(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向するように配置された一対の支持基板と、該一対の支持基板の対向する内側の主面にそれぞれ設けられた配線導体と、前記一対の支持基板の対向する内側の主面間に前記配線導体によって電気的に接続されるように複数配列された熱電素子と、前記一対の支持基板のうちの少なくとも一方の支持基板の外側の主面に接合材を介して取り付けられ、一断面で見て、前記支持基板の主面に垂直な方向に延びる複数の立設部と、隣り合う立設部の支持基板側の端部を１つおきに接続する底部とを有する熱交換部材と、該熱交換部材で覆われていない前記接合材の表面領域を覆う被覆層と、を有するとともに、該被覆層は、前記立設部において立設方向における前記底部側を除く領域には設けられていないことを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
前記被覆層は前記接合材と前記熱交換部材とに接していることを特徴とする請求項１に記載の熱電モジュール。
【請求項３】
前記熱交換部材の外周部に沿って、前記被覆層が接合材の表面領域を覆っていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱電モジュール。
【請求項４】
前記被覆層が前記底部と前記底部との間に充填されるようにして設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれかに記載の熱電モジュール。
【請求項５】
前記被覆層は前記底部の上面よりも高い位置まで設けられていることを特徴とする請求項４に記載の熱電モジュール。
【請求項６】
前記被覆層は前記底部の上にも設けられていることを特徴とする請求項４に記載の熱電モジュール。
【請求項７】
前記熱交換部材は両方の支持基板の外側の主面にそれぞれ取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の熱電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、恒温槽、冷蔵庫、自動車用のシートクーラー、半導体製造装置、レーザーダイオード等の温度制御、廃熱発電等に好適に使用される熱電モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
熱電素子は、ｐ型半導体とｎ型半導体とからなるＰＮ接合対に電流を流すと、それぞれの半導体の一端側が発熱するとともに他端側が吸熱するというペルチェ効果を利用したもので、これをモジュール化した熱電モジュールは、精密な温度制御が可能であり、小型で構造が簡単でありフロンレスの冷却装置、光検出素子、半導体製造装置等の冷却装置、レーザーダイオードの温度調節装置等への幅広い利用がされている。
【０００３】
また、熱電素子はその両端に温度差があると電力をとりだすことも可能であるため、排熱回収発電等の発電装置への利用が期待されている。
【０００４】
室温付近で使用される熱電モジュールは、Ａ２Ｂ３型結晶（ＡはＢｉ及び／又はＳｂ、ＢはＴｅ及び／又はＳｅ）からなる熱電材料で形成されたＰ型の熱電素子およびＮ型の熱電素子を対にして含む構成となっている。例えば、特に優れた性能を示す熱電材料として、Ｐ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３とＳｂ２Ｔｅ３（テルル化アンチモン）との固溶体からなる熱電材料が用いられ、Ｎ型の熱電素子にはＢｉ２Ｔｅ３とＢｉ２Ｓｅ３（セレン化ビスマス）との固溶体からなる熱電材料が用いられる。
【０００５】
