(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マザーセラミック基板を所定の位置で分割して、複数の個々のセラミック基板に分割する工程を経て製造されるセラミック基板の製造方法であって、
（ａ）焼成前の未焼成マザーセラミック基板を、所定の位置で、一方側主面から他方側主面に達するように切断して、未焼成マザーセラミック基板を未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、
（ｂ）カットされた前記未焼成マザーセラミック基板を、その主面に沿う方向に押圧力が加わるようにプレスして、前記（ａ）のカット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々の前記セラミック基板を一体化させるプレス工程と、
（ｃ）前記切断端面どうしが接合された端面接合部を有する前記未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、
（ｄ）焼成済みのマザーセラミック基板を、前記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、個々のセラミック基板に分割する分割工程と
を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記未焼成マザーセラミック基板が複数のセラミックグリーンシートを積層することにより形成された積層構造を有するものであり、前記（ｄ）の分割工程で前記焼成済みのマザーセラミック基板を分割することにより得られる前記セラミック基板が多層セラミック基板であることを特徴とする請求項１記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記未焼成マザーセラミック基板を、前記（ｃ）の焼成工程で消失する樹脂層を介して積層した状態で、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、および前記（ｃ）の焼成工程を実施して、前記樹脂層を消失させた後、前記（ｄ）の分割工程を実施することを特徴とする請求項１または２記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記未焼成マザーセラミック基板として、焼成後に金属導体となる材料からなる導体パターンを内部に備えたものを用い、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、前記（ｃ）の焼成工程、および前記（ｄ）の分割工程を経て、内部に金属導体を有するセラミック基板が得られるようにしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
表面実装部品が搭載されたマザーセラミック基板を所定の位置で分割して、複数の個々のセラミック基板に分割する工程を経て製造されるモジュール部品の製造方法であって、
（ａ）焼成前の未焼成マザーセラミック基板を、所定の位置で、一方側主面から他方側主面に達するように切断して、未焼成マザーセラミック基板を未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、
（ｂ）カットされた前記未焼成マザーセラミック基板を、その主面に沿う方向に押圧力が加わるようにプレスして、前記（ａ）のカット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々の前記セラミック基板を一体化させるプレス工程と、
（ｃ）前記切断端面どうしが接合された端面接合部を有する前記未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、
（ｄ）焼成済みのマザーセラミック基板を構成する各セラミック基板上に表面実装部品を搭載する部品搭載工程と、
（ｅ）各セラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された前記マザーセラミック基板を、前記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、各セラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された個々のモジュール部品に分割する分割工程と
を備えることを特徴とするモジュール部品の製造方法。
【請求項６】
前記未焼成マザーセラミック基板が複数のセラミックグリーンシートを積層することにより形成された積層構造を有するものであり、前記（ｅ）の分割工程で前記焼成済みのマザーセラミック基板を分割することにより得られる前記モジュール部品を構成するセラミック基板が多層セラミック基板であることを特徴とする請求項５記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項７】
前記未焼成マザーセラミック基板を、前記（ｃ）の焼成工程で消失する樹脂層を介して積層した状態で、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、および前記（ｃ）の焼成工程を実施して、前記樹脂層を消失させた後、焼成済みの各マザーセラミック基板について、前記（ｄ）の部品搭載工程および前記（ｅ）の分割工程を実施することを特徴とする請求項５または６記載のモジュール部品の製造方法。
