(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に格子状の切断予定線を設定した複数の区画内に光半導体素子を装着して透明樹脂レンズ体内に封止することにより、前記基板表面の高さと前記透明樹脂レンズ体との高さとに高低差を有する被加工物に対して、その前記基板の切断予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板を前記各区画毎に切断して分離するレーザ加工方法であって、
前記基板をテーブル上の所定位置に保持する基板保持工程と、
カバー体によって、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き且つ該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の少なくとも一部の表面を密着して被覆するカバー被覆工程と、
前記カバー被覆工程時に前記カバー体にて設定される前記切断予定線の部位にレーザ光を照射してこの切断予定線の部位を切断するレーザ切断工程と、
前記レーザ切断工程時に前記切断予定線の部位にアシストガスを供給するアシストガス供給工程と、
前記アシストガス供給工程時に前記切断予定線の部位に供給したアシストガスの流れを前記カバー体を介して整流しながら前記基板の外部へ排出するアシストガス整流工程と、
前記カバー体により被覆された二列の透明樹脂レンズ体の間の切断予定線を前記レーザ切断工程により切断した後に、この切断された切断予定線と同方向に伸びる未切断の切断予定線の両側に位置する透明樹脂レンズ体を前記カバー体により被覆するように、前記基板に対して前記カバー体を相対的に移動させるカバー体移動工程と、
前記レーザ切断工程により前記格子状の一方向における切断予定線を切断した後に、前記格子状の他方向の切断予定線に沿うように、前記基板に対して前記カバー体を相対的に回転させるカバー体回転工程と、
前記格子状の一方向及び他方向において前記カバー体移動工程及びカバー被覆工程の後に前記レーザ切断工程及び前記アシストガス供給工程を行う一連の工程を繰り返し、前記レーザ切断工程及び前記アシストガス供給工程を前記基板における全ての切断予定線の部位に施すことにより前記基板を前記各区画毎に分離する切断分離工程とを含むことを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
前記したカバー被覆工程が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体における全表面を被覆することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記したカバー被覆工程が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の頂周辺部を除く表面を被覆することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記したカバー被覆工程が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の対向する表面及び前記二列の透明樹脂レンズ体の頂部表面を被覆することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
前記したカバー被覆工程が、前記カバー体をレーザ加工ヘッドの底面部に止着させることにより、前記レーザ加工ヘッドと前記カバー体とを同時に移動させるようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
前記したカバー被覆工程が、前記カバー体と前記基板上の切断しようとする切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体とを密着状に接合させた状態で行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
前記基板の表面における複数の前記区画内に前記光半導体素子を装着して前記透明樹脂レンズ体内に封止した後に、請求項１乃至請求項６に記載のレーザ加工方法を用いて、前記基板を前記各区画毎に分離する、透明樹脂レンズ体により封止された光半導体素子の製造方法。
【請求項８】
基板の表面に格子状の切断予定線を設定した複数の区画内に光半導体素子を装着して透明樹脂レンズ体内に封止することにより、前記基板表面の高さと前記透明樹脂レンズ体との高さとに高低差を有する被加工物に対して、その前記基板の切断予定線に沿ってレーザ光を照射することにより、前記基板を前記各区画毎に切断して分離するレーザ加工装置であって、
前記基板をテーブル上の所定位置に保持する基板保持手段と、
前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の少なくとも一部の表面を密着して被覆するカバー体と、
前記カバー体にて設定される前記切断予定線の部位にレーザ光を照射してこの切断予定線の部位を切断するレーザ切断手段と、
前記カバー体にて設定される前記切断予定線の部位にアシストガスを供給するアシストガス供給手段と、
前記カバー体により被覆された二列の透明樹脂レンズ体の間の切断予定線を前記レーザ切断手段により切断した後に、この切断された切断予定線と同方向に伸びる未切断の切断予定線の両側に位置する透明樹脂レンズ体を前記カバー体により被覆するように、前記基板に対して前記カバー体を相対的に移動させるカバー体移動機構と、
前記レーザ切断手段により前記格子状の一方向における切断予定線を切断した後に、前記格子状の他方向の切断予定線に沿うように、前記基板に対して前記カバー体を相対的に回転させるカバー体回転機構とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項９】
前記したカバー体が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体における全表面を被覆するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
前記したカバー体が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の頂周辺部を除く表面を被覆するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載のレーザ加工装置。
【請求項１１】
前記したカバー体が、前記基板上の切断しようとする切断予定線の部位を除き、且つ、該切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体の対向する表面及び前記二列の透明樹脂レンズ体の頂部表面を被覆するように構成されていることを特徴とする請求項８に記載のレーザ加工装置。
