(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備え、
前記本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの排出口が形成されており、
前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上１００倍以下であることを特徴とするガスノズル。
【請求項２】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記一端面における算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０５μｍ以下であることを特徴とするガスノズル。
【請求項３】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記本体の前記一端面に接続した側面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上であることを特徴とするガスノズル。
【請求項４】
請求項３に記載のガスノズルにおいて、
前記排出口は、前記本体に複数形成されており、且つ前記側面にも形成されていることを特徴とするガスノズル。
【請求項５】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記セラミック焼結体の主成分は、イットリアであることを特徴とするガスノズル。
【請求項６】
請求項１に記載のガスノズルにおいて、
前記セラミック焼結体の主成分は、スピネルであることを特徴とするガスノズル。
【請求項７】
請求項６に記載のガスノズルにおいて、
前記セラミック焼結体は、カルシウムおよびジルコニウムの少なくとも一方を含むことを特徴とするガスノズル。
【請求項８】
反応室と、
該反応室内にガスを供給する請求項１に記載のガスノズルと、
前記ガスを放電によってプラズマ化させる放電手段とを備えたことを特徴とするプラズマ装置。
【請求項９】
貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体用焼結体を準備する工程と、前記本体用焼結体の一端面に、第１研磨材を用いて第１ラップ加工を行なう工程と、
該第１ラップ加工を行なった前記本体用焼結体の前記一端面に、前記第１研磨材よりも硬度が小さい第２研磨材を用いて第２ラップ加工を行なうことによって、ガスが流れる前記貫通孔が形成された前記セラミック焼結体からなる柱状の本体を作製する工程とを備えたことを特徴とするガスノズルの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のガスノズルの製造方法において、
前記本体用焼結体を準備する工程では、
前記本体用焼結体としてイットリアまたはスピネルを主成分とするセラミック焼結体からなるものを用いて、
前記第１ラップ加工を行なう工程では前記第１研磨材としてダイヤモンド研磨材を用いて、
前記本体を作製する工程では前記第２研磨材としてアルミナ研磨材を用いることを特徴とするガスノズルの製造方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体製造用もしくは液晶製造用の成膜装置またはエッチング装置などのプラズマ装置に用いられるガスノズル、これを用いたプラズマ装置およびガスノズルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製造工程または液晶製造工程において、半導体ウエハまたはガラス基板などの基板に薄膜を成膜するための成膜装置、および基板に微細加工を施すためのエッチング装置などのプラズマ装置が用いられている。成膜装置では、原料ガスが反応室内に定常的に供給導入され、この原料ガスを化学反応させることによって、基板上に薄膜を形成する。また、エッチング装置では、原料ガスとしてハロゲン系腐食性ガスが導入され、この原料ガスをプラズマ化してエッチングガスとして用いることにより、基板に微細加工を施す。【０００３】
特開２０００−１９５８０７号公報に開示されているように、これらの装置は、原料ガスを導入するためのガスノズルを有している。このようなガスノズルとしては、セラミック焼結体を用いることができる。しかし、ガスノズルにセラミック焼結体を用いる場合には、所望の形状を得るために研削加工や研磨加工が必要となるが、このような加工を行うと、表面に損傷を受けて表面から粒子（パーティクル）が脱落しやすい状態となる。【０００４】
そして、成膜装置やエッチング装置を用いる際に、ガスノズルの原料ガス排出口を有する端面が、反応室内のガスに晒されて損傷を受けて、パーティクルが脱落しやすくなる。このパーティクルが基板に付着すると、基板に不良が生じやすくなる。
【発明の概要】
【０００５】
本発明は、パーティクルの脱落を低減する要求に応えるガスノズルを提供するものである。
【０００６】
本発明の一態様に係るガスノズルは、ガスが流れる貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体を備える。前記本体の一端面には、前記貫通孔における前記ガスの排出口が形成されている。前記一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、前記セラミック焼結体における平均結晶粒径の５倍以上１００倍以下である。
【０００７】
本発明の一態様に係るガスノズルの製造方法は、貫通孔が形成されたセラミック焼結体からなる柱状の本体用焼結体を準備する工程と、前記本体用焼結体の一端面に、第１研磨材を用いて第１ラップ加工を行なう工程と、該第１ラップ加工を行なった前記本体用焼結体の前記一端面に、前記第１研磨材よりも硬度が小さい第２研磨材を用いて第２ラップ加工を行なうことによって、ガスが流れる前記貫通孔が形成された前記セラミック焼結体からなる柱状の本体を作製する工程とを備える。
