(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する微細金属構造体の製造方法であって、
前記ペーストは、金属成分と、溶媒を含む液状成分とから成り、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含み、粘度が３．５ｍＰａ・Ｓ以上６２．６ｍＰａ・Ｓ以下のペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用する、微細金属構造体の製造方法。
【請求項２】
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する微細金属構造体の製造方法であって、
前記ペーストは、金属成分と、溶媒を含む液状成分とから成り、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含み、粘度が３．５ｍＰａ・Ｓ以上６２．６ｍＰａ・Ｓ以下のペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用し、
前記ペーストを６０℃以上１２０℃以下で焼成する、微細金属構造体の製造方法。
【請求項３】
前記充填用器具はドクターブレードであり、前記ペーストの充填はドクターブレード法で行われる、請求項１または２のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項４】
前記金属ナノ粒子を構成する金属は銀である、請求項１ないし３のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項５】
前記ペーストに用いられる溶媒は、前記フォトレジスト層を侵さない性質を有する、請求項１ないし４のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項６】
前記充填されたペーストを加熱処理することにより前記ペーストを前記基材上に固定した後、前記レジストパターンを剥離液により剥離することにより所定のパターンを有する金属膜を前記基材上に形成する、請求項１ないし５のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜の体積抵抗率は１．０×１０−５Ω・ｃｍ以下である、請求項６に記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項８】
前記金属膜の所定のパターンにおける幅は１０μｍ以下である、請求項６または７のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項９】
前記ペーストに用いられる金属ナノ粒子は、同じく前記ペーストに用いられる溶媒に対し、前記金属膜の体積抵抗率が１．０×１０−５Ω・ｃｍ以下となる程度、且つ、前記金属ナノ粒子の凝集径が所定のパターンにおける前記金属膜の幅以下となる程度の分散性を有する、請求項６ないし８のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記基材は、ガラス基板又はその上にＩＴＯが被覆されたガラス基板である、請求項１ないし９のいずれかに記載の微細金属構造体の製造方法。
【請求項１１】
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストをドクターブレード法により前記レジストパターンの凹部に対して充填し、
前記充填されたペーストを加熱処理することにより前記ペーストを前記基材上に固定した後、前記レジストパターンを剥離液により剥離することにより所定のパターンを有する金属膜を前記基材上に形成する微細金属構造体の製造方法であって、
前記基材はガラス基板又はＩＴＯが被覆されたガラス基板であり、
前記ペーストは金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの銀ナノ粒子と、前記フォトレジスト層を侵さない性質を有する溶媒を含む液状成分とから成り、粘度が３．５ｍＰａ・Ｓ以上６２．６ｍＰａ・Ｓ以下のペーストであり、
前記銀ナノ粒子は、前記溶媒に対し、前記金属膜の体積抵抗率が１．０×１０−５Ω・ｃｍ以下となる程度、且つ、前記銀ナノ粒子の凝集径が所定のパターンにおける前記金属膜の幅以下となる程度の分散性を有し、
前記ペーストを加熱処理する際の加熱温度は６０℃以上１２０℃以下であり、
前記微細金属構造体における所定のパターンの金属膜の幅は１０μｍ以下であり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用する、微細金属構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細金属構造体およびその製造方法に関し、特に金属ナノ粒子を含むインクあるいはペーストを用いた、微細金属構造体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン部品等の構造体を製造するために、放電加工、切削加工、めっき法といった種々の方法によって、微細な金属構造体を形成させることが試みられている。この構造体の形成の一つの手法として、フォトリソグラフィ法により感光性樹脂を露光し、現像して微細金属構造体用の型を形成させてから、この型に電気鋳造法により材料を電着させて微細金属構造体を製造する方法が、従来から知られていた（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、この従来技術による微細金属構造体の製造方法は、溶液中で無電解めっきにより、型に金属を電着させて製品を製造するので、微細金属構造体の基材は金属に限定されてしまうという欠点があった。また、材料の電着に長時間を要するため製造の効率が悪く、更に製造装置が大掛かりとなる欠点もあった。
【０００４】
そこで、これを解決するため本発明者は、所定の凹凸レジストパターンを有するプラスチックフィルムに対し、ドクターブレードを用いて、金属粒子の含まれたスラリー（本明細書ではペーストとも言う。）を塗布・充填する手法を開示した（例えば、特許文献１及び２参照）。そして塗布・充填の後、このペーストを加熱・乾燥してから上記プラスチックフィルムを離型し、所望の形状を有する微細金属構造体を製造するという手法を、本発明者は見出している。
【０００５】
