(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第２の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第１の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第２の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第１の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第２の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第２の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第２の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、前記散乱の程度は、前記第２の波長範囲にある前記放射の２５％未満が、前記主反射型素子から前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに誘導されるような程度である、光学装置。
【請求項２】
前記主反射型素子から前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つまでの距離は、前記関連付けられた副反射型素子又は関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つの最小横寸法の１０倍より大きい、請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記第１の波長範囲は、ＥＵＶ波長範囲５〜２０ｎｍ内、又は範囲１３〜１４ｎｍ内、又は範囲６．５〜７ｎｍ内である、請求項１又は請求項２に記載の光学装置。
【請求項４】
前記第２の波長範囲は、ＤＵＶ波長範囲１００〜４００ｎｍ内である、請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項５】
前記主反射型素子の向きは、様々な時間において、前記関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに向けて放射を誘導するように制御可能であり、前記関連付けられた副反射型素子の各々は、副反射型素子の前記アレイにおいて、前記主反射型素子から受け取った放射を前記ターゲット位置から離れる方向に誘導する副反射型素子によって取り囲まれている、請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項６】
前記主反射型素子は、前記第１の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第２の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含む、請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項７】
前記コーティングは、３０ｎｍ未満の厚さの層を含む、請求項６に記載の光学装置。
【請求項８】
前記コーティングは、１００ｎｍ未満の寸法のシリコン粒子の層を含む、請求項６に記載の光学装置。
【請求項９】
前記シリコン粒子の層は、実質的に単分子層である、請求項８に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記コーティングは、波形付き層を含む、請求項６乃至請求項９のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項１１】
前記主反射型素子は、第３の波長範囲にある放射の、前記ターゲット位置に向かう反射を抑制するように構成された位相格子構造を組み込み、前記第３の波長範囲にある波長は、１μｍより長い、請求項１乃至請求項１０のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項１２】
前記主反射型素子は、主反射型素子のアレイのうちの１つであり、前記副反射型素子の各々は、その関連付けられた主反射型素子の像をフィールド面に又はその付近に形成するように構成され、各像は実質的に重なり合う、請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載の光学装置。
【請求項１３】
照明システムと、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能である、サポートと、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
前記照明システムにおける、前記放射ビームを調整するように構成された請求項１乃至請求項１２のうち何れか１項に記載の光学装置と、
を含むリソグラフィ装置。
【請求項１４】
パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法であって、前記パターン付きビームは、請求項１乃至請求項１２のうち何れか１項に記載の光学装置によって調整された放射ビームから形成される、デバイス製造方法。
【請求項１５】
放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第２の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第１の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第２の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第１の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第２の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第２の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第２の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、
前記主反射型素子は、前記第１の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第２の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含み、
前記コーティングは、１００ｎｍ未満の寸法のシリコン粒子の層を含み、
前記シリコン粒子の層は、実質的に単分子層である、光学装置。
【請求項１６】
放射ビームを調整するための光学装置であって、
放射源から前記放射ビームを受取り、前記放射ビームを第２の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第１の反射型コンポーネントと、
前記ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む前記第２の反射型コンポーネントと、を含み、
前記主反射型素子は、第１の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、又は、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに反射するように構成され、前記主反射型素子は、第２の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、前記散乱の程度は、前記第２の波長範囲にある前記放射の大部分が、前記第２の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、前記関連付けられた副反射型素子に向けて又は前記関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定され、
前記主反射型素子は、前記第１の波長範囲にある前記放射を反射するためのミラー構造と、前記第２の波長範囲にある前記放射に前記ある程度の散乱を与えるための、前記ミラー構造上のコーティングとを含み、
