(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の力学量を検知する検知部及び一方の面に第１の配線を備えた第１の基板、並びに、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、
前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されているＭＥＭＳモジュール。
【請求項２】
前記第２の基板の前記第１の封止空間を形成する領域に、前記第２の基板を貫通する第１のビアホールが形成され、
前記第２の配線は、前記第１のビアホールを介して、前記第１の配線と電気的に接続されている請求項１記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項３】
前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に、前記第２の基板を貫通する第２のビアホールが形成され、
前記第１の配線は、前記第２のビアホールを介して、前記外部接続端子と電気的に接続されている請求項２記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項４】
前記封止基板には切り欠き部が形成され、前記第２の基板の前記切り欠き部から露出する領域に、前記外部接続端子が形成されている請求項３記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項５】
前記第１のＭＥＭＳ素子は、前記第１の基板の他方の面に前記検知部を覆うように積層された第３の基板を備え、
前記検知部は、前記第１の基板を貫通する開口部内に可動可能な状態で支持され、
前記検知部は、前記開口部の内壁面、及び前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面によって形成された第２の封止空間に封止されている請求項１乃至４の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項６】
所定の力学量を検知する検知部及び第１の配線を備えた第１の基板、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、並びに、前記第１の基板の他方の面に前記検知部を覆うように積層された第３の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、
前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、
前記第２の基板の前記第１の封止空間を形成する領域に、前記第２の基板を貫通する第１のビアホールが形成され、前記第１のビアホール内に前記第２の配線が形成され、
前記第１の基板に、前記第１の基板を貫通する第３のビアホールが形成され、前記第３のビアホール内に前記第１の配線が形成され、
前記第３の基板に、前記第３の基板を貫通する第４のビアホールが形成され、前記第４のビアホール内にビア配線が形成され、
前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線、前記第１の配線、及び前記ビア配線を介して、前記第３の基板の前記第１の基板とは反対側の面に形成された外部接続端子と電気的に接続されているＭＥＭＳモジュール。
【請求項７】
前記検知部は、前記第１の基板を貫通する開口部内に可動可能な状態で支持され、
前記検知部は、前記開口部の内壁面、及び前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面によって形成された第２の封止空間に封止されている請求項６記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項８】
前記第２の基板と前記第３の基板の前記第１の基板を介して互いに対向する面側の前記検知部と重複する位置には、各々凹部が形成されている請求項５乃至７の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項９】
前記封止基板は凹部を有し、
前記第１の封止空間は、前記凹部の内壁面と前記第２の基板により形成されている請求項１乃至８の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項１０】
前記第１の配線は、前記第１の基板の表面から突出しないように形成されている請求項１乃至９の何れか一項記載のＭＥＭＳモジュール。
【請求項１１】
複数の領域を有する第１のウェハの各々の前記領域に所定の力学量を検知する検知部を形成する工程と、
前記第１のウェハの各々の前記領域に第１の配線を形成する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第２のウェハを、前記第１のウェハの一方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域に前記第１の配線と電気的に接続された第２の配線を形成し、前記第１のウェハの各々の前記領域及び前記第２のウェハの各々の前記領域に第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第３のウェハを前記第２のウェハの前記第１のウェハとは反対側の面に積層して接合し、前記第２のウェハとの間に各々の前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する工程と、を有し、
前記第１の封止空間を形成する工程では、前記第２のＭＥＭＳ素子が、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２のウェハの前記第３のウェハから露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されるＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【請求項１２】
複数の領域を有する第１のウェハの各々の前記領域に所定の力学量を検知する検知部を形成する工程と、
