(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法において、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量4.4slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.5slm、シラン流量200sccm、一酸化二窒素流量4.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニアを2100sccm、シランを7700sccm、一酸化二窒素を2.58slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、4分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量10slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とする反射防止コーティングの制作方法。
【請求項２】
アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法において、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.1slm、シラン流量180sccm、一酸化二窒素流量3.5slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）成膜：温度450℃で、アンモニアを2160sccm、シランを8000sccm、一酸化二窒素を2.8Slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、3.5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）窒素パージ冷却：温度420℃、窒素流量8slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とする反射防止コーティングの制作方法。
【請求項３】
アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法において、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量4.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.7slm、シラン流量200sccm、一酸化二窒素流量4.2slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2190sccm、シラン流量を8500sccm、一酸化二窒素流量を3.4slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、4.5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量6slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とする反射防止コーティングの制作方法。
【請求項４】
アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法において、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量5.2slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.9slm、シラン流量190sccm、一酸化二窒素流量5.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.4分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2000sccm、シラン流量を8300sccm、一酸化二窒素流量を3.0slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量12slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とする反射防止コーティングの制作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の生産加工技術分野に係り、特にアンチPID効果を有する反射防止コーティングの製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルは、エネルギーを変換するための光電素子であり、太陽光の照射によって光エネルギーを電力に変換して、太陽光発電を図る。電池表面の光に対する反射を減少するように太陽電池の表層に反射防止コーティングが形成され、電池の光電変換率を有効的に改善するとともに、反射防止コーティングによって太陽電池に表面パッシベーション及びボディパッシベーションが発生される。そのため、反射防止コーティングの材料を選択する場合、この二つの問題を合せて考慮する必要である。結晶シリコン太陽電池の光学反射防止コーティングに適用する材料は、シリカ、酸窒化シリコンなどの薄膜材料である。
【０００３】
従来、PEVCD成長反射防止コーティングが主に採用されている。PEVCD技術原理は、低温プラズマをエネルギー源として、グロー放電又は他の発熱体を利用し、サンプルに予め設定された温度に昇温させ、そして、適量の反応ガスを導入し、このガスは一連の化学反応及びプラズマ反応を介してサンプル表面に固体薄膜を形成するということである。従来の太陽電池の生産において、通常アンモニア及びシランを反応ガスとして、反応後、紺色の薄膜が形成され、その中の窒化ケイ素は反射防止機能をし、水素はボディパッシベーション機能をする。PEVCDコーティング法は温度、真空度に対して高い要求があり、何種類の異なるガスが反応に加えるため、ガス路が複雑になり、また、反応ガスは常に毒を持って、燃え易く爆発し易いため、セキュリティリスクが存在している。
【０００４】
研究によれば、結晶シリコンPVモジュールにおける電子回路とその接地金属フレームの間の高電圧により、モジュールの太陽光発電性能が減衰する。減衰を起こすメカニズムがいろいろある。例えば、上記高電圧によって、モジュールの電池の実装材料とモジュールの上面及び下面の材料に発生されたイオンマイグレーション現象と、電池に発生したホットキャリア現象と、電荷の再分配による電池の活性層の削減と、関連の電子回路が腐食されることなどがある。これらの減衰を起こすメカニズムは電位誘発減衰(Potential Induced Degradation,PID)、極性化、電解腐食及び電食と呼ばれる。上記の現象はほとんど高湿環境で一番発生しやく、その活発度と湿度が関連している。また、モジュール表面は導電性能、酸性、アルカリ性及びイオン付きの物体の汚染度も上記の減衰現象の発生に関連している。実際に応用する場合に、結晶シリコンPVモジュールのPID現象はすでに気づかれ、その電池構造、他の構成要素の材料及び設計形態によって、PID現象は、その電子回路と金属接地フレームが順方向電圧バイアスになる場合に発生でき、また、逆方向電圧バイアスになる場合にも発生できる。関連文献に、電池が実装材料(通常、EVA及びガラスの上面)とモジュールフレームで形成される経路を通過することによって発生した漏れ電流は、PID現象を発生させる主な原因であるということが記載されている。現在まで、漏れ電流が形成するメカニズムがまだはっきりしていない。全体的に言うと、実装材料によって電池を実装して形成された絶縁システムは上記の漏れ電流にとって不完全であり、また、ソーダ石灰ガラスからの金属イオンは上記のPID効果を有する漏れ電流の主な担体媒体であると推測される。さらに、関連文献によれば、実際の応用条件で、午前太陽が昇って経過する一定時間内に、往々にしてPID効果が相対的に強い。これは、結晶シリコンPVモジュールは発電してない夜を経過して、その表面に凝縮現象が発生され(特に、夏、秋の露)、太陽発電システムは、太陽が昇って経過する一定時間内にその表面が湿っている時、前面に述したシステムバイアス電圧を受けるからである。
【０００５】
現在、電池セル、モジュール及びシステム発電所の三つの方面に絞ってPID現象を解決する。シリコンチップ抵抗率、拡散障壁及び反射防止コーティングなどの工程品質は電池セルのアンチPID効果に影響し、モジュール、EVA、強化ガラス及びアルミフレームなどの補助材も電位誘発減衰の発生に働いた補助作用がある、この補助材の材料への改良は、電位誘発減衰を解決する一つの有効的な手段である。システム発電所の方面において、インバーター、接地方式などを変更することによってある程度に電位誘発減衰を避けてもよい。
【０００６】