前記コーティングは、前記第２の波長範囲にある直径を有する粒子の単分子層を含む、光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、不所望の波長を有する放射を抑制するために放射ビームを調整することに関し、例えばリソグラフィ分野おいて放射ビームを調整するために適用されうる。本発明は、特に深紫外線（ＤＵＶ）を抑制するために極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィにおいて放射ビームを調整するために開発されているが、かかる適用、かかる特定の波長範囲に限定されない。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）および他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えばＩＣの製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  現在のリソグラフィシステムは、非常に小さいマスクパターンフィーチャを投影する。レチクルの表面上に出現する埃または外部粒状物質は、結果として得られる生成物に悪影響を及ぼしうる。リソグラフィプロセスの前またはその途中にレチクル上に堆積する任意の粒状物質は、基板上に投影されるパターンにおけるフィーチャを歪ませる可能性が高い。したがって、フィーチャサイズが小さいほど、レチクルから除去することが重要になる粒子のサイズも小さくなる。
【０００５】
[0005]  多くの場合、ペリクルがレチクルと共に用いられる。ペリクルは、レチクルの表面の上方でフレームに広げられうる薄い透明層である。ペリクルは、粒子がパターン形成された側のレチクル面に到達することを遮断するために用いられる。ペリクル面上の粒子は、焦点面から外れており、露光されているウェーハ上に像を形成しないが、ペリクル面上に可能な限り粒子がない状態にすることが依然として望ましい。
【０００６】
[0006]  パターンプリンティングの限界の理論推定値は、次式（１）に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる。
【数１】
0006025369.tif 000002
ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡＰＳはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡＰＳを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得られることが分かる。
【０００７】
[0007]  露光波長を短くする、したがって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射源は、通常、例えば１３．５ｎｍまたは約１３ｎｍまたは６．５ｎｍ〜６．８ｎｍといった約５〜２０ｎｍの放射波長を出力するように構成される。したがって、ＥＵＶ放射源は、小型フィーチャプリンティングを達成することに向けて意義ある前進を構成しうる。かかる放射は、極端紫外線または軟Ｘ線と呼ばれ、可能な放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。
【０００８】
[0008]  一部のＥＵＶ源、特にプラズマ源は、赤外線（ＩＲ）、可視線、紫外線（ＵＶ）、および深紫外線（ＤＵＶ）でさえも含む広範囲の周波数に亘って放射を放出する。これらの不所望の放射は伝播して、照明および投影システム内に加熱問題を引き起こし、遮断されなければレジストの不所望の露光を引き起こしてしまう。照明および投影システムの多層ミラーが、例えば１３ｎｍである所望の波長の反射のために最適化されているが、ＩＲ、可視、およびＵＶ波長においてかなり高い反射率も有する。基板においてＥＵＶ放射に露光されるべきレジストもＤＵＶ放射のような非ＥＵＶ放射に敏感であるが、基板における非ＥＵＶ放射はマスクパターンフィーチャの情報を含まない。むしろ、ウェーハステージにおける非ＥＵＶ放射の存在は、コントラスト損失にしか貢献しない。したがって、非ＥＵＶ放射のＥＵＶ放射に対する比率を特定の値（単なる一例として基板において１％でありうる）未満に維持することが望ましい。
【０００９】
[0009]  この機能を実行するために、メンブレン状スペクトル純度フィルタといったフィルタを用いることが提案されている。しかし、このようなフィルタは非常に繊細であり、限られた熱負荷容量を有し、リソグラフィ投影装置内において生じる高出力レベルの放射において、高い熱応力および亀裂、昇華および酸化につながる。メンブレンフィルタはさらに、通常、所望のＥＵＶ放射の大部分を吸収する。例えばＤＵＶ放射は、３０％のＥＵＶ放射損失を犠牲にして、１００より大きい倍率で抑制されうる。
【００１０】
[0010]  この機能を実行するために、リソグラフィ装置の照明および投影システム内の１つまたは複数のミラー上にＤＵＶ抑制コーティングを使用することも提案されている。しかし、ＤＵＶコーティングを使用することによって、ＥＵＶ放射損失は、ＤＵＶ抑制に比べて、メンブレンフィルタを使用する場合のそれよりも悪い。さらに、ＤＵＶ抑制コーティングを使用する手法は、ＥＵＶに対するＤＵＶの減少の比が約３倍と限定的なので不十分である。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  ＥＵＶリソグラフィ装置といった反射型光学システムにおいて不所望の波長の放射を減少する代替の技術があることが望ましい。
【００１２】
[0012]  本発明の第１の態様では、放射ビームを調整するための光学装置が提供される。かかる装置は、放射源から放射ビームを受取り、放射ビームを第２の反射型コンポーネントに反射するように構成され、主反射型素子を含む第１の反射型コンポーネントと、ビームをターゲット位置に反射するように構成され、副反射型素子のアレイを含む第２の反射型コンポーネントとを含み、主反射型素子は、第１の波長範囲にある放射を、関連付けられた副反射型素子、または、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに反射するように構成され、主反射型素子は、第２の波長範囲にある放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、散乱の程度は、第２の波長範囲にある放射の大部分が、第２の反射型コンポーネントに向けて誘導されるが、関連付けられた副反射型素子に向けてまたは関連付けられた副反射型素子のサブセットに向けて誘導されないように設定される。
【００１３】
[0013]  かかる装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置の照明システム内で適用されうる。主反射型素子は、フィールドファセットミラーであり、副反射型素子はマルチファセット瞳ファセットミラーの瞳ファセットミラーであってよい。このような実施形態では、第１の波長範囲は、ＥＵＶ波長範囲５〜２０ｎｍ内、例えば範囲１３〜１４ｎｍまたは６．５〜７ｎｍ内にありうる。第２の波長範囲は、ＤＵＶ波長範囲１００〜４００ｎｍ、任意選択的に１１０〜３００ｎｍ内にありうる。
【００１４】
[0014]  散乱の程度は、第２の波長範囲にある放射の２５％未満、任意選択的に１５％、５％、または１％未満が、主反射型素子から、関連付けられた副反射型素子または関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに誘導されるような程度でありうる。幾つかの実施形態では、主反射型素子の向きは、様々な時間において、関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに向けて放射を誘導するように制御可能であり、関連付けられた副反射型素子の各々は、副反射型素子のアレイにおいて、主反射型素子から受け取った放射をターゲット位置から離れる方向に誘導する副反射型素子によって取り囲まれている。
【００１５】
[0015]  主反射型素子は、主反射型素子のアレイのうちの１つの素子であってよく、主反射型素子の各々は、第２の反射型コンポーネントにおける、特定の副反射型素子、または、素子のサブセットに関連付けられ、主反射型素子の各々は、第２の波長範囲にある放射の対応する程度の散乱を提供するように構成される。主反射型素子は、第１の波長範囲にある放射を反射するためのミラー構造と、第２の波長範囲にある放射にある程度の散乱を与えるための、ミラー構造上のコーティングとを含む。一実施形態では、コーティングは、例えば１００ｎｍ未満、任意選択的に３０ｎｍ未満の寸法のシリコン粒子の層を含みうる。
【００１６】
[0016]  一実施形態では、主反射型素子は、第３の波長範囲にある放射の、ターゲット位置に向かう反射を抑制するように構成された位相格子構造を組み込み、第３の波長範囲にある波長は、１μｍより長い。
【００１７】
[0017]  本発明はさらに、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、パターニングデバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成可能である、サポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、照明システムにおける放射源から受け取った放射ビームを調整するように構成された、上述したような本発明の実施形態による光学装置とを含むリソグラフィ装置を提供する。
【００１８】
