(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基材上に付与されたフォトレジストに対して露光、現像を行い、形成すべき導体パターンに対応する領域が除去されたレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記レジストパターンの前記領域に、ネガ型の感光性導体ペーストを充填し、露光することにより、前記感光性導体ペーストを光硬化させる工程であって、前記感光性導体ペーストを表面側からその厚み方向の所定位置まで露光させて、前記感光性導体ペーストを前記所定位置まで光硬化させる段階的光硬化工程を複数回繰り返して実施することにより、前記感光性導体ペーストを厚み方向全体にわたって光硬化させる工程と、
（ｃ）前記レジストパターンを除去する工程であって、前記段階的光硬化工程のそれぞれの実施後に、前記レジストパターンをその厚み方向の所定位置まで除去する段階的除去工程を実施し、すべての前記段階的光硬化工程が終了した後に、最後の段階的除去工程を実施して残る前記レジストパターンをすべて除去する工程と
を備えていることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
（ａ）基材上に付与されたフォトレジストに対して露光、現像を行い、形成すべき絶縁体パターンに対応する領域が除去されたレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記レジストパターンの前記領域に、ネガ型の感光性絶縁体ペーストを充填し、露光することにより、前記感光性絶縁体ペーストを光硬化させる工程であって、前記感光性絶縁体ペーストを表面側からその厚み方向の所定位置まで露光させて、前記感光性絶縁体ペーストを前記所定位置まで光硬化させる段階的光硬化工程を複数回繰り返して実施することにより、前記感光性絶縁体ペーストを厚み方向全体にわたって光硬化させる工程と、
（ｃ）前記レジストパターンを除去する工程であって、前記段階的光硬化工程のそれぞれの実施後に、前記レジストパターンをその厚み方向の所定位置まで除去する段階的除去工程を実施し、すべての前記段階的光硬化工程が終了した後に、最後の段階的除去工程を実施して残る前記レジストパターンをすべて除去する工程と
を備えていることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記レジストパターンの形成に用いられる前記フォトレジストが、ポジ型のフォトレジストであることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記感光性導体ペーストまたは前記感光性絶縁体ペーストが、ポリマーと、感光性モノマーとを含有しており、前記感光性モノマーの、前記ポリマーと前記感光性モノマーの合計量に対する割合が８０〜９０重量％の範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品の製造方法に関し、詳しくは、レジストパターンと、導体ペーストまたは絶縁体ペーストを用いて形成される導体パターンまたは絶縁体パターンを備えたセラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板、コンデンサ、抵抗、インダクタのようなセラミック電子部品を製造する方法として、セラミックグリーンシートに、厚膜法により、電子部品の導体パターン（配線や電極など）となる導電膜を形成する工程を備えたセラミック電子部品の製造方法が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
すなわち、この特許文献１には、セラミックグリーンシートに電子部品の導電パターンに対応する導電膜を形成し、その後セラミックグリーンシートと導電膜とを焼結させてセラミック電子部品を製造する方法が提案されており、フォトレジストと離型フィルムとからなるドライフィルムのフォトレジストに電子部品の導体パターンに対応してパターニングし、このパターンニングされたフォトレジストに導電ペーストを塗布した後、導電ペーストを乾燥し、次いで、ドライフィルムのフォトレジストから離型フィルムを剥離し、離型フィルムが剥離されたドライフィルムのフォトレジストをセラミックグリーンシートに接着した後、セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥がしてセラミックグリーンシートに導電膜を形成するようにしたセラミック電子部品の製造方法が開示されている（特許文献１、請求項２）。
【０００４】
また、特許文献１には、フォトレジストと離型フィルムとからなるドライフィルムのフォトレジストに電子部品の導体パターンに対応してパターニングした後、フォトレジストから離型フィルムを剥離し、離型フィルムが剥離されたドライフィルムのフォトレジストをセラミックグリーンシートに接着した後、ドライフィルムのフォトレジストに導電ペーストを塗布し、導電ペーストを乾燥し、その後セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥離してセラミックグリーンシートに導電ペースト膜を形成するようにしたセラミック電子部品の製造方法が開示されている（特許文献１、請求項３）。
【０００５】
そして、この特許文献１の発明によれば、セラミックグリーンシートに導電膜を形成するために、従来技術の導電膜を形成するのに用いられているスクリーンに代えてドライフィルムを用いているので、スクリーン印刷法と同様に厚膜の導電膜を形成することができる上に、リフトオフ法に近い高精細、高密度の導電膜を形成することが可能で、結果として、高精細で高密度の厚膜の導電膜を有するセラミック電子部品を得ることができるとされている（特許文献１、段落００１８）。
【０００６】
