(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（３）で表される構造単位を少なくとも２つ有し、かつ、式（６）で表される構造単位を少なくとも１つ有する、重合体。
【化１】
0006004848.tif 000089
［式中、
Ｘ１及びＸ２は、酸素原子を示す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の１価の複素環基を示す。また、Ｒ１及びＲ２は互いに結合して、これらが結合している環と縮合する炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、該炭化水素環及び該複素環は置換基を有していてもよい。
Ｚ１は、式（ｉｉ）で表される基を示す。
Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、チタン原子又はスズ原子を示す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の１価の複素環基を示す。
Ｗ３及びＷ４は、それぞれ独立に、−Ｃ(Ｒ’)＝で表される基（Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示す。）又は−Ｎ＝で表される基を示す。
Ｚ３及びＺ４は、式（ｉｉ）で表される基を示す。］
【化２】
0006004848.tif 000090
【請求項２】
式（７）で表される構造単位を更に有する、請求項１に記載の重合体。
【化３】
0006004848.tif 000091
［式中、
Ａｒ４は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を示す。］
【請求項３】
式（１２）で表される構造単位を有する、請求項１又は２に記載の重合体。
【化４】
0006004848.tif 000092
［式中、
Ｘ１、Ｘ２、Ｙ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｗ３、Ｗ４，Ｚ１、Ｚ３及びＺ４は、前記と同義である。
Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示し、Ｒ７とＲ８とは互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｚ５は、式（ｘｘｘｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｖ）で表される基、式（ｘｘｘｖ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉｉｉ）で表される基又は式（ｘｘｘｉｘ）で表される基を示す。
ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０から６の整数を示す。
Ｒ７、Ｒ８及びＺ５が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【化５】
0006004848.tif 000093
［式中、
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３及びＲ４４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、Ｒ４１とＲ４２とは互いに結合して環を形成していてもよい。］
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の重合体を含む有機薄膜。
【請求項５】
請求項４に記載の有機薄膜を備える有機薄膜素子。
【請求項６】
請求項４に記載の有機薄膜を備える有機薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項４に記載の有機薄膜を備える有機薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、重合体、並びにこの重合体を用いた有機薄膜及びこれを備える有機薄膜素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電荷（電子又はホール）輸送性を有する有機材料を含む薄膜は、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜太陽電池、光センサといった有機薄膜素子への応用が期待されており、このような薄膜を形成できる重合体からなる有機ｐ型半導体材料（ホール輸送性を示す）や有機ｎ型半導体材料（電子輸送性を示す）が種々検討されている。
【０００３】
重合体からなる有機ｐ型半導体材料としては、ポリ（３−アルキルチオフェン）が知られている（特許文献１参照。）。
【０００４】
一方、有機薄膜素子の一態様である有機薄膜太陽電池としては、ドナー性の重合体からなる有機ｐ型半導体材料とアクセプター性のフラーレン誘導体とを含む組成物を有機薄膜太陽電池に用いることが記載されている（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６１０７１１７号明細書
【特許文献２】米国特許第５３３１１８３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来の重合体からなる有機ｐ型半導体材料は、ホール輸送性が十分であるとは言い難かった。
【０００７】
そこで、本発明は、優れたホール輸送性を有する重合体を提供することを目的とする。さらに本発明は、かかる重合体を含む有機薄膜及びこの有機薄膜を備える有機薄膜素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、式（１）で表される構造単位を少なくとも２つ有し、かつ、式（２）で表される構造単位を少なくとも１つ有する、重合体を提供する。
【化１】
0006004848.tif 000002
［式中、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は＝Ｃ（Ａ）２で表される基（Ａは、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、二つのＡは互いに同一でも異なっていてもよい。）を示す。
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の１価の複素環基を示す。また、Ｒ１及びＲ２は互いに結合して、これらが結合している環と縮合する炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、該炭化水素環及び該複素環は置換基を有していてもよい。
Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の４価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数４〜６０の４価の複素環基を示す。
Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、チタン原子又はスズ原子を示す。
Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の１価の複素環基を示す。
Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の３価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０の３価の複素環基を示す。
なお、式（１）において、Ｒ１及びＲ２が結合している２つの炭素の間の結合は二重結合として記載されているが、Ｒ１及びＲ２が互いに結合して環を形成し、該環内に共役（交互の単結合及び二重結合）を形成している場合には、式（１）中の当該二重結合は該共役におけるπ電子が非局在化した結合を意味する。このことは、Ａｒ１が結合している２つの炭素の間の結合についても同様である。］
【０００９】
かかる重合体は、イオン化ポテンシャルが小さく（ＨＯＭＯ（最高被占軌道）が浅く）、又、優れたホール輸送性を有する。
【００１０】
さらに、好ましい実施形態では、本発明の重合体は有機溶媒、例えばクロロホルムへの溶解性に優れる。このような性質を有する本発明の重合体は、印刷法によりフレキシブル基板上に有機薄膜素子を形成することができるので、取り扱い性に優れる。
【００１１】
本発明はまた、上記本発明の重合体を含む有機薄膜を提供する。かかる本発明の有機薄膜は、本発明の重合体を含むことから、優れたホール輸送性を示すほか、好ましい実施形態では、印刷法によって容易に形成することができる。
【００１２】
本発明はさらに、上記本発明の有機薄膜を備える有機薄膜素子を提供する。有機薄膜素子としては、有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜太陽電池が好適である。このような有機薄膜素子は、本発明の有機薄膜を備えており、この有機薄膜は優れたホール輸送性を有することから、電極から注入された電荷や光吸収により発生した電荷を効率よく輸送することができる。また、この有機薄膜は狭いＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ（最低空軌道）ギャップを有することから長波長の光を効率よく吸収することができる。そのため、本発明の有機薄膜素子は優れた性能を発揮することができ、有機薄膜トランジスタは高いホール移動度を有するものとなり、有機薄膜太陽電池は高い開放端電圧及び光電変換効率を有するものとなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、優れたホール輸送性を有する重合体を提供することができる。また、本発明の好ましい実施形態では、有機溶媒への溶解性にも優れる重合体を提供することができる。さらに、本発明によれば、このような本発明の重合体を含み、優れたホール輸送性を示す有機薄膜、並びに、かかる有機薄膜を備えることで、優れた性能を発揮し得る有機薄膜素子、特に有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図２】第２実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図３】第３実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図４】第４実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図５】第５実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図６】第６実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図７】第７実施形態に係る有機薄膜トランジスタの模式断面図である。
【図８】好適な実施形態に係る太陽電池の模式断面図である。
【図９】第１実施形態に係る光センサの模式断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る光センサの模式断面図である。
【図１１】第３実施形態に係る光センサの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１６】
［重合体］
まず、本発明の重合体について説明する。本発明の重合体は、式（１）で表される構造単位を少なくとも２つ有し、かつ、式（２）で表される構造単位を少なくとも１つ有するものである。ここで、重合体の「構造単位」とは、当該重合体の主鎖を構成している構造単位を意味する。また、「重合体」とは、通常オリゴマーやポリマーに分類されるものの両方を含む。
【００１７】
以下、式（１）で表される構造単位の好適な構成について説明する。まず、式（１）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子又は＝Ｃ（Ａ）２で表される基を示す。Ａは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示す。
【００１８】
Ｘ１又はＸ２として、＝Ｃ（Ａ）２で表される基を有する場合、ＬＵＭＯをより低くできるので、二つのＡのうち少なくとも一方が電子求引性の基であることが好ましく、二つのＡがいずれも電子求引性の基であることがより好ましい。電子求引性の基としては、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、アルカノイル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ヒドロキシル基又はハロゲン原子が好ましく、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子がより好ましく、シアノ基が更に好ましい。アルキル基をその構造中に含むアルカノイル基のアルキル基及びアルコキシカルボニル基のアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基が更に好ましい。
【００１９】
Ｘ１及びＸ２としては、ＬＵＭＯをより低くできるので、酸素原子又は＝Ｃ（Ａ）２で表される基が好ましく、酸素原子がより好ましい。
【００２０】
式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の複素環基を示す。該アルキル基中の炭素原子の一部は酸素原子、硫黄原子、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）２又はＮ−Ｒに置換されていてもよく（Ｒは、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示す）、該アルキル基中の水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換されていてもよい。また、Ｒ１及びＲ２は互いに結合して、これらが結合している環と縮合する炭化水素環又は複素環を形成していてもよく、該炭化水素環及び該複素環は置換基を有していてもよい。
【００２１】
Ｒ１及びＲ２において、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。なお、本明細書中、後述するハロゲン原子についても同様の原子が例示される。
【００２２】
Ｒ１及びＲ２において、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基としては、炭素数３〜２４の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基が好ましく、炭素数６〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基がより好ましい。ただし、分子間の配列をよくするためには、直鎖状のアルキル基が好ましい一方、有機溶媒への溶解性を高くするためには、分岐状のアルキル基が好ましく、これらは所望とする特性に応じて選択することができる。なお、Ｒ１及びＲ２が同じ基であると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【００２３】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、３−メチルブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、３，７−ジメチルオクチル基、３，７，１１−トリメチルドデシル基が挙げられる。これらのアルキル基は、水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されていてもよく、置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。
【００２４】
