(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３５０℃以下における内部摩擦が０．０１以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板。
（ただし前記内部摩擦とは、
長さ６０ｍｍ、幅５ｍｍ、板厚０．５ｍｍの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、
前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が５０ｍｍである２つの支持部材により下面側から支持し、
前記試験体の中央部を、下方向に１Ｎの静荷重を印加した状態で、さらに振幅１２０μｍ、かつ周波数１Ｈｚとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。）
【請求項２】
３５０℃以下における、前記内部摩擦が０．００４以下のガラス材料からなる請求項１に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項３】
中央に開口部を有する円板形状を有しており、
直径が９５ｍｍ以上であり、かつ板厚が０．６３５ｍｍ以下である請求項１または２に記載の磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録装置では、磁気記録媒体用基板上に磁性層等を成膜し、該磁性層を用いて情報を記録することができる。
【０００３】
磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体用基板としては、従来、アルミニウム合金基板が使用されてきたが、高記録密度化の要求に伴い、アルミニウム合金基板に比べて硬く、平坦性や平滑性に優れるガラス基板が主流となってきている。
【０００４】
そして、近年では年々高まる高記録密度化のニーズに応えるため、エネルギーアシスト磁気記録方式を用いた磁気記録媒体、すなわちエネルギーアシスト磁気記録媒体が検討されている。エネルギーアシスト磁気記録媒体についても、基板として磁気記録媒体用ガラス基板を用い、磁気記録媒体用ガラス基板の主表面上に磁性層等を配置した構成を有することができる。
【０００５】
ところが、エネルギーアシスト磁気記録媒体では、磁性層の磁性材料として磁気異方性係数Ｋｕの大きい（以下、「高Ｋｕ」とも記載する）規則合金が用いられる。このため、規則化の程度（規則度）を高めて高Ｋｕを実現するため、磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に、磁気記録媒体用ガラス基板を含む基材を６００℃以上の高温で熱処理を行うことが多い。特に規則度を上げるために、更に６５０℃を超え７００℃に近い高温を必要される場合もある。
【０００６】
磁性層の成膜時、成膜前、または成膜後に高温での熱処理を行うのは、例えばエネルギーアシスト磁気記録媒体の磁性層の磁性材料として好適なＦｅＰｔ系合金等において、熱処理温度を高くするほど保磁力を高められるためでもある。
【０００７】
このように磁気記録媒体を製造する過程で、磁気記録媒体用ガラス基板についても高温で熱処理される場合があるため、磁気記録媒体用ガラス基板にも耐熱性が求められている。
【０００８】
例えば特許文献１によれば、高Ｋｕ磁性材料からなる磁気記録層を形成するためには、ガラス基板には高温処理に耐え得る高い耐熱性、即ち高いガラス転移温度を有することが求められるとされている。そして、特許文献１には、ガラス転移温度が６００℃以上、１００〜３００℃における平均線膨張係数が７０×１０−７／℃以上、ヤング率が８１ＧＰａ以上、比弾性率が３０ＭＮｍ／ｋｇ以上、かつ破壊靭性値が０．９ＭＰａ・ｍ−１／２以上であるガラスからなる磁気記録媒体用ガラス基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０８６６６４号
【特許文献２】特開２００１−２６６３２９号公報
【特許文献３】特開２０１２−１２６６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、ガラス転移温度が熱処理温度よりも高いガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を用いた場合でも、熱処理の際に磁気記録媒体用ガラス基板に反り等を生じ、磁気記録媒体用ガラス基板の平坦度が大きくなり、平坦度が悪化する場合があった。
磁気記録媒体の製造過程で、磁気記録媒体用ガラス基板の平坦度が大きくなると、得られる磁気記録媒体の平坦度も大きくなり、磁気記録媒体の平坦度によっては磁気記録装置に組み込んだ場合に、磁気ヘッドと磁気記録媒体とが接触等する恐れがある。このため、磁気記録媒体用ガラス基板には、磁性層を成膜する際等の熱処理による平坦度の悪化を抑制することが求められている。
【００１１】
そこで、本発明の一側面では上記従来技術が有する問題に鑑み、熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、３５０℃以下における内部摩擦が０．０１以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
（ただし前記内部摩擦とは、
長さ６０ｍｍ、幅５ｍｍ、板厚０．５ｍｍの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、
前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が５０ｍｍである２つの支持部材により下面側から支持し、
前記試験体の中央部に、下方向に１Ｎの静荷重を印加した状態で、さらに振幅１２０μｍ、かつ周波数１Ｈｚとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。）
【発明の効果】
【００１３】
本発明の磁気記録媒体用ガラス基板の一側面によれば、熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】三点曲げ測定治具の説明図。
【図２】本発明の実施形態に係る磁気記録媒体用ガラス基板の説明図。
【図３】本発明の実験例で用いたガラスＡ〜ガラスＥの温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
（磁気記録媒体用ガラス基板）
本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の一構成例について説明を行う。
【００１６】
本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、３５０℃以下における内部摩擦が０．０１以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板とすることができる。
【００１７】
なお、上記内部摩擦とは、以下のようにして算出できる。
【００１８】
