(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面状の磁性体と、
前記磁性体の上面上に形成された中心導体と、
前記磁性体の下面上に形成され、周囲に複数の切欠きが施されている第１の地導体と、
前記磁性体の下面上で、前記第１の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の入出力端子と、
前記磁性体の下面に対向して配置された誘電体基板と、
前記誘電体基板の上面上に形成され、前記第１の地導体に施されている切欠きと同じ位置に複数の切欠きが施されている第２の地導体と、
前記誘電体基板の上面上で、前記第２の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の信号導体と、
前記中心導体と前記複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続する第１の接続手段と、
前記複数の入出力端子及び前記複数の信号導体の中で、対向している前記入出力端子と前記信号導体をそれぞれ電気的に接続するとともに、前記第１の地導体と前記第２の地導体を電気的に接続する第２の接続手段と、
前記中心導体が形成されている前記磁性体の上面に対向して配置された永久磁石と
を備えた非可逆回路。
【請求項２】
前記第１の接続手段は、前記磁性体の中を貫通するスルーホールで構成されていることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項３】
前記第１の接続手段は、容量結合によって、前記中心導体と前記複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項４】
前記第２の接続手段は、金属バンプで構成されていることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項５】
前記第２の接続手段は、導電粒子が分散されている絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項６】
前記誘電体基板の下面に対向して配置されたキャリアを備えたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項７】
前記誘電体基板の下面上に形成され、前記第２の地導体と電気的に接続されている第３の地導体を備えたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項８】
前記複数の入出力端子及び前記複数の信号導体のうち、少なくとも一方にスタブが備えられていることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項９】
前記複数の入出力端子のうち、いずれかの入出力端子に直列に接続された抵抗体が備えられていることを特徴とする請求項１記載の非可逆回路。
【請求項１０】
平面状の磁性体と、
前記磁性体の上面上に形成された中心導体と、
前記磁性体の下面上に形成され、周囲に複数の切欠きが施されている第１の地導体と、
前記磁性体の下面上で、前記第１の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の入出力端子と、
前記磁性体の下面に対向して配置された誘電体基板と、
前記誘電体基板の上面上に形成され、前記第１の地導体に施されている切欠きと同じ位置に複数の切欠きが施されている第２の地導体と、
前記誘電体基板の上面上で、前記第２の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の信号導体と、
前記中心導体と前記複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続する第１の接続手段と、
前記複数の入出力端子及び前記複数の信号導体の中で、対向している前記入出力端子と前記信号導体をそれぞれ電気的に接続するとともに、前記第１の地導体と前記第２の地導体を電気的に接続する第２の接続手段と、
前記誘電体基板の下面に対向して配置された永久磁石と
を備えた非可逆回路。
【請求項１１】
前記第１の接続手段は、前記磁性体の中を貫通するスルーホールで構成されていることを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１２】
前記第１の接続手段は、容量結合によって、前記中心導体と前記複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続することを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１３】
前記第２の接続手段は、金属バンプで構成されていることを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１４】
前記第２の接続手段は、導電粒子が分散されている絶縁材料で構成されていることを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１５】
前記中心導体が形成されている前記磁性体の上面に対向して配置されたキャリアを備えたことを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１６】
前記誘電体基板の下面上に形成され、前記第２の地導体と電気的に接続されている第３の地導体を備えたことを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１７】
前記複数の入出力端子及び前記複数の信号導体のうち、少なくとも一方にスタブが備えられていることを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【請求項１８】
