(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に樹脂を塗布する塗布工程と前記塗布された樹脂と型とを接触させる接触工程とを含み、前記基板上に前記樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板を検査して前記基板の上に存在する異物の位置を含む情報を取得する検査工程と、
前記検査工程で取得した異物の位置の情報に基づき、前記樹脂より粘度の高い材料を前記基板の上に存在する異物上、または、異物の周囲に塗布することで前記材料の膜を形成する膜形成工程と、
をさらに含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記情報は、前記異物の大きさをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記膜形成工程を前記塗布工程より先に行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記膜形成工程は、前記材料を前記基板に塗布する工程と、前記塗布された材料を前記型と接触させることなく硬化させる工程とを含むことを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記膜形成工程を前記塗布工程と前記接触工程との間に行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記樹脂を塗布する塗布器とは別の塗布器を用いて前記材料を前記基板に塗布することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のインプリント方法。 
【請求項７】
前記材料を塗布する塗布器はシリンジを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記膜形成工程は、前記異物が存在する前記基板上の位置に対応する前記型のパターン面に前記材料を塗布する工程と、前記塗布された材料を前記基板上の位置に転写する工程とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のインプリント方法。 
【請求項９】
前記接触工程において、前記膜の形成に起因して発生する前記型のパターン面に平行な方向における前記型と前記基板との位置ずれを低減するように前記基板を位置決めしながら前記樹脂と前記パターン面とを接触させることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
前記接触工程において、前記基板に形成された複数の基板側マークと前記型のパターン面に形成された複数の型側マークとのうち、前記異物との距離が所定値以上の基板側マークと当該基板側マークに対応する型側マークとの位置ずれの検出結果に基づいて前記パターン面に平行な方向において前記基板を位置決めしながら前記樹脂と前記パターン面とを接触させることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
前記接触工程は、前記型のパターン面に垂直な方向に沿って第１速度で前記型を駆動する第１工程と前記第１速度より小さな第２速度で前記型を駆動する第２工程とを含み、前記膜が形成される場合、前記型が前記膜と接触する時点が前記第２工程に含まれるように前記第１工程と前記第２工程とを切り替えることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
前記膜形成工程によって前記材料の膜が形成された基板に対して、
前記塗布工程と前記接触工程を繰り返して前記基板上の複数のショット領域にパターンを形成することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載のインプリント方法を用いてパタ−ンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パタ−ンを形成された基板を加工する工程と、
を含む物品の製造方法。
【請求項１４】
基板に塗布された樹脂と型とを接触させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持する型ステージと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記樹脂より粘度が高い材料を塗布する塗布器と、
制御器と、
を備え、
前記制御器は、前記基板の上に存在する異物の位置の情報に基づいて、前記樹脂より粘度が高い材料を前記基板の上に存在する異物上、または、異物の周囲に前記塗布器が前記材料を塗布する動作を制御する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１５】