長さ６０ｍｍ、幅５ｍｍ、板厚０．５ｍｍの板状に加工した上記ガラス材料からなる試験体を、試験体の長さ方向に沿って配置され、支持間隔が５０ｍｍである２つの支持部材により下面側から支持する。そして、試験体の中央部に、下方向に１Ｎの静荷重を印加した状態で、さらに振幅１２０μｍ、かつ周波数１Ｈｚとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出できる。
【００１９】
磁気記録媒体用ガラス基板（以下、単に「ガラス基板」とも記載する）は一般的に、中央部に開口部を有する円板形状を有しており、その主表面に磁性層等を成膜することで磁気記録媒体とすることができる。
【００２０】
そして、現在、実用化に向けて検討が進められているエネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する場合、既述のように磁性層の成膜時等に、ガラス基板を含む基材に対して６００℃以上、例えば６００℃以上、或いは６５０℃以上、７００℃以下の高温で熱処理が施されている。このため、ガラス基板にも６００℃以上の高温に対する耐熱性を有することが求められ、これまではガラス基板のガラス材料のガラス転移点に着目し、実施する熱処理温度よりも、ガラス転移温度の高いガラス材料からなるガラス基板が採用されている。これはガラス転移点よりも低い温度で加熱した場合、ガラス基板のガラスは流動性を示さず、ガラス基板に反り等の変形を生じないと考えられるからである。
【００２１】
しかしながら、実施する熱処理温度よりも高いガラス転移温度を有するガラス材料を用いているにも関わらず、熱処理の際にガラス基板に反りが生じ、熱処理後のガラス基板の平坦度が悪化する場合があった。
【００２２】
そこで、本発明の発明者らは、エネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際に６００℃以上の高温で熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できるガラス基板について検討を行った。そして、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料をガラス基板に用いることで、６００℃以上の高温で熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できることを見い出し、本発明を完成させた。
【００２３】
内部摩擦ｔａｎδは、測定試料であるガラス材料の試験体に対してひずみを与えた際の、応力の応答の位相ずれの正接を示し、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化は、例えば動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ：Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定することができる。
【００２４】
ここで、図１を用いて、動的粘弾性測定装置により、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化の測定方法を説明する。温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化は、例えばガラス材料からなる板状の試験体１１を、支持部材１２Ａ、１２Ｂ、及び押圧部材１３を備えた三点曲げ測定治具にセットして実施できる。
【００２５】
板状の試験体１１は、例えば長さｌを６０ｍｍ、幅（図１の紙面と垂直方向）を５ｍｍ、板厚ｄを０．５ｍｍとすることができる。そして、板状の試験体１１を三点曲げ測定治具にセットする際、支持部材１２Ａ、１２Ｂは、試験体の長さ方向に沿って、互いの距離、すなわち支持間隔Ｌが５０ｍｍとなるように配置できる。
【００２６】
図１に示すように、三点曲げ測定治具にセットした板状のガラス材料の試験体１１は、両端を、支持部材１２Ａ、１２Ｂにより下面側から支持することができる。そして、試験体１１の上面の中央部を、押圧部材１３により、下方向に１Ｎの静荷重で印加した状態とすることができる。この際、押圧部材１３は、同時に、支持部材１２Ａと、支持部材１２Ｂとの間の中央部を押圧するように構成されていることが好ましい。
【００２７】
そして、試験体１１に静荷重を印加した状態で、試験体１１を昇温しながら、さらに振幅１２０μｍ、かつ周波数１Ｈｚとなるように周期的に、試験体１１の上面の中央部を、押圧部材１３により、下方向に押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施できる。このように、押圧部材１３により、試験体１１を押圧することで、試験体１１にひずみを与えることができ、ひずみを与えた際の応力を測定し、測定結果から内部摩擦ｔａｎδを算出できる。
【００２８】
一般的な内部摩擦測定法として、共振法や強制振動法が知られている。共振法では減衰法や半値幅法などが用いられ、簡便な機構で測定できるため広く普及している。例えば、特許文献２や特許文献３では共振法による内部摩擦測定が行われている。しかし、高温で共振法を用いた内部摩擦測定を行うと、偽振動が生じやすく正しい測定を行うことができない。また、共振法は周波数が共振点で固定されており、その共振周波数はサンプル形状に依存し、異なる試料間で同一条件で評価することが困難である。
【００２９】
これに対して、強制振動法は位相差法が用いられ、おおよそ１０Ｈｚ以下の周波数で測定を行うことで僅かな変位を検出することが可能となる。ただし、剛性の高い材料に対して十分な精度で測定を行うことは難しく、測定条件には注意が必要である。また、内部摩擦は測定周波数依存性があるため、ここでは強制振動法において周波数を１Ｈｚに固定し、評価を行った。
【００３０】
なお、押圧部材１３により試験体１１を押圧する際の周波数は、加熱した際の試験体１１のゆっくりした変形を評価するために適切な周波数として１Ｈｚを選択している。本実施形態における強制振動法においては、１Ｈｚの周波数が最も好ましいが、０．１Ｈｚ〜１００Ｈｚの範囲内から任意の周波数を選択することができる。
【００３１】
ガラス材料は、ネットワークフォーマー（網目形成成分）と、ネットワークフォーマーに取り込まれていないネットワークモディファイヤー（網目修飾成分）とを有している。ガラス材料を加熱した場合、ガラス転移点よりも低温のガラス材料が流動していない状態であっても、例えばガラス材料中のネットワークモディファイヤーの一部が材料中で移動できるようになる等、所定の温度でガラス材料内にミクロな構造の変化が生じる場合がある。そして、ガラス材料の加熱時に、ガラス材料内にミクロな構造の変化が生じる場合、変化を生じた温度で内部摩擦ｔａｎδがピークを示すため、ガラス材料の温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化を測定することで、ガラス材料内のミクロな構造の変化を検出できる。
【００３２】
