(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に集光点が合わされレーザーが照射されることにより内部に改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研磨する際に、前記半導体ウエハの回路パターンが形成された表面に貼合され前記半導体ウエハの表面を保護するために用いる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、
基材フィルムの少なくとも片面側に粘着剤層を有し、
前記粘着剤層が、放射線を照射することにより硬化する放射線硬化型の粘着剤層であり、
弾性率が７５ＭＰａ以上であり、下記式（２）で求められる応力緩和率が１０〜１８％以下であることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
応力緩和率Ｒ（ｔ）＝（Ｆ0‐Ｆ(T)）／Ｆ0×１００  ［％］  （２）
（式中、Ｆ0は初期圧縮応力を表し、５０Ｎである。応力は、曲げ圧子で速度１．０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮して加える。Ｆ(t)は３分経過後の圧縮応力を表す。）
【請求項２】
ステンレス鋼に対する放射線照射前の２５℃における粘着力が、３．０Ｎ／２５ｍｍ〜２０．０Ｎ／２５ｍｍであり、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の２５℃における粘着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ 〜２．０Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項３】
前記粘着剤層面の純水に対する接触角が８５°以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項４】
前記粘着剤層を構成する主成分のポリマーが、（メタ）アクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項５】
前記粘着剤層は、放射線照射前の２５℃における貯蔵弾性率が７×１０4Ｐａ以上であり、損失正接は０．２０以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項６】
前記粘着剤層が、照射量５００ｍＪの放射線を照射する前後で、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
［Ｔα−Ｔβ（空気）］÷［Ｔα−Ｔβ（Ｎ2）］×１００（％）        （１）
（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は酸素存在下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ2）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープに関する。さらに詳しくは、レーザーを用いて半導体ウエハ内部に集光させて内部に改質層を形成した後に半導体ウエハの表面に貼合され半導体ウエハの裏面を研削する際に使用される半導体ウエハ表面保護用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウエハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削等することにより、半導体ウエハは所望の厚さにされる。この際、半導体ウエハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウエハ表面保護用粘着テープが用いられる。裏面研削された半導体ウエハは、裏面研削が終了した後にウエハカセットへ収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハの裏面に粘着剤層を貼付して用いるようになっており、半導体ウエハの裏面研削が完了した後、ウエハ表面から剥離される。
【０００３】
従来、半導体ウエハ表面保護用粘着テープに求められる重要な性能として、研削後の半導体ウエハ仕上げ厚の精度（ＴＴＶ）が挙げられる。半導体ウエハ仕上げ厚の精度（ＴＴＶ）は加工品質性の向上につながり、半導体チップの歩留まりや動作信頼性の観点から求められるものである。通常、半導体ウエハ表面には組み込まれた集積回路デバイスや集積回路上に形成された保護膜に起因する凹凸が存在する。裏面を研削する際の研削応力を緩和して研削する際のウエハの破損を防止し、ＴＴＶ向上のため半導体ウエハ表面保護用粘着テープの凹凸に対する追従性を良くしたものがある。
【０００４】
上述のように、半導体ウエハの裏面を研削した後に、半導体ウエハをチップ単位にダイシングする場合には、従来の半導体ウエハ表面保護用粘着テープでも半導体ウエハの表面を切削水の浸入やダスト（スラリー）の浸入から保護することは可能であり、半導体ウエハを破損が防止でき、ＴＴＶの精度にも問題は無かった。
【０００５】
ところが、近年では、ＩＣカードの普及が進み、チップの薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このようなチップの薄型化を達成するため、新たな半導体ウエハの切断方法が提案されている。まず半導体ウエハの表面側からブレードを用いて所定深さの溝を形成した後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いてこれを裏面側から研削することでチップを製造する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このような半導体ウエハの切断方法を用いた場合、従来から汎用されている半導体ウエハ表面保護用粘着テープでは、比較的軟らかい粘着剤層が使用されていたため、チップの位置ずれが大きく、チップが破損しやすいことがあった。その問題を解消するため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの圧縮ひずみおよび粘着層の弾性率を特定することで、裏面研削時に発生するチップの割れを低減することが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
さらに、上述のブレードによる溝の形成に替えて、レーザーをウエハ内部に集光することで内部に改質層を形成し、その後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いてこれを半導体ウエハを裏面側から研削して半導体ウエハを薄くし、その後、ダイシングテープを貼り、引き伸ばすことによってチップへと分割するダイシング方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。このダイシング方法を用いることで、ブレードによるダイシングよりも溝の幅が細くなるため、1枚の半導体ウエハ当たりから製造されるチップの個数が向上するようになった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平５−３３５４１１公報
【特許文献２】特許第３４１０３７１号公報
