(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ａ）：
【化１】
0005955034.tif 000103
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化２】
0005955034.tif 000104
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物。
【請求項２】
一般式（Ａ−Ｍ）：
【化３】
0005955034.tif 000105
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化４】
0005955034.tif 000106
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表されるクロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒。
【請求項３】
一般式（Ａ）：
【化５】
0005955034.tif 000107
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化６】
0005955034.tif 000108
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物の製造方法であって、
式（Ａ１）：
【化７】
0005955034.tif 000109
［式（Ａ１）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じである。］
で表される化合物をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ａ２）：
【化８】
0005955034.tif 000110
［式（Ａ２）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程
、又は
式（Ａ３）：
【化９】
0005955034.tif 000111
［式（Ａ３）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、又は亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ａ４）：
【化１０】
0005955034.tif 000112
［式（Ａ４）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む
ビスホスフィン化合物の製造方法。
【請求項４】
一般式（Ａ−Ｍ）：
【化１１】
0005955034.tif 000113
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化１２】
0005955034.tif 000114
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表されるクロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒の製造方法であって、
一般式（Ａ）：
【化１３】
0005955034.tif 000115
［式（Ａ）中、Ｅ、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ−Ｍ）と同じである。］
で表されるビスホスフィン化合物と、
鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムを含む遷移金属化合物を反応させる工程を含む
クロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒の製造方法。
【請求項５】
一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ａ）：
【化１４】
0005955034.tif 000116
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化１５】
0005955034.tif 000117
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物、
及び
鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムを含む遷移金属化合物の存在下、
一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項６】
一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ａ−Ｍ）：
【化１６】
0005955034.tif 000118
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【化１７】
0005955034.tif 000119
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項７】
一般式（Ｂ）：
【化１８】
0005955034.tif 000120
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物。
【請求項８】
式（Ｂ−Ｍ）：
【化１９】
0005955034.tif 000121
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表されるクロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒。
【請求項９】
一般式（Ｂ）：
【化２０】
0005955034.tif 000122
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物の製造方法であって、
式（Ｂ１）：
【化２１】
0005955034.tif 000123
［式（Ｂ１）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。］
で表される化合物をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ｂ２）：
【化２２】
0005955034.tif 000124
［式（Ｂ２）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程
、又は
式（Ｂ３）：
【化２３】
0005955034.tif 000125
［式（Ｂ３）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、又は亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ｂ４）：
【化２４】
0005955034.tif 000126
［式（Ｂ４）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む
ビスホスフィン化合物の製造方法。
【請求項１０】
式（Ｂ−Ｍ）：
【化２５】
0005955034.tif 000127
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表されるクロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒の製造方法であって、
一般式（Ｂ）：
【化２６】
0005955034.tif 000128
［式（Ｂ）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、及び、Ｒ５Ｂは、前記式（Ｂ−Ｍ）と同じである。］
で表されるビスホスフィン化合物と、
鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムを含む遷移金属化合物を反応させる工程を含む
クロスカップリング反応に用いられる遷移金属触媒の製造方法。
【請求項１１】
一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ｂ）：
【化２７】
0005955034.tif 000129
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物、
及び
鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムを含む遷移金属化合物の存在下、
一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【請求項１２】
一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
式（Ｂ−Ｍ）：
【化２８】
0005955034.tif 000130
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
Ｍは、０〜３価の鉄、コバルト、ニッケル、又はパラジウムである。
ｎは、０〜３の整数である。
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なビスホスフィン化合物、及び当該ビスホスフィン化合物を配位子とする新規な遷移金属触媒、並びにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロニクス材料、医農薬及びその中間体、並びに液晶材料等の工業的に重要な基幹化合物を合成する上で、遷移金属触媒を用いた有機合成反応は、工業的に広く一般的に利用されている。
【０００３】
特に、クロスカップリング反応は、前記の化合物の合成に広く利用されている鍵反応であり、当該反応に用いられる遷移金属触媒として、リン原子を有するホスフィン配位子を有する遷移金属触媒が知られている（例えば、特許文献１〜８及び非特許文献１）。
【０００４】
ところで、遷移金属触媒を形成する金属の選択や、配位子の分子構造の設計は、原料化合物の反応の進行に大きく影響を及ぼすものとなるため、非常に重要なファクターとなる。特に、工業生産には、高い効率と選択性が要求されるため、実際に使用することのできる触媒金属、及びその配位子は限られる。
【０００５】
このような観点から、例えば、特許文献９では、リン上に嵩高い置換基を有し、二個の置換されたリン原子をフェニレン架橋した二座ホスフィン配位子が知られている。特許文献９の配位子を用いた遷移金属触媒は、クロスカップリング反応において、有用であるが、触媒金属が特定の金属に限られており、原料化合物においても限定されるものであった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第９５／２１１５１号
【特許文献２】国際公開第９５／２１１７６号
【特許文献３】国際公開第９６／４１７９３号
【特許文献４】国際公開第９７／０５０９４号
【特許文献５】国際公開第２００７／１０１７６９号
【特許文献６】国際公開第２００８／０３１７５０号
【特許文献７】国際公開第２０１０／０３８４３４号
【特許文献８】国際公開第２０１０／０９４１６４号
【特許文献９】国際公開第２０１０／００１６４０号
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Ｊ． Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ． Ｃｈｅｍ．，２００１， ６２１， ３４．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、種々の有機合成反応、特にクロスカップリング反応において、高効率、かつ高選択的な進行を可能とするリン原子上に嵩高い置換基を有する新規な二座ホスフィン配位子のビスホスフィン化合物、及び当該ビスホスフィン化合物を配位子とした遷移金属触媒、並びにこれらの製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記の課題に鑑みて鋭意研究を行った結果、遷移金属触媒を形成する配位子において、リン原子上に嵩高い特定の置換基を有する二座ホスフィン配位子であるビスホスフィン化合物が、用いられる触媒金属の選択性を幅広くし、さらに、種々の有機合成反応、特にクロスカップリング反応において、高効率、かつ高選択的な進行を可能とすることを見出した。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明は、以下のビスホスフィン化合物、及びビスホスフィン化合物を配位子とする遷移金属触媒、並びにこれらの製造方法等を提供する。
【００１１】
項１．一般式（Ａ）：
【００１２】
【化１】
0005955034.tif 000002
【００１３】
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【００１４】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【００１５】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【００１６】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【００１７】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００１８】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００１９】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００２０】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００２１】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【００２２】
【化２】
0005955034.tif 000003
【００２３】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【００２４】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物。
【００２５】
項２．一般式（Ａ−Ｍ）：
【００２６】
【化３】
0005955034.tif 000004
【００２７】
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【００２８】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【００２９】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【００３０】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【００３１】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００３２】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００３３】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００３４】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００３５】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【００３６】
【化４】
0005955034.tif 000005
【００３７】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【００３８】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
【００３９】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【００４０】
ｎは、０〜３の整数である。
【００４１】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒。
【００４２】
項３．一般式（Ａ）：
【００４３】
【化５】
0005955034.tif 000006
【００４４】
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【００４５】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【００４６】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【００４７】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【００４８】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００４９】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００５０】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００５１】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００５２】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【００５３】
【化６】
0005955034.tif 000007
【００５４】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【００５５】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物の製造方法であって、
式（Ａ１）：
【００５６】
【化７】
0005955034.tif 000008
【００５７】
［式（Ａ１）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じである。］
で表される化合物をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ａ２）：
【００５８】
【化８】
0005955034.tif 000009
【００５９】
［式（Ａ２）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程
、又は
式（Ａ３）：
【００６０】
【化９】
0005955034.tif 000010
【００６１】
［式（Ａ３）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、又は亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ａ４）：
【００６２】
【化１０】
0005955034.tif 000011
【００６３】
［式（Ａ４）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む
ビスホスフィン化合物の製造方法。
【００６４】
項４．一般式（Ａ−Ｍ）：
【００６５】
【化１１】
0005955034.tif 000012
【００６６】
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【００６７】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【００６８】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【００６９】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【００７０】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００７１】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００７２】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００７３】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００７４】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【００７５】
【化１２】
0005955034.tif 000013
【００７６】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【００７７】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
【００７８】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【００７９】
ｎは、０〜３の整数である。
【００８０】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の製造方法であって、
一般式（Ａ）：
【００８１】
【化１３】
0005955034.tif 000014
