(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）Ｎｉ，Ｃｕ，ＺｎおよびＦｅを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料を主成分とし、前記ＮｉＣｕＺｎフェライト材料が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＣｕを、それぞれＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯに換算して
Ｆｅ2Ｏ3  ：  ４４〜４７ｍｏｌ％
ＮｉＯ    ：  ３０〜５０ｍｏｌ％
ＺｎＯ    ：  ０〜３ｍｏｌ％
ＣｕＯ    ：  残部
となるような割合で含有し、
（ｂ）Ｓｉ、Ｌｉ、Ｅ（Ｅは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種）を、それぞれＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＥＯに換算して、
ＳｉＯ2    ：４０〜８０重量％
Ｌｉ2Ｏ    ：１０〜３０重量％
ＥＯ       ：１０〜４０重量％
の範囲で含むガラスを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、６．０〜２０．０重量部の割合で含有するとともに、
（ｃ）前記ガラスの成分に由来するＬｉ2ＳｉＯ3結晶相が析出し、かつ、
（ｄ）Ｃｏを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、Ｃｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の割合で含有すること
を特徴とする磁性体材料。
【請求項２】
さらに、Ｓｎを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、ＳｎＯ2に換算して０．１〜２．５重量部の割合で含有することを特徴とする請求項１記載の磁性体材料。
【請求項３】
請求項１または２記載の磁性体材料を用いた形成したコアと、
前記コアに巻回されたコイル用巻線と
を具備することを特徴とする巻線型コイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性体材料および巻線型コイル部品に関し、詳しくは、インダクタのコアなどの用途に用いられるフェライト系の磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高周波化にともない、その構成部品についても高周波化への対応が求められている。
【０００３】
このような構成部品の中で、インダクタなどのコイル部品においても高周波化への対応の必要性が強まっている。そして、高周波化への対応性に優れたインダクタのコア用材料として、高周波数領域で透磁率μ’（実部）が低下しない磁性体材料が望まれている。
【０００４】
そのような磁性体材料として、主成分としてＦｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯを含み、かつ副成分としてＢｉ2Ｏ3を含む、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトを含み、かつ、ＳｉＯ2−ＥＯ−Ａ2Ｏ系ガラス（Ｅは、Ｂａ，Ｓｒ，ＣａおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種。Ａは、Ｌｉ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種）を、フェライト１００重量部に対して、１．５〜３．０重量部含むとともに、コバルト酸化物を、フェライト１００重量部に対して、Ｃｏ3Ｏ4に換算して０．１〜０．７重量部含む磁性体が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
そして、この特許文献１によれば、巻線型コイル部品を構成するフェライトコアに用いるのに適した高周波特性の優れた磁性体が得られるとされている。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の磁性体の場合、巻線型コイル部品のコアとして用いると、得られる巻線型コイル部品のＱのピーク周波数が１００〜１５０ＭＨｚであり、ＶＨＦ−Ｈ帯（１７０〜２５０ＭＨｚ）で使用する際にコイルのＱが低下して損失が増大するという問題点がある。
