(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される識別板と、
第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、前記識別板に対する前記有孔部及び前記無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、前記パターンが通過する前記第１の箇所から反射する光を受光し、前記無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する第１のセンサと、
前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点において、前記第１のセンサが出力する信号を検出する第１のセンサ信号検出部と、
前記第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、前記容器の識別情報を読み取る容器情報読取部とを備え、
前記パターンには、前記容器の識別情報を表す前記有孔部及び前記無孔部の第１の配列と、前記容器の識別情報の読み取り開始時点を特定するための情報を表す前記有孔部及び前記無孔部の第２の配列とが形成され、前記識別板に対する前記第１のセンサの相対位置が変化する過程において、前記第２の配列は、前記第１の配列よりも先に前記第１の箇所を通過し、
前記第２の配列における前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点において、前記第１のセンサが出力する信号を検出する第２のセンサ信号検出部と、
前記第２のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、前記第２の配列が表す情報を読み取る開始情報読取部とをさらに備え、
前記第１のセンサ信号検出部は、前記第２の配列が表す情報が読み取られた時点を始点とする時間間隔で、前記第１の配列における前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点を特定する個体識別装置。
【請求項２】
貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される識別板と、
第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、前記識別板に対する前記有孔部及び前記無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、前記パターンが通過する前記第１の箇所から反射する光を受光し、前記無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する第１のセンサと、
前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点において、前記第１のセンサが出力する信号を検出する第１のセンサ信号検出部と、
前記第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、前記容器の識別情報を読み取る容器情報読取部とを備え、
前記識別板には、前記有孔部及び前記無孔部の配列方向と直交する方向に突出する突出部が形成され、
第２の箇所に向けて光を発する第２の発光部を有し、前記識別板に対する前記有孔部及び前記無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、前記突出部が通過する前記第２の箇所から反射する光を受光し、前記突出部による反射光が受光されたか否かを示す信号を出力する第２のセンサと、
前記第２のセンサが前記突出部による反射光が受光されたことを示す信号を所定時間出力した時点を特定する出力時点特定部とをさらに備え、
前記識別板に対する前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの相対位置が変化する過程において、前記パターンが前記第１の箇所を通過するよりも先に、前記突出部は前記第２の箇所を通過し、
前記第１のセンサ信号検出部は、前記出力時点特定部が特定した時点を始点とする時間間隔で、前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点を特定する個体識別装置。
【請求項３】
前記容器は、半導体ウェハを搭載するものであり、
前記識別板は、前記容器と同質の材料から形成される請求項１または２に記載の個体識別装置。
【請求項４】
前記識別板を形成する材料は、気泡が混入されることで不透明とされる請求項３に記載の個体識別装置。
【請求項５】
前記第１のセンサの前記識別板に対する相対位置は、前記識別板を取り付けた前記容器が移動手段により移動されることで変化し、
前記移動手段は、前記容器を支持する支持体と、回転動作により前記支持体を駆動させるモータと、該モータの回転角度を検出するエンコーダとを備え、
前記第１のセンサ信号検出部は、前記エンコーダが検出するモータの回転角度に基づき、前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点を特定する請求項１から４のいずれか１項に記載の個体識別装置。
【請求項６】
貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される識別板と、
第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、前記識別板に対する前記有孔部及び前記無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、前記パターンが通過する前記第１の箇所から反射する光を受光し、前記無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する第１のセンサと、
前記有孔部及び前記無孔部が前記第１の箇所に位置する各時点において、前記第１のセンサが出力する信号を検出する第１のセンサ信号検出部と、
前記第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、前記容器の識別情報を読み取る容器情報読取部とを含む個体識別装置を備えた個体識別システムであって、
前記個体識別装置の前記容器情報読取部は、前記容器にワークが搭載される際と、前記容器に搭載された前記ワークに処理が実行される際とに、前記容器の識別情報を読み取り、
前記容器に搭載される前記ワークの識別情報を読み取るワーク情報読取部と、
前記ワークが前記容器に搭載される際に前記容器情報読取部が読み取った前記容器の識別情報と、前記ワーク情報読取部が読み取った前記ワークの識別情報とを対応付けた容器ワーク情報を取得して記録する容器ワーク情報記録部と、
前記ワークに実行される処理の条件を示す処理条件情報を読み取る処理条件情報読取部と、
前記容器に搭載された前記ワークに処理が実行される際に前記容器情報読取部が読み取った前記容器の識別情報と、前記処理条件情報読取部が読み取った前記処理条件情報とを対応付けた容器処理条件情報を取得して記録する容器処理条件情報記録部と、
前記容器の識別情報をキーとして、前記容器ワーク情報記録部に記録された前記容器ワーク情報に含まれる前記ワークの識別情報と、前記容器処理条件情報記録部に記録された前記容器処理条件情報に含まれる前記処理条件情報とを対応付けたワーク処理条件情報を取得して記録するワーク処理条件情報記録部とを備える個体識別システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容器の識別情報を読み取る個体識別装置、及び該個体識別装置が読み取った容器の識別情報に基づき、容器に搭載されるワークの識別情報と、ワークに実行される処理の条件を示す情報とを対応付けたワーク処理条件情報を取得する固体識別システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルの製造ラインでは、半導体ウェハの個別管理を行うために、半導体ウェハの識別情報と、半導体ウェハの処理条件とを対応付けたウェハ処理情報が取得されている。