【００８２】
［式（Ａ）中、Ｅ、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ−Ｍ）と同じである。］
で表されるビスホスフィン化合物と、
第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物を反応させる工程を含む
遷移金属触媒の製造方法。
【００８３】
項５．一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
【００８４】
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ａ）：
【００８５】
【化１４】
0005955034.tif 000015
【００８６】
［式（Ａ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【００８７】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【００８８】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【００８９】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【００９０】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００９１】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００９２】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【００９３】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【００９４】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【００９５】
【化１５】
0005955034.tif 000016
【００９６】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【００９７】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物、
及び
第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物の存在下、
一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【００９８】
項６．一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
【００９９】
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ａ−Ｍ）：
【０１００】
【化１６】
0005955034.tif 000017
【０１０１】
［式（Ａ−Ｍ）中、
Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【０１０２】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１０３】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１０４】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素原子である。
【０１０５】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１０６】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１０７】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１０８】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１０９】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【０１１０】
【化１７】
0005955034.tif 000018
【０１１１】
［式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］で表される基である。
【０１１２】
さらに、Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和若しくは不飽和の脂環式炭化水素、又は６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成してもよい。
【０１１３】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【０１１４】
ｎは、０〜３の整数である。
【０１１５】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【０１１６】
項７．一般式（Ｂ）：
【０１１７】
【化１８】
0005955034.tif 000019
【０１１８】
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１１９】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１２０】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１２１】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１２２】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１２３】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１２４】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１２５】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物。
【０１２６】
項８．式（Ｂ−Ｍ）：
【０１２７】
【化１９】
0005955034.tif 000020
【０１２８】
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１２９】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１３０】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１３１】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１３２】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１３３】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１３４】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１３５】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１３６】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【０１３７】
ｎは、０〜３の整数である。
【０１３８】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
項９．一般式（Ｂ）：
【０１３９】
【化２０】
0005955034.tif 000021
【０１４０】
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１４１】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１４２】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１４３】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１４４】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１４５】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１４６】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１４７】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物の製造方法であって、
式（Ｂ１）：
【０１４８】
【化２１】
0005955034.tif 000022
【０１４９】
［式（Ｂ１）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。］
で表される化合物をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ｂ２）：
【０１５０】
【化２２】
0005955034.tif 000023
【０１５１】
［式（Ｂ２）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程
、又は
式（Ｂ３）：
【０１５２】
【化２３】
0005955034.tif 000024
【０１５３】
［式（Ｂ３）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、又は亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ｂ４）：
【０１５４】
【化２４】
0005955034.tif 000025
【０１５５】
［式（Ｂ４）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む
ビスホスフィン化合物の製造方法。
【０１５６】
項１０．式（Ｂ−Ｍ）：
【０１５７】
【化２５】
0005955034.tif 000026
【０１５８】
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１５９】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１６０】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１６１】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１６２】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１６３】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１６４】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１６５】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１６６】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【０１６７】
ｎは、０〜３の整数である。
【０１６８】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の製造方法であって、
一般式（Ｂ）：
【０１６９】
【化２６】
0005955034.tif 000027
【０１７０】
［式（Ｂ）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、及び、Ｒ５Ｂは、前記式（Ｂ−Ｍ）と同じである。］
で表されるビスホスフィン化合物と、
第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物を反応させる工程を含む
遷移金属触媒の製造方法。
【０１７１】
項１１．一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
【０１７２】
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
一般式（Ｂ）：
【０１７３】
【化２７】
0005955034.tif 000028
【０１７４】
［式（Ｂ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１７５】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１７６】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１７７】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１７８】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１７９】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１８０】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１８１】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。］
で表されるビスホスフィン化合物、
及び
第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物の存在下、
一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【０１８２】
項１２．一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
［式（１）中、
Ｊは置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
【０１８３】
Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、また、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。］
で表される化合物（１）の製造方法であって、
式（Ｂ−Ｍ）：
【０１８４】
【化２８】
0005955034.tif 000029
【０１８５】
［式（Ｂ−Ｍ）中、
Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０１８６】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０１８７】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子又はフッ素
原子である。
【０１８８】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１８９】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１９０】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０１９１】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１９２】
さらに、Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０１９３】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【０１９４】
ｎは、０〜３の整数である。
【０１９５】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。］
で表される遷移金属触媒の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
［式（２）中、Ｊは前記式（１）と同じであり、Ｘａはハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）である。］
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
［式（３）中、Ｑは前記式（１）と同じであり、Ｍｔｌは、マグネシウム、亜鉛、ホウ素、又はアルミニウムである。］
で表される結合を有する有機金属化合物（３）
を反応させることを特徴とする製造方法。
【０１９６】
なお、以下、本発明において、「低級アルキル」とは、「Ｃ１〜Ｃ８アルキル」を示し、「低級アルコキシ」とは、「Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ」を示す。
【発明の効果】
【０１９７】
本発明のビスホスフィン化合物は、リン原子上に嵩高い特定の置換基を有するため、様々な触媒金属の配位子として適用することができる。また、本発明のビスホスフィン化合物を用いて得られる遷移金属触媒は、種々の有機合成反応、特にクロスカップリング反応において、高効率、高選択的な進行を可能とする。
【０１９８】
例えば、β水素脱離反応やホモカップリング反応に代表される副反応や、触媒凝集による反応停止等の課題に対して、本発明のビスホスフィン化合物を用いて得られる遷移金属触媒は、反応効率と選択性において著しく向上する。 
【０１９９】
そのため、本発明の遷移金属触媒は、副生成物の生成量が大きく低下することから、多大なコストがかかる精製過程の低コスト化が期待でき、有機エレクトロニクス材料、医農薬及びその中間体、並びに液晶材料の次世代のプロセス触媒として期待できる。
【発明を実施するための形態】
【０２００】
１．ビスホスフィン化合物
本発明のビスホスフィン化合物は、下記の一般式（Ａ）又は一般式（Ｂ）によって表される化合物である。
【０２０１】
一般式（Ａ）で表されるビスホスフィン化合物は、以下の化合物である。
【０２０２】
【化２９】
0005955034.tif 000030
【０２０３】
式（Ａ）中、Ｅは、炭素原子、又はケイ素原子である。
【０２０４】
Ｒ１Ａは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ａが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０２０５】
上記で挙げられるＲ１Ａの置換基の個数としては、少なくとも４個であり、８個全てが上記の置換基で置換されていることが、遷移金属触媒の配位子として用いた場合、リン原子に置換される置換基が嵩高くなり、遷移金属触媒の凝集や不活性なアート錯体形成を防止することができる点で好ましい。
【０２０６】
分岐鎖状のアルキル基としては、Ｃ３〜Ｃ８の分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、具体例としては、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
【０２０７】
置換基を有していてもよいシクロアルキル基におけるシクロアルキル基としては、Ｃ３〜Ｃ８（好ましくは、Ｃ６〜Ｃ８）のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基が挙げられる。
【０２０８】
シクロアルキル基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられる。これらの置換基は該シクロアルキル環上に１〜３個有していてもよい。
【０２０９】
前記低級アルキル基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【０２１０】
前記低級アルコキシ基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
【０２１１】
前記トリ低級アルキルシリル基としては、トリ（Ｃ１〜Ｃ８）アルキルシリル基が挙げられ、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等が挙げられる。
【０２１２】
前記アリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基が挙げられ、フェニル基、トルイル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラニル基等が挙げられる。
【０２１３】
前記へテロアリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のへテロアリール基が挙げられ、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。
【０２１４】
置換基を有していてもよいアリール基におけるアリール基としては、前記で挙げられたものと同じである。アリール基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。これらの置換基は該アリール環上に１〜３個有していてもよい。
【０２１５】
