(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１面に環状の第１溝を形成する工程と、
化学気相成長法で前記第１溝内に絶縁物を生成することによって、前記第１溝内に前記絶縁物を埋める工程と、
前記基板の前記第１面側に、且つ前記第１溝の外縁よりも内側に、環状の第２溝を形成する工程と、
前記第２溝内に金属を埋める工程と、
前記基板を、前記第１面とは反対側の面である第２面側から薄くすることによって、前記絶縁物を前記第２面側に露呈させる工程と、
前記第２溝の外縁よりも内側の領域内に、前記第１面と前記第２面との間を貫通する孔を形成することによって、前記孔内に前記金属を露呈させる工程と、
前記孔の内壁に、前記第２面から前記金属に至る金属膜を形成する工程と、
前記金属膜及び前記金属を下地として、前記孔の内壁にメッキを施す工程と、を含む、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝の外縁を、前記第１溝に重なる領域内に形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝を、前記第１溝に沿って、且つ前記第１溝に重ねて形成する、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝の内周を、前記第１溝の内周に沿って、且つ前記第１溝の内周に重ねて形成する、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記孔内に前記金属を露呈させる工程において、前記基板を前記第１溝の内周に沿ってエッチングすることによって、前記孔を形成する、
ことを特徴とする請求項２又は４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第１溝内に前記絶縁物を埋める工程の後、且つ前記絶縁物を前記第２面側に露呈させる工程の前に、前記第１面側に機能素子を形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記機能素子は、電磁波を検出する素子である、
ことを特徴とする請求項６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
第１面及び前記第１面とは反対側の面である第２面を有する基板と、
前記第１面と前記第２面との間を貫通して前記基板に設けられた筒状の孔と、
前記孔の内壁に設けられた絶縁膜と、
前記孔の内壁の領域のうち、前記第１面から前記第２面に至る途中までの領域に設けられ、且つ前記孔内の前記絶縁膜に重ねて設けられた第１金属膜と、
前記孔の内壁の領域のうち、前記第２面から前記第１面に至る途中までの領域に設けられ、且つ第１金属膜の一部に重ねて設けられた第２金属膜と、
前記孔の内部において前記第１金属膜及び前記第２金属膜に重ねて設けられた配線電極と、
前記第１面において前記孔に重ねて設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたパッド電極と、を有し、
前記配線電極は、前記第１金属膜及び前記第２金属膜のうち前記第１金属膜だけに重なる部位の太さが、前記第１金属膜及び前記第２金属膜に重なる部位よりも太い、
ことを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスの製造方法、電子デバイス等に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスの１つである半導体装置において、シリコンなどで構成される半導体基板に設けられるビアホールを、テーパー状（円錐状）に構成した半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４１４５３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１に記載されたビアホールでは、ビアホールの内壁に設ける膜の厚みを、ビアホールの内壁にわたって均一にしやすくすることができる。この結果、半導体装置の信頼性を向上させやすくすることができる。
しかしながら、テーパー状のビアホールでは、ビアホールにかかる領域が広くなりやすいので、半導体装置が大型化しやすい。つまり、従来の電子デバイスの製造方法では、小型化を図ることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００６】
［適用例１］基板の第１面に環状の第１溝を形成する工程と、化学気相成長法で前記第１溝内に絶縁物を生成することによって、前記第１溝内に前記絶縁物を埋める工程と、前記基板の前記第１面側に、且つ前記第１溝の外縁よりも内側に、環状の第２溝を形成する工程と、前記第２溝内に金属を埋める工程と、前記基板を、前記第１面とは反対側の面である第２面側から薄くすることによって、前記絶縁物を前記第２面側に露呈させる工程と、前記第２溝の外縁よりも内側の領域内に、前記第１面と前記第２面との間を貫通する孔を形成することによって、前記孔内に前記金属を露呈させる工程と、前記孔の内壁に、前記第２面から前記金属に至る金属膜を形成する工程と、前記金属膜及び前記金属を下地として、前記孔の内壁にメッキを施す工程と、を含む、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【０００７】
この適用例では、孔を形成すると、第１面側から第２溝内に埋めた金属によって、孔の内壁に金属の膜が設けられる。そして、孔の内壁に、第２面から金属膜を形成することによって、孔内に、第１面から第２面に至るメッキの下地が形成され得る。つまり、この電子デバイスの製造方法では、第１面側及び第２面側のそれぞれから金属の膜を形成するので、孔の第１面側及び第２面側の双方において、メッキの下地となる金属の膜厚を確保しやすい。これにより、孔のテーパーを軽減することができるので、電子デバイスの小型化を図りやすくすることができる。また、孔内の金属と基板との間に絶縁物が介在するので、金属と基板との間の絶縁性が高められる。
【０００８】
［適用例２］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝の外縁を、前記第１溝に重なる領域内に形成する、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【０００９】
この適用例では、第２溝の外縁を第１溝に重なる領域内に形成するので、金属と絶縁物とを接触させやすくすることができる。
【００１０】
［適用例３］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝を、前記第１溝に沿って、且つ前記第１溝に重ねて形成する、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１１】
この適用例では、第２溝を、第１溝に沿って、且つ第１溝に重ねて形成するので、金属を第１溝内に収めやすくすることができる。
【００１２】
［適用例４］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記第２溝を形成する工程において、前記第２溝の内周を、前記第１溝の内周に沿って、且つ前記第１溝の内周に重ねて形成する、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１３】
