(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が開口部（１２）とされていると共に中空部を有する有底筒状とされ、底部が前記中空部に導入された圧力によって変形可能なダイヤフラム（１１）とされているステム（１０）を用意する工程と、
前記ダイヤフラムのうち前記中空部側と反対側の部分に前記ダイヤフラムの変形に応じてセンサ信号を出力するセンサチップ（２０）を搭載する工程と、
前記センサチップと第１接続部材（７５）を介して接続される内部接続領域（４１）、および外部回路と電気的に接続される外部接続領域（４３）が外枠（４９ｂ）によって一体化された導電性部材（４０）を用意する工程と、
前記内部接続領域と前記外部接続領域とを連結するようにモールド樹脂成形を行って第１モールド樹脂（４６〜４８）を形成するモールド樹脂形成工程と、
前記内部接続領域および前記外部接続領域から前記外枠を切り離す工程と、
前記導電性部材のうち前記内部接続領域を前記ステムに配置する工程と、
前記センサチップと前記内部接続領域とを前記第１接続部材を介して電気的に接続する工程と、を行い、
前記導電性部材を用意する工程では、前記内部接続領域と前記外部接続領域との間に搭載領域（４２）を有するものを用意し、
前記ステムに配置する工程の前に、前記搭載領域に所定の処理を行う回路素子（６１、６２）を搭載し、前記回路素子と前記内部接続領域とを第２接続部材（７１）を介して電気的に接続すると共に、前記回路素子と前記外部接続領域とを第３接続部材（７３）を介して電気的に接続する工程を行い、
前記モールド樹脂形成工程では、前記搭載領域、前記回路素子、前記第２、第３接続部材を封止する前記第１モールド樹脂を形成し、
前記回路素子を搭載する工程の後であって前記ステムに配置する工程の前に、前記モールド樹脂形成工程を行い、前記モールド樹脂形成工程では、前記第１モールド樹脂と共に、前記内部接続領域の一部が露出するように前記内部接続領域に第２モールド樹脂（４４、４５）を形成し、
前記ステムに配置する工程では、前記第２モールド樹脂を前記ステムに接合することにより、前記内部接続領域を前記ステムに配置し、
前記ステムに搭載する工程の後に前記電気的に接続する工程を行い、前記電気的に接続する工程では、前記センサチップと前記内部接続領域のうち前記第２モールド樹脂から露出する部分とを電気的に接続し、
前記電気的に接続する工程の後、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する前記内部接続領域を折り曲げ、前記第１モールド樹脂上に前記第２モールド樹脂を積層しつつ、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂とを接合し、
前記導電性部材として、前記内部接続領域のうち前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が前記第１モールド樹脂および前記第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされているものを用いることを特徴とする圧力センサの製造方法。
【請求項２】
一端が開口部（１２）とされていると共に中空部を有する有底筒状とされ、底部が前記中空部に導入された圧力によって変形可能なダイヤフラム（１１）とされているステム（１０）を用意する工程と、
前記ダイヤフラムのうち前記中空部側と反対側の部分に前記ダイヤフラムの変形に応じてセンサ信号を出力するセンサチップ（２０）を搭載する工程と、
前記センサチップと第１接続部材（７５）を介して接続される内部接続領域（４１）、および外部回路と電気的に接続される外部接続領域（４３）が外枠（４９ｂ）によって一体化された導電性部材（４０）を用意する工程と、
前記内部接続領域と前記外部接続領域とを連結するようにモールド樹脂成形を行って第１モールド樹脂（４６〜４８）を形成するモールド樹脂形成工程と、
前記内部接続領域および前記外部接続領域から前記外枠を切り離す工程と、
前記導電性部材のうち前記内部接続領域を前記ステムに配置する工程と、
前記センサチップと前記内部接続領域とを前記第１接続部材を介して電気的に接続する工程と、を行い、
前記導電性部材を用意する工程では、前記内部接続領域と前記外部接続領域との間に搭載領域（４２）を有するものを用意し、
前記ステムに配置する工程の前に、前記搭載領域に所定の処理を行う回路素子（６１、６２）を搭載し、前記回路素子と前記内部接続領域とを第２接続部材（７１）を介して電気的に接続すると共に、前記回路素子と前記外部接続領域とを第３接続部材（７３）を介して電気的に接続する工程を行い、
前記モールド樹脂形成工程では、前記搭載領域、前記回路素子、前記第２、第３接続部材を封止する前記第１モールド樹脂を形成し、
前記ステムに配置する工程では、前記内部接続領域を直接前記ステムに接合し、
前記電気的に接続する工程の後に前記モールド樹脂形成工程を行い、前記モールド樹脂形成工程では、前記第１モールド樹脂と共に、前記内部接続領域から前記ステムに渡り、前記センサチップと前記内部接続領域とを接続する前記第１接続部材を覆う第２モールド樹脂（４４、４５）を形成し、
前記モールド樹脂形成工程の後、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する前記内部接続領域を折り曲げ、前記第１モールド樹脂上に前記第２モールド樹脂を積層しつつ、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂とを接合し、
前記導電性部材として、前記内部接続領域のうち前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が前記第１モールド樹脂および前記第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされているものを用いることを特徴とする圧力センサの製造方法。
【請求項３】
前記モールド樹脂形成工程では、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂とが一体化されたものを形成し、
前記モールド樹脂形成工程の後であって前記内部接続領域を折り曲げる前に、前記内部接続領域のうちの折り曲げる部分を覆うモールド樹脂を除去することにより、前記内部接続領域のうちの折り曲げる部分を前記モールド樹脂から露出させると共に、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂とを区画形成することを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサの製造方法。
【請求項４】
前記モールド樹脂形成工程では、前記第１、第２モールド樹脂に一対の嵌合手段（４４ａ、４７ａ）を形成し、
前記接合する工程では、前記第１、第２モールド樹脂に形成された一対の嵌合手段を嵌合しつつ、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂とを接合することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の圧力センサの製造方法。
【請求項５】
一端が開口部（１２）とされていると共に中空部を有する有底筒状とされ、底部が前記中空部に導入された圧力によって変形可能なダイヤフラム（１１）とされているステム（１０）と、
前記ダイヤフラムのうち前記中空部側と反対側の部分に搭載され、前記ダイヤフラムの変形に応じてセンサ信号を出力するセンサチップ（２０）と、
前記センサチップと第１接続部材（７５）を介して接続され、導電性部材の一部によって構成される内部接続領域（４１）と、