【請求項１２】
前記したカバー体をレーザ加工ヘッドの底面部に止着させることにより、前記レーザ加工ヘッドと前記カバー体とを同時に移動させるように構成したことを特徴とする請求項８乃至請求項11に記載のレーザ加工装置。
【請求項１３】
前記したカバー体が、前記カバー体と前記基板上の切断しようとする切断予定線に隣合う二列の透明樹脂レンズ体とを密着状に接合させるように構成したことを特徴とする請求項８乃至請求項11に記載のレーザ加工装置。
【請求項１４】
前記カバー体移動機構は、前記基板に対して前記カバー体を相対的に上下方向に移動させる機構と、前記基板に対して前記カバー体を相対的に水平方向に移動させる機構を含むことを特徴とする請求項請求項８乃至請求項１３に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工手段を用いて基板の表面に設定された複数の区画内に装着した光半導体素子を各別に切断して分離するレーザ加工方法、透明樹脂レンズ体により封止された光半導体素子の製造方法及びレーザ加工装置に関し、特に、レーザ加工時に発生する加工飛散物（デブリ：debris）が光半導体素子を封止する透明樹脂レンズ体を焼損し若しくは傷損するのを効率良く防止することができるように改善したレーザ加工方法、透明樹脂レンズ体により封止された光半導体素子の製造方法及びレーザ加工装置の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
ところで、被加工物の表面にレーザ光を照射して該被加工物を、所謂、熱加工によって切断するレーザ加工時においては加工飛散物が発生することが知られている。
また、この加工飛散物が加工部周辺に付着すると、加工品質・精度を得ることができない等の問題があるため、被加工物へのレーザ光照射時にその周辺の部位にアシストガスを吹き付けると共に、このアシストガスと加工飛散物とを外部へ吸引して排出することが知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、この種のレーザ加工ヘッドは、被加工物表面へのレーザ光照射とアシストガスの吹付作業効率や、加工部周辺からアシストガス及び加工飛散物を外部へ吸引して排出する作業効率等を考慮して、該レーザ加工ヘッドの底面と被加工物表面との間隔を接近させて行うのが通例である。
従って、レーザ加工ヘッドの底面と被加工物表面との間隔を接近させた状態でレーザ加工を行う場合は、上記した各作業効率を向上させることができると云った利点がある。
【０００３】
しかしながら、例えば、基板の表面に光半導体素子を封止するための複数（多数）の透明樹脂レンズ体が突設されているように、基板の表面に複数の凹凸部が配置された形状として形成された被加工物の場合は、レーザ加工時にレーザ加工ヘッドの底面と各透明樹脂レンズ体との接触を防止するために、該レーザ加工ヘッドの底面を該各透明樹脂レンズ体の高さ位置よりも更に高い位置となるように設定する必要がある。
従って、この場合は、レーザ加工ヘッドの底面と切断予定線を設定した加工部となる基板の表面との間隔は必然的に広くなる（離れる）ので該両者の間隔を接近させることができない。このため、上記した各作業効率を低下させることになると云った問題がある。
【０００４】
また、レーザ光の照射表面に複数の凹凸部が配置された形状として形成された被加工物をレーザ加工する場合においては、更に、次のような問題がある。
図９に示す被加工物Ｗは、基板１の表面に格子状の切断予定線２を設定して設けた複数の区画３内に光半導体素子を封止する複数の透明樹脂レンズ体４が突設されて、該基板１の表面に複数の凹凸部が配置された形状として形成されている。
このような被加工物Ｗに対しても、その切断予定線２に沿ってレーザ光Ｌを照射することによって各区画３毎に切断して分離するレーザ加工を行うことができる。
この場合のレーザ光Ｌは、基板１の表面に設定した切断予定線２に沿って該基板１における始端部位１ａからその終端部位１ｂに向かって直線状に且つ連続して照射される。
【０００５】
図９に示す被加工物Ｗのレーザ加工においては、レーザ加工ヘッドの底面と切断予定線２を設定した基板表面との間隔が広くなることから、該切断予定線２へのレーザ光Ｌの照射時において吹き付けたアシストガスと加工飛散物とを外部へ吸引排出する作業効率が悪くなる。
また、該基板表面における切断予定線２の両側に透明樹脂レンズ体４（凸部）が突設されていることから、該切断予定線２に吹き付けたアシストガスの流れが変化する。
即ち、図９(2) に示すように、基板表面の切断予定線２に照射したレーザ光Ｌ及びその切断予定線２に吹き付けたアシストガスを該切断予定線２に沿って（図例においては、下方向へ）走査させると、各区画３における始端側の位置３ａからその中心位置Ｃまでの区間６においてはアシストガスとこれに捕捉された加工飛散物８とはレーザ光Ｌの走査方向とは逆方向（図例では、上方向）へ流動する。
また、上記各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においては、上記したとは逆に、アシストガスとこれに捕捉された加工飛散物８とはレーザ光Ｌの走査方向と同じ方向（図例では、下方向）へ流動する。
このようなアシストガス及び加工飛散物８の流動作用に基因して、該加工飛散物が透明樹脂レンズ体４の表面に衝突し或は付着すると、該透明樹脂レンズ体４の表面が焦げて焼損し或はこれを傷損して品質を低下させると云った弊害が生じる。
更に、各区画３の透明樹脂レンズ体４に対する加工飛散物８の衝突作用、或は、加工飛散物８の付着作用は、各区画３における始端側の位置３ａからその中心位置Ｃまでの区間６においては少ないが、各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においては多くなる傾向がみられる。
従って、その結果、各区画３の中心位置Ｃを通過してその終端側の位置３ｂに至る区間７においてその表面を焼損し易い部位９が発生すると云った問題がある。
【０００６】
なお、被加工物Ｗのレーザ光照射表面に複数の凹凸部が配置されている場合は、所謂、ＣＷ発振（連続発振）によるＣＷレーザ加工、または、パルス発振によるパルスレーザ加工のいずれにおいてもそのレーザ光照射表面側に加工飛散物が残存して付着する傾向がみられる。
