(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ｘＡＯ・ｙ１ＥｕＯ・ｙ２ＥｕＯ３／２・ＭｇＯ・ｚＳｉＯ２で表され、
前記一般式において、ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種であり、ｘは２．８０≦ｘ≦３．００を満たし、ｙ１＋ｙ２は０．０１≦ｙ１＋ｙ２≦０．２０を満たし、ｚは１．９０≦ｚ≦２．１０を満たし、
全Ｅｕ元素のうちの２価Ｅｕ元素の割合を２価Ｅｕ率と定義すると、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が５０モル％以下であり、Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９７モル％以上である蛍光体。
【請求項２】
ＡにおけるＳｒの割合が９０モル％以上である請求項１に記載の蛍光体。
【請求項３】
ＡにおけるＢａの割合が９０モル％以上である請求項１に記載の蛍光体。
【請求項４】
ｘは、２．９０以上である請求項１から３の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項５】
ｙ１＋ｙ２は、０．０６以下である請求項１から４の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項６】
ｚは、２．００以上である請求項１から５の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項７】
Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が３６モル％以下である請求項１から６の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項８】
Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９９モル％以上である請求項１から７の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項９】
Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が１３モル％以上である請求項１から８の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項１０】
Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が１００モル％未満である請求項１から９の何れか一つに記載の蛍光体。
【請求項１１】
請求項１から１０の何れか一つに記載の蛍光体を含む蛍光体層を有する発光装置。
【請求項１２】
３８０〜４２０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放つ半導体発光素子をさらに有し、前記蛍光体層の蛍光体が、前記半導体発光素子が放つ光の一部を吸収し、吸収した光よりも長い波長範囲内にピーク波長を有する光を放つ請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記半導体発光素子が、窒化ガリウム系化合物半導体で構成した発光層を有する半導体発光素子である請求項１２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｅｕ元素を含む蛍光体に関する。本発明はまた、当該蛍光体を用いた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、省エネルギーの観点から白色ＬＥＤ（発光ダイオード）が広く用いられるようになってきている。一般的な白色ＬＥＤでは、青色発光素子である青色ＬＥＤチップと青色ＬＥＤチップからの発光の一部を蛍光体で色変換し、青色ＬＥＤチップからの青色光と蛍光体からの発光とを混色して白色光が作り出されている。【０００３】
白色ＬＥＤとしては、青色ＬＥＤチップと黄色蛍光体との組み合わせが主流であるが、演色性、色再現性等が高いことから、近紫外から青紫色領域のＬＥＤと、青色蛍光体、緑色蛍光体および赤色蛍光体の３種類の蛍光体とを組み合わせた白色ＬＥＤの開発も行われている。【０００４】
また、プロジェクター光源や車載用ヘッドランプ光源等、高い発光エネルギーが要求される用途では、近紫外から青紫色領域のＬＤ（半導体レーザーダイオード）と蛍光体とを組み合わせた光源の開発が行われている。【０００５】
青色蛍光体としては、一般式Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋で表される蛍光体（ＳＭＳ蛍光体）が知られており、白色ＬＥＤの青色蛍光体として用いることが検討されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１２−０３３１２２号
【発明の概要】
【０００７】
しかしながら、上記従来の方法では、ＳＭＳ蛍光体の発光効率が低いため、高効率の発光装置を構成することが困難であった。更に、ＬＤとＳＭＳ蛍光体とを組み合わせた発光装置を構成する場合、励起光エネルギーの増加によるＳＭＳ蛍光体の温度上昇および輝度飽和現象により、発光効率が更に低下するという問題もあった。
【０００８】