外部回路と電気的に接続され、前記内部接続領域を構成する前記導電性部材の一部によって構成される外部接続領域（４３）と、
前記内部接続領域と前記外部接続領域とを連結する第１モールド樹脂（４６〜４８）と、
前記内部接続領域に備えられ、前記ステムと接合されている第２モールド樹脂（４４、４５）と、を備え、
前記第１モールド樹脂は、前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する前記内部接続領域が折り曲げられることで前記第２モールド樹脂上に積層されており、
前記内部接続領域は、当該内部接続領域のうち前記第１モールド樹脂と前記第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が前記第１モールド樹脂および前記第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項６】
前記内部接続領域と前記外部接続領域との間に配置されると共に前記導電性部材の一部によって構成され、所定の処理を行う回路素子（６１、６２）が搭載された搭載領域（４２）を有し、
前記回路素子は、前記内部接続領域と第２接続部材（７１）を介して電気的に接続されていると共に前記外部接続領域と第３接続部材（７３）を介して電気的に接続されており、
前記第１モールド樹脂は、前記内部接続領域と前記搭載領域とを連結すると共に、前記搭載領域、前記回路素子、前記第２、第３接続部材を封止していることを特徴とする請求項５に記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記センサチップは、前記センサ信号を出力すると共に、温度に応じた温度検出信号を出力し、
前記センサチップと前記回路素子（６１）とは、熱伝達部材（８０、４１、７１、７５）を介して熱的に接続されており、
前記回路素子は、前記センサチップを定電圧駆動するためのゲージ駆動抵抗（６１ａ）と、前記温度検出信号に基づいて前記センサ信号の温特補正を行う補正回路（６１ｊ）と、を有していることを特徴とする請求項６に記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記センサチップと前記回路素子とは、前記熱伝達部材（８０）としてのゲルにて被覆されていることを特徴とする請求項７に記載の圧力センサ。
【請求項９】
前記熱伝達部材（４１、７１、７５）は、前記内部接続領域、前記第１接続部材、前記第２接続部材によって構成されていることを特徴とする請求項７または８に記載の圧力センサ。
【請求項１０】
前記内部接続領域は、複数の板状部材から構成されており、前記複数の板状部材の１つが前記ステムと電気的に接合されることによってボディグランドと接続されていることを特徴とする請求項５ないし９のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１１】
前記第１、第２モールド樹脂には、一対の嵌合手段（４４ａ、４７ａ）が形成されており、前記嵌合手段が嵌合されていることを特徴とする請求項５ないし１０のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１２】
両端が開口部とされた中空部を有する筒状のメタルカバー（９０）を有し、
前記メタルカバーは、前記センサチップおよび前記第１、第２モールド樹脂を前記中空部に収容するように前記ステムに備えられていることを特徴とする請求項５ないし１１のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項１３】
前記外部接続領域は、複数の板状部材から構成されており、前記複数の板状部材の１つが前記メタルカバーと接合されることにより、前記メタルカバーを介して前記ステムと電気的に接続されることでボディグランドと接続されていることを特徴とする請求項１２に記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステムのダイヤフラムにセンサチップが配置された圧力センサおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の圧力センサとして、例えば、特許文献１に次のようなものが提案されている。
【０００３】
すなわち、この圧力センサでは、ステムのダイヤフラムにセンサチップが搭載されており、センサチップはステムの周囲に配置された所定の処理を行うセラミック基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。また、セラミック基板は、外部回路と電気的に接続されるターミナルにピンを介して接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３２２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記圧力センサでは、センサチップと外部回路との電気的経路を確保するためのみにピンおよびターミナルという異なる構成部材を用いており、構造が複雑になると共に製造工程も複雑になるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、センサチップと外部回路との電気的経路を確保する構成部材を削減することによって構造および製造工程を簡素化できる圧力センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１および２に記載の発明では、一端が開口部とされていると共に中空部を有する有底筒状とされ、底部が中空部に導入された圧力によって変形可能なダイヤフラム（１１）とされているステム（１０）を用意する工程と、ダイヤフラムのうち中空部側と反対側の部分にダイヤフラムの変形に応じてセンサ信号を出力するセンサチップ（２０）を搭載する工程と、センサチップと第１接続部材（７５）を介して接続される内部接続領域（４１）、および外部回路と電気的に接続される外部接続領域（４３）が外枠（４９ｂ）によって一体化された導電性部材（４０）を用意する工程と、内部接続領域と外部接続領域とを連結するようにモールド樹脂成形を行って第１モールド樹脂（４６〜４８）を形成するモールド樹脂形成工程と、内部接続領域および外部接続領域から外枠を切り離す工程と、導電性部材のうち内部接続領域をステムに配置する工程と、センサチップと内部接続領域とを第１接続部材を介して電気的に接続する工程と、を行い、導電性部材を用意する工程では、内部接続領域と外部接続領域との間に搭載領域（４２）を有するものを用意し、ステムに配置する工程の前に、搭載領域に所定の処理を行う回路素子（６１、６２）を搭載し、回路素子と内部接続領域とを第２接続部材（７１）を介して電気的に接続すると共に、回路素子と外部接続領域とを第３接続部材（７３）を介して電気的に接続する工程を行い、モールド樹脂形成工程では、搭載領域、回路素子、第２、第３接続部材を封止する第１モールド樹脂を形成することを特徴としている。
さらに、請求項１に記載の発明では、回路素子を搭載する工程の後であってステムに配置する工程の前に、モールド樹脂形成工程を行い、モールド樹脂形成工程では、第１モールド樹脂と共に、内部接続領域の一部が露出するように内部接続領域に第２モールド樹脂（４４、４５）を形成し、ステムに配置する工程では、第２モールド樹脂をステムに接合することにより、内部接続領域をステムに配置し、ステムに搭載する工程の後に電気的に接続する工程を行い、電気的に接続する工程では、センサチップと内部接続領域のうち第２モールド樹脂から露出する部分とを電気的に接続し、電気的に接続する工程の後、第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する内部接続領域を折り曲げ、第１モールド樹脂上に第２モールド樹脂を積層しつつ、第１モールド樹脂と第２モールド樹脂とを接合し、導電性部材として、内部接続領域のうち第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が第１モールド樹脂および第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされているものを用いることを特徴としている。
