(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、
前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層とを有し、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
ことを特徴とする配線構造。
【請求項２】
基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、
前記溝内に配線を形成する工程と、
前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程とを有し、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項３】
基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、
前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層とを有し、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
ことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、
前記溝内に配線を形成する工程と、
前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程と有し、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造及びその製造方法並びに電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、電子機器の小型化、高性能化、低価格化等の要求に伴い、電子回路の配線構造の微細化が進められている。
【０００３】
開発された配線構造に対しては、十分な信頼性を有するか否かを確認するための信頼性試験が行われる。かかる信頼性試験の１つとして、ＨＡＳＴ（Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test、不飽和加圧蒸気試験）試験がある。ＨＡＳＴ試験は、高温・高湿下で配線間に電圧を印加し、配線間の絶縁耐性を評価する試験である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２８６８７６号公報
【特許文献２】特許第４２０７７４９号公報
【特許文献３】特開２００７−２２０９３４号公報
【特許文献４】特開平８−２６４５３８号公報
【特許文献５】特表２００９−５０６５３６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】M.Pourbaix, “Atlas of Electrochemical Equilibria in Aqueous Solutions,” NACE, Houston (1966)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、提案されている配線構造では、必ずしも十分に高い信頼性が得られない場合があった。
【０００７】
本発明の目的は、信頼性の高い配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を有する電子装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一観点によれば、基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層とを有し、前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低いことを特徴とする配線構造が提供される。
【０００９】
実施形態の他の観点によれば、基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、前記溝内に配線を形成する工程と、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程とを有し、前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低いことを特徴とする配線構造の製造方法が提供される。
【００１０】
実施形態の更に他の観点によれば、基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層とを有し、前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低いことを特徴とする電子装置が提供される。
【００１１】
実施形態の更に他の観点によれば、基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、前記溝内に配線を形成する工程と、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程とを有し、前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低いことを特徴とする電子装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の配線構造によれば、溝内に埋め込まれた配線から拡散する配線の構成原子を捕捉する絶縁樹脂層が、配線の上面を覆うように溝内に形成されている。このため、マイグレーションを抑制することができ、互いに隣接する配線同士が短絡するのを防止することができる。従って、信頼性の高い配線構造及びその配線構造を有する電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、一実施形態による電子装置を示す断面図である。
【図２】図２は、一実施形態による電子装置の平面図である。
【図３】図３は、一実施形態による電子装置を回路基板に実装した状態を示す断面図である。
【図４】図４は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図５】図５は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図６】図６は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図７】図７は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図８】図８は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図９】図９は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図１０】図１０は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１１】図１１は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１２】図１２は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１３】図１３は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。
【図１４】図１４は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。
【図１５】図１５は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。
【図１６】図１６は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１３）である。
【図１７】図１７は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１４）である。
【図１８】図１８は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１５）である。
【図１９】図１９は、一実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図（その１６）である。
【図２０】図２０は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の平面図である。
【００１４】
