材の表面上に、プラズマＣＶＤ層をプラズマＣＶＤ法によって積層形成するのに使用されるプラズマＣＶＤ装置の改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、各種の材質からなる基材の表面上に薄膜を形成する手法の一つとして、プラズマを利用するプラズマＣＶＤ法が知られている。そして、このプラズマＣＶＤ法を実施して、基材表面に薄膜状のプラズマＣＶＤ層を形成する装置も、種々の構造のものがある。例えば、特開２００９−１２０８８１号公報（特許文献１）等に開示される平行平板型のプラズマＣＶＤ装置や、特開２００５−２４８３２７号公報等に明らかにされる誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置等が、それである。
【０００３】
よく知られているように、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、基材が収容される反応室と、かかる反応室内に、互いに平行に延びるように対向配置された一対の平板状のプラズマ発生電極とを有して、構成されている。一方、誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置は、基材が収容される反応室と、その反応室の外部に配置された高周波誘導用のアンテナとを有して、構成されている。そして、それら平行平板型のプラズマＣＶＤ装置と誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置は、成膜用ガスが反応室内に供給された状態下で、一対のプラズマ発生電極間や高周波誘導用のアンテナに高周波電源からの電力を印加することにより、反応室内で、成膜用ガスに含まれる原料ガスのプラズマと反応ガスのプラズマを発生させ、更に、それらのプラズマを反応させることで、所定の生成物を生成し、それを基材の表面上に堆積させることによって、かかる生成物からなるプラズマＣＶＤ層を積層形成するようになっている。
【０００４】
このような平行平板型のプラズマＣＶＤ装置と誘導結合型のプラズマＣＶＤ装置にあっては、プラズマ化された成膜用ガス（原料ガスと反応ガス）が、反応室内の全体に分散されるため、プラズマＣＶＤ層を、大面積の基材の表面の全体に対して、一度の成膜工程で積層形成することができるといった利点がある。しかしながら、その反面、成膜用ガスのプラズマのプラズマＣＶＤ法による反応によって生成された生成物が、反応室の内面や、反応室内に配置された電極、或いは基材を支持する支持部材に付着するため、それらを除去するための余分な作業を行う必要があった。
【０００５】
かかる状況下、例えば、特開２００１−２２０６８０号公報（特許文献３）には、基材表面以外の生成物（プラズマＣＶＤ層）の付着を抑制可能なプラズマＣＶＤ装置が、明らかにされている。
【０００６】
このプラズマＣＶＤ装置は、基材を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、プラズマ発生部で発生したプラズマを反応室内に吹き出させる吹出口とを有して、構成されている。このようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、基材の表面にプラズマＣＶＤ層を形成する際には、例えば、先ず、基材を収容する反応室内を真空状態とする一方、アルゴンガス等の不活性ガスや、プラズマ状態で成膜用ガスと反応しないガスをプラズマ発生部に導入して、プラズマ発生部でプラズマを発生させる。そして、かかるプラズマを、プラズマ発生部から吹出口を通じて、真空状態とされた反応室内に吹き出させる一方、プラズマＣＶＤ層を形成するための成膜用ガスを反応室内に供給して、成膜用ガスをプラズマに接触させる。これにより、成膜用ガスに含まれる原料ガスや反応ガスをプラズマ化して、それら原料ガスのプラズマと反応ガスのプラズマとをプラズマＣＶＤ法により反応させる。そうして、かかるプラズマＣＶＤ法による反応により生成した生成物を基材の表面上に堆積させて、基材表面にプラズマＣＶＤ層を積層形成するのである。
【０００７】
また、そのようなプラズマＣＶＤ装置を用いて、プラズマＣＶＤ層を形成する際には、プラズマ発生部に、不活性ガスや成膜用ガスと反応しないガスに代えて、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分を導入する場合もある。この場合には、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分を、プラズマ発生部にてプラズマ化して、かかるプラズマを、プラズマ発生部から吹出口を通じて反応室内に吹き出させる一方、反応室内に供給される成膜用ガスのうちの他のガス成分を供給し、そのような他のガス成分をプラズマと接触させることにより、プラズマ化する。そして、それらプラズマ化されたガス成分同士をプラズマＣＶＤ法によって反応させて、反応室内の基材の表面上にプラズマＣＶＤ層を形成するのである。
【０００８】
このように、前記公報に開示される従来のプラズマＣＶＤ装置は、吹出口を通じて、プラズマ発生部から反応室内に吹き出されるプラズマ（不活性ガスや成膜用ガスと反応しないガスのプラズマ、或いは成膜用ガスに含まれるガス成分のプラズマ等）を利用して、反応室内に収容される基材の表面上に、プラズマＣＶＤ層を形成するようになっている。そして、そのようなプラズマＣＶＤ装置では、プラズマが、吹出口から基材表面に向かって吹き出されるため、成膜用ガスのプラズマの反応室内での分散が有利に抑制されて、プラズマＣＶＤ法による反応により生成した生成物が、基材表面に集中的に堆積するようになり、以て、反応室の内面や基材を支持する支持部材等への生成物の付着が可及的に防止され得るのである。
【０００９】
ところが、かくの如き構造とされた、プラズマ発生部からプラズマを吹き出させる、所謂プラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置の成膜性能に関して、本発明者が、様々な角度から検討を加えたところ、かかる装置には、以下の如き問題が内在していることが判明した。
【００１０】
すなわち、従来のプラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置では、プラズマが、通常、吹出口から基材表面の中央部に向かって集中的に吹き出されるようになっている。そのため、そのようなプラズマ吹出型プラズマＣＶＤ装置を用いて、大面積の基材の表面にプラズマＣＶＤ層を積層形成しようとすると、基材表面の中央部と外周部との間で、プラズマＣＶＤ法による反応で生成される生成物の堆積量にバラツキが生じ、それによって、基材表面のプラズマＣＶＤ層の厚さが不均一となってしまう可能性があることが、本発明者の研究によって明らかとなったのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００９−１２０８８１号公報
