(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージのための半導体回路が複数形成されたＭＡＰ基板の表面に樹脂モールドを施し、このモールド樹脂面をダイシングテープに貼り付けてダイシングし、切断した個々の半導体パッケージをピックアップする半導体パッケージの製造方法において、
上記ＭＡＰ基板の複数の半導体回路が配置された集合エリアの外周で、ダイシングソーによって切断される切断片エリアの上記モールド樹脂面に、切断ラインより所定距離離れた位置にレーザーにて第１ダミーマークを施し、この第１ダミーマークが施されたモールド樹脂面を上記ダイシングテープに減圧雰囲気下で貼り付けることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
上記半導体回路を形成した個々のパッケージエリア内の周辺部のモールド樹脂面に、上記パッケージエリアの中心に対して略点対称となる形状の第２ダミーマークをレーザーにて施したことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
上記パッケージエリア内の第２ダミーマークの一部に、方向判別用の形状を付加したことを特徴とする請求項２記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
上記切断片エリアの第１ダミーマーク及び上記パッケージエリア内の第２ダミーマークを同一のマークとし、一回のレーザー照射で施すようにしたことを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体パッケージの製造方法、特にＣＳＰ等の小型半導体パッケージの製造において、ダイシングテープに貼り付けた状態で切断・個片化する工程を有する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信機器、映像機器、オーディオ機器等の小型化、薄型化の進展に伴い、これらの機器に使用される半導体部品の小型化、薄型化の要請が一層高まっており、このような要請の下に、ＣＳＰ（Chip Size Package）が誕生した。このＣＳＰは、誕生当初、１００〜３００ピンを超えるＱＦＰ（Quad Flat Package）の置き換えが盛んに行われ、実装面積の縮小化に大きく貢献してきた。その後、更なる実装面積縮小化の要求のため、２０ピン程度以下の少ピン小型半導体のパッケージサイズ（チップサイズ）縮小化も進められている。
最近では、少ピン小型半導体のパッケージサイズの縮小化も目覚ましく、１０ピン程度で２．０ｍｍ角（平方）を下回るパッケージ、６ピン程度で１．０ｍｍ角を下回るパッケージ、２〜５ピン程度で０．４〜０．７ｍｍ角を下回るパッケージが登場している。
【０００３】
上記ＣＳＰは、セラミック、有機、リードフレーム（金属）等からなるインターポーザーの上に、フリップチップボンディング（ＦＣＢ）、ワイヤボンド等の接続方法で組み立てられており、このインターポーザーは、熱伝導、配線引き回し、厚みの仕様、コスト、用途等に応じて使い分けられる。このＣＳＰの組立てには、生産性の向上、コストダウン等の目的のため、多数の半導体回路（半導体素子）を１つの基板上に格子状（アレイ状）に集合・配置したＭＡＰ（Mold Array Package）基板が用いられ、このＭＡＰ基板上に形成した半導体回路をダイシングにて個片化することが行われる。
【０００４】
図６には、樹脂モールドとマーキングが施された状態の従来のＭＡＰ基板の一部が示され、図７には、金型内でのＭＡＰ基板の樹脂モールド（封止）の様子が示され、図９には、レーザーマークが付されたパッケージが示されている。図６のＭＡＰ基板１では、複数の半導体回路がダイボンド・ワイヤボンド又はフリップチップボンディング等の接続方式でアレイ状に搭載された後、モールド工程にて、ＭＡＰ基板１が金型へ配置される。即ち、図７に示されるように、下金型２と上金型３でＭＡＰ基板１を挟み込み（クランプ）、この金型２，３のキャビティ内へエポキシ樹脂４を注入し熱硬化することで、ＭＡＰ基板１の半導体回路搭載エリアが樹脂４により一括・封止される。
【０００５】
