(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）であって、
−  放射取り出し領域（６）を有する半導体チップ（３）であり、生成される電磁放射の少なくとも一部分が、前記放射取り出し領域（６）を通じて前記半導体チップ（３）から出る、少なくとも１つの放射放出半導体チップ（３）と、
−  前記半導体チップ（３）の下流、前記放射取り出し領域（６）に配置されており、前記半導体チップ（３）によって放出される前記電磁放射を変換し、前記放射取り出し領域（６）とは反対側の第１の面（７）を有する、少なくとも１つの変換要素（４）と、
−  反射性の封止体（５）と、
を備えており、
−  前記反射性の封止体（５）が、側面（３３，４４）において、前記半導体チップ（３）と、前記変換要素（４）の少なくとも一部分とを、密着状態に封止しており、
−  前記変換要素（４）の前記第１の面（７）に前記反射性の封止体（５）が存在せず、
−  前記変換要素（４）の前記第１の面（７）が、少なくとも部分的に構造化されており、
−  前記側面領域（３３，４４）に垂直な方向における前記反射性の封止体（５）の大きさが、１０００μｍより大きく、
−  前記変換要素（４）が、前記反射性の封止体（５）から突き出ており、
−  前記半導体チップ（３）が、部品のキャリア（１０００）に面するように配置されており、
−  前記部品のキャリア（１０００）が、その表面の少なくとも一部分に金層または銀層が形成されている金属性のキャリアフレームであり、
−  前記反射性の封止体（５）が、前記半導体チップ（３）によって覆われていない前記キャリア（１０００）の領域（１１１１）を覆っている、
オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項２】
前記変換要素（４）がセラミック材料によって形成されている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項３】
前記変換要素（４）が、前記半導体チップ（３）の垂直方向における厚さのオーダーの少なくとも２倍の、垂直方向における厚さを有する、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項４】
前記変換要素（４）が、少なくとも５０μｍから最大で５００μｍの、垂直方向における厚さを有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項５】
前記変換要素（４）から放出される前記電磁放射のうちの少なくとも１０％が、前記変換要素（４）の前記側面領域（４４）において放出され、前記反射性の封止体（５）によって反射される、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項６】
前記半導体チップ（３）と前記変換要素（４）との間に、放射に対して透過性の接着層（８）が配置されている、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項７】
前記反射性の封止体（５）が、前記半導体チップ（３）の前記側面領域（３３）と、前記接着層（８）の側面領域（８８）とを完全に覆っている、
請求項６に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項８】
前記反射性の封止体（５）が、シリコーン、シリコーンの混合物、またはエポキシドによって形成されており、このような材料に、放射を反射する粒子が導入されており、放射を反射する前記粒子が、材料ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４、ＺｎＯ、ＡｌｘＯｙ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１種類からなる、またはこれらの材料のうちの１種類を含んでいる、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項９】
前記反射性の封止体（５）は、白色に見えるものである、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
オプトエレクトロニクス半導体部品を開示する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００２】
