(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を有する磁石（６）と、及びこの磁石の前記第１の表面上に配置された磁束伝導デバイス（４）とを有するマイクロ機械用の磁気的センタリングデバイス（２）であって、
前記磁束伝導デバイスは、磁束を伝導するための中央盤（８）を含み、この中央盤は、１００以上の高い最大透磁率を有する磁性材料（Ｍ１）で作られており、そして環状の周領域（１０）を含み、この周領域（１０）は開回路でも閉回路でもよく、この周領域（１０）は、前記中央盤の周囲に配置され、この周領域（１０）は、前記第１の表面上に配置され、前記中央盤から０でない距離（Ｒ１０）を有する
ことを特徴にする磁気的センタリングデバイス。
【請求項２】
前記周領域は、前記中央盤に接していない
ことを特徴にする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記周領域と前記中央盤は、厚みが中央盤の厚みの１０分の１以下である一又は複数の棒体又は接続プレートによって接続されている
ことを特徴にする請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記周領域は、１００以上の高い最大透磁率を有する磁性材料（Ｍ２）で作られている
ことを特徴にする請求項１〜３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記周領域は、前記中央盤の材料と同じ材料で作られている
ことを特徴にする請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記磁石の材料は、ＳｍＣｏ又はＮｄＦｅＢである
ことを特徴にする請求項１〜５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記中央盤が前記周領域から離れている距離（Ｒ１０）は、前記周領域の外径の磁石の平均幅（Ｘ６）の０．４５〜０．２倍である
ことを特徴にする請求項１〜６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記周領域は、前記中央盤の周りに閉回路を形成する
ことを特徴にする請求項１〜７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記周領域は、環状である
ことを特徴にする請求項１〜８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記中央盤は円筒状である
ことを特徴にする請求項１〜９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記中央盤は切頭円錐状である
ことを特徴にする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記中央盤と前記周領域の間の最小距離は、０．２ｍｍ以上である
ことを特徴にする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記中央盤は、５〜３０μｍの直径、及び５〜５０μｍの厚みを有する円筒において刻みを入れられており、
また、前記周領域は、０．５〜２ｍｍの内径、及び５〜３０μｍの厚みを有する環状のクラウンにおいて刻みを入れられている
ことを特徴にする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記中央盤は、１０μｍ以下の直径を有する第１の表面、５０μｍ以下の直径を有する第２の表面、及び５０μｍ以下の高さを有する切頭円錐において刻みを入れられており、
前記第２の表面は、前記第１の表面よりも前記磁石の近くに配置されている
ことを特徴にする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記磁石は、０．５〜３ｍｍの直径及び０．２〜１ｍｍの厚みを有する
ことを特徴にする請求項１〜１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記磁束伝導デバイスは、前記磁石の表面（１８）又は非磁性支持体の内側表面（１４）上で堆積技術によって形成される
ことを特徴にする請求項１〜１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記中央盤の材料（Ｍ１）は、ニッケル又はコバルト、又はニッケル合金の又はコバルト合金で作られる
