(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを含むＴＦＴ基板と、
前記ＴＦＴ基板上の有機発光素子と、
前記有機発光素子が覆われるように前記ＴＦＴ基板及び前記有機発光素子上に形成された保護層と、
前記保護層が覆われるように前記ＴＦＴ基板及び前記保護層上に形成された粘弾性層と、
前記粘弾性層上の封止フィルムとを含み、
前記粘弾性層は、弾性比率（％）＝（σ／σ０）×１００により定義される弾性比率が３０％以上である粘弾性体で形成され、ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テストによってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力であることを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記粘弾性体は、１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度、９５％以上の可視光透過度、及び０．３ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記粘弾性体は、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、合成ゴム、またはこれらのうち２つ以上の混合物を含むことを特徴とする、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記封止フィルムは、
光等方性フィルムと、
前記光等方性フィルム上の第１有機膜と、
前記第１有機膜上の無機膜と、
前記無機膜上の第２有機膜とを含み、
前記第２有機膜が前記粘弾性層と接触することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記粘弾性層と封止フィルムは共に５×１０−２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度を有することを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記封止フィルム上の円偏光板をさらに含み、
前記円偏光板は、
前記封止フィルム上の位相差フィルムと、
前記位相差フィルム上の直線偏光フィルムとを含み、
前記光等方性フィルムは１０ｎｍ以下の位相遅延値を有し、
前記位相差フィルムは１２０〜１４８ｎｍの位相遅延値を有することを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
薄膜トランジスタを含む基板を準備するステップと、
前記基板上に有機発光素子を形成するステップと、
前記有機発光素子が覆われるように前記基板及び前記有機発光素子上に保護層を形成するステップと、
粘弾性層を介して前記保護層上に封止フィルムを付着するステップとを含み、
前記保護層と封止フィルムとの間の前記粘弾性層は、弾性比率（％）＝（σ／σ０）×１００により定義される弾性比率が３０％以上である粘弾性体で形成され、ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テストによってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力であることを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記粘弾性体は、１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度、９５％以上の可視光透過度、及び０．３ＭＰａ以下の弾性率を有することを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記粘弾性体は、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、合成ゴム、またはこれらのうち２つ以上の混合物を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記粘弾性層が両面テープの形態を有する、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記円偏光板上の前方モジュールをさらに含み、前記前方モジュールはタッチフィルム及びカバーウィンドウを含む、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記粘弾性層が両面テープの形態を有する、請求項７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に係り、より具体的には、高温高湿の環境下で認知可能なバブルが封止構造内に発生することが防止された有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、最も広く使用されている平板表示装置は液晶表示装置である。しかし、液晶表示装置は、自ら光を生成できない受光素子（ｎｏｎ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｅｖｉｃｅ）であるため、輝度（ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ）、コントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｒａｔｉｏ）、及び視野角（ｖｉｅｗｉｎｇ  ａｎｇｌｅ）などの面で相対的に脆弱である。
【０００３】
このような液晶表示装置の短所を克服できる平板表示装置として、有機発光表示装置が注目を集めている。有機発光表示装置は、自発光する発光素子（ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｄｅｖｉｃｅ）であるので、受光素子に比べて相対的に優れた輝度、コントラスト比、及び視野角を有する。また、有機発光表示装置は、別途のバックライトを要求しないので、液晶表示装置に比べてより軽く、より薄く、また、消費する電力量がより少なくなるように具現することができる。
