(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＸＩＩＡ
【化２２】
0005950833.tif 000049
によるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表１】
0005950833.tif 000050
を有するβ−ヒドロキシアルキルアミド。
【請求項２】
式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドが、１７５℃未満で固体形で存在することを特徴とする、請求項１に記載のβ−ヒドロキシアルキルアミド。
【請求項３】
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドのその製造後の最終生成物中の全ての異性体の濃度が、７５質量％であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のβ−ヒドロキシアルキルアミド。
【請求項４】
吸熱ピーク１（１６０℃）対吸熱ピーク２（１９０℃）のエンタルピーの比率が、１：１〜１：３である、請求項１から３までのいずれか１項に記載のβ−ヒドロキシアルキルアミド。
【請求項５】
式ＸＩＩＡ
【化２３】
0005950833.tif 000051
で示され、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表２】
0005950833.tif 000052
を有し、かつ
５．  単結晶のＸ線構造解析によれば、以下のパラメータ：
【表３】
0005950833.tif 000053
を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載のβ−ヒドロキシアルキルアミド。
【請求項６】
式ＸＩＩＡ
【化２４】
0005950833.tif 000054
で示され、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、１分子当たりに４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表４】
0005950833.tif 000055
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、断続的に回分法によって製造する方法であって、前記回分法は、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンを、反応器中２０〜１２０℃の温度で溶剤の存在下で反応させることにより行われる前記方法。
【請求項７】
添加される溶剤の量が、使用される全ての出発物質の全量に対して、１０質量％を上回る、請求項６に記載の断続的な製造方法。
【請求項８】
式ＸＩＩＡ
【化２５】
0005950833.tif 000056
で示され、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、１分子当たりに４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表５】
0005950833.tif 000057
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、断続的に回分法によって製造する方法であって、前記回分法は、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンを、閉じた装置中で圧力下に６０〜１４０℃の温度で溶剤を添加せずに反応させることにより行われる前記方法。
【請求項９】
式ＸＩＩＡ
【化２６】
0005950833.tif 000058
で示され、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、１分子当たりに４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表６】
0005950833.tif 000059
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、断続的に回分法によって製造し、こうして得られた生成物を再結晶化させる、前記Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造方法であって、前記回分法は、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンを、反応器中２０〜１４０℃の温度で溶剤を添加せずに反応させることにより行われる前記方法。
【請求項１０】
式ＸＩＩＡ
【化２７】
0005950833.tif 000060
で示され、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンからの、１分子当たりに４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有し、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表７】
0005950833.tif 000061
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサー中で溶剤を用いずにジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンを混和及び反応させることにより連続的に製造し、こうして得られた生成物を、
ａ）再結晶化させるか、又は
ｂ）５０〜１００℃の温度で熱処理し、その際、その時間は、６時間を上回る、前記Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造方法。
【請求項１１】
式ＸＩＩＡ
【化２８】
0005950833.tif 000062
で示され、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表８】
0005950833.tif 000063
を有し、
５．  単結晶のＸ線構造解析によれば、以下のパラメータ：
【表９】
0005950833.tif 000064
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを製造するための、請求項６から１０までのいずれか１項に記載の前記Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造方法。
【請求項１２】
式ＸＩＩＡ
【化２９】
0005950833.tif 000065
で示され、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表１０】
0005950833.tif 000066
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、艶消し表面を有するコーティングの製造のための用いる、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の前記Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの使用。
【請求項１３】
式ＸＩＩＡ
【化３０】
0005950833.tif 000067
で示され、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９８モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表１１】
0005950833.tif 000068
を有し、かつ
５．  単結晶のＸ線構造解析によれば、以下のパラメータ：
【表１２】
0005950833.tif 000069