この適用例では、第２溝の内周を、第１溝の内周に沿って、且つ第１溝の内周に重ねて形成するので、金属の内周と絶縁物の内周とを合わせやすくすることができる。
【００１４】
［適用例５］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記孔内に前記金属を露呈させる工程において、前記基板を前記第１溝の内周に沿ってエッチングすることによって、前記孔を形成する、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１５】
この適用例では、基板を第１溝の内周に沿ってエッチングすることによって孔を形成するので、絶縁物に沿って孔を形成しやすくすることができる。
【００１６】
［適用例６］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記第１溝内に前記絶縁物を埋める工程の後、且つ前記絶縁物を前記第２面側に露呈させる工程の前に、前記第１面側に機能素子を形成する工程を含む、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１７】
この適用例では、第１溝内に絶縁物を埋める工程の後、且つ絶縁物を第２面側に露呈させる工程の前に、第１面側に機能素子を形成するので、第２溝を形成する工程や、第２溝内に金属を埋める工程を、機能素子を形成する工程に含めやすくすることができる。これにより、電子デバイスの製造を効率化しやすくすることができる。
【００１８】
［適用例７］上記の電子デバイスの製造方法であって、前記機能素子は、電磁波を検出する素子である、ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１９】
この適用例では、電磁波を検出する素子を有する電子デバイスを製造することができる。
【００２０】
［適用例８］第１面及び前記第１面とは反対側の面である第２面を有する基板と、前記基板に設けられ、前記第１面と前記第２面との間を貫通する孔と、前記孔の内壁に設けられた絶縁膜と、前記孔の内壁の領域のうち、前記第１面から前記第２面に至る途中までの領域に設けられ、且つ前記孔内の前記絶縁膜に重ねて設けられた第１金属膜と、前記孔の内壁の領域のうち、前記第２面から前記第１面に至る途中までの領域に設けられ、且つ第１金属膜の一部に重ねて設けられた第２金属膜と、前記孔の内部において前記第１金属膜及び前記第２金属膜に重ねて設けられた配線電極と、前記第１面において前記孔に重ねて設けられ、前記配線電極に電気的に接続されたパッド電極と、を有し、前記配線電極は、前記第１金属膜及び前記第２金属膜のうち前記第１金属膜だけに重なる部位の太さが、前記第１金属膜及び前記第２金属膜に重なる部位よりも太い、ことを特徴とする電子デバイス。
【００２１】
この適用例の電子デバイスでは、配線電極において、第１金属膜及び第２金属膜のうち第１金属膜だけに重なる部位、すなわち第１面に設けられたパッド電極側の部位の太さが、第１金属膜及び第２金属膜に重なる部位よりも太い。このため、パッド電極に、第１面側から第２面側に向かって荷重が作用したときに、配線電極にかかる応力を分散させやすくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態におけるカメラの主要構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態における撮像ユニットの主要構成を示すブロック図。
【図３】本実施形態における撮像デバイスの等価回路図。
【図４】本実施形態における検出素子を示す平面図。
【図５】図４中のＡ−Ａ線における断面図。
【図６】図５中のＢ部の拡大図。
【図７】本実施形態における撮像デバイスとＩＣとの接続を説明する図。
【図８】図７中のビア配線の拡大図。
【図９】図４中のＣ−Ｃ線における断面図。
【図１０】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１１】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１２】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１３】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１４】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１５】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１６】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１７】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１８】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図１９】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図２０】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図２１】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図２２】本実施形態における撮像デバイスの製造方法を説明する図。
【図２３】本実施形態における第２溝の他の例を説明する図。
【図２４】本実施形態におけるビア配線に対する絶縁膜の位置の他の例を説明する図。
【図２５】本実施形態における運転支援装置の主要構成を示すブロック図。
【図２６】本実施形態における運転支援装置を搭載した自動車を示す斜視図。
【図２７】本実施形態におけるセキュリティー機器の主要構成を示すブロック図。
【図２８】本実施形態におけるセキュリティー機器が設置された家を示す模式図。
【図２９】本実施形態におけるゲーム機器の主要構成を示す模式図。
【図３０】本実施形態におけるゲーム機器のコントローラーの主要構成を示すブロック図。
【図３１】本実施形態における体温測定装置の主要構成を示すブロック図。
【図３２】本実施形態における特定物質探知装置の主要構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
電子機器の１つであるカメラを例に、実施形態について、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるカメラ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、撮像ユニット５と、画像処理部７と、制御部９と、記憶部１１と、操作部１３と、表示部１５と、を含む。画像処理部７と、制御部９と、記憶部１１と、操作部１３と、表示部１５とは、バス１７を介して相互に接続されている。
光学系３は、物体からの電磁波を取り込み、その物体からの電磁波を像面に集めることによって、像面に物体の像を結像させる。