【請求項８】
前記未焼成マザーセラミック基板として、焼成後に金属導体となる材料からなる導体パターンを内部に備えたものを用い、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、前記（ｃ）の焼成工程、前記（ｄ）の部品搭載工程、および前記（ｅ）の分割工程を経て、内部に金属導体を有するセラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された個々のモジュール部品が得られるようにしたことを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のモジュール部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック基板およびモジュール部品の製造方法に関し、詳しくは、マザーセラミック基板を個々の基板に分割する工程を経て製造されるセラミック基板およびモジュール部品の製造法方に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板を製造するにあたっては、焼成後にマザーセラミック基板を分割して、個々のセラミック基板に分割する方法が広く用いられている。【０００３】
そして、焼成後のマザー基板を、所定の寸法の個々のセラミック基板に分割する方法として、例えば、特許文献１には、焼結フェライト板（セラミック板）の一方の表面に粘着材層を設けた焼結フェライト基板に、少なくとも１つの連続する溝を設け、上記の連続する溝を起点として分割可能に構成された焼結フェライト基板を形成し、これを分割することにより、個々のセラミック基板に分割する方法が開示されている。【０００４】
また、特許文献２には、複数の基板用グリーンシートを積層してなる積層体の両面に、収縮抑制用グリーンシートを配するとともに、収縮抑制用グリーンシートの少なくとも一方には、表面に分割溝の形成位置の基準となる分割溝形成パターンを形成した収縮抑制用グリーンシートを用い、収縮抑制用グリーンシートの上記分割溝形成パターンを利用して上記積層体の表面に基板分割用の分割溝を形成し、焼成した後、分割溝に沿って分割することにより多層セラミック基板を製造する方法が開示されている。【０００５】
しかしながら、上記の特許文献１および特許文献２に開示されている方法では、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、マザー基板２００の一方側の表面２００ａに、ブレイク用の分割溝２０１を形成し、この分割溝を起点としてマザー基板２００をブレイクするように構成されているため、意図したとおり、分割端面２０２がマザー基板２００の表面２００ａに垂直になるようにマザー基板２００を分割することは困難で、図２１に模式的に示すように、分割端面２０２が斜めになってしまう場合があり、さらなる改善が求められているのが実情である。【０００６】
また、上記の特許文献１および特許文献２に開示されている方法では、図２０（ａ），（ｂ）に示すように、マザー基板２００の表面２００ａにブレイクの起点となる分割溝２０１を形成するようにしているため、複数枚のマザー基板に分割溝を形成するにあたっては、マザー基板２００の１枚ずつにそれぞれ分割溝２０１を形成することが必要になり、生産効率が悪いという問題点もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１５２９３号公報
【特許文献２】特開２００７−１６５５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するものであり、マザーセラミック基板を、分割端面がその表面に垂直になるように分割することが可能で、形状精度の高いセラミック基板および、該セラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することが可能なセラミック基板の製造方法およびモジュール部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明のセラミック基板の製造方法は、
マザーセラミック基板を所定の位置で分割して、複数の個々のセラミック基板に分割する工程を経て製造されるセラミック基板の製造方法であって、
（ａ）焼成前の未焼成マザーセラミック基板を、所定の位置で、一方側主面から他方側主面に達するように切断して、未焼成マザーセラミック基板を未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、
（ｂ）カットされた前記未焼成マザーセラミック基板を、その主面に沿う方向に押圧力が加わるようにプレスして、前記（ａ）のカット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々の前記セラミック基板を一体化させるプレス工程と、
（ｃ）前記切断端面どうしが接合された端面接合部を有する前記未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、
（ｄ）焼成済みのマザーセラミック基板を、前記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、個々のセラミック基板に分割する分割工程と