前記第１のウェハの各々の前記領域に、前記第１のウェハを貫通する第１の配線を形成する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第２のウェハを、前記第１のウェハの一方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第４のウェハを、前記第１のウェハの他方の面に前記検知部を覆うように積層して接合する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域に前記第１の配線と電気的に接続された第２の配線を形成する工程と、
前記第４のウェハの各々の前記領域に、前記第４のウェハを貫通して前記第１の配線と電気的に接続されたビア配線を形成し、前記第１のウェハの各々の前記領域、前記第２のウェハの各々の前記領域、及び前記第４のウェハの各々の前記領域に第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程と、
前記第２のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程と、
前記第１のウェハに対応する複数の領域を有する第３のウェハを前記第２のウェハの前記第１のウェハとは反対側の面に積層して接合し、前記第２のウェハとの間に各々の前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する工程と、を有し、
前記第１のＭＥＭＳ素子を形成する工程では、前記第４のウェハの各々の前記領域の前記第１のウェハとは反対側の面に外部接続端子を形成し、
前記第２のＭＥＭＳ素子を実装する工程では、前記第２のＭＥＭＳ素子が、前記第２の配線、前記第１の配線、及び前記ビア配線を介して、前記外部接続端子と電気的に接続されるＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記第４のウェハを前記第１のウェハの他方の面に積層して接合する工程では、
前記第１のウェハとしてシリコンウェハを準備し、
前記第４のウェハとしてガラスウェハを準備し、
前記ガラスウェハを前記シリコンウェハの他方の面に陽極接合する請求項１２記載のＭＥＭＳモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のＭＥＭＳ素子を有するＭＥＭＳモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ素子を封止するＭＥＭＳパッケージが知られている。例えば、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の少なくとも可動部を密封するキャップチップで形成されたＭＥＭＳ組立体を、配線基板もしくは回路基板に固着したＭＥＭＳパッケージが知られている。
【０００３】
このＭＥＭＳパッケージにおいて、ＭＥＭＳ素子と回路基板、及び回路基板と配線基板は各々配線で接続され、配線基板上の回路基板と配線、及びＭＥＭＳ組立体は樹脂部材で封止されている。又、ＭＥＭＳ組立体の少なくともＭＥＭＳ素子側面とキャップチップ側面が、ウェットエッチング面で形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−９１８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記ＭＥＭＳパッケージの構造では、薄型化に対応することが困難である。特に、複数のＭＥＭＳ素子を有するＭＥＭＳモジュールを実現する場合に、薄型化に対応することが困難である。
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、薄型化が可能なＭＥＭＳモジュール及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本ＭＥＭＳモジュールは、所定の力学量を検知する検知部及び一方の面に第１の配線を備えた第１の基板、並びに、前記第１の基板の一方の面に前記検知部及び前記第１の配線を覆うように積層され、前記第１の基板とは反対側の面に第２の配線を備えた第２の基板、を有する第１のＭＥＭＳ素子と、前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の前記第２の配線に実装された第２のＭＥＭＳ素子と、前記第２の基板の前記第１の基板とは反対側の面に前記第２のＭＥＭＳ素子を封止する第１の封止空間を形成する封止基板と、を有し、前記第２のＭＥＭＳ素子は、前記第２の配線及び前記第１の配線を介して、前記第２の基板の前記封止基板から露出する領域に形成された外部接続端子と電気的に接続されていることを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術によれば、薄型化が可能なＭＥＭＳモジュール及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図である。
【図２】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの一部を例示する図である。
【図３】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図（その１）である。
【図４】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図（その２）である。
【図５】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図（その３）である。
【図６】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図（その４）である。
【図７】第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図（その５）である。
【図８】第１の実施の形態の変形例１に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図である。
【図９】第１の実施の形態の変形例２に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。又、便宜上、平面図等において、断面図に対応するハッチングを施す場合がある。
【００１４】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの構造］
