(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル前面プレート上に位置を合わせて接着固定され超疎油性表面を有する可撓性デバイスを備えるインクジェットプリントヘッドの製造法であって、前記可撓性デバイスを製造する手順は、
可撓性基材を準備する工程と、
前記可撓性基材上にシリコン層を堆積する工程と、
フォトリソグラフィを用いて、前記可撓性基材上の前記シリコン層に、周期的凹凸の波状側壁を有するピラー構造体の配列を形成する工程と、
前記波状側壁を有するピラー構造体の表面に適合するように疎油性コーティングを堆積させる工程と、
を含むことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造法。
【請求項２】
請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造法において、
前記フォトリソグラフィは、エッチングサイクルを複数回用いて、垂直方向にエッチングを行い、前記複数のエッチングサイクルのそれぞれは、
ａ）保護用不動態層の堆積、
ｂ）ピラー構造体の側壁に対応する箇所を除き、複数のピラー構造体の間の谷底に対応する箇所の不動態層を除去するための指向性エッチング、
ｃ）波状凹凸の周期に対応するエッチング時間でシリコン層を等方的にエッチング、
ｄ）所望のピラー高さとなるまで工程ａ）からｃ）の繰り返し
を含むことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造法。
【請求項３】
請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造法において、
疎油性コーティングを堆積させる工程は、分子蒸着技術、化学蒸着技術または溶液コーティング技術のいずれか１を用いて、フルオロシランコーティングを行うことを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造法。
【請求項４】
請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造法において、
前記シリコン層を堆積する工程は、スパッタリングにより非晶質シリコンを前記可撓性基材上に堆積することを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造法。
【請求項５】
請求項１に記載のインクジェットプリントヘッドの製造法において、
前記可撓性基材を準備する工程は、可撓性プラスチックロールを準備し、
前記シリコン層を堆積する工程は、前記可撓性プラスチックロール上に前記シリコン層を堆積し、
前記フォトリソグラフィを用いる工程は、フォトレジストによるスロットダイコーティングと、マスキングと暴露と現像と、エッチングと、クリーニングを順次行って、前記可撓性プラスチックロール上の前記シリコン層に周期的凹凸の波状側壁を有するピラー構造体の配列を形成し、
前記可撓性プラスチックロール上の前記波状側壁を有するピラー構造体の表面に適合するように疎油性コーティングを堆積させることを特徴とするインクジェットプリントヘッドの製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件では、超疎油性表面を備えた可撓性材料と、その製造法の関連について述べる。より詳細には、本件では、超疎油性デバイスを備えるインクジェットプリントヘッドの製造法について述べる。実施の形態においては、薄膜、更に詳細な実施の形態において、ピラーの配列から成る組織化した（textured）シリコン層と、組織化シリコン層上に堆積した適合性の（conformal）疎油性コーティングとを含む、超疎油性および超疎水性の両方である薄膜と、その製造法を用いることについて述べる。
【背景技術】
【０００２】
