(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
白色光を表示するＷサブピクセル、赤色光を表示するＲサブピクセル、緑色光を表示するＧサブピクセル及び青色光を表示するＢサブピクセルを含む複数の単位ピクセルを用いて画像を表示する有機発光表示装置のリペア方法において、
前記Ｗサブピクセルの回路部を検査して不良Ｗサブピクセルを検出する段階と、
単位ピクセル内で前記不良Ｗサブピクセルに近隣に配置された隣のサブピクセルの回路部と、前記不良Ｗサブピクセルの発光部をリペア用導電パターンに互いに接続する段階と、
前記リペア用導電パターンが接続されてリペア位置を貯蔵する段階と、
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階と
を含み、
前記補償データは、前記不良Ｗサブピクセルと前記近隣のサブピクセル間の、発光部の透過率の差と、発光部の発光効率の差及び回路部の駆動ＴＦＴサイズの差により違って決定され、
前記近隣のサブピクセルは、前記Ｒサブピクセル、前記Ｇサブピクセル及び前記Ｂサブピクセルのうちいずれか１つである、有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項２】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階は、
前記リペア位置に対応して補償値の演算処理の動作をイネーブルさせる段階と、
前記補償値演算処理の動作に応じて、前記近隣のサブピクセルに入力されるデジタルビデオデータを変調して、補償データを生成する段階と
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項３】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセル、前記不良Ｗサブピクセルと緑色光を表示するＧサブピクセル及び青色光を表示するＢサブピクセルの順に配置され、
前記隣のサブピクセルは、前記Ｇサブピクセルで選択され、
前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｇサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴ（Thin Film Transistor）に接続することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項４】
前記リペア用導電パターンが接続される時、前記Ｇサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記Ｇサブピクセルの発光部に属するアノード電極と、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極に共通に接続され、
前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング（cutting）工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除されることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項５】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階において、
前記Ｇサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値よりも高く上向変調されることを特徴とする、請求項４に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項６】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記の４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセル、前記不良Ｗサブピクセルと青色光を表示するＢサブピクセル、及び緑色光を表示するＧサブピクセルの順に配置され、
前記隣のサブピクセルは、前記Ｒサブピクセルで選択され、
前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｒサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴに接続することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項７】
前記リペア用導電パターンが接続される時、前記Ｒサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極に接続するとともに、カッティング工程を介して前記Ｒサブピクセルの発光部に属するアノード電極から接続解除され、  前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項８】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階において、
前記Ｒサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値より低く下向変調されることを特徴とする、請求項７に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項９】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセル、前記不良Ｗサブピクセルと青色光を表示するＢサブピクセル、及び緑色光を表示するＧサブピクセルの順に配置され、
前記隣のサブピクセルは、前記Ｂサブピクセルに選択され、
前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｂサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴに接続することを特徴とする、請求項１に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項１０】
