(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記処理チャンバー内に配設され、前記下部電極と対向する上部電極と、
前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、
前記処理チャンバー内を排気する排気機構と
を具備したプラズマエッチング装置を用い、前記被処理基板の金属層をハードマスクを介してエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとＨＢｒガスの混合ガスからなる第１エッチングガスを用いる第１工程と、
前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスからなる第２エッチングガスを用いる第２工程と、
を連続して交互に複数回繰り返して実施するとともに、
前記下部電極に、第１の周波数の第１高周波電力と、前記第１の周波数より低い第２の周波数の第２高周波電力とを印加し、かつ、前記第１高周波電力をパルス状に印加する
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマエッチング方法であって、
前記金属層がタングステン層からなり、前記ハードマスクが酸化シリコン層からなる
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第１の周波数が８０ＭＨｚ以上１５０ＭＨｚ以下である
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のプラズマエッチング方法であって、
前記第１高周波電力を、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚのパルス周波数でパルス状に印加する
ことを特徴とするプラズマエッチング方法。
【請求項５】
被処理基板を収容する処理チャンバーと、
前記処理チャンバー内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、
前記処理チャンバー内に配設され、前記下部電極と対向する上部電極と、
前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、
前記処理チャンバー内を排気する排気機構と、
前記下部電極に、第１の周波数の第１高周波電力を印加する第１高周波電力供給機構と、
前記下部電極に、前記第１の周波数より低い第２の周波数の第２高周波電力を印加する第２高周波電力供給機構と、
を具備したプラズマエッチング装置であって、
前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとＨＢｒガスの混合ガスからなる第１エッチングガスを用いる第１工程と、
前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスからなる第２エッチングガスを用いる第２工程と、
を連続して交互に複数回繰り返して実施するとともに、
前記下部電極に、前記第１高周波電力をパルス状に印加するよう制御する制御部を備え、
前記被処理基板の金属層を、ハードマスクを介してエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置の製造工程では、エッチングガスをプラズマ化して被処理基板（半導体ウエハ）に作用させ、被処理基板に形成されたタングステン（Ｗ）等の金属膜をエッチングするプラズマエッチングが用いられている（例えば、特許文献１参照。）。また、このようなプラズマエッチングとしては、処理チャンバー内に上部電極と下部電極が対向するように配置され、これらの電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる所謂容量結合型のプラズマエッチング装置が知られている。印加する高周波電力をパルス状とすることによって、絶縁膜にコンタクトホールを形成する際のチャージングダメージを防止することが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１７３９８６号公報
【特許文献２】特開２００９−２８３８９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のプラズマエッチングにより、例えば、酸化シリコン膜等からなるハードマスクを介して、例えば、タングステン（Ｗ）等の金属膜をエッチングする場合がある。このようなプラズマエッチングでは、従来Ｏ２ガスとＣＦ４ガスの混合ガスからなるエッチングガスを用いている。【０００５】
しかしながら、上記のように、酸化シリコン膜等からなるハードマスクを介して、タングステン膜をエッチングする場合、ハードマスクのタングステン膜に対するエッチング選択比（タングステン膜のエッチング速度をハードマスクのエッチング速度で割算したもの）がとり難く、エッチング選択比が１程度となってしまうという問題があった。また、例えば、パターンに疎密がある場合、即ち、パターンが密に配置された部分と、パターンが疎に配置された部分がある場合、パターンが密に配置された部分のエッチング形状（ボーイング形状等）と、パターンが疎に配置された部分のエッチング形状（テーパ形状等）を、共に良好に維持することが難しいという問題があった。【０００６】
