(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置され、かつ前記露光装置による露光処理の前後の処理を行うように構成された基板処理装置であって、
複数の基板を収容可能な収容容器が搬入および搬出されるインデクサブロックと、
基板に予め定められた処理を行う処理ブロックと、
前記露光装置と前記処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記インデクサブロックは、
前記収容容器が載置される容器載置部と、
前記容器載置部に載置された前記収容容器と前記処理ブロックとの間で互いに並行して基板を搬送する第１および第２の搬送機構とを含み、
前記処理ブロックは、基板を搬送する第３の搬送機構を含み、
前記第１の搬送機構と前記第３の搬送機構との間に複数の基板を一時的に載置可能な第１の基板載置部が設けられ、
前記第２の搬送機構と前記第３の搬送機構との間に複数の基板を一時的に載置可能な第２の基板載置部が設けられ、
前記処理ブロックは、上下に設けられた上段処理部および下段処理部を含み、
前記第３の搬送機構は、前記上段処理部に設けられた上段搬送機構および前記下段処理部に設けられた下段搬送機構を含み、
前記受け渡し部は、基板を搬送する第４の搬送機構を含み、
前記インデクサブロックから前記処理ブロックに搬送される基板の順序と前記処理ブロックから前記受け渡し部に搬送される基板の順序とが一致し、かつ前記受け渡し部から前記処理ブロックに搬送される基板の順序と前記処理ブロックから前記インデクサブロックに搬送される基板の順序とが一致するように、前記第１、第２、第３および第４の搬送機構が基板を搬送する、基板処理装置。
【請求項２】
前記容器載置部は、第１および第２の載置部を含み、
前記処理前の基板が収容された収容容器が前記第１の載置部に載置され、
前記処理後の基板を収容するための収容容器が前記第２の載置部に載置され、
前記第１の搬送機構は、前記第１の載置部に載置された前記収容容器から前記処理ブロックに基板を搬送するように構成され、
前記第２の搬送機構は、前記処理ブロックから前記第２の載置部に載置された前記収容容器に基板を搬送するように構成された、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の基板載置部は、
前記第１の搬送機構と前記上段搬送機構との間に設けられた第１の上段載置部と、
前記第１の搬送機構と前記下段搬送機構との間に設けられた第１の下段載置部とを含み、
前記第２の基板載置部は、
前記第２の搬送機構と前記上段搬送機構との間に設けられた第２の上段載置部と、
前記第２の搬送機構と前記下段搬送機構との間に設けられた第２の下段載置部とを含み、
前記上段搬送機構と前記第４の搬送機構との間に第３の上段載置部が設けられ、
前記下段搬送機構と前記第４の搬送機構との間に第３の下段載置部が設けられ、
前記第１および第２の搬送機構の一方または両方は、前記処理前の基板を前記第１の上段載置部および前記第１の下段載置部に交互に搬送するように構成され、
前記第４の搬送機構は、前記第３の上段載置部および前記第３の下段載置部から基板を交互に受け取り、前記第３の上段処理部および前記第３の下段処理部に基板を交互に搬送するように構成され、
前記第１および第２の搬送機構の他方または両方は、前記処理後の基板を前記第２の上段載置部および前記第２の下段載置部から交互に受け取るように構成された、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の搬送機構は、前記処理前の基板を前記第１の上段載置部および前記第１の下段載置部に交互に搬送するように構成され、
前記第２の搬送機構は、前記処理後の基板を前記第２の上段載置部および前記第２の下段載置部から交互に受け取るように構成された、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１および前記第２の基板載置部は、互いに上下に重なるように設けられ、
前記第１の搬送機構は、第１の位置において前記第１の基板載置部への基板の搬送を行うように構成され、
前記第２の搬送機構は、前記第１の位置と異なる第２の位置において前記第２の基板載置部からの基板の受け取りを行うように構成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記インデクサブロックは、上下に配置された第１および第２の搬送室を含み、
前記第１の搬送機構は、前記第１の搬送室に設けられ、
前記第２の搬送機構は、前記第２の搬送室に設けられる、請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられる。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、処理ブロックおよびインターフェイスブロックを備える。インデクサブロックに基板が搬入され、処理ブロックにおいて基板に成膜処理が行われる。成膜処理後の基板は、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送され、露光装置において基板に露光処理が施される。露光処理後の基板は、インターフェイスブロックを介して処理ブロックに戻され、処理ブロックにおいて基板に現像処理が施される。現像処理後の基板は、インデクサブロックから外部に搬出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８９１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板処理装置内には、基板を搬送するための複数の搬送機構が設けられる。基板処理装置のスループットを向上させるために、複数の搬送機構による基板の搬送効率を高めることが求められる。
【０００６】
本発明の目的は、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［Ａ］  本発明
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置され、かつ露光装置による露光処理の前後の処理を行うように構成された基板処理装置であって、複数の基板を収容可能な収容容器が搬入および搬出されるインデクサブロックと、基板に予め定められた処理を行う処理ブロックと、露光装置と処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、インデクサブロックは、収容容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置された収容容器と処理ブロックとの間で互いに並行して基板を搬送する第１および第２の搬送機構とを含み、処理ブロックは、基板を搬送する第３の搬送機構を含み、第１の搬送機構と第３の搬送機構との間に複数の基板を一時的に載置可能な第１の基板載置部が設けられ、第２の搬送機構と第３の搬送機構との間に複数の基板を一時的に載置可能な第２の基板載置部が設けられ、処理ブロックは、上下に設けられた上段処理部および下段処理部を含み、第３の搬送機構は、上段処理部に設けられた上段搬送機構および下段処理部に設けられた下段搬送機構を含み、受け渡し部は、基板を搬送する第４の搬送機構を含み、インデクサブロックから処理ブロックに搬送される基板の順序と処理ブロックから受け渡し部に搬送される基板の順序とが一致し、かつ受け渡し部から処理ブロックに搬送される基板の順序と処理ブロックからインデクサブロックに搬送される基板の順序とが一致するように、第１、第２、第３および第４の搬送機構が基板を搬送する。
【０００８】
（２）容器載置部は、第１および第２の載置部を含み、処理前の基板が収容された収容容器が第１の載置部に載置され、処理後の基板を収容するための収容容器が第２の載置部に載置され、第１の搬送機構は、第１の載置部に載置された収容容器から処理ブロックに基板を搬送するように構成され、第２の搬送機構は、処理ブロックから第２の載置部に載置された収容容器に基板を搬送するように構成されてもよい。
【０００９】
（３）第１の基板載置部は、第１の搬送機構と上段搬送機構との間に設けられた第１の上段載置部と、第１の搬送機構と下段搬送機構との間に設けられた第１の下段載置部とを含み、第２の基板載置部は、第２の搬送機構と上段搬送機構との間に設けられた第２の上段載置部と、第２の搬送機構と下段搬送機構との間に設けられた第２の下段載置部とを含み、上段搬送機構と第４の搬送機構との間に第３の上段載置部が設けられ、下段搬送機構と第４の搬送機構との間に第３の下段載置部が設けられ、第１および第２の搬送機構の一方または両方は、処理前の基板を第１の上段載置部および第１の下段載置部に交互に搬送するように構成され、第４の搬送機構は、第３の上段載置部および第３の下段載置部から基板を交互に受け取り、第３の上段処理部および第３の下段処理部に基板を交互に搬送するように構成され、第１および第２の搬送機構の他方または両方は、処理後の基板を第２の上段載置部および第２の下段載置部から交互に受け取るように構成されてもよい。
（４）第１の搬送機構は、処理前の基板を第１の上段載置部および第１の下段載置部に交互に搬送するように構成され、第２の搬送機構は、処理後の基板を第２の上段載置部および第２の下段載置部から交互に受け取るように構成されてもよい。
【００１０】
（５）第１および第２の基板載置部は、互いに上下に重なるように設けられ、第１の搬送機構は、第１の位置において第１の基板載置部への基板の搬送を行うように構成され、第２の搬送機構は、第１の位置と異なる第２の位置において第２の基板載置部からの基板の受け取りを行うように構成されてもよい。
【００１１】
（６）インデクサブロックは、上下に配置された第１および第２の搬送室を含み、第１の搬送機構は、第１の搬送室に設けられ、第２の搬送機構は、第２の搬送室に設けられてもよい。
【００１２】
［Ｂ］参考形態
（１）参考形態に係る基板処理装置は、複数の基板を収容可能な収容容器が搬入および搬出されるインデクサブロックと、基板に予め定められた処理を行う処理ブロックとを備え、インデクサブロックは、収容容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置された収容容器と処理ブロックとの間で互いに並行して基板を搬送する第１および第２の搬送機構とを含むものである。
