(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｂａ１−ｘ−ｙ ，Ｃａｘ ，Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ−ａ ，Ｚｒｚ ，Ｓｎａ ）Ｏ３  の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第３副成分は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有され、
前記第３副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０２〜１．５重量％含有されている誘電体磁器組成物。
【請求項２】
０．０６≦ｚ≦０．１６である請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
０．９７≦ｍ＜１．００である請求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物および電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、急速に進む電気機器の高性能化に伴い、電気回路の小型化、複雑化もまた急速に進んでいる。そのため、電子部品にもより一層の小型化、高性能化が求められている。すなわち、良好な温度特性を維持しつつ、小型化しても静電容量を維持するために比誘電率が高く、さらに高電圧下で使用するために交流破壊電圧が高い誘電体磁器組成物および電子部品が求められている。
【０００３】
従来、磁器コンデンサ、積層コンデンサ、高周波用コンデンサ、高電圧用コンデンサ等として広く利用されている高誘電率誘電体磁器組成物として、特許文献１〜４のようにＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  −ＣａＴｉＯ３  −ＳｒＴｉＯ３  系の磁器組成物を主成分としたものが知られている。
【０００４】
しかし、このような従来のＢａＴｉＯ３  −ＢａＺｒＯ３  −ＣａＴｉＯ３  −ＳｒＴｉＯ３  系の磁器組成物は、強誘電性であるため、高い静電容量、低い誘電損失を維持したまま、高い交流破壊電圧を確保することが困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開１９９４−３０２２１９号公報
【特許文献２】特開２００３−１０４７７４号公報
【特許文献３】特開２００３−１０９４３０号公報
【特許文献４】特開２００４−２３８２５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、このような誘電体磁器組成物により構成される誘電体層を有する電子部品を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために、鋭意検討を行った結果、誘電体磁器組成物の組成を特定の成分とし、これらの比率を所定範囲とすることにより、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、上記課題を解決する本発明に係る誘電体磁器組成物は、
（Ｂａ１−ｘ−ｙ ，Ｃａｘ ，Ｓｒｙ ）ｍ （Ｔｉ１−ｚ−ａ ，Ｚｒｚ ，Ｓｎａ ）Ｏ３  の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分とを有する誘電体磁器組成物であって、
前記組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０であり、
前記組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５であり、
前記組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２であり、
前記組成式中のａが０≦ａ≦０．２であり、
前記組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３であり、
前記組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３であり、
前記第１副成分は、酸化亜鉛であり、
前記第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第３副成分は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、
前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されており、
前記第２副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有され、
前記第３副成分は前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０２〜１．５重量％含有されている。
【０００９】
本発明によれば、比誘電率および交流破壊電圧が高く、誘電損失が低く、温度特性および焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００１０】
本発明の実施形態に係る電子部品は、前記誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有する。
【００１１】
本発明の実施形態に係る電子部品としては、特に限定されないが、単板型セラミックコンデンサ、貫通型コンデンサ、積層セラミックコンデンサ、圧電素子、チップインダクタ、チップバリスタ、チップサーミスタ、チップ抵抗、その他の表面実装（ＳＭＤ）チップ型電子部品が例示される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの正面図、図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るセラミックコンデンサの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００１４】
