(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面に電気配線を形成することにより電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板の電気配線形成面に、光学素子を実装する工程と、上記絶縁層の裏面側に光導波路を形成する工程とを備え、その光導波路のコアの端部に、光を反射して上記コアと上記光学素子との間の光伝播を可能とする反射部を形成する光電気混載基板の製法であって、上記絶縁層の形成材料として、透光性材料を用い、その透光性材料を塗布した後、上記コアに形成された上記反射部と上記光学素子との間の光路に対応する上記絶縁層の一部分をレンズ部として、上記絶縁層の形成と同時に形成することを特徴とする光電気混載基板の製法。
【請求項２】
上記絶縁層の透光性材料が、感光性樹脂であり、上記絶縁層とレンズ部との同時形成が、フォトリソグラフィ法による形成である請求項１記載の光電気混載基板の製法。
【請求項３】
上記絶縁層とレンズ部との同時形成が、レーザエッチングによる形成である請求項１記載の光電気混載基板の製法。
【請求項４】
上記絶縁層とレンズ部との同時形成が、金型成型による形成である請求項１記載の光電気混載基板の製法。
【請求項５】
上記絶縁層を、波長６００ｎｍ以上の光の透過率が７０％以上に形成する請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電気混載基板の製法。
【請求項６】
上記絶縁層を、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱層に形成する請求項１〜５のいずれか一項に記載の光電気混載基板の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子が実装された電気回路基板と、光導波路とが積層された光電気混載基板の製法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の電子機器等では、伝送情報量の増加に伴い、電気配線に加えて、光配線が採用されている。そのようなものとして、例えば、図７に示すように、絶縁層５１の表面に電気配線５２が形成されてなる電気回路基板Ｅ0 と、この電気回路基板Ｅ0 の上記絶縁層５１の裏面（電気配線５２の形成面と反対側の面）に積層された光導波路（光配線）Ｗ0 （アンダークラッド層５６，コア５７，オーバークラッド層５８）と、上記電気配線５２の形成面のうち上記光導波路Ｗ0 の両端部に対応する部分に実装された発光素子１１および受光素子１２とからなる光電気混載基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。そして、上記光導波路Ｗ0 の両端部は、上記電気回路基板Ｅ0 に対して４５°傾斜した傾斜面に形成され、その傾斜面に位置するコア５７の部分が光反射面５７ａになっている。また、上記発光素子１１および受光素子１２に対応する上記絶縁層５１の部分に、光路用の貫通孔５５が形成され、上記発光素子１１と一端部の光反射面５７ａとの間および上記受光素子１２と他端部の光反射面５７ａとの間で、上記貫通孔５５を通して光Ｌが伝播可能となっている。
【０００３】
上記光電気混載基板における光Ｌの伝播は、つぎのようにして行われる。まず、発光素子１１から光Ｌが一端部の光反射面５７ａに向けて発光される。その光Ｌは、上記絶縁層５１に形成された光路用の貫通孔５５を通過した後、光導波路Ｗ0 の一端部（図７では左端部）のアンダークラッド層５６を通り抜け、コア５７の一端部の光反射面５７ａで反射して（光路が９０°変換して）、コア５７内を、軸方向に進む。そして、その光Ｌは、コア５７の他端部（図７では右端部）の光反射面５７ａで反射し（光路が９０°変換し）、受光素子１２に向けて進む。つづいて、その光Ｌは、他端部のアンダークラッド層５６を通り抜けて出射され、光路用の貫通孔５５を通過した後、受光素子１２で受光される。
【０００４】
しかしながら、上記発光素子１１から発光された光Ｌ、および他端部の光反射面５７ａで反射した光Ｌは、図７に示すように拡散する。そのため、光Ｌの伝播効率が低い。そこで、図８に示すように、上記光路用の貫通孔５５の開口面にレンズ６０を取り付け、その貫通孔５５を通過する光Ｌを、上記レンズ６０の作用により、平行光ないし集束光にすることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。このものでは、上記のように光Ｌを平行光ないし集束光にすることにより、光Ｌの伝播が効率的なものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２８８３４１号公報