【０００４】
有機発光表示装置は、基本的に、薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されている第１電極、前記第１電極上の発光有機層（ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌａｙｅｒ）、及び前記発光有機層上の第２電極を含む。
【０００５】
前記発光有機層は、水分と酸素に弱いため、これらが発光有機層に浸透することによって発光不良が引き起こされることを防止するためには、前記発光有機層を外部の水分や酸素から保護することができる構造（以下、‘封止構造’と称する。）が提供されなければならない。
【０００６】
図１及び図２は、互いに異なる封止構造（以下、“第１及び第２タイプの封止構造”と称する。）を有する有機発光表示装置の断面をそれぞれ概略的に示す。
【０００７】
図１及び図２に例示するように、これら有機発光表示装置は、薄膜トランジスタ（図示せず）を含むＴＦＴ基板１０、及び前記ＴＦＴ基板１０上の有機発光素子２０を含むという点で互いに同一である。前記有機発光素子２０は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された、前記ＴＦＴ基板１０上の第１電極２１と、前記第１電極２１が形成されたＴＦＴ基板１０上に形成され、発光領域に対応する前記第１電極の少なくとも一部を露出させるバンク孔を有するバンク層２２と、前記バンク層２２のバンク孔を介して露出した前記第１電極２１部分上の発光有機層２３と、前記発光有機層２３上の第２電極２４と、を含むという点で互いに同一である。
【０００８】
但し、図１に例示するように、第１タイプの封止構造は、前記有機発光素子２０と所定距離離隔している封止ガラス３１と、前記有機発光表示装置の縁部において前記ＴＦＴ基板１０と前記封止ガラス３１との間に位置するフリット層（ｆｒｉｔ  ｌａｙｅｒ）３２と、を有する。
【０００９】
第１タイプの封止構造によれば、有機発光表示装置の前面（ｆａｃｅ）を介して前記発光有機層２３に酸素／水分が浸透することを防止することは、前記封止ガラス３１により主に行われ、有機発光表示装置の側面（ｓｉｄｅ）を介して酸素／水分が前記発光有機層２３に浸透することを防止することは、前記フリット層３２により主に行われる。
【００１０】
しかし、前記第１タイプの封止構造を有する有機発光表示装置は外部衝撃に弱く、フレキシブル表示装置の具現が不可能であるという短所がある。
【００１１】
このような第１タイプの封止構造の短所を克服するために、第２タイプの封止構造が提案された。
【００１２】
第２タイプの封止構造によれば、図２に例示するように、前記有機発光素子２０が形成されたＴＦＴ基板１０上に、前記有機発光素子２０を全体的に覆うように保護層４０が形成され、次に、前記保護層４０が形成されたＴＦＴ基板１０上に封止プレート６０が接着層（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）５０を介して貼り合わされる。
【００１３】
前記第２タイプの封止構造によれば、有機発光表示装置の前面を介して酸素／水分が前記発光有機層２３に浸透することを防止することは、前記封止フィルム６０、接着層５０及び保護層４０により主に行われ、有機発光表示装置の側面を介して酸素／水分が前記発光有機層２３に浸透することを防止することは、前記接着層５０及び保護層４０により主に行われる。
【００１４】
しかし、このような第２タイプの封止構造に適用されている通常の接着層５０は相対的に低い耐熱性を有する。接着層５０のこのような低い耐熱性及び隣接する構造との熱膨張率の差により、図３に例示するように、高温高湿の環境下で前記接着層５０が熱変形しながら、その中の微細気泡５１が合わさって視覚的に認知可能なバブル５２が発生するという問題がある。
【００１５】
製品テスト段階でのこのようなバブルの発生は製品不良として取り扱われて、生産性の低下を引き起こし、製品が販売された後のバブルの発生は、製品の信頼性の低下及びブランドイメージの損傷を招く。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
したがって、本発明は、上記のような関連技術の制限及び短所に起因する問題点を防止することができる有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【００１７】
本発明の一観点は、高温高湿の環境下で認知可能なバブルが封止構造内に発生することが防止された有機発光表示装置を提供するものである。
【００１８】
本発明の他の観点は、高温高湿の環境下で認知可能なバブルが封止構造内に発生することが防止された有機発光表示装置の製造方法を提供するものである。
【００１９】
上記で言及した本発明の観点以外にも、本発明の他の特徴及び利点が以下で説明されるか、またはそのような説明から、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記のような本発明の一観点によって、薄膜トランジスタを含むＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板上の有機発光素子と、前記有機発光素子が覆われるように前記ＴＦＴ基板及び前記有機発光素子上に形成された保護層と、前記保護層が覆われるように前記ＴＦＴ基板及び前記保護層上に形成された粘弾性層（ｖｉｓｃｏｅｌａｓｔｉｃ  ｌａｙｅｒ）と、前記粘弾性層上の封止フィルムとを含み、前記粘弾性層は、下記の式１により定義される弾性比率（ｅｌａｓｔｉｃ  ｐｏｒｔｉｏｎ）が３０％以上である粘弾性体で形成されたことを特徴とする有機発光表示装置が提供される：
【００２１】
＜式１＞：弾性比率（％）＝（σ／σ０）×１００
【００２２】
ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テスト（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ｔｅｓｔ）によってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率（ｓｔｒａｉｎ）が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力である。
【００２３】
本発明の他の観点によって、薄膜トランジスタを含む基板を準備するステップと、前記基板上に有機発光素子を形成するステップと、前記有機発光素子が覆われるように前記基板及び前記有機発光素子上に保護層を形成するステップと、粘弾性層を介して前記保護層上に封止フィルムを付着するステップとを含み、前記保護層と封止フィルムとの間の前記粘弾性層は、下記の式１により定義される弾性比率が３０％以上である粘弾性体で形成されたことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法が提供される：
【００２４】
＜式１＞：弾性比率（％）＝（σ／σ０）×１００
【００２５】
ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テストによってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力である。
【００２６】
前記粘弾性体は、１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度（ｗａｔｅｒ  ｖａｐｏｒ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｂｉｌｉｔｙ）、９５％以上の可視光透過度（ｖｉｓｉｂｌｅ  ｌｉｇｈｔ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｂｉｌｉｔｙ）、及び０．３ＭＰａ以下の弾性率（ｍｏｄｕｌｕｓ）を有することができる。
【００２７】
前記粘弾性体は、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、合成ゴム、またはこれらのうち２つ以上の混合物を含むことができる。
【００２８】
前記封止フィルムは、光等方性フィルムと、前記光等方性フィルム上の第１有機膜と、前記第１有機膜上の無機膜と、前記無機膜上の第２有機膜とを含むことができる。この場合、前記第２有機膜が前記粘弾性層と接触する。
【００２９】
前記粘弾性層と封止フィルムは共に５×１０−２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度を有することができる。
【００３０】
前記有機発光表示装置は、前記封止フィルム上の円偏光板（ｃｉｒｃｕｌａｒ  ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ  ｐｌａｔｅ）及び前記円偏光板上の前方モジュールをさらに含み、前記円偏光板は、前記封止フィルム上の位相差フィルム及び前記位相差フィルム上の直線偏光フィルム（ｌｉｎｅａｒ  ｐｏｌａｒｉｚｉｎｇ  ｆｉｌｍ）を含み、前記光等方性フィルムは１０ｎｍ以下の位相遅延値（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）を有し、前記位相差フィルムは１２０〜１４８ｎｍの位相遅延値を有することができる。
【００３１】
上記のような本発明に対する一般的な記述は、本発明を例示したり説明したりするためのものに過ぎず、本発明の権利範囲を制限しない。
【発明の効果】
【００３２】
上記のような本発明によれば、高温高湿の環境下でも、有機発光表示装置の封止構造内に認知可能なバブルが発生することを画期的に防止することができる。
【００３３】
したがって、有機発光表示装置の生産性を向上させることができると共に、バブルの発生により製品の信頼性が低下し、ブランドイメージが損傷することを防止することができる。
【００３４】
また、本発明によれば、ある粘弾性体が有機発光表示装置の封止構造に適するか否かを評価することができる基準が提示される。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
添付の図面は、本発明の理解を助け、本明細書の一部を構成するためのもので、本発明の実施例を例示し、発明の詳細な説明と共に本発明の原理を説明する。
【図１】第１タイプの封止構造を有する有機発光表示装置の断面を概略的に示す図である。
【図２】第２タイプの封止構造を有する有機発光表示装置の断面を概略的に示す図である。
【図３】高温条件で有機発光表示装置の変化を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の断面を概略的に示す図である。
【図５】本発明の一実施例に係るＴＦＴ基板の断面を概略的に示す図である。
【図６】本発明の他の実施例に係るＴＦＴ基板の断面を概略的に示す図である。
【図７】粘弾性体のマクスウェル（Ｍａｘｗｅｌｌ）モデルを示す図である。
【図８】緩和弾性率テスト（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ｔｅｓｔ）によって測定される粘弾性体の時間に対する応力の変化を示すグラフである。
【図９】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下では、添付の図面を参照して、本発明に係る有機発光表示装置及びその製造方法の実施例について詳細に説明する。
【００３７】
本発明の実施例を説明するにあたって、ある構造物が他の構造物の「上に（ｏｎ）」形成される（または位置する）と記載された場合、このような記載は、これら構造物が互いに接触している場合はもとより、これら構造物の間に第３の構造物が介在している場合も含むものと解釈しなければならない。但し、「真上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ  ｏｎ）」という用語が使用される場合には、これら構造物が互いに接触しているものと制限して解釈しなければならない。
【００３８】
図４は、本発明の一実施例に係る有機発光表示装置の断面を概略的に示す。
