(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上アーム用スイッチング素子（Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐ）及び下アーム用スイッチング素子（Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎ）の直列接続体を複数備える電力変換回路（１２，２２，３０）に適用され、
直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ）、及び前記上アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記上アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ）を有し、基板（１５０）に設けられてかつ複数の前記上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられた上アーム用トランス（６０，６２，６４，６６，９０，９２，９４）と、
前記直流電源に接続可能な１次側コイル（６８ａ，９６ａ）、及び前記下アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記下アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６８ｂ，９６ｂ）を有し、前記基板に設けられた下アーム用トランス（６８，９６）と、
複数の前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに前記直流電源の電圧を印加すべくオンオフ操作される電圧制御用スイッチング素子（８０，１１０）、並びに前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作する集積回路（５２，５４）を有し、前記基板に設けられた電源制御部（ＣＴ１，ＣＴ２）と、
を備え、
複数の前記上アーム用トランスのうち少なくとも１つのトランスは、前記基板の板面の正面視において前記電源制御部と隣り合うように設けられ、
複数の前記上アーム用トランスのうち、前記基板の板面の正面視において、前記電源制御部と隣り合うように設けられたトランスであってかつ前記集積回路の検出端子（Ｔｆｂ１，Ｔｆｂ２）との距離が最も短いトランス（６６，９４）を構成する前記２次側コイル（６６ｂ，９４ｂ）の出力電圧の出力部（Ｔａ３）、及び前記検出端子を接続する電気経路（Ｌｆｂ１，Ｌｆｂ２）を備え、
前記集積回路は、前記電気経路を介して検出された出力電圧を目標電圧にフィードバック制御すべく、前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作することを特徴とする絶縁電源装置。
【請求項２】
前記検出端子は、前記検出端子との距離が最も短いトランス側を向くように、前記集積回路に設けられ、
前記出力部は、前記集積回路側を向くように、前記検出端子との距離が最も短いトランスに設けられていることを特徴とする請求項１記載の絶縁電源装置。
【請求項３】
前記電気経路が接続された前記トランスは、前記出力部として、前記トランスを構成する前記２次側コイルの出力電圧又は該出力電圧に応じた電圧を出力する電圧検出用コイル（６６ｃ，９４ｃ）を備え、
複数の前記上アーム用トランスのうち前記電気経路が接続された前記トランスのみに対応して設けられ、前記電圧検出用コイルから出力される交流電圧を直流電圧に変換可能なフィードバック回路（８２，１１２）をさらに備え、
前記電気経路は、前記電圧検出用コイルの端子（Ｔａ３）から前記フィードバック回路を介して前記検出端子に至るまでの経路であることを特徴とする請求項２記載の絶縁電源装置。
【請求項４】
前記電力変換回路は、複数の前記直列接続体の並列接続体を備え、
複数の前記上アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の上アーム用接続部（Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐ）であって、前記基板の板面の正面視において一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記上アーム用接続部と、
複数の前記下アーム用スイッチング素子を前記基板に接続するための複数の下アーム用接続部（Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎ）であって、前記基板の板面の正面視において、複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に並ぶように前記基板に設けられた複数の前記下アーム用接続部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項５】
前記電力変換回路は、複数であり、
前記電源制御部は、複数の前記電力変換回路を複数に分けた場合のそれぞれに対応して個別に設けられ、
複数の前記上アーム用接続部は、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部と隣り合うように前記基板に設けられ、
複数の前記電源制御部のうち少なくとも１つである第１の対象制御部（ＣＴ１，ＣＴ２；ＣＴ１）は、前記基板の板面の正面視において、前記第１の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部に対して前記第１の対象制御部に対応する複数の前記下アーム用接続部とは反対側に設けられ、
前記第１の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、前記第１の対象制御部と前記第１の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部とで挟まれる領域に、前記第１の対象制御部と隣り合うように、かつ前記第１の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に設けられていることを特徴とする請求項４記載の絶縁電源装置。
【請求項６】
前記電力変換回路は、複数であり、
前記電源制御部は、複数の前記電力変換回路を複数に分けた場合のそれぞれに対応して個別に設けられ、
複数の前記上アーム用接続部は、前記基板の板面の正面視において、複数の前記下アーム用接続部と隣り合うように前記基板に設けられ、
複数の前記電源制御部のうち少なくとも１つである第２の対象制御部（ＣＴ２）に対応する複数の前記上アーム用トランスは、前記基板の板面の正面視において、前記第２の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用接続部が並ぶ方向に一列に設けられ、
前記第２の対象制御部は、前記基板の板面の正面視において、前記第２の対象制御部に対応する複数の前記上アーム用トランスのうち前記上アーム用接続部が並ぶ方向において前記基板の一辺に最も近いトランス（９４）と、前記一辺とで挟まれる領域に設けられていることを特徴とする請求項４又は５記載の絶縁電源装置。
【請求項７】
複数の前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルは、互いに並列接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項８】
前記直流電源は、蓄電池であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項９】
前記集積回路は、前記電気経路を介して検出された出力電圧が規定電圧を超えた場合、前記直流電源から複数の前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルへの電圧供給を強制的に停止させるように、前記電圧制御用スイッチング素子を操作する強制操作手段を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１０】
複数の前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルは、互いに並列接続され、
前記電圧制御用スイッチング素子は、１つであり、
前記電圧制御用スイッチング素子は、自身がオン操作されることにより、前記直流電源、複数の前記１次側コイルの並列接続体及び前記電圧制御用スイッチング素子を含む閉回路を形成可能なように設けられていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１１】
複数の前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルのそれぞれは、絶縁皮膜され、
前記１次側コイル及び前記２次側コイルのそれぞれは、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成するコア（１３２）に取り付けられたボビン（１３４）に積層されるように巻きつけられていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１２】
前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスであり、また、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対して前記駆動用電圧を供給可能な共通の前記２次側コイルを備え、
前記下アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比は、前記上アーム用トランスを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比よりも大きく設定されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１３】
複数の前記上アーム用トランスのうち、前記電気経路による出力電圧の検出対象となるトランス（６６）を構成するコアと、残余の少なくとも１つ（６２，６４）を構成するコアとは、同一形状であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１４】
前記検出対象となるトランスを構成する前記１次側コイル（６６ａ）の巻数と、前記残余の少なくとも１つを構成する前記１次側コイル（６２ａ，６４ａ）の巻数とは、同一に設定され、
前記検出対象となるトランスを構成する前記２次側コイル（６６ｂ）の巻数と、前記残余の少なくとも１つを構成する前記２次側コイルの巻数（６２ｂ，６４ｂ）とは、同一に設定されていることを特徴とする請求項１３記載の絶縁電源装置。
【請求項１５】
前記検出対象となるトランスを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比と、前記残余の少なくとも１つを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比とは、同一に設定されていることを特徴とする請求項１３又は１４記載の絶縁電源装置。
【請求項１６】
前記電力変換回路は、複数の前記直列接続体の並列接続体を備えるインバータ（１２）を含み、
前記下アーム用トランスは、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスであり、また、複数の前記下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対して前記駆動用電圧を供給可能な共通の前記２次側コイルを備え、
前記インバータにおける複数の前記上アーム用トランスのそれぞれを構成するコアは、互いに同一形状であることを特徴とする請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の絶縁電源装置。
【請求項１７】
前記インバータにおける複数の前記上アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルの巻数は、互いに同一に設定され、
前記インバータにおける複数の前記上アーム用トランスのそれぞれを構成する前記２次側コイルの巻数は、互いに同一に設定されていることを特徴とする請求項１６記載の絶縁電源装置。
【請求項１８】
