(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持しながら回転させる基板回転部と、
基板に沿って移動可能な第1のノズルから基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出する処理流体吐出部と、
基板回転部及び処理流体吐出部を制御する制御部とを有し、
制御部は、
基板回転部で基板を回転させ、
処理流体吐出部の第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板全域処理を行わせ、
その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板外周域処理を行わせる、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板外周域処理において第１のノズルを外周域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板全域処理において第１のノズルを全域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理流体吐出部は、外周域処理停止位置よりも基板の外周側の所定位置に処理流体を吐出する第２のノズルを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理流体吐出部は、第１のノズルと第２のノズルからそれぞれ異なる温度の処理流体を吐出することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、外周域処理開始位置を基板の外周側に漸次変えながら基板外周域処理を複数回繰返し行わせることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記制御部は、基板全域処理と基板外周域処理とを交互に複数回繰返し行わせることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出して基板を処理する基板全域処理を行い、
その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出して基板を処理する基板外周域処理を行う、
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記基板外周域処理は、第１のノズルを外周域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記基板全域処理は、第１のノズルを全域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記外周域処理停止位置よりも基板の外周側の所定位置で第２のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記第１のノズルと第２のノズルからそれぞれ異なる温度の処理流体を吐出することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記外周域処理開始位置を基板の外周側に漸次変えながら基板外周域処理を複数回繰返し行うことを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記基板全域処理と基板外周域処理とを交互に複数回繰返し行うことを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１５】
基板を保持しながら回転させる基板回転部と、
基板に沿って移動可能な第1のノズルから基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出する処理流体吐出部と、
基板回転部及び処理流体吐出部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置で基板を処理させるための基板処理プログラムを記録した記録媒体において、
基板回転部で基板を回転させ、
処理流体吐出部の第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板全域処理を行わせ、
その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板外周域処理を行わせる、
ことを特徴とする基板処理プログラムを記録した記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面温度とは異なる温度の処理流体で基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄やエッチングやめっきなどの各種の処理を施す。
【０００３】