前記複数の入出力端子のうち、いずれかの入出力端子に直列に接続された抵抗体が備えられていることを特徴とする請求項１０記載の非可逆回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、主に通信機器に使用されるサーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的にサーキュレータやアイソレータなどの非可逆回路では、伝送方向の信号は、ほとんど減衰させることなく伝送させる一方、逆方向の信号は、大きく減衰させる特性を有しており、通信機器の送受信回路部などに使用されることがある。
近年の通信機器の小型化に伴って、非可逆回路についても、小型であることが求められている。
例えば、以下の特許文献１には、磁性体上に形成されている３分岐されたマイクロストリップ線路が、永久磁石によってバイアス磁界が印加されている非可逆回路が開示されている。
なお、信号を入出力する入出力端子については、永久磁石の外形より外側に引き出されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１２５４１１号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の非可逆回路は以上のように構成されているので、永久磁石の外形より外側に入出力端子を引き出す必要があり、磁性体のサイズが大きくなる課題があった。
また、磁性体上の入出力端子は、永久磁石によって印加されるバイアス磁界の影響により電気特性が変化する。そのため、磁性体上の入力出端子が長くなると、永久磁石の設置位置や磁界強度のばらつきの影響を受け易くなり、量産時に入出力端子の電気特性がばらつく課題があった。
また、非可逆回路と誘電体基板を接続するために、ワイヤ接続やリボン接続が必要であり、ワイヤ接続やリボン接続では、安定した反射特性が得られないことがある。また、ワイヤ接続やリボン接続では、基板に実装する際に、リフロー実装とは別工程で実装する必要があるため、実装コストが高くなることがある課題があった。【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、安定した反射特性を有する小型で安価な非可逆回路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る非可逆回路は、平面状の磁性体と、その磁性体の上面上に形成された中心導体と、その磁性体の下面上に形成され、周囲に複数の切欠きが施されている第１の地導体と、その磁性体の下面上で、第１の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の入出力端子と、その磁性体の下面に対向して配置された誘電体基板と、その誘電体基板の上面上に形成され、第１の地導体に施されている切欠きと同じ位置に複数の切欠きが施されている第２の地導体と、その誘電体基板の上面上で、第２の地導体に施されている切欠きの部分に形成されている複数の信号導体と、その中心導体と複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続する第１の接続手段と、複数の入出力端子及び前記複数の信号導体の中で、対向している入出力端子と信号導体をそれぞれ電気的に接続するとともに、第１の地導体と第２の地導体を電気的に接続する第２の接続手段と、その中心導体が形成されている磁性体の上面に対向して配置された永久磁石とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、磁性体の下面上で、第１の地導体に施されている切欠きの部分に複数の入出力端子を形成するとともに、誘電体基板の上面上で、第２の地導体に施されている切欠きの部分に複数の信号導体を形成し、第１の接続手段が中心導体と複数の入出力端子をそれぞれ電気的に接続し、第２の接続手段が対向している入出力端子と信号導体をそれぞれ電気的に接続するとともに、第１の地導体と第２の地導体を電気的に接続するように構成したので、安定した反射特性を有し、電気特性のばらつきが少ない小型で安価な非可逆回路が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１による非可逆回路を示す分解斜視図である。
【図２】図１の非可逆回路における磁性体３を示す上面図である。
【図３】図１の非可逆回路における磁性体３を示す下面図である。
【図４】図１の非可逆回路における誘電体基板７を示す上面図である。
【図５】図１の非可逆回路を示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態２による非可逆回路の磁性体３を示す上面図である。
【図７】この発明の実施の形態２による非可逆回路の磁性体３を示す下面図である。
【図８】この発明の実施の形態２による非可逆回路の誘電体基板７を示す上面図である。
【図９】この発明の実施の形態２による非可逆回路を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態３による非可逆回路を示す断面図である。
【図１１】容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている非可逆回路を示す断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態４による非可逆回路を示す分解斜視図である。
【図１３】図１２の非可逆回路における磁性体３を示す上面図である。
【図１４】図１２の非可逆回路における磁性体３を示す下面図である。
【図１５】図１２の非可逆回路における誘電体基板７を示す上面図である。
【図１６】容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の磁性体３を示す上面図である。
【図１７】容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の磁性体３を示す下面図である。
【図１８】容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の誘電体基板７を示す上面図である。
【図１９】この発明の実施の形態５による非可逆回路の磁性体３を示す上面図である。
