(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上の領域であって、半導体素子パターンが形成され、第１の幅を有する最外周スクライブ領域内側部分により囲まれた素子領域と、
前記透明基板上の領域であって、前記最外周スクライブ領域内側部分を囲む最外周スクライブ領域外側部分と、
前記透明基板に形成され、前記最外周スクライブ領域外側部分を囲む遮光帯と、
を含み、
前記最外周スクライブ領域外側部分は、前記第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、
前記最外周スクライブ領域外側部分はマーカパターン領域を含み、
前記遮光帯は、前記素子領域、及び前記最外周スクライブ領域内側部分、前記最外周スクライブ領域外側部分とを含む有効パターン領域の中心を通り第１の方向あるいは前記第１の方向に垂直な第２の方向に延在する有効パターン領域中心線に対し、前記マーカパターン領域と線対称な位置に、前記マーカパターン領域に対応する遮光パターン領域を有し、
前記マーカパターン領域は、前記最外周スクライブ領域内側部分と前記最外周スクライブ領域外側部分との境界にその中心線を一致させて形成されており、前記マーカパターン領域の幅は、前記第２の幅の二倍を超えることを特徴とするレチクル。
【請求項２】
前記素子領域は前記有効パターン領域に複数形成され、
前記複数の素子領域は、前記第１の幅より大きい第３の幅を有するスクライブ領域を隔てて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のレチクル。
【請求項３】
前記第３の幅は、前記第１の幅の２倍の幅であることを特徴とする請求項２に記載のレチクル。
【請求項４】
前記有効パターン領域は、前記遮光帯と前記マーカパターン領域との間に第１の切欠部を有し、また前記遮光帯と前記遮光パターン領域との間に第２の切欠部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレチクル。
【請求項５】
前記遮光帯は第１の突出部及び第２の突出部を有し、前記マーカパターン領域は前記第１の突出部に形成され、前記遮光パターン領域は前記第２の突出部により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレチクル。
【請求項６】
前記遮光パターン領域は、前記マーカパターン領域よりも大きい形状及び寸法を有することを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のレチクル。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載のレチクルを使った露光方法であって、
半導体基板上に被露光膜を形成する工程と、
前記被露光膜の第１の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第１の有効パターンを露光する第１の露光工程と、
前記レチクルを前記半導体基板に対して相対移動させ、前記第１の露光領域に隣接する第２の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第２の有効パターンを露光する第２の露光工程と、
を含み、
前記第１の露光工程は、前記第１の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域外側部分及び前記最外周スクライブ領域内側部分に対応する第１のスクライブラインを露光する工程を有し、
前記第２の露光工程は、前記第２の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域外側部分及び前記最外周スクライブ領域内側部分に対応する第２のスクライブラインを露光する工程を有し、
前記第２のスクライブラインの少なくとも一部は、前記第１のスクライブラインと重畳することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
前記第１の露光工程では、前記第１のスクライブラインには、前記レチクルの前記マーカパターン領域に対応したマーカパターンが露光され、前記第２の露光工程は、前記マーカパターンが、前記レチクル上の遮光パターン領域により覆われて実行されることを特徴とする請求項７記載の露光方法。
【請求項９】
請求項７または８の露光方法を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレチクルおよびレチクルを使った露光方法、さらにかかる露光方法を使った半導体装置の製造方法、さらにはかかる露光方法を使って露光されるウェハに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、半導体ウェハ上に様々なパターンがレチクルを使って露光される。
【０００３】
一般的なレチクルは、各々が一つのチップパターンに対応する複数の露光パターンを行列状に形成されたガラス基板よりなり、一回の露光で前記複数の露光パターンが半導体ウェハ上に形成されたレジスト膜に露光される。一回の露光では半導体ウェハの全面に所定の露光パターンを形成することはできないため、通常、このような露光はウェハ上の露光位置を所定の移動量分ずらしながら繰り返し実行される（以降、ステップ露光と称する）。このようなステップ露光の結果、半導体ウェハ上にはそのほぼ全面にわたり、所定のチップパターンが、ダイシングに使われる所定のスクライブラインを隔てて、行列状に形成される。
【０００４】
例えば図１は、ある一つのチップ領域に対応した露光データ１１Ａ、前記露光データ１１Ａに対応してレチクル１０上に形成されたレチクルパターン１１Ｂ、および前記レチクルパターン１１Ｂに対応してそれぞれポジ型レジスト膜およびネガ型レジスト膜に形成されたレジストパターン１１Ｃおよび１１Ｄの例を示しているが、露光データ１１Ａは文字「Ｆ」で概略的に示したデバイスパターンが形成されるデバイス領域１１Ａ１と、その回りのスクライブ領域１１Ａ２とを含み、一方前記レチクルパターン１１Ｂは前記露光データ１１Ａに対応して、レチクルを構成するガラス基板上に形成されるデバイス領域１１Ｂ１とそれを囲むスクライブ領域１１Ｂ２により構成されている。
【０００５】
