(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２の主面を有する基板と、
前記基板の前記第１の主面に形成され、第１端乃至第３端となる入出力パッドと、
前記基板の前記第１の主面に形成され、接地電位に接続されるための複数個のＧＮＤパッドと、
前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１端と前記第２端とに電気的に接続された第１のフィルタと、
前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１端と前記第３端とに電気的に接続された第２のフィルタと、
前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとが接続される共通端と前記第１端との間の配線に、一端が接続された第１のインダクタと、
前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１のフィルタ又は前記第２のフィルタに、一端が接続された第２のインダクタと、
前記基板の内部に形成され、複数個の前記ＧＮＤパッドのうちの一つである共通ＧＮＤパッドに接続され、前記第１のインダクタの他端に電気的に接続された第１系統のビア導体と、
前記基板の内部に形成され、前記共通ＧＮＤパッドに接続され、前記第２のインダクタの他端に電気的に接続された第２系統のビア導体と、
を備え、
前記共通ＧＮＤパッドは、矩形形状の矩形部と、該矩形部の辺から突出し該矩形部に接続された突出部とを含み、
前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の少なくとも一方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記突出部に接続され、
前記入出力パッドのうち一つは、前記共通ＧＮＤパッドに隣接して配置され、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部の４辺のうち前記突出部が突出する辺の全体と前記突出部とに対向する辺を有していることを特徴とする、分波器。
【請求項２】
前記入出力パッドのうち前記一つは、矩形形状であることを特徴とする、請求項１に記載の分波器。
【請求項３】
前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の一方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記突出部に接続され、
前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の他方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部に接続に接続されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の分波器。
【請求項４】
前記共通ＧＮＤパッドは、複数個の前記突出部を含み、
前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体は、それぞれ、前記共通ＧＮＤパッドの異なる前記突出部に接続されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の分波器。
【請求項５】
前記第１及び第２のフィルタは、前記基板の前記第２の主面に実装又は形成されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の分波器。
【請求項６】
前記第１端は、アンテナ端子であり、
前記第２端は、送信端子であり、
前記第３端は、受信端子であり、
前記第１のフィルタは、直列腕共振子と並列腕共振子とを含むラダー型フィルタ回路を有し、
前記第２のインダクタの前記一端は、前記並列腕共振子に接続されていることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の分波器。
【請求項７】
前記入出力パッドのうち前記送信端子である一つは、前記共通ＧＮＤパッドに隣接して配置され、矩形形状であり、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部の４辺のうち前記突出部が突出する前記辺に対向する辺を有することを特徴とする、請求項６に記載の分波器。
【請求項８】
複数個の前記ＧＮＤパッドおよび前記入出力パッドが、格子状に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分波器に関し、詳しくは、インダクタを含む分波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、分波器の特性を改善する手法が種々提案されている。
