(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部、前記半導体素子搭載部に一端部を連続させることにより当該半導体素子搭載部を支持する吊りリード、及び前記半導体素子搭載部の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリードを含む単位リードフレームと、
前記単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーと
を備え、
複数の前記単位リードフレームが、マトリックス状に配列されてなり、
前記タイバーは、隣接する前記単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられてなり、
前記タイバーの両端部は、それぞれ前記吊りリードの他端部に連続しており、
隣接する前記単位リードフレームに含まれる前記複数のリードのそれぞれは、当該隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーを挟むようにして、前記タイバーの両側面のそれぞれに支持されており、 
前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きく、 
前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さは、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きいことを特徴とする多面付リードフレーム。
【請求項２】
前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の多面付リードフレーム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多面付リードフレームを製造する方法であって、
導電性基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程と
を含み、
前記レジストパターン形成工程において、前記多面付リードフレームにおける隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーの短手方向の両側面のそれぞれに、当該タイバーを挟んで、当該隣接する各単位リードフレームの前記複数のリードのそれぞれが支持されるように、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、かつ前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きくなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、
前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、
前記封止樹脂にて封止された前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを含むリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレーム及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板実装の高密度化に伴い、基板に実装される半導体装置の小型化・薄型化が要求されてきている。かかる要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、当該リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂にて封止するとともに、下面側にリードの一部分を露出させてなる、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。
【０００３】
このようなＱＦＮタイプの半導体装置を製造するためのリードフレームの一例として、図９及び１０に示すような構成を有するリードフレーム１００が提案されている。かかるリードフレーム１００は、上面に半導体素子を搭載するダイパッド２００と、ダイパッド２００の各辺に先端部を対向させるようにして並設されている複数のリード３００と、一端部がダイパッド２００の四隅に連続し、ダイパッド２００を支持する吊りリード４００とを備える単位リードフレームが複数配列されてなり、各単位リードフレームの周囲を囲むようにして格子状に設けられた、複数のリード３００を支持するタイバー５００を有する。
【０００４】
かかるリードフレーム１００において、吊りリード４００の他端部（タイバー５００の端部５００ａとの連続部）４２０は、二股に分岐した、いわゆるフィッシュテール形状をなしており、タイバー５００は、その両端部５００ａ，５００ａのそれぞれを吊りリード４００の二股に分岐する一の端部４２０ａ，４２０ａに連続させて、ダイパッド２００の一辺に沿って設けられている。そして、かかるリードフレーム１００は、吊りリード４００の一の端部４２０ａとの連続部５１０から、当該吊りリード４００の最近傍に位置するリード３００までのタイバー５００の距離Ｄ100が、複数のリード３００間におけるタイバー５００の距離Ｄ200よりも長くなるように構成されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３８７９４５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記リードフレーム１００において、タイバー５００は、その両端部５００ａ，５００ａのそれぞれを吊りリード４００の一の端部４２０ａ，４２０ａに連続させてダイパッド２００の一辺に沿って設けられているが、当該タイバー５００の長手方向（ダイパッド２００の一辺に略平行な方向）に対し略垂直な方向に突出するように、先端部をダイパッド２００の一辺に向けて複数のリード３００が連続しているため、当該リードフレーム１００の製造工程や当該リードフレーム１００を用いた半導体装置の製造工程におけるハンドリング時等にタイバー５００が揺動し、それによりタイバー５００が捩れるように、又はタイバー５００がリードフレーム１００の平面方向に対して略垂直な方向に撓むように、当該タイバー５００に対して応力がかかることがある。
【０００７】