たとえば、基板の表面に形成された回路パターンのめっき処理を行う基板処理装置では、基板を水平に保持しながら回転させる基板回転部と、基板の表面（主面：回路パターン形成面）に沿って移動可能なノズルから基板の表面に向けてめっき用の処理流体（めっき液）を吐出する処理流体吐出部とを有する。めっき液としては、基板の表面温度（常温）よりも高い温度のものを用いる。そして、基板処理装置では、ノズルを基板の中央部の開始位置から基板の外周端縁の終了位置まで移動させながら、ノズルから回転する基板の表面に向けてめっき液を吐出して、基板の表面の所定箇所をめっき処理する（たとえば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２１３２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記従来の基板処理装置では、処理流体として基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を用いているために、基板の中央部の開始位置から基板の外周端縁の終了位置まで移動しながら基板の表面に処理流体を吐出していくと、基板の表面の温度が基板の内周側よりも基板の外周側の温度の方が低くなってしまう。基板の外周側の温度の方が低くなる要因としては、基板の外周端部からの放熱や回転する基板の内周側と外周側との周方向の速度の差（外周側の方が速度が速い）がある。
【０００６】
このように、基板の表面の温度が不均一になると、めっき液の処理能力が温度に依存するために、基板の表面の所定箇所を均一にめっきすることができず、基板を良好に処理できなくなるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで、本発明では、基板処理装置において、基板を保持しながら回転させる基板回転部と、基板に沿って移動可能な第1のノズルから基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出する処理流体吐出部と、基板回転部及び処理流体吐出部を制御する制御部とを有し、制御部は、基板回転部で基板を回転させ、処理流体吐出部の第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板全域処理を行わせ、その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板外周域処理を行わせることにした。
【０００８】
また、前記制御部は、前記基板外周域処理において第１のノズルを外周域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させることにした。
【０００９】
また、前記制御部は、前記基板全域処理において第１のノズルを全域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させることにした。
【００１０】
また、前記処理流体吐出部は、外周域処理停止位置よりも基板の外周側の所定位置に処理流体を吐出する第２のノズルを有することにした。
【００１１】
また、前記処理流体吐出部は、第１のノズルと第２のノズルからそれぞれ異なる温度の処理流体を吐出することにした。
【００１２】
また、前記制御部は、外周域処理開始位置を基板の外周側に漸次変えながら基板外周域処理を複数回繰返し行わせることにした。
【００１３】
また、前記制御部は、基板全域処理と基板外周域処理とを交互に複数回繰返し行わせることにした。
【００１４】
また、本発明では、基板処理方法において、第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出して基板を処理する基板全域処理を行い、その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出して基板を処理する基板外周域処理を行うことにした。
【００１５】
また、前記基板外周域処理は、第１のノズルを外周域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することにした。
【００１６】
また、前記基板全域処理は、第１のノズルを全域処理開始位置に向けて基板の内周側へ移動させながら第１のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することにした。
【００１７】
また、前記外周域処理停止位置よりも基板の外周側の所定位置で第２のノズルから基板に向けて処理流体を吐出することにした。
【００１８】
また、前記第１のノズルと第２のノズルからそれぞれ異なる温度の処理流体を吐出することにした。
【００１９】
また、前記外周域処理開始位置を基板の外周側に漸次変えながら基板外周域処理を複数回繰返し行うことにした。
【００２０】
また、前記基板全域処理と基板外周域処理とを交互に複数回繰返し行うことにした。
【００２１】
また、本発明では、基板を保持しながら回転させる基板回転部と、基板に沿って移動可能な第1のノズルから基板の表面温度とは異なる温度の処理流体を吐出する処理流体吐出部と、基板回転部及び処理流体吐出部を制御する制御部とを有する基板処理装置で基板を処理させるための基板処理プログラムを記録した記録媒体において、基板回転部で基板を回転させ、処理流体吐出部の第1のノズルを基板の中央部の所定位置（全域処理開始位置）から基板の外周部の所定位置（全域処理終了位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板全域処理を行わせ、その後、第1のノズルを全域処理開始位置よりも外周側の所定位置（外周域処理開始位置）に向けて基板の内周側へ移動させた後に、第1のノズルを外周域処理開始位置から基板の外周部の所定位置（外周域処理停止位置）に向けて基板の外周側へ移動させながら第1のノズルから基板に向けて処理流体を吐出させる基板外周域処理を行わせることにした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、基板の温度の均一性を向上させることができ、基板の表面を良好に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】基板処理装置を示す平面図。