【０００３】
太陽電池セルの製造ラインにおける処理として、半導体ウェハを収容した容器を設備に投入して実施される処理がある。このような処理では、容器の識別情報をキーとして、半導体ウェハの識別情報と、設備の処理条件とが対応付けられている。特許文献１〜４には、容器等に取り付けた識別板を用いて、容器等の識別情報を取得する技術が開示されている。
【０００４】
特許文献１では、識別板としてセラミックからなる耐熱性の超音波反射ラベルが用いられる。超音波反射ラベルでは、複数の検出位置における孔の有無により容器の識別情報が表現される。超音波反射ラベルの各検出位置と対向する位置には超音波センサが一つずつ設けられ、これらの超音波センサが各検出位置における孔の有無を検出することで、容器の識別情報が取得される。
【０００５】
特許文献２では、識別板として鉄鋳物製のプレートが用いられる。プレートでは、複数の検出位置に形成される凹凸で容器の識別情報が表現される。プレートの各検出位置と対向する位置には近接センサが一つずつ設けられ、これらの近接センサが各検出位置における凹凸を検出することで、容器の識別情報が取得される。
【０００６】
特許文献３では、識別板として耐熱性プレートが用いられる。耐熱性プレートの表面には２次元コードが印字され、該２次元コードの撮影画像が処理されることで、熱処理炉に投入される容器の識別情報が取得される。２次元コードは、耐熱性塗料を用いて耐熱性プレートの表面に軟化融着されるものであり、耐熱性プレートの表面には、２次元コードの融着後に釉薬が施釉される。
【０００７】
特許文献４では、識別板として金属やセラミックから構成されるプレートが用いられ、プレートに形成されたカルラコードを読み取ることで、ワークの識別情報が取得される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平４−１１６５８５号公報
【特許文献２】特開平９−１６０９９８号公報
【特許文献３】特開平９−２３０７９２号公報
【特許文献４】特開平６−２８５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１，２の方法では、検出位置の数と同数の超音波センサや近接センサを設ける必要がある。このため、設備コストが高くなる。
【００１０】
また、特許文献２では、近接センサが凹凸を検出可能とするために、凹凸を縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ程の大きなサイズに形成する必要がある。よって、識別板の寸法限界のため凹凸を形成できない事態や、凹凸を必要数形成できない事態が生じ得る。この場合、必要量の容器の識別情報を識別板から読み取ることができない。
【００１１】
また、太陽電池セルの製造ラインにおける拡散処理や熱酸化処理では、半導体ウェハを収容した容器が、１０００度以上の高温となる設備内に投入される。この拡散処理や熱酸化処理で使用される容器の識別のために、特許文献２，４の方法を適用した場合には、識別板を構成する金属に熱による化学反応が生じることで、半導体ウェハに対する不純物が発生し得る。
【００１２】
また、上述の拡散処理や熱酸化処理に特許文献３の方法を適用した場合には、釉薬が劣化することで、半導体ウェハに対する不純物が発生し得る。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、安価な設備コストで、必要量の容器の識別情報を読み取ることができる個体識別装置、及び該個体識別装置が読み取った容器の識別情報に基づき、容器に搭載されるワークの識別情報と、ワークに実行される処理の条件を示す情報とを対応付けたワーク処理条件情報を取得する固体識別システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る個体識別装置は、識別板と、第１のセンサと、第１のセンサ信号検出部と、容器情報読取部と、第２のセンサ信号検出部と、開始情報読取部とを備える。識別板には、貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される。第１のセンサは、第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、識別板に対する有孔部及び無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、パターンが通過する第１の箇所から反射する光を受光し、無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する。第１のセンサ信号検出部は、有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点において、第１のセンサが出力する信号を検出する。容器情報読取部は、第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、容器の識別情報を読み取る。パターンには、容器の識別情報を表す有孔部及び無孔部の第１の配列と、容器の識別情報の読み取り開始時点を特定するための情報を表す有孔部及び無孔部の第２の配列とが形成され、識別板に対する第１のセンサの相対位置が変化する過程において、第２の配列は、第１の配列よりも先に第１の箇所を通過する。第２のセンサ信号検出部は、第２の配列における有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点において、第１のセンサが出力する信号を検出する。開始情報読取部は、第２のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、第２の配列が表す情報を読み取る。第１のセンサ信号検出部は、第２の配列が表す情報が読み取られた時点を始点とする時間間隔で、第１の配列における有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点を特定する。
本発明の第２の観点に係る個体識別装置は、識別板と、第１のセンサと、第１のセンサ信号検出部と、容器情報読取部と、第２のセンサと、出力時点特定部とを備える。識別板には、貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される。第１のセンサは、第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、識別板に対する有孔部及び無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、パターンが通過する第１の箇所から反射する光を受光し、無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する。第１のセンサ信号検出部は、有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点において、第１のセンサが出力する信号を検出する。容器情報読取部は、第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、容器の識別情報を読み取る。識別板には、有孔部及び無孔部の配列方向と直交する方向に突出する突出部が形成される。第２のセンサは、第２の箇所に向けて光を発する第２の発光部を有し、識別板に対する有孔部及び無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、突出部が通過する第２の箇所から反射する光を受光し、突出部による反射光が受光されたか否かを示す信号を出力する。出力時点特定部は、第２のセンサが突出部による反射光が受光されたことを示す信号を所定時間出力した時点を特定する。識別板に対する第１のセンサおよび第２のセンサの相対位置が変化する過程において、パターンが第１の箇所を通過するよりも先に、突出部は第２の箇所を通過する。第１のセンサ信号検出部は、出力時点特定部が特定した時点を始点とする時間間隔で、有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点を特定する。