本開示は、上記従来の課題を解決するもので、発光効率の高いＳＭＳ型の蛍光体を提供することを目的とする。本開示はまた、高効率の発光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
上記課題を解決した本開示の蛍光体は、一般式ｘＡＯ・ｙ１ＥｕＯ・ｙ２ＥｕＯ３／２・ＭｇＯ・ｚＳｉＯ２で表され、この一般式において、ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種であり、ｘは２．８０≦ｘ≦３．００を満たし、ｙ１＋ｙ２は０．０１≦ｙ１＋ｙ２≦０．２０を満たし、ｚは１．９０≦ｚ≦２．１０を満たし、全Ｅｕ元素のうちの２価Ｅｕ元素の割合を２価Ｅｕ率と定義すると、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が５０モル％以下であり、Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９７モル％以上である。
【００１０】
また、本開示の発光装置は、前記の蛍光体を含む蛍光体層を有する。
【００１１】
本開示によれば、発光効率の高いＳＭＳ型の蛍光体が提供され、当該蛍光体を用いた発光装置は、高効率となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の発光装置の一例を示す断面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本開示の第１の側面に係る蛍光体は、一般式ｘＡＯ・ｙ１ＥｕＯ・ｙ２ＥｕＯ３／２・ＭｇＯ・ｚＳｉＯ２で表される。この一般式において、ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種であり、ｘは２．８０≦ｘ≦３．００を満たし、ｙ１＋ｙ２は０．０１≦ｙ１＋ｙ２≦０．２０を満たし、ｚは１．９０≦ｚ≦２．１０を満たす。全Ｅｕ元素のうちの２価Ｅｕ元素の割合を２価Ｅｕ率と定義すると、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が５０モル％以下である。Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９７モル％以上である蛍光体である。
【００１４】
本開示の第２の側面に係る蛍光体は、第１の側面に係る蛍光体において、ＡにおけるＳｒの割合が９０モル％以上である。
【００１５】
本開示の第３の側面に係る蛍光体は、第１の側面に係る蛍光体において、ＡにおけるＢａの割合が９０モル％以上である。
【００１６】
本開示の第４の側面に係る蛍光体は、第１から第３の何れか一つの側面に係る蛍光体において、ｘは、２．９０以上である。
【００１７】
本開示の第５の側面に係る蛍光体は、第１から第４の何れか一つの側面に係る蛍光体において、ｙ１＋ｙ２は、０．０６以下である。
【００１８】
本開示の第６の側面に係る蛍光体は、第１から第５の何れか一つの側面に係る蛍光体において、ｚは、２．００以上である。
【００１９】
本開示の第７の側面に係る蛍光体は、第１から第６の何れか一つの側面に係る蛍光体において、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が３６モル％以下である。
【００２０】
本開示の第８の側面に係る蛍光体は、第１から第７の何れか一つの側面に係る蛍光体において、Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９９モル％以上である。
【００２１】
本開示の第９の側面に係る蛍光体は、第１から第８の何れか一つの側面に係る蛍光体において、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が１３モル％以上である。
【００２２】
本開示の第１０の側面に係る蛍光体は、第１から第９の何れか一つの側面に係る蛍光体において、Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が１００モル％未満である。
【００２３】
本開示の第１１の側面に係る発光装置は、第１から第１０の何れか一つの側面に係る蛍光体を含む蛍光体層を有する。
【００２４】
本開示の第１２の側面に係る発光装置は、第１１の側面に係る発光装置が、３８０〜４２０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光を放つ半導体発光素子をさらに有し、蛍光体層の蛍光体が、半導体発光素子が放つ光の一部を吸収し、吸収した光よりも長い波長範囲内にピーク波長を有する光を放つ。
【００２５】
本開示の第１３の側面に係る発光装置は、第１２の側面に係る発光装置において、半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体で構成した発光層を有する。
【００２６】
以下、本開示の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
＜蛍光体＞
本開示の蛍光体は、一般式ｘＡＯ・ｙ１ＥｕＯ・ｙ２ＥｕＯ３／２・ＭｇＯ・ｚＳｉＯ２で表される。この一般式において、ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種であり、ｘは２．８０≦ｘ≦３．００を満たし、ｙ１＋ｙ２は０．０１≦ｙ１＋ｙ２≦０．２０を満たし、ｚは１．９０≦ｚ≦２．１０を満たす。