まず、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図２は、図１（ａ）の一部を例示する図であり、（ａ）は第２の基板４０の斜視図、（ｂ）は第１の基板３０の斜視図である。
【００１５】
図１及び図２を参照するに、ＭＥＭＳモジュール１０は、大略すると、第１のＭＥＭＳ素子２０と、第２のＭＥＭＳ素子６０と、封止基板７０と、制御用集積回路８０と、ボンディングワイヤ９０とを有する。
【００１６】
第１のＭＥＭＳ素子２０は、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）技術により作製された素子であり、加速度や角速度等の力学量を検知するセンサである。本実施の形態では、第１のＭＥＭＳ素子２０が力学量である加速度を検知する加速度センサである場合を例にして以下の説明を行う。
【００１７】
第１のＭＥＭＳ素子２０は、第１の基板３０と、第２の基板４０と、第３の基板５０とを有する。第１の基板３０は、加速度センサの主要部であり、固定部３１と、可動部３２と、支持部３３と、第１の配線３４とを有する。固定部３１は、可動しない部分である。固定部３１の平面形状は、中央部近傍に第１の基板３０を貫通する開口部３０ｘを有する枠状に形成されている。
【００１８】
可動部３２は開口部３０ｘ内に配置され、外縁部４カ所に形成された可撓性を有する支持部３３により、可動可能な状態で固定部３１に支持されている。各支持部３３には、例えばピエゾ抵抗素子（図示せず）が形成されている。外部から第１のＭＥＭＳ素子２０に加速度が加わると、可動部３２が固定部３１に対して変位し、その際に各支持部３３が変形する（歪む）。これにより、各支持部３３に形成された各ピエゾ抵抗素子（図示せず）の抵抗値が変化するため、抵抗値の変化をモニターすることで加速度を検知できる。
【００１９】
このように、可動部３２及び支持部３３（ピエゾ抵抗素子も含む）は、加速度を検知する検知部として機能する。以降、可動部３２及び支持部３３（ピエゾ抵抗素子も含む）を単に検知部と称する場合がある。
【００２０】
固定部３１には、第１の配線３４が形成されている。第１の配線３４は、第１の基板３０に例えばボロンやリン等の不純物を拡散することにより形成された低抵抗領域である。第１の配線３４は、固定部３１の表面近傍の領域に形成されたパッド３４ａ１〜３４ａ６及び配線パターン３４ｂを含む。このように、第１の配線３４は固定部３１の表面近傍の領域に形成されており、固定部３１の表面から突出していない。
【００２１】
パッド３４ａ１及び３４ａ２は、各々に対応する配線パターン３４ｂを介して、パッド３４ａ３及び３４ａ４と電気的に接続されている。パッド３４ａ３及び３４ａ４は、各々に対応する後述のビア配線４２ｃと電気的に接続されている。パッド３４ａ５及び３４ａ６は、図示しない配線パターンにより、ピエゾ抵抗素子（図示せず）等と電気的に接続されていると共に、各々に対応する後述のビア配線４２ｃと電気的に接続されている。なお、便宜上代表的なパッドのみを図示しているが、実際には多数のパッドが存在する。
【００２２】
固定部３１、可動部３２、及び支持部３３の材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。固定部３１、可動部３２、及び支持部３３の各々の厚さは、例えば、数１０〜数１００μｍ程度とすることができる。なお、本実施の形態では、可動部３２を動きやすくするために、可動部３２を固定部３１よりも薄く形成している。つまり、固定部３１、可動部３２、及び支持部３３の各々の厚さは同一でなくてもよい。
【００２３】
第２の基板４０は、第１の基板３０の上面（一方の面）に検知部を覆うように積層されている。つまり、第２の基板４０の下面は、第１の基板３０の上面と接合されている。第２の基板４０は、基板本体４１と、第２の配線４２と、外部接続端子４３とを有する。
【００２４】
第２の基板４０は、封止基板７０との間に第２のＭＥＭＳ素子６０を封止する封止空間（以降、第１の封止空間とする）を形成している。第２の基板４０の第１の封止空間を形成する領域には、第２の基板４０の基板本体４１を貫通する第１のビアホール４０ｘが形成されている。第２の基板４０の封止基板７０から露出する領域には、第２の基板４０の基板本体４１を貫通する第２のビアホール４０ｙが形成されている。
【００２５】
第２の配線４２は、基板本体４１の上面に形成されたパッド４２ａ１及び４２ａ２、基板本体４１の上面に形成された配線パターン４２ｂ、並びに第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙの各々の内壁に形成されたビア配線４２ｃを含む。但し、ビア配線４２ｃは、第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙを充填してもよい。なお、パッド４２ａ１及び４２ａ２は、第１の封止空間内に形成されている。
【００２６】
外部接続端子４３１〜４３４は、基板本体４１の上面に形成されている。ここでいう外部接続端子は、封止基板７０の外側に配置され、第１のＭＥＭＳ素子２０及び第２のＭＥＭＳ素子６０と制御用集積回路８０等とを電気的に接続する際に使用する端子を意味している。なお、特に区別が不要な場合には、外部接続端子４３１〜４３４を外部接続端子４３と称する場合がある。
【００２７】
外部接続端子４３は、便宜上第２の配線４２には含めていないが、実際には第２の配線４２と一体的に形成されるものである。第２の配線４２及び外部接続端子４３は、例えば、銅（Ｃｕ）等から形成できる。第２の配線４２及び外部接続端子４３は、複数の金属を積層して形成してもよい。
【００２８】
第２の配線４２の一部は、第１のビアホール４０ｘを介して、第１の配線３４の一部と電気的に接続されている。そして、第１の配線３４の一部は、第２のビアホール４０ｙを介して、第２の配線４２の他部と電気的に接続され、更に外部接続端子４３１及び４３２と電気的に接続されている。
【００２９】
より詳しくは、パッド４２ａ１及び４２ａ２は、各々に対応する配線パターン４２ｂ及びビア配線４２ｃを介して、パッド３４ａ１及び３４ａ２と電気的に接続されている。そして、パッド３４ａ１及び３４ａ２は配線パターン３４ｂを介してパッド３４ａ３及び３４ａ４と電気的に接続され、更にパッド３４ａ３及び３４ａ４に対応するビア配線４２ｃ及び配線パターン４２ｂを介して、外部接続端子４３１及び４３２と電気的に接続されている。