【図２０】この発明の実施の形態５による非可逆回路の磁性体３を示す下面図である。
【図２１】この発明の実施の形態５による非可逆回路の誘電体基板７を示す上面図である。
【図２２】この発明の実施の形態５による非可逆回路を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面にしたがって説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による非可逆回路を示す分解斜視図である。
また、図２は図１の非可逆回路における磁性体３を示す上面図であり、図３は図１の非可逆回路における磁性体３を示す下面図である。
また、図４は図１の非可逆回路における誘電体基板７を示す上面図であり、図５は図１の非可逆回路を示す断面図である。
図１から図５において、永久磁石１は例えばフェライト磁石などで構成されており、バイアス磁界を磁性体３に印加する部材である。
スペーサ２は永久磁石１と磁性体３を非接触の状態で、永久磁石１を保持する部材である。
【００１０】
平面状の磁性体３はスペーサ２を介して永久磁石１の下側に配置され、永久磁石１によってバイアス磁界が印加される部材である。
中心導体４は例えば金属導体で構成されており、磁性体３の上面に形成されている。
第１の地導体である地導体５は磁性体３の下面に形成され、周囲に切欠き５ａ，５ｂ，５ｃが施されている。
入出力端子６ａは磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ａの部分に形成されている。
入出力端子６ｂは磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ｂの部分に形成されている。
入出力端子６ｃは磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ｃの部分に形成されている。
【００１１】
誘電体基板７は誘電体で形成されている基板であり、磁性体３の下側に配置されている。
第２の地導体である地導体８は誘電体基板７の上面に形成され、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃと同じ位置に切欠き８ａ，８ｂ，８ｃが施されている。
信号導体９ａは誘電体基板７の上面上で、地導体８に施されている切欠き８ａの部分に形成されている。
信号導体９ｂは誘電体基板７の上面上で、地導体８に施されている切欠き８ｂの部分に形成されている。
信号導体９ｃは誘電体基板７の上面上で、地導体８に施されている切欠き８ｃの部分に形成されている。
【００１２】
スルーホール１０ａは磁性体３の中を貫通するように設けられており、中心導体４と入出力端子６ａを電気的に接続している。
スルーホール１０ｂは磁性体３の中を貫通するように設けられており、中心導体４と入出力端子６ｂを電気的に接続している。
スルーホール１０ｃは磁性体３の中を貫通するように設けられており、中心導体４と入出力端子６ｃを電気的に接続している。
なお、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃから第１の接続手段が構成されている。
【００１３】
金属バンプ１１ａは対向している入出力端子６ａと信号導体９ａを電気的に接続している。
金属バンプ１１ｂは対向している入出力端子６ｂと信号導体９ｂを電気的に接続している。
金属バンプ１１ｃは対向している入出力端子６ｃと信号導体９ｃを電気的に接続している。ただし、図５では、金属バンプ１１ｃ、入出力端子６ｃ及び信号導体９ｃが描画されていない。
金属バンプ１６は地導体５と地導体８を電気的に接続している。
なお、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び金属バンプ１６から第２の接続手段が構成されている。
【００１４】
第３の地導体である地導体１２は誘電体基板７の下面に形成されている。
スルーホール１３は誘電体基板７の中を貫通するように設けられており、地導体８と地導体１２を電気的に接続している。なお、スルーホール１３は第３の接続手段を構成している。
キャリア１４は地導体１２の下面に配置されている部材である。
絶縁材料１５は磁性体３と誘電体基板７との間の接続信頼性の向上を目的に充填させている。
【００１５】
次に動作について説明する。
平面状の磁性体３は、スペーサ２を介して永久磁石１の下側に配置されており、永久磁石１によってバイアス磁界が印加されている。
このため、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃから入力される信号は、バイアス磁界の影響を受ける。
具体的には、信号導体９ａから入出力端子６ａに入力された信号は、ほとんど減衰することなく、入出力端子６ｂに伝送されて、信号導体９ｂに出力される。一方、入出力端子６ｃには大きく減衰された信号が伝送され、大きく減衰された信号が信号導体９ｃから出力される。
【００１６】
同様に、信号導体９ｂから入出力端子６ｂに入力された信号は、ほとんど減衰することなく、入出力端子６ｃに伝送されて、信号導体９ｃに出力される。一方、入出力端子６ａには大きく減衰された信号が伝送され、大きく減衰された信号が信号導体９ａから出力される。
また、信号導体９ｃから入出力端子６ｃに入力された信号は、ほとんど減衰することなく、入出力端子６ａに伝送されて、信号導体９ａに出力される。一方、入出力端子６ｂには大きく減衰された信号が伝送され、大きく減衰された信号が信号導体９ｂから出力される。
このように、非可逆回路では、伝送方向の信号は、ほとんど減衰がなく、逆方向の信号は、大きく減衰させる特性を有している。
【００１７】
この実施の形態１では、磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃの部分に入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを形成するとともに、誘電体基板７の上面で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃと同じ位置に切欠き８ａ，８ｂ，８ｃが施されている地導体８の切欠き８ａ，８ｂ，８ｃの部分に信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを形成している。