【０００７】
また、特許文献１の組成では、ガラスの添加量を、主成分であるＮｉＣｕＺｎ系フェライト１００重量部に対して４重量部にまで増加すると、比抵抗が低下して、Ｑが低下するという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２７３７２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するものであり、比抵抗が高く、１００ＭＨｚを超えるような高周波帯域におけるＱが高く、例えば、ＶＨＦ−Ｈ帯などで用いられるインダクタのコアの構成材料などとして好適に使用することが可能なフェライト系の磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の磁性体材料は、
（ａ）Ｎｉ，Ｃｕ，ＺｎおよびＦｅを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料を主成分とし、前記ＮｉＣｕＺｎフェライト材料が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＣｕを、それぞれＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯに換算して
Ｆｅ2Ｏ3  ：  ４４〜４７ｍｏｌ％
ＮｉＯ    ：  ３０〜５０ｍｏｌ％
ＺｎＯ    ：  ０〜３ｍｏｌ％
ＣｕＯ    ：  残部
となるような割合で含有し、
（ｂ）Ｓｉ、Ｌｉ、Ｅ（Ｅは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種）を、それぞれＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＥＯに換算して、
ＳｉＯ2    ：４０〜８０重量％
Ｌｉ2Ｏ    ：１０〜３０重量％
ＥＯ       ：１０〜４０重量％
の範囲で含むガラスを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、６．０〜２０．０重量部の割合で含有するとともに、
（ｃ）前記ガラスの成分に由来するＬｉ2ＳｉＯ3結晶相が析出し、かつ、
（ｄ）Ｃｏを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、Ｃｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の割合で含有すること
を特徴としている。
【００１１】
本発明の磁性体材料においては、さらに、Ｓｎを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、ＳｎＯ2に換算して０．１〜２．５重量部の割合で含有していることが望ましい。
Ｓｎを、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、ＳｎＯ2に換算して０．１〜２．５重量部の割合で含有させることにより、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアとして用いた場合に、コアに加わる応力によるインダクタンス(Ｌ）の変化率を低下させることができる。したがって、本発明の磁性体材料をコア部材として用いることにより、携帯電話のように外的衝撃を受けやすい部品においても安定して使用することが可能な巻線型コイル部品を実現することが可能になる。
【００１２】
また、本発明の巻線型コイル部品は、上記本発明の磁性体材料を用いて形成したコアと、前記コアに巻回されたコイル用巻線とを具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の磁性体材料は、（ａ）Ｎｉ，Ｃｕ，ＺｎおよびＦｅを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料を主成分とし、ＮｉＣｕＺｎフェライト材料が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＣｕを、それぞれＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯに換算して、Ｆｅ2Ｏ3：４４〜４７ｍｏｌ％、ＮｉＯ：３０〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：０〜３ｍｏｌ％、ＣｕＯ：残部となるように含有し、（ｂ）Ｓｉ、Ｌｉ、Ｅ（Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種）を、それぞれＳｉＯ2、Ｌｉ2Ｏ、ＥＯに換算して、ＳｉＯ2：４０〜８０重量％、Ｌｉ2Ｏ：１０〜３０重量％、ＥＯ：１０〜４０重量％の範囲で含むガラスを、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、６．