前記インバータにおける複数の前記上アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイル及び前記２次側コイルの巻数比は、互いに同一に設定されていることを特徴とする請求項１６又は１７記載の絶縁電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上アーム用スイッチング素子及び下アーム用スイッチング素子の直列接続体を備える電力変換回路に適用され、直流電源から前記上アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な上アーム用トランスと、前記直流電源から前記下アーム用スイッチング素子に対して駆動用電圧を供給可能な下アーム用トランスとを備える絶縁電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、下記特許文献１に見られるように、スイッチング素子（ＩＧＢＴ）に駆動用電圧を供給するための絶縁電源装置が知られている。詳しくは、この電源装置は、複数のトランスと、複数のトランスのそれぞれを構成する１次側コイル及び直流電源の間を導通状態又は遮断状態とすべく操作されるトランジスタと、制御回路とを備えている。ここで、上記制御回路は、複数のトランスのうちいずれか１つのトランスを構成する２次側コイルの出力電圧を、この２次側コイルの出力側及び制御回路を接続する電気経路を介して検出する。そして、制御回路は、上記電気経路を介して検出された出力電圧に基づいて、トランジスタを操作する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１７８３５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、絶縁電源装置を構成する複数のトランス、及び集積回路である制御回路等は、基板に設けられている。ここで、複数のトランスのうち２次側コイルの出力電圧の検出対象となるトランスの基板上の配置位置によっては、上記電気経路が長くなり得る。この場合、上記電気経路における電圧降下量が大きくなったり、電気経路を伝達される電圧信号にノイズが重畳したりするおそれがある。そして、この場合、制御回路による２次側コイルの出力電圧の制御精度が低下したり、制御回路が誤作動したりするおそれがある。
【０００５】
なお、出力電圧の制御精度を補完する上では、例えば、直流電源及び１次側コイルの間に、直流電源から１次側コイルへの印加電圧の制御精度を高めるための電源回路（例えば、チョッパ方式の昇圧回路）を備えることも考えられる。ただし、昇圧回路を動作させると、昇圧回路が発熱することから、基板に設けられた電子部品に悪影響を及ぼす懸念がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、２次側コイルの出力電圧の制御精度を高め、また、上記出力電圧を制御する集積回路の誤動作を回避することのできる絶縁電源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく、本発明は、上アーム用スイッチング素子（Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐ）及び下アーム用スイッチング素子（Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎ）の直列接続体を備える電力変換回路（１２，２２，３０）に適用され、直流電源（４２）に接続可能な１次側コイル（６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ）、及び前記上アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記上アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ）を有し、基板（１５０）に設けられた上アーム用トランス（６０，６２，６４，６６，９０，９２，９４）と、前記直流電源に接続可能な１次側コイル（６８ａ，９６ａ）、及び前記下アーム用スイッチング素子の駆動用電圧を前記下アーム用スイッチング素子に対して供給可能な２次側コイル（６８ｂ，９６ｂ）を有し、前記基板に設けられた下アーム用トランス（６８，９６）と、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのそれぞれを構成する前記１次側コイルに前記直流電源の電圧を印加すべくオンオフ操作される電圧制御用スイッチング素子（８０，１１０）、並びに前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作する集積回路（５２，５４）を有し、前記基板に設けられた電源制御部（ＣＴ１，ＣＴ２）と、を備え、前記上アーム用トランス及び前記下アーム用トランスのうち少なくとも１つのトランスは、前記基板の板面の正面視において前記電源制御部と隣り合うように設けられ、前記電源制御部と隣り合うように設けられた前記トランス（６６，９４）を構成する前記２次側コイル（６６ｂ，９４ｂ）の出力電圧を前記集積回路に伝達する電気経路（Ｌｆｂ１，Ｌｆｂ２）を備え、前記集積回路は、前記電気経路を介して検出された出力電圧を目標電圧にフィードバック制御すべく、前記電圧制御用スイッチング素子をオンオフ操作することを特徴とする。
【０００８】
上記発明では、上アーム用トランス及び下アーム用トランスのうち少なくとも１つのトランスを、基板の板面の正面視において、電源制御部に隣り合うように配置する。このため、電源制御部に隣り合うように配置されたトランスを構成する２次側コイルの出力電圧を、フィードバック制御の制御量として集積回路に伝達するための電気経路を短くできる。これにより、電気経路における電圧降下量を小さくしたり、電気経路を伝達される電圧信号にノイズが重畳することを抑制したりすることができる。したがって、集積回路による２次側コイルの出力電圧の制御精度を高め、また、集積回路の誤作動を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態にかかるモータ制御システムの全体構成図。
【図２】同実施形態にかかる半導体モジュールの構成を示す斜視図。
【図３】同実施形態にかかる半導体モジュールの内部構成を示す図。
【図４】同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。
【図５】同実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。
【図６】同実施形態にかかるＩＧＢＴ駆動回路を示す図。
【図７】同実施形態にかかるトランスの斜視図。
【図８】同実施形態にかかるトランスの平面図。
【図９】図８における環状部のＡ−Ａ断面図。
【図１０】第１の実施形態にかかる基板の平面図。
【図１１】同実施形態にかかる過電圧異常判断処理の手順を示すフローチャート。
【図１２】関連技術にかかる絶縁電源装置を示す図。
【図１３】第２の実施形態にかかる基板の平面図。
【図１４】第３の実施形態にかかる基板の平面図。
【図１５】第４の実施形態にかかる基板の平面図。
【図１６】第５の実施形態にかかる絶縁電源装置を示す図。
【図１７】その他の実施形態にかかる環状部のＡ−Ａ断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる絶縁電源装置を車載主機として回転機及びエンジンを備えるハイブリッド車に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１１】
図１に示すように、モータ制御システムは、第１のモータジェネレータ１０、第２のモータジェネレータ２０、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２、昇圧コンバータ３０、及び制御装置４０を備えている。第１のモータジェネレータ１０及び第２のモータジェネレータ２０は、図示しない動力分割機構を介して駆動輪や車載主機としてのエンジンに連結されている。第１のモータジェネレータ１０は、第１のインバータ１２に接続され、エンジンのクランク軸に初期回転を付与するスタータや、車載機器に給電するための発電機等の役割を果たす。一方、第２のモータジェネレータ２０は、第２のインバータ２２に接続され、車載主機等の役割を果たす。第１のインバータ１２及び第２のインバータ２２は、３相インバータであり、昇圧コンバータ３０を介して高電圧バッテリ５０（例えば、リチウムイオン２次電圧やニッケル水素２次電池）に接続されている。なお、本実施形態において、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０のそれぞれが「電力変換回路」に相当する。
【００１２】
昇圧コンバータ３０は、コンデンサ３２、リアクトル３４、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎを備えている。詳しくは、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎは、互いに直列接続されている。上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ及び下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎの直列接続体は、コンデンサ３２に並列接続され、上記直列接続体の接続点は、リアクトル３４を介して高電圧バッテリ５０の正極端子に接続されている。昇圧コンバータ３０は、これら昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのオン操作（閉操作）及びオフ操作（開操作）によって、高電圧バッテリ５０の出力電圧（例えば２８８Ｖ）を所定の電圧（例えば「６５０Ｖ」）を上限として昇圧する機能を有する。
【００１３】
第１のインバータ１２は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ（￥＝Ｕ，Ｖ，Ｗ）、及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎの直列接続体を３組備えている。一方、第２のインバータ２２は、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎの直列接続体を３組備えている。
【００１４】
ちなみに、本実施形態では、上記スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃（＃＝ｐ，ｎ）として、電圧制御形の半導体スイッチング素子が用いられ、より具体的には、ＩＧＢＴが用いられている。そして、スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃には、フリーホイールダイオードＤｃ＃，Ｄ１￥＃，Ｄ２￥＃が逆並列に接続されている。
【００１５】
また、本実施形態において、上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ及び第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用スイッチング素子」に相当する。さらに、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ及び第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用スイッチング素子」に相当する。
【００１６】
上アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｐ、下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤｃｎは、モジュール化されて昇圧モジュールＭｃを構成している。
【００１７】
また、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｐ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ１￥ｎは、モジュール化されて第１の￥相モジュールＭ１￥を構成している。
【００１８】
さらに、第２の￥相上アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ、これに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｐ、第２の￥相下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｎ、及びこれに逆並列に接続されたフリーホイールダイオードＤ２￥ｎは、モジュール化されて第２の￥相モジュールＭ２￥を構成している。
【００１９】
上記モジュールの構成について、図２及び図３を用いて、第１の￥相モジュールＭ１￥を例にして説明する。
【００２０】
第１の￥相モジュールＭ１￥は、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎ及びフリーホイールダイオードＤ１￥ｐ，Ｄ１￥ｎを内蔵した本体部５１と、本体部５１から突出した複数の制御端子と、本体部５１から突出した複数のパワー端子とを備えている。複数の制御端子は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのゲート端子Ｇｐ、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのケルビンエミッタ端子ＫＥｐ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのゲート端子Ｇｎ、及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのケルビンエミッタ端子ＫＥｎを含む。ここで、ケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎとは、スイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの出力端子（エミッタ）と同電位の端子である。