【特許文献３】特開２０１２−１２４３００公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記レーザのダイシング方法による半導体ウエハの裏面研削に、上記特許文献２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合、ウエハ表面の凹凸に対し追従していないため、チップが破損することがあった。また、上記レーザによるダイシング方法ではブレードによるダイシング方法よりも、チップとチップとの間が極めて狭い状態にあるためチップ上のデバイス段差への追従性がより必要となる。上記レーザによるダイシング方法による半導体ウエハの裏面研削に、特許文献２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合、デバイス段差への追従性が十分ではなく、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間が生じる部分があるため、裏面研削時にレーザー改質領域をきっかけとして個片化されたチップ間から半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間に切削水やダストが浸入し、ＴＴＶが悪化するという問題があった。
【００１０】
一方、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの半導体ウエハ表面（回路面）の凹凸に対する追従性を良くするために粘着剤層あるいは基材フィルムを軟らかくした場合、裏面研磨装置により押圧されているチップが沈み込み、押圧していないチップとの間で段差が生じるため、、裏面研磨装置により押圧されていないチップと半導体ウエハ表面保護用粘着テープとの間に隙間が生じ、切削水が入り込みチップ剥がれやＴＴＶ悪化が生じる。また、粘着剤層あるいは基材フィルムを軟らかいと、裏面研磨装置により押圧されている部分のチップも、研削の回転方向の圧力により移動し、チップと半導体ウエハ表面保護用粘着テープとの間に隙間が生じ、切削水が入り込みチップ剥がれやＴＴＶ悪化が生じる。
【００１１】
また、半導体ウエハの裏面を研削してチップ単位に分断する際に、研削にかかる力に対して半導体ウエハ表面保護用粘着テープの応力が弱く、半導体チップの半導体ウエハ表面保護用粘着テープへの減り込みが生じ、ＴＴＶが悪化するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、レーザーを用いて半導体ウエハ内部に集光させて半導体ウエハの内部に改質層を形成した後に半導体ウエハの裏面を研削しても、半導体ウエハやチップの破損を低減することができ、半導体ウエハを高い厚み精度（ＴＴＶ）で研削することができる半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、内部に集光点が合わされレーザーが照射されることにより内部に改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研磨する際に、前記半導体ウエハの回路パターンが形成された表面に貼合され前記半導体ウエハの表面を保護するために用いる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、基材フィルムの少なくとも片面側に粘着剤層を有し、弾性率が７５ＭＰａ以上であり応力緩和率が１０〜１８％以下であることを特徴とする。
【００１４】
上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層が、放射線を照射することにより硬化する放射線硬化型の粘着剤層であり、ステンレス鋼に対する放射線照射前の２５°における粘着力が、３．０Ｎ／２５ｍｍ〜２０．０Ｎ／２５ｍｍであり、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の２５℃における粘着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ 〜２．０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。
【００１５】
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、粘着剤層は、前記粘着剤層面の純水に対する接触角が８５°以上であることが好ましい。
【００１６】
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤を構成する主成分のポリマーが、（メタ）アクリル系ポリマーであることが好ましい。
【００１７】
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層の放射線照射前の２５℃における貯蔵弾性率が７×１０4Ｐａ以上であり、損失正接は０．２０以下であることが好ましい。
【００１８】
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記粘着剤層が、照射量５００ｍＪの放射線を照射する前後で、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
［Ｔα−Ｔβ（空気）］÷［Ｔα−Ｔβ（Ｎ2）］×１００（％）        （１）
（式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は酸素存在下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ2）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表す。）
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、密着性と適度な応力緩和のため、半導体ウエハやチップの破損を低減することができる。また、本発明によれば、半導体ウエハ表面（回路面）の凹凸に対する追従性が良いため、ダストや研削水の浸入を防止することができる。さらに、必要以上に応力緩和をしないので、半導体ウエハの裏面を研削する際にかかる力により半導体ウエハが半導体ウエハ表面保護用粘着テープに過度に減り込むことがないため、半導体ウエハを高い厚み精度（ＴＴＶ）で研削することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いたバックグラインド工程の後のピックアップ工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
本発明の実施形態に係る半導体表面保護用粘着剤層１は、図１に示すように、基材フィルム２の少なくとも片面に、少なくとも1種類の粘着剤が塗布され、粘着剤層３が形成されている。以下、本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００２３】
（基材フィルム２）
基材フィルム２は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１全体の弾性率が７５ＭＰａ以上で、応力緩和率が１０〜１８％以下となっていれば、特に限定されることなく公知のものを使用することができるが、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン；エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；軟質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料、またはこれらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものが好ましい。特に、本発明においては、酢酸ビニルの含有量を変更することによって任意に弾性率をコントロールすることができるため、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。  基材フィルムの厚さは１０〜５００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましい。
【００２４】
（粘着剤層３）