本発明の目的は、オプトエレクトロニクス半導体部品であって、放射損失が特に小さく、放射出口領域が特に明るく見えるオプトエレクトロニクス半導体部品、を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、放射取り出し領域を有する少なくとも１つの放射放出半導体チップを備えている。半導体チップにおいて生成される電磁放射の少なくとも一部分は、この放射取り出し領域を通じて半導体チップから出る。放射放出半導体チップは、例えばルミネセンスダイオードチップとすることができる。ルミネセンスダイオードチップは、紫外光から赤外光の範囲内の放射を放出する発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップとすることができる。ルミネセンスダイオードチップは、電磁放射のスペクトルのうち可視領域または紫外領域における光を放出することが好ましい。
【０００４】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によると、半導体部品は、半導体チップの下流、放射取り出し領域に配置されている少なくとも１つの変換要素であって、半導体チップによって放出される電磁放射を変換する変換要素、を備えている。この少なくとも１つの変換要素は、放射取り出し領域とは反対側の第１の面を有する。さらに、少なくとも１つの変換要素は、半導体チップの動作時に生成される電磁放射の少なくとも一部分が自身の中に入るように、半導体チップの下流に配置されている。変換要素は、一例として、半導体チップによって放出される電磁放射を、より長い波長を有する放射に変換する。少なくとも１つの変換要素は、一例として、少なくとも１つの半導体チップの放射取り出し領域に形成されており、放射取り出し領域（半導体チップ）に結合手段によって結合することができる。
【０００５】
少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、反射性の封止体を備えている。本明細書において、「反射性の」とは、半導体チップもしくは変換要素またはその両方から封止体に入射する電磁放射の少なくとも８０％、好ましくは９０％以上を、封止体が反射することを意味する。反射性の封止体は、半導体チップの外側領域および変換要素の外側領域に形成された層とすることができる。同様に、封止体を、例えば、半導体チップおよび変換要素をポッティングすることによって形成されるポッティング体とすることも考えられる。
【０００６】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、側面領域において、半導体チップと、変換要素の少なくとも一部分とを、密着状態に封止している。半導体チップの側面領域および変換要素の側面領域は、一例として、垂直方向に、すなわち、放射放出半導体チップのエピタキシャル成長した半導体積層体に対して垂直方向または横切る方向に、延びている。本明細書において、「密着状態に封止する」とは、反射性の封止体が、側面領域において、半導体チップと、変換要素の一部分とを囲んでおり、これらに直接接触していることを意味する。言い換えれば、反射性の封止体と側面領域との間に、隙間および離断のいずれも形成されていないことが好ましい。この場合、「少なくとも一部分」とは、反射性の封止体（例えばポッティング）が、変換要素の側面領域を、特定の充填高さまでのみ密着状態に封止していることを意味する。結果として、半導体チップが、その側面領域において反射性の封止体によって完全に覆われており、変換要素が反射性の封止体よりも突き出しているようにすることが可能である。したがって、変換要素の側面領域は、完全に、または所定の高さまで部分的に、反射性の封止体によって覆われている。
【０００７】
少なくとも一実施形態によると、変換要素の第１の面には、封止体が存在しない。「存在しない」とは、第１の面が反射性の封止体によって覆われておらず、半導体部品の放射放出経路に沿っての変換要素の下流に反射性の封止体が配置されていないことを意味する。したがって放射は、妨げられることなく変換要素から放出されることができる。最大でも、反射性の封止体の材料残渣が、製造によって決まる程度だけ第１の面に残る程度であり、ただし第１の面を覆う材料残渣は、第１の面の最大で１０％、好ましくは最大で５％である。
【０００８】
本オプトエレクトロニクス半導体部品の少なくとも一実施形態によると、オプトエレクトロニクス半導体部品は、放射取り出し領域を有する少なくとも１つの放射放出半導体チップを備えており、半導体チップにおいて生成される電磁放射の少なくとも一部分が、放射取り出し領域を通じて半導体チップから出る。さらには、半導体チップによって放出される電磁放射を変換するための変換要素が、半導体チップの下流、放射取り出し領域に配置されている。変換要素は、放射取り出し領域とは反対側の面を有する。さらには、オプトエレクトロニクス半導体部品は、反射性の封止体を備えており、この反射性の封止体は、側面領域において、半導体チップと、変換要素の少なくとも一部分とを、密着状態に封止しており、変換要素の第１の面には、反射性の封止体が存在しない。