[0018]  本発明はさらに、パターン付き放射ビームを基板上に投影することを含むデバイス製造方法を提供し、パターン付きビームは、上述したような光学装置によって調整された放射ビームから形成される。
【００１９】
[0019]  本発明の更なる特徴および利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造および動作は、添付図面を参照して以下に詳細に説明される。なお、本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されない。これらの実施形態は、例示目的のためだけに本明細書に提示されている。本明細書に含まれる教示内容に基づけば、当業者には追加の実施形態が明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  本明細書に組み込まれかつ本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、以下の記載と共に本発明の原理をさらに説明し、当業者が本発明を製造しかつ使用することを可能にする。本発明の実施形態を、ほんの一例として添付図面を参照しながら説明する。
【図１】[0021]  図１は、反射型投影光学部品を有するリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0022]  図２は、図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[0023]  図３は、図１および図２の装置用の代替放射源コレクタモジュールＳＯのより詳細な図である。
【図４】[0024]  図４は、ＥＵＶリソグラフィ装置の代替例を示す。
【図５】[0025]  図５は、本発明の一実施形態に従って、リソグラフィ装置の照明システム内の、放射ビームを調整するための例示的な光学装置の断面図を示す。
【図６】[0026]  図６は、主反射型素子として図５のシステム内に使用可能な例示的な光学素子を示す図である。
【図７】[0027]  図７は、主反射型素子として、図５のシステムに使用可能な別の例示的な光学素子を示す図である。
【図８】[0028]  図８は、主反射型素子として、図５のシステムに使用可能なさらに別の例示的な光学素子を示す。
【図９】[0029]  図９は、主反射型素子に入射する放射ビームのモデル散乱プロファイルの断面図を示す。
【図１０】[0030]  図１０は、（ｆ）鏡面反射と比較した場合の散乱放射ビームの例示的な理論上の散乱プロファイル（ａ）−（ｅ）を示す。
【図１１】[0031]  図１１は、散乱放射ビームの散乱プロファイルの四角近似を示す。
【図１２】[0032]  図１２は、図５に示されるような放射ビームを調整するためのシステムへの図９に示される原理の例示的な適用を示す。
【図１３】[0033]  図１３は、本発明の実施形態に従って、1つの主反射型素子が２つの関連付けられた副反射型素子を有する、別の例示的な装置の断面図である。
【図１４】[0034]  図１４は、主反射型素子としてシステムにおいて使用可能であり、かつ、位相格子構造を含む、変更された例示的な光学素子を示す。
【図１５】[0035]  図１５は、図１２の適用に用いられた場合の図１４の素子の位相格子の機能を示す。
【００２１】
[0036]  本発明の特徴および利点は、図面と共に以下に記載した詳細な説明からより明らかとなろう。図面中、同様の参照文字は、全図を通して対応する要素を特定する。図中、同様の参照番号は、概して、同一の、機能的に同様の、および／または構造的に同様の要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0037]  本明細書は、本発明の特徴を組み込む１つまたは複数の実施形態を開示する。開示された実施形態は、本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００２３】
[0038]  記載された実施形態、および、明細書中における「一実施形態」、「実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、記載された実施形態が特定の特徴、構造、または特性を有しうることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特徴、構造、または特性を含まなくてもよい。さらに、このような表現は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。また、特定の特徴、構造、または特性が一実施形態に関連して記載された場合、明示的な記載の有無に関わらず、その特徴、構造、または特性を他の実施形態に関連して作用させることは当業者の知識内であると理解される。
【００２４】
[0039]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはこれらの任意の組合せで実施されてよい。本発明の実施形態は、また、１つまたは複数のプロセッサによって読出され、実行されうる、機械可読媒体上に記憶された命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、機械（例えばコンピュータデバイス）によって読出し可能な形式で情報を記憶または伝送するための任意の機構を含みうる。例えば機械可読媒体には、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光学、音響、または他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号等）等が含まれる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が、本明細書においては、特定の動作を行うように記載する場合もある。しかし、そのような記載は便宜上に過ぎず、また、そのような動作は、実際には、コンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令等を実行する他のデバイスによるものであることは理解されるべきである。
【００２５】
[0040]  しかし、このような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態が実施されうる例示的な環境を提示することが有益であろう。
【００２６】
[0041]  図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳとを含む。
【００２７】
[0042]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらの任意の組み合せ等の様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２８】
[0043]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００２９】
[0044]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００３０】
[0045]  パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００３１】
[0046]  投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含む様々な型の光学コンポーネントを含みうる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。
【００３２】
[0047]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい（例えば反射型マスクを採用している）。
【００３３】
[0048]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３４】
[0049]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の液滴、ストリームまたはクラスタといった燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを提供するために、図１には図示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集められる。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。
【００３５】
[0050]  その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００３６】
[0051]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールドデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００３７】