また、請求項２に記載の発明では、ステムに配置する工程では、内部接続領域を直接ステムに接合し、電気的に接続する工程の後にモールド樹脂形成工程を行い、モールド樹脂形成工程では、第１モールド樹脂と共に、内部接続領域からステムに渡り、センサチップと内部接続領域とを接続する第１接続部材を覆う第２モールド樹脂（４４、４５）を形成し、モールド樹脂形成工程の後、第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する内部接続領域を折り曲げ、第１モールド樹脂上に第２モールド樹脂を積層しつつ、第１モールド樹脂と第２モールド樹脂とを接合し、導電性部材として、内部接続領域のうち第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が第１モールド樹脂および第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされているものを用いることを特徴としている。
【０００８】
これによれば、内部接続領域および外部接続領域が一体化された導電性部材を用いて圧力センサを構成している。つまり、内部接続領域および外部接続領域が同じ材料を用いて構成されている。このため、センサチップと外部回路との電気的経路を確保する構成部材を削減することができ、製造工程を簡素化することができる。
【００１０】
また、回路素子を搭載する搭載領域も内部接続領域および外部接続領域を構成する導電性部材にて構成しており、回路素子を搭載するための新たな構成部材が増加することがない。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明では、一端が開口部（１２）とされていると共に中空部を有する有底筒状とされ、底部が中空部に導入された圧力によって変形可能なダイヤフラム（１１）とされているステム（１０）と、ダイヤフラムのうち中空部側と反対側の部分に搭載され、ダイヤフラムの変形に応じてセンサ信号を出力するセンサチップ（２０）と、センサチップと第１接続部材（７５）を介して接続され、導電性部材の一部によって構成される内部接続領域（４１）と、外部回路と電気的に接続され、内部接続領域を構成する導電性部材の一部によって構成される外部接続領域（４３）と、内部接続領域と外部接続領域とを連結する第１モールド樹脂（４６〜４８）と、内部接続領域に備えられ、ステムと接合されている第２モールド樹脂（４４、４５）と、を備え、第１モールド樹脂は、第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する内部接続領域が折り曲げられることで第２モールド樹脂上に積層されており、内部接続領域は、当該内部接続領域のうち第１モールド樹脂と第２モールド樹脂との間に位置する部分の剛性が第１モールド樹脂および第２モールド樹脂に封止される部分に対して低くされていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、内部接続領域および外部接続領域を同じ導電性部材を用いて構成しているため、センサチップと外部回路との電気的経路を確保する構成部材を削減することができ、構造を簡素化できる。
【００１３】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態における圧力センサの断面図である。
【図２】構成部材の製造工程を示す断面図である。
【図３】図１に示す圧力センサの製造工程を示す断面図である。
【図４】図２（ｃ）中のIV−IV線に沿った断面図である。
【図５】図３（ｂ）中のＡ矢視図である。
【図６】本発明の第２実施形態における圧力センサの製造工程を示す平面図である。
【図７】図６に対応する断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態における圧力センサの製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態における圧力センサの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は図２（ｃ）の工程に相当する断面図、（ｂ）は図３（ｃ）の工程に相当する断面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態における図２（ｃ）の工程に相当する平面図である。
【図１１】本発明の第６実施形態における圧力センサの製造工程を示す断面図であり、（ａ）は図２（ｃ）の工程に相当する断面図、（ｂ）は図３（ｃ）の工程に相当する断面図である。
【図１２】本発明の第７実施形態におけるセンサチップおよび回路基板の回路構成を示す図である。
【図１３】本発明の第７実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１４】本発明の第９実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１５】本発明の第１０実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１６】本発明の第１１実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１７】図１６中のＢ矢視図である。
【図１８】本発明の第１２実施形態における圧力センサの断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態における図２（ｃ）の工程に相当する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１６】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の圧力センサは、例えば、車両の燃料噴射系における燃料パイプ等に取り付けられ、燃料パイプ内における測定媒体の圧力の検出に用いられると好適である。
【００１７】
図１に示されるように、本実施形態の圧力センサは、ステム１０を備えている。ステム１０は、ＳＵＳ４３０のようなステンレス鋼等で構成された中空部を有する有底円筒状とされ、底部の略中央部にて薄肉のダイヤフラム１１が構成されており、ダイヤフラム１１と反対側の他端部が中空の開口部１２とされている。そして、開口部１２から中空部に測定媒体が導入されると、測定媒体の圧力に応じてダイヤフラム１１が変形するようになっている。
【００１８】
また、ステム１０のうちダイヤフラム１１と開口部１２との間には、両端の外径より外径が大きくされた段付部１３が形成されており、開口部１２側の外周壁面には燃料パイプ等の被取付部材にネジ結合可能なネジ部１４が形成されている。
【００１９】
そして、このようなステム１０には、ダイヤフラム１１のうち中空部側と反対側（以下では、ダイヤフラム１１上という）に圧力検出用のセンサチップ２０が図示しない低融点ガラス等を介して接合されている。センサチップ２０は、例えば、矩形板状のシリコン基板を用いて構成され、薄肉のダイヤフラムにブリッジ回路を構成するようにゲージ抵抗が形成されたものである。すなわち、本実施形態のセンサチップ２０は、ステム１０の内部に導入された測定媒体の圧力によってダイヤフラム１１が変形すると、ゲージ抵抗の抵抗値が変化してブリッジ回路の電圧が変化し、この電圧の変化に応じたセンサ信号を出力する半導体ダイヤフラム式のものである。