【図２】めっき処理装置を示す側面図。
【図３】同平面図。
【図４】基板処理プログラムを示すフローチャート。
【図５】めっき処理装置の動作を示す説明図（準備工程）。
【図６】めっき処理装置の動作を示す説明図（基板全域処理工程）。
【図７】めっき処理装置の動作を示す説明図（第１の基板外周域処理工程）。
【図８】めっき処理装置の動作を示す説明図（第２の基板外周域処理工程）。
【図９】めっき処理装置の動作を模式的に示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１に示すように、基板処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成する。搬入出部２には、複数枚（たとえば、25枚）の基板３（ここでは、半導体ウエハ）を収容したキャリア４が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。
【００２６】
また、基板処理装置１は、搬入出部２の後部に搬送部５を形成する。搬送部５は、前側に基板搬送装置６を配置するとともに、後側に基板受渡台７を配置する。この搬送部５では、搬入出部２に載置されたいずれかのキャリア４と基板受渡台７との間で基板搬送装置６を用いて基板３を搬送する。
【００２７】
また、基板処理装置１は、搬送部５の後部に処理部８を形成する。処理部８は、中央に前後に伸延する基板搬送装置９を配置するとともに、基板搬送装置９の左右両側に基板３をめっき処理するためのめっき処理装置10を前後に並べて配置する。この処理部８では、基板受渡台７とめっき処理装置10との間で基板搬送装置９を用いて基板３を搬送し、めっき処理装置10を用いて基板３の液処理を行う。
【００２８】
めっき処理装置10は、図２及び図３に示すように、基板３を保持しながら回転させるための基板回転部11と、基板３に処理流体（めっき液）を吐出するための処理流体吐出部12とを有するとともに、これらを制御するための制御部13を有している。
【００２９】
基板回転部11は、基板処理室14の内部略中央に上下に伸延させた回転軸15を回転自在に設けている。回転軸15の上端には、円板状のターンテーブル16が水平に取付けられている。ターンテーブル16の外周端縁には、複数個の基板保持体17が円周方向に等間隔をあけて取付けられている。
【００３０】
また、基板回転部11は、回転軸15に基板回転機構18と基板昇降機構19を接続している。これらの基板回転機構18及び基板昇降機構19は、制御部13によって回転制御や昇降制御される。
【００３１】
この基板回転部11は、ターンテーブル16の基板保持体17で基板３を水平に保持する。また、基板回転部11は、基板回転機構18でターンテーブル16に保持した基板３を回転させ、基板昇降機構19でターンテーブル16や基板３を昇降させる。
【００３２】
処理流体吐出部12は、基板３の中央部から外周部の全域に処理流体を吐出する第１の処理流体吐出部20と、基板３の外周部から外周端縁の外周部に処理流体を吐出する第２の処理流体吐出部21とで構成している。
【００３３】
第１の処理流体吐出部20は、基板処理室14の左側に上下に伸延させた回転軸22を回転自在に設けている。回転軸22の上端には、水平に伸延させたアーム23を設けている。アーム23の先端下部には、第１のノズル24を鉛直下向きに取付けている。第１のノズル24には、第１の処理流体としてのめっき液を供給するための第１の処理流体供給源25が温度調整器26と流量調整器27とを介して接続されている。この温度調整器26及び流量調整器27は、制御部13によって制御される。
【００３４】
また、第１の処理流体吐出部20は、回転軸22に第１のノズル移動機構28を接続している。この第１のノズル移動機構28は、制御部13によって制御される。
【００３５】
この第１の処理流体吐出部20は、第１のノズル移動機構28によって第１のノズル24を基板３の中央部と基板３の左外側方との間で往復移動させることができ、第１のノズル24から温度調整器26で調整した所定温度の第１の処理流体を基板３の表面（上面）に向けて吐出させることができる。ここで、第１の処理流体の温度は、基板３の温度（表面温度：常温）よりも高い温度としている。
【００３６】
第２の処理流体吐出部21は、基板処理室14の右側に上下に伸延させた回転軸29を回転自在に設けている。回転軸29の上端には、水平に伸延させたアーム30を設けている。アーム30の先端下部には、第２のノズル31を鉛直下向きに取付けている。第２のノズル31には、第２の処理流体としてのめっき液を供給するための第２の処理流体供給源32が温度調整器33と流量調整器34とを介して接続されている。この温度調整器33及び流量調整器34は、制御部13によって制御される。
【００３７】
また、第２の処理流体吐出部21は、回転軸29に第２のノズル移動機構35を接続している。この第２のノズル移動機構35は、制御部13によって制御される。
【００３８】