セラミックコンデンサ２
図１（Ａ）に示すように、本発明の実施形態に係るセラミックコンデンサ２は、誘電体層１０と、その対向表面に形成された一対の端子電極１２，１４と、この端子電極１２，１４に、それぞれ接続されたリード端子６，８とを有する構成となっており、これらは保護樹脂４に覆われている。セラミックコンデンサ２の形状は、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、誘電体層１０が円板形状となっている円板型のコンデンサであることが好ましい。また、そのサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよいが、通常、直径が３〜２０ｍｍ程度、好ましくは３〜１５mm程度である。
【００１５】
誘電体層１０の厚みは、特に限定されず、用途等に応じて適宜決定すれば良いが、好ましくは０．３〜２ｍｍである。誘電体層１０の厚みを、このような範囲とすることにより、中高圧用途に好適に用いることができる。
【００１６】
端子電極１２，１４は、導電材で構成される。端子電極１２，１４に用いられる導電材としては、たとえば、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が挙げられる。
【００１７】
誘電体層１０
セラミックコンデンサ２の誘電体層１０は、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物により構成される。
【００１８】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、（Ｂａ１−ｘ−ｙ，Ｃａｘ，Ｓｒｙ）ｍ（Ｔｉ１−ｚ−ａ，Ｚｒｚ，Ｓｎａ）Ｏ３  の組成式で表わされる主成分と、第１副成分と、第２副成分と、第３副成分とを有する誘電体磁器組成物である。
【００１９】
組成式中のｘは、Ｃａの比率を表し、その範囲は０．０３≦ｘ≦０．３０である。Ｃａがこの範囲で含有されることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｘは、好ましくは０．０３≦ｘ≦０．１７、さらに好ましくは０．０８≦ｘ≦０．１６である。
【００２０】
前記組成式中のｙは、Ｓｒの比率を表し、その範囲は０．００＜ｙ≦０．０５である。Ｓｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率が向上し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｙは好ましくは０．００６≦ｙ≦０．０３、さらに好ましくは０．００６≦ｙ≦０．０２である。
【００２１】
前記組成式中のｚは、Ｚｒの比率を表し、その範囲は０．０２＜ｚ≦０．２である。Ｚｒがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、低温側と高温側の両方の温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚは好ましくは０．０６≦ｚ≦０．１６、さらに好ましくは０．０６≦ｚ≦０．１５である。
【００２２】
前記組成式中のａは、Ｓｎの比率を表し、その範囲は０≦ａ≦０．２である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ａは好ましくは０≦ａ≦０．１６、さらに好ましくは０≦ａ≦０．１５である。
【００２３】
前記組成式中のｚ＋ａは、ＺｒとＳｎの合計比率を表し、その範囲は０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３である。Ｓｎがこの範囲で含有されることにより、比誘電率および交流破壊電圧が向上し、誘電損失が低下し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から、ｚ＋ａは好ましくは０．０６≦ｚ＋ａ≦０．２である。
【００２４】
前記組成式中のｍはＡサイトの成分であるＢａ、Ｃａ、Ｓｒと、Ｂサイト成分であるＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎのモル比を表わし、０．９７≦ｍ≦１．０３である。ｍをこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧および焼結性が向上する傾向となる。このような観点から、ｍは好ましくは０．９７≦ｍ≦１．００、さらに好ましくは０．９７≦ｍ＜１．００である。
【００２５】
前記第１副成分は、酸化亜鉛である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、前記第１副成分が前記主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％含有されている。第１副成分の含有量をこの範囲とすることにより、比誘電率、交流破壊電圧、焼結性が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。このような観点から第１副成分の含有量は好ましくは、好ましくは０．４５〜６重量％、さらに好ましくは０．８〜６重量％である。
【００２６】
第２副成分は、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、好ましくはＬａ、Ｐｍ、Ｎｄ、Ｓｍ、ＧｄおよびＹから選ばれる少なくとも１種の酸化物である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第２副成分が前記主成分１００重量％に対して０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている。第２副成分の含有量をこの範囲にすることで、交流破壊電圧が向上し、温度特性が良好になる傾向となる。また、本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、所定の組成および量の主成分を有し、所定の量の第１副成分を有することにより、第２副成分の含有量を比較的少なくしても、交流破壊電圧を向上させ、温度特性を良好にすることができる。このような観点から、第２副成分の含有量は好ましくは０．００５〜０．１重量％、さらに好ましくは０．０１重量％以上０．０９重量％以下である。
