(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
該素子基板の上面に位置している励振電極と、
前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、
前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、
前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、
隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備え、
前記蓋体は、平面透視したときに内周面が全ての前記支持部材に渡って重なっている凹部を上面側に有しており、
該凹部を埋めている、金属材料からなる補強層をさらに備えた弾性波装置。
【請求項２】
前記貫通孔を埋めている貫通導体をさらに備えた請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記蓋体の上面のうち少なくとも前記貫通孔と前記凹部との間の領域に位置している、絶縁性材料からなる仕切部材をさらに備えた請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記支持部材は、平面透視したときに、前記電極パッドおよび前記貫通孔よりも大きい、請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項５】
請求項１に記載の弾性波装置と、
上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、
前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。
【請求項６】
請求項２、請求項２を引用する請求項３または４のいずれか１項に記載の弾性波装置と、
上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、
前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記貫通導体とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されている電子部品。
【請求項７】
素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、
前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、
前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、
前記蓋体の上面に、平面透視したときに内周面が全ての前記支持部材に渡って重なっている凹部をドライエッチングにより形成する工程と、
前記凹部を埋める金属材料からなる補強層を形成する工程と、
隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含む弾性波装置の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔を埋める貫通導体をめっき法によって形成する工程をさらに含む請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置や圧電薄膜共振器（Ｆ
ＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波装置およびそれを用いた電子部品ならびに弾性波装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型化などを目的とした、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）型の弾性波装置が知られている。このＷＬＰ型の弾性波装置は、圧電基板と、圧
電基板に設けられた励振電極と、励振電極を封止するカバーとを有する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
カバーは励振電極を取り囲むようにして圧電基板の上面に配置された枠体と枠体の開口部を塞ぐ蓋体とを有する。枠体および蓋体は樹脂によって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２７７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来のＷＬＰ型の弾性波装置においては、カバーが樹脂からなる枠体および蓋体によって構成されているため、励振電極が外部からの電磁波の影響を受けやすくフィルタ特性等の電気的な特性が劣化しやすい。
【０００６】
弾性波装置の電気特性が劣化すると、それを搭載した電子部品の電気特性も劣化することとなる。
【０００７】