前記リペア用導電パターンが接続される時、前記Ｂサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極に接続するとともに、カッティング工程を介して前記Ｂサブピクセルの発光部に属するアノード電極から接続解除され、前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除されることを特徴とする、請求項９に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【請求項１１】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償する段階において、
前記Ｂサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値より低く下向変調されることを特徴とする、請求項１０に記載の有機発光表示装置のリペア方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型の有機発光表示装置に関し、特に、有機発光表示装置の不良ピクセル(pixel、画素)のリペア方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブマトリクス型の有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：以下、「ＯＬＥＤ」と称す）を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きいという利点がある。
【０００３】
自発光素子であるＯＬＥＤは、アノード電極及びカソード電極と、これらの間に形成された有機化合物層（ＨＩＬ、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ、ＥＩＬ）を含む。有機化合物層は、正孔注入層（Hole Injection layer、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Hole transport layer、ＨＴＬ）、発光層（Emission layer、ＥＭＬ）、電子輸送層（Electron transport layer、ＥＴＬ）、電子注入層（Electron Injection layer、ＥＩＬ）からなる。アノード電極とカソード電極に駆動電圧が印加されると、正孔輸送層（ＨＴＬ）を通過した正孔と電子輸送層（ＥＴＬ）を通過した電子が発光層（ＥＭＬ）に移動されて励起子を形成し、その結果、発光層（ＥＭＬ）が可視光を発生することになる。
【０００４】
このような有機発光表示装置は、ＯＬＥＤをそれぞれ含むサブピクセルをマトリックス状で配列し、ビデオデータの階調に応じて、各ＯＬＥＤの発光量を調節する。サブピクセルのそれぞれは、発光であるＯＬＥＤを駆動させるために回路部を含む。回路部には、ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する駆動ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、所望する階調に合わせて駆動ＴＦＴのゲート−ソース間電圧をプログラミングするための複数のスイッチＴＦＴ備える。
【０００５】
有機発光表示装置は、他の表示素子に比べてパネルに形成されるＴＦＴと信号ラインの数が多く、製造工程が複雑であるため回路部に不良が多く発生する。有機発光表示装置で不良が発生したサブピクセルは、通常の発光が不可能で暗点として認識される。ところで、透過率が相対的に高い特定カラーのサブピクセルにおいては、この暗点の視認性が、他のカラーのサブピクセルより高いので、これに対する対策が必要である。それで、従来、図１のように、ダミーピクセル構造が提案された。
【０００６】
図１において、「Ａ」は、ダミーピクセルを、そして、「Ｂ」は、ノーマルピクセルを意味する。画像が実現される表示領域にノーマルピクセル（Ｂ）が形成されるのに反して、ダミーピクセル（Ａ）は、表示領域の外側の非表示領域に形成される。ダミーピクセル（Ａ）は、リペア工程のためにさらに形成されたピクセルである。ダミーピクセル構造では、ノーマルピクセル（Ｂ）の回路部に不良が発生した場合、リペア（repair）工程を経て、ノーマルピクセル（Ｂ）の発光部をダミーピクセル（Ａ）の回路部に接続してノーマルピクセル（Ｂ）を発光させることにより暗点欠陥を取り除く。
【０００７】
ところが、従来のダミーピクセル構造を採用する場合には、別途のダミーピクセル（Ａ）が表示パネルにさらに設けられなければならない。表示パネルにダミーピクセル（Ａ）が形成されると、その形成領域だけ表示パネルで画像表示領域が占める割合、すなわち開口率は減少する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、開口率を低下させることなく、回路部不良により透過率が高い特定カラーのサブピクセルで問題となる暗点を回避することができるようにした有機発光表示装置のリペア方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明に係る有機発光表示装置のリペア方法は、白色光を表示するＷサブピクセル、赤色光を表示するＲサブピクセル、緑色光を表示するＧサブピクセル及び青色光を表示するＢサブピクセルを含む複数の単位ピクセルを用いて画像を表示する有機発光表示装置のリペア方法において、前記Ｗサブピクセルの回路部を検査して不良Ｗサブピクセルを検出する段階と、単位ピクセル内で前記不良Ｗサブピクセルに近隣に配置された隣のサブピクセルの回路部と、前記不良Ｗサブピクセルの発光部をリペア用導電パターンに互いに接続する段階と、前記リペア用導電パターンが接続されてリペア位置を貯蔵する段階と、前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階とを含み、前記補償データは、前記不良Ｗサブピクセルと前記近隣のサブピクセル間の、発光部の透過率の差と、発光部の発光効率の差及び回路部の駆動ＴＦＴサイズの差により違って決定され、前記近隣のサブピクセルは、前記Ｒサブピクセル、前記Ｇサブピクセル及び前記Ｂサブピクセルのうちいずれか１つであることを特徴とする。
【００１０】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階は、前記リペア位置に対応して補償値の演算処理の動作をイネーブルさせる段階と、前記補償値の演算処理動作に応じて、前記近隣のサブピクセルに入力されるデジタルビデオデータを変調して、補償データを生成する段階を含む。