これは、レーザ加工ヘッドの底面とレーザ光照射表面（基板表面）との間隔が広くなるので該レーザ光照射表面に加工飛散物が発生し易く、更に、アシストガスと加工飛散物とを外部へ吸引して排出する作業効率が悪いことに基因しているものと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−１９２８７０号公報（第２頁の段落〔0009〕、第４頁の段落〔0029〕、図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、基板の表面に格子状に設けた複数の区画内に光半導体素子を封止する透明樹脂レンズ体（凸部）が配置された形状として形成された被加工物に対するレーザ加工時において、該各透明樹脂レンズ体への加工飛散物の衝突或は付着作用を抑制して、該各透明樹脂レンズ体の焼損若しくは傷損を防止することができるレーザ加工方法、透明樹脂レンズ体により封止された光半導体素子の製造方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するための本発明に係るレーザ加工方法は、基板10の表面に格子状の切断予定線20を設定した複数の区画30内に光半導体素子を装着して透明樹脂レンズ体40内に封止することにより、前記基板10表面の高さと前記透明樹脂レンズ体40との高さとに高低差を有する被加工物に対して、その前記基板10の切断予定線20に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、前記基板10を前記各区画30毎に切断して分離するレーザ加工方法であって、
前記基板10をテーブル上の所定位置に保持する基板保持工程と、
カバー体55によって、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き且つ該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における所定範囲を被覆するカバー被覆工程と、
前記カバー被覆工程時に前記カバー体55にて設定される前記切断予定線20の部位にレーザ光Ｌを照射してこの切断予定線20の部位を切断するレーザ切断工程と、
前記レーザ切断工程時に前記切断予定線20の部位にアシストガスＧを供給するアシストガス供給工程と、
前記アシストガス供給工程時に前記切断予定線20の部位に供給したアシストガスＧの流れを前記カバー体55を介して整流しながら前記基板10の外部へ排出するアシストガス整流工程と、
前記レーザ切断工程及び前記アシストガス供給工程を前記基板10における全ての切断予定線20の部位に施すことにより前記基板10を前記各区画30毎に分離する切断分離工程とを含むことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における全表面を被覆することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａを除く表面を被覆することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の対向する表面（対向表面40ｂ）及び前記二列の透明樹脂レンズ体40の頂部表面40ｃを被覆することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記カバー体55をレーザ加工ヘッド60の底面部に止着させることにより、前記レーザ加工ヘッド60と前記カバー体55とを同時に移動させるようにしたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記カバー体55と前記基板10上の切断しようとする切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40とを密着状に接合させた状態で行うことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明に係るレーザ加工方法は、前記したカバー被覆工程が、前記カバー体55と前記基板10上の切断しようとする切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40との間に所要の空隙を保持させた状態で行うことを特徴とする。
【００１６】
上記した目的を達成するための本発明に係るレーザ加工装置は、基板10の表面に格子状の切断予定線20を設定した複数の区画30内に光半導体素子を装着して透明樹脂レンズ体40内に封止することにより、前記基板10表面の高さと前記透明樹脂レンズ体40との高さとに高低差を有する被加工物に対して、その前記基板10の切断予定線20に沿ってレーザ光Ｌを照射することにより、前記基板10を前記各区画30毎に切断して分離するレーザ加工装置であって、
前記基板10をテーブル上の所定位置に保持する基板保持手段と、
前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における所定範囲を被覆するカバー体55と、
前記カバー体55にて設定される前記切断予定線20の部位にレーザ光Ｌを照射してこの切断予定線20の部位を切断するレーザ切断手段58と、
前記カバー体55にて設定される前記切断予定線20の部位にアシストガスＧを供給するアシストガス供給手段59とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における全表面を被覆するように構成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａを除く表面を被覆するように構成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55が、前記基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の対向する表面（対向表面40ｂ）及び前記二列の透明樹脂レンズ体40の頂部表面40ｃを被覆するように構成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55をレーザ加工ヘッド60の底面部に止着させることにより、前記レーザ加工ヘッド60と前記カバー体55とを同時に移動させるように構成したことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55が、前記カバー体55と前記基板10上の切断しようとする切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40とを密着状に接合させるように構成したことを特徴とする。
【００２２】
