(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料であって、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
【請求項２】
Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のピーク強度比（フッ化マグネシウムピーク強度／バックグラウンド強度）が１．５０以上であることを特徴とする請求項１記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
【請求項３】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料であって、さらにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物を各元素の元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする請求項１又は２記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
【請求項４】
マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなる、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料を、予め混合・焼結し、これを粉砕して粉末又は粒状とすることを特徴とする低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料の製造方法。
【請求項５】
Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のピーク強度比（フッ化マグネシウムピーク強度／バックグラウンド強度）が１．５０以上である材料を、予め混合・焼結し、これを粉砕して粉末又は粒状とすることを特徴とする記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料の製造方法。
【請求項６】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料の製造方法であって、さらにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物を各元素の元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする請求項４又は５に記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料の製造方法。
【請求項７】
光情報記録媒体の保護層、反射層又は半透過層を形成する光学薄膜用、有機ＥＬテレビ用、タッチパネル用電極用、ハードディスクのシード層用に用いることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに一項に記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料及び低屈折率膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、主として相変化型の光情報記録媒体の保護層に一般的に使用されるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、光学特性、熱特性、記録層との密着性等において、優れた特性を有し、広く使用されている。しかし、今日Ｂｌｕ−Ｒａｙに代表される書き換え型光情報記録媒体は、さらに書き換え回数の増加、大容量化、高速記録化が強く求められている。
【０００３】
光情報記録媒体の書き換え回数等が劣化する原因の一つとして、保護層ＺｎＳ−ＳｉＯ２に挟まれるように配置された記録層材への、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からの硫黄成分の拡散が挙げられる。また、大容量化、高速記録化のため高反射率で高熱伝導特性を有する純ＡｇまたはＡｇ合金が反射層材に使用されるようになったが、このような反射層も保護層材であるＺｎＳ−ＳｉＯ２と接するように配置されている。
したがって、この場合も同様に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からの硫黄成分の拡散により、純ＡｇまたはＡｇ合金反射層材も腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす要因となっていた。
【０００４】
これら硫黄成分の拡散防止対策として、反射層と保護層、記録層と保護層の間に、窒化物や炭化物を主成分とした中間層を設けた構成にすることも行なわれている。しかし、これは積層数の増加となり、スループット低下、コスト増加になるという問題を発生している。上記のような問題を解決するため、保護層材に硫化物を含まない酸化物のみの材料へと置き換え、ＺｎＳ−ＳｉＯ２と同等以上の光学特性、非晶質安定性を有する材料系が検討されている。
【０００５】
また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２等のセラミックスターゲットは、バルク抵抗値が高いため、直流スパッタリング装置により成膜することができず、通常高周波スパッタリング（ＲＦ）装置が使用されている。ところが、この高周波スパッタリング（ＲＦ）装置は、装置自体が高価であるばかりでなく、スパッタリング効率が悪く、電力消費量が大きく、制御が複雑であり、成膜速度も遅いという多くの欠点がある。
また、成膜速度を上げるため、高電力を加えた場合、基板温度が上昇し、ポリカーボネート製基板の変形を生ずるという問題がある。また、ＺｎＳ−ＳｉＯ２は膜厚が厚いために起因するスループット低下やコスト増も問題となっていた。
【０００６】
以上のようなことから、ＺｎＯの使用すなわち硫黄成分を含有させずに透明導電性の薄膜を形成するために、ＺｎＯに正三価以上の元素価を有する元素を単独で添加するという焼結体ターゲットの提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。しかし、この場合はバルク抵抗値と低屈折率化を両立させるということが十分にできないと考えられる。
また、透明導電膜及びそれを製造するための焼結体として、ＩＩ族、ＩＩＩ族、ＩＶ族元素を様々に組合せた高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法による製造方法が提案されている（特許文献２参照）。しかし、この技術の目的は、ターゲットの低抵抗化を目途とするものではなく、さらにバルク抵抗値と低屈折率化を両立させるということが十分にできないと考えられる。
【０００７】