置換基を有していてもよいヘテロアリール基におけるヘテロアリール基としては、前記で挙げられたものと同じである。ヘテロアリール基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。これらの置換基は該ヘテロアリール環上に１〜３個有していてもよい。
【０２１６】
アダマンチル基における置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。
【０２１７】
アリール基、ヘテロアリール基、式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３（ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基、及びアルコキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、前記と同じ直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ８、好ましくはＣ１〜Ｃ６のアルキル基が挙げられる。
【０２１８】
アルキル基に置換されてもよいアリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２１９】
前記式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される置換基におけるＲ’としては、同一であっても、異なっていてもよく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基が挙げられる。アルキル基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アルコキシ基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アリールオキシ基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリールオキシ基が挙げられ、フェノキシ基、トルイルオキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。
【０２２０】
式（ａ）で表される置換基の具体的な例としては、例えば、トリアルキルシリル基、ジアルキルモノアルコキシシリル基、モノアルキルジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基、トリフェニルシリル基、モノアリールジアルキルシリル基、ジアリールモノアルキルシリル基、モノアリールジアルコキシシリル基、ジアリールモノアルコキシシリル基等が挙げられ、より具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリブチルシリル基、ジメチルメトキシシリル基、ジメチルエトキシシリル基、ジエチルメトキシシリル基、ジエチルエトキシシリル基、メチルジメトキシシリル基、メチルジエトキシシリル基、エチルジメトキシシリル基、エチルジメエキシシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。
【０２２１】
前記特定の置換基で置換された低級アルキル基の具体例としては、例えば、ジフェニルメチル基、ジメトキシメチル基、ビス（トリメチルシリル）メチル基、ジフェニルメトキシメチル基等が挙げられる。
【０２２２】
Ｒ１Ａで示される式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２２３】
Ｒ１Ａで示される式（ｂ）：−ＯＳｉ（Ｒ’）３におけるＲ’としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２２４】
式（ｂ）の具体例としては、例えば、トリアルキルシロキシ基、ジアルキルモノアルコキシシロキシ基、モノアルキルジアルコキシシロキシ基、トリアルコキシシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、モノアリールジアルキルシロキシリル基、ジアリールモノアルキルシロキシ基、モノアリールジアルコキシシロキシ基、ジアリールモノアルコキシシロキシ基等が挙げられ、より具体的には、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、トリブチルシロキシ基、ジメチルメトキシシロキシ基、ジメチルエトキシシロキシ基、ジエチルメトキシシロキシ基、ジエチルエトキシシロキシ基、メチルジメトキシシロキシ基、メチルジエトキシシロキシ基、エチルジメトキシシロキシ基、エチルジメエキシシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシロキシ基等が挙げられる。
【０２２５】
置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基における、置換基を有していてもよいアリール基としては、前記と同じものが挙げられる。当該置換基を有していてもよいアミノ基の具体例としては、モノアリールアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。
【０２２６】
これらのＲ１Ａの中で、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジフェニルメチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、フェニル基、ｏ−トリル基、メシチル基、ナフチル基が好ましい。
【０２２７】
Ｒ２Ａは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２Ａの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基（−ＯＨ）；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０２２８】
置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０２２９】
式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３、及び式（ｂ）：−ＯＳｉ（Ｒ’）３で表される置換基としては、前記と同じものが挙げられる。
【０２３０】
置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基において、アルキル基及びアリール基の具体例としては、前記と同じものが挙げられる。これらの置換基を有することのあるアミノ基の具体例としては、アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；ジアリールアミノ基等が挙げられる。
【０２３１】
これらのＲ２Ａの中で、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、トリアルキルシロキシ基、ジアリールモノアルキルシロキシ基、モノアリールジアルキルシロキシ基、トリアリールシロキシ基が好ましく、より具体的には、水素原子、メトキシ基、ベンジロキシ基、ヒドロキシル基、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシロキシ基がより好ましい。
【０２３２】
Ｒ３Ａは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３Ａの具体例としては、水素原子又はフッ素原子である。
【０２３３】
Ｒ４Ａは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ４Ａの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０２３４】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０２３５】
置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０２３６】
置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２３７】
また、２個のＲ４Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成した場合、例えば、
【０２３８】
【化３０】
0005955034.tif 000031
【０２３９】
等が挙げられる。
【０２４０】
これらのＲ４Ａの中で、水素原子、低級アルキル基、置換しても良いアリール基が好ましく、より具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基がより好ましい。
【０２４１】
Ｒ５Ａは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ５Ａの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；又は式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０２４２】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０２４３】
さらに、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【０２４４】
【化３１】
0005955034.tif 000032
【０２４５】
で表される置換基であってもよい。
【０２４６】
式（ｃ）中、Ｒ”は、同一であっても、異なっていてもよく、それぞれ、水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基である。
【０２４７】
また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０２４８】
前記、置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０２４９】
また、２個のＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成している場合、例えば、
【０２５０】
【化３２】
0005955034.tif 000033
【０２５１】
［式中、Ｅは、前記と同じである。］
等が挙げられる。
【０２５２】
また、２個のＲ５Ａに代えて、式（ｃ）：
【０２５３】
【化３３】
0005955034.tif 000034
【０２５４】
で表される置換基である場合、式（ｃ）中における置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２５５】
また、２個のＲ”が互いに結合し、Ｒ”が置換されている炭素原子と共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和の脂環式炭化水素を形成している場合、例えば、
【０２５６】
【化３４】
0005955034.tif 000035
【０２５７】
等が挙げられる。
【０２５８】
さらに、前記Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成している場合、例えば、
【０２５９】
【化３５】
0005955034.tif 000036
【０２６０】
等が挙げられる。
【０２６１】
さらにまた、前記Ｒ４ＡとＲ５Ａが互いに結合し、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子、及びＲ５Ａが置換されているＥと共に、６〜１０員環の芳香族炭化水素を形成している場合、例えば、
【０２６２】
【化３６】
0005955034.tif 000037
【０２６３】
［式中、Ｃ１は、Ｒ４Ａが置換されている炭素原子であり、Ｅ’は、Ｒ５Ａが置換されているＥであって、炭素原子である］
等が挙げられる。
【０２６４】
一般式（Ａ）で表されるビスホスフィン化合物の具体例としては、例えば、下記式（ａ１）〜（ａ８）で表されるものが挙げられる。
【０２６５】
【化３７】
0005955034.tif 000038
【０２６６】
［式（ａ１）〜（ａ８）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、及びＥは、前記式と同じである。］
さらに一般式（Ａ）（式（ａ１）〜（ａ８））で表されるビスホスフィン化合物のより具体的な例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【０２６７】
【化３８】
0005955034.tif 000039
【０２６８】
【化３９】
0005955034.tif 000040
【０２６９】
【化４０】
0005955034.tif 000041
【０２７０】
【化４１】
0005955034.tif 000042
【０２７１】
［式中、「ＴＢＳ」は、「ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基」を表し、「ｔ−Ｂｕ」は、「ｔｅｒｔ−ブチル基」を表し、「Ｍｅ」は、「メチル基」を表し、「Ｐｈ」は、フェニル基を表し、「ｉ−Ｐｒ」は、イソプロピル基を表す（以下、同じである）。］
一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物は、以下の化合物である。
【０２７２】
【化４２】
0005955034.tif 000043
【０２７３】
式（Ｂ）中、Ｒ１Ｂは、同一であっても異なっていてもよく、少なくとも４個のＲ１Ｂが、それぞれ分岐鎖状のアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］
で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基である。
【０２７４】
上記で挙げられるＲ１Ｂの置換基の個数としては、少なくとも４個であり、８個全てが上記の置換基で置換されていることが、遷移金属触媒の配位子として用いた場合、リン原子に置換される置換基が嵩高くなり、遷移金属触媒の凝集や不活性なアート錯体形成を防止することができる点で好ましい。
【０２７５】
分岐鎖状のアルキル基としては、Ｃ３〜Ｃ８の分岐鎖状のアルキル基が挙げられ、具体例としては、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。
【０２７６】
置換基を有していてもよいシクロアルキル基におけるシクロアルキル基としては、Ｃ３〜Ｃ８（好ましくは、Ｃ６〜Ｃ８）のシクロアルキル基が挙げられ、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基が挙げられる。
【０２７７】
シクロアルキル基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられる。これらの置換基は該シクロアルキル環上に１〜３個有していてもよい。
【０２７８】
前記低級アルキル基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。
【０２７９】
前記低級アルコキシ基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基が挙げられ、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
【０２８０】
前記トリ低級アルキルシリル基としては、トリ（Ｃ１〜Ｃ８）アルキルシリル基が挙げられ、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等が挙げられる。
【０２８１】
前記アリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基が挙げられ、フェニル基、トルイル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、アントラニル基等が挙げられる。
【０２８２】
前記へテロアリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のへテロアリール基が挙げられ、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられる。
【０２８３】
置換基を有していてもよいアリール基におけるアリール基としては、前記で挙げられたものと同じである。アリール基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。これらの置換基は該アリール環上に１〜３個有していてもよい。
【０２８４】
置換基を有していてもよいヘテロアリール基におけるヘテロアリール基としては、前記で挙げられたものと同じである。ヘテロアリール基に置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。これらの置換基は該ヘテロアリール環上に１〜３個有していてもよい。
【０２８５】
アダマンチル基における置換されてもよい置換基としては、低級アルキル基、低級アルコキシ基、トリ低級アルキルシリル基、アリール基、へテロアリール基等が挙げられ、これらの置換基は前記と同じものが挙げられる。
【０２８６】
アリール基、ヘテロアリール基、及び式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３（ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、又はアリールオキシ基である。］で表される基よりなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基が置換されたアルキル基におけるアルキル基としては、前記と同じ直鎖状又は分岐鎖状のＣ１〜Ｃ８、好ましくはＣ１〜Ｃ６のアルキル基が挙げられる。
【０２８７】
アルキル基に置換されてもよいアリール基、ヘテロアリール基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２８８】
前記式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される置換基におけるＲ’としては、同一であっても、異なっていてもよく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基が挙げられる。アルキル基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アルコキシ基としては、Ｃ１〜Ｃ８アルコキシ基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アリール基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基が挙げられ、前記と同様のものが挙げられる。アリールオキシ基としては、Ｃ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリールオキシ基が挙げられ、フェノキシ基、トルイルオキシ基、ナフトキシ基等が挙げられる。
【０２８９】
式（ａ）で表される置換基の具体的な例としては、例えば、トリアルキルシリル基、ジアルキルモノアルコキシシリル基、モノアルキルジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基、トリフェニルシリル基、モノアリールジアルキルシリル基、ジアリールモノアルキルシリル基、モノアリールジアルコキシシリル基、ジアリールモノアルコキシシリル基等が挙げられ、より具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリブチルシリル基、ジメチルメトキシシリル基、ジメチルエトキシシリル基、ジエチルメトキシシリル基、ジエチルエトキシシリル基、メチルジメトキシシリル基、メチルジエトキシシリル基、エチルジメトキシシリル基、エチルジメエキシシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基等が挙げられる。
【０２９０】
前記特定の置換基で置換された低級アルキル基の具体例としては、例えば、ジフェニルメチル基、ジメトキシメチル基、ビス（トリメチルシリル）メチル基、ジフェニルメトキシメチル基等が挙げられる。
【０２９１】
Ｒ１Ｂで示される式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２９２】
Ｒ１Ｂで示される式（ｂ）：−ＯＳｉ（Ｒ’）３におけるＲ’としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０２９３】