本発明は、上記の事情に対処してなされたもので、ハードマスクの金属膜に対するエッチング選択比を向上させることができるとともに、パターンに疎密がある場合であっても、エッチング形状を良好にすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のプラズマエッチング方法の一態様は、被処理基板を収容する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記処理チャンバー内に配設され、前記下部電極と対向する上部電極と、前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、前記処理チャンバー内を排気する排気機構とを具備したプラズマエッチング装置を用い、前記被処理基板の金属層をハードマスクを介してエッチングするプラズマエッチング方法であって、前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとＨＢｒガスの混合ガスからなる第１エッチングガスを用いる第１工程と、前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスからなる第２エッチングガスを用いる第２工程と、を連続して交互に複数回繰り返して実施するとともに、前記下部電極に、第１の周波数の第１高周波電力と、前記第１の周波数より低い第２の周波数の第２高周波電力とを印加し、かつ、前記第１高周波電力をパルス状に印加することを特徴とする。【０００８】
本発明のプラズマエッチング装置の一態様は、被処理基板を収容する処理チャンバーと、前記処理チャンバー内に配設され、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記処理チャンバー内に配設され、前記下部電極と対向する上部電極と、前記処理チャンバー内に所定のエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構と、前記処理チャンバー内を排気する排気機構と、前記下部電極に、第１の周波数の第１高周波電力を印加する第１高周波電力供給機構と、前記下部電極に、前記第１の周波数より低い第２の周波数の第２高周波電力を印加する第２高周波電力供給機構と、を具備したプラズマエッチング装置であって、前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとＨＢｒガスの混合ガスからなる第１エッチングガスを用いる第１工程と、前記エッチングガスとして、Ｏ２ガスとＣＦ４ガスとの混合ガスからなる第２エッチングガスを用いる第２工程と、を連続して交互に複数回繰り返して実施するとともに、前記下部電極に、前記第１高周波電力をパルス状に印加するよう制御する制御部を備え、前記被処理基板の金属層を、ハードマスクを介してエッチングすることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ハードマスクの金属膜に対するエッチング選択比を向上させることができるとともに、パターンに疎密がある場合であっても、エッチング形状を良好にすることのできるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略構成を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体ウエハの断面構成を模式的に示す図。
【図３】高周波電力の印加状態を説明するためのグラフ。
【図４】パターンの密部分におけるボーイング及び疎部分におけるテーパ角を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係るプラズマエッチング装置の概略断面構成を模式的に示す図である。図１に示すプラズマエッチング装置１１０は、気密に構成され、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容する円筒状の処理チャンバー１１１（筒状容器）を有し、処理チャンバー１１１内の下方には半導体ウエハＷを載置する円板形状の載置台１１２が配置されている。処理チャンバー１１１は円管状の側壁１１３と、側壁１１３の上方の端部を覆う円板状の蓋１１４とを有する。
【００１２】
また、処理チャンバー１１１内の載置台１１２の周囲には、多数の排気孔を有する環状のバッフル板１３４が配設されている。一方、処理チャンバー１１１の底部には、図示しないＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）及びＤＰ（Dry Pump）等の排気機構が接続されており、バッフル板１３４を介して排気を行い処理チャンバー１１１内の圧力を所定の減圧雰囲気に維持できるようになっている。
【００１３】
載置台１１２には、第１の高周波電源１１５が第１の整合器１１６を介して接続され、且つ第２の高周波電源１１７が第２の整合器１１８を介して接続されている。第１の高周波電源１１５は、プラズマ生成用の比較的高い周波数、例えば８０ＭＨｚ以上１５０ＭＨｚ以下（本実施形態では、１００ＭＨｚ）の高周波電力を載置台１１２に印加する。また、第２の高周波電源１１７は、第１の高周波電源１１５より低い周波数のバイアス電力を載置台１１２に印加する。本実施形態において、第２の高周波電源１１７の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚとされている。
