(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記シールド磁性層は、前記主磁極層の前記基板側に配置され、かつ前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、該リーディングシールド部は、前記主磁極層側の前記媒体対向面に最も近い最前部よりも前記媒体対向面から最も離れた最後部が前記主磁極層から離れた変距離構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記主磁極層は、前記媒体対向面から離れるにしたがい前記基板に近づくような下り傾斜状に形成された下傾斜面を有し、前記リーディングシールド部は、前記媒体対向面から離れるにしたがい前記基板に近づくような下り傾斜状に形成された上傾斜面を有し、前記下傾斜面と前記媒体対向面との第１のなす角よりも前記上傾斜面と前記媒体対向面との第２のなす角が大きく形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記主磁極層と、前記リーディングシールド部との間に配置され、かつ前記媒体対向面から離れるにしたがい前記媒体対向面に沿った方向の厚さが大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を更に有する請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記リーディングシールド部は、前記上傾斜面よりも前記媒体対向面に近い位置に、前記主磁極層の前記下傾斜面に沿った前側上傾斜面を有し、該前側上傾斜面が前記上傾斜面よりも前記主磁極層の近傍に配置されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記媒体対向面から離れるにしたがい前記媒体対向面に沿った方向の厚さが大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を更に有し、該中間絶縁層が前記リーディングシールド部における前記主磁極層の前記下傾斜面に沿った前側上傾斜面と前記主磁極層の前記下傾斜面との間には配置されることなく、前記上傾斜面と前記下傾斜面との間に配置されている請求項２または４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記リーディングシールド部は、前記最前部を含む前記媒体対向面に沿った最前高よりも前記最後部を含む最後高が小さく形成されている請求項１〜５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記リーディングシールド部における前記前側上傾斜面の前記媒体対向面の交差方向に沿った奥行きよりも、前記上傾斜面の前記交差方向に沿った奥行きが大きく形成されている請求項４または５項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記リーディングシールド部の前記媒体対向面から離れた背面側に形成されたベース絶縁層を更に有し、前記中間絶縁層が前記リーディングシールド部および前記ベース絶縁層を跨いで形成されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記シールド磁性層は、前記リーディングシールド部の前記基板側に配置されている下部前側シールド部を有し、該下部前側シールド部の前記媒体対向面内に配置されている前端面と、該前端面に接続され、かつ前記下部前側シールド部のうちの最も前記基板に近い位置に配置されている下端面とのなす角度を示す前端角が鈍角に設定されている請求項１〜８のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記下部前側シールド部の前記前端面と前記下端面とが交差する部分を前端凸部としたときに、該前端凸部は、前記前端角が直角に設定されている場合よりも前記前端面と前記下端面とが緩やかに交わった凸状部分に対応している請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、前記主磁極層の前記基板側に配置され、かつ前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を形成するためのリーディング磁性部について、前記主磁極層側の表面を除去して、前記媒体対向面から離れるにしたがい前記基板に近づくような下り傾斜状の出現面を出現させる第１の除去工程と、
前記出現面の前記媒体対向面側を除く前記媒体対向面から最も離れた部分を除去して前記媒体対向面から離れるにしたがい前記基板に近づくような下り傾斜状に形成された上傾斜面を形成する第２の除去工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記リーディング磁性部の前記上傾斜面に接し、かつ前記媒体対向面に沿った方向の厚さが前記媒体対向面から離れるにしたがい大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を形成する中間絶縁層形成工程を更に有する請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記第２の除去工程は、前記出現面の前記媒体対向面側をレジストパターンで被覆し、前記出現面の該レジストパターンで被覆されない部分を除去することによって実行する請求項１１または１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の除去工程は、前記出現面の前記媒体対向面側をレジストパターンで被覆し、前記出現面の該レジストパターンで被覆されない部分を除去することによって実行し、
前記レジストパターンを残したまま積層体の表面に絶縁層を形成することによって、前記リーディング磁性部の前記上傾斜面に接し、かつ前記媒体対向面に沿った方向の厚さが前記媒体対向面から離れるにしたがい大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を形成する中間絶縁層形成工程を更に有する請求項１１〜１３のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記出現面の前記媒体対向面側を前記レジストパターンで被覆するときに、前記出現面の前記レジストパターンで被覆される部分の前記媒体対向面の交差方向に沿った奥行きよりも、前記出現面の前記レジストパターンで被覆されない部分の前記交差方向に沿った奥行きを大きくする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記出現面の前記媒体対向面側の部分と前記中間絶縁層の表面に、非磁性薄膜を介して前記主磁極層を形成する主磁極層形成工程を更に有する請求項１４または１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記薄膜コイルを構成するコイル層のうちの前記主磁極層と前記基板との間に配置されている基板側コイル層を形成するための導体層を形成する導体層形成工程と、
前記導体層の表面の平坦化処理を行うことによって、前記媒体対向面内に配置された前端面を有する対向絶縁層を形成する対向絶縁層形成工程とを更に有し、
前記シールド磁性層形成工程が、前記対向絶縁層の表面に直に接するようにして、前記主磁極層の前記基板側に配置され、かつ前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を、前端角が鈍角になるように形成する下部前側シールド部形成工程を更に有する請求項１１〜１６のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記対向絶縁層の表面を、前記媒体対向面から離れるにしたがい前記基板に近づくような下り傾斜状に形成する傾斜処理工程を更に有し、
該傾斜処理工程によって前記下り傾斜状に形成された前記対向絶縁層の表面に前記下部前側シールド部が直に接するようにして、前記下部前側シールド部形成工程を実行する請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記シールド磁性層は、前記主磁極層の前記基板側に配置され、かつ前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、該リーディングシールド部は、前記主磁極層側の前記媒体対向面に最も近い最前部よりも前記媒体対向面から最も離れた最後部が前記主磁極層から離れた変距離構造を有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項２０】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、前記媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、前記主磁極層と前記ライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、前記主磁極層、前記ライトシールド層または前記主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、
前記シールド磁性層は、前記主磁極層の前記基板側に配置され、かつ前記薄膜コイルの前記媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、該リーディングシールド部は、前記主磁極層側の前記媒体対向面に最も近い最前部よりも前記媒体対向面から最も離れた最後部が前記主磁極層から離れた変距離構造を有するハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は、大容量の記録容量を備え、ストレージ装置の中心として広く用いられている。ハードディスク装置は、薄膜磁気ヘッドによってハードディスク（記録媒体）に対するデータの記録再生を行う。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、長手磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに分けることができる。長手磁気記録方式はハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向にデータを記録する方式であり、垂直磁気記録方式はハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する方式である。このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手磁気記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手磁気記録方式よりも有望視されている。
【０００４】
ところで、従来、垂直磁気記録方式の磁気ヘッド（perpendicular
magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）は、磁極層と薄膜コイルとを有し、磁極層に薄膜コイルを巻き回した電磁石の構造を有している。
【０００５】
従来のＰＭＲとして、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４等には、主磁極層のトレーリング側にシールド層を備えたＰＭＲが開示されている。図４３に示すＰＭＲ６００はそのようなＰＭＲの一例である。
ＰＭＲ６００は記録媒体の垂直方向に沿った記録磁界が通る主磁極層６０１と、主磁極層６０１の周りに巻き回わされた薄膜コイル６０２と、記録ギャップ層６０３と、記録ギャップ層６０３を挟んで主磁極層６０１と対向するシールド層６０４とを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７２９５８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７６７３２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５７３０３号公報
【特許文献４】特開２００９−２９５２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のＰＭＲでは、薄膜コイルに電流を流し磁界を発生させて記録媒体にデータを記録する。例えば、前述したＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２に電流を流して記録媒体にデータを記録する。
【０００８】
しかし、薄膜コイル６０２は、電流を流すと発熱するため、その熱が周囲のコイル絶縁層６０５に伝わってしまう。コイル絶縁層６０５は、フォトレジスト等の有機物質で形成されているため、薄膜コイル６０２よりも熱膨張係数が大きい。そのため、コイル絶縁層６０５は熱が加わると膨張しやすい。コイル絶縁層６０５が膨張すると、シールド層６０４の媒体対向面６０６側の端部が媒体対向面６０６よりも外側に向かって押し出されて、突出してしまう。
【０００９】
こうした磁極層の突出（プルトルージョン）は、主に薄膜コイルの発熱によって引き起こされる。そのため、磁極層の突出を抑制するためには、薄膜コイルの発熱を抑制すればよい。一般に、電流の流れている導体から発生する熱はジュール熱と呼ばれ、電流の大きさの２乗および導体の電気抵抗に比例することが知られている（ジュールの法則）。したがって、薄膜コイルの発熱を抑制するには、薄膜コイルの電気抵抗を小さくすればよい。
【００１０】
薄膜コイルの電気抵抗を小さくするには薄膜コイルの断面積を大きくすればよい。そのためには、例えば、ＰＭＲ６００の場合であれば、薄膜コイル６０２の幅ｗ６０２を広げるか、厚さｈ６０２を大きくするという対応策が考えられる。
【００１１】
しかし、幅ｗ６０２を広げると、磁路長を短くすることが難しくなる。磁路長は薄膜コイルが巻かれている磁極層の長さであり、その大きさは主に図４３に示す幅ＬＸによって左右される。
【００１２】
ところで、薄膜コイルには交流電流が流されるが、そのときのインピーダンスは周波数とインダクタンスに比例する。そのため、磁気記録媒体への記録密度を高めるべく薄膜コイルに周波数の高い交流電流を流すと、インピーダンスが高くなり、電流が流れにくくなる。これを回避するにはインダクタンスを小さくすることが有効であり磁路長の短縮が有効である。しかし、薄膜コイルの幅を広げると磁路長を長くせざるを得ず、ＰＭＲのインダクタンスが大きくなってしまう。こうなると、記録信号の周波数を高くすることができなくなり、磁気記録媒体への記録密度を高めることができなくなる。また、薄膜コイルの厚さを大きくしても磁路長を長くせざるを得ない。
【００１３】
一方、ＰＭＲ６００では、薄膜コイル６０２よりも媒体対向面６０６に近い位置と、薄膜コイル６０２よりも媒体対向面６０６から離れた位置のそれぞれにコイル絶縁層６０５の一部がコイル絶縁層６０５ａ，６０５ｂとして形成されている。そのため、コイル絶縁層６０５ａの幅とコイル絶縁層６０５ｂの幅（媒体対向面６０６に交差する方向の幅でそれぞれ１．５μｍ程度、合わせて３μｍ程度）の分だけ幅ＬＸが長くなってしまう。
【００１４】
このような課題を解決し得るＰＭＲとして従来、例えば図４４に示されているＰＭＲ７００が知られていた。特許文献４にも同様のＰＭＲが記載されている。ＰＭＲ７００は、上部薄膜コイル７０８と、ＰＭＲ６００と同様の主磁極層７１０を有している。また、ＰＭＲ７００は下部薄膜コイル７１８と、シールド磁性層７２０と、絶縁層７３１，７３２を有している。
【００１５】
このＰＭＲ７００では、上部シールド層が、主磁極層７１０に対向するシールド部７０１と、上部薄膜コイル７０８の媒体対向面７０６側に配置された前側シールド部７０３と、上部薄膜コイル７０８を跨ぐ連結シールド部７０４とを有している。さらに、前側シールド部７０３と対向シールド部７０１との接続用シールド部７０２が形成されていた。このＰＭＲ７００では、隣接する上部薄膜コイル７０８の間にコイル絶縁層７０９が配置され、上部薄膜コイル７０８の外側にはコイル絶縁層７０９が配置されていない。そのため、前述したＰＭＲ６００よりも磁路長を短縮することができる。