０〜２０．０重量部の割合で含有するとともに、（ｃ）ガラスの成分に由来するＬｉ2ＳｉＯ3結晶相が析出し、かつ、（ｄ）Ｃｏを、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、Ｃｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の割合で含有しているので、比抵抗が高く、高周波帯域で高いＱを有し、かつ、透磁率の温度変化率の低い磁性体材料を提供することが可能になる。
【００１４】
また、本発明の巻線型コイル部品は、上記本発明の磁性体材料を用いて形成したコアと、前記コアに巻回されたコイル用巻線とを具備しているので、高周波帯域で高いＱを有する、特性の良好な巻線型コイル部品を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施例にかかる巻線型コイル部品の構成を示す図であり、(ａ)は正面図、(ｂ)は側面図である。
【図２】本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たさない比較用の磁性体材料についてのＸ線回折結果を示す図である。
【図３】本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たす磁性体材料についてのＸ線回折結果を示す図である。
【図４】磁性体材料へのガラス添加量とＱの関係を示すグラフである。
【図５】磁性体材料のμ’（実部）とμ”（虚部）の周波数特性を示すグラフである。
【図６】巻線型コイル部品のＱの周波数特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００１７】
本発明の磁性体材料は、上述の課題を解決することができるように、種々の実験、検討を行い、以下の実施例の結果なども勘案してなされたものであり、
(１)透磁率μ’が２００ＭＨｚで３以上、
(２)磁性体材料のＱが２００ＭＨｚで４０以上、
(３)透磁率μ’の温度変化率が１０００ｐｐｍ／℃以下、
(４)比抵抗ｌｏｇρｖが７Ω・ｃｍ以上
の特性を実現することができるように、その要件を定めたものである。
【００１８】
まず、２００ＭＨｚで３以上の透磁率μ’が確保できるようにしたのは、透磁率μ’が３未満になると、本発明の磁性体材料を使用することによるインダクタンスＬの増加割合が２倍未満となり、磁性体のＱ値が無限大であるアルミナコアとの差別化が図れなくなることによる。
【００１９】
また、磁性体材料のＱとして、２００ＭＨｚで４０以上のＱが確保できるようにしたのは、磁性体材料のＱが２００ＭＨｚで４０未満になると、コイルの損失が増加して、コイルのＱピーク周波数が２００ＭＨｚ以下となり、ＶＨＦ−Ｈ帯で使用することができなくなることによる。
【００２０】
また、透磁率μ’の温度変化率が、１０００ｐｐｍ／℃以下になるようにしたのは、ＬＣ共振回路のコンデンサの温度補償係数が最大でも７５０ｐｐｍ／℃であり、透磁率の温度変化率が１０００ｐｐｍ／℃以上になると温度補償できなくなることによる。
【００２１】
また、比抵抗ｌｏｇρｖが７Ω・ｃｍ以上になるようにしたのは、比抵抗ｌｏｇρｖが７Ω・ｃｍを下回ると、巻線型コイル部品や磁性体材料のＱが低下し、望ましくないことによる。
【００２２】
本発明の磁性体材料は、Ｎｉ，Ｃｕ，ＺｎおよびＦｅを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料を主成分とし、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｅ（Ｅは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種）を含むガラスを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、６．０〜２０．０重量部の割合で含有するとともに、Ｃｏを、前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、Ｃｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の割合で含有する磁性体材料である。
