(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、
導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記絶縁層上で前記配線パターンの一部に形成され、前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、
前記支持基板の前記重複領域を部分的または全体的に取り囲むように前記支持基板に開口部が形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部より外側に位置する外周部と前記重複領域の外周部より内側に位置する内周部とを有し、前記開口部の外周部と前記重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上である、配線回路基板。
【請求項２】
前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上である、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、
導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記絶縁層上で前記配線パターンの一部に形成され、前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、
前記支持基板の前記重複領域を部分的または全体的に取り囲むように前記支持基板に開口部が形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、前記開口部の外周部と前記重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、
前記開口部は、前記重複領域の全体の領域までに広がるように形成された、配線回路基板。
【請求項４】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、
導電性材料により形成される支持基板と、
前記支持基板上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成される配線パターンと、
前記絶縁層上で前記配線パターンの一部に形成され、前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、
前記支持基板の前記重複領域を全体的に取り囲むように前記支持基板に開口部が形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部と一致しまたは前記重複領域の外周部より外側に位置する内周部を有し、前記重複領域の外周部と前記開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下である、配線回路基板。
【請求項５】
前記重複領域の外周部と前記開口部の内周部と間の距離は２０μｍ以下である、請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上である、請求項４または５記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は３０μｍ以上である、請求項６記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上である、請求項７記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記開口部は、前記重複領域の外周部の長さの５０％以上の長さの部分を取り囲むように形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【請求項１０】
前記開口部は、前記重複領域の外周部の長さの７５％以上の長さの部分を取り囲むように形成される、請求項９記載の配線回路基板。
【請求項１１】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、
導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、
前記絶縁層上に前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、
前記支持基板に開口部を形成するステップとを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、前記開口部は、前記重複領域を部分的または全体的に取り囲むように前記支持基板に形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部より外側に位置する外周部と前記重複領域の外周部より内側に位置する内周部とを有し、前記開口部の外周部と前記重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、前記開口部の内周部と前記開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上である、配線回路基板の製造方法。
【請求項１２】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、
導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、
前記絶縁層上に前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、
前記支持基板に開口部を形成するステップとを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、前記開口部は、前記重複領域を部分的または全体的に取り囲むように前記支持基板に形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、前記開口部の外周部と前記重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、
前記開口部は、前記重複領域の全体の領域までに広がるように形成された、配線回路基板の製造方法。
【請求項１３】
外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、
導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、
前記絶縁層上に前記外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、
前記支持基板に開口部を形成するステップとを備え、
前記支持基板は、前記接続端子に重なりかつ前記接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、前記開口部は、前記重複領域を全体的に取り囲むように前記支持基板に形成され、前記開口部内で前記絶縁層の一部が露出し、
前記開口部は、前記重複領域の外周部と一致しまたは前記重複領域の外周部より外側に位置する内周部を有し、前記重複領域の外周部と前記開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下である、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
特許文献１には、サスペンション上に裏打ち板を介して中継ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路基板）が設けられたＨＳＡ（ヘッドサスペンションアッセンブリ）が記載されている。中継ＦＰＣは、導体ラインを構成する銅箔と、銅箔の上面および下面を覆う絶縁膜とを含む。ヘッドＩＣ（集積回路）が、半田バンプを介して中継ＦＰＣの銅箔上に実装される。