粘着剤層３は、放射線を照射することにより硬化する放射線硬化型であることが好ましい。粘着剤層を構成する粘着剤組成物は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の弾性率が７５ＭＰａ以上、かつ、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の応力緩和率が１０〜１８％となるものであれば、特に限定されるものではない。
【００２５】
この放射線硬化型の粘着剤層３を構成する粘着剤組成物としては、粘着剤ポリマーと放射線重合性化合物を併用するか、または粘着剤を構成するポリマー中に、放射線で重合する官能基（好ましくはエチレン性不飽和基）を組み込んだポリマーを使用することができる。放射線での重合を促進するため、光重合開始剤を含むことが好ましい。また、架橋剤を含有することも好ましい。粘着剤を構成するポリマーに架橋剤と反応しうる官能基をもったモノマーを組み込むことで、膜硬度やゲル分率を調整することができる。さらに、必要に応じて、上記以外の添加剤や添加物を含有させることもできる。
【００２６】
粘着剤を構成する主成分のポリマー（粘着剤のポリマーでベースポリマーとも称す）は、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、天然ゴム系の樹脂、合成ゴム系の樹脂等の様々な種類のポリマーの中から適宜選択して用いることができるが、これらの中でも（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。（メタ）アクリル樹脂は粘着力の制御が容易である。
【００２７】
本発明において、粘着剤層の主成分は（メタ）アクリル共重合樹脂であることが好ましい。（メタ）アクリル樹脂とすることによって粘着力の制御が容易になり、ゲル分率等をコントロールできるため、粘着剤の残渣が半導体ウエハの表面に残ってしまう、いわゆる糊残りや有機物による汚染を少なくすることができる。ポリマーが（メタ）アクリル樹脂である場合、ポリマーを構成する主モノマーとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステルまたは２種以上の異なる（メタ）アクリル酸アルキルエステルのモノマー混合物が好ましい。
【００２８】
（メタ）アクリル酸のアルキルエステルの具体例としては、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソデシルなどが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２９】
本発明では２種以上を混合して用いられることが好ましく、２種以上を混合することで様々な粘着剤としての機能を発揮させることができる。３種以上を混合することが更に好ましく、（メタ）アクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、後述の２−イソシアナトエチル（メタ）アクリレートから選択される３種以上、好ましくは４種以上を少なくとも共重合することが特に好ましい。３種類以上のモノマーを共重合することで段差への密着性および糊残りを含む非汚染性を両立できるようになる。
本発明においては、上記に加え、重合性基を有するモノマー成分、多官能モノマー、架橋剤と反応しうる官能基を有するモノマー成分を使用することが好ましい。
【００３０】
放射線（好ましくは紫外線）に反応するためのモノマーとして、アルコール部にイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられ、なかでもイソシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）基で置換された（メタ）アクリル酸アルキルエステルが好ましい。このようなモノマーとしては、例えば、２−イソシアナトエチルメタクリレート、２−イソシアナトエチルアクリレート等が挙げられる。これらを適宜、アクリルポリマー共重合体に加えてアクリルポリマー共重合体の側鎖の水酸基と反応することで共重合体に重合性基を組み込むことができ、放射線照射後の粘着力を低下させることができる。
【００３１】
放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーのポリマー中への含有量はポリマー１００質量に対し３０〜９０質量％が好ましく、４０〜８０質量％がより好ましい。
また、放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーのポリマー中へ組み込みは、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等の官能基を側鎖に有するポリマーを合成した後に、この官能基と反応する官能基を有する放射線（好ましくは紫外線）に反応するモノマーを加えて反応させることによって得ることができる。
【００３２】
粘着剤に含まれるポリマーは、架橋剤と反応し得る官能基を有していてもよく、架橋剤と反応し得る官能基としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基等が挙げられる。粘着剤ポリマー中にこれらの架橋剤と反応しうる官能基を導入する方法としては、ポリマーを重合する際にこれらの官能基を有するモノマーを共重合させる方法が一般に用いられる。
【００３３】
また、粘着剤層のゲル分率の調整のため、粘着剤に含まれるポリマーを重合する際に多官能モノマー成分を共重合することができる。
これらの多官能モノマー成分の官能基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基が挙げられる。
【００３４】
多官能モノマーとしては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。
【００３５】
これらの多官能モノマーは、粘着剤に含まれるポリマー成分として組み込む以外に、粘着剤ポリマーに併用して含有する放射線重合性化合物として使用することも好ましい。
この場合、粘着剤ポリマーは放射線の重合性基を有していても有していなくても構わない。
粘着剤ポリマーに併用して含有する放射線重合性化合物として使用する場合、放射線重合性化合物の配合量は、ベースポリマーの粘着剤ポリマー１００質量部に対して、３０〜２００質量部が好ましく、１００〜１５０質量部がより好ましい。
【００３６】
放射線硬化型の粘着剤層３を構成する粘着剤は、例えば、特公平１−５６１１２号公報、特開平７−１３５１８９号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。
【００３７】
粘着剤には、光重合開始剤を含有させることで、放射線照射による硬化反応を効率的に行うことができ、好ましい。
光重合開始剤としては、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、２−ヒロドキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン等が挙げられる。
光重合開始剤の配合量は、ベースポリマー１００質量部に対して、１〜１０質量部が好ましく、２〜５質量部がより好ましい。
【００３８】
上記ベースポリマーに凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。
特に、ベースポリマーが（メタ）アクリル樹脂の場合、硬化剤を配合することによって粘着力が制御される。硬化剤の配合部数を調整することで所定の粘着力を得ることができる。
このような架橋剤としては、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。
架橋剤の配合量は、ベースポリマー１００質量部に対して、１〜１０質量部が好ましく、３〜５質量部がより好ましい。
【００３９】
さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。また、粘着剤としてはダイシング・ダインボンディング兼用可能な接着剤であってもよい。
【００４０】
粘着剤層３は、上述のような粘着剤組成物を、基材フィルム２上に塗布し、乾燥させることで形成することができる。粘着剤層３の厚さは、５〜３０μｍであることが好ましい。
【００４１】
なお、粘着剤層３は複数の層が積層された構成であってもよい。複数の層を有する場合は、少なくとも半導体ウエハと接する層は、上述の放射線硬化型の粘着剤を使用するが、少なくとも半導体ウエハと接する層以外の層に、加熱発泡型の粘着剤も用いることができる。放射線硬化型の粘着剤は、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやするものであり、加熱発泡型の粘着剤は、発泡剤や膨張剤により剥離しやすくするものである。また、基材フィルム２と粘着剤層３の間に、必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。
【００４２】
また、必要に応じて、実用に供するまでの間、粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる離型フィルム４（図１参照）を粘着剤層３側に貼付しておいても良い。離型フィルム４の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。合成樹脂フィルムの表面には、粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。離型フィルム４の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００４３】
本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、弾性率が７５ＭＰａ以上であり、好ましくは９０ＭＰａ以上、より好ましくは１１０ＭＰａ以上である。ここでいう弾性率とは、引張りの際にかかる力の挙動であり、測定は市販の「ストログラフ」を用いて行うことができる。弾性率が７５ＭＰａ未満であると、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１が軟らかいことから、半導体ウエハの裏面を研削する際に半導体ウエハの変動が起こり、半導体ウエハの割れが生じる（すなわち研削性が悪い）か、ＴＴＶが悪化してしまうことがある。
【００４４】
本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の応力緩和率は１０〜１８％であり、好ましくは１２〜１５％である。本発明において、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の応力緩和率とは、初期応力値に対する減少した応力の割合を意味する。具体的にはこの応力緩和率は、圧縮平行板上に幅２５ｍｍ、長さ６５ｍｍの試験片を設置し、曲げ圧子を試験片の厚さに接触させ、速度１．０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮して、応力５０Ｎまで負荷を加え、応力５０Ｎ時の変位を３分間保持したときに得られる応力を測定し、次の式（２）により算出する。式（２）において、Ｆ0は初期圧縮応力であり、本発明においては５０Ｎである。Ｆ(t)はｔ時間経過後の圧縮応力であり、本発明においては３分経過後の圧縮応力である。なお、本応力緩和測定は、例えばインストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル  ５５６７）を用いて測定することができる。
【００４５】
【数１】
0005950869.tif 000002
【００４６】
半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の応力緩和率が１０％未満であると、粘着剤層の半導体ウエハ表面段差に対する追従性が悪化し、半導体ウエハの裏面を研削したときに半導体ウエハの割れや厚み精度（ＴＴＶ）の悪化を引き起こしてしまう。一方、１８％超えると、粘着剤層の半導体ウエハ表面段差に対する追従性は良い反面、研削時に半導体ウエハに掛かる力を逃がしてしまい、半導体ウエハの破損が生じたり、厚み精度（ＴＴＶ）が悪化してしまうことがある。
【００４７】
半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の弾性率が７５ＭＰａ以上であって応力緩和率が１０〜１８％となるようにするには、基材フィルム２はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムやエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムを用いる。粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、メタクリル酸、２−イソシアナトエチルメタクリレート、アダクト系イソシアネート系架橋剤、光開始剤４，４’ −ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどを添加する。
具体的には、基材フィルム２をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムとした場合、重量部として２−エチルヘキシルアクリレートのように側鎖の長いモノマー１００とすると、ヒドロキシル基を持つモノマーは３０から５０、メタクリル酸を２から３で加え、アダクト系イソシアネート系架橋剤を１〜３の間で材料を適宜配合し、共重合して得られた共重合体１００に対して、２‐イソシアナトエチルメタクリレートを４０〜８０添加することによって得られる。
【００４８】
また、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、メタクリル酸、２−イソシアナトエチルメタクリレートからなる共重合体に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ、光開始剤４，４’ −ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを配合した粘着剤を用いた場合、基材フィルム２はエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムであれば酢酸ビニル含有量を７％以下とすることで得られる。
【００４９】
粘着剤層３は、放射線照射前の２５℃における貯蔵弾性率が７×１０4Ｐａ以上であり、損失正接は０．２０以下であることが好ましい。２５℃で貯蔵弾性率７×１０4Ｐａ未満であると、応力緩和しやすくなり、１０〜１８％の範囲を超える場合がある。また、損失正接も０．２０を超えても同様の場合があるため、上記の範囲が好ましい。
【００５０】
粘着剤層３の放射線照射前の２５℃における貯蔵弾性率が７×１０4Ｐａ以上となるようにするには、例えば、質量部として２−エチルヘキシルアクリレートのように側鎖の長いモノマー１００とすると、ヒドロキシル基を持つモノマーは３０から５０、メタクリル酸を２から３で加え、アダクト系イソシアネート系架橋剤を１部以上配合し、共重合して得られた共重合体１００に対して、2-イソシアナトエチルメタクリレートを４０〜８０添加するとよい。また、損失正接が０．２０以下となるようにするには、例えば、重量部として２−エチルヘキシルアクリレートのように側鎖の長いモノマー１００とすると、ヒドロキシル基を持つモノマーは３０から５０、メタクリル酸１０以下で加え、アダクト系イソシアネート系架橋剤を１部以上配合し、共重合して得られた共重合体１００に対して、２‐イソシアナトエチルメタクリレートを４０〜８０添加するとよい。
【００５１】