本発明の第３の観点に係る個体識別システムは、識別板、第１のセンサ、第１のセンサ信号検出部、および、容器情報読取部を含む個体識別装置と、ワーク情報読取部と、容器ワーク情報記録部と、処理条件情報読取部と、容器処理条件情報記録部と、ワーク処理条件情報記録部とを備える。識別板には、貫通孔が有る有孔部と貫通孔の無い無孔部の配列により、容器の識別情報を表すパターンが形成される。第１のセンサは、第１の箇所に向けて光を発する第１の発光部を有し、識別板に対する有孔部及び無孔部の配列方向の相対位置が変化する過程において、パターンが通過する第１の箇所から反射する光を受光し、無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力する。第１のセンサ信号検出部は、有孔部及び無孔部が第１の箇所に位置する各時点において、第１のセンサが出力する信号を検出する。容器情報読取部は、第１のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、容器の識別情報を読み取る。容器情報読取部は、容器にワークが搭載される際と、容器に搭載されたワークに処理が実行される際とに、容器の識別情報を読み取る。ワーク情報読取部は、容器に搭載されるワークの識別情報を読み取る。容器ワーク情報記録部は、ワークが容器に搭載される際に容器情報読取部が読み取った容器の識別情報と、ワーク情報読取部が読み取ったワークの識別情報とを対応付けた容器ワーク情報を取得して記録する。処理条件情報読取部は、ワークに実行される処理の条件を示す処理条件情報を読み取る。容器処理条件情報記録部は、容器に搭載されたワークに処理が実行される際に容器情報読取部が読み取った容器の識別情報と、処理条件情報読取部が読み取った処理条件情報とを対応付けた容器処理条件情報を取得して記録する。ワーク処理条件情報記録部は、容器の識別情報をキーとして、容器ワーク情報記録部に記録された容器ワーク情報に含まれるワークの識別情報と、容器処理条件情報記録部に記録された容器処理条件情報に含まれる処理条件情報とを対応付けたワーク処理条件情報を取得して記録する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、容器の識別情報を表すパターンが識別板に形成される。そして、パターンの要素である無孔部及び有孔部の各々に対応する信号が検出されて、これらの信号に基づき容器の識別情報が読み取られる。上記の信号は、識別板に対する第１のセンサの相対位置が変化する過程で、第１のセンサが、パターンの通過箇所から発せられる光を受光し、無孔部で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力することで得られるものである。よって本発明によれば、１つのセンサにより、容器の識別情報を表すパターンの各要素（無孔部・有孔部）に対応する信号を得ることができる。このため、パターンの要素ごとにセンサを設ける必要がないため、設備コストを安価に抑えることができる。
【００１６】
また、第１のセンサは光を利用して対象物の表面状態を示す信号を出力するものであるため、有孔部や無孔部の寸法を小さくしても、有孔部や無孔部に対応する信号を検出可能である。このため、寸法限界のある識別板に、有孔部や無孔部を多く形成することができる。よって、必要量の容器の識別情報を確実に読み取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態に係る固体識別システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る個体識別装置の状態を示す斜視図である。
【図３】識別板を拡大して示す斜視図である。
【図４】ワーク情報読取装置、容器情報読取装置、処理条件情報読取装置、及びサーバ装置の構成を示すブロック図である。
【図５】光電センサ、センサ信号検出部、及び容器情報読取部の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図６】光電センサが光を出射する状態を示す図であり、（ａ）は、光電センサの出射光が識別板で反射される状態を示し、（ｂ）は、光電センサの出射光が識別板を通過する状態を示す。
【図７】搭載機の設置場所で実施される処理を示す斜視図であり、（ａ）は、容器の識別情報が読み取られるときの状態を示し、（ｂ）は、半導体ウェハの２次元コードが撮影される状態を示し、（ｃ）は、半導体ウェハが容器に搭載されるときの状態を示す。
【図８】容器ワーク情報の例を示す図である。
【図９】拡散炉の設置場所で実施される処理を示す斜視図である。
【図１０】容器処理条件情報の例を示す図である。
【図１１】ワーク処理条件情報の例を示す図ある。
【図１２】容器ワーク情報の記録処理を示すフローチャートである。
【図１３】ワーク処理条件情報の記録処理を示すフローチャートである。
【図１４】容器情報読取装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図１５】サーバ装置のハードウェア構成を示すブロック図である。
【図１６】識別板の変形例を示す斜視図である。
【図１７】識別板の変形例を示す斜視図である。
【図１８】識別板の変形例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態に係る固体識別装置や固体識別システムを、図面を参照して説明する。本発明の実施の形態に係る個体識別装置１Ａ，１Ｂや個体識別システム２は、太陽電池セルを製造する製造ラインに適用される。該製造ラインには、ワークとしての半導体ウェハＨを容器７０に搭載する搭載機（図示せず）や、容器７０に搭載された半導体ウェハＨに拡散処理を実行する拡散炉Ｒ（図９）が設けられる。
【００１９】
図１に示すように、個体識別装置１Ａは搭載機の設置場所Ｌ１に設けられ、個体識別装置１Ｂは拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２に設けられる。個体識別装置１Ａは、搭載機が半導体ウェハＨを容器７０（図２）に搭載する際に、容器７０の識別情報を読み取る。個体識別装置１Ｂは、容器７０が拡散炉Ｒに投入される際に、容器７０の識別情報を読み取る。個体識別システム２は、個体識別装置１Ａ，１Ｂが読み取った容器７０の識別情報をキーとして、半導体ウェハＨの識別情報と、半導体ウェハＨの処理条件を示す情報とを対応付けたワーク処理条件情報を取得する。
【００２０】
搭載機や拡散炉Ｒの設置場所Ｌ１，Ｌ２には、容器７０を移動させるための移動手段１５（図２）が設けられる。移動手段１５は、容器７０を支持する支持体１６と、回転動作により支持体１６を駆動させるモータ（図示せず）と、モータの回転角度を検出するエンコーダ（図示せず）とを備える。支持体１６はガラス板であり、支持体１６の表面には、容器７０を位置決めるための定規１７が形成される。定規１７は、容器７０の幅に対応した間隔をあけて複数形成されており、容器７０は、隣り合う２つの定規１７の間に配置される。
【００２１】
搭載機の設置場所Ｌ１に設けられる移動手段１５は、例えば、半導体ウェハＨを搭載した容器７０を、拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２に搬送するために使用される。拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２に設けられる移動手段１５は、半導体ウェハＨが搭載された容器７０を、拡散炉Ｒに投入するために使用される。
【００２２】
個体識別装置１Ａ，１Ｂは、移動手段１５により容器７０が移動されることを利用して、容器７０の識別情報を読み取るものである。以下、個体識別装置１Ａ，１Ｂの詳細について説明する。
