(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域に電極を含む光デバイスが形成された光デバイスウエーハから光デバイスを加工する光デバイスの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、
該溝形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面側に非導電性の反射膜を被覆して少なくとも該溝の側面に反射膜を形成する反射膜形成ステップと、
該反射膜形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面の該電極上に形成された該反射膜を除去して該電極を露出させる電極露出ステップと、
該電極露出ステップを実施する前又は後に、光デバイスウエーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに該溝を光デバイスウエーハの裏面に露出させて光デバイスウエーハを個々の光デバイスチップへと分割する研削ステップと、を備え、
前記反射膜形成ステップでは、光デバイスウエーハの表面全面に前記反射膜を被覆し、
前記電極露出ステップでは、バイト切削手段によって光デバイスウエーハの表面に被覆された該反射膜を旋削することで前記電極を露出させることを特徴とする光デバイスの加工方法。
【請求項２】
前記研削ステップを実施した後、個々の光デバイスチップを基板上にフリップチップ実装する実装ステップと、
該基板上に実装された該光デバイスチップを封止材で封止する封止ステップと、
を更に備えた請求項１記載の光デバイスの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）等の光デバイスは、結晶成長用基板上にエピタキシャル層（結晶層）を成長させ、更に格子状の分割予定ラインで区画された各領域に形成される。その後、例えば結晶成長用基板を分割予定ラインに沿って分割して個片化することで、個々の光デバイスが製造されている。
【０００３】
緑や青色の光を出射する発光層がＩｎＧａＮ系のチップでは、サファイアが結晶成長用基板に一般的に用いられ、このサファイア基板上に順次ｎ型ＧａＮ半導体層、ＩｎＧａＮ発光層、ｐ型ＧａＮ半導体層をエピタキシャル成長させる。そして、ｎ型ＧａＮ半導体層とｐ型ＧａＮ半導体層のそれぞれに外部取り出し用電極が形成されて光デバイスが形成される。
【０００４】
ＬＥＤ等の光デバイスにおいては、より高い輝度が求められており、光の取り出し効率の向上が要望されている。近年、特開平４−１０６７０号公報に開示されるようなフリップチップ実装によって実装された光デバイスが広く市場に出回っている。
【０００５】
フリップチップ実装による光デバイスでは、発光層の光が外部に出る際に電極による遮蔽がないため、従来のワイヤーボンディングによる実装に比べて光の取り出し効率が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−１０６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
フリップチップ実装されたＬＥＤでは、ワイヤーボンディング実装に比べて発光効率が数十％高まるとされているが、更なる光の取り出し効率の向上が要望されている。
【０００８】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、更なる光の取り出し効率を向上可能な光デバイスの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によると、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域に電極を含む光デバイスが形成された光デバイスウエーハから光デバイスを加工する光デバイスの加工方法であって、光デバイスウエーハの表面から該分割予定ラインに沿って仕上げ厚みに至る深さの溝を形成する溝形成ステップと、該溝形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面側に非導電性の反射膜を被覆して少なくとも該溝の側面に反射膜を形成する反射膜形成ステップと、
該反射膜形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハの表面の該電極上に形成された該反射膜を除去して該電極を露出させる電極露出ステップと、該電極露出ステップを実施する前又は後に、光デバイスウエーハの裏面を研削して該仕上げ厚みへと薄化するとともに該溝を光デバイスウエーハの裏面に露出させて光デバイスウエーハを個々の光デバイスチップへと分割する研削ステップと、を備え、前記反射膜形成ステップでは、光デバイスウエーハの表面全面に前記反射膜を被覆し、前記電極露出ステップでは、バイト切削手段によって光デバイスウエーハの表面に被覆された該反射膜を旋削することで前記電極を露出させることを特徴とする光デバイスの加工方法が提供される。
【００１１】
好ましくは、本発明の光デバイスの加工方法は、研削ステップを実施した後、個々の光デバイスチップを基板上にフリップチップ実装する実装ステップと、基板上にフリップチップ実装された光デバイスチップを封止材で封止する封止ステップとを更に備えている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光デバイスの加工方法によると、光デバイスチップの側面には反射膜が形成されるため、発光層からの光がチップ側面から出射することが防止される。また、裏面側は研削されるため、研削で形成された微小凹凸によってチップ内で全反射する光を減少させ光の取り出し効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】光デバイスウエーハの表面側斜視図である。
【図２】光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図３】溝形成ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図４】反射膜形成ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図５】電極露出ステップを示す一部断面側面図である。
【図６】電極露出ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図７】保護テープ貼着ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図８】研削ステップを示す斜視図である。
【図９】研削ステップ実施後の光デバイスウエーハの縦断面図である。
【図１０】基板上に実装され封止された光デバイスチップの縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、光デバイスウエーハ１１の表面側斜視図が示されている。光デバイスウエーハ１１は、サファイア基板１３上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（発光層）１５が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ１１は、エピタキシャル層１５が積層された表面１１ａと、サファイア基板１３が露出した裏面１１ｂとを有している。