【特許文献１】特開２００５−２４８３２７号公報
【特許文献１】特開２００１−２２０６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ここにおいて、本発明は、上述せる如き事情を背景にして為されたものであって、その解決課題とするところは、基材表面以外へのプラズマＣＶＤ層の付着を有利に抑制しつつ、基材の表面に、その面積の大小に拘わらず、プラズマＣＶＤ層を満遍なく均一な厚さで積層形成することができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そして、本発明にあっては、かかる課題の解決のために、基材を収容する反応室と、プラズマを発生させるプラズマ発生部と、該プラズマ発生部で発生したプラズマを該反応室内に吹き出させる吹出口と、該反応室の壁部を貫通して該反応室内に突入せしめられ、その先端開口部から成膜用ガスを該反応室内に供給し、更に該成膜用ガスを前記吹出口から吹き出されるプラズマに向かって吹き込む導入パイプとを備え、該導入パイプを通じて、該反応室内に供給された成膜用ガスを、前記吹出口を通じて、前記プラズマ発生部から該反応室内に吹き出されたプラズマに接触させて、前記基板の表面に該成膜用ガスのプラズマＣＶＤ層を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記吹出口から前記反応室内に延びるように配置されて、該吹出口から該反応室内に吹き出されるプラズマの流れを案内する案内部材が、傾動可能に設けられていると共に、該案内部材を傾動させるための傾動手段が設けられていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を、その要旨とするものである。
【００１４】
なお、本発明の好ましい態様の一つによれば、前記案内部材が、一対の案内板にて構成されると共に、該一対の案内板が、前記吹出口を間に挟んだ位置に、互いに間隔を隔てて対向して、前記吹出口から前記反応室内に延びるように配置された状態で、傾動可能に立設され、更に、該一対の案内板が、前記傾動手段によって、互いの対向方向に傾動させられるように構成される。なお、一対の案内板は、それぞれ独立して、或いは相互に連動して、互いの対向方向の任意の方向に傾動させられるように構成される。また、一対の案内板は、常に両方が傾動させられるようになっている必要はなく、何れか一方だけが傾動するように構成されていても良い。
【００１５】
また、本発明の有利な態様の一つによれば、前記吹出口を有して、該吹出口の中心軸回りに回転可能に配置された回転体が設けられて、前記一対の案内板が、該回転体に対して傾動可能に立設されると共に、該回転体を回転させるための回転手段が設けられて、該回転手段による該回転体の所望角度の回転と該一対の案内板の傾動とによって、該一対の案内板が前記吹出口の中心軸回りの全方向に傾動させられ得ることとなる。
【発明の効果】
【００１６】
すなわち、本発明に従うプラズマＣＶＤ装置では、吹出口に設けられた案内部材を傾動手段にて傾動させることにより、吹出口から吹き出されるプラズマの流れの向きを、案内部材の傾動可能な方向のうちで任意の方向に変更することができる。そのため、基材表面が大面積とされていても、案内部材を傾動手段により傾動させる（首振り運動させる）ことにより、プラズマを、吹出口から基材表面の中央部と外周部の両方に向かって、つまり、基材表面の略全面に向かって、満遍なく吹き出させることができる。そして、それによって、プラズマＣＶＤ法による反応で生成される生成物を、反応室内の全体に分散させることなく、基材表面の全面に、可及的に均一な量で堆積させることが可能となる。
【００１７】
従って、かくの如き本発明に従うプラズマＣＶＤ装置にあっては、プラズマＣＶＤ層の基材表面以外への付着を有利に抑制しつつ、基材の表面に、その面積の大小に拘わらず、プラズマＣＶＤ層を満遍なく均一な厚さで積層形成することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置を用いて得られた樹脂製品の一例を示す部分縦断面説明図である。
【図２】本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置の一実施形態を示す縦断面説明図である。
【図３】図２に示されたプラズマＣＶＤ装置に装着される回転体の上面説明図である。
【図４】図２に示されたプラズマＣＶＤ装置の部分拡大説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明を更に具体的に明らかにするために、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ、詳細に説明することとする。
【００２０】
先ず、図１には、本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置を用いて得られた樹脂製品として、自動車のリヤウインドウ用の樹脂ガラス１０が、その部分縦断面形態において示されている。かかる図１から明らかなように、樹脂ガラス１０は、基材としての基板１２を有し、この基板１２の表面（図１での上面）には、アンダーコート層１４が積層形成されている。また、かかるアンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面上には、トップコート層１６が、積層形成されている。なお、以下からは、便宜上、図１での上面を表面と言い、図１での下面を裏面と言うこととする。
【００２１】
基板１２は、透明な平板形態を呈し、ポリカーボネートを用いて射出成形された樹脂成形品にて構成されている。なお、基板１２は、射出成形以外の手法で成形されたものであっても良い。
【００２２】
アンダーコート層１４は、樹脂ガラス１０に対して、紫外線耐性等に基づいた耐候性を付与すること等を目的として、基板１２の表面に対して、その全面を被覆するように、それぞれ直接に積層形成されるもので、薄膜形態を呈している。このようなアンダーコート層１４は、一般に、液状のアクリル樹脂やポリウレタン樹脂を基板１２表面上に塗布して、塗膜を成膜した後、加熱操作や紫外線照射を行って、かかる塗膜を硬化させることにより形成される。なお、かかるアンダーコート層１４は、形成工程の簡略化や迅速化、更には形成に要する設備コストの低減等を図る上において、紫外線硬化膜にて構成されていることが、望ましい。また、アンダーコート層１４は、耐候性を有するものであれば、上記例示以外の樹脂材料や硬化手法を採用して、形成することもできる。更に、かかるアンダーコート層１４は、単層構造であっても、複数層が積層された複層構造であっても良い。
【００２３】