【００３９】
本発明の有機発光表示装置は、薄膜トランジスタを含むＴＦＴ基板１００と、前記ＴＦＴ基板１００上の有機発光素子２００と、前記有機発光素子２００が覆われるように前記ＴＦＴ基板１００及び前記有機発光素子２００上に形成された保護層３００と、前記保護層３００が覆われるように前記ＴＦＴ基板１００及び前記保護層３００上に形成された粘弾性層（ｖｉｓｃｏｅｌａｓｔｉｃ  ｌａｙｅｒ）４００と、前記粘弾性層４００上の封止フィルム５００とを含む。
【００４０】
本発明の一実施例によれば、図４に例示するように、前記有機発光表示装置は、前記封止フィルム５００上の円偏光板６００、及び前記円偏光板６００上の前方モジュール７００をさらに含むことができる。
【００４１】
図５は、本発明の一実施例に係るＴＦＴ基板１００の断面を概略的に示す。
【００４２】
図５に例示するように、本発明の一実施例に係るＴＦＴ基板１００は、ポリイミドフィルム１１０と、前記ポリイミドフィルム１１０の一方の面上のバッファ層１２０と、前記バッファ層１２０上にそれぞれ位置する薄膜トランジスタ１３０及びキャパシタ１４０と、前記ポリイミドフィルム１１０の他方の面上に接着層１８０を介して付着された後方プレート１９０とを含む。
【００４３】
前記薄膜トランジスタ１３０は、半導体層１３１、ゲート電極１３２、及びソース／ドレイン電極１３３，１３４を含み、前記キャパシタ１４０は、キャパシタ下部電極１４１及びキャパシタ上部電極１４２を含む。
【００４４】
前記半導体層１３１とゲート電極１３２との間、及び前記キャパシタ下部電極１４１とキャパシタ上部電極１４２との間にゲート絶縁膜１５０が介在している。前記キャパシタ上部電極１４２上に、そして、前記ゲート電極１３２とソース／ドレイン電極１３３との間に層間絶縁膜１６０が位置する。
【００４５】
前記薄膜トランジスタ１３０及びキャパシタ１４０を保護し、前記薄膜トランジスタ１３０による段差を平坦化するために、前記層間絶縁膜１６０及びソース／ドレイン電極１３３，１３４上にオーバーコート層１７０が位置する。
【００４６】
前記オーバーコート層１７０に形成された孔を介して、前記有機発光素子２００の第１電極２１０が前記薄膜トランジスタ１３０のドレイン電極１３４に電気的に接続される。
【００４７】
図５に例示したＴＦＴ基板１００は、フレキシブル表示装置の具現のための構造を有し、ゲート電極１３２が半導体層１３１の上に位置するトップゲート（Ｔｏｐ−Ｇａｔｅ）型薄膜トランジスタを含んでいるが、本発明がこのような構造に制限されるものではなく、ゲート電極が半導体層の下に位置するボトムゲート（Ｂｏｔｔｏｍ−Ｇａｔｅ）型薄膜トランジスタを含むか、または非フレキシブル（ｎｏｎ−ｆｌｅｘｉｂｌｅ）構造を有してもよい。
【００４８】
例えば、図６に例示するように、ＴＦＴ基板１００’は、ガラスまたはプラスチック材質で形成された基板１１１と、前記基板１１１上のゲート電極１１３ａと、前記基板１１１及び前記ゲート電極１１３ａ上のゲート絶縁膜１１２と、前記ゲート絶縁膜１１２を挟んで前記ゲート電極１１３ａと重なるように形成された半導体層１１３ｂと、前記ゲート絶縁膜１１２及び半導体層１１３ｂ上に互いに離隔して形成されたソース／ドレイン電極１１３ｃ，１１３ｄと、薄膜トランジスタ１１３が形成された基板１１１上に順次形成された無機絶縁膜１１４及び有機絶縁膜１１５と、を含む。前記無機絶縁膜１１４及び有機絶縁膜１１５に形成されている孔を介して、前記有機発光素子２００の第１電極２１０が前記薄膜トランジスタ１１３のドレイン電極１１３ｄに電気的に接続される。
【００４９】
以下では、図４を参照して、前記ＴＦＴ基板１００上の有機発光素子２００をより具体的に説明する。
【００５０】
本発明の一実施例による有機発光素子２００は、前記ＴＦＴ基板１００上の第１電極２１０と、前記第１電極２１０が形成されたＴＦＴ基板１００上に形成され、発光領域に対応する前記第１電極２１０の少なくとも一部を露出させるバンク孔を有するバンク層２２０と、前記バンク層２２０のバンク孔を介して露出した前記第１電極２１０部分上の発光有機層２３０と、前記発光有機層２３０上の第２電極２４０と、前記第２電極２４０上のキャッピング層２５０とを含む。
【００５１】
前記第１電極２１０は、前記ＴＦＴ基板１００の薄膜トランジスタ１３０［より具体的には、ドレイン電極１３４］に電気的に接続されている。前記第１電極２１０は、アノード電極であって、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｃｅｒｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）、またはＺｎＯのような高い仕事関数を有し、透明な伝導性物質で形成することができる。
【００５２】
前記バンク層２２０のバンク孔は、前記第１電極２１０の少なくとも一部を露出させることによって発光領域を定義する。
【００５３】
前記バンク層２２０のバンク孔を介して露出した前記第１電極２１０及び前記バンク層２２０の一部上に位置した前記発光有機層２３０は、発光層、前記第１電極２１０と発光層との間の正孔注入層及び／又は正孔輸送層、前記第２電極２４０と前記発光層との間の電子注入層及び／又は電子輸送層を含むことができる。
【００５４】
前記発光有機層２３０上に位置した第２電極２４０は、カソード電極であって、仕事関数の低いアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金で形成することができる。
【００５５】
本発明の有機発光表示装置は、前記発光有機層２３０から放出される光が前記ＴＦＴ基板１００を通過する後面発光タイプ、または前記発光有機層２３０から放出される光が前記前方モジュール７００を通過する前面発光タイプであってもよい。
【００５６】
後面発光タイプの場合、前記第２電極２４０は、光を反射できる程度の十分な厚さを有する。
【００５７】
