(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、画素電極、発光層を含む中間層、及び、対向電極が順次積層されており、かつ、前記画素電極が前記ゲート電極と同一の層に形成された有機発光素子と、
前記活性層と同一の層に当該活性層と同一の物質で形成されており、かつ、不純物がドーピングされた下部電極と、前記ゲート電極と同一の層に形成された上部電極と、前記ソース／ドレイン電極と同一の層に形成され、前記下部電極と接続された金属拡散媒介層と、を含むキャパシタと、
を含むことを特徴とする、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、
前記画素電極と同一の層に当該画素電極と同一の物質で形成された第１電極と、
前記第１電極上部に形成された第２電極と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記上部電極は、
前記第１電極と同一の層に当該第１電極と同一の物質で形成された第１上部電極と、
前記第１電極上において、前記第２電極と同一の層に同一の物質で形成され、前記第１上部電極が露出されるように一部が除去された第２上部電極と、
を含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記画素電極は、前記ソース／ドレイン電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記下部電極には、複数のスリットが形成され、
前記下部電極において前記金属拡散媒介層が接続される位置は、前記複数のスリット間である
ことを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記下部電極には、溝が形成され、
前記金属拡散媒介層は、前記溝を介して前記下部電極に接続される
ことを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記下部電極下にバッファ層が設けられ、
前記溝は、前記バッファ層まで形成される
ことを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
基板上に薄膜トランジスタの活性層と、キャパシタ下部電極と、を形成する第１マスク工程段階と、
前記活性層と前記下部電極との上部に、ゲート電極、画素電極及び前記キャパシタ上部電極を形成するための電極パターンをそれぞれ形成する第２マスク工程段階と、
前記活性層の両側、前記画素電極の一部、前記上部電極の一部及び前記下部電極の一部を露出する開口を有する層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階と、
前記活性層の露出された両側及び前記画素電極に連結するソース／ドレイン電極と、前記下部電極の露出された一部に連結する金属拡散媒介層と、前記画素電極と前記上部電極と、をそれぞれ形成する第４マスク工程段階と、
前記画素電極を露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階と、
を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２マスク工程は、
前記活性層及び前記下部電極の上部に、第１絶縁層、第１導電層及び第２導電層を順次蒸着する段階と、
前記第１導電層及び前記第２導電層をパターニングし、前記第１導電層を第１電極とするとともに、前記第２導電層を第２電極とする前記ゲート電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記活性層をドーピングし、ソース／ドレイン領域及び当該ソース／ドレイン間のチャンネル領域を形成する段階を更に含む
ことを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第３マスク工程は、
前記ゲート電極及び前記電極パターンの上部に第２絶縁層を蒸着する段階と、
前記第２絶縁層をパターニングし、前記活性層の両側、前記画素電極の一部、前記上部電極の一部及び前記下部電極の一部を露出する開口を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項８〜１０の何れか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第４マスク工程は、
前記層間絶縁膜の上部に第３導電層を蒸着する段階と、
前記第３導電層をパターニングし、前記ソース／ドレイン電極及び前記金属拡散媒介層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項８〜１１の何れか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第４マスク工程は、