このドクターブレードを用いた配線形成法を用いた技術としては、上記の技術以外にも、同じく本発明者により見出された別の技術が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００６】
この特許文献３について、図４を用いて具体的に言うと、離型フィルム１０上にポジ型のフィルム状フォトレジストが形成されたドライフィルムをパターニングしてレジストパターン４０の凸部４０ａ及び凹部４０ｂを形成する（図４（ａ））。
【０００７】
そして、この凹部に対してドクターブレードにより導電ペーストを塗布・充填させた後（図４（ｂ）（ｃ））、離型フィルムを剥がした上で（図４（ｄ））、フォトレジストと導電ペーストが一体になったものを、セラミックグリーンシートに接着する（図４（ｅ））。
その後、フォトレジストを溶解して、セラミックグリーンシート上に、所定のパターンを有する導電膜を形成している（図４（ｆ））。
以上の手法により、断面が丸みを帯びないような導電膜をセラミックグリーンシート上に形成することが可能となる。
【０００８】
特許文献４には、以下の技術が開示されている。即ち、ベースフィルム上にフォトレジスト膜を積層し、このフォトレジスト膜を所望のパターン形状に露光する。そして、露光されたフォトレジスト膜に対して別のフォトレジスト膜を積層し、感光させる。
【０００９】
その後に現像することで凹部を形成させてから、導電性ペーストを充填し、これを固化することによって、所望の導電性パターンを形成する、というものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−３８３０４号公報
【特許文献２】ＷＯ２００５／０５４１１８号公報
【特許文献３】ＷＯ２００６／０３３４０２号公報
【特許文献４】特開２０００−１６４４５８号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】山口勝美、中本剛「光造形法による形状創成」精密工学会誌、ＶＯｌ．６１、ＮＯ．１０、１９９５、ｐ．１３８５〜１３８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
近年、微細金属構造体に求められる配線は、集積化を目的として、微細化が指向されている。
【００１３】
しかし、微細な配線パターンを形成しようとすると、平均一次粒子径がシングルマイクロオーダーの導電性物質（例えば金属粒子）を選択しても、粒子同士の凝集が起こるとその凝集径は大きくなることもあり、設定しているレジストパターンの凹部幅を超えることも起こりうる。
【００１４】
その場合、レジストパターンの凹部に金属ペーストを充填させることができなくなる。その結果、配線としては断続的なものが形成されてしまうことになり、その部分では導電性が失われることになる。
【００１５】
また、レジストパターンを剥離する際に、レジストパターン上に存在する金属粒子の一部が配線間の空間部分に落下してしまい、場合によっては短絡の原因になる場合もある。これらのことから明らかなようにドクターブレードを用いる微細配線をマイクロオーダーの粒子を用いようとする場合には、微細配線の形成は行い難かった。
【００１６】
そこで本発明の目的は、従来以上に微細なパターンを有する微細金属構造体を簡易に、かつ高い精度で効率よく製造することができる微細金属構造体の製造方法を提供することにある。
【００１７】
また、本発明のもう一つの目的は、従来よりも微細なパターンを有する導電膜を形成し、体積抵抗値が低減された微細金属構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者は、上述の目的を達成できる微細金属構造体及びその製造方法について検討した。
【００１９】
本発明者らはこの検討を進めるにしたがって、種々の微細な配線を形成するには従来のようなシングルミクロンオーダーの粒子では達成は困難であるという結論に達した。そこで、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下である金属ナノ粒子を利用し、配線の形成をフォトレジストとドクターブレードを併用することで、行うことにより、上述の課題は達成できうることを見いだし、本願発明を完成させた。
【００２０】
さらに、上記の発明の実施に際しては、配線を形成するに当たって使用するフォトレジストは液体状のものを利用することで、レジスト膜の厚みの調整を容易にすることができ、ひいては配線におけるアスペクト比の調整を図りうることを見いだした。
【００２１】
加えて、レジストにより形成された型へは、適切な粘度を持つ液体状のペーストを充填することで、途切れ途切れにならない配線を形成することができる。その行為に当たっては、エッジが立った繊細な配線とするため、ペーストに用いる溶剤はレジストとの反応性の小さいものとすることが好ましいことをも見いだした。
【００２２】
この知見に基づいて成された本発明の態様は、以下の通りである。
本発明の一つの態様は、
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する微細金属構造体の製造方法であって、
前記ペーストは、金属成分と、溶媒を含む液状成分とから成り、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含み、粘度が３．５ｍＰａ・Ｓ以上６２．６ｍＰａ・Ｓ以下のペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用する、微細金属構造体の製造方法である。
【００２３】
本発明の別の態様は、
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する微細金属構造体の製造方法であって、
前記ペーストは、金属成分と、溶媒を含む液状成分とから成り、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含み、粘度が３．５ｍＰａ・Ｓ以上６２．６ｍＰａ・Ｓ以下のペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用し、
前記ペーストを６０℃以上１２０℃以下で焼成する、微細金属構造体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、従来以上に微細なパターンを有する微細金属構造体を容易でありながらも高い精度で効率よく製造することができる。
【００２５】
