(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子（６１，６２）と、前記スイッチング素子のスイッチング時に前記スイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、少なくとも一部が前記配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備える回路基板の製造方法であって、
前記スイッチング素子の寄生容量と、前記配線の寄生インダクタンスとを算出する第１算出工程（Ｓ１０）と、
算出した前記寄生容量と前記寄生インダクタンスとから、前記寄生容量と前記寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングの周波数であるリンギング周波数を算出する第２算出工程（Ｓ１１）と、
前記回路基板において、リンギング起因のノイズが所定値に達するか否かを判定する判定工程と（Ｓ１２）と、
前記判定工程において、所定値に達すると判定された場合、前記ノイズが所定値に達しない周波数を決定する決定工程（Ｓ１３）と、
前記回路基板のリンギング周波数が前記決定工程にて決定した周波数となるように、前記金属部材に開口部（５１、５１ａ〜５１ｄ、５１ｆ、５１ｇ）を設けて前記配線と前記金属部材との間隔及び前記金属部材における前記配線と対向する面側の面積の少なくとも一方を変化させて、前記寄生インダクタンスを調整する調整工程（Ｓ１４）と、を備え、
前記調整工程においては、
前記寄生インダクタンスを大きくする場合は、前記配線と前記金属部材との間隔を広くするか、前記金属部材における前記配線と対向する面側の面積を小さくするかの少なくとも一つによって行うことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記回路基板は、べた状配線である前記金属部材（５０）を備えており、
前記調整工程では、前記金属部材における前記配線と対向する面側の面積を小さくして、寄生インダクタンスを大きくする場合、前記金属部材をパターニングによって除去して金属部材が貫通した前記開口部（５１、５１ａ〜５１ｄ）を設けることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記調整工程では、前記金属部材における前記配線と対向する面側の面積を小さくして、前記寄生インダクタンスを大きくする場合、前記金属部材における配線に対向する部位の周辺のみを除去して前記金属部材が貫通した前記開口部（５１ｄ）を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記調整工程では、前記金属部材における前記配線と対向する面側の面積を小さくして、前記寄生インダクタンスを大きくする場合、前記金属部材における配線に対向する部位に隣接する部位を除去することを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記調整工程では、前記配線と前記金属部材との間隔を広くして、前記寄生インダクタンスを大きくする場合、前記金属部材における配線に対向する部位に周辺よりも窪んだ凹部形状の開口部（５１ｆ）を設け、前記開口部の深さによって前記配線と前記金属部材との間隔を変化させることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記回路基板は、絶縁基板（１０）を介して前記配線と、ヒートシンクとしての前記金属部材とが設けられているものであり、
前記調整工程では、前記絶縁基板と対向し、周辺よりも窪んだ凹部形状の前記開口部を設け、前記開口部の深さによって前記配線と前記金属部材との間隔を変化させることを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
スイッチング素子（６１，６２）と、
前記スイッチング素子のスイッチング時に前記スイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、
少なくとも一部が前記配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備える回路基板であって、
前記金属部材は、開口部（５１、５１ａ〜５１ｄ）が設けられており、前記開口部によって、前記配線と対向する面側の面積が、前記スイッチング素子の寄生容量と、前記配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていることを特徴とする回路基板。
【請求項８】
スイッチング素子（６１，６２）と、
前記スイッチング素子のスイッチング時に前記スイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、
少なくとも一部が前記配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備える回路基板であって、
