(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子本体と、
直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、
を備えており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、
前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、
前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つの所定のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記所定のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第ｎのインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、
前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、渦巻状をなしており、
前記所定のインダクタは、螺旋状をなしていること、
を特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記所定のインダクタは、前記第３の方向から平面視したときに、前記第２の方向において、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタから該第２の方向の一方側にはみ出し、かつ、該第１のインダクタ及び該第ｎのインダクタから該第２の方向の他方側にはみ出していないこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記所定のインダクタは、前記第１の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタと重なっていないこと、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
ｎは３であること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項５】
前記第２のＬＣ並列共振器の共振周波数は、前記第１のＬＣ並列共振器の共振周波数及び前記第３のＬＣ並列共振器の共振周波数よりも低いこと、
を特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記電子部品は、
前記素子本体の表面に設けられ、前記第１のＬＣ並列共振器に接続されている入力端子と、
前記素子本体の表面に設けられ、前記第３のＬＣ並列共振器に接続されている出力端子と、
前記素子本体の表面に設けられている接地端子と、
前記入力端子と前記第１のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間、該第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、該第２のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、又は、該第３のＬＣ並列共振器と前記出力端子との接続点と該接地端子との間に設けられている第ｎ＋１のコンデンサと、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記第ｎ＋１のコンデンサと前記接地端子との間に設けられているインダクタを、
更に備えていること、
を特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記素子本体は、複数の絶縁体層が前記第３の方向に積層されて構成されており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第３のＬＣ並列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている内部導体及び前記絶縁体層を前記第３の方向に貫通する層間接続導体により構成されていること、
を特徴とする請求項６又は請求項７のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間に前記第ｎ＋１コンデンサが設けられており、
前記電子部品は、
前記第１のインダクタと前記第ｎ＋１コンデンサとを電気的に接続する第１の層間接続導体と、
前記第２のインダクタと前記第ｎ＋１コンデンサとを電気的に接続する第２の層間接続導体と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタの少なくともいずれか１つは、複数の内部導体が並列に接続されることにより構成されていること、
を特徴とする請求項８又は請求項９のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１１】
前記第２のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられ、かつ、前記第２の方向に並ぶ互いに平行な複数の第１のインダクタ導体と、該第１のインダクタ導体よりも前記第３の方向の一方側に位置する前記絶縁体層上に設けられ、かつ、該第１の方向に沿って延びる第２のインダクタ導体であって、該第３の方向から平面視したときに、該第２の方向の一方側に位置する前記第１のインダクタ導体の一方の端部と一方の端部において重なり、該第２の方向の他方側に位置する前記第１のインダクタ導体の他方の端部と他方の端部において重なる第２のインダクタ導体と、前記第１のインダクタ導体の一方の端部と前記第２のインダクタ導体の一方の端部とを接続する第３の層間接続導体と、前記第１のインダクタ導体の他方の端部と前記第２のインダクタ導体の他方の端部とを接続する第４の層間接続導体と、により構成されており、
前記複数の第１のインダクタ導体は、複数の前記絶縁体層に分散して設けられていること、
を特徴とする請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１２】
前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタに電流が流れた場合に、該第１のインダクタにおける電流の周回方向と、該第ｎのインダクタにおける電流の周回方向とは、逆向きであること、
を特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１３】
素子本体と、
直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、
を備えており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、
前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、
前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つの所定のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記所定のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第ｎのインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、
前記所定のインダクタは、前記第３の方向から平面視したときに、前記第２の方向において、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタから該第２の方向の一方側にはみ出し、かつ、該第１のインダクタ及び該第ｎのインダクタから該第２の方向の他方側にはみ出していないこと、
を特徴とする電子部品。
【請求項１４】
素子本体と、
直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器、第２のＬＣ並列共振器及び第３のＬＣ並列共振器と、
前記素子本体の表面に設けられ、前記第１のＬＣ並列共振器に接続されている入力端子と、
前記素子本体の表面に設けられ、前記第３のＬＣ並列共振器に接続されている出力端子と、
前記素子本体の表面に設けられている接地端子と、
前記入力端子と前記第１のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間、該第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、該第２のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、又は、該第３のＬＣ並列共振器と前記出力端子との接続点と該接地端子との間に設けられている第４のコンデンサと、
を備えており、
前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第３のＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタ、第２のインダクタ及び第３のインダクタ、及び、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ及び第３のコンデンサを含んでおり、
前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、
前記第１のインダクタ及び前記第３のインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記第２のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、
前記第２のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第３のインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、