また、上記の方法により形成される微細金属構造体は、従来よりも微細なパターンを集積させることができるとともに、体積抵抗値を低減させて微細金属構造体としての性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態による微細金属構造体の製造方法を工程順に示し、（ａ）ないし（ｊ）は、その断面図である。
【図２】本発明に係る実施例１〜２の試料を電子顕微鏡で観察したときの写真を示す図である。
【図３】本発明に係る実施例３〜８の試料を電子顕微鏡で観察したときの写真を示す図である。
【図４】従来技術（特許文献３）における微細金属構造体の製造方法を工程順に示し、（ａ）ないし（ｆ）は、その断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２８】
本発明に従う構造体はおおよそ下記のような工程を経て形成される。具体的には、（１）基材上にレジストを塗布して焼成し、レジストを固化する工程、（２）レジストにフォトマスクを乗せ露光する工程、（３）現像により配線の型を形成する工程、（４）ドクターブレードを用いて金属ペーストを充填する工程、（５）金属ペーストを基材上に固化させる乾燥工程、（６）基材上からレジストを溶解する工程、（７）ペーストの金属化を進める乾燥・本焼成工程である。これらの工程に沿って、本発明の概要を説明する。
【００２９】
＜１．微細金属構造体の製造方法＞
Ａ）基材の準備
本実施形態において、図１（ａ）の基材１は、その主表面上に所望のパターンを有する金属膜７が形成されることとなる基材である。更に好ましくは、配線パターンが形成されることになる基材である。
【００３０】
本発明は金属ナノ粒子を使用することから、低温での金属膜の形成も可能である。したがって、基材としては任意の機材を使用することもできる。そのため、通常知られているようなセラミックス、金属板、ガラスはもちろんのこと、耐熱性の悪い高分子からなる素材を選択することも可能である。
【００３１】
Ｂ）レジスト塗布工程
この基材１に対して脱水ベーク処理を行ってもよい。その後、図１（ｂ）に示す通り、基材１の一方の主表面を覆うように、フォトレジスト液２１を塗布する。本実施形態においては、このフォトレジスト液２１としては、一例としてポジ型レジストを使用する。
具体的なポジ型レジストの材質としては、アジド系、ジアゾ系、キノンジアゾ系のものを用いることができる。
【００３２】
塗布方法としては、本実施形態においては、基材１の主表面に上記フォトレジスト液２１を滴下した後、所定の回転数にて基材１を回転させるスピンコート法を用いるとよい。次いで、主表面上にフォトレジスト液２１がスピンコートされた基材１をホットプレートにて所定の温度と時間でベーク処理する。その後、例えば室温に保たれた冷却プレート上に移載して冷却処理し、フォトレジスト層２を形成する。以降、フォトレジスト層２を単にレジスト層２とも言う。
【００３３】
上述のように、フォトレジスト液２１を用いてレジスト層２を形成することにより、幅１０μｍ程度の微細な配線パターンを形成する場合であっても、アスペクト比において厚さの値を１０μｍ以下に調整することができる。
【００３４】
Ｃ）露光工程
上記塗布工程の後、図１（ｃ）に示すように、フォトマスク２Ａが有する所定のパターンをレジスト層２に転写すべく、フォトマスク２Ａを備えた露光装置を用いて、レジスト層２を露光させる。なお、本実施形態においては、先に述べたように、本実施形態におけるレジスト層２はポジ型レジストである。そのため、露光した部分のレジスト層（露光部２ｂ）は後述の現像工程において溶解部となる。逆に、露光しなかった部分のレジスト層（非露光部２ａ）は非溶解部となる。
【００３５】
このとき用いられるフォトマスク２Ａは、例えば、クオーツガラス、ソーダガラス、プラスチックフィルムの如き透明基材とクロム膜やエマルジョン膜の如きパターニング用のマスク薄膜とから成っている。
【００３６】
Ｄ）現像工程
（ａ）現像
所望の微細パターンを露光した後、図１（ｄ）に示すように、ポジ型レジストからなるレジスト層２を有する基材１を所定の現像剤に浸漬することにより現像を行う。そして、レジスト層２において露光された部分を除去し、フォトマスク２Ａのパターンに対応するパターンであって凹凸からなるレジストパターン４を形成する。この際、現像剤としてはレジストの種類に応じて公知のものを用いれば良い。
【００３７】
（ｂ）リンス・乾燥
上記現像剤の滴下供給を止めた直後に、基材１を回転させながら基材１の上方から、上記現像剤を洗い流すためにリンス剤を滴下供給する。その後、上記のリンス処理を行った基材１に対して乾燥処理を行う。この際、リンス剤としては、レジストパターン４の倒れを防止すべく、フッ素系化合物のように表面自由エネルギーが低い物質を用いるのが好ましい。
【００３８】
このようにして露光されたレジスト層２を現像し、露光部２ｂを除去して、図１（ｅ）に示すように、フォトマスク２Ａのパターンに相応する凸部４ａ及び凹部４ｂを有するレジストパターン４が作成される。なお、必要に応じて、レジストパターン４が形成された基材１に対しベーク処理を行っても良い。
こうして、所望の凹凸形状からなるレジストパターン４が形成され、このレジストパターン４が主表面上に形成された基材１が得られる。
【００３９】
Ｅ）ペースト充填工程
本実施形態においては、図１（ｆ）に示すように、上記凹凸形状からなるレジストパターン４の凹部４ｂに対し、ペースト５を充填することになる。まず、本実施形態において用いられるペースト５の特徴について詳述する。その後、そのペースト５をレジストパターン４の凹部４ｂに充填する方法について述べる。
【００４０】
（ａ）ペーストの特徴
本実施形態において用いられるペースト５は、大きく分けると金属ナノ粒子５ａとそれが分散される溶媒、また必要に応じて粘度等を調整し、ペーストの性質を調整する成分などからなる液状物質である。この金属ナノ粒子５ａが、ペースト５焼成後、最終的に配線パターン材料となる。
【００４１】
（ｉ）金属ナノ粒子
本発明に用いられる金属としては平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子５ａを用いる。こうした構成とすることにより、凝集径が１０μｍを超えることを抑制できることから、近年要請されている幅１０μｍ程度の微細な配線パターンを形成することができるので好ましい。
【００４２】
前記のような凝集径の範囲とすることができれば、レジストパターン４における凹部４ｂ幅以下の凝集径とすることができるので、ペースト５における金属ナノ粒子５ａを配線パターンの凹部４ｂに容易に充填することができる。その結果、配線中の欠陥のない金属密度の高い配線パターンを形成することができ、線幅が１０μｍ程度の微細な配線パターンであっても、導電性が失われることを抑制できる。
