(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型のパターン領域または前記基板の被処理領域の対象領域の形状を補正する補正手段を備え、
前記補正手段は、
光源から照射される光の光量を調整する光量調整手段を含み、前記対象領域を加熱する加熱手段と、
前記対象領域に対して前記型のパターン領域の面積よりも小さな面積の、前記光量が調整される光で加熱される加熱領域を走査させる走査手段と、
前記形状を補正するための前記対象領域の変形量に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御する制御手段と、を有し、
前記光量調整手段は、前記加熱領域の走査に伴って前記光の光量を調整することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記光量調整手段は、前記対象領域に照査される光の光量を前記加熱領域の走査に伴って変化させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記光量調整手段は、前記光源と前記対象領域の間に配置され、前記光源からの光の一部を遮蔽する遮蔽部材を含み、前記加熱領域の走査に伴って前記遮蔽部材を移動することにより前記光の光量を調整することを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記光量調整手段は、前記光の光軸に直交する平面内における第１方向に沿って移動可能な第１遮蔽部材及び第２遮蔽部材と、前記第１方向に直交する第２方向に沿って移動可能な第３遮蔽部材及び第４遮蔽部材と、を有することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記加熱領域が前記対象領域の外側に位置する状態で、前記走査手段による走査を開始することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記走査手段は、前記光源と前記対象物の間に配置され、前記光源からの光の一部を遮蔽する一対の遮蔽部材を含み、前記遮蔽部材を移動することにより前記対象領域に対して前記加熱領域を走査させることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
前記走査手段は、前記基板を保持して移動可能な移動体を駆動する移動体駆動手段を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
前記基板上に、前記型のパターン領域よりも小さい面積の硬化領域で樹脂を硬化させる硬化手段を備え、
前記加熱領域と前記硬化領域は、前記基板上で前記走査手段の走査方向に並列しており、
前記走査手段による走査時に、前記被処理領域上を、前記加熱領域が通過した後に、前記硬化領域が通過することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
複数の吐出口を有し、前記複数の吐出口を介して吐出される前記樹脂を前記基板上に塗布する塗布手段をさらに備え、
前記加熱手段は、前記複数の吐出口から吐出される前記樹脂を加熱する熱源を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記補正手段は、
前記型に力を加える複数のアクチュエータをさらに備え、
前記制御手段は、前記型のパターン領域の形状を補正するための変形量に関する第２情報を取得し、前記第２情報に基づいて前記複数のアクチュエータを制御することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
前記基板上に前記樹脂を塗布する塗布手段と、
前記型を保持する型保持手段と、
前記基板を保持して移動する移動体と、
前記基板を加熱する第２加熱手段と、をさらに備え、
前記制御手段は、前記被処理領域の形状を補正するための変形量に関する第１及び第２加熱情報を取得し、該第１加熱情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御し、前記第２加熱情報に基づいて前記第２加熱手段を制御することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型のパターン領域または前記基板の被処理領域のいずれかの対象領域の形状を補正する補正手段を備え、
前記補正手段は、
前記型又は前記基板のうち前記対象領域に対応する対象物を、前記型のパターン領域の面積よりも小さな面積の加熱領域で加熱する加熱手段と、
前記対象領域と前記加熱領域との相対位置を変化させることで、前記対象領域に対して前記加熱領域を走査させる走査手段と、
前記対象領域の補正変形量に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記加熱手段は、前記対象物に付与する単位時間あたりの熱量を走査に応じて変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型のパターン領域または前記基板の被処理領域のいずれかの対象領域の形状を補正する補正手段を備え、
前記補正手段は、
前記型又は前記基板のうち前記対象領域に対応する対象物を、前記型のパターン領域の面積よりも小さな面積の加熱領域で加熱する加熱手段と、
前記対象領域と前記加熱領域との相対位置を変化させることで、前記対象領域に対して前記加熱領域を走査させる走査手段と、
前記対象領域の補正変形量に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記制御手段は、前記加熱領域が前記対象領域の外側に位置する状態で、前記走査手段による走査を開始することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１４】
パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型のパターン領域または前記基板の被処理領域のいずれかの対象領域の形状を補正する補正手段を備え、
前記補正手段は、
前記型又は前記基板のうち前記対象領域に対応する対象物を、前記型のパターン領域の面積よりも小さな面積の加熱領域で加熱する加熱手段と、
前記対象領域と前記加熱領域との相対位置を変化させることで、前記対象領域に対して前記加熱領域を走査させる走査手段と、
前記対象領域の補正変形量に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記走査手段は、前記光源と前記対象物の間に配置され、前記光源からの光の一部を遮蔽する一対の移動可能な遮蔽部材を含み、
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
前記基板上に、前記型のパターン領域よりも小さい面積の硬化領域で樹脂を硬化させる硬化手段を備え、
前記加熱領域と前記硬化領域は、前記基板上で前記走査手段の走査方向に並列しており、
前記走査手段による走査時に、前記被処理領域上を、前記加熱領域が通過した後に、前記硬化領域が通過することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１５】
パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型のパターン領域または前記基板の被処理領域のいずれかの対象領域の形状を補正する補正手段を備え、
前記補正手段は、
前記型又は前記基板のうち前記対象領域に対応する対象物を、前記型のパターン領域の面積よりも小さな面積の加熱領域で加熱する加熱手段と、
前記対象領域と前記加熱領域との相対位置を変化させることで、前記対象領域に対して前記加熱領域を走査させる走査手段と、
前記対象領域の補正変形量に関する情報を取得し、前記情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御する制御手段と、
を有し、
前記対象領域は、前記基板の被処理領域であり、
前記基板上に前記樹脂を塗布する塗布手段と、
前記型を保持する型保持手段と、
前記基板を保持して移動する移動体と、
前記基板を加熱する第２加熱手段と、をさらに備え、
前記制御手段は、前記対象領域の補正変形量に関する第１及び第２加熱情報を取得し、該第１加熱情報に基づいて前記加熱手段及び前記走査手段を制御し、前記第２加熱情報に基づいて前記第２加熱手段を制御することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＭＥＭＳなどの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板上の樹脂を型で成形し、樹脂のパターンを基板上に形成する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、インプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる。例えば、インプリント技術の１つとして、光硬化法がある。この光硬化法を採用したインプリント装置では、まず、基板の被処理領域上に紫外線硬化性の樹脂（インプリント材、光硬化性樹脂）を塗布する。次に、この樹脂を型により成形する。そして、紫外線を照射して樹脂を硬化させたうえで引き離すことにより、樹脂のパターンが被処理領域上に形成される。
【０００３】
ここで、インプリント処理が施される基板は、一連のデバイス製造工程において、例えばスパッタリングなどの成膜工程での加熱処理を経ることで、基板が拡大または縮小し、平面内で被処理領域の形状が変化する場合がある。インプリント処理には、多層に形成されるパターンを正確に重ね合わせることが要求され、被処理領域の形状の変化は重ね合わせ精度を悪化させる要因となる。したがって、インプリント装置では、型と基板上の樹脂とを押し付けるに際し、基板の被処理領域の形状と、型のパターン領域の形状とを合わせる必要がある。このとき、基板の被処理領域の形状と型のパターン領域の形状とを合わせる技術として、例えば、型に対して一括して光を照射することで温度分布を与え、型自体を変形させることでパターン領域の形状を補正する方法が存在する。この形状補正方法として、特許文献１は、光源を用いて型のパターン領域または基板の被処理領域に温度分布を与えるレジストパターン形成装置を開示している。さらに、特許文献２は、複数の光ファイバを用いて型のパターン領域に温度分布を与えるインプリント装置を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２５９９８５号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／１５３９２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１および２に示すインプリント装置では、型のパターン領域の形状を補正する際、パターン領域の全面に光を一括照射してパターン領域に温度分布をつけるため、光をパターン領域に導く複雑な光学系を必要とする。そのため、コストまたは設計難易度が上昇する可能性がある。
【０００６】
