(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層(10)と、
前記半導体層(10)の上面に設けられ、Ａｇ含有層(24)を有する第一電極構造体(20)と、
前記第一電極構造体(20)の表面を覆う第二電極構造体(30)と、
前記第二電極構造体(30)の上面に設けられるパッド電極(6p)と、
を備える半導体発光素子であって、
前記半導体層(10)はｎ型半導体層(2)とｐ型半導体層(4)を有しており、
前記第一電極構造体(20)の最上層(22)が、Ｒｕ層であり、
前記第一電極構造体(20)の最下層が、前記Ａｇ含有層(24)であって、該前記Ａｇ含有層(24)が前記ｐ型半導体層(4)の上面に接して設けられており、
前記第二電極構造体(30)の最下層(32)が、Ａｌ含有層であることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体発光素子であって、
前記第一電極構造体(20)が、前記Ａｇ含有層(24)と前記Ｒｕ層の間に、Ａｇの拡散を防止するＡｇ拡散防止層(26)を有してなることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
半導体層(10)と、
前記半導体層(10)の上面に設けられ、Ａｇ含有層(24)を有する第一電極構造体(20)と、
前記第一電極構造体(20)の表面を覆う第二電極構造体(30)と、
前記第二電極構造体(30)の上面に設けられるパッド電極(6p)と、
を備える半導体発光素子であって、
前記第一電極構造体(20)の最上層(22)が、Ｒｕ層であり、
前記第二電極構造体(30)の最下層(32)が、Ａｌ含有層であり、
前記第一電極構造体(20)が、前記Ａｇ含有層(24)と前記Ｒｕ層の間に、Ａｇの拡散を防止するＡｇ拡散防止層(26)を有しており、
前記Ａｇ拡散防止層(26)が、前記Ａｇ含有層(24)に面したＮｉ層と、該Ｎｉ層の上に積層されたＴｉ層を有してなることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一に記載の半導体発光素子であって、
前記第二電極構造体(30)が、Ａｌ及びＣｕを含む単一層で構成されてなることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一に記載の半導体発光素子であって、
前記第二電極構造体(30)が、前記Ａｇ含有層(24)の上に、前記パッド電極(6p)との間でＡｌの拡散を抑制可能なＡｌ拡散防止層(34)を備えることを特徴とする半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に関し、特にその電極構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、一般に発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）やレーザダイオード（Laser Diode：ＬＤ）等があり、バックライト等に用いる各種光源、照明、信号機、大型ディスプレイ等に幅広く利用されている。
【０００３】
このような半導体発光素子は、基本的に、基板上にｎ型半導体層、ｐ型半導体層が積層され、ｎ型、ｐ型のそれぞれの半導体層に電気的に接続するｎ側電極、ｐ側電極が形成された構造である。両電極を上面側に形成する場合、上層のｐ型半導体層の一部を除去してｎ型半導体層が露出した領域にｎ側電極を形成し、ｐ型半導体層上にｐ側電極を形成する。
【０００４】
このような半導体発光素子の電極には、導電性に優れ、光を効率良く反射することができるＡｇが用いられている（以下、Ａｇ電極とする）。しかしながら、Ａｇは、酸素や水分などの影響で変質し易く、劣化によって反射率が低下することが知られている。このため、従来からＡｇ電極の上面及び側面を金属層などで被覆して、外部環境からＡｇ電極を保護することにより、Ａｇの劣化を防止していた。また、このような金属層には、半導体発光素子として光出力（光取り出し効率）が低下しないように、できるだけ反射率に優れた材料、例えばＡｌを用いるための検討がなされてきた。