【０００３】
例えば図１０の構成図に示すように、送信信号端子１１５と共通端子１１３の間に第１フィルタ１１１が接続され、受信信号端子１１６と共通端子１１３の間に第２フィルタ１１２が接続された分波器１１０において、共通端子１１３に接続するマッチング回路用インダクタＬ１と、第１フィルタ１１１の並列腕共振子に接続されたインダクタＬ２を、電流Ｉ１，Ｉ２の向きが逆になるよう配置し、インダクタＬ１，Ｌ２同士を磁界結合させることによって、アイソレーションを改善する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
別の手法として、図１１のブロック図に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ２１０が接続され、共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ２２０が接続された分波器２００において、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘとの間に容量２４０を接続して、送信端子Ｔｘと受信端子Ｒｘとを容量結合させることによって、アイソレーションを改善する（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００７／１０２５６０号
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２０１０／０７３３７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インダクタ同士を磁界結合させる手法は、レイアウトの制約が大きい。端子間を容量結合させる手法では、図１２の平面図に示すように、容量２４０を結合するために余分な配線２４２を設ける必要があり、面積が大きくなる。
【０００７】
分波器の共通のパッドに、異なるインダクタにそれぞれ電気的に接続されたビア導体を接続すると、ビア導体同士の干渉によって、分波器の特性が劣化する。この場合、上記の手法を適用すると、大幅な設計変更が必要となり、簡単に特性を改善することができない。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、簡単に特性を改善することができる分波器を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した分波器を提供する。
【００１０】
分波器は、（ａ）互いに対向する第１及び第２の主面を有する基板と、（ｂ）前記基板の前記第１の主面に形成され、第１端乃至第３端となる入出力パッドと、（ｃ）前記基板の前記第１の主面に形成され、接地電位に接続されるための複数個のＧＮＤパッドと、（ｄ）前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１端と前記第２端とに電気的に接続された第１のフィルタと、（ｅ）前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１端と前記第３端とに電気的に接続された第２のフィルタと、（ｆ）前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとが接続される共通端と前記第１端との間の配線に、一端が接続された第１のインダクタと、（ｇ）前記基板の前記第２の主面若しくは内部に実装又は形成され、前記第１のフィルタ又は前記第２のフィルタに、一端が接続された第２のインダクタと、（ｈ）前記基板の内部に形成され、複数個の前記ＧＮＤパッドのうちの一つである共通ＧＮＤパッドに接続され、前記第１のインダクタの他端に電気的に接続された第１系統のビア導体と、（ｉ）前記基板の内部に形成され、前記共通ＧＮＤパッドに接続され、前記第２のインダクタの他端に電気的に接続された第２系統のビア導体とを備える。前記共通ＧＮＤパッドは、矩形形状の矩形部と、該矩形部の辺から突出し該矩形部に接続された突出部とを含む。前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の少なくとも一方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記突出部に接続されている。前記入出力パッドのうち一つは、前記共通ＧＮＤパッドに隣接して配置され、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部の４辺のうち前記突出部が突出する辺の全体と前記突出部とに対向する辺を有している。
【００１１】
上記構成によれば、共通ＧＮＤパッドにそれぞれ接続された第１系統及び第２系統のビア導体間の間隔を広げて、第１及び第２のインダクタにそれぞれ電気的に接続された第１系統及び第２系統のビア導体間における電磁波の干渉を抑制することができる。これによって、分波器の特性を簡単に改善することができる。