本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、ステンレス鋼(Steel Use Stainless、ＳＵＳ)に対する２５℃における粘着力が、３．０Ｎ／２５ｍｍ〜２０．０Ｎ／２５ｍｍであり、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の２５℃における粘着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ 〜２．０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。放射線照射前の粘着力は、好ましくは３．０Ｎ／２５ｍｍ〜１７．０Ｎ／２５ｍｍであり、放射線照射後の粘着力は、好ましくは０．０１Ｎ／２５ｍｍ〜１．２Ｎ／２５ｍｍである。
【００５２】
放射線照射前の粘着力が３．０Ｎ／２５ｍｍ未満であると、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合して半導体ウエハの裏面を研削する際、半導体ウエハ周辺部との密着性不足により、シーページ等の汚染を引き起こし、半導体ウエハを破損する可能性があり、逆に、２０．０Ｎ／２５ｍｍを超えると、照射量５００ｍＪでの放射線照射後の粘着力が２．０Ｎ／２５ｍｍまで低下しないことがあり、この結果硬化後の剥離が重くなるばかりでなく、粘着剤の残渣が半導体ウエハの表面に残ってしまう、いわゆる糊残りが生じる。また、２０．０Ｎ／２５ｍｍを超える場合に、放射線照射後の粘着力を２．０Ｎ／２５ｍｍ以下にするためには粘着剤に存在する二重結合の量や光重合開始剤を多く必要とするため、放射線照射後の硬化収縮が強く、半導体ウエハ表面の凹凸への噛みこみが起こりやすくなり、やはり剥離不良、糊残りを引き起こす。
【００５３】
放射線照射前の粘着力は、水酸基、酸基の割合、硬化剤量によって調節でき、放射線照射後の粘着力は、粘着剤中の二重結合の量または光重合開始剤量を調節することによって行うことができる。ステンレス鋼(Steel Use Stainless、ＳＵＳ)に対する２５℃における粘着力が、３．０Ｎ／２５ｍｍ〜２０．０Ｎ／２５ｍｍであり、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の２５℃における粘着力が０．０１Ｎ／２５ｍｍ 〜２．０Ｎ／２５ｍｍであるようにするためには、例えば質量部として２−エチルヘキシルアクリレートのように側鎖の長いモノマー１００とすると、メタクリル酸を１０質量部以下とし、硬化剤を１〜１０部、二重結合量は共重合体１００質量部に対して３０質量部以上で適宜配合するとよい。
【００５４】
ステンレス鋼（ＳＵＳ♯２８０）に対する粘着力は、引張試験機を用いて測定できる。
具体的には、粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片を採取し、その試料を、ＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温（２５℃）で測定する。また、放射線照射後の粘着力は、放射線硬化型粘着剤層を有する粘着テープを５００ｍＪの紫外線を照射して硬化させた後に上記と同様にして測定する。
【００５５】
本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層３は、その表面の純水に対する接触角φが８５°以上を示すものが好ましい。接触角φの値が８５°未満であると、親水性が高くなるため、裏面研削およびチップ分断の際に使用される多量の切削水がシリコンの研削屑を含んだ研削水が半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１と半導体ウエハの隙間から入り込みやすくなり、ウェハ回路面を汚染する、いわゆるシーページが起こりやすくなることがある。
【００５６】
純水に対する接触角φが８５°以上となるようにするためには、ポリマー共重合体の分子量と側鎖の立体構造、水酸基、酸基の割合を調節することによって行うことができる。
【００５７】
本実施形態の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層３は、照射量５００ｍＪの放射線を照射する前後で、下記式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上であることが好ましい。
［Ｔα−Ｔβ（空気）］÷［Ｔα−Ｔβ（Ｎ2）］×１００（％）        （１）
式中、Ｔαは放射線照射前のタック力の測定値を表し、Ｔβ（空気）は酸素存在下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表し、Ｔβ（Ｎ2）は窒素雰囲気下照射量５００ｍＪで放射線照射した後のタック力の測定値を表す。
【００５８】
式（１）で求められるタック力の変化率が３０％未満であると、放射線硬化粘着剤層が、半導体ウェハに接触する面での表面状態が放射線（紫外線）照射前と殆ど変化しておらず、このため、剥離が重く、糊残りも引き起こしてしまう。タック力の変化率を３０％以上とすることで剥離が軽減され、糊残りも抑制することができる。
【００５９】
式（１）で求められるタック力の変化率が３０％以上となるようにするには、ポリマー共重合体の分子量と側鎖の立体構造、水酸基、酸基の割合、あるいは硬化剤を調節することによって行うことができる。
【００６０】
＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の使用方法について説明する。
【００６１】
まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウエハ５の表面に、離型フィルム４を剥離した半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層３を貼合し、半導体ウエハ５の裏面側より半導体ウエハ５内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、半導体ウエハ５内部に改質領域７を形成する。
【００６２】
半導体ウエハ５の表面を保護する際に使用する半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の粘着剤層３の厚みは、保護する半導体ウエハ５の表面凹凸の高低に合わせて使用するのが好ましく、半導体ウエハ５の表面凹凸高さよりも薄い粘着剤層３の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を使用するとよい。
【００６３】
次に、図３（Ａ）に示すように、改質領域７を形成した半導体ウエハ５について、研削装置８で裏面を研削するバックグラインド工程により、図３（Ｂ）に示すように、改質領域７に到達するまで研削を行う。半導体ウエハ表面保護用粘着テープと保護する半導体ウエハの表面凹凸の関係を考慮して半導体ウエハ表面保護用粘着テープを使用する以外は、通常のバックグラインド工程が適用できる。
【００６４】
バックグラインド工程が終了した後は、図４に示すように、ダイシングテープ６を半導体ウエハ５の裏面に貼り合せるとともに、粘着剤層３の外周部にリングフレーム９を貼り合せる。その後、図５に示すように、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。
【００６５】
その後は、例えば、図６に示すように、半導体ウエハ５及びリングフレーム９が貼り合わされたダイシングテープ６をエキスパンド装置のステージ（図示しない）上に載置し、リングフレーム９を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材１０を上昇させ、ダイシングテープ６をエキスパンドする。このようにダイシングテープ６が周方向に引き伸ばされることで、半導体ウエハ５が、改質領域７を起点としてチップ１１単位で分断される。
