(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に第１導電型の不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる第１導電型の複数の不純物領域を形成し、
前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第１不純物領域の不純物濃度のピーク位置と前記表面との間に位置する第２導電型の第１不純物領域、および、前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第２不純物領域の不純物濃度のピーク位置と前記表面との間に位置し、トランジスタを構成する第２導電型の第２不純物領域を形成し、
前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第３不純物領域を、前記半導体基板のアクティブ領域を分離するための分離領域を通して形成することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第１導電型の第１不純物領域および前記第２導電型の第１不純物領域はフォトダイオードを構成することを特徴とする請求項１項に記載の製造方法。
【請求項３】
前記表面と前記第２導電型の第１不純物領域との間に位置する第１導電型の不純物層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第４不純物領域の不純物濃度のピーク位置と前記表面との間に、前記第２導電型の第２不純物領域で構成された前記トランジスタとは閾値の異なるトランジスタを構成する第２導電型の第３不純物領域を形成することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記分離領域は前記フォトダイオードと前記トランジスタとの間に位置することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項６】
光透過率が互いに異なる複数の領域を含むフォトマスクを用いて、前記半導体基板の上の無機材料からなる膜の上に塗布されたフォトレジストを露光し、
前記フォトレジストを現像して、前記フォトレジストの露光量に依存した互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンをマスクとして前記無機材料のエッチングを行い、前記無機材料からなる膜から、異なる膜厚を有する前記複数の領域を含む前記マスクパターンを形成することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記マスクパターンは、酸化シリコン又は窒化シリコンからなる請求項１乃至６の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記複数の不純物領域の形成において、前記膜厚が互いに異なる複数の領域を通して同時に不純物イオンを注入し、
前記半導体基板に注入された前記第１導電型の不純物イオンを熱拡散することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記複数の不純物領域の形成において、前記不純物イオンの注入は少なくとも、第１エネルギーで行われる第１注入と、前記第１エネルギーよりも低いエネルギーで行われる第２注入とを有することを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第１注入におけるドーズ量と、前記第２注入におけるドーズ量とは互いに異なることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板内に不純物領域を形成する方法として、フォトリソグラフィ工程で半導体基板上にレジストパターンを形成し、イオン注入工程でレジストパターンを用いて半導体基板へ不純物イオン（すなわち不純物領域を形成するためのイオン）を注入するものある。レジストパターンのうちフォトレジストが除去された部分へ向けて注入された不純物イオンは半導体基板内へ到達して不純物領域を形成する。一方、レジストパターンのうちフォトレジストが残存する部分へ向けて注入された不純物イオンは半導体基板まで到達しないため、半導体基板内に不純物領域を形成しない。このように、形成したい不純物領域に応じたレジストパターンを用いてイオン注入を行う。以下、フォトリソグラフィ工程とイオン注入工程とを合わせて不純物領域形成工程と呼ぶ。不純物領域の深さ方向の濃度分布は不純物イオンを注入する条件に依存する。そのため、深さ方向の濃度分布が異なる複数の不純物領域を形成するためには、不純物領域と同数の不純物領域形成工程を行う必要があった。
【０００３】