式（ｂ）の具体例としては、例えば、トリアルキルシロキシ基、ジアルキルモノアルコキシシロキシ基、モノアルキルジアルコキシシロキシ基、トリアルコキシシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、モノアリールジアルキルシロキシリル基、ジアリールモノアルキルシロキシ基、モノアリールジアルコキシシロキシ基、ジアリールモノアルコキシシロキシ基等が挙げられ、より具体的には、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリプロピルシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基、トリブチルシロキシ基、ジメチルメトキシシロキシ基、ジメチルエトキシシロキシ基、ジエチルメトキシシロキシ基、ジエチルエトキシシロキシ基、メチルジメトキシシロキシ基、メチルジエトキシシロキシ基、エチルジメトキシシロキシ基、エチルジメエキシシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシロキシ基等が挙げられる。
【０２９４】
置換基を有していてもよいアリール基を１〜２個有するアミノ基における、置換基を有していてもよいアリール基としては、前記と同じものが挙げられる。当該置換基を有していてもよいアミノ基の具体例としては、モノアリールアミノ基、ジアリールアミノ基等が挙げられる。
【０２９５】
これらのＲ１Ｂの中で、イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ジフェニルメチル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、フェニル基、ｏ−トリル基、メシチル基、ナフチル基が好ましい。
【０２９６】
Ｒ２Ｂは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２Ｂの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；ヒドロキシル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；式（ｂ）：
−ＯＳｉ（Ｒ’）３      （ｂ）
［式（ｂ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基；又は置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基である。
【０２９７】
置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０２９８】
式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３、及び式（ｂ）：−ＯＳｉ（Ｒ’）３で表される置換基としては、前記と同じものが挙げられる。
【０２９９】
置換基としてアルキル基、及びアリール基よりなる群から選ばれた基を１〜２個有することのあるアミノ基において、アルキル基及びアリール基の具体例としては、前記と同じものが挙げられる。これらの置換基を有することのあるアミノ基の具体例としては、アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；ジアリールアミノ基等が挙げられる。
【０３００】
これらのＲ２Ａの中で、水素原子、置換されていてもよいアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、トリアルキルシロキシ基、ジアリールモノアルキルシロキシ基、モノアリールジアルキルシロキシ基、トリアリールシロキシ基が好ましく、より具体的には、水素原子、メトキシ基、ベンジロキシ基、ヒドロキシル基、トリメチルシロキシ基、トリエチルシロキシ基、トリフェニルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシロキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシロキシ基がより好ましい。
【０３０１】
Ｒ３Ｂは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ３Ｂの具体例としては、水素原子、又はフッ素原子である。
【０３０２】
Ｒ４Ｂは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ４Ｂの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０３０３】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０３０４】
置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０３０５】
置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０３０６】
また、２個のＲ４Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成した場合、例えば、
【０３０７】
【化４３】
0005955034.tif 000044
【０３０８】
等が挙げられる。
【０３０９】
これらのＲ４Ｂの中で、水素原子、低級アルキル基、置換しても良いアリール基が好ましく、より具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基がより好ましい。
【０３１０】
Ｒ５Ｂは、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ５Ｂの具体例としては、水素原子；フッ素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）：
−Ｓｉ（Ｒ’）３      （ａ）
［式（ａ）中、Ｒ’は、前記と同じである。］で表される基である。
【０３１１】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成してもよい。
【０３１２】
置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルコキシ基；置換基を有していてもよいアリールオキシ基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいヘテロアリール基；置換基を有していてもよいアダマンチル基；式（ａ）：−Ｓｉ（Ｒ’）３で表される基としては、前記と同じものが挙げられる。また、置換基を有していてもよいアルキル基において、当該アルキル基の水素原子がハロゲン原子に置換されたアルキル基であってもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が挙げられ、具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、ペンタフルオロブチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
【０３１３】
置換基としてアリール基を１〜２個有することのあるアミノ基としては、前記と同様のものが挙げられる。
【０３１４】
また、２個のＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成した場合、例えば、
【０３１５】
【化４４】
0005955034.tif 000045
【０３１６】
等が挙げられる。
【０３１７】
これらのＲ５Ｂの中で、水素原子、低級アルキル基、置換しても良いアリール基が好ましく、より具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基がより好ましい。
【０３１８】
さらに、前記Ｒ４ＢとＲ５Ｂが互いに結合し、Ｒ４Ｂが置換されている炭素原子、及びＲ５Ｂが置換されている炭素原子と共に、３〜８員環（好ましくは４〜７員環）の飽和又は不飽和の脂環式炭化水素を形成している場合、例えば、
【０３１９】
【化４５】
0005955034.tif 000046
【０３２０】
等が挙げられる。
【０３２１】
一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物の具体例としては、例えば、下記式（ｂ１）〜（ｂ４）で表されるものが挙げられる。
【０３２２】
【化４６】
0005955034.tif 000047
【０３２３】
［式（ｂ１）〜（ｂ４）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ａは、前記式と同じである。］
さらに一般式（Ｂ）（式（ｂ１）〜（ｂ４））で表されるビスホスフィン化合物の具体例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【０３２４】
【化４７】
0005955034.tif 000048
【０３２５】
【化４８】
0005955034.tif 000049
【０３２６】
前記ビスホスフィン化合物は、遷移金属触媒の配位子として用いることができ、後述の種々のクロスカップリング反応に限らず、ヒドロホウ素化反応、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボメタル化反応、芳香族アミノ化反応における触媒の配位子として適用することができる。
【０３２７】
２．ビスホスフィン化合物の製造方法
本発明は、一般式（Ａ）で表されるビスホスフィン化合物を製造する方法に関し、式（Ａ１）：
【０３２８】
【化４９】
0005955034.tif 000050
【０３２９】
［式（Ａ１）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じである。］
で表される化合物（ホスフィンボラン錯体）をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ａ２）：
【０３３０】
【化５０】
0005955034.tif 000051
【０３３１】
［式（Ａ２）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程を含む。
【０３３２】
また、一般式（Ａ）で表されるビスホスフィン化合物を製造する方法として、
式（Ａ３）：
【０３３３】
【化５１】
0005955034.tif 000052
【０３３４】
［式（Ａ３）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、又は亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ａ４）：
【０３３５】
【化５２】
0005955034.tif 000053
【０３３６】
［式（Ａ４）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む。
【０３３７】
また、本発明は、一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物を製造する方法に関し、
式（Ｂ１）：
【０３３８】
【化５３】
0005955034.tif 000054
【０３３９】
［式（Ｂ１）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。］
で表されるホスフィンボラン錯体をブレンステッド塩基と反応させる工程、
得られた反応物を、
式（Ｂ２）：
【０３４０】
【化５４】
0005955034.tif 000055
【０３４１】
［式（Ｂ２）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇは、脱離基である。］
で表される化合物と反応させる工程、及び
得られた反応物をルイス塩基と反応させる工程を含む。
【０３４２】
また、一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物を製造する方法として、
式（Ｂ３）：
【０３４３】
【化５５】
0005955034.tif 000056
【０３４４】
［式（Ｂ３）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、亜鉛である。］
で表される結合を有する有機金属反応試薬と、式（Ｂ４）：
【０３４５】
【化５６】
0005955034.tif 000057
【０３４６】
［式（Ｂ４）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、
Ｇ’は、脱離基である。］
で表される化合物を反応させる工程
を含む。
【０３４７】
前記式（Ａ１）又は式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体は、公知の方法で製造することができ、例えば、下記のような方法により製造することができる。
【０３４８】
【化５７】
0005955034.tif 000058
【０３４９】
［式中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記と同じである。］
以下に、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物を製造する合成スキームを示す。
【０３５０】
【化５８】
0005955034.tif 000059
【０３５１】
［式中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、Ｅ、及びＧは、前記と同じである。］
【０３５２】
【化５９】
0005955034.tif 000060
【０３５３】
［式中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５Ｂ、及びＧは、前記と同じである。］
【０３５４】
【化６０】
0005955034.tif 000061
【０３５５】
［式中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、Ｅ、Ｇ’及びＭ’は、前記と同じである。］
【０３５６】
【化６１】
0005955034.tif 000062
【０３５７】
［式中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５Ｂ、Ｇ’及びＭ’は、前記と同じである。］
式（Ａ１）又は式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体と反応させるブレンステッド塩基としては、アルキルリチウム、アルキルグリニャール等の有機金属化合物；水素化ナトリウム、水素化カリウム等の金属水素化物；カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド；ジイソプロピルアミン、ナトリウムヘキサメチルジシラジド等の金属アミド等が挙げられる。
【０３５８】
アルキルリチウムとしては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。
【０３５９】
ブレンステッド塩基の配合量としては、一般式（Ａ１）又は式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体１モルに対し、通常１〜３モル程度、好ましくは１〜２モル程度、より好ましくは１．１〜１．５モル程度である。
【０３６０】
反応溶媒としては、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【０３６１】
式（Ａ１）で表されるホスフィンボラン錯体とブレンステッド塩基を反応させて得られる反応物は、式（Ａ２）：
【０３６２】
【化６２】
0005955034.tif 000063
【０３６３】
［式（Ａ２）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、及びＧは、前記と同じである。］
で表される化合物と反応させる。
【０３６４】
式（Ａ２）中、Ｅ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じである。
【０３６５】
Ｇは、脱離基であり、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）等が挙げられる。これらの中で、脱離能の高さと入手の容易さの観点からトシラート基（tosylate group）とヨウ素原子が好ましい。
【０３６６】
また、式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体とブレンステッド塩基を反応させて得られる反応物は、式（Ｂ２）：
【０３６７】
【化６３】
0005955034.tif 000064
【０３６８】
［式（Ｂ２）中、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じであり、Ｇは、前記式（Ａ２）と同じである。］
で表される化合物と反応させる。
【０３６９】
前記式（Ａ２）又は式（Ｂ２）の配合量は、式（Ａ１）又は式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体１モルに対して、通常０．１〜０．５モル程度、好ましくは０．２〜０．５モル程度、より好ましくは０．３〜０．４モル程度である。
【０３７０】
反応溶媒としては、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【０３７１】
前記の工程で得られる反応物（Ａ’）又は（Ｂ’）は、反応後単離せずに次の工程の反応を行ってもよく、また、反応物（Ａ’）又は（Ｂ’）を単離、精製してもよい。
【０３７２】
前記の工程で得られた反応物（Ａ’）又は（Ｂ’）は、さらに、ルイス塩基と反応させる。
【０３７３】
ルイス塩基としては、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］−オクタン（ＤＡＢＣＯ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、トリエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ−メチルピロリジン、Ｎ−メチルモルホリン等が挙げられる。これらの中で、ＤＡＢＣＯが収率と汎用性の点から好ましい。
【０３７４】
ルイス塩基の配合量は、式（Ａ１）又は式（Ｂ１）で表されるホスフィンボラン錯体１モルに対して、通常１〜４モル程度、好ましくは１〜３モル程度、より好ましくは１．５〜２．５モル程度である。
【０３７５】
反応溶媒としては、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、オルトジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、トルエンである。
【０３７６】
式（Ａ３）で表される結合を有する有機金属反応試薬における、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、及びＲ３Ａは、前記式（Ａ）と同じである。Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、亜鉛である。有機金属反応試薬としては、有機リチウム化合物（Ａ３ａ）、有機マグネシウム化合物（Ａ３ｂ）、又は有機亜鉛化合物（Ａ３ｃ）が挙げられ、具体的な化合物としては、次のようなものが例示される。
【０３７７】
有機リチウム化合物（Ａ３ａ）としては、例えば、Ａｒ−Ｘ’（式中、Ａｒは、前記と同じであり、Ｘ’は、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）である）で表される化合物とアルキルリチウムとを反応させることによって得られる。アルキルリチウムとしては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム等が挙げられる。
【０３７８】
有機マグネシウム化合物としては、一般式（Ａ３ｂ）で表されるものが挙げられる。
【０３７９】
Ａｒ−ＭｇＹ’      （Ａ３ｂ）
一般式（Ａ３ｂ）で表される有機マグネシウム化合物において、Ａｒは、前記と同じであり、Ｙ’はハロゲン原子を示す。具体的には、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等である。
【０３８０】
一般式（Ａ３ｂ）で表される有機マグネシウム化合物は、対応する一般式（Ａ３ｂ’）：
Ａｒ−Ｙ’        （Ａ３ｂ’）
［式中、Ａｒ及びＹ’は前記に同じ。］
で表される化合物（Ａ３ｂ’）とマグネシウム（Ｍｇ）から、公知の方法（例えば、実験化学講座第５版，１８巻，５９〜７６ページ等を参照）により調製される。溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；又はこれらの混合溶媒等が用いられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。該有機マグネシウム化合物の溶液の濃度は、通常０．５〜２．０モル／Ｌ程度であればよい。
【０３８１】
有機亜鉛化合物（Ａ３ｃ）としては、例えば、Ａｒ−Ｚｎ結合を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、下記式で表される有機亜鉛化合物を選択できる。
【０３８２】
Ａｒ２Ｚｎ        （Ａ３ｃ１）
Ａｒ２Ｚｎ・２ＭｇＸ’２    （Ａ３ｃ２）
ＡｒＺｎＸ’・ＭｇＸ’２    （Ａ３ｃ３）
［式中、Ｘ’はハロゲン原子を示し、２つのＸ’を含む場合Ｘ’は同一又は異なってもよい。Ａｒは前記に同じであり、２つのＡｒを含む場合、Ａｒは同一又は異なってもよい。］