を備えることを特徴としている。【００１０】
本発明のセラミック基板の製造方法においては、前記未焼成マザーセラミック基板が複数のセラミックグリーンシートを積層することにより形成された積層構造を有するものであり、前記（ｄ）の分割工程で前記焼成済みのマザーセラミック基板を分割することにより得られる前記セラミック基板が多層セラミック基板であってもよい。【００１１】
上記構成とすることにより、複数のセラミック層が積層された構造を有する多層セラミック基板を効率よく製造することができる。【００１２】
また、前記未焼成マザーセラミック基板を、前記（ｃ）の焼成工程で消失する樹脂層を介して積層した状態で、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、および前記（ｃ）の焼成工程を実施して、前記樹脂層を消失させた後、前記（ｄ）の分割工程を実施することが好ましい。【００１３】
上記構成とすることにより、未焼成マザーセラミック基板を、所定枚数積層した状態で、カット工程から焼成工程までの諸工程が実施されるため、セラミック基板（単層セラミック基板や多層セラミック基板などを含む複数のセラミック基板）を効率よく製造することができる。【００１４】
本発明のセラミック基板の製造方法においては、前記未焼成マザーセラミック基板として、焼成後に金属導体となる材料からなる導体パターンを内部に備えたものを用い、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、前記（ｃ）の焼成工程、および前記（ｄ）の分割工程を経て、内部に金属導体を有するセラミック基板が得られるようにすることも可能である。【００１５】
上記構成とすることにより、内部に回路や電極などの導体を備えたセラミック基板を効率よく製造することが可能になる。【００１６】
また、本発明のモジュール部品の製造方法は、
表面実装部品が搭載されたマザーセラミック基板を所定の位置で分割して、複数の個々のセラミック基板に分割する工程を経て製造されるモジュール部品の製造方法であって、
（ａ）焼成前の未焼成マザーセラミック基板を、所定の位置で、一方側主面から他方側主面に達するように切断して、未焼成マザーセラミック基板を未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、
（ｂ）カットされた前記未焼成マザーセラミック基板を、その主面に沿う方向に押圧力が加わるようにプレスして、前記（ａ）のカット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々の前記セラミック基板を一体化させるプレス工程と、
（ｃ）前記切断端面どうしが接合された端面接合部を有する前記未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、
（ｄ）焼成済みのマザーセラミック基板を構成する各セラミック基板上に表面実装部品を搭載する部品搭載工程と、
（ｅ）各セラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された前記マザーセラミック基板を、前記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、各セラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された個々のモジュール部品に分割する分割工程と
を備えることを特徴としている。【００１７】
また、本発明のモジュール部品の製造方法においては、前記未焼成マザーセラミック基板が複数のセラミックグリーンシートを積層することにより形成された積層構造を有するものであり、前記（ｅ）の分割工程で前記焼成済みのマザーセラミック基板を分割することにより得られる前記モジュール部品を構成するセラミック基板が多層セラミック基板であってもよい。【００１８】
上記構成とすることにより、複数のセラミック層が積層された構造を有する多層セラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することができる。【００１９】
また、前記未焼成マザーセラミック基板を、前記（ｃ）の焼成工程で消失する樹脂層を介して積層した状態で、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、および前記（ｃ）の焼成工程を実施して、前記樹脂層を消失させた後、焼成済みの各マザーセラミック基板について、前記（ｄ）の部品搭載工程および前記（ｅ）の分割工程を実施することが好ましい。【００２０】
上記構成とすることにより、未焼成マザーセラミック基板を、所定枚数積層した状態で、カット工程から焼成工程までの諸工程が実施されるため、単層のセラミック基板や多層セラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することができる。【００２１】
また、前記未焼成マザーセラミック基板として、焼成後に金属導体となる材料からなる導体パターンを内部に備えたものを用い、前記（ａ）のカット工程、前記（ｂ）のプレス工程、前記（ｃ）の焼成工程、前記（ｄ）の部品搭載工程、および前記（ｅ）の分割工程を経て、内部に金属導体を有するセラミック基板上に前記表面実装部品が搭載された個々のモジュール部品が得られるようにすることが望ましい。【００２２】