【００３０】
後述のように、第２のＭＥＭＳ素子６０はパッド４２ａ１及び４２ａ２と電気的に接続される。つまり、第２のＭＥＭＳ素子６０は、第２の配線４２及び第１の配線３４を介して、外部接続端子４３１及び４３２と電気的に接続される。
【００３１】
又、外部接続端子４３３及び４３４は、外部接続端子４３３及び４３４各々に対応する配線パターン４２ｂ及びビア配線４２ｃを介して、パッド３４ａ５及び３４ａ６と電気的に接続されている。つまり、外部接続端子４３３及び４３４は、第２の配線４２及び第１の配線３４を介して、ピエゾ抵抗素子（図示せず）等と電気的に接続される。
【００３２】
第３の基板５０は、第１の基板３０の下面（他方の面）に検知部を覆うように積層されている。つまり、第３の基板５０の上面は、第１の基板３０の下面と接合されている。第３の基板５０は配線やビアホール等が形成されていない平板状の基板であり、上面及び下面は各々平坦面とされている。
【００３３】
第１の基板３０の開口部３０ｘの上側は第２の基板４０の下面により塞がれ、開口部３０ｘの下側は第３の基板５０の上面により塞がれている。つまり、可動部３２を含む検知部は、開口部３０ｘの内壁面、第２の基板４０と第３の基板５０の第１の基板３０を介して互いに対向する面（第２の基板４０の下面と第３の基板５０の上面）が形成する空間（以降、第２の封止空間とする）に気密封止されている。第２の封止空間は、例えば、真空とすることができる。第２の封止空間に、アルゴンガスや窒素ガス等を充填してもよい。
【００３４】
第１の基板３０がシリコンを主成分とし、第２の基板４０及び第３の基板５０がガラス（例えば、硼珪酸ガラス等）を主成分とする場合には、第１の基板３０と第２の基板４０及び第３の基板５０とは、陽極接合により接合できる。第２の基板４０及び第３の基板５０としてガラス以外の材料（シリコンやセラミック等）を用いる場合には、例えば、第１の基板３０の両面の外縁部に各々枠状に接着剤を形成し、接着剤を介して第２の基板４０及び第３の基板５０と接合してもよい。なお、ここでいう接着剤には、有機接着剤、無機接着剤、導電ペースト、はんだ等を含むものとする。
【００３５】
第２のＭＥＭＳ素子６０は、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）技術により作製された素子であり、例えば、ジャイロセンサ（角速度センサ）である。ジャイロセンサは、例えば、円環状の固定部内に複数の支持部を介して可動可能な状態で支持された円盤状の可動部を有し、円盤状の可動部の変位から角速度を検知するセンサである。本実施の形態では、第２のＭＥＭＳ素子６０がジャイロセンサである場合を例にして以下の説明を行う。
【００３６】
第２のＭＥＭＳ素子６０は、第１のＭＥＭＳ素子２０の第２の基板４０の上面（第１の基板とは反対側の面）に実装されている。第２のＭＥＭＳ素子６０は例えば２つの電極（図示せず）を有し、各々の電極にはバンプ６１が形成されている。各々のバンプ６１は、例えば、はんだ（図示せず）等を介して、第２の基板４０のパッド４２ａ１及び４２ａ２と電気的に接続されている。
【００３７】
封止基板７０は、平面形状が略矩形状の部材に凹部７０ｘ及び切り欠き部７０ｙを設けた基板であり、例えばシリコンを主成分とする材料から形成できる。封止基板７０は、第１のＭＥＭＳ素子２０の第２の基板４０の上面（第１の基板とは反対側の面）に積層されている。凹部７０ｘは第２のＭＥＭＳ素子６０を収容するために設けたものであり、切り欠き部７０ｙは外部接続端子４３１〜４３４を封止基板７０から露出するために設けたものである。
【００３８】
封止基板７０は、凹部７０ｘの内壁面と第２の基板４０との間に第２のＭＥＭＳ素子６０を封止する第１の封止空間を形成している。つまり、第２のＭＥＭＳ素子６０は封止基板７０及び第２の基板４０により気密封止されている。第１の封止空間は、例えば、真空とすることができる。第１の封止空間に、アルゴンガスや窒素ガス等を充填してもよい。
【００３９】
封止基板７０がシリコンを主成分とし、第２の基板４０がガラスを主成分とする場合には、封止基板７０と第２の基板４０とは、陽極接合により接合できる。又、封止基板７０がガラスを主成分とし、第２の基板４０がシリコンを主成分とする場合にも、封止基板７０と第２の基板４０とは、陽極接合により接合できる。封止基板７０及び第２の基板４０がこれ以外の材料の組み合わせである場合には、例えば、封止基板７０の下面の凹部７０ｘの周囲に枠状に接着剤を形成し、接着剤を介して第２の基板４０と接合することができる。
【００４０】
第１のＭＥＭＳ素子２０、第２のＭＥＭＳ素子６０、及び封止基板７０を含む構造体は、接着剤（図示せず）等を介して、制御用集積回路８０上に搭載されている。制御用集積回路８０は、基板本体８１と、複数のパッド８２とを有する。基板本体８１には、半導体集積回路（図示せず）が形成されている。基板本体８１に形成された半導体集積回路（図示せず）は、例えば、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、信号処理等の機能を有する。各パッド８２は、各々ボンディングワイヤ９０を介して、外部接続端子４３１〜４３４と電気的に接続されている。
【００４１】
［第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造方法］
次に、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造方法について説明する。図３〜図７は、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュールの製造工程を例示する図である。なお、各図において、Ｃは、最終的に個片化して複数のＭＥＭＳモジュール１０を作製する際の切断位置を示している。つまり、切断位置Ｃに囲まれた各領域が、最終的に個片化されて複数のＭＥＭＳモジュール１０となる。なお、実際には、所定幅のスクライブ領域（図示せず）が存在し、スクライブ領域（図示せず）の略中央部が切断位置Ｃとなる。
【００４２】
第１の基板３０、第２の基板４０、第３の基板５０、封止基板７０には各々シリコンやガラス等を使用できるが、ここでは、第１の基板３０及び封止基板７０にシリコン、第２の基板４０及び第３の基板５０にガラスを用いる場合を例にして以降の説明を行う。
【００４３】