前記レチクル１０上においてスクライブ領域１１Ｂ２は透明領域となっており、前記レチクルパターン１１Ｂを前記レチクル１０によりポジ型レジスト膜上に露光した場合には、前記デバイス領域１１Ｂ１およびスクライブ領域１１Ｂ２と同じデバイス領域１１Ｃ１およびスクライブ領域１１Ｃ２を有するレジストパターン１１Ｃが形成される。一方前記レチクルパターン１１Ｂをレチクル１０によりネガ型レジスト膜上に露光した場合には、前記デバイス領域１１Ｂ１およびスクライブ領域１１Ｂ２と同じデバイス領域１１Ｄ１およびスクライブ領域１１Ｄ２を有するレジストパターン１１Ｄが形成される。すなわち図１のレチクル１０を使って図１１Ｃのポジ型レジスト膜上に露光を行った場合には、前記スクライブ領域１１Ｃ２においては露光の結果、レジスト膜が除去されているのに対し、同じレチクル１０を使って図１１Ｄのネガ型レジスト膜上に露光を行った場合には、前記スクライブ領域１１Ｄ２において露光の結果、レジスト膜が残されている。
【０００６】
図２は、このようなレチクル１０が有するレチクルパターン１１Ｂのより具体的な例を示す平面図である。
【０００７】
図２を参照するに、レチクル１０はガラス基板１０Ａ上に前記図１のレチクルパターン１１Ｂを、図示の例では２×２の行列状に配置することにより形成されており、各々のスクライブ領域１１Ｂ２が連結して格子状のスクライブパターン１１ＢＳを形成している。前記格子状のスクライブパターン１１ＢＳを隔ててデバイスパターン１１Ｂ１が行列状に形成され、最外周のスクライブパターンＢＳを囲んで遮光帯１０Ｂが形成されており、前記最外周のスクライブパターン１１ＢＳ中には、マスクの位置合わせなどに使われるマーカパターン１１Ｂ３が形成されている。
【０００８】
図３は、前記図２のレチクル１０を、図３中に矢印で示したように、その中心を点Ａから点Ｂ、さらに点Ｃ，点Ｄと距離Ｘまたは距離Ｙずつ移動させながらポジ型レジスト膜が形成されたウェハＷの表面に前記図２のレチクルパターンをステップ露光した場合のレジストパターンの例を示す平面図である。ただし距離Ｘおよび距離Ｙは、一回の露光で露光されるレチクルパターンの幅、より正確には、一回の露光で前記ポジ型レジストに形成されるレチクルパターンにおいて、相対向する最外周のスクライブパターン１１ＢＳの中心間の距離に対応する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−２４６２８１号公報
【特許文献２】特開２００２−２３３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このようなレチクルを使ったステップ露光を半導体ウェハ上に行う場合、先の露光領域と、次の露光領域とのつなぎ目においては、格別の注意が必要になる。すなわちこのような隣接する露光領域のつなぎ目は、半導体ウェハ上のスクライブラインに対応するように形成されるのが一般的であるが、例えば図５のスクライブ領域１１Ｃ２Ｄやスクライブ領域１１Ｃ２Ｑのように、このようなつなぎ目では、先の露光領域と次の露光領域とで、重複して露光される領域が発生する。この場合、重複して露光された領域では、図４で示すように、レジスト膜への積算露光量が増加することによりレジスト開口幅が増大する。そのため、スクライブラインの線幅がこのようなつなぎ目において拡大してしまい、レチクル周辺部の露光パターンが変形するなどの問題が生じる場合がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
一の側面によればレチクルは、透明基板と、前記透明基板上の領域であって、半導体素子パターンが形成され、第１の幅を有する最外周スクライブ領域内側部分により囲まれた素子領域と、前記透明基板上の領域であって、前記最外周スクライブ領域内側部分を囲む最外周スクライブ領域外側部分と、前記透明基板に形成され、前記最外周スクライブ領域外側部分を囲む遮光帯と、を含み、前記最外周スクライブ領域外側部分は、前記第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、前記最外周スクライブ領域外側部分はマーカパターン領域を含み、前記遮光帯は、前記素子領域、及び前記最外周スクライブ領域内側部分、前記最外周スクライブ領域外側部分とを含む有効パターン領域の中心を通り第１の方向あるいは前記第１の方向に垂直な第２の方向に延在する有効パターン領域中心線に対し、前記マーカパターン領域と線対称な位置に、前記マーカパターン領域に対応する遮光パターン領域を有し、前記マーカパターン領域は、前記最外周スクライブ領域内側部分と前記最外周スクライブ領域外側部分との境界にその中心線を一致させて形成されており、前記マーカパターン領域の幅は、前記第２の幅の二倍を超える。
【００１２】
他の側面によれば露光方法および半導体装置の製造方法は、半導体基板上に被露光膜を形成する工程と、前記被露光膜の第１の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第１の有効パターンを露光する第１の露光工程と、前記レチクルを前記ウェハに対して相対移動させ、前記第１の露光領域に隣接する第２の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第２の有効パターンを露光する第２の露光工程と、を含み、前記第１の露光工程は、前記第１の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域外側部分及び前記最外周スクライブ領域内側部分に対応する第１のスクライブラインを露光する工程を有し、前記第２の露光工程は、前記第２の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域外側部分及び前記最外周スクライブ領域内側部分に対応する第２のスクライブラインを露光する工程を有し、前記第２のスクライブラインの少なくとも一部は、前記第１のスクライブラインと重畳する。
【発明の効果】
【００１３】
上記実施形態によれば、ウェハ上での露光位置を移動させながらステップ露光を行う際に、一の露光領域と次の露光領域との境のスクライブ領域において生じる二重露光領域を最小にすることができ、形成されるチップパターンの変形を回避することが可能となり、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】レチクルを使った、ポジ型レジスト膜あるいはネガ型レジスト膜の露光を説明する図である。
【図２】従来のレチクルの例を示す平面図である。
【図３】図２のレチクルを使ってウェハ上に露光を行った例を示す平面図である。
【図４】レジスト膜の感光特性の例を示す図である。
【図５】従来の課題を説明する平面図である。
【図６】別の従来のレチクルの例を示す平面図である。
【図７】第１の実施形態によるレチクルを示す平面図である。
【図８】図７のレチクルの一部を拡大して示す平面図である。