【００１６】
そして、ＰＭＲ７００では、隣接トラック消去（ＡＴＥ）を改善するべくシールド磁性層７２０が形成されていた。
【００１７】
しかし、ＰＭＲ７００では、そのシールド磁性層７２０を構成するリーディングシールド部７１１の構造に起因した次のような課題が解決されていなかった。図４４に示したように、シールド磁性層７２０は、リーディングシールド部７１１と、下部前側シールド部７１２と、接続シールド部７１３と、連結シールド部７１４とを有している。
【００１８】
リーディングシールド部７１１は、非磁性薄膜７３４を介して主磁極層７１０のごく近傍に配置されている。このリーディングシールド部７１１では、下部前側シールド部７１２に接続される部分が確実に確保されるようにするため、媒体対向面７０６からの奥行きが、ある程度の大きさで形成されていた。
【００１９】
そして、ＰＭＲ７００において、リーディングシールド部７１１と下部前側シールド部７１２の接続を確実にし、リーディングシールド部７１１から下部前側シールド部７１２への磁束の流れを確実にするためには、リーディングシールド部７１１の奥行きを大きくすることが望ましい。
【００２０】
しかし、リーディングシールド部７１１は、非磁性薄膜７３４を介して主磁極層７１０のごく近傍に配置されているため、奥行きを大きくすればするほど、主磁極層７１０のごく近傍に大きな磁性材が配置される形になる。主磁極層７１０と同様、リーディングシールド部７１１は磁性材を用いて形成されているため、透磁率が高く、磁束が透過しやすい。そのため、リーディングシールド部７１１の奥行きを大きくすればするほど、主磁極層７１０からリーディングシールド部７１１に磁束が漏れやすくなり、ＰＭＲの書き込み性能が低下してしまう。
【００２１】
このような事態を考慮すると、リーディングシールド部７１１の奥行きをできるだけ小さくすることが望ましい。
【００２２】
しかし、奥行きを小さくすると、それに伴いリーディングシールド部７１１の下部前側シールド部７１２に接続される部分の大きさが小さくなる。そのため、リーディングシールド部７１１から下部前側シールド部７１２に向かう磁束の経路が狭まり、リーディングシールド部７１１において、磁束の飽和が起こりやすくなる。すると、記録媒体から還流する磁束がリーディングシールド部７１１によって取り込まれずに残りやすくなる。
【００２３】
そうすると、その残った磁束によって、データを記録するトラックに隣接するトラックや、データを記録するトラックから数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置にあるトラックに記録されているデータが消去される現象が生じやすくなる（これらの現象は隣接トラック消去（ＡＴＥ）、広域トラック消去（ＷＡＴＥ）ともいう）。
【００２４】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ＡＴＥやＷＡＴＥを改善し得るように、リーディングシールド部の構造を改良した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、シールド磁性層は、主磁極層の基板側に配置され、かつ薄膜コイルの媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、そのリーディングシールド部は、主磁極層側の媒体対向面に最も近い最前部よりも媒体対向面から最も離れた最後部が主磁極層から離れた変距離構造を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
【００２６】
この薄膜磁気ヘッドの場合、リーディングシールド部が変距離構造を有するからリーディングシールド部の媒体対向面から離れた部分において、主磁極層との間に隙間が確保される。そのため、リーディングシールド部の奥行きを狭めなくても主磁極層の近傍に配置される磁性材の大きさが小さくなる。
【００２７】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、主磁極層は、媒体対向面から離れるにしたがい基板に近づくような下り傾斜状に形成された下傾斜面を有し、リーディングシールド部は、媒体対向面から離れるにしたがい基板に近づくような下り傾斜状に形成された上傾斜面を有し、下傾斜面と媒体対向面との第１のなす角よりも上傾斜面と媒体対向面との第２のなす角が大きく形成されていることが好ましい。
【００２８】
この薄膜磁気ヘッドでは、リーディングシールド部と主磁極層との間の隙間が確実に確保される。
【００２９】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層と、リーディングシールド部との間に配置され、かつ媒体対向面から離れるにしたがい媒体対向面に沿った方向の厚さが大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を更に有することが好ましい。
【００３０】
この薄膜磁気ヘッドの場合、主磁極層からの磁束の漏えいが中間絶縁層によってより確実に軽減される。
【００３１】
また、上記薄膜磁気ヘッドの場合、リーディングシールド部は、上傾斜面よりも媒体対向面に近い位置に、主磁極層の下傾斜面に沿った前側上傾斜面を有し、その前側上傾斜面が上傾斜面よりも主磁極層の近傍に配置されていることが好ましい。
【００３２】
この薄膜磁気ヘッドの場合、リーディングシールド部を上記のような構造にしたことによって、リーディングシールド部の媒体対向面内に配置される部分の大きさを小さくせずに済むようになる。
【００３３】
さらに、媒体対向面から離れるにしたがい媒体対向面に沿った方向の厚さが大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を更に有し、その中間絶縁層がリーディングシールド部における主磁極層の下傾斜面に沿った前側上傾斜面と主磁極層の下傾斜面との間には配置されることなく、上傾斜面と下傾斜面との間に配置されていることが好ましい。
【００３４】
また、リーディングシールド部は、最前部を含む媒体対向面に沿った最前高よりも最後部を含む最後高が小さく形成されているようにすることもできる。
【００３５】
上記薄膜磁気ヘッドの場合、リーディングシールド部における前側上傾斜面の媒体対向面の交差方向に沿った奥行きよりも、上傾斜面の交差方向に沿った奥行きが大きく形成されているようにすることができる。
【００３６】
さらに、リーディングシールド部の媒体対向面から離れた背面側に形成されたベース絶縁層を更に有し、中間絶縁層がリーディングシールド部およびベース絶縁層を跨いで形成されていることが好ましい。
【００３７】
また、シールド磁性層は、リーディングシールド部の基板側に配置されている下部前側シールド部を有し、その下部前側シールド部の媒体対向面内に配置されている前端面と、その前端面に接続され、かつ下部前側シールド部のうちの最も基板に近い位置に配置されている下端面とのなす角度を示す前端角が鈍角に設定されていることが好ましい。
【００３８】
また、下部前側シールド部の前端面と下端面とが交差する部分を前端凸部としたときに、その前端凸部は、前端角が直角に設定されている場合よりも前端面と下端面とが緩やかに交わった凸状部分に対応していることが好ましい。
【００３９】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、シールド磁性層を形成するシールド磁性層形成工程が、以下の（１）から（２）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）主磁極層の基板側に配置され、かつ薄膜コイルの媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を形成するためのリーディング磁性部について、主磁極層側の表面を除去して、媒体対向面から離れるにしたがい基板に近づくような下り傾斜状の出現面を出現させる第１の除去工程
（２）出現面の媒体対向面側を除く媒体対向面から最も離れた部分を除去して媒体対向面から離れるにしたがい基板に近づくような下り傾斜状に形成された上傾斜面を形成する第２の除去工程
【００４０】
上記製造方法の場合、以下の（３）の工程を更に有することが好ましい。
（３）リーディング磁性部の上傾斜面に接し、かつ媒体対向面に沿った方向の厚さが媒体対向面から離れるにしたがい大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を形成する中間絶縁層形成工程
【００４１】
また、上記製造方法の場合、第２の除去工程は、出現面の媒体対向面側をレジストパターンで被覆し、出現面のそのレジストパターンで被覆されない部分を除去することによって実行することが好ましい。
【００４２】
さらに、第２の除去工程は、出現面の媒体対向面側をレジストパターンで被覆し、出現面のそのレジストパターンで被覆されない部分を除去することによって実行し、レジストパターンを残したまま積層体の表面に絶縁層を形成することによって、リーディング磁性部の上傾斜面に接し、かつ媒体対向面に沿った方向の厚さが媒体対向面から離れるにしたがい大きくなる変厚構造を備えた中間絶縁層を形成する中間絶縁層形成工程を更に有することが好ましい。
【００４３】
さらに、出現面の媒体対向面側をレジストパターンで被覆するときに、出現面のレジストパターンで被覆される部分の媒体対向面の交差方向に沿った奥行きよりも、出現面のレジストパターンで被覆されない部分の交差方向に沿った奥行きを大きくすることが好ましい。
【００４４】
上記製造方法は、出現面の媒体対向面側の部分と中間絶縁層の表面に、非磁性薄膜を介して主磁極層を形成する主磁極層形成工程を更に有することが好ましい。
【００４５】
また、薄膜コイルを構成するコイル層のうちの主磁極層と基板との間に配置されている基板側コイル層を形成するための導体層を形成する導体層形成工程と、導体層の表面の平坦化処理を行うことによって、媒体対向面内に配置された前端面を有する対向絶縁層を形成する対向絶縁層形成工程とを更に有し、シールド磁性層形成工程が、対向絶縁層の表面に直に接するようにして、主磁極層の基板側に配置され、かつ薄膜コイルの媒体対向面側に配置されている下部前側シールド部を、前端角が鈍角になるように形成する下部前側シールド部形成工程を更に有することが好ましい。
【００４６】
さらに、対向絶縁層の表面を、媒体対向面から離れるにしたがい基板に近づくような下り傾斜状に形成する傾斜処理工程を更に有し、その傾斜処理工程によって下り傾斜状に形成された対向絶縁層の表面に下部前側シールド部が直に接するようにして、下部前側シールド部形成工程を実行することが好ましい。
【００４７】
そして、本発明は、基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、シールド磁性層は、主磁極層の基板側に配置され、かつ薄膜コイルの媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、そのリーディングシールド部は、主磁極層側の媒体対向面に最も近い最前部よりも媒体対向面から最も離れた最後部が主磁極層から離れた変距離構造を有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００４８】
さらに、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端面を有する主磁極層と、媒体対向面内に配置されたライトシールド端面を有するライトシールド層と、主磁極層とライトシールド層との間に形成されているギャップ層と、主磁極層、ライトシールド層または主磁極層に接続されているシールド磁性層のいずれかの周りに巻回された薄膜コイルとが基板上に積層された構成を有し、シールド磁性層は、主磁極層の基板側に配置され、かつ薄膜コイルの媒体対向面側に配置されているリーディングシールド部を有し、そのリーディングシールド部は、主磁極層側の媒体対向面に最も近い最前部よりも媒体対向面から最も離れた最後部が主磁極層から離れた変距離構造を有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００４９】
以上詳述したように、本発明によれば、ＡＴＥやＷＡＴＥを改善し得るように、リーディングシールド部の構造を改良した薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドのＡＢＳを示す正面図である。
【図３】下部薄膜コイルを示す平面図である。
【図４】上部薄膜コイルを示す平面図である。
【図５】下部薄膜コイルの要部を示す平面図である。
【図６】ＡＢＳの要部を拡大して示す断面図である。
【図７】リーディングシールド部、中間絶縁層および主磁極層の要部を拡大して示す断面図である。
【図８】ＡＢＳの要部を拡大して示す断面図である。
【図９】ＡＢＳの要部を拡大して示す断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の実施の形態にかかる下部前側シールド部の要部を示す一部省略した断面図、（ｂ）は従来の下部前側シールド部の要部を示す一部省略した断面図である。
【図１１】対向シールド部、前側シールド部および連結シールド部の要部を示す斜視図である。
【図１２】トリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。
【図１３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１４】図１３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１５】図１４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１６】図１５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１７】図１６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１８】図１７の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図１９】図１８の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２０】図１９（ａ）の要部を示す断面図である。
【図２１】図１９の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図２２】図２１の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２３】図２２の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２４】図２３の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２５】図２４の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２６】図２５の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２７】図２６の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２８】図２７の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図２９】図２８の後続の工程における要部を拡大した断面図である。
【図３０】図２６の要部を拡大した断面図である。
【図３１】図２８の要部を拡大した断面図である。
