(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に第１の粘着剤層、接着剤層および第２の粘着剤層がこの順に積層され、前記接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記第２の粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記第１の粘着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記リングフレームの外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記接着剤層の外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の外径が、前記接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープ。
【請求項２】
基材フィルム上に粘接着剤層および粘着剤層がこの順に積層され、前記粘接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記粘接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記粘接着剤層の外径より小さく、
前記粘着剤層の外径が、前記粘接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハ加工用テープに関し、特に半導体ウエハのダイシング・ダイボンディングに好適に使用されるウエハ加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハを個々のチップにダイシング（切断）する際に、半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断されたチップを基板等に接着するためのダイボンディングフィルムとの双方の機能を併せ持つウエハ加工用テープが開発されている。
ウエハ加工用テープは主に、基材フィルムと粘着剤層から形成されダイシングテープとして機能する粘着テープと、ダイボンディングフィルムとして機能する接着剤層とを備えており、接着剤層の表面が剥離フィルムで覆われた構成を有している。
【０００３】
ところで、近年、携帯機器向けのメモリ等の電子デバイスは、より一層の薄型化と高容量化が求められており、厚さ５０μｍ以下の半導体チップを多段積層する実装技術に対する要請は年々高まっている。このような要請に応えるべく、薄膜化を図ることができ、回路表面の凹凸を埋め込むことができるような柔軟性を有する接着剤層を有するウエハ加工用テープが開発され、開示されている（例えば、特許文献１，２参照）。回路表面の凹凸を埋め込むことができなければ、空隙が生じ、接着強度が著しく低下してしまう。
【０００４】
半導体チップ用の接着剤層を粘着テープに積層したウエハ加工用テープ、いわゆるダイシング・ダイボンディングシートは半導体ウエハをチップに分断する工程と、分断後の半導体チップを基板等に接着する工程の両方に利用でき、半導体実装工程の作業性改善に非常に有用である。
特に、接着剤層が半導体ウエハに対応して円形のラベル形状にプリカットされ、粘着テープが半導体ウエハ加工時の取扱性をよくするためにリングフレームに対応して接着剤層より大きい円形のラベル形状にプリカットされた、ダイシング・ダイボンディングシートは作業性に著しく優れている。
【０００５】
このようなウエハ加工用テープは、図１３に示すように、長尺の剥離フィルム２上に所定間隔で複数の接着剤層３が設けられ、各接着剤層３を同心円状に覆うと共に外縁部が剥離フィルム２に接するように粘着テープ４が積層されて構成されている（例えば、特許文献３，４参照）。
【０００６】
一般に、ウエハ加工用テープは、半導体ウエハをダイシングする前に半導体ウエハおよびリングフレームに貼合される。
詳しくは、図１４に示すように、ウエハ加工用テープ１は、そのロール体から巻き取りローラ３０により引き出される。その引き出し経路には、剥離用くさび３１が設けられており、この剥離用くさび３１の先端部を折り返し点として、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２が引き剥がされ、剥離フィルム２は巻き取りローラ３０に巻き取られる。
剥離用くさび３１の先端部の下方には、吸着ステージ３２が設けられており、この吸着ステージ３２の上面には、リングフレームＲ及び半導体ウエハＷが設けられている。剥離用くさび３１により剥離フィルム２が引き剥がされた接着剤層３と粘着テープ４は、半導体ウエハＷ上に導かれ、貼合ローラ３３によって半導体ウエハＷとリングフレームＲに貼合される。
【０００７】
その後、接着剤層３が半導体ウエハＷに貼り付けられ、粘着テープ４がリングフレームＲに貼り付けられた状態で、半導体ウエハＷがダイシングされる。
その後、粘着テープ４に対し必要に応じて放射線照射等の硬化処理が施され（硬化に際して放射線照射が必要な粘着テープ４と不要な粘着テープ４とがあり、前者の粘着テープ４には放射線照射され）、裏面に接着剤層３が付着した状態で半導体チップがピックアップされる。
その後、半導体チップは、裏面に付着した接着剤層３により、リードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにダイボンディング（接着）される。かかる場合、接着剤層３はダイボンディングフィルムとして機能する。
【０００８】
ところで、上記で説明したウエハ加工用テープ１の使用時において、接着剤層３と半導体ウエハＷとの間で貼合不良が生じる場合がある。