【図９】図７，図８のレチクルを使って露光を行ったウェハを示す平面図である。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）は、図９の露光の様子を示す断面図である。
【図１１】図９中、線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図１２】第１の実施形態の一変形例によるレチクルを示す拡大平面図である。
【図１３】（Ａ），（Ｂ）は、図１２のレチクルを使って行う露光の様子を示す断面図である。
【図１４】比較対照例によるレチクルを示す平面図である。
【図１５】（Ａ），（Ｂ）は他の変形例によるレチクルを示す平面図である。
【図１６】第２の実施形態によるウェハを示す平面図である。
【図１７】図１６のウェハを図８のレチクルを使って露光した場合の拡大平面図である。
【図１８】図１６のウェハを図１２のレチクルを使って露光した場合の拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１の実施形態］
図７は、第１の実施形態によるレチクル２０を示す平面図である。
【００１６】
図７を参照するに前記レチクル２０は石英ガラスなどからなるガラス基板２０Ａ上において、Ｃｒなどの遮光帯２０Ｂにより画成された有効パターニング領域２０Ｃを含み、前記有効パターニング領域２０Ｃには、各々半導体チップの素子パターンに対応する文字「Ｆ」で概略的に示した複数のチップ領域２０Ｄが、幅がＤのスクライブ領域２０Ｅを隔てて、行列状に形成されている。さらに前記有効パターニング領域２０Ｃにおける前記複数のチップ領域２０Ｄの配列は、前記遮光帯２０Ｂの内側に、前記スクライブ領域２０Ｅに連結し前記幅Ｄよりも小さい幅ｄ（ｄ＜Ｄ）で形成された最外周スクライブ領域２０Ｆにより囲まれている。なお図７において一つのチップ領域２０ＤについてチップサイズＣｘ，Ｃｙが、図示のように前記チップ領域２０Ｄを隔てて対向する一対のスクライブ領域２０Ｅと最外周スクライブ領域２０Ｆの一点鎖線で示した中心間の距離として、それぞれｘ方向、すなわち行方向、およびｙ方向、すなわち列方向に定義される。
【００１７】
さらに前記最外周スクライブ領域２０Ｆには、露光時の位置合わせやエッチングの際のプロセス制御などに使われるマーカパターン２０Ｇが、その中心線を、一点鎖線で示した前記遮光帯２０Ｂに対向するチップ領域２０Ｄの外縁からＤ／２の位置を走るスクライブ領域２０Ｅの中心線に一致させて形成されており、かつ前記有効パターニング領域２０Ｃには、行方向あるいは列方向に延在するその中心線Ｃ１あるいはＣ２に対し前記マーカパターン２０Ｇと線対称の位置に、前記遮光帯２０Ｂと同様な遮光パターン２０Ｈが、前記マーカパターン２０Ｇに対応する形状および寸法で形成されている。前記一点鎖線は、前記レチクル２０上のパターンがウェハＷ上に露光された場合に実際にダイシングブレードにより切断される切断線に対応している。
【００１８】
本実施形態では前記遮光帯２０Ｂの前縁が前記最外周スクライブ領域２０Ｆにおいて前記チップ領域２０Ｄに近接しており、前記マーカパターン２０Ｇの一部が遮光帯２０Ｂに食い込んでいることに注意すべきである。すなわち図７のレチクル２０では、最外周スクライブ領域２０Ｆにおいて一点鎖線で示す切断線の外側部分２０Ｅoutの幅が内側部分２０Ｅinの幅よりも単に狭いだけでなく、前記外側部分２０Ｅoutの幅は、前記マーカパターン２０Ｇの幅ＰＷ／２よりも狭くなっている。
【００１９】
図８は、前記図７のレチクル２０のうち、前記マーカパターン２０Ｇあるいは遮光パターン２０Ｈ近傍の拡大図である。
【００２０】
図８を参照するに、前記マーカパターン２０Ｇはパターン幅ＰＷを有し、前記パターン幅ＰＷの半値ＰＷ／２は、前記チップ領域２０Ｄに対向する前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂから一点鎖線で示した中心線までの距離Δよりも大きいことがわかる。このため前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂは、前記チップ領域２０Ｄの前縁２０ｄから距離Ｄ／２＋ＰＷ／２の位置にあるマーカパターン２０Ｇの後縁２０ｊを超えて、前記前縁２０ｄに近接している。また前記遮光帯２０Ｂには切欠部２０ｈＡが形成されており、前記マーカパターン２０Ｇはかかる切欠部２０ｈＡにおいて前記遮光帯２０Ｂと幅が２０ｋの隙間を形成している。前記マーカパターン２０Ｇには、露光されるパターンに対応したスリットパターン２０ｇが所定の形状に形成されている。
【００２１】
一方前記遮光パターン２０Ｈについてみると、遮光パターン２０Ｈは前記マーカパターン２０Ｇのパターン幅ＰＷよりも多少大きいパターン幅ＰＸを有し、前記遮光帯２０Ｂの後縁２０ｅが、前記チップ領域２０Ｄの後縁２０ｆから距離Ｄ／２＋ＰＸ／２の位置にある遮光パターン２０Ｈの後縁２０ｌを超えて、前記後縁２０ｆに近接している。また前記遮光帯２０Ｂには切欠部２０ｈＢが形成されており、前記遮光パターン２０Ｈはかかる切欠部２０ｈＢにおいて前記遮光帯２０Ｂと幅が２０ｍの隙間を形成している。
【００２２】
なお図８において上のチップ領域２０Ｄと下のチップ領域２０Ｄを結ぶ矢印は、これらのチップ領域２０Ｄが連続していることを意味している。
【００２３】
図９は、前記図７，８のレチクル２０をウェハＷ上において、先に図７に示したようにその中心Ｃを点Ａから点Ｂ，点Ｂから点Ｃ、点Ｃから点Ｄと、矢印で示すように移動させながら、ステップ露光を行った例を示す平面図である。
【００２４】
図９を参照するに、前記ウェハＷ上にはかかるステップ露光の結果、各々前記チップ領域２０Ｄに対応する複数のチップ領域露光パターン４０Ｄが、前記スクライブ領域２０Ｅに対応する格子状のスクライブライン露光領域４０Ｅにより距離４０Ｗだけ隔てられて行列状に形成され、図示の例では２行２列の一度に露光されるチップ領域露光パターン４０Ｄを囲んで、前記最外周スクライブ領域２０Ｆに対応する一点鎖線を付した最外周スクライブライン露光領域４０Ｆが形成され、さらに前記最外周スクライブライン露光領域４０Ｆには、前記マーカパターン２０Ｇに対応するマーカパターン４０Ｇが、その中心線を一点鎖線で示した２行２列構成で配列されたチップ領域露光パターン４０Ｄの外縁から４０Ｗ／２の位置、すなわちスクライブライン露光領域４０Ｅの中心線に一致させて形成されている。なお前記最外周スクライブライン露光領域４０Ｆは、前記レチクル２０上における最外周スクライブライン２０Ｆの幅ｄに対応して、前記幅４０Ｗよりも狭い幅４０ｗを有しているため、前記マーカパターン４０Ｇは前記最外周スクライブライン露光領域４０Ｆの中心よりも外側に寄って形成されている。