本発明の発明者らは、ガラス基板について熱処理を行った際に、ガラス基板に反り等を生じ、平坦度が悪化する原因について、昇温過程でのガラス材料内のミクロな構造の変化に着目した。そして、各種ガラス材料のガラス基板について、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化を測定し、６００℃以上の高温、例えば６００℃以上７００℃以下で熱処理を行った際の反りの発生との関係を検討した。
【００３３】
その結果、３５０℃以下の温度領域に内部摩擦ｔａｎδのピークを生じ、そのピークが大きいほど、６００℃以上の高温、例えば６００℃以上７００℃以下で熱処理を行った際の反りが発生し易いことが確認できた。
【００３４】
３５０℃以下の温度領域に生じる内部摩擦ｔａｎδのピークやその大きさと、６００℃以上の高温で熱処理を行った際にガラス基板に反り等が生じることとの直接の因果関係は明らかではない。
【００３５】
しかし、３５０℃以下に内部摩擦ｔａｎδのピークを有する場合、ガラス材料内にミクロな構造の変化、例えば特定のネットワークモディファイヤーがガラス材料内で動き易くなる等の変化を生じていると考えられる。そして、係るミクロな構造の変化の程度が大きいほど、６００℃以上の温度領域においてガラス基板が変形し易くなっていると推認される。
【００３６】
これに対して、３５０℃以下における、内部摩擦ｔａｎδが０．０１以下のガラス材料からなるガラス基板の場合、３５０℃以下の温度領域における、ミクロな構造の変化がほとんど生じていないと考えられる。このため、６００℃以上の熱処理の際にガラス基板の反り等の変形が生じることを抑制できると、考えられる。
【００３７】
本発明の発明者らの検討によれば、ガラス材料の３５０℃以下における、内部摩擦ｔａｎδが小さい程、該ガラス材料を用いたガラス基板について６００℃、および７００℃の熱処理を行った際の平坦度の変化量を抑制できる。このため、より規則度が高く、高保磁力の磁気記録媒体を得る目的で６５０℃を超え７００℃に近い熱処理に供するには、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、３５０℃以下における、内部摩擦ｔａｎδが、０．００４以下のガラス材料からなることがより好ましい。
【００３８】
なお、本実施形態のガラス基板は、上述のように３５０℃以下の全体に渡って、すなわち例えば絶対零度（−２７３℃）以上、３５０℃以下の範囲に渡って、内部摩擦ｔａｎδが上述の範囲であることが好ましい。ただし、−５０℃よりも低い温度では内部摩擦ｔａｎδは減少または変化しない傾向を示すことから、例えば−５０℃以上３５０℃以下の範囲に渡って、内部摩擦ｔａｎδがここまで説明した範囲を満たせばよい。
【００３９】
また、本実施形態のガラス基板に用いるガラス材料の、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδは、小さい方が好ましいことから、下限値は特に限定されるものではない。このため、本実施形態のガラス基板に用いるガラス材料の、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδの下限値は、例えば１０−４以上とすることができる。
【００４０】
本実施形態のガラス基板は、上述のように３５０℃以下における、内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料から構成することができ、係るガラス材料によれば、少なくとも３５０℃以下において、ミクロな構造の変化を抑制できる。すなわち、例えばガラス基板を加熱した際に、ガラス材料に含まれるネットワークモディファイヤーの移動、拡散を抑制できる。このため、磁気記録媒体とするために、ガラス基板上に磁性層等を形成した場合に、磁性層等に対して、ガラス材料中のネットワークモディファイヤーのイオン種が拡散し、磁性膜等に悪影響を及ぼすことも抑制できる。
【００４１】
次に、図２を用いて本実施形態のガラス基板の形状について説明する。
【００４２】
図２は本実施形態のガラス基板の斜視断面図を模式的に示している。図２はガラス基板２０の中心を通り、主表面２２１、２２２と垂直な面における断面を含む斜視断面図となっている。すなわち、図２では本実施形態のガラス基板の半分と、断面図とをあわせて示している。
【００４３】
図２から把握されるように、ガラス基板２０は外周が円形であり、中央に開口部を備えた円板形状を有することができる。開口部２１は、ガラス基板２０の外周円と、同心円になるように形成されていることが好ましい。すなわちガラス基板２０は、ドーナツ形状とすることができる。
【００４４】
そして、上下の面が主表面２２１、２２２となっている。また、ガラス基板２０は外周に位置する外周端面２３と、内周に位置する内周端面２４と、を有している。
【００４５】
外周端面２３、及び内周端面２４は主表面２２１、２２２側にそれぞれ面取り部を有することができる。すなわち、外周端面２３、及び内周端面２４は、それぞれ一対の面取り部を有することができる。具体的には外周端面２３は外周面取り部２３１、２３３を、内周端面２４は内周面取り部２４１、２４３をそれぞれ有することができる。
【００４６】
また、面取り部間には側面部を形成することができ、外周端面２３は外周側面部２３２を、内周端面２４は内周側面部２４２をそれぞれ有することができる。外周側面部２３２、及び内周側面部２４２はそれぞれ主表面２２１、２２２と略垂直になるように形成できる。
【００４７】
ガラス基板のサイズは特に限定されるものではなく、ガラス基板に要求される仕様にあわせて任意に選択することができる。ガラス基板２０の直径Ｄは例えば４８ｍｍ、６５ｍｍ、または９５ｍｍ以上等のガラス基板に要求される仕様に応じたサイズとすることができる。
【００４８】
ただし、本実施形態のガラス基板によれば、６００℃以上の高温で熱処理した場合でも平坦度の悪化を抑制できる。そして、ガラス基板の直径Ｄが長くなるほど、熱処理を行った際に平坦度が悪化し易くなることから、直径Ｄの長いガラス基板において、特に高い効果を発揮することができる。このため、本実施形態のガラス基板の直径Ｄは９５ｍｍ以上であることが好ましい。
【００４９】
なお、ガラス基板２０の直径Ｄの上限値は特に限定されるものではないが、例えば１３０ｍｍ以下とすることができる。
【００５０】
また、ガラス基板２０の厚さ、すなわち板厚Ｔについても特に限定されるものではないが、ガラス基板の板厚Ｔが薄くなるほど、熱処理を行った際に平坦度が悪化し易くなることから、板厚Ｔの薄いガラス基板において、特に高い効果を発揮することができる。このため、本実施形態のガラス基板の板厚Ｔは０．６３５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
なお、ガラス基板２０の板厚Ｔの下限値は特に限定されないが、生産性等を考慮して例えば０．３８ｍｍ以上とすることができる。
【００５２】
また、本実施形態のガラス基板については、６００℃以上の熱処理前において、平坦度が５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることが好ましい。これは、熱処理前のガラス基板について、平坦度が小さいほど、熱処理により平坦度が悪化しても、得られる磁気記録媒体の平坦度を小さくすることができるからである。
