(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式
【化１】
0006025326.tif 000012
（１）
［式中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１〜５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物（Ａ）と
タングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）
とを含む電子デバイス絶縁層材料であって、
前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式
【化２】
0006025326.tif 000013
（２）
［式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、及び、式
【化３】
0006025326.tif 000014
（３）
［式中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｄは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である、電子デバイス絶縁層材料。
【請求項２】
前記高分子化合物（Ａ）が、更に、以下の第１の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である請求項１に記載の電子デバイス絶縁層材料。
第１の官能基：活性水素と反応しうる第２の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基
【請求項３】
前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である請求項２に記載の電子デバイス絶縁層材料。
【請求項４】
前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式
【化４】
0006025326.tif 000015
（５）
［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である請求項３に記載の電子デバイス絶縁層材料。
【請求項５】
前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式
【化５】
0006025326.tif 000016
（６）
［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である請求項３に記載の電子デバイス絶縁層材料。
【請求項６】
前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式
【化６】
0006025326.tif 000017
（４）
［式中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。］
で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料。
【請求項７】
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
該塗布層に熱を印加する工程；
を包含する電子デバイス絶縁層の形成方法。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイス絶縁層材料を絶縁層に有する電子デバイス。
【請求項１０】
前記絶縁層が有機薄膜トランジスタゲート絶縁層である請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の電子デバイスを含むディスプレイ用部材。
【請求項１２】
請求項１１に記載のディスプレイ用部材を含むディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスが有する絶縁層を形成するのに適した電子デバイス絶縁層材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機薄膜トランジスタ等の電子デバイスの研究が注目されており、電子デバイスに用いられる様々な材料の検討が行われている。中でも、電子デバイスの経時劣化を抑制するため、電子デバイスに含まれる絶縁層を形成するための材料の開発が盛んに行われている。
【０００３】
電子デバイスの一態様である有機薄膜トランジスタは、無機半導体より低温で製造できるため、その基板としてプラスチック基板やフィルムを用いることができ、このような基板を用いることによりフレキシブルであり、軽量で壊れにくい素子を得ることができる。また、有機材料を含む溶液の塗布や印刷法を用いた成膜により素子作製が可能な場合があり、大面積の基板に多数の素子を低コストで製造することが可能な場合がある。
【０００４】
さらに、トランジスタの検討に用いることができる材料の種類が豊富であるため、分子構造の異なる材料を検討に用いれば、幅広い範囲の特性のバリエーションを有する素子を製造することができる。
【０００５】
有機薄膜トランジスタの一態様である電界効果型有機薄膜トランジスタに用いられる有機半導体化合物は、湿度、酸素等の環境の影響を受けやすく、トランジスタ特性が、湿度、酸素等に起因する経時劣化を起こしやすい。
【０００６】
そのため、有機半導体化合物が剥き出しになる電界効果型有機薄膜トランジスタの１種であるボトムゲート型有機薄膜トランジスタの素子構造では、素子全体を覆うオーバーコート絶縁層を形成して有機半導体化合物を外気との接触から保護することが必須となっている。一方、電界効果型有機薄膜トランジスタの１種であるトップゲート型有機薄膜トランジスタ素子構造では、有機半導体化合物はゲート絶縁層によりコートされて保護されている。このように、有機薄膜トランジスタでは、有機半導体層を覆うオーバーコート絶縁層及びゲート絶縁層等を形成するために、絶縁層材料が用いられる。
【０００７】
有機薄膜トランジスタ絶縁層材料には、絶縁性及び薄膜にしたときの絶縁破壊強度に優れた特性が要求される。また、特にボトムゲート型の電界効果型有機薄膜トランジスタでは有機半導体層がゲート絶縁層に重ねて形成される。そのため、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料には、有機半導体層と密着した界面を形成するための有機半導体化合物との親和性、及び該有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料から形成した膜の有機半導体層側の表面が平坦になることが要求される。
【０００８】
このような要求に応える技術として、特許文献１には、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料としてエポキシ樹脂とシランカップリング剤とを組み合わせて用いることが記載されている。この技術においては、エポキシ樹脂とシランカップリング剤とを含む組成物を１５０℃に加熱し、エポキシ樹脂の硬化反応の際に生成する水酸基とシランカップリング剤を反応させる。これは、前記水酸基はゲート絶縁層材料の吸湿性を高め、トランジスタ性能の安定性が損なわれるからである。
【０００９】
非特許文献１には、ポリビニルフェノールとメラミン化合物とを１７５℃で熱架橋させた樹脂をゲート絶縁層に用いることが記載されている。この技術では、メラミン化合物で架橋することによってポリビニルフェノールに含まれる水酸基を除去し、同時に膜強度を高める。このゲート絶縁層を有するペンタセンＴＦＴはヒステリシスが小さく、ゲートバイアス応力に対して耐久性を示す。
【００１０】
非特許文献２には、ポリビニルフェノール及びビニルフェノールとメチルメタクリレートとを共重合させたコポリマーを１５０℃で加熱し、ゲート絶縁層に用いることが記載されている。この技術では、ビニルフェノールの水酸基をメチルメタクリレートのカルボニル基と相互作用させて膜全体の極性を低下させる。このゲート絶縁層を有するペンタセンＴＦＴはヒステリシスが小さく、安定した電気特性を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−３０５９５０号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９，０９３５０７（２００６）
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９２，１８３３０６（２００８）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、プラスチック基板上に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）等の発光素子と有機薄膜トランジスタとを形成したディスプレイにおいて、上記従来の電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタの絶縁層を形成するための温度が高く、実用的ではない。
【００１４】
本発明の目的は、低温で絶縁層を形成しうる電子デバイス絶縁層材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
即ち、本発明は、環状エーテル構造を含有する繰り返し単位と、式
【００１６】
【化１】
0006025326.tif 000002
（１）
【００１７】
