(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、
基板の裏面に対向する保持面が形成された保持板と、
前記保持面に形成され、真空吸引により前記基板を前記保持面に吸引する１以上の真空吸引口と、
前記保持面に形成され、ベルヌーイ吸引により前記基板を前記保持面に吸引する複数のベルヌーイ吸引口と、
を備え、
前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、
前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、
前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される、基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記真空吸引口を複数個備え、
前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、
前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい、基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持面上の圧力を検知する圧力センサ、
を備え、
前記保持面に基板が載置されると前記真空吸引口からの吸引を開始し、
前記真空吸引口からの吸引を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始する、基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を停止する、基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記保持板の裏面側に形成され、深さ方向の底面において前記ベルヌーイ吸引口と連通する凹部と、
前記凹部の内部に配置されたベルヌーイ吸引ユニットと、
を備え、
前記ベルヌーイ吸引ユニットが、
円柱状の凹空間が形成された本体部と、
前記円柱状の凹空間に気体を噴出して前記円柱状の凹空間に旋回流を形成する噴出ノズルと、
を備え、
前記本体部が、前記凹部の深さ方向の底面および前記凹部の壁面との間に隙間を形成しつつ、前記凹部内に固定的に支持される、基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、
前記ベルヌーイ吸引口の径サイズが、前記円柱状の凹空間の径サイズよりも小さく形成される、基板処理装置。
【請求項９】
基板を保持する基板保持装置であって、
基板の裏面に対向する保持面が形成された保持板と、
前記保持面に形成され、真空吸引により前記基板を前記保持面に吸引する１以上の真空吸引口と、
前記保持面に形成され、ベルヌーイ吸引により前記基板を前記保持面に吸引する複数のベルヌーイ吸引口と、
を備え、
前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、
前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、
前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される、基板保持装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板保持装置であって、
前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板保持装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の基板保持装置であって、
前記真空吸引口を複数個備え、
前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、
前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板保持装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板保持装置であって、
前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい、基板保持装置。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれかに記載の基板保持装置であって、
前記保持面上の圧力を検知する圧力センサ、
を備え、
前記保持面に基板が載置されると前記真空吸引口からの吸引を開始し、
前記真空吸引口からの吸引を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始する、基板保持装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の基板保持装置であって、
前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を停止する、基板保持装置。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれかに記載の基板保持装置であって、
前記保持板の裏面側に形成され、深さ方向の底面において前記ベルヌーイ吸引口と連通する凹部と、
前記凹部の内部に配置されたベルヌーイ吸引ユニットと、
を備え、
前記ベルヌーイ吸引ユニットが、
円柱状の凹空間が形成された本体部と、
前記円柱状の凹空間に気体を噴出して前記円柱状の凹空間に旋回流を形成する噴出ノズルと、
を備え、
前記本体部が、前記凹部の深さ方向の底面および前記凹部の壁面との間に隙間を形成しつつ、前記凹部内に固定的に支持される、基板保持装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板保持装置であって、
前記ベルヌーイ吸引口の径サイズが、前記円柱状の凹空間の径サイズよりも小さく形成される、基板保持装置。
【請求項１７】
基板を保持する基板保持方法であって、
ａ）基板の裏面を、保持板に形成された保持面に対向させた状態で、前記基板を前記保持面上に載置する工程と、
ｂ）前記保持面に形成された１以上の真空吸引口に、真空吸引により吸引圧を形成する工程と、
ｃ）前記保持面に形成された複数のベルヌーイ吸引口の少なくとも一つに、ベルヌーイ吸引により吸引圧を形成する工程と、
を備え、
前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、
前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、
前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される、基板保持方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板保持方法であって、
前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板保持方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の基板保持方法であって、
前記真空吸引口を複数個備え、
前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、
前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、
前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、
を備え、
前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される、基板保持方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の基板保持方法であって、
前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい、基板保持方法。
【請求項２１】
請求項１７から２０のいずれかに記載の基板保持方法であって、
前記保持面に基板が載置されると前記ｂ）工程を開始し、前記ｂ）工程を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に、前記ｃ）工程を開始する、基板保持方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の基板保持方法であって、
前記ｃ）工程を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引を停止する、基板保持方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、プリント基板、カラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置に具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、太陽電池用パネルなどの各種基板（以下、単に「基板」と称する）を保持する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対して様々な処理（例えば、基板に形成された感光材料への光の照射、基板への各種塗布液の塗布、等）を行う各種の基板処理装置（例えば、特許文献１参照）、あるいは、基板の移送を行う基板搬送装置等において、基板を保持する技術は必須である。
【０００３】
当該技術に関して、例えば特許文献２、３には、基板の下面側を真空吸着ノズルを用いて吸着保持する構成が開示されている。また例えば特許文献４〜７には、ベルヌーイの原理を用いたベルヌーイノズル（保持面に形成された穴からガスを噴出することによりベルヌーイ効果を利用して基板を吸着するノズル）を用いて基板を吸着保持する構成が開示されている。また例えば特許文献８には、ベルヌーイノズルを用いて基板を持ち上げつつ、基板が移動しないように真空吸着ノズルによって固定する構成が開示されている。また例えば特許文献９には、ベルヌーイノズルと真空吸着ノズルとを併用して基板を吸着保持する構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１５０１７５号公報
【特許文献２】特開２００８−２７０６２６号公報
【特許文献３】特開２００５−１９６３７号公報
【特許文献４】特開２００９−２８８６３号公報
【特許文献５】特開２００５−１４２４６２号公報
【特許文献６】特開２００２−６４１３０号公報
【特許文献７】特開２０１０−５２０５１号公報
【特許文献８】特開２００４−１９３１９５号公報
【特許文献９】特開２００６−８０２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、基板に形成された感光材料への光の照射を行って基板上に回路などのパターンを形成する描画装置等においては、処理中に基板が保持面に対して位置ずれを起こしてしまうと描画精度が悪化してしまう。したがって、保持面に載置された基板を、位置ずれを生じさせないように確実に保持する必要がある。
【０００６】
ところで、保持面に載置された状態において、基板は、必ずしも平坦形状であるとは限らない。例えば、保持面に基板を載置した搬送装置のハンドが基板の中央付近を支持していた場合、保持面に載置された基板は凸形状に反っている可能性がある。また、当該搬送装置のハンドが基板の外縁を支持していた場合、保持面に載置された基板は凹形状に反っている可能性がある。基板の薄型化が進む近年においては、基板は非常に反りやすくなっているため、保持面に載置された状態において基板が反っている可能性は非常に高い。
【０００７】
上記の各特許文献２〜９に開示された構成のように、基板と保持面との間に負圧を形成することによって基板を保持面に吸着保持する態様においては、反った基板を確実に保持することが非常に難しい。というのも、保持面に載置された基板が反っている場合、基板の裏面の一部分において保持面との間に隙間ができ、この隙間から負圧が逃げてしまうからである。保持面と基板の裏面との間に十分な吸引圧が形成されないと、吸着不良となり、基板が保持面に対して位置ずれを起こす可能性が高くなってしまう。一方で、このような吸着不良を生じさせずに確実に吸着保持しようとすると、基板に非常に大きな吸引力を作用させなければならず、このためには、例えば大型の真空ポンプや大規模な配管系統等を設ける必要があり、装置の大型化、コストアップ等が避けられない。
【０００８】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、反った基板であっても確実に保持できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の態様は、基板に対して所定の処理を施す基板処理装置であって、基板の裏面に対向する保持面が形成された保持板と、前記保持面に形成され、真空吸引により前記基板を前記保持面に吸引する１以上の真空吸引口と、前記保持面に形成され、ベルヌーイ吸引により前記基板を前記保持面に吸引する複数のベルヌーイ吸引口と、を備え、前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される。
