(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、
前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、
前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、
前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、
前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、
前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されており、
前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されており、
前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、
前記搭載面の法線方向から見て隣り合う２つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されており、
前記複数のパット部側突出部の前記電極部に向けて突出する方向の長さは、前記電極部側突出部の前記パット部に向けて突出する方向の長さよりも長い半導体用パッケージ。
【請求項２】
半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、
前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、
前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、
前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、
前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、
前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されており、
前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されており、
前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、
前記搭載面の法線方向から見て隣り合う２つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されており、
前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに異なる２つの前記パット部側突出部が形成されており、
前記２つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されている半導体用パッケージ。
【請求項３】
前記搭載面の法線方向から見て、前記パット部側突出部と前記電極部側突出部とが、前記パット部側突出部の突出方向と直交する方向において互いに前記隙間を空けて隣接して配置されている請求項１または２に記載の半導体用パッケージ。
【請求項４】
前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに等しい２つの前記パット部側突出部が形成されており、
前記２つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されている請求項１に記載の半導体用パッケージ。
【請求項５】
前記パット部側突出部、前記電極部側突出部の少なくとも一方の先端部の少なくとも一部は、前記搭載面の法線方向から見て曲線形状である請求項１ないし４のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。
【請求項６】
前記搭載面の周囲には、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面が設けられている請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。
【請求項７】
前記搭載面と前記接続面とは互いに異なる高さに配置されており、
前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分は前記接続面の高さまで張り出している請求項６に記載の半導体用パッケージ。
【請求項８】
前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出している請求項１ないし７のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。
【請求項９】
前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種以上である請求項１ないし８のいずれか一項に記載の半導体用パッケージ。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の半導体用パッケージと、
前記搭載面に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
を含む半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用パッケージ及び半導体発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ等の発光素子、照度センサー、ＣＭＯＳやＣＣＤ等のイメージセンサー素子等の半導体素子を収容するための半導体用パッケージが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１の半導体用パッケージは、半導体素子が搭載される基台と、半導体素子と電気的に接続されるリードフレームと、基台とリードフレームとを一体に固定する樹脂と、を備えて構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２５２３７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際、あるいは半導体用パッケージを半導体基板に実装する際、若しくは半導体用パッケージのリードフレームをカットする際には、半導体用パッケージの一部に応力が加わる。例えば、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際には、半導体用パッケージに対して半導体素子を搭載する方向から押圧力が作用し、半導体用パッケージを保持する支点となる半導体用パッケージの両端部（基台とリードフレームとの接続部）に応力が集中する。その結果、基台とリードフレームとの接続部にクラックが発生するという問題が生ずる。