太陽発電モジュールは、25年間使用でき、悪い気候環境に逢う可能性が極めて高く、PID現象が酷い場合、発電所の出力電力が大幅低下し(90％以上の減衰)、運営者及び発電所投資者の利益をひどく損害する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、さらにコストを降下させ、反射防止コーティングの構成開発、設計及び製作によって、アンチPID効果を有する反射防止コーティングが形成され、一番経済的で有効的にPID効果を解決する簡単な工程方案を図るという技術的課題を解決するために作られたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の技術的課題を解決するために、本発明に採用される第１の形態において、シリコンチップ基板に反射率が低くなる多層膜構造が形成されアンチPID効果を有する反射防止コーティングの製作方法であって、
前記反射率が低くなる多層膜構造の制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8−5.2slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.1−0.9slm、シラン流量180sccm−200sccm、一酸化二窒素流量3.5−5.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニアを2000−2200sccm、シランを7000−8500sccm、一酸化二窒素を2−3.4slm、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、3−5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップ、
（6）温度420℃、窒素流量6−12slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とするアンチPID効果を有する反射防止コーティングの製作方法。
【０００９】
さらに、本発明は多回製膜ステップを含む方法を提供した。具体的に、
シリコンチップ基板に反射率が低くなる多層膜構造が形成されアンチPID効果を有する反射防止コーティングの製作方法であって、
前記反射率が低くなる多層膜構造の制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8−4.4slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）炉管内の温度420℃、アンモニアを0.1−0.5slm、シランを180sccm−200sccm、一酸化二窒素を3.5−4.1slm導入し、圧力1000 mTorr、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）二回以上の成膜を行い、シリコンチップに多層媒体膜層が形成されるステップと、
（6）温度420℃、窒素流量6−10slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含むことを特徴とするアンチPID効果を有する反射防止コーティングの製作方法。
【００１０】
前記のステップ（5）において、具体的に（51）炉管内の温度450℃、アンモニアを2000-2200sccm、シランを7000−7500sccm、一酸化二窒素を2−2.4slm導入し、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、13分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、シリコンチップに付着して、一つの誘導体膜が成膜されるという一回成膜ステップと、（52）炉管内の温度450℃で、アンモニアを2200−2500sccm、シランを7000-7400sccm、一酸化二窒素を2−2.4slm導入し、圧力1700 mTorr、RF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、シリコンチップに付着して、もう一つの誘導体膜が成膜されるという二回成膜ステップと、（53）炉管内の温度450℃で、アンモニアを2500-2700sccm、シランを7000−7400sccm、一酸化二窒素を2−2.4slm導入し、圧力1700 mTorr、RF出力4300ワットで、2分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという三回成膜ステップと、を含む。
【００１１】
さらに、ステップ（51）において、アンモニア流量は2100slmで、シラン流量は7500sccmで、一酸化二窒素流量は2.4slmである。ステップ（52）において、アンモニア流量は2300slmで、シラン流量は7400sccmで、一酸化二窒素流量は2.4slmである。ステップ（53）において、アンモニア流量は2600slmで、シラン流量は7300sccmで、一酸化二窒素流量は2.4slmである。
【００１２】
ステップ（2）において、一酸化二窒素流量は4.4slmである。ステップ（4）において、アンモニア流量は0.5slmで、シラン流量は200sccmで、一酸化二窒素流量は4.1slmである。ステップ（6）において、アンモニア流量は10slmで、窒素パージ冷却時間は5分である。
【００１３】
本発明によれば、3層反射防止コーティングはPECVDシステムによって製膜される。該PECVDシステムの放電周波数が40kHzであることで、電気制御、成膜安定性などの方面において、一般の250kHz及び400kHzの設備より優れている。40kHzの放電周波数によるシリコンチッピ表面への損傷を減少させるために、パルス式の間欠的低周波フィールドが採用されて、表面への衝撃を弱めることができる。
【００１４】
本発明によれば、結晶シリコン基板表面に3層の酸窒化シリコン構造を有する反射防止コーティングが形成されることができ、該3層反射防止コーティングの反射率が低くなり、全体的に1.9-2.4の範囲にある。また、本発明の進歩性は、従来に単一の酸窒化シリコンによって反射防止コーティングを制作する制限性を改善し、反射防止コーティングの材料の多様化が実現された。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図1は本発明の制作方法によって得られたアンチPID反射防止コーティングシリコンチップの断面構造図である。
【図２】図2は本発明の7つの実施例及び従来の電池セルによって構成されたモジュールが以上の抗電位誘発減衰測定条件で電力減衰比較図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、具体的な実施例を合わせて本発明に対してさらに詳細な説明をする。
【実施例１】
【００１７】
本発明は、アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法を提供し、この制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量4.4slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.5slm、シラン流量200sccm、一酸化二窒素流量4.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニアを2100sccm、シランを7700sccm、一酸化二窒素を2.58slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、4分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量10slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例２】
【００１８】
本発明は、アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法を提供し、この制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.1slm、シラン流量180sccm、一酸化二窒素流量3.5slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）成膜：温度450℃で、アンモニアを2160sccm、シランを8000sccm、一酸化二窒素を2.8Slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、3.5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）窒素パージ冷却：温度420℃、窒素流量8slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例３】