【０００５】
しかしながら、Ａｌは比較的拡散し易い性質のため、低温であってもＡｇ電極にＡｌが拡散してしまうという問題があった。Ａｌが拡散すると、Ａｇ電極が腐食されてしまうため、順方向電圧が上昇したり、反射率が低下したりするなどの弊害が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際出願公開第ＷＯ２００６／０４３４２２号
【特許文献２】特開２０１０−２６７７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来のこのような問題点を解決するためになされたものである。本発明の主な目的は、Ａｇ含有層を有する電極構造体を覆う金属層の材料にＡｌを用いても、Ａｌが電極構造体に拡散するのを抑制して、光取出し効率を向上させた半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面に係る半導体発光素子によれば、半導体層１０と、前記半導体層１０の上面に設けられ、Ａｇを含むＡｇ含有層２４を有する第一電極構造体２０と、前記第一電極構造体２０の表面を覆う第二電極構造体３０と、前記第二電極構造体３０の上面に設けられるパッド電極６ｐ、と、を備える半導体発光素子であって、前記半導体層１０はｎ型半導体層２とｐ型半導体層４を有しており、前記第一電極構造体２０の最上層２２が、Ｒｕ層であり、前記第一電極構造体２０の最下層が、前記Ａｇ含有層２４であって、該前記Ａｇ含有層２４が前記ｐ型半導体層４の上面に接して設けられており、前記第二電極構造３０の最下層を、Ａｌ含有層３２とできる。上記構成により、Ａｌ含有層３２のＡｌが、Ａｇ含有層２４に拡散するのをＲｕ層３２で防止することができると共に、光取り出し効率を向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の第２の側面に係る半導体発光素子によれば、前記第一電極構造体２０が、前記Ａｇ含有層２４と前記Ｒｕ層２２との間に、Ａｇの拡散を防止するＡｇ拡散防止層２６を有してなることができる。上記構成により、第一電極構造体からＡｇがパッド電極側に拡散するのを防止することができる。
【００１０】
さらに、本発明の第３の側面に係る半導体発光素子によれば、半導体層１０と、前記半導体層１０の上面に設けられ、Ａｇを含むＡｇ含有層２４を有する第一電極構造体２０と、前記第一電極構造体２０の表面を覆う第二電極構造体３０と、前記第二電極構造体３０の上面に設けられるパッド電極６ｐ、と、を備える半導体発光素子であって、前記第一電極構造体２０の最上層が、Ｒｕ層２２であり、前記第二電極構造３０の最下層が、Ａｌ含有層３２であり、前記第一電極構造体２０が、前記Ａｇ含有層２４と前記Ｒｕ層２２との間に、Ａｇの拡散を防止するＡｇ拡散防止層２６を有しており、前記Ａｇ拡散防止層２６が、前記Ａｇ含有層２４に面したＮｉ層と、該Ｎｉ層の上に積層されたＴｉ層を有してなることができる。上記構成により、拡散防止層によるＡｇのバリア効果を高めることができる。
【００１１】
さらにまた、本発明の第４の側面に係る半導体発光素子によれば、前記第二電極構造体３０を、Ａｌ及びＣｕを含む単一層で構成することができる。上記構成により、パッド電極に接続されるワイヤなどの外部接続部材に反射された戻り光を、第二電極構造体の最表面で効率良く反射することができ、光取り出し効率の改善に寄与できる。さらに、パッド電極に外部接続部材が接合される際に生じる応力を、第二電極構造体が緩和することによって、第一電極構造体を外部環境から保護することができる。
さらにまた、本発明の第５の側面に係る半導体発光素子によれば、前記第二電極構造体３０が、前記Ａｇ含有層２４の上に、前記パッド電極６ｐとの間でＡｌの拡散を抑制可能なＡｌ拡散防止層３４を備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態１に係る半導体発光素子の平面図である。
【図２】図１の半導体発光素子のＩＩ−ＩＩ線における断面図である。
【図３】半導体発光素子の製造方法を説明するフローチャートである。