【００２０】
そして、ステム１０には、ダイヤフラム１１の法線方向（図１中紙面上下方向）に沿って回路素子等が封止された構成部材３０が配置されている。以下に、本実施形態の構成部材３０の構成について具体的に説明する。
【００２１】
構成部材３０は、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３を有し、各領域４１〜４３がエポキシ系樹脂等で構成されるモールド樹脂で一体化されて１つの部材とされている。なお、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、後述するＣｕや４２アロイ等の金属がエッチングやプレス等されたリードフレームの一部にて形成されている。つまり、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、それぞれ形状は異なるが、同一の構成部材によって構成されている。
【００２２】
内部接続領域４１は、複数の板状部材（本実施形態では４本）から構成されており、ダイヤフラム１１上に配置されている。そして、各板状部材における一端部側の一面４１ａが図示しないボンディングワイヤを介してセンサチップ２０と電気的に接続されており、他端部側はダイヤフラム１１の法線方向と平行となるように折り曲げられている。
【００２３】
また、内部接続領域４１には、一部が露出するようにモールド樹脂が形成されている。具体的には、一面４１ａ側に一端部および他端部が露出するようにモールド樹脂にて搭載部４４が形成されている。なお、内部接続領域４１のうちボンディングワイヤと接続される部分も搭載部４４から露出している。
【００２４】
また、他面４１ｂ側に、他端部が露出するようにモールド樹脂にて接合部４５が形成されている。接合部４５は、ステム１０におけるダイヤフラム１１側の外周壁面に沿った壁面を有する形状とされており、内部接続領域４１の他面４１ｂと反対側の先端面が段付部１３と接着剤５１を介して接合されている。
【００２５】
なお、本実施形態では、接合部４５がステム１０と接続されており、内部接続領域４１とダイヤフラム１１とは接触してないない。また、本実施形態では、搭載部４４および接合部４５が本発明の第２モールド樹脂に相当している。
【００２６】
搭載領域４２は、２つの矩形板状部材を有し、一面４２ａがダイヤフラム１１の法線方向と平行となるように配置されている。そして、一面４２ａに、所定の処理を行う回路基板６１やコンデンサ等が配置されたセラミック基板６２等が搭載されている。回路基板６１は、内部接続領域４１の他端部とボンディングワイヤ７１を介して電気的に接続されていると共に、セラミック基板６２とボンディングワイヤ７２を介して電気的に接続されている。また、セラミック基板６２は、外部接続領域４３とボンディングワイヤ７３を介して電気的に接続されている。
【００２７】
そして、搭載領域４２は、内部接続領域４１のうちボンディングワイヤ７１と接続されている部分（他端部）および外部接続領域４３のうちボンディングワイヤ７３と接続されている部分、ボンディングワイヤ７１〜７３と共に、封止部４６に封止されている。つまり、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、封止部４６によって連結されて一体化されている。
【００２８】
本実施形態の封止部４６は、ダイヤフラム１１の法線方向における両端部に、搭載領域４２の一面４２ａにおける法線方向に突出した第１突出部４７および第２突出部４８を有する略Ｕ字状とされている。
【００２９】
そして、封止部４６は、搭載部４４上に第１突出部４７が積層された状態で、第１突出部４７の外側の側面が搭載部４４と接着剤５２を介して接合されることにより、搭載部４４に固定されている。
【００３０】
外部接続領域４３は、複数の棒状部材（本実施形態では２本）から構成されており、上記のように、ボンディングワイヤ７３と接続されている一端部が封止部４６に封止されている。そして、他端部側は封止部４６における第２突出部４８の外側の側面と接するように折り曲げられており、折り曲げられた部分にて外部回路との接続が図れるようになっている。
【００３１】
なお、本実施形態では、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８が本発明の第１モールド樹脂に相当している。また、回路基板６１およびセラミック基板６２が本発明の回路素子に相当している。そして、ボンディングワイヤ７１が本発明の第２接続部材に相当し、ボンディングワイヤ７３が本発明の第３接続部材に相当している。
【００３２】
以上が本実施形態における圧力センサの構成である。次に、上記圧力センサの製造方法について図２〜図５を参照しつつ説明する。まず、構成部材３０の製造工程について説明する。
【００３３】
図２（ａ）に示されるように、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３が順に配置され、これらがタイバー４９ａを介して外枠４９ｂにて一体化されたリードフレーム４０を用意する。なお、この状態では、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、外枠４９ｂにて一体化されているのみであり、直接は連結されていない。
【００３４】
そして、図２（ｂ）に示されるように、搭載領域４２に回路基板６１およびセラミック基板６２を図示しない接着剤を介して搭載する。次に、回路基板６１と内部接続領域４１の他端部とをボンディングワイヤ７１を介して電気的に接続する。同様に、回路基板６１とセラミック基板６２とをボンディングワイヤ７２を介して電気的に接続する。また、セラミック基板６２と外部接続領域４３の一端部とをボンディングワイヤ７３を介して電気的に接続する。
【００３５】
なお、本実施形態では、回路基板６１の特性検査等を行うため、回路基板６１と、搭載領域４２の周囲に配置されたタイバー４９ａともボンディングワイヤ７４を介して電気的に接続する。
【００３６】
次に、図２（ｃ）および図４に示されるように、リードフレーム４０を図示しない金型に配置してモールド樹脂を金型内に注入し、上記形状の搭載部４４、接合部４５、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８を形成する。その後、特に図示しないが、タイバー４９ａおよび外枠４９ｂを切り離した後、回路基板６１の特性検査等を行う。なお、外枠４９ｂが切り離された後も内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、封止部４６によって連結されて一体化されている。以上のようにして、構成部材３０を用意する。
【００３７】
そして、図２とは別工程において、図３（ａ）に示されるように、ステム１０のダイヤフラム１１上に低融点ガラス等を介してセンサチップ２０を搭載する。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示されるように、接合部４５をステム１０の段付部１３に接着剤５１を介して接合することにより、ステム１０に構成部材３０を配置する。なお、この工程の後では、構成部材３０は、ダイヤフラム１１の平面方向に延設された状態となっている。
【００３９】
そして、図５に示されるように、センサチップ２０と、内部接続領域４１の一面４１ａのうち搭載部４４から露出している一端部側の部分とをボンディングワイヤ７５を介して電気的に接続する。これにより、ボンディングワイヤ７５、内部接続領域４１、ボンディングワイヤ７２、回路基板６１、ボンディングワイヤ７３、セラミック基板６２、ボンディングワイヤ７３、外部接続領域４３を介して、センサチップ２０と外部回路との電気的な接続が図れるようになる。