【０００９】
本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体部品は、この場合、特に以下の洞察に基づいている。すなわち、半導体部品において主として生成される電磁放射が、半導体チップの側面領域と、半導体チップの下流に配置されている変換要素の側面領域とを介して放出されることによって、放射損失が発生する。横方向に放出される電磁放射は、通常では、物理的もしくは技術的に利用することができないため、半導体部品の放射効率の損失が発生することがある。言い換えれば、これによって放射効率が低下することがある。本明細書において、「放射効率」とは、半導体部品から取り出される有効な光量（luminous energy）と、半導体チップの中で主として生成された光量との比を意味する。
【００１０】
このような望ましくない放射損失を回避すると同時に、放射効率を高める目的で、本明細書に記載されているオプトエレクトロニクス半導体部品は、特に、以下の発想を利用する。すなわち、側面領域において、半導体チップと、半導体部品の変換要素の少なくとも一部分とを密着状態に封止する反射性の封止体、を設け、変換要素の第１の面に反射性の封止体が存在しない。
【００１１】
半導体チップにおいて生成された電磁放射のうち、半導体チップの側面領域を通じて出る電磁放射は、反射性の封止体によって反射されて、半導体チップの中、例えば変換要素の方向に戻る。したがって、半導体チップにおいて生成される放射の最大限に大きな比率が、変換要素の方向にガイドされ、これは有利である。
【００１２】
半導体チップから放射取り出し領域を介して取り出されて変換要素に入る放射の少なくとも一部分は、最初に、例えば変換要素に含まれている、放射を変換する粒子によって、変換要素の中で無秩序な方向に（direction-independently）放射変換されて再放出される。「無秩序な方向に」とは、変換要素において変換された電磁放射が、変換要素の中で、放射を変換する粒子によって、特定の好ましい方向なしに再放出されることを意味する。
【００１３】
変換要素の中で電磁放射が変換された後、変換された電磁放射の一部分は、変換要素の側面領域の方向に再放出され、変換要素の側面領域を介して変換要素から出る。この放射は、次いで少なくとも一部分が反射性の封止体に入射し、その一部分は反射性の封止体によって反射されて変換要素の中に戻る。反射されて変換要素の中に戻った放射の少なくとも一部分は、半導体チップから遠ざかる方向にガイドされ、変換要素（したがって半導体部品）から取り出すことができる。反射されて変換要素の中に戻った放射の一部分が、例えば半導体チップの方向に進む場合、上記の反射プロセスが何度か回繰り返されることがある。反射プロセスが繰り返されて、このような放射が最終的に変換要素から取り出されるものと考えられる。言い換えれば、半導体部品から取り出される有効な放射は、直接的な放射、すなわち、反射性の封止体に反射されることなく半導体部品から取り出される放射と、封止体において少なくとも１回反射されて戻り、第１の面を通じて半導体部品から取り出される結果として半導体部品を出る放射と、から構成される。
【００１４】
したがって、半導体チップにおいて生成される放射のうち最大限に大きな比率の電磁放射が、変換要素の方向にガイドされ、変換要素の第１の面を介して半導体部品から取り出される。本明細書に記載されている封止体によって、半導体部品の放射効率と、第１の面における輝度の両方が高まり、その結果として、変換要素の第１の面が、例えば外部の観察者から相当に明るく見え、これは有利である。この場合、「輝度」とは、第１の面の単位面積あたりの、第１の面から取り出される光量を意味する。
【００１５】
少なくとも一実施形態によると、放射放出半導体チップは、電磁放射のスペクトルのうち青から紫外領域における光を放出する。
【００１６】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、シリコーン、シリコーンの混合物、またはエポキシドによって形成されており、これらの材料には放射を反射する粒子が中に導入されており、放射を反射する粒子は、少なくともＺｒＯ２からなる、または少なくともＺｒＯ２を含んでいる。放射放出半導体チップが、青色光または紫外光を放出する場合、ＺｒＯ２は、このような波長域において特に低い吸収特性を有する。言い換えれば、この場合、高い比率の電磁放射が、反射性の封止体によって反射される。