【００６６】
そして、図７に示すように、ダイシングテープ６の裏面側から突き上げピン１２でチップ１１を突上げてコレット１３により吸着してピックアップすることにより、半導体チップ１１を得ることができる。
【００６７】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６８】
＜実施例１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを７０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２８質量部、メタクリル酸を５質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量９０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光開始剤４，４'‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００６９】
＜実施例２＞
エチルアクリレートを２５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３５質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量４５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを４０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を５質量部、光開始剤４，４'‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７０】
＜実施例３＞
２−エチルヘキシルアクリレートを４０質量部、ブチルアクリレートを３０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２５質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを７０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７１】
＜実施例４＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２０質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量８０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を４質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例４に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７２】
＜実施例５＞
２−エチルヘキシルアクリレートを１０質量部、エチルアクリレートを２５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを４０質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量６５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７３】
＜実施例６＞
エチルアクリレートを７０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２０質量部、メタクリル酸を５質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量２０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを３０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１.５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例６に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７４】
＜実施例７＞
エチルアクリレートを３０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を２０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量３５万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを７０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を４質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例７に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７５】
＜実施例８＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を５質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量７０万の共重合体１００質量部に対して、２‐イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．５質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例８に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７６】
＜実施例９＞
ブチルアクリレートを６０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量７０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを３０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１.５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例９に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７７】
＜実施例１０＞
エチルアクリレートを５０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを４０質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量４０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を８質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、実施例１０に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７８】
＜比較例１＞
２−エチルヘキシルアクリレートを６０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を５質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量１００万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを６０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２.５質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００７９】
＜比較例２＞
