(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、
前記光波長変換部材の両面のうち一方の面側に設けられている透光性を有する透明電極と、
前記透明電極の両面のうち前記光波長変換部材が設けられている側と反対側の面に設けられているバッファ層と、
前記バッファ層上に結晶成長し、電圧が印加されることにより前記波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられている半導体層と、
前記透明電極の両面のうち前記光波長変換部材が設けられている側と同じ側の面に設けられた第１電極と、
前記半導体層の両面のうち前記バッファ層が設けられている側と反対側の面に設けられ、前記第１電極との間に電圧が印加されることにより前記半導体層を発光させる第２電極と、を備え、
前記バッファ層は、
ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＺｒＢ２からなる群より選択される少なくとも一つの導電性材料により前記透明電極上に形成されており、発光のための電圧を前記半導体層に印加可能に設けられており、
前記第１電極は、前記光波長変換部材を貫通するように設けられていることを特徴とする発光モジュール。
【請求項２】
ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材の両面のうち一方の面側に透光性を有する透明電極を形成させる工程と、
前記透明電極の両面のうち前記光波長変換部材が設けられている側と反対側の面にバッファ層を形成させる工程と、
前記バッファ層上に、電圧が印加されることにより前記波長範囲の少なくとも一部を含む光を発する半導体層を結晶成長させる工程と、
前記光波長変換部材を貫通するよう第１電極を設ける工程と、
前記半導体層の両面のうち前記バッファ層が設けられている側と反対側の面に、前記第１電極との間に電圧が印加されることにより前記半導体層を発光させる第２電極を形成させる工程と、を備え、
前記バッファ層を形成させる工程は、前記透明電極上にバッファ層を形成させる工程を含み、
前記バッファ層は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＺｒＢ２からなる群より選択される少なくとも一つの導電性材料によって形成され、発光のための電圧を前記半導体層に印加可能に設けられており、
前記第１電極は、前記透明電極と接していることを特徴とする発光モジュールの製造方法。
【請求項３】
ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、前記光波長変換部材の両面のうち一方の面側に設けられている透光性を有する透明電極と、前記透明電極の両面のうち前記光波長変換部材が設けられている側と反対側の面に設けられているバッファ層と、前記バッファ層上に結晶成長し、電圧が印加されることにより前記波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられている半導体層と、前記透明電極の両面のうち前記光波長変換部材が設けられている側と同じ側の面に設けられた第１電極と、前記半導体層の両面のうち前記バッファ層が設けられている側と反対側の面に設けられ、前記第１電極との間に電圧が印加されることにより前記半導体層を発光させる第２電極と、を有する発光モジュールと、
前記発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備え、
前記バッファ層は、
ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＺｒＢ２からなる群より選択される少なくとも一つの導電性材料により前記透明電極上に形成されており、発光のための電圧を前記半導体層に印加可能に設けられており、
前記第１電極は、前記光波長変換部材を貫通するように設けられていることを特徴とする灯具ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および発光モジュールを備える灯具ユニットに関し、特に、ある波長範囲の光を波長変換して出射する光波長変換部材を有する発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および発光モジュールを備える灯具ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子を用いて例えば白色光を発する発光モジュールを得るため、蛍光体材料を用いる技術が盛んに開発されている。例えば、青色光を発するＬＥＤに、青色光によって励起され黄色光を発する蛍光体材料を取り付けることにより、白色光を得ることが可能である。ここで、例えば発光層によって放出された光の経路内に配置されたセラミック層を備える構造体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−５３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、上述の特許文献では、セラミック層など予め板状にされている蛍光体材料を発光層に取り付ける方法として、接着などが提案されている。しかしながら、接着層は発光層からの光を受けて劣化する可能性がある。また、接着層にはボイドが生じる場合があり、このボイドの存在によって光の取り出し効率が低下するおそれがある。また、屈折率が比較的低い接着層を設けることによっても、光の取り出し効率が低下するおそれがある。また、接着層の光透過率は１００％より低いため、接着層を透過するときにも光の取り出し効率が低下するおそれがある。さらに、成長基板上に半導体層を結晶成長させる工程とは別に接着工程が必要となる。これに加えて、セラミック層など予め板状にされている蛍光体材料の他に、結晶成長用のサファイヤ、ＳｉＣ等の高価な基板が必要となる。
【０００５】
また、上述の特許文献において、セラミック層の上にＩＩＩ族窒化物核生成層を低温で直接堆積させ、さらにその上にＧａＮ（窒化ガリウム）によるバッファ層を高温で堆積させる技術が提案されている。上述の特許文献によれば、多数の低温中間層をＧａＮバッファ層との間に挿入することにより、格子不整合による弊害を是正することが可能としている。しかしながら、発光層を成長させる前にこのように多数の層をセラミック層に堆積させるためには多くの工程を経なければならず、発光モジュール製造時の生産性向上の点で改善の余地がある。
【０００６】
そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、光波長変換部材と半導体層とを組み合わせた発光モジュールの製造工程を簡略化させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、光波長変換部材上に結晶成長し、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられる半導体層と、を備える。
【０００８】
この態様によれば、半導体層に光波長変換部材を接着する工程やバッファ層を設ける工程を削減することができ、発光モジュール製造時の生産性を向上させることができる。なお、半導体層は、ＥＬＯ（epitaxial lateral overgrowth）法により結晶成長されてもよい。