【００４０】
なお、本実施形態では、ボンディングワイヤ７５が本発明の第１接続部材に相当している。
【００４１】
次に、図３（ｃ）に示されるように、搭載領域４２の一面４２ａがダイヤフラム１１の法線方向と平行となるように、内部接続領域４１のうち搭載部４４（接合部４５）と封止部４６との間に位置する部分を折り曲げる。そして、封止部４６における第１突出部４７の側面を搭載部４４上に積層しつつ、第１突出部４７と搭載部４４とを接着剤５２を介して接合する。
【００４２】
その後、第２突出部４８の外側の側面に接するように、外部接続領域４３のうち封止部４６から露出している部分を折り曲げることにより、上記図１に示す圧力センサが製造される。
【００４３】
なお、外部接続領域４３を折り曲げる工程は、タイバー４９ａおよび外枠４９ｂを切り離した後であればいつ行ってもよい。また、タイバー４９ａおよび外枠４９ｂを切り離す工程は、構成部材３０をステム１０に配置した後に行ってもよい。
【００４４】
以上説明したように、センサチップ２０は、リードフレーム４０の一部にて構成される内部接続領域４１および外部接続領域４３を介して外部回路との電気的な接続が図れるようになっている。このため、センサチップ２０と外部回路とを電気的に接続するための構成部材を削減することができ、ひいてはコストの低減を図ることができる。
【００４５】
また、本実施形態では、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３を有するリードフレーム４０を用意し、リードフレーム４０の状態で、回路基板６１およびセラミック基板６２と内部接続領域４１および外部接続領域４３との電気的な接続を行っている。このため、構成部材３０をステム１０に配置した後には、センサチップ２０と内部接続領域４１とをボンディングワイヤ７５を介して電気的に接続する工程と、折り曲げる工程とのみを行えばよい。つまり、構成部材３０をステム１０に配置した後に複雑な組み付け工程を行う必要がなく、製造工程を簡素化することができる。
【００４６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。上記第１実施形態では、図２（ｃ）の工程において、モールド樹脂を金型内に注入して搭載部４４、接合部４５、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８を形成する例について説明した。しかしながら、モールド樹脂を金型内に注入して各部材４４〜４８をそのまま形造る場合には、金型の形状が複雑になり易く、ひいては製造工程が複雑になり易い。
【００４７】
すなわち、各部材４４〜４８は、金型内に形成されるキャビティ（空間）にモールド樹脂が注入されて形成されるが、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とは、互いに離間していると共に、それぞれの大きさ（必要となる樹脂量）が異なる。このため、金型として、モールド樹脂の貯溜源となるポッドの形状、キャビティへの注入口となるゲートの形状、ポッドとゲートとを繋ぐランナーの形状等を適宜調整しなければならず、金型の形状が複雑になり易く、ひいては製造工程が複雑になり易い。
【００４８】
したがって、本実施形態では、第１実施形態に対して、金型の形状が複雑になることを抑制できるようにしたものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４９】
本実施形態では、図６（ａ）および図７（ａ）に示されるように、図２（ｃ）の工程を行う際、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とが一体化されるようにモールド樹脂を形成する。
【００５０】
そして、図６（ｂ）および図７（ｂ）に示されるように、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とを連結する部分のモールド樹脂にレーザを照射し、当該部分のモールド樹脂を除去する。これにより、内部接続領域４１のうちの搭載部４４（接合部４５）と封止部４６との間に位置する部分を露出させると共に、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とを区画形成する。
【００５１】
なお、図７（ａ）は図６（ａ）中のVIIa−VIIaに相当する断面図であり、図７（ｂ）は図６（ｂ）中のVIIb−VIIbに相当する断面図である。
【００５２】
これによれば、金型を用いて各部材４４〜４８を形成する際、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とが一体化されるようにモールド樹脂を形成している。言い換えると、リードフレーム４０に対して１つのモールド成形品を形成している。このため、金型の形状が複雑になることを抑制でき、ひいては製造工程の簡略化を図ることができる。
【００５３】
なお、上記では、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とを区画形成するために、この部分を連結するモールド樹脂にレーザを照射して除去する方法について説明した。しかしながら、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とを連結する部分のモールド樹脂を除去する方法はこれに限定されるものではない。例えば、本実施形態では、モールド樹脂がエポキシ系樹脂で構成されているため、マスクを適宜形成した後に発煙硝酸等を用いたエッチングによって当該モールド樹脂を除去するようにしてもよい。
【００５４】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してステム１０に内部接続領域４１を直接配置するようにしたものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５５】
図８（ａ）に示されるように、本実施形態では、ステム１０のダイヤフラム１１上にセンサチップ２０を搭載した後、ステム１０にリードフレーム４０を直接配置する。具体的には、ステム１０のうちセンサチップ２０が配置されている部分の周囲に内部接続領域４１の他面４１ｂを接着剤等を介して接合することにより、ステム１０にリードフレーム４０を直接配置する。
【００５６】
なお、図８は、リードフレーム４０に沿った断面を示しており、図３とは別断面の図であってステム１０にはセンサチップ２０が配置されている。また、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、図８（ａ）とは別断面において、タイバー４９ａを介して外枠４９ｂにて一体化されている。
【００５７】
その後、上記図５と同様に、センサチップ２０と内部接続領域４１の一面４１ａとをボンディングワイヤ７５を介して電気的に接続する。
【００５８】
次に、図８（ｂ）に示されるように、ステム１０にリードフレーム４０が接合されたものを図示しない金型に配置してモールド樹脂を金型内に注入し、搭載部４４、接合部４５、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８を形成する。このとき、センサチップ２０、内部接続領域４１のうちボンディングワイヤ７５と接続されている部分、ボンディングワイヤ７５が覆われるように、搭載部４４を形成する。
【００５９】
その後は、図８（ｃ）に示されるように、上記図３（ｃ）の工程と同様に、搭載部４４と第１突出部４７とを接合することにより、圧力センサが製造される。
【００６０】