式（Ａ４）で表される化合物におけるＥ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（Ａ）と同じである。また、Ｇ’は、脱離基であり、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アリールオキシ基、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）等が挙げられる。アリールオキシ基としては、前記と同様のものが挙げられる。これらの中で、脱離能の高さと入手の容易さの観点から塩素原子、臭素原子、アリールオキシ基が好ましい。
【０３８３】
式（Ｂ３）で表される結合を有する有機金属反応試薬における、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、及びＲ３Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。Ｍ’は、リチウム、マグネシウム、亜鉛である。有機金属反応試薬としては、有機リチウム化合物、有機マグネシウム化合物、又は有機亜鉛化合物が挙げられる。
【０３８４】
一般式（Ｂ３）で表される有機金属反応試薬としては、有機リチウム化合物（Ｂ３ａ）、有機マグネシウム化合物（Ｂ３ｂ）、又は有機亜鉛化合物（Ｂ３ｃ）が挙げられ、前記式（Ａ３）で挙げられた化合物と同様のものが挙げられる。
【０３８５】
式（Ｂ４）で表される化合物におけるＲ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。また、Ｇ’は、脱離基であり、前記と同様のものが挙げられる。
【０３８６】
式（Ａ３）又は（Ｂ３）で表される有機金属反応試薬の配合量は、式（Ａ４）又は式（Ｂ４）で表される化合物１モルに対して、通常４〜１２モル程度、好ましくは５〜１０モル程度、より好ましくは６〜８モル程度である。
【０３８７】
反応溶媒としては、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【０３８８】
前記の製造方法により、前記式（Ａ）又は式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物が製造される。
【０３８９】
３．遷移金属触媒
本発明の遷移金属触媒は、下記の式（Ａ−Ｍ）：
【０３９０】
【化６４】
0005955034.tif 000065
【０３９１】
、又は
式（Ｂ−Ｍ）：
【０３９２】
【化６５】
0005955034.tif 000066
【０３９３】
によって表される。
【０３９４】
前記式（Ａ−Ｍ）中のＥ、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記式（１Ａ）と同じである。
【０３９５】
Ｍは、第４周期又は第５周期の０〜３価の遷移金属である。
【０３９６】
第４周期の遷移金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、銅、マンガン等が挙げられ、これらの中で、鉄、コバルト、ニッケルが、触媒活性と汎用性の観点から好ましい。
【０３９７】
第５周期の遷移金属としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀等が挙げられ、これらの中で、パラジウムが、触媒活性と汎用性の観点から好ましい。
【０３９８】
ｎは、０〜３の整数であり、好ましくは、２である。
【０３９９】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、置換基を有していてもよいアリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、置換基を有していてもよいアレーン、置換基を有していてもよいアルケン、置換基を有していてもよいジエン、又は置換基を有していてもよいアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。なお、アリールオキシ基としては、前記で挙げられたものと同様である。置換基を有していてもよいアレーンの具体例としては、ベンゼンが挙げられる。
【０４００】
前記式（Ｂ−Ｍ）中のＲ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式（Ｂ）と同じである。
【０４０１】
また、前記式（Ｂ−Ｍ）中のＭ、Ｘ及びｎは、前記式（Ａ−Ｍ）で挙げられたもの同様である。
【０４０２】
一般式（Ａ−Ｍ）で表される遷移金属触媒の具体例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【０４０３】
【化６６】
0005955034.tif 000067
【０４０４】
［式（ａ−ｍ１）〜（ａ−ｍ８）中、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、Ｅ、Ｍ、ｎ、及びＸは、前記式と同じである。］
さらに一般式（Ａ−Ｍ）（（式（ａ−ｍ１）〜（ａ−ｍ８））で表される遷移金属触媒のより具体的な例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【０４０５】
【化６７】
0005955034.tif 000068
【０４０６】
【化６８】
0005955034.tif 000069
【０４０７】
【化６９】
0005955034.tif 000070
【０４０８】
【化７０】
0005955034.tif 000071
【０４０９】
［式中、Ｍ、ｎ、及びＸは、前記式と同じである。］
また、一般式（Ｂ−Ｍ）で表される遷移金属触媒の具体例としては、例えば、下記式（ｂ−ｍ１）〜（ｂ−ｍ４）で表されるものが挙げられる。
【０４１０】
【化７１】
0005955034.tif 000072
【０４１１】
［式（ｂ−ｍ１）〜（ｂ−ｍ４）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５Ｂ、Ｍ、ｎ、及びＸは、前記式と同じである。］
さらに一般式（Ｂ−Ｍ）（式（ｂ−ｍ１）〜（ｂ−ｍ４））で表される遷移金属触媒のより具体的な例としては、例えば、下記式で表されるものが挙げられる。
【０４１２】
【化７２】
0005955034.tif 000073
【０４１３】
【化７３】
0005955034.tif 000074
【０４１４】
［式中、Ｍ、ｎ、及びＸは、前記式と同じである。］
前記遷移金属触媒は、後述の種々のクロスカップリング反応に限らず、ヒドロホウ素化反応、ヒドロシリル化反応、水素化反応、カルボメタル化反応、芳香族アミノ化反応における触媒として適用することができる。
【０４１５】
４．遷移金属触媒の製造方法
本発明は、一般式（Ａ―Ｍ）又は一般式（Ｂ−Ｍ）で表される遷移金属触媒を製造する方法に関し、一般式（Ａ）：
【０４１６】
【化７４】
0005955034.tif 000075
【０４１７】
［式（Ａ）中、Ｅ、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、及びＲ５Ａは、前記と同じである。］
、又は
一般式（Ｂ）： 
【０４１８】
【化７５】
0005955034.tif 000076
【０４１９】
［式（Ｂ）中、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、及びＲ５Ｂは、前記式と同じである。］で表されるビスホスフィン化合物と、第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物を反応させる工程を含む。
【０４２０】
以下に、一般式（Ａ−Ｍ）又は（Ｂ−Ｍ）で表される遷移金属触媒を製造する合成スキームを示す。
【０４２１】
【化７６】
0005955034.tif 000077
【０４２２】
【化７７】
0005955034.tif 000078
【０４２３】
［前記式中、Ｅ、Ｒ１Ａ、Ｒ２Ａ、Ｒ３Ａ、Ｒ４Ａ、Ｒ５Ａ、Ｒ１Ｂ、Ｒ２Ｂ、Ｒ３Ｂ、Ｒ４Ｂ、Ｒ５Ｂ、Ｍ、Ｘ、及びｎは、前記と同じである。］
第４周期又は第５周期の遷移金属を含む遷移金属化合物の具体例としては、第４周期若しくは第５周期の遷移金属塩、第４周期若しくは第５周期の遷移金属錯体、又はその溶媒和物が挙げられる。
【０４２４】
前記金属化合物における第４周期又は第５周期の遷移金属は、０〜３価である。
【０４２５】
Ｘは、ハロゲン原子、アルコキシ基（alkoxy group)、アリル基、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、ビス(トリフルオロメタンスルホン)イミド基、ジアルキルスルホンイミド基、ジアリールスルホンイミド基、アセチルアセトナート基（acetylacetonate group）、カルボキシレート基（carboxylate group）、ヒドロキシル基（hydroxyl group）、シクロペンタジエニル基、又は水素原子である。また、Ｘは、一酸化炭素、ベンゼン、アルケン、ジエン、又はアルキンの中性配位子であって、Ｍと配位結合されていてもよい。。
【０４２６】
前記遷移金属塩の具体例としては、金属ハロゲン化物、金属水酸化物、金属アルコキシド、金属アリールオキシド、金属トリフラート、金属トシラート、金属メシラート、金属アセチルアセトナート、金属カルボキシレート等が挙げられる。金属ハロゲン化物を形成するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【０４２７】
また、前記遷移金属錯体の具体例としては、金属カルボニル、金属ヒドリド等が挙げられる。
【０４２８】
前記遷移金属化合物を形成する第４周期の０〜３価の遷移金属としては、鉄、コバルト、ニッケル、銅、マンガン等が挙げられ、これらの中で、鉄、コバルト、ニッケルが、触媒活性と汎用性の観点から好ましい。
【０４２９】
前記遷移金属化合物を形成する第５周期の０〜３価の遷移金属としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀等が挙げられ、これらの中で、パラジウムが、触媒活性と汎用性の観点から好ましい。
【０４３０】
これらの遷移金属化合物は、安定して存在するものであれば、特に制限されず、例えば、２価又は３価の鉄の、ハロゲン化鉄、水酸化鉄、鉄アルコキシド、鉄アリールオキシド、鉄トリフラート、鉄トシラート、鉄メシラート、鉄アセチルアセトナート、鉄カルボキシレート、若しくは鉄ヒドリド、０価の鉄の鉄カルボニル、又はそれらの水和物；
２価又は３価のコバルトのハロゲン化コバルト、水酸化コバルト、コバルトアルコキシド、コバルトアリールオキシド、コバルトトリフラート、コバルトトシラート、コバルトメシラート、コバルトアセチルアセトナート、コバルトカルボキシレート、若しくはコバルトヒドリド、０価のコバルトのコバルトカルボニル、又はそれらの水和物；
２価のニッケルのハロゲン化ニッケル、水酸化ニッケル、ニッケルアルコキシド、ニッケルアリールオキシド、ニッケルトリフラート、ニッケルトシラート、ニッケルメシラート、ニッケルアセチルアセトナート、ニッケルカルボキシレート、若しくはニッケルヒドリド、０価のニッケルのニッケルカルボニル、又はそれらの水和物；
１価又は２価の銅の、ハロゲン化銅、水酸化銅、銅アルコキシド、銅アリールオキシド、銅トリフラート、銅トシラート、銅メシラート、銅アセチルアセトナート、銅カルボキシレート、若しくは銅ヒドリド、０価の銅の銅カルボニル、又はそれらの水和物；
２価又は３価のマンガンの、ハロゲン化マンガン、水酸化マンガン、マンガンアルコキシド、マンガンアリールオキシド、マンガントリフラート、マンガントシラート、マンガンメシラート、マンガンアセチルアセトナート、マンガンカルボキシレート、若しくはマンガンヒドリド、０価のマンガンのマンガンカルボニル、又はそれらの水和物；
２価又は３価のルテニウムの、ハロゲン化ルテニウム、水酸化ルテニウム、ルテニウムアルコキシド、ルテニウムアリールオキシド、ルテニウムトリフラート、ルテニウムトシラート、ルテニウムメシラート、ルテニウムアセチルアセトナート、ルテニウムカルボキシレート、若しくはルテニウムヒドリド、０価のルテニウムのルテニウムカルボニル、又はそれらの水和物；
２価又は３価のロジウムの、ハロゲン化ロジウム、水酸化ロジウム、ロジウムアルコキシド、ロジウムアリールオキシド、ロジウムトリフラート、ロジウムトシラート、ロジウムメシラート、ロジウムアセチルアセトナート、ロジウムカルボキシレート、若しくはロジウムヒドリド、０価のロジウムのロジウムカルボニル、又はそれらの水和物；
２価のパラジウムの、ハロゲン化パラジウム、水酸化パラジウム、パラジウムアルコキシド、パラジウムアリールオキシド、パラジウムトリフラート、パラジウムトシラート、パラジウムメシラート、パラジウムアセチルアセトナート、パラジウムカルボキシレート、若しくはパラジウムヒドリド、０価のパラジウムのパラジウムカルボニル、又はそれらの水和物；
１価の銀の、ハロゲン化銀、水酸化銀、銀アルコキシド、銀アリールオキシド、銀トリフラート、銀トシラート、銀メシラート、銀アセチルアセトナート、銀カルボキシレート、若しくは銀ヒドリド、０価の銀の銀カルボニル、又はそれらの水和物等が挙げられる。
【０４３１】
遷移金属化合物の配合量としては、一般式（Ａ）又は一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物１モルに対し、通常０．５〜３モル程度、好ましくは１〜２モル程度、より好ましくは１〜１．５モル程度である。
【０４３２】
反応溶媒としては、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、アセトン、Ｎ−メチルピペリドン等の非プロトン性極性溶媒又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエンである。
【０４３３】
前記の製造方法により、前記式（Ａ−Ｍ）又は式（Ｂ−Ｍ）で表される遷移金属触媒が製造される。
【０４３４】
５．ビスホスフィン化合物及び遷移金属化合物を用いたクロスカップリング反応
本発明は、一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
で表される化合物（１）の製造方法に関し、前記式（Ａ）又は式（Ｂ）及び遷移金属化合物の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
で表される化合物（２）と、
一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
で表される結合を有する有機金属化合物（３）を反応させることを特徴とする。
【０４３５】
一般式（１）及び（２）で表される化合物において、Ｊは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよい。
【０４３６】
該炭化水素基としては、例えばＣ１〜Ｃ３０の炭化水素基が挙げられ、或いは、さらに多くの炭素数を含有する高分子炭化水素基であってもよい。また、飽和若しくは不飽和のいずれであってもよく、非環式、環式、又はそのいずれも含む形態であってもよい。
【０４３７】
該炭化水素基としては、例えば、Ｃ２〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ３０アルキニル基、Ｃ５〜Ｃ３０アルキルジエニル基、Ｃ７〜Ｃ３０アラルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルケニル基、（Ｃ３〜Ｃ１５シクロアルキル）Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基等が含まれる。
【０４３８】
Ｊで示される「Ｃ２〜Ｃ３０アルキル基」は、Ｃ２〜Ｃ１５アルキル基が好ましく、Ｃ４〜Ｃ１２アルキル基がさらに好ましい。アルキル基の例としては、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタデシル等を挙げることができる。
【０４３９】
Ｊで示される「Ｃ３〜Ｃ３０アルケニル基」は、Ｃ３〜Ｃ１５アルケニル基が好ましく、Ｃ４〜Ｃ１０アルケニル基がさらに好ましい。アルケニル基の例としては、２−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、２−メチルアリル、２−ブテニル、３−ブテニル、４−ペンテニル等を挙げることができる。
【０４４０】
Ｊで示される「Ｃ３〜Ｃ３０アルキニル基」は、Ｃ３〜Ｃ１５アルキニル基が好ましく、Ｃ４〜Ｃ１０アルキニル基がさらに好ましい。アルキニル基の例としては、３−ブチニル、４−ペンチニル等を挙げることができる。
【０４４１】
Ｊで示される「Ｃ５〜Ｃ３０アルキルジエニル基」は、Ｃ５〜Ｃ１５アルキルジエニル基が好ましく、Ｃ６〜Ｃ１０アルキルジエニル基がさらに好ましい。アルキルジエニル基の例としては、３，５−ヘキサジエニル、シクロペンタジエニル等を挙げることができる。
【０４４２】
Ｊで示される「Ｃ７〜Ｃ３０アラルキル基」は、Ｃ７〜Ｃ１２アラルキル基が好ましい。アラルキル基の例としては、ベンジル、フェネチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、１，２，３，４−テトラヒドロナフチル等を挙げることができるが、例えば、２，２−ジフェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチルであることが好ましい。
【０４４３】
Ｊで示される「Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基」は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル基が好ましい。シクロアルキル基の例としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、ボルニル、ノルボルニル、アダマンチル、ノルアダマンチル、ノルピニル、デカヒドロナフチル等を挙げることができる。
【０４４４】
Ｊで示される「Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルケニル基」は、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルケニル基が好ましい。シクロアルケニル基の例としては、シクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロヘキセニル、ノルボルネニル、ノルボルナジエニル等を挙げることができる。
【０４４５】
Ｊで示される「（Ｃ３〜Ｃ１５シクロアルキル）Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基」は、（Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキル）Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基が好ましい。その具体例としては、（シクロプロピル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、（シクロブチル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、（シクロペンチル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、（シクロヘキシル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、（シクロヘプチル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル、（アダマンチル）Ｃ１〜Ｃ３アルキル等を挙げることができる。
【０４４６】
さらに、上記したＪで示される炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよい。即ち、Ｊで示される炭化水素基は、１又は２以上のエーテル結合を含有していてもよい。
【０４４７】