【００１３】
その基板処理装置においては、複数の基板が収容された収容容器がインデクサブロックに搬入される。収容容器から取り出された基板が処理ブロックに搬送され、処理ブロックにおいて予め定められた処理が行われる。処理後の基板は収容容器に収容されてインデクサブロックから搬出される。
【００１４】
インデクサブロックでは、容器載置部に収容容器が載置され、第１および第２の搬送機構により収容容器から処理ブロックに処理前の基板が搬送されるとともに処理ブロックから収容容器に処理後の基板が搬送される。この場合、第１および第２の搬送機構により並行して基板が搬送されることにより、収容容器と処理ブロックとの間で基板を効率よく搬送することができる。その結果、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００１５】
ここで、「基板が並行して搬送される」とは、第１および第２の搬送機構が基板を全く同時に搬送する場合に限らず、第１の搬送機構による基板の搬送期間と第２の搬送機構による基板の搬送期間とが一部重複する場合も含む。
【００１６】
（２）第１の搬送機構は、基板を保持可能に構成された第１および第２の保持部を有し、第２の搬送機構は、基板を保持可能に構成された第３および第４の保持部を有してもよい。
【００１７】
この場合、第１および第２の搬送機構がそれぞれ２枚の基板を同時に保持して搬送することができる。それにより、第１および第２の搬送機構による基板の搬送効率がさらに高められる。
【００１８】
（３）第１の搬送機構は、処理前の基板を容器載置部に載置された収容容器から処理ブロックに搬送するように構成され、第２の搬送機構は、処理後の基板を処理ブロックから容器載置部に載置された収容容器に搬送するように構成されてもよい。
【００１９】
この場合、第１および第２の搬送機構の各々が収容容器から処理ブロックへの基板の搬送および処理ブロックから収容容器への基板の搬送の両方を行う場合に比べて、第１および第２の搬送機構の動作が単純化される。それにより、第１および第２の搬送機構による基板の搬送効率がさらに高められる。
【００２０】
（４）容器載置部は、第１および第２の載置部を含み、処理前の基板が収容された収容容器が第１の載置部に載置され、処理後の基板を収容するための収容容器が第２の載置部に載置され、第１の搬送機構は、第１の載置部に載置された収容容器から処理ブロックに基板を搬送するように構成され、第２の搬送機構は、処理ブロックから第２の載置部に載置された収容容器に基板を搬送するように構成されてもよい。
【００２１】
この場合、処理前の基板が収容された収容容器と処理後の基板を収容するための収容容器とが互いに異なる容器載置部に載置されるので、第１の搬送機構が処理前の基板をより円滑に搬送することができ、第２の搬送機構が処理後の基板をより円滑に搬送することができる。それにより、第１および第２の搬送機構による基板の搬送効率がさらに高められる。
【００２２】
（５）処理ブロックは、基板を搬送する第３の搬送機構を含み、基板処理装置は、第１の搬送機構と第３の搬送機構との間に設けられ、複数の基板を一時的に載置可能な第１の基板載置部と、第１の搬送機構と第３の搬送機構との間に設けられ、複数の基板を一時的に載置可能な第２の基板載置部とをさらに備えてもよい。
【００２３】
この場合、第１の基板載置部を介して第１および第３の搬送機構間で基板が受け渡され、第２の基板載置部を介して第２および第３の搬送機構間で基板が受け渡される。第１および第２の基板載置部には複数の基板が載置可能であるので、先に搬送された基板が第１および第２の基板載置部に載置されていても、続けて新たな基板を第１および第２の基板載置部に載置することができる。したがって、第１〜第３の搬送機構により基板を連続的に搬送することができる。その結果、基板の搬送効率がさらに高められる。
【００２４】
（６）インデクサブロックは、上下に配置された第１および第２の搬送室を含み、第１の搬送機構は、第１の搬送室に設けられ、第２の搬送機構は、第２の搬送室に設けられてもよい。
【００２５】
この場合、第１および第２の搬送機構が上下に配置されることにより、第１および第２の搬送機構の設置面積を小さくすることができる。それにより、基板処理装置の小型化が可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
【図２】図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部の概略側面図である。
【図３】図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部の概略側面図である。
【図４】第１の処理ブロックの模式的側面図である。
【図５】搬送部の模式的側面図である。
【図６】搬送機構の構成を示す模式的側面図である。
【図７】搬送機構の構成を示す模式的側面図である。
【図８】キャリアの斜視図および正面図である。
【図９】送りバッファ部および戻りバッファ部の構成を示す外観斜視図である。
【図１０】送りバッファ部および戻りバッファ部の構成を示す側面図である。
【図１１】送りバッファ部および戻りバッファ部に対する基板の載置および受け取りについて説明するための平面図である。
【図１２】送りバッファ部および戻りバッファ部に対する基板の載置および受け取りについて説明するための平面図である。
【図１３】搬送機構によるキャリアから送りバッファ部への基板の搬送について説明するための模式的側面図である。
【図１４】搬送機構によるキャリアから送りバッファ部への基板の搬送について説明するための模式的側面図である。
【図１５】搬送機構による戻りバッファ部からキャリアへの基板の搬送について説明するための模式的側面図である。
【図１６】搬送機構による戻りバッファ部からキャリアへの基板の搬送について説明するための模式的側面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的側面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的側面図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２０】本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的側面図である。
【図２２】ハンドの他の例を示す側面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００２９】
（１）第１の実施の形態
（１−１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
【００３０】
基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インターフェイスブロック１４は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを含む。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００３１】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、一対のキャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよび搬送部１１２を含む。キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂには、複数の基板Ｗを多段に収容するキャリア１１３がそれぞれ載置される。本実施の形態では、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）が用いられる。
【００３２】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２は、それぞれ基板Ｗを保持して搬送する。後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。
【００３３】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。また、メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部（図示せず）が設けられる。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。
【００３４】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、送りバッファ部ＳＢＦ１が設けられる。後述の図５に示すように、送りバッファ部ＳＢＦ１の下方には、送りバッファ部ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２が設けられる。送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２は、複数の基板Ｗを載置可能に構成される。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。
【００３５】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。
【００３６】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００３７】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述する載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを載置可能に構成される。
【００３８】
搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣り合うように、基板載置部ＰＡＳＳ５および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００３９】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。