を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを使用する、請求項１２に記載の前記Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの使用。
【請求項１４】
粉末塗料における、請求項１２又は１３に記載の使用。
【請求項１５】
６０°の入射角でＤＩＮ ６７５３０／ＩＳＯ ２８１３に従って反射率計値として測定された５０単位未満の光沢を有する艶消し表面を有するコーティングの製造のための、請求項１２から１４までのいずれか１項に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規のβ−ヒドロキシアルキルアミド、その製造方法並びにその使用に関する。
【０００２】
β−ヒドロキシアルキルアミドは、有機合成における有用な中間生成物である。
【０００３】
十年前から、β−ヒドロキシアルキルアミドは、粉末塗料において硬化剤（架橋剤とも呼ぶ）として工業的に使用されている。
【０００４】
β−ヒドロキシアルキルアミド並びにその製造方法は、以下の特許文献：ＤＥ２５０９２３７、ＤＥ１９８２３９２５、ＥＰ０４７３３８０、ＥＰ０９６０８７８、ＷＯ２００００５０３８４、ＷＯ２０００５５２６６からも知られている。
【０００５】
架橋剤（硬化剤）としてのトリグリシジルイソシアヌレート（ＴＧＩＣ）と酸官能性のポリエステルを基礎とする粉末塗料は、耐蝕性でかつ耐候性の粉末コーティングをもたらす。しかしながら、トリグリシジルイソシアヌレート（ＴＧＩＣ）は、突然変異誘発性かつ毒性であると評価されている。
【０００６】
架橋剤としてのβ−ヒドロキシアルキルアミドは、毒性学的に懸念がなく、さらにまた反応性がより高い。特許文献ＵＳ４，０７６，９１７及びＵＳ４，１０１，６０６においては、β−ヒドロキシアルキルアミドを、少なくとも１つのカルボキシレート官能もしくは無水物官能を有するポリマーと、特にポリアクリレートと組み合わせて粉末塗料としている。ＥＰ０３２２８３４は、酸基を有するポリエステル及びβ−ヒドロキシアルキルアミドから構成されている熱硬化性の粉末塗料を記載している。
【０００７】
基材に一様に平坦かつ艶消しの表面を与えるコーティング系は、かなり関心が持たれている。その理由は、十分に実用的な性質のものである。光沢のある表面は、艶消し表面よりもはるかに高い清浄化の程度を必要とする。更に、安全技術的理由から、強く反射する表面を避けることが望ましいことがある。粉末塗料産業の広範な利用分野、例えば建築分野、自動車分野及び金属調度品分野などにおいて、ＤＩＮ ６７５３０／ＩＳＯ ２８１３に従って入射角６０°で反射率計値として測定される艶消し（１０〜３０単位）表面と半艶消し（３０〜５０単位）表面に対する需要が高まっている。
【０００８】
艶消し表面を得るための最も簡単な原理は、粉末塗料に、所望の艶消し効果の程度に応じて、より少量のもしくはより多量の充填剤、例えば白亜、微細な二酸化ケイ素もしくは硫酸バリウムなどの充填剤を混加することにある。しかしながら、これらの添加物は、塗料技術的な塗膜特性、例えば付着性、可撓性、耐衝撃性及び耐化学薬品性の悪化を引き起こす。
【０００９】
塗料と非相溶性の物質、例えばワックスもしくはセルロース誘導体などの物質の添加は、たしかに明らかな艶消しをもたらすものの、押出の間の僅かな変化が、表面光沢に変動をもたらし、かつ暗色の色調における、フェード・アウトをもたらす。艶消し効果の再現性は、保証されていない。
【００１０】
ＥＰ０６９８６４５においては、少なくとも２種の別個に完成されたヒドロキシアルキルアミド粉末塗料の乾式混合（ドライブレンド）によって艶消し粉末コーティングを作成することが記載されている。
【００１１】
半艶消しの及び艶消しの（５０単位未満の光沢）の、ヒドロキシアルキルアミドを有する粉末コーティングについては、つまり先行技術は、いわゆるドライブレンドである。すなわち、結合剤成分の酸価が異なる２種のヒドロキシアルキルアミド粉末塗料を別個に製造し、それらを次いで乾式混合物として磨砕に供給することが必要である。そのことは、かなりの多大な労力をもたらし、結合剤成分が異なる場合に光沢の変動が引き起こされ、その補正はかなりの追加の労力を意味する。更に、これらの乾式混合物は、エンドユーザにおいても、粉末塗料が通常のようにリサイクルされるべき場合には、それにより生ずる光沢の変化を伴い分離する。
【００１２】
公開公報ＫＲ １０−２００９−０１１１７２０（出願番号１０−２００８−００３７４５４）は、"シクロアルカンジカルボキサミド化合物、その製造及び使用"（同様にＪ．Ｋｏｒｅａｎ Ｉｎｄ．Ｅｎｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．２，Ａｐｒｉｌ ２００９，１９５−２００を参照のこと）という翻訳された表題を有し、それは、特に例１において、そこに挙げられる化合物Ｎ1，Ｎ1，Ｎ4，Ｎ4−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキサン−１，４−ジカルボキサミド（式３）を開示している。前記化合物は、図２によれば、ほぼ１９０℃で最大ピークを有する、ＤＳＣ分析による１つだけのピークしか有さない。該化合物のシス／トランス含量は、挙げられていない。更に、カルボキシル基を有するポリエステルであって、厳密に定義されておらず、広い範囲の幾つかのパラメータによってのみ示されているポリエステル（ポリエステルは一義的に特徴付けられておらず、市場ではこの粘度で知られていない）は、前記化合物と架橋され、かつ公知のβ−ヒドロキシアルキルアミド、ここでは例３で［Ｎ1，Ｎ1，Ｎ6，Ｎ6−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）アジパミド］として挙げられるもの（ＶＥＳＴＡＧＯＮ ＨＡＡ ３２０又はＰＲＩＭＩＤ ＸＬ ５５２）、つまり従来技術からの硬化剤及び長年にわたり確立されていた商品であって、周知のように製造されたコーティングの光沢のある表面をもたらすものと比較される。図３及び４においては、薄板が示されている。艶消しの被覆であることは記載されていない。慣用の硬化剤を用いて光沢のある被覆が得られるので、その可能性もない。
【００１３】
本発明の課題は、中間生成物及び硬化剤として使用可能な新規のβ−ヒドロキシアルキルアミドを見出すことであった。特に、本発明の課題は、粉末塗料において硬化後に艶消し表面をもたらし、かつ粉末塗料の製造に際して乾式混合を必要としない、新規のβ−ヒドロキシアルキルアミドを見出すことであった。
【００１４】
前記課題は、本発明による新規のβ−ヒドロキシアルキルアミドによって解決された。
【００１５】
本発明の対象は、１分子当たりに２個もしくは３個もしくは４個のβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式Ｉ
【化１】
0005950833.tif 000002
［式中、
Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び／又は官能基を有してもよく、かつ
Ｒ1は、水素であってもよく、かつ
Ｒ2は、
【化２】
0005950833.tif 000003
であってもよく、かつ
Ａは、
【化３】
0005950833.tif 000004
であり、
Ｒ3は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び／又は官能基を有してもよく、かつ２もしくはそれより多くの置換基Ｒ3は、互いに結合して環を形成してよい］で示される、β−ヒドロキシアルキルアミドであって、１５０℃未満では固体形で存在するβ−ヒドロキシアルキルアミドである。
【００１６】
驚くべきことに、骨格中にシクロヘキサン環を有するβ−ヒドロキシアルキルアミド（その際、該β−ヒドロキシアルキルアミドは、１５０℃未満で固体形で存在する）は、粉末塗料中において硬化の後に艶消し表面をもたらすことが判明した。更に、本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドは、新規の中間生成物である。