【００２１】
なお、実際には、複数の制御端子は、上記ゲート端子Ｇｐ，Ｇｎ及びケルビンエミッタ端子ＫＥｐ，ＫＥｎに加えて、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎの入力端子（コレクタ）及びエミッタ間を流れる電流（コレクタ電流）と相関を有する微小電流を出力するためのセンス端子等を備える。ただし、図２及び図３では、センス端子等の図示を省略している。
【００２２】
パワー端子は、第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのコレクタに短絡されるコレクタ端子ＴＣ、第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのエミッタに短絡されるエミッタ端子ＴＥ、並びに第１の￥相上アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐのエミッタ及び第１の￥相下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｎのコレクタの接続点に短絡された接続端子ＴＡである。
【００２３】
本体部５１は、扁平な直方体形状をなしている。本体部５１の対向する一対の表面のうち一方の面には、この表面から垂直に突出するように複数の制御端子が設けられている。また、他方の面には、この表面から垂直に突出するようにパワー端子が設けられている。
【００２４】
先の図１に戻り、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのコレクタ端子ＴＣ同士は接続されている。また、昇圧モジュールＭｃ、第１の￥相モジュールＭ１￥及び第２の￥相モジュールＭ２￥のそれぞれのエミッタ端子ＴＥは、高電圧バッテリ５０の負極端子に接続されている。
【００２５】
第１の￥相モジュールＭ１￥の接続端子ＴＡは、第１のモータジェネレータ１０の￥相に接続されている。一方、第２の￥相モジュールＭ２￥の接続端子ＴＡは、第２のモータジェネレータ２０の￥相に接続されている。他方、昇圧モジュールＭｃの接続端子ＴＡは、リアクトル３４の両端のうち、高電圧バッテリ５０の正極端子が接続された側とは反対側に接続されている。
【００２６】
制御装置４０は、「直流電源」としての低電圧バッテリ４２を電源とし、マイコンを主体として構成されている。制御装置４０は、第1，第２のモータジェネレータ１０，２０の制御量（トルク）をその指令値（以下、指令トルクＴｒｑ＊）に制御すべく、第1，第２のインバータ１２，２２や昇圧コンバータ３０を操作する。詳しくは、制御装置４０は、第１のインバータ１２を構成するスイッチング素子Ｓ１￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ１￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ１￥＃の駆動回路に対して出力する。また、制御装置４０は、第２のインバータ２２を構成するスイッチング素子Ｓ２￥＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇ２￥＃を生成してスイッチング素子Ｓ２￥＃の駆動回路に対して出力する。さらに、制御装置４０は、昇圧コンバータ３０を構成するスイッチング素子Ｓｃ＃をオンオフ操作すべく、操作信号ｇｃ＃を生成してスイッチング素子Ｓｃ＃の駆動回路に対して出力する。
【００２７】
なお、以下の説明において、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎを駆動する駆動回路を上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと称し、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎを駆動する駆動回路を第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎと称すこととする。また、第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎを駆動する駆動回路を第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎと称すこととする。
【００２８】
さらに、本実施形態において、駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ２￥ｐのそれぞれが「上アーム用駆動回路」に相当し、駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎ，Ｄｒ２￥ｎのそれぞれが「下アーム用駆動回路」に相当する。すなわち、上アーム用駆動回路は、上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設け、下アーム用駆動回路は、下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。
【００２９】
ちなみに、上アーム用操作信号ｇｃｐ，ｇ１￥ｐ，ｇ２￥ｐと、対応する下アーム用操作信号ｇｃｎ，ｇ１￥ｎ，ｇ２￥ｎとは、互いに相補的な信号となっている。すなわち、上アーム用スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓ１￥ｐ，Ｓ２￥ｐと、対応する下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎ，Ｓ２￥ｎとは、交互にオン状態とされる。
【００３０】
低電圧バッテリ４２（補機バッテリともいう）は、その出力電圧が高電圧バッテリ５０の出力電圧よりも低い蓄電池（例えば鉛蓄電池）である。
【００３１】
インターフェース４４は、高電圧バッテリ５０、第１，第２のインバータ１２，２２、昇圧コンバータ３０及び第1，第２のモータジェネレータ１０，２０を備える高電圧システムと、低電圧バッテリ４２及び制御装置４０を備える低電圧システムとの間を電気的に絶縁しつつ、これらシステム間の信号の伝達を行う機能を有する。本実施形態において、インターフェース４４は、光絶縁素子（フォトカプラ）を備えている。なお、本実施形態において、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬと、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨとは相違している。特に、本実施形態では、高電圧システムの基準電位ＶｓｔＨが高電圧バッテリ５０の負極端子の電位に設定され、低電圧システムの基準電位ＶｓｔＬが高電圧バッテリ５０の正極端子の電位及び負極端子の電位との中央値である車体電位に設定されている。
【００３２】
続いて、図４及び図５を用いて、各スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃を駆動する駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃に対して駆動用電圧を供給する絶縁電源装置について説明する。
【００３３】
本実施形態では、第１のインバータ１２、第２のインバータ２２及び昇圧コンバータ３０を、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組と、第２のインバータ２２とに分ける。そして、第１のインバータ１２及び昇圧コンバータ３０の組に対応して第１の電源ＩＣ５２を設け、第２のインバータ２２に対応して第２の電源ＩＣ５４を設ける。そして、第１の電源ＩＣ５２によって上，下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒｃｎと、第１の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ１￥ｐ，Ｄｒ１￥ｎとに供給される駆動用電圧を制御し、第２の電源ＩＣ５４によって第２の￥相上，下アーム駆動回路Ｄｒ２￥ｐ，Ｄｒ２￥ｎに供給される駆動用電圧を制御する。
【００３４】
まず、図４に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を示す。
【００３５】
図４に示す絶縁電源装置は、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８、第１〜第５のダイオード７０ａ，７２ａ，７４ａ，７６ａ，７８ａ、第１〜第５のコンデンサ７０ｂ，７２ｂ，７４ｂ，７６ｂ，７８ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第１の電圧制御用スイッチング素子８０）、及び第１のフィードバック回路８２を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第１〜第５のコンデンサ７０ｂ，７２ｂ，７４ｂ，７６ｂ，７８ｂとして、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第５のトランス６８が「下アーム用トランス」に相当する。
【００３６】
上アーム用トランスは、複数の上アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられている。詳しくは、第１のトランス６０は、上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに対して駆動用電圧を供給し、第２のトランス６２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐに対して駆動用電圧を供給する。また、第３のトランス６４は、第１のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｐに対して駆動用電圧を供給し、第４のトランス６６は、第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。
【００３７】
一方、下アーム用トランスは、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスであり、また、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対して駆動用電圧を供給可能な共通の２次側コイルを有している。詳しくは、上記共通のトランスである第５のトランス６８は、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎ及び第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。
【００３８】
低電圧バッテリ４２の正極端子は、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８を構成する第１〜第５の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａの並列接続体と、第１の電圧制御用スイッチング素子８０とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第１の電圧制御用スイッチング素子８０は、自身がオン操作されることにより、第１〜第５の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第１の電圧制御用スイッチング素子８０を含む閉回路を形成可能なように設けられている。
【００３９】
第１のトランス６０を構成する第１の２次側コイル６０ｂは、第１のダイオード７０ａ及び第１のコンデンサ７０ｂを介して上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐに接続されている。また、第２のトランス６２を構成する第２の２次側コイル６２ｂは、第２のダイオード７２ａ及び第２のコンデンサ７２ｂを介して第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐに接続されている。さらに、第３のトランス６４を構成する第３の２次側コイル６４ｂは、第３のダイオード７４ａ及び第３のコンデンサ７４ｂを介して第１のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｖｐに接続されている。加えて、第４のトランス６６を構成する第４の２次側コイル６６ｂは、第４のダイオード７６ａ及び第４のコンデンサ７６ｂを介して第１のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｗｐに接続されている。
【００４０】