したがって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくい弾性波装置の提供が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様としての弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の上面に位置している励振電極と、前記素子基板の上面に位置して前記励振電極に電気的に接続されている複数の電極パッドと、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で位置して前記電極パッドに接続されている、導電性材料からなる複数の支持部材と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に重なっており、該支持部材の一部を露出させる貫通孔を有している絶縁性材料からなる蓋体と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞いでいる、絶縁性材料からなる封止部材とを備えたものである。
【０００９】
本発明の一態様としての電子部品は、上面に複数の実装パッドを有する実装基板とを備え、前記弾性波装置が、前記実装基板の上面に上面同士を対面させた状態で、前記実装パッドと前記蓋体の前記貫通孔から露出している前記支持部材とを導電性の接合材で接合することによって実装されているとともに、外装樹脂によって被覆されているものである。
【００１０】
本発明の一態様としての弾性波装置の製造方法は、素子基板の上面に励振電極および該励振電極に電気的に接続された複数の電極パッドを形成する工程と、前記素子基板上に全体として前記励振電極を取り囲みつつ互いに隙間を有した状態で配置されて前記電極パッ
ドに接続された、導電性材料からなる複数の支持部材を形成する工程と、前記励振電極を覆うようにして前記複数の支持部材に感光性の絶縁性材料からなるフィルムを重ねた後、該フィルムを露光および現像することによって、前記支持部材の一部を露出させる貫通孔を有した蓋体を形成する工程と、隣接する前記支持部材間の隙間を塞ぐように絶縁性材料からなる封止部材を形成する工程とを含むものである。
【発明の効果】
【００１１】
上記の構成からなる弾性波装置は、これまで樹脂によって形成していた枠体に相当する部分を導電性材料で形成することによって励振電極が外部からの電磁波の影響を受けにくくなりフィルタ特性等の電気的な特性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置の平面図であり、（ｂ）は図１（ａ）のＳＡＷ装置の蓋体等を外した状態の平面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図であり、（ｂ）は図１（ａ）Ｂ−Ｂ’線における断面図であり、（ｃ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図である。
【図３】素子基板の上面に支持部材が配置された状態のＳＡＷ装置の斜視図である。
【図４】（ａ）は封止部材が設けられていない状態におけるＳＡＷ装置の斜視図、（ｂ）は封止部材を設けた状態におけるＳＡＷ装置の斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る電子部品の断面図である。
【図６】（ａ）から（ｃ）は、図１に示すＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】（ａ）から（ｃ）は、図１に示すＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図であり、図６（ｃ）の続きを示すものである。
【図８】（ａ）から（ｃ）は、図１に示すＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図であり、図７（ｃ）の続きを示すものである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１４】
（ＳＡＷ装置の構成）
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＳＡＷ装置１の蓋体４等を取り除いた状態の平面図（素子基板３の平面図）である。また、図２（ａ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ’線における断面図、図２（ｃ）は図１のＣ−Ｃ’線における断面図である。
【００１５】
ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の上面３ａ上に設けられた励振電極５と、励振電極５に接続された電極パッド７と、電極パッド７に接続され、全体として励振電極５を取り込むようにして素子基板３の上面３ａに配置された複数の支持部材２と、励振電極５を覆うようにして支持部材２に重ねられた蓋体４と、隣接する支持部材２の間の隙間を塞いでいる封止部材１０と、蓋体４の上面に形成された仕切部材１６とを主な構成部材とする。なお、図１（ａ）では、構成部材の位置をわかりやすくするため、仕切部材１６に図２の断面図において付した斜線と同じ種類の斜線を付すとともに、支持部材２の位置を点線で示している。
【００１６】
ＳＡＷ装置１には、端子として機能する複数の貫通導体９のいずれかを介して信号の入
力がなされる。入力された信号は、励振電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数の貫通導体９のいずれかを介して出力する。すなわちＳＡＷ装置１は、特定の周波数の信号のみを通過させるフィルタとして機能する。