【００１７】
β−ヒドロキシアルキルアミドは、種々の出発物質から製造できる。β−ヒドロキシアルキルアミンと、カルボン酸のエステルとの反応が知られており、その際、後者が、基本骨格（Ａ）を生ずる。出発物質の選択に応じて、こうして本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドを製造できる。
【００１８】
代替的はあるが、あまり好ましくない方法は、別のカルボン酸誘導体、例えばカルボン酸、カルボン酸塩化物、カルボン酸無水物又は別の活性化されたカルボン酸誘導体を、β−ヒドロキシアルキルアミンと反応される出発物質として基礎とする。好適なβ−ヒドロキシアルキルアミンは、炭化水素骨格中に少なくとも２から１０個までの炭素原子を有するアルキル基を有するものである。該アルキル基は、直鎖状、分枝鎖状又は環式であってもよい。同様に、該アルキル基は、ヘテロ原子、好ましくは酸素、窒素で置換されていてよい。更に、これらのアルキル基は、また、官能基、好ましくはカルボニル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、ウレタン基を含んでよく、かつ窒素原子上に追加のアルキル基を有してよい。
【００１９】
好ましくは本発明においては、β−ヒドロキシアルキルアミドは、Ｎ−アルキル−１，２−アルカノールアミンから及び／又はＮ，Ｎ−ビス−２−ヒドロキシアルキルアミン及びシクロヘキサンジカルボン酸のエステルから製造される。
【００２０】
特に好ましくは、式ＩＩ及び／又はＩＩＩ：
【化４】
0005950833.tif 000005
［式中、Ｒ1は、水素、メチル、エチル、プロピルであり、Ｒ2は、メチルである］
【化５】
0005950833.tif 000006
［式中、Ｒ1は、同時にもしくは互いに独立して、水素、メチル、エチル、プロピルである］のβ−ヒドロキシアルキルアミンが使用される。
【００２１】
特に好ましくは、本発明によれば、以下の化合物が、β−ヒドロキシアルキルアミドの製造のための出発物質として使用される：ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、ジイソプロパノールアミン（ＤＩＰＡ）、ジ−ｓ−ブタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−イソプロパノールアミン。
【００２２】
本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドにおける置換基Ａのための出発化合物としては、１，２−置換された、１，３−置換された、及び１，４−置換されたシクロヘキサンジカルボン酸誘導体、特にシクロヘキサンジカルボン酸ジアルキルエステルが適している。その際、出発化合物は、任意のシス／トランス含有量を有してよい。
【００２３】
好ましくは、式ＩＶ
【化６】
0005950833.tif 000007
［式中、Ｒ4は、同時にもしくは互いに独立して、メチル、エチル、プロピル、ブチルである］の化合物が使用される。
【００２４】
特に好ましくは、１，４−置換されたシクロヘキサンジカルボン酸エステル、殊に好ましくはジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートが使用される。
【００２５】
本発明により特に好ましい、ジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートからの、好ましくはジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートからのβ−ヒドロキシアルキルアミドは、７０モル％以上の、好ましくは８０モル％を上回る、特に好ましくは８５モル％を上回る、シクロヘキシル環上のカルボキシル基の位置に対するトランス含量を有する。その際、任意のトランス含量を有するジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートを使用できる。
【００２６】
本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミド（Ｉ）は、１５０℃未満で、好ましくは１７０℃未満で、特に好ましくは１８０℃未満で、固体形で存在する。
【００２７】
副生成物として、該β−ヒドロキシアルキルアミドは、僅かな程度で、目的生成物の二量体、三量体、オリゴマー及び別の縮合生成物を含有する。
【００２８】
特に好ましい本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドは、以下の式：
【化７】
0005950833.tif 000008
【００２９】
【化８】
0005950833.tif 000009
［式中、
Ｒ2は、メチル又は
【化９】
0005950833.tif 000010
であり、その際、Ｒ1Aは、水素であり、かつＲ1Bは、メチル、エチル、プロピルであるか、又はＲ1Aは、メチル、エチル、プロピルであり、かつＲ1Bは、水素であり、かつ
Ａは、式
【化１０】
0005950833.tif 000011
の１，４−二置換されたシクロヘキサン環であり、その際、Ａのトランス含量は、７０モル％以上である］を有し、該β−ヒドロキシアルキルアミドは、１５０℃未満で固体形で存在する。
【００３０】
ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンとからなる、式ＸＩＩ
【化１１】
0005950833.tif 000012
で示される、１分子当たり４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する、本発明により特に好ましいβ−ヒドロキシアルキルアミドは、７０モル％以上の、好ましくは８０モル％を上回る、特に好ましくは８５モル％を上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する。
【００３１】
本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドは、原則的に、公知法に従って、例えばＤＥ２５０９２３７、ＤＥ１９８２３９２５、ＥＰ４７３３８０、ＥＰ９６０８７８、ＷＯ２００００５０３８４、ＷＯ２０００５５２６６に従って製造することができる。該方法は、連続的に、半連続的に、断続的に、例えば回分法などにおいて実施することができる。
【００３２】
しかしながら、以下で詳細に記載する、ジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートからのβ−ヒドロキシアルキルアミドの製造のための連続的な方法が好ましい。
【００３３】
本発明は、また、好ましい本発明による、１５０℃未満で固体形で存在するβ−ヒドロキシアルキルアミドを、７０モル％以上の、好ましくは８０モル％を上回る、特に好ましくは８５モル％を上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する、ジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートから、特にジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートから、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、溶剤を用いずに連続的に製造する方法に関する。
【００３４】
１，４−二置換されたシクロヘキサン環での７０モル％トランス以上へのトランス形の富化は、驚くべきことに、連続的な方法によるβ−ヒドロキシアルキルアミドの製造に際して非常に簡単に押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて起こることが判明した。その際、任意のトランス含量を有するジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートを使用できる。