[0052]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされうる。
【００３８】
[0053]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００３９】
[0054]  １．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００４０】
[0055]  ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００４１】
[0056]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４２】
[0057]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４３】
[0058]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に真空環境が維持可能であるように構成かつ配置される。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ２１０が放電生成プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気といったガスまたは蒸気によって生成されてよく、ガスまたは蒸気内では非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。この非常に高温のプラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。
【００４４】
[0059]  高温プラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へと、放射源チャンバ２１１の開口内またはその後方に位置決めされる光学ガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれることもある）を介して送られる。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含みうる。汚染物質トラップ２３０はガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書に示す汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０はさらに、当技術において周知であるように少なくともチャネル構造を含む。
【００４５】
[0060]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は格子スペクトルフィルタ２４０から反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは通常中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは中間焦点ＩＦが囲み構造２２０の開口２２１にまたはその付近に位置するように構成される。仮想放射源点ＩＦは放射を放出するプラズマ２１０の像である。
【００４６】
[0061]  次に、放射は照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１の所望の角分布を提供し、また、パターニングデバイスＭＡにおいて所望の放射強度の均一性を提供するように構成されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含みうる。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射した後、パターン付きビーム２６が形成されて、このパターン付きビーム２６は、反射型素子２８、３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に投影システムＰＳによって結像される。
【００４７】
[0062]  図示されるよりも多くの要素が一般的に照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在しうる。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的に存在しうる。さらに図示されるよりも多くのミラーが存在してよく、例えば図２に示されるよりも１〜６個追加の反射型素子が投影システムＰＳ内に存在してもよい。
【００４８】
[0063]  図２に示されるコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５を有するネスト型コレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５は光軸Ｏ周りに軸対称に配置され、この型のコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ源と多くの場合呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが好適である。
【００４９】
[0064]  或いは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示されるようにＬＰＰ放射システムの一部であってよい。レーザＬＡがキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザエネルギーを与えるように構成され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学部品ＣＯによって集められ、囲い構造２２０の開口２２１に合焦される。
【００５０】
[0065]  参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開第２００５／０１５７２８２号（ベイカー（Bakker））では、ＥＵＶ光学システム内のミラーにＤＵＶ散乱コーティングを塗布することが提案されている。ＤＵＶ放射の大部分がターゲットに当たり損なうようにＤＵＶ放射を広角度範囲に広げることを目的とする。このようにすると、ＥＵＶ放射と同じ光路を辿るＤＵＶ放射は減少される。しかし、十分なＤＵＶ散乱を達成するためには、（コーティングを２回通過しなければならない）ＥＵＶ放射も不所望の度合いにまで減衰および／または散乱されてしまう厚さのコーティングが必要となりうる。
【００５１】
[0066]  図４は、スペクトル純度フィルタ２４０が、反射型格子ではなく透過型であるＥＵＶリソグラフィ装置用の代替の配置を示す。この場合、放射源コレクタモジュールＳＯからの放射は、コレクタ光学部品から中間焦点ＩＦ（仮想放射源点）へと直線路を辿る。なお、ＩＦ付近またはＩＦにフィルタを位置決めすることは、非常に高い吸収されたパワーの密度につながることに留意されたい。結果として生じる高温は、フィルタを劣化させうる。その一方で、フィルタ面積は小さくて済み、これは利点である。図示されない実施形態では、スペクトル純度フィルタ２４０は、仮想放射源点ＩＦまたはコレクタ光学部品ＣＯと仮想放射源点ＩＦとの間の任意の点に位置決めされうる。フィルタは、例えば仮想放射源点ＩＦの下流といった放射路の他の場所に配置されてよい。複数のフィルタを配置してもよい。先の例におけるように、コレクタ光学部品ＣＯは、かすめ入射型（図２）であっても直接リフレクタ型（図３）であってもよい。スペクトル純度フィルタは、赤外波帯における不所望の放射を抑制するように設計されうるが、ＤＵＶ放射は他の手段によって抑制されなければならない。
【００５２】
[0067]  以下の説明は、オブジェクト上のターゲット位置に誘導される放射ビームを調整可能な光学装置および方法を述べる。オブジェクトは、例えば集積回路内の個々の層上に形成される回路パターンを生成するためのリソグラフィパターニングデバイスＭＡ、または、リソグラフィ装置の基板テーブルＷＴ上の基板Ｗでありうる。ターゲット位置は、照明システムＩＬによって照明されるパターニングデバイスＭＡのある領域でありうる。例示的なパターニングデバイスには、マスク、レチクル、またはダイナミックパターニングデバイスが含まれる。レチクルは、任意のリソグラフィプロセスに用いうることができるが、本願では、ＥＵＶリソグラフィに焦点を置く。
【００５３】
[0068]  図５は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の照明システムＩＬにおける、放射ビームを調整するための例示的な光学装置２０の断面図を概略的に示す。装置２０は、ファセットフィールドミラーデバイス２２の形態の第１の反射型コンポーネント２２と、ファセット瞳ミラーデバイス２４の形態の第２の反射型コンポーネント２４を含む。ファセットフィールドミラーデバイス２２は、複数の主反射型素子を含み、いくつかの特定の主反射型素子は図５に概略的に示され、フィールドファセットミラー２２ａ、２２ｂ、２２ｃおよび２２ｄと呼ばれる。第２の反射型コンポーネント２４は、例えば瞳ファセットミラー２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよび２４ａ’、２４ｂ’、２４ｃ’、２４ｄ’と呼ばれる特定の副反射型素子を含む複数の副反射型素子を含む。