上記構成とすることにより、内部に回路や電極などの導体を備えたセラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することが可能になる。
【発明の効果】
【００２３】
上述のように、本発明のセラミック基板の製造方法は、未焼成マザーセラミック基板を一方側主面から他方側主面に達するようにカットして未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、カットされた前記未焼成マザーセラミック基板をプレスして、カット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々のセラミック基板を一体化させるプレス工程と、切断端面どうしが接合された端面接合部を有する未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、焼成済みのマザーセラミック基板を、上述の端面接合部に沿ってブレイクすることにより、個々のセラミック基板に分割する分割工程とを備えているので、焼成済みのマザーセラミック基板を、上記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、マザーセラミック基板を所定の位置で確実にブレイクして、意図する形状を備えたセラミック基板を効率よく製造することができる。【００２４】
ただし、本発明のセラミック基板を構成するセラミック材料としては、磁性体セラミック、誘電体セラミック、圧電体セラミック、半導体セラミックなど、種々のセラミック材料を用いることが可能である。【００２５】
また、本発明におけるセラミック基板とは、表面や内部に回路などを備えたいわゆる回路基板に限られるものではなく、回路導体などが形成されない平板状のセラミック成形体を製造する場合にも本発明を適用することが可能である。【００２６】
また、本発明のモジュール部品の製造方法は、未焼成マザーセラミック基板を一方側主面から他方側主面に達するようにカットして未焼成の個々のセラミック基板に分割するカット工程と、カットされた前記未焼成マザーセラミック基板をプレスして、カット工程で形成された切断端面どうしを接合させて、分割された個々のセラミック基板を一体化させるプレス工程と、切断端面どうしが接合された端面接合部を有する未焼成マザーセラミック基板を焼成する焼成工程と、焼成済みのマザーセラミック基板に表面実装部品を搭載する部品搭載工程と、焼成済みのマザーセラミック基板を、上記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、個々のモジュール部品に分割する分割工程とを備えているので、焼成済みのマザーセラミック基板を、上記端面接合部に沿ってブレイクすることにより、マザーセラミック基板を所定の位置で確実にブレイクして、意図する形状を備えたセラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態（実施形態１）で用いた未焼成マザーセラミック基板の正面図、（ｂ）はその平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の実施形態１において、未焼成マザーセラミック基板をカットした状態を示す正面図、（ｂ）はその平面図である。
【図３】本発明の実施形態１において、カットされた未焼成マザーセラミック基板をプレスして、カット工程で形成された切断端面どうしを接合させた状態を示す正面図である。
【図４】切断端面どうしを接合させた状態の未焼成マザーセラミック基板を焼成した後の状態を示す正面図である。
【図５】焼成後のマザーセラミック基板を個々のセラミック基板に分割した状態を示す正面図である。
【図６】本発明の実施形態２で、セラミックグリーンシートを積層した積層体を、樹脂層を介して５層積層することにより形成した未焼成の複合積層体を示す正面図である。
【図７】図６の未焼成の複合積層体をカットした状態を示す正面図である。
【図８】図７のカットした未焼成の複合積層体をプレス（静水圧プレス）することにより、カット工程で形成された切断端面どうしを接合させた状態を示す正面図である。
【図９】プレス工程で切断端面どうしを接合させた複合積層体を焼成した後の、各マザーセラミック基板が分離した状態を示す正面図である。
【図１０】焼成後の各マザーセラミック基板を個々のセラミック基板に分割した状態を模式的に示す正面図である。
【図１１】本発明の実施形態２の変形例を示す正面図である。
【図１２】本発明の実施形態３にかかるモジュール部品の製造方法により製造したモジュール部品の構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施形態３において、セラミックグリーンシートに、導体パターンを配設したパターン形成シートを示す斜視図である。
【図１４】図１３のパターン形成シートを所定の順序で積層した状態を示す斜視図である。
【図１５】図１３のパターン形成シートを積層した積層体を圧着することにより得た積層体（未焼成マザーセラミック基板）を示す斜視図である。
【図１６】図１５の積層体（未焼成マザーセラミック基板）をカットした状態を示す斜視図である。