ことを特徴にする請求項１〜１６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記磁束伝導デバイスは、実質的に均一な材料層からのリソグラフィによって得られる
ことを特徴にする請求項１〜１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
非磁性支持体（１２）を有し、
前記磁束伝導デバイスは、前記磁石と非磁性支持体の間に配置される
ことを特徴にする請求項１〜１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記非磁性支持体（１２）は、前記磁束伝導デバイスを保護し、かつ、作用表面（１６）を有し、この作用表面（１６）によって可動メンバーを支えることができる
ことを特徴にする請求項１９に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記非磁性支持体（１２）の作用表面は、サファイア、ルビー石及びダイヤモンドからなる群から選択される材料で作られる
ことを特徴にする請求項１９または２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
請求項１９から２１のいずれか一項に記載の磁気センタリングデバイスを製造する方法であって、
前記非磁性支持体の表面に、レーザー機械加工によって窪みが形成され、
次に、前記中央盤を形成する材料の層が、窪みが形成された前記表面に、直流電気による堆積によって堆積され、
そして最後に、前記磁石の磁束伝達デバイスが、堆積された材料の機械的ないし化学的エッチングによって窪みの内部に形成されている
ことを特徴にする磁気センタリングデバイスを製造する方法。
【請求項２３】
前記非磁性支持体の厚みは０．０３〜０．６ｍｍである
ことを特徴にするの請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２４】
当該デバイスは、計時器用機構のピボットないし回転用の磁気的ベアリングとして構成される
ことを特徴にする請求項１〜２１のいずれか一項または請求項２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
請求項１〜２１のいずれか一項または請求項２３または請求項２４に記載の磁気的センタリングデバイスを有する腕時計用ムーブメント。
【請求項２６】
請求項１〜２１のいずれか一項または請求項２３または請求項２４に記載の磁気的センタリングデバイスまたは請求項２５に記載の腕時計用ムーブメントを有する腕時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型部品用の磁気的センタリングデバイスに関し、特に、回転可能に取り付けられる部品をセンタリングするための磁気的センタリングデバイスに関する。本発明の特定の応用分野の１つは、計時器用機構である。
【背景技術】
【０００２】
永久磁石や軟強磁性物質で作られた部品のような能動性の磁気的部品を計時器用機構に導入するには、相当な技術的な挑戦が必要である。これは、信頼できる手法でクロノメーター機能を達成するためには、非常に小さな寸法構成及び高い空間的精度が必要であるからである。
【０００３】
ほとんどの自然又は合成の磁性材料は、ｍｍ規模又はこれより少ない規模で、不均質である。これによって、この規模で磁場の局在化及び強度を制御することが困難になる。具体的には、例えば、ＳｍＣｏ、ＮｄＦｅＢマイクロ磁性材料のような、最も高い磁気エネルギー強度を有する永久マイクロ磁石は、通常、希土類系の化学元素の粉末から製造される。これらの粒子構造は、１〜１００μｍの寸法を有する。一般に、磁場の均質性は、粒子のスケールに近づくにしたがって減る。
【０００４】
例えば、国際特許出願ＷＯ２０１２／０６６２５２４及び国際特許出願ＷＯ２０１２／０６２５２３に記載されているような計時器用ムーブメント又は機構、あるいは測定又は制御機器のような他のマイクロ機械機構の要素を回転させるために磁気的部品を利用することは、有利である。なぜなら、低摩擦で大きな局所的な力を発生させることができるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、正確で信頼性が高い、μｍ規模又はそれより小さい規模の小さな大きさの部品用の磁気的センタリングデバイスを提供することを目的にする。
【０００６】
本発明の特定の目的の一つは、回転可能に取り付けられた部品用の磁気的センタリングデバイスを提供することである。
【０００７】
本発明の目的の一つは、計時器用部品用の磁気的センタリングデバイス及び磁気的センタリングデバイスを有する計時器用機構を提供することである。