Ｊで示される炭化水素基には置換基を有していてもよい。この置換基としては、クロスカップリング反応に悪影響を与えない基であれば特に限定はない。例えば、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等であり、特にＦである）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のＣ１〜Ｃ８アルコキシ基等）、アリール基（例えば、フェニル、トルイル、ナフチル、ビフェニル、ターフェニル基等のＣ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基等）、へテロアリール基（例えば、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基等のＣ６〜Ｃ２０の単環又は多環のへテロアリール基等）、アリールオキシ基（例えば、式：（上記のアリール基）−Ｏ−で示される基等）、アラルキルオキシ基（例えば、ベンジルオキシ基等）、エステル基（例えば、式：−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ２で示される基であり、Ｒ２はＣ１〜Ｃ１０アルキル基等）、ジアルキルアミド基（例えば、式：−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ３）２で示される基が挙げられ、Ｒ３はＣ１〜Ｃ１０アルキル基等）、保護されていてもよい水酸基（例えば、式：−ＯＲ４で示される基であり、Ｒ４はＨ、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基、トリアルキルシリル基等）、トリアルキルシリル基（例えば、トリメチルシリル、ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリエチルシリル等）、アセタール基（例えば、式：−ＣＲ５（ＯＲ６）（ＯＲ７）で示される基であり、Ｒ５は水素原子又は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｒ６及びＲ７は同一又は異なってアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル等）であり、互いに架橋して２価のアルキレン基を形成していてもよい。Ｒ６及びＲ７の例としては、メチル基、エチル基等が挙げられ、互いに架橋している場合には、エチレン基、トリメチレン基等が挙げられる）等が挙げられる。
【０４４８】
上記の置換基は、該炭化水素基の置換可能な位置に１個以上有していてもよく、例えば、１個〜４個、さらに１〜３個有していてもよい。置換基数が２個以上の場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【０４４９】
またＪは、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロアリール基が挙げられる。
【０４５０】
Ｊで示される置換基を有してもよいアリール基におけるアリール基としては、例えば、１〜５環性のアリール基が挙げられる。具体的には、フェニル基、トルイル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、フルオレニル基、テトラセニル、ペンタセニル等が例示される。
【０４５１】
Ｊで示される置換されていてもよいヘテロアリール基におけるヘテロアリール基としては、例えば、１〜４環性の酸素、窒素及び硫黄から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を環に有するヘテロアリール基が挙げられ、具体的には、チエニル基、フリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基等が例示される。
【０４５２】
上記アリール基又はヘテロアリール基は置換されていてもよく、該置換基としては本発明のクロスカップリング反応に悪影響を与えないものであれば特に限定はない。
【０４５３】
この置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ等であり、特にＦである）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等のＣ１〜Ｃ８アルコキシ基等）、アリール基（例えば、フェニル、トルイル、ナフチル、ビフェニル、ターフェニル基等のＣ６〜Ｃ２０の単環又は多環のアリール基等）、アリールオキシ基（例えば、式：（上記のアリール基）−Ｏ−で示される基等）、アラルキルオキシ基（例えば、ベンジルオキシ基等）、エステル基（例えば、式：−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ２０で示される基であり、Ｒ２０はＣ１〜Ｃ１０アルキル基等）、ジアルキルアミド基（例えば、式：−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ３０）２で示される基であり、Ｒ３０がＣ１〜Ｃ１０アルキル基等）、保護されていてもよい水酸基（例えば、式：−ＯＲ４０で示される基であり、Ｒ４０はＨ、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アラルキル基、トリアルキルシリル基等）、トリアルキルシリル基（例えば、トリメチルシリル、ジメチルｔｅｒｔ−ブチルシリル、トリエチルシリル等）、アセタール基（例えば、式：−ＣＲ５０（ＯＲ６０）（ＯＲ７０）で示される基であり、Ｒ５０は水素原子又は置換基を有していてもよいＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｒ６０及びＲ７０は同一又は異なって、アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、フェニル等）であり、互いに架橋して２価のアルキレン基を形成していてもよい。Ｒ６０及びＲ７０の例としては、メチル基、エチル基等が挙げられ、互いに架橋している場合には、エチレン基、トリメチレン基等が挙げられる）等が挙げられる。
【０４５４】
上記の置換基は、該アリール基又はヘテロアリール基の置換可能な位置に１個以上有していてもよく、例えば、１個〜４個、さらに１〜３個有していてもよい。置換基数が２個以上の場合、各置換基は同一であっても異なっていてもよい。
【０４５５】
一般式（２）で表される化合物において、Ｘａはハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、アルコキシ基（alkoxy group)、アリールオキシ基（aryloxy group)、トリフラート基（triflate group）、トシラート基（tosylate group）、メシラート基（mesylate group）、又はカルボキシレート基（carboxylate group）を示す。
【０４５６】
一般式（１）及び（３）で表される化合物において、Ｑは、置換基を有してもよい炭化水素基であり、該炭化水素基の炭素−炭素結合の間に−Ｏ−で示される基を有してもよく、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいヘテロアリール基である。
【０４５７】
置換基Ｑの具体例としては、前記Ｊで挙げられた置換基と同様である。
【０４５８】
一般式（３）で表される結合を有する有機金属化合物（３）において、Ｍｔｌは、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、ホウ素（Ｂ）又はアルミニウム（Ａｌ）を示す。
【０４５９】
一般式（３）で表される有機金属化合物（３）としては、有機マグネシウム化合物（３ａ）、有機亜鉛化合物（３ｂ）、有機ホウ素化合物（３ｃ）、又は有機アルミニウム化合物（３ｄ）が挙げられる。具体的な化合物としては、次のようなものが例示される。
【０４６０】
有機マグネシウム化合物（３ａ）としては、一般式（３ａ）で表されるものが挙げられる。
【０４６１】
Ｑ−ＭｇＹａ      （３ａ）
一般式（３ａ）で表される有機マグネシウム化合物（３ａ）において、Ｙａはハロゲン原子を示す。具体的には、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等である。
【０４６２】
一般式（３ａ）で表される有機マグネシウム化合物は、対応する一般式（３ａ’）：
Ｑ−Ｙａ        （３ａ’）
［式中、Ｑ及びＹａは前記に同じ。］
で表される化合物（３ａ’）とマグネシウム（Ｍｇ）から、公知の方法（例えば、実験化学講座第５版，１８巻，５９〜７６ページ等を参照）により調製される。溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；又はこれらの混合溶媒等が用いられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。該有機マグネシウム化合物の溶液の濃度は、通常０．５〜１．５モル／Ｌ程度であればよい。
【０４６３】
有機亜鉛化合物（３ｂ）としては、例えば、Ｑ−Ｚｎ結合を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、下記式で表される有機亜鉛化合物を選択できる。
【０４６４】
Ｑ２Ｚｎ        （３ｂ１）
Ｑ２Ｚｎ・２ＭｇＸａ’２    （３ｂ２）
ＱＺｎＸａ’・ＭｇＸａ’２    （３ｂ３）
［式中、Ｘａ’はハロゲン原子を示し、２つのＸａ’を含む場合Ｘａ’は同一又は異なってもよい。Ｑは前記に同じであり、２つのＱを含む場合、Ｑは同一又は異なってもよい。］
これらの化合物は、例えば、1) M. Schlosser ed. “Organometallics in Synthesis, A Manual” second edition, Wiley, Weinheim, 2002、2) P. Knochel, P. Jones, Organozinc Reagents, Oxford University Press, New York, 1999、3) E. Erdik, Organozinc Reagents in Organic Synthesis, CRC Press, New York, 1996等の記載に準じて容易に調製することができる。
【０４６５】
有機ホウ素化合物（３ｃ）としては、例えば、Ｑ−Ｂ結合を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、下記式で表される有機ホウ素化合物を選択できる。
【０４６６】
【化７８】
0005955034.tif 000079
【０４６７】
【化７９】
0005955034.tif 000080
【０４６８】
ＱｋＢ（ＯＲｃ）３−ｋ      （３ｃ３）
［式中、ＲｃはＣ１〜Ｃ８アルキル基、ｋは１、２又は３を示し、Ｑは前記と同じである。］
これらの化合物は、例えば、M. Schlosser ed. “Organometallics in Synthesis, A Manual” second edition, Wiley, Weinheim, 2002等の記載に準じて容易に調製することができる。
【０４６９】
有機アルミニウム化合物（３ｄ）としては、例えば、Ｑ−Ａｌ結合を有する化合物であれば特に限定はない。例えば、下記式で表される有機アルミニウム化合物を選択できる。
【０４７０】
ＱｍＡｌ（Ｒｄ）３−ｍ    （３ｄ１）
ＱｍＡｌ（Ｒｄ）３−ｍ・ＭｇＸａ’２    （３ｄ２）
［式中、ＲｄはＣ１〜Ｃ８アルキル基、Ｘａ’はハロゲン原子、ｍは１、２又は３を示し、Ｑは前記と同じである。］
これらの化合物は、例えば、M. Schlosser ed. “Organometallics in Synthesis, A Manual” second edition, Wiley, Weinheim, 2002等の記載に準じて容易に調製することができる。
【０４７１】
一般式（２）で表される化合物の濃度は、下記の反応溶媒中において、通常０．１〜２．０モル／Ｌ程度、好ましくは０．２〜１．５モル／Ｌ程度、より好ましくは０．５〜１．０モル／Ｌ程度に調整することができる。
【０４７２】
有機金属化合物（３）の使用量は、一般式（２）で表される化合物１モルに対し、通常１〜３モル程度、好ましくは１〜２モル程度、より好ましくは１．１〜１．５モル程度である。
【０４７３】
一般式（Ａ）又は一般式（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物としては、前記で挙げられたものと同様である。ビスホスフィン化合物の使用量としては、一般式（２）で表される化合物１モルに対し、通常０．１〜１０モル％程度、好ましくは０．２〜６モル％程度、より好ましくは０．５〜３モル％程度である。かかる範囲であると、クロスカップリング反応が収率よく進行し、副生物を抑制することができる。
【０４７４】
遷移金属化合物としては、前記で挙げられたものを用いることができる。
【０４７５】
遷移金属化合物の使用量は、一般式（２）で表される化合物１モルに対し、０．１〜５モル％程度、好ましくは０．１〜３モル％程度、より好ましくは０．５〜３モル％程度である。かかる範囲であると、クロスカップリング反応が収率よく進行し、副生物を抑制することができる。
【０４７６】
遷移金属化合物とビスホスフィン化合物のモル比率は、通常、１：１〜１：３程度、好ましくは１：１〜１：２程度の範囲から選択することができる。かかる範囲であると、クロスカップリング反応が収率よく進行し、副生物を抑制することができる。
【０４７７】
上記の反応は、反応系中で、遷移金属化合物と一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物を混合することにより調製され、特に単離する必要はない。
【０４７８】
前記マグネシウム化合物（３ａ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、上記のビスホスフィン化合物、遷移金属化合物と一般式（２）で表される化合物を含む溶液に、一般式（３ａ）で表される有機マグネシウム化合物を添加（特に、ゆっくり滴下）する方法が好ましい。
【０４７９】
前記有機亜鉛化合物（３ｂ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物、及び遷移金属化合物の存在下、一般式（２）で表される化合物と有機亜鉛化合物（３ｂ）を反応させる方法が好ましい。
【０４８０】
前記有機ホウ素化合物（３ｃ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物、及び遷移金属化合物の存在下、一般式（２）で表される化合物と、上記した種々の公知の方法で調製される有機ホウ素化合物（３ｃ）（必要に応じ活性化して得られる有機ホウ素アート錯体）を反応させる方法が好ましい。
【０４８１】
前記有機アルミニウム化合物（３ｄ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物、及び遷移金属化合物の存在下、一般式（２）で表される化合物と、上記した種々の公知の方法で調製される有機アルミニウム化合物（３ｄ）を反応させる方法が好ましい。
【０４８２】
反応溶媒は、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【０４８３】
反応は通常、無水の条件下、かつ不活性ガス（例えば、アルゴン、窒素等）雰囲気下で行うことが好ましい。反応温度は、通常−１０〜８０℃程度であり、好ましくは０〜６０℃程度、より好ましくは２０〜６０℃程度である。反応圧力は特に限定はなく、典型的には常圧である。
【０４８４】
上記のようにして反応させた後、反応液をプロトン性溶媒（例えば、水、塩化アンモニウム水溶液、希塩酸等）でクエンチして抽出し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶、トリチュレーション等の精製操作を経て目的とする一般式（１）で表される化合物を得ることができる。
【０４８５】
６．遷移金属触媒を用いたクロスカップリング反応
本発明は、一般式（１）：
Ｊ−Ｑ            （１）
で表される化合物（１）の製造方法に関し、
前記式（Ａ−Ｍ）又は（Ｂ−Ｍ）で表される遷移金属触媒の存在下、一般式（２）：
Ｊ−Ｘａ        （２）
で表される化合物と、一般式（３）：
Ｑ−Ｍｔｌ      （３）
で表される結合を有する有機金属化合物（３）を反応させることを特徴とする。
【０４８６】
前記式（Ａ−Ｍ）、及び（Ｂ−Ｍ）は、「３．遷移金属触媒」で挙げられたものと同じものを用いることができ、また、前記式（１）、（２）、及び（３）は、「５．ビスホスフィン化合物及び遷移金属化合物を用いたクロスカップリング反応」で挙げられたものと同じものを用いることができる。
【０４８７】
一般式（２）で表される化合物の濃度は、上記反応溶媒中において、通常０．１〜２．０モル／Ｌ程度、好ましくは０．２〜１．５モル／Ｌ程度、より好ましくは０．５〜１．０モル／Ｌ程度に調整することができる。
【０４８８】
有機金属化合物（３）の使用量は、一般式（２）で表される化合物１モルに対し、通常１〜３モル程度、好ましくは１〜２モル程度、より好ましくは１．１〜１．５モル程度である。
【０４８９】
遷移金属触媒の使用量は、一般式（２）で表される化合物１モルに対し、通常０．１〜５モル％程度、好ましくは０．１〜３モル％程度、より好ましくは０．５〜３モル％程度とすればよい。該錯体のみでも反応は好適に進行するが、さらに、必要に応じて、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物を添加してもよい。これにより、副生物を抑制することができる場合がある。この場合も、上記したように、反応系中における、遷移金属触媒と一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表される一般式（４）で表されるビスホスフィン化合物のモル比率が、通常、１：１〜１：３程度、好ましくは１：１〜１：２程度の範囲になるように、一般式（Ａ）又は（Ｂ）で表されるビスホスフィン化合物の添加量を調整すればよい。
【０４９０】
前記マグネシウム化合物（３ａ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、上記の遷移金属触媒を含む溶液に、一般式（３ａ）で表される有機マグネシウム化合物を添加（特に、ゆっくり滴下）する方法が好ましい。
【０４９１】
前記有機亜鉛化合物（３ｂ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、遷移金属触媒の存在下、一般式（２）で表される化合物と有機亜鉛化合物（３ｂ）を反応させる方法が好ましい。
【０４９２】
前記有機ホウ素化合物（３ｃ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、遷移金属触媒の存在下、一般式（２）で表される化合物と、上記した種々の公知の方法で調製される有機ホウ素化合物（３ｃ）（必要に応じ活性化して得られる有機ホウ素アート錯体）を反応させる方法が好ましい。
【０４９３】
前記有機アルミニウム化合物（３ｄ）を用いる場合、本発明の製造方法における典型的な反応操作としては、遷移金属触媒の存在下、一般式（２）で表される化合物と、上記した種々の公知の方法で調製される有機アルミニウム化合物（３ｄ）を反応させる方法が好ましい。
【０４９４】
反応溶媒は、本発明の反応に悪影響を及ぼさない溶媒であれば特に限定はなく、例えば、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒；又はこれらの混合溶媒が挙げられる。好ましくは、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）である。
【０４９５】
上記のようにして反応させた後、反応液をプロトン性溶媒（例えば、水、塩化アンモニウム水溶液、希塩酸等）でクエンチして抽出し、必要に応じてカラムクロマトグラフィー、蒸留、再結晶、トリチュレーション等の精製操作を経て目的とする一般式（１）で表される化合物を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０４９６】
【図１】実施例２−１で製造された、遷移金属触媒のＸ線解析によって求められた構造（ＯＲＴＥＰ）である。
【図２】実施例２−１で製造された遷移金属触媒のＸ線解析における結晶データである。
【図３】実施例２−３で製造された、遷移金属触媒のＸ線解析によって求められた構造（ＯＲＴＥＰ）である。
【図４】実施例２−３で製造された遷移金属触媒のＸ線解析における結晶データである。
【実施例】
【０４９７】
以下に実施例及び比較例を示して、本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【０４９８】
［製造例１］：ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンボラン錯体の合成
【０４９９】
【化８０】
0005955034.tif 000081
【０５００】
ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンオキシド（10.4 g, 24.6 mmol）及びＴＨＦ（0.13 L）の混合物に、アルゴン雰囲気下６０℃で、シリンジポンプを用いボランテトラヒドロフラン錯体のＴＨＦ溶液（50 mL, 0.980 M, 49.0 mmol）を８時間かけてゆっくり滴下し、さらに６０℃で１時間撹拌し、反応させた。反応液を周囲温度まで冷却し、溶媒を減圧下に除去した。酢酸エチル（0.10 L）と水（0.10 L）を加え、分液操作を行い、水層を酢酸エチルで３回抽出し、合わせた有機抽出物を飽和食塩水で１回洗浄した後、硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。ろ紙（直径125 mm，アドバンテック（ＡＤＶＡＮＴＥＣ）社製、Ｎｏ．２）を用いて濾過し、溶媒を減圧下にて除去し、白色固体として標題化合物の粗生成物を得た（9.10 g，収率88%，純度93%）。
1H NMR (CDCl3) δ = 1.31 (s, 36H), 6.23 (dq, J P-H= 376.0 Hz, J H-H = 6.94 Hz, 1H), 7.47-7.56 (m, 6H); 31P NMR (CDCl3) δ =  0.72.
