(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを収容する容器を備える電子部品であって、
前記容器は、
前記電子デバイスが固定された第１領域、および、第１方向において前記第１領域に対して前記基体の外縁側に位置する第２領域を有する基体と、
第２方向において前記電子デバイスに対向する蓋体と、
前記電子デバイスと前記蓋体との間の空間および前記電子デバイスの少なくとも一方を囲む枠体と、を含み、
前記枠体は、前記枠体の内縁から前記枠体の外縁に向かう前記第１方向において、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第１部分と、前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第２部分と、を有し、
前記第１部分は前記第２方向において前記第２領域と前記蓋体との間に位置しており、前記第１方向における前記第２部分の長さが、前記第１方向における前記第１部分の長さよりも大きく、
前記第２方向における前記第１部分の厚みが、前記第１方向における前記第１部分の長さより小さく、
前記枠体の熱伝導率は前記蓋体の熱伝導率よりも高いことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記枠体は、前記枠体の内縁から前記枠体の外縁に向かう、前記第１方向および前記第２方向の両方に垂直な第３方向において、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第３部分と、前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第４部分と、を有し、
第３方向における前記第４部分の長さが、前記第３方向における前記第３部分の長さよりも小さい、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２方向における前記第２領域と前記蓋体との距離が、前記第１方向における前記第１部分の長さより小さい請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１部分と前記第２部分は同じ材料からなる請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記第１部分および前記第２部分の熱伝導率は、前記基体の熱伝導率よりも高い請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記基体の熱伝導率は、前記蓋体の熱伝導率よりも高い請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記第２部分には、貫通穴が設けられている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記基体はセラミックの積層体であり、前記枠体はステンレスからなる請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
前記基体および前記枠体の熱伝導率は１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
前記基体は、前記第２領域に配された上段部と、前記第１領域に配され前記上段部に対して窪んだ下段部とを有し、前記下段部に前記電子デバイスが固定されている請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記枠体の前記内縁は、前記上段部と前記下段部の間の段差部よりも前記基体の前記外縁側に位置する請求項１０に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記上段部と前記下段部の間の段差部と前記電子デバイスの外縁との間には、前記段差部と前記電子デバイスの前記外縁に接し、１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を有する熱伝導性部材が設けられている請求項１０または１１に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記容器は、電子デバイスと電気的に接続された内部端子と、前記内部端子と電気的に連続した外部端子と、を有し、前記外部端子は前記基体の外縁の内側に位置する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１４】
前記容器は、電子デバイスと電気的に接続された内部端子と、前記内部端子と電気的に連続した外部端子と、を有し、前記基体は、前記上段部と前記下段部との間に位置する中段部をさらに有し、前記内部端子は前記中段部に配されている請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１５】
前記電子デバイスと前記基体の裏面との間には、前記基体の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する金属膜が設けられており、前記金属膜は前記電子デバイスの正射影領域内から前記電子デバイスの正射影領域外に延在する請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記金属膜は、前記枠体の正射影領域内に延在する請求項１５に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記金属膜の厚みは前記第１部分の厚みよりも小さい請求項１５または１６に記載の電子部品。
【請求項１８】
前記第１部分の厚みは０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、前記方向における前記第１部分の長さは０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１９】
前記電子デバイスは撮像デバイスである請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の電子部品と、前記電子部品を格納する筐体を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品において電子デバイスで生じる熱の伝導に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮像デバイスなどの電子デバイスを収容する容器を備える電子部品においては、電子デバイスで生じる熱を放熱するための構造が求められる。
特許文献１には、本体部をセラミック材料で。取り付け部を金属材料で形成した、高い放熱特性を有する支持体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２４５２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、取付け部が本体部の外周で接合されているため、取付け部と本体部との接触面積が十分ではない。そのため、本体部から取付け部への熱伝導が非効率的である。取付け部を厚くすることで本体部との接触面積を稼ぐことができるが、パッケージが厚くなってしまう。
そこで本発明は、薄型で放熱性に優れた電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するための手段は、電子デバイスを収容する容器を備える電子部品であって、前記容器は、前記電子デバイスが固定された第１領域、および、第１方向において前記第１領域に対して前記基体の外縁側に位置する第２領域を有する基体と、
第２方向において前記電子デバイスに対向する蓋体と、前記電子デバイスと前記蓋体との間の空間および前記電子デバイスの少なくとも一方を囲む枠体と、を含み、前記枠体は、前記枠体の内縁から前記枠体の外縁に向かう前記第１方向において、前記基体の外縁よりも前記枠体の内縁側に位置する第１部分と、前記基体の外縁よりも前記枠体の外縁側に位置する第２部分と、を有し、前記第１部分は前記第２方向において前記第２領域と前記蓋体との間に位置しており、前記第１方向における前記第２部分の長さが、前記第１方向における前記第１部分の長さよりも大きく、前記第２方向における前記第１部分の厚みが、前記第１方向における前記第１部分の長さより小さく、前記枠体の熱伝導率は前記蓋体の熱伝導率よりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、薄型で放熱性に優れた電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】電子部品の一例の平面模式図。