前記金属部材は、開口部（５１ｆ）が設けられており、前記開口部によって、前記配線との間隔が、前記スイッチング素子の寄生容量と、前記配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていることを特徴とする回路基板。
【請求項９】
絶縁基板（１０）を介して前記配線と、ヒートシンクである前記金属部材とが設けられているものであり、
前記金属部材は、前記絶縁基板と対向し、周辺よりも窪んだ凹部形状の開口部（５１ｆ）によって前記配線との間隔が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に開示された電力変換装置のように、スイッチング素子のスイッチング時に発生するリンギングを抑えるための技術がある。この電力変換装置は、二つのスイッチング素子と、各スイッチング素子に対し、コンデンサとサイリスタの直列体を並列に接続し、さらにサイリスタに並列に抵抗を接続した第１のスナバ回路と、コンデンサとダイオードの直列体を並列に接続し、このコンデンサとダイオードの接続点と対をなす主回路電源端との間に抵抗を接続した第２のスナバ回路とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１３４９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、電力変換装置は、各スイッチング素子、第１のスナバ回路、第２のスナバ回路などが一つの回路基板として構成されたものが考えられる。また、近年、回路基板は、小型化がすすんでいる。
【０００５】
しかしながら、上述のように、電力変換装置は、リンギングを抑えるために第１のスナバ回路と第２のスナバ回路が設けられている。よって、電力変換装置は、第１のスナバ回路と第２のスナバ回路の分だけ、回路基板が大型化するという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、回路基板の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる回路基板及び回路基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために請求項１に記載の回路基板の製造方法は、
スイッチング素子（６１，６２）と、スイッチング素子のスイッチング時にスイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、少なくとも一部が配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備えるものであって、
スイッチング素子の寄生容量と、配線の寄生インダクタンスとを算出する第１算出工程（Ｓ１０）と、
算出した寄生容量と寄生インダクタンスとから、寄生容量と寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングの周波数であるリンギング周波数を算出する第２算出工程（Ｓ１１）と、
回路基板において、リンギング起因のノイズが所定値に達するか否かを判定する判定工程と（Ｓ１２）と、
判定工程において、所定値に達すると判定された場合、ノイズが所定値に達しない周波数を決定する決定工程（Ｓ１３）と、
回路基板のリンギング周波数が決定工程にて決定した周波数となるように、金属部材に開口部（５１、５１ａ〜５１ｄ、５１ｆ、５１ｇ）を設けて配線と金属部材との間隔及び金属部材における配線と対向する面側の面積の少なくとも一方を変化させて、寄生インダクタンスを調整する調整工程（Ｓ１４）と、を備え、
調整工程においては、
寄生インダクタンスを大きくする場合は、配線と金属部材との間隔を広くするか、金属部材における配線と対向する面側の面積を小さくするかの少なくとも一つによって行うことを特徴とする。
【０００８】
このように、第２算出工程で算出されたリンギング周波数が決定工程にて決定した周波数となるように寄生インダクタンスを調整することによって、リンギング起因のノイズが所定値に達しないようにすることができる。なお、配線と金属部材との間隔を広くするか、金属部材における配線と対向する面側の面積を小さくするかの少なくとも一方を行うことによって、寄生インダクタンスを大きくすることができる。逆に、配線と金属部材との間隔を狭くするか、金属部材における配線と対向する面側の面積を大きくするかの少なくとも一方を行うことによって、寄生インダクタンスを小さくすることができる。
【０００９】
よって、請求項１に記載の製造方法で製造した回路基板は、リンギング起因のノイズが所定値に達しない。また、この製造方法では、リンギングを抑えるための回路（スナバ回路など）を回路基板に設ける必要がない。よって、回路基板の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる。つまり、請求項１に記載の製造方法は、スナバ回路などを設けてリンギングを抑える回路基板を製造するのではなく、リンギング起因のノイズが所定値に達しないように、リンギング周波数をシフトさせた回路基板を製造するものである。