【図３２】図２９の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３３】図３２の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３４】図３３の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３５】図３４の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３６】図３５の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３７】図３６の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３８】図３７の後続の工程を示し、（ａ）は図１に対応した断面図、（ｂ）は図２に対応した正面図である。
【図３９】薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。
【図４０】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面と交差する方向に沿った図１に対応した断面図である。
【図４１】図４０におけるリーディングシールド部、中間絶縁層および主磁極層の要部を拡大して示す断面図である。
【図４２】（ａ）は本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図、（ｂ）はＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。
【図４３】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示す断面図である。
【図４４】別の従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図１２を参照して本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００のエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」という）と交差する方向に沿った図２の１-１線断面図、図２は薄膜磁気ヘッド３００のＡＢＳ３０を示す正面図である。図３は下部薄膜コイル１１を示す平面図、図４は上部薄膜コイル５１を示す平面図である。図５は下部薄膜コイル１１の要部を示す平面図である。図６はＡＢＳ３０の要部を拡大して示す断面図、図７はリーディングシールド部４７、中間絶縁層４９および主磁極層２６の要部を拡大して示す断面図である。図８、図９はＡＢＳ３０の要部を拡大して示す断面図である。図１０の（ａ）は下部前側シールド部４２の要部を拡大して示す断面図であり、（ｂ）は従来の下部前側シールド部７１２の要部を拡大して示す断面図である。図１１は、対向シールド部６１、上部前側シールド部６２および連結シールド部６３の要部を示す斜視図である。図１２はトリム前シールド部と上部前側シールド部とを示す側面図である。
【００５２】
薄膜磁気ヘッド３００は、基板１と、基板１に積層された再生ヘッドおよび記録ヘッドを有し、記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有している。
【００５３】
薄膜磁気ヘッド３００では、主磁極層２６からリーディング側への漏れ磁束を取り込むリーディングシールド部４７を、主磁極層２６との間に中間絶縁層４９が配置される構造に改良することによって、ＡＴＥやＷＡＴＥを改善している（詳しくは段落番号０１６７−０１６８等参照）。
【００５４】
なお、以下では、薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。
【００５５】
再生ヘッドは、ＡＢＳ３０の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッドは、基板１上に形成されている絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３と、ＭＲ素子５をシールドしているシールドギャップ膜４とを有している。さらに、再生ヘッドは、シールドギャップ膜４の上に形成されている磁性材料からなる上部シールド層６と、上部シールド層６の上に形成されている絶縁層７とを有している。再生ヘッドは、記録ヘッドよりも基板１に近い位置に配置されている。
【００５６】
ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。
【００５７】
上部シールド層６は中間に絶縁部６ｂを有している。また、絶縁部６ｂよりも下側に第１のシールド部６ａが形成され、上側に第２のシールド部６ｃが形成されている。
【００５８】
薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８が絶縁層２に形成されている。加熱部８はＤＦＨ（Disk
flying heater）とも呼ばれ、電流が流されることによって発熱し、その熱を上部シールド層６などに伝達させる機能を有している。また、感熱部９が絶縁層７に形成されている。感熱部９はＨＤＩ（Head Disk Interlayer）センサとも呼ばれる。感熱部９は上部シールド層６付近の熱（温度）を感知し、その感知した熱に応じて抵抗値が変化する素子を用いて形成されている。
【００５９】
そして、薄膜磁気ヘッド３００では、加熱部８によって上部シールド層６や下部シールド層３を加熱する。上部シールド層６や下部シールド層３は加熱部８から受けた熱によって体積が膨張する。その結果、上部シールド層６や下部シールド層３が図１には図示しない記録媒体に接触したとすると、上部シールド層６や下部シールド層３のＡＢＳ３０付近が摩擦によって熱を帯びる。薄膜磁気ヘッド３００ではこの摩擦熱に伴う感熱部９の抵抗値の変化を検出することによって、上部シールド層６や下部シールド層３が記録媒体に接触したかどうかの判定が行われる。また、その判定結果に応じて加熱部８に流れる電流値を制御しながらフライングハイトを制御している。
【００６０】
記録ヘッドは、下部薄膜コイル１１と、対向絶縁層２０と、主磁極層２６と、ギャップ層２９と、シールド磁性層４０と、中間絶縁層４９と、上部薄膜コイル５１と、ライトシールド層６０と、上部ヨーク層６５、変位抑制層８５および保護絶縁層９０を有し、これらが基板１上に積層された構成を有している。
【００６１】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とによって一連の薄膜コイルが形成されている。下部薄膜コイル１１は、この一連の薄膜コイルのうちの主磁極層２６と基板１との間に配置されている部分に対応している。そのため、下部薄膜コイル１１は、本発明の実施の形態に係る基板側コイル層に対応している。
【００６２】
図３に示すように下部薄膜コイル１１は３つのターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは後述する接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に配置されている。下部薄膜コイル１１はターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆがフォトレジスト層１５を介して並んだ構造を有している。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆのうち、ターン部１１ｂがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部１１ｂが前側ターン部に対応している。ターン部１１ｆが後側ターン部に対応している。
【００６３】
そして、下部薄膜コイル１１は、リード部１３Ａからターン部１１ｂにつながるループ部１１ａと、ターン部１１ｂからターン部１１ｄにつながるワンループ部１１ｃと、ターン部１１ｄからターン部１１ｆにつながるワンループ部１１ｅと、ターン部１１ｆから接続部１１ｈまでのハーフループ部１１ｇを有している。
【００６４】
下部薄膜コイル１１はリード部１３Ａから接続部１１ｈまでが一本につながることによってシールド磁性層４０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、下部薄膜コイル１１について、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆ、接続部１１ｈのみが示されている。ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆは横幅よりも厚さ（ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）の高さ）の大きい縦長の構造を有している。なお、本実施の形態において、横幅とはＡＢＳ３０と交差する方向（交差方向）の幅を意味している。
【００６５】
また、下部薄膜コイル１１は、図５に示すように、ワンループ部１１ｃがＡＢＳ３０に接近するにしたがい漸次幅が狭まり、ＡＢＳ３０に最も近い箇所で最も幅が狭まる可変幅構造を有している。すなわち、図５に示すようにして、ワンループ部１１ｃの幅をＷｄ１、Ｗｄ２、Ｗｄ０を定めたときにＷｄ１＞Ｗｄ２＞Ｗｄ０となっている。そして、ワンループ部１１ｃのうちの最も幅の狭い部分がターン部１１ｄとなっている。ループ部１１ａおよびワンループ部１１ｅもワンループ部１１ｃと同様の可変幅構造を有し、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部１１ｂ、１１ｆとなっている。ここで、ターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆの幅はそれぞれＷｂ０（約０．９μｍ）、Ｗｄ０（約０．９μｍ）、Ｗｆ０（約０．９μｍ）である。
【００６６】
そして、下部薄膜コイル１１は、次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、リード部１３Ａから、ループ部１１ａ、ワンループ部１１ｃ、ワンループ部１１ｅ、ハーフループ部１１ｇを通って接続部１１ｈにつながることによって、３ターンループが形成されている。
【００６７】
なお、図５において、ターン部１１ｂの前側面１１ｂｆからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の前側距離を示している。また、ターン部１１ｆの後側面１１ｆｒからＡＢＳ３０までの距離は、下部薄膜コイル１１の後側距離を示している。
【００６８】
次に、上部薄膜コイル５１について説明する。図４に示すように、上部薄膜コイル５１は３つのターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃは、後述する上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４との間に配置されている。上部薄膜コイル５１はターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃがフォトレジスト層５５を介して並んだ構造を有している。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃのうち、ターン部５１ｇがＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されているので、ターン部５１ｇが前側ターン部に対応している。ターン部５１ｃが後側ターン部に対応している。
【００６９】
そして、上部薄膜コイル５１は、接続部５１ａからターン部５１ｃにつながるループ部５１ｂと、ターン部５１ｃからターン部５１ｅにつながるワンループ部５１ｄと、ターン部５１ｅからターン部５１ｇにつながるワンループ部５１ｆと、ターン部５１ｇからリード部１４Ａまでのハーフループ部５１ｈを有している。
【００７０】
上部薄膜コイル５１は接続部５１ａからリード部１４Ａまでが一本につながることによってライトシールド層６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で３ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図１では、上部薄膜コイル５１について、ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃ、接続部５１ａのみが示されている。ターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃはターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆと同様に縦長の構造および可変幅構造を有している。そして、ワンループ部５１ｆ、ワンループ部５１ｄ、ループ部５１ｂのうち、最も幅の狭い部分がそれぞれターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃとなっている。
【００７１】
そして、上部薄膜コイル５１は次のような一連の３ターンループを形成している。すなわち、接続部５１ａから、ループ部５１ｂ、ワンループ部５１ｄ、ワンループ部５１ｆ、ハーフループ部５１ｈを通ってリード部１４Ａにつながることにより、３ターンループが形成されている。
【００７２】
また、図１に示したように、上部薄膜コイル５１は上端面５１Ａを有している。上端面５１Ａは基板１から最も離れた位置に配置されている。この上端面５１Ａは後述するシールド上端面６２ｆと段差なく形成され、シールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９（図３６参照）を形成している。さらに、上部薄膜コイル５１は層間絶縁膜３２だけを介して後述する上部ヨーク層６５の上面に接続されている。上部薄膜コイル５１は磁性材からなる磁性層を介することなく上部ヨーク層６５に接続されている。
【００７３】
薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１の接続部１１ｈが上部薄膜コイル５１の接続部５１ａに接続されている。これにより、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とは一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１とには、記録媒体に記録されるデータに応じた電流が流され、その電流によって記録磁界が発生する。
【００７４】
続いて、対向絶縁層２０について説明する。対向絶縁層２０は、図６に示すように傾斜上端面２０ａを有している。この傾斜上端面２０ａは、後述する下部前側シールド部４２の傾斜下端面４２ｂに直に接している。また、傾斜上端面２０ａはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。傾斜上端面２０ａは、ＡＢＳ３０から後述する接続シールド部４１に到達するまで傾斜が一定に形成されている。表面は凹凸のない平坦面である。
【００７５】
また、傾斜上端面２０ａの全体が接続シールド部４１の上端面４１ａよりも基板１に近い位置に配置されている。絶縁層の表面が削りとられたことによって傾斜上端面２０ａが形成されている。傾斜上端面２０ａが形成されていることによって、対向絶縁層２０の表面に凹部が形成されている。その凹部に接続シールド部４１の後述する前端面４１ｂが出現している。
【００７６】
対向絶縁層２０は、前端面２０ｂを有している。前端面２０ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。そして、図９に示すように、対向絶縁層２０では、前端面２０ｂのうちの最も下部前側シールド部４２に近い位置に欠落端部２０ｄが形成されている。欠落端部２０ｄは、薄膜磁気ヘッド３００の製造工程でＡＢＳ３０を形成するための研磨等を行った際、対向絶縁層２０の一部がわずかに欠落することによって形成されている。
【００７７】
次に、主磁極層２６について説明する。主磁極層２６は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体は透磁率(magnetic  permeability)が高い。したがって、主磁極層２６は、磁束が透過しやすく、より多くの磁束が通る。そのため、記録磁界に応じたより強い磁束が主磁極層２６からＡＢＳ３０に向かって放出される。