また、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続し、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続している。ただし、図５では、金属バンプ１１ｃ、入出力端子６ｃ及び信号導体９ｃが描画されていない。
また、金属バンプ１６が地導体５と地導体８を電気的に接続している。
【００１８】
このため、従来の非可逆回路のように、永久磁石の外形より外側に入出力端子を引き出す必要がなく、永久磁石１の外形より内側に入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを形成することができる（例えば、図３を参照）。したがって、磁性体３のサイズを小型化することができる。
また、磁性体上の入出力端子が短くなることで、磁石の影響を受けにくくなり、量産時の電気特性のばらつきを抑えることができる。
また、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃの電気的な接続を金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが担っており、ワイヤ接続やリボン接続の必要がない。このため、安定した反射特性（反射が少ない特性）を得ることができる。
また、誘電体基板７上に磁性体３などを実装する際に、他の部品（図示せぬチップコンデンサやＩＣなど）と同時にリフロー実装することができるため、実装コストを低減することができる。
【００１９】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃの部分に入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを形成するとともに、誘電体基板７の上面上で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃと同じ位置に切欠き８ａ，８ｂ，８ｃが施されている地導体８の切欠き８ａ，８ｂ，８ｃの部分に信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを形成し、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続し、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続し、金属バンプ１６が、地導体５と地導体８を電気的に接続するように構成したので、安定した反射特性を有し、電気特性のばらつきが少ない小型で安価な非可逆回路が得られる効果がある。
【００２０】
この実施の形態１では、誘電体基板７の上面に形成されている信号導体９ａ，９ｂ，９ｃがマイクロストリップ線路であるものを想定しているが、信号導体９ａ，９ｂ，９ｃがマイクロストリップ線路であるものに限るものではなく、例えば、信号導体９ａ，９ｂ，９ｃがコプレーナ線路やストリップ線路などの伝送線路であってもよい。
【００２１】
また、この実施の形態１では、磁性体３と誘電体基板７との間の接続信頼性を高めるために、絶縁材料１５を充填しているものを示しているが、絶縁材料１５については必須の要素ではない。
【００２２】
また、この実施の形態１では、永久磁石１がスペーサ２を介して磁性体３の上面に設置されているものを示しているが、磁性体３の平面に対して、垂直方向のバイアス磁界を印加することができればよく、例えば、永久磁石１が誘電体基板７の下面に設置されていてもよい。
キャリア１４についても同様に、磁性体３を挟んで、永久磁石１と反対の面に設置されていればよい。
【００２３】
実施の形態２．
図６はこの発明の実施の形態２による非可逆回路の磁性体３を示す上面図であり、図７はこの発明の実施の形態２による非可逆回路の磁性体３を示す下面図である。
また、図８はこの発明の実施の形態２による非可逆回路の誘電体基板７を示す上面図であり、図９はこの発明の実施の形態２による非可逆回路を示す断面図である。
図６から図９において、図２から図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
【００２４】
上記実施の形態１では、第１の接続手段が、磁性体３の中を貫通するスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃで構成されて、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続しているものを示したが、この実施の形態２では、容量結合（中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃからなるコンデンサの電気的な結合）によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続されている。
容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続する場合でも、上記実施の形態１と同様の作用効果が得られるほか、磁性体３にスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃを形成する必要がないため、製造コストを低減することができる。
【００２５】
容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続している点以外は、上記実施の形態１と同様であるため詳細な説明を省略する。
【００２６】
実施の形態３．
図１０はこの発明の実施の形態３による非可逆回路を示す断面図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