基板に塗布された樹脂と型とを接触させることによりパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型を保持する型ステージと、
前記基板を保持する基板ステージと、
前記基板に前記樹脂を塗布する第１塗布器と、
前記樹脂より粘度が高い材料を前記基板の上に存在する異物上、または、異物の周囲に塗布する第２塗布器と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、インプリント装及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術において転写されるべきショット領域のパターンを型のメサ面に形成すべく、電子線描画装置等の装置が用いられる。電子線描画装置等の装置を用いてパターンが形成された型を原版として該パターンを転写すべきシリコンウエハやガラスプレート等の基板上に押印して転写する。この微細パターンは、基板上にインプリント用の樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板に型のパターンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。
【０００３】
現在実用化されているインプリント技術として、熱サイクル法と光硬化法とをあげることができる。熱サイクル法では、熱可塑性の樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付ける。そして、樹脂を冷却した後に樹脂から型を引き離すことにより樹脂にパターンが形成される。一方、光硬化法では、紫外線硬化型の樹脂を使用する。基板上に塗布された樹脂に、石英等の光透過性材料で作られた型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことにより樹脂にパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大と温度変化による寸法精度又は位置精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しない。そのため、光硬化法がナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。
【０００４】
これまで樹脂の硬化方法や用途に応じて多様なインプリント装置が実現されてきた。半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、ジェット・アンド・フラッシュ式インプリントリソグラフィ（ＪＦＩＬ）を応用した装置が有効である。ＪＦＩＬに適合したインプリント装置が特許文献１に開示されている。このようなインプリント装置は、基板ステージ、樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系および位置決め用のアライメントマーク検出機構を有する。１回のインプリント動作によって押印するショット領域の面積が限られているため、露光装置のようにステップ・アンド・リピート形式で行われる。
【０００５】
インプリント技術の半導体への応用では先ずメモリー素子への適用が考えられている。メモリー素子は大量生産によるコスト削減が課題であり、コスト削減に対する最も効果的な手法が微細化であった。インプリント技術はよく知られているように微細加工能力に優れており、メモリー素子の要求に最も適合している。インプリント処理の欠陥は、半導体生産の歩留まりを低下させる大きなリスクとなっている。型に発生する欠陥の例としては、ウエハに付着したパーティクルによって引き起こされる型の破損や、硬化した樹脂から型を引きはがす時に硬化した樹脂の一部が型に残留する目詰まりがある。これら型の欠陥は、インプリント処理を施す後続のショット領域に転写欠陥を継続的に引き起こす（繰り返し欠陥）。従って、これらの型の欠陥の発生ケースを解析し要因別に取り除いて行くことがきわめて重要となっている。特許文献１では、ダミーウエハ上に光硬化性樹脂に対する密着性が高いパーティクル除去膜を塗布し、その上に光硬化性樹脂を塗布してインプリントすることで、型に付着したパーティクルを光硬化性樹脂内に取り込んで型から除去する方法が提案されている。また特許文献２では、異物の有無を検査することによってウエハ上に型を破損するおそれのある異物が発見された場合、異物を含んだショット領域にインプリント処理を施してもよいダミーの型に切り替えてインプリント処理を行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【特許文献２】特開２０１０−６９７６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、現状ではウエハ上のパーティクル等の異物を予め検査装置で発見できたとしてもそれを除去する方法がない。