【００２７】
第３副成分は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の酸化物であり、好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、ＭｇおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の酸化物である。本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第３副成分が主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０２〜１．５重量％、好ましくは０．０５〜１．２重量％含有されている。第３副成分の含有量をこの範囲にすることで、交流破壊電圧が特に向上し、誘電率が高く、誘電損失も小さく、温度特性が良好になる。
【００２８】
セラミックコンデンサ２の製造方法 
次に、セラミックコンデンサ２の製造方法について説明する。
まず、焼成後に図１に示す誘電体層１０を形成することとなる誘電体磁器組成物粉末を製造する。 
【００２９】
主成分の原料および各副成分の原料を準備する。主成分の原料としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎの各酸化物および／または焼成により酸化物となる原料や、これらの複合酸化物などが挙げられ、たとえば、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３  ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３  ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３  ）、酸化チタン（ＴｉＯ２  ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２  ）、酸化スズ（ＳｎＯ２  ）などを用いることができる。この他、たとえば水酸化物など、焼成後に酸化物やチタン化合物となる種々の化合物を用いることも可能である。その場合、金属元素の元素数が合うように、含有量を適宜変更すればよい。
【００３０】
また、主成分の原料は、固相法により製造してもよいし、水熱合成法や蓚酸塩法などの液相法により製造してもよいが、製造コストの面から、固相法により製造することが好ましい。
【００３１】
第１副成分、第２副成分および第３副成分の原料としては、特に限定されず、焼成により上記した酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択して用いることができる。
【００３２】
本発明の実施形態に係る誘電体磁器組成物の製造方法としては、まず主成分の原料または、主成分の原料と各副成分の原料とを配合し、ジルコニアボールなどによるボールミルなどを用いて湿式混合する。第１副成分〜第３副成分をこの時点で配合する場合には、上記した誘電体磁器組成物の組成になるように第１副成分〜第３副成分を配合してもよいし、一部のみ配合して、仮焼き後に残りの第１副成分〜第３副成分を添加してもよい。
【００３３】
得られた混合物を、造粒し、成形して、得られた成形物を、空気雰囲気中にて仮焼きすることにより、仮焼き粉を得ることができる。仮焼き条件としては、たとえば、仮焼き温度を、好ましくは１０００〜１３００℃、より好ましくは１１５０〜１２５０℃、仮焼き時間を、好ましくは０．５〜４時間とすれば良い。また、主成分の原料と、副成分の原料と、を別々に仮焼した後、混合して誘電体磁器組成物粉末としても良い。
【００３４】
次いで、得られた仮焼き粉を粗粉砕する。第１副成分〜第３副成分を一部のみ配合した場合には、ここで、仮焼き前に添加した第１副成分〜第３副成分の原料と合わせて上記した誘電体磁器組成物の組成になるように残りの第１副成分〜第３副成分を添加する。
【００３５】
仮焼き粉または仮焼き粉と副成分の原料を、ボールミルなどにより湿式粉砕して、さらに混合し、乾燥して誘電体磁器組成物粉末とする。上記のように、誘電体磁器組成物粉末を固相法により製造することで、所望の特性を実現しながら、製造コストの低減を図ることができる。
【００３６】
次いで、得られた誘電体磁器組成物粉末にバインダを適量添加し、造粒し、得られた造粒物を、所定の大きさを有する円板状に圧縮成形することにより、グリーン成形体とする。そして、得られたグリーン成形体を、焼成することにより、誘電体磁器組成物の焼結体を得る。なお、焼成の条件としては、特に限定されないが、保持温度が、好ましくは１２００〜１４００℃、より好ましくは１２８０〜１３６０℃であり、焼成雰囲気を空気中とすることが好ましい。
【００３７】
得られた誘電体磁器組成物の焼結体の主表面に、端子電極を印刷し、必要に応じて焼き付けすることにより、端子電極１２，１４を形成する。その後、端子電極１２，１４に、ハンダ付等により、リード端子６，８を接合し、最後に、素子本体を保護樹脂４で覆うことにより、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示すような単板型セラミックコンデンサを得る。
【００３８】
このようにして製造された本発明のセラミックコンデンサは、リード端子６，８を介してプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００３９】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々異なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００４０】