【０００８】
回転するメンバーのために非常に低摩耗性のベアリングを備える磁気的センタリングデバイスを提供することは有利である。
【０００９】
高効率なベアリングを備える磁気的センタリングデバイスを提供することは有利である。
【００１０】
非常に小型で堅牢性の高い磁気的センタリングデバイスを提供することは有利である。
【００１１】
単純で経済的な手法で製造することができる磁気的センタリングデバイスを提供することは有利である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的は、請求項１に記載の磁気的センタリングデバイスによって達成される。従属請求項において、いくつかの本発明の有利な態様について記載している。
【００１３】
本発明の目的が、請求項２３に記載の腕時計用ムーブメントによって達成される。
【００１４】
本発明の目的が、請求項２４に記載の腕時計によって達成される。
【００１５】
本発明に従って能動性の磁気的部品に磁束局在化要素を装備させることによって、磁気的部品、特に磁気的な計時器用部品の使用を改善し、拡張することができる。
【００１６】
添付図面を参照して以下の実施形態の詳細な説明を読むことによって、本発明の他の有利な目的及び態様を想起することができるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明に係る磁気的センタリングデバイスの実施形態の図であり、図１ａは、このデバイスの断面図であり、図１ｂは、このデバイスの平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る磁気的センタリングデバイスの磁場を示す図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る磁気的センタリングデバイスの磁束局在化部品の存在下及び不存在下における磁場の振幅を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図面、特に、図１ａ及び１ｂを参照する。本発明の一実施形態に係る磁気的センタリングデバイス２は、磁石６、非磁性支持体１２、及びこれら磁石６と非磁性支持体１２の間に配置された磁束伝導デバイス４を有する。磁石６は、ＳｍＣｏ、ＮｄＦｅＢのような高い磁気エネルギー密度を発生させる物質で作ることができる。これらは、希土類系の化学元素の粉末から既知の方法によって製造される。本発明の範囲内において、別の実施形態において、非磁性支持体を省くこともできる。
【００１９】
本発明によって想起される応用用途において、磁石の厚みＺ６は、１ｍｍのオーダー又はそれよりも小さく、例えば、０．２〜０．７ｍｍである。非常に大きな磁力を必要にする応用用途においては、磁石の高さＺ６は、数ｍｍのオーダーであることもでき、例えば、１〜５ｍｍである。本発明によって想起される応用用途においては、磁石の平均幅Ｘ６（もし円筒状の磁石である場合、その直径）は、１ｍｍのオーダーであり、典型的には、５ｍｍ未満であり、多くの応用用途においては、１ｍｍのオーダー又はそれより少ない。好ましい一実施形態によると、磁石６は、図１ｂに示すように、円形、多角形、正方形、長方形又は他の不規則的な形状である断面を有する柱状形を有する。
【００２０】
ほとんどの応用用途においては、磁石の断面は、好ましくは、円形である。
【００２１】
非磁性支持体１２は、非磁性材料で作られている。この材料の選択は、磁気的センタリングデバイス２のために考えられた応用用途等に依存する。非磁性支持体１２は、磁束伝導デバイス４を保護し、作用面１６を有し、この作用面１６でメンバー（図示せず）を支えることができる。
【００２２】
本発明の一実施形態に係る磁気的センタリングデバイスの主要な応用用途の１つには、回転ないしピボットを行う可動部品用の軸ベアリングが含まれる。この軸ベアリングは、回転する可動なメンバーを、磁束伝導デバイス４によって定められる軸Ａ上にセンタリングする機能も有する。本発明に係る磁気的センタリングデバイスは、回転しない部品、具体的には、静的な部品、のセンタリング又はポジショニング用にも用いることができる。このような場合、本発明に係る磁気的センタリングデバイスを使用して、例えば、可動部品のための基準点を定めることも想起することができる。
【００２３】
例えば、回転メンバー用の軸ベアリングとして、非磁性支持体１２が可動支持メンバー（図示せず）用の作用面１６を有するような応用用途においては、その材料は、良好な機械的性質、特に、良好な摩擦特性に加えて高い変形限界及び破壊限界を有する材料から選択される。これらの基準を満たす材料の例は、サファイア、ルビー、ダイヤモンドの石のような結晶性の石である。可動な計時器用部品については、非磁性支持体１２の材料としてルビー石を用いることが好ましい。
