(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素プラズマを照射して水素注入を行うことを前提に水素貯蔵金属又は合金に水素を含まない希ガスのプラズマを照射し、その表面の酸化膜を除去し活性化する水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法であって、
前記プラズマの密度が１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３であり、
前記水素貯蔵金属又は合金は、鉄−チタン合金、純チタン、チタン−ニッケル合金、及びマグネシウム−チタン合金から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法。
【請求項２】
前記プラズマ照射時における電子温度が３ｅＶ〜１０ｅＶであることを特徴とする請求項１に記載の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属又は合金に水素プラズマを照射して水素注入を行うことを特徴とする水素貯蔵金属又は合金の水素化方法。
【請求項４】
前記水素プラズマの照射は、水素貯蔵金属又は合金の温度が１００〜３００℃の条件下で行われることを特徴とする請求項３に記載の水素貯蔵金属又は合金の水素化方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば板状の水素貯蔵（吸蔵）金属にヘリウム等の希ガスのプラズマを照射し、その表面の酸化膜を除去することによって水素貯蔵金属又は合金表面の活性化を行う水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法及び水素プラズマの照射によって水素注入を行う水素化方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、水素貯蔵金属又は合金の初期活性化とは、５００℃程度の高温に加熱された水素貯蔵金属又は合金を数気圧の高圧の気体水素に曝した後、冷却することで表面付近に水素化物を析出させ、その内部応力で表面に微細な亀裂（マイクロクラック）を発生させ、その繰返しで十分な亀裂を確保し、その後の水素化のために表面状態を整えることをいう。ところが、この初期活性化は、異種合金は言うに及ばず、同種合金でもその製造過程における熱処理等の条件の相違に敏感に影響される。このため、初期活性化が不十分で、再現性が乏しく、それらに起因してこれまで水素貯蔵金属又は合金の利用が制限されてきた。
【０００３】
具体的には、４５０〜８００℃の温度において、チタンに対する水素の吸収及び放出の挙動が研究されている（例えば、非特許文献１を参照）。この場合、水素の吸収と放出の活性化エネルギーは、それぞれ７４ＫＪ／ｍｏｌ及び２５ＫＪ／ｍｏｌであった。
【非特許文献１】Journal of Nuclear Materials 96(1981)227-232
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、閉じられた系内に置かれた金属と水素ガスとの反応は、与えられた温度と圧力で決まる熱力学的平衡状態に達する。つまり、ある温度での金属中の水素濃度は、水素ガスの外圧で決定される。例えば、金属の水素化が閉じられた反応系で行われる場合、水素外圧は金属による水素吸収とともに低下し、最終的には平衡圧力に達する。一旦、この平衡状態に達すると、金属中の水素濃度（水素吸収量）をそれ以上増加させることができないため、水素ガスを注ぎ足して外圧を増加させる必要がある。その際、酸素等の不純物が入る可能性があり、その酸素によって金属表面が酸化されたりすると、再び初期活性化を行う必要がある。このように、高温高圧の水素ガスと高温の水素貯蔵金属又は合金を接触させる従来の水素化方法では、非常に効率が悪く、再現性に欠けるものであった。しかも、熱力学的平衡状態に達すると水素ガスを注ぎ足す必要があり、その結果として再度初期化を行わなければならないという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、水素貯蔵金属又は合金の初期活性化を十分に効率的に、かつ再現性良く行うことができる水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法及び水素吸収量を増加させることができる水素化方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法は、水素プラズマを照射して水素注入を行うことを前提に水素貯蔵金属又は合金に水素を含まない希ガスのプラズマを照射し、その表面の酸化膜を除去し活性化する水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法であって、前記プラズマの密度が１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３であり、前記水素貯蔵金属又は合金は、鉄−チタン合金、純チタン、チタン−ニッケル合金、及びマグネシウム−チタン合金から選ばれる少なくとも一種であることを特徴とするものである。
