(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室と、
圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、
前記圧電体層は、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、酸素サイトに窒素を含み、当該窒素により置換分も含めた酸素の欠損量をδとした場合、酸素サイトの酸素原子（Ｏ）と窒素原子（Ｎ）とのモル比が、Ｏ：Ｎ＝３−δ：２δ／３であることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記複合酸化物は、ペロブスカイト型構造の酸素サイトに空孔を有することを特徴とする請求項１に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記複合酸化物は、ペロブスカイト型構造のＡサイトの鉛が欠損した空孔を有することを特徴とする請求項１または２に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記窒素が、モル比で、０．０００１以上０．００１以下含まれていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記鉛の一部がＢサイトに含まれていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項６】
前記複合酸化物は、Ｂサイトは、ＺｒとＴｉとＰｂの全量１モルに対して、０．０１〜０．１５モルのＰｂが含有されていることを特徴とする請求項５に記載する液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載する液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項８】
圧電体層と前記圧電体層に設けられた電極とを備え、
前記圧電体層は、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、酸素サイトに窒素を含み、当該窒素により置換分も含めた酸素の欠損量をδとした場合、酸素サイトの酸素原子（Ｏ）と窒素原子（Ｎ）とのモル比が、Ｏ：Ｎ＝３−δ：２δ／３であることを特徴とする圧電素子。
【請求項９】
請求項８に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波センサー。
【請求項１０】
請求項８に記載の圧電素子を具備することを特徴とする赤外線センサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口に連通する圧力発生室に圧力変化を生じさせ、圧電体層と圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子を具備する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドに用いられる圧電アクチュエーターとしては、電気的機械変換機能を呈する圧電材料、例えば、結晶化した誘電材料からなる圧電体層を、２つの電極で挟んで構成された圧電素子を用いているものがある。液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴として吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。
【０００３】
このような圧電素子を構成する圧電体層（圧電セラミックス）として用いられる圧電材料には高い圧電特性が求められており、代表例として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）が挙げられる（特許文献１参照）。チタン酸ジルコン酸鉛は、高い絶縁性を有し、例えば代表的な駆動電圧である２５Ｖ程度の印加では、リーク電流の問題は生じない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２３４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば６０Ｖ程度の高い電圧を印加すると、絶縁破壊が生じる場合があるという問題がある。したがって、より高い絶縁性が求められている。
【０００６】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドだけではなく、勿論、インク以外の液滴を吐出する他の液体噴射ヘッドにおいても同様に存在し、また、液体噴射ヘッド以外に用いられる圧電素子においても同様に存在する。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、リーク電流が抑制され高い絶縁性を有して絶縁破壊が防止される液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室と、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備えた圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、酸素サイトに窒素を含むことを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、リーク電流が抑制されて高絶縁性となり、絶縁破壊が防止された圧電素子となって、耐久性に優れたものとすることができる。
【０００９】
ここで、前記複合酸化物は、ペロブスカイト型構造の酸素サイトに空孔を有することが好ましい。これによれば、酸素サイトの欠損に由来するリーク電流が抑制できる。
【００１０】
また、前記複合酸化物は、ペロブスカイト型構造のＡサイトの鉛が欠損した空孔を有していてもよい。
【００１１】