【０００４】
ヘッドＩＣが実装された部分においては、銅箔の上面および下面の絶縁膜が除去される。また、ヘッドＩＣと対向する部分の裏打ち板およびサスペンションには開口が形成される。これにより、ヘッドＩＣが実装された部分においては、開口を介して銅箔が外部に露出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２６６５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、配線回路基板の小型に伴って、接続端子が小型化されている。このような配線回路基板においては、溶融した半田が接続端子に吹き付けられることにより、電子部品が接続端子に接合される。しかしながら、特許文献１のＨＳＡのように、銅箔とヘッドＩＣとの接続部分（接続端子）の放熱性が高い場合、半田が接続端子上で拡がる前に凝固する。この場合、接続端子とヘッドＩＣとの接合の強度が低下する。その結果、接続端子の接続の信頼性が低下する。
【０００７】
本発明の目的は、接続の信頼性を向上させることが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成される配線パターンと、絶縁層上で配線パターンの一部に形成され、外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部と重複領域の外周部より内側に位置する内周部とを有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上であるものである。
【０００９】
この配線回路基板においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
【００１０】
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上である。
【００１２】
この場合、重複領域の外周部から５μｍ以上の位置に開口部の外周部が位置するように開口部が形成される。これにより、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【００１４】
さらに、開口部は、重複領域の外周部より内側に位置する内周部を有し、開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上である。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも外周部の領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【００１５】
（２）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも外周部の領域に伝達されることがより防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量がより低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
【００１６】
（３）第２の発明に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成される配線パターンと、絶縁層上で配線パターンの一部に形成され、外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、開口部は、重複領域の全体の領域までに広がるように形成されたものである。
この配線回路基板においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
また、開口部は重複領域の全体の領域までに広がるように形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に熱が拡がることが防止される。その結果、接続端子をさらに十分に保温することができる。
【００１７】
（４）第３の発明に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成される配線パターンと、絶縁層上で配線パターンの一部に形成され、外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、支持基板の重複領域を全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部と一致しまたは重複領域の外周部より外側に位置する内周部を有し、重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下であるものである。
この配線回路基板においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
また、重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下であるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【００１８】
（５）重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は２０μｍ以下であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
【００１９】
（６）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達が十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【００２０】
（７）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は３０μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達がより十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
【００２１】
（８）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達がさらに十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量がさらに十分に低減される。その結果、接続端子をさらに十分に保温することができる。
【００２２】
（９）開口部は、重複領域の外周部の長さの５０％以上の長さの部分を取り囲むように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【００２３】
（１０）開口部は、重複領域の外周部の長さの７５％以上の長さの部分を取り囲むように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
【００２４】
（１１）第４の発明に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、支持基板に開口部を形成するステップとを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、開口部は、重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部と重複領域の外周部より内側に位置する内周部とを有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上であるものである。
