(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが中央部に製品形成用領域および外周部に前記製品形成用領域を取り囲む枠状の捨て代領域を有し、一方の主面が製品形成用主面であり、他方の主面が分離用主面である平板状の２枚の支持基板同士を、前記分離用主面における前記製品形成用領域同士および前記捨て代領域同士が互いに対向するように配置するとともに前記製品形成用領域同士の間に互いに非接合で重ね合わされた２枚の分離フィルムを挟持した状態で前記捨て代領域同士が接合されるように積層して配線基板形成用土台を形成し、次に前記配線基板形成用土台における前記製品形成用主面上の前記製品形成用領域を含む領域に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して配線基板用積層体を形成した後、前記配線基板形成用土台および前記配線基板用積層体を前記製品形成用領域と前記捨て代領域との境界で切断して前記製品形成用領域と前記捨て代領域との間および前記製品形成用領域における前記分離フィルム同士の間を分離する工程を含む配線基板の製造方法であって、前記配線基板形成用土台は、分離フィルムが前記製品形成用領域から前記捨て代領域にはみ出す大きさであるとともに、前記捨て代領域にはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍの多数の開口部を有し、該開口部を介して前記支持基板の捨て代領域同士が接合されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記分離フィルムの縦横の寸法は、前記支持基板と同一寸法であることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子などの電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化、薄型化が進む中、それらに使用される高密度な配線基板としてビルドアップ配線基板がある。一般的なビルドアップ配線基板は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板の両面に銅箔から成る配線導体が形成された厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のコア基板を有し、このコア基板の両面に厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層と、厚みが５〜５０μｍ程度の銅めっき膜から成る配線導体とを交互に積層して成る。
【０００３】
このような、一般的なビルドアップ配線基板は高密度配線が可能であるものの、厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のコア基板を使用することから、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題があった。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載されているように、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔をプリプレグの硬化物から成る支持基板上に積層し、この支持フィルム付き金属箔の金属箔上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、金属箔と絶縁層と導体層とから成る配線基板用の積層体を支持フィルムから分離することにより配線基板を製造する方法が提案されている。
【０００５】
この方法によると、配線基板用の積層体を支持フィルムから分離することで金属箔と絶縁層と導体層とから成る、コア基板を有しない薄型で高密度な配線基板を製造することができる。
【０００６】
なお、この方法においては、配線基板の製造効率を高めるため、２枚の支持基板用のプリプレグを用意して、それらの間における中央部にプリプレグよりも縦横の寸法が小さい２枚の分離フィルムを重ねて配置するとともに、それぞれのプリプレグの外側主面上に支持フィルム付き金属箔を配し、これらを上下から加圧加熱することにより２枚の分離フィルムを互いに重なった状態で支持基板の間に封入するとともに、支持基板の外側両主面に支持フィルム付き金属箔を積層し、さらにその上に配線基板用の積層体を両面同時に形成した後、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出すとともに、それらを分離フィルム同士の間で分離した後、配線基板用の積層体を支持フィルムから分離する方法が考案されている。なお、２枚の分離フィルムの位置合わせは、目視により行なわれていた。
【０００７】