【０５０１】
［実施例１−１］：１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳcｉＰＲＯＰ）の合成
【０５０２】
【化８１】
0005955034.tif 000082
【０５０３】
前記製造例１で合成したビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンボラン錯体（1.05 g, 2.47 mmol）及びＴＨＦ（15 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、−７８℃でブチルリチウムのヘキサン溶液（1.6 mL, 1.56 M, 2.46 mmol）を添加し、そのまま−７８℃で３０分間反応させた。−７８℃で１，３−ジヨードプロパン（0.292 g, 0.990 mmol）を添加し、室温に昇温後、１８時間反応させた。反応終了確認後、反応混合物に、飽和塩化アンモニウム水溶液（20 mL）を添加し、酢酸エチルを用いて水層を３回抽出した。合わせた有機抽出物中に含まれる水分を硫酸マグネシウムで除去し、濾過した。溶媒を減圧下に除去した後、得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）、及びゲル浸透クロマトグラフィー（クロロホルム）後に、白い固体として１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパンジボラン錯体を得た（0.817 g, 収率93％）。得られた１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパンジボラン錯体（1.70 g, 1.91 mmol）とトルエン（20 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ，0.643 g, 5.73 mmol）を添加し、５０℃で６時間反応させた。反応終了確認後、反応液を周辺温度まで冷却し、溶媒を減圧下に除去した。得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）後に白色固体として、標題化合物を得た（1.39 g, 収率85％）。
1H NMR (CDCl3) δ = 1.25 (s, 72H), 1.70-1.81 (m, 2H), 2.21(m, 4H), 7.22 (dd, J = 1.8 and 8.1 Hz, 8H), 7.33 (dd, J = 1.78 and 1.80 Hz, 4H)
HRMS (FAB) m/z [M+H]+ calcd for C59H91P2 861.6569, found 861.6600.
【０５０４】
［実施例１−２］：１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ）の合成
【０５０５】
【化８２】
0005955034.tif 000083
【０５０６】
前記製造例１で合成したビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンボラン錯体（10.7 g, 25.2 mmol）及びＴＨＦ（90 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、−７８℃でブチルリチウムのヘキサン溶液（15 mL, 1.62 M, 24.9 mmol）を添加し、そのまま−７８℃で１時間反応させた。−７８℃で１,３−ジヨード−２−メチルプロパン（3.10 g, 10.0 mmol）を添加し、室温に昇温後、６時間反応させた。反応終了確認後、反応混合物に、飽和塩化アンモニウム水溶液（50 mL）を添加し、酢酸エチルを用いて水層を３回抽出した。合わせた有機抽出物中に含まれる水分を硫酸マグネシウムで除去し、濾過した。溶媒を減圧下に除去した後、得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）、及びゲル浸透クロマトグラフィー（クロロホルム）後に、白い固体として１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパンジボラン錯体を得た（8.48 g, 収率94％）。得られた１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパンジボラン錯体（5.54 g, 6.14 mmol）とトルエン（30 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、ＤＡＢＣＯ（2.14 g, 19.1 mmol）を添加し、５０℃で６時間反応させた。反応終了確認後、反応液を周辺温度まで冷却し、溶媒を減圧下に除去した。得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝６／１）後に白色固体として、標題化合物を得た（5.03 g, 収率94％）。
1H NMR (CDCl3) δ = 1.21 (d, J = 6.7 Hz, 3H), 1.24 (s, 36H), 1.25 (s, 36H), 1.91-2.01(m, 1H), 2.08 (dd, J = 8.08 and 13.9 Hz, 2H), 2.41-2.47 (m, 2H), 7.21 (dd, J = 1.80 and 8.08 Hz, 4H), 7.25 (dd, J = 1.80 and 7.60 Hz, 4H), 7.32 (d, J = 1.80 Hz, 4H); HRMS (FAB) m/z [M+H]+ calcd for C60H93P2 875.6753, found 875.6729.
【０５０７】
［実施例１−３］：２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）の合成
【０５０８】
【化８３】
0005955034.tif 000084
【０５０９】
前記製造例１で合成したビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンボラン錯体（6.37 g, 15.0 mmol）及びＴＨＦ（80 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、−７８℃でブチルリチウムのヘキサン溶液（9.5 mL, 1.58 M, 15.0 mmol）を添加し、そのまま−７８℃で１時間反応させた。−７８℃で２−ｔｅｒｔ−ブチル−１,３−ジヨードプロパン（2.11 g, 5.99 mmol）を添加し、室温に昇温後、１８時間反応させた。反応終了確認後、反応混合物に、飽和塩化アンモニウム水溶液（60 mL）を添加し、酢酸エチルを用いて水層を３回抽出した。合わせた有機抽出物中に含まれる水分を硫酸マグネシウムで除去し、濾過した。溶媒を減圧下に除去した後、得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）、及びゲル浸透クロマトグラフィー（クロロホルム）後に、白い固体として２−ｔｅｒｔ−ブチル−１、３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパンジボラン錯体を得た（4.80 g, 収率85％）。得られた２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパンジボラン錯体（3.81 g, 4.03 mmol）とトルエン（30 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、ＤＡＢＣＯ（1.36 g, 12.1 mmol）を添加し、４０℃で９時間反応させた。反応終了確認後、反応液を周辺温度まで冷却し、溶媒を減圧下に除去した。得られる白い固体物質をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）後に白色固体として、標題化合物を得た（3.59 g, 収率97％）。
1H NMR (CDCl3) δ = 0.66 (s, 9H), 1.25 (s, 36H), 1.28 (s, 36H), 1.40-1.46 (br, 1H), 2.09 (dd, J = 8.5 and 13.9 Hz, 2H), 2.51 (d, J = 13.9 Hz, 2H), 7.31-7.36 (m, 12H); HRMS (FAB) m/z [M]+ calcd for C63H98P2 916.7144; found 917.7107.
【０５１０】
［実施例１−４］：ビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシラン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｓｉ）の合成
【０５１１】
【化８４】
0005955034.tif 000085
【０５１２】
前記製造例１で合成したビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィンボラン錯体（6.37 g, 15.0 mmol）及びＴＨＦ（50 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、−７８℃でブチルリチウムのヘキサン溶液（9.5 mL, 1.58 M, 15.0 mmol）を添加し、そのまま−７８℃で１時間反応させた。−７８℃でビス（クロロメチル）ジメチルシラン（0.786 g, 5.00 mmol）を添加し、０℃に昇温後、１２時間反応させた。反応終了確認後、反応混合物に、飽和塩化アンモニウム水溶液（60 mL）を添加し、酢酸エチルを用いて水層を３回抽出した。合わせた有機抽出物中に含まれる水分を硫酸マグネシウムで除去し、濾過した。溶媒を減圧下に除去した後、得られる白い固体物質を薄層クロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１９／１）、及びゲル浸透クロマトグラフィー（クロロホルム）後に、白い固体としてビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシランジボラン錯体を得た（3.21 g, 収率69％）。得られたビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシランジボラン錯体（0.459 g, 0.492 mmol）とトルエン（2.5 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、ＤＡＢＣＯ（0.168 g, 1.50 mmol）を添加し、５０℃で９時間反応させた。反応終了確認後、直接反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）後に白色固体として、標題化合物を得た（0.434 g, 収率97％）。
1H NMR (C6D6) δ = -0.03 (s, 6H), 1.20 (s, 72H), 1.72 (s, 4H), 7.41 (t, J = 1.3 Hz, 4H), 7.66 (dd, J = 1.8 and 8.1 Hz, 2H); 31P NMR (C6D6) δ = -19.9.
【０５１３】
［実施例１−５］：１，２−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］エタン（ＳｃｉＥＰ）の合成
【化８５】
0005955034.tif 000086
【０５１４】
マグネシウム（0.943 g, 38.8 mmol）及びＴＨＦ（13 mL）の混合物に、アルゴン雰囲気下、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼン（6.97 g, 25.9 mmol）及びＴＨＦ（12 mL）の混合物を滴下した。滴下終了後、５５℃で４時間反応させた。反応液を周辺温度まで冷却し、濾過して得られる３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルマグネシウムブロミドのＴＨＦ溶液に対し、１，２−ビス(ジクロロホスフィノ)エタン（1.00 g, 4.31 mmol）を−７８℃で加えた後、周辺温度に昇温し終夜反応させた。反応終了確認後、反応混合物に、飽和塩化アンモニウム水溶液（10 mL）を添加し、酢酸エチルを用いて水層を３回抽出した。合わせた有機抽出物中に含まれる水分を硫酸マグネシウムで除去し、濾過した。溶媒を減圧下に除去した後、得られる白い固体物質をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）後に、白色粉末として標題化合物を得た（2.26 g, 収率62％）。
1H NMR (CDCl3) δ = 1.24 (s, 72H), 2.15 (t, J = 3.6 Hz, 4H), 7.22-7.25 (m, 8H), 7.32 (t, J = 1.8 Hz, 4H); 31P NMR (CDCl3) δ = -9.1.
【０５１５】
表１に、実施例１−１〜１−５で得られたビスホスフィン化合物（配位子）の構造式、及び略構造式を示す。なお、表１に記載される比較例１−１（ｄｐｐｅ）は、北興化学工業株式会社より入手したものであり、比較例１−２（ｄｐｐｐ）は、北興化学工業株式会社より入手したものである。また、比較例１−３（ＳｃｉＯＰＰ）は、国際公報第２０１０／１６４０号に記載される製造例６と同様の方法により合成した。
【０５１６】
【表１】
0005955034.tif 000087
【０５１７】
［実施例２−１］：塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ））の合成
【０５１８】
【化８６】
0005955034.tif 000088
【０５１９】
ＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ（0.128 g, 0.640 mmol）及びエタノール（30 mL）にアルゴン雰囲気下、１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（0.505 g, 0.590 mmol）を添加した。以下の操作もアルゴン雰囲気下で行った。９０℃で６時間反応させた。反応液を周辺温度まで冷却し、溶媒を減圧下に除去した。エタノールを用いて得られる白い粉末を３回洗浄し、濾過した後、減圧下で乾燥した。白い粉末として標題化合物を得た（0.410 g, 収率69％）。図１に該化合物のＸ線解析によって求められた構造（ＯＲＴＥＰ）を示し、図２に、該化合物のＸ線解析における結晶データを示す。
IR (neat) 2958, 2902, 2869, 1592, 1582, 1477, 1464, 1421, 1394, 1363, 1322, 1289, 1250, 1203, 1142, 1049, 1024, 1000, 971, 924, 936, 924, 897, 876, 821, 791, 781, 751, 741, 707, 672 cm-1; 1H NMR (CDCl3, 392 MHz) δ = -3.11, -1.21, 0.08, 0.68, 0.79, 0.87, 1.06, 1.27, 1.91, 4.02, 4.20, 4.71, 23.5, 115.7; Anal. calcd for C59H90Cl2FeP2C, 71.72; H, 9.18, found C, 71.89; H, 9.21.
【０５２０】
［実施例２−２］：塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ）の合成）
【０５２１】
【化８７】
0005955034.tif 000089
【０５２２】
出発物質としてＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ（0.495 g, 2.49 mmol）及び１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン（1.98 g, 2.26 mmol）を用いて、実施例２−１と同様にして反応させた。反応は９０℃で１１時間行った。精製後、白色粉末として標題化合物を得た。（1.87 g 収率83％）
IR (neat) 2955, 2904, 2868, 1593, 1581, 1477, 1462, 1421, 1394, 1363, 1291, 1251, 1203, 1132, 1094, 1059, 1021, 900, 926, 899, 874, 819, 799, 781, 774, 743, 708 cm-1; 1H NMR (CDCl3, 392 MHz) δ = -6.26, -1.27, 0.26, 0.87, 1.28, 1.91, 8.20, 47.5; Anal. calcd for C60H92Cl2FeP2C, 71.92; H, 9.25, found C, 71.82; H, 9.41.