【００５３】
なお、平坦度は例えばＮＩＤＥＫ社製干渉式フラットネステスター等により評価を行うことができる。
【００５４】
既述のようにエネルギーアシスト磁気記録媒体を製造する際、磁性層の成膜時等にガラス基板を含む基材を６００℃以上の高温で熱処理するが、本実施形態のガラス基板の場合、既述のガラス材料を用いることで熱処理前後での平坦度の変化量を小さくできる。
【００５５】
本実施形態のガラス基板によれば、具体的には例えば、６００℃で１０分間熱処理した際の平坦度の変化量を、２．０μｍ以下とすることができ、より好ましくは１．５μｍ以下とすることができる。
【００５６】
また、本実施形態のガラス基板によれば、例えば７００℃で１０分間熱処理した際の平坦度の変化量を、２６．０とμｍ以下とすることができ、より好ましくは６．０μｍ以下とすることができる。
【００５７】
なお、上記いずれの場合でも熱処理は窒素雰囲気で行っており、平坦度は熱処理後、室温まで冷却してから測定した値を示している。
【００５８】
本実施形態のガラス基板は、ここまで説明したように６００℃以上の高温で熱処理した場合でも、平坦度の悪化を抑制することができる。このため、製造工程で、ガラス基板を含む基材を高温で熱処理するエネルギーアシスト磁気記録媒体用のガラス基板として用いることが好ましい。ただし、エネルギーアシスト磁気記録媒体用に用途が限定されるものではなく、各種磁気記録媒体用のガラス基板としても当然に用いることができる。
【００５９】
以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板は、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料からなるため、高温で熱処理した場合でも平坦度の変化を小さくし、平坦度の悪化を抑制できる。このため、本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板を含む磁気記録媒体についても平坦度を小さくすることができる。そして、該磁気記録媒体を磁気記録装置に適用した場合に、記録再生ヘッドの浮上安定性を確保することができる。
【００６０】
次に、ここまで説明した本実施形態の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法（以下、単に「ガラス基板の製造方法」とも記載する）の一構成例について簡単に説明する。
【００６１】
なお、本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を製造することができる。このため、磁気記録媒体用ガラス基板において説明した内容と重複する部分については一部記載を省略する。
【００６２】
本実施形態のガラス基板の製造方法は、例えば以下の工程１〜工程５を含むことができる。
（工程１）ガラス素板から、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工する形状付与工程。
（工程２）ガラス基板の内周と外周の端面部分の面取りを行う面取り工程。
（工程３）ガラス基板の端面（内周端面及び外周端面）を研磨する端面研磨工程。
（工程４）ガラス基板の主表面を研磨する主表面研磨工程。
（工程５）ガラス基板を洗浄して乾燥する洗浄・乾燥工程。
【００６３】
上記工程は記載した順番に行う必要はなく、例えば、形状付与工程の前に主表面研磨工程を行ってもよい。また、各工程は１回ずつに限定されるものではなく、要求されるガラス基板の仕様等に応じて任意の回数実施することができる。例えば、形状付与工程後に主表面研磨工程を行い、その後に面取り工程と端面研磨工程を行った後、再度主表面研磨工程を実施することもできる。
【００６４】
ただし、本実施形態のガラス基板は、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料から構成できる。このため、候補となるガラス材料について、動的粘弾性測定装置により温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化の測定を行い、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが０．０１以下のガラス材料を選択しておくことが好ましい。そして、該ガラス材料からなるガラス素板を形状付与工程に供することが好ましい。このため、本実施形態のガラス基板の製造方法は、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料を選択するガラス材料選択工程、及びガラス材料選択工程で選択したガラス材料を用いてガラス素板を製造するガラス素板製造工程等をさらに有することが好ましい。本実施形態のガラス基板の製造方法が、ガラス材料選択工程、及びガラス素板製造工程を有する場合には、これらの工程は、工程１〜工程５を行う前に実施することとなる。
【００６５】
ここで、（工程１）の形状付与工程は、フロート法、フュージョン法、プレス成形法、ダウンドロー法またはリドロー法で成形されたガラス素板を、中央部に円孔を有する円板形状のガラス基板に加工するものである。なお、用いるガラス素板は、アモルファスガラスでもよく、結晶化ガラスでもよく、ガラス基板の表層に強化層を有する強化ガラスでもよい。
【００６６】
ただし、上述のように、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料からなるガラス素板を用いることができる。
【００６７】
（工程２）の面取り工程は、内周端面、及び外周端面の面取りを行うことができる。面取り工程を行うことで、図２を用いて説明したように、内周端面２４に内周面取り部２４１、２４３を、外周端面２３に外周面取り部２３１、２３３をそれぞれ形成できる。
【００６８】
（工程３）の端面研磨工程は、ガラス基板の内周端面、及び外周端面（側面部と面取り部）の端面研磨を行うことができる。
【００６９】
（工程４）の主表面研磨工程では、例えば両面研磨装置により、ドーナツ形状を有するガラス基板の主表面に研磨液が供給され、ドーナツ形状を有するガラス基板の上下主表面を同時に研磨できる。主表面研磨工程は、一次研磨のみでもよく、一次研磨及び二次研磨を行うものでもよく、二次研磨の後に三次研磨を行うものでもよい。
【００７０】
なお、（工程４）の主表面研磨工程の前に、主表面のラップ（例えば遊離砥粒ラップ、固定砥粒ラップ等）、すなわち主表面研削工程が実施されてもよい。主表面研削工程を実施する場合も、一次研削のみでもよく、複数の研削工程、例えば一次研削及び二次研削を行うものでもよい。また、各工程間にガラス基板の洗浄（工程間洗浄）やガラス基板表面のエッチング（工程間エッチング）を実施してもよい。ここで、主表面のラップとは、広義の主表面研磨である。
【００７１】