前記窒素が、モル比で、０．０００１以上０．００１以下含まれていることが好ましい。
【００１２】
前記鉛の一部がＢサイトに含まれていてもよく、この場合、前記複合酸化物は、Ｂサイトは、ジルコニウムとチタンと鉛の全量１モルに対して、０．０１〜０．１５モルの鉛が含有されていることが好ましい。
【００１３】
本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。かかる態様では、リーク電流が抑制されて高絶縁性となり、絶縁破壊が防止された圧電素子を具備し、耐久性に優れた液体噴射装置を実現することができる。
【００１４】
本発明の他の態様は、圧電体層と該圧電体層に設けられた電極とを備え、前記圧電体層は、鉛、ジルコニウム及びチタンを含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、酸素サイトに窒素を含むことを特徴とする圧電素子にある。かかる態様では、リーク電流が抑制されて高絶縁性となり、絶縁破壊が防止された圧電素子となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの断面図である。
【図４】ＰＺＴ完全結晶の電子状態密度を示す図である。
【図５】ＰＺＴに酸素サイト中で４％の酸素欠損が生じた際の電子状態密度を示す図である。
【図６】ＰＺＴのＰｂがＡサイト中で１２．５％欠陥した際の電子状態密度を示す図である。
【図７】ＰＺＴのＢサイトのＴｉ及びＺｒをＰｂが１２．５％置換した際の電子状態密度を示す図である。
【図８】複合酸化物の結晶中におけるホッピング伝導を説明する模式図である。
【図９】本発明の複合酸化物の結晶中におけるホッピング伝導を説明する模式図である。
【図１０】ＰＺＴの酸素サイトのＯを、Ｎが４％置換した際の電子状態密度を示す図である。
【図１１】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１２】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る記録装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの概略構成を示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図である。図１〜図３に示すように、本実施形態の流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなり、その一方の面には二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１７】
流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板のマニホールド部３１と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールドの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。なお、本実施形態では、流路の幅を片側から絞ることでインク供給路１４を形成したが、流路の幅を両側から絞ることでインク供給路を形成してもよい。また、流路の幅を絞るのではなく、厚さ方向から絞ることでインク供給路を形成してもよい。本実施形態では、流路形成基板１０には、圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５からなる液体流路が設けられていることになる。
【００１８】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラスセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
【００１９】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、例えば厚さ３０〜５０ｎｍ程度の酸化チタン等からなり、弾性膜５０等の第１電極６０の下地との密着性を向上させるための密着層５６が設けられている。なお、弾性膜５０上に、必要に応じて酸化ジルコニウム等からなる絶縁体膜が設けられていてもよい。
【００２０】
さらに、この密着層５６上には、第１電極６０と、厚さが２μｍ以下、好ましくは０．２〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、第２電極８０とが、積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を圧電素子３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせてアクチュエーター装置と称する。なお、上述した例では、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び必要に応じて設ける絶縁体膜が振動板として作用するが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、弾性膜５０や密着層５６を設けなくてもよい。また、圧電素子３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。
【００２１】
以下では、遷移金属を含む複合酸化物のペロブスカイト型構造をＡＢＯ３で記す。ここで、Ａサイト、Ｂサイトとは、それぞれ、順に、酸素が１２配位、６配位しているサイトを指す。
【００２２】
本実施形態においては、圧電体層７０は、鉛（Ｐｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなり、酸素サイトに空孔を有し、且つ、酸素サイトに窒素を含む。これにより、後述するように、リーク電流が抑制され、絶縁性に優れ、高い電圧を印加しても絶縁破壊が防止されたものとすることができる。
【００２３】