まず、図３に示す工程（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図）では、例えば６インチ（約１５０ｍｍ）、８インチ（約２００ｍｍ）、１２インチ（約３００ｍｍ）等のガラスウェハ４００を準備する。そして、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第２の基板４０となる領域）に、各々第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙを形成する。ガラスウェハ４００の材料としては、例えば、硼珪酸ガラス等を用いることができる。
【００４４】
ガラスウェハ４００の厚さは、例えば０．６２５ｍｍ（６インチの場合）、０．７２５ｍｍ（８インチの場合）、０．７７５ｍｍ（１２インチの場合）等であるが、バックサイドグラインダー等で適宜薄型化することができる。第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙは、例えば、ガラスウェハ４００の一方の面に第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙを形成する位置を開口するレジスト層を形成する。そして、レジスト層をマスクとしてガラスウェハ４００にブラスト処理を施すことにより形成できる。ブラスト処理に代えて、レーザ光照射やドライエッチング、ウェットエッチング等により、第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙを形成してもよい。なお、ガラスウェハ４００は、本発明に係る第２のウェハの代表的な一例である。
【００４５】
次に、図４に示す工程（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図）では、例えば６インチ（約１５０ｍｍ）、８インチ（約２００ｍｍ）、１２インチ（約３００ｍｍ）等のシリコンウェハ３００を準備する。そして、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第１の基板３０となる領域）に、各々開口部３０ｘを形成して固定部３１、可動部３２、及び支持部３３を形成する。
【００４６】
シリコンウェハ３００の厚さは、例えば０．６２５ｍｍ（６インチの場合）、０．７２５ｍｍ（８インチの場合）、０．７７５ｍｍ（１２インチの場合）等であるが、バックサイドグラインダー等で適宜薄型化することができる。
【００４７】
固定部３１、可動部３２、及び支持部３３を形成するには、例えば、シリコンウェハ３００の一方の面及び他方の面に固定部３１、可動部３２、及び支持部３３を形成する領域を被覆するレジスト層を形成する。そして、レジスト層をマスクとしてシリコンウェハ３００にドライエッチング又はウェットエッチングを施して開口部３０ｘを形成する。更にレジスト層を除去後、可動部３２となる部分を固定部３１よりも薄型化する。なお、シリコンウェハ３００は、本発明に係る第１のウェハの代表的な一例である。
【００４８】
次に、図５に示す工程（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図）では、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第１の基板３０となる領域）に、各々第１の配線３４を形成する。各領域の第１の配線３４は、図２（ｂ）に示したように、固定部３１の表面近傍の領域に形成されたパッド３４ａ１〜３４ａ６及び配線パターン３４ｂを含むように形成する。
【００４９】
第１の配線３４は、シリコンウェハ３００の所定領域に例えばボロンやリン等の不純物を拡散し、所定領域を低抵抗化することにより形成できる。又、第１の配線３４は、シリコンウェハ３００の所定領域に例えばボロンやリン等の不純物をイオン注入し、所定領域を低抵抗化することにより形成してもよい。なお、加速度を検知するために各支持部３３に形成するピエゾ抵抗素子（図示せず）も拡散又はイオン注入により、第１の配線３４と同時に形成できる。
【００５０】
次に、図６（ａ）に示す工程では、例えばガラスウェハ４００と同形状のガラスウェハ５００を準備する（ガラスウェハ５００の厚さは、ガラスウェハ４００と同一でなくてもよい）。そして、各々の切断位置Ｃの位置を合わせて、ガラスウェハ４００をシリコンウェハ３００の一方の面に検知部を覆うように積層し、ガラスウェハ５００をシリコンウェハ３００の他方の面に検知部を覆うように積層する。そして、シリコンウェハ３００の一方の面にガラスウェハ４００を、他方の面にガラスウェハ５００を各々陽極接合等により接合する。
【００５１】
なお、第１の配線３４はシリコンウェハ３００の表面近傍の領域に形成されており、シリコンウェハ３００の表面から突出していない。そのため、シリコンウェハ３００の第１の配線３４が形成されている側の面をガラスウェハ４００に陽極接合することが可能である。
【００５２】
陽極接合を行う場合には、具体的には、例えば２５０℃〜４００℃程度の高温環境下でシリコンウェハ３００の上下に各々ガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００を当接させる。そして、ガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００に対してシリコンウェハ３００が高電位になるように直流電源から、例えば５００〜１０００Ｖ程度の高電圧を印加する。
【００５３】
これにより、ガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００に含まれる酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）がＮａ＋とＯ２−とにイオン化し、Ｎａ＋はガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００中を直流電源の−側に移動する。又、Ｏ２−はガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００中をシリコンウェハ３００側に移動する。一方、シリコンウェハ３００に含まれるシリコン（Ｓｉ）は正電荷を帯びたＳｉ４＋となってシリコンウェハ３００中をガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００側に移動する。