そして、このような熱電材料で形成されたＰ型熱電素子とＮ型熱電素子とを直列に電気接続するようにして、セラミックス等の絶縁体からなる互いに対向するように配置された一対の支持基板の対向する内側主面間に配列し、はんだで一対の支持基板の対向する内側の主面にそれぞれ設けられた配線導体とＰ型熱電素子及びＮ型熱電素子とを接合する。さらに、空気、水等の媒体を介して集熱、放熱させるためにフィンなどの熱交換部材を支持基板の外側主面に接着剤、はんだなどの接合材で接合することによって熱電モジュールが作製される（例えば特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３５９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に示すような熱交換部材と支持基板との接合では、熱源が急激な温度上昇・下降した場合に接合材にクラックが入ることで、熱電モジュールの発電量が低下するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、熱源の急激な温度変化によっても長期間発電能力が低下しにくい熱電モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、互いに対向するように配置された一対の支持基板と、該一対の支持基板の対向する内側の主面にそれぞれ設けられた配線導体と、前記一対の支持基板の対向する内側の主面間に前記配線導体によって電気的に接続されるように複数配列された熱電素子と、前記一対の支持基板のうちの少なくとも一方の支持基板の外側の主面に接合材を介して取り付けられ、一断面で見て、前記支持基板の主面に垂直な方向に延びる複数の立設部と、隣り合う立設部の支持基板側の端部を１つおきに接続する底部とを有する熱交換部材と、該熱交換部材で覆われていない前記接合材の表面領域を覆う被覆層と、を有するとともに、該被覆層は、前記立設部において立設方向における前記底部側を除く領域には設けられていないことを特徴とする熱電モジュールである。
【００１０】
ここで、前記被覆層は前記接合材と前記熱交換部材とに接しているのが好ましい。
【００１１】
また、前記熱交換部材の外周部に沿って、前記被覆層が接合材の表面領域を覆っているのが好ましい。
【００１２】
また、前記被覆層が前記底部と前記底部との間に充填されるようにして設けられているのが好ましい。
【００１３】
また、前記被覆層は前記底部の上面よりも高い位置まで設けられているのが好ましい。
【００１４】
また、前記被覆層は前記底部の上にも設けられているのが好ましい。
【００１５】
また、前記熱交換部材は両方の支持基板の外側の主面にそれぞれ取り付けられているのが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、支持基板と熱交換部材とを接合する接合材において、熱交換部材で覆われていない領域の表面に被覆層があることで、接合強度が向上し、また、熱容量が増加する。そのため、急激な熱源の温度変化が生じた環境下でも、接合材にクラックが入るのを抑制し、長期間発電能力が低下しにくい熱電モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の熱電モジュールの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す熱電モジュールの一部を分解した斜視図である。
【図３】本発明の熱電モジュールの実施の形態の他の例の要部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の熱電モジュールの実施の形態の例について説明する。
【００１９】
図１は本発明の熱電モジュールの実施の形態の一例を示す断面図であり、図２は図１に示す熱電モジュールの一部を分解した斜視図である。
【００２０】
図１および図２に示す熱電モジュールは、互いに対向するように配置された一対の支持基板１と、一対の支持基板１の対向する内側の主面にそれぞれ設けられた配線導体２と、一対の支持基板１の対向する内側の主面間に配線導体２によって電気的に接続されるように複数配列された熱電素子３と、一対の支持基板１のうちの少なくとも一方の支持基板１ａの外側の主面に接合材４を介して取り付けられた熱交換部材５とを備え、熱交換部材５で覆われていない接合材４の表面領域を覆うように被覆層６を有していることを特徴とする熱電モジュールである。
【００２１】
互いに対向するように配置された一対の支持基板１（１ａ，１ｂ）は、例えばアルミナフィラーを添加してなるエポキシ樹脂板（基板本体）の外側の主面に銅板を貼り合わせた基板（例えば厚み１００〜５００μｍの銅板を貼りあわせた基板）であり、それぞれの支持基板１ａ，１ｂが互いに対向するように配置されたものである。この一対の支持基板１