したがって、特許文献２に開示されているようなダミーの型でインプリント処理を行うか、又は、異物が存在するショット領域に対してはインプリント処理を施さないようにせざるを得なかった。ダミーの型を使用する手法では、正常に機能する回路パターンを形成することは難しいが、インプリント後の膜厚は維持されるため、エッチング時に周囲のショット領域に対して悪影響を与えることがない。しかし、ダミーの型を保持する別の型支持体を設けるか、型を交換するかのどちらかが必要となり、装置コストの増大又は生産性の低下という問題があった。一方、異物が存在するショット領域にインプリント処理を施さない場合には、後続のエッチング工程で正常にインプリントできたショット領域に対しても悪影響を与える事が懸念される。また、いずれの手法においても、ダミーの型でインプリント処理を行ったショット領域、インプリント処理を行わなかったショット領域から使用可能なチップを生産することができない。すなわち、異物の問題がないチップ領域から使用可能なチップを生産することができず、チップの歩留まりが低下してしまう。
【０００８】
本発明は、基板上に異物が存在していてもスループット及び歩留まりの低下を抑制するインプリント技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一側面は、基板に樹脂を塗布する塗布工程と前記塗布された樹脂と型とを接触させる接触工程とを含み、前記基板上に前記樹脂のパターンを形成するインプリント方法であって、前記基板を検査して前記基板の上に存在する異物の位置を含む情報を取得する検査工程と、前記検査工程で取得した異物の位置の情報に基づき、前記樹脂より粘度の高い材料を前記基板の上に存在する異物上、または、異物の周囲に塗布することで前記材料の膜を形成する膜形成工程と、
をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板上に異物が存在していてもスループット及び歩留まりの低下を抑制するインプリント技術を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１において異物を覆う膜を形成した様子を示す図
【図２】異物位置に膜形成材料を滴下した様子を示した図
【図３】実施例２において異物を覆う膜を形成した様子を示す図
【図４】異物位置に膜形成材料を滴下した別の様子を示した図
【図５】アライメントマークとチップ領域、ショット領域との関係を示す図
【図６】インプリントシーケンスにおける型ステージの駆動プロファイルを示す図
【図７】インプリント装置を含むシステムを示す図
【図８】インプリント装置を示す図
【図９】実施例３において異物を覆う膜を形成する様子を示す図
【図１０】実施例４において異物を覆う膜を形成する様子を示す図
【図１１】ＪＦＩＬ方式におけるインプリント方法の手順を示す図
【図１２】樹脂の装置外一括塗布方式におけるインプリント方法の手順を示す図
【図１３】ジェッティング造形による異物を覆う層を形成する手順を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
インプリント方法は、通常、基板に樹脂を塗布する塗布工程と、塗布された樹脂と型のパターン面とを接触させる接触工程と、パターン面と接触する樹脂を硬化する硬化工程と、硬化された樹脂から型を引き離す離型工程とを含む。本発明に係るインプリント方法は、基板を検査して基板の上における異物の有無、大きさ、位置等の異物の情報を取得する検査工程と、検査工程で異物が存在すると判定された場合に異物を覆う膜を形成する膜形成工程とをさらに含むことを特徴としている。以下、検査工程、膜形成工程を含む本発明のインプリント方法について実施例１〜４で詳しく説明する。
【００１３】
［実施例１］
実施例１は、主に半導体素子のインプリントリソグラフィ向けの型を保護する技術として構成されたものである。図１は、高粘度材料（材料）１で異物４を覆う膜を形成して型６を保護する手法の概念図である。型６は、マスク、原版、テンプレートとも呼ばれる。実施例１におけるインプリント方法は、背景技術において触れたＪＦＩＬ方式がベースとなっている。その他のインプリント方式に対する適用事例は実施例２以降において説明する。ウエハ(基板)７には、型６のメサ（パターン面）に形成されたパターンが転写される。ウエハ７のインプリント処理が行われるショット領域３には、図２に示されるように、予めインクジェットディスペンサーから紫外線硬化樹脂（レジスト、樹脂）５の細粒（ドロップ）が滴下されている。インクジェットディスペンサーから吐出される樹脂５のドロップは数ｐｌが一般的である。インプリント処理における樹脂５の充填時間すなわち型６のパターン面の凹部とウエハ７の間に挟まれた樹脂５の中から気体が消失するまでの時間を短縮するために樹脂５の粒径を小さくする努力が行われている。