また、本発明に係るレーザ加工装置は、前記したカバー体55が、前記カバー体55と前記基板10上の切断しようとする切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40との間に所要の空隙を保持させるように構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板10の表面に格子状に設けた複数の区画30内に透明樹脂レンズ体40（凸部）が配置された形状として形成された被加工物Ｗに対するレーザ加工時において、カバー体55を介して、基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における所定範囲を被覆すると共に、この状態で、該切断予定線20の部位にアシストガスＧを供給しながらレーザ光Ｌを照射してこの切断予定線20の部位を切断するようにしたので、該各透明樹脂レンズ体40への加工飛散物の衝突或は付着作用を効率良く防止若しくは抑制することができる。
従って、これにより、該各透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することができる。
【００２４】
また、本発明によれば、基板10上の切断しようとする切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40をカバー体55によって同じ態様で被覆させるので、該切断予定線20の部位に供給したアシストガスＧが各透明樹脂レンズ体40に直接的に吹き付けられてその乱流が発生するのを効率良く防止することができる。
即ち、切断しようとする切断予定線20の部位に供給したアシストガスＧの流れをカバー体55を介して一定の流れに整流（調整）しながら基板10の外部へ排出することができる。
このため、切断予定線20の部位に供給したアシストガスＧとこのアシストガスＧに乗って飛散する加工飛散物をも効率良く外部へ排出することができる。
更に、カバー体55によってアシストガスＧの流れを整流させながらこれを基板10の外部へ効率良く排出することができるので、切断しようとする切断予定線20に対するアシストガスＧのガス圧（吹付圧力）により吸着テーブル53上の基板10が移動して位置ズレが発生する等の不具合を解消することができる。
従って、切断しようとする切断予定線20の切断作業を該切断予定線20に沿って適正に且つ正確に行うことができる。
【００２５】
また、本発明によれば、カバー体55にて基板10をその上面側から押圧状に係止させることができる。
従って、該基板10に対する吸着テーブル53上の吸着保持作用を補助することができる。
このため、基板10の切断予定線20に供給するアシストガスＧのガス圧によって基板10の位置ズレが発生するのを効率良く防止することができるので、切断しようとする切断予定線20の切断作業を該切断予定線20に沿って適正に且つ正確に行うことができる。
【００２６】
また、本発明によれば、各透明樹脂レンズ体40の表面等への加工飛散物の付着作用を効率良く防止できるので、レーザ加工品質を改善することができる。
従って、このため、例えば、次工程となる被加工物Ｗの洗浄工程を省力化或は簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係るレーザ加工装置の概要を示しており、図１(1) はレーザ加工装置の要部を概略的に示す一部切欠正面図、図１(2) は被加工物の拡大平面図である。
【図２】図１に対応するレーザ加工装置であって、図２(1) はレーザ加工装置の要部を概略的に示す一部切欠拡大正面図、図２(2) はカバー体の拡大平面図である。
【図３】図１に対応するレーザ加工装置であって、図３(1) は図２(1) のＡ−Ａ線における一部切欠側面図、図３(2) はその展開図である。
【図４】図１に対応するレーザ加工装置であって、本発明におけるレーザ切断工程の説明図である。
【図５】図５(1) 乃至図５(10)は、本発明のカバー被覆工程に関する説明図である。
【図６】本発明に係る他のレーザ加工装置を示しており、図６(1) 及び図６(2) はその要部を概略的に示す一部切欠側面図である。
【図７】本発明に係る更に他のレーザ加工装置を示しており、図７(1) 及び図７(2) はその要部を概略的に示す一部切欠側面図である。
【図８】本発明に係る更に他のレーザ加工装置を示しており、図８(1) 及び図８(2) はその要部を概略的に示す一部切欠側面図、図８(3) はその変形例を概略的に示す一部切欠側面図である。
【図９】従来のレーザ加工方法を用いて基板表面に複数の凹凸部が配置された被加工物をレーザ加工した場合の技術的な問題点の説明図であって、図９(1) は被加工物の要部を示す平面図、図９(2) はその要部拡大平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を図１乃至図５に示す第一実施例図に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２９】
まず、基板10（被加工物Ｗ）について説明する。
即ち、基板10は、図１(2) に示すように、該基板表面に格子状の切断予定線20を設定して設けた複数（多数）の区画30内に光半導体素子を封止する複数の透明樹脂レンズ体40が突設されている。
従って、該基板10の表面には、該基板10の表面と透明樹脂レンズ体40とによって、複数の凹凸部が配置された形状として形成されている。
なお、図１(2) において、符号21は、基板10の周辺部に設定される切断予定線を示しているが、この基板10の周辺位置と基板周辺の切断予定線の位置とが一致している場合は、該切断予定線21の設定は不要となる。また、製品として基板10の周辺部が残存していても差し支えない場合は該切断予定線21の設定は不要となる。従って、以下、上記した切断予定線20を切断する場合を中心として説明する。
【００３０】
図１(1) 及び図２(1) には、レーザ加工装置におけるレーザ加工部50を概略的に示している。
このレーザ加工部50は、基台51上に配置したモータ52と、該モータ52の上面に設けた吸着テーブル53と、該吸着テーブル53上に基板10を載置した状態で吸着保持させるための吸着パッド54と、該吸着パッド54上に吸着保持させた基板10における透明樹脂レンズ体40の表面を被覆させるためのカバー体55と、該カバー体55を上下方向へ移動させるための駆動機構56とを備えている。
【００３１】
また、吸着テーブル53は減圧手段（図示なし）と接続されており、吸着パッド54上の所定位置に案内された基板10は該吸着テーブル53の負圧（吸引力）57によって吸着されるように設けられている。従って、該減圧手段や吸着テーブル53等は基板10を吸着テーブル53の吸着パッド54上の所定位置に吸着保持させるための基板保持手段を構成している。
また、吸着テーブル53は、レーザ加工ヘッド60に対して、相対的に、Ｘ方向及び／又はＹ方向への移動が可能となるように設けられている。
また、吸着テーブル53はモータ52によってθテーブル機構を有し水平方向への回動が可能となるように設けられている。
【００３２】