【００２４】
撮像ユニット５は、電子デバイスの１つである撮像デバイス１９を有している。撮像デバイス１９は、後述する複数の検出素子を有している。検出素子は、電磁波を検出し、検出した電磁波の量に応じた信号を出力する。上述した光学系３によって取り込まれた物体からの電磁波は、撮像デバイス１９に像として結像される。結像された像における電磁波量の分布が、複数の検出素子によって検知される。結像された像における電磁波量の分布は、画像として表現され得る。
なお、撮像ユニット５は、撮像デバイス１９によって検知された像における電磁波量の分布を画像データＶＤとして画像処理部７に出力する。
【００２５】
画像処理部７は、画像データＶＤに示される画像に対して、補正処理などの各種の画像処理を行う。
制御部９は、カメラ１における各構成の動作を制御する。
記憶部１１は、各種の情報を記憶している。記憶部１１には、カメラ１における動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する領域や、各種のデータを一時的に展開する領域などが設定されている。
操作部１３は、操作者がカメラ１を操作するためのインターフェースとなるものであり、各種の入力ボタンなどを有している。
表示部１５は、画像データＶＤに示される画像を表示するものである。
【００２６】
上記の構成を有するカメラ１によれば、物体を撮像し、撮像した物体を画像として表示することができる。
なお、本実施形態では、撮像デバイス１９の検出素子として、電磁波の一種である赤外線を検出することができる検出素子が採用されている。これにより、カメラ１をサーモグラフィーや、暗視装置などとして活用することができる。
【００２７】
撮像ユニット５は、主要構成を示すブロック図である図２に示すように、撮像デバイス１９と、選択回路２１と、読み出し回路２３と、Ａ／Ｄ変換部２５と、制御回路２７と、を含む。選択回路２１と、読み出し回路２３と、Ａ／Ｄ変換部２５と、制御回路２７とは、１つのＩＣ（Integrated Circuit）２９として構成されている。
撮像デバイス１９には、複数の検出素子３１が設けられている。複数の検出素子３１は、図中のＸ方向及びＹ方向に配列している。そして、複数の検出素子３１は、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスを構成している。
本実施形態では、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の検出素子３１が、１つの素子列ＣＬを構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の検出素子３１が、１つの素子行ＬＮを構成している。
【００２８】
本実施形態では、撮像デバイス１９は、ｎ本（ｎは、１以上の整数）の素子行ＬＮと、ｍ本（ｍは、１以上の整数）の素子列ＣＬとを有している。つまり、本実施形態では、複数の検出素子３１が、ｎ行×ｍ列のマトリクスを構成している。
なお、以下において、ｎ本の素子行ＬＮが個々に識別される場合に、素子行ＬＮ（ｉ）という表記が用いられる。ｉは、１以上且つｎ以下の整数である。また、ｍ本の素子列ＣＬが個々に識別される場合に、素子列ＣＬ（ｊ）という表記が用いられる。ｊは、１以上且つｍ以下の整数である。
【００２９】
ここで、撮像デバイス１９は、等価回路図である図３に示すように、ｎ本の選択線Ｔと、ｍ本の信号線Ｓと、を有している。ｎ本の選択線Ｔは、相互に間隔をあけてＹ方向に並んでいる。ｎ本の選択線Ｔは、それぞれ、Ｘ方向に延在している。ｍ本の信号線Ｓは、相互に間隔をあけてＸ方向に並んでいる。ｍ本の信号線Ｓは、それぞれ、Ｙ方向に延在している。
選択線Ｔは、素子行ＬＮごとに設けられている。また、信号線Ｓは、素子列ＣＬごとに設けられている。つまり、１本の素子行ＬＮが１本の走査線Ｔに対応し、１本の素子列ＣＬが１本の信号線Ｓに対応している。このため、以下において、ｎ本の選択線Ｔが個々に識別される場合に、選択線Ｔ（ｉ）という表記が用いられる。また、ｍ本の信号線Ｓが個々に識別される場合に、信号線Ｓ（ｊ）という表記が用いられる。
【００３０】
本実施形態では、検出素子３１は、キャパシター３７を有している。素子行ＬＮごとに、キャパシター３７の一方の電極は、対応する選択線Ｔに電気的に接続されている。また、素子列ＣＬごとに、キャパシター３７の他方の電極は、対応する信号線Ｓに電気的に接続されている。このため、検出素子３１は、選択線Ｔと信号線Ｓとの交差に対応して設けられているともみなされ得る。
図２に示す選択回路２１は、撮像デバイス１９の各選択線Ｔに電気的に接続されている。選択回路２１は、ｎ本の選択線Ｔに対して１本ずつ順次に選択信号を出力する（選択処理）。これにより、撮像デバイス１９において、ｎ本の素子行ＬＮが１本ずつ順次に選択されることになる。
読み出し回路２３は、撮像デバイス１９の各信号線Ｓに電気的に接続されている。読み出し回路２３は、ｍ本の信号線Ｓを介して、複数の検出素子３１から選択されている素子行ＬＮ単位で検出信号を読み出す（読み出し処理）。検出信号には、検出素子３１が検知した赤外線の光量に応じた信号値が反映されている。
【００３１】
Ａ／Ｄ変換部２５は、読み出し回路２３に電気的に接続されている。Ａ／Ｄ変換部２５は、読み出し回路２３が読み出した検出信号のアナログデータをデジタルデータの画像データＶＤに変換して出力する（Ａ／Ｄ変換処理）。
制御回路２７は、選択回路２１、読み出し回路２３、及びＡ／Ｄ変換部２５のそれぞれの駆動を個別に制御する。制御回路２７によって、選択処理、読み出し処理、及びＡ／Ｄ変換処理が制御される。
【００３２】
検出素子３１は、平面図である図４に示すように、素子基板５１に設けられている。
素子基板５１は、図４中のＡ−Ａ線における断面図である図５に示すように、基板５３と、中間層５５と、保護層５７と、保護層５９と、支持層６１と、を有している。
基板５３は、例えばガラスや石英、シリコンなどで構成されており、検出素子３１側に向く面である第１面５３ａと、第１面５３ａとは反対側に向く面である第２面５３ｂとを有している。本実施形態では、基板５３の材料としてシリコンが採用されている。以下において、基板５３の第１面５３ａ側を上側と呼び、基板５３の第２面５３ｂ側を下側と呼ぶことがある。
中間層５５は、基板５３の第１面５３ａに設けられている。中間層５５には、第１面５３ａ側とは反対側（上側）に、第１面５３ａ側（下側）に向かって凹となる凹部５６が設けられている。中間層５５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、中間層５５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
【００３３】
保護層５７は、中間層５５の基板５３側とは反対側に設けられている。保護層５７は、凹部５６を含めて、中間層５５の基板５３側とは反対側を覆っている。
保護層５９は、保護層５７の中間層５５とは反対側に設けられている。凹部５６において、保護層５９は、保護層５７から離間している。凹部５６において、保護層５７と保護層５９との間に、空洞部６３が形成されている。