前記素子本体は、複数の絶縁体層が前記第３の方向に積層されて構成されており、
前記第１のＬＣ並列共振器、第２のＬＣ並列共振器及び前記第３のＬＣ並列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている内部導体及び前記絶縁体層を前記第３の方向に貫通する層間接続導体により構成されており、
前記第２のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられ、かつ、前記第２の方向に並ぶ互いに平行な複数の第１のインダクタ導体と、該第１のインダクタ導体よりも前記第３の方向の一方側に位置する前記絶縁体層上に設けられ、かつ、該第１の方向に沿って延びる第２のインダクタ導体であって、該第３の方向から平面視したときに、該第２の方向の一方側に位置する前記第１のインダクタ導体の一方の端部と一方の端部において重なり、該第２の方向の他方側に位置する前記第１のインダクタ導体の他方の端部と他方の端部において重なる第２のインダクタ導体と、前記第１のインダクタ導体の一方の端部と前記第２のインダクタ導体の一方の端部とを接続する第３の層間接続導体と、前記第１のインダクタ導体の他方の端部と前記第２のインダクタ導体の他方の端部とを接続する第４の層間接続導体と、により構成されており、
前記複数の第１のインダクタ導体は、複数の前記絶縁体層に分散して設けられていること、
を特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、より特定的には、３以上のＬＣ並列共振器を備えている電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の３次元スパイラルインダクタが知られている。該３次元スパイラルインダクタは、積層体内に設けられ、かつ、積層方向に直交する方向に延在する巻回軸の周囲を周回する螺旋状のコイルである。このような３次元スパイラルインダクタは、例えば、ローパスフィルタに用いられる。
【０００３】
３次元スパイラルインダクタが用いられたローパスフィルタは、例えば、３次元スパイラルインダクタ及びコンデンサにより構成される複数のＬＣ並列共振器が直列に接続されて構成される。３次元スパイラルインダクタは、螺旋状をなしているので、渦巻状のインダクタに比べて大きな空芯径を有している。したがって、３次元スパイラルインダクタは、渦巻状のインダクタに比べて、高いＱ値を得ることができる。そのため、ローパスフィルタの挿入損失の低減を図ることができる。
【０００４】
ところで、ローパスフィルタでは、３次元スパイラルインダクタは、互いの巻回軸が略一致するように一列に並ぶように配置される。そのため、３次元スパイラルインダクタ同士が近接しすぎて、３次元スパイラルインダクタ同士の電磁気結合が強くなってしまう。そのため、ローパスフィルタにおいて、３次元スパラルインダクタ間を高周波信号が伝送されやすくなる。その結果、ローパスフィルタの通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９０９３４号公報（図１６ａ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の形態に係る電子部品は、素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つの所定のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記所定のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第ｎのインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、渦巻状をなしており、前記所定のインダクタは、螺旋状をなしていること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品は、素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器ないし第ｎ（ｎは、３以上の整数）のＬＣ並列共振器と、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第ｎのＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタないし第ｎのインダクタ、及び、第１のコンデンサないし第ｎのコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第ｎのインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記第２のインダクタないし前記第ｎ−１のインダクタの内の少なくとも１つの所定のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記所定のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第ｎのインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、前記所定のインダクタは、前記第３の方向から平面視したときに、前記第２の方向において、前記第１のインダクタ及び前記第ｎのインダクタから該第２の方向の一方側にはみ出し、かつ、該第１のインダクタ及び該第ｎのインダクタから該第２の方向の他方側にはみ出していないこと、を特徴とする。
本発明の第３の形態に係る電子部品は、素子本体と、直列に接続されている第１のＬＣ並列共振器、第２のＬＣ並列共振器及び第３のＬＣ並列共振器と、前記素子本体の表面に設けられ、前記第１のＬＣ並列共振器に接続されている入力端子と、前記素子本体の表面に設けられ、前記第３のＬＣ並列共振器に接続されている出力端子と、前記素子本体の表面に設けられている接地端子と、前記入力端子と前記第１のＬＣ並列共振器との接続点と前記接地端子との間、該第１のＬＣ並列共振器と前記第２のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、該第２のＬＣ並列共振器と前記第３のＬＣ並列共振器との接続点と該接地端子との間、又は、該第３のＬＣ並列共振器と前記出力端子との接続点と該接地端子との間に設けられている第４のコンデンサと、を備えており、前記第１のＬＣ並列共振器ないし前記第３のＬＣ並列共振器はそれぞれ、第１のインダクタ、第２のインダクタ及び第３のインダクタ、及び、第１のコンデンサ、第２のコンデンサ及び第３のコンデンサを含んでおり、前記第１のインダクタないし前記第３のインダクタは、第１の方向にこの順に並ぶように前記素子本体に設けられており、前記第１のインダクタ及び前記第３のインダクタは、前記第１の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記第２のインダクタは、前記第１の方向に直交する第２の方向に沿う巻回軸を周回しており、前記第２のインダクタの前記第２の方向の中心は、前記第１の方向及び該第２の方向に直交する第３の方向から平面視したときに、前記第１のインダクタの巻回軸及び前記第３のインダクタの巻回軸に対して該第２の方向の一方側に位置しており、前記素子本体は、複数の絶縁体層が前記第３の方向に積層されて構成されており、前記第１のＬＣ並列共振器、第２のＬＣ並列共振器及び前記第３のＬＣ並列共振器は、前記絶縁体層上に設けられている内部導体及び前記絶縁体層を前記第３の方向に貫通する層間接続導体により構成されており、前記第２のインダクタは、前記絶縁体層上に設けられ、かつ、前記第２の方向に並ぶ互いに平行な複数の第１のインダクタ導体と、該第１のインダクタ導体よりも前記第３の方向の一方側に位置する前記絶縁体層上に設けられ、かつ、該第１の方向に沿って延びる第２のインダクタ導体であって、該第３の方向から平面視したときに、該第２の方向の一方側に位置する前記第１のインダクタ導体の一方の端部と一方の端部において重なり、該第２の方向の他方側に位置する前記第１のインダクタ導体の他方の端部と他方の端部において重なる第２のインダクタ導体と、前記第１のインダクタ導体の一方の端部と前記第２のインダクタ導体の一方の端部とを接続する第３の層間接続導体と、前記第１のインダクタ導体の他方の端部と前記第２のインダクタ導体の他方の端部とを接続する第４の層間接続導体と、により構成されており、前記複数の第１のインダクタ導体は、複数の前記絶縁体層に分散して設けられていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。
【図１Ｂ】図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。
【図２Ａ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図２Ｂ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図２Ｃ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図２Ｄ】電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。
【図３】電子部品１０の通過特性を示したグラフである。
【図４】第１の変形例に係る電子部品１０ａの等価回路図である。
【図５】第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。
【図６】第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２の分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
【００１１】