【００２５】
この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンが形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
【００２６】
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
また、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上である。この場合、重複領域の外周部から５μｍ以上の位置に開口部の外周部が位置するように開口部が形成される。これにより、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
さらに、開口部は、重複領域の外周部より内側に位置する内周部を有し、開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上である。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも外周部の領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（１２）第５の発明に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、支持基板に開口部を形成するステップとを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、開口部は、重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であり、開口部は、重複領域の全体の領域までに広がるように形成されたものである。
この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
また、開口部は重複領域の全体の領域までに広がるように形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に熱が拡がることが防止される。その結果、接続端子をさらに十分に保温することができる。
（１３）第６の発明に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、支持基板に開口部を形成するステップとを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、開口部は、重複領域を全体的に取り囲むように支持基板に形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出し、開口部は、重複領域の外周部と一致しまたは重複領域の外周部より外側に位置する内周部を有し、重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下であるものである。
この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
また、重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下であるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、配線回路基板の接続の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のサスペンション基板のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】サスペンション基板のタング部およびその周辺を示す下面図である。
【図５】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式図である。
【図６】図１のサスペンション基板の製造工程を示す模式図である。
【図７】第１の実施の形態に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図８】第２の実施の形態に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図９】第３の実施の形態に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図１０】第４の実施の形態に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図１１】実施例および比較例に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図１２】実施例および比較例に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図１３】実施例および比較例に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【図１４】実施例および比較例に係るサスペンション基板の接続端子およびその周辺を示す拡大下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［１］第１の実施の形態
以下、第１の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。第１の実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付サスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）について説明する。
【００３０】
（１）サスペンション基板の構造
図１は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状の支持基板により形成されるサスペンション本体部１００を備える。サスペンション本体部１００上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１と書込用配線パターンＷ２とは、信号線路対を構成する。また、読取用配線パターンＲ１と読取用配線パターンＲ２とは、信号線路対を構成する。
【００３１】
サスペンション本体部１００の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１００に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。サスペンション本体部１００の一端部におけるタング部１２には４個の接続端子２１，２２，２３，２４が形成されている。タング部１２の接続端子２１〜２４に磁気ヘッドを含むヘッドスライダが半田により接続される。
【００３２】
サスペンション本体部１００の他端部には４個の接続端子３１，３２，３３，３４が形成されている。接続端子３１〜３４には、プリアンプ等の電子部品が半田により接続される。タング部１２の接続端子２１〜２４とサスペンション本体部１００の他端部の接続端子３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１００には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３３】
サスペンション基板１はハードディスク装置に設けられる。磁気ディスクへの情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクからの情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３４】