前記電極パターンを構成する前記第２導電層を除去し、前記第１導電層を電極とする前記画素電極及び前記キャパシタ上部電極をそれぞれ形成する段階を更に含む
ことを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記キャパシタ上部電極は、
前記第１導電層から形成された第１上部電極と、
前記第２導電層の一部が除去されずに残存することで形成された第２上部電極と、
を含むことを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第４マスク工程は、
前記上部電極を介して、前記下部電極に不純物をドーピングし、前記金属拡散媒介層の金属原子を前記下部電極に拡散させる段階を更に含む
ことを特徴とする、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第５マスク工程は、
前記基板全面に第３絶縁層を積層する段階と、
前記第３絶縁層をパターニングし、前記画素定義膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項８〜１５の何れか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１マスク工程では、前記下部電極に複数のスリットを形成し、
前記第３マスク工程では、前記下部電極の一部を露出させる開口が、前記複数のスリット間に位置するように形成する
ことを特徴とする、請求項８〜１６の何れか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１マスク工程は、前記下部電極に前記金属拡散媒介層が接続される溝を形成する段階を更に含む
ことを特徴とする、請求項８〜１７の何れか１項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記基板と前記下部電極との間にバッファ層が形成され、
前記第１マスク工程は、前記溝を前記バッファ層まで形成する段階を更に含む
ことを特徴とする、請求項１８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法に関し、さらに詳細には、製造時にマスクの使用回数を減らし、キャパシタでの不均一ドーピング問題も解消可能なように改善された有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）及びキャパシタと、これらを連結する配線と、を含むパターンが形成された基板上に製作される。
【０００３】
一般的に、有機発光表示装置が製作される基板は、ＴＦＴなどを含む微細構造のパターンを形成するために、このような微細パターンが描かれたマスクを利用し、パターンを前記アレイ基板に転写する。
【０００４】
マスクを利用してパターンを転写する工程は、一般的にフォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｙ）工程を利用する。フォトリソグラフィ工程によれば、パターンを形成する基板上に、フォトレジスト（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）を均一に塗布し、ステッパ（ｓｔｅｐｐｅｒ）のような露光装備でフォトレジストを露光させた後、（ポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）フォトレジストの場合）感光されたフォトレジストを現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）する過程を経る。また、フォトレジストを現像した後には、残存するフォトレジストをマスクとしてパターンをエッチングし、不要なフォトレジストを除去するなどの一連の過程を経る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第２００７−４９７４４号公報
【特許文献２】韓国公開特許第２００４−５６９５３号公報
【特許文献３】韓国公開特許第２００５−４６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、マスクを利用してパターンを転写する工程では、まず必要なパターンを具備したマスクを準備せねばならないために、マスクを利用する工程段階が増えるほど、マスク準備のための製造コストが上昇する。従って、これを解決するためには、マスクを使用する回数をできる限り減らす構造が要求される。
【０００７】
一方、マスクの使用回数を減らすための方策として、キャパシタの１つの電極を活性層のような多結晶シリコンでともに形成した後、後で不純物をドーピングする方策が考慮されうる。しかしながら、マスク使用回数を減らすために、以上のようなさまざまな領域を一度に同じ層に形成する構造を備えれば、不純物ドーピング時に、先に形成された薄膜層に覆われ、キャパシタ電極には不均一なドーピングが行われる可能性が高い。キャパシタ電極のドーピングが不均一になると抵抗が増加し、所望の静電容量を確保することができない。従って、マスクの使用回数を減らしつつも、このような不均一ドーピングによる抵抗増加現象を避けることが可能な方法が必要である。