本実施形態にかかる複合酸化物としては、ペロブスカイト型構造のＡサイトに鉛を含み、Ｂサイトにジルコニウム及びチタンを含むものが挙げられるが、Ａサイトの鉛やＢサイトのジルコニウム及びチタンと置換して他の元素を含むものでもよい。例えば、Ａサイトの置換元素としてはランタン、バリウム、ストロンチウム、カルシウムなどが挙げられ、Ｂサイトの置換元素としては、鉛、ニオブを挙げることができる。
【００２４】
チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）（以下「ＰＺＴ」とも記載する）等に含まれるＰｂは、製造工程、特にそのなかでも圧電体層の焼成工程において揮発しやすく、Ａサイトの結晶欠陥を生じやすいという問題がある。失われたＰｂは製造チャンバーの雰囲気中および下部電極側に拡散してしまう。Ｐｂが抜けると同時に、電子数のバランスを保つために酸素が欠損する。この酸素欠損、主として電極との界面付近における酸素欠陥の存在自体が、クーロンポテンシャルを介して遷移金属のｄ電子の軌道エネルギーを下げて圧電素子のバンドギャップを狭めて、結果としてリーク電流を生じさせる直接の原因になる。
【００２５】
これらの問題点を、第一原理電子状態計算を用いてさらに検討した結果、以下の知見を得た。
【００２６】
図４〜図７は、第一原理電子状態計算を用いて求めた各結晶の電子状態密度を示す図であり、横軸は電子のエネルギー差（ｅＶ）を示し、縦軸は電子の状態密度（ＤＯＳ：Density of states）を示す。第一原理電子状態計算の条件としては、一般化された密度勾配近似（Generalized Gradient Approximation, GGA）の範囲での密度汎関数法に基づく、超ソフト擬ポテンシャル法（Ultra soft pseudopotential)を用いた。Ｂサイトの遷移金属原子に対しては、ｄ電子軌道の局在性からくる強相関効果（strong correlation effect）を取り入れるために、ＧＧＡ＋Ｕ法（ＧＧＡ  plus  U  method)を適用した。波動関数（Wave function）のカットオフ及び電子密度（Charge density）のカットオフは、それぞれ２０ハートリー、３６０ハートリーである。計算で用いた結晶のスーパーセルは、ＡＢＯ３型ペロブスカイト型構造を２×２×２＝８個用いて構成した。また、逆格子点（ｋ点）のメッシュは（４×４×４）である。なお、原子位置は最適化されている。
【００２７】
図４は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３）の完全結晶の電子状態密度を示す図であり、図５は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３）の酸素サイトに４％の酸素欠損が生じた場合の電子状態密度、図６は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３）のＡサイトのＰｂが１２．５％欠陥した際の電子状態密度を示す図であり、図７は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３）のＢサイトにＰｂが１２．５％含まれた際の電子状態密度である。
【００２８】
図４に示すように、Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３完全結晶の場合、すなわち各サイトに空孔が無く、Ｐｂ、ＺｒやＴｉの他の元素による置換もない場合は、最高電子占有準位（Ｅｆ）が価電子帯のトップにあり、バンドギャップが開き絶縁性となっていた。図４では、バンドギャップに対してエネルギーが低い側の状態が価電子帯、高い側の状態が伝導帯である。なお、最高電子占有準位とは、電子状態シミュレーションで得られた一電子エネルギーにおいて、電子が占有している最高軌道エネルギーレベルを示す。各電子状態密度のグラフでは、横軸の０点を最高電子占有準位（Ｅｆ）にとる。
【００２９】
また、図５に示すように、Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３の酸素サイトに４％の欠損が生じると、エネルギー０ｅＶよりもマイナス側に占有された状態密度が現れる。すなわち、最高電子占有準位が伝導帯のエネルギー領域に入り込む。従って系は絶縁性ではなくなり、電子キャリアが生じてｎ型となっていることがわかった。このとき占有された状態密度の面積を求めることで、酸素サイトの欠損は２個分の電子キャリアを与えることがわかる。
【００３０】
図６に示すように、Ｐｂ（Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５）Ｏ３において、Ａサイトの鉛（Ｐｂ）の一部を欠損させて欠陥を生じさせると、エネルギー０ｅＶよりもプラス側に空（から）の状態密度が現れる。すなわち、最高電子占有準位が価電子帯のエネルギー領域に入り込む。従って系は絶縁性ではなくなり、ホールキャリアが生じて、電気伝導タイプとしてはｐ型となっていることがわかった。このとき空（から）の状態密度の面積を求めることで、ＡサイトのＰｂの欠損は２個分のホールキャリアを与えることがわかる。
【００３１】
なお、図７に示すように、Ｂサイトに鉛（Ｐｂ）が含まれても、バンドギャップが保たれるため絶縁性を損なうことがないことも確認された。
【００３２】