【特許文献２】特開２００２−２５８０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記レンズ６０は、取り付けられるものであるため、レンズ６０の取り付け工程が必要となり、生産性が低下するという問題がある。また、その取り付けのため、取り付け位置の精度にばらつきが生じるという問題もある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光学素子とコアとの間の光路におけるレンズの形成が、生産性を低下させることなく、しかも、安定した位置精度で、可能となる光電気混載基板の製法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するため、本発明の光電気混載基板の製法は、絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面に電気配線を形成することにより電気回路基板を形成する工程と、この電気回路基板の電気配線形成面に、光学素子を実装する工程と、上記絶縁層の裏面側に光導波路を形成する工程とを備え、その光導波路のコアの端部に、光を反射して上記コアと上記光学素子との間の光伝播を可能とする反射部を形成する光電気混載基板の製法であって、上記絶縁層の形成材料として、透光性材料を用い、その透光性材料を塗布した後、上記コアに形成された上記反射部と上記光学素子との間の光路に対応する上記絶縁層の一部分をレンズ部として、上記絶縁層の形成と同時に形成するという構成をとる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の光電気混載基板の製法は、絶縁層の形成材料として、透光性材料を用いているため、コアに形成された反射部と光学素子との間の光路に対応する上記絶縁層の部分に、光路用の貫通孔を形成する必要がない。しかも、上記光路となる絶縁層の一部分をレンズ部に形成することから、そのレンズ部は、絶縁層の一部であり、別体のレンズを取り付ける必要がない。このように、本発明の光電気混載基板の製法は、絶縁層に光路用の貫通孔を形成する工程および光路部分にレンズを取り付ける工程を不要とするため、生産性を向上させることができる。さらに、上記のように、絶縁層に別体のレンズを取り付ける必要がないことから、取り付け位置のばらつきが生じず、上記レンズ部を安定した位置精度で形成することができる。
【００１０】
特に、上記絶縁層の透光性材料が、感光性樹脂であり、上記絶縁層とレンズ部との同時形成が、フォトリソグラフィ法による形成である場合には、一度のフォトリソグラフィ法により、レンズ部付き絶縁層が形成可能となるため、生産性およびレンズ部の位置精度に優れている。
【００１１】
さらに、上記絶縁層とレンズ部との同時形成を、レーザエッチングにより形成することができる。
【００１２】
また、上記絶縁層とレンズ部との同時形成を、金型成型により形成することができる。
【００１３】
そして、上記絶縁層を、波長６００ｎｍ以上の光の透過率が７０％以上に形成する場合には、上記絶縁層を透過する光が多くなるため、光の結合損失を少なくすることができる。
【００１４】
また、上記絶縁層を、１５０℃以上の耐熱性を有する耐熱層に形成する場合には、上記光学素子を実装する際の熱で上記レンズ部の変形が起こらないため、適正なレンズの集光効果を奏するようにできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、上記光電気混載基板の電気回路基板の作製工程を模式的に示す説明図であり、（ｅ）は、上記光電気混載基板の金属層のエッチング工程を模式的に示す説明図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、上記光電気混載基板の光導波路の作製工程を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第２の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図５】本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図６】本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。
【図７】従来の光電気混載基板を模式的に示す縦断面図である。
【図８】従来の光配線基板を模式的に示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００１７】