（１ａ，１ｂ）は、平面視したときの寸法が、例えば縦４０〜５０ｍｍ、横２０〜４０ｍｍに形成され、また厚みが例えば０．０５〜２．０ｍｍに形成されたものである。なお、支持基板１としては、アルミナ、窒化アルミニウムなどのセラミック材料からなる基板本体の外側の主面に銅などの金属板を貼り合わせた構成であってもよく、銅、銀、銀−パラジウムなどの導電性材料からなる基板本体の内側の主面にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アルミナ、窒化アルミニウムなどからなる絶縁層を設けた構成であってもよい。
一対の支持基板１（１ａ，１ｂ）の対向する内側の主面には、それぞれ配線導体２が設けられている。この配線導体２は、例えば支持基板１の内側の主面に貼りあわされた銅板をエッチングによって配線パターンに形成したものであり、隣接するＰ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ間を直列に電気的に接続するように設けられている。配線導体２の形成材料としては、銅に限られず、例えば銀、銀−パラジウムなどの材料でもよい。
【００２２】
一対の支持基板１（１ａ，１ｂ）の対向する内側の主面間に、配線導体２によって電気的に接続されるように、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）が複数配列されている。熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ，Ｎ型熱電素子３ｂ）は、Ａ２Ｂ３型結晶（ＡはＢｉ及び／又はＳｂ、ＢはＴｅ及び／又はＳｅ）からなる熱電材料、好ましくはビスマス（Ｂｉ）、テルル（Ｔｅ）系の熱電材料で本体部が形成されている。具体的には、Ｐ型熱電素子３ａは、例えばＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＳｂ２Ｔｅ３（テルル化アンチモン）との固溶体からなる熱電材料で形成され、Ｎ型熱電素子３ｂは、例えばＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＢｉ２Ｓｅ３（セレン化ビスマス）との固溶体からなる熱電材料で形成されている。
【００２３】
ここで、Ｐ型熱電素子３ａとなる熱電材料は一度溶融させて固化したＢｉ、ＳｂおよびＴｅからなるＰ型の形成材料を、ブリッジマン法により一方向に凝固させ、例えば直径１〜３ｍｍの断面円形の棒状体としたものである。また、Ｎ型熱電素子３ｂとなる熱電材料は、一度溶融させて固化したＢｉ、ＴｅおよびＳｅからなるＮ型の形成材料を、ブリッジマン法により一方向に凝固させ、例えば直径１〜３ｍｍの断面円形の棒状体としたものである。
【００２４】
これらの熱電材料の側面にメッキが付着することを防止するレジストをコーティングした後、ワイヤーソーを用いて例えば０．３〜５．０ｍｍの幅に切断する。ついで、切断面のみに、例えば電解メッキでＮｉ層を形成し、その上にＳｎ層を形成し、溶解液でレジストを剥離することで、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ，Ｎ型熱電素子３ｂ）を得ることができる。
【００２５】
なお、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ，Ｎ型熱電素子３ｂ）の形状は、円柱状、四角柱状または多角柱状でも構わないが、使用時の膨張収縮に伴う応力集中を避けるために、円柱状が好ましい。
【００２６】
この熱電素子３が、図２に示すように、例えば０．５〜３ｍｍ、熱電素子サイズ（直径）の０．５〜２．０倍の間隔で縦横の並びに複数配列される。そして、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ，Ｎ型熱電素子３ｂ）は、配線導体２と同様のパターンに塗布されたはんだペーストにより配線導体２と接合され、複数配列された熱電素子３は配線導体２により直列に電気的接続される。
【００２７】
そして、一対の支持基板１のうちの少なくとも一方の支持基板１ａの外側の主面に、接合材４を介して熱交換部材５が取り付けられている。なお、図１では、両方の支持基板１ａ、１ｂの外側に接合材４を介して熱交換部材５が取り付けられている。
【００２８】