【００２５】
本実施形態によれば、前記図７のレチクル２０を、その中心Ｃを位置Ａ、位置Ｂ、位置Ｃ、位置Ｄと図９中の矢印のように露光位置をずらしながらウェハＷ上にステップ露光を行うことにより、それぞれの位置における最外周スクライブ領域２０Ｆが図９中にハッチングを付して示す領域４０ｆにおいて二重露光され、また前記領域４０ｆが交差する領域４０ｇでは四重露光がなされるわけであるが、本実施形態では図７のレチクル２０において、前記最外周スクライブ領域２０Ｆの幅ｄを通常のスクライブ領域２０Ｅの幅Ｄよりも狭く形成しているため、前記二重露光される領域４０ｆの幅は、前記スクライブライン露光領域４０Ｅの幅４０Ｗに対しても小さくなる。その結果、二重露光される領域４０ｆは前記チップ領域露光パターン４０Ｄの外周から、距離（４０Ｗ−４０ｗ）／２だけ離間して形成される。前記四重露光領域４０ｇも同様である。
【００２６】
このように本実施形態では、ウェハＷ上においてスクライブラインに生じる二重露光領域の面積が、レチクル２０上において遮光帯２０Ｂをスクライブ領域の中心に近接して形成されるが、そのような場合であっても、マーカパターン２０Ｇを図８に概略的に示すように遮光帯２０Ｂ中に食い込んだ形で形成された切欠部２０ｈＡに形成することにより、マーカパターン２０Ｇの露光に対する影響は排除される。また前記マーカパターン２０Ｇに対応して、レチクル中心線に対し線対称な位置に遮光パターン２０Ｈを形成しておくことにより、マーカパターン２０Ｇの二重露光が回避される。
【００２７】
このように本実施形態によれば、二重露光が生じる領域が図９中にハッチングで示した最外周スクライブライン露光領域４０Ｆの中央部分の領域４０ｆに限られ、またマーカパターン４０Ｇに二重露光が生じないのは同様であるが、図７のレチクルにおいて遮光帯２０Ｂをチップ領域２０Ｄに近接させ、最外周スクライブ領域２０Ｆの幅を狭めたことにより、二重露光される領域４０ｆの面積は大きく減少し、二重露光によるスクライブ領域の変形の問題を解消することが可能となる。
【００２８】
また先にも述べたように本実施形態では、このような二重露光領域４０ｆに形成されているマーカパターン４０Ｇが、最初の露光で露光された後、次の露光の際には、図７のレチクル２０のうち、前記マーカパターン２０Ｇに対して線対称の位置に形成された遮光パターン２０Ｈにより覆われるため、あるいは一度目の露光では前記ウェハＷ上の当該領域が遮光パターン２０Ｈにより覆われていて露光がなされておらず、次の露光の際にはじめて、前記マーカパターン２０Ｇにより露光がなされるため、一度しか露光されることがなく、多重露光によるマーカパターンのサイズ変化が抑制され、かかるマーカパターンを使った位置合わせやプロセスの制御の際に、誤差が生じることがない。
【００２９】
図９のウェハ平面図において遮光パターン４０Ｈは、１回目の露光の際に、前記レチクル２０の遮光パターン２０Ｈにより露光が遮られるウェハＷ上の領域を表している。図９においてレチクル２０の移動範囲を拡大すれば、前記図９においてハッチングを施した最外周スクライブライン露光領域４０Ｆ以外の最外周スクライブライン露光領域４０Ｆにおいても、同様な二重露光が生じる。そのような場合でも、前記遮光パターン４０Ｈでは、先にマーカパターン４０Ｇの露光が遮られているので、二度目にマーカパターン４０Ｇが露光されても、二重露光は発生しない。
【００３０】
図１０（Ａ），（Ｂ）は、図９の平面図中、線Ａ−Ａ’に沿った、前記ウェハＷ上に形成された半導体装置５０のうち、マーカパターン４０Ｇを含む領域の露光の状態を、それぞれ初回の露光および次回の露光について、図８のレチクル拡大図に対応させて説明する断面図である。
【００３１】
図１０（Ａ）を参照するに、例えば前記半導体装置５０は、図示していない活性素子を形成されたシリコン基板５１と、前記シリコン基板５１上に形成された層間絶縁膜５２と、前記層間絶縁膜５２上に形成されたＡｌなどの導電膜５３とを含み、前記導電膜５３上にはポジ型レジスト膜５４が塗布されている。
【００３２】
さらに前記半導体装置５０の上方には前記ガラス基板２０Ａを有し、Ｃｒなどの金属膜２１により前記チップ領域２０Ｄ，マーカパターン２０Ｇおよび遮光帯２０Ｂが形成されたレチクル２０が配設されており、露光光源からの露光光が前記レチクル２０にてパターニングされた後、前記レジスト膜５４上に照射される。かかる露光の結果、前記レジスト膜５４のうち、図中左方の領域５４Ｐにおいてチップ領域露光パターン４０Ｄが、前記チップ領域２０Ｄに対応して露光され、さらに前記レジスト膜５４のうち、領域５４Ａ，５４Ｂ，５４Ｃおよび５４Ｄにおいても露光が生じ、前記レジスト膜５４中に，マーカパターン４０Ｇが露光される。図１０（Ａ）では、前記図７のレチクル２０のうち、右端部の遮光パターン２０Ｂ近傍が図示されていることに注意すべきである。なお図１０（Ａ）において「ＰＷmax」は前記マーカパターン２０Ｇの幅ＰＷの最大値である。
【００３３】
次に図１０（Ｂ）を参照するに、図示の例ではレチクル２０が前記ウェハＷに対して右方に移動され、前記レジスト膜５４のうち、図中右方の領域５４Ｑにおいてチップ領域露光パターン４０Ｄが露光される。その際、前記レジスト膜５４のうち、マーカパターン４０Ｇが形成された領域は、レチクル２０の左端部に形成された遮光パターン２０Ｈにより覆われており、このためマーカパターン４０Ｇの二重露光は生じない。さらに先の図１０（Ａ）の露光でチップ領域露光パターン４０Ｄが露光された領域５４Ｐも、レチクル２０の左端部の遮光帯２０Ｂにより覆われており、二重露光されることはない。このように、本実施形態によれば、前記ステップ露光を行った場合でも、マーカパターン４０Ｇおよびその直近の領域、例えば図１０（Ｂ）においてマーカパターン４０Ｇと二重露光領域５４Ｅの間の領域やマーカパターン４０Ｇと二重露光領域５４Ｆの間の領域は二重露光を受けず、このため、このようなマーカパターンを使って行われる位置合わせやエッチングなどのプロセス制御に影響が生じることがない。
【００３４】
一方、図１０（Ｂ）の露光工程では、前記レジスト膜５４のうち、前記遮光帯２０Ｂと遮光パターン２０Ｈの隙間、および遮光パターン２０Ｈとチップ領域２０Ｄの間に対応する部分が露光され、これに伴い、先に露光されていた領域５４Ａの一部５４Ｅが二重露光され、さらに先に露光されていた領域５４Ｄが拡大し、その一部５４Ｆにおいて二重露光が生じる。しかしながら、これらの二重露光領域は、チップ領域露光パターン４０Ｄが露光されるレジスト膜５４中の領域５４Ｐや５４Ｑからは、距離（４０Ｗ−４０ｗ）／２だけ離間しており、これらの領域で二重露光が発生しても、前記領域５４Ｐや５４Ｑに形成されているチップ領域露光パターン４０Ｄに影響は生じない。図９の四重露光領域４０ｇにおいても同様である。