第４のトランス６６は、さらに、「電圧検出用コイル」としての第１のフィードバックコイル６６ｃを備えている。第１のフィードバックコイル６６ｃは、第１のフィードバック回路８２を介して第１の電源ＩＣ５２に入力される。詳しくは、第１のフィードバック回路８２は、第１の検出用ダイオード８２ａ、第１の検出用コンデンサ８２ｂ、第１の抵抗体８２ｃ、及び第２の抵抗体８２ｄを備えている。第１のフィードバック回路８２は、第１のフィードバックコイル６６ｃの出力電圧を直流電圧に変換する、いわゆる整流機能を有している。第１のフィードバックコイル６６ｃの出力電圧は、第１の検出用ダイオード８２ａを通過した後、第１の抵抗体８２ｃ及び第２の抵抗体８２ｄによって分圧される。第１の抵抗体８２ｃ及び第２の抵抗体８２ｄによって分圧された電圧（以下、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１）は、第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１を介して第１の電源ＩＣ５２に入力される。ちなみに、図４には、第４のトランス６６の端子Ｔａ１〜Ｔａ４，Ｔａ５，Ｔａ８等が記載されている。これら端子については、後に詳述する。
【００４１】
第５のトランス６８を構成する第５の２次側コイル６８ｂは、第５のダイオード７８ａ及び第５のコンデンサ７８ｂを介して、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎと、第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎとに接続されている。
【００４２】
なお、本実施形態において、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂの巻数と、第１のフィードバックコイル６８ｃの巻数とは、互いに同一に設定されている。これは、第１のフィードバックコイル６８ｃの出力電圧と、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂの出力電圧とを同一とすることを狙った設定である。
【００４３】
第１の電源ＩＣ５２は、１つの集積回路であり、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第１の電圧制御用スイッチング素子８０をオンオフ操作する。本実施形態では、第１の電源ＩＣ５２、第１の電圧制御用スイッチング素子８０及び第１のフィードバック回路８２を備えて第１の電源制御部ＣＴ１が構成されている。
【００４４】
ここで、本実施形態では、上アーム用トランスである第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６の巻数比（２次側コイルの巻数Ｎ２を１次側コイルの巻数Ｎ１で除算した値）が、下アーム用トランスである第５のトランス６８の巻数比よりも小さく設定されている。これは、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の出力電圧のばらつきを小さくするための設定である。
【００４５】
つまり、本実施形態では、第１の２次側コイル６０ｂから上アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｐへと供給される電流Ｉ１や、第２〜第４の２次側コイル６２ｂ，６４ｂ，６６ｂから第１のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐへと供給される電流Ｉ２よりも、第５の２次側コイル６８ｂから第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎへと供給される電流Ｉ３の方が大きい。ここで、２次側コイルの出力電圧は、ゲートに供給すべき充電電流が大きいほど低くなる。これは、例えば第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを例にして説明すると、充電電流が大きいほど、第２の２次側コイル６２ｂの出力電流が大きくなり、第２の２次側コイル６２ｂの直流抵抗や第２のダイオード７２ａ等による電圧降下量が大きくなるためである。
【００４６】
このため、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６の巻数比を第５のトランス６８の巻数比よりも小さく設定することで、第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の出力電圧のばらつきを小さくする。
【００４７】
ちなみに、第１のトランス６０の巻数比は、第２〜第４のトランス６２，６４，６８の巻数比よりも大きく設定されている。これは、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎをオン状態に切り替えるための上，下アーム昇圧スイッチング素子のゲートに供給すべき充電電流が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃をオン状態に切り替えるための第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲートに供給すべき充電電流よりも大きく設定されているためである。すなわち、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのゲート充電電荷量Ｑｇ（Gate charge capacity）が、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥＃のゲート充電電荷量Ｑｇよりも大きく設定されているためである。
【００４８】
続いて、図５に、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置を示す。
【００４９】
図５に示す絶縁電源装置は、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６、第６〜第９のダイオード１００ａ，１０２ａ，１０４ａ，１０６ａ、第６〜第９のコンデンサ１００ｂ，１０２ｂ，１０４ｂ，１０６ｂ、１つのＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０）、及び第２のフィードバック回路１１２を備えるフライバック式のスイッチング電源である。なお、本実施形態では、第６〜第９のコンデンサ１００ｂ，１０２ｂ，１０４ｂ，１０６ｂとして、電解コンデンサを用いている。また、本実施形態において、第６〜第８のトランス９０，９２，９４のそれぞれが「上アーム用トランス」に相当し、第９のトランス９６が「下アーム用トランス」に相当する。
【００５０】
第６のトランス９０は、第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに対して駆動用電圧を供給する。また、第７のトランス９２は、第２のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｐに対して駆動用電圧を供給する。さらに、第８のトランス９４は、第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐに対して駆動用電圧を供給する。
【００５１】
一方、第９のトランス９６は、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎに対して駆動用電圧を供給する。
【００５２】
低電圧バッテリ４２の正極端子は、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６を構成する第６〜第９の１次側コイル９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａの並列接続体と、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０とを介して低電圧バッテリ４２の負極端子に接続されている。すなわち、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０は、自身がオン操作されることにより、第６〜第９の１次側コイル９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａの並列接続体、低電圧バッテリ４２及び第２の電圧制御用スイッチング素子１１０を含む閉回路を形成可能なように設けられている。
【００５３】
第６のトランス９０を構成する第６の２次側コイル９０ｂは、第６のダイオード１００ａ及び第６のコンデンサ１００ｂを介して第２のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐに接続されている。また、第７のトランス９２を構成する第７の２次側コイル９２ｂは、第７のダイオード１０２ａ及び第７のコンデンサ１０２ｂを介して第２のＶ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｖｐに接続されている。さらに、第８のトランス９４を構成する第８の２次側コイル１０４ｂは、第８のダイオード１０４ａ及び第８のコンデンサ１０４ｂを介して第２のＷ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｐに接続されている。
【００５４】
第８のトランス９４は、さらに、「電圧検出用コイル」としての第２のフィードバックコイル９４ｃを備えている。第２のフィードバックコイル９４ｃは、第２のフィードバック回路１１２を介して第２の電源ＩＣ５４に入力される。詳しくは、第２のフィードバック回路１１２は、第２の検出用ダイオード１１２ａ、第２の検出用コンデンサ１１２ｂ、第３の抵抗体１１２ｃ、及び第４の抵抗体１１２ｄを備えている。第２のフィードバックコイル９６ｃの出力電圧は、第２の検出用ダイオード１１２ａを通過した後、第３の抵抗体１１２ｃ及び第４の抵抗体１１２ｄによって分圧される。第３の抵抗体１１２ｃ及び第４の抵抗体１１２ｄによって分圧された電圧（以下、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２）は、第２の電源ＩＣ５４の第２の検出端子Ｔｆｂ２を介して第２の電源ＩＣ５４に入力される。
【００５５】
第９のトランス９６を構成する第９の２次側コイル９６ｂは、第９のダイオード１０６ａ及び第９のコンデンサ１０６ｂを介して、第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎに接続されている。
【００５６】
なお、本実施形態において、第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂの巻数と、第２のフィードバックコイル９４ｃの巻数とは、互いに同一に設定されている。これは、第２のフィードバックコイル９４ｃの出力電圧と、第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂの出力電圧とを同一とすることを狙った設定である。
【００５７】
第２の電源ＩＣ５４は、１つの集積回路であり、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２を目標電圧Ｖｔｇｔにフィードバック制御すべく、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０をオンオフ操作する。本実施形態では、第２の電源ＩＣ５４、第２の電圧制御用スイッチング素子１１０及び第２のフィードバック回路１１２を備えて第２の電源制御部ＣＴ２が構成されている。
【００５８】
ここで、本実施形態では、上アーム用トランスである第６〜第８のトランス９０，９２，９４の巻数比が、下アーム用トランスである第９のトランス９６の巻数比よりも小さく設定されている。これは、第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の出力電圧のばらつきを小さくするための設定である。つまり、本実施形態では、第６〜第８の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂから第２のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｐ，Ｄｒ２Ｖｐ，Ｄｒ２Ｗｐへと供給される電流Ｉ４よりも、第９の２次側コイル９６ｂから第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎへと供給される電流Ｉ５の方が大きい。
【００５９】
続いて、図６を用いて、本実施形態にかかる駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の詳細について説明する。本実施形態では、これら駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃，Ｄｒ２￥＃の構成が同一である。このため、駆動回路の構成について、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐを例にして説明する。