【図２】電子部品の一例の断面模式図。
【図３】電子部品の一例の断面模式図。
【図４】電子部品の一例の分解斜視図。
【図５】電子部品の一例の断面模式図。
【図６】電子部品の一例の断面模式図。
【図７】電子部品の一例の平面模式図。
【図８】電子部品（実装部材）の製造方法の一例の断面模式図。
【図９】電子部品の製造方法の一例の断面模式図。
【図１０】電子機器の製造方法の一例の断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施形態として、電子部品１００の一例を説明する。図１（ａ）は電子部品１００を表から見たときの平面模式図であり、図１（ｂ）は電子部品１００を裏から見たときの平面模式図である。図２（ａ）、（ｂ）は電子部品１００の断面模式図である。図２（ａ）は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における電子部品１００の断面図であり、図２（ｂ）は図１（ａ）、（ｂ）のＢ−ｂ線における電子部品１００の断面図である。図３（ａ）、（ｂ）は電子部品１００の変形例であり、図２（ａ）、（ｂ）と同様の箇所の断面図である。図４は電子部品１００の分解斜視図である。以下、同じ部材には共通の符号を付けて、各図面を相互に参照しながら説明を行う。各図にはＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を示している。
【００１１】
電子部品１００は電子デバイス１０と、電子デバイス１０を収容する容器５０を備える。容器５０は、主に基体２０と蓋体３０と枠体４０で構成される。詳しくは後述するが、容器５０の内で基体２０と枠体４０は実装部材として機能し得る。蓋体３０は光学部材として機能し得る。枠体４０は電子デバイス１０に対応する開口を有する。電子デバイス１０は基体２０に固定される。蓋体３０は枠体４０を介して基体２０に固定され、内部空間６０を介して電子デバイス１０に対向する。枠体４０は蓋体３０と電子デバイス１０との間の内部空間６０を囲む。換言すれば、枠体４０の開口内に上述した内部空間６０が形成される。
【００１２】
電子部品１００を構成する部材の位置関係は、電子デバイス１０の位置に関連する基準面をもとに説明することができる。基準面は電子デバイス１０の表面１０１と電子デバイス１０の裏面１０２との間に位置し、電子デバイス１０の側面１０５を貫く仮想的な平面である。表面１０１は基準面の一方の側（表面側）に位置し、裏面１０２は基準面の他方の側（裏面側）に位置する。基準面ＲＰはＸ−Ｙ方向に沿った平面であり、基準面ＲＰに垂直な方向がＺ方向である。面は電子デバイス１０が半導体デバイスである場合、便宜的に、基準面ＲＰを半導体層と絶縁体層との界面に設定してもよい。典型的には、Ｘ方向およびＹ方向は、電子デバイス１０の蓋体３０に対向する表面１０１、表面１０１の反対面であり、基体２０に固定される裏面１０２、蓋体３０の外面３０１および蓋体３０の内面３０２に平行な方向である。また、Ｚ方向はこれら表面１０１、裏面１０２、外面３０１、内面３０２に垂直な方向である。典型的な電子デバイス１０および電子部品１００はＸ方向およびＹ方向において矩形を呈する。また、Ｚ方向における寸法はＸ方向、Ｙ方向における寸法よりも小さく、おおむね平板形状である。以下、便宜的にＺ方向における寸法を厚みもしくは高さと呼ぶ。ここで正射影領域について説明する。或る部材の正射影領域とは、基準面に垂直なＺ方向においてその部材を投影可能な領域である。或る部材とは別の部材が、或る部材の正射影領域に位置することは、Ｚ方向において、或る部材と別の部材とが重なることを意味する。つまり、或る部材の正射影領域内に別の部材が位置する場合、別の部材は、Ｚ方向において或る部材と重なる領域に位置すると云うことができる。逆に、或る部材の正射影領域外に別の部材が位置する場合、別の部材の少なくとも一部は、或る部材と重らない領域に位置すると云うことができる。正射影領域の内外の境界は、対象の部材の輪郭である外縁および内縁（内縁は存在しない場合もある）に対応する。例えば、電子デバイス１０に対向する蓋体３０は、Ｚ方向において電子デバイス１０に重なる領域である、電子デバイス１０の正射影領域に位置する。
【００１３】
Ｘ方向およびＹ方向において、電子部品１００の外縁は、基体２０の外縁２０５と枠体４０の外縁４０５と蓋体３０の外縁３０５で規定される。枠体４０は外縁４０５に加えて内縁４０３を有する。枠体４０の開口はこの内縁４０３により画定される。
【００１４】
電子デバイス１０の種類は特に限定されないが、典型的には光デバイスである。本例の電子デバイス１０は主部１と副部２を有している。典型的には主部１は電子デバイス１０の中央に位置し、副部２はその周辺に位置する。電子デバイス１０がＣＣＤイメージセンサーやＣＭＯＳイメージセンサーなどの撮像デバイスであるなら主部１は撮像領域である。電子デバイス１０が液晶ディスプレイやＥＬディスプレイなどの表示デバイスであるなら主部１は表示領域である。撮像デバイスの場合、電子デバイス１０の蓋体３０との対向面である表面１０１が光入射面となる。この光入射面は、受光面を有する半導体基板の上に設けられた多層膜の最表層によって構成することができる。多層膜は、カラーフィルタ層やマイクロレンズ層、反射防止層、遮光層などの光学的な機能を有する層、平坦化層等の機械的な機能を有する層、パッシベーション層などの化学的な機能を有する層などを含む。副部２には主部１を駆動するための駆動回路や主部１からの信号（あるいは主部１への信号）を処理する信号処理回路が設けられる。電子デバイス１０が半導体デバイスであると、このような回路をモノリシックに形成することが容易である。副部２には電子デバイス１０と外部との信号の通信を行うための電極３（電極パッド）が設けられる。
【００１５】
基体２０の中央領域の少なくとも一部が配置領域２１０である。配置領域２１０の上には電子デバイス１０が配置され、電子デバイス１０は基体２０に固定される。典型的には、電子デバイス１０は、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、基体２０の配置領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２との間に配された接合材５２を介して固定される。ただし、接合材５２が電子デバイス１０の側面である外縁１０５のみに接していて、基体２０の配置領域２１０と電子デバイス１０の裏面１０２との間に接合材５２が位置しない形態であってもよい。接合材５２は導電性であってもよいし絶縁性であってもよい。また、接合材５２は高い熱伝導性を有することが好ましく、金属粒子を含有するものを用いることもできる。
【００１６】
容器５０は、容器５０の内側（内部空間６０）に面する内部端子５と、容器５０の外側に面する外部端子７とを有する。これら内部端子５や外部端子７は基体２０と一体的に設けられている。複数の内部端子５が並んで内部端子群を構成している。本例では、図１（ａ）に示すように、Ｘ方向に沿って列状に並んだ１０個の内部端子５からなる内部端子群がＹ方向に２列分（２群）設けられている。このような内部端子５の配置に限らず、Ｙ方向に沿って列状に並んだ内部端子群をＸ方向に２列分設けることもできる。また、Ｙ方向に沿って列状に並んだ内部端子群とＸ方向に沿って列状に並んだ内部端子群とをそれぞれ２列分設けて、電子デバイス１０を内部端子５が囲むように設けることもできる。また、複数の外部端子７が並んで外部端子群を構成している。本例では、図１（ｂ）に示すように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って行列状に並んだ外部端子群が、電子部品１００の裏側を成す基体２０の裏面２０６上に設けられている。このような外部端子７の配置に限らず、外部端子群を、基体２０の側面である外縁２０５に沿って、Ｘ方向および／またはＹ方向において、列状に設けることもできる。
【００１７】