【００１７】
素子基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、素子基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な上面３ａおよび下面３ｂを有している。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（Ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（Ｘ方向またはＹ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。
【００１８】
図１（ｂ）に示すように素子基板３の上面３ａには励振電極５が配置されている。励振電極５は、いわゆるＩＤＴ（Interdigital Transducer）であり、一対の櫛歯状電極を有
している。各櫛歯状電極は、素子基板３におけるＳＡＷの伝搬方向に延びるバスバーと、バスバーから弾性表面波の伝搬方向に直交する方向に伸びる複数の電極指とを有している。２つの櫛歯状電極同士は、それぞれの電極指が互いに噛み合うように設けられている。
【００１９】
なお、図１等は模式図であることから、数本の電極指を有する１対の櫛歯状電極を示しているが、実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極５が弾性表面波の伝搬方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタが構成されてもよい。
【００２０】
電極パッド７は、上面３ａに形成されている。電極パッド７の平面形状は適宜に設定されてよく、例えば、その平面形状は円形である。電極パッド７の数および配置位置は、励振電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。ＳＡＷ装置１では、６つの電極パッド７が上面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。６つの電極パッド７のうち、紙面上側の中央に配置された電極パッド７は、信号入力用のパッドであり、例えば、この電極パッド７から不平衡信号が励振電極５に入力される。また紙面下側の両端に配置された２つの電極パッド７は、信号出力用のパッドであり、例えば、励振電極５からの平衡信号がこれら２つの電極パッド７から出力される。残りの３つの電極パッド７は、例えば、基準電位用のパッドである。
【００２１】
励振電極５と電極パッド７とは互いに配線１５によって接続されている。配線１５は素子基板３の上面３ａに形成され、励振電極５のバスバーと電極パッド７とを接続している。なお、配線１５は、上面３ａに形成された部分だけでなく、異なる信号が流れる２つの配線１５同士を間に絶縁体を介在させた状態で立体交差させるようにしてもよい。
【００２２】
励振電極５、電極パッド７および配線１５は、例えば、互いに同一の導電性材料によって形成されている。導電性材料は、例えば、ＡｌまたはＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。また、励振電極５、電極パッド７および配線１５は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。また配線１５同士を立体交差させる場合は、上面３ａ側の配線１５を例えばＡｌ−Ｃｕ合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線１５を例えば下から順にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ、あるいはＣｒ／Ａｌとした多層構造の配線によって形成する。
【００２３】
電極パッド７の上面には、電極パッド７とその上に配置される支持部材２との接続を強化することを主な目的とする接続強化層６が設けられている。接続強化層６は、例えば、電極パッド７に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とからなる
。
【００２４】
素子基板３の上面３ａには、図２に示すように励振電極５を覆う保護膜８が形成されている。保護膜８は素子基板３の上面３ａのほぼ全体にわたって形成されているが、電極パッド７上には開口部が設けられており、その開口部から電極パッド７および接続強化層６が露出している。接続強化層６を露出させるための保護膜８の開口部は、接続強化層６と同一の形状および面積としてもよいし、接続強化層６よりも大きくてもよい。また、保護膜８の開口を接続強化層６より小さくてもよく、この場合は、保護膜８の開口周囲の部分が接続強化層６の外周部を覆うこととなる。
【００２５】
保護膜８は、励振電極５を覆うことによって励振電極５の酸化防止等に寄与するものである。保護膜８は、例えば、ＳｉＯ２等の酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコン等からなる。保護膜８の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、または励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。