特許文献１に記載の半導体用パッケージでは、基台とリードフレームとの間に充填樹脂が介在しており、リードフレームの基台と対向する部分が平面視直線状になっている。そのため、半導体用パッケージの両端部に応力が集中すると、リードフレームの基台と対向する部分に沿って応力が伝達する。これにより、当該リードフレームの基台と対向する部分と充填樹脂との界面に沿ってクラックが発生することがある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様に係る半導体用パッケージは、半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されており、前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されており、前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、前記搭載面の法線方向から見て隣り合う２つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されており、前記複数のパット部側突出部の前記電極部に向けて突出する方向の長さは、前記電極部側突出部の前記パット部に向けて突出する方向の長さよりも長いことを特徴とする。
本発明の一態様に係る半導体用パッケージは、半導体素子を収容するための半導体用パッケージであって、前記半導体素子が搭載される搭載面を有するパット部と、前記搭載面の法線方向から見て前記パット部と隙間を空けて並んで配置されるとともに前記半導体素子と電気的に接続される接続面を有する電極部と、前記搭載面と前記接続面とを露出させた状態で、前記パット部と前記電極部とを固定する充填樹脂と、を含み、前記パット部には、前記電極部に向けて突出するパット部側突出部が形成されており、前記パット部の前記パット部側突出部が形成された側の部分と前記電極部との間の前記隙間が、前記充填樹脂で充填されており、前記電極部には、前記パット部に向けて突出する電極部側突出部が形成されており、前記パット部には、複数の前記パット部側突出部が形成されており、前記搭載面の法線方向から見て隣り合う２つの前記パット部側突出部の間には前記電極部側突出部が配置されており、前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに異なる２つの前記パット部側突出部が形成されており、前記２つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、前記搭載面の法線方向から見て、前記パット部側突出部と前記電極部側突出部とが、前記パット部側突出部の突出方向と直交する方向において互いに前記隙間を空けて隣接して配置されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明においては、前記パット部には、前記電極部に向けて突出する方向の長さが互いに等しい２つの前記パット部側突出部が形成されており、前記２つのパット部側突出部のうち、一方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の一端部に形成されており、他方の前記パット部側突出部は前記パット部が前記電極部と対向する部分の他端部に形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明においては、前記パット部側突出部、前記電極部側突出部の少なくとも一方の先端部の少なくとも一部は、前記搭載面の法線方向から見て曲線形状であることを特徴とする。
【００１５】
本発明においては、前記搭載面の周囲には、前記搭載面に搭載される前記半導体素子から射出される光を前記搭載面の上方に向けて反射する反射面が設けられていることを特徴とする。
【００１６】
本発明においては、前記搭載面と前記接続面とは互いに異なる高さに配置されており、  前記パッド部の前記パット部側突出部が形成された側の部分は前記接続面の高さまで張り出していることを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、前記パット部の前記搭載面とは反対側の面が前記充填樹脂から露出していることを特徴とする。
【００１８】
本発明においては、前記充填樹脂が、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種以上であることを特徴とする。
【００１９】
本発明の半導体発光装置は、前記半導体用パッケージと、前記搭載面に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ及び半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体発光装置を示す模式図である。
【図２】同、半導体用パッケージを示す模式図である。
【図３】同、パット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【図４】比較例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【図５】本発明の第２実施形態の半導体発光装置を示す斜視図である。
【図６】同、半導体用パッケージを示す平面図である。
【図７】同、パット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【図８】本発明の第３実施形態の半導体発光装置を示す斜視図である。
【図９】同、半導体用パッケージを示す平面図である。
【図１０】同、パット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【図１１】本発明の第４実施形態の半導体発光装置を示す斜視図である。
【図１２】同、半導体用パッケージを示す模式図である。
【図１３】本発明の半導体用パッケージの変形例を示す平面図である。
【図１４】同、半導体用パッケージの変形例を示す平面図である。
【図１５】本発明のパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の変形例を示す平面図である。
【図１６】同、接続部の変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の半導体発光装置１を示す模式図である。図１（ａ）は半導体発光装置１の斜視図であり、図１（ｂ）は半導体発光装置１の平面図であり、図１（ｃ）は半導体発光装置１の底面図である。
なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。図では、水平面内において直方体形状の半導体発光装置１の短手方向をＸ方向、半導体発光装置１の長手方向をＹ方向、半導体素子２０の搭載面１１ａの法線方向をＺ方向、として図示している
【００２４】
図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、半導体発光装置１は、半導体用パッケージ１０と、半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えて構成されている。半導体発光装置１は、直方体形状であり、上方に光を射出するように構成されている。例えば、半導体発光装置１は、液晶表示装置のバックライト光源、照明分野等のライトユニットに適用される。
【００２５】
なお、半導体発光装置１の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にＲをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。
【００２６】
半導体用パッケージ１０は、半導体素子２０を収容するためのものである。半導体用パッケージ１０は、パット部１１と、電極部１２と、充填樹脂１３と、を備えて構成されている。  例えば、半導体素子２０としては、ＬＥＤ等の発光素子、照度センサー、ＣＭＯＳやＣＣＤ等のイメージセンサー素子等の種々の半導体素子が用いられる。
【００２７】