【００１０】
また、請求項４に示すように、調整工程では、配線と金属部材との間隔を大きくして、寄生インダクタンスを大きくする場合、金属部材における配線に対向する部位に開口部（５１ｆ）を設けるようにしてもよい。
【００１１】
このように、金属部材における閉回路に対向する部位に開口部を設けることによって、配線と金属部材との間隔を大きくすることができる。よって、寄生インダクタンスを大きくすることができる。
【００１２】
また、請求項５に示すように、回路基板は、絶縁基板（１０）を介して配線と金属部材とが設けられているものであり、調整工程では、配線と金属部材との間隔によって、寄生インダクタンスを調整する場合、絶縁基板の厚みによって配線と金属部材との間隔を調整するようにしてもよい。
【００１３】
このように、絶縁基板の厚みによって配線と金属部材との間隔を調整することによっても、寄生インダクタンスを調整することができる。
【００１４】
また、上記目的を達成するために請求項７に記載の回路基板は、
スイッチング素子（６１，６２）と、
スイッチング素子のスイッチング時にスイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、
少なくとも一部が配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備えるものであって、
金属部材は、開口部（５１、５１ａ〜５１ｄ）が設けられており、開口部によって、配線と対向する面側の面積が、スイッチング素子の寄生容量と、配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていることを特徴とする。
【００１５】
このように、この回路基板は、リンギングを抑えるための回路（スナバ回路など）が必要なく、且つリンギングに起因のノイズが所定値に達しない。よって、回路基板の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる。
【００１６】
また、上記目的を達成するために請求項８に記載の回路基板は、
スイッチング素子（６１，６２）と、
スイッチング素子のスイッチング時にスイッチング素子とともに閉回路（８０）を構成する配線（２０，３０，４０）と、
少なくとも一部が配線と対向して設けられたベタ状の金属部材（５０，５０ａ）とを備える回路基板であって、
金属部材は、開口部（５１ｆ）が設けられており、開口部によって、配線との間隔が、スイッチング素子の寄生容量と、配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていることを特徴とする。
【００１７】
このように、この回路基板は、リンギングを抑えるための回路（スナバ回路など）が必要なく、且つリンギングに起因のノイズが所定値に達しない。よって、回路基板の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１における回路基板の概略構成を示す平面図である。
【図２】II−II線断面図である。
【図３】実施形態１における回路基板の回路構成を示す回路図である。
【図４】リンギング発生時の波形図である。
【図５】回路基板の製造方法を示す工程図である。
【図６】寄生インダクタンスとスリット幅（開口部の幅）との対応関係を示すグラフである。
【図７】実施形態１における開口部の周辺を示す拡大平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１における変形例を示す拡大平面図である。
【図９】（ａ）は実施形態１における開口部の幅を大きくした場合の回路基板の平面図であり、（ｂ）は実施形態１におけるＧＮＤ配線を小さくした場合の回路基板の平面図である。
【図１０】実施形態２における回路基板の概略構成を示す平面図である。
【図１１】XI−XI線断面図である。
【図１２】実施形態２における変形例を示す断面図である。
【図１３】実施形態３における回路基板の概略構成を示す平面図である。
【図１４】XIV−XIV線断面図であり、（ａ），（ｂ）は絶縁基板の厚みを変更した場合の図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
【００２０】
（実施形態１）
本実施形態においては、本願発明を図１に示す回路基板１００の製造方法に適用した例を採用する。まず、回路基板１００の構成に関して説明する。なお、本実施形態においては、一例として、回路基板１００を負荷駆動回路（例えば、高圧型のコンバータ）に適用した例を採用する。
【００２１】
この回路基板１００（負荷駆動回路）は、図３に示すような回路構成をなすものである。負荷駆動回路は、発振器４００が接続されたＩＣなどを含む駆動回路９０などを有し、電源２００の電圧を任意の電圧に変換（例えば、１２Ｖを５Ｖに変換）して、負荷（例えばモータなど）３００を駆動するものである。つまり、回路基板１００は、後ほど説明する第１スイッチング素子６１及び第２スイッチング素子６２のスイッチングにより、負荷３００を駆動させる回路が形成されたものである。なお、回路基板１００の動作に関しては、周知技術であるため詳細な説明を省略する。