２−エチルヘキシルアクリレートを９０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を２質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量５０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０.５質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００８０】
＜比較例３＞
２−エチルヘキシルアクリレートを２０質量部、ブチルアクリレートを６０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２０質量部、メタクリル酸を１質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量５０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを７０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０.５質量部、光重合開始剤４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例３に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００８１】
＜比較例４＞
２−エチルヘキシルアクリレートを１０質量部、エチルアクリレートを４０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを４０質量部、メタクリル酸を１０質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量６０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを５０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を５質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのＰＥＴフィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例４に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００８２】
＜比較例５＞
２−エチルヘキシルアクリレートを９０質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３０質量部、メタクリル酸を１質量部、酢酸エチル中で重合を行い、共重合して得られた重量平均分子量９０万の共重合体１００質量部に対して、２−イソシアナトエチルメタクリレートを４０質量部添加し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１.５質量部、光開始剤４，４’‐ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンを２質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。離型フィルムとしての厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が４０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、基材フィルムとしての厚み１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルム上に貼り合わせることで積層して、比較例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製した。
【００８３】
上記のようにして作製した各実施例および各比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの応力緩和率、弾性率、粘着力、接触角、貯蔵弾性率、損失正接およびタック力を以下のようにして測定した。その結果を表１及び表２に示す。
【００８４】
（応力緩和率）
上記の実施例及び比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープをそれぞれ、幅２５ｍｍ、長さ６５ｍｍに切断して試験片を作成した。インストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル  ５５６７）を用いて、圧縮平行板上に試験片を設置し、曲げ圧子を試験片の厚さに接触させ、速度１．０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮して、応力５０Ｎまで負荷を加え、応力５０Ｎ時の変位を３分間保持したときに得られる応力を測定した。初期応力の５０Ｎと測定して得られた応力との差から応力緩和により減少した応力を求め、初期応力値に対する減少した応力の割合を算出して応力緩和率を得た。
【００８５】
（弾性率）
粘着フィルムの２５ｍｍ幅短冊状サンプルを、温度２３±２℃（好ましくは２３℃）、相対湿度５０±５％（好ましくは５０％）で、標線間距離およびつかみ間距離が１００ｍｍ、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎで、ストログラフ試験機を用いて測定を行った。なお、測定値は機械加工方向（ＭＤ）における値である。測定により得られた応力‐び率曲線から、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ弾性率を求めた。３回測定の平均値を実際の値として用いた。
【００８６】
（ＳＵＳに対する粘着力）
各実施例および各比較例に係る放射線照射前の半導体表面保護用粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ１５０ｍｍの試験片をそれぞれ３点採取し、その試料をＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機を用いて、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎで９０°引きはがし法により常温（２５℃）で粘着力を測定し、３点の平均値を求めた。上記測定直後、上記各実施例および各比較例に係る半導体表面保護用粘着テープの残り部分を紫外線５００ｍＪの照射量で照射して硬化させた後、上記と同様にして、放射線照射後の半導体表面保護用粘着テープの粘着力を測定し、３点の平均値を求めた。また、得られた各粘着力の値から、放射線照射前後の粘着力の低下率〔（放射線照射前の粘着力−放射線照射後の粘着力）／放射線照射前の粘着力〕×１００を求めた。
【００８７】
（粘着剤層の表面の純水に対する接触角φ）
各実施例および各比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤層表面の純水に対する接触角φは、接触角計を用いてθ／２法で、温度２３℃、湿度５０％の条件で測定し、純水２μＬの液滴容量で、滴下３０秒後に読み取った。
【００８８】
（貯蔵弾性率、損失正接）
貯蔵弾性率、損失正接については、ずり方式の粘弾性装置(レオメトリックス製、ＡＲＥＳ)により、周波数１Ｈｚ、２５℃の条件で測定を行った。試験片は、粘接着剤層を積層して、厚さ約２ｍｍ、直径８ｍｍの円筒形にしたものを用いた。
【００８９】
（タック力およびタック力の変化率の測定）
タック力は、タック試験機（株式会社レスカ製、ＴＡＣＩＩ）を用いて、以下のようにして常温（２５℃）で測定した。