【００４３】
更に、平均一次粒子径１〜１００ｎｍといったナノオーダーの金属ナノ粒子５ａを用いる場合、バルク状態のものに比べて融点が劇的に低下する。そのため、従来のミクロンオーダーの粒子に比べ、微細な配線パターンを形成することができるのみならず、低温焼結を行うことが可能になる。
【００４４】
粒子表面が有機物により被覆されており、凝集が抑制されれば、１０μｍ程度の幅を有するレジストパターン４の凹部４ｂへと溶媒ごと容易に充填することができる。更に、ペースト５を焼成して金属膜７を形成した際、凝集した粒子同士が焼結するよりも金属粒子の密度を上昇させることができる。その結果、金属膜７の体積抵抗率を低下させ、微細金属構造体の性能を向上させることができる。  
【００４５】
なお、本実施形態における平均一次粒子径は、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）観察により平均粒子径（ＤＴＥＭ）を測定することにより求められる。具体的には、ＴＥＭ観察では６０万倍に拡大した画像から重なっていない独立した粒子３００個の径を測定して平均値を求める。
【００４６】
また、Ｘ線回折結果を用い、結晶子の大きさを評価することも可能である。具体的には、Ａｇ（１１１）の回折線を用いて、Ｓｃｈｅｒｒｅｒの式を用いて求める。この方法で求めたＸ線粒子径（Ｄｘ）は、以下のとおりの式で算出できる。
Ｄ＝Ｋ・λ／βｃｏｓθ
式中、Ｋ：Ｓｃｈｅｒｒｅｒ定数、Ｄ：結晶粒子径、λ：測定Ｘ線波長、β：Ｘ線回折で得られたピークの半価幅、θ：回折線のブラッグ角をそれぞれ表す。
Ｋは０．９４の値を採用し、Ｘ線の管球はＣｕを用いると、前式は下式のように書き換えられる。
Ｄ＝０．９４×１．５４０５／βｃｏｓθ
【００４７】
また、ペースト５に含まれる金属ナノ粒子５ａは、その表面を脂肪酸で被覆した場合には、ターピネオールをはじめとする極性溶媒に分散しやすく、その表面をアミン類で被覆するとトルエンなどの非極性溶媒に分散しやすいものとなる。このことからわかるように、レジストの性質により、表面を被覆する物質を変更し、たとえば配線を形成したい基板の物性や表面性などに応じて、レジストの材質を変更した際にも適宜対応することが可能である。金属種としては、導電性を呈する金属であればいずれも候補になり得るが、入手の容易性からみて、銀が特に好ましい。また、こうした金属ナノ粒子は公知の方法により作成することができる（例えば、特許第４３４４００１号や特許第４２８４２８３号参照）。
【００４８】
（ii）溶媒
一方、金属ナノ粒子５ａを分散させるために、本実施形態のペースト５に使用する溶媒について、以下説明する。
【００４９】
本実施形態においては、フォトレジストの形成に際し、液状のフォトレジスト液を使用する。つまり、レジスト層２が液状のフォトレジスト液２１から形成されている。元々液状だったフォトレジスト液を用いる場合、液状ペーストは通常用いられにくい。これは、レジストパターンが硬化していたとしても、ペーストまたはインクを塗布すれば、レジストとペースト中に含まれる溶剤が相溶してしまい、パターンの体をなさなくなることがあるためである。
【００５０】
しかしレジストを硬化した後、配線を形成するに際して乾式法、すなわちスパッタ法を用いる場合には多くの金属を必要とするため、金属膜の厚みがある程度必要な場合には用いられにくい。また、蒸着に際しては巨大な装置を必要とし、大量生産には向かないのが現状である。そこで、レジストで形成された凹部に対してドクターブレード法によりペーストを塗布するという従来にない手法を試みた。
【００５１】
発明者らの検討によれば、精細なパターンを当該手法により形成させるためには、レジストと相溶性のない溶媒を選定し、そしてその溶媒に対して粒子が高度に分散することができていれば、上記の手法で厚みを有する金属膜を形成させることが可能であることを見いだした。また、印刷法であればその線幅に制限があったり、配線のエッジ部分が乱れることがあったりしたが、本方法によればそれらの問題は起こらない。
【００５２】
上記の条件を満たす溶媒は、選択するフォトレジストや塗布する基板の種類に応じて適宜決定すればよい。具体的には塗布対象物への適合性やフォトレジストに対する干渉のない溶媒を選択するために、粒子表面を構成する界面活性剤の種類を上述のように適宜変更することで、本手法は塗布対象物を選ばない塗布方法となる。
【００５３】
そして、金属ナノ粒子を用いていることから、塗布して形成した配線は比較的低温（〜２００℃）の加熱であっても金属化し、導電性を示すようになる。このことは、基板の耐熱性により制限されていた塗布対象物の選択の幅を広げ、様々なものに金属配線を形成できることにつながるため好ましい。
【００５４】
ここで、塗布後の配線の均一性を確保するためには、分散媒中の金属ナノ粒子が高度に分散していることが好ましい。分散度合いを評価する手法は様々なものが例示できる。具体的には、下記のような手法を用いて評価することができる。
【００５５】
まず、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて一次粒子の粒度分布（あるいは平均一次粒子径）を算出したのちに、たとえば動的光散乱法を用いて液中における粒度分布を算出し、これらを比較することで液中における粒子の分散性を評価する。このことにより、液中において粒子がどの程度凝集・集合しているかどうかを判断することができる。好ましい状態は一次粒子に近づくことであるため、動的光散乱法で算出される平均粒子径／ＴＥＭ写真から算出される平均粒子径の値は１に近づくことが好ましい。
【００５６】
また、グラインドゲージを用いて、インクもしくはペースト中に存在する凝集塊の大きさを評価することによっても、粒子の分散度合いを確認することも可能である。このときの凝集塊は１０μｍ以下であるとよく、好ましくは５μｍ以下であることが好ましい。
【００５７】