【００４０】
搬入搬出ブロック１４Ｂは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに対して＋Ｙ方向および−Ｙ方向に移動可能に設けられる。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよび露光装置１５のメンテナンス時には、搬入搬出ブロック１４Ｂを＋Ｙ方向または−Ｙ方向に移動させることにより、作業スペースを確保することができる。なお、搬入搬出ブロック１４Ｂは、他のブロックに比べて軽量であり、容易に移動させることができる。
【００４１】
（１−２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１の概略側面図である。図２においては、基板処理装置１００の一方の側面に沿った領域（以下、＋Ｙ側と呼ぶ）に設けられた構成要素が主に示される。
【００４２】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００４３】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００４４】
また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【００４５】
塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００４６】
本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００４７】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック３５およびカップ３７は、現像処理ユニット１３９に３つずつ設けられる。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００４８】
現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００４９】
本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００５０】
図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのスピンチャック２５および２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのスピンチャック３５および３つのカップ３７を有するが、スピンチャック２５，３５およびカップ２７，３７の数はこれに限らず、任意に変更してもよい。
【００５１】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００５２】
洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面の反対側の面をいう。
【００５３】
図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。
【００５４】
塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。
【００５５】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００５６】
（１−３）熱処理部の構成
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２の概略側面図である。図３においては、基板処理装置１００の他方の側面に沿った領域（以下、−Ｙ側と呼ぶ）に設けられた構成要素が主に示される。
【００５７】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００５８】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００５９】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。
【００６０】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００６１】
（１−４）搬送部の構成
（１−４−１）概略構成
図４は、第１の処理ブロック１２の模式的側面図であり、図５は、搬送部１１２，１２２，１３２，１６３の模式的側面図である。図４には、インデクサブロック１１から見た第１の処理ブロック１２の構成が示され、図５には、＋Ｙ側から見た搬送部１１２，１２２，１３２，１６３の構成が示される。
【００６２】
図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。
【００６３】
上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００６４】
図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。
【００６５】
図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、送りバッファ部ＳＢ
Ｆ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、送りバッファ部ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ２が設けられる。送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２の詳細については後述する。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂと隣り合うように、搬送部１６３に基板載置部ＰＡＳＳ５および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００６６】
送りバッファ部ＳＢＦ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１は、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２および搬送機構１２７による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。送りバッファ部ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ２は、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２および搬送機構１２８による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、搬送機構１２７，１３７による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、搬送機構１２８，１３８による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００６７】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２の構成は、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２の構成と同様であってもよい（後述の図９および図１０参照）。基板載置部ＰＡＳＳ５および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００６８】
図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ５が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ５が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ５を用いてもよい。
【００６９】
送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７１】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ５には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７２】
上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。
【００７３】
また、上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の下方に上段搬送室１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１２６内において搬送機構１２８の下方に下段搬送室１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。
【００７４】
同様に、上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の下方に上段搬送室１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下段搬送室１３６内において搬送機構１３８の下方に下段搬送室１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。
【００７５】
これにより、上段搬送室１２５，１３５および下段搬送室１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。
【００７６】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部には、給気ユニット４６が設けられる。給気ユニット４５，４６には、図示しない温調装置から温湿度調整された空気が供給される。それにより、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂ内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。
【００７７】
（１−４−２）搬送機構の構成