【０００８】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、マスクを利用したパターニング工程段階を減らし、かつ、キャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加を抑制可能な、有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、活性層、ゲート電極及びソース／ドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと電気的に接続され、画素電極、発光層を含む中間層、及び、対向電極が順次積層されており、かつ、前記ゲート電極と同一の層に形成された有機発光素子と、前記活性層と同一の層に当該活性層と同一の物質で形成されており、かつ、不純物がドーピングされた下部電極と、前記ゲート電極と同一の層に形成された上部電極と、前記ソース／ドレイン電極と同一の層に形成され、前記下部電極と接続された金属拡散媒介層と、を含むキャパシタと、を含む有機発光表示装置が提供される。
【００１０】
前記ゲート電極は、前記画素電極と同一の層に当該画素電極と同一の物質で形成された第１電極と、前記第１電極上部に形成された第２電極と、を含んでもよい。
【００１１】
前記上部電極は、前記第１電極と同一の層に当該第１電極と同一の物質で形成された第１上部電極と、前記第１電極上において、前記第２電極と同一の層に同一の物質で形成され、前記第１上部電極が露出されるように一部が除去された第２上部電極と、を含んでもよい。
【００１２】
前記画素電極は、前記ソース／ドレイン電極と電気的に接続されていてもよい。
【００１３】
前記下部電極には、複数のスリットが形成され、前記下部電極において前記金属拡散媒介層が接続される位置は、前記複数のスリット間であってもよい。
【００１４】
前記下部電極には、溝が形成され、前記金属拡散媒介層は、前記溝を介して前記下部電極に接続されてもよい。
【００１５】
前記下部電極下にバッファ層が設けられ、前記溝は、前記バッファ層まで形成されてもよい。
【００１６】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、基板上に薄膜トランジスタの活性層と、キャパシタ下部電極と、を形成する第１マスク工程段階と、前記活性層と前記下部電極との上部に、ゲート電極、画素電極及び前記キャパシタ上部電極を形成するための電極パターンをそれぞれ形成する第２マスク工程段階と、前記活性層の両側、前記画素電極の一部、前記上部電極の一部及び前記下部電極の一部を露出する開口を有する層間絶縁膜を形成する第３マスク工程段階と、前記活性層の露出された両側及び前記画素電極に連結するソース／ドレイン電極と、前記下部電極の露出された一部に連結する金属拡散媒介層と、前記画素電極と前記上部電極と、をそれぞれ形成する第４マスク工程段階と、前記画素電極を露出する画素定義膜を形成する第５マスク工程段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法が提供される。
【００１７】
前記第２マスク工程は、前記活性層及び前記下部電極の上部に、第１絶縁層、第１導電層及び第２導電層を順次蒸着する段階と、前記第１導電層及び前記第２導電層をパターニングし、前記第１導電層を第１電極とするとともに、前記第２導電層を第２電極とする前記ゲート電極を形成する段階と、を含んでいてもよい。
【００１８】
前記活性層をドーピングし、ソース／ドレイン領域及び当該ソース／ドレイン間のチャンネル領域を形成する段階を更に含んでいてもよい。
【００１９】
前記第３マスク工程は、前記ゲート電極及び前記電極パターンの上部に第２絶縁層を蒸着する段階と、前記第２絶縁層をパターニングし、前記活性層の両側、前記画素電極の一部、前記上部電極の一部及び前記下部電極の一部を露出する開口を形成する段階と、を含んでいてもよい。
【００２０】
前記第４マスク工程は、前記層間絶縁膜の上部に第３導電層を蒸着する段階と、前記第３導電層をパターニングし、前記ソース／ドレイン電極及び前記金属拡散媒介層を形成する段階と、を含んでいてもよい。
【００２１】
前記第４マスク工程は、前記電極パターンを構成する前記第２導電層を除去し、前記第１導電層を電極とする前記画素電極及び前記キャパシタ上部電極をそれぞれ形成する段階を更に含んでいてもよい。
【００２２】
前記キャパシタ上部電極は、前記第１導電層から形成された第１上部電極と、前記第２導電層の一部が除去されずに残存することで形成された第２上部電極と、を含んでいてもよい。
【００２３】