【００２８】
更に、本開示の蛍光体は、Ｘ線光電子分光法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が５０モル％以下であり、Ｘ線吸収端近傍構造解析法によって測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が９７モル％以上である。本開示において、２価Ｅｕ率とは、全Ｅｕ元素のうちの２価Ｅｕ元素の割合である。
【００２９】
Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）は、試料表面に波長既知のＸ線（例えば、Ａｌ  Ｋα線、エネルギー値１４８７ｅＶ）を照射し、試料から飛び出す光電子のエネルギーを測定する表面分析手法であり、一般に試料表面約４ｎｍ程度の情報を選択的に得ることができる。従って、本開示においてＸＰＳにより測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率は、例えば、蛍光体粒子の表面から中心方向に約４ｎｍ程度の領域での平均値である。
【００３０】
一方、Ｘ線吸収端近傍構造解析法（ＸＡＮＥＳ）は、試料にＸ線を照射しその吸収スペクトルを解析する手法（ＸＡＦＳ）の１つであり、吸収端近傍の構造を解析することで、Ｘ線吸収原子の電子状態を知ることができる。本開示においてＸＡＮＥＳにより測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率は、蛍光体粒子全体の平均値である。ＸＡＮＥＳにより測定される蛍光体粒子の２価Ｅｕ率が、９９％以上である場合には、蛍光体の発光効率が特に高くなる。
【００３１】
従来のＳＭＳ蛍光体では、２価Ｅｕが賦活剤となるため、２価Ｅｕ率が高いほど発光効率が高くなると考えられていた。本発明者らは、従来の考え方に反し、蛍光体粒子の極表面近傍で２価Ｅｕ率が低く、蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率が高い状態を実現することで、より優れた発光効率が得られることを見出した。
【００３２】
以下、本開示の蛍光体の製造方法について説明するが、本開示の蛍光体の製造方法は以下に限られるものではない。
【００３３】
本開示の蛍光体のストロンチウム原料としては、高純度（例えば純度９９％以上）の水酸化ストロンチウム、炭酸ストロンチウム、硝酸ストロンチウム、ハロゲン化ストロンチウム若しくはシュウ酸ストロンチウムなど、焼成により酸化ストロンチウムになりうるストロンチウム化合物かまたは高純度（例えば純度９９％以上）の酸化ストロンチウムを用いることができる。
【００３４】
カルシウム原料としては、高純度（例えば純度９９％以上）の水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、硝酸カルシウム、ハロゲン化カルシウム若しくはシュウ酸カルシウムなど、焼成により酸化カルシウムになりうるカルシウム化合物かまたは高純度（例えば純度９９％以上）の酸化カルシウムを用いることができる。
【００３５】
バリウム原料としては、高純度（例えば純度９９％以上）の水酸化バリウム、炭酸バリウム、硝酸バリウム、ハロゲン化バリウム若しくはシュウ酸バリウムなど、焼成により酸化バリウムになりうるバリウム化合物かまたは高純度（例えば純度９９％以上）の酸化バリウムを用いることができる。
【００３６】
マグネシウム原料としては、高純度（例えば純度９９％以上）の水酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、ハロゲン化マグネシウム、シュウ酸マグネシウム若しくは塩基性炭酸マグネシウムなど、焼成により酸化マグネシウムになりうるマグネシウム化合物かまたは高純度（例えば純度９９％以上）の酸化マグネシウムを用いることができる。
【００３７】
ユーロピウム原料としては、高純度（例えば純度９９％以上）の水酸化ユーロピウム、炭酸ユーロピウム、硝酸ユーロピウム、ハロゲン化ユーロピウム若しくはシュウ酸ユーロピウムなど焼成により酸化ユーロピウムになりうるユーロピウム化合物かまたは高純度（例えば純度９９％以上）の酸化ユーロピウムを用いることができる。
【００３８】
シリコン原料については、様々な酸化物原料を用いることができる。
【００３９】
また、反応を促進するために、フッ化物（例えばフッ化アルミニウム等）や塩化物（例えば塩化カルシウム等）を少量添加することが好ましい。
【００４０】
ここで、原料の平均粒子径に関し、原料の平均粒子径と蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率には相関がある。特に、シリコン原料の平均粒子径を大きくするほど蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は高くなる。よって、使用するシリコン原料の平均粒子径を選択することによって、蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率を制御することができる。シリコン原料の平均粒子径を調整するにあたり、従来公知の粉砕方法や、篩分け等の分級方法などを適宜用いることができる。
【００４１】
原料の混合方法としては、溶液中での湿式混合でも乾燥粉体の乾式混合でもよく、工業的に通常用いられるボールミル、媒体撹拌ミル、遊星ミル、振動ミル、ジェットミル、Ｖ型混合機、攪拌機等を用いることができる。