【００１０】
第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００１２】
第３の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記真空吸引口を複数個備え、前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００１３】
第４の態様は、第３の態様に係る基板処理装置であって、前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい。
【００１４】
第５の態様は、第１から第４のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記保持面上の圧力を検知する圧力センサ、を備え、前記保持面に基板が載置されると前記真空吸引口からの吸引を開始し、前記真空吸引口からの吸引を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始する。
【００１５】
第６の態様は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を停止する。
【００１６】
第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様に係る基板処理装置であって、前記保持板の裏面側に形成され、深さ方向の底面において前記ベルヌーイ吸引口と連通する凹部と、前記凹部の内部に配置されたベルヌーイ吸引ユニットと、を備え、前記ベルヌーイ吸引ユニットが、円柱状の凹空間が形成された本体部と、前記円柱状の凹空間に気体を噴出して前記円柱状の凹空間に旋回流を形成する噴出ノズルと、を備え、前記本体部が、前記凹部の深さ方向の底面および前記凹部の壁面との間に隙間を形成しつつ、前記凹部内に固定的に支持される。
【００１７】
第８の態様は、第７の態様に係る基板処理装置であって、前記ベルヌーイ吸引口の径サイズが、前記円柱状の凹空間の径サイズよりも小さく形成される。
【００１８】
第９の態様は、基板を保持する基板保持装置であって、基板の裏面に対向する保持面が形成された保持板と、前記保持面に形成され、真空吸引により前記基板を前記保持面に吸引する１以上の真空吸引口と、前記保持面に形成され、ベルヌーイ吸引により前記基板を前記保持面に吸引する複数のベルヌーイ吸引口と、を備え、前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される。
【００１９】
第１０の態様は、第９の態様に係る基板保持装置であって、前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００２１】
第１１の態様は、第９の態様に係る基板保持装置であって、前記真空吸引口を複数個備え、前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００２２】
第１２の態様は、第１１の態様に係る基板保持装置であって、前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい。
【００２３】
第１３の態様は、第９から第１２のいずれかの態様に係る基板保持装置であって、前記保持面上の圧力を検知する圧力センサ、を備え、前記保持面に基板が載置されると前記真空吸引口からの吸引を開始し、前記真空吸引口からの吸引を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始する。
【００２４】
第１４の態様は、第１３の態様に係る基板保持装置であって、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引口からの吸引を停止する。
【００２５】
第１５の態様は、第９から第１４のいずれかの態様に係る基板保持装置であって、前記保持板の裏面側に形成され、深さ方向の底面において前記ベルヌーイ吸引口と連通する凹部と、前記凹部の内部に配置されたベルヌーイ吸引ユニットと、を備え、前記ベルヌーイ吸引ユニットが、円柱状の凹空間が形成された本体部と、前記円柱状の凹空間に気体を噴出して前記円柱状の凹空間に旋回流を形成する噴出ノズルと、を備え、前記本体部が、前記凹部の深さ方向の底面および前記凹部の壁面との間に隙間を形成しつつ、前記凹部内に固定的に支持される。
【００２６】
第１６の態様は、第１５の態様に係る基板保持装置であって、前記ベルヌーイ吸引口の径サイズが、前記円柱状の凹空間の径サイズよりも小さく形成される。
【００２７】
第１７の態様は、基板を保持する基板保持方法であって、ａ）基板の裏面を、保持板に形成された保持面に対向させた状態で、前記基板を前記保持面上に載置する工程と、ｂ）前記保持面に形成された１以上の真空吸引口に、真空吸引により吸引圧を形成する工程と、ｃ）前記保持面に形成された複数のベルヌーイ吸引口の少なくとも一つに、ベルヌーイ吸引により吸引圧を形成する工程と、を備え、前記保持面に、前記保持面の中心と同心に配置された円形領域と、前記円形領域と同心に配置された円環状領域とが規定されており、前記円形領域と前記円環状領域とのそれぞれに前記ベルヌーイ吸引口が配置され、前記円環状領域に前記ベルヌーイ吸引口が複数配置され、前記円環状領域に配置された複数のベルヌーイ吸引口が、前記円環状領域の周方向に沿って等間隔に配列される。
【００２８】
第１８の態様は、第１７の態様に係る基板保持方法であって、前記保持面の外縁に沿って立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００３０】
第１９の態様は、第１７の態様に係る基板保持方法であって、前記真空吸引口を複数個備え、前記円環状領域がその周方向に沿って分割されることにより規定される複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれに、前記真空吸引口と前記ベルヌーイ吸引口とがそれぞれ配置され、前記複数の弧状領域および前記円形領域のそれぞれを包囲するように立設された土手部と、前記土手部により包囲された前記保持面内の各領域に立設された複数の突起部と、を備え、前記土手部の頂部と前記複数の突起部の頂部とが面一に形成される。
【００３１】
第２０の態様は、第１９の態様に係る基板保持方法であって、前記複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しい。
【００３２】
第２１の態様は、第１７から第２０のいずれかの態様に係る基板保持方法であって、前記保持面に基板が載置されると前記ｂ）工程を開始し、前記ｂ）工程を開始してから定められた時間が経過しても前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合に、前記ｃ）工程を開始する。
【００３３】
第２２の態様は、第２１の態様に係る基板保持方法であって、前記ｃ）工程を開始した後に前記保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、前記ベルヌーイ吸引を停止する。
【発明の効果】
【００３４】
第１、第９、第１７の態様によると、ベルヌーイ吸引口が、保持面に規定された円形領域と円環状領域とのそれぞれに配置されるので、基板が凸形状、凹形状のどちらに反っていても、ベルヌーイ吸引口からの吸引によってその反りを平坦化することができる。したがって、簡易な構成で、反った基板であっても確実にこれを吸着保持できる。
第１、第９、第１７の態様によると、保持面の円環状領域の周方向に沿って複数のベルヌーイ吸引口が等間隔に配列される。この構成によると、基板が凹形状に反っている場合であっても、円環状領域に配置された各ベルヌーイ吸引口からの吸引圧によってその反りを平坦化して、基板を確実に吸着保持できる。
【００３５】
第２、第１０、第１８の態様によると、基板は土手部の頂部と突起部の頂部とに当接した状態で吸着保持される。この構成によると、基板は、その裏面が土手部の高さ分だけ保持面から離間した状態で保持面に対して吸着保持されるので、基板の裏面に真空吸引口の吸引跡がつくおそれがない。
【００３７】
第３、第１１、第１９の態様によると、保持面内に規定された複数の部分領域（複数の弧状領域および円形領域）のそれぞれに真空吸引口とベルヌーイ吸引口とが配置されるとともに、当該各部分領域を包囲する土手部が形成される。この構成によると、各部分領域と基板の裏面との間に密閉空間を形成して、当該部分領域単位で独立して基板の裏面を吸着保持できるので、無駄なく効率的に基板の反りを平坦化して、基板を確実に吸着保持できる。また、この構成によると、基板は、その裏面が土手部の高さ分だけ保持面から離間した状態で保持面に対して吸着保持されるので、基板の裏面に真空吸引口の吸引跡がつくおそれがない。
【００３８】
第４、第１２、第２０の態様によると、複数の弧状領域のそれぞれの面積が互いに等しいものとされる。この構成によると、各弧状領域と基板の裏面との間に形成される密閉空間の体積が等しくなるので、各弧状領域において基板に同等の吸引力を作用させることができる。
【００３９】
第５、第１３、第２１の態様によると、真空吸引口からの吸引を行っても保持面上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合にベルヌーイ吸引口からの吸引を開始する。この構成によると、例えば保持面に載置された基板がはじめから反りのない平坦な形状である場合は、ベルヌーイ吸引口からの吸引は行われないので、無駄な空気の消費が抑制される。
【００４０】
第６、第１４、第２２の態様によると、ベルヌーイ吸引口からの吸引を開始した後に保持面上の吸引圧が所定値より低圧側となると、ベルヌーイ吸引口からの吸引を停止する。つまり、ベルヌーイ吸引口からの吸引によって基板の反りが平坦化されて基板が適切に吸着保持されると、以後は真空吸引口からの吸引のみで基板を吸着保持する。この構成によると、ベルヌーイ吸引口からの吸引が必要最小限に抑えられるので、無駄な空気の消費が抑制される。
【００４１】
第７、第１５の態様によると、ベルヌーイ吸引ユニットが備える本体部が、保持板に形成された凹部の深さ方向の底面および壁面との間に隙間を形成しつつ、凹部内に固定的に支持されるので、円柱状の凹空間内から溢れ出た気体が本体部の周囲の隙間に沿って流れて保持板の裏面側に排出されることになる。この構成によると、ベルヌーイ吸引口が基板の裏面によって塞がれた状態となっても、ベルヌーイ吸引口の吸引圧を維持し続けることができる。
【００４２】
第８、第１６の態様によると、ベルヌーイ吸引口の径サイズが、凹部空間の径サイズよりも小さく形成される。この構成によると、基板の裏面における吸引圧が作用する領域が小さくなるため、ベルヌーイ吸引口からの吸引を行うことによって基板の平面度を悪化させるおそれがない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】描画装置の側面図である。
【図２】描画装置の平面図である。
【図３】基板保持部の平面図である。
【図４】基板保持部を真空吸引口の形成位置で切断した部分断面図である。
【図５】基板保持部をベルヌーイ吸引口の形成位置で切断した部分断面図である。
【図６】基板保持部が備える配管系統を模式的に示す図である。
【図７】制御部のハードウエア構成を示すブロック図である。
【図８】描画装置にて実行される基板に対する処理の流れを示す図である。
【図９】基板保持部が基板保持面に吸着保持する処理の流れを示す図である。
【図１０】描画処理を説明するための図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る基板保持部の平面図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る基板保持部が備える配管系統を模式的に示す図である。
【図１３】ベルヌーイ吸引口に順番に負圧を形成する態様の一例を説明するための図である。
【図１４】変形例に係る基板保持部が備える配管系統を模式的に示す図である。
【図１５】変形例に係る基板保持部の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００４５】
＜＜第１の実施の形態＞＞
＜１．装置構成＞
第１の実施の形態に係る描画装置１の構成について、図１、図２を参照しながら説明する。図１は、描画装置１の構成を模式的に示す側面図である。図２は、描画装置１の構成を模式的に示す平面図である。
【００４６】
描画装置１は、レジスト等の感光材料の層が形成された基板Ｗの上面に光を照射して、パターンを露光する装置である。なお、基板Ｗは、半導体基板、プリント基板、カラーフィルタ用基板、液晶表示装置やプラズマ表示装置に具備されるフラットパネルディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、太陽電池用パネルなどの各種基板のいずれであってもよい。図においては、円形の半導体基板が示されている。
【００４７】
描画装置１は、本体フレーム１０１で構成される骨格の天井面および周囲面にカバーパネル（図示省略）が取り付けられることによって形成される本体内部と、本体フレーム１０１の外側である本体外部とに、各種の構成要素を配置した構成となっている。