【図２１】図２１は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の断面図（その１）である。
【図２２】図２２は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の断面図（その２）である。
【図２３】図２３は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の断面図（その３）である。
【図２４】図２４は、一実施形態の変形例（その１）による配線構造を示す断面図である。
【図２５】図２５は、一実施形態の変形例（その２）による配線構造を示す断面図である。
【図２６】図２６は、一実施形態の変形例（その３）による配線構造を示す断面図である。
【図２７】図２７は、変形実施形態による配線構造及び電子装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［一実施形態］
一実施形態による配線構造及びその製造方法並びにその配線構造を用いた電子装置及びその製造方法について図１乃至図２３を用いて説明する。
【００１６】
なお、ここでは、本実施形態による配線構造を電子装置に適用する場合を例に説明するが、本実施形態による配線構造が用いられる対象は電子装置に限定されるものではない。例えば、本実施形態による配線構造を回路基板等に適用してもよい。
【００１７】
（電子装置）
まず、本実施形態による電子装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施形態による電子装置を示す断面図である。図２は、本実施形態による電子装置の平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ′線断面に対応している。図３は、本実施形態による電子装置を回路基板に実装した状態を示す断面図である。
【００１８】
図１に示すように、樹脂層（基材、モールド樹脂層、封止樹脂層）１０には、チップ（ベアチップ）１２が埋め込まれている。樹脂層１０の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、エポキシ系樹脂が用いられている。チップ１２は、例えば半導体チップである。かかる半導体チップ１２としては、例えばＬＳＩ（Large Scale Integration）が用いられている。樹脂層１０の厚さは、例えば２００μｍ〜１ｍｍ程度とする。チップ１２の厚さは、例えば２００μｍ〜６００μｍ程度とする。
【００１９】
チップ１２には、電極（表面電極、外部接続電極）１４が形成されている。チップ１２の電極１４の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、チップ１２の電極１４の上面は、樹脂層１０から露出している。
【００２０】
電極１４上には、電極１４に接続されたビア１５が形成されている。ビア１５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）が用いられている。ビア１５の高さは、例えば３μｍ程度とする。
【００２１】
ビア１５が形成された樹脂層１０上には、絶縁樹脂層（絶縁膜）１６が形成されている。ビア１５は、絶縁樹脂層１６により埋め込まれている。ビア１５の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、ビア１５の上面は、絶縁樹脂層１６から露出している。絶縁樹脂層１６の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂が用いられている。より具体的には、絶縁樹脂層１６の材料として、例えば、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁樹脂層１６の厚さは、例えば３μｍ程度とする。絶縁樹脂層１６には、比較的高い濃度で塩素イオンが含まれている。絶縁樹脂層１６における塩素イオンの濃度は、例えば１５００ｐｐｍ程度となっている。
【００２２】
なお、絶縁樹脂層１６として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
【００２３】
ビア１５が埋め込まれた絶縁樹脂層１６の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、絶縁樹脂層１６上には、絶縁樹脂層（絶縁膜）１７が形成されている。絶縁樹脂層１７の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えば、フェノール系樹脂が用いられている。より具体的には、絶縁樹脂層１７の材料として、例えば、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁樹脂層１７の厚さは、例えば３μｍ程度とする。
【００２４】
なお、絶縁樹脂層１７として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、上述したように、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
【００２５】
感光性のフェノール系樹脂に対して塩素イオンの濃度を低減する処理を行うと、十分な感光性が得られなくなる。このため、絶縁樹脂層１７には、比較的高い濃度で塩素イオンが含まれている。絶縁樹脂層１７における塩素イオンの濃度は、例えば１５００ｐｐｍ程度となっている。
【００２６】
絶縁樹脂層１７には、複数の配線２２をそれぞれ埋め込むための複数の溝１８が形成されている。溝１８の幅（Ｌ）は、例えば２μｍ程度とする。溝１８と溝１８との間の間隔（Ｓ）は、例えば２μｍ程度とする。
【００２７】
各々の溝１８の底面及び側面には、バリア膜（バリアメタル膜）２０が形成されている。バリア膜２０は、配線２２の構成原子が絶縁樹脂層１６，１７中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜２０の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）が用いられている。バリア膜２０の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度とする。バリア膜２０の上端の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より低くなっている。
【００２８】
バリア膜２０が形成された各々の溝１８内には、配線２２が埋め込まれている。配線２２は、ビア１５を介してチップ１２の電極１４に電気的に接続されている。配線２２の材料としては、例えばＣｕが用いられている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より低く設定されている。より具体的には、配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より例えば１μｍ程度低く設定されている。配線２２の上面の位置を絶縁樹脂層１７の上面の位置より低く設定しているのは、配線２２の上面を覆う絶縁樹脂層２４を溝１８内に埋め込むためである。こうして、側面及び底面がバリア膜２０により覆われた配線２２が、溝１８のうちの上部を除く部分に埋め込まれている。配線２２のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば、２μｍ／２μｍ程度である。
【００２９】
溝１８内における配線２２上には、配線２２を覆うように絶縁樹脂層（絶縁膜）２４が形成されている。絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する配線２２の構成原子を捕捉するためのものである。具体的には、絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する金属イオンを金属酸化物に変化させ、かかる金属酸化物を捕捉する。より具体的には、絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する銅イオンを銅酸化物に変化させ、かかる銅酸化物を捕捉する。
【００３０】