次に、サスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図である。図４は、サスペンション基板１のタング部１２およびその周辺を示す下面図である。
【００３５】
図２に示すように、例えばステンレス鋼からなる金属製の支持基板１０上に例えばポリイミドからなる絶縁層４１が形成されている。絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が間隔をおいて平行に形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は絶縁層４１の一方の側辺に沿って延び、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は絶縁層４１の他方の側辺に沿って延びる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる被覆層４３が形成されている。
【００３６】
絶縁層４１の一方および他方の側辺に沿って延びる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、図１のサスペンション本体部１００の一端部で内方へ屈曲し、さらにタング部１２に向かうように屈曲し、図３に示すようにタング部１２まで延びる。タング部１２上の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は、タング部１２の接続端子２１〜２４にそれぞれ接続される。
【００３７】
図３および図４に示すように、複数の接続端子２１〜２４に重なる支持基板１０の領域（以下、重複領域と呼ぶ）ＯＶおよびその周囲の支持基板１０の領域が除去されている。これにより、複数の接続端子２１〜２４に対応する重複領域ＯＶおよびその周囲の支持基板１０の領域には、それぞれ複数の開口部１０ｈが形成される。開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。
【００３８】
各重複領域ＯＶは、接続端子２１〜２４の各々と同じ平面形状および面積を有する。本実施の形態では、接続端子２１〜２４が矩形形状を有し、各重複領域ＯＶも矩形形状を有する。開口部１０ｈの外周部は重複領域ＯＶの外周部よりも外側に位置する。
【００３９】
（２）サスペンション基板の製造方法
図１のサスペンション基板１の製造方法について説明する。図５および図６は、図１のサスペンション基板１の製造工程を示す模式図である。図５（ａ）〜（ｃ）においては、左に図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示し、右に図１のサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の上面図を示す。図６（ａ）〜（ｄ）においては、左に図１のサスペンション基板１のＢ−Ｂ線断面図を示し、右に図１のサスペンション基板１のタング部１２およびその周辺の下面図を示す。図５の上面図および図６の下面図には、構成の理解を容易にするために、断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０上に、ポリイミドからなる絶縁層４１を形成する。支持基板１０の厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下である。絶縁層４１の厚さは、例えば５μｍ以上１５μｍ以下である。ここで、絶縁層４１は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁層４１上に、所定のパターンを有する書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２ならびに接続端子２１〜２４を形成する。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚さは、例えば２μｍ以上１８μｍ以下である。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅は、例えば８μｍ以上５０μｍ以下である。さらに、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２間の間隔および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の間隔は、例えばそれぞれ８μｍ以上１００μｍ以下である。接続端子２１〜２４の厚さは、例えば２．５μｍ以上２０μｍ以下である。接続端子２１〜２４の幅は、例えば１０μｍ以上２００μｍ以下である。
【００４２】
続いて、図５（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように絶縁層４１上にポリイミドからなる被覆層４３を形成する。接続端子２１〜２４は、被覆層４３から露出する。被覆層４３の厚さは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００４３】
次に、図６（ａ）に示すように、支持基板１０の下面に例えば感光性ドライフィルムレジスト等によりレジスト膜１８を形成する。続いて、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜１８を所定のパターンで露光した後、炭酸ナトリウム等の現像液を用いて現像することによりエッチングレジスト１８ａを形成する。ここで、エッチングレジスト１８ａには、図４の重複領域ＯＶおよびその周囲の支持基板１０の領域が露出するように複数の開口部１８ｈが形成される。エッチングレジスト１８ａの他の部分は、図１のサスペンション基板１の形状と同一の形状に形成される。
【００４４】
その後、図６（ｃ）に示すように、エッチング液として塩化第二鉄溶液および塩化第二銅溶液を用いて支持基板１０をエッチングする。これにより、複数の開口部１８ｈと重なるように支持基板１０に複数の開口部１０ｈが形成される。絶縁層４１の一部は、複数の開口部１０ｈ，１８ｈ内で露出する。最後に、エッチングレジスト１８ａを除去することにより、図６（ｄ）に示すように、サスペンション基板１が完成する。
【００４５】
（３）効果
図７は、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺を示す拡大下面図である。図７のサスペンション基板１には、構成の理解を容易にするために、図５および図６の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。
【００４６】
図７に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１は除去されずに残存するので、絶縁層４１により接続端子２１〜２４の温度が保たれる。また、支持基板１０の重複領域ＯＶを全体的に取り囲みかつ重複領域ＯＶの全体の領域までに広がるように開口部１０ｈが形成されるので、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分の熱が支持基板１０の重複領域ＯＶに伝達されることが防止される。
【００４７】