【００２３】
すなわち、本発明の磁性体材料は、
ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料：１００重量部
ガラス成分                  ：６〜２０重量部
Ｃｏ                    ：０．３〜０．７重量部（Ｃｏ3Ｏ4換算）
を含むものであり、ガラス成分は、上述のアルカリ土類金属酸化物−アルカリ金属酸化物系ガラスである。
ただし、ガラス成分はＢｉ，Ｂを含まないものであることが望ましい。これは、Ｂｉを含有すると透磁率μ’の温度変化率が大きくなってしまうこと、またＢを含有するとバインダーと反応を起こし、ゲル化してしまうことによる。
【００２４】
本発明の磁性体材料は、Ｑピーク周波数が２００ＭＨｚ以上の巻線型コイル部品のコア（巻線コア）に好適に用いることができるものである。
【００２５】
また、本発明の磁性体材料は、添加成分として、さらに、Ｓｎを、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、ＳｎＯ2に換算して０．１〜２．５重量部の割合で含有させることが可能である。Ｓｎを含有させることにより、巻線型コイル部品のコアとして用いた場合に、コアに加わる応力によるインダクタンス(Ｌ）の変化率を低下させることができる。
【００２６】
また、本発明の磁性体材料においては、さらにＭｎを、ＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対してＭｎ3Ｏ4に換算して０．０５〜１．０重量部の割合で含有させることができる。
Ｍｎを含有させることにより、比抵抗が向上し、さらにＱを高めることが可能になる。
【００２７】
本発明の磁性体材料は、上述のような組成を有していることから、材料のＱが向上する。ただし、Ｑは、透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）の比（Ｑ＝μ’／μ”）である。
本発明の磁性体材料においては、上記ガラス成分の添加量が４重量部に達するまでは比抵抗が減少するが、６重量部以上になると比抵抗が増加する。そして、この比抵抗の増加により、高周波における渦電流損失が減少してμ”が低下することにより、Ｑが増加する。
なお、比抵抗が増加するのは、ガラス成分をＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、６〜２０重量部の割合で含有させることにより、ガラス結晶相が析出するためであると考えられる。
また、ＣｏをＣｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の範囲で含有させることにより、スネークの限界線が少し高周波側にシフトし、高周波のＱが増加することが確認されている。
【００２８】
また、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアに用いることにより、コイルのＱピーク周波数が１００〜１４０ＭＨｚから２００〜３００ＭＨｚに増加し、２００ＭＨｚのコイルのＱが増加することが確認されている。
【００２９】
また、本発明の磁性体材料は、上述のような組成を有していることから、透磁率μ’の温度変化率を−４０〜８５℃で１０００ｐｐｍ／℃以下に安定させることができる。
その結果、外気温の変化の影響を抑制することが可能になり、温度補償用コンデンサやサーミスタと組み合わせることで、携帯電話などの電気製品に対して好適に使用することができる。
【００３０】
これは、配合したガラスの熱膨張係数が１３ｐｐｍ／℃と、フェライト材の熱膨張係数１０ｐｐｍ／℃より大きいため、低温ではフェライト粒子に引張応力が加わって透磁率μ’が増加し、高温ではフェライト粒子に圧縮応力が加わって透磁率μ’が減少することによるものと考えられる。これにより、Ｃｏ添加量の増加による透磁率μ’の温度変化率の増加を抑制することが可能になる。
ただし、Ｂｉを、主成分であるＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、Ｂｉ2Ｏ3に換算して０．２重量部以上含有している場合、この作用が弱まり、透磁率μ’の温度変化率が大きくなる傾向があるため、好ましくない。
【００３１】