また、カバー体55は、図１及び図３に示すように、切断しようとする切断予定線20の部位を除いて、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における所定範囲を被覆するように構成されている。
このカバー体55は、基台51上に設けた駆動機構56を介して、吸着パッド54上に吸着保持させた基板10の透明樹脂レンズ体40と接触しない上方位置にまで移動させることができると共に、この移動位置においては、吸着テーブル53の後述するＸ方向及び／又はＹ方向への移動が可能となるように設けられている。
更に、このカバー体55には、基板10の切断予定線20の部位と対応するレーザ光Ｌ透過用の開口55ａと、上記した少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の全表面と各々嵌合するように形成された凹部55ｂが設けられている。
そして、このカバー体55における開口55ａの位置と吸着パッド54上の基板10における切断予定線20の位置とを合致させると共に、この状態で、駆動機構56を介して、該カバー体55を基板10の上面に接合する下方位置にまで移動させることにより、切断しようとする該切断予定線20の部位を除き且つ該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の全表面を被覆することができるように設けられている。
【００３３】
また、レーザ加工部50には、基板10上における切断しようとする切断予定線20の部位、即ち、カバー体55の開口55ａによって設定されることになる切断予定線20の部位にレーザ光Ｌを照射してこの切断予定線20の部位を切断するためのレーザ光照射手段58ａ及び集光レンズ58ｂ等を含むレーザ切断手段58と、該切断予定線20の部位に酸素、窒素、アルゴン等のアシストガスＧを吹き付けて供給するためのアシストガス供給手段59と、該加工部位から飛散した加工飛散物をアシストガスＧの流れに乗せて外部へ吸引して排出させるための加工飛散物排出手段（図示なし）等が備えられている。
【００３４】
また、カバー体55における開口55ａの上方位置にはレーザ加工ヘッド60が配置されている。そして、該レーザ加工ヘッド60は、適宜な制御機構（図示なし）を介して、カバー体55に対して上下移動が可能となるように設けられている。
更に、該レーザ加工ヘッド60には、レーザ光Ｌの照射口及びアシストガスＧの吹付口を兼ねる開口部60ａが設けられている。
【００３５】
以下、基板10上の各切断予定線20を該各切断予定線20に沿って切断することにより、該基板10を各区画30毎に分離する場合について説明する。
【００３６】
まず、基板10を吸着テーブル53上の所定位置に吸着保持する基板保持工程を行う。
このとき、基板10の各区画30は負圧57によって吸着テーブル53の吸着パッド54上に保持される。
また、該基板10の表面に設定された各切断予定線20は格子状に配設されているが、該各切断予定線20を吸着テーブル53の移動方向と直交する方向に配置することができる。
即ち、吸着テーブル53はＤＤモータ52を介してＸＹ方向へ移動させることができると共に、その移動方向に直交する方向へ回動させることができるので、該吸着テーブル53を回動させることによって全ての切断予定線20を吸着テーブル53の移動方向と直交する方向に配置（位置合わせ）することができる。
なお、後述するように、吸着テーブル53は、基板10上の切断しようとする切断予定線20の方向とカバー体55の開口55ａとを合致させる方向へ移動させるものであるから、この開口55ａの方向と直交する方向の切断予定線20を切断する場合は、吸着テーブル53を回動させてその切断予定線20の方向とカバー体の開口55ａとの位置合わせをすればよい。
従って、吸着テーブル53はＸＹ方向の両方向へ移動させる必要はなく、切断予定線20をカバー体の開口55ａに合致させることができるＸ方向又はＹ方向のいずれかの方向へ移動させればよい。
【００３７】
次に、カバー体55によって、基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き且つ該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における所定範囲を被覆するカバー被覆工程を行う。
このカバー被覆工程は、吸着テーブル53を移動させて、基板10上の切断しようとする切断予定線20の方向とカバー体55の開口55ａの方向とを合致させた後に行う。
即ち、図２(1) に示すように、予め、吸着テーブル53の移動時に、該吸着テーブル53の吸着パッド54上に保持させた基板10の各透明樹脂レンズ体40とカバー体55、及び、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とが相互に接触しないように、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とを上方の退避位置へ移動させる。
そして、吸着テーブル53を移動させて、基板10上の切断しようとする切断予定線20の方向とカバー体55の開口55ａの方向とを合致させた後に、図３(1) に示すように、駆動機構56を介してカバー体55を下動させることにより、該カバー体55の凹部55ｂを基板10の透明樹脂レンズ体40に嵌合させるようにして被覆する。
なお、図例においては、上記した少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40に対してカバー体55を密着状に嵌合させて被覆した状態を示している。
【００３８】
次に、カバー体55にて設定される切断予定線20の部位にレーザ光Ｌを照射してこの切断予定線20の部位を切断するレーザ切断工程と、該レーザ切断工程時に切断予定線20の部位にアシストガスＧを供給するアシストガス供給工程とを行う。
このレーザ切断工程及びアシストガス供給工程は従来方法と同様に行うことができる。
即ち、図１及び図４に示すように、レーザ光照射手段58ａを介して、集光レンズ58ｂにより集光したレーザ光Ｌを基板10のレーザ加工部位（切断予定線20）に照射する。
また、このレーザ加工部位へのレーザ光Ｌの照射時において、アシストガス供給手段59を介して、アシストガスＧを該レーザ加工部位に吹き付けて供給する。
このとき、レーザ光Ｌはカバー体55の開口55ａを通して基板10の表面に直接的に照射されるので、この状態で該レーザ光Ｌを該開口55ａ（切断予定線20）の方向へ走査させることによって切断予定線20を切断することができる。
また、このとき、レーザ加工部位（切断予定線20）からは加工飛散物が飛散することになるが、該加工飛散物はアシストガスＧの流れに乗り、加工飛散物排出手段（図示なし）を介して、基板10の側方となる外部へ排出させることができる。