特許文献１に記載された技術によれば、２回の不純物領域形成工程のそれぞれで用いられるレジストパターンの開口部を部分的に重ね合わせることで、深さ方向の濃度分布が異なる３種類の不純物領域を形成する。これにより、不純物領域形成工程の回数を低減している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９６７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の方法では、１回の不純物領域形成工程で形成される不純物領域の不純物濃度のピーク位置の深さは、イオン注入の条件に依存する。そのため、半導体基板の表面からピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に形成するためには、複数の不純物領域のそれぞれについて別個に不純物領域形成工程を行う必要がある。特許文献１に記載された技術を用いたとしても、１回のイオン注入工程によって不純物濃度のピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域が形成されるわけではない。そこで、本発明の１つの側面は、不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に従来よりも少ない工数で形成するための技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の１つの実施形態では、半導体基板の上に互いに異なる膜厚を有する複数の領域を含むマスクパターンを形成し、前記マスクパターンの膜厚が互いに異なる前記複数の領域を通して前記半導体基板に第１導電型の不純物イオンを注入して、前記半導体基板の表面から不純物濃度のピーク位置までの深さが互いに異なる第１導電型の複数の不純物領域を形成し、前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第１不純物領域の不純物濃度のピーク位置と前記表面との間に位置する第２導電型の第１不純物領域、および、前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第２不純物領域の不純物濃度のピーク位置と前記表面との間に位置し、トランジスタを構成する第２導電型の第２不純物領域を形成し、前記複数の不純物領域のうちの第１導電型の第３不純物領域を、前記半導体基板のアクティブ領域を分離するための分離領域を通して形成することを特徴とする製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
上記手段により、不純物濃度のピーク位置までの深さが異なる複数の不純物領域を半導体基板内に従来よりも少ない工数で形成するための技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】１つの実施形態による不純物領域を形成する方法を説明する図。
【図２】１つの実施形態による多階調フォトマスクを説明する図。
【図３】１つの実施形態による固体撮像装置の製造方法を説明する図。
【図４】固体撮像装置の製造方法の変型例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
添付の図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。まず、図１および図２を参照しつつ、半導体基板の表面から不純物濃度のピーク位置まで深さが互いに異なる複数の不純物領域を半導体基板内に形成する方法の一例を説明する。続いて、図３を参照しつつ、この不純物領域を形成する方法を用いた半導体装置の製造方法の一例を説明する。本明細書では、言及されない限り、不純物濃度のピーク位置までの深さとは半導体基板の表面から不純物領域の不純物濃度のピーク位置までの深さを表す。
【００１０】
図１を用いて、本発明の１つの実施形態による不純物領域を半導体基板内に形成する方法の各工程を説明する。以下に詳細に説明するように、本方法では多階調のパターンを有するフォトマスクを用いてフォトリソグラフィ工程を行うことによって半導体基板の互いに異なる深さにピーク位置を有する複数の不純物領域を形成しうる。まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１０１の上に均一になるようにフォトレジスト１０２を塗布する。次に、図１（ｂ）に示すように、フォトマスク１０３を用いてフォトレジスト１０２を露光する。この例では、フォトレジスト１０２はポジ型である。
【００１１】