トップコート層１６は、樹脂ガラス１０に対して、耐摩傷性（耐摩耗性と耐擦傷性）を付与するために、アンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面に、その全面を覆うように積層形成されるもので、薄膜形態を呈している。そして、ここでは、かかるトップコート層１６が、優れた耐摩傷性を発揮するＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層にて構成されている。なお、トップコート層１６の形成材料は、樹脂ガラス１０に対して十分な耐摩傷性を付与し得るものであれば、特に限定されるものではないものの、一般に、ＳiＯ2の他、ＳiＯＮ やＳi3Ｎ4 等の珪素化合物が用いられる。また、トップコート層１６は、単層構造であっても、複数層が積層された複層構造であっても良い。
【００２４】
そして、かくの如き優れた特徴を有する樹脂ガラス１０は、例えば、以下の手順に従って製造される。
【００２５】
すなわち、先ず、ポリカーボネート製の基板１２を射出成形等により成形して、準備する。この基板１２の成形方法は、射出成形に限定されるものではなく、公知の方法が適宜に採用可能である。
【００２６】
その後、準備された基板１２の表面に、アクリル樹脂やポリウレタン樹脂等の塗膜層を、公知のスプレー塗装やディッピング等により形成した後、かかる塗膜層を加熱したり、或いは紫外線に当てたりして硬化させる。これによって、基板１２の表面にアンダーコート層１４を積層形成して、中間製品１８（図２参照）を得る。
【００２７】
次いで、中間製品１８におけるアンダーコート層１４の表面上に、トップコート層１６を、プラズマＣＶＤ法を利用して、積層形成する。そして、その際に、本発明に従う構造を有するプラズマＣＶＤ装置が用いられるのである。
【００２８】
図２には、トップコート層１６の形成工程に用いられる、本発明に従う構造を備えたプラズマＣＶＤ装置の一実施形態が示されている。かかる図２から明らかなように、プラズマＣＶＤ装置２０は、反応室としての真空チャンバ２２と、この真空チャンバ２２に固設された、プラズマ発生部としてのプラズマ発生装置２４とを有している。そして、かかるプラズマＣＶＤ装置２０にあっては、プラズマ発生装置２４にて発生させられて、真空チャンバ２２内に供給されるプラズマを利用して、真空チャンバ２２に収容された中間製品１８のアンダーコート層１４上に、プラズマＣＶＤ層を積層形成するようになっている。
【００２９】
より具体的には、真空チャンバ２２は、チャンバ本体２６と蓋体２８とを更に有している。チャンバ本体２６は、筒状の側壁部３０と、かかる側壁部３０の下側開口部を閉塞する下側底壁部３２とを備えた有底筒状乃至は筐体状を呈している。蓋体２８は、チャンバ本体２６の上側開口部３４の全体を覆蓋可能な大きさを有する平板にて構成されている。そして、かかる蓋体２８が、チャンバ本体２６の上側開口部３４を覆蓋した状態で、図示しないロック機構にてロックされることによって、チャンバ本体２６内が気密に密閉されるようになっている。
【００３０】
チャンバ本体２６の下側底壁部３２の内面には、基板ホルダ３６が配設されている。この基板ホルダ３６は、全体として、平板形状を呈し、下側底壁部３２の内面に対して、一方の板面を重ね合わせて配置された状態で固設されている。また、かかる基板ホルダ３６の他方の板面からなる上面が、支持面３８とされている。
【００３１】
そして、本実施形態では、基板ホルダ３６の支持面３８に対して、中間製品１８が、基板１２のアンダーコート層１４の形成側とは反対側の裏面を重ね合わせた状態で支持されるようになっている。即ち、基板１２が、アンダーコート層１４の基板１２側とは反対側の面を上側に向けて、チャンバ本体２６内に露呈させた状態で、基板ホルダ３６にて保持されるようになっているのである。
【００３２】
チャンバ本体２６の側壁部３０の下端部における周上の一箇所には、排気パイプ４０が、チャンバ本体２６の内外を連通するように側壁部３０を貫通して、設置されている。また、かかる排気パイプ４０上には、真空ポンプ４２が設けられている。そして、この真空ポンプ４２の作動によって、チャンバ本体２６内の気体が排気パイプ４０を通じて外部に排出されて、チャンバ本体２６内が減圧されるようになっている。
【００３３】
また、側壁部３０の高さ方向中間部には、第一及び第二の２個の導入パイプ４４ａ，４４ｂが、側壁部３０を貫通して、設置されている。それら第一及び第二導入パイプ４４ａ，４４ｂにおいては、チャンバ本体２６内に突入して開口する一端側開口部が、それぞれ、第一及び第二ガス導入口４６ａ，４６ｂとされている。また、第一導入パイプ４４ａと第二導入パイプ４４ｂのチャンバ本体２６外への延出側の他端部には、第一ボンベ４８ａと第二ボンベ４８ｂとが、それぞれ接続されている。更に、第一及び第二ボンベ４８ａ，４８ｂの第一及び第二導入パイプ４４ａ，４４ｂとの接続部には、第一及び第二開閉バルブ５０ａ，５０ｂが、それぞれ設けられている。
【００３４】
そして、ここでは、第一ボンベ４８ａ内に、モノシラン（ＳiＨ4）ガスが、また、第二ボンベ４８ｂ内に、酸素ガスが、大気圧を超える圧力で、それぞれ収容されている。第一ボンベ４８ａ内に収容されるモノシランガスは、ＳiＯ2 のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスに含まれる原料ガスとして利用されるものである。第二ボンベ４８ｂ内に収容される酸素ガスは、かかる成膜用ガスに含まれる反応ガスとして利用されるものである。
【００３５】
なお、第一ボンベ４８ａ内に収容される成膜用ガスの原料ガスや、第二ボンベ４８ｂ内に収容される成膜用ガスの反応ガスは、トップコート層１６を構成する化合物に応じて、適宜に変更可能である。そして、ここでは、トップコート層１６が珪素化合物にて構成されているため、かかるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスの原料ガスとしては、モノシランガス以外に、例えば、ジシラン（Ｓi2Ｈ6 ）ガス等の無機珪素化合物ガスや、テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン等のシロキサン類や、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジメトキシジフェニルシラン、トリメトキシシラン、トリメトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリメトキシプロピルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリエトキシジメチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリエトキシフェニルシラン、テトラメチルシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のシラン類、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン等のシラザン類等の有機珪素化合物のガス等が、それぞれ単独で、或いはそれらが適宜に組み合わされて使用される。２種類以上の珪素化合物ガスを用いる場合には、それら複数種類の珪素化合物ガスを混合した状態で、一つの第一ボンベ４８ａ内に収容しても良く、或いは２種類以上の珪素化合物ガスを、複数の第一ボンベ４８ａ内に、それぞれ別個に収容しても良い。また、珪素化合物からなるトップコート層１６を形成するための成膜用ガスの反応ガスとしては、酸素ガス以外に、例えば、窒素ガスやアンモニアガス等が使用され得る。