従って図５〜７で見るように、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３中にはｎ型欠陥とｐ型欠陥が共存している。例えば半導体の場合には、伝導帯および価電子帯のキャリアの電子状態が自由電子的であるために、ｐ型欠陥からくるホールキャリアとｎ型欠陥からくる電子キャリアは空間的に広がっており、互いに打ち消しあうことができる。一方、本発明の対象となる遷移金属酸化物の場合、伝導帯および価電子帯のキャリアは局在的であり、モビリティが小さい。そのためホールキャリアと電子キャリアの打ち消しあいは完全ではない。そのため遷移金属酸化物では、互いに打ち消しあうことのできなかったキャリアがホッピング伝導として系の電気伝導に寄与する。図８は、ｐ型欠陥とｎ型欠陥とが存在する遷移金属化合物におけるホッピング伝導の状態を模式的に示したものである。このように、遷移金属化合物では、ｐ型欠陥、ｎ型欠陥のそれぞれにおいて、それぞれホールキャリアおよび電子キャリアの移動が生じるホッピング伝導のチャンネルが形成されている。これがＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３で絶縁性を低下させている原因であると推測される。
【００３３】
これに対して、酸素サイトへ窒素をドープすることにより、ｎ型欠陥に基づくリークが防止できることを知見した。本発明は、このような知見に基づくものであり、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３などの遷移金属化合物である複合酸化物に、酸素サイトに窒素をドープし、ｎ型欠陥によるリーク電流を防止し、絶縁性を向上させたものである。このような酸素サイトへの窒素のドープによると、ＡサイトやＢサイトへのドープと比較して複合酸化物の圧電特性を大きく変えることがないという利点を有する。
【００３４】
このように酸素サイトに窒素をドープした本発明の遷移金属化合物におけるホッピング伝導の模式図を図９に示す。この図に示すように、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３などの遷移金属化合物である複合酸化物の酸素サイトに窒素をドープすると、窒素ドープによりｎ型欠陥が打ち消される。そのため、ｎ型欠陥の間をホッピングして生じるリーク電流も大きく低減することができる。
【００３５】
すなわち、本発明は、具体的には、例えば、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３の酸素サイトに窒素をドープしたものであり、ドープされた窒素は、ｐ型ドナーとなり、ｎ型欠陥を打ち消す。
【００３６】
図１０は、酸素サイトの４％の酸素（Ｏ）を窒素（Ｎ）で置換した結晶について、第一原理電子状態計算を用いて求めた電子状態密度を示す図である。なお、第一原理電子状態計算の条件は、上述したものと同様である。
【００３７】
図１０に示すように、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３の酸素の一部を強制的に窒素で置換すると、価電子帯の最上部にＥｆが位置する。すなわち価電子帯にホールが現れる。すなわち酸素サイトの一部を置換した窒素（Ｎ）元素は、ｐ型ドナーとして働くことがわかる。電子状態密度をこのホールの部分に関して積分すると、酸素原子の窒素原子による置換はホール１つ分の寄与に対応することがわかる。
【００３８】
図５で示したようにＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３において酸素が１つ欠損すれば、２個の電子キャリアが系に与えられる。この電子キャリアをキャンセルするためには、２個のホールキャリアが必要である。図１０に基づけば、このキャンセルを実現するために、他の酸素原子２つを窒素原子２つに置換すればよい。すなわち、窒素による置換分も含めた全体としての酸素の欠損量をδとすれば、窒素は２δ／３となる。このときペロブスカイト型構造の酸素サイトにおいて、酸素にも窒素にも占められていない、まったくの空いたサイトはδ／３である。この状況に関する組成を化学式で書けば、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３−δＮ２δ／３となる。従って酸素サイトの酸素原子（Ｏ）と窒素原子（Ｎ）が、モル比で、Ｏ：Ｎ＝３−δ：２δ／３となる。
【００３９】
一般にＢサイトに一部のＰｂが位置する場合がある。この場合は図７で示したように、系に電子キャリアもホールキャリアも生じない。そのためＢサイトに一部のＰｂが位置する場合は、窒素原子量に制限を与えない。
【００４０】
また、一般にＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３はＡサイトのＰｂが欠損する場合がある。この場合は図６で示したように、ＡサイトのＰｂ欠陥はｐ型の欠陥であり、ホールキャリア２個分を系に供給する。従ってＡサイトのＰｂに欠損がある場合には、窒素原子で酸素原子を置換した酸素サイトが供給するホールキャリア数と、ＡサイトのＰｂ欠陥が供給するホールキャリア数の和が、化学量論組成から失われた酸素原子に由来する電子キャリア数をキャンセルしたとき、絶縁性が最も高くなる。そして、本実施形態では、窒素が、モル比で、０．０００１以上０．００１以下を満たす割合で、圧電体層７０を構成する複合酸化物に含有されている。
【００４１】
また、本発明において、複合酸化物は、Ａサイトに、大きなイオン半径を有するランタンを含んでいてもよい。ランタンを含むことでペロブスカイト型構造以外の異相の出現を押さえることができる。さらにランタンは鉛の場合に比べて、最近接の酸素との共有結合性がかなり弱いため、印加電界による分極モーメントの回転に対して、ポテンシャル障壁が下がる。この分極モーメントの回転を容易に起こしやすい状況が圧電特性を高める。
【００４２】
また、複合酸化物は、Ｂサイトにも鉛（Ｐｂ）を含んでいることが好ましい。Ｂサイトに鉛を含むことにより、耐久性が向上するためである。例えば、ＢサイトのＺｒとＴｉとＰｂの全量１モルに対して、０．０１〜０．１５モルのＰｂが含有されていることが好ましい。なお、上述したように、Ｂサイトに鉛が含まれていても絶縁性を損なうことはない。
【００４３】