すなわち、接着剤層３は打ち抜き加工によりプリカットされた状態で使用される。その打ち抜き加工に際しては、まず、接着剤が剥離フィルム２上に塗工され、その後刃物が接着剤層３に押し付けられ、接着剤層３が切断される。
そのため、接着剤層３が外縁部で剥離フィルム２に癒着しており、剥離フィルム２がウエハ加工用テープ１から引き剥がされるときに、接着剤層３の剥離フィルム２との癒着部分が粘着テープ４との剥離の切っ掛けとなって、接着剤層３の当該部分が剥離フィルム２の剥離に引きずられて粘着テープ４から捲れ上がる。
粘着剤層３の捲り上がりの現象は、図１３に示すとおり、粘着剤層３と半導体ウエハＷとの貼合開始点に最も近い接着剤層３の外周部、すなわち一般的にはラベルの円周部において、最初に半導体ウエハＷに接近する部分（符号２０参照）から生じることが多い。
【０００９】
さらに、薄膜化によって脆くなった半導体チップを、破損させることなく接着剤層３ごとピックアップするためには、ウエハ加工用テープ１の粘着テープ４にはより低い粘着力が求められる。また、薄膜化された半導体チップを、多段積層させるためには、接着剤層３にはより薄くて柔軟な特性が求められる。
粘着力をより低くした粘着テープ４に、薄くて柔軟性の高い接着剤層３を積層してウエハ加工用テープ１を構成した場合、そのようなウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２を引き剥がそうとすれば、接着剤層３は剥離フィルム２の剥離に引きずられて粘着テープ４から捲れ上がり易く、接着剤層３と半導体ウエハＷとの間の貼合不良を助長することになる。
すなわち、粘着テープ４の粘着力の低下に起因して、剥離フィルム２と接着剤層３との間の剥離力と、接着剤層３と粘着テープ４との間の剥離力との差が小さくなることや、接着剤層３が薄くて柔軟であることに起因して、接着剤層３が剥離フィルム２に追随し易くなったことなどが原因で、いったん接着剤層３と粘着テープ４との間に剥離の切っ掛けが生じると、それが容易に広がってしまう。
このような問題を解決するために、接着剤層３の打ち抜き加工に際して切込み深さを２５μｍ以下に制御したウエハ加工用テープが開示されている（例えば、特許文献５，６参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１５４３５６号公報
【特許文献２】特開２００３−０６０１２７号公報
【特許文献３】特開２００７−００２１７３号公報
【特許文献４】特開２００７−２８８１７０号公報
【特許文献５】特開２００５−３５０５２０号公報
【特許文献６】特開２００６−１１１７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、前記特許文献等に記載されているようなウエハ加工用テープ１においても、打ち抜き加工の際には、接着剤層３を確実に切断するため切断部分の切込み深さをある程度は深くしなければならず、接着剤層３の捲り上がりの現象を十分に抑制することはできない。
【００１２】
したがって、本発明の主な目的は、ウエハ加工用テープから剥離フィルムを剥離する際に、粘着テープから接着剤層が捲れ上がるのを抑制することができるウエハ加工用テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様によれば、
基材フィルム上に第１の粘着剤層、接着剤層および第２の粘着剤層がこの順に積層され、前記接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記第２の粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記第１の粘着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記リングフレームの外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記接着剤層の外径より小さく、
前記第２の粘着剤層の外径が、前記接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープが提供される。
【００１６】
本発明の第２の態様によれば、
基材フィルム上に粘接着剤層および粘着剤層がこの順に積層され、前記粘接着剤層に半導体ウエハが貼合されかつ前記粘着剤層がリングフレームで固定される工程に用いられるウエハ加工用テープであって、
前記粘接着剤層の外径が、前記半導体ウエハの外径より大きく、
前記粘着剤層の内径が、前記半導体ウエハの外径より大きくて、前記粘接着剤層の外径より小さく、
前記粘着剤層の外径が、前記粘接着剤層の外径より大きいことを特徴とするウエハ加工用テープが提供される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の第１の態様によれば、第２の粘着剤層が接着剤層上に積層され、第２の粘着剤層の内径が接着剤層の外径より小さく、第２の粘着剤層の外径が接着剤層の外径より大きいから、第２の粘着剤層は接着剤層上から第１の粘着剤層または基材フィルム上にかけて跨り、接着剤層の周縁部が第２の粘着剤層で被覆される。そのため、剥離フィルムを剥離する際に、接着剤層が剥離フィルムの剥離に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。
【００１８】
本発明の第２の態様によれば、粘着剤層が粘接着剤層上に積層され、粘着剤層の内径が粘接着剤層の外径より小さく、粘着剤層の外径が粘接着剤層の外径より大きいから、粘着剤層は粘接着剤層上から基材フィルム上にかけて跨り、粘接着剤層の周縁部が粘着剤層で被覆される。そのため、剥離フィルムを剥離する際に、粘接着剤層が剥離フィルムの剥離に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるウエハ加工用テープの概略的な積層構造を示す断面図である。