各実施例および各比較例に係る放射線照射前の半導体ウエハ表面保護用粘着テープから、幅２５ｍｍ×長さ２５０ｍｍの試験片を採取し、この試験片を試験機に設置し、圧子をこの試験片に接触させ、試験片の基材フィルム背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１ｓｅｃ保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重（タック力（Ｔα））を測定した。また、各実施例および各比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを酸素雰囲気下で紫外線を５００ｍＪの照射量で照射して硬化させた状態のものと、空気中で紫外線を５００ｍＪの照射量で照射して硬化させた状態のものから試験片を各々採取し、放射線照射前と同様にして、窒素雰囲気下で放射線照射した後のタック力（Ｔβ（Ｎ2））および空気中で放射線照射した後のタック力（Ｔβ（空気））を測定した。なお、タック力の単位はｋＰａである。得られた各タック力の値を用いて、下記式（１）により、タック力の変化率を求めた。
［Ｔα−Ｔβ空気）］÷［Ｔα−Ｔβ（Ｎ2）］×１００        （１）
【００９０】
また、上記の実施例及び比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
【００９１】
１．研削性試験
貼り付け機として日東精機株式会社製ＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、厚さが７２５μｍの８インチ径のデバイス表面高さ３０μｍ、幅２００μｍ、深さ５μｍのスクライブが形成された半導体ウエハの裏面に、実施例および比較例に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの離型フィルムを剥離して露出した粘着剤層面を貼合した。その後、内部へ最終ウエハ研削厚より５０μｍ上にレーザーが照射し内部に改質領域を形成した。続いて各々２５枚の半導体ウエハの裏面を、インライン機構を持つグラインダー（株式会社ディスコ製、ＤＦＧ８７６０（商品名））を使用して、それぞれ厚さ２００μｍまで研磨を行った。また、半導体ウェハの強度向上のため、ドライポリッシュにて最終仕上げを行った。
【００９２】
（研削性評価）
上記方法で研削した半導体ウエハについて、目視にてエッジクラックの有無及び割れを観察した。その結果を表１及び表２に示す。エッジクラックがほとんどなく、２５枚すべての半導体ウエハで良好に研削できたものを優良品として◎、エッジクラックが若干見られるものの半導体ウエハに割れはなく研削できたもの、又は２５枚の半導体ウエハ中に割れが１枚〜２枚であったものを良品として○、半導体ウエハが３枚以上割れたものを不良品として×で示した。
【００９３】
（ＴＴＶ測定評価）
上記方法で研削した半導体ウエハについて、それぞれ任意点にて、ＴＴＶ測定装置Ｓｅｍｄｅｘ３００（ＩＳＩＳ社製、商品名）により厚さを測定した。その結果を表１及び表２に示す。２５枚すべての半導体ウエハで厚さのばらつきが４μｍ未満であったものを優良品として◎、２５枚すべての半導体ウエハで厚さのばらつきが４μｍ以上５μｍ未満であったものを良品として○、２５枚中の半導体ウエハの内３枚以上で厚さのばらつきが５μｍ以上を示したものを不良品として×で示した。
【００９４】
（ダスト浸入評価）
上記方法で２００μｍ厚まで研削した半導体ウエハについて顕微鏡にてダスト浸入の有無を観察し、以下のランクで評価した。
２５枚全ての半導体ウエハでチップ間にダストまたは研削水が浸入していなかったもの：優良品として◎
２５枚の半導体ウエハ中１枚〜２枚しかチップ間にダストまたは研削水が浸入していなかったもの：良品として○
２５枚の半導体ウエハ中３枚以上でチップ間にダストまたは研削水が浸入していたもの：不良品として×
【００９５】
２．剥離試験
（剥離性評価）
上記方法で半導体ウエハを２００μｍ厚まで研削した後、照射量５００ｍＪの紫外線を照射して半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤層を硬化させ、インライン機構を持つマウンターＲＡＤ２７００（リンテック株式会社製、商品名）を用いて、半導体ウエハの表面から半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離した。良好に剥離できたか否かを、以下のランクで評価した。
２５枚の半導体ウエハ全てについて破損を生じることなく剥離ができたもの：優良品として◎
２５枚の半導体ウエハ中に剥離できなかったもの、又は剥離はできたものの半導体ウエハに破損が生じたものが１〜２枚しかなかったもの：良品として○
２５枚の半導体ウエハ中で剥離できなかったもの、又は半導体ウエハにダメージが生じたものが３枚以上あったもの：不良品として×
【００９６】
（糊残り評価）
上記剥離実験にて剥離ができた半導体ウエハ表面について糊残りの有無の観察を行い、以下のランクで評価した。
剥離ができた全ての半導体ウエハで糊残りなし：◎
剥離ができた半導体ウエハで糊残りが１枚〜２枚あったもの：○
剥離ができた半導体ウエハで糊残りが３枚以上あったもの：×
【００９７】
【表１】
0005950869.tif 000003
【００９８】
【表２】
0005950869.tif 000004
【００９９】
表１に示すように、実施例１〜１０に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、弾性率が７５ＭＰａ以上であり、応力緩和率が１０％〜１８％であるため、研削性、ＴＴＶ、糊残り、ダスト等の浸入、剥離性の全てにおいて、良好な結果であった。特に実施例１〜５は、粘着剤層のステンレス鋼に対する粘着力が、放射線照射前（常温25℃）が３．０Ｎ／２５ｍｍ〜２０．０Ｎ／２５ｍｍであり、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の粘着力（常温２５℃）が０．０１Ｎ／２５ｍｍ 〜２．０Ｎ／２５ｍｍであり、粘着剤層面の純水の接触角が８５°以上、粘着剤層は放射線照射前で２３℃の貯蔵弾性率が７×１０4Ｐａ以上、正接損失は０．２０以下、タック力の変化率が３０％以上であるため研削性、ＴＴＶ、糊残り、ダスト等の浸入、剥離性のすべてにおいて、特に優れる結果であった。
【０１００】
一方、表２に示すように、比較例１〜３および５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、弾性率が７５ＭＰａ未満または応力緩和率が１８％を超えるため、研削時に半導体ウエハの変動が起こったり、半導体ウエハに掛かる力を逃がしてしまい、研削性、ＴＴＶが悪い結果となった。これに加え、比較例３では放射線照射前（常温２５℃）が２０．０Ｎ／２５ｍｍを越え、照射量５００ｍＪの放射線を照射後の粘着力（常温２５℃）が２．０Ｎ／２５ｍｍを越えるため、糊残りと剥離性も悪い結果となった。比較例４は、応力緩和率が１０％未満であるため、半導体ウエハ表面段差に対する追従性が悪いため、その結果半導体ウエハの破損が発生し、またＴＴＶが悪い結果となった。これに加え、比較例４は、粘着剤層面の純水の接触角が８５°未満のため、ダスト浸入も悪い結果となった。
【符号の説明】
【０１０１】
１：半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：離型フィルム
５：半導体ウエハ
６：ダイシングテープ
７：改質領域
８：研削装置
９：リングフレーム
１１：チップ
【図１】
0005950869.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
0005950869.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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