【０００９】
本発明の別の態様もまた、発光モジュールである。この発光モジュールは、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、光波長変換部材上に形成された、透光性を有するバッファ層と、バッファ層上に結晶成長し、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられる半導体層と、を備える。
【００１０】
この態様によれば、光波長変換部材とバッファ層との間に別の層を堆積させる工程を削除することができ、発光モジュール製造時の生産性を向上させることができる。なお、半導体層は、ＥＬＯ法により結晶成長されてもよい。
【００１１】
本発明の上記態様の発光モジュールは、半導体層のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に双方が形成された、相互間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる一対の電極をさらに備えてもよい。
【００１２】
この態様によれば、一対の電極の双方を同じ方向に露出させることができるため、例えば一対の電極をサブマウントに対向させることにより、いわゆるフリップチップタイプの発光モジュールを簡易に製造することができる。
【００１３】
本発明の上記態様の発光モジュールは、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と同じ側の面に設けられた第１電極と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に設けられ、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極と、をさらに備えてもよい。半導体層は、第１電極上に結晶成長してもよい。
【００１４】
この態様によれば、光波長変換部材に半導体層を結晶成長させる場合においても、いわゆる縦型チップタイプの発光モジュールを製造することができる。
【００１５】
バッファ層は、導電性材料によって形成され、発光のための電圧を半導体層に印加可能に設けられてもよい。この態様によれば、半導体層の両面のうちバッファ層との接合面や半導体層内に別途導電層を設けることなく半導体層に適切に電圧を印加することが可能となる。このため、バッファ層とは別に導電層を設ける場合に比べ、発光モジュールの製造工程を簡略化させることができる。
【００１６】
本発明の上記態様の発光モジュールは、バッファ層の両面のうち半導体層が結晶成長した面と同じ側の面に設けられた第１電極と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に設けられ、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極と、をさらに備えてもよい。
【００１７】
この態様によれば、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、バッファ層を通じて半導体層に適切に電圧を印加することができる。さらに、第１電極および第２電極の双方を同じ方向に露出させることができるため、例えば一対の電極をサブマウントに対向させることにより、いわゆるフリップチップタイプの発光モジュールを簡易に製造することができる。
【００１８】
バッファ層の両面のうち半導体層が結晶成長した面と反対側の面に設けられた第１電極と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に設けられ、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極と、をさらに備えてもよい。バッファ層は、第１電極上に形成されてもよい。
【００１９】
この態様によれば、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、縦型チップタイプの発光モジュールにおいても、バッファ層を通じて半導体層に適切に電圧を印加することができる。
【００２０】
バッファ層と光波長変換部材との間に設けられた透光性を有する電極をさらに備えてもよい。この態様によれば、この電極を用いて光波長変換部材に電圧を印加することが可能となる。このため、例えば導電性の高くないバッファ層を設ける場合においても、光波長変換部材に適切に電圧を印加することが可能となる。
【００２１】
本発明のさらに別の態様は、発光モジュールの製造方法である。この方法は、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材上に、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発する半導体層を結晶成長させる工程を備える。
【００２２】
この態様によれば、半導体層に光波長変換部材を接着する工程やバッファ層を設ける工程を削減することができ、発光モジュール製造時の生産性を向上させることができる。
【００２３】
本発明のさらに別の態様もまた、発光モジュールの製造方法である。この方法は、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材上に透光性を有するバッファ層を形成させる工程と、バッファ層上に、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発する半導体層を結晶成長させる工程と、を備える。
【００２４】
この態様によれば、光波長変換部材とバッファ層との間に別の層を堆積させる工程を削除することができ、発光モジュール製造時の生産性を向上させることができる。
【００２５】
半導体層のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に、相互間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる一対の電極を形成させる工程をさらに備えてもよい。
【００２６】
この態様によれば、一対の電極の双方を同じ方向に露出させることができるため、例えば一対の電極をサブマウントに対向させることにより、いわゆるフリップチップタイプの発光モジュールを簡易に製造することができる。
【００２７】
波長変換部材に隣接するよう第１電極を設ける工程と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極を形成させる工程と、をさらに備えてもよい。半導体層を結晶成長させる工程は、第１電極上に半導体層を結晶成長させる工程を含んでもよい。
【００２８】
この態様によれば、光波長変換部材に半導体層を結晶成長させる場合においても、いわゆる縦型チップタイプの発光モジュールを製造することができる。
【００２９】
バッファ層は、導電性材料によって形成され、発光のための電圧を半導体層に印加可能に設けられてもよい。
【００３０】