【図２】接着剤層と粘着剤層との関係を概略的に示す平面図である。
【図３】ウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングシート）と半導体ウエハ、リングフレームとの関係を概略的に示す断面図である。
【図４】図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−１）を示す断面図である。
【図５】図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−２）を示す断面図である。
【図６】図１〜図３のウエハ加工用テープの変形例（１−３）を示す断面図である。
【図７】図１〜図６の粘着剤層の変形例を概略的に示す断面図である。
【図８】図７の粘着剤層の概略的な態様を示す平面図である。
【図９】図７の粘着剤層の概略的な態様を示す平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態にかかるウエハ加工用テープ（ダイシング・ダイボンディングシート）の概略的な積層構造を示す断面図である。
【図１１】図１０の粘接着剤層１０の変形例を示す断面図である。
【図１２】図１０の粘接着剤層１０の変形例を示す断面図である。
【図１３】従来技術および比較例１，２のダイシング・ダイボンディングシートの形状を示す平面図である。
【図１４】ウエハ加工用テープを半導体ウエハおよびリングフレームに貼合する装置・方法を概略的に説明するための図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００２１】
［第１の実施形態］
図１に示すとおり、ウエハ加工用テープ１は、剥離フィルム２、接着剤層３および粘着テープ４を有している。
粘着テープ４は主に、粘着剤層５、粘着剤層６および基材フィルム７で構成され、基材フィルム７上に粘着剤層５と粘着剤層６とがこの順に積層されている。
本実施形態では、接着剤層３および粘着テープ４でダイシング・ダイボンディングシートが構成され、当該ダイシング・ダイボンディングシートは、剥離フィルム２上に連続して複数枚形成されている（図１３参照）。
【００２２】
基材フィルム７は円形状を呈している。
基材フィルム７上にはこれと同形状（円形状）の粘着剤層５が形成されている。
粘着剤層５上の中央部には円形状の接着剤層３が形成されている。
粘着剤層５上の周縁部にはドーナツ状の粘着剤層６が形成されている。
図１および図２に示すとおり、粘着剤層６は接着剤層３上から粘着剤層５上にかけて跨っており、接着剤層３上の周縁部を被覆している。
【００２３】
ウエハ加工用テープ１の使用時においては、ウエハ加工用テープ１から剥離フィルム２が剥離され、図３に示すとおり、接着剤層３には半導体ウエハＷが貼合され、粘着剤層６がリングフレーム６により固定される（図１４参照）。
剥離フィルム２を剥離したウエハ加工用テープ１と半導体ウエハＷ、リングフレームＲとの主な関係は下記のとおりとなっている。
粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きい。
接着剤層３の外径３ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、リングフレームＲの外径Ｒａおよび内径Ｒｂより小さい。
粘着剤層６の内径６ｂは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、接着剤層３の外径３ａより小さい。
【００２４】
以下、ウエハ加工用テープ１の各構成や製造方法、使用方法などについて具体的に説明する。
【００２５】
《剥離フィルム》
剥離フィルム２は、矩形の帯状に形成され、一方向が十分に長くなるように形成されている。剥離フィルム２は、製造時及び使用時にキャリアフィルムとしての役割を果たすものである。
剥離フィルム２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。剥離フィルム２の厚さは特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、好ましくは２５〜５０μｍである。
【００２６】
《接着剤層》
接着剤層３は、半導体ウエハＷ等が貼り合わされてダイシングされた後、そのチップをピックアップする際にチップの裏面に付着して、チップが基板やリードフレームに固定される際の接着剤として使用される。
接着剤層３は、その厚さが２５μｍ以下が望ましい。
接着剤層３は、６０℃における熱硬化前の貯蔵弾性率が２×１０6Ｐａ未満となることが望ましい。「貯蔵弾性率」とは、弾性、粘性を併せ持つ高分子の力学的特性を分析する動的粘弾性測定において、弾性に相当するものである。
接着剤層３としては、特に限定されるものではないが、ダイシング・ダイボンディングシートに一般的に使用されるフィルム状接着剤であれば良く、好ましくはアクリル系粘接着剤、エポキシ樹脂／フェノール樹脂／アクリル樹脂のブレンド系粘接着剤等である。接着剤層３の厚さは適宜設定してよいが、好ましくは５〜２５μｍ程度である。
【００２７】
接着剤層３は、剥離フィルム２上に接着剤のワニスを塗工し乾燥させてフィルム化したものを、基材フィルム７上に形成された粘着剤層５にラミネートして形成するとよい。ラミネート時の温度は１０〜１００℃の範囲で、０．１〜１００ｋｇｆ／ｃｍの線圧をかけることが好ましい。