内部端子５と外部端子７は基体２０に内部配線として埋設された埋設部６を介して電気的に連続している。電子部品１００を構成する電子デバイス１０の電極３と容器５０の内部端子５は、接続導体４を介して電気的に接続されている。本例では電極３と内部端子５の接続はワイヤーボンディング接続であって、接続導体４は金属ワイヤー（ボンディングワイヤー）であるが、電極３と内部端子５の接続をフリップチップ接続としてもよい。その場合、電極３は電子デバイス１０の裏面１０２に設けられ、内部端子５や接続導体４は配置領域２１０に位置する。外部端子７は本例ではＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）であるが、ＰＧＡ（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ）でもよい。このような形態では、複数の外部端子７は基体２０上において蓋体３０の正射影領域に位置し得る。そして、外部端子７は基体２０の外縁２０５の内側、つまり、基体２０の正射影領域に位置することになる。複数の外部端子７の一部は、基体２０上において電子デバイス１０の正射影領域に位置し得る。このように、外部端子７は、Ｚ方向において電子デバイス１０、基体２０および蓋体３０の少なくともいずれかに重なる領域に位置することができる。内部端子５と埋設部６と外部端子７とをリードフレームを用いて一体化してもよく、その場合、内部端子５がインナーリードとなり、外部端子７がアウターリードとなる。リードフレームを用いた形態では、複数の外部端子７は基体２０の外縁２０５から突出して、基体２０や蓋体３０の正射影領域の外に位置する。電子部品１００は、その外部端子７がプリント配線板などの配線部材の接続端子と電気的に接続され、同時に、この配線部材に固着される。蓋体３０や基体２０の正射影領域に位置する外部端子７は、はんだペーストを用いたリフローはんだ付けによって外部回路と電気的に接続することができる。このようにして電子部品１００は配線部材に２次実装されて電子モジュールを構成する。電子モジュールもまた、電子部品として扱うことができる。実装の形態としては表面実装が好ましい。電子モジュールを筐体に組み込むことで、電子機器を構成する。
【００１８】
基体２０は凹形状を有している。具体的には、板状部の中央領域により凹形状の底部が、板状部の周辺領域の上に設けられた枠状部により凹形状の側部が構成される。基体２０は、板材と枠材を積層することにより一体的に形成することができるほか、金型成形や切削加工等により一体的に形成することもできる。基体２０は、内部端子５および外部端子７の絶縁を確保できれば金属板などの導電体でもよいが、典型的には絶縁体からなる。基体２０は、ポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよいが、ガラスエポキシ基板、コンポジット基板、ガラスコンポジット基板、ベークライト基板、セラミック基板などのリジッド基板であることが好ましい。特にセラミック基板であることが好ましく、基体２０にはセラミック積層体を用いることが好ましい。セラミック材料としては炭化珪素、窒化アルミニウム、サファイア、アルミナ、窒化珪素、サーメット、イットリア、ムライト、フォルステライト、コージライト、ジルコニア、ステアタイト等を用いることが可能である。
【００１９】
図２（ａ）、図２（ｂ）に示す様に、凹形状の基体２０の周辺領域は、段部と段差部で構成されている。段部とはＸ方向、Ｙ方向に広がる部分であり、段差部とは、Ｚ方向における高さが互いに異なる二つの段部の間に位置し、Ｚ方向に広がる部分である。
【００２０】
ここで、内部端子５が設けられた段部を基準段部２０２と定める。本実施形態では、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に、Ｙ方向において内部端子群よりも容器５０の外縁側、つまり基体２０の外縁２０５側に上段部２０４が位置している。そして上段部２０４は基準段部２０２に対して出張っている。つまりＺ方向において上段部２０４は基準段部２０２よりも蓋体３０側に位置する。基準段部２０２と上段部２０４の間には段差部２０３が位置している。段差部２０３は接続導体４と内部空間６０の一部を介して対向している。
【００２１】
また、図２（ａ）、（ｂ）に示した例では、基体２０が、基準段部２０２と上段部２０４に加えて、下段部２００を有する。下段部２００は、内部端子群よりも基体２０の外縁２０５から離れて位置する。つまり、下段部２００は内部端子群よりも基体２０の内方に位置する。そして、下段部２００は、段差部２０１を介して基準段部２０２に対して窪んでいる。つまり、下段部２００はＺ方向において段差部２０１を介して、内部端子群よりも蓋体３０から離れて位置する。段差部２０１は電子デバイス１０の外縁１０５と内部空間６０の一部を介して対向している。基準段部２０２は上段部２０４と下段部２００の間に位置している。したがって、基準段部２０２を中段部と呼ぶこともできる。図２（ｂ）に示す様に、内部端子５が設けられていないＸ方向においては、下段部２００と上段部２０４の間には基準段部２０２は設けられていない。そして段差部２０３が上段部２０４と下段部２００の間に位置している。Ｘ方向においても、Ｙ方向と同様に、上段部２０４と下段部２００の間に中段部を設けることもできるが、このように内部端子５が設けられないような中段部は、容器５０の不要な大型化を招くため、設けないことが好ましい。
【００２２】
次に、電子部品１００の変形例を図３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図３（ａ）、（ｂ）に示した変形例では、基体２０が段部および段差部を有しない平面形状である。そのため本例では、図３（ａ）、（ｂ）で云うところの基準段部は基準面と言い換えることができる。内部端子５が配される基準面２０２に電子デバイス１０や枠体４０が固定されており、図２（ａ）、（ｂ）に示したような下段部２００や上段部２０４が無い。その結果、枠体４０は内部空間６０だけでなく、電子デバイス１０を囲んでいる。なお、電子デバイス１０と蓋体３０の距離を小さくしたり、蓋体３０に枠部を設けるなどしたりすることで、枠体４０が内部空間６０を囲まずに電子デバイス１０のみを囲むようにしてもよい。つまり、枠体４０は内部空間６０および電子デバイス１０の少なくとも一方を囲んでいればよい。ほかの点は、図２（ａ）、（ｂ）で示した電子部品１００と同様である。また、図示はしないが、上段部と下段部の２段構成として、上段部に枠体４０を固定し、下段部に電子デバイス１０を配置するとともに内部端子５を配置してもよい。
【００２３】
電子デバイス１０に対向する蓋体３０は、電子デバイス１０を保護する機能を有する。電子デバイス１０が光を扱うような撮像デバイスや表示デバイスであるならば、それらの光（典型的には可視光）に対して透明であることが求められる。そのような蓋体３０としての好ましい材料はプラスチックやガラス、水晶などが挙げられる。蓋体３０の表面には反射防止コーティングや赤外カットコーティングを設けることもできる。
【００２４】
図４から理解されるように、電子部品１００は、あらかじめ用意された電子デバイス１０と基体２０と蓋体３０と枠体４０とＺ方向に重ね合わせて構成されている。図４では、基体２０と枠体４０との関係を長破線で、電子デバイス１０と基体２０との関係を一点鎖線で、枠体４０と蓋体３０との関係を二点鎖線で示している。また、蓋体３０の輪郭を枠体４０に、電子デバイス１０の輪郭を基体２０に、枠体４０の輪郭を基体２０にそれぞれ破線で示している。
【００２５】
蓋体３０は枠体４０を介して基体２０に固定されている。詳細には、枠体４０と基体２０とが、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に接合材５１を介して相互に接着されている。また、枠体４０と蓋体３０とが、図２（ａ）、（ｂ）に示す様に接合材５３を介して相互に接着されている。本実施形態では、蓋体３０は、Ｚ方向において枠体４０よりも電子デバイス１０や基体２０から離れて位置しており、蓋体３０の電子デバイス１０との対向面である内面３０２に接合材５３が設けられている。しかし、特開２００３−１０１０４２の図３の形態の様に、枠体４０の一部をＺ方向において蓋体３０よりも電子デバイス１０や基体２０から離れて位置させて、蓋体３０の外面３０１に接合材５３を設けることもできる。接合材５１、５２、５３の厚みは１〜１０００μｍであり、典型的には１０〜１００μｍである。