【００５４】
これにより、静電引力が発生しシリコンウェハ３００の正電荷を帯びたＳｉ４＋とガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００の負電荷を帯びたＯ２−とが、シリコンウェハ３００とガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００との各々の界面で化学結合する。その結果、シリコンウェハ３００の上下に各々ガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００が貼り合わされる。なお、シリコンウェハ３００とガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００との各々の界面には、二酸化珪素（ＳｉＯ２）の薄い膜（図示せず）が形成される。
【００５５】
なお、例えば、シリコンウェハ３００の両面の切断位置Ｃに囲まれた各領域の外縁部（切断位置Ｃ近傍の部分）に各々枠状に接着剤を形成し、接着剤を介してガラスウェハ４００及びガラスウェハ５００と接合してもよい。なお、ガラスウェハ５００は、本発明に係る第４のウェハの代表的な一例である。
【００５６】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第２の基板４０となる領域）に、第１の配線３４と電気的に接続された第２の配線４２及び外部接続端子４３を形成する。各領域の第２の配線４２は、図２（ａ）に示したように、ガラスウェハ４００上に形成されたパッド４２ａ１〜４２ａ６及び配線パターン４２ｂ、並びに第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙの内壁に形成されたビア配線４２ｃを含むように形成する。又、外部接続端子４３は、外部接続端子４３１〜４３４を含むように形成する。なお、ビア配線４２ｃは、第１のビアホール４０ｘ及び第２のビアホール４０ｙを充填してもよい。
【００５７】
第２の配線４２及び外部接続端子４３は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。第２の配線４２及び外部接続端子４３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。第２の配線４２及び外部接続端子４３は、複数の金属を積層して形成してもよい。図６（ｂ）に示す構造体の切断位置Ｃに囲まれた各領域には、第１のＭＥＭＳ素子２０となる部分が形成される。
【００５８】
次に、図６（ｃ）に示す工程では、例えば２つの電極（図示せず）を有し、各々の電極にバンプ６１が形成されている第２のＭＥＭＳ素子６０を準備する。そして、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各第２の基板４０となる領域）のシリコンウェハ３００とは反対側の面に、第２のＭＥＭＳ素子６０を実装する。具体的には、各々の第２のＭＥＭＳ素子６０のバンプ６１を、例えば、はんだ（図示せず）等を介して、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域のパッド４２ａ１及び４２ａ２と電気的に接続する。
【００５９】
次に、図７に示す工程（（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図）では、例えばシリコンウェハ３００と同形状のシリコンウェハ７００を準備する（シリコンウェハ７００の厚さは、シリコンウェハ３００と同一でなくてもよい）。そして、シリコンウェハ７００の切断位置Ｃに囲まれた各領域（最終的に個片化されて各封止基板７０となる領域）に、各々凹部７０ｘ及び切り欠き部７０ｙを形成する。凹部７０ｘ及び切り欠き部７０ｙは、例えば、ドライエッチングやウェットエッチング等により形成できる。
【００６０】
その後、各々の切断位置Ｃの位置を合わせて、シリコンウェハ７００をガラスウェハ４００の一方の面に第２のＭＥＭＳ素子６０を封止するように積層する。そして、ガラスウェハ４００の一方の面にシリコンウェハ７００を陽極接合等により接合する。陽極接合に代えて、例えば、シリコンウェハ７００の下面の切断位置Ｃに囲まれた各領域の凹部７０ｘの周囲に各々枠状に接着剤を形成し、接着剤を介してガラスウェハ４００と接合してもよい。
【００６１】
この工程で、シリコンウェハ７００の各凹部７０ｘとガラスウェハ４００との間に各々の第２のＭＥＭＳ素子６０を封止する第１の封止空間が形成され、各々の第２のＭＥＭＳ素子６０が各々の第１の封止空間に気密封止される。又、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域の外部接続端子４３１〜４３４及びビア配線４２ｃが切り欠き部７０ｙから露出する。つまり、第２のＭＥＭＳ素子６０は、第２の配線４２及び第１の配線３４を介して、封止基板７０となる部分の外側に配置された外部接続端子４３と電気的に接続される。なお、シリコンウェハ７００は、本発明に係る第３のウェハの代表的な一例である。
【００６２】
図７に示す工程の後、ダイシングブレード等を用いて図７に示す構造体を切断位置Ｃで切断して個片化する。これにより、第１のＭＥＭＳ素子２０、第２のＭＥＭＳ素子６０、及び封止基板７０を含む構造体が複数個作製される。その後、個片化された各構造体を接着剤（図示せず）等を介して制御用集積回路８０上に搭載し、制御用集積回路８０の各パッド８２を各々ボンディングワイヤ９０を介して外部接続端子４３１〜４３４と電気的に接続する。これにより、図１及び図２に示すＭＥＭＳモジュール１０が複数個完成する。
【００６３】
このように、第１の実施の形態に係るＭＥＭＳモジュール１０では、第１のＭＥＭＳ素子２０を構成する第２の基板４０上に第２のＭＥＭＳ素子６０を積層し、第２の基板４０と封止基板７０とで第２のＭＥＭＳ素子６０を封止している。第２の基板４０はガラスやシリコン等から形成されたリジットな基板であるため、第２のＭＥＭＳ素子６０を容易に積層できる。又、第２の基板４０を第２のＭＥＭＳ素子６０を封止する部材の一部として用いているため、第１のＭＥＭＳ素子２０の構成部品とは別部品を準備して封止基板７０との間で第２のＭＥＭＳ素子６０を封止する場合と比べてＭＥＭＳモジュール１０を薄型化できる。
【００６４】