一般に液体インクジェット装置は、記録媒体に向けて液滴を射出する複数のインク噴出口を備えた１つ以上のプリントヘッドを備えている。プリントヘッドのインク噴出口は、プリントヘッド内のインク供給チャンバまたはマニホルドからインクを受け、これらは更に、溶融インクリザーバやインクカートリッジなどのインク源からインクを受ける。それぞれのインク噴出口には、一端がインク供給マニホルドと流通した流路がある。インク流路の他端は、インクの液滴を射出するためのオリフィスまたはノズルとなっている。インク噴出口のノズルは、開口部内に、または、インク噴出口のノズルに一致する孔を持つノズルプレートに形成されている。稼働中、液滴射出信号がインク噴出口内のアクチュエータを作動させて、インクジェットノズルから記録媒体へ液滴を吐出させる。記録媒体および／またはプリントヘッド組み立て品を互いに相対的に動かしながら、インク噴出口のアクチュエータを選択的に作動させて液滴を射出することにより、堆積させた液滴で正確にパターンを描き、特定の文字や図形画像を記録媒体上に形成することができる。全幅配列プリントヘッドの例は、米国特許公開第２００９００４６１２５号に述べられており、その内容は全て本件に引用して援用する。このようなプリントヘッドから噴射可能な紫外線硬化性ゲルインクの例は、米国特許公開第２００７０１２３６０６号に述べられており、その内容は全て本件に引用して援用する。このようなプリントヘッドから噴射可能な固体インクの例は、ゼロックス・コーポレーション（Xerox Corporation）製の、Xerox ColorQube（登録商標）シアン固体インクである。その内容を全て本件に引用して援用する、米国特許第５，８６７，１８９号は、プリントヘッドの出口側に、電解研磨したインク接触面またはオリフィス面を組み込んだ、インク射出コンポーネントを備えたインクジェットプリントヘッドを述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許公開第２００９００４６１２５号
【特許文献２】米国特許公開第２００７０１２３６０６号
【特許文献３】米国特許第５，８６７，１８９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液体インクジェット装置の直面しているひとつの課題は、プリントヘッド前面でのインクの濡れ、液だれ（drooling）、または液漏れ（flooding）である。プリントヘッド前面のこのような汚れは、インクジェットノズルや流路を詰まらせ、またはその原因となることがある。これは単独で、あるいは前面の濡れや汚れと複合して、液滴の発射不全（non-firing）や散逸（missing）、小さすぎる、または誤った大きさの液滴、飛沫（satellites）、あるいは記録媒体に対する液滴の方向の逸脱などを起こし、またはその原因となって、印刷品質を低下させることがある。現在のプリントヘッド前面コーティングは一般に、スパッタリングしたポリテトラフルオロエチレンコーティングである。プリントヘッドを傾けた場合、約７５℃の温度のＵＶゲルインク（７５℃は、ＵＶゲルインクの一般的な噴射温度）と、約１０５℃の温度の固体インク（１０５℃は、固体インクの一般的な噴射温度）は、プリントヘッド前面から容易には滑り落ちない。むしろ、これらのインクはプリントヘッド前面に沿って流れ、噴射を妨害しかねないインク薄膜や残留物をプリントヘッド上に残す。このような理由で、ＵＶおよび固体インクプリントヘッドの前面は、ＵＶおよび固体インクで汚れ易い。一部のケースでは、汚れたプリントヘッドをメンテナンスユニットで再生または清掃することができる。しかしこのような方法は、装置を複雑にし、ハードウエアのコストを上げ、しばしば信頼性の問題を生じることがある。
【０００５】
超疎油性特性のみを備えた、あるいは超疎油性と超疎水性の特性を併せ持ったデバイスを製造するための材料および方法が求められている。更に、インクジェットプリントヘッド前面として現在使用可能なコーティングは、その意図された目的には適しているが、プリントヘッド前面のＵＶまたは固体インクによる濡れ、液だれ、液漏れ、または汚れの少ない、または無い、改良されたプリントヘッド前面の構造が求められている。インクが馴染まない、つまり、疎油性で、プリントヘッド前面のワイピング（wiping）などのメンテナンス処置に耐える頑強さを持つ、改良されたプリントヘッド前面の構造も求められている。超疎油性であり、実施の形態においては、超疎油性と超疎水性の両方である、改良されたプリントヘッド前面の構造も求められている。