本発明は、基板の被処理領域の形状、または型のパターン領域の形状を熱的に補正するための機構の簡素化に有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、パターンが形成されたパターン領域を含む型を用いて、基板の被処理領域上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であって、型のパターン領域または基板の被処理領域の対象領域の形状を補正する補正手段を備え、補正手段は、光源から照射される光の光量を調整する光量調整手段を含み、対象領域を加熱する加熱手段と、対象領域に対して型のパターン領域の面積よりも小さな面積の、光量が調整される光で加熱される加熱領域を走査させる走査手段と、形状を補正するための対象領域の変形量に関する情報を取得し、情報に基づいて加熱手段及び走査手段を制御する制御手段と、を有し、光量調整手段は、加熱領域の走査に伴って光の光量を調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板の被処理領域の形状、または型のパターン領域の形状を熱的に補正するための機構の簡素化に有利なインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態に係る加熱領域調整機構の構成を示す図である。
【図３】インプリント処理時の動作シーケンスを示すフローチャートである。
【図４】ウエハ上の基板側パターンと加熱領域とを示す図である。
【図５】基板側パターンの一地点における温度変化を示すグラフである。
【図６】本発明の第３実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係るインプリント装置について説明する。図１は、本実施形態に係るインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用され、被処理基板であるウエハ上（基板上）の未硬化樹脂をモールド（型）で成形し、ウエハ上に樹脂のパターンを形成する装置である。なお、ここでは光硬化法を採用したインプリント装置を説明するが、熱硬化法を採用したインプリント装置にも適用可能である。また、以下の図においては、ウエハ上の樹脂に対して紫外線を照射する照明系の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。インプリント装置１は、まず、光照射部２と、モールド保持機構３と、ウエハステージ４と、塗布部５と、加熱機構６と、制御部７とを備える。
【００１２】
光照射部２は、インプリント処理の際に、モールド８に対して紫外線９を照射する。この光照射部２は、光源（樹脂硬化用光源）１０と、この光源１０から照射された紫外線９をインプリントに適切な光に調整する不図示の光学素子とを含む。
【００１３】
モールド８は、外周形状が多角形（好適には、矩形または正方形）であり、ウエハ１１に対向する面には、例えば回路パターンなどの転写すべき凹凸パターンが３次元状に形成されたパターン領域８ａを含む。また、モールド８の材質は、紫外線９を透過させることが可能な材質であり、本実施形態では一例として石英とする。さらに、モールド８は、紫外線９が照射される面に、平面形状が円形で、かつ、ある程度の深さのキャビティ（凹部）を有する場合もある。
【００１４】
モールド保持機構（型保持手段）３は、モールド８を保持するモールドチャック１２と、このモールドチャック１２を保持し、モールド８（モールドチャック１２）を移動させるモールド駆動機構１３とを有する。モールドチャック１２は、モールド８における紫外線９の照射面の外周領域を真空吸着力や静電力により引き付けることで、モールド８を保持し得る。例えば、モールドチャック１２が真空吸着力によりモールド８を保持する場合には、モールドチャック１２は、外部に設置された不図示の真空ポンプに接続され、この真空ポンプのＯＮ／ＯＦＦによりモールド８の着脱が切り替えられる。また、モールドチャック１２およびモールド駆動機構１３は、光照射部２から照射された紫外線９がウエハ１１に向かうように、中心部（内側）に開口領域１４を有する。この開口領域１４には、開口領域１４の一部とモールド８とで囲まれる空間を密閉空間とする光透過部材（例えばガラス板）が設置され、真空ポンプなどを含む不図示の圧力調整装置により空間内の圧力が調整される。圧力調整装置は、例えば、モールド８とウエハ１１上の樹脂１５との押し付けに際して、空間内の圧力をその外部よりも高く設定することで、パターン領域８ａをウエハ１１に向かい凸形に撓ませ、樹脂１５に対してパターン領域８ａの中心部から接触させ得る。これにより、パターン領域８ａと樹脂１５との間に気体（空気）が残留することを抑え、パターン領域８ａの凹凸パターンに樹脂１５を隅々まで充填させることができる。
【００１５】
モールド駆動機構１３は、モールド８とウエハ１１上の樹脂１５との押し付け、または引き離しを選択的に行うようにモールド８を各軸方向に移動させる。このモールド駆動機構１３に採用可能な動力源としては、例えばリニアモータまたはエアシリンダがある。また、モールド８の高精度な位置決めに対応するために、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向やＹ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向の位置調整機能や、モールド８の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。なお、インプリント装置１における押し付けおよび引き離し動作は、モールド８をＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、ウエハステージ４をＺ軸方向に移動させることで実現してもよく、または、その双方を相対的に移動させてもよい。
【００１６】
ウエハ１１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板であり、この被処理面には、紫外線硬化樹脂であり、モールド８に形成されたパターン領域８ａにより成形される樹脂１５が塗布される。
【００１７】