また、添加する元素の少なくとも１種がＺｎＯに固溶されるという条件のＺｎＯスパッタリングターゲットが提案されている（特許文献３参照）。これは添加元素の固溶が条件であるから、成分組成に制限があり、したがって光学特性にも制限が生ずるという問題がある。
以上の問題点を解決するために、本出願人は、Ａｌ２Ｏ３：０．２〜３．０ ａｔ％、ＭｇＯ又はＭｇＯ及びＳｉＯ２：１〜２７ ａｔ％、残部ＺｎＯからなる低屈折率でありかつ低バルク抵抗を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲットを提案し、特許として成立した（特許文献４参照）。
【０００８】
上記については、薄膜を形成する方法としてスパッタリングに関する技術を述べたが、この他に気相表面処理技術として蒸着法がある。特に蒸着法の一つであるイオンプレーティング法は、１０−１〜１０−２Ｐａの真空中で、金属を電子線などで蒸発させ、高周波プラズマ又は真空放電でイオン化させ、基板に負電位を与えることにより、カチオンを加速化して付着させ膜を形成するものである。イオンが加速して付着するので密着性が向上し、膜厚も制御でき、また雰囲気を酸素ガス、窒素ガス、メタンガスを導入することにより、酸化物、窒化物、炭化物を得ることができるので、有用な方法である（理化学辞典参照）。また、イオンプレーティングはスパッタリングターゲットに比べて材料使用効率が高く、生産性の向上が見込まれる。
【０００９】
イオンプレーティング法を使用して低屈折率膜を形成する場合、イオンプレーティング用の蒸発原料と膜の組成が一致していれば、この蒸発原料をそのまま使用してイオンプレーティングすることができるので、より簡便に操作ができるという利点がある。
しかし、スパッタリングで極めて有効であったターゲット成分において、主要成分となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、副成分として添加した酸化物の蒸気圧が大きく相違するために、イオンプレーティング法では同じ組成の薄膜が形成されないという問題を生ずることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平２−１４９４５９号公報
【特許文献２】特開平８−２６４０２２号公報
【特許文献３】特開平１１−３２２３３２号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００６／１２９４１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、低屈折率の光学薄膜形成に適したイオンプレーティング材料を提供するものであり、特に記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高く、非硫化物系で構成されているため、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）の形成に有用であるイオンプレーティング材料を提供し、これによって、光情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、材料使用効率の向上、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、次の発明を提供するものである。
１）酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料であって、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
２）Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のピーク強度比（フッ化マグネシウムピーク強度／バックグラウンド強度）が１．５０以上であることを特徴とする上記１）記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
３）酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料であって、さらにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物を各元素の元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする上記１）又は２）記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
４）上記１）〜３）記載の材料を、予め混合・焼結し、これを粉砕して粉末又は粒状とすることを特徴とする記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
５）光情報記録媒体の保護層、反射層又は半透過層を形成する光学薄膜用、有機ＥＬテレビ用、タッチパネル用電極用、ハードディスクのシード層用に用いることを特徴とする上記１）〜３）のいずれかに記載の低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料。
【００１３】
６）酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティングした低屈折率薄膜であって、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする記載の低屈折率膜。
７）酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティングした低屈折率薄膜であって、さらにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物を各元素の元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなることを特徴とする上記６）記載の低屈折率膜。
【発明の効果】
【００１４】
上記によって、主要成分となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、副成分として添加した酸化物の蒸発速度が大きく相違することを回避することができ、その結果イオンプレーティング用原料とほぼ同じ組成の薄膜が形成することができ、高速成膜が可能となる効果を有する。また、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高いという優れた特性を持つ光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜、反射層、半透過膜層としての使用）に有用であるイオンプレーティング材料を提供できる。以上の通り、光情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善することが可能となるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】ＺｎＯと対比した各酸化物及びフッ化物の蒸気圧曲線を示す図である。