直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基とは、アルキル基及び炭素原子以外の原子を含む基、並びにアルキル基及び不飽和結合を含む基をいう。その具体例としては、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキル−アルケニル基、アルキル−アルキニル基、アルキルアリール基、アルコキシアリール基、アルキルチオアリール基、アルコキシカルボニル基、アルキルチオカルボニル基、アルキルシリル基及びアルキルアミノ基が挙げられる。なかでも、アルコキシ基、アルキルチオ基が好ましく、アルキルチオ基がより好ましい。なお、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含むアルキル基以外の基に含まれるアルキル基としては、上述のアルキル基と同様のものを例示することができる。
【００２５】
Ｒ１及びＲ２において、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基としては、例えば、フェニル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基を有するフェニル基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が挙げられる。なかでも、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、炭素数１〜１２のアルコキシ基を有するフェニル基及び炭素数１〜１２のアルキル基を有するフェニル基がより好ましい。
【００２６】
Ｒ１及びＲ２において、置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の複素環基としては、例えば、チエニル基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するピリジル基が挙げられる。なかでも、炭素数３〜２０の複素環基が好ましく、チエニル基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するチエニル基、ピリジル基及び炭素数１〜１２のアルキル基を有するピリジル基がより好ましい。なお、複素環基とは、環状構造を有する有機基において、環を構成する少なくとも１つの原子がヘテロ原子である基をいうものであり、該複素環基としては芳香族複素環基であることが好ましい。
【００２７】
Ｒ１及びＲ２が互いに結合して環を形成していない場合は、Ｒ１及びＲ２の少なくとも一方が、好ましくはそれぞれ独立に両方が、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のフルオロアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルコキシ基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のフルオロアルコキシ基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキルチオ基又は炭素数１〜３０のフルオロアルキルチオ基であることが好ましく、直鎖状若しく分岐状の炭素数３〜２４のアルキル基、直鎖状若しく分岐状の炭素数３〜２４のフルオロアルキル基又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数３〜２４のアルコキシ基がより好ましく、直鎖状若しく分岐状の炭素数６〜２０のアルキル基又は直鎖状若しく分岐状の炭素数６〜２０のフルオロアルキル基が更に好ましい。Ｒ１及びＲ２をこれらの基にすることによって、有機溶媒への溶解性が向上する。
【００２８】
また、Ｒ１及びＲ２が互いに結合して環を形成している場合、かかる環は、置換基を有していてもよい炭化水素環又は置換基を有していてもよい複素環であってもよい。有機溶媒への溶解性を向上させる観点からは、Ｒ１及びＲ２が互いに結合してなる環は、置換基を有する炭化水素環又は置換基を有する複素環であることが好ましい。置換基を有していてもよい炭化水素環としては芳香族炭化水素環であることが好ましく、置換基を有していてもよい複素環としては芳香族複素環であることが好ましい。置換基としては、上述したＲ１及びＲ２が互いに結合して環を形成していない場合のＲ１及びＲ２として好適な基と同様の基であると好ましい。置換基をこれらの基にすることによって、有機溶媒への溶解性が向上する。
【００２９】
炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、ペリレン環、フルオレン環が挙げられ、ベンゼン環が好ましい。
【００３０】
複素環としては、チオフェン環、チエノチオフェン環、フラン環、ピロール環及びピリジン環が挙げられ、チオフェン環、チエノチオフェン環が好ましい。
【００３１】
式（１）中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の４価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数４〜６０の４価の複素環基を示す。
【００３２】
Ａｒ１において、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の４価の芳香族炭化水素基とは、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の芳香族炭化水素化合物における芳香環上の４つの水素原子を除いた４価の基を示す。芳香族炭化水素化合物は、単環であっても縮合環であってもよい。これらの中でも、より優れた溶解性が得られ、かつ、製造が容易であるので、単環又は５つ以下の環が縮合した縮合環が好ましく、単環又は２つの環が縮合した縮合環がより好ましく、単環が更に好ましい。
【００３３】
芳香族炭化水素化合物としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フルオレン、ピレン、ペリレンが挙げられる。なかでも、ベンゼン又はナフタレンが好ましく、ベンゼンがより好ましい。
【００３４】
置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の４価の芳香族炭化水素基における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルカノイル基、炭素数６〜６０のアリールオキシ基、炭素数２〜６０の複素環基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基が挙げられる。置換基としての飽和の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等のアルキル基が、不飽和の炭化水素基としては、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、プロパルギル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基及び２−ブテニル基が挙げられる。また、置換基としてのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が、アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が、アルカノイル基としては、メタノイル基、エタノイル基、プロパノイル基、プロペノイル基、ベンゾイル基が、アリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するフェニルオキシ基が、複素環基としては、例えば、チエニル基、炭素数１〜１２のアルキル基を有するチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基が挙げられる。
【００３５】
置換基を有していてもよい炭素数４〜６０の４価の複素環基とは、置換基を有していてもよい炭素数４〜６０の複素環式化合物における複素環上の４つの水素原子を除いた４価の基を示す。複素環式化合物は、単環又は縮合環であってもよく、該複素環式化合物としては芳香族複素環式化合物であることが好ましい。これらの中でも、より優れた溶解性が得られるほか、製造が容易であるので、単環又は５つ以下の環が縮合した縮合環が好ましく、単環又は２つの環が縮合した縮合環がより好ましく、単環が更に好ましい。
【００３６】
複素環式化合物としては、例えば、ピリジン、チオフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、ベンゾチオフェン、ベンゾジチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、キノリン、インドールが挙げられる。なかでも、チオフェン、チエノチオフェン又はピリジンが好ましく、チオフェンがより好ましい。
【００３７】
置換基を有していてもよい炭素数４〜６０の４価の複素環基における置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１〜１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、炭素数６〜６０のアリール基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルカノイル基、炭素数６〜６０のアリールオキシ基、炭素数２〜６０の複素環基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基が挙げられる。これらの置換基としては、上記と同じ基が例示できる。
【００３８】
Ａｒ１としては、ベンゼン又はチオフェンにおける芳香環上の４つの水素原子を除いた４価の基が好ましい。
【００３９】
本実施形態に係る重合体において、式（１）で表される構造単位は、式（３）で表される構造単位であることが好ましい。
【化２】
0006004848.tif 000003
【００４０】
式（３）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１及びＲ２は、上記と同義であり、Ｚ１は、式（ｉ）で表される基、式（ｉｉ）で表される基、式（ｉｉｉ）で表される基、式（ｉｖ）で表される基、式（ｖ）で表される基、式（ｖｉ）で表される基、式（ｖｉｉ）で表される基、式（ｖｉｉｉ）で表される基又は式（ｉｘ）で表される基を示す。Ｚ１が式（ｉ）、（ｉｉ）又は（ｉｘ）で表される基である場合、式（３）で表される基はそれぞれフラン環、チオフェン環又はピロール環の構造を有する。これらの環、特にチオフェン環は、好適な電気的性質を示すため、これらの環を有する重合体は種々の電気的特性を発揮することが可能となる。
なお、式（３）において、Ｒ１及びＲ２が結合している２つの炭素の間の結合は二重結合として記載されているが、Ｒ１及びＲ２が互いに結合して環を形成し、該環内に共役（交互の単結合及び二重結合）を形成している場合には、式（３）中の当該二重結合は該共役におけるπ電子が非局在化した結合を意味する。
【００４１】
【化３】
0006004848.tif 000004
【００４２】
式（ｖｉｉ）、（ｖｉｉｉ）及び（ｉｘ）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、Ｒ１１とＲ１２とは互いに結合して環を形成していてもよい。また、式（ｖｉｉｉ）で表される基は左右反転していてもよい。
【００４３】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４における１価の基としては、例えば、直鎖状又は分岐状の鎖状基（ここで、鎖状基とは、環式構造を有しない基を示す。）、１価の環状基（ここで、環状基とは、環式構造を有する基を示す。この環式構造は、単環でも縮合環でもよく、炭素環でも複素環でもよく、飽和でも不飽和でもよい。）が挙げられる。また、１価の基は、電子供与性の基であっても電子求引性の基であってもよい。
【００４４】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４における１価の基が有していてもよい置換基としては、炭素数２０以下で構成される置換基が好ましく、炭素数１７以下で構成される置換基がより好ましい。置換基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキル基をその構造中に含む基（例えば、アルコキシ基、アルキルアミノ基又はアルコキシカルボニル基）、炭素数６〜２０のアリール基、ハロゲン原子、ニトロ基及びシアノ基が挙げられる。
【００４５】
上記置換基であるアルキル基としては、直鎖状若しく分岐状の炭素数１〜１６のアルキル基が好ましく、直鎖状若しく分岐状の炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましい。これらの基は、水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換されていてもよく、置換されるハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。アルキル基における水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されたアルキル基としては、直鎖状若しく分岐状の炭素数１〜１０のフルオロアルキル基が好ましい。
【００４６】
上記置換基であるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基が挙げられる。アルキル基をその構造中に含む基（例えば、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アルコキシカルボニル基）におけるアルキル基としても、上記と同様の基が例示できる。
【００４７】
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがより好ましい。
【００４８】
式（１）で表される構造単位は、式（４）で表される構造単位であることも好ましい。
【化４】
0006004848.tif 000005
【００４９】
式（４）中、Ｘ１、Ｘ２及びＡｒ１は、前記と同義であり、
Ｚ２は、下記の式（ｘｉ）で表される基、式（ｘｉｉ）で表される基、式（ｘｉｉｉ）で表される基、式（ｘｉｖ）で表される基、式（ｘｖ）で表される基、式（ｘｖｉ）で表される基、式（ｘｖｉｉ）で表される基、式（ｘｖｉｉｉ）で表される基又は式（ｘｉｘ）で表される基を示す。
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示す。
なお、式（４）において、Ａｒ１が結合している２つの炭素の間の結合は二重結合として記載されているが、Ａｒ１の環内に共役（交互の単結合及び二重結合）が形成されている場合には、式（４）中の当該二重結合は該共役におけるπ電子が非局在化した結合を意味する。
【００５０】
【化５】
0006004848.tif 000006
【００５１】
式（ｘｖｉｉ）、式（ｘｖｉｉｉ）及び式（ｘｉｘ）中、Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、Ｒ２１とＲ２２とは互いに結合して環を形成していてもよい。また、式（ｘｖｉｉｉ）で表される基は左右反転していてもよい。
【００５２】
式（４）中、Ｚ２で表される基が、式（ｘｉ）、（ｘｉｉ）、（ｘｉｉｉ）、（ｘｉｖ）、（ｘｖ）又は（ｘｖｉ）で表される基である場合は、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方が、上述したＲ１及びＲ２として好適な基と同様の基であると好ましい。一方、Ｚ２で表される基が、式（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）又は（ｘｉｘ）で表される基である場合は、Ｒ５、Ｒ６並びに式（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）又は（ｘｉｘ）で表される基中の置換基（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３又はＲ２４）のうちの少なくとも１つが、上述したＲ１及びＲ２として好適な基と同様の基であると好ましい。これらの条件を満たすことで、重合体の有機溶媒への溶解性がより良好となる。
【００５３】