【００２６】
具体的には、枠体４０と基体２０を接着剤を用いて相互に接着し、電子デバイス１０と基体２０を接着剤を用いて相互に接着し、蓋体３０と枠体４０を接着剤を用いて相互に接着する。これらの接着の順番は特に限定されないが、蓋体３０と枠体４０との接着に先立って枠体４０と基体２０との接着を行うことが好適である。また、電子デバイス１０と基体２０との接着に先立って枠体４０と基体２０との接着を行うことが好適である。つまり、まず枠体４０と基体２０とを接着して実装部材を形成する。その実装部材に電子デバイス１０を固定したのち、蓋体３０を実装部材に接着するのである。
【００２７】
基体２０と枠体４０は、接合材５１によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。また、蓋体３０と枠体４０も接合材５３によってそれらの接合面の全周で接合されることが好ましい。このように、全周を接着領域として、電子デバイス１０の周囲の内部空間６０を外部の空気に対して気密な空間とすることにより、内部空間６０への異物の侵入が抑制され、信頼性が向上する。気密性を確保するためには、十分な量の接着剤を用いればよい。
【００２８】
上で説明した接合材５１、接合材５２、接合材５３は、それぞれ、塗布された接着剤が固化したものである。接着剤の種類としては、溶媒の蒸発による乾燥固化型、光や熱による分子の重合などによって硬化する化学反応型、融解した接着剤の凝固によって固化する熱溶融（ホットメルト）型などが挙げられる。典型的な接着剤としては、紫外線や可視光で硬化する光硬化型樹脂や、熱で硬化する熱硬化型樹脂が用いられる。接合材５１用および接合材５２用の接着剤としては熱硬化型樹脂を好適に用いることができ、接合材５３用の接着剤としては光硬化型樹脂を好適に用いることができる。
【００２９】
枠体４０は、基体２０に対向し接合材５１に接着された接合面４０１と、蓋体３０に対向し接合材５３に接着された接合面４０２を有する。枠体４０は電子デバイス１０と蓋体３０の間の内部空間６０を囲むように設けられている。枠体４０の、内部空間６０に面して内部空間６０を囲む面が内縁４０３である。枠体４０の外縁４０５は外部空間に露出している本例の枠体４０は、Ｘ方向において、基体２０と蓋体３０との間から外部空間に向かって延在した拡張部４０４を有している。この拡張部４０４には、貫通穴４０６が設けられており、この貫通穴４０６を、電子機器の筐体等に固定するためのねじ止め用の穴として用いたり、位置決め用の穴として用いたりすることができる。
【００３０】
内部空間６０の気密性を高める上では、枠体４０は切れ目なく内部空間６０を囲んでいることが好ましい。また、枠体４０の剛性、ひいては電子部品１００の剛性を確保する上でも、枠体４０は切れ目のない閉ループであることが好ましい。また、後述するように熱伝導性を確保する上でも、枠体４０は周方向において連続した閉ループであることが好ましい。しかしながら、製造上の制約により枠体４０を辺ごとに複数に分割して配置してもよい。また、内部空間６０と外部空間を連通させる目的で枠体４０にスリットを設けてもよい。このように枠体４０に切れ目が存在する場合、枠体４０に生じる不連続な部分（スリット）は極力少ないことが望ましく、具体的には、内部空間６０や電子デバイス１０を囲む周の長さの１０％未満にとどめておくことが望ましい。換言すれば、内部空間６０や電子デバイス１０を囲む周に沿って、その周の長さの９０％以上にわたって枠体４０が存在すれば、枠体４０はこれらを囲むとみなすことができる。例えば、内縁４０３が縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの四辺形（内縁４０３の周長は８０ｍｍ）であるとすれば、枠体４０に設けるスリットの幅は総計で８ｍｍ未満であれば、枠体４０が内部空間６０を囲んでいるとみなすことができる。この場合でも、１つあたりのスリットの幅は小さいことが好ましく、例えば８ｍｍ幅のスリットを１つ設けるよりは、４ｍｍ幅のスリットを２つ設ける方がよい。
【００３１】
枠体４０の材料は特に限定されず、樹脂、セラミック、金属を適宜使用することが可能である。なおここでいう金属とは単体の金属のみならず合金を含むものである。本実施形態は、接着剤を用いるものであるから、枠体４０の材料が基体２０の材料と異なる場合に好適である。また、枠体４０の材料は蓋体３０の材料と異なる場合にも好適である。そのような場合とは、例えば、基体２０の材料がセラミックであり、蓋体３０の材料がガラスであり、枠体４０の材料が金属または樹脂である場合である。
【００３２】
枠体４０が高い熱伝導性を有する場合、枠体４０をヒートスプレッダとして用いたり、拡張部４０４を介して電子デバイス１０の熱を放熱したりすることができる。放熱のためには、枠体４０の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。典型的な樹脂の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ未満である。特に本例ように基体２０の裏面２０６に外部端子７がある形態（ＬＧＡ等）や、基体２０の側面（外縁２０５）に外部端子がある形態（ＬＣＣ）において、枠体４０を熱伝導体として用いることが好適である。基体２０の裏面２０６が比較的熱伝導率の低い配線部材（ガラスエポキシ基板やポリイミド基板等）に接続されることが多い為、基体２０の裏面２０６側からの放熱性が低下するためである。
【００３３】
また、電子部品１００に生じる応力を緩和する上で、枠体４０の熱膨張率（線膨張率）は極力低いことが好ましい。具体的には枠体４０の熱膨張率は５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。一般的な樹脂の熱膨張率は５０ｐｐｍ／Ｋより大きい。
【００３４】
これら熱伝導や熱膨張の観点を考慮すると、枠体４０の材料としては金属であることが好ましい。典型的な材料としては、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄合金などが挙げられる。ステンレスを始めとして、クロムやニッケル、コバルトを含む鉄合金が好適である。例えば、フェライト系ステンレスであるＳＵＳ４３０やオーステナイト系ステンレスであるＳＵＳ３０４、４２アロイ、コバールなどを用いることができる。
【００３５】
枠体４０は、電子デバイス１０と蓋体３０との間隔を規定し、また、蓋体３０を支持する機能をする。また、上述したようなねじ止め用や位置決め用の穴を有していたり、高い熱伝導性を有することにより放熱部材としての機能を有していたりする。そのため、基体２０と枠体４０とを併せて実装部材と呼ぶことができる。
【００３６】
以下、主に図５を用いて、本実施形態を詳細に説明する。
【００３７】
図５（ａ）は図２（ｂ）と同じ部分の断面図であり、図５（ｂ）は、図３（ｂ）と同じ部分の断面図である。それぞれには、各部材の寸法を示している。
【００３８】
Ｘ方向における電子デバイス１０の外径をＷ１で示している。枠体４０の一部であって、基体２０の外縁２０５よりも、枠体４０の内縁４０３側に位置する部分（第１部分４１０）Ｘ方向における長さをＷ２で示している。この第１部分４１０が枠体４０の基体２０と接着する部分である。この第１部分４１０の表面は、図５（ａ）の例では図２（ｂ）で示した様に、枠体４０の接合面４０１において、基体２０（ここでは上段部２０４）と対向する領域である。また、枠体４０の一部であって、基体２０の外縁２０５よりも枠体４０の外縁４０５側に位置する部分（第２部分４２０）のＸ方向における長さをＷ４で示している。この第２部分４２０の表面は、図５（ａ）の例では図２（ｂ）で示した様に、枠体４０の接合面４０１において、基体２０（ここでは上段部２０４）と対向しない領域である。枠体４０の厚みをＴ４で示している。本例では、枠体４０の厚みＴ４は基体２０の周辺領域と蓋体３０の周辺領域との距離とほぼ等しい。接合材５１、５３の厚みは殆ど無視することができるためである。本実施形態では、枠体４０の厚みＴ４が、第１部分４１０の長さＷ２よりも小さい。つまり、本例では枠体４０の基体２０の上に位置する部分の断面は、Ｘ方向が長手方向、Ｚ方向が短手方向となるような長方形を示す。ここでは、第１部分４１０と第２部分の厚みが等しく、枠体４０の厚みＴ４は第１部分４１０だけでなく第２部分４２０の厚みをも意味する。しかし、第１部分４１０の厚みが第１部分４１０の長さＷ２よりも小さければ、第２部分４２０の厚みは、第１部分４１０の厚みよりも大きくてもよいし、小さくてもよい。第２部分４２０の熱伝導性を高める上では、第２部分４２０の厚みを第１部分４１０の厚みよりも大きくすることが好ましい。このようにすることにより、電子部品１００の厚みＴ５の増加を抑えながら、枠体４０による熱伝導の効率を向上することができる。図５（ａ）、（ｂ）には、電子デバイス１０で生じた熱の伝導経路７０を示している。図５では右半分にしか伝導経路７０を示していないが、左半分でも同様である。Ｗ２＞Ｔ４とすることにより、基体２０と枠体４０との熱抵抗値を小さくし、また、第１部分４１０から第２部分４２０へ効率的に熱を伝導することができる。