樹脂５のドロップのウエハ７の上面からの高さはドロップ粒径に依存するが概ね１μｍ前後である。インプリントシーケンスにおいては図２のように樹脂５が塗布されたウエハ７上のショット領域３に対して型６のパターン面を近づける。樹脂５のドロップは、型６のパターン面に接触するとショット領域３のＸＹ方向（パターン面に平行な方向）に拡がり、型６のパターン面を毛細管力で引き寄せる。その結果、図１の樹脂５のように塗布した樹脂体積に見合った型６とウエハ７の空隙（ＲＬＴ）を維持した状態で均衡する。ＲＬＴの値はウエハ７上に形成するパターンの線幅によって決定され、数十ｎｍ程度の設計が一般的である。図１では、型６のパターン面を図中において省略しているが、型６のパターンは実際には型６の下面であるパターン面に形成されている。ウエハ７は、多くのプロセスを経由してインプリント装置に搬送されてくるが、その過程で様々な大きさのパーティクル等の異物４が回路形成面に付着することがある。図１中の異物４はその一例であり、上述のＲＬＴ幅に型６とウエハ７を近づけると、ウエハ７に付着した異物４の径が容易にそのＲＬＴ幅を上回る。その結果、樹脂５とパターン面とを接触させる接触動作（インプリント動作ともいう）によって型６のパターン面を破壊してしまうおそれがある。本実施例１では、インプリント動作を行う前に樹脂５よりも高粘度で異物４を覆う膜を形成して型６を保護する高粘度材料１を異物４の位置に滴下し、その状態でインプリント動作を行う。
【００１４】
インプリント動作を行うに際しては、図２に示すような高粘度材料１を塗布する塗布器であるシリンジ（第２塗布器）２や、異物検査装置から異物検査結果を取得する構成が必要となる。インプリント動作のとき、高粘度材料１を塗布した部分がウエハ７の表面から盛り上がるため、型６は高粘度材料１が塗布された部分だけ微少量湾曲、もしくは凹んだ形状となるが、ＵＶ露光、離型後は元の形状に戻る。すなわち、本実施例１では、異物４が挟まることによって型６のパターン面のごく小さい面積に応力が集中してパターン面が破壊される異物４の周囲に高粘度材料１を塗布することで緩衝膜を設ける。そうすることにより、応力の局所集中を緩和して型６のパターン面を保護する。
【００１５】
インプリントリソグラフィ向けに用いられる光硬化性の樹脂５は、一般的に粘度が１０〜２０ｃＰ(センチポワズ)のものが用いられている。この数値は、ディスペンサーのジェッティング性能を維持するために必要な粘度や、型６を樹脂５と接触させたときの充填時間を短縮するための流動性を鑑みて最適化される。一方、高粘度材料１は、シリンジを用いてジェッティングする場合、０．２μｍの粒径で粘度が２００〜３００ｃＰ程度まで適用可能である。また、シリンジノズル温度を周囲温度より高温に温度保持しジェッティングした場合、吐出時の粘性を低く抑えたままウエハ着弾後の粘性をさらに高く保持させることができる。
【００１６】
図２は、高粘度材料１を滴下して異物４を高粘度材料１で覆う様子を示している。ジェット・アンド・フラッシュ式インプリントリソグラフィ（ＪＦＩＬ）方式でインプリントする場合、その直前にインクジェットディスペンサーでショット領域に対して樹脂５を塗布する。その際に、インプリント対象のショット領域中に異物４が存在し、その大きさ、位置が予め判っているものとする。シリンジ２は、異物４の存在する位置に高粘度材料１を滴下する。高粘度材料１は、異物４によるインプリント動作時の応力集中を緩和する効果をもたらすものであれば、高粘度のものだけに限定する必要はなく、例えば通常の樹脂５の異物４の周辺における滴下量を他の領域より増やすようにしても良い。高粘度材料１をジェッティング（吐出）する場合は、通常の樹脂５とインクジェットモジュールのジェッティングプロファイルを使い分ける必要がある。従って、高粘度材料１の用途、粘性、構造の簡易さなどを考慮すると、シリンジ２のようなシンプルな吐出機構であることが望ましい。また、外部装置におけるカメラによる観察でウエハ７上の高粘度材料１の塗布の有無がわかるように、高粘度材料１に蛍光剤を含有させてもよい。異物検査装置は、ウエハ７を枚葉ごとに検査し、異物４の有無、高さ、位置、材質に関する情報をインプリント装置に報告する。異物４の検出されたショット領域３は、高粘度材料１の滴下処理の対象となる。また、図２に示されるように、１つのショット領域には、通常複数（図２の例では６）のチップ領域６０２が包含されており、型６を破損せずに異物４が付着していないすべてのチップ領域６０２から良品のチップを製造できるようにする。
【００１７】