【００１２】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセルと前記不良Ｗサブピクセルと緑色光を表示するＧサブピクセル、及び青色光を表示するＢサブピクセルの順に配置され、前記隣のサブピクセルは、前記Ｇサブピクセルで選択され、前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｇサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴ（Thin Film Transistor）に接続する。
【００１３】
前記リペア用導電パターンが接続される時、前記Ｇサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記Ｇサブピクセルの発光部に属するアノード電極と、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極に共通に接続され、前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング（cutting）工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除される。
【００１４】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階において、前記Ｇサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値より高く上向変調される。
【００１５】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセルと前記不良Ｗサブピクセルと青色光を表示するＢサブピクセル、及び緑色光を表示するＧサブピクセルの順に配置され、前記隣のサブピクセルは、前記Ｒサブピクセルで選択され、前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｒサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴに接続する。
【００１６】
前記リペア用導電パターンが接続されると、前記Ｒサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極に接続するとともに、カッティング工程を介して前記Ｒサブピクセルの発光部に属するアノード電極から接続解除され、前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除される。
【００１７】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償して補償データを生成する段階で、前記Ｒサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値より低く下向変調される。
【００１８】
前記不良Ｗサブピクセルが含まれた単位ピクセルは、水平方向に沿って並行するように配置された４つのサブピクセルで構成され、前記の４つのサブピクセルは、赤色光を表示するＲサブピクセル、前記不良Ｗサブピクセル、青色光を表示するＢサブピクセル、及び緑色光を表示するＧサブピクセルの順に配置され、前記の隣のサブピクセルは、前記Ｂサブピクセルで選択され、前記リペア用導電パターンは、前記不良Ｗサブピクセルの発光部に属するアノード電極を、前記Ｂサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴに接続する。  
【００１９】
前記リペア用導電パターンが接続される時、前記Ｂサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、溶接工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極に接続するとともに、カッティング工程を介して前記Ｂサブピクセルの発光部に属するアノード電極から接続解除され、前記不良Ｗサブピクセルの回路部に属する駆動ＴＦＴは、カッティング工程を介して前記不良Ｗサブピクセルのアノード電極から接続解除される。
【００２０】
前記リペア位置に入力されるデジタルビデオデータを補償する段階で、前記Ｂサブピクセルの駆動ＴＦＴに印加されるデータは、元の値より低く下向変調される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、単位ピクセル内で不良Ｗサブピクセルに近隣に配置された隣のサブピクセルの回路部と不良Ｗサブピクセルの発光部をリペア用導電パターンに互いに接続し、前記近隣のサブピクセルに入力されるデジタルビデオデータを適切に補償することにより、開口率を落とさずに、回路部不良により透過率の高いＷサブピクセルで示される暗点を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来のダミーピクセル構造を用いたリペア方法を示す図である。
【図２】本発明に係る有機発光表示装置を示すブロック図である。
【図３】本発明の有機発光表示装置に形成されたサブピクセルの一回路構成を示す図である。
【図４Ａ】１単位ピクセルを構成するサブピクセル（ＳＰ）の一例を示す図である。
【図４Ｂ】１単位ピクセルを構成するサブピクセル（ＳＰ）の一例を示す図である。
【図５】本発明に係る有機発光表示装置のリペア方法を順次に示す図である。
【図６】図５に示されたデータの補償段階をさらに詳細に示す図である。
【図７】図４ＡのＲＷＧＢ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルのリペア方法を示す図である。
【図８】図４ＢのＲＷＢＧ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルの一リペア方法を示す図である。
【図９】図４ＢのＲＷＢＧ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルの他のリペア方法を示す図である。
【図１０Ａ】図７のリペア方法に係るデータの補償前後において緑色の輝度変化を示す図である。
【図１０Ｂ】図７のリペア方法に係るデータの補償前後においてグレー色の輝度の変化を示す図である。
【図１１Ａ】図９のリペア方法に係るデータの補償前後においてグレー色の輝度の変化を示す図である。
【図１１Ｂ】図９のリペア方法に係るデータの補償前後において青色の輝度変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図２〜図１１Ｂを参照しながら、本発明の好適な実施の形態について説明する。