【００３５】
本発明による使用される出発生成物であるジアルキル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートにおいて、トランス立体配置は、原料の起源に応じて大抵は１５〜３５モル％である。しかしながら、あらゆる任意の異性体組成物を使用することができる。
【００３６】
従って、本発明の対象は、１分子当たりに少なくとも２個もしくは３個もしくは４個のβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式Ｉ
【化１２】
0005950833.tif 000013
［式中、
Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び／又は官能基を有してもよく、かつ
Ｒ1は、水素であってもよく、かつ
Ｒ2は、
【化１３】
0005950833.tif 000014
であってもよく、かつ
Ａは、
【化１４】
0005950833.tif 000015
の１，４−二置換されたシクロヘキサン環であり、
Ａのトランス含量は７０モル％以上である］で示される、β−ヒドロキシアルキルアミドであって、１５０℃未満では固体形で存在するβ−ヒドロキシアルキルアミドを、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて溶剤を用いずに連続的に製造する方法である。
【００３７】
該方法の原理は、使用物質の反応を、連続的に、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、強力な混和及び短時間の反応によって、好ましくは熱を供給して行うことにある。
【００３８】
該方法においては、５０〜３２５℃の温度を使用でき、その際、その温度は、実施例が示しているように、生成物に応じて変更する。
【００３９】
熱を供給する、強力な混和及び短時間の反応とは、使用物質の上述の装置中での滞留時間が、通常３秒ないし１５分、好ましくは３秒ないし５分、特に好ましくは５〜１８０秒であることを意味する。反応物は、その際、短時間で、熱を供給しつつ、５０℃〜３２５℃の温度で、５０〜２２５℃の温度で、殊に好ましくは７０〜２００℃の温度で反応される。使用物質と最終生成物の種類に応じて、滞留時間及び温度についてのこれらの値は、しかしながら、別の好ましい範囲を取りうる。
【００４０】
場合により、連続的な後反応が後接続される。反応の完全性は、アミド化に際して生ずるアルコールの排出によって保証される。前記の排出は、好ましくは、アルコールを真空を用いて押出機もしくは強力ニーダーもしくは強力ミキサーもしくは静的ミキサー中の開口部を介して取り去ることによって、及び／又はガス流を、強力に混ぜられた反応混合物中に導通させることによって行われ、その際、より揮発性の高いアルコールがガス流から取り出される。
【００４１】
該反応は、触媒によって促進することができる。アルカリ金属の水酸化物及び／又はアルコレート、例えば水酸化ナトリウムもしくは水酸化カリウム、ナトリウムエタノレートもしくはカリウムエタノレート、第四級アンモニウム水酸化物、アルコキシド及び／又は別の強塩基が適している。濃度は、使用される全質量に対して、０．０１〜５％、好ましくは０．１〜３％である。
【００４２】
真空ドームもしくはガス導通部の配置は、可変的に行ってよく、それは出発物質及び生ずるアルコールの種類に応じる。また、固有の反応部に後接続された追加のアルコール残量の除去部も可能である。
【００４３】
引き続いての急速な冷却によって、最終生成物の取得に成功する。
【００４４】
装置としては、押出機、例えば一軸スクリュー押出機もしくは多軸スクリュー押出機、特に二軸スクリュー押出機、遊星ローラ型押出機（Ｐｌａｎｅｔｗａｌｚｅｎｅｘｔｒｕｄｅｒ）もしくはリング押出機（Ｒｉｎｇｅｘｔｒｕｄｅｒ）、（流動管（Ｓｔｒｏｅｍｕｎｇｓｒｏｈｒ）、強力ニーダー、強力ミキサーもしくは静的ミキサー）は、本発明による方法のために特に適しており、好ましく使用される。特に、二軸スクリュー押出機もしくは多軸スクリュー押出機、特に二軸スクリュー押出機が好ましい。
【００４５】
断続的な方法では多くの時間が必要となる反応が、上述の装置においては数秒で完全に進行することは驚くべきことであり、その際、好適な触媒反応の場合に、シス形をトランス形に変換することも進行する。短時間の熱的負荷は、強力ニーダーの混合作用と相まって、反応相手を完全に非常に十分に反応するのに十分であるという事実が原理的な性質である。前記強力ニーダーは、複数の混合室の好適な装備によってもしくはスクリュー形状の構成によって、同時の強力な熱交換において強力で迅速な混和を可能にする。他方でまた、長手方向での一様な流通も、できる限り均一な滞留時間で保証される。更に、種々異なる温度調節が、個々の装置ハウジングもしくは区間において可能でなければならない。
【００４６】
出発物質は、該装置に、一般に別々の物質流で計量供給される。２つより多くの物質流の場合に、これらはまとめて供給することもできる。また、前記の物質流に、付加的に触媒及び／又は添加物、例えばレベリング剤、安定化剤もしくは定着剤を加えることもできる。前記物質流は、分けることもでき、こうして種々の割合で、種々の箇所で前記装置に供給することができる。このようにして、狙い通りに濃度勾配が調整される。これは、反応の完全性をもたらすことができる。連続的な物質流の流入部は、可変的にかつ時間的にずらして操作することができる。
【００４７】
予備反応及び／又は反応の完全化のために、複数の装置を組み合わせてもよい。
【００４８】
該反応に使用される装置は、反応の間に生ずるアルコール（使用されるカルボン酸エステルに応じる）を反応の間に除去するために、真空ドームを備えている。それは、所望のβ−ヒドロキシアルキルアミドへの化学平衡のシフトによる反応の完全化のために役立つ。
【００４９】
４０℃を上回る温度での１時間から４週間の間の貯蔵及び／又は生成物の再結晶化によって生成物品質を改善できる。
【００５０】
コンフェクションは、前記装置もしくは後反応区間を出る生成物の粘度に応じて、まず好適な器具により好適な温度にまで更に冷却することによってなされる。次いで、所望の粒度へのパスチレーション（Ｐａｓｔｉｌｌｉｅｒｕｎｇ）又は粉砕は、ロールクラッシャー、ハンマーミル、切断ミル、分級ミル（Ｓｉｃｈｔｅｒｍｕｅｈｌｅ）、ピンミル、フレーキングロール（Ｓｃｈｕｐｐｗａｌｚｅｎ）などによって行われる。
【００５１】
本発明の対象は、また、１分子当たりに２個もしくは３個もしくは４個のβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する、式Ｉ
【化１５】
0005950833.tif 000016
［式中、
Ｒ1、Ｒ2は、互いに独立して、同一もしくは異なる、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び／又は官能基を有してもよく、かつ
Ｒ1は、水素であってもよく、かつ
Ｒ2は、
【化１６】
0005950833.tif 000017
であってもよく、かつ
Ａは、
【化１７】
0005950833.tif 000018
であり、
Ｒ3は、互いに独立して、同一もしくは異なる、水素、１〜２４個の炭素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基もしくはアルケニル基から選択される基であり、その際、前記基は、ヘテロ原子及び／又は官能基を有してもよく、かつ２もしくはそれより多くの置換基Ｒ3は、互いに結合して環を形成してよい］で示される、β−ヒドロキシアルキルアミドであって、１５０℃未満では固体形で存在するβ−ヒドロキシアルキルアミドを、カルボキシル基を有するポリマーのための、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステルのための架橋剤として用いる使用である。