【００４８】
描画装置１の本体内部は、処理領域１０２と受け渡し領域１０３とに区分されている。処理領域１０２には、主として、基板保持部１０、ステージ駆動機構２０、計測部３０、２個の光学ユニット４０，４０、および、撮像ユニット５０が配置される。受け渡し領域１０３には、処理領域１０２に対する基板Ｗの搬出入を行う搬送装置６０と、プリアライメント部７０とが配置される。
【００４９】
描画装置１の本体外部には、撮像ユニット５０に照明光を供給する照明ユニット８０が配置される。また、描画装置１の本体外部であって、受け渡し領域１０３に隣接する位置には、カセットＣを載置するためのカセット載置部１０４が配置される。受け渡し領域１０３に配置された搬送装置６０は、カセット載置部１０４に載置されたカセットＣに収容された未処理の基板Ｗを取り出して処理領域１０２に搬入するとともに、処理領域１０２から処理済みの基板Ｗを搬出してカセットＣに収容する。カセット載置部１０４に対するカセットＣの受け渡しは外部搬送装置（図示省略）によって行われる。
【００５０】
また、描画装置１には、描画装置１が備える各部と電気的に接続されて、これら各部の動作を制御する制御部９０が配置される。
【００５１】
以下において、描画装置１が備える各部の構成について説明する。
【００５２】
＜１−１．基板保持部１０＞
基板保持部１０は、基板Ｗを水平姿勢に吸着保持する装置である。基板保持部１０の構成について、図１、図２に加えて図３〜図６を参照しながら説明する。図３は、基板保持部１０の平面図である。図４は基板保持部１０を真空吸引口１２の形成位置で切断した部分断面図である。図５は基板保持部１０をベルヌーイ吸引口１３の形成位置で切断した部分断面図である。図６は、基板保持部１０が備える配管系統を模式的に示す図である。
【００５３】
基板保持部１０は、平板状の外形を有し、その上面に基板Ｗの裏面に対向する保持面１１１が形成される保持板１１を備える。保持面１１１の平面度は、光学ユニット４０における焦点深度に対して十分に小さい値（例えば約２μｍ以下）となるように形成される。また、保持面１１１は、少なくとも基板Ｗの露光領域をカバーするサイズに形成される。ただし、この実施形態においては、基板Ｗは円形状であるとし、保持面１１１も平面視円形状に形成される。
【００５４】
＜吸引口１２，１３，１３，・・，１３＞
保持面１１１には、複数の吸引口１２，１３，１３，・・，１３が形成される。複数の吸引口１２，１３，１３，・・，１３のうちの一個の吸引口１２は、真空吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する吸引口（以下「真空吸引口」という）１２であり、残りの各吸引口１３は、ベルヌーイ吸引により基板Ｗを保持面１１１に吸引する吸引口（以下「ベルヌーイ吸引口」という）１３である。ベルヌーイ吸引口１３は複数個（図示の例では、７個）形成される。
【００５５】
ここで、複数のベルヌーイ吸引口１３，１３，・・，１３のレイアウトについて説明する。保持面１１１には保持面１１１の中心（幾何学中心）と同心に配置された円形領域Ｍ１と、円形領域Ｍ１と同心に配置された円環状領域Ｍ２とが規定されており、ベルヌーイ吸引口１３は、円形領域Ｍ１と円環状領域Ｍ２とのそれぞれに、少なくとも１個ずつ配置される。ただし、円環状領域Ｍ２には複数のベルヌーイ吸引口１３，・・，１３が配置されることが好ましい。また、円環状領域Ｍ２に複数のベルヌーイ吸引口１３，・・，１３が配置される場合、当該複数のベルヌーイ吸引口１３，・・，１３は、円環状領域Ｍ２の周方向に沿って配列されることが好ましい。
【００５６】
この実施の形態においては、円形領域Ｍ１にはその中心に１個のベルヌーイ吸引口１３が配置される。また、円環状領域Ｍ２には、６個のベルヌーイ吸引口１３が、円環状領域Ｍ２の周方向に沿って等間隔に配列される。
【００５７】
次に、真空吸引口１２について具体的に説明する。真空吸引口１２は、配管１２１を介して、気体を吸引する気体吸引部（例えば真空ポンプ）１２２と接続されている。また、配管１２１の途中には開閉弁（例えば電磁弁）１２３が介挿されている。気体吸引部１２２が稼働されるとともに開閉弁１２３が開放されると、配管１２１を介して真空吸引口１２に負圧（吸引圧）が形成される。
【００５８】
次に、ベルヌーイ吸引口１３について具体的に説明する。保持板１１の裏面側であって、複数のベルヌーイ吸引口１３のそれぞれと対応する各位置には、凹部１１２が形成される。凹部１１２は、保持板１１の裏面側に開口し、深さ方向の底面において対応するベルヌーイ吸引口１３と連通する。
【００５９】
凹部１１２の内部には、ベルヌーイ吸引ユニット１３０の本体部１３１が配置される。ただし、凹部１１２は、本体部１３１よりも一回り大きな寸法とされており、本体部１３１の端面１３３および側面は、凹部１１２の深さ方向の底面および壁面との間に微小な隙間（例えば、数百μｍ程度の隙間）Ｑを形成しつつ、凹部１１２内に固定的に支持される。
【００６０】
本体部１３１における、凹部１１２の深さ方向の底面と対向する側の端面１３３は平坦に形成されており、この端面１３３には、円柱状の凹空間（円柱状凹空間）１３２が形成されている。ただし、本体部１３１は、円柱状凹空間１３２の中心部がベルヌーイ吸引口１３と対向するような姿勢で凹部１１２内に配置されている。ここで、ベルヌーイ吸引口１３の径サイズｄ１３は、円柱状凹空間１３２の径サイズｄ１３２よりも小さく形成される。
【００６１】
ベルヌーイ吸引ユニット１３０は、さらに、円柱状凹空間１３２の内周壁に沿って開口する一対の噴出ノズル１３４，１３４を備える。各噴出ノズル１３４は、配管１３５を介して、圧縮空気等の気体を供給する気体供給部（例えばコンプレッサ）１３６と接続されている。また、配管１３５の途中には開閉弁（例えば電磁弁）１３７とフィルタ（図示省略）が介挿されている。気体供給部１３６が稼働されるとともに開閉弁１３７が開放されると、配管１３５を介して各噴出ノズル１３４から圧縮気体が噴出される。一対の噴出ノズル１３４，１３４から円柱状凹空間１３２の内周壁に沿って噴出された気体は、円柱状凹空間１３２の内周壁に沿うように流れ、強い旋回流となって円柱状凹空間１３２の開放端から流出する。このとき、旋回流の中心部（すなわち、円柱状凹空間１３２の中心部）にはベルヌーイの定理に従って負圧が生じ、これによって、ベルヌーイ吸引口１３に負圧（吸引圧）が形成される。なお、円柱状凹空間１３２から溢れ出た気体は、本体部１３１と凹部１１２との間に形成された隙間Ｑに沿って流れ、保持板１１の裏面側に排出される。
【００６２】
＜土手部１４、突起部１５、環状突起部１６＞
保持面１１１には、その外縁に沿って土手部１４が立設される。また、土手部１４に包囲された保持面１１１内にはその全域にわたって複数の突起部１５が満遍なく立設される（図４、図５）。さらに、各ベルヌーイ吸引口１３の外縁および後述する各ピン孔１８の外縁に沿って環状の突起部（環状突起部）１６が立設される。ただし、図３においては、突起部１５の図示を省略している。
【００６３】
土手部１４の頂部と各突起部１５の頂部と各環状突起部１６の頂部とはすべて面一に形成されており、これら各頂部が配置される平面の平面度も、光学ユニット４０における焦点深度に対して十分に小さい値（例えば２μｍ程度）となるように形成される。保持面１１１に平坦な基板Ｗが載置されると、当該基板Ｗの裏面が土手部１４の頂部全域、全ての突起部１５の頂部、および、全ての環状突起部１６の頂部と当接し、土手部１４とこれに包囲された保持面１１１内の領域と基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成される。この状態で、保持面１１１に開口された真空吸引口１２に負圧が形成されると、当該密閉空間が減圧され、基板Ｗ（具体的には、少なくとも基板Ｗにおける露光領域を含む部分）は、その裏面が保持面１１１から土手部１４の高さ分だけ離間した位置において、平坦状態で保持面１１１に吸着保持されることになる。
【００６４】
＜圧力センサ１７＞
保持面１１１には、圧力センサ１７が配置される。圧力センサ１７は保持面１１１上の圧力を検出する。
【００６５】
＜ピン孔１８＞
基板保持部１０は、保持面１１１に対して基板Ｗを昇降させるための複数のリフトピン１８１を備える。また、保持面１１１には、各リフトピン１８１を挿通可能なピン孔１８が形成されている。各リフトピン１８１はリフトピン駆動機構（図示省略）と接続されており、各ピン孔１８を介して保持面１１１に対して同期して出没可能に設けられる。各リフトピン１８１は、搬送装置６０と保持面１１１との間で基板Ｗの受け渡しが行われる場合に、その先端が保持面１１１から突出した上方位置（突出位置）と、その先端が保持面１１１以下となる下方位置（待避位置）との間を往復移動される。
【００６６】
＜吸着制御部１９＞
基板保持部１０は、さらに、基板保持部１０が備える各部を制御する吸着制御部１９を備える。吸着制御部１９は、後に具体的に説明する制御部９０において、例えばＣＰＵ９１がプログラムＰに従って所定の演算処理を行うことによって、あるいは、専用の論理回路等でハードウエア的に実現される（図７）。
【００６７】
吸着制御部１９は、圧力センサ１７と電気的に接続されており、圧力センサ１７からの検知信号を取得可能に構成されている。また、吸着制御部１９は、開閉弁１２３および開閉弁１３７のそれぞれと電気的に接続されており、圧力センサ１７から得られる検知信号等に基づいて、各開閉弁１２３，１３７を独立して開閉制御する。つまり、吸着制御部１９は、圧力センサ１７から得られる検知信号等に基づいて、保持面１１１に形成された複数の吸引口（真空吸引口１２および複数のベルヌーイ吸引口１３，１３，・・，１３）のそれぞれにおける吸引圧の形成を制御する。この制御態様については後に具体的に説明する。
【００６８】
＜１−２．ステージ駆動機構２０＞
再び図１、図２を参照する。ステージ駆動機構２０は、基板保持部１０を基台１０５に対して移動させる機構であり、基板保持部１０を主走査方向（Ｙ軸方向）、副走査方向（Ｘ軸方向）、および回転方向（Ｚ軸周りの回転方向（θ軸方向））に移動させる。ステージ駆動機構２０は、具体的には、基板保持部１０を回転させる回転機構２１（図１）を備える。ステージ駆動機構２０は、さらに、回転機構２１を介して基板保持部１０を支持する支持プレート２２と、支持プレート２２を副走査方向に移動させる副走査機構２３とを備える。ステージ駆動機構２０は、さらに、副走査機構２３を介して支持プレート２２を支持するベースプレート２４と、ベースプレート２４を主走査方向に移動させる主走査機構２５とを備える。
【００６９】
回転機構２１は、図１に示すように、基板保持部１０の上面（保持面１１１）の中心を通り、保持面１１１に垂直な回転軸Ａを中心として基板保持部１０を回転させる。回転機構２１は、例えば、上端が保持面１１１の裏面側に固着され、鉛直軸に沿って延在する回転軸部２１１と、回転軸部２１１の下端に設けられ、回転軸部２１１を回転させる駆動部（例えば、回転モータ）２１２とを含む構成とすることができる。この構成においては、駆動部２１２が回転軸部２１１を回転させることにより、基板保持部１０が水平面内で回転軸Ａを中心として回転することになる。
【００７０】
副走査機構２３は、支持プレート２２の下面に取り付けられた移動子とベースプレート２４の上面に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２３１とを有している。また、ベースプレート２４には、副走査方向に延びる一対のガイド部材２３２が敷設されており、各ガイド部材２３２と支持プレート２２との間には、ガイド部材２３２に摺動しながら当該ガイド部材２３２に沿って移動可能なボールベアリングが設置されている。つまり、支持プレート２２は、当該ボールベアリングを介して一対のガイド部材２３２上に支持される。この構成においてリニアモータ２３１を動作させると、支持プレート２２はガイド部材２３２に案内された状態で副走査方向に沿って滑らかに移動する。
【００７１】
主走査機構２５は、ベースプレート２４の下面に取り付けられた移動子と描画装置１の基台１０５上に敷設された固定子とにより構成されたリニアモータ２５１を有している。また、基台１０５には、主走査方向に延びる一対のガイド部材２５２が敷設されており、各ガイド部材２５２とベースプレート２４との間にはエアベアリングが設置されている。エアベアリングにはユーティリティ設備から常時エアが供給されており、ベースプレート２４は、エアベアリングによってガイド部材２５２上に非接触で浮上支持される。この構成においてリニアモータ２５１を動作させると、ベースプレート２４はガイド部材２５２に案内された状態で主走査方向に沿って摩擦なしで滑らかに移動する。
【００７２】
＜１−３．計測部３０＞
計測部３０は、基板保持部１０の位置を計測する機構であり、基板保持部１０外から基板保持部１０に向けてレーザ光を出射するとともにその反射光を受光し、当該反射光と出射光との干渉から基板保持部１０の位置（具体的には、主走査方向に沿うＹ位置、および、回転方向に沿うθ位置）を計測する、干渉式のレーザ測長器により構成される。
【００７３】
計測部３０は、例えば、基板保持部１０の−Ｙ側の側面に取り付けられるとともに、−Ｙ側の面に主走査方向に垂直な反射面を備えるプレーンミラー３１と、ステージの−Ｙ側において基台１０５に対して固定される各部（具体的には、レーザ光源３２、スプリッタ３３、第１リニア干渉計３４、第１レシーバ３５、第２リニア干渉計３６および第２レシーバ３７）とを備える構成とすることができる。