［式中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｂｂは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表し、ｎは、１〜５の整数を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。Ｒ’が複数個ある場合、それらは同一であっても相異なってもよい。］
で表される繰り返し単位とを含む高分子化合物（Ａ）と
タングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）
とを含む電子デバイス絶縁層材料。
【００１８】
ある一形態においては、前記環状エーテル構造を有する繰り返し単位が、式
【００１９】
【化２】
0006025326.tif 000003
（２）
【００２０】
［式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒａａは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位、及び、式
【００２１】
【化３】
0006025326.tif 000004
（３）
【００２２】
［式中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒｄｄは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｄは、０又は１の整数を表す。］
で表される繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位である。
【００２３】
ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、以下の第１の官能基を含有する繰り返し単位を含む高分子化合物である。
第１の官能基：活性水素と反応しうる第２の官能基を、電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基
【００２４】
ある一形態においては、前記第１の官能基が、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基である。
【００２５】
ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式
【００２６】
【化４】
0006025326.tif 000005
（５）
【００２７】
［式中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。
【００２８】
ある一形態においては、前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が、式
【００２９】
【化５】
0006025326.tif 000006
（６）
【００３０】
［式中、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。］
で表される基である。
【００３１】
ある一形態においては、前記高分子化合物（Ａ）が、更に、式
【００３２】
【化６】
0006025326.tif 000007
（４）
【００３３】
［式中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｒｃｃは、高分子化合物の主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。ｃは、０又は１の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒｆが複数個ある場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。ただし、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。］
で表される繰り返し単位を含む高分子化合物である。
【００３４】
ある一形態においては、前記電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である。
【００３５】
また、本発明は、上記電子デバイス絶縁層材料を含む液を基材に塗布して該基材上に塗布層を形成する工程；及び
該塗布層に熱を印加する工程；
を包含する電子デバイス絶縁層の形成方法を提供する。
【００３６】
また、本発明は、上記電子デバイス絶縁層材料を用いて形成した電子デバイス絶縁層を有する電子デバイスを提供する。
【００３７】
ある一形態においては、前記電子デバイス絶縁層が有機薄膜トランジスタゲート絶縁層である。
【００３８】
また、本発明は、上記電子デバイスを含むディスプレイ用部材を提供する。
【００３９】
また、本発明は、上記ディスプレイ用部材を含むディスプレイを提供する。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いることで薄膜有機トランジスタ絶縁層を低温で形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の電子デバイスの一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。
【図２】本発明の電子デバイスの他の実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる２量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。「電子デバイス」とは、電子の働きを利用した能動素子を意味する。「電子デバイス絶縁層材料」とは、電子デバイスに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味し、例えば、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料、有機エレクトロルミネッセンス素子絶縁層材料、電子ペーパー絶縁層材料、ＲＦＩＤタグ絶縁層材料、及び、液晶ディスプレイ絶縁層材料が挙げられる。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料とは、ゲート絶縁層やオーバーコート絶縁層などの有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。有機エレクトロルミネッセンス素子絶縁層材料とは、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、平坦化層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。電子ペーパー絶縁層材料とは、電子ペーパーに含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、平坦化層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。ＲＦＩＤタグ絶縁層材料とは、ＲＦＩＤタグに含まれる密着性を向上させるためのプライマー層、及び、オーバーコート絶縁層などの絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。液晶ディスプレイ絶縁層材料とは、液晶ディスプレイに含まれる絶縁層の形成に用いられる材料を意味する。
【００４３】
本発明の電子デバイス絶縁層材料は高分子化合物（Ａ）を含み、該高分子化合物（Ａ）は、分子内に、環状エーテル構造を有する繰り返し単位と酸により脱離しうる有機基を含む式（１）で表される繰り返し単位とを含有する。
【００４４】
環状エーテル構造は、酸の存在下、カチオンを生成し、環状エーテル構造を含む化合物がカチオン重合する。また、環状エーテル構造は、酸の存在下、式（１）で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱保護されて生成する水酸基と反応する。そのため、高分子化合物（Ａ）は、酸の存在下で架橋反応し、架橋構造を形成することができる。タングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）は、加水分解することでタングステン酸を生成し、低温でも高分子化合物（Ａ）の架橋反応を促進するため、本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて形成した絶縁層の架橋密度が高くなる。
【００４５】
絶縁層の内部に架橋構造が形成されると、絶縁層に含まれる化合物中の分子の移動が抑制され、絶縁層の分極が抑制される。絶縁層の分極が抑制されると、例えば、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として用いた場合にヒステリシスが低下して、有機薄膜トランジスタの動作精度が向上する。
【００４６】
式（１）中、Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ５はメチル基である。
【００４７】
式（１）中、Ｒｂｂは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。連結部分は、本発明の電子デバイス絶縁層材料を架橋させる環境条件の下で反応性を示さない構造を有する二価の基であればよい。該連結部分としては、例えば、炭素数１〜２０の二価の有機基からなる結合、エーテル結合（−Ｏ−）、ケトン結合（−ＣＯ−）、エステル結合（−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−）、アミド結合（−ＮＨＣＯ−、−ＣＯＮＨ−）、ウレタン結合（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）及びこれらの結合が組み合わされた結合が挙げられる。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。ｂは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｂは０である。