【００５２】
本発明の対象は、また、本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドを、粉末塗料において、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステルの粉末塗料において用いる使用である。
【００５３】
本発明の対象は、また、本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミドを、硬化後に、６０°の入射角でＤＩＮ ６７５３０／ＩＳＯ ２８１３による反射率計値として測定される５０単位未満の光沢を有する艶消し表面を有する粉末塗料において用いる使用である。
【００５４】
本発明の好ましい対象は、式ＸＩＩＡ
【化１８】
0005950833.tif 000019
によるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの化合物であって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表１】
0005950833.tif 000020
を有する前記化合物である。
【００５５】
本発明の特に好ましい対象は、式ＸＩＩＡによるβ−ヒドロキシアルキルアミドであるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、その化合物が、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上の、好ましくは８０モル％を上回る、特に好ましくは８５モル％を上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する前記化合物である。
【００５６】
付加的に、前記の本発明による式ＸＩＩＡによるβ−ヒドロキシアルキルアミドであるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピーク、つまり、約１６０℃の極大値を有する第一のピーク（ピーク１）と、約１９０℃で極大値を有する他の第二のピーク（ピーク２）を有し、それらは、実施例に対する描写である。
【００５７】
好ましくは、第一のピークは、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、第二のピークは、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有する。特に好ましくは、第一のピークは、１５５〜１７０℃の範囲にあり、１５８〜１６５℃の極大値を有し、第二のピークは、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１８０〜２０５℃の極大値を有する。
【００５８】
吸熱ピーク１（約１６０℃）対吸熱ピーク２（約１９０℃）のエンタルピーの比率は、１：１〜１：５、好ましくは１：１〜１：３であってよい。
【００５９】
ＤＳＣ測定は、２０１０年３月のＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７−１に従って実施された。製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ−Ｔｏｌｅｄｏ社のＤＳＣ ８２１型の熱流量差熱量計を使用した。試験は、−３０℃から２５０℃までで１０Ｋ／分で１回行われる。
【００６０】
粉末状試料のＸＲＰＤ測定は、Ｘ線回折計においてＣｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて実施した。図９によれば、以下の重要で特徴的な、式ＸＩＩＡによるβ−ヒドロキシアルキルアミドのＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの６つのピークが見出された：
【表２】
0005950833.tif 000021
【００６１】
殊に、式ＸＩＩＡによるβ−ヒドロキシアルキルアミドであるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、９２モル％以上の、好ましくは９４モル％を上回る、特に好ましくは９６モル％を上回る、殊に好ましくは９８モル％を上回るシクロヘキシル環でのトランス含量を有する前記ジアミドが好ましい。
【００６２】
本発明による式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドは、１７５℃未満で、好ましくは１８０℃未満で、特に好ましくは１８５℃未満で固体形で存在する。
【００６３】
本発明による特徴１．〜４．を有する式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドは、単結晶のＸ線構造解析によって調査された。測定のための詳しい記載は、補足１にまとめられている。単結晶のＸ線構造解析により、以下の構造についての結果が得られた：
【表３】
0005950833.tif 000022
【００６４】
括弧内の値は、測定精度を、相応する最後の桁もしくは最後の２つの桁について、それぞれプラスマイナスで示す。
【００６５】
本発明の対象は、また、式ＸＩＩＡ
【化１９】
0005950833.tif 000023
によるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの化合物であって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表４】
0005950833.tif 000024
を有し、かつ
５．  単結晶のＸ線構造解析によれば、以下のパラメータ：
【表５】
0005950833.tif 000025
を有する前記化合物である。
【００６６】
製造
特に好ましい、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、種々の方法によって得られる：
まず、まさしく上記のように、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、好ましくは押出機において、好ましくは溶剤不含で製造される。その際、１００〜１８０℃の温度が使用される。それに引き続き、好適な溶剤、好ましくは水中で再結晶化が行われる。２０〜１００℃の温度で溶解し、晶出させた後に、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、上述のパラメータをもって得られる。これは、次いで引き続き、アルコール、好ましくはメタノールで洗浄され、乾燥させることができる。好ましくは、乾燥は、２０〜９０℃で行われ、真空で行ってもよい。
【００６７】
製造の一つの更なる別形は、まさしく上記のように、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、好ましくは押出機において、好ましくは溶剤不含で製造することによって行われる。その際、１００〜１８０℃の温度が使用される。引き続き、熱処理は、５０〜１００℃の温度で、好ましくは７０〜８５℃の温度で行われる。時間は、６時間を上回り、好ましくは１２時間を上回る。熱処理は、真空中で行ってよい。
【００６８】
従ってまた、本発明の対象は、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレート及びジエタノールアミンから、１分子当たり４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表６】
0005950833.tif 000026
を有する前記化合物を、押出機、強力ニーダー、強力ミキサー又は静的ミキサーにおいて、溶剤を用いずに連続的に製造し、
こうして得られた生成物を、
ａ）再結晶化させるか、又は
ｂ）５０〜１００℃の温度で熱処理（その際、時間は、６時間を上回る）する、前記化合物の製造方法である。
【００６９】