一方、前面発光タイプの場合、前記第２電極２４０は、光が透過できる程度に薄い厚さ（例えば、１〜５０Å）を有し、前記第１電極２１０の下にアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）またはニッケル（Ｎｉ）で形成された反射層（図示せず）を配置することができる。また、図４に示すように、前記第２電極２４０上にキャッピング層２５０を形成することができる。前記キャッピング層２５０は、発光有機層２３０から放出される光が前記第２電極２４０の上部で全反射されることを防止するためのもので、導電性無機物質及び有機物質の混合物で形成することができる。前記導電性無機物質としては、金属、例えば、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土金属、希土類金属、及びこれらのうち２つ以上の合金を使用することができる。前記有機物質としては、正孔移動度に優れた有機物質（例えば、正孔輸送層のホスト物質として使用可能な物質）、または電子移動度に優れた有機物質（例えば、電子輸送層のホスト物質として使用可能な物質）を使用することができる。前記導電性無機物質は、キャッピング層２５０で表面プラズモン共鳴を発生させることによって光の散乱及び吸収を増加させ、前記第２電極２４０の上部での全反射を防止し、結果的に、有機発光表示装置の光抽出効果を向上させる。
【００５８】
一方、図４に例示するように、本発明の有機発光表示装置は、前記有機発光素子２００が覆われるように前記ＴＦＴ基板１００及び前記有機発光素子２００上に形成された保護層３００を含む。
【００５９】
前記保護層３００は、前記ＴＦＴ基板１００及び前記有機発光素子２００上に形成された第１無機層３１０と、前記第１無機層３１０上の有機層３２０と、前記有機層３２０上の第２無機層３３０とを含む。
【００６０】
前記第１及び第２無機層３１０，３３０のそれぞれは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ、ＺｎＯ、及びＴａ２Ｏ５のうち１つ以上を含む素材で形成することができ、前記有機層３２０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンなどのように水分／酸素の遮断に適した有機物で形成することができる。前記有機層３２０は、有機発光表示装置が曲がるときに発生する各層間の応力を緩和させる機能を果たすこともある。
【００６１】
本発明の有機発光表示装置は、図４に例示するように、前記保護層３００全体が完全に覆われるように前記ＴＦＴ基板１００及び前記保護層３００上に形成された粘弾性層４００、及び前記粘弾性層４００上の封止フィルム５００を含む。
【００６２】
以下では、図７及び図８を参照して、本発明の粘弾性層４００をより具体的に説明する。
【００６３】
図７は、粘弾性体のマクスウェル（Ｍａｘｗｅｌｌ）モデルであり、図８は、緩和弾性率テスト（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ｔｅｓｔ）によって測定される粘弾性体の時間に対する応力の変化を示すグラフである。
【００６４】
本発明の粘弾性層４００は、図７のマクスウェルモデルとして表示できる粘弾性体で形成される。図７に示したように、粘弾性体は、一般にダッシュポット（ｄａｓｈｐｏｔ）要素（η）とスプリング（ｓｐｒｉｎｇ）要素（Ｅ）を含む。
【００６５】
図８のグラフが示すように、緩和弾性率テスト（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ｔｅｓｔ）を通じて、所定の温度で粘弾性体に急激な変形率が加えられると、スプリング要素（Ｅ）が直ちに伸びながら応力（σ）が発生するが、時間（Ｔ）が経過するにつれて、ダッシュポット要素（η）がスプリング要素（Ｅ）の変形を蚕食しながら応力（σ）が急激に減少した後、特定の値に収束することになる。
【００６６】
前記緩和弾性率テストは、粘弾性を有するある物質の構造に関する情報を得るために行われる一種の線形粘弾性測定方法であって、所定の温度条件で一定の変形率が加えられるとき、時間の経過による応力の変化を測定するテストである。すなわち、前記物質に変形率という刺激を与え、それによって発生する応力を前記刺激に対する前記物質の反応として測定する。
【００６７】
有機発光表示装置の封止構造に好適に使用されるために、前記粘弾性層４００は、基本的に、１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度（ｗａｔｅｒ  ｖａｐｏｒ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｂｉｌｉｔｙ）、９５％以上の可視光透過度（ｖｉｓｉｂｌｅ  ｌｉｇｈｔ  ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｂｉｌｉｔｙ）、及び０．３ＭＰａ以下の弾性率（ｍｏｄｕｌｕｓ）の要件を同時に満たす粘弾性体で形成されることが好ましい。
【００６８】
これに加えて、本発明によれば、前記粘弾性層４００は、下記の式１により定義される弾性比率（Ｅｌａｓｔｉｃ  Ｐｏｒｔｉｏｎ：Ｅｐ）が３０％以上である粘弾性体で形成される。
【００６９】
＜式１＞：弾性比率（Ｅｐ）％＝（σ／σ０）×１００
【００７０】
ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テストによってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率（ｓｔｒａｉｎ）が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力である。
【００７１】
すなわち、本発明によれば、ある粘弾性体が有機発光表示装置の封止構造に適するか否かを評価できる基準として、上記のような弾性比率（Ｅｐ）を用いることができ、３０％以上の弾性比率（Ｅｐ）を有する粘弾性体で前記粘弾性層４００を形成することによって、高温高湿の環境下での認知可能なバブルの発生を画期的に防止することができる。
【００７２】
本発明の粘弾性層４００は、アクリル樹脂、オレフィン樹脂、合成ゴム、またはこれらのうち２つ以上の混合物を含む粘弾性体で形成することができる。