【００２３】
図１に示すように、個体識別装置１Ａは、容器情報読取装置７Ａと、光電センサ８Ａと、識別板９とから構成される。個体識別装置１Ｂは、容器情報読取装置７Ｂと、光電センサ８Ｂと、識別板９とから構成される。個体識別装置１Ａを構成する光電センサ８Ａは、光を出射する発光部８０Ａを備える。個体識別装置１Ａを構成する識別板９は、搭載機の設置場所Ｌ１で容器７０に取り付けられるものである。個体識別装置１Ｂを構成する識別板９は、搭載機の設置場所Ｌ１から拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２に搬送された容器７０に取り付けられているものである。
【００２４】
容器情報読取装置７Ａと光電センサ８Ａ、また、容器情報読取装置７Ｂと光電センサ８Ｂとは、それぞれ有線或いは無線によりシリアルに接続される。容器情報読取装置７Ａ，７Ｂは同様の構成を有する。光電センサ８Ｂは、光を出射する発光部８０Ｂを備え、光電センサ８Ａと同様の構成を有する。よって以下では、容器情報読取装置７Ａ，７Ｂを総称して、容器情報読取装置７と記す。また光電センサ８Ａ，８Ｂを総称して、光電センサ８と記し、発光部８０Ａ，８０Ｂを総称して、発光部８０と記す。
【００２５】
図２，図３に示すように、識別板９には、貫通孔が有る有孔部２１と貫通孔の無い無孔部２２の配列により、容器７０の識別情報を表すパターン２０が形成される。本実施の形態では、図３に示すように、６５ｍｍ幅の識別板９に、幅５ｍｍの有孔部２１及び無孔部２２が識別板９の幅方向に連続して形成されており、有孔部２１及び無孔部２２の中心間隔Ｋは５ｍｍになっている。有孔部２１及び無孔部２２はそれぞれ１ビットの情報に対応するものであり、有孔部２１が６箇所、無孔部２２が５箇所に形成されることで、パターン２０は１１ビットの情報を表現する。
【００２６】
識別板９は、容器７０と同質であり、気泡の混入により不透明とされた材料から形成される。例えば、容器７０が石英ガラスから形成される場合には、識別板９は、気泡の混入により不透明とされた石英ガラスから形成される。
【００２７】
容器７０は、図２に示すように、矩形状の底板７１と、底板７１の４隅に接合される４つの柱部７２と、底板７１の辺の方向に隣り合う２つの柱部７２を連結する連結部７３とを備える。柱部７２は、底板７１への接合位置から鉛直上方に延びる部分７２ａ（以下、上方延伸部７２ａ）と、底板７１への接合位置から鉛直下方に延びる部分７２ｂ（以下、下方延伸部７２ｂ）とを有する。容器７０は、各柱部７２の下方延伸部７２ｂが支持板に載置されることで、支持体１６に支持される。各連結部７３は、その一端及び他端が２つの柱部７２の上方延伸部７２ａに接合されている。半導体ウェハＨは、連結部７３に囲まれる空間に投入されて、その下端が底板７１に載置される。識別板９は、例えば、底板７１の１辺に沿うように底板７１に取り付けられることで、容器７０の側縁となる位置に固定される。容器７０が支持体１６に支持された状態では、有孔部２１及び無孔部２２の配列は、容器７０の移動方向に延びる。
【００２８】
光電センサ８は、容器７０が支持体１６に支持された状態で、検出対象となる識別板９と対向する位置に設けられる。光電センサ８は、支持体１６が駆動して容器７０が移動することで、識別板９に対する有孔部２１及び無孔部２２の配列方向における相対位置が変化する。この相対位置が変化する過程で、光電センサ８の発光部８０は、パターン２０が通過する箇所Ｐに光を出射し、箇所Ｐから発せられる光を受光し、無孔部２２で反射された光が受光されたか否かを示す第１，第２の信号を出力する。第１の信号（無孔部２２で反射された光が受光されたことを示す信号）は、箇所Ｐから所定光量以上の光が受光されているときに出力される。第２の信号（無孔部２２で反射された光が受光されていないことを示す信号）は、箇所Ｐから所定光量以上の光が受光されていないときに出力される。
【００２９】
図４に示すように、容器情報読取装置７は、センサ信号検出部３０と、容器情報読取部３１とを備える。
【００３０】
センサ信号検出部３０は、有孔部２１や無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点で、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出する。以下、センサ信号検出部３０が実行する処理の詳細について説明する。
【００３１】
有孔部２１や無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点は、エンコーダが検出するモータの回転角度や、無孔部２２及び有孔部２１の中心間隔Ｋ（図２）や、容器７０が初期位置にあるときの無孔部２２Ａの中心と箇所Ｐとの間の距離ｄに基づき特定される。無孔部２２Ａは、容器７０の移動方向におけるパターン２０の先頭位置に形成されるものである。
【００３２】
センサ信号検出部３０は、容器７０の移動が開始されることに応じて、エンコーダが検出するモータの回転角度に基づき、容器７０の移動量を算出することを開始する。そして、センサ信号検出部３０は、移動開始時からの容器７０の移動量が距離ｄに一致する時点を、無孔部２２Ａの中心が箇所Ｐに位置する時点として特定し、この時点で第１回目の信号の検出を行う。この後、センサ信号検出部３０は、前回検出時からの容器７０の移動量が中心間隔Ｋに一致する時点を、無孔部２２や有孔部２１の中心が箇所Ｐに位置する時点として特定し、この時点で第２回目以降の信号の検出を行う。そして信号の検出回数が無孔部２２及び有孔部２１の数「１１」に至ったときに、センサ信号検出部３０は、信号の検出を終了する。
【００３３】
容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した第１，第２の信号を、それぞれ「０」「１」のビットデータに変換することで、容器７０の識別情報を読み取る。
【００３４】
以下、図５に示すタイムチャートを用いて、光電センサ８、センサ信号検出部３０、及び容器情報読取部３１の動作について説明する。図５に示す時点ｔ１〜ｔ１１は、第１〜第１１回目の信号の検出が行われる時点を示す。時点ｔ１，ｔ４，ｔ７，ｔ８，ｔ１０では、図６（ａ）に示すように、無孔部２２の中心が箇所Ｐに位置することで、無孔部２２で反射された光が、光電センサ８に受光される。このため、時点ｔ１,ｔ４，ｔ７，ｔ８，ｔ１０では、光電センサ８は、第１の信号を出力している。よって、センサ信号検出部３０は第１の信号を検出し、容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した第１の信号を「０」のビットデータに変換する。
【００３５】
時点ｔ２，ｔ３，ｔ５，ｔ６，ｔ９，ｔ１１では、図６（ｂ）に示すように、有孔部２１の中心が箇所Ｐに位置することで、光電センサ８の発光部８０の出射光が有孔部２１の貫通孔を通過し、識別板９からの反射光が光電センサに受光されない。このため、時点ｔ２，ｔ３，ｔ５，ｔ６，ｔ９，ｔ１１では、光電センサ８は、第２の信号を出力している。このため、センサ信号検出部３０は第２の信号を検出し、容器情報読取部３１は、第２の信号を「１」のビットデータに変換する。
【００３６】
容器情報読取部３１は、時点ｔ１〜ｔ１１で得られるビットデータ「１」「０」を時系列に連続させることで、容器７０の識別情報「０１１０１１００１０１」を読み取る。
【００３７】
次に、個体識別システム２に含まれる構成について説明する。図１に示すように、個体識別システム２は、上述の個体識別装置１Ａ，１Ｂに加えて、カメラ５と、ワーク情報読取装置６と、処理条件情報読取装置１０と、サーバ装置１１とを備える。カメラ５とワーク情報読取装置６とは、搭載機の設置場所Ｌ１に設けられる。処理条件情報読取装置１０は、拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２に設けられる。
【００３８】