なお、本発明の磁性体材料においては、主成分であるＮｉＣｕＺｎフェライトの組成は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＣｕを、それぞれＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯに換算して
Ｆｅ2Ｏ3  ：  ４４〜４７ｍｏｌ％
ＮｉＯ    ：  ３０〜５０ｍｏｌ％
ＺｎＯ    ：  ０〜３ｍｏｌ％
ＣｕＯ    ：  残部
とすることが好ましい。
主成分であるＮｉＣｕＺｎフェライトの組成を、上記の範囲とすることにより、ＶＨＦ−Ｈ帯でのＱを高めることができる。
【００３２】
また、ガラス成分については、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｅ（Ｅは、Ｂａ，ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる少なくとも１種）を含むガラスを用い、それぞれＳｉＯ2、ＥＯ、Ｌｉ2Ｏに換算して、ＳｉＯ2を４０〜８０重量％、ＥＯを１０〜４０重量％、Ｌｉ2Ｏを１０〜３０重量％の範囲とすることが好ましい。
主成分であるＮｉＣｕＺｎフェライトに配合するガラス成分の組成をこのような範囲とすることで、ＮｉＣｕＺｎフェライトの焼成工程において焼結性を高めることが可能になるとともに、高周波でのＱを高めることができる。
また、ガラス成分は、Ａｌ、ＴｉなどをＡｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2に換算して１０重量％未満の範囲で含んでいてもよい。
【実施例１】
【００３３】
まず、Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＣｕＯ，およびＺｎＯの酸化物原料粉末を準備した。そして、これらの酸化物原料粉末を、
Ｆｅ2Ｏ3＝４６ｍｏｌ％、
ＮｉＯ  ＝４４ｍｏｌ％、
ＣｕＯ  ＝８ｍｏｌ％、
ＺｎＯ  ＝２ｍｏｌ％
となるように秤量し、ビーズミルにて、湿式で混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒した。それから、造粒体を大気中にて、６００〜９００℃で仮焼することにより仮焼粉を得た。
【００３４】
また、ガラス成分として、ＢａＯが２０重量％、Ｌｉ2Ｏが２０重量％、ＳｉＯ2が６０重量％の組成のガラス粉末を準備した。
また、Ｃｏ原料として、Ｃｏ3Ｏ4を準備した。
【００３５】
それから、上述のようにして作製した仮焼粉に、表１に示すような配合比となるように、上記ガラス粉末およびＣｏ3Ｏ4を添加し、さらにバインダーとして所定量のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を添加した。それから、アトライターで湿式混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒して、造粒粉末を作製した。
次に、得られた造粒粉末に、湿潤剤として所定量のステアリン酸マグネシウムを添加した後、プレス成型機で所定の形状に成型し、８００〜１０００℃の温度で、大気中２〜５時間焼成することにより、試料（磁性体材料）を得た。
【００３６】
なお、この実施例では、試料として、
(ａ)焼成後のサイズが、外径：１０ｍｍ、内径：６ｍｍ、厚み：２ｍｍのリング形状の試料、
(ｂ)焼成後のサイズが、外径：１０ｍｍ、厚み：１ｍｍの円板形状の試料、および、
(ｃ)図１に示すような長さＬ＝１．０ｍｍ、幅Ｗ＝０．５ｍｍ、高さＴ＝０．５ｍｍの巻線型コイル部品用のコア（フェライトコア）
の３種類の試料を作製した。
【００３７】
なお、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）原料中には、Ｍｎ不純物が通常０．１〜１．０重量％程度含まれており、このＭｎが０．０５重量％以下になるように精製した酸化鉄原料は高価である。そのため、本実施例では経済性が損なわれないように、Ｍｎが０．０５〜０．５重量％含まれる酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）原料を用いた。
【００３８】
[リング状の試料を用いた特性測定］
作製したリング状の試料について、軟銅線を３ターン巻回し、アジレント・テクノロジー社製のインピーダンスアナライザ（型番Ｅ４９９１Ａ）を用いて透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）の測定を行った。また、各試料の透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）の値からＱの値（Ｑ＝μ’／μ”）を求めた。