【００３６】
そして、かくの如き構造とされた真空チャンバ２２の蓋体２８に対して、プラズマ発生装置２４が固定されている。このプラズマ発生装置２４は、例えば、特開２００１−２２０６８０号公報に開示されるプラズマＣＶＤ装置に設けられるプラズマ生成室と同様な公知の構造を有している。
【００３７】
すなわち、図２に明示されてはいないものの、プラズマ発生装置２４内には、平板状を呈する一対のプラズマ発生電極が、互いに所定距離を隔てて対向配置されている。そして、図２に示されるように、プラズマ発生装置２４には、高周波電源５２が接続されており、この高周波電源５２が、プラズマ発生装置に内蔵された一対のプラズマ発生電極（図示せず）のうちの一方に対して電気的に接続されている。また、プラズマ発生装置２４には、一対のプラズマ発生電極間に、例えば、アルゴンガス等の不活性ガスを導入するガス供給パイプ５４が取り付けられている。更に、プラズマ発生装置２４の下端部には、プラズマ発生装置２４にて発生させられたプラズマを下方に向かって吹き出す吹出口５６が設けられている。また、プラズマ発生装置２４の下端部の外周面には、側方に所定高さで突出し、且つ全周に亘って周方向に連続して延びる、円環板状の外フランジ部５７が、一体形成されている。
【００３８】
そのようなプラズマ発生装置２４は、真空チャンバ２２の蓋体２８の中央部に穿設された挿通孔５８に挿通されて、吹出口５６を有する下端部をチャンバ本体２６内に突入させた状態で、配置されている。そして、そのような配置状態下で、蓋体２８に固着された取付用ブラケット６０によって、プラズマ発生装置２４が、蓋体２８に取り付けられている。かかるプラズマ発生装置２４の蓋体２８への取付下では、吹出口５６が、チャンバ本体２６の下側底壁部３２に固設された基板ホルダ３６の支持面３８の略中央部の上方に、それと所定距離を隔てた位置において、下方に向かって開口するように配置されている。
【００３９】
かくして、かかるプラズマ発生装置２４にあっては、ガス供給パイプ５４を通じて、一対のプラズマ発生電極間に、ここでは、アルゴンガスが導入されると共に、それら一対のプラズマ発生電極間に、高周波電源５２からの電力が印加されることにより、アルゴンのプラズマガスを発生させ得るようになっている。また、そのようにして発生させたアルゴンのプラズマガスを、吹出口５６から、チャンバ本体２６内における基板ホルダ３６の支持面３８の略中央部に向かって吹き出させるようになっている。
【００４０】
ところで、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０においては、特に、チャンバ本体２６内に突入配置されたプラズマ発生装置２４の下端部に対して、吹出口５６から吹き出されるアルゴンのプラズマガスの吹出方向を変更するための吹出方向変更装置６２が装着されている。
【００４１】
かかる吹出方向変更装置６２は、円形平板状の回転体６４を有している。この回転体６４は、図２及び図３に示されるように、半円状の二つの分割平板６６，６６が、円形となるように互いに組み付けられてなる一体組付品にて、構成されている。即ち、各分割平板６６の上面の外周部における周方向の両端部には、固定部６８が、それぞれ、突設されている。そして、二つの分割平板６６，６６が、平面状の端面からなる突合せ面７０，７０同士を互いに突き合わせた状態で、相互に対応位置する固定部６８同士を相互に接触させて、ボルト固定することにより、一体的に組み付けられている。そうして、円板状の回転体６４が形成されているのである。
【００４２】
そのような円板状の回転体６４にあっては、その中心部に、上面において開口する円形凹部７２が形成されている。この円形凹部７２の円筒面状の側面には、断面矩形状の周溝７４が、全周に亘って連続して延びるように設けられている。また、円形凹部７２の底部の中心部には、円形の貫通孔７６が、円形凹部７２と同心的に位置するように形成されている。更に、回転体６４の上面の外周部には、円環形状を呈する接触端子７８が、円形凹部７２を外側から取り囲むように形成されている。また、かかる回転体６４の円筒面状の外周面には、その全周に亘って、多数のギヤ歯が形成されて、かかる外周面がギヤ面８０とされており、以て、回転体６４が、１個の歯車として構成されている。
【００４３】
図２に示されるように、かかる回転体６４は、チャンバ本体２６内において、蓋体２８の直下に配置されている。そして、そのような回転体６４の円形凹部７２内に、プラズマ発生装置２４の下端部が突入配置され、また、かかるプラズマ発生装置２４の下端部に一体形成された外フランジ部５７が、円形凹部７２の側面に周設された周溝７４内に遊嵌している。更に、そのような状態下において、プラズマ発生装置２４の吹出口５６が、回転体６４の円形凹部７２の底部に設けられた貫通孔７６に対して、同軸的に延びるように配置されて、かかる貫通孔７６と連通している。
【００４４】
これにより、回転体６４が、チャンバ本体２６内における基板ホルダ３６の上方において、支持面３８と対向配置された状態で、チャンバ本体２６内に突入位置するプラズマ発生装置２４の下端部に組み付けられて、装着されている。また、かかる装着状態下で、回転体６４が、プラズマ発生装置２４の中心軸回りに回転可能とされている。更に、プラズマ発生装置２４の吹出口５６から吹き出されるアルゴンのプラズマガスが、回転体６４の貫通孔７６を通じて、基板ホルダ３６の支持面３８の中心部に向かって吹き出されるようになっている。
【００４５】
また、プラズマ発生装置２４を介して、回転体６４が取り付けられた蓋体２８の上面の外周部には、駆動モータ８２が固定されている。この駆動モータ８２は、正逆方向に所望の回転角度だけ回転可能な、例えばサーボモータからなっている。また、駆動モータ８２は、蓋体２８を貫通して延びる駆動軸８４を有し、この駆動軸８４の、チャンバ本体２６内に突出位置する先端部には、駆動ギヤ８６が固定されている。そして、かかる駆動ギヤ８６が、プラズマ発生装置２４の下端部に回転可能に装着された回転体６４の外周面からなるギヤ面８０に多数設けられるギヤ歯に噛合している。かくして、駆動モータ８２の正逆方向への回転駆動に伴って、回転体６４も、正逆方向に回転駆動するようになっている。このことから明らかなように、本実施形態では、駆動モータ８２と駆動軸８４と駆動ギヤ８６と回転体６４のギヤ面８０とにて、回転手段が構成されている。