Ｚ２としては、式（ｘｉ）〜（ｘｉｘ）で表される基のうち、式（ｘｉ）、（ｘｉｉ）、（ｘｉｉｉ）、（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）及び（ｘｉｘ）のいずれかで表される基が好ましく、式（ｘｉｉ）及び（ｘｖｉｉ）のいずれかで表される基がより好ましく、式（ｘｖｉｉ）で表される基が更に好ましい。式（ｘｖｉｉ）で表される基の場合、Ｒ２１及びＲ２２の少なくとも一方、好ましくはそれぞれ独立に両方が、炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数１〜２５のフルオロアルキル基、炭素数１〜２５のアルコキシ基、炭素数１〜２５のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜２５のアルキルチオ基又は炭素数１〜２５のフルオロアルキルチオ基であることが好ましく、炭素数１〜２５のアルキル基又は炭素数１〜２５のフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のフルオロアルキル基が更に好ましく、炭素数６〜１２のアルキル基が特に好ましい。これらのアルキル基及びアルキル基をその構造中に含む基のアルキル基は、直鎖状、分岐状若しくは環状のいずれでもよい。これらの基にすることにより、重合体の有機溶媒への溶解性が向上する。
【００５４】
式（４）中、Ｒ５及びＲ６における置換基を有していてもよい１価の基としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフルオロアルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数１〜１８のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基又は炭素数１〜１８のフルオロアルキルチオ基が例示される。
【００５５】
式（１）、式（３）及び式（４）で表される構造単位は、式（５）で表される構造単位であることが好ましい。
【化６】
0006004848.tif 000007
【００５６】
式（５）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ５、Ｒ６、Ｚ１及びＺ２は、前記と同義である。
【００５７】
式（５）中、Ｚ２で表される基が、式（ｘｉ）、（ｘｉｉ）、（ｘｉｉｉ）、（ｘｉｖ）、（ｘｖ）又は（ｘｖｉ）で表される基である場合は、Ｒ５及びＲ６の少なくとも一方が、上述したＲ１及びＲ２として好適な基と同様の基であると好ましい。一方、Ｚ２で表される基が、式（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）又は（ｘｉｘ）で表される基である場合は、Ｒ５、Ｒ６並びに式（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）又は（ｘｉｘ）で表される基中の置換基（Ｒ２１、Ｒ２２、Ｒ２３又はＲ２４）のうちの少なくとも１つが、上述したＲ１及びＲ２として好適な基と同様の基であると好ましい。これらの条件を満たすことで、重合体の有機溶媒への溶解性が向上する。
【００５８】
Ｚ２としては、式（ｘｉ）〜（ｘｉｘ）で表される基のうち、式（ｘｉ）、（ｘｉｉ）、（ｘｉｉｉ）、（ｘｖｉｉ）、（ｘｖｉｉｉ）及び（ｘｉｘ）のいずれかで表される基が好ましく、式（ｘｉｉ）及び（ｘｖｉｉ）のいずれかで表される基がより好ましく、式（ｘｖｉｉ）で表される基が更に好ましい。式（ｘｖｉｉ）で表される基の場合、Ｒ２１及びＲ２２の少なくとも一方、好ましくはそれぞれ独立に両方が、炭素数１〜２５のアルキル基、炭素数１〜２５のフルオロアルキル基、炭素数１〜２５のアルコキシ基、炭素数１〜２５のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜２５のアルキルチオ基又は炭素数１〜２５のフルオロアルキルチオ基であることが好ましく、炭素数１〜２５のアルキル基又は炭素数１〜２５のフルオロアルキル基がより好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のフルオロアルキル基が更に好ましく、炭素数６〜１２のアルキル基が特に好ましい。これらのアルキル基及びアルキル基をその構造中に含む基のアルキル基は、直鎖状、分岐状若しくは環状のいずれでもよい。これらの基にすることにより、重合体の有機溶媒への溶解性が向上する。
【００５９】
式（５）中、Ｒ５及びＲ６における置換基を有していてもよい１価の基としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜１８のフルオロアルキル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数１〜１８のフルオロアルコキシ基、炭素数１〜１８のアルキルチオ基又は炭素数１〜１８のフルオロアルキルチオ基が例示される。
【００６０】
式（１）、式（３）、式（４）及び式（５）で表される構造単位としては、以下の化学式で示される構造単位が例示できる。
【００６１】
【化７】
0006004848.tif 000008
【化８】
0006004848.tif 000009
【化９】
0006004848.tif 000010
【化１０】
0006004848.tif 000011
【化１１】
0006004848.tif 000012
【化１２】
0006004848.tif 000013
【化１３】
0006004848.tif 000014
【化１４】
0006004848.tif 000015
【化１５】
0006004848.tif 000016
【化１６】
0006004848.tif 000017
【００６２】
次に、式（２）で表される構造単位の好適な構成について説明する。まず、式（２）中、Ｙは、炭素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、チタン原子又はスズ原子を示し、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、チタン原子又はスズ原子が好ましく、ケイ素原子又はゲルマニウム原子がさらに好ましく、ケイ素原子が特に好ましい。Ｙがケイ素原子である場合、式（２）で表される基はシロール環の構造を有する。シロール環は、好適な電気的性質を示すため、シロール環を有する重合体は種々の電気的特性を発揮することが可能となる。
【００６３】
式（２）中、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数２〜６０の１価の複素環基を示す。
【００６４】
Ｒ３及びＲ４の具体例としては、上記Ｒ１及びＲ２で例示した基を挙げることができる。Ｒ３及びＲ４としては、溶媒への溶解性が高くなるので、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基及び直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基が好ましい。直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基としては、炭素数３〜２４の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基が好ましく、炭素数６〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基がより好ましい。ただし、分子間の配列をよくするためには、直鎖状のアルキル基が好ましい一方、有機溶媒への溶解性を高くするためには、分岐状のアルキル基が好ましく、これらは所望とする特性に応じて選択することができる。なお、Ｒ３及びＲ４が同じ基であると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【００６５】
式（２）中、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の３価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０の３価の複素環基を示す。置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の３価の芳香族炭化水素基とは、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の芳香族炭化水素化合物における芳香環上の３つの水素原子を除いた３価の基を示す。置換基を有していてもよい炭素数３〜６０の３価の複素環基とは、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０の複素環式化合物における複素環上の３つの水素原子を除いた３価の基を示し、該複素環基としては芳香族複素環基であることが好ましい。これらの芳香族炭化水素化合物及び複素環式化合物の具体例としては、上記Ａｒ１の項で例示した芳香族炭化水素化合物及び複素環式化合物を挙げることができる。
【００６６】
本実施形態に係る重合体において、上記式（２）で表される構造単位は、式（６）で表される構造単位であることが好ましい。
【化１７】
0006004848.tif 000018
【００６７】
式（６）中、Ｙ、Ｒ３及びＲ４は、上記と同義である。Ｗ３及びＷ４は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ’）＝で表される基（Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示す。）又は−Ｎ＝で表される基を示す。なお、Ｗ３及びＷ４が同じであると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【００６８】
Ｗ３及びＷ４の両方が−Ｃ（Ｒ’）＝で表される基又は−Ｎ＝で表される基であることが好ましい。なお、Ｗ３及びＷ４が−Ｎ＝で表される基である重合体は、窒素原子を含まない重合体よりも電子受容性が高くなり、その結果、重合体のＬＵＭＯを調整することができる。
【００６９】
式（６）中、Ｚ３及びＺ４は、それぞれ独立に、下記の式（ｘｘｉ）で表される基、式（ｘｘｉｉ）で表される基、式（ｘｘｉｉｉ）で表される基、式（ｘｘｉｖ）で表される基、式（ｘｘｖ）で表される基、式（ｘｘｖｉ）で表される基、式（ｘｘｖｉｉ）で表される基、式（ｘｘｖｉｉｉ）で表される基又は式（ｘｘｉｘ）で表される基であり、式（ｘｘｉｉ）、（ｘｘｖｉｉ）で表される基のうちのいずれかの基が好ましく、式（ｘｘｉｉ）で表される基が特に好ましい。Ｗ３及びＷ４が−Ｃ（Ｒ’）＝であり、かつＺ３又はＺ４が式（ｘｘｉ）、（ｘｘｉｉ）又は（ｘｘｉｘ）で表される基である場合、式（６）で表される基はそれぞれフラン環、チオフェン環又はピロール環の構造を有する。これらの環、特にチオフェン環は、好適な電気的性質を示すため、これらの環を有する重合体は種々の電気的特性を発揮することが可能となる。なお、Ｚ３及びＺ４が同じであると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【化１８】
0006004848.tif 000019
【００７０】
式（ｘｘｖｉｉ）、（ｘｘｖｉｉｉ）及び（ｘｘｉｘ）中、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３及びＲ３４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、Ｒ３１とＲ３２とは互いに結合して環を形成していてもよい。また、式（ｘｘｖｉｉｉ）で表される基は左右反転していてもよい。
【００７１】
Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３及びＲ３４で表される１価の基としては、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４で表される１価の基と同じ基が例示される。
【００７２】
式（２）及び式（６）で表される構造単位としては、以下の化学式で表される構造単位が例示できる。
【化１９】
0006004848.tif 000020
【化２０】
0006004848.tif 000021
【化２１】
0006004848.tif 000022
【化２２】
0006004848.tif 000023
【化２３】
0006004848.tif 000024
【化２４】
0006004848.tif 000025
【化２５】
0006004848.tif 000026
【化２６】
0006004848.tif 000027
【化２７】
0006004848.tif 000028
【化２８】
0006004848.tif 000029
【００７３】
本実施形態に係る重合体は、式（７）で表される構造単位を更に有していてもよい。これにより、溶解性又は機械的、熱的若しくは電子的特性を、変化させ得る範囲が広くなる。なお、式（７）で表される構造単位は、上記式（１）で表される構造単位及び上記式（２）で表される構造単位とは異なる。
【化２９】
0006004848.tif 000030
【００７４】
式（７）中、Ａｒ４は、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価の複素環基を示す。置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素化合物における芳香環上の２つの水素原子を除いた２価の基を示す。置換基を有していてもよい２価の複素環基とは、置換基を有していてもよい複素環式化合物における複素環上の２つの水素原子を除いた２価の基を示し、該複素環基としては、芳香族複素環基であることが好ましい。芳香族炭化水素化合物及び複素環式化合物の具体例としては、上記Ａｒ１の項で例示した芳香族炭化水素化合物及び複素環式化合物を挙げることができる。
【００７５】
本実施形態に係る重合体において、上記式（７）で表される構造単位は、式（８）で表される構造単位であることが好ましい。
【化３０】
0006004848.tif 000031
【００７６】
式（８）中、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示し、Ｒ７とＲ８とは互いに結合して環を形成していてもよい。Ｒ７及びＲ８の具体例としては、上記Ｒ１及びＲ２で例示した基を挙げることができる。Ｒ７及びＲ８としては、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基及び直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基を含む１価の非アルキル基が好ましく、水素原子、直鎖状、分岐状若しくは環状の炭素数１〜３０のアルキル基がより好ましく、水素原子、炭素数６〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキル基が更に好ましい。
ただし、分子間の配列をよくするためには、直鎖状のアルキル基が好ましい一方、有機溶媒への溶解性を高くするためには、分岐状のアルキル基が好ましく、これらは所望とする特性に応じて選択することができる。なお、Ｒ７及びＲ８が同じ基であると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【００７７】
式（８）中、Ｚ５は、式（ｘｘｘｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｉｖ）で表される基、式（ｘｘｘｖ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉｉ）で表される基、式（ｘｘｘｖｉｉｉ）で表される基又は式（ｘｘｘｉｘ）で表される基であり、式（ｘｘｘｉｉ）で表される基であることが好ましい。Ｚ５が式（ｘｘｘｉ）、（ｘｘｘｉｉ）又は（ｘｘｘｉｘ）で表される基である場合、式（８）で表される基はそれぞれフラン環、チオフェン環又はピロール環の構造を有する。これらの環、特にチオフェン環は、好適な電気的性質を示すため、これらの環を有する重合体は種々の電気的特性を発揮することが可能となる。
【００７８】
【化３１】
0006004848.tif 000032
【００７９】
