(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１３１）を備え車載機器（１０）を構成する記憶装置（１３）に対し、リフレッシュ制御として、前記フラッシュメモリに記憶されている全データを対象にエラーの検出及び検出されたエラーの訂正を行うデータリフレッシュ装置（１２，１３２）であって、
前記記憶装置は、製造工程において、データが書き込まれた後に回路基板（１１）にはんだ付けされるものであって、
所定の期間が経過することを条件に、前記リフレッシュ制御を実施する第１リフレッシュ手段と、
車両（３０）への前記車載機器の組み付け後において前記車両が所定の使用状態になったことを条件に、前記リフレッシュ制御を実施する第２リフレッシュ手段と、を備え、
前記第２リフレッシュ手段は、前記車両が走行状態になっているか否かを判定する走行判定手段を備え、前記走行判定手段によって前記車両が走行状態になっていると判定された場合に、前記所定の使用状態になっているとして、前記リフレッシュ制御を実施することを特徴とするデータリフレッシュ装置。
【請求項２】
前記第２リフレッシュ手段は、前記車両への前記車載機器の組み付け後において前記車両が所定の使用状態になったことを条件に、前記リフレッシュ制御を開始するものであり、その開始後において、前記車載機器に電力が供給されている期間内で前記全データについてエラーの検出及び検出されたエラーの訂正が終了していなければ、次に前記車載機器に電力が供給される場合に、残りのデータについてエラーの検出及び検出されたエラーの訂正を行うものであることを特徴とする請求項１に記載のデータリフレッシュ装置。
【請求項３】
前記車載機器は、車載ナビゲーション装置であって、
前記走行判定手段は、前記車載ナビゲーション装置によって算出される前記車両の位置に基づいて、前記車両が走行状態になっているか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータリフレッシュ装置。
【請求項４】
前記走行判定手段は、前記車載機器に入力され、前記車両が走行状態にあることを示す車速信号に基づいて、前記車両が走行状態になっているか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータリフレッシュ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備え車載機器を構成する記憶装置に対し、リフレッシュ制御を行うデータリフレッシュ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、セルの浮遊ゲートに電荷を蓄えてデータを保存する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ中の各セルの浮遊ゲートに蓄えられた電荷は時間の経過とともに失われ、これによりデータにエラーが生じる。電荷が失われることでデータにエラーが生じるまでの時間のことをデータリテンション時間と呼ぶ。
【０００３】
データリテンション時間の経過に伴うエラーなどを訂正すべく、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える記憶装置では、エラーを検出し、そのエラーを訂正するリフレッシュ制御が行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２３８２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを備える記憶装置が車載ナビゲーション装置などの車載機器に用いられている。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのデータリテンション時間は温度依存性を有し、温度が高いほどデータリテンション時間は短くなる。車載機器は８０℃程度の温度に晒されることが多く、車載機器に搭載された記憶装置は、室温（３０℃程度）で用いられる記憶装置に比べてデータリテンション時間が短くなる。即ち、車載機器に用いられる記憶装置は、室温で用いられる記憶装置に比べて、エラー発生率が高い。
【０００６】
また、集約性及び実装工程の簡易化のため、データが書き込まれた後に、回路基板に対してはんだ付けされる記憶装置が用いられている。はんだ付け工程（リフロー工程）において、記憶装置は２５０℃程度の温度に晒されるため、データリテンション時間が更に短くなる。即ち、はんだ付け工程に伴いエラー発生率が急激に増加する。
【０００７】