【００７８】
主磁極層２６は、図２、図６に示すように、ＡＢＳ３０側に磁極端面２６ａを有している。磁極端面２６ａは下部薄膜コイル１１側よりも上部薄膜コイル５１側の幅が広く、その幅が下部薄膜コイル１１に近づくにつれて漸次狭まるベベル形状に形成されている。磁極端面２６ａの上部薄膜コイル５１側の幅がトラック幅を規定している。トラック幅は例えば０．０６〜０．１２μｍ程度である。磁極端面２６ａはＡＢＳ３０内に配置されている。
【００７９】
主磁極層２６は磁極端面２６ａを有するトラック幅規定部と、幅広部と、拡幅部とを有している。トラック幅規定部はＡＢＳ３０からの距離に応じて変化しない一定の幅を有している。また、幅広部はトラック幅規定部よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、トラック幅規定部よりも幅広に形成されている。また、幅広部はトラック幅規定部との境界部分でトラック幅規定部と同じ大きさの幅を有するとともに、その幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がっている。拡幅部は幅広部よりも大きい一定の幅を有している。本実施の形態では、磁極端面２６ａから、幅が大きくなり始めるまでの部分をトラック幅規定部としている。
【００８０】
また、図６に示すように、主磁極層２６では、トラック幅規定部に、上傾斜面２６ｃと、下傾斜面２６ｅとが形成されている。
【００８１】
上傾斜面２６ｃはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１から離れるような上り傾斜状に形成されている。上傾斜面２６ｃは磁極端面２６ａと、上端面２６ｄとに接続されている。
【００８２】
下傾斜面２６ｅはＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。下傾斜面２６ｅは磁極端面２６ａと、幅広部の下端面２６ｆとに接続されている。下傾斜面２６ｅは，トラック幅規定部から幅広部まで形成されている。下端面２６ｆは主磁極層２６の中で基板１に最も近い位置に配置されている。
【００８３】
図１にも示すように、主磁極層２６には、上端面２６ｄ上の、後述する対向シールド部６１と上部ヨーク層６５との間の部分に非磁性層２７，２８が積層されている。
【００８４】
なお、前述のトラック幅規定部におけるＡＢＳ３０からの長さをネックハイトという。ネックハイトは例えば０．０５〜０．３μｍ程度である。
【００８５】
ギャップ層２９は主磁極層２６の上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄに沿って、対向シールド部６１および絶縁層３１と、主磁極層２６および非磁性層２７，２８との間に形成されている。ギャップ層２９は、上傾斜面２６ｃおよび上端面２６ｄを被覆するようにして形成されている。ギャップ層２９は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の非磁性の絶縁材やＲｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いて形成されている。
【００８６】
次に、シールド磁性層４０について説明する。図１に示すように、シールド磁性層４０は、主磁極層２６の基板１側に配置されている。シールド磁性層４０は接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２と、連結シールド部４３と、第１の後側シールド部４４と、第２の後側シールド部４５と、第３の後側シールド部４６と、リーディングシールド部４７と、サイドシールド部４７Ａとを有している。シールド磁性層４０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて形成されている。
【００８７】
接続シールド部４１と、下部前側シールド部４２とは、下部薄膜コイル１１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。また、接続シールド部４１の上に下部前側シールド部４２の一部分が重なっている。接続シールド部４１はＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。しかし、下部前側シールド部４２は、ＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４２ａを有している（図６参照）。
【００８８】
ここで、図１、図６を参照して接続シールド部４１について詳しく説明する。接続シールド部４１は下部前側シールド部４２と連結シールド部４３とを接続している。接続シールド部４１は対向絶縁層２０よりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【００８９】
接続シールド部４１は上端面４１ａと、前端面４１ｂとを有している。接続シールド部４１では、上端面４１ａとともに前端面４１ｂが下部前側シールド部４２に接続されている。上端面４１ａは、接続シールド部４１のうちの基板１から最も離れた位置に配置されている。前端面４１ｂは接続シールド部４１のうちのＡＢＳ３０に最も近い位置に配置されている。
【００９０】
次に、下部前側シールド部４２について、図１、図６、図９を参照して詳しく説明する。下部前側シールド部４２は前端面４２ａと、傾斜下端面４２ｂと、上端面４２ｃと、起立端面４２ｄと、交差端面４２ｅと、前端凸部４２Ｐを有している。
【００９１】
下部前側シールド部４２では、前端面４２ａの全体がＡＢＳ３０内に配置されている。傾斜下端面４２ｂは、対向絶縁層２０の前述した傾斜上端面２０ａに直に接している。傾斜下端面４２ｂは傾斜上端面２０ａと同様に、ＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。また、傾斜下端面４２ｂはＡＢＳ３０から接続シールド部４１に到達するまで傾斜が一定に形成されている。表面は凹凸のない平坦面である。
【００９２】
そして、下部前側シールド部４２では、図９に示す前端角Ｘαが鈍角に設定されている。前端角Ｘαは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとのなす角度を示している。前端角Ｘαは前端面４２ａから傾斜下端面４２ｂに向かって時計回りに計った角度である。
【００９３】
上端面４２ｃは下部前側シールド部４２のうちの基板１から最も離れた位置に配置されている。上端面４２ｃの全体が平坦に形成されている。起立端面４２ｄは傾斜下端面４２ｂのＡＢＳ３０から最も離れた位置に形成されている。起立端面４２ｄは傾斜下端面４２ｂからＡＢＳ３０に沿って起立するように形成されている。また、起立端面４２ｄは、接続シールド部４１の前端面４１ｂに直に接している。交差端面４２ｅは起立端面４２ｄの最上部からＡＢＳ３０に交差する方向に沿って平坦に形成されている。また、交差端面４２ｅは接続シールド部４１の上端面４１ａに直に接している。
【００９４】
そして、図９に詳しく示すように、前端凸部４２Ｐは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとが交差する角部に対応している。前端凸部４２Ｐは、丸みを帯びた凸状部分であって、前端角が図９に示す角度Ｘβのような直角に設定されている場合と異なり、前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂとが緩やかに交わることによって形成されている。
【００９５】
連結シールド部４３は、下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆを跨ぐようにして形成され、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とを接続している。連結シールド部４３は、主磁極層２６から放出された磁束を還流させるリターン磁極としての機能を有している。
【００９６】
第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、いずれも下部薄膜コイル１１のターン部１１ｂ、１１ｄ、１１ｆよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。また、第１の後側シールド部４４の上に第２の後側シールド部４５が重なり、第２の後側シールド部４５の上に第３の後側シールド部４６が重なっている。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６はＡＢＳ３０に近い前側面からＡＢＳ３０までの距離の等しい三段構造を形成している。第１、第２、第３の後側シールド部４４、４５、４６は、連結シールド部４３を主磁極層２６に連結する連結部としての機能を有している。
【００９７】
次に、リーディングシールド部４７について、図６に加えて、図７、図８を参照して説明する。リーディングシールド部４７は下部前側シールド部４２に接続されている。その反対側上面には、図２に示すように、サイドシールド部４７Ａ，４７Ａが形成されている。
【００９８】
リーディングシールド部４７では、前端面４７ｄの全体がＡＢＳ３０内に配置されている。その奥行きＷ４７は例えば０．５μｍ〜１．０μｍ程度である。リーディングシールド部４７は、上傾斜面４７ａと前側上傾斜面４７Ｌとを有している。上傾斜面４７ａはリーディングシールド部４７の主磁極層２６側に配置されている。上傾斜面４７ａは、ＡＢＳ３０から離れるにしたがい基板１に近づくような下り傾斜状に形成されている。また、上傾斜面４７ａの傾斜角度（ＡＢＳ３０の交差方向からみた角度）がＡＢＳ３０から離れるにしたがい緩やかになっていて、上傾斜面４７ａのうちのＡＢＳ３０から最も離れた部分は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿った平坦面４７ｂになっている。
【００９９】
前側上傾斜面４７Ｌは、上傾斜面４７ａよりもＡＢＳ３０に近い位置に配置されている。境界点４７Ｐを境にＡＢＳ３０側の部分が前側上傾斜面４７Ｌであり、ＡＢＳ３０よりも離れた側の部分が上傾斜面４７ａである。前側上傾斜面４７Ｌは、主磁極層２６の下傾斜面２６ｅに沿って形成されている。前側上傾斜面４７Ｌは、上傾斜面４７ａよりも主磁極層２６の近傍に配置されている。前側上傾斜面４７Ｌは、非磁性薄膜２５だけを介在して主磁極層２６に接しているが、上傾斜面４７ａは、非磁性薄膜２５と中間絶縁層４９を介して主磁極層２６に接している。上傾斜面４７ａは、中間絶縁層４９を介在している分だけ、前側上傾斜面４７Ｌよりも主磁極層２６から離れた位置に配置されている。
【０１００】
そして、図７に示すように、リーディングシールド部４７は、最前部４７Ｒと、最後部４７Ｑとを有している。最前部４７ＲはＡＢＳ３０内に配置されている。最前部４７Ｒはリーディングシールド部４７の中で主磁極層２６に最も近い位置に配置され、主磁極層２６との距離が最も短い位置に配置されている。
【０１０１】
最後部４７Ｑは、上傾斜面４７ａ上に配置されている。最後部４７Ｑは、上傾斜面４７ａの中でＡＢＳ３０から最も離れた位置に配置されている。
【０１０２】
リーディングシールド部４７は、最前部４７Ｒよりも最後部４７Ｑが主磁極層２６から離れた構造を有している。本実施の形態では、このような構造を変距離構造という。
【０１０３】
さらに、リーディングシールド部４７では、ＡＢＳ３０と上傾斜面４７ａとのなす角（第２のなす角）βが、ＡＢＳ３０と前述した主磁極層２６の下傾斜面２６ｅとのなす角（第１のなす角）αよりも大きく形成されている（α＜β）。しかし、ＡＢＳ３０と前側上傾斜面４７Ｌとのなす角は、第１のなす角αと同等に形成されている。
【０１０４】
また、リーディングシールド部４７では、最前部４７Ｒを含むＡＢＳ３０に沿った最前高Ｈ４７Ｒよりも最後部４７Ｑを含む最後高Ｈ４７Ｑが小さく形成されている（Ｈ４７Ｒ＞Ｈ４７Ｑ）。加えて、前側上傾斜面４７ＬのＡＢＳ３０の交差方向に沿った奥行きＷ４７Ｌよりも、上傾斜面４７ａの交差方向に沿った奥行きＷ４７Ｍが大きく形成されている（図３０参照）。
【０１０５】
サイドシールド部４７Ａ，４７Ａはリーディングシールド部４７上に形成されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａのそれぞれが主磁極層２６のトラック幅方向の両側に配置されている。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａは、それぞれＡＢＳ３０内に配置されたシールド端面４７Ａａを有している（図２参照）。サイドシールド部４７Ａ，４７Ａおよびリーディングシールド部４７は非磁性薄膜２５を介して磁極端面２６ａを取り囲むように形成され、主磁極層２６の近傍に配置されている。
【０１０６】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は、中間絶縁層４９を有している。中間絶縁層４９は、主磁極層２６の下傾斜面２６ｅおよび下端面２６ｆと、リーディングシールド部４７の上傾斜面４７ａおよびベース絶縁層２４との間に配置されている。中間絶縁層４９はＡＢＳ３０側の一部分について、ＡＢＳ３０から離れるにしたがいＡＢＳ３０に沿った方向の厚さが大きくなる構造を有している。本実施の形態では、このような構造を変厚構造という。また、中間絶縁層４９は、リーディングシールド部４７およびベース絶縁層２４を跨いで形成されている。
【０１０７】
次に、ライトシールド層６０について説明する。ライトシールド層６０は、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２と、連結シールド部６３と、後側シールド部６４とを有している。
【０１０８】
対向シールド部６１はＡＢＳ３０に臨む前端面を有している。また、対向シールド部６１はＡＢＳ３０内においてリーディングシールド部４７に対峙している。また、対向シールド部６１のＡＢＳ３０に臨む前端面に、ギャップ層２９が配置される微小スペースが形成されている。その微小スペースにギャップ層２９のＡＢＳ３０側部分が形成されている。対向シールド部６１はギャップ層２９を挟んでＡＢＳ３０側から順に主磁極層２６、非磁性層２７、非磁性層２８に対向するようにして形成されている。また、対向シールド部６１は上端面が平坦になっていて、その上端面に上部前側シールド部６２が接続されている。
【０１０９】
上部前側シールド部６２は上部薄膜コイル５１よりもＡＢＳ３０側に配置されている。この上部前側シールド部６２について、図１１、図１２を参照して詳しく説明する。
【０１１０】
上部前側シールド部６２はシールド前端面６２ｂと、シールド上端面６２ｆと、シールド接続部６２ｃと、シールド下端面６２ｒとを有している。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に配置されている。シールド前端面６２ｂはＡＢＳ３０内に露出している。図１１において、網掛けした部分がシールド前端面６２ｂを示している。シールド上端面６２ｆは、シールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されている。基板１から離れる側を上側、基板１に近づく側を下側ともいう。シールド上端面６２ｆは、連結シールド部６３に接続されている。シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。しかも、シールド上端面６２ｆは、ＡＢＳ３０から離れて形成されている。シールド上端面６２ｆはシールド下端面６２ｒよりも小さい大きさを有している。
【０１１１】
シールド接続部６２ｃはシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続する部分である。シールド接続部６２ｃは、シールド前端面６２ｂとの接続部６２ｘを除くすべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。