【００１７】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、ポッティングであり、側面領域に垂直な方向におけるポッティングの大きさ（extent）は、側面領域に沿って、少なくとも部分的に異なる。言い換えれば、この場合、反射性の封止体は、側面領域に沿った厚さが均一ではない。反射性の封止体をこのように具体化することによって、反射性の封止体に入射する電磁放射の最大限に大きな比率が反射されることが認識された。
【００１８】
少なくとも一実施形態によると、封止体は、横方向において変換要素よりも突き出していない。封止体が、横方向において変換要素の第１の面と同じ高さにあるようにすることが考えられる。この場合、反射性の封止体は、変換要素の側面領域を例えば完全に封止しており、その結果として、反射性の封止体によって反射されて変換要素の中に戻る放射の比率が最大限に大きい。したがって、半導体チップにおいて生成される電磁放射は、封止体による吸収効果を除いて、取り出しの目的のために設けられている領域においてのみ、すなわち第１の面のみを通じて、したがって変換要素を通じて、半導体部品から出ることができる。したがって、反射性の封止体によって、半導体チップによって放出される放射が特に効率的に変換される。
【００１９】
さらには、この場合、光学要素（例えばレンズ）（横方向に最も大きい部分において半導体チップよりも横方向に突き出している）を、変換要素の第１の面に形成することが考えられる。
【００２０】
少なくとも一実施形態によると、変換要素は、セラミック材料によって形成されている。この場合、変換要素は、マトリックス材料（例えばガラスセラミックまたはセラミック）に埋め込まれているルミネセンス変換材料を備えていることができる。この場合、変換要素は、一例として薄層である。同様に、変換要素がセラミックのルミネセンス変換材料のみからなることも可能である。この場合、変換要素は、このようなセラミックのルミネセンス変換材料からなる薄層とすることができる。
【００２１】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によると、変換要素は、半導体チップの垂直方向における厚さのオーダーの少なくとも２倍の、垂直方向における厚さを有する。したがって、変換要素の全表面積に対する変換要素の側面領域の面積の比ができる限り大きくなり、これは有利である。結果として、反射性の封止体によって反射されて変換要素の中に戻る放射の比率が増大し、これによって半導体部品の放射効率および輝度がさらに大きく高まる。
【００２２】
少なくとも一実施形態によると、変換要素は、少なくとも５０μｍから最大で５００μｍの、垂直方向における厚さを有する。好ましくは、変換要素は、少なくとも５０μｍから最大で１５０μｍの、垂直方向における厚さを有する。変換要素のこのような厚さの範囲は、放射損失の低減に関して特に有利であることが判明した。
【００２３】
少なくとも一実施形態によると、変換要素から放出される電磁放射のうちの少なくとも１０％が、変換要素の側面領域において放出され、反射性の封止体によって反射される。一例として、変換要素の全表面積に対する、変換要素の側面領域の面積が３０％である場合、半導体チップによって放出される電磁放射のうち最大で３０％が、変換要素から出て反射性の封止体によって反射され、例えば変換要素の中に戻る。
【００２４】
少なくとも一実施形態によると、変換要素の第１の面は、少なくとも部分的に構造化されている。本明細書において、「構造化されている」とは、第１の面の少なくとも一部分に凸部と凹部とが配置されていることを意味する。少なくとも部分的に構造化されている面は、例えば、制御された方法で第１の面に導入される、あらかじめ作成される規則的な構造によって、形成することができる。この構造は、突起状または溝状に具体化することができる。一例として、第１の面は、角錐状に構造化されている。すなわち、第１の面は、角錐状に具体化された多数の凸部を有する。同様に、第１の面に沿って周期的に交互に配置される少なくとも２つの異なる構造化形状（structuring profile）によって、第１の面を構造化することも考えられる。一例として、一方の構造化形状を角錐状の凸部とし、他方の構造化形状を円柱状の凸部またはランダムな粗面化とすることができる。このような構造化された面によって、半導体部品の放射効率が高まる。