（電子部品の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１Ａは、本願発明に係る電子部品１０の等価回路図である。図１Ｂは、図１Ａの電子部品１０の外観斜視図である。図２Ａないし図２Ｄは、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下、上下方向は、絶縁体層１６の積層方向を示す。また、上側から平面視したときに、電子部品１０の長辺に沿った方向を前後方向と定義し、電子部品１０の短辺に沿った方向を左右方向と定義する。上下方向、前後方向及び左右方向は互いに直交している。
【００１２】
電子部品１０の等価回路は、図１Ａに示すように、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３、コンデンサＣ４〜Ｃ７、インダクタＬａ，Ｌｂ及び外部端子１４ａ〜１４ｃを備えている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１は、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ２は、インダクタＬ２及びコンデンサＣ２を含んでいる。ＬＣ並列共振器ＬＣ３は、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３を含んでいる。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間においてこの順に直列に接続されている。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１の共振周波数及びＬＣ並列共振器ＬＣ３の共振周波数よりも低い。
【００１３】
コンデンサＣ４は、外部端子１４ａとＬＣ並列共振器ＬＣ１との接続点と外部端子１４ｃとの間に設けられている。コンデンサＣ５は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１とＬＣ並列共振器ＬＣ２との接続点と外部端子１４ｃとの間に設けられている。コンデンサＣ６は、ＬＣ並列共振器ＬＣ２とＬＣ並列共振器ＬＣ３との接続点と外部端子１４ｃとの間に設けられている。コンデンサＣ７は、ＬＣ並列共振器ＬＣ３と外部端子１４ｂとの接続点と外部端子１４ｃとの間に設けられている。
【００１４】
インダクタＬａは、コンデンサＣ４，Ｃ５と外部端子１４ｃとの間に設けられている。すなわち、インダクタＬａは、コンデンサＣ４，Ｃ５に対して直列に接続されている。インダクタＬｂは、コンデンサＣ６，Ｃ７と外部端子１４ｃとの間に設けられている。すなわち、インダクタＬｂは、コンデンサＣ６，Ｃ７に対して直列に接続されている。
【００１５】
以上のような電子部品１０は、ローパスフィルタとして用いられる。外部端子１４ａが入力端子として用いられ、外部端子１４ｂが出力端子として用いられ、外部端子１４ｃが接地端子として用いられる。
【００１６】
電子部品１０は、図１Ｂ及び図２Ａないし図２Ｄに示すように、積層体１２、外部端子１４ａ〜１４ｃ、インダクタ導体１８ａ〜１８ｒ，２２ａ〜２２ｏ，２６ａ〜２６ｒ，４６，４８、コンデンサ導体２８，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ、グランド導体４２，４４及びビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を備えている。
【００１７】
積層体１２は、図１Ｂ及び図２Ａないし図２Ｄに示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉが上下方向に積層されることにより構成され、直方体状をなしている。また、積層体１２は、ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３、インダクタＬａ，Ｌｂ及びコンデンサＣ４〜Ｃ７を内蔵している。
【００１８】
絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉは、図２Ａないし図２Ｄに示すように、長方形状をなしており、例えば、セラミック誘電体により構成されている。絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉは、上側から下側へとこの順に並ぶように積層されている。以下では、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉの上側の面を表面と称し、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉの下側の面を裏面と称す。
【００１９】
インダクタＬ１は、前後方向と平行な巻回軸を周回する渦巻状をなしており、積層体１２の前面近傍に設けられている。また、インダクタＬ１は、インダクタ導体１８ａ〜１８ｒ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ５により構成されている。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの前側の短辺の中央から後ろ側に向かってわずかに延在した後、左側に向かって延在しているＬ字型の導体である。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの左端はそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの左前の角近傍に位置している。
【００２０】
インダクタ導体１８ｄ〜１８ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｄ〜１８ｆの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの左端と重なっている。
【００２１】
インダクタ導体１８ｇ〜１８ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｇ〜１８ｉの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｄ〜１８ｆの右端と重なっている。
【００２２】
インダクタ導体１８ｊ〜１８ｌはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｊ〜１８ｌの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｇ〜１８ｉの左端と重なっている。
【００２３】
インダクタ導体１８ｍ〜１８ｏはそれぞれ、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの前側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体１８ｍ〜１８ｏの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｊ〜１８ｌの右端と重なっている。
【００２４】
インダクタ導体１８ｐ〜１８ｒはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの前側の短辺の中央近傍から後ろ側に向かって延在している導体である。インダクタ導体１８ｐ〜１８ｒの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ｍ〜１８ｏの左端と重なっている。
【００２５】
ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１は、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの左端とインダクタ導体１８ｄ〜１８ｆの左端とを接続している。
【００２６】
ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２は、インダクタ導体１８ｄ〜１８ｆの右端とインダクタ導体１８ｇ〜１８ｉの右端とを接続している。
【００２７】
ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ３は、インダクタ導体１８ｇ〜１８ｉの左端とインダクタ導体１８ｊ〜１８ｌの左端とを接続している。
【００２８】
ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ４は、インダクタ導体１８ｊ〜１８ｌの右端とインダクタ導体１８ｍ〜１８ｏの右端とを接続している。
【００２９】
ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ５は、インダクタ導体１８ｍ〜１８ｏの左端とインダクタ導体１８ｐ〜１８ｒの前端とを接続している。
【００３０】
ここで、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃの一部、インダクタ導体１８ｄ〜１８ｏは、上側から平面視したときに、互いに重なり合っている。よって、インダクタＬ１は、前側から平面視したときに、実質的に同一平面上において、外周側から中心に向かって時計回り方向に周回する渦巻状をなしている。
【００３１】
インダクタＬ３は、前後方向と平行な巻回軸を周回する渦巻状をなしており、積層体１２の後面近傍に設けられている。また、インダクタＬ３の巻回軸とインダクタＬ１の巻回軸とは、上下左右方向において略一致している。インダクタＬ３は、インダクタＬ１と略同じ構造を有している。また、インダクタＬ３は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｒ及びビアホール導体ｖ１０〜ｖ１４により構成されている。
【００３２】
インダクタ導体２６ａ〜２６ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの前後方向の中央よりも後ろ側から後ろ側に向かって延在する導体である。インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの後端はそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの後ろ側の短辺の中央近傍に位置している。