しかしながら、パターンニングしたフォトレジストをセラミックグリーンシートに転写させるため、微細パターンの場合、転写によってパターンが変形してしまい、高精細、高密度のパターンを得ることができなくなるという問題点がある。特に、先行技術では、離型フィルム（キャリアフィルム）を剥がした後、セラミックグリーンシートに転写しているので、変形により高精細、高密度の導電膜を形成することは困難であると推測される。
【０００７】
また、形成する導電膜のアスペクト比が大きい場合は、セラミックグリーンシートからドライフィルムのフォトレジストを剥離する際、導電膜がドライフィルムと共に剥離してしまうという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００６−０３３４０２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、レジストパーンの所定の領域に導体ペーストまたは絶縁体ペーストを印刷することにより形成した導体パターンまたは絶縁体パターンからのレジストの剥離が容易で、導体パターンあるいは絶縁体パターンからレジストを剥離する際に、導体パターンまたは絶縁体パターンの変形や剥離などを引き起こすことがなく、高精細、高密度、高アスペクト比の導体パターンあるいは絶縁体パターンを備えたセラミック電子部品を確実に製造することが可能なセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明のセラミック電子部品の製造方法は、
（ａ）基材上に付与されたフォトレジストに対して露光、現像を行い、形成すべき導体パターンに対応する領域が除去されたレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記レジストパターンの前記領域に、ネガ型の感光性導体ペーストを充填し、露光することにより、前記感光性導体ペーストを光硬化させる工程であって、前記感光性絶縁体ペーストを表面側からその厚み方向の所定位置まで露光させて、前記感光性絶縁体ペーストを前記所定位置まで光硬化させる段階的光硬化工程を複数回繰り返して実施することにより、前記感光性絶縁体ペーストを厚み方向全体にわたって光硬化させる工程と、
（ｃ）前記レジストパターンを除去する工程であって、前記段階的光硬化工程のそれぞれの実施後に、前記レジストパターンをその厚み方向の所定位置まで除去する段階的除去工程を実施し、すべての前記段階的光硬化工程が終了した後に、最後の段階的除去工程を実施して残る前記レジストパターンをすべて除去する工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の他のセラミック電子部品の製造方法は、
（ａ）基材上に付与されたフォトレジストに対して露光、現像を行い、形成すべき絶縁体パターンに対応する領域が除去されたレジストパターンを形成する工程と、
（ｂ）前記レジストパターンの前記領域に、ネガ型の感光性絶縁体ペーストを充填し、露光することにより、前記感光性絶縁体ペーストを光硬化させる工程であって、前記感光性絶縁体ペーストを表面側からその厚み方向の所定位置まで露光させて、前記感光性絶縁体ペーストを前記所定位置まで光硬化させる段階的光硬化工程を複数回繰り返して実施することにより、前記感光性絶縁体ペーストを厚み方向全体にわたって光硬化させる工程と、
（ｃ）前記レジストパターンを除去する工程であって、前記段階的光硬化工程のそれぞれの実施後に、前記レジストパターンをその厚み方向の所定位置まで除去する段階的除去工程を実施し、すべての前記段階的光硬化工程が終了した後に、最後の段階的除去工程を実施して残る前記レジストパターンをすべて除去する工程と
を備えていることを特徴としている。
【００１２】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、前記レジストパターンの形成に用いられる前記フォトレジストが、ポジ型のフォトレジストであることが好ましい。
【００１３】
フォトレジストとしてポジ型のフォトレジストを用いた場合、レジストパターンと感光性導体ペーストパターンまたは感光性絶縁体ペーストパターンの両方に露光することにより、現像液によるフォトレジストの除去が容易になるとともに、ネガ型の感光性導体ペーストあるいは絶縁体ペーストを用いて形成されているペーストパターンを、光硬化させてより除去されにくくすることが可能になり、本発明をより実効あらしめることができる。
また、導体ペーストあるいは絶縁体ペーストの光硬化・硬化収縮を同時に生じさせることが可能になるため、レジストパターンの、硬化した導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンからの剥離が容易になり、結果として高精細、高密度の導体パターンあるいは絶縁体パターンを形成することが可能になる。
【００１４】
また、本発明においては、前記感光性導体ペーストまたは前記感光性絶縁体ペーストが、ポリマーと、感光性モノマーとを含有しており、前記感光性モノマーの、前記ポリマーと前記感光性モノマーの合計量に対する割合が８０〜９０重量％の範囲にあることが好ましい。
【００１５】
感光性モノマーの割合を８０重量％以上とすることで、光硬化後の導体パターンあるいは絶縁体パターンの強度が向上して、レジスト剥離時にも導体パターンあるいは絶縁体パターンの形状を保つことが可能になり、より微細で高精度の導体パターンあるいは絶縁体パターンを形成することが可能になる。