接着剤層３は半導体ウエハＷに応じた形状に切断された（プリカットされた）形状を有する。切断は所定の形状の刃物で接着剤層３を剥離フィルム２に押し付けることで行なうのがよい。その際、接着剤層３を完全に切断する為、剥離フィルム２も少なくとも１μｍもしくはそれ以上切り込む必要があり、剥離フィルム２には接着剤層３の外縁に沿う少なくとも１μｍ以上の切り込みが形成されている。切断後、接着剤層３の不要部分は除去される。
【００２８】
《粘着剤層》
（１）粘着剤層５
粘着剤層５は、プリカット加工により、フィルム状粘着剤から不要領域を除去することで形成することができる。
粘着剤層５としては、特に制限はなく、半導体ウエハＷをダイシングする際、半導体ウエハＷが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップをピックアップする際には容易に接着剤層３から剥離できるような低い粘着力を示すものであればよい。
ダイシング後のピックアップ性を向上させるために、粘着剤は放射線硬化性のものが好ましい。粘着剤層５の粘着剤は、放射線の照射により接着剤層３との間の粘着力が低下する材料から構成される。
【００２９】
例えば、粘着剤においては、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれた少なくとも１種の化合物（Ｂ）を付加反応させてなるポリマーを含有していることが好ましい。
【００３０】
粘着剤に含有されるポリマーの主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。
化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量はヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、放射線照射後の粘着剤の流動性が十分で、延伸後の素子間隙を十分得ることができるため、ピックアップ時に各素子の画像認識が困難になるという問題を抑制できる。さらに、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。
化合物（Ａ）は、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、−６６℃〜−２８℃であることがより好ましい。ガラス転移点（以下「Ｔｇ」という。）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分であり、０℃以下であれば、表面状態が粗い半導体ウエハＷにおけるダイシング後の素子の飛散防止効果が十分得られる。
【００３１】
化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（１）と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（２）とを反応させて得たものが用いられる。
【００３２】
このうち、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（１）は、アクリル酸アルキルエステルやメタクリル酸アルキルエステルなどの放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなどを列挙することができる。
単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総重量の５重量％以下の範囲内で可能である。
【００３３】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。
【００３４】
化合物（２）において用いられる官能基としては、単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
化合物（１）と化合物（２）の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などの特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。
【００３５】
上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどの、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００３６】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１００万程度が好ましい。３０万未満では、凝集力が小さくなって、半導体ウエハＷをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が４０万以上であることが好ましい。また、分子量が１００万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。
なお、本実施形態における「分子量」とは、ポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００３７】
また、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、化合物（Ａ）が、酸価０．５〜３０となるＣＯＯＨ基を有することが好ましい。
ここで、化合物（Ａ）の水酸基価が低すぎると、放射線照射後の粘着力の低減効果が十分でなく、高すぎると、放射線照射後の粘着剤の流動性を損なう傾向がある。また酸価が低すぎると、テープ復元性の改善効果が十分でなく、高すぎると粘着剤の流動性を損なう傾向がある。
【００３８】
次に、粘着剤のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。