次に、上記モールド工程でモールドされた樹脂面にレーザー等を用いて、図９に示されるように、個々の半導体パッケージ５の部分に対し、ロットマークＭａとダミーマークＭｂが一括にて施される。上記ダミーマークＭｂは、製品の方向判別用のマークであり、図のように、半導体パッケージの中心に対して非対称となる位置に印字される。なお、上記マークＭａ，Ｍｂのマーキングには、レーザー以外にもインクを用いる方法もあるが、インクを用いる方法は、モールド樹脂面からのマークの剥がれを防止するため、溶剤処理等の前処理工程が必要となること、文字高さ０．５ｍｍ以下の小型文字にすると、潰れが発生して判読が困難になる等が生じることから、５ｍｍ以下の小型半導体パッケージ（ＣＳＰ）の組立てには余り用いられていない。図６のマークＭｃは、マークＭａ，ＭｂのＭＡＰ基板内における位置を確定するための基準となるマークで、予めインターポーザーにめっきやエッチング等により設けられている。これを画像認識により位置確認し、マークＭａ，Ｍｂを印字する。
【０００６】
上記マーキングの後、図６に示されるように、ＭＡＰ基板１はダイシングテープ７に貼り付けられた状態でダイシングソーにて個片化の切断（ダイシング）が行われ、個片化された半導体パッケージは、電気的な選別試験によって合否判定が実施され、その良品に対して出荷のため包装が実施される。即ち、ダイシングされたＭＡＰ基板１では、インターポーザーの電気的接続が半導体パッケージ毎に切り出され、切り出されたパッケージ５の電極面（樹脂モールドされていない面）が上を向くため、ダイシングテープに貼り付けられたままパッケージ５の試験が行われる。この試験装置として、従来からウェハー試験に使われているプローバーが使用され、２つのパッケージ５を同時に試験する２マルチプローブ試験、４つのパッケージ５を同時に試験する４マルチプローブ試験等が実施でき、生産性の向上が可能となっている。なお、切断された半導体パッケージを１つずつ取り出し、試験後にそれぞれ製品（製造）に関わるマークを施す例もあるが、生産性が低いため、試験後の特性ランクを表示する目的以外では余り利用されていない。
【０００７】
上記ダイシングテープ７では、ダイシング時には個片化された半導体パッケージ５の保持力を維持するための高接着性が求められ、包装時（ピックアップ時）にはパッケージ５をテープ７から容易に剥離できる低接着性が求められ、相反する機能が必要になるが、従来では、紫外線（ＵＶ）照射による粘着層の硬化反応によって接着力をなくしたり、ＵＶ照射でガスを発生させて接着力をなくす自己剥離テープを用いたり、下記特許文献４（特開２００８−７８４９２号公報）のように、加熱によって粘着剤を硬化させ接着力をなくすことが行われる。
【０００８】
また、このダイシングテープ７の貼付けとしては、下記特許文献５（特開２００１−１４８４１２号）に記載されるように真空雰囲気下で貼る真空貼りの方法や大気中でローラーにより貼り付ける大気貼りがある。
【０００９】
上記個片化のダイシング（ダイシングソー）では、ダイヤモンド砥粒を含ませた樹脂、セラミック或いはめっきからなるブレードで、０．０５〜０．５ｍｍ程度の幅を持った円形のダイシングブレードが用いられる。このダイシングブレードにて切断されたラインは、ほぼブレード幅と同じ幅の軌跡が残るように、基板の一部が粉砕除去されることによって現れる。このブレードは、通常０．５〜５ＭＰａ程度の圧力で１００〜５００ｍｌ／ｓｅｃの流量の高圧の純水（切削水又は洗浄水）を受けながら洗われるため目詰まりが防止され、少しずつ磨耗しながら自己修復するため目潰れを起こすことなく連続作業が可能となっている。
【００１０】
上記包装工程では、ダイシング後のＵＶ照射によってダイシングテープ７と半導体パッケージ５との接着強度を下げ、ピックアップ装置によりパッケージ５の取り出しが行われる。
図１０には、パッケージ５のピックアップの様子が示されており、まず図示されるように、先端半径５０〜２００μｍ程度の金属製ニードル（突上げピン）９により、テープ７の粘着面（粘着剤８が塗られた面）とは反対方向から２００〜１０００μｍ程度突き上げられ、その応力によりパッケージ５がテープ７から引き剥がされる。そして、ピックアップコレット１０でエアー吸着することで、パッケージ５を取り出し、他のコレットに受け渡す等の方法によって、パッケージ５を反転させ、モールド面（マーク面）を上に向け直した状態で包装が実施される。この包装は、例えば包装部材のポケットに、パッケージ５を挿入し、その口をテープによりカバーすることにより行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−１０６３９号号公報