この態様によれば、半導体層の両面のうちバッファ層との接合面や半導体層内に別途導電層を設けることなく半導体層に適切に電圧を印加することが可能となる。このため、バッファ層とは別に導電層を設ける場合に比べ、発光モジュールの製造工程を簡略化させることができる。
【００３１】
バッファ層の両面のうち半導体層が結晶成長した面と同じ側の面に第１電極を形成する工程と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極を形成させる工程と、をさらに備えてもよい。
【００３２】
この態様によれば、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、バッファ層を通じて半導体層に適切に電圧を印加することができる。さらに、第１電極および第２電極の双方を同じ方向に露出させることができるため、例えば一対の電極をサブマウントに対向させることにより、いわゆるフリップチップタイプの発光モジュールを簡易に製造することができる。
【００３３】
光波長変換部材に隣接するよう第１電極を設ける工程と、半導体層の両面のうち光波長変換部材に結晶成長した面と反対側の面に、第１電極との間に電圧が印加されることにより半導体層を発光させる第２電極を形成させる工程と、をさらに備えてもよい。バッファ層を形成させる工程は、第１電極上にバッファ層を形成させる工程を含んでもよい。
【００３４】
この態様によれば、第１電極と第２電極との間に電圧を印加することで、縦型チップタイプの発光モジュールにおいても、バッファ層を通じて半導体層に適切に電圧を印加することができる。
【００３５】
バッファ層と光波長変換部材との間に透光性を有する電極を設ける工程をさらに備えてもよい。この態様によれば、この電極を用いて光波長変換部材に電圧を印加することが可能となる。このため、例えば導電性の高くないバッファ層を設ける場合においても、光波長変換部材に適切に電圧を印加することが可能となる。
【００３６】
本発明のさらに別の態様は、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、光波長変換部材上に結晶成長し、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられる半導体層と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。
【００３７】
この態様によれば、製造工程を簡略化した発光モジュールを利用して灯具ユニットを製造することができる。このため、低コストの灯具ユニットを提供することが可能となる。
【００３８】
本発明のさらに別の態様もまた、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、ある波長範囲の光を波長変換して出射する板状の光波長変換部材と、光波長変換部材上に形成された、透光性を有するバッファ層と、バッファ層上に結晶成長し、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられる半導体層と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。
【００３９】
この態様によれば、製造工程を簡略化し且つより適切に半導体層を結晶成長させた発光モジュールを利用して灯具ユニットを製造することができる。このため、低コスト且つ品質の良い灯具ユニットを提供することが可能となる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明によれば、光波長変換部材と半導体層とを組み合わせた発光モジュールの製造工程を簡略化させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１の実施形態に係る車両用前照灯の構成を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る発光モジュール基板の構成を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図５】第３の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図６】第４の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図７】第５の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図８】第６の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図９】第７の実施形態に係る発光モジュール基板の構成を示す図である。
【図１０】第７の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図１１】第８の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図１２】第９の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図１３】第１０の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図１４】第１１の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【図１５】第１２の実施形態に係る発光素子ユニットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態（以下、実施形態という）について詳細に説明する。
【００４３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る車両用前照灯１０の構成を示す断面図である。車両用前照灯１０は、灯具ボディ１２、前面カバー１４、および灯具ユニット１６を有する。以下、図１において左側を灯具前方、右側を灯具後方として説明する。また、灯具前方にみて右側を灯具右側、左側を灯具左側という。図１は、灯具ユニット１６の光軸を含む鉛直平面によって切断された車両用前照灯１０を灯具左側から見た断面を示している。なお、車両用前照灯１０が車両に装着される場合、車両には互いに左右対称に形成された車両用前照灯１０が車両左前方および右前方のそれぞれに設けられる。図１は、左右いずれかの車両用前照灯１０の構成を示している。
【００４４】
灯具ボディ１２は開口を有する箱状に形成される。前面カバー１４は透光性を有する樹脂またはガラスによって椀状に形成される。前面カバー１４は、縁部が灯具ボディ１２の開口部に取り付けられる。こうして、灯具ボディ１２と前面カバー１４とによって覆われる領域に灯室が形成される。
【００４５】
灯室内には、灯具ユニット１６が配置される。灯具ユニット１６は、エイミングスクリュー１８によって灯具ボディ１２に固定される。下方のエイミングスクリュー１８はレベリングアクチュエータ２０が作動することにより回転するよう構成されている。このため、レベリングアクチュエータ２０を作動させることで、灯具ユニット１６の光軸を上下方向に移動することが可能となっている。
【００４６】