化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独で、または２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）または剥離フィルム２と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００３９】
ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。
【００４０】
ポリイソシアネート類としては、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製商品名）等を用いることができる。
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル株式会社製商品名）、メラン（日立化成工業株式会社製商品名）等を用いることができる。
エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製商品名）等を用いることができる。
本実施形態においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。
【００４１】
化合物（Ｂ）の添加量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．４〜３重量部とすることがより好ましい。その量が０．１重量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０重量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成されるため、作業性が損なわれるからである。
【００４２】
本実施形態において、粘着剤には、光重合開始剤（Ｃ）が含まれていることが好ましい。
粘着剤に含まれる光重合開始剤（Ｃ）には、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
化合物（Ｃ）の添加量は、化合物（Ａ）１００重量部に対して、０．１〜１０重量部とすることが好ましく、０．５〜５重量部とすることがより好ましい。
【００４３】
さらに、本実施形態に用いられる放射線硬化性の粘着剤には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤あるいはその他の改質剤および慣用成分等を配合することができる。また、粘着剤には無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
粘着剤層５の厚さは、通常のウエハダイシング加工と併用して処理を行うことがある場合には少なくとも５μｍ、より好ましくは１０μｍ以上であることが好ましい。また、レーザーダイシング加工のみ行う場合には少なくとも５μｍ以下、より好ましくはチップ保持力を失わない範囲でできる限り薄くすることが好ましい。
なお、粘着剤層５は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００４４】
（２）粘着剤層６
粘着剤層６はその組成が粘着剤層５と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
粘着剤層６はその粘着力が粘着剤層５と等しくてもよいし、異なっていてもよいが、好ましくは（粘着剤層６の粘着力）≧（粘着剤層５の粘着力）の関係を満たすのがよい。
粘着剤層６の粘着力と粘着剤層５の粘着力とを異ならせる場合、その方法は特に限定されるものではないが、例えば、粘着剤５を放射線（紫外線もしくはエネルギー線）硬化型の樹脂組成物から構成し、粘着剤層５に対してのみ予め適当な放射線の照射をおこなえばよい。
【００４５】
《基材フィルム》
基材フィルム７は、粘着剤層５として放射線硬化性の粘着剤を使用する場合には、その粘着剤が硬化する波長での放射線透過性のよいものを選択することが必要とされる。
【００４６】
基材フィルム７の表面には、粘着剤との接着性を向上させるためにコロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。基材フィルム７の厚みは、強伸度特性、放射線透過性の観点から通常３０〜３００μｍが適当である。
【００４７】
基材フィルム７としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。
【００４８】
なお、素子間隙を大きくするためには、ネッキング（基材フィルム７を放射状延伸したときに起こる力の伝播性不良による部分的な伸びの発生）の極力少ないものが好ましく、ポリウレタン、分子量およびスチレン含有量を限定したスチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体等を例示することができ、ダイシング時の伸びあるいはたわみを防止するには架橋した基材フィルム７を用いると効果的である。
【００４９】
《ウエハ加工用テープの製造方法》
まず、接着剤を剥離フィルム２上に塗布して乾燥させ、接着剤層３を形成する。かかる場合、接着剤を半硬化させ、熱硬化性樹脂の硬化中間状態（Ｂステージ状態）とする。
その後、プリカット加工により、接着剤層３を円形状にプリカットする。
【００５０】
剥離フィルム２への接着剤層３の形成とは別に、基材フィルム７上に円形状の粘着剤層５を形成して粘着テープ４を形成し、粘着テープ４に対し、プリカット加工された接着剤層３を有する剥離フィルム２をラミネートする。
かかる場合、粘着テープ４の粘着剤層５と接着剤層３とを貼り合わせる。
【００５１】
その後、剥離フィルム２を剥離し、接着剤層３上にスクリーン印刷をおこなって粘着剤層６を形成し、接着剤層３の周縁部を粘着剤層６で被覆する。
最後に、剥離フィルム２を、接着剤層３と粘着剤層６とに貼り合わせる。