【特許文献２】特開２００７−１８４６５８号公報
【特許文献３】特開２００８−２５２１３３号公報
【特許文献４】特開２００８−７８４９２号公報
【特許文献５】特開２００１−１４８４１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、従来の半導体パッケージの製造方法では、図８に示されるように、ＭＡＰ基板１の周囲に、テープ７が貼り付けられていない樹脂４の部分があり、この部分の切断片１ｆが飛散してブレードの破損等を起こすという問題があった。
【００１３】
即ち、図７で説明したモールド工程では、下金型２と上金型３でクランプする際に、樹脂漏れ対策を施すことから、ＭＡＰ基板１の周囲にモールドされていないエリアが発生し、モールド樹脂４との段差ができる。この段差は、モールド樹脂厚と等しく、薄型の半導体パッケージで２００〜３００μｍ程度、一般的な半導体パッケージで５００〜７００μｍ程度となる。このような段差のあるモールド樹脂面をテープ７に貼り付けるため、図８に示されるように、モールド樹脂４がなくテープ７に貼り付けられない部分を有する切断片１ｆが生じ、この切断片１ｆは、非常に不安定な状態でテープ７と接着するため、ダイシング時に高圧の純水によって飛散し易くなる。そして、この切断片１ｆがダイシング中に飛散すると、ダイシングブレードとの接触によるブレードの破損、或いはブレードの異常磨耗を起こすことなる。また、上記切断片１ｆには、包装等の後工程で使用するアライメントマークＭｃが付されている場合もあり、後工程の作業が困難になる等の問題もある。
【００１４】
従来では、半導体ウェハー（ウェハーレベルＣＳＰ）の端材の飛散防止を図るものとして、上記特許文献１があり、この文献１では、図１１に示されるように、レーザーマークにてウェハー１２の裏面の外周部に線状（若しくは点状）に加工した溝部１３を設けており、この溝部１３にダイシングテープの粘着剤が浸入することによって、釘若しくはくさびのような働きをし、ダイシングテープが半導体ウェハーに粘着しようとする力が強化されることで、端材の飛散を防止する。
【００１５】
しかし、この方法は、ウェハーレベルＣＳＰ用途として考えられたもので、ウェハー周辺が平坦で、ウェハー自体も粘着剤との接着力が元々強いため、飛散を防止する接着力の強化はそれ程大きい必要はない。そのため、上記文献１では、ウェハー１２にレーザーマーカーで形成される溝部１３の深さは２〜３μｍ程度と説明されており、この深さの溝部１３に、大気中での通常のテープ貼り付けによる毛細管現象を利用して、粘着剤（接着剤）を十分浸入させることが可能である。また、２〜３μｍ程度の深さの溝部１３に浸入した粘着剤を含むウェハーレベルＣＳＰをダイシングしたとしても、粘着剤の巻上げによるウェハーレベルＣＳＰへの付着も問題がない。
【００１６】
一方、インターポーザーを用いるＣＳＰ等の半導体パッケージの場合、モールド樹脂に含まれる金型離型剤が樹脂表面にしみ出ることによって、テープ７との接着強度は弱くなっており、またモールド樹脂面の平坦度も低いことから、ウェハーレベルＣＳＰに比べて、ダイシング中の切断片１ｆの剥がれや飛散が発生し易いという問題がある。
【００１７】
また、ＣＳＰ等の半導体パッケージ製造においては、パッケージサイズが２ｍｍ角以下と小型化されるにつれ、上記金型離型剤の影響によって、周辺エリアのみならず、パッケージ５自体の剥がれも発生するという問題が顕著になる。更に、上述のように、ＵＶ照射や加熱によってテープ７の接着力をなくすような方法でも、２ｍｍ角以下のパッケージ５では切断片１ｆの飛散を防止することは容易ではなく、この飛散防止を優先してテープ７の接着力を高くする方法では、ＵＶ照射後でも接着強度の強さが残るため、パッケージ５の取出し性が安定しないという問題は残される。そのため、接着力と取り出し性の双方を両立する特性を有するダイシングテープ７の開発及び選定は容易ではない。
【００１８】
また、上記切断片１ｆ（周辺部）の剥がれ対策として、図６に示されるように、ＭＡＰ基板１の周囲の切断片１fa，１fbのエリアのモールド樹脂４を大きくする方法がある。即ち、図６の切断片１faエリアの縦幅、切断片１fbエリアの横幅は、パッケージサイズにより決定され、特に１０ピン程度の２．０ｍｍ角を下回るパッケージ５では２．０ｍｍ以下と小さいため、ダイシング等の負荷に耐え得る、テープ７との接着を維持するためには、切断片１faエリアの横幅Ｈａと切断片１fbエリアの縦幅Ｈｂを３ｍｍ以上とする必要がある。しかし、このようにすると、半導体回路集合エリアが狭くなり、１枚のＭＡＰ基板１で製作できる半導体パッケージ５の個数が減るため、高コストとなるという問題がある。