【００２６】
保護膜８から露出している電極パッド７あるいは接続強化層６の上には支持部材２が配置されている。支持部材２は、導電性高分子材料、金属粒子を含有した導電性の樹脂材料、金属材料等の導電性を有する材料からなる。
【００２７】
図３に素子基板３の上面３ａに支持部材２を配置した状態の斜視図を示す。支持部材２は、電極パッド７の上に１つずつ合計６個設けられている。これら６個の支持部材２は全体として励振電極５を取り囲むような形状および配置とされている。
【００２８】
したがって励振電極５は導電性材料からなる支持部材２によって囲まれた状態となる。これにより、励振電極５が外部からの電磁波の影響を受けにくくなり、ＳＡＷ装置１の電気的な特性が向上する。
【００２９】
また支持部材２は、電極パッド７と接続されることによって、励振電極５への電気信号の入出力用の配線または基準電位用の配線としても機能する。そのため異なる種類の電気信号が流れる支持部材２同士、あるいは電気信号が流れる支持部材２と基準電位用の支持部材２とは絶縁されている必要がある。ＳＡＷ装置１では、隣接する支持部材２同士を所定の隙間を有した状態で配置することによって、隣接する支持部材２を絶縁している。隣接する支持部材２の間の間隔は、例えば、５０μｍ〜２５０μｍである。また、支持部材２の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。
【００３０】
これら支持部材２には、図４（ａ）に示すように励振電極５を覆うようにして蓋体４が重なっている。蓋体４は、概ね一定の厚さの層により構成されており、その厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋体４の平面形状は、例えば、概ね矩形状である。蓋体４の平面視における大きさは６個の支持部材２をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体４の側面と各支持部材２の側面とは同一面内に位置している。
【００３１】
蓋体４は、例えば、絶縁性を有する感光性の樹脂材料などからなる。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂なども用いることができる。
【００３２】
蓋体４には、図２（ａ）に示すように蓋体４を厚み方向に貫く貫通孔４ｈが形成されている。この貫通孔４ｈは蓋体４のうち各支持部材２の上に６個形成されている。すなわち、貫通孔４ｈの底面は、貫通孔４ｈから露出する支持部材２の上面である。ＳＡＷ装置１
ではこの貫通孔４を埋めるようにして貫通導体９が設けられている。
【００３３】
貫通導体９の上端は蓋体４の上面に露出している。貫通導体９は例えば円柱状であるが、形状はこれに限らず、四角柱状などでもよい。また貫通導体９の形状として、貫通導体９の上端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜していてもよいし、逆に貫通導体９の下端側に向かうほど径が狭くなるように側面が傾斜している形状であってもよい。
【００３４】
貫通孔４は支持部材２の上に形成されているため、その貫通孔４を埋めるようにして形成された貫通導体９はその下の支持部材２と接続されることとなる。したがって貫通導体９は励振電極５と電気的に接続されている。この貫通導体９は、ＳＡＷ装置１を他の基板に実装する際に端子として機能する。すなわち、他の基板の実装パッドと半田等の接合材を介して接続される。
【００３５】
貫通導体９は、金属を主成分とする材料からなる。ＳＡＷ装置１では貫通導体９は、銅めっきによって形成されている。なお、ＳＡＷ装置１では、スパッタリング法などによって貫通孔４ｈの内面にめっき下地層を形成した後、電解めっき法によってめっきを成長させている。めっき下地層は、例えば、チタンや銅等からなる。
【００３６】
蓋体４には貫通孔４ｈの他にも図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように凹部４ｃが形成されている。そして凹部４ｃには、凹部４ｃを埋める補強層１７が設けられている。この補強層１７は、蓋体４の強度を補強するためのものである。例えば、ＳＡＷ装置１を外部の実装基板などに実装した後、ＳＡＷ装置１全体を樹脂モールドすることがあるが、樹脂モールドの方法によってはその際に大きな圧力がＳＡＷ装置１に印加される。このような場合であっても、補強層１７を設けておくことによって、蓋体４が変形するのを抑制することができる。これによって封止空間６の形状が大きく歪むのを防ぐことができるため、ＳＡＷ装置１の信頼性向上に供することができる。
【００３７】
補強層１７は、蓋体４を構成する材料よりもヤング率が高い材料により形成されている。例えば、蓋体４のヤング率が０．５〜１．０ＧＰａであるのに対し、補強層１７のヤング率は１００〜２５０ＧＰａである。具体的には、補強層１７は銅などの金属を主成分とする材料からなる。
【００３８】
補強層１７は蓋体４の上面に形成した凹部４ｃに埋め込まれているため、凹部４ｃを設けずに補強層１７を蓋体４の上面に形成した場合に比べて、ＳＡＷ装置１の低背化に供することができる。