【図１７】図１６のカットした未焼成の積層体（未焼成マザーセラミック基板）をプレス（静水圧プレス）することにより、カット工程で形成された切断端面どうしを接合させた状態を示す斜視図である。
【図１８】図１７の、切断端面どうしを接合させた状態のマザーセラミック基板を焼成した後のマザーセラミック基板に表面実装部品を搭載した状態を示す斜視図である。
【図１９】焼成後のマザーセラミック基板をブレイクして、個々のモジュール部品に分割した状態を模式的に示す斜視図である。
【図２０】（ａ）は従来のマザー基板の分割方法を示す正面図、（ｂ）は平面図である。
【図２１】従来のマザー基板の分割方法の問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２９】
［実施形態１］
この実施形態１では、セラミック材料として、磁性体セラミックを用いたセラミック基板（多層セラミック基板）の製造方法について説明する。
【００３０】
（１）まず、磁性体セラミック粉末（この実施形態１ではフェライト粉末）とバインダー樹脂と有機溶剤とを混合して、溶解、分散させた後、脱泡することにより、セラミック原料スラリーを作製した。
それから、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルム（支持フィルム）上に、ドクターブレード法などの公知の方法により、上述のようにして作製したセラミック原料スラリーを塗布し、乾燥することにより、厚さ５０μmのセラミックグリーンシートを作製した。
【００３１】
（２）次に、得られたセラミックグリーンシートを２００ｍｍ×２００ｍｍに打ち抜いた。そして、打ち抜いたセラミックグリーンシートをＰＥＴフィルム上から剥離した。
剥離したセラミックグリーンシートを４枚積層することにより、平面寸法が２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの積層体を作製した。
【００３２】
なお、積層される各セラミックグリーンシートには、表面導体となる表面導体パターンや、内部導体となる内部導体パターン、さらには層間接続のためのビア導体などが形成されていてもよい。
【００３３】
（３）得られた積層体を、袋に入れて脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した。それから２０ＭＰａで1分間、静水圧プレスを行った。これにより、図１（ａ），（ｂ）に示すように、４枚のセラミックグリーンシート１が積層、圧着された未焼成マザーセラミック基板１０を得た。
【００３４】
（４）それから、図２（ａ），（ｂ）に示すように、この未焼成マザーセラミック基板１０を、粘着保持シート２０上に載置し、厚さが０．１０ｍｍのカット刃３０を使用して、押し切り工法により、２．４４ｍｍ間隔でカットした。
【００３５】
このとき、カット刃３０の刃先を粘着保持シート２０に達するまで、すなわち、未焼成マザーセラミック基板１０の一方側主面１０ａから他方側主面１０ｂに達するまで浸入させて、未焼成マザーセラミック基板１０をカットした。
【００３６】
カットすることにより形成された端面（切断端面）１０ｃは、未焼成マザーセラミック基板１０の主面１０ａ，１０ｂに垂直な端面となる。
なお、未焼成マザーセラミック基板１０が、粘着保持シート２０上に粘着保持された状態でカットを行うようにしていることから、カットにより未焼成マザーセラミック基板１０は完全に個片化するもののカット後の個片（焼成後にセラミック基板となる個々の片）１１ａ（図２（ａ），（ｂ））は、カット前と同じ位置に保持され、ばらばらになることはない。
【００３７】
（５）そして、カットされた後の未焼成マザーセラミック基板１０を、袋に入れて脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した。それから、１００ＭＰａで１分間静水圧プレスを行った。この静水圧プレスの工程では、未焼成マザーセラミック基板１０の主面１０ａ，１０ｂに直交する方向だけではなく、主面１０ａ，１０ｂに沿う方向に押圧力が加わるような態様でプレスが行われるため、カットされることにより形成された端面（切断端面）１０ｃどうしが接合された端面接合部１０ｄを有する未焼成マザーセラミック基板（切断端面１０ｃどうしが接合されて一体となった接合未焼成マザーセラミック基板）１０Ｘが得られる（図３）。
【００３８】
（６）それから、この接合未焼成マザーセラミック基板１０Ｘの周縁部を切り落として、１８０ｍｍ×１８０ｍｍの接合体を得る。
なお、上記の図１〜図３では、周縁部の切り落とされるべき部分を含まない状態の未焼成マザーセラミック基板を示している。
【００３９】
（７）次に、上記接合体（接合未焼成マザーセラミック基板）１０Ｘから上述の粘着保持シート２０を取り除いた後、９５０℃で２時間焼成することにより、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙ（図４）を得た。
【００４０】
この段階でも上記端面（切断端面）１０ｃは、接合された状態にあり、全体が一体の状態にある焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙが得られる。