【図４】図２の半導体発光素子における電極構造を示す拡大断面図である。
【図５】変形例に係る半導体発光素子における電極構造を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る実施形態及び実施例を、図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施形態及び実施例は、本発明の技術思想を具体化するための、半導体発光素子を例示するものであって、本発明は、半導体発光素子を以下のものに特定しない。
【００１４】
なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。さらに、本発明を構成する各要素は、複数の要素を同一の部材で構成して一の部材で複数の要素を兼用する態様としてもよいし、逆に一の部材の機能を複数の部材で分担して実現することもできる。また、一部の実施例、実施形態において説明された内容は、他の実施例、実施形態等に利用可能なものもある。さらに、本明細書において、層上等でいう「上」とは、必ずしも上面に接触して形成される場合に限られず、離間して上方に形成される場合も含んでおり、層と層の間に介在層が存在する場合も包含する意味で使用する。
（実施形態１）
【００１５】
図１及び図２に、本発明の実施形態１に係る半導体発光素子を示す。この半導体発光素子１００は、図２の断面図に示すように、基板１と、この基板１上に設けられる半導体層１０と、半導体層１０の上面に設けられ、Ａｇを含むＡｇ含有層２４を有する第一電極構造体２０と、第一電極構造体２０の表面を覆う第二電極構造体３０と、第二電極構造体３０の上面に設けられるパッド電極６ｐと、を少なくとも備えており、第一電極構造体２０の最上層が、Ｒｕ層２２であり、第二電極構造体３０の最下層が、Ａｌ含有層３２である。
【００１６】
より具体的には、半導体層１０は、活性領域３を挟んで積層されたｎ型半導体層２及びｐ型半導体層４を有する。つまり半導体発光素子１００は、基板１上に、ｎ型半導体層２、活性領域３、ｐ型半導体層４をこの順に積層して構成される。さらに半導体発光素子１００は、ｐ型半導体層４の一部を除去して露出されたｎ型半導体層２にｎ側電極７ｎが設けられると共に、ｐ型半導体層４の主面にはｐ側電極７ｐを備える。このｎ側電極７ｎ及びｐ側電極７ｐを介して、ｎ型半導体層２及びｐ型半導体層４にそれぞれ電力が供給されると、活性領域３より光が出射し、半導体層１０の下方に位置するｎ型半導体層４側を主発光面側として、すなわち図１に示される面とは反対側の基板１から主に光が取り出される。
【００１７】
ｎ型半導体層２に電気的に接続するｎ側電極７ｎは、パッド電極６ｎから構成され、図１の平面図に示すように、ｐ型半導体層４及び活性領域３の一部が除去されて露出された、ｎ型半導体層２の表面上に直接設けられる。一方、ｐ型半導体層４に電気的に接続するｐ側電極７ｐは、ｐ型半導体層４の上面のほぼ全面に設けられる第一電極構造体２０と、第一電極構造体２０の表面である上面及び側面を覆う第二電極構造体３０と、第二電極構造体の上面に複数設けられたパッド電極６ｐとから構成される。
【００１８】
本実施形態における第一電極構造体２０は、最下層がＡｇ含有層２４であり、このＡｇ含有層２４がｐ型半導体層４の上面に接して設けられる。Ａｇ含有層２４は、ｐ型半導体層４の上面端部よりも内側の領域に設けられており、Ａｇ含有層２４が設けられる領域以外の領域ではｐ型半導体層４の上面が露出する。また、第一電極構造体２０の最上層はＲｕ層２２であり、Ｒｕ層２２に接して、第二電極構造体３０が第一電極構造体２０を覆うように設けられる。このとき、第二電極構造体の最下層は、Ａｌ含有層３２であり、Ａｌ含有層３２がＲｕ層２２に接する。さらに、Ｒｕ層２２に接するＡｌ含有層３２は、第一電極構造体２０から露出したｐ側半導体層４の上面まで連続して設けられる。これにより、第一電極構造体２０は、Ａｌ含有層３２（第二電極構造体３０）によって完全に覆われるため、外部環境から遮蔽される。第二電極構造体３０の上面には、複数のｐ側パッド電極６ｐが設けられる。複数のｐ側パッド電極６ｐは、平面視において互いに離間するように配置される。