【００１２】
好ましくは、前記入出力パッドのうち前記一つは、矩形形状である。
【００１３】
好ましくは、前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の一方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記突出部に接続されている。前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の他方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部に接続に接続されている。
【００１４】
好ましい一態様において、前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の一方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記突出部に接続されている。前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体の他方が、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部に接続に接続されている。
【００１５】
好ましい他の態様において、前記共通ＧＮＤパッドは、複数個の前記突出部を含む。前記第１系統のビア導体及び前記第２系統のビア導体は、それぞれ、前記共通ＧＮＤパッドの異なる前記突出部に接続されている。
【００１６】
好ましくは、前記第１及び第２のフィルタは、前記基板の前記第２の主面に実装又は形成されている。
【００１７】
好ましくは、前記第１端は、アンテナ端子である。前記第２端は、送信端子である。前記第３端は、受信端子である。前記第１のフィルタは、直列腕共振子と並列腕共振子とを含むラダー型フィルタ回路を有する。前記第２のインダクタの前記一端は、前記並列腕共振子に接続されている。
【００１８】
好ましくは、前記入出力パッドのうち前記送信端子である一つは、前記共通ＧＮＤパッドに隣接して配置され、矩形形状であり、前記共通ＧＮＤパッドの前記矩形部の４辺のうち前記突出部が突出する前記辺に対向する辺を有する。
好ましくは、複数個の前記ＧＮＤパッドおよび前記入出力パッドが、格子状に配置される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、簡単に特性を改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】分波器の（ａ）平面図、（ｂ）底面図である。（実施例）
【図２】分波器の電気回路図である。（実施例）
【図３】第１の絶縁層を見た平面図である。（実施例）
【図４】第２の絶縁層を見た断面図である。（実施例）
【図５】第３の絶縁層を見た断面図である。（実施例）
【図６】第３の絶縁層を見た透視図である。（実施例）
【図７】基板の断面図である。（実施例）
【図８】アイソレーション特性を示すグラフである。（実施例、比較例）
【図９】送信側フィルタ伝送特性を示すグラフである。（実施例、比較例）
【図１０】分波器の構成図である。（従来例１）
【図１１】分波器のブロック図である。（従来例２）
【図１２】分波器の平面図である。（従来例２）
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
＜実施例＞  実施例の分波器１０について、図１〜図７を参照しながら説明する。
【００２３】
図１（ａ）は、分波器１０の平面図である。図１（ｂ）は、分波器１０の底面図である。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、分波器１０は、互いに対向する主面１２ａ，１２ｂを有する基板１２の第２の主面である一方主面１２ａに形成された導体パターン２０に第１及び第２の素子１４，１６が実装され、基板１２の第１の主面である他方主面１２ｂには、分波器１０を実装するためのパッド２６ａ〜２６ｉが形成されている。第１の素子１４は、インピーダンスマッチングのためのインダクタである。第２の素子１６は、通過周波数帯域の異なる送信フィルタと受信フィルタを含むデュプレクサ素子である。
【００２４】
なお、第１の素子１４と第２の素子は、基板１２の一方主面１２ａに実装する代わりに、一方主面１２ａに形成しても、基板１２の内部に実装又は形成しても構わない。  
【００２５】
図２は、分波器１０の電気回路図である。図２に示すように、分波器１０は、第１端であるＡｎｔ端（アンテナ端）９０と、第２端であるＴｘ端（送信端）９２との間に、第１のフィルタである送信フィルタ８０が構成され、第１端であるＡｎｔ端９０と、第３端であるＲｘ端（受信端）９４，９５との間に、第２のフィルタである受信フィルタ８２が構成されている。Ｔｘ端９２には、不平衡（アンバランス信号）が入力される。受信フィルタ８２は、不平衡信号を平衡信号（バランス信号）に変換する機能を持ち、Ｒｘ端９４，９５には平衡信号が出力される。