それにより、支持基板１０の重複領域ＯＶから熱が外部に放散されることが防止されるとともに、支持基板１０の重複領域ＯＶから重複領域ＯＶの周囲に熱が拡がることが防止される。したがって、接続端子２１〜２４と磁気ヘッドを含むヘッドスライダとを電気的に接続するために溶融した半田が接続端子２１〜２４に付与された場合に、温度低下により半田が接続端子２１〜２４の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子２１〜２４の接続の信頼性を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施の形態においては、開口部１０ｈの外周部は重複領域ＯＶの外周部よりも外側に位置する。重複領域ＯＶの外周部と開口部１０ｈの外周部との間の距離（以下、外周オフセットと呼ぶ）ｄ２は５μｍ以上であることが好ましい。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の重複領域ＯＶの周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。外周オフセットｄ２は、２０μｍ以上であることがより好ましく、２５μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００４９】
外周オフセットｄ２は、６０μｍ以下であることが好ましい。これにより、支持基板１０により絶縁層４１が補強されるとともに、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の特性インピーダンスが低減される。
【００５０】
［２］第２の実施の形態
図８は、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺を示す拡大下面図である。図８のサスペンション基板１には、構成の理解を容易にするために、図５および図６の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。本実施の形態に係るサスペンション基板１について、第１の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。
【００５１】
図８に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、支持基板１０の重複領域ＯＶが除去されず、重複領域ＯＶの周囲の領域が除去されている。これにより、重複領域ＯＶを取り囲むように開口部１０ｈが形成される。開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの四辺を取り囲む一定幅のスリットにより構成される。開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。以下、スリットの幅をスリット幅ｗと呼ぶ。
【００５２】
このように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、開口部１０ｈの内周部が重複領域ＯＶの外周部と一致しかつ開口部１０ｈの外周部が重複領域ＯＶの外周部より外側に位置するように支持基板１０に開口部１０ｈが形成される。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の重複領域ＯＶの周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子２１〜２４を十分に保温することができる。
【００５３】
また、開口部１０ｈのスリット幅ｗは、２５μｍ以上であることが好ましい。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分の熱が支持基板１０の重複領域ＯＶの少なくとも外周部の領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板１０の重複領域ＯＶから外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板１０の重複領域ＯＶから重複領域ＯＶの周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。開口部１０ｈのスリット幅ｗは、３０μｍ以上であることがより好ましく、４０μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００５４】
本実施の形態に係るサスペンション基板１の製造方法は、開口部１０ｈの構成を除いて、第１の形態に係るサスペンション基板１の製造方法と同様である。
【００５５】
［３］第３の実施の形態
図９は、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺を示す拡大下面図である。図９のサスペンション基板１には、構成の理解を容易にするために、図５および図６の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。本実施の形態に係るサスペンション基板１について、第２の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。
【００５６】
図９に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、支持基板１０の重複領域ＯＶおよびその周辺から一定幅の領域が除去されず、これらの領域を取り囲む一定の幅の領域が除去されている。これにより、重複領域ＯＶおよびその周辺から一定幅の領域を取り囲むように開口部１０ｈが形成される。開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの四辺を取り囲む一定幅のスリットにより構成される。開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。
【００５７】
以下、重複領域ＯＶの外周部から開口部１０ｈの内周部までの距離を内周オフセットｄ１と呼ぶ。この場合、スリット幅ｗは、外周オフセットｄ２と内周オフセットｄ１との差分となる。
【００５８】
このように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、開口部１０ｈの内周部が重複領域ＯＶの外周部より外側に位置するように支持基板１０に開口部１０ｈが形成される。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子２１〜２４を十分に保温することができる。
【００５９】
内周オフセットｄ１は５０μｍ以下であることが好ましい。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子２１〜２４を十分に保温することができる。内周オフセットｄ１は２０μｍ以下であることがより好ましい。
【００６０】
また、外周オフセットｄ２は５μｍ以上であることが好ましい。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の重複領域ＯＶの周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。外周オフセットｄ２は、２０μｍ以上であることがより好ましく、２５μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００６１】
内周オフセットｄ１は、負の値であってもよい。すなわち、開口部１０ｈの内周部が重複領域ＯＶの外周部より内側に位置するように支持基板１０に開口部１０ｈが形成されてもよい。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分の熱が支持基板１０の重複領域ＯＶの少なくとも外周部の領域に伝達されることが防止されるとともに、支持基板１０の重複領域ＯＶからその周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子２１〜２４を十分に保温することができる。
【００６２】
なお、図８の第２の実施の形態に係るサスペンション基板１においては、重複領域ＯＶの外周部と開口部１０ｈの内周部とが一致している。したがって、内周オフセットｄ１は０μｍである。