【００２４】
好ましい一実施形態において、非磁性支持体は、均質な材料で作られる。これは、例えば、サファイアディスク、ルビー石のような材料からなる非磁性支持体である。しかし、本発明の範囲内で、非磁性支持体は、異なる材料のいくつかの層で作られた非磁性構造によって形成することもできる。例えば、一変形実施形態において、非磁性支持体１２は、支持構成体用の主要材料として第１の材料と、高い硬度及び／又は作用面１６を有する外側層を形成する良好な摩擦特性を有する第２の材料とを含む。例えば、第１の層は、磁束伝導デバイス４上に既知の堆積技術を使用して堆積によって形成された材料で作り、そして、第２の層を別の材料で作ることができる。この第２の層は、例えば、ダイヤモンド層であり、これも、プラズマ蒸着又はＣＶＤ（化学蒸着）のような堆積技術によって形成することができる。
【００２５】
非磁性支持体は、単一の部品の形態であってもよく、例えば、ルビー石又は他の切られた石、あるいはセラミックス材料で作られた部品である。
【００２６】
非磁性支持体の軸方向の厚みＺ１２は、好ましくは、１ｍｍのオーダー又はそれよりも小さく、さらに好ましくは、０．５ｍｍよりも小さい。ほとんどの応用用途においては、厚みＺ１２は、デバイスを作るのに使用される製造技術の限界に加えて、非磁性支持体にかかる応力及びその構成材料の抵抗を考慮に入れて、できるだけ低くする。これによって、可能な限り最も高い磁場強度に対して磁束伝導デバイス４から可能な限り最も小さい軸方向の距離が離れた作用面１６を得ることができる。
【００２７】
作用面１６は、平面ないし実質的に平面である。しかし、変形実施形態においては、作用面は、平面でない形状であってもよい。例えば、凸型の形状や凹型の形状であり、これらの形状は、本発明に係る磁気的センタリングデバイスに対して想起される応用用途などに依存する。
【００２８】
凸型の形状は、例えば、磁気的センタリングデバイスがピボットピンの端に配置された場合や作用面に支えられるメンバー（図示せず）が平面又は凹状の表面に有する場合に、有用であることがある。これによって、メンバーと作用面の間に接点を形成することができる。
【００２９】
一実施形態において、非磁性支持体の幅は、磁石の幅Ｘ６と同一ないし実質的に同一にする。しかし、変形実施形態においては、非磁性支持体１２が、磁石の幅及び／又は断面とは異なる幅及び／又は断面を有する。例えば、一変形実施形態において、非磁性支持体は、他の機能を有するより大きな支持要素の完全体又は完全体の一部を形成することができる。
【００３０】
磁束伝導デバイス４は、磁性材料Ｍ１で作られた磁束伝導用中央盤８及び材料Ｍ２で作られた周領域１０を有する。材料Ｍ２は、変形実施形態に応じて、中央盤の材料Ｍ１と同じであってもよく、あるいは中央盤の材料とは異なる材料で作られていてもよい。
【００３１】
周領域１０は、中央盤の周りに配置され、距離Ｒ１０の分、中央盤から離れている。好ましい一実施形態において、周領域は中央盤に接していない。一変形実施形態において、周領域と中央盤は、異なる形状の一又は複数の棒体、スポーク又はブリッジによって接続される。周領域と中央盤は、厚みが中央盤の厚みの１０分の１以下であるような棒体又は接続プレートによって接続するようにすることができる。距離Ｒ１０は、磁石の幅Ｘ６の半分のオーダーであって周領域を形成する材料の半径方向の厚みＸｐより小さく、中央盤８の半径（Ｘ８／２）よりも小さくすることができる。一実施形態において、周領域は、磁石６の外周部２０又は非磁性支持体１２の円周２２の近傍にある。中央盤が周領域から離れている距離Ｒ８は、好ましい実施形態において、平均磁石幅Ｘ６の０．４５〜０．２倍の範囲内にある。磁石が約１ｍｍの幅を有する場合、周領域が中央盤から離れている距離は、好ましくは、０．４５〜０．２ｍｍである。
【００３２】
好ましい一実施形態において、周領域１０は、中央盤の周りに、好ましくは、円形の閉回路を形成する、しかし、周領域は、三角形、正多角形、又は正方形の形を有していてもよく、中央盤は、製造上の許容範囲内で、周領域１０の中央に配置されることが好ましい。変形実施形態（図示せず）において、周領域１０は、中央盤を包囲する閉じていない回路によって形成されていてもよく、磁束伝導用中央盤８の周りに分布するような材料Ｍ２の複数の点、円弧、又は区分を有することができる。
【００３３】