【００２４】
図２は、本発明に係る有機発光表示装置を示すブロック図である。そして、図３は、本発明の有機発光表示装置に形成されたサブピクセルの一例を示す回路図である。
【００２５】
図２を参照すると、本発明に係る有機発光表示装置１０は、複数のサブピクセル（ＳＰ）を介して画像を表示するピクセルアレイ（ＤＡ）と、複数の信号ライン１６を介してサブピクセル（ＳＰ）に駆動信号を供給するドライバーユニット１５と、ドライバーユニット１５の動作を制御するタイミングコントローラ２０を含む。ピクセルアレイ（ＤＡ）とドライバーユニット１５及びタイミングコントローラ２０は、第１基板１１に形成され、ピクセルアレイ（ＤＡ）は、第２基板１２によって密封される。
【００２６】
ピクセルアレイ（ＤＡ）には、複数のデータラインと、複数のゲートラインが交差し、この交差領域ごとにサブピクセル（ＳＰ）がマトリックス状マトリックス状に配置される。
【００２７】
サブピクセル（ＳＰ）の回路構成は、公知のどのような構成であっても構わない。図３は、サブピクセル（ＳＰ）の一回路構成が示されている。図３のサブピクセル（ＳＰ）の構造は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）の電気的特性偏差（しきい値電圧、電子移動度など）を補償することができる複数の構造の中で最も簡略化されたものである。以下では、サブピクセル（ＳＰ）が図３のように構成されたものを一例として、本発明を説明するが、本発明の技術的思想は、図３の回路構造に限定されないことに注意しなければならない。
【００２８】
データラインは、複数のデータ電圧供給ライン（Ｄｍ）、複数の基準ライン（Ｒｍ）を含むことができる。そして、ゲートラインは、複数の第１ゲートライン（Ｇｎ１）と複数の第２ゲートライン（Ｇｎ２）を含むことができる。
【００２９】
サブピクセル（ＳＰ）は、発光部と回路部からなる。
【００３０】
発光部は、高電位電源（ＥＶＤＤ）と低電位電源（ＥＶＳＳ）との間に流れる駆動電流に応じて発光するＯＬＥＤで実現される。
【００３１】
回路部は、データラインとゲートラインに接続され、データラインとゲートラインから供給される駆動信号に基づいて動作する。回路部は、ＯＬＥＤに印加される駆動電流を制御する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）と、所望する階調に合わせて駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧をプログラミングするための複数のスイッチＴＦＴ（ＳＴ１、ＳＴ２）を含むことができる。回路部は、前記プログラミングされた駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート−ソース間電圧を維持するストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）をさらに含むことができる。第１スイッチＴＦＴ（ＳＴ１）は、第１ゲートライン（Ｇｎ１）から供給される第１スキャンパルスに応じてスイッチングされ、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のゲート電極にデータ電圧を供給することができる。第２スイッチＴＦＴ（ＳＴ２）は、第２ゲートライン（Ｇｎ２）から供給される第２スキャンパルスに応じてスイッチングされて駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソース電極に初期化電圧を供給するか、または駆動ＴＦＴ（ＤＴ）のソース電極にかかる電圧をセンシング電圧（Ｖｒｅｆ）として基準ライン（Ｒｍ）に充電することができる。ここで、センシング電圧（Ｖｒｅｆ）は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）の電気的特性の偏差を補償するための補償値を決定するに基礎となる電圧である。
【００３２】
サブピクセル（ＳＰ）を構成するＴＦＴは、ｐ型で実現されるかまたはｎ型で実現することができる。また、サブピクセル（ＳＰ）を構成するＴＦＴの半導体層は、アモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物を含むことができる。
【００３３】
ドライバーユニット１５は、データライン（Ｄｍ）を駆動するデータドライバと、ゲートライン（Ｇｎ）を駆動するゲート駆動回路を含む。
【００３４】
データドライバは、タイミングコントローラ２０の制御下で、デジタルビデオデータをデータ電圧に変換した後、データ電圧供給ライン（Ｄｍ）に供給することができる。データドライバは、タイミングコントローラ２０の制御下の初期化電圧を基準ライン（Ｒｍ）に供給することができ、併せてタイミングコントローラ２０の制御下で基準ライン（Ｒｍ）に充電されたセンシング電圧（Ｖｒｅｆ）をサンプリングすることもできる。このようなデータドライバの具体的な動作は、本出願人によって既に出願された韓国特許出願第１０−２０１３−０１３４２５６号（２０１３／１１／０６）、韓国特許出願第１０−２０１３−０１４１３３４号（２０１３／１１／２０）、韓国特許出願第１０−２０１３−０１４９３９５号（２０１３／１２／０３）に詳細に示されている。
【００３５】
ゲートドライバは、タイミングコントローラ２０の制御下で、第１及び第２スキャンパルスを発生してゲートラインに順次供給することができる。ゲートドライバは、ＧＩＰ（Gate-driver In Panel）方式に従って、第１基板１１上に直接形成することができる。
【００３６】
タイミングコントローラ２０は、複数のタイミング信号に基づいて、データドライバとゲートドライバの動作タイミングを制御する。タイミングコントローラ２０は、駆動ＴＦＴ（ＤＴ）の電気的特性の偏差を補償するために、センシング電圧（Ｖｒｅｆ）に基づいて、デジタルビデオデータを変調してデータドライバに供給することができる。このようなタイミングコントローラ２０の具体的な動作は、本出願人によって既に出願された韓国特許出願第１０−２０１３−０１３４２５６号（２０１３／１１／０６）、韓国特許出願第１０−２０１３−０１４１３３４号（２０１３／１１／２０）、韓国特許出願第１０−２０１３−０１４９３９５号（２０１３／１２／０３）に詳細に示されている。
【００３７】
図４Ａ及び図４Ｂは、１単位ピクセルを構成するサブピクセル（ＳＰ）の一例を示す。