【０００７】
請求項２に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法は、請求項１に係る発明において、前記プラズマ照射時における電子温度が３ｅＶ〜１０ｅＶであることを特徴とするものである。
【０００８】
請求項３に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の水素化方法は、請求項１又は請求項２に記載の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属又は合金に水素プラズマを照射して水素注入を行うことを特徴とすることを特徴とするものである。
【０００９】
請求項４に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の水素化方法は、請求項３に係る発明において、前記水素プラズマの照射は、水素貯蔵金属又は合金の温度が１００〜３００℃の条件下で行われることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、次のような効果を発揮することができる。
請求項１に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法では、水素貯蔵金属又は合金に水素を含まない希ガスのプラズマを照射し、水素貯蔵金属又は合金の表面を活性化するもので、プラズマの密度が１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３である。このため、水素貯蔵金属又は合金の表面に存在する酸化膜に対し、高密度の水素を含まない希ガスプラズマが照射され、そのスパッタリング作用により酸化膜が除去される。従って、水素貯蔵金属又は合金の初期活性化を十分に効率的に、かつ再現性良く行うことができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法では、プラズマ照射時における電子温度が３ｅＶ〜１０ｅＶに設定され、不活性ガスのプラズマの強度が十分に発揮されることから、請求項１に係る発明の効果を向上させることができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の水素化方法では、上記の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属又は合金に水素プラズマを照射して水素注入を行うものである。前記水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法により、水素貯蔵金属又は合金表面の酸化膜が除去された状態で、水素プラズマの照射により水素注入が行われる。従って、水素注入が効果的に行われるとともに、水素プラズマの非平衡性に基づいて水素吸収量を増加させることができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明の水素貯蔵金属又は合金の水素化方法では、水素プラズマの照射は、水素貯蔵金属又は合金の温度が１００〜３００℃の条件下で行われる。従って、従来よりも低温で請求項３に係る発明の効果を十分に発揮させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の最良と思われる実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本実施形態の水素貯蔵金属又は合金（以下、単に水素貯蔵金属ともいう）の初期活性化及び水素化に用いられる装置は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガス、水素（Ｈ２）ガスを含む真空系に適用され、それらのガスのプラズマを発生させるための装置である。図１は、本実施形態における希ガス又は水素ガスのプラズマを発生させ、水素貯蔵金属の初期活性化及び水素化を行う装置１０を模式的に示す説明図である。同図に示すように、四角箱状をなすステンレス鋼製の真空チャンバー１１にはターボ分子ポンプ１２が連通管１３を介して接続され、真空チャンバー１１内が１０−５Ｐａ台まで真空に排気されるようになっている。
【００１５】
水素貯蔵金属又は水素貯蔵合金としては、鉄−チタン合金、純チタン、チタン−ニッケル合金、マグネシウム−チタン合金等一般に水素貯蔵金属として使用されているものが挙げられる。水素貯蔵金属の形状は、板状、棒状等の塊（ブロック）状であることが好ましく、粉状は好ましくない。希ガスとしては、ヘリウム、アルゴンのほか、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）又はキセノン（Ｘｅ）が用いられる。
【００１６】
真空チャンバー１１内には電気的に絶縁された板状をなす抵抗加熱式のヒータ１４が片持ち支持され、その先端部が真空チャンバー１１内の中心に位置するようになっている。係るヒータ１４の先端部の上面にはるつぼ１５が保持され、該るつぼ１５内には板状の水素貯蔵金属１６がセットされる。るつぼ１５には熱電対１７の一端が接続され、水素貯蔵金属１６の温度が測定される。真空チャンバー１１の側方位置には圧力計１８が接続され、真空チャンバー１１内の圧力が計測される。