【００１９】
更に、従来の上記包装工程でのピックアップにおいて、マークＭａ，Ｍｂの存在によりパッケージ５が傾き、取出しエラーが発生するという問題もある。即ち、図１０で説明したように、パッケージ５の中央部をニードル９で突き上げることによって、テープ７からパッケージ５を剥がすが、図９のように、パッケージ５には、ロットマークＭａとアドレスマークＭｂがパッケージ中心に対して非対称の位置に印字されており、このマークＭａ，Ｍｂ内への粘着剤が浸入するため、テープ７から剥離される際にバランスを失い、突き上げられたパッケージ５が斜めになる。この結果、パッケージ５がコレット１０の中心に吸着されず（水平にピックアップされず）、その取出し、取出し後の挿入コレットへの受け渡し、包装部材のポケットへの挿入等ができず（装置ジャムの発生を誘発し）、生産性に大きな影響を与えることになる。
【００２０】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＭＡＰ基板の周囲の切断片部のモールド樹脂エリアを大きくして製作数を減らすことなく、ＭＡＰ基板周囲の切断片の飛散を容易に防止し、ダイシングブレードの破損等がなくなり、また包装工程のピックアップ時に半導体パッケージが傾くことを防止し、安定した生産性を達成することができる半導体パッケージの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、半導体パッケージのための半導体回路が複数形成されたＭＡＰ（モールドアレイパッケージ）基板の表面に樹脂モールドを施し、このモールド樹脂面をダイシングテープに貼り付けてダイシングし、切断した個々の半導体パッケージをピックアップする半導体パッケージの製造方法において、上記ＭＡＰ基板の複数の半導体回路が配置された集合エリアの外周で、ダイシングソーによって切断される切断片エリアの上記モールド樹脂面に、切断ラインより所定距離離れた位置にレーザーにて第１ダミーマークを施し、この第１ダミーマークが施されたモールド樹脂面を上記ダイシングテープに減圧雰囲気下で貼り付けることを特徴とする。
請求項２の発明は、上記半導体回路を形成した個々のパッケージエリア内の周辺部のモールド樹脂面に、上記パッケージエリアの中心に対して略点対称となる形状の第２ダミーマークをレーザーにて施したことを特徴とする。
【００２２】
請求項３の発明は、上記パッケージエリア内の第２ダミーマークの一部に、方向判別用の形状を付加したことを特徴とする。
請求項４の発明は、上記切断片エリアの第１ダミーマーク及び上記パッケージエリア内の第２ダミーマークを同一のマークとし、一回（一連）のレーザー照射で施すようにしたことを特徴とする。
【００２３】
上記請求項１の構成によれば、ＭＡＰ基板の切断片エリア（部分）のモールド樹脂面に、ダイシングソーによる切断ラインより所定距離（例えば３０〜５０μｍ程度）離れた干渉しない位置に第１ダミーマーク（例えば四角形マーク）がレーザーにて形成される。
また、請求項２の構成によれば、半導体回路形成のパッケージエリア内モールド樹脂面の周辺部に対し、パッケージエリア中心に対して点対称となる第２ダミーマーク（例えば四角枠のマーク、４辺又は４コーナーにおいて形状が略同一となるマーク）がレーザーにて形成される。
【００２４】
上記第１及び第２ダミーマークを施す切断ラインからの距離は、切断時にダイシングテープの伸び等の原因により発生するカットズレを十分に考量することが必要であり、３０〜５０μｍ程度が好ましい。この距離が３０〜５０μｍ程度より小さい場合は、ダイシングにより第１ダミーマークの一部が切断されることがあり、このダミーマークに入り込んだ粘着剤（糊）の巻上げによる製品への異物付着が起り易くなる。一方、３０〜５０μｍ程度より大きい場合は、第１ダミーマークへ入り込む粘着剤が少なくなり、切断片の大きさに対して十分なアンカー効果が得られない場合がある。
【００２５】
一般に、レーザー加工によって形成されるマークの加工溝の深さは、使用されるレーザーの基本波及び１／２基本波の制御、レーザーパワーの制御によって所望の深さに調整できるが、このような制御によって、本発明の第１ダミーマーク、第２ダミーマーク、方向判別用マーク等の深さは、１０μｍ以上としている。また加工幅はレーザーマーク線幅の制御により調整できる。