さらに、インクもしくはペーストから分散度合いを確認する方法としては、インクもしくはペーストの粘度を直接測定する方法があげられる。分散がよいインクもしくはペーストの場合、粒子と溶媒の接触面積が多くなることに伴って、それらに働く抵抗が高くなることから、粘度が高い場合には粒子が高度に分散しているとみなすことができる。ただし、あまりに粘度が高いインクやペーストは塗布が行いにくくなるので好ましくない。一方粘度が低すぎると、スキージで配線を形成したときに、インクやペーストそのものが流れ出してしまうため、寸法安定性の悪い配線となる可能性があり好ましくない。具体的には、３．０ｍＰａ・ｓ〜２０００．０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好適である。このときの粘度は、たとえば常温（２５℃）における粘度を測定し（たとえば、レオメーターなどを用い）て知ることができる。
【００５８】
さらに、分散媒は上述のような金属ナノ粒子を高度に分散させることのできる性質を備えるほか、塗布対象物上に形成されたレジストを侵さない性質を有する必要がある。この性質を備えることで、レジストによって形成された型に対して、ペーストを効率的に充填させることができるようになる。
【００５９】
ここで、「レジストを侵さない」性質とは、後述するＥ）ペースト充填工程〜Ｆ）ペースト焼成工程までの間に、レジスト層２に対してパターン変動を起こさない程度の溶解速度であることを意味する。具体的な溶解速度を挙げるとするならば、１時間当たり０．０１μｍ以下の溶解速度ならば、「レジストを侵さない」と言える。
【００６０】
本実施形態にて用いられる溶媒は、最低限上記性質（金属ナノ粒子を分散させ、レジストを侵さない）を有するものであれば、極性・非極性のいずれの性質の溶剤でも使用することが可能である。
【００６１】
極性を有するものであれば、その比誘電率が３〜５０のものであるとよい。比誘電率が３未満であると溶媒の非極性が強くなり銀粒子分散体の分散安定性が経時的に不安定になり、５０を越えると分散剤の粒子への吸着が劣るようになり、粒子の分散安定性が不安定となる。具体的には、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、グリコールエーテル系溶媒、アルキルエーテル系溶媒、アルコール系溶媒、グリコール系溶媒、アミド系溶媒といったものが例示できる。また、分散溶媒として反応性基を有する（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル類、酢酸ビニルなどのビニル系単量体、ビニルエーテル誘導体類、ポリアリル誘導体などのエチレン系不飽和単量体類も使用することができる。非極性溶媒だと特に炭化水素系の有機媒体が好適に使用できる。例えば、イソオクタン、ｎ−デカン、イソドデカン、イソヘキサン、ｎ−ウンデカン、ｎ−テトラデカン、ｎ−ドデカン、トリデカン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、デカリン、テトラリン等の芳香族炭化水素といったものを用いるとよい。
【００６２】
（ｂ）ペーストの充填方法
次に、上記のペースト５をレジストパターン４における凹部４ｂに充填する方法について説明する。この方法は、図１（ｆ）に示すように、導電性を有する物質を含有するペースト５を充填用器具により基材１上でせん断移動させ、上記ペースト５を上記レジストパターン４の凹部４ｂに対して充填する方法である。
【００６３】
この方法によく用いられている充填用器具はドクターブレード６である。同時に、このドクターブレード６によりペースト５をレジストパターン４凹部４ｂに充填する方法を、先に述べたようにドクターブレード法と呼んでいる。
【００６４】
ドクターブレード法には、スクリーン法や蒸着法に比べ、以下の利点がある。
即ち、スクリーン法を採用する場合、塗布物をメッシュ上から被塗布物へと塗布することになるが、メッシュの網目の細かさは３０μｍ程度が限界とされている。それに加え、被塗布物にメッシュを接触させるため、被塗布物上の塗布物にはメッシュの跡が残されることになる。その際、このメッシュ痕を塗布物の流動性を利用して消していく操作が必要になる。この操作の際、塗布物がパターン形状に塗布されていたとしても、塗布物が流動性を有するが故に、パターン形状が崩れてしまうおそれがある。
【００６５】
また、蒸着法を用いる場合、金属膜７の厚さを厚くするには相当な時間を要することになる。更に、蒸着法に用いる装置及び工程も複雑かつコストが嵩むものになり、現実的ではない。
【００６６】
しかしながら、本実施形態で用いられるドクターブレード法は、いわば金属ヘラ状の充填用器具で、ペースト５をせん断移動させることにより、レジストパターン４の凹部４ｂに対してペースト５を充填する。
【００６７】
こうすることにより、ペースト５塗布工程中にパターン形状が崩れるおそれがなくなる。更に、後のＦ）ペースト焼成工程で形成される金属膜７は、レジストパターン４に忠実に対応した形状を有することになる。
【００６８】
なお、本工程ではレジストパターン４の凹部４ｂにペースト５を充填させることを目的としている。その一方で、レジストパターン４の凸部４ａの主表面に若干量のペースト５が塗布されたままでも良い。後述するＧ）レジストパターン剥離工程で、レジストパターン４と共にこの若干量のペースト５からなる不要な金属膜７も除去されることになるためである。
【００６９】
Ｆ）ペースト焼成工程
上記のＥ）ペースト充填工程中、またはペースト５を充填した後、ペースト５から金属膜７を形成すべく、図１（ｇ）に示すように、基材１に対して加熱処理を行う。具体的な温度としては、基材１が８０℃〜２００℃になるように加熱されるのが好ましい。加熱温度が８０℃以上ならば、乾燥・焼成時間が長すぎることなく工程の効率化が図れる。また、加熱温度が２００℃以下ならば、ペースト５の充填が充分に行われるので好ましい。
【００７０】
その後、乾燥機で６０℃〜１２０℃、好ましくは、８０℃で２時間かけて材料を乾燥する。乾燥温度が１２０℃以下ならば、過剰乾燥を防ぐことができ、レジストパターン４の剥離時に、微細金属構造体８にひびが入るのを防ぐことができる。
なお、焼成する際の温度・時間、及び乾燥する際の温度・時間は、材料に応じて適宜設定される。
【００７１】
Ｇ）レジストパターン剥離工程
続いて、硫酸と過酸化水素水の混合液からなる剥離液Ｇによって、図１（ｈ）に示すように、レジストパターン４を完全に剥離する。
【００７２】
具体的には、基材１を上記剥離液Ｇに所定の時間浸漬し、その後、リンス剤により剥離液Ｇを洗い流す。本実施形態では、イソプロピルアルコールにて洗浄した後、純水にて洗浄している。なお、イソプロピルアルコールも純水も、常温又は加熱したものを用いる。
次いで上記の乾燥処理と同様な手法で、基材１を乾燥させる。
【００７３】
なお、ここで用いる剥離液Ｇとしては、金属膜７を実質的に溶解しない化合物であって、レジストを膨潤溶解又は化学的に分解して剥離除去できる化合物であれば良い。