【００１９】
また、絶縁性の保護膜９は、ｎ側電極７ｎ及びｐ側電極７ｐの上面を除いた、半導体層１０の全表面を被覆する。
（基板１）
【００２０】
基板１は、窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることができる基板材料であればよく、大きさや厚さ等は特に限定されない。このような基板材料としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコン、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、及び窒化物系半導体と格子接合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板が挙げられる。
（ｎ型半導体層２、活性領域３、ｐ型半導体層４）
【００２１】
ｎ型半導体層２、活性領域３、及びｐ型半導体層４としては、特に限定されるものではないが、例えばＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。
（ｎ側電極７ｎ、ｐ側電極７ｐ）
【００２２】
ｎ側電極７ｎはｎ型半導体層２に、ｐ側電極７ｐはｐ型半導体層４に、それぞれ電気的に接続して外部から電流を供給するための部材である。
（第一電極構造体２０）
【００２３】
ｐ側電極７ｐは、ｐ型半導体層４の上面に直接に、その全面又はそれに近い面積の領域（ほぼ全面）に設けられた、Ａｇ含有層２４を有する第一電極構造体２０を備える。
【００２４】
本実施形態における第一電極構造体２０は、最下層にＡｇ含有層２４を有しており、活性領域３からｐ型半導体層４側に出射された光を、基板１側に効率良く反射することができる。一方、第一電極構造体の最上層はＲｕ層２２であり、後述する第二電極構造体３０に含まれるＡｌが、Ｒｕ層２２によってＡｇ含有層２４に拡散されるのを防止することができる。
【００２５】
また、第一電極構造体２０は、Ａｇ含有層２４とＲｕ層２２との間に、Ａｇがｐ側パッド電極側に拡散するのを防止するＡｇ拡散防止層２６を有することができる。Ａｇ拡散防止層２６は、ｐ側パッド電極６ｐが設けられる領域の膜厚が、その周縁領域よりも厚くなるように設けられるのが好ましく、Ａｇの拡散をさらに抑制しつつ、ｐ側パッド電極６ｐが外部回路などに接合される際に生じる応力が、Ａｇ拡散防止層２６にかかったとしても破断せずにバリア性を十分に維持することができる。このようなＡｇ拡散防止層２６は、Ａｇ含有層２４に面したＮｉ層と、その上に積層されたＴｉ層から構成でき、Ａｇ拡散防止層２６によるＡｇのバリア効果を高めることができる。図２の電極構造の拡大図を、図４に示す。この図に示す例では、第一電極構造体２０を、ｐ型半導体層４側からＡｇ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層、Ｒｕ層の順に同一マスク形状にて積層して構成している。
（第二電極構造体３０）
【００２６】
さらに、第一電極構造体２０の上面及び側面には、第二電極構造体３０が配置される。第二電極構造体３０は、光反射率に優れるＡｌを主成分とする金属から構成されていれば良く、例えば、比較的に強度の高いＡｌ−Ｃｕ系のＡｌ合金（以下、ＡＣ層という）から構成されるのが好ましい。本実施形態における第二電極構造体３０は、最下層にＡｌ含有層３２を有し、さらにＡｌ含有層３２の上には、後述するパッド電極との間でＡｌの拡散を抑制可能なＲｕ／Ｔｉ層（Ａｌ拡散防止層）３４を有する多層構造である。このＡｌ含有層３２が、第一電極構造体２０の上面及び側面を覆うと共に、第一電極構造体２０から露出したｐ型半導体層４の上面まで連続して覆うように設けられるのが好ましい。これにより、外部環境から第一電極構造体２０のＡｇ含有層２４を遮蔽できるため、Ａｇがｎ側電極７ｎとの間で移動するエレクトロマイグレーションの発生を防止することができる。さらに、第一電極構造体２０から露出されたｐ型半導体層４の上面において、Ａｌ含有層３２が基板１の側に光を効率よく反射することができるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、第二電極構造体３０は、第一電極構造体２０の上面を覆う膜厚よりも、側面を覆う膜厚の方が厚くなるように設けられているのが好ましく、第一電極構造体２０のＡｇ含有層２４から、ｐ型半導体層４の上面をＡｇが移動するのを防止することができる。