ただし、感光性モノマーの割合が９０重量％を超えると、導体パターンあるいは絶縁体パターン中の感光性モノマーの量が多くなり、保存中にモノマーが暗反応を起こすことにより、ペーストがゲル化し、保存安定性が低下する傾向がある。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のセラミック電子部品の製造方法は、基材上に付与されたフォトレジストに対して露光、現像を行い、形成すべき導体パターンあるいは絶縁体パターンに対応する領域を除去することによりレジストパターンを形成し、レジストパターンの上記領域に、ネガ型の感光性導体ペーストあるいは絶縁体ペーストを充填し、露光することにより、感光性導体ペーストあるいは絶縁体ペーストを硬化させた後、レジストパターンを除去するようにしているので、上記領域に充填された感光性導体ペーストまたは絶縁体ペーストが光硬化する際に、感光性導体ペーストまたは絶縁体ペーストが硬化収縮を起こし、上記領域を取り囲むレジストと、上記感光性導体ペーストパターンまたは絶縁体ペーストパターンとの固着力が低減されるとともに、導体ペーストパターンまたは絶縁体ペーストパターンが光硬化して強度が大きくなるため、導体ペーストパターンまたは絶縁体ペーストパターンの変形や剥離などを引き起こすことなくレジストパターンを剥離すること可能になり、結果として、高精細、高密度、高アスペクト比の導体パターンあるいは絶縁体パターンを備えたセラミック電子部品を確実に製造することができる。
すなわち、本発明によれば、感光性絶縁体ペーストの場合、アスペクト比ｔ／Ｌ（パターンのラインの高さｔとラインの幅Ｌの比）が０．５以上、好ましくは０．７以上の高いアスペクト比を持った導体パターンを形成することができる。また、光が深部まで透過し難い感光性導体ペーストの場合であっても、アスペクト比ｔ／Ｌが０．４５以上、好ましくは０．６以上の高いアスペクト比を持った導体パターンを形成することができる。
【００１７】
また、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、上述のように、感光性導体ペーストまたは感光性絶縁体ペーストを段階的に露光させて光硬化させる段階的光硬化工程と、レジストパターンの除去を段階的に除去する段階的除去工程とを繰り返して行うようにしているので、ネガ型の感光性導体ペーストから形成された導体ペーストパターンまたはネガ型の絶縁体ペーストから形成された絶縁体ペーストパターンの厚みが厚い場合にも、レジストパターンが除去された領域から，導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンのより深い位置にまで，光を到達させて確実に硬化させることが可能になり、また、フォトレジストとしてポジ型のフォトレジストを用いている場合には、繰り返し除去されて厚みが薄くなったフォトレジストの深部にまで光を確実に到達させて，フォトレジストを現像液によりさらに除去しやすくすることが可能になるため、光硬化前の段階の導体ペーストパターンまたは絶縁体ペーストパターンの厚みが厚い場合にも、最終的に、高精細、高密度の導体パターンまたは絶縁体パターンを形成することが可能になる。
【００１８】
すなわち、導体ペーストあるいは絶縁体ペーストの塗膜厚が大きい場合に、一度の露光では塗膜の底部まで光が到達せず、塗膜全体を十分に光硬化させることができないため、フォトレジストの剥離時に、必ずしも十分に光硬化していない状態の導体パターンあるいは絶縁体パターンも同時に剥がれてしまうことがある。そのような場合に、露光を行った後に、レジストパターンの現像液による除去を、その表面からある程度の深さに達するまで行い、レジストパターンの表面の一部を除去した後、繰り返して露光を行うことによって、レジストパターン側から入射した光を、導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンの側面に照射するとともに、その深部にまで到達させて、導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンの最下部（底部）まで、確実に光硬化させることが可能になる。その結果、レジストパターンの剥離時に、導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンが剥離してしまうことを防止して、よりアスペクト比の大きい導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）にかかるセラミック電子部品の製造方法を説明する図である。
【図２】本発明の他の実施形態（実施形態３）にかかるセラミック電子部品の製造方法を説明する図である。
【図３】本発明のセラミック電子部品の製造方法を用いて製造される積層型のコモンモードチョークコイルを示す分解斜視図である。
【図４】本発明のセラミック電子部品の製造方法を用いて製造される積層型コモンモードチョークコイルの外観構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施形態および比較例を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２１】
［実施形態１］
（１）図１（ａ）に示すように、アルミナ基板（基材）１上に、ポジ型で液状のフォトレジストを塗布して１５μｍ厚のレジスト膜１１を形成した。
【００２２】
（２）そして、マスクを介して露光し、現像することにより、レジスト膜１１のパターニングを行い、図１（ｂ）に示すように、線幅１５μｍ、高さ１５μｍ、長さ１ｍｍの線状のパターン２２ａが、線間２５μｍで複数配列したレジストパターン２２を形成した。なお、このレジストパターン２２は、レジスト膜（フォトレジスト）１１の、形成すべき導体パターンに対応する領域２２ｂが除去されたものである。
【００２３】
（３）それから、このレジストパターン２２上に、導電性粉末（Ａｇ粉末）と、ポリマー（アクリルポリマー）と、感光性モノマーと、溶剤と、光重合開始剤と、分散剤とを配合してなるネガ型の感光性導体ペースト（Ａｇペースト）を供給し、ゴムスキージを用いて塗り広げることにより、レジストパターン２２の、フォトレジストが除去された領域（形成すべき導体パターンに対応する領域）２２ｂに、ネガ型の感光性導体ペースト２３ａを充填して、導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）２３を形成した。