図１は、本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第１の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板は、絶縁層１の表面に電気配線２が形成されてなる電気回路基板Ｅと、この電気回路基板Ｅの電気配線２の形成面に実装された発光素子１１および受光素子１２と、この電気回路基板Ｅの上記絶縁層１の裏面に金属層Ｍを介して形成された光導波路Ｗとを備えた、左右方向に延びる帯状のものとなっている。また、上記発光素子１１および受光素子１２に対応する金属層Ｍの部分に、光路用の貫通孔５が形成されている。さらに、上記発光素子１１および受光素子１２に対応する、光導波路Ｗの両端部には、逆Ｖ字状の切欠部が形成され、その逆Ｖ字の傾斜面は、光導波路Ｗのコア７の長手方向に対して４５°傾斜した面に形成されている。その傾斜面は、光を反射して、発光素子１１とコア７との間の光伝播および受光素子１２とコア７との間の光伝播を可能にする反射面７ａになっている。
【００１８】
そして、上記絶縁層１は、透明な合成樹脂等の透光性材料からなり、上記コア７の一端部の反射面７ａと上記発光素子１１との間の光路に対応する上記絶縁層１の部分が、上記発光素子１１側に膨らんだ凸状の曲面を有するレンズ部１ａに形成されている。上記コア７の他端部の反射面７ａと上記受光素子１２との間の光路に対応する上記絶縁層１の部分も、同様にレンズ部１ａに形成されている。本発明は、このように、上記絶縁層１自体を透光性材料から構成し、光路に対応する上記絶縁層１の部分をレンズ部１ａに形成することが、大きな特徴である。
【００１９】
上記光電気混載基板における光伝播は、つぎのようにして行われる。すなわち、上記発光素子１１から、コア７の一端部（図１では左端部）の反射面７ａに対して、拡散状に光Ｌが発光される。その光Ｌは、まず、上記絶縁層１のレンズ部１ａを通過する。この通過の際、上記レンズ部１ａの作用により、上記拡散した光Ｌを平行光ないし集束光にする（図では平行光）。ついで、その光Ｌは、金属層Ｍに形成された光路用の貫通孔５を通過した後、コア７の一端部の反射面７ａで反射し、コア７内を軸方向に進む。そして、その光Ｌは、コア７の他端部（図１では右端部）の反射面７ａで反射し、金属層Ｍに形成された光路用の貫通孔５を通過した後、上記絶縁層１のレンズ部１ａを通過する。この通過の際、上記レンズ部１ａの作用により、上記光Ｌを集束光にする。そして、その光は、受光素子１２で受光される。このように、発光素子１１から出射してコア７の一端部に入射する光Ｌ、およびコア７の他端部の反射面７ａで反射して受光素子１２で受光される光Ｌが、上記絶縁層１のレンズ部１ａの作用により、平行光ないし集束光にされるため、光Ｌの伝播が効率的なものとなっている。
【００２０】
しかも、上記絶縁層１のレンズ部１ａは、絶縁層１の一部であることから、別体のレンズを取り付ける必要がない。そのため、レンズの取り付ける工程を不要にすることができ、その取り付けに伴う取り付け位置のばらつきも生じない。すなわち、上記光電気混載基板は、生産性に優れ、レンズ部１ａの位置精度にも優れている。
【００２１】
なお、この実施の形態では、上記電気回路基板Ｅは、その長手方向の両端部において、上記絶縁層１の表面に、光学素子実装用パッド２ａが露呈した状態で形成されているとともに、上記絶縁層１を貫通して裏面の金属層Ｍに接触するアース用電極２ｂが露呈した状態で形成されている。これら光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂは、上記電気配線２の一部であり、それら以外の電気配線２の部分は、カバーレイ３により被覆され絶縁保護されている。
【００２２】
また、上記光導波路Ｗは、アンダークラッド層６と、このアンダークラッド層６の表面（図１では下面）に所定パターン形成されたコア７と、このコア７を被覆した状態で上記アンダークラッド層６の表面に形成されたオーバークラッド層８とを備えている。そして、上記アンダークラッド層６は、その裏面（コア７の形成面と反対側の面）で上記金属層Ｍに接し、上記金属層Ｍに形成された光路用の貫通孔５に入り込んで埋めている。
【００２３】
つぎに、上記光電気混載基板の製法について説明する〔図２（ａ）〜（ｅ），図３（ａ）〜（ｄ）参照〕。
【００２４】
まず、平坦状の上記金属層Ｍ〔図２（ａ）参照〕を準備する。この金属層Ｍの形成材料としては、ステンレス，４２アロイ等があげられ、なかでも、寸法精度等の観点から、ステンレスが好ましい。また、上記金属層Ｍの厚みは、例えば、１０〜１００μｍの範囲内に設定される。
【００２５】
ついで、図２（ａ）に示すように、上記金属層Ｍの表面に、感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、所定パターンの絶縁層１を形成する。この実施の形態では、絶縁層１の所定部分を階調露光により上記レンズ部１ａに形成する。それと同時に、長手方向の両端部に、金属層Ｍに接触するアース用電極２ｂを形成するために、上記金属層Ｍの表面を露呈させる孔部１ｂを形成する。このように、この光電気混載基板の製法では、絶縁層１の形成と同時に、その絶縁層１の所定部分をレンズ部１ａに形成するため、別体のレンズを取り付ける工程が不要であり、生産性に優れているとともに、レンズ部１ａを形成する位置精度にも優れている。
【００２６】