車載機器の製造工程において、はんだ付け工程に伴うエラー発生率の上昇を抑制すべく、はんだ付け工程の後にリフレッシュ制御を行うことも考えられる。しかしながら、リフレッシュ制御を実施するためには、フラッシュメモリから全データを読み出し、読み出しに係るデータのエラー検出及びエラー訂正を行った後、エラー検出及びエラー訂正を行ったデータの書き戻しを行うため、長い時間を要する。このため、製造工程において、はんだ付け工程の後にリフレッシュ制御を行うと、製造工程に要する時間が長くなるという不都合が生じる。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、製造工程が長くなることを抑制しつつ、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに対してリフレッシュ制御を実施するデータリフレッシュ装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（１３１）を備え車載機器（１０）を構成する記憶装置（１３）に対し、リフレッシュ制御として、前記フラッシュメモリに記憶されている全データを対象にエラーの検出及び検出されたエラーの訂正を行うデータリフレッシュ装置（１２，１３２）であって、前記記憶装置は、製造工程において、データが書き込まれた後に回路基板（１１）にはんだ付けされるものであって、所定の期間が経過することを条件に、前記リフレッシュ制御を実施する第１リフレッシュ手段と、車両（３０）への前記車載機器の組み付け後において前記車両が所定の使用状態になったことを条件に、前記リフレッシュ制御を実施する第２リフレッシュ手段と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて生じるエラーは、経年的なエラー発生率の上昇によるものと、記憶装置をはんだ付けすることに伴うエラー発生率の上昇によるものとが考えられる。そこで、経年的なエラー発生率の上昇を抑制するために、第１リフレッシュ手段によりリフレッシュ制御を実施するとともに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおけるはんだ付けに伴うエラー発生率の上昇を抑制するために、第２リフレッシュ手段によりリフレッシュ制御を実施する。
【００１１】
ここで、車載機器が車両に組み付けられた後で車両としての使用が可能となっていれば、その車両の電源装置から車載機器への継続的な電力供給が開始されていると言える。つまり、車両としての使用が可能となっていれば、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリに記憶されている全データについてエラーの検出及び訂正を行うリフレッシュ制御に長い時間を要するにしても、その時間の確保が容易となる。したがって、リフレッシュ制御のための特別な作業工程を製造工程において設けなくても第２リフレッシュ手段によるリフレッシュ制御を実施できる。この場合、記憶装置が回路基板にはんだ付けされた後のリフレッシュ制御は、車両の使用開始後に実施すればよく、製造工程においてリフレッシュ制御のために工程が長引くことを回避できる。よって、車載機器の製造工程が長くなることを抑制しつつ、リフレッシュ制御を好適に実施することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】車載機器の構成を示す図。
【図２】第１リフレッシュ処理を示すフローチャート。
【図３】第２リフレッシュ処理を示すフローチャート。
【図４】リフレッシュ制御処理を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１に本実施形態に係る車載機器１０の構成を示す。車載機器１０は、車載ナビゲーション装置であって、車両３０に搭載されて用いられるものである。
【００１４】
車載機器１０は、ＣＰＵ１２、記憶装置１３、ＲＡＭ１４（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＧＰＳ素子１５（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）、信号入力部１６、及び、電源部１７を備え、それらが回路基板１１上に実装されることで構成されている。また、車載機器１０は、ディスプレイ２０を備える。
【００１５】
ＧＰＳ素子１５は、ＧＰＳ衛星から送信されるＧＰＳ信号を受信することで、車載機器１０ひいては車載機器１０が搭載された車両３０の地球上の位置を算出し、算出した位置を測位信号としてＣＰＵ１２に対して通知する。
【００１６】