以上の処理により、ウエハ加工用テープ１を製造することができる。製造したウエハ加工用テープ１はコアに巻き取られ、ロール体の状態で出荷される。
なお、剥離フィルム２上に粘着剤層６をあらかじめ形成しておき、当該剥離フィルム２を、プリカット加工済みの接着剤層３、粘着剤層５および基材フィルム７からなるフィルムに貼合して、ウエハ加工用テープ１を製造することも可能である。
【００５２】
《ウエハ加工用テープの使用方法》
半導体ウエハＷのダイシングを行う前に、ウエハ加工用テープ１を半導体ウエハＷおよびリングフレームＲに貼りつける（図１４参照）。
詳しくは、ウエハ加工用テープ１を、ウエハ加工用テープ１のロール体から引き出し方向Ａに沿って剥離用くさび３１へと引き出し、剥離用くさび３１の先端部を折り返し点として、剥離フィルム２をウエハ加工用テープ１から剥離して巻き取りローラ３０に巻き取る。これに連動するように吸着ステージ３２を移動させ、貼合ローラ３３により、半導体ウエハＷを接着剤層３に貼合させ、リングフレームＲを粘着剤層６に貼合させる。
【００５３】
その後、接着剤層３を半導体ウエハＷに貼合させ、かつ、粘着剤層６をリングフレームＲにより固定した状態で、半導体ウエハＷをダイシングし、複数の半導体チップを製造する。
その後、粘着剤層５と粘着剤層６とに放射線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着剤層５および粘着剤層６は硬化処理によって粘着力が低下し、接着剤層３は粘着剤層５および粘着剤層６から容易に剥離され、半導体チップは裏面に接着剤層３が付着した状態でピックアップされる。
その後、ピックアップした半導体チップを、リードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにマウントする。かかる場合、半導体チップの裏面に付着した接着剤層３は、半導体チップがリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップにマウントされる際のダイボンディングフィルムとして機能する。
【００５４】
以上のウエハ加工用テープ１によれば、接着剤層３上の周縁部のうち、少なくとも引き出し方向Ａの前側の先端部が粘着剤層６により被覆されている。
そのため、プリカット加工により接着剤層３が剥離フィルム２に癒着していたとしても、剥離フィルム２２を引き剥がす際に、接着剤層３が剥離フィルム２に引きずられて捲れ上がるのを抑制することができる。
その結果、半導体ウエハＷと接着剤層３との間の貼合不良の発生を防止することができる。
さらに、接着剤層３は粘着剤層６で粘着テープ４との剥離の切っ掛けとなる部分（図１３の剥離部分２０参照）が覆われているから、粘着剤層５を低粘着力の粘着剤で構成したとしても、接着剤層３が捲れ上がるのを抑制することができ、ダイシング後の半導体チップのピックアップ効率を向上させることが可能となる。
【００５５】
なお、接着剤層３、粘着剤層５および粘着剤層６の形状（サイズ）等は、図３の態様に限定されず、図４〜図６のような態様を有していてもよい（変形例１−１〜１−３参照）。
【００５６】
［変形例１−１］
図４に示すとおり、粘着剤層５の外径５ａを縮小して粘着剤層６を接着剤層３上から粘着剤層５を経由して基材フィルム７上まで跨らせてもよい。
かかる場合でも、粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくする。
【００５７】
［変形例１−２］
図５に示すとおり、接着剤層３の外径３ａを拡大してもよい。
かかる場合、接着剤層３の外径３ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、リングフレームＲの外径Ｒａより小さく、リングフレームＲの内径Ｒｂより大きくする。
【００５８】
［変形例１−３］
図６に示すとおり、粘着剤層５の外径５ａを縮小して粘着剤層５を接着剤層３で被覆してもよい。
かかる場合でも、粘着剤層５の外径５ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくする。
【００５９】
本実施形態では、粘着剤層５と粘着剤層６とが直接積層されている構成（図３〜図５の構成）が好適に用いられる。
【００６０】
さらに、本実施形態（変形例１−１〜１−３を含む。）では、図７に示すとおり、接着剤層３上の周縁部の一部だけを、粘着剤層６で被覆してもよい。
かかる場合、接着剤層３上の周縁部のうち、例えば、図８に示すように、剥離フィルム２の引き出し方向Ａの前側半分のみを被覆してもよいし、図９に示すように、引き出し方向Ａの前側の先端部のみを被覆してもよい。
すなわち、接着剤層３の周縁部のうち、接着剤層３の剥離フィルム２との剥離開始点（図１３の剥離部分２０参照）を、粘着剤層６で被覆すればよい。
【００６１】
［第２の実施形態］
本実施形態は、主に下記の点で第１の実施形態と異なっている。
【００６２】
図１０に示すとおり、基材フィルム７の中央部には、円形状の粘接着剤層１０が形成されている。粘接着剤層１０は第１の実施系形態にかかる接着剤層３と粘着剤層５との双方の機能を有する層である。
粘着剤層６は粘接着剤層１０上から基材フィルム７上にかけて跨っており、粘接着剤層１０上の周縁部を被覆している。
粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きい。
粘着剤層６の内径６ｂは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きく、粘接着剤層１０の外径１０ａより小さい。
【００６３】
なお、粘接着剤層１０および粘着剤層６の形状（サイズ）等は、図１０の態様に限定されず、図１１，図１２のような態様を有していてもよい（変形例２−１，２−２参照）。