【００４８】
Ｒｂｂで表される炭素数１〜２０の二価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。該炭素数１〜２０の二価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい炭素数６〜２０の二価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素数１〜６の二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜６の二価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜６の二価の環状炭化水素基及びアルキル基等で置換されていてもよい二価の炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００４９】
二価の直鎖状脂肪族炭化水素基、二価の分岐状脂肪族炭化水素基及び二価の環状炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基及びシクロヘキシレン基が挙げられる。
【００５０】
アルキル基等で置換されていてもよい炭素数６〜２０の二価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアンスリレン基及びエチルアンスリレン基が挙げられる。
【００５１】
式（１）中、Ｒ’は、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。炭素数１〜２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。該炭素数１〜２０の一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００５２】
Ｒ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基及び炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基及び炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基である。
【００５３】
炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基及び炭素数３〜２０の環状炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。
【００５４】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
【００５５】
炭素数１〜２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリー（ｔｅｒｔ）ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００５６】
式（１）中、Ｒは、酸により脱離しうる有機基を表す。このことは、式（１）中、ＯＲ基に対して酸が作用した場合に、Ｒ基が脱離してフェノール性水酸基が生成することを意味する。フェノール性水酸基は環状エーテル構造と反応して架橋構造を形成することができる。また、フェノール性水酸基は、連鎖移動により、高分子化合物（Ａ）のカチオン重合を停止させたり、カチオン重合の速度を低下させる場合があり、酸の存在下における高分子化合物（Ａ）のカチオン重合が過度に進行するのを抑制することができる。
【００５７】
酸により脱離しうる有機基としては、例えば、置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基、アダマンチル基などの炭素数３〜２０の環状炭化水素構造を有する基、三級アルキル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、及び４−メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。
【００５８】
炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基が有していてもよい置換基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基及びハロゲン原子が挙げられる。置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルコシキアルキル基としては、例えば、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基、ビス（２−クロロエトキシ）メチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、及び、１−イソプロポキシエチル基が挙げられる。
【００５９】
炭素数３〜２０の環状炭化水素構造を有する基としては、例えば、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基、及び、２-メチル−２−アダマンチル基が挙げられる。
【００６０】
三級アルキル基としては、例えば、ターシャリーブチル基が挙げられる。
【００６１】
該環状エーテル構造を有する繰り返し単位としては、式（２）で表される繰り返し単位、及び、式（３）で表される繰り返し単位が好ましい。
【００６２】
式（２）中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ１はメチル基である。
【００６３】
式（２）中、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例は、Ｒ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。
【００６４】
Ｒ２、Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００６５】
式（２）中、Ｒａａは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒａａで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Ｒｂｂで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。ａは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ａは１である。
【００６６】
式（３）中、Ｒ１２は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ１２はメチル基である。
【００６７】
式（３）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。該一価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例は、Ｒ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。
【００６８】
Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、及びＲ１７で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００６９】
式（３）中、Ｒｄｄは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｄｄで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Ｒｂｂで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。ｄは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｄは１である。
【００７０】
本発明の高分子化合物（Ａ）の一態様は、式（１）で表される繰り返し単位、及び、式（２）で表される繰り返し単位又は式（３）で表される繰り返し単位を含み、更に、式（４）で表される繰り返し単位、及び、第１の官能基を含有する繰り返し単位を含有する繰り返し単位であって、該第１の官能基が、活性水素と反応しうる第２の官能基を電磁波の照射もしくは熱の作用により生成しうる官能基である繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を含有する高分子化合物である。
【００７１】
ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。
【００７２】
式（４）中、Ｒ６は、水素原子又はメチル基を表す。ある一形態では、Ｒ６はメチル基である。
【００７３】
式（４）中、Ｒｃｃは、主鎖と側鎖とを連結する連結部分を表す。該連結部分中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｒｃｃで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例は、Ｒｂｂで表される主鎖と側鎖とを連結する連結部分の定義及び具体例と同じである。ｃは、０又は１の整数を表す。ある一形態では、ｃは０である。
【００７４】