保護層５７及び保護層５９の材料としては、それぞれ、白金、アルミニウム、酸化アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、鉄などや、これらの少なくとも１つを組成として含む合金などが採用され得る。本実施形態では、保護層５７及び保護層５９の材料として、それぞれ、酸化アルミニウムが採用されている。
支持層６１は、保護層５９の保護層５７側とは反対側に設けられている。支持層６１の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、支持層６１として、酸化シリコンが採用されている。
【００３４】
検出素子３１は、支持層６１の保護層５９側とは反対側に設けられている。検出素子３１は、支持層６１の保護層５９側とは反対側において、平面視で空洞部６３に重なる領域に設けられている。
検出素子３１は、図５中のＢ部の拡大図である図６に示すように、キャパシター３７と、絶縁膜７３と、第１配線７５と、第２配線７７と、絶縁膜７９と、吸収層８１と、を有している。
キャパシター３７は、支持層６１の上側に設けられており、第１電極８５と、焦電体８７と、第２電極８９と、を有している。
第１電極８５は、支持層６１の上側に設けられている。焦電体８７は、第１電極８５の支持層６１側とは反対側、すなわち第１電極８５の上側に設けられている。第２電極８９は、焦電体８７の第１電極８５側とは反対側、すなわち焦電体８７の上側に設けられている。
本実施形態では、第１電極８５及び第２電極８９として、それぞれ、イリジウム、酸化イリジウム、及び白金をこの順に積層した構成が採用されている。
また、焦電体８７の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）や、ＰＺＴにニオブ（Ｎｂ）を添加したＰＺＴＮなどが採用され得る。
【００３５】
絶縁膜７３は、キャパシター３７の支持層６１側とは反対側、すなわちキャパシター３７の上側に設けられている。絶縁膜７３は、キャパシター３７を上側から覆っている。絶縁膜７３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。
絶縁膜７３には、第１電極８５に重なる部位に、コンタクトホール７４ａが設けられている。また、絶縁膜７３には、第２電極８９に重なる部位に、コンタクトホール７４ｂが設けられている。
第１配線７５及び第２配線７７は、それぞれ、絶縁膜７３のキャパシター３７側とは反対側、すなわち絶縁膜７３の上側に設けられている。第１配線７５は、コンタクトホール７４ａを介して第１電極８５に電気的に接続されている。第２配線７７は、コンタクトホール７４ｂを介して第２電極８９に電気的に接続されている。なお、第１配線７５及び第２配線７７の材料としては、それぞれ、アルミニウムなどの金属が採用され得る。
【００３６】
絶縁膜７９は、第１配線７５及び第２配線７７の上側に設けられており、第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を上側から覆っている。なお、第１配線７５と第２配線７７とは、互いに離間している。互いに離間している第１配線７５と第２配線７７との間には、絶縁膜７９が介在している。このため、第１配線７５と第２配線７７との間の絶縁性が確保されている。絶縁膜７９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどが採用され得る。
吸収層８１は、絶縁膜７９の上側において、平面視でキャパシター３７に重なる領域に設けられている。吸収層８１は、検出素子３１の上側から検出素子３１に入射する赤外線を吸収する機能を有する。吸収層８１の材料としては、酸化シリコンや窒化シリコンの他、窒化アルミニウムやチタンアルミニウムの窒化物などが採用され得る。本実施形態では、吸収層８１の材料として、酸化シリコン及び窒化シリコンが採用されている。
【００３７】
第１配線７５は、図５に示すように、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。第２配線７７も、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。
撮像デバイス１９には、複数のビア配線９１が設けられている。本実施形態では、１つの検出素子３１に対して２つのビア配線９１が設けられている。以下において、１つの検出素子３１に対応する２つのビア配線９１のそれぞれを識別する場合に、２つのビア配線９１は、それぞれ、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂと表記される。
ビア配線９１ａは、第１配線７５を介して第１電極８５に電気的に接続されている。ビア配線９１ｂは、第２配線７７を介して第２電極８９に電気的に接続されている。
ビア配線９１ａは、平面視で、凹部５６に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板５１を支持層６１から基板５３の第２面５３ｂまで貫通している。また、ビア配線９１ｂも、平面視で、凹部５６に重なる領域よりも外側に設けられており、素子基板５１を支持層６１から基板５３の第２面５３ｂまで貫通している。
【００３８】
上記の構成を有する検出素子３１は、図７に示すように、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂを介して、前述したＩＣ２９に電気的に接続されている。これにより、撮像ユニット５が構成される。
ＩＣ２９には、複数のパッド９５が設けられている。複数のパッド９５は、それぞれ、読み出し回路２３や選択回路２１（図２）などに電気的につながっている。
検出素子３１において、第１電極８５は、第１配線７５及びビア配線９１ａを介してＩＣ２９のパッド９５に電気的に接続されている。また、第２電極８９は、第２配線７７及びビア配線９１ｂを介してＩＣ２９のパッド９５に電気的に接続されている。
このため、検出素子３１の第１電極８５及び第２電極８９は、それぞれ、ＩＣ２９における読み出し回路２３や選択回路２１に電気的に接続され得る。
【００３９】
複数のパッド９５は、それぞれ、撮像デバイス１９における１つのビア配線９１に対応して設けられている。つまり、１つのビア配線９１に対して１つのパッド９５が設けられている。以下において、複数のパッド９５を、ビア配線９１ａとビア配線９１ｂとで識別する場合に、ビア配線９１ａに対応するパッド９５がパッド９５ａと表記され、ビア配線９１ｂに対応するパッド９５がパッド９５ｂと表記される。
【００４０】
ＩＣ２９は、第１面９７ａと、第１面９７ａとは反対側の面である第２面９７ｂと、を有している。パッド９５ａ及びパッド９５ｂは、第１面９７ａに設けられている。撮像デバイス１９とＩＣ２９とを互いに積層することによって、撮像デバイス１９とＩＣ２９と間の接続が達成される。撮像デバイス１９とＩＣ２９と間の接続は、撮像デバイス１９の第２面５３ｂと、ＩＣ２９の第１面９７ａとを互いに対面させた状態で、撮像デバイス１９とＩＣ２９とを積層することによって達成される。そして、ビア配線９１ａとパッド９５ａとの間、及び、ビア配線９１ｂとパッド９５ｂとの間を、それぞれ、ハンダなどを介して電気的に接続することによって、検出素子３１とＩＣ２９との間の電気的な接続が達成される。