ここで、図２を用いてフォトマスク１０３について説明する。図２において、２０１はフォトマスク１０３の正面略図、２０２はフォトマスク１０３の平面略図、２０３はフォトマスク１０３の位置と光透過率との関係を表すグラフである。フォトマスク１０３は多階調のパターンを有するフォトマスクであり、光透過率が互いに異なる複数の領域１０３ａ〜１０３ｆを含みうる。本実施形態では、グラフ２０３に示すように、領域１０３ａの光透過率が１００％であり、同様に領域１０３ｂ〜１０３ｆの光透過率がそれぞれ８０％、６０％、４０％、２０％、０％である。領域１０３ｆの光透過率は０％であるため、領域１０３ｆは遮光部でありうる。多階調のパターンを有するフォトマスクはグレートーンマスクであってもよいし、ハーフトーンマスクであってもよい。グレートーンマスクとは露光機の解像度以下の開口をフォトマスク１０３に形成することによって光透過度を調整したフォトマスクである。グレートーンマスクでは、開口の大きさや密度で光透過度を調整することが出来る。また、ハーフトーンマスクとは遮光膜と半透過膜とを組み合わせて形成されたフォトマスクである。ハーフトーンマスクの半透明膜は複数の光透過度を選択することが出来る。
【００１２】
図２を用いて説明されたフォトマスク１０３を用いてフォトレジスト１０２を露光することによって、図１（ｂ）に示されるように、フォトレジスト１０２の各領域１０２ａ〜１０２ｆの露光量はそれぞれ異なる。図１（ｂ）において矢印の本数で露光光の強度を模式的に示すように、領域１０２ａの露光量が最も多く、領域１０２ａから領域１０２ｆに向かうにつれて露光量が低減し、領域１０２ｆは露光されない。このように、フォトマスク１０３の光透過率に依存してフォトレジスト１０２の露光量が変化する。具体的には、フォトマスク１０３の光透過率が高いほどフォトレジスト１０２の露光量が多い。この光透過率、すなわち露光量は、使用するフォトレジストの露光量と残存する膜厚とに基づいて設定されうる。
【００１３】
続いて、図１（ｃ）に示すように、露光されたフォトレジスト１０２を現像してレジストパターン１０４を形成する。フォトレジスト１０２の各領域１０２ａ〜１０２ｆで露光量が異なるため、フォトレジスト１０２の現像により、膜厚が互いに異なる複数の領域１０４ａ〜１０４ｆを含むレジストパターン１０４が形成される。具体的には、フォトレジスト１０２のうち最も露光量の多い領域１０２ａは現像により除去されて領域１０４ａにおけるレジストパターン１０４の膜厚はゼロになる。同様に、領域１０４ｂから領域１０４ｆへ向かって、露光量が小さくなるにつれて、除去されずに残存するレジストパターン１０４の膜厚は厚くなる。特に、フォトレジスト１０２の領域１０２ｆは露光されないため、レジストパターン１０４の領域１０４ｆとしてそのまま残存する。
【００１４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン１０４を通して半導体基板１０１へ不純物イオンを注入する。半導体基板１０１へ注入された不純物イオンにより形成される不純物領域のピーク位置の深さは、レジストパターン１０４の膜厚に依存する。すなわち、レジストパターン１０４の膜厚が薄いほど不純物領域のピーク位置は深くなる。具体的に、レジストパターン１０４の領域１０４ａの膜厚はゼロであるため、領域１０４ａを通った不純物イオンはピーク位置が最も深い位置に不純物領域１０５ａを形成する。また、レジストパターン１０４の領域１０４ｂ〜１０４ｅを通った不純物イオンはそれぞれ不純物領域１０５ｂ〜１０５ｅを形成し、この順番でピーク位置の深さが深い。一方、レジストパターン１０４のうち最も膜厚が厚い領域１０４ｆへ注入された不純物イオンは領域１０４ｆを貫通できないため、半導体基板１０１まで到達せず、半導体基板１０１内に不純物領域を形成しない。以上のように、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストパターン１０４を用いてイオン注入を行うことによって、ピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域１０５ａ〜１０５ｅが同時に形成される。不純物領域１０５ａ〜１０５ｅが形成された後に、半導体基板１０１上のレジストパターン１０４を除去する。
【００１５】
以上のように、本実施形態による不純物領域の形成方法によれば、１回のフォトリソグラフィと１回のイオン注入とを行うことによって、ピーク位置までの深さが互いに異なる複数の不純物領域を形成することができる。
【００１６】
続いて、図３を参照しつつ半導体装置の製造方法の一例を説明する。図３では半導体装置の例としてＣＭＯＳ型の固体撮像装置を扱うが、本発明はＣＣＤ型の固体撮像装置や半導体メモリ等のその他の半導体装置にも適用可能である。まず、本実施形態による製造方法によって製造される固体撮像装置３００の構成を図３（ｄ）を用いて説明する。図３（ｄ）は１つの画素に注目した固体撮像装置３００の断面図であり、固体撮像装置３００はセンサ部となるフォトダイオード３１０と、その周辺に位置する２つのトランジスタ３２０、３３０とを含みうる。トランジスタ３２０、３３０はそれぞれ、信号電荷をリセットするためのリセットトランジスタ、フォトダイオード信号を増幅するための増幅トランジスタ、および増幅トランジスタからの信号を選択的に出力するための選択トランジスタのいずれかでありうる。フォトダイオード３１０とトランジスタ３２０、３３０との間には、分離領域３０３と、その下に位置するガード層として機能するＰ＋型の不純物領域３０７ｄとが配置されうる。フォトダイオード３１０の周辺に位置するトランジスタとして、フォトダイオード３１０にて生じた電荷を転送するためのトランジスタ等も有りうる。