図４は、図２に示した高粘度材料１を塗布した他の態様である。すなわち、異物４の周囲の複数点に高粘度材料１を塗布することによって、緩衝膜の面積を増やし、かつ高粘度材料１のジェッティングにおける着弾位置誤差を緩和する。この方法によれば高粘度材料１の着弾精度が緩和される反面、異物４の付着位置がチップ領域６０２やショット領域３の境界付近にある場合、高粘度材料１から形成された膜が隣接するチップ領域６０２に侵襲する可能性が高くなる。いずれの場合にせよ、層を形成したあとのインプリント処理結果、および膜の形成情報は、インプリント装置がウエハ７に対して自動加工した結果であるため、オンラインホストなどへのロット処理結果報告に追記される。
【００１８】
図５は、ダイバイダイアライメントを想定したショット領域３と型６の位置ずれを検出するためのアライメントマーク（マーク）６０１ａ〜６０１ｈを図２に追記したものである。高粘度材料１を塗布した領域を含むチップ領域６０２ｅは、緩衝膜の形成により生じた型６の隆起に起因してパターン面に平行なＸＹ方向にも位置ずれが発生することが懸念される。そこで、制御器は、緩衝膜の形成に起因して発生した型６とウエハ(基板）７との位置ずれを低減するようにウエハ７を位置決めしながらインプリント動作を行う。また、チップ領域６０２ｅでは、異物４が付着したことにより元来良品チップがとれない。チップ領域６０２ｅのこれらの事情を考慮して、チップ領域６０２ｅ周囲のアライメントマーク情報はショット領域の重ね合わせ補正計算に参照しない、又は補正量計算における重み付けを絞るようにすることができる。高粘度材料１で隆起する型６のプロファイルの再現性が確保できれば、計算でショット領域内に生じ得る位置ずれ量を予測し、アライメントスコープ９の計測値やダイバイダイアライメントの制御目標値に補正をかけても良い。またマーク計測結果の異常値判定方法においても、こうした要因で発生するシフト誤差が考慮されるべきである。図５では、ショット領域３の周囲に配置された基板側マーク６０１ａ〜６０１ｈのうちチップ領域６０２ｅ近傍のマーク６０１ｃ、６０２ｄはアライメント計測値は得られても重ね合わせ補正処理には利用しない。すなわち、制御器は、複数の基板側マーク６０１ａ〜６０１ｈのうちで異物４との距離が所定値以上の基板側マーク６０１ａ〜６０１ｂ，６０１ｅ〜６０１ｈと当該基板側マークに対応する型側マークとの位置ずれの検出結果に基づいてウエハ７を位置決めする。以上、図５の趣旨とすることは、緩衝膜の形成の結果引き起こされる型６の部分的なシフト量は、当該ショット領域３のインプリント動作時のアライメント補正ロジック、オーバーレイ補正量、異常値判定方法に考慮されるべきということである。
【００１９】
図６は、ＪＦＩＬ方式におけるインプリントシーケンスにおける型ステージの駆動プロファイルを表したグラフである。図８に示されるように、型６は型チャック１４に吸着固定され、不図示の型ステージによってパターン面に垂直なＺ方向及びレベリング方向に位置決め可能である。インプリントシーケンスにおいては、図６の横軸をインプリント開始後の時間経過にとった駆動プロファイルに基づいて型ステージのＺ位置が制御される。駆動プロファイル７０１は、ウエハ７上に異物４が存在しない場合の駆動プロファイルである。インプリント装置の制御器は、型ステージの退避ポジションＺＥから高速（第１速度）で型ステージをウエハ７の表面に向けて駆動する（第１工程）。制御器は、ウエハ７の表面近傍より微少量だけ非接触方向に退いたポジションＺＡ２で駆動速度を低速（第２速度）に落としてさらにウエハ７に型６のパターン面を接近させる（第２工程）。型６のパターン面は型ステージの低速のＺ駆動中にウエハ７表面に塗布された樹脂５の小滴の表面と接触する。両者の接触によって発生する反力は型ステージに用いられているリニアモータ等の電流波形を監視することにより判別可能である。インプリント充填シーケンスにおいてはこの反力を検出した直後から制御モードを位置制御モードから力制御モードに切り替えて、型６を一定圧力でウエハ７面に押しつける（充填Ａ）。インプリント充填期間（充填Ａ）は、ウエハ７上に塗布された樹脂５の小滴がスプレッドされて、小滴間に挟まれた空隙が消滅するまで待機する時間である。インプリント充填期間後、型６の非パターン面側から紫外線が照射され、樹脂５が硬化処理される（露光）。露光後、型６はウエハ７と乖離する方向に駆動され、ウエハ７のパターンが形成された面から型６が引き剥がされ、１ショット領域分のインプリントシーケンスが完了する。以上、ウエハ７の表面に異物４が存在しない場合のシーケンスである。
【００２０】
しかし、下地にすでに描画されているマークや回路パターンからウエハ７上に存在する異物４を期待通りに弁別できないケースが存在する。そのため、インプリント動作を行う直前の瞬間、すなわち型ステージをＺＥからＺＡ２に下ろす区間で型６から受ける反力を監視し、予想外の反力を検出したら同区間の駆動を停止させる保護機能を実装することができる。こうした保護機能を実現するためには、ウエハ７上（基板上）での異物４の有無に応じて型ステージのＺ駆動シーケンスを変更する必要がある。異物４が存在し高粘度材料１を塗布した場合、高速で駆動する区間の終点ＺＡ１を高粘度材料１の膜圧を考慮した分だけウエハ７から上方に離れた側にセットする。すなわち、制御器は、パターン面が高粘度材料１の膜と接触する時点が、型６を低速の第２速度で駆動する工程(第２工程)に含まれるように、型６を高速の第１速度で駆動する第１工程と第２工程とを切り替える。