【００３９】
上記のように熱伝導用の部材としての枠体４０に関連する２つのパラメータＷ２、Ｔ４に関して好適な形態としては、まず枠体４０自体の熱伝導率が高く、そして基体２０の熱伝導率より高いことが好適である。そうすることで、枠体４０の厚みを剛性が維持できる領域まで厚みを薄くすることができ、電子部品１００としての薄型化がより実現可能となるからである。また、このような枠体４０の厚みＴ４に対して、Ｔ４＜Ｗ２であることが好適である。Ｔ４＜Ｗ２とすることで、枠体４０と基体２０との間での熱抵抗を低減でき、また電子部品としての信頼性を確保できるからである。
【００４０】
本実施形態においては、図１を用いて説明したように、Ｘ方向において電子デバイス１０の両側に拡張部４０４が設けられている。そのため、Ｘ方向においては、枠体４０の第２部分４２０の幅Ｗ４は、拡張部４０４と内縁４０３との間に位置する第１部分４１０の幅Ｗ２よりも大きくなっている。このようにすることにより、第２部分４２０で効率的に放熱することができる。
【００４１】
枠体４０の第２部分４２０の幅Ｗ４は、電子機器の筐体等に接続される部分となるものであり、その接続方法には接着剤、ネジ止め等の各種方法が挙げられる。そのため、第２部分４２０の幅Ｗ４は第１部分４１０の幅Ｗ２よりも大きくすることが好適である。Ｗ４＞Ｗ２とすることで、少なくともＷ４の筐体等との接続領域部位の熱抵抗をＷ２の領域よりも低下することができ、放熱性を向上することができる。一方、Ｗ４＜Ｗ２である場合には、第２部分４２０の筐体等との接続領域部位の熱抵抗が高くなり、結果的に第１部分４１０の温度も上昇してしまう。第１部分４１０には接合材５１あるいは接合材５３が接着されている為、温度が上昇してしまうと、これら接合材の劣化を早めてしまう可能性がある。
【００４２】
また、本実施形態では、枠体４０の厚みＴ４は、蓋体３０と電子デバイス１０との距離Ｄ６（内面３０２と表面１０１との距離）よりも小さいが厚みＴ４を距離Ｄ６よりも大きくしてもよい。電子部品１００においては、内部空間６０を確保するための距離Ｄ６は一定の量だけ必要である。本実施形態では、枠体４０がこの内部空間６０を囲むように設けられているため、枠体４０を設けることによる電子部品１００の厚みＴ５の増加は抑制できる。これに対して、従来知られているような、基体２０に放熱板を埋設するような構造においては、放熱板の分だけ基体２０の厚みが増加する。つまり、本実施形態では、枠体４０の厚みＴ４を距離Ｄ６が兼ねることにより、電子部品１００の厚みの増加を抑制することができる。図５（ａ）では基体２０の厚みＴ２は段差部２０３を形成する枠材の厚みＴ２１分だけ厚くなっている。基体２０の熱伝導率が枠体４０の熱伝導率よりも低い場合、このＴ２１は極力小さい方が良い。Ｔ２１＜Ｔ１を満たすことが好ましいと云える。この場合、枠体４０は電子デバイス１０を囲むこととなる。その場合には、枠体４０の厚みＴ４の少なくとも一部を電子デバイス１０の厚みＴ１が兼ねるため、電子部品１００の厚みの増加を抑制することができる。このように、内部空間６０および電子デバイス１０の少なくとも一方を囲むように配置した枠体４０を熱伝導体として用いることで、電子部品１００の厚みＴ５の増加を抑制しつつ、電子部品１００の放熱性を向上することができるのである。
【００４３】
蓋体３０は枠体４０の第１部分４１０に接着されている。そのため、蓋体３０の熱伝導率は、枠体４０の熱伝導率よりも低いことが好ましい。蓋体３０の熱伝導率が低いと、基体２０から伝導した熱は、第１部分４１０から蓋体ではなく、第１部分４１０から第２部分４２０へ伝導しやすくなる。そのため、第２部分４２０での放熱の効率が向上する。当然ながら、基体２０および枠体４０の熱伝導率は高いことが好ましく、それぞれが蓋体３０の熱伝導率よりも高いことが好ましい。また、枠体４０の熱伝導率が基体２０の熱伝導率よりも高いことが好ましい。実用的には、基体２０および枠体４０の熱伝導率は２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると良いが、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるとなお良い。
【００４４】
枠体４０の枠体４０の熱抵抗を小さくし、熱伝導性を確保する上では、枠体４０の厚みＴ４は一定以上である必要があり、実用的にはＴ４は０．１ｍｍ以上であればよい。枠体４０が電子機器の筐体等に接続される部品である場合、枠体４０が十分な剛性を有することが好ましい。剛性を有することで位置決め機能や支持体としての機能を担うことができる。このような観点から、枠体４０の材料にもよるが、枠体４０の厚みＴ４としては、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の範囲が典型的である。枠体４０の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である場合、枠体４０の厚みＴ４としては、０．４ｍｍ以上１．６ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上１．２ｍｍ以下がより好ましい。
【００４５】
第１部分４１０は、枠体４０と基体２０が接合材５１で接着された部分であり、基体２０から第２部分４２０へ至る熱経路において、熱抵抗を決定づける主たる部位である。第１部分４１０の長さＷ２が極端に小さいと基体２０から第１部分４１０への熱伝導が小さくなる。基体２０と第１部分４１０との間に介在する接合材５１も基体２０と第１部分４１０の間の熱抵抗の増大の一因となりうる。第１部分４１０の長さＷ２が極端に小さいと基体２０と枠体４０の接着力が低下することから、実装部材あるいは電子部品としての信頼性や耐熱性を低下させてしまう。そのため第１部分４１０の長さＷ２は一定以上である必要がある。第１部分４１０の長さＷ２が極端に大きいと、第２部分４２０までの距離が増大し熱抵抗が増加する。また実装部材あるいは電子部品の不要な大型化を招く。このような観点から、枠体４０の材料にもよるが、枠体４０の第１部分４１０の長さＷ２としては、０．５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下の範囲が典型的である。枠体４０の熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である場合、第１部分４１０の長さＷ２としては、１．０ｍｍ以上４．０ｍｍ以下が好ましく、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下がより好ましい。第２部分４２０の長さＷ４については特に限定されることはないが、１．０ｍｍ以上１０ｍｍ以下が好ましい。
【００４６】
図２（ｂ）に示した上段部２０４と下段部２００の間の段差部２０１と電子デバイス１０の外縁１０５との間には内部空間６０が位置している。この段差部２０１と外縁１０５の間の部分の熱伝導性を向上してもよい。具体的には、この間の部分に段差部２０１と電子デバイス１０の外縁１０５に接する熱伝導性部材を設けて、電子デバイス１０の外縁１０５との間の内部空間６０を埋めることができる。ここでいう熱伝導性部材の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。また、熱伝導性部材は基体２０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有することが好ましい。このように基体２０より熱伝導性に優れた熱伝導性部材を用いることで容器５０の熱伝導性を向上することができる。この熱電伝導性部材としては、銀ペーストや銅ペースト等の導電性ペーストを固化したものを用いることができる。銀ペーストの導電率は例えば１×１０−４〜１×１０−５Ωｃｍである。電子デバイス１０の外縁１０５と段差部２０１との間に内部端子５や接続導体４が位置すると、絶縁性確保の点から、このような導電性ペーストの使用は困難となる。しかし、本例では、図２（ａ）で説明したように、内部端子５を基準段部２０２に配しているため、そのような導電性ペーストを用いることが容易になる。