容易に清浄化でき、つまり自浄式であるため、メンテナンスユニットを付けるなどハードウエアを複雑にする必要が無く、稼働コストが低く、装置信頼性の高い、改良されたプリントヘッドも求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本件は、インクジェットプリントヘッドの製造法に用いられ、超疎油性表面を備えた可撓性デバイスの製造法を開示するものであって、この方法は、可撓性基材を準備する工程と、可撓性基材上に適合性で疎油性の層を堆積する工程と、フォトリソグラフィを用いて、基材上に、ピラーの配列から成る組織化パターンを形成する工程と、その上にフルオロシランのコーティングを堆積して組織化表面を化学的に修飾する工程とによって、超疎油性表面を備えた可撓性デバイスを製造するものである。具体的な実施の形態において、可撓性で超疎油性のデバイスは、インクジェットプリントヘッドの前面として使用することができる。
【０００７】
本件に述べられているものは、インクジェットプリントヘッドの製造法に用いられ、超疎油性表面を備えた可撓性デバイスの製造法である。この方法は、可撓性基材を準備する工程と、可撓性基材上にシリコン層を堆積する工程と、フォトリソグラフィを用いて、基材上のシリコン層に、ピラーの配列から成る組織化パターンを形成する工程と、その上に適合性の疎油性コーティングを堆積させて、組織化表面を化学的に修飾する工程とにより、超疎油性表面を備えた可撓性デバイスを製造するものである。
【０００８】
本件に述べられているものはまた、インクジェットプリントヘッドの製造法に用いられ、超疎油性表面を備えた可撓性デバイスであって、この可撓性デバイスは、プラスチックフィルムから成る可撓性基材と、可撓性基材上に堆積した、ピラーの配列から成る組織化パターンを含むシリコン層と、組織化表面上に堆積した、適合性の疎油性コーティングと、を含むものである。
【０００９】
本件に述べられているものは更に、プラスチックフィルムから成る可撓性基材と、可撓性基材上に堆積した、ピラーの配列から成る組織化パターンを含むシリコン層と、組織化表面上に堆積した、適合性の疎油性コーティング、実施の形態においては、フルオロシランコーティング、とを含む、前面を備えたインクジェットプリントヘッドの製造法である。
【発明の効果】
【００１０】
超疎油性であり、または、超疎油性と超疎水性の両方である、改良されたプリントヘッド前面の構造の製造法が提供される。また、容易に清浄化でき、つまり自浄式であるため、メンテナンスユニットを付けるなどハードウエアを複雑にする必要が無く、稼働コストが低く、装置信頼性の高い、改良されたプリントヘッドの製造法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に従って、可撓性基材上に、波状の側壁を持つピラーの配列から成る、フッ素化した組織化表面を形成するための、工程スキームを示す図である。
【図２】本発明に従って、可撓性基材上に、オーバーハング構造を持つピラーの配列から成る、フッ素化した組織化表面を形成するための、工程スキームを示す図である。
【図３】組織化表面での液滴の状態を示す図である。
【図４】組織化（波状）側壁を持つピラー構造体の配列から成る、フルオロシランを被覆した組織化表面を示す顕微鏡写真である。
【図５】波状側壁ピラー構造を詳細に示す、図４の表面の一部の拡大図である。
【図６】オーバーハング構造を持つピラー構造体の配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面を示す顕微鏡写真である。
【図７】オーバーハングの形状を詳細に示す、図６の表面の一部の拡大図である。
【図８】１．１μｍのピラー高さを持つピラーの配列から成る、超疎油性組織化表面を示す顕微鏡写真である。
【図９】３．０μｍのピラー高さを持つピラーの配列から成る、超疎油性組織化表面を示す顕微鏡写真である。
【図１０】組織化（波状）側壁を持つピラーの配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面と、フルオロシラン被覆平滑面とにおける、水とヘキサデカンの静的接触角を示す写真である。