このように、撮像デバイス１９とＩＣ２９とを積層することによって、撮像ユニット５の省スペース化が図られている。
【００４１】
ビア配線９１について、詳細を説明する。ビア配線９１ａとビア配線９１ｂとは、互いに同様の構成を有している。このため、ここでは、ビア配線９１として構成を説明し、ビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂの個別の説明を省略する。
ビア配線９１は、図７中のビア配線９１の拡大図である図８に示すように、第１金属膜１０１と、第２金属膜１０３と、配線電極１０５と、を含む。ビア配線９１は、基板５３に設けられたスルーホール１０７に設けられている。ビア配線９１と基板５３との間には、絶縁膜１０９が設けられている。この絶縁膜１０９によって、ビア配線９１と基板５３との間の絶縁性が高められている。
【００４２】
スルーホール１０７は、基板５３の第１面５３ａと第２面５３ｂとの間を貫通している。中間層５５及び支持層６１には、それぞれ、平面視でスルーホール１０７に重なる開口部１１１が設けられている。また、保護層５７及び保護層５９には、それぞれ、平面視でスルーホール１０７に重なる開口部１１３が設けられている。このため、スルーホール１０７、開口部１１１及び開口部１１３によって、素子基板５１の第１面５１ａと基板５３の第２面５３ｂとの間を貫通する孔が構成される。
第１金属膜１０１は、スルーホール１０７の内壁から開口部１１１及び開口部１１３を経て素子基板５１の第１面５１ａに達している。そして、第１金属膜１０１は、第１面５３ａ側にて、第１配線７５や第２配線７７に電気的に接続されている。
なお、開口部１１３は、開口部１１１を包含する領域にわたって設けられている。つまり、開口部１１１は、平面視で開口部１１３の領域内に設けられている。これにより、開口部１１３と開口部１１１との間には、支持層６１を構成する酸化シリコンが介在している。このため、第１金属膜１０１と保護層５７及び保護層５９との間の絶縁性が高められている。
【００４３】
第１金属膜１０１は、スルーホール１０７の内壁に沿って、基板５３の第１面５３ａから第２面５３ｂに至る途中までの領域に設けられている。第２金属膜１０３は、スルーホール１０７の内壁に沿って、第２面５３ｂから第１面５３ａに至る途中までの領域に設けられている。配線電極１０５は、第１金属膜１０１及び第２金属膜１０３の内側に設けられており、スルーホール１０７内に埋められている。配線電極１０５の材料としては、例えば、銅、アルミニウムなどの金属やこれらを含む合金などが採用され得る。本実施形態では、配線電極１０５の材料として、銅が採用されている。
第２金属膜１０３は、スルーホール１０７内において、第１金属膜１０１の一部に重なっている。第１金属膜１０１と第２金属膜１０３とでは、第２金属膜１０３が第１金属膜１０１よりもスルーホール１０７の内側に位置している。このため、配線電極１０５は、第１金属膜１０１だけに重なる部位の太さが、第１金属膜１０１及び第２金属膜１０３の双方に重なる部位よりも太い。
上記の構成により、第１配線７５や第２配線７７が、ビア配線９１に電気的に接続されている。
【００４４】
ここで、検出素子３１は、図４に示すように、梁１１７によって支持された島部１１８に設けられている。島部１１８の外側において、凹部５６（図５）に重なる領域には、開口部１１９が設けられている。開口部１１９は、空洞部６３（図５）に連通している。
第１配線７５は、図４中のＣ−Ｃ線における断面図である図９に示すように、１つの梁１１７の上側を通って、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。同様に、第２配線７７も、他の１つの梁１１７の上側を通って、凹部５６に重なる領域から、凹部５６に重なる領域よりも外側に延在している。
【００４５】
上記の構成を有する検出素子３１では、検出素子３１の上側から照射される赤外線を吸収層８１が吸収する。赤外線を吸収した吸収層８１は、吸収した赤外線の量に応じて発熱する。吸収層８１が発した熱は、キャパシター３７に伝達される。
キャパシター３７では、伝達された熱に応じて電気的な特性が変化する。この電気的な特性の変化によって、赤外線の量を検出することができる。本実施形態では、キャパシター３７の焦電体８７の分極量が変化する。つまり、本実施形態では、電気的な特性の１つである焦電体８７の分極量の変化によって、赤外線の量が検出され得る。
【００４６】
撮像デバイス１９の製造方法について説明する。
撮像デバイス１９の製造方法では、まず、図１０（ａ）に示すように、基板５３の第１面５３ａに、第１面５３ａ側から第２面５３ｃ側に向かって凹となる第１溝１２３を形成する。なお、第２面５３ｃは、第１面５３ａとは反対側、すなわち第１面５３ａの裏面側の面である。後に、基板５３の第２面５３ｃ側が研磨され、図５に示す第２面５３ｂが出現する。研磨については、詳細を後述する。
第１溝１２３は、平面図である図１０（ｂ）に示すように、環状に設けられる。この第１溝１２３は、図８に示す絶縁膜１０９に重なる領域に設けられる。つまり、第１溝１２３は、ビア配線９１の位置に対応して設けられる。本実施形態では、１つの検出素子３１に対して２つのビア配線９１ａ及びビア配線９１ｂが設けられるので、１つの検出素子３１に対して２つの第１溝１２３が設けられる。第１溝１２３は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。第１溝１２３のエッチングでは、エッチャントとして、例えば、ＳＦ6（六フッ化硫黄）などが採用され得る。
【００４７】
次いで、図１１に示すように、基板５３の第１面５３ａに中間層５５ａを形成する。中間層５５ａは、化学気相成長法の１つである熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。このとき、第１溝１２３内にも酸化シリコンが埋められる。第１溝１２３内に埋められた酸化シリコンは絶縁膜１０９を構成する。
次いで、図１２（ａ）に示すように、中間層５５ａの基板５３側とは反対側に凹部５６を形成する。これにより、中間層５５ａから中間層５５が形成され得る。凹部５６は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。
【００４８】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、中間層５５の基板５３側とは反対側、すなわち中間層５５の上側に保護層５７を形成する。保護層５７は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを活用して酸化アルミニウムの膜を形成することによって形成され得る。
次いで、図１２（ｃ）に示すように、保護層５７の中間層５５側とは反対側、すなわち保護層５７の上側に犠牲層１２７を形成する。犠牲層１２７は、ＣＶＤ法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。このとき、凹部５６は、犠牲層１２７によって埋められる。また、犠牲層１２７は、凹部５６の深さを超える厚みに形成される。
次いで、図１２（ｄ）に示すように、犠牲層１２７のうち凹部５６内の犠牲層１２７ａを残して、犠牲層１２７の他の部位１２７ｂを、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を活用して除去する。