しかし、上述の方法においては、プリプレグよりも縦横の寸法が小さい分離フィルムを支持基板用の２枚のプリプレグの間の中央部に重ねて配置する際、これらの分離フィルムを目視により位置決めしているため、分離フィルムをプリプレグの中央部に精度良く重ねて配置することが困難であった。そのため、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分の位置や大きさにバラツキが発生し、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出す際、切り出される面積が大きく制限されてしまう。その結果、各支持基板上において配線基板を形成するために使用可能な領域が狭いものとなり、各支持基板上に配線基板を多数個取りで形成する際に、その取り数が少なくなってしまうという問題を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−３８１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、２枚の支持基板用のプリプレグの間における中央部に２枚の分離フィルムを位置精度良く重ねて配置することができ、その結果、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分の位置や大きさにバラツキがなく、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出す際、切り出される面積を大きくすることができ、それにより各支持基板上において配線基板を多数個取りで形成する際にその取り数が多い製造効率の高い配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明における配線基板の製造方法は、それぞれが中央部に製品形成用領域および外周部に製品形成用領域を取り囲む枠状の捨て代領域を有し、一方の主面が製品形成用主面であり、他方の主面が分離用主面である平板状の２枚の支持基板同士を、分離用主面における製品形成用領域同士および捨て代領域同士が互いに対向するように配置するとともに製品形成用領域同士の間に互いに非接合で重ね合わされた２枚の分離フィルムを挟持した状態で捨て代領域同士が接合されるように積層して配線基板形成用土台を形成し、次に配線基板形成用土台における製品形成用主面上の製品形成用領域を含む領域に絶縁層と導体層とを交互に複数積層して配線基板用積層体を形成した後、配線基板形成用土台および配線基板用積層体を製品形成用領域と捨て代領域との境界で切断して製品形成用領域と捨て代領域との間および製品形成用領域における分離フィルム同士の間を分離する工程を含む配線基板の製造方法であって、配線基板形成用土台は、分離フィルムが製品形成用領域から捨て代領域にはみ出す大きさであるとともに、捨て代領域にはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍの多数の開口部を有し、開口部を介して支持基板の捨て代領域同士が接合されることを特徴とするものである。さらに、好ましくは、分離フィルムの縦横の寸法が支持基板と同一寸法である。

【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法によれば、分離フィルムが製品形成用領域から捨て代領域にはみ出す大きさであるとともに、捨て代領域にはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍの多数の開口部を有しており、開口部を介して支持基板の捨て代領域同士が接合されることから、分離フィルムを２枚の支持基板同士の間に配置する際に、分離フィルムの捨て代領域にはみ出した部分を分離フィルムの位置決めに利用して正確に配置することができる。その結果、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分の位置や大きさにバラツキがなく、プリプレグ中央部の分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出す際、切り出される面積を大きくすることができ、それにより各支持基板上において配線基板を多数個取りで形成する際にその取り数が多い製造効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
さらに、分離フィルムの縦横の寸法を支持基板と同一寸法としておくと、分離フィルムの外辺と支持基板の外辺とを揃えるだけで、分離フィルムを容易かつ正確に配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための概略断面図である。
【図３】図３（ｄ）、（ｅ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための概略断面図である。
【図４】図４（ｆ）、（ｇ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための概略断面図である。
【図５】図５（ｈ）、（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を説明するための概略断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法における別の実施形態の一例の一部を説明するための概略断面図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の配線基板の製造方法におけるさらに別の実施形態の一例の一部を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
まず、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を図１を基にして説明する。図１に示すように、本発明の製造方法により製造される配線基板２０は、例えば４層の絶縁層１が積層されるとともに各絶縁層１の間および最表層の絶縁層１の表面に導体層２が形成されており、さらに最表層の絶縁層１および導体層２の表面にはソルダーレジスト層３が形成されている。
【００１４】