【００２７】
また、第二電極構造体３０は、本実施形態のように多層構造であっても良いが、単一層で構成しても良い。単一層で構成する場合は、特にＡＣ層を用いるのが好ましく、後述するパッド電極６ｎ，６ｐに外部接続部材（図示しない）が接合される際に生じる応力を、第二電極構造体３０が緩和することによって、第一電極構造体２０を外部環境から保護することができる。
【００２８】
なお、図２の断面図の例では、第一電極構造体２０を矩形状で示し、この上面及び側面を同じく矩形状の第二電極構造体３０で被覆する状態を示しているが、この図は模式的に示したものであって、例えば図５に示すように、半導体層１０の上面に曲面状の第一電極構造体２０を積層し、さらにその上面を覆うように同じく曲面状の第二電極構造体３０で被覆するような態様も、本願発明に包含する。
（ｎ側パッド電極６ｎ、ｐ側パッド電極６ｐ）
【００２９】
ｎ側パッド電極６ｎ及びｐ側パッド電極６ｐは、外部回路と電気的に接続するために、ハンダや共晶金属などの外部接続部材が接合されるための部材である。ｎ側パッド電極６ｎ及びｐ側パッド電極６ｐは、外部接続部を接続するのに必要な平面視形状及び面積であれば良く、その位置についても特に限定しないが、活性領域３全体に均一な電流が供給されるように配置するのが好ましい。
（半導体発光素子のパッド電極の製造方法）
【００３０】
本発明に係る半導体発光素子のパッド電極の製造方法について、前記実施形態に係る半導体発光素子の製造も含めて、図３を参照して一例を説明する。
（半導体層の形成：Ｓ１０）
【００３１】
サファイア基板を基板１として、ＭＯＶＰＥ反応装置を用いて、基板１上に、ｎ型半導体層２、活性領域３、及びｐ型半導体層４を構成するそれぞれの窒化物系半導体を成長させる（Ｓ１１）。半導体層１０が形成された基板１（以下、ウェハという）を装置の処理室内にて窒素雰囲気で、６００〜７００℃程度のアニールを行って、ｐ型半導体層４を低抵抗化する（Ｓ１２）。
（ｎ側コンタクト領域の形成：Ｓ２０）
【００３２】
ｎ側電極（ｎ側パッド電極）７ｎを接続するためのコンタクト領域として、ｎ型半導体層２の一部を露出させる。アニール後のウェハ上にレジストにて所定の形状のマスクを形成して（Ｓ２１）、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて、ｐ型半導体層４及び活性領域３、さらにｎ型半導体層２の一部を除去して、その表面にｎ側コンタクト領域を形成する（Ｓ２２）。エッチングの後、レジストを除去する（Ｓ２３）。なお、ｎ側コンタクト領域と同時に、半導体発光素子１００（チップ）の周縁部（スクライブ領域）をエッチングしてもよい（図２参照）。
（第一電極構造体の形成：Ｓ３０）
【００３３】
ｐ型半導体層４の表面にｐ側コンタクト領域が露出するように、レジストを用いたマスクを形成する（Ｓ３１）。スパッタ装置にウェハを設置し、スパッタガスとしてアルゴンガスを用いて、ｐ側コンタクト領域のほぼ全面に、Ａｇ層、Ｎｉ層、Ｔｉ層およびＲｕ層を順に、それぞれ所定の膜厚ずつ連続的に成膜する（Ｓ３２）。リフトオフ法を用いてレジスト及びその上に形成されたＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｕ層を除去し、第一電極構造体２０を形成する（Ｓ３３）。次に、第一電極構造体２０が形成されたウェハを、窒素雰囲気で熱処理（アニール）して、第一電極構造体２０のｐ型半導体層４へのオーミック接触特性を向上させる（Ｓ３４）。
（第二電極構造体の形成：Ｓ４０）
【００３４】