【図１１】オーバーハング構造を持つピラーの配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面における、水とヘキサデカンの静的接触角を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本件に述べられているものは、インクジェットプリントヘッドの製造法に用いられ、高疎油性表面または超疎油性表面を備えた可撓性デバイスの製造法であって、この方法は、可撓性基材を準備する工程と、可撓性基材上にシリコン層を堆積する工程と、フォトリソグラフィを用いて、基材上に、ピラーの配列から成る組織化パターンを形成する工程と、その上に適合性の疎油性コーティングを堆積させて、組織化表面を化学的に修飾する工程とによって、高疎油性表面または超疎油性表面を備えた可撓性デバイスを製造する、また、実施の形態において、インクジェットプリントヘッドの製造法に用いられ、超疎油性および超疎水性の両方である表面を備えた可撓性デバイスを製造するものである。
【００１３】
“高疎油性”とは、炭化水素系液体、例えば、ヘキサデカンまたはインクの液滴が表面と高い接触角、例えば、１３０°または１３０°以上から１７５°、あるいは１３５°から１７０°の接触角を成すことであると言える。“超疎油性”とは、炭化水素系液体、例えば、インクの液滴が表面と高い接触角、例えば、１５０°以上、１５０°から１７５°、または１５０°から１６０°の接触角を成すことであると言える。
【００１４】
“超疎油性”とはまた、炭化水素系液体、例えば、ヘキサデカンの液滴が表面と、１°から３０°以下または１°から２５°以下の滑り角、２５°以下の滑り角、１５°以下の滑り角、あるいは１０°以下の滑り角を成すことであると言える。
【００１５】
“高疎水性”とは、水滴が表面と高い接触角、例えば、１３０°から１８０°の接触角を成すことであると言える。“超疎水性”とは、水滴が表面と高い接触角、例えば、１５０°以上、または１５０°から約１８０°の接触角を成すことであると言える。
【００１６】
“超疎水性”とは、水滴が表面と、例えば、１°から３０°以下、１°から２５°、１５°以下、または１０°以下の滑り角を成すことであると言える。
【００１７】
本件の超疎油性表面を備えた可撓性材料は、適当であればどのような方法で製造しても良い。図１を参照するならば、本件の超疎油性表面を備えた可撓性デバイスは、スパッタリングなどで、シリコンの薄層、非晶質シリコン１０を、可撓性基材１２の大きな面積上に堆積することにより調製できる。シリコンの薄層は、どのような適当な厚さでも良い。シリコン層は、約５００から約５，０００ｎｍ、または約３，０００ｎｍの厚さで、可撓性基材上に堆積できる。シリコン層は、１から５μｍの厚さで堆積させた非晶質シリコンから成るものでも良い。
【００１８】
本件の可撓性基材としては、プラスチックフィルムなど、適当な材料を選ぶことができる。可撓性基材は、ポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、またはポリエーテルイミドフィルム、あるいはこれらの組み合わせから成る群より選ぶことができる。
【００１９】
可撓性基材は、適当であればどのような厚さでも良く、例えば、５から１００μｍまたは１０から５０μｍである。
【００２０】
シリコン層１０は、適当であればどのような方法で可撓性基材１２上に堆積させても良く、例えば、特に、スパッタリングまたは化学蒸着、超高周波プラズマ化学蒸着、マイクロ波プラズマ化学蒸着、プラズマ化学蒸着、インライン処理における超音波ノズルの使用などで堆積できる。
【００２１】
ピラーの配列から成る組織化パターンは、可撓性基材上に形成することができる。ピラーの配列は、組織化した、または、波状パターンを付けた垂直側壁を持つピラー、ピラー頂部に設けたオーバーハングリエントラント構造を持つピラー、またはこれらを組み合わせて持つピラーの配列とすることができる。“組織化した、または波状の側壁”とは、側壁にサブミクロンレベルの凹凸があることを意味すると言える。波状側壁は、それぞれの波が後に述べるエッチングサイクルに対応する、２５０ｎｍの波状構造を持つことができる。