【００４９】
次いで、図１３（ａ）に示すように、保護層５７の基板５３側とは反対側、すなわち保護層５７の上側に保護層５９を形成する。保護層５９は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを活用して酸化アルミニウムの膜を形成することによって形成され得る。
次いで、図１３（ｂ）に示すように、保護層５７及び保護層５９に開口部１１３を形成する。開口部１１３は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。このとき、開口部１１３は、図１４に示すように、第１溝１２３の外周１２５を包含する領域にわたって設けられる。これにより、第１溝１２３は、平面視で、開口部１１３内に網羅（包含）される。
次いで、図１３（ｃ）に示すように、保護層５９の基板５３側とは反対側、すなわち保護層５９の上側に支持層６１ａを形成する。支持層６１ａは、ＣＶＤ法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。このとき、開口部１１３内にも酸化シリコンが埋められる。
【００５０】
次いで、図１３（ｄ）に示すように、平面視で開口部１１３に重なる領域内に、開口部１１１を形成する。開口部１１１は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。エッチャントとしては、例えば、ＣＦ4（四フッ化炭素）などが採用され得る。
開口部１１１の形成では、図１５（ａ）に示すように、支持層６１ａ及び中間層５５ａを貫通する開口部１１１と、第２溝１３１とを形成する。第２溝１３１は、絶縁膜１０９に形成される。第２溝１３１は、基板５３の第１面５３ａから、第１面５３ａの中間層５５ａ側とは反対側（下側）に向かって凹となる向きに形成される。第２溝１３１は、平面図である図１５（ｂ）に示すように、第１溝１２３に重なる領域内に設けられる。本実施形態では、第２溝１３１の内周１３２は、第１溝１２３の内周１２４に沿っている。第２溝１３１の内周１３２は、第１溝１２３の内周１２４と外周１２５との間、すなわち第１溝１２３に重なる領域内に位置している。
【００５１】
次いで、図１６に示すように、開口部１１１内に、第１面５１ａから第２溝１３１内に及ぶ第１金属膜１０１を形成する。このとき、第２溝１３１内に金属が埋められる。第１金属膜１０１は、スパッタリング法などを活用して金属の膜を形成してから、金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。第１金属膜１０１の構成としては、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）などで構成されるバリア層と、銅などで構成されるメッキシード層とを積層した構成が採用され得る。
【００５２】
次いで、図１７（ａ）に示すように、支持層６１ａの上側に第１電極８５を形成する。第１電極８５は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、図１７（ｂ）に示すように、第１電極８５の上側に焦電体８７を形成してから、焦電体８７の上側に第２電極８９を形成する。
焦電体８７及び第２電極８９の形成では、まず、第１電極８５の上側に、焦電体８７の材料となる物質を塗布して加熱することにより、第１電極８５を覆う膜を形成する。
次いで、焦電体８７の材料で形成した膜の上側に、スパッタリング法で金属の膜を形成する。
次いで、焦電体８７の材料で形成した膜とこの膜の上側に形成した金属の膜とを、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングする。これにより、焦電体８７及び第２電極８９が形成され、キャパシター３７が形成され得る。
【００５３】
次いで、図１７（ｃ）に示すように、キャパシター３７の上側に絶縁膜７３を形成する。絶縁膜７３は、ＣＶＤ法でキャパシター３７を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。このパターニングのときに、コンタクトホール７４ａ及びコンタクトホール７４ｂも形成する。
次いで、図１８（ａ）に示すように、第１配線７５及び第２配線７７を形成する。第１配線７５及び第２配線７７は、スパッタリング法で金属の膜を形成してから、この金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
このとき、第１配線７５及び第２配線７７は、それぞれ、図１９に示すように、第１金属膜１０１に重ねて設けられる。これにより、第１配線７５及び第２配線７７は、それぞれ、第１金属膜１０１に電気的に接続される。
次いで、図１８（ｂ）に示すように、支持層６１ａに開口部１１９を形成する。なお、図１８（ｂ）は、図４中のＣ−Ｃ線における断面に相当する。これにより、開口部１１９と梁１１７とが形成され、支持層６１ａから支持層６１が形成される。開口部１１９は、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって形成され得る。
【００５４】
次いで、図１８（ｃ）に示すように、第１配線７５及び第２配線７７の上側に、第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を覆う絶縁膜７９を形成する。絶縁膜７９は、ＣＶＤ法で第１配線７５、第２配線７７及びキャパシター３７を覆う膜を形成してから、この膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、絶縁膜７９の上側において、平面視でキャパシター３７に重なる領域に吸収層８１を形成する。吸収層８１は、ＣＶＤ法で酸化シリコン及び窒化シリコンの積層膜を形成してから、この積層膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。
次いで、吸収層８１を保護した上で凹部５６内の犠牲層１２７ａを除去することによって、図５及び図７に示す空洞部６３が形成される。犠牲層１２７ａは、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用することによって除去され得る。
【００５５】
次いで、図２０に示すように、基板５３を第２面５３ｃ側から薄くすることによって、第２面５３ｂを出現させる。このとき、基板５３は、第２面５３ｂから絶縁膜１０９が露呈するまで薄くされる。基板５３は、グラインダーや研削盤などによる研削や、ＣＭＰ法を活用することによって、薄くされ得る。なお、基板５３を薄くする際に、第１面５１ａにサポート基板を施すことによって、基板５３や第１面５１ａ側の検出素子３１などが保護される。
次いで、図２１（ａ）に示すように、基板５３の第２面５３ｂに絶縁膜１３５を形成する。絶縁膜１３５は、ＣＶＤ法を活用して酸化シリコンの膜を形成することによって形成され得る。
【００５６】
次いで、図２１（ｂ）に示すように、絶縁膜１３５に開口部１３６を形成する。開口部１３６は、第１溝１２３の内周１２４に囲まれた領域内に設けられる。本実施形態では、開口部１３６は、第１溝１２３の内周１２４に沿って設けられる。