かかる本実施形態の圧電体層７０は、単斜晶系の結晶構造を有するものである。すなわち、ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物からなる圧電体層７０は、モノクリニックな対称性を有するものである。このような圧電体層７０は、高い圧電特性を得ることができる。その理由としては、面に垂直方向にかかる印加電界に対して、圧電体層の分極モーメントが容易に回転しやすい構造となっていることが考えられる。圧電体層においては、分極モーメントの変化量と結晶構造の変形量が直接結合しており、これがまさに圧電性となる。以上より、分極モーメントの変化が起きやすい構造においては、高い圧電性を得ることができる。
【００４４】
また、圧電体層７０は、分極方向が膜面垂直方向（圧電体層７０の厚さ方向）に対して所定角度（５０度〜６０度）傾いているエンジニアード・ドメイン配置であることが好ましい。圧電体層７０の結晶配向方向としては、前記エンジニアード・ドメインの分極方向の条件をみたすのであれば、（１００）配向、（１１１）配向、（１１０）配向のいずれか、あるいはそれらの入り混じった構造であってもよい。
【００４５】
このような圧電素子３００の個別電極である各第２電極８０には、インク供給路１４側の端部近傍から引き出され、弾性膜５０上や必要に応じて設ける絶縁体膜上にまで延設される、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続されている。
【００４６】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上、すなわち、第１電極６０、弾性膜５０や必要に応じて設ける絶縁体膜及びリード電極９０上には、マニホールド１００の少なくとも一部を構成するマニホールド部３１を有する保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このマニホールド部３１は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるマニホールド１００を構成している。また、流路形成基板１０の連通部１３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、マニホールド部３１のみをマニホールドとしてもよい。さらに、例えば、流路形成基板１０に圧力発生室１２のみを設け、流路形成基板１０と保護基板３０との間に介在する部材（例えば、弾性膜５０、必要に応じて設ける絶縁体膜等）にマニホールド１００と各圧力発生室１２とを連通するインク供給路１４を設けるようにしてもよい。
【００４７】
また、保護基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。圧電素子保持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。
【００４８】
このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００４９】
また、保護基板３０には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出されたリード電極９０の端部近傍は、貫通孔３３内に露出するように設けられている。
【００５０】
また、保護基板３０上には、並設された圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が固定されている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とは、ボンディングワイヤー等の導電性ワイヤーからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００５１】
また、このような保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料からなり、この封止膜４１によってマニホールド部３１の一方面が封止されている。また、固定板４２は、比較的硬質の材料で形成されている。この固定板４２のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００５２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部のインク供給手段と接続したインク導入口からインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの第１電極６０と第２電極８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００５３】
次に、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法の一例について、図１１〜図１５を参照して説明する。なお、図１１〜図１５は、圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００５４】
まず、図１１（ａ）に示すように、シリコンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる二酸化シリコン膜を熱酸化等で形成する。次いで、図１１（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜）上に、酸化チタン等からなる密着層５６を、スパッタリング法や熱酸化等で形成する。
【００５５】
次に、図１２（ａ）に示すように、密着層５６の上に、第１電極６０を構成する白金膜をスパッタリング法等により全面に形成する。
【００５６】
次いで、この白金膜上に、圧電体層７０を積層する。圧電体層７０は、金属錯体を含む溶液を塗布乾燥し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層（圧電体膜）を得るＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やゾル−ゲル法等の化学溶液法や、スパッタリング法等の気相法により形成できる。なお、圧電体層７０は、その他、レーザーアブレーション法、スパッタリング法、パルス・レーザー・デポジション法（ＰＬＤ法）、ＣＶＤ法、エアロゾル・デポジション法などで形成してもよい。