【００３３】
インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｋ〜１６ｍの後ろ側の短辺の右半分に沿って延在している。インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの後端と重なっている。
【００３４】
インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｔ〜１６ｖの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの右端と重なっている。
【００３５】
インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌはそれぞれ、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈ〜１６ｊの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの左端と重なっている。
【００３６】
インダクタ導体２６ｍ〜２６ｏはそれぞれ、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｗ〜１６ｙの後ろ側の短辺に沿って延在している。インダクタ導体２６ｍ〜２６ｏの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの右端と重なっている。
【００３７】
インダクタ導体２６ｐ〜２６ｒはそれぞれ、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの後ろ側の短辺の左端近傍から右側に向かって延在した後、後ろ側に向かって僅かに延在して絶縁体層１６ｅ〜１６ｇの後ろ側の短辺の中央に引き出されているＬ字型の導体である。インダクタ導体２６ｐ〜２６ｒの左端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｍ〜２６ｏの左端と重なっている。
【００３８】
ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１０は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの後端とインダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの左端とを接続している。
【００３９】
ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｋ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１１は、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｆの右端とインダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの右端とを接続している。
【００４０】
ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｕを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｕのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１２は、インダクタ導体２６ｇ〜２６ｉの左端とインダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの左端とを接続している。
【００４１】
ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｈ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１３は、インダクタ導体２６ｊ〜２６ｌの右端とインダクタ導体２６ｍ〜２６ｏの右端とを接続している。
【００４２】
ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｘを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｘのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１４は、インダクタ導体２６ｍ〜２６ｏの左端とインダクタ導体２６ｐ〜２６ｒの左端とを接続している。
【００４３】
ここで、インダクタ導体２６ｄ〜２６ｏ及びインダクタ導体２６ｐ〜２６ｒの一部は、上側から平面視したときに、互いに重なり合っている。よって、インダクタＬ３は、前側から平面視したときに、実質的に同一平面上において、中心から外周側に向かって反時計回り方向に周回する渦巻状をなしている。
【００４４】
インダクタＬ２は、左右方向と平行な巻回軸を周回する螺旋状をなしており、積層体１２の前後方向の中央付近に設けられている。すなわち、インダクタＬ２は、インダクタＬ１とインダクタＬ３との間に設けられている。これにより、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。
【００４５】
また、インダクタＬ２は、積層体１２の左面近傍に設けられている。これにより、インダクタＬ２の左右方向の中心は、上側から平面視したときに、インダクタＬ１の巻回軸及びインダクタＬ３の巻回軸に対して左側に位置している。本実施形態では、インダクタＬ２は、上側から平面視したときに、左右方向において、インダクタＬ１，Ｌ３から左側にはみ出し、かつ、インダクタＬ１，Ｌ３から右側にはみ出していない。インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸とは、インダクタＬ１，Ｌ３を前側から平面視したときのインダクタＬ１，Ｌ３の中心（より正確には、重心）に位置している。
【００４６】
インダクタＬ２は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｏ及びビアホール導体ｖ６〜ｖ９により構成されている。インダクタ導体２２ａ〜２２ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの前後方向の中央よりも前側から左側に向かって延在している導体である。インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの左端はそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの左側の長辺近傍に位置している。
【００４７】
インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの左側の長辺に沿って延在している。インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの左端と重なっている。
【００４８】
インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉはそれぞれ、絶縁体層１６ｎ〜１６ｐの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｎ〜１６ｐの左側の長辺に沿って延在している。ただし、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉは、右前方向に向かって延在するように前後方向に対してわずかに傾いている。インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの後端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの後端と重なっている。
【００４９】
インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられている線状の導体層であり、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆに対して右側において絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの左側の長辺に沿って延在している。インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの前端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの前端と重なっている。
【００５０】
インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの前後方向の中央よりも後ろ側において左右方向に延在している。インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの右端は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの後端と重なっている。
【００５１】
以上のように、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆとインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌは、左側から右側へと並び、かつ、互いに平行である。また、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉは、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ及びインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌよりも下側に位置する絶縁体層に設けられている。
