(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハにストリートに沿ってレーザー加工を施すためのレーザー加工装置であって、
ウエーハを仮置きする仮置きテーブルと、該仮置きテーブルに仮置きされたウエーハの裏面を吸引保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、を具備し、
該ウエーハ保持手段は、加工送り方向に沿って形成された複数のスリットと、該複数のスリット間に設けられた吸引部を有する保持プレートを備え、
該複数のスリットを通してレーザー光線が該ウエーハの裏面に照射され、レーザー加工が施される、
ことを特徴とするレーザー加工装置。
【請求項２】
該仮置きテーブルは、支持テーブルと、該支持テーブルの上面に装着された緩衝部材と、該支持テーブルを回転駆動する回動手段とを具備している、請求項１記載のレーザー加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域にMEMS(微小電気機械システム)やCMOS（Complementary  Metal  Semiconductor）等のデバイスが形成されたウエーハに、ストリートに沿ってレーザー加工を施すレーザー加工装置に関する。
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、MEMS(微小電気機械システム)やCMOS（Complementary  Metal  Semiconductor）等のデバイスを形成する。そして、ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
このようなウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハ等の被加工物に形成されたストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿ってメカニカルブレーキング装置によって割断する方法が提案されている。
【０００４】
しかるに、ウエーハのストリートに沿ってレーザー光線を照射すると、照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生し、このデブリがデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させるという新たな問題が生じる。
【０００５】
上記デブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にポリビニルアルコール等の保護膜を被覆し、保護膜を通してウエーハにレーザー光線を照射するようにしたレーザー加工機が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【０００６】
一方、MEMSやCMOSのように表面に保護膜を被覆するとデバイスの品質が低下する虞があるウエーハにおいては、ウエーハの裏面側からストリートに沿ってレーザー光線を照射して分割起点となるレーザー加工溝を形成している。このとき、デバイスが形成されているウエーハの表面側をレーザー加工装置のチャックテーブルに保持することになるが、デバイスが形成されているデバイス領域をチャックテーブルに直接載置するとデバイスが破損する虞があるため、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域のみを吸引保持する特殊なチャックテーブルを用いている。（例えば、特許文献２参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２０１１７８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２９９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、ウエーハには反りがあるため、外周余剰領域のみを吸引保持する特殊なチャックテーブルを用いた場合には、ウエーハの反りを矯正することができず、加工品質が不安定になるという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハの反りを矯正することができるウエーハ保持手段を備え、ウエーハの裏面を保持してウエーハの裏面側からレーザー加工を施すことができるレーザー加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハにストリートに沿ってレーザー加工を施すためのレーザー加工装置であって、
ウエーハを仮置きする仮置きテーブルと、該仮置きテーブルに仮置きされたウエーハの裏面を吸引保持するウエーハ保持手段と、該ウエーハ保持手段に保持されたウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対的に加工送りする加工送り手段と、該ウエーハ保持手段と該レーザー光線照射手段とを加工送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りする割り出し送り手段と、を具備し、
該ウエーハ保持手段は、加工送り方向に沿って形成された複数のスリットと、該複数のスリット間に設けられた吸引部を有する保持プレートを備え、
該複数のスリットを通してレーザー光線が該ウエーハの裏面に照射され、レーザー加工が施される、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
【００１１】