【００４７】
また、熱伝導性部材を、電子デバイス１０の正射影領域（Ｚ方向において電子デバイス１０に重なる領域）内であって、電子デバイス１０に対して蓋体３０とは反対側（基体２０側）の領域に設けることで、電子デバイス１０からの熱の放熱性がより向上する。さらに、この熱伝導性部材を電子デバイス１０の正射影領域外に延在させると放熱性がより向上する。さらにこの熱伝導性部材を枠体４０の正射影領域（Ｚ方向において枠体４０に重なる領域）内に延在させるとより放熱性が向上する。
【００４８】
例えば、電子デバイス１０と基体２０との間に位置する接合材５２を、上述したような導電性ペーストを固化させることにより形成して、熱伝導性の接合材５２（熱伝導性部材）としてもよい。これにより、電子デバイス１０と基体２０との熱伝導性が向上して放熱性も高まるのである。このような熱伝導性の接合材５２を、さらに電子デバイス１０の正射影領域外である、基体２０の下段部２００の配置領域２１０外の領域上に延在させることで、熱伝導性の接合材５２と基体２０との接触面積が大きくなり、より放熱が向上する。さらには上述したように基体２０の段差部２０１に接するまで熱伝導性の接合材５２を延在させることで、一層放熱性が向上する。
【００４９】
図６（ａ）、（ｂ）は図２（ａ）、（ｂ）で示した断面に対応する変形例であり、熱伝導性部材としての膜（熱伝導膜）を基体２０内に埋設することで、基体２０の熱伝導性を高め、放熱性を向上した形態である。図６の例では、基体２０の内部には、基体２０よりも高い熱伝導率を有する熱伝導膜が基体２０の裏面２０６と基体２０の下段部２００の表面との間に、２レベルに渡って配されている。図７（ａ）は内部端子５が配列された基体２０の上段部の平面図であり、図７（ｂ）は基体２０の内部の第１レベルの平面図であり、図７（ｃ）は基体２０の内部の第２レベルの平面図であり、図７（ｄ）は外部端子７が配列された基体２０の裏面の平面図である。
【００５０】
第１熱伝導膜８１１と第２熱伝導膜８１２は電子デバイス１０から等距離の第１レベルに位置し、第３熱伝導膜８１３と第４熱伝導膜８１４は電子デバイス１０から等距離であって第１レベルより離れた第２レベルに位置する。つまり、第１熱伝導膜８１１および第２熱伝導膜８１２は第３熱伝導膜８１３および第４熱伝導膜８１４よりも電子デバイス１０に近接して配される。ここでは、電子デバイス１０からの距離が等しい熱伝導膜として２枚の熱伝導膜を用いたが、１枚のみの熱伝導膜でもよいし、３枚以上の熱伝導膜を用いてもよい。電子デバイス１０の距離が等しい複数の熱伝導膜の合計で、電子デバイス１０の正射影領域の面積（電子デバイス１０の面積に等しい）の１／２以上に渡って連続していることが好ましい。
【００５１】
図６（ａ）、（ｂ）および図７（ａ）〜（ｄ）から理解されるように、第１〜第４熱伝導膜のいずれも電子デバイス１０の正射影領域内に位置している。さらに、第１〜第４熱伝導膜のいずれも、電子デバイス１０の正射影領域外に延在し、枠体４０の正射影領域内にまで延在している。各図８（ａ）〜（ｄ）の各々には、電子デバイス１０の寸法を点線で示している。なお、図８（ａ）〜（ｄ）から理解されるように、各熱伝導膜８１１、８１２、８１３、８１４は基体２０の正射影領域内（基体２０の外縁２０５の内側）のみに存在し、基体２０の正射影領域外には存在していない。各熱伝導膜については、その形状が１枚の連続したシート状の構成であるが、埋設部６を構成するビアや配線パターンを形成するために、穴やスリット等が設けられていてもよい。このような穴やスリットは熱伝導性をそれほど低下させるものではない。図７（ｂ）、（ｃ）に示すように、各熱伝導膜には、各熱伝導膜において、穴やスリットが比較的少なく熱伝導体の密度が高い密部８１１１、８１２１、８１３１と、穴やスリットが比較的多く、熱伝導体の密度が低い疎部８１１２、８１２２、８１３２を示している。広い範囲にわたって熱伝導体が連続していることが好ましい。そのため、極力、密部８１１１、８１２１、８１３１を電子デバイス１０の正射影領域に配置することで、電子デバイス１０で生じた熱の放熱性を向上することができる。
【００５２】
熱伝導膜の熱伝導率は１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。また、熱伝導膜は基体２０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有することが好ましい。典型的な熱伝導膜は金属膜であり、その材料には、金や銀、銅、アルミニウム、ステンレスなど種々の金属材料を用いることができる。基体２０にセラミックの積層体を用いる場合には、タングステンやモリブデン、チタン、タンタルなどの高融点金属材料を用いることが好ましい。熱伝導膜の厚みは基体２０の厚みの増大を防ぐべく、少なくとも枠体４０の厚みＴ４よりも小さいことが好ましく、枠体４０の厚みＴ４の１／１０以下であることが好ましい。基体２０の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する熱伝導膜を用いる場合にはその厚みは０．１ｍｍ以下であってもよい。このように熱伝導用の枠体４０と基体２０に埋設した薄い熱伝導膜を用いることで、従来知られているような、基体２０に放熱板を埋設するような構造に比べて、放熱性と薄型化の両方を達成することができる。  電子部品１００に関する製造方法の一例を説明する。図８〜１０は図１（ａ）、（ｂ）のＡ−ａ線における断面模式図である。
【００５３】
図８（ａ）は、基体２０を用意する工程ａを示す。上述したように基体２０には、内部端子５と埋設部６と外部端子７が一体化されている。また基体２０は、基準段部２０２と上段部２０４とを接続する段差部２０３を有し、さらには、基準段部２０２と下段部２００とを接続する段差部２０１を有している。内部端子５は基準段部２０２に設けられている。
【００５４】
このような基体２０は、ドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形法を用いて形成されたグリーンシートに板型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの板材を形成する。また、同様に形成されグリーンシートに枠型の打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層して生セラミックの枠材を形成する。これらの板材と枠材を重ねて焼成することで、凹形状を有するセラミック積層体を作製することができる。内部端子５、埋設部６および外部端子７は、グリーンシートを積層する過程でスクリーン印刷法等により形成された導電ペーストパターンを、焼成することでメタライズ加工によってセラミック積層体と一体的に形成することができる。図６、図７を用いて説明した熱伝導膜についても同様に導電ペーストを用いて形成することができる。
【００５５】
ここでは焼成前に、生セラミック板材であった第１層２１と、小内径の生セラミック枠材であった第２層２２および大内径の生セラミック枠材であった第３層２３とを示している。第２層２２の枠型と第３層２３の枠型の内径を異ならせることにより、容易に基準段部２０２を形成可能である。なお、図３（ａ）、（ｂ）に示したように、下段部２００を有しないような場合には、図３（ａ）、（ｂ）のような例では基体２０を構成する枠材を２種類（２層）ではなく、１種類で構成することができる。そうすれば打ち抜き加工の枠型は１種類でよいので、コストダウンを図ることができる。基体２０の段差部２０３の内径ＤＢＩや外径ＤＢＯは実装される電子デバイスのサイズに応じて任意に決定される。
【００５６】