絶縁樹脂層２４としては、塩素イオンの濃度を低減する処理が施された有機樹脂が用いられている。より具体的には、塩素イオンの濃度を低減する処理が施されたフェノール系樹脂が用いられている。このため、絶縁樹脂層２４における塩素イオン濃度は、絶縁樹脂層１６，１７における塩素イオン濃度より低くなっている。絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、絶縁樹脂層１６，１７に含まれる塩素イオン濃度の０．２倍以下であることが好ましい。更には、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、絶縁樹脂層１６，１７に含まれる塩素イオン濃度の０．１倍以下であることがより好ましい。
【００３１】
絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、２００ｐｐｍ以下であることが好ましい。更には、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
ＨＡＳＴ（Highly Accelerated temperature and humidity Stress Test、不飽和加圧蒸気試験）試験の際には、互いに隣接する配線２２のうちの一方の配線２２に正の電圧が印加され、他方の配線２２に負の電圧が印加される。この際、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン（Ｃｌ−）は、負の電荷が帯電しているため、正の電圧が印加された配線２２に引き寄せられる。正の電圧が印加された配線２２の近傍においては、配線２２に引き寄せられた塩素イオンと、水分の水素イオンとが結合し、塩酸（ＨＣｌ）が生じる。生じた塩酸は、配線２２を溶解する。正の電圧が印加された配線２２が塩酸により溶解されると、配線２２の構成原子（Ｃｕ）のイオン（Ｃｕ２＋）が生じる。Ｃｕイオンは、正の電荷が帯電しているため、負の電圧が印加された配線２２により引き寄せられる。このため、Ｃｕイオンは、正の電圧が印加された配線２２から負の電圧が印加された配線に向かって移動し始める。
【００３３】
本実施形態では、絶縁樹脂層２４中に含まれる塩素イオンの濃度が低いため、正の電圧が印加された配線２２に引きせられる塩素イオンが少ない。このため、本実施形態では、正の電圧が印加された配線２２の近傍に塩酸が生じにくく、配線２２が溶解されにくい。配線２２が塩酸によりわずかに溶解されたとしても、絶縁樹脂層２４中に含まれる塩素イオン濃度が低いため、正の電圧が印加された配線２２からある程度離間した箇所においては、絶縁樹脂層２４は中性に近い状態になっている。中性に近い状態の絶縁樹脂層２４中においては、Ｃｕイオン（金属イオン）はＣｕＯ（金属酸化物）に変化する。ＣｕＯは帯電していないため、電圧が印加された配線２２に引き寄せられることはない。このため、ＣｕＯは、絶縁樹脂層２４中を移動せず、絶縁樹脂層２４に捕捉された状態となる。
【００３４】
このように、配線２２から拡散した配線２２の構成元素は、絶縁樹脂層２４により捕捉される。従って、本実施形態によれば、マイグレーションを抑制することができ、信頼性の高い配線構造２を得ることができる。
【００３５】
配線２２から拡散する構成元素を絶縁樹脂層２４により確実に捕捉するためには、絶縁樹脂層２４の厚さがある程度厚いことが好ましい。絶縁樹脂層２４の厚さが過度に薄い場合には、配線２２から拡散する構成元素を絶縁樹脂層２４により捕捉しきれず、配線２２から拡散した配線２２の構成元素が絶縁樹脂層２４と後述する絶縁樹脂層２８との界面に達してしまうためである。絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達した配線２２の構成元素のイオンは、絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に沿って移動し、絶縁破壊を招く虞がある。配線２２から拡散する構成元素を絶縁樹脂層２４により確実に捕捉すべく、ここでは、絶縁樹脂層２４の厚さを、例えば１μｍ程度とする。
【００３６】
なお、絶縁樹脂層２４の厚さは１μｍに限定されるものではなく、絶縁破壊を確実に防止できるように適宜設定すればよい。
【００３７】
絶縁樹脂層１７の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、絶縁樹脂層１７上には、絶縁樹脂層２４を覆うように、絶縁樹脂層（絶縁膜）２８が形成されている。絶縁樹脂層２８の材料としては、例えば有機樹脂が用いられている。かかる有機樹脂としては、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂が用いられている。絶縁樹脂層２８の厚さは、例えば５μｍ程度とする。
【００３８】
なお、絶縁樹脂層２８の材料として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、上述したように、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
【００３９】
絶縁樹脂層２８には、配線２２に達する開口部（コンタクトホール）３０が形成されている。
【００４０】
コンタクトホール３０の側面及び底面並びに絶縁樹脂層２８上には、バリア膜（バリアメタル膜）３１が形成されている。バリア膜３１は、後述するビア３２や電極パッド３４の構成原子（Ｃｕ）が絶縁樹脂層２８中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜３１の材料としては、例えば、Ｔｉが用いられている。バリア膜３１の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度とする。
【００４１】
バリア膜３１が形成された開口部３０内には、ビア（導体プラグ）３２が形成されている。
【００４２】
絶縁樹脂層２８上には、ビア３２と一体に形成された電極パッド３４が形成されている。ビア３２及び電極パッド３４の材料としては、例えばＣｕが用いられている。
【００４３】
電極パッド３４の上面及び側面には、めっき膜３５が形成されている。かかるめっき膜３５としては、例えばニッケル（Ｎｉ）膜と金（Ａｕ）膜との積層膜（図示せず）が用いられている。
【００４４】
絶縁樹脂層２８の一方の面側（図１における紙面上側）、即ち、絶縁樹脂層２８上には、ソルダーレジスト膜３６が形成されている。
【００４５】
ソルダーレジスト膜３６には、電極パッド３４に達する開口部３８が形成されている。
【００４６】
電極パッド３４の一方の面（図１における紙面上側の面）、即ち、電極パッド３４上には、例えば半田バンプ（半田ボール）４０が形成されている。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２２等を介して、チップ１２の電極１４にそれぞれ電気的に接続されている。
【００４７】
こうして、配線構造２を有する本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４が形成されている。
【００４８】
本実施形態による電子装置４は、例えば、図３に示すように、回路基板４２上に実装される。回路基板４２の表面には、電極４４が形成されている。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に電気的に接続されている。電極４４の材料としては、例えばＡｕやＣｕ等が用いられている。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。
【００４９】
電子装置４の電極パッド３４と回路基板４２の電極４４とは、例えば半田バンプ４０を用いて接合される。
【００５０】
このように、本実施形態によれば、溝１８内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成原子を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１８内に形成されている。このため、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達するのを防止することができ、従って、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。本実施形態によれば、マイグレーションを抑制することができるため、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造２を有する電子装置４を提供することができる。
【００５１】
（電子装置の製造方法）
次に、本実施形態による電子装置の製造方法について図４乃至図１９を用いて説明する。図４乃至図１９は、本実施形態による電子装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００５２】