【００５２】
ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ６は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの左端とインダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの前端とを接続している。
【００５３】
ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ７は、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆの後端とインダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの後端とを接続している。
【００５４】
ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｏを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｏのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ８は、インダクタ導体２２ｇ〜２２ｉの前端とインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの前端とを接続している。
【００５５】
ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｂ〜１６ｒのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ９は、インダクタ導体２２ｊ〜２２ｌの後端とインダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの右端とを接続している。
【００５６】
以上のようなインダクタＬ２は、左側から平面視したときに、時計回り方向に周回しながら右側に向かって進行する螺旋状をなしている。
【００５７】
コンデンサＣ１は、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂ，２８により構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの表面に設けられており、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの前側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体２８はそれぞれ、絶縁体層１６ａａの表面に設けられており、絶縁体層１６ａａの右半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体２８は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体２８は、絶縁体層１６ｚを介してコンデンサ導体３０ａと対向し、絶縁体層１６ａａを介してコンデンサ導体３０ｂと対向している。
【００５８】
コンデンサＣ２は、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂにより構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｄｄ，１６ｆｆの表面に設けられており、絶縁体層１６ｄｄ，１６ｆｆの左半分かつ前半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３８ａ，３８ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｄｄ，１６ｆｆの表面に設けられており、絶縁体層１６ｄｄ，１６ｆｆの左半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体４０ａ，４０ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの表面に設けられており、絶縁体層１６ｃｃ，１６ｅｅの左半分の領域において前後方向に延在する帯状をなす導体層である。コンデンサ導体４０ａ，４０ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ，３８ａ，３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ａ，３８ａは、絶縁体層１６ｃｃを介してコンデンサ導体４０ａと対向すると共に、絶縁体層１６ｄｄを介してコンデンサ導体４０ｂと対向し、コンデンサ導体３２ｂ，３８ｂは、絶縁体層１６ｅｅを介してコンデンサ導体４０ｂと対向している。
【００５９】
コンデンサＣ３は、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂ，３４により構成されている。より詳細には、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの表面に設けられており、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。また、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂはそれぞれ、絶縁体層１６ｚ，１６ｂｂの後ろ側の短辺の中央に引き出されている。コンデンサ導体３４はそれぞれ、絶縁体層１６ａａの表面に設けられており、絶縁体層１６ａａの右半分かつ後ろ半分の領域に設けられた長方形状の導体層である。コンデンサ導体３４は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３４は、絶縁体層１６ｚを介してコンデンサ導体３６ａと対向し、絶縁体層１６ａａを介してコンデンサ導体３６ｂと対向している。
【００６０】
コンデンサＣ４は、コンデンサ導体３０ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、絶縁体層１６ｇｇの前半分の略全面を覆う長方形状の導体層であり、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３０ｂは、絶縁体層１６ｂｂ〜１６ｆｆを介してグランド導体４２と対向している。
【００６１】
コンデンサＣ５は、コンデンサ導体３２ｂ及びグランド導体４２により構成されている。より詳細には、グランド導体４２は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３２ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ｂは、絶縁体層１６ｆｆを介してグランド導体４２と対向している。
【００６２】
コンデンサＣ６は、コンデンサ導体３８ｂ及びグランド導体４４により構成されている。より詳細には、グランド導体４４は、絶縁体層１６ｇｇの後ろ半分の略全面を覆う長方形状の導体であり、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３８ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３８ｂは、絶縁体層１６ｆｆを介してグランド導体４４と対向している。
【００６３】
コンデンサＣ７は、コンデンサ導体３６ｂ及びグランド導体４４により構成されている。より詳細には、グランド導体４４は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３６ｂは、絶縁体層１６ｂｂ〜１６ｆｆを介してグランド導体４４と対向している。
【００６４】
ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１５は、インダクタ導体１８ｐ〜１８ｒの後端とコンデンサ導体２８，３２ａ，３２ｂとを接続している。これにより、ビアホール導体ｖ１５は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ５とを接続している。
【００６５】
ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１６は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃの右端とコンデンサ導体２８，３２ａ，３２ｂとを接続している。これにより、ビアホール導体ｖ１６は、インダクタＬ２とコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ５とを接続している。
【００６６】
ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１７は、インダクタ導体２２ｍ〜２２ｏの右端とコンデンサ導体３８ａ，３８ｂとを接続している。これにより、ビアホール導体ｖ１７は、インダクタＬ２とコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ６とを接続している。
【００６７】
ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｑ〜１６ｅｅのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ１８は、インダクタ導体２６ａ〜２６ｃの前端とコンデンサ導体３４，３８ａ，３８ｂとを接続している。これにより、ビアホール導体ｖ１８は、インダクタＬ３とコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ６とを接続している。
【００６８】
外部端子１４ｃは、絶縁体層１６ｉｉの裏側の中央に設けられている長方形状の導体である。
【００６９】