式（４）中、Ｒｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。ある一形態では、Ｒｆはフッ素原子である。
【００７５】
ｍは、１〜５の整数を表す。ある一形態では、ｍは５である。
【００７６】
Ｒｆで表される炭素数１〜２０の一価の有機基は、フッ素原子を有していてもよく、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、飽和であっても不飽和であってもよい。
【００７７】
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられ、好ましくは、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基及び炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００７８】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子がアルキル基、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などで置換されていてもよい。
【００７９】
Ｒｆがフッ素原子を有さない炭素数１〜２０の一価の有機基である場合、フッ素原子を有さない炭素数１〜２０の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、クロロフェニル基及びブロモフェニル基が挙げられる。
【００８０】
フッ素原子を有さない炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００８１】
Ｒｆがフッ素原子を有する炭素数１〜２０の有機基である場合、フッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２−（パーフルオロブチル）エチル基、ペンタフルオロフェニル基及びトリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。
【００８２】
Ｒｆで表されるフッ素原子を有していてもよい炭素数１〜２０の一価の有機基としては、フッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
【００８３】
式（４）中、少なくとも１個のＲｆは、フッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。好ましくは、ｍが５であり、５個のＲｆがフッ素原子又はフッ素原子を有する炭素数１〜２０の一価の有機基である。
【００８４】
電子デバイス絶縁層材料にフッ素が導入されることにより、該材料から形成される絶縁層は極性が低く、絶縁層の分極が抑制される。
【００８５】
フッ素原子は高分子化合物の主鎖の水素原子を置換するのではなく、側鎖又は側基（ペンダント基）の水素原子を置換することが好ましい。フッ素原子が側鎖又は側基に置換していると有機半導体化合物のような他の有機材料に対する親和性が低下せず、該有機材料を含む層の形成において、有機材料が絶縁層の露出面に接し、層を形成し易くなる。
【００８６】
前記第１の官能基は活性水素と反応しないが、該第１の官能基に電磁波を照射する又は熱が作用させると第２の官能基が生成し、該第２の官能基が活性水素と反応する。つまり、前記第１の官能基は電磁波の照射又は熱の作用により脱保護されて、活性水素と反応しうる第２の官能基を生成しうる。第２の官能基は、電子デバイス絶縁層材料が含有する活性水素含有基と反応して活性水素含有基と結合することにより、絶縁層の内部に架橋構造を形成することができる。また、上記活性水素含有基が第２の官能基と反応することにより、絶縁層に含まれる活性水素の量が低減して絶縁層の分極が抑制される。
【００８７】
電子デバイス絶縁層材料が含有する活性水素含有基としては、酸の存在下で環状エーテル構造を含む高分子化合物が重合する際に環状エーテル構造から生成する水酸基、及び式（１）で表される繰り返し単位から、酸の作用により有機基Ｒが脱離して生成する水酸基等が挙げられる。
【００８８】
本発明の電子デバイス絶縁層材料には、更に、分子内に活性水素を２個以上含有する低分子化合物である活性水素化合物及び分子内に活性水素を２個以上含有する高分子化合物である活性水素化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の活性水素化合物を含有させてもよい。
【００８９】
電子デバイス絶縁層の形成工程において、前記第２の官能基は、電磁波又は熱が加えられるまで保護（ブロック）されており、前記第１の官能基の形態で電子デバイス絶縁層材料中に存在する。その結果、電子デバイス絶縁層材料の貯蔵安定性が向上する。
【００９０】
前記第１の官能基の好ましい例としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基が挙げられる。
【００９１】
前記ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基は、イソシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個だけ有するブロック化剤とイソシアナト基とを反応させることにより製造することができる。前記ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基は、イソチオシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個だけ有するブロック化剤とイソチオシアナト基とを反応させることにより製造することができる。
【００９２】
前記ブロック化剤は、イソシアナト基又はイソチオシアナト基と反応した後に、１７０℃以下の温度で解離するものが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ−ル系化合物、フェノ−ル系化合物、活性メチレン系化合物、メルカプタン系化合物、酸アミド系化合物、酸イミド系化合物、イミダゾール系化合物、尿素系化合物、オキシム系化合物、アミン系化合物、イミン系化合物、重亜硫酸塩、ピリジン系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。ブロック化剤は、単独使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤としては、オキシム系化合物及びピラゾール系化合物が挙げられる。
【００９３】
以下に、具体的なブロック化剤を例示する。アルコ−ル系化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、及び、シクロヘキサノールが挙げられる。フェノール系化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、及び、ヒドロキシ安息香酸エステルが挙げられる。活性メチレン系化合物としては、例えば、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、及び、アセチルアセトンが挙げられる。メルカプタン系化合物としては、例えば、ブチルメルカプタン、及び、ドデシルメルカプタンが挙げられる。酸アミド系化合物としては、例えば、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、及び、γ−ブチロラクタムが挙げられる。酸イミド系化合物としては、例えば、コハク酸イミド、及び、マレイン酸イミドが挙げられる。イミダゾール系化合物としては、例えば、イミダゾール、及び、２−メチルイミダゾールが挙げられる。尿素系化合物としては、例えば、尿素、チオ尿素、及び、エチレン尿素が挙げられる。オキシム系化合物としては、例えば、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、及び、シクロヘキサノンオキシムが挙げられる。アミン系化合物としては、例えば、ジフェニルアミン、アニリン、及び、カルバゾールが挙げられる。イミン系化合物としては、例えば、エチレンイミン、及び、ポリエチレンイミンが挙げられる。重亜硫酸塩としては、例えば、重亜硫酸ソーダが挙げられる。ピリジン系化合物としては、例えば、２−ヒドロキシピリジン、及び、２−ヒドロキシキノリンが挙げられる。ピラゾール系化合物としては、例えば、３，５−ジメチルピラゾール、及び、３，５−ジエチルピラゾールが挙げられる。
【００９４】
本発明に用いてもよいブロック化剤でブロックされたイソシアナト基及びブロック化剤でブロックされたイソチアシアナト基としては、前記式（５）で表される基及び前記式（６）で表される基が好ましい。
【００９５】
式（５）及び式（６）中、Ｘａは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｘｂは、酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。
【００９６】
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例は、Ｒ’で表される炭素数１〜２０の一価の有機基の定義及び具体例と同じである。
【００９７】
Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で表される炭素数１〜２０の一価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００９８】
ある一形態では、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は水素原子である。