式（ｘｘｘｖｉｉ）、（ｘｘｘｖｉｉｉ）及び（ｘｘｘｉｘ）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３及びＲ４４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を有していてもよい１価の基を示し、Ｒ４１とＲ４２とは互いに結合して環を形成していてもよい。また、式（ｘｘｘｖｉｉｉ）で表される基は左右反転していてもよい。
【００８０】
Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３及びＲ４４における１価の基としては、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４における１価の基と同じ基が例示される。
【００８１】
本実施形態に係る重合体の中では、ホール輸送性が向上するので、式（１）と式（２）が交互に並んだ構造を有するものが好ましい。そのような構造としては、式（１１）で表される構造単位を有するものが好ましい。
【００８２】
【化３２】
0006004848.tif 000033
【００８３】
式（１１）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＡｒ４は、上記と同義である。ｓ及びｔは、それぞれ独立に、０〜６の整数を示し、０〜２の整数が好ましい。Ａｒ４が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、複数のＡｒ４が同じであると、重合体の製造が容易となるため、より好ましい。
【００８４】
本実施形態に係る重合体において、上記式（１１）で表される構造単位は、式（１２）で表される構造単位であることがより好ましい。
【化３３】
0006004848.tif 000034
【００８５】
式（１２）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｗ３、Ｗ４，Ｚ１、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、ｓ及びｔは、上記と同義であり、Ｒ７、Ｒ８及びＺ５が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、複数のＲ７、Ｒ８及びＺ５がそれぞれ同じであると、重合体の製造が容易となるため、好ましい。
【００８６】
本実施形態に係る重合体において、上記式（１２）で表される構造単位は、式（１３）で表される構造単位であることがより好ましい。
【化３４】
0006004848.tif 000035
【００８７】
式（１３）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｗ３、Ｗ４，Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、ｓ及びｔは、上記と同義であり、Ｒ７、Ｒ８及びＺ５が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、複数のＲ７、Ｒ８及びＺ５がそれぞれ同じであると、重合体の製造が容易となるため、好ましい。
【００８８】
本実施形態に係る重合体において、上記式（１１）で表される構造単位、上記式（１２）で表される構造単位又は上記（１３）で表される構造単位に加えて、さらに上記（７）で表される構造単位又は上記（８）で表される構造単位を有していてもよい。
【００８９】
本実施形態に係る重合体としては、式（１４）〜（２６）で表される構造を有するものが好ましい。なお、式（１４）〜（２６）中の各符号は、いずれも上記で説明した同一符号とそれぞれ同義である。Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示す。ｋ及びｋ’は、それぞれ独立に、１から６の整数を示す。Ｒ９及びＲ１０の具体例としては、上記Ｒ７及びＲ８で例示した基が挙げられる。複数あるＲ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、複数のＲ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０がそれぞれ同じであると、重合体の製造が容易となるため、好ましい。
【００９０】
【化３５】
0006004848.tif 000036
【００９１】
【化３６】
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【００９２】
【化３７】
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【００９３】
【化３８】
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【００９４】
【化３９】
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【００９５】
【化４０】
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【００９６】
【化４１】
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【００９７】
【化４２】
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【００９８】
【化４３】
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【００９９】
【化４４】
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【０１００】
【化４５】
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【０１０１】
【化４６】
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【０１０２】
【化４７】
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【０１０３】
重合体の末端基としては、例えば、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アミノ基、アリール基、１価の複素環基（これらの基に結合している水素原子の一部又は全部はフッ素原子と置換されていてもよい）、α−フルオロケトン構造を有する基や、その他の電子供与性の基及び電子求引性の基が挙げられる。なかでも、アルキル基、アルコキシ基、アリール基及び１価の複素環基が好ましい。また、末端基は、主鎖の共役構造と連続した共役結合を有するものも好ましい。このような末端基としては、例えば、主鎖と炭素−炭素結合を介して結合したアリール基及び１価の複素環基が挙げられる。
【０１０４】
さらに、重合体の末端基としては、重合活性基も挙げられる。末端基として重合活性基を有している場合、その重合体は、さらに高分子量の重合体を得るための前駆体として用いることもできる。このような前駆体として用いる場合、重合体は、分子内に２つの重合活性基を有していることが好ましい。
【０１０５】
重合活性基としては、ハロゲン原子、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールアルキルスルホニル基、アルキルスタンニル基、アリールスタンニル基、アリールアルキルスタンニル基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸残基（−Ｂ（ＯＨ）２で表される基）、ホルミル基、ビニル基が例示される。なかでも、ハロゲン原子、アルキルスタンニル基、ホウ酸エステル残基が好ましい。ここで、ホウ酸エステル残基とは、ホウ酸エステルにおけるホウ素原子が有する結合手の１つが結合手に置き換えられた構造を有する１価の基であり、例えば、下記式（１００）〜（１０３）で表される基が挙げられる。
【０１０６】
【化４８】
0006004848.tif 000049
【０１０７】
上記の反応性基のうち、アルキル基をその構造中に含む基である、アルキルスルホニル基、アリールアルキルスルホニル基、アルキルスタンニル基、アリールアルキルスタンニル基におけるアルキル基としては、炭素数１〜１２のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基が更に好ましい。また、アリール基をその構造中に含む基である、アリールスルホニル基、アリールアルキルスルホニル基、アリールスタンニル基、アリールアルキルスタンニル基におけるアリール基としては、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、炭素数６〜１０のあるきるアリール基が更に好ましい。
【０１０８】
なお、本発明の重合体を有機薄膜として用いる場合、末端基として重合活性基がそのまま残っていると、有機薄膜素子を形成したときの素子特性や耐久性が低下するおそれがあることから、重合活性基は安定な基で置換していてもよい。
【０１０９】
本発明の重合体としては、下記一般式（２７）〜（３７）で表される構造を有するものが、より高いホール輸送性及び優れた溶媒への溶解性を両立させ得ることから特に好適である。
【０１１０】
【化４９】
0006004848.tif 000050
【０１１１】
【化５０】
0006004848.tif 000051
【０１１２】
【化５１】
0006004848.tif 000052
【０１１３】
【化５２】
0006004848.tif 000053
【０１１４】
【化５３】
0006004848.tif 000054
【０１１５】
【化５４】
0006004848.tif 000055
【０１１６】
【化５５】
0006004848.tif 000056
【０１１７】
【化５６】
0006004848.tif 000057
【０１１８】
【化５７】
0006004848.tif 000058
【０１１９】
【化５８】
0006004848.tif 000059
【０１２０】
【化５９】
0006004848.tif 000060
【０１２１】
上記式（２７）〜（３７）中、Ｒ０及びＲ00は、それぞれ独立に、上述した末端基を示し、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基が好ましい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、上記と同義であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。また、ｊ及びｊ’は１〜６の整数を示し、ｐは１以上の整数を示す。ｐは、重合体を用いた有機薄膜の形成方法に応じて適宜選ぶことができる。すなわち、重合体が昇華性を有しているのであれば、真空蒸着法等の気相成長法を用いて有機薄膜にすることができることから、この場合、ｐは２〜１０が好ましく、２〜５が更に好ましい。一方、重合体を有機溶媒に溶解した溶液を塗布する方法により有機薄膜を形成する場合、ｐは、３〜５００が好ましく、６〜３００がより好ましく、２０〜２００が更に好ましい。
【０１２２】
そして、上述した重合体は、塗布により有機薄膜を形成したときの膜の均一性が良好であるので、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０３〜１×１０８であると好ましく、１×１０３〜１×１０６であるとより好ましく、４×１０３〜１×１０５であると更に好ましい。
【０１２３】
［重合体の製造方法］
次に、上述した実施形態の重合体の製造方法について説明する。重合体は、どのような方法により製造されたものであってもよいが、以下に説明する製造方法により製造することが好ましい。
【０１２４】
すなわち、本実施形態に係る重合体は、下記式（１−ｍ）、下記式（３−ｍ）、下記式（４−ｍ）又は下記式（５−ｍ）で表されるモノマー化合物と、下記式（２−ｍ）又は下記式（６−ｍ）で表されるモノマー化合物と、必要に応じて下記式（７−ｍ）又は下記式（８−ｍ）で表されるモノマー化合物とを反応させることにより、製造することが好ましい。この場合、ひとつのモノマー化合物におけるＶ１及びＶ２が、別のモノマー化合物におけるＶ１又はＶ２とそれぞれ反応して結合が生じ、このような反応が連続して生じることにより重合体が生成する。なお、式（１−ｍ）、式（３−ｍ）、式（４−ｍ）又は式（５−ｍ）で表されるモノマー化合物は、それぞれ式（１）、式（３）、式（４）又は式（５）で表される構造単位に対応し、式（２−ｍ）又は式（６−ｍ）で表されるモノマー化合物は、それぞれ式（２）又は式（６）に対応し、式（７−ｍ）又は式（８−ｍ）で表されるモノマー化合物は、それぞれ式（７）又は式（８）で表される構造単位に対応する。
【０１２５】
【化６０】
0006004848.tif 000061
【化６１】
0006004848.tif 000062
【化６２】
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【化６３】
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【化６４】
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【化６５】
0006004848.tif 000066
【化６６】
0006004848.tif 000067
【化６７】
0006004848.tif 000068
【０１２６】
また、本実施形態に係る重合体は、上記モノマー化合物を原料として反応させることにより合成中間体を得た後、当該合成中間体をさらに反応させることにより製造することもできる。合成中間体としては、下記式（１１−ｍ）、下記式（１２−ｍ）又は式（１３−ｍ）で表わされる化合物が好ましい。
【０１２７】
【化６８】
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【化６９】
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【化７０】
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【０１２８】
式（１−ｍ）、（２−ｍ）、（３−ｍ）、（４−ｍ）、（５−ｍ）、（６−ｍ）、（７−ｍ）、（８−ｍ）、（１１−ｍ）、（１２−ｍ）及び（１３−ｍ）中、Ｘ１、Ｘ２、Ｙ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｗ３、Ｗ４、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、Ａｒ４、ｓ及びｔは、上記と同義であり、Ｒ７、Ｒ８、Ａｒ４及びＺ５が複数ある場合は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、複数のＲ７、Ｒ８、Ａｒ４及びＺ５がそれぞれ同じであると、重合体の製造が容易となるため、好ましい。
Ｖ１及びＶ２は、それぞれ独立に、重合反応性基を示す。重合反応性基としては、例えば、水素原子、ハロゲン原子、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールアルキルスルホニル基、アルキルスタンニル基、アリールスタンニル基、アリールアルキルスタンニル基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸残基、ホルミル基、ビニル基が挙げられる。
【０１２９】
上記モノマー化合物の合成がし易く、かつ、反応がし易いので、Ｖ１及びＶ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アリールアルキルスルホニル基、アルキルスタンニル基、ホウ酸エステル残基、ホウ酸残基が好ましい。重合反応性基がこれらの基であると、モノマー化合物同士の反応は生じ易いので、合成上有利である。
【０１３０】