信号入力部１６は、車両３０に設けられているＥＣＵ３１（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ）と接続される。そして、車載機器１０に対して電力供給が行われていることを示す信号であるＡＣＣ−ＯＮ信号、及び、車両３０の走行速度を示す信号である車速信号が、ＥＣＵ３１から信号入力部１６を介してＣＰＵ１２へ入力される。
【００１７】
ＣＰＵ１２は、一般的なマイクロプロセッサである。ＣＰＵ１２が記憶装置１３に記憶されたプログラムデータ及び地図データを読み出し、ＲＡＭ１４上で実行することで、車載機器１０が車載ナビゲーション装置として動作する。また、ＣＰＵ１２は、プログラムデータを実行するに際し、ＧＰＳ素子１５から入力される測位信号及び信号入力部１６から入力される車速信号を用いる。
【００１８】
電源部１７は、車両３０の電源装置３２と接続されることで電力を供給され、その供給された電力について電圧変換を行い、回路基板１１上に実装されている各素子１２〜１５及びディスプレイ２０に対して電力供給を行う。なお、電源部１７と各素子１２〜１５及びディスプレイ２０との接続は図示を省略している。
【００１９】
本実施形態では、記憶装置１３として、ｅ・ＭＭＣ（ｅｍｂｅｄｄｅｄ  ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａＣａｒｄ）（登録商標）を用いている。ｅ・ＭＭＣは、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリから構成される記憶部１３１と、記憶部１３１に対して書き込み制御及び読み出し制御を行うコントローラ部１３２を内蔵するものである。
【００２０】
記憶部１３１には、車載機器１０が車載ナビゲーション装置として動作するために用いられる動作用プログラムデータ及び地図データが書き込まれている。また、記憶部１３１に記憶されるデータには、実データに加えて、誤り訂正用の冗長ビットが付与されている。コントローラ部１３２は、この誤り訂正用の冗長ビットに基づいて、エラー検出及びエラー訂正を行うＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｈｅｃｋ  ａｎｄ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）機能を有する。
【００２１】
コントローラ部１３２は、ＣＰＵ１２から発行されるＭＭＣ（ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａＣａｒｄ）形式のコマンドに応じて、記憶部１３１に対してデータの書き込み制御及び読み出し制御を行う。コントローラ部１３２は、ＣＰＵのデータ読み出しコマンドに応じてデータを読み出す際、その読み出しの対象とされるデータについて、上記ＥＣＣ機能を用いてエラー検出及びエラー訂正を行う。
【００２２】
また、記憶装置１３は、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージに封入されている。記憶装置１３は、データが書き込まれた後に、リフロー工程によって車載機器１０を構成する回路基板１１に対して固定される。具体的に、リフロー工程では、チップマウンターを用いて回路基板１１に対して記憶装置１３を載置する。次に、リフロー炉の中で回路基板１１及び記憶装置１３を予熱する（約２分間、１５０℃程度）。次に、リフロー炉を高温にすることで、記憶装置１３の備えるＢＧＡパッケージのはんだを溶かし、記憶装置１３を回路基板１１に固定する（約１分間、２５０℃程度）。
【００２３】
ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、絶縁層によって絶縁された浮遊ゲートに電荷を注入することで、データの書き込みを行うものである。浮遊ゲートに注入された電荷は、トンネル効果によって時間の経過とともに失われ、電荷が所定量以上失われることでデータにエラーが発生する。このエラーは、記憶部１３１に記憶されている全データについて生じうるものである。
【００２４】
記憶部１３１からデータを読み出す際にコントローラ部１３２のＥＣＣ機能によって行われるデータのエラー検出及びエラー訂正は、読み出しの対象とされるデータに対してのみ行われるものである。つまり、記憶部１３１に記憶されている全データについてまとめてエラー検出及びエラー訂正が行われるものではない。このため、読み出し頻度が高いデータについてエラーの発生を抑制できる一方、読み出し頻度が低いデータについてエラーの発生を抑制できない。
【００２５】
