(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダミーコアと、
ダミーコア上に配置した製品基板の銅箔Ａと、
絶縁層上に配置した銅箔Ｂと前記絶縁層及び銅箔Ｂを貫通して形成したビア内に形成した下地めっき及びフィルドめっきにより層間接続の際に生じるめっき層とを有する導体層Ｃと、を有し、
前記銅箔Ａと導体層Ｃの厚みが同等でかつ銅箔Ａと銅箔Ｂの厚みが同等であることにより、銅箔Ａと導体層Ｃの物性が同等である多層配線基板。
【請求項２】
請求項１において、ダミーコアと製品基板の銅箔Ａと絶縁層と銅箔Ｂとが、この順番に前記ダミーコアに対して対称に配置された多層配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、下地めっきが０．３〜３μｍである多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板に関し、特にはいわゆるコアレス工法に用いるダミーコア付きの多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これらに用いられる配線基板においても、多層化や配線の微細化とともに、配線基板の薄型化が求められている。これに伴い、配線基板の製造プロセスにおいては、より薄型の配線基板を取り扱う必要が生じている。つまり、従来一般の電子部品素子搭載用の配線基板は、いわゆるビルドアップ工法により製造されており、これは、コア基板となる薄型の配線基板の両側に、絶縁樹脂層と配線パターンとからなる配線層を積み上げて配線基板を製造する製法であるため、配線層の層数が少ない段階では、例えば０．１ｍｍ以下の薄型の配線基板の状態で製造プロセスを進める必要があるためである。薄型の配線基板は製造プロセスの中で、寸法変動による反りや、製造装置内での引っかかりによる折れ、破損などが生じ易いため、取り扱いが困難になっている。このような薄型の配線基板の取り扱いを容易にする方法としては、配線基板の１枚１枚に、機械的な強度を持たせる目的で、治具やダミーコアを取付ける方法が考えられる。しかしながら、この方法では、大幅に工数が増加し、コストアップとなる問題がある。
【０００３】
このような問題を回避するための方法としては、金属箔張り積層板をダミーコア（支持基板）として準備し、このダミーコアの両面の銅箔上に、ひとまわり小さい銅箔Ａを直接重ねて配置し、この銅箔Ａ上に絶縁層と金属箔を積み重ねて、フィルドビアや導体回路を形成して配線基板を形成した後、ダミーコアの銅箔と銅箔Ａが直接重ねられた領域は接着しないことを利用して、この領域内を切断することによって、配線基板とダミーコアとを分離する方法（特許文献２、３）などが開示されている。これらの製法は、従来のビルドアップ工法と違い、製造される配線基板自体の構成には、ダミーコアとなるコア基板を必要としない。このため、このような製法を、本発明においては、以下、コアレス工法という。
【０００４】
これらのコアレス工法によれば、ダミーコアの機械的強度に加え、配線基板が２枚分の厚みとなるため、層数の少ない段階の薄型の配線基板の状態であっても、ダミーコアと配線基板を含めた全体の厚みが厚くなり、剛性が増すので、製造設備内での引っかかりによる折れ、破損などを抑制できる。また、ダミーコアの両側に、対称な構成で配線基板が形成されるため、製造プロセスの中で寸法変動による反りが生じても、反りによる応力がダミーコアの両側でほぼ釣り合うことにより、ダミーコアと配線基板を含めた全体としては、反りを抑制することができる。さらに、特許文献２、３のコアレス工法では、従来のビルドアップ法のように内層となるコア基板の両側に配線層を積み上げるのではなく、銅箔Ａの片側にだけ配線層を積み上げることになる。このため、配線基板の最外層の一方の導体層は、銅箔Ａだけで構成できるので、微細配線パターンの形成に有利となる。なお、ダミーコアの両側に形成される配線基板を個別にみれば、従来のビルドアップ工法のように、内層となるコア基板の両側に、１回の積層工程で同時に配線層を積み上げるのではなく、片側にだけ配線層を積み上げることになるが、１回の積層工程で２枚分の積層を行うことになるので、従来のビルドアップ法と同等の生産性を維持することができる。
また、コアレス工法において、コア基板からの分離後の配線基板の反りを抑制する方法として、低層側から高層側になるにつれて、導体厚や絶縁層厚を変化させる方法か知られている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４２７３８９５号公報
【特許文献２】特開２００９−２５２８２７号公報
【特許文献３】特開２０１０−０８０５９５号公報
【特許文献４】特開２０１１−１２９５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、コアレス工法において、反り抑制として導体厚や絶縁層厚を層毎に変化させると、配線基板に要求されるトータル厚みや電気特性等のコントロールが難しくなる問題がある。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、コアレス工法におけるダミーコア分離後の製品基板の反りを抑制可能なことにより、生産性に優れるダミーコア付きの多層配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
１  ダミーコアと、ダミーコア上に配置した製品基板の銅箔Ａと、絶縁層上に配置した銅箔Ｂと前記絶縁層及び銅箔Ｂを貫通して形成したビア内に形成した下地めっき及びフィルドめっきにより層間接続の際に生じるめっき層とを有する導体層Ｃとを有し、前記銅箔Ａと導体層Ｃの厚みが同等でかつ銅箔Ａと銅箔Ｂの厚みが同等であることにより、銅箔Ａと導体層Ｃの物性が同等である多層配線基板。
２．  項１において、ダミーコアと製品基板の銅箔Ａと絶縁層と銅箔Ｂとが、この順番に前記ダミーコアに対して対称に配置された多層配線基板。
３．  項１又は２において、下地めっきが０．３〜３μｍである多層配線基板。
【発明の効果】
【０００９】
コアレス工法におけるダミーコア分離後の製品基板の反りを抑制可能なことにより、生産性に優れるダミーコア付きの多層配線基板提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の多層配線基板の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図３】本発明の多層配線基板の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図４】本発明の多層配線基板の製造工程の一部を表すフロー図である。