第一電極構造体２０から離間して周囲を囲むように、レジストを用いたマスクを形成し（Ｓ４１）、このマスクの上からスパッタリング装置にてＡＣ層、Ｒｕ層およびＴｉ層を順に、それぞれ所定の膜厚ずつ連続的に成膜する（Ｓ４２）。リフトオフ法を用いてレジスト及びその上に成膜されたＡＣ／Ｒｕ／Ｔｉ層を除去することにより、第一電極構造体２０の上面及び側面を覆う第二電極構造体３０を形成する（Ｓ４３）。
（パッド電極の形成：Ｓ５０）
【００３５】
露出させたｎ型窒化物系半導体層２上、及び第二電極構造体３０上のそれぞれに所定領域を空けたマスクをレジストにて形成し（Ｓ５１）、このマスクの上から、スパッタリング装置にて、ｐ側パッド電極６ｐ、ｎ側パッド電極６ｎを構成するＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系のＡｌ合金（以下、ＡＳＣ層という）、Ｔｉ層、Ｐｔ層およびＡｕ層をそれぞれ所定の膜厚ずつ連続的に成膜する（Ｓ５２）。その後、レジストをその上のＡＳＣ層／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ層ごと除去する（Ｓ５３）と、前記の所定領域にｎ側パッド電極６ｎ、ｐ側パッド電極６ｐが形成された状態となる。
（保護膜９の形成：Ｓ６０）
【００３６】
ウェハの全面に、保護膜９としてＳｉＯ2膜をスパッタリング装置にて成膜する（Ｓ６１）。外部接続部材が接続される領域としてｐ側パッド電極６ｐ、ｎ側パッド電極６ｎ上の所定領域を空けたマスクをレジストにて形成し（Ｓ６２）、ＳｉＯ2膜をエッチングした（Ｓ６３）後、レジストを除去する（Ｓ６４）。
【００３７】
最後に、ウェハをスクライブやダイシング等で分離して、１個の半導体発光素子１００（チップ）となる。また、チップに分離する前に、ウェハの裏面から基板１を研削（バックグラインド）して所望の厚さとなるまで薄く加工してもよい。
【００３８】
以上の工程による本発明に係る半導体発光素子のパッド電極の製造方法は、前記の実施形態に係る半導体発光素子について、ｐ側、ｎ側のそれぞれにパッド電極を同時に形成することができるため、生産性が向上する。
【００３９】
なお、本発明に係る半導体発光素子のパッド電極は、ｐ側パッド電極のみに適用されて、このときｎ側パッド電極は従来公知の構造（例えば、Ｃｒ／ＰｔやＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ、ＣｒＲｈ／Ｐｔ、ＣｒＲｈ／Ｐｔ／Ａｕ、ＣｒＲｈ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ、Ｒｈ／Ｗ／Ａｕ等）としてもよい。また、本発明に係る半導体発光素子のパッド電極は、前記実施形態（図１参照）に係る半導体発光素子に限らず、例えばｎ側電極を導電性基板の裏面（下面）側に設けた半導体発光素子に適用することもできる（図示せず）。
（実施例１〜２、比較例１〜４）
【００４０】
従来のＡｇ含有層を有する第一電極構造体は最表面をＰｔとしている。しかし、この構成では、低温下であっても第一電極構造体を覆う第二電極構造体に用いられるＡｌが、最表面のＰｔ、さらにはＡｇ含有層にまで拡散してしまうという問題があった。
【００４１】
そこで、Ａｇ含有層を有する第一電極構造体のＡｌ拡散防止効果を確認するために、以下の条件で作成した実施例１及び２、比較例１乃至４をそれぞれ準備し、これらのサンプルを熱処理した状態での拡散の様子を確認した。この結果を表１に示す。実施例１、２では第一電極構造体としてＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｕを順で積層し、また比較例１、３はＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔ、比較例２、４はＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｈとしている。各層の膜厚はそれぞれ１００ｎｍとした。またオーミックアニールは５４０℃で１０分間行った。
【００４２】