ウエハステージ４は、ウエハ１１を保持し、モールド８とウエハ１１上の樹脂１５との押し付けに際して、モールド８と樹脂１５との位置合わせを実施する。このウエハステージ４は、ウエハ１１を、吸着力により保持するウエハチャック１６と、このウエハチャック１６を含む移動体を各軸方向に駆動するステージ駆動機構（移動体駆動手段）１７とを有する。ステージ駆動機構１７に採用可能な動力源としては、例えばリニアモータや平面モータがある。ステージ駆動機構１７も、Ｘ軸およびＹ軸の各方向に対して、粗動駆動系や微動駆動系などの複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、ウエハ１１のθ方向の位置調整機能、またはウエハ１１の傾きを補正するためのチルト機能などを有する構成もあり得る。また、ウエハステージ４は、不図示であるが、その側面にＸ、Ｙ、Ｚ、ωｘ、ωｙ、ωｚの各方向に対応した複数の参照ミラー（反射部）を備える。これに対して、インプリント装置１は、これらの参照ミラーにそれぞれビームを照射することで、ウエハステージ４の位置を測定する不図示の複数のレーザー干渉計（測長器）を備える。レーザー干渉計は、ウエハステージ４の位置を実時間で計測し、後述する制御部７は、このときの計測値に基づいてウエハ１１（ウエハステージ４）の位置決め制御を実行する。さらに、ウエハステージ４は、その表面上に、モールド８をアライメントする際に利用する不図示の基準マークを有する。
【００１８】
塗布部５は、モールド保持機構３の近傍に設置され、パターンが形成されるべき基板側パターン領域上（被処理領域上）に樹脂（未硬化樹脂）１５を塗布する。基板側パターン領域は、インプリント装置に搬入されたウエハ１１に予め存在する領域であり、例えば、前のレイヤーにおいて既にパターンが形成された領域である。この領域は、ショット領域と称されることもある。ここで、この樹脂１５は、紫外線９を受光することにより硬化する性質を有する光硬化性樹脂（インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程などの各種条件により適宜選択される。また、塗布部５の吐出ノズルから吐出される樹脂１５の量も、ウエハ１１上に形成される樹脂１５の所望の厚さや、形成されるパターンの密度などにより適宜決定される。
【００１９】
インプリント装置１は、ウエハ１１の基板側パターン領域の形状（サイズを含む）を補正する補正手段を備え、補正手段は、ウエハ１１を加熱する加熱機構（加熱手段）６と、走査機構（走査手段）と、制御部（制御手段）７と、を有する。本実施形態において、走査機構はウエハステージ４である。補正手段は、ウエハ１１を加熱して熱変形させ、基板側パターン領域（対象領域）の形状をパターン領域８ａの形状に合わせる。加熱機構６は、ウエハ１１を加熱するための加熱源としての加熱用光源２０と、加熱用光源２０からの光がウエハ１１上に照射される領域（照射される光量）を調整する調整機構（光量調整手段）２１とを有する。ここで、加熱用光源２０は、ウエハ１１上に塗布されている未硬化状態の樹脂１５が硬化しない波長、または硬化しづらい（感度が低い）波長の光であり、必要最低限の熱量にて温度を付与することが可能な光を照射する。この加熱用光源２０として採用可能な光としては、例えば赤外線や、波長が樹脂１５の硬化しづらい波長帯域に存在する紫外線などが挙げられる。このような光を採用することには、基板側パターン領域またはモールド８に対して、上記条件のとおり必要最低限の熱量にて温度を付与することができるため、光路や基板側パターン領域の周辺部などに熱外乱の影響を及ぼしにくいという利点がある。
【００２０】
図２は、調整機構２１の構成の一例を示す概略図である。この図２では、加熱用光源２０が紙面奥に設置されていると仮定し、この加熱用光源２０から照射された加熱光２２の通過領域を正面から見た場合の調整機構２１の状態を示している。この調整機構２１は、加熱光２２の光軸に直交する平面内で、一方の軸方向（Ｚ軸方向）に移動可能な第１遮蔽部材２３ａおよび第２遮蔽部材２３ｂと、他方の軸方向（Ｙ軸方向）に移動可能な第３遮蔽部材２３ｃおよび第４遮蔽部材２３ｄとを有する。これらの各遮蔽部材２３ａ〜２３ｄは、調整機構２１の本体部である支持枠２４をガイドとして端部が支持され、制御部７からの動作指令に基づき、不図示の駆動機構（遮蔽部材駆動手段）によりそれぞれ同期して移動し得る。調整機構２１の駆動機構に採用可能な動力源としては、走査精度や制御性の観点から、例えばリニアモータなどが好適である。
【００２１】
さらに、各遮蔽部材２３ａ〜２３ｄは、それぞれ、その一方の移動方向の側面部から、伸縮部材２５ａ〜２５ｄを介して支持枠２４の側面部に連接されている。これらの伸縮部材２５ａ〜２５ｄとしては、例えば、伸縮可能なシート材や、蛇腹式で折りたたみ自在に構成された連結部材などが採用可能である。調整機構２１は、このような各遮蔽部材２３ａ〜２３ｄと各伸縮部材２５ａ〜２５ｄとの構成により、４つの遮蔽部材２３ａ〜２３ｄで囲まれた領域を、加熱用光源２０から照射された加熱光２２の通過領域２６として規定し得る。通過領域２６は、加熱用光源２０からの光がウエハ１１上に照射される領域に対応し、通過領域２６の面積が大きいほどウエハ１１に照射される光の光量は大きくなる。つまり、調整機構２１は、ウエハ１１に照射される光の光量を調整し、ウエハ１１に付与される熱量を調整する機能を有する。
【００２２】
この加熱機構６は、ウエハ１１上の基板側パターン領域への加熱光２２の照射効率や、駆動機構を有する調整機構２１の設置性などの観点から、紫外線９の照射方向に沿って加熱光２２を照射することが望ましい。具体的には、加熱機構６は、図１に示すように、モールド保持機構３を固定支持する後述のブリッジ定盤３２の上部（紫外線９の照射側）に設置し、一方、光照射部２は、加熱機構６のさらに上部に設置し得る。この場合、加熱用光源２０と調整機構２１とは、ブリッジ定盤３２の平面を基準として、調整機構２１の通過領域２６を通過した加熱光２２が、水平方向から開口領域１４に進入するように並べて設置することが望ましい。
【００２３】