上記仮置きテーブルは、支持テーブルと、該支持テーブルの上面に装着された緩衝部材と、支持テーブルを回動する回動手段とを具備している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるレーザー加工装置においては、加工送り方向に沿って形成された複数のスリットと、該複数のスリット間に設けられた吸引部を有する保持プレートを備えているので、保持プレートの吸引部にウエーハの裏面におけるデバイスに対応する領域が吸引保持されるので、ウエーハに反りがあっても保持プレートの吸引部に吸引保持されることによって矯正される。そして、保持プレートの吸引部に吸引保持されたウエーハには保持プレートに形成されたスリットを通してウエーハの裏面に照射するので、デブリがウエーハの表面に形成されたデバイスの表面に付着することはない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。
【図２】被加工物としてのウエーハの斜視図。
【図３】図１に示すレーザー加工装置によって実施するウエーハ保持行程の説明図。
【図４】図１に示すレーザー加工装置によって実施するアライメント行程の説明図。
【図５】図１に示すレーザー加工装置によって実施するレーザー加工溝形成行程の説明図。
【図６】図５に示すレーザー加工溝形成行程が実施されたウエーハの斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。
図１に示されたレーザー加工装置１は、静止基台２と、第１の可動基台３と、第２の可動基台４と、第３の可動基台５を具備している。この静止基台２の手前側の側面には、矢印Xで示す加工送り方向(X軸方向)に沿って平行に延びる一対の案内レール２１、２１が設けられている。
【００１６】
上記静止基台２には、第１の可動基台３が上記一対の案内レール２１、２１に沿って摺動可能に装着されている。即ち、図１に示すように第１の可動基台３における第１の可動基台３と対向する一方の面には静止基台２に設けられた一対の案内レール２１、２１に嵌合する一対の被案内溝３１、３１が設けられており、この一対の被案内溝３１、３１を上記一対の案内レール２１、２１に嵌合することにより、第１の可動基台３は静止基台２に一対の案内レール２１、２１に沿ってX軸方向に摺動可能に装着される。また、第１の可動基台３の他方の面には、矢印Ｚで示す集光点位置調整方向(Ｚ軸方向)に平行に延びる一対の案内レール３２、３２が設けられている。図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は、第１の可動基台３を上記静止基台２に設けられた一対の案内レール２１、２１に沿ってX軸方向に移動させるための加工送り手段３０を具備している。加工送り手段３０は、一対の案内レール２１と２１との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド３０１と、該雄ネジロッド３０１を回転駆動するためのパルスモータ３０２とを含んでいる。雄ネジロッド３０１は、上記第１の可動基台３に設けられた雌ネジ３３と螺合し、その一端が静止基台２に配設された軸受部材３０３に回転可能に支持されている。パルスモータ３０２は、その駆動軸が雄ネジロッド３０１の他端に連結されている。従って、パルスモータ３０２を正転または逆転駆動して雄ネジロッド３０１を正転または逆転駆動することにより、第１の可動基台３を静止基台２に設けられた一対の案内レール２１、２１に沿ってX軸方向に移動せしめる。
【００１７】
上記第１の可動基台３には、第２の可動基台４が上記一対の案内レール３２、３２に沿って摺動可能に装着されている。即ち、第２の可動基台４における第１の可動基台３と対向する一方の側面には第１の可動基台３に設けられた一対の案内レール３２、３２に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝４１、４１が設けられており、この一対の被案内溝４１、４１を上記一対の案内レール３２、３２に嵌合することにより、第２の可動基台４は第１の可動基台３に一対の案内レール３２、３２に沿ってＺ軸方向に摺動可能に装着される。また、第２の可動基台４は、上記一方の側面に対して垂直な側面に設けられ矢印Yで示す割り出し送り方向(Y軸方向)に平行に延びる一対の案内レール４２、４２を備えている。図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は、第２の可動基台４を上記第１の可動基台３に設けられた一対の案内レール３２、３２に沿ってＺ軸方向に移動させるための集光点位置調整手段４０を具備している。集光点位置調整手段４０は、一対の案内レール３２と３２との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド４０１と、該雄ネジロッド４０１を回転駆動するためのパルスモータ４０２とを含んでいる。雄ネジロッド４０１は、上記第２の可動基台４に設けられた雌ネジ４３と螺合し、その一端が第１の可動基台３に配設された軸受部材４０３に回転可能に支持されている。パルスモータ４０２は、その駆動軸が雄ネジロッド４０１の他端に連結されている。従って、パルスモータ４０２を正転または逆転駆動して雄ネジロッド４０１を正転または逆転駆動することにより、第２の可動基台４を第１の可動基台３に設けられた一対の案内レール３２、３２に沿ってＺ軸方向に移動せしめる。
【００１８】