【００１７】
フォトダイオード３１０は、半導体基板の表面に位置するＰ＋層３１１、その下に位置するＮ型領域３１２、およびさらにその下に位置するＰ型の不純物領域３１３を含みうる。光電子の収集効率を高めるため、不純物領域３１３は半導体基板の深い位置まで形成されうる。トランジスタ３２０は、ゲート電極３２１、ゲート絶縁膜（不図示）、Ｎ＋型のソース領域３２２、Ｎ＋型のドレイン領域３２３、およびＰ型の不純物領域３２４を含みうる。トランジスタ３３０は、ゲート電極３３１、ゲート絶縁膜（不図示）、Ｎ＋型のソース領域３３２、Ｎ＋型のドレイン領域３３３、およびＰ型の不純物領域３３４を含みうる。本実施形態では、トランジスタ３２０は高駆動力を必要とする低閾値のトランジスタであり、トランジスタ３３０は高いオフ特性を必要とする高閾値のトランジスタであるとする。この場合に、トランジスタ３２０のチャネル領域における不純物濃度はトランジスタ３３０のチャネル領域における不純物濃度よりも低くなるように構成しうる。
【００１８】
続いて、上述の固体撮像装置３００を製造するための方法の各工程を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、Ｎ型基板３０１をエピタキシャル成長してＮ型エピタキシャル層３０２を形成する。このＮ型基板３０１とＮ型エピタキシャル層３０２とが固体撮像装置３００における半導体基板となる。Ｎ型エピタキシャル層３０２の上にアクティブ領域を分離するための分離領域３０３を形成する。さらにその上にフォトレジスト３０４を均一に塗布する。
【００１９】
続いて、図３（ｂ）に示すように、フォトマスク３０５を用いてフォトリソグラフィ工程を行い、レジストパターン３０６を形成する。ここで、フォトマスク３０５は光透過率が互いに異なる複数の領域を含む多階調フォトマスクでありうる。すなわち、フォトマスク３０５は複数の領域３０５ａ〜３０５ｄを含み、領域３０５ａから領域３０５ｄの順に光透過率が高い。領域３０５ａ〜３０５ｄの光透過率は例えばそれぞれ１００％、８０％、６０％、４０％でありうる。このようなフォトマスク３０５を用いてレジストパターン３０６を形成することによって、レジストパターン３０６の各領域３０６ａ〜３０６ｄの膜厚は、領域３０６ａ、領域３０６ｂ、領域３０６ｃ、領域３０６ｄの順に厚くなる。特に、領域３０６ａにおけるレジストパターン３０６の膜厚はゼロとなる。レジストパターン３０６の形成方法の詳細については上述した方法を用いればよく、ここでは繰り返さない。
【００２０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、Ｐ型の不純物領域を形成するための不純物イオン（例えばボロンなど）をレジストパターン３０６を通してＮ型エピタキシャル層３０２へ注入する。これにより、Ｎ型エピタキシャル層３０２内にＰ型の不純物領域３０７ａ〜３０７ｄが形成される。不純物領域３０７ａ〜３０７ｄのピーク位置の深さはレジストパターン３０６の各領域３０６ａ〜３０６ｄの膜厚に依存しており、それぞれ異なる深さとなる。このように、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストパターン３０６を用いてイオン注入を行うことによって、１回のイオン注入で互いに異なるピーク位置を有する複数の不純物領域を形成できる。その結果、固体撮像装置３００の製造方法における工数が低減され、固体撮像装置３００の製造に要する時間、コストともに低減される。イオン注入の際にはレジストパターン３０６のパターンよりも不純物イオンが広がるため、近接する不純物領域同士、例えば不純物領域３０７ｄと不純物領域３０７ｃとは接する場合もある。
【００２１】
続いて、図３（ｄ）に示すように、熱処理を行って不純物イオンを活性化して熱拡散する。この熱拡散によって不純物領域３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃのそれぞれからＰ型の不純物領域３１３、３２４、３３４が形成される。不純物領域３０７ｂは不純物領域３０７ｃよりも深い位置に形成されているため、トランジスタ３２０のチャネル領域における不純物の濃度はトランジスタ３３０のチャネル領域における不純物の濃度よりも低くなる。このように、ピーク位置が互いに異なる位置に複数の不純物領域を形成し、その不純物領域を熱拡散することによって、閾値が互いに異なる複数のトランジスタを形成することができる。最後に、Ｎ＋型のソース領域３２２、３３２、Ｎ＋型のドレイン領域３２３、３３３、Ｐ＋層３１１、Ｎ型領域３１２、ゲート絶縁膜、ゲート電極３２１、３３１などを形成して固体撮像装置３００が完成する。熱処理によって不純物領域のピークが広がる可能性がある。この場合に、Ｎ型エピタキシャル層３０２などの下地となる領域と、不純物領域との境界によって不純物領域の位置を判断することが可能である。