前記第４マスク工程は、前記上部電極を介して、前記下部電極に不純物をドーピングし、前記金属拡散媒介層の金属原子を前記下部電極に拡散させる段階を更に含んでいてもよい。
【００２４】
前記第５マスク工程は、前記基板全面に第３絶縁層を積層する段階と、前記第３絶縁層をパターニングし、前記画素定義膜を形成する段階と、を含んでいてもよい。
【００２５】
前記第１マスク工程では、前記下部電極に複数のスリットを形成し、前記第３マスク工程では、前記下部電極の一部を露出させる開口が、前記複数のスリット間に位置するように形成してもよい。
【００２６】
前記第１マスク工程は、前記下部電極に前記金属拡散媒介層が接続される溝を形成する段階を更に含んでいてもよい。
【００２７】
前記基板と前記下部電極との間にバッファ層が形成され、前記第１マスク工程は、前記溝を前記バッファ層まで形成する段階を更に含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によれば、マスク数の低減によるコストの節減及び製造工程の単純化を実現することができ、また、キャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加の憂慮も解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の望ましい一実施形態に係る有機発光表示装置の一部を概略的に図示した断面図である。
【図２】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図３】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図４】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図５】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図６】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図７】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図８】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図９】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図１０】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図１１】図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【図１２Ａ】図１に図示された有機発光表示装置のうちキャパシタ下部電極の変形可能な例を示した平面図である。
【図１２Ｂ】図１に図示された有機発光表示装置のうちキャパシタ下部電極の変形可能な例を示した平面図である。
【図１３】図１に図示された有機発光表示装置のうちキャパシタの変形可能な例を示した断面図である。
【図１４】図１に図示された有機発光表示装置のうちキャパシタの変形可能な例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３１】
本発明の実施形態について説明する図面において、ある層や領域は、明細書の明確性のために厚みを拡大して示した。また、層、膜、領域、板のような部分が、他の部分の「上に」あるというとき、それは、他の部分の「真上に」ある場合だけではなく、その中間に更に他の部分が存在する場合も含む。
【００３２】
図１は、本発明の望ましい一実施形態に係る背面発光型（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｔｙｐｅ）有機発光表示装置の一部を概略的に図示した断面図である。
【００３３】
図１を参照すれば、本実施形態に係る有機発光表示装置は、発光領域１０１、スイッチ領域１０２及び保存領域１０３を備える。
【００３４】
スイッチ領域１０２には、駆動素子として、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が設けられている。ＴＦＴは、活性層２１、ゲート電極２０及びソース／ドレイン電極２７，２９から構成される。前記ゲート電極２０は、ゲート下部電極２３（以下、第１電極ともいう。）と、ゲート上部電極２５（以下、第２電極ともいう。）とから構成され、前記第１電極２３は、透明な伝導性物質から形成される。前記ゲート電極２０と活性層２１との間には、ゲート電極と活性層との間の絶縁のためのゲート絶縁膜１５（以下、第１絶縁層ともいう。）が配設されている。また、前記活性層２１の両側エッジには、高濃度の不純物が注入されたソース／ドレイン領域２１ａ，２１ｂが形成されており、それら領域は、前記ソース／ドレイン電極２７，２９にそれぞれ連結されている。