【０００８】
本発明の一態様に係るガスノズルによれば、パーティクルの脱落を低減することができる。
【０００９】
本発明の一態様に係るガスノズルの製造方法によれば、パーティクルの脱落を低減したガスノズルを作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置の構成例を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示したガスノズルの構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ１−Ａ１線における断面図である。
【図３】（ａ）は、従来のガスノズルの本体の一端面の表面状態を示す拡大断面図であり、（ｂ）は、図１に示したガスノズルの本体の一端面の表面状態を示す拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の一実施形態によるガスノズルの構成例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ１−Ｂ１線における断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるガスノズルの製造方法を示し、本体の一端面（反応室内のガスに接する面）を仕上げ加工する方法を示した模式的な図である。
【図６】図４に示したガスノズルの製造方法を示し、一端面に接続した側面を仕上げ加工する方法を示した模式的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜ガスノズル＞
以下に、本発明の一実施形態によるガスノズルについて、図１および２を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態によるガスノズルを用いた成膜装置１は、例えばプラズマＣＶＤ法によって半導体ウェハまたはガラス基板などの基板５に薄膜を成膜する装置である。成膜装置１は、薄膜を成膜するための反応室２と、反応室２内に原料ガスを導入するガス導入管３と、反応室２内においてガス導入管３に接続されたガスノズル４と、反応室２内において基板５が載置される、内部電極７を備えた静電チャックなどの基板保持部６と、内部電極７が接続される反応室２外部のバイアス電源８と、反応室２内にプラズマを生成するために反応室２外部に設けられたコイル９および電源１０とを備えている。このコイル９および電源１０は、反応室内に供給された原料ガスに放電を行なう放電手段を構成している。
【００１３】
このような成膜装置１において、基板５の上方では、ガスノズル４から供給された原料ガスが、コイル９および電源１０からの放電によってプラズマ化され、基板５上に薄膜が堆積形成される。例えば、基板５上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）絶縁薄膜を形成するときは、シラン（ＳｉＨ４）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス、および酸素（Ｏ２）ガス等の原料ガスが供給され、不要堆積物をクリーニングするときは三フッ化窒素（ＮＦ３）ガス、またはオクタフルオロプロパン（Ｃ３Ｆ８）ガス等のクリーニングガスが供給される。
【００１４】
次に、成膜装置１に使用されるガスノズル４について説明する。図２に示すように、本実施形態によるガスノズル４は、ガスが流れる貫通孔１２を備えた本体１３を有する。本体１３は、柱状に形成されており、例えば、下面（一端面Ｓ１）と上面（他端面Ｓ２）と一端面Ｓ１および他端面Ｓ２に接続する側面Ｓ３とからなる円柱状である。貫通孔１２は、ガスが流れる流路であり、ガスが供給される供給口１４とガスが排出される排出口１５とを有する。図２に示したガスノズル４では、供給口１４および排出口１５が、円柱の上面（他端面Ｓ２）および下面（一端面Ｓ１）にそれぞれ設けられている。
【００１５】
上述したガスノズルの本体１３は、一端面Ｓ１および側面Ｓ３が反応室２内のプラズマに晒されるため、耐プラズマ性の観点からセラミック焼結体を用いることが望ましく、さらには、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、すなわちアルミナよりも耐プラズマ性の高いセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体を用いることが望ましい。このように耐プラズマ性の高いセラミック焼結体としては、イットリア（Ｙ２Ｏ３）もしくはイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）等の希土類を含むセラミック材料を主成分とするセラミック焼結体、または、アルミン酸マグネシウム（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、すなわちスピネルを主成分とするセラミック焼結体を用いることができる。
【００１６】
ここで、本体１３がイットリア焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が向上するため、ガスノズル４が腐食性ガスのプラズマに曝される環境下またはプラズマ密度の高い環境下で用いられたとしても、長い寿命を保持することができる。この場合、本体１３は、イットリアを主成分として例えば９９体積％以上９９．９９体積％以下含んでおり、例えば焼結助剤としてジルコニウム（Ｚｒ）またはシリコン（Ｓｉ）を０．０１体積％以上１体積％以下含んでいる。
【００１７】