【０１１２】
シールド接続部６２ｃは接続部６２ｘから、シールド上端面６２ｆに接続される接続部６２ｙに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から漸次離れるように傾斜した傾斜構造を有している。接続部６２ｘはＡＢＳ３０内に配置されているが、接続部６２ｙはＡＢＳ３０から離れた位置に配置され、ＡＢＳ３０から後退している。
【０１１３】
そして、図１２に示すように、この接続部６２ｘと接続部６２ｙとを結ぶ仮想的な平坦面９９を考えた場合、この平坦面９９はシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを最短距離で結ぶ平坦面である。この平坦面９９よりも、シールド接続部６２ｃはＡＢＳ３０から離れるように傾斜した後退傾斜構造を有している。さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１と、縦平坦部６２ｃ２と、湾曲部６２ｃ３とを有し、これらが滑らかにつながり一体となった構造を有している。横平坦部６２ｃ１は概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。縦平坦部６２ｃ２は概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。
【０１１４】
シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０に達する大きさを有している。シールド下端面６２ｒはシールド上端面６２ｆよりも大きい大きさを有している。シールド下端面６２ｒはＡＢＳ３０側に対向シールド部６１が接続され、そのＡＢＳ３０から離れた後側に絶縁層３１が接続されている。
【０１１５】
上部前側シールド部６２は以上のような構造を有しているので、トリム前前側シールド部６２Ａ（図１２の上側）よりも、ＡＢＳ３０内に配置されている端面の大きさが小さく、体積も小さい。トリム前前側シールド部６２Ａは、後述するトリミング工程を実行することによって形成される直前の前側シールド部である。トリム前前側シールド部６２Ａは、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に達し、トリム前前端面６２ａを有している。そして、トリム前前端面６２ａとシールド前端面６２ｂの大きさを比較すると、シールド前端面６２ｂ＜トリム前前端面６２ａである。
【０１１６】
次に、連結シールド部６３について説明する。連結シールド部６３は、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成されている。連結シールド部６３はＡＢＳ３０から離れて形成されている。連結シールド部６３は上部前側シールド部６２と、後側シールド部６４とに接続されている。
【０１１７】
後側シールド部６４は上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃよりもＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。後側シールド部６４は、連結シールド部６３と、上部ヨーク層６５とに接続されている。後側シールド部６４は上部前側シールド部６２と等しい高さに形成されている。そのため、後側シールド部６４は、上部薄膜コイル５１およびシールド上端面６２ｆとともに共通平坦面５９を形成している。
【０１１８】
上部ヨーク層６５は主磁極層２６の上端面２６ｄのうちの非磁性層２７，２８よりもＡＢＳ３０から離れた後側に接続されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面と段差なく形成されている。上部ヨーク層６５の上端面は対向シールド部６１の上端面とともに共通平坦面５９Ａ(図３３参照)を形成している。
【０１１９】
その他、薄膜磁気ヘッド３００は、変位抑制層８５を有している。変位抑制層８５は連結シールド部６３の上端面に接続されている。変位抑制層８５は線熱膨張係数の小さい非磁性材料によって形成されている。例えば、変位抑制層８５は無機材料または金属材料を用いることが好ましく、例えばＳｉＣ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ｗ（タングステン）を用いることができる。特に、変位抑制層８５は硬度の大きい非磁性材料を用いることが好ましい。例えば、ＳｉＣはアルミナに比べてビッカース硬度が大きいため、変位抑制層８５はＳｉＣを用いることが好ましい。
【０１２０】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は保護絶縁層９０を有している。保護絶縁層９０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて形成されている。保護絶縁層９０は埋込部９０ａと、カバー部９０ｂとを有し、埋込部９０ａとカバー部９０ｂとが一体となっている。埋込部９０ａは、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれている。カバー部９０ｂは連結シールド部６３および変位抑制層８５を覆うように形成されている。
【０１２１】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１、図２、図６〜図９、図１２とともに、図１３（ａ），図１３（ｂ）〜図１９（ａ），図１９（ｂ）、図２０、図２１（ａ），図２１（ｂ）、図２２〜図３１、図３２（ａ），図３２（ｂ）〜図３８（ａ），図３８（ｂ）、図３９を参照して、前述の構造を有する薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【０１２２】
ここで、図１３（ａ）〜図１９（ａ）、図２１（ａ）および図３２（ａ）〜図３８（ａ）は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における図１に対応した断面図、図１３（ｂ）〜図１９（ｂ）、図２１（ｂ）および図３２（ｂ）〜図３８（ｂ）は、同じく図２に対応した正面図である。図２０は、図１９（ａ）の要部を示す断面図である。図２２〜図２９は、薄膜磁気ヘッド３００の各製造工程における要部を拡大した断面図である。図３０、図３１は、それぞれ図２６、図２８の要部を拡大した断面図である。図３９は、薄膜磁気ヘッド３００の製造工程における積層体の要部を示す平面図である。なお、各図において、“ＡＢＳ”とは、後にＡＢＳ３０が形成される予定ラインを示している。予定ラインは図３９に示すように直線上に形成されている。
【０１２３】
まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板１を準備する。そして、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すように、その基板１の上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料からなる絶縁層２と、磁性材料からなる下部シールド層３を順に形成する。絶縁層２を形成するときに加熱部８が形成される。
【０１２４】
次に、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材料を用いてシールドギャップ膜４を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードをシールドギャップ膜４で覆う。それから、磁性材料と絶縁材料とを用いてシールドギャップ膜４の上に上部シールド層６（第１のシールド部６ａ、絶縁部６ｂ、第２のシールド部６ｃ）を形成する。
【０１２５】
次に、上部シールド層６の上にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて、上部シールド層６と、後に形成される記録ヘッドとを分離するための絶縁層７を形成する。絶縁層７を形成するときに感熱部９が形成される。これまでの工程で記録ヘッドを形成するための積層体が得られる。その後、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の磁性材を用いて連結シールド部４３を形成するための磁性層（厚さは０．６μｍ程度）を形成して、積層体表面に絶縁層を形成し、化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）によって積層体表面の平坦化を行う。すると、対向絶縁層１７と連結シールド部４３が形成される。このとき、連結シールド部４３はＡＢＳ３０から０．３μｍ〜１μｍ（本実施の形態では、０．５μｍ程度）離して形成する。
【０１２６】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の絶縁層１８（膜厚は０．１μｍ〜０．３μｍ程度）を形成する。それから、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン（図示せず）を形成する。このレジストパターンをマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、絶縁層１８を選択的に開口する。そして、接続シールド部形成工程を実行する。この工程では、フレームめっき法により、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて接続シールド部４１，第１の後側シールド部４４を厚さ１〜１．５μｍ程度で形成する。
【０１２７】
次に、図１４（ａ）、図１４（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層１９（膜厚は０．０２μｍ〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１μｍ〜０．２μｍ程度）をアトミックレイヤー法によるＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法で積層体の表面全体に形成する。絶縁層１９は、接続シールド部４１、第１の後側シールド部４４を被覆するように形成される。
【０１２８】
それから、導体層形成工程を実行して導体層７０を形成する。導体層７０は、下部薄膜コイル１１を形成するために形成する。この工程では、まず、フレームめっき法によって、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４との間に導体層７０を形成する。導体層７０は、２つの間隙部７０ａを備え、かつ絶縁層１９を介して接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４とに隙間なく接触するようにして形成する。導体層７０は間隙部７０ａを備えているから間欠導体層である。
【０１２９】
次に、図１５（ａ）、図１５（ｂ）に示すように、導体層７０における２つの間隙部７０ａを埋めるようにフォトレジスト層８０（膜厚は１．５μｍ〜２．５μｍ程度）を形成する。次いで、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る絶縁膜２０を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１３０】
すると、図１６（ａ）、図１６（ｂ）に示すように、導体層７０とともに接続シールド部４１と第１の後側シールド部４４の平坦化処理が行われる。この場合、平坦化処理を行うことによって、対向絶縁層２０が形成されるので、平坦化処理は対向絶縁層形成工程としての意味を有している。また、対向絶縁層２０とともに下部薄膜コイル１１が形成される。
【０１３１】
続いて、図１７（ａ）、図１７（ｂ）に示すように、対向絶縁層２０および絶縁層１９の表面を露出されるレジストパターン７９を形成する。続いて、傾斜処理工程を実行する。傾斜処理工程では、レジストパターン７９をマスクにして、ウェットエッチング、イオンビームエッチング等を行い、図１８（ａ）、図１８（ｂ）に示すように対向絶縁層２０および絶縁層１９の表面を削りとり、対向絶縁層２０の表面に凹部を形成する。この場合、削り取った後の表面が下り傾斜状になるように対向絶縁層２０の表面および絶縁層１９の表面を削りとり、これによって対向絶縁層２０の最上面に傾斜上端面２０ａを形成する。また、傾斜処理工程では、接続シールド部４１のＡＢＳ３０側の一部分が露出するようにウェットエッチング等を行う。さらに、傾斜処理工程では、対向絶縁層２０の最上面（基板１から最も離れた上端面）の全体が上端面４１ａよりも基板１に近い位置に配置されるように、ウェットエッチング等を行う。
【０１３２】
続いて、図１９（ａ）、図１９（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２１（膜厚は０．３μｍ〜０．７μｍ程度）を形成する。その後、この絶縁層２１を選択的に開口する。
【０１３３】
次に、下部前側シールド部形成工程を実行し、前端角Ｘαが鈍角の下部前側シールド部４２を形成する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、開口した部分に重ねて下部前側シールド部４２と、第２の後側シールド部４５とをともに厚さ０．５μｍ〜１．２μｍ程度で形成する。この場合、前述した傾斜処理工程によって、対向絶縁層２０の最上面に下り傾斜状の傾斜上端面２０ａが形成されているため、その傾斜上端面２０ａに磁性材が直に接するようにフレームめっき法を実行することによって下部前側シールド部４２が形成される。こうして、下部前側シールド部形成工程を実行する。また、傾斜処理工程で接続シールド部４１のＡＢＳ３０側を露出させているので、下部前側シールド部４２が上端面４１ａのほか、前端面４１ｂにも接するように形成される。
【０１３４】
なお、この時点では、まだ、ＡＢＳ３０が形成されていない。そのため、図２０に示すように、下部前側シールド部４２の前端面と、対向絶縁層２０の前端面とによって、段差のない平坦な前端面３０ｈが形成されている。
【０１３５】
その後、積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。それから、図２１（ａ）、図２１（ｂ）に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いてベース絶縁層２４を形成する。ベース絶縁層２４を形成するときに加熱部２３が形成される。その後、ベース絶縁層２４を選択的に開口する。続いて、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてフレームめっき法によって、開口した部分にリーディングシールド部４７を形成するための磁性部（リーディング磁性部）４７Ｘと、第３の後側シールド部４６とをそれぞれ厚さ０．５μｍ〜１．０μｍ程度で形成する。
【０１３６】
次に、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図２２に示すようにレジストパターン９５Ａを積層体の表面に形成する。この場合、リーディング磁性部４７ＸのＡＢＳ３０（“ＡＢＳ”）から最も離れた部分が露出するように、レジストパターン９５Ａが形成される。この場合、“ＡＢＳ”よりもレジストパターン９５Ａの端部が幅Ｗ９５Ａだけ張り出した形状でレジストパターン９５Ａが形成される。リーディング磁性部４７Ｘは図３９に示すように、積層体の表面の予定ラインを含む領域に配置されている。
【０１３７】
続いて、第１の除去工程を実行する。この工程では、レジストパターン９５Ａをマスクに用いて、プラズマエッチング等の等方性エッチングを行い、リーディング磁性部４７Ｘの、レジストパターン９５Ａで被覆されずに露出している主磁極層２６側の表面を除去する。すると、図２３に示すように、レジストパターン９５Ａで被覆されている部分にアンダーカットが形成され、傾斜の緩やかな下り傾斜状の出現面４７Ｌが出現する。
【０１３８】