それぞれの絶縁層１には、ビアホール４が複数形成されており、絶縁層１の表面およびビアホール４の内部には、導体層２と一体的に形成されたビア導体４ａが被着されている。そして、ビアホール４内部に被着されたビア導体４ａにより、各絶縁層１に形成された導体層２間の導通をとっている。さらに、最表層の導体層２の一部は、半導体素子等の電子部品に接続される電子部品接続パッド５および回路基板の電極との接続に用いられる回路基板接続パッド６を形成しており、これらの電子部品接続パッド５および回路基板接続パッド６は、ソルダーレジスト層３に設けられた開口部から露出している。
【００１５】
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を図２〜図６を基にして説明する。まず、図２（ａ）に示すように、一方が製品形成用主面Ａであり他方が分離用主面Ｂである２枚の支持基板用のプリプレグ７Ｐと、２枚の分離フィルム８と、２枚の支持フィルム付き金属箔９と、２枚の金属枠１０とを準備する。
【００１６】
支持基板用のプリプレグ７Ｐは、後述する配線基板用積層体１３を製造する際に配線基板用積層体１３を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板７を形成するためのものである。また、それぞれの支持基板用プリプレグ７Ｐは、中央部に製品形成用領域Ｘと、外周部に製品形成用領域Ｘを取り囲む枠状の捨て代領域Ｙとを有している。支持基板用プリプレグ７Ｐは、厚みが０．１〜２．０ｍｍ程度であり、縦横の寸法が４００〜１０００ｍｍ程度の略四角形である。支持基板用のプリプレグ７Ｐには、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態とした板状のものが用いられる。
【００１７】
分離フィルム８は、プリプレグ７Ｐを硬化させた支持基板７上に後述する配線基板用積層体１３を形成した後、２枚の支持基板７同士を容易に分離させるための境界層として機能するものである。分離フィルム８は、厚みが１〜３５μｍ程度であり、縦横の寸法が４００〜１０００ｍｍ程度である。分離フィルムの縦横の寸法は、捨て代領域Ｙにはみ出す大きさであり、好ましくは、プリプレグ７Ｐと同一寸法である。なお、分離フィルム８が捨て代領域Ｙにはみ出す部分には、直径が０．１〜１ｍｍ程度の多数の開口部１１が形成されている。分離フィルム８は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。
【００１８】
支持フィルム付き金属箔９は、支持フィルム９ａ上に金属箔９ｂが粘着層（不図示）を介して保持されたものである。支持フィルム付き金属箔９は、製品形成用領域Ｘよりも縦横がそれぞれ１０〜２０ｍｍ程度大きな寸法を有している。支持フィルム９ａは、厚みが１０〜１００μｍ程度であり、金属箔９ｂに破れや皺が発生するのを防止するとともに、金属箔９ｂの取り扱いを容易にするためのものである。支持フィルム９ａとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等のポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。金属箔９ｂは、後述する配線基板用積層体１３を形成する起点となるものである。金属箔９ｂとしては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔９ｂの厚みは１〜３５μｍ程度である。また、粘着層は配線基板２０の形成中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコン樹脂系、アクリル樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、粘着層は、後述する配線基板用積層体１３を破損することなく支持フィルム９ａから分離する上で、厚みが０．０１〜１．０μｍ程度であり、粘着力が１〜１０Ｎ／ｍ程度であるのが好ましい。
【００１９】
金属枠１０は、後述する配線基板用積層体１３を形成する際に、電解めっき用の電荷供給電極として機能するものであり、内周が前記支持フィルム付き金属箔９より若干大きく、支持フィルム付き金属箔９を囲繞するように配置される。厚みは１２〜３５μｍ程度であり、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、２枚のプリプレグ７Ｐの間に２枚の分離フィルム８を重ねて挟持するとともに、それぞれのプリプレグ７Ｐの製品形成用主面Ａ上の中央部に支持フィルム付き金属箔９を積層するとともに、その外側に支持フィルム付き金属箔９を囲繞するように金属枠１０を配置する。このとき、分離フィルム８は、捨て代領域Ｙにはみ出す大きさであるので、このはみ出した部分を利用してプリプレグ７Ｐの間の所定の位置に正確に位置決めすることができる。分離フィルム８の位置決めの方法としては、例えば、位置決め用のピンを用いる方法が採用される。この方法では、捨て代領域Ｙの所定の位置においてそれぞれ２枚ずつのプリプレグ７Ｐおよび分離フィルム８および金属枠１０を貫通する位置決め用のピンを複数設けるとともに、この位置決め用のピンに対応する位置決め用の孔をプリプレグ７Ｐおよび分離フィルム８および金属枠１０に設けておき、これらの位置決め用の孔に位置決め用のピンを挿通することによって位置決めする方法である。あるいは、プリプレグ７Ｐおよび分離フィルム８および金属枠１０の外辺を用いて位置決めする方法を採用してもよい。この場合、プリプレグ７Ｐおよび分離フィルム８および金属枠１０の外辺寸法を同一の寸法としておくとともに、これらの外辺を揃えて位置決めすればよい。
【００２１】