【００６０】
第２のダイオード７２ａ及び第２のコンデンサ７２ｂの接続点は、図６に示す第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第１の端子Ｔ１に接続されている。一方、第２の２次側コイル６２ｂ及び第２のコンデンサ７２ｂの接続点は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第２の端子Ｔ２に接続されている。
【００６１】
第１の端子Ｔ１は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、充電用スイッチング素子１２０）、充電用抵抗体１２２、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第３の端子Ｔ３を介して、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのゲートに接続されている。また、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのゲートは、第３の端子Ｔ３、放電用抵抗体１２４、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、放電用スイッチング素子１２６）、及び第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐの第４の端子Ｔ４を介して第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐのエミッタに接続されている。さらに、第２の端子Ｔ２は、第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐ内において、第４の端子Ｔ４に短絡されている。
【００６２】
第１のＵ相上アーム駆動回路Ｄｒ１Ｕｐは、駆動制御部１２８を備えている。駆動制御部１２８は、制御装置４０からインターフェース４４を介して入力される操作信号ｇ１Ｕｐに基づき、充電用スイッチング素子１２０及び放電用スイッチング素子１２６の操作による充電処理及び放電処理を交互に行うことで第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。詳しくは、充電処理は、操作信号ｇ1Ｕｐがオン操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１２６をオフ操作し、また、充電用スイッチング素子１２０をオン操作する処理である。一方、放電処理は、操作信号ｇ１Ｕｐがオフ操作指令になったと判断された場合、放電用スイッチング素子１２６をオン操作に切り替え、また、充電用スイッチング素子１２０をオフ操作に切り替える処理である。これにより、第１のＵ相上アームスイッチング素子Ｓ１Ｕｐを駆動する。
【００６３】
続いて、図７〜図９を用いて、本実施形態にかかるトランス６０，６２，６４，６６，６８，９０，９２，９４，９６の構成について、第４のトランス６６を例にして説明する。なお、図７は、第４のトランス６６の斜視図であり、図８は、第４のトランス６６の平面図である。また、図９は、図８のＡ−Ａ断面図の一部を示す図である。なお、図７及び図８では、第４の１次側コイル６６ａ及び第４の２次側コイル６６ｂの図示を省略している。
【００６４】
図示されるように、トランス６６は、コア１３２及びボビン１３４等を備えている。コア１３２は、一対の同一形状の部材からなる。これら同一形状の部材のそれぞれは、長尺状の底壁部１３２ａと、この底壁部１３２ａから離間する方向に底壁部１３２ａの長手方向の一端及び他端のそれぞれから延びる一対の側壁部１３２ｂと、底壁部１３２ａから離間する方向に底壁部１３２ａの長手方向の中央部から延びる中央壁部１３２ｃとを備えている。すなわち、コア１３２は、略Ｅ字形状をなしている。
【００６５】
上記一対の同一形状の部材のうち、一方の備える一対の側壁部１３２ｂの端面は、他方の備える側壁部１３２ｂの端面に当接している。また、上記一対の同一形状の部材のうち、一方の備える中央壁部１３２ｃの端面は、他方の備える中央壁部１３２ｃの端面とは当接せず、これら端面は離間している。
【００６６】
ボビン１３４は、絶縁樹脂により構成され、第１の端子台１３６ａ、第２の端子台１３６ｂ及び環状部１３８を備えている。環状部１３８は、その軸方向（中央壁部１３２ｃの挿入方向）に垂直な面で切った断面形状が環状をなしている。環状部１３８の内周面により形成された空間には、コア１３２の中央壁部１３２ｃが挿入されている。
【００６７】
環状部１３８の周面には複数の仕切版（第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄ）が設けられている。第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄは、環状部１３８の周面の周方向に沿って全周に渡り板状をなして立設されている。第１〜第４の仕切板１３８ａ〜１３８ｄによって環状部１３８の周面は、その軸方向において３つのセクションに仕切られている。本実施形態では、図８に示すように、各セクションを図の左側から右側へ向かって、第１セクション１４０ａ、第２セクション１４０ｂ、第３セクション１４０ｃと称すこととする。
【００６８】
環状部１３８の軸方向両端のうち一方には、第１の端子台１３６ａが設けられ、他方には第２の端子台１３６ｂが設けられている。第１の端子台１３６ａ及び第２の端子台１３６ｂは、環状部１３８と同一の絶縁樹脂により構成されることにより、環状部１３８と一体で設けられている。
【００６９】
第１の端子台１３６ａには、第１〜第４のトランス端子Ｔａ１〜Ｔａ４が設けられている。これら端子Ｔａ１〜Ｔａ４は、第１の端子台１３６ａにおいて第１の端子台１３６ａの長手方向に沿って所定の間隔を隔てて配置されている。また、第２の端子台１３６ｂには、第５〜第８のトランス端子Ｔａ５〜Ｔａ８が設けられている。これら端子Ｔａ５〜Ｔａ８は、第２の端子台１３６ｂにおいて第２の端子台１３６ｂの長手方向に沿って所定の間隔を隔てて配置されている。
【００７０】
第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃは、電気的絶縁性の高い絶縁皮膜が施された銅線からなる絶縁線である。第４の２次側コイル６６ｂは、第１の巻線部６６ｂ１と、第２の巻線部６６ｂ２とで構成されている。第４の１次側コイル６６ａ、第１の巻線部６６ｂ１、第２の巻線部６６ｂ２及び第１のフィードバックコイル６６ｃは、図９に示すように、第１〜第３セクション１４０ａ〜１４０ｃのそれぞれにおいて環状部１３８の外周面に積層されるように巻きつけられている。
【００７１】
第４の２次側コイル６６ｂの一端としての第１の巻線部６６ｂ１の一端は、第８のトランス端子Ｔａ８に接続されている。第８のトランス端子Ｔａ８は、第４のダイオード７６ａのアノードに接続されている。一方、第１の巻線部６６ｂ１の他端は、第７のトランス端子Ｔａ７に接続されている。第７のトランス端子Ｔａ７は、基板１５０に形成された配線パターン１５１によって第６のトランス端子Ｔａ６に接続されている。第６のトランス端子Ｔａ６は、第２の巻線部６６ｂ２の一端に接続されている。第２の巻線部６６ｂ２の他端は、第４の２次側コイル６６ｂの他端であり、第５のトランス端子Ｔａ５に接続されている。第５のトランス端子Ｔａ５は、第４のコンデンサ７６ｂの負極端子に接続されている。
【００７２】
第１のフィードバックコイル６６ｃの一端は、第３のトランス端子Ｔａ３に接続され、他端は、第４のトランス端子Ｔａ４に接続されている。第３のトランス端子Ｔａ３は、第１の検出用ダイオード８２ａのアノードに接続され、第４のトランス端子Ｔａ４は、接地されている。
【００７３】
ちなみに、本実施形態において、第１〜第３のトランス６０，６２，６４、第５〜第７のトランス６８，９０，９２及び第９のトランス９６は、上述したように、フィードバックコイルを備えていない。このため、これらトランス６０，６２，６４，６８，９０，９２，９６の構造は、図７及び図８に示した第４のトランス６６から第３のトランス端子Ｔａ３及び第４のトランス端子Ｔａ４を除去するとともに、図９に示した第１のフィードバックコイル６６ｃが除去されたものとなる。
【００７４】
続いて、図１０を用いて、基板１５０におけるトランス等の配置手法について説明する。なお、図１０では、第１のフィードバック回路８２及び第２のフィードバック回路１１２、並びにトランスの備える第５〜第８のトランス端子Ｔａ５〜Ｔａ８等の図示を省略している。また、本実施形態において、第１の電源制御部ＣＴ１及び第２の電源制御部ＣＴ２のそれぞれが「第１の対象制御部」に相当する。
【００７５】
図示されるように、基板１５０は、矩形状をなす多層基板であり、一対の外層（第１面及び第１面の裏面である第２面）と、一対の外層で挟まれた複数の内層とを有している。基板１５０の第１面の正面視において、昇圧上アーム接続部Ｔｃｐ、第１のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ、及び第２のＵ，Ｖ，Ｗ相上アーム接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが一列に並ぶように基板１５０に設けられている。また、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが、基板１５０の板面に平行な面において延びる方向であって、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向と直交する方向における基板１５０の中央部に設けられている。なお、以降、これら接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐをまとめて「上アーム用接続部」と称すことがある。
【００７６】
一方、基板１５０の第１面の正面視において、昇圧下アーム接続部Ｔｃｎ、第１のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ、及び第２のＵ，Ｖ，Ｗ相下アーム接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎが、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に並ぶように基板１５０に設けられている。これら接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐと隣り合うように基板１５０に設けられている。より具体的には、これら接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎは、基板１５０の第１面の正面視において、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐと並列に設けられている。なお、以降、これら接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎをまとめて「下アーム用接続部」と称すことがある。
【００７７】
昇圧上，下アーム接続部Ｔｃｐ，Ｔｃｎには、基板１５０の第２面側から昇圧モジュールＭｃが取り付けられることにより、上，下アーム昇圧スイッチング素子Ｓｃｐ，Ｓｃｎのゲートが接続されている（図３参照）。また、第１の￥相上，下アーム接続部Ｔ１￥ｐ，Ｔ１￥ｎには、基板１５０の第２面側から第１の￥相モジュールＭ１￥が取り付けられることにより、第１の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ１￥ｐ，Ｓ１￥ｎのゲートが接続されている。さらに、第２の￥相上，下アーム接続部Ｔ２￥ｐ，Ｔ２￥ｎには、基板１５０の第２面側から第２の￥相モジュールＭ２￥が取り付けられることにより、第２の￥相上，下アームスイッチング素子Ｓ２￥ｐ，Ｓ２￥ｎのゲートが接続されている。
【００７８】
第１の電源制御部ＣＴ１は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐに対して、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎとは反対側の領域に設けられている。第１の電源制御部ＣＴ１に対応する第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとで挟まれる領域に、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように、かつ第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。ここで、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように設けられている。なお、上記挟まれる領域において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐは、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６と、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとの間に、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。