【００３５】
発光領域１０１には、有機発光素子ＥＬが設けられている。有機発光素子ＥＬは、前記ＴＦＴのソース／ドレイン電極２７，２９のうち一つと接続された画素電極３１、対向電極３５、及び、画素電極と対向電極との間に介在された中間層３３から構成される。前記画素電極３１は、透明な伝導性物質から形成され、前記ＴＦＴのゲート電極２０と同時に形成される。
【００３６】
保存領域１０３には、キャパシタＣｓｔが設けられる。キャパシタＣｓｔは、下部電極４１及び上部電極４２，４３からなり、下部電極４１と上部電極４２，４３との間に第１絶縁層１５が配設される。前記キャパシタ上部電極４２，４３は、前記ＴＦＴのゲート電極２０及び有機発光素子ＥＬの画素電極３１と同時に形成される。
【００３７】
図２〜図１１は、図１に図示された有機発光表示装置の製造工程を概略的に図示した断面図である。
【００３８】
図２を参照すれば、基板１０の上部に、基板１０の平滑性と、不純元素の浸透遮断とを実現するためのバッファ層１１が形成される。
【００３９】
基板１０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明材質のガラス材を用いて形成することができる。基板１０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材または金属材などの多様な材質の基板を利用することができる。
【００４０】
図３を参照すれば、前記バッファ層１１上部に、ＴＦＴの活性層２１と、キャパシタＣｓｔの下部電極４１と、が形成される。すなわち、第１マスク（図示せず）を使用したマスク工程により、ＴＦＴの活性層２１及びキャパシタＣｓｔの下部電極４１がパターニングされる。前記活性層２１と下部電極４１とは、多結晶シリコン材質から形成されうる。
【００４１】
図４を参照すれば、活性層２１とキャパシタ下部電極４１とが形成された基板１０の全面に、第１絶縁層１５、第１導電層１７及び第２導電層１９が順に蒸着される。
【００４２】
第１絶縁層１５は、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘのような無機絶縁膜を、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＰＣＶＤ（ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法のような方法で蒸着することで形成できる。前記第１絶縁層１５は、ＴＦＴの活性層２１とゲート電極２０との間に介在され、ＴＦＴのゲート絶縁膜の役割を果たし、キャパシタの上部電極４２，４３と下部電極４１との間に介在されて、キャパシタＣｓｔの誘電体層の役割を果たす。
【００４３】
第１導電層１７は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３のような透明物質のなかから選択された一つ以上の物質を含むことができる。前記第１導電層１７は、画素電極３１、ゲート第１電極２３及びキャパシタ第１上部電極４２にパターニングされる。
【００４４】
第２導電層１９は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕのなかから選択された一つ以上の物質を含むことができる。前記第２導電層１９は、ゲート第２電極２５及びキャパシタの第２上部電極４３にパターニングされる。
【００４５】
図５を参照すれば、基板１０上に、ゲート電極２０と電極パターン３０，４０とがそれぞれ形成される。
【００４６】
基板１０の全面に順に積層された、前記第１導電層１７及び前記第２導電層１９は、第２マスク（図示せず）を使用したマスク工程によってパターニングされる。
【００４７】
スイッチ領域１０２には、活性層２１上部にゲート電極２０が形成され、前記ゲート電極２０は、第１導電層１７の一部でもって形成された第１電極２３と、第２導電層１９の一部でもって形成された第２電極２５とを含む。
【００４８】
発光領域１０１には、画素電極３１を形成するための電極パターン３０が形成され、保存領域１０３には、追ってキャパシタの第１上部電極４２と第２上部電極４３とを形成するための電極パターン４０が、キャパシタ下部電極４１上部に形成される。
【００４９】
ゲート電極２０は、活性層２１の中央に対応し、ゲート電極２０をマスクとして、活性層２１にｎ型またはｐ型の不純物をドーピングし、ゲート電極２０の両側に対応する活性層２１のエッジに、ソース／ドレイン領域２１ａ，２１ｂと、それら間のチャンネル領域とが形成される。
【００５０】
図６を参照すれば、ゲート電極２０が形成された基板１０の全面に、第２絶縁層５０が蒸着される。
【００５１】