次に、図２（ｂ）の状態に積層したものを上下から加圧しながら加熱する。このような加圧加熱により、図２（ｃ）に示すように、プリプレグ７Ｐが硬化された２枚の支持基板７が間に２枚の分離フィルム８を挟持して互いに接合されるとともに、それぞれの支持基板７の製品形成用主面Ａに支持フィルム付き金属箔９および金属枠１０が埋設されて配線基板形成用土台１２が形成される。このとき、分離フィルム８には、捨て代領域Ｙにはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍ程度の開口部１１が多数形成されていることから、これらの開口部１１を介して支持基板７同士が接合される。また、製品形成用領域Ｘでは、分離フィルム８同士は、互いに接着せずに重なりあったままの状態である。
【００２２】
次に、図３（ｄ）に示すように、配線基板形成用土台１２の両主面に露出する金属箔９ｂおよび支持基板７および金属枠１０の表面に無電解めっき（不図示）を被着させた後、絶縁層１と導体層２とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層１および導体層２の上にソルダーレジスト層３を被着させることで配線基板用積層体１３が形成される。
【００２３】
無電解めっきは、電極として機能する金属枠１０と配線基板用積層体１３形成の起点となる金属箔９ｂとの導通をとるためのもので、例えば無電解銅めっき等の良導電性材料が好適に用いられる。
【００２４】
絶縁層１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散して形成されたフィルムを、配線基板形成用土台１２の両主面の無電解めっきが被着された金属箔９ｂおよび支持基板７および金属枠１０上に、真空状態で被覆した状態で熱圧着することで形成される。また、絶縁層１には層間の導通をとるためのビア導体４ａが充填されるビアホール４が、例えばレーザ加工により複数形成されている。
【００２５】
導体層２は、絶縁層１の表面およびビアホール４の内面に、例えば周知のセミアディティブ法により形成される。セミアディティブ法により用いられる無電解めっきおよび電解めっきには、例えば無電解銅めっきおよび電解銅めっき等の良導電性材料が好適に用いられる。
【００２６】
ソルダーレジスト層３は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカ等の無機フィラーを分散させたペーストを、最表層の絶縁層１および導体層２の上にスクリーン印刷等で塗布した後、フォトリソグラフィー技術により所定のパターンに露光、現像したものを熱硬化することで形成される。ソルダーレジスト層３から露出する最表層の導体層２の一部は、回路基板の電極と接続される回路基板接続パッド６として機能する。
【００２７】
次に、図３（ｅ）に示すように、配線基板形成用土台１２および配線基板用積層体１３を製品形成用領域Ｘと捨て代領域Ｙとの境界で切断することで、製品形成用領域Ｘの配線基板形成用土台１２および配線基板用積層体１３を切り出す。切断には、例えばダイシング装置を用いればよい。このとき、配線基板形成用土台１２における２枚の分離フィルム８は、２枚の支持基板７の間に正確に位置決めされていることから、支持基板７中央部の分離フィルム８同士が非接合で重なり合った部分の位置や大きさにバラツキがなく、その分、支持基板７およびその上の配線基板用積層体１３を切り出す面積、すなわち製品領域Ｘの面積を大きく設定することができる。したがって、各支持基板７上において配線基板２０を多数個取りで形成する際にその取り数が多い製造効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２８】
次に、図４（ｆ）に示すように、切り出された配線基板用積層体１３が形成された配線基板形成用土台１２を分離フィルム８の間から分離する。この分離の際には、分離フィルム８同士が加圧加熱により密着しているだけなので、容易に分離することができる。
【００２９】
次に、図４（ｇ）に示すように、配線基板用積層体１３を支持フィルム９ａから分離する。この分離の際には、支持フィルム９ａ上に金属箔９ｂが粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム９ａと金属箔９ｂとの間を引き剥がすだけで配線基板用積層体１３を破損することなく、容易に分離することができる。
【００３０】
次に、図５（ｈ）に示すように、金属箔９ｂを所定のパターンにエッチングすることにより、導体層２を形成する。金属箔９ｂを所定のパターンにエッチングするには、例えば導体層２に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔９ｂ表面に形成するとともに、エッチングレジスト層から露出した金属箔９ｂをエッチング除去した後、エッチングレジスト層を剥離除去すればよい。
【００３１】
最後に、図５（ｉ）に示すように、絶縁層１および導体層２の上にソルダーレジスト層３を形成することで本実施例による配線基板２０が形成される。なお、ソルダーレジスト層３は、先述のソルダーレジスト層３と同様の材料および方法で形成される。
【００３２】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実施の形態の一例では、図２（ａ）に示したように、２枚の支持フィルム付き金属箔９および２枚のプリプレグ７Ｐおよび２枚の分離フィルム８を用いて配線基板形成用土台１２が形成されているが、図６（ａ）に示すように、上記の材料に１枚の両面銅張り板２１を加えて配線基板形成用土台３０を形成してもよい。
【００３３】