このように、ステム１０にリードフレーム４０を配置した後、搭載部４４、接合部４５、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８を形成するようにしても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態では、センサチップ２０と内部接続領域４１の一面４１ａとをボンディングワイヤ７５を介して電気的に接続した後に搭載部４４、接合部４５、封止部４６、第１、第２突出部４７、４８を形成している。このため、センサチップ２０、内部接続領域４１のうちボンディングワイヤ７５と接続されている部分、ボンディングワイヤ７５も封止することができ、耐環境性を向上させることもできる。
【００６１】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して搭載部４４に凹部を形成すると共に第１突出部４７に凸部を形成したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６２】
図９（ａ）に示されるように、本実施形態では、図２（ｃ）の工程を行う際、凹部４４ａを有する搭載部４４を形成すると共に、側面に凸部４７ａを有する第１突出部４７を形成する。そして、図９（ｂ）に示されるように、図３（ｃ）の工程を行う際、凸部４７ａを凹部４４ａに嵌合させつつ、搭載部４４と第１突出部４７とを接着剤５２を介して接合する。
【００６３】
これによれば、搭載部４４と第１突出部４７とを接合する際の位置ずれを抑制しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、凹部４４ａおよび凸部４７ａが本発明の一対の嵌合手段に相当している。また、上記において、凸部４７ａにさらに爪部を形成すると共に凹部４４ａにさらに窪み部を形成し、爪部を窪み部に係合させるいわゆるスナップフィット接合としてもよい。この場合、スナップフィット接合によって搭載部４４と第１突出部４７とが固定されるため、接着剤５２はなくてもよい。
【００６５】
さらに、図９（ａ）の工程において、凸部を有する搭載部４４を形成すると共に凹部を有する第１突出部４７を形成するようにしてもよく、凹部および凸部は搭載部４４および第１突出部４７のどちらに形成されていてもよい。
【００６６】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して内部接続領域４１の剛性を部分的に低くしたものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６７】
図１０に示されるように、本実施形態では、内部接続領域４１のうち搭載部４４（接合部４５）と封止部４６との間に位置する部分であって折り曲げられる部分、および外部接続領域４３のうち封止部４６から突出（露出）する部分であって折り曲げられる部分の剛性が他の部分より低くされているものを用意する。なお、本実施形態では、幅が狭くされることによって剛性が低くされている。
【００６８】
これによれば、図３（ｃ）の工程において、内部接続領域４１および外部接続領域４３を折り曲げることを容易にしつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６９】
なお、本実施形態では、幅が狭くされることによって剛性が低くされているものを説明したが、厚さが薄くされることによって剛性が低くされていてもよい。
【００７０】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して封止部４６の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７１】
本実施形態では、図１１（ａ）に示されるように、図２（ｃ）の工程を行う際、第１突出部４７のみを有するＬ字状の封止部４６を形成する。つまり、第２突出部４８を有さない封止部４６を形成する。そして、外部接続領域４３の一面に、第２突出部４８に相当する接合部４８ａを形成する。
【００７２】
そして、図１１（ｂ）に示されるように、接合部４８ａのうち外側の側面を封止部４６の表面に図示しない接着剤を介して接合する。
【００７３】
このように、外部接続領域４３に接合部４８ａを形成し、封止部４６と接合部４８ａとを接合するようにしても、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７４】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してセンサチップ２０と回路基板６１とを熱的に接続するゲルを備えるものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００７５】
まず、本実施形態のセンサチップ２０および回路基板６１の構成について図１２を参照しつつ説明する。
【００７６】
センサチップ２０は、上記および図１２に示されるように、ブリッジ回路を構成するゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄを有している。本実施形態では、各ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄは、温度に応じても抵抗値が変化する感温抵抗とされている。そして、センサ信号と共に、温度に応じた温度検出信号も出力する。
【００７７】
回路基板６１は、本実施形態では、ゲージ駆動抵抗６１ａ、第１、第２増幅器６１ｂ、６１ｃ、第１、第２抵抗６１ｄ、６１ｅ、第１、第２フィルタ回路６１ｆ、６１ｇ、第１、第２ＡＤ変換回路６１ｈ、６１ｉ、補正回路６１ｊを備えている。なお、このような回路基板６１は、駆動されると自己発熱によって温度が上昇する。
【００７８】
ゲージ駆動抵抗６１ａは、センサチップ２０が定電圧駆動されるように、電源６１ｋとゲージ抵抗２０ａ、２０ｄの中点とに接続されている。なお、このゲージ駆動抵抗６１ａは、ポリシリコン等によって構成され、回路基板６１が自己発熱すると、温度に応じて抵抗値が変化する。
【００７９】
ここで、図１３に示されるように、本実施形態では、センサチップ２０と回路基板６１とが熱的に接続されるように、センサチップ２０および回路基板６１が熱伝導性の高いシリコーン系等のゲル８０にて被覆されている。
【００８０】
すなわち、本実施形態では、センサチップ２０と回路基板６１とがほぼ同じ温度とされている。つまり、各ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄおよびゲージ駆動抵抗６１ａに対してほぼ同じ温度変化が発生するようになっており、各ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄおよびゲージ駆動抵抗６１ａは、ほぼ同じ温度に対する抵抗値変化が発生するようになっている。なお、本実施形態では、ゲル８０が本発明の熱伝導部材に相当している。
【００８１】
そして、図１２に示されるように、第１増幅器６１ｂは、電源６１ｋに接続された第１、第２抵抗６１ｄ、６１ｅの中点に接続されている。また、第２抵抗６１ｅのうちの第１抵抗６１ｄと反対側の部分とグランドとの間には、ゲージ抵抗２０ｂ、２０ｃの中点が接続されている。これにより、第１増幅器６１ｂは、センサチップ２０（ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄ）の温度に応じた温度検出信号が入力される。そして、第１増幅器６１ｂは、当該温度検出信号を所定倍に増幅して出力する。
【００８２】