【０５２３】
［実施例２−３］：塩化鉄・２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ））の合成
【０５２４】
【化８８】
0005955034.tif 000090
【０５２５】
出発物質としてＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ（57.1 mg, 0.290 mmol）及び２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（0.240 g, 0.260 mmol）を用いて、実施例２−１と同様にして反応させた。反応は８０℃で１１時間行った。精製後、白色粉末として標題化合物を得た。（0.173 g, 収率64％）。図３に該化合物のＸ線解析によって求められた構造（ＯＲＴＥＰ）を示し、図４に、該化合物のＸ線解析における結晶データを示す。
IR (neat) 2954, 2932, 2868, 1587, 1478, 1419, 1394, 1362, 1287, 1249, 1202, 1133, 1104, 1073, 1029, 976, 924, 896, 873, 839, 818, 793, 777, 721, 707, 682 cm-1;1H NMR (CDCl3, 392 MHz) δ = -4.69, -1.32, -0.75, -0.11, -0.01, 0.09, 0.54, 0.76, 0.88, 1.09, 1.27, 1.34, 2.57, 3.22, 3.38, 5.57, 6.23, 7.29, 7.47, 7.57, 7.56, 62.4, 150.2; Anal. calcd for C63H98Cl2FeP2C, 72.47; H, 9.46, found C, 72.65; H, 9.76.
【０５２６】
［比較例２−１］：塩化鉄・１，３−ビス［ジフェニルホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ｄｐｐｐ））の合成
【０５２７】
【化８９】
0005955034.tif 000091
【０５２８】
出発物質としてＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２（0.289 g, 1.23 mmol）及びＴＨＦ（6.0 mL）にアルゴン雰囲気下、１，３−ビス［ジフェニルホスフィノ］プロパン（0.507 g, 1.23 mmol）を添加した。以下の操作もアルゴン雰囲気下で行った。８０℃で終夜反応させた。反応液を周辺温度まで冷却し、濾過した。ジエチルエーテルを用いて得られる白い粉末を３回洗浄し、減圧下で乾燥した。白い粉末として標題化合物を得た（0.591 g, 収率89％）。
IR (neat) 2359, 1571, 1483, 1455, 1432, 1407, 1311, 1239, 1188, 1101, 1072, 1028, 998, 977, 953, 923, 767, 746, 718, 704, 649 cm-1; Anal. calcd for C27H26Cl2FeP2C, 60.14; H, 4.86, found C, 60.02; H, 4.87.
【０５２９】
得られた遷移金属触媒（遷移金属錯体）の構造式、及び略構造式を表２示す。
【０５３０】
なお、表２に記載される比較例２−２（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＯＰＰ））は、国際公報第２０１０／１６４０号に記載される実施例１と同様の方法により合成した。
【０５３１】
【表２】
0005955034.tif 000092
【０５３２】
［実施例３−１〜３−２及び比較例３−１〜３−２］：クロスカップリング反応（Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応剤）
２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）（11.2 mg, 12.0 μmol, 1.2 mol %）、ウンデカン（75.5 mg, 0.480 mmol）、４−クロロトルエン（128 mg, 1.00 mmol）及びアセチルアセトンニッケル（II）Ｎｉ（ａｃａｃ）２のＴＨＦ溶液（0.20 mL, 50.0 mM, 10.0 μmol, 1.0 mol %）をアルゴン雰囲気下、室温で混合し、ＴＨＦ（1.8 mL）を加え反応容器の内壁をリンスした。混合物に、０℃で、フェニルマグネシウムブロミドのＴＨＦ溶液(1.1 mL, 1.14 M, 1.20 mmol)を加えた、カップリング反応を０℃で１８時間行った。反応液の一部を取り出して、内部標準としてウンデカンを用いて、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により生成物の収率を測定した。収率は99％であった。その結果を、表３の実施例３−１に示す。
【０５３３】
なお、実施例３−２は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，２−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］エタン（ＳｃｉＥＰ）を用いること以外は、実施例３−１と同様の方法により反応させた。
【０５３４】
比較例３−１は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン（ｄｐｐｅ）を用いること以外は、実施例３−１と同様の方法により反応させた。
【０５３５】
比較例３−２は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ｄｐｐｐ）を用いること以外は、実施例３−１と同様の方法により反応させた。
【０５３６】
【化９０】
0005955034.tif 000093
【０５３７】
【表３】
0005955034.tif 000094
【０５３８】
［実施例４−１〜４−４及び比較例４−１〜４−２］：クロスカップリング反応（Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応剤）
２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）（11.3 mg, 12.0 μmol, 1.2 mol %）、ウンデカン（73.7 mg, 0.470 mmol）、４−クロロトルエン（127 mg, 1.00 mmol）及び塩化パラジウム（II）ＰｄＣｌ２（1.8 mg, 10.0 μmol, 1.0 mol %）をアルゴン雰囲気下、室温で混合し、ＴＨＦ（2.0 mL）を加え反応容器の内壁をリンスした。混合物に、−７８℃で、フェニルマグネシウムブロミドのＴＨＦ溶液(1.1 mL, 1.14 M, 1.20 mmol)を加えた、カップリング反応を７０℃で７２時間行った。反応液の一部を取り出して、内部標準としてウンデカンを用いて、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により生成物の収率を測定した。収率は69％であった。その結果を、表４の実施例４−１に示す。
【０５３９】
実施例４−２は、実施例４−１の反応を継続し、２００時間経過した時点で収率を同様に測定した。
【０５４０】
実施例４−３は、反応容器の内壁をリンスする溶媒をＴＨＦに代えてトルエンを用い、反応温度を９０℃とすること以外は、実施例４−１と同様の方法により反応させた。
【０５４１】
実施例４−４は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、ビス｛［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシラン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｓｉ）を用いること以外は、実施例４−１と同様の方法により反応させた。
【０５４２】
比較例４−１は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ｄｐｐｐ）を用いること以外は、実施例４−１と同様の方法により反応させた。
【０５４３】
比較例４−２は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，２−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼン（ＳｃｉＯＰＰ）を用いること以外は、実施例４−１と同様の方法により反応させた。
【０５４４】
【化９１】
0005955034.tif 000095
【０５４５】
【表４】
0005955034.tif 000096
【０５４６】
［実施例５−１〜５−５及び比較例５−１］：クロスカップリング反応（有機亜鉛反応剤）
塩化亜鉛のＴＨＦ溶液（0.75 mL, 1.00 M, 0.750 mmol）に、０℃にて、２−メチル−１−プロペニルマグネシウムブロミド（2.2 mL, 0.690 M, 1.50 mmol）のＴＨＦ溶液を加えた後、室温で１時間撹拌した。得られたビス（２−メチル−１−プロペニル）亜鉛のＴＨＦ溶液を、別途調製したウンデカン（62.5 mg, 0.400 mmol）、ブロモシクロヘプタン（88.5 mg, 0.500 mmol）、塩化鉄・２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ））（15.7 mg, 15.0 μmol, 3.0 mol %）のＴＨＦ溶液（0.5 mL)へと、−７８℃にて加えた。カップリング反応を０℃で１８時間行った。反応液の一部を取り出して、内部標準としてウンデカンを用いて、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により生成物の収率を測定した。収率は74％であった。その結果を、表５の実施例５−１に示す。
【０５４７】
実施例５−２は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ））を用いること以外は、実施例５−１と同様の方法により反応させた。
【０５４８】
実施例５−３は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ））を用いること以外は、実施例５−１と同様の方法により反応させた。
【０５４９】
実施例５−４は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄ＴＨＦ錯体ＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２と配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢを用いること以外は、実施例５−１と同様の方法により反応させた。
【０５５０】
実施例５−５は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄ＴＨＦ錯体ＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２と配位子ビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシラン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｓｉ）を用いること以外は、実施例５−１と同様の方法により反応させた。
【０５５１】
比較例５−１は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ｄｐｐｐ））を用いること以外は、実施例５−１と同様の方法により反応させた。
【０５５２】
【化９２】
0005955034.tif 000097
【０５５３】
【表５】
0005955034.tif 000098
【０５５４】
［実施例６−１〜６−５及び比較例６−１］：クロスカップリング反応（有機亜鉛反応剤）
塩化亜鉛のＴＨＦ溶液（0.60 mL, 1.00 M, 0.600 mmol）に、０℃にて、（トリイソプロピルシリル）エチニルマグネシウムブロミド（1.2 mL, 0.99 M, 1.20 mmol）のＴＨＦ溶液を加えた後、４０℃で３０分撹拌した。得られたビス［（トリイソプロピルシリル）エチニル］亜鉛のＴＨＦ溶液を、別途調製したウンデカン（62.5 mg, 0.400 mmol）、ブロモシクロヘプタン（88.5 mg, 0.500 mmol）、塩化鉄・２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ））（15.7 mg, 15.0 μmol, 3.0 mol %）のＴＨＦ溶液（0.5 mL)へと、０℃にて加えた。カップリング反応を５０℃で２４時間行った。反応液の一部を取り出して、内部標準としてウンデカンを用いて、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により生成物の収率を測定した。収率は83％であった。その結果を、表６の実施例６−１に示す。
【０５５５】
実施例６−２は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ））を用いること以外は、実施例６−１と同様の方法により反応させた。
【０５５６】
実施例６−３は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ））を用いること以外は、実施例６−１と同様の方法により反応させた。
【０５５７】
実施例６−４は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄ＴＨＦ錯体ＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２と配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢを用いること以外は、実施例６−１と同様の方法により反応させた。
【０５５８】
実施例６−５は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄ＴＨＦ錯体ＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２と配位子ビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシラン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｓｉ）を用いること以外は、実施例６−１と同様の方法により反応させた。
【０５５９】
比較例６−１は、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて、塩化鉄・１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン錯体（ＦｅＣｌ2（ｄｐｐｐ））を用いること以外は、実施例６−１と同様の方法により反応させた。
【０５６０】
【化９３】
0005955034.tif 000099
【０５６１】
【表６】
0005955034.tif 000100
【０５６２】
［実施例７−１〜７−５及び比較例７−１〜７−２］：クロスカップリング反応（有機ホウ素反応剤）
フェニルボロン酸ピナコールエステル（164 mg, 0.800 mmol）のＴＨＦ 2.0mL溶液に、−４０℃にて、ｔｅｒｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（0.49 mL, 1.53 M, 0.750 mmol）を加えた。反応液を−４０℃で３０分撹拌した後、０℃で３０分撹拌した。０℃減圧下で溶媒を除去した。残ったリチウムｔｅｒｔ−ブチルボレートの白色結晶を０℃でＴＨＦ(0.80 mL)に溶解した。得られたリチウムｔｅｒｔ−ブチルボレートの溶液にウンデカン（30.1 mg, 0.190 mmol）、１−クロロデカン（71.0 mg, 0.400 mmol）、0.10 MマグネシウムブロミドＭｇＢｒ２のＴＨＦ溶液（0.80 mL, 80.0 μmol, 20 mol %）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１、３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）（36.2 mg, 39.0 μmol, 10 mol %）、及び0.1 M塩化鉄・２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ））のＴＨＦ溶液（0.40 mL, 40.0 μmol, 10 mol %）を加えた。カップリング反応を４０℃で１８時間行った。反応液の一部を取り出して、内部標準としてウンデカンを用いて、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により生成物の収率を測定した。収率は99％以上であった。その結果を、表７の実施例７−１に示す。
【０５６３】
実施例７−２は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ及び鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）をそれぞれ１−クロロデカンに対し5.0 mol %ずつ用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６４】
実施例７−３は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ）を用い、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ））を用い、それぞれ１−クロロデカンに対し5.0 mol %ずつ用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６５】
実施例７−４は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ）を用い、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて塩化鉄・１，３−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］−２−メチルプロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｍ））を用い、それぞれ１−クロロデカンに対し5.0 mol %ずつ用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６６】
実施例７−５は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、ビス｛［ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］メチル｝ジメチルシラン（ＳｃｉＰＲＯＰ−Ｓｉ）を用い、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて塩化鉄ＦｅＣｌ２（ｔｈｆ）３／２を用い、それぞれ１−クロロデカンに対し10 mol %及び5.0 mol %用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６７】
比較例７−１は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１,３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（ｄｐｐｐ）を用い、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて塩化鉄・１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン錯体（ＦｅＣｌ２（ｄｐｐｐ））を用い、それぞれ１−クロロデカンに対し5.0 mol %ずつ用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６８】
比較例７−２は、配位子ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢに代えて、１,２−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼン（ＳｃｉＯＰＰ）を用い、鉄触媒ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＰＲＯＰ−ＴＢ）に代えて塩化鉄・１,２−ビス［ビス（３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィノ］ベンゼン錯体（ＦｅＣｌ２（ＳｃｉＯＰＰ））を用い、それぞれ１−クロロデカンに対し5.0 mol %ずつ用いること以外は、実施例７−１と同様の方法により反応させた。
【０５６９】
【化９４】
0005955034.tif 000101
【０５７０】
【表７】
0005955034.tif 000102
【図１】
0005955034.tif 000131
【図２】
0005955034.tif 000132
【図３】
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【図４】
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