【００５４】
[0069]  通常、フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、入射放射ビームＢの各々の部分を、瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄ、２４ａ’〜ｄ’に向けて誘導する。４つのフィールドファセットミラー２２ａ〜ｄしか図示されていないが、任意の数のフィールドファセットミラーが設けられてよい。フィールドファセットミラーは、ほぼ２次元アレイに配置されてよいが、これは、フィールドファセットミラーが厳密に平面にあるべきであることを意味しない。８つの瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄ、２４ａ’〜ｄ’しか図示されていないが、任意の数の瞳ファセットミラーが設けられてよい。この数は、通常、フィールドファセットミラーの数の倍数である。瞳ファセットミラーは、２次元アレイに配置されうる。フィールドファセットミラーおよび瞳ファセットミラーの形状および構成は、設計に応じて四角形、矩形、円形、またはより複雑な形状でありうる。
【００５５】
[0070]  各フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、第１の反射型コンポーネント（２２）によって受け取られた放射ビームＢの一部を、瞳ミラーデバイス２４の異なる瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄに向かう放射のサブビームの形態で反射する。例えば第１のサブビームＢａは、第１のフィールドファセットミラー２２ａによって第１の瞳ファセットミラー２４ａへと誘導される。第２、第３、および第４のサブビームＢｂ、Ｂｃ、およびＢｄは、第２、第３、および第４のフィールドファセットミラー２２ｂ、２２ｃ、および２２ｄによってそれぞれ第２、第３、および第４の瞳ファセットミラー２４ｂ、２４ｃ、および２４ｄに誘導される。瞳ミラーデバイス２４における放射ビームＢの空間強度分布が、リソグラフィ装置の照明モードを決定することができる。一実施形態では、フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、調節可能な向きを有し、また、瞳面Ｐにおいて様々な空間強度分布を形成するために瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄ、２４ａ’〜ｄ’のうちの様々な瞳ファセットミラーと共に用いられてよく、それにより様々な照明モードが提供される。この選択肢は、それ自体は周知であり、図１３を参照して後述する。瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄも向きが調節可能であってよい。
【００５６】
[0071]  フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄの各々は、所望の光学パワーを有するように成形され、それにより、瞳ミラーデバイス２４の異なる瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄにおいて中間焦点ＩＦの像が形成される。実際には、中間焦点ＩＦは、プラズマ源の仮想像であり、この像は有限直径（例えば４〜６ｍｍ）を有する。したがって、各フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄにおいて有限直径（例えば３〜５ｍｍ）を有する仮想放射源点ＩＦの像を形成する。瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄは、各々、（瞳ファセットミラー間に放射が入り、それにより損失されることを回避するために）上述した像直径より大きい直径を有しうる。中間焦点ＩＦおよび中間焦点ＩＦの像は、説明の便宜上のためだけに図中、点として示される。
【００５７】
[0072]  瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄの各々は、パターニングデバイスＭＡが基板の露光時に配置されるフィールド面におけるまたはその付近の各々に関連付けられたフィールドファセットミラー２２ａ〜ｄを投影するように構成される。これらの投影は、フィールドファセットミラーの各々の像をもたらし、また、これらの投影または像は、実質的に重なり合い、共に照明領域Ｅを形成する。結果として、放射源ＳＯから出て装置２０によって受け取られる際の放射Ｂの断面における空間的に不均一の強度分布が、照明領域Ｅにおいて実質的に空間的に均一な強度分布を有するように調整される。照明領域Ｅの形状は、フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄの形状、すなわちフィールドファセットミラー２２ａ〜ｄの反射面すなわちミラー面の端の形状によって決定される。スキャン式リソグラフィ装置では、照明領域Ｅは、スキャン方向では、このスキャン方向に垂直な方向における幅よりも狭い幅を有する２次元で見た場合に、例えば矩形または湾曲バンドでありうる。
【００５８】
[0073]  ファセットミラーデバイス２２および２４は共に、いわゆる「フライアイ」イルミネータを形成し、これにより、放射源に存在する不均一性が除去されて、領域Ｅをより均等な分布およびより制御して照明する。放射の所望部分の波長は、例えば１３．５ｎｍである５〜２０ｎｍの範囲内のＥＵＶ波長でありうる。導入部で説明したように、ビームＢはさらに、例えばＤＵＶ波長にある不所望の放射も大量に含む。以上をまとめると、放射ビームＢを調整するための光学装置２０は、放射源ＳＯからの放射ビームＢを受け取り、放射ビームＢを第２の反射型コンポーネント２４に反射するように構成された第１の反射型コンポーネント２２を含む。第２の反射型コンポーネント２４は、ビームＢをターゲット位置、例えば図５中の領域Ｅに反射するように構成される。放射ビームＢの放射は、例えばＥＵＶ放射を含む第１の波長範囲における放射と、例えばＤＵＶ放射を含む第２の波長範囲における放射とを含む。第１および第２の反射型コンポーネント２２、２４は、対応する主反射型素子の第１のアレイおよび副反射型素子の２のアレイを含む。特定の主反射型素子２２ａは、図５に示されるように、所望の放射を、関連付けられた副素子２４ａにまたは関連付けられた副反射型素子２４ａ、２４ａ’のサブセットのうちの1つの副反射型素子に反射するように構成される。フィールドファセットミラーとも呼ばれる主反射型コンポーネントは、リソグラフィ装置の投影システム用のオブジェクト面として機能しうる概念上の平面と実質的に光学的に共役であることは理解されよう。さらに、主反射型コンポーネントは、フィールドファセットミラーとも呼ばれうる。同様に、瞳ファセットミラーとも呼ばれる副反射型コンポーネントは、光学装置２０の瞳面に実質的に光学的に共役であるか、または、瞳面と完全に一致する。後者の瞳面は、その代わり、リソグラフィ装置の投影システムの瞳に光学的に共役である位置に配置されうる。
【００５９】
[0074]  本発明の一実施形態によれば、１つまたは複数のフィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、不所望のＤＵＶ放射の大部分が、当該１つ（または複数）のフィールドファセットミラーに関連付けられた特定の瞳ファセットミラー以外の瞳ミラーデバイス２４の部分に当たるように十分に不所望の放射を散乱するように変更される。この「フライアイ」イルミネータでは、フィールドファセット対瞳ファセットへの関連付けの完全なセットは、特定の主反射型素子が与えられた場合、対応の関連付けられた瞳ファセットミラーのすぐ隣にある瞳ファセットミラーは、第２の波長範囲にある放射を、パターニングデバイスＭＡ上の照明領域Ｅ以外の領域に、信頼度が高く誘導することになるように設計されることが可能である。発明者らは、したがって、パターニングデバイスＭＡに到達する不所望の波長を有する放射を実質的に減少するために、瞳ミラーデバイス２４全体から離れるように相当量のＤＵＶ放射を散乱させる必要がないことを認識している。不所望の放射は、特定の瞳ファセットミラーから離れるように散乱されるだけでよい。したがって、不所望の波長を有する放射の抑制という同じ結果と達成するために、フィールドミラーデバイス２２の散乱層に必要とされる散乱の程度は、従来技術である米国特許出願公報第２００５／０１５７２８２（ベイカー）に提案される散乱層に必要とされる散乱の度合いよりもかなり低くてよい。第２の波長範囲にある放射が、ある程度散乱されるように、図５中のフィールドファセットミラー２２ａといった特定の主反射型素子がどのように形成されうるかの詳細な説明を以下に述べ、図６〜図１２に概略的に図示される。散乱の程度は、第２の波長範囲における放射の大部分が第２の反射型コンポーネント（２４）に誘導されるが、関連付けられた特定の副反射型素子（２４ａ）または関連付けられた副反射型素子のサブセット（２４ａ、２４ａ’）には誘導されないように設定される。