ワーク情報読取装置６と、容器情報読取装置７Ａと、容器情報読取装置７Ｂと、処理条件情報読取装置１０とは、それぞれネットワーク１２を介してサーバ装置１１に接続される。カメラ５とワーク情報読取装置６とは、有線或いは無線によりシリアルに接続される。
【００３９】
図４に示すように、ワーク情報読取装置６は、画像取得部３５と、ワーク情報読取部３６とを備える。処理条件情報読取装置１０は、処理条件情報記憶部３７と、処理条件情報読取部３８とを備える。サーバ装置１１は、ワーク情報記録部４０と、処理条件情報記録部４１と、容器ワーク情報記録部４２と、容器処理条件情報記録部４３と、容器情報記録部４４Ａ，４４Ｂと、ワーク処理条件情報記録部４５とを備える。
【００４０】
搭載機の設置場所Ｌ１では、図７（ａ）に示すように、識別板９が取り付けられた容器７０が、支持体１６の表面に配置される。そして、支持体１６が駆動して、識別板９付きの容器７０が移動することで、識別板９に対する光電センサ８の相対位置が変化する。この過程で、光電センサ８の発光部８０は、パターン２０が通過する箇所Ｐに光を出射し、箇所Ｐから発せられる光を受光し、無孔部２２で反射された光が受光されたか否かを示す第１，第２の信号を出力する。センサ信号検出部３０は、有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点で、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出する。容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した第１，第２の信号に基づき、容器７０の識別情報を読み取り、サーバ装置１１の容器情報記録部４４Ａに記録する。
【００４１】
容器７０の識別情報が記録された後では、図７（ｂ）に示すように、半導体ウェハＨがカメラ５の撮影位置に配置されて、カメラ５が、半導体ウェハＨに印字された２次元コードＣを撮影する。２次元コードＣは、レーザマーカ等で半導体ウェハＨの表面に印字されるものであり、半導体ウェハＨの識別情報を表す。該半導体ウェハＨの識別情報には、半導体ウェハＨのＩＤや、容器７０に搭載する半導体ウェハＨの位置を示す情報が含まれる。
【００４２】
画像取得部３５は、カメラ５から２次元コードＣの撮影画像を取得する。ワーク情報読取部３６は、画像取得部３５が取得した２次元コードＣの撮影画像を処理することで、半導体ウェハＨの識別情報を読み取って、該半導体ウェハＨの識別情報をワーク情報記録部４０に記録する。また、ワーク情報読取装置６は、ワーク情報読取部３６が読み取った半導体ウェハＨの識別情報を、搭載機に送信する。
【００４３】
搭載機は、図７（ｃ）に示すように、２次元コードＣが撮影された半導体ウェハＨを、容器７０に搭載する。この際、搭載機は、半導体ウェハＨの識別情報に含まれる搭載位置の情報に従って、容器７０に搭載する半導体ウェハＨの位置を調整する。そして所定枚数の半導体ウェハＨを容器７０に搭載した際に、搭載機は、半導体ウェハＨの搭載完了を示す完了通知信号をサーバ装置１１に送信する。
【００４４】
容器ワーク情報記録部４２は、搭載機から完了通知信号がサーバ装置１１に受信されたか否かを判断する。完了通知信号が受信された場合には、容器ワーク情報記録部４２は、完了通知信号の前回の受信時から今回の受信時までの間に、容器情報記録部４４Ａに記録された容器７０の識別情報と、ワーク情報記録部４０に記録された半導体ウェハＨの識別情報とを対応付けることで、図８の容器ワーク情報を取得して記録する。
【００４５】
図８の容器ワーク情報には、容器７０の識別情報である「容器のＩＤ」や、半導体ウェハＨの識別情報である「半導体ウェハのＩＤ」・「搭載位置」や、「搭載日時」が含まれている。「搭載日時」は、例えば、搭載機が送信する完了通知信号に含まれるものであり、容器ワーク情報記録部４２が、容器７０の識別情報や半導体ウェハＨの識別情報に対応付ける。
【００４６】
図９に示すように、拡散炉Ｒの設置場所Ｌ２では、半導体ウェハＨ・識別板９付きの容器７０が支持体１６の表面に配置される。そして、支持体１６が駆動して、半導体ウェハＨや識別板９付きの容器７０が拡散炉Ｒに向けて移動することで、識別板９に対する光電センサ８の相対位置が変化する。この過程で、光電センサ８の発光部８０は、パターン２０が通過する箇所Ｐに光を出射し、箇所Ｐから発せられる光を受光し、第１，第２の信号を出力する。センサ信号検出部３０は、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出し、容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した信号に基づき、容器７０の識別情報を読み取り、容器７０の識別情報を容器情報記録部４４Ｂに記録する。
【００４７】
処理条件情報記憶部３７には、拡散炉Ｒにおける処理の条件を示す処理条件情報が記憶される。処理条件情報読取部３８は、容器７０が拡散炉Ｒに投入されて、半導体ウェハＨに拡散処理が実行されることに応じて、処理条件情報記憶部３７から処理条件情報を読み取り、処理条件情報を処理条件情報記録部４１に記録する。
【００４８】
容器処理条件情報記録部４３は、容器情報記録部４４Ｂに容器７０の識別情報が記録され、且つ、処理条件情報記録部４１に処理条件情報が記録されることに応じて、容器７０の識別情報と処理条件情報とを対応付けることで、図１０の容器処理条件情報を取得して記録する。図１０の容器処理条件情報には、容器７０の識別情報である「容器のＩＤ」や、処理条件情報である「設備のＩＤ」「処理日時」「処理条件」が含まれる。「処理条件」には、例えば、拡散炉Ｒ内の温度やガス量の設定値が示される。
【００４９】
ワーク処理条件情報記録部４５は、容器ワーク情報記録部４２に記録された容器ワーク情報と、容器処理条件情報記録部４３に記録された容器処理条件情報とのうち、容器７０の識別情報が一致する容器ワーク情報と容器処理条件情報の組を特定する。そして、ワーク処理条件情報記録部４５は、特定した組ごとに、容器７０の識別情報をキーとして、処理条件情報に含まれる半導体ウェハＨの識別情報と、容器処理条件情報に含まれる処理条件情報とを対応付けることで、ワーク処理条件情報（図１１）を取得して記録する。
【００５０】
図１１のワーク処理条件情報は、図８の容器ワーク情報と、図１０の容器処理条件情報とが、容器７０の識別情報「Ａ０００１」が一致する組として特定された結果、取得されるものである。図１１のワーク処理条件情報には、図８の情報に含まれる半導体ウェハＨの識別情報と、図１０の情報に含まれる処理条件情報と、容器７０の識別情報とが対応付けられている。図１１のワーク処理条件情報によれば、容器７０に搭載された半導体ウェハＨに実行された処理の条件を確認することができる。
【００５１】
次に、図１２のフローチャートを用いて、容器ワーク情報（図８）を記録するために、個体識別システム２が実行する動作の例について説明する。
【００５２】
まず、センサ信号検出部３０は、識別板９付きの容器７０の移動が開始されることに応じて、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出する（ステップＳ１０１）。
【００５３】
容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した第１，第２の信号に基づき、容器７０の識別情報を読み取り（ステップＳ１０２）、容器７０の識別情報を容器情報記録部４４Ａに記録する（ステップＳ１０３）。
【００５４】
ついで、画像取得部３５は、カメラ５から半導体ウェハＨに印字された２次元コードＣの撮影画像を取得する（ステップＳ１０４）。
【００５５】
ワーク情報読取部３６は、画像取得部３５が取得した２次元コードＣの撮影画像を処理することで、半導体ウェハＨの識別情報を読み取り（ステップＳ１０５）、半導体ウェハＨの識別情報をワーク情報記録部４０に記録する（ステップＳ１０６）。
【００５６】
容器ワーク情報記録部４２は、搭載機から半導体ウェハＨの搭載が完了したことを示す完了通知信号がサーバ装置１１に受信されたか否かを判断する（ステップＳ１０７）。