【００２２】
以上のように、本実施形態によれば、従来の方法では複数回の工程で形成していたピーク位置の深さが互いに異なる複数の不純物領域を１回の工程で形成できる。
【００２３】
続いて、図４を参照しつつ、図３を用いて説明した固体撮像装置３００を製造するための方法の変型例を説明する。本変型例では、図３（ｃ）の工程において、複数回のイオン注入を行うことを特徴としている。まず、図３（ｃ）を用いて上述した工程と同様に、レジストパターン３０６を通じて、１回目のイオン注入によって不純物領域３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃ、３０７ｄを形成する。その後、図４（ａ）に示すように、イオン注入のエネルギー（第２エネルギー）を１回目のイオン注入（第１注入）のエネルギー（第１エネルギー）よりも小さくして、同一のレジストパターン３０６を通じて２回目のイオン注入（第２注入）を行う。２回目のイオン注入によって不純物領域３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃよりも浅い位置に不純物領域４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃが形成される。更に、イオン注入のエネルギーを２回目のイオン注入よりも小さくして、同一のレジストパターン３０６を通じて３回目のイオン注入を行う。３回目のイオン注入によって不純物領域４０１ａ、４０１ｂ、４０１ｃよりも浅い位置に不純物領域４０２ａ、４０２ｂ、４０２ｃが形成される。同様に４回目のイオン注入を行って不純物領域４０３ａ、４０３ｂを形成し、５回目のイオン注入を行って不純物領域４０４ａを形成する。領域３０５ｃの領域には、４回目のイオン注入によって不純物領域は形成されない。
【００２４】
このように、イオン注入のエネルギーを変えて複数回のイオン注入を行うことで、深さの異なる不純物領域を複数形成することが出来る。また、各イオン注入においてイオン注入量（ドーズ量）を変えることで、所望の深さ方向の濃度プロファイルを形成することが可能となる。そして、図４（ｂ）に示される固体撮像装置３００が得られる。なお、その後、図３（ｄ）で説明した処理と同様の処理を行ってもよい。図４（ｂ）において、領域３２４は深さ方向に４つの不純物濃度ピークを有し、領域３１３は深さ方向に５つの不純物濃度ピークを有し、領域３３４は深さ方向に３つの不純物濃度ピークをする。例えば、基板に最も深い不純物領域３０７ａ、３０７ｂ、３０７ｃ、３０７ｄの不純物濃度を高くすることで、基板の深い位置で生じた電荷を収集することが容易となる。これは、例えば、領域３１０がフォトダイオードなどの光電変換素子からなる固体撮像装置の場合に特に有効である。また、更に、不純物領域３２４の濃度を調整することで、フォトダイオードの空乏層の広がり制御が可能である。
【００２５】
また、上記の各実施形態において、図３（ｃ）の工程で用いられるフォトレジストの代わりに他の材料からなる膜を用いてもよい。例えば、図３（ａ）の工程でフォトレジスト３０４を形成する前に、例えば酸化シリコン等の無機材料からなる膜をＮ型エピタキシャル層３０２の上に形成し、その上にフォトレジスト３０４を形成する。無機材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンが挙げられる。次に、図３（ｂ）に示すようにフォトレジスト３０４を露光し、パターニングする。その後、レジストパターン３０６をマスクとして、エッチングを行い、レジストパターン３０６の形状を無機材料からなる膜に転写して無機材料パターンを形成する。ここで、転写される形状はレジストパターン３０６と同一であってもよい。また、レジストパターンと無機材料からなる膜とのエッチング速度比を調整することで、転写されるパターンの大小を調整することも可能である。その後、残りのレジストパターン３０６は除去する。図３（ｃ）において、レジストパターン３０６の代わりに、無機材料パターンをマスクとしてイオン注入を行う。このような方法によって、イオン注入時にイオンが無機材料を貫通するため、有機材料起因の半導体基板の汚染を低減することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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