パット部１１は、半導体素子２０を搭載する搭載面１１ａを有する。パット部１１は、半導体素子２０が搭載される基台となるものである。搭載面１１ａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２２の一端が接続される。例えば、パット部１１は、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等の金属、またはこれらの金属のうち少なくとも１つを含む合金からなる。
【００２８】
図２は、本発明の第１実施形態の半導体用パッケージ１０を示す模式図である。図２（ａ）は半導体用パッケージ１０の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図２（ｃ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
図２（ａ）に示すように、電極部１２は、搭載面１１ａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、パット部１１と隙間４０を空けて並んで配置されている。電極部１２は、半導体用パッケージ１０の長手方向においてパット部１１の一方側（＋Ｙ方向側）に１つ配置されている。電極部１２は、半導体素子２０と電気的に接続する接続面１２ａを有する。接続面１２ａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２１の一端が接続される（図１（ａ）参照）。
【００２９】
充填樹脂１３は、搭載面１１ａと接続面１２ａとを上方に露出させた状態で、パット部１１と電極部１２とを固定する。充填樹脂１３は、パット部１１と電極部１２とが導通しないようパット部１１と電極部１２とを所定間隔だけ離間させた状態で絶縁して固定するものである。
【００３０】
充填樹脂１３は直方体形状であり、搭載面１１ａと接続面１２ａとを露出する部分にＹ方向に長手を有する長穴が開いている。例えば、充填樹脂１３は、射出機により、パット部１１の半導体素子２０の搭載面１１ａや電極部１２の接続面１２ａを除いた部分を樹脂が覆うように設置された型枠内に樹脂材料を射出する。これにより、充填樹脂１３は、パット部１１及び電極部１２の一部を埋設するように形成される。
【００３１】
充填樹脂１３の形成材料としては、耐熱性に優れた樹脂材料を用いる。例えば、充填樹脂１３の形成材料としては、ナイロン（脂肪族骨格を含むポリアミド）、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の樹脂材料を用いる。
【００３２】
なお、充填樹脂１３の形状は、直方体形状に限らず、コーナー部にＲをつけたり、平面視楕円形状にしたりする等、種々の形状を採用することができる。
【００３３】
パット部１１には、電極部１２に向けて突出するパット部側突出部１１１が形成されている。一方、電極部１２には、パット部１１に向けて突出する電極部側突出部１２１が形成されている。
【００３４】
本実施形態において、パット部１１には、２つのパット部側突出部１１１が形成されている。搭載面１１ａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、隣り合う２つのパット部側突出部１１１の間には１つの電極部側突出部１２１が配置されている。半導体発光装置１の短手方向（Ｘ方向）から見て、２つのパット部側突出部１１１の先端部と電極部側突出部１２１の先端部とが互いに重なるように配置されている。
【００３５】
電極部１２の電極部側突出部１２１が形成された側とは反対側には、電極部１２本体からＹ方向に延び出た２つの脚部１２２が形成されている。これら脚部１２２の一部は、充填樹脂１３の一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部１２２は、半導体発光装置１を図示しない半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。
【００３６】
図２（ｂ）、図２（ｃ）に示すように、パット部１１の搭載面１１ａと電極部１２の接続面１２ａとは互いに異なる高さに配置されている。本実施形態において、搭載面１１ａは接続面１２ａよりも低い位置に配置されている。パット部１１のパット部側突出部１１１が形成された側の部分は、接続面１２ａの高さまで張り出している。
【００３７】
パット部１１は、搭載面１１ａの周囲を囲む側壁部１１ｂと、側壁部１１ｂの外縁部に形成された水平縁部１１ｃと、を有する。側壁部１１ｂは、搭載面１１ａの全周縁に環状に形成されている。例えば、側壁部１１ｂの表面には、金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理が施されている。これにより、側壁部１１ｂの表面は、半導体素子２０から射出される光を搭載面１１ａの上方に向けて反射する反射面として機能する。水平縁部１１ｃは接続面１２ａと同じ高さに配置されている。パット部１１の形状は、搭載面１１ａと側壁部１１ｂとにより凹状をなしている。
【００３８】
このように、パット部１１は半導体素子２０を搭載する部分が凹状に形成されている。例えば、パット部１１を凹状にする方法としては、パット部１１の搭載面１１ａとなる部分に絞り加工を施す方法が挙げられる。
【００３９】
パット部１１の搭載面１１ａと反対側の面１１ｄ（以下、パット部１１の裏面１１ｄという）は、充填樹脂１３から露出している。パット部１１の裏面１１ｄは、充填樹脂１３の裏面１３ａと面一に表出されている。
【００４０】
図３は、本実施形態の半導体用パッケージ１０におけるパット部１１のパット部側突出部１１１が形成された側の部分の拡大図である。図３において、符号ＣＬは、半導体用パッケージ１０のＹ方向に沿う中心線である。符号Ｌは、パット部側突出部１１１の電極部１２に向けて突出する方向の長さ（パット部側突出部１１１がパット部１１から電極部１２に向けて突出するＹ方向に平行な長さ）である。なお、図３においては、便宜上、パット部１１及び電極部１２のみを図示し半導体用パッケージ１０の他の構成要素の図示を省略している。
【００４１】
図３に示すように、パット部１１には、電極部１２に向けて突出する方向の長さＬが互いに等しい２つのパット部側突出部１１１が形成されている。２つのパット部側突出部１１１のうち、一方のパット部側突出部１１１（図中上側のパット部側突出部１１１）は、パット部１１が電極部１２と対向する部分の一端部（−Ｘ方向側の端部）に形成されている。他方のパット部側突出部１１１（図中下側のパット部側突出部１１１）は、パット部１１が電極部１２と対向する部分の他端部（＋Ｘ方向側の端部）に形成されている。
【００４２】
電極部１２には、パット部１１に向けて突出する１つの電極部側突出部１２１が形成されている。電極部側突出部１２１は、電極部１２がパット部１１と対向する部分の中央部に形成されている。電極部側突出部１２１は、先端部が２つのパット部側突出部１１１の間に配置されている。本実施形態においては、搭載面１１ａの法線方向から見て、パット部側突出部１１１と電極部側突出部１２１とが、パット部側突出部１１１の突出方向と直交する方向（Ｘ方向）において互いに隙間４０を空けて隣接して形成されている。言い換えると、Ｘ方向から見て、２つのパット部側突出部１１１の先端部と電極部側突出部１２１の先端部とが互いに重なるように配置されている。本実施形態においては、パット部１１と電極部１２との接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【００４３】