次いで、絶縁膜１３５をマスクとして、すなわち第１溝１２３の内周１２４に沿ってエッチングを施す。これにより、図２２（ａ）に示すように、基板５３における開口部１３６内の部位が除去され、スルーホール１０７が形成される。このとき、スルーホール１０７内に第１金属膜１０１を露呈させることができる。
【００５７】
次いで、図２２（ｂ）に示すように、スルーホール１０７の内壁１０７ａに沿って、第２面５３ｂから第１面５３ａに至る途中までの領域に及ぶ第２金属膜１０３を形成する。第２金属膜１０３は、スパッタリング法などを活用して金属の膜を形成してから、金属の膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を活用してパターニングすることによって形成され得る。第２金属膜１０３の構成としては、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）などで構成されるバリア層と、銅などで構成されるメッキシード層とを積層した構成が採用され得る。
次いで、第１金属膜１０１及び第２金属膜１０３を下地として電解メッキを施すことによって、図８に示す配線電極１０５を形成する。これにより、図５に示す撮像デバイス１９が製造され得る。
【００５８】
本実施形態において、スルーホール１０７が孔に対応し、絶縁膜１０９が絶縁物に対応し、第１金属膜１０１が金属に対応している。
本実施形態では、スルーホール１０７を形成すると、第１面５３ａ側から第２溝１３１内に埋めた金属によって、スルーホール１０７の内壁に第１金属膜１０１が設けられる。そして、スルーホール１０７の内壁に、第２面５３ｂから第２金属膜１０３を形成することによって、スルーホール１０７内に、第１面５３ａから第２面５３ｂに至るメッキの下地が形成され得る。つまり、本実施形態では、第１面５３ａ側及び第２面５３ｂ側のそれぞれから金属の膜を形成するので、スルーホール１０７の第１面５３ａ側及び第２面５３ｂ側の双方において、メッキの下地となる金属の膜厚を確保しやすい。これにより、スルーホール１０７のテーパーを軽減することができるので、撮像デバイス１９の小型化を図りやすくすることができる。また、スルーホール１０７内の第１金属膜１０１や第２金属膜１０３と基板５３との間に絶縁膜１０９が介在するので、第１金属膜１０１や第２金属膜１０３と基板５３との間の絶縁性が高められる。
【００５９】
なお、本実施形態では、図１５（ａ）に示すように、第２溝１３１の内周１３２を第１溝１２３の内周１２４にそろえたが、第２溝１３１の内周１３２の位置は、これに限定されない。第２溝１３１の内周１３２の位置としては、図２３に示すように、内周１２４と外周１２５との間でもよい。
また、本実施形態では、第２溝１３１を、第１溝１２３に沿って、且つ平面視で第１溝１２３に重なる領域内に設ける方法が採用されている。第２溝１３１を設ける方法は、これに限定されない。第２溝１３１は、第１溝１２３の外周１２５に囲まれる領域内に収められればよい。つまり、第２溝１３１を設ける方法としては、第２溝１３１を、第１溝１２３の外周１２５に囲まれる領域内に設ける方法も採用され得る。この場合、例えば、第２溝１３１の外周１３３を、第１溝１２３の内周１２４に囲まれる領域内に配置する方法が考えられる。この場合、図２４に示すように、ビア配線９１と絶縁膜１０９との間に、基板５３のシリコンの部位が介在する。この構成においても、ビア配線９１と基板５３との間の絶縁性が確保され得る。
【００６０】
また、本実施形態では、電子デバイスの機能素子として、検出素子３１が例示されている。しかしながら、機能素子は、これに限定されず、種々の機能素子が採用され得る。
また、本実施形態では、第１面５３ａ側に設けられた検出素子３１からの第１配線７５や第２配線７７をビア配線９１に電気的に接続する例が示されている。しかしながら、ビア配線９１の接続対象は、これらに限定されない。ビア配線９１の接続対象としては、第１配線７５や第２配線７７の他に、例えば、撮像デバイス１９を含む電子デバイスにおける入出力端子も対象となり得る。この場合、第１配線７５や第２配線７７を入出力端子としてのパッド電極に置換することができる。入出力先との電気的な接続として、パッド電極には、例えば、ハンダやワイヤーボンディングなどが施される。このとき、パッド電極には、第１面５３ａ側から第２面５３ｂ側に向かって荷重が作用する。ここで、前述したように、ビア配線９１（図８）では、配線電極１０５の太さが、第２面５３ｂ側よりも第１面５３ａ側の方が太い。このため、パッド電極に、第１面５３ａ側から第２面５３ｂ側に向かって荷重が作用したときに、配線電極１０５にかかる応力を分散させやすくすることができる。
【００６１】
（運転支援装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである運転支援装置について説明する。
本実施形態における運転支援装置４００は、主要構成を示すブロック図である図２５に示すように、処理ユニット２１１と、カメラ１と、ヨーレートセンサー２１３と、車速センサー２１５と、ブレーキセンサー２１７と、スピーカー２１９と、表示装置２２１と、を有している。
処理ユニット２１１は、運転支援装置４００を制御するＣＰＵ（Central Processing Unit）を有している。
カメラ１は、車両外部の所定の撮像領域における赤外線を検出する。
ヨーレートセンサー２１３は、車両のヨーレートを検出する。
車速センサー２１５は、車両の走行速度を検出する。
ブレーキセンサー２１７は、運転者のブレーキ操作の有無を検出する。
【００６２】
処理ユニット２１１は、例えば、カメラ１の撮像により得られる自車両周辺の赤外線画像に基づいて、自車両の周囲に存在する物体及び歩行者等の対象物を検出する。そして、処理ユニット２１１は、対象物の検出結果と、ヨーレートセンサー２１３、車速センサー２１５、及びブレーキセンサー２１７により検出される自車両の走行状態にかかる検出信号とに基づいて、自車両が対象物に接触する可能性があると判断したときに、スピーカー２１９や表示装置２２１を介して警報を出力する。
なお、カメラ１は、図２６に示すように、自動車２２３の前部において車幅方向の中心付近に配置されている。表示装置２２１は、フロントウィンドーにおいて運転者の前方視界を妨げない位置に各種情報を表示するＨＵＤ（Head Up Display）２２５等を有する構成が採用され得る。
【００６３】
（セキュリティー機器）
カメラ１を用いた電子機器の１つであるセキュリティー機器について説明する。
本実施形態におけるセキュリティー機器４１０は、主要構成を示すブロック図である図２７に示すように、カメラ１と、人感センサー２３１と、動き検知処理部２３３と、人感センサー検知処理部２３５と、画像圧縮部２３７と、通信処理部２３９と、制御部２４１と、を有する。
カメラ１は、監視エリアを撮像する。
人感センサー２３１は、監視エリアへの侵入者を検知する。
動き検知処理部２３３は、カメラ１から出力された画像データを処理して監視エリアに侵入した移動体を検知する。
人感センサー検知処理部２３５は、人感センサー２３１の検知処理を行う。
画像圧縮部２３７は、カメラ１から出力された画像データを所定の方式で圧縮する。