【００３５】
なお図１０（Ａ），（Ｂ）の露光工程において、前記レチクル２０の遮光帯２０Ｂよりも外側の領域においては、露光光は露光装置中に設けられたマスキングブレード（図示せず）により遮断されており、余計な露光が生じることはない。
【００３６】
図１１は、ウェハ上のスクライブラインを、前記スクライブラインを隔てて形成された一対の半導体チップパターンの一部とともに示す、前記図１０（Ａ），（Ｂ）に対応した断面図である。図１１は図１０（Ｂ）の露光後、さらに金属膜５３のパターニングを行った状態を示しており、レジスト膜５４は既に除去されている。
【００３７】
図１１を参照するに、シリコン基板５１上にはＳＴＩ型の素子分離領域５１Ｉにより、第１のチップ領域５０Ａと第２のチップ領域５０Ｂとがスクライブライン５０Ｃを介して画成されており、前記シリコン基板５１上には前記ウェハＷの全面にわたり、従って前記第１のチップ領域５０Ａから第２のチップ領域５０Ｂまで前記スクライブライン５０Ｃ含め、第１〜第５の層間絶縁膜５２Ａ〜５２Ｅおよび最後の層間絶縁膜５２Ｆが、前記図１０（Ａ），図１０（Ｂ）の層間絶縁膜５２に対応して、順次積層されている。
【００３８】
前記層間絶縁膜５２Ａ中には前記シリコン基板５１の表面に接して、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては第１の金属パターン５２Ａａが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては第２の金属パターン５２Ａｂがそれぞれ形成されており、前記第１の層間絶縁膜５２Ａ上には前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第１の金属パターン５２Ａａに接して第３の金属パターン５２Ａｃが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第２の金属パターン５２Ａｂに接して第４の金属パターン５２Ａｄが、それぞれ形成されている。
【００３９】
前記層間絶縁膜５２Ａ上には次の層間絶縁膜５２Ｂが、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第３の金属パターン５２Ａｃを覆うように、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第４の金属パターン５２Ａｄを覆うように形成され、前記層間絶縁膜５２Ｂ中には前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第３の金属パターン５２Ａｃに接して第５の金属パターン５２Ａｅが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第４の金属パターン５２Ａｄに接して第６の金属パターン５２Ａｆがそれぞれ形成されている。
【００４０】
前記層間絶縁膜５２Ｂ上にはさらに前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第５の金属パターン５２Ａｅに接して第７の金属パターン５２Ａｇが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第６の金属パターン５２Ａｆに接して第８の金属パターン５２Ａｈが形成され、前記層間絶縁膜５２Ｂ上には次の層間絶縁膜５２Ｃが、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第７の金属パターン５２Ａｇを覆うように、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第８の金属パターン５２Ａｈを覆うように形成され、前記層間絶縁膜５２Ｃ中には前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第７の金属パターン５２Ａｇに接して第９の金属パターン５２Ａｉが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第８の金属パターン５２Ａｈに接して第１０の金属パターン５２Ａｊがそれぞれ形成されている。
【００４１】
前記層間絶縁膜５２Ｃ上にはさらに前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第９の金属パターン５２Ａｉに接して第１１の金属パターン５２Ａｋが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１０の金属パターン５２Ａｊに接して第１２の金属パターン５２Ａｌが形成され、前記層間絶縁膜５２Ｃ上には次の層間絶縁膜５２Ｄが、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第１１の金属パターン５２Ａｋを覆うように、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１２の金属パターン５２Ａｌを覆うように形成され、前記層間絶縁膜５２Ｄ中には前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第１１の金属パターン５２Ａｋに接して第１３の金属パターン５２Ａｍが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１２の金属パターン５２Ａｌに接して第１４の金属パターン５２Ａｎがそれぞれ形成されている。
【００４２】
前記層間絶縁膜５２Ｄ上にはさらに前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第１３の金属パターン５２Ａｍに接して第１５の金属パターン５２Ａｏが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１４の金属パターン５２Ａｎに接して第１６の金属パターン５２Ａｐが形成され、前記層間絶縁膜５２Ｄ上には次の層間絶縁膜５２Ｅが、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第１５の金属パターン５２Ａｏを覆うように、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１６の金属パターン５２Ａｐを覆うように形成され、前記層間絶縁膜５２Ｅ中には前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第１５の金属パターン５２Ａｏに接して第１７の金属パターン５２Ａｑが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１６の金属パターン５２Ａｐに接して第１８の金属パターン５２Ａｒがそれぞれ形成されている。