図４は、比較例の半導体用パッケージにおけるパット部１０１１と電極部１０１２との接続部の拡大図である。なお、図４においては、便宜上、パット部１０１１及び電極部１０１２のみを図示し半導体用パッケージの他の構成要素の図示を省略している。
【００４４】
図４に示すように、比較例においては、パット部１０１１と電極部１０１２との間の隙間１０４０が図示しない充填樹脂で充填されている。パット部１０１１の電極部１０１２と対向する側の部分１０１１ａ、電極部１０１２のパット部１０１１と対向する側の部分１０１２ａはそれぞれ平面視直線状になっている。
【００４５】
ところで、半導体用パッケージに半導体素子を搭載する際には、半導体用パッケージに対して半導体素子を搭載する方向から押圧力が作用し、半導体用パッケージを保持する支点となる半導体用パッケージの両端部（パット部１０１１と電極部１０１２との接続部）に応力が集中する。その結果、パット部１０１１と電極部１０１２との接続部にクラックが発生するという問題が生ずる。
例えば、比較例の半導体用パッケージでは、パット部１０１１と電極部１０１２との間の隙間１０４０に充填樹脂が介在しており、パット部１０１１の電極部１０１２と対向する側の部分１０１１ａ、電極部１０１２のパット部１０１１と対向する側の部分１０１２ａはそれぞれ平面視直線状になっている。そのため、半導体用パッケージの両端部に応力が集中すると、パット部１０１１の電極部１０１２と対向する側の部分１０１１ａ、電極部１０１２のパット部１０１１と対向する側の部分１０１２ａに沿って応力が伝達する。これにより、当該パット部１０１１の電極部１０１２と対向する側の部分１０１１ａと充填樹脂との界面、電極部１０１２のパット部１０１１と対向する側の部分１０１２ａと充填樹脂との界面、に沿ってクラックが発生することがある。
【００４６】
クラックは、パット部１０１１と充填樹脂との界面及び電極部１０１２と充填樹脂との界面に沿って形成されやすい。クラックは、充填樹脂の短手方向一端側（−Ｘ方向側）から短手方向他端側（＋Ｘ方向側）に向けて直線的に形成されるため、比較例の半導体用パッケージのようにパット部１０１１と充填樹脂との界面及び電極部１０１２と充填樹脂との界面がいずれも直線状に形成されていると、クラックが充填樹脂の短手方向に沿って容易に形成されてしまう。
【００４７】
これに対し、本実施形態の半導体用パッケージ１０のように、パット部１１と充填樹脂１３との界面及び電極部１２と充填樹脂１３との界面が充填樹脂１３の短手方向（Ｘ方向）に対して蛇行して形成されていると、クラックが充填樹脂１３の短手方向に沿って形成されにくくなる。また、本実施形態の半導体用パッケージ１０では、パット部側突出部１１１と電極部側突出部１２１とが充填樹脂１３の短手方向に沿って互いに隙間４０を空けて隣接して形成されている。このため、充填樹脂１３の一部にクラックが発生し、クラックが充填樹脂１３の短手方向に成長しようとしても、その成長方向に配置された剛性の高いパット部１１や電極部１２によってクラックの成長が抑制され、充填樹脂１３の短手方向全体にクラックが形成されることが抑制される。
このように、本実施形態の半導体用パッケージ１０によれば、半導体素子２０の搭載時などに半導体用パッケージ１０に応力が加わっても半導体パッケージ１０にクラックが形成されにくい。そのため、歩留まりの高い半導体用パッケージ１０が提供される。
また、本実施形態の半導体用パッケージ１０によれば、次のような効果も得られる。
【００４８】
本実施形態の半導体用パッケージ１０においては、互いに同じ長さＬを有する２つのパット部側突出部１１１が、パット部１１が電極部１２と対向する部分の両端部に形成されている。このため、パット部１１と電極部１２との接続部の強度バランスを高めることができる。
【００４９】
また、搭載面１１ａの周囲を囲む側壁部１１ｂの表面には、金属材料によるメッキ処理が施されている。このため、半導体素子２０から斜めに射出される光を搭載面１１ａの上方に向けて反射させることができる。
仮に、搭載面が接続面と同じ高さに配置される構成であると、半導体素子２０から斜めに射出される光は充填樹脂１３によって搭載面１１ａの上方に向けて反射されるが、長期間使用した場合、充填樹脂１３が劣化により変色し、光の取り出し効率が悪くなる可能性がある。
これに対し、本実施形態においては、搭載面１１ａが接続面１２ａよりも低い位置に配置されているため、半導体素子２０から斜めに射出された光は、金属材料によるメッキ処理が施された側壁部１１ｂによって搭載面１１ａの上方に向けて反射されるが、側壁部１１ｂはメッキ処理が施されているため、長時間使用した場合の変色を抑制することができる。よって、半導体素子２０から射出される光を効率良く取り出すことができる。
【００５０】
パット部１１の裏面１１ｄが充填樹脂１３から露出しているため、半導体素子２０の駆動中に発生する熱がパット部１１を介して外部に放熱される。このため、半導体素子２０に発生する熱が充填樹脂１３内にこもることを抑制することができる。よって、半導体素子２０に生じる熱を外部に効率良く放熱することができる。
【００５１】
また、充填樹脂１３として、ナイロン、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂からなる群から選ばれた少なくとも１種以上の樹脂材料を用いるため、耐熱性に優れた半導体用パッケージ１０を提供することができる。
【００５２】
また、本実施形態の半導体発光装置１によれば、前記半導体用パッケージ１０を備えるため、半導体用パッケージ１０にクラックが発生することを抑制することが可能な半導体発光装置１を提供することができる。
【００５３】
（第２実施形態）
図５は、図１（ａ）に対応した、本発明の第２実施形態の半導体発光装置２を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置２は、半導体用パッケージ１０に替えて半導体用パッケージ１０Ａを備えている点が上述の第１実施形態に係る半導体発光装置１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図１（ａ）と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５４】
図５に示すように、半導体発光装置２は、半導体用パッケージ１０Ａと、半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えて構成されている。
【００５５】
半導体用パッケージ１０Ａは、パット部１１Ａと、電極部１２Ａと、充填樹脂１３Ａと、を備えて構成されている。
【００５６】
図６は、図２（ａ）に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ１０Ａを示す平面図である。なお、図６において、符号ＣＰは、平面視における半導体用パッケージ１０Ａの中心点である。
【００５７】
図６に示すように、電極部１２Ａは、搭載面１１Ａａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、パット部１１Ａと隙間４０を空けて並んで配置されている。電極部１２Ａは、半導体用パッケージ１０Ａの長手方向においてパット部１１Ａの両側（＋Ｙ方向側、−Ｙ方向側）に１つずつ配置されており、計２つ配置されている。電極部１２は、半導体素子２０と電気的に接続する接続面１２Ａａを有する。
【００５８】