このとき、上記リードフレーム１００においては、吊りリード４００の他端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０から、当該吊りリード４００の最近傍に位置するリード３００までにおけるタイバー５００の距離Ｄ100が、複数のリード３００間におけるタイバー５００の距離Ｄ200よりも長いため、タイバー５００の揺動等により、吊りリード４００の一の端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０に対し相対的に大きな応力がかかることになる。
【０００８】
特に、上記リードフレーム１００においては、樹脂封止後のリードフレーム１００を半導体素子ごとに切断する際に用いられるダイシングブレードにかかる負荷を低減することを目的として、タイバー５００の下面側からハーフエッチング加工が施されている。そのため、当該タイバー５００の揺動等によりかかる応力に対する耐力が低く、上記連続部５１０近傍において、タイバー５００の捩れや撓み等の変形が生じやすいという問題がある。
【０００９】
このようにしてリードフレームや半導体装置の製造過程においてタイバー５００が変形してしまうと、半導体素子の端子と各リード３００との間におけるワイヤーの接続不良が生じたり、半導体装置を製造する際の樹脂封止が困難となったりすることがある。
【００１０】
特に、近年のリードフレーム用基材の薄板化、半導体装置における多ピン化等により、タイバー５００の端部５００ａと吊りリード４００の他端部４２０ａとの連続部５１０近傍にかかる応力が相対的に増大することになるため、上記のような問題が顕著に現れることとなる。
【００１１】
このような問題を解決するために、タイバー５００にハーフエッチング加工を施すことなく、タイバー５００の厚さをリードフレーム１００用基材の厚さと同一にすることで、タイバー５００の揺動等による応力に対する耐力を向上させることも考えられる。しかしながら、このような構成にすると樹脂封止後のリードフレーム１００を半導体素子ごとに切断する際に用いられるダイシングブレードにかかる負荷を増大させてしまうとともに、タイバー５００の距離Ｄ100が、距離Ｄ200よりも長いために、吊りリード４００の一の端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０近傍に対し相対的に大きな応力がかかることに変わりがない。
【００１２】
上記のような課題に鑑みて、本発明は、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を抑制することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部、前記半導体素子搭載部に一端部を連続させることにより当該半導体素子搭載部を支持する吊りリード、及び前記半導体素子搭載部の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリードを含む単位リードフレームと、前記単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーとを備え、複数の前記単位リードフレームが、マトリックス状に配列されてなり、前記タイバーは、隣接する前記単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられてなり、前記タイバーの両端部は、それぞれ前記吊りリードの他端部に連続しており、隣接する前記単位リードフレームに含まれる前記複数のリードのそれぞれは、当該隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーを挟むようにして、前記タイバーの両側面のそれぞれに支持されており、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きく、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さは、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きいことを特徴とする多面付リードフレームを提供する（発明１）。
【００１４】
上記発明（発明１）によれば、吊りリード他端部とタイバー端部との連続部から当該吊りリード（当該連続部）最近傍のリードまでの間におけるタイバーの厚さ方向の断面積が、隣接するリード間のタイバーの厚さ方向の断面積よりも大きいことで、吊りリード他端部とタイバー端部との連続部近傍において、当該連続部近傍にかかる応力に対する耐力が向上されるため、当該連続部近傍におけるタイバーの変形を抑制することができる。
【００１５】
上記発明（発明１）においては、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さよりも厚いのが好ましい（発明２）。
【００１７】
また、本発明は、上記発明（発明１，２）に係る多面付リードフレームを製造する方法であって、導電性基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程とを含み、前記レジストパターン形成工程において、前記多面付リードフレームにおける隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーの短手方向の両側面のそれぞれに、当該タイバーを挟んで、当該隣接する各単位リードフレームの前記複数のリードのそれぞれが支持されるように、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、かつ前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きくなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法を提供する（発明３）。
【００１８】