【００２６】
また、上記第１ダミーマーク、第２ダミーマークが施されたＭＡＰ基板のモールド樹脂面に対しダイシングテープを貼り付ける際には、大気圧から真空状態までのチャンバー内の減圧過程において、チャンバー内の圧力及び吸引時間を最適な値に設定することで、減圧雰囲気下でモールド樹脂面をダイシングテープに良好に貼り付けることができる。例えば、１〜１０ｋＰａ程度の減圧雰囲気下とすれば、深さ２０〜３０μｍ程度の加工溝に同程度の深さでダイシングテープの粘着剤（糊）が入り込み、十分なアンカー効果が得られる。即ち、加工溝内を減圧雰囲気にした後、大気圧雰囲気に戻すことにより、大気圧との圧力差によって発生する力を利用することで、ダイシングテープの裏面の粘着剤を加工溝内へ入れることができ、具体的には、大気圧約１００ｋＰａと上記減圧雰囲気１〜１０ｋＰａとの圧力差を利用することになる。上記減圧雰囲気の圧力より高い場合は、粘着剤が入り込む力が弱く、また低い場合は、大気圧との差圧は殆ど変わらないため、減圧にかかる時間が長く、生産性が悪くなる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、ＭＡＰ基板周囲の切断片の剥がれ、飛散が容易に防止され、ダイシングブレードの破損、異常磨耗等を起こすことがなく、ＭＡＰ基板の周囲の切断片部のモールド樹脂エリアを小さくすることもでき、１枚の基板での製作数を増やすことが可能となる。また、包装工程のピックアップ時に半導体パッケージが傾くことを防止し、安定した生産性を達成することができるという効果がある。
【００２８】
上記請求項２の発明によれば、第２レーザーマークが個々のパッケージエリアの中心に対して略点対称となる位置に配置されるので、ダイシング時の半導体パッケージの剥がれを良好に防止できると共に、ピックアップ時には半導体パッケージが傾くことを防止して安定した生産性が確保できるという利点がある。
上記請求項４の発明によれば、断片エリアの第１ダミーマーク及びパッケージエリア内の第２ダミーマークを、インターポーザーに予めデザインされた位置合わせのアライメントマークを用いて、位置精度よく印字することが可能となり、工程の追加や製造時間の増加を招くことがない。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体パッケージの製造方法で用いられるＭＡＰ基板の一部の構成を示し（マークも一部のみ表示）、図の上側はＡ−Ａ断面図、図の左側はＢ−Ｂ断面図である。
【図２】第１実施例の半導体パッケージに施されるマークを示す図である。
【図３】第１実施例のピックアップ時の様子を示す図である。
【図４】第２実施例で用いられるＭＡＰ基板の一部の構成を示し（マークも一部のみ表示）、図の上側はＡ−Ａ断面図、図の左側はＢ−Ｂ断面図である。
【図５】第１及び第２実施例の半導体パッケージに施されるマークの他の例を示す図である。
【図６】従来の半導体パッケージの製造方法で用いられるＭＡＰ基板の一部の構成を示し（マークも一部のみ表示）、図の上側はＡ−Ａ断面図、図の左側はＢ−Ｂ断面図である。
【図７】金型によるＭＡＰ基板のモールドを説明するための図である。
【図８】ＭＡＰ基板のモールド樹脂面をダイシングテープに貼り付けた状態を示す図である。
【図９】従来の半導体パッケージに施されるマークを示す図である。
【図１０】従来のピックアップ時の様子を示す図である。
【図１１】従来のウェハーレベルＣＳＰにおける対策例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１には、本発明の第１実施例に係る半導体パッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package）の製造方法で用いられるＭＡＰ基板の一部が示され、図２には、個々の半導体パッケージの樹脂面に付されたマークが示されており、第１実施例のＭＡＰ基板１６では、複数の半導体回路がダイボンド・ワイヤボンド又はフリップチップボンディング等でアレイ状に搭載され、その後のモールド工程にて、図７で説明したように、ＭＡＰ基板１６を下金型２と上金型３で挟み込み、金型キャビティ内へエポキシ樹脂４を注入し熱硬化することで、半導体回路を搭載した集合エリアが樹脂４によりモールド（封止）される。