【００９９】
ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−[１−メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルカルボニル）アミノ基が挙げられる。
【０１００】
ブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−[１−メチルプロピリデンアミノ] チオカルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、及び、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基が挙げられる。
【０１０１】
第１の官能基としては、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基が好ましい。
【０１０２】
高分子化合物（Ａ）は、例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー又は前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー又は第１の官能基を含有する重合性モノマーとを含む重合性モノマー混合物を、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することが出来る。
【０１０３】
前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、４−（メトキシメトキシ）スチレン、４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン、４−（１−エトキシエトキシ）スチレン、４−（２−エトキシエトキシ）スチレン、４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン、４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン基、及び、４−（シクロヘキシルオキシ）スチレンが挙げられる。
【０１０４】
前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、２−グリシジルエチルアクリレート、及び、２−グリシジルエチルメタクリレートが挙げられる。
【０１０５】
前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、３−アクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン、及び、３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタンが挙げられる。
【０１０６】
前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとしては、例えば、２−トリフルオロメチルスチレン、３−トリフルオロメチルスチレン、４−トリフルオロメチルスチレン、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン、及び、４−フルオロスチレンが挙げられる。
【０１０７】
前記第１の官能基を含有する重合性モノマーとしては、例えば、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。該ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーは、イソシアナト基とイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させることにより製造することが出来る。不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。
【０１０８】
分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、及び、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソシアネートが挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、及び、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソチオシアネートが挙げられる。
【０１０９】
前記第１の官能基を含有する重合性モノマーの製造には、前記ブロック化剤を好適に用いることが出来る。イソシアナト基とイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させて、ブロック化剤でブロックされたイソシアナト基とブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基のいずれかと不飽和結合とを分子内に有するモノマーを製造する反応においては、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加することが出来る。
【０１１０】
前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２−〔Ｏ−[１’−メチルプロピリデンアミノ]カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、及び、２−〔Ｎ−[１’，３’−ジメチルピラゾリル]カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレートが挙げられる。
【０１１１】
前記分子内にブロック化剤でブロックされたイソチオシアナト基と不飽和二重結合とを有するモノマーとしては、例えば、２−〔Ｏ−[１’−メチルプロピリデンアミノ]チオカルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、及び、２−〔Ｎ−[１’，３’−ジメチルピラゾリル]チオカルボニルアミノ〕エチル−メタクリレートが挙げられる。
【０１１２】
前記光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン誘導体又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
【０１１３】
共重合を開始させるエネルギーとして光エネルギーを用いる場合は、重合性モノマーに照射する光の波長は、３６０ｎｍ以上、好ましくは３６０〜４５０ｎｍである。
【０１１４】
前記熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤となる化合物であればよく、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１、１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、トリス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアゼレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート類が挙げられる。
【０１１５】
高分子化合物（Ａ）は、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（２）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（３）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、前記式（４）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、第１の官能基を含有する重合性モノマー以外の他の重合性モノマーを重合時に添加して製造してもよい。
【０１１６】
追加して使用される重合性モノマーとしては、例えば、アクリル酸エステル及びその誘導体、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、メタアクリロニトリル及びその誘導体、アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体が挙げられる。
【０１１７】
追加して使用される重合性モノマーの種類は、絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択される。溶媒に対する優れた耐久性や有機薄膜トランジスタのヒステリシスを小さくする観点からは、スチレンやスチレン誘導体のように、これらの化合物を含む膜において、分子の密度が高く、硬い膜を形成するモノマーが選択される。また、ゲート電極や基板の表面等の絶縁層の隣接面に対する密着性の観点からは、メタアクリル酸エステル及びその誘導体、アクリル酸エステル及びその誘導体のように、高分子化合物（Ａ）に可塑性を付与するモノマーが選択される。
【０１１８】
アクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のアクリレートであっても、使用量に制約は出てくるものの、多官能のアクリレートであってもよい。アクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、及び、Ｎ−アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
【０１１９】