【００２５】
本半導体部品の少なくとも一実施形態によると、半導体チップと変換要素との間に、放射に対して透過性の接着層が配置されている。その屈折率は、例えば、接着層に直接隣接している半導体チップの材料の屈折率と、変換要素の屈折率との間とすることができる。「放射に対して透過性」とは、接着層が、電磁放射の少なくとも８０％程度、好ましくは少なくとも９０％程度を透過させることを意味する。接着層は、一例として、半導体チップの放射取り出し領域に形成されており、この放射取り出し領域に直接接触しており、接着層に変換要素を形成した後には、変換要素の第１の面とは反対側の面にも直接接触している。言い換えれば、接着層は、半導体チップと変換要素とを互いに隔てている。接着層は、変換要素が半導体チップから剥離すること（および層間剥離）を回避する。したがって、半導体チップと変換要素は、接着層を介して互いに機械的にしっかりと結合されている。半導体チップにおいて主として生成される電磁放射は、半導体チップから放射取り出し領域および接着層を通って変換要素の中に入ることができる。接着層の上述した屈折率の範囲では、半導体チップの中への望ましくない後方反射を有利に回避することができ、その結果として、最大限に多くの放射が変換要素の中に入る。同様に、放射を透過させる接着層の屈折率を、接着層に直接隣接する半導体チップの材料の屈折率よりも小さくすることが可能である。この場合、さらに、放射を透過させる接着層の屈折率を、変換要素の屈折率よりも小さくすることが考えられる。一例として、放射を透過させる接着層の屈折率は、１．３〜１．７の範囲内、好ましくは１．４〜１．５６の範囲内である。この場合、接着層は、一例として、シリコーン、エポキシド、またはこれら２つの材料の混合物によって形成される。ここに挙げた材料は、半導体チップの材料と変換要素の材料の両方に対して特に良好な接着特性を示す。
【００２６】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、半導体チップの側面領域と、接着層の側面領域とを完全に覆っている。したがって、半導体チップにおいて生成されて、半導体チップの側面領域と接着層の側面領域とを介して出る電磁放射のうち最大限に高い比率の電磁放射が、反射性の封止体によって反射されて、半導体チップおよび接着層の中に、例えば変換要素の方向に戻り、これは有利である。
【００２７】
少なくとも一実施形態によると、半導体チップは、変換要素とは反対側の領域によって、キャリアの上に固定されている。キャリアは、成長基板とは異なるキャリア基板とすることができる。
【００２８】
少なくとも一実施形態によると、キャリアは、半導体チップとは反対側の領域によって、部品のキャリアの上に配置されている。部品のキャリアは、プラスチック、セラミック、または金属によって形成することができる。部品のキャリアはプリント基板として具体化されている、または部品のキャリアが金属である場合、キャリアフレーム（リードフレーム）として具体化されている。
【００２９】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、ジェット工程（jet process）によって形成されている。同様に、反射性の封止体を、成形工程、選択的堆積（例えばプラズマ溶射工程）、スクリーン印刷、スパッタリング、または溶射によって形成することも考えられる。
【００３０】
少なくとも一実施形態によると、反射性の封止体は、シリコーン、シリコーンの混合物、またはエポキシドによって形成されており、これらの材料には放射を反射する粒子が導入されており、放射を反射する粒子は、材料ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４、ＺｎＯ、ＡｌｘＯｙ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１種類からなる、またはこれらの材料のうちの１種類を含んでいる。
【００３１】
少なくとも一実施形態によると、側面領域に垂直な方向における反射性の封止体の大きさは、１０００μｍより大きい。側面領域に垂直な方向とは、一例として、横方向である。
【００３２】
ジェット工程、成形工程、選択的堆積、スクリーン印刷、スパッタリング、または溶射によって反射性の封止体が形成されるときに密着する先の形状は、オプトエレクトロニクス半導体部品に関連する形状であり、なぜなら、これらの形成方法は、オプトエレクトロニクス半導体部品において直接実施できるためである。
【００３３】