【００２２】
ピラーの配列から成る組織化パターンは、シリコンを被覆した基材にフォトリソグラフィ技術を用いて形成可能である。可撓性基材１２上のシリコン層１０は、公知のフォトリソグラフ法に従って調製および清浄化する。次に、フォトレジスト材料１４をスピンコーティングやスロットダイコーティングなどで塗布して、シリコン層１０上にフォトレジスト１４を塗布する。ロームアンドハース（Rohm and Haas）製の、Mega（登録商標）Posit（登録商標）SPR（登録商標）700フォトレジストなど、適当なフォトレジストを選ぶことができる。
【００２３】
次に、フォトレジスト１４を、一般的には、紫外光に当てて、あるいは、水酸化ナトリウムを含む現像剤などの有機現像剤、または水酸化テトラメチルアンモニウムなどの金属イオンを含まない現像剤に曝露して、露光および現像する。
【００２４】
ピラー１６の配列から成る組織化パターンは、適当な方法でエッチングすることができる。一般に、エッチングは、液体またはプラズマ化学剤を用いて、マスク１４で保護されていないシリコンの層を除く工程を含む。深掘り反応性イオンエッチング法を用いてピラー１６の配列を生成しても良い。
【００２５】
エッチング処理後、フォトレジストは、液体レジスト除去剤またはプラズマを含む酸素など、適当な方法を用いて除くことができる。フォトレジストは、GaSonics Aura 1000灰化装置などの、Ｏ2プラズマ処理を用いて剥離しても良い。剥離後、基材を、熱ピラニアクリーニング処理（hot piranha cleaning process）などで清浄化しても良い。
【００２６】
可撓性基材上に表面組織を形成した後、表面組織を化学的に修飾することができる。組織化基材の化学修飾には、組織化表面を疎油性とする、または疎油性を高めるなど、基材の適当な化学的処理が含まれる。組織化基材表面の化学修飾としては、組織化シリコン表面へのパーフルオロ化アルキル鎖から成る自己組織化層の堆積が挙げられる。分子蒸着、化学蒸着、溶液コーティングなどの様々な技術を用いて、パーフルオロ化アルキル鎖から成る自己組織化層を組織化シリコン表面に堆積することができる。組織化基材の化学修飾は、分子蒸着、化学蒸着、または溶液自己組織化技術を用いて、組織化表面に適合するよう、フルオロシランコーティングを自己組織化させる化学修飾であっても良い。具体的な実施の形態において、組織化基材の化学修飾は、分子蒸着または溶液コーティングを用いて、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、またはこれらの組み合わせで組織化させた層の堆積である。
【００２７】
具体的な実施の形態において、パルス化または時分割したエッチングから成る、Bosch深掘り反応性イオンエッチング法を用いて、ピラーの配列から成る組織化表面を形成する。Bosch法は、１）保護用不動態層の堆積、２）エッチング１：谷底などの所望箇所の不動態層を除去するためのエッチングサイクル、３）エッチング２：等方的にシリコンをエッチングするエッチングサイクルの、１回のサイクル内に３つの異なる工程を含むエッチングサイクルを複数回用いて、垂直方向にエッチングを行うものである。それぞれの工程は、数秒間行う。不動態層は、Teflon（登録商標）と同じ、Ｃ4Ｆ8で形成し、基材全体を更なる化学的腐食から守り、更にエッチングされるのを防ぐ。しかし、エッチング１層の間、基材に衝突させた指向性イオンは、谷底の不動態層を破壊する（しかし、ピラーの側壁に沿っては当たらない）。イオンは不動態層に衝突して、これを飛散させ、エッチング２の間、基材上の谷底を化学エッチング剤に曝露する。エッチング２は、短時間（例えば、約５から約１０秒間）、シリコンを等方的にエッチングするよう作用する。エッチング２工程が短いと波の周期が短くなり（５秒間で約２５０ｎｍとなる）、エッチング２が長いと波の周期が長くなる（１０秒間で約８８０ｎｍとなる）。このエッチングサイクルは、所望のピラー高さとなるまで繰り返すことができる。この工程で、それぞれの波がひとつのエッチングサイクルに対応する、組織化された、または、波状の側壁を持つピラーを形成することができる。