図８（ｂ）は、基体２０と枠体４０を接着する工程ｂを示す。成形された枠体４０を用意する。枠体４０の内径をＤＦＩ、外径をＤＦＯとする。ここで、基体２０と枠体４０の大きさの関係を、ＤＢＩ＜ＤＦＩとしておく。また、ＤＢＯ＜ＤＦＯとしておく。枠体４０の表面には、サンドブラスト加工により凹凸をつけておくと良い。基体２０の上段部２０４と枠体４０の第１の接合面４０１の少なくとも一方に接着剤５１０を塗布する。図８（ｂ）に示す様に、枠体４０の接合面４０１のみに接着剤５１０を塗布すると良い。基体２０よりも枠体４０の方が平坦性が高く、接着剤５１０の塗布量を制御しやすいためである。上述したように、典型的な接着剤５１０は熱硬化性樹脂である。接着剤５１０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。
【００５７】
図８（ｃ）も、基体２０と枠体４０を接着する工程ｃを示す。枠体４０を基体２０の上段部２０４に乗せる。ここで、基体２０の段差部２０３が、枠体４０の内縁４０３よりも内部端子５側に位置している。このときの段差部２０３と内縁４０３のオフセット量ＤＯＳは、内径ＤＦＩと内径ＤＢＩの差に依存する。典型的にはＤＯＳ＝（ＤＦＩ−ＤＢＩ）／２となる。
【００５８】
このようにすることで、上段部２０４には、枠体４０に対向する対向領域と、オフセット量ＤＯＳに対応した幅を有し枠体４０に対向しない非対向領域とが形成される。当然、この時点で、接着剤５１０は液体である。枠体４０の自重あるいは押圧により枠体４０が基体２０に押し付けられることにより、余分な接着剤５１０は枠体４０と基体２０の間からはみ出す。しかし、形成された非対向領域および上段部２０４と段差部２０３との境界での表面張力により、はみ出した余分な接着剤５１０が保持され、内部端子５への接着剤５１０の付着が抑制される。図８（ｂ）において説明したように、接着剤５１０を基体２０に塗布することもできる。しかし、接着剤５１０を基体２０に塗布すると、非対向領域であるべき領域に、枠体４０を配置する前から接着剤５１０が塗布されていたり、或いは、対向領域であるべき領域に接着剤５１０が塗布されていない可能性が高くなる。そのような状況を避ける上でも、接着剤５１０を基体２０ではなく枠体４０に塗布するとよい。
【００５９】
その後、塗布された接着剤５１０を適当な方法で固化させる。好適な接着剤５１０は熱硬化性樹脂であり、加熱によって熱硬化させる。これにより、液体である接着剤５１０は固体である接合材５１となり、接合材５１を介して枠体４０と基体２０とが接着される。このようにして、枠体４０と基体２０を備える実装部材２４を製造することができる。
【００６０】
図９（ｄ）は、基体２０に電子デバイス１０を固定する工程ｄを示す。電子デバイス１０は電極３を有している。基体２０の下段部２００と電子デバイス１０の裏面１０２の少なくとも一方（典型的には基体２０の下段部２００のみ）にダイボンドペーストなどの接着剤を塗布する。そして、電子デバイス１０を接着剤の上に配置する。図９（ｄ）は、接着剤を固化して接合材５２を形成して、電子デバイス１０と基体２０を接着した後の状態である。
【００６１】
図９（ｅ）は、電子デバイス１０と基体２０とを電気的に接続する工程ｅを示す。本例ではワイヤーボンディング接続を用いている。キャピラリ３４５の先端から供給される金属ワイヤーの一端を電極３に接続し、次いで、金属ワイヤーの他端を内部端子５に接続する。この金属ワイヤーにより接続導体４が形成される。なお、フリップチップ接続採用する場合には、バンプが接合材５２と接続導体４とを兼ねることもできる。ここで、基体２０は電子デバイス１０を下段部２００に設けて、内部端子５が設けられた基準段部２０２を下段部２００より上方に位置させている構成である。そのため、キャピラリ３４５が段差部２０３、上段部２０４さらには電子デバイス１０に干渉しうる範囲を小さくすることができる。そのため、電子部品１００の小型化が可能となる。
【００６２】
図９（ｆ）は、蓋体３０を枠体４０に接着する工程ｆを示す。なお、図９（ｆ）は、全ての内部端子５と全ての電極３とを接続導体４で接続した後の状態である。枠体４０の接合面４０２と蓋体３０の接合面（本例では内面３０２）の少なくとも一方に接着剤５３０を塗布する。図９（ｆ）に示す様に、枠体４０の接合面４０１のみに接着剤５３０を塗布すると良い。枠体４０よりも蓋体３０の方が平坦性が高く、接着剤５３０の塗布量を制御しやすいためである。上述したように、典型的な接着剤５３０は光硬化性樹脂である。接着剤５３０の塗布には印刷法やディスペンス法等を用いることができる。
【００６３】
図９（ｇ）も、蓋体３０を枠体４０に接着する工程ｇを示す。蓋体３０を枠体４０の上に乗せる。当然、この時点で、接着剤５３０は液体である。そのため、蓋体３０の自重あるいは押圧により蓋体３０が枠体４０に押し付けられることにより、余分な接着剤５３０は枠体４０と蓋体３０の間からはみ出す。その後、塗布された接着剤５３０を適当な方法で固化させる。これにより、液体である接着剤５３０は固体である接合材５３となり、接合材５３を介して枠体４０と蓋体３０とが接着される。接着剤５３０として光硬化性樹脂を用いるのは以下の理由が挙げられる。接着剤５３０を接合面の全周に形成される場合、接着剤５３０として熱硬化性接着剤を用いると、加熱時に内部空間６０が熱膨張して、内圧により液体状態の接着剤５３０を押し出してしまう可能性があるためである。光硬化性接着剤を用いるとこのような可能性はなくなる。なお、光硬化性接着剤を光硬化によって半硬化させた後であれば、後硬化として補助的に熱硬化を用いることができる。光硬化性の接着剤５１０を好適に用いるうえでは、蓋体３０は紫外線などの接着剤５１０が反応する波長に対して十分な光透過性を有することが好ましい。以上の様にして、電子部品１００を製造することができる。
【００６４】
図１０（ｈ）は電子モジュール６００の製造方法を示している。上記の様にして作製した電子部品１００を２次実装するための配線部材５００を用意する。配線部材は、リジッド配線板やフレキシブル配線板、リジッドフレキシブル配線板などであり、典型的にはプリント配線板である。配線部材５００の接続端子９にはんだペースト８０（はんだクリーム）をスクリーン印刷法などの公知の方法で塗布する。そして、電子部品１００を配線部材５００の上に乗せて、接続端子９と外部端子７との間にはんだペースト８０を介在させる。
【００６５】
図１０（ｉ）も電子モジュール６００の製造方法を示している。電子部品１００と配線部材５００とを加熱炉（リフロー炉）の中に入れて、１８０〜２５０℃程度ではんだペースト８０を焼成し、接続導体８としてのはんだを形成する。このようにして、電子部品１００はリフローはんだ付けを経て配線部材５００に固着される。このようにして、電子部品１００と配線部材５００とを備える電子モジュール６００を製造することができる。なお配線部材５００の上には電子部品１００以外の電子部品、例えば集積回路部品やディスクリート部品等を搭載することができる。
【００６６】
図１０（ｊ）は電子機器１０００を示している。電子モジュール６００の配線部材５００を外部回路７００に接続する。外部回路は例えばプロセッサやメモリである。なお外部回路は、上述した修正機回路部品であってもよい。外部回路にはディスプレイ等の他の電子部品が接続される。これらを筐体９００に格納して、電子機器１０００を製造することが出来る。なお、電子部品１００に設けられた放熱用の拡張部４０４は、筐体９００や筐体９００内に設けられたヒートシンクへ熱的に接続される。これにより、電子デバイス１０で生じた熱が拡張部４０４を介して外部へ放熱される。外部端子７が蓋体３０から基体２０の正射影領域に位置する場合には、基体２０において電子デバイス１０の正射影領域で放熱することが困難となる。これは、外部端子７が接続される一般的な配線部材５００は熱伝導性が低いためである。そのため、枠体４０を経由して放熱すると良い。
【００６７】
以上の様に、実装部材２４、電子部品１００、電子モジュール６００および電子機器１０００を製造することができる。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明の実施例を説明する。図２で示した電子部品１００を作製した。Ｘ方向が長手方向でＹ方向が短手方向となる矩形板状の電子部品１００である。
【００６９】
電子部品１００においては、形状が互いに異なるアルミナセラミックを３層積層した矩形凹状の基体２０を準備した。アルミナセラミックの熱伝導率は１４Ｗ／ｍ・Ｋである。基体２０においては、板状である第１層２１の厚みが０．８ｍｍ、枠状である第２層２２の厚み（段差部２０１の高さ）が０．４ｍｍ、枠状である第３層２３の厚み（段差部２０３の高さ）が０．２ｍｍである。