上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として誘電体層が単層である単板型セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、単板型セラミックコンデンサに限定されず、上記した誘電体磁器組成物を含む誘電体ペーストおよび電極ペーストを用いた通常の印刷法やシート法により作製される積層型セラミックコンデンサであっても良いし、貫通型コンデンサの誘電体層を上記した誘電体磁器組成物を用いて作製してもよい。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４２】
試料１〜５８
主成分の原料として、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３  ）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３  ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ３  ）、酸化チタン（ＴｉＯ２  ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２  ）および酸化スズ（ＳｎＯ２  ）を、それぞれ準備した。この主成分原料と、第１副成分の原料としてＺｎＯ、第２副成分の原料としての希土類添加剤とを、焼成後の組成が表１〜表４に示す試料１〜７３に示す組成となるように、それぞれ秤量し、この原料配合物をボールミルで湿式混合撹拌を３時間行い、脱水乾燥後、１１７０〜１２１０℃で仮焼成し、化学反応を行わせた。
【００４３】
なお、第１副成分原料としてのＺｎＯと、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｓｉの酸化物などの第３副成分原料とに関しては、主成分原料のみを仮焼成した後、あるいは主成分原料と第２副成分原料とを仮焼成した後に添加しても良い。また、ＺｎＯなどの第１副成分原料と第３副成分原料とに関しては、予め混合・仮焼を行い反応させた化合物という形で添加しても良い。
【００４４】
次いで、これを粗粉砕した後，再びポットミルで０．５〜２μｍ程度に微粉砕し，脱水乾燥した後，これに有機結合剤としてポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を添加し，造粒整粒を行い，顆粒粉末とした。この顆粒粉末を３００ＭＰａの圧力で成形し直径１６．５ｍｍ，厚さ１．１５ｍｍの円板状の成形物とした。
【００４５】
得られた成形体を、空気中で、１３５０℃前後で本焼成し，磁器素体を得た。このようにして得られた磁器素体の両面に銀（Ａｇ）ペーストで焼付け電極を形成し、これにリード線を半田付けして磁器コンデンサを得た。このようにして得られた試料の比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧、温度特性、焼結性を測定した結果を表２および表４に示す。
【００４６】
（比誘電率（ε））
比誘電率εは、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定された静電容量から算出した（単位なし）。比誘電率は高いほうが好ましく、本実施例では、８０００以上を良好とした。
【００４７】
（誘電損失（ｔａｎδ））
誘電損失（ｔａｎδ）は、コンデンサ試料に対し、基準温度２０℃において、デジタルＬＣＲメータ（アジレントテクノロジー社製４２７４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ，入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。誘電損失は低いほうが好ましく、本実施例では１．５％以下を良好とした。
【００４８】
（交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ））
交流破壊電圧（ＡＣ−Ｅｂ）は、コンデンサの試料に対し、コンデンサの両端に交流電界を１００Ｖ／ｓで徐々に印加し、１００ｍＡのもれ電流が流れた時点での電圧を測定し、単位厚み当たりの交流破壊電圧を求めた。交流破壊電圧は高いほうが好ましく、本実施例では、５ｋＶ／ｍｍ以上を良好とした。
【００４９】
（温度特性（ＴＣ））
コンデンサ試料に対し、８５℃において、デジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２８４Ａ）にて、周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、基準温度２０℃における静電容量に対する８５℃での静電容量の変化率（ΔＣ／Ｃ２０）（単位は％）を算出した。本実施例ではΔＣ／Ｃ２０は、Ｚ５Ｕ特性を満たす＋２０％〜−５６％を好ましい範囲とした。
【００５０】
（焼結性）
得られた焼結体について、焼成後の焼結体の寸法および重量から、焼結体密度を算出し、その焼結体密度が５．５ｇ／ｃｍ３  以上のものを○、５．５ｇ／ｃｍ３  未満の物を×とした。ここで、基準を５．５ｇ／ｃｍ３  未満としたのは、５．５ｇ／ｃｍ３  未満だと素地の強度が著しく低下してしまうためである。
【００５１】
（評価）
試料１〜７より、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが０．９６の場合（試料１）に比べ、比誘電率が高く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｍが０．９７≦ｍ≦１．０３の場合（試料２〜６）は、ｍが１．０４の場合（試料７）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料７では、焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性を測定できなかった。