以下では、本発明の半導体部品について、例示的な実施形態および関連する図面に基づいてさらに詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品の例示的な実施形態を概略断面図として示している。
【図２】本発明のオプトエレクトロニクス半導体部品のさらなる例示的な実施形態を概略断面図として示している。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
例示的な実施形態および図面において、同一または機能が同じである構成部分には、それぞれ同じ参照記号を付してある。図示した要素は、正しい縮尺ではなく、むしろ、深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。
【００３６】
図１は、本発明の例示的な実施形態によるオプトエレクトロニクス半導体部品１００を、概略断面図として示しており、この半導体部品１００は、キャリア１０と、オプトエレクトロニクス半導体チップ３（キャリア１０の領域１１の上に固定されている）と、接着層８と、変換要素４とを備えている。以下では、オプトエレクトロニクス半導体部品１００についてさらに詳しく説明する。この例示的な実施形態においては、半導体チップ３は、薄膜発光ダイオードチップであり、キャリア１０は、成長基板とは異なるキャリア基板である。キャリア１０は、一例として、ゲルマニウムまたはシリコンによって形成されている。この場合、半導体チップ３は、例えば、成長基板から剥離されたエピタキシャル成長した半導体積層体、を備えている。
【００３７】
半導体チップ３の放射取り出し領域６の上に、接着層８が形成されている。半導体チップ３とは反対側の接着層８の領域８１の上には、変換要素４が形成されており、この変換要素はセラミック材料によって形成されており、セラミック材料には、一例として、放射を変換する材料（例えば粒子もしくは繊維またはその両方）が導入されている。変換要素４は、２００μｍの厚さＤ２を有し、半導体チップ３の厚さＤ１は１００μｍである。
【００３８】
この例示的な実施形態においては、接着層８と変換要素４は互いに直接接触しており、したがって、変換要素４と接着層８との間には隙間および離断のいずれも形成されていない。半導体チップ３から変換要素４が剥離することを回避する目的で、接着層８は、変換要素４および半導体チップ３が自身を介して互いに機械的にしっかりと結合されることを可能にする。接着層８は、シリコーンによって形成されている。
【００３９】
反射性の封止体５は、半導体チップ３の側面領域３３と、接着層８の側面領域８８と、キャリア１０の側面領域１１１とを完全に覆っており、変換要素４の側面領域４４を部分的に覆っている。
【００４０】
この実施形態の場合、反射性の封止体５は、ポッティングとして具体化されている。外部の観察者からは、半導体チップ３が反射性の封止体５によって完全に覆われているものと認識されるようにすることができ、変換要素４は依然として反射性の封止体よりも突き出している。側面領域に垂直な方向（例えば横方向）における、反射性の封止体の大きさは、特に、１０００μｍ以上とすることができる。
【００４１】
反射性の封止体５は、シリコーンによって形成することができ、シリコーンの中に、放射を反射する材料（例えば粒子もしくは繊維またはその両方）が導入されている。このような材料によって形成されている反射性の封止体５は、経時劣化に関して特に安定している。一例として、シリコーンは、入射する電磁放射にさらされたときの経時劣化の程度が、他の封止用組成物（例えば樹脂）よりも大幅に小さいという利点を有する。さらに、シリコーンは、例えばエポキシドと比較して、相当に高い熱安定性を有する。損傷が生じることなく加熱できる温度は、エポキシドでは一般に最大で約１５０℃であるが、シリコーンの場合には約２００℃まで可能である。同様に、反射性の封止体５をハイブリッド材料（例えば、シリコーンとエポキシドの混合物）によって形成することも考えられる。
【００４２】
放射を反射する粒子は、一例として、材料ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４、ＺｎＯ、ＡｌｘＯｙ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１種類からなる粒子、またはこれらの材料のうちの１種類を含んでいる粒子である。オプトエレクトロニクス半導体チップ３が、電磁放射のスペクトルのうち青色光もしくは紫外スペクトル領域の電磁放射またはその両方を放出する場合、放射を反射する粒子の材料として、特に、ＺｒＯ２を使用することができ、なぜなら、ＺｒＯ２は、このような波長域において特に低い吸収特性を有するためである。言い換えれば、この場合、高い比率の電磁放射が、反射性の封止体５によって反射される。