前記第２絶縁層５０は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質を用いて、スピンコーティングのような方法で形成される。第２絶縁層５０は、十分な厚みに形成され、例えば、前述の第１絶縁層１５より厚く形成され、薄膜トランジスタのゲート電極２０と、ソース／ドレイン電極２７，２９との間の層間絶縁膜の役割を果たす。一方、第２絶縁層５０は、前記のような有機絶縁物質だけではなく、前述の第１絶縁層１５と同じ無機絶縁物質からも形成され、有機絶縁物質と無機絶縁物質とを交互に形成することもできる。
【００５２】
図７を参照すれば、前記電極パターン３０，４０と、ソース／ドレイン領域２１ａ，２１ｂとの一部を露出する開口Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５，Ｈ６，Ｈ７を有する層間絶縁膜５１が形成される。
【００５３】
前記第２絶縁層５０には、第３マスク（図示せず）を使用したマスク工程によってパターニングされることにより、前記開口Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５，Ｈ６，Ｈ７が形成される。
【００５４】
前記開口Ｈ１，Ｈ２は、前記ソース／ドレイン領域２１ａ，２１ｂの一部を露出させ、前記開口Ｈ３，Ｈ４は、発光領域１０１電極パターン３０の上部を構成する第２導電層１９の一部を露出させ、前記開口Ｈ５は、保存領域１０３電極パターン４０の上部を構成する第２導電層１９の一部を露出させる。また、前記開口Ｈ６，Ｈ７は、前記キャパシタ下部電極４１一部を露出させる。
【００５５】
図８を参照すれば、前記層間絶縁膜５１をカバーするように、基板１０の全面に第３導電層５３が蒸着される。
【００５６】
前記第３導電層５３は、前述の第１導電層１７又は第２導電層１９と同じ導電物質のなかから選択することができるが、これらに限定されるものではなく、多様な導電物質によって形成されうる。また、前記導電物質は、前述の開口Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５，Ｈ６，Ｈ７を充填することができるほどに十分な厚みに蒸着される。
【００５７】
図９を参照すれば、この第３導電層５３をパターニングすることで、ソース／ドレイン電極２７，２９及び金属拡散媒介層４４が形成され、またエッチングを介して、画素電極３１及びキャパシタ上部電極４２，４３がそれぞれ形成される。すなわち、前記第３導電層５３を、第４マスク（図示せず）を使用したマスク工程でパターニングすることで、ソース／ドレイン電極２７，２９と金属拡散媒介層４４とが形成される。
【００５８】
前記ソース／ドレイン電極２７，２９のうち１つの電極（本実施形態の場合、電極２７）は、画素電極３１が形成される電極パターン３０の上部に位置する第２導電層１９のエッジ領域の開口Ｈ３を介して、画素電極３１と接続するように形成される。
【００５９】
前記金属拡散媒介層４４は、前記キャパシタＣｓｔの下部電極４１に連結される。これにより、簡単な熱処理によって、金属拡散媒介層４４の金属原子が下部電極４１に拡散し、下部電極４１内の抵抗を下げることが可能となる。例えば、金属拡散媒介層４４がチタンとアルミニウムとが混合された材質である場合、アルミニウム原子が下部電極４１に拡散して入っていく。これは、次に説明する不純物ドーピング時に、不均一ドーピングによる抵抗増加を抑制するのに有用な構造となる。
【００６０】
そして、前記ソース／ドレイン電極２７，２９が形成された後、追加エッチングによって、画素電極３１及びキャパシタ上部電極４２，４３がそれぞれ形成される。
【００６１】
前記発光領域１０１の電極パターン３０において、開口Ｈ４によって露出された第２導電層１９を除去することで、画素電極３１が形成される。
【００６２】
前記保存領域１０３の電極パターン４０において、開口Ｈ５によって露出された第２導電層１９を除去することで、キャパシタ上部電極４２，４３が形成される。このとき、第１導電層１７で形成された第１上部電極４２は、そのまま残存し、第２導電層１９で形成された第２上部電極４３は、前記第１上部電極４２が露出されるように一部だけ残存して除去される。事実、第２上部電極４３の場合、いずれも除去されることが望ましいが、層間絶縁膜５１中に入った部分は、除去されずに残留する。すなわち、第２上部電極４３は、意図的に残すのではなく、一部が除去されずに残るのである。ところで、このように残った第２上部電極４３が、その後の下部電極４１ドーピング時に、下部電極４１の一部を覆って不均一ドーピングを招くことがある。まさにこのような問題を解決するために、前述のように、金属拡散媒介層４４を形成しておくのである。
【００６３】