図５に戻り、＋Ｙ方向側に配置された電極部１２Ａの接続面１２Ａａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２１の一端が接続される。一方、−Ｙ方向側に配置された電極部１２Ａの接続面１２Ａａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２２の一端が接続される。
【００５９】
充填樹脂１３Ａは、搭載面１１Ａａと接続面１２Ａａとを上方に露出させた状態で、パット部１１Ａと電極部１２Ａとを固定する。
【００６０】
パット部１１Ａには、電極部１２に向けて突出する２つのパット部側突出部１１１Ａ，１１２Ａが形成されている。一方、電極部１２Ａには、パット部１１Ａに向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ａが形成されている。
【００６１】
搭載面１１Ａａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、パット部側突出部１１１Ａとパット部側突出部１１２Ａとの間には電極部側突出部１２１Ａが配置されている。半導体発光装置１の短手方向（Ｘ方向）から見て、パット部側突出部１１１Ａの先端部と電極部側突出部１２１とが互いに重なるように、パット部側突出部１１２Ａの先端部と電極部側突出部１２１Ａの先端部とが互いに重なるように配置されている。
【００６２】
電極部１２Ａの電極部側突出部１２１Ａが形成された側とは反対側には、電極部１２Ａ本体からＹ方向に延び出た脚部１２２Ａが形成されている。パット部側突出部１１２Ａの先端部と脚部１２２Ａの一部は、充填樹脂１３の一部を貫通して外部に露出している。例えば、パット部側突出部１１２Ａ及び脚部１２２Ａは、半導体発光装置２を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。本実施形態においては、パット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部が中心点ＣＰに対して点対称になっている。
【００６３】
図７は、図３に対応した、パット部１１Ａのパット部側突出部１１１Ａ，１１２Ａが形成された側の部分の拡大図である。図７において、符号ＣＬは、半導体用パッケージ１０ＡのＹ方向に沿う中心線である。符号Ｌ１は、パット部側突出部１１１Ａの電極部１２Ａに向けて突出する方向の長さ（パット部側突出部１１１Ａがパット部１１Ａから電極部１２Ａに向けて突出するＹ方向に平行な長さ）であり、符号Ｌ２は、パット部側突出部１１２Ａの電極部１２Ａに向けて突出する方向の長さ（パット部側突出部１１２Ａがパット部１１Ａから電極部１２Ａに向けて突出するＹ方向に平行な長さ）である。なお、図７においては、便宜上、パット部１１Ａ及び電極部１２Ａのみを図示し半導体用パッケージ１０Ａの他の構成要素の図示を省略している。
【００６４】
図７に示すように、パット部１１Ａには、電極部１２Ａに向けて突出する方向の長さが互いに異なる２つのパット部側突出部１１１Ａ，１１２Ａが形成されている。ここでは、２つのパット部側突出部のうち、相対的に電極部１２Ａに向けて突出する方向の長さが短い方を第１パット部側突出部１１１Ａとし、相対的に電極部１２Ａに向けて突出する方向の長さが長い方を第２パット部側突出部１１２Ａとする。
【００６５】
図６に戻り、半導体用パッケージ１０Ａの＋Ｙ方向側の接続部において、第１パット部側突出部１１１Ａは、パット部１１Ａが電極部１２Ａと対向する部分の一端部（−Ｘ方向側の端部）に形成されている。第２パット部側突出部１１２Ａは、パット部１１Ａが電極部１２Ａと対向する部分の他端部（＋Ｘ方向側の端部）に形成されている。一方、半導体用パッケージ１０Ａの−Ｙ方向側の接続部において、第１パット部側突出部１１１Ａは、パット部１１Ａが電極部１２Ａと対向する部分の一端部（＋Ｘ方向側の端部）に形成されている。第２パット部側突出部１１２Ａは、パット部１１Ａが電極部１２Ａと対向する部分の他端部（−Ｘ方向側の端部）に形成されている。
【００６６】
電極部１２Ａには、パット部１１Ａに向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ａが形成されている。電極部側突出部１２１Ａは、先端部が第１パット部側突出部１１１Ａと第２パット部側突出部１１２Ａとの間に配置されている。本実施形態においては、Ｘ方向から見て、第１パット部側突出部１１１Ａの先端部と電極部側突出部１２１Ａの先端部とが互いに重なるように、かつ、第２パット部側突出部１１２Ａの先端部と電極部側突出部１２１Ａの先端部とが互いに重なるように、配置されている。なお、本実施形態においては、パット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっていない。
【００６７】
本実施形態の半導体用パッケージ１０Ａによれば、パット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部が図７に示す中心線ＣＬに対して線対称となっておらず−Ｘ方向側と＋Ｘ方向側とで非対称になっている。このため、パット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部が中心線に対して−Ｘ方向側と＋Ｘ方向側とで対称になっている構成に比べて、充填樹脂１３を射出形成する際に形成されるウエルドラインの位置が中心線ＣＬからずれやすくなる。ウエルドラインの位置が中心線ＣＬに沿って形成されると、半導体パッケージ１０Ａの充填樹脂１３の厚みが薄いため、強度が劣る。
しかしながら、本実施形態においては、ウエルドラインが形成される部分をパット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部の非対称性に基づいて調整すれば、当該接続部全体として接合強度を大きくすることができる。例えば、本実施形態においてはウエルドラインが形成される部分を中心線ＣＬからずらすことにより、半導体パッケージ１０Ａの充填樹脂１３の厚みが厚くなるため、強度を大きくすることができる。
また、ウエルドラインが形成される部分を前記接続部において隙間４０が形成されていない部分（第２パット部側突出部１１２Ａ）に平面視重なるように配置すれば、ウエルドラインが形成される部分を前記接続部において隙間４０が形成された部分（第１パット部側突出部１１１Ａと電極部１２Ａとの接続部分）に平面視重なるように配置する構成に比べて、前記接続部全体として接合強度を大きくすることができる。
さらに、第２パット部側突出部１１２Ａが充填樹脂１３の一部を突き抜けており、途中に隙間４０が形成される構成となっていない。つまり、半導体用パッケージ１０Ａの短手方向（Ｘ方向）から見て、隙間４０の部分がない構成となっている。このため、半導体用パッケージ１０Ａの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が隙間４０の部分に沿って伝達することを抑制することができる。
よって、半導体用パッケージ１０Ａにクラックが発生することを抑制することが可能な半導体用パッケージ１０Ａを提供することができる。
【００６８】
（第３実施形態）