なお、第１、第２抵抗６１ｄ、６１ｅもゲージ駆動抵抗６１ａと同様にポリシリコン等で構成され、回路基板６１の自己発熱によって抵抗値が変化する。しかしながら、第１増幅器６１ｂには、第１、第２抵抗６１ｄ、６１ｅの中点が接続されているため、第１、第２抵抗６１ｄ、６１ｅの抵抗値の変化は、ほぼキャンセルされる。
【００８３】
第２増幅器６１ｃは、ゲージ抵抗２０ａ、２０ｂの中点と、ゲージ抵抗２０ｃ、２０ｄの中点とに接続されている。これにより、第２増幅器６１ｃは、センサチップ２０（ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄ）の圧力に応じたセンサ信号が入力され、センサ信号を所定倍に差動増幅して出力する。
【００８４】
第１フィルタ回路６１ｆは、第１増幅器６１ｂと接続され、第２フィルタ回路６１ｇは、第２増幅器６１ｃと接続されている。これら第１、第２フィルタ回路６１ｆ、６１ｇは、ローパスフィルタ等を備えており、所定周波数以上の成分（ノイズ）をカットする。
【００８５】
第１ＡＤ変換回路６１ｈは、第１フィルタ回路６１ｆと接続され、第２ＡＤ変換回路６１ｉは、第２フィルタ回路６１ｇと接続されている。これら第１、第２ＡＤ変換回路６１ｈ、６１ｉは、第１、第２フィルタ回路６１ｆ、６１ｇから出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【００８６】
補正回路６１ｊは、第１、第２ＡＤ変換回路６１ｈ、６１ｉから入力されたデジタル信号（センサ信号および温度検出信号）を用い、センサ信号の温特補正を行う。これにより、センサ信号から温度に対するオフセットを除去することができ、検出精度が低下することを抑制できる。
【００８７】
以上説明したように、本実施形態では、センサチップ２０を定電圧駆動している。このため、回路基板６１自体を駆動する電圧をそのまま利用できる。つまり、センサチップ２０を定電流駆動する場合と比較して、電流を安定化させる回路を不要とできる。
【００８８】
また、センサチップ２０を定電圧駆動させるためのゲージ駆動抵抗６１ａは、回路基板６１の自己発熱によって抵抗値が変化するが、センサチップ２０と回路基板６１とをゲル８０を介して熱的に接続している。このため、各ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄおよびゲージ駆動抵抗６１ａにほぼ同じ温度に対する抵抗値変化が発生する。そして、補正回路６１ｊにて、温度検出信号に基づいてセンサ信号の温特補正を行っている。このため、回路基板６１の自己発熱による出力変動を抑制でき、検出精度が低下することを抑制できる。
【００８９】
さらに、ゲージ抵抗２０ａ〜２０ｄを感温抵抗とし、センサチップ２０から出力される温度検出信号を温特補正に用いている。このため、回路基板６１にゲージ駆動抵抗６１ａと別に感温抵抗を備える場合と比較して、回路基板６１が大型化することを抑制できる。
【００９０】
なお、上記において、第１、第２フィルタ回路６１ｆ、６１ｇは、片方または両方とも備えられていなくてもよい。その場合には、第１、第２増幅器６１ｂ、６１ｃは、それぞれ第１、第２ＡＤ変換回路６１ｈ、６１ｉにそのまま接続される。また、上記では、アナログ信号（センサ信号および温度検出信号）をデジタル信号に変換した後に温特補正を行う例について説明したが、アナログ信号をそのまま利用してもよい。
【００９１】
そして、図１３では、コンデンサ等が搭載されたセラミック基板６２もゲル８０で封止するものを図示しているが、セラミック基板６２はゲル８０で封止されていなくてもよい。すなわち、本実施形態では、回路基板６１が本発明の回路素子に相当している。
【００９２】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態について説明する。本実施形態は、第７実施形態に対して内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３およびボンディングワイヤ７１、７５の材質を変更したものであり、その他に関しては第７実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００９３】
本実施形態は、基本的な構成は第７実施形態と同様であるが、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３が銀、銅、金等の熱伝導性の高い材質で構成されている。すなわち、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３は、銀、銅、金等の熱伝導性の高い材質のリードフレーム４０を用いて構成されている。また、ボンディングワイヤ７１、７５が銀、銅、金等の熱伝導性の高い材質で構成されている。
【００９４】
つまり、本実施形態では、内部接続領域４１およびボンディングワイヤ７１、７５を介してもセンサチップ２０と回路基板６１とが熱的に接続されている。
【００９５】
これによれば、センサチップ２０と回路基板６１との温度差をさらに小さくでき、温特補正の精度を向上しつつ、上記第７実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００９６】
なお、上記のように、内部接続領域４１およびボンディングワイヤ７１、７５を介してセンサチップ２０と回路基板６１とを熱的に接続する場合には、ゲル８０が配置されていなくてもよい。
【００９７】
（第９実施形態）
本発明の第９実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して内部接続領域４１の一部をステム１０に接合したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００９８】
本実施形態では、内部接続領域４１は５本の板状部材から構成されており、図１４に示されるように、内部接続領域４１を構成する板状部材のうち１つの板状部材の他端部がステム１０と電気的に接続されている。具体的には、内部接続領域４１を構成する板状部材のうちの１つは、センサチップ２０と接続されておらず、ボディグランドと接続されている。なお、他の４本の板状部材は、上記第１実施形態と同様に、センサチップ２０と接続されている。
【００９９】
これによれば、外来ノイズをステム１０から放出することができ、ノイズ耐性（ＥＭＣ特性）を向上させつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１００】
（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してメタルカバーを備えるものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１０１】
本実施形態では、図１５に示されるように、両端が開口部とされた中空部を有する筒状のメタルカバー９０がステム１０に備えられている。具体的には、メタルカバー９０は、ＳＵＳ４３０のようなステンレス鋼等で構成され、中空部内にセンサチップ２０および構成部材３０が収容されるように、一端部がステム１０の段付部１３と溶接接合されることでステム１０に備えられている。
【０１０２】
これによれば、センサチップ２０および構成部材３０を保護しつつ、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、メタルカバー９０を挟持することによって圧力センサを搬送することができるため、搬送の簡略化を図ることもできる。
【０１０３】
なお、ここでは、メタルカバー９０をステム１０に溶接接合する例を説明したが、メタルカバー９０とステム１０との接合はこれに限定されるものではない。例えば、メタルカバー９０およびステム１０に一対の凹部および凸部を形成し、これらを嵌合することによってメタルカバー９０をステム１０に固定するようにしてもよい。また、メタルカバー９０とステム１０との間に導電性接着剤を配置し、導電性接着剤を介してメタルカバー９０とステム１０とを接合するようにしてもよい。