【００３８】
本発明の有機発光表示装置は、表示パネルに実現される輝度を高めるために、赤色光を表示するＲサブピクセル（ＳＰＲ）、緑色光を表示するＧサブピクセル（ＳＰＧ）及び青色光を表示するＢサブピクセル（ＳＰＢ）に加えて、白色光を表示するＷサブピクセル（ＳＰＷ）をさらに含むことができる。このとき、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の配置位置に従って１単位ピクセルは、図４Ａ及び図４Ｂのように構成することができる。
【００３９】
図４Ａを参照すると、１単位ピクセルは、ＲＷＧＢ構造、具体的に水平方向に従ってＲサブピクセル（ＳＰＲ）−Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）−Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）−Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の順に配置された４つのサブピクセルで構成することができる。
【００４０】
図４Ｂを参照すると、１単位ピクセルは、ＲＷＢＧ構造、具体的に水平方向に従ってＲサブピクセル（ＳＰＲ）−Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）−Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）−Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の順に配置された４つのサブピクセルで構成することができる。
【００４１】
このとき、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）は、Ｒ発光部（ＲＥ）とＲ回路部（ＲＣ）からなり、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）は、Ｗ発光部（ＷＥ）とＷ回路部（ＷＣ）からなり、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）は、Ｇ発光部（ＧＥ）とＧ回路部（ＧＣ）からなり、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）は、Ｂ発光部（ＢＥ）とＢ回路部（ＢＣ）からなる。
【００４２】
Ｒ発光部（ＲＥ）は、Ｒ ＯＬＥＤで実現され、Ｒ ＯＬＥＤのアノード電極は、Ｒ回路部（ＲＣ）に属する駆動ＴＦＴのソース電極に接続され、駆動ＴＦＴのソース−ドレイン間に流れる駆動電流の印加を受ける。
【００４３】
Ｗ発光部（ＷＥ）は、Ｗ ＯＬＥＤで実現され、Ｗ ＯＬＥＤのアノード電極は、Ｗ回路部（ＷＣ）に属する駆動ＴＦＴのソース電極に接続され、駆動ＴＦＴのソース−ドレイン間に流れる駆動電流の印加を受ける。
【００４４】
Ｇ発光部（ＧＥ）は、Ｇ ＯＬＥＤで実現され、Ｇ ＯＬＥＤのアノード電極はＧ回路部（ＧＣ）に属する駆動ＴＦＴのソース電極に接続され、駆動ＴＦＴのソース−ドレイン間に流れる駆動電流の印加を受ける。
【００４５】
Ｂ発光部（ＢＥ）は、Ｂ ＯＬＥＤで実現され、Ｂ ＯＬＥＤのアノード電極は、Ｂ回路部（ＢＣ）に属する駆動ＴＦＴのソース電極に接続され、駆動ＴＦＴのソース-ドレイン間に流れる駆動電流の印加を受ける。
【００４６】
図５は、本発明に係る有機発光表示装置のリペア方法を順次に示す。図６は、図５に示されたデータの補償段階をさらに詳細に示す。図７は、図４ＡのＲＷＧＢ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルのリペア方法を示します。図８は、図４ＢのＲＷＢＧ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルの一リペア方法を示します。そして、図９は、図４ＢのＲＷＢＧ単位ピクセル構造において不良Ｗサブピクセルの一リペア方法を示す。
【００４７】
本発明のリペア方法は、開口率を低下させることなく、回路部の不良により透過率の高いＷサブピクセルで表示される暗点を回避するためのものである。透過率は、Ｗサブピクセルが最も高く、その次のＧサブピクセルが高め、Ｒ及びＢのサブピクセルは、透過率が相対的に低い。透過率が低いサブピクセルは、リペア工程において、暗点化されてもよく視認されず、大きな問題にならない。しかし、透過率が高いサブピクセルは、暗点化されると、易しく視認されるので、本発明は、最も透過率が高いＷサブピクセルにのみリペア工程を実行する。特に、本発明は、リペア工程のために、別のダミーピクセルを形成せず、Ｗサブピクセルに近隣に配置された隣のサブピクセルを用いる。本発明は、Ｗサブピクセルの回路部が不良であるとき、隣のサブピクセルの回路部を不良Ｗサブピクセルの発光部に接続することにより、Ｗサブピクセルを正常的に発光させる。
【００４８】
図５を参照すると、本発明のリペア方法は、図４ＡのＲＷＧＢ構造や、図４ＢのＲＷＢＧ構造のように、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）をそれぞれ含む複数の単位ピクセルを用いて画像を表示する有機発光表示装置を対象にして、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の回路（ＷＣ）を検査し、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）を検出する（Ｓ１０、Ｓ２０）。
【００４９】
ここで、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の回路部（ＷＣ）の不良かどうかを検査する方法では、すべてのＷサブピクセル（ＳＰＷ）の回路部（ＷＣ）に同じテスト電圧を印加し、各Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）回路部（ＷＣ）の駆動ＴＦＴに流れる電流を予め定められた基準値と比較する方法を用いることができる。
【００５０】