【００１７】
真空チャンバー１１の上方位置には、電子サイクロトロン共鳴型（ＥＣＲ）のプラズマ発生装置２１が連結パイプ２２を介して配設され、プラズマ発生装置２１によって発生されるプラズマを真空チャンバー１１内のるつぼ１５にセットされた水素貯蔵金属１６に照射するように構成されている。ここで、プラズマとは、気体の温度が上昇することで気体分子が解離して原子になり、さらなる温度上昇で原子核のまわりの電子が原子核から離れて正イオンと電子に電離し、その電離によって生じた荷電粒子を含む気体を意味する。水素貯蔵金属１６に照射されるプラズマの照射粒子束は、プラズマ発生装置２１の出力によって決定される。連結パイプ２２のプラズマ発生装置２１側にはガス導入部としてのガス導入パイプ２３が接続され、ヘリウム等の希ガス又は水素を含有するガスを連結パイプ２２内に導入し、プラズマ発生装置２１によって発生するプラズマにより希ガス又は水素ガスのプラズマ柱２４を生成する。
【００１８】
連結パイプ２２内には一定の開口直径（例えば、３．５ｃｍ）の円孔２５ａを有するドーナツリミター２５がプラズマ柱２４と直交するように配置され、その開口直径によってプラズマ柱２４の直径が設定される。プラズマ発生装置２１、連結パイプ２２、真空チャンバー１１及びターボ分子ポンプ１２の周囲には、円環状をなす３台の電磁石２６が一定間隔をおいて配置され、プラズマ発生装置２１によって発生したプラズマ柱２４がるつぼ１５上の水素貯蔵金属１６へ誘導されるようにしている。連結パイプ２２のほぼ中央部にはプラズマ密度測定探針２７が配設され、前後動可能に支持されている。このプラズマ密度測定探針２７の先端は前記プラズマ柱２４に達するように支持され、プラズマ柱２４の密度と電子温度（電子ボルト、ｅＶ）とが測定される。それらの密度と電子温度とから前記照射粒子束が計算される。
【００１９】
次に、上記の装置を用いた水素貯蔵金属の初期活性化方法及び水素化方法について説明する。
水素貯蔵金属１６の初期活性化方法においては、ガス導入パイプ２３から希ガスを連結パイプ２２内に導入し、プラズマ発生装置２１によってヘリウム等の希ガスのプラズマ柱２４を形成する。そのプラズマ柱２４を３台の電磁石２６の線型磁場によってるつぼ１５内の水素貯蔵金属１６へ誘導する。水素貯蔵金属１６に希ガスのプラズマ柱２４が照射されることにより、水素貯蔵金属１６の表面が活性化される。
【００２０】
この場合、水素貯蔵金属１６の初期活性化を十分に、かつ効率良く行うために、希ガスのプラズマの密度が１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３に設定される。プラズマの密度が１０１６／ｍ３未満の場合には、プラズマの密度が低く、水素貯蔵金属１６表面の酸化膜の除去を効率的に実施することができず、結局初期化に長時間を要する。一方、１０１８／ｍ３を越える場合には、プラズマ照射による熱負荷が大き過ぎるため試料が溶融するおそれがある。また、希ガスの圧力は、１．３３×１０−１Ｐａ〜１．３３×１００Ｐａであることが好ましい。希ガスの圧力が１．３３×１０−１Ｐａ未満の場合、圧力が低く、ＥＣＲによるプラズマ着火性が悪いため、水素貯蔵金属１６の初期活性化の目的を十分に達成できなくなる。一方、１．３３×１００Ｐａを越える場合、圧力が高過ぎるためＥＣＲプラズマ着火性が悪くなる。
【００２１】
また、水素貯蔵金属１６の初期活性化をより効率的に行うために、プラズマ照射時における電子温度は３ｅＶ〜１０ｅＶであることが望ましい。この電子温度が３ｅＶ未満の場合には、１０１６／ｍ３以上のプラズマ密度を維持することが難しくなる。電子温度が１０ｅＶを越える場合には、プラズマによる熱負荷が高くなり、試料が溶融するおそれがある。
【００２２】
さらに、希ガスプラズマの照射粒子束は、希ガスプラズマの密度を高め、その強度を発揮するために１０１６ions／sec.m2以上であることが望ましい。この照射粒子束が１０１６ions／sec.cm2未満の場合には、希ガスプラズマの密度が低く、その強度を十分に発揮することができなくなる。その上限は特に限定されないが、１０１８ions／sec.cm2以下であることが望ましい。照射粒子束が１０１８ions／sec.cm2を越える場合には、プラズマによる熱負荷が高くなり、試料が溶融するおそれがある。
【００２３】
加えて、希ガスプラズマのスパッタリング速度を高めて水素貯蔵金属１６の初期活性化の効率を高めるために、水素貯蔵金属に５０〜３００Ｖの直流電圧を印加することが好ましい。この直流電圧が５０Ｖ未満の場合には、希ガスプラズマの衝撃力を十分に向上させることができず、好ましくない。一方、３００Ｖを越える場合には、プラズマ柱の生成に際してアーク放電が起きて水素貯蔵金属表面に予想外の傷を付ける結果となって好ましくない。
【００２４】