【００２４】
なお、感光性導体ペースト（Ａｇペースト）としては、
ａ）粒径２μｍのＡｇ粉末（導電性粉末）と、
ｂ）メタクリル酸メチルとメタクリル酸の共重合体（アクリルポリマー）と、
ｃ）ジペンタエリスリトールペンタアクリレート（感光性モノマー）と、
ｄ）ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（溶剤）と、
ｅ）２，４−ジエチルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（光重合開始剤）と、
ｆ）ポリマレイン酸系分散剤と
の混合物を用いた。
【００２５】
また、感光性モノマーとポリマー（アクリルポリマー）の合計量に占める感光性モノマーの割合は８０重量％となるようにした。
【００２６】
（４）次に、感光性導体ペーストを充填して形成した感光性導体ペーストパターンを１００℃で１０分間、乾燥させた後、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン２２と導体ペーストパターン２３（２３ａ）からなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００２７】
（５）それから、レジスト膜を現像液であるＴＭＡＨ（TetraMethyl Ammonium Hydroxide）水溶液で除去した後、大気中、７００℃で１時間の熱処理を行った。これにより、線幅（Ｌ）１０μｍ、線間（Ｓ）３０μｍ、高さ（ｔ）６μｍの導体パターン（Ａｇパターン）１２３（図１（ｅ）参照）を得ることができ、アスペクト比（ｔ／Ｌ）は０．６０であった。
【００２８】
［実施形態２］
この実施形態２では、
ａ）レジストパターン上に塗布して充填する感光性ペーストとして、実施形態１で用いたものと同じ感光性導体ペースト（Ａｇペースト）の代わりに，感光性絶縁体ペースト（ガラスペースト）を用いたこと、
ｂ）レジストパターンを線幅１６μｍ、線間１６μｍ、高さ１５μｍとしたこと、および、
ｃ）露光量を１０００ｍＪ／ｃｍ2としたこと
を除いて、上述の実施形態１の場合と同じ方法、条件で絶縁体パターンの形成を行った。
【００２９】
なお、感光性ガラスペーストとしては、平均粒径が１μｍのホウケイ酸ガラス（ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＣａＯ−Ｋ2Ｏ）系のガラス粉末を、実施形態１と同じアクリルポリマー、感光性モノマー、溶剤、光重合開始剤および分散剤と混合した混合物を用いた。
また、ポリマー（アクリルポリマー）と感光性モノマーの合計量に占める感光性モノマーの割合も、実施形態１の場合と同じく、８０重量％となるようにした。
【００３０】
この実施形態２の方法により、熱処理後に、線幅（Ｌ）１１μｍ、線間（Ｓ）２１μｍ、高さ（ｔ）８μｍの絶縁体パターン（ガラスパターン）を得ることができ、アスペクト比（ｔ／Ｌ）は０．７３であった。
【００３１】
［実施形態３］
この実施形態３では、レジストパターンの寸法を、線幅１２μｍ、線間１４μｍ、高さ１５μｍとしたことを除いて、上述の実施形態１の場合に準じる方法で導体パターン（Ａｇパターン）の形成を行った。
以下、図２を参照しつつ説明を行う。
【００３２】
（１）実施形態１と同様にして形成した、線幅１２μｍ、線間１４μｍ、高さ１５μｍのレジストパターンに，上記実施形態１で用いたものと同じ感光性導体ペーストを充填して、導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００３３】
（２）それから、導体ペーストパターンを１００℃で１０分間、乾燥させた後、図２（ａ）に示すように、レジストパターン２２と導体ペーストパターン２３（２３ａ）からなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
このとき、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の所定の深さの位置までは光が十分に到達して導体ペーストパターン２３（２３ａ）の硬化が行われるが，それより深い位置までは光が十分に到達せず，導体ペーストパターン２３（２３ａ）の硬化も不十分な状態となる。なお、図２（ａ）においては、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の黒く塗りつぶした部分が、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の光硬化した部分であることを模式的に示している。
【００３４】
（３）それから、レジストパターン２２の表面側部分を、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、図２（ｂ）に示すように、レジストパターン２２の表面側から、厚み方向の所定位置までの部分を除去した。
【００３５】
（４）その後、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で、再びレジストパターン２２と導体ペーストパターン２３（２３ａ）からなる塗膜全面を露光し、図２（ｃ）に示すように、導体ペーストパターン２３（２３ａ）を厚み方向（深さ方向）全体にわたって硬化させた。
このとき、レジストパターン２２が厚み方向の途中の所定位置まで除去されていることから、レジストパターン２２から入射した光が、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の側面に照射されるとともに、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の深部にまで到達して、導体ペーストパターン２３（２３ａ）の全体が確実に光硬化する。