【００７４】
この計測部３０においては、レーザ光源３２から出射されたレーザ光は、スプリッタ３３により２分割され、一方の一部が第１リニア干渉計３４を介してプレーンミラー３１上の第１の部位に入射し、プレーンミラー３１からの反射光が、第１リニア干渉計３４において元のレーザ光の一部（これが参照光として利用される）と干渉して第１レシーバ３５により受光される。第１レシーバ３５における、反射光と参照光との干渉後の強度変化に基づいて、第１リニア干渉計３４とプレーンミラー３１との主走査方向における距離が特定される。この第１レシーバ３５からの出力に基づいて、専門の演算回路（図示省略）にて基板保持部１０の主走査方向における位置が求められる。
【００７５】
一方、レーザ光源３２から出射されてスプリッタ３３により分割された他方のレーザ光の一部は、取付台３８の内部を＋Ｘ側から−Ｘ側へと通過し、第２リニア干渉計３６を介してプレーンミラー３１に入射する。ここで、第２リニア干渉計３６からのレーザ光は、プレーンミラー３１上の第１の部位から副走査方向に一定距離だけ離間したプレーンミラー３１上の第２の部位に入射することになる。プレーンミラー３１からの反射光は、第２リニア干渉計３６において元のレーザ光の一部と干渉して第２レシーバ３７により受光される。第２レシーバ３７における、反射光と参照光との干渉後の強度変化に基づいて、第２リニア干渉計３６とプレーンミラー３１との主走査方向における距離が特定される。第２レシーバ３７からの出力と上述した第１レシーバ３５からの出力に基づいて、専門の演算回路（図示省略）にて基板保持部１０の回転角度が求められる。
【００７６】
＜１−４．光学ユニット４０＞
光学ユニット４０は、基板保持部１０上に保持された基板Ｗの上面に光を照射して露光するための機構である。上述したとおり、描画装置１は２個の光学ユニット４０，４０を備える。一方の光学ユニット４０は基板Ｗの＋Ｘ側半分の露光を担当し、他方の光学ユニット４０は基板Ｗの−Ｘ側半分の露光を担当する。これら２個の光学ユニット４０，４０は、基板保持部１０およびステージ駆動機構２０を跨ぐようにして基台１０５上に架設されたフレーム１０７に、間隔をあけて固設される。なお、２個の光学ユニット４０，４０の間隔は必ずしも一定に固定されている必要はなく、光学ユニット４０，４０の一方あるいは両方の位置を変更可能とする機構を設けて、両者の間隔を調整可能としてもよい。
【００７７】
２個の光学ユニット４０，４０はいずれも同じ構成を備える。すなわち、各光学ユニット４０は、天板を形成するボックスの内部に配置されたレーザ駆動部４１、レーザ発振器４２および照明光学系４３と、フレーム１０７の＋Ｙ側に取り付けられた付設ボックスの内部に収容されたヘッド部４００とを備える。ヘッド部４００は、空間光変調部４４と投影光学系４５とを主として備える。
【００７８】
レーザ発振器４２は、レーザ駆動部４１からの駆動を受けて、出力ミラー（図示省略）からレーザ光を出射する。照明光学系４３は、レーザ発振器４２から出射された光（スポットビーム）を、強度分布が均一な線状の光（光束断面が線状の光であるラインビーム）とする。レーザ発振器４２から出射され、照明光学系４３にてラインビームとされた光は、ヘッド部４００に入射し、パターンデータＤ（図７参照）に応じた空間変調を施された上で基板Ｗに照射される。
【００７９】
ヘッド部４００に入射した光は、具体的には、ミラー４６を介して、定められた角度で空間光変調部４４に入射する。空間光変調部４４は、当該入射光を空間変調して、パターンの描画に寄与させる必要光と、パターンの描画に寄与させない不要光とを、互いに異なる方向に反射させる。ただし、光を空間変調させるとは、具体的には、光の空間分布（振幅、位相、および偏光等）を変化させることを意味する。
【００８０】
空間光変調部４４は、具体的には、電気的な制御によって入射光を空間変調させる空間光変調器４４１を備える。空間光変調器４４１は、その反射面の法線が、ミラー４６を介して入射する入射光の光軸に対して傾斜して配置され、当該入射光を制御部９０の制御に基づいて空間変調させる。空間光変調器４４１は、例えば、回折格子型の空間変調器（例えば、ＧＬＶ（Grating Light Valve：グレーチング・ライト・開閉弁)（シリコン・ライト・マシーンズ（サンノゼ、カリフォルニア）の登録商標）等を利用して構成される。回折格子型の空間変調器は、格子の深さを変更することができる回折格子であり、例えば、半導体装置製造技術を用いて製造される。
【００８１】
空間光変調器４４１は、複数の空間光変調素子を一次元に並べた構成となっている。各空間光変調素子の動作は、電圧のオン／オフで制御される。すなわち、例えば電圧がオフされている状態においては空間光変調素子の表面は平面となっており、この状態で空間光変調素子に光が入射すると、その入射光は回折せずに正反射する。これにより、正反射光（０次回折光）が発生する。一方、例えば電圧がオンされている状態においては、空間光変調素子の表面には平行な溝が周期的に並んで複数本形成される。この状態で空間光変調素子に光が入射すると、正反射光（０次回折光）は打ち消しあって消滅し、他の次数の回折光（±１次回折光、±２次回折光、および、さらに高次の回折光）が発生する。より正確には、０次回折光の強度が最小となり、他の次数の回折光の強度が最大となる。空間光変調器４４１は、複数の空間光変調素子のそれぞれに対して独立に電圧を印加可能なドライバ回路ユニットを備えており、各空間光変調素子の電圧が独立して切り換え可能となっている。
【００８２】
投影光学系４５は、空間光変調器４４１にて空間変調された光のうち、パターンの描画に寄与させるべきでない不要光を遮断するとともにパターンの描画に寄与させるべき必要光のみを基板Ｗの表面に導いて、当該表面に結像させる。ただし、空間光変調器４４１にて空間変調された光には、０次回折光と、０次以外の次数の回折光（具体的には、±１次回折光、±２次回折光、および、比較的微量の±３次以上の高次回折光）とが含まれており、０次回折光はパターンの描画に寄与させるべき必要光であり、それ以外の回折光はパターンの描画に寄与させるべきでない不要光である。これら必要光と不要光とは互いに異なる方向に沿って出射される。すなわち、必要光はＺ軸に沿って−Ｚ方向に、不要光はＺ軸から±Ｘ方向に僅かに傾斜した軸に沿って−Ｚ方向に、それぞれ出射される。投影光学系４５は、例えば、遮断板によって、Ｚ軸から±Ｘ方向に僅かに傾斜した軸に沿って進行する不要光を遮断するとともに、Ｚ軸に沿って進行する必要光のみを通過させる。投影光学系４５は、この遮断板の他に、入射光の幅を広げる（あるいは狭める）ズーム部を構成する複数のレンズ、入射光を定められた倍率として基板Ｗ上に結像させる対物レンズ、等をさらに含む構成とすることができる。
【００８３】
光学ユニット４０に描画動作を実行させる場合、制御部９０は、レーザ駆動部４１を駆動してレーザ発振器４２から光を出射させる。出射された光は照明光学系４３にてラインビームとされ、ミラー４６を介して空間光変調部４４の空間光変調器４４１に入射する。空間光変調器４４１においては、複数の空間光変調素子が、副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って並んで配置されており、入射光はその線状の光束断面を空間光変調素子の配列方向に沿わせるようにして、一列に配列された複数の空間光変調素子に入射する。制御部９０は、パターンデータＤに基づいてドライバ回路ユニットに指示を与え、ドライバ回路ユニットが指示された空間光変調素子に対して電圧を印加する。これによって、各空間光変調素子にて個々に空間変調された光が形成され、基板Ｗに向けて出射されることになる。空間光変調器４４１が備える空間光変調素子の個数を「Ｎ個」とすると、空間光変調器４４１からは、副走査方向に沿うＮ画素分の空間変調された光が出射されることになる。空間光変調器４４１にて空間変調された光は、投影光学系４５に入射し、ここで、不要光が遮断されるとともに必要光のみが基板Ｗの表面に導かれ、定められた倍率とされて基板Ｗの表面に結像される。
【００８４】
後に明らかになるように、光学ユニット４０は、このように副走査方向に沿うＮ画素分の空間変調された光を断続的に照射し続けながら（すなわち、基板Ｗの表面にパルス光を繰り返して投影し続けながら）、主走査方向（Ｙ軸方向）に沿って基板Ｗに対して相対的に移動される。したがって、光学ユニット４０が主走査方向に沿って基板Ｗを１回横断すると、基板Ｗの表面に、副走査方向に沿ってＮ画素分の幅をもつ一本のパターン群が描画されることになる。この、Ｎ画素分の幅をもつ１本のパターン描画領域を、以下の説明では「１ストライプ分の領域」ともいう。
【００８５】
なお、ヘッド部４００には、空間光変調部４４と投影光学系４５との間に、空間光変調部４４で変調された光の経路を副走査方向に沿って僅かにシフトさせる光路補正部をさらに設けてもよい。この場合、必要に応じて光路補正部に光の経路をシフトさせることによって、基板Ｗに照射される光の位置を副走査方向に沿って微調整することが可能となる。光路補正部は、例えば、２個のウェッジプリズム（非平行な光学面を備えることにより入射光の光路を変更できるプリズム）と、一方のウェッジプリズムを、他方のウェッジプリズムに対して、入射光の光軸の方向（Ｚ軸方向）に沿って直線的に移動させるウェッジプリズム移動機構とから実現することができる。この構成においては、ウェッジプリズム移動機構を駆動制御して、２個のウェッジプリズム間の離間距離を調整することによって、必要な量だけ入射光をシフトさせることができる。
【００８６】
＜１−５．撮像ユニット５０＞
撮像ユニット５０は、基板Ｗの上面に形成されたアライメントマークを撮像する。撮像ユニット５０は、鏡筒、対物レンズ、および、例えばエリアイメージセンサ（二次元イメージセンサ）により構成されるＣＣＤイメージセンサ（いずれも図示省略）を備える。また、撮像ユニット５０は、照明ユニット８０から延びるファイバ８１と接続される。照明ユニット８０から出射される光はファイバ８１によって鏡筒に導かれ、鏡筒を介して基板Ｗの上面に導かれる。そして、その反射光が、対物レンズを介してＣＣＤイメージセンサで受光される。これによって、基板Ｗの上面の撮像データが取得されることになる。ＣＣＤイメージセンサは、制御部９０からの指示に応じて撮像データを取得するとともに、取得した撮像データを制御部９０に送信する。なお、撮像ユニット５０はオートフォーカス可能なオートフォーカスユニットをさらに備えていてもよい。
【００８７】
＜１−６．搬送装置６０＞
搬送装置６０は、基板Ｗを支持するための２本のハンド６１，６１と、ハンド６１，６１を独立に移動させるハンド駆動機構６２とを備える。各ハンド６１は、ハンド駆動機構６２によって駆動されることにより進退移動および昇降移動されて、基板保持部１０の保持面１１１に対する基板Ｗの受け渡しを行う。
【００８８】
＜１−７．プリアライメント部７０＞
プリアライメント部７０は、基板Ｗの回転位置を粗く補正する装置である。プリアライメント部７０は、例えば、回転可能に構成された載置台と、載置台に載置された基板Ｗの外周縁の一部に形成された切り欠き部（例えば、ノッチ、オリエンテーションフラット等）の位置を検出するセンサと、載置台を回転させる回転機構とから構成することができる。この場合、プリアライメント部７０におけるプリアライメント処理は、まず、載置台に載置された基板Ｗの切り欠き部の位置をセンサで検出し、続いて、回転機構が、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように（例えば、切り欠きの方向が基板保持部１０の移動方向（例えば、Ｘ方向））と平行になるように）載置台を回転させることによって行われる。
【００８９】
＜１−８．制御部９０＞
制御部９０は、描画装置１が備える各部と電気的に接続されており、各種の演算処理を実行しつつ描画装置１の各部の動作を制御する。
【００９０】
図７は、制御部９０のハードウエア構成を示すブロック図である。制御部９０は、例えば、ＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、外部記憶装置９４等がバスライン９５を介して相互接続された一般的なコンピュータによって構成されている。ＲＯＭ９２は基本プログラム等を格納しており、ＲＡＭ９３はＣＰＵ９１が所定の処理を行う際の作業領域として供される。外部記憶装置９４は、フラッシュメモリ、あるいは、ハードディスク装置等の不揮発性の記憶装置によって構成されている。外部記憶装置９４にはプログラムＰが格納されており、このプログラムＰに記述された手順に従って、主制御部としてのＣＰＵ９１が演算処理を行うことにより、各種機能が実現されるように構成されている。プログラムＰは、通常、予め外部記憶装置９４等のメモリに格納されて使用されるものであるが、ＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭ、外部のフラッシュメモリ等の記録媒体に記録された形態（プログラムプロダクト）で提供され（あるいは、ネットワークを介した外部サーバからのダウンロードなどにより提供され）、追加的または交換的に外部記憶装置９４等のメモリに格納されるものであってもよい。なお、制御部９０において実現される一部あるいは全部の機能は、専用の論理回路等でハードウエア的に実現されてもよい。