【００７３】
前記粘弾性層４００を挟んで前記保護層３００が形成されたＴＦＴ基板１００と貼り合わされる封止フィルム５００は、光等方性フィルム５４０、前記光等方性フィルム５４０上の第１有機膜５３０、前記第１有機膜５３０上の無機膜５２０、及び前記無機膜５２０上の第２有機膜５１０を含む。前記第２有機膜５１０が前記粘弾性層４００と直接接触する。
【００７４】
前記無機膜５２０は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ、ＺｎＯ、及びＴａ２Ｏ５のうち１つ以上を含む素材で形成することができ、前記第１及び第２有機膜５１０，５３０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンなどのように水分／酸素の遮断に適した有機物で形成することができる。前記第１及び第２有機膜５１０，５３０は、有機発光表示装置が曲がるときに発生する応力を緩和させる機能を果たすこともある。
【００７５】
本発明の一実施例によれば、前記粘弾性層４００と封止フィルム５００は共に５×１０−２ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度を有する。前記水分透湿度の要件を満たすために、前記封止フィルム５００は、追加的な無機膜及び／又は有機膜をさらに含むこともできる。
【００７６】
図４に例示するように、本発明の一実施例に係る有機発光表示装置は、前記封止フィルム５００上の円偏光板６００、及び前記円偏光板６００上の前方モジュール７００をさらに含む。
【００７７】
前記封止フィルム５００は、前記円偏光板６００との接着のために、前記光等方性フィルム５４０上の接着膜（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ）をさらに含むことができる。
【００７８】
また、前記円偏光板６００と前方モジュール７００との接着のために、前記有機発光表示装置は、減圧接着剤（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＰＳＡ）、光学透明接着剤（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｌｅａｒ  Ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＯＣＡ）などの接着剤で形成された接着層（図示せず）をさらに含むことができる。
【００７９】
前記円偏光板６００は、有機発光素子２００によって反射された外部光が有機発光表示装置から放出されることにより引き起こされる視認性の低下を防止するためのもので、有機発光素子２００の第２電極２４０によって反射された外部光が有機発光表示装置から放出されることを防止する。
【００８０】
前記円偏光板６００は、前記封止フィルム５００上のλ／４位相差フィルム６１０、及び前記λ／４位相差フィルム６１０上の直線偏光フィルム６２０を含むことができる。外部光は、前記直線偏光フィルム６２０を通過しながら直線偏光となり、前記直線偏光は、前記λ／４位相差フィルム６１０を通過し、前記第２電極２４０で反射され、前記λ／４位相差フィルム６１０を再び通過しながら前記直線偏光フィルム６２０の透過軸と垂直な直線偏光に変換された後、前記直線偏光フィルム６２０に吸収される。
【００８１】
前記λ／４位相差フィルム６１０は、５０〜１００μｍの厚さ及び１２０〜１４８ｎｍの位相遅延値を有することができる。
【００８２】
有機発光素子２００の第２電極２４０によって反射された外部光が有機発光表示装置から放出されて視認されることを完全に防止するために、前記封止フィルム５００の光等方性フィルム５４０は、１０ｎｍ以下の位相遅延値（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ）を有する等方性フィルムであることが好ましい。
【００８３】
前記前方モジュール７００は、タッチフィルム７１０及びカバーウィンドウ７２０を含むことができ、接着層を介して前記円偏光板６００に付着することができる。前記カバーウィンドウ７２０はガラスまたはプラスチックで形成されてもよい。
【００８４】
以下では、図９乃至図１５を参照して、本発明の有機発光表示装置の製造方法を具体的に説明する。
【００８５】
まず、図９に例示するように、薄膜トランジスタ１３０を含む基板１００ａを準備した後、前記基板１００ａ上に有機発光素子２００を形成する。
【００８６】
前記基板１００ａを準備するために、ガラス基板１０１上にポリイミドフィルム１１０が形成される。次に、前記ポリイミドフィルム１１０上に無機物質でバッファ層１２０が形成される。
【００８７】
前記バッファ層１２０上に、半導体層１３１及びキャパシタ下部電極１４１が互いに離隔するようにそれぞれ形成される。前記半導体層１３１は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または酸化物半導体であってもよい。
【００８８】
前記半導体層１３１及びキャパシタ下部電極１４１が形成されたバッファ層１２０上に、ゲート絶縁膜１５０が形成される。前記ゲート絶縁膜１５０は、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）で形成することができる。
【００８９】
前記ゲート絶縁膜１５０上に、前記半導体層１３１及びキャパシタ下部電極１４１にそれぞれ重なるようにゲート電極１３２及びキャパシタ上部電極１４２がそれぞれ形成される。前記ゲート電極１３２及びキャパシタ上部電極１４２は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはこれらのうち２つ以上の合金で形成することができる。
【００９０】
次に、前記ゲート電極１３２及びキャパシタ上部電極１４２が形成された前記ゲート絶縁膜１５０上に層間絶縁膜１６０を形成する。前記層間絶縁膜１６０は、無機単一膜または無機／有機二重膜であってもよい。
【００９１】