【００３６】
（５）それから、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、残りのレジストパターン２２を全て除去した。これにより、焼成前の段階の導体パターン（Ａｇパターン）が得られる。
【００３７】
（６）その後、この焼成前の導体パターンを、大気中、７００℃で１時間の熱処理することにより、図２（ｄ）に示すような、焼結済みの導体パターン１２３を得た。
この導体パターン（Ａｇパターン）１２３は、線幅（Ｌ）８μｍ、線間（Ｓ）１８μｍ、高さ（ｔ）７μｍで、アスペクト比（ｔ／Ｌ）は０．８８であり、実施形態１の場合に比べてよりアスペクト比の大きい導体パターンが得られることが確認された。
【００３８】
［実施形態４］
本発明のセラミック電子部品の製造方法による、積層型のコモンモードチョークコイルの製造方法およびこれによって得られるコモンモードチョークコイルについて、以下、図３および４を参照しつつ説明する。
【００３９】
（１）まず、任意の保持基板（この実施形態ではアルミナ基板）を準備する。
そして、このアルミナ基板（図示せず）上に、アルミナ粉末をバインダおよび溶剤と合わせ、混錬してペースト状にしたアルミナペーストを印刷し、乾燥して溶媒分を除去することにより塗布膜を形成した。
【００４０】
（２）それから、この塗布膜上に、上記実施形態２で用いたものと同じ感光性ガラスペーストを印刷し、乾燥した後、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）する工程を複数回繰返し、図３に示すガラス層５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを形成した。
【００４１】
（３）次に、ガラス層５ｄ上に、上記実施形態１の場合と同じ方法および条件で、ポジ型の液状フォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光した後、現像することにより、形成すべき導体パターンに対応する領域のレジストが除去されたレジストパターン（図示せず）を形成した。
【００４２】
（４）それから、レジストパターン上に、実施形態１で用いたものと同じネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を、ゴムスキージを用いて塗布し、レジストパターンの、上記領域に充填することにより導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００４３】
（５）次に、形成した導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を１００℃、１０分間の条件で乾燥した後、レジストパターンと導体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射して露光させた。
【００４４】
（６）それから、レジストパターンを、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、除去することにより、コイル導体２ａを形成した。なお、このコイル導体２ａは、ビアホール６ａを介してコイル導体（コイル本体部）２ｂと接続され、第１のコイル２を構成するとともに、その一方側引出し部として機能するものであり、コイル導体２ａの端部が第１のコイル２の一方側端部２ｃとなる。
【００４５】
（７）次に、コイル導体２ａが形成されたガラス層５ｄの上面側全体に、上記（１）で用いたものと同じ感光性ガラスペーストを印刷し、フォトリソグラフィー法により、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）して、層間接続用のビアホール６ａを備えたガラス層５ｅを形成した。
【００４６】
（８）そして、ガラス層５ｅ上に、前記（３）の工程で用いたものと同じポジ型の液状フォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光した後、現像することにより、形成すべき導体パターンに対応する領域のレジストが除去されたレジストパターン（図示せず）を形成した。
【００４７】
（９）それから、このレジストパターン上に、上記（４）の工程で用いたものと同じネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を、ゴムスキージを用いて塗布し、レジストパターンの、上記領域に充填することにより導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００４８】
（１０）次に、充填したＡｇペーストパターンを１００℃、１０分間の条件で乾燥した後、レジストパターンと導体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００４９】
（１１）次に、レジストパターンを、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、除去することにより、図３に示すような、第２のコイル２の他方側端部２ｄとなる端部を備えたコイル導体（コイル本体部）２ｂを形成した。
【００５０】
（１２）次に、コイル導体２ｂが形成されたガラス層５ｅの上面全体に、上記（２）で用いたものと同じ感光性ガラスペーストを印刷し、乾燥した後、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）することにより，図３のガラス層５ｆを形成した。
【００５１】