【００２１】
図７は、本発明を適用可能な複数のインプリントシステムの構成例である。複数のインプリント装置８０１〜８０４は、ＪＦＩＬ方式に基づいたインプリント処理を実行する。異物検査装置８０５は、ウエハ７をインプリント装置８０１〜８０４に送る前にウエハ７上の異物４の有無を検査する。異物検査装置８０５は、何もパターンが形成されていないウエハ７をはじめ、アライメントマークや回路パターンが形成されたウエハ７の表面において例えば１０μｍから０．１μｍ程度の異物４の有無を検査する。異物４が発見された場合、そのウエハ７の識別ＩＤ、異物４の位置、大きさ、性質に関する情報が記録される。これらの情報は、インプリント処理されるウエハ７の付帯情報として通信経路８０６ａ〜８０６ｄを経由してインプリント装置８０１〜８０４に送付される。一方、検査済みのウエハ７は搬送機構８０８により搬送経路８０７を介して各インプリント装置８０１〜８０４に搬入される。異物検査装置８０５は、それぞれのインプリント装置８０１〜８０４に内蔵される構成をとってもよい。異物検査装置８０５が内蔵された場合、各インプリント装置８０１〜８０４にウエハ７が搬送されるまでの区間でウエハ７上に異物４が付着した場合でもその発見が可能である。反面、異物４の付着のリスクが低い場合、又は、異物検査装置８０５の処理能力が高い場合、図７のように異物検査装置８０５をインプリント装置８０１〜８０４から分割する構成をとった方が効率的である。
【００２２】
図８を用いて、インプリント装置を説明する。原板となる型６は構造体１０に懸架されたＺ方向及びレベリング方向（ωｘ、ωｙ）の型ステージ上の型チャック１４にパターン面を下に保持されている。ウエハ７は、ＸＹθ方向に駆動可能なウエハステージ(基板ステージ)１３上のウエハチャックに被転写面を上に保持されている。インプリントシーケンスにおいては、型チャック１４に保持された型６が下方に下がってくる。ウエハ７に樹脂を塗布するディスペンサー（第１塗布器）１５は、インクジェットプリンターに用いられているノズル構成に類した１方向に複数の微細な吐出ノズルを配置したモジュールである。ＪＦＩＬ方式の樹脂５を塗布する工程においては、インプリントの直前にウエハ７上のショット領域３をディスペンサー１５の直下にノズルの配列と直交方向にスキャンさせ、樹脂５をショット領域３上に塗布する。シリンジ２は、異物４を覆い隠す樹脂である高粘度材料１をショット領域３に塗布する。高粘度材料１を塗布する機構と樹脂５を塗布するディスペンサー１５とを共通にしないことにより、組成の異なる高粘度材料１を選択可能とした。また、粘性が高いこと、塗布エリアが小さくてもよいことを考慮して、高粘度材料１の塗布には、粒径の小さいインクジェットタイプのノズルではなく単一構成のシリンジタイプのノズルを使用する。またシリンジ２をウエハステージ１３上に搭載し、高粘度材料１をウエハ７上の異物４で汚染された部分の型６の対応する部分に塗布し、型６に塗布された高粘度材料１をウエハ７上の異物４で汚染された部分に転写させてもよい。アライメントスコープ９は、ダイバイダイアライメント用のマーク６０１を計測するために用いられ、ショット領域３の画角に応じてＸＹ方向に移動可能である。紫外線光源１１は、樹脂５の充填後に樹脂５を硬化させるための紫外線を発生させ、ミラー１２で折り曲げて型６の非パターン面から樹脂５を照射する。図８の８Bは、インプリント装置を図８中のＡの面から見上げた図である。型６上には型外枠面よりもウエハ７の側に数１０μｍ隆起したメサ面８が形成され、メサ面８上にはパターンとアライメントマーク６０１が形成されている。シリンジ２とディスペンサー１５は、型チャック１４と干渉しない位置であれば、配置される場所に関しては重要な制約はない。
【００２３】
図１１は、ＪＦＩＬ方式における膜の形成とインプリントシーケンスの一例である。異物検査装置８０５は、ウエハ７の異物検査を行い（Ｓ２１）、その結果をインプリント装置の制御器に報告する（Ｓ２２）。Ｓ２３Ａでは、制御器は、シリンジ２により高粘度材料１をウエハ７上の異物４の検出位置に滴下させる。Ｓ２４以下は、ＪＦＩＬに基づいた典型的なインプリント処理工程である。Ｓ２５では、制御器は、ディスペンサー１５により通常レジストである光硬化性樹脂５をウエハ７上に塗布する。Ｓ２６では、制御器は、アライメントスコープ９により基板側マーク６０１と不図示の型側マークの相対距離関係をダイバイダイ計測し、計測結果として得られる位置ずれ量が所定の値になるようウエハステージ１３の目標値を補正する。Ｓ２８で、制御器は、インプリント動作および露光動作を実施する。Ｓ２９では、制御器は、型６を上方に引き上げて紫外線硬化した樹脂５から剥離する。上記Ｓ２５からＳ２９までの工程をウエハ７上に配置されたショット領域の数だけ繰り返す。