図５を参照しながら搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の構成について説明する。図５に示すように、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、ガイドレール３１１，３１２，３１３、移動部材３１４、回転部材３１５およびハンドＨ１，Ｈ２を備える。
【００７８】
ガイドレール３１１，３１２は、上下方向に延びるようにそれぞれ設けられる。ガイドレール３１３は、ガイドレール３１１とガイドレール３１２と間でＸ方向に延びるように設けられ、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。移動部材３１４は、Ｘ方向に移動可能にガイドレール３１３に取り付けられる。
【００７９】
移動部材３１４の上面に、回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５を基準に進退可能に構成される。
【００８０】
上記のような構成により、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて基板Ｗを保持し、Ｘ方向およびＺ方向に自在に移動して基板Ｗを搬送することができる。
【００８１】
図６は、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の構成を示す模式的側面図であり、図７は、搬送機構１４１，１４２の構成を示す模式的側面図である。図６には、第１の処理ブロック１２と反対側から搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の構成が示される。図７には、搬入搬出ブロック１４Ｂから見た搬送機構１４１，１４２の構成が示される。
【００８２】
図６に示すように、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の各々は、基板Ｗを保持するためのハンドＩＨ１，ＩＨ２を有する。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の各々は、ハンドＩＨ１，ＩＨ２を互いに独立に進退させることができる。また、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の各々は、上下方向に伸縮可能および上下方向の軸周りに回転可能に構成される。ハンドＩＨ１，ＩＨ２の上下方向における間隔Ｃ１は一定に維持される。
【００８３】
図７に示すように、搬送機構１４１，１４２の各々は、基板Ｗを保持可能なハンドＨ３，Ｈ４を有する。搬送機構１４１，１４２の各々は、ハンドＨ３，Ｈ４を互いに独立に進退させることができる。また、搬送機構１４１，１４２の各々は、上下方向に伸縮可能および上下方向の軸周りに回転可能に構成される。
【００８４】
（１−５）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。
【００８５】
（１−５−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に参照しながらインデクサブロック１１の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１ａには、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置され、キャリア載置部１１１ｂには、基板Ｗが収容されていない空のキャリア１１３が載置される。搬送機構ＩＲ１は、キャリア載置部１１１ａに載置されたキャリア１１３から未処理の基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に交互に搬送する。搬送機構ＩＲ２は、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２から処理後の基板Ｗをキャリア載置部１１１ｂに載置されたキャリア１１３に交互に搬送する。この場合、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２により並行して基板Ｗが搬送される。ここで、「基板Ｗが並行して搬送される」とは、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が基板Ｗを全く同時に搬送する場合に限らず、搬送機構ＩＲ１による基板Ｗの搬送期間と搬送機構ＩＲ２による基板Ｗの搬送期間とが一部重複する場合も含む。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の動作の詳細については後述する。
【００８６】
（１−５−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に参照しながら第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【００８７】
搬送機構ＩＲ１（図１）により送りバッファ部ＳＢＦ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦ１に載置する。なお、ハンドＨ２から戻りバッファ部ＲＢＦ１に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【００８８】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。
【００８９】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００９０】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
【００９１】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。
【００９２】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００９３】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【００９４】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【００９５】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ２から取り出した現像処理後の基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦ１（図５）に搬送する。
【００９６】
搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【００９７】
搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、送りバッファ部ＳＢＦ２、戻りバッファ部ＲＢＦ２、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００９８】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による
基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【００９９】
（１−５−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１００】
搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１０１】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。
【０１０２】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０１０３】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。
【０１０４】
搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。
【０１０５】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１０６】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。
【０１０７】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に載置する。
【０１０８】
搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１０９】
搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１１０】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０１１１】
（１−５−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図７を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。
【０１１２】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図７）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。
【０１１３】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。
【０１１４】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１１５】
次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。
【０１１６】
このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から交互にエッジ露光後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送する。
【０１１７】
搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ３により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ４により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ３に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１１８】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１１９】
次に、搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ３により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ４により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ３に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１２０】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。
【０１２１】
このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。
【０１２２】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に搬送する。
【０１２３】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１２４】
また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１２５】
また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。
【０１２６】
本実施の形態では、搬送機構ＩＲ１により送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に交互に基板Ｗが搬送され、搬送機構１４１により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から交互に基板Ｗが取り出される。これにより、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２に搬送される基板Ｗの順序と、第２の処理ブロック１３からインターフェイスブロック１４に搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。したがって、キャリア１１３から取り出される基板Ｗの順序と、露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。
【０１２７】
また、搬送機構１４２により上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に露光処理後の基板Ｗが交互に搬送され、搬送機構ＩＲ２により戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２から交互に基板Ｗが取り出される。これにより、インターフェイスブロック１４から第２の処理ブロック１３に搬送される基板Ｗの順序と第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１に搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。したがって、露光装置１５から搬出される基板Ｗの順序とキャリア１１３に収容される基板Ｗの順序とを一致させることができる。
【０１２８】
これにより、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、複数の基板Ｗ間において、処理精度のばらつきが生じることを防止することができる。
【０１２９】
（１−６）インデクサブロックにおける基板の搬送
（１−６−１）キャリアの構成
図８（ａ）はキャリア１１３の斜視図であり、図８（ｂ）はキャリア１１３の正面図である。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、キャリア１１３は、前面が開口する箱型形状を有する。キャリア１１３の内部には、両側面から内側に突出するように複数段の棚１１３ａが設けられる。各棚１１３ａに基板Ｗが載置される。本例では、キャリア１１３が２５段の棚１１３ａを有する。上下に隣り合う棚１１３ａの間隔Ｃ２は、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２の間隔Ｃ１の２分の１に設定される。
【０１３０】
以下の説明では、キャリア１１３の最下段の棚１１３ａから最上段の棚１１３ａまでを順に、１段目の棚１１３ａ、２段目の棚１１３ａ、…、および２５段目の棚１１３ａと呼ぶ。
【０１３１】
（１−６−２）送りバッファ部および戻りバッファ部の構成
図９および図１０は、送りバッファ部ＳＢＦ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１の構成を示す外観斜視図および側面図である。送りバッファ部ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ２は図９および図１０の送りバッファ部ＳＢＦ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１と同様の構成を有する。
【０１３２】
インデクサブロック１１の搬送部１１２（図５）と第１の処理ブロック１２の上段搬送室１２５（図５）との間には、図８および図９に示すように、上下方向（Ｚ方向）に延びる一対のフレーム９１１，９１２が設けられる。一対のフレーム９１１，９１２に一対の固定部材９１がそれぞれ取り付けられる。
【０１３３】
各固定部材９１には、横方向（Ｘ方向）に突出する複数の凸部９２１が上下方向に一定の間隔で設けられる。一方の固定部材９１の凸部９２１の上面および下面に複数の支持板９２の一端部がそれぞれ固定され、他方の固定部材９１の凸部９２１の上面および下面に複数の支持板９２の他端部がそれぞれ固定される。これにより、複数の支持板９２が水平姿勢で上下方向に等間隔で配置される。上下に隣り合う支持板９２の間隔Ｃ３（図１０）は、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２の間隔Ｃ１（図６）と等しく設定される。各支持板９２の上面には、複数（本例では３つ）の支持ピン９３が設けられる。各支持板９２上において、複数の支持ピン９３により基板Ｗが支持される。
【０１３４】
本実施の形態では、２６枚の支持板９２が固定部材９１に固定される。２６枚の支持板９２のうち上半分の１３枚の支持板９２およびその１３枚の支持板９２上に設けられた複数の支持ピン９３により送りバッファ部ＳＢＦ１が構成される。２６枚の支持板９２のうち下半分の１３枚の支持板９２およびその１３枚の支持板９２上に設けられた複数の支持ピン９３により戻りバッファ部ＲＢＦ１が構成される。
【０１３５】
以下の説明では、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２の各々において、最下段の支持板９２から最上段の支持板９２までを順に、１段目の支持板９２、２段目の支持板９２、…、および１３段目の支持板９２と呼ぶ。
【０１３６】
図１１および図１２は、送りバッファ部ＳＢＦ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１に対する基板Ｗの載置および受け取りについて説明するための平面図である。送りバッファ部ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ２に対する基板Ｗの載置および受け取りも送りバッファ部ＳＢＦ１および戻りバッファ部ＲＢＦ１に対する基板Ｗの載置および受け取りと同様に行われる。
【０１３７】
図１１（ａ）には、送りバッファ部ＳＢＦ１への基板Ｗの載置時における搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２の位置が示される。図１１（ｂ）には、戻りバッファ部ＲＢＦ１からの基板Ｗの受け取り時における搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２の位置が示される。図１２には、送りバッファ部ＳＢＦ１からの基板Ｗの受け取り時および戻りバッファ部ＲＢＦ１への基板Ｗの載置時における搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２の位置が示される。
【０１３８】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、略Ｕ字形状を有し、基板Ｗの下面に重なるように配置され、基板Ｗの外周部を保持する。図１１（ａ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、支持ピン９３およびフレーム９１１，９１２に接触することなく、Ｘ方向に対して斜行するように送りバッファ部ＳＢＦ１に進入し、支持ピン９３上に基板Ｗを載置することができる。同様に、図１１（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、支持ピン９３およびフレーム９１１，９１２に接触することなく、Ｘ方向に対して斜行するように戻りバッファ部ＲＢＦ１に進入し、支持ピン９３上から基板Ｗを受け取ることができる。
【０１３９】
図１２に示すように、搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２は、略Ｕ字形状を有し、基板Ｗの外周部を囲むように配置され、基板Ｗの外周部を保持する。搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２は、支持ピン９３およびフレーム９１１，９１２に接触することなく、Ｘ方向に沿って送りバッファ部ＳＢＦ１内に進入し、支持ピン９３上から基板Ｗを受け取ることができる。また、搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２は、支持ピン９３およびフレーム９１１，９１２に接触することなく、Ｘ方向に沿って戻りバッファ部ＲＢＦ１内に進入し、支持ピン９３上に基板Ｗを載置することができる。