【００６３】
［４］第４の実施の形態
図１０は、第４の実施の形態に係るサスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺を示す拡大下面図である。図１０（ａ），（ｂ）のサスペンション基板１には、構成の理解を容易にするために、図５および図６の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。本実施の形態に係るサスペンション基板１について、第３の実施の形態に係るサスペンション基板１と異なる点を説明する。
【００６４】
図１０（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、支持基板１０の重複領域ＯＶが除去されず、重複領域ＯＶを取り囲む領域のうちの一部が除去されている。これにより、重複領域ＯＶの一部を取り囲むように開口部１０ｈが形成される。開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの四辺を取り囲む一定幅のスリットにより構成される。開口部１０ｈ内で絶縁層４１の一部が露出する。
【００６５】
以下、重複領域ＯＶの外周部の全長Ｌａに対して開口部１０ｈにより取り囲まれる重複領域ＯＶの長さＬｂの割合（Ｌｂ／Ｌａ）を周囲長割合と呼ぶ。図１０では、重複領域ＯＶの外周部の全長Ｌａおよび長さＬｂを太い実線で示す。図１０（ａ）のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈの周囲長割合は約７５％である。図１０（ｂ）のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈの周囲長割合は約５０％である。開口部１０ｈの周囲長割合は５０％以上であることが好ましく、７５％以上であることがより好ましい。
【００６６】
このように、本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの外周部の全長Ｌａの５０％以上の長さの部分を取り囲むように形成される。この場合、接続端子２１〜２４と重なる絶縁層４１の部分から支持基板１０の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子２１〜２４を十分に保温することができる。開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの外周部の全長Ｌａの７５％以上の長さの部分を取り囲むように形成されることがより好ましい。
【００６７】
なお、図８の第２の実施の形態に係るサスペンション基板１においては、重複領域ＯＶの外周部の長さと開口部１０ｈの内周部の長さとが等しい。したがって、開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。同様に、図９の第３の実施の形態に係るサスペンション基板１においては、開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００６８】
［５］他の実施の形態
（１）上記実施の形態において、接続端子２１〜２４，３１〜３４は矩形状を有するが、これに限定されない。接続端子２１〜２４，３１〜３４は例えば円形状、楕円形状、三角形状または他の多角形状であってもよい。
【００６９】
（２）上記実施の形態において、接続端子３１〜３４に重なる支持基板１０の領域およびその周囲の支持基板１０の領域に開口部１０ｈが形成されてもよい。
【００７０】
［６］対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００７１】
サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、支持基板１０が支持基板の例であり、絶縁層４１が絶縁層の例であり、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２または書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が配線パターンの例である。接続端子２１〜２４が接続端子の例であり、重複領域ＯＶが重複領域の例であり、開口部１０ｈが開口部の例である。
【００７２】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【００７３】
［７］実施例
以下の実施例１〜１０および比較例１，２のサスペンション基板１について、接続端子２１〜２４を１７００℃に加熱した後、一定の温度（本例においては２８０℃）に低下するまでの時間（以下、保温時間と呼ぶ）をシミュレーションにより評価した。
【００７４】
図１１〜図１４は、実施例１〜１０および比較例１，２に係るサスペンション基板１の接続端子２１〜２４およびその周辺を示す拡大下面図である。図１１〜図１４のサスペンション基板１には、構成の理解を容易にするために、図５および図６の断面図の各部材に付されたハッチングまたはドットパターンと同一のハッチングまたはドットパターンが付されている。
【００７５】
図１１（ａ）は、実施例１に係るサスペンション基板１を示す。図１１（ａ）に示すように、実施例１のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが２５μｍであり、内周オフセットｄ１が−２０μｍであり、外周オフセットｄ２が５μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００７６】
図１１（ｂ）は、実施例２に係るサスペンション基板１を示す。図１１（ｂ）に示すように、実施例２のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが４０μｍであり、内周オフセットｄ１が−２０μｍであり、外周オフセットｄ２が２０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００７７】
図１１（ｃ）は、実施例３に係るサスペンション基板１を示す。図１１（ｃ）に示すように、実施例３のサスペンション基板１においては、外周オフセットｄ２が２５μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。開口部１０ｈは重複領域ＯＶの全体に形成される。
【００７８】
図１２（ａ）は、実施例４に係るサスペンション基板１を示す。図１２（ａ）に示すように、実施例４のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが３０μｍであり、内周オフセットｄ１が０μｍであり、外周オフセットｄ２が３０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００７９】
図１２（ｂ）は、実施例５に係るサスペンション基板１を示す。図１２（ｂ）に示すように、実施例５のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが４０μｍであり、内周オフセットｄ１が１０μｍであり、外周オフセットｄ２が５０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００８０】
図１２（ｃ）は、実施例６に係るサスペンション基板１を示す。図１２（ｃ）に示すように、実施例６のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが６０μｍであり、内周オフセットｄ１が１０μｍであり、外周オフセットｄ２が７０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００８１】