さらに実施例１、比較例２〜３のグループでは、第一電極構造体を、ＡＣ（Ａｌ，Ｃｕ）／Ｔｉ／Ａｕ／Ｗ／Ｔｉの順で積層しており、各層の膜厚は、１００／５００／１４００／１００／３［ｎｍ］としている。一方、実施例２、比較例４〜５のグループでは、ｐ側パッド電極６ｐ、ｎ側パッド電極６ｎとして、ＡＳＣ（Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｕ）／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの順で積層しており、各層の膜厚は５００／１５０／５０／４５０［ｎｍ］としている。さらにまた、熱処理は電気炉で行い、Ｎ2雰囲気下で２５０〜５００℃（昇温３０分〜安定１０分〜降温３０分）とした。
【００４３】
【表１】
0005978758.tif 000002
【００４４】
表１において、○は拡散が発生していないこと、×は拡散して混入が確認されたことを示している。この表に示すように、まず実施例１及び比較例１〜２に係る、第一電極構造体と第二電極構造体との組み合わせにおいては、Ｐｔ（比較例１）、Ｒｈ（比較例２）を最上層とした構成では共に５００℃でＡＣと拡散した。一方、Ｒｕ（実施例１）では拡散しないことが確認された。
【００４５】
また実施例２及び比較例３〜４に係る、第一電極構造体とｐ側及びｎ側パッド電極の組み合わせにおいては、比較例３に係るＰｔは３５０℃で、比較例４に係るＲｈは５００℃で、それぞれＡＳＣと拡散した。一方、実施例２に係るＲｕは拡散していないことが確認された。このことから、第一電極構造体の最上層をＰｔからＲｕに変更することで、Ａｌの拡散防止効果が向上されることが確認された。
（実施例３、比較例５）
【００４６】
次に、第一電極構造体のＡｌ拡散防止効果がＰｔとＲｕのいずれか優れているかを確認するため、第二電極構造体を熱処理してＧＤＳ調査を行った。ここでは実施例３として第一電極構造体にＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｒｕを使用し、比較例５として第一電極構造体にＡｇ／Ｎｉ／Ｔｉ／Ｐｔを用いた。各第一電極構造体は成膜後にオーミックアニール処理している。各層の膜厚は１００／１００／１００／１００［ｎｍ］としている。また第二電極構造体は、いずれもＡＣ／Ｒｕ／Ｔｉの順で積層し、各層の膜厚を２０００／１００／３０［ｎｍ］としている。また熱処理には電気炉を用いて、５００℃（昇温３０分〜安定１０分、３０分又は６０分〜降温３０分）に加熱した。この結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】
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【００４８】
この表に示すように、第一電極構造体で最上層に用いる金属をＰｔとＲｕとで比較したところ、実施例３に係るＲｕ構造の方が熱拡散に優位性があることが確認された。また得られた窒化物系化合物半導体のウェハを熱処理の前後で比較したところ、Ａｇで腐食された部分が黒色に変色しており、特に裏面側に比べ、熱処理した表面側の変色が激しいことが確認された。さらにＲｕを用いた電極は、変色の度合いが低いことも確認できた。このことから、第一電極構造体の最上層にＲｕを採用する構造の優位性が確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の半導体発光素子は、照明用光源、発光素子を光源としてドットマトリックス状に配置したディスプレイ、バックライト光源、信号機、照明式スイッチ、イメージスキャナ等の各種センサ及び各種インジケータ等に好適に利用できる。
【符号の説明】
【００５０】
１００…半導体発光素子
１…基板
２…ｎ型半導体層
３…活性領域
４…ｐ型半導体層
６ｐ…ｐ側パッド電極；６ｎ…ｎ側パッド電極
７ｎ…ｎ側電極；７ｐ…ｐ側電極
９…保護膜
１０…半導体層
２０…第一電極構造体
２２…最上層
２４…Ａｇ含有層
２６…Ａｇ拡散防止層
３０…第二電極構造体
３２…最下層
３４…Ａｌ拡散防止層
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１】
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