前記ゲート電極１３２を挟んでその両側で前記層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１５０をそれぞれ選択的にエッチングすることによって、前記半導体層１３１を部分的に露出させる２つのビアホール（ｖｉａ  ｈｏｌｅｓ）を形成する。次に、前記層間絶縁膜１６０上に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｕ、またはこれらのうち２つ以上の合金で金属層を形成した後、フォトリソグラフィー及びエッチング工程を行うことによってソース／ドレイン電極１３３，１３４を形成する。
【００９２】
前記薄膜トランジスタ１３０及びキャパシタ１４０を保護し、前記薄膜トランジスタ１３０による段差を平坦化するためのオーバーコート層１７０が、ソース／ドレイン電極１３３，１３４が形成された層間絶縁膜１６０上に形成される。前記オーバーコート層１７０は、無機単一層または無機／有機二重層であってもよい。
【００９３】
このようにして完成した基板１００ａ上に有機発光素子２００を形成するために、前記オーバーコート層１７０を選択的にエッチングすることによって、前記ドレイン電極１３４を部分的に露出させる孔を形成する。次に、前記基板１００ａ上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＣＯ、またはＺｎＯのような高い仕事関数を有する透明伝導性物質をＣＶＤまたはスパッタリング工程を通じて蒸着した後、フォトリソグラフィー及びエッチング工程を行うことによって第１電極２１０を形成する。
【００９４】
前面発光タイプの有機発光表示装置を製造する場合、前記第１電極２１０を形成する直前に、前記基板１００ａ上に銀（Ａｇ）またはニッケル（Ｎｉ）で反射層（図示せず）を形成することができる。
【００９５】
前記第１電極２１０が形成された基板１００ａ上に、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂などのような有機非伝導性物質を用いて有機絶縁層を形成した後、選択的エッチング工程を行うことによって、前記第１電極２１０の少なくとも一部を露出させるバンク孔を有するバンク層２２０を形成する。
【００９６】
次に、通常の方法により、前記バンク層２２０及び第１電極２１０上に発光有機層２３０、第２電極２４０、及びキャッピング層２５０を順次形成する。
【００９７】
前記発光有機層２３０上に位置した第２電極２４０は、仕事関数の低いアルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金で形成することができる。後面発光タイプの有機発光表示装置を製造しようとする場合、前記第２電極２４０は、光を反射できる程度の十分な厚さを有するように形成される。一方、前面発光タイプの有機発光表示装置を製造しようとする場合、前記第２電極２４０は、光が透過できる程度に薄い厚さ（例えば、１〜５０Å）を有するように形成される。
【００９８】
発光有機層２３０から放出される光が前記第２電極２４０の上部で全反射されることを防止するためのキャッピング層２５０が、前記第２電極２４０上に形成される。前記キャッピング層２５０は、約１０〜１００ｎｍの厚さを有することができる。
【００９９】
前述したように、前記キャッピング層２５０は、導電性無機物質及び有機物質の混合物で形成することができ、前記導電性無機物質としては、金属、例えば、遷移金属、アルカリ金属、アルカリ土金属、希土類金属、及びこれらのうち２つ以上の合金を使用することができる。例えば、前記導電性無機物質として銀ナノ粒子が用いられる場合、銀ナノ粒子と有機物質がそれぞれ噴射されて前記第２電極２４０上に共に蒸着されることによって前記キャッピング層２５０が形成されてもよく、前記キャッピング層２５０内に含有される銀ナノ粒子の含量は、１０重量％以下であってもよい。
【０１００】
次に、図１０に例示するように、前記有機発光素子２００全体が完全に覆われるように、前記基板１００ａ及び前記有機発光素子２００上に保護層３００を形成する。
【０１０１】
前記保護層３００を形成するステップは、前記ＴＦＴ基板１００及び前記有機発光素子２００上に第１無機層３１０を形成するステップと、前記第１無機層３１０上に有機層３２０を形成するステップと、前記有機層３２０上に第２無機層３３０を形成するステップとを含む。
【０１０２】
前記第１及び第２無機層３１０，３３０のそれぞれは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ、ＺｎＯ、及びＴａ２Ｏ５のうち１つ以上を含む素材で形成することができ、前記有機層３２０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンなどのように水分／酸素の遮断に適した有機物で形成することができる。
【０１０３】
１１０℃以上の高温では前記発光有機層２３０の損傷の危険性があるため、前記第１及び第２無機層３１０，３３０は、８０〜１００℃の低温ＰＥＣＶＤまたはＡＬＤ工程により形成することが好ましい。
【０１０４】
前記有機層３２０は、蒸発蒸着、コーティングまたはプリンティングを通じて形成することができる。
【０１０５】
次に、図１１に例示するように、粘弾性層４００を介して前記保護層３００上に封止フィルム５００が付着される。前記粘弾性層４００は両面テープの形態を有することができる。
【０１０６】
保護層３００と封止フィルム５００との間に介在する本発明の粘弾性層４００は、下記の式１により定義される弾性比率が３０％以上である粘弾性体で形成される。
【０１０７】
＜式１＞：弾性比率（％）＝（σ／σ０）×１００
【０１０８】
ここで、σ０及びσは、８０℃で緩和弾性率テストによってそれぞれ測定された初期応力及び最終応力であって、前記σ０は、５０％の変形率が前記粘弾性体に加えられたときに発生する初期応力であり、前記σは、前記変形率が維持された状態で１８０秒後に測定された最終応力である。
【０１０９】
前述したように、前記粘弾性体は、有機発光表示装置の封止構造が要求する条件、すなわち、１０ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の水分透湿度、９５％以上の可視光透過度、及び０．３ＭＰａ以下の弾性率を満たすアクリル樹脂、オレフィン樹脂、合成ゴム、またはこれらのうち２つ以上の混合物を含む。