【００７４】
Ｈ）洗浄・乾燥工程
以上の工程を経た後、図１（ｉ）に示すように、必要があれば基材１の洗浄等を行う。このようにして、図１（ｊ）に示すような微細金属構造体８を完成させる。
【００７５】
＜２．微細金属構造体＞
以上の方法を用いて製造された微細金属構造体８の一例について説明する。
【００７６】
本実施形態において製造された微細金属構造体８は、基材１上に所定のパターンを有する金属膜７が設けられている。そして、この金属膜７は、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子５ａを含むペースト５から形成されている。また、上記所定のパターンにおける金属膜７の幅は１０μｍ以下で形成されている。更に、金属膜７の体積抵抗率が１．０×１０−５Ω・ｃｍ以下である。
【００７７】
＜３．本実施形態の効果＞
ここで挙げた微細金属構造体８、及びこれまでに述べた製造方法においては、以下の効果を奏する。
【００７８】
フォトレジスト液２１を用いてレジスト層２を形成することにより、幅１０μｍ程度の微細な配線パターンを形成する場合であっても、アスペクト比において厚さの値を１０μｍ以下に調整することができ、レジストパターン４の凸部４ａの倒れといった問題が発生するおそれを抑制することができる。
【００７９】
また、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子５ａを用いることにより、近年要請されている幅１０μｍ程度の微細な配線パターンを形成しようとした場合、凝集径が１０μｍを超えることを抑制でき、レジストパターン４の凹部４ｂ幅以下の凝集径とすることができる。
【００８０】
こうすることにより、ペースト５における金属ナノ粒子５ａを配線パターンの凹部４ｂに容易に充填させることができる。その結果、金属密度の高い配線パターンを形成することができ、１０μｍ程度の微細な配線パターンであっても、導電性が失われるおそれを抑制することができる。
【００８１】
また、本実施形態において充填用器具でペースト５をせん断移動させて充填することにより、Ｅ）ペースト充填工程中にパターン形状が崩れるおそれがなくなる。更に、Ｆ）ペースト焼成工程で形成される金属膜７は、レジストパターン４に忠実に対応した形状を有することになる。
【００８２】
以上の効果を奏することにより、ペースト５を焼成して金属膜７を形成した際、凝集した粒子同士が焼結するよりも金属粒子の密度を上昇させることができる。その結果、金属膜７の体積抵抗率を低下させ、微細金属構造体の性能を向上させることができる。  
【００８３】
以上の結果、従来以上に微細なパターンを有する微細金属構造体を高い精度で効率よく製造することができ、微細部品を簡単な装置で容易に形成することができる。
【００８４】
また、微細金属構造体８において、従来よりも微細なパターンを集積させた上、体積抵抗値を比較的低減させて微細金属構造体としての性能を向上させることができる。
【００８５】
＜４．変形例＞
なお、本発明の技術的範囲は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００８６】
本実施形態においては、表面上にＩＴＯが被覆された矩形形状のガラス基板を用いて説明したが、ＩＴＯが被覆されていないガラス基板を用いても良い。更に言えば、ガラス基板以外のシリコンウエハでも良いし、その他、基材１として使用できるものならば公知のものを用いても構わない。ただし、液状のフォトレジスト液２１及びペースト５を使用することから、多孔質のものは使用しないのが好ましい。
【００８７】
また、基材１の形状については、矩形形状以外であっても良く、平面（上面）から見たときに矩形、多角形、半円形状、あるいは、側面から見たときに矩形あるいは台形形状等に加工された基板であって、微細金属構造体８の製造の際に、精度良く安定して固定しやすい形状であれば良い。
【００８８】
本実施形態においては、ポジ型レジストを用いたが、もちろんネガ型レジストを用いても構わない。ネガ型レジストの材質としては、不飽和ポリエステル系、アクリレート系、ナイロン系、Ｅｎｅ付加反応系、カチオン重合系の如き光重合性のものや光二量化型の光架橋が起こるものを用いることができる。
【００８９】
また、本実施形態においては露光においてフォトマスク２Ａを備えた露光装置を用いたが、エネルギービームを用いた露光を行っても良い。具体的に言うと、電子線描画による露光を行った場合にも本発明は適用できる。それ以外だと、紫外線、Ｘ線、電子線、イオンビーム、プロトンビームを用いても良く、フォトレジストとしては、これらに感度を持つものを用いても良い。
【００９０】
また、本実施形態においては基材１上に直接レジスト層２を設けたが、基材１とレジストの間に密着層等の別の層を設けても良い。ただし、最終的には基材１上に金属膜７の配線パターンを形成できるものである必要がある。
【００９１】
本実施形態においてはドクターブレード６を用いたが、もちろんこれ以外の充填用器具を用いても良い。簡易な方法ではあるが、レジストパターン４が設けられた基材１上にペースト５を配置し、ヘラを用いてペースト５をせん断移動させることにより、レジストパターン４の凹部４ｂにペースト５を充填しても良い。
【００９２】
また、本実施形態においては金属ナノ粒子５ａの金属として銀を用いたが、本発明は金属ナノ粒全般に対して適用できる。金属の種類を列挙すると、例えば金、銅、ニッケル、白金、パラジウム、アルミニウム、亜鉛、クロム、鉄、コバルト、モリブデン、ジルコニウム、ルテニウム、イリジウム、タンタル、水銀、インジウム、スズ、鉛、および、タングステンから選ばれた１種、または２種以上からなる合金、あるいは混合物を用いることができる。
【００９３】
また、基材１に用いる物質に応じて、適宜ペースト５の分散性を変化させても良い。例えば、基材１に用いる物質に応じて、ペースト５の粘度を変更しても良い。また、同様に、フォトレジスト液２１の種類を変更しても良い。現在、本発明者により鋭意研究中であるが、「基材１（又はその被覆）に用いる物質」「ペースト（金属ナノ粒子５ａ及び溶媒）」「フォトレジスト液」の３つの組み合わせにより、微細且つ精緻な配線パターンが形成でき、体積抵抗値を比較的低下させた微細金属構造体８を形成できるかどうかが決まると推測される。
【実施例】
【００９４】
（実施例１）
Ａ）基材の準備