制御部７は、インプリント装置１の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。制御部７は、例えばＣＰＵ（ＭＰＵ）、メモリを含む制御基板で構成され、インプリント装置１の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部７は、少なくとも、加熱機構６の動作と、この加熱機構６の動作に付随したウエハステージ４の同期動作とを制御する。なお、制御部７は、インプリント装置１の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。
【００２４】
また、インプリント装置１は、インプリント処理に際し、モールド８のパターン領域８ａおよびウエハ１１上に存在する基板側パターン領域の位置と形状などを計測するためのアライメント計測系（計測部）３０を備える。また、インプリント装置１は、ウエハステージ４を載置するベース定盤３１と、モールド保持機構３を固定するブリッジ定盤３２と、ベース定盤３１から延設され、例えば除振器を介してブリッジ定盤３２を支持する支柱３３とを備える。さらに、インプリント装置１は、共に不図示であるが、モールド８を装置外部からモールド保持機構３へ搬送するモールド搬送機構や、ウエハ１１を装置外部からウエハステージ４へ搬送する基板搬送機構などを含み得る。
【００２５】
次に、インプリント装置１の動作について説明する。図３は、インプリント装置１によるインプリント処理にて、複数枚のウエハ１１を被処理基板とし、それぞれのウエハ１１の基板側パターン領域にパターンを形成する際の動作シーケンスを示すフローチャートである。なお、この複数枚のウエハ１１を含む１つのロットにおいては、同一のモールド８を用いるものとする。まず、動作シーケンスを開始すると、モールド搬送機構は、モールド８をモールドチャック１２まで搬送し、モールドチャック１２上に搭載する（ステップＳ１００）。次に、制御部７は、アライメント計測系により、モールド８を計測する（ステップＳ１０１）。具体的には、アライメント計測系は、ウエハステージ４上に設置された基準マークとパターン領域８ａに形成された複数のアライメントマークとを検出し、制御部７は、検出結果に基づいてパターン領域８ａの位置と形状を算出する。次に、基板搬送機構は、処理前のウエハ１１をウエハチャック１６に搬送し、ウエハチャック１６上に搭載する（ステップＳ１０２）。
【００２６】
次に、制御部７は、アライメント計測系により基板側パターン領域を計測する（ステップＳ１０３）。具体的には、アライメント計測系は、ウエハ１１上に形成された複数のアライメントマークと、モールド８に形成された複数のアライメントマークとを検出し、制御部７は、検出結果に基づいて、基板側パターン領域の位置と形状を算出する。その後、ステージ駆動機構１７は、ウエハ１１上の基板側パターン領域が塗布部５による塗布位置に位置するようにウエハ１１を移動させる。次に、塗布部５は、基板側パターン領域に対して未硬化状態の樹脂１５を塗布する（塗布工程：ステップＳ１０４）。その後、ステージ駆動機構１７は、ウエハ１１上の基板側パターン領域がモールド８のパターン領域８ａの直下の押し付け位置に位置するようにウエハ１１を移動させる。なお、上述の動作は一例であり、これに限られるものではない。また、図３に示す例でのステップＳ１０３では、インプリント装置１内にて基板側パターン領域の位置と形状を計測しているが、基板側パターンの位置と形状の計測をインプリント装置外の別装置にて、予め計測しておいてもよい。
【００２７】
次に、制御部７は、モールド８のパターン領域８ａの形状に対して基板側パターン領域の形状を合わせる。このとき、まず、制御部７は、ステップＳ１０１にて取得したパターン領域８ａの形状とステップＳ１０３に取得した基板側パターン領域の形状とを参照しつつ、パターン領域８ａの形状に対する基板側パターン領域の形状の補正変形量を算出する。そして、制御部７は、補正変形量にもとづいて加熱機構６及びウエハステージ４を制御することによって、基板側パターン領域の形状を熱的に変化させ、パターン領域８ａの形状に対する基板側パターン領域のズレを補正する（形状補正工程：ステップＳ１０５）。上述の例では、制御部７は補正変形量に関する情報を算出により取得したが、補正変形量に関する情報を外部から受け取ることによって補正変形量に関する情報を取得してもよい。
【００２８】
ここで、形状補正工程における加熱機構６の動作について説明する。まず、加熱機構６は、制御部７からの照射開始指令に基づいて、加熱用光源２０から加熱光２２を照射させる。次に、調整機構６は、制御部７からの加熱領域調整指令に基づいて、調整機構２１により加熱光２２の通過領域２６の大きさ（面積）を調整する。図４は、加熱光２２の照射側から部分的に見た、基板側パターン領域４０が形成されているウエハ１１の概略平面図である。特に、図４（ａ）では、加熱機構６によりウエハ１１上に形成される加熱領域４１と、この場合の基板側パターン領域４０に対する加熱領域４１の走査方向とを示す。加熱領域４１は通過領域２６に応じて決まる領域であり、ウエハ１１に照射される光の領域を表す。加熱領域４１は、モールド８のパターン領域８ａの面積よりも小さな面積である。まず、加熱領域４１が基板側パターン領域４０の外側の領域（外周部）に位置するように（図４（ａ）の状態）、ウエハステージ４が移動する。次に、加熱機構６は、まず基板側パターン領域４０の外周部を加熱し、基板側パターン領域４０に対して、熱伝導により伝わる熱により温度分布を付与する。さらに、ウエハステージ４は、基板側パターン領域４０と加熱領域４１の相対位置を変化させるように図４（ａ）の上方向に移動する。いいかえると、ウエハステージ４は、基板側パターン領域４０に対して加熱領域４０を図４（ａ）の下方向に走査させる。加熱機構６は、走査中に通過領域４０の大きさを調整することで、基板側パターン領域４０に温度分布を発生させる。本実施形態では、走査速度を一定にしているがこれに限られない。変形補正量に応じて透過領域２６を調整することで、基板側パターン領域４０の形状を補正することが可能となる。
【００２９】