【００３９】
補強層１７の厚さ（凹部４ｃの深さ）は、例えば、１μｍ〜５０μｍである。補強層１７は、蓋体４の比較的広い範囲に亘って矩形状に形成されている。図１（ａ）において点線で示した支持部材２と凹部４ｃの内周面との位置関係からわかるように、凹部４ｃの内周面が全ての支持部材２にわたって重なるようにして凹部４ｃは形成されている。したがってこの凹部４ｃを埋めている補強層１７は、その外周縁が全ての支持部材２にわたって重なるようにして形成されることとなる。このように補強層１７を形成することによって補強層１７が支持部材２に支えられる状態となり、蓋体４がより変形しにくくなる。
【００４０】
図１（ａ）に示すように、蓋体４の上面には全体にわたって仕切部材１６が形成されている。仕切部材１６は絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂を使用することができる。
【００４１】
このような絶縁性材料からなる仕切部材１６が貫通孔４ｈと凹部４ｃとの間の領域に形成されていることによって、端子として機能する貫通導体９と補強層１７とが短絡するの
を抑制することができる。
【００４２】
仕切部材１６は、蓋体４の上面のうち少なくとも貫通孔４ｈと凹部４ｃとの間の領域に形成されていればよいが、ＳＡＷ装置１のように蓋体４の上面全体にわたって形成しておけば、仕切部材１６が蓋体４の上面から剥がれるのを抑制できるとともに隣接する貫通導体間における短絡の発生も抑制することができる。仕切部材１６の厚みは、例えば、５μｍ〜２０μｍである。
【００４３】
支持部材２および蓋体４が設けられていることによって、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、支持部材２の励振電極５に面している面、蓋体４の下面および素子基板３の上面３ａによって囲まれた空間である振動空間２１が形成されることとなる。そして振動空間２１に励振電極５が配置されていることにより励振電極５で励起されたＳＡＷの振動が他の部材によって妨げられるのを抑制することができる。振動空間２１の平面形状は、適宜に設定されてよいが、ＳＡＷ装置１では、概ね矩形状である。
【００４４】
また振動空間２１の中に外部の水分等が浸入すると、励振電極５の腐食要因となる。そのため振動空間２１は出来る限り気密に封止されている必要がある。ＳＡＷ装置１では、隣接する支持部材２の間に隙間があいているため、そのままでは振動空間２１が隙間を介して外気と直接繋がった状態となり振動空間２１の気密性が保たれない。そこでＳＡＷ装置１では、支持部材２の間の隙間を塞ぐ封止部材１０が設けられている。隣接する支持部材２の間の隙間を封止部材１０で塞ぐことによって振動空間２１が外部と遮断された状態となり振動空間２１の気密性を長期にわたって保持することができる。
【００４５】
封止部材１０は、絶縁性の材料からなる。絶縁性の材料としては、例えば、感光性の樹脂材料を使用することができる。ＳＡＷ装置１では、封止部材１０は仕切部材１６と同一の材料からなり、同一の製造工程によって一体的に形成されている。封止部材１０の水平方向における厚みｔ（図２（ａ））は、例えば、２０μｍ〜１００μｍである。
【００４６】
図４（ａ）に封止部材１０が設けられていない状態におけるＳＡＷ装置１の斜視図、図４（ｂ）に封止部材１０を設けた状態におけるＳＡＷ装置１の斜視図をそれぞれ示す。なお、図４では封止部材１０等をわかりやすくするため、封止部材１０、貫通導体９、仕切部材１６、補強層１７のそれぞれに図２の断面図においてそれらの部材に付したのと同じ種類の斜線を付している。
【００４７】
封止部材１０は隣接する支持部材２の間の隙間を塞ぐ態様であればどのような形状でもよいが、図４（ｂ）に示すように、ＳＡＷ装置１では支持部材２および蓋体４の側面全体を覆うことによって隣接する支持部材２の間の隙間を塞いでいる。すなわち、ＳＡＷ装置１における封止部材１０は、支持部材２および蓋体４の側面に沿って一続きの枠状に形成されている。封止部材１０をこのような形状とすることによって封止部材１０が支持部材２および蓋体４の側面から剥がれにくくなり、振動空間２１の気密性をより長期にわたって保持することができる。
【００４８】
なお、封止部材１０の形状は図４（ｂ）に示したもの以外にも、例えば、隣接する支持部材２の隙間の部分にだけ、部分的に設けてもよい。また、隙間の中に封止部材１０の一部が入りこむようにしてもよい。
【００４９】
素子基板３の下面３ｂには図２に示すように裏面部１１が設けられている。裏面部１１は、例えば、素子基板３の下面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。温度変化等により素子基板３表面には電荷がチャージされることがあるが、裏面電極が設けられていることによってチャージされた電荷を放電すること
ができ、励振電極５の静電気による破壊等を抑制することができる。また、保護層は素子基板３の損傷を抑制する。
【００５０】
図５は、ＳＡＷ装置１が実装された電子部品５１の一部を示す断面図である。なお、図５のＳＡＷ装置１の断面図は、図１のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【００５１】