まず、図４（ａ）に示すように、支持基板４６上に、粘着層４８を形成する。支持基板４６としては、例えばシリコン基板、ステンレス（ＳＵＳ）基板、ガラス基板等を用いる。支持基板４６の厚さは、樹脂層１０の厚さより厚く設定することが好ましい。粘着層４８としては、例えば、加熱することにより剥離することが可能な粘着層、即ち、熱剥離が可能な粘着層を形成する。粘着層４８の厚さは、例えば１００μｍ程度とする。
【００５３】
次に、図４（ｂ）に示すように、粘着層４８上にチップ１２を配置する。チップ１２としては、例えば半導体チップを用いる。チップ１２には、電極１４が形成されている。粘着層４８上にチップ１２を配する際には、チップ１２の電極１４が粘着層４８に接するように、チップ１２を配置する。こうして、粘着層４８上にチップ１２が配置される。
【００５４】
次に、図５（ａ）に示すように、チップ１２が配された粘着層４８上の全面に、樹脂層１０を形成する。樹脂層１０の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。より具体的には、樹脂層１０の材料として、例えばエポキシ系樹脂を用いる。樹脂層１０は、チップ１２と粘着層４８との間の空間にも充填される。このため、チップ１２の電極１４の側面は、樹脂層１０により覆われる。こうして、チップ１２が樹脂層１０により埋め込まれた状態となる。
【００５５】
次に、図５（ｂ）に示すように、支持基板４６及び粘着層４８を、樹脂層１０及びチップ１２から剥離する。即ち、チップ１２が埋め込まれた樹脂層１０から、支持基板４６及び粘着層４８を除去する。粘着層４８として熱剥離が可能な粘着層を用いた場合には、支持基板４６及び粘着層４８を樹脂層１０及びチップ１２から剥離する際に、熱処理を行うことにより、粘着層４８の粘着力を低下させる。こうして、チップ１２が樹脂層１０中に埋め込まれた構造体（擬似ウェハ、樹脂基板）５０が得られる。構造体５０の一方の面（粘着層４８と接していた面）には、チップ１２の電極１４が露出した状態となる。
【００５６】
なお、このような技術は、擬似ＳＯＣ（System On Chip）技術と称される。
【００５７】
次に、構造体５０の上下を反転させる（図６（ａ）参照）。
【００５８】
次に、構造体５０の一方の面（図６（ａ）における紙面上側の面）上、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、密着層（バリア膜）（図示せず）を形成する。密着層の材料としては、例えばＴｉを用いる。密着層の厚さは、例えば２０ｎｍ程度とする。
【００５９】
次に、密着層が形成された構造体５０の一方の面側（図６（ｂ）における紙面上側）の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層５２を形成する（図６（ｂ）参照）。シード層５２の材料としては、例えばＣｕを用いる。シード層５２の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
【００６０】
次に、図７（ａ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図７における紙面上側）の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜５４を形成する。フォトレジスト膜５４の膜厚は、例えば８μｍ程度とする。
【００６１】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜５４に開口部５６を形成する。フォトレジスト膜５４に開口部５６のパターンを露光する際には、例えば、ステッパやコンタクトアライナー等を用いる。フォトレジスト膜５４を現像する際の現像液としては、例えばＴＭＡＨ（Tetra Methyl Ammonium Hydroxide）を用いる。
【００６２】
次に、フォトレジスト膜５４を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜５４の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜５４を改質する際には、例えば、Ｏ２プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。
【００６３】
次に、図７（ｂ）に示すように、例えば電気めっき法（電解めっき法）により、ビア（導体プラグ）１５を形成する。ビア１５を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。ビア１５の高さは、例えば３μｍ程度とする。
【００６４】
次に、フォトレジスト膜５４を剥離する。フォトレジスト膜５４を剥離する際の剥離液としては、例えばＮＭＰ（N-MethylPyrrolidone）やアセトン等を用いる。
【００６５】
次に、例えばウェットエッチングにより、ビア１５の周囲に露出しているシード層５２及び密着層を除去する（図８（ａ）参照）。シード層５２をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。密着層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
【００６６】
なお、密着層のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。密着層をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばＣＦ４ガスを用いることができる。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図８（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁樹脂層（絶縁膜）１６を形成する。絶縁樹脂層１６の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁樹脂層１６の材料として、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁樹脂層１６の厚さは、例えば４μｍ程度とする。
【００６８】
次に、図９（ａ）に示すように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）法により、ビア１５の表面が露出するまで、絶縁樹脂層１６の一方の面側（図９（ａ）における紙面上側）を研磨する。これにより、絶縁樹脂層１６の表面が平坦化される。絶縁樹脂層１６の厚さは、例えば３μｍ程度となる。
【００６９】
次に、図９（ｂ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図９（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁樹脂層（絶縁膜）１７を形成する。絶縁樹脂層１７の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁樹脂層１７の材料として、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁樹脂層１７の厚さは、例えば３μｍ程度とする。
【００７０】
なお、絶縁樹脂層１７として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、上述したように、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
【００７１】
絶縁樹脂層１７には、比較的高い濃度で塩素イオンが含まれている。絶縁樹脂層１７における塩素イオンの濃度は、例えば１５００ｐｐｍ程度となっている。
【００７２】
なお、絶縁樹脂層１７における塩素イオンの濃度が比較的高くなっているのは、塩素イオン濃度を低減する処理が行われた絶縁樹脂においては、十分な感光性が得られないためである。
【００７３】
次に、図１０（ａ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用い、ビア１５をそれぞれ露出する複数の溝１８を絶縁樹脂層１７に形成する。溝１８の幅（Ｌ）は、例えば２μｍ程度とする。溝１８と溝１８との間の間隔（Ｓ）は、例えば２μｍ程度とする。
【００７４】