重合体の製造方法としては、例えば、Ｗｉｔｔｉｇ反応を用いる方法、Ｈｅｃｋ反応を用いる方法、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応を用いる方法、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応を用いる方法、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を用いる方法、Ｓｔｉｌｌｅ反応を用いる方法、Ｎｉ（０）触媒を用いる方法、ＦｅＣｌ３等の酸化剤を用いる方法、電気化学的な酸化反応を用いる方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体化合物の分解による方法が挙げられる。
【０１３１】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応を用いる方法、Ｈｅｃｋ反応を用いる方法、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応を用いる方法、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応を用いる方法、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を用いる方法、Ｓｔｉｌｌｅ反応を用いる方法及びＮｉ（０）触媒を用いる方法が、重合体の構造を制御し易いので好ましい。さらに、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応を用いる方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応を用いる方法、Ｓｔｉｌｌｅ反応を用いる方法、Ｎｉ（０）触媒を用いる方法は、原料を入手しやすく、かつ、反応操作が簡便であるのでより好ましい。
【０１３２】
上記式（１−ｍ）、（２−ｍ）、（３−ｍ）、（４−ｍ）、（５−ｍ）、（６−ｍ）、（７−ｍ）、（８−ｍ）、（１１−ｍ）、（１２−ｍ）及び（１３−ｍ）で表されるモノマー化合物は、必要に応じて有機溶媒に溶解させた状態で、アルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で反応させることができる。
【０１３３】
反応に用いられる有機溶媒は、用いるモノマー化合物や反応の種類によっても異なるが、副反応を抑制するために、十分に脱酸素処理が施されていることが好ましい。有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素；メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール等のアルコール類；蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類；ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類が挙げられる。また、有機溶媒に代えて、塩酸、臭素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸等の無機酸を用いてもよい。
【０１３４】
アルカリや適当な触媒を添加する場合、これらは生じさせる反応に応じて選択すればよい。アルカリや触媒としては、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。
【０１３５】
また、反応は、不活性雰囲気下で進行させることが好ましい。さらに、同様に、反応中には、脱水処理を行うことが好ましい（ただし、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の水との２相系での反応の場合にはその限りではない。）。
【０１３６】
反応後には、例えば水で反応を止めた後に有機溶媒を用いた抽出を行い、その後溶媒を留去する等の通常の後処理を行うことにより、重合体を得ることができる。得られた重合体の単離及び精製は、クロマトグラフィによる分取や再結晶等の方法により行うことができる。
【０１３７】
なお、重合体を有機薄膜素子用の材料として用いる場合は、その純度が素子特性に影響を与えることがあるので、反応前の各モノマー化合物を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に反応させる（重合させる）ことが好ましい。重合体を合成した後には、再沈澱、クロマトグラフィによる分別等の純化処理をすることが好ましい。純度を高めて良好な素子特性を得るために、上述した製造方法で得られた重合体を、さらに蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で純化処理することが好ましい。
【０１３８】
なお、上記の例では、式（１）、式（３）、式（４）又は式（５）で表される構造単位、式（２）又は式（６）で表される構造単位及び任意の式（７）又は式（８）で表される構造単位を有する重合体の製造方法を例に挙げて説明したが、これら以外の構造単位を有する重合体も、モノマー化合物を適宜選択することにより、上記反応と同様にして製造することができる。
【０１３９】
［組成物］
次に、好適な実施形態に係る組成物について説明する。本実施形態に係る組成物は、上述した好適な実施形態の重合体を含む。
【０１４０】
組成物は、本実施形態に係る重合体の１種類を単独で含むものであってもよく、２種類以上を組み合わせて含むものであってもよい。また、組成物は、その用途に合わせて、成分を適宜変更することができる。以下、本実施形態に係る重合体を好適に用いることができる有機薄膜製造用組成物について説明する。
【０１４１】
有機薄膜製造用組成物は、有機薄膜の電子輸送性又はホール輸送性を高めるため、電子輸送性を有する低分子化合物又は高分子化合物（以下、「電子輸送性材料」という。）、ホール輸送性を有する低分子化合物又は高分子化合物（以下、「ホール輸送性材料」という。）を混合して含むものであると好ましい。
【０１４２】
ホール輸送性材料としては、公知のものが使用できる。その具体例としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリアリールジアミン誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリアリーレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体が挙げられる。
【０１４３】
電子輸送性材料としては、公知のものが使用できる。その具体例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体又は８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、Ｃ６０等のフラーレン類及びその誘導体が挙げられる。
【０１４４】
有機薄膜製造用組成物がホール輸送性材料及び／又は電子輸送性材料を含む場合のその含有量は、所望の性質に合わせて適宜調整することができるが、例えば本実施形態に係る重合体１００質量部に対して、１〜１０００質量部であると好ましく、１０〜３００質量部であるとより好ましい。
【０１４５】
有機薄膜製造用組成物は、有機薄膜中で吸収した光により電荷を発生させるために、電荷発生材料を含んでいてもよい。電荷発生材料としては、公知のものが使用できる。その具体例としては、アゾ化合物及びその誘導体、ジアゾ化合物及びその誘導体、無金属フタロシアニン化合物及びその誘導体、金属フタロシアニン化合物及びその誘導体、ペリレン化合物及びその誘導体、多環キノン系化合物及びその誘導体、スクアリリウム化合物及びその誘導体、アズレニウム化合物及びその誘導体、チアピリリウム化合物及びその誘導体、Ｃ６０等のフラーレン類及びその誘導体が挙げられる。
【０１４６】
有機薄膜製造用組成物が電荷発生材料を含む場合のその含有量は、所望の性質に合わせて適宜調整することができるが、例えば本実施形態に係る重合体１００質量部に対して、１〜１０００質量部であると好ましく、１０〜３００質量部であるとより好ましい。
【０１４７】
有機薄膜製造用組成物は、種々の機能を発現させるために必要なその他の材料を含んでいてもよい。その他の材料としては、例えば、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するための増感剤、安定性を増すための安定化剤、紫外（ＵＶ）光を吸収するためのＵＶ吸収剤等が挙げられる。
【０１４８】
有機薄膜製造用組成物は、機械的特性を高めることができるので、本実施形態に係る重合体以外の高分子材料を高分子バインダーとして含んでいてもよい。高分子バインダーとしては、電子輸送性又はホール輸送性を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好ましく用いられる。
【０１４９】
このような高分子バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。
【０１５０】
有機薄膜製造用組成物は、成膜し易くするために、溶媒に溶解させて溶液として用いることもできる。溶媒としては、本実施形態に係る重合体やこれと混合する電子輸送性材料、ホール輸送性材料、電荷発生材料、高分子バインダーを溶解させるものであればよい。例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ビシクロヘキシル、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン等の不飽和炭化水素系溶媒；四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素系溶媒；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等のエーテル類系溶媒が例示される。本実施形態に係る重合体は、その構造や分子量にもよるが、通常これらの溶媒に０．１質量％以上溶解させることができる。溶媒に溶解させる重合体の量の上限は特に限定されないが、例えば１０質量％以下とすることができる。
【０１５１】
［有機薄膜］
次に、好適な実施形態に係る有機薄膜について説明する。本実施形態に係る有機薄膜は、上述した好適な実施形態の重合体、または上述した好適な実施形態の有機薄膜製造用組成物を含む。
【０１５２】
有機薄膜は、厚さが１ｎｍ〜１００μｍであると好ましく、２ｎｍ〜１０００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであると特に好ましい。
【０１５３】
本実施形態に係る有機薄膜の製造方法としては、例えば、本実施形態に係る重合体のほか、必要に応じて混合する電子輸送性材料、ホール輸送性材料、電荷発生材料、高分子バインダーを溶媒に溶解させて、得られた溶液を用いて成膜する方法が挙げられる。また、本実施形態に係る重合体が昇華性を有する場合は、真空蒸着法により薄膜を形成することもできる。
【０１５４】
溶液を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができる。これらのうち、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法及びキャピラリーコート法が好ましい。
【０１５５】
有機薄膜を製造する工程には、本実施形態に係る重合体を配向させる工程が含まれていてもよい。この工程により重合体を配向させることで、主鎖分子又は側鎖分子が一方向に並ぶので、有機薄膜による電子移動度又はホール移動度が向上する。
【０１５６】
本実施形態に係る重合体を配向させる方法としては、液晶の配向手法として知られている方法を用いることができる。なかでも、ラビング法、光配向法、シェアリング法（ずり応力印加法）や引き上げ塗布法が配向手法として簡便かつ有用で利用しやすく、ラビング法、シェアリング法がより好ましい。
【０１５７】
また、有機薄膜を製造する工程には、成膜後にアニール処理をする工程が含まれていてもよい。この工程により、本実施形態に係る重合体間の相互作用が促進される等、有機薄膜の膜質が改善され、電子移動度又はホール移動度が更に向上する。アニール処理の処理温度としては、５０℃から本実施形態に係る重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）付近の間の温度が好ましく、（Ｔｇ−３０℃）からＴｇの間の温度がより好ましい。アニール処理する時間としては、１分から１０時間が好ましく、１０分から１時間がより好ましい。アニール処理する雰囲気としては、真空中又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中が好ましい。
【０１５８】
本実施形態に係る有機薄膜は、電荷輸送性（特に、優れたホール輸送性）を有することから、電極から注入された電荷又は光吸収により発生した電荷を輸送制御することにより、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜太陽電池、光センサ等、種々の有機薄膜素子に用いることができる。有機薄膜をこれらの有機薄膜素子に用いる場合は、配向処理により配向させて用いることが、高い電荷輸送性が得られることからより好ましい。
【０１５９】
［有機薄膜素子］
上述した好適な実施形態に係る有機薄膜は、本実施形態に係る重合体を含むことから、優れた電荷輸送性（特に、優れたホール輸送性）を有するものである。したがって、この有機薄膜は、電極等から注入された電荷又は光吸収により発生した電荷を効率よく輸送できるものであり、有機薄膜を用いた各種の電気素子（有機薄膜素子）に応用することができる。以下、有機薄膜素子の例についてそれぞれ説明する。
【０１６０】
（有機薄膜トランジスタ）
まず、好適な実施形態に係る有機薄膜トランジスタについて説明する。有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となり本実施形態に係る重合体を含む活性層（即ち、有機薄膜層）、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を備えた構造であればよい。有機薄膜トランジスタとしては、電界効果型、静電誘導型が例示される。
【０１６１】
電界効果型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となり本実施形態に係る重合体を含む活性層、電流経路を通る電流量を制御するゲート電極、並びに、活性層とゲート電極との間に配置される絶縁層を備えることが好ましい。特に、ソース電極及びドレイン電極が、本実施形態に係る重合体を含む活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていることが好ましい。
【０１６２】
静電誘導型有機薄膜トランジスタは、ソース電極及びドレイン電極、これらの間の電流経路となり本実施形態に係る重合体を含有する活性層、並びに電流経路を通る電流量を制御するゲート電極を有し、該ゲート電極が活性層中に設けられていることが好ましい。特に、ソース電極、ドレイン電極及び活性層中に設けられたゲート電極が、本実施形態に係る重合体を含有する活性層に接して設けられていることが好ましい。ゲート電極の構造としては、ソース電極からドレイン電極へ流れる電流経路が形成され、かつゲート電極に印加した電圧で電流経路を流れる電流量が制御できる構造であればよく、例えば、櫛形電極が挙げられる。
【０１６３】
図１は第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図１に示す有機薄膜トランジスタ１００は、基板１と、基板１上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６を覆うようにして基板１上に形成された活性層２と、活性層２上に形成された絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の絶縁層３の領域を覆うように絶縁層３上に形成されたゲート電極４を備えるものである。
【０１６４】
図２は第２実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図２に示す有機薄膜トランジスタ１１０は、基板１と、基板１上に形成されたソース電極５と、ソース電極５を覆うようにして基板１上に形成された活性層２と、ソース電極５と所定の間隔を持って活性層２上に形成されたドレイン電極６と、活性層２及びドレイン電極６上に形成された絶縁層３と、ソース電極５とドレイン電極６との間の絶縁層３の領域を覆うように絶縁層３上に形成されたゲート電極４を備えるものである。