インダクタＬａは、インダクタ導体４６により構成されている。インダクタ導体４６は、絶縁体層１６ｈｈの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈｈの前半分の領域において、略１周している。ただし、インダクタ導体４６は、後ろ側の長辺において切断されている。
【００７０】
ビアホール導体ｖ１９は、絶縁体層１６ｇｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。ビアホール導体ｖ１９は、グランド導体４２とインダクタ導体４６の右側の端部とを接続している。
【００７１】
ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｈｈ，１６ｉｉを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｈｈ，１６ｉｉのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２０は、インダクタ導体４６の左側の端部と外部端子１４ｃとを接続している。これにより、インダクタＬａは、コンデンサＣ４，Ｃ５と外部端子１４ｃとの間に接続されている。
【００７２】
インダクタＬｂは、インダクタ導体４８により構成されている。インダクタ導体４８は、絶縁体層１６ｈｈの表面に設けられている線状の導体層であり、絶縁体層１６ｈｈの後ろ半分の領域において、略１周している。ただし、インダクタ導体４８は、前側の長辺において切断されている。
【００７３】
ビアホール導体ｖ２１は、絶縁体層１６ｇｇを上下方向に貫通している層間接続導体である。ビアホール導体ｖ２１は、グランド導体４４とインダクタ導体４８の右側の端部とを接続している。
【００７４】
ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｈｈ，１６ｉｉを上下方向に貫通している層間接続導体である。なお、ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｈｈ，１６ｉｉのそれぞれを貫通する複数のビアホール導体が連なることにより構成されている。ビアホール導体ｖ２２は、インダクタ導体４８の左側の端部と外部端子１４ｃとを接続している。これにより、インダクタＬａは、コンデンサＣ６，Ｃ７と外部端子１４ｃとの間に接続されている。
【００７５】
外部端子１４ａは、図１Ｂに示すように、積層体１２の前面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ａは、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ及びコンデンサ導体３０ａ，３０ｂと接続されている。すなわち、外部端子１４ａは、インダクタＬ１及びコンデンサＣ１，Ｃ４と接続されている。
【００７６】
外部端子１４ｂは、図１Ｂに示すように、積層体１２の後面において上下方向に延在するように設けられている。これにより、外部端子１４ｂは、インダクタ導体２６ｎ〜２６ｐ及びコンデンサ導体３６ａ，３６ｂと接続されている。すなわち、外部端子１４ｂは、インダクタＬ３及びコンデンサＣ３，Ｃ７と接続されている。
【００７７】
（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について図１Ｂ及び図２Ａ〜図２Ｄを参照しながら説明する。
【００７８】
まず、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートを準備する。次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を形成する。具体的には、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。
【００７９】
次に、絶縁体層１６ｂ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｈｈとなるべきセラミックグリーンシートの表面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、インダクタ導体１８ａ〜１８ｒ，２２ａ〜２２ｏ，２６ａ〜２６ｒ，４６，４８、コンデンサ導体２８，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ及びグランド導体４２，４４を形成する。なお、インダクタ導体１８ａ〜１８ｒ，２２ａ〜２２ｏ，２６ａ〜２６ｒ，４６，４８、コンデンサ導体２８，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ及びグランド導体４２，４４の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
【００８０】
次に、絶縁体層１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートの裏面上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、外部端子１４ｃとなるべき下地電極を形成する。なお、外部端子１４ｃとなるべき下地電極の形成の際に、ビアホールに対する導電性ペーストの充填を行ってもよい。
【００８１】
次に、各セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、絶縁体層１６ａ〜１６ｚ，１６ａａ〜１６ｉｉとなるべきセラミックグリーンシートを１枚ずつ積層及び圧着する。以上の工程により、マザー積層体が形成される。このマザー積層体に静水圧プレスなどにより本圧着を施す。
【００８２】
次に、マザー積層体をカット刃により所定寸法の積層体１２にカットする。次に、未焼成の積層体１２に対してバレル加工を施して面取りを行う。更に、この未焼成の積層体１２に脱バインダー処理及び焼成を施す。
【００８３】
最後に、積層体１２の表面にＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストを塗布して、外部端子１４ａ，１４ｂの下地電極を形成する。そして、外部端子１４ａ〜１４ｃの下地電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部端子１４ａ〜１４ｃを形成する。以上の工程を経て、電子部品１０が完成する。なお、積層体１２にカットした後、バレル加工を行い、その次に導電性ペーストによる外部端子１４ａ〜１４ｃを形成した後、焼成しても構わない。
【００８４】
（効果）
以上のように構成された電子部品１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ２を螺旋状のインダクタとしている。螺旋状のインダクタの空芯径は渦巻状のインダクタの空芯径よりも大きいので、インダクタＬ２のＱ値を高くすることができる。更に、螺旋状のインダクタＬ２のインダクタンス値は渦巻状のインダクタのインダクタンス値よりも大きい。これにより、電子部品１０の挿入損失の低減が図られる。
【００８５】
また、電子部品１０によれば、以下の理由によっても、挿入損失の低減を図ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ２の左右方向の中心は、上側から平面視したときに、インダクタＬ１の巻回軸及びインダクタＬ３の巻回軸に対して左側に位置している。これにより、インダクタＬ２がインダクタＬ１，Ｌ３の中心から左側にずれるので、インダクタＬ１，Ｌ３で発生した磁束をインダクタＬ２が妨げることが抑制される。その結果、インダクタＬ１，Ｌ３のＱ値が大きくなり、かつ、インダクタＬ１，Ｌ３の磁界を妨げないため、インダクタＬ１，Ｌ３のインダクタンス値も大きくできる。その結果、電子部品１０によれば、挿入損失の低減を図ることができる。
【００８６】
また、インダクタＬ１，Ｌ３を螺旋状とするのではなく、インダクタＬ１〜Ｌ３の内、前後方向の真ん中に設けられているインダクタＬ２を螺旋状とすることにより、電子部品１０の挿入損失をより効果的に低減できる。より詳細には、インダクタＬ１の周囲には外部端子１４ａが存在し、インダクタＬ３の周囲には外部端子１４ｂが存在する。そのため、インダクタＬ１，Ｌ３を螺旋状とした場合には、インダクタＬ１，Ｌ３と外部端子１４ａ，１４ｂとが対向する面積が増える。よって、インダクタＬ１と外部端子１４ａとの間に発生する浮遊容量の増加量が大きくなり、インダクタＬ３と外部端子１４ｂとの間に発生する浮遊容量が大きくなる。その結果、インダクタＬ１，Ｌ３のＱ値が低下してしまう。
【００８７】
一方、インダクタＬ１〜Ｌ３の内、前後方向の真ん中に設けられているインダクタＬ２の周囲には外部電極が存在しない。そのため、インダクタＬ２を螺旋状とした場合であっても、インダクタＬ２と外部電極との間に発生する浮遊容量の増加量が少なくてすむ。更に、インダクタＬ２を積層体１２の左面近傍に設けたとしても、外部電極によってインダクタＬ２が発生する磁界が妨げられない。そのため、インダクタＬ２のＱ値の低下が抑制され、電子部品１０の挿入損失の低減が効果的に図られる。
【００８８】
また、電子部品１０によれば、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。更に、インダクタＬ１とインダクタＬ３とは、前後方向に延在する巻回軸を周回している。また、インダクタＬ２は、左右方向に延在する巻回軸を周回している。よって、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸とインダクタＬ２の巻回軸とは直交している。よって、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合が弱くなる。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間において磁気結合が抑制され、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【００８９】