【００５７】
完了通知信号が受信されていない場合には（ステップＳ１０７でＮＯ）、ステップＳ１０４に復帰して、ステップＳ１０４〜Ｓ１０７が繰り返される。この繰り返しは、ステップＳ１０７でＹＥＳと判定されるまで実行される。
【００５８】
完了通知信号が受信されて、ステップＳ１０７でＹＥＳと判定された場合には、容器ワーク情報記録部４２は、ステップＳ１０３で記録された容器７０の識別情報と、各回のステップＳ１０６で記録された半導体ウェハＨの識別情報とを対応付けることで、容器ワーク情報を取得して（ステップＳ１０８）、容器ワーク情報を記録する（ステップＳ１０９）。
【００５９】
次に、図１３のフローチャートを用いて、ワーク処理条件情報（図１１）を記録するために、個体識別システム２が実行する動作の例について説明する。
【００６０】
まず、センサ信号検出部３０は、半導体ウェハＨ・識別板９付きの容器７０の移動が開始されることに応じて、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出する（ステップＳ２０１）。
【００６１】
容器情報読取部３１は、センサ信号検出部３０が検出した第１，第２の信号に基づき、容器７０の識別情報を読み取り（ステップＳ２０２）、容器７０の識別情報を容器情報記録部４４Ｂに記録する（ステップＳ２０３）。
【００６２】
処理条件情報読取部３８は、半導体ウェハＨ・識別板９付きの容器７０が拡散炉Ｒに投入されることに応じて、処理条件情報記憶部３７から処理条件情報を読み取り（ステップＳ２０４）、処理条件情報を処理条件情報記録部４１に記録する（ステップＳ２０５）。
【００６３】
容器処理条件情報記録部４３は、ステップＳ２０３で記録された容器７０の識別情報と、ステップＳ２０５で記録された処理条件情報とを対応付けることで、容器処理条件情報を取得して（ステップＳ２０６）、容器処理条件情報を記録する（ステップＳ２０７）。
【００６４】
ワーク処理条件情報記録部４５は、容器ワーク情報記録部４２や容器処理条件情報記録部４３に記録された容器ワーク情報と容器処理条件情報のうち、容器７０の識別情報が一致する情報の組を特定する（ステップＳ２０８）。
【００６５】
ついで、ワーク処理条件情報記録部４５は、上記特定した組ごとに、容器７０の識別情報をキーとして、容器ワーク情報に含まれる半導体ウェハＨの識別情報と、容器処理条件情報に含まれる処理条件情報とを対応付けることで、ワーク処理条件情報を取得して（ステップＳ２０９）、ワーク処理条件情報を記録する（ステップＳ２１０）。
【００６６】
次に、図１４を用いて、容器情報読取装置７のハードウェア構成について説明する。容器情報読取装置７は、操作部５０と、表示部５１と、通信部５２と、外部Ｉ／Ｆ５３と、主記憶部５４と、記憶部５５と、制御部５６とを備え、これら各部はシステムバス５７により相互に接続されている。
【００６７】
操作部５０は、キーボードやマウスなどの入力装置を備え、ユーザの操作により入力された情報を、制御部５６に送信する。表示部５１は、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)などの表示装置を備え、制御部５６の指示のもと、各種の情報を表示する。通信部５２は、ＮＩＣ（Network Interface Card）等を備え、ネットワーク１２を介して、制御部５６の制御のもと、サーバ装置１１とデータ通信を行う。外部Ｉ／Ｆ５３は、有線或いは無線により光電センサ８と接続するインターフェースであり、制御部５６の制御のもと、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を受信する。主記憶部５４は、ＲＡＭ（Random Access Memory）等の揮発性メモリを備え、制御部５６が処理を実行するための作業領域となる。記憶部５５は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やハードディスク等の不揮発性の記憶装置を備え、有孔部２１及び無孔部２２の中心間隔Ｋ（図２）や、無孔部２２Ａの中心と箇所Ｐとの間の距離ｄや、有孔部２１及び無孔部２２の数「１１」など、種々の情報を記憶する。また、記憶部５５は、制御部５６が実行するための制御プログラムを記憶する。制御部５６は、ＣＰＵ等を備え、記憶部５５に記憶されている制御プログラムを実行することで、容器情報読取装置７の全体の動作を制御する。図４に示すセンサ信号検出部３０及び容器情報読取部３１の処理は、制御プログラムが、図１４に示すハードウェア資源を用いて処理することによって実行される。
【００６８】
ワーク情報読取装置６は、容器情報読取装置７Ａ，７Ｂと同様のハードウェア構成を有する。よって詳細な説明を省略する。なお、ウェハ情報読取装置の外部Ｉ／Ｆは、有線或いは無線によりカメラ５と接続されるインターフェースであり、制御部の制御のもと、カメラ５が出力する撮影画像を受信する。図４に示す画像取得部３５及びワーク情報読取部３６の処理は、記憶部に記憶される制御プログラムが、ワーク情報読取装置６のハードウェア資源を用いて処理することによって実行される。
【００６９】
処理条件情報読取装置１０は、拡散炉Ｒに設けられるプログラマブルロジックコントローラーであり、ネットワーク１２に接続されるインターフェース部と、ＣＰＵと、メモリとを備える。インターフェース部は、ＣＰＵの制御のもと、サーバ装置１１とデータ通信を行う。ＣＰＵは、メモリに記憶されている制御プログラムを実行することで、処理条件情報読取装置１０の全体の動作を制御する。図４に示す処理条件記憶部３７及び処理条件情報読取部３８の処理は、制御プログラムが、上記のインターフェース部・ＣＰＵ・メモリを用いて処理することによって実行される。
【００７０】
次に図１５を用いて、サーバ装置１１のハードウェア構成について説明する。サーバ装置１１は、操作部６０と、表示部６１と、通信部６２と、主記憶部６３と、記憶部６４と、制御部６５とを備え、これら各部はシステムバス６６により相互に接続されている。
【００７１】
操作部６０は、キーボードやマウスなどの入力装置を備え、ユーザの操作により入力された情報を制御部６５に送信する。表示部６１は、ＬＣＤなどの表示装置を備え、制御部６５の指示のもと、容器ワーク情報（図８）、容器処理条件情報（図１０）、及びワーク処理条件情報（図１１）など、各種の情報を表示する。通信部６２は、ＮＩＣ等を備え、ネットワーク１２を介して、制御部６５の制御のもと、ワーク情報読取装置６、容器情報読取装置７、及び処理条件情報読取装置１０とデータ通信を行う。主記憶部６３は、ＲＡＭ等の揮発性メモリを備え、制御部６５が処理を実行するための作業領域となる。記憶部６４は、ＲＯＭやハードディスク等の不揮発性の記憶装置を備え、制御部６５が実行するための制御プログラム、容器ワーク情報、容器処理条件情報、及びワーク処理条件情報など種々の情報を記憶する。制御部６５は、ＣＰＵ等を備え、記憶部６４に記憶されている制御プログラムを実行することで、サーバ装置１１の全体の動作を制御する。図４に示すワーク情報記録部４０、処理条件情報記録部４１、容器ワーク情報記録部４２、容器処理条件情報記録部４３、及び容器情報記録部４４Ａ，４４Ｂの処理は、制御プログラムが、図１５に示すハードウェア資源を用いて処理することによって実行される。
【００７２】
本実施の形態によれば、容器７０の識別情報を表すパターン２０が識別板９に形成される。そして、パターン２０の要素である無孔部２２及び有孔部２１の各々に対応する第１，第２の信号が検出されて、これら第１，第２の信号に基づき容器７０の識別情報が読み取られる。上記の第１，第２の信号は、識別板９に対する光電センサ８の相対位置が変化する過程で、光電センサ８の発光部８０が、パターン２０の通過箇所Ｐに光を出射し、通過箇所Ｐから発せられる光を受光し、無孔部２２で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力することで得られるものである。よって、本実施の形態によれば、１つのセンサにより、容器７０の識別情報を表すパターン２０の各要素（無孔部２２・有孔部２１）に対応する信号を得ることができる。このため、パターン２０の要素ごとにセンサを設ける必要がないため、設備コストを安価に抑えることができる。