【００３１】
そして、ＭＡＰ基板１６のモールド樹脂面に対し、予めＭＡＰ基板上にデザインされたアライメントマークＭｃを画像で位置確認し、レーザーにより、第１ダミーマークＭｄ、第２ダミーマークＭｅ、半導体パッケージの向きを識別するための方向判別用マークＭｆ、製品に関する情報を示すロットマークＭａの全てが一回のレーザー照射で施される。即ち、図１に示されるように、ＭＡＰ基板１６の周辺部で半導体回路搭載エリアの外側の切断片１６ｆエリアのそれぞれに、四角形（実施例は正方形であるが、その他、長方形、円形、多角形、２次元形状等）の第１ダミーマークＭｄが付され、図２にも示されるように、半導体回路が形成された半導体パッケージ１７エリアのそれぞれに、四角枠（その他、円形枠、点状枠等）の第２ダミーマークＭｅとロットマークＭａが付され、この第２ダミーマークＭｅの１つのコーナー（図の右下の角）に方向判別（識別）用マーク（形状）Ｍｆが付加される。そして、これらのマークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆは、全て１回（一連）のレーザー照射により一括して形成される。
【００３２】
上記レーザー（装置）として、例えばＹＶＯ４、ＹＡＧ等の結晶にて基本波１．０６４μｍの発振光を主に用いる赤外レーザー、この赤外レーザー光をＳＨＧ結晶を通して５３２ｎｍに変換して用いるグリーンレーザー等が用いられる。これらのレーザーをモールド樹脂面に照射すれば、モールド樹脂４は相互作用により昇華、溶融又は分解し、またその反応熱により昇華、溶融又は分解が進行し、レーザーをガルバノミラーと呼ばれる可動ミラーにより動かすことによって上記のマークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆの図形、文字が付され（印字等）される。実施例のモールド樹脂４は、赤外との相互作用が強いため、マークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆの加工深さは、赤外レーザーでは２０〜３０μｍ、グリーンレーザーでは５〜２０μｍ程度となる。
【００３３】
上記第１ダミーマークＭｄ及び第２ダミーマークＭｅは、切断時のダイシングテープの伸び等によるカットズレを考量して、切断ライン１００から３０〜５０μｍの距離だけ離して付すようにする。また、個々の半導体パッケージ１７エリアに形成される第２ダミーマークＭｅとロットマークＭａは、パッケージ１７の中心に対して略対称となる位置に付され、上記方向判別用マークＭｆは上記対称関係を崩さないように、小さく形成される。更に、これらのマークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆの溝の深さは、２０〜３０μｍ程度とすることが好ましい。
【００３４】
次に、上記のマークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆを形成した後、ダイシングテープ７への貼付けが行われるが、ここでは、図１のＭＡＰ基板１６を真空チャンバー内に配置し、１〜１０ｋＰａ程度の減圧雰囲気下でモールド樹脂４がテープ７に貼り付けられる。これにより、真空チャンバーから取り出された直後、深さ２０〜３０μｍ（１０μｍ以上）のマークＭａ，Ｍｄ，Ｍｅ，Ｍｆの溝内には、大気圧の力で、同程度の深さで多量の粘着剤が侵入し、高いアンカー効果が得られる。即ち、減圧雰囲気下に置くことで、粘着剤の凝集力に打ち勝って多くの粘着剤を浸入させることができる。
【００３５】
次の工程では、テープ７に貼られたＭＡＰ基板１６が、図の切断ライン１００に沿ってダイシングソーにて切断される。このとき、上述のように、第１ダミーマークＭｄの存在によって個々の切断片１６ｆがしっかりと固定され、第２ダミーマークＭｅとロットマークＭａの存在によって個々のパッケージ１７がしっかりと固定されることになり、切断片１６ｆは高圧の洗浄水、切削水の負荷に耐え、剥がれ落ちないので、ダイシングブレードの破損や異常磨耗が発生することがない。また、第１及び第２ダミーマークＭｄ，Ｍｅは、切断ライン１００にはないため、マーク（溝）内に浸入した多量の粘着剤が同時に切断されることはなく、ブレードの巻上げによってパッケージ１７へ粘着剤が付着することを防止できる。
【００３６】