【００４３】
前記層間絶縁膜５２Ｅ上にはさらに前記第１のチップ領域５０Ａにおいて前記第１７の金属パターン５２Ａｑに接して第１９の金属パターン５２Ａｓが、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第１８の金属パターン５２Ａｒに接して第２０の金属パターン５２Ａｔが形成され、前記層間絶縁膜５２Ｅ上には最後の層間絶縁膜５２Ｆが、前記第１のチップ領域５０Ａにおいては前記第１９の金属パターン５２Ａｓを覆うように、また前記第２のチップ領域５０Ｂにおいては前記第２０の金属パターン５２Ａｔを覆うように形成されている。
【００４４】
さらに前記層間絶縁膜５２Ｅ上には前記スクライブライン５０Ｃにおいて前記層間絶縁膜５２Ｆにより覆われて、前記マーカパターン４０Ｇが形成されており、前記層間絶縁膜５２Ｆ上には例えばポリイミドなどよりなる保護膜６３が形成されており、前記保護膜６３中には、前記マーカパターン４０Ｇに対応した開口部６３Ａが形成されている。
【００４５】
前記金属パターン５２Ａａ，５２Ａｂ，５２Ａｅ，５２Ａｆ，５２Ａｉ，５２Ａｊ，５２Ａｍ，５２Ａｎ，５２Ａｑ，５２Ａｒは、例えばタングステンなどのＣＶＤ堆積膜よりなり、一方前記金属パターン５２Ａｃ，５２Ａｄ，５２Ａｇ，５２Ａｈ，５２Ａｋ，５２Ａｌ，５２Ａｏ，５２Ａｐ，５２Ａｓ，５２Ａｔおよびマーカパターン４０Ｇは、例えばＡｌ膜などよりなり、これらは前記スクライブラインに面して、それぞれの半導体チップ領域５０Ａ，５０Ｂにおいて耐湿リング５１Ｒを構成する。また前記金属パターン５２Ａｓ，５２Ａｔおよびマーカパターン４０Ｇが、図１０（Ａ），図１０（Ｂ）における導電膜５３に対応する。
【００４６】
さて図１１を参照するに、領域Ｉは例えば４０μｍあるいは４５μｍのカーフ幅であり、ダイシングに使われるブレードの幅に対応している。一方領域ＩＩは、所定の余裕を見込んだ加工幅であり、例えば５５μｍないし６０μｍ程度である。さらに領域ＩＩＩは前記マーカパターン４０Ｇの幅ＰＷであり、例えば８０μｍ程度であり、一方領域ＩＶはマーカパターン４０Ｇの最大幅ＰＷMaxを表す。
【００４７】
本実施形態によれば、図１１の断面において先に説明した二重露光は、前記図８のレチクルを使った場合、幅が例えば５５μｍ乃至６０μｍの前記領域ＩＩにおいてのみ発生する。一方、図１２に示すように、前記マーカパターン２０Ｇの後縁２０ｊの延長線が前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂに一致する場合には、図１１の断面図において二重露光は、領域ＩＩＩに対応する領域４０ｆ’において発生する。
【００４８】
このように本実施形態によれば、ウェハＷ上における二重露光領域が領域４０ｆ’から４０ｆの範囲に限定され、このため、例えば半導体チップ領域５０Ａ，５０Ｂに形成される耐湿リングが二重露光の結果、変形するなどの問題を回避することができ、製造される半導体装置の信頼性を向上させることが可能となる。
【００４９】
図１２は前記図８のレチクルの一変形例によるレチクル６０を示す、図８と同様な拡大図である。
【００５０】
図１２を参照するに、レチクル６０においては前記マーカパターン２０Ｇの前縁２０ｂが対向するチップ領域２０Ｄに近接し、前記マーカパターン２０Ｇが前記遮光帯２０Ｂに連続している。その結果、前記図８における隙間２０ｈＡ，２０ｈＢが消滅し、前記マーカパターン２０Ｇは前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂに形成された突出部に形成され、また前記遮光パターン２０Ｈは前記遮光帯２０Ｂの後縁２０ｅに形成された突出部に形成されたかたちになっている。なお図１２中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
図１３（Ａ），（Ｂ）は、前記図１２のレチクル６０を使って実行した露光の様子を図１２のレチクル６０と対応させて示す、前記図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）と同様な断面図である。図中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。
【００５２】
図１３（Ａ），（Ｂ）を参照するに、本実施形態では、図１０（Ａ），（Ｂ）の例で生じていたマーカパターン４０Ｇ直近の二重露光領域５４Ｅ，５４Ｆが消滅し、マーカパターン４０Ｇの二重露光による変形をさらに確実に回避することが可能になる。
【００５３】
本実施形態によれば、このようにレチクル２０あるいは６０上で最外周スクライブ領域２０Ｆの幅を従来よりも縮小することにより、レチクル上の有効パターニング領域２０Ｃの面積を、図１４に示す比較対照例によるレチクル８０に比べて減少させることが可能となる。ただし図１４中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。
【００５４】
本実施形態では、このように与えられたチップ領域の配列についてレチクル上の有効パターニング領域２０Ｃの面積が縮小されるわけであるが、これはまた逆に、より多数のチップ領域を含む配列を有するレチクルを使った場合でも、有効パターニング領域２０Ｃの面積の増大を抑制できることを示している。そこで、最大露光可能範囲が限られる露光機において、このような多数のチップ領域を含む配列を有するレチクルを使って、露光スループットを向上させることが考えられる。
【００５５】
例えば所定の最大露光可能範囲がウェハＷ上においてＸ軸方向に２６．０００ｍｍ，Ｙ軸方向に３３．０００ｍｍの露光機に、ウェハＷ上に投影した場合のサイズがＸ軸方向に８．６４０ｍｍ、Ｙ軸方向に８．２３０ｍｍのチップ領域を有するレチクルを組みあわせて露光を行う場合、レチクル上にこれらのチップ領域をＸ軸方向に３個、Ｙ軸方向に４個配列した場合には、最外周スクライブ領域２０Ｆのうち、一点鎖線で示した切断線より外側の部分２０Ｅoutの幅をウェハＷ上に投影したサイズで片側６０μｍ、両側で１２０μｍに設定すると、必要な露光エリアはＸ軸方向に８．６４０×３＋０．１２０＝２６．０４ｍｍ，Ｙ軸方向に８．２３０×４＋０．１２０＝３３．０４ｍｍとなり、露光機の最大露光可能範囲を超えてしまう。そこでこのような場合にはレチクル上におけるチップ領域の配置をＸ軸方向に２個、Ｙ軸方向に３個に減らす必要がある。しかしこのような場合には、１回のショットで形成される露光エリアはＸ軸方向に８．６４０×２＋０．１２０＝１７．４０ｍｍ、Ｙ軸方向に８．２３０×３＋０．１２０＝２４．８１ｍｍとなり、露光機の能力を考えると無駄が多い。