又、第２のＭＥＭＳ素子６０は、第２の配線４２及び第１の配線３４を介して、封止基板７０の外側に配置された外部接続端子４３１及び４３２と電気的に接続されている。このように、第１のＭＥＭＳ素子２０の第１の配線３４を経由することにより、気密封止された空間内に配置された第２のＭＥＭＳ素子６０と、気密封止された空間外に配置された外部接続端子４３１及び４３２とを容易に電気的に接続できる。
【００６５】
又、第１のＭＥＭＳ素子２０及び封止基板７０をウェハレベルで製造でき、第２のＭＥＭＳ素子６０をウェハレベルで封止できるため、ＭＥＭＳモジュール１０の製造工程を効率化できる。
【００６６】
〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態とは異なる位置に外部接続端子を設ける例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００６７】
図８は、第１の実施の形態の変形例１に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。図８を参照するに、ＭＥＭＳモジュール１０Ａは、第１のＭＥＭＳ素子２０及び封止基板７０が各々第１のＭＥＭＳ素子２０Ａ及び封止基板７０Ａに置換された点がＭＥＭＳモジュール１０（図１及び図２参照）と相違する。
【００６８】
第１のＭＥＭＳ素子２０Ａは、第１の基板３０Ａと、第２の基板４０Ａと、第３の基板５０Ａとを有する。第１の基板３０Ａは、第１の配線３４が第１の配線３４Ａに置換された点、及び第３のビアホール３０ｙが追加された点が第１の基板３０（図１及び図２参照）と相違する。第１の配線３４Ａは、固定部３１を貫通する第３のビアホール３０ｙ内に充填されている。第１の配線３４Ａの材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００６９】
第２の基板４０Ａは、第２のビアホール４０ｙ及び第２のビアホール４０ｙの内壁に形成されたビア配線４２ｃ、並びに外部接続端子４３が削除された点が第２の基板４０（図１及び図２参照）と相違する。
【００７０】
第３の基板５０Ａは、基板本体５１、ビア配線５２、外部接続端子５３、第４のビアホール５０ｘが追加された点が第３の基板５０（図１及び図２参照）と相違する。基板本体５１には、基板本体５１を貫通する第４のビアホール５０ｘが形成され、第４のビアホール５０ｘの内壁にはビア配線５２が形成されている。ビア配線５２は、配線パターン（図示せず）を介して、外部接続端子５３と電気的に接続されている。
【００７１】
外部接続端子５３は、第３の基板５０Ａの下面（第１の基板３０Ａとは反対側の面）に複数個形成されている。外部接続端子５３は、ＭＥＭＳモジュール１０の外部接続端子４３１〜４３４に対応するものであり、外部接続端子４３１〜４３４と同様に機能する。各外部接続端子５３は、はんだ等であるバンプ９５を介して、制御用集積回路８０の各パッド８２と電気的に接続されている。ビア配線５２及び外部接続端子５３の各々の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
【００７２】
第１の基板３０Ａ、第２の基板４０Ａ、及び第３の基板５０Ａにおいて、第１の配線３４Ａの一端は、第１のビアホール４０ｘの内壁に形成されたビア配線４２ｃと電気的に接続されている。第１の配線３４Ａの他端は、第４のビアホール５０ｘの内壁に形成されたビア配線５２を介して、外部接続端子５３と電気的に接続されている。つまり、第２のＭＥＭＳ素子６０は、第２の配線４２、第１の配線３４Ａ、ビア配線５２を介して、外部接続端子５３と電気的に接続されている。
【００７３】
封止基板７０Ａは、切り欠き部７０ｙが形成されていない点が封止基板７０（図１及び図２参照）と相違する。切り欠き部７０ｙが形成されていないのは、外部接続端子５３を第３の基板５０Ａの下面に形成したことに起因する。
【００７４】
ＭＥＭＳモジュール１０Ａを製造するには、第１の実施の形態の各工程を以下のように変更すればよい。まず、図３に示す工程では、ガラスウェハ４００を準備して、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々第１のビアホール４０ｘを形成する。但し、第２のビアホール４０ｙは形成しない。
【００７５】
次に、図４に示す工程では、シリコンウェハ３００を準備して、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々開口部３０ｘを形成して固定部３１、可動部３２、及び支持部３３を形成する。又、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々第３のビアホール３０ｙを形成する。
【００７６】
次に、図５に示す工程では、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々第３のビアホール３０ｙを充填する第１の配線３４Ａを形成する。つまり、シリコンウェハ３００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、シリコンウェハ３００を貫通する第１の配線３４Ａを形成する。
【００７７】
次に、図６（ａ）に示す工程では、例えばガラスウェハ４００と同形状のガラスウェハ５００を準備して、ガラスウェハ５００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々第４のビアホール５０ｘを形成する。そして、各々の切断位置Ｃの位置を合わせて、ガラスウェハ４００をシリコンウェハ３００の一方の面に検知部を覆うように積層し、ガラスウェハ５００をシリコンウェハ３００の他方の面に検知部を覆うように積層する。そして、シリコンウェハ３００の一方の面にガラスウェハ４００を、他方の面にガラスウェハ５００を各々陽極接合等により接合する。
【００７８】
次に、図６（ｂ）に示す工程では、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、第１の配線３４Ａと電気的に接続された第２の配線４２を形成する。但し、外部接続端子４３は形成しない。各領域の第２の配線４２は、ガラスウェハ４００上に形成されたパッド４２ａ１及び４２ａ２、配線パターン４２ｂ、並びに第１のビアホール４０ｘの内壁に形成されたビア配線４２ｃを含むように形成する。なお、ビア配線４２ｃは、第１のビアホール４０ｘを充填してもよい。