灯具ユニット１６は、投影レンズ３０、支持部材３２、リフレクタ３４、ブラケット３６、発光モジュール基板３８、および放熱フィン４２を有する。投影レンズ３０は、灯具前方側表面が凸面で後方側表面が平面の平凸非球面レンズからなり、その後方焦点面上に形成される光源像を反転像として灯具前方に投影する。支持部材３２は、投影レンズ３０を支持する。発光モジュール基板３８には発光モジュール４０が設けられている。リフレクタ３４は、発光モジュール４０からの光を反射して、投影レンズ３０の後方焦点面に光源像を形成する。このようにリフレクタ３４および投影レンズ３０は、発光モジュール４０が発した光を灯具前方に向けて集光する光学部材として機能する。放熱フィン４２は、ブラケット３６の後方側の面に取り付けられ、主に発光モジュール４０が発した熱を放熱する。
【００４７】
支持部材３２には、シェード３２ａが形成されている。車両用前照灯１０はロービーム用光源として用いられ、シェード３２ａは、発光モジュール４０から発せられリフレクタ３４にて反射した光の一部を遮ることで、車両前方においてロービーム用配光パターンにおけるカットオフラインを形成する。ロービーム用配光パターンは公知であることから説明を省略する。
【００４８】
図２は、第１の実施形態に係る発光モジュール基板３８の構成を示す図である。発光モジュール基板３８は、発光モジュール４０、搭載基板４４、および透明カバー４６を有する。搭載基板４４はプリント配線基板であり、上面に発光モジュール４０が取り付けられる。発光モジュール４０は、無色の透明カバー４６によって覆われ、その内部空間に配置される。発光モジュール４０は、発光素子ユニット５４がＡｕバンプ５６を介してサブマウント５２に取り付けられ構成される。
【００４９】
図３は、第１の実施形態に係る発光素子ユニット５４の断面図である。なお、発光素子ユニット５４の製造工程の理解を容易にするため、図２とは上下逆向きに発光素子ユニット５４を図示している。
【００５０】
発光素子ユニット５４は、光波長変換部材６０、半導体層６２、第１電極６４、および第２電極６６を有する。光波長変換部材６０は、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、青色光によって励起される蛍光体であるＹＡＧ（Yttrium Alminum Garnet）粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。こうして得られた光波長変換部材６０は、青色光を波長変換して黄色光を出射する。光波長変換部材６０は、板状に形成される。
【００５１】
また、光波長変換部材６０は、透明に形成される。第１の実施形態において「透明」とは、変換波長域の光の全光線透過率が４０％以上のことを意味するものとする。発明者の鋭意なる研究開発の結果、変換波長域の光の全光線透過率が４０％以上の透明な状態であれば、光波長変換部材６０による光の波長を適切に変換できると共に、光波長変換部材６０から出射される光の減少も適切に抑制できることが判明した。したがって、光波長変換部材６０をこのように透明な状態にすることによって、半導体層６２が発する光をより効率的に変換することができる。
【００５２】
また、光波長変換部材６０は有機系バインダーレスの無機物で構成され、有機系バインダーなどの有機物を含有する場合に比べて耐久性の向上が図られている。このため、例えば発光モジュール４０に１Ｗ（ワット）以上の電力を投入することが可能となっており、発光モジュール４０が発する光の輝度、光度、および光束を高めることが可能となっている。
【００５３】
半導体層６２は、エピタキシャル成長法により光波長変換部材６０上に結晶成長して形成される。半導体層６２は、電圧が印加されることにより波長範囲の少なくとも一部を含む光を発するよう設けられる。具体的には、まずＧａＮにｎ型の不純物をドーピングして、半導体層を光波長変換部材６０上に成長させる。これにより、光波長変換部材６０上にｎ型半導体層を形成させる。次に、ＧａＮにｐ型の不純物をドーピングして、半導体層をさらにその上に成長させる。なお、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、量子井戸発光層が設けられてもよい。なお、エピタキシャル成長法には、ＥＬＯ（epitaxial lateral overgrowth）法が用いられてもよい。
【００５４】
これらの半導体層の結晶成長は、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によって行われる。なお、結晶成長法がこれに限られないことは勿論であり、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法：Molecular Beam Epitaxy）によって半導体層の結晶成長が行われてもよい。
【００５５】
この後、エッチングによりｐ型半導体層の一部を除去し、ｎ型半導体層の上面の一部を露出させる。次に、露出したｎ型半導体層の上面に第１電極６４を形成させ、ｐ型半導体層の上面に第２電極６６を形成させる。したがって、第１電極６４はｎ型電極として機能し、第２電極６６はｐ型電極として機能する。半導体層上への電極形成の方法は周知であるため説明を省略する。こうして第１電極６４および第２電極６６は、半導体層６２のうち光波長変換部材６０に結晶成長した面と反対側の面に双方が形成される。
【００５６】
最後にダイシングにより適切な大きさにカットされ、発光素子ユニット５４が設けられる。第１の実施形態では、発光素子ユニット５４は１ｍｍの矩形にダイシングされる。このように形成された半導体層６２は、電圧を印加することにより発光する半導体発光素子として機能する。第１の実施形態によれば、半導体層６２に光波長変換部材６０を接着する工程やバッファ層を設ける工程を削減することができ、発光モジュール製造時の生産性を向上させることができる。また、高価なサファイア基板やＳｉＣ基板が不要となり、コストも低減させることができる。
【００５７】
半導体層６２は、第１電極６４と第２電極６６との間に電圧が印加されることによって青色光を主として発する。具体的には、半導体層６２は、発する青色光の中心波長は４７０ｎｍとなるよう設けられている。光波長変換部材６０は、半導体層６２が主として発する波長範囲の光を波長変換して出射し、半導体層６２が発する光との合成光として白色光を出射する。なお、半導体層６２は主として青色光以外の光を発するよう設けられてもよく、例えば主として紫外光を発するよう設けられてもよい。
【００５８】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る発光素子ユニット８０の断面図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯１０および発光モジュール４０の構成は第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００５９】
第２の実施形態に係る発光モジュール４０の構成は、発光素子ユニット５４に代えて発光素子ユニット８０が設けられる以外は、第１の実施形態と同様である。発光素子ユニット８０は、光波長変換部材６０、バッファ層８２、半導体層８４、第１電極６４、および第２電極６６を有する。
【００６０】