この加熱による補正は、台形成分などの低次の形状補正に好適に用いられる。なお、基板側パターン領域４０の外部に加熱領域４１が位置する状態で、走査を開始することによって、基板側パターン領域４０内における温度分布に一定勾配をもたせることができる。なお、図２に示した調整機構２１の構成においては、第１遮蔽部材２３ａおよび第２遮蔽部材２３ｂが平行に配置され、第３遮蔽部材２３ｃおよび第４遮蔽部材２３ｄが平行に配置されているが、必ずしも平行に配置されている必要はない。制御部７は、より熱量を必要とする領域には、遮蔽部材の間隔を広くし、逆に熱量をさほど必要としない領域には、遮蔽部材の間隔を狭くするように制御してもよい。さらに、本実施形態では、走査機構としてウエハステージ４を採用するため、上記のような温度分布の付与を簡素な装置構成で実現することができる。
【００３０】
ここで、図５は、横軸の時間に対して縦軸を温度とした、基板側パターン領域４０の一地点における温度変化を示すグラフである。図５に示すように、一定時間基板側パターン４０を加熱し、その後加熱を止めると、基板側パターン領域４０上の温度は、その加熱時間に合わせて急激に上昇した後、徐々に下がっていく。そこで、制御部７は、加熱機構６による加熱時から、後の工程である硬化工程までの間における基板側パターン領域４０の温度変化を予測し、この形状補正工程にて参照する。すなわち、制御部７は、その予測された温度変化を参照し、調整機構２１の動作を調整しつつ基板側パターン領域４０に熱量を付与することで、基板側パターン領域４０の形状が硬化工程の時点で所望の形状となるように補正することができる。
【００３１】
この形状補正工程は、後述の押型工程の前に実施されることが望ましい。これは、基板側パターン領域４０とパターン領域８ａとが接触していない状態で基板側パターン領域４０を加熱することで、基板側パターン領域４０の変形抵抗が小さくなり、基板側パターン領域４０をスムーズに変形させることができるためである。なお、この形状補正工程が終了し、次の押型工程に移行する前に、圧力調整装置によりモールド８に接触する空間内の圧力を調整することで、モールド８に変形（曲げ）を与える場合もある。さらに、圧力調整装置によるモールド８の変形と、補正手段による補正を併用してもよい。また、本実施形態では、加熱機構６による加熱を、モールド８を介して行っているが、例えば、モールド８と塗布部５との間に加熱用光源を設けてもよい。このような構成にすることで、塗布工程と後述の押型工程との間に形状補正工程を行うことができる。つまり、塗布部５の下方とモールド８の下方との間でウエハステージ４が移動している間に加熱できるため、スループットの改善が可能となる。また、加熱機構６からの光を、光源１０からの光路に導入しなくてもよいため、ハーフミラー等の光学素子による減光を低減することができる。モールド８と塗布部５との間に加熱用光源を設けた場合に、光源１０からの光の一部を加熱に用いる構成を採用してもよい。
【００３２】
次に、モールド駆動機構１３は、モールド８（パターン領域８ａ）をウエハ１１上の樹脂１５に押し付ける（押型工程：ステップＳ１０６）。次に、光照射部２は、モールド８を押し付けられた樹脂１５に対して紫外線９を一括露光して樹脂１５を硬化させる（硬化工程：ステップＳ１０７）。次に、モールド駆動機構１３は、モールド８（パターン領域８ａ）をウエハ１１上の樹脂１５から引き離す（離型工程：ステップＳ１０８）。次に、制御部７は、ウエハ１１上に、引き続きパターンを形成すべきショットがあるかどうかの判定を実行し（ステップＳ１０９）、新たなショットがあると判定した場合には、ステップＳ１０３に移行する。次に、制御部７は、ステップＳ１０９にて、新たなショットがないと判定した場合には、基板搬送機構により、ウエハ１１をウエハチャック１６から回収させる（ステップＳ１１０）。次に、制御部７は、引き続き処理対象となるべきウエハ１１があるかどうかの判定を実行し（ステップＳ１１１）、新たなウエハ１１があると判定した場合にはステップＳ１０２に移行する。そして、制御部７は、ステップＳ１１１にて、新たなウエハ１１がないと判定した場合には、モールド搬送機構により、モールド８をモールドチャック１２から回収させ（ステップＳ１１２）、動作シーケンスを終了する。
【００３３】
なお、上記ステップＳ１０５の形状補正工程では、走査機構としてのウエハステージ４を駆動して基板側パターン領域４０を走査するが、例えば、調整機構２１の一対の遮蔽部材２３ａ、２３ｂを駆動して、加熱領域４１を走査するようにしてもよい。遮蔽部材２３ａ、２３ｂを駆動して加熱領域４１を走査するとともに、遮蔽部材２３ｃ、２３ｄを駆動して通過領域２６の大きさを調整することによって、ウエハステージ４が停止していても基板側パターン領域４１内で温度分布をもたせることができる。これによれば、形状補正工程ではウエハステージ４が駆動しないため、消費電力の低減などの点で有利となり得る。
【００３４】
また、調整機構２１を用いて加熱領域４１を走査する構成によれば、変形させる対象領域を基板側パターン領域４０ではなく、モールド８のパターン領域８ａとすることも可能である。この場合、加熱機構６が加熱する対象物は、ウエハ１１でなくモールド８である。具体的には、調整機構２１はモールド８の表面（パターン領域８ａが形成されている面の裏面）にて、パターン領域８ａに対応する領域上を加熱領域４１が移動するように遮光部材を駆動する。この場合においても、ステップＳ１０１にて取得したパターン領域８ａの位置と形状、ステップＳ１０３に取得した基板側パターン領域の位置と形状を参照することで、基板側パターン領域４０の形状に対してパターン領域８ａの形状を合わせることができる。さらに、ウエハステージ４を駆動し、パターン領域８ａの下に基板側パターン領域４０が存在しない状態にすることが好ましい。
【００３５】
以上のように、本実施形態において、加熱機構６は、通過領域２６の大きさを調整することで単位時間あたりにウエハ１１に付与される熱量を走査に応じて変化させている。しかしながら、熱量を変化させる方法はこれに限られない。例えば、他の手段により熱量を調整してもよい。例えば、加熱用光源２０の出力（光量）を走査に応じて調整してもよく、加熱用光源２０と調整機構２１との間に加熱光調整機構（不図示）を設けて調整してもよい。また、加熱領域４１内の光量分布を調整するようにしてもよい。