本実施形態における基材１として、表面に対してＩＴＯがスパッタリングされたガラス基板（テクノプリント（株）製  以降、被覆基板と言う。）を準備した（図１（ａ））。この被覆基板に対し、ダイヤモンドカッターを用いて２５×２５ｍｍに分割した。この分割された被覆基板を純水で洗浄し、分割した際に生じたガラス破片を除去した。
【００９５】
その後、アセトンで洗浄すべく、仕切りの付いたテフロン（登録商標）製のザルに被覆基板を入れ、２００ｃｃビーカーにアセトンを１２０ｃｃ入れ、ザルごと被覆基板をこのビーカーに入れた。
【００９６】
そしてこのビーカーを超音波洗浄機に入れ、５分間洗浄した。その後、アセトンを新しいものに交換し、再び超音波洗浄機を用いて５分間洗浄した。なお、アセトンを交換する際にもアセトンを被覆基板表面に流すことにより洗浄を行った。
そして、純水を用いて流水洗浄した後、ビーカーに純水を入れ、同様に超音波洗浄機を用いて被覆基板を５分間洗浄した。
純水洗浄後、ピンセットにより被覆基板を水中から取り出して純水により流水洗浄したあと、窒素ブローを行った。
その後、被覆基板に対して、１１０℃で５分間ベークを行い、被覆基板上の水分を除去した。
【００９７】
Ｂ）レジスト塗布工程
ベーク後の被覆基板に対して、ポジ型のフォトレジスト液２１（東京応化工業株式会社製  製品名ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）をスピンコーターにより塗布した（図１（ｂ））。この際、フォトレジスト液２１の粘度は２３ｍＰａ・ｓであり、スピンコーターの操作としては回転数３００ｒｐｍで５秒間行った後、回転数３０００ｒｐｍで３０秒間行った。
そして、Ｃ）露光工程を行う前に、被覆基板に対して、１１０℃で２０分間ベークを行った。
【００９８】
Ｃ）露光工程
フォトレジスト液２１が塗布された被覆基板を黒色シート３上に配置した上で、露光装置（アライナー）（ユニオン光学製）にセットし、露光を行った（図１（ｃ））。露光条件としては、照度２５．５ｍＷ／ｃｍ２、フォトマスク２Ａと基板との露光ギャップを１μｍ、露光時間を３．４秒とした。また、フォトマスク２Ａとしてはソーダライム製のものを用いた。このとき、パターン形状としては、ライン・アンド・スペースで各々１０μｍのパターンを設定した。
【００９９】
Ｄ）現像工程
（ａ）現像
露光後の被覆基板に対し、所定の現像液Ｄ（東京応化工業株式会社製  製品名ＮＭＤ−Ｗ）により現像を行った（図１（ｄ））。現像方法としては、３０秒間、被覆基板を現像液Ｄに浸漬させ、その後６０秒間揺動させ、現像液Ｄから引き上げた。
【０１００】
（ｂ）リンス・乾燥
その後、純水にて洗浄し、スピンコーターを用いて乾燥させた。スピンコーターの操作としては回転数５００ｒｐｍで６０秒間行った。
その後、現像後の被覆基板に対して、１２０℃で３０分間ベークを行った（図１（ｅ））。
このようにして、被覆基板に対し、凹凸からなるレジストパターン４を形成した。
【０１０１】
Ｅ）ペースト充填工程
ベーク後の被覆基板上のレジストパターン４の凹部４ｂに対し、ドクターブレード法を用いてペースト５を充填させた（図１（ｆ））。
【０１０２】
（ａ）ペーストの特徴
実施例１で用いたペースト５は、銀粒子がテルピネオール溶媒（極性溶媒）に分散したものであり、粘度６２．６ｍＰａ・ｓ、銀濃度３０．９ｗｔ％、凝集塊５μｍである。なお、ここで用いる銀粒子の平均一次粒子径は１２．２ｎｍである。
また、この銀粒子の元となる銀粉末の作製方法は以下のとおりである。
銀粉末の作製において、反応槽としては１Ｌビーカーを使用した。また攪拌のために、羽根を備えた攪拌棒を反応槽の中心に設置した。反応槽には温度をモニターするための温度計を設置した。また溶液に下部より窒素を供給できるようにノズルを配設した。
まず、反応槽に水２７３ｇを入れ、残存酸素を除くため反応槽下部から窒素を５００ｍＬ／分の流量で６００秒間流した。その後、反応槽上部から５００ｍＬ／分の流量で供給し、反応槽中を窒素雰囲気とした。攪拌棒の回転速度は、２８０から３２０ｒｐｍになるように調整した。そして反応槽内の溶液温度が６０℃になるように温度調整を行った。
そして、アンモニア水（アンモニアとして３０質量％含有する）７．５ｇを反応槽に投入した後、液を均一にするために１分間攪拌した。
次に、保護剤としてヘキサン酸（和光純薬工業株式会社製特級試薬）７．５ｇを添加し、保護剤を溶解するため１０分間攪拌した。その後、還元剤として５０質量％のヒドラジン水和物（大塚化学株式会社製）水溶液を２０．９ｇ添加した。これを還元液とした。
別の容器に硝酸銀結晶（和光純薬工業株式会社製特級試薬）３６ｇを水１７５ｇに溶解した硝酸銀水溶液を用意した。これを原料液とした。なお、硝酸銀水溶液は反応槽内の溶液と同じ６０℃に温度調整を行った。
その後、原料液を還元液に一挙添加により加え、還元反応を行った。攪拌は連続して行い、その状態のまま１０分間熟成させた。その後、攪拌を止め、濾過・洗浄工程、乾燥工程を経て、銀粉末を得た。
以上の工程を経た銀粉末に対し、上記の配合量にて上記の化合物を配合し、本実施例にて用いられる銀ナノ粒子を含有するペースト５を作製した。
【０１０３】
（ｂ）ペーストの充填方法
なお、具体的な充填方法としては、ペースト５を被覆基板の横幅一杯に縦４〜５ｍｍの幅で載せ、ドクターブレード６を用いてペースト５をせん断移動させた。この際のドクターブレード６とレジストパターン４とのギャップは０μｍとし、移動速度は１０ｍｍ／秒とした。
【０１０４】
Ｆ）ペースト焼成工程
ドクターブレード６によりペースト５を充填した後、６０℃に設定されたホットプレートを用いて被覆基板ごと１時間乾燥させた。その後、室温で２４時間以上放置して乾燥させた（図１（ｇ））。
【０１０５】
Ｇ）レジストパターン４剥離工程
充填されたペースト５を乾燥することにより金属膜７を被覆基板上に形成した後、レジストパターン４を剥離液Ｇにより剥離した（図１（ｈ））。この際の剥離液Ｇとしては、フォトレジスト液２１（東京応化製ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）にて推奨されている剥離液Ｇを用いた。具体的には、被覆基板を剥離液Ｇに４５分間浸漬させることにより、レジストパターン４の剥離を行った。
【０１０６】
Ｈ）洗浄・乾燥工程
レジストパターン４を剥離した後、イソプロピルアルコールに被覆基板を浸漬させて揺動させた。イソプロピルアルコールから被覆基板を引き上げた後、純水に浸漬させた（図１（ｉ））。その後、被覆基板を純水により流水洗浄した。最後に、室温にて２４時間自然乾燥させた。