なお、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙは、平面寸法が１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚み１５０μｍで、２ｍｍ間隔で縦横に、切断端面１０ｃ（図３）が接合した、他の部分に比べて、強度の小さい、分割されるべき部分（端面接合部）１０ｄが形成された状態となる。
【００４１】
（８）それから、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙに、厚み１０μｍの粘着ＰＥＴフィルム（図示せず）を張り付け、ローラーブレイク機でブレイクして、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙを個々の焼結済みのセラミック基板１１に分割した。その結果、図５に示すように、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙは、上述の端面接合部１０ｄに沿って分割され、分割端面１１ｃがその主面１２ａに垂直な、寸法精度、形状精度の高いセラミック基板（多層セラミック基板）１１を得ることができた。
【００４２】
すなわち、上述の実施形態１の方法によれば、端面（切断端面）が接合した、他の部分より強度の小さい端面接合部１０ｄが分割面となり、得られるセラミック基板１１の端面（分割面）１１ｃが、目標とする端面接合部１０ｄに沿ってブレイクされるため、分割端面１１ｃが斜めにならずに，その主面１２ａに垂直なセラミック基板（多層セラミック基板）１１を得ることができる。
【００４３】
［実施形態２］
この実施形態２では、上述の実施形態１の場合よりもさらに効率よくセラミック基板を製造することが可能なセラミック基板の製造方法について説明する。
【００４４】
（１）実施形態１で作製したセラミックグリーンシートと同じセラミックグリーンシートを、実施形態１の場合と同じ方法で作製した。
なお、この実施形態２の場合においても、各セラミックグリーンシートには、表面導体となる表面導体パターンや、内部導体となる内部導体パターン、さらには層間接続のためのビア導体などが形成されていてもよい。
【００４５】
そして、このセラミックグリーンシートを、２００ｍｍ×２００ｍｍに打ち抜き、ＰＥＴフィルム上から剥離したセラミックグリーンシートを４枚積み重ねることにより、上記実施形態で作製した積層体と同じ積層体、すなわち、平面寸法が２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの積層体を作製した。
【００４６】
（２）それから、図６に示すように、積層体（個々の未焼成マザーセラミック基板）１０を、厚さ１０μｍの樹脂層２１を介して、５層積層し、複合積層体（未焼成複合積層体）１１０を形成した。
【００４７】
具体的には、一つの積層体１０の上面にこの後の焼成工程の熱により燃焼して消失する樹脂ペーストを塗布して樹脂層２１を形成し、その上に平面寸法が２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの積層体１０を積み重ね、これを繰り返して、積層体１０が５層積層された、未焼成複合積層体１１０を形成した。なお、樹脂ペーストの代わりに焼成工程の熱により燃焼して消失する樹脂シートによる樹脂層２１を設けてもよい。
【００４８】
（３）それから、この未焼成複合積層体１１０を、袋に入れて脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した。それから２０ＭＰａで1分間、静水圧プレスを行った。
【００４９】
（４）次に，プレスされた未焼成複合積層体１１０を、図７に示すように、粘着保持シート２０上に載置し、厚さが０．１０ｍｍのカット刃３０を使用して、押し切り工法により、２．４４ｍｍ間隔でカットした。
【００５０】
このとき、カット刃３０の刃先を粘着保持シート２０に達するまで、すなわち、未焼成複合積層体１１０の一方側主面１１０ａから他方側主面１１０ｂに達するまで浸入させて、未焼成複合積層体１１０をカットした。
【００５１】
カットすることにより形成された端面（切断端面）１１０ｃ（１０ｃ）は、未焼成複合積層体１１０の主面１１０ａ，１１０ｂに垂直な端面となる。
なお、未焼成複合積層体１１０が、粘着保持シート２０上に粘着保持された状態でカットを行うようにしていることから、カット後の個片積層体１１１ａは、カット前と同じ位置に保持され、ばらばらになることはない。
【００５２】
（５）そして、カットされた後の未焼成複合積層体１１０を、袋に入れて脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した。それから１００ＭＰａで１分間静水圧プレスを行った。この静水圧プレスの工程では、未焼成複合積層体１１０の主面１１０ａ，１１０ｂに直交する方向だけではなく、主面１１０ａ，１１０ｂに沿う方向に押圧力が加わるような態様で静水圧プレスが行われるため、図８に示すように、カットされることにより形成された端面（切断端面）１１０ｃ（１０ｃ）が接合されて再び一体となった接合体（接合未焼成複合積層体）１１０Ｘが得られる。
【００５３】
（６）それから、この接合体（接合未焼成複合積層体）１１０Ｘの周縁部を切り落として、１８０ｍｍ×１８０ｍｍの接合体を得る。
なお、上記の図６〜図８では、周縁部の切り落とされるべき部分を含まない状態の未焼成複合積層体を示している。