光波長変換部材６０は多結晶であるが、半導体層８４は単結晶で結晶成長させる必要がある。このため、第２の実施形態では、光波長変換部材６０の上面にバッファ層８２が形成される。バッファ層８２は、基材とその上に結晶成長させるべき半導体層との間で格子定数や熱膨張計数など互いに異なる場合に、半導体層を適切に結晶成長させるための緩和層として機能する。
【００６１】
バッファ層８２は、スパッタリングにより光波長変換部材６０の上面に薄膜形成される。なお、スパッタリングに代えて、真空蒸着や、ＣＶＤ（化学蒸着法:Chemical Vapor Deposition）、または他の製膜方法が用いられてもよい。バッファ層８２は、半導体層８４が発する光の少なくとも一部を透過させる透光性を有する。さらにバッファ層８２は、導電性材料によって形成される。第２の実施形態では、バッファ層８２を形成する材料として、導電性を有する窒化ハフニウム（ＨｆＮ）が採用されている。なお、バッファ層８２を形成する材料はこれに限られず、例えばＧａＮ、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）ＳｉＣ（炭化珪素）、ＺｒＢ２、または他の材料であってもよい。例えば、ＧａＮやＡＩＮの無定型層（アモルファス）を低温形成し、これを昇温してバッファ層８２を形成してもよい。
【００６２】
半導体層８４は、バッファ層８２上に結晶成長して形成される。このときの結晶成長方法は、第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。この後、エッチングによりｐ型半導体層およびｎ型半導体層の一部を除去し、バッファ層８２の上面の一部を露出させる。次に、露出したバッファ層８２の上面に第１電極６４を形成させ、ｐ型半導体層の上面に第２電極６６を形成させる。最後にダイシングにより適切な大きさにカットされる点は第１の実施形態と同様である。
【００６３】
このように、発光素子ユニット８０では、第１電極６４は、バッファ層８２の両面のうち半導体層８４が結晶成長した面と同じ側の面、すなわちバッファ層８２の上面に形成される。第２電極６６は、半導体層８４の両面のうち光波長変換部材６０に結晶成長した面と反対側の面、すなわち半導体層８４の上面に設けられる。第１電極６４と第２電極６６との間に電圧が印加されると、バッファ層８２は、発光のための電圧を半導体層８４に印加する。バッファ層８２は、半導体層８４に比べて導電率が高くなるよう設けられている。このようにバッファ層８２を半導体層８４下面の略全域にわたって設けることで、順方向電圧（Ｖｆ）の増加を抑制することができる。
【００６４】
半導体層８４は、第１電極６４と第２電極６６との間に電圧が印加されることによって青色光を主として発する点は、第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。なお、半導体層８４は主として青色光以外の光を発するよう設けられてもよく、例えば主として紫外光を発するよう設けられてもよい。
【００６５】
（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る発光素子ユニット１００の断面図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯１０および発光モジュール４０の構成は第１の実施形態と同様である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００６６】
第３の実施形態に係る発光モジュール４０の構成は、発光素子ユニット５４に代えて発光素子ユニット１００が設けられる以外は、第１の実施形態と同様である。発光素子ユニット１００の構成は、バッファ層８２に代えてバッファ層１０２が設けられる以外は、第１の実施形態に係る発光素子ユニット８０と同様である。
【００６７】
第３の実施形態では、バッファ層８２を形成する材料として、導電性を有する窒化ハフニウムが採用されている。窒化ハフニウムは導電性を有するが、膜厚が厚くなると透光性が低下することが発明者による研究開発の結果明らかになった。このため、バッファ層１０２は、バッファ層８２よりも膜厚が大幅に薄くされている。このようにバッファ層１０２を薄膜とすることによって、導電性を確保しつつ透光性も持たせることができる。なお、バッファ層１０２を形成する材料が窒化ハフニウムに限られないことは勿論である。
【００６８】
（第４の実施形態）
図６は、第４の実施形態に係る発光素子ユニット１２０の断面図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯１０および発光モジュール４０の構成は第１の実施形態と同様である。また、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００６９】
第４の実施形態に係る発光モジュール４０の構成は、発光素子ユニット５４に代えて発光素子ユニット１２０が設けられる以外は、第１の実施形態と同様である。発光素子ユニット１２０は、光波長変換部材６０、バッファ層１２２、半導体層６２、第１電極６４および第２電極６６を有する。バッファ層１２２は、上述のバッファ層８２およびバッファ層１０２よりも導電性の低い材料によって形成される。このため、バッファ層１２２の上面に第１電極６４を直接形成しても、バッファ層１２２を介して半導体層６２に電圧が充分に印加されない可能性がある。
【００７０】
このため、第１電極６４はバッファ層１２２の上面に形成されず、第１の実施形態と同様に、半導体層６２のｎ型半導体層の上面に形成される。こうして第１電極６４および第２電極６６は、半導体層６２のうちバッファ層１２２に結晶成長した面と反対側の面に双方が形成される。このように半導体層６２に第１電極６４および第２電極６６を設けることにより、バッファ層１２２の導電性が比較的低い場合においても、半導体層６２を適切に発光させることが可能となる。
【００７１】
バッファ層１２２がスパッタリングにより光波長変換部材６０の上面に薄膜形成され、バッファ層１２２上に半導体層６２がエピタキシャル法により結晶成長する点は、第２の実施形態と同様である。この後、エッチングによりｐ型半導体層の一部を除去し、ｎ型半導体層の上面の一部を露出させる点、および第１電極６４および第２電極６６の形成個所は第１の実施形態と同様である。最後にダイシングにより適切な大きさにカットされる点も第１の実施形態と同様である。
【００７２】
（第５の実施形態）
図７は、第５の実施形態に係る発光素子ユニット１４０の断面図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯１０および発光モジュール４０の構成は第１の実施形態と同様である。また、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００７３】
第５の実施形態に係る発光モジュール４０の構成は、発光素子ユニット５４に代えて発光素子ユニット１４０が設けられる以外は、第１の実施形態と同様である。発光素子ユニット１４０の構成は、バッファ層１２２に代えてバッファ層１４２が設けられる以外は、第４の実施形態に係る発光素子ユニット１２０と同様である。
【００７４】