（工程５）の洗浄・乾燥工程は、研磨後のガラス基板を洗浄し、乾燥する工程である。具体的な洗浄方法は特に限定されるものではない。例えば、洗剤を用いたスクラブ洗浄、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄、純水に浸漬した状態での超音波洗浄等により洗浄を行うことができる。また、乾燥方法についても特に限定されるものではなく、例えば、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥することができる。
【００７２】
さらに、上記各工程間にガラス基板の洗浄（工程間洗浄）やガラス基板表面のエッチング（工程間エッチング）を実施してもよい。また、ガラス基板に高い機械的強度が求められる場合、ガラス基板の表層に強化層を形成する強化工程（例えば、化学強化工程）を工程３、４で挙げた研磨工程前、または研磨工程後、あるいは研磨工程間で実施してもよい。
【００７３】
以上に説明した各工程を含むガラス基板の製造方法により、既述のガラス基板を製造することができる。
【００７４】
そして、上記各工程を含む製造方法により得られたガラス基板は主表面上に磁性層などの薄膜を形成する工程をさらに行うことによって、磁気記録媒体とすることができる。
［磁気記録媒体］
次に、本実施形態の磁気記録媒体の一構成例について説明する。
【００７５】
本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むことができる。
【００７６】
本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含むものであれば、その記録方式等は特に限定されるものではなく、例えば既述のエネルギーアシスト磁気記録媒体等、各種磁気記録媒体とすることができる。ここでは、エネルギーアシスト磁気記録媒体を例に説明する。
【００７７】
本実施形態の磁気記録媒体は、その構成については限定されないが、例えば、磁気記録媒体用ガラス基板の表面に密着層、下地層、シード層、磁気記録層、保護層等を有することができ、これらの層は、例えばガラス基板上に上述の順に積層することができる。また、上述の層に替えて、または上述の層に加えて任意の層を設けることもできる。
【００７８】
各層の構成例について以下に説明する。
【００７９】
密着層は、密着層上に形成される層と、密着層下に形成される層との密着層を高めるために設けることができる。密着層を形成する材料としては、例えばＮｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕから選択される１種類以上の金属を含むことができ、係る金属群から選択された金属を含む合金を含むこともできる。
【００８０】
密着層は一層から構成することもできるが、二層以上の積層構造とすることもできる。
【００８１】
また、軟磁性裏打ち層を、例えばガラス基板と磁気記録層との間に任意に設けることもできる。
【００８２】
軟磁性裏打ち層は、磁気ヘッドからの磁束を制御して、磁気記録媒体の記録・再生特性を向上させることができる。軟磁性裏打ち層を形成する材料は特に限定されないが、例えばＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、ＣｏＦｅ合金等の結晶質材料や、ＦｅＴａＣ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＮｉＰ等の微結晶質材料、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒ等のＣｏ合金を含む非晶質材料を好ましく用いることができる。
【００８３】
軟磁性裏打ち層の膜厚は、特に限定されないが、例えば磁気記録に用いる磁気ヘッドの構造および特性等に応じて選択することができる。他の層と連続成膜で軟磁性裏打ち層を成膜する場合、軟磁性裏打ち層は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の膜厚を有することが好ましい。
【００８４】
また、ヒートシンク層を、任意に設けることもできる。ヒートシンク層は、エネルギーアシス卜磁気記録時に発生する磁気記録層の余分な熱を効果的に吸収することができる。ヒートシンク層は、熱伝導率および比熱容量が高い材料を用いて形成することが好ましい。具体的には例えばＣｕ単体、Ａｇ単体、Ａｕ単体等や、または係る金属群から選択された１種類以上の金属を主成分として含む合金材料を用いることができる。
【００８５】
ここで、主成分として含むとは、材料中の上記金属の含有割合が５０ｗｔ％以上であることを示している。
【００８６】
ヒートシンク層は、強度などの観点から、Ａｌ−Ｓｉ合金や、Ｃｕ−Ｂ合金などを用いて形成することもできる。
【００８７】
また、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金、軟磁性のＣｏＦｅ合金等を用いてヒートシンク層を形成し、ヒートシンク層に軟磁性裏打ち層の機能であるヘッドの発生する垂直方向磁界を磁気記録層に集中させる機能を付与することもできる。
【００８８】
ヒートシンク層の膜厚は特に限定されるものではなく、例えばエネルギーアシス卜磁気記録時の熱量および熱分布や、磁気記録媒体の層構成、各構成層の厚さ等に応じて選択することができる。ヒートシンク層の膜厚は例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００８９】
ヒートシンク層の成膜方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタ法等を用いて形成できる。ヒートシンク層は、例えばガラス基板と磁気記録層との間に設けることができ、磁気記録媒体に求められる特性を考慮して、ガラス基板と密着層との間や、密着層と下地層との間等に設けることができる。
【００９０】
次に、下地層について説明する。
【００９１】
下地層は、その下に形成される層の結晶構造が磁気記録層の結晶配向性、および磁性結晶粒のサイズなどに及ぼす影響を遮断するために設けられる層である。
【００９２】
なお、上述のように軟磁性裏打ち層を設ける場合、軟磁性裏打ち層に対する磁気的影響を抑制するために、下地層は非磁性であることが要求される。
【００９３】
下地層を形成するための材料としては、例えばＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ３などの酸化物、ＴｉＮなどの窒化物、ＣｒおよびＴａなどの金属、ＮｉＷ合金、およびＣｒＴｉ、ＣｒＺｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＷなどのＣｒ系合金等を挙げることができる。
【００９４】
下地層の成膜方法は特に限定されないが、例えばスパッタリング法等の成膜方法を用いることができる。
【００９５】
次にシード層について説明する。
【００９６】
シード層は、下地層と磁気記録層との間の密着性を確保すると同時に、シード層と接触する磁気記録層中の磁性層の磁性結晶粒の粒径、および結晶配向を制御するための層である。具体的には、シード層は、その上に形成される磁性層中で、Ｌ１０型規則合金を含む磁性結晶粒と、Ｔｉを含む非磁性結晶粒界との分離を促進して、当該磁性層を含む磁気記録層の保磁力Ｈｃを増大させることができる。