【００６０】
[0075]  図６は、装置２０内でフィールドファセットミラーとして使用されうる、以下に単に光学素子２２ａとも呼ばれうる例示的な主反射型素子２２ａを示す。光学素子２２ａは、基板３１０と、基板３１０上の散乱層３２０とを含む。
【００６１】
[0076]  散乱層３２０は、所望のＥＵＶ波長を有する放射に対し、１に近い屈折率を有する。したがって、ＥＵＶ光といった所定の波長を有する放射の大部分は、実質的に吸収されることなく、また、実質的に散乱されることなく、散乱層３２０を通り伝播する。散乱層３２０は、所定の波長以外の波長を有する放射に対して、１に近くない屈折率も有する。したがって、ＤＵＶ光といった所定の波長以外の波長を有する放射の一部は、散乱層３２０によって散乱および／または吸収されうる。
【００６２】
[0077]  基板３１０は、ＥＵＶ光学部品では周知のタイプの多層リフレクタを含む。多層リフレクタは散乱層３２０の下にある。したがって、ＥＵＶ放射は、散乱層３２０内を伝播した後、多層リフレクタに入射し、ミラーとしての多層リフレクタによって反射される。
【００６３】
[0078]  一例として、散乱層３２０は、直径３６０を有する粒子３３０によって形成されうる。直径３６０は、ナノメートルの規模である。光学素子２２ａ上に使用されうるコーティングは、参照することによりその全体が本願に組み込まれる米国特許出願公報第２００５／０１５７２８２（ベイカー）の段落［００６５］〜［００７８］に基本的に説明されている。粒子３３０の直径３６０が、例えばＤＵＶ波長である不所望の波長程度にある場合、散乱層３２０は、不所望の波長を有する放射を散乱するように調整される。粒子３３０は、例えばＥＵＶ波長において実質的に透過的であるシリコンからなりうる。以下から分かるように、本願において必要とされる散乱の強度は、参照することによりその全体が本願に組み込まれる米国特許第７，０３４，９２３号において考案されているものよりも実質的に低いので、本願では、層３２０はより薄く、および／または、組成が異なりうる（例えばより小さい粒子）。
【００６４】
[0079]  別の例では、散乱層３２０は、図７に示されるように、プレートレット３３２を用いて形成されてもよい。プレートレット３３２は、マイクロメートルまたはナノメートルのサイズである。例えば低ＥＵＶ光損失でＤＵＶ光を散乱するために、これらのプレートレット３３２は、ＤＵＶ波長より大きいマイクロメートルの範囲である横寸法と、２０ｎｍの厚さを有しうる。
【００６５】
[0080]  図８に見られるように、散乱層３２０は散乱を高めるように波形にされうる。さらに、光学素子２２ａは、湾曲形状であってもよいので、散乱層３２０および基板３１０は、それに応じて湾曲形状に形成されうる。波形散乱層３２０は、図８に示されるように、前方波形面３７６と後方波形面３７８を有しうる。（当然ながら本図では、湾曲部と波形部とは誇張されている。）波形付き後面３７８を有する粗い層の機械的な取り付けには、基板３１０との有限量の接触点が、粗い層を基板３１０に取り付けるために十分である。したがって、所定の波長を有する放射の一部は、散乱層３２０を伝播するので、不所望の放射は、基板３１０に到達する前に、両面３７６および３７８によって散乱されることが可能である。別の例では、波形にされた散乱層３２０は、１つの波形面３７６だけを有してもよく、所定の波長を有する放射は、基板３１０に到達する前に１つの波形面３７６のみを通過する。後者の場合、ＥＵＶ放射の損失は減少され、また、単一の波形面を有するコーティングの製造の方がより容易でありうる（例えば当該コーティングは、基板３１０上に直接形成しうる）。散乱層３２０の詳細な実施がどのようなものであろうとも、散乱層の形態および組成は、不所望の波長を有する放射が散乱層３２０によって実質的に散乱可能となるようなものである。例えば散乱層３２０は、２０ｎｍの厚さを有するシリコン粒子から作られた層であってよく、また、散乱層３２０に入射するＥＵＶ光の３〜５％を吸収しうる。散乱層３２０はさらに、不所望の放射の一部も吸収しうる。
【００６６】
[0081]  散乱層３２０を有するフィールドファセットミラー２２ａ〜２２ｄについては、放射がフィールドファセットミラーに入射すると、所定の波長（本願では、ＥＵＶ）を有する放射の一部は、散乱層３２０を伝播し、フィールドファセットミラーによって鏡面的に反射され、その一方で、所定の波長以外の波長（例えばＤＵＶ）を有する放射は散乱層３２０によってある程度散乱され、より拡散されたパターンでミラーから射出することが分かっている。
【００６７】
[0082]  図９は、図５に示されるようなフィールドファセットミラーに入射する放射ビーム４０６の例示的な散乱プロファイル４００の断面図である。この例示的な散乱プロファイル４００は、垂直軸４３０の周りの例示的な断面図を回転させることによって得られる３次元の散乱プロファイルであることは理解されよう。放射ビーム４０６が散乱されると、放射ビーム４０６の理論上の散乱プロファイルは、図１０に示す複数の例示的なプロファイルのうちの１つでありうる。
【００６８】
[0083]  図１０（ａ）は、どの方向θにおいても同じエネルギー密度（単位Ｗ／ｍ２）（当該方向における矢印の長さにより示される）を放射する等方性散乱の理論上のプロファイルである。これらのプロファイルはすべて、簡単にするために、ビーム４０６について円形対称であることを前提とする。実際には、放射ビーム４０６の散乱プロファイルは、図１０（ｂ）から（ｆ）に示されるプロファイルのうちの１つでありうる。高度に拡散するリフレクタでは、散乱プロファイルは、ランバート（Lambert）の余弦則に応じた散乱プロファイルであり、図１０（ｂ）に示されるようなプロファイルを与える。方向θにおける散乱された放射ビーム４０６のエネルギー密度は、ｃｏｓθへの依存を有し、これは、等方性の放射輝度をもたらし、ここでは、方向θにおける放射輝度Ｌ（単位Ｗ／ｍ２／ｓｒ）は、次の通り定義される。
【数２】
0006025369.tif 000003
ここで、Ａは散乱面の面積であり、Ωは観察者（例えば瞳ファセットミラー２４ａ〜ｄ）によって範囲が定められる立体角であり、Φは総放出パワーである。ランバート（Lambertian）散乱面では、式（１）は、
【数３】
0006025369.tif 000004
をもたらし、これはθに依存しない。したがって、ランバート面はどの角度から見ても等しく明るく見える。
【００６９】
[0084]  図（ｃ）〜（ｅ）に示されるような散乱プロファイルは、徐々により前方放射となっている。つまり、放射輝度Ｌが、角度θが増加するにつれてより高速に低下することを意味する。図（ｆ）は、すべての入射放射ビーム４０６が１つの方向にのみ反射される鏡面反射である。入射光線および反射光線は、ミラー２２ａの表面に対して垂直であるように示されるが、説明した原理は、周知の反射の法則に応じて、非垂直の入射角にも容易に適応させることができる。
【００７０】
[0085]  放射ビーム４０６がフィールドファセットミラーに入射すると、図９に示されるようなＥＵＶ放射３４０といった所定の波長を有する放射ビーム４０６の一部は、散乱層３２０を伝播することができ、また、散乱層３２０によって散乱されない。したがって、フィールドファセットミラーは、所定の波長を有する放射に対して鏡面リフレクタとして実質的に機能することが可能であり、ＥＵＶ放射３４０を１つの方向にのみ反射する。放射ビーム４０６では、所望の波長を有する実質的にすべての放射が、方向３４０に反射される。
【００７１】
[0086]  しかしながら、所望の波長以外の波長を有する放射ビーム４０６の一部は、散乱層３２０によって散乱される。不所望の波長を有する放射は、環状球形領域４１０、並びに中心領域４２０内に入るように様々な角度で反射される。中心領域４２０が、関連付けられた瞳ファセットミラーの領域内に入る唯一の部分である場合、不所望の波長を有する放射の抑制因子Ｓは、環状領域４１０の立体角Ω１に入る放射の中心領域４２０の立体角Ω２に入る放射に対する比率である。球体の半径Ｒが与えられる場合、不所望の波長を有する放射の抑制因子Ｓは、球体領域４２０の立体角Ω１を減少することによって、および／または、Ω０を増加するために層３２０によって与えられる散乱の程度を増加することによって、増加することができる。
【００７２】
[0087]  正確な抑制因子は、散乱層３２０の散乱プロファイルを測定するおよび／またはモデリングすることによって計算することができる。１つの非常に簡単な例示として、散乱プロファイル４００が、図１０（ｅ）のように十分に細ければ、図１１に示されるような矩形の散乱プロファイルが大まかに近似されうる。球形領域４２０の立体角Ω２は、次式：
【数４】