【００９１】
また、制御部９０では、入力部９６、表示部９７、通信部９８もバスライン９５に接続されている。入力部９６は、各種スイッチ、タッチパネル等により構成されており、オペレータから各種の入力設定指示を受け付ける。表示部９７は、液晶表示装置、ランプ等により構成されており、ＣＰＵ９１による制御の下、各種の情報を表示する。通信部９８は、ＬＡＮ等を介したデータ通信機能を有する。
【００９２】
外部記憶装置９４には、基板Ｗに露光すべきパターンを記述したデータ（パターンデータ）Ｄが格納される。パターンデータＤは、例えば、ＣＡＤを用いて生成されたＣＡＤデータをラスタライズしたデータであり、回路パターンなどを表現している。制御部９０は、基板Ｗに対する一連の処理に先立ってパターンデータＤを取得して外部記憶装置９４に格納している。なお、パターンデータＤの取得は、例えばネットワーク等を介して接続された外部端末装置から受信することにより行われてもよいし、記録媒体から読み取ることにより行われてもよい。
【００９３】
＜２．基板Ｗに対する処理の流れ＞
次に、描画装置１において実行される基板Ｗに対する一連の処理の流れについて、図８を参照しながら説明する。図８は、当該処理の流れを示す図である。以下に説明する一連の動作は、制御部９０の制御下で行われる。
【００９４】
まず、搬送装置６０が、カセット載置部１０４に載置されたカセットＣから未処理基板Ｗを取り出して描画装置１（具体的には、プリアライメント部７０）に搬入する（ステップＳ１）。
【００９５】
続いて、プリアライメント部７０にて、基板Ｗに対するプリアライメント処理が行われる（ステップＳ２）。プリアライメント処理は、上述したとおり、例えば、載置台に載置された基板Ｗの切り欠き部の位置をセンサで検出し、当該切り欠き部の位置が定められた位置となるように載置台を回転させることによって行われる。これによって、載置台に載置された基板Ｗが定められた回転位置におおまかに位置合わせされた状態におかれることになる。
【００９６】
続いて、搬送装置６０が、プリアライメント処理済みの基板Ｗをプリアライメント部７０から搬出してこれを基板保持部１０の保持面１１１に載置する（ステップＳ３）。この処理は、具体的には次のように行われる。まず、ステージ駆動機構２０が、基板保持部１０を定められた受け渡し位置まで移動させる。基板保持部１０が受け渡し位置に配置されると、続いて、リフトピン駆動機構（図示省略）が一群のリフトピン１８１を下方位置から上方位置に移動させる。これによって、保持面１１１から一群のリフトピン１８１が突出した状態となる。続いて、搬送装置６０が、プリアライメント処理済みの基板Ｗを支持したハンド６１を保持面１１１に沿って差し込んで、さらにハンド６１を下方に移動させる。これによって、ハンド６１上に載置されていた基板Ｗが一群のリフトピン１８１上に移載される。続いて、ハンド６１が引き抜かれると、リフトピン駆動機構１４が、一群のリフトピン１８１を上方位置から下方位置に移動させる。これによって、基板Ｗが保持面１１１に載置された状態となる。
【００９７】
保持面１１１に基板Ｗが載置されると、続いて、基板保持部１０が基板Ｗを吸着保持する（ステップＳ４）。この処理の流れについて、図９を参照しながら具体的に説明する。図９は、当該処理の流れを示す図である。
【００９８】
保持面１１１に基板Ｗが載置されると、吸着制御部１９は、まず、開閉弁１２３を開放する。すると、真空吸引口１２に負圧（吸引圧）が形成される（ステップＳ４１）。
【００９９】
基板Ｗが反りのない平坦な形状である場合、土手部１４の頂部全域、全ての突起部１５の頂部、および、全ての環状突起部１６の頂部のそれぞれと基板Ｗの裏面とが当接し、土手部１４と、これに包囲されている保持面１１１と、基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成される。したがって、この場合、真空吸引口１２に負圧が形成されると当該密閉空間の圧力が低下し、基板Ｗは、その裏面が保持面１１１から土手部１４の高さ分だけ離間した位置において、平坦状態で保持面１１１に吸着保持される。保持面１１１上の吸引圧が所定値より低圧側（真空圧側）となったことが圧力センサ１７の出力情報から確認されると（すなわち、圧力センサ１７の検知圧力が所定値（例えば−６０ｋＰａ）より小さくなると）（ステップＳ４２でＹＥＳ）、吸着制御部１９は、基板Ｗは適切に吸着保持されたと判断して基板Ｗを吸着保持する一連の処理を終了する。
【０１００】
一方、基板Ｗに反りが生じており平坦な形状ではない場合、基板Ｗの裏面と土手部１４の頂部の少なくとも一部との間に隙間が生じる。したがって、この場合、真空吸引口１２に負圧が形成されても、この隙間から負圧が逃げてしまい、保持面１１１上の圧力はなかなか低下しない。真空吸引口１２からの吸引を開始してから一定の時間が経過しても、保持面１１１上の吸引圧が所定値より低圧側となったことが圧力センサ１７の出力情報から確認されない場合（すなわち、圧力センサ１７の検知圧力が所定値（例えば−６０ｋＰａ）以上の場合）（ステップＳ４２でＮＯ）、吸着制御部１９は、基板Ｗは保持面１１１に適切に吸着保持されていない（吸着不良）と判断し、開閉弁１３７を開放する。すると、複数のベルヌーイ吸引口１３，１３，・・，１３の全てに負圧（吸引圧）が形成される（ステップＳ４３）。
【０１０１】
上述した通り、ベルヌーイ吸引口１３は、保持面１１１に規定される円形領域Ｍ１と、円環状領域Ｍ２とのそれぞれに少なくとも１個ずつ配置される（図３参照）。基板Ｗが凸形状に反っている場合、基板Ｗの中心部付近は円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３が形成する負圧によって保持面１１１に対して強く吸引される。一方、基板Ｗが凹形状に反っている場合、基板Ｗの周縁付近は円環状領域Ｍ２に配置されたベルヌーイ吸引口１３が形成する負圧によって保持面１１１に対して強く吸引される。したがって、基板Ｗに凸形状、凹形状、どちらの反りが生じている場合であっても、ベルヌーイ吸引口１３が形成する負圧によって基板Ｗは平坦化される。
【０１０２】
基板Ｗが平坦な形状となると、上述したとおり、基板Ｗの裏面が土手部１４の頂部全域、全ての突起部１５の頂部、および、全ての環状突起部１６の頂部と当接し、土手部１４と、これに包囲されている保持面１１１と、基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成される。すると、真空吸引口１２および各ベルヌーイ吸引口１３に形成される負圧によって当該密閉空間の圧力が低下し、基板Ｗは、その裏面が保持面１１１から土手部１４の高さ分だけ離間した位置において、平坦状態で保持面１１１に吸着保持される。保持面１１１上の吸引圧が所定値より低圧側となったことが圧力センサ１７の出力情報から確認されると（すなわち、圧力センサ１７の検知圧力が所定値（例えば−６０ｋＰａ）より小さくなると）（ステップＳ４４でＹＥＳ）、吸着制御部１９は、開閉弁１３７を閉鎖して各ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を停止させる（ステップＳ４５）。上述したとおり、基板Ｗは既に平坦な形状となっており、土手部１４とこれに包囲されている保持面１１１と基板Ｗの裏面との間には密閉空間が形成されているため、各ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を停止しても、真空吸引口１２に形成される負圧によって基板Ｗが適切に吸着保持された状態が維持される。以上で、吸着制御部１９は、基板Ｗを吸着保持する一連の処理を終了する。
【０１０３】
再び図８を参照する。基板Ｗが吸着保持された状態となると、続いて、当該基板Ｗが適正な回転位置にくるように精密に位置合わせする処理（ファインアライメント）が行われる（ステップＳ５）。具体的には、まず、ステージ駆動機構２０が、基板保持部１０を受け渡し位置から撮像ユニット５０の下方位置まで移動させる。基板保持部１０が撮像ユニット５０の下方に配置されると、続いて、撮像ユニット５０が、基板Ｗ上のアライメントマークを撮像して、当該撮像データを取得する。続いて、制御部９０が、撮像ユニット５０により取得された撮像データを画像解析してアライメントマークの位置を検出し、その検出位置に基づいて基板Ｗの回転位置の適正位置からのずれ量を算出する。ずれ量が算出されると、回転機構２１が、当該算出されたずれ量だけ基板保持部１０を回転させる。これによって、基板Ｗが適正な回転位置にくるように位置合わせされる。
【０１０４】
基板Ｗが適切な回転位置におかれると、続いて、パターンの描画処理が行われる（ステップＳ６）。描画処理について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、描画処理を説明するための図である。
【０１０５】
描画処理は、ステージ駆動機構２０が基板保持部１０に載置された基板Ｗを光学ユニット４０，４０に対して相対的に移動させつつ、光学ユニット４０，４０のそれぞれから基板Ｗの上面に空間変調された光を照射させることによって行われる。
【０１０６】
具体的には、ステージ駆動機構２０は、まず、撮像ユニット５０の下方位置に配置されている基板保持部１０を主走査方向（Ｙ軸方向）に沿って＋Ｙ方向に移動させることによって、基板Ｗを光学ユニット４０，４０に対して主走査方向に沿って相対的に移動させる（主走査）。これを基板Ｗからみると、各光学ユニット４０は基板Ｗ上を主走査方向に沿って−Ｙ方向に横断することになる（矢印ＡＲ１１）。主走査が行われる間、各光学ユニット４０は、パターンデータＤに応じた空間変調が形成された光（具体的には、副走査方向に沿うＮ画素分の空間変調された光）を、基板Ｗに向けて断続的に照射し続ける（すなわち、基板Ｗの表面にパルス光が繰り返して投影され続ける）。つまり、各光学ユニット４０は、副走査方向に沿うＮ画素分の空間変調された光を断続的に照射し続けながら基板Ｗ上を主走査方向に沿って横断する。したがって、光学ユニット４０が主走査方向に沿って基板Ｗを１回横断すると、基板Ｗの表面に、副走査方向に沿ってＮ画素分の幅をもつ一本のパターン群が描画されることになる。ここでは、２個の光学ユニット４０が同時に基板Ｗを横断するので、一回の主走査により２本のパターン群が描画されることになる。
【０１０７】
１回の主走査が終了すると、ステージ駆動機構２０は、基板保持部１０を副走査方向（Ｘ軸方向）に沿って＋Ｘ方向に、１ストライプの幅に相当する距離だけ移動させることによって、基板Ｗを光学ユニット４０，４０に対して副査方向に沿って相対的に移動させる（副走査）。これを基板Ｗからみると、各光学ユニット４０は副走査方向に沿って−Ｘ方向に、１ストライプの幅分だけ移動することになる（矢印ＡＲ１２）。
【０１０８】
副走査が終了すると、再び主走査が行われる。すなわち、ステージ移動機構２０は、基板保持部１０を主走査方向に沿って−Ｙ方向に移動させることによって、基板Ｗを光学ユニット４０，４０に対して主走査方向に沿って相対的に移動させる。これを基板Ｗからみると、各光学ユニット４０は、基板Ｗ上における、先の主走査で描画された１ストライプ分の描画領域の隣を、主走査方向に沿って＋Ｙ方向に移動して横断することになる（矢印ＡＲ１３）。ここでも、各光学ユニット４０は、パターンデータＤに応じた空間変調が形成された光を、基板Ｗに向けて断続的に照射し続けながら基板Ｗ上を主走査方向に沿って横断する。これによって、先の主走査で描画された１ストライプ分の描画領域の隣に、さらに１ストライプ分の領域の描画が行われることになる。以後、同様に、主走査と副走査とが繰り返して行われ、基板Ｗの表面の全域にパターンが描画されると描画処理が終了する。
【０１０９】
再び図８を参照する。描画処理が終了すると、ステージ駆動機構２０が、基板保持部１０を受け渡し位置まで移動させる。基板保持部１０が受け渡し位置に配置されると、吸着制御部１９が、開閉弁１２３を閉鎖して真空吸引口１２からの吸引を停止させる。これによって、真空吸引口１２より気体が密閉空間に流入し、基板Ｗの吸着状態が解除される（ステップＳ７）。
【０１１０】
基板Ｗの保持面１１１に対する吸着状態が解除されると、続いて、搬送装置６０が、保持面１１１に載置された処理済みの基板Ｗを受け取って描画装置１から搬出し、カセット載置部１０４に載置されたカセットＣに収容する（ステップＳ８）。搬送装置６０が保持面１１１から基板Ｗを受け取る処理は、具体的には次のように行われる。まず、リフトピン駆動機構（図示省略）が、一群のリフトピン１８１を下方位置から上方位置に移動させる。これによって、基板Ｗの下面は一群のリフトピン１８１により支持されて基板保持部１０から持ち上げられて保持面１１１から引きはがされた状態となる。続いて、搬送装置６０が、ハンド６１を保持面１１１と基板Ｗの下面との間に差し込み、さらにハンド６１を上昇させる。これによって、一群のリフトピン１８１の上に支持されていた基板Ｗがハンド６１上に移載される。続いてハンド６１が引き抜かれると、リフトピン駆動機構１４が、一群のリフトピン１８１を上方位置から下方位置に移動させる。
【０１１１】
＜３．効果＞