【００２６】
送信フィルタ８０は、梯子型に接続された４つの直列共振器６０，６２，６４，６６と３つの並列共振器６１，６３，６５とを備える。受信フィルタ８２は、共振器６７と、縦結合型フィルタ７０，７２とを備える。送信フィルタ８０及び受信フィルタ８２は、基板１２に実装された第２の素子１６によって形成される。送信フィルタ８０及び受信フィルタ８２は、基板１２に形成しても構わない。送信フィルタ８０及び受信フィルタ８２は、一部分を基板１２に実装し、他の部分を基板１２に形成しても構わない。
【００２７】
さらに、インピーダンスマッチングのため、第１乃至第３のインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３が接続されている。
【００２８】
第１のインダクタＬ１の一端は、送信フィルタ８０と受信フィルタ８２とが接続される共通端８４とＡｎｔ端９０との間に接続され、他端はＧＮＤ（グランド）に接続される。第１のインダクタＬ１は、基板１２に実装された第１の素子１４に形成される。第１のインダクタＬ１は、基板１２に形成しても構わない。
【００２９】
第２のインダクタＬ２の一端は、送信フィルタ８０の並列共振器６１，６３，６５のうち、最もＴｘ端９２に近い並列共振器６５に接続され、他端はＧＮＤに接続される。第３のインダクタＬ３の一端は、他の並列共振器６１，６３に接続され、他端はＧＮＤに接続される。第２及び第３のインダクタＬ２，Ｌ３は、基板１２の内部に形成される。第２及び第３のインダクタＬ２，Ｌ３は、基板１２に実装しても構わない。
【００３０】
図７は、基板１２の構成を模式的に示す断面図である。図７に示すように、基板１２は、第１乃至第３の絶縁層１３ａ，１３ｂ，１３ｃが積層された積層基板である。基板１２の一方主面１２ａは第１の絶縁層１３ａによって形成され、基板１２の他方主面１２ｂは第３の絶縁層１３ｃによって形成される。
【００３１】
図３は、第１の絶縁層１３ａの平面図、すなわち、図７の線Ａ−Ａに沿って見た第１の絶縁層１３ａの平面図である。図３に示すように、第１の絶縁層１３ａの第２の絶縁層１３ｂとは反対側の主面、すなわち基板１２の一方主面１２ａに形成された導体パターン２０は、第１乃至第８の導体パターン要素２０ａ〜２０ｄ，２０ｓ〜２０ｖを含む。第４の導体パターン要素２０ｄに第１のインダクタＬ１のＡｎｔ端９０側が接続され、第５の導体パターン要素２０ｓに第１のインダクタＬ１のＧＮＤ側が接続される。第２の素子１６は、第５の導体パターン要素２０ｓ以外の導体パターン要素２０ａ〜２０ｄ，２０ｔ〜２０ｖに接続される。
【００３２】
図３において破線で示すように、第１の絶縁層１３ａには、第１の絶縁層１３ａの主面間を貫通する第１乃至第８のビア導体３０ａ〜３０ｄ，３０ｓ〜３０ｖが形成されている。第１乃至第８のビア導体３０ａ〜３０ｄ，３０ｓ〜３０ｖは、それぞれ、第１乃至第８の導体パターン要素２０ａ〜２０ｄ，２０ｓ〜２０ｖに接続されている。
【００３３】
図４は、図７の線Ｂ−Ｂに沿って見た基板の断面図であり、第１及び第２の絶縁層１３ａ，１３ｂの界面に沿って第２の絶縁層１３ｂを見た断面図である。図４に示すように、第１の絶縁層１３ａと第２の絶縁層１３ｂの間に形成された導体パターン２２は、第１乃至第９の導体パターン要素２２ａ〜２２ｄ，２２ｓ〜２２ｖ，２２ｙを含む。第１乃至第８の導体パターン要素２２ａ〜２２ｄ，２２ｓ〜２２ｖは、それぞれ、第１の絶縁層１３ａに形成された第１乃至第８のビア導体３０ａ〜３０ｄ，３０ｓ〜３０ｖと接続されている。
【００３４】
図４において破線で示すように、第２の絶縁層１３ｂには、第２の絶縁層１３ｂの主面間を貫通する第１乃至第９のビア導体３２ａ〜３２ｄ，３２ｓ〜３２ｖ，３２ｙが形成されている。第１乃至第９のビア導体３２ａ〜３２ｄ，３２ｓ〜３２ｖ，３２ｙは、それぞれ、第１の絶縁層１３ａと第２の絶縁層１３ｂの間に形成された第１乃至第９の導体パターン要素２２ａ〜２２ｄ，２２ｓ〜２２ｖ，２２ｙに接続されている。
【００３５】
図５は、図７の線Ｃ−Ｃに沿って見た基板の断面図であり、第２及び第３の絶縁層１３ｂ，１３ｃの界面に沿って第３の絶縁層１３ｃを見た断面図である。図５に示すように、第２の絶縁層１３ｂと第３の絶縁層１３ｃの間に形成された導体パターン２４は、第１乃至第９の導体パターン要素２４ａ〜２４ｄ，２４ｓ〜２４ｖ，２４ｙを含む。第７及び第８の導体パターン要素２４ｕ，２４ｖは、互いに接続されている。第１乃至第９の導体パターン要素２４ａ〜２４ｄ，２４ｓ〜２４ｖ，２４ｙは、それぞれ、第２の絶縁層１３ｂに形成された第１乃至第９のビア導体３２ａ〜３２ｄ，３２ｓ〜３２ｖ，３２ｙに接続されている。
【００３６】