【００７３】
また、光電センサ８は光を利用して対象物の表面状態を示す信号を出力するものであるため、有孔部２１や無孔部２２の寸法を小さくしても、有孔部２１や無孔部２２に対応する信号を検出可能である。このため、寸法限界のある識別板９に、有孔部２１や無孔部２２を多く形成することができる。よって、必要量の容器７０の識別情報を確実に読み取ることができる。
【００７４】
また、光電センサ８の発光部８０が光を箇所Ｐに出射することで、無孔部２２で反射される光の光量が大きくなる。よって、光電センサ８に、有孔部２１が箇所Ｐに位置する時点で第１の信号を出力させ、無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点で第２の信号を出力させる上で有利になる。
【００７５】
また、識別板９が容器７０と同質の材料から形成されることで、識別板９は、熱による化学反応で、半導体ウェハＨに対する不純物を発生しない。よって、識別板９は、拡散処理や熱酸化処理など高温の熱処理を行う設備内に、半導体ウェハＨと共に投入することできる。このため、識別板９から容器７０の識別情報を読み取った後に、識別板９を容器７０から取り外すことなく、容器７０を高温の熱処理設備に投入できる。これにより、拡散処理や熱酸化処理で使用される容器の識別手段として、個体識別装置１を好適に使用することができ、太陽電池セルの製造に要する時間を短縮できる。
【００７６】
また、識別板９が不透明な材料から形成されることで、無孔部２２は光電センサ８の発光部８０が出射した光を確実に反射する。よって、無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点で、無孔部２２で反射されたことを示す第１の信号が確実に出力される。このため、容器７０の識別情報が正確に読み取られる。
【００７７】
また、識別板９を形成する材料が透明である場合、気泡が混入されることで不透明とされる。よって、着色剤を混入して識別板９を不透明にする場合のように、半導体ウェハＨに対する不純物が発生する虞れがない。
【００７８】
また、識別板９では、貫通孔の有る有孔部２１や貫通孔の無い無孔部２２の配列により、容器７０の識別情報が表現される。このため、識別板９の表面状態（識別板９の表面の色など）が熱により変化しても、容器７０の識別情報を正確に読み取ることができる。
【００７９】
また、エンコーダが検出するモータの回転角度に基づき、有孔部２１及び前記無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点が特定される。このため、有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点を正確に特定することができる。よって、無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点で、無孔部２２で反射されたことを示す第１の信号が確実に出力され、有孔部２１が箇所Ｐに位置する時点で、無孔部２２で反射されていないことを示す第２の信号が確実に出力される。これにより、容器７０の識別情報がより正確に読み取られる。
【００８０】
また、本実施の形態の個体識別システム２によれば、上述のように個体識別装置１の設備コストを安価に抑えることができるため、半導体ウェハＨに実行される処理の条件を安価なコストで確認することができる。また、上述のように個体識別装置１が高温下の処理に使用される容器の識別手段として好適に使用できるため、個体識別システム２は、ワークに実施される高温下の処理の条件を確認する手段として好適に使用することができる。
【００８１】
本発明は、上記の実施の形態に限られず種々改変することができる。
【００８２】
例えば、識別板９の寸法や、有孔部２１及び無孔部２２の寸法や、有孔部２１及び無孔部２２の数は任意に設定することができる。
【００８３】
また、容器７０の形状は、半導体ウェハＨを搭載した状態で、光電センサ８の発光部８０の出射光を識別板９に照射可能な任意の形状に形成され得る。
【００８４】
また、光電センサ８は、パターン２０が通過する箇所Ｐに光を出射しないものであってもよい。この場合でも、光電センサ８が、箇所Ｐから発せられる光を受光し、無孔部２２で反射された光が受光されたか否かを示す信号を出力することで、容器７０の識別情報を読み取ることができる。
【００８５】
また、上記の実施の形態では、容器７０が移動することで、識別板９に対する光電センサ８の相対位置が変化したが、光電センサ８が移動することで、上記相対位置が変化するようにしてもよい。
【００８６】
また、上記の実施の形態では、半導体ウェハＨの識別情報は、半導体ウェハＨに印字される２次元コードＣの撮影画像を処理することで取得されたが、例えば、半導体ウェハＨに添付されるＲＦタグを読み取ることで取得されてもよい。或いは、ワーク情報読取装置６に入力されることで取得されてもよい。
【００８７】
また上記の実施の形態では、容器７０の識別情報が読み取られた後に、半導体ウェハＨの識別情報が読み取られたが、これとは逆に、半導体ウェハＨの識別情報が読み取られた後に、容器７０の識別情報が読み取られてもよい。
【００８８】
また上記の実施の形態では、容器７０を拡散炉Ｒに投入する際に、容器の識別情報が読み取られたが、容器７０が拡散炉Ｒに投入されて、半導体ウェハＨに拡散処理が実行された後に、容器７０の識別情報が読み取られるようにしてもよい。この場合、光電センサ８は拡散炉Ｒの出口に配置される。
【００８９】
また、図３に示す識別板９の代わりに、図１６に示す識別板８０が使用されてもよい。識別板８０には、容器の識別情報を表す有孔部２１及び無孔部２２の第１の配列と、容器の識別情報の読み取り開始時点を特定するための情報を表す有孔部２１及び無孔部２２の第２の配列とを含むパターン８１が形成される。
【００９０】
図１６の識別板８０が使用される場合には、光電センサ８と識別板８０との相対位置が変化する過程で、第２の配列が第１の配列よりも先に個所Ｐを通過するように、識別板８０の容器７０への取り付け位置・向きや、光電センサ８の設置位置が調整される。
【００９１】
また、容器情報読取装置７には、第２の配列における有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点において、光電センサ８が出力する信号を検出する第２のセンサ信号検出部（図示せず）と、該第２のセンサ信号検出部が検出した信号に基づき、第２の配列が表す情報を読み取る開始情報読取部（図示せず）とがさらに構成される。センサ信号検出部３０（図４）は、開始情報読取部により第２の配列が表す情報が読み取られた時点を始点とする時間間隔で、第１の配列における有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点を特定する。以下、第２のセンサ信号検出部、開始情報読取部、及びセンサ信号検出部３０の処理の具体例に説明する。
【００９２】
第２の配列に含まれる無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点では、無孔部２２で反射された光が光電センサ８に受光されるため、光電センサ８は、無孔部２２で反射された光が受光されたことを示す第１の信号を出力している。よって、第２のセンサ検出信号は、第１の信号を検出し、開始情報読取部は、第１の信号を「０」のビットデータに変換する。
【００９３】
第２の配列に含まれる有孔部２１が箇所Ｐに位置する時点では、光電センサ８の発光部８０の出射光が有孔部２１の貫通孔を通過することで、識別板９からの反射光が光電センサ８に受光されない。このため、光電センサ８は、無孔部２２で反射された光が受光されていないことを示す第２の信号を出力している。よって、第２のセンサ信号検出部は、第２の信号を検出し、開始情報読取部は、第２の信号を「１」のビットデータに変換する。