続いて、本発明のリペア方法は、単位ピクセル内で不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の隣に配置された隣のサブピクセルの回路部と不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）をリペア用導電パターン（図７〜図９のＰＴＲ）に互に接続する（Ｓ３０）。、本発明は、リペア用導電パターンを、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）のＯＬＥＤのアノード電極から延長させた後、絶縁層を間に置いて隣のサブピクセルに属する駆動ＴＦＴのソース電極と重畳されるように、あらかじめ形成することができる。そして、当該Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）のリペアが必要な場合、前記重畳された領域でレーザー照射を介した溶接工程で絶縁層を溶かすことで、リペア用導電パターンを隣のサブピクセルに属する駆動ＴＦＴのソース電極に接続することができる。
【００５１】
続いて、本発明のリペア方法は、リペア用導電パターンが接続されたリペア位置を貯蔵した後、リペアの位置に入力されるデジタルビデオデータを補償する（Ｓ４０、Ｓ５０）。ここで、リペア位置は、前記近隣のサブピクセルの位置を指示する。したがって、リペア位置に入力されるデジタルビデオデータは、前記近隣のサブピクセルに入力されるデータを指示する。
【００５２】
図６を参照して、データの補償に関するＳ５０の段階をさらに説明すれば次の通りである。
【００５３】
本発明のリペア方法は、予め貯蔵されたリペアの位置を参照にして、リペア位置に対応するデジタルビデオデータが入力される場合、補償値演算処理の動作をイネーブルさせる（Ｓ５１、Ｓ５２、Ｓ５３）。ここで、補償値演算処理は、補償値が予め貯蔵されたルックアップテーブルに基づいて補償アルゴリズムに応じて行われることができる。
【００５４】
続いて、本発明のリペア方法は、補償値の演算処理動作に応じて、前記近隣のサブピクセルに入力されるデジタルビデオデータに予め設定された補償値を加減して補償データを生成した後、その補償データを前記近隣サブピクセルに出力することができる（Ｓ５４）。
【００５５】
本発明は、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）と正常のＷサブピクセル（ＳＰＷ）の間の輝度偏差をなくすために、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）と、前記近隣のサブピクセル間、発光部の透過率の差、ＯＬＥＤの発光効率差及び回路部の駆動ＴＦＴサイズの差などの物理的特性の差を考慮し、補償値を適切に決定することができる。ここで、サブピクセル間の透過率及びＯＬＥＤの発光効率サイズは、Ｗサブピクセル(ＳＰＷ)≧Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）＞Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）≒Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）と同じである。サブピクセル間の駆動ＴＦＴのサイズはＷサブピクセル（ＳＰＷ）≒Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）＜Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）≒Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）と同じである。
【００５６】
一方、リペア用導電パターンを用いて、近隣のサブピクセルの回路部を不良Ｗサブピクセルの発光部に接続する方法は、大きくシェア型の接続方法と、スイッチ型の接続方法がある。
【００５７】
シェア型の接続方法は、図７のようにＲＷＧＢ単位ピクセル構造において隣のサブピクセルを、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）を選択した場合に使用される。
【００５８】
シェア型の接続方法では、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の回路部（ＧＣ）がＧサブピクセル（ＳＰＧ）の発光部（ＧＥ）だけでなく、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）にも接続される。このため、本発明は、リペア用導電パターン（ＰＴＲ）を用いて、図７のように不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するるＯＬＥＤのアノード電極をＧサブピクセル（ＳＰＧ）の回路（ＧＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に接続する。
【００５９】
つまり、本発明は、レーザー溶接工程を介してリペア用導電パターン（ＰＴＲ）をリペア処理（接続処理）することにより、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の回路部（ＧＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の発光部（ＧＥ）に属するアノード電極と不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するアノード電極に共通に接続させる。そして、本発明は、レーザーカッティング（cutting）工程を介して不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の回路部（ＷＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）のアノード電極から接続を解除させる。
【００６０】
Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）と比較して、前記物理的特性の差が小さいので、前記のようなシェア型接続方法で両者を接続することが画質の維持の面でさらに有利である。
【００６１】