この第２の処理流体吐出部21は、第２のノズル移動機構35によって第２のノズル31を基板３の外周部と基板３の右外側方との間で往復移動させることができ、第２のノズル31から温度調整器33で調整した所定温度の第２の処理流体を基板３の表面（上面）に向けて吐出させることができる。ここで、第２の処理流体の温度は、基板３の温度（表面温度：常温）及び第１の処理流体の温度よりも高い温度としている。
【００３９】
なお、基板処理室14には、ターンテーブル16を囲繞する円環状の回収カップ36を配置している。回収カップ36の上端部には、ターンテーブル16よりも一回り大きいサイズの開口を形成している。また、回収カップ36の下端部には、ドレイン37を接続している。そして、基板３に供給された処理流体を回収カップ36で回収し、ドレイン37から外部へと排出する。
【００４０】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部13（コンピュータ）に設けた記録媒体38に記録された各種のプログラムにしたがって制御部13で制御され、基板３の処理を行う。ここで、記録媒体38は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記録媒体などの公知のもので構成される。
【００４１】
そして、基板処理装置１は、めっき処理装置10を用いて基板３をめっき処理する際には、記録媒体38に記録された基板処理プログラム（図４参照。）に従って以下に説明するように基板３の処理を行う。
【００４２】
まず、基板処理装置１は、図４、図５及び図９に示すように、基板３を回転させるとともに、基板３の上方の所定位置に第1のノズル24と第２のノズル31を移動させる（準備工程）。
【００４３】
この準備工程では、基板回転機構18によって所定の回転速度でターンテーブル16を回転させることで基板３を所定回転数で回転させる。また、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を基板３の外周外方の所定位置（第１ノズル退避位置P1）から基板３の中心部上方の所定位置（全域処理開始位置P2)に向けて基板３の内周側へ移動させる。なお、全域処理開始位置P2は、基板３の中心位置P0よりも外周側にずらした位置としている。また、第２のノズル移動機構35によってアーム30を回転させて第２のノズル31を基板３の外周外方の所定位置（第２ノズル退避位置P3）から基板３の外周部上方の所定位置（固定位置P4)に向けて基板３の内周側へ移動させる。
【００４４】
ここで、第１ノズル退避位置P1、全域処理開始位置P2、第２ノズル退避位置P3、固定位置P4は、それぞれ基板３の中心位置P0から半径方向にR1,R2,R3,R4離れた位置としている。
【００４５】
次に、基板処理装置１は、図４、図６及び図９に示すように、基板３の中心から外周端縁の範囲（基板３の全域）の表面を処理流体で処理する（基板全域処理工程）。
【００４６】
この基板全域処理工程では、温度調整器26によって所定温度に調整した第１の処理流体を流量調整器27によって所定流量に調整して第１のノズル24から基板３の表面に向けて吐出させる。また、温度調整器33によって所定温度に調整した第２の処理流体を流量調整器34によって所定流量に調整して第２のノズル31から基板３の表面に向けて吐出させる。さらに、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を全域処理開始位置P2から基板３の外周部上方の所定位置（全域処理終了位置P5)に向けて基板３の外周側へ移動させる。なお、第２のノズル31は、固定位置P4で固定させておく。その後、流量調整器27,34によって第１及び第２のノズル24,31からの処理流体の吐出を停止させる。
【００４７】
ここで、全域処理終了位置P5は、基板３の中心位置P0から半径方向にR5離れた位置としている。この第１のノズル24の全域処理終了位置P5は、第２のノズル31の固定位置P4よりも基板３の内周側としている。これにより、第１のノズル24から吐出された第１の処理流体と第２のノズル31から吐出された第２の処理流体とが基板３の外周端縁部で衝突して周囲に飛散するのを防止するとともに、第１及び第２の処理流体を基板３の外周外方の回収カップ36へと円滑に流出させることができる。
【００４８】
この基板全域処理工程では、基板３の中心から外周端縁の全域表面に処理流体が供給され、基板３の全域において基板３の表面が処理流体で全体的に処理される。
【００４９】
なお、上記基板全域処理工程では、第１のノズル24から処理流体を吐出させずに全域処理開始位置P2に移動させた後に、第１のノズル24を全域処理開始位置P2から全域処理終了位置P5に移動させながら第1のノズル24から基板３に向けて処理流体を吐出させているが、これに限られず、第１のノズル24を全域処理開始位置P2に移動させる際にも第1のノズル24から基板３の外周部から中央部に処理流体を吐出してもよい。このように、第１のノズル24を全域処理開始位置P2に移動させる際に第1のノズル24から基板３の外周部から中央部に処理流体を吐出することで、基板３の中央部と外周部との間で温度差が生じるのを抑制することができる。
【００５０】
次に、基板処理装置１は、図４、図７及び図９に示すように、基板３の外周端縁から内周側の範囲（基板３の外周域）の表面を処理流体で処理する（第１の基板外周域処理工程）。