第５の実施形態では、バッファ層１４２は、採用し得る他の材料と比較して導電性および透光性が低い材料によって形成される。例えば、バッファ層１４２は、窒化ハフニウムよりも導電性が低いが透光性が同様の材料によって形成されてもよい。このため、バッファ層１４２は、バッファ層１２２よりも膜厚が大幅に薄くされている。このようにバッファ層１４２を薄膜とすることによって、バッファ層１４２の透光性を高めることができる。
【００７５】
（第６の実施形態）
図８は、第６の実施形態に係る発光素子ユニット１６０の断面図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯１０および発光モジュール４０の構成は第１の実施形態と同様である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００７６】
第６の実施形態に係る発光モジュール４０の構成は、発光素子ユニット５４に代えて発光素子ユニット１６０が設けられる以外は、第１の実施形態と同様である。発光素子ユニット１６０は、光波長変換部材６０、透明電極１６２、バッファ層１６４、半導体層８４、第１電極６４、および第２電極６６を有する。
【００７７】
第６の実施形態では、光波長変換部材６０の上面にまず透明電極１６２が設けられる。透明電極１６２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）が採用されている。なお、ＩＴＯに代えて酸化亜鉛や酸化スズ、またはその他の材料が用いられてもよい。透明電極１６２は、光波長変換部材６０の上面にスパッタリングによって成膜される。なお、スパッタリングに代えて真空蒸着法または他の成膜法が用いられてもよい。
【００７８】
バッファ層１６４は、透明電極１６２の上面に薄膜形成される。バッファ層１６４の成膜方法は上述と同様である。この後、エッチングによりｐ型半導体層およびｎ型半導体層の一部を除去し、バッファ層１６４の上面の一部を露出させる。次に、露出したバッファ層１６４の上面に第１電極６４を形成させ、ｐ型半導体層の上面に第２電極６６を形成させる。こうして第１電極６４は、バッファ層１６４の両面のうち半導体層８４が結晶成長した面と同じ側の面、すなわちバッファ層１６４の上面に形成される。第２電極６６は、半導体層８４の両面のうち光波長変換部材６０に結晶成長した面と反対側の面、すなわち半導体層８４の上面に設けられる。
【００７９】
最後にダイシングにより適切な大きさにカットされる点は第１の実施形態と同様である。なお、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層、およびバッファ層１６４の一部をエッチングにより除去し、透明電極１６２の上面を露出させてもよい。第１電極６４は、この露出した透明電極１６２の上面に形成されてもよい。
【００８０】
バッファ層１６４は、例えば上述のバッファ層８２やバッファ層１０２と同様の透光性を有するが、バッファ層８２やバッファ層１０２より導電性の低い材料によって、第２の実施形態に係るバッファ層８２や第３の実施形態に係るバッファ層１０２より大幅に薄く形成される。このため透明電極１６２は、バッファ層１６４と共に第２電極６６との間で半導体層８４に電圧を印加する機能を有する。このように透明電極１６２を設けることにより、半導体層８４に適切に電圧を印加することができる。なお、バッファ層１６４は、採用し得る他の材料と比較して透光性の低い材料によって形成されてもよい。
【００８１】
（第７の実施形態）
図９は、第７の実施形態に係る発光モジュール基板１７０の構成を示す図である。以下、特に言及しない限り、車両用前照灯の構成は第１の実施形態と同様である。また、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８２】
第７の実施形態に係る車両用前照灯の構成は、発光モジュール基板３８に代えて発光モジュール基板１７０が設けられる以外は、第１の実施形態に係る車両用前照灯１０と同様である。発光モジュール基板１７０は、発光モジュール１７２、透明カバー４６、および搭載基板４４を有する。発光モジュール１７２は、サブマウント１７４、発光素子ユニット１７６、および導電性ワイヤ１７８を有する。発光モジュール１７２は、サブマウント１７４上面の一部に取り付けられ、さらに導電性ワイヤ１７８がボンディングされてサブマウント１７４上面の他の部分と接続される。導電性ワイヤ１７８には、Ａｕワイヤ、アルミワイヤ、銅箔、またはアルミリボンワイヤが用いられてもよい。
【００８３】
図１０は、第７の実施形態に係る発光素子ユニット１７６の断面図である。なお、発光素子ユニット１７６の製造工程の理解を容易にするため、図９とは上下逆向きに発光素子ユニット１７６を図示している。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８４】
発光素子ユニット１７６は、光波長変換部材６０、ビルトイン電極１８２、半導体層１８４、および電極１８６を有する。発光素子ユニット１７６では、光波長変換部材６０に予めビルトイン電極１８２が組み込まれている。光波長変換部材６０には貫通孔が設けられ、この貫通孔にビルトイン電極１８２が嵌挿される。このとき、ビルトイン電極１８２の上面と光波長変換部材６０の上面とが略同一平面を形成するよう貫通孔にビルトイン電極１８２が嵌挿される。なお、ビルトイン電極１８２は、光波長変換部材６０に隣接して配置されてもよい。
【００８５】
半導体層１８４は、光波長変換部材６０の上に結晶成長して形成される。したがって、半導体層１８４は、ビルトイン電極１８２の上にも結晶成長して形成される。半導体層１８４の材質や結晶成長法は、例えば第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。このように半導体層１８４を光波長変換部材６０の上面に直接結晶成長させることにより、半導体層１８４に光波長変換部材６０を接着する工程やバッファ層を設ける工程を削減することができる。
【００８６】
半導体層１８４の結晶成長が完了すると、次に、半導体層１８４の両面のうち光波長変換部材６０に結晶成長した面と反対側の面、すなわち半導体層１８４の上面に電極１８６を形成させる。ビルトイン電極１８２は、ｎ型半導体層側に設けられるため、ｎ型電極として機能する。電極１８６は、ｐ型半導体層側に設けられるため、ｐ型電極として機能する。こうして、ビルトイン電極１８２と電極１８６との間に電圧が印加されることにより、半導体層１８４を発光させることができる。
【００８７】
半導体層１８４は、ビルトイン電極１８２と電極１８６との間に電圧が印加されることによって青色光を主として発する点は、第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。なお、半導体層１８４は主として青色光以外の光を発するよう設けられてもよく、例えば主として紫外光を発するよう設けられてもよい。
【００８８】
（第８の実施形態）
図１１は、第８の実施形態に係る発光素子ユニット２００の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８９】