上記絶縁層１の形成材料としては、例えば、ポリイミド，ポリエーテルニトリル，ポリエーテルスルホン，ポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート，ポリ塩化ビニル等の合成樹脂、シリコーン系ゾルゲル材料等があげられる。なかでも、耐熱性および絶縁性に優れ、波長６００ｎｍ以上において全光線透過率７０％以上を有する感光性ポリイミドが好ましい。さらに、上記発光素子１１および受光素子１２を実装する際の熱で上記レンズ部１ａに変形が起こらないようにする観点から、上記絶縁層を、１５０℃以上の耐熱性を有する形成材料を用いることが好ましい。上記絶縁層１の厚みは、例えば、３〜１００μｍの範囲内に設定される。なお、上記全光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７１０５「プラスチックの光学的特性試験方法」５．５「光線透過率および全光線反射率」に規定する積分式光線透過率測定装置および測定法による値である。
【００２７】
つぎに、図２（ｂ）に示すように、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２を、例えばセミアディティブ法により形成する。この方法は、まず、上記絶縁層１の表面に、スパッタリングまたは無電解めっき等により、銅やクロム等からなる金属膜（図示せず）を形成する。この金属膜は、後の電解めっきを行う際のシード層（電解めっき層形成の素地となる層）となる。ついで、上記金属層Ｍ，絶縁層１およびシード層からなる積層体の両面に、感光性レジスト（図示せず）をラミネートした後、上記シード層が形成されている側の感光性レジストに、フォトリソグラフィ法により、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２のパターンの孔部を形成し、その孔部の底に上記シード層の表面部分を露呈させる。つぎに、電解めっきにより、上記孔部の底に露呈した上記シード層の表面部分に、銅等からなる電解めっき層を積層形成する。そして、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。その後、上記電解めっき層が形成されていないシード層の部分をソフトエッチングにより除去する。残存したシード層と電解めっき層とからなる積層部分が上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２である。ここでは、上記セミアディティブ法を説明したが、サブトラクティブ法でもよい。
【００２８】
そして、図２（ｃ）に示すように、上記電気配線（光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを含む）２の表面に、ニッケル等からなる無電解めっき層（図示せず）を形成した後、上記光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂを除く電気配線２の部分に、ポリイミド樹脂等からなる感光性絶縁樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により、カバーレイ３を形成する。
【００２９】
ついで、図２（ｄ）に示すように、上記光学素子実装用パッド２ａおよびアース用電極２ｂに形成された上記無電解めっき層（図示せず）をエッチングにより除去した後、その除去跡に、金やニッケル等からなる電解めっき層４を形成する。このようにして、前記金属層Ｍの表面に、電気回路基板Ｅが形成される。
【００３０】
つぎに、上記金属層Ｍと電気回路基板Ｅとからなる積層体の両面に、感光性レジスト（図示せず）をラミネートする。その後、上記金属層Ｍの裏面側（電気回路基板Ｅと反対側の面側）の感光性レジストのうち、光路用の貫通孔形成予定部に対応する部分に、フォトリソグラフィ法により、孔部を形成し、その孔部の底（図では上面）に上記金属層Ｍの裏面部分を露呈させる。
【００３１】
そして、図２（ｅ）に示すように、上記孔部の底に露呈した上記金属層Ｍの部分を、その金属層Ｍの金属材料に応じたエッチング用水溶液（例えば、ステンレス層の場合は、塩化第２鉄水溶液）を用いてエッチングすることにより除去し、その除去跡Ｒの底（図では上面）に上記絶縁層１を露呈させる。その後、上記感光性レジストを水酸化ナトリウム水溶液等により剥離する。上記除去跡Ｒは、光路用の貫通孔５である。
【００３２】
そして、上記金属層Ｍの裏面に光導波路Ｗ〔図３（ｄ）参照〕を形成するために、まず、図３（ａ）に示すように、上記金属層Ｍの裏面（図では下面）に、アンダークラッド層６の形成材料である感光性樹脂を塗布した後、その塗布層を照射線により露光して硬化させ、アンダークラッド層６に形成する。そのアンダークラッド層６は、上記金属層Ｍのうち、エッチング除去された光路用の貫通孔５（除去跡Ｒ）に入り込んで埋めた状態で形成される。上記アンダークラッド層６の厚み（絶縁層１の裏面からの厚み）は、例えば、５〜２００μｍの範囲内に設定される。なお、光導波路Ｗの形成時（上記アンダークラッド層６，下記コア７，下記オーバークラッド層８の形成時）は、上記金属層Ｍの裏面は上に向けられる。