【００４６】
そして、ここでは、駆動モータ８２と、真空チャンバ２２の外部に設置された指令部８８と制御部９０とによってサーボ機構が構成されている。指令部８８は、回転体６４の回転方向と回転角度とを指示する指示信号を制御部９０に出力するようになっている。制御部９０は、指令部８８からの指示信号に応じて、駆動モータ８２の作動を制御する制御信号を駆動モータ８２に出力するようになっている。駆動モータ８２には、駆動軸８４（駆動ギヤ８６）の回転角度を検出する公知の角度検出センサ（図示せず）が内蔵されている。かくして、本実施形態では、指令部８８と制御部９０と駆動モータ８２とによって構成されるサーボ機構により、回転体６４が、任意の方向に、所望の回転角度だけ回転させられるようになっているのである。なお、指令部８８と制御部９０は、例えば、コンピュータ等によって構成される。
【００４７】
また、図２乃至図４に示されるように、回転体６４の下面には、案内部材としての二つのプレートフィン９２，９２が、配設されている。かかるプレートフィン９２は、ここでは、耐熱性に優れた無機ガラス板からなり、回転体６４の貫通孔７６の径よりも所定寸法大きな幅と、回転体６４から基板ホルダ３６の支持面３８までの距離よりも所定寸法短い長さとを有する長手矩形の平板形状を呈している。また、それら各プレートフィン９２は、厚さ方向一方の面が、平坦な案内面９４とされている。
【００４８】
そして、そのような二つのプレートフィン９２，９２が、回転体６４の下面の貫通孔７６を間に挟んだ径方向両側において、案内面９４同士を互いに対向させつつ、上下方向に延びるように配置されている。また、回転体６４の下面における二つのプレートフィン９２，９２の配置部位には、二つのプレートフィン９２，９２の対向方向（図２の左右方向）に対して直角な水平方向（図２の紙面に垂直な方向）に延びる回転軸を備えたヒンジ部９６が、それぞれ一つずつ固定されている。そして、二つのプレートフィン９２，９２が、二つのヒンジ部９６，９６に対して、各ヒンジ部９６の回転軸回りに回転可能に取り付けられている。
【００４９】
これにより、二つのプレートフィン９２，９２が、回転体６４の下面における貫通孔７６の両サイド部位に、二つのプレートフィン９２，９２の対向方向に対して直角な水平方向に延びる回転軸回りに回動可能に固定されている。換言すれば、二つのプレートフィン９２，９２が、それぞれの案内面９４，９４の下端部同士を互いに接近又は離隔させる方向において、傾動可能な状態で、回転体６４の下面に固定されているのである。なお、ヒンジ部９６も、耐熱性の材料、例えばセラミックス材料等を用いて構成されている。
【００５０】
また、図２から明らかなように、各プレートフィン９２の案内面９４とは反対側の面には、各プレートフィン９２の回転軸と平行な回転軸を有するヒンジ部９８が、固定されている。そして、かかるヒンジ部９８に対して、長手棒状の可動アーム１００が、その長手方向の一端部において、回転軸回りに回転可能に取り付けられている。これにより、二つの可動アーム１００，１００が、それぞれの長手方向の一端において、二つのプレートフィン９２，９２の案内面９４，９４とは反対側の面に対して、それぞれ、二つのプレートフィン９２，９２の対向方向と直角な水平方向に延びる回転軸回りに、上下方向に回動可能に取り付けられている。
【００５１】
さらに、二つの可動アーム１００，１００は、回転体６４の下面における二つのプレートフィン９２，９２を間に挟んだ両側にそれぞれ配設された二つの可動ユニット１０２，１０２に対して、それぞれ、プレートフィン９２，９２への取付側とは反対側の端部において取り付けられている。それら二つの可動ユニット１０２，１０２は、互いに同一構造を有している。
【００５２】
すなわち、図４に示されるように、可動ユニット１０２は、駆動モータ１０４と長手のねじ軸１０６とケーシング１０８と雌ねじ部材１１０とを有している。駆動モータ１０４は、正逆方向に所望の回転角度だけ回転可能な、例えばサーボモータからなっている。そして、かかる駆動モータ１０４は、回転体６４の下面の外周部におけるプレートフィン９２と所定距離を隔てた位置に、固定されている。ねじ軸１０６は、駆動モータ１０４とプレートフィン９２との間に、水平に延びるように配置されており、一端部において、駆動モータ１０４の駆動軸（図示せず）に固定されている。ケーシング１０８は、ねじ軸に沿って延びる二つの側板１０５（図４には一つのみを示す）と、それら二つの側板の駆動モータ一１０４側とは反対側の端部同士を連結する一つの連結板１０７とを有して、回転体６４の下面に固着されている。そして、ねじ軸１０６の駆動モータ１０４への固定側とは反対側の端部が、ケーシング１０８の連結板１０７に対して、回転可能に且つ移動不能に支持されている。雌ねじ部材１１０は、ケーシング１０８の二つの側板１０５に対して摺動可能に接触した状態で、ねじ軸１０６に螺合されて、ねじ軸１０６の軸方向に移動可能に且つ回転不能に配置されている。
【００５３】
このような構造を有する可動ユニット１０２にあっては、駆動モータ１０４の正逆方向への回転駆動に伴って、ねじ軸１０６が、正逆方向に回転するようになっている。そして、そのようなねじ軸１０６の正逆方向への回転により、雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６の軸方向両側に向かって移動するようになっている。即ち、可動ユニット１０２が、駆動モータ１０４とねじ軸１０６と雌ねじ部材１１０とからなるねじ送り機構を有して構成されているのである。
【００５４】
そして、かかる可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０の下面には、ヒンジ部１１２が、固定されている。このヒンジ部１１２は、プレートフィン９２に固定されたヒンジ部９６，９８が有する回転軸と平行に延びる回転軸を備えている。そして、可動アーム１００が、プレートフィン９２への取付側とは反対側の端部において、かかるヒンジ部１１２に対して、それが有する回転軸回りに回転可能に取り付けられている。これにより、可動アーム１００が、雌ねじ部材１１０に対して、二つのプレートフィン９２，９２の対向方向と直角な水平方向に延びる回転軸回りに回動可能に取り付けられている。
【００５５】
かくして、本実施形態では、可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、駆動モータ１０４の正逆回転により、ねじ軸１０６に沿って、その軸方向両側に移動するのに伴って、可動アーム１００が、その両端部において、雌ねじ部材１１０のヒンジ部１１２とプレートフィン９２のヒンジ部９８の各回転軸回りに回動しつつ、プレートフィン９２に対して接近又は離隔移動するようになっている。そして、それにより、プレートフィン９２が、可動アーム１００に押されたり引っ張られたりして、回転体６４に固定されたヒンジ部９６の回転軸回りに回動させられて、図２の左右方向に傾動するようになっている。このことから明らかなように、本実施形態では、二つの可動ユニット１０２，１０２と二つの可動アーム１００，１００とによって、二つのプレートフィン９２，９２を、図２の左右方向に傾動させるための傾動手段が構成されている。