また、電子部品１０によれば、以下の理由によっても、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。より詳細には、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３は、前側から後ろ側へとこの順に並んでいる。更に、インダクタＬ１とインダクタＬ３とは、前後方向に延在する巻回軸を周回する渦巻状をなしている。渦巻状をなすインダクタＬ１，Ｌ３の前後方向の長さは、螺旋状をなすインダクタの前後方向の長さに比べて短い。よって、インダクタＬ１，Ｌ３が螺旋状をなしている場合に比べて、インダクタＬ１，Ｌ３が渦巻状をなしている場合の方が、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間の距離、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間の距離が離れる。よって、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合が弱くなる。これにより、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【００９０】
ここで、電子部品１０において、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くすることが好ましい。これにより、電子部品１０がローパスフィルタとして用いられた場合に、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。図３は、電子部品１０の通過特性を示したグラフである。縦軸は通過特性を示し、横軸は周波数を示している。
【００９１】
より詳細には、ＬＣ並列共振器ＬＣ２の共振周波数をＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣ３の共振周波数よりも低くした場合、ＬＣ並列共振器ＬＣ２により減衰極Ｐ２が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ１により減衰極Ｐ１が形成され、ＬＣ並列共振器ＬＣ３により減衰極Ｐ３が形成される。減衰極Ｐ２の周波数は、減衰極Ｐ１，Ｐ３の周波数よりも低く、通過帯域の上限近傍に位置している。このような電子部品１０において、減衰極Ｐ２を形成しているＬＣ並列共振器ＬＣ２のインダクタＬ２を高いＱ値を有する螺旋状のインダクタにより構成すれば、減衰極Ｐ２近傍における挿入損失が低減される。その結果、図３のＡ部分に示すように、通過帯域の上限において、通過特性が急峻に立ち下がるようになる。
【００９２】
なお、電子部品１０では、以下の理由によっても、通過帯域以外の減衰量を大きくすることができる。より詳細には、ビアホール導体ｖ１５は、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とを接続し、ビアホール導体ｖ１６は、インダクタＬ２とコンデンサＣ５とを接続している。すなわち、インダクタＬ１とインダクタＬ２とは、別々のビアホール導体を介してコンデンサＣ５に接続されている。仮に、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが同じビアホール導体を介してコンデンサＣ５に接続されていると、インダクタＬ１とビアホール導体とが１つのインダクタを構成し、インダクタＬ２とビアホール導体とが１つのインダクタを構成する。そのため、ビアホール導体を介してインダクタＬ１とインダクタＬ２とが電磁気結合する。その結果、インダクタＬ１とインダクタＬ２との結合度が高くなる。
【００９３】
そこで、電子部品１０では、前記の通り、ビアホール導体ｖ１５は、インダクタＬ１とコンデンサＣ５とを接続し、ビアホール導体ｖ１６は、インダクタＬ２とコンデンサＣ５とを接続している。これにより、インダクタＬ１とビアホール導体ｖ１５とが１つのインダクタを構成し、インダクタＬ２とビアホール導体ｖ１６とが１つのインダクタを構成する。よって、インダクタＬ１とインダクタＬ２とが電磁気結合することが抑制される。その結果、インダクタＬ１とインダクタＬ２との結合度が低くなる。よって、電子部品１０の減衰量を大きくすることができる。なお、同様の原理により、インダクタＬ２とインダクタＬ３との結合度も低くなる。
【００９４】
また、電子部品１０では、ビアホール導体ｖ１５は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１，Ｃ２とを接続し、ビアホール導体ｖ１６は、インダクタＬ２とコンデンサＣ２，Ｃ５とを接続している。同様に、ビアホール導体ｖ１７は、インダクタＬ２とコンデンサＣ６，Ｃ２とを接続し、ビアホール導体ｖ１８は、インダクタＬ３とコンデンサＣ２、Ｃ３とを接続している。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２及びインダクタＬ２とインダクタＬ３とをつなぐインダクタ成分が小さくなり、これらの間の磁気結合が抑制され、減衰特性を改善することができる。
【００９５】
また、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３の低抵抗化が図られている。以下に、インダクタＬ１を例に挙げて説明する。インダクタＬ１では、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃが並列接続され、インダクタ導体１８ｄ〜１８ｆが並列接続され、インダクタ導体１８ｇ〜１８ｉが並列接続され、インダクタ導体１８ｊ〜１８ｌが並列接続され、インダクタ導体１８ｍ〜１８ｏが並列接続され、インダクタ導体１８ｐ〜１８ｒが並列接続されている。これにより、インダクタＬ１の低抵抗化が図られている。なお、インダクタＬ２，Ｌ３も同じ理由により低抵抗化が図られている。
【００９６】
また、電子部品１０では、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１における電流の周回方向と、インダクタＬ３における電流の周回方向とは、逆向きである。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ３との電磁気結合を弱くすることができる。
【００９７】
また、電子部品１０では、コンデンサＣ４〜Ｃ７が設けられている。ＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣ３を通過する高周波信号の内、通過帯域よりも高い周波数を有する高周波信号がコンデンサＣ４〜Ｃ７を介してグランドへと流れるようになる。これにより、電子部品１０のローパスフィルタとしての機能をより向上させることができる。
【００９８】
また、電子部品１０では、コンデンサＣ４，Ｃ５と外部端子１４ｃとの間にインダクタＬａが設けられ、コンデンサＣ６，Ｃ７と外部端子１４ｃとの間にインダクタＬｂが設けられている。これにより、コンデンサＣ４，Ｃ５とインダクタＬａとがＬＣ直列共振器を構成し、コンデンサＣ６，Ｃ７とインダクタＬｂとがＬＣ直列共振器を構成する。その結果、図３の減衰極Ｐ４が形成されるようになる。
【００９９】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係るフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図４は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの等価回路図である。図５は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの積層体１２の分解斜視図である。なお、図５は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図の図２Ｂに対応している。電子部品１０ａのその他の分解斜視図は、電子部品１０の分解斜視図（図２Ａ、図２Ｃ及び図２Ｄ）と同じである。
【０１００】
電子部品１０ａは、コンデンサＣ８を更に備えている点において、電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に、電子部品１０ａについて説明する。
【０１０１】
コンデンサＣ８は、図４に示すように、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。コンデンサＣ８は、図５に示すように、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂ，３６ａ，３６ｂ，５０ａ〜５０ｃにより構成されている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｑ〜１６ｓの表面に設けられており、前後方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｃの前端近傍は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂと重なっている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｃの後端近傍は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂと重なっている。これにより、コンデンサ導体３０ａ，３０ｂとコンデンサ導体３６ａ，３６ｂとの間に、コンデンサ導体５０ａ〜５０ｃを介して、コンデンサＣ８が形成されている。コンデンサ導体３０ａ，３０ｂは、外部端子１４ａに接続され、コンデンサ導体３６ａ，３６ｂは、外部端子１４ｂと接続されている。したがって、コンデンサＣ８は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。なお、電子部品１０ａのその他の構成は、電子部品１０と同じであるので説明を省略する。