図１３（ａ）は、実施例７に係るサスペンション基板１を示す。図１３（ａ）に示すように、実施例７のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが６０μｍであり、内周オフセットｄ１が２０μｍであり、外周オフセットｄ２が８０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００８２】
図１３（ｂ）は、実施例８に係るサスペンション基板１を示す。図１３（ｂ）に示すように、実施例８のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが６０μｍであり、内周オフセットｄ１が５０μｍであり、外周オフセットｄ２が１１０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は１００％である。
【００８３】
図１３（ｃ）は、実施例９に係るサスペンション基板１を示す。図１３（ｃ）に示すように、実施例９のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが６０μｍであり、内周オフセットｄ１が０μｍであり、外周オフセットｄ２が６０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は７５％である。
【００８４】
図１４（ａ）は、実施例１０に係るサスペンション基板１を示す。図１４（ａ）に示すように、実施例１０のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈのスリット幅ｗが６０μｍであり、内周オフセットｄ１が０μｍであり、外周オフセットｄ２が６０μｍである。開口部１０ｈの周囲長割合は５０％である。
【００８５】
図１４（ｂ）は、比較例１に係るサスペンション基板１を示す。図１４（ｂ）に示すように、比較例１のサスペンション基板１においては、開口部１０ｈが支持基板１０に形成されていない。
【００８６】
図１４（ｃ）は、比較例２に係るサスペンション基板１を示す。図１４（ｃ）に示すように、比較例２のサスペンション基板１においては重複領域ＯＶが除去されることにより、重複領域ＯＶに開口部１０ｈが形成される。開口部１０ｈは、重複領域ＯＶの外側の領域には形成されていない。
【００８７】
実施例１〜１０および比較例１，２の接続端子２１〜２４についての保温時間のシミュレーション結果を表１に示す。表１においては、接続端子２１〜２４の保温時間が１．７５０ｍｓ以下であった例には、保温効果が認められなかったことを示す“×”が表示される。接続端子２１〜２４の保温時間が１．７５０ｍｓを超えた例には、保温効果が認められたことを示す“○”が表示される。接続端子２１〜２４の保温時間が１．８１２ｍｓを超えた例には、特に優れた保温効果が認められたことを示す“◎”が表示される。
【００８８】
【表１】
0006025384.tif 000002
表１に示すように、実施例１に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．７５６ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められた。実施例２に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．８５４ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。実施例３に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．９５４ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。
【００８９】
実施例４に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．８１２ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められた。実施例５に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．８４６ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。実施例６に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．９４０ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。実施例７に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．８６４ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。
【００９０】
実施例８に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．７８６ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められた。実施例９に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．８６０ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が認められた。実施例１０に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．７８０ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められた。
【００９１】
一方、比較例１に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．７２８ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められなかった。比較例２に係るサスペンション基板１においては、保温時間は１．７５０ｍｓとなり、接続端子２１〜２４の保温効果が認められなかった。
【００９２】
実施例１〜１０および比較例１，２の比較結果から、外周オフセットｄ２を５μｍ以上にすることにより、接続端子２１〜２４の保温効果が得られることが確認された。同様に、周囲長割合を５０％以上にすることにより、接続端子２１〜２４の保温効果が得られることが確認された。
【００９３】
また、実施例１，２，４〜１０および比較例１，２の比較結果から、内周オフセットｄ１を５０μｍ以下にすることにより、接続端子２１〜２４の保温効果が得られることが確認された。同様に、スリット幅ｗを２５μｍ以上にすることにより、接続端子２１〜２４の保温効果が得られることが確認された。
【００９４】
さらに、実施例１，２の比較結果から、開口部１０ｈのスリット幅ｗを４０μｍ以上にすることにより、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が得られることが確認された。実施例７，８の比較結果から、開口部１０ｈの内周オフセットｄ１を２０μｍ以下にすることにより、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が得られることが確認された。実施例９，１０の比較結果から、開口部１０ｈの周囲長割合を７５％以上にすることにより、接続端子２１〜２４の特に優れた保温効果が得られることが確認された。
［８］参考形態