【００５６】
そして、図４に実線で示されるように、雌ねじ部材１１０がねじ軸１０６の軸方向の略中央部に位置しているときには、プレートフィン９２が、鉛直方向に延びるように配置されるようになっている。また、駆動モータ１０４の一方向（例えば、時計回りの正方向）への回転駆動により、雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６の軸方向の略中央部の位置からプレートフィン９２側に移動すると、可動アーム１００もプレートフィン９２に接近移動し、それにより、プレートフィン９２が可動アーム１００にて、回転体６４の貫通孔７６（吹出口５６）の中心軸側に押されて、プレートフィン９２が、貫通孔７６の中心軸に向かって（図４の左側に向かって）下傾するように配置されるようになっている。一方、駆動モータ１０４の他方向（例えば、反時計回りの逆方向）への回転駆動により、雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６の軸方向の略中央部に位置からプレートフィン９２側とは反対側に移動すると、可動アーム１００もプレートフィン９２から離隔移動し、それにより、プレートフィン９２が可動アーム１００にて、回転体６４の貫通孔７６（吹出口５６）の中心軸から離隔する方向に引っ張られて、プレートフィン９２が、貫通孔７６の中心軸側とは反対側に向かって（図４の右側に向かって）下傾するように配置されるようになっている。
【００５７】
そして、ここでは、二つの可動ユニット１０２のそれぞれの駆動モータ１０４と、真空チャンバ２２の外部に設置された指令部８８と制御部９０とによってサーボ機構が構成されている。指令部８８は、駆動モータ１０４の回転方向と回転角度を指示する指示信号を制御部９０に出力するようになっている。制御部９０は、指令部８８からの指示信号に応じて、駆動モータ１０４の作動を制御する制御信号を駆動モータ１０４に出力するようになっている。駆動モータ１０４には、その回転角度を検出する公知の角度検出センサ（図示せず）が内蔵されている。
【００５８】
このような構造を有する本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０にあっては、指令部８８と制御部９０と駆動モータ１０４とによって構成されるサーボ機構により、駆動モータ１０４が、指令部８８に入力される任意の方向に、任意の回転角度だけ回転させられると共に、雌ねじ部材１１０と可動アーム１００とが、プレートフィン９２への接近方向と離隔方向のうちの何れかの任意の方向に、任意の距離だけ移動させられるようになっている。そして、それにより、プレートフィン９２が、貫通孔７６の中心軸に向かって下傾する回動位置から、貫通孔７６の中心軸側とは反対側に向かって下傾する回動位置の範囲内で、任意の方向に任意の角度だけ、ヒンジ部９６の回転軸回りに回動させられて、図２の左右方向において傾動させられるようになっている。
【００５９】
かくして、かかるプラズマＣＶＤ装置２０では、図２に実線で示されるように、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、各可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６の軸方向中間部に位置させられることにより、二つのプレートフィン９２，９２が、鉛直方向に垂れ下がるように配置されるようになっている。そして、それにより、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマが、各プレートフィン９２の案内面９４にて案内されつつ、基板ホルダ３６に保持された中間製品１８のアンダーコート層１４の中心部に向かって吹き出されるようになっている。
【００６０】
また、図２に二点鎖線で示されるように、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、図２の右側に位置する一方の可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６のプレートフィン９２側（図２の左側）の端部に配置させられる一方、図２の左側に位置する他方の可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６のプレートフィン９２側とは反対側（図２の左側）の端部に配置させられることにより、二つのプレートフィン９２，９２が、何れも、図２中の左側に下傾するように配置されるようになっている。そして、それにより、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマが、各プレートフィン９２の案内面９４にて案内されつつ、基板ホルダ３６に保持された中間製品１８のアンダーコート層１４の、図２中の左側の端部側に向かって吹き出されるようになっている。
【００６１】
さらに、図２に二点鎖線で示されるように、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、図２の右側に位置する一方の可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、ねじ軸１０６のプレートフィン９２側とは反対側（図２の右側）の端部に配置させられる一方、図２の左側に位置する他方の可動ユニット１０２の雌ねじ部材１１０が、ねじ軸のプレートフィン９２側（図２の右側）の端部に配置ささせられることにより、二つのプレートフィン９２，９２が、何れも、図２中の右側に下傾するように配置されるようになっている。そして、それにより、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマが、各プレートフィン９２の案内面９４にて案内されつつ、基板ホルダ３６に保持された中間製品１８のアンダーコート層１４の、図２中の右側の端部に向かって吹き出されるようになっている。
【００６２】
また、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０では、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、二つの可動ユニット１０２のそれぞれの雌ねじ部材１１０，１１０が、ねじ軸１０６のプレートフィン９２側とは反対側の端部に、それぞれ配置させられることによって、図２の右側に位置するプレートフィン９２が、図２の右側に下傾し、且つ図２の左側に位置するプレートフィン９２が、図２の左側に下傾するように、つまり、二つのプレートフィン９２，９２が、下方に向かって互いの間隔が次第に広くなるハの字状に配置されるようになっている。そして、それにより、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマが、各プレートフィン９２の案内面９４にて案内されつつ、基板ホルダ３６に保持された中間製品１８のアンダーコート層１４の略全面に向かって吹き出されるようになっている。