【００６４】
［変形例２−１］
図１１に示すとおり、粘接着剤層１０の外径１０ａを拡大してもよい。
かかる場合も、粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくし、好ましくはリングフレームＲの外径Ｒａより小さく、リングフレームＲの内径Ｒｂより大きくする。
【００６５】
［変形例２−２］
図１２に示すとおり、粘接着剤層１０の外径１０ａをさらに拡大してもよい。
かかる場合も、粘接着剤層１０の外径１０ａは、半導体ウエハＷの外径Ｗａより大きくし、好ましくはリングフレームＲの外径Ｒａと同等とする。
【００６６】
本実施形態では、基材フィルム７と粘着剤層６とが直接積層されている構成（図１０〜図１１の構成）が好適に用いられる。
【００６７】
もちろん、本実施形態（変形例２−１〜２−２を含む。）でも、第１の実施形態において接着剤層３上の周縁部の一部だけを粘着剤層６で被覆したのと同じように（図７〜図９参照）、粘接着剤層１０上の周縁部の一部だけを、粘着剤層６で被覆してもよい。
【実施例】
【００６８】
（１）サンプルの作製
（１．１）基材フィルムの準備
基材フィルムとして、厚さ１００μｍのＰＰ/エラストマー共重合体フィルムを用いた。
【００６９】
（１．２）粘着剤層の作製
粘着剤層組成物２Ａ〜２Ｆとして、下記の表１に示す粘着剤層組成物を調製した。表１中、各組成物の単位は質量部である。
その後、これらの粘着剤層組成物を、基材フィルム上に塗布し、１１０℃で３分間乾燥させ、粘着剤層を作製した。
【００７０】
（１．２．１）粘着剤層組成物２Ａ
粘着剤層組成物２Ａは、アクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ａは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
共重合体化合物は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物であって、詳しくは２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量７０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）−６４℃、放射線硬化性炭素−炭素二重結合量０．９ｍｅｑ／ｇという特性を有する共重合体化合物である。
硬化剤としては、ポリイソシアネート化合物コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、商品名）を用いた。
光重合開始剤としては、イルガキュア１８４（日本チバガイギー株式会社製、商品名）を用いた。
【００７１】
（１．２．２）粘着剤層組成物２Ｂ
粘着剤層組成物２Ｂは、粘着剤層組成物２Ａよりも硬化剤を減量したアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｂは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤１質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
【００７２】
（１．２．３）粘着剤層組成物２Ｃ
粘着剤層組成物２Ｃは、粘着剤層組成物２Ａよりも硬化剤を増量したアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｃは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤５質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
【００７３】
（１．２．４）粘着剤層組成物２Ｄ
粘着剤層組成物２Ｄは、粘着剤層組成物２Ａよりも共重合体化合物の質量平均分子量を大きくしたアクリル系粘着剤である。当該共重合体化合物の質量平均分子量は１１０万である。
粘着剤層組成物２Ｄは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
【００７４】
（１．２．５）粘着剤層組成物２Ｅ
粘着剤層組成物２Ｅは、粘着剤層組成物２Ａよりも共重合体化合物の質量平均分子量を小さくしたアクリル系粘着剤である。当該共重合体化合物の質量平均分子量は２０万である。
粘着剤層組成物２Ｅは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
【００７５】
（１．２．６）粘着剤層組成物２Ｆ
粘着剤層組成物２Ｆは、粘着剤層組成物２Ａの共重合体化合物を変更して、質量平均分子量を小さくしたアクリル系粘着剤である。
粘着剤層組成物２Ｆは、表１に示すように、共重合体化合物１００質量部に対して、硬化剤２質量部を加え、さらに光重合開始剤５質量部を加えて混合した放射線硬化性の粘着剤層組成物である。
共重合体化合物は、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物であって、詳しくは２−エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメチルメタクリレートからなり、質量平均分子量２０万、ガラス転移温度（Ｔｇ）−５℃、放射線硬化性炭素−炭素二重結合量０．９ｍｅｑ／ｇという特性を有する共重合体化合物である。
【００７６】
【表１】
0005950519.tif 000002
【００７７】
（１．３）剥離フィルムの準備
剥離フィルムとして、厚さ２５μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた。
【００７８】
（１．４）接着剤層の作製
エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、分子量１２００、軟化点７０℃）５０質量部、シランカップリング剤としてγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン１．５質量部、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン３質量部、平均粒径１６ｎｍのシリカフィラー３０質量部からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、更にビーズミルを用いて９０分混練した。
これにアクリル樹脂（質量平均分子量：８０万、ガラス転移温度−１７℃）１００質量部、６官能アクリレートモノマーとしてジペンタエリスリトールヘキサアクリレート５質量部、硬化剤としてヘキサメチレンジイソシアネートのアダクト体０．５質量部、キュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）２．５質量部を加え、攪拌混合し、真空脱気し、接着剤層組成物を得た。
その後、上記接着剤組成物を剥離フィルム上に塗布し、１１０℃で１分間加熱乾燥させ、膜厚が２０μｍのＢステージ状態（熱硬化性樹脂の硬化中間状態）の接着剤層を形成し、所定の形状に切断し、連続して並ぶ島状のラベルを残し、当該接着剤層の島状以外の部分を剥離フィルム上から除去した。
【００７９】
（１．５）ウエハ加工用テープの作製
剥離フィルム上に形成された島状の接着剤層を、粘着テープ（基材フィルムに粘着剤層を形成したもの）に貼り付け、いったん剥離フィルムを剥がした。
その後、実施例１〜５，比較例１のサンプルにおいては、図９に示すとおり、接着剤層上の周縁部の一部（先端部）に粘着剤層を形成して当該一部を粘着剤層で被覆した。実施例６〜１０，比較例２のサンプルにおいては、図８に示すとおり、接着剤層の周縁部の全部に粘着剤層を形成して当該全部を粘着剤層で被覆した。
その後、接着剤層と被覆用の粘着剤層とに対し、剥離フィルムを貼り付けてウエハ加工用テープとした。
【００８０】
（２）サンプルの評価
（２．１）貼合試験
ウエハ加工用テープの各サンプルの接着剤層に対し、厚さ５０μｍ、直径２００ｍｍのシリコンウエハを、図１４に示す方法により、加熱温度７０℃，貼合速度１２ｍｍ／ｓで貼合した。
上記貼合作業を１００回試行し、接着剤層が粘着テープから一部捲れ上がった状態でシリコンウエハに貼合された場合を、貼合不良と見做してカウントした。
試験結果を表２に示す。
表２中、○，×の基準は下記のとおりとした。
「○」：１００枚中、捲れ上がりの発生がまったくないかまたは１枚ある
「×」：１００枚中、捲れ上がりの発生が２枚以上ある
【００８１】
（２．２）ピックアップ試験
シリコンウエハを貼合した状態のウエハ加工用テープの各サンプルにおいて、ダイシング装置（Ｄｉｓｃｏ製  ＤＦＤ６３４０）を用いて、シリコンウエハおよび接着剤層を５ｍｍ×５ｍｍサイズにダイシングした。
なお、実施例５，１０のサンプルに関しては、ピックアップ前にメタルハライドランプを用いて５０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
その後、各サンプルに対して、ピックアップ装置（キヤノンマシナリー製  ＣＡＰ−３００II）を用いて、１００チップに対してピックアップを試行し、そのうちいくつのチップでピックアップが成功したかそのチップ数を数えた。
その際、チップが破損した場合はピックアップが失敗したとみなした。
試験結果を表２に示す。
表２中、◎，○の基準は下記のとおりとした。
「◎」：ピックアップの成功率が９８％以上である
「○」：ピックアップの成功率が９０〜９７％である
【００８２】
【表２】
0005950519.tif 000003
【００８３】
（３）まとめ
表２に示すとおり、比較例１，２のサンプルでは、貼合試験の際に接着剤層が剥離フィルムの剥離に伴い捲り上がった。
これに対し、実施例１〜５，６〜１０のサンプルでは、貼合試験の際に接着剤層の捲り上がりが抑制され貼合試験の結果は良好であり、ピックアップ試験でも結果は良好または最良であった。
以上から、接着剤層上の周縁部の一部または全部を粘着剤層で被覆することは、接着剤層の捲り上がりを抑制する上で有用であることがわかる。
【符号の説明】
【００８４】
１  ウエハ加工用テープ
２  剥離フィルム
３  接着剤層
３ａ  外径
４  粘着テープ
５  粘着剤層
５ａ  外径
６  粘着剤層
６ｂ  内径
７  基材フィルム
１０  粘接着剤層
１０ａ  外径
２０  剥離部分
３０  巻き取りローラ
３１  剥離用くさび
３２  吸着ステージ
３３  貼合ローラ
Ａ  剥離フィルムの引き出し方向
Ｒ  リングフレーム
Ｒａ  外径
Ｒｂ  内径
Ｗ  半導体ウエハ
Ｗａ  外径
【図１】
0005950519.tif 000004
【図２】
0005950519.tif 000005
【図３】
0005950519.tif 000006
【図４】
0005950519.tif 000007
【図５】
0005950519.tif 000008
【図６】
0005950519.tif 000009
【図７】
0005950519.tif 000010
【図８】
0005950519.tif 000011
【図９】
0005950519.tif 000012
【図１０】
0005950519.tif 000013
【図１１】
0005950519.tif 000014
【図１２】
0005950519.tif 000015
【図１３】
0005950519.tif 000016
【図１４】
0005950519.tif 000017