【図２】ＺｎＯと対比したＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２の酸化物の蒸気圧曲線を示す図である。
【図３】バックグラウンド強度に対するＭｇＦ２のピーク強度比（ＭｇＦ２ピーク強度／バックグラウンド強度）の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料は、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティング用材料である。マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物（ＭｇＦ２）をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有させ、残部を酸化亜鉛とする。
このフッ化マグネシウムは、膜のアモルファス化および低屈折率化に有効である。１．０ｍｏｌ％未満では添加の効果がなく、２７ｍｏｌ％を超えると、膜の高抵抗率化という問題が生ずるので、上記の数値範囲とする。なお、Ｍｇのフッ化物の濃度は、メタルであるＭｇの分析値から元素量で換算して求めた。
【００１７】
低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料におけるフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）の存在はＸ線回折で確認することができる。すなわち、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対するフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）のピーク強度比（フッ化マグネシウム
ピーク強度／バックグラウンド強度）が１．５０以上とする。
【００１８】
ＭｇＦ２のピーク強度の測定には、製造したイオンプレーティング材料を粉砕し、粉末Ｘ線回折法により測定する。すなわちＭｇＦ２の（１１０）面のピークが現れる２θ：２７．３°付近の強度を測定すると共に、バックグラウンド強度（２８．０〜２９．０°の強度の平均値）を測定する。
これによって、バックグラウンド強度に対するＭｇＦ２のピーク強度比（ＭｇＦ２ピーク強度／バックグラウンド強度）を求める。このための、測定装置としてリガク社製ＵｌｔｉｍａＩＶを用いることができる。
【００１９】
上記にさらに添加する元素としては、ガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素があり、これらの元素を０．２〜１０ａｔ％含有させ、残部を酸化亜鉛とすることができる。これらの元素の酸化物を元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％添加することで、導電性を付与することができる。
またゲルマニウム酸化物、ボロン酸化物は、ガラス形成酸化物でもあり、膜のアモルファス化及び低屈折率化に効果がある。元素量換算で０．２ｍｏｌ％未満では添加の効果がなく、１０ｍｏｌ％を超えると、膜が高抵抗率化するという問題が生ずるので、上記の数値範囲とする。
【００２０】
なお、このフッ化マグネシウムを、他の酸化物（ガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物）と同時添加する場合には、該酸化物の合計含有量である１．２〜３７ｍｏｌ％の範囲で添加するのが望ましい。
【００２１】
ガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物（Ｇａ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）及びフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）は、酸化亜鉛と類似した蒸気圧を有するので、イオンプレーティング用材料として問題なく、使用できる。ＺｎＯと対比した各酸化物及びフッ化物の蒸気圧曲線を図１に示す。
【００２２】
対比のために、ＺｎＯと対比したＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２の酸化物の蒸気圧曲線を図２に示す。図１と図２から明らかなように、図２に示す酸化物は、ＺｎＯと比較して、蒸気圧に大きな差異があることが確認できる。
図２に示すＡｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ２の酸化物は、スパッタリングターゲット材としてＺｎＯに添加したものであり、上記文献４に示すように、ターゲット材としては極めて価値が高いものであるが、蒸気圧に大きな相違があるので、イオンプレーティング用材料として不向きであると言える。
【００２３】
低屈折率膜形成用イオンプレーティング用材料の作製に際しては、主成分となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）に、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）の原料粉末を、又はこれにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物（Ｇａ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、ＧｅＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２）の原料粉末を添加し、これらを予め混合・焼結して一体化し、焼結体として、またこれをさらに粉砕して粉末又は粒状とし、イオンプレーティングの材料に使用することができる。
【００２４】
イオンプレーティングの材料の成分組成は、成膜の目的に応じて任意に調節できる。例えば、光情報記録媒体の保護層、反射層又は半透過層を形成するために用いることができる。上記の通り、蒸気圧に大きな変化がないので、イオンプレーティング用材料の成分組成を低屈折率膜の成分組成に反映させることができる。したがって、高速成膜が可能となり、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高いという優れた特性を持たせることができる。
【００２５】
すなわち、本願発明の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とするイオンプレーティングした低屈折率薄膜であり、マグネシウム（Ｍｇ）のフッ化物をＭｇの元素量換算で１．０〜２７ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなる低屈折率膜を、さらにガリウム（Ｇａ）、ボロン（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）から選択した１種以上の元素の酸化物を、各元素の元素量換算で０．２〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が酸化亜鉛からなる低屈折率膜を提供することができる。