次に、水素貯蔵金属１６の水素化方法は、前述した水素貯蔵金属１６の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属１６に水素プラズマを照射して水素注入をすることにより行われる。この場合、水素プラズマの照射は、その温度と水素の圧力とを制御して行うことが好ましく、水素貯蔵金属の温度が１００〜３００℃の条件下で行われることが好ましい。温度が１００℃未満の場合には、温度が低くなり過ぎて拡散速度が低くなり、水素貯蔵金属１６に対する水素注入の効率が低下する。一方、３００℃を越える場合には、そのような高温にしても水素貯蔵金属１６に対する水素注入の効率は上昇せず、かえって加熱のために水素の放出が起こる。
【００２５】
さて、本実施形態の作用について説明すると、図１に示す装置１０において、水素貯蔵金属１６表面の初期活性化に当たり、水素貯蔵金属１６を真空チャンバー１１内のるつぼ１５上にセットする。そして、ガス導入パイプ２３から希ガスを導入し、プラズマ発生装置２１で希ガスのプラズマ柱２４を形成し、水素貯蔵金属１６に照射する。このとき、少なくともプラズマ柱２４の密度を１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３に設定し、好ましくは電子温度を３ｅＶ〜１０ｅＶに設定する。このような条件設定により、希ガスのプラズマ柱２４から飛来する希ガスイオン（又は希ガスの中性原子）が水素貯蔵金属１６の表面に到達する。このときの浮遊電位は、特にプラズマ柱２４の電子温度で決まり、この電位に従って希ガスイオンが水素貯蔵金属１６の表面を衝撃する。この衝撃力が水素貯蔵金属１６表面の酸化膜を除去することで、清浄な金属表面が露出され、水素貯蔵金属１６の初期活性化が行われる。
【００２６】
続いて、初期活性化処理された水素貯蔵金属１６の水素化に当たり、水素貯蔵金属１６の表面に水素プラズマを照射する。このとき、好ましくは水素貯蔵金属の温度を１００〜３００℃に設定する。このような条件設定により、水素貯蔵金属１６の表面が清浄な状態で水素化を有効に、しかも水素吸収量の増大をもって行うことができる。以上のように、希ガスをプラズマ化し、そのプラズマが水素貯蔵金属１６に直接接触することで水素貯蔵金属１６の初期活性化が行われ、その後水素プラズマにより連続的に水素化が行われる。この方法では連続的に水素プラズマが照射され、プラズマの非平衡性により従来のような飽和点がなく水素吸収量が増大を続ける。
【００２７】
以上詳述した実施形態によって発揮される効果を以下にまとめて記載する。
・  本実施形態における水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法では、水素貯蔵金属１６に希ガスのプラズマを照射し、水素貯蔵金属１６の表面を活性化するもので、プラズマの密度が１０１６／ｍ３〜１０１８／ｍ３である。このため、水素貯蔵金属１６の表面に存在する酸化膜に対し、高密度の希ガスプラズマが照射され、そのスパッタリング作用により酸化膜が除去される。従って、水素貯蔵金属１６の初期活性化を十分に効率的に、かつ再現性良く行うことができる。
【００２８】
・  さらに、プラズマ照射時における電子温度が３ｅＶ〜１０ｅＶに設定されることから、上記の効果を向上させることができる。
・  また、水素貯蔵金属１６の水素化方法では、前記の水素貯蔵金属の初期活性化方法を実施した後、水素貯蔵金属１６に水素プラズマを照射して水素注入を行うものである。この場合、水素貯蔵金属１６の前記初期活性化により、水素貯蔵金属１６表面の酸化膜が除去され、清浄な金属表面が露出した状態で、水素プラズマの照射により水素注入が行われる。その結果、水素注入が効果的に行われるとともに、水素プラズマの非平衡性に基づいて水素吸収量を増加させることができる。
【００２９】
・  加えて、その水素化方法において、水素プラズマの照射は、水素貯蔵金属の温度が１００〜３００℃の条件下で行われることにより、従来よりも低温で前記の効果を十分に発揮させることができる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例及び比較例を挙げて前記実施形態をさらに具体的に説明するが、本発明はそれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１及び２）
図１に示す装置１０を使用し、前述した初期活性化方法に従って、水素貯蔵金属１６表面の活性化を行った。実施例１では、水素貯蔵金属１６として、鉄９０原子％、チタン１０原子％の鉄チタン合金を用いた。また、実施例２では、水素貯蔵金属１６として純チタンを用いた。水素貯蔵金属１６の形状を、いずれも直径２８ｍｍ、厚さ２ｍｍの円盤状とした。また、希ガスとしてヘリウムを用い、ヘリウムプラズマを形成し、そのヘリウムのプラズマ柱２４の直径を３．５ｃｍに設定した。
【００３１】
初期活性化の条件として、印加電圧（直流電圧）１００Ｖ、プラズマ照射時間１０分、水素貯蔵金属１６の温度を６００℃とした。また、ヘリウムプラズマの密度を３×１０１６／ｍ３、電子温度を３ｅＶ、ヘリウムプラズマの照射粒子束を約５×１０２０He-ions/m2.secとした。
【００３２】