絶縁材料２１は内部に導電粒子２２が分散されており、磁性体３と誘電体基板７との間に充填させている。導電粒子２２が分散されている絶縁材料２１として、例えば、異方導電性接着剤などを用いることができる。なお、絶縁材料２１は第２の接続手段を構成している。
【００２７】
上記実施の形態１では、第２の接続手段が、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃで構成されて、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続しているものを示したが（図５では、金属バンプ１１ｃ、入出力端子６ｃ及び信号導体９ｃが描画されていない）、この実施の形態３では、導電粒子２２が分散されている絶縁材料２１が、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続している。図１０では、入出力端子６ｃ及び信号導体９ｃが描画されていない。
導電粒子２２が分散されている絶縁材料２１が、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続する場合でも、上記実施の形態１と同様の作用効果が得られる。
【００２８】
ここでは、第１の接続手段が、磁性体３の中を貫通するスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃで構成されて、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続しているものを示したが、上記実施の形態２と同様に、容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続されていてもよい。
図１１は容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている非可逆回路を示す断面図である。
この場合は、磁性体３にスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃを形成する必要がないため、製造コストを低減することができる。
【００２９】
実施の形態４．
図１２はこの発明の実施の形態４による非可逆回路を示す分解斜視図である。
また、図１３は図１２の非可逆回路における磁性体３を示す上面図であり、図１４は図１２の非可逆回路における磁性体３を示す下面図である。
また、図１５は図１２の非可逆回路における誘電体基板７を示す上面図である。
なお、図１２の非可逆回路の断面構造については、図１の非可逆回路と同様である（図５を参照）。
この実施の形態４では、入出力端子６ａにはスタブ３１ａが備えられ、入出力端子６ｂにはスタブ３１ｂが備えられ、入出力端子６ｃにはスタブ３１ｃが備えられている。
また、信号導体９ａにはスタブ３２ａが備えられ、信号導体９ｂにはスタブ３２ｂが備えられ、信号導体９ｃにはスタブ３２ｃが備えられている。
【００３０】
スタブ３１ａ，３１ｂ，３１ｃを入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃに備え、スタブ３２ａ，３２ｂ，３２ｃを信号導体９ａ，９ｂ，９ｃに備えることで、インピーダンス不整合を補正することができるため、良好なインピーダンス接続を実現することができる。
ここでは、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃ及び信号導体９ａ，９ｂ，９ｃの双方にスタブを備えているが、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃ又は信号導体９ａ，９ｂ，９ｃのいずれか一方にスタブを備えていれば、接続部におけるインピーダンス不整合を補正することができる。
なお、入出力端子と信号導体および地導体５と地導体８の接続方法については、上記実施の形態１で示している金属バンプを用いる方法や、上記実施の形態３で示している導電粒子２２を分散させた接着剤を用いる方法などを使用することができる。
【００３１】
ここでは、第１の接続手段が、磁性体３の中を貫通するスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃで構成されて、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続しているものを示したが、上記実施の形態２と同様に、容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続されていてもよい。
図１６は容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の磁性体３を示す上面図であり、図１７は容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の磁性体３を示す下面図である。
また、図１８は容量結合で中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが接続されている場合の誘電体基板７を示す上面図である。
容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続する場合、磁性体３にスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃを形成する必要がないため、製造コストを低減することができる。
【００３２】
実施の形態５．
図１９はこの発明の実施の形態５による非可逆回路の磁性体３を示す上面図であり、図２０はこの発明の実施の形態５による非可逆回路の磁性体３を示す下面図である。
また、図２１はこの発明の実施の形態５による非可逆回路の誘電体基板７を示す上面図であり、図２２はこの発明の実施の形態５による非可逆回路を示す断面図である。
図１９から図２２において、図２から図５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。ただし、図２２では、金属バンプ１１ａ、入出力端子６ａ及び信号導体９ａが描画されていない。
この実施の形態５では、抵抗体４１が入出力端子６ｃと直列に接続されている。