【０１６５】
図３は、第３の実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図３に示す有機薄膜トランジスタ１２０は、基板１と、基板１上に形成された活性層２と、活性層２上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６を一部覆うようにして活性層２上に形成された絶縁層３と、ソース電極５が下部に形成されている絶縁層３の領域とドレイン電極６が下部に形成されている絶縁層３の領域とをそれぞれ一部覆うように、絶縁層３上に形成されたゲート電極４を備えるものである。
【０１６６】
図４は第４実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図４に示す有機薄膜トランジスタ１３０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域を一部覆うように、絶縁層３上に所定の間隔を持って形成されたソース電極５及びドレイン電極６と、ソース電極５及びドレイン電極６を一部覆うように絶縁層３上に形成された活性層２を備えるものである。
【０１６７】
図５は第５実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図５に示す有機薄膜トランジスタ１４０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域を一部覆うように絶縁層３上に形成されたソース電極５と、ソース電極５を一部覆うようにして絶縁層３上に形成された活性層２と、ゲート電極４が下部に形成されている活性層２の領域を一部覆うように、ソース電極５と所定の間隔を持って絶縁層３上に形成されたドレイン電極６を備えるものである。
【０１６８】
図６は第６実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（電界効果型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図６に示す有機薄膜トランジスタ１５０は、基板１と、基板１上に形成されたゲート電極４と、ゲート電極４を覆うようにして基板１上に形成された絶縁層３と、ゲート電極４が下部に形成されている絶縁層３の領域を覆うように形成された活性層２と、ゲート電極４が下部に形成されている活性層２の領域を一部覆うように絶縁層３上に形成されたソース電極５と、ゲート電極４が下部に形成されている活性層２の領域を一部覆うように、ソース電極５と所定の間隔を持って絶縁層３上に形成されたドレイン電極６を備えるものである。
【０１６９】
図７は第７実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（静電誘導型有機薄膜トランジスタ）の模式断面図である。図７に示す有機薄膜トランジスタ１６０は、基板１と、基板１上に形成されたソース電極５と、ソース電極５上に形成された活性層２と、活性層２上に所定の間隔を持って複数形成されたゲート電極４と、ゲート電極４の全てを覆うようにして活性層２上に形成された活性層２ａ（活性層２ａを構成する材料は、活性層２と同一でも異なっていてもよい）と、活性層２ａ上に形成されたドレイン電極６を備えるものである。
【０１７０】
第１〜第７実施形態に係る有機薄膜トランジスタにおいては、活性層２及び／又は活性層２ａは、本実施形態に係る重合体を含有しており、ソース電極５とドレイン電極６の間の電流通路（チャネル）となる。また、ゲート電極４は、電圧を印加することにより活性層２及び／又は活性層２ａにおける電流通路（チャネル）を通る電流量を制御する。
【０１７１】
このような電界効果型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。また、静電誘導型有機薄膜トランジスタは、公知の方法、例えば特開２００４−００６４７６号公報記載の方法により製造することができる。
【０１７２】
基板１としては有機薄膜トランジスタとしての特性を阻害しなければよく、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板を用いることができる。
【０１７３】
活性層２を形成する際には、有機溶媒に可溶な化合物を用いることが、製造上有利であるため好ましい。その場合、上記で説明した有機薄膜の製造方法を適用して、活性層２となる有機薄膜を形成することができる。
【０１７４】
活性層２に接した絶縁層３としては、電気の絶縁性が高い材料であればよく、公知のものを用いることができる。例えば、ＳｉＯｘ，ＳｉＮｘ、Ｔａ２Ｏ５、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、有機ガラス及びフォトレジストが挙げられる。低電圧化できるので、誘電率の高い材料の方が好ましい。
【０１７５】
絶縁層３の上に活性層２を形成する場合は、絶縁層３と活性層２の界面特性を改善するため、シランカップリング剤等の表面処理剤で絶縁層３の表面を処理して表面改質した後に活性層２を形成することも可能である。表面処理剤としては、例えば、長鎖アルキルクロロシラン類、長鎖アルキルアルコキシシラン類、フッ素化アルキルクロロシラン類、フッ素化アルキルアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン等のシリルアミン化合物が挙げられる。表面処理剤で処理する前に、絶縁層表面をオゾンＵＶ、Ｏ２プラズマで処理をしておくことも可能である。
【０１７６】
また、有機薄膜トランジスタを作製後、素子を保護するために有機薄膜トランジスタ上に保護膜を形成することが好ましい。これにより、有機薄膜トランジスタが、大気から遮断され、有機薄膜トランジスタの特性の低下を抑えることができる。また、保護膜により有機薄膜トランジスタの上に、有機薄膜トランジスタにより駆動する表示デバイスを形成する工程における外部からの影響を低減することができる。
【０１７７】
保護膜を形成する方法としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂又は無機のＳｉＯＮｘ膜でカバーする方法が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため、有機薄膜トランジスタを作製後、保護膜を形成するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中又は真空中で）行うことが好ましい。
【０１７８】
有機薄膜トランジスタを複数集積することにより有機薄膜トランジスタアレイを構成することができ、フラットパネルディスプレイのバックプレーンとして用いることもできる。
【０１７９】
（有機薄膜太陽電池）
次に、好適な実施形態の有機薄膜太陽電池への応用について説明する。図８は、好適な実施形態に係る有機薄膜太陽電池の模式断面図である。図８に示す有機薄膜太陽電池２００は、基板１と、基板１上に形成された第１の電極７ａと、第１の電極７ａ上に形成された本実施形態に係る重合体を含有する有機薄膜からなる活性層２と、活性層２上に形成された第２の電極７ｂと、を備えるものである。
【０１８０】
本実施形態に係る有機薄膜太陽電池においては、第１の電極７ａ及び第２の電極７ｂの少なくとも一方に透明又は半透明の電極を用いる。電極材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の金属又はそれらの半透明膜、透明導電膜を用いることができる。高い開放電圧を得るためには、それぞれの電極として、仕事関数の差が大きくなるように選ばれることが好ましい。活性層２中には光感度を高めるために電荷発生剤、増感剤等を添加して用いることができる。基板１としては、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【０１８１】
有機薄膜太陽電池の動作機構を説明する。透明又は半透明の電極から入射した光エネルギーがアクセプター性化合物及び／又はドナー性化合物で吸収され、電子とホールの結合した励起子を生成する。生成した励起子が移動して、アクセプター性化合物とドナー性化合物が隣接しているヘテロ接合界面に達すると、該界面での各々の化合物のＨＯＭＯ及びＬＵＭＯのエネルギーの違いにより電子とホールが分離し、独立に動くことができる電荷が発生する。発生した電子は陰極へ、発生したホールは陽極へ移動することにより外部へ電気エネルギー（電流）として取り出すことができる。
【０１８２】
このような動作機構を考慮すると光電変換効率の高い有機薄膜太陽電池を得るためには、所望の入射光のスペクトルを効率的に吸収することができる吸収域を有したアクセプター性化合物及び／又はドナー性化合物を用いること、励起子を効率よく分離するために有機薄膜太陽電池がヘテロ接合界面を多く含むこと、生成した電荷を速やかに電極へ輸送する電荷輸送性を有する材料を用いることが重要である。
【０１８３】
本発明の有機薄膜太陽電池としては、第１の電極７ａ及び第２の電極７ｂの少なくとも一方の電極と該素子中の活性層２との間に付加的な層を設けてもよい。付加的な層としては、例えば、ホール又は電子を輸送する電荷輸送層、電極と有機層を隔離するためのバッファ層が挙げられる。
【０１８４】
具体的には、図８に示す有機薄膜太陽電池２００において、アクセプター性化合物及びドナー性化合物を含有する活性層２と上記一対の電極のうちの一方又は両方との間にバッファ層を有する上記有機薄膜太陽電池が好ましい。
【０１８５】
有機薄膜太陽電池は、透明又は半透明の電極から太陽光等の光を照射することにより、電極間に光起電力が発生し、太陽電池として動作させることができる。有機薄膜太陽電池を複数集積することにより有機薄膜太陽電池モジュールとして用いることもできる。本発明の重合体は、優れたホール輸送性を有することからドナー性化合物として機能する。
【０１８６】
（光センサ）
次に、本実施形態に係る有機薄膜の光センサへの応用を説明する。図９は、第１実施形態に係る光センサの模式断面図である。図９に示す光センサ３００は、基板１と、基板１上に形成された第１の電極７ａと、第１の電極７ａ上に形成された本実施形態に係る重合体を含有する有機薄膜からなる活性層２と、活性層２上に形成された電荷発生層８と、電荷発生層８上に形成された第２の電極７ｂと、を備えるものである。
【０１８７】
図１０は、第２実施形態に係る光センサの模式断面図である。図１０に示す光センサ３１０は、基板１と、基板１上に形成された第１の電極７ａと、第１の電極７ａ上に形成された電荷発生層８と、電荷発生層８上に形成された本実施形態に係る重合体を含有する有機薄膜からなる活性層２と、活性層２上に形成された第２の電極７ｂと、を備えるものである。
【０１８８】
図１１は、第３実施形態に係る光センサの模式断面図である。図１１に示す光センサ３２０は、基板１と、基板１上に形成された第１の電極７ａと、第１の電極７ａ上に形成された本実施形態に係る重合体を含有する有機薄膜からなる活性層２と、活性層２上に形成された第２の電極７ｂと、を備えるものである。
【０１８９】
第１〜第３実施形態に係る光センサにおいては、第１の電極７ａ及び第２の電極７ｂの少なくとも一方に透明又は半透明の電極を用いる。電荷発生層８は光を吸収して電荷を発生する層である。電極材料としては、アルミニウム、金、銀、銅、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の金属又はそれらの半透明膜、透明導電膜を用いることができる。活性層２中には光感度を高めるためにキャリア発生剤、増感剤等を添加して用いることができる。また基板１としては、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。
【実施例】
【０１９０】
以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【０１９１】
以下の実施例においては、例えば式Ａで表される化合物を「化合物Ａ」と表記することとし、式Ｂ〜Ｐで表される化合物についても同様に表記する。
【０１９２】
［測定条件等］
まず、後述する実験において行った各測定の条件について説明する。核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルは、ＪＥＯＬ（日本電子株式会社）製の商品名ＪＭＮ−２７０（１Ｈ測定時４００ＭＨｚ）を用いて測定した。ケミカルシフトは百万分率（ｐｐｍ）で表している。内部標準０ｐｐｍには、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。結合定数（Ｊ）は、ヘルツで示しており、略号ｓ、ｄ、ｔ、ｑ、ｍ及びｂｒは、それぞれ、一重線（ｓｉｎｇｌｅｔ）、二重線（ｄｏｕｂｌｅｔ）、三重線（ｔｒｉｐｌｅｔ）、四重線（ｑｕａｒｔｅｔ）、多重線（ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ）及び広幅線（ｂｒｏａｄ）を表す。マイクロウェーブ照射下での反応は、Ｂｉｏｔａｇｅ  ＡＢ社製のＩｎｉｔｉａｔｏｒＴＭ  Ｖｅｒ．２．５を用い、出力４００Ｗ、２．４５ＧＨｚで行った。
【０１９３】
カラムクロマトグラフィにおけるシリカゲルは、関東化学株式会社製の商品名Ｓｉｌｉｃａｇｅｌ  ６０Ｎ（４０〜５０μｍ）を用いた。全ての化学物質は、試薬級であり、和光純薬工業株式会社、東京化成工業株式会社、関東化学株式会社、ナカライテスク株式会社、シグマアルドリッチジャパン株式会社又はダイキン化成品株式会社より購入した。
化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）による精製では、ＧＰＣシステムＣＯ−８０２０（東ソー株式会社製）を用いた。
【０１９４】
ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、日立ハイテクノロジーズ社製の日立高速液体クロマトグラフシステム（L-2420/L-2130）に、GPC用充填カラム（shodex K-803L）を装着して測定した。分子量分布（ＰＤＩ）は、Ｍｗ／Ｍｎの関係式から求めた。
【０１９５】
吸収スペクトル測定は、磁気分光光度計（UV-3100PC：(株)島津製作所製）を用い、スリット幅１ｍｍの条件で測定した。溶液の吸収スペクトル測定は、重合体を１×１０-６ｍｏｌ／Ｌのクロロベンゼン溶液となるように調製し、セル幅１ｃｍの石英セルを用いて行った。薄膜の吸収スペクトルは、重合体の薄膜を石英基板上に成膜して行った。吸収スペクトルのピークとなる波長をλmaxとし、薄膜吸収スペクトルの吸収端波長（λｃ）から光学ギャップエネルギー（Ｅｇ）をＥｇ（ｅＶ）＝１２４０／λｃ（ｎｍ）の関係式から求めた。
【０１９６】
＜化合物Ｃの合成＞
窒素雰囲気下、反応容器に化合物Ａ（１ｇ，３．０３ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）（２．１６ｇ，１８．２ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（触媒量）を入れて、７０℃で１時間攪拌を行った。ＳＯＣｌ２を減圧留去した後、ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶かして０℃で塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、化合物Ｂを順に加えて２時間攪拌した。水洗しクロロホルムで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ溶媒を留去し、真空乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１）で分離精製し、黄色の固体(化合物Ｃ）を得た（収量：１．０６ｇ、収率：６５％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．０６（ｓ，２Ｈ），２．７５（ｔ，４Ｈ），１．６９−１．６１（ｍ，４Ｈ），１．４５−１．２４（ｍ，１２Ｈ），０．９１（ｔ，６Ｈ）．
【０１９７】
【化７１】
0006004848.tif 000072
【０１９８】
実施例１
＜重合体Ｅの合成＞