【００３６】
このように、インプリント装置１は、インプリント処理時に基板側パターン領域４０の形状とパターン領域８ａの形状とを合わせる際に、基板側パターン領域４０またはパターン領域８ａの少なくともいずれかを、加熱機構６と走査機構とにより熱的に補正する。本実施形態によれば、加熱機構６として加熱用光源２０と調整機構２１を採用し、走査機構として既存のウエハステージ４を採用している。すなわち、インプリント装置１は、従来のインプリント装置が備える基板側パターン領域４０またはパターン領域８ａの形状を熱的に補正する機構に比べ、これらの機構を設置するためのコストを低減することができ、さらに制御の単純化などの点でも有利となり得る。
【００３７】
従って、本実施形態によれば、ウエハ１１上に予め存在する基板側パターン領域４０の形状、またはモールド８に形成されたパターン領域８ａの形状を熱的に補正するための機構の簡素化に有利なインプリント装置を提供することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係るインプリント装置について説明する。第１実施形態で説明した動作シーケンスでは、制御部７は、ステップＳ１０５の形状補正工程の終了後、押型工程を経て硬化工程に移行し、光照射部２（硬化手段）により基板側パターン領域４０上の樹脂１５に対して一括して紫外線９を照射させることで硬化させる。これに対して、本実施形態のインプリント装置の特徴は、押型工程での樹脂１５とパターン領域８ａとの押し付け動作中または押し付け動作後に、形状補正工程と硬化工程とを合わせて実施する点にある。本実施形態において、第１実施形態と同じ構成や制御については説明を省略する。図４（ｂ）は、光照射部２によりウエハ１１上に形成される硬化領域４２と、この場合の基板側パターン領域４０に対する加熱領域４１と硬化領域４２との走査方向とを示す図である。硬化領域４２は、モールド８のパターン領域８ａよりも小さな面積の領域である。この場合、第１実施形態の動作シーケンスを参照すると、制御部７は、ステップＳ１０４の塗布工程が終了した後、次に押型工程に移行する。
【００３９】
この押型工程での押し付け動作中、または押し付け動作後、制御部７は、図４（ｂ）に示すように、加熱領域４１に隣り合う位置で、かつ基板側パターン領域４０に向かう走査方向の下流側に、光照射部２による硬化領域４２を形成させる。つまり、加熱領域４１と硬化領域４２は走査方向において並列している。そして、制御部７は、上記形状補正工程における加熱領域４１の走査と並行して、硬化領域４２も同時に走査させる。この走査時には、硬化領域４２は、基板側パターン領域４０の加熱領域４１が通過した部分を追って進行する。したがって、この場合のインプリント装置は、加熱領域４１の通過による基板側パターン領域４０の形状補正がなされた部分から順次、基板側パターン領域４０上の樹脂１５を硬化させることができる。このように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、工程の短縮化により、さらにスループットを向上させることができる。なお、硬化領域４２の照射面積、すなわち光量は、ここでは単に樹脂１５の硬化が実施できればよいため、加熱領域４１を形成するときとは異なり、厳密な制御を必要としない。
【００４０】
一方、加熱用光源２０に採用する光を、樹脂１５を硬化させる紫外線とすることで、形状補正工程と硬化工程とを合わせて実施する構成もあり得る。加熱用光源２０として紫外線を照射するものとすると、例えば、光照射部２の光源と加熱用光源２０との共通化が可能となる。このとき、基板側パターン領域４０に対して形成する加熱領域と硬化領域とは共通となり、制御部７は、共通の光源に対して、樹脂１５の硬化に必要な光量に、基板側パターン領域４０の変形に必要な熱量を加えるような制御を実行する。また、基板側パターン領域４０の外側から加熱用光源２０で光を照射することで、熱伝達により基板側パターン４０の＋Ｘ軸方向の領域から順次形状補正を行うことができる。このような構成によれば、新たに加熱用光源２０を必要とせず、光照射部２の光源を加熱用光源として、基板側パターン４０の形状を熱的に補正する機構の構成をさらに簡素化させることができる。さらに、基板側パターン領域４０上において、加熱及び硬化を兼ねた領域を走査する際に、硬化と並行して基板側パターン領域４０の計測と形状補正工程とを同時に行うことで、より高精度な形状補正を行なうことが可能となる。また、基板側パターン領域４０の位置計測をインプリント装置１の処理工程の前の別装置にて、予め計測しておくことで、インプリント装置１の簡素化が可能となる。
【００４１】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係るインプリント装置について説明する。第１実施形態では、基板側パターン領域４０の形状とパターン領域８ａの形状とを合わせる際に、加熱機構６を用いて熱的に基板側パターン領域４０またはパターン領域８ａの形状を補正する。これに対して、本実施形態のインプリント装置の特徴は、上記のような熱的な形状補正に加え、倍率補正機構によるモールド８（パターン領域８ａ）の機械的な形状補正も実施する点にある。本実施形態において、第１実施形態と同じ構成や制御については説明を省略する。図６は、本実施形態に係るインプリント装置５０の構成を示す概略図である。このインプリント装置５０は、上記実施形態のインプリント装置１とほぼ同一構成である。ただし、モールド保持機構３を構成するモールドチャック１２は、モールド８に外力を与えることでパターン領域８ａの形状を変形させる倍率補正機構（型補正機構）５１を有する。倍率補正機構５１として好適には複数のアクチュエータが用いられる。この場合、制御部７は、倍率補正機構５１による第２形状補正工程を、第１実施形態の動作シーケンスを参照すると、例えば、ステップＳ１０５の形状補正工程の前後、または押型工程の押し付け動作中もしくは押し付け動作後に実施させる。