【００１４】
載置台１１２の上部には、電極板１１９を内部に有する静電チャック１２０が配置されている。静電チャック１２０は、円板状のセラミック部材で構成され、電極板１１９には、直流電源１２１が接続されている。電極板１１９に正の直流電圧が印加されると、半導体ウエハＷにおける静電チャック１２０側の面（裏面）には負の電位が生じて電極板１１９及びウエハＷの裏面の間に電界が生じ、この電界に起因するクーロン力により、半導体ウエハＷは静電チャック１２０に吸着保持される。
【００１５】
また、載置台１１２には、吸着保持された半導体ウエハＷを囲うように、フォーカスリング１２２が載置されている。フォーカスリング１２２は、例えば、石英等から構成されている。
【００１６】
処理チャンバー１１１内の上方には、載置台１１２と対向するようにシャワーヘッド１２３（移動電極）が配置されている。シャワーヘッド１２３は、多数のガス穴１２４を有する円板状の導電性の上部電極板１２５と、該上部電極板１２５を着脱可能に釣支するクーリングプレート１２６と、クーリングプレート１２６をさらに釣支するシャフト１２７と、シャフト１２７の上端に配される処理ガス受入部１２８とを有する。シャワーヘッド１２３は、蓋１１４及び側壁１１３を介して接地され、処理チャンバー１１１内に印加されるプラズマ生成電力に対する接地電極として機能する。なお、上部電極板１２５には、載置台１１２との対向面を覆うように、石英部材１２５ａが配設されている。
【００１７】
シャフト１２７は、内部を上下方向に貫通するガス流路１２９を有し、クーリングプレート１２６は内部にバッファ室１３０を有する。ガス流路１２９は、処理ガス受入部１２８とバッファ室１３０を接続し、各ガス穴１２４は、バッファ室１３０と処理チャンバー１１１内を連通する。シャワーヘッド１２３において、ガス穴１２４、処理ガス受入部１２８、ガス流路１２９及びバッファ室１３０は処理ガス導入系を構成する。該処理ガス導入系は処理ガス受入部１２８に供給された処理ガス（エッチングガス）を処理チャンバー１１１内の、シャワーヘッド１２３と載置台１１２の間に存在する処理空間へ導入する。
【００１８】
シャワーヘッド１２３において、上部電極板１２５の外径は、処理チャンバー１１１の内径よりも若干小さく設定されるため、シャワーヘッド１２３は側壁１１３に接触しない。すなわち、シャワーヘッド１２３は処理チャンバー１１１内に遊合するように配置される。また、シャフト１２７は蓋１１４を貫通し、該シャフト１２７の上部は、プラズマエッチング装置１１０の上方に配置されたリフト機構（図示しない）に接続される。リフト機構はシャフト１２７を図中上下方向に移動させるが、このとき、シャワーヘッド１２３は処理チャンバー１１１内において該処理チャンバー１１１の中心軸に沿い、ピストンのように上下動する。これにより、シャワーヘッド１２３と載置台１１２の間に存在する処理空間の距離であるギャップを調整することができる。
【００１９】
ベローズ１３１は、例えば、ステンレスからなる伸縮自在な圧力隔壁であり、その一端は蓋１１４に接続され、他端はシャワーヘッド１２３に接続される。そして、ベローズ１３１は、処理チャンバー１１１内を処理チャンバー１１１外部から遮蔽するシール機能を有する。また、処理チャンバー１１１の外側には、永久磁石からなる複数のセグメント磁石１３５が処理チャンバー１１１の周囲を取り囲むようにリング状に配設されており、処理チャンバー１１１の内部に磁場を形成できる構成となっている。
【００２０】
プラズマエッチング装置１１０では、処理ガス受入部１２８へ供給されたエッチングガスが処理ガス導入系を介して処理空間へ導入され、導入されたエッチングガスは、処理空間へ印加された高周波電力と磁石１３５による磁場の作用によって励起されてプラズマとなる。プラズマ中の正イオンは、載置台１１２に印加されるバイアス電力に起因する負のバイアス電位によって載置台１１２に載置された半導体ウエハＷに向けて引きこまれ、半導体ウエハＷにエッチング処理を施す。
【００２１】
上記構成のプラズマエッチング装置１１０は、ＣＰＵ等を備えた制御部１５０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部１５０は、操作部１５１と、記憶部１５２とを具備している。
【００２２】
操作部１５１は、工程管理者がプラズマエッチング装置１１０を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマエッチング装置１１０の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２３】
記憶部１５２には、プラズマエッチング装置１１０で実行される各種処理を制御部１５０の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、操作部１５１からの指示等にて任意のレシピを記憶部１５２から呼び出して制御部１５０に実行させることで、制御部１５０の制御下で、プラズマエッチング装置１１０での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００２４】