化合物Ｄを、文献（J. Hou et al. J. Am. Chem. Soc., 2008, 130, 16144.）に記載の方法で合成した。ふた付き試験管に化合物Ｃ（１０８ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）、化合物Ｄ（１５０ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）（３．６ｍｇ，０．００４ｍｍｏｌ）、トリ−ｏ−トリルホスフィン（４．８ｍｇ，０．０１６ｍｍｏｌ）、クロロベンゼン（２ｍＬ）を入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行った。溶媒を減圧下で留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行った。さらに、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、深青色固体（重合体Ｅ）を得た（収量：１２０ｍｇ、収率：７５％）。
Ｍｎ＝１９５００  ＰＤＩ＝１．４６  λｍａｘ＝６１０ｎｍ
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１８（ｂｒ，２Ｈ），７．９４（ｂｒ，２Ｈ），２．８０（ｂｒ，４Ｈ），１．８０−０．７０（ｂｒ，５６Ｈ）．
【０１９９】
【化７２】
0006004848.tif 000073
【０２００】
＜化合物Ｇの合成＞
窒素雰囲気下、反応容器に化合物Ａ（１ｇ，３．０３ｍｍｏｌ）、塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）（２．１６ｇ，１８．２ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（触媒量）を入れて、７０℃で１時間攪拌を行った。ＳＯＣｌ２を減圧留去した後、ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶かして０℃で塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、化合物Ｆを順に加えて２時間攪拌した。水洗しクロロホルムで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ溶媒を留去し、真空乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１）で分離精製し、黄色の固体(化合物Ｇ）を得た。（収量：１．１２ｇ、収率：７６％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．０４（ｓ，２Ｈ），２．７４（ｔ，４Ｈ），１．６６−１．５５（ｍ，４Ｈ），１．４７−１．３８（ｍ，４Ｈ），０．９４（ｔ，６Ｈ）．
【０２０１】
【化７３】
0006004848.tif 000074
【０２０２】
実施例２
＜重合体Ｈの合成＞
ふた付き試験管に化合物Ｇ、化合物Ｄ、（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）、トリ−ｏ−トリルホスフィン、クロロベンゼンを入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行う。溶媒を減圧下で留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行う。さらに、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、重合体Ｈを得る。
【０２０３】
【化７４】
0006004848.tif 000075
【０２０４】
＜化合物Ｊの合成＞
窒素雰囲気下、反応容器に化合物Ａ（１ｇ，３．０３ｍｍｏｌ）、ＳＯＣｌ２  （２．１６ｇ，１８．２ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（触媒量）を入れて、７０℃で１時間攪拌を行った。ＳＯＣｌ２を減圧留去した後、ジクロロメタン（１０ｍＬ）に溶かして０℃でＡｌＣｌ３、化合物Ｉを順に加えて２時間攪拌した。水洗しクロロホルムで抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ溶媒を留去し、真空乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１）で分離精製し、黄色の固体Ｊを得た（収量：１．３０ｇ、収率：７１％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝４．３５（ｓ，４Ｈ），１．７９−１．７４（ｍ，４Ｈ），１．４−１．２（ｍ，２０Ｈ），０．８９（ｔ，６Ｈ）．
【０２０５】
【化７５】
0006004848.tif 000076
【０２０６】
実施例３
＜重合体Ｋの合成＞
ふた付き試験管に化合物Ｊ、化合物Ｄ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリ−ｏ−トリルホスフィン、クロロベンゼンを入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行う。カラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行った後、さらに、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、重合体Ｋを得る。
【０２０７】
【化７６】
0006004848.tif 000077
【０２０８】
実施例４
＜重合体Ｍの合成＞
化合物Ｌを、文献（C J. Kudla, D Dolfen, K J.Schottler, J-M Koenen, D Breusov, SAllard, U Scherf. Macromolecules, 2010, 43, 7864-7867）に記載の方法で合成する。
ふた付き試験管に化合物Ｇ、化合物Ｌ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリ−ｏ−トリルホスフィン、クロロベンゼンを入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行う。カラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行った後、さらに、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、重合体Ｍを得る。
【０２０９】
【化７７】
0006004848.tif 000078
【０２１０】
実施例５
＜重合体Ｎの合成＞
ふた付き試験管に化合物Ｃ、化合物Ｌ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリ−ｏ−トリルホスフィン、クロロベンゼンを入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行う。カラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行った後、さらにメタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、重合体Ｎを得る。
【０２１１】
【化７８】
0006004848.tif 000079
【０２１２】
実施例６
＜重合体Ｏの合成＞
ふた付き試験管に化合物Ｊ、化合物Ｌ、Ｐｄ２（ｄｂａ）３、トリ−ｏ−トリルホスフィン、クロロベンゼンを入れ、アルゴンで置換した後、ｍｉｃｒｏｗａｖｅ（２００℃，３０分）照射下で反応を行う。カラムクロマトグラフィ（溶媒クロロホルム）で分離精製を行った後、さらに、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、重合体Ｏを得る。
【０２１３】
【化７９】
0006004848.tif 000080
【０２１４】
実施例７
＜有機薄膜素子１の作製及び太陽電池特性の評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（スタルクヴイテック（株）製、Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）ＰＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した後、スピンコートにより４４ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、実施例１で合成した重合体Ｅ及びフラーレンＣ７０ＰＣＢＭ（フェニルＣ７１−酪酸メチルエステル）（phenyl C71-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製）（重合体Ｅ／Ｃ７０ＰＣＢＭの重量比＝１／２）を混合し、オルトジクロロベンゼンに溶解（重合体ＥとＣ７０ＰＣＢＭとの重量の合計は２．０重量％）して塗布液を調製した。該塗布液を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、重合体Ｅを含む有機薄膜を堆積させた（膜厚約１００ｎｍ）。このようにして作製した有機薄膜の光吸収末端波長は７７０ｎｍであった。その後、有機薄膜上に真空蒸着機によりカルシウムを厚さ８ｎｍで蒸着し、次いでＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜素子１の形状は、２ｍｍ×２ｍｍの正四角形であった。得られた有機薄膜素子１にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝１１．３６ｍＡ／ｃｍ２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．９０Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４８、光電変換効率（η）＝４．９％と、良好な太陽電池特性が得られた。
【０２１５】
実施例８
＜有機薄膜素子２の作製及びトランジスタ特性の評価＞
ゲート電極としての高濃度にドープされたｐ型シリコン基板の表面に、３００ｎｍのシリコン酸化膜を熱酸化により絶縁膜として形成した基板を準備した。この基板の上に、リフトオフ法により、チャネル幅２ｍｍ、チャネル長２０μｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。電極付き基板をアセトンで１０分間、次いでイソプロピルアルコールで１０分間超音波洗浄した後、オゾンＵＶを２０分間照射し表面を洗浄した。表面洗浄した電極付き基板上に、β−フェニルトリクロロシラン（β−ＰＴＳ）(信越化学製ＬＰ−１９９０）のトルエン希釈溶液（β−ＰＴＳ／トルエン：０．２ｍＬ/１０ｍＬ）を滴下した後、スピンコーターでスピンして基板表面をＳＡＭ処理した。さらにトルエンを滴下、スピンコートすることにより余分なβ−ＰＴＳを洗い流し、表面処理された電極付き基板を作製した。実施例１で合成した重合体Ｅを用いてクロロホルムに０．５質量％の濃度で溶解させたところ、重合体Ｅは、クロロホルムに完全に溶解し、有機溶媒に溶解可能であることを確認できた。この溶液を、表面処理した上記基板上にスピンコート法により回転数１５００ｒｐｍで、１分間かけて塗布するともに乾燥して、重合体Ｅの有機薄膜を堆積させた（膜厚約１００ｎｍ）。その後、窒素雰囲気で１７０℃にて３０分間アニール処理をし、有機薄膜素子２を得た。半導体パラメータアナライザー（ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製、商品名「４２００−ＳＣＳ」）を用いて、真空中でゲート電圧Ｖｇ及びソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄを＋２０〜−４０Ｖの範囲で変化させながら、有機薄膜素子２の有機トランジスタ特性を測定したところ、良好なｐ型半導体のドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）特性が得られた。このときの移動度は７．９×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであり、しきい値電圧は−１．７Ｖであり、オン／オフ比は約１０６であり、いずれも良好であった。このことから、有機薄膜素子２は、ｐ型有機トランジスタとして有効に機能することが確認された。また、このことから、重合体Ｅは優れたホール輸送性を有し、有機ｐ型半導体として利用可能であることが確認された。
【０２１６】
比較例１
＜有機薄膜素子Ｃ１の作製及び太陽電池特性の評価＞
重合体Ｅの代わりにポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ：アルドリッチ製）を用いたほかは実施例７と同じ条件で、有機薄膜素子Ｃ１を作製した。なお、Ｐ３ＨＴを含む有機薄膜の膜厚は１１５ｎｍであり、有機薄膜の光吸収末端波長は６６０ｎｍであった。得られた有機薄膜素子Ｃ１に実施例７と同様にしてソーラシミュレーターを用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝４．０９ｍＡ／ｃｍ２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．６７Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４４、光電変換効率（η）＝１．２％と、実施例７の有機薄膜素子１よりも低い特性であった。
【０２１７】
比較例２
＜有機薄膜素子Ｃ２の作製及び太陽電池特性の評価＞
重合体Ｅの代わりにpoly[2,6-(4,4'-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2',3'-d]silole)-alt-4,7(2,1,3-benzothiadiazole)](ＰＳＢＴＢＴ:Luminescence Technology Corporation製:LT-S951)を用いたほかは実施例７と同じ条件で、有機薄膜素子Ｃ２を作製した。なお、ＰＳＢＴＢＴを含む有機薄膜の膜厚は１１１ｎｍであり、有機薄膜の光吸収末端波長は８６０ｎｍであった。得られた有機薄膜素子Ｃ２に実施例７と同様にしてソーラシミュレーターを用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝９．６１ｍＡ／ｃｍ２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．６６Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４２、光電変換効率（η）＝２．７％と、実施例７の有機薄膜素子１よりも低い特性であった。
【０２１８】
＜化合物Ｑの合成＞
窒素雰囲気下、反応容器に化合物Ａ（１ｇ，３．０３ｍｍｏｌ）、ＳＯＣｌ２（２．１６ｇ，１８．２ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ（触媒量）を入れて、７０℃で１時間攪拌を行った。ＳＯＣｌ２を減圧留去した後、ジクロロメタン（１０ｍｌ）に溶かして０℃でＡｌＣｌ３及びG.barbarella,L.Favaretto, A.Bongini. J. Org. Chem. 1998, 63, 5497に記載の方法で合成した化合物Ｐ（１．１５ｇ，４．５５ｍｍｏｌ）を順に加えて２時間攪拌した。シリカゲルカラムクロマトグラフィ（ヘキサン：酢酸エチル＝２０：１）で分離精製し、黄色固体の化合物Ｑを得た（収量：１．２３ｇ、収率：７４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝３．３２（ｔ，４Ｈ），１．７５−１．６９（ｍ，４Ｈ），１．４３−１．３１（ｍ，１２Ｈ），０．８９（ｔ，６Ｈ）．
【０２１９】
【化８０】
0006004848.tif 000081
【０２２０】
【化８１】
0006004848.tif 000082
【０２２１】
実施例９
＜重合体Ｒの合成＞