【００３９】
また、試料を恒温槽に設置し、恒温槽内の温度を変化させて、−４０℃〜８５℃でのμ’を測定し、下記の式(１)から２０℃基準のμ’の変化率（αμ）求めた。
αμ＝(μ’t−μ’20)／μ’20／(ｔ−２０)×１０6（ｐｐｍ／℃）……(１)
ただし、μ’tはｔ℃におけるμ’の値であり、μ’20は２０℃におけるμ’の値である。
【００４０】
[円板状の試料を用いた比抵抗ｌｏｇρｖ（Ω・ｃｍ）の測定］
次に、円板状の試料に対向電極を形成し、これら電極間に直流電圧５０Ｖを印加して絶縁抵抗（ＩＲ）を測定し、この測定値と試料寸法から比抵抗ｌｏｇρｖ（Ω・ｃｍ）を求めた。
【００４１】
[フェライトコアの特性測定］
また、作製した巻線型コイル部品用のコア１（図１）について、鍔部２ａ，２ｂの底部にＡｇペーストを塗付して焼付け処理を行って下地層を形成した後、Ｎｉ電解めっきおよびＳｎ電解めっき処理を行い、下地層の上にＮｉめっき膜、Ｓｎめっき膜を順次形成することにより、外部電極６ａ，６ｂを作製した。
【００４２】
次に、コア１の巻芯部１ａに、コイル用巻線（軟銅線）４を１５ターン巻回した。そして、コイル用巻線４の両端を外部電極６ａ，６ｂにそれぞれ熱圧着によって接続し、図１に示すような巻線型コイル部品を作製した。
【００４３】
得られた巻線型コイル部品について、前述のインピーダンスアナライザ（型番Ｅ４９９１Ａ）を用いて、インピーダンスＺを測定し、インピーダンスの虚数成分と実数成分の比からコイルのＱの値（Ｑ＝インピーダンスの虚数成分／インピーダンスの実数成分）を求めた。
そして、１０ＭＨｚ〜５００ＭＨｚの周波数領域でのＱを求め、Ｑが最も高くなったときの周波数をＱピーク周波数とした。
また、フェライトコア（焼結体）を乳鉢で粉砕し、Ｘ線回折を行った。
【００４４】
表１に、各試料の組成、２００ＭＨｚでのμ’、Ｑ値（＝μ’／μ”）、およびμ’の温度変化率（αμ）、比抵抗ｌｏｇρｖ、巻線型コイル部品のＱが最大となる周波数（コイルのＱピーク周波数）を示す。
なお、表1において試料番号に＊を付した試料は、本発明の要件を備えていない比較用の試料である。
【００４５】
【表１】
0005871017.tif 000002
【００４６】
また、図２に試料番号１の試料（本発明の要件を満たさない試料）についてのＸ線回折を結果を示し、図３に試料番号５の試料(（本発明の要件を満たす試料）のＸ線回折の結果を示す。
【００４７】
[特性の評価]
(１)試料番号２〜９の試料の、ガラス成分の含有量と、比抵抗およびＱ（磁性体材料のＱ）の関係を図４に示す。
【００４８】
ガラス成分の含有量が主成分であるＮｉＣｕＺｎ系フェライト１００重量部に対して２重量部（試料番号２）から４重量部（試料番号３）に増加すると、従来の磁性体材料（特許文献１）の場合と同様に比抵抗が低下して、磁性体材料のＱも低下することがわかった。
しかし、ガラス量をさらに増やして、６〜２５重量部（試料番号４〜９）とすると、比抵抗とＱが増加することが確認された。この結果、コイルのＱピーク周波数も増加することが分かった。
本発明の要件を満たさない試料番号１の試料についてのＸ線回折の結果を示す図２、本発明の要件を満たす試料番号５の試料についてのＸ線回折結果を示す図３より、いずれもＮｉＦｅ2Ｏ4のスピネル相が主相であるが、試料番号１（図２）ではスピネル相以外にＣｕＯ相が認められたのに対し、試料番号５（図３）では、ＮｉＦｅ2Ｏ4相と、ガラス成分に起因するＬｉ2ＳｉＯ3結晶相が認められ、ＣｕＯ相は認められなかった。この結果から、ガラス成分の含有量を６重量部以上とし、ガラス成分に由来するＬｉ2ＳｉＯ3結晶相を析出させることで、比抵抗ｌｏｇρｖが増加し、磁気特性のＱ（磁性体材料のＱ）も増加したものと考えられる。
【００４９】
(２)また、試料番号１と試料番号５の試料（磁性体材料）のμ’およびμ”の周波数特性を図５に示す。
【００５０】
試料番号１の試料は本発明の要件を満たさない磁性体材料であり、周波数１００ＭＨｚ以上でμ”が急激に増加した。
一方、ガラス成分の含有量を８重量部に増加した、本発明の要件を満たす試料番号５の試料（磁性体材料）の場合、μ’は減少したが、μ”の増加を抑制することができた。その結果、例えば、２００ＭＨｚでのＱを１２０と高くすることができた。
【００５１】