【図５】本発明の多層配線基板の製造工程の一部を表すフロー図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の多層配線基板の一例を、図１に示す。本発明の多層配線基板１としては、ダミーコア２５と、ダミーコア２５上に配置した製品基板４０の銅箔Ａ１９と、絶縁層９上に配置した銅箔Ｂ２０と前記絶縁層９及び銅箔Ｂ２０を貫通して形成したビア２６内に形成した下地めっき及びフィルドめっき２１ａとを有する導体層Ｃ３３と、を有し、前記銅箔Ａ１９と導体層Ｃ３３の厚みが同等である多層配線基板１が挙げられる。このように、コアレス工法において、製品基板４０の銅箔Ａ１９の物性と導体層Ｃ３３の厚みが同等であることにより、製品基板４０の銅箔Ａ１９の物性と導体層Ｃ３３の物性が同等になり易い。このため、ダミーコア２５から分離した後の製品基板４０の反りが抑制でき、生産性を向上させることができる。
【００１２】
ダミーコア２５とは、製品となる配線基板（製品基板４０）の製造プロセス中の取り扱いを容易にするため支持基板として用いるものであり、製造プロセスの途中で製品となる配線基板（製品基板４０）とは分離される。
【００１３】
銅箔Ａ１９は、ダミーコア２５側に配置される銅箔であり、銅箔２０は銅箔Ａ１９上に絶縁層９を介して配置される銅箔をいう。
【００１４】
導体層Ｃ３３の厚みとは、銅箔Ｂ２０と、銅箔Ｂ２０と絶縁層９とを貫通して銅箔Ａ１９に至るビア２９内に形成される、下地めっき（図示しない。）とフィルドめっき２１ａとを含む厚みをいう。
【００１５】
銅箔Ａ１９と導体層Ｃ３３の物性が同等であるとは、伸び、抗張力（弾性率）、内部応力の何れもが同等であることをいう。同等とは、各特性値が±１０％範囲内の差であることをいう。
【００１６】
銅箔Ａ１９上に、絶縁層９と導体層Ｃ３３を形成する際、銅箔Ａ１９と導体層Ｃ３３の物性値が異なる場合は、収縮バランスが崩れ、銅箔Ａ１９側又は導体層Ｃ３３側に反りが生じる。これは銅箔Ａ１９と導体層Ｃ３３の物性値を揃えることで、バランスが崩れることによる反りを低減できる。
【００１７】
銅箔Ａ１９と導体層Ｃ３３の厚みが同等であることが必要である。これにより物性値（伸び、抗張力、内部応力）を揃え易く、また、ダミーコア２５から製品基板４０を分離した後に、この製品基板４０の表裏で回路形成条件を同じにできるので生産性が容易になる。ここで、厚みが同等とは、±１０％範囲内の差であることをいう。
【００１８】
銅箔Ａ１９と銅箔Ｂ２０の厚みが同等であることが望ましい。これは銅箔１９と導体層の物性値を揃えることで、バランスが崩れることによる反りを低減できる。ここで、厚みが同等とは、±１０％範囲内の差であることをいう。
【００１９】
銅箔Ｂ２０の厚みが、銅箔Ａ１９よりも薄く、銅箔Ｂ２０の単位厚み当りの剛性が大きいことが望ましい。これにより、導体層Ｃ３３の厚みを薄くできるので、微細窓穴（コンフォーマルマスク）形成が可能になる。
【００２０】
導体層Ｃ３３上の下地めっきが、０．３〜３μｍであることが望ましい。このように、下地めっきの厚みを薄くすることにより、大幅なリードタイムの短縮や生産性向上が可能になる。
【実施例】
【００２１】
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明は本実施例に限定されない。
【００２２】
（実施例１）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９、銅箔Ｂ２０として、３ＥＣＶＬＰ１８（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を準備した。つまり、銅箔Ａ１９と銅箔Ｂ２０の厚みは同等である。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００２３】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量２６μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、１８．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）と同等の厚みであった。
【００２４】
次に、図４に示すように銅箔Ａ１９よりも内側の裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００２５】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００２６】
（実施例２）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９として、３ＥＣＶＬＰ１８（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を、銅箔Ｂ２０として、３ＥＣＶＬＰ１２（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１２μｍ）を準備した。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００２７】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量２０μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、１８．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）と同等の厚みであった。
【００２８】
次に、図４に示すように、銅箔Ａ１９よりも内側に裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００２９】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００３０】