【００９４】
開始情報読取部は、上記の各時点で得られるビットデータ「０」「１」を時系列に連続させることで、第２の配列が示す情報「０１０１」を読み取る。センサ信号検出部３０（図４）は、開始情報読取部が最終のビットデータ「１」を読み取った時点を始点とする時間間隔で、第１の配列における有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する時点を特定する。
【００９５】
以上のようにすることで、定規１７（図２）と容器７０との間に隙間が生じて、支持体１６に支持される容器７０の位置決めが困難である場合でも、容器７０の識別情報を正確に読み取ることができる。
【００９６】
また、図１７に示す識別板８５が使用されてもよい。識別板８５では、図３の識別板９に掲載と同様、有孔部２１及び無孔部２２の配列からなるパターン２０が形成されるとともに、識別板８５の一端に、有孔部２１及び無孔部２２の配列方向と直交する方向に突出する突出部８６が形成される。
【００９７】
図１７に示す識別板８５が使用される場合、個体識別装置１には、発光部８７０を備える第２の光電センサ８７がさらに設けられ、光電センサ８の識別板８５に対する相対位置が変化する過程において、光電センサ８７の発光部８７０は、突出部８６が通過する箇所Ｑに光を出射し、第２の光電センサ８７は、箇所Ｑから発せられる光を受光し、突出部８６による反射光が受光されたか否かを示す信号を出力する。また光電センサ８の識別板８５に対する相対位置が変化する過程で、突出部８６が箇所Ｑを通過する時点が、パターン２０が箇所Ｐを通過する時点よりも先になるように、識別板８５の容器７０への取り付け位置・向きや、光電センサ８，８７の設置位置が調整される。
【００９８】
容器情報読取装置７には、第２の光電センサ８７が突出部８６による反射光が受光されたことを示す信号を所定時間出力した時点を特定する出力時点特定部（図示せず）がさらに構成される。センサ信号検出部３０は、出力時点特定部により特定された時点を始点とする時間間隔で、有孔部２１及び無孔部２２が箇所Ｐに位置する各時点を特定する。
【００９９】
以上のようにすることで、識別板の延長を長く確保できない場合でも、容器７０の識別情報を正確に読み取ることができる。
【０１００】
また、図１８に示す識別板８８が使用されてもよい。識別板８８には、容器の識別情報を表す有孔部２１及び無孔部２２から成るパターン９０と、パターン９０の読み取り間隔を表す有孔部２３及び無孔部２４から成るタイミングビット９１とが形成される。タイミングビット９１は、例えば、幅５ｍｍの有孔部２３及び幅２ｍｍの無孔部２４が識別板８８の幅方向に連続して形成されている。パターン９０の有孔部２１及び無孔部２２は、タイミングビット９１の有孔部２３と同じ識別板８８の幅方向の位置に同じ幅で設けられ、有孔部２３で特定されるタイミングで読み取られる。パターン９０の有孔部２１及び無孔部２２はそれぞれ１ビットの情報に対応するものであり、タイミングビット９１の有孔部２３の数、図１８の例では１５ビットの情報を表現する。
【０１０１】
図１８に示す識別板８８が使用される場合、個体識別装置１には、発光部８９０を備える第３の光電センサ８９がさらに設けられ、光電センサ８の識別板８８に対する相対位置が変化する過程において、光電センサ８９の発光部８９０は、タイミングビット９１が通過する箇所Ｓに光を出射し、第３の光電センサ８９は、箇所Ｓから発せられる光を受光し、反射光が受光されたか否かを示す信号を出力する。また光電センサ８の識別板８８に対する相対位置が変化する過程で、タイミングビット９１が箇所Ｓを通過する時点が、パターン９０が箇所Ｐを通過する時点と同時になるように、識別板８８の容器７０への取り付け位置・向きや、光電センサ８，８９の設置位置が調整される。
【０１０２】
容器情報読取装置７には、第３の光電センサ８９がタイミングビット９１による反射光が受光されたことを示す信号を所定時間出力しない時点を特定するタイミング特定部（図示せず）がさらに構成される。センサ信号検出部３０は、タイミング特定部により特定された時点で、光電センサ８が出力する第１，第２の信号を検出する。
【０１０３】
以上のようにすることで、パターン間隔が５ｍｍの識別版以外に、４ｍｍなど他のパターン間隔をもった識別版が取り付けられた容器７０が混在して搬送される場合でも、読み取り間隔を自動で認識することができ、容器７０の識別情報を正確に読み取ることができる。また、タイミングビット９１の有孔部２３及び無孔部２４の幅を調整することにより、読み取り間隔を任意に決定することができる。タイミングビット９１を用いれば、パターン２０およびパターン８１についても、読み取り間隔を任意に決定することができる。
【０１０４】
また、個体識別装置は、識別板に形成される凹凸を示す信号に基づき、容器の識別情報を読み取るものであってもよい。この場合、例えば、個体識別装置は、凹凸の配列により容器の識別情報を表すパターンが形成される識別板と、識別板に対する凹凸の配列方向の相対位置が変化する過程で、パターンが通過する箇所に対向して配置されて、前記箇所を通過するパターンの凹凸を示す信号を出力する近接センサと、凹凸が前記箇所を通過する時点で、近接センサが出力する信号を検出するセンサ信号検出部と、該センサ信号検出部が検出した信号に基づき、容器の識別情報を読み取る容器情報読取部とを備える。このようにしても、パターンの要素（凹凸）ごとにセンサを設けることなく、容器の識別情報を読み取ることができるため、設備コストを安価に抑えることができる。
【０１０５】
また、本発明の個体識別システムは、半導体ウェハＨに限らず、容器に搭載された状態で処理設備内に投入される様々なワークの処理条件を確認するために適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明の個体識別装置は、太陽電池セルを製造する製造ラインにおける拡散処理等、高温下の処理で使用される容器の識別情報を得る手段として好適に使用することができる。また、本発明の個体識別システムは、ワークに実行される高温下の処理の条件を確認するために好適に使用することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１，１Ａ，１Ｂ  個体識別装置
２  個体識別システム
５  カメラ
６  ワーク情報読取装置
７，７Ａ，７Ｂ  容器情報読取装置
８，８Ａ，８Ｂ，８７，８９  光電センサ
９，８０，８５，８８  識別板
１０  処理条件情報読取装置
１１  サーバ装置
１２  ネットワーク
１５  移動手段
１６  支持体
１７  定規
２０，８１，９０  パターン
２１  有孔部
２２，２２Ａ  無孔部
３０  センサ信号検出部
３１  容器情報読取部
３５  画像取得部
３６  ワーク情報読取部
３７  処理条件情報記憶部
３８  処理条件情報読取部
４０  ワーク情報記録部
４１  処理条件情報記録部
４２  容器ワーク情報記録部
４３  容器処理条件情報記録部
４４Ａ，４４Ｂ  容器情報記録部
４５  ワーク処理条件情報記録部
５０，６０  操作部
５１，６１  表示部
５２，６２  通信部
５３  外部Ｉ／Ｆ
５４，６３  主記憶部
５５，６４  記憶部
５６，６５  制御部
５７，６６  システムバス
７０  容器
７１  底板
７２  柱部
７２ａ  上方延伸部
７２ｂ  下方延伸部
７３  連結部
８０，８０Ａ，８０Ｂ，８７０，８９０  発光部
８６  突出部
９１  タイミングビット
Ｃ  二次元コード
Ｈ  半導体ウェハ
Ｌ１  搭載機の設置場所
Ｌ２  拡散炉の設置場所
Ｐ  パターンが通過する箇所
Ｑ  突出部が通過する箇所
Ｒ  拡散炉
Ｓ  タイミングビットが通過する箇所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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