次に、絶縁樹脂層１７が形成された構造体５０の一方の面側（図１０（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、バリア膜２０を形成する。バリア膜２０は、配線２２の構成原子が絶縁樹脂層１６，１７中に拡散するのを防止するためのものである。バリア膜２０の材料としては、例えば、Ｔｉが用いられている。バリア膜２０の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度とする。
【００７５】
次に、バリア膜２０が形成された構造体５０の一方の面側（図１１（ａ）における紙面上側）の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。シード層の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
【００７６】
次に、図１１（ａ）に示すように、例えば電気めっき法により、導電層２２を形成する。導電層２２は、配線を形成するためのものである。導電層２２を形成する際に用いるめっき浴としては、例えば硫酸銅めっき浴を用いる。導電層２２の材料としては、例えばＣｕを用いる。導電層２２の厚さは、例えば４μｍ程度とする。
【００７７】
次に、図１１（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰ法により、絶縁樹脂層１７の表面が露出するまで、導電層２２の一方の面側（図１１（ｂ）における紙面上側）を研磨する。これにより、導電層により形成された配線２２が溝１８内に埋め込まれる。
【００７８】
次に、図１２（ａ）に示すように、例えばウェットエッチングにより、配線２２の上部をエッチング除去する。配線２２のエッチング量は、例えば１μｍ程度とする。これにより、配線２２の上面の位置が、絶縁樹脂層１７の上面の位置より例えば１μｍ程度低くなる。エッチング液としては、例えば硫酸カリウム水溶液等を用いる。
【００７９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、例えばウェットエッチングにより、バリア膜２０をエッチングする。バリア膜２０のエッチング量は、例えば２０ｎｍ程度とする。これにより、バリア膜２０の上端の位置が、絶縁樹脂層１７の上面の位置より例えば１μｍ程度低くなる。エッチング液としては、例えばフッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
【００８０】
なお、バリア膜２０をドライエッチングによりエッチングすることも可能である。ドライエッチングによりバリア膜２０をエッチングする場合には、例えば、ＣＦ４ガスとＯ２ガスとの混合ガスを用いる。
【００８１】
こうして、側面及び底面がバリア膜２０により覆われた配線２２が、溝１８のうちの上部を除く部分に埋め込まれる。
【００８２】
次に、図１３（ａ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図１３（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁樹脂層（絶縁膜）２４を形成する。絶縁樹脂層２４の厚さは、例えば２μｍ程度とする。絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する配線２２の構成原子を捕捉するものである。具体的には、絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する金属イオンを金属酸化物に変化させ、かかる金属酸化物を捕捉する。より具体的には、絶縁樹脂層２４は、配線２２から拡散する銅イオンを銅酸化物に変化させ、かかる銅酸化物を捕捉する。絶縁樹脂層２４としては、塩素イオン濃度の低減処理が施されたフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁樹脂層２４の材料として、塩素イオン濃度の低減処理が施されたポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。
【００８３】
絶縁樹脂層２４における塩素イオン濃度は、十分に低いことが好ましい。具体的には、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、絶縁樹脂層１６，１７に含まれる塩素イオン濃度の０．２倍以下であることが好ましい。更には、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、絶縁樹脂層１６，１７に含まれる塩素イオン濃度の０．１倍以下であることがより好ましい。
【００８４】
絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、２００ｐｐｍ以下であることが好ましい。さらには、絶縁樹脂層２４に含まれる塩素イオン濃度は、１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００８５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、例えばＣＭＰ法により、絶縁樹脂層１７の表面が露出するまで、絶縁樹脂層２４の一方の面側（図１３（ｂ）における紙面上側）を研磨する。これにより、配線２２から拡散する配線２２の構成原子を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１８内に埋め込まれる。絶縁樹脂層２４は、溝１８内のうちの配線２２上の部分に形成される。絶縁樹脂層２４の厚さは、例えば１μｍ程度となる。
【００８６】
次に、図１４（ａ）に示すように、構造体５０の一方の面側（図１４（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、絶縁樹脂層（絶縁膜）２８を形成する。絶縁樹脂層２８の材料としては、例えば有機樹脂を用いる。かかる有機樹脂としては、例えばフェノール系樹脂を用いる。より具体的には、絶縁樹脂層２８の材料として、例えばポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いる。絶縁樹脂層２８の厚さは、例えば５μｍ程度とする。
【００８７】
なお、絶縁樹脂層２８として、ポジ型の感光性のフェノール系樹脂を用いるのは、上述したように、ネガ型の感光性のフェノール系樹脂は、不純物が多く、リーク電流が大きいためである。
【００８８】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、絶縁樹脂層２４に達する開口部３０を絶縁樹脂層２８に形成する（図１４（ｂ）参照）。開口部３０は、ビア（導体プラグ）３２を埋め込むためのものである。
【００８９】
次に、例えばドライエッチングにより、開口部３０内に露出する絶縁樹脂層２４をエッチング除去する（図１５（ａ）参照）。こうして、配線２２に達する開口部３０が絶縁樹脂層２４、２８に形成される。
【００９０】
次に、絶縁樹脂層２８が形成された構造体５０の一方の面側（図１５（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、バリア膜３１を形成する。バリア膜３１の材料としては、例えばＴｉを用いる。バリア膜３１の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度とする。
【００９１】
次に、バリア膜３１が形成された構造体５０の一方の面側（図１５（ｂ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスパッタリング法により、シード層（図示せず）を形成する。シード層の材料としては、例えばＣｕを用いる。シード層の厚さは、例えば１００ｎｍ程度とする。
【００９２】
次に、構造体５０の一方の面側（図１６（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、フォトレジスト膜６６を形成する。フォトレジスト膜６６の膜厚は、例えば２０μｍ程度とする。
【００９３】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、フォトレジスト膜６６に開口部６８を形成する（図１６（ａ）参照）。かかる開口部６８は、電極パッド３４を形成するためのものである。
【００９４】
次に、フォトレジスト膜６６を改質する。かかる改質は、フォトレジスト膜６６の表面を親水化することにより、電気めっきを容易化するためのものである。フォトレジスト膜６６を改質する際には、例えば、Ｏ２プラズマ照射や紫外線照射等を用いる。