第１の実施の形態においては、ベルヌーイ吸引口１３が、保持面１１１に形成された円形領域Ｍ１と円環状領域Ｍ２とのそれぞれに配置されるので、基板Ｗが凸形状、凹形状のどちらに反っていても、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引によってその反りを平坦化することができる。したがって、簡易な構成で、反った基板Ｗであっても確実に基板Ｗ（具体的には、少なくとも基板Ｗにおける露光領域を含む部分）を吸着保持できる。したがって、基板Ｗに対する一連の処理が行われる間、保持面１１１に対して基板Ｗが位置ずれを起こすといった事態の発生が回避され、基板Ｗに対する一連の処理を適切に行うことができる。すなわち、高精度な描画処理が担保される。
【０１１２】
また、第１の実施の形態においては、基板Ｗは土手部１４の頂部、および、突起部１５の頂部等に当接した状態で吸着保持される。この構成によると、基板Ｗは、その裏面が保持面１１１から土手部１４の高さ分だけ離間した位置において、平坦状態で保持面１１１に対して吸着保持されるので、基板Ｗの裏面に真空吸引口１２の吸引跡がつくおそれがない。
【０１１３】
また、第１の実施の形態においては、保持面１１１の円環状領域Ｍ２の周方向に沿って複数のベルヌーイ吸引口１３が配列される。この構成によると、基板Ｗが凹形状に反っている場合であっても、円環状領域Ｍ２に配置された各ベルヌーイ吸引口１３からの吸引圧によってその反りを平坦化して、基板Ｗを確実に吸着保持できる。
【０１１４】
また、第１の実施の形態においては、真空吸引口１２からの吸引を行っても保持面１１１上の吸引圧が所定値より低圧側とならない場合にベルヌーイ吸引口１３からの吸引を開始する。この構成によると、例えば保持面１１１に載置された基板Ｗがはじめから反りのない平坦な形状である場合は、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引は行われないので、無駄な空気の消費が抑制される。また、基板Ｗの裏面が汚染される危険もない。
【０１１５】
また、第１の実施の形態においては、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を開始した後に保持面１１１上の吸引圧が所定値より低圧側となると、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を停止する。つまり、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引によって基板Ｗの反りが平坦化されて基板Ｗが適切に吸着保持されると、以後は真空吸引口１２からの吸引のみで基板Ｗを吸着保持する。この構成によると、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引が必要最小限に抑えられるので、無駄な空気の消費が抑制される。また、基板Ｗの裏面が汚染される危険も低くなる。
【０１１６】
また、第１の実施の形態においては、真空吸引口１２からの吸引が行われている状態（すなわち、基板Ｗの少なくとも一部が真空吸引口１２からの吸引圧によって保持面１１１に吸引された状態）で各ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を開始する。この構成によると、各ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を開始した際に基板Ｗが位置ずれを起こすといった事態が生じにくい。
【０１１７】
また、第１の実施の形態においては、ベルヌーイ吸引ユニット１３０の本体部１３１と保持板１１に形成された凹部１１２との間に隙間Ｑが形成されており、円柱状凹空間１３２から溢れ出た気体は隙間Ｑに沿って流れて保持板１１の裏面側に排出されるようになっている。したがって、基板Ｗの裏面がベルヌーイ吸引口１３の外縁に形成された環状突起部１６の頂部と当接した状態（すなわち、ベルヌーイ吸引口１３が基板Ｗの裏面によって塞がれた状態）となっても、円柱状凹空間１３２内に強い旋回流を形成し続けることができる。すなわち、ベルヌーイ吸引口１３の負圧を維持し続けることができる。
【０１１８】
また、第１の実施の形態においては、ベルヌーイ吸引口１３の径サイズｄ１３が、円柱状凹空間１３２の径サイズｄ１３２よりも小さく形成される。この構成によると、基板Ｗの裏面における吸引圧が作用する領域が小さくなるため、ベルヌーイ吸引口１３からの吸引を行うことによって基板Ｗの平面度を悪化させるおそれがない。
【０１１９】
＜＜第２の実施の形態＞＞
第２の実施の形態に係る描画装置について説明する。この実施の形態に係る描画装置は、基板Ｗを水平姿勢に吸着保持する基板保持部が備える保持面の構成と、基板Ｗを保持面に吸着保持させる態様とにおいて、第１の実施の形態と相違する。以下においては、第１の実施の形態と相違する点を説明し、同じ構成については説明を省略するとともに、同じ符号を付して示す。
【０１２０】
＜１．基板保持部１０ａ＞
基板保持部１０ａの構成について、図１１、図１２を参照しながら説明する。図１１は、基板保持部１０ａの平面図である。図１２は、基板保持部１０ａが備える配管系統を模式的に示す図である。
【０１２１】
基板保持部１０ａは、第１の実施の形態に係る基板保持部１０と同様、平板状の外形を有し、その上面に基板Ｗの裏面に対向する保持面１１１ａが形成される保持板１１ａを備える。この実施形態においても、保持面１１１ａの平面度は、光学ユニット４０における焦点深度に対して十分に小さい値となるように形成される。また、保持面１１１ａは、少なくとも基板Ｗの露光領域をカバーするサイズに形成される。また、この実施形態においても、基板Ｗは円形状であるとし、保持面１１１ａも平面視円形状に形成される。
【０１２２】
＜吸引口１２ａ，・・，１２ａ，１３ａ，・・，１３ａ＞
保持面１１１ａには、複数の吸引口１２ａ，・・，１２ａ，１３ａ，・・，１３ａが形成される。この複数の吸引口１２ａ，・・，１２ａ，１３ａ，・・，１３ａのうちの半分の吸引口１２ａ，・・，１２ａは、真空吸引により基板Ｗを保持面１１１ａに吸引する真空吸引口１２ａである。また、残り半分の吸引口１３ａ，・・，１３ａは、ベルヌーイ吸引により基板Ｗを保持面１１１ａに吸引するベルヌーイ吸引口１３ａである。真空吸引口１２ａとベルヌーイ吸引口１３ａとは同数個ずつ（図示の例では、７個ずつ）形成される。
【０１２３】
ここで、複数の真空吸引口１２ａ，・・，１２ａ、および、複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，・・，１３ａのレイアウトについて説明する。上記の実施の形態と同様、ここでも、保持面１１１ａには、保持面１１１ａの中心と同心に配置された円形領域Ｍ１と、円形領域Ｍ１と同心に配置された円環状領域Ｍ２とが規定される。円環状領域Ｍ２は、さらに、その周方向に沿って複数（図示の例では６個）の弧状領域Ｍ２２，Ｍ２２，・・，Ｍ２２に分割されている。つまり、この実施の形態に係る保持面１１１ａには、円形領域Ｍ１および複数の弧状領域Ｍ２２，Ｍ２２，・・，Ｍ２２が規定されている。以下において、円形領域Ｍ１および各弧状領域Ｍ２２のそれぞれを「部分領域Ｍｉ」と総称する。真空吸引口１２ａとベルヌーイ吸引口１３ａとは、保持面１１１ａに規定される複数の部分領域Ｍｉのそれぞれに少なくとも１個ずつ（図示の例では１個ずつ）配置される。
【０１２４】
ただし、各弧状領域Ｍ２２は互いに同じ面積とされることが好ましい。また、各弧状領域Ｍ２２と円形領域Ｍ１とが互いに同じ面積とされる（つまり、各部分領域Ｍｉが同じ面積とされる）ことも好ましい。さらに、各部分領域Ｍｉが同じ面積とされる場合、各部分領域Ｍｉには、真空吸引口１２ａとベルヌーイ吸引口１３ａとが同数個ずつ配置されることが好ましい。
【０１２５】
各真空吸引口１２ａは、真空吸引口１２ａの個数分だけ分岐した分岐配管１２１ａの各分岐側端部と接続されている。一方、分岐配管１２１ａの合流側端部は気体吸引部１２２と接続されている。また、分岐配管１２１ａの途中（合流側の部分）には開閉弁１２３ａが介挿されている。気体吸引部１２２が稼働されるとともに開閉弁１２３ａが開放されると、分岐配管１２１ａを介して複数の真空吸引口１２ａ，・・，１２ａのそれぞれに負圧（吸引圧）が形成される。
【０１２６】
各ベルヌーイ吸引口１３ａは、ベルヌーイ吸引ユニット１３０が配置された凹部１１２と連通している。ベルヌーイ吸引ユニット１３０の構成は上述したとおりである。各ベルヌーイ吸引ユニット１３０が備える一対の噴出ノズル１３４，１３４のそれぞれは、ベルヌーイ吸引口１３ａの個数分だけ分岐した分岐配管１３５ａの各分岐側端部と接続されている。一方、分岐配管１３５ａの合流側端部は気体供給部１３６と接続されている。また、分岐配管１３５ａの途中（分岐側の各部分）には開閉弁１３７ａが介挿されている。さらに、分岐配管１３５ａの途中（合流側の部分）にはフィルタ（図示省略）が介挿されている。気体供給部１３６が稼働されるとともに、複数の開閉弁１３７ａ，・・，１３７ａのいずれかが開放されると、分岐配管１３５ａを介して、当該開閉弁１３７ａが介挿されている分岐部と接続されたベルヌーイ吸引ユニット１３０に圧縮気体が供給される（具体的には、当該ベルヌーイ吸引ユニット１３０が備える一対の噴出ノズル１３４，１３４のそれぞれから圧縮気体が噴出される）。これによって、当該ベルヌーイ吸引ユニット１３０が配置された凹部１１２と連通されているベルヌーイ吸引口１３ａに負圧が形成される。つまり、この構成においては、複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，・・，１３ａのそれぞれに独立して負圧を形成できるようになっている。
【０１２７】
＜土手部１４ａ＞
保持面１１１ａには、各部分領域Ｍｉの境界に沿って土手部１４ａが立設される。すなわち、保持面１１１ａには、各部分領域Ｍｉを包囲するような土手部１４ａが立設される。また、第１の実施の形態と同様、土手部１４ａにより包囲された各部分領域Ｍｉ内にはその全域にわたって複数の突起部１５が満遍なく立設される（図４、図５参照）。さらに、各ベルヌーイ吸引口１３ａの外縁および各ピン孔１８の外縁に沿って環状突起部１６が立設される。ただし、図１１においては、突起部１５の図示を省略している。
【０１２８】
第１の実施の形態と同様、土手部１４ａの頂部と各突起部１５の頂部と各環状突起部１６の頂部とはすべて面一に形成されており、これら各頂部が配置される平面の平面度も、光学ユニット４０における焦点深度に対して十分に小さい値となるように形成される。保持面１１１ａに平坦な基板Ｗが載置されると、当該基板Ｗの裏面が全ての土手部１４ａの頂部全域、全ての突起部１５の頂部、および、全ての環状突起部１６の頂部と当接し、各土手部１４ａとこれに包囲された各部分領域Ｍｉと基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成される。この状態で、各部分領域Ｍｉに開口された真空吸引口１２ａに負圧が形成されると、各密閉空間が減圧され、基板Ｗ（具体的には、少なくとも基板Ｗにおける露光領域を含む部分）は、その裏面が保持面１１１ａから土手部１４ａの高さ分だけ離間した位置において、平坦状態で保持面１１１ａに吸着保持されることになる。
【０１２９】
＜圧力センサ１７ａ＞
保持面１１１ａには、複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａが配置される。圧力センサ１７ａは、保持面１１１ａ上に規定される複数の部分領域Ｍｉのそれぞれに１個ずつ配置され、当該配置位置における保持面１１１ａ上の圧力を検出する。
【０１３０】
＜リフトピン１８１＞
基板保持部１０ａは、第１の実施の形態に係る基板保持部１０と同様、保持面１１１ａに対して基板Ｗを昇降させるための複数のリフトピン１８１と、保持面１１１ａに形成され、各リフトピン１８１を挿通可能なピン孔１８とを備える。リフトピン１８１およびピン孔１８の構成は第１の実施の形態に係るリフトピン１８１と同様である。
【０１３１】
＜吸着制御部１９ａ＞
基板保持部１０ａは、第１の実施の形態に係る基板保持部１０と同様、基板保持部１０ａが備える各部を制御する吸着制御部１９ａを備える。吸着制御部１９ａは、制御部９０において、例えばＣＰＵ９１がプログラムＰに従って所定の演算処理を行うことによって、あるいは、専用の論理回路等でハードウエア的に実現される（図７参照）。
【０１３２】
吸着制御部１９ａは、複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａのそれぞれと電気的に接続されており、各圧力センサ１７ａからの検知信号を取得可能に構成されている。また、吸着制御部１９ａは、開閉弁１２３ａ、および複数の開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａのそれぞれと電気的に接続されており、各圧力センサ１７ａから得られる検知信号に基づいて、各開閉弁１２３ａ，１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａを独立して開閉制御する。つまり、吸着制御部１９ａは、各圧力センサ１７ａから得られる検知信号等に基づいて、保持面１１１ａに形成された複数の吸引口（複数の真空吸引口１２ａ，１２ａ，・・，１２ａおよび複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａ）のそれぞれにおける吸引圧の形成を制御する。この制御態様については後に具体的に説明する。