その後、レジストパターン９５Ａを除去すると、図２４に示すように、出現面４７Ｌを備えたリーディング磁性部４７Ｘが得られる。
【０１３９】
次いで、第２の除去工程を実行する。この工程では、積層体の表面にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図２５に示すようにレジストパターン９５Ｂを積層体の表面に形成する。この場合、レジストパターン９５Ｂは、“ＡＢＳ”よりも幅Ｗ９５Ｂだけ張り出した形状で形成される。レジストパターン９５Ｂは、出現面４７Ｌの“ＡＢＳ”側の一部分を被覆するように形成される。また、レジストパターン９５Ｂで被覆される部分のＡＢＳ３０の交差方向に沿った奥行きよりも、出現面４７Ｌのレジストパターン９５Ｂで被覆されない部分の奥行きを大きくする。すなわち、図３０に示す幅Ｗ４７Ｌよりも幅Ｗ４７Ｍが大きくなるようにレジストパターン９５Ｂを形成する。
【０１４０】
それから、レジストパターン９５Ｂをマスクに用いて、反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」ともいう）等を行い、出現面４７Ｌのレジストパターン９５Ｂで被覆されない部分、すなわち、“ＡＢＳ”から最も離れた部分をベース絶縁層２４の表面２４Ｌとともに除去する。すると、図２６に示すように、出現面４７Ｌの“ＡＢＳ”から離れた部分に下り傾斜状の傾斜面４７Ｍが出現する。出現面４７Ｌの一部分を除去することによって、傾斜面４７Ｍが形成されているので、傾斜面４７Ｍの方がより基板１に近い位置に配置される。傾斜面４７Ｍは出現面４７Ｌよりも傾斜角度が大きい。また、表面２４Ｌが除去されたことにより、ベース絶縁層２４に表面２４Ｍが出現する。この第２の除去工程を実行することで得られる傾斜面４７Ｍが前述の上傾斜面４７ａに相当し、出現面４７Ｌの残った部分が前側上傾斜面４７Ｌに相当する。
【０１４１】
次に、中間絶縁層形成工程を実行する。この工程は、次のようにしてリフトオフを行い、前述した中間絶縁層４９を形成する。
【０１４２】
まず、図２７に示すように、レジストパターン９５Ｂを残したままスパッタリング、蒸着等を行い、積層体の表面にアルミナからなる絶縁層４９を形成する。この絶縁層４９は、傾斜面４７Ｍおよびベース絶縁層２４の表面２４Ｍ上に形成され、さらには、レジストパターン９５Ｂ上にも形成される。それから、レジスト剥離液を用いてレジストパターン９５Ｂを除去する。すると、レジストパターン９５Ｂがその上に形成されている絶縁層４９とともに除去され、図２８に示すように、残った絶縁層４９によって中間絶縁層４９が形成される。
【０１４３】
次に、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって、サイドシールド部４７Ａをリーディングシールド部４７上に厚さ０．５μｍ〜０．８μｍ程度の厚さで形成する（サイドシールド部４７Ａは図２８、図２９には図示せず）。
【０１４４】
それから、図２９、図３２（ａ）、図３２（ｂ）に示すように、中間絶縁層４９およびサイドシールド部４７Ａを被覆するようにして非磁性薄膜２５を形成する。非磁性薄膜２５はＲｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の非磁性金属材料や、アルミナ等の絶縁材料を用いてスパッタリングによって形成する。
【０１４５】
続いて、主磁極層形成工程を実行することによって主磁極層２６を形成する。主磁極層２６は、出現面４７Ｌの“ＡＢＳ”側部分と中間絶縁層４９の表面に非磁性薄膜２５を介して形成する。
【０１４６】
この場合、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて例えばスパッタリングにより、０．４〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層７５を形成する。磁性層７５によって後に主磁極層２６が形成される。そして、積層体の表面全体をＣＭＰで研磨して、積層体表面の平坦化を行う。
【０１４７】
その後、積層体の表面に例えばスパッタリングにより、Ｒｕ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕ等の金属材料を用いて非磁性層７７（厚さは約０．０４〜０．１μｍ程度）を形成する。非磁性層７７は後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２７となる。さらに、積層体の表面全体に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン酸化物等の無機絶縁材料を用いて非磁性層７８（厚さは約０．１〜０．３μｍ程度）を形成する。非磁性層７８は、後に一部がエッチングされることによって、前述の非磁性層２８となる。
【０１４８】
続いて、積層体の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、レジストパターン８１をＡＢＳ３０の近傍に形成する。
【０１４９】
次に、レジストパターン８１をマスクに用いて例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性層７８の一部を除去する。この場合のエッチングは、エッチングによって形成された溝の底部が非磁性層７７の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。そのため、非磁性層７８には、非磁性層７７と比べて非磁性層７８をエッチングする際のエッチングレートの小さい材料を用いる。
【０１５０】
それからレジストパターン８１を除去する。続いて、残された非磁性層７８をマスクに用いて例えばＩＢＥによって、非磁性層７７の一部をエッチングして除去する。さらに、残された非磁性層７７をマスクに用いて例えばＩＢＥにより、磁性層７５の一部をエッチングして除去する。この工程を経ることによって、磁性層７５のＡＢＳ側に上傾斜面２６ｃが形成される。
【０１５１】
続いて、図３３（ａ）、図３３（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料や、Ｒｕ，ＮｉＣｕ、Ｔａ等の非磁性導電材料を用いてスパッタ法またはＣＶＤによってギャップ層２９（厚さは約２５０Å〜３５０Å程度）を形成する。
【０１５２】
さらに、例えばスパッタ法により図示しないストッパ膜を形成し、その上に非磁性膜を形成する。その上で、積層体の表面全体に図示しないフォトレジストを塗布する。そして、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、図示しないレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクに用いて、例えばＲＩＥ等のエッチングを行い、非磁性膜をエッチングする。このエッチングはエッチングによって形成された溝の底部がストッパ膜の上面に到達した時点で停止するようにして行われる。それから、図示しないレジストパターンを除去した後、残された非磁性膜をマスクに用いてＲＩＥ等のエッチングを行い、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去する。ここで、ギャップ層２９、非磁性層７７および非磁性層７８の一部を除去することによって、上部ヨーク層６５を形成するためのスペースを確保している。
【０１５３】
続いて、対向シールド部形成工程を実行することによって対向シールド部６１を形成する。この工程では、まず、積層体の表面に磁性層を形成する。この磁性層は、めっき法により、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ，ＮｉＦｅなどの強磁性体からなる磁性材を用いて、０．５〜１．２μｍ程度の厚さで形成する。この磁性層によって、後に対向シールド部６１および上部ヨーク層６５が形成される。
【０１５４】
続いて、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層（厚さは１〜３μｍ程度）を形成する。さらに、磁性層の表面が露出するまで積層体の表面全体をＣＭＰにより研磨して積層体表面の平坦化を行う。すると、対向シールド部６１、上部ヨーク層６５および絶縁層３１が形成される。このとき、対向シールド部６１の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるようにして積層体の表面を研磨する。
【０１５５】
次に、第１のシールド部形成工程を実行する。この工程では、図３４（ａ），図３４（ｂ）に示すように、積層体の表面のうちの上部前側シールド部６２と後側シールド部６４とを形成しようとする部分にそれぞれトリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４とを形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２ＡがＡＢＳ３０内に配置されるので、第１のシールド部に対応している。第１のシールド部形成工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いてトリム前前側シールド部６２Ａおよび後側シールド部６４を例えばフレームめっき法によって形成する。このとき、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４との間隔が３．０μｍから３．５μｍ程度となるようにする。
【０１５６】
そして、トリム前前側シールド部６２Ａは対向シールド部６１に接続され、かつＡＢＳ３０内に配置されるように形成する。トリム前前側シールド部６２Ａは図１２の上側に示したような形状を有している。このトリム前前側シールド部６２Ａでは、前端面６２ａのすべてがＡＢＳ３０内に配置されている。
【０１５７】
それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等を用いて積層体の表面に層間絶縁膜３２を形成した後、図３５（ａ），図３５（ｂ）に示すように、積層体の表面における第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４との間に導体層７１を形成する。この導体層７１によって、後に上部薄膜コイル５１が形成される。導体層７１は２つの間隙部７１ａを備え、かつ第１のシールド部（トリム前前側シールド部６２Ａ）と後側シールド部６４に層間絶縁膜３２を介して隙間なく接触するようにして形成する。導体層７１は、間隙部７１ａを備えているから間欠導体層である。
【０１５８】
その後、導体層７１における２つの間隙部７１ａを覆うようにフォトレジスト層５５（膜厚は２μｍ〜３μｍ程度）を形成し、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いて積層体の表面をカバーし得る図示しないカバー絶縁膜を３μｍ〜４μｍ程度の厚さで形成する。それから、トリム前前側シールド部６２Ａと後側シールド部６４が現われるまで積層体の表面をＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。
【０１５９】
すると、図３６（ａ），図３６（ｂ）に示すように、上部薄膜コイル５１およびフォトレジスト層５５が形成される。このとき、上部薄膜コイル５１の厚さが１．０μｍ〜１．８μｍ程度となるように、積層体表面の平坦化を行う。また、積層体表面の平坦化が行われたことによって、前述した共通平坦面５９が形成される。
【０１６０】
続いて、図３７（ａ），図３７（ｂ）に示すように、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて絶縁層３４を形成し、絶縁層３４を部分的に開口する。その後、連結シールド部形成工程を実行する。この工程では、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材を用いて、フレームめっき法によって連結シールド部６３を形成する。連結シールド部６３は、トリム前シールド部６２Ａに接続されるように形成する。連結シールド部６３は、絶縁層３４を介して上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐようにして形成する。
【０１６１】
また、連結シールド部６３は前端面３０ｈから後退させて（ＡＢＳ３０からも後退させて）ＡＢＳ３０から離れた位置に形成する。すなわち、ＡＢＳ３０との間に後退スペース６３ｈが確保されるような位置に連結シールド部６３を形成する。後退スペース６３ｈはＡＢＳ３０に沿った例えば０．４μｍから０．７μｍ程度の幅を有し、かつ連結シールド部６３と同じ高さを備えた細長い部分になる。
【０１６２】
次に、トリミング工程を実行する。この工程では、図３８（ａ），図３８（ｂ）に示すように、連結シールド部６３をマスクに用いてイオンビームＩＢを上方向から照射してＩＢＥを行い、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除する。トリム前前側シールド部６２Ａは連結シールド部６３によってＡＢＳ３０側部分が被覆されていないので、ＩＢＥを行うとトリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側の一部分が切除される。このとき、ＩＢＥは、トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０内に配置されるトリム前前端面６２ａの一部を残すようにして実行する。こうすることで、図１２に示したように、トリム前前端面６２ａのうち、切除されずに残された部分によって前述したシールド前端面６２ｂが形成される。さらに、ＩＢＥは前述の後退傾斜構造を備えたシールド接続部６２ｃが出現するようにして実行する。
【０１６３】
前述のトリミング工程では、連結シールド部６３自体をマスクに用いているが、連結シールド部６３を用いる代わりに連結シールド部６３の上面をカバーするフォトレジスト等のマスクを用いてもよい。すなわち、連結シールド部６３と大きさの等しいマスクをフォトレジスト等を用いて連結シールド部６３の上面に形成し、そのマスクを用いて、トリム前前側シールド部６２Ａの連結シールド部６３によって被覆されていない部分を切除してもよい。
【０１６４】
また、エッチングに用いるガスプラズマの化学的な作用が伴うと、トリム前前側シールド部６２Ａの垂直方向（図３８の縦方向）だけでなく、水平方向（（図３８の横方向）にもエッチングが進行するおそれがある。そのため、トリミング工程では、ノンリアクティブなＩＢＥ、すなわち、イオンミリングを行うことが好ましい。不活性なイオンを照射したときの物理的な衝撃を利用して行うエッチングをリアクティブイオンエッチングと区別するため、イオンミリングともいう。
【０１６５】
続いて、図１に示したように変位抑制層８５を形成する。それから、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁材料を用いて変位抑制層８５をカバーするようにして保護絶縁層９０を形成する。その後、前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行い、ＡＢＳ３０を形成すると、薄膜磁気ヘッド３００が完成する。
【０１６６】
保護絶縁層９０は、シールド接続部６２ｃの全体に接し、かつシールド接続部６２ｃとＡＢＳ３０との間に隙間なく埋め込まれるように形成する。
【０１６７】
（薄膜磁気ヘッド３００の作用効果）
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００はリーディングシールド部４７を有している。リーディングシールド部４７は、前述した変距離構造を有し、最前部４７Ｒよりも最後部４７Ｑが主磁極層２６から離れた構造を有している。このようなリーディングシールド部４７を備えていると、少なくとも最後部４７Ｑ側においては、リーディングシールド部４７と主磁極層２６との間に隙間が確保されるため、主磁極層２６の近傍に配置される磁性材の大きさが小さくなる。そのため、主磁極層２６からリーディングシールド部４７への漏れ磁束を低減することを目的としてリーディングシールド部４７の奥行きＷ４７を狭める必要がない。