【００９５】
次に、フォトレジスト膜６６の開口部６８内に、例えば電気めっき法により、ビア３２及び電極パッド３４を形成する。ビア３２及び電極パッド３４は、一体的に形成される（図１６（ｂ）参照）。ビア３２及び電極パッド３４の材料としては、例えばＣｕを用いる。
【００９６】
次に、フォトレジスト膜６６を剥離する。フォトレジスト膜６６を剥離する際の剥離液としては、例えばＮＭＰやアセトン等を用いる。
【００９７】
次に、電極パッド３４の周囲に露出している部分のシード層及びバリア膜３１をエッチング除去する。シード層をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、硫酸カリウム水溶液、塩化鉄水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いる。バリア膜３１をエッチングする際に用いるエッチング液としては、例えば、フッ化アンモニウム水溶液等を用いる。
【００９８】
なお、バリア膜３１のエッチング方法は、ウェットエッチングに限定されるものではない。例えば、ドライエッチングにより密着層をエッチングすることも可能である。バリア膜３１をドライエッチングする際には、エッチングガスとして、例えばＣＦ４ガスを用いることができる。
【００９９】
こうして、ビア３２を介して配線２２にそれぞれ電気的に接続された電極パッド３４が形成される。
【０１００】
次に、例えば無電解めっき法により、電極パッド３４の表面に、Ｎｉ膜とＡｕ膜との積層膜（図示せず）を形成する。Ｎｉ膜の膜厚は、例えば２００ｎｍ程度とする。Ａｕ膜の膜厚は、例えば１μｍ程度とする。
【０１０１】
次に、構造体５０の一方の面側（図１７（ａ）における紙面上側）の全面に、即ち、構造体５０上の全面に、例えばスピンコート法により、ソルダーレジスト膜３６を形成する。ソルダーレジスト膜３６の膜厚は、例えば２０μｍ程度とする。
【０１０２】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ソルダーレジスト膜３６に電極パッド３４に達する開口部３８を形成する（図１７（ａ）参照）。
【０１０３】
次に、開口部３８内に露出する電極パッド３４上に、半田バンプ（半田ボール）４０を形成する。半田バンプ４０は、電極パッド３４及び配線２２等を介してチップ１２の電極１４にそれぞれ電気的に接続される。
【０１０４】
こうして、配線構造２を有する本実施形態による電子装置（ウェハレベルパッケージ）４が形成される（図１７（ｂ）参照）。
【０１０５】
本実施形態による電子装置４は、例えば回路基板４２上に実装される。
【０１０６】
本実施形態による電子装置４を回路基板４２上に実装する際には、まず、図１８に示すように、本実施形態による電子装置４を回路基板４２上に配置する。回路基板４２としては、例えば樹脂基板やセラミックス基板等が用いられている。回路基板４２の表面には、電子装置４のバンプ４０と接続するための電極４４が形成されている。電極４４の材料としては、例えばＡｕやＣｕ等を用いる。電極４４は、回路基板４２に形成された配線（図示せず）等に電気的に接続されている。電子装置４を回路基板４２上に配置する際には、電子装置４のバンプ４０と回路基板４２の電極４４とが互いに接するように、電子装置４を回路基板４２上に配置する。
【０１０７】
こうして、本実施形態による電子装置４が回路基板４２上に配置される。
【０１０８】
次に、熱処理（リフロー）を行うことにより、電子装置４側の電極パッド３４と回路基板４２側の電極４４とを半田バンプ４０により接合する（図１９参照）。
【０１０９】
こうして、本実施形態による電子装置４が回路基板４２上に実装される。
【０１１０】
このように、本実施形態によれば、溝１８内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成原子を捕捉する絶縁樹脂層２４を、配線２２の上面を覆うように溝１８内に形成する。このため、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達するのを防止することができ、従って、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。本実施形態によれば、マイグレーションを抑制することができるため、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造２を有する電子装置４を提供することができる。
【０１１１】
（評価結果）
次に、本実施形態による配線構造のＨＡＳＴ試験結果について図２０乃至図２３を用いて説明する。
【０１１２】
図２０は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の平面図である。
【０１１３】
図２０に示すように、一対の櫛歯電極２３ａ，２３ｂが配されている。各々の櫛歯電極２３ａ、２３ｂは、複数の櫛歯状の配線２２を有している。櫛歯電極２３ａの配線２２と櫛歯電極２３ｂの配線２２とは交互に配されており、互いに対向している。櫛歯電極２３ａには正の電圧が印加され、櫛歯電極２３ｂには負の電圧が印加されるようになっている。
【０１１４】
図２１乃至図２３は、ＨＡＳＴ試験に用いた試料の断面図である。図２１乃至図２３のいずれも、図２０のＢ−Ｂ′断面に対応している。図２１（ａ）は比較例１の場合を示しており、図２１（ｂ）は比較例２の場合を示しており、図２１（ｃ）は比較例３の場合を示している。図２２（ａ）は比較例３の場合を示しており、図２２（ｂ）は比較例５の場合を示している。図２３は、実施例の場合を示している。
【０１１５】
比較例１は、図２１（ａ）に示すように、絶縁樹脂層１７の上面の高さと配線２２の上面の高さとを等しく設定し、配線２２上及び絶縁樹脂層１７上に絶縁樹脂層２８を形成したものである。
【０１１６】
比較例２は、図２１（ｂ）に示すように、配線２２の上面の高さを絶縁樹脂層１７の上面の高さより高く設定し、配線２２上及び絶縁樹脂層１７上に絶縁樹脂層２８を形成したものである。
【０１１７】
比較例３は、図２１（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層１７の上面の高さと配線２２の上面の高さとを等しく設定し、塩素イオンの濃度を低減したフェノール系樹脂の絶縁樹脂層２４を配線２２上及び絶縁樹脂層１７上に形成したものである。
【０１１８】
比較例４は、図２２（ａ）に示すように、絶縁樹脂層１７の上面の高さと配線２２の上面の高さとを等しく設定し、配線２２の上面に膜厚１００ｎｍのニッケル（Ｎｉ）のキャップ膜２５を形成し、キャップ膜２５上及び絶縁樹脂層１７上に絶縁樹脂層２８を形成したものである。
【０１１９】
比較例５は、図２２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層１７の上面の高さと配線２２の上面の高さとを等しく設定し、配線２２上及び絶縁樹脂層１７上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）２７を形成し、シリコン窒化膜２７上に絶縁樹脂層２８を形成したものである。
【０１２０】
実施例は、本実施形態に対応するものであり、図２３に示すように、塩素イオンの濃度を低減したフェノール系樹脂の絶縁樹脂層２４を、配線２２の上面を覆うように溝１８内に埋め込んだものである。
【０１２１】
ＨＡＳＴ試験の条件は、以下のように設定した。即ち、温度は、１３０℃とした。湿度は、８５％とした。試験時間は、１５０時間とした。
【０１２２】
図２１（ａ）に示す比較例１では、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは１個であった。即ち、比較例１では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、５％であった。
【０１２３】
図２１（ｂ）に示す比較例２では、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは０個であった。即ち、比較例２では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、０％であった。
【０１２４】
図２１（ｃ）に示す比較例３では、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは５個であった。即ち、比較例３では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、２５％であった。