【００７９】
又、ガラスウェハ５００の切断位置Ｃに囲まれた各領域の第４のビアホール５０ｘ内に第１の配線３４Ａと電気的に接続するビア配線５２を形成する。つまり、ガラスウェハ５００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、ガラスウェハ５００を貫通するビア配線５２を形成する。更に、ガラスウェハ５００の切断位置Ｃに囲まれた各領域のシリコンウェハ３００とは反対側の面に外部接続端子５３を形成する。図６（ｂ）に示す構造体の切断位置Ｃに囲まれた各領域には、第１のＭＥＭＳ素子２０Ａとなる部分が形成される。
【００８０】
次に、図６（ｃ）に示す工程、第２のＭＥＭＳ素子６０を準備して、ガラスウェハ４００の切断位置Ｃに囲まれた各領域のシリコンウェハ３００とは反対側の面に、第２のＭＥＭＳ素子６０を実装する。これにより、第２のＭＥＭＳ素子６０が、第２の配線４２、第１の配線３４Ａ、及びビア５２を介して、外部接続端子５３と電気的に接続される。
【００８１】
次に、図７に示す工程では、シリコンウェハ３００と同形状のシリコンウェハ７００を準備して、シリコンウェハ７００の切断位置Ｃに囲まれた各領域に、各々凹部７０ｘを形成する。但し、切り欠き部７０ｙは形成しない。その後、各々の切断位置Ｃの位置を合わせて、シリコンウェハ７００をガラスウェハ４００の一方の面に第２のＭＥＭＳ素子６０を封止するように積層する。そして、ガラスウェハ４００の一方の面にシリコンウェハ７００を陽極接合等により接合する。陽極接合に代えて、例えば、シリコンウェハ７００の下面の切断位置Ｃに囲まれた各領域の凹部７０ｘの周囲に各々枠状に接着剤を形成し、接着剤を介してガラスウェハ４００と接合してもよい。
【００８２】
図７に示す工程の後、ダイシングブレード等を用いて図７に示す構造体を切断位置Ｃで切断して個片化する。これにより、第１のＭＥＭＳ素子２０Ａ、第２のＭＥＭＳ素子６０、及び封止基板７０Ａを含む構造体が複数個作製される。その後、個片化された各構造体を接着剤（図示せず）等を介して制御用集積回路８０上に搭載し、制御用集積回路８０の各パッド８２をはんだ等であるバンプ９５を介して外部接続端子５３と電気的に接続する。これにより、図８に示すＭＥＭＳモジュール１０Ａが複数個完成する。
【００８３】
このように、外部接続端子は、第１のＭＥＭＳ素子及び第２のＭＥＭＳ素子と制御用集積回路等とを電気的に接続する際に使用できれば、封止基板の外側の任意の位置に設けてよい。又、第１の配線は、固定部の表面近傍の領域に形成してもよいし、固定部を貫通するように形成してもよい。
【００８４】
〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、第２の基板及び第３の基板に各々凹部を設ける例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００８５】
図９は、第１の実施の形態の変形例２に係るＭＥＭＳモジュールを例示する図であり、（ｂ）は平面図、（ａ）は（ｂ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。図９を参照するに、ＭＥＭＳモジュール１０Ｂは、第１のＭＥＭＳ素子２０が第１のＭＥＭＳ素子２０Ｂに置換された点がＭＥＭＳモジュール１０（図１及び図２参照）と相違する。第１のＭＥＭＳ素子２０Ｂは、第１の基板３０Ｂと、第２の基板４０Ｂと、第３の基板５０Ｂとを有する。
【００８６】
ＭＥＭＳモジュール１０の第１の基板３０では、可動部３２は固定部３１よりも薄く形成されていた。つまり、固定部３１を厚くすることにより、可動部３２と第２の基板４０及び第３の基板５０との隙間を確保し、可動部３２の動作を可能としていた。
【００８７】
一方、ＭＥＭＳモジュール１０Ｂの第１の基板３０Ｂでは、固定部３１Ｂと可動部３２とは同一の厚さとされている。又、可動部３２の動作を可能とするために、第２の基板４０Ｂと第３の基板５０Ｂの第１の基板３０Ｂを介して互いに対向する面側の可動部３１及び支持部３３と重複する位置に、各々凹部４０ｚ及び５０ｚが形成されている。
【００８８】
このように、固定部３１Ｂ及び可動部３２を同一の厚さとし、第２の基板４０Ｂと第３の基板５０Ｂに各々凹部４０ｚ及び５０ｚを形成して可動部３２の動作を可能とする空間を確保してもよい。この場合には、第１の実施の形態の効果に加えて、ＭＥＭＳモジュール１０ＢをＭＥＭＳモジュール１０よりも更に薄型化できる効果を奏する。
【００８９】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００９０】
例えば、本発明に係るＭＥＭＳモジュールに搭載可能なＭＥＭＳ素子は、加速度センサやジャイロセンサ以外であっても構わない。
【符号の説明】
【００９１】
１０、１０Ａ、１０Ｂ  ＭＥＭＳモジュール
２０、２０Ａ、２０Ｂ  第１のＭＥＭＳ素子
３０、３０Ａ、３０Ｂ  第１の基板
３０ｘ  開口部
３０ｙ  第３のビアホール
３１、３１Ｂ  固定部
３２  可動部
３３  支持部
３４、３４Ａ  第１の配線
３４ａ１〜３４ａ６、４２ａ１、４２ａ２、８２  パッド
３４ｂ、４２ｂ  配線パターン
４０、４０Ａ、４０Ｂ  第２の基板
４０ｘ  第１のビアホール
４０ｙ  第２のビアホール
４０ｚ、５０ｚ、７０ｘ  凹部
４１  基板本体
４２  第２の配線
４２ｃ、５２  ビア配線
４３、４３１〜４３４、５３  外部接続端子
５０、５０Ａ、５０Ｂ  第３の基板
５０ｘ  第４のビアホール
５１、８１  基板本体
６０  第２のＭＥＭＳ素子
６１、９５  バンプ
７０、７０Ａ  封止基板
７０ｙ  切り欠き部
８０  制御用集積回路
９０  ボンディングワイヤ
３００、７００  シリコンウェハ
４００、５００  ガラスウェハ
Ｃ  切断位置
【図１】
0005955024.tif 000002
【図２】
0005955024.tif 000003
【図３】
0005955024.tif 000004
【図４】
0005955024.tif 000005
【図８】
0005955024.tif 000006
【図９】
0005955024.tif 000007
【図５】
0005955024.tif 000008
【図６】
0005955024.tif 000009
【図７】
0005955024.tif 000010