図８は、図１（ａ）に対応した、本発明の第３実施形態の半導体発光装置３を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置３は、半導体用パッケージ１０に替えて半導体用パッケージ１０Ｂを備えている点が上述の第１実施形態に係る半導体発光装置１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図１（ａ）と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６９】
図８に示すように、半導体発光装置３は、半導体用パッケージ１０Ｂと、半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えて構成されている。
【００７０】
半導体用パッケージ１０Ｂは、パット部１１Ｂと、電極部１２Ｂと、充填樹脂１３Ｂと、を備えて構成されている。
【００７１】
図９は、図２（ａ）に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ１０Ｂを示す平面図である。
図９に示すように、電極部１２Ｂは、搭載面１１Ｂａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、パット部１１Ｂと隙間４０を空けて並んで配置されている。電極部１２Ｂは、半導体用パッケージ１０Ｂの長手方向においてパット部１１Ｂの両側（＋Ｙ方向側、−Ｙ方向側）に１つずつ配置されており、計２つ配置されている。電極部１２Ｂは、半導体素子２０と電気的に接続する接続面１２Ｂａを有する。
【００７２】
図８に戻り、＋Ｙ方向側に配置された電極部１２Ｂの接続面１２Ｂａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２１の一端が接続される。一方、−Ｙ方向側に配置された電極部１２Ｂの接続面１２Ｂａには、半導体素子２０に接続されたワイヤー２２の一端が接続される。
【００７３】
充填樹脂１３Ｂは、搭載面１１Ｂａと接続面１２Ｂａとを上方に露出させた状態で、パット部１１Ｂと電極部１２Ｂとを固定する。
【００７４】
パット部１１Ｂには、電極部１２Ｂに向けて突出する２つのパット部側突出部１１１Ｂが形成されている。一方、電極部１２Ｂには、パット部１１Ｂに向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ｂが形成されている。搭載面１１Ｂａの法線方向（＋Ｚ方向）から見て、２つのパット部側突出部１１１Ｂの間には電極部側突出部１２１Ｂ（電極部１２Ｂ）が配置されている。
【００７５】
電極部１２Ｂの電極部側突出部１２１Ｂが形成された側とは反対側には、電極部１２Ｂ本体からＹ方向に延び出た脚部１２２Ｂが形成されている。パット部側突出部１１１Ｂの先端部と脚部１２２Ｂとは、充填樹脂１３の一部を貫通して外部に露出している。例えば、脚部１２２Ｂは、半導体発光装置３を半導体基板に搭載する際の接続端子として機能する。
【００７６】
図１０は、図３に対応した、半導体用パッケージ１０Ｂにおけるパット部１１Ｂのパット部側突出部１１１Ｂが形成された側の部分の拡大図である。図１０において、符号ＣＬは、半導体用パッケージ１０ＢのＹ方向に沿う中心線である。符号Ｌ３は、パット部側突出部１１１Ｂの電極部１２Ｂに向けて突出する方向の長さ（パット部側突出部１１１Ｂがパット部１１Ｂから電極部１２Ｂに向けて突出するＹ方向に平行な長さ）であり、符号Ｌ４は、電極部側突出部１２１Ｂのパット部１１Ｂに向けて突出する方向の長さ（電極部側突出部１２１Ｂが電極部１２Ｂからパット部１１Ｂに向けて突出するＹ方向に平行な長さ）である。なお、図１０においては、便宜上、パット部１１Ｂ及び電極部１２Ｂのみを図示し半導体用パッケージ１０Ｂの他の構成要素の図示を省略している。
【００７７】
図１０に示すように、パット部１１Ｂには、電極部１２Ｂに向けて突出する方向の長さが互いに等しい２つのパット部側突出部１１１Ｂが形成されている。２つのパット部側突出部１１１Ｂのうち、一方のパット部側突出部１１１Ｂ（図中上側のパット部側突出部１１１Ｂ）は、パット部１１Ｂが電極部１２Ｂと対向する部分の一端部（−Ｘ方向側の端部）に形成されている。他方のパット部側突出部１１１Ｂ（図中下側のパット部側突出部１１１Ｂ）は、パット部１１Ｂが電極部１２Ｂと対向する部分の他端部（＋Ｘ方向側の端部）に形成されている。
【００７８】
電極部１２Ｂには、パット部１１Ｂに向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ｂが形成されている。電極部側突出部１２１Ｂは、電極部１２Ｂがパット部１１Ｂと対向する部分の中央部に形成されている。電極部側突出部１２１Ｂは、全体が２つのパット部側突出部１１１Ｂの間に配置されている。本実施形態においては、２つのパット部側突出部の電極部１２Ｂに向けて突出する方向の長さＬ３は、電極部側突出部１２１Ｂのパット部１１Ｂに向けて突出する方向の長さＬ４よりも長くなっている（Ｌ３＞Ｌ４）。本実施形態においては、パット部１１Ｂと電極部１２Ｂとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【００７９】
本実施形態の半導体用パッケージ１０Ｂによれば、２つのパット部側突出部１１１Ｂが充填樹脂１３Ｂの一部を突き抜けており、途中に隙間４０が形成される構成となっていない。つまり、半導体用パッケージ１０Ｂの短手方向（−Ｘ方向及び＋Ｘ方向の双方向）から見て、隙間４０の部分がない構成となっている。このため、半導体用パッケージ１０Ｂの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が隙間４０の部分に沿って伝達することをより確実に抑制することができる。
【００８０】
（第４実施形態）
図１１は、図１（ａ）に対応した、本発明の第４実施形態の半導体発光装置４を示す斜視図である。本実施形態の半導体発光装置４は、半導体用パッケージ１０に替えて半導体用パッケージ１０Ｃを備えている点が上述の第１実施形態に係る半導体発光装置１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図１（ａ）と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８１】
図１１に示すように、半導体発光装置４は、半導体用パッケージ１０Ｃと、半導体素子２０と、封止樹脂３０と、を備えて構成されている。
【００８２】
半導体用パッケージ１０Ｃは、パット部１１Ｃと、電極部１２と、充填樹脂１３Ｃと、を備えて構成されている。
【００８３】
図１２は、図２に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ１０Ｃを示す模式図である。図１２（ａ）は、図２（ａ）に対応した、本実施形態の半導体用パッケージ１０Ｃを示す平面図である。図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。
【００８４】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示すように、パット部１１Ｃの搭載面１１Ｃａの周囲には、反射面１１ＣＲが形成されている。反射面１１ＣＲは、半導体素子２０から射出される光を搭載面１１Ｃａの上方に向けて反射する。例えば、反射面１１ＣＲは、パット部１１Ｃの側壁部１１Ｃｂにおいて斜め上方に突出した部分の内壁面である。なお、当該内壁面に金、銀、アルミニウム、ニッケル等の金属材料によるメッキ処理を施してもよい。
【００８５】
本実施形態の半導体用パッケージ１０Ｃによれば、搭載面１１Ｃａの周囲に反射面１１ＣＲが形成されているため、半導体素子２０から斜め方向に射出される光を搭載面１１Ｃａの上方に向けて反射させることができる。よって、半導体素子２０から射出される光を効率良く取り出すことができる。