次に、上記構成のプラズマエッチング装置１１０で、半導体ウエハＷに形成されたタングステン（Ｗ）層等をプラズマエッチングする手順について説明する。まず、処理チャンバー１１１に設けられた図示しないゲートバルブが開かれ、半導体ウエハＷが図示しない搬送ロボット等により、図示しないロードロック室を介して処理チャンバー１１１内に搬入され、載置台１１２上に載置される。この後、搬送ロボットを処理チャンバー１１１外に退避させ、ゲートバルブを閉じる。そして、図示しない排気機構により処理チャンバー１１１内が排気される。
【００２５】
処理チャンバー１１１内が所定の真空度になった後、処理チャンバー１１１内には処理ガス供給系から所定のエッチングガスが導入され、処理チャンバー１１１内が所定の圧力、例えば０．６６５Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下に保持され、この状態で第１高周波電源１１５、第２高周波電源１１７から載置台１１２に、高周波電力が供給される。このとき、直流電源１２１から静電チャック１２０の電極板１１９に所定の直流電圧が印加され、半導体ウエハＷはクーロン力等により静電チャック６へ吸着される。
【００２６】
この場合に、上述のようにして下部電極である載置台１１２に高周波電力が印加されることにより、上部電極であるシャワーヘッド１２３と下部電極である載置台１１２との間には電界が形成される。これによって、半導体ウエハＷが存在する処理空間には放電が生じ、それによってプラズマ化したエッチングガスにより、半導体ウエハＷに所定のプラズマエッチングが施される。
【００２７】
そして、所定のプラズマ処理が終了すると、高周波電力の供給及びエッチングガスの供給が停止され、上記した手順とは逆の手順で、半導体ウエハＷが処理チャンバー１１１内から搬出される。
【００２８】
図２に、本実施形態における半導体ウエハの断面構造を拡大して模式的に示す。図２（ａ）に示すように、半導体ウエハの最上層には、所定パターンにパターニングされたハードマスクとしてのシリコン酸化膜３０１が形成されており、このシリコン酸化膜３０１の下側には金属膜としてのタングステン（Ｗ）層３０２が形成されている。また、タングステン（Ｗ）層３０２の下側には、他の材料からなる下層膜（ＴｉＮ膜）３０３が形成されている。なお、図２中左側にはパターンが密に形成されている部分を示しており、右側にはパターンが疎に形成されている部分を示している。
【００２９】
そして、図２（ａ）に示す状態から、シリコン酸化膜３０１をマスクとして、タングステン（Ｗ）層３０２を所定パターンにプラズマエッチングし、図２（ｂ）に示す状態とする。この際、プラズマエッチングによりシリコン酸化膜３０１もエッチングされ、その残りの厚さが減少する。
【００３０】
（実施例１）
実施例１として、図１に示したプラズマエッチング装置１１０を使用し、Ｓｉ基板（半導体ウエハ）としては直径３００ｍｍのものを使用し、半導体ウエハに形成されたタングステン（Ｗ）層を、その上に形成され所定パターンにパターニングされたハードマスク（シリコン酸化膜からなる）を介してプラズマエッチングした。プラズマエッチングの条件は、以下のとおりであり、第１工程と第２工程を、連続して夫々４回繰り返して実施した。なお、４回目（最後）の第２工程は、エッチング時間を２６秒に延長した。
（第１工程）
処理チャンバー内圧力：０．６５５Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下
処理ガス：Ｏ２／ＣＦ４／ＨＢｒ＝３５／３０／３０ｓｃｃｍ
第１の高周波：周波数１００ＭＨｚ、電力６００Ｗ、パルス周期１０ｋＨｚ、デューティー比５０％
第２の高周波：周波数１３．５６ＭＨｚ、電力２００Ｗ
処理時間：３秒
載置台温度：６０℃
（第２工程）
処理チャンバー内圧力：０．６５５Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下
処理ガス：Ｏ２／ＣＦ４＝３５／５０ｓｃｃｍ
第１の高周波：周波数１００ＭＨｚ、電力６００Ｗ、パルス周期１０ｋＨｚ、デューティー比５０％
第２の高周波：周波数１３．５６ＭＨｚ、電力２００Ｗ
処理時間：１６秒
載置台温度：６０℃
【００３１】
上記実施例における第１の高周波は、電力６００Ｗ、パルス周期１０ｋＨｚ、デューティー比５０％で印加されている。この場合、縦軸を高周波電力、横軸を時間とした図３（ｂ）のグラフに示す電力波形のような電力の印加状態となっている。そして、この場合の実効電力は、図３（ａ）のグラフに示すように、連続的に電力３００Ｗで高周波電力を印加した場合と同じになる。
【００３２】
次に、比較例１として、以下のプラズマエッチング条件で、実施例１と同様に図１に示したプラズマエッチング装置１１０を使用し、Ｓｉ基板（半導体ウエハ）としては直径３００ｍｍのものを使用し、半導体ウエハに形成されたタングステン（Ｗ）層を、その上に形成され所定パターンにパターニングされたハードマスク（シリコン酸化膜からなる）を介してプラズマエッチングした。
（比較例１）
処理チャンバー内圧力：０．６５５Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）以下
処理ガス：Ｏ２／ＣＦ４＝２０／２５ｓｃｃｍ
第１の高周波：周波数１００ＭＨｚ、電力３００Ｗ
第２の高周波：周波数１３．５６ＭＨｚ、電力２５０Ｗ
処理時間：７０．３秒
載置台温度：６０℃
【００３３】