また、本体１３がスピネル焼結体からなる場合には、耐プラズマ性が一定以上あり、且つイットリアなど希土類を含むセラミック焼結体よりも、機械的特性および熱的特性に優れている。この場合、本体１３は、スピネルを主成分として例えば９０体積％以上９９．９体積％以下含んでおり、例えば焼結助剤としてカルシウム（Ｃａ）、ジルコニウムまたはマグネシウム（Ｍｇ）を５体積％以上１０体積％以下含んでいる。特に、スピネル焼結体の焼結助剤としては、カルシウムまたはジルコニウムを用いることが望ましい。その結果、耐プラズマ性を高めることができる。
【００１８】
ところで、本体の一端面は、排出口が形成されており、反応室内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れるため、腐食性ガスにアタックされやすい。特に、一端面に凹部が形成されていると、該凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。一般的に、表面状態を表すものとして算術平均粗さ（Ｒａ）が知られているが、この算術平均粗さ（Ｒａ）は輪郭曲線の算術平均高さを示すものであるため、凹部の高さに影響される。したがって、算術平均粗さ（Ｒａ）が小さくても、本体の一端面における凹部の数を低減するものとは限らない。そして、従来の研磨加工では、焼成や研削加工による凹凸の高さを小さくして算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくしたとしても、研磨加工時の応力で結晶粒子が破砕して微小な凹部が新たに形成されるため、図３（ａ）に示すように、本体１３´の一端面Ｓ１´における凹部の数を低減できない。すなわち、隣接する凹部間の距離を示す輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）を平均結晶粒径に対して大きくすることができない。それゆえ、凹部が腐食性ガスにアタックされることで、パーティクルが脱落しやすくなる。
【００１９】
一方、本実施形態においては、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数に着目し、後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制することによって、図３（ｂ）に示すように、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減し、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とした。その結果、本体１３の一端面Ｓ１における凹部の数を低減することによって、反応室２内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れたとしても、パーティクルの脱落を低減することができ、ひいてはウェハの不良を低減することができる。
【００２０】
特に、本体１３としてイットリア焼結体やスピネル焼結体を用いる場合は、アルミナ焼結体などと比較して材料強度が低く、通常の研磨加工では加工時に結晶粒子の破砕が起きやすいが、上述したように後述する本実施形態の研磨加工を用いて加工時における結晶粒子の破砕を抑制しているため、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とすることができる。
【００２１】
ここで、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠しており、表面粗さ計を用いて測定する粗さ曲線の横方向のパラメーターであって、基準長さにおける凹凸間の距離の平均値である。輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）によって粒子脱落の程度を判定することが可能となり、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）が大きい程、研磨加工による結晶粒子の破砕が少ないことを表す。
【００２２】
また、本体１３の一端面Ｓ１における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）は、例えばセラミック焼結体の平均結晶粒径の１００倍以下に設定されている。また、本体１３の一端面Ｓ１における算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば０．０５μｍ以下に設定されている。なお、算術平均粗さ（Ｒａ）の定義は、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠している。
【００２３】
また、図４に示すように、本体１３の側面Ｓ３においても、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上であることが望ましい。その結果、反応室内のプラズマ化された腐食性ガスに直接触れる本体１３の側面Ｓ３においても、パーティクルの脱粒を抑制できる。また、図４においては、側面Ｓ３は、一端面Ｓ１側の一領域Ｒのみにおける輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上となっている。その結果、腐食性ガスに触れやすい一領域Ｒにおける耐プラズマ性を高めることができる。なお、図４に示す本体１３は、一領域Ｒを側面とする部分の幅が、他の部分の幅よりも小さくなっている。
【００２４】
本体１３の他端面Ｓ２は、加工工程を簡略化するため、上述した本実施形態の研磨加工を行わなくても構わない。この場合、輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）がセラミック焼結体の平均結晶粒径の例えば２倍以上４倍以下となる。