そこで、本実施形態のデータリフレッシュ装置としてのＣＰＵ１２は、記憶部１３１に記憶された全データについてエラー検出及びエラー訂正を行うリフレッシュ制御を行う。リフレッシュ制御では、ＣＰＵ１２が記憶部１３１に書き込まれているデータをＲＡＭ１４上に読み出す。この読み出しの際、読み出しの対象とされたデータそれぞれについてコントローラ部１３２のＥＣＣ機能によってエラー検出及びエラー訂正が行われる。そして、ＲＡＭ１４上に一時的に記憶されたエラー検出及びエラー訂正後のデータを、ＣＰＵ１２が記憶装置１３に書き戻す。このデータの読み出し、エラー検出及びエラー訂正、及び、データの書き戻しを、記憶部１３１に書き込まれている全データについて実施する。
【００２６】
本実施形態では、リフレッシュ制御の実施条件が異なる第１リフレッシュ処理と第２リフレッシュ処理とを行う。以下、第１リフレッシュ処理及び第２リフレッシュ処理についてそれぞれ説明する。なお、第１リフレッシュ処理及び第２リフレッシュ処理を実施するためのプログラムデータは、記憶部１３１に記憶されておりＣＰＵ１２によってＲＡＭ１４に読み出された上で実行される。
【００２７】
第１リフレッシュ処理では、実施周期Ｘが経過する毎にリフレッシュ制御が実施される。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの浮遊ゲートから失われる電荷量は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの温度が上昇するほど多くなる。つまり、記憶装置１３の温度が上昇するほど、記憶部１３１に記憶されているデータのエラー発生率が増加する。このため、室温（最高３０℃程度）で使用される機器に用いられている記憶装置に比べて、車載環境（最高８０℃程度）で使用される車載機器１０に用いられている記憶装置１３におけるデータのエラー発生率は高くなる。そこで、第１リフレッシュ処理として、車載環境に応じた実施周期Ｘが経過することを条件として、記憶装置１３に対してリフレッシュ制御を実施する。具体的には、ＣＰＵ１２は内部に前回リフレッシュ制御を実施してから経過した時間を示すタイマーＴを有し、そのタイマーＴの値に基づいてリフレッシュ制御に係る実施周期Ｘの経過を判定する。
【００２８】
第２リフレッシュ処理では、車載機器１０が車両３０に組み付けられ、車両３０の電源装置３２から継続的な電力供給が開始されたことを条件として、リフレッシュ制御が実施される。リフロー工程において、記憶装置１３は高温（最高２５０℃）に晒される。記憶装置１３には、リフロー工程の前にデータが既に書き込まれているため、リフロー工程を実施することで、書き込み済みのデータにおけるエラー発生率が急激に増加する。そこで、第２リフレッシュ処理として、リフロー工程が行われた後、車載機器１０が製品出荷され、車両３０に組み付けられ、車両３０の電源装置３２から継続的な電力供給が開始されたことを条件として、記憶装置１３に対してリフレッシュ制御を実施する。具体的には、車両３０が走行状態になっていると判定された場合に、リフレッシュ制御を実施する。
【００２９】
図２のフローチャートを用いて、第１リフレッシュ処理を説明する。この処理は、ＣＰＵ１２によって所定周期で実施される。
【００３０】
ステップＳ０１において、前回のリフレッシュ制御を実施してから経過した時間を示すタイマーＴが、第１リフレッシュ処理によるリフレッシュ制御の実施周期であるＸ（例えば、１年）以上であるか否かを判定する。なお、このタイマーＴの初期値は０である。タイマーＴがＸ以上の場合（Ｓ０１：ＹＥＳ）、ステップＳ０２において、リフレッシュ制御を実施するためにリフレッシュフラグをオンに設定して処理を終了する。タイマーＴがＸ未満の場合（Ｓ０１：ＮＯ）、処理を終了する。
【００３１】
図３のフローチャートを用いて、第２リフレッシュ処理を説明する。この処理は、ＣＰＵ１２によって所定周期で実施される。
【００３２】
ステップＳ１１において、第２リフレッシュ処理によってリフレッシュフラグが既にオンとされていることを示す実施済みフラグがオンかオフかを判定する。なお、実施済みフラグの初期値はオフである。実施済みフラグがオンとされていた場合（Ｓ１１：ＮＯ）、第２リフレッシュ処理によってリフレッシュフラグが既にオンとされているため、処理を終了する。
【００３３】
実施済みフラグがオフとされていた場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ステップＳ１２において、ＧＰＳ素子１５からＣＰＵ１２に対して入力される測位信号に基づいて、車両３０が走行状態であるか否かを判定する。車両３０が走行状態でないと判定される場合（Ｓ１２：ＮＯ）、処理を終了する。車両３０が走行状態であると判定される場合（Ｓ１２：ＹＥＳ）、ステップＳ１３において、リフレッシュ制御を実施するためにリフレッシュフラグをオンに設定する。その後、ステップＳ１４において、実施済みフラグをオンに設定して処理を終了する。