【０１４０】
（１−６−３）基板の搬送
搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２による基板Ｗの搬送について説明する。上記のように、搬送機構ＩＲ１は、キャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に交互に基板Ｗを搬送し、搬送機構ＩＲ２は、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３に交互に基板Ｗを搬送する。
【０１４１】
図１３および図１４は、搬送機構ＩＲ１によるキャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１への基板Ｗの搬送について説明するための模式的側面図である。図１３および図１４の例では、初期状態として、キャリア１１３の全ての棚１１３ａに基板Ｗが収容され、送りバッファ部ＳＢＦ１には基板Ｗが載置されていない。
【０１４２】
まず、図１３（ａ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２がキャリア１１３の前方の位置に移動する。上記のように、キャリア１１３の棚１１３ａの間隔Ｃ２は搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２の間隔Ｃ１の２分の１である。
【０１４３】
図１３（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２がキャリア１１３内に同時に進入する。この場合、ハンドＩＨ１が３段目の棚１１３ａに載置された基板Ｗの直下に進入し、ハンドＩＨ２が１段目の棚１１３ａに載置された基板Ｗの直下に進入する。
【０１４４】
続いて、図１３（ｃ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２が一体的に上昇して１段目の棚１１３ａおよび３段目の棚１１３ａから基板Ｗを受け取り、キャリア１１３から退出する。
【０１４５】
次に、図１４（ａ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２が送りバッファ部ＳＢＦ１の斜め前方の位置に移動する。上記のように、複数の支持板９２の間隔Ｃ３はハンドＩＨ１，ＩＨ２の間隔Ｃ１と等しい。
【０１４６】
図１４（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２が送りバッファ部ＳＢＦ１に同時に進入する。この場合、ハンドＩＨ１が２段目の支持板９２の直上に進入し、ハンドＩＨ２が１段目の支持板９２の直上に進入する。
【０１４７】
続いて、図１４（ｃ）に示すように、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２が一体的に下降して１段目の支持板９２上の支持ピン９３および２段目の支持板９２上の支持ピン９３に基板Ｗを載置し、送りバッファ部ＳＢＦ１から退出する。
【０１４８】
次に、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、キャリア１１３の前方の位置に移動し、キャリア１１３の２段目の棚１１３ａおよび４段目の棚１１３ａから、図１３の例と同様にして、２枚の基板Ｗを同時に受け取る。続いて、搬送機構ＩＲ１のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、送りバッファ部ＳＢＦ２の斜め前方の位置に移動し、送りバッファ部ＳＢＦ２の１段目の支持板９２上の支持ピン９３および２段目の支持板９２上の支持ピン９３に、図１４の例と同様にして、２枚の基板Ｗを同時に載置する。以後同様に、搬送機構ＩＲ１は、キャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に交互に２枚ずつ基板Ｗを搬送する。送りバッファ部ＳＢＦ１に搬送された基板Ｗは搬送機構１２７により順次受け取られ、送りバッファ部ＳＢＦ２に搬送された基板Ｗは搬送機構１２８により順次受け取られる。
【０１４９】
本例では、キャリア１１３の１段目から２４段目までの棚１１３ａから基板Ｗが取り出された後、２５段目の棚１１３ａのみに基板Ｗが残る。この場合、搬送機構ＩＲ１は、ハンドＩＨ１，ＩＨ２の一方のみを用いてキャリア１１３の２５段目の棚１１３ａから基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１または送りバッファ部ＳＢＦ２に搬送する。
【０１５０】
図１５および図１６は、搬送機構ＩＲ２による戻りバッファ部ＲＢＦ１からキャリア１１３への基板Ｗの搬送について説明するための模式的側面図である。図１５および図１６の例では、初期状態として、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２の１段目および２段目の支持板９２上に基板Ｗが載置され、キャリア１１３には基板Ｗが載置されていない。
【０１５１】
まず、図１５（ａ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２が戻りバッファ部ＲＢＦ１の斜め前方の位置に移動する。上記のように、戻りバッファ部ＲＢＦ１の棚１１３ａの間隔Ｃ２は搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２の間隔Ｃ１と等しい。
【０１５２】
図１５（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２が戻りバッファ部ＲＢＦ１に同時に進入する。この場合、ハンドＩＨ１が２段目の支持板９２とその支持板９２上の支持ピン９３により支持された基板Ｗとの間に進入し、ハンドＩＨ２が１段目の支持板９２とその支持板９２上の支持ピン９３により支持された基板Ｗとの間に進入する。
【０１５３】
続いて、図１５（ｃ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２が一体的に上昇して１段目の支持板９２上の支持ピン９３および２段目の支持板９２上の支持ピン９３から基板Ｗを受け取り、戻りバッファ部ＲＢＦ１から退出する。
【０１５４】
次に、図１６（ａ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２がキャリア１１３の前方の位置に移動し、図１６（ｂ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２がキャリア１１３に同時に進入する。この場合、ハンドＩＨ１が３段目の棚１１３ａの高さの位置に進入し、ハンドＩＨ２が１段目の棚１１３ａの高さの位置に進入する。
【０１５５】
続いて、図１６（ｃ）に示すように、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２が一体的に下降して１段目の棚１１３ａおよび３段目の棚１１３ａに基板Ｗを載置し、キャリア１１３から退出する。
【０１５６】
次に、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、戻りバッファ部ＲＢＦ２の斜め前方の位置に移動し、戻りバッファ部ＲＢＦ２の１段目の支持板９２上および２段目の支持板９２上から、図１５の例と同様にして、２枚の基板Ｗを同時に受け取る。続いて、搬送機構ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、キャリア１１３の前方の位置に移動し、キャリア１１３の２段目の棚１１３ａおよび４段目の棚１１３ａに、図１６の例と同様にして、２枚の基板Ｗを同時に載置する。以後同様に、搬送機構ＩＲ２は、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３に交互に２枚ずつ基板Ｗを搬送する。戻りバッファ部ＲＢＦ１には搬送機構１２７により現像処理後の基板Ｗが順次載置され、戻りバッファ部ＲＢＦ２には搬送機構１２８により現像処理後の基板Ｗが順次載置される。
【０１５７】
本例では、キャリア１１３の１段目から２４段目までの棚１１３ａに基板Ｗが載置された後、２５段目の棚１１３ａのみに基板Ｗが載置されていない状態になる。この場合、搬送機構ＩＲ１は、ハンドＩＨ１，ＩＨ２の一方のみを用いて送りバッファ部ＳＢＦ１または送りバッファ部ＳＢＦ２から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをキャリア１１３の２５段目の棚１１３ａに載置する。
【０１５８】
このように、本実施の形態では、搬送機構ＩＲ１によりキャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に基板Ｗが２枚ずつ搬送され、搬送機構ＩＲ２により戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３に基板Ｗが２枚ずつ搬送される。この場合、搬送機構ＩＲ１は、例えば６秒毎にキャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１または送りバッファ部ＳＢＦ２に２枚の基板Ｗを搬送することができる。また、搬送機構ＩＲ２は、例えば６秒毎に戻りバッファ部ＲＢＦ１または戻りバッファ部ＲＢＦ２からキャリア１１３に２枚の基板Ｗを搬送することができる。
【０１５９】
（１−７）効果
本実施の形態では、インデクサブロック１１において、２台の搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２により並行して基板Ｗが搬送される。それにより、インデクサブロック１１における基板Ｗの搬送効率が高められる。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上される。
【０１６０】