【００５２】
試料８〜１３より、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料９〜１２）には、ｘが０の場合（試料８）に比べ、誘電損失が低くなり、交流破壊電圧および温度特性が向上することが確認できた。また、組成式中のｘが０．０３≦ｘ≦０．３０の場合（試料９〜１２）には、ｘが０．４の場合（試料１３）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００５３】
試料１４〜１８より、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０の場合（試料１４）に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。また、組成式中のｙが０．００＜ｙ≦０．０５の場合（試料１５〜１７）は、ｙが０．０６の場合（試料１８）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５４】
試料１９〜２６より、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高くなり、誘電損失が低くなり、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚが０．０２＜ｚ≦０．２の場合（試料２０〜２５）は、ｚが０．２５の場合（試料２６）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５５】
試料２７〜３２より、組成式中のａが０≦ａ≦０．２の場合（試料２７〜３１）は、ａが０．２５の場合（試料３２）に比べ、比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５６】
試料１９、３３〜３８より、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３７）は、組成式中のｚ＋ａが０．０２の場合（試料１９）に比べ、比誘電率が高く、誘電損失が低く、交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、組成式中のｚ＋ａが０．０４≦ｚ＋ａ≦０．３の場合（試料３３〜３７）は、組成式中のｚ＋ａが０．４０の場合（試料３８）に比べ、比誘電率が高く、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５７】
試料３９〜４５より、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料４０〜４４）は、酸化亜鉛の含有量が０．３重量％の場合（試料３９）に比べ、焼結性が良好になることが確認できた。なお、試料３８は焼結性が低いため、比誘電率、誘電損失、交流破壊電圧および温度特性の測定ができなかった。また、酸化亜鉛（第１副成分）の含有量が主成分１００重量％に対して０．４５〜１０重量％の場合（試料４０〜４４）は、酸化亜鉛の含有量が１５重量％の場合に比べ、比誘電率が高くなることが確認できた。
【００５８】
試料４、４６〜５９より、第２副成分としてＬａ２  Ｏ３  、Ｐｒ６  Ｏ１１、Ｐｍ２  Ｏ３  、Ｎｄ２  Ｏ３  、Ｓｍ２  Ｏ３  、Ｅｕ２  Ｏ３  、Ｇｄ２  Ｏ３  およびＹ２  Ｏ３  から選ばれる少なくとも１種からなる第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４６〜５２、５４〜５８）は、前記第２副成分が含まれない場合（試料５３）に比べて交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、前記第２副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０重量％より多く、０．３重量％以下含有されている場合（試料４、４６〜５２、５４〜５８）は、前記第２副成分が０．４重量％含まれる場合（試料５９）に比べて比誘電率が高くなり、温度特性が良好になることが確認できた。
【００５９】
試料２、４、６０〜７３より、第３副成分としてＡｌ２  Ｏ３  、Ｇａ２  Ｏ３  、Ｉｎ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｆｅ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  から選ばれる少なくとも１種からなる第３副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０２〜１．５重量％含有されている場合（試料２、４、６１〜６３、６６〜７３）は、前記第３副成分が含まれない場合（試料６０）に比べて交流破壊電圧が高くなることが確認できた。また、前記第３副成分が前記主成分１００重量％に対して酸化物換算で０．０２〜１．５重量％含有されている場合（試料２、４、６１〜６３、６６〜７３）は、第３副成分が２．０重量％含まれる場合（試料６４）に比べて比誘電率および交流破壊電圧が高くなることが確認できた。
【００６０】
【表１】
0005910317.tif 000002
【００６１】
【表２】
0005910317.tif 000003
【００６２】
【表３】
0005910317.tif 000004
【００６３】
【表４】
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【符号の説明】
【００６４】
２…  単板型セラミックコンデンサ
４…  保護樹脂
６，８…  リード端子
１０…  誘電体層
１２，１４…  端子電極
【図１】
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