【００２５】
＜ガスノズルの製造方法＞
次に、本実施形態によるガスノズルの製造方法の一例を説明する。このガスノズルの製造方法は、本体１３となるセラミック焼結体を作製する工程と、所望の形状の本体１３を得るため、セラミック焼結体を加工する工程とを備えている。
【００２６】
（セラミック焼結体の作製）
まず、本体１３をイットリア焼結体で形成する場合について以下に説明する。
【００２７】
まず、イットリア粉末に純水と有機バインダーを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。その後、スラリーをスプレードライにて造粒する。造粒したイットリア粉末を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法（ＣＩＰ成形法）などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。そして、成形体を必要に応じ４００℃以上６００℃以下で脱脂して有機バインダーを分解した後、大気雰囲気中または酸素雰囲気中のいずれかにて１４００℃以上１７００℃以下で焼成することにより、イットリア焼結体を得ることができる。
【００２８】
次に、本体１３をスピネル焼結体で形成する場合について以下に説明する。
【００２９】
まず、出発原料である高純度の水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を準備し、所定の割合となるよう秤量後、ボールミルで湿式混合して１次原料を得る。そして、１次原料を乾燥後、１１００℃以上１３００℃以下の温度で仮焼して仮焼体を得る。次に、仮焼体をボールミル等により平均粒径が２μｍ以下、好ましくは平均粒径が１．５μｍ以下となるまで湿式粉砕してスラリーを得る。そして、スラリーを容器に移し、乾燥機内で乾燥した後、メッシュを通過させることにより、仮焼粉体を得る。なお、カルシウムおよびジルコニウムについては、１次原料を得るための混合・粉砕時から添加してもよいが、この仮焼粉体に添加してもよい。
【００３０】
次に、仮焼粉体に所定量の純水およびバインダーを加えた後、ボールミル等により所定時間湿式混合した後、スプレードライヤーで噴霧造粒して２次原料を得る。そして、この２次原料を用いて、金型プレス法または冷間静水圧プレス成形法などの任意の成形法を用いて所定の形状に成形して成形体を得る。その後、成形体を大気雰囲気中１５５０℃以上１７５０℃以下の温度で焼成することにより、本実施形態のスピネル焼結体を得ることができる。なお、緻密化を促進させるために熱間静水圧プレス法を用いても構わない。
【００３１】
以上のようにして得られるイットリア焼結体およびスピネル焼結体は、本体１３の貫通孔１２が形成される前の焼結体であり、以下では、「本体用焼結体１３」という。
【００３２】
（セラミック焼結体の加工）
本体用焼結体１３の形状を所望のものとするための加工について、以下に説明する。
【００３３】
まず、研削加工を用いて、本体用焼結体１３に貫通孔１２や外形形状を形成する。次に、研磨加工を用いて、本体用焼結体１３の一端面Ｓ１を研磨する。
【００３４】
ここで、イットリア焼結体またはスピネル焼結体からなる本体用焼結体１３の一端面Ｓ１の研磨加工について、以下に詳細に説明する。
【００３５】
まず、ダイヤモンド研磨材と鋳鉄系ラップ盤とを用いた第１ラップ加工を行う。次に、図５に示すように、ダイヤモンド研磨材よりも硬度が小さい軟質材料からなる研磨材１７と軟質系研磨パッドなどのラップ盤１８とを用いた第２ラップ加工（仕上げ加工）を行う。この仕上げ加工に使用する研磨材は、例えば、モース硬度が９であるアルミナ研磨材や、モース硬度が２．５であるセリア研磨材を用いることができる。研磨材の硬度は、加工対象となるセラミック焼結体に応じて適宜選択される。具体的には、例えばイットリア焼結体の場合であれば、平均粒径が１μｍのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッド上で２〜１０時間程度仕上げ加工を行えばよい。
【００３６】
これにより、ダイヤモンド研磨材を用いた第１ラップ加工で、材料強度が小さいイットリア焼結体やスピネル焼結体は、加工時の応力によって結晶粒子が破砕して破砕層が形成されるが、軟質材料からなる研磨材を用いた仕上げ加工を追加することにより、結晶粒子の破砕を抑制しつつ研磨することができるため、第１ラップ加工で発生した結晶粒子の破砕層を除去することができる。また、第２ラップ加工の前に第１ラップ加工を行って一端面Ｓ１の算術平均粗さ（Ｒａ）を小さくしておくことによって、加工時間を短縮することができる。
【００３７】
ここで、図４に示すガスノズルを作製する場合は、本体用焼結体１３の側面Ｓ３における一領域Ｒの研磨加工については、以下のように行うことができる。
【００３８】
まず、固定砥石を用いた円筒研削を行う。次に、図６に示すように、軟質系研磨パッドを貼り付けた治具１９とダイヤモンド研磨材よりも硬度が小さい軟質材料からなる研磨材とを用いた第２ラップ加工（仕上げ加工）を行う。この仕上げ加工に使用する研磨材は、上述した一端面Ｓ１の仕上げ加工と同様のものを用いることができる。また、具体的には、例えばイットリア焼結体の場合には、１μｍサイズのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッドを貼り付けた治具を用いて２〜１０時間程度仕上げ加工を行えばよい。
【００３９】
以上のようにして、ガスノズル４を作製することができる。
【００４０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
【００４１】
例えば、上述した実施形態において、ガスノズルを成膜装置に用いた構成を例に説明したが、ガスノズルは他の半導体製造装置や液晶製造装置に用いてもよく、例えばエッチング装置に用いても構わない。