【００３３】
ついで、図３（ｂ）に示すように、上記アンダークラッド層６の表面（図では下面）に、フォトリソグラフィ法により、所定パターンのコア７を形成する。また、上記コア７の厚みは、５〜２００μｍの範囲内に設定され、幅は、５〜２００μｍの範囲内に設定される。上記コア７の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層６と同様の感光性樹脂があげられ、上記アンダークラッド層６および下記オーバークラッド層８〔図３（ｃ）参照〕の形成材料よりも屈折率が大きい材料が用いられる。この屈折率の調整は、例えば、上記アンダークラッド層６，コア７，オーバークラッド層８の各形成材料の種類の選択や組成比率を調整して行うことができる。
【００３４】
つぎに、図３（ｃ）に示すように、上記コア７を被覆するよう、上記アンダークラッド層６の表面（図では下面）に、フォトリソグラフィ法により、オーバークラッド層８を形成する。このオーバークラッド層８の厚み（アンダークラッド層６の表面からの厚み）は、上記コア７の厚み以上であり、２００μｍ以下に設定される。上記オーバークラッド層８の形成材料としては、例えば、上記アンダークラッド層６と同様の感光性樹脂があげられる。
【００３５】
そして、図３（ｄ）に示すように、上記電気回路基板Ｅの光学素子実装用パッド２ａに対応する（図では下方に位置する）光導波路Ｗの部分（両端部）を、レーザ加工または刃先角度９０°の回転刃等を用いた切削加工等により、コア７の長手方向に対して４５°傾斜した傾斜面に形成する。その傾斜面のコア７の部分が光反射面７ａとして作用する。このようにして、前記金属層Ｍの裏面に、光導波路Ｗが形成される。
【００３６】
その後、上記光学素子実装用パッド２ａに、発光素子１１および受光素子１２（図１参照）を実装し、図１に示す光電気混載基板を得る。
【００３７】
図４は、本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第２の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板は、上記第１の実施の形態の光電気混載基板（図１参照）において、金属層Ｍが設けられていないものである。それ以外の部分は、上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００３８】
この実施の形態の光電気混載基板の作製は、例えば、剥離性基台上に、上記第１の実施の形態と同様にして、電気回路基板Ｅを形成した後、その剥離性基台を剥離し、上記電気回路基板Ｅの絶縁層１の裏面（電気配線２の形成面と反対側の面）に、上記第１の実施の形態と同様にして、光導波路Ｗを形成することにより行われる。
【００３９】
図５は、本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第３の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板は、上記第１の実施の形態の光電気混載基板（図１参照）において、金属層Ｍと光導波路Ｗとが透光性を有する接着シートＣにより接着されているものであり、金属層Ｍに形成された光路用の貫通孔５にアンダークラッド層６は入り込んで埋めていない。それ以外の部分は、上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４０】
この実施の形態の光電気混載基板の作製は、上記第１の実施の形態と同様にして、金属層Ｍの表面に、電気回路基板Ｅを形成した後、その金属層Ｍの裏面に、別工程で作製した光導波路Ｗを、上記透光性を有する接着シートＣにより接着することにより行われる。なお、この透光性を有する接着シートＣの形成材料としては、例えば、エポキシ樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂等があげられる。また、その接着シートＣの厚みは、例えば、１〜２００μｍの範囲内に設定される。
【００４１】
図６は、本発明の光電気混載基板の製法によって得られる光電気混載基板の第４の実施の形態を模式的に示す縦断面図である。この実施の形態の光電気混載基板は、上記第２の実施の形態の光電気混載基板（図４参照）において、電気回路基板Ｅと光導波路Ｗとが、上記第３の実施の形態と同様の透光性を有する接着シートＣにより接着されているものである。それ以外の部分は、上記第２の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４２】
この実施の形態の光電気混載基板の作製は、それぞれ別工程で作製された電気回路基板Ｅと光導波路Ｗとを、上記透光性を有する接着シートＣにより接着することにより行われる。