好ましい一実施形態において、周領域１０の材料Ｍ２は、好ましいことに、特に、高い透磁率を有する磁束伝導材料である。この実施形態において、材料Ｍ２は、好ましいことに、磁束伝導用中央盤８に対して用いられる磁束伝導材料と同じにすることができる。しかし、一変形実施形態において、材料Ｍ２は、低い透磁率を有する材料、特に、非磁性材料にすることができ、この場合、周領域は、磁石６の１つの表面及び支持性表面１２の内側表面１４との間で軸方向の距離Ｚ１０を定める支持機能及び／又はスペーサー機能を有する。
【００３４】
好ましい一実施形態において、磁束伝導デバイス４は、磁石の表面１８、又は非磁性支持体の内表面１４上に堆積技術によって形成される。既知の様々な最先端の堆積技術を用いることができ、したがって、これを詳細には説明しない。本発明の一実施形態において有利に用いることができる既知の方法の１つは、中央盤を形成する材料Ｍ１の層を堆積し（ここで、もし周辺領域を形成する材料が中央盤を形成する材料とは異なる場合、周領域を形成する材料Ｍ２とは異なる材料で中央盤が作られ）、その堆積の後に、中央盤８及び中央盤８が周領域１０から離れる空間Ｒ８を形成するリソグラフィ工程が続く。一変形実施形態によって、この中央盤及び周領域を製造する方法は、中央盤及び周領域を形成する材料の層をレーザー加工することを伴うことができる。一変形実施形態によると、非磁性支持体１２は、中央に窪みをもたすことができ、例えば、サファイア石又はセラミックスの部品のような硬質材をレーザー加工して形成される窪みである。中央盤の磁性材が、例えば、直流電気による堆積によって、窪みに堆積される。この後に、可能性としては、中央盤及び周領域の最終形状を形成する機械的又は化学的な付着工程を伴うことができる。周領域のためにも窪みを形成することによって、周領域を形成するために同じ方法を用いることもできる。支持体に形成される窪みは、中央盤、周領域、中央部分と周領域の間の空間を機械加工、化学的エッチング又はレーザー技術によって除去することによって形成することもできる。好ましい一実施形態において、非磁性支持体１２の窪みは、この窪みの底に向かって、可能な限り最も小さい直径を有する切頭円錐に刻みを付けることによって形成することもできる。
【００３５】
周領域が中央盤から離れている空間を、気体、あるいは好ましい一変形実施形態においては、非磁性固体材料によって、充填することができ、この非磁性固体材料は、例えば、値１に近いような、低い透磁率を有する材料である。
【００３６】
中央盤８の材料Ｍ１は、周領域１０が同じ材料で作られている場合には周領域１０の材料でもあり、この材料Ｍ１は、ニッケル又はコバルト、又はニッケル又はコバルトの合金によって作ることができる。一実施形態において、材料Ｍ１及び／又は材料Ｍ２は、全体がニッケルで作られる。別の変形実施形態において、これらの要素全体が、リンの比率が１１％以下であるようなニッケル−リンで作られる。更なる別の変形実施形態によって、磁束伝導要素全体がコバルトで作られる。別の変形実施形態によって、磁束伝導要素全体が、保磁場ｃが５ｋＡ／ｍ未満で最大透磁率μRが１００以上であるというように特徴を定めることができる軟磁性材料で作られる。
【００３７】
図２は、図１の磁気的センタリングデバイスに起因する磁場線を示す。これらの磁場線は、中央盤８の領域において局在化しており、実際のスケールでは見ることは困難になっている。この例の中央盤８は、１０μｍの直径、１０μｍの厚みを有する。周領域１０は、１ｍｍの外径、０．８ｍｍの内径及び１０μｍの厚みを有する環状のクラウン形を有する。中央盤と周領域は、ニッケルで作られている。磁束伝導デバイス４は、１ｍｍの直径及び０．０５ｍｍの厚みを有するＮｄＦｅＢで作られた永久磁石と、同じ直径及び０．５ｍｍの厚みを有するルビー石との間に挿入される。
【００３８】
永久磁石の残留場は、１Ｔであり、その磁化は、不均質であって磁石の中央に対して０．２ｍｍずれている。図３に、ルビー石の外側表面上の磁場を示す。図３において、磁場振幅は、磁束伝導要素Ｂが存在する場合と存在しない場合について、軸ｙ＝０、ｚ＝０．３１ｍｍに沿った断面におけるｘ軸に沿った方向において測定されている。最大磁場は、中央のニッケル盤に対応し、これは、磁石を出る磁束のコンダクター及びローカライザーの役割を果たす。伝導要素が存在しない場合において、この石上の最大磁場は、約０．２ｍｍシフトする、これは、永久磁石の偏心的な磁化のためである。
【００３９】
好ましい一実施形態によると、磁束伝導要素は、１０μｍ以下の直径及び７μｍ以下の厚みを有する円形の中央盤を有する。
【００４０】