図５において破線で示すように、第３の絶縁層１３ｃには、第３の絶縁層１３ｃの主面間を貫通する第１乃至第１１のビア導体３４ａ〜３４ｄ，３４ｓ〜３４ｙが形成されている。第１乃至第６のビア導体３２ａ〜３２ｄ，３２ｓ，３２ｔは、それぞれ、第２の絶縁層１３ｂと第３の絶縁層１３ｃの間に形成された第１乃至第６の導体パターン要素２４ａ〜２４ｄ，２４ｓ，２４ｔに接続されている。第７乃至第１０のビア導体３４ｕ〜３４ｘは、互いに接続された第７及び第８の導体パターン要素２４ｕ，２４ｖのうち第８の導体パターン要素２４ｖに接続されている。第１１のビア導体３４ｙは、第２の絶縁層１３ｂと第３の絶縁層１３ｃの間に形成された第９の導体パターン要素２４ｙに接続されている。
【００３７】
図４及び図５に示した第６の導体パターン要素２２ｔ，２４ｔは、略リング状の形状を含み、第２のインダクタＬ２を構成する。また、図４及び図５に示した第７の導体パターン要素２２ｕ，２４ｕは、略リング状の形状を含み、第３のインダクタＬ３を構成する。
【００３８】
図６は、図７の線Ｄ−Ｄに沿って見た第３の絶縁層１３ｃの透視図、すなわち第３の絶縁層１３ｃの断面に沿って、第２の絶縁層１３ｂとは反対側を見た透視図である。図６に示すように、基板１２の他方主面１２ｂ、すなわち第３の絶縁層１３ｃの第２の絶縁層１３ｂとは反対側の主面に、第１乃至第９のパッド２６ａ〜２６ｉが形成されている。
【００３９】
図１（ｂ）及び図６に示すように、第１乃至第９のパッド２６ａ〜２６ｉには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第１乃至第１１のビア導体３４ａ〜３４ｄ，３４ｓ〜３４ｙが接続されている。
【００４０】
すなわち、第１のパッド２６ａには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第１のビア導体３４ａが接続されている。第２のパッド２６ｂには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第７のビア導体３４ｕが接続されている。第３のパッド２６ｃには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第２のビア導体３４ｂが接続されている。第４のパッド２６ｄには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第５及び第６のビア導体３４ｓ，３４ｔが接続されている。第５のパッド２６ｅには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第８のビア導体３４ｖが接続されている。第６のパッド２６ｆには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第３のビア導体３４ｃが接続されている。第７のパッド２６ｇには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第１１のビア導体３４ｙが接続されている。第８のパッド２６ｈには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第４のビア導体３４ｄが接続されている。第９のパッド２６ｉには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第９及び第１０のビア導体３４ｗ，３４ｘが接続されている。
【００４１】
第８のパッド２６ｈはＡｎｔ端９０となり、第１のパッド２６ａはＴｘ端９２となり、第３及び第６のパッド２６ｃ，２６ｆはＲｘ端９４，９５となり、いずれも入出力パッドである。第２、第４、第５及び第９のパッド２６ｂ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｉは、接地されるＧＮＤパッドである。
【００４２】
図１（ｂ）及び図６に示すように、基板１２の他方主面１２ｂに形成されている第１乃至第９のパッド２６ａ〜２６ｉのうち、第４のパッド２６ｄは、矩形形状の矩形部２７ａと、矩形部２７ａの短辺から突出した突出部２７ｂとを含む。他のパッド２６ａ〜２６ｃ，２６ｅ〜２６ｉは、それぞれ、矩形形状の矩形部のみを含んでいる。
【００４３】
入出力パッド（第１、第３、第６及び第８のパッド２６ａ，２６ｃ，２６ｆ，２６ｈ）のうちの一つである第１のパッド２６ａは、第４のパッド２６ｄに隣接して配置されている。この第１のパッド２６ａの一つの辺２６ｋは、第４のパッド２６の矩形部２７ａの４辺２６ｐ〜２６ｓのうち突出部２７ｂが突出する辺２６ｓに対向している。
【００４４】
第４のパッド２６ｄの矩形部２７ａには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第６のビア導体３４ｔが接続され、第４のパッド２６ｄの突出部２７ｂには、第３の絶縁層１３ｃに形成された第５のビア導体３４ｓが接続されている。
【００４５】