【０１３３】
＜２．基板Ｗを吸着保持する処理の流れ＞
基板保持部１０ａが基板Ｗを保持面１１１ａに吸着保持する処理の流れ（図８のステップＳ４の処理の流れ）について説明する。この処理は、第１の実施の形態に係るステップＳ４の処理の流れとほぼ同様であるので、先に参照した図８を参照しながら説明する。
【０１３４】
保持面１１１ａに基板Ｗが載置されると、吸着制御部１９ａは、まず、開閉弁１２３ａを開放する。すると、複数の真空吸引口１２ａ，１２ａ，・・１２ａのそれぞれに負圧が形成される（ステップＳ４１）。
【０１３５】
保持面１１１ａに規定される部分領域Ｍｉにおいて、当該部分領域Ｍｉを包囲する土手部１４ａの頂部全域と基板Ｗの裏面とが当接している場合、土手部１４ａと、これに包囲されている部分領域Ｍｉと、基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成される。したがって、この場合、当該部分領域Ｍｉに配置された真空吸引口１２ａに負圧が形成されると、当該密閉空間の圧力が低下する。
【０１３６】
基板Ｗが反りのない平坦な形状である場合、全ての部分領域Ｍｉ（すなわち、保持面１１１ａの全域）において、保持面１１１ａ上の圧力が低下する。全ての部分領域Ｍｉにおいて保持面１１１ａ上の吸引圧が所定値より低圧側となったことが複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａのそれぞれの出力情報から確認されると（ステップＳ４２でＹＥＳ）、吸着制御部１９ａは、基板Ｗは保持面１１１ａに適切に吸着保持されたと判断して基板Ｗを吸着保持する一連の処理を終了する。
【０１３７】
一方、基板Ｗに反りが生じており平坦な形状ではない場合、少なくとも１個の部分領域Ｍｉにおいて、当該部分領域Ｍｉを包囲する土手部１４ａの頂部の少なくとも一部と基板Ｗの裏面との間に隙間が生じる。したがって、この場合、当該部分領域Ｍｉに配置された真空吸引口１２ａに負圧が形成されても、この隙間から負圧が逃げてしまい、当該部分領域Ｍｉにおいて保持面１１１ａ上の圧力はなかなか低下しない。真空吸引口１２ａからの吸引を開始してから一定の時間が経過しても、全ての部分領域Ｍｉにおいて保持面１１１ａ上の吸引圧が所定値より低圧側となったことが複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａのそれぞれの出力情報から確認されない場合（つまり、吸引圧が所定値より低圧側にならない部分領域Ｍｉが１個以上存在する場合）（ステップＳ４２でＮＯ）、吸着制御部１９ａは、基板Ｗは保持面１１１ａに適切に吸着保持されていない（吸着不良）と判断して、続いて、開閉弁１３７ａを開放してベルヌーイ吸引口１３ａに負圧を形成する（ステップＳ４３）。
【０１３８】
ステップＳ４３の処理について具体的に説明する。上述したとおり、基板保持部１０ａは複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａを備えており、吸着制御部１９ａは開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａを独立して開閉制御することにより各ベルヌーイ吸引口１３ａに独立して負圧を形成できるようになっている。ここで、全ての開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａを開放した場合に、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される吸引圧と、１個の開閉弁１３７ａのみを開放し、他の開閉弁１３７ａ，・・，１３７ａを閉鎖した場合に、当該開放された開閉弁１３７ａと対応するベルヌーイ吸引口１３ａに形成される吸引圧とを比べると、後者の方が低圧側となる。すなわち、後者の方が吸引力が強い。後者の場合は、気体供給部１３６から供給される圧縮気体が分散されず、１個のベルヌーイ吸引ユニット１３０に大量の圧縮気体を集中的に供給できるからである。
【０１３９】
そこで、吸着制御部１９ａは、例えば、複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａの一部を（好ましくは１個ずつ）次々と選択し、選択された一部のベルヌーイ吸引口１３ａのみに負圧を形成するように各開閉弁１３７ａを開閉制御する。つまり、吸着制御部１９ａは、まず、複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａの一部を選択し、当該選択したベルヌーイ吸引口１３ａと対応する開閉弁１３７ａ（具体的には、当該ベルヌーイ吸引口１３ａと連通する凹部１１２に配置されたベルヌーイ吸引ユニット１３０に接続された分岐配管１３５ａの分岐部分に介挿された開閉弁１３７ａ）を開放状態とし、その他の各開閉弁１３７ａを閉鎖状態とする。この状態で定められた時間が経過すると、吸着制御部１９ａは、続いて別のベルヌーイ吸引口１３ａを選択し、当該選択したベルヌーイ吸引口１３ａと対応する開閉弁１３７ａのみを開放状態とし、他の各開閉弁１３７ａを閉鎖状態とする。以降も同様に開閉弁１３７ａを次々と切り換える。これによって、複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａのそれぞれに、順番に負圧が形成されていくことになる。
【０１４０】
ここで、各ベルヌーイ吸引口１３ａに負圧を形成する順番（すなわち、ベルヌーイ吸引口１３ａを選択する順番）はどのように規定してもよい。例えば、図１３に模式的に示されるように、まず、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに負圧を形成し（ｎ１）、続いて、円環状領域Ｍ２に配置された複数のベルヌーイ吸引口１３ａのそれぞれに、反時計回り（あるいは、時計回りでもよい）の順に負圧を形成し（ｎ２→ｎ３→ｎ４→・・→ｎ７）、再び円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに負圧を形成する（ｎ１）、という態様を採用してもよい（すなわち、ｎ１→ｎ２→ｎ３→ｎ４→・・→ｎ７→ｎ１→ｎ２→・・）。この構成においては、例えば、基板Ｗに凸形状の反りが生じている場合、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａからの１回目の吸引が行われた時点では基板Ｗの中心付近を確実に吸着できなかったとしても、他のベルヌーイ吸引口１３ａからの吸引が次々と行われる中で基板Ｗは吸着されやすい部分（反り量が少ない部分）から徐々に平坦化されていくため、二回目以降に円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａからの吸引が行われる時点で、基板Ｗの中心付近を確実に吸着できる。
【０１４１】
また例えば、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａには常に負圧を形成し続け、その一方で、円環状領域Ｍ２に配置された複数のベルヌーイ吸引口１３ａのそれぞれに、反時計回り（あるいは、時計回りでもよい）の順に次々と負圧を形成する、という態様を採用してもよい。
【０１４２】
また例えば、保持面１１１ａ上における吸引圧が小さい部分領域Ｍｉに配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに優先的に負圧を形成する態様としてもよい。この場合、吸着制御部１９ａは、まず、保持面１１１ａ上に配置された複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａのうち、最も小さい吸引圧を検出した圧力センサ１７ａと対応するベルヌーイ吸引口１３ａ（すなわち、当該圧力センサ１７ａが配置されている部分領域Ｍｉに配置されているベルヌーイ吸引口１３ａ）をまず選択し、続いて、次に小さい吸引圧を検出した圧力センサ１７ａと対応するベルヌーイ吸引口１３ａを選択し、以降も同様の態様でベルヌーイ吸引口１３ａを選択する。
【０１４３】
吸着制御部１９が上記の態様で複数の開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａを開閉制御すると、各ベルヌーイ吸引口１３に順に形成される負圧によって基板Ｗは徐々に平坦化される。上述した通り、ベルヌーイ吸引口１３ａは、保持面１１１ａに規定される円形領域Ｍ１と、円環状領域Ｍ２とのそれぞれに少なくとも１個ずつ配置される。したがって、基板Ｗに凸形状、凹形状、どちらの反りが生じている場合であっても、各ベルヌーイ吸引口１３ａに次々と形成される負圧によって基板Ｗは平坦化される。
【０１４４】
基板Ｗが平坦な形状となると、上述したとおり、全ての部分領域Ｍｉ（すなわち、保持面１１１ａの全域）において、保持面１１１ａ上の圧力が低下する。全ての部分領域Ｍｉにおいて保持面１１１ａ上の吸引圧が所定値より低圧側となったことが複数の圧力センサ１７ａ，１７ａ，・・，１７ａのそれぞれの出力情報から確認されると（ステップＳ４４でＹＥＳ）、吸着制御部１９ａは、全ての開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａを閉鎖して全てのベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａからの吸引を停止させる（ステップＳ４５）。上述したとおり、基板Ｗは既に平坦な形状となっており、全ての部分領域Ｍｉにおいて、土手部１４ａと、これに包囲されている部分領域Ｍｉと、基板Ｗの裏面との間に密閉空間が形成されているため、各ベルヌーイ吸引口１３ａからの吸引を停止しても、各真空吸引口１２ａに形成される負圧によって基板Ｗが保持面１１１ａに吸着保持された状態が維持される。以上で、吸着制御部１９ａは、基板Ｗを吸着保持する一連の処理を終了する。
【０１４５】
＜３．効果＞
第２の実施の形態においては、第１の実施の形態と同様の効果が得られる。また、第２の実施の形態においては、保持面１１１ａ内に規定された複数の部分領域Ｍｉ（複数の弧状領域Ｍ２２および円形領域Ｍ１）のそれぞれに真空吸引口１２ａとベルヌーイ吸引口１３ａとが配置されるとともに、当該各部分領域Ｍｉを包囲する土手部１４ａが形成される。この構成によると、各部分領域Ｍｉと基板Ｗの裏面との間に密閉空間を形成して、当該部分領域Ｍｉ単位で独立して基板Ｗの裏面を吸着保持できるので、無駄なく効率的に基板Ｗの反りを平坦化して、基板Ｗを確実に吸着保持できる。
【０１４６】
特に、複数の弧状領域Ｍ２２のそれぞれの面積を互いに等しいものとしておけば、各弧状領域Ｍ２２と基板Ｗの裏面との間に形成される密閉空間の体積が等しくなるので、各弧状領域Ｍ２２において基板Ｗに同等の吸引力を作用させることができる。これによって、基板Ｗにどのような反りが生じていても、確実にこれを平坦化して吸着保持することが可能となる。
【０１４７】
＜＜変形例＞＞
＜１．第１の変形例＞
第２の実施の形態において、吸着制御部１９ａが、処理対象となる基板Ｗの反り形状を示す情報（反り形状情報）を、例えば入力部９６（図７）を介してオペレータから受け付けることによって取得し（あるいは、保持面１１１ａの付近に配置された光学センサ等で保持面１１１ａに載置された基板Ｗの反り形状を計測することによって取得し）、当該反り形状情報に応じて、各開閉弁１３７ａを開閉制御する構成としてもよい。
【０１４８】
具体的には、例えば、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗが凹形状に反っている場合、円環状領域Ｍ２に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａのみに負圧を形成するように各開閉弁１３７ａを開閉制御する。すると、当該ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧によって基板Ｗはスムースに平坦化される。一方、処理対象となる基板Ｗが凸形状に反っている場合、吸着制御部１９ａは、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａのみに負圧を形成するように各開閉弁１３７ａを開閉制御する。すると、当該ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧によって基板Ｗはスムースに平坦化される。
【０１４９】
＜２．第２の変形例＞
上記の各実施の形態において、真空吸引口１２，１２ａの負圧（吸引圧）、ベルヌーイ吸引口１３，１３ａの負圧（吸引圧）を調整可能としてもよい。
【０１５０】
具体的には、例えば第２の実施の形態において、複数の真空吸引口１２ａ，・・，１２ａと気体吸引部１２２とをつなぐ分岐配管１２１ａの途中（合流側の部分）に、開閉弁１２３ａに加えて、流量調整弁１２４ａを介挿してもよい（図１４）。この構成によると、流量調整弁１２４ａと電気的に接続された吸着制御部１９ａが流量調整弁１２４ａを制御することによって、分岐配管１２１ａ内の気体の吸引量を任意の値に変更することができる。これによって、複数の真空吸引口１２ａ，・・，１２ａのそれぞれに形成される負圧（吸引圧）を任意の値に変更することが可能となる。
【０１５１】