好ましい一実施形態によると、磁束伝導要素は、中央盤を有し、１０μｍ以下の直径を有する第１の面と、及び５０μｍ以下の直径を有する第２の面、及び５０μｍ以下の高さを有する切頭円錐において刻みを入れられるような中央盤を有する。これによって、最も大きい表面は磁石６に近い表面である。
【００４１】
好ましい一実施形態によると、中央盤と周領域の間の最小距離は、０．２ｍｍ以上である。
【００４２】
好ましい一実施形態によると、周領域は環状のクラウン形状を有する。
【００４３】
好ましい一実施形態によると、周領域は、中央盤から完全に分離される。
【００４４】
第２の実施形態によると、周領域と中央盤の間に非磁性の接続要素が存在する。
【００４５】
一実施形態によると、周領域と中央盤は、同じ材料で作られており、かつ、中央盤の厚みの１０分の１以下の厚みを有する棒体又は接続プレートによって接続される。
【００４６】
好ましくは、磁石は、希土類永久磁石である。
【００４７】
好ましい一実施形態によると、材料Ｍ１と材料Ｍ２は同じである。
【００４８】
好ましい一実施形態によると、磁束伝導要素全体は、ニッケルで作られている。
【００４９】
一変形実施形態によると、磁束伝導デバイス全体は、リン含有率が１１％以下であるニッケル−リンで作られている。
【００５０】
一変形実施形態によって、磁束伝導デバイス全体は、コバルトで作られている。
【００５１】
一変形実施形態によると、磁束伝導デバイス全体は、５ｋＡ／ｍ未満の保磁場ｃ及び１００以下の最大透磁率μRであることで特徴を定めることができる軟磁性材で作られている。
【００５２】
別の実施形態によると、材料Ｍ１は磁性材であり、材料Ｍ２は非磁性材である。
【００５３】
別の実施形態によると、非磁性支持体が省かれる。
【００５４】
好ましい製造方法に従うと、磁束伝導デバイスは、磁石の表面上に堆積することによって作られる。
【００５５】
別の好ましい製造方法によると、磁束伝導デバイスは、非磁性支持体の表面に堆積することによって作られる。
【００５６】
好ましい一製造方法によると、磁束伝導デバイスは、均質な材料層からリソグラフィを行うことによって得られる。
【００５７】
好ましい製造方法によると、非磁性支持体の表面はレーザー加工によって窪みを設けられ、次に、その窪んだ表面に直流電気によって堆積することによって材料Ｍ１が均一に堆積され、最後に、その窪みの内部に堆積した材料Ｍ１の機械的ないし化学的エッチングを行うによって磁束伝導デバイスが形成される。好ましい製造方法によると、磁性支持体における窪みは、可能な限り最も小さな直径を有する切頭円錐に対して窪みの底に向かってできるだけ刻みを入れることを伴うことができる。
【００５８】
計時器の応用用途において、本発明に従う磁気的センタリングデバイスを、以下において有利に使用することができる。
−機械的な腕時計用ムーブメント、特に、ばね仕掛けバランス及びエスケープ用
−歯車列、エスケープ又はバランスの部品のような様々な可動な部品用の磁気的ピボット
−クロノグラフ（発振器、可動部品及び反フラッター）
−日付機構（準瞬間的及び瞬間的なもの）
−打撃機構（ハンマーゴング、ピン樽、レギュレーター）
−音叉腕時計（特に、クリフォード磁気的エスケープを有するもの）
【００５９】
本発明は、測定又は制御機器及び小型のジャイロスコープのような回転するマイクロ機械部品を含む他の機器においても使用することができる。
【００６０】
数ある効果の中で、本発明に係る磁気的センタリングデバイスは、以下の効果を有する。
−１０μｍ未満の精度を備えた計時器の大きさの磁気的部品を出る磁束の局在化を確実にする。
−磁気エネルギー密度、磁気残留磁気及び部品の他の磁気的特性にかかわらず、すべての能動性の磁気的部品（永久磁石、軟強磁性体、反強磁性部品など）に装備されることができる。
−磁気的ピボットのような腕時計製造業産業で既に開発されている高度な部品に直接装備することができる。
−非常に高温の範囲内で（選択される材料に応じて−２００℃〜＋１５０℃よりも広い範囲内）、様々な気候条件にかかわらず、その磁束局在化機能を確実にする。
−その強度にかかわらず磁束局在化を確実にする。
−衝撃に対して堅牢性を有する。
【符号の説明】
【００６１】
２  磁気的センタリングデバイス
４  磁束伝導デバイス
６  磁石
８  磁束伝導用中央盤
Ｍ１  磁性材料
１０  周領域
Ｍ２  材料
２２  側面の周囲
１２  非磁性支持体
１４  内側表面
１６  外側表面（作用面）
１８  内側表面
２０  側面の周囲
【図１】
0005970528.tif 000002
【図３】
0005970528.tif 000003
【図２】
0005970528.tif 000004