【００２６】
また、本発明のイオンプレーティングを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の構造の一部を形成し、記録層又は反射層と隣接して配置されるが、上記の通り、ＺｎＳを使用していないので、Ｓによる汚染がなく、保護層に挟まれるように配置された記録層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。
【００２７】
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純ＡｇまたはＡｇ合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
さらに、本発明のイオンプレーティングを使用することにより、生産性が向上し、品質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
【００２９】
（実施例１）
３Ｎ相当で５μｍ以下のＺｎＯ粉と３Ｎ相当で平均粒径５μｍ以下のＭｇＦ２粉および、３Ｎ相当で平均粒径５μｍ以下のＧｅＯ２粉を準備した。次に、ＺｎＯ粉とＭｇＦ２粉とＧｅＯ２粉をＺｎＯ:ＭｇＦ２：ＧｅＯ２＝８５．０：１３．６：１．４ｍｏｌ％の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料を７５０°Ｃ、２５０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。この焼結体を粉砕して粒径１〜６ｍｍサイズの粒状体としてイオンプレーティング材料とした。
【００３０】
次に、このイオンプレーティング材料を用いて、イオンプレーティングを実施した結果、後述する比較例１のように、るつぼ内に未蒸発残留物は確認されず、イオンプレーティング時のＺｎＯとＭｇＦ２、ＧｅＯ２の蒸気圧差による差異が殆どないことが確認できた。
実施例１のイオンプレーティング材料は、安定したイオンプレーティングができ、作製した膜の透過率は８６．６％（４０５ｎｍ）に達し、屈折率は１．９２であった。
【００３１】
ＭｇＦ２のピーク強度は、得られたイオンプレーティング材料を粉砕し、粉末Ｘ線回折法により測定した。すなわち２θ：２７．３°付近に出現するピーク強度は５５３となり、またバックグラウンド強度（２８．０〜２９．０°の強度の平均値）を測定した。
バックグラウンド強度に対するＭｇＦ２のピーク強度比（ＭｇＦ２ピーク強度／バックグラウンド強度）は１９．５となった。この結果を、図３に示す。
なお、測定装置としてリガク社製ＵｌｔｉｍａＩＶを用い、測定条件は管電圧４０ｋｖ、管電流３０ｍＡ、スキャンスピード８°／ｍｉｎ、ステップ０．０２°とした。
【００３２】
（比較例１）
（ＺｎＯ粉、Ａｌ２Ｏ３粉、ＭｇＯ粉、ＳｉＯ２粉）
３Ｎ相当で５μｍ以下のＺｎＯ粉、３Ｎ相当で平均粒径５μｍ以下のＡｌ２Ｏ３粉、３Ｎ相当で平均粒径５μｍ以下のＭｇＯ粉、３Ｎ相当で平均粒径５μｍ以下のＳｉＯ２粉を準備した。次に、ＺｎＯ粉とＡｌ２Ｏ３粉とＭｇＯ粉とＳｉＯ２粉をＺｎＯ:Ａｌ２Ｏ３：ＭｇＯ：ＳｉＯ２＝７６．１：１．２：２０．９：１．８ｍｏｌ％の配合比に調合し、これを混合した後、粉末材料を１１００°Ｃ、３００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。この焼結体を粉砕して粒径１〜６ｍｍサイズの粒状体としてイオンプレーティング材料とした。
【００３３】
次に、このイオンプレーティング材料を用いて、イオンプレーティングを実施した結果、るつぼ内に未蒸発残留物が確認された。未蒸発残留物の成分分析の結果、ＭｇＯ,Ａｌ２Ｏ３,ＳｉＯ２が検出されＺｎＯは検出されなかった。また、作製した膜は、ほぼＺｎＯ単相であり、イオンプレーティング時のＺｎＯとＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２の蒸気圧差による顕著な膜組成ずれが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、主要成分となる酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、副成分として添加した酸化物の蒸発速度が大きく相違することを回避することができ、その結果イオンプレーティング用原料とほぼ同じ組成の薄膜が形成することができ、高速成膜が可能となる効果を有する。また、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高いという優れた特性を持つ光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜、反射層、半透過膜層としての使用）に有用であるイオンプレーティング材料を提供できる。以上の通り、光情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善することが可能となるという優れた効果を有する。
【００３５】
また、光情報記録媒体の構造の一部を形成し、ＺｎＳを使用していないので、記録層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。さらに、隣接する高反射率で高熱伝導特性を有する純ＡｇまたはＡｇ合金を反射層に用いた場合には、該反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、反射層が腐食劣化して特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
【００３６】
また、硫化の問題のない半透過層として、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層して任意の光学特性を持たせた半透過層とすることができる。本発明のイオンプレーティング用材料は、半透過層を構成する低屈折率層としても有用である。
以上に示す通り、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体等を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。
このように、本願発明は、光学薄膜用として極めて有用であり、また、有機ＥＬテレビ用途、タッチパネル用電極、ハードディスクのシード層等への適用も可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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