図１０を参照すれば、前記開口Ｈ５を介して、ｎ型またはｐ型の不純物が注入され、キャパシタ下部電極４１がドーピングされる。前記ドーピング時に注入される不純物は、前記活性層２１のドーピング時に使われたものと同一であってもよく、又は、異なっていてもよい。このとき、下部電極４１において前記第２上部電極４３によって識別された領域には、ドーピングが良好に行われないことがある。すなわち、不均一ドーピングになりうる。しかし、このとき、約３００〜３５０℃ほどに加熱する簡単な熱処理を進めれば、前記金属拡散媒介層４４内の金属原子が下部電極４１に拡散し、これによって、ドーピングが良好に行われていない領域に、金属原子が入っていく。これにより、ドーピングが行われずに抵抗が増加する領域に金属原子が拡散して入っていきつつ、再び抵抗が低くなり、不均一ドーピングによる抵抗増加現象を緩和させることができる。
【００６４】
そして、不純物の拡散がさらに円滑になされるようにするためには、図３に図示した下部電極４１の形成段階において、図１２Ａや図１２Ｂに図示したように、下部電極４１にスリット４１ａ，４１ｂを形成したうえで、図７に図示した開口Ｈ６，Ｈ７の形成段階において、そのスリット４１ａ，４１ｂ間に、金属拡散媒介層４４が連結されるように開口Ｈ６，Ｈ７を形成することが更に効果的である。これは、金属原子の拡散をスリット４１ａ，４１ｂの長手方向に集中させ、迅速な拡散を誘導できるからである。
【００６５】
次に、図１１を参照すれば、基板１０上に、画素定義膜（ＰＤＬ：ｐｉｘｅｌ  ｄｅｆｉｎｅ  ｌａｙｅｒ）５５が形成される。
【００６６】
前記画素電極３１、ソース／ドレイン電極２７，２９、及び、キャパシタ上部電極４２，４３が形成された基板１０の全面に、第３絶縁層５５ａが蒸着される。
【００６７】
前記第３絶縁層５５ａは、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つ以上の有機絶縁物質により、スピンコーティング等の方法で形成されうる。一方、前記第３絶縁層５５ａは、上記のような有機絶縁物質だけではなく、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯｘ、Ｔｂ４Ｏ７、Ｙ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｐｒ２Ｏ３などから選択された無機絶縁物質から形成されうることは言うまでもない。また、前記第３絶縁層５５ａは、有機絶縁物質と無機絶縁物質とが交互に積層された多層構造によって形成されてもよい。
【００６８】
前記第３絶縁層５５ａを、第５マスク（図示せず）を使用したマスク工程によってパターニングし、画素電極３１の中央部が露出されるように開口Ｈ８を形成することによって、画素を定義する画素定義膜５５が形成される。
【００６９】
その後、図１に図示されているように、前記画素電極３１を露出する開口Ｈ８に、有機発光層を含む中間層３３及び対向電極３５が形成される。
【００７０】
前記中間層３３は、有機発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）と、それ以外に、正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）等といった機能層のうちいずれか１層以上の層とが、単一あるいは複合の構造に積層されて形成されうる。
【００７１】
前記中間層３３は、低分子または高分子の有機物によって形成されてもよい。
【００７２】
中間層３３が低分子有機物により形成される場合、中間層３３は、有機発光層を中心として画素電極３１側に、正孔輸送層及び正孔注入層などが積層され、対向電極３５側に、電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも、必要に応じて、多様な層が積層されてもよい。このとき使用可能な有機材料についても、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などの化合物をはじめとして、多様に適用することが可能である。
【００７３】
一方、中間層３３が高分子有機物により形成される場合、中間層３３は、有機発光層を中心として画素電極３１側に、正孔輸送層だけが含まれてもよい。正孔輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェット・プリンティング法やスピンコーティング法によって、画素電極３１上部に形成されうる。このとき使用可能な有機材料として、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系などの高分子有機物を挙げることができ、インクジェット・プリンティング法やスピンコーティング法、またはレーザを利用した熱転写法のような通常の方法でカラーパターンを形成することができる。
【００７４】
前記対向電極３５は、基板１０の全面に蒸着され、共通電極として形成されうる。本実施形態に係る有機発光表示装置の場合、画素電極３１は、アノード電極として使われ、対向電極３５は、カソード電極として使われる。電極の極性は、反対に入れ替えて適用可能であることは言うまでもない。
【００７５】