第３の絶縁層１３ｃに形成された第５のビア導体３４ｓは、第１のインダクタＬ１の他端に電気的に接続されている第１のビア導体である。第３の絶縁層１３ｃに形成された第６のビア導体３４ｔは、第２のインダクタＬ２の他端に電気的に接続されている第２のビア導体である。
【００４６】
第１及び第２のインダクタＬ１，Ｌ２にそれぞれ電気的に接続された第１系統及び第２系統のビア導体であるビア導体３４ｓ，３４ｔを、ＧＮＤパッド（第２、第４、第５及び第９のパッド２６ｂ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｉ）のうち一つであり共通ＧＮＤパッドである第４のパッド２６ｄに接続するとき、ビア導体３４ｓ，３４ｔが互いに接近するとビア導体３４ｓ，３４ｔ間における電磁波の干渉によって、伝達関数の極位置が変わる。第４のパッド２６ｄの矩形部２７ａに突出部２７ｂを接続し、一方のビア導体３４ｓを突出部２７ｂに接続して、ビア導体３４ｓ，３４ｔ間の間隔を広げると、電磁波の干渉を抑制し、分波器１０の特性を簡単に改善することができる。
【００４７】
突出部２７ｂを追加しても、隣接する第１及び第４のパッド２６ａ，２６ｄ間がショートしないように分波器１０を実装することができるため、基板１２を大きくする必要はない。
【００４８】
＜変形例１＞  第４のパッド２６ｄの矩形部２７ａに複数個の突出部が接続され、第１系統及び第２系統のビア導体であるビア導体３４ｓ，３４ｔが、それぞれ、異なる突出部に接続されるように構成してもよい。この場合も、ビア導体３４ｓ，３４ｔ間の間隔を広げ、電磁波の干渉を抑制し、分波器の特性を簡単に改善することができる。  
【００４９】
＜実験例＞  次に、実施例と比較例の試料を作製して特性を測定した実験例について、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００５０】
実施例の試料は、基板１２にセラミック多層基板を用い、第２の素子１６にＳＡＷ（弾性表面波）のデュプレクサ素子を用いて作製した分波器１０である。比較例の試料は、図６に示した第４のパッド２６ｄに突出部２７ｂがなく、矩形部２７ａのみからなり、第１及び第２のインダクタＬ１，Ｌ２にそれぞれ電気的に接続される第１系統及び第２系統のビア導体であるビア導体３４ｓ，３４ｔの両方が、基板１２の積層方向から見ると、第４のパッド２６ｄの矩形部２７ａの内部領域に接続される点のみが、実施例の試料と異なる。
【００５１】
図８は、実施例及び比較例の試料のアイソレーション特性を測定した結果を示すグラフである。図８において矢印で示すように、実施例は、比較例と比べると、アイソレーションが改善している。
【００５２】
図９は、実施例及び比較例の送信側フィルタ伝送特性を測定した結果を示すグラフである。図９において矢印で示すように、実施例は、比較例と比べると、帯域外減衰が改善している。
【００５３】
＜まとめ＞  以上に説明したように、パッドに矩形部から突出する突出部を追加し、パッドに接続されるビア導体間の間隔を広げることによって、アイソレーションや帯域外減衰を簡単に改善することができる。
【００５４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【００５５】
例えば、分波器が３以上のフィルタを含んでも構わない。また、一つのパッドの矩形部に複数の突出部を接続し、異なる突出部に第１又は第２のビア導体を接続しても構わない。
【符号の説明】
【００５６】
１０  分波器
１２  基板
１２ａ  一方主面（第２の主面）
１２ｂ  他方主面（第１の主面）
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ  絶縁層
１４  第１の素子
１６  第２の素子
２０  導体パターン
２０ａ〜２０ｄ，２０ｓ〜２０ｖ  導体パターン要素
２２  導体パターン
２２ａ〜２２ｄ，２２ｓ〜２２ｖ，２２ｙ  導体パターン要素
２４  導体パターン
２４ａ〜２４ｄ，２４ｓ〜２４ｖ，２４ｙ  導体パターン要素
２６ａ〜２６ｉ  パッド
２６ｋ，２６ｐ〜２６ｓ  辺
２７ａ  矩形部
２７ｂ  突出部
３０ａ〜３０ｄ，３０ｓ〜３０ｖ  ビア導体
３２ａ〜３２ｄ，３２ｓ〜３２ｖ，３２ｙ  ビア導体
３４ａ〜３４ｄ，３４ｓ〜３４ｙ  ビア導体
６０〜６７  共振器
７０，７２  縦結合型フィルタ
８０  送信フィルタ（第１のフィルタ）
８２  受信フィルタ（第２のフィルタ）
８４  共通端
９０  Ａｎｔ端（第１端）
９２  Ｔｘ端（第２端）
９４，９５  Ｒｘ端（第３端）
Ｌ１  第１のインダクタ
Ｌ２  第２のインダクタ
Ｌ３  第３のインダクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図８】
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【図９】
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