【００２２】
図１，図３に示すように、回路基板１００は、主に、第１スイッチング素子６１と、第２スイッチング素子６２と、このスイッチング素子６１，６２のスイッチング時にスイッチング素子とともに閉回路８０を構成する配線２０，３０，４０と、少なくとも一部が配線と対向して設けられたベタ状の金属部材５０とを備えて構成されている。より詳細には、回路基板１００は、絶縁基板１０を基材として構成されたものであり、絶縁基板１０に第１スイッチング素子６１及び第２スイッチング素子６２、配線２０，３０，４０などが形成されている。なお、以下の説明においては、閉回路８０を構成する配線２０，３０，４０を単に配線とも称する。
【００２３】
第１スイッチング素子６１及び第２スイッチング素子６２は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴなどからなるパワーデバイスである。また、図１，図２に示すように、絶縁基板１０の一面（表面）には、パターニングされて設けられた電源配線２０、ＧＮＤ配線３０、負荷配線４０が設けられている。一方、図１，図２に示すように、絶縁基板１０の他面（裏面）には、パターニングされて設けられたＧＮＤ配線（ベタ状の金属部材）５０が設けられている。絶縁基板１０の他面に形成されたＧＮＤ配線５０と、絶縁基板１０の一面に形成されたＧＮＤ配線３０とは、絶縁基板１０に形成されたビア（図示省略）を介して電気的に接続されている。なお、図１においては、回路基板１００の構成を分かりやすくするために、ＧＮＤ配線５０を破線で図示している。
【００２４】
そして、第１スイッチング素子６１は、電源配線２０の一部に実装されて電源配線２０に電気的に接続されており、且つ、ボンディングワイヤなどを介して負荷配線４０に電気的に接続されている。一方、第２スイッチング素子６２は、負荷配線４０の一部に実装されて負荷配線４０に電気的に接続されており、且つ、ボンディングワイヤなどを介してＧＮＤ配線３０に電気的に接続されている。なお、電源配線２０における第１スイッチング素子６１が実装されている領域を実装部２０ａとしている。
【００２５】
また、電源配線２０に設けられたパッド２１と、ＧＮＤ配線３０に設けられたパッド３１とに、電源２００が電気的に接続されている。また、ＧＮＤ配線３０に設けられたパッド３２と、負荷配線４０に設けられたパッド４１とに、負荷３００が電気的に接続されている。さらに、電源配線２０に設けられたパッド２２，２３には、上述の発振器４００が電気的に接続されている。なお、図１においては、駆動回路９０は省略している。
【００２６】
なお、電源配線２０とＧＮＤ配線３０とに跨って、第１コンデンサ７１、第２コンデンサ７２、第３コンデンサ７３が設けられている。この第１コンデンサ７１〜第３コンデンサ７３は、フィルタとして機能するものである。しかしながら、この第１コンデンサ７１〜第３コンデンサ７３がなくても本願発明の目的は達成できる。
【００２７】
また、図１，図２に示すように、絶縁基板１０の他面（裏面）に設けられたＧＮＤ配線５０には、パターニングによって開口部５１が形成されている。つまり、開口部５１は、ＧＮＤ配線５０が部分的に除去された部位である。なお、この開口部５１は、スリットとも言い換えることができる。また、本実施形態における開口部５１は、実装部２０ａに対向する部位の一部、及びそこに隣接する周辺に設けられている。この開口部５１は、リンギング周波数をシフトさせるために設けられたものである。
【００２８】
このように構成された回路基板１００においては、スイッチング素子６１，６２のスイッチング時に、図４に示すようなリンギングが発生する。言い換えると、図１，図３に示すように、点線矢印で示すリンギングループが形成される。リンギングループは、二つのスイッチング素子６１，６２とコンデンサから成るループのうち，最短のものと言い換えることもできる。
【００２９】
リンギングは、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、スイッチング素子６１，６２のスイッチング時にスイッチング素子６１，６２とともに閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生する。
【００３０】
例えば、第１スイッチング素子６１がオフ、第２スイッチング素子６２がオンの状態のとき、一点鎖線矢印Ａで示す経路に電流（回生電流）が流れる。このとき、第２スイッチング素子６２のボディーダイオードには順方向電流が流れる。この状態から、第１スイッチング素子６１がオン、第２スイッチング素子６２がオフに切り替えると、点線矢印Ｂで示す経路（閉回路８０）に電流（リンギング電流とも称する）が流れる。つまり、リンギングループが形成される。このとき、第２スイッチング素子６２のボディーダイオードには逆方向電流が流れる。このとき、上述のように、直列共振によってリンギングが発生する。