【００７９】
基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１ｗｎに対して、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６とは反対側の領域には、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎが、下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１ｗｎが並ぶ方向に一列に設けられている。下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎに対して昇圧下アーム接続部Ｔｃｎとは反対側には、第５のトランス６８が設けられている。第５のトランス６８は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎとは反対側となるように設けられている。
【００８０】
一方、第２の電源制御部ＣＴ２は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐに対して、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎとは反対側の領域に設けられている。第２の電源制御部ＣＴ２に対応する第６〜第８のトランス９０，９２，９４は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２と、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐとで挟まれる領域に、第２の電源制御部ＣＴ２と隣り合うように、かつ第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。ここで、第６〜第８のトランス９０，９２，９４は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第２の電源制御部ＣＴ２と隣り合うように設けられている。なお、上記挟まれる領域において、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒ２Ｕｐ，Ｄｒ２Ｖｐ，Ｄｒ２Ｗｐは、第６〜第８のトランス９０，９２，９４と、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐとの間に、上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。
【００８１】
基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２ｗｎに対して、第６〜第８のトランス９０，９２，９４とは反対側の領域には、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒ２Ｕｎ，Ｄｒ２Ｖｎ，Ｄｒ２Ｗｎが、下アーム用接続部Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２ｗｎが並ぶ方向に一列に設けられている。第２のＷ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｎに対して第２のＷ相下アーム接続部Ｔ２Ｗｎとは反対側には、第９のトランス９６が設けられている。第９のトランス９６は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第２のＷ相下アーム駆動回路Ｄｒ２Ｗｎとは反対側となるように設けられている。
【００８２】
第１の電源制御部ＣＴ１を構成する第１の電源ＩＣ５２は、第４のトランス６６と隣り合う位置に、第１の検出端子Ｔｆｂ１を第４のトランス６６に向けるように設けられている。ここで、本実施形態において、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように設けられた第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６のうち、基板１５０の第１面の正面視において第１の検出端子Ｔｆｂ１との距離が最も短いトランスは、第４のトランス６６である。本実施形態では、第４のトランス６６の第３のトランス端子Ｔａ３と、第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１とを、第１の電気経路Ｌｆｂ１によって接続する。第１の電気経路Ｌｆｂ１は、第１のフィードバック回路８２及び基板１５０に形成された配線パターンからなり、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１を第１の電源ＩＣ５２に伝達する役割を果たす。具体的には、第１の電気経路Ｌｆｂ１は、第４のトランス６６の第３のトランス端子Ｔａ３から第１のフィードバック回路８２を介して第１の検出端子Ｔｆｂ１に至るまでの経路である。
【００８３】
一方、第２の電源制御部ＣＴ２を構成する第２の電源ＩＣ５４は、第８のトランス９４と隣り合う位置に、第２の検出端子Ｔｆｂ２を第８のトランス９４に向けるように設けられている。ここで、本実施形態において、第２の電源制御部ＣＴ２と隣り合うように設けられた第６〜第８のトランス９０，９２，９４のうち、基板１５０の第１面の正面視において第２の検出端子Ｔｆｂ２との距離が最も短いトランスは、第８のトランス９４である。本実施形態では、第８のトランス９４の第３のトランス端子Ｔａ３と、第２の電源ＩＣ５４の第２の検出端子Ｔｆｂ２とを、第２の電気経路Ｌｆｂ２によって接続する。第２の電気経路Ｌｆｂ２は、第２のフィードバック回路１１２及び基板１５０に形成された配線パターンからなり、第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２を第２の電源ＩＣ５４に伝達する役割を果たす。具体的には、第２の電気経路Ｌｆｂ２は、第８のトランス９４の第３のトランス端子Ｔａ３から第２のフィードバック回路１１２を介して第２の検出端子Ｔｆｂ２に至るまでの経路である。
【００８４】
第１〜第９のトランス６０，６２，６４，６６，６８，９０，９２，９４，９６の第１のトランス端子Ｔａ１同士と、低電圧バッテリ４２とは、第１の配線パターンＬ１によって接続されている。第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８の第２のトランス端子Ｔａ２同士は、第２の配線パターンＬ２によって接続されている。第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６の第２のトランス端子Ｔａ２同士は、第３の配線パターンＬ３によって接続されている。
【００８５】
なお、本実施形態において、第１の配線パターンＬ１、第２の配線パターンＬ２及び第１の電気経路Ｌｆｂ１のそれぞれは、基板１５０の互いに異なる内層に形成されている。このため、図１０において、第１の配線パターンＬ１や、第２の配線パターンＬ２、第１の電気経路Ｌｆｂ１の交差部分があるが、この交差部分においてこれら配線パターンＬ１，Ｌ２，Ｌｆｂ１が電気的に接続されているわけではない。このことは、第１の配線パターンＬ１、第３の配線パターンＬ３及び第２の電気経路Ｌｆｂ２についても同様である。
【００８６】
ここで、本実施形態において、フィードバック電圧を伝達する電気経路を上記構成としたのは、電気経路を短くすることで、フィードバック制御における２次側コイルの出力電圧の制御精度を高め、また、第１，第２の電源ＩＣ５２，５４の誤作動を回避するためである。これは、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を例にして説明すると、第１の電気経路Ｌｆｂ１を短くできるためである。第１の電気経路Ｌｆｂ１を短くすることにより、第１の電気経路Ｌｆｂ１における電圧降下量を小さくしたり、第１の電気経路Ｌｆｂ１を伝達される電圧信号にノイズが重畳することを抑制したりすることができる。
【００８７】
続いて、第１の電源ＩＣ５２及び第２の電源ＩＣ５４が有する過電圧保護機能について、第１の電源ＩＣ５２を例にして説明する。
【００８８】
図１１に、本実施形態にかかる過電圧異常判断処理の手順を示す。この処理は、第１の電源ＩＣ５２によって、例えば所定周期で繰り返し実行される。なお、本実施形態にかかる第１の電源ＩＣ５２は、ハードウェアであるため、図１１に示す処理は、実際にはロジック回路によって実行される。
【００８９】
この一連の処理では、まずステップＳ１０において、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１が規定電圧Ｖαを超えたか否かを判断する。ここで、規定電圧Ｖαは、例えば、絶縁電源装置の構成部品の信頼性を維持可能な上限値に設定すればよい。
【００９０】
ステップＳ１０において肯定判断された場合には、２次側コイルの出力電圧が過度に高いと判断し、ステップＳ１２に進む。ステップＳ１２では、第１の電圧制御用スイッチング素子８０を強制的にオフ操作に切り替える。これにより、第１の電源ＩＣ５２による駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃に対する駆動用電圧の供給が強制的に停止される。したがって、駆動回路Ｄｒｃ＃，Ｄｒ１￥＃やスイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃等の絶縁電源装置の構成部品を過電圧から保護できる。なお、本実施形態において、本ステップの処理が「強制操作手段」に相当する。
【００９１】
なお、上記ステップＳ１０において否定判断された場合や、ステップＳ１２の処理が完了した場合には、この一連の処理を一旦終了する。
【００９２】
以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
【００９３】
（１）第１の電源ＩＣ５２（第２の電源ＩＣ５４）を制御主体とする絶縁電源装置において、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６（第６〜第８のトランス９０，９２，９４）を、基板１５０の第１面の正面視において第１の電源制御部ＣＴ１（第２の電源制御部ＣＴ２）と隣り合うように配置した。そして、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６（第６〜第８のトランス９０，９２，９４）のうち、基板１５０の第１面の正面視において第１の検出端子Ｔｆｂ１（第２の検出端子Ｔｆｂ２）との距離が最も短い第４のトランス６６（第８のトランス９４）の有する第３のトランス端子Ｔａ３と、第１の検出端子Ｔｆｂ１（第２の検出端子Ｔｆｂ２）とを第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）によって接続した。このため、第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）を短くすることができる。これにより、第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）における電圧降下量を小さくしたり、第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）を伝達される電圧信号にノイズが重畳することを抑制したりすることができる。したがって、第１の電源ＩＣ５２（第２の電源ＩＣ５４）による２次側コイルの出力電圧の制御精度を高め、また、第１の電源ＩＣ５２（第２の電源ＩＣ５４）の誤作動を回避することができる。
【００９４】
特に、本実施形態では、第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１（第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２）として、第１のフィードバックコイル６６ｃ（第２のフィードバックコイル９４ｃ）の出力電圧を第１の抵抗体８２ｃ及び第２の抵抗体８２ｄ（第３の抵抗体１１２ｃ及び第４の抵抗体１１２ｄ）によって分圧した値を用いていることから、第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）を伝達される電圧信号にノイズが及ぼす影響が顕著となりやすい。このため、第４のトランス６６（第８のトランス９４）の有する第３のトランス端子Ｔａ３と、第１の検出端子Ｔｆｂ１（第２の検出端子Ｔｆｂ２）とを第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）によって接続する構成を採用するメリットが大きい。
【００９５】