【００２８】
周期的“波”構造の大きさは、適当であればどのような大きさでも良い。実施の形態において、波状側壁のそれぞれの“波”の大きさは、１００ｎｍから１，０００ｎｍまたは２５０ｎｍである。
【００２９】
図２に戻り、参考実施形態としての方法は、オーバーハングリエントラント構造を持つピラーの配列から成る、組織化表面を可撓性基材上に形成する工程を含む。この方法は、２つのフッ素エッチング法の組み合わせ（ＣＨ3Ｆ／Ｏ2およびＳＦ6／Ｏ2）を用いる、類似の方法でも良い。図２において、本方法は、堆積し、清浄化したシリコン層をその上に備えた可撓性基材２００を準備する工程と、清浄化シリコン層２０１上に、スパッタリングまたはプラズマ化学蒸着などでＳｉＯ2薄膜２０２を堆積する工程と、可撓性基材２００上の酸化ケイ素２０２被覆シリコン層２０１に、フォトレジスト材料２０４を塗布する工程と、SPR(登録商標)700-1.2フォトレジストを用いた５：１フォトリソグラフィなどで、フォトレジスト材料２０４を曝露および現像する工程と、フッ素系反応性イオンエッチング（ＣＨ3Ｆ／Ｏ2）を用いて、ピラー２０６の配列から成る組織化パターンの輪郭をＳｉＯ2層に刻み込む工程と、第２のフッ素系（ＳＦ6／Ｏ2）反応性イオンエッチング法を用い、次に、熱剥離（hot stripping）を行い、ピラニアクリーニングを行って、オーバーハングリエントラント構造２１０を持つ、組織化ピラー２０８を形成する工程と、を含むことができる。次に、パターン化した配列に適合性の疎油性コーティング２１２を被覆して、真っ直ぐな側壁とオーバーハングリエントラント構造２１０を持つピラーの組織化パターンを含む超疎油性可撓性デバイスを製造することができる。
【００３０】
ある実施の形態では、本件の超疎油性表面を備えた可撓性デバイスを、ロールトゥロールウェブ（roll-to-roll web）製造技術を用いて製造する。この方法は、可撓性プラスチックのロール上に超疎油性表面を備えた可撓性デバイスを製造するものである。例えば、可撓性基材から成るロールを、化学蒸着またはスパッタリングなどで可撓性基材上に非晶質シリコンの層を堆積する第１工程に、次に、フォトレジストによるスロットダイコーティングに、次いで、マスキングおよび曝露／現像工程から成る第２の工程に、次に、エッチング工程に、次いで、クリーニング工程に通す。組織化した可撓性基材を、次に、コーティング工程に通し、組織化した可撓性基材を適合性の疎油性コーティングで修飾することができる。
【００３１】
図３は、粗面と液滴との間の複合的な液−固界面を示すために一般的に用いられる２つの状態を示したものである。シリコンピラー３００で修飾された表面が示されており、Cassie-Baxter状態と、Wenzel状態にある液滴３０２が示されている。Cassie-Baxter状態（θCB）およびWenzel状態（θW）における液滴３０２の静的接触角はそれぞれ、方程式（１）および（２）で与えられる。
【００３２】
［数１］
cosθCB＝Ｒfｆcosθγ＋ｆ−１  ・・・（１）
【００３３】
［数２］
cosθW＝ｒcosθγ  ・・・（２）
【００３４】
式中、ｆは、推定（projected）濡れ面積の面積率（area fraction）、Ｒfは、濡れ面積上の粗さ比、Ｒfｆは、実面積率（solid area fraction）、ｒは、粗さ比、θγは、平面との液滴の接触角である。
【００３５】
Cassie-Baxter状態（カシー・バクスター状態）において、液滴は、非常に大きな接触角（θCB）で、殆どが空中に“ある”。液体と表面との疎性が高ければ（例えば、θγ≧９０°の場合）、方程式に従って、液滴はCassie-Baxter状態にある。
【００３６】
実施の形態において、本件の組織化表面を備えたデバイスは、１５０°以上と非常に高い水接触角と、１０°以下の低い滑り角とを持つ、超疎水性である。
【００３７】