【００３１】
なお、図３に示すように、閉回路８０は、二つのスイッチング素子６１，６２と、第１コンデンサ７１と、これらを繋ぐ配線によって形成されている。また、閉回路８０を構成する配線２０，３０，４０とは、電源配線２０の一部（リンギング電流が流れる部位）、及びＧＮＤ配線３０の一部（リンギング電流が流れる部位）、及び負荷配線４０の一部（リンギング電流が流れる部位）を示すものである。例えば、電源配線２０では、第１スイッチング素子６１が実装される実装部２０ａなどである。また、発振器４００が電気的に接続された矩形形状の領域、及び、この領域と実装部２０ａとの間の領域などには、リンギング電流は流れない。言い換えると、これらの領域には、リンギングループは形成されない。
【００３２】
また、リンギングの周波数（リンギング周波数）は、数式１で表される。
【数１】
0005870827.tif 000002
【００３３】
リンギングは、リンギング周波数の値によっては伝導又は放射ノイズとなり悪影響を及ぼす可能性がある。例えば、リンギング周波数がラジオの周波数帯内であった場合、リンギングに起因するノイズが所定値に達すると（例えば、回路基板１００のノイズ規格から外れると）、ラジオ電波に重畳することになる。
【００３４】
ここで、図５などを参照しつつ、この回路基板１００の製造方法に関して説明する。
【００３５】
まず、ステップＳ１０では、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとを算出する（第１算出工程）。ここでは、回路基板１００のパターンが決まったら、シミュレーションにて、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスを算出する。また、スイッチング素子６１，６２の寄生容量は、回路基板１００に搭載するスイッチング素子から算出することができる。
【００３６】
なお、スイッチング素子６１，６２の寄生容量が既知の場合は、算出することなく、この既知の寄生容量を採用してもよい。よって、特許請求の範囲における第１算出手段は、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスを算出するものであってもよい。
【００３７】
次に、ステップＳ１１では、算出した寄生容量と寄生インダクタンスとから、寄生容量と寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングの周波数であるリンギング周波数を算出する（第２算出工程）。このリンギング周波数は、上述の数１から算出することができる。
【００３８】
次に、回路基板１００において、リンギング起因のノイズが所定値に達するか否かを判定する（判定工程）。言い換えると、リンギング起因のノイズが、ノイズ規格を超えるか否かを判定する。ここでは、実測にて、リンギング起因のノイズが所定値に達するか否かを判定する。つまり、サンプルとして作成した回路基板を用いて、実際に計測して、リンギング起因のノイズが所定値に達するか否かを判定する。
【００３９】
次に、ステップＳ１３では、判定工程において、所定値に達すると判定された場合、ノイズが所定値に達しない周波数を決定する（決定工程）。つまり、シフトさせるリンギング周波数を決定する。なお、周波数が決まると、数１から寄生インダクタンスの値も決まる。寄生容量の値は一定である。
【００４０】
そして、ステップＳ１４では、第２算出工程で算出されたリンギング周波数が決定工程にて決定した周波数となるように、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積によって、寄生インダクタンスを調整する（調整工程）。
【００４１】
ところで、リンギングループが形成されると、図６に示すように、このリンギングループに流れる電流によって磁束が発生する。このとき、ＧＮＤ配線５０には、発生した磁束を妨げるように電流（渦電流）が流れる。Φ（磁束）＝Ｌ（インダクタンス）×Ｉ（電流）の関係から、磁束が減少すると、インダクタンスが減少する。つまり、渦電流により，リンギングループで発生した磁束が減少し、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンス（以下、単に寄生インダクタンスとも称する）が減少する。つまり、渦電流を制御することによって、寄生インダクタンスを調整することができる。
【００４２】
具体的には、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積を小さくすると、渦電流が発生する領域が小さくなる。よって、寄生インダクタンスを大きくすることができる。逆に、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積を大きくすると、渦電流が発生する領域が大きくなる。よって、寄生インダクタンスを小さくすることができる。