第８の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光素子ユニット１７６に代えて発光素子ユニット２００が設けられる以外は、第７の実施形態に係る発光モジュール１７２と同様である。発光素子ユニット２００は、光波長変換部材６０、バッファ層２０２、半導体層１８４、ビルトイン電極１８２、および電極１８６を有する。バッファ層２０２は、光波長変換部材６０上面に成膜される。したがって、バッファ層２０２は、ビルトイン電極１８２の上面にも成膜される。バッファ層２０２の材質や成膜法は、例えば第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。
【００９０】
半導体層１８４は、バッファ層２０２の上面に結晶成長して形成される。半導体層１８４の材質や結晶成長法は、例えば第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。このようにバッファ層２０２を設けることにより、多結晶である光波長変換部材６０に適切に単結晶である半導体層１８４を結晶成長させることができる。最後にダイシングにより適切な大きさにカットされる点は第１の実施形態と同様である。
【００９１】
バッファ層２０２は、透光性を有する。さらにバッファ層２０２は、導電性材料によって形成される。第８の実施形態では、バッファ層２０２は、例えば第２の実施形態に係るバッファ層８２と同様の材質によって形成される。このようにバッファ層２０２を導電性材料によって形成することによって、半導体層１８４の両面の略全域を使って半導体層１８４に電圧を印加することができる。このため、順方向電圧（Ｖｆ）の増加を抑制することができる。
【００９２】
（第９の実施形態）
図１２は、第９の実施形態に係る発光素子ユニット２２０の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００９３】
第９の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光素子ユニット１７６に代えて発光素子ユニット２２０が設けられる以外は、第７の実施形態に係る発光モジュール１７２と同様である。発光素子ユニット２２０の構成は、バッファ層２０２に代えてバッファ層２２２が設けられる以外は、第８の実施形態に係る発光素子ユニット２００と同様である。
【００９４】
第９の実施形態では、バッファ層２２２を形成する材料として、導電性を有する窒化ハフニウムが採用されている。窒化ハフニウムは導電性を有するが、膜厚が厚くなると透光性が低下することが発明者による研究開発の結果明らかになった。このため、バッファ層２２２は、バッファ層２０２よりも膜厚が大幅に薄くされている。このようにバッファ層２２２を薄膜とすることによって、導電性を確保しつつ透光性も持たせることができる。なお、バッファ層２２２を形成する材料が窒化ハフニウムに限られないことは勿論である。
【００９５】
（第１０の実施形態）
図１３は、第１０の実施形態に係る発光素子ユニット２４０の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【００９６】
第１０の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光素子ユニット１７６に代えて発光素子ユニット２４０が設けられる以外は、第７の実施形態に係る発光モジュール１７２と同様である。発光素子ユニット２４０は、光波長変換部材６０、バッファ層２４４、半導体層１８４、ビルトイン電極２４２、および電極１８６を有する。発光素子ユニット２４０では、光波長変換部材６０に予めビルトイン電極１８２が組み込まれている。光波長変換部材６０には貫通孔が設けられ、この貫通孔にビルトイン電極２４２が嵌挿される。このとき、ビルトイン電極２４２は、形成すべきバッファ層２４４の膜厚と略同一の突出量だけ光波長変換部材６０の上面から突出するように貫通孔に嵌挿される。なお、ビルトイン電極１８２は、光波長変換部材６０に隣接して配置されてもよい。
【００９７】
バッファ層２４４は、光波長変換部材６０上面に成膜される。バッファ層２４４の材質や成膜法は、例えば第２の実施形態に係るバッファ層８２と同様である。このとき、ビルトイン電極２４２の上面にバッファ層２４４が成膜しないよう。バッファ層２４４の成膜前にビルトイン電極２４２の上面には予めマスキングされ、バッファ層２４４の成膜後にマスキングが除去される。こうして、ビルトイン電極２４２は、バッファ層２４４の上面と略同一平面上においてその上面が露出する。
【００９８】
半導体層１８４は、バッファ層２４４の上面に結晶成長して形成される。したがって、半導体層１８４は、ビルトイン電極２４２の上面にも結晶成長して形成される。半導体層１８４の材質や結晶成長法は、例えば第１の実施形態に係る半導体層６２と同様である。バッファ層２４４は、例えば第８の実施形態に係るバッファ層２０２よりも導電性が低い材料によって形成される。
【００９９】
ビルトイン電極２４２は単結晶ではないため、ビルトイン電極２４２の上方において半導体層１８４が適切に単結晶で成長せず、他の部分よりも充分に発光しない可能性もある。しかし、図１３におけるビルトイン電極１８２の上方は、点灯時にはビルトイン電極１８２によって遮光される領域となる。このため、この部分の発光量が低くなってもその影響は少ない。
【０１００】
このようにビルトイン電極２４２およびバッファ層２４４を設けることによって、まず、適切に発光すべき部分はバッファ層２４４を介して半導体層１８４を適切に結晶成長させることができる。また、導電性が低い材料によってバッファ層２４４を形成する場合においても、発光量減少による影響が少ない部分はビルトイン電極２４２上に半導体層１８４を直接結晶成長させることにより、半導体層１８４に適切に電圧を印加することが可能となる。
【０１０１】
（第１１の実施形態）
図１４は、第１１の実施形態に係る発光素子ユニット２６０の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０２】
第１１の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光素子ユニット１７６に代えて発光素子ユニット２６０が設けられる以外は、第７の実施形態に係る発光モジュール１７２と同様である。発光素子ユニット２６０の構成は、ビルトイン電極２４２に代えてビルトイン電極２６２が設けられ、バッファ層２４４に代えてバッファ層２６４が設けられる以外は、第１０の実施形態に係る発光素子ユニット２４０と同様である。
【０１０３】
第１１の実施形態では、バッファ層２６４は、採用し得る他の材料と比較して導電性および透光性が低い材料によって形成される。例えば、バッファ層２６４は、窒化ハフニウムよりも導電性が低いが透光性が同様の材料によって形成されてもよい。このため、バッファ層２６４は、バッファ層１２２よりも膜厚が大幅に薄くされている。このようにバッファ層２６４を薄膜とすることによって、バッファ層２６４の透光性を高めることができる。
【０１０４】
なお、ビルトイン電極２６２は、形成すべきバッファ層２６４の膜厚と略同一の突出量だけ光波長変換部材６０の上面から突出するように光波長変換部材６０の貫通孔に嵌挿される。こうして第１１の実施形態においても、ビルトイン電極２６２は、バッファ層２６４の上面と略同一平面上においてその上面が露出するよう設けられる。