【００６３】
さらに、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、二つの可動ユニット１０２のそれぞれの雌ねじ部材１１０，１１０が、ねじ軸１０６のプレートフィン９２側の端部に、それぞれ配置させられることによって、図２の右側に位置するプレートフィン９２が、図２の左側に下傾し、且つ図２の左側に位置するプレートフィン９２が、図２の右側に下傾するように、つまり、二つのプレートフィン９２，９２が、下方に向かって互いに間隔が次第に狭くなる逆ハの字状に配置されるようになっている。そして、それにより、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマが、各プレートフィン９２の案内面９４にて案内されつつ、基板ホルダ３６に保持された中間製品１８のアンダーコート層１４の中心部の狭い領域に向かって吹き出されるようになっている。
【００６４】
そのように、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０においては、サーボ機構による駆動モータ１０４，１０４の回転駆動制御によって、二つの可動ユニット１０２のそれぞれの雌ねじ部材１１０，１１０の位置が適宜に変更されることによって、プラズマ発生装置２４から吹出口５６を通じてチャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマの吹出方向が、所望の向きに調節され得るようになっているのである。また、二つの可動ユニット１０２，１０２のうちの何れか一方の駆動モータ１０４のみを回転駆動させることにより、二つのプレートフィン９２，９２のうちの一方のみを傾動させたり、或いは二つの可動ユニット１０２，１０２の各駆動モータ１０４，１０４の回転駆動量を互いに異なる量として、二つのプレートフィン９２，９２のそれぞれの傾動角度を互いに異なる大きさとしたりすることで、、チャンバ本体２６内に吹き出されるアルゴンプラズマの吹出方向の向きを、より広範囲に変更することが可能となっている。
【００６５】
ところで、かくの如き構造とされたプラズマＣＶＤ装置２０を用いて、中間製品１８のアンダーコート層１４上にプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を形成する際には、例えば、以下のようにして、その操作が進められる。
【００６６】
すなわち、先ず、図２に示されるように、中間製品１８を、基板ホルダ３６の支持面３８上に支持させた状態で、基板ホルダ３６にて保持する。このとき、中間製品１８は、アンダーコート層１４の表面を上側に向けた状態で配置される。
【００６７】
次いで、上側開口部３４を蓋体２８にて覆蓋した後、図示しないロック機構にて、蓋体２８をチャンバ本体２６にロックする。これにより、真空チャンバ２２内を気密に密閉する。そして、その後、真空ポンプ４２を作動させて、真空チャンバ２２内を減圧する。この減圧操作によって、真空チャンバ２２内の圧力は、例えば１０-5〜１０-3Ｐａ程度とされる。
【００６８】
そして、真空チャンバ２２内の圧力が所定の値となったら、真空ポンプ４２を作動させたままで、プラズマ発生装置２４内に、ガス供給パイプを通じて、アルゴンガス等を導入する。なお、プラズマ発生装置２４内に導入されるガスは、アルゴンガスに限定されるものではない。アルゴンの他に、例えば、ヘリウムやネオン、キセノン、クリプトン等の不活性ガスや、不活性ガス以外のガスであって、プラズマ状態で成膜用ガスのプラズマと反応しないガス等が、適宜に用いられる。また、プラズマ発生装置２４内に導入されるガスは、成膜用ガスに含まれる一部のガス成分であっても良い。
【００６９】
また、プラズマ発生装置２４内にアルゴンガスを導入する一方で、プラズマ発生装置２４に接続された高周波電源５２をＯＮ作動する。これにより、プラズマ発生装置２４内で、アルゴンガスをプラズマ化して、アルゴンプラズマを発生させて、プラズマ発生装置２４の吹出口５６と回転体６４の貫通孔７６とを通じて、かかるアルゴンプラズマを真空チャンバ２２内に吹き出させる。
【００７０】
このとき、指令部８８と制御部９０と二つの駆動モータ１０４，１０４とからなるサーボ機構による各駆動モータ１０４の回転駆動制御により、回転体６４の下面に配設された二つのプレートフィン９２，９２を、ヒンジ部９６の回転軸回りに回動させる。つまり、二つのプレートフィン９２，９２を、図２に二点鎖線で示される、図２の左側に下傾するように配置される位置から、図２の右側に下傾するように配置される位置までの範囲内で、図２の左右方向に傾動させる。
【００７１】
また、そのように、二つのプレートフィン９２，９２を図２の左右方向に傾動させながら、指令部８８と制御部９０と駆動モータ８２とからなるサーボ機構による駆動モータ８２の回転駆動制御の下で、回転体６４を、プラズマ発生装置２４の吹出口５６の中心軸回りに回転させる。これによって、二つのプレートフィン９２，９２を、吹出口５６の中心軸回りの全方向に傾動させる。このことから明らかなように、本実施形態では、二つの可動ユニット１０２，１０２と二つの可動アーム１００，１００と駆動モータ８２と駆動軸８４と駆動ギヤ８６と回転体６４の多数のギヤ歯とによって、二つのプレートフィン９２，９２を、吹出口５６の中心軸回りの全方向に傾動させるための傾動手段が構成されている。
【００７２】
かくして、プラズマ発生装置２４から真空チャンバ２２内に吹き出されたアルゴンプラズマを、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面の全面に、満遍なく吹き出させる。なお、ここでは、制御部９０によって、二つのプレートフィン９２，９２の回動や回転体６４の回転の速度が制御されると共に、例えば、それらの回動や回転が連続的に、或いは間欠的に実施されるようになっている。
【００７３】
そして、上記のようにして、アルゴンプラズマを中間製品１８のアンダーコート層１４に向かって吹き出させる一方で、第一導入パイプ４４ａと第二導入パイプ４４ｂとにそれぞれ接続された第一ボンベ４８ａの第一開閉バルブ５０ａと第二ボンベ４８ｂの第二開閉バルブ５０ｂとを各々開作動して、第一ボンベ４８ａ内のモノシランガスと第二ボンベ４８ｂ内の酸素ガスとを、第一及び第二ガス導入口４６ａ，４６ｂを通じて、真空チャンバ２２内に導入する。
【００７４】