【００３４】
つまり、車両３０が走行状態であると判定されると、車載機器１０が車両３０に搭載され、その車両３０の電源装置３２から車載機器１０への継続的な電力供給が開始されていると判定し、リフレッシュ制御を実施する。また、第１リフレッシュ手段によるリフレッシュ制御は実施周期Ｘが経過する毎に実施されるが、第２リフレッシュ手段によるリフレッシュ制御は１回だけ実施される。
【００３５】
図４に、リフレッシュ制御処理を表すフローチャートを示す。この処理に係るプログラムは、車載機器１０に対して電力供給が実施されている場合に、ＣＰＵ１２によって周期的に実施される。
【００３６】
ステップＳ２１において、リフレッシュフラグがオンにされているか否かを判定する。リフレッシュフラグがオフであると判定されると（Ｓ２１：ＮＯ）、処理を終了する。リフレッシュフラグがオンであると判定されると（Ｓ２１：ＹＥＳ）、ステップＳ２２において、記憶装置１３に記憶されている全データについてエラー検出及びエラー訂正が完了しているか否かを判定する。
【００３７】
エラー検出及びエラー訂正が行われていないデータが存在する場合（Ｓ２２：ＮＯ）、ステップＳ２３において、エラー検出及びエラー訂正が実施されていないデータを記憶装置１３からＲＡＭ１４上に読み出す。この読み出しの際に、コントローラ部１３２の機能により、その読み出しとされるデータについてエラー検出及びエラー訂正が実施される。そして、エラー検出及びエラー訂正が実施されたデータをＲＡＭ１４上から記憶装置１３に書き戻す。つまり、記憶装置１３に記憶されている全データについてエラー検出及びエラー訂正が完了するまで、ステップＳ２３におけるデータの読み出し及び書き戻し処理が実施される。
【００３８】
記憶装置１３に記憶されている全データについてエラー検出及びエラー訂正が完了していると判定されると（Ｓ２２：ＹＥＳ）、ステップＳ２４において、リフレッシュフラグをオフに設定し、ステップＳ２５において、タイマーＴの値を０に初期化して処理を終了する。
【００３９】
上記リフレッシュ制御処理によれば、リフレッシュフラグがオンにされると、記憶装置１３に記憶されている各データについてエラー検出及びエラー訂正が開始される。また、リフレッシュフラグがオンとされていると、全データについてエラー検出及びエラー訂正が完了するまでエラー検出及びエラー訂正が実施される。仮にリフレッシュフラグがオンにされた状態で、車載機器１０に対する電力供給が停止され、その後、電力供給が再開された場合、電力供給が停止される前の状態から引き続き各データについてエラー検出及びエラー訂正が実施される。
【００４０】
以下、本実施形態の奏する効果を述べる。
【００４１】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（記憶部１３１）において生じるエラーは、経年的なエラー発生率の上昇によるものと、記憶装置１３を回路基板１１にはんだ付けすることに伴うエラー発生率の上昇によるものとが考えられる。そこで、経年的なエラー発生率の上昇を抑制するために、第１リフレッシュ処理によりリフレッシュ制御を実施するとともに、はんだ付けに伴うエラー発生率の上昇を抑制するために、第２リフレッシュ処理によりリフレッシュ制御を実施する。
【００４２】
ここで、車載機器１０が車両３０に組み付けられた後で車両３０としての使用が可能となっていれば、その車両３０の電源装置３２から車載機器１０への継続的な電力供給が開始されていると言える。つまり、車両３０としての使用が可能となっていれば、記憶部１３１に記憶されている全データについてエラーの検出及び訂正を行うリフレッシュ制御に長い時間を要するにしても、その時間の確保が容易となる。したがって、リフレッシュ制御のための特別な作業工程を製造工程において設けなくてもリフレッシュ制御を実施できる。この場合、記憶装置１３が回路基板１１にはんだ付けされた後のリフレッシュ制御は、車両３０の使用開始後に実施すればよく、製造工程においてリフレッシュ制御のために工程が長引くことを回避できる。よって、車載機器１０の製造工程が長くなることを抑制しつつ、リフレッシュ制御を好適に実施することが可能になる。
【００４３】
リフレッシュフラグがオンとされていると、車載機器１０に電力が供給されている期間内で、記憶部１３１に記憶されている全データについてのエラー検出及びエラー訂正が完了するまで、残りのデータについてエラー検出及びエラー訂正が実施される。そして、全データについてのエラー検出及びエラー訂正が完了するとリフレッシュフラグをオフにする。このようにリフレッシュフラグを用いてリフレッシュ制御を実施することで、全データについてエラー検出及びエラー訂正が実施されたか否かが分かり、１回のリフレッシュ制御で確実に全データのエラー検出及びエラー訂正を実施することが可能になる。