0006025369.tif 000005
により与えられる。不所望の波長を有する放射の抑制因子Ｓは、次式：
【数５】
0006025369.tif 000006
により与えられる。θ０がθ２よりはるかに大きい場合、式４は、
【数６】
0006025369.tif 000007
のように近似される。式（４）および（５）から、抑制因子Ｓは、最大散乱角θ０に二次従属性を有することが分かる。抑制因子Ｓの二次関係は、θ２よりも数倍広いだけの散乱角θ０に対して、不所望の波長を有する放射の強い抑制が得られることを示す。
【００７３】
[0088]  図１２は、図９および図１１に示された原理の、図５に示されたような放射ビームを調整するためのシステムへの例示的な適用を例示する。入射放射ビーム５１０が、フィールドファセットミラー２２ａに入射すると、ビーム５１０内のＥＵＶ放射は、フィールドファセットミラー２２ａによって反射され、ビーム５１０内のＤＵＶ放射は、フィールドファセットミラー２２ａ上の層３２０によって散乱される。上述したように、各フィールドファセットミラーは、関連付けられた瞳ファセットミラーと協働して、放射をマスクＭＡ上の照明領域Ｅに向けて誘導するように構成される。例えばフィールドファセットミラー２２ａは、関連付けられた瞳ファセットミラー２４ａを有する。これらの素子は、フィールドファセットミラー２２ａによって瞳ファセットミラー２４ａへと反射された放射が、照明領域Ｅ上へと誘導されるように設計かつ配置される。
【００７４】
[0089]  所定の波長を有するＥＵＶ放射５３０は、フィールドファセットミラー２２ａによって散乱はされないが、フィールドファセットミラー２２ａによって反射されて瞳ファセットミラー２４ａ上に合焦され、放射５３０は、瞳ファセットミラー２４ａによって照明領域Ｅ上に誘導される。しかし、不所望の波長を有するＤＵＶ放射は、断面散乱プロファイル５４０で、フィールドファセットミラー２２ａによって散乱される。この散乱ＤＵＶ放射の少量の部分５２０だけが、関連付けられた瞳ファセットミラー２４ａに当たる。例えば光線５５０を含むＤＵＶ放射の残りの大部分は、瞳ファセットミラーの間に入るか、または、隣接する瞳ファセットミラー２４ｂ等のうちの１つの瞳ファセットミラーに当たる。この部分は、依然として、瞳ミラーデバイス２４０の全体としては当たっているが、照明領域Ｅ以外の場所へと反射されるので、この部分は効果的に抑制される。必要であれば、「ダンプ（dump）」場所を、隣接する瞳ファセットミラーからのＤＵＶ放射を受けるように配置することもできる。そうしなければ、ＤＵＶ放射は、単に照明領域Ｅ以外の装置筐体内の位置に当たってしまうことになる。
【００７５】
[0090]  フィールドファセットミラー２２ａと瞳ファセットミラー２４ａとの間の距離Ｒが与えられる場合、３次元領域５２０のサイズは、瞳ファセットミラー２４ａの反射面の面積によって決定される。図５に示される一般的なフライアイイルミネータシステムの形状によって、瞳ファセットミラー２４ａは、距離Ｒに比べて非常に小型でありうる。ＥＵＶリソグラフィデバイスにおける周知のミラーデバイス２４は、５ｍｍから１０ｍｍの範囲内、例えば７ｍｍの寸法の瞳ファセットを有し、その一方でミラーデバイス２２と２４との間の距離Ｒは、１メートル程度（例えば８０センチメートルより大きい）である。将来のデバイスは、５ｍｍよりもさらに小さい瞳ファセットを有しうる。いわゆる弾性イルミネータでは、可動フィールドファセットミラーが、２つ以上の関連付けられた瞳ファセットミラーに光を反射することができる。ここで、各フィールドファセットミラーに関連付けられたＮ個の瞳ファセットミラーがあると仮定すると、瞳ファセットの面積、したがってそれにより範囲が定まる立体角は、１／Ｎに対応する。したがって、Ｎが大きいほど、ＤＵＶ抑制はより効果的となる。式５によって与えられる抑制因子Ｓは、Ｎに対応する。
【００７６】
[0091]  フィールドファセットミラーおよびその関連付けられた瞳ファセットミラーによって不所望の波長を有する放射を抑制するために、フィールドファセットミラー上の散乱層３２０の組成および厚さをその関連付けられた瞳ファセットミラーのサイズに応じて調整して、所望の抑制因子を達成する一方で所望のＥＵＶ放射の減衰を最小限にすることができる。距離Ｒにおいて個々の瞳ファセットミラーによって範囲が定まる非常に小さい角度によって、照明領域Ｅに到達するＤＵＶの抑制の所望の程度を得るためには、従来技術において提案されるよりも、フィールドファセットミラー２２ａの散乱層３２０をより薄く作ることができ、また、より小さい角度で放射を散乱させることができる。具体的には、フィールドファセットミラー２２ａの散乱層３２０は、不所望の波長を有する放射を瞳ミラーデバイス２４全体から外れるように実質的に散乱させる必要がない。代わりに、不所望の波長を有する放射は、図１２に示されるように、瞳ミラーデバイス２４の隣接する瞳ファセットミラーに入射することが可能にされ、マスクＭＡ外の領域に誘導される。一例として、散乱層３２０は、１〜１００ｍｒａｄの範囲内のＤＵＶ放射に対する散乱角を与えるように設計されうる。散乱層３２０は、２０から１００ナノメートルの厚さを有する層、また、例えばシリコン粒子の単分子層でありうる。最小のＥＵＶ減衰（例えば１０％未満の損失または５％未満の損失）で、２０倍、５０倍または１００倍の抑制因子を達成しうる（ＤＵＶ透過５％、２％または１％）。散乱は、ランバート（Lambertian）散乱より数桁弱くてよく（例えば１０倍または１００倍または５００倍弱い）、それでも依然としてＤＵＶ放射の２０倍または１００倍の抑制を達成する。
【００７７】
[0092]  既に述べたように、フィールドミラーデバイス２２の各フィールドファセットミラー２２ａ〜ｄは、瞳ミラーデバイス２４の２以上の関連付けられた瞳ファセットミラーを有してよい。フィールドミラーデバイス２２のフィールドファセットミラーは、様々なときに、その関連付けられた瞳ファセットミラーの様々な瞳ファセットミラーと協働するように制御可能である。例えば、図１３に示されるように、フィールドファセットミラー２２ａは、２つの関連付けられた瞳ファセットミラー２４ａおよび２４ａ’を有する。これらは、イルミネータ２０の異なる照明モードで使用される。したがって、フィールドファセットミラー２２ａは、第２のモードで制御されて、ＥＵＶ放射を、瞳ファセットミラー２４ａではなく瞳ファセットミラー２４ａ’に向けて誘導する一方で、ＤＵＶ放射といった不所望の波長を有する放射を散乱させて２４ｃ、２４ｄ、２４ｂ’または２４ｃ’といった隣接する瞳ファセットミラーに当たるように制御されうる。一部の実施形態では、瞳ファセットミラーも制御可能な向きを有しうる。ここでも、関連付けられたミラーを最も接近して取り囲む瞳ファセットミラーが散乱ＤＵＶ放射をターゲット（照明領域Ｅ）から離れるように誘導するような設計にすることができる。
【００７８】
[0093]  次に図１４および図１５を参照するに、光学素子（例えばフィールドファセットミラー２２ａ〜２２ｄ）に更なる変更を行い、上述した技術によって散乱されたＤＵＶ放射よりかなり長い波長の不所望の放射を偏向する機能を追加しうる。一部のＥＵＶ装置における特定の問題は、ＥＵＶ放出プラズマ２１０（上記図３を参照）を形成するためのエネルギー源としてレーザを使用することから生じる。このレーザは、プラズマによって放出された放射と混合される放射ビームを放出する。周知の装置におけるこのレーザは、通常、ＣＯ２レーザであり、１０．６μｍの波長における赤外線（ＩＲ）を放出する。したがって、ＩＲ放射を吸収または反射するように調整されたスペクトル純度フィルタ、並びに不所望のＤＵＶ放射を減少する手段が周知の装置において必要となる。１μｍより長い赤外波長は、例えば５００倍以上長いといったように、所望のＥＵＶ放射の波長よりも明らかに何倍も長い。ＩＲ波長は、散乱層３２０によって散乱されるには長すぎる。
【００７９】
[0094]  図１４の変更された素子１３１０は、先の例における素子３１０と同じＥＵＶ反射構造を含み、これは、上述した層３２０と似た薄いＤＵＶ散乱層１３２０でコーティングされている。図に概略的に示されるように、反射されたＤＵＶ放射３５０は、反射されたＤＵＶ放射のほんの少量が関連付けられた瞳ファセットミラー２４ａ等に衝突するのに十分な範囲の角度で拡散する。この機能は、図６から図１３を参照して説明した機能と同一である。
【００８０】
[0095]  変更された素子にはさらに、ピッチＰを有する位相格子を形成するために、反射面の交互のストリップが高さｈで変位しているように一連の段１３２２が設けられている。ＩＲレーザ放射の波長（比較的狭帯域で、明確に定義されている）に合うように段１３２２の高さおよびピッチを設計することによって、ＩＲ波長における実質的にすべてのエネルギーを、＋１次回折ビーム１３５０＋および−１次回折ビーム１３５０−に転換させることができる。所望のＥＵＶ放射３４０と同じ方向を指し示す０次ビーム（ＩＲ（０））におけるＩＲ放射は、ゼロ近くに減少することができる。
【００８１】