【００５７】
圧電体層７０の具体的な形成手順例としては、まず、図１２（ｂ）に示すように、第１電極６０上に、金属錯体、具体的には、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ、必要に応じて含有させるＬａ等を含有する錯体を、目的とする組成比になる割合で含むゾルやＭＯＤ溶液（前駆体溶液）をスピンコート法などを用いて、塗布して圧電体前駆体膜７１を形成する（塗布工程）。
【００５８】
塗布する前駆体溶液は、焼成によりＰｂ、Ｚｒ及びＴｉ、必要に応じて含有させるＬａ等を含む複合酸化物を形成し得る金属錯体を、各金属が所望のモル比となるように混合し、該混合物とアンモニアとをアルコールなどの有機溶媒を用いて溶解または分散させたものである。
【００５９】
ここでいう「焼成によりＰｂ、Ｚｒ及びＴｉ、必要に応じて含有させるＬａ等を含む複合酸化物を形成し得る金属錯体」とは、Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ、必要に応じて含有させるＬａ等を含む金属錯体の混合物を指す。Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ、必要に応じて含有させるＬａ等をそれぞれ含む錯体としては、例えば、アルコキシド、有機酸塩、βジケトン錯体などを用いることができる。
【００６０】
Ｐｂを含む金属錯体としては、例えば、酢酸鉛等を挙げることができる。Ｚｒを含む金属錯体としては、例えば、ジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムテトラアセチルアセトナート、ジルコニウムモノアセチルアセトナート、ジルコニウムビスアセチルアセトナート等が挙げられる。Ｔｉを含む金属錯体としては、例えばチタニウムイソプロポキシド等のチタニウムアルコキシド等が挙げられる。Ｌａを含む金属錯体としては、２−エチルヘキサン酸ランタン等が挙げられる。
【００６１】
次いで、この圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば、３００〜４００℃）に加熱して一定時間乾燥させる（乾燥工程）。次に、乾燥した圧電体前駆体膜７１を所定温度に加熱して一定時間保持することによって脱脂する（脱脂工程）。なお、ここで言う脱脂とは、圧電体前駆体膜７１に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ2、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ等として離脱させることである。乾燥工程や脱脂工程の雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。
【００６２】
次に、図１２（ｃ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定温度（例えば６５０〜８００℃）に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、圧電体膜７２を形成する（焼成工程）。この焼成工程においても、雰囲気は限定されず、大気中でも不活性ガス中でもよい。
【００６３】
なお、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。
【００６４】
このとき圧電体膜に含まれる窒素の含有量を、２次イオン質量分析計（ＳＩＭＳ）による分析で調べると、モル比で０．０００１以上０．００１以下の範囲であった。またこの窒素の含有量がモル比で０．００００２５未満になると本発明のｐ型ドープとしての効果が低減する。
【００６５】
次に、図１３（ａ）に示すように、圧電体膜７２上に所定形状のレジスト（図示無し）をマスクとして第１電極６０及び圧電体膜７２の１層目をそれらの側面が傾斜するように同時にパターニングする。
【００６６】
次いで、レジストを剥離した後、上述した塗布工程、乾燥工程及び脱脂工程や、塗布工程、乾燥工程、脱脂工程及び焼成工程を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返して複数の圧電体膜７２からなる圧電体層７０を形成することで、図１３（ｂ）に示すように複数層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、塗布溶液の１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、例えば、１０層の圧電体膜７２からなる圧電体層７０全体の膜厚は約１．１μｍ程度となる。なお、本実施形態では、圧電体膜７２を積層して設けたが、１層のみでもよい。
【００６７】
このように圧電体層７０を形成した後は、図１４（ａ）に示すように、圧電体層７０上に白金等からなる第２電極８０をスパッタリング法等で形成し、各圧力発生室１２に対向する領域に圧電体層７０及び第２電極８０を同時にパターニングして、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０からなる圧電素子３００を形成する。なお、圧電体層７０と第２電極８０とのパターニングでは、所定形状に形成したレジスト（図示なし）を介してドライエッチングすることにより一括して行うことができる。その後、必要に応じて、６５０〜８００℃の温度域でポストアニールを行ってもよい。これにより、圧電体層７０と第１電極６０や第２電極８０との良好な界面を形成することができ、かつ、圧電体層７０の結晶性を改善することができる。
【００６８】