有機発光表示装置が、基板１０側に画像が実現される背面発光型の場合、画素電極３１は透明電極になり、対向電極３５は反射電極になる。このとき、反射電極は、仕事関数の小さい金属、例えば、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ又はそれらの化合物を薄く蒸着して形成することができる。
【００７６】
一方、前記図面には図示されていないが、対向電極３５上には、外部の水分や酸素などから有機発光層を保護するための密封部材（図示せず）及び吸湿剤（図示せず）などが更に設けられていてもよい。
【００７７】
前述の有機発光表示装置を形成するための各マスク工程時、積層膜の除去は、乾式エッチング又は湿式エッチングによって行われる。
【００７８】
本発明の実施形態に係る有機発光表示装置及びその製造方法によれば、基板から画素定義膜まで５回のマスクだけで製造が可能であるため、マスク数の低減によるコストの節減及び製造工程の単純化を実現することができ、またキャパシタの不均一ドーピングによる抵抗増加の憂慮も解消することができる。
【００７９】
一方、図１３及び図１４は、図１に図示された有機発光表示装置の構造において、キャパシタＣｓｔの変形可能な実施形態を示している。これらの図面において、前述の図１と同じ参照番号は、同一機能の部材を示している。
【００８０】
まず、図１３に図示したように、下部電極４１に溝４１ｃを形成し、金属拡散媒介層４４がその溝４１ｃにも入り、下部電極４１と接触するように構成されてもよい。前記溝４１ｃは、図３に示したように、下部電極４１をパターニングするときに形成されうる。図１３に示したように溝４１ｃを形成して金属拡散媒介層４４を接触させれば、金属拡散媒介層４４と下部電極４１との接触面積が拡大する。すなわち、図１では、金属拡散媒介層４４が下部電極４１の上面に接触するだけであったが、本変形例では、金属拡散媒介層が下部電極４１の上面だけではなく、溝４１ｃを介して側面にも接触するために、接触面積が広くなり、その結果、金属原子の拡散効率も高まるのである。
【００８１】
また、図１４に図示したように、溝４１ｄを、下部電極４１下のバッファ層１１まで形成することもできる。この溝４１ｄも、図３に示したように、下部電極４１をパターニングするときに形成することができ、図１３のように、金属拡散媒介層４４と下部電極４１との接触面積が拡大する効果を得ることができる。そして、バッファ層１１まで溝４１ｄを形成したために、下部電極４１の側面に、金属拡散媒介層４４が接触することのできる面積が、更に広くなるのである。
【００８２】
従って、このような変形例を介して、金属原子の拡散をさらに促進させることが可能となる。
【００８３】
一方、本発明による実施形態について説明するための図面には、１つのＴＦＴと１つのキャパシタとが図示されているが、それは説明上での便宜的なものである。本発明は、これに限定されずに、複数個のＴＦＴと複数個のキャパシタとが含まれうることは言うまでもない。
【００８４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００８５】
１０    基板
１１    バッファ層
１５，５０，５５ａ    第１絶縁層
１７    第１導電層
１９    第２導電層
２０    ゲート電極
２１    活性層
２１ａ，２１ｂ    ソース／ドレイン領域
２３    第１電極
２５    第２電極
２７，２９    ソース／ドレイン電極
３０，４０    電極パターン
３１    画素電極
３３    中間層
３５    対向電極
４１    下部電極
４１ｃ，４１ｄ    溝
４２    第１上部電極
４３    第２上部電極
４４    金属拡散媒介層
５０    第２絶縁層
５１    層間絶縁膜
５３    第３導電層
５５    画素定義膜
５５ａ    第３絶縁増
１０１    発光領域
１０２    スイッチ領域
１０３    保存領域
Ｈ１〜Ｈ８    開口
【図１】
0005865659.tif 000002
【図２】
0005865659.tif 000003
【図３】
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【図４】
0005865659.tif 000005
【図５】
0005865659.tif 000006
【図６】
0005865659.tif 000007
【図７】
0005865659.tif 000008
【図８】
0005865659.tif 000009
【図９】
0005865659.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0005865659.tif 000012
【図１２Ａ】
0005865659.tif 000013
【図１２Ｂ】
0005865659.tif 000014
【図１３】
0005865659.tif 000015
【図１４】
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