上記第２の可動基台４には、第３の可動基台５が上記一対の案内レール４２、４２に沿って摺動可能に装着されている。即ち、第３の可動基台５における第２の可動基台４と対向する一方の側面には上記第２の可動基台４に設けられた一対の案内レール４２、４２に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１、５１（図１においては上側の一方だけが示されている）が設けられており、この一対の被案内溝５１、５１を上記一対の案内レール４２、４２に嵌合することにより、第３の可動基台５は第２の可動基台４に一対の案内レール４２、４２に沿って上記X軸方向と直交するY軸方向に摺動可能に装着される。図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は、第３の可動基台５を上記第２の可動基台４に設けられた一対の案内レール４２、４２に沿ってY軸方向に移動させるための割り出し送り手段５０を具備している。割り出し送り手段５０は、一対の案内レール４２と４２との間に該案内レールと平行に配設された雄ネジロッド５０１と、該雄ネジロッド５０１を回転駆動するためのパルスモータ５０２とを含んでいる。雄ネジロッド５０１は、上記第３の可動基台５に設けられた雌ネジ（図示せず）と螺合し、その一端が第２の可動基台４に配設された軸受部材５０３に回転可能に支持されている。パルスモータ５０２は、その駆動軸が雄ネジロッド５０１の他端に連結されている。従って、パルスモータ５０２を正転または逆転駆動して雄ネジロッド５０１を正転または逆転駆動することにより、第３の可動基台５を第３の可動基台４に設けられた一対の案内レール４２、４２に沿ってY軸方向に移動せしめる。
【００１９】
上記第３の可動基台５の他方の面には、図２に示す被加工物としてのウエーハ１０を吸引保持するウエーハ保持手段６が配設されている。ここで、図２に示すウエーハ１０について説明する。図２に示すウエーハ１０は、厚みが例えば４００μmのシリコンウエーハからなっており、表面１０aに格子状に形成された複数のストリート１０１によって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイス１０２としてのMEMS（微小電気機械システム）が形成されている。
【００２０】
上述したウエーハ１０を吸引保持するウエーハ保持手段６は、第３の可動基台５に取り付けられた支持部材６１と、該支持部材６１の先端に装着された円形状の保持プレート６２とを具備している。保持プレート６２には、加工送り方向(X軸方向)に沿って形成された複数のスリット６２１が設けられている。この複数のスリット６２１の幅は、ウエーハ１０に形成されたストリート１０１が例えば３本入る寸法に形成されている。この保持プレート６２は、金属材によって中空状に形成され下方の面における複数のスリット６２１間に複数の吸引孔６２２aが開口された吸引部６２２を備えている。このように形成された保持プレート６２は、複数の吸引孔６２２aが中空部を介して図示しない吸引手段に連通されている。
【００２１】
上記ウエーハ保持手段６の下方には、ウエーハ１０を仮置きする仮置きテーブル７が配設されている。仮置きテーブル７は、円形の支持テーブル７１と、該支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２と、支持テーブル７１を回転駆動する回動手段としてのパルスモータ７３からなっている。
【００２２】
図１に示すレーザー加工装置１は、ウエーハ保持手段６に保持された被加工物であるウエーハにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８を具備している。レーザー光線照射手段８は、支持基台８０に所定の間隔を設けて配設されたケーシング８１と該ケーシング８１内に配設されたＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器等のレーザー光線発振手段（図示せず）と、ケーシング８１の一端部上面に配設されレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して下方に向けて照射する集光器８２を具備している。
【００２３】
レーザー光線照射手段８の下側にはレーザー光線照射手段８によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段９が支持基台８０上に配設されている。この撮像手段９は支持基台８０上に配設され、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。この撮像手段９は、図示の実施形態においては集光器８２の直下に所定の間隔を置いて配置されている。
【００２４】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置１は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
【００２５】
上述したレーザー加工装置１を用いて図２に示すウエーハ１０の裏面１０b側からストリート１０１に沿ってレーザー加工を施すには、先ず図３に示すようにウエーハ１０の表面１０a側を仮置きテーブル７を構成する支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置する。従って、支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置されたウエーハ１０は、裏面１０bが上側となる。次に、加工送り手段３０および割り出し送り手段５０を作動してウエーハ保持手段６の保持プレート６２を仮置きテーブル７の直上に位置付ける。そして、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６を下降し、保持プレート６２の下面を支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置されたウエーハ１０の裏面１０bに接触させる。