（実施例３）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９として、ＨＬＡ１８（日本電解株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を、銅箔Ｂ２０として、３ＥＣＶＬＰ９（三井金属株式会社製、商品名、厚さ９μｍ）を準備した。銅箔Ｂ２０は銅箔Ａ１９よりも薄いが、単位厚みあたりの剛性は４８０Ｎ／ｍm２であり、銅箔Ａ１９の２５０Ｎ／ｍｍ２よりも大きい。ここで、剛性は、何れも、１８０℃で１時間の熱処理後の銅箔についての引っ張り強さを測定した値である。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００３１】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量１７μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、１８．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）と同等の厚みであった。
【００３２】
次に、図４に示すように、銅箔Ａ１９よりも内側の裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００３３】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００３４】
（参考例）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９として、３ＥＣＶＬＰ１８（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を、銅箔Ｂ２０として、ＭＴ１８ＳＤＨ５（三井金属株式会社製、商品名、厚さ５μｍ）を準備した。銅箔Ｂ２０は銅箔Ａ１９よりも薄く、単位厚みあたりの剛性は３５０Ｎ／ｍｍ２であり、銅箔Ａ１９の４８０Ｎ／ｍｍ２よりも小さい。ここで、剛性は、何れも、１８０℃で１時間の熱処理後の銅箔についての引っ張り強さを測定した値である。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００３５】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量１３μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、１８．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）と同等の厚みであった。
【００３６】
次に、図４に示すように、銅箔Ａ１９よりも内側の裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００３７】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００３８】
（比較例１）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９、銅箔Ｂ２０として、３ＥＣＶＬＰ１８（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を準備した。つまり、銅箔Ａ１９と銅箔Ｂ２０の厚みは同等である。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００３９】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量１９μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、２５．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）よりも厚かった。
【００４０】
次に、図４に示すように銅箔Ａ１９よりも内側の裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００４１】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００４２】
（比較例２）
まず、図２に示すように、銅箔Ａ１９、銅箔Ｂ２０として、３ＥＣＶＬＰ１８（三井金属株式会社製、商品名、厚さ１８μｍ）を準備した。つまり、銅箔Ａ１９と銅箔Ｂ２０の厚みは同等である。次に、ダミーコア２５となる銅箔張り積層板２５と、銅箔Ａ１９と、絶縁層９となるプリプレグと、銅箔Ｂ２０とを、この順番にダミーコア２５と対称に構成した後、一括して加熱加圧することにより、ダミーコア２５とともに積層された積層体２６を形成した。なお、銅箔張り積層板２５としては、ＭＣＬ−Ｅ−６７（日立化成工業株式会社製、商品名）、板厚０．２ｍｍ、銅箔厚さ１８μｍ、５００ｍｍ×６００ｍｍのものを用いた。
【００４３】
次に、図３に示すように、フィルドビア１０を形成した。フィルドビア１０は、コンフォーマル工法を用いて層間接続孔２９を形成した後、この層間接続孔２９内をめっきすることで形成した。このめっきには、下地めっきとして薄付け無電解銅めっき（厚さ１．０μｍ）を行った後、フィルドビアめっき液を用いた電解めっきを行った。この層間接続の際に生じるめっき層３１（下地めっきとしての無電解銅めっきとフィルドビアめっき１０により、銅箔Ｂ２０上に形成されるめっき層）は２５μｍであったが、導体層Ｃ３３の厚みを減らすエッチング（エッチング量３１μｍ）を行うため、導体層Ｃ３３としての厚みは、１３．０μｍであり、銅箔Ａ１９の厚み（１８μｍ）よりも厚かった。
【００４４】
次に、図４に示すように銅箔Ａ１９よりも内側の裁断部２８で基板端部を加工し、ダミーコア２５から物理的に剥離して分離した。
【００４５】
最後に図５に示すようにして製品基板４０を作製した。
【００４６】
実施例１〜３、参考例、比較例１，２の結果を、表１に示す。実施例１〜３では、ダミーコアから分離後の内層配線基板の反りは良好であった。参考例、比較例１、２では反りが大きくなる結果となった。
【００４７】
【表１】
0005971518.tif 000002
【符号の説明】
【００４８】
１…（ダミーコア付き）多層配線基板、
９…絶縁層、
１０…フィルドビア、
１９…金属箔Ａ、
２０…金属箔Ｂ、
２１ａ…フィルドビアめっき、
２５…銅張積層板またはダミーコア、
２６…積層体、
２８…断裁部、
２９…層間接続孔又はビア、
３０…第１層導体、
３１…層間接続の際に生じるめっき層、
３３…第２層導体又は導体層Ｃ
３８…（ダミーコア基板の）金属箔
４０…製品基板
【図１】
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【図２】
0005971518.tif 000004
【図３】
0005971518.tif 000005
【図４】
0005971518.tif 000006
【図５】
0005971518.tif 000007