【００５６】
これに対し、本実施形態では、前記最外周スクライブ領域２０Ｆのうち、一点鎖線で示した切断線より外側の部分２０Ｅoutの幅をウェハＷ上に投影したサイズで片側４０μｍ、合計で８０μｍに設定することにより、同じチップ領域をＸ軸方向に３個、Ｙ軸方向に４個配列した場合でも必要な露光エリアがＸ軸方向に２６．００ｍｍ，Ｙ軸方向に３３．００ｍｍとなり、ちょうど露光機の露光可能範囲に入る。
【００５７】
このようにレチクル上に担持されるチップ領域２０Ｄの数を増やすことにより、ウェハＷ１枚を露光するに必要な露光回数が比較対照例の例えば１６２回から例えば８５回に減少し、これに伴い、露光機の性能を限度まで使って露光のスループットを大きく向上させることが可能となる。
【００５８】
なお図１０あるいは図１２の拡大図において、前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂは、スクライブ領域２０Ｅの中心に対応する前記マーカパターン２０Ｇの中心線を超えてチップ領域２０Ｄに接近すると、スクライブ領域２０Ｅの中心部においてこんどは未露光領域が発生してしまうため、前記中心線から図１１に示したダイシングに使われるブレード幅に対応した加工幅ＩＩ／２を加えた領域を超えないことが望ましい。
【００５９】
なお本実施形態においてマーカパターン２０Ｇおよび遮光パターン２０Ｈの配列は、先に図７で説明したものに限定されるものではなく、例えば図１５（Ａ），（Ｂ）に示すようなものも可能である。図１５（Ａ），（Ｂ）中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６０】
図１５（Ａ），（Ｂ）の実施形態においても、前記マーカパターン２０Ｇと遮光パターン２０Ｈとは、前記有効パターニング領域２０Ｃの中心線Ｃ１あるいはＣ２に対して線対称な関係に形成されている。
【００６１】
なお、本実施形態において複数の素子領域が配置されているレチクルについて説明したが、レチクルに配置される素子領域の数は複数には限らず、１つのみ配置されているものであってもよい。
【００６２】
［第２の実施形態］
図１６は、前記第１の実施形態により露光された第２の実施形態による、いわゆる額縁レイアウトを有するシリコンウェハＷを示す平面図である。ただし本実施形態による露光方法は、かかる額縁レイアウトを有するシリコンウェハに限定されるものではない。
【００６３】
図１６を参照するに、シリコンウェハＷは前記レチクル２０あるいは６０を使った露光および引き続く現像およびエッチングやイオン注入などの結果、行列状に多数のチップ領域露光パターン４０Ｄが形成されているが、ウェハＷの最外周のチップ領域においては露光はなされておらず、前記図１０（Ａ），（Ｂ）の導電膜５３や図１１のＡｌパターン５２Ａｓ，４０Ｇ，５２Ａｔなどの金属膜Ｍが残っており、いわゆる額縁領域を形成している。
【００６４】
図１７は、図１６中、枠１７Ｆで囲んで示した部分を拡大して示す平面図である。
【００６５】
図１７を参照するに、本実施形態では図８で説明したレチクル２０を適用した結果、前記額縁領域が最外周のチップ領域の直近のチップ領域露光パターン４０Ｄ１，４０Ｄ２を露光する際に遮光帯２０Ｂにより覆われ、その結果、前記額縁領域を構成する金属膜Ｍに隣接してマーカパターン４０Ｇと遮光パターン４０Ｈとが、前記スクライブ領域の幅Ｄの半値Ｄ／２よりも狭い間隔ｄ（ｄ＜Ｄ／２）で形成されるのがわかる。ただし前記間隔ｄは、前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂに対応する前縁Ｍｅと前記スクライブ領域の中心線に一致するマーカパターン４０Ｇあるいは遮光パターン４０Ｈの中心線との間隔をあらわす。
【００６６】
図１８も、図１６中、枠１７Ｆで囲んで示した部分を拡大して示す平面図である。
【００６７】
図１８を参照するに、本実施形態では図１２で説明したレチクル６０を適用した結果、前記額縁領域が最外周のチップ領域の直近のチップ領域露光パターン４０Ｄ１，４０Ｄ２を露光する際に遮光帯２０Ｂにより覆われ、その結果、前記額縁領域を構成する金属膜Ｍに隣接してマーカパターン４０Ｇと遮光パターン４０Ｈとが、前記間隔ｄよりもさらに狭い間隔ｄ’（ｄ’＜ｄ＜Ｄ／２）で形成されるのがわかる。ここでも前記間隔ｄは、前記遮光帯２０Ｂの前縁２０ｂに対応する前縁Ｍｅと前記スクライブ領域の中心線に一致するマーカパターン４０Ｇあるいは遮光パターン４０Ｈの中心線との間隔をあらわす。
【００６８】
このように、額縁レイアウトを有するウェハでは、前記図８のレチクル２０あるいは図１２のレチクル６０を適用した痕跡を、前記金属膜Ｍの前縁Ｍｅとこれに隣接するマーカパターン４０Ｇあるいは遮光パターン４０Ｈの位置関係から見つけ出すことが可能である。
【００６９】
以上は本発明をポジ型レジスト膜に適用した場合を例に説明したが、本発明はポジ型レジスト膜に限定されるものではなく、スクライブ領域が露光されるものである限り、図６に示すようなネガ型レジスト膜に対しても適用可能である。
【００７０】
以上、本発明を好ましい実施形態について説明したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
（付記１）
透明基板と、
前記透明基板上の領域であって、半導体素子パターンが形成され、第１の幅を有する第１のスクライブ領域により囲まれた素子領域と、
前記透明基板上の領域であって、前記第１のスクライブ領域を囲む最外周スクライブ領域と、
前記透明基板に形成され、前記最外周スクライブ領域を囲む遮光帯と、
を含み、
前記最外周スクライブ領域は、前記第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、
前記最外周スクライブ領域はマーカパターン領域を含み、
前記遮光帯は、前記素子領域、及び前記第１のスクライブ領域、前記最外周スクライブ領域とを含む有効パターン領域の中心を通り第１の方向あるいは前記第１の方向に垂直な第２の方向に延在する有効パターン領域中心線に対し、前記マーカパターン領域と線対称な位置に、前記マーカパターン領域に対応する遮光パターン領域を有し、