ここで、純チタンの場合、スパッタリング率が約０．０４６であることから、ヘリウムプラズマの粒子束から、１ｃｍ２当たり約１．４×１０１８個のチタン原子が表面から除去されたことになり、これをチタンの厚さに換算すると約２０００Åになる。同様に、鉄の厚さに換算すると、約３０００Åになる。これらの値は、近似的に酸化物（ＴｉＯ２、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３）にも当てはまるものと考えられるので、金相学（金属組織学）的に表面酸化膜除去として十分な厚さであるといえる。
【００３３】
このようにして初期活性化処理された水素貯蔵金属１６に対して水素プラズマを次のような条件で照射し、水素化を行った。すなわち、温度を３００℃に設定した。直流電圧は印加しなかった。その理由は、直流電圧を印加すると水素の注入速度は上昇するが、水素貯蔵金属１６の温度も上昇するため、水素吸収量が放出により減少する可能性があるからである。そして、水素プラズマによる水素ガス曝露時間（分）に対する水素吸収量（水素原子個数）を次のような方法で測定した。
【００３４】
すなわち、水素化終了後に水素ガスの導入を中止し、真空チャンバー１１内を再び１０−５Ｐａ台まで排気した後、ヒータにより水素貯蔵金属１６を約６００℃まで加熱して水素を放出させ、そのときの真空チャンバー１１内の圧力を圧力計１８で測定した。そして、ターボ分子ポンプ１２の排気速度カタログ値（１５０Ｌ／秒）から、次の数式（１）を用いて全放出量Ｑ、つまり全吸収量を求めた。
【００３５】
【数１】
0005870325.tif 000002
ここで、Ｐ１（ｔ）は時間ｔ（例えばｔ１）における水素の分圧、Ｐ０はバックグラウンド水素分圧及びＳはポンプの排気速度を表す。
【００３６】
このようにして得られた水素ガス曝露時間（分）と水素吸収量（水素原子個数）との関係を図２に示した。この図２に示すように、実施例１及び２においては、鉄チタン合金又は純チタンについてヘリウムプラズマを用いて初期活性化を行った後、水素プラズマにより水素化を行ったため、プラズマ本来の非平衡性により水素吸収量は飽和状態に到ることなく、水素ガス曝露時間に比例して増加する結果が得られた。
（比較例１及び２）
比較例１では、水素貯蔵金属１６として、鉄９０原子％、チタン１０原子％の鉄チタン合金を用い、比較例２では、水素貯蔵金属１６として純チタンを用いた。水素貯蔵金属１６の形状は、比較例１及び２とも実施例１と同じ形状に設定した。そして、プラズマを用いることなく、従来の水素ガスを加圧する方法により、次の条件で水素貯蔵金属１６の水素化を行った。すなわち、温度を６００℃に設定した。水素化終了後に、実施例１と同様にして水素ガス曝露時間（分）と水素吸収量（水素原子個数）との関係を求め、図２に示した。
【００３７】
その結果、比較例１及び２では、鉄チタン合金又は純チタンについて、水素プラズマを照射せず、水素ガスの曝露のみによって水素注入を行うと１００〜１５０分後には熱力学的な平衡状態に到り、水素吸収量が飽和してそれ以上増加しなくなった。
（実施例３）
実施例３では、希ガスとしてアルゴンガスを用い、アルゴンプラズマを形成した以外は、実施例１と同様にして水素貯蔵金属１６の初期活性化及び水素化を実施した。なお、アルゴンプラズマはヘリウムプラズマと同様の密度、照射粒子束等の特性をもつものである。得られた水素プラズマ照射時間（分）と水素吸収量（水素原子個数）との関係を図２に示した。この図２に示すように、この実施例３の場合においては、比較例１の場合に比べて水素吸収量が増加する結果が得られた。
【００３８】
なお、前記実施形態を次のように変更して具体化することも可能である。
・  水素貯蔵金属１６の初期活性化において、希ガスプラズマの密度を１０１６／ｍ３より一層高く、希ガスプラズマの照射粒子束を１０１６ions／sec.m2以上より格段に高く、プラズマ照射時における電子温度を３ｅＶ以上より十分に高く設定し、初期化時間の短縮を図るように構成することができる。
【００３９】
次に、前記実施形態から把握できる技術的思想について以下に記載する。
・  前記希ガスのプラズマに５０〜３００Ｖの直流電圧を印加することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法。この方法によれば、請求項１又は請求項２に係る発明の効果に加えて、初期活性化の効率を高めることができる。
【００４０】
・  前記水素貯蔵金属又は合金は、塊状であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の水素貯蔵金属又は合金の初期活性化方法。この方法によれば、塊状をなす水素貯蔵金属又は合金の表面について、請求項１又は請求項２に係る発明の効果を発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】水素貯蔵金属の初期活性化及び水素化に用いられる装置を示す概略説明図。
【図２】実施例１〜３及び比較例１、２における水素ガス曝露時間（分）と水素吸収量（水素原子個数）との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４２】
１６…水素貯蔵金属、２４…プラズマ柱。
【図１】
0005870325.tif 000003
【図２】
0005870325.tif 000004