【００４３】
そこで、本実施形態の調整工程においては、ＧＮＤ配線５０を部分的に除去する開口部５１の間隔（面積、幅）によって、寄生インダクタンスを調整する。言い換えると、ＧＮＤ配線５０を部分的に除去する開口面積によって、寄生インダクタンスを調整する。なお、図７に、開口部５１の幅と寄生インダクタンスとの関係をシミュレーションによって求めた結果を示す。開口部５１の幅を大きくすると、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積が小さくなり、寄生インダクタンスを大きくすることができる。逆に、開口部５１の幅を小さくすると、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積が大きくなり、寄生インダクタンスを小さくすることができる。
【００４４】
比較のために、開口部５１よりも面積が広い開口部５１ｅが設けられた場合の回路基板１００を図９（ａ）に示す。図９（ａ）に示す回路基板１００と図１に示す回路基板１００とを比較した場合、寄生インダクタンスは、図９（ａ）に示す回路基板１００の方が、図１に示す回路基板１００よりも大きい。
【００４５】
また、数１より、寄生インダクタンスを変化させると、リンギング周波数を任意に変化させることができる。よって、調整工程では、開口部５１の開口面積によって、寄生インダクタンスを調整し、第２算出工程で算出されたリンギング周波数が決定工程にて決定した周波数となるようにする。つまり、リンギング起因のノイズが所定値に達しないようにする。例えば、このように調整してリンギング周波数をラジオの周波数帯から外すと、リンギング起因のノイズがラジオ電波に重畳することを抑制することができる。
【００４６】
このように、第２算出工程で算出されたリンギング周波数が決定工程にて決定した周波数となるように寄生インダクタンスを調整することによって、リンギング起因のノイズが所定値に達しないようにすることができる。よって、本実施形態における製造方法で製造した回路基板１００は、リンギング起因のノイズが所定値に達しない。また、この製造方法では、リンギングを抑えるための回路（スナバ回路など）を回路基板に設ける必要がない。よって、回路基板１００の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる。つまり、この製造方法は、スナバ回路などを設けてリンギングを抑える回路基板を製造するのではなく、リンギング起因のノイズが所定値に達しないように、リンギング周波数をシフトさせた回路基板１００を製造するものである。言い換えると、リンギング起因のノイズを抑えるのではなく、ノイズが問題となる周波数帯から、リンギング周波数をシフトさせて、ノイズ対策を実施するものである。
【００４７】
また、回路基板１００は、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積が、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていると言い換えることができる。よって、回路基板１００は、リンギングを抑えるための回路（スナバ回路など）が必要なく、且つリンギングに起因のノイズが所定値に達しない。つまり、回路基板１００の大型化を抑制しつつ、リンギングによる悪影響を低減することができる。
【００４８】
なお、開口部５１の形状は、図６で示した形状に限定されるものではない。例えば、図８（ａ）に示す開口部５１ａのように、ＧＮＤ配線５０の端部に達していないものであってもよい。また、図８（ｂ）に示す開口部５１ｂや、また、図８（ｃ）に示す開口部５１ｂなどの形状であってもよい。つまり、開口部の形状は、特に限定されるものではない。
【００４９】
さらに、図８（ｄ）に示す開口部５１ｄのように、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位の周辺のみに形成されたものであってもよい。つまり、調整工程では、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積を小さくして、寄生インダクタンスを大きくする場合、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位の周辺のみを除去するようにしてもよい。この場合、閉回路８０を構成する配線と対向する部位には、ＧＮＤ配線５０が設けられている。
【００５０】
このようにすることによって、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位に電流が流れやすくすることができる。つまり、ＧＮＤ配線５０を除去したことによって、ＧＮＤ配線５０における電流経路が長くなることを抑制することができる。よって、ＧＮＤ配線５０に流れる電流によって、ノイズが広がるのを抑制することができる。
【００５１】