さらに、本発明は、上記発明（発明１，２）に係る多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、前記封止樹脂にて封止された前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを含むリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明４）。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を抑制することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を示す、図１におけるＡ部拡大平面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を主に示す断面図であって、図３（ａ）は、図２におけるＩ−Ｉ線断面図であり、図３（ｂ）は、図２におけるＪ−Ｊ線断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るリードフレームの製造工程を示す断面図（図１におけるＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ線断面図）である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＨ−Ｈ線切断端面図）である。
【図７】図７は、本発明の他の実施形態（その１）におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大平面図である。
【図８】図８は、本発明の他の実施形態（その２）におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。
【図９】図９は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの概略構成を示す平面図である。
【図１０】図１０は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられるリードフレームにおけるタイバーの構成を主に示す、図９におけるＸ部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
〔リードフレーム〕
図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図であり、図２は、本実施形態におけるタイバーの構成を示す、図１におけるＡ部拡大平面図であり、図３（ａ）は、図２におけるＩ−Ｉ線断面図であり、図３（ｂ）は、図２におけるＪ−Ｊ線断面図であり、図４は、本実施形態におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。
【００２２】
図１〜４に示すように、本実施形態に係るリードフレーム１は、半導体素子が搭載される上面（搭載面）を有する略方形状の半導体素子搭載部２、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることにより半導体素子搭載部２を支持する吊りリード４、及び半導体素子搭載部２の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリード３を含む単位リードフレームと、単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、複数のリード３を支持するタイバー５とを備え、隣接する単位リードフレームにおける対向する各吊りリード４の他端部４２を相互に連続させることで、複数の単位リードフレームが、マトリックス状（複数行×複数列）に配列されて構成されている。
【００２３】
本実施形態において、半導体素子搭載部２は、その周縁に位置する肉薄部２１と、肉薄部２１に囲まれた肉厚部２２とを有する。肉薄部２１の厚さは、肉厚部２２の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部２２の厚さの略半分である（図４参照）。かかる肉薄部２１の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。
【００２４】
リード３は、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ並設されている。なお、本実施形態においては、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ６個（一の単位リードフレームあたり２４個）のリード３が並設されているが、リード３の数は半導体素子搭載部２の上面に搭載される半導体素子の端子数等に応じて適宜変更することができる。
【００２５】
各リード３は、肉厚部３２と、当該肉厚部３２の先端部側（半導体素子搭載部２側）に位置する肉薄部３１とを有する（図２参照）。各リード３の肉薄部３１の厚さは、肉厚部３２の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部３２の厚さの略半分である（図４参照）。肉薄部３１の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。リード３の肉厚部３２は、樹脂封止型半導体装置において下面側に露出し、外部端子としての役割を果たすこととなり、リード３の肉薄部３１は、樹脂封止型半導体装置において当該肉薄部３１の下方に封止樹脂が充填されることでリード３が抜け落ちるのを防止する役割を果たすこととなる。
【００２６】
吊りリード４は、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることで、半導体素子搭載部２を支持する。吊りリード４の他端部４２は、二股に分岐したフィッシュテール形状を有しており、二股に分岐してなる各端部４２ａ，４２ａにタイバー５の一の端部が連続している（図２参照）。なお、本実施形態に係るリードフレーム１において、各吊りリード４の他端部４２における二股に分岐してなる各端部４２ａは、隣接する単位リードフレームにおける対向する吊りリード４の各端部４２ａと相互に連続している（図１，図４参照）。
【００２７】
吊りリード４の厚さは、半導体素子搭載部２の肉薄部２１（リード３の肉薄部３１）と略同一の厚さである。半導体装置の多ピン化等に伴い、吊りリード４とその最近傍に位置するリード３との間隔が狭くなるが、吊りリード４の厚さが肉厚部２２（肉厚部３２）と略同一の厚さであると、樹脂封止型半導体装置において吊りリード４が下面側から露出し、当該半導体装置をはんだ付け等により配線基板等に搭載する際に、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（半導体装置の下面側に露出するリード３の肉厚部３２）とが電気的に接続されてしまうおそれがある。しかしながら、吊りリード４の厚さが、肉薄部２１（肉薄部３１）と略同一の厚さであることで、当該リードフレーム１を用いて製造される樹脂封止型半導体装置において、吊りリード４の下面側に封止樹脂が充填され、当該半導体装置の下面側に吊りリード４が露出しない。そのため、当該半導体装置を配線基板等に搭載するにあたり、配線基板等における接続箇所（端子）と外部端子とをはんだ等により接続するときに、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（リード３）とが電気的に接続されてしまうのを防止することができる。