【０１０４】
（第１１実施形態）
本発明の第１１実施形態について説明する。本実施形態は、第１０実施形態に対して外部接続領域の一部をメタルカバー９０に接続したものであり、その他に関しては第１０実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１０５】
本実施形態では、図１６および図１７に示されるように、外部接続領域４３は、外部回路との電気的な接続が図られる２本の板状部材４３ａと、これら板状部材４３ａの間に配置された板状部材４３ｂとを有している。そして、板状部材４３ｂは、板状部材４３ａと同様に、一端部がボンディングワイヤ７３を介してセラミック基板６２と接続されていると共に封止部４６に封止されている。また、板状部材４３ｂは、他端部がメタルカバー９０と溶接接合されている。つまり、板状部材４３ｂは、メタルカバー９０を介してステム１０と電気的に接続されることでボディグランドと接続されている。
【０１０６】
これによれば、上記第９実施形態と同様に、ノイズ耐性（ＥＭＣ特性）を向上させつつ、上記第１０実施形態と同様の効果を得ることができる。また、外部接続領域４３における板状部材４３ｂの他端部がメタルカバー９０に接合されている。つまり、構成部材３０のうちのステム１０と反対側の端部側がメタルカバー９０に固定されている。このため、構成部材３０のうちのステム１０と反対側の端部がぐらつくことを抑制でき、外部回路と外部接続領域４３（板状部材４３ａ）とを接続する際の位置合わせを容易に行うことができる。
【０１０７】
なお、本実施形態では、搭載部４４上の封止部４６および第１、第２突出部４７、４８は、外部接続領域４３における板状部材４３ｂがメタルカバー９０と溶接接合されることによって機械的に固定されている。このため、第１突出部４７の外側の側面と搭載部４４との間に接着剤５２を配置しない構成としてもよい。これによれば、第１突出部４７の外側の側面と搭載部４４との間に配置する接着剤５２を削減できる。
【０１０８】
また、本実施形態では、板状部材４３ａの間に板状部材４３ｂが配置された例を説明したが、板状部材４３ａ、４３ｂの配置は適宜変更可能である。
【０１０９】
（第１２実施形態）
本発明の第１２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して構成部材３０の形状を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【０１１０】
図１８に示されるように、本実施形態では、構成部材３０は、ダイヤフラム１１の平面方向に沿って配置されている。つまり、内部接続領域４１の他端部が折り曲げられていない。
【０１１１】
このように、本発明はダイヤフラム１１の平面方向に沿って構成部材３０が配置された圧力センサに適用することもできる。なお、このような圧力センサは、ダイヤフラム１１の法線方向に長さの制約があるような場合に用いられると好適である。また、本実施形態の圧力センサは、図３（ｃ）の工程において、内部接続領域４１を折り曲げないことにより、製造される。
【０１１２】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【０１１３】
例えば、上記各実施形態では、内部接続領域４１、搭載領域４２、外部接続領域４３を有する導電性部材としてリードフレーム４０を説明したが、例えば、導電性部材として導電性フィルムやフレキシブル基板等を用いてもよい。
【０１１４】
また、上記第１〜第６、第８〜第１２実施形態において、搭載領域４２、回路基板６１およびセラミック基板６２が備えられていなくてもよい。
【０１１５】
さらに、上記第第１〜第５、第７〜第１２実施形態において、外部接続領域４３の他端部側が第２突出部４８の側面に接するように折り曲げられていなくてもよい。例えば、外部接続領域４３のうち封止部４６から露出する部分をバネ状にし、外部回路とバネ接触することによって電気的に接続されるようにしてもよい。
【０１１６】
そして、上記第２実施形態において、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とが一体化されるようにモールド樹脂を形成する際、内部接続領域４１のうちの折り曲げる部分の一部が予め露出するようにしてもよい。例えば、図１９に示されるように、内部接続領域４１における折り曲げる部分のうちの他面４１ｂが露出するようにモールド樹脂を形成してもよい。これによれば、図６（ｂ）および図７（ｂ）の工程を行う際、レーザを内部接続領域４１の一面４１ａ側から照射するのみで、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とを連結する部分のモールド樹脂を除去することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１１７】
さらに、上記各実施形態を組み合わせることでもきる。例えば、第２実施形態を第３〜第１２実施形態に組み合わせ、搭載部４４および接合部４５と、封止部４６および第１、第２突出部４７、４８とが一体化されるようにモールド樹脂を形成するようにしてもよい。なお、第２実施形態を第１２実施形態に組み合わせる場合には、内部接続領域４１の他端部が折り曲げられないため、図６（ｂ）および図７（ｂ）の工程を行わなくてもよい。そして、第３実施形態を第４〜第１２実施形態に組み合わせ、ステム１０にリードフレーム４０を直接接合するようにしてもよい。また、第４実施形態を第５〜第１１実施形態に組み合わせ、凹部４４ａを有する搭載部４４にすると共に凸部４７ａを有する第１突出部４７としてもよい。さらに、第５実施形態を第６〜第１１実施形態に組み合わせ、折り曲げる部分の剛性を低くしてもよい。そして、第６実施形態を第７〜１１実施形態に組み合わせ、外部接続領域４３に接合部４８ａを形成してもよい。また、第７、第８実施形態を第９〜第１２実施形態に組み合わせ、センサチップ２０と回路基板６１とを熱的に接続するようにしてもよい。さらに、第９実施形態を第１０〜第１２実施形態に組み合わせ、内部接続領域４１の一部をステム１０に接合してもよい。なお、第９実施形態を第１１実施形態に組み合わせる場合には、内部接続領域４１の一部および外部接続領域４３の一部がボディグランドと接続される構成となる。さらに、上記各実施形態を組み合わせたもの同士をさらに組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【０１１８】
１０    ステム
１１    ダイヤフラム
１２    開口部
２０    センサチップ
３０    構成部材
４０    リードフレーム（導電性部材）
４１    内部接続領域
４２    搭載領域
４３    外部接続領域
４６    封止部（第１モールド樹脂）
４９ｂ  外枠 
【図１】
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【図２】
0005971267.tif 000003
【図３】
0005971267.tif 000004
【図４】
0005971267.tif 000005
【図５】
0005971267.tif 000006
【図６】
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【図７】
0005971267.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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