また、図８（ｄ）においては、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位に隣接する部位を除去した場合の図面を図示している。しかしながら、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位の周辺のみを除去するものであれば、この効果を奏することができる。
【００５２】
ただし、図８（ｄ）に示すように、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する部位に隣接する部位を除去すると好ましい。このようにすることによって、ＧＮＤ配線５０における電流経路が長くなることをより一層抑制することができる。よって、ＧＮＤ配線５０に流れる電流によって、ノイズが広がるのをより一層抑制することができる。なお、この図８（ａ）〜図８（ｄ）の拡大図は、図６に相当するものである。
【００５３】
また、ここまでは、寄生インダクタンスを調整するために、開口部の幅を調整する例を採用したが、本発明はこれに限定されるものではない。本願発明は、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積によって、寄生インダクタンスを調整するものであれば、目的を達成できる。つまり、寄生インダクタンスを大きくするため、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積を小さくし、寄生インダクタンスを小さくするために、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積を大きくしてもよい。比較のために、ＧＮＤ配線５０の面積を小さくした場合の回路基板１００を図９（ｂ）に示す。図９（ｂ）に示す回路基板１００と図１に示す回路基板１００とを比較した場合、寄生インダクタンスは、図９（ｂ）に示す回路基板１００の方が、図１に示す回路基板１００よりも大きい。また、図９（ｂ）に示す回路基板１００と、図１に示す回路基板１００における開口部５１にＧＮＤ配線５０が形成されたもの回路基板（図示省略）とを比較した場合も、同様に、寄生インダクタンスは、図９（ｂ）に示す回路基板１００の方が大きい。
【００５４】
さらに、ここまでは、ベタ状の金属部材としてＧＮＤ配線５０を採用したが、本願発明はこれに限定されるものではない。ベタ状の金属部材としては、ヒートシンク、フィン、金属筐体、電源パターンであっても採用することができる。つまり、ベタ状の金属部材としてヒートシンクを採用した場合は、本願発明の回路基板は、ヒートシンクを含むものである。同様に、ベタ状の金属部材としてフィンを採用した場合は、本願発明の回路基板は、フィンを含むものである。また、ベタ状の金属部材として金属筐体を採用した場合は、本願発明の回路基板は、金属筐体を含むものである。なお、後ほど説明する実施形態においては、このうちのヒートシンクを採用している。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００５６】
（実施形態２）
次に、図１０，図１１，図１２を用いて、実施形態２に関して説明する。実施形態２における回路基板１００は、ベタ状の金属部材として、金属からなるヒートシンク５０ａを採用している。また、実施形態２の調整工程では、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔によって、寄生インダクタンスを調整する。
【００５７】
なお、実施形態２における回路基板１００及び製造方法は、ベタ状の金属部材及び調整工程以外、実施形態１における回路基板１００及び製造方法と同じ構成を有するものである。よって、便宜上、実施形態２における回路基板１００においては、実施形態１における回路基板１００と同じ符号を付与している。
【００５８】
図１１に示すように、ヒートシンク５０ａに設けられた開口部５１ｆは、自身の周辺よりも窪んだ凹部形状を有している。この開口部５１ｆの深さによって、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を調整することができる。つまり、実施形態２における調整工程では、寄生インダクタンスを大きくする場合は、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を広くする（大きくする）。逆に、寄生インダクタンスを小さくする場合は、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を狭くする（小さくする）。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５９】
また、実施形態２における回路基板１００は、ＧＮＤ配線５０と閉回路８０を構成する配線との間隔が、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていると言い換えることができる。よって、実施形態２の回路基板１００においても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６０】