【０１６８】
したがって、リーディングシールド部４７と、下部前側シールド部４２とが接続される部分が小さくなることもないので、リーディングシールド部４７から下部前側シールド部４２に向かう磁束の経路が狭まることもない。そのため、リーディングシールド部４７における磁束の飽和が起こり難く、記録媒体から還流する磁束がリーディングシールド部４７によって取り込まれずに残ることもない。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、従来の薄膜磁気ヘッドよりも隣接トラック消去（ＡＴＥ）や広域トラック消去（ＷＡＴＥ）を改善することができる。
【０１６９】
また、薄膜磁気ヘッド３００では、第１のなす角αよりも、第２のなす角βが大きく形成されている。そのため、リーディングシールド部４７と、主磁極層２６との間に確実に隙間が確保される。その隙間に中間絶縁層４９を形成することができる。
【０１７０】
そして、主磁極層２６から磁束が漏れ出し、リーディングシールド部４７に達することがないよう、中間絶縁層４９によって、主磁極層２６からの磁束の漏えいを確実に軽減できる。
【０１７１】
この中間絶縁層４９は変厚構造を有しているから、主磁極層２６の下傾斜面２６ｅと、リーディングシールド部４７の上傾斜面４７ａとの隙間に確実に配置することができる。
【０１７２】
そのうえ、リーディングシールド部４７が前側上傾斜面４７Ｌを有しているからＡＢＳ３０の近傍においては、主磁極層２６とリーディングシールド部４７との間に非磁性薄膜２５だけが配置される。中間絶縁層４９を配置するためのスペースがリーディングシールド部４７のＡＢＳ３０から離れた部分に確保されている。リーディングシールド部４７のＡＢＳ３０内に配置される部分（すなわち、前端面４７ｄ）の大きさを小さくすることなく、中間絶縁層４９の配置スペースが確保されている。そのため、リーディングシールド部４７に中間絶縁層４９の配置スペースが確保されていても、リーディングシールド部４７によるシールド機能が損なわれることはない。主磁極層２６の磁極端面２６ａから放出される磁束のうち、ＡＢＳ３０の交差方向とは異なる方向に広がる磁束を取り込み、ＡＴＥ等を防止する機能がシールド機能である。
【０１７３】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は下部前側シールド部４２を有している。下部前側シールド部４２は前端凸部４２Ｐを有し、その前端凸部４２Ｐは丸みを帯びた凸状部分である。そして、主磁極層２６から下部前側シールド部４２に磁束が漏れ出て、その磁束が下部前側シールド部４２の外部に漏れ出すときは、図１０（ａ）に示すように、その磁束が前端凸部４２Ｐから磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２のように適宜分散して外部に進行する。
【０１７４】
しかし、前端凸部４２Ｐが丸みを帯びた緩やかな凸状部分であるため、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２の強さの差が少ない。したがって、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が記録媒体に到達しても、そのそれぞれによって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられたりといった不具合は起こりにくい。そのため、データ消去等が軽減される。
【０１７５】
一方、図１０（ｂ）に示すように、従来の薄膜磁気ヘッド７００では、下部前側シールド部７１２の前端角が直角に設定されているため、凸部７１２Ｐが鋭く角張っている。そのため、主磁極層７１０から下部前側シールド部７１２に磁束が漏れ出すと、その磁束は凸部７１２Ｐに集中しやすい。したがって、中央の磁束Ｂ０の強さがその外側の磁束Ｂ１、Ｂ２よりも強くなってしまう。そのため、磁束Ｂ０、Ｂ１、Ｂ２が記録媒体に到達すると、最も強い磁束Ｂ０によって、記録媒体に記録されているデータが消去されたり、書きかえられたりといった不具合が起きやすい。
【０１７６】
このように、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００は、下部前側シールド部４２を有していることによって、シールド磁性層の構造に起因したデータ消去等を軽減できるように構成されている。
【０１７７】
また、前端凸部４２Ｐは前端面４２ａと傾斜下端面４２ｂの交差する角部に対応している。前端角Ｘαが鈍角に設定されているため、下部前側シールド部４２に接する対向絶縁層２０の前端面２０ｂと、傾斜上端面２０ａとのなす角（前端面２０ｂから傾斜上端面２０ａに向かって反時計回りに計った角度、反前端角ともいう）が鋭角になる。そうすると、反前端角が直角に設定されている場合よりも、対向絶縁層２０の前端面２０ｂ（厳密には前端面３０ｈ）のうちの、下部前側シールド部４２と対峙している鋭角部分の体積が小さい。そのため、ＡＢＳ３０を形成するべく前端面３０ｈに対する研磨加工や機械加工を行ったときに、下部前側シールド部４２と対峙している鋭角部分が欠落しやすい（前述の欠落端部２０ｄは、この欠落に起因して形成される）。鋭角部分の欠落に伴い、下部前側シールド部４２と対向絶縁層２０との境界部分に微小な隙間が形成される。すると、下部前側シールド部４２では、前端面４２ａにおける対向絶縁層２０との境界部分において、ＡＢＳ３０の交差方向だけではなくそれとは異なる方向からも研磨等が進行し、その結果、丸みを帯びた前端凸部４２Ｐが形成される。このように、下部前側シールド部４２の前端角Ｘαを鈍角に設定することによって、前端凸部４２Ｐを簡易にしかも確実に形成することができる。
【０１７８】
なお、従来のように、前端角が直角に設定されているときは、反前端角も直角に設定されている。すると、前端面３０ｈにおいて、下部前側シールド部４２と対向絶縁層２０の直角な角部同士が対峙する格好になるため、その下部前側シールド部４２と対峙している角部が欠落することがない。したがって、丸みを帯びた前端凸部４２Ｐは形成されない。
【０１７９】
さらに、薄膜磁気ヘッド３００は、対向絶縁層２０を有し、その傾斜上端面２０ａが下り傾斜状に形成されている。そのため、対向絶縁層２０に接する磁性層を形成すれば、その磁性層の前端角が鈍角になる。したがって、対向絶縁層２０に重ねて磁性層を形成すれば下部前側シールド部４２が得られるから、下部前側シールド部４２を確実に形成することができる。
【０１８０】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は接続シールド部４１を有し、その上端面４１ａとともに前端面４１ｂが下部前側シールド部４２に接続されている。そのため、前端角が直角に設定されている場合よりも、下部前側シールド部４２と接続シールド部４１との接触面積が拡大される。よって、下部前側シールド部４２から接続シールド部４１への磁束の伝達が確実に行われる。
【０１８１】
一方、薄膜磁気ヘッド３００は、対向シールド部６１と、連結シールド部６３との間に配置される磁性層として、上部前側シールド部６２だけが形成されている。そのため、前述した従来のＰＭＲ７００のように、対向シールド部７０１と連結シールド部７０４との間に、前側シールド部７０３と接続用シールド部７０２という２つの磁性層が形成されている場合に比べて、薄膜磁気ヘッド３００は、上下方向に沿った磁路の長さが短くなり、その分、磁路長を短縮することができる。
【０１８２】
よって、薄膜磁気ヘッド３００は記録ヘッドの磁束立ち上がり時間（Flux  Rize  Time）や、非線形トランジションシフト（Non-linear  Transition  Shift:NLTS)特性、重ね書き(Over  Write)特性等を改善でき、周波数が高く変化の速い記録信号のすばやい変化に追従することが可能になる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、特にサーバに搭載されるハードディスク装置の記録ヘッドとして好適である。
【０１８３】
その上、上部前側シールド部６２は、ＡＢＳ３０から、層間絶縁膜３２を介して上部薄膜コイル５１に到達し得るだけの横幅を有している。そのため、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているにもかかわらず、上部前側シールド部６２は対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方に確実に接続されている。したがって、主磁極層２６に対向する対向シールド部６１と、上部薄膜コイル５１のターン部５１ｇ、５１ｅ、５１ｃを跨ぐ連結シールド部６３とが１本につながり、１本につながった磁気回路を形成することができる。なお、異距離構造とは、対向シールド部６１がＡＢＳ３０内に配置され、かつ連結シールド部６３がＡＢＳ３０から後退していることによって、対向シールド部６１、連結シールド部６３それぞれのＡＢＳ３０からの距離が異なっている構造を意味している。
【０１８４】
ここで、ライトシールド層６０が異距離構造を有しているなかで、上部前側シールド部６２によって対向シールド部６１と連結シールド部６３の双方を確実に接続するための構造を考える。トリム前前側シールド部６２Ａのように、前端面のすべての部分がＡＢＳ３０内に配置されているときに上端面と下端面の大きさが最大になるから、前述の構造を実現するためには、トリム前前側シールド部６２Ａのように前端面のすべてがＡＢＳ３０内に配置されていることが望ましい。
【０１８５】
しかし、そうすると、トリム前前端面６２ａがＡＢＳ３０に大きく露出してしまう。上部前側シールド部６２もトリム前前側シールド部６２Ａも、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮ、ＮｉＦｅ等の強磁性体からなる磁性材により形成されている。そのため、トリム前前側シールド部６２Ａのようにトリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出していると、上部薄膜コイル５１の発熱によってフォトレジスト層５５が膨張したときの影響をトリム前前側シールド部６２Ａがより強く受けてしまう。
【０１８６】
フライングハイトは極めて微小なので、トリム前前端面６２ａの限られた微小部分が突出しただけでも、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生してしまう可能性がある。トリム前前端面６２ａの全体がＡＢＳ３０に露出しているということは、突出の対象となりえるそのような微小部分がＡＢＳ３０内にたくさん存在しているということを意味し、それだけ、記録媒体に衝突し得る突出の態様が多く、薄膜磁気ヘッド３００と記録媒体との衝突が発生しやすいということを意味している。
【０１８７】
そこで、薄膜磁気ヘッド３００では、図１２の下側に示したような構造の上部前側シールド部６２を形成している。こうして、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになるようにしている。
【０１８８】
そして、上部前側シールド部６２では、シールド上端面６２ｆがシールド前端面６２ｂよりも基板１から離れた位置に配置されていて、そのシールド前端面６２ｂとシールド上端面６２ｆとを接続するシール接続部６２ｃを上部前側シールド部６２が有している。このような構造では、シールド上端面６２ｆがＡＢＳ３０に到達している場合、すなわち、図１２の上側に示したようなトリム前前側シールド部６２ＡよりもＡＢＳ３０内に配置される前端面の大きさが小さくなる。そのため、上部前側シールド部６２を有することによって、薄膜磁気ヘッド３００が記録媒体と衝突する事態を抑制できるようになる。
【０１８９】
よって、薄膜磁気ヘッド３００では、特に上部薄膜コイル５１の発熱に伴いライトシールド層６０が突出することを抑制することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドの突出に伴う破損のおそれが極めて少なくなるから、記録メディアに接近させることができる。
【０１９０】
そして、薄膜磁気ヘッド３００は、図示しないスライダに組み込まれるが、そのスライダの記録媒体表面からの浮上量（フライングハイト）を縮小することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドおよび再生ヘッドの解像度（resolution）を高め、信号対雑音比を向上させることができる。また、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を高めることができる。
【０１９１】
一方、上部前側シールド部６２は、連結シールド部６３を形成した後、連結シールド部６３が接触していないＡＢＳ３０側の一部分を切除することによって形成されている。そのため、ＡＢＳ３０に露出する部分が小さいにもかかわらず、シールド上端面６２ｆが確実に確保されており、上部前側シールド部６２と連結シールド部６３とが確実に接続され得る構造となっている。
【０１９２】
また、上部前側シールド部６２のＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保され、トリム前前端面６２ａのすべてが切除されることなくその一部がシールド前端面６２ｂとして残るようにしている。トリム前前側シールド部６２ＡのＡＢＳ３０側を切除する際、シールド前端面６２ｂが確保されなくなるまでＩＢＥを進めると、シールド下端面６２ｒまでもが切除されるおそれがある。この場合、対向シールド部６１に接続される部分が小さくなってしまい、対向シールド部６１と、上部前側シールド部６２との接続が不十分になるおそれがある。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無である。
【０１９３】
そして、上部前側シールド部６２はシールド接続部６２ｃを有しているが、このシールド接続部６２ｃは傾斜構造を有している。そのため、上部前側シールド部６２は前述の上方向からのＩＢＥによって確実に形成できる構造を有している。傾斜構造を有していない場合、例えば、シールド前端面６２ｂからシールド上端面６２ｆにつながる表面部分がＳ字状に屈曲していると、ＩＢＥによって、上部前側シールド部６２を形成するのは困難である。しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、そのようなおそれは皆無であり、上方向からのＩＢＥによって確実に上部前側シールド部６２を形成することができる。
【０１９４】
また、シールド接続部６２ｃは後退傾斜構造を有しているため、後退傾斜構造を有していない場合に比べて上部前側シールド部６２の体積が縮減されている。したがって、上部前側シールド部６２が突出する可能性がいっそう抑制されている。
【０１９５】
さらに、シールド接続部６２ｃは横平坦部６２ｃ１を有している。横平坦部６２ｃ１は、概ねＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。したがって、横平坦部６２ｃ１を有していない場合よりも、保護絶縁層９０の埋込部９０ａから縦方向に受ける圧力をシールド接続部６２ｃがより確実に受け止めることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００では、保護絶縁層９０の埋め込み状態が安定している。
【０１９６】
しかも、シールド接続部６２ｃは縦平坦部６２ｃ２を有している。縦平坦部６２ｃ２は、概ねＡＢＳ３０に沿って形成されている。したがって、上部前側シールド部６２は、トリム前前側シールド部６２Ａに対する上方向からのＩＢＥ等によって確実に形成できる構造となっている。