メタアクリル酸エステル及びその誘導体は、単官能のメタアクリレートであってもよく、使用量に制約は出てくるものの、多官能のメタアクリレートであってもよい。メタアクリル酸エステル及びその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸−ｎ−プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸−ｎ−ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸−２−エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシブチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルメタアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−テトラフルオロプロピルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，３Ｈ−ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、及び、Ｎ−アクリロイルモルフォリンが挙げられる。
【０１２０】
スチレン及びその誘導体としては、例えば、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、及び、４−アミノスチレンが挙げられる。
【０１２１】
有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル及びアジピン酸ジビニルが挙げられる。
【０１２２】
有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体としては、例えば、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル及びフタル酸ジアリルが挙げられる。
【０１２３】
フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−ｎ−ブチル、フマル酸ジ−２−エチルヘキシル及びフマル酸ジベンジルが挙げられる。
【０１２４】
マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−ｎ−ブチル、マレイン酸ジ−２−エチルヘキシル及びマレイン酸ジベンジルが挙げられる。
【０１２５】
イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−ｎ−ブチル、イタコン酸ジ−２−エチルヘキシル及びイタコン酸ジベンジルが挙げられる。
【０１２６】
有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体としては、例えば、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミドが挙げられる。
【０１２７】
末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、例えば、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル及びアリルアルコールが挙げられる。
【０１２８】
不飽和炭化水素基を含む有機ゲルマニウム誘導体としては、例えば、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム及びトリエチルビニルゲルマニウムが挙げられる。
【０１２９】
有機薄膜トランジスタ絶縁層の特性を向上させる観点からは、追加して使用される重合性モノマーとしては、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、及び、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。
【０１３０】
例えば、追加して使用される重合性モノマーとしてニトリル類を用いると、有機薄膜トランジスタ絶縁層の内部にシアノ基が導入され、絶縁層の耐溶剤性及び強靭性等が向上する。また、この場合、絶縁層の誘電率も向上する。
【０１３１】
高分子化合物（Ａ）が第１の官能基を含有する繰り返し単位を含有する場合、第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量は、重合に関与する全ての重合性モノマー中、好ましくは５モル％以上５０モル％以下であり、より好ましくは５モル％以上４０モル％以下である。第１の官能基を含有する重合性モノマーの仕込みモル量をこの範囲に調節することにより、絶縁層の内部に架橋構造が十分形成され、極性基の含有量が低いレベルに保たれ、絶縁層の分極が抑制される。
【０１３２】
高分子化合物（Ａ）のポリスチレン換算の重量平均分子量は、３０００〜１００００００が好ましく、５０００〜５０００００がより好ましい。高分子化合物（Ａ）は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよく、環状であってもよい。
【０１３３】
高分子化合物（Ａ）としては、例えば、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシ���ミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔１’���（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート]）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロプロピルメチルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−ペンタフルオロスチレン）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（２−エトキシエトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（テトラヒドロピラニルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロプロピルメトキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−グリシジルメタクリレート−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）、及び、ポリ（４−（シクロヘキシルオキシ）スチレン−コ−３−メタクリロイルオキシメチル−３−エチルオキセタン−コ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−コ−アクリロニトリル）が挙げられる。
【０１３４】
本発明の電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）としては、例えば、タングステン（Ｖ）メトキサイド、タングステン（Ｖ）エトキサイド、タングステン（Ｖ）イソプロポキサイド、及び、タングステン（Ｖ）ブトキサイドが挙げられる。
【０１３５】
本発明の電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）の添加量は、高分子化合物（Ａ）の重量に対して０．１重量％〜３０重量％が好ましく、１重量％〜２５重量％がより好ましく、５重量％〜２０重量％がさらに好ましい。タングステン（Ｖ）アルコキサイド（Ｂ）の添加量が高分子化合物（Ａ）の重量に対して０．１重量％未満では、硬化反応が進行しない場合があり、３０重量％を超えると、電子デバイス絶縁層材料の保存安定性が低下することがある。
【０１３６】
＜電子デバイス絶縁層材料＞
本発明の電子デバイス絶縁層材料は、混合や粘度調節のための溶媒や、高分子化合物（Ａ）を架橋させるために用いる架橋剤、該架橋剤と組み合わせて用いられる添加剤、タングステン（Ｖ）アルコキサイドの安定化剤などを含有していてもよい。該溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン溶媒、これらの溶媒の混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、例えば、架橋反応を促進するための触媒、増感剤、レべリング剤及び粘度調節剤が挙げられる。また、安定化剤としては、例えば、アセチルアセトンが挙げられる。
【０１３７】
本発明の電子デバイス絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタに含まれる絶縁層の形成に用いられる有機薄膜トランジスタ絶縁層材料が好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタの絶縁層中でも、オーバーコート層又はゲート絶縁層の形成に用いられることが好ましい。有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料、及び、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料が好ましく、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料がより好ましい。
【０１３８】
＜絶縁層の形成＞