【０１１０】
本発明の一実施例によれば、光等方性フィルム５４０上に第１有機膜５３０、無機膜５２０、及び第２有機膜５１０を順次積層することによって別途に形成された封止フィルム５００が、前記粘弾性層４００を介して前記保護層３００及びＴＦＴ基板１００に付着されてもよい。このとき、前記第２有機膜５１０が前記粘弾性層４００と直接接触する。
【０１１１】
前記第１及び第２有機膜５１０，５３０は、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンなどのように水分／酸素の遮断に適した有機物を蒸発蒸着、コーティングまたはプリンティングすることによって形成されてもよい。
【０１１２】
前記無機膜５２０は、ＣＶＤ又はＡＬＤ工程により形成することができ、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、ＺｒＯ、ＺｎＯ、Ｔａ２Ｏ５などのような無機物を含む。
【０１１３】
前記封止フィルム５００の付着後に、図１２に例示するように、前記封止フィルム５００上に別途に形成された円偏光板６００が付着される。前記封止フィルム５００は、前記円偏光板６００との接着のために、前記光等方性フィルム５４０上の接着膜（ａｄｈｅｓｉｖｅ  ｆｉｌｍ）をさらに含むことができる。
【０１１４】
前記円偏光板６００は、前記封止フィルム５００上に付着されるλ／４位相差フィルム６１０、及び前記λ／４位相差フィルム６１０上の直線偏光フィルム６２０を含むことができる。
【０１１５】
次に、図１３に例示するように、タッチフィルム７１０及びカバーウィンドウ７２０を含む前方モジュール７００が前記円偏光板６００上に付着される。前記円偏光板６００と前方モジュール７００との接着のために、減圧接着剤、光学透明接着剤などの接着剤を用いることができる。
【０１１６】
次に、図１４に例示するように、製造工程中に支持機能を果たしていたガラス基板１０１を、レーザーを用いてポリイミドフィルム１１０から分離する。このような分離工程のために、照射されるレーザーを吸収して加熱及び分解されることによってガラス基板１０１とポリイミドフィルム１１０との分離を可能にする犠牲層（図示せず）が、前記ガラス基板１０１とポリイミドフィルム１１０との間にさらに形成されていてもよい。
【０１１７】
次に、図１５に例示するように、ガラス基板１０１がポリイミドフィルム１１０から分離された後、本発明の有機発光表示装置を支持するための後方プレート１９０が、減圧接着剤（ＰＳＡ）、光学透明接着剤（ＯＣＡ）などの接着層１８０を介して前記ポリイミドフィルム１１０に付着される。
【０１１８】
以下では、本発明の具体的な実施例及び比較例を参照して、本発明をより具体的に説明する。
【０１１９】
実験例：粘弾性体の弾性比率（Ｅｐ）（％）測定
【０１２０】
有機発光表示装置の封止構造の製造に用いられた両面テープ形態の粘弾性体に対して、ＡＲＥＳ社（現在はＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社）のレオメータ（ｒｈｅｏｍｅｔｅｒ）を用いた緩和弾性率テスト（Ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  Ｍｏｄｕｌｕｓ  Ｔｅｓｔ）を下記の条件下で行った。
【０１２１】
＊モード（ｍｏｄｅ）：応力緩和モード（ｓｔｒｅｓｓ  ｒｅｌａｘａｔｉｏｎ  ｍｏｄｅ）
＊変形率（ｓｔｒａｉｎ）：５０％
＊温度：８０℃
＊持続期間（ｄｕｒａｔｉｏｎ）：１８０秒
＊軸方向力／変形率（ａｘｉａｌ  ｆｏｒｃｅ／ｓｔｒａｉｎ）：‘ｄｉｓａｂｌｅｄ’に設定
【０１２２】
前記緩和弾性率テストによって、５０％の変形率が前記粘弾性体に加えられたときに発生した初期応力（σ０）、及び前記変形率が維持された状態で１８０秒後の最終応力（σ）をそれぞれ測定した後、下記の式１によって前記粘弾性体の弾性比率（Ｅｐ）（％）を算出した。
【０１２３】
＜式１＞：弾性比率（Ｅｐ）（％）＝（σ／σ０）×１００
【０１２４】
実施例１乃至３
【０１２５】
３０％、３５％及び４０％の弾性比率（Ｅｐ）をそれぞれ有する粘弾性体を用いて、図４の構造を有する有機発光表示装置を製造した。
【０１２６】
比較例
【０１２７】
２０％の弾性比率（Ｅｐ）をそれぞれ有する粘弾性体を用いて、図４の構造を有する有機発光表示装置を製造した。
【０１２８】
上記のように製造された実施例１〜３及び比較例の有機発光表示装置に対して、次のように信頼性テストをそれぞれ行い、その結果を表１に示す。
【０１２９】
信頼性テスト
【０１３０】
１０個のサンプルを８０℃の高温の条件下で２４０時間投入した後、視覚的に認知可能なバブルが発生したか否かを肉眼で観察した。
【０１３１】
【表１】
0005976759.tif 000002
【０１３２】
上記表１から、３０％以上の弾性比率（Ｅｐ）を有する粘弾性体を用いて封止構造を製造する場合、高温高湿の環境下で認知可能なバブルが発生することを画期的に防止できることがわかる。
【図１】
0005976759.tif 000003
【図２】
0005976759.tif 000004
【図３】
0005976759.tif 000005
【図４】
0005976759.tif 000006
【図５】
0005976759.tif 000007
【図６】
0005976759.tif 000008
【図７】
0005976759.tif 000009
【図８】
0005976759.tif 000010
【図９】
0005976759.tif 000011
【図１０】
0005976759.tif 000012
【図１１】
0005976759.tif 000013
【図１２】
0005976759.tif 000014
【図１３】
0005976759.tif 000015
【図１４】
0005976759.tif 000016
【図１５】
0005976759.tif 000017