【００４４】
車両３０が走行状態になっている状況下では、車載機器１０が車両３０に組み付けられた上で、車両３０の電源装置３２から車載機器１０への継続的な電力供給が開始されていると考えられる。そこで、車両３０が走行状態になっているか否かを判定し、車両３０が走行状態であると判定された場合にリフレッシュ制御を実施することで、好適なタイミングでリフレッシュ制御を行うことが可能になる。
【００４５】
具体的には、車載機器１０が車載ナビゲーション装置である場合には、車載ナビゲーション装置によって算出される車両の位置に基づいて、車両３０が走行状態になっているか否かを判定することができる。
【００４６】
（その他の実施形態）
・上記実施形態では、車載機器１０が車載ナビゲーション装置であるとしたが、これを変更してもよい。具体的には、図１に示す構成からＧＰＳ素子１５を省略した車載機器１０ａ（図示略）を用いてもよい。この場合、図３に示す第２リフレッシュ処理のステップＳ１２において、車速信号に基づいて車両走行状態であるか否かの判定を行うとよい。ＧＰＳ素子１５を備えない車載機器１０ａであっても、車載機器１０ａに車速信号が入力される場合には、その車速信号に基づいて、車両３０が走行状態であるか否かを判定することができる。また、車載機器１０が車載ナビゲーション装置である場合であっても、車速信号に基づいて、車両３０が走行状態であるか否かを判定してもよい。なお、車載機器１０ａは、例えば、ドライブレコーダーである。
【００４７】
・第２リフレッシュ処理は、車載機器１０が車両３０に組み付けられ、その車両３０が所定の使用状態となったことを条件としてリフレッシュ制御を実施するものであればよい。例えば、車載機器１０にＡＣＣ−ＯＮ信号が入力されたことに基づいて、リフレッシュ制御を行うものであってもよい。
【００４８】
・上記実施形態では、ＣＰＵ１２が記憶装置１３に記憶されたプログラムデータを実行することで、第１リフレッシュ処理及び第２リフレッシュ処理を実施する構成とした。これに代えて、コントローラ部１３２が第１リフレッシュ処理及び第２リフレッシュ処理を実施する構成としてもよい。
【００４９】
・リフレッシュ制御において、ＣＰＵ１２が記憶部１３１からデータを読み出す際、その読み出しの対象となるデータについてコントローラ部１３２がエラー検出及びエラー訂正を行う構成としたが、これを変更してもよい。例えば、ＣＰＵ１２が記憶部１３１からＲＡＭ１４上にデータを読み出した後、ＲＡＭ１４上に読み出されたデータについてＣＰＵ１２がエラー検出及びエラー訂正を行う構成としてもよい。
【００５０】
・上記実施形態では、記憶装置１３は、ＢＧＡパッケージとしたが、これを変更してもよい。例えば、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）でもよい。つまり、記憶装置１３は、はんだ付けによって回路基板１１に固定されるものであればよい。
【００５１】
・上記実施形態では、記憶装置１３としてｅ・ＭＭＣを用いたが、これに代えて、他のＮＡＮＤ型フラッシュメモリを記憶部として備える記憶装置（例えば、ＳｍａｒｔＮＡＮＤ（登録商標））を用いてもよい。また、記憶装置１３は、記憶部１３１とコントローラ部１３２とを備える構成としたが、これを変更し、記憶部のみを備える記憶装置を用いてもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、リフレッシュ制御において、記憶部１３１に記憶されたデータを読み出し、そのデータを逐次書き戻す構成としたがこれを変更してもよい。つまり、記憶部１３１に記憶された全データを一旦ＲＡＭ１４上に全て読み出し、その後、読み出した全データを一気にＲＡＭ１４から記憶部１３１に書き戻す構成としてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１０…車載機器、１１…回路基板、１２…ＣＰＵ（データリフレッシュ装置）、１３…記憶装置、１３１…記憶部（ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ）、３０…車両、３２…電源装置。
【図１】
0006011512.tif 000002
【図２】
0006011512.tif 000003
【図３】
0006011512.tif 000004
【図４】
0006011512.tif 000005