(３)また、試料番号１と試料番号５の磁性体材料を用いて作製した巻線型コイル部品について求めたＱ(コイルのＱ）の測定結果を図６に示す。
【００５２】
図６から、試料番号１の磁性体材料を用いた巻線型コイル部品の場合、１００ＭＨｚ付近のＱは高いが、１００ＭＨｚを超えると、コイルのＱが急激に低下してしまうことが確認された。
これに対し、試料番号５の磁性体材料を用いて作製した巻線型コイル部品の場合、ＶＨＦ−Ｈ帯でのコイルのＱを高めることができた。
【００５３】
なお、表１に示すように、試料番号１の試料はＣｏ3Ｏ4の含有量が０．２重量部、ガラス成分の含有量が２．０重量部と、本発明の範囲外の組成である。Ｃｏ3Ｏ4の含有量、およびガラス成分の含有量が本発明の範囲を下回っているので、高周波、例えば２００ＭＨｚでのＱが４と低く、その結果、コイルのＱがピークとなる周波数（コイルのＱピーク周波数）も１１０ＭＨｚと低く、ＶＨＦ−Ｈ帯で使用するには十分ではないことが確認された。
【００５４】
また、試料番号２の試料は、試料番号１の試料に比べて、Ｃｏ3Ｏ4の含有量を０．５  重量部に増加させているが、本発明の要件（ガラス成分の含有量：６．０〜２０．０重量部）を満たさない試料である。この試料番号２の試料の場合、Ｃｏ3Ｏ4の含有量の増加により、２００ＭＨｚでのＱは増加するが、ガラス添加量が２．０重量部と少ないため、μ’の温度変化率（αμ）が大きくなり１０００ｐｐｍ／℃を超えることが確認された。
【００５５】
また、試料番号３の試料は、ガラス成分の含有量が４．０重量部と試料番号１および２のガラス成分の含有量２重量部より多いものの、本発明の要件（ガラス成分の含有量：６．０〜２０．０重量部）を満たさない試料であり、比抵抗ｌｏｇρｖが６Ω・ｃｍと低く、その結果、磁性体材料のＱも２０と低いことが確認された。
【００５６】
一方、試料番号３の試料の場合、透磁率μ’の温度変化率（αμ）は、試料番号２の試料に比べて改善されているが、これはガラス成分の含有量が増加したことによる効果である。
【００５７】
また、試料番号９の試料は、ガラス添加量が２５．０重量部と本発明の範囲を超えた試料で、透磁率μ’が２．９と低く、好ましくないことが確認された。
【００５８】
また、試料番号１０は、Ｃｏ3Ｏ4の含有量（添加量）が０．２重量部と本発明の要件（０．３〜０．７重量部）を満たさない試料であり、２００ＭＨｚでの磁性体材料のＱが２０と低く、その結果、コイルのＱピーク周波数も１２０ＭＨｚと低く、ＶＨＦ−Ｈ帯で使用するには十分な特性が得られないことが確認された。
【００５９】
また、試料番号１３は、Ｃｏ3Ｏ4の含有量（添加量）が０．８重量部と本発明の要件（０．３〜０．７重量部）を満たさない試料であり、透磁率μ’が低く、また、透磁率μ’の温度変化率（αμ）も１０００ｐｐｍ／℃を超えており、好ましくないことが確認された。
【００６０】
これに対し、ガラス成分の含有量が６．０〜２０．０重量部、Ｃｏ含有量がＣｏ3Ｏ4に換算して０．３〜０．７重量部の範囲とした、試料番号４，５，６，７，８，１１および１２の試料（本発明の要件を満たす試料）の場合、２００ＭＨｚでの透磁率μ’が３．８以上、Ｑが６０以上、透磁率μ’の温度変化率（αμ）が８００ｐｐｍ／℃以下、比抵抗ｌｏｇρｖが８Ω・ｃｍ以上、コイルのＱピーク周波数が２００ＭＨｚ以上と、望ましい特性を備えた磁性体材料（フェライト材料）が得られることが確認された。
【実施例２】
【００６１】
Ｆｅ2Ｏ3，ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯ，およびＳｎＯ2の酸化物原料粉末を準備し、
Ｆｅ2Ｏ3＝４６ｍｏｌ％、
ＮｉＯ  ＝４４ｍｏｌ％、
ＣｕＯ  ＝８ｍｏｌ％、
ＺｎＯ  ＝２ｍｏｌ％、
となるように秤量した。
【００６２】
これに、さらに、ＳｎＯ2が表２に示すような割合、すなわち、上記のＦｅ2Ｏ3＝４６ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝４４ｍｏｌ％、ＣｕＯ＝８ｍｏｌ％、ＺｎＯ＝２ｍｏｌ％を含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト原料（主成分原料）１００重量部に対して、ＳｎＯ2が０．０重量部、０．１重量部、０．５重量部、２．５重量部となるような割合で秤量し、ビーズミルにて、湿式で混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒した。
それから、造粒体を大気中にて、６００〜９００℃で仮焼することにより仮焼粉を得た。