【００２４】
［実施例２］
図３は、コーターなどを用いて樹脂５をインプリント装置外で塗布するインプリント方式において、ウエハ７上に型を保護する膜を形成した実施例２を示している。この場合、インプリント装置内に通常の樹脂を塗布するディスペンサー１５を持たない。実施例２において、異物検査装置８０５の検査結果に基づいて、インプリント装置内に設けた高粘度材料１を塗布するためのシリンジ２で膜を形成する。シリンジ２は必ずしもインプリント装置内に設ける必要はないが、ウエハ７上の場所を特定する機能を有する必要性を鑑みるとアライメント機構を備えたインプリント装置に設けることが現実的である。そして、この方式による場合、図３に示されるように、外部で予め塗布された樹脂５の上に高粘度材料１が塗布される。図１２は、実施例２におけるウエハ処理工程を示したものである。インプリント装置外部の異物検査装置８０５は、ウエハ７に対して異物検査を行い（Ｓ２１）、その結果をインプリント装置に報告する（Ｓ２２）。その後Ｓ３１にて、樹脂５がインプリント装置外部のコーターで塗布され、インプリント装置に搬入される。インプリント装置の制御器は、Ｓ２３Ａで、インプリント装置内に搬入されたウエハ７に対して材料１を塗布する。その後はショット領域３ごとのインプリント処理ループが繰り返され、制御器は、Ｓ２６でダイバイダイアライメント計測、Ｓ２７でアライメント補正駆動を実施した後に、Ｓ２８でインプリント動作、Ｓ２９で離型動作をショット領域３の数だけ反復する。また、ウエハ７の１枚分の転写パターンを描画してインプリントする方式も提案されているが、その場合、高粘度材料１を塗布後のインプリント処理ループはウエハ一括のインプリント処理に置き換えられる。
【００２５】
［実施例３］
図９は、実施例３における型を保護する膜を形成する様子を示している。実施例３では、膜を形成する高粘度材料１は樹脂５と同一材料であり、したがって、高粘度材料１のための塗布機構を設けない。異物検査装置８０５によって異物４が確認された場合、図１３の重ね塗り処理の手順に従って、制御器は、Ｓ４１で異物部分に対して通常の樹脂５を滴下する。制御器は、Ｓ４２で、型６の押しつけを伴わず単に紫外線を照射して樹脂５を硬化する。この型６の押し付けを伴わない紫外線照射による樹脂５の硬化を、オープンフレーム露光（ＯＦＥ）と称する。制御器は、Ｓ４１及びＳ４２を１回または複数回行い樹脂５の硬化物による膜５Ｓを形成する。この後、制御器は、通常の樹脂５をディスペンサーから他のショット領域と同様に塗布してインプリント動作を行う。実施例３の手法は、通常の樹脂５の粘性が低すぎて、樹脂５だけでは塗布量を増やしてもインプリント動作時に期待通りの樹脂の隆起部分を形成できない場合に有効である。
【００２６】
［実施例４］
図１０は、実施例４における型を保護する膜を形成する様子を示している。すなわち、図９で示したオープンフレーム露光による膜の形成と図４で説明した高粘度材料１の多数の小滴による膜の形成を併用したものである。Ｓ１１で、制御器は、異物４の周囲に高粘度材料１を滴下し、オープンフレーム露光を行って硬化させる（５Ｓａ）。制御器は、Ｓ１２で、さらにその周囲にウエハ７表面の急激な段差を解消させるためにより薄い膜を形成する（５Ｓｂ）。さらに、制御器は、Ｓ１３で、通常の樹脂５を滴下し、Ｓ１４でインプリント動作を行う。膜の形成に用いる樹脂は、実施例３に従って通常の樹脂５と同じ組成のものを用いても良い。
【００２７】
以上、異物４がウエハ７に付着していた場合でも、設計上の範囲内において型６によるインプリント処理を可能とし、かつショット領域３内の異物汚染のされていないチップ領域６０２から良品のチップを製造する方法を説明した。本発明によれば、短時間で完了する高粘度材料１の滴下工程を追加するのみなので、型６の交換などで生産性を著しく落とすことがない。
【００２８】
［物品の製造方法］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを転写（形成）する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを転写された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを転写された基板を加工する他の処理を含みうる。以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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