【００５４】
（７）次に、上記接合体（接合未焼成複合積層体）１１０Ｘから上述の粘着保持シート２０を取り除いた後、９５０℃で２時間焼成した。このとき、樹脂層２１が、燃焼して消失することにより、樹脂層２１（図８）により結合されていた各マザーセラミック基板が分離した状態の、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙ（図９）が得られる。
【００５５】
この段階でも焼結済みの各マザーセラミック基板１０Ｙの切断端面１０ｃは、接合された状態にあり、全体が一体の状態にある焼結済みの各マザーセラミック基板１０Ｙが得られる。
なお、焼結済みの各マザーセラミック基板１０Ｙにおいては、平面寸法が１５０ｍｍ×１５０ｍｍ、厚み１５０μｍ、２ｍｍ間隔で縦横に、端面（切断端面）１０ｃが接合した、他の部分に比べて、強度の小さい、分割されるべき部分（端面接合部）１０ｄが形成された状態となる。
【００５６】
（８）それから、焼結済みの各マザーセラミック基板１０Ｙを、厚み１０μｍの粘着ＰＥＴフィルム（図示せず）を張り付け、ローラーブレイク機でブレイクして、各マザーセラミック基板１０Ｙを個々の焼結済みのセラミック基板１１に分割した（図１０参照）。その結果、焼結済みの各マザーセラミック基板１０Ｙは、上述の端面接合部１０ｄに沿って分割され、分割端面１１ｃがその主面１２ａに垂直な、寸法精度、形状精度の高いセラミック基板（多層セラミック基板）１１を得ることができた。
【００５７】
この実施形態２の方法によれば、上記（４）のカット工程、（５）の端面どうしを接合させるプレス工程、（７）の焼成工程などを、複数のマザーセラミック基板が積層された複合積層体の状態で、一括して実施することができるため、寸法精度、形状精度の高いセラミック基板（多層セラミック基板）を効率よく製造することができる。
【００５８】
［実施形態２の変形例］
上記実施形態２では、セラミックグリーンシートを４枚積み重ねた積層体（未焼成マザーセラミック基板）１０を、樹脂層２１を介して５層積層した複合積層体（未焼成複合積層体）１１０を形成したが、図１１に示すように、単層のセラミックグリーンシート１を樹脂層２１を介して５層積層することにより、樹脂層２１を４層、単層のセラミックグリーンシート１を５層備えた複合積層体（未焼成複合積層体）１１０を形成するようにしてもよい。
【００５９】
そして、上述のようにして複合積層体（未焼成複合積層体）１１０を形成することを除いて、実施形態２と同様の工程を実施することにより、単層構造のセラミック基板を効率よく製造することができる。なお、上述の複合積層体（未焼成複合積層体）１１０を形成する工程以外の工程は、実施形態２の場合と同様であることから、詳細な説明や図示については省略する。
【００６０】
この実施形態２の変形例の場合においても、セラミックグリーンシートには、表面導体となる表面導体パターンが形成されていてもよいし、何も形成されていなくてもよい。
【００６１】
この方法によれば、実施形態２と同様に複数のセラミックグリーンシートが積層された複合積層体の状態で、一括して実施することができるため、寸法精度、形状精度の高いセラミック基板（セラミック成形体）を効率よく製造することができる。
【００６２】
［実施形態３］
この実施形態３では、図１２に示すように、表面導体、内部導体、ビア導体などを備えた多層セラミック基板１１に表面実装部品１５１を搭載してなるモジュール部品１５０の製造方法について説明する。
【００６３】
（１）まず、上記実施形態１の場合と同様の方法でセラミックグリーンシート１を作製し、得られたセラミックグリーンシート１に、例えば、表面導体や内部導体となる導体パターンの形成、ビアホールの形成および該ビアホールへのビア導体となる導体材料の充填などを行って、図１３に示すように、必要な導体パターン１４０を備えたパターン形成シート１０１ａを作製する。
【００６４】
（２）それから、導体パターン１４０を備えたパターン形成シート１０１ａを所定の順序で積層し（図１４）、得られた積層体を袋に入れて、脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した後、静水圧プレスを行うことにより、図１５に示すように、各パターン形成シート１０１ａが圧着された積層体（未焼成マザーセラミック基板）１０を得た。
【００６５】
（３）それから、図１６に示すように、未焼成マザーセラミック基板１０を、粘着保持シート２０上に載置し、厚さが０．１０ｍｍのカット刃（図示せず）を使用して、押し切り工法により所定の間隔でカットした。
このとき、カット刃の刃先を粘着保持シート２０に達するまで、すなわち、未焼成マザーセラミック基板１０の一方側主面１０ａから他方側主面１０ｂに達するまで浸入させて、未焼成マザーセラミック基板１０をカットした。
【００６６】
カットすることにより形成された端面（切断端面）１０ｃは、未焼成マザーセラミック基板１０の主面１０ａ，１０ｂに垂直な端面となる。
なお、未焼成マザーセラミック基板１０が、粘着保持シート２０上に粘着保持された状態でカットを行うようにしていることから、カット後の個片（焼成後にセラミック基板となる個々の片（未焼成セラミック基板））１１ａ（図１６）は、カット前と同じ位置に保持され、ばらばらになることはない。
【００６７】