（２）第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８（第６〜第９のトランス９０，９２，９４，９６）のうち、第１のフィードバックコイル６６ｃ（第２のフィードバックコイル９４ｃ）を備える第４のトランス６６（第８のトランス９４）のみに対応して第１のフィードバック回路８２（第２のフィードバック回路１１２）を設けた。これにより、部品数の低減を図ることができ、ひいては絶縁電源装置を小型化したり、絶縁電源装置のコストを低減させたりすることができる。
【００９６】
（３）第１〜第５の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａ（第６〜第９の１次側コイル９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａ）を互いに並列接続した。こうした構成によれば、各１次側コイルの個体差等により、各１次側コイルのインダクタンスがばらつく場合であっても、互いに並列接続された１次側コイルのそれぞれの印加電圧を理論的には同一とすることができる。これにより、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂ（第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂ）の出力電圧を安定させることができる。
【００９７】
（４）第１〜第９の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａと低電圧バッテリ４２とを直接接続した。低電圧バッテリ４２の出力電圧は、変動しやすい。このため、１次側コイルの印加電圧の変動を抑制すべく、例えば、図１２に示すように、低電圧バッテリ４２から各１次側コイルへの印加電圧の制御精度を高めることを目的として、チョッパ方式の昇圧回路１４２を絶縁電源装置に備えることも考えられる。ただし、昇圧回路１４２を動作させると、昇圧回路１４２が発熱することから、基板１５０に設けられた電子部品に悪影響を及ぼす懸念がある。
【００９８】
ここで、上記（１）の効果を奏することのできる構成を採用する場合、昇圧回路１４２を除去したとしても、２次側コイルの出力電圧の制御精度を高めたり、第１，第２の電源ＩＣ５２，５４の誤作動を回避したりするといった効果により、昇圧回路１４２を除去した影響を埋め合わせることができると考えられる。このため、第１〜第９の１次側コイル６０ａ，６２ａ，６４ａ，６６ａ，６８ａ，９０ａ，９２ａ，９４ａ，９６ａと低電圧バッテリ４２とを直接接続する構成において、第４のトランス６６（第８のトランス９４）の有する第３のトランス端子Ｔａ３と、第１の検出端子Ｔｆｂ１（第２の検出端子Ｔｆｂ２）とを第１の電気経路Ｌｆｂ１（第２の電気経路Ｌｆｂ２）によって接続する構成を採用するメリットが大きい。なお、図１２は、先の図４に対応するものである。ここで、図１２において、先の図４に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
【００９９】
（５）第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１（第２のフィードバック電圧Ｖｆｂ２）が規定電圧Ｖαを超えたと判断された場合、第１の電圧制御用スイッチング素子８０（第２の電圧制御用スイッチング素子１１０）を強制的にオフ操作に切り替えた。これにより、スイッチング素子Ｓｃ＃，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃等、絶縁電源装置の構成部品の信頼性の低下を回避することができる。
【０１００】
（６）第１の電源制御部ＣＴ１（第２の電源制御部ＣＴ２）を構成する第１の電圧制御用スイッチング素子８０（第２の電圧制御用スイッチング素子１１０）を１つとした。これにより、第１の電源ＩＣ５２（第２の電源ＩＣ５４）の端子数を削減できる。
【０１０１】
（７）各トランスを構成する１次側コイル及び２次側コイルのそれぞれを、トランスを構成するコア１３２にボビン１３４を介して積層するように巻きつけた。特に、第４のトランス６６（第８のトランス９４）については、第４のトランス６６を構成する第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃ（第８のトランス９４を構成する第８の１次側コイル９４ａ、第８の２次側コイル９４ｂ及び第２のフィードバックコイル９４ｃ）のそれぞれを、コア１３２にボビン１３４を介して積層するように巻きつけた。こうした構成によれば、以下に説明する効果を得ることができる。なお、この効果について、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を例にして説明する。
【０１０２】
２次側コイルの出力電圧は、ＩＧＢＴのゲートに供給すべき充電電流が大きいほど低くなる。これは、充電電流が大きいほど、２次側コイルの出力電流が大きくなり、２次側コイルの直流抵抗等による電圧降下量が大きくなるためである。このため、電圧検出対象ではない第１〜第３，第５のトランス６０，６２，６４，６８を構成する第１〜第３，第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６８ｂのそれぞれの出力電圧は、充電電流によってばらつくこととなる。
【０１０３】
また、第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃ同士の結合係数が低くなるほど、第４の２次側コイル６６ｂの実際の出力電圧に対する第１のフィードバック電圧Ｖｆｂ１の低下度合いが大きくなる。この場合、上述した充電電流による出力電圧のばらつきとあいまって、目標電圧Ｖｔｇｔに対する第１〜第３，第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６８ｂのそれぞれの出力電圧のばらつきが大きくなる。
【０１０４】
ここで、上記構成によれば、第４の１次側コイル６６ａ、第４の２次側コイル６６ｂ及び第１のフィードバックコイル６６ｃ同士の結合係数を高めることができる。このため、目標電圧Ｖｔｇｔに対する第１〜第３，第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６８ｂのそれぞれの出力電圧のばらつきを小さくすることができる。
【０１０５】
（８）第５のトランス６８（第９のトランス９６）の巻数比を、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６（第６〜第８のトランス９０，９２，９４）の巻数比よりも大きく設定した。これにより、第１〜第５の２次側コイル６０ｂ，６２ｂ，６４ｂ，６６ｂ，６８ｂ（第６〜第９の２次側コイル９０ｂ，９２ｂ，９４ｂ，９６ｂ）の出力電圧のばらつきを小さくすることができる。
【０１０６】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【０１０７】
本実施形態では、基板１５０における第２の電源制御部ＣＴ２の配置位置を変更する。
【０１０８】
図１３に、本実施形態にかかる基板１５０の平面図を示す。なお、図１３において、先の図１０に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。また、本実施形態において、第１の電源制御部ＣＴ１が「第１の対象制御部」に相当し、第２の電源制御部ＣＴ２が「第２の対象制御部」に相当する。
【０１０９】
図示されるように、第２の電源制御部ＣＴ２は、基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源制御部ＣＴ２に対応する第６〜第８のトランス９０，９２，９４のうち上アーム用接続部Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐが並ぶ方向において基板１５０の一辺（図中、低電圧バッテリ４２の位置を基板１５０の上側とした場合における基板１５０の右端の一辺）に最も近いトランスである第８のトランス９４と、上記一辺とで挟まれる領域に設けられている。また、第２の電源制御部ＣＴ２は、第８のトランス９４及び第９のトランス９６に隣り合うように基板１５０に設けられている。
【０１１０】
ここで、本実施形態において、第２の電源制御部ＣＴ２と隣り合うように設けられた第８のトランス９４及び第９のトランス９６のうち、基板１５０の第１面の正面視において、第２の電源ＩＣ５４の第２の検出端子Ｔｆｂ２との距離が最も短いトランスは、第８のトランス９４である。このため、第８のトランス９４の第３のトランス端子Ｔａ３と第２の検出端子Ｔｆｂ２とを第２の電気経路Ｌｆｂ２によって接続する。
【０１１１】
以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【０１１２】
（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態について、先の第２の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【０１１３】
本実施形態では、図１４に示すように、基板１５０における第８のトランス９４及び第９のトランス９６の配置位置を第２の電源制御部ＣＴ２に近づける。ここで、図１４は、本実施形態にかかる基板１５０の平面図である。なお、図１４において、先の図１３に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
【０１１４】
以上説明した本実施形態によれば、第２の電気経路Ｌｆｂ２の長さを、上記第２の実施形態における第２の電気経路Ｌｆｂ２の長さよりも短くできる。このため、第２の電源ＩＣ５４による２次側コイルの出力電圧の制御精度の向上効果と、第２の電源ＩＣ５４の誤作動防止効果とをより大きくすることができる。
【０１１５】
（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【０１１６】
本実施形態では、基板１５０におけるトランス等の配置位置を変更する。
【０１１７】
図１５に、本実施形態にかかる基板１５０の平面図を示す。なお、図１５において、先の図１０に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。また、本実施形態において、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置と、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置とは、基本的には同一構成である。このため、本実施形態では、主に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を例にして説明する。
【０１１８】
図示されるように、基板１５０の第１面の正面視において、基板１５０の中央部には、第１の電源制御部ＣＴ１及び第２の電源制御部ＣＴ２が並ぶように設けられている。また、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが基板１５０の端部に一列に並ぶように設けられている。また、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎが、第１の電源制御部ＣＴ１を挟んで上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとは反対側の基板１５０の端部に一列に並ぶように設けられている。
【０１１９】
第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとで挟まれる領域に、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように、かつ第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。ここで、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６は、第１のトランス端子Ｔａ１及び第２のトランス端子Ｔａ２が第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように設けられている。なお、上記挟まれる領域において、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐは、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６と、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとの間に、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。なお、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する上アーム用駆動回路Ｄｒｃｐ，Ｄｒ１Ｕｐ，Ｄｒ１Ｖｐ，Ｄｒ１Ｗｐは、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６と上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐとで挟まれる領域に、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐが並ぶ方向に一列に設けられている。