【００８６】
（半導体用パッケージの第１変形例）
図１３（ａ）は、図２（ａ）に対応した、本発明の半導体用パッケージの第１変形例を示す平面図である。なお、図１３（ａ）において、符号ＣＬ１は、半導体用パッケージ１０ＤのＹ方向に沿う中心線である。符号ＣＬ２は、半導体用パッケージ１０ＤのＸ方向に沿う中心線である。
【００８７】
図１３（ａ）に示すように、本変形例の半導体用パッケージ１０Ｄは、パット部１１Ｄと、電極部１２と、充填樹脂１３Ｄと、を備えて構成されている。
【００８８】
上述の第１実施形態に係る半導体用パッケージ１０においては、電極部１２が半導体用パッケージ１０の長手方向においてパット部１１の一方側（＋Ｙ方向側）に１つのみ配置されていた。
【００８９】
これに対し、本変形例に係る半導体用パッケージ１０Ｄにおいては、電極部１２が半導体用パッケージ１０Ｄの長手方向においてパット部１１Ｄの両側（＋Ｙ方向側、−Ｙ方向側）に１つずつ配置されており、計２つ配置されている。また、パット部１１Ｄと電極部１２との接続部が中心線ＣＬ１に対して線対称になっていることに加え、パット部１１Ｄと電極部１２との接続部が中心線ＣＬ２に対しても線対称になっている。
【００９０】
本変形例の半導体用パッケージ１０Ｄにおいても、半導体用パッケージ１０Ｄにクラックが発生することを抑制することができる。
【００９１】
（半導体用パッケージの第２変形例）
図１３（ｂ）は、図６に対応した、本発明の半導体用パッケージの第２変形例を示す平面図である。なお、図１３（ｂ）において、符号ＣＰは、平面視における半導体用パッケージ１０Ｅの中心点である。符号ＣＬ２は、半導体用パッケージ１０ＥのＸ方向に沿う中心線である。
【００９２】
図１３（ｂ）に示すように、本変形例の半導体用パッケージ１０Ｅは、パット部１１Ｅと、電極部１２Ａ，１２Ｅと、充填樹脂１３Ｅと、を備えて構成されている。
【００９３】
上述の第２実施形態に係る半導体用パッケージ１０Ａにおいては、パット部１１Ａと電極部１２Ａとの接続部が中心点ＣＰに対して点対称になっていた。
【００９４】
これに対し、本変形例に係る半導体用パッケージ１０Ｅにおいては、パット部１１Ｅと電極部１２Ａ，１２Ｅとの接続部が中心点ＣＰに対して点対称になっていない。しかしながら、パット部１１Ｅと電極部１２Ａ，１２Ｅとの接続部が中心線ＣＬ２に対して線対称になっている。
【００９５】
本変形例の半導体用パッケージ１０Ｅにおいても、半導体用パッケージ１０Ｅにクラックが発生することを抑制することができる。
【００９６】
（半導体用パッケージの第３変形例）
図１３（ｃ）は、図６に対応した、本発明の半導体用パッケージの第３変形例を示す平面図である。
【００９７】
図１３（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ１０Ｆは、パット部１１Ｆと、電極部１２，１２Ａと、充填樹脂１３Ｆと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ１０Ｆは、第１実施形態に係る電極部１２及び第２実施形態に係る電極部１２Ａの２つの電極部を備えている。
【００９８】
本変形例の半導体用パッケージ１０Ｆにおいても、半導体用パッケージ１０Ｆにクラックが発生することを抑制することができる。
【００９９】
（半導体用パッケージの第４変形例）
図１４（ａ）は、図６に対応した、本発明の半導体用パッケージの第４変形例を示す平面図である。
【０１００】
図１４（ａ）に示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ１０Ｇは、パット部１１Ｇと、電極部１２Ａと、充填樹脂１３Ｇと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ１０Ｇは、第２実施形態に係る半導体用パッケージに反射面を適用したものである。本変形例において、パット部１１Ｇの搭載面１１Ｇａの周囲には、反射面１１ＧＲが形成されている。反射面１１ＧＲは、半導体素子２０から射出される光を搭載面１１Ｇａの上方に向けて反射する。
【０１０１】
本変形例の半導体用パッケージ１０Ｇにおいても、半導体素子２０から射出される光を効率良く取り出すことができる。
【０１０２】
（半導体用パッケージの第５変形例）
図１４（ｂ）は、図９に対応した、本発明の半導体用パッケージの第５変形例を示す平面図である。
【０１０３】
図１４（ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体用パッケージ１０Ｈは、パット部１１Ｈと、電極部１２Ｂと、充填樹脂１３Ｈと、を備えて構成されている。半導体用パッケージ１０Ｈは、第３実施形態に係る半導体用パッケージに反射面を適用したものである。本変形例において、パット部１１Ｈの搭載面１１Ｈａの周囲には、反射面１１ＨＲが形成されている。反射面１１ＨＲは、半導体素子２０から射出される光を搭載面１１Ｈａの上方に向けて反射する。
【０１０４】
本変形例の半導体用パッケージ１０Ｈにおいても、半導体素子２０から射出される光を効率良く取り出すことができる。
【０１０５】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第１変形例）
図１５（ａ）は、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第１変形例を示す平面図である。図１５（ａ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図１５（ａ）において、符号ＣＬは、半導体用パッケージのＹ方向に沿う中心線である。
【０１０６】
図１５（ａ）に示すように、パット部１１Ｊには、電極部１２に向けて突出する２つのパット部側突出部１１１Ｊが形成されている。電極部１２Ｊには、パット部１１に向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ｊが形成されている。電極部側突出部１２１Ｊは、電極部１２Ｊがパット部１１Ｊと対向する部分の中央部に形成されている。本変形例においては、パット部１１Ｊと電極部１２Ｊとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【０１０７】
上述の第１実施形態に係る電極部１２においては、電極部側突出部１２１の先端部が平面視において直角の角部を有していた。
【０１０８】
これに対し、本変形例に係る電極部１２Ｊにおいては、電極部側突出部１２１Ｊの先端部が平面視において曲線形状である。
【０１０９】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。さらに、本変形例の構成によれば、半導体用パッケージの両端部に応力が集中した場合に、当該応力が電極部側突出部１２１Ｊの曲線形状の先端部に沿って伝達されるため、当該先端部の一部に応力が集中することを抑制することができる。よって、電極部側突出部１２１Ｊの先端部の一部にクラックが発生することを抑制することができる。
【０１１０】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第２変形例）