このようなシェア型の接続方法では、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の回路部（ＧＣ）がＧサブピクセル（ＳＰＧ）の発光部（ＧＥ）だけでなく、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）まで駆動しなければならない。したがって、本発明は、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）に入力されるデータを補償する段階において、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータを元の値より第１補償値だけ高いか低く変調することができる。ここで、第１補償値は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）とＧサブピクセル（ＳＰＧ）との間の物理的な特性の差に基づいて定められることができる。ただし、階調の飽和を考慮して、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以上である場合に上向変調動作は省略されることがあり、また、Ｇサブピクセル（ＳＰＧ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以下の場合に下向変調動作は省略することができる。
【００６２】
一方、スイッチ型の接続方法は、ＲＷＢＧ単位のピクセル構造において、近隣のサブピクセルを、透過率が低いＲまたはＢサブピクセル（ＳＰＲ、ＳＰＢ）を選択した場合に用いられる。
【００６３】
図８のように隣のサブピクセルをＲサブピクセル（ＳＰＲ）で選択した場合に用いられるスイッチ型の接続方法においては、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の回路部（ＲＣ）がＲサブピクセル（ＳＰＲ）の発光部（ＲＥ）の代わりに不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）にのみ接続されている。このため、本発明は、リペア用導電パターン（ＰＴＲ）を用いて、図８のように不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するＯＬＥＤのアノード電極をＲサブピクセル（ＳＰＲ）の回路部（ＲＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に接続する。
【００６４】
つまり、本発明は、レーザー溶接工程を介してリペア用導電パターン（ＰＴＲ）をリペア処理（接続処理）することにより、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の回路部（ＲＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するＯＬＥＤのアノード電極に接続させる。そして、本発明は、レーザーカッティング（cutting）工程を介して、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）をＲサブピクセル（ＳＰＲ）のＯＬＥＤのアノード電極から接続を解除させると共に、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）のＯＬＥＤのアノード電極から接続を解除させる。
【００６５】
Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）と比較して、前記物理的特性の差が大きいため、前記のようなスイッチ型の接続方法で両子（ＳＰＲ、ＳＰＷ）を接続することが画質の維持面でさらに有利である。
【００６６】
このようなスイッチ型の接続方法においては、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の回路部（ＲＣ）がＲサブピクセル（ＳＰＲ）の発光部（ＲＥ）を駆動させる代わりに不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ ）だけ駆動させなければならない。したがって、本発明は、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）に入力されるデータを補償する段階において、前記両サブピクセルの（ＳＰＲ、ＳＰＷ）の物理的特性の差を考慮し、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータを元の値より第２補償値だけ高いか低く変調することができる。ここで、第２補償値は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）とＲサブピクセル（ＳＰＲ）との間の物理的な特性の差に基づいて定められることができる。ただし、階調の飽和を考慮し、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以上である場合に上向変調動作は省略されることがあり、また、Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以下の場合に下向変調動作は省略することができる。
【００６７】
図９に示すように隣のサブピクセルをＢサブピクセル（ＳＰＢ）で選択した場合に用いられるスイッチ型の接続方法においては、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の回路部（ＢＣ）がＢサブピクセル（ＳＰＢ）の発光部（ＢＥ）の代わりに不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）にのみ接続される。このため、本発明は、リペア用導電パターン（ＰＴＲ）を用いて、図９のように、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するＯＬＥＤのアノード電極をＢサブピクセル（ＳＰＢ）の回路部（ＢＣ ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に接続する。
【００６８】
つまり、本発明は、レーザー溶接工程を介してリペア用導電パターン（ＰＴＲ）をリペア処理（接続処理）することにより、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の回路部（ＢＣ）に属する駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）に属するＯＬＥＤのアノード電極に接続させる。そして、本発明は、レーザーカッティング工程を介して、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）をＢサブピクセル（ＳＰＢ）のＯＬＥＤのアノード電極から接続を解除させると共に、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）を不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）のＯＬＥＤのアノード電極から接続を解除させる。