【００９７】
シード層は、例えばＰｔを含むことができ、特にＰｔから構成されることが好ましい。
【００９８】
シード層の成膜方法は特に限定されないが、スパッタ法や、真空蒸着法等の成膜方法を用いることができる。なお、スパッタリング法としては、例えばＲＦマグネ卜口ンスパッタリング法等を含む。
【００９９】
シード層を成膜する際の条件は特に限定されないが、例えばガラス基板を含む、シード層を成膜する基材を２５０℃以上７００℃以下の温度に加熱した状態で、成膜を行うことが好ましい。
【０１００】
シード層の膜厚は特に限定されるものではないが、例えば０．１ｎｍ以上であることが好ましく、０．５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１０１】
磁気記録層は、一層の磁性層または複数の磁性層を含むことができる。以下、シード層と接触する磁性層を第１磁性層と呼ぶ。
【０１０２】
磁性層は、例えばＦｅ、ＰｔおよびＴｉを含むことができる。第１磁性層は、具体的には例えば、ＦｅおよびＰｔを含むＬ１０型規則合金を有する磁性結晶粒と、Ｔｉを含む非磁性結晶粒界とからなるグラ二ユラー構造を有することができる。
【０１０３】
磁性結晶粒を構成するＬ１０型規則合金は、磁性結晶粒の特性変調を目的として、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｇ、ＡｕおよびＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素をさらに含むこともできる。望ましい特性変調は、Ｌ１０型規則合金の規則化に必要な温度の低減を含む。
【０１０４】
磁性結晶粒は全ての原子が規則構造を有していなくてもよい。規則構造の程度を表わす規則度Ｓが所定の値以上であれば良い。規則度Ｓは、磁気記録媒体をＸＲＤにより測定し、測定値と完全に規則化した際の理論値との比により算出することができる。Ｌ１０型規則合金の場合は、規則合金由来の（００１）および（００２） ピークの積分強度を用いて算出する。測定された（００１）ピーク積分強度に対する（００２）ピーク積分強度の比の値を、完全に規則化した際に理論的に算出される（００１）ピーク積分強度に対する（００２）ピーク積分強度の比で除算することで規則度Ｓを得ることができる。このようにして得られた規則度Ｓが０．５以上であれば、磁気記録媒体として実用的な磁気異方性係数Ｋｕを有する。
【０１０５】
非磁性結晶粒界は、Ｔｉを含むことができ、Ｔｉで構成されることがより好ましい。第１磁性層は、該第１磁性層の全原子数を基準として、４ａｔ％以上１２ａｔ％以下のＴｉを含むことが好ましく、５ａｔ％以上１０ａｔ％以下のＴｉを含むことがより好ましい。
【０１０６】
非磁性結晶粒界が上記範囲のＴｉを含むことによって、磁性結晶粒と非磁性結晶粒界との分離を促進して、当該磁性層の保磁力Ｈｃを急激に増大させることができる。
【０１０７】
磁気記録層は、第１磁性層に加えて、第２磁性層をさらに有することもできる。第２磁性層を有することで磁気記録媒体の性能をさらに向上させることができる。
【０１０８】
第２磁性層の構成は特に限定されないが、第２磁性層は例えば第１磁性層とは異なるキュリー温度Ｔｃを有し、Ｔｃ制御を目的として設けることができる。第１磁性層と第２磁性層との両者をあわせた記録温度を設定することで、記録時に必要とされる磁気記録媒体全体としての反転磁界を低減することができる。
【０１０９】
例えば、第２磁性層として、第１磁性層のキュリー温度Ｔｃよりもキュリー温度Ｔｃの低い磁性層を形成する。そして、記録温度を両磁性層のキュリー温度の中間に設定すれば、記録時に第２磁性層の磁化は消失し、記録を反転させるために必要な磁界を低減させることができる。このようにして磁気記録ヘッドに要請される記録時の発生磁界を低減して良好な磁気記録性能を発揮することができる。
【０１１０】
第２磁性層についてもグラニュラ―構造を有することが好ましく、第１磁性層と、第２磁性層とは磁性結晶粒が水平方向、すなわちガラス基板表面と平行な方向について、同じ位置となるように配置することが好ましい。これは係る配置とすることで、信号対雑音比（ＳＮＲ）等の性能を向上することができるからである。
【０１１１】
第２磁性層を構成する材料は特に限定されないが、例えば磁性結晶粒は少なくともＣｏおよびＦｅのうちのいずれかを含有する材料であることが好ましい。特に磁性結晶粒は、さらにＰｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕから選択される１種類以上を含有することが好ましい。
【０１１２】
第２の磁性層の磁性結晶粒の材料としては例えば、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＦｅＰｔ系合金、ＦｅＰｄ系合金等を用いることができる。磁性結晶粒は、Ｌ１０型、Ｌ１１型、Ｌ１２型などの規則構造や、ｈｃｐ構造(六方最密充填構造)、ｆｃｃ構造(面心立方構造)などであってもよい。
【０１１３】
第２磁性層を構成する非磁性結晶粒の材料としては、例えばＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などの酸化物、ＳｉＮ、ＴｉＮなどの窒化物、Ｃ、Ｂ等を用いることができる。
【０１１４】
なお、第２磁性層として、第１磁性層と同様の材料を用いて、異なる組成とした層を用いてもよい。第２磁性層は、例えば、第1磁性層中のＴｉの比率を変更した層、規則合金に添加するＮｉなどの元素を変更した層などであってもよい。
【０１１５】
磁気記録層は、その他に例えば、第１磁性層と第２磁性層との間の磁気的な交換結合を調整するために、第１磁性層と第２磁性層との間に交換結合制御層を配置することもできる。
【０１１６】
磁気記録層の上面には保護層を設けることができ、保護層は、磁気記録媒体の分野で慣用的に使用されている材料を用いて形成することができる。具体的には、Ｐｔなどの非磁性金属、ダイアモンドライクカーボンなどのカーボン系材料、あるいは窒化シリコンなどのシリコン系材料を用いて、保護層を形成することができる。保護層は、単層であってもよく、積層構造を有してもよい。積層構造の保護層は、例えば、特性の異なる２種のカーボン系材料の積層構造、金属とカーボン系材料との積層構造、または金属酸化物膜とカーボン系材料との積層構造であってもよい。
【０１１７】
保護層は、スパッタ法(ＤＣマグネ卜口ンスパッタリング法などを含む)、真空蒸着法などの任意の方法を用いて形成することができる。
【０１１８】
また、保護層上にはさらに液体潤滑剤層等を設けることもできる。液体潤滑剤層は、例えばパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤等を用いて形成することができる。液体潤滑剤層は、たとえば、ディップコート法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成できる。