電子部品５１は、実装基板５３と、実装基板５３に実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を被覆する外装樹脂５９とを備えている。
【００５２】
ＳＡＷ装置１は、実装基板５３の上面５３ａ上に設けられた実装パッド５５とＳＡＷ装置１の貫通導体９とを、導電性の接合材５７を介して接合することにより実装基板５３に実装されている。
【００５３】
電子部品５１は、この他に実装基板５３に実装され外装樹脂５９によってＳＡＷ装置１とともに封止されたＩＣなどの能動部品やコンデンサなどの受動部品を有し、モジュールを構成している。
【００５４】
実装基板５３は、例えば、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、１層板であってもよいし、２層板であってもよいし、２層以上の多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料および導電材料は適宜な材料から選択されてよい。
【００５５】
接合材５７は、ＳＡＷ装置１の貫通導体９および実装基板５３の実装パッド５５の両方に当接している。接合材５７は、加熱によって溶融して貫通導体９に接着される金属によって形成されている。接合材５７は、例えば、はんだからなる。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。
【００５６】
外装樹脂５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。外装樹脂５９は、ＳＡＷ装置１を裏面部１１側および側方から覆うだけでなく、ＳＡＷ装置１と実装基板５３との間にも充填されている。具体的には、外装樹脂５９は、蓋体４の上面と実装基板５３の上面５３ａとの間および接合材５７の周囲にも充填されている。
【００５７】
（ＳＡＷ装置の製造方法）
図６（ａ）〜図８（ｃ）は、ＳＡＷ装置１の製造方法を説明する断面図（図１のＡ−Ａ’線に対応）である。製造工程は、図６（ａ）から図８（ｃ）まで順に進んでいく。
【００５８】
ＳＡＷ装置１の製造方法に対応する図６（ａ）〜図８（ｂ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、複数個のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図６（ａ）〜図８（ｃ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。
【００５９】
図６（ａ）に示すように、まず、素子基板３の上面３ａに励振電極５を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）
法等の薄膜形成法によって、上面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、
縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によりパターニングが行われる。金属層をパターニングすることによって励振電極５が形成される。なお、励振電極５と同時に配線１５および電極パッド７が形成される。なお、素子基板３の下面３ｂには裏面部１１が形成されている。
【００６０】
励振電極５等が形成されると、図６（ｂ）に示すように、保護膜８が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護膜８となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、電極パッド７および接続強化層６が露出するように、ＲＩＥ等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護膜８が形成される。
【００６１】
保護膜８が形成されると、図６（ｃ）に示すように支持部材２が形成される。支持部材２は例えばフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが可能な導電性高分子材料からなる。具体的には、塗布等の方法によって素子基板３上に導電性高分子材料等からなる層（導電層）を形成した後、導電層上にフォトマスクを配置し、露光、現像を行うことによって図３に示したような複数の支持部材２が得られる。
【００６２】
なお、導電層がフォトリソグラフィ法が適用でないような導電性樹脂材料等からなる場合は、まず導電層上に所定の形状にパターニングされたレジスト層を形成する。その後、導電層のうちレジスト層から露出する部分をウェットエッチング等の方法によって除去し、レジスト層を除去することによって支持部材２を形成することができる。
【００６３】
次に蓋体４を形成する。具体的には、まず、図７（ａ）に示すように蓋体４となるフィルム状の第１レジスト層２５を支持部材２の上に載置し、この第１レジスト層２５に対し、第１フォトマスク３０を介して紫外線などの光Ｌ１を照射する。第１レジスト層２５は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第１フォトマスク３０は、第１透明基板２８に第１遮光部２９が形成されることにより構成されている。第１遮光部２９は、第１フォトマスク３０を素子基板３上にセットしたときに、第１レジスト層２５を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、ＳＡＷ装置１の製造方法においては、貫通孔４ｈおよびダイシングラインに対応する位置に第１遮光部２９が形成されている。