[0100]  段１３２２の高さｈは、０次放射の最大抑制を達成するために、例えばＩＲ波長の４分の１でありうる。つまり、１０．６μｍの波長のレーザと、反射素子１３１０に垂直にビームが入射する場合、２．６５μｍの段の高さが適切でありうる。格子のピッチＰは、周知の原理に従ってビーム１３５０＋および１３５０−を所望の場所に偏向するように選択されうる。ＥＵＶ反射素子といった多層ミラー構造（ＭＬＭ）における段の製造には、様々なプロセスが可能である。第１の方法では、ＭＬＭ構造は、平らな基板上に製造され、次に選択的にエッチングされて段が形成される。この方法におけるＭＬＭ構造は、最初は通常よりもかなり深く作られる（より多くの層対）。それによりエッチングの際の高さｈの損失を補償する。或いは、段を有する基板を形成して、次にＭＬＭ構造が、所望の数の層対でその上に形成されてよい。これらのプロセスは共に、理論的には同じ結果を生成するが実際には、段が付けられた基板上に高品質のＭＬＭを形成することは、平らな基板上に形成されたＭＬＭに比べて難しい。
【００８２】
[0101]  図１５は、図５に示されたＥＵＶ光学システムのフライアイイルミネータへの、フィールドファセットミラー２２ａとしての図１４の変更された反射素子の適用を示す。散乱層１３２０によるＤＵＶ散乱の機能は、図１２に示されるように存在するが、明確にするために図１５には示されない。光線５３０は、前と同様に、フィールドファセットミラー２２ａから関連付けられた瞳ファセットミラー２４ａに直接に反射されて、ターゲット領域Ｅに誘導される所望のＥＵＶ放射を表す。光線１５５０＋および１５５０−は、ミラー２２ａ上に設けられた位相格子によって回折された不所望のＩＲ放射の＋１および−１次ビームを示す。格子（図１４）のピッチＰを制御することによって、これらのビームは、図１５に示されるように隣接する瞳ファセットミラーに誘導されてもよいし、または他の場所に誘導されてもよい。他の場所とは、例えば瞳ファセットミラーデバイス２４の完全に外の場所か、または、瞳ファセットミラー２４ａ、２４ｂ等の間の空間における「ダンプ」場所でありうる。設計者は、回折ビームに含まれる熱エネルギーを吸収しかつ失くす適切な手段が適当な位置に置かれている限り、これらの場所から自由に選択することができる。
【００８３】
[0102]  ＩＲ放射の波長は、ＥＵＶ放射の波長よりもかなり長いので、格子を形成するストリップは、ＥＵＶ放射に対しては事実上平らなミラーであり、短い波長では回折格子は見られない。ＥＵＶ波長における唯一の不利点は、段の潜在的なシャドーイング効果と、段１３２２自体の場所におけるＥＵＶ光の損失である。これらの損失は、格子の向きの適切な選択によって最小限にすることが可能である。フィールドファセットミラー２２ａ等は、図１３に示されるように様々な角度に傾斜可能でありうることも留意すべきである。格子の向きは、傾斜軸に関連して選択されることができ、それにより、シャドーイング効果が、あらゆる設定において最小限にされる、１つの好適な設定において最小限にされる、或いは、複数の設定間で少なくとも一定である。スキャン動作モードを実施するＥＵＶリソグラフィ装置におけるフィールドファセットミラーの例では、個々のファセットミラー２２ａ等は、例えば数ｍｍの幅で数センチメートルの長さを有し細長い形態でありうる。位相格子の線が、ファセットミラーの長さ方向に整列される場合、例えば１０未満といったように必要とされる段１３２２はほんの数段でありうる。これらの検討事項は、適切な実際の実施形態が実現できるように、上述した解説および例の検討から当業者には明らかとなろう。
【００８４】
[0103]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８５】
[0104]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８６】
[0105]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指しうる。
【００８７】
[0106]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記説明は、限定ではなく例示的あることを意図している。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく本発明に変更を行いうることは明らかであろう。
【００８８】
[0107]  発明の概要および要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つまたは複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明および請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００８９】
[0108]  本発明は、特定の機能の実施とそれらの関係を示す機能的構成要素を用いて上に説明された。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上任意に定義されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に行われる限り別の境界が定義されてもよい。
【００９０】
[0109]  特定の実施形態の上記の説明は、本発明の一般的性質を十分に明らかにし、それにより、当業者の知識を適用することによって、他の人が、必要以上の実験を行うことなく、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、特定の実施形態の様々な適用を容易に修正および／または適応することができるようにする。したがって、このような適応および修正は、本明細書に提示する教示および指導内容に基づいて、開示された実施形態の等価物の意味および範囲内であることを意図するものである。なお、本明細書における表現および用語は、説明のためであって限定を目的とせず、したがって、本明細書の用語および表現は教示および指導内容を鑑みて当業者によって解釈されるべきであることを理解すべきである。
【００９１】
[0110]  本発明の広さおよび範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物によってのみ定義されるべきである。
【００９２】
[0111]  本発明はさらに、以下の節を使用してさらに説明されうる。
【００９３】
[0112]  第１節：第１の波長範囲にある放射を含む放射の放射ビームを調整するための光学装置であって、主反射型素子と、主反射型素子をターゲット位置上に投影するように構成された関連付けられた副反射型素子を含む副反射型素子のアレイと、を含み、主反射型素子は、放射源からの放射ビームの一部を受取り、放射の一部を、関連付けられた副反射型素子に反射するように構成され、放射ビームはさらに第２の波長範囲にある放射を含み、主反射型素子は、第２の波長範囲にある、放射の一部の放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、ある程度の散乱は、第２の波長範囲にある、放射の一部の放射の大部分が、関連付けられた副反射型素子とは異なる複数の副反射型素子のうちの１つまたは複数の素子に誘導されるように設定される。
第２節：第１節に記載された光学装置であって、主反射型素子は、主反射型素子のアレイのうちの１つであり、各主反射型素子は、主反射型素子をターゲット位置上に投影するように構成された対応する副反射型素子に関連付けられており、放射源からの放射ビームの対応する部分を受取り、放射の対応する部分を、対応する関連付けられた副反射型素子に反射するように構成され、また、第２の波長範囲にある、放射の対応する部分の放射が、ある程度の散乱を受けるように形成され、ある程度の散乱は、第２の波長範囲にある、放射の対応する部分の放射の大部分が、関連付けられた対応する副反射型素子とは異なる複数の副反射型素子のうちの１つまたは複数の素子に誘導されるように設定される。
第３節：第１または第２節に記載される光学装置であって、ある程度の散乱は、第２の波長範囲にある放射の２５％未満、任意選択的に１５％、５％、または１％未満が、主反射型素子から関連付けられた副反射型素子または関連付けられた副反射型素子のサブセットのうちの１つに誘導されるような程度の散乱である。
第４節：第３節に記載される光学装置であって、主反射型素子は、第３の波長範囲にある放射の、ターゲット位置に向かう反射を抑制するように構成された位相格子構造を組み込み、第３の波長範囲にある波長は、１μｍより長い。
第５節：第１から第４節のいずれかに記載される光学装置であって、第１の波長範囲は、ＥＵＶ波長範囲５〜２０ｎｍ内、または範囲１３〜１４ｎｍ内、または範囲６．５〜７ｎｍ内である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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