【０１０２】
以上のように構成された電子部品１０ａによれば、電子部品１０が奏することができる効果に加えて、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ２との間における通過特性が跳ね上がることを抑制できる。
【０１０３】
より詳細には、電子部品１０ａでは、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸とインダクタＬ２の巻回軸とが直交している。更に、インダクタＬ２の左右方向の中心は、上側から平面視したときに、インダクタＬ１の巻回軸及びインダクタＬ３の巻回軸に対して左側に位置している。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ２との電磁気結合、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との電磁気結合が弱くなる。その結果、インダクタＬ１とインダクタＬ２との間、及び、インダクタＬ２とインダクタＬ３との間において磁気結合が抑制され、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる。
【０１０４】
ただし、インダクタＬ１，Ｌ３で発生した磁束をインダクタＬ２が妨げることが抑制されるので、インダクタＬ１とインダクタＬ３とが磁気結合するおそれがある。その結果、インダクタＬ１により形成される減衰極Ｐ１とインダクタＬ３により形成される減衰極Ｐ３とが離れてしまい、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ３との間における通過特性が跳ね上がるおそれがある。
【０１０５】
そこで、電子部品１０ａでは、コンデンサＣ８は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。外部端子１４ａは、インダクタＬ１に接続され、外部端子１４ｂは、インダクタＬ３に接続されている。よって、コンデンサＣ８が設けられることにより、インダクタＬ１とインダクタＬ３との容量結合が強くなり、インダクタＬ１とインダクタＬ３との磁気結合が弱くなる。その結果、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ３とが近付いて、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ３との間における通過特性が跳ね上がることが抑制される。
【０１０６】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係るフィルタの構成について図面を参照しながら説明する。図６は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの積層体１２の分解斜視図である。なお、図６は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図の図２Ａに対応している。電子部品１０ｂのその他の分解斜視図は、電子部品１０の分解斜視図（図２Ｂ〜図２Ｄ）と同じである。また、電子部品１０ｂの等価回路図は、電子部品１０ａの等価回路図と同じであるので、図４を援用する。
【０１０７】
電子部品１０ｂは、電子部品１０ａと同じくコンデンサＣ８を更に備えている点において、電子部品１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心に、電子部品１０ｂについて説明する。
【０１０８】
コンデンサＣ８は、図４に示すように、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。コンデンサＣ８は、図６に示すように、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃ，２６ｐ〜２６ｒ及びコンデンサ導体５２ａ〜５２ｃにより構成されている。コンデンサ導体５２ａ〜５２ｃはそれぞれ、絶縁体層１６ｂ〜１６ｄの表面に設けられており、前後方向に延在する帯状の導体層である。コンデンサ導体５２ａ〜５２ｃの前端近傍は、上側から平面視したときに、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃと重なっている。コンデンサ導体５０ａ〜５０ｃの後端近傍は、上側から平面視したときに、インダクタ導体２６ｐ〜２６ｒと重なっている。これにより、インダクタ導体１８ａ〜１８ｃとインダクタ導体２６ｐ〜２６ｒとの間に、コンデンサ導体５２ａ〜５２ｃを介して、コンデンサＣ８が形成されている。インダクタ導体１８ａ〜１８ｃは、外部端子１４ａに接続され、インダクタ導体２６ａ〜２６ｒは、外部端子１４ｂと接続されている。したがって、コンデンサＣ８は、外部端子１４ａと外部端子１４ｂとの間に接続されている。なお、電子部品１０ｂのその他の構成は、電子部品１０と同じであるので説明を省略する。
【０１０９】
以上のように構成された電子部品１０ｂによれば、電子部品１０ａと同様に、減衰極Ｐ１と減衰極Ｐ２との間における通過特性が跳ね上がることを抑制できる。
【０１１０】
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０，１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
【０１１１】
なお、ＬＣ並列共振器の数は、３つに限らない。ＬＣ並列共振器の数は、３以上であればよい。ｎ個のＬＣ並列共振器ＬＣ１〜ＬＣｎが設けられた場合には、前後方向の両端に位置するＬＣ並列共振器ＬＣ１，ＬＣｎのインダクタＬ１，Ｌｎは、前後方向に沿った巻回軸を周回する。また、ＬＣ並列共振器ＬＣ２〜ＬＣｎ−１の内の少なくとも１つのインダクタは、左右方向に沿った巻回軸を周回する。
【０１１２】
なお、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸は、前後方向に平行であるとしたが、前後方向に対してわずかにずれていてもよい。すなわち、インダクタＬ１，Ｌ３の巻回軸は、前後方向に沿っていればよい。
【０１１３】
なお、インダクタＬ２の巻回軸は、左右方向に平行であるとしたが、左右方向に対してわずかにずれていてもよい。すなわち、インダクタＬ２の巻回軸は、左右方向に沿っていればよい。
【０１１４】
なお、インダクタＬ１〜Ｌ３に電流が流れた場合に、インダクタＬ１における電流の周回方向とＬ３における電流の周回方向とが同じ向きであってもよい。これにより、インダクタＬ１とインダクタＬ３との電磁気結合を強くすることができる。
【０１１５】
また、電子部品１０では、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆとインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌとが同じ絶縁体層１６ｂ〜１６ｄに設けられているが、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆとインダクタ導体２２ｊ〜２２ｌとが異なる絶縁体層１６ｂ〜１６ｄに分散して設けられていてもよい。このように、インダクタ導体２２ｄ〜２２ｆ，２２ｊ〜２２ｌの上下方向の位置を変化させることにより、インダクタＬ２の空芯径を調整することができ、インダクタＬ２のインダクタンス値を調整することができる。
【０１１６】
なお、インダクタＬ２は、右側から平面視したときに、インダクタＬ１及びインダクタＬ３と重なっていなくてもよい。これにより、インダクタＬ２がインダクタＬ１，Ｌ３が発生した磁束を妨げることがより効果的に抑制されるようになる。
【０１１７】
なお、インダクタＬ１，Ｌ３は、螺旋状をなしていてもよい。また、インダクタＬ２は、渦巻状をなしていてもよい。
【０１１８】
なお、インダクタＬ１の巻回軸とインダクタＬ３の巻回軸とは、上下左右方向において一致していなくてもよい。
【０１１９】
なお、外部端子１４ａ，１４ｂの形成後に積層体１２に対してバレル加工を施してもよい。
【０１２０】
また、コンデンサＣ４〜Ｃ７は、少なくともいずれか１つが設けられていればよい。
【０１２１】
なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂの構成を任意に組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明は、電子部品に有用であり、特に、挿入損失の低減を図りつつ、通過帯域以外の帯域において十分な減衰量を得ることができる点において優れている。
【符号の説明】
【０１２３】
Ｃ１〜Ｃ８  コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ３，Ｌａ，Ｌｂ  インダクタ
ＬＣ１〜ＬＣ３  ＬＣ並列共振器
ｖ１〜ｖ２２  ビアホール導体
１０  電子部品
１２  積層体
１４ａ〜１４ｃ  外部端子
１６ａ〜１６ｉｉ  絶縁体層
１８ａ〜１８ｒ，２２ａ〜２２ｏ，２６ａ〜２６ｒ，４６，４８  インダクタ導体
２８，３０ａ，３０ｂ，３２ａ，３２ｂ，３４，３６ａ，３６ｂ，３８ａ，３８ｂ，４０ａ，４０ｂ，５０ａ〜５０ｃ，５２ａ〜５２ｃ  コンデンサ導体
４２，４４  グランド導体
【図１Ａ】
0005970714.tif 000002
【図１Ｂ】
0005970714.tif 000003
【図２Ａ】
0005970714.tif 000004
【図２Ｂ】
0005970714.tif 000005
【図２Ｃ】
0005970714.tif 000006
【図２Ｄ】
0005970714.tif 000007
【図３】
0005970714.tif 000008
【図４】
0005970714.tif 000009
【図５】
0005970714.tif 000010
【図６】
0005970714.tif 000011