【０１２５】
図２２（ａ）に示す比較例４では、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは０個であった。即ち、比較例４では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、０％であった。
【０１２６】
図２２（ｂ）に示す比較例５では、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは０個であった。即ち、比較例５では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、０％であった。
【０１２７】
図２３に示す実施例、即ち、本実施形態の場合には、２０個の試料のうちＨＡＳＴ試験に合格したのは２０個であった。即ち、本実施形態による配線構造では、ＨＡＳＴ試験の合格率は、１００％であった。
【０１２８】
これらのことから、本実施形態によれば、信頼性の高い配線構造２及びその配線構造２を有する電子装置４を提供し得ることが分かる。
【０１２９】
（変形例（その１））
本実施形態の変形例（その１）による配線構造について図２４を用いて説明する。図２４は、本実施形態の変形例（その１）による配線構造を示す断面図である。
【０１３０】
図２４に示すように、絶縁樹脂層１７に形成された溝１８内には、配線２２が埋め込まれている。配線２２の底面及び側面には、バリア膜２０が形成されている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より低くなっている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面より例えば１μｍ低く設定されている。
【０１３１】
絶縁樹脂層１７には、配線２２をそれぞれ露出する複数の溝１８ａが形成されている。溝１８ａの幅は、溝１８の幅より広く設定されている。溝１８ａには、塩素イオンの濃度を低減する処理が施されたフェノール系樹脂の絶縁樹脂層２４が埋め込まれている。
【０１３２】
なお、本変形例では、溝（部分溝）１８と溝（部分溝）１８ａとが相俟って溝１９を形成していると考えることもできる。
【０１３３】
そして、溝１９の下部、即ち、部分溝１８に配線２２が埋め込まれており、溝１９の上部、即ち、部分溝１８ａに絶縁樹脂層２４が埋め込まれていると考えることもできる。
【０１３４】
このように、溝１９のうちの部分溝１８に配線２２を埋め込み、溝１９のうちの部分溝１８ａに絶縁樹脂層２４を埋め込んでもよい。
【０１３５】
本変形例においても、溝１９内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成元素を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１９内に埋め込まれている。このため、本変形例においても、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達するのを防止することができ、従って、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。従って、本変形例においても、マイグレーションを抑制することができ、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、本変形例によっても、信頼性の高い配線構造２ａ及びその配線構造２ａを有する電子装置４を提供することができる。
【０１３６】
（変形例（その２））
本実施形態の変形例（その２）による配線構造について図２５を用いて説明する。図２５は、本実施形態の変形例（その２）による配線構造を示す断面図である。
【０１３７】
図２５に示すように、絶縁樹脂層１７に形成された溝１８には、配線２２が形成されている。配線２２の底面及び側面には、バリア膜２０が形成されている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より低くなっている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面より例えば１μｍ低く設定されている。
【０１３８】
絶縁樹脂層１７には、配線２２の上面を露出し、更に、配線２２の側面のうちの上部を露出する複数の溝１８ｂが形成されている。溝１８ｂの幅は、溝１８の幅より広く設定されている。溝１８ｂには、塩素イオンの濃度を低減する処理が施されたフェノール系樹脂の絶縁樹脂層２４が埋め込まれている。絶縁樹脂層２４は、配線２２の上面を覆うとともに、配線２２の側面のうちの上部を覆っている。
【０１３９】
なお、本変形例では、溝（部分溝）１８と溝（部分溝）１８ｂとが相俟って溝１９ａを形成していると考えることもできる。
【０１４０】
そして、溝１９ａの下部、即ち、部分溝１８に配線２２の下部が埋め込まれており、溝１９の上部、即ち、部分溝１８ｂに配線２２の上部及び絶縁樹脂層２４が埋め込まれていると考えることもできる。
【０１４１】
このように、溝１９のうちの部分溝１８に配線２２の下部を埋め込み、溝１９のうちの部分溝１８ｂに配線２２の上部及び絶縁樹脂層２４を埋め込んでもよい。
【０１４２】
本変形例においても、溝１９ａ内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成元素を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１９ａ内に埋め込まれている。このため、本変形例においても、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達するのを防止することができ、従って、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。従って、本変形例においても、マイグレーションを抑制することができ、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、本変形例によっても、信頼性の高い配線構造２ｂ及びその配線構造２ｂを有する電子装置４を提供することができる。
【０１４３】
（変形例（その３））
本実施形態の変形例（その３）による配線構造について図２６を用いて説明する。図２６は、本実施形態の変形例（その３）による配線構造を示す断面図である。
【０１４４】
図２６に示すように、絶縁樹脂層１７に形成された溝１９ｂには、塩素イオンの濃度を低減する処理が施されたフェノール系樹脂の絶縁樹脂層２４が埋め込まれている。絶縁樹脂層２４は、配線の上面、側面及び下面を覆っている。配線２２の底面及び側面には、バリア膜２０が形成されている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面の位置より低くなっている。配線２２の上面の位置は、絶縁樹脂層１７の上面より例えば１μｍ低く設定されている。
【０１４５】
このように、配線２２の上面、側面及び下面が絶縁樹脂層２４により覆われていてもよい。
【０１４６】
本変形例においても、溝１９ｂ内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成元素を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１９ｂ内に形成されている。このため、本変形例においても、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が絶縁樹脂層２４と絶縁樹脂層２８との界面に達するのを防止することができ、従って、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。従って、本変形例においても、マイグレーションを抑制することができ、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、本変形例によっても、信頼性の高い配線構造２ｃ及びその配線構造２ｃを有する電子装置４を提供することができる。
【０１４７】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１４８】
例えば、上記実施形態では、絶縁樹脂層２８として、塩素イオン濃度が比較的高い感光性のフェノール系樹脂を用いる場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。塩素イオンの濃度を低減する処理が行われた有機樹脂を絶縁樹脂層２８の材料として用いてもよい。