【００６３】
また、上記実施例１の場合と同様に、ＢａＯが２０重量％、Ｌｉ2Ｏが２０重量％、ＳｉＯ2が６０重量％の組成のガラス粉末を準備した。
また、Ｃｏ原料として、実施例１と同じく、Ｃｏ3Ｏ4粉末を準備した。
【００６４】
それから、上述のようにして作製した仮焼粉に、表２に示すような配合比となるように、ガラス粉末およびＣｏ3Ｏ4を添加し、さらにバインダーとして所定量のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を添加して、アトライターで湿式混合粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒し、造粒粉末を作製した。
【００６５】
次に、得られた造粒粉末に、実施例１の場合と同様に、湿潤剤として所定量のステアリン酸マグネシウムを添加した後、プレス成型機で所定の形状に成型し、８００〜１０００℃の温度で、大気中２〜５時間焼成することにより、試料（磁性体材料）を得た。
【００６６】
なお、試料としては、実施例１の場合と同じサイズの、
(ａ)リング形状の試料、
(ｂ)円板形状の試料、および、
(ｃ)巻線型コイル部品用のコア（フェライトコア）
の３種類の試料を作製した。
また、巻線型コイル部品用のコアを用いて、実施例１と同じ構成の巻線型コイル部品を作製した。
【００６７】
そして、作製した各試料を用いて、透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）、２０℃基準のμ’の変化率（αμ）、比抵抗ｌｏｇρｖ、巻線型コイル部品のＱピーク周波数を測定した。特性の測定方法は、実施例１の場合と同様である。
【００６８】
また、巻線型コイル部品については、基板にはんだ付けにより実装し、高さ２ｍの距離から落下させ、インダクタンスＬの変化率を測定した。なお、インダクタンスＬの測定は、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製Ｅ４９９１Ａ）により行った。
特性の測定結果を表２に併せて示す。
【００６９】
【表２】
0005871017.tif 000003
【００７０】
ＳｎＯ2を添加していない、表２の試料番号２１の試料の場合、高さ２ｍの距離から落下させた場合の、落下の前後のインダクタンスＬの変化率は２．０％であった。
【００７１】
これに対し、ＳｎＯ2をＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料１００重量部に対して、０．１重量部（試料番号２２）、０．５重量部（試料番号２３）、および２．５重量部（試料番号２４）添加した試料の場合、高さ２ｍの距離から落下させた場合の、落下の前後のインダクタンスＬの変化率は、０．５％（試料番号２２）、０．４％（試料番号２３）、および０．３％（試料番号２４）に低下することが確認された。
【００７２】
したがって、使用の態様から、落下衝撃を避けることが事実上困難である携帯電話器などの電子機器に搭載する巻線型コイル部品のコアに用いられる磁性体材料としては、例えば、試料番号２２〜２４の試料のように、ＳｎをＳｎＯ2に換算して０．１〜２．５重量部の範囲で添加した磁性体材料を用いることにより、落下試験によるインダクタンスＬの変化率が０．５％以下の巻線型コイル部品を提供することが可能になり、好ましい。
【００７３】
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、磁性体材料の製造に用いられる原料粉末の種類、製造工程における仮焼工程やその後の焼成工程における具体的な条件、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアとして用いる場合における巻線型コイル部品の具体的な構造などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１            コア
１ａ          コアの巻芯部
２ａ、２ｂ    鍔部
４            コイル用巻線（軟銅線）
６ａ，６ｂ    外部電極
【図１】
0005871017.tif 000004
【図２】
0005871017.tif 000005
【図３】
0005871017.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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