【００５１】
この第１の基板外周域処理工程では、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を全域処理終了位置P5からその全域処理開始位置P2よりも基板３の外周側の所定位置（第１の外周域処理開始位置P6）に向けて基板３の内周側へ移動させる。なお、第２のノズル31は、固定位置P4で固定させておく。また、第１のノズル24を第１の外周域処理開始位置P6に移動させる際に、第１のノズル24から基板３に向けて処理流体を吐出させてもよい。
【００５２】
その後、第１の基板外周域処理工程では、温度調整器26によって所定温度に調整した第１の処理流体を流量調整器27によって所定流量に調整して第１のノズル24から基板３の表面に向けて吐出させる。また、温度調整器33によって所定温度に調整した第２の処理流体を流量調整器34によって所定流量に調整して第２のノズル31から基板３の表面に向けて吐出させる。さらに、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を第１の外周域処理開始位置P6から基板３の外周部上方の所定位置（第１の外周域処理停止位置P7）に向けて基板３の外周側へ移動させる。なお、第２のノズル31は、固定位置P4で固定させておく。その後、流量調整器27,34によって第１及び第２のノズル24,31からの処理流体の吐出を停止させる。
【００５３】
ここで、第１の外周域処理開始位置P6は、基板３の中心位置P0から半径方向にR6離れた位置としている。この第1の基板外周域処理工程における第１の外周域処理開始位置P6は、基板全域処理工程における全域処理開始位置P2よりも基板３の外周側としている。これにより、第1の基板外周域処理工程では、第１のノズル24が基板全域処理工程よりも基板３の外周部分の狭い範囲を移動する。また、第１の外周域処理停止位置P7は、基板３の中心位置P0から半径方向にR5離れた位置とし、全域処理終了位置P5と同じ位置としている。なお、第１の外周域処理停止位置P7は、全域処理終了位置P5とは異なる位置としてもよい。
【００５４】
この第１の基板外周域処理工程では、基板３の外周域表面に処理流体が供給され、基板全域処理工程よりも基板３の外周部分の狭い範囲となる基板３の外周域において基板３の表面が処理流体で部分的に処理される。
【００５５】
次に、基板処理装置１は、図４、図８及び図９に示すように、基板３の外周端縁から内周側の範囲（基板３の外周域）であって第１の基板外周域処理工程における処理範囲よりも狭い範囲の表面を処理流体で処理する（第２の基板外周域処理工程）。
【００５６】
この第２の基板外周域処理工程では、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を第１の外周域処理停止位置P7からその第１の外周域処理停止位置P７よりも基板３の内周側の所定位置（第２の外周域処理開始位置P8）に向けて基板３の内周側へ移動させる。なお、第２のノズル31は、固定位置P4で固定させておく。また、第１のノズル24を第２の外周域処理開始位置P8に移動させる際に、第１のノズル24から基板３に向けて処理流体を吐出させてもよい。
【００５７】
その後、第２の基板外周域処理工程では、温度調整器26によって所定温度に調整した第１の処理流体を流量調整器27によって所定流量に調整して第１のノズル24から基板３の表面に向けて吐出させる。また、温度調整器33によって所定温度に調整した第２の処理流体を流量調整器34によって所定流量に調整して第２のノズル31から基板３の表面に向けて吐出させる。さらに、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を第２の外周域処理開始位置P8から基板３の外周部上方の所定位置（第２の外周域処理停止位置P9）に向けて基板３の外周側へ移動させる。なお、第２のノズル31は、固定位置P4で固定させておく。その後、流量調整器27,34によって第１及び第２のノズル24,31からの処理流体の吐出を停止させる。
【００５８】
ここで、第２の外周域処理開始位置P8は、基板３の中心位置P0から半径方向にR8離れた位置としている。この第２の基板外周域処理工程における第２の外周域処理開始位置P8は、基板全域処理工程における全域処理開始位置P2及び第１の基板外周域処理工程における第１の外周域処理開始位置P6よりも基板３の外周側としている。これにより、第２の基板外周域処理工程では、第１のノズル24が基板全域処理工程及び第１の基板外周域処理工程よりも基板３の外周部分の狭い範囲を移動する。また、第２の外周域処理停止位置P9は、基板３の中心位置P0から半径方向にR5離れた位置とし、全域処理終了位置P5及び第１の外周域処理停止位置P7と同じ位置としている。なお、第２の外周域処理停止位置P9は、全域処理終了位置P5や第１の外周域処理停止位置P7とは異なる位置としてもよい。
【００５９】
この第２の基板外周域処理工程では、基板３の外周域表面に処理流体が供給され、基板全域処理工程及び第１の基板外周域処理工程よりも基板３の外周部分の狭い範囲となる基板３の外周域において基板３の表面が処理流体で部分的に処理される。
【００６０】
次に、基板処理装置１は、図４及び図９に示すように、基板３の回転を停止させるとともに、基板３の外周外方の所定位置に第1のノズル24と第２のノズル31を退避させる（終了工程）。