【００６４】
その後、図７（ｂ）に示すように現像処理を行い、第１レジスト層２５のうち、光Ｌ１が照射された部分を残し、光Ｌ１が照射されなかった部分を除去する。これにより、貫通孔４ｈを有する蓋体４が完成する。また支持部材２の開口が蓋体４によって閉じられることにより振動空間２１も同時に形成される。ただし、この状態においては隣接する支持部材２の間の隙間が塞がれていないため、振動空間２１は密閉されていない。
【００６５】
次に封止部材１０および仕切部材１６を形成する。具体的には、まず、図７（ｃ）に示すように封止部材１０および仕切部材１６となる第２レジスト層２６を素子基板３の上面側全体にわたって塗布し、この第２レジスト層２６に対し、第２フォトマスク３３を介して紫外線などの光Ｌ２を照射する。第２レジスト層２６は、例えば、ネガ型のフォトレジストからなる。第２フォトマスク３３は、第２透明基板３１に第２遮光部３２が形成されることにより構成されている。第２遮光部３２は、第２フォトマスク３３を素子基板３上にセットしたときに、第２レジスト層２６を除去すべき部分に対応する位置に形成されている。すなわち、ＳＡＷ装置１の製造方法においては、貫通孔４ｈ、凹部４ｃとなる部分およびダイシングラインに対応する位置に第２遮光部３２が形成されている。
【００６６】
その後、図８（ａ）に示すように現像処理を行い、第２レジスト層２６のうち、光Ｌ２が照射された部分を残し、光Ｌ２が照射されなかった部分を除去し、１５０℃程度の温度で加熱硬化する。これにより、図４（ｂ）に示したような封止部材１０および仕切部材１
６が得られる。すなわちＳＡＷ装置１の製造方法においては、封止部材１０と仕切部材１６とが同時に一体形成されることとなる。
【００６７】
次に図８（ｂ）に示すようにドライエッチングなどのエッチング法により蓋体４の上面に凹部４ｃを形成する。
【００６８】
その後、貫通孔４ｈを埋める貫通導体９および凹部４ｃを埋める補強層１７を形成する。貫通導体９および補強層１７は、例えば、めっき法によって形成される。めっき法のうち電解めっき法によって貫通導体９および補強層１７を形成する場合は、予め貫通孔４ｈの内面および凹部４ｃの内面にスパッタリング法などによってめっき下地層を形成しておき、このめっき下地層を起点としてめっきを成長させる。
【００６９】
従来のＷＬＰ型のＳＡＷ装置のように貫通導体が蓋体および枠体を貫通するものである場合、貫通導体を形成するための貫通孔は枠体の分だけ深くなるが、このように深い貫通孔にめっきを成長させるとボイドが形成されやすい。これに対しＳＡＷ装置１の製造方法によれば、貫通孔４ｈの深さは蓋体４の厚み分だけであり、比較的浅いものである。よってこの貫通孔４ｈにめっきを成長させてもボイドが形成されにくく、ＳＡＷ装置１を他の基板に実装したときの接続信頼性を高めることができる。
【００７０】
その後、必要に応じて仕切部材１６の上面をＣＭＰ法などによって研磨することによって、ＳＡＷ装置１が完成する。
【００７１】
本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００７２】
弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよい。
【００７３】
また、ＳＡＷ装置において、貫通導体９、接続強化層６、保護膜８、裏面部１１、補強層１７などは必須の要件ではなく、省略されてもよい。
【００７４】
また上述した実施形態では、蓋体４の平面視における大きさは複数の支持部材２をひとまとまりにみたときの大きさとほぼ同じであり、蓋体４の側面と各支持部材２の側面とは同一面内に位置しているＳＡＷ装置について説明したが、蓋体４の大きさはこれに限らず、例えば、複数の支持部材２をひとまとまりにみたときの大きさよりも一回り小さくなるように蓋体４を形成してもよい。この場合、蓋体４の側面と支持部材２の側面との間に支持部材２の上面によって形成される段差部ができるが、この段差部を被覆するように封止部材１０を形成すれば、封止部材１０の支持部材２または蓋体４からの剥がれを抑制することができる。
【００７５】
また上述した実施形態に係る電子部品は、ＳＡＷ装置１の貫通導体９と実装基板５３の実装パッド５５とを接合材５７を介して接続するようにしたが、貫通導体９を設けずに貫通孔４ｈから露出する支持部材２の上面と実装基板５３の実装パッド５５とを接合材５７を介して接続するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１・・・ＳＡＷ装置
２・・・支持部材
３・・・素子基板
４・・・蓋体
５・・・励振電極
６・・・接続強化層
７・・・電極パッド
８・・・保護膜
１０・・・封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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