【００３９】
上記したアシストガスＧ及び加工飛散物の外部排出作用は、次のようにして行われる。
即ち、カバー体55によって、基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き且つ該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の全表面が被覆された状態にあるから、該切断予定線20（レーザ加工部位）に供給したアシストガスＧとこの部位から飛散した加工飛散物とは、カバー体55の開口55ａに規制されて一定した流れとなる。
そして、この流れは、カバー体55の開口55ａに規制されて基板10の側方へ案内されると共に、加工飛散物排出手段を介して、外部へ効率良く排出させることができる。
また、このとき、上記した透明樹脂レンズ体40の全表面はカバー体によって被覆されているので、加工飛散物が該透明樹脂レンズ体40の全表面に衝突したり、或は、これに付着して焼損し若しくは傷損する等の弊害を確実に防止することができる（図２(2) 参照）。
【００４０】
次に、レーザ切断工程及びアシストガス供給工程を基板10における全ての切断予定線20の部位に施すことにより該基板10をその各区画30毎に分離する切断分離工程を行う。
【００４１】
上記したカバー被覆工程について、図５を参照して、更に詳述する。
図５(1) は、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とを上方の退避位置へ移動させた状態で吸着テーブル53を移動することにより該基板10上の切断予定線20ａの方向とカバー体55の開口55ａの方向とを合致させた状態を示している。
この状態で駆動機構56を介してカバー体55を下動させることにより該カバー体55の凹部55ｂを切断予定線20ａに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40に密着状に嵌合させて被覆する。
そして、このカバー被覆工程を行った後に、カバー体55の開口55ａを通して切断予定線20ａの部位にアシストガスＧを供給しながらレーザ光Ｌを照射すると共に、該切断予定線20ａに沿ってレーザ光Ｌを走査させることにより該切断予定線20ａを切断する。
このとき、切断予定線20ａ（レーザ加工部位）から飛散した加工飛散物はアシストガスＧの流れに乗り加工飛散物排出手段（図示なし）を介して基板10の側方となる外部へ排出させることができるが、アシストガスＧの流れはカバー体55の開口55ａに規制されて一定の流れに整流されるので該アシストガスＧの乱流は発生しない。
このため、該アシストガスＧとこれに捕捉された加工飛散物を外部へ効率良く排出することができる。
更に、このとき、透明樹脂レンズ体40の全表面はカバー体55の凹部55ｂによって密着状に被覆されているので、アシストガスＧに捕捉された加工飛散物が透明樹脂レンズ体40の全表面に衝突したり、或は、これに付着して焼損し若しくは傷損するのを確実に防止することができる。
従って、これによって、上記切断予定線20ａに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することができると共に、図５(2) に示すように、基板10上の切断予定線20ａを効率良く切断することができる。
【００４２】
図５(3) は、基板10の切断予定線20ａについての上記した切断加工が終わった後に、駆動機構56を介して、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とを上方の退避位置へ移動させると共に、吸着テーブル53を移動させて基板10のピッチ送りを行い且つその切断予定線20ｂとカバー体55の開口55ａとを合致させる。
そして、この状態で駆動機構56を介してカバー体55を下動させることにより該カバー体55の凹部55ｂを切断予定線20ｂに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40に密着状に嵌合させて被覆する。
このカバー被覆工程を行った後に、該切断予定線20ｂの部位にアシストガスＧを供給しながらレーザ光Ｌを照射すると共に、該切断予定線20ｂに沿ってレーザ光Ｌを走査させることにより該切断予定線20ｂを切断する。
このとき、加工飛散物は、上記したと同様に、カバー体55の開口55ａに規制されて一定の流れに整流されたアシストガスＧの流れに乗って外部へ効率良く排出される。
また、このとき、カバー体55の凹部55ｂによって密着状に被覆された透明樹脂レンズ体40にアシストガスＧやこれに捕捉された加工飛散物が衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを確実に防止することができる。
従って、これによって、上記切断予定線20ｂに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することができると共に、図５(4) に示すように、基板10上の切断予定線20ｂを効率良く切断することができる。
【００４３】
図５(5) は、基板10の切断予定線20ｂについての上記した切断加工が終わった後に、駆動機構56を介して、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とを上方の退避位置へ移動させると共に、吸着テーブル53を90度の角度位置まで回動させる。
従って、これによって、図５(6) に示すように、基板10の位置を90度の角度位置に変更することができる。
【００４４】
図５(7) は、基板10の位置を90度の角度位置に回動して変更させた後に、駆動機構56を介してカバー体55を下動させることにより該カバー体55の凹部55ｂを切断予定線20ｃに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40に密着状に嵌合させて被覆する。
このカバー被覆工程を行った後に、該切断予定線20ｃの部位にアシストガスＧを供給しながらレーザ光Ｌを照射すると共に、該切断予定線20ｃに沿ってレーザ光Ｌを走査させることにより該切断予定線20ｃを切断する。
このとき、加工飛散物は、上記したと同様に、カバー体55の開口55ａに規制されて一定の流れに整流されたアシストガスＧの流れに乗って外部へ効率良く排出される。
また、このとき、カバー体55の凹部55ｂによって密着状に被覆された透明樹脂レンズ体40にアシストガスＧやこれに捕捉された加工飛散物が衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを確実に防止することができる。