電子デバイスの絶縁層の形成は、電子デバイス絶縁層材料に溶媒を添加して絶縁層塗布液を調製し、絶縁層塗布液を、基材に塗布し、必要に応じて乾燥し、硬化させることにより行う。ここで、「基材」とは、その上に絶縁層が配置されることになる電子デバイスの構成部材をいう。該絶縁層塗布液に用いられる有機溶媒としては、電子デバイス絶縁層材料を溶解させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が１００℃〜２００℃の有機溶媒である。該有機溶媒の例としては、２−ヘプタノン（沸点１５１℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）が挙げられる。該絶縁層塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加することができる。
【０１３９】
該絶縁層塗布液はスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法により、基材上に塗布することができる。形成される塗布層は必要に応じて乾燥させる。ここでいう乾燥は、塗布された樹脂組成物に含まれる溶媒を除去することを意味する。乾燥は常温で行ってよく、加熱して行ってもよい。乾燥を加熱して行う場合、加熱温度は１２０℃以下、好ましくは６０〜１１０℃である。
【０１４０】
乾燥させた塗布層は、次いで硬化させる。硬化は電子デバイス絶縁層材料が架橋することを意味する。この場合の架橋は、タングステン（Ｖ）アルコキサイドが加水分解して生成したタングステン酸により、式（１）で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱離してフェノール性水酸基が生成し、該フェノール性水酸基と、高分子化合物（Ａ）中の環状エーテルとが反応すること、及び／又は、該タングステン酸により、高分子化合物（Ａ）中の環状エーテルが開環し、高分子化合物（Ａ）が重合して重合体を形成することを意味する。
【０１４１】
そうすると、電子デバイス絶縁層材料が架橋するためには、電子デバイス絶縁層材料中に、架橋反応を開始するタングステン酸が存在する必要がある。それゆえ、電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステン（Ｖ）アルコキサイドは、予め加水分解させてタングステン酸を生成させておく。
【０１４２】
タングステン（Ｖ）アルコキサイドは水に接触することで容易に加水分解する。そのため、電子デバイス絶縁層材料に含まれるタングステン（Ｖ）アルコキサイドの加水分解は、電子デバイス絶縁層材料に水を含有させることで行うことができる。電子デバイス絶縁層材料に水を含有させるためには、電子デバイス絶縁層材料を吸湿させたり、電子デバイス絶縁層材料に水を添加すればよい。
【０１４３】
電子デバイス絶縁層材料に水を含有させるための操作の一例として、上記絶縁層塗布液の乾燥を水分が存在する雰囲気下、例えば大気中で行うことが挙げられる。この場合、乾燥は常温で行ってよく、例えば、上記の温度に加熱して行ってもよい。
【０１４４】
加えて、電子デバイス絶縁層材料が架橋するためには、タングステン（Ｖ）アルコキサイドが加水分解して生成したタングステン酸の作用によって、式（１）で表される繰り返し単位中の酸により脱離しうる有機基が脱離するか、及び／又は、高分子化合物（Ａ）中の環状エーテルが開環する必要がある。
【０１４５】
水を含有させた電子デバイス絶縁層材料を加熱するための操作の一例として、大気中で乾燥させた上記絶縁塗布層を加熱することが挙げられる。絶縁塗布層の加熱温度は通常８０〜２５０℃、好ましくは１００〜１５０℃とする。絶縁塗布層の加熱時間は通常５〜１２０分、好ましくは１０〜６０分とする。加熱温度が低すぎたり加熱時間が短すぎると絶縁層中の高分子化合物の架橋が不十分になる場合がある。加熱温度が高すぎたり加熱時間が長すぎると絶縁層が損傷する可能性がある。
【０１４６】
＜有機薄膜トランジスタ＞
図１は、本発明の電子デバイスの一実施形態であるボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上に形成された有機半導体層４と、有機半導体層４上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。
【０１４７】
ボトムゲートトップコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に有機半導体層を形成し、有機半導体層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。
【０１４８】
図２は、本発明の電子デバイスの一実施形態であるボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタの構造を示す模式断面図である。この有機薄膜トランジスタには、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極２と、ゲート電極２上に形成されたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３上にチャネル部を挟んで形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６上に形成された有機半導体層４と、素子全体を覆うオーバーコート７とが、備えられている。
【０１４９】
ボトムゲートボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタは、例えば、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極を形成し、ソース電極、ドレイン電極上に有機半導体層を形成し、オーバーコートを形成することで製造することができる。本発明の有機薄膜トランジスタ絶縁層材料は、有機薄膜トランジスタゲート絶縁層材料として、ゲート絶縁層を形成するのに好適に用いられる。また、有機薄膜トランジスタオーバーコート層材料として、オーバーコート層を形成するのに用いることもできる。
【０１５０】
基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６及び有機半導体層４は、通常使用される材料及び方法で構成すればよい。基板の材料には樹脂やプラスチックの板やフィルム、ガラス板、シリコン板などが用いられる。電極の材料には、クロム、金、銀、アルミニウム、モリブデン等を用い、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法で電極を形成する。
【０１５１】
有機半導体層４を形成するための有機半導体化合物としてはπ共役ポリマーが用いられ、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（Ｐ−フェニレンビニレン）類などを用いることができる。また、有機溶媒への溶解性を有する低分子物質、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などを用いることができる。具体的には、２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジ（エチレンボロネート）と、２，６−ジブロモ−（４，４−ビス−ヘキサデカニル−４H−シクロペンタ[２，１−ｂ；３，４−ｂ’]−ジチオフェンとの縮合物、９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジ（エチレンボロネート）と、５，５’−ジブロモ−２，２’−バイチオフェンとの縮合物等があげられる。
【０１５２】
有機半導体層の形成は、例えば、有機半導体化合物に要すれば溶媒などを添加して有機半導体塗布液を調製し、該有機半導体塗布液をゲート絶縁層上に塗布し、該有機半導体塗布液を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層を構成する樹脂がベンゼン環を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布乾燥法によって、有機半導体層とゲート絶縁層との間に均一で平坦な界面が形成される。
【０１５３】
有機半導体塗布液に使用される溶媒としては、有機半導体を溶解又は分散させるものであれば特に制限は無いが、好ましくは、常圧での沸点が５０℃〜２００℃の溶媒である。
該溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２−ヘプタノン、及び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。該有機半導体塗布液は、前記絶縁層塗布液と同様にスピンコート、ダイコーター、スクリーン印刷、インクジェット等の公知の方法によりゲート絶縁層上に塗布することができる。
【０１５４】
ゲート絶縁層３及びオーバーコート層７は、前述の電子デバイスの絶縁層の形成方法で同じ方法で形成することができる。
【０１５５】
ゲート絶縁層上に、自己組織化単分子膜層を形成してもよい。該自己組織化単分子膜層は、例えば、有機溶媒中にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１〜１０重量％溶解した溶液でゲート絶縁層を処理することにより形成することが出来る。
【０１５６】
アルキルクロロシラン化合物の例としては、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシランが挙げられる。
【０１５７】
アルキルアルコキシシラン化合物の例としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシランが挙げられる。
【０１５８】
本発明の有機薄膜トランジスタは、有機薄膜トランジスタを保護し、また、表面の平滑性を高める目的で、オーバーコート材でコートしてもよい。
【０１５９】