図１５（ｂ）は、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第２変形例を示す平面図である。図１５（ｂ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図１５（ｂ）において、符号ＣＬは、半導体用パッケージのＹ方向に沿う中心線である。
【０１１１】
図１５（ｂ）に示すように、パット部１１Ｋには、電極部１２Ｋに向けて突出する２つのパット部側突出部１１１Ｋが形成されている。電極部１２Ｋのパット部１１Ｋと対向する側の部分は平面視直線状になっている。本変形例においては、パット部１１Ｋと電極部１２Ｋとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【０１１２】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。
【０１１３】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第３変形例）
図１５（ｃ）は、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第３変形例を示す平面図である。図１５（ｃ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図１５（ｃ）において、符号ＣＬは、半導体用パッケージのＹ方向に沿う中心線である。
【０１１４】
図１５（ｃ）に示すように、パット部１１Ｌには、電極部１２Ｌに向けて突出する２つのパット部側突出部１１１Ｌが形成されている。電極部１２Ｌには、パット部１１Ｌに向けて突出する２つの電極部側突出部１２１Ｌが形成されている。２つのパット部側突出部１１１Ｌと２つの電極部側突出部１２１Ｌとは、互いに対向している。本変形例においては、パット部１１Ｌと電極部１２Ｌとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【０１１５】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。
【０１１６】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第４変形例）
図１６（ａ）は、本発明の半導体用パッケージにおけるパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第４変形例を示す平面図である。図１６（ａ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。なお、図１６（ａ）において、符号ＣＬは、半導体用パッケージのＹ方向に沿う中心線である。
【０１１７】
図１６（ａ）に示すように、パット部１１Ｍには、電極部１２Ｍに向けて突出する１つのパット部側突出部１１１Ｍが形成されている。パット部側突出部１１１Ｍは、パット部１１Ｍが電極部１２Ｍと対向する部分の中央部に形成されている。電極部１２Ｍのパット部１１Ｍと対向する側の部分は平面視直線状になっている。本変形例においては、パット部１１Ｍと電極部１２Ｍとの接続部が中心線ＣＬに対して線対称になっている。
【０１１８】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。
【０１１９】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第５変形例）
図１６（ｂ）は、本発明のパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第５変形例を示す平面図である。図１６（ｂ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【０１２０】
図１６（ｂ）に示すように、パット部１１Ｎには、電極部１２Ｎに向けて突出する１つのパット部側突出部１１１Ｎが形成されている。パット部側突出部１１１Ｎは、パット部１１Ｎが電極部１２Ｎと対向する部分の−Ｘ方向側の端部に形成されている。電極部１２Ｎには、パット部１１Ｎに向けて突出する１つの電極部側突出部１２１Ｎが形成されている。電極部側突出部１２１Ｎは、電極部１２Ｎがパット部１１Ｎと対向する部分の＋Ｘ方向側の端部に形成されている。本変形例においては、パット部側突出部１１１Ｎと電極部側突出部１２１Ｎとが充填樹脂の短手方向（Ｘ方向）に沿って互いに隙間４０を空けて隣接して形成されている。
【０１２１】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。
【０１２２】
（パット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第６変形例）
図１６（ｃ）は、本発明のパット部側突出部と電極部側突出部との接続部の第６変形例を示す平面図である。図１６（ｃ）は、図３に対応した、本変形例のパット部のパット部側突出部が形成された側の部分の拡大図である。
【０１２３】
図１６（ｃ）に示すように、パット部１１Ｐの電極部１２Ｐと対向する側の部分は、電極部１２Ｐに向けて凸をなす曲線形状となっている。電極部１２Ｐのパット部１１Ｐと対向する側の部分は、パット部１１Ｐに向けて凹をなす曲線形状となっている。本変形例においては、パット部１１Ｐの電極部１２Ｐと対向する側の部分と電極部１２Ｐのパット部１１Ｐと対向する側の部分とが充填樹脂の短手方向（Ｘ方向）に沿って互いに隙間４０を空けて隣接して形成されている。
【０１２４】
本変形例の構成においても、半導体用パッケージにクラックが発生することを抑制することができる。
【０１２５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【０１２６】
１，２，３，４…半導体発光装置、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ…半導体用パッケージ、１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ，１１Ｅ，１１Ｆ，１１Ｇ，１１Ｈ，１１Ｊ，１１Ｋ，１１Ｌ，１１Ｍ，１１Ｎ，１１Ｐ…パット部、１１ａ，１１Ａａ，１１Ｂａ，１１Ｃａ，１１Ｇａ，１１Ｈａ…搭載面、１１ｄ，１１Ｃｄ…搭載面とは反対側の面、１１ＣＲ、１１ＧＲ、１１ＨＲ…反射面、１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｊ，１２Ｋ，１２Ｌ，１２Ｍ，１２Ｎ，１２Ｐ…電極部、１２ａ，１２Ａａ，１２Ｂａ…接続面、１３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ，１３Ｇ，１３Ｈ…充填樹脂、２０…半導体素子、３０…封止樹脂、４０…隙間、１１１，１１１Ａ，１１１Ｂ，１１１Ｃ，１１１Ｄ，１１１Ｅ，１１１Ｆ，１１１Ｇ，１１１Ｈ，１１１Ｊ，１１１Ｋ，１１１Ｌ，１１１Ｍ，１１１Ｎ，１１１Ｐ…パット部側突出部、１２１，１２１Ａ，１２１Ｂ，１２１Ｃ，１２１Ｄ，１２１Ｅ，１２１Ｆ，１２１Ｇ，１２１Ｈ，１２１Ｊ，１２１Ｋ，１２１Ｌ，１２１Ｍ，１２１Ｎ，１２１Ｐ…電極部側突出部、Ｌ，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…パット部側突出部の電極部に向けて突出する方向の長さ、Ｌ４…電極部側突出部のパット部に向けて突出する方向の長さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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