【００６１】
この終了工程では、基板回転機構18によってターンテーブル16を停止させることで基板３の回転を停止させる。また、第１のノズル移動機構28によってアーム23を回転させて第１のノズル24を第２の外周域処理停止位置P9から第１ノズル退避位置P1に向けて基板３の外周側へ移動させる。また、第２のノズル移動機構35によってアーム30を回転させて第２のノズル31を固定位置P4から第２ノズル退避位置P3に向けて基板３の外周側へ移動させる。
【００６２】
基板処理装置１は、以上に説明した基板全域処理工程と基板外周域処理工程を繰返し行うことで基板３の表面をめっき処理する。その際に、基板３の全域を処理する基板全域処理を行った後に、基板３の外周域を処理する基板外周域処理を行う。基板全域処理だけを行った場合には、処理流体の温度が基板３の表面温度と異なるとともに基板３の外周側の方が内周側よりも単位面積当たりの処理流体の供給量が少なくなるために、基板３の中央部と外周部とで温度変化が相違して基板３の表面の温度が不均一になる。そのため、基板全域処理の後に基板外周域処理を行うことで、基板３の中央部と外周部との間で温度差が生じるのを抑制し、基板３の表面の温度の均一性を向上させることができる。
【００６３】
上記基板処理装置１では、基板外周域処理を第１の基板外周域処理工程とその第１の基板外周域処理工程よりも狭い範囲を処理する第２の基板外周域処理工程とに２回に分けて行っている。このように、外周域処理開始位置（第１の外周域処理開始位置P6と第２の外周域処理開始位置P8）を基板３の外周側に漸次変えながら基板外周域処理を複数回繰返し行うことで、基板３の表面の温度の均一性をより細密に向上させることができる。なお、基板全域処理や基板外周域処理を行う回数は、基板３のサイズなどに応じて適宜決定してもよい。
【００６４】
また、上記基板処理装置１では、第1のノズル24の第１及び第２の外周域処理停止位置P7,P9よりも基板３の外周側の所定位置（固定位置P4）に処理流体を吐出する第２のノズル31を設けて、第２のノズル31から基板３の外周部に向けて処理流体を吐出している。これにより、基板３の外周端縁近傍の外周部における温度変化を抑制することができ、基板３の表面の温度の均一性をより一層向上させることができる。特に、第１のノズル24と第２のノズル31からそれぞれ異なる温度の処理流体を吐出することで、基板３の表面の温度の均一性をより細密に向上させることができる。また、第１のノズル24から吐出する処理流体の流量を第２のノズル31から吐出する処理流体の流量よりも多くすることで、基板３の外周端部において処理流体を基板３の外周外方の回収カップ36へと円滑に流出させることができる。なお、第１のノズル24により基板３の中央部と外周部との間で温度差が生じるのを抑制し、基板３の表面の温度の均一性を向上させることができるのであれば、第２のノズル31を設けずに第１のノズル24のみで処理するようにしてもよい。
【００６５】
基板全域処理や基板外周域処理においては、第1のノズル24を基板３の内周側から外周側に向けて移動させる際に第1のノズル24から基板３に向けて処理流体を吐出するだけでもよく、第1のノズル24を基板３の外周側から内周側に向けて移動させる際にも第1のノズル24から基板３に向けて処理流体を吐出するようにしてもよい。第１のノズル24を基板３の内周側から外周側に向けて移動させる際だけでなく基板３の外周側から内周側へ移動させる際にも基板３に向けて処理流体を吐出することで、基板３の内周部と外周部との間で温度差が生じるのをより一層抑制することができ、基板３の表面の温度の均一性を向上させることができる。
【００６６】
以上に説明したように、上記基板処理装置１は、基板３の表面温度とは異なる温度の処理流体で基板３の表面を処理する場合に、基板３の全域を処理する基板全域処理を行った後に、基板３の外周域を処理する基板外周域処理を行うように構成している。そのため、上記構成の基板処理装置１では、基板３の温度の均一性を向上させることができ、基板３の表面を良好に処理することができる。
【００６７】
なお、上記基板処理装置１では、処理流体としてめっき液を用いためっき処理を行うように構成しているが、本発明は、めっき処理に限られず、処理対象となる基板３の表面温度とは異なる温度の洗浄液やリンス液やエッチング液などの処理流体を用いて基板３を処理するときに基板３の表面の温度均一性を向上させることで均一な反応速度を得る各種の基板処理装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１  基板処理装置
10  めっき処理装置
11  基板回転部
12  処理流体吐出部
13  制御部
20  第１の処理流体吐出部
21  第２の処理流体吐出部
24  第１のノズル
31  第２のノズル
P0  中心位置
P1  第１ノズル退避位置
P2  全域処理開始位置
P3  第２ノズル退避位置
P4  固定位置
P5  全域処理終了位置
P6  第１の外周域処理開始位置
P7  第１の外周域処理停止位置
P8  第２の外周域処理開始位置
P9  第２の外周域処理停止位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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