【００７０】
第１層２１のＸ方向における外径は３２．０ｍｍである。第１層２１のＹ方向における外径は２６．４ｍｍである。第２層２２のＸ方向における外径は３２．０ｍｍで内径は２６．２ｍｍ（枠幅が２．９ｍｍ）である。第２層２２のＹ方向における外径は２６．４ｍｍで内径は１９．６ｍｍ（枠幅は３．４ｍｍ）である。第３層２３のＸ方向における外径は３２．０ｍｍで内径は２６．２ｍｍ（枠幅が２．９ｍｍ）である。第３層２３のＹ方向における外径（ＤＢＯに相当）は２６．４ｍｍで内径（ＤＢＩに相当）は２１．４ｍｍ（枠幅が２．５ｍｍ）である。内部端子５が設けられた基準段部２０２のＹ方向における幅はそれぞれ０．９ｍｍとしている。
【００７１】
それぞれ、内部端子５、外部端子７として、ニッケルの下地に金めっきした積層膜を用いている。外部端子７はＬＧＡ型であり、１２５個の外部端子７が設けられている。
【００７２】
次に、フェライト系ステンレスであるＳＵＳ４３０（１８クロムステンレス）からなる枠体４０を用意し、枠体４０の一方の面に接着剤５１０として熱硬化型樹脂をスクリーン印刷で塗布した。ＳＵＳ４３０の熱伝導率は２６Ｗ／ｍ・Ｋである。そして、基体２０の上段部２０４に載置した後加重した。熱硬化性樹脂の厚みが１０〜５０μｍとなるように荷重を調整した。そして、１２０〜１５０℃程度の加熱を行って接着剤５１０としての熱硬化性樹脂を硬化させた。尚、枠体４０の表面は、熱硬化性樹脂との接着力を向上させる為に、表面粗さＲａ値０．１〜０．２μｍ程度のサンドブラスト処理を実施して、表面に凹凸形状を形成しておいた。枠体４０の厚みは０．８ｍｍ、Ｘ方向における外径は４２．０ｍｍ（うち、左右に設けた拡張部４０４の幅は各４．５ｍｍ）で内径は２７．４ｍｍである。枠体４０のＹ方向における外径は２７．４ｍｍで内径は２２．６ｍｍである。この時、枠体４０の内縁４０３と基体２０の段差部２０３とのオフセット距離を、Ｘ方向の左右において各０．６０ｍｍ、Ｙ方向の上下において各０．６０ｍｍとした。内縁４０３を段差部２０３よりも大きくすることにより、内縁４０３の全周が段差部２０３の外方（外縁２０５側）に位置するようになっている。また、枠体４０は基体２０の外縁２０５に対して、Ｘ方向の左右において最小で０．５０ｍｍ最大で５．０ｍｍ（拡張部４０４分）だけ突出しており、Ｙ方向の上下において０．５０ｍｍだけ突出している。つまり、Ｘ方向におけるＷ４は最小で０．５０ｍｍであるが、拡張部４０４で５．０ｍｍとなり、Ｗ４＞Ｗ２となる。外縁４０５を外縁２０５よりも大きくすることにより、外縁４０５の全周が外縁２０５の外方（外縁２０５側）に位置するようになっている。第１部分４１０の長さＷ２はＸ方向では２．３ｍｍ、Ｙ方向で１．９ｍｍである。このようにして実装部材２４を得る。Ｘ方向、Ｙ方向において、Ｔ４＜Ｗ２を満たしており、Ｘ方向においては、Ｔ４＜Ｗ２＜Ｗ４を満たしている。Ｙ方向においては、Ｔ４＞Ｗ４となっている。
【００７３】
次に、電子デバイス１０として、いわゆるＡＰＳ−ＣサイズのＣＭＯＳイメージセンサーを準備した。電子デバイス１０のＹ方向における外径は１８．０ｍｍ、厚みは０．７５ｍｍである。シリコンを主たる材料とする電子デバイス１０の熱伝導率は１６０Ｗ／ｍ・Ｋ、熱膨張率は２．５ｐｐｍ／Ｋとみなしてよい。この電子デバイス１０を、黒色のダイボンディング接着剤である接着剤を用いて、基体２０のほぼ中央に熱硬化により固定した。その後、チップの周辺領域に設けられ電極３と内部端子５とを、ワイヤーボンディング装置を用いて、金ワイヤーにて電気的接続を行った。Ｙ方向における電子デバイス１０の外縁１０５と枠体４０の内縁４０３との距離は、Ｘ方向においては１．５ｍｍ、Ｙ方向においては２．３ｍｍ（ＤＣＦに相当）である。そして、電子デバイス１０と段差部２０３との距離はＸ方向においては０．９ｍｍ、Ｙ方向においては１．７ｍｍである。内部端子５と電子デバイス１０の外縁１０５との距離ＤＣＴは０．８ｍｍとした。
【００７４】
次に、蓋体３０として、α線対策された厚み０．５ｍｍの石英ガラスからなる板材を用意した。石英ガラスの熱伝導率は、１．４Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。蓋体３０のＸ方向における寸法は３１．８ｍｍ、Ｙ方向における寸法は２６．３ｍｍとし、基体２０の外径寸法と略一致させた。蓋体３０の一方の面に接着剤５３０として紫外線硬化型樹脂をディスペンサで枠状に塗布し、接着剤５３０を塗布した面を枠体４０の接合面４０２側にして、蓋体３０を枠体４０戴置し、適当に加重した。この時、接着剤５３０には直径３０μｍの球状粒子がスペーサ５３０として混入されており、接着剤５３０の厚みは概ね３０μｍとなった。この時、接着剤５３０が蓋体３０と枠体４０の間からはみ出したことを確認した。そして、蓋体３０を介して紫外線を照射して光硬化処理を行った。さらに後硬化として、熱硬化処理を行って接着剤５３０を硬化させて、接合材５３を形成した。電子デバイス１０の表面１０１と蓋体３０の内面３０２との距離は０．７５ｍｍとなった。このようにして、厚みが２．８ｍｍの電子部品１００を得る。
【００７５】
次に、適当な大きさの配線部材５００を用意し、配線部材５００の接続端子９上にはんだペースト８０を印刷塗布し、リフロー炉にてはんだペースト８０を溶融して、電子部品１００を配線部材５００に固着した。このようにして電子モジュール６００（撮像モジュール）を得る。
【００７６】
電子モジュール６００を筐体に格納し、電子部品１００の拡張部４０４の貫通穴４０６を用いて筐体にねじ止めし、拡張部４０４を筐体に密着させた。このようにして電子機器１０００としてのカメラを作製した。カメラを動作させたところ、撮像デバイスの温度は７０℃程度に上昇した。しかし、電子デバイス１０からの熱が拡張部４０４を介して筐体に放熱されていることを確認し、長時間にわたって、良好な画像を得ることが出来た。
【００７７】
次に、図６に示すように、熱伝導膜を内包する基体２０を用いて同様に電子部品１００および電子機器１０００を作製した。基体２０内には、グリーンシート上にパターニングしたタングステンペーストを焼成してセラミックをメタライズ加工することで、熱導電膜としてのタングステン膜が基体２０と一体的に形成されている。タングステンペーストを焼成して得られたタングステン膜の熱伝導率は、タングステン単体の熱伝導率（１７３Ｗ／ｍ・Ｋ）よりは低いが、５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、アルミナセラミックである基体２０の熱伝導率よりも高くなっている。熱伝導膜としてのタングステン膜は、厚みが１０μｍであり、板状の第１層２１に第１熱伝導膜８１１、第２熱伝導膜８１２、第３熱伝導膜８１３および第４熱伝導膜８１４第１を２層に分けて配置した。なお、埋設部６も同様にタングステンペーストを用いて形成している。第１熱伝導膜８１１および第３熱伝導膜８１３については、配置領域２１０の直下から、基体２０の外縁２０５から１．０ｍｍ以内の範囲にまで延在しており、電子デバイス１０の面積の半分以上の面積を有している。従って、第１熱伝導膜８１１および第３熱伝導膜８１３は、電子デバイス１０の正射影領域内から枠体４０の正射影領域内まで延在していることになる。タングステン膜は、各熱伝導膜は枠体４０の厚み（０．８ｍｍ）十分に対して薄いため、２層分設けても、基体２０の第１層２１の厚みは上述した０．８ｍｍから実質的に変化していないため、薄型の電子部品１００が得られている。また、蓋体３０には上述した石英ガラスからなる板材と同じ寸法であり、熱伝導率が１．２Ｗ／ｍ・Ｋであるホウケイ酸ガラスを用いた。上述したのと同様にカメラを作製してビデオ撮影を行ったところ、長時間にわたって安定した、良好な画像を得ることが出来た。
【符号の説明】
【００７８】
１０  電子デバイス
２０  基体
２０５  （基体の）外縁
３０  蓋体
４０  枠体
４０３  （枠体の）内縁
４０５  （枠体の）外縁
５００  配線部材
１００  電子部品
１０００  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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