特に好ましい、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、溶剤中で断続的に、つまり回分法で行ってもよい。
【００７０】
該反応は、通常の反応器において実施される。その際、無圧で、還流冷却器を使用しつつ、又は圧力下に閉じた反応器で作業してよい。
【００７１】
合成は、溶剤中、好ましくはアルコール中、有利にはメタノール中で行われる。添加される溶剤の量は、全ての使用される出発物質（出発物）の全量に対して、１０質量％超、好ましくは１５質量％超である。その際、還流下で、又はより低い温度でも、より高い温度でも、圧力下に作業することができる。
【００７２】
その製造は、２０〜１２０℃の温度で、好ましくは６０〜９０℃の温度で、特に好ましくは７０〜８５℃の温度で行われる。
【００７３】
晶出させた後に、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、上述のパラメータをもって得られる。
【００７４】
本発明は、更に、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレート及びジエタノールアミンから、１分子当たり４つのβ−ヒドロキシアルキルアミド基を有する式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表７】
0005950833.tif 000027
を有する前記化合物を溶剤中で断続的に製造する方法に関する。
【００７５】
更に、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造は、閉じた装置内で圧力下で６０〜１４０℃の温度で溶剤を添加せずに行うことができる。これは、同様に、本発明の対象である。
【００７６】
こうして回分法で製造された式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、好適な溶剤中で、好ましくは水もしくはアルコール中で、有利にはメタノール中で再結晶化させることができる。
【００７７】
更に、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造は、断続的に溶剤を用いずにも行うことができる。該反応は、通常の反応器において実施される。その際、還流冷却器を使用して作業することができる。好ましくは、その製造は、２０〜１４０℃の温度で、好ましくは６０〜９０℃の温度で、特に好ましくは７０〜８５℃の温度で行われる。こうして回分法で得られるβ−ヒドロキシアルキルアミドは、次いで、好適な溶剤中で、好ましくは水もしくはアルコール中で、有利にはメタノール中で再結晶化される。晶出させた後に、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、上述のパラメータをもって得られる。この方法は、同様に本発明の対象である。
【００７８】
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの製造後の最終生成物中のその全ての異性体の濃度は、７５質量％、好ましくは８０質量％、特に好ましくは８５質量％である。
【００７９】
この本願で記載されかつ特徴付けられた式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドは、実施例に示すことができたように、６０°の角度で５０を下回る目盛の光沢を有する粉末塗料において大幅な艶消しをもたらす。この式ＸＩＩＡの生成物は、従って、公開公報ＫＲ１０−２００９−０１１１７２０により開示されたβ−ヒドロキシアルキルアミド（及びＫｏｒｅａｎ Ｉｎｄ．Ｅｎｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．２０，Ｎｏ．２，Ａｐｒｉｌ ２００９，１９５−２００からのβ−ヒドロキシアルキルアミド）とは明らかに異なり、前記公開公報では第１５頁の図２で、それが約１９０°でＤＳＣ分析による１つだけのピークしか有さないことが裏付けられており、かつ比較例４ｃは、艶消し表面を有するコーティングをもたらさないことを示している。
【００８０】
本発明の対象は、また、式ＸＩＩＡ
【化２０】
0005950833.tif 000028
によるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表８】
0005950833.tif 000029
を有する前記化合物を、艶消し表面を有するコーティングの製造のために、特に粉末塗料において、好ましくはカルボキシル基を有するポリエステル粉末塗料において用いる使用である。
【００８１】
本発明の対象は、また、式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、６０°の入射角でＤＩＮ ６７５３０／ＩＳＯ ２８１３に従って反射率計値として測定される５０単位未満の光沢を有する艶消し表面を有するコーティングの製造のために用いる使用である。
【００８２】
本発明の対象は、また、式ＸＩＩＡ
【化２１】
0005950833.tif 000030
によるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドであって、以下のパラメータ：
１．  Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの全ての存在する異性体の全量に対して、７０モル％以上のシクロヘキシル環でのトランス含量を有し、かつ
２．  ＤＳＣ分析（示差走査熱量測定）による２つの吸熱ピークを有し、その際、ピーク１は、１４０〜１７０℃の範囲にあり、１５５〜１６５℃の極大値を有し、ピーク２は、１７０〜２１０℃の範囲にあり、１７５〜２０７℃の極大値を有し、かつ
３．  吸熱ピーク１と吸熱ピーク２とのエンタルピーの比率は、１：１〜１：５であり、かつ
４．  Ｃｕ Ｋα線（１．５４１Å）を用いて測定されたＸ線回折計での粉末状試料のＸＲＰＤスペクトルは、以下のピーク：
【表９】
0005950833.tif 000031
を有し、かつ
５．  単結晶のＸ線構造解析によれば、以下のパラメータ：
【表１０】
0005950833.tif 000032
を有する前記化合物の使用である。
【００８３】
以下に、本発明の対象を、実施例をもとに説明する。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】図１は、製造されたトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（式ＸＩＩ）のＮＭＲスペクトルを示している。
【図２】図２は、製造されたトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（式ＸＩＩ）のＮＭＲスペクトルを示している。
【図３】図３は、製造されたトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（式ＸＩＩ）のＮＭＲスペクトルを示している。
【図４】図４は、製造されたトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（式ＸＩＩ）のＮＭＲスペクトルを示している。
【図５】図５は、例３ａに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドのＤＳＣグラフを示している。
【図６】図６は、例３ｂに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドのＤＳＣグラフを示している。
【図７】図７は、例４ｂに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドのＤＳＣグラフを示している。
【図８】図８は、例４ｃに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドのＤＳＣグラフを示している。