【００４３】
反射性の封止体５における、放射を散乱させる粒子の濃度は、１０〜４０重量％であることが好ましい。好ましくは、濃度は１５〜３０重量％である。反射性の封止体５の反射率は、一例として、放射を散乱させる粒子の濃度に基づいて個別に設定することができる。外部の観察者からは、反射性の封止体５は、その反射特性のため白色に見え、なぜなら、好ましくは反射性の封止体に入射する色スペクトル全体が反射されるためである。封止体が白色であることによって、変換要素４の第１の面７から取り出される電磁放射と、反射性の封止体５との色のコントラストを、小さくすることができ、したがって、外部の観察者からは、半導体部品１００全体が、横方向の範囲全体にわたり最大限に均一な色に見える。
【００４４】
変換要素４の中に入った放射２０は、少なくとも一部分が変換要素４において変換され、変換要素４の中で無秩序な方向に再放出される。例示的な実施形態においては、変換要素４から放出される電磁放射の３０％が、変換要素４の側面領域４４から放出される。変換要素４から放出された後、電磁放射の一部分は反射性の封止体５によって反射されて変換要素４の中に戻り、第１の面７の方向に（すなわち半導体チップ３から遠ざかる方向に）進む。
【００４５】
したがって、第１の面７を通じて変換要素４から取り出される放射２０は、反射された放射２２と、反射性の封止体５によって反射されずに半導体部品１００から放出される放射２１とからなる。
【００４６】
この例示的な実施形態においては、反射性の封止体５はキャリア１０の側面領域１１１も同様に完全に覆っているため、オプトエレクトロニクス半導体部品１００をすでに出た放射が、例えばキャリア１０の側面領域１１１を介してもう一度吸収されることが防止される。
【００４７】
さらには、変換要素４の第１の面７は、少なくとも部分的に構造化されている。言い換えれば、第１の面７は、少なくとも部分的に取り出し構造１２を有する。半導体チップ３によって生成された電磁放射は、少なくとも部分的に構造化されている第１の面７を介して半導体部品１００から取り出される。このような取り出し構造１２によって、放射効率が大幅に高まる。
【００４８】
すなわち、図１に示した例示的な実施形態においては、第一に、本明細書に記載されている反射性の封止体５によって、第二に、取り出し構造１２によって、放射効率が高まり、両方の効果は互いに補い合うことができ、これは有利である。
【００４９】
図２においては、キャリア１０は、半導体チップ３とは反対側の領域が部品のキャリア１０００に面するように配置されている。この実施形態の場合、部品のキャリア１０００は、金属性のキャリアフレームであり、その表面の少なくとも一部分に金層が形成されている。反射性の封止体５は、半導体チップ３の側面領域３３と、接着層８の側面領域８８と、キャリア１０の側面領域１１１とを完全に覆っており、変換要素４の側面領域４４を部分的に覆っている。さらに、反射性の封止体５は、キャリア１０によって覆われていない部品のキャリア１０００の領域１１１１の少なくとも一部分を覆っている。
【００５０】
オプトエレクトロニクス半導体部品１００をすでに出た電磁放射が、例えば、半導体部品１００の発光方向においてオプトエレクトロニクス半導体部品１００の下流に配置されている光学ユニットによって、部品のキャリア１０００の方向に戻された場合、最大限に大きな比率の放射が反射性の封止体５によって反射されて、部品のキャリア１０００から遠ざかる方向に再び戻される。言い換えれば、反射性の封止体５によって、部品のキャリア１０００の金面の反射率が高まる。
【００５１】
反射性の封止体５によってもたらされる高い反射率は、部品のキャリア１０００が銀によって形成されている、または銀によって被覆されている場合にも、同様に達成される。さらに、反射性の封止体５は、周囲条件の影響に対する保護の役割も果たし、結果として、一例として、例えば銀の部品のキャリア１０００の腐食が回避される。
【００５２】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００５３】
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２００９０５８００６．９号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１】
0005863665.tif 000002
【図２】
0005863665.tif 000003