炭化水素系液体、例えば、ヘキサデカンに代表されるようなインクに関して、ピラーの頭頂面に形成されたオーバーハングリエントラント構造を持つ、ピラーの配列から成る組織化表面は、十分に“疎性の”表面（つまり、θγ＝７３°）となり、ヘキサデカン液滴は、組織化した疎油性表面の液−固界面において、Cassie-Baxter状態となる。しかし、表面コーティングの疎油性が低下するにつれ、組織化表面は、Cassie-Baxter状態からWenzel状態（ウェンゼル状態）に実質的に変化する。実施の形態において、表面組織と化学修飾とを組み合わせ、例えば、組織化表面上にＦＯＴＳコーティングを堆積すると、組織化表面は超疎油性となる。平面上において、疎油性コーティングとは、コーティングが１００°以上の水接触角と５０°以上のヘキサデカン接触角を持つことを意味する。実施の形態において、疎油性とは、θγ＝７３°を意味する。
【００３８】
“超疎水性”とは、水滴または液滴が表面と高い接触角、例えば、１３０°から１８０°、または１５０°以上の接触角を成すことであると言える。
【００３９】
図４に、組織化（波状）側壁を持つピラー構造体の配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面の顕微鏡写真を示す。図５に、波状側壁ピラー構造を詳細に示す、図４の表面の一部の拡大図を示す。
【００４０】
参考実施形態として、図６に、ピラーの頂部に形成したオーバーハングリエントラント構造を持つピラーの配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面の顕微鏡写真を示す。図７に、オーバーハングリエントラントの形状を詳細に示す、図６の表面の一部の拡大図を示す。
【００４１】
ピラー配列は、適当であればどのような間隔またはピラー密度、あるいは実面積被覆率であっても良い。実施の形態において、ピラーの配列は、０．５％から４０％または１％から２０％の実面積被覆率である。ピラー配列は、適当であればどのような間隔またはピラー密度であっても良い。具体的な実施の形態において、ピラー配列のピラー中心間距離は６μｍである。
【００４２】
ピラー配列は、どのような適当な形であっても良く、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、三角形、星形などである。
【００４３】
ピラー配列は、どのような適当な直径または相当直径を有しても良く、例えば、０．１から１０μｍまたは１から５μｍである。
【００４４】
ピラーは、どのような適当または所望の高さとしても良い。実施の形態において、組織化表面を、０．３から１０μｍ、０．３から４μｍ、または０．５から３μｍのピラー高さを持つピラーの配列とすることができる。
【００４５】
図８において、顕微鏡写真は、１．１μｍのピラー高さを持つピラーの配列から成る、超疎油性組織化表面を示している。図９において、顕微鏡写真は、３．０μｍのピラー高さを持つピラーの配列から成る、超疎油性組織化表面を示している。
【００４６】
フッ素化した組織化表面の表面特性を、静的および動的接触角の両方の測定値を求めることにより調べた。図１０は、本件に記載の方法に従ってシリコンウェハ（可撓性基材の代わりにシリコンウェハを使用）上に形成した、組織化（波状）側壁を持つピラーの配列から成るフルオロシラン被覆組織化表面と、比較用のフラットなＦＯＴＳ表面とにおける、水とヘキサデカンの静的接触角を示す、ひと組の写真である。滑らかなＦＯＴＳ表面での水とヘキサデカンの接触角は、それぞれ１０７°と７３°である。これに対し、組織化ＦＯＴＳ表面は、水と油の両方に対し極めて高い撥水（油）性を示し、水とヘキサデカンの接触角は、それぞれ１５６°と１５８°である。理論によって拘束しようとするものではないが、ＦＯＴＳ組織化表面の水とヘキサデカンで観測された高い接触角は、表面の組織化とフッ素化の組み合わせによるものである。具体的な実施の形態において、本件の組織化デバイスは、波状側壁の特徴またはピラー頂部のオーバーハングリエントラント構造の少なくとも一方を持つことで、可撓性の超疎油性デバイスとなる。
【００４７】