スルーホール４２は誘電体基板７の中を貫通するように設けられており、信号導体９ｃと地導体１２を電気的に接続している。
【００３３】
次に動作について説明する。
平面状の磁性体３は、スペーサ２を介して永久磁石１の下側に配置されており、永久磁石１によってバイアス磁界が印加されている。
このため、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃから入力される信号は、バイアス磁界の影響を受ける。
具体的には、信号導体９ａから入出力端子６ａに入力された信号は、ほとんど減衰することなく、入出力端子６ｂに伝送されて、信号導体９ｂに出力される。一方、入出力端子６ｃには大きく減衰された信号が伝送され、大きく減衰された信号が信号導体９ｃから出力される。
【００３４】
信号導体９ｂから入出力端子６ｂに入力された信号は、抵抗体４１が入出力端子６ｃに接続されていなければ、上記実施の形態１と同様に、ほとんど減衰することなく、入出力端子６ｃに伝送されて、信号導体９ｃに出力されるが、この実施の形態５では、抵抗体４１が入出力端子６ｃに接続されているため、抵抗体４１によって大きく減衰される。そのため、大きく減衰された信号が信号導体９ｃから出力される。
また、入出力端子６ａには、上記実施の形態１と同様にバイアス磁界の影響で、大きく減衰された信号が伝送され、大きく減衰された信号が信号導体９ａから出力される。
このように、非可逆回路では、伝送方向の信号は、ほとんど減衰がなく、逆方向の信号は、大きく減衰させる特性を有している。
【００３５】
この実施の形態５でも、上記実施の形態１と同様に、磁性体３の下面上で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃの部分に入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを形成するとともに、誘電体基板７の上面上で、地導体５に施されている切欠き５ａ，５ｂ，５ｃと同じ位置に切欠き８ａ，８ｂ，８ｃが施されている地導体８の切欠き８ａ，８ｂ，８ｃの部分に信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを形成し、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続し、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続して、金属バンプ１６が、地導体５と地導体８を電気的に接続するように構成したので（図２２では、金属バンプ１１ａ、入出力端子６ａ及び信号導体９ａが描画されていない）、安定した反射特性を有し、電気特性のばらつきが少ない小型で安価な非可逆回路が得られる効果がある。
【００３６】
この実施の形態５では、第１の接続手段が、磁性体３の中を貫通するスルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃで構成されて、スルーホール１０ａ，１０ｂ，１０ｃが、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃを電気的に接続しているものを示したが、上記実施の形態２と同様に、容量結合によって、中心導体４と入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃが電気的に接続されていてもよい。
【００３７】
また、この実施の形態５では、第２の接続手段が、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び金属バンプ１６で構成されて、金属バンプ１１ａ，１１ｂ，１１ｃが、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続しているものを示したが（図２２では、金属バンプ１１ａ、入出力端子６ａ及び信号導体９ａが描画されていない）、上記実施の形態３と同様に、導電粒子２２が分散されている絶縁材料２１が、対向している入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃと信号導体９ａ，９ｂ，９ｃを電気的に接続するようにしてもよい。また、金属バンプ１６が、地導体５と地導体８を電気的に接続するものを示したが、上記実施の形態３と同様に導電粒子２２が分散されている絶縁材料２１が地導体５と地導体８を電気的に接続するようにしてもよい。
また、上記実施の形態４と同様に、入出力端子６ａ，６ｂ，６ｃ又は信号導体９ａ，９ｂ，９ｃのいずれか一方にスタブを備えていてもよい。
【００３８】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
この発明に係る非可逆回路は、安定した反射特性を有し、かつ、小型で安価な回路を提供する必要があるものに適している。
【符号の説明】
【００４０】
１  永久磁石、２  スペーサ、３  磁性体、４  中心導体、５  地導体（第１の地導体）、５ａ，５ｂ，５ｃ  切欠き、６ａ，６ｂ，６ｃ  入出力端子、７  誘電体基板、８  地導体（第２の地導体）、８ａ，８ｂ，８ｃ  切欠き、９ａ，９ｂ，９ｃ  信号導体、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ  スルーホール（第１の接続手段）、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ  金属バンプ（第２の接続手段）、１２  地導体（第３の地導体）、１３  スルーホール（第３の接続手段）、１４  キャリア、１５  絶縁材料、１６  金属バンプ（第２の接続手段）、２１  絶縁材料（第２の接続手段）、２２  導電粒子、３１ａ，３１ｂ，３１ｃ  スタブ、３２ａ，３２ｂ，３２ｃ  スタブ、４１  抵抗体、４２  スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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