接合材４としては、例えばＳｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃ
ｕ系はんだなどが使用される。
【００２９】
熱交換部材５としては、通常熱伝導率の高い銅、アルミ、鉄などが使用され、１０００℃を超える領域での用途（例えば、廃熱炉などに用いる熱電発電用途）では、窒化珪素などのセラミックスも使用される。また、形状は、水、有機溶剤などの液体や、空気、窒素などの気体に熱伝達させるため、単位面積あたりの表面積を多くするように、波上のコルゲート型フィンや針状ピンが多く立っている形状などが好ましい。
【００３０】
そして、本発明の熱電モジュールは、熱交換部材５で覆われていない接合材４の表面領域を覆うように被覆層６を有している。
【００３１】
被覆層６は、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーンなどの樹脂材料からなり、例えば１０〜１００μｍの厚みに形成される。この被覆層６の形成方法としては、熱交換部材５と支持基板１とを接合後に、接合材４の表面にスプレー塗布やディスペンサ塗布して形成する。
【００３２】
また、上記樹脂に代えて接合材４に含まれるフラックスで被覆層６を形成してもよい。この場合、接合材４としてハロゲン量０．１％以下のフラックスを使用したはんだを使用し、熱交換部材５と支持基板１とをはんだ接合すると表面のフラックス成分が被覆層６を形成するようになる。
【００３３】
熱電発電は熱電モジュールの対向する面に温度差をつけることで発電するため、熱電モジュールの一方の面で熱源からの熱量を吸収し、他方の面を水冷、空冷などで冷却する。ここで使用する熱源は、例えば産業廃棄物の炉や工業炉、自動車用の廃熱など時間的一定の熱量ではなく、時間変化をともなうものが大半をしめる。そのため、その急激な温度変化が生じると、その熱応力で接合材４にクラックが入り、熱抵抗が増大して熱電素子３へ伝わる熱量が低下し、結果として発電量が低下するおそれがある。
【００３４】
これに対し、本発明のように構成した熱電モジュールは、支持基板１と熱交換部材５との接合強度が向上し、また熱容量が増加する。そのため、急激な熱源の温度変化が生じた環境下でも、接合材４にクラックが入ることが抑制され、発電性能の低下を抑制することができる。
【００３５】
ここで、被覆層６は接合材４と熱交換部材５とに接していることが望ましい。熱量は熱源から気体を介して熱交換部材５に伝熱され、次に接合材４、支持基板１、配線導体２、熱電素子３の順に伝熱される。被覆層６を有することで、熱交換部材５から支持基板１への伝熱パスが増加するため、接合材４が局所過熱されないため、接合材４への応力が低減できる。したがって、クラック発生を抑制することができ、発電性能低下を防止することができる。
【００３６】
また、熱交換部材５の外周部に沿って、被覆層６が接合材４の表面領域を覆っていることが望ましい。
【００３７】
高温側の支持基板１、接合材４、熱交換部材５は熱膨張により広がろうとするため、熱電モジュール外周部の熱応力は最大となる。そのため、急激な熱源の温度変化に対して、熱電モジュールの外周部に繰り返し応力がかかるため、クラックが発生して発電性能が低下する可能性が高い。これに対し、熱電モジュールの外周部の接合材４の表面領域を覆うように被覆層６を形成することで、強度が向上するため、クラック発生を抑制することができる。
【００３８】
また、図３に示すように、一断面で見て、熱交換部材５は、支持基板１の主面に垂直な方向に延びる複数の立設部５１と、隣り合う立設部５１の支持基板側の端部を１つおきに接続する底部５２とを有し、被覆層６が底部５２と底部５２との間に充填されるようにして設けられていることが望ましい。
【００３９】
熱源からの熱量としては、気体を介しての伝熱と輻射熱によるものがある。接合材４としては、例えばＳｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだなどが使用されるが、どの材料系も輻射熱を吸収しにくく、効率よく熱源からの輻射熱を吸収しにくい。
【００４０】