このような配線基板形成用土台３０は、以下のようにして形成される。まず、図６（ａ）に示すように、一方が製品形成用主面Ａであり他方が分離用主面Ｂであるとともに中央部に製品形成用領域Ｘと、外周部に製品形成用領域Ｘを取り囲む枠状の捨て代領域Ｙとを有する２枚の支持基板用のプリプレグ７Ｐと、２枚の分離フィルム８と、２枚の支持フィルム付き金属箔９および２枚の金属枠１０と、１枚の両面銅張り板２１とを用意する。プリプレグ７Ｐと分離フィルム８と支持フィルム付金属箔９と金属枠１０は、上述した一例で説明したものと同様のものを用いる。
【００３４】
両面銅張り板２１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板２１ａの両面に銅箔２１ｂが積層されて成る。樹脂基板２１ａの厚みは５０〜４００μｍ程度であり、銅箔２１ｂの厚みは１２〜３５μｍ程度である。縦横の寸法は支持基板７と同一の４００〜１０００ｍｍ程度の略四角形であることが好ましい。
【００３５】
次に、図６（ｂ）に示すように、２枚のプリプレグ７Ｐの間に両面銅張り板２１を挟むとともに、両面銅張り板２１とプリプレグ７Ｐとの間にそれぞれ分離フィルム８を挟持し、さらにそれぞれのプリプレグ７Ｐの製品形成用主面Ａ上に支持フィルム付き金属箔９を積層するとともに、支持フィルム付き金属箔９を囲繞するように金属枠１０を配置する。
【００３６】
次に、図６（ｂ）の状態に積層したものを上下から加圧しながら加熱する。このような加圧加熱により、図６（ｃ）に示すように、プリプレグ７Ｐが硬化された２枚の支持基板７が間に２枚の分離フィルム８と両面銅張り板２１を挟持して接合されるとともに、それぞれの支持基板７の製品形成用主面Ａに支持フィルム付き金属箔９および金属枠１０が埋設されて配線基板形成用土台３０が形成される。このとき、分離フィルム８には、捨て代領域Ｙにはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍ程度の開口部１１が多数形成されていることから、支持基板７と両面銅張り板２１の銅箔２１ｂとが開口部１１を介して接合される。また、製品形成用領域Ｘでは、分離フィルム８と両面銅張り板２１とは、互いに接着せずに重なりあったままの状態である。
【００３７】
次に、図３（ｄ）および図３（ｅ）と同様の工程を行なうことで、製品形成用領域Ｘの配線基板形成用土台３０および配線基板用積層体１３を切り出す。そして、両面銅張り板２１の銅箔２１ｂと分離フィルム８との間を分離した後に、配線基板用積層体１３を支持フィルム９ａから分離する。この場合も、上述した一例の場合と同様に、配線基板形成用土台３０における２枚の分離フィルム８は、２枚の支持基板７と両面銅張り板２１との間に正確に位置決めされていることから、支持基板７中央部の分離フィルム８と銅箔２１ｂとが非接合で重なり合った部分の位置や大きさにバラツキがなく、その分、支持基板７およびその上の配線基板用積層体１３を切り出す面積、すなわち製品領域Ｘの面積を大きく設定することができる。したがって、各支持基板７上において配線基板２０を多数個取りで形成する際にその取り数が多い製造効率の高い配線基板の製造方法を提供することができる。
【００３８】
以降は、先述の図５（ｈ）および図５（ｉ）と同様の工程を行なうことで、図１に示すような配線基板２０を提供することができる。
【００３９】
また、上述の実施の形態の一例では、図１に示したように、電子部品接続パッド５が絶縁層１の表面にビア導体４ａと接続する状態で形成されているが、図７（ａ）に示すように、電子部品接続パッド３５の表面と絶縁層１の表面とが同一平面となるように形成してもよい。
【００４０】
このような電子部品接続パッド３５は以下のようにして形成される。まず、先述の図２（ａ）〜（ｃ）と同様の工程を行なった後、配線基板形成用土台１２の両主面に露出する金属箔９ｂおよび支持基板７および金属枠１０の表面に無電解めっき（不図示）を被着させた後、図７（ｂ）に示すように、無電解めっきが被着された金属箔９ｂの上に、例えば銅等から成る導体層２をセミアディティブ法等により形成し、その上に絶縁層１と導体層２とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層１および導体層２の上にソルダーレジスト層３を被着させることで配線基板用積層体３３を形成する。
【００４１】
次に、図３（ｅ）〜図４（ｇ）と同様の工程を行い製品形成用領域Ｘの配線基板用積層体３３を支持フィルム９ａから分離する。そして、配線基板用積層体３３に被着する金属箔９ｂを全てエッチング除去した後、図５（ｉ）と同様の工程を行なうことで図７（ａ）に示すような配線基板４０を提供することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１            絶縁層
２            導体層
７            支持基板
８            分離フィルム
１１          開口部
１２          配線基板形成用土台
１３          配線基板用積層体
２０          配線基板
Ａ            製品形成用主面
Ｂ            分離用主面
Ｘ            製品形成用領域
Ｙ            捨て代領域
【図１】
0005955050.tif 000002
【図２】
0005955050.tif 000003
【図３】
0005955050.tif 000004
【図４】
0005955050.tif 000005
【図５】
0005955050.tif 000006
【図６】
0005955050.tif 000007
【図７】
0005955050.tif 000008