【００４２】
混合粉体の焼成は、１１００〜１５００℃の温度範囲で１〜１０時間程度行う。蛍光体粒子表面および蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率を制御するために、焼成は、酸素および水素を含有する雰囲気、例えば、窒素、水素および酸素の混合ガス中で行い、混合ガス中の酸素分圧を精密に制御する。混合ガス中の酸素分圧が低いほど、蛍光体粒子の２価Ｅｕ率、特に蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率が高くなる。
【００４３】
焼成に用いる炉は工業的に通常用いられる炉を用いることができ、プッシャー炉等の連続式またはバッチ式の電気炉やガス炉を用いることができる。
【００４４】
原料として水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩など焼成により酸化物になりうるものを使用した場合、本焼成の前に８００〜１４００℃の温度範囲にて仮焼することができる。
【００４５】
得られた蛍光体粉末を、ボールミル、ジェットミルなどを用いて再度粉砕し、さらに必要に応じて洗浄あるいは分級することにより、蛍光体粉末の粒度分布および流動性を調整することができる。
【００４６】
本開示の蛍光体は、従来のＳＭＳ蛍光体と比べ発光効率の高いものである。よって、本開示の蛍光体を、蛍光体層を有する発光装置に適用すれば、高効率の発光装置を構成することができる。
【００４７】
＜発光装置＞
本開示の発光装置は、上述の本開示の蛍光体を含む蛍光体層を有する発光装置である。発光装置の例としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザーダイオード（ＬＤ）と蛍光体とを利用するプロジェクター光源や車載用ヘッドランプ光源、白色ＬＥＤ照明光源等、および、蛍光体を利用するセンサーや増感器、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等が挙げられる。
【００４８】
以下、本開示の発光装置の具体的な構成例について、図面を参照しながら説明するが、本開示の発光装置の構成は以下に限られるものではない。
【００４９】
図１は、本開示の発光装置の一例を示す断面模式図である。
【００５０】
発光装置１００は、樹脂１２中に蛍光体１１が分散した蛍光体層を有し、かつ半導体発光素子１３をさらに有する。半導体発光素子１３は、ダイボンド１５を介して基板１７に固定されている。また、半導体発光素子１３は、ボンディングワイヤ１６により、電極１４に電気的に接続されている。電極１４に所定の電圧を加えることにより、半導体発光素子１３は、３８０〜４２０ｎｍの波長範囲内にピーク波長を有する光（すなわち近紫外〜青紫色領域の光）を放つ。半導体発光素子１３には、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体で構成した発光層を有する半導体発光素子を用いることができる。蛍光体１１は、半導体発光素子１３が放つ光の一部を吸収し、吸収した光よりも長い波長範囲内にピーク波長を有する光を放つ。蛍光体１１は、青色蛍光体として上述の本開示の蛍光体を含み、さらに黄色蛍光体を含む。蛍光体１１として上述の本開示の蛍光体と黄色蛍光体の混合体を用いることで、発光装置１００は、青色発光と黄色発光の混色により白色系の光を放つ。蛍光体１１は上記に限られず、例えば、青色蛍光体としての上述の本開示の蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体の混合体を用いることもできる。黄色蛍光体、緑色蛍光体、および赤色蛍光体は、例えば、公知のものを使用することができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例および比較例を挙げて本開示の蛍光体を詳細に説明するが、本開示の蛍光体は当該実施例に限定されるものではない。【００５２】
（蛍光体の製造例）
出発原料として、ＳｒＣＯ３（純度９９．９％、平均粒子径１μｍ）、ＢａＣＯ３（純度９９．９％、平均粒子径１μｍ）、ＣａＣＯ３（純度９９．９％、平均粒子径１μｍ）、Ｅｕ２Ｏ３（純度９９．９％、平均粒子径１μｍ）、ＭｇＣＯ３（純度９９．９％、平均粒子径０．５μｍ）、ＳｉＯ２（純度９９．９％、平均粒子径１〜１２μｍ、球状粒子）を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボールミルを用いて純水中で湿式混合した。【００５３】