なお、ベタ状の金属部材としてヒートシンク５０ａを採用した場合であっても、上述の実施形態と同様に、ヒートシンク５０ａを貫通する開口部５１ｇを採用することもできる（図１２参照）。そして、この開口部５１ｇの間隔によって、寄生インダクタンスを調整してもよい。この場合、開口部５１ｇの形状は、上述の実施形態と同様に、特に限定されるものではない。
【００６１】
また、ベタ状の金属部材としてヒートシンク５０ａを採用した場合であっても、上述の実施形態と同様に、ヒートシンク５０ａにおける閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積によって、寄生インダクタンスを調整してもよい。
【００６２】
（実施形態３）
次に、図１３，図１４を用いて、実施形態３に関して説明する。実施形態３における回路基板１００は、ベタ状の金属部材として、金属からなるヒートシンク５０ａを採用している。また、実施形態３の調整工程では、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔によって、寄生インダクタンスを調整する。具体的には、図１４（ａ）と図１４（ｂ）に示すように、絶縁基板１０の厚みによって、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を調整する。
【００６３】
つまり、実施形態３における調整工程では、寄生インダクタンスを大きくする場合は、絶縁基板１０の厚みを厚くして、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を広くする（大きくする）。逆に、寄生インダクタンスを小さくする場合は、絶縁基板１０の厚みを薄くして、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔を狭くする（小さくする）。よって、図１４（ａ）に示す回路基板１００と図１４（ｂ）に示す回路基板１００とを比較した場合、寄生インダクタンスは、図１４（ｂ）に示す回路基板１００の方が、図１４（ａ）に示す回路基板１００よりも大きい。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６４】
また、実施形態３における回路基板１００は、ＧＮＤ配線５０と閉回路８０を構成する配線との間隔が、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていると言い換えることができる。よって、実施形態３の回路基板１００においても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６５】
なお、実施形態３における回路基板１００及び製造方法は、ベタ状の金属部材及び調整工程以外、実施形態１における回路基板１００及び製造方法と同じ構成を有するものである。よって、便宜上、実施形態３における回路基板１００においては、実施形態１における回路基板１００と同じ符号を付与している。
【００６６】
また、実施形態３における回路基板１００は、ＧＮＤ配線５０と閉回路８０を構成する配線との間隔が、スイッチング素子６１，６２の寄生容量と、閉回路８０を構成する配線の寄生インダクタンスとによる直列共振によって発生するリンギングに起因のノイズが所定値に達しないように設けられていると言い換えることができる。よって、実施形態３の回路基板１００においても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００６７】
なお、実施形態１と実施形態３とを組み合わせて実施することもできる。つまり、ヒートシンク５０ａと閉回路８０を構成する配線との間隔及び、ＧＮＤ配線５０における閉回路８０を構成する配線と対向する面側の面積によって、寄生インダクタンスを調整するようにしてもよい。これによっても、本願発明の目的は達成できる。
【００６８】
また、実施形態３においても、上述の実施形態１と同様に、ベタ状の金属部材として、ＧＮＤ配線を採用することができる。これによっても、本願発明の目的は達成できる。
【符号の説明】
【００６９】
１０  絶縁基板、２０  電源配線、２１〜２３  パッド、３０  ＧＮＤ配線、３１，３２  パッド、４０  負荷配線、４１  パッド、５０  ＧＮＤ配線（ベタ状の金属部材）、５０ａ  （ベタ状の金属部材）、ヒートシンク、５１，５１ａ〜５１ｆ  開口部、６１  第１スイッチング素子、６２  第２スイッチング素子、７１  第１コンデンサ、７２  第２コンデンサ、７３  第３コンデンサ、８０  閉回路、９０  駆動回路、１００  回路基板、２００  電源、３００  負荷、４００  発振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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