従って、これによって、上記切断予定線20ｃに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することができると共に、図５(8) に示すように、基板10上の切断予定線20ｃを効率良く切断することができる。
【００４５】
図５(9) は、基板10の切断予定線20ｃについての上記した切断加工が終わった後に、駆動機構56を介して、カバー体55とレーザ加工ヘッド60とを上方の退避位置へ移動させると共に、吸着テーブル53を移動させて基板10のピッチ送りを行い且つその切断予定線20ｄとカバー体55の開口55ａとを合致させる。
そして、この状態で駆動機構56を介してカバー体55を下動させることにより該カバー体55の凹部55ｂを切断予定線20ｄに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40に密着状に嵌合させて被覆する。
このカバー被覆工程を行った後に、該切断予定線20ｄの部位にアシストガスＧを供給しながらレーザ光Ｌを照射すると共に、該切断予定線20ｄに沿ってレーザ光Ｌを走査させることにより該切断予定線20ｄを切断する。
このとき、加工飛散物は、上記したと同様に、カバー体55の開口55ａに規制されて一定の流れに整流されたアシストガスＧの流れに乗って外部へ効率良く排出される。
また、このとき、カバー体55の凹部55ｂによって密着状に被覆された透明樹脂レンズ体40にアシストガスＧやこれに捕捉された加工飛散物が衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを確実に防止することができる。
従って、これによって、上記切断予定線20ｄに隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の焼損若しくは傷損を防止することができると共に、図５(10)に示すように、基板10上の切断予定線20ｄを効率良く切断することができる。
【００４６】
上記した基板10における全ての切断予定線20（20ａ、20ｂ、20ｃ、20ｄ）の部位に対してレーザ切断工程及びアシストガス供給工程を施すことにより、該基板10をその各区画30毎に分離する切断分離工程を行うことができる（図５(10)参照）。
【００４７】
上記した実施例においては、カバー体55を介して、レーザ加工時に基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き且つ該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40における全表面を被覆するようにしたので、加工飛散物が透明樹脂レンズ体40に衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを確実に防止することができる。
従って、これにより、レーザ加工品質を改善することができる。
また、カバー体55によって、アシストガスＧを一定の流れに整流しながら基板10の外部へ排出することができるので、切断しようとする切断予定線20の部位に供給したアシストガスＧとこのアシストガスＧに乗って飛散する加工飛散物を効率良く外部へ排出することができる。
また、カバー体55による基板10の押圧作用によって該基板10に対する吸着テーブル53上の吸着保持作用を補助することができること、更に、カバー体55によってアシストガスＧを整流することができるので、吸着テーブル53上に吸着された基板10の位置ズレを効率良く防止することができる。
従って、切断しようとする切断予定線20の切断作業を該切断予定線20に沿って適正に且つ正確に行うことができる。
【００４８】
次に、図６に示す第二実施例図に基づいて説明する。
【実施例２】
【００４９】
前第一実施例は、カバー体55によって透明樹脂レンズ体40における全表面を被覆する場合について説明したが、この実施例では、カバー体55によって透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａを除く表面を被覆するようにした点で相違する。
なお、本実施例において前実施例と実質的に同じ構成については前実施例について説明した事項と同様である。従って、説明の重複を避けるため、両者に共通する構成については同じ符号を付している。
【００５０】
即ち、図６に示すように、カバー体55が、基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａを除く表面を被覆するように構成されている（図６(2) 参照）。
なお、このカバー体55によるカバー被覆工程においては、図６(2) に示すように、透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａがカバー体55の上面から露出することになるが、レーザ加工ヘッド60の底面部が透明樹脂レンズ体40の頂周辺部40ａに接触しないように形成すること、及び、それによって、該レーザ加工ヘッド60の底面とカバー体55の上面とを接近させるように構成できることは明らかである。
【００５１】
この実施例においては、カバー体55の高さｈを透明樹脂レンズ体40の高さＨよりも低くなるように形成できるため、レーザ加工ヘッド60の底面と加工点となる基板10の面（カバー体55の上面）を実施例１に示す透明樹脂レンズ体40の全体を被覆したカバー体55を用いる例に比べて接近させることができるので、アシストガスの作用を強めることができ、加工品質を高め、切断速度を上げることができると云った利点が有る。
また、この実施例においても、頂周辺部40ａを除く透明樹脂レンズ体40の表面をカバー体55の係合部55ｃにて被覆することができる。そして、その開口55ａにてアシストガスＧの整流を行うことができる。
このため、加工飛散物が透明樹脂レンズ体40に衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを防止する効果を得ることができる。
【００５２】
次に、図７に示す第三実施例図に基づいて説明する。
【実施例３】
【００５３】
この実施例は、図７に示すように、カバー体55が、基板10上の切断しようとする切断予定線20の部位を除き、且つ、該切断予定線20に隣合う少なくとも二列の透明樹脂レンズ体40の対向表面40ｂ及び二列の透明樹脂レンズ体40の頂部表面40ｃを被覆するように構成されている点で、前各実施例のものと異なっている。
なお、本実施例において前各実施例と実質的に同じ構成については前各実施例について説明した事項と同様である。従って、説明の重複を避けるため、共通する構成については同じ符号を付している。
【００５４】
この実施例においては、カバー体55にて二列の透明樹脂レンズ体40の対向表面40ｂ及び二列の透明樹脂レンズ体40の頂部表面40ｃとを被覆することができる。