前記マーカパターン領域は、前記第１のスクライブ領域と前記最外周スクライブ領域との境界にその中心線を一致させて形成されており、前記マーカパターン領域の幅は、前記第２の幅の二倍を超えることを特徴とするレチクル。
（付記２）
前記素子領域は前記有効パターン領域に複数形成され、
前記複数の素子領域は、前記第１の幅より大きい第３の幅を有する第２のスクライブ領域を隔てて配置されていることを特徴とする付記１に記載のレチクル。
（付記３）
前記第３の幅は、前記第１の幅の２倍の幅であることを特徴とする付記２に記載のレチクル。
（付記４）
前記有効パターン領域は、前記遮光帯と前記マーカパターン領域との間に第１の切欠部を有し、また前記遮光帯と前記遮光パターンとの間に第２の切欠部を有することを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載のレチクル。
（付記５）
前記遮光帯は第１の突出部及び第２の突出部を有し、前記マーカパターン領域は前記第１の突出部に形成され、前記遮光パターン領域は前記第２の突出部により形成されていることを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載のレチクル。
（付記６）
前記遮光パターン領域は、前記マーカパターン領域よりも大きい形状及び寸法を有することを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載のレチクル。
（付記７）
付記１〜６のいずれか一項に記載のレチクルを使った露光方法であって、
半導体基板上に被露光膜を形成する工程と、
前記被露光膜の第１の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第１の有効パターンを露光する第１の露光工程と、
前記レチクルを前記ウェハに対して相対移動させ、前記第１の露光領域に隣接する第２の露光領域に前記レチクルを使って、前記有効パターン領域に対応した第２の有効パターンを露光する第２の露光工程と、
を含み、
前記第１の露光工程は、前記第１の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域及び前記第１のスクライブ領域に対応する第１のスクライブラインを露光する工程を有し、
前記第２の露光工程は、前記第２の有効パターン内に、前記最外周スクライブ領域及び前記第１のスクライブ領域に対応する第２のスクライブラインを露光する工程を有し、
前記第２のスクライブラインの少なくとも一部は、前記第１のスクライブラインと重畳することを特徴とする露光方法。
（付記８）
前記第１の露光工程では、前記第１のスクライブラインには、前記レチクルの前記マーカパターン領域に対応したマーカパターンが露光され、前記第２の露光工程は、前記マーカパターンが、前記レチクル上の遮光パターン領域により覆われて実行されることを特徴とする付記７記載の露光方法。
（付記９）
付記７または８の露光方法を含む半導体装置の製造方法。
（付記１０）
半導体基板と、
前記半導体基板上に格子状のスクライブ領域を介して行列状に形成された複数のチップ領域と、
前記複数のチップ領域のうち最外周のチップ領域を覆う金属膜と、
を含み、
前記スクライブ領域には、前記スクライブ領域の中心線に中心線を一致させて所定の幅のマーカパターンおよび遮光パターンが形成されており、
前記最外周のチップ領域とこれに直近のチップ領域との間のスクライブ領域は、他のスクライブ領域に対して幅が、前記最外周のチップ領域の側において狭められており、
前記最外周のチップ領域とこれに直近のチップ領域との間のスクライブ領域においては前記マーカパターンあるいは遮光パターンが、前記直近のスクライブ領域よりも前記最外周のチップ領域に近接して配置されていることを特徴とするウェハ。
（付記１１）
前記マーカパターンあるいは前記遮光パターンは前記最外周のチップ領域とこれに直近のチップ領域との間のスクライブ領域において、前記最外周のチップ領域を覆う金属膜に食い込んで形成されていることを特徴とする付記１０記載のウェハ。
【符号の説明】
【００７１】
２０，６０  レチクル
２０Ａ  ガラス基板
２０Ｂ  遮光帯
２０ｂ  遮光帯前縁
２０ｅ  遮光帯後縁
２０Ｃ  有効パターニング領域
２０Ｄ  チップ領域
２０ｄ  チップ領域前縁
２０ｆ  チップ領域後縁
２０Ｅ  スクライブ領域
２０Ｆ  最外周スクライブ領域
２０Ｇ  マーカパターン
２０ｇ  スリットパターン
２０Ｈ  遮光パターン
２０ｊ  マーカパターン後縁
２０ｌ  遮光パターン後縁
２０ｋ，２０ｍ  隙間
２１  金属膜
４０Ｄ，４０Ｄ１，４０Ｄ２  チップ領域露光パターン
４０Ｅ  スクライブライン露光領域
４０Ｆ  最外周スクライブライン露光領域
４０ｆ  二重露光領域
４０Ｇ  マーカパターン
４０ｇ  四重露光領域
４０Ｈ  遮光パターン
５０  半導体装置
５０Ａ  第１のチップ領域
５０Ｂ  第２のチップ領域
５０Ｃ  スクライブライン
５１  シリコン基板
５１Ｉ  素子分離領域
５１Ｒ  耐湿リング
５２  層間絶縁膜
５２Ａ〜５２Ｅ  層間絶縁膜
５２Ａａ〜５２Ａｔ  金属パターン
５２Ｆ  最上層層間絶縁膜
５３  導電膜
５４  レジスト膜
５４Ｐ，５４Ｑ  チップパターン露光領域
５４Ａ〜５４Ｄ  マーカパターン露光領域
５４Ｅ，５４Ｆ  二重露光領域
６３  保護膜
６３Ａ  開口部
８０  比較対照例のレチクル
【図３】
0005978732.tif 000002
【図４】
0005978732.tif 000003
【図５】
0005978732.tif 000004
【図１１】
0005978732.tif 000005
【図１６】
0005978732.tif 000006
【図１】
0005978732.tif 000007
【図２】
0005978732.tif 000008
【図６】
0005978732.tif 000009
【図７】
0005978732.tif 000010
【図８】
0005978732.tif 000011
【図９】
0005978732.tif 000012
【図１０】
0005978732.tif 000013
【図１２】
0005978732.tif 000014
【図１３】
0005978732.tif 000015
【図１４】
0005978732.tif 000016
【図１５】
0005978732.tif 000017
【図１７】
0005978732.tif 000018
【図１８】
0005978732.tif 000019