【０１１９】
なお、本実施形態では、磁気記録媒体の一構成例として、エネルギーアシスト磁気記録媒体について説明したが、エネルギーアシスト磁気記録媒体とする場合でも上記の形態に限定されるものではない。例えば必要に応じて各種層をさらに設ける等することもできる。
【０１２０】
以上に説明した本実施形態の磁気記録媒体は、既述の磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。すなわち、磁性層を成膜する際等に高温で熱処理を行った場合でも平坦度の変化を小さくし、平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を含んでいる。
【０１２１】
このため、係る磁気記録媒体用ガラス基板を含む、本実施形態の磁気記録媒体についても平坦度を小さくすることができる。このため、本実施形態の磁気記録媒体を磁気記録装置に適用した場合に、記録ヘッドの浮上安定性を確保することができる。
【実施例】
【０１２２】
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実験例１〜実験例５］
以下の手順により実験例１〜実験例５のガラス基板を作製し、評価を行った。
（ガラス材料選択工程）
実験例１〜実験例５のガラス基板を作製するにあたって、表１に示したように組成の異なるガラスＡ〜ガラスＥを用意し、以下の手順により温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化を測定した。そして、測定した結果から、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料を選択するガラス材料選択工程を実施し、各実験例のガラス基板を作製することにした。
【０１２３】
まず、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの測定方法について説明する。
【０１２４】
温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化は、動的粘弾性測定装置（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製  型番：Ｑ８００  ＤＭＡ）を用いて、以下の手順により行った。
【０１２５】
内部摩擦ｔａｎδは、図１に示したように三点曲げ測定治具に、各ガラス材料について、板状に加工した試験体１１を用いて測定を行った。試験体１１としては、長さｌが６０ｍｍ×幅（図１中の紙面と垂直方向）が５ｍｍ×板厚ｄが０．５ｍｍとなるように各ガラス材料を成形したものを用いた。
【０１２６】
そして、まず試験体１１を支持部材１２Ａ、１２Ｂ上に配置した。なお、支持部材１２Ａと支持部材１２Ｂとの間の支持間隔（スパン）Ｌは５０ｍｍとしている。
【０１２７】
次いで、試験体１１の上面の中央部であり、かつ支持部材１２Ａと支持部材１２Ｂとの中央部に、押圧部材１３により、１Ｎの静荷重を図中下方向に印加した状態で、さらに振幅１２０μｍ、周期１Ｈｚとなるように、押圧部材１３で周期的に下方向への押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施した。このように試験体１１を押圧することで試験体１１に振動ひずみを印加した。そして、この際に測定した応力の変化から内部摩擦ｔａｎδを算出した。
【０１２８】
なお、ｔａｎδの測定の際には、−８０℃から、５℃／ｍｉｎの昇温速度で、昇温を行っており、−８０℃以上３５０℃以下の範囲で温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化の曲線を得た。
【０１２９】
上記測定を行った際の、各ガラス材料の試験体の、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化を図３に示す。なお、表１には、各実験例で用いたガラス材料の名前と、０℃、１００℃、２００℃、３５０℃における内部摩擦ｔａｎδを併せて示している。
【０１３０】
図３に示した結果によると、ガラスＡ〜ガラスＣについては、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下になっていることが確認される。これに対して、ガラスＤ、ガラスＥについては、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１を超えていることを確認できた。特にガラスＤ、ガラスＥを用いた試験体は、温度に対する内部摩擦ｔａｎδの変化の曲線が、３５０℃以下の温度領域に明確なピークを有することを確認できた。
【０１３１】
以上の結果から、実験例１〜実験例３を実施例として、表１に示したように、それぞれガラスＡ〜ガラスＣを用いることにした。また、実験例４、実験例５を比較例として、表１に示したように、それぞれガラスＤ、ガラスＥを用いることにした。
【０１３２】
そして、以下の工程を実施することにより各実験例のガラス基板を作製した。ガラス素板製造工程で製造する、ガラス素板のガラス材料と、板厚とが異なる点以外は実験例１〜実験例５で同様にしてガラス基板を作製したため、以下にまとめて記載する。
（ガラス素板製造工程）
ガラス材料選択工程の結果から、上述のように実験例１〜実験例５では、それぞれガラスＡ〜ガラスＥを用いてガラス基板を作製することにした。
【０１３３】
このため、ガラスＡ、Ｂ、Ｄ、およびガラスＥを用いてガラス素板をフロート法により、またガラスＣを用いてガラス素板をプレス法により作製し、各実験例での形状付与工程に供した。
【０１３４】
なお、実験例１、実験例３〜実験例５については、得られるガラス基板の板厚が０．６３５ｍｍとなるように、ガラス素板の板厚を調整し、作製した。また、実験例２に供するガラス素板は、得られるガラス基板の板厚が０．５ｍｍとなるように、ガラス素板の板厚を調整し、作製した。
（形状付与工程）
外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍのガラス基板が得られるように、各実験例について、上述のガラス素板製造工程で作製したガラス素板から、図２を用いて説明したように、中央部に円孔を有するドーナツ形状を有するガラス基板に加工した。
【０１３５】
なお、ここでいう内径とは、中央部の円孔の直径を意味する。
（面取り工程）
形状付与工程で得られたドーナツ形状を有するガラス基板の内周端面と外周端面とを、面取り幅０．１５ｍｍ、面取り角度４５°の磁気記録媒体用ガラス基板が得られるように面取り加工を行った。
（一次主表面研削工程）
アルミナ砥粒を用いて、得られたガラス基板の上下主表面のラッピング加工を行った。
【０１３６】
一次主表面研削工程は、研磨具として鋳型定盤と、アルミナ砥粒を含有する研削液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により実施した。
【０１３７】