（１３）それから、ガラス層５ｆ上に、前記（３）の工程で用いたものと同じポジ型の液状フォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光した後、現像することにより、形成すべき導体パターンに対応する領域のレジストが除去されたレジストパターン（図示せず）を形成した。
【００５２】
（１４）それから、このレジストパターン上に、上記（４）および（９）の工程で用いたものと同じネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を、ゴムスキージを用いて塗布し、レジストパターンの上記領域に充填することにより導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００５３】
（１５）次に、形成した導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を１００℃、１０分間の条件で乾燥した後、レジストパターンと導体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００５４】
（１６）次に、レジストパターンを、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、除去することにより、図３に示すような、第２のコイル４の他方側端部４ｄとなる端部を備えたコイル導体（コイル本体部）４ｂを形成した。
【００５５】
（１７）それから、コイル導体４ｂが形成されたガラス層５ｆの上面全体に、上記（２）で用いたものと同じ感光性ガラスペーストを印刷し、乾燥した後、フォトリソグラフィー法により、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）して、層間接続用のビアホール６ｂを備えたガラス層５ｇを形成した。
【００５６】
（１８）それから、ガラス層５ｇ上に、前記（３）の工程で用いたものと同じポジ型の液状フォトレジストを塗布して、フォトレジスト膜を形成し、マスクを介して露光した後、現像することにより、形成すべき導体パターンに対応する領域のレジストが除去されたレジストパターン（図示せず）を形成した。
【００５７】
（１９）それから、このレジストパターン上に、上記（４）、（９）および（１４）の工程で用いたものと同じネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を、ゴムスキージを用いて塗布し、レジストパターンの上記領域に充填することにより導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００５８】
（２０）次に、充填したＡｇペーストパターンを１００℃、１０分間の条件で乾燥した後、レジストパターンと導体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００５９】
（２１）次に、レジストパターンを、現像液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いて現像し、除去することにより、コイル導体４ａを形成した。なお、このコイル導体４ａは、ビアホール６ｂを介してコイル導体（コイル本体部）４ｂと接続され、第２のコイル４を構成するとともに、その一方側引出し部として機能するものであり、コイル導体４ａの端部が第２のコイル４の一方側端部４ｃとなる。
【００６０】
（２２）それから、コイル導体４ａが形成されたガラス層５ｇの上面全体に、上記（２）で用いたものと同じ感光性ガラスペーストの印刷、乾燥、露光を繰り返して行い、図３に示すガラス層５ｈ，５ｉ，５ｊを形成した。
【００６１】
（２３）そして、上記ガラス層５ａ〜５ｊが積層された未焼成の積層体をダイシングして個片化した。
分割された個々のコモンモードチョークコイル素子の寸法は、縦０．５ｍｍ、横０．６５ｍｍ、高さ０．３ｍｍとした。
なお、この実施形態４では、図３で１つのコモンモードチョークコイルの構成を示し、それに基づいてその製造方法を説明しているが、通常、生産性を向上させるため、複数のコモンモードチョークコイル素子を含む未焼成のマザー積層体を形成し、得られたマザー積層体を上述のように個片化（個々のコモンモードチョークコイル素子に分割）する方法が用いられており、この実施形態４でもそのようにしている。
【００６２】
（２４）次に、個片化した素子を、大気中にて十分脱脂した後、９００℃にて３０〜６０分間保持して焼成することにより、内部に、コイル導体２ａ，２ｂからなる第１のコイル２と、コイル導体４ａ，４ｂからなる第２のコイル４を備えた、コモンモードチョークコイル素子１０（図３，図４）を得た。
【００６３】
（２５）それから、コモンモードチョークコイル素子１０の互いに対向する端面に、外部電極形成用のＡｇペーストを塗布し、大気中で、７７０℃、５分間の熱処理を施して、Ａｇペーストを焼き付けることにより、第１のコイル２の両端部と導通する外部電極（Ａｇ電極）１２ａ，１２ｂと、第２のコイル４の両端部と導通する外部電極（Ａｇ電極）１４ａ，１４ｂを形成した（図４参照）。
これにより、図４に示すような構造を有する、本発明の実施形態にかかるコモンモードチョークコイル２０を得た。
【００６４】
なお、この実施形態４の方法で製造されたコモンモードチョークコイル２０において、第１のコイル２を構成するコイル導体２ａ，２ｂ、第２のコイル４を構成するコイル導体４ａ，４ｂは、線幅（Ｌ）が１５μｍ、高さ（ｔ）が９μｍであり、また、コイル導体２ｂ，４ｂの線間（Ｓ）は２５μｍであって、アスペクト比（ｔ／Ｌ）が０．６０の、高精細、高密度のコイル導体が形成されていることが確認された。
【００６５】
［実施形態５］
この実施形態５においては、
ａ）感光性導体ペーストを構成する、ポリマーと感光性モノマーの合計量に対する感光性モノマーの割合を９０重量％としたこと、
ｂ）レジストパターンを線幅９μｍ、線間１５μｍ、高さ１５μｍとしたこと