以上のように、被覆基板上に金属膜７からなる配線パターンを形成した（図１（ｊ））。
【０１０７】
（実施例２）
実施例２においては、以下の点を除き、実施例１と同様の手法で試料を作製した。即ち、パターン形状としてライン・アンド・スペースでラインを１０μｍ、スペースを５００μｍとした。
【０１０８】
（実施例３）
実施例３は、以下の点を除き、実施例１と同様の手法で試料を作製した。以下、相違点を列挙する。
【０１０９】
実施例３で用いたペースト５は、銀粒子がテトラデカン溶媒（非極性溶媒）に分散したものであり、粘度３．５ｍＰａ・ｓ、銀濃度４６．１ｗｔ％、凝集塊１μｍである。なお、ここで用いる銀粒子の平均一次粒子径は９．６ｎｍである。
なお、実施例３における銀粒子の元となる銀粉末の作製方法は、以下の通りである。即ち、溶媒兼還元剤としてのイソブタノール（和光純薬株式会社製の特級）２００ｍＬに、オレイルアミン（和光純薬株式会社製）１３２．７４ｍＬと硝酸銀結晶１３．７２７ｇを添加し、マグネットスターラーにより攪拌して室温で溶解した。この溶液を還流器のついた容器に移してオイルバスに載せ、容器内に不活性ガスとして窒素ガスを４００ｍＬ／分の流量で吹込みながら、該溶液をマグネットスターラーにより２００ｒｐｍの回転速度で撹拌しつつ加熱し、１００℃の温度で５時間の還流を行って、反応を終了した。１００℃に至るまでの昇温速度は２℃／分とした。
そして、反応終了後のスラリーを以下の手順で固液分離と洗浄を実施した。
１．反応後のスラリーを日立工機（株）製の遠心分離器ＣＦ７Ｄ２を用いて５０００ｒｐｍで６０分固液分離し、上澄みは廃棄する。
２．沈殿物にエタノールを加え、超音波分散機にかけて分散させる。
３．前記の１→２の工程を３回繰り返す。
４．前記の１を実施し、上澄みを廃棄して沈殿物を得る。
【０１１０】
また、実施例１に比べて、Ｂ）レジスト塗布工程において、フォトレジスト液２１、スピンコーターの操作、ベーク時間及び温度が異なっている。具体的に言うと、ベーク後の被覆基板に対して、フォトレジスト液２１（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社  製品名Ｓ１８３０）をスピンコーターにより塗布した。この際、スピンコーターの操作としては回転数５００ｒｐｍで５秒間行った後、回転数３０００ｒｐｍで３０秒間行った。
そして、Ｃ）露光工程を行う前に、被覆基板に対して、９０℃で２０分間ベークを行った。
また、Ｃ）露光工程においては、照度を２０．０ｍＷ／ｃｍ２とした。
また、Ｄ）現像工程においては、所定の現像液Ｄ（ローム・アンド・ハース電子材料株式会社  製品名ＭＦ−３９６）を用いた。
【０１１１】
また、Ｇ）レジストパターン４剥離工程においては、フォトレジスト液２１Ｓ１８３０用の剥離液Ｇにガラス基板を５分浸漬させ、レジストパターン４の剥離を行った。
【０１１２】
（実施例４）
実施例４においては、以下の点を除き、実施例３と同様の手法で試料を作製した。即ち、パターン形状としてライン・アンド・スペースでラインを１０μｍ、スペースを５００μｍとした。
【０１１３】
（実施例５）
実施例５においては、主表面に対してＩＴＯがスパッタリングされたガラス基板の代わりに単なるガラス基板（コーニング製）を準備した点を除き、実施例３と同様の手法で試料を作製した。
【０１１４】
（実施例６）
実施例６においては、以下の点を除き、実施例５と同様の手法で試料を作製した。即ち、パターン形状としてライン・アンド・スペースでラインを１０μｍ、スペースを５００μｍとした。
【０１１５】
（実施例７）
実施例７においては、Ｇ）レジストパターン４剥離工程での剥離液Ｇへの浸漬時間を５分間ではなく１０分間とした点を除き、実施例５と同様の手法で試料を作製した。
【０１１６】
（実施例８）
実施例８においては、以下の点を除き、実施例７と同様の手法で試料を作製した。即ち、パターン形状としてライン・アンド・スペースでラインを１０μｍ、スペースを５００μｍとした。
【０１１７】
（評価）
図２（ａ）〜（ｂ）には実施例１〜２の試料について、そして図３（ａ）〜（ｆ）には実施例３〜８の試料について、電子顕微鏡にて観察した際の写真を示す。いずれの試料も、金属膜７はパターン欠陥なく形成されていた。
【０１１８】
本発明によって作製する微細金属構造体は、任意の形状のものとすることができる。例えば、マイクロ歯車、マイクロプーリ等のマイクロマシン部品、マイクロ電極、マイクロコイル、マイクロコンデンサ等のマイクロ電気部品、マイクロ流路等の医療用や化学用のマイクロ器具等を作製することができる。
【０１１９】
以下、本実施形態において好ましい形態を付記する。
［付記１］
前記製造方法により形成される金属膜表面の凹凸は、三次元粗度計を用いた表面粗度観察により所定数値未満である、微細金属構造体の製造方法。
［付記２］
前記金属ナノ粒子は、その表面が炭素数６以下の有機物により被覆されている、微細金属構造体の製造方法。
［付記３］
基材上にフォトレジスト層を形成し、
所定のパターンを有するフォトマスクを用いて前記フォトレジスト層を感光させ、
前記感光させたフォトレジスト層を現像して前記基材上に凹凸からなるレジストパターンを作成し、
導電性を有する物質を含有するペーストを充填用器具により前記基材上でせん断移動させ、前記ペーストを前記レジストパターンの凹部に対して充填する配線パターンの形成方法であって、
前記ペーストは、金属成分として平均一次粒子径１〜１００ｎｍの金属ナノ粒子を含むペーストであり、
前記フォトレジスト層の形成には液状のフォトレジスト液を使用する、配線パターンの形成方法。
【符号の説明】
【０１２０】
１        基材
２        フォトレジスト層
２Ａ      フォトマスク
２ａ      露光部
２ｂ      非露光部
３        黒色シート
４        レジストパターン
４ａ      凸部
４ｂ      凹部
５        ペースト
５ａ      金属ナノ粒子
６        ドクターブレード
７        金属膜
８        微細金属構造体
１０      離型フィルム
２１      フォトレジスト液
４０      レジストパターン
４０ａ    凸部
４０ｂ    凹部
Ｄ        現像液
Ｇ        剥離液
【図１】
0005971642.tif 000002
【図４】
0005971642.tif 000003
【図２】
0005971642.tif 000004
【図３】
0005971642.tif 000005