また、例えば第２の実施の形態において、複数のベルヌーイ吸引ユニット１３０，・・，１３０と気体供給部１３６とをつなぐ分岐配管１３５ａの途中（分岐側の各部分）に、流量調整弁１３８ａを介挿してもよい（図１４）。この構成によると、各流量調整弁１３８ａと電気的に接続された吸着制御部１９ａが各流量調整弁１３８ａを制御することによって、各ベルヌーイ吸引ユニット１３０に供給される圧縮気体の流量を任意の値に変更することができる。これによって、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧（吸引圧）を独立して任意の値に変更することが可能となる。
【０１５２】
例えば、図１４に示される構成例において、吸着制御部１９ａが、処理対象となる基板Ｗの厚みを示す情報（厚み情報）を、例えば入力部９６（図７）を介してオペレータから受け付けることによって取得し（あるいは、保持面１１１ａの付近に配置された光学センサ等で保持面１１１ａに載置された基板Ｗの厚みを計測することによって取得し）、当該厚み情報に応じて各吸引口１２ａ，１３ａに形成する負圧の値を調整する構成としてもよい。
【０１５３】
この場合、例えば、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗの厚みが基準値よりも薄い場合、流量調整弁１２４ａを制御して分岐配管１２１ａ内の気体の吸引量を基準値よりも小さくする。すると、各真空吸引口１２ａに形成される吸引圧が基準値よりも高圧側となり（すなわち、各真空吸引口１２ａの吸引力が弱くなり）、薄い基板Ｗを破損することなく安全に吸着保持できる。一方、処理対象となる基板Ｗの厚みが基準値よりも厚い場合、吸着制御部１９ａは、流量調整弁１２４ａを制御して分岐配管１２１ａ内の気体の吸引量を基準値よりも大きくする。すると、各真空吸引口１２ａに形成される吸引圧が基準値よりも低圧側となり（すなわち、各真空吸引口１２ａの吸引力が強くなり）、厚い基板Ｗも確実に吸着保持できる。
【０１５４】
また、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗの厚みが基準値よりも薄い場合、流量調整弁１２４ａの制御に加えて（あるいは、当該制御に代えて）、各流量調整弁１３８ａを制御して分岐配管１３５ａ内の圧縮気体の流量を基準値よりも小さくする。すると、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される吸引圧が基準値よりも高圧側となり、薄い基板Ｗを破損することなく安全に吸着保持できる。一方、処理対象となる基板Ｗの厚みが基準値よりも厚い場合、吸着制御部１９ａは、流量調整弁１２４ａの制御に加えて（あるいは、当該制御に代えて）、各流量調整弁１３８ａを制御して分岐配管１３５ａ内の圧縮気体の流量を基準値よりも大きくする。すると、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される吸引圧が基準値よりも低圧側となり、厚い基板Ｗも良好に吸着保持できる。
【０１５５】
なお、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗの厚みが非常に薄い場合、各流量調整弁１３８ａを制御して分岐配管１３５ａ内の圧縮気体の流量を基準値よりも小さくして各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される吸引圧を基準値よりも高圧側にするとともに、開閉弁１２３ａを閉鎖して真空吸引口１２ａからの吸引を停止してもよい。この場合、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧だけで、基板Ｗを保持面１１１ａに吸着保持することになるため、非常に薄い基板Ｗであっても、これを破損せずに安全に保持面１１１ａに吸着保持できる。
【０１５６】
また、図１４に示される構成例において、吸着制御部１９ａが、処理対象となる基板Ｗの反り量を示す情報（反り量情報）を、例えば入力部９６（図７）を介してオペレータから受け付けることによって取得し（あるいは、保持面１１１ａの付近に配置された光学センサ等で保持面１１１ａに載置された基板Ｗの反り量を計測することによって取得し）、厚み情報に加えて（あるいは、厚み情報に代えて）、当該反り量情報に応じてベルヌーイ吸引口１３ａ、真空吸引口１２ａの負圧を調整する構成としてもよい。
【０１５７】
この場合、例えば、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗの反り量が基準値よりも小さい場合、各流量調整弁１３８ａを制御して分岐配管１３５ａ内の圧縮気体の流量を基準値よりも小さくする。反り量が小さい場合、各ベルヌーイ吸引口１３ａの吸引力が比較的弱くても（すなわち、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧が基準値より高圧側にあっても）も基板Ｗを平坦化することができるところ、この構成によると、空気の消費量を効果的に抑えつつ、基板Ｗを確実に保持面１１１ａに吸着保持できる。一方、処理対象となる基板Ｗの反り量が基準値よりも大きい場合、吸着制御部１９ａは、各流量調整弁１３８ａを制御して分岐配管１３５ａ内の圧縮気体の流量を基準値よりも大きくする。すると、各ベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧が基準値よりも低圧側となり、反り量が大きい基板Ｗも良好に吸着保持できる。
【０１５８】
また、図１４に示される構成例において、吸着制御部１９ａが、処理対象となる基板Ｗの反り形状を示す情報（反り形状情報）を、例えば入力部９６（図７）を介してオペレータから受け付けることによって取得し（あるいは、保持面１１１ａの付近に配置された光学センサ等で保持面１１１ａに載置された基板Ｗの反り形状を計測することによって取得し）、厚み情報、反り量情報に加えて（あるいは、これら各情報に代えて）、当該反り形状情報に応じて各ベルヌーイ吸引口１３ａ、真空吸引口１２ａの負圧を調整する構成としてもよい。
【０１５９】
この場合、例えば、吸着制御部１９ａは、処理対象となる基板Ｗが凸形状に反っている場合、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧が、円環状領域Ｍ２に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧よりも低圧側となるように各流量調整弁１３８ａを制御する。すると、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される比較的大きな吸引力によって基板Ｗはスムースに平坦化される。一方、処理対象となる基板Ｗが凹形状に反っている場合、吸着制御部１９ａは、円環状領域Ｍ２に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧が、円形領域Ｍ１に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される負圧よりも低圧側となるように各流量調整弁１３８ａを制御する。すると、円環状領域Ｍ２に配置されたベルヌーイ吸引口１３ａに形成される比較的大きな吸引力によって基板Ｗはスムースに平坦化される。
【０１６０】
＜３．第３の変形例＞
上記の各実施の形態においては、吸引力を高めるためにベルヌーイ吸引口１３，１３ａの径サイズｄ１３は、円柱状凹空間１３２の径サイズｄ１３２よりも小さく形成されていたが、ベルヌーイ吸引口１３，１３ａの径サイズは円柱状凹空間１３２の径サイズｄ１３２と略同一に形成されてもよい。図１５には、第１の実施の形態に係るベルヌーイ吸引口１３の径サイズを円柱状凹空間１３２の径サイズｄ１３２と略同一に形成した場合の保持面１１１の様子が示されている。この構成によると、円柱状凹空間１３２の中心部に形成された負圧をそのまま保持面１１１，１１１ａ上に作用させることができる。
【０１６１】
＜４．第４の変形例＞
上記の各実施の形態においては、ベルヌーイ吸引口１３，１３ａからの吸引によって基板Ｗが保持面１１１，１１１ａに適切に吸着保持されたことが確認されると（ステップＳ４４でＹＥＳ）、各ベルヌーイ吸引口１３，１３ａからの吸引を停止する（ステップＳ４５）構成としたが、基板Ｗが保持面１１１，１１１ａに吸着保持されたことが確認された後も、各ベルヌーイ吸引口１３，１３ａからの吸引を続行してもよい。ただし、上述したとおり、各ベルヌーイ吸引口１３，１３ａからの吸引を早期に停止すれば、空気の消費量を抑えることができるとともに、保持面１１１，１１１ａ上の基板Ｗが汚染される危険も小さくなるため、ベルヌーイ吸引口１３，１３ａからの吸引はなるべく早期に停止することが好ましい。
【０１６２】
＜５．第５の変形例＞
上記の各実施の形態においては、円環状領域Ｍ２の内径は円形領域Ｍ１の外径と一致する構成とされていたが、円環状領域Ｍ２の内径は円形領域Ｍ１の外径よりも大きい構成であってもよい。
【０１６３】
また、上記の各実施の形態においては、保持面１１１，１１１ａ上に１個の円環状領域Ｍ２を形成する構成としたが、円環状領域Ｍ２をさらに複数の円環状領域に分割し、各円環状領域の周方向に沿って複数のベルヌーイ吸引口を等間隔に配列してもよい。
【０１６４】
＜６．第６の変形例＞
第２の実施の形態においては、吸着不良と判断された場合、吸着制御部１９ａは複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａを一個ずつ（あるいは、複数個ずつ）次々と選択し、選択された一部のベルヌーイ吸引口１３ａのみに負圧を形成するように各開閉弁１３７ａを開閉制御する構成としたが（例えば図１３参照）、吸着不良と判断された場合、吸着制御部１９ａは複数の開閉弁１３７ａ，１３７ａ，・・，１３７ａの全てを開放状態として複数のベルヌーイ吸引口１３ａ，１３ａ，・・，１３ａの全てに負圧を形成してもよい。なお、この場合は、各開閉弁１３７ａを分岐配管１３５ａの各分岐部にそれぞれ設けずに、合流側の部分に１個だけ設ける構成としてもよい。
【０１６５】
＜７．第７の変形例＞
第２の実施の形態において、複数の真空吸引口１２ａ，１２ａ，・・，１２ａのそれぞれと気体吸引部１２２とを接続する分岐配管１２１ａにおいて、分岐配管１２１ａの合流側の部分に開閉弁１２３ａを介挿する構成としたが、分岐側の各部分に開閉弁をそれぞれ介挿し、吸着制御部１９ａが各開閉弁を独立して開閉制御する構成としてもよい。この構成によると、複数の真空吸引口１２ａ，・・，１２ａのそれぞれに独立して負圧を形成することができる。この構成において、吸着制御部１９ａは複数の真空吸引口１２ａ，１２ａ，・・，１２ａを一個ずつ（あるいは、複数個ずつ）次々と選択し、選択された一部の真空吸引口１２ａのみに負圧を形成するように各開閉弁を開閉制御する構成としてもよい。
【０１６６】
＜８．その他の変形例＞
上記の各実施形態では、空間光変調器４４１として変調単位である固定リボンと可動リボンとが一次元に配設された回折格子型の空間光変調器であるＧＬＶが用いられていたが、このような形態には限られない。例えば、ＧＬＶに限らず、ミラーのような変調単位が、一次元に配列されている空間光変調器が利用される形態であってもよい。また、例えば、ＤＭＤ（Digital Micromirror Device：デジタルマイクロミラーデバイス：テキサスインスツルメンツ社の登録商標）のような変調単位であるマイクロミラーが二次元的に配列された空間光変調器が利用されてもよい。
【０１６７】
また、上記の各実施の形態においては、基板保持部１０，１０ａが、基板Ｗに対して光を照射して基板Ｗにパターンを形成する描画装置１に搭載された態様を示していたが、基板保持部１０，１０ａは、描画装置１以外の各種の基板処理装置、あるいは、基板搬送装置等に組み込むことができる。
【符号の説明】
【０１６８】
１  描画装置
１０，１０ａ  基板保持部
１１  保持板
１１１，１１１ａ  保持面
１２，１２ａ  真空吸引口
１３，１３ａ  ベルヌーイ吸引口
１４，１４ａ  土手部
１５  突起部
１９，１９ａ  吸着制御部
Ｍ１  円形領域
Ｍ２  円環状領域
９０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
0005877005.tif 000002
【図２】
0005877005.tif 000003
【図３】
0005877005.tif 000004
【図４】
0005877005.tif 000005
【図５】
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【図６】
0005877005.tif 000007
【図７】
0005877005.tif 000008
【図８】
0005877005.tif 000009
【図９】
0005877005.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
0005877005.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0005877005.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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