（１）第１の参考形態に係る配線回路基板は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板であって、導電性材料により形成される支持基板と、支持基板上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成される配線パターンと、絶縁層上で配線パターンの一部に形成され、外部回路と電気的に接続可能な接続端子とを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出するものである。
この配線回路基板においては、支持基板上に形成された絶縁層上に配線パターンが形成される。絶縁層上で配線パターンの一部に、外部回路と電気的に接続可能な接続端子が形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
（２）開口部は、重複領域の外周部より外側に位置する外周部を有し、開口部の外周部と重複領域の外周部との間の距離は５μｍ以上であってもよい。
この場合、重複領域の外周部から５μｍ以上の位置に開口部の外周部が位置するように開口部が形成される。これにより、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（３）開口部は、重複領域の内側の領域までに広がるように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも一部に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（４）開口部は、重複領域の外周部より内側に位置する内周部を有し、開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも外周部の領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（５）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域の少なくとも外周部の領域に伝達されることがより防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量がより低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
（６）開口部は、重複領域の全体の領域までに広がるように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分の熱が支持基板の重複領域に伝達されることが防止される。それにより、支持基板の重複領域から外部に放散される熱の量が低減されるとともに、支持基板の重複領域から重複領域の周囲に熱が拡がることが防止される。その結果、接続端子をさらに十分に保温することができる。
（７）開口部は、重複領域の外周部と一致しまたは重複領域の外周部より外側に位置する内周部を有し、重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は５０μｍ以下であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（８）重複領域の外周部と開口部の内周部と間の距離は２０μｍ以下であってもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
（９）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は２５μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達が十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（１０）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は３０μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達がより十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
（１１）開口部の内周部と開口部の外周部との間の幅は４０μｍ以上であってもよい。この場合、支持基板の重複領域とその周囲の領域との熱の伝達がさらに十分に遮断される。それにより、支持基板の重複領域からその周囲に拡がる熱の量がさらに十分に低減される。その結果、接続端子をさらに十分に保温することができる。
（１２）開口部は、重複領域の外周部の長さの５０％以上の長さの部分を取り囲むように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が十分に低減される。その結果、接続端子を十分に保温することができる。
（１３）開口部は、重複領域の外周部の長さの７５％以上の長さの部分を取り囲むように形成されてもよい。この場合、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量がより十分に低減される。その結果、接続端子をより十分に保温することができる。
（１４）第２の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、外部回路と電気的に接続可能な配線回路基板の製造方法であって、導電性材料により形成される支持基板上に形成された絶縁層を用意するステップと、絶縁層上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンを形成するステップと、支持基板に開口部を形成するステップとを備え、支持基板は、接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を有し、開口部は、重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に形成され、開口部内で絶縁層の一部が露出するものである。
この配線回路基板の製造方法においては、支持基板上に外部回路と電気的に接続可能な接続端子を有する配線パターンが形成される。接続端子に重なりかつ接続端子と同じ平面形状を有する重複領域を部分的または全体的に取り囲むように支持基板に開口部が形成される。それにより、開口部内で絶縁層の一部が露出する。
この場合、接続端子と重なる絶縁層は除去されずに残存するので、絶縁層により接続端子の温度が保たれる。また、支持基板の重複領域を部分的または全体的に取り囲むように開口部が形成されるので、接続端子と重なる絶縁層の部分から支持基板の全体に拡がる熱の量が低減される。それにより、接続端子の熱が支持基板を介して放散されることが抑制される。したがって、接続端子と外部回路とを電気的に接続するために溶融した接合材料が接続端子に付与された場合に、温度低下により接合材料が接続端子の接続面の全体に拡がる前に凝固することが防止される。その結果、接続端子の接続の信頼性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明は、種々の配線回路基板に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１  サスペンション基板
１０  支持基板
１０ｈ，１１，１８ｈ  開口部
１２  タング部
１８  レジスト膜
１８ａ  エッチングレジスト
２１〜２４，３１〜３４  接続端子
４１  絶縁層
４３  被覆層
１００  サスペンション本体部
Ｈ  孔部
ＯＶ  重複領域
Ｒ  破線
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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