【０１２０】
第５のトランス６８は、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源制御部ＣＴ１と昇圧下アーム接続部Ｔｃｎとで挟まれる領域に設けられている。なお、下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎは、第５のトランス６８及び昇圧下アーム接続部Ｔｃｎで挟まれる領域に設けられている。下アーム昇圧駆動回路Ｄｒｃｎの設置位置を基準として、第１の電源制御部ＣＴ１に対応する下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１Ｕｎ，Ｄｒ１Ｖｎ，Ｄｒ１Ｗｎは、下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１ｗｎが並ぶ方向に一列に設けられている。
【０１２１】
ここで、本実施形態において、第１の電源制御部ＣＴ１と隣り合うように設けられた第１〜第５のトランス６０，６２，６４，６６，６８のうち、基板１５０の第１面の正面視において、第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１との距離が最も短いトランスは、第４のトランス６６である。このため、第４のトランス６６の第３のトランス端子Ｔａ３と第１の検出端子Ｔｆｂ１とを第１の電気経路Ｌｆｂ１によって接続する。
【０１２２】
ちなみに、本実施形態では、先の図２及び図３に示したモジュールではなく、各スイッチング素子Ｓｃ￥，Ｓ１￥＃，Ｓ２￥＃のそれぞれが各別に内蔵されたモジュールを用いることとなる。
【０１２３】
以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【０１２４】
（第５の実施形態）
以下、第５の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【０１２５】
本実施形態では、第１，第２のインバータ１２，２２における上アーム用トランスを同一仕様のトランスとする。
【０１２６】
図１６に、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置を示す。なお、図１６において、先の図４に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。また、図１６では、下アーム用駆動回路Ｄｒｃｎ，Ｄｒ１￥ｎ及び下アーム用スイッチング素子Ｓｃｎ，Ｓ１￥ｎの図示を省略している。
【０１２７】
図示されるように、本実施形態では、第２，第３のトランス６２，６４として、先の図７〜図９に示した第４のトランス６６と同一仕様（換言すれば、構造的に同一）のトランスを用いている。詳しくは、第４のトランス６６を構成する第４の１次側コイル６６ａの巻数Ｎ１と、第２，第３のトランス６２，６４を構成する第２，第３の１次側コイル６２ａ，６４ａの巻数Ｎ１とが同一に設定されている。また，第４のトランス６６を構成する第４の２次側コイル６６ｂの巻数Ｎ２と、第２，第３のトランス６２，６４を構成する第２，第３の２次側コイル６２ｂ，６４ｂの巻数Ｎ２とが同一に設定されている。これにより、第４のトランス６６の巻数比と、第２，第３のトランス６２，６４の巻数比とが同一に設定されている。
【０１２８】
さらに、先の図７に示した第４のトランス６６を構成するコアと、第２，第３のトランス６２，６４を構成するコアとが、同一形状である。なお、図１６では、第２のトランス６２のフィードバックコイルを「６２ｃ」にて示し、第３のトランス６４のフィードバックコイルを「６４ｃ」にて示した。また、本実施形態において、上記フィードバックコイル６２ｃ，６４ｃに接続されるトランス端子は開放されている。
【０１２９】
ちなみに、図示しないが、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置においても、第６，第７のトランス９０，９２として、第８のトランス９４と同一仕様のトランスを用いている。詳しくは、第８のトランス９４を構成する第８の１次側コイル９４ａの巻数Ｎ１と、第６，第７のトランス９０，９２を構成する第６，第７の１次側コイル９０ａ，９２ａの巻数Ｎ１とが同一に設定されている。また，第８のトランス９４を構成する第８の２次側コイル９４ｂの巻数Ｎ２と、第６，第７のトランス６２，６４を構成する第６，第７の２次側コイル９０ｂ，９２ｂの巻数Ｎ２とが同一に設定されている。これにより、第８のトランス９４の巻数比と、第６，第７のトランス９０，９２の巻数比とが同一に設定されている。さらに、第８のトランス９４を構成するコアと、第６，第７のトランス９０，９２を構成するコアとが、同一形状である。
【０１３０】
以上説明した本実施形態によれば、絶縁電源装置を構成するトランスの仕様を減らすことができる。これにより、絶縁電源装置のコストを低減することなどができる。
【０１３１】
（その他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
【０１３２】
・１次側コイル及び２次側コイルのボビン１３４への巻きつけ方は、先の図９に示したものに限らない。例えば、図１７に示すように、第１セクション１４０ａに第４の１次側コイル６６ａを巻きつけ、第３セクション１４０ｃに第４の２次側コイル６６ｂを巻きつける分割巻きを採用してもよい。ここでは、第２セクション１４０ｂにコイルを巻きつけないことで、絶縁距離を確保している。なお、この場合、各コイルに絶縁皮膜を施すことは必須ではない。また、図１７において、先の図９に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
【０１３３】
・トランスの備える第１〜第８のトランス端子Ｔａ１〜Ｔａ８に対する１次側コイル、２次側コイル、及び基板１５０に形成された配線パターン等の接続手法としては、先の図９及び図１０に示したものに限らない。例えば、第１のトランス端子Ｔａ１に第２の配線パターンＬ２を接続し、第２のトランス端子Ｔａ２に第１の配線パターンＬ１を接続してもよい。
【０１３４】
・上記各実施形態では、第１の電源ＩＣ５２を制御主体とする絶縁電源装置において、第４のトランス６６のみを、フィードバックコイルを備えるトランスとしたがこれに限らない。例えば、第１〜第５のトランス６０、６２，６４，６６，６８の全てを、フィードバックコイルを備えるトランスとしてもよい。なお、第２の電源ＩＣ５４を制御主体とする絶縁電源装置についても同様である。
【０１３５】
・上記各実施形態では、第１の電源ＩＣ５２が制御主体となる絶縁電源装置において、第１の電源ＩＣ５２と電気経路で接続されるトランスを第４のトランス６６としたがこれに限らない。第１の電源ＩＣ５２の第１の検出端子Ｔｆｂ１に最も近いトランスが例えば第３のトランス６４であるなら、第３のトランス６４に第３のトランス端子Ｔａ３を備え、この端子Ｔａ３と第１の検出端子Ｔｆｂ１とを第１の電気経路Ｌｆｂ１によって接続すればよい。また、上記電気経路で接続されるトランスとしては、上アーム用トランスに限らず、下アーム用トランスであってもよい。なお、第２の電源ＩＣ５４が制御主体となる絶縁電源装置についても同様である。
【０１３６】
・上記第５の実施形態の図１６において、第２〜第４のトランス６２，６４，６６に加えて、第１のトランス６０についても同一仕様のトランスを用いてもよい。この場合、第１〜第４のトランス６０，６２，６４、６６を構成する１次側コイルの巻数Ｎ１及び２次側コイルの巻数Ｎ２を同一設定とすることにより、これらトランス６０，６２，６４、６６の巻数比を互いに同一に設定してもよい。また、上記第５の実施形態の図１６において、第４のトランス６６と同一仕様とするトランスを、第２のトランス６２又は第３のトランス６４のいずれかとしてもよい。
【０１３７】
さらに、第１〜第４のトランス６０，６２，６４，６６同士で全ての仕様を同一とするものに限らず、例えば、１次側コイルの巻数Ｎ１及び２次側コイルの巻数Ｎ２と、コアの形状とのうち少なくとも一方を同一にしてもよい。具体的には、例えば、上記第５の実施形態では、第１のトランス６０と、第２〜第４のトランス６２，６４，６６の組とで、１次側コイルの巻数Ｎ１及び２次側コイルの巻数Ｎ２を相違させることにより、第１のトランス６０の巻数比が、第２〜第４のトランス６２，６４，６６の巻数比よりも高く設定されている。このため、これらトランス６０，６２，６４，６６を構成するコアの形状を互いに同一とすればよい。
【０１３８】
・「下アーム用トランス」としては、電力変換回路を構成する複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれについての共通のトランスに限らない。例えば、上アーム用トランスと同様に、複数の下アーム用スイッチング素子のそれぞれに対応して個別に設けられるトランスであってもよい。この場合、例えば先の図１６において、全ての上，下アーム用トランスのそれぞれを互いに同一仕様のトランスとしてもよい。
【０１３９】
・上記各実施形態において、上アーム用トランス及び下アーム用トランスのそれぞれを構成する１次側コイルが直列接続される構成を採用してもよい。
【０１４０】
・上記第１の実施形態では、第５の２次側コイル６８ｂの巻数と第１のフィードバックコイル６８ｃの巻数とを同一に設定したがこれに限らず、相違させてもよい。この場合、第１のフィードバックコイル６８ｃは、第５の２次側コイル６８ｂの出力電圧に応じた電圧を出力することとなる。なお、上記巻数の設定は、第８の２次側コイル９４ｂの巻数及び第２のフィードバックコイル９４ｃの巻数についても同様である。
【０１４１】
・基板１５０の第１面の正面視において、上アーム用接続部Ｔｃｐ，Ｔ１Ｕｐ，Ｔ１Ｖｐ，Ｔ１Ｗｐ，Ｔ２Ｕｐ，Ｔ２Ｖｐ，Ｔ２Ｗｐや、下アーム用接続部Ｔｃｎ，Ｔ１Ｕｎ，Ｔ１Ｖｎ，Ｔ１Ｗｎ，Ｔ２Ｕｎ，Ｔ２Ｖｎ，Ｔ２Ｗｎの並び順は、先の図１０に示したものに限らない。
【０１４２】
・上記各実施形態において、低電圧バッテリ４２及び１次側コイルの間に、先の図１２に示した昇圧回路１４２を設けてもよい。
【０１４３】
・電気経路の接続対象としては、電源制御部と隣り合うように設けられたトランスのうち、基板の板面の正面視において、検出端子との距離が最も短いトランス以外のトランスであってもよい。この場合であっても、検出端子と接続される電気経路を短くすることはできる。
【０１４４】
・「出力部」としては、電圧検出用コイルに限らない。例えば、先の図４において、第４のコンデンサ７６ｂの端子間電圧、又はこの端子間電圧に応じた電圧を、高電圧システム及び低電圧システムの間を電気的に絶縁しつつ第１の電源ＩＣ５２へと伝達可能な手段であってもよい。こうした手段としては、例えば、上記端子間電圧と関係付けられたＰＷＭ信号を第１の電源ＩＣ５２に対して伝達可能なフォトカプラが挙げられる。
【０１４５】
・上記各実施形態において、先の図１に示したモータ制御システムから昇圧コンバータ３０を除去してもよい。
【０１４６】
・モータ制御システムとしては、２モータ制御システムに限らず、１モータ制御システムであってもよい。この場合、第１のモータジェネレータ１０及び第１のインバータ１２の組、並びに第２のモータジェネレータ２０及び第２のインバータ２２の組のうちいずれか１組と、昇圧コンバータ３０とを先の図１に示したモータ制御システムから除去することとなる。
【０１４７】
・「絶縁電源装置」としては、図４及び図５に示したフライバックコンバータに限らず、例えばフォワードコンバータであってもよい。また、「絶縁電源装置」としては、電圧制御用スイッチング素子を１つ備えるものに限らず、４つの電圧制御用スイッチング素子を備えるフルブリッジコンバータや、２つの電圧制御用スイッチング素子を備えるプッシュプルコンバータであってもよい。なお、上記フルブリッジコンバータや、プッシュプルコンバータは、例えば「馬場清太郎著、“電源回路設計成功のかぎ”、第４版、ＣＱ出版株式会社、２０１２年２月１日、ｐ１４１」に記載されている。
【０１４８】
・「電力変換回路」としては、昇圧コンバータや３相インバータに限らない。例えば、ハーフブリッジ回路やフルブリッジ回路等、他の電力変換回路であってもよい。また、「電力変換回路」を構成する「上アーム用スイッチング素子」及び「下アーム用スイッチング素子」としては、ＩＧＢＴに限らず、例えばＭＯＳＦＥＴであってもよい。
【符号の説明】
【０１４９】
１２…第１のインバータ、２２…第２のインバータ、３０…昇圧コンバータ、４２…低電圧バッテリ、５２…第１の電源ＩＣ、５４…第２の電源ＩＣ、６０，６２，６４，６６，６８…第１〜第５のトランス、９０，９２，９４…第６〜第９のトランス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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