【００２８】
タイバー５は、隣接する単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられており、タイバー５の両端部，はそれぞれ、吊りリード４におけるフィッシュテール形状を有する一の端部４２ａに連続している。
【００２９】
タイバー５は、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から当該吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さ方向の断面積が、タイバー５に沿って並列する複数のリード３間におけるタイバー５の厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、好ましくは前者の断面積が後者の断面積の２倍程度になるように構成されている。
【００３０】
具体的には、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から当該吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の幅Ｗ1と、複数のリード３間におけるタイバー５の幅Ｗ2とは同一であって、前者のタイバー５の厚さＴ1は、後者のタイバー５の厚さＴ2よりも厚く、好適には約２倍程度に構成されている。なお、前者のタイバー５の長手方向長さＤ1は、後者のタイバー５の長手方向長さＤ2よりも長く構成されている（図２参照）。
【００３１】
上述したような構成を有する本実施形態に係るリードフレーム１においては、当該リードフレーム１やそれを用いた半導体装置の製造過程におけるハンドリング時等に複数のリード３を支持するタイバー５が揺動することがあり、その際に吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１近傍に相対的に大きな応力がかかることとなる。しかしならが、本実施形態に係るリードフレーム１によれば、当該連続部５１から吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間におけるタイバー５の厚さＴ2よりも厚くなるように構成されていることで、前者のタイバー５の断面積を後者のタイバー５の断面積よりも大きくすることができるため、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の一の端部との連続部５１近傍において、当該連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力が向上され、それによりタイバー５の変形を抑制することができる。
【００３２】
〔リードフレームの製造方法〕
上述した本実施形態に係るリードフレーム１の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るリードフレーム１の製造工程を示す断面図（図１におけるＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ線断面図）である。
【００３３】
まず、導電性基板６０として、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を用意する（図５（ａ）参照）。なお、導電性基板６０は、その両面（上面及び下面）に脱脂処理、洗浄処理等を施したものを用いるのが好ましい。
【００３４】
次に、導電性基板６０の上面及び下面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを介して露光した後に現像してレジストパターン７１，７２を形成する（図５（ｂ）参照）。感光性レジストとしては、従来公知のものを用いることができる。図５（ｂ）において、レジストパターン７１ａはリードフレーム１における半導体素子搭載部２の上面に相当する位置に、レジストパターン７１ｂはリードフレーム１における各リード３の上面（肉厚部３２及び肉薄部３１の上面）に相当する位置に、レジストパターン７１ｃはタイバー５の上面に相当する位置に、レジストパターン７１ｄは吊りリード４の上面に相当する位置に形成されるものである。また、レジストパターン７２ａは半導体素子搭載部２の肉厚部２２の下面に相当する位置に、レジストパターン７２ｂは吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の下面に相当する位置に、レジストパターン７２ｃはリード３の肉厚部３２の下面に相当する位置に形成されるものである。
【００３５】
続いて、レジストパターン７１，７２をマスクとして、エッチング液を用いて導電性基板６０にエッチング処理を施す（図５（ｃ）参照）。エッチング処理に用いるエッチング液は、導電性基板６０の材質に応じて適宜選択され得るものであり、例えば、導電性基板６０として銅基板を用いる場合、一般に塩化第二鉄水溶液をエッチング液として用い、導電性基板６０の両面（上面及び下面）からエッチング処理を施す。
【００３６】
このとき、導電性基板６０において、リードフレーム１における半導体素子搭載部２の周縁に位置する肉薄部２１の下面に相当する位置、リード３の肉薄部３１の下面に相当する位置、吊りリード４の下面に相当する位置、及び各リード３間に位置するタイバー５の下面に相当する位置には、レジストパターンが形成されていないため、これらの部分は下面側から切り欠かれた状態、すなわちハーフエッチングされることになる。
【００３７】
最後に、導電性基板６０の両面（上面及び下面）に残存するレジストパターン７１，７２を剥離して除去する（図５（ｄ）参照）。これにより、本実施形態に係るリードフレーム１を製造することができる。
【００３８】
〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＨ−Ｈ線切断端面図）である。