を除いて、実施形態１の場合と同じ方法および条件で、導体パターン（Ａｇパターン）を形成した。
【００６６】
その結果、得られた導体パターン（Ａｇパターン）は、線幅（Ｌ）８μｍ、線間（Ｓ）１６μｍ、高さ（ｔ）７μｍであり、アスペクト比（ｔ／Ｌ）は０．８８であった。
なお、本発明において、感光性導体ペーストあるいは感光性絶縁体ペーストを構成する、ポリマーと感光性モノマーの合計量に対する感光性モノマーの割合は、８０〜９０重量％の範囲とすることが好ましい。感光性モノマーの割合が８０重量％未満になると、光硬化後の導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンが脆くなり、レジストパターンを剥離する際に、導体ペーストパターンあるいは絶縁体ペーストパターンも同時に剥がれやすくなり、微細な導体パターンあるいは絶縁体ペーストパターンを精度よく形成することが困難になる傾向がある。また、感光性モノマーの割合が９０重量％を超えるとペースト中の感光性モノマーの量が多くなり、保存中にモノマーが暗反応を起こすことにより、ペーストがゲル化する傾向がある。
【００６７】
したがって、感光性モノマーの割合は、特に制約はないものの、通常は、８０〜９０重量％の範囲とすることが好ましく、その場合には、保存安定性に優れた導体ペーストあるいは絶縁体ペーストを得ることが可能になるとともに、光硬化後のペーストパターンの強度を向上させることによって、レジストパターンを剥離させる際に、ペーストパターンの形状が崩れることを防止して、微細で高精度、および高アスペクト比の導体パターンまたは絶縁体パターンをより確実に形成することができる。
【００６８】
［実施形態６］
（１）アルミナ基板上に、ネガ型で液状のフォトレジストを塗布して１５μｍ厚のレジスト膜を形成した。
【００６９】
（２）それから、マスクを介して露光し、現像することにより、レジスト膜のパターニングを行い、線幅２７μｍ、高さ１５μｍ、長さ１ｍｍの線状のパターンが、線間２１μｍで複数配列されたレジストパターンを形成した。
【００７０】
（３）それから、このレジストパターン上に、実施形態１で用いたものと同じ、ネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を充填して、導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００７１】
（４）次に、形成した導体ペーストパターン（感光性導体ペーストパターン）を１００℃で１０分間、乾燥させた後、レジストパターンと導体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００７２】
（５）それから、レジスト膜を剥離液（モノエタノールアミン水溶液）を用いて剥離、除去した。その後、大気中で７００℃で１時間、熱処理した。これにより、線幅（Ｌ）１５μｍ、線間（Ｓ）３３μｍ、高さ（ｔ）７μｍで、アスペクト比（ｔ／Ｌ）が０．４７の導体パターン（Ａｇパターン）を得ることができた。
【００７３】
この実施形態６により、フォトレジストとして、ネガ型のフォトレジストを用いた場合にも、高精細、高密度の導体パターンを形成できることが確認された。
ただし、ネガ型のフォトレジストを用いると、レジストパターンを剥離液を用いて除去する際に、５０〜６０℃まで加熱する必要があり、導体ペーストパターンが剥離液に溶解し易くなることから、ポジ型のフォトレジストを用いる場合よりも得られるパターンのアスペクト比が小さくなる傾向にあり、可能であればポジ型のフォトレジストを用いることが望ましい。
【００７４】
［実施形態７］
（１）上記実施形態６の場合と同様に、アルミナ基板上に、ネガ型で液状のフォトレジストを塗布して１５μｍ厚のレジスト膜を形成した。
【００７５】
（２）それから、上記実施形態６の場合と同様に、マスクを介して露光し、現像することにより、レジスト膜のパターニングを行い、線幅２７μｍ、高さ１５μｍ、長さ１ｍｍの線状のパターンが、線間２１μｍで複数配列されたレジストパターンを形成した。
【００７６】
（３）それから、このレジストパターン上に、実施形態２で用いたものと同じ、ネガ型の感光性絶縁体ペースト（感光性ガラスペースト）を充填して、絶縁体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）を形成した。
【００７７】
（４）次に、形成した絶縁体ペーストパターン（ガラスペーストパターン）を１００℃で１０分間、乾燥させた後、レジストパターンと絶縁体ペーストパターンからなる塗膜全面に、露光量１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）した。
【００７８】
（５）それから、レジスト膜を剥離液（モノエタノールアミン水溶液）を用いて剥離、除去した。その後、大気中で７００℃で１時間、熱処理した。これにより、線幅（Ｌ）１７μｍ、線間（Ｓ）３１μｍ、高さ（ｔ）９μｍで、アスペクト比（ｔ／Ｌ）が０．５３の絶縁体パターン（ガラスパターン）を得ることができた。
【００７９】
この実施形態７により、フォトレジストとして、ネガ型のフォトレジストを用いた場合にも、高精細、高密度の絶縁体パターンを形成できることが確認された。
ただし、ネガ型のフォトレジストを用いると、導体ペーストパターンの場合と同じ理由により、得られるパターンのアスペクト比が小さくなる傾向にあることから、可能であればポジ型のフォトレジストを用いることが望ましい。
【００８０】
［実施形態８］
この実施形態８では、感光性導体ペーストを構成する成分は上記実施形態１の場合と同じとする一方、感光性モノマーとポリマー（アクリルポリマー）の合計量に占める感光性モノマーの割合を３０重量％とした感光性導体ペーストを用い、その他の点では、上記実施形態１と同じ方法、同じ条件で導体ペーストを形成した。
【００８１】