これにより、真空チャンバ２２内で、モノシランガスと酸素ガスとをアルゴンプラズマに接触させて、それらをプラズマ化する。そして、それらモノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとを反応させて、ＳiＯ2を生成し、かかる生成物ＳiＯ2を、中間製品１８のアンダーコート層１４上に積層させる。
【００７５】
このとき、アルゴンプラズマが、中間製品１８のアンダーコート層１４に向かって吹き出されるところから、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応が、真空チャンバ２２内における中間製品１８のアンダーコート層１４上の空間において、局所的に進行する。それによって、かかる反応によって生成されるＳiＯ2の大部分が、アンダーコート層１４の表面上に堆積するようになる。
【００７６】
しかも、アルゴンプラズマが、二つのプレートフィン９２，９２の回動と回転体６４の回転とによって、中間製品１８のアンダーコート層１４の全表面に満遍なく吹き出されるようになっているため、モノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応によって生成されたＳiＯ2が、アンダーコート層１４の表面の全面に、略均等な厚さで堆積するようなる。
【００７７】
かくして、中間製品１８のアンダーコート層１４の全表面上に、ＳiＯ2のプラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を積層形成する。そうして、図１に示される如き構造を備えた、目的とする樹脂ガラス１０を得るのである。
【００７８】
以上の説明から明らかなように、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０を用いれば、真空チャンバ２２内でのモノシランガスのプラズマと酸素ガスのプラズマとの反応によって生成されるＳiＯ2の大部分を、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面上に堆積させることができるため、真空チャンバ２２の内面や基板ホルダ３６等のアンダーコート層１４の表面以外へのＳiＯ2の付着を、効果的に抑制することができる。それ故、真空チャンバ２２内の不要な部位に付着したＳiＯ2を除去するための余分な作業から有利に開放されるか、或いはそのような作業の実施回数を飛躍的に減少させることができる。その結果、トップコート層１６の形成工程、ひいては樹脂ガラス１０の製造工程の簡略化及び効率化を、極めて効果的に達成することが可能となる。
【００７９】
そして、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置２０によれば、中間製品１８のアンダーコート層１４の表面の全面に対して、プラズマＣＶＤ層からなるトップコート層１６を、満遍なく均一な厚さで積層形成することができるのである。
【００８０】
以上、本発明の具体的な構成について詳述してきたが、これはあくまでも例示に過ぎないのであって、本発明は、上記の記載によって、何等の制約をも受けるものではない。
【００８１】
例えば、前記実施形態では、矩形平板形状を呈する二つのプレートフィン９２，９２によって、案内部材が構成されていたが、案内部材は、吹出口から反応室（真空チャンバ２２）内に延びるように配置されて、吹出口から反応室内に吹き出されるプラズマの流れを案内するものであれば、その構造が、特に限定されるものではない。従って、例えば、案内部材を、平板状以外の筒体状や筐体状を呈する部材等にて構成しても良い。勿論、そのような筒体状や筐体状を呈する案内部材にあっても、傾動可能とされている必要がある。
【００８２】
また、案内部材は、少なくとも一方向に傾動可能とされておれば良い。従って、回転体６４と、それに固定された駆動モータ８２や駆動軸８４、駆動ギヤ８６と、回転体６４に形成された多数のギヤ歯を省略して、二つのプレートフィン９２，９２を、プラズマ発生装置２４の下面の吹出口５６の周囲に設けるようにしても良い。この場合には、二つのプレートフィン９２，９２は、図２の左右方向のみに傾動させられるようになる。
【００８３】
さらに、案内部材を傾動させるための傾動手段の構造も、公知の種々の構造が採用され得る。例えば、シリンダ機構や、ラックとピニオンからなるギヤ機構等を利用して、傾動手段を構成することも可能である。また、可動アーム１００に代えて、別のリンク機構やカム機構等を利用しても良い。更に、傾動手段が、案内部材を手動で傾動させるようにした構造を有していても、何等差し支えない。
【００８４】
また、例えば、長尺な基材が巻き付けられたロールから巻き出された基材部分を巻き掛ける成膜用ローラが、真空チャンバ２２内に設けられて、かかる成膜用ローラに巻き掛けられた基材部分の表面に対して、プラズマＣＶＤ層を連続的に形成するようにした構造をもって、プラズマＣＶＤ装置を構成することも可能である。
【００８５】
加えて、前記実施形態では、本発明を、樹脂ガラスの表面に、プラズマＣＶＤ層からなるトップコート層を形成するのに用いられるプラズマＣＶＤ装置に適用したものの具体例を示したが、本発明は、基材の表面上にプラズマＣＶＤ層を形成するのに用いられるプラズマＣＶＤ装置の何れに対しても、有利に適用され得るものであることは、勿論である。
【００８６】
その他、一々列挙はしないが、本発明は、当業者の知識に基づいて種々なる変更、修正、改良等を加えた態様において実施され得るものであり、また、そのような実施態様が、本発明の趣旨を逸脱しない限り、何れも、本発明の範囲内に含まれるものであることは、言うまでもないところである。
【符号の説明】
【００８７】
１０  樹脂ガラス                      １２  基板
１４  アンダーコート層                １６  トップコート層
１８  中間製品                        ２０  プラズマＣＶＤ装置
２２  真空チャンバ                    ２４  プラズマ発生装置
５６  吹出口                          ６２  吹出方向変更装置
６４  回転体                          ８２，１０４  駆動モータ
８４  駆動軸                          ８６  駆動ギヤ
９２  プレートフィン                  ９４  案内面
１００  可動アーム                    １０２  可動ユニット
１０６  ねじ軸                        １１０  雌ねじ部材
【図１】
0005976370.tif 000002
【図２】
0005976370.tif 000003
【図３】
0005976370.tif 000004
【図４】
0005976370.tif 000005