【図９】図９は、例３ａに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミド（艶消し材料）のＸＲＰＤ（Ｘ線粉末回折）分析を示している。
【図１０】図１０は、例４ｃに記載されるβ−ヒドロキシアルキルアミド（艶消し材料）のＸＲＰＤ（非Ｘ線粉末回折）分析を示している。
【図１１】図１１は、例４ｂに記載される式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミド（艶消し材料）のＸＲＰＤ（Ｘ線粉末回折）分析を示している。
【図１２】図１２は、ナンバリングスキームを有するＯｒｔｅｐプロット（５０％）を示している。
【図１３】図１３は、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（試料ｖｅｓｔａ）の単結晶構造測定を基礎とする計算された粉末回折図を示している。
【００８５】
実施例
例１：  本発明による方法による、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレート及びジエタノールアミンからのβ−ヒドロキシアルキルアミドの製造
【表１１】
0005950833.tif 000033
【００８６】
３種の物質流で実施した：
物質流１は、ＤＭＣＤからなる。
物質流２は、ＤＥＡからなる。
物質流３は、メタノール性のナトリウムメチレート溶液である触媒からなる。
【００８７】
それらの物質流は、ジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートとジエタノールアミンとのモル比が１：１．９５であるように計量供給した。
【００８８】
全配合に対する触媒の全量（ナトリウムメチレートのみ、溶剤不含で計算した）は、０．５０〜３．０％であった。
【００８９】
物質流１は、１０．０ｋｇ／ｈの量で、二軸スクリュー押出機（ＺＳＫ３０、３２ｄ）の第一のハウジングに供給した（該物質流の温度  ８０〜１３０℃）。
【００９０】
物質流２は、９．９ｋｇ／ｈの量で供給した（物質流の温度  ６５〜１４５℃）。
【００９１】
物質流３は、押出機への入口から物質流２に噴入させた（０．５〜２．０ｋｇ／ｈ）。
【００９２】
使用された押出機は、個別に加熱と冷却が可能な８つのハウジングからなる。ハウジング１〜５：１６０℃、ハウジング６〜８：１２０〜１６０℃。
【００９３】
ハウジング３、５及び８は、真空ドームを備えていた（１００〜６００ミリバール）。
【００９４】
押出機スクリューは、搬送エレメントを備えていた。真空ドームの前方に混練ブロックが取り付けられていた。
【００９５】
全ての温度は、目標温度である。その調節は、電気加熱もしくは水冷によって行った。押出機ヘッドは、同様に電気的に加熱した（１００〜１６０℃）。
【００９６】
スクリュー回転数は、３００ｒｐｍであった。反応生成物は、歯車ポンプによって押出機から搬出された。全流量は、２０ｋｇ／ｈであった。
【００９７】
最終生成物は、管路を介してもしくは押出機を介して冷却され、冷却ベルトに案内され、再び冷却される。その生成物を、引き続き１００℃で脱塩水中で再結晶化させ、室温に冷却した。母液を濾別し、濾過ケークを後に３回にわたりメタノール中で室温で洗浄し、次いで真空乾燥キャビネットにおいて約２０ミリバール及び５０℃で乾燥させた。引き続きそれを粉砕した。
【００９８】
【表１２】
0005950833.tif 000034
【００９９】
製造されたトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド（式ＸＩＩ）は、図１〜４のＮＭＲスペクトルによって特徴付けられた。
【０１００】
例２：  粉末塗料及びコーティング
例１からの本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミド（艶消し硬化剤）を用いた粉末塗料の製造は、溶融物において、第２表による全成分を温度（ハウジング）９０℃（約１３０℃の材料温度）で一緒に押し出すことによって行った。原料の組成を、第２表に挙げる。ポリエステルの酸基対硬化剤のＯＨ基の比率は、１：１であった。
【０１０１】
押出物を引き続き冷却し、粉砕し、１００μｍ未満の粒度に篩別する。こうして製造された粉末塗料を、静電式粉末吹き付け装置を用いて６０ＫＶで脱脂した鋼板（Ｋｒｕｅｐｐｅｌ社製のＴｉｅｆｚｉｅｈ−Ｓｔ ２１０×７０×０．８ｍｍ）及び／又はアルミニウム板（Ｑ−ｐａｎｅｌ ＡＬ−３６ ５００５ Ｈ １４／０８ ０．８ｍｍ）上に適用し、循環空気乾燥キャビネットにおいて１６０〜２２０℃で焼き付けた。硬化された塗膜は、約６５μｍの層厚を有している。実施例のデータは、２００℃での２０分の焼き付け時間に関するものである。
【０１０２】
使用物質：
１）架橋剤：
例１による本発明によるβ−ヒドロキシアルキルアミド架橋剤
２）非晶質ポリエステル：
ＣＲＹＬＣＯＡＴ（登録商標）２６１７−３，酸価：３２．７ｍｇ ＫＯＨ／ｇ、Ｔg：６１℃、（Ｃｙｔｅｃ Ｉｎｃ．，米国）
３）更なる配合成分：
二酸化チタン ＫＲＯＮＯＳ（登録商標）２１６０，（Ｋｒｏｎｏｓ ＧｍｂＨ社，ドイツ）
ＲＥＳＩＦＬＯＷ（登録商標）ＰＶ ８８（Ｗｏｒｌｅｅ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ，ドイツ）
ベンゾイン，（Ｍｅｒｃｋ−Ｓｃｈｕｃｈａｒｄ ＯＨＧ，ドイツ）
【０１０３】
【表１３】
0005950833.tif 000035
【０１０４】
コーティングの特性：
焼き付け条件：２００℃で２０分
光沢：６０°の角度で３３の目盛
光沢：８５°の角度で４２の目盛
エリクセンへこみ：＞８ｍｍ
球衝撃（直接）：＞８０ｉｎ・ｌｂ
光沢度：ＤＩＮ ６７５３０／ＩＳＯ ２８１３
エリクセンへこみ：ＤＩＮ ＩＳＯ １５２０
球衝撃：ＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ ６２７２
【０１０５】
ＤＳＣ測定
ＤＳＣ測定は、２０１０年３月のＤＩＮ ＥＮ ＩＳＯ １１３５７−１に従って実施された。
【０１０６】
製造元Ｍｅｔｔｌｅｒ−Ｔｏｌｅｄｏ社のＤＳＣ ８２１型の熱流量差熱量計（シリアル番号：５１１６１３１４１７）を使用した。試験は、−３０℃から２５０℃までで１０Ｋ／分で１回行われる。
【０１０７】
測定方法の詳細な説明：
１．  使用されるＤＳＣ機器の型（熱流示差熱量計もしくは熱量補償形熱量計）、モデル及び製造元；
２．  使用される坩堝の材質、種類及び型並びに必要であれば質量；
３．  使用されるパージガスの種類、純度及び流量；
４．  較正法の種類並びに、起源、質量及び較正のために重要な他の特性を含む使用される較正物質の詳細；
５．  試料採取、試験体準備及びコンディショニングの詳細
【０１０８】
１：  熱流示差熱量計
製造元：Ｍｅｔｔｌｅｒ−Ｔｏｌｅｄｏ
モデル：ＤＳＣ ８２１
シリアル番号：５１１６１３１４１７
２：  坩堝材料：超純粋アルミニウム
大きさ：４０μｌ、ピンなし
Ｍｅｔｔｌｅｒ注文番号：ＭＥ−２６７６３
蓋を含んだ質量：約４８ｍｇ
３：  パージガス：窒素
純度：５．０（＞９９．９９９体積％）
流量：４０ｍｌ／分
４：  較正法：簡易
材料１：インジウム
Ｍｅｔｔｌｅｒ−Ｃａｌｉｂｒｉｅｒ−Ｓｅｔ  ＭＥ−５１１１９９９１
質量：正味重量あたり約６ｍｇ
温度（開始）及び熱流の較正
材料２：脱塩水
ハウスシステムから取り出す
質量：正味重量あたり約１ｍｇ
温度（開始）の較正
５：  試料採取：供給された試料小瓶から
試料正味重量：８〜１０ｍｇ
試料準備：坩堝の底でスタンプにより押しつける
坩堝蓋：穴あき
測定プログラム：−３０℃〜２５０℃  １０Ｋ／分  １×
【０１０９】
ＸＲＰＤ測定の説明：
粉末状の試料を、粉末ホルダ中に押圧し、Ｐｈｉｌｉｐｓ社のＸ線回折計ＰＷ１８００においてＣｕ Ｋα線（１．５４１Å）で以下の条件：
励起：４０ｋＶ、４５ｍＡ
測定範囲：３°≦２θ≦４０°
ステップサイズ：０．１°（２θ）