通信処理部２３９は、圧縮された画像データや侵入者検知情報などの送信、及び、外部装置からセキュリティー機器４１０への各種設定情報等の受信を行う。
制御部２４１は、セキュリティー機器４１０の各処理部に対して条件設定、処理コマンド送信、レスポンス処理を行うＣＰＵを有している。
【００６４】
動き検知処理部２３３は、図示しないバッファメモリーと、バッファメモリーの出力が入力されるブロックデータ平滑部と、ブロックデータ平滑部の出力が入力される状態変化検出部とを備える。そして、動き検知処理部２３３の状態変化検出部は、監視エリアが静止状態であれば動画で撮影した異なるフレームでも同一画像データとなるが、状態変化（移動体の侵入）があるとフレーム間の画像データで差が生じることを利用して状態変化を検知している。
セキュリティー機器４１０は、図２８に示すように、軒下にカメラ１及び人感センサー２３１が設置されている。そして、カメラ１は、監視エリア２４３を撮像し、人感センサー２３１は検知エリア２４５を検出する。
【００６５】
（ゲーム機器）
カメラ１を用いた電子機器の１つであるゲーム機器について説明する。
本実施形態におけるゲーム機器４２０は、図２９に示すように、コントローラー２５１と、本体２５３と、ディスプレイ２５５と、ＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８と、を有している。ゲーム機器４２０では、プレイヤー２５９が一方の手でコントローラー２５１を把持してゲームをプレイすることができる。
コントローラー２５１は、図３０に示すように、撮像情報演算ユニット２６１と、操作スイッチ２６３と、加速度センサー２６５と、コネクター２６７と、プロセッサー２６９と、無線モジュール２７１と、を有している。
【００６６】
撮像情報演算ユニット２６１は、カメラ１と、カメラ１で撮像した画像データを処理するための画像処理回路２７３を有する。
画像処理回路２７３は、カメラ１から得られた赤外線画像データを処理して、高輝度部分を検知し、それの重心位置や面積を検出してこれらのデータを出力する。
プロセッサー２６９は、操作スイッチ２６３からの操作データと、加速度センサー２６５からの加速度データ及び高輝度部分データを一連のコントロールデータとして出力する。無線モジュール２７１は、所定周波数の搬送波をこのコントロールデータで変調し、アンテナ２７５から電波信号として出力する。
なお、コントローラー２５１に設けられているコネクター２６７を通して入力されたデータもプロセッサー２６９によって上述のデータと同様に処理されてコントロールデータとして無線モジュール２７１とアンテナ２７５を介して出力される。
【００６７】
ゲーム機器４２０では、コントローラー２５１のカメラ１をディスプレイ２５５の画面２７７に向けると、ディスプレイ２５５の近傍に設置された二つのＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８から出力される赤外線をカメラ１が検知する。そして、コントローラー２５１は、二つのＬＥＤモジュール２５７及びＬＥＤモジュール２５８の位置や面積情報を高輝度点の情報として取得する。輝点の位置や大きさのデータがコントローラー２５１から無線で本体２５３に送信され、本体２５３で受信される。プレイヤー２５９がコントローラー２５１を動かすと、輝点の位置や大きさのデータが変化する。それを利用して、本体２５３はコントローラー２５１の動きに対応した操作信号を取得できる。そして、操作信号にしたがってゲーム機器４２０はゲームを進行させることができる。
【００６８】
（体温測定装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである体温測定装置について説明する。
本実施形態における体温測定装置４３０は、図３１に示すように、カメラ１と、体温分析装置２８１と、情報通信装置２８３と、ケーブル２８５と、を有している。
カメラ１は、所定の対象領域を撮像し、撮像された対象者２８７の画像情報を、ケーブル２８５を介して体温分析装置２８１に送信する。
体温分析装置２８１は、画像読取処理ユニット２８８と、体温分析処理ユニット２８９と、を含む。画像読取処理ユニット２８８は、カメラ１からの熱分布画像を読み取る。体温分析処理ユニット２８９は、画像読取処理ユニット２８８からのデータと、画像分析設定テーブルとに基づいて体温分析テーブルを作成する。
体温分析処理ユニット２８９は、体温分析テーブルに基づいて体温情報送信用データを情報通信装置２８３へ送信する。この体温情報送信用データは体温異常であることに対応する所定のデータを含んでもよい。また、対象領域内に複数の対象者２８７を含んでいると判断した場合には、対象者２８７の人数と体温異常者の人数の情報を体温情報送信用データに含んでもよい。
【００６９】
（特定物質探知装置）
カメラ１を用いた電子機器の１つである特定物質探知装置について説明する。
本実施形態における特定物質探知装置４４０は、図３２に示すように、カメラ１と、制御ユニット２９１と、照射光ユニット２９３と、光学フィルター２９５と、表示部２９７と、を有している。特定物質探知装置４４０では、カメラ１の撮像デバイス１９において、検出素子３１の吸収層８１によって吸収される赤外線の波長域がテラヘルツ域に設定されている。
【００７０】
制御ユニット２９１は、特定物質探知装置４４０の全体を制御するシステムコントローラーを含んでいる。このシステムコントローラーは、制御ユニット２９１に含まれる光源駆動部及び画像処理ユニットを制御する。
照射光ユニット２９３は、波長が１００μｍ〜１０００μｍの範囲にある電磁波であるテラヘルツ光を射出するレーザー装置と光学系を含み、テラヘルツ光を検査対象の人物２９８に照射する。人物２９８からの反射テラヘルツ光は、探知対象である特定物質２９９の分光スペクトルのみを通過させる光学フィルター２９５を介してカメラ１に受光される。
カメラ１で生成された画像信号は、制御ユニット２９１の画像処理ユニットで所定の画像処理が施され、その画像信号が表示部２９７へ出力される。そして人物２９８の衣服内等に特定物質２９９が存在するか否かにより受光信号の強度が異なるので特定物質２９９の存在が判別できる。
【符号の説明】
【００７１】
１…カメラ、３…光学系、５…撮像ユニット、７…画像処理部、９…制御部、１９…撮像デバイス、２１…選択回路、２３…読み出し回路、２５…Ａ／Ｄ変換部、２７…制御回路、２９…ＩＣ、３１…検出素子、３７…キャパシター、５１…素子基板、５１ａ…第１面、５３…基板、５３ａ…第１面、５３ｂ…第２面、５３ｃ…第２面、６３…空洞部、７５…第１配線、７７…第２配線、８１…吸収層、８５…第１電極、８７…焦電体、８９…第２電極、９１，９１ａ，９１ｂ…ビア配線、１０１…第１金属膜、１０３…第２金属膜、１０５…配線電極、１０７…スルーホール、１０７ａ…内壁、１０９…絶縁膜、１２３…第１溝、１２４…内周、１２５…外周、１３１…第２溝、１３２…内周、１３３…外周、１３５…絶縁膜、１３６…開口部、４００…運転支援装置、４１０…セキュリティー機器、４２０…ゲーム機器、４３０…体温測定装置、４４０…特定物質探知装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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