【０１０５】
（第１２の実施形態）
図１５は、第１２の実施形態に係る発光素子ユニット２８０の断面図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
【０１０６】
第１２の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光素子ユニット１７６に代えて発光素子ユニット２８０が設けられる以外は、第７の実施形態に係る発光モジュール１７２と同様である。発光素子ユニット２８０は、光波長変換部材６０、透明電極２８２、バッファ層２８４、半導体層１８４、ビルトイン電極１８２、および電極１８６を有する。第１２の実施形態では、光波長変換部材６０の上面にまず透明電極２８２が設けられる。透明電極２８２の材質および成膜方法は、上述の透明電極１６２と同様である。
【０１０７】
バッファ層２８４は、透明電極２８２の上面に薄膜形成される。バッファ層２８４は、透光性を有する。一方、バッファ層２８４は、採用し得る他の材料と比較して導電性が低い材料によって形成される。例えば、バッファ層２８４は、窒化ハフニウムよりも導電性が低い材料によって形成されてもよい。バッファ層２８４の成膜方法は上述と同様である。なお、バッファ層２８４は、採用し得る他の材料と比較して透光性の低い材料によって形成されてもよい。
【０１０８】
このように透明電極２８２を設けることによって、導電性が低い材料によってバッファ層２８４を形成した場合においても、透明電極２８２を介して半導体層１８４の略全域に電圧を印加することが可能となる。なお、最後にダイシングにより適切な大きさにカットされる点は第１の実施形態と同様である。
【０１０９】
本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を各実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。以下、そうした例をあげる。
【０１１０】
ある変形例では、上述の各々の実施形態において、光波長変換部材に代えて、複数の板状の光波長変換部材が積層された積層体が設けられる。積層体に含まれる複数の光波長変換部材の各々は、ある波長範囲の光を波長変換して互いに異なる波長範囲の光を出射するよう設けられる。
【０１１１】
例えば、半導体層は、電圧が印加されることにより紫外光を発するよう設けられる。積層帯には、半導体層から近い順に第１光波長変換部材、第２光波長変換部材、および第３光波長変換部材が積層されるよう設けられる。第１光波長変換部材は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して青色光を出射するよう設けられる。第２光波長変換部材は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して緑色光を出射するよう設けられる。第３光波長変換部材は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して赤色光を出射するよう設けられる。なお、第１〜第３光波長変換部材の積層順や積層数は上述した順番や積層数に限られないことは勿論である。また、半導体層の発する光が紫外光に限られず、第１〜第３光波長変換部材の各々の性質や形状も上述に限られないことは勿論である。
【０１１２】
こうして、半導体層が出射した紫外光を、青色光、緑色光、および赤色光の合成光、すなわち白色光として出射する発光モジュールを提供することができる。また、波長変換の性質が互いに異なる複数の光波長変換部材を積層することにより、様々な色を出射させることができる。
【０１１３】
ある別の変形例では、上述の各々の実施形態において、光波長変換部材は、板状に広がる方向に配置された複数の光波長変換部材の結合体として設けられる。例えば半導体層は、電圧が印加されることにより紫外光を発するよう設けられる。複数の光波長変換部材の各々は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して互いに異なる光を出射するよう設けられる。複数の光波長変換部材は、例えば上述の第１〜第３光波長変換部材を含んでいてもよい。これにより、合成光として白色光を発する発光モジュールを提供することができる。複数の光波長変換部材は、例えば各々が三角形、四角形、または六角形に形成され、板状に広がる方向へ略均一にモザイク状に配置されてもよい。なお、半導体層の発する光が紫外光に限られず、複数の光波長変換部材の各々の性質や形状も上述に限られないことは勿論である。
【０１１４】
ある別の変形例では、上述の各々の実施形態において、光波長変換部材には、複数種類の光波長変換材料、すなわち蛍光材料が含まれていてもよい。例えば、半導体層は、電圧が印加されることにより紫外光を発するよう設けられる。光波長変換部材には、第１光波長変換材料、第２光波長変換材料、および第３光波長変換材料が含まれる。第１光波長変換材料は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して青色光を出射するよう設けられる。第２光波長変換材料は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して緑色光を出射するよう設けられる。第３光波長変換材料は、紫外光のうちある波長範囲の光を波長変換して赤色光を出射するよう設けられる。なお、半導体層の発する光が紫外光に限られず、第１〜第３光波長変換材料の各々の性質や形状も上述に限られないことは勿論である。
【０１１５】
これによっても、半導体層が出射した紫外光を、青色光、緑色光、および赤色光の合成光、すなわち白色光として出射する発光モジュールを提供することができる。また、波長変換の性質が互いに異なる複数の光波長変換材料を含有させることにより、様々な色を出射させることができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  車両用前照灯、  １６  灯具ユニット、  ３０  投影レンズ、  ３４  リフレクタ、  ４０  発光モジュール、  ５４  発光素子ユニット、  ６０  光波長変換部材、  ６２  半導体層、  ６４  第１電極、  ６６  第２電極、  ８０  発光素子ユニット、  ８２  バッファ層、  ８４  半導体層。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は、発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および発光モジュールを備える灯具ユニットに関し、特に、ある波長範囲の光を波長変換して出射する光波長変換部材を有する発光モジュール、発光モジュールの製造方法、および発光モジュールを備える灯具ユニットに利用可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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