本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて製造した絶縁層は、その上に平坦な膜等を積層することができ、積層構造を容易に形成することができる。また、該絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を好適に搭載することができる。
【０１６０】
本発明の電子デバイス絶縁層材料を用いて、好適に有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を作製できる。該有機薄膜トランジスタを有するディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを作製できる。
【０１６１】
本発明の電子デバイス絶縁層材料は、絶縁層以外のトランジスタに含まれる層、有機エレクトロルミネッセンス素子に含まれる層を形成する用途にも用いることができる。
【実施例】
【０１６２】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明が実施例により限定されるものではないことは言うまでもない。
【０１６３】
合成例１
（高分子化合物１の合成）
５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に、４−（１−エトキシエトキシ）スチレン（東ソー有機化学製）を２．２５ｇ、グリシジルメタクリレート（和光純薬製）を２．５０ｇ、２−（Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）を２．８１ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）を０．６２ｇ、4−ビニルアニソール（和光純薬製）を０．７９ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）を０．０４ｇ、２−ヘプタノン（東京化成製）を２１．０４ｇ入れ、アルゴンガスをバブリングした後、密栓した。６０℃のオイルバス中で２０時間重合させ、高分子化合物１が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。高分子化合物１は、下記繰り返し単位を有している。括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を示している。
【０１６４】
【化７】
0006025326.tif 000008
高分子化合物１
【０１６５】
得られた高分子化合物１の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１１４０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ  １本＋Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００  １本、移動相＝ＴＨＦ）。
【０１６６】
合成例２
（高分子化合物２の合成）
２，１，３−ベンゾチアジアゾール−４，７−ジ（エチレンボロネート）を１．８８ｇ、及び２，６−ジブロモ−（４，４−ビス−ヘキサデカニル−４H−シクロペンタ[２，１−ｂ；３，４−ｂ’]−ジチオフェンを３．８１ｇ含む８０ｍＬのトルエン中に、窒素雰囲気下において、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを０．７５ｇ、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（Ａｌｄｒｉｃｈ製、商品名「Ａｌｉｑｕａｔ  ３３６」（登録商標））を１．０ｇ、及び２Ｍの炭酸ナトリウム水溶液を２４ｍＬ加えた。得られた混合物を激しく攪拌し、加熱して２４時間還流させた。得られた粘稠な反応混合物をアセトン５００ｍＬに注ぎ、繊維状の黄色のポリマーを沈澱させた。このポリマーを濾過して集め、アセトンで洗浄し、真空オーブンにおいて６０℃で一晩乾燥させた。得られたポリマーを高分子化合物２とよぶ。高分子化合物２は、下記繰り返し単位を有している。ｎは繰り返し単位の数を示している。
【０１６７】
【化８】
0006025326.tif 000009
高分子化合物２
【０１６８】
高分子化合物２の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、３２０００であった（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ  １本＋Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００  １本、移動相＝ＴＨＦ）。
【０１６９】
実施例１
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の調製及び有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性測定）
１０ｍｌのサンプル瓶に、合成例１で得た高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液を１．００ｇ、タングステン（Ｖ）エトキサイド（ゲレスト製）を０．０５ｇ、アセチルアセトン（和光純薬製）を０．０４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成工業製）を１．００ｇ入れ、攪拌しながらタングステン（Ｖ）エトキサイドを溶解させ、有機薄膜トランジスタ絶縁層材料である均一な塗布溶液１を調製した。
【０１７０】
得られた塗布溶液１を孔径０．２μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、シリコンウェハー上にスピンコートした後、大気雰囲気中で、ホットプレート上で１００℃で１分間乾燥した。その後、ホットプレート上で１２０℃で３０分間焼成して有機薄膜トランジスタ絶縁層を得た。
【０１７１】
有機薄膜トランジスタ得られた絶縁層を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに１分間浸漬させ、浸漬前後での膜べりを測定した。結果を表１に示す。膜べりがなかった場合を○、膜べりがあった場合を×で示した。
【０１７２】
実施例２
（電界効果型有機薄膜トランジスタの製造及びトランジスタ特性の評価）
得られた塗布溶液１を孔径０．２μmのメンブレンフィルターを用いて濾過し、クロム電極のついたガラス基板上にスピンコートした後、大気雰囲気中で、ホットプレート上で１００℃で１分間焼成した。その後、ホットプレート上で１２０℃で３０分間焼成してゲート絶縁層を得た。
【０１７３】
次に、高分子化合物２を溶媒であるキシレンに溶解させ、濃度が０．５重量％である溶液（有機半導体組成物）を作製し、該溶液をメンブランフィルターで濾過して塗布液を調製した。
【０１７４】
得られた塗布液を、前記ゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約３０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、活性層上に、酸化モリブデン及び金を蒸着し、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極を形成することにより、電界効果型有機薄膜トランジスタを作製した。ソース電極及びドレイン電極は、活性層側から、酸化モリブデンと金が積層した構造を有する。
【０１７５】
作製した電界効果型有機薄膜トランジスタについて、ゲート電圧Ｖｇを２０〜−４０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−４０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ（BCT２２MDC−５−HT−SCU；Nagase Electronic Equipments Service Co., LTD製）を用いて測定した。結果を表２に示す。
【０１７６】
電界効果型有機薄膜トランジスタのヒステリシスは、ソース・ドレイン間電圧Ｖsdが−４０Ｖで、ゲート電圧Ｖgを２０Ｖ→−４０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth1とゲート電圧Ｖgを−４０Ｖ→２０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖth2との電圧差異で表した。
【０１７７】
比較例１
（有機薄膜トランジスタ絶縁層材料の調製及び有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性測定）
タングステン（Ｖ）エトキサイドを添加しない以外は、実施例１と同様にして有機薄膜トランジスタ絶縁層材料を調製し、有機薄膜トランジスタ絶縁層の耐溶剤性を測定した。結果を表１に示す。有機薄膜トランジスタ絶縁層は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに完全に溶解した。１２０℃で有機薄膜トランジスタ絶縁層材料で加熱した場合、耐溶剤性が高いゲート絶縁層を形成することができなかった。
【０１７８】
【表１】
0006025326.tif 000010
【０１７９】
【表２】
0006025326.tif 000011
【符号の説明】
【０１８０】
１…基板、
２…ゲート電極、
３…ゲート絶縁層、
４…有機半導体層、
５…ソース電極、
６…ドレイン電極、
７…オーバーコート。
【図１】
0006025326.tif 000018
【図２】
0006025326.tif 000019