【００１９】
本発明は、アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法を提供し、この制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量4.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ。
（4）予備成膜：温度420℃、アンモニア流量0.7slm、シラン流量200sccm、一酸化二窒素流量4.2slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する圧力テストを行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2190sccm、シラン流量を8500sccm、一酸化二窒素流量を3.4slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、4.5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量6slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例４】
【００２０】
本発明は、アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法を提供し、この制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量5.2slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.9slm、シラン流量190sccm、一酸化二窒素流量5.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.4分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2000sccm、シラン流量を8300sccm、一酸化二窒素流量を3.0slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという成膜ステップと、
（6）温度420℃、窒素流量12slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例５】
【００２１】
本発明は、アンチPID効果を有する反射防止コーディングの制作方法を提供し、この制作方法は、
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量4.4slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.5slm、シラン流量200sccm、一酸化二窒素流量4.1slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2110sccm、シラン流量を7335sccm、一酸化二窒素流量を2.05slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、13分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜（図1の符号3）が成膜されるという一回成膜ステップと、
（6）温度450℃で、アンモニア流量を2430sccm、シラン流量を7260sccm、一酸化二窒素流量を2.22slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜（図1の符号4）が成膜されるという二回成膜ステップと、
（7）温度450℃で、アンモニア流量を2610sccm、シラン流量を7210sccm、一酸化二窒素流量を2.18slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、2分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜（図1の符号5）が成膜されるという三回成膜ステップと、
（8）温度420℃、窒素流量10slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例６】
【００２２】
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.1slm、シラン流量180sccm、一酸化二窒素流量3.5slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.3−0.5分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2320sccm、シラン流量を7380sccm、一酸化二窒素流量を2.35slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、13分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという一回成膜ステップと、
（6）温度450℃で、アンモニア流量を2330sccm、シラン流量を7350sccm、一酸化二窒素流量を2.322slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという二回成膜ステップと、
（7）温度450℃で、アンモニア流量を2530sccm、シラン流量を7120sccm、一酸化二窒素流量を2.12slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、2分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという三回成膜ステップと、
（8）温度420℃、窒素流量6slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
【実施例７】
【００２３】
（1）炉管を真空状態にして、炉内温度420℃、圧力80mTorrで4分保つステップと、
（2）シリコンチップに対して、温度420℃、一酸化二窒素流量3.8slm、圧力1700 mTorrで3分予備処理するステップと、
（3）設備内部圧力を50 mTorrで一定するように保証し、0.2−0.5分保つ圧力テストを行うステップと、
（4）温度420℃、アンモニア流量0.1slm、シラン流量180sccm、一酸化二窒素流量3.5slm、圧力1000 mTorr、RF出力4300ワットで、0.35分継続する予備成膜を行うステップと、
（5）温度450℃で、アンモニア流量を2400sccm、シラン流量を7270sccm、一酸化二窒素流量を2.25slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、13分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという一回成膜ステップと、
（6）温度450℃で、アンモニア流量を2330sccm、シラン流量を7350sccm、一酸化二窒素流量を2.32slm導入し、炉管内を低圧状態にして、圧力1700 mTorrで、炉管内のグラファイトボート板間に作用するRF出力4300ワットで、5分継続し、この電場によって、炉管内にグロー放電が発生され、導入されたプロセスガスが電子に衝突して、プラズマになり、プラズマが強い化学的活性を有し、基板に付着して、誘導体膜が成膜されるという二回成膜ステップと、
（7）温度420℃、窒素流量6slm、圧力10000 mTorrで、5−8分窒素パージ冷却を行うステップと、を含む。
IEC61215によれば、現在、電池モジュールに対して電位誘発による電力減衰の合格比例又は測定基準をまだ設定していない。現在、太陽光発電産業において、一般的に、温度及び湿度が85℃で、モジュールに1000Vのリバース高圧がかけられるとともに、モジュール正面にアルミ箔などの材料が敷かれ、96時間保って、その後、電力減衰状況を確認するという方法が採用されている。5％以下の減衰とは、抗電位誘発減衰機能を有するということである。以下、本発明の7つの実施例及び従来の電池セルによって構成されたモジュールは抗電位誘発減衰測定条件で得られた結果が図2に示されている。
データによれば、本発明によって製作された電池モジュールの抗電位誘発減衰電力は有効的に抑制できる。
【符号の説明】
【００２４】
1  p型シリコン基板
2  N型拡散結合区
3  第1層酸窒化ケイ素反射防止コーティング
4  第2層酸窒化ケイ素反射防止コーティング
5  第3層酸窒化ケイ素反射防止コーティング
【図１】
0006025985.tif 000002
【図２】
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