【０１９７】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長を短縮することができ、しかもＡＢＳ３０の一部が突出することを抑制できるから、媒体対向面の一部が突出することを抑制することと、磁路長の短縮とを両立できる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００は、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０１９８】
そして、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１が上述のような可変幅構造を有しているから、電流の流れを妨げることが少なく、抵抗値の上昇を抑制することができる。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、下部薄膜コイル１１、上部薄膜コイル５１の熱の発生を効果的に抑制することができる。
【０１９９】
第２の実施の形態
次に、図４０、図４１を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドについて説明する。ここで、図４０は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０のＡＢＳ３０と交差する方向に沿った図１に対応する断面図である。図４１はリーディングシールド部１４７、中間絶縁層１４９および主磁極層１２６の要部を拡大して示す断面図である。
【０２００】
薄膜磁気ヘッド３１０は薄膜磁気ヘッド３００と一致する構成を有しているので、以下の説明では、薄膜磁気ヘッド３１０の薄膜磁気ヘッド３００と相違する構成を中心に説明し、共通する構成の説明は省略ないし簡略化する。
【０２０１】
薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、主磁極層２６、リーディングシールド部４７および中間絶縁層４９の代わりに主磁極層１２６、リーディングシールド部１４７および中間絶縁層１４９を有する点で相違している。また、薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、上部薄膜コイル５１の代わりに上部薄膜コイル５０を有する点と、ライトシールド層６０の代わりにライトシールド層１６０を有する点で相違している。さらに、薄膜磁気ヘッド３１０の記録ヘッドは、薄膜磁気ヘッド３００の記録ヘッドと比較して、連続絶縁膜３９を有する点と、保護絶縁層９０の代わりに保護絶縁層９１および保護絶縁層９２を有する点で相違している。
【０２０２】
主磁極層１２６は、主磁極層２６と異なり、下面が平坦面となっている。リーディングシールド部１４７は、上傾斜面１４７ａと、第１の平坦面１４７ｃと、第２の平坦面１４７ｂとを有している。
【０２０３】
上傾斜面１４７ａは、第１の平坦面１４７ｃと、第２の平坦面１４７ｂとを接続し、第１の平坦面１４７ｃから第２の平坦面１４７ｂに近づくにしたがい、ＡＢＳ３０から離れるような下り傾斜状に形成されている。第１の平坦面１４７ｃは０．１μｍ程度の大きさを有し、最前部１４７Ｐを有している。また、ＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。
【０２０４】
最前部１４７ＰはＡＢＳ３０内に配置され、かつリーディングシールド部１４７の中で主磁極層２６に最も近い位置に配置されている。第２の平坦面１４７ｂは最後部１４７Ｑを有し、かつＡＢＳ３０の交差方向に沿って形成されている。リーディングシールド部１４７では、図４１に示す高さｈ１４７が０．１μｍ〜０．３μｍ程度の大きさに形成されている。また、奥行きＷ１４７は０．５μｍ程度の大きさに形成されている。
【０２０５】
中間絶縁層１４９は、主磁極層１２６と、リーディングシールド部１４７との間に配置されている。中間絶縁層１４９は、ＡＢＳ３０と交差する方向の幅が主磁極層１２６に近づくにしたがい大きくなる構造を有している。本実施の形態では、このような構造を変幅構造という。
【０２０６】
薄膜磁気ヘッド３１０では、リーディングシールド部１４７の第１の平坦面１４７ｃおよび中間絶縁層１４９の表面が主磁極層１２６の下面形状に応じた形状に形成されている。
【０２０７】
以上のように、薄膜磁気ヘッド３１０では、リーディングシールド部１４７が最前部１４７Ｐと、最後部１４７Ｑを有していて、リーディングシールド部４７と同様、変距離構造を有している。したがって、薄膜磁気ヘッド３１０も、薄膜磁気ヘッド３００と同様、最後部１４７Ｑ側において、主磁極層１２６との間に隙間が確保されるため、主磁極層１２６の近傍に配置される磁性材が小さくなる。そのため、主磁極層１２６からリーディングシールド部１４７への漏れ磁束の低減を目的としてリーディングシールド部１４７の奥行きＷ１４７を狭める必要がない。また、リーディングシールド部１４７でも、リーディングシールド部４７と同様、磁束の飽和が起こりにくいから、記録媒体から還流する磁束がリーディングシールド部１４７によって取り込まれずに残ることもない。そのため、薄膜磁気ヘッド３１０も、隣接トラック消去（ＡＴＥ）や広域トラック消去（ＷＡＴＥ）を改善することができる。
【０２０８】
また、中間絶縁層１４９によって、主磁極層１２６からの磁束の漏えいを確実に軽減することができる。
【０２０９】
一方、前述した薄膜磁気ヘッド３００では、下部薄膜コイル１１と上部薄膜コイル５１の双方が単層構造を有していた。各ターン部がＡＢＳ３０の交差方向に沿って配置され、ＡＢＳ３０に沿った方向に重ならない構造が単層構造である。しかし、薄膜磁気ヘッド３１０では、下部薄膜コイル１１が単層構造を有するものの、上部薄膜コイル５０は２層の多重構造を有している。
【０２１０】
上部薄膜コイル５０は、ＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている第１のコイル層５２および第２のコイル層５３を有し、第１のコイル層５２および第２のコイル層５３によって上部導体群を構成している。
【０２１１】
そして、第１のコイル層５２と、第２のコイル層５３とは、ＡＢＳ３０に沿った方向（上下方向）に配置されている。第２のコイル層５３がコイル間絶縁層８４を介して第１のコイル層５２の上に重なっている。上部薄膜コイル５０は２層の多重構造を有している。また、上部薄膜コイル５０は、第１のコイル層５２の前側距離と第２のコイル層５３の前側距離とが等しく、第１のコイル層５２の後側距離と第２のコイル層５３の後側距離も等しい等距離二段構造を有している。
【０２１２】
第１のコイル層５２は、ターン部５２ｃを有している。ターン部５２ｃは第１の上部前側シールド部６２と、第１の後側シールド部６４との間に配置されている。第１のコイル層５２はライトシールド層１６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で２ターンループを形成している。
【０２１３】
第２のコイル層５３は、２つのターン部５３ｂ，５３ｄを有している。ターン部５３ｂ，５３ｄは、後述する第２の上部前側シールド部６６と、第２の後側シールド部６７との間に配置されている。また、第２のコイル層５３は、ターン部５３ｂ，５３ｄがフォトレジスト層５６を介して並んだ構造を有している。
【０２１４】
第２のコイル層５３はライトシールド層１６０の回りに平面渦巻き状に巻回され、全体で２ターンループを形成している。なお、図示の都合上、図４０では、第２のコイル層５３について、接続部５３ｆ、ターン部５３ｂ，５３ｄのみが示されている。また、第２のコイル層５３も下部薄膜コイル層１１と同様に可変幅構造を有している。
【０２１５】
そして、上部薄膜コイル５０は、第１のコイル層５２と第２のコイル層５３とが一連の３ターンループを形成している。
【０２１６】
つまり、上部薄膜コイル５０は第１のコイル層５２により１ターンループを形成した後、その真上に位置する第２のコイル層５３により２ターンループを形成することによって３ターンループを形成するという（１＋２）ターン構造を有している。なお、本実施の形態において（Ａ＋Ｂ）ターン構造とは、ターン数が“Ａ”のコイル層の上にターン数が“Ｂ”のコイル層が重なった多重構造を意味している。
【０２１７】
ライトシールド層１６０は、ライトシールド層６０と比較して、第２の上部前側シールド部６６と、第２の後側シールド部６７とを有する点で相違している。
【０２１８】
第２の上部前側シールド部６６は、第１の上部前側シールド部６２と、連結シールド部６３とに接続されている。第２の上部前側シールド部６６は、すべての部分がＡＢＳ３０から離れた位置に配置されている。第２のコイル層５３のターン部５３ｂ、５３ｄを跨ぐことなく第１の上部前側シールド部６２に接続されている。また、第２の上部前側シールド部６６は、上部薄膜コイル５０を構成する第２のコイル層５３のＡＢＳ３０側に配置されている。
【０２１９】
第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４と、連結シールド部６３とに接続されている。第２の後側シールド部６７は、第１の後側シールド部６４に応じた横幅を有している。
【０２２０】
連続絶縁膜３９は、第２の上部前側シールド部６６の前端面６６ａおよびシールド接続部６２ｃの表面上に、前端面６６ａからシールド接続部６２ｃにわたって連続して形成されている。
【０２２１】
また、薄膜磁気ヘッド３１０は、下部薄膜コイル１１と、上部薄膜コイル５０を有している。下部薄膜コイル１１も上部薄膜コイル５０も、ターン数は３本であるが、上部薄膜コイル５０は第１のコイル層５２と、第２のコイル層５３の多重構造を有している。そのため、１平面あたりのターン数は１本または２本と少ないながら全体で３本のターン数を確保できている。したがって、薄膜磁気ヘッド３１０はＡＢＳ３０からの奥行きを狭めることができる。
【０２２２】
その上、薄膜磁気ヘッド３１０は、薄膜磁気ヘッド３００と同様の第１の上部前側シールド部６２を有している。この第１の上部前側シールド部６２も、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、シールド前端面６２ｂ、シールド上端面６２ｆおよびシールド接続部６２ｃを有し、ＡＢＳ３０に露出する部分がシールド前端面６２ｂになっている。そのため、薄膜磁気ヘッド３１０では、図１２の上側に示したようなトリム前前端面６２ａよりもＡＢＳ３０に配置される前端面の大きさが小さくなる。したがって、第１の上部前側シールド部６２が突出する可能性を抑制することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３１０は薄膜磁気ヘッド３００と同様、磁路長の短縮に影響を及ぼすことなくＡＢＳ３０の一部の突出を抑制できるようになっている。
【０２２３】
また、第２の前側シールド部６６の前端面６６ａが平坦前端面になっていて、これがシールド接続部６２ｃと段差なく接続されている。そのため、第２の前側シールド部６６と第１の上部前側シールド部６２とに対し、連続絶縁膜３９を確実に形成することができる。さらに、トリミング工程で、第２のシールド部と第１のシールド部のＡＢＳ３０側部分をまとめて切除しているから、段差なくつながる平坦面を確実に形成することができる。しかも、第１の上部前側シールド部６２のシールド上端面６２ｆに対して第２の前側シールド部６６を位置合わせする必要がないから、その分、製造工程を簡略化することができる。
【０２２４】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図４２を参照して説明する。
【０２２５】
図４２の（ａ）は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。また、図４２の（ｂ）はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。図４２（ａ）に示すように、ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head  Gimbals  Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド３００に対向している。
【０２２６】
ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によって、図４２（ｂ）に示すスライダ２０８をトラック上に位置決めする。このスライダ２０８に薄膜磁気ヘッド３００が形成されている。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。
【０２２７】
さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生を制御する制御回路（control  circuit）２０４を有している。
【０２２８】
次に、ＨＧＡ２１０について図４２（ｂ）を参照して説明する。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ２０８が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ２０８の端子電極に電気的に接続されている。
【０２２９】
そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。
【０２３０】
ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、スライダ２０８がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【０２３１】
このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は薄膜磁気ヘッド３００を有しているから、ＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。
【０２３２】
特に、ハードディスク装置２０１が薄膜磁気ヘッド３００を有しているときはハードディスク装置２０１が従来の薄膜磁気ヘッド７００を有しているときよりも磁路長を短縮することが可能となる。そのため、薄膜磁気ヘッド３００のインダクタンスを小さくすることができる。したがって、薄膜コイルに周波数が高い記録信号を流すことが可能であり、記録媒体に対する記録密度を高くすることができる。
【０２３３】
なお、以上の各実施の形態では、変位抑制層を有する薄膜磁気ヘッドを例にとって説明しているが、本発明は、変位抑制層を有しない薄膜磁気ヘッドについても適用することができる。また、薄膜コイルがシールド磁性層４０、ライトシールド層６０の周りに平面渦巻き状に巻回されているが、主磁極層２６の周りに螺旋状に巻回されていてもよい。
【０２３４】
以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【０２３５】
本発明を適用することにより、ＡＴＥやＷＡＴＥを改善することができる。本発明は薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の分野で利用することができる。
【符号の説明】
【０２３６】
１…基板、１１…下部薄膜コイル、２０…対向絶縁層，２４…ベース絶縁層、２６，１２６…主磁極層、２６ｅ…下傾斜面、２９…ギャップ層、３０…ＡＢＳ、４０…シールド磁性層、４１…接続シールド部、４２…下部前側シールド部，４２Ｐ…前端凸部、４３…連結シールド部，４４…第１の後側シールド部、４５…第２の後側シールド部、４６…第３の後側シールド部、４７，１４７…リーディングシールド部、４７ａ，１４７ａ…上傾斜面、４７Ｌ…前側上傾斜面、４７Ｑ…最後部、４７Ｒ，１４７Ｐ…最前部、４７Ｑ，１４７Ｑ…最後部、４９，１４９…中間絶縁層，５０，５１…上部薄膜コイル、６０，１６０…ライトシールド層，６１…対向シールド部、６２…上部前側シールド部、６３…連結シールド部、６４…後側シールド部、２０１…ハードディスク装置、２０２…ハードディスク、２１０…ＨＧＡ、３００,３１０…薄膜磁気ヘッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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