この実施例においては、カバー体55による被覆を実質的に必要な範囲で行うことが可能となる。
従って、該カバー体55の形状や構成を簡易化することができる。
また、この実施例においても、実質的に必要な被覆範囲である透明樹脂レンズ体40の対向表面40ｂ及び透明樹脂レンズ体40の頂部表面40ｃをカバー体55にて被覆することができる。そして、その開口55ａにてアシストガスＧの整流を行うことができる。
このため、加工飛散物が透明樹脂レンズ体40に衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを防止する効果を得ることができる。
【００５５】
次に、図８に示す第四実施例図に基づいて説明する。
【実施例４】
【００５６】
前各実施例においては、カバー体55を独立して設けた構成を示しているが、この実施例では、カバー体55をレーザ加工ヘッド60の底面部に止着させて構成した点で相違する。
なお、本実施例において前各実施例と実質的に同じ構成については前各実施例について説明した事項と同様である。従って、説明の重複を避けるため、共通する構成については同じ符号を付している。
【００５７】
即ち、図８に示すように、カバー体55をレーザ加工ヘッド60の底面部に止着させて一体化することにより、レーザ加工ヘッド60とカバー体55とを同時に移動させるように構成されている。
【００５８】
この実施例においては、カバー体55をレーザ加工ヘッド60の底面部に止着させているため、透明樹脂レンズ体40に対するカバー体55の被覆及び離脱作用をレーザ加工ヘッド60の移動作用に併行させて行うことができる。
従って、この実施例の場合は、カバー体55専用の移動機構等が不要となり、更には、装置全体の小型化を図ることができると云った利点が有る。
また、この実施例においても、カバー体55による透明樹脂レンズ体40の被覆を行うことができる。そして、その開口55ａにてアシストガスＧの整流を行うことができる。
即ち、前各実施例のものと同様に、アシストガスＧの流れは、カバー体55の開口55ａに規制されて基板10の側方へ案内されると共に、加工飛散物排出手段を介して、外部へ効率良く排出させることができる。
このため、加工飛散物が透明樹脂レンズ体40に衝突したり、或は、これに付着してその表面等を焼損し若しくは傷損するのを防止する効果を得ることができる。
【００５９】
なお、図８(3) はレーザ加工ヘッド60の他の形状例を概略的に示しているが、その構成は図８(1) に示したものと実質的に同一である。
【００６０】
前記した第一実施例乃至第三実施例では、そのカバー被覆工程において、カバー体55と透明樹脂レンズ体40とを密着状に接合させた状態で行うことが好ましい。
しかしながら、該カバー体55と透明樹脂レンズ体40との間に所要の空隙を保持させるように設定しても差し支えない。
【００６１】
前記した第四実施例では、そのカバー被覆工程において、カバー体55と透明樹脂レンズ体40との間に所要の空隙を保持させた状態で行うことが好ましい。
しかしながら、該カバー体55と透明樹脂レンズ体40とを密着状に接合させるように設定しても差し支えない。
【００６２】
前記した各実施例において、基板の縦方向及び横方向に（Ｘ方向に及びＹ方向に）ついては、基板に形成される透明樹脂レンズ体40の数は同じであり、そのレンズ体40の間隔〔例えば、図９(2)に示す各区画３の中心位置Ｃ同士の距離）は同じ距離である。
しかしながら、基板における透明樹脂レンズ体40の数とその間隔（ピッチ）を基板の縦方向及び横方向で異なるものを用いることができる。
例えば、実施例１及び実施例２において、基板の縦方向と横方向とでレンズ体40の間隔が同じでレンズ体40の数が異なる場合、レンズ体40の数が多い方に対応したカバー体55を用いれば良いことになる。
また、実施例１及び実施例２において、基板の縦方向と横方向とでレンズ体40の間隔が異なる場合、異なる二つの種類のカバー体55が必要になることになる。
【００６３】
また、前記した各実施例においては、レーザ光Ｌで基板を切断している。この場合、基板をその厚さ方向に完全に切断（フルダイシング）しても良いし、その厚さ方向の一部を切断してもよし、その厚さ方向の半分の距離を切断（ハーフダイシング）しても良い。
【００６４】
また、前記した各実施例に用いられる基板について、透明樹脂レンズ体40の周辺部には基板層だけでなく、樹脂層（例えば、シリコーン樹脂）が形成されていることがある。この樹脂層は切断予定線(20:21)の位置に存在し、レーザ加工ヘッド60から見ると、樹脂層、基板層の順で配置されることになる。この場合、本発明のカバー体55及びレーザ加工ヘッド60を用い、基板における切断予定線(20:21)をレーザ光Ｌにて当該樹脂層を切断して除去することができる（基板層は残る）。また、本発明のカバー体55及びレーザ加工ヘッド60にて樹脂層と基板層とを切断することができる。
【００６５】
また、前記した各実施例において、基板10を吸着して固定するために吸着テーブル53を用いているが、基板10を、ウェハーリングなどを用いダイシングテープ（粘着テープ）に貼り付けて固定しても良い。
【００６６】
本発明は、前述した各実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができる。
例えば、レーザ加工においては、所謂、ＣＷ発振（連続発振）によるＣＷレーザ加工、或は、パルス発振によるパルスレーザ加工のいずれを採用してもよい。
【符号の説明】
【００６７】
10    基板
20    切断予定線
21    切断予定線
30    区画
40    透明樹脂レンズ体
40ａ  頂周辺部
40ｂ  対向表面
40ｃ  頂部表面
50    レーザ加工部
51    基台
52    モータ
53    吸着テーブル
54    吸着パッド
55    カバー体
55ａ  開口
55ｂ  凹部
55ｃ  係合部
56    駆動機構
57    負圧
58    レーザ切断手段
58ａ  レーザ光照射手段
58ｂ  集光レンズ
59    アシストガス供給手段
60    レーザ加工ヘッド
60ａ  開口部
Ｇ    アシストガス
Ｌ    レーザ光
Ｓ    間隔
Ｗ    被加工物
【図１】
0006000909.tif 000002
【図２】
0006000909.tif 000003
【図３】
0006000909.tif 000004
【図４】
0006000909.tif 000005
【図５】
0006000909.tif 000006
【図６】
0006000909.tif 000007
【図７】
0006000909.tif 000008
【図８】
0006000909.tif 000009
【図９】
0006000909.tif 000010