次に、上記ダイシングによりパッケージ１７が個片化されると、テープ７に貼り付けられたままパッケージ１７の電極面に対して製品試験（マルチプローブ試験）が行われ、その後は、パッケージ１７の剥がれが容易となるように、テープ７の粘着剤をＵＶ照射等の方法により硬化させた上で、ピックアップ装置にて良品のパッケージ１７を個別にピックアップし、製品の包装が行われる。
【００３７】
即ち、図３には、ピックアップ時の様子が示されており、ニードル９により、テープ７の粘着面とは反対方向からパッケージ１７が突き上げられることで、パッケージ１７をテープ７から引き剥がしながら、ピックアップコレット１０のエアー吸着によりパッケージ５の取出しが行われるが、この時には、第２ダミーマークＭｅと方向判別マークＮｆがパッケージ中心に対して対称に配置され、これらの溝内に粘着剤８が浸入しているから、従来のように、パッケージ１７が傾いたりすることなく、水平状態を維持するので、パッケージ１７の安定した取り出しが可能となる。
【００３８】
そして、コレット１０に吸着されたパッケージ１７は、反転によりモールド樹脂マーク面を上に向けた状態で包装部材のポケットに挿入され、そのポケット口をテーピングによりカバーすることで、包装される。
【００３９】
上記実施例において、第２ダミーマークＭｅの線幅は、ロットマークＭａの文字幅以上（例えば３０μｍ以上）とし、第２ダミーマークＭｅの大きさもロットマークＭａの文字高さ以上の長さ（例えば０．４ｍｍ以上）とるのが望ましい。
また、上記マークＭａ，Ｍｄ〜Ｍｆの溝深さを２０〜３０μｍ程度としたが、この溝の深さに応じて、多量の粘着剤８の浸入を防ぎ、粘着剤８の浸入がアンカー効果として適当となるように減圧状態を調整するのが好ましく、例えばロータリーポンプによる真空チャンバー内の減圧の時間を最適な時間に設定することで、粘着剤の浸入を制御し多様なアンカー効果を得ることが可能である。
【００４０】
図４には、第２実施例に係るＭＡＰ基板の一部が示されており、このＭＡＰ基板２６では、切断片２６ｆエリアのモールド樹脂面に設ける第１ダミーマークＭｄとして、パッケージ１７に付したものと同じマークを形成するようにしたものである。即ち、方向判別用マークＭｆを有する第２ダミーマークＭｅとロットマークＭａからなるマーク（Ｍｅ，Ｍｆと同じ模様で、Ｍａと同じ文字）を切断片２６ｆエリアにも形成する。そして、これらの第１ダミーマークＭｄと第２ダミーマークＭｅを一回のレーザー照射によって形成すれば、新たな加工工程或いはコストの追加もなく、良好な位置精度で形成できるという利点がある。
【００４１】
上記第１及び第２実施例によれば、図６との比較で分かるように、ＭＡＰ基板１６，２６周囲部での左右側の横幅Ｈａと上下側の縦幅Ｈｂを短くする（モールド樹脂エリアを小さくする）ことができ、これによって、１枚のＭＡＰ基板１６，２６のパッケージ製作数を増やすことが可能となる。
【００４２】
図５には、実施例の半導体パッケージ１７に印字されるマークの他の例が示されており、この例では、図５に示されるように、第２ダミーマークＭｅとして、４辺（又は４コーナー）のそれぞれに棒状形（長めの長方形）をパッケージ中心に対し点対称となるように２個並べた形状の（図２の四角枠を規則性を以って切断した）マークを付し、方向判別マークＭｆとして、パッケージ１７の右下の棒状形の端部を少し延ばした延出部を形成したものである。このようなマークによっても、上記と同じ効果を得ることができる。
【００４３】
上記第１及び第２実施例では、第１ダミーマークＭｄを半導体回路搭載エリアの外周の全ての切断片１６ｆ，２６ｆのエリアに設けているが、この第１ダミーマークＭｄは、１つおき、２つ置きというように、部分的に配置することも可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１，１６，２６…ＭＡＰ基板、  ４…モールド樹脂、
５，１７…半導体パッケージ、  ７…ダイシングテープ、
８…粘着剤、            １０…ピックアップコレット、
１ｆ，１６ｆ，２６ｆ…切断片、
Ｍａ…ロットマーク、          Ｍｂ，Ｍｆ…方向判別用マーク、
Ｍｃ…アライメントマーク、    Ｍｄ…第１ダミーマーク、
Ｍｅ…第２ダミーマーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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