【００１５】
エピタキシャル層１５にＬＥＤ等の複数の光デバイス１９が格子状の分割予定ライン（ストリート）１７によって区画されて形成されている。図２に示すように、各光デバイス９には一対の電極２１，２３が形成されている。
【００１６】
本発明の光デバイスの加工方法では、まず、図３に示すように、光デバイスウエーハ１１の表面１１ａから分割予定ライン１７に沿って仕上げ厚みｔ１に至る深さの溝２７を形成する溝形成ステップを実施する。
【００１７】
この溝２７の形成はサファイア基板１３に対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のレーザービームを照射して、アブレーション加工により分割予定ライン１７に沿って仕上げ厚みｔ１に至る深さの溝２７を形成するのが好ましい。代替実施形態として、水溶性ではない保護層を形成して、溝２７を切削ブレードによる切削により形成してもよい。
【００１８】
溝形成ステップ実施後、図４に示すように、非導電性の反射膜２９を光デバイスウエーハ１１の表面１１ａ上及び溝２７内に形成する反射膜形成ステップを実施する。この非導電性反射膜２９は、例えば誘電体多層膜から形成される。この反射膜形成ステップを実施すると、溝２７の側面にも反射膜２９が形成される。
【００１９】
反射膜形成ステップを実施した後、光デバイスウエーハ１１の表面１１ａの電極２１，２３上に形成された反射膜２９を除去して電極２１，２３を露出させる電極露出ステップを実施する。
【００２０】
この電極露出ステップは、例えば図５に示すようなバイト切削装置の旋削により実施する。バイト切削装置のバイト切削ユニット１２は、回転駆動されるスピンドル１４と、スピンドル１４の先端に固定されたホイールマウント１６と、ホイールマウント１６の先端に装着されたバイト切削刃２０を有するバイトホイール１８とを含んでいる。図では模式的に描いているがバイトホイール１８の直径はウエーハ１１の直径以上である。
【００２１】
バイトホイール１８を矢印Ｒ１方向に回転させながら、バイト切削刃２０で光デバイスウエーハ１１の表面に形成された反射膜２９に所定深さ切り込み、チャックテーブル１０を矢印Ｙ１方向に直線移動させることにより、反射膜２９をバイト切削刃２０で旋回切削して除去し、電極２１，２３を露出させる。この電極露出ステップが終了すると、図６に示すように、反射膜２９が除去されて、電極２１，２３が露出する。溝２７内の反射膜２９は残存する。
【００２２】
次いで、図７に示すように、光デバイスウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ３１を貼着する。そして、図８に示すように、表面保護テープ３１側を研削装置のチャックテーブル２４で吸引保持し、研削ユニット２６により光デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。
【００２３】
研削ユニット２６は、回転駆動されるスピンドル２８と、スピンドル２８の先端に固定されたホイールマウント３０と、ホイールマウント３０に複数のねじ３４により着脱可能に装着された研削ホイール３２とを含んでいる。
【００２４】
研削ホイール３２は、環状基台３６の自由端部に複数の研削砥石３８が固着されて構成されている。研削砥石３８は、例えば粒度の粗いダイアモンド砥粒をビトリファイドボンド等で固めて形成されている。
【００２５】
この研削ステップでは、チャックテーブル２４を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール３２をチャックテーブル２４と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば１０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石３８を光デバイスウエーハ１１の裏面１１ｂに露出したサファイア基板１３に接触させる。
【００２６】
そして、研削ホイール３２を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、サファイア基板１３の研削を実施する。サファイア基板１３を仕上げ厚みｔ１まで研削すると、溝２７が仕上げ厚みに至る深さを有しているため、図９に示すように、光デバイスウエーハ１１は個々の光デバイスチップ３５に分割される。研削ステップで使用した研削砥石３８が粒度の粗い砥粒を含んだ粗研削砥石であるため、光デバイスチップ３３の研削面には微小な凹凸３５が形成される。
【００２７】
次いで、表面保護テープ３１を光デバイスウエーハ１１の表面から剥離した後、図１０に示すように、光デバイスチップ３３を半田３９を介して基板の電極４１，４３にフリップチップ実装し、更に光デバイスチップ３３をエポキシ樹脂等の透明樹脂からなる封止材３７で封止する。
【００２８】
このように封止材３７で封止された光デバイスチップ３３は、光デバイスチップ３３の側面に反射膜２９が形成されているため、発光層からの光がチップ３３の側面から出射することが防止される。また、裏面側が粗研削されているため、研削で形成された微小凹凸３５によってチップ３３内で全反射する光を減少させ光の取り出し効率を向上できる。
【００２９】
上述した実施形態では、電極露出ステップを実施した後、研削ステップを実施しているが、光デバイスウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ３１を貼着して研削ステップを先に実施し、研削により光デバイスウエーハ１１を個々の光デバイスチップ３３に分割した後、バイト切削装置を使用して反射膜２９を切削除去して電極２１，２３を露出させる電極露出ステップを実施するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００３０】
１１    光デバイスウエーハ
１２    バイト切削ユニット
１３    サファイア基板
１５    エピタキシャル層（発光層）
１７    分割予定ライン
１８    バイトホイール
１９    光デバイス
２０    バイト切削刃
２１，２３    電極
２７    溝
２９    非導電性反射膜
３１    表面保護テープ
３２    研削ホイール
３３    光デバイスチップ
３５    微小凹凸
３８    研削砥石
３７    封止材
【図１】
0006025410.tif 000002
【図２】
0006025410.tif 000003
【図３】
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【図４】
0006025410.tif 000005
【図５】
0006025410.tif 000006
【図６】
0006025410.tif 000007
【図７】
0006025410.tif 000008
【図８】
0006025410.tif 000009
【図９】
0006025410.tif 000010
【図１０】
0006025410.tif 000011