【００４３】
なお、上記各実施の形態では、レンズ部１ａを有する絶縁層１をフォトリソグラフィ法により形成したが、金型成形により形成してもよい。
【００４４】
また、上記各実施の形態では、絶縁層１のうち、発光素子１１に対応する部分と受光素子１２に対応する部分の両部分に、レンズ部１ａを形成したが、光Ｌの伝播効率が充分である場合等、場合によって、いずれか一方にのみレンズ部１ａを形成してもよい。
【００４５】
さらに、上記各実施の形態では、絶縁層１に形成するレンズ部１ａを凸レンズとしたが、拡散する光を抑制ないし集束できれば、凹レンズ等、他のレンズでもよい。
【００４６】
また、上記各実施の形態において、絶縁層１を形成する際に、その絶縁層１の表面に、上記フォトリソグラフィ法，レーザエッチング，または金型成形により、電気配線２の位置決め用のアライメントマークを形成してもよい。このようにすると、絶縁層１における電気配線２の形成位置精度が向上する。なお、上記アライメントマークの位置は、例えば、絶縁層１の上下，左右，四隅等に設定する。
【００４７】
そして、上記各実施の形態において、絶縁層１を形成する際に、その絶縁層１の表面に、上記フォトリソグラフィ法，レーザエッチング，または金型成形により、発光素子１１および受光素子１２の位置決め用のアライメントマークを形成してもよい。このようにすると、絶縁層１における発光素子１１および受光素子１２の実装位置精度が向上する。なお、上記アライメントマークの位置は、例えば、光学素子実装用パッド２ａの近傍に設定する。
【００４８】
また、上記各実施の形態において、絶縁層１を形成する際に、その絶縁層１に、上記フォトリソグラフィ法，レーザエッチング，または金型成形により、ビア（バイアホール）を形成してもよい。
【００４９】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるわけではない。
【実施例】
【００５０】
〔実施例１〜４〕
上記第１の実施の形態のものを実施例１とし、上記第２の実施の形態のものを実施例２とし、上記第３の実施の形態のものを実施例３とし、上記第４の実施の形態のものを実施例４とした。いずれも、厚み２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ３０４Ｈ−ＴＡ：金属層）の表面に、フォトリソグラフィ法により、レンズ部を有するポリイミド樹脂製の絶縁層を形成した。そのフォトリソグラフィ法に用いたフォトマスクは、レンズ部に対応する部分の平均透過率が、他の部分の８０％であり、段階的に下げたものとした。上記絶縁層は、波長６００ｎｍにおいて全光線透過率が７０％であった。
【００５１】
〔比較例〕
上記実施例１において、絶縁層にレンズ部を形成しないものを比較例とした。それ以外の部分は、上記実施例１と同様とした。
【００５２】
〔光の結合損失〕
発光素子として、ＶＣＳＥＬ（Ulm Photonics 社製、850-05-1×1 ）を準備し、受光素子として、ＰＤ（Roithner laser Technik社製、TPD-8D12-014）を準備した。そして、上記ＶＣＳＥＬから発光された光を直接、上記ＰＤで受光した際の光量Ｉ0 を測定した。ついで、上記ＶＣＳＥＬおよびＰＤを実装をした後、上記ＶＣＳＥＬから発光された光を、上記光電気混載基板の光導波路のコアに通して上記ＰＤで受光した際の光量Ｉを測定した。そして、その比（Ｉ0 ／Ｉ）を算出し、その値を上記光電気混載基板における光の伝播損失とした。一方、カットバック法により求めた、上記光導波路の中間部における光の伝播損失は０．１ｄＢ／ｃｍであった。この値と上記光電気混載基板における光の伝播損失とから上記光電気混載基板における結合損失を算出した。そして、その結果を下記の表１に併せて表記した。
【００５３】
【表１】
0005877749.tif 000002
【００５４】
上記表１の結果から、絶縁層にレンズ部が形成された実施例１〜４は、結合損失が小さく、絶縁層にレンズ部が形成されていない比較例は、結合損失が大きいことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の光電気混載基板の製法は、光学素子とコアとの間の光路におけるレンズを、生産性を低下させることなく、しかも、安定した位置精度で、形成する場合に利用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
Ｅ  電気回路基板
Ｗ  光導波路
Ｌ  光
１  絶縁層
１ａ  レンズ部
２  電気配線
７  コア
７ａ  反射面
１１  発光素子
１２  受光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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