ステップ当たりの時間：２０秒
回転：１／４回転／秒
受光スリット：粗い
発散スリット：自動
で測定する。
【０１１０】
【表１４】
0005950833.tif 000036
【０１１１】
例３ａ
還流冷却器及びガラス撹拌機を有する３つ口フラスコにおいて、９２．２４ｇのジメチル−１，４−シクロヘキシルジカルボキシレートを、９６．９１ｇのジエタノールアミン、１０．８４ｇのメタノール中３０％ナトリウムメチレート及び５２ｇのメタノールを装入する。均質な溶液が生じる。
【０１１２】
該バッチを、オイル加熱浴中で６時間にわたり撹拌しながら還流下に沸騰させる（浴温度８０℃）。その際、約０．５時間後に生成物が沈殿し始める。
【０１１３】
該反応バッチを冷却させ、その際、他の生成物が晶出する。引き続き、沈殿した生成物を濾別によりメタノールと分離し、引き続いて乾燥させる。収率は、理論値の８０％超である（第３表）。
【０１１４】
従って、図５によるＤＳＣにおける２つの吸熱ピーク（第一のピークは、約１６０℃で、第二のピークは、約１９０℃である）を有し、かつ図９及び第５表によるＸＲＰＤスペクトルを有する式ＸＩＩＡによるＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドが得られる。こうして製造された生成物は、６０°の角度で５０を下回る目盛の光沢を有する粉末塗料における大幅な艶消しをもたらす（第３表）。
【０１１５】
例３ｂ
例３ａで製造された生成物を、沸騰した水に溶かし、次いでゆっくりと再び冷やし、晶出が行われた後に、かるくメタノールで後洗浄する（第３表）。
【０１１６】
この生成物は、図６に見られる２つの吸熱ピークを示し、得られた粉末塗料における６０度の角度で２９の目盛の艶消し効果が存在する（第３表）。
【０１１７】
【表１５】
0005950833.tif 000037
【０１１８】
【表１６】
0005950833.tif 000038
【０１１９】
例４ａ及び例４ｂ
４ａ
例１に記載と同様の生成物データ４ａを有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、押出機（Ｗｅｒｎｅｒ ｕｎｄ Ｐｆｌｅｉｄｅｒｅｒ ＺＳＫ ３０，３２ｄ）において製造する（第４表）。
【０１２０】
４ｂ
例４ａに記載されるように製造された前記の生成物が再結晶化される。このために、例４ａからの生成物は、脱塩水中に沸騰させつつ溶解させ、次いでゆっくりと冷やし、晶出させ、ここで再び固体形に変換する。後に、メタノールで洗浄し、そして約２０ミリバール及び５０℃で真空乾燥キャビネットにおいて乾燥させる（第４表）。
【０１２１】
従って、ＤＳＣにおける２つの吸熱ピーク（第一のピークは、約１６０℃で、第二のピークは、約１９０℃である）を有するＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドが得られる。図７によるＤＳＣにおける２つのピークを有し、かつ図１１によるＸＲＰＤスペクトルを有するこの生成物は、６０°の角度で３０の目盛の光沢を有する粉末塗料における大幅な艶消しをもたらす（第４表）。
【０１２２】
比較例４ｃ
図８によるＤＳＣを有する本発明によるものではないＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを製造した。この生成物は、図８による約１９０℃での１つだけの吸熱ピークしか示さず、図１０及び第６表によるＸＲＰＤスペクトルを示す。そこから製造された粉末塗料は、大幅な艶消しを示さず、６０度の角度で９５の目盛の光沢を示す（第４表）。
【０１２３】
例４ｄ
例１に記載と同様の生成物データ４ｄを有する式ＸＩＩＡのＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドを、押出機（Ｗｅｒｎｅｒ ｕｎｄ Ｐｆｌｅｉｄｅｒｅｒ ＺＳＫ ３０，３２ｄ）において製造する（第４表）。
【０１２４】
こうして製造された生成物は、冷却ベルト上を進み、収集される。この材料を、次いで乾燥キャビネットにおいて８０℃で２４時間にわたり真空下で熱処理し、こうして得られた生成物を引き続き粉砕する。
【０１２５】
この生成物は、６０°の角度で４０の目盛の光沢を有する粉末塗料における大幅な艶消しをもたらす（第４表）。
【０１２６】
【表１７】
0005950833.tif 000039
【０１２７】
【表１８】
0005950833.tif 000040
【０１２８】
【表１９】
0005950833.tif 000041
【０１２９】
【表２０】
0005950833.tif 000042
【０１３０】
例５
式ＸＩＩＡのβ−ヒドロキシアルキルアミドを、例３ａと同様に製造した。この化合物から、単結晶を成長させた。式ＸＩＩＡの本発明による化合物を、単結晶のＸ線構造解析によって調査した。測定のための詳しい記載は、補足１にまとめられている。
【０１３１】
補足１
単結晶Ｘ線構造解析
解析方法  単結晶Ｘ線構造解析"２０１２−０５７３６０２−０６Ｄ"
報告：  ＷＨＣ １１／１１ ＥＫＳ
試料入荷：  ２０１１−０２−２２
報告日：  ２０１１−０２−２５
設題：  単結晶構造の決定
化合物：  式ＸＩＩＡのＮ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミド
【化２２】
0005950833.tif 000043
結晶化：  化学者による
結晶サイズ：  無色のブロック、０．５０×０．４０×０．４０ｍｍ3
コード：  Ｖｅｓｔａ
コメント：  半分の分子が不斉単位を含む
図１２：  ナンバリングスキームを有するＯｒｔｅｐプロット（５０％）
【０１３２】
実験部
単結晶構造の決定は、ＣＣＤ検出器（Ｒｕｂｙモデル）、ＣｕKα線に関する慣用のＸ線管、モノクロメータとしてのＯｓｍｉｃ Ｓｐｉｅｇｅｌ及びＣｒｙｏｊｅｔ型の低温装置（Ｔ＝１００Ｋ）を備えたＯｘｆｏｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ社の機器を用いて行った。データ収集は、φスキャン及びωスキャンにおいて実施した。データ収集及びデータ整理は、Ｃｒｙｓａｌｉｓ（Ｏｘｆｏｒｄ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ２００７）で行った。
【０１３３】
構造解析と精密化は、ＳＨＥＬＸＴＬ（Ｖ．６．１０、Ｓｈｅｌｄｒｉｃｋ、ゲッティンゲン大学、２０００）で行った。全ての非水素原子は、異方性で精密化した。水素原子は、ライディングの基として精密化した。
【０１３４】
【表２１】
0005950833.tif 000044
【０１３５】
【表２２】
0005950833.tif 000045
【０１３６】
【表２３】
0005950833.tif 000046
【０１３７】
図１３：
Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシル−１，４−ジアミドの単結晶構造測定に基づく計算された粉末回折図（試験ｖｅｓｔａ）
【０１３８】
【表２４】
0005950833.tif 000047
【０１３９】
【表２５】
0005950833.tif 000048
【図１】
0005950833.tif 000070
【図２】
0005950833.tif 000071
【図３】
0005950833.tif 000072
【図４】
0005950833.tif 000073
【図５】
0005950833.tif 000074
【図６】
0005950833.tif 000075
【図７】
0005950833.tif 000076
【図８】
0005950833.tif 000077
【図９】
0005950833.tif 000078
【図１０】
0005950833.tif 000079
【図１１】
0005950833.tif 000080
【図１２】
0005950833.tif 000081
【図１３】
0005950833.tif 000082