【００４２】
また、上述した実施形態において、排出口は、柱状である本体の一端面に形成した構成を例に説明したが、排出口は、本体の反応室内に露出した面に形成すればよく、例えば、本体の側面に形成しても構わない。この場合、本体の側面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体の平均結晶粒径の５倍以上とすることが望ましい。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明するが、本発明は、下記実施例によって限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲の変更、実施の態様は、いずれも本発明の範囲内に含まれる。【００４４】
（評価方法）
表１に示すように、各種セラミック焼結体および加工方法を用いて試料１〜１５のガスノズルを作製し、各ガスノズルについて、キーエンス社製のデジタルマイクロスコープ装置を用いて、表面観察することによって、本体の一端面における平均結晶粒径（Ｄ）を測定した。また、各ガスノズルについて、小坂研究所社製の表面粗さ装置を用いて、表面状態を測定することによって、本体の一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）および算術平均粗さ（Ｒａ）を測定した。また、各ガスノズルについて、アネルバ社製のプラズマエッチング装置を用いて、プラズマエッチング評価することによって、耐プラズマ性を評価した。なお、耐プラズマ性は、試料１を基準とした相対値を用いており、数値が小さいと耐プラズマ性が高い。【００４５】
（ガスノズルの作製条件）
まず、イットリア焼結体（試料１〜６）およびスピネル焼結体（試料７〜１２）を作製した。【００４６】
イットリア焼結体は以下のように作製した。まず、イットリア粉末に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒した後、ＣＩＰ成形法を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中にて１４００℃以上１７００℃以下で焼成した。【００４７】
スピネル焼結体は以下のように作製した。まず、水酸化マグネシウムおよび酸化アルミニウムを１：１の割合となるように混合し、ボールミルで湿式混合して１次原料を作製した。そして、１次原料を１１００℃以上１３００℃以下の温度で仮焼して仮焼体を作製した後、仮焼体をボールミル等により平均粒径が２μｍとなるまで湿式粉砕してスラリーを得た。そして、スラリーを乾燥した後、メッシュを通過させることにより、平均粒径が１．５μｍの仮焼粉体を作製した。次に、仮焼粉体に純水およびバインダーを加え、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製した。次に、スラリーをスプレードライヤーにて造粒した後、ＣＩＰ成形法等を用いて成形体を作製し、成形体を大気雰囲気中１５５０℃以上１７５０℃以下の温度で焼成した。【００４８】
次に、セラミック焼結体に研削加工で貫通孔を形成した後、一端面を研磨加工した。研磨加工においては、各焼結体に対し、第１ラップ加工のみを行ったもの（試料１〜３、７〜９）と、第１ラップ加工の後に第２ラップ加工を行ったもの（試料４〜６、１０〜１２）を作製した。【００４９】
第１ラップ加工は、平均粒径が２μｍのダイヤモンド研磨材を使用し、鋳鉄系ラップ盤上で所定の時間ラップ加工を行った。第２ラップ加工は、平均粒径が１μｍのアルミナ研磨材を使用し、ポリウレタンパッド上で２時間ラップ加工を行った。【００５０】
【表１】
0005865916.tif 000002
【００５１】
（結果）
表１に示すように、第１ラップ加工のみを行った試料１〜３、７〜９では、Ｒｓｍ／Ｄが２倍以上４倍以下と小さくなっているのに対し、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料４〜６、１０〜１２は、Ｒｓｍ／Ｄが７倍以上２０倍以下と大きくなっていた。そして、セラミック焼結体としてイットリア焼結体を用いた試料において、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料４は、第１ラップ加工のみを行った試料１と比較して、耐プラズマ性が向上していた。また、セラミック焼結体としてスピネル焼結体を用いた試料において、第１ラップ加工に加えて第２ラップ加工を行った試料１０は、第１ラップ加工のみを行った試料７と比較して、耐プラズマ性が向上していた。【００５２】
以上の結果より、本発明のガスノズルによれば、本体の一端面における輪郭曲線要素の平均長さ（Ｒｓｍ）をセラミック焼結体における平均結晶粒径（Ｄ）の５倍以上とすることによって、耐プラズマ性を向上させることができるため、本体の一端面がプラズマ化したガスに晒された際にパーティクルの脱落を低減できることが確かめられた。
【符号の説明】
【００５３】
１    成膜装置
２    反応室
３    ガス導入管
４    ガスノズル
５    基板
６    基板保持部
７    内部電極
８    バイアス電源
９    コイル
１０  電源
１２  貫通孔
１３  本体
１４  供給口
１５  排出口
１７  研磨材
１８  ラップ盤
１９  治具
【図１】
0005865916.tif 000003
【図２】
0005865916.tif 000004
【図３】
0005865916.tif 000005
【図４】
0005865916.tif 000006
【図５】
0005865916.tif 000007
【図６】
0005865916.tif 000008