【００４２】
このとき、制御部７は、ステップＳ１０１およびＳ１０３にて得られた位置と形状の計測結果に基づいて変形補正量を算出する。そして、制御部７は、ステップＳ１０５の形状補正工程における形状補正と、第２形状補正工程における形状補正とにより、算出された変形補正量分の補正を実施させる。これによれば、第１実施形態と同様の効果を奏すると共に、ステップＳ１０５での熱的な形状補正のみの場合と比較して、例えば、基板側パターン領域４０の周辺部への熱の拡散を低減させることができる。ここで、外力によりパターン領域８ａの形状を補正する第２形状補正工程では、高次の形状のずれを補正しやすい。そのため、例えば、変形補正量が大きな台形成分（低次の形状のずれ）を熱的な形状補正工程にて補正し、他の形状成分を機械的な第２形状補正工程にて補正するのが望ましい。したがって、制御部７は、計測結果にもとづく変形補正量から低次の成分（第１情報）と高次の成分（第２情報）を抽出（取得）して、これらをそれぞれの形状補正工程で用いるとよい。なお、低次形状としては、台形成分の他に、例えば弓形、樽形、または糸巻形などの変形成分を有する形状などがある。なお、形状補正工程の順序の一例としては、応答性を考慮し、倍率補正機構５１による第２形状補正工程を、ステップＳ１０５の形状補正工程の前に実施してもよい。上記実施形態では、基板側パターン領域４０上において加熱および硬化を兼ねた領域を走査する際に、硬化と並行して、基板側パターン領域４０の計測と形状補正工程とを同時に行う方式について説明した。同様に、基板側パターン領域４０上において加熱および硬化を兼ねた領域を走査する際に、硬化と並行して、基板側パターン領域４０の計測と第２形状補正工程とを同時に行ってもよい。さらに、第２形状補正工程とステップＳ１０５の形状補正工程との少なくともどちらか一方の形状補正工程を行うことで、さらに高精度な補正が可能となる。
【００４３】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置は、第１乃至第３実施形態とは異なる加熱機構（加熱機構）を備え、該加熱機構は塗布部５の吐出ノズルから吐出される樹脂１５を加熱するヒーターを含む。本実施形態において、第１実施形態と同じ構成や制御については説明を省略する。図７は、本実施形態の加熱機構の構成を示す図である。塗布部５は複数の吐出ノズル（吐出口）５ａ〜５ｘを含み、加熱機構は複数のヒーター（熱源）１９ａ〜１９ｘを含み、各ヒーターは各吐出ノズルから吐出される樹脂１５を加熱する。塗布制御部７ａは樹脂１５の塗布量を制御し、温度制御部７ｂはヒーター１９ａ〜１９ｘの温度を制御する。ヒーター１９ａ〜１９ｘの温度を異なる温度に制御することで、塗布部５からウエハ１１上に塗布される樹脂１５に温度分布を付与してもよい。なお、塗布部５から樹脂１５を一度に塗布する領域は、モールド８のパターン領域８ａと基板側パターン領域４０よりも小さい。ウエハステージ４（走査手段）により基板側パターン領域４０を走査させながら、塗布部５が樹脂１５を塗布することによって、基板側パターン領域４０の全面に樹脂１５を塗布することができる。
【００４４】
本実施形態によれば、各ヒーター１９ａ〜１９ｘの温度を制御しながら樹脂１５を塗布することで、加熱機構がウエハ１１に付与する単位時間あたりの熱量を走査に応じて変化させている。このため、基板側パターン領域４０に温度分布を付与することができる。
【００４５】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態に係るインプリント装置について説明する。本実施形態のインプリント装置は、第１乃至第４実施形態の加熱機構（第１の加熱機構）に加えて、第２の加熱機構を備える。本実施形態において、第１実施形態と同じ構成や制御については説明を省略する。第２の加熱機構は、第１乃至第４実施形態で説明した加熱機構のいずれかであって、第１の加熱機構とは異なる構成のものが用いられる。第１の加熱機構と第２の加熱機構の構成は、適宜組み合わせることができる。
【００４６】
インプリント装置の制御部７は、変形補正量に関する第１加熱情報を取得し、該第１加熱情報にもとづいて第１の加熱機構を制御し、変形補正量に関する第２加熱情報を取得し、該第２加熱情報にもとづいて第２の加熱機構を制御する。第２加熱情報は、例えば、予め記憶部に記憶された変形補正量であり、第１加熱情報は、例えば、ステップＳ１０１またはＳ１０３の計測結果から算出された変形補正量とする。これにより、第２の加熱機構を用いて粗く補正をし、第１の加熱機構を用いて第２の加熱機構よりも小さな熱量で補正の微調整をすることができる。
【００４７】
本実施形態によれば、第１の加熱機構に加えて第２の加熱機構を用いて基板側パターン領域の形状を補正するため、第１の加熱機構の負担を軽減できる。つまり、第１の加熱機構を小型化でき、第１の加熱機構から周囲に伝わる意図しない熱を軽減することができる。
【００４８】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１    インプリント装置
４    ウエハステージ
６    加熱機構
７    制御部
８    モールド
８ａ  パターン領域
１１  ウエハ
１５  樹脂
４０  基板側パターン領域
４１  加熱領域
【図１】
0006045363.tif 000002
【図２】
0006045363.tif 000003
【図３】
0006045363.tif 000004
【図４】
0006045363.tif 000005
【図５】
0006045363.tif 000006
【図６】
0006045363.tif 000007
【図７】
0006045363.tif 000008