【００６９】
Ｒサブピクセル（ＳＰＲ）と同様に、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）と比較し、前記物理的特性の差が大きいため、前記のようなスイッチ型の接続方法で両子（ＳＰＢ、ＳＰＷ）を接続することが画質の維持の面でさらに有利である。
【００７０】
このようなスイッチ型の接続方法では、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の回路部（ＢＣ）がＢサブピクセル（ＳＰＢ）の発光部（ＢＥ）を駆動させる代わりに不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）だけ駆動させなければならない。したがって、本発明は、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）に入力されるデータを補償する段階で、前記両サブピクセル（ＳＰＢ、ＳＰＷ）の物理的特性の差を考慮して、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータを元の値より第３補償値だけ高いか低く変調することができる。ここで、第３補償値は、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）とＢサブピクセル（ＳＰＢ）との間の物理的な特性の差に基づいて定められることができる。ただし、階調の飽和を考慮して、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以上である場合に上向変調動作は省略されることがあり、また、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の駆動ＴＦＴ（ＤＴ）に印加されるデータが特定の階調以下の場合に下向変調動作は省略することができる。
【００７１】
図１０Ａは、図７のリペア方法に従ったデータの補償前後において緑色カラーの輝度変化を示し、図１０Ｂは、図７のリペア方法に従ったデータの補償前後においてグレー色の輝度の変化を示す。そして、図１１Ａは、図９のリペア方法に従ったデータの補償前後においてグレー色の輝度の変化を示し、図１１Ｂは、図９のリペア方法に従ったデータの補償前後において青色の輝度変化を示す。図１０Ａ、図１０Ｂ、図１１Ａ及び図１１ＢのそれぞれのＺ軸は輝度を指示する。
【００７２】
図７のようなシェア型の接続方法による場合、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）とＧサブピクセル（ＳＰＧ）の発光部（ＧＥ）がＧサブピクセル（ＳＰＧ）の回路（ＧＣ）を共有するため、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の回路部（ＷＣ）の不良による暗点は回避することができる。ただし、この場合、図１０Ａのように、緑色表示時の輝度スパイク（spike）が発生したり、または、図１０Ｂのように、グレー色表示時の輝度ドロップ（drop）が発生したりすることができる。
【００７３】
しかし、前述した本発明のリペア方法に応じてデータを補償すれば、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、輝度スパイク及び輝度のドロップはなくなるので、画像品位が向上する。
【００７４】
図９のようなスイッチ型の接続方法による場合、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の回路部（ＢＣ）は、不良Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の発光部（ＷＥ）を駆動することができるので、Ｗサブピクセル（ＳＰＷ）の回路部（ＷＣ）不良による暗点は回避することができる。ただし、この場合、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の暗点化により、図１１Ａに示すように、グレー色表示時の輝度が歪曲されることがあり、また、図１１Ｂに示すように、青色表示時の輝度ドロップ（drop）が発生することができる。
【００７５】
前述した本発明のリペア方法に応じてデータを補償すると、図１１Ａのように、グレー色表示時の輝度の歪みは補償することができる。ただし、データを補償に関係なく、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）は、図１１Ｂに示すように、継続暗点の状態を維持する。しかし、Ｂサブピクセル（ＳＰＢ）の暗点は、視認性が弱くて、画質維持の面で問題にならない。このような作用効果は、図８のスイッチ型の接続方法でも同じように示される。
【００７６】
前述したように、本発明は、単位ピクセル内において不良Ｗサブピクセルに近隣に配置された隣のサブピクセルの回路部と不良Ｗサブピクセルの発光部をリペア用導電パターンに互いに接続し、前記近隣のサブピクセルに入力されるデジタルビデオデータを適切に補償することにより、開口率を落とさずに、回路部不良により透過率の高いＷサブピクセルで示される暗点を回避することができる。
【００７７】
以上説明した内容を介して、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを分かることができる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定めるべきである。
【図１】
0005971735.tif 000002
【図２】
0005971735.tif 000003
【図３】
0005971735.tif 000004
【図４Ａ】
0005971735.tif 000005
【図４Ｂ】
0005971735.tif 000006
【図５】
0005971735.tif 000007
【図６】
0005971735.tif 000008
【図７】
0005971735.tif 000009
【図８】
0005971735.tif 000010
【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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