このとき、保持プレート６２に設けられた複数のスリット６２１がウエーハ１０に所定方向に形成されたストリート１０１と対応する位置に位置付けられる。そして、スリット６２１内には図示の実施形態においてはストリート１０１が３本位置付けられる。次に、図示しない吸引手段を作動することにより、保持プレート６２の下面に開口する複数の吸引孔６２２aを通してウエーハ１０の裏面１０bにおけるデバイス１０２に対応する領域に負圧が作用し、ウエーハ１０の裏面１０bが保持プレート６２の吸引部６２２に吸引保持される（ウエーハ保持工程）。このように保持プレート６２の下面にウエーハ１０の裏面１０bにおけるデバイス１０２に対応する領域が吸引保持されるので、ウエーハ１０に反りがあっても保持プレート６２の下面に吸引保持されることによって矯正される。このウエーハ保持工程においては、ウエーハ１０の表面１０aを仮置きテーブル７を構成する支持テーブル７１に載置した状態で、保持プレート６２の下面を接触させるが、支持テーブル７１の上面にはスポンジからなる緩衝部材７２が装着されているので、ウエーハ１０の表面１０aに形成されているデバイス１０２としてのMEMS（微小電気機械システム）が損傷することはない。
【００２６】
上述したウエーハ保持工程を実施したならば、ウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２は加工送り手段３０を作動することにより図４に示すように撮像手段９の直上（集光器８２の真下）に位置付ける。
【００２７】
ウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２が撮像手段９の直上に位置付けられると、撮像手段９および図示しない制御手段によってウエーハ１０のストリート１０１に沿ってレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち、撮像手段９および図示しない制御手段は、ウエーハ１０の所定方向に形成されているストリート１０１と、該ストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段８の集光器８２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。
【００２８】
以上のようにしてウエーハ保持手段６の保持プレート６２に吸引保持されたウエーハ１０に形成されているストリート１０１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、加工送り手段３０および割り出し送り手段５０を作動して図５の（ａ）で示すようにウエーハ保持手段６の保持プレート６２をレーザー光線照射手段８の集光器８２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、保持プレート６２に設けられた複数のスリット６２１内に位置している所定のストリート１０１の一端（図５の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段８の集光器８２の直下に位置付ける。そして、集光点位置調整手段４０を作動してパルスレーザー光線の集光点Ｐがウエーハ１０の裏面１０b（上面）に位置付けられるように調整する。次に、集光器８２からシリコンウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ加工送り手段３０を作動してウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２を図5の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。このとき、集光器8２から照射されるパルスレーザー光線は、保持プレート６２に設けられたスリット６２１を通してウエーハ１０の裏面１０bに照射される。そして、図５の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段８の集光器８２の照射位置にストリート１０１の他端（図５の（b）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２の移動を停止する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０bには、ストリート１０１に沿ってレーザー加工溝１１０が形成される（レーザー加工溝形成工程）。
【００２９】
上記レーザー加工溝形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：３５５ｎｍのパルスレーザー
平均出力                ：１．５W
繰り返し周波数          ：８０ｋＨｚ
集光スポット径          ：φ５μｍ
送り速度                ：１５０ｍｍ／秒
【００３０】