次に、図１４（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０を形成後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して各圧電素子３００毎にパターニングする。
【００６９】
次に、図１４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤３５を介して接合した後に、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚さに薄くする。
【００７０】
次に、図１５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上に、マスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。
【００７１】
そして、図１５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０をマスク膜５２を介してＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチング（ウェットエッチング）することにより、圧電素子３００に対応する圧力発生室１２、連通部１３、インク供給路１４及び連通路１５等を形成する。
【００７２】
その後は、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは反対側の面のマスク膜５２を除去した後にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハー１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩとする。
【００７３】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明の基本的構成は上述したものに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、流路形成基板１０として、シリコン単結晶基板を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、ＳＯＩ基板、ガラス等の材料を用いるようにしてもよい。
【００７４】
さらに、上述した実施形態では、基板（流路形成基板１０）上に第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を順次積層した圧電素子３００を例示したが、特にこれに限定されず、例えば、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電素子にも本発明を適用することができる。
【００７５】
また、これら実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図１６は、そのインクジェット式記録装置ＩＩの一例を示す概略図である。
【００７６】
図１６に示すように、インクジェット式記録ヘッドＩを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００７７】
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
【００７８】
図１６に示す例では、インクジェット式記録ヘッドユニット１Ａ、１Ｂは、それぞれ１つのインクジェット式記録ヘッドＩを有するものとしたが、特にこれに限定されず、例えば、１つのインクジェット式記録ヘッドユニット１Ａ又は１Ｂが２以上のインクジェット式記録ヘッドを有するようにしてもよい。
【００７９】
なお、上述した実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを挙げて説明したが、本発明は広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００８０】
本発明の圧電素子は、良好な絶縁性及び圧電特性を示すため、上述したように、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドの圧電素子に適用することができるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、超音波発信機等の超音波デバイス、超音波モーター、圧電トランス、並びに赤外線センサー、超音波センサー、感熱センサー、圧力センサー及び焦電センサー等の各種センサー等の圧電素子に適用することができる。また、本発明は、強誘電体メモリー等の強誘電体素子にも同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００８１】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  ＩＩ  インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、  １０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  マニホールド部、  ３２  圧電素子保持部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ６０  第１電極、  ７０  圧電体層、  ８０  第２電極、  ９０  リード電極、  １００  マニホールド、  １２０  駆動回路、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図８】
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【図９】
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