また、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がそれぞれハンドＩＨ１，ＩＨ２により２枚の基板Ｗを同時に搬送する。それにより、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がより効率よく基板Ｗを搬送することができる。
【０１６１】
さらに、搬送機構ＩＲ１がキャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に未処理の基板Ｗを搬送し、搬送機構ＩＲ２が戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３に処理後の基板Ｗを搬送する。それにより、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の動作が単純化される。したがって、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がより効率よく基板Ｗを搬送することができる。
【０１６２】
また、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３がキャリア載置部１１１ａに載置され、処理後の基板Ｗが収容されるキャリア１１３がキャリア載置部１１１ｂに載置される。それにより、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がそれぞれ円滑に基板Ｗを搬送することができる。
【０１６３】
また、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２がそれぞれ複数枚の基板Ｗを載置可能に構成される。それにより、搬送機構ＩＲ１は、先に搬送された基板Ｗが送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に載置されていても、続けて新たな基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に搬送することができる。また、搬送機構ＩＲ２は、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２から２枚の基板Ｗを同時に取り出すことができる。また、搬送機構１２７，１２８は、先に搬送された基板Ｗが戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２に載置されていても、続けて新たな基板Ｗを戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２に搬送することができる。これらにより、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２，１２７，１２８がより効率よく基板Ｗを搬送することができる。
【０１６４】
（１−８）他の動作例
上記実施の形態では、搬送機構ＩＲ１がキャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に基板Ｗを搬送し、搬送機構ＩＲ２が戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３に基板Ｗを搬送するが、搬送装置ＩＲ１，ＩＲ２の動作はこれに限らない。搬送装置ＩＲ１，ＩＲ２の各々が、キャリア１１３から送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２への基板Ｗの搬送および戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２からキャリア１１３への基板Ｗの搬送を並行して行ってもよい。
【０１６５】
例えば、搬送機構ＩＲ１がハンドＩＨ１によりキャリア１１３から未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１に搬送する。続いて、搬送機構ＩＲ１がハンドＩＨ２により戻りバッファ部ＲＢＦ１から処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。次に、搬送機構ＩＲ１がハンドＩＨ１によりキャリア１１３から未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ２に搬送する。続いて、搬送機構ＩＲ１がハンドＩＨ２により戻りバッファ部ＲＢＦ２から処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。以上の動作を搬送機構ＩＲ１が繰り返し行う。搬送機構ＩＲ２も同様の動作を繰り返し行う。
【０１６６】
この場合も、２台の搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２により基板Ｗが並行して搬送されるので、インデクサブロック１１における基板Ｗの搬送効率が高められる。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上される。
【０１６７】
（２）第２の実施の形態
図１７および図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す模式的側面図である。図１７には、−Ｙ側から見た基板処理装置１００の一部構成が示され、図１８には、キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよびその周辺部が示される。図１７および図１８の基板処理装置１００について、上記第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１６８】
図１７および図１８の基板処理装置１００においては、インデクサブロック１１に隣り合うようにストッカー装置４００が設けられる。ストッカー装置４００は、受取棚４０１（図１８）、引渡棚４０２、複数（本例では４つ）の保管棚４０３および搬送装置４１０（図１７）を備える。図１８に示すように、キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂの上方に複数の保管棚４０３がＹ方向に沿って並ぶように配置される。一端に位置する保管棚４０３の上方に受取棚４０１が配置され、他端に位置する保管棚４０３の上方に引渡棚４０２が配置される。
【０１６９】
図１７に示すように、搬送装置４１０は、把持部４１１、アーム機構４１２および移動機構４１３を含む。移動機構４１３によって把持部４１１およびアーム機構４１２が一体的にＺ方向およびＹ方向に移動する。搬送装置４１０は、把持部４１１によりキャリア１１３を把持し、受取棚４０１、引渡棚４０２、複数の保管棚４０３およびキャリア載置部１１１ａ，１１１ｂの間でキャリア１１３を搬送する。本例では、キャリア１１３の上部に把持部４１１により把持可能な被把持部１１３ｂが設けられる。
【０１７０】
搬送装置４１０によるキャリア１１３の搬送について説明する。まず、図示しない外部搬送装置により、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が受取棚４０１に搬送される。そのキャリア１１３が受取棚４０１からキャリア載置部１１１ａに搬送される。先に搬送された他のキャリア１１３がキャリア載置部１１１ａに載置されている場合、いずれかの保管棚４０３に一時的にキャリア１１３が載置される。キャリア載置部１１１ａに載置されたキャリア１１３から未処理の基板Ｗが搬送機構ＩＲ１により順次取り出される。
【０１７１】
キャリア載置部１１１ａに載置されたキャリア１１３が空になると、そのキャリア１１３がキャリア載置部１１１ｂに搬送される。先に搬送された他のキャリア１１３がキャリア載置部１１１ｂに載置されている場合、いずれかの保管棚４０３に一時的に空のキャリア１１３が載置される。キャリア載置部１１１ｂに載置されたキャリア１１３には、搬送機構ＩＲ２により処理後の基板Ｗが順次収容される。
【０１７２】
キャリア載置部１１１ｂ上のキャリア１１３に所定数の基板Ｗが収容されると、そのキャリア１１３が引渡棚４０２に搬送される。先に搬送された他のキャリア１１３が引渡棚４０２に載置されている場合、いずれかの保管棚４０３に一時的にキャリア１１３が載置される。引渡棚４０２に載置されたキャリア１１３は、外部搬送装置により外部に搬送される。
【０１７３】
このように、ストッカー装置４００においては、受取棚４０１、キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂおよび引渡棚４０２の間で複数のキャリア１１３が順に搬送される。また、次に搬送すべき場所に他のキャリア１１３が載置されている場合、保管棚４０３に一時的にキャリア１１３が載置される。これにより、キャリア載置部１１１ａに未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３を滞りなく搬送することができるとともに、キャリア載置部１１１ｂから処理後の基板Ｗが収容されたキャリア１１３を滞りなく搬送することができる。したがって、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がキャリア１１３と第１の処理ブロック１２との間でより円滑に基板Ｗを搬送することができる。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上される。
【０１７４】
（３）第３の実施の形態
図１９は、本発明の第３の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１９の基板処理装置１００について、上記実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１７５】
図１９の基板処理装置１００においては、インデクサブロック１１に、２つのキャリア載置部１１１ａおよび２つのキャリア載置部１１１ｂが設けられる。インデクサブロック１１の搬送部１１２には、Ｘ方向にそれぞれ延びるようにガイドシャフトＧＳ１、ＧＳ２が設けられる。ガイドシャフトＧＳ１に搬送機構ＩＲ１が取り付けられ、ガイドシャフトＧＳ２に搬送機構ＩＲ２が取り付けられる。搬送機構ＩＲ１は、ガイドシャフトＧＳ１に沿ってＸ方向に移動可能に構成され、搬送機構ＩＲ２は、ガイドシャフトＧＳ２に沿ってＸ方向に移動可能に構成される。