【００３９】
まず、図５（ａ）〜（ｄ）に示す工程により作製されたリードフレーム１を準備し、当該リードフレーム１の半導体素子搭載部２の上面に、ダイボンド材（図示せず）等により半導体素子１１を固着する（図６（ａ）参照）。
【００４０】
次に、半導体素子搭載部２に半導体素子１１が搭載されたリードフレーム１を、ワイヤーボンディング装置のステージ上に載置し、当該ワイヤーボンディング装置を用いて、半導体素子１１の端子１１ａとリード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２１とをワイヤー１２により接続する（図６（ｂ）参照）。このとき、本実施形態に係るリードフレーム１において、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間におけるタイバー５の厚さＴ2よりも厚く構成されていることで（図３（ａ）及び（ｂ）、並びに図４参照）、前者のタイバー５の断面積が後者のタイバー５の断面積よりも大きくなるため、連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力が向上され、それによりタイバー５の変形が抑制され得る。その結果として、ワイヤー１２とリード３との接続不良が生じるのを抑制することができ、製造される半導体装置１０におけるワイヤー１２の接続信頼性を向上させることができる。
【００４１】
このようにして、半導体素子１１におけるすべての接続すべき端子１１ａと各リード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２１とをワイヤー１２により接続した後、当該リードフレーム１を成形金型内に収容し、半導体素子搭載部２の肉厚部２２及び各リード３の肉厚部３２の下面を外部に露出させるようにして、半導体素子１１、半導体素子搭載部２、リード３、吊りリード４及びワイヤー１２を封止樹脂１３により封止する（図６（ｃ）参照）。
【００４２】
続いて、封止樹脂１３により封止されたリードフレーム１を成形金型から取り出し、リード３の肉厚部３２と吊りリード４とを切断し、半導体装置１０ごとに分離する。具体的には、半導体素子１１ごとにタイバー５に沿ってダイシングすることにより、各リード３の肉厚部３２及び各吊りリード４を切断し、タイバー５を除去する。このようにして、半導体素子搭載部２と、半導体素子搭載部２の上面に搭載された半導体素子１１と、半導体素子搭載部２と電気的に独立するようにして当該半導体素子搭載部２の周囲に設けられてなる複数の外部端子３０と、半導体素子１１の各端子１１ａと半導体素子搭載部２又は各外部端子３０とを電気的に接続するワイヤー１２と、外部端子３０の下面及び先端部に対向する側面を外部に露出させるようにして、半導体素子搭載部２、各外部端子３０、吊りリード（図６（ｄ）において図示せず）、半導体素子１１及びワイヤー１２を封止する封止樹脂１３とを備える半導体装置１０を得ることができる（図６（ｄ）参照）。
【００４３】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００４４】
上記実施形態においては、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部５ａとの連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間に位置するタイバー５の厚さＴ2よりも厚く、それらの幅Ｗ1，Ｗ2は略同一に構成されているが、本発明は、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部５ａとの連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５が、連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力を向上させ得る構成を有する限り、このような態様に制限されるものではない。例えば、図７に示すように、連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間のタイバー５の幅ＷT1が、各リード３間に位置するタイバー５の幅ＷT2よりも大きく構成されていてもよい。このような構成とすることで、特にタイバー５の連続部５１近傍において捩れによる応力に対する耐力を向上させることができ、当該タイバー５の連続部５１近傍における変形を抑制することができる。
【００４５】
上記実施形態においては、タイバー５の端部５ａが吊りリード４の二股に分岐した一の端部４２ａの側面に連続するように構成されているが（図４参照）、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、図８に示すように、タイバー５の長手方向における側面に吊りリード４の二股に分岐した一の端部４２ａが連続するように構成されていてもよい。上記実施形態においては、吊りリード４の一の端部４２ａから吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が吊りリード４の端部４２ａの厚さよりも大きい（タイバー５の厚さＴ1が端部４２ａの厚さの略２倍である）ことで（図４参照）、肉厚のタイバー５と肉薄の端部４２ａとの境界部分に揺動等による応力が集中してしまうおそれがある。しかしながら、図８に示すような構成とすることで、タイバー５の揺動等による応力に対する耐力をさらに向上させることができ、タイバー５の連続部５１近傍における変形をより抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ＱＦＮタイプ等のような樹脂封止型半導体装置を製造するためのリードフレームであって、多面付リードフレームとして有用である。
【符号の説明】
【００４７】
１…リードフレーム
２…半導体素子搭載部
２１…肉薄部
２２…肉厚部
３…リード
３１…肉薄部
３２…肉厚部
４…吊りリード
４２…他端部
４２ａ…端部
５…タイバー
…端部
５１…連続部
１０…半導体装置
１１…半導体素子
１１ａ…端子
１２…ワイヤー
１３…封止樹脂
３０…外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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