【０１４９】
また、上記実施形態では、絶縁樹脂層２４と別個に絶縁樹脂層２８を形成する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、絶縁樹脂層２４を全面に形成した後に、絶縁樹脂層２４を研磨しなくてもよい。図２７は、変形実施形態による配線構造及び電子装置を示す断面図である。図２７に示すように、絶縁樹脂層２４は、溝１８の上部に形成されているのみならず、絶縁樹脂層１７の上面をも覆っている。図２７のような配線構造の場合にも、溝１８内に埋め込まれた配線２２から拡散する配線２２の構成元素を捕捉する絶縁樹脂層２４が、配線２２の上面を覆うように溝１８内に形成されている。このため、配線２２から拡散した配線２２の構成原子が当該配線２２に隣接する他の配線２２に達するのを防止することができる。従って、マイグレーションを抑制することができ、互いに隣接する配線２２同士が短絡するのを防止することができる。従って、信頼性の高い配線構造２ｄ及びその配線構造２ｄを有する電子装置４ａを提供することができる。
【０１５０】
上記実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１５１】
（付記１）
基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、
前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層と
を有することを特徴とする配線構造。
【０１５２】
（付記２）
付記１記載の配線構造において、
前記溝内に形成され、前記配線の下面及び側面を覆うバリア膜を更に有する
ことを特徴とする配線構造。
【０１５３】
（付記３）
付記１又は２記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
ことを特徴とする配線構造。
【０１５４】
（付記４）
付記３記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度の０．２倍以下である
ことを特徴とする配線構造。
【０１５５】
（付記５）
付記４記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオン濃度は、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度の０．１倍以下である
ことを特徴とする配線構造。
【０１５６】
（付記６）
付記３記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、２００ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする配線構造。
【０１５７】
（付記７）
付記６記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、１００ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする配線構造。
【０１５８】
（付記８）
付記１乃至６のいずれかに記載の配線構造において、
前記第２の絶縁樹脂層は、ポリイミド系樹脂又はフェノール系樹脂である
ことを特徴とする配線構造。
【０１５９】
（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載の配線構造において、
前記構成原子は、銅原子である
ことを特徴とする配線構造。
【０１６０】
（付記１０）
基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、
前記溝内に配線を形成する工程と、
前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程と
を有することを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６１】
（付記１１）
付記１０記載の配線構造の製造方法において、
前記溝を形成する工程の後、前記配線を形成する工程の前に、前記溝内にバリア膜を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６２】
（付記１２）
付記１０又は１１記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度が、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度より低い
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６３】
（付記１３）
付記１２記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度の０．２倍以下である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６４】
（付記１４）
付記１３記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、前記第１の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度の０．１倍以下である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６５】
（付記１５）
付記１２記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、２００ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６６】
（付記１６）
付記１５記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層に含まれる塩素イオンの濃度は、１００ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６７】
（付記１７）
付記１０乃至１６のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、
前記第２の絶縁樹脂層は、ポリイミド系樹脂又はフェノール系樹脂である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６８】
（付記１８）
付記１０乃至１７のいずれかに記載の配線構造の製造方法において、
前記構成原子は、銅原子である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【０１６９】
（付記１９）
基体上に形成された第１の絶縁樹脂層と、
前記第１の絶縁樹脂層に形成された溝内に形成された配線と、
前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成され、前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層と
を有することを特徴とする電子装置。
【０１７０】
（付記２０）
基体上に第１の絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記第１の絶縁樹脂層に溝を形成する工程と、
前記溝内に配線を形成する工程と、
前記配線から拡散する前記配線の構成原子を捕捉する第２の絶縁樹脂層を、前記配線の上面を覆うように前記溝内に形成する工程と
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１７１】
２、２ａ〜２ｄ…配線構造
４、４ａ…電子装置
１０…樹脂層、基材
１２…チップ
１４…樹脂層
１５…ビア
１６…絶縁樹脂層
１７…絶縁樹脂層
１８、１８ａ、１８ｂ…溝
１９、１９ａ、１９ｂ…溝
２０…バリア膜
２２…配線
２３ａ、２３ｂ…櫛歯電極
２４…絶縁樹脂層
２８…絶縁樹脂層
３０…開口部
３１…バリア膜
３２…ビア
３４…電極パッド
３５…めっき膜
３６…ソルダーレジスト膜
３８…開口部
４０…半田バンプ
４２…回路基板
４４…電極
４６…支持基板
４８…粘着層
５０…構造体
５２…シード層
５４…フォトレジスト膜
５６…開口部
６６…フォトレジスト膜
６８…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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