図１１は、真っ直ぐで滑らかな側壁と、ピラー頂部にオーバーハングリエントラント構造を形成している、厚さ３００ｎｍのＳｉＯ2層とを備えたピラーの配列から成る、フルオロシラン被覆組織化表面における、水とヘキサデカンの静的接触角を示す、一対の写真を示している。水とヘキサデカンの接触角は、それぞれ１５３°と１５１°である。水とヘキサデカンの滑り角（示されていない）は、それぞれ１４°と２０°である。これは、組織化表面で両方の液体が、Cassie-Baxterの、濡れていない状態にあることを示している。理論によって拘束しようとするものではないが、ピラー頂部のリエントラント構造は、超疎油性を与える大きな要因である。
【実施例】
【００４８】
本発明の発明者らは、超疎油性表面（例えば、ヘキサデカン液滴が表面と、１５０°以上の接触角と、１０°以下の滑り角を成す）を、簡単なフォトリソグラフィと表面修飾技術によって、シリコンウェハ上に製造できることを示した。製造した超疎油性表面は非常に“疎インク性”であり、インクジェットプリントヘッドの前面として非常に好ましい表面の性質、例えば、インクの接触角が高いため極めて濡れにくく、保持圧力が高く滑り角が低いため自浄性で清掃が容易であるなどの性質を備えている。一般に、インク接触角が大きいほど保持圧力は良好である（高い）。保持圧力は、インクタンク（リザーバ）の圧力が高まった際にノズル開口部からインクが漏れ出すのを防止する、開口プレートの性能の指標である。表１に、いくつかの関連する表面について、水、ヘキサデカン、固体インク、および紫外線硬化性ゲルインクの接触角データをまとめた。試料１は、米国特許第５，８６７，１８０号に記載のプリントヘッドから成るものである。試料２は、滑らかなポリテトラフルオロエチレン表面であり、試料３は、本発明に従って製造した、直径３μｍ、高さ７μｍ、中心間距離約６μｍの、波状側壁を持つピラーの配列から成る組織化表面を備えた超疎油性表面である。
【００４９】
本件に記載の超疎油性表面は、インクジェットプリントヘッドの前面材料としての使用に特に適している。実施の形態において、本件のインクジェットプリントヘッドは、プラスチックフィルムから成る可撓性基材と、可撓性基材上に堆積した、ピラーの配列から成る組織化パターンを含むシリコン層と、組織化表面に堆積したフルオロシランコーティングとから成る前面を含んでいる。接触角および滑り角は、４から１０μｌの供試液体の液滴で測定する。
【００５０】
ロールトゥロールウェブ製造法により、フォトリソグラフィを用いて製造した、本件に記載の、可撓性シリコン薄膜上のピラーの組織化パターンから成る超疎油性薄膜は、インクジェットプリントヘッドの部品として使用するため、加工することができる。次に、ノズルを、例えば、レーザアブレーション技術や機械的手段（穿孔など）を用いて、薄膜に形成することができる。プリントヘッド大の薄膜を裁断し、インクジェットプリントヘッド用のノズル前面プレート上に位置を合わせ、接着などにより固定する。この組織化したノズル前面は超疎油性であり、現在使用されている一部のプリントヘッドで課題となっている、濡れや液だれの問題を解決すると考えられる。所望であれば、ピラーの高さを３μｍとしても良い。更に、超疎油性は、１μｍほどの低いピラー高さでも保つことができる。ピラーを低くすると、浅い組織化パターンの機械的頑健性は大きくなる。このような超疎油性パターンを手で擦っても、表面の損傷はごく僅かか、ないと言えるほどである。
【００５１】
【表１】
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【００５２】
表２に、直径３μｍ、中心間距離６μｍの、波状側壁構造を持つピラーの配列から成る一連のＦＯＴＳ組織化表面の、水とヘキサデカンの接触角データを示す。
【００５３】
【表２】
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【符号の説明】
【００５４】
１０，２０１  シリコン層、１２，２００  可撓性基材、１４，２０４  フォトレジスト材料（マスク）、１６，２０６  ピラー、２０２  ＳｉＯ2薄膜、２０８  組織化ピラー、２１０  オーバーハングリエントラント構造、２１２  疎油性コーティング、３００  シリコンピラー、３０２  液滴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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