ふた付き試験管に化合物Ｑ（１９０ｍｇ，０．３５ｍｍｏｌ）及び化合物Ｄ（２６０ｍｇ，０．３５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（７ｍｇ，２％ｍｏｌ）、トリ−ｏ−トリルホスフィン（９ｍｇ，８％ｍｏｌ）、トルエン（８ｍｌ，０．０５Ｍ）を入れ、アルゴンで置換した後、１２０℃で二日間反応を行った。再沈殿を行った後、メタノール、ヘキサン、クロロホルムの順にＳｏｘｈｌｅｔで分離精製し、黒色固体として重合体Ｒを得た（収量：２４０ｍｇ、収率：８０％）。
Ｍｎ＝１９．８ｋｇ／ｍｏｌ  ＰＤＩ＝１．５１
λｍａｘ＝５８１ｎｍ（ｉｎ  ｓｏｌｕｔｉｏｎ）
λｍａｘ＝５９９ｎｍ（ｉｎ  ｆｉｌｍ）
Ｅｇ＝１．７２ｅＶ
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７８（ｂｒ，２Ｈ），３．４７（ｂｒ，４Ｈ），１．８０（Ｂｒ，４Ｈ），１．５２（Ｂｒ，４Ｈ），１．３９−１．２５（ｂｒ，３０Ｈ），１．９４−０．８１（ｂｒ，１８Ｈ）．
【０２２２】
【化８２】
0006004848.tif 000083
【０２２３】
実施例１０
＜有機薄膜素子３の作製及び太陽電池特性の評価＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（スタルクヴイテック（株）製、Ｂａｙｔｒｏｎ（登録商標）ＰＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した後、スピンコートにより４４ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、実施例９で合成した重合体Ｒ及びＣ７０ＰＣＢＭ（フェニルＣ７１−酪酸メチルエステル）（phenyl C71-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製）（重合体Ｒ／Ｃ７０ＰＣＢＭの重量比＝１／２）を混合し、オルトジクロロベンゼンに溶解（重合体ＥとＣ７０ＰＣＢＭとの重量の合計は２．０重量％）して塗布液を調製した。該塗布液を用い、スピンコートにより基板上に塗布して、重合体Ｒを含む有機薄膜を堆積させた（膜厚約８０ｎｍ）。その後、有機薄膜上に真空蒸着機によりＡｌを厚さ１００ｎｍで蒸着した。得られた有機薄膜素子３の形状は、３ｍｍ×３ｍｍの正四角形であった。得られた有機薄膜素子３にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝７．７１ｍＡ／ｃｍ２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．９８Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４３、光電変換効率（η）＝３．２％と、良好な太陽電池特性が得られた。
【０２２４】
実施例１１
＜有機薄膜素子４の作製及び太陽電池特性の評価＞
実施例１０と同様にして、Ｃ７０ＰＣＢＭの代わりにＣ６０ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル）（phenylC61-butyric acid methyl ester、フロンティアカーボン社製）を用いて、重合体Ｒ及びＣ６０ＰＣＢＭ(重合体Ｒ／Ｃ６０ＰＣＢＭの重量比＝１／２)を含む有機薄膜を有した有機薄膜素子４を作製した。得られた有機薄膜素子４にソーラシミュレーター（分光計器製、商品名ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮＩＩ：ＡＭ１．５Ｇフィルター、放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて一定の光を照射し、発生する電流と電圧を測定して光電変換効率、短絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターを求めた。Ｊｓｃ（短絡電流密度）＝６．０１ｍＡ／ｃｍ２、Ｖｏｃ（開放端電圧）＝０．９８Ｖ、ｆｆ（フィルファクター（曲線因子））＝０．４６、光電変換効率（η）＝２．７０％と、良好な太陽電池特性が得られた。
【０２２５】
＜化合物Ｔの合成＞
内部の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに、化合物Ｓ（２．００ｇ，４．９７ｍｍｏｌ）及び脱水ＴＨＦ（８０ｍＬ）を入れて均一な溶液とした。得られたＴＨＦ溶液を−７８℃に冷却して保ち、１．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（７．７６ｍＬ，１２．４ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。滴下後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で２時間攪拌した。その後、反応液を再び−７８℃に冷却し、反応液にトリブチルスズクロリド（４．４５ｇ，１３．７ｍｍｏｌ）を加えた。添加後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で３時間攪拌した。その後、反応液に水（１００ｍＬ）を加えて反応を停止させ、酢酸エチルを加えて反応生成物を含む有機層を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層をろ過した後、ろ液の溶媒成分をエバポレーターで留去した。得られたオイル状の物質を展開溶媒としてヘキサンを用いたシリカゲルカラムで精製した。シリカゲルカラムは、あらかじめ５ｗｔ％のトリエチルアミンを含むヘキサンに５分間浸し、その後、ヘキサンですすいだシリカゲルを用いた。精製後、化合物Ｔを得た（収量：３．３０ｇ，収率：６８％）。
【０２２６】
【化８３】
0006004848.tif 000084
【０２２７】
実施例１２
＜重合体Ｕの合成＞
内部の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物Ｔ（１２５．０ｍｇ，０．１２７ｍｍｏｌ）、化合物Ｃ（６８．５ｍｇ，０．１２７ｍｍｏｌ）、トリス（２−トリル）ホスフィン（３．５ｍｇ，０．０１１ｍｍｏｌ）及び脱水トルエン（５ｍＬ）を入れて均一な溶液とした。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．７４ｍｇ，０．００１９ｍｍｏｌ）を加え、１０５℃で６時間攪拌し、反応液にフェニルブロミド（１００ｍｇ）を加え、さらに１０５℃で３時間攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール（２００ｍＬ）と濃塩酸（２０ｍＬ）との混合溶液に注いだ。析出したポリマーをろ取して回収し、得られたポリマーを、円筒ろ紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ３時間洗浄した。円筒ろ紙内に残ったポリマーを、ｏ−ジクロロベンゼン（７ｍＬ）に溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（０．１１ｇ）と水（２．０ｍＬ）を加え、９０℃で３時間攪拌を行った。水層を除去した後、有機層を水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、次いで、３ｗｔ％の酢酸水溶液（５０ｍＬ）で２回洗浄し、最後に、水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ取した後、乾燥し、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼン７ｍＬに再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムで精製した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ取した後、乾燥することによって重合体Ｕ（２３ｍｇ）を得た。
【０２２８】
【化８４】
0006004848.tif 000085
【０２２９】
＜化合物Ｗの合成＞
内部の気体をアルゴンで置換した３００ｍＬフラスコに、化合物Ｖ（１．００ｇ，１．５９ｍｍｏｌ）及び脱水ＴＨＦ（２０ｍＬ）を入れて均一な溶液とした。得られたＴＨＦ溶液を−７８℃に冷却して保ち、２．６Ｍのｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（２．４５ｍＬ，６．３８ｍｍｏｌ）を１０分かけて滴下した。滴下後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で２時間攪拌した。その後、反応液を再び−７８℃に冷却し、反応液にトリブチルスズクロリド（２．３４ｇ，７．１８ｍｍｏｌ）を加えた。添加後、反応液を−７８℃で３０分攪拌し、次いで、室温（２５℃）で３時間攪拌した。その後、反応液に水（１００ｍＬ）を加えて反応を停止させ、酢酸エチルを加えて反応生成物を含む有機層を抽出した。酢酸エチル溶液である有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層をろ過後、ろ液の溶媒成分をエバポレーターで留去した。得られたオイル状の物質を、オクタデシルシリル基を表面に結合させたシリカゲル（和光純薬製  Ｗａｋｏｇｅｌ  １００Ｃ１８）を用いたカラムで精製した。展開溶媒としてはアセトニトリルとテトラヒドロフランの混合溶液を用いた。精製後、化合物Ｗを得た（収量：１．１４ｇ，収率：５９％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝６．８９（ｓ，２Ｈ），１．７９（ｔ，４Ｈ），０．８５−１．７５（ｍ，１１６Ｈ）．
【０２３０】
【化８５】
0006004848.tif 000086
【０２３１】
＜化合物Ｘの合成＞
窒素気流雰囲気下、ジムロートを取付けた２００ｍＬ３口フラスコに化合物Ａ（３．０ｇ，９．１ｍｍｏｌ）、トルエン（１５０ｍＬ）及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１滴）を室温下にて仕込み、オキサリルクロリド（３．１８ｍＬ，３６ｍｍｏｌ）を滴下し、１時間加熱還流した。還流後、室温まで冷却し、反応液をエバポレーターで濃縮し、脱水ジクロロメタン（１００ｍＬ）を入れ、０℃まで冷却した。ジクロロメタン溶液に塩化アルミニウム（５．３３ｇ）をゆっくり加え、０℃で３０分間攪拌した。反応液に、１，２−ジエチルベンゼン（１．４９ｇ）のジクロロメタン（２０ｍＬ）溶液をシリンジでゆっくりと滴下し、０℃で１時間攪拌した後、室温まで昇温させ、さらに２時間攪拌した。その後、水を加え、炭酸水素ナトリウム水溶液で水層を中和し、有機層をクロロホルムで抽出し、有機層を水（５０ｍＬ）で３回洗浄した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後に、ろ過し、減圧下で溶媒を留去した。得られた粗生物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した後、再結晶によって化合物Ｘを得た（収量：２．３２ｇ，収率：５４％）。
１Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．０９（ｓ，２Ｈ），２．８０（ｑ，４Ｈ），１．３１（ｔ，６Ｈ）．
【０２３２】
【化８６】
0006004848.tif 000087
【０２３３】
実施例１３
＜重合体Ｙの合成＞
内部の気体をアルゴンで置換した１００ｍＬフラスコに、化合物Ｗ（２００ｍｇ，０．１６６ｍｍｏｌ）、化合物Ｘ（７１．０ｍｇ，０．１６６ｍｍｏｌ）、トリス（２−トリル）ホスフィン（４．５ｍｇ，０．０１５ｍｍｏｌ）及び脱水トルエン（３０ｍＬ）を入れて均一溶液とした。得られたトルエン溶液を、アルゴンで３０分バブリングした。トルエン溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（２．３ｍｇ，０．００２５ｍｍｏｌ）を加え、１０５℃で６時間攪拌し、反応液にフェニルブロミド（１００ｍｇ）を加え、さらに１０５℃で３時間攪拌した。その後、反応液を室温まで冷却し、メタノール（２００ｍＬ）と濃塩酸（２０ｍＬ）との混合溶液に注いだ。析出したポリマーをろ取して回収し、得られたポリマーを、円筒ろ紙に入れ、ソックスレー抽出器を用いて、メタノール、アセトン及びヘキサンでそれぞれ３時間洗浄した。円筒ろ紙内に残ったポリマーを、ｏ−ジクロロベンゼン（７ｍＬ）に溶解させ、ジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム（０．１１ｇ）と水（２．０ｍＬ）を加え、９０℃で３時間攪拌を行った。水層を除去した後、有機層を水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、次いで、３ｗｔ％の酢酸水溶液（５０ｍＬ）で２回洗浄し、最後に、水（５０ｍＬ）で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させた。ポリマーをろ取した後、乾燥し、得られたポリマーをｏ−ジクロロベンゼン（７ｍＬ）に再度溶解し、アルミナ／シリカゲルカラムで精製した。得られた溶液をメタノールに注いでポリマーを析出させ、ポリマーをろ取した後、乾燥することによって重合体Ｙ（１３５ｍｇ）を得た。
【０２３４】
【化８７】
0006004848.tif 000088
【０２３５】
実施例１４
＜有機薄膜素子５の作製及びトランジスタ特性の評価＞
重合体Ｅの代わりに重合体Ｙを用いたほかは実施例８と同じ条件で、有機薄膜素子５を作製した。なお、重合体Ｙを含む有機薄膜の膜厚は５０ｎｍであった。得られた有機薄膜素子５に実施例８と同様にして半導体パラメータアナライザー（ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製、商品名「４２００−ＳＣＳ」）を用いて、真空中でゲート電圧Ｖｇ及びソース−ドレイン間電圧Ｖｓｄを＋２０〜−４０Ｖの範囲で変化させながら、有機薄膜素子２の有機トランジスタ特性を測定した。移動度は２．８×１０−４ｃｍ２／Ｖｓであり、しきい値電圧は１３．３Ｖであり、オン／オフ比は約１０４であり、いずれも良好であった。このことから、有機薄膜素子５は、ｐ型有機トランジスタとして有効に機能することが確認された。また、このことから、重合体Ｙは優れたホール輸送性を有し、有機ｐ型半導体として利用可能であることが確認された。
【符号の説明】
【０２３６】
１…基板、２…活性層、２ａ…活性層、３…絶縁層、４…ゲート電極、５…ソース電極、６…ドレイン電極、７ａ…第１の電極、７ｂ…第２の電極、８…電荷発生層、１００…第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１１０…第２実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１２０…第３実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１３０…第４実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１４０…第５実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１５０…第６実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、１６０…第７実施形態に係る有機薄膜トランジスタ、２００…実施形態に係る有機薄膜太陽電池、３００…第１実施形態に係る光センサ、３１０…第２実施形態に係る光センサ、３２０…第３実施形態に係る光センサ。
【図１】
0006004848.tif 000094
【図２】
0006004848.tif 000095
【図３】
0006004848.tif 000096
【図４】
0006004848.tif 000097
【図５】
0006004848.tif 000098
【図６】
0006004848.tif 000099
【図７】
0006004848.tif 000100
【図８】
0006004848.tif 000101
【図９】
0006004848.tif 000102
【図１０】
0006004848.tif 000103
【図１１】
0006004848.tif 000104