また、一次主表面研削工程後のガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を行った。
（外周端面研磨工程）
次に、ガラス基板の外周側面部、および外周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、外周側面部と外周面取り部の加工変質層（傷など）を除去し、鏡面となるように外周端面の研磨加工を行った。
【０１３８】
外周端面研磨工程終了後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。
（内周端面研磨工程）
外周端面研磨後、磁気記録媒体用ガラス基板の内周側面部、および内周面取り部を、研磨ブラシ、および酸化セリウム砥粒を含有する研磨液を用いて研磨し、内周側面部と内周面取り部の加工変質層（傷など）を除去し、鏡面となるように内周端面を研磨加工を行った。
【０１３９】
内周端面研磨後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。
（二次主表面研削工程）
次いで、ガラス基板の上下主表面のラッピング加工を実施した。
【０１４０】
二次主表面研削工程は、研磨具として平均粒径４μｍのダイヤモンド砥粒を含有する固定粒工具と、界面活性剤を含有する研削液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により実施した。
【０１４１】
また、二次研削工程終了後もガラス基板について、砥粒の洗浄、除去を実施した。
【０１４２】
なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。なお、本明細書の他の部分でも、平均粒径は同様の意味を有する。
（一次主表面研磨工程）
次に、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッド（スエード系研磨パッド）と、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により上下主表面の研磨を実施した
なお、酸化セリウム砥粒を含有する研磨液としては、平均粒径が約１．０μｍの酸化セリウムを含有した研磨液組成物を用いた。
【０１４３】
また、一次主表面研磨工程では、上下両主表面を板厚方向で合計３０μｍの研磨を行っている。
【０１４４】
一次主表面研磨工程終了後も、ガラス基板について酸化セリウムの洗浄、除去を実施した。
（二次主表面研磨工程）
一次主表面研磨工程終了後、洗浄したガラス基板の両主表面について、二次主表面研磨工程を実施した。
【０１４５】
二次主表面研磨工程は、研磨具として軟質ウレタン製の研磨パッドと、平均粒径が２０ｎｍのコロイダルシリカ砥粒を含有する研磨液とを用いて、１６Ｂ型両面研磨装置により実施した。
【０１４６】
二次主表面研磨工程終了後もガラス基板について、コロイダルシリカの洗浄、除去を実施した。
（洗浄・乾燥工程）
二次主表面研磨工程を行ったガラス基板は、スクラブ洗浄と、洗剤溶液に浸漬した状態での超音波洗浄と、純水に浸漬した状態での超音波洗浄と、を順次行い（精密洗浄）、イソプロピルアルコール蒸気にて乾燥した。
【０１４７】
以上の手順により各実験例のガラス基板を作製し、得られたガラス基板について、熱処理前後での平坦度の変化を評価した。
【０１４８】
各実験例では上述の手順によりそれぞれ１００枚のガラス基板を作製している。このため、作製したガラス基板のうち、各実験例において、平坦度の略同じガラス基板を２枚選択し、熱処理前のガラス基板の平坦度（Ｘ１）とした。
【０１４９】
なお、平坦度は上記熱処理前、及び以下に説明する熱処理後、いずれにおいてもＮＩＤＥＫ社製干渉式フラットネステスターＦＴ−１７により測定を行っている。
【０１５０】
そして、１枚のガラス基板について、窒素雰囲気下、６００℃で１０分間熱処理を行い、室温まで冷却した後に平坦度の測定を行った。熱処理後の平坦度（Ｙ１）の評価結果と、熱処理前後の平坦度の変化量（Ｙ１−Ｘ１）の計算結果を表１に示す。
【０１５１】
また、もう１枚のガラス基板について、窒素雰囲気下、７００℃で１０分間熱処理を行い、室温まで冷却した後に平坦度の測定を行った。熱処理後の平坦度（Ｙ２）の評価結果と、熱処理前後の平坦度の変化量（Ｙ２−Ｘ１）の計算結果を表１に示す。
【０１５２】
【表１】
0006004129.tif 000002
３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下であるガラスＡ〜ガラスＣを用いて作製した実験例１〜実験例３のガラス基板は、６００℃で熱処理を行った場合、熱処理前後での平坦度の変化量が１．５μｍ以下になることを確認できた。また、実験例１〜実験例３のガラス基板は、７００℃で熱処理を行った場合でも、熱処理前後での平坦度の変化量が２６．０μｍ以下に、更に３５０℃以下における周波数１Ｈｚでの内部摩擦ｔａｎδが、０．００４以下であるガラスＡを用いて作成した実験例１のガラス基板は６．０μｍ以下になっていることを確認できた。
【０１５３】
これに対して、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１を超えるガラスＤ、ガラスＥを用いて作製した実験例４、実験例５のガラス基板は、６００℃で熱処理を行った場合、熱処理前後での平坦度の変化量が３０μｍを超えることが確認できた。なお、実験例４、実験例５のガラス基板は、７００℃で熱処理を行った場合には破損の恐れがあり加熱を実施しなかったため、平坦度を評価することができていない。
【０１５４】
以上の結果から、３５０℃以下における内部摩擦ｔａｎδが、０．０１以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板によれば、高温で熱処理した場合でも平坦度の悪化を抑制できることを確認できた。
【符号の説明】
【０１５５】
２０            磁気記録媒体用ガラス基板
【要約】
【課題】熱処理を行った際の平坦度の悪化を抑制できる磁気記録媒体用ガラス基板を提供することを目的とする。
【解決手段】３５０℃以下における内部摩擦が０．０１以下のガラス材料からなる磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
（ただし前記内部摩擦とは、
長さ６０ｍｍ、幅５ｍｍ、板厚０．５ｍｍの板状に加工した前記ガラス材料からなる試験体を、
前記長さ方向に沿って配置され、支持間隔が５０ｍｍである２つの支持部材により下面側から支持し、
前記試験体の中央部を、下方向に１Ｎの静荷重を印加した状態で、さらに振幅１２０μｍ、かつ周波数１Ｈｚとなるように押圧と、押圧の解放とを繰り返し実施することで測定された応力の変化に基いて算出される。）
【選択図】図３【図１】
0006004129.tif 000003
【図２】
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【図３】
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