（４）そして、カットされた後の未焼成マザーセラミック基板１０を、袋に入れて脱気した後、密閉し、所定の温度に加熱した。それから１００ＭＰａで１分間静水圧プレスを行った。この静水圧プレスの工程では、未焼成マザーセラミック基板１０の主面１０ａ，１０ｂに沿う方向に押圧力が加わるような態様で静水圧プレスが行われるため、カットされることにより形成された端面（切断端面）１０ｃどうしが接合された端面接合部１０ｄを有する未焼成マザーセラミック基板（切断端面１０ｃどうしが接合されて一体となった接合未焼成マザーセラミック基板）１０Ｘ（図１７）が得られる。
【００６８】
（５）それから、この接合未焼成マザーセラミック基板１０Ｘの周縁部を切り落として、１８０ｍｍ×１８０ｍｍの接合体を得る。
なお、上記の図１３〜図１７では、周縁部の切り落とされるべき部分を含まない状態の未焼成マザーセラミック基板を示している。
【００６９】
（６）次に、上記接合未焼成マザーセラミック基板１０Ｘから上述の粘着保持シート２０を取り除いた後、９５０℃で２時間焼成することにより、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙ（図１８）を得た。
【００７０】
この段階でも上記端面（切断端面）１０ｃは、接合された状態にあり、全体が一体の状態にある焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙが得られる  なお、この段階で焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙは、切断端面１０ｃ（図１６）が接合した、他の部分に比べて、強度の小さい、分割されるべき部分（端面接合部）１０ｄが形成された状態となる。
【００７１】
（７）それから、焼結済みのマザーセラミック基板１０Ｙ（図１８）の、焼成後にセラミック基板となる個々の片（セラミック基板）１１上に、各表面実装部品１５１を搭載した。
なお、表面実装部品１５１として、例えば、ＩＣチップ、積層セラミックコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗などが搭載される。
【００７２】
（８）そして、各セラミック基板上に表面実装部品１５１が搭載されたマザーセラミック基板１０Ｙを、端面接合部１０ｄに沿ってブレイクした（図１９）。これにより、分割端面１１ｃがその主面１２ａに垂直な、寸法精度、形状精度の高い、各セラミック基板（多層セラミック基板）１１上に表面実装部品１５１が搭載された個々のモジュール部品１５０が得られる。
【００７３】
この実施形態３の方法によれば、上記（４）のカット工程、上記（５）のプレス工程、（６）の焼成工程、（７）の搭載工程などを、個々のセラミック基板が集合した状態で一括して実施することができるため、寸法精度、形状精度の高いセラミック基板上に表面実装部品が搭載されたモジュール部品を効率よく製造することができる。
【００７４】
なお、上記実施形態１および２では多層セラミック基板を例にとって説明したが、本発明は単層のセラミック基板を製造する場合にも適用することが可能である。
【００７５】
また、上記実施形態３では多層セラミック基板上に表面実装型電子部品が搭載されたモジュール部品を例にとって説明したが、本発明は、単層のセラミック基板上に表面実装型電子部品が搭載されたモジュール部品を製造する場合にも適用することが可能である。
【００７６】
なお、本発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、製造するセラミック基板の寸法や形状、製造工程で未焼成マザーセラミック基板をカットする場合のカット方法やそれに用いる装置の種類、プレス工程において用いるプレス方法や、焼結済みのマザーセラミック基板をブレイクする方法などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１          セラミックグリーンシート
１０        未焼成マザーセラミック基板
１０ａ      未焼成マザーセラミック基板の一方側主面
１０ｂ      未焼成マザーセラミック基板の他方側主面
１０ｃ      切断端面
１０ｄ      端面接合部
１０Ｘ      接合未焼成マザーセラミック基板
１０Ｙ      焼結済みのマザーセラミック基板
１１        分割された個々の焼結済みのセラミック基板
１１ａ      未焼成マザーセラミック基板のカット後の個片
１１ｃ      セラミック基板の分割端面
１２ａ      セラミック基板の主面
２０        粘着保持シート
２１        樹脂層
３０        カット刃
１０１ａ    パターン形成シート  
１１０      未焼成複合積層体
１１０ａ    未焼成複合積層体の一方側主面
１１０ｂ    未焼成複合積層体の他方側主面
１１０ｃ    未焼成複合積層体の端面（切断端面）
１１１ａ    未焼成複合積層体をカットした個片積層体
１１０Ｘ    接合未焼成複合積層体
１４０      導体パターン
１５０      モジュール部品
１５１      表面実装部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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