【０１７６】
本例では、搬送機構ＩＲ１がＸ方向に移動しつつ２つのキャリア載置部１１１ａ上に載置された２つのキャリア１１３から未処理の基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２に順次搬送する。また、搬送機構ＩＲ２がＸ方向に移動しつつ戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２から２つのキャリア載置部１１１ｂ上に載置された２つのキャリア１１３に処理後の基板Ｗを順次搬送する。これにより、インデクサブロック１１における基板Ｗの搬送効率がさらに高められる。
【０１７７】
本例では、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２自体がＸ方向に移動して２つのキャリア１１３からの基板Ｗの取り出しおよび２つのキャリア１１３への基板Ｗの収容を行うが、これに限らず、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２自体は移動せず、ハンドＩＨ１，ＩＨ２を移動させることによって２つのキャリア１１３からの基板Ｗの取り出しおよび２つのキャリア１１３への基板Ｗの収容を行うことが可能なように、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が構成されてもよい。
【０１７８】
（４）第４の実施の形態
図２０および図２１は、本発明の第４の実施の形態に係る基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図および模式的側面図である。図２１には、−Ｙ側から見た基板処理装置１００の一部構成が示される。
【０１７９】
図２０および図２１の基板処理装置１００においては、インデクサブロック１１の搬送部１１２が上段搬送室１１２ａおよび下段搬送室１１２ｂを有する。上段搬送室１１２ａに搬送機構ＩＲ１が設けられ、下段搬送室１１２ｂに搬送機構ＩＲ２が設けられる（図２１）。搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２は、それぞれガイドシャフトＧＳ１，ＧＳ２に沿ってＸ方向に移動可能にそれぞれ構成される。また、上段搬送室１１２ａの一側面にキャリア載置台１１１ａ，１１１ｂが設けられ、下段搬送室１１２ｂの一側面にキャリア載置台１１１ａ，１１１ｂが設けられる。
【０１８０】
本例では、上段搬送室１１２ａにおいて、搬送機構ＩＲ１がＸ方向に移動しつつキャリア載置部１１１ａ上のキャリア１１３から未処理の基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ１に順次搬送するとともに、戻りバッファ部ＲＢＦ１から処理後の基板Ｗをキャリア載置部１１１ｂ上のキャリア１１３に順次搬送する。また、下段搬送室１１２ｂにおいて、搬送機構ＩＲ２がＸ方向に移動しつつキャリア載置部１１１ａ上のキャリア１１３から未処理の基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦ２に順次搬送するとともに、戻りバッファ部ＲＢＦ２から処理後の基板Ｗをキャリア載置部１１１ｂ上のキャリア１１３に順次搬送する。
【０１８１】
この場合も、２台の搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２により基板Ｗが並行して搬送されるので、インデクサブロック１１における基板Ｗの搬送効率が高められる。その結果、基板処理装置１００のスループットが向上される。また、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が上下に配置されるので、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２の設置面積を小さくすることができる。それにより、基板処理装置１００のフットプリントが増加することが防止される。
【０１８２】
（５）他の実施の形態
（５−１）
上記実施の形態では、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がそれぞれ２つのハンドＩＨ１，ＩＨ２を有するが、これに限らず、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がそれぞれ１つのハンドのみを有してもよく、または搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がそれぞれ３つ以上のハンドを有してもよい。
【０１８３】
（５−２）
上記実施の形態では、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２のハンドＩＨ１，ＩＨ２がそれぞれ１枚の基板Ｗを保持可能に構成されるが、ハンドＩＨ１，ＩＨ２がそれぞれ複数枚の基板Ｗを保持可能に構成されてもよい。
【０１８４】
図２２は、ハンドＩＨ１，ＩＨ２の他の例を示す側面図および平面図である。図２２のハンドＩＨ１，ＩＨ２は、複数のハンド要素２６０およびハンド支持部２７０を含む。複数のハンド要素２６０は、鉛直方向において等間隔に配置されるようにハンド支持部２７０に固定されている。上下に隣り合うハンド要素２６０間の間隔は、例えば、図６に示されるハンドＩＨ１，ＩＨ２の上下方向における間隔Ｃ１と等しく設定される。各ハンド要素２６０は、ほぼ平行に延びる２本の爪部２６１を有する（図２２（ｂ））。２本の爪部２６１により基板Ｗの外周部が保持される。
【０１８５】
図２２のハンドＩＨ１，ＩＨ２が用いられることにより、搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２がさらに多くの基板Ｗを同時に搬送することができる。それにより、インデクサブロック１１における基板Ｗの搬送効率がさらに高められ、基板処理装置１００のスループットがさらに向上される。
【０１８６】
（５−３）
上記実施の形態では、インデクサブロック１１に２台の搬送機構ＩＲ１，ＩＲ２が設けられるが、これに限らず、インデクサブロック１１に３台以上の搬送機構が設けられてもよい。
【０１８７】
（５−４）
上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として設けられるが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として設けられてもよい。その場合も上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１８８】
なお、その場合には、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２が設けられなくてもよい。また、塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されなくてもよい。
【０１８９】
（５−５）
上記実施の形態は、基板Ｗに対してレジスト膜の塗布形成処理および現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ／デベロッパ）に本発明が適用された例であるが、本発明の実施の形態は、これに限らない。例えば、基板Ｗに洗浄処理等の単一の処理を行う基板処理装置に本発明が適用されてもよい。その場合も上記実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１９０】
（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１９１】
上記の実施の形態では、キャリア１１３が収容容器の例であり、インデクサブロック１１がインデクサブロックの例であり、第１および第２の処理ブロック１２，１３が処理ブロックの例であり、キャリア載置部１１１ａ，１１１ｂが容器載置部の例であり、搬送機構ＩＲ１が第１の搬送機構の例であり、搬送機構ＩＲ２が第２の搬送機構の例であり、ハンドＩＨ１が第１および第３の保持部の例であり、ハンドＩＨ２が第２および第４の保持部の例である。
【０１９２】
また、キャリア載置部１１１ａが第１の載置部の例であり、キャリア載置部１１１ｂが第２の載置部の例であり、搬送機構１２７，１２８が第３の搬送機構の例であり、送りバッファ部ＳＢＦ１，ＳＢＦ２が第１の基板載置部の例であり、戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２が第２の基板載置部の例であり、上段搬送室１１２ａが第１の搬送室の例であり、下段搬送室１１２ｂが第２の搬送室の例である。
【０１９３】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１９４】
本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１９５】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック 
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１００  基板処理装置
１１１ａ，１１１ｂ  キャリア載置部
１１３  キャリア
１１４  制御部
１２９  塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
ＩＨ１，ＩＨ２，Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４  ハンド
ＩＲ１，ＩＲ２，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
ＲＢＦ１，ＲＢＦ２  戻りバッファ部
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
ＳＢＦ１，ＳＢＦ２  送りバッファ部
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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