その結果、線幅（Ｌ）１０μｍ、線間（Ｓ）３７μｍ、高さ（ｔ）５μｍで、アスペクト比（ｔ／Ｌ）が０．５０の導体パターン（Ａｇパターン）を得ることができた。ただし、感光性モノマーとポリマー（アクリルポリマー）の合計量に占める感光性モノマーの割合が３０重量％と低いことから、光硬化後の導体ペーストパターンがやや脆くなり、レジストパターンを剥離する際に、導体ペーストパターンも同時に剥がれやすくなる傾向が認められ、実施形態１，５の場合と比較して得られるパターンのアスペクト比は小さくなった。
【００８２】
したがって、感光性モノマーとポリマー（アクリルポリマー）の合計量に占める感光性モノマーの割合は、可能であれば８０〜９０重量％の範囲とすることが望ましい。
【００８３】
［比較例１］
この比較例１では、フォトレジストは用いずに、基材上に導体ペースト膜を形成し、この導体ペースト膜にフォトマスクを介して露光し、所定の領域を光硬化させた後、現像液を用いて現像し、不要部分を除去することにより導体パターンを形成した。以下、説明を行う。
【００８４】
まず、アルミナ基板上に、上記実施形態１で用いたものと同じ感光性導体ペースト、すなわち、粒径２μｍのＡｇ粉末、アクリルポリマー、感光性モノマー、溶剤、光重合開始剤、および分散剤からなるネガ型の感光性導体ペースト（感光性Ａｇペースト）を、スクリーン印刷機を用いて塗布することにより導体ペースト膜（Ａｇペースト膜）を形成した。
【００８５】
次に、形成した導体ペースト膜を１００℃で１０分間乾燥させた後、フォトマスクを介して、露光量２０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線を照射（露光）し、導体ペーストパターンを光硬化させたた。
【００８６】
それから、導体ペーストパターン（Ａｇペースト膜）の未硬化部（露光させなかった部分）を現像液（トリエタノールアミン水溶液）を用いて除去した後、大気中、７００℃で１時間熱処理した。
【００８７】
これにより、線幅（Ｌ）２１μｍ、線間（Ｓ）３２μｍ、高さ（ｔ）９μｍで、アスペクト比（ｔ／Ｌ）が０．４３の導体パターン（Ａｇパターン）を得た。
【００８８】
この比較例１の場合、塗布したペースト塗膜に対して、必要な部分を光硬化させ、未硬化部を現像液で除去しており、ペーストの未硬化部はレジストに比べて現像液に溶解し難いことから、精細で高アスペクト比のパターンを形成しにくいことが確認された。したがって、この比較例１の結果からも、本発明が有意義であることがわかる。
【００８９】
なお、上で説明した実施形態１〜８と比較例において用いたフォトレジストのネガ型とポジ型の種類、感光性ペーストの種類、感光性モノマーとポリマーの合計量に占める感光性モノマーの割合、露光量（ｍＪ／ｃｍ２）、レジスト塗布厚、形成されたパターン（導体パターンまたは絶縁体パターン）のラインの線幅（Ｌ）、ラインの間隔（Ｓ）、ラインの高さ（ｔ）、およびアスペクト比（ｔ／Ｌ）を、表１にまとめて示す。
なお、実施形態１〜３、５〜８、および比較例１でのＬ、Ｓ、ｔの値は、各条件で得られた最もアスペクト比が大きいパターンでの値である。
【００９０】
【表１】
0005928789.tif 000002
【００９１】
なお、上記実施形態４では、セラミック電子部品として、積層型のコモンモードチョークコイル（積層コイル部品）を例にとって説明したが、本発明は，コモンモードチョークコイルなどのコイル部品に限らず、セラミックコンデンサ、セラミック多層基板など種々のセラミック電子部品およびそれを製造する場合に広く適用することが可能である。
【００９２】
本発明はさらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、製造工程で導体ペーストパターン、絶縁体ペーストパターン、レジストパターンを形成するのに用いる感光性導体ペースト、感光性絶縁体ペースト、フォトレジストの組成や、製造工程における具体的な条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１          アルミナ基板（基材）
２          第１のコイル  
２ａ        第１のコイルを構成するコイル導体（引出し部）
２ｂ        第１のコイルを構成するコイル導体（コイル本体部）
２ｃ        第１のコイルの一方側端部
２ｄ        第１のコイルの他方側端部            
４          第２のコイル
４ａ        第２のコイルを構成するコイル導体（引出し部）
４ｂ        第２のコイルを構成するコイル導体（コイル本体部）
４ｃ        第２のコイルの一方側端部
４ｄ        第２のコイルの他方側端部            
５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ，５ｊ    ガラス層
６ａ，６ｂ  ビアホール
１０        コモンモードチョークコイル素子
１１        レジスト膜
１２ａ，１２ｂ      第１のコイルの両端部と導通する外部電極
１４ａ，１４ｂ      第２のコイルの両端部と導通する外部電極
２０        コモンモードチョークコイル（セラミック電子部品）
２２        レジストパターン
２２ａ      線状のパターン
２２ｂ      レジスト膜の、形成すべき導体パターンに対応する領域
２３        導体ペーストパターン（Ａｇペーストパターン）
２３ａ      感光性導体ペースト（Ａｇペースト）
１２３      焼成済みの導体パターン（Ａｇパターン）
【図１】
0005928789.tif 000003
【図２】
0005928789.tif 000004
【図３】
0005928789.tif 000005
【図４】
0005928789.tif 000006