次に、比較例２として、第１の高周波（周波数１００ＭＨｚ）の電力を６００Ｗとした以外は、上記の比較例１と同様なエッチング条件でプラズマエッチングを行った。
【００３４】
上記した比較例１，２では、パターンが密に配置された部分において、そのエッチング形状にボーイングが発生し、パターンが疎に配置された部分において、そのエッチング形状にテーパか発生し易い傾向がある。すなわち、図４（ａ）に示すように、パターンが密に配置された部分では、タングステン層３０２の側壁部が削られて隣接するパターンの間隔が拡がる傾向を示す。
【００３５】
なお、図４において、Ａは、ハードマスクであるシリコン酸化膜３０１の底部における隣接するパターンとの間隔を示している。また、Ｂは、タングステン層３０２における隣接するパターンとの間隔（最大値）を示している。さらに、Ｃは、タングステン層３０２の底部における隣接するパターンとの間隔を示している。この場合、ボーイングの程度を示すボーイング指数としては、Ｂ−Ａの値を用いることができる。
【００３６】
また、図４（ｂ）に示すように、パターンが疎に配置された部分では、タングステン層３０２の側壁部が垂直にならず、斜めにテーパ状になる。この場合、図４中に示すテーパ角Ｆによって、その形状を評価することができ、このテーパ角Ｆが９０°に近付くほど好ましい形状であることを示している。なお、図４に示す３０４は、タングステン層３０２の側壁部に堆積した堆積物を示している。パターンが疎に配置された部分では、タングステン層３０２のエッチングされる量が多くなるため、堆積物３０４の量も多くなり、その側壁形状がテーパ状となってしまう。
【００３７】
ここで、比較例１，２のプラズマエッチング条件でエッチングを行った場合、例えば、酸素流量を増やすことによって、堆積物の量を増やすことができ、パターンが密に配置された部分におけるボーイング量を減少させることができる。しかしながら、この場合、パターンが疎に配置された部分における堆積物も増加するので、この部分におけるテーパ角が小さくなり、側壁形状が垂直な状態から離れてしまう。
【００３８】
上記実施例及び比較例１、比較例２におけるエッチング選択比（タングステン層３０２のエッチング速度をシリコン酸化膜３０１のエッチング速度で割算したもの）と、パターンが密の部分のボーイング指数と、パターンが疎の部分のテーパ角を測定したところ、以下のとおりとなった。
（実施例）
エッチング選択比：１．６
ボーイング指数：−０．１ｎｍ
テーパ角：４９°
（比較例１）
エッチング選択比：１．０
ボーイング指数：０．３ｎｍ
テーパ角：３４．７°
（比較例２）
エッチング選択比：０．８
ボーイング指数：８．８ｎｍ
テーパ角：３８．３°
【００３９】
以上のとおり、実施例では、比較例１、比較例２に比べて、エッチング選択比、ボーイング指数、テーパ角のいずれもが良好な状態でプラズマエッチングが行われていることを確認することができた。なお、実施例のように、パルス状の高周波電力を使用した場合にエッチング選択比が向上するのは、高周波電力のオフ時に、イオン主体のマスクのスパッタ量が低減する一方、高周波電力のオフ時においても、長寿命のフッ素ラジカルの作用によってタングステン層をエッチングすることが可能であるためと推測される。なお、パルスの周波数は、例えば１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの周波数の範囲とすることが好ましい。また、デューティー比は、２０〜７０％程度の範囲とすることが好ましい。
【００４０】
また、実施例では、堆積物が堆積する第１工程と、堆積物が堆積しない第２工程を交互に連続して繰り返して実施することにより、パターンが密に配置されている部分におけるボーイングの発生を抑制するとともに、パターンが疎に配置されている部分におけるテーパ角の減少を抑制することができる。またこれらの第１工程、第２工程の時間は、ガスの切り換え時間を考慮すれば、２秒以上とすることが好ましく、３秒以上とすることがさらに好ましい。また、実施例では、第１工程と第２工程の割合を、３：１６としたが、この割合は、第１工程で堆積した堆積物が、第２工程において完全に除去される前に再度第１工程を行えるタイミングとすることが好ましく、例えば、１：３から１：８程度とすることが好ましい。
【００４１】
なお、本発明は上記の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは、勿論である。例えば、実施例では、プラズマエッチングを、堆積物が堆積する第１工程から開始した場合について説明したが、第２工程から開始してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、半導体装置の製造分野等で利用することができる。したがって、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【００４３】
１１１……処理チャンバー、１１２……載置台、１１５……第１高周波電源、１１７……第２高周波電源、１２３……シャワーヘッド、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
0006027551.tif 000002
【図２】
0006027551.tif 000003
【図３】
0006027551.tif 000004
【図４】
0006027551.tif 000005