なお、上述した加工条件においては１回のレーザー光線の照射によって形成されるレーザー加工溝１１０の深さは１０μｍ程度である。このようにして、保持プレート６２に設けられた複数のスリット６２１内に位置している全てのストリート１０１に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、加工送り手段３０および割り出し送り手段５０を作動してウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２を仮置きテーブル７の直上に位置付ける。次に、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６を下降し、保持プレート６２の下面に吸引保持されたウエーハ１０を支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置させ、保持プレート６２によるウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６の保持プレート６２を僅かに上昇させた後、割り出し送り手段５０を作動してウエーハ保持手段６の保持プレート６２を例えばストリート１０１の２本分だけY軸方向に移動せしめる。次に、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６を下降し、保持プレート６２の下面を支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置されたウエーハ１０の裏面１０bに接触させる。このとき、上記レーザー加工溝形成工程において保持プレート６２に設けられ吸引孔６２２aが形成された吸引部６２２によって覆われることにより複数のスリット６２１間に位置付けられてレーザー加工溝形成工程が実施されなかったストリート１０１が複数のスリット６２１内に位置付けられる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持プレート６２の下面に開口する複数の吸引孔６２２aを通してウエーハ１０の裏面１０bにおけるデバイス１０２に対応する領域に負圧が作用し、ウエーハ１０の裏面１０bが保持プレート６２の吸引部６２２に吸引保持される（ウエーハ再保持工程）。このようにして、ウエーハ再保持工程を実施したならば、上記アライメント工程および保持プレート６２に設けられた複数のスリット６２１内に位置付けられ上記レーザー加工溝形成工程が実施されていないスリット６２１に沿って上記レーザー加工溝形成工程が実施する。
【００３１】
以上のようにして、ウエーハ１０の所定方向に延在する全てのストリート１０１に沿って上記レーザー加工溝形成工程を実行したならば、加工送り手段３０および割り出し送り手段５０を作動してウエーハ１０を吸引保持したウエーハ保持手段６の保持プレート６２を仮置きテーブル７の直上に位置付ける。次に、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６を下降し、保持プレート６２の下面に吸引保持されたウエーハ１０を支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置させ、保持プレート６２によるウエーハ１０の吸引保持を解除する。そして、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６の保持プレート６２を僅かに上昇させた後、仮置きテーブル７のパルスモータ７３を作動して支持テーブル７１を９０度回動する。この結果、支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置されたウエーハ１０も９０度回動せしめられる。次に、集光点位置調整手段４０を作動してウエーハ保持手段６を下降し、保持プレート６２の下面を支持テーブル７１の上面に装着されたスポンジからなる緩衝部材７２上に載置されたウエーハ１０の裏面１０bに接触させる。このとき、保持プレート６２に設けられた複数のスリット６２１がウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート１０１と対応する位置に位置付けられる。そして、スリット６２１内には図示の実施形態においてはストリート１０１が３本位置付けられる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持プレート６２の下面に開口する複数の吸引孔６２２aを通してウエーハ１０の裏面１０bにおけるデバイス１０２に対応する領域に負圧が作用し、ウエーハ１０の裏面１０bが保持プレート６２の吸引部６２２に吸引保持される（ウエーハ保持工程）。
【００３２】
上述したウエーハ保持工程を実施したならば、所定方向と直交する方向に形成された各ストリート１０１に対して上記アライメント工程、レーザー加工溝形成工程、ウエーハ再保持工程、アライメント工程、レーザー加工溝形成工程を実施する。この結果、ウエーハ１０の裏面１０bには、図６に示すようにストリート１０１と対応する領域にレーザー加工溝１１０が形成される。
【００３３】
上述したレーザー加工溝形成工程が実施されたウエーハ１０は、外力を付与することにより破断起点となるレーザー加工溝１１０が形成されたストリート１０１に沿って破断し、個々のデバイスに分割するウエーハ分割工程に搬送される。
【符号の説明】
【００３４】
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：第１の可動基台
３０：加工送り手段
４：第２の可動基台
４０：集光点位置調整手段
５：第３の可動基台
５０：割り出し送り手段
６：ウエーハ保持手段
６２：保持プレート
６２１：スリット
６２２：吸引部
７：仮置きテーブル
７１：支持テーブル
７２：緩衝部材
７３：パルスモータ
８：レーザー光線照射手段
８２：集光器
９：撮像手段
１０：ウエーハ
【図１】
0005908681.tif 000002
【図２】
0005908681.tif 000003
【図３】
0005908681.tif 000004
【図４】
0005908681.tif 000005
【図５】
0005908681.tif 000006
【図６】
0005908681.tif 000007