本発明のように、熱交換部材５が一枚板を折り曲げた形状をしており、支持基板１の主面に垂直な方向に延びる複数の立設部５１（フィン）と、隣り合う立設部５の支持基板側の端部を１つおきに接続する底部５２とを有し、被覆層６が底部５２と５２底部との間に充填されることで、熱源からの輻射熱の吸収率を向上させることができる。したがって、吸収熱量が増加し、発電量が向上する。
【００４１】
また、図３に示すように、被覆層６は底部５２の上面よりも高い位置まで設けられていることが望ましい。
【００４２】
例えば、熱交換部材５の厚み（底部５２の厚み）は５〜１５０μｍ、接合材４の厚みは５０〜２００μｍであり、熱交換部材５で覆われていない接合材４の表面領域を覆うように設けられる被覆層６は底部５２の上面よりも高い位置まで到達するように厚み１００μｍ〜５．０ｍｍとされる。
【００４３】
被覆層６を設けたことによる熱容量の増加により、支持基板１の面内温度が一様になり、発電性能が向上する。さらに、輻射熱の吸収率も向上し、発電性能が向上する。
【００４４】
また、図示しないが、被覆層６は底部５２の上にも設けられていることが望ましい。この構成によれば、立設部５１（フィン）の上部からの輻射熱を吸収することができるため、発電性能が向上する。
【００４５】
また、熱交換部材５は両方の支持基板１の外側の主面にそれぞれ取り付けられていてもよい。
【００４６】
例えば、熱電モジュールの高温側と低温側とを固定せずに反転させて使用する場合は、両方の支持基板１の外側の主面にそれぞれ熱交換部材５を取り付けることが望ましいが、このような場合においては、温度差による繰り返しの熱応力が両側の接合材４で発生する。そこで、熱交換部材５で覆われていないそれぞれの接合材４の表面領域を覆うように被覆層６があることで、両側の接合材４にクラックが入るのを抑制し、発電量低下を抑制することができる。
【００４７】
上述の熱電モジュールは、以下のようにして製造することができる。
【００４８】
まず、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）と支持基板１とを接合する。
【００４９】
図２に示すように、支持基板１（１ｂ）上に形成した配線導体２の少なくとも一部にはんだペーストを塗布し、はんだ層を形成する。ここで、塗布方法としては、メタルマスクあるいはスクリーンメッシュを用いたスクリーン印刷法がコスト、量産性の面から好ましい。
【００５０】
ついで、はんだ層が形成された配線導体２の表面に熱電素子３を配列する。熱電素子３はＰ型熱電素子３ａとＮ型熱電素子３ｂの２種類の素子を配列することが必要である。接合する方法としては公知の技術であればいずれでも良いが、Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂのそれぞれを別々に振動させながら配列穴加工された治具に振り込む振込み式で配列させた後、転写して支持基板１（１ｂ）上に配列する方法が簡便で好ましい。
【００５１】
支持基板１（１ｂ）上に熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）を配列した後、熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）の上面に反対側の支持基板１（１ａ）を設置する。
【００５２】
具体的には、支持基板１ｂに設けられた配線導体２の上に配列された熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）の上面に、配線導体２の表面にはんだ層が形成塗布された支持基板１ａを公知の技術によりはんだ接合する。はんだ接合の方法としては、リフロー炉あるいはヒーターによる加熱などいずれでも良いが、支持基板１に樹脂を用いる場合、上下面に圧力をかけながら加熱することがはんだと熱電素子３（Ｐ型熱電素子３ａ及びＮ型熱電素子３ｂ）の密着性を高める上で好ましい。
【００５３】
次に、一対の支持基板１（１ａ，１ｂ）のうちの少なくとも一方に、熱交換部材５を接合材４にて取り付ける。使用する熱交換部材５はその用途によって形、材質が異なる。ここで、銅製のフィンが熱伝導率が高い点で好ましく、熱源からの熱を空気などの気体を介して伝熱する場合、気体と接触する面積が増えるように波状の形で作製されたフィンが望ましい。
【００５４】
次に、接合材４が露出している部分および必要により底部５２と底部５２との間や底部５２の上に、エポキシ樹脂などを流し込み硬化させて被覆層６を形成する。