この混合物を１５０℃で１０時間乾燥し、乾燥粉末を大気中１１００℃で４時間焼成した。この仮焼物を、窒素と水素および酸素の混合ガス中１２００〜１４００℃で４時間焼成し、更に１２００〜１３００℃で２４時間焼成して蛍光体を得た。ここで、混合ガス中の酸素分圧を精密に制御することにより、蛍光体粒子の２価Ｅｕ率を変化させた。酸素分圧を１０−１６気圧とした場合の蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は８０％となり、酸素分圧を１０−１５．５気圧とした場合の蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は５０％となり、酸素分圧を１０−１４．５気圧とした場合の蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は２０％となり、酸素分圧を１０−１２気圧とした場合の蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は１０％となった。蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は、混合ガス中の酸素分圧によってのみ定まるのに対して、蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は、更にＳｉＯ２原料の平均粒子径を変化させることで制御した。平均粒子径を大きくするほど蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は高くなり、混合ガス中の酸素分圧を１０−１５．５気圧とした場合、平均粒子径を１μｍとした場合の蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は９３％となり、平均粒子径を４μｍとした場合の蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は９７％となり、平均粒子径を９μｍとした場合の蛍光体粒子全体の２価Ｅｕ率は９９％となった。【００５４】
得られた蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は、ＸＰＳ（アルバックファイ社製Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭを用いた）により、２価Ｅｕに起因するピークと、３価Ｅｕに起因するピークの強度比（すなわちピークの面積比）から算出した。なお、Ｓｈｉｒｌｅｙ法によりバックグラウンドを除去し、ピークのフィッティングにはガウス関数を用いた。蛍光体粒子表面の２価Ｅｕ率は、大型放射光施設ＳＰｒｉｎｇ８のＢＬ０１Ｂ１装置を用いて得られたＸＡＮＥＳスペクトルにおいて、２価Ｅｕに由来するピークと３価Ｅｕに由来するピークを分離し、これらの面積比より求めた。【００５５】
作製した蛍光体の組成比、粒子表面の２価Ｅｕ率、粒子全体の２価Ｅｕ率ならびに、ピーク波長４０５ｎｍのＬＤを用いて出力１Ｗおよび１０Ｗの青紫光を照射して測定した試料の光量子数比を表１に示す。ただし、光量子数比は標準試料であるＢａ０．７Ｅｕ０．３ＭｇＡｌ１０Ｏ１７に対する相対値である。なお、表１において＊印を付した試料が比較例、＊印を付さなかった試料が実施例である。【００５６】
【表１】
0005870256.tif 000002
【００５７】
表１から明らかなように、組成比、粒子表面の２価Ｅｕ率および粒子全体の２価Ｅｕ率が本開示の範囲内にある蛍光体は、４０５ｎｍの青紫光照射による光量子数比がいずれも高く、励起光エネルギーの増加による光量子数比の低下が少ない。中でも、粒子表面の２価Ｅｕ率が５０％以下であって粒子全体の２価Ｅｕ率が９９％以上の範囲内にある蛍光体（試料番号８〜１０、１２〜１８、２０〜２３）では、特に光量子数比が高い。【００５８】
＜発光装置の作製＞
試料番号２〜６、試料番号８、試料番号１４〜１６、試料番号１８および試料番号２１と同様にして作製した蛍光体と、ジメチルシリコーン樹脂とを三本ロール混練機を用いて混練し、混合物を得た。混合物を金型に充填し、真空脱泡で脱泡した後、基板上に配線された６００μｍ角の窒化ガリウム系半導体発光素子（ピーク波長４０５ｎｍ）と貼り合わせ、１５０℃で１０分間の仮加熱硬化を行った。金型を取り外した後、１５０℃で４時間の加熱硬化を行い、図１に示したような発光装置を得た。なお、蛍光体と樹脂との混合物中の蛍光体の重量比は、５０重量パーセントとした。【００５９】
発光効率の測定は、実施例および比較例の試料に対し、５００ｍＡの電流をパルス幅３０ｍｓで印加し、青色発光を全光束測定システム（ＨＭφ３００ｍｍ）で測定した。【００６０】
作製した発光装置に使用した蛍光体の試料番号と、測定方法での試料の発光効率を表２に示す。ただし、発光効率は標準試料（Ｂａ０．７Ｅｕ０．３ＭｇＡｌ１０Ｏ１７）に対する相対値であり、表２において＊印を付した試料が比較例、＊印を付さなかった試料が実施例である。【００６１】
【表２】
0005870256.tif 000003
【００６２】
表２から明らかなように、本開示の発光装置は発光効率が高い。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本開示の蛍光体を含む蛍光体層を有する発光装置は、高効率であるため、種々の用途で有用である。具体的には、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザーダイオード（ＬＤ）と蛍光体とを利用するプロジェクター光源や車載用ヘッドランプ光源、白色ＬＥＤ照明光源等、および、蛍光体を利用するセンサーや増感器、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の用途に応用できる。
【符号の説明】
【００６４】
１１    蛍光体
１２    樹脂
１３    半導体発光素子
１４    電極
１５    ダイボンド
１６    ボンディングワイヤ
１７    基板
１００  発光装置
【図１】
0005870256.tif 000004