【００５５】
最後に、配線導体２に電流を通電するためのリード線（図示せず）をはんだごて、レーザー等で接合して、本発明の熱電モジュールが得られる。
【実施例】
【００５６】
以下、実施例を挙げて本発明についてさらに詳細に説明する。
【００５７】
まず、Ｂｉ，Ｓｂ，Ｔｅ、ＳｅからなるＰ型熱電材料およびＮ型熱電材料をブリッジマン法により溶融凝固させ、直径１．８ｍｍの断面円形の棒状の材料を作製した。具体的には、Ｐ型熱電材料はＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＳｂ２Ｔｅ３（テルル化アンチモン）との固溶体で作製し、Ｎ型熱電材料はＢｉ２Ｔｅ３（テルル化ビスマス）とＢｉ２Ｓｅ３（セレン化ビスマス）との固溶体で作製した。ここで、表面を粗化させるため、棒状のＰ型熱電材料及びＮ型熱電材料の表面を硝酸でエッチング処理を行った。
【００５８】
次に、被覆層が被覆された棒状のＰ型熱電材料及び棒状のＮ型熱電材料を高さ（厚さ）１．６ｍｍになるように、ワイヤーソーにて切断し、Ｐ型熱電素子及びＮ型熱電素子を得た。得られたＰ型熱電素子及びＮ型熱電素子は、電解メッキで切断面にニッケル層を形成した。
【００５９】
次に、一方主面にエポキシ樹脂からなる厚み８０μｍの絶縁層が形成されたＣｕ製の支持基板（縦４０ｍｍ×横４０ｍｍ×厚み２００μｍ）を準備し、絶縁層の上に厚み１０５μｍの配線導体を形成した。そして、この配線導体上に、９５Ｓｎ−５Ｓｂのはんだペーストをスクリーン印刷した。
【００６０】
さらに、このはんだペースト上に、Ｐ型熱電素子及びＮ型熱電素子が電気的に直列になるようにマウンターを使用して各熱電素子を１６０個づつ配設した。上記のように配列されたＰ型熱電素子とＮ型熱電素子を２枚の支持基板で挟み込むようにし、上下面に圧力をかけながらリフロー炉で加熱し、配線導体と熱電素子とをはんだを介して接合した。
【００６１】
次に、支持基板に熱交換部材（銅製のフィン）を接合材で取り付けた。
【００６２】
ここで、試料１（比較例）の熱電モジュールとして、熱交換部材で覆われていない接合材の表面領域に被覆層を形成しなかったものを作製し、試料２（本発明実施例）の熱電モジュールとして、熱交換部材で覆われていない接合材の表面領域に被覆層を形成したものを作製した。被覆層は、エポキシ樹脂をフィンと支持基板との間に流し込み、硬化させたもので、厚みは約５０μｍであった。
【００６３】
組み立てたそれぞれの熱電モジュールについて評価を行った。
【００６４】
評価方法としては、被覆層がない試料１と被覆層がある試料２を各２０個準備し、空気中で熱電モジュールに約２００℃の温度差をつけ、発電量劣化の程度を比較した。具体的には、片面に４０ｍｍ角ヒーターブロックをフィン上に置き、フィンを加熱して最高温度２２０℃になるように出力を調整し、耐久加速させるため、ヒーターパターンは１０ｍｉｎオン２ｍｉｎオフを１サイクルとした。もう一方のフィンは、２０℃、５Ｌ／ｍｉｎの水量が流れる水の中にいれた。
【００６５】
そして、１サイクル後と５０００サイクル後の発電量の比較を行ったところ、試験前発電量は、試料１が平均９．２Ｗであるのに対し、試料２が平均９．７Ｗであり、被覆層があることで５％発電量が上昇することがわかった。
【００６６】
また、５０００サイクル時の発電量の比較を行ったところ、試料１が平均８．１Ｗで１２％発電量が低下したのに対し、試料２が平均９．５Ｗであり、被覆層があることで１％以下の発電量低下にとどまっていることがわかった。
【００６７】
なお、試料１の５０００サイクル後の外観を調査すると、フィンと支持基板との間のはんだにクラックが観察され、はんだに引っ張り応力が印加されることが推察される。  以上の結果から、比較例の試料１よりも本発明実施例の試料２のほうが、恒温高湿内での反転通電などの信頼性が高いことがわかる。
【符号の説明】
【００６８】
１、１ａ、１ｂ  支持基板
２  配線導体
３  熱電素子
３ａ  Ｐ型熱電素子
３ｂ  Ｎ型熱電素子
４  接合材
５  熱